(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
外部の物体の接触又は近接により変化する信号を検出するための複数の第１電極を含み、それぞれの前記第１電極からの検出信号が統合された出力信号を出力する第１電極群と、
前記第１電極群の複数の第１電極のうち、検出対象となる前記第１電極を選択する選択駆動部と、を有し、
前記選択駆動部は、第１選択信号に応じて、前記第１電極群のうち第１検出対象の第１電極を選択し、選択された前記第１検出対象の第１電極から第１出力信号が出力され、
前記選択駆動部は、前記第１検出対象の第１電極の選択動作とは異なるタイミングで、前記第１選択信号とは異なる第２選択信号に応じて、前記第１電極群のうち前記第１検出対象の第１電極に含まれない第２検出対象の第１電極を選択し、選択された前記第２検出対象の第１電極から第２出力信号が出力される検出装置。
【請求項２】
前記第１電極に駆動信号を供給する第１電極駆動部を有し、
前記第１電極は、前記駆動信号が供給されて、前記第１電極の静電容量変化に基づいて前記検出信号を出力する請求項１に記載の検出装置。
【請求項３】
前記第１電極群は複数設けられている請求項１又は請求項２に記載の検出装置。
【請求項４】
前記第１検出対象の第１電極、又は前記第２検出対象の第１電極の少なくとも一方は、共通のデータ線に接続された２以上の前記第１電極を含む請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の検出装置。
【請求項５】
前記第１選択信号及び前記第２選択信号は、所定の符号に基づいて生成される請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の検出装置。
【請求項６】
前記選択駆動部により前記第１検出対象として選択される前記第１電極の組み合わせパターンである第１選択パターンは、所定の符号に基づいて複数決められており、
前記第１選択パターンの数は、前記第１電極群に含まれる前記第１電極の数と等しい請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の検出装置。
【請求項７】
前記第２検出対象として選択される前記第１電極の組み合わせパターンである第２選択パターンの数は、前記第１選択パターンの数と等しい請求項６に記載の検出装置。
【請求項８】
前記第１選択信号に応じて選択された第１電極から出力された複数の前記第１出力信号と、前記第２選択信号に応じて選択された第１電極から出力された複数の前記第２出力信号とに基づいて、前記第１電極の検出信号が算出される請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の検出装置。
【請求項９】
前記選択駆動部が前記第１検出対象の第１電極を選択する第１期間と、前記第２検出対象の第１電極を選択する第２期間とが連続して配置される請求項１から請求項８のいずれか１項に記載の検出装置。
【請求項１０】
前記選択駆動部は、前記第１選択信号の高レベルの部分と低レベルの部分とを反転させて前記第２選択信号を生成する反転回路部を含む請求項１から請求項９のいずれか１項に記載の検出装置。
【請求項１１】
前記第１電極駆動部は、前記第１検出対象の第１電極に第１駆動信号を供給し、前記第２検出対象の第１電極に第２駆動信号を供給し、
前記第１駆動信号と前記第２駆動信号とは異なる極性を有する請求項２に記載の検出装置。
【請求項１２】
前記第１電極駆動部は、前記第１検出対象の第１電極に第１駆動信号を供給し、前記第２検出対象の第１電極に第２駆動信号を供給し、
前記第１駆動信号と前記第２駆動信号とは同じ極性を有する請求項２に記載の検出装置。
【請求項１３】
前記第１電極は、行列状に配置されており、
複数の前記第１電極のそれぞれに対応してスイッチング素子が設けられ、
前記選択駆動部は、前記第１電極群のそれぞれの第１電極に接続されたゲート線に走査信号を供給する請求項１から請求項１２のいずれか１項に記載の検出装置。
【請求項１４】
画像を表示させる表示機能層と、
外部の物体の接触又は近接により変化する信号を検出するための複数の第１電極を含み、それぞれの前記第１電極からの検出信号が統合された出力信号を出力する第１電極群と、
前記第１電極群の複数の第１電極のうち、検出対象となる前記第１電極を選択する選択駆動部と、を有し、
前記選択駆動部は、第１選択信号に応じて、前記第１電極群のうち第１検出対象の第１電極を選択し、選択された前記第１検出対象の第１電極から第１出力信号が出力され、
前記選択駆動部は、前記第１検出対象の第１電極の選択動作とは異なるタイミングで、前記第１選択信号とは異なる第２選択信号に応じて、前記第１電極群のうち前記第１検出対象の第１電極に含まれない第２検出対象の第１電極を選択し、選択された前記第２検出対象の第１電極から第２出力信号が出力される表示装置。
【請求項１５】
前記第１電極に対向する第２電極を有し、
前記第１電極と前記第２電極とによって表示機能層が制御される請求項１４に記載の表示装置。
【請求項１６】
外部の物体の接触又は近接により変化する信号を検出するための複数の第１電極を含み、それぞれの前記第１電極からの検出信号が統合された出力信号を出力する第１電極群と、
前記第１電極群の複数の第１電極のうち、検出対象となる前記第１電極を選択する選択駆動部と、を有する検出装置の検出方法であって、
前記選択駆動部が、第１選択信号に応じて、前記第１電極群のうち第１検出対象の第１電極を選択し、選択された前記第１検出対象の第１電極から第１出力信号が出力されるステップと、
前記選択駆動部が、前記第１検出対象の第１電極の選択動作とは異なるタイミングで、前記第１選択信号とは異なる第２選択信号に応じて、前記第１電極群のうち前記第１検出対象の第１電極に含まれない第２検出対象の第１電極を選択し、選択された前記第２検出対象の第１電極から第２出力信号が出力されるステップとを含む検出方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、検出装置、表示装置及び検出方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、いわゆるタッチパネルと呼ばれる、外部近接物体を検出可能な検出装置が注目されている。タッチパネルは、液晶表示装置等の表示装置上に装着又は一体化されて、表示装置として用いられている。このような検出装置において、複数の駆動電極を同時に選択して、選択された複数の駆動電極のそれぞれに対して、所定の符号に基づいて位相が決められた駆動信号を供給して外部近接物体の検出を行う符号分割選択駆動が知られている（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１４−１９９６０５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、相互静電容量方式の場合とは異なり、検出電極の静電容量に基づいて外部近接物体の検出を行う自己静電容量方式の場合には、異なる位相の駆動信号が複数の検出電極に供給されると、検出電極間の容量結合が大きくなるため、検出感度が低下する場合がある。
【０００５】
本発明は、電極間の容量結合を抑制して、良好な検出感度を得ることが可能な検出装置、表示装置及び検出方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一態様の検出装置は、外部の物体の接触又は近接により変化する信号を検出するための複数の第１電極を含み、それぞれの前記第１電極からの検出信号が統合された出力信号を出力する第１電極群と、前記第１電極群の複数の第１電極のうち、検出対象となる前記第１電極を選択する選択駆動部と、を有し、前記選択駆動部は、第１選択信号に応じて、前記第１電極群のうち第１検出対象の第１電極を選択し、選択された前記第１検出対象の第１電極から第１出力信号が出力され、前記選択駆動部は、前記第１検出対象の第１電極の選択動作とは異なるタイミングで、前記第１選択信号とは異なる第２選択信号に応じて、前記第１電極群のうち前記第１検出対象の第１電極に含まれない第２検出対象の第１電極を選択し、選択された前記第２検出対象の第１電極から第２出力信号が出力される。
【０００７】
本発明の一態様の表示装置は、画像を表示させる表示機能層と、外部の物体の接触又は近接により変化する信号を検出するための複数の第１電極を含み、それぞれの前記第１電極からの検出信号が統合された出力信号を出力する第１電極群と、前記第１電極群の複数の第１電極のうち、検出対象となる前記第１電極を選択する選択駆動部と、を有し、前記選択駆動部は、第１選択信号に応じて、前記第１電極群のうち第１検出対象の第１電極を選択し、選択された前記第１検出対象の第１電極から第１出力信号が出力され、前記選択駆動部は、前記第１検出対象の第１電極の選択動作とは異なるタイミングで、前記第１選択信号とは異なる第２選択信号に応じて、前記第１電極群のうち前記第１検出対象の第１電極に含まれない第２検出対象の第１電極を選択し、選択された前記第２検出対象の第１電極から第２出力信号が出力される。
【０００８】
本発明の一態様の検出方法は、外部の物体の接触又は近接により変化する信号を検出するための複数の第１電極を含み、それぞれの前記第１電極からの検出信号が統合された出力信号を出力する第１電極群と、前記第１電極群の複数の第１電極のうち、検出対象となる前記第１電極を選択する選択駆動部と、を有する検出装置の検出方法であって、前記選択駆動部が、第１選択信号に応じて、前記第１電極群のうち第１検出対象の第１電極を選択し、選択された前記第１検出対象の第１電極から第１出力信号が出力されるステップと、前記選択駆動部が、前記第１検出対象の第１電極の選択動作とは異なるタイミングで、前記第１選択信号とは異なる第２選択信号に応じて、前記第１電極群のうち前記第１検出対象の第１電極に含まれない第２検出対象の第１電極を選択し、選択された前記第２検出対象の第１電極から第２出力信号が出力されるステップとを含む。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】図１は、第１の実施形態に係る表示装置の一構成例を示すブロック図である。
【図２】図２は、信号処理部の一構成例を示すブロック図である。
【図３】図３は、自己静電容量方式のタッチ検出の基本原理を説明するための、指が接触又は近接した状態を表す説明図である。
【図４】図４は、自己静電容量方式のタッチ検出の駆動信号及びタッチ検出信号の波形の一例を表す図である。
【図５】図５は、表示装置を実装したモジュールの一例を示す図である。
【図６】図６は、検出機能付き表示部の概略断面構造を表す断面図である。
【図７】図７は、第１の実施形態に係る検出機能付き表示部の画素配列を表す回路図である。
【図８】図８は、第１の実施形態に係る検出部の第１電極の配列を表す回路図である。
【図９】図９は、検出動作の一例を表す模式図である。
【図１０】図１０は、表示期間と検出期間の配置の一例を表す模式図である。
【図１１】図１１は、検出対象として選択される第１電極の選択パターンを説明するための説明図である。
【図１２】図１２は、本実施形態に係る検出部の一動作例を示すタイミング波形図である。
【図１３】図１３は、第１の実施形態に係る検出部の符号分割選択駆動の一動作例を説明するための模式図である。
【図１４】図１４は、第１の実施形態に係る検出部の符号分割選択駆動の一動作例を説明するための模式図である。
【図１５】図１５は、第１の実施形態に係る駆動回路の一構成例を示すブロック図である。
【図１６】図１６は、第１の実施形態に係る駆動回路の他の構成例を示すブロック図である。
【図１７】図１７は、第１の実施形態に係る駆動回路の一動作例を示す説明図である。
【図１８】図１８は、第１電極の検出の順番を説明するための模式図である。
【図１９】図１９は、センサ番号と相関関数との関係を模式的に示すグラフである。
【図２０】図２０は、第２の実施形態に係る検出部の一動作例を示すタイミング波形図である。
【図２１】図２１は、第３の実施形態に係る駆動回路の反転回路の一例を説明するための回路図である。
【図２２】図２２は、第３の実施形態に係る検出部の一動作例を示すタイミング波形図である。
【図２３】図２３は、第４の実施形態に係る検出対象として選択される第１電極の選択パターンを説明するための説明図である。
【図２４】図２４は、第５の実施形態に係る、第１検出動作及び第２検出動作における検出対象として選択される第１電極の選択パターンの例を説明するための説明図である。
【図２５】図２５は、第３検出動作及び第４検出動作における検出対象として選択される第１電極の選択パターンの例を説明するための説明図である。
【図２６】図２６は、第５検出動作及び第６検出動作における検出対象として選択される第１電極の選択パターンの例を説明するための説明図である。
【図２７】図２７は、第７検出動作及び第８検出動作における検出対象として選択される第１電極の選択パターンの例を説明するための説明図である。
【図２８】図２８は、第９検出動作及び第１０検出動作における検出対象として選択される第１電極の選択パターンの例を説明するための説明図である。
【図２９】図２９は、第１１検出動作及び第１２検出動作における検出対象として選択される第１電極の選択パターンの例を説明するための説明図である。
【図３０】図３０は、第１３検出動作及び第１４検出動作における検出対象として選択される第１電極の選択パターンの例を説明するための説明図である。
【図３１】図３１は、第１５検出動作及び第１６検出動作における検出対象として選択される第１電極の選択パターンの例を説明するための説明図である。
【図３２】図３２は、第４の実施形態に係る表示装置の概略断面構造を表す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成要素は適宜組み合わせることが可能である。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。
【００１１】
（第１の実施形態）
図１は、第１の実施形態に係る表示装置の一構成例を示すブロック図である。図１に示すように、表示装置１は、検出機能付き表示部１０と、制御部１１と、表示用ゲートドライバ１２Ａと、検出用ゲートドライバ１２Ｂと、ソースドライバ１３と、第１電極ドライバ１４と、信号処理部４０とを備えている。表示装置１は、検出機能付き表示部１０が検出機能を内蔵した表示装置である。検出機能付き表示部１０は、表示素子として液晶表示素子を用いている表示パネル２０と、タッチ入力を検出する検出装置である検出部３０とを一体化した装置である。表示パネル２０と検出部３０とが一体化した装置とは、例えば、表示パネル２０又は検出部３０に使用される基板や電極の一部を兼用することを示す。なお、検出機能付き表示部１０は、表示パネル２０の上に検出部３０を装着した、いわゆるオンセルタイプの装置であってもよい。表示パネル２０は、例えば、有機ＥＬ表示パネルであってもよい。
【００１２】
表示パネル２０は、後述するように、表示用ゲートドライバ１２Ａから供給される走査信号Ｖｓｃａｎに従って、１水平ラインずつ順次走査して表示を行う表示装置である。
【００１３】
制御部１１は、外部より供給された映像信号に基づいて、表示用ゲートドライバ１２Ａ、検出用ゲートドライバ１２Ｂ、ソースドライバ１３、第１電極ドライバ１４及び信号処理部４０に対してそれぞれ制御信号を供給し、これらが互いに同期して、又は同期しないで動作するように制御する回路である。
【００１４】
表示用ゲートドライバ１２Ａは、制御部１１から供給される制御信号に基づいて、検出機能付き表示部１０の表示駆動の対象となる１水平ラインを順次選択する機能を有している。検出用ゲートドライバ１２Ｂは、制御部１１から供給される制御信号に基づいて、検出用の走査信号Ｖｓｃａｎｓを出力し、検出部３０の後述する複数の第１電極２５のうち、検出対象となる第１電極２５を選択する機能を有している。
【００１５】
ソースドライバ１３は、制御部１１から供給される制御信号に基づいて、検出機能付き表示部１０の、後述する各副画素ＳＰｉｘに画素信号Ｖｐｉｘを供給する回路である。制御部１１は、画素信号Ｖｐｉｘを生成し、この画素信号Ｖｐｉｘをソースドライバ１３に供給してもよい。
【００１６】
第１電極ドライバ１４は、制御部１１から供給される制御信号に基づいて、検出機能付き表示部１０の、第１電極２５に検出用の駆動信号Ｖｓ又は表示用の駆動信号Ｖｃｏｍを供給する回路である。
【００１７】
検出部３０は、静電容量型タッチ検出の基本原理に基づいて動作し、自己静電容量方式によりタッチ検出動作を行い、外部の導体の接触又は近接を検出する。検出部３０は、外部の導体の接触又は近接を検出した場合、検出信号Ｖｄｅｔを出力する。
【００１８】
図２は、信号処理部の一構成例を示すブロック図である。信号処理部４０は、制御部１１から供給される制御信号と、検出部３０から供給される検出信号Ｖｄｅｔに基づいて、検出部３０に対するタッチの有無を検出する回路である。また、信号処理部４０は、タッチがある場合においてタッチ入力が行われた座標などを求める。この信号処理部４０は、検出信号増幅部４２と、Ａ／Ｄ変換部４３と、信号演算部４４と、座標抽出部４５と、記憶部４７とを備える。検出タイミング制御部４６は、制御部１１から供給される制御信号に基づいて、Ａ／Ｄ変換部４３と、信号演算部４４と、座標抽出部４５とが同期して動作するように制御する。
【００１９】
上述のとおり、検出部３０は、静電容量型タッチ検出の基本原理に基づいて動作する。ここで、図３及び図４を参照して、自己静電容量方式のタッチ検出の基本原理について説明する。図３は、自己静電容量方式のタッチ検出の基本原理を説明するための説明図である。図４は、自己静電容量方式のタッチ検出の駆動信号及びタッチ検出信号の波形の一例を表す図である。なお、図３は、検出回路を併せて示している。
【００２０】
指が接触又は近接していない状態において、検出電極Ｅ１に所定の周波数（例えば数ｋＨｚ〜数百ｋＨｚ程度）の交流矩形波Ｓｇが印加される。検出電極Ｅ１は、静電容量Ｃ１を有しており、静電容量Ｃ１に応じた電流が流れる。電圧検出器ＤＥＴは、交流矩形波Ｓｇに応じた電流の変動を電圧の変動（実線の波形Ｖ４（図４参照））に変換する。電圧検出器ＤＥＴは、例えば図２に示す検出信号増幅部４２に含まれる積分回路である。
【００２１】
次に、図３に示すように、指が接触又は近接した状態において、指と検出電極Ｅ１との間の静電容量Ｃ２が、検出電極Ｅ１の静電容量Ｃ１に加わる。したがって、検出電極Ｅ１に交流矩形波Ｓｇが印加されると、静電容量Ｃ１及び静電容量Ｃ２に応じた電流が流れる。図４に示すように、電圧検出器ＤＥＴは、交流矩形波Ｓｇに応じた電流の変動を電圧の変動（点線の波形Ｖ５）に変換する。そして、得られた波形Ｖ４及び波形Ｖ５の電圧値をそれぞれ積分し、これらの値を比較することで、検出電極Ｅ１への、指の接触又は近接の有無を判別することができる。なお、信号処理部４０は、当該内容に限らず、電圧値を積分せずに比較するようにしてもよい。また、図４では、波形Ｖ２と波形Ｖ３について、所定の基準電圧ＶＴＨに低下するまでの期間を求めて、これらの期間を比較する等の方法であってもよい。
【００２２】
具体的には、図３に示すように、検出電極Ｅ１はスイッチＳＷ１及びスイッチＳＷ２で切り離すことが可能な構成となっている。図４において、時刻Ｔ０１のタイミングで交流矩形波Ｓｇは電圧Ｖ０に相当する電圧レベルを上昇させる。このときスイッチＳＷ１はオンしておりスイッチＳＷ２はオフしている。このため検出電極Ｅ１も電圧Ｖ０の電圧上昇となる。次に時刻Ｔ１１のタイミングの前にスイッチＳＷ１をオフとする。このとき検出電極Ｅ１はフローティング状態であるが、検出電極Ｅ１の静電容量Ｃ１、あるいは検出電極Ｅ１の静電容量Ｃ１に指等の接触又は近接による静電容量Ｃ２を加えた静電容量（Ｃ１＋Ｃ２、図３参照）によって、検出電極Ｅ１の電位はＶ０が維持される。更に、時刻Ｔ１１のタイミングの前にスイッチＳＷ３をオンさせ所定の時間経過後にオフさせ電圧検出器ＤＥＴをリセットさせる。このリセット動作により出力電圧はＶｒｅｆと略等しい電圧となる。
【００２３】
続いて、時刻Ｔ１１のタイミングでスイッチＳＷ２をオンさせると、電圧検出器ＤＥＴの反転入力部が検出電極Ｅ１の電圧Ｖ０となり、その後、検出電極Ｅ１の静電容量Ｃ１（またはＣ１＋Ｃ２）と電圧検出器ＤＥＴ内の静電容量Ｃ３の時定数に従って電圧検出器ＤＥＴの反転入力部は基準電圧Ｖｒｅｆまで低下する。このとき、検出電極Ｅ１の静電容量Ｃ１（またはＣ１＋Ｃ２）に蓄積されていた電荷が電圧検出器ＤＥＴ内の静電容量Ｃ３に移動するため、電圧検出器ＤＥＴの出力が上昇する（Ｖｄｅｔ）。電圧検出器ＤＥＴの出力（Ｖｄｅｔ）は、検出電極Ｅ１に指等が近接していないときは、実線で示す波形Ｖ４となり、Ｖｄｅｔ＝Ｃ１・Ｖ０／Ｃ３となる。指等の影響による静電容量が付加されたときは、点線で示す波形Ｖ５となり、Ｖｄｅｔ＝（Ｃ１＋Ｃ２）・Ｖ０／Ｃ３となる。
【００２４】
その後、検出電極Ｅ１の静電容量Ｃ１（またはＣ１＋Ｃ２）の電荷が静電容量Ｃ３に十分移動した後の時刻Ｔ３１のタイミングでスイッチＳＷ２をオフさせ、スイッチＳＷ１及びスイッチＳＷ３をオンさせることにより、検出電極Ｅ１の電位を交流矩形波Ｓｇと同電位のローレベルにするとともに電圧検出器ＤＥＴをリセットさせる。なお、このとき、スイッチＳＷ１をオンさせるタイミングは、スイッチＳＷ２をオフさせた後、時刻Ｔ０２以前であればいずれのタイミングでもよい。また、電圧検出器ＤＥＴをリセットさせるタイミングは、スイッチＳＷ２をオフさせた後、時刻Ｔ１２以前であればいずれのタイミングとしてもよい。
【００２５】
以上の動作を所定の周波数（例えば数ｋＨｚ〜数百ｋＨｚ程度）で繰り返す。波形Ｖ４と波形Ｖ５との差分の絶対値｜ΔＶ｜に基づいて、外部近接物体の有無（タッチの有無）を測定することができる。なお、検出電極Ｅ１の電位は、図４に示すように、指等が近接していないときはＶ２の波形となり、指等の影響による静電容量Ｃ２が付加されるときはＶ３の波形となる。波形Ｖ２と波形Ｖ３とが、それぞれ所定の基準電圧ＶＴＨまで下がる時間を測定することにより外部近接物体の有無（タッチの有無）を測定することも可能である。
【００２６】
図２に示す検出信号増幅部４２は、検出部３０から供給される検出信号Ｖｄｅｔを増幅する。なお、検出信号増幅部４２は、検出信号Ｖｄｅｔに含まれる高い周波数成分（ノイズ成分）を除去して出力する低域通過アナログフィルタであるアナログＬＰＦ（Ｌｏｗ  Ｐａｓｓ  Ｆｉｌｔｅｒ）を備えていてもよい。
【００２７】
Ａ／Ｄ変換部４３は、駆動信号Ｖｓに同期したタイミングで、検出信号増幅部４２から出力されるアナログ信号をそれぞれサンプリングしてデジタル信号に変換する。
【００２８】
信号演算部４４は、Ａ／Ｄ変換部４３の出力信号に含まれる、駆動信号Ｖｓをサンプリングした周波数以外の周波数成分（ノイズ成分）を低減するデジタルフィルタを備えている。信号演算部４４は、Ａ／Ｄ変換部４３の出力信号に基づいて、検出部３０に対するタッチの有無を検出する論理回路である。信号演算部４４は、指による検出信号の差分のみ取り出す処理を行う。この指による差分の信号は、上述した波形Ｖ４と波形Ｖ５との差分の絶対値｜ΔＶ｜である。信号演算部４４は、検出した指による差分の信号を所定のしきい値電圧と比較し、このしきい値電圧未満であれば、外部近接物体が非接触状態であると判断する。一方、信号演算部４４は、検出した指による差分の信号を所定のしきい値電圧と比較し、しきい値電圧以上であれば、外部近接物体の接触状態と判断する。このようにして、信号処理部４０はタッチ検出が可能となる。また、信号演算部４４は、後述するように、検出対象となる検出電極ブロック２５Ｂからの検出信号を受け取って、所定の符号に基づいて演算処置を行う。演算された出力信号が記憶部４７に一時的に保存される。記憶部４７は、例えばＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ  Ｏｎｌｙ  Ｍｅｍｏｒｙ）、レジスタ回路等であってもよい。
【００２９】
座標抽出部４５は、信号演算部４４においてタッチが検出されたときに、そのタッチパネル座標を求める論理回路である。座標抽出部４５は、記憶部４７に保存された出力信号を受け取って、所定の符号に基づいて復号処理を行う。座標抽出部４５は、復号された情報に基づいてタッチパネル座標を算出し、得られたタッチパネル座標を検出信号出力Ｖｏｕｔとして出力する。以上のように、本実施形態の表示装置１は、自己静電容量方式によるタッチ検出の基本原理に基づいて、指などの導体が接触又は近接する位置のタッチパネル座標を検出することができる。
【００３０】
図５は、表示装置を実装したモジュールの一例を示す図である。図５に示すように、表示装置１は、後述する画素基板２（第１基板２１）と、プリント基板７１とを備えている。なお、プリント基板７１は、例えば、フレキシブルプリント基板である。画素基板２（第１基板２１）は、第１半導体集積回路（第１ＩＣ）１９、例えば、ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）を搭載し、上述した表示パネル２０の表示領域Ａｄと、表示領域Ａｄの外側の領域である額縁領域Ｇｄとが形成されている。第１半導体集積回路（第１ＩＣ）１９は、第１基板２１に実装されたＩＣドライバのチップであり、図１に示した制御部１１として機能する表示動作に必要な各回路を内蔵した制御装置である。本実施形態では、上述した表示用ゲートドライバ１２Ａ、検出用ゲートドライバ１２Ｂ、ソースドライバ１３及び第１電極ドライバ１４は、第１基板２１上に形成されている。ソースドライバ１３は、第１半導体集積回路（第１ＩＣ）１９に内蔵されていてもよい。また、表示装置１は、第１半導体集積回路（第１ＩＣ）１９に第１電極ドライバ１４、表示用ゲートドライバ１２Ａ、検出用ゲートドライバ１２Ｂなどの回路を内蔵してもよい。なお、ＣＯＧはあくまで実装の一形態であってこれに限られるものでない。例えば、第１半導体集積回路（第１ＩＣ）１９と同様の機能を有する構成をＣＯＦ（Ｃｈｉｐ  ｏｎ  ｆｉｌｍ又はＣｈｉｐ  ｏｎ  ｆｌｅｘｉｂｌｅ）で設けてもよい。
【００３１】
図５に示すように、第１基板２１の表示領域Ａｄと重畳する位置において、複数の第１電極２５が行列状に設けられている。第１電極２５は、矩形状であり、表示領域Ａｄの長辺及び短辺に沿った方向にそれぞれ複数配列されている。なお、第１電極２５は、矩形状であるとしたが、これに限られず、他の形状としてもよい。第１電極２５は、例えば、多角形状や櫛歯形状等であってもよい。各第１電極２５には、第１電極ドライバ１４によって駆動信号Ｖｓが供給される。また、各第１電極２５は、プリント基板７１を介して、プリント基板７１に実装された第２半導体集積回路（第２ＩＣ）４９と接続されている。第２半導体集積回路（第２ＩＣ）４９は、図１に示した信号処理部４０として機能する。各第１電極２５の検出信号Ｖｄｅｔは、プリント基板７１を介して第２半導体集積回路（第２ＩＣ）４９に出力される。また、第１電極２５はそれぞれ第２半導体集積回路（第２ＩＣ）４９に接続されるが、これに限定されない。例えば、第１半導体集積回路（第１ＩＣ）１９が信号処理部４０の機能を内蔵し、各第１電極２５がそれぞれ第１半導体集積回路（第１ＩＣ）１９に接続されていてもよい。
【００３２】
プリント基板７１は、フレキシブルプリント基板に限られず、リジット基板、又は、リジットフレキシブル基板であってもよい。また、第２半導体集積回路（第２ＩＣ）４９は、プリント基板７１上に実装されていなくてもよく、プリント基板７１を介して接続されるモジュール外部の制御基板上、若しくは、第１基板２１上に備えられていてもよい。本実施形態では、第２半導体集積回路（第２ＩＣ）４９はプリント基板７１に実装されたタッチドライバＩＣであるが、信号処理部４０の一部の機能は、第１半導体集積回路（第１ＩＣ）１９、又は、他のＭＰＵの機能として設けられてもよい。具体的には、タッチドライバＩＣの機能として設けられ得るＡ／Ｄ変換、ノイズ除去等の各種機能のうち一部の機能（例えば、ノイズ除去等）は、タッチドライバＩＣと別個に設けられた第１半導体集積回路（第１ＩＣ）１９、又は、ＭＰＵ等の回路で実施されてもよい。図２に示す信号演算部４４、座標抽出部４５、記憶部４７は、第１半導体集積回路（第１ＩＣ）１９、又は、外部のＭＰＵ等に含まれていてもよい。また、第１半導体集積回路（第１ＩＣ）１９と第２半導体集積回路（第２ＩＣ）４９とを１つのＩＣ（１チップ構成）にする場合等、例えば、第１基板２１上の配線、又は、プリント基板７１等の配線を介して検出信号を第１基板２１上の第１半導体集積回路（第１ＩＣ）１９に伝送するようにしてもよい。
【００３３】
ソースドライバ１３は、第１基板２１上の表示領域Ａｄの近傍に形成されている。表示領域Ａｄには、後述する副画素ＳＰｉｘがマトリックス状（行列状）に多数配置されている。額縁領域Ｇｄは、第１基板２１の表面を垂直な方向からみて副画素ＳＰｉｘが配置されていない領域である。
【００３４】
表示用ゲートドライバ１２Ａ、検出用ゲートドライバ１２Ｂ及び第１電極ドライバ１４は、第１基板２１上の額縁領域ＧｄにＴＦＴ素子を用いて形成されている。本実施形態では、表示用ゲートドライバ１２Ａ、検出用ゲートドライバ１２Ｂの２つの回路が設けられているが、これに限られるものでなく、例えば、額縁領域Ｇｄの一辺に設けられた１つの回路であってもよい。第１電極ドライバ１４は、プリント基板７１が設けられた額縁領域Ｇｄの一辺に設けられているが、これに限られず、表示用ゲートドライバ１２Ａ又は検出用ゲートドライバ１２Ｂの近傍に設けられていてもよい。また、第１電極ドライバ１４は、１つの回路が設けられているが、２つの回路で構成されていてもよい。
【００３５】
次に検出機能付き表示部１０の構成例を詳細に説明する。図６は、検出機能付き表示部の概略断面構造を表す断面図である。図６に示すように、検出機能付き表示部１０は、画素基板２と、この画素基板２の表面に垂直な方向に対向して配置された対向基板３と、画素基板２と対向基板３との間に挿設された表示機能層（例えば、液晶層６）とを備えている。言い換えると、第１基板２１と第２基板３１の間に表示機能層が設けられている。表示機能層は画素基板２として構成されていてもよい。表示機能層は、例えば第１電極２５と第２電極２２の間に配置されていてもよい。
【００３６】
画素基板２は、回路基板としての第１基板２１と、この第１基板２１の上方にマトリックス状に配設された複数の第２電極（画素電極）２２と、第１基板２１と第２電極２２との間に形成された複数の第１電極（検出電極）２５と、第１電極２５と第２電極２２とを絶縁する絶縁層２４と、を含む。第１基板２１には、ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）が配置される。第１基板２１の下側には、接着層を介して偏光板（図示しない）を設けてもよい。第１電極２５及び第２電極２２は、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）等の透光性を有する導電性材料が用いられる。
【００３７】
なお、本実施例において、第１基板２１に対して、第１電極２５、絶縁層２４、第２電極２２の順で積層されているが、これに限られない。第１基板２１に対して第２電極２２、絶縁層２４、第１電極２５の順で積層されてもよいし、第１電極２５と第２電極２２とは絶縁層２４を介して、同層に形成されてもよい。さらに、第１電極２５と第２電極２２の少なくとも一方は、第２基板３１上に配置されてもよい。
【００３８】
対向基板３は、第２基板３１と、この第２基板３１の一方の面に形成されたカラーフィルタ３２とを含む。さらに、第２基板３１の上には、接着層を介して偏光板３５が設けられている。なお、カラーフィルタ３２は第１基板２１上に配置されてもよい。本実施形態において、第１基板２１及び第２基板３１は、例えば、ガラス基板又は樹脂基板である。
【００３９】
第１基板２１と第２基板３１との間に液晶層６が設けられる。液晶層６は、電界の状態に応じてそこを通過する光を変調するものであり、例えば、ＦＦＳ（フリンジフィールドスイッチング）を含むＩＰＳ（インプレーンスイッチング）等の横電界モードの液晶が用いられる。なお、図６に示す液晶層６と画素基板２との間、及び液晶層６と対向基板３との間には、それぞれ配向膜が配設されてもよい。
【００４０】
第１基板２１の下方には、図示しない照明部が設けられる。照明部は、例えばＬＥＤ等の光源を有しており、光源からの光を第１基板２１に向けて射出する。照明部からの光は、画素基板２を通過して、その位置の液晶の状態により光が遮られて射出しない部分と射出する部分とが切り換えられることで、表示面に画像が表示される。なお、第２電極２２として、第２基板３１側から入射する光を反射する反射電極が設けられ、対向基板３側に透光性の第１電極２５が設けられた反射型液晶表示装置の場合、第１基板２１の下方に照明部は設けなくてもよい。反射型液晶表示装置は、第２基板３１の上方にフロントライトを設けていてもよい。この場合、第２基板３１側から入射する光は、反射電極（第２電極２２）で反射されて、第２基板３１を通過して観察者の目に到達する。また、表示パネル２０（図１参照）として有機ＥＬ表示パネルを用いた場合には、副画素ＳＰｉｘ毎に自発光体を有しており、自発光体の点灯量を制御することにより画像が表示されるため、照明部は設ける必要がない。また、表示パネル２０として有機ＥＬ表示パネルを用いた場合には、表示機能層は画素基板２に含まれていてもよい。例えば、表示機能層である発光層が第１電極と第２電極の間に配置されてもよい。
【００４１】
図７は、第１の実施形態に係る検出機能付き表示部の画素配列を表す回路図である。図６に示す第１基板２１には、図７に示す各副画素ＳＰｉｘのスイッチング素子Ｔｒ、各第２電極２２に画素信号Ｖｐｉｘを供給するデータ線ＳＧＬ、各スイッチング素子Ｔｒを駆動するゲート線ＧＣＬ等の配線が形成されている。データ線ＳＧＬ及びゲート線ＧＣＬは、第１基板２１の表面と平行な平面に延在する。
【００４２】
図７に示す表示パネル２０は、マトリックス状に配列された複数の副画素ＳＰｉｘを有している。副画素ＳＰｉｘは、それぞれスイッチング素子Ｔｒ及び液晶素子ＬＣを備えている。スイッチング素子Ｔｒは、薄膜トランジスタにより構成されるものであり、この例では、ｎチャネルのＭＯＳ（Ｍｅｔａｌ  Ｏｘｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）型のＴＦＴで構成されている。スイッチング素子Ｔｒのソース又はドレインの一方はデータ線ＳＧＬに接続され、ゲートはゲート線ＧＣＬに接続され、ソース又はドレインの他方は液晶素子ＬＣの一端に接続されている。なお、第２電極２２（図７では省略して示す）はスイッチング素子Ｔｒのソース又はドレインの他方に接続されており、液晶素子ＬＣは、第２電極２２を介してスイッチング素子Ｔｒと接続される。液晶素子ＬＣは、一端がスイッチング素子Ｔｒのソース又はドレインの他方に接続され、他端が選択電極ブロック２５Ａに接続されている。選択電極ブロック２５Ａは、副画素ＳＰｉｘの１水平ラインに対応する複数の第１電極２５を含む。そして、第１電極２５と第２電極２２に与えられる電荷に応じて副画素ＳＰｉｘは駆動される。
【００４３】
副画素ＳＰｉｘは、ゲート線ＧＣＬにより、表示パネル２０の同じ行に属する他の副画素ＳＰｉｘと互いに接続されている。ゲート線ＧＣＬは、表示用ゲートドライバ１２Ａ（図１参照）と接続され、表示用ゲートドライバ１２Ａより走査信号Ｖｓｃａｎが供給される。また、副画素ＳＰｉｘは、データ線ＳＧＬにより、表示パネル２０の同じ列に属する他の副画素ＳＰｉｘと互いに接続されている。データ線ＳＧＬは、ソースドライバ１３（図１参照）と接続され、ソースドライバ１３より画素信号Ｖｐｉｘが供給される。第１電極２５（共通電極）は、第１電極ドライバ１４（図１参照）と接続され、第１電極ドライバ１４より表示用の駆動信号Ｖｃｏｍが供給される。駆動信号Ｖｃｏｍは、複数の副画素ＳＰｉｘに共通電位を与えるための直流の電圧信号である。この例では、同じ一行に属する複数の副画素ＳＰｉｘが１つの選択電極ブロック２５Ａを共有するようになっている。
【００４４】
なお、本実施例において、選択電極ブロック２５Ａの延在方向は、ゲート線ＧＣＬの延在方向と平行である場合について説明したが、これに限られない。選択電極ブロック２５Ａの延在方向は、データ線ＳＧＬの延在方向と平行であってもよい。その場合、同じ一列に属する複数の副画素ＳＰｉｘが１つの選択電極ブロック２５Ａを共有するようになり、第１電極ドライバ１４は、表示パネル２０上のデータ線ＳＧＬの延在方向のいずれかの端部に配置されることとなる。
【００４５】
図１に示す表示用ゲートドライバ１２Ａは、ゲート線ＧＣＬを順次走査するように駆動する。走査信号Ｖｓｃａｎが、ゲート線ＧＣＬを介して、副画素ＳＰｉｘのスイッチング素子Ｔｒのゲートに印加され、副画素ＳＰｉｘのうちの１水平ラインが表示駆動の対象として順次選択される。また、表示装置１は、１水平ラインに属する副画素ＳＰｉｘに対して、ソースドライバ１３が画素信号Ｖｐｉｘを供給することにより、１水平ラインずつ表示が行われる。この表示動作を行う際、第１電極ドライバ１４は、少なくともその１水平ラインに対応する選択電極ブロック２５Ａに対して駆動信号Ｖｃｏｍを印加する。なお、第１電極ドライバ１４は、走査信号Ｖｓｃａｎが印加されている１水平ラインに対応する選択電極ブロック２５Ａの第１電極２５（共通電極）を含む複数又は表示領域Ａｄ全体のすべての第１電極２５に対して駆動信号Ｖｃｏｍを印加してもよい。
【００４６】
図６に示すカラーフィルタ３２は、例えば赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３色に着色されたカラーフィルタの色領域３２Ｒ、３２Ｇ、３２Ｂが周期的に配列されている。上述した図７に示す各副画素ＳＰｉｘに、Ｒ、Ｇ、Ｂの３色の色領域３２Ｒ、３２Ｇ、３２Ｂが１組として対応付けられ、色領域３２Ｒ、３２Ｇ、３２Ｂを１組として画素Ｐｉｘが構成される。図６に示すように、カラーフィルタ３２は、第１基板２１と垂直な方向において、液晶層６と対向する。なお、カラーフィルタ３２は、異なる色に着色されていれば、他の色の組み合わせであってもよい。また、カラーフィルタ３２は、３色の組み合わせに限定されず、４色以上の組み合わせであってもよい。さらに、検出機能付き表示部１０は、カラーフィルタ３２を有さず、白黒表示であってもよい。
【００４７】
図６及び図７に示す第１電極２５は、表示パネル２０の複数の副画素ＳＰｉｘに共通電位を与える共通電極として機能するとともに、検出部３０のタッチ検出を行う際の検出電極としても機能する。図８は、第１の実施形態に係る検出部の第１電極の配列を表す回路図である。
【００４８】
図８に示す検出部３０は、第１基板２１（図６参照）に行列状に設けられた第１電極２５を有している。第１電極２５（検出電極）は、上述した１つの副画素ＳＰｉｘに対応して１つ設けられていてもよく、複数の副画素ＳＰｉｘに対応して１つの第１電極２５が設けられていてもよい。第１電極２５はそれぞれ検出用スイッチング素子Ｔｒｓを備えている。検出用スイッチング素子Ｔｒｓは、薄膜トランジスタにより構成されるものであり、この例では、ｎチャネルのＭＯＳ（Ｍｅｔａｌ  Ｏｘｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）型のＴＦＴで構成されている。検出用ゲート線ＧＣＬｓは行方向に延在し、列方向に複数配列されている。検出用データ線ＳＧＬｓは列方向に延在し、行方向に複数配列されている。第１電極２５は、検出用ゲート線ＧＣＬｓと検出用データ線ＳＧＬｓとで囲まれた領域に設けられている。検出用スイッチング素子Ｔｒｓは、検出用ゲート線ＧＣＬｓと検出用データ線ＳＧＬｓとの交差部の近傍に設けられており、第１電極２５のそれぞれに対応して複数設けられている。
【００４９】
検出用スイッチング素子Ｔｒｓは、第１基板２１の上において、図７に示すスイッチング素子Ｔｒと同層に設けられていてもよく、異なる層に設けられていてもよい。検出用ゲート線ＧＣＬｓは、図７に示すゲート線ＧＣＬと平行方向に延在し、検出用データ線ＳＧＬｓは、図７に示すデータ線ＳＧＬと平行方向に延在する。検出用ゲート線ＧＣＬｓは、ゲート線ＧＣＬと同層に設けられていてもよく、異なる層に設けられていてもよい。検出用データ線ＳＧＬｓは、ゲート線ＧＣＬと同層に設けられていてもよく、異なる層に設けられていてもよい。第２電極２２を検出用電極として使用する場合は、ゲート線ＧＣＬが検出用データ線ＳＧＬｓとして兼用されてもよい。また、データ線ＳＧＬが検出用データ線ＳＧＬｓとして兼用されてもよい。
【００５０】
検出用スイッチング素子Ｔｒｓのソースは検出用データ線ＳＧＬｓに接続され、ゲートは検出用ゲート線ＧＣＬｓに接続され、ドレインは第１電極２５に接続されている。ここで、共通の検出用ゲート線ＧＣＬｓに接続された複数の第１電極２５を含む電極ブロックを選択電極ブロック２５Ａとし、共通の検出用データ線ＳＧＬｓに接続された複数の第１電極２５を含む電極ブロックを検出電極ブロック２５Ｂとする。また、図８に示すように、ｍ列目に配列された検出用データ線ＳＧＬｓと検出電極ブロック２５Ｂとを、それぞれ検出用データ線ＳＧＬｓ（ｍ）、検出電極ブロック２５Ｂ（ｍ）と示し、ｎ行目に配列された検出用ゲート線ＧＣＬｓと選択電極ブロック２５Ａとを、それぞれ検出用ゲート線ＧＣＬｓ（ｎ）と選択電極ブロック２５Ａ（ｎ）と示している。
【００５１】
図１に示す検出用ゲートドライバ１２Ｂは、検出用ゲート線ＧＣＬｓのうち１又は２以上の検出用ゲート線ＧＣＬｓを選択するように駆動する選択駆動部である。走査信号Ｖｓｃａｎｓが、選択された検出用ゲート線ＧＣＬｓを介して、検出用スイッチング素子Ｔｒｓのゲートに印加され、１又は２以上の選択電極ブロック２５Ａが検出対象として選択される。また、第１電極ドライバ１４（図１参照）は、検出用データ線ＳＧＬｓを介して、選択電極ブロック２５Ａに属する第１電極２５に対して検出用の駆動信号Ｖｓを供給する。そして、検出電極ブロック２５Ｂに属する第１電極２５は、検出用データ線ＳＧＬｓを介して、各第１電極２５の静電容量変化に応じた検出信号Ｖｄｅｔを信号処理部４０に出力する。本実施形態の第１電極２５は、上述した自己静電容量方式のタッチ検出の基本原理における検出電極Ｅ１に対応し、検出部３０は、上述した自己静電容量方式のタッチ検出の基本原理に従って接触又は近接する指を検出することができる。
【００５２】
図９は、検出動作の一例を表す模式図である。第１電極ブロックＢＫＮは、例えば４つの選択電極ブロック２５Ａを含んでおり、複数の第１電極ブロックＢＫＮ−１、ＢＫＮ、…ＢＫＮ＋ｐが列方向に配列されている。検出用ゲートドライバ１２Ｂは、複数の第１電極ブロックＢＫＮ−１、ＢＫＮ、…ＢＫＮ＋ｐを順次選択し、選択された複数の第１電極ブロックＢＫＮ−１、ＢＫＮ、…ＢＫＮ＋ｐの選択電極ブロック２５Ａは、駆動信号Ｖｓが供給される。選択されていない第１電極ブロックＢＫＮ−１、ＢＫＮ、…ＢＫＮ＋ｐは、電圧信号が供給されず、電位が固定されていない、いわゆるフローティング状態となっている。一部の非選択電極ブロックに関しては、選択された第１電極ブロックと非選択の第１電極ブロックとの間の付加容量を低減するために駆動信号Ｖｓと同電位の電圧信号が供給されてもよい。
【００５３】
複数の第１電極ブロックＢＫＮ−１、ＢＫＮ、…ＢＫＮ＋ｐを順次選択して検出動作を行うことにより、１検出面の全体の検出が実行される。第１電極ブロックＢＫＮ−１、ＢＫＮ、…ＢＫＮ＋ｐは、それぞれ４つの選択電極ブロック２５Ａを含んでいるが、４つに限られず、２つ、３つ又は５つ以上であってもよい。第１電極ブロックＢＫＮ−１、ＢＫＮ、…ＢＫＮ＋ｐは、一部の選択電極ブロック２５Ａが重複するように配列されていてもよい。また、複数の第１電極ブロックＢＫＮ−１、ＢＫＮ、…ＢＫＮ＋ｐは列方向に配列されている構成に限られず、行列状に配置されていてもよい。
【００５４】
表示装置１の動作方法の一例として、表示装置１は、上述した表示動作（表示期間）とタッチ検出動作（検出期間）とを時分割に行ってもよい。タッチ検出動作と表示動作とはどのように分けて行ってもよいが、以下、表示パネル２０の１フレーム期間（１Ｆ）、すなわち、一画面分の映像情報が表示されるのに要する時間の中において、タッチ検出動作と表示動作とをそれぞれ複数回に分割して行う方法について説明する。
【００５５】
図１０は、表示期間と検出期間の配置の一例を表す模式図である。１フレーム期間（１Ｆ）は、２つの表示期間Ｐｄ１、Ｐｄ２及び２つの検出期間Ｐｔ１、Ｐｔ２からなっており、これらの各期間は、時間軸上において、表示期間Ｐｄ１、検出期間Ｐｔ１、表示期間Ｐｄ２、検出期間Ｐｔ２のように交互に配置されている。
【００５６】
制御部１１（図１参照）は、表示用ゲートドライバ１２Ａとソースドライバ１３とを介して、各表示期間Ｐｄ１、Ｐｄ２に選択される複数行の副画素ＳＰｉｘ（図７参照）に画素信号Ｖｐｉｘを供給する。
【００５７】
また、制御部１１（図１参照）は、第１電極ドライバ１４により、各検出期間Ｐｔ１、Ｐｔ２に選択される第１電極２５に、タッチ検出用の駆動信号Ｖｓを供給する。信号処理部４０は、第１電極２５から供給される検出信号Ｖｄｅｔに基づいて、タッチ入力の有無及び入力位置の座標の演算を行う。
【００５８】
本実施形態において、第１電極２５は表示パネル２０の共通電極を兼用するので、制御部１１は、表示期間Ｐｄ１、Ｐｄ２においては、第１電極ドライバ１４を介して選択される選択電極ブロック２５Ａの各第１電極２５に、表示用の共通電極電位である駆動信号Ｖｃｏｍを供給する。
【００５９】
図１０では、１フレーム期間（１Ｆ）において１画面分の映像表示を２回に分けて行うことになっているが、１フレーム期間（１Ｆ）内の表示期間はさらに多くの回数に分けられていてもよい。検出期間についても、１フレーム期間（１Ｆ）中にさらに多くの回数が設けられていてもよい。
【００６０】
検出期間Ｐｔ１、Ｐｔ２は、それぞれ一検出面の半分ずつのタッチ検出を行ってもよく、それぞれが一画面分のタッチ検出を行ってもよい。１つの検出期間Ｐｔ１、Ｐｔ２で、上述した第１電極ブロックＢＫＮ−１、ＢＫＮ、…ＢＫＮ＋ｐのうち１つの第１電極ブロックのタッチ検出を行ってもよい。また、必要に応じて間引き検出等を行ってもよい。また、１フレーム期間（１Ｆ）中の表示動作とタッチ検出動作とを複数回に分けずに一回ずつ行ってもよい。
【００６１】
検出期間Ｐｔ１、Ｐｔ２において、表示用のゲート線ＧＣＬ及びデータ線ＳＧＬ（図７参照）は、電圧信号が供給されず電位が固定されていないフローティング状態としてもよい。また、表示用のゲート線ＧＣＬ及びデータ線ＳＧＬは、検出用の駆動信号Ｖｓと同期した同一の波形の信号が供給されてもよい。これにより、検出対象の第１電極２５とゲート線ＧＣＬとの間の寄生容量及び第１電極２５とデータ線ＳＧＬとの間の寄生容量が低減されるので、検出誤差の発生や、検出感度の低下を抑制することができる。
【００６２】
次に、本実施形態の検出部３０の符号分割選択駆動の一例を説明する。図１１は、検出対象として選択される第１電極の選択パターンを説明するための説明図である。図１１（Ａ）は、第１検出動作Ｔｃ０の第１電極の選択パターンを示し、図１１（Ｂ）は、第２検出動作Ｔｃ１の第１電極の選択パターンを示し、図１１（Ｃ）は、第３検出動作Ｔｃ２の第１電極の選択パターンを示し、図１１（Ｄ）は、第４検出動作Ｔｃ３の第１電極の選択パターンを示す。
【００６３】
図１１では、１つの検出電極ブロック２５Ｂ（ｍ）について説明する。検出電極ブロック２５Ｂ（ｍ）は、列方向に４つ配列された第１電極２５を含み、４つの第１電極２５は、それぞれ選択電極ブロック２５Ａ（ｎ）、２５Ａ（ｎ＋１）、２５Ａ（ｎ＋２）、２５Ａ（ｎ＋３）に対応する。また、４つの第１電極２５は、それぞれ共通の検出用データ線ＳＧＬｓ（ｍ）（図８参照）に接続されている。本実施形態の検出部３０は、検出電極ブロック２５Ｂ（ｍ）について、検出対象となる第１電極２５を所定の符号に基づいて選択する。選択された第１電極２５に駆動信号Ｖｓが供給され、第１電極２５の静電容量変化に基づいてそれぞれの第１電極２５から検出信号が出力される。それぞれの第１電極２５の検出信号に基づいて、検出電極ブロック２５Ｂ（ｍ）から下記の式（１）に示す出力信号Ｓｖｑが出力される。
【００６４】
【数１】
0006557628.tif 000002
【００６５】
ここで、Ｓｉｑは、選択電極ブロック２５Ａ（ｎ）、２５Ａ（ｎ＋１）、２５Ａ（ｎ＋２）、２５Ａ（ｎ＋３）の各第１電極２５に対応する信号値である。Ｓｉｑは、上述した自己静電容量方式のタッチ検出の基本原理における、検出電極Ｅ１の静電容量Ｃ１（図３参照）、あるいは検出電極Ｅ１の静電容量Ｃ１に指等の接触又は近接による静電容量Ｃ２を加えた静電容量（Ｃ１＋Ｃ２、図３参照）に比例した信号値である。Ｓｖｐは、検出電極ブロック２５Ｂ（ｍ）の出力信号であり、検出電極ブロック２５Ｂ（ｍ）のうち所定の符号に基づいて選択された第１電極２５の出力信号を演算して求められる値である。所定の符号は、例えば、下記の式（２）の正方行列Ｈｖで定義される。正方行列Ｈｖは、アダマール行列であり、「１」又は「−１」を要素とし、任意の異なった２つの行が直交行列となる正方行列である。正方行列Ｈｖの次数は、検出電極ブロック２５Ｂ（ｍ）に含まれる第１電極２５の数、すなわち、４つの選択電極ブロック２５Ａの数である４となる。本実施形態では、４つの第１電極２５を含む検出電極ブロック２５Ｂ（ｍ）について説明するが、これに限定されず、列方向に配列される第１電極２５の個数は２つ、３つ又は５つ以上であってもよい。この場合、正方行列Ｈｖの次数も第１電極２５の個数に応じて変更される。
【００６６】
【数２】
0006557628.tif 000003
【００６７】
正方行列Ｈｖの次数は、検出電極ブロック２５Ｂ（ｍ）に含まれる第１電極２５の数、すなわち、４つの選択電極ブロック２５Ａの数である４となる。本実施形態では、４つの第１電極２５を含む検出電極ブロック２５Ｂ（ｍ）について説明するが、これに限定されず、列方向に配列される第１電極２５の個数は２つ、３つ又は５つ以上であってもよい。この場合、正方行列Ｈｖの次数も第１電極２５の個数に応じて変更される。
【００６８】
正方行列Ｈｖに対応する第１電極２５は、図９に示した複数の第１電極ブロックＢＫＮ−１、ＢＫＮ、…ＢＫＮ＋ｐに対応する。各第１電極ブロックＢＫＮ−１、ＢＫＮ、…ＢＫＮ＋ｐについて正方行列Ｈｈに基づいて順次検出動作を行うことにより、１検出面の全体の検出が実行される。第１電極ブロックＢＫＮ−１、ＢＫＮ、…ＢＫＮ＋ｐは、それぞれ４つの選択電極ブロック２５Ａを含んでいるが、４つに限られず、２つ、３つ又は５つ以上であってもよい。第１電極ブロックＢＫＮ−１、ＢＫＮ、…ＢＫＮ＋ｐは、一部の選択電極ブロック２５Ａが重複するように配列されていてもよい。つまり、８列の選択電極ブロック２５Ａに対して４つの正方行列Ｈｖに基づく検出動作を２回行ってもよく、また、５つの正方行列に基づく検出動作を２回行うように、一部の第１電極２５に関して重複するように実施してもよい。また、複数の第１電極ブロックＢＫＮ−１、ＢＫＮ、…ＢＫＮ＋ｐは列方向に配列されている構成に限られず、行列状に配置されていてもよい。
【００６９】
図１１（Ａ）から図１１（Ｄ）に示すように、第１検出動作Ｔｃ０、第２検出動作Ｔｃ１、第３検出動作Ｔｃ２及び第４検出動作Ｔｃ３の４つの検出動作に分けて符号分割選択駆動の一例を説明する。第１検出動作Ｔｃ０、第２検出動作Ｔｃ１、第３検出動作Ｔｃ２及び第４検出動作Ｔｃ３はそれぞれ、正符号選択動作Ｔｃ０＋、Ｔｃ１＋、Ｔｃ２＋、Ｔｃ３＋と、負符号選択動作Ｔｃ０−、Ｔｃ１−、Ｔｃ２−、Ｔｃ３−とを含む。本実施形態では、正符号選択動作Ｔｃ０＋、Ｔｃ１＋、Ｔｃ２＋、Ｔｃ３＋において、正方行列Ｈｖの成分「１」に対応する第１選択信号に応じて、検出電極ブロック２５Ｂ（ｍ）のうち、第１検出対象の第１電極２５が選択される。図１１では、選択された第１電極２５に斜線を付して示している。第１検出対象の第１電極２５から共通の検出用データ線ＳＧＬｓ（図８参照）を介して第１出力信号Ｓｖｐ＋（ｐ＝０、１、２、３）が出力される。ここで、第１出力信号Ｓｖｐ＋は、検出電極ブロック２５Ｂ（ｍ）に含まれる各第１電極２５の検出信号が統合されて出力される出力信号である。
【００７０】
また、正符号選択動作Ｔｃ＋と異なるタイミングで実行される負符号選択動作Ｔｃ０−、Ｔｃ１−、Ｔｃ２−、Ｔｃ３−Ｔｃ−において、正方行列Ｈｖの成分「−１」に対応する第２選択信号に応じて、検出電極ブロック２５Ｂ（ｍ）のうち、第１検出対象に含まれない第２検出対象の第１電極２５が選択される。この第２検出対象の第１電極２５から検出用データ線ＳＧＬｓを介して第２出力信号Ｓｖｐ−（ｐ＝０、１、２、３）が出力される。ここで、第２出力信号Ｓｖｐ＋は、検出電極ブロック２５Ｂ（ｍ）に含まれる各第１電極２５の検出信号が統合されて出力される出力信号である。信号処理部４０の信号演算部４４（図２参照）は、第１出力信号Ｓｖｐ＋と第２出力信号Ｓｖｐ−との差分を演算することにより、出力信号Ｓｖｐ＝Ｓｖｐ＋−Ｓｖｐ−を算出する。信号演算部４４は、出力信号Ｓｖｐを記憶部４７に出力して、出力信号Ｓｖｐを一時的に記憶させる。第１出力信号Ｓｖｐ＋と第２出力信号Ｓｖｐ−とは、上述した自己静電容量方式のタッチ検出の基本原理における検出信号Ｖｄｅｔに対応する。
【００７１】
正方行列Ｈｖの次数が４の場合、下記の式（３）に示すように、１つの検出電極ブロック２５Ｂ（ｍ）から、４つの出力信号（Ｓｖ０、Ｓｖ１、Ｓｖ２、Ｓｖ３）が得られる。この場合、４つの第１出力信号Ｓｖ０＋、Ｓｖ１＋、Ｓｖ２＋、Ｓｖ３＋と、４つの第２出力信号Ｓｖ０−、Ｓｖ１−、Ｓｖ２−、Ｓｖ３−から、出力信号（Ｓｖ０、Ｓｖ１、Ｓｖ２、Ｓｖ３）がそれぞれ求められる。
【００７２】
【数３】
0006557628.tif 000004
【００７３】
以下では、検出電極ブロック２５Ｂ（ｍ）の各第１電極２５から検出される検出信号値が（Ｓｉ０、Ｓｉ１、Ｓｉ２、Ｓｉ３）＝（１、７、３、２）である場合を例にとって説明する。図１１（Ａ）に示すように、第１検出動作Ｔｃ０の正符号選択動作Ｔｃ０＋において、において、正方行列Ｈｖの１行目の成分「１」に対応する第１検出対象として、４つの第１電極２５が選択される。第１出力信号Ｓｖ０＋は、式（３）から、Ｓｖ０＋＝１×１＋１×７＋１×３＋１×２＝１３となる。負符号選択動作Ｔｃ０−において、正方行列Ｈｖの１行目の成分「−１」が存在しないため、成分「−１」に対応する第２検出対象として第１電極２５は選択されない。よって、第２出力信号Ｓｖ０−は、Ｓｖ０−＝０×１＋０×７＋０×３＋０×２＝０となる。出力信号Ｓｖ０は、第１出力信号Ｓｖ０＋と第２出力信号Ｓｖ０−との差分から、Ｓｖ０＝Ｓｖ０＋−Ｓｖ０−＝１３−０＝１３となる。
【００７４】
次に、図１１（Ｂ）に示すように、第２検出動作Ｔｃ１の正符号選択動作Ｔｃ１＋において、正方行列Ｈｖの２行目の成分「１」に対応する第１検出対象として、選択電極ブロック２５Ａ（ｎ）、２５Ａ（ｎ＋２）に属する２つの第１電極２５が選択される。第１検出対象として選択された第１電極２５から出力信号が出力され、第１検出対象として選択されていない選択電極ブロック２５Ａ（ｎ＋１）、２５Ａ（ｎ＋３）に属する第１電極２５から出力信号は出力されない。このため、第１出力信号Ｓｖ１＋は、式（３）から、Ｓｖ１＋＝１×１＋０×７＋１×３＋０×２＝４となる。負符号選択動作Ｔｃ１−において、正方行列Ｈｖの２行目の成分「−１」に対応する第２検出対象として、選択電極ブロック２５Ａ（ｎ＋１）、２５Ａ（ｎ＋３）に属する２つの第１電極２５が選択される。第２出力信号Ｓｖ１−は、Ｓｖ１−＝０×１＋１×７＋０×３＋１×２＝９となる。出力信号Ｓｖ１は、Ｓｖ１＝Ｓｖ１＋−Ｓｖ１−＝４−９＝−５が得られる。
【００７５】
次に、図１１（Ｃ）に示すように、第３検出動作Ｔｃ２の正符号選択動作Ｔｃ２＋において、正方行列Ｈｖの３行目の成分「１」に対応する第１検出対象として、選択電極ブロック２５Ａ（ｎ）、２５Ａ（ｎ＋１）に属する２つの第１電極２５が選択される。第１出力信号Ｓｖ２＋は、式（３）から、Ｓｖ２＋＝１×１＋１×７＋０×３＋０×２＝８となる。負符号選択動作Ｔｃ２−において、正方行列Ｈｖの３行目の成分「−１」に対応する第２検出対象として、選択電極ブロック２５Ａ（ｎ＋２）、２５Ａ（ｎ＋３）に属する２つの第１電極２５が選択される。第２出力信号Ｓｖ２−は、Ｓｖ２−＝０×１＋０×７＋１×３＋１×２＝５となる。出力信号Ｓｖ２は、Ｓｖ２＝Ｓｖ２＋−Ｓｖ２−＝８−５＝３が得られる。
【００７６】
次に、図１１（Ｄ）に示すように、第４検出動作Ｔｃ３の正符号選択動作Ｔｃ３＋において、正方行列Ｈｖの４行目の成分「１」に対応する第１検出対象として、選択電極ブロック２５Ａ（ｎ）、２５Ａ（ｎ＋３）に属する２つの第１電極２５が選択される。第１出力信号Ｓｖ３＋は、式（３）から、Ｓｖ３＋＝１×１＋０×７＋０×３＋１×２＝３となる。負符号選択動作Ｔｃ３−において、正方行列Ｈｖの４行目の成分「−１」に対応する第２検出対象として、選択電極ブロック２５Ａ（ｎ＋１）、２５Ａ（ｎ＋２）に属する２つの第１電極２５が選択される。第２出力信号Ｓｖ３−は、Ｓｖ３−＝０×１＋１×７＋１×３＋０×２＝１０となる。出力信号Ｓｖ３は、Ｓｖ３＝Ｓｖ３＋−Ｓｖ３−＝３−１０＝−７が得られる。
【００７７】
信号演算部４４は、４つの出力信号（Ｓｖ０、Ｓｖ１、Ｓｖ２、Ｓｖ３）＝（１３、−５、３、−７）を順次、記憶部４７に出力する。なお、信号演算部４４は、４つの第１出力信号Ｓｖ０＋、Ｓｖ１＋、Ｓｖ２＋、Ｓｖ３＋と、４つの第２出力信号Ｓｖ０−、Ｓｖ１−、Ｓｖ２−、Ｓｖ３−を、それぞれ記憶部４７に記憶させて、すべての期間の検出を行った後に４つの出力信号Ｓｖ０、Ｓｖ１、Ｓｖ２、Ｓｖ３の演算を行ってもよい。
【００７８】
座標抽出部４５（図２参照）は、信号演算部４４が演算した出力信号Ｓｖ０、Ｓｖ１、Ｓｖ２、Ｓｖ３を記憶部４７から受け取り、４つの出力信号（Ｓｖ０、Ｓｖ１、Ｓｖ２、ＳｖＳｖ３）＝（１３、−５、３、−７）を下記の式（４）で復号する。座標抽出部４５は、式（４）に基づいて、復号信号（Ｓｉ０’、Ｓｉ１’、Ｓｉ２’、Ｓｉ３’）＝（４、２８、１２、８）を算出する。指が接触又は近接した場合、その位置に対応する第１電極２５の復号信号Ｓｉ０’、Ｓｉ１’、Ｓｉ２’、Ｓｉ３’の値が変化する。これにより、座標抽出部４５は、復号信号Ｓｉ０’、Ｓｉ１’、Ｓｉ２’、Ｓｉ３’に基づいて、検出電極ブロック２５Ｂ（ｍ）のうち指が接触又は近接した座標を求めることができる。なお、座標抽出部４５は、復号信号Ｓｉ０’、Ｓｉ１’、Ｓｉ２’、Ｓｉ３’に基づいて求められた座標を検出信号出力Ｖｏｕｔとして出力してもよいし、復号信号Ｓｉ０’、Ｓｉ１’、Ｓｉ２’、Ｓｉ３’を検出信号出力Ｖｏｕｔとして出力してもよい。
【００７９】
【数４】
0006557628.tif 000005
【００８０】
以上の符号分割選択駆動によれば、信号値（Ｓｉ０、Ｓｉ１、Ｓｉ２、Ｓｉ３）＝（１、７、３、２）に対して、式（４）による座標抽出部４５の復号処理により、復号信号（Ｓｉ０’、Ｓｉ１’、Ｓｉ２’、Ｓｉ３’）＝（４、２８、１２、８）が得られる。すなわち、各ノードの信号値の電圧を上げることなく、時分割選択駆動の４倍の信号強度が得られることとなる。また、出力信号Ｓｖｐは、第１出力信号Ｓｖｐ＋と第２出力信号Ｓｖｐ−との差分により求められるため、外部からノイズが侵入した場合であっても、第１出力信号Ｓｖｐ＋のノイズ成分と第２出力信号Ｓｖｐ−のノイズ成分がキャンセルされる。これにより、ノイズ耐性を向上させることができる。また、本実施形態によれば、所定の符号に基づいて選択された第１検出対象の第１電極２５の検出動作と、所定の符号に基づいて選択された、第１検出対象に含まれない第２検出対象の第１電極２５の検出動作とを、異なる期間に時分割で行う。これにより、第１検出対象の第１電極２５と、第２検出対象の第１電極２５との容量結合を抑制できるので、検出誤差や検出感度の低下を抑制することができる。
【００８１】
なお、式（２）に示す正方行列Ｈｖは、一例であって、例えば下記の式（５）に示す正方行列Ｈｖ等であってもよい。この場合、正符号選択動作Ｔｃｐ＋（ｐ＝０、１、２、３）において、成分「１」に対応する第１検出対象の第１電極２５が３つ選択され、負符号選択動作Ｔｃｐ−（ｐ＝０、１、２、３）において、成分「−１」に対応する第２検出対象の第１電極２５が１つ選択される。
【００８２】
【数５】
0006557628.tif 000006
【００８３】
図１１に示すように、正方行列Ｈｖの成分「１」に対応する第１検出対象として選択される第１電極２５の組み合わせパターンを示す第１選択パターンは、正符号選択動作Ｔｃｐ＋（ｐ＝０、１、２、３）に示した４つのパターンである。つまり、第１検出対象として選択される第１電極２５の第１選択パターンは、検出電極ブロック２５Ｂ（ｍ）に含まれる第１電極２５の数と等しい。また、正方行列Ｈｖの成分「−１」に対応する第２検出対象として選択される第１電極２５の組み合わせパターンを示す第２選択パターンも、負符号選択動作Ｔｃｐ−（ｐ＝０、１、２、３）に示した４つのパターンであり、検出電極ブロック２５Ｂ（ｍ）に含まれる第１電極２５の数と等しい。
【００８４】
図１１に示すように正符号選択動作Ｔｃｐ＋と負符号選択動作Ｔｃｐ−とは、検出期間Ｐｔ１、Ｐｔ２（図１０参照）内において連続して実行され、連続する１組の正符号選択動作Ｔｃｐ＋と負符号選択動作Ｔｃｐ−とが交互に実行される。これに限定されず、例えば、４つの正符号選択動作Ｔｃｐ＋（ｐ＝０、１、２、３）を連続して実行した後に、４つの負符号選択動作Ｔｃｐ−（ｐ＝０、１、２、３）を実行する等、適宜変更してもよい。また、正符号選択動作Ｔｃｐ＋と負符号選択動作Ｔｃｐ−とが実行される回数は、それぞれ検出電極ブロック２５Ｂ（ｍ）に含まれる第１電極２５の数と等しく、４つずつ設けられる。すなわち、式（１）の正方行列Ｈｖの行成分の個数と同じ数となる。
【００８５】
また、検出電極ブロック２５Ｂ（ｍ）に含まれる第１電極２５は、共通の検出用データ線ＳＧＬｓに接続されているが、これに限定されず、個別の検出用データ線が接続されていてもよい。
【００８６】
次に、図８及び図１２から図１４を参照して、複数の検出電極ブロック２５Ｂについての一動作例を説明する。図１２は、本実施形態に係る検出部の一動作例を示すタイミング波形図である。図１３は、第１の実施形態に係る検出部の符号分割選択駆動の一動作例を説明するための模式図である。図１４は、第１の実施形態に係る検出部の符号分割選択駆動の一動作例を説明するための模式図である。
【００８７】
図１２に示すように、正符号選択動作期間Ｐｃｐ＋と、負符号選択動作期間Ｐｃｐ−とが連続して配置される。正符号選択動作期間Ｐｃｐ＋に上述した正符号選択動作Ｔｃｐ＋が実行され、負符号選択動作期間Ｐｃｐ−に上述した負符号選択動作Ｔｃｐ−が実行される。なお、正符号選択動作期間Ｐｃ１＋、Ｐｃ２＋、Ｐｃ３＋、Ｐｃ４＋の各期間をＰｃ＋と表すことがあり、負符号選択動作期間Ｐｃ１−、Ｐｃ２−、Ｐｃ３−、Ｐｃ４−の各期間をＰｃ−と表すことがある。選択電極ブロック２５Ａ（ｎ）、２５Ａ（ｎ＋１）、２５Ａ（ｎ＋２）、２５Ａ（ｎ＋３）のそれぞれに対応する選択信号Ｖｓｅｌ（ｎ）、（ｎ＋１）、（ｎ＋２）、（ｎ＋３）が検出用ゲートドライバ１２Ｂに供給される。なお、選択信号Ｖｓｅｌは、上述した所定の符号に基づいて制御部１１が生成してもよく、外部の制御ＩＣ等が生成してもよく、検出用ゲートドライバ１２Ｂが選択信号Ｖｓｅｌを生成する選択信号生成部を含んでいてもよい。
【００８８】
選択信号Ｖｓｅｌ（ｎ）、（ｎ＋１）、（ｎ＋２）、（ｎ＋３）がオン（高レベル）になると、検出用ゲートドライバ１２Ｂは、選択信号Ｖｓｅｌに対応する検出用ゲート線ＧＣＬｓに対して走査信号Ｖｓｃａｎｓを供給する。選択された検出用ゲート線ＧＣＬｓの各検出用スイッチング素子Ｔｒｓがオンとなり、選択信号Ｖｓｅｌに対応する選択電極ブロック２５Ａが検出対象として選択される。第１電極ドライバ１４は、検出用データ線ＳＧＬｓを順次、又は同時に選択し、検出用データ線ＳＧＬｓを介して、選択電極ブロック２５Ａの各第１電極２５に駆動信号Ｖｓを供給する。これにより、検出電極ブロック２５Ｂのうち検出対象となる第１電極２５の静電容量変化に応じて、各第１電極２５から検出信号が出力される。各第１電極２５の検出信号が統合されて上述した第１出力信号Ｓｖｐ＋、第２出力信号Ｓｖｐ−が、検出用データ線ＳＧＬｓを介して信号処理部４０に出力される。
【００８９】
選択信号Ｖｓｅｌ（ｎ）、（ｎ＋１）、（ｎ＋２）、（ｎ＋３）はそれぞれ、式（２）の正方行列Ｈｖの成分「１」に対応する第１選択信号Ｖｓｅｌ＋と、正方行列Ｈｖの成分「−１」に対応する第２選択信号Ｖｓｅｌ−とを含む。選択信号Ｖｓｅｌ（ｎ）、（ｎ＋１）、（ｎ＋２）、（ｎ＋３）は、４つの第１選択信号Ｖｓｅｌ＋と４つの第２選択信号Ｖｓｅｌ−とが交互に配置された信号である。なお、選択信号Ｖｓｅｌ（ｎ）、（ｎ＋１）、（ｎ＋２）、（ｎ＋３）はこれに限定されず、複数の第１選択信号Ｖｓｅｌ＋の後に複数の第２選択信号Ｖｓｅｌ−が配置されていてもよく、また、後述するように第２選択信号Ｖｓｅｌ−を含まないものであってもよい。
【００９０】
例えば、正符号選択動作期間Ｐｃ０＋における第１選択信号Ｖｓｅｌ＋は、正方行列Ｈｖの１行目の成分「１」に対応して、選択信号Ｖｓｅｌ（ｎ）、（ｎ＋１）、（ｎ＋２）、（ｎ＋３）がいずれもオン（高レベル）となる。図１３（Ａ）に示すように、第１選択信号Ｖｓｅｌ＋に応じて、検出用ゲート線ＧＣＬｓ（ｎ）、（ｎ＋１）、（ｎ＋２）、（ｎ＋３）が選択され、走査信号Ｖｓｃａｎｓがオン（高レベル）となる。選択電極ブロック２５Ａ（ｎ）、２５Ａ（ｎ＋１）、２５Ａ（ｎ＋２）、２５Ａ（ｎ＋３）の各第１電極２５が第１検出対象として選択され、第１電極ドライバ１４から駆動信号Ｖｓが供給される。これにより、複数の検出電極ブロック２５Ｂ（ｍ）、２５Ｂ（ｍ＋１）、２５Ｂ（ｍ＋２）、２５Ｂ（ｍ＋３）からそれぞれ、第１出力信号Ｓｖ０（ｍ）＋、Ｓｖ０（ｍ＋１）＋、Ｓｖ０（ｍ＋２）＋、Ｓｖ０（ｍ＋３）＋が出力される。
【００９１】
負符号選択動作期間Ｐｃ０−における第２選択信号Ｖｓｅｌ−は、正方行列Ｈｖの１行目の成分「−１」に対応して、選択信号Ｖｓｅｌ（ｎ）、（ｎ＋１）、（ｎ＋２）、（ｎ＋３）がいずれもオフ（低レベル）となる。この場合、図１３（Ｂ）に示すように、負符号選択動作期間Ｐｃ０−では、検出用ゲート線ＧＣＬｓ（ｎ）、（ｎ＋１）、（ｎ＋２）、（ｎ＋３）がいずれも選択されず、走査信号Ｖｓｃａｎｓがオフ（低レベル）となる。複数の検出電極ブロック２５Ｂ（ｍ）、２５Ｂ（ｍ＋１）、２５Ｂ（ｍ＋２）、２５Ｂ（ｍ＋３）からそれぞれ、第２出力信号Ｓｖ０（ｍ）−、Ｓｖ０（ｍ＋１）−、Ｓｖ０（ｍ＋２）−、Ｓｖ０（ｍ＋３）−が出力される。この場合、第２出力信号Ｓｖ０（ｍ）−、Ｓｖ０（ｍ＋１）−、Ｓｖ０（ｍ＋２）−、Ｓｖ０（ｍ＋３）−の信号値は０となる。
【００９２】
図１２に示すように、次の正符号選択動作期間Ｐｃ１＋における第１選択信号Ｖｓｅｌ＋は、正方行列Ｈｖの２行目の成分「１」に対応しており、選択信号Ｖｓｅｌ（ｎ）、（ｎ＋２）がオン（高レベル）、Ｖｓｅｌ（ｎ＋１）、（ｎ＋３）がオフ（低レベル）となる。第１選択信号Ｖｓｅｌ＋に応じて、検出用ゲート線ＧＣＬｓ（ｎ）、（ｎ＋２）が選択され、走査信号Ｖｓｃａｎｓがオン（高レベル）となる。これにより、選択電極ブロック２５Ａ（ｎ）、（ｎ＋２）の各第１電極２５が第１検出対象として選択され、検出用データ線ＳＧＬｓを介して駆動信号Ｖｓが供給される。そして、複数の検出電極ブロック２５Ｂ（ｍ）、２５Ｂ（ｍ＋１）、２５Ｂ（ｍ＋２）、２５Ｂ（ｍ＋３）からそれぞれ、第１出力信号Ｓｖ１（ｍ）＋、Ｓｖ１（ｍ＋１）＋、Ｓｖ１（ｍ＋２）＋、Ｓｖ１（ｍ＋３）＋が出力される。負符号選択動作期間Ｐｃ１−における第２選択信号Ｖｓｅｌ−は、正方行列Ｈｖの２行目の成分「−１」に対応しており、選択信号Ｖｓｅｌ（ｎ＋１）、（ｎ＋３）がオン（高レベル）となり、Ｖｓｅｌ（ｎ）、（ｎ＋２）がオフ（低レベル）となる。検出用ゲート線ＧＣＬｓ（ｎ＋１）、（ｎ＋３）が選択され、選択電極ブロック２５Ａ（ｎ＋１）、（ｎ＋３）の各第１電極２５に、駆動信号Ｖｓが供給される。そして、複数の検出電極ブロック２５Ｂ（ｍ）、２５Ｂ（ｍ＋１）、２５Ｂ（ｍ＋２）、２５Ｂ（ｍ＋３）からそれぞれ、第２出力信号Ｓｖ１（ｍ）−、Ｓｖ１（ｍ＋１）−、Ｓｖ１（ｍ＋２）−、Ｓｖ１（ｍ＋３）−が出力される。
【００９３】
次の正符号選択動作期間Ｐｃ２＋における第１選択信号Ｖｓｅｌ＋は、正方行列Ｈｖの３行目の成分「１」に対応しており、選択信号Ｖｓｅｌ（ｎ）、（ｎ＋１）がオン（高レベル）となり、選択信号Ｖｓｅｌ（ｎ＋２）、（ｎ＋３）がオフ（低レベル）となる。図１４（Ａ）に示すように、検出用ゲート線ＧＣＬｓ（ｎ）、（ｎ＋１）が選択され、走査信号Ｖｓｃａｎｓがオン（高レベル）となる。選択電極ブロック２５Ａ（ｎ）、（ｎ＋１）に属する第１電極２５が第１検出対象として選択され、検出用データ線ＳＧＬｓを介して駆動信号Ｖｓが供給される。そして、複数の検出電極ブロック２５Ｂ（ｍ）、２５Ｂ（ｍ＋１）、２５Ｂ（ｍ＋２）、２５Ｂ（ｍ＋３）からそれぞれ、第１出力信号Ｓｖ２（ｍ）＋、Ｓｖ２（ｍ＋１）＋、Ｓｖ２（ｍ＋２）＋、Ｓｖ２（ｍ＋３）＋が出力される。負符号選択動作期間Ｐｃ２−における第２選択信号Ｖｓｅｌ−は、正方行列Ｈｖの３行目の成分「−１」に対応しており、選択信号Ｖｓｅｌ（ｎ＋２）、（ｎ＋３）がオン（高レベル）、選択信号Ｖｓｅｌ（ｎ）、（ｎ＋１）がオフ（低レベル）となる。図１４（Ｂ）に示すように、検出用ゲート線ＧＣＬｓ（ｎ＋２）、（ｎ＋３）が選択され、走査信号Ｖｓｃａｎｓがオン（高レベル）となる。正符号選択動作期間Ｐｃ２＋において第１検出対象に含まれなかった選択電極ブロック２５Ａ（ｎ＋２）、（ｎ＋３）に属する第１電極２５が第２検出対象として選択され、検出用データ線ＳＧＬｓを介して駆動信号Ｖｓが供給される。そして、複数の検出電極ブロック２５Ｂ（ｍ）、２５Ｂ（ｍ＋１）、２５Ｂ（ｍ＋２）、２５Ｂ（ｍ＋３）からそれぞれ、第２出力信号Ｓｖ２（ｍ）−、Ｓｖ２（ｍ＋１）−、Ｓｖ２（ｍ＋２）−、Ｓｖ２（ｍ＋３）−が出力される。
【００９４】
図１２に示すように、次の正符号選択動作期間Ｐｃ３＋における第１選択信号Ｖｓｅｌ＋は、正方行列Ｈｖの４行目の成分「１」に対応しており、選択信号Ｖｓｅｌ（ｎ）、（ｎ＋３）がオン（高レベル）となり、選択信号Ｖｓｅｌ（ｎ＋１）、（ｎ＋２）がオフ（低レベル）となる。選択電極ブロック２５Ａ（ｎ）、（ｎ＋３）に属する第１電極２５に駆動信号Ｖｓが供給される。そして、複数の検出電極ブロック２５Ｂ（ｍ）、２５Ｂ（ｍ＋１）、２５Ｂ（ｍ＋２）、２５Ｂ（ｍ＋３）からそれぞれ、第１出力信号Ｓｖ３（ｍ）＋、Ｓｖ３（ｍ＋１）＋、Ｓｖ３（ｍ＋２）＋、Ｓｖ３（ｍ＋３）＋が出力される。負符号選択動作期間Ｐｃ３−における第２選択信号Ｖｓｅｌ−は、正方行列Ｈｖの４行目の成分「−１」に対応しており、選択信号Ｖｓｅｌ（ｎ＋１）、（ｎ＋２）がオン（高レベル）となり、選択信号Ｖｓｅｌ（ｎ）、（ｎ＋３）がオフ（低レベル）となる。選択電極ブロック２５Ａ（ｎ＋１）、（ｎ＋２）に属する第１電極２５に駆動信号Ｖｓが供給される。そして、複数の検出電極ブロック２５Ｂ（ｍ）、２５Ｂ（ｍ＋１）、２５Ｂ（ｍ＋２）、２５Ｂ（ｍ＋３）からそれぞれ、第２出力信号Ｓｖ３（ｍ）−、Ｓｖ３（ｍ＋１）−、Ｓｖ３（ｍ＋２）−、Ｓｖ３（ｍ＋３）−が出力される。
【００９５】
このように、複数の検出電極ブロック２５Ｂ（ｍ）、２５Ｂ（ｍ＋１）、２５Ｂ（ｍ＋２）、２５Ｂ（ｍ＋３）が行方向に配列されており、検出電極ブロック２５Ｂ（ｍ）、２５Ｂ（ｍ＋１）、２５Ｂ（ｍ＋２）、２５Ｂ（ｍ＋３）から、それぞれ第１出力信号Ｓｖｐ（ｍ）＋、Ｓｖｐ（ｍ＋１）＋、Ｓｖｐ（ｍ＋２）＋、Ｓｖｐ（ｍ＋３）＋と第２出力信号Ｓｖｐ（ｍ）−、Ｓｖｐ（ｍ＋１）−、Ｓｖｐ（ｍ＋２）−、Ｓｖｐ（ｍ＋３）−が出力される。図１２に示すように、正符号選択動作期間Ｐｃ＋における駆動信号Ｖｓと、負符号選択動作期間Ｐｃ−における駆動信号Ｖｓとは、いずれもプラスの電圧信号であり同じ極性を有している。したがって、第１出力信号Ｓｖｐ＋と第２出力信号Ｓｖｐ（ｍ）−とは同じ極性を有する。信号演算部４４は、第１出力信号Ｓｖｐ（ｍ）＋、Ｓｖｐ（ｍ＋１）＋、Ｓｖｐ（ｍ＋２）＋、Ｓｖｐ（ｍ＋３）＋と、第２出力信号Ｓｖｐ（ｍ）−、Ｓｖｐ（ｍ＋１）−、Ｓｖｐ（ｍ＋２）−、Ｓｖｐ（ｍ＋３）−との差分をそれぞれ演算する。これにより各検出電極ブロック２５Ｂ（ｍ）、２５Ｂ（ｍ＋１）、２５Ｂ（ｍ＋２）、２５Ｂ（ｍ＋３）での出力信号Ｓｖｐ（ｍ）、Ｓｖｐ（ｍ＋１）、Ｓｖｐ（ｍ＋２）、Ｓｖｐ（ｍ＋３）を求めることができる。座標抽出部４５は、出力信号Ｓｖｐ（ｍ）、Ｓｖｐ（ｍ＋１）、Ｓｖｐ（ｍ＋２）、Ｓｖｐ（ｍ＋３）について、それぞれ上述した復号処理を行うことにより、指が接触又は近接したタッチパネル座標を検出信号出力Ｖｏｕｔとして出力する。
【００９６】
なお、各期間において、選択されていない第１電極２５は、電圧信号が供給されず、電位が固定されていないフローティング状態である。このため、選択された第１電極２５と選択されていない第１電極２５との間の容量結合を低減して、検出誤差や検出感度の低下を抑制することができる。
【００９７】
次に、本実施形態の検出部３０の駆動回路の一例を説明する。図１５は、本実施形態に係る駆動回路の一構成例を示すブロック図である。図１６は、本実施形態に係る駆動回路の他の構成例を示すブロック図である。
【００９８】
図１５に示すように、検出用ゲートドライバ１２Ｂは、走査信号生成部１５ａと、選択信号生成部１５ｂと、反転回路１５ｃと、カウンタ１５ｄとを備える。走査信号生成部１５ａは、走査信号Ｖｓｃａｎｓを生成し、選択信号生成部１５ｂから供給される選択信号に基づいて、選択された検出用ゲート線ＧＣＬｓに走査信号Ｖｓｃａｎｓを供給する。
【００９９】
選択信号生成部１５ｂは、式（１）の正方行列の成分「１」に対応してオン（高レベル）となり、正方行列の成分「−１」に対応してオフ（低レベル）となる第１選択信号Ｖｓｅｌ＋を生成する。また、選択信号生成部１５ｂは、式（１）の正方行列の成分「１」に対応してオフ（低レベル）となり、正方行列の成分「−１」に対応してオン（高レベル）となる第２選択信号Ｖｓｅｌ−を生成する。つまり、第１選択信号Ｖｓｅｌ＋と第２選択信号Ｖｓｅｌ−とは、オン（高レベル）となる部分とオフ（低レベル）となる部分が反転した信号である。これにより、第１選択信号Ｖｓｅｌ＋により第１検出対象として選択された第１電極２５と、第２選択信号Ｖｓｅｌ−により第２検出対象として選択された第１電極２５とが重複しないように選択される。
【０１００】
カウンタ１５ｄは、クロック信号生成部（図示しない）から供給されるクロック信号のパルス数を計測する。選択信号生成部１５ｂは、カウンタ１５ｄからのカウント値に基づいて、上述した第１選択信号Ｖｓｅｌ＋と第２選択信号Ｖｓｅｌ−とを順次切り替えて、走査信号生成部１５ａに出力する。これにより、選択信号生成部１５ｂは、図１２に示したように、正符号選択動作期間Ｐｃ＋では、それぞれ正方行列Ｈｖの１行分の成分「１」に対応する第１選択信号Ｖｓｅｌ＋を出力し、負符号選択動作期間Ｐｃ−では、それぞれ正方行列Ｈｖの１行分の成分「−１」に対応する第２選択信号Ｖｓｅｌ−を出力する。なお、クロック信号生成部は、例えば制御部１１（図１参照）に含まれており、図１２に示す各正符号選択動作期間Ｐｃ＋と負符号選択動作期間Ｐｃ−とを切り換えるための基準クロックを生成する。
【０１０１】
検出用ゲートドライバ１２Ｂは、例えば上述した検出期間Ｐｔが終了するタイミングでリセット信号Ｒｅｓｅｔが供給され、走査信号生成部１５ａ、選択信号生成部１５ｂ、反転回路１５ｃ、及びカウンタ１５ｄがリセットされる。
【０１０２】
図１５に示すように、検出部３０にはマルチプレクサ１４Ｂが接続されている。駆動信号生成部１４Ａは、マルチプレクサ１４Ｂを介して、第１選択信号Ｖｓｅｌ＋又は第２選択信号Ｖｓｅｌ−に応じて選択された第１電極２５に対して順番に、又は同時に駆動信号Ｖｓを供給する。また、信号処理部４０は、マルチプレクサ１４Ｂを介して、第１選択信号Ｖｓｅｌ＋又は第２選択信号Ｖｓｅｌ−に応じて選択された第１電極２５から順番に第１出力信号Ｓｖｐ＋と第２出力信号Ｓｖｐ−が出力される。このため、信号処理部４０の構成を簡便にすることができる。
【０１０３】
駆動信号Ｖｓの供給と、第１出力信号Ｓｖｐ＋及び第２出力信号Ｓｖｐ−の出力とは、例えばスイッチ素子ＳＷ５、ｘＳＷ５により切り替え可能になっている。スイッチ素子ＳＷ５がオン（開）のとき、スイッチ素子ｘＳＷ５がオフ（閉）となり、配線Ｌ２及び配線Ｌ３を介して第１出力信号Ｓｖｐ＋及び第２出力信号Ｓｖｐ−が信号処理部４０に出力される。スイッチ素子ＳＷ５がオフ（閉）のとき、スイッチ素子ｘＳＷ５がオン（開）となり、配線Ｌ１及び配線Ｌ３を介して駆動信号Ｖｓが検出対象の第１電極２５に対して供給される。
【０１０４】
なお、駆動信号生成部１４Ａ、マルチプレクサ１４Ｂ、スイッチ素子ＳＷ５、ｘＳＷ５及び配線Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３の機能は、第１電極ドライバ１４に含まれていてもよく、第１電極ドライバ１４とは別に設けられた回路であってもよい。制御部１１が駆動信号生成部１４Ａの機能を含んでいてもよい。マルチプレクサ１４Ｂ、スイッチ素子ＳＷ５、ｘＳＷ５及び配線Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３は、第１基板２１上に設けられる。
【０１０５】
本実施形態では、選択信号生成部１５ｂが所定の符号に基づいて第１選択信号Ｖｓｅｌ＋と第２選択信号Ｖｓｅｌ−とを生成しているが、これに限られない。例えば、図１５に示すように、反転回路１５ｃを設けて、反転回路１５ｃが第１選択信号Ｖｓｅｌ＋のオン（高レベル）とオフ（低レベル）とを反転させて第２選択信号Ｖｓｅｌ−を生成してもよい。反転回路１５ｃの一構成例については、後述する。
【０１０６】
図１５に示す検出部３０の駆動回路は、一例であり、種々変更することができる。例えば図１６に示すように、検出用ゲートドライバ１２Ｂは、走査信号生成部１５ａと、シフトレジスタ１５ｅと、ラッチ１５ｆとを備えていてもよい。この場合、式（２）の正方行列Ｈｖに基づいた第１選択信号Ｖｓｅｌ＋及び第２選択信号Ｖｓｅｌ−が順次、例えば制御部１１から走査信号生成部１５ａにシリアルに供給される。走査信号生成部１５ａは、第１選択信号Ｖｓｅｌ＋及び第２選択信号Ｖｓｅｌ−に基づいて走査信号Ｖｓｃａｎｓを生成する。
【０１０７】
シフトレジスタ１５ｅは、走査信号生成部１５ａから受け取った走査信号Ｖｓｃａｎｓを順番にラッチ１５ｆに転送する。ラッチ１５ｆは、図８に示す検出用ゲート線ＧＣＬｓにそれぞれ対応して設けられている。例えば、第１選択信号Ｖｓｅｌ＋に対応する走査信号Ｖｓｃａｎｓが順次ラッチ１５ｆに転送された後、クロック信号に基づいて、各検出用ゲート線ＧＣＬｓに走査信号Ｖｓｃａｎｓが供給される。その後、第２選択信号Ｖｓｅｌ−に対応する走査信号Ｖｓｃａｎｓがラッチ１５ｆに転送され、ラッチ１５ｆが書き換えられる。このように、第１選択信号Ｖｓｅｌ＋及び第２選択信号Ｖｓｅｌ−をシリアルに転送し、所定のクロック信号に基づいてラッチ１５ｆから、走査信号Ｖｓｃａｎｓを供給する構成であってもよい。
【０１０８】
なお、図１６に示す駆動信号生成部１４Ａ、マルチプレクサ１４Ｂ、スイッチ素子ＳＷ５、ｘＳＷ５及び配線Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３の機能は、第１電極ドライバ１４に含まれていてもよく、第１電極ドライバ１４とは別に設けられた回路であってもよい。制御部１１が駆動信号生成部１４Ａの機能を含んでいてもよい。マルチプレクサ１４Ｂ、スイッチ素子ＳＷ５、ｘＳＷ５及び配線Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３は、第１基板２１上に設けられる。
【０１０９】
図１７は、第１の実施形態に係る駆動回路の一動作例を示す説明図である。図１７（Ａ）は、第２検出動作Ｔｃ１の正符号選択動作Ｔｃ１＋を示し、図１７（Ｂ）は、第２検出動作Ｔｃ１の負符号選択動作Ｔｃ１−を示し、図１７（Ｃ）は、第２検出動作Ｔｃ１の正符号選択動作Ｔｃ１＋を示す。図１５及び図１６に示すように、検出部３０にはマルチプレクサ１４Ｂが接続されている。図１７に示すように、マルチプレクサ１４Ｂは、検出用データ線ＳＧＬｓのそれぞれにスイッチＳＷ１１−ＳＷ１４が接続されている。まず、図１７（Ａ）に示すように、正符号選択動作Ｔｃ１＋では検出用データ線ＳＧＬｓ（ｍ）に接続されたスイッチＳＷ１１がオン（開）となり、選択された第１電極２５から第１出力信号Ｓｖ１（ｍ）＋が出力される。次に、図１７（Ｂ）に示すように、負符号選択動作Ｔｃ１−では、正符号選択動作Ｔｃ１＋で選択対象に含まれなかった第１電極２５が選択され、検出用データ線ＳＧＬｓ（ｍ）を介して、第２出力信号Ｓｖ１（ｍ）−が出力される。次に図１７（Ｃ）に示すように、正符号選択動作Ｔｃ１＋では、検出用データ線ＳＧＬｓ（ｍ＋１）に接続されたスイッチＳＷ１２がオン（開）となり、選択された第１電極２５から第１出力信号Ｓｖ１（ｍ＋１）＋が出力される。図１７（Ａ）と図１７（Ｃ）では、同じ第１選択信号Ｖｓｅｌ＋が出力され、同じ列に属する第１電極２５が選択される。このように、検出用データ線ＳＧＬｓごとに第１選択信号Ｖｓｅｌ＋と第２選択信号Ｖｓｅｌ―とを切り替えて検出動作を行ってもよい。
【０１１０】
図１８は、第１電極の検出の順番を説明するための模式図である。図１９は、センサ番号と相関関数との関係を模式的に示すグラフである。図１８及び図１９に関しては、本発明と同様の構成の検出装置において、ノイズの影響と検出タイミングとの関係を示すための図面であり、ノイズの影響がどのように推移するかを説明するための図面である。図１８に示すように、複数の第１電極２５のうち、第１電極２５（１）、２５（２）、…２５（５）、…の順番で選択して、検出動作を行う。具体的には、検出用ゲート線ＧＣＬｓ（ｎ）が選択され、検出用ゲート線ＧＣＬｓ（ｎ）に対応する検出用スイッチング素子Ｔｒｓがオンになる。マルチプレクサ１４Ｂが、検出用データ線ＳＧＬｓ（ｍ）、（ｍ＋１）、（ｍ＋２）、（ｍ＋３）を順番に選択して、駆動信号Ｖｓが供給される。これにより、第１電極２５（１）、２５（２）、２５（３）、２５（４）の順番で検出動作が行われる。次に検出用ゲート線ＧＣＬｓ（ｎ＋１）が選択され、マルチプレクサ１４Ｂが、検出用データ線ＳＧＬｓ（ｍ）、（ｍ＋１）、（ｍ＋２）、（ｍ＋３）を順番に選択することで、第１電極２５（５）、…検出動作が行われる。なお、図１８に示す検出の順番は、説明のために示した順番であり、本実施形態の表示装置１及び検出部３０の検出動作は、これに限定されるものではない。
【０１１１】
図１９は、横軸がセンサ番号であり、上述した第１電極２５の測定順番に対応する。縦軸は、各第１電極２５の出力信号の相関関数である。検出部３０にノイズが侵入した場合、各第１電極２５の出力信号に誤差が生じる。図１９に示すように各第１電極２５の出力信号の相関関数は、センサ番号が大きくなるにしたがって減少する傾向を示している。つまり、時間の経過とともにノイズによる誤差成分が大きくなることが示される。例えば、１番目に測定した第１電極２５（１）の出力信号と、５番目に測定した第１電極２５（５）の出力信号との間で、ノイズの影響による誤差が大きくなっている。
【０１１２】
したがって、図１１に示す、４つの第１出力信号Ｓｖ０＋、Ｓｖ１＋、Ｓｖ２＋、Ｓｖ３＋と、４つの第２出力信号Ｓｖ０−、Ｓｖ１−、Ｓｖ２−、Ｓｖ３−との測定は、Ｓｖ０＋、Ｓｖ０−、Ｓｖ１＋、Ｓｖ１−、Ｓｖ２＋、Ｓｖ２−、Ｓｖ３＋、Ｓｖ３−の順番で測定することがより好ましい。こうすれば、第１出力信号Ｓｖｐ＋と第２出力信号Ｓｖｐ−（ｐ＝１、２、３、４）との検出時間の間隔が小さくなり、ノイズ成分の差が小さくなる。出力信号Ｓｖｐは、Ｓｖｐ＝Ｓｖｐ＋−Ｓｖｐ−のように第１出力信号Ｓｖｐ＋と第２出力信号Ｓｖｐ−との差分によって求められるので、第１出力信号Ｓｖｐ＋のノイズ成分と第２出力信号Ｓｖｐ−のノイズ成分がキャンセルされる。
【０１１３】
（第２の実施形態）
図２０は、第２の実施形態に係る検出部の一動作例を示すタイミング波形図である。図２０に示すように、本実施形態では、正符号選択動作期間Ｐｃ＋において選択電極ブロック２５Ａの第１電極２５に供給される駆動信号Ｖｓと、負符号選択動作期間Ｐｃ−において選択電極ブロック２５Ａの第１電極２５に供給される駆動信号Ｖｓとの極性が反転している。つまり、正方行列Ｈｖの成分「１」に対応する第１検出対象の第１電極２５には、駆動信号Ｖｓとしてプラスの電圧信号が供給される。また、正方行列Ｈｖの成分「−１」に対応する第２検出対象の第１電極２５には、駆動信号Ｖｓとしてマイナスの電圧信号が供給される。
【０１１４】
本実施形態では、第１出力信号Ｓｖｐ＋は、例えばプラスの信号が検出され、第２出力信号Ｓｖｐ−は、マイナスの信号が検出される。したがって、座標抽出部４５は第１出力信号Ｓｖｐ＋と第２出力信号Ｓｖｐ−との和を演算することで、出力信号Ｓｖｐ（Ｓｖｐ＝Ｓｖｐ＋＋Ｓｖｐ−）を算出することができる。なお、駆動信号Ｖｓは、これに限定されず、第１検出対象の第１電極２５にマイナスの電圧信号が供給され、第２検出対象の第１電極２５にプラスの電圧信号が供給されてもよい。
【０１１５】
このように、第１電極２５に極性が異なる駆動信号Ｖｓが供給された場合であっても、プラスの駆動信号Ｖｓとマイナスの駆動信号Ｖｓとは、互いに異なる期間に供給されるので、選択された第１電極２５と、選択されていない第１電極２５との間の寄生容量を低減して、検出誤差の発生や検出感度の低下を抑制することができる。
【０１１６】
（第３の実施形態）
図２１は、第３の実施形態に係る駆動回路の反転回路の一例を説明するための回路図である。図２２は、第３の実施形態に係る検出部の一動作例を示すタイミング波形図である。第１の実施形態では、正方行列Ｈｖの成分「１」に対応する第１選択信号Ｖｓｅｌ＋と正方行列Ｈｖの成分「−１」に対応する第２選択信号Ｖｓｅｌ−とに基づいて、検出対象の第１電極２５が選択されているが、これに限定されない。上述したように検出用ゲートドライバ１２Ｂが反転回路１５ｃを備えていてもよい。
【０１１７】
図２１に示すように、反転回路１５ｃは、排他的論理和回路８１と電圧信号切り換え部８３とを備えている。検出用ゲート線ＧＣＬｓ（ｎ）、ＧＣＬｓ（ｎ＋１）、ＧＣＬｓ（ｎ＋２）、ＧＣＬｓ（ｎ＋３）に、それぞれ排他的論理和回路８１と電圧信号切り換え部８３とが接続されている。排他的論理和回路８１は、図示しないクロック生成部に接続されてクロック信号Ｖｃが供給される。また、排他的論理和回路８１は、選択信号生成部１５ｂの選択信号Ｖｓｅｌ（ｎ）、Ｖｓｅｌ（ｎ＋１）、Ｖｓｅｌ（ｎ＋２）、Ｖｓｅｌ（ｎ＋３）が供給される。
【０１１８】
クロック信号Ｖｃがオン（高レベル）で、かつ、選択信号Ｖｓｅｌがオン（高レベル）の場合、又は、クロック信号Ｖｃがオフ（低レベル）で、かつ、選択信号Ｖｓｅｌがオフ（低レベル）の場合に、排他的論理和回路８１は高レベルの信号を出力する。クロック信号Ｖｃがオン（高レベル）で、かつ、選択信号Ｖｓｅｌがオフ（低レベル）の場合、又は、クロック信号Ｖｃがオフ（低レベル）で、かつ、選択信号Ｖｓｅｌがオン（高レベル）の場合に、排他的論理和回路８１は低レベルの信号を出力する。
【０１１９】
電圧信号切り換え部８３は、高レベルの電圧信号ＶＧＨと低レベルの電圧信号ＶＧＬとが供給される。電圧信号切り換え部８３は、排他的論理和回路８１からの出力信号に応じて、高レベルの電圧信号ＶＧＨと低レベルの電圧信号ＶＧＬとを切り換えて、走査信号Ｖｓｃａｎｓとして、検出用ゲート線ＧＣＬｓ（ｎ）、ＧＣＬｓ（ｎ＋１）、ＧＣＬｓ（ｎ＋２）、ＧＣＬｓ（ｎ＋３）に出力する。電圧信号切り換え部８３は、排他的論理和回路８１から高レベルの信号が供給されると、高レベルの電圧信号ＶＧＨを出力する。電圧信号切り換え部８３は、排他的論理和回路８１から低レベルの信号が供給されると、低レベルの電圧信号ＶＧＬを出力する。
【０１２０】
図２２に示すようにクロック信号Ｖｃは、正符号選択動作期間Ｐｃ＋と負符号選択動作期間Ｐｃ−とを切り換えるための、基準クロック信号であり、正符号選択動作期間Ｐｃ＋においてオン（高レベル）となり、負符号選択動作期間Ｐｃ−においてオフ（低レベル）となる。
【０１２１】
図２２に示すように、選択信号Ｖｓｅｌ（ｎ）、（ｎ＋１）、（ｎ＋２）、（ｎ＋３）は、正方行列Ｈｖの成分「１」に対応してオン（高レベル）となり、成分「−１」に対応してオフ（低レベル）となる信号である。本実施形態では、正符号選択動作期間Ｐｃ＋の第１選択信号Ｖｓｅｌ＋と、負符号選択動作期間Ｐｃ−の第２選択信号Ｖｓｅｌ−とは、いずれも正方行列Ｈｖの成分「１」に対応してオン（高レベル）となる信号である。
【０１２２】
上述したように排他的論理和回路８１には、選択信号生成部１５ｂの選択信号Ｖｓｅｌ（ｎ）、Ｖｓｅｌ（ｎ＋１）、Ｖｓｅｌ（ｎ＋２）、Ｖｓｅｌ（ｎ＋３）、とクロック信号Ｖｃが入力される。これにより、図２２に示すように、正符号選択動作期間Ｐｃ＋において、クロック信号Ｖｃがオン（高レベル）であるため、選択信号Ｖｓｅｌがオン（高レベル）の場合に、排他的論理和回路８１は高レベルの信号を出力する。これにより、電圧信号切り換え部８３は、高レベルの電圧信号ＶＧＨを検出用ゲート線ＧＳＬｓに出力する。このように選択信号Ｖｓｅｌに応じて、正方行列Ｈｖの成分「１」に対応する第１検出対象の第１電極２５が選択される。
【０１２３】
負符号選択動作期間Ｐｃ−において、クロック信号Ｖｃがオフ（低レベル）であるため、選択信号Ｖｓｅｌがオフ（低レベル）の場合に、排他的論理和回路８１は高レベルの信号を出力する。これにより、電圧信号切り換え部８３は、高レベルの電圧信号ＶＧＨを検出用ゲート線ＧＳＬｓに出力する。これにより、図２２に示すように、負符号選択動作期間Ｐｃ−において、選択信号Ｖｓｅｌに応じて、正方行列Ｈｖの成分「−１」に対応する第２検出対象の第１電極２５が選択される。
【０１２４】
このように反転回路１５ｃを設けることで、正方行列Ｈｖの成分「１」に対応してオン（高レベル）となる選択信号Ｖｓｅｌに基づいて、正方行列Ｈｖの成分「１」に対応する第１検出対象の第１電極２５と、正方行列Ｈｖの成分「−１」に対応する第２検出対象の第１電極２５とが、時分割で選択される。なお、図２１に示した反転回路１５ｃは、あくまで一例であり、適宜変更してもよい。
【０１２５】
（第４の実施形態）
上述した実施形態では、検出電極ブロック２５Ｂ（ｍ）について符号分割選択駆動を行うことで、列方向におけるタッチ入力位置を検出する例を示したが、行方向の検出に適用してもよい。図２３は、第４の実施形態に係る、検出対象として選択される第１電極の選択パターンの他の例を説明するための説明図である。図２３（Ａ）は第１検出動作Ｔｄ０の正符号選択動作Ｔｄ０＋を及び負符号選択動作Ｔｄ０−を示す。図２３（Ｂ）は第２検出動作Ｔｄ１の正符号選択動作Ｔｄ１＋及び負符号選択動作Ｔｄ１−を示す。図２３（Ｃ）は第３検出動作Ｔｄ２の正符号選択動作Ｔｄ２＋及び負符号選択動作Ｔｄ２−を示す。図２３（Ｄ）は第４検出動作Ｔｄ３の正符号選択動作Ｔｄ３＋及び負符号選択動作Ｔｄ３−を示す。
【０１２６】
図２３では、１つの第２電極ブロックＢＫＮＢ（ｎ）について説明する。第２電極ブロックＢＫＮＢ（ｎ）は、共通の配線Ｌ３を介してマルチプレクサ１４Ｂに接続された複数の第１電極２５を含む。第２電極ブロックＢＫＮＢ（ｎ）は、行方向に４つ配列された第１電極２５を含み、４つの第１電極２５は、それぞれ検出電極ブロック２５Ｂ（ｍ）、２５Ｂ（ｍ＋１）、２５Ｂ（ｍ＋２）、２５Ｂ（ｍ＋３）に対応する。また、４つの第１電極２５は、マルチプレクサ１４Ｂに接続されている。本実施形態の検出部３０において、マルチプレクサ１４Ｂは、第２電極ブロックＢＫＮＢ（ｎ）のうち検出対象となる第１電極２５を所定の符号に基づいて選択する。選択された第１電極２５に駆動信号Ｖｓが供給され、第１電極２５の静電容量変化に基づいてそれぞれの第１電極２５から検出信号が出力される。上述した式（１）と同様に、それぞれの第１電極２５の検出信号が統合された出力信号Ｓｈｒ（ｒ＝０、１、２、３）が出力される。
【０１２７】
所定の符号は、例えば、下記の式（６）の正方行列Ｈｈで定義され、式（１）で示した正方行列Ｈｖと同様である。正方行列Ｈｈはこれに限られず、他のアダマール行列であってもよい。正方行列Ｈｈの次数は、第２電極ブロックＢＫＮＢ（ｎ）に含まれる第１電極２５の数、すなわち、４つの検出電極ブロック２５Ｂの数である４となる。本実施形態では、４つの第１電極２５を含む第２電極ブロックＢＫＮＢ（ｎ）について説明するが、これに限定されず、行方向に配列される第１電極２５の個数は２つ、３つ又は５つ以上であってもよい。この場合、正方行列Ｈｈの次数も第１電極２５の個数に応じて変更される。
【０１２８】
【数６】
0006557628.tif 000007
【０１２９】
図２３（Ａ）から図２３（Ｄ）では、第１検出動作Ｔｄ０、第２検出動作Ｔｄ１、第３検出動作Ｔｄ２及び第４検出動作Ｔｄ３の４つの検出動作に分けて符号分割選択駆動の一例を説明する。図２３（Ａ）に示す第１検出動作Ｔｄ０では、正方行列Ｈｈの１行目に対応する選択信号に応じて第１電極２５が選択される。図２３（Ｂ）に示す第２検出動作Ｔｄ１では、正方行列Ｈｈの２行目に対応する選択信号に応じて第１電極２５が選択される。図２３（Ｃ）に示す第３検出動作Ｔｄ２では、正方行列Ｈｈの３行目に対応する選択信号に応じて第１電極２５が選択される。図２３（Ｄ）に示す第４検出動作Ｔｄ３では、正方行列Ｈｈの４行目に対応する選択信号に応じて第１電極２５が選択される。
【０１３０】
第１検出動作Ｔｄ０、第２検出動作Ｔｄ１、第３検出動作Ｔｄ２及び第４検出動作Ｔｄ３はそれぞれ、正符号選択動作Ｔｄ０＋、Ｔｄ１＋、Ｔｄ２＋、Ｔｄ３＋と、負符号選択動作Ｔｄ０−、Ｔｄ１−、Ｔｄ２−、Ｔｄ３−とを含む。正符号選択動作Ｔｄ０＋、Ｔｄ１＋、Ｔｄ２＋、Ｔｄ３＋では、正方行列Ｈｈの成分「１」に対応する第１選択信号に応じて、第２電極ブロックＢＫＮＢ（ｎ）のうち第１検出対象となる第１電極２５が選択される。図２３では、選択された第１電極２５に斜線を付して示している。第１検出対象の第１電極２５からマルチプレクサ１４Ｂを介して第１出力信号Ｓｈｐ＋（ｐ＝０、１、２、３）が出力される。ここで、第１出力信号Ｓｈｐ＋は、第２電極ブロックＢＫＮＢ（ｎ）に含まれる第１検出対象の第１電極２５の検出信号が統合された信号である。
【０１３１】
負符号選択動作Ｔｄ０−、Ｔｄ１−、Ｔｄ２−、Ｔｄ３−では、正方行列Ｈｈの成分「−１」に対応する第２選択信号に応じて、第２電極ブロックＢＫＮＢ（ｎ）のうち、第１検出対象に含まれない第２検出対象の第１電極２５が選択される。この第２検出対象の第１電極２５からマルチプレクサ１４Ｂを介して第２出力信号Ｓｈｐ−（ｐ＝０、１、２、３）が出力される。ここで、第２出力信号Ｓｈｐ−は、第２電極ブロックＢＫＮＢ（ｎ）に含まれる第２検出対象の第１電極２５の検出信号が統合された信号である。本実施形態では、正符号選択動作Ｔｄｐ＋（ｐ＝０、１、２、３）と、負符号選択動作Ｔｄｐ−（ｐ＝０、１、２、３）とが時分割で実行される。このため、各出力信号が１つの電圧検出器ＤＥＴ（図３参照）に時分割で出力されるため、信号処理部４０の構成を簡便にすることができる。
【０１３２】
信号処理部４０の信号演算部４４（図２参照）は、第１出力信号Ｓｈｐ＋と第２出力信号Ｓｈｐ−との差分を演算することにより、出力信号Ｓｈｐ＝Ｓｈｐ＋−Ｓｈｐ−を算出する。信号演算部４４は、出力信号Ｓｈｐを記憶部４７に出力して、出力信号Ｓｈｐを一時的に記憶させる。第１出力信号Ｓｈｐ＋と第２出力信号Ｓｈｐ−とは、上述した自己静電容量方式のタッチ検出の基本原理における検出信号Ｖｄｅｔに対応する。
【０１３３】
正方行列Ｈｈの次数が４の場合、上述した式（３）と同様に、１つの第２電極ブロックＢＫＮＢ（ｎ）から、４つの出力信号（Ｓｈ０、Ｓｈ１、Ｓｈ２、Ｓｈ３）が得られる。この場合、４つの第１出力信号Ｓｈ０＋、Ｓｈ１＋、Ｓｈ２＋、Ｓｈ３＋と、４つの第２出力信号Ｓｈ０−、Ｓｈ１−、Ｓｈ２−、Ｓｈ３−から、出力信号（Ｓｈ０、Ｓｈ１、Ｓｈ２、Ｓｈ３）がそれぞれ求められる。
【０１３４】
図２３（Ａ）に示すように、第１検出動作Ｔｄ０の正符号選択動作Ｔｄ０＋では、正方行列Ｈｈの１行目の成分「１」に対応する第１検出対象として、４つの第１電極２５が選択される。具体的には、４つの第１電極２５がマルチプレクサ１４Ｂに接続され、第１検出対象の第１電極２５により自己静電容量方式の基本原理に基づいた検出が実行される。第１出力信号Ｓｈ０＋は４つの第１電極２５の検出信号が統合された信号が出力される。
【０１３５】
第１検出動作Ｔｄ０の負符号選択動作Ｔｄ０−では、正方行列Ｈｈの１行目の成分「−１」が存在しないため、成分「−１」に対応する第２検出対象として第１電極２５は選択されない。よって、第２出力信号Ｓｈ０−は、Ｓｈ０−＝０となる。第１出力信号Ｓｈ０＋と第２出力信号Ｓｈ０−との差分から、出力信号Ｓｈ０＝Ｓｈ０＋−Ｓｈ０−が算出される。
【０１３６】
次に、図２３（Ｂ）に示すように、第２検出動作Ｔｄ１の正符号選択動作Ｔｄ１＋では、正方行列Ｈｈの２行目の成分「１」に対応する第１検出対象として、検出電極ブロック２５Ｂ（ｍ）、２５Ｂ（ｍ＋２）に属する２つの第１電極２５が選択され、マルチプレクサ１４Ｂに接続される。第１検出対象として選択された第１電極２５から第１出力信号Ｓｈ１＋が出力される。
【０１３７】
第２検出動作Ｔｄ１の負符号選択動作Ｔｄ１−では、正方行列Ｈｈの２行目の成分「−１」に対応する第２検出対象として、検出電極ブロック２５Ｂ（ｍ＋１）、２５Ｂ（ｍ＋３）に属する２つの第１電極２５が選択される。第２検出対象として選択された第１電極２５から第２出力信号Ｓｈ１−が出力される。第１出力信号Ｓｈ１＋と第２出力信号Ｓｈ１−との差分から、出力信号Ｓｈ１＝Ｓｈ１＋−Ｓｈ１−が算出される。
【０１３８】
次に、図２３（Ｃ）に示すように、第３検出動作Ｔｄ２の正符号選択動作Ｔｄ２＋では、正方行列Ｈｈの３行目の成分「１」に対応する第１検出対象として、検出電極ブロック２５Ｂ（ｍ）、２５Ｂ（ｍ＋１）に属する２つの第１電極２５が選択される。第１検出対象として選択された第１電極２５から第１出力信号Ｓｈ２＋が出力される。
【０１３９】
第３検出動作Ｔｄ２の負符号選択動作Ｔｄ２−では、正方行列Ｈｈの３行目の成分「−１」に対応する第２検出対象として、検出電極ブロック２５Ｂ（ｍ＋２）、２５Ｂ（ｍ＋３）に属する２つの第１電極２５が選択される。第２検出対象として選択された第１電極２５から第２出力信号Ｓｈ２−が出力される。第１出力信号Ｓｈ２＋と第２出力信号Ｓｈ２−との差分から、出力信号Ｓｈ２＝Ｓｈ２＋−Ｓｈ２−が算出される。
【０１４０】
次に、図２３（Ｄ）に示すように、第４検出動作Ｔｄ３の正符号選択動作Ｔｄ３＋では、正方行列Ｈｈの４行目の成分「１」に対応する第１検出対象として、検出電極ブロック２５Ｂ（ｍ）、２５Ｂ（ｍ＋３）に属する２つの第１電極２５が選択される。第１検出対象として選択された第１電極２５から第１出力信号Ｓｈ３＋が出力される。
【０１４１】
第４検出動作Ｔｄ３の負符号選択動作Ｔｄ３−では、正方行列Ｈｈの４行目の成分「−１」に対応する第２検出対象として、検出電極ブロック２５Ｂ（ｍ＋１）、２５Ｂ（ｍ＋２）に属する２つの第１電極２５が選択される。第２検出対象として選択された第１電極２５から第２出力信号Ｓｈ３−が出力される。第１出力信号Ｓｈ３＋と第２出力信号Ｓｈ３−との差分から、出力信号Ｓｈ３＝Ｓｈ３＋−Ｓｈ３−が算出される。
【０１４２】
信号演算部４４は、４つの出力信号Ｓｈ０、Ｓｈ１、Ｓｈ２、Ｓｈ３を順次、記憶部４７に出力する。座標抽出部４５（図２参照）は、信号演算部４４が演算した出力信号Ｓｈ０、Ｓｈ１、Ｓｈ２、Ｓｈ３を記憶部４７から受け取り、上述した式（４）と同様に復号化処理を実行する。座標抽出部４５は、復号信号を算出することで第２電極ブロックＢＫＮＢ（ｎ）のうち指が接触又は近接した座標を求めることができる。
【０１４３】
以上のように、符号分割選択駆動により行方向におけるタッチ入力位置の検出が可能となる。また、本実施形態においても、各第１電極２５の検出信号を統合した出力信号から、復号化処理を行うことで、各ノードの信号値の電圧を上げることなく、時分割選択駆動の４倍の信号強度が得られることとなる。
【０１４４】
本実施形態において、第２電極ブロックＢＫＮＢ（ｎ）の４つの第１電極２５は、共通のマルチプレクサ１４Ｂに接続されている。このため、正符号選択動作Ｔｄｒ＋と負符号選択動作Ｔｄｒ−とは時分割で実行してもよく、同時に実行してもよい。同時に実行する場合、２つの電圧検出器ＤＥＴ（図３参照）を設けて、第１出力信号Ｓｈ３＋と第２出力信号Ｓｈ３−とをそれぞれ検出することができる。
【０１４５】
（第５の実施形態）
次に、図２４から図３１を参照して、第１方向Ｄｘ及び第２方向Ｄｙのタッチ入力位置の検出について、符号分割選択駆動を適用した場合の動作例を説明する。図２４は、第４の実施形態に係る、第１検出動作及び第２検出動作における検出対象として選択される第１電極の選択パターンの例を説明するための説明図である。図２５は、第３検出動作及び第４検出動作における検出対象として選択される第１電極の選択パターンの例を説明するための説明図である。図２６は、第５検出動作及び第６検出動作における検出対象として選択される第１電極の選択パターンの例を説明するための説明図である。図２７は、第７検出動作及び第８検出動作における検出対象として選択される第１電極の選択パターンの例を説明するための説明図である。図２８は、第９検出動作及び第１０検出動作における検出対象として選択される第１電極の選択パターンの例を説明するための説明図である。図２９は、第１１検出動作及び第１２検出動作における検出対象として選択される第１電極の選択パターンの例を説明するための説明図である。図３０は、第１３検出動作及び第１４検出動作における検出対象として選択される第１電極の選択パターンの例を説明するための説明図である。図３１は、第１５検出動作及び第１６検出動作における検出対象として選択される第１電極の選択パターンの例を説明するための説明図である。
【０１４６】
図２４から図３１では、図１２に示した第１電極の選択パターンと、図１９に示した第１電極の選択パターンとを組み合わせて符号分割選択駆動が実行される。
【０１４７】
図２４（Ａ）は、第１検出動作の正符号選択動作Ｔｅ００＋を示し、図２４（Ｂ）は、第１検出動作の負符号選択動作Ｔｅ００−を示し、図２４（Ｃ）は、第２検出動作の正符号選択動作Ｔｅ０１＋を示し、図２４（Ｄ）は、第２検出動作の負符号選択動作Ｔｅ０１−を示す。図２４（Ａ）において、第２方向Ｄｙの符号分割選択駆動は、正方行列Ｈｖの１行目の成分「１」に対応して、第２電極ブロックＢＫＮＢ（ｎ）、ＢＫＮＢ（ｎ＋１）、ＢＫＮＢ（ｎ＋２）、ＢＫＮＢ（ｎ＋３）に属する第１電極２５が、正方行列Ｈｖの第１検出対象の第１電極２５として選択される。すなわち、検出用ゲート線ＧＣＬｓ（ｎ）、ＧＣＬｓ（ｎ＋１）、ＧＣＬｓ（ｎ＋２）、ＧＣＬｓ（ｎ＋３）に接続された第１電極２５が選択される。
【０１４８】
また、図２４（Ａ）において、第１方向Ｄｘの符号分割選択駆動は、正符号選択動作と負符号選択動作とが同時に実行される。正方行列Ｈｈの１行目の成分「１」に対応して、検出電極ブロック２５Ｂ（ｍ）、２５Ｂ（ｍ＋１）、２５Ｂ（ｍ＋２）、２５Ｂ（ｍ＋３）に属する第１電極２５が、正方行列Ｈｈの第１検出対象の第１電極２５として選択され、マルチプレクサ１４Ｂを介して第１検出器ＤＥＴ１に接続される。正方行列Ｈｈの１行目の成分「−１」が存在しないため、成分「−１」に対応する正方行列Ｈｈの第２検出対象として第１電極２５は選択されない。
【０１４９】
各第１電極２５の検出信号を統合した信号が第１出力信号Ｓｖｈ００＋＋として出力される。第２出力信号Ｓｖｈ００＋−は、Ｓｖｈ００＋−＝０となる。これらの差分から、出力信号Ｓｖｈ００＋＝Ｓｖｈ００＋＋−Ｓｖｈ００＋−が算出される。
【０１５０】
図２４（Ｂ）において、第２方向Ｄｙの符号分割選択駆動は、正方行列Ｈｖの１行目の成分「−１」が存在しないため、第２電極ブロックＢＫＮＢ（ｎ）、ＢＫＮＢ（ｎ＋１）、ＢＫＮＢ（ｎ＋２）、ＢＫＮＢ（ｎ＋３）に属する第１電極２５が、成分「−１」に対応する正方行列Ｈｖの第２検出対象として第１電極２５は選択されない。
【０１５１】
第１出力信号Ｓｖｈ００−＋と第２出力信号Ｓｖｈ００−−とは、Ｓｖｈ００−＋＝Ｓｖｈ００−−＝０となる。これらの差分から、出力信号Ｓｖｈ００−＝Ｓｖｈ００−＋−Ｓｖｈ００−−が算出される。出力信号Ｓｖｈ００＋と出力信号Ｓｖｈ００−の差分から、第１検出動作における出力信号Ｓｖｈ００が算出される。
【０１５２】
図２４（Ｃ）、図２４（Ｄ）は、それぞれ、第２方向Ｄｙの符号分割選択駆動が図２４（Ａ）、図２４（Ｂ）と同様の選択となっている。第１方向Ｄｘの符号分割選択駆動は、正方行列Ｈｈの２行目の成分「１」に対応して、検出電極ブロック２５Ｂ（ｍ）、２５Ｂ（ｍ＋２）の第１電極２５が正方行列Ｈｈの第１検出対象として選択される。また、正方行列Ｈｈの２行目の成分「−１」に対応して、検出電極ブロック２５Ｂ（ｍ＋１）、２５Ｂ（ｍ＋３）の第１電極２５が正方行列Ｈｈの第２検出対象として選択される。図２４（Ｃ）に示す第２検出動作の正符号選択動作Ｔｅ０１＋では、出力信号Ｓｖｈ０１＋＝Ｓｖｈ０１＋＋−Ｓｖｈ０１＋−が算出される。図２４（Ｄ）に示す第２検出動作の負符号選択動作Ｔｅ０１−では、出力信号Ｓｖｈ０１−＝Ｓｖｈ０１−＋−Ｓｖｈ０１−−が算出される。出力信号Ｓｖｈ０１＋と出力信号Ｓｖｈ０１−の差分から、第２検出動作における出力信号Ｓｖｈ０１が算出される。
【０１５３】
図２５（Ａ）は、第３検出動作の正符号選択動作Ｔｅ０２＋を示し、図２５（Ｂ）は、第３検出動作の負符号選択動作Ｔｅ０２−を示し、図２５（Ｃ）は、第４検出動作の正符号選択動作Ｔｅ０３＋を示し、図２５（Ｄ）は、第４検出動作の負符号選択動作Ｔｅ０３−を示す。図２５（Ａ）から図２５（Ｄ）において、第２方向Ｄｙの符号分割選択駆動は、図２４（Ａ）から図２４（Ｄ）と同様である。つまり、正方行列Ｈｖの１行目の成分「１」に対応して、正方行列Ｈｖの第１検出対象の第１電極２５及び正方行列Ｈｖの第２検出対象の第１電極２５が選択される。
【０１５４】
図２５（Ａ）及び図２５（Ｂ）において、第１方向Ｄｘの符号分割選択駆動は、正方行列Ｈｈの３行目の成分「１」に対応して、検出電極ブロック２５Ｂ（ｍ）、２５Ｂ（ｍ＋１）の第１電極２５が正方行列Ｈｈの第１検出対象として選択される。また、正方行列Ｈｈの３行目の成分「−１」に対応して、検出電極ブロック２５Ｂ（ｍ＋２）、２５Ｂ（ｍ＋３）の第１電極２５が正方行列Ｈｈの第２検出対象として選択される。図２５（Ａ）に示す第３検出動作の正符号選択動作Ｔｅ０２＋では、出力信号Ｓｖｈ０２＋＝Ｓｖｈ０２＋＋−Ｓｖｈ０２＋−が算出される。図２５（Ｂ）に示す第３検出動作の負符号選択動作Ｔｅ０２−では、出力信号Ｓｖｈ０２−＝Ｓｖｈ０２−＋−Ｓｖｈ０２−−が算出される。出力信号Ｓｖｈ０２＋と出力信号Ｓｖｈ０２−の差分から、第３検出動作における出力信号Ｓｖｈ０２が算出される。
【０１５５】
図２５（Ｃ）及び図２５（Ｄ）において、第１方向Ｄｘの符号分割選択駆動は、正方行列Ｈｈの４行目の成分「１」に対応して、検出電極ブロック２５Ｂ（ｍ）、２５Ｂ（ｍ＋３）の第１電極２５が正方行列Ｈｈの第１検出対象として選択される。また、正方行列Ｈｈの３行目の成分「−１」に対応して、検出電極ブロック２５Ｂ（ｍ＋１）、２５Ｂ（ｍ＋２）の第１電極２５が正方行列Ｈｈの第２検出対象として選択される。図２５（Ｃ）に示す第４検出動作の正符号選択動作Ｔｅ０３＋では、出力信号Ｓｖｈ０３＋＝Ｓｖｈ０３＋＋−Ｓｖｈ０３＋−が算出される。図２５（Ｄ）に示す第４検出動作の負符号選択動作Ｔｅ０３−では、出力信号Ｓｖｈ０３−＝Ｓｖｈ０３−＋−Ｓｖｈ０３−−が算出される。出力信号Ｓｖｈ０３＋と出力信号Ｓｖｈ０３−の差分から、第４検出動作における出力信号Ｓｖｈ０３が算出される。
【０１５６】
図２６（Ａ）は、第５検出動作の正符号選択動作Ｔｅ１０＋を示し、図２６（Ｂ）は、第５検出動作の負符号選択動作Ｔｅ１０−を示し、図２６（Ｃ）は、第６検出動作の正符号選択動作Ｔｅ１１＋を示し、図２６（Ｄ）は、第６検出動作の負符号選択動作Ｔｅ１１−を示す。図２７（Ａ）は、第７検出動作の正符号選択動作Ｔｅ１２＋を示し、図２７（Ｂ）は、第７検出動作の負符号選択動作Ｔｅ１２−を示し、図２７（Ｃ）は、第８検出動作の正符号選択動作Ｔｅ１３＋を示し、図２７（Ｄ）は、第８検出動作の負符号選択動作Ｔｅ１３−を示す。
【０１５７】
図２６及び図２７に示すように、第５検出動作から第８検出動作における第１方向Ｄｘの符号分割選択駆動は、図２４（Ａ）から図２４（Ｄ）及び図２５（Ａ）から図２５（Ｄ）と同様に、正方行列Ｈｈの第１検出対象と正方行列Ｈｈの第２検出対象の第１電極２５が選択される。
【０１５８】
図２６（Ａ）に示す第５検出動作の正符号選択動作Ｔｅ１０＋において、正方行列Ｈｖの２行目の成分「１」に対応して、第２電極ブロックＢＫＮＢ（ｎ）、ＢＫＮＢ（ｎ＋２）の第１電極２５が、正方行列Ｈｖの第１検出対象の第１電極２５として選択される。また、正方行列Ｈｈの１行目の成分「１」に対応して、検出電極ブロック２５Ｂ（ｍ）、２５Ｂ（ｍ＋１）、２５Ｂ（ｍ＋２）、２５Ｂ（ｍ＋３）に属する第１電極２５が、正方行列Ｈｈの第１検出対象の第１電極２５として選択される。図２６（Ａ）に示す第５検出動作の正符号選択動作Ｔｅ１０＋では、出力信号Ｓｖｈ１０＋＝Ｓｖｈ１０＋＋−Ｓｖｈ１０＋−が算出される。
【０１５９】
図２６（Ｂ）に示す第５検出動作の負符号選択動作Ｔｅ１０−において、正方行列Ｈｖの２行目の成分「−１」に対応して、第２電極ブロックＢＫＮＢ（ｎ＋１）、ＢＫＮＢ（ｎ＋３）の第１電極２５が、正方行列Ｈｖの第２検出対象の第１電極２５として選択される。図２６（Ｂ）に示す第５検出動作の負符号選択動作Ｔｅ１０−では、出力信号Ｓｖｈ１０−＝Ｓｖｈ１０−＋−Ｓｖｈ１０−−が算出される。出力信号Ｓｖｈ１０＋と出力信号Ｓｖｈ１０−の差分から、第５検出動作における出力信号Ｓｖｈ１０が算出される。
【０１６０】
図２６（Ｃ）、図２６（Ｄ）の第６検出動作は、それぞれ、第２方向Ｄｙの符号分割選択駆動が図２６（Ａ）、図２６（Ｂ）と同様の選択となっている。第１方向Ｄｘの符号分割選択駆動は、正方行列Ｈｈの２行目の成分「１」に対応して、検出電極ブロック２５Ｂ（ｍ）、２５Ｂ（ｍ＋２）の第１電極２５が正方行列Ｈｈの第１検出対象として選択される。また、正方行列Ｈｈの２行目の成分「−１」に対応して、検出電極ブロック２５Ｂ（ｍ＋１）、２５Ｂ（ｍ＋３）の第１電極２５が正方行列Ｈｈの第２検出対象として選択される。図２６（Ｃ）に示す第６検出動作の正符号選択動作Ｔｅ１１＋では、出力信号Ｓｖｈ１１＋＝Ｓｖｈ１１＋＋−Ｓｖｈ１１＋−が算出される。図２６（Ｄ）に示す第６検出動作の負符号選択動作Ｔｅ１１−では、出力信号Ｓｖｈ１１−＝Ｓｖｈ１１−＋−Ｓｖｈ１１−−が算出される。出力信号Ｓｖｈ１１＋と出力信号Ｓｖｈ１１−の差分から、第６検出動作における出力信号Ｓｖｈ１１が算出される。
【０１６１】
図２７（Ａ）、図２７（Ｂ）に示す第７検出動作において、それぞれ、第２方向Ｄｙの符号分割選択駆動は、図２６（Ａ）、図２６（Ｂ）と同様の選択となっている。第７検出動作において、第１方向Ｄｘの符号分割選択駆動は、正方行列Ｈｈの３行目の成分「１」に対応して、検出電極ブロック２５Ｂ（ｍ）、２５Ｂ（ｍ＋１）の第１電極２５が正方行列Ｈｈの第１検出対象として選択される。また、正方行列Ｈｈの３行目の成分「−１」に対応して、検出電極ブロック２５Ｂ（ｍ＋２）、２５Ｂ（ｍ＋３）の第１電極２５が正方行列Ｈｈの第２検出対象として選択される。
【０１６２】
図２７（Ａ）に示す第７検出動作の正符号選択動作Ｔｅ１２＋では、出力信号Ｓｖｈ１２＋＝Ｓｖｈ１２＋＋−Ｓｖｈ１２＋−が算出される。図２７（Ｂ）に示す第７検出動作の負符号選択動作Ｔｅ１２−では、出力信号Ｓｖｈ１２−＝Ｓｖｈ１２−＋−Ｓｖｈ１２−−が算出される。出力信号Ｓｖｈ１２＋と出力信号Ｓｖｈ１２−の差分から、第７検出動作における出力信号Ｓｖｈ１２が算出される。
【０１６３】
図２７（Ｃ）、図２７（Ｄ）に示す第８検出動作において、それぞれ、第２方向Ｄｙの符号分割選択駆動が、図２６（Ａ）、図２６（Ｂ）と同様の選択となっている。第８検出動作において、第１方向Ｄｘの符号分割選択駆動は、正方行列Ｈｈの４行目の成分「１」に対応して、検出電極ブロック２５Ｂ（ｍ）、２５Ｂ（ｍ＋３）の第１電極２５が正方行列Ｈｈの第１検出対象として選択される。また、正方行列Ｈｈの４行目の成分「−１」に対応して、検出電極ブロック２５Ｂ（ｍ＋１）、２５Ｂ（ｍ＋２）の第１電極２５が正方行列Ｈｈの第２検出対象として選択される。
【０１６４】
図２７（Ｃ）に示す第８検出動作の正符号選択動作Ｔｅ１３＋では、出力信号Ｓｖｈ１３＋＝Ｓｖｈ１３＋＋−Ｓｖｈ１３＋−が算出される。図２７（Ｄ）に示す第８検出動作の負符号選択動作Ｔｅ１３−では、出力信号Ｓｖｈ１３−＝Ｓｖｈ１３−＋−Ｓｖｈ１３−−が算出される。出力信号Ｓｖｈ１３＋と出力信号Ｓｖｈ１３−の差分から、第８検出動作における出力信号Ｓｖｈ１３が算出される。
【０１６５】
図２８（Ａ）は、第９検出動作の正符号選択動作Ｔｅ２０＋を示し、図２８（Ｂ）は、第９検出動作の負符号選択動作Ｔｅ２０−を示し、図２８（Ｃ）は、第１０検出動作の正符号選択動作Ｔｅ２１＋を示し、図２８（Ｄ）は、第１０検出動作の負符号選択動作Ｔｅ２１−を示す。図２９（Ａ）は、第１１検出動作の正符号選択動作Ｔｅ２２＋を示し、図２９（Ｂ）は、第１１検出動作の負符号選択動作Ｔｅ２２−を示し、図２９（Ｃ）は、第１２検出動作の正符号選択動作Ｔｅ２３＋を示し、図２９（Ｄ）は、第１２検出動作の負符号選択動作Ｔｅ２３−を示す。
【０１６６】
図２８及び図２９に示すように、第９検出動作から第１２検出動作における第１方向Ｄｘの符号分割選択駆動は、図２４（Ａ）から図２４（Ｄ）及び図２５（Ａ）から図２５（Ｄ）と同様に、正方行列Ｈｈの第１検出対象と正方行列Ｈｈの第２検出対象の第１電極２５が選択される。
【０１６７】
図２８（Ａ）に示す第９検出動作の正符号選択動作Ｔｅ２０＋において、正方行列Ｈｖの３行目の成分「１」に対応して、第２電極ブロックＢＫＮＢ（ｎ）、ＢＫＮＢ（ｎ＋１）の第１電極２５が、正方行列Ｈｖの第１検出対象の第１電極２５として選択される。また、正方行列Ｈｈの１行目の成分「１」に対応して、検出電極ブロック２５Ｂ（ｍ）、２５Ｂ（ｍ＋１）、２５Ｂ（ｍ＋２）、２５Ｂ（ｍ＋３）に属する第１電極２５が、正方行列Ｈｈの第１検出対象の第１電極２５として選択される。図２８（Ａ）に示す第９検出動作の正符号選択動作Ｔｅ２０＋では、出力信号Ｓｖｈ２０＋＝Ｓｖｈ２０＋＋−Ｓｖｈ２０＋−が算出される。
【０１６８】
図２８（Ｂ）に示す第９検出動作の負符号選択動作Ｔｅ２０−において、正方行列Ｈｖの３行目の成分「−１」に対応して、第２電極ブロックＢＫＮＢ（ｎ＋２）、ＢＫＮＢ（ｎ＋３）の第１電極２５が、正方行列Ｈｖの第２検出対象の第１電極２５として選択される。図２８（Ｂ）に示す第９検出動作の負符号選択動作Ｔｅ２０−では、出力信号Ｓｖｈ２０−＝Ｓｖｈ２０−＋−Ｓｖｈ２０−−が算出される。出力信号Ｓｖｈ２０＋と出力信号Ｓｖｈ２０−の差分から、第９検出動作における出力信号Ｓｖｈ２０が算出される。
【０１６９】
図２８（Ｃ）、図２８（Ｄ）の第１０検出動作は、それぞれ、第２方向Ｄｙの符号分割選択駆動が図２８（Ａ）、図２８（Ｂ）と同様の選択となっている。第１方向Ｄｘの符号分割選択駆動は、正方行列Ｈｈの２行目の成分「１」に対応して、検出電極ブロック２５Ｂ（ｍ）、２５Ｂ（ｍ＋２）の第１電極２５が正方行列Ｈｈの第１検出対象として選択される。また、正方行列Ｈｈの２行目の成分「−１」に対応して、検出電極ブロック２５Ｂ（ｍ＋１）、２５Ｂ（ｍ＋３）の第１電極２５が正方行列Ｈｈの第２検出対象として選択される。図２８（Ｃ）に示す第１０検出動作の正符号選択動作Ｔｅ２１＋では、出力信号Ｓｖｈ２１＋＝Ｓｖｈ２１＋＋−Ｓｖｈ２１＋−が算出される。図２８（Ｄ）に示す第１０検出動作の負符号選択動作Ｔｅ２１−では、出力信号Ｓｖｈ２１−＝Ｓｖｈ２１−＋−Ｓｖｈ２１−−が算出される。出力信号Ｓｖｈ２１＋と出力信号Ｓｖｈ２１−の差分から、第１０検出動作における出力信号Ｓｖｈ２１が算出される。
【０１７０】
図２９（Ａ）、図２９（Ｂ）に示す第１１検出動作において、それぞれ、第２方向Ｄｙの符号分割選択駆動は、図２８（Ａ）、図２８（Ｂ）と同様の選択となっている。第１１検出動作において、第１方向Ｄｘの符号分割選択駆動は、正方行列Ｈｈの３行目の成分「１」に対応して、検出電極ブロック２５Ｂ（ｍ）、２５Ｂ（ｍ＋１）の第１電極２５が正方行列Ｈｈの第１検出対象として選択される。また、正方行列Ｈｈの３行目の成分「−１」に対応して、検出電極ブロック２５Ｂ（ｍ＋２）、２５Ｂ（ｍ＋３）の第１電極２５が正方行列Ｈｈの第２検出対象として選択される。
【０１７１】
図２９（Ａ）に示す第１１検出動作の正符号選択動作Ｔｅ２２＋では、出力信号Ｓｖｈ２２＋＝Ｓｖｈ２２＋＋−Ｓｖｈ２２＋−が算出される。図２９（Ｂ）に示す第１１検出動作の負符号選択動作Ｔｅ２２−では、出力信号Ｓｖｈ２２−＝Ｓｖｈ２２−＋−Ｓｖｈ２２−−が算出される。出力信号Ｓｖｈ２２＋と出力信号Ｓｖｈ２２−の差分から、第１１検出動作における出力信号Ｓｖｈ２２が算出される。
【０１７２】
図２９（Ｃ）、図２９（Ｄ）に示す第１２検出動作において、それぞれ、第２方向Ｄｙの符号分割選択駆動が、図２８（Ａ）、図２８（Ｂ）と同様の選択となっている。第１２検出動作において、第１方向Ｄｘの符号分割選択駆動は、正方行列Ｈｈの４行目の成分「１」に対応して、検出電極ブロック２５Ｂ（ｍ）、２５Ｂ（ｍ＋３）の第１電極２５が正方行列Ｈｈの第１検出対象として選択される。また、正方行列Ｈｈの４行目の成分「−１」に対応して、検出電極ブロック２５Ｂ（ｍ＋１）、２５Ｂ（ｍ＋２）の第１電極２５が正方行列Ｈｈの第２検出対象として選択される。
【０１７３】
図２９（Ｃ）に示す第１２検出動作の正符号選択動作Ｔｅ２３＋では、出力信号Ｓｖｈ２３＋＝Ｓｖｈ２３＋＋−Ｓｖｈ２３＋−が算出される。図２９（Ｄ）に示す第１２検出動作の負符号選択動作Ｔｅ２３−では、出力信号Ｓｖｈ２３−＝Ｓｖｈ２３−＋−Ｓｖｈ２３−−が算出される。出力信号Ｓｖｈ２３＋と出力信号Ｓｖｈ２３−の差分から、第１２検出動作における出力信号Ｓｖｈ２３が算出される。
【０１７４】
図３０（Ａ）は、第１３検出動作の正符号選択動作Ｔｅ３０＋を示し、図３０（Ｂ）は、第１３検出動作の負符号選択動作Ｔｅ３０−を示し、図３０（Ｃ）は、第１４検出動作の正符号選択動作Ｔｅ３１＋を示し、図３０（Ｄ）は、第１４検出動作の負符号選択動作Ｔｅ３１−を示す。図３１（Ａ）は、第１５検出動作の正符号選択動作Ｔｅ３２＋を示し、図３１（Ｂ）は、第１５検出動作の負符号選択動作Ｔｅ３２−を示し、図３１（Ｃ）は、第１６検出動作の正符号選択動作Ｔｅ３３＋を示し、図３１（Ｄ）は、第１６検出動作の負符号選択動作Ｔｅ３３−を示す。
【０１７５】
図３０及び図３１に示すように、第１３検出動作から第１６検出動作における第１方向Ｄｘの符号分割選択駆動は、図２４（Ａ）から図２４（Ｄ）及び図２５（Ａ）から図２５（Ｄ）と同様に、正方行列Ｈｈの第１検出対象と正方行列Ｈｈの第２検出対象の第１電極２５が選択される。
【０１７６】
図３０（Ａ）に示す第１３検出動作の正符号選択動作Ｔｅ３０＋において、正方行列Ｈｖの４行目の成分「１」に対応して、第２電極ブロックＢＫＮＢ（ｎ）、ＢＫＮＢ（ｎ＋３）の第１電極２５が、正方行列Ｈｖの第１検出対象の第１電極２５として選択される。また、正方行列Ｈｈの１行目の成分「１」に対応して、検出電極ブロック２５Ｂ（ｍ）、２５Ｂ（ｍ＋１）、２５Ｂ（ｍ＋２）、２５Ｂ（ｍ＋３）に属する第１電極２５が、正方行列Ｈｈの第１検出対象の第１電極２５として選択される。図３０（Ａ）に示す第１３検出動作の正符号選択動作Ｔｅ３０＋では、出力信号Ｓｖｈ３０＋＝Ｓｖｈ３０＋＋−Ｓｖｈ３０＋−が算出される。
【０１７７】
図３０（Ｂ）に示す第１３検出動作の負符号選択動作Ｔｅ３０−において、正方行列Ｈｖの４行目の成分「−１」に対応して、第２電極ブロックＢＫＮＢ（ｎ＋１）、ＢＫＮＢ（ｎ＋２）の第１電極２５が、正方行列Ｈｖの第２検出対象の第１電極２５として選択される。図３０（Ｂ）に示す第１３検出動作の負符号選択動作Ｔｅ３０−では、出力信号Ｓｖｈ３０−＝Ｓｖｈ３０−＋−Ｓｖｈ３０−−が算出される。出力信号Ｓｖｈ３０＋と出力信号Ｓｖｈ３０−の差分から、第１３検出動作における出力信号Ｓｖｈ３０が算出される。
【０１７８】
図３０（Ｃ）、図３０（Ｄ）の第１４検出動作は、それぞれ、第２方向Ｄｙの符号分割選択駆動が図３０（Ａ）、図３０（Ｂ）と同様の選択となっている。第１方向Ｄｘの符号分割選択駆動は、正方行列Ｈｈの２行目の成分「１」に対応して、検出電極ブロック２５Ｂ（ｍ）、２５Ｂ（ｍ＋２）の第１電極２５が正方行列Ｈｈの第１検出対象として選択される。また、正方行列Ｈｈの２行目の成分「−１」に対応して、検出電極ブロック２５Ｂ（ｍ＋１）、２５Ｂ（ｍ＋３）の第１電極２５が正方行列Ｈｈの第２検出対象として選択される。図３０（Ｃ）に示す第１４検出動作の正符号選択動作Ｔｅ３１＋では、出力信号Ｓｖｈ３１＋＝Ｓｖｈ３１＋＋−Ｓｖｈ３１＋−が算出される。図３０（Ｄ）に示す第１４検出動作の負符号選択動作Ｔｅ３１−では、出力信号Ｓｖｈ３１−＝Ｓｖｈ３１−＋−Ｓｖｈ３１−−が算出される。出力信号Ｓｖｈ３１＋と出力信号Ｓｖｈ３１−の差分から、第１４検出動作における出力信号Ｓｖｈ３１が算出される。
【０１７９】
図３１（Ａ）、図３１（Ｂ）に示す第１５検出動作において、それぞれ、第２方向Ｄｙの符号分割選択駆動は、図３０（Ａ）、図３０（Ｂ）と同様の選択となっている。第１５検出動作において、第１方向Ｄｘの符号分割選択駆動は、正方行列Ｈｈの３行目の成分「１」に対応して、検出電極ブロック２５Ｂ（ｍ）、２５Ｂ（ｍ＋１）の第１電極２５が正方行列Ｈｈの第１検出対象として選択される。また、正方行列Ｈｈの３行目の成分「−１」に対応して、検出電極ブロック２５Ｂ（ｍ＋２）、２５Ｂ（ｍ＋３）の第１電極２５が正方行列Ｈｈの第２検出対象として選択される。
【０１８０】
図３１（Ａ）に示す第１５検出動作の正符号選択動作Ｔｅ３２＋では、出力信号Ｓｖｈ３２＋＝Ｓｖｈ３２＋＋−Ｓｖｈ３２＋−が算出される。図３１（Ｂ）に示す第１５検出動作の負符号選択動作Ｔｅ３２−では、出力信号Ｓｖｈ３２−＝Ｓｖｈ３２−＋−Ｓｖｈ３２−−が算出される。出力信号Ｓｖｈ３２＋と出力信号Ｓｖｈ３２−の差分から、第１５検出動作における出力信号Ｓｖｈ３２が算出される。
【０１８１】
図３１（Ｃ）、図３１（Ｄ）に示す第１６検出動作において、それぞれ、第２方向Ｄｙの符号分割選択駆動が、図３０（Ａ）、図３０（Ｂ）と同様の選択となっている。第１６検出動作において、第１方向Ｄｘの符号分割選択駆動は、正方行列Ｈｈの４行目の成分「１」に対応して、検出電極ブロック２５Ｂ（ｍ）、２５Ｂ（ｍ＋３）の第１電極２５が正方行列Ｈｈの第１検出対象として選択される。また、正方行列Ｈｈの４行目の成分「−１」に対応して、検出電極ブロック２５Ｂ（ｍ＋１）、２５Ｂ（ｍ＋２）の第１電極２５が正方行列Ｈｈの第２検出対象として選択される。
【０１８２】
図３１（Ｃ）に示す第１６検出動作の正符号選択動作Ｔｅ３３＋では、出力信号Ｓｖｈ３３＋＝Ｓｖｈ３３＋＋−Ｓｖｈ３３＋−が算出される。図３１（Ｄ）に示す第１６検出動作の負符号選択動作Ｔｅ３３−では、出力信号Ｓｖｈ３３−＝Ｓｖｈ３３−＋−Ｓｖｈ３３−−が算出される。出力信号Ｓｖｈ３３＋と出力信号Ｓｖｈ３３−の差分から、第１６検出動作における出力信号Ｓｖｈ３３が算出される。
【０１８３】
以上説明したように、第１検出動作から第１６検出動作により、信号演算部４４（図２参照）は、１６個の出力信号Ｓｖｈのデータを算出する。出力信号Ｓｖｈのデータは記憶部４７に保存される。座標抽出部４５（図２参照）は、記憶部４７から出力信号Ｓｖｈのデータを受け取って、式（７）に基づいて復号処理を行う。
【０１８４】
Ｓｉ´＝Ｈｖ×Ｓｖｈ×Ｈｈ      …（７）
【０１８５】
ここで、Ｓｉ´は、復号信号であり、図２４から図３１に示す各第１電極２５に対応する行列である。Ｈｖは式（２）に示す正方行列であり、第２方向Ｄｙの変換行列である。Ｈｈは式（６）に示す正方行列であり、第２方向Ｄｙの変換行列である。座標抽出部４５（図２参照）は、復号信号Ｓｉ´に基づいて、接触又は近接する指等の二次元座標を算出することができる。本実施形態においても、各第１電極２５の検出信号を統合した出力信号に基づいて復号処理を行うことで、各ノードの信号値の電圧を上げることなく、時分割選択駆動の１６倍の信号強度が得られることとなる。
【０１８６】
正符号選択動作と負符号選択動作とを連続して実行することで、ノイズ耐性を向上させることが可能である。例えば、図２０に示す第１検出動作において、４つの第１出力信号Ｓｖｈ００＋＋、第２出力信号Ｓｖｈ００＋−、第１出力信号Ｓｖｈ００−＋、第２出力信号Ｓｖｈ００−−は、時分割で測定する場合、この順で測定することが好ましい。正方行列Ｈｈの第１検出対象と、第２検出対象の検出時間の間隔が短くなるので、各出力信号にのったノイズ成分がキャンセルされる。又は、例えば、第１出力信号Ｓｖｈ００＋＋、第１出力信号Ｓｖｈ００−＋、第２出力信号Ｓｖｈ００＋−、第２出力信号Ｓｖｈ００−−の順に測定してもよい。この場合、正方行列Ｈｖの第１検出対象と、第２検出対象の検出時間の間隔が短くなるので、各出力信号にのったノイズ成分がキャンセルされる。これに限定されず、正符号選択動作を複数回連続して実行した後に負符号選択動作を実行してもよい。また、図２４から図３１に示した各検出動作の順番は適宜変更してもよい。
【０１８７】
（第６の実施形態）
図３２は、第４の実施形態に係る表示装置の概略断面構造を表す断面図である。第１から第３の実施形態では、第１電極２５が、検出部３０の検出電極と、表示パネル２０の共通電極とを兼用する場合を説明したが、これに限定されない。図３２に示す表示装置１Ａは、画素基板２と、画素基板２と対向する対向基板３と、液晶層６を有している。画素基板２は、第１基板２１の上に共通電極ＣＯＭＬが設けられており、共通電極ＣＯＭＬの上に絶縁層２４を介して第２電極（画素電極）２２が設けられている。共通電極ＣＯＭＬは、表示動作の際に、副画素ＳＰｉｘに対する共通電位となる駆動信号Ｖｃｏｍが供給される。
【０１８８】
本実施形態において、第１基板２１に対して、共通電極ＣＯＭＬ、絶縁層２４、第２電極２２の順で積層されたが、これに限られない。第１基板２１に対して第２電極２２、絶縁層２４、共通電極ＣＯＭＬの順で積層されてもよいし、共通電極ＣＯＭＬと第２電極２２は絶縁層２４を介して、同層に形成されてもよい。さらに、共通電極ＣＯＭＬと第２電極２２の少なくとも一方は、第２基板３１上に配置されてもよい。共通電極ＣＯＭＬは、表示領域Ａｄ（図５参照）と重畳する領域の全面に連続して設けられていてもよく、複数に分割して設けられていてもよい。また、第１電極２５は、第２基板３１とは異なる基板に形成して、表示パネル２０の上に検出部３０を装着した構成であってもよい。
【０１８９】
また、対向基板３は、第２基板３１の下面にカラーフィルタ３２が設けられており、第２基板３１の上に検出電極である第１電極２５が設けられている。この場合、上述した検出用スイッチング素子Ｔｒｓ、検出用データ線ＳＧＬｓ、検出用ゲート線ＧＣＬｓ等は第２基板３１側に設けられる。本実施形態では、第２基板３１と第１電極２５とで検出部３０が構成される。このような態様であっても、検出部３０は、上述した符号分割選択駆動により、第１電極２５間の容量結合を抑制して良好な検出感度を得ることが可能である。
【０１９０】
以上、本発明の好適な実施の形態を説明したが、本発明はこのような実施の形態に限定されるものではない。実施の形態で開示された内容はあくまで一例にすぎず、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。本発明の趣旨を逸脱しない範囲で行われた適宜の変更についても、当然に本発明の技術的範囲に属する。
【０１９１】
例えば、表示パネル２０を有さず、検出部３０を含む検出装置であってもよい。この場合、少なくとも、第１基板２１と、第１電極２５と、第１電極ドライバ１４と、検出用ゲートドライバ１２Ｂと、信号処理部４０と、制御部１１とを備えていればよい。また、各実施形態において、検出部３０は自己静電容量方式のタッチ検出を行うが、これに限定されず。相互静電容量方式のタッチ検出を行ってもよい。この場合、第１電極２５と対向する電極を設けて、第１電極２５に上述の符号分割選択駆動に基づいて駆動信号が供給され、第１電極２５と対向する電極から出力信号が検出される。
【符号の説明】
【０１９２】
１、１Ａ  表示装置
２  画素基板
３  対向基板
６  液晶層
１０  検出機能付き表示部
１１  制御部
１２Ａ  表示用ゲートドライバ
１２Ｂ  検出用ゲートドライバ
１３  ソースドライバ
１４  第１電極ドライバ
２０  表示パネル
２１  第１基板
２２  第２電極
２５  第１電極
３０  検出部
３１  第２基板
４０  信号処理部
４２  検出信号増幅部
４３  Ａ／Ｄ変換部
４４  信号演算部
４５  座標抽出部
４６  検出タイミング制御部
４７  記憶部
ＧＣＬ  ゲート線
ＧＣＬｓ  検出用ゲート線
Ｐｉｘ  画素
ＳＰｉｘ  副画素
ＳＧＬ  データ線
ＳＧＬｓ  検出用データ線
Ｖｃｏｍ  駆動信号
Ｖｓ  駆動信号
Ｖｄｉｓｐ  映像信号
Ｖｐｉｘ  画素信号
Ｖｓｃａｎ  走査信号
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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