(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力側及び出力側を結ぶ一対の線路を短絡するように配設されたスイッチング素子と、所定の電位に接続される放熱器とを備えた電力変換装置であって、
前記スイッチング素子及び放熱器の間に配置された導電体と、
前記導電体を覆う絶縁体と
を備え、
前記導電体は、前記一対の線路のうちの一方の線路に電気的に接続されている
ことを特徴とする電力変換装置。
【請求項２】
請求項１に記載の電力変換装置であって、
前記導電体及び絶縁体は、薄膜状をなし、
前記スイッチング素子に対向する前記絶縁体の面は、前記スイッチング素子に貼着し、
前記放熱器に対向する前記絶縁体の面は、前記放熱器に貼着している
ことを特徴とする電力変換装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載の電力変換装置であって、
前記導電体が接続された一方の線路は、安定電位に接続されている
ことを特徴とする電力変換装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の電力変換装置であって、
前記放熱器が接続する所定の電位は、グランド電位である
ことを特徴とする電力変換装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、入力側及び出力側を結ぶ線路に配設されたスイッチング素子と、所定の電位に接続される放熱器とを備えた電力変換装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体スイッチをスイッチングすることによって、出力電圧及び／又は出力電流を制御する電力変換装置が様々な用途に用いられている。電力変換装置は、半導体スイッチにより発生する熱を放出するため、ヒートシンクが取り付けられる。
【０００３】
図７は、電力変換装置が備える半導体スイッチ及び取り付けられたヒートシンクの外観を模式的に示す概略側面図である。図７は、電力変換装置が備える半導体スイッチＳＷを示している。半導体スイッチＳＷには、ヒートシンクＨＳが取り付けられた状態で基板Ｂ上に固定されている。ヒートシンクＨＳは、半導体スイッチＳＷにて発生した熱を外部へ放出することで冷却する機能を有している。
【０００４】
ところが、ヒートシンクＨＳをＦＧ（フレームグランド）に接続した場合、半導体スイッチＳＷとヒートシンクＨＳとの間に寄生容量が発生する。
【０００５】
図８は、電力変換装置が備える半導体スイッチに関する回路図に、ヒートシンクを模式的に示した説明図である。図８は、入力側及び出力側を結ぶ一対の線路を短絡する半導体スイッチＳＷが配設された電力変換装置に関する回路を示しており、半導体スイッチＳＷの右側にヒートシンクＨＳが示されている。ヒートシンクＨＳは、ＦＧに接続されている。また、半導体スイッチＳＷとヒートシンクＨＳの間には寄生容量Ｃhpが発生する。発生した寄生容量Ｃhpにより、半導体スイッチＳＷの正極に接続されたポイントＰ１の電圧変動がＦＧに伝わり、ノイズとしてコモンモード電流Ｉcmが流れる。
【０００６】
図９は、電力変換装置におけるポイントＰ１の電圧変化を示すグラフである。図９は、横軸に時間をとり、縦軸にポイントＰ１の電圧をとって、ポイントＰ１の電圧Ｖ１の経時変化を示している。図９に示すポイントＰ１の電圧Ｖ１の経時変化は、寄生容量Ｃhpを介してＦＧに伝わるため電力変換装置の入力側へノイズとして出力される。
【０００７】
以上のように、ヒートシンクＨＳをＦＧに接続した場合、電力変換装置の入力側へポイントＰ１の電圧変動に応じた大きなノイズが出力されるという問題が生じる。ＦＧに伝わってノイズとなるコモンモード電流Ｉcmの大きさは、以下の式（Ａ）で表すことができる。
【０００８】
Ｉcm＝Ｃhp  ×  ｄＶ／ｄｔ    …式（Ａ）
但し、Ｉcm：コモンモード電流
Ｃhp：半導体スイッチＳＷとヒートシンクＨＳとの間の寄生容量
Ｖ  ：ポイントＰ１の電圧（Ｖ１）
ｔ  ：時間
【０００９】
また、寄生容量Ｃhpは、下記の式（Ｂ）で表すことができる。
【００１０】
Ｃhp＝ε・Ｓ／ｄhp    …式（Ｂ）
但し、ε  ：半導体スイッチＳＷとヒートシンクＨＳとの間の誘電率
ｄhp：半導体スイッチＳＷとヒートシンクＨＳとの間の距離
Ｓ  ：電極面積
【００１１】
そこで、上述のようなノイズを低減するため半導体スイッチとヒートシンクとの間に、セラミックスを用いた低誘電率の絶縁材料を挟み半導体スイッチとヒートシンクとの間に発生する寄生容量を低減する方法が特許文献１に提案されている。寄生容量を低減することにより、上記式（Ａ）の寄生容量Ｃhpが小さくなるため、コモンモード電流Ｉcmを小さくすることができる。
【００１２】
また、ノイズを低減する他の方法として、ヒートシンク自体を安定電位と繋げ、ノイズの原因となる電流を回路内に閉じ込める方法が特許文献２に提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１３】
【特許文献１】特開平９−２９８８８９号公報
【特許文献２】特開平１１−３５６０４７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
しかしながら、特許文献１にて提案されている方法では、半導体スイッチとヒートシンクとの間に挟み込む絶縁材料の熱抵抗によって、半導体スイッチを十分に冷却することができないという問題が生じる。また、絶縁材料として用いられるセラミックスは、高価なため、電力変換装置のコストが高騰するという問題が生じる。
【００１５】
また、特許文献２にて提案されている方法では、ヒートシンクを筐体に固定して使用する場合、筐体はグランド電位となるため、グランド電位と安定電位との絶縁距離を確保しなければならない。このためヒートシンクの設置スペースが大きくなるという問題が発生し、他の素子の配置の制約等の問題にも繋がる。また、ヒートシンクを固定するネジは、絶縁材料にする必要がある。絶縁材料のネジとして樹脂材料を用いた場合、強度に問題があり、セラミックスを用いた場合、電力変換装置のコストが高騰するという問題がある。他方、ヒートシンクを筐体に固定しない場合、ヒートシンクの固定強度を確保するために多数の点で固定する必要が生じるため、他の素子の配置の制約等の問題が生じる。
【００１６】
本発明は斯かる事情に鑑みてなされたものであり、スイッチング素子とヒートシンクとの間に導電体を配置し、導電体及びスイッチング素子の間、並びに導電体及び放熱器の間に絶縁体を配置して、導電体を入力側と出力側とを繋ぐ線路に接続する。これにより、特許文献１及び特許文献２について述べた問題を生じさせることなく、ノイズを低減することが可能な電力変換装置の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
上記課題を解決するために、本願記載の電力変換装置は、入力側及び出力側を結ぶ一対の線路を短絡するように配設されたスイッチング素子と、所定の電位に接続される放熱器とを備えた電力変換装置であって、前記スイッチング素子及び放熱器の間に配置された導電体と、前記導電体を覆う絶縁体とを備え、前記導電体は、前記一対の線路のうちの一方の線路に電気的に接続されていることを特徴とする。
【００１９】
また、電力変換装置は、前記導電体及び絶縁体は、薄膜状をなし、前記スイッチング素子に対向する前記絶縁体の面は、前記スイッチング素子に貼着し、前記放熱器に対向する前記絶縁体の面は、前記放熱器に貼着していることを特徴とする。
【００２０】
また、電力変換装置は、前記導電体が接続された一方の線路は、安定電位に接続されていることを特徴とする。
【００２１】
また、電力変換装置は、前記放熱器が接続する所定の電位は、グランド電位であることを特徴とする。
【００２２】
本願記載の電力変換装置は、寄生容量に起因するノイズを回路内に閉じ込めることができる。
【発明の効果】
【００２３】
本発明は、スイッチング素子とヒートシンクとの間に導電体を配置し、導電体及びスイッチング素子の間、並びに導電体及び放熱器の間に絶縁体を配置して、導電体を線路に接続する。これにより、導電体及びスイッチング素子の間、並びに導電体及び放熱器の間に生じた寄生容量に基づくノイズ電流を線路側に流すことができるので、ノイズを回路内に閉じ込め、電力変換装置の入力側へ出力されるノイズを低減することが可能である等、優れた効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本発明の実施形態に係る電力変換装置の外観の一例を模式的に示す概略側面図である。
【図２】本発明の実施形態に係る電力変換装置に関する回路図に、ヒートシンク及びノイズ除去器を用いた制御系の一例を模式的に示した説明図である。
【図３】電力変換装置の電圧の経時変化の一例を示すグラフである。
【図４】実験に用いた装置を概略的に示す模式図である。
【図５Ａ】実験に用いた電力変換装置の一部を模式的に示す説明図である。
【図５Ｂ】実験に用いた電力変換装置の一部を模式的に示す説明図である。
【図６Ａ】実験結果を示すグラフである。
【図６Ｂ】実験結果を示すグラフである。
【図７】電力変換装置が備える半導体スイッチ及び取り付けられたヒートシンクの外観を模式的に示す概略側面図である。
【図８】電力変換装置が備える半導体スイッチに関する回路図に、ヒートシンクを模式的に示した説明図である。
【図９】電力変換装置におけるポイントＰ１の電圧変化を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。なお、以下の実施形態は、本発明を具現化した一例であって、本発明の技術的範囲を限定する性格のものではない。
【００２６】
図１は、本発明の実施形態に係る電力変換装置の外観の一例を模式的に示す概略側面図である。本発明に係る電力変換装置１０は、半導体スイッチＳＷを用いて出力電圧及び／又は出力電流の変換に関する制御を行うインバータ、ＤＣ−ＤＣ変換装置等の装置である。
【００２７】
半導体スイッチＳＷは、ＭＯＳＦＥＴ（metal-oxide-semiconductor field-effect transistor ）、ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor ）等の半導体スイッチング素子にて構成されている。半導体スイッチＳＷは、脚部となるソース端子、ドレイン端子及びゲート端子により基板Ｂ上に固定されている。また、基板Ｂ上には、半導体スイッチＳＷにて発生した熱を外部へ放出することで冷却する機能を有するヒートシンク（放熱器）ＨＳが立設されており、ヒートシンクＨＳは、後述するＦＧ（フレームグランド）に電気的に接続されている。さらに、基板Ｂ上には、半導体スイッチＳＷとヒートシンクＨＳとの間に発生する寄生容量から電力変換装置１０の入力側へ流れるノイズ電流を低減するノイズ除去器１１が半導体スイッチＳＷ及びヒートシンクＨＳの間に介装されている。
【００２８】
ノイズ除去器１１は、銅箔等の薄膜状をなす導電体１１ａと、導電体１１ａを覆う絶縁体１１ｂとを備えており、導電体１１ａは、半導体スイッチＳＷのソース端子を介して後述する第２線路１２ｂ（図２参照）に電気的に接続されている。ノイズ除去器１１は、薄膜状をなす導電体１１ａを、薄膜状をなす絶縁体（絶縁膜）１１ｂにて覆った形状の薄膜状をなしており、半導体スイッチＳＷに対向する側の一方の面が半導体スイッチＳＷに貼着され、ヒートシンクＨＳに対向する側の他方の面がヒートシンクＨＳに貼着されている。即ち、半導体スイッチＳＷ及びヒートシンクＨＳの間に導電体１１ａが配置され、導電体１１ａ及び半導体スイッチＳＷの間、並びに導電体１１ａ及びヒートシンクＨＳの間に絶縁膜として絶縁体１１ｂが配置された構成となっている。また、半導体スイッチＳＷで発生した熱をノイズ除去器１１を介してヒートシンクＨＳへ伝導する熱伝導の効率を高めるため、半導体スイッチＳＷはノイズ除去器１１の一方の面に貼着する放熱面を有し、ヒートシンクＨＳはノイズ除去器１１の他方の面に貼着する吸熱面を有している。
【００２９】
図２は、本発明の実施形態に係る電力変換装置１０に関する回路図に、ヒートシンクＨＳ及びノイズ除去器１１を用いた制御系の一例を模式的に示した説明図である。図２に例示する制御系では、ＡＣ電源（図示せず）に接続されるフィルタ２０と、ＡＣ電源から供給される交流を直流に変換するダイオードブリッジ等のＡＣ−ＤＣコンバータ３０と、電圧の平滑化、昇圧等の電力変換を行う電力変換装置１０と、電力負荷（図示せず）に応じた規格の電圧及び電流への変換を行うトランス等の絶縁ＤＣ−ＤＣコンバータ４０とが用いられている。ＡＣ−ＤＣコンバータ３０により交流から変換される直流とは、フィルタ２０側から出力される交流に対し、マイナス側の電圧の方向を反転させた脈流であり、方向は一定であるが、大きさは変化する。そして、電力変換装置１０により、脈流として供給される直流電圧を平滑化する。
【００３０】
電力変換装置１０には、ＡＣ−ＤＣコンバータ３０に接続する入力側と、絶縁ＤＣ−ＤＣコンバータ４０に接続する出力側とを結ぶ第１線路１２ａ及び第２線路１２ｂが設けられている。第１線路１２ａ及び第２線路１２ｂは、入力側の第１電位及び第２電位に接続される。第１線路１２ａは、第１電位として、例えば、プラス側に接続される。第２線路１２ｂは、第２電位として、例えば、マイナス側に接続され、第１電位より低い安定電位に接続する配線として用いられる。
【００３１】
電力変換装置１０内において、ＡＣ−ＤＣコンバータ３０から入力を受ける入力側には、第１線路１２ａ及び第２線路１２ｂの間を接続し、平滑化を行う第１コンデンサＣ１が配設されている。また、絶縁ＤＣ−ＤＣコンバータ４０へ出力する出力側には、リアクトルＬ、半導体スイッチＳＷ、整流素子Ｄ及び第２コンデンサＣ２を用いた昇圧回路（昇圧チョッパ）が配設されている。
【００３２】
昇圧回路として配設されているリアクトルＬ及び整流素子Ｄは、第１線路１２ａ上に直列に接続されている。整流素子Ｄは、アノード端子が入力側に、カソード端子が出力側になる向きで配設されており、アノード側には、リアクトルＬが直列で接続されている。また、第２コンデンサＣ２は、整流素子Ｄのカソード側に、第１線路１２ａ及び第２線路１２ｂの間を接続するようにして配設されている。
【００３３】
さらに、昇圧回路の半導体スイッチＳＷは、第１線路１２ａ及び第２線路１２ｂの間を短絡するように配設されている。図２に例示した回路では、半導体スイッチＳＷとして、逆並列ダイオードを内蔵するＭＯＳＦＥＴが用いられている。半導体スイッチＳＷのドレイン端子は、リアクトルＬ及び整流素子Ｄの間となる第１線路１２ａの第１ポイントＰ１に接続されており、ソース端子は、第２線路１２ｂの第２ポイントＰ２に接続されている。なお、第２ポイントＰ２は、第１コンデンサＣ１が第２線路１２ｂに接続する接続点と、第２コンデンサＣ２が第２線路１２ｂに接続する接続点との間に位置する。
【００３４】
図２中で、半導体スイッチＳＷの右側には、近傍に配設されたヒートシンクＨＳが示されており、半導体スイッチＳＷ及びヒートシンクＨＳの間には、ノイズ除去器１１が配設されている。ヒートシンクＨＳは、グランド電位となるＦＧ（フレームグランド）に接続されている。ノイズ除去器１１の導電体１１ａは、接続線１１ｃを介して第２線路１２ｂに接続されている。
【００３５】
以上説明した各種素子の他、ノイズ除去器１１の導電体１１ａと半導体スイッチＳＷとの間には、第１寄生容量Ｃhp１が発生し、ノイズ除去器１１の導電体１１ａとヒートシンクＨＳとの間には、第２寄生容量Ｃhp２が発生する。
【００３６】
ノイズ除去器１１の導電体１１ａと半導体スイッチＳＷとの間に発生した第１寄生容量Ｃhp１により、第１ポイントＰ１の電圧変動が導電体１１ａから第２ポイントＰ２を介して第２線路１２ｂへと伝わり、ノイズ電流Ｉnsが流れる。ただし、第２線路１２ｂへ伝わったノイズ電流Ｉnsは、第２ポイントＰ２、第１コンデンサＣ１、リアクトルＬ及び第１ポイントＰ１と流れて循環し、これら素子にて構成される回路内に閉じ込められるため、電力変換装置１０の入力側へノイズとして出力されることはない。
【００３７】
また、ノイズ除去器１１の導電体１１ａとヒートシンクＨＳとの間に発生した第２寄生容量Ｃhp２により、第２ポイントＰ２の電圧変動がヒートシンクＨＳからＦＧに伝わり、ノイズとしてコモンモード電流Ｉcmが流れる。この場合に流れるコモンモード電流Ｉcmの大きさは、以下の式（１）で表すことができる。
【００３８】
Ｉcm＝Ｃhp２  ×  ｄＶ／ｄｔ    …式（１）
但し、Ｉcm：コモンモード電流
Ｃhp２：導電体１１ａとヒートシンクＨＳとの間の寄生容量
Ｖ  ：第２ポイントＰ２の電圧（Ｖ２）
ｔ  ：時間
【００３９】
式（１）に示した第２ポイントＰ２の電圧について説明する。図３は、電力変換装置１０の電圧の経時変化の一例を示すグラフである。図３は、横軸に時間をとり、縦軸に電圧をとって、第２ポイントＰ２の電圧Ｖ２の経時変化を実線にて示している。また、比較のため、第１ポイントＰ１の電圧Ｖ１の経時変化を破線にて示している。図３から、第２ポイントＰ２の電圧Ｖ２の経時変化は、第１ポイントＰ１の電圧Ｖ１の経時変化より小さいことが明らかである。従って、第２ポイントＰ２の経時変化に起因する式（１）中のｄＶ／ｄｔの値が、第１ポイントＰ１の経時変化に起因する値より小さくなるため、コモンモード電流Ｉcmが小さくなる。即ち、図３に例示したように安定電位に接続される第２ポイントＰ２の変化がほとんどない場合、コモンモード電流Ｉcmは、電力変換装置１０の入力側へノイズとして出力された場合であっても無視できるほど小さいものとなる。
【００４０】
以上のように、本願記載の電力変換装置１０は、導電体１１ａを絶縁体１１ｂで覆ったノイズ除去器１１を半導体スイッチＳＷ及びヒートシンクＨＳの間に配置し、導電体１１ａを線路に接続している。これにより、ノイズ除去器１１の導電体１１ａと半導体スイッチＳＷとの間に発生した第１寄生容量Ｃhp１によるノイズ電流Ｉnsを電力変換装置１０内に閉じ込めることが可能である。また、導電体１１ａを安定電位である第２線路１２ｂに接続することにより、ノイズ除去器１１の導電体１１ａとヒートシンクＨＳとの間に発生した第２寄生容量Ｃhp２によるコモンモード電流Ｉcmを抑制することが可能である。さらに、ノイズ除去器１１を構成する導電体１１ａ及び絶縁体１１ｂを薄膜状に形成してもノイズ低減効果を奏するため、温度の上昇を抑制し、また生産コストを抑制することができる等の利点がある。さらに、ヒートシンクＨＳをＦＧに接続して電力変換装置１０の電位と同じ電位としても問題が無いため、絶縁距離についての規格上の制約を受けることなく、任意に距離を選定することができ、従って、各素子の配置の自由度が高く、小型化が可能である等の利点がある。
【００４１】
＜実験例＞
次に、本発明に係る電力変換装置１０の実験例を示し、その結果について説明する。図４は、実験に用いた装置を概略的に示す模式図である。実験に用いた装置は、フィルタ、ＡＣ−ＤＣコンバータ（ＡＣ／ＤＣ）、電力変換装置（ＤＣ／ＤＣ）及び絶縁ＤＣ−ＤＣコンバータ（絶縁ＤＣ／ＤＣ）を備え、入力側であるフィルタ側をＡＣ電源（電源）に接続し、出力側である絶縁ＤＣ−ＤＣコンバータ側を電力負荷（負荷）側に接続して構成される。そして、ＡＣ１００Ｖ電源とフィルタとの間にはノイズ測定装置（測定装置）が配置されており、ノイズ測定装置は、フィルタ側から漏出するノイズを測定するように構成されている。また、ＡＣ１００Ｖ電源から絶縁ＤＣ−ＤＣコンバータまでの各回路及び装置は、ライブ（Ｌ）、ニュートラル（Ｎ）及びグランド（ＦＧ）にそれぞれ接続される線路上に直列に配置されている。また、電力変換装置としては、比較用となる従来型の電力変換装置と、本発明に係る電力変換装置とを用いた。
【００４２】
図５Ａ及び図５Ｂは、実験に用いた電力変換装置の一部を模式的に示す説明図である。図５Ａは、比較用となる従来型の電力変換装置であり、図５Ｂは、本発明に係る電力変換装置である。図５Ａに示す比較用の従来型の電力変換装置は、ＭＯＳＦＥＴを用いた半導体スイッチＳＷと、ヒートシンクＨＳとの間に絶縁体Ｉを介装している。絶縁体Ｉは、厚さ０．８５mmの薄膜状に形成した熱伝導性樹脂である。図５Ｂに示す電力変換装置は、ＭＯＳＦＥＴを用いた半導体スイッチＳＷと、ヒートシンクＨＳとの間にノイズ除去器１１を介装している。ノイズ除去器１１は、厚さ１８umの薄膜状に形成した銅箔を導電体１１ａとして用い、半導体スイッチＳＷ側には絶縁体１１ｂとして厚さ０．１mmの絶縁シートが配置され、ヒートシンクＨＳ側には絶縁体１１ｂとして厚さ０．３mmの熱伝導性樹脂が配置されている。また、導電体１１ａとして用いられる銅箔は、半導体スイッチＳＷのソース端子に接続されている。
【００４３】
図６Ａ及び図６Ｂは、実験結果を示すグラフである。図６Ａは、比較用となる従来型の電力変換装置を用いて実験した結果を示しており、図６Ｂは、本発明に係る電力変換装置を用いて実験した結果を示している。図６Ａ及び図６Ｂは、周波数［Ｈｚ］を横軸にとり、ノイズのレベル［ｄＢｕＶ］をとって、その関係を示している。なお、図６Ａ及び図６Ｂ中、Ｌ１は、ノイズ測定の規格としてＣＩＳＰＲ  Ｐｕｂ．１１（国際無線障害特別委員会；情報技術装置）にて規定されるクラスＢの平均値を示し、Ｌ２は、ＣＩＳＰＲ  Ｐｕｂ．１１にて規定されるクラスＢのＱＰ（準尖頭値検波）を示している。また、図６Ａ及び図６Ｂ中、ＶＡは、Ｌ−ＦＧ間のノイズ測定結果を示し、ＶＢは、Ｎ−ＦＧ間のノイズ測定結果を示している。
【００４４】
図６Ａ及び図６Ｂを比較すると明らかなように、本発明に係る電力変換装置を用いることにより、ノイズが低減されており、特に２００ｋ〜１Ｍ［Ｈｚ］の周波数域でその効果は顕著であり、３００ｋ［Ｈｚ］では−１０［ｄＢ］の低減効果が確認できる。
【００４５】
本発明は、以上説明した実施形態に限定されるものではなく、他のいろいろな形態で実施することが可能である。そのため、上述した実施形態はあらゆる点で単なる例示にすぎず、限定的に解釈してはならない。本発明の範囲は請求の範囲によって示すものであって、明細書本文には、なんら拘束されない。さらに、請求の範囲の均等範囲に属する変形や変更は、全て本発明の範囲内のものである。
【００４６】
例えば、半導体スイッチＳＷ及びヒートシンクＨＳの間に導電体１１ａが配置され、導電体１１ａ及び半導体スイッチＳＷの間、並びに導電体１１ａ及びヒートシンクＨＳの間に絶縁膜として絶縁体１１ｂが配置されるのであれば、導電体１１ａ及び絶縁体１１ｂは適宜設計することが可能である。例えば、形状は、薄膜状に限らず、厚みをもったバルク状であっても、硬質の平板状であっても良く、熱伝導率を高めるため、曲面、凹凸等の平面と異なる表面形状として形成しても良い。また、導電体１１ａを絶縁体１１ｂで覆うのではなく、導電体１１ａの両面に絶縁膜として絶縁体１１ｂを貼着するようにしても良い。また、十分な放熱効果を備えるのであれば、半導体スイッチＳＷ、絶縁体１１ｂ、導電体１１ａ、絶縁体１１ｂ及びヒートシンクＨＳのそれぞれの間は接していなくても良い。さらに、導電体１１ａ及び絶縁体１１ｂの材料は適宜選択することが可能である。ただし、熱伝導率が高い材料が好ましい。
【００４７】
また、前記実施形態では、ヒートシンクＨＳをＦＧに接続する形態について説明したが、ＦＧ以外のＳＧ（シグナルグランド）、アース等のグランド電位、更には同様の効果を奏する他の電位に接続するように設計することも可能である。そして、ノイズ除去器１１の導電体１１ａについてもソース端子側の第２線路１２ｂに接続するのではなく、ドレイン端子側の第１線路１２ａに接続する等、適宜設計することが可能である。ただし、第１寄生容量Ｃhp１に印加される電圧の変動を抑制するという観点からは安定電位である第２線路１２ｂに接続することが好ましい。
【００４８】
さらに、本発明に係る電力変換装置１０は、上述した実施形態に限定されるものではなく、パワーエレクトロニクス等の技術分野において、半導体スイッチを用いたＤＣ−ＡＣインバータ、ＤＣチョッパ等の様々な装置として適用することが可能である。
【符号の説明】
【００４９】
１０      電力変換装置
１１      ノイズ除去器
１１ａ    導電体
１１ｂ    絶縁体（絶縁膜）
１１ｃ    接続線
１２ａ    第１線路
１２ｂ    第２線路
Ｃhp１    第１寄生容量
Ｃhp２    第２寄生容量
ＨＳ      ヒートシンク（放熱器）
ＳＷ      半導体スイッチ
【図１】
0006511992.tif 000002
【図２】
0006511992.tif 000003
【図３】
0006511992.tif 000004
【図４】
0006511992.tif 000005
【図５Ａ】
0006511992.tif 000006
【図５Ｂ】
0006511992.tif 000007
【図６Ａ】
0006511992.tif 000008
【図６Ｂ】
0006511992.tif 000009
【図７】
0006511992.tif 000010
【図８】
0006511992.tif 000011
【図９】
0006511992.tif 000012