(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
信号光を出射する第１および第２のレーザダイオードと、
前記第１のレーザダイオードに供給するバイアス電流を中継する中継パッドと、前記第１のレーザダイオードを搭載する電極パッドを有するＬＤサブマウントと、
前記第１および第２のレーザダイオードを駆動するドライバＩＣと、
前記第１および第２のレーザダイオード、前記ＬＤサブマウント、前記ドライバＩＣを搭載しシャーシグランドを提供するハウジングと、
を備え、
前記第１のレーザダイオードの一方の電極は、前記シャーシグランドに接地されることなく前記ドライバＩＣに接続され、前記第１のレーザダイオードの他方の電極は、前記中継パッドを介して前記ドライバＩＣに接続され、
前記第１のレーザダイオードは前記一方の電極および前記他方の電極を前記第１のレーザダイオードの表面に有し、さらに、前記第１のレーザダイオードの裏面に前記一方の電極と前記第１のレーザダイオードの内部で接続されている裏面電極を備えており、
前記第１のレーザダイオードは前記裏面電極と前記ＬＤサブマウント上の前記電極パッドを接触させて前記ＬＤサブマウント上に搭載されており、
前記一方の電極および前記ＬＤサブマウント上の前記電極パッドの双方が前記ドライバＩＣと個別に接続され、
前記第２のレーザダイオードはその表面に一方の電極及び他方の電極を、その裏面に裏面電極を有し、前記第２のレーザダイオードに係る一方の電極と当該裏面電極は前記第２のレーザダイオード内部で接続されており、
前記ＬＤサブマウントは、前記第２のレーザダイオードに係る中継パッドおよび電極パッドを前記第１のレーザダイオードに係る中継パッドおよび電極パッドとは独立に備えており、
前記第２のレーザダイオードの他方の電極は、前記第２のレーザダイオードに係る中継パッドを介して前記ドライバＩＣに接続され、前記第２のレーザダイオードに係る一方の電極および前記ＬＤサブマウント上であって前記第２のレーザダイオードに係る電極パッドは、前記シャーシグランドに接続されることなく前記ドライバＩＣに接続されている、
発光モジュール。
【請求項２】
前記一方の電極と前記ドライバＩＣは第１のボンディングワイヤで接続されており、前記電極パッドと前記ドライバＩＣは第２のボンディングワイヤで接続されており、前記他方の電極と前記ドライバＩＣは第３のボンディングワイヤで接続されており、
前記第３のボンディングワイヤは前記第１のボンディングワイヤと前記第２のボンディングワイヤに挟まれている、
請求項１に記載の発光モジュール。
【請求項３】
前記第１のボンディングワイヤおよび前記第２のボンディングワイヤの少なくともいずれか一方は、複数のボンディングワイヤを含んでいる、
請求項２に記載の発光モジュール。
【請求項４】
前記ドライバＩＣはスイッチングトランジスタを含み、当該スイッチングトランジスタは前記中継パッドに対して前記第１のレーザダイオードと並列に接続されている、
請求項１〜３のいずれか一項に記載の発光モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、光ファイバ又はその他の光導波路にレーザ光を結合する光学アセンブリに関する技術が開示されている。この光学アセンブリは、４チャンネル分のレンズとレーザ光源とを備えており、個々のレンズを介して合波された光を出射する。この光学アセンブリでは、光導波路及びレーザ光源が共通のキャリア上に装着され、さらに、個々のレンズはそれぞれレンズホルダを介してキャリアに固定される。このレンズホルダは、キャリアの一体部分を構成しており初期状態においてキャリア上の光導波路に対してその位置を相対的に調整可能となっている。この光学アセンブリでは、マイクロメカニカル技術を用いてレンズホルダに位置調整機能を設け、次にレンズホルダと一体に設けられているマイクロヒータを用いて半田を溶融させてレンズホルダの位置を調整すると同時に、半田を固化させて当該調整された位置にレンズホルダを固定する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】米国特許第８，３４６，０３７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
互いに波長が異なる光信号を出射する複数のレーザダイオード（ＬＤ：Laser Diode）を搭載する発光モジュール（ＴＯＳＡ：Transmitter  Optical  Sub-Assembly）では、ＬＤを駆動するための集積回路（ドライバＩＣ）等の能動部品、又はキャパシタ及びインダクタ等の受動部品の実装が重要となる。
【０００５】
また、ＬＤは一般にＬＤサブマウント上に搭載され、ＬＤサブマウントはキャリアに搭載される。ここで、ＬＤサブマウント上のカソード配線を共通化する、又は、キャリア上におけるＬＤサブマウントの実装用のカソード配線を共通化すると、ＬＤに流れる変調電流によって接地電位（ＧＮＤ：Ground）に生じるＧＮＤノイズが隣接するＬＤにクロストークとして影響することがある。カソード配線を短く（広く）グランドに接続する設計が可能であれば、ＬＤ変調電流の影響を軽減することができるが、設計上の制約によりカソード配線を短くできない場合には、ＧＮＤノイズの影響を無視することができない。
【０００６】
本発明は、このような問題に鑑みてなされたものであり、クロストークの影響を抑制することができる発光モジュールを提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一形態による発光モジュールは、信号光を出射するＬＤと、ＬＤに供給するバイアス電流を中継する中継パッドと、ＬＤを搭載する電極パッド有するＬＤサブマウントと、ＬＤを駆動するドライバＩＣと、複数のレーザダイオードのそれぞれにバイアス電流を供給する複数のインダクタと、これらＬＤ、ＬＤサブマウント、ドライバＩＣを搭載しシャーシグランドを提供するハウジングと、を備えており、ＬＤの一方の電極は、シャーシグランドに接地されることなくドライバＩＣに接続され、ＬＤの他方の電極は、中継パッドを介してドライバＩＣに接続されている。
【０００８】
本発明の別の形態による発光モジュールは、更に別のＬＤを含み、この別のＬＤはその表面に一方の電極及び他方の電極を、その裏面に裏面電極を有し、別のＬＤに係る一方の電極と裏面電極は別のＬＤの内部で接続されており、ＬＤサブマウントは、別のＬＤに係る中継パッドおよび電極パッドを前記ＬＤに係る中継パッドおよび電極パッドとは独立に備えており、別のＬＤの他方の電極は、別のＬＤに係る中継パッドを介してドライバＩＣに接続され、別のＬＤに係る一方の電極およびＬＤサブマウント上であって別のＬＤに係る電極パッドは、シャーシグランドに接続されることなくドライバＩＣに接続されている。
【発明の効果】
【０００９】
本発明による発光モジュールによれば、クロストークの影響を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明に係る発光モジュールの一実施形態を示す斜視図である。
【図２】図１とは反対側から見た発光モジュールを示す斜視図である。
【図３】図１の発光モジュールの内部における部品配置を示す平面図である。
【図４】（ａ）は図１の発光モジュールの内部における部品配置を示す斜視図である。（ｂ）はＬＤ付近の構造を拡大させた斜視図である。
【図５】（ａ）はＬＤを示す断面図である。（ｂ）はＬＤを示す斜視図である。
【図６】シャント駆動回路を示す回路図である。
【図７】ＬＤサブマウントを搭載するキャリアを示す斜視図である。
【図８】変形例に係るＬＤ付近の構造を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、添付図面を参照しながら本発明による発光モジュールの実施の形態を詳細に説明する。なお、図面の説明において同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
【００１２】
図１に示されるような発光モジュール１において、高速動作に必要な高周波特性を実現するためには、伝送線路の特性インピーダンスを整合する設計が必要となる。伝送線路の設計では、マイクロストリップライン及びコプレナーラインを用いてたとえば伝送線路の特性インピーダンスが５０Ω、又は差動ラインを用いて伝送線路の特性インピーダンスが１００Ωとなるように配線幅及び基板厚みを設計する。
【００１３】
しかしながら、筐体２の伝送線路と筐体２の内部におけるＩＣの伝送線路とは電極パッドを介してボンディングワイヤにより電気的に接続されることが多いので、ボンディングワイヤ長に依存してインダクタンス成分が大きくなり、特性インピーダンスを５０Ωに整合させることが困難となる。例えば、径が５０μｍの金線では１ｍｍの長さで約１ｎＨのインダクタンスを有する。よって、ワイヤの長さが極力短くなるように部品の配置を工夫して、特性インピーダンスの不整合箇所が少なくなるように実装設計を行うことが必要である。
【００１４】
また、単一チャンネルのみの信号を伝送する発光モジュールにおいては、筐体２の中央部付近に伝送線路を配置しても周囲に十分な実装空間を確保できるため実装上の制約は少なかった。しかしながら、複数チャンネル（例えば４チャンネル）の信号を伝送する発光モジュール１では、ＩＣの入力端子及びＩＣの出力端子と後述するＬＤ１１（図３参照）の配線をワイヤリングで行うので、それぞれのワイヤの長さが短くなるように部品を配置する必要がある。ここで、ＩＣの電源端子、バイパスコンデンサ、及び制御端子は、筐体２の幅方向からＲＦ信号系の配線を回り込むようにして、配線されている。
【００１５】
図１は本実施形態に係る発光モジュール１を蓋体７側（以下「一方側」とすることもある）から見た斜視図、図２は発光モジュール１を図１に示されているのとは蓋体７の反対側に位置する放熱面８側（以下「他方側」とすることもある）から見た斜視図である。図１及び図２に示されるように、発光モジュール１は、上述した筐体２と、フランジ付き円柱状の光結合部３とを有する。光結合部３が設けられている側面とは反対側の側面２ａには、ＲＦ信号用のリードピンであるＲＦ端子４と、ＤＣ信号用のリードピンであるＤＣ端子５とが集中して配置されている。
【００１６】
例えばＣＦＰ２規格及びＣＦＰ４規格では、発光モジュール１が隣接する受光モジュール（ＲＯＳＡ：Receiver  Optical  Sub-Assembly）と干渉するので、光結合部３が設けられている側面とＲＦ／ＤＣリードピンが設けられている側面２ａを接続する両側の側面２ｂにＲＦ端子４及びＤＣ端子５を設けることは困難である。従って、ＲＦ端子４とＤＣ端子５は、筐体２の長手方向における筐体２の側面２ａのみに配置されている。
【００１７】
図３に示されるように、発光モジュール１は、その筐体２内に、複数のＬＤ１１と、ＬＤ１１を駆動するドライバＩＣ２３を含む集積回路等の能動部品と、複数のインダクタ１２等の受動部品と、ＬＤ１１に対応した個数の受光素子（Photodiode：ＰＤ）１４と、各ＬＤ１１が出射する光を合波する光合波器（Optical  Multiplexer）１５と、複数のレンズ１６等の光学部品と、温調素子（ＴＥＣ：Thermo-Electric Cooler）１７（図４（ａ）参照）と、サーミスタに代表される測温素子１８等を搭載する。
【００１８】
また、筐体２の内部を気密封止するために、筐体２の内部を窒素に置換した後に蓋体７がシーム溶接によって筐体２と接合される。光合波器１５によって合波された光は、ＲＦ端子４及びＤＣ端子５を有する筐体２の側面２ａの反対側の側面に設けられたサファイア窓を透過し、レンズ及びアイソレータを介して光結合部３に内蔵されたスタブの光ファイバに光結合される。
【００１９】
光結合部３は、スリーブカバー１９とジョイントスリーブ２０とを含んでいる。スリーブカバー１９内に、外部ファイバの先端に保持されているフェルールを受納するスリーブを有する。スリーブ及びジョイントスリーブ２０は、各ＬＤ１１と外部ファイバとの間の所定の光結合効率を得るべく３軸調芯された後、ＹＡＧ溶接によって筐体２に接合される。筐体２には、銅タングステン合金（ＣｕＷ）等の材料で形成された放熱面８（底面）と、多層セラミック層で構成され、ＲＦ端子４及びＤＣ端子５を有する側壁２２が設けられている。また、筐体２の内部において、上記の放熱面８上にはＴＥＣ１７が実装されている。
【００２０】
側壁２２は、複数のセラミック層２２ａが積層された多層セラミック構造を有しており、各セラミック層２２ａに配線が形成されている。また、側壁２２は、各セラミック層２２ａを貫通して形成されて電気接続を行うために設けられたビアを有している。このセラミック層２２ａ上の配線に筐体２の内部の配線が接続され、セラミック層２２ａ上の配線が筐体２の外部に設けられたＲＦ端子４及びＤＣ端子５へと変換される。側壁２２の上面２２ｂには、電源用又は制御信号用のＤＣ端子５が形成されており、他方の面（下面）２２ｃに高周波信号用のＲＦ端子４が形成されている。
【００２１】
ＲＦ端子４としては、チャンネルごとに差動の入力を行う端子が例えば合計８本設けられる。一方、ＤＣ端子５としては、ＬＤ１１へのバイアス電流の供給を行う４本の端子と、ＴＥＣ１７への電源供給端子である２本の端子と、サーミスタ１８用の２本の端子と、ドライバＩＣ２３用の電源端子である１本の端子と、ドライバＩＣ２３における制御・通信用の端子である２本の端子と、複数のグランド端子とが設けられる。このように、４チャンネルの発光モジュール１では、１チャンネルで構成される発光モジュールに比べて大幅に端子の数が増大する。従来の発光モジュールでは４個のＰＤ１４の出力もＤＣ端子５としていたが、ＤＣ端子数の制約により、ＰＤ１４の出力をドライバＩＣ２３でデジタル値に変換した上で、制御・通信用の端子を用いて出力している。
【００２２】
図３及び図４に示されるように、発光モジュール１は、互いに異なる波長の信号光を出射する４個のＬＤ１１を搭載し、さらに、各ＬＤ１１から出射された光を合波する光合波器１５を有する。以下、本実施形態では発光モジュール１が４個のＬＤ１１を搭載するものとして説明するが、ＬＤ１１の搭載個数は４個に限定されない。
【００２３】
筐体２の底面８の上にＴＥＣ１７が搭載されており、ＴＥＣ１７の上に、ドライバＩＣ２３と、４個のＬＤ１１と、４個のモニタ用のＰＤ１４と、光合波器１５と、サーミスタ１８が搭載されている。また、ドライバＩＣ２３上にスペーサ２８を介して４個のインダクタが搭載されている。ＬＤ１１、インダクタ１２、ＰＤ１４及びレンズ１６は、ＬＤ１１の個数に対応してそれぞれ４個ずつ筐体２の幅方向にアレイ状に配置されている。サーミスタ１８は、レンズ１６の片側に１個設けられている。なお、サーミスタ１８は、レンズ１６の両側に配置しても良い。
【００２４】
ＴＥＣ１７上にはキャリア３２が搭載されており、キャリア３２上にはＩＣキャリア３０、２個のＬＤサブマウント３１及びサーミスタ用基板３６が搭載されている。ＩＣキャリア３０上にはドライバＩＣ２３及び配線基板２７が搭載されている。ドライバＩＣ２３上には絶縁基板であるスペーサ２８が搭載されており、スペーサ２８上にはインダクタキャリア２５が搭載され、更にインダクタキャリア２５上にはインダクタ１２が搭載されている。また、インダクタキャリア２５上には、各チャンネルに対応した４本の配線２５ｂが設けられており、配線２５ｂを遮ってチップインダクタであるインダクタ１２が実装される。
【００２５】
ＬＤサブマウント３１は、ＡｌＮで構成されている。ＬＤサブマウント３１は、ドライバＩＣ２３を挟んで側壁２２に対向し、筐体２の幅方向に並んで２個キャリア３２上に設けられている。各ＬＤサブマウント３１上には２個のＬＤ１１が筐体２の幅方向に並んでいる。また、配線基板２７はドライバＩＣ２３の両脇に１個づつ配置されており、これら配線基板２７を挟んで側壁２２の反対側にサーミスタ用基板３６が配置されている。
【００２６】
また、発光モジュール１では、各ＬＤ１１が出射する信号光がレンズ１６を構成する第１レンズ１６ａ及び第２レンズ１６ｂを介して光合波器１５に入力する。第１レンズ１６ａは、キャリア３２上に樹脂により固定されている。各第１レンズ１６ａを固定する樹脂にが塗布時に隣接する第１レンズ１６ａの領域にまで拡がる可能性がある。このため、キャリア３２上には、溝３２ａ（図７参照）が互いに隣接する第１レンズ１６ａ搭載領域を区画して設けられている。
【００２７】
図４（ｂ）に示されるように、ＬＤサブマウント３１上には、ＬＤ１１を搭載する電極パッド３１ｂと、ワイヤ接続用の中継パッド３１ａが設けられている。この中継パッド３１ａからワイヤＢ２がＬＤ１１に接続され、ＬＤ１１からはさらに別のボンディングワイヤ２本Ｂ３、Ｂ４がそれぞれ異なる電極１１１ｒ、１１１ｔからドライバＩＣ２３に引き出されている。さらに、ＬＤサブマウント３１上のＬＤ１１を搭載するパッド３１ｂからは別のボンディングワイヤＢ３もドライバＩＣ２３に引き出されている。ここで、ＬＤサブマウント３１に実装されたＬＤ１１へのＤＣ測定を行いやすくするため、ＬＤアノード端子はＬＤサブマウント３１の上面に設けられた中継パッド３１ａにワイヤＢ２により接続し、ＬＤカソード端子はＬＤサブマウント３１上面のパッド３１ｂに電気的に接続されているので、二つのパッド３１ａ、３１ｂに触針することでＤＣ測定を行うことができる。
【００２８】
次に、ＬＤ１１の構造について図５を参照して説明する。図５（ａ）は、ＬＤ１１を示す断面図である。図５（ｂ）は、ＬＤ１１の外観を示す斜視図である。本実施形態のＬＤ１１の駆動は、シャント駆動方式によって行われる。
【００２９】
図５（ａ）に示されるように、ＬＤ１１は、半導体基板１１１ａと、下クラッド層１１１ｂと、活性層１１１ｃと、上クラッド層１１１ｄと、コンタクト層１１１ｅとを備えている。これらの層１１１ｂ〜１１１ｅは、半導体基板１１１ａ上にエピタキシャル成長され、メサ構造を形成している。メサ構造の両側には埋め込み層１１１ｍが設けられている。
【００３０】
上記メサ構造の両脇には２本の溝が形成されている。また、ＬＤ１１の表面は絶縁層１１１ｓによって覆われている。絶縁層１１１ｓは、パッシベーション膜と称される層であり、例えばＳｉＮ（窒化シリコン）で構成されている。メサ構造の頂部と上記溝の底部の絶縁層１１１ｓには開口が形成され、これらの開口内に露出したコンタクト層１１１ｅ、下クラッド層１１１ｂに直接接触してオーミック電極膜１１１ｆ，１１１ｈが形成されている。
【００３１】
メサ構造の頂部のオーミック電極膜１１１ｆからは配線１１１ｐが引き出されており、上記溝の底部のオーミック電極膜１１１ｈからは配線１１１ｎが引き出されている。配線１１１ｐ，１１１ｎは絶縁層１１１ｓ上を延び、それぞれ電極パッド１１１ｒ，１１１ｔに接続されている。また、ＬＤ１１は、その下面に金属層１１１ｇを備える。金属層１１１ｇは、半導体基板１１１ａの裏面に設けられる。このようなＬＤ１１の構造により、半導体基板１１１ａの裏面金属層１１１ｇと、ＬＤ１１の上面の両方からカソード信号を引き出すことが可能となる。
【００３２】
図５（ｂ）に示されるように、ＬＤ１１は、その上面に２個の電極パッド１１１ｒ，１１１ｔを備えている。電極パッド１１１ｒはアノード電極として機能し、電極パッド１１１ｔはカソード電極として機能する。電極パッド１１１ｒは二重のワイヤボンディングを行うべく長円形状となっている。
【００３３】
図６は、ＬＤ１１のシャント駆動を行うシャント駆動回路を示す回路図である。このシャント駆動回路は、電流を切り替えるスイッチングトランジスタ（ＳＷ−Ｔｒ）を備えている。ＬＤ１１とＳＷ−Ｔｒは並列に接続され、この並列回路がインダクタ１２に対して直列に接続されてている。ＬＤ１１とＳＷ−Ｔｒとの並列回路には、インダクタ１２を介してバイアス電流が供給される。ＳＷ−Ｔｒのゲートに与えられる駆動信号によってＳＷ−Ｔｒが導通すると、バイアス電流は、ほぼその全てがＳＷ−Ｔｒに流れＬＤ１１には実質的に供給されない。一方、ＳＷ−Ｔｒが遮断すると、バイアス電流の全てはＬＤ１１に供給される。こうして、ＬＤ１１は、上記駆動信号によって変調される。
【００３４】
ここで、１０Ｇｂｐｓを超える駆動信号によってＬＤ１１が変調されるので、ボンディングワイヤであるワイヤＢ１〜Ｂ５寄生インダクタンス成分、及びＬＤサブマウント３１上の中継パッド３１ａのキャパシタＣ３１ａによる浮遊容量を考慮する必要がある。が、ＤＣ端子２４、ボンディングワイヤＢ５、電極パッド２５ａ、インダクタキャリア２５上の配線２５ｂを流れる信号は、ほぼその全てがＤＣ信号であり、これら回路要素の寄生成分を考慮する必要はない。すなわち、ドライバＩＣ２３が出力する駆動信号はＬＤサブマウント３１上の中継パッド３１ａ、ボンディングワイヤＢ１を介してインダクタキャリア２５上にも漏れ出るが、ワイヤＢ２の有する寄生インダクタンス成分、インダクタ１２が有するインダクタンスそれ自体のために、配線２５ｂまでは実質漏れ出ない。
【００３５】
インダクタ１２を流れるバイアス電流は、ワイヤＢ１（第４のワイヤ）を介してＬＤサブマウント３１の中継パッド３１ａをに至る。
【００３６】
また、図４（ｂ）に示されるように、ＬＤサブマウント３１上にはカソード配線である電極パッド３１ｂが設けられている。この電極パッド３１ｂは、ＬＤ１１の裏面金属１１１ｇに接続されており、裏面金属１１１ｇは電極パッド１１１ｔに接続されている。そして、電極パッド１１１ｔは、ワイヤＢ３（第１のワイヤ）によってドライバＩＣ２３のＧＮＤの端子２３ａに接続されている。
【００３７】
また、ワイヤＢ４（第３ワイヤ）は、アノード電極である電極パッド１１１ｒをドライバＩＣ２３の出力用の端子２３ｂに接続する。ＬＤサブマウント３１上の中継パッド３１ａは、ワイヤＢ２によってＬＤ１１の電極パッド１１１ｒに接続されている。電極パッド１１１ｒは長円形状であり、ワイヤＢ２はこの長円形状の半分の領域にボンディングされる。また、残りの領域には、ドライバＩＣ２３の端子２３ｂに接続される変調電流用のワイヤＢ４がボンディングされる。
【００３８】
図６に示す様に、ＬＤ１１のカソードはワイヤＢ３を介して接地されるが、この接地はドライバＩＣ２３内で行われている。すなわち、ＬＤ１１のカソードは裏面金属１１１ｇを介してＬＤサブマウント３１上の電極パッド３１ｂに電気的に接続されている。がしかし、ＬＤサブマウント３１は絶縁体（窒化アルミニウム）であり、このパッド３１ｂは筐体２からは電気的に隔離されている。ＬＤ１１のカソードは筐体グランド（シャーシグランド、フレームグランド）からは遮断されている。また、電極パッド３１ｂからはワイヤＢ３（第２ワイヤ）が延びている。この電極パッド３１ｂから延びるワイヤＢ３と、ＬＤ１１上の電極パッド１１１ｔから延びるワイヤＢ３の間に変調信号用のワイヤＢ４が挟まれており疑似的にマイクロストリップラインを構成している。
【００３９】
ところで、光信号の０／１を出力するためにドライバＩＣ２３に入力された変調信号に応じて引き込み電流が増減するため、ＬＤカソード用のワイヤＢ３を流れる電流量も変化する。また、ＬＤ１１のカソード配線は短く（広く）接地させることが好ましいが、本実施形態では、ＬＤ１１のカソードをＬＤサブマウント３１を介してではなくドライバＩＣ２３内で接地させている。さらに、ＬＤサブマウント３１上の電極パッド３１ｂは、それぞれのＬＤ１１に対して個別に設けられている。図６に示す様に、この電極パッド３１ｂは回路的にはグランド電極に相当し、各ＬＤ１１に対して共通電位を与えるパッドであり、各ＬＤ１１に共通に接続しても基準電位を与えるという機能は実現される。が、本モジュール１では、各ＬＤ１１に対し個別にかつ独立に電極パッド３１ｂを設け、この電極パッド３１ｂは直接ドライバＩＣ２３に接続される。これは、発光モジュール１が４個のＬＤ１１を備えており、複数のＬＤ１１間で生じるクロストークの影響を受けやすくなっているためである。
【００４０】
すなわち、仮に、ＬＤサブマウント３１上の電極パッド３１ｂを全ＬＤ１１に対して共通化すると、ＬＤカソード電流の変化によって生じるＧＮＤノイズが隣接するＬＤ１１の駆動信号に影響を与え、クロストークを劣化させるためである。カソード配線を短くグランドに接続させる設計が可能であれば、ＬＤカソード電流の影響を軽減することができるが、カソード配線を短くできない場合には、接地電位を介するクロストークを無視することができない。
【００４１】
従って、本実施形態では、各ＬＤ１１のが互いに独立して設けられている。すなわち、ＬＤサブマウント３１のカソード配線である電極パッド３１ｂがＬＤ１１ごとに互いに独立している。さらに、これら独立したカソード配線は個別のドライバＩＣ内に導かれている。このように、接地電位となるカソード配線がＬＤ１１ごとに分離し、かつ、それら分離した配線が個別にドライバＩＣに接続した構成となっているので、隣接するＬＤ１１からのクロストークの影響を抑制することができる。
【００４２】
図７は、ＬＤサブマウント３１を搭載するキャリア３２の斜視図である。キャリア３２には、ＬＤサブマウント３１搭載用のパターン３２ｄが４個形成されている。片側の２個のパターン３２ｄに１個のＬＤサブマウント３１が搭載され、他方の２個のパターン３２ｄに１個のＬＤサブマウント３１が搭載される。このため、ＬＤサブマウント３１の下面にはそれぞれのパターン３２ｄに対応して、電気的に分離した二つの金属パターンが形成されている。パターン３２ｄは、ＬＤ１１ごとに互いに独立して設けられている。パターン３２ｄへのＬＤサブマウント３１固定用の導電製樹脂を供給する際に隣接するパターン３２ｄに樹脂が流出することがある。隣接するパターン３２ｄに樹脂が流出するとパターン３２ｄ間、あるいはＬＤサブマウント３１の下面に形成された金属パターン間が短絡してしまう。
【００４３】
この問題を回避するために、キャリア３２は、隣接するパターン３２ｄ間に溝３２ｃを備えている。溝３２ｃは、それぞれ同じＬＤサブマウント３１に接続される２個のパターン３２ｄの間にそれぞれに設けられている。余剰樹脂はこの溝３２ｃに流れ込むのでパターン間の短絡を防止することができる。
【００４４】
また、キャリア３２は、第１レンズ１６aが実装される領域を区切るための溝３２ａも備えている。この溝３２ａは余剰樹脂を吸収することによって、余剰樹脂がレンズ面に這い上がることを防止する。更に、第１レンズ１６ａの搭載位置とパターン３２ｄとの間にも同様の目的、すなわち余剰樹脂を吸収するための溝３２ｂが設けられている。
【００４５】
図８は、ＬＤ１１およびＬＤサブマウント３１の実装構造の変形例を示している。この変形例では、ドライバＩＣ２３と電極パッド１１１ｔとを接続するワイヤＢ３（第１ワイヤ）と、ドライバＩＣ２３と電極パッド３１ｂとを接続するワイヤＢ３（第２ワイヤ）とがそれぞれ複数本設けられている。このようにＬＤ１１のカソード配線を強固にすることによりそのインピーダンスを低下させ、かつ、各ＬＤ１１個別にドライバＩＣ２３に戻すことにより、シャント駆動されるＬＤ１１の動作をさらに安定化できるだけでなく、隣接するＬＤ１１間のクロストークもさらに低減することができる。
【００４６】
以上、上記実施形態では、本発明の発光モジュールの好適な実施形態について具体的に説明した。しかしながら、本発明の精神の範囲を逸脱しない範囲において種々の変形及び変更が可能であることは明らかである。従って、本明細書と図面は、制限的な意味ではなく例示的に見なされるべきものである。
【符号の説明】
【００４７】
１…発光モジュール、２…筐体、３…光結合部、４…ＲＦ端子、５…ＤＣ端子、７…蓋体、８…放熱面、１１…レーザダイオード（ＬＤ）、１２…インダクタ、１４…フォトダイオード（ＰＤ）、１５…光合波器、１６…レンズ、１６ａ…第１レンズ、１６ｂ…第２レンズ、１７…温調素子（ＴＥＣ）、１８…サーミスタ、１９…スリーブカバー、２０…ジョイントスリーブ、２２…側壁（多層セラミック層）、２２ａ…セラミック層、２３…ドライバＩＣ、２３ａ，２３ｂ…端子、２４…ＤＣ端子、２５…インダクタキャリア、２７…配線基板、２８…スペーサ、３０…ＩＣキャリア、３１…ＬＤサブマウント、３１ａ…中継パッド、３１ｂ…電極パッド（カソード配線）、３２…キャリア、３２ａ，３２ｂ，３２ｃ…溝、３２ｄ…パターン、３６…サーミスタ用基板、１１１ａ…半導体基板、１１１ｂ…下クラッド層、１１１ｃ…活性層、１１１ｄ…上クラッド層、１１１ｅ…コンタクト層、１１１ｆ，１１１ｈ…オーミック電極膜、１１１ｇ…金属層、１１１ｎ，１１１ｐ…配線、１１１ｒ…電極パッド、１１１ｔ…電極パッド（カソード電極）、Ｂ１…ワイヤ（第４ワイヤ）、Ｂ２…ワイヤ、Ｂ３…ワイヤ（第１ワイヤ、第２ワイヤ）、Ｂ４…ワイヤ（第３ワイヤ）。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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