(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、前記基板の主面上に設けられ、パターニングされた透明導電膜とを備える透明導電膜付基板であって、
前記基板の上に、前記透明導電膜がパターニングにより除去されて前記主面が露出されている除去領域と、前記透明導電膜が除去されていない非除去領域と、前記除去領域と前記非除去領域の間に設けられた境界領域とが形成されてなり、
前記境界領域において、前記透明導電膜が島状に形成された島状部分が形成されてなり、絶縁膜が、前記除去領域の前記主面及び前記境界領域を覆うように設けられている、透明導電膜付基板。
【請求項２】
平面視したときの前記島状部分の面積が、前記境界領域の面積の２５％〜７５％の範囲内である、請求項１に記載の透明導電膜付基板。
【請求項３】
前記基板が、透明基板である、請求項１または２に記載の透明導電膜付基板。
【請求項４】
前記基板が、ガラス基板である、請求項１〜３のいずれか一項に記載の透明導電膜付基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、透明導電膜付基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
プラズマディスプレイやエレクトロルミネセンス素子などにおいて、電極として用いる透明導電膜を、ガラス基板などの基板上に形成し、透明導電膜をレーザーでパターニングすることが知られている（特許文献１及び特許文献２）。
【０００３】
パターニングにより透明導電膜が除去された部分には、通常、パッシベーション等のため、絶縁膜が設けられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−２０７５５４号公報
【特許文献２】特開２００６−２６７８３４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記の絶縁膜は、基板から容易に剥離しないことが求められている。
【０００６】
本発明の目的は、透明導電膜が除去された部分に設けられる絶縁膜が剥離しにくい透明導電膜付基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、基板と、基板上に設けられ、パターニングされた透明導電膜とを備える透明導電膜付基板であって、基板の上に、透明導電膜がパターニングにより除去された除去領域と、透明導電膜が除去されていない非除去領域と、除去領域と非除去領域の間に設けられた境界領域とが形成されてなり、境界領域において、透明導電膜が島状に形成された島状部分が形成されてなることを特徴としている。
【０００８】
平面視したときの島状部分の面積が、境界領域の面積の２５％〜７５％の範囲内であることが好ましい。
【０００９】
基板は、透明基板であることが好ましい。
【００１０】
基板は、ガラス基板であることが好ましい。
【００１１】
パターニングとしては、レーザーによるパターニングが挙げられる。この場合、レーザーは、フェムト秒レーザーであることが好ましい。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、透明導電膜が除去された部分に設けられる絶縁膜の剥離を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の一実施形態の透明導電膜付基板を示す模式的断面図である。
【図２】図１に示す実施形態の透明導電膜付基板に絶縁膜を設けた状態を示す模式的断面図である。
【図３】本発明の一実施形態の透明導電膜付基板における境界領域を示す走査型電子顕微鏡写真である。
【図４】図３に示す境界領域を模式的に示す平面図である。
【図５】図４に示す境界領域における島状部分にハッチングをつけた模式的平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、好ましい実施形態について説明する。但し、以下の実施形態は単なる例示であり、本発明は以下の実施形態に限定されるものではない。また、各図面において、実質的に同一の機能を有する部材は同一の符号で参照する場合がある。
【００１５】
図１は、本発明の一実施形態の透明導電膜付基板を示す模式的断面図である。図１に示すように、本実施形態の透明導電膜付基板１０は、基板１と、基板１の主面１ａ上に設けられた透明導電膜２とを備えている。透明導電膜２は、パターニングされている。透明導電膜２がパターニングされることにより、基板１の主面１ａの上には、透明導電膜２がパターニングにより除去された除去領域Ａ１と、透明導電膜２が除去されていない非除去領域Ａ２とが形成されている。
【００１６】
また、基板１の主面１ａ上には、除去領域Ａ１と非除去領域Ａ２の間に設けられた境界領域Ａ３が形成されている。図１に示すように、境界領域Ａ３においては、透明導電膜２の厚みが除去領域Ａ１に近づくにつれて徐々に薄くなっている。
【００１７】
透明導電膜２としては、例えば、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、アルミニウム亜鉛酸化物（ＡＺＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、フッ素をドープした錫酸化物（ＦＴＯ）などの導電性を有する複合酸化物薄膜を用いることができる。特に、インジウム錫酸化物が好ましく用いられる。本実施形態においては、透明導電膜２をインジウム錫酸化物から形成している。透明導電膜２の厚みは、２０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲であることが好ましく、５０ｎｍ〜１５０ｎｍの範囲であることがさらに好ましい。
【００１８】
基板１は、ガラス基板などの透明基板であることが好ましい。ガラス基板としてはソーダ石灰ガラス、アルミノシリケートガラス、ホウ珪酸ガラス、無アルカリガラス等が使用できる。本実施形態においては、ソーダ石灰ガラスからなるガラス基板を用いている。
【００１９】
透明導電膜２のパターニングは、レーザーによるパターニングであることが好ましい。透明導電膜２をレーザーでパターニングすることにより、透明導電膜２の一部を除去して、除去領域Ａ１を形成する。レーザーとしては、その波長における透明導電膜２の吸収率が大きいレーザーが用いられる。例えば、ＩＴＯ膜の場合、１０００ｎｍ以上の波長において、吸収率が大きくなる。このため、１０００ｎｍ以上の波長のレーザーを用いてパターニングすることにより、ＩＴＯ膜をレーザー照射で除去して除去領域Ａ１を形成することができる。このパターニングにより、除去領域Ａ１が形成されるとともに、その周辺に境界領域Ａ３が形成される。
【００２０】
レーザーの波長は、透明導電膜２がその波長において大きな吸収率を有するものであれば、特に限定されない。レーザーの波長は、例えば、１０００ｎｍ以上であることが好ましく、１３００ｎｍ以上であることがより好ましく、１５００ｎｍ以上であることがさらに好ましい。レーザーの波長の上限値は、特に限定されるものではないが、レーザーの波長は、２０００ｎｍ以下であることが一般的である。
【００２１】
レーザーは、１０ピコ秒以下のパルスレーザーであることが好ましく、より好ましくは、１ピコ秒以下の超短パルスレーザーであり、特に好ましくは、フェムト秒レーザーである。このようなパルス幅の小さいレーザーを用いることにより、多光子吸収現象を生じさせ、周辺部分に熱を拡散させることなくパターニングすることができる。
【００２２】
レーザーのスポット径は、除去領域Ａ１のｙ方向における幅の０．２倍〜５倍の範囲内であることが好ましく、０．５倍〜２倍の範囲内であることがさらに好ましい。除去領域Ａ１のｙ方向における幅の寸法は、一般に、３μｍ〜５０μｍの範囲であることが好ましく、５μｍ〜２０μｍの範囲であることがさらに好ましい。除去領域Ａ１が幅広い場合は、レーザーを複数回操作したり、複数のレーザーを用いてレーザーのスポットを若干オーバーラップさせてパターンニングしてもよい。また、境界領域Ａ３のｙ方向における幅の寸法は、一般に、０．３μｍ〜１０μｍの範囲であることが好ましく、０．５μｍ〜５μｍの範囲であることがさらに好ましい。
【００２３】
なお、レーザーは、一般に透明導電膜２の厚み方向（ｚ方向）に、透明導電膜２側から照射される。
【００２４】
図１に示す実施形態の透明導電膜付基板１０は、例えば、有機エレクトロルミネセンス素子の電極基板として用いることができる。この場合、透明導電膜付基板１０の上に有機エレクトロルミネセンス層が設けられる。また、この場合、有機エレクトロルミネセンス層からの光の取り出し効率を向上させるため、基板１と透明導電膜２との間に、基板１よりも屈折率が高い下地ガラス層が設けられていてもよい。
【００２５】
図２は、図１に示す実施形態の透明導電膜付基板に絶縁膜を設けた状態を示す模式的断面図である。図２に示すように、透明導電膜付基板１０の除去領域Ａ１における基板１の主面１ａ及び境界領域Ａ３の上を覆うように、絶縁膜３が設けられる。絶縁膜３は、主にパッシベーション等を目的として設けられる。
【００２６】
絶縁膜３は、窒化珪素、酸化珪素、酸窒化珪素、酸化アルミニウムなどの無機材料や、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ウレタン樹脂等の有機材料から形成することができる。
【００２７】
図３は、本発明の一実施形態の透明導電膜付基板における境界領域を示す走査型電子顕微鏡写真である。図４及び図５は、図３に示す境界領域を模式的に示す平面図である。なお、図５は、図４に示す境界領域における島状部分にハッチングをつけた模式的平面図である。図３、図４及び図５は、平面視における、すなわちｚ方向から見た境界領域Ａ３並びにその近傍の除去領域Ａ１及び非除去領域Ａ２を示している。また、図３、図４及び図５は、絶縁膜３が設けられる前の図１に示す状態を示している。
【００２８】
図３、図４及び図５に示すように、本発明においては、境界領域Ａ３には、非除去領域Ａ２から連続してｙ方向に延びるように形成された透明導電膜２からなる半島状部分２ａと、非除去領域Ａ２から実質的に分離して形成された透明導電膜２からなる島状部分２ｂが形成されてなる。なお、透明導電膜２からなる島状部分２ｂは、透明導電膜２の材質等に応じた波長やパルス幅を有するレーザーを用いて所定の条件でパターニングすることで、境界領域Ａ３に形成することができる。このように、境界領域Ａ３において、透明導電膜２からなる島状部分２ｂを形成することで、その上に設けられる絶縁膜３の剥離を抑制することができる。絶縁膜３の剥離を抑制することができる理由は、以下の通りであると考えられる。
【００２９】
すなわち、島状部分２ｂの上に絶縁膜３を設けると、島状部分２ｂの周囲の側壁部と接するように絶縁膜３が形成される。このため、隣接する島状部分２ｂの間に食い込むように絶縁膜３が形成される。また、絶縁膜３に対しては、島状部分２ｂが食い込んだ状態で存在している。このため、強力なアンカー効果を発揮することができ、絶縁膜３の剥離を抑制することができると考えられる。なお、絶縁膜３の剥離を効果的に抑制するために、平面視したときの島状部分２ｂの面積（ハッチングをつけた部分面積）は、境界領域Ａ３の面積の２５％〜７５％の範囲内であることが好ましい。島状部分２ｂの面積が上記範囲より少ないと、絶縁膜３に食い込む島状部分２ｂが少なくなり、絶縁膜３の剥離を抑制する効果が得られない場合がある。また、島状部分２ｂの面積が上記範囲より多くても、島状部分２ｂに食い込む絶縁膜３の部分が少なくなり、絶縁膜３の剥離を抑制する効果が得られない場合がある。島状部分２ｂの面積は、境界領域Ａ３の面積の４０％〜６０％の範囲内であることがより好ましい。また、１つの島状部分２ｂの大きさは、円相当径で、０．１μｍ〜０．６μｍの範囲であることが好ましく、０．１μｍ〜０．３μｍの範囲であることがさらに好ましい。
【００３０】
尚、非除去領域Ａ２と境界領域Ａ３の境界の位置は、図４及び図５に示すように、透明導電膜２が除去されて主面１ａが露出し始める位置であり、境界領域Ａ３と除去領域Ａ１の境界の位置は、島状部分２ｂが実質的に存在しなくなる位置である。
【００３１】
なお、島状部分２ｂの面積の割合は、境界領域Ａ３の面積が０．７μｍ２〜２５μｍ２の範囲内である視野において求めることが好ましい。
【００３２】
また、島状部分２ｂの面積を本発明の範囲内とするためのパターニング条件としては、フェムト秒レーザーを用いることが好ましい。
【符号の説明】
【００３３】
１…基板
１ａ…主面
２…透明導電膜
２ａ…半島状部分
２ｂ…島状部分
３…絶縁膜
１０…透明導電膜付基板
Ａ１…除去領域
Ａ２…非除去領域
Ａ３…境界領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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