(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁材料からなる基部絶縁層と、
前記基部絶縁層上に形成された、導体パッドを含む導体層と、
前記基部絶縁層上および前記導体層上に形成された、前記導体パッドを露出する開口を有する被覆絶縁層と、
前記露出した導体パッド上に形成されたバンプと、
を具えるプリント配線板において、
前記バンプは、前記露出した導体パッド上に形成された無電解めっき金属層と、前記無電解めっき金属層上に形成され該無電解めっき金属層を覆うバリア金属層と、前記バリア金属層上に形成された半田層と、を有しており、
前記無電解めっき金属層および前記バリア金属層は、前記被覆絶縁層の上面の、前記開口の周囲に沿って張り出してそれらの張出し部を形成し、該張出し部の張出し長さは、前記被覆絶縁層の開口の内径に対して１０％以上３０％以下である。
【請求項２】
請求項１記載のプリント配線板であって、前記半田層は、電解めっき層である。
【請求項３】
請求項１または２記載のプリント配線板であって、前記無電解めっき金属層は、無電解銅めっき層である。
【請求項４】
請求項１から３までのいずれか一項記載のプリント配線板であって、前記バリア金属層は、ニッケルめっき層である。
【請求項５】
請求項１から４までのいずれか一項記載のプリント配線板であって、前記無電解めっき層の厚みは０．１μｍ以上３μｍ以下である。
【請求項６】
請求項１から５までのいずれか一項記載のプリント配線板であって、前記半田層は、前記被覆絶縁層の上面の開口の端縁の内径より大きい外径を有している。
【請求項７】
請求項１から６までのいずれか一項記載のプリント配線板であって、前記被覆絶縁層は、前記開口を複数有し、各開口の端縁における内径は、隣接する開口間のピッチの２０％以上７０％以下である。
【請求項８】
請求項１から７までのいずれか一項記載のプリント配線板であって、前記被覆絶縁層は、前記開口を複数有し、隣接する開口間の最小ピッチは３０μｍ以上９０μｍ以下である。
【請求項９】
絶縁材料からなる基部絶縁層と、
前記基部絶縁層上に形成された、導体パッドを含む導体層と、
前記基部絶縁層上および前記導体層上に形成された、前記導体パッドを露出する開口を有する被覆絶縁層と、
前記露出した導体パッド上に形成されたバンプ前駆体と、
を具えるプリント配線板において、
前記バンプ前駆体は、前記露出した導体パッド上に形成された無電解めっき金属層と、前記無電解めっき金属層上に形成され該無電解めっき金属層を覆うバリア金属層と、前記バリア金属層上に形成された半田層と、を有しており、
前記無電解めっき金属層および前記バリア金属層は、前記被覆絶縁層の上面の、前記開口の周囲に沿って張り出してそれらの張出し部を形成し、該張出し部の張出し長さは、前記被覆絶縁層の開口の内径に対して１０％以上３０％以下である。
【請求項１０】
請求項９記載のプリント配線板であって、前記半田層は、上面に中央に向けて深さが増大する凹部を有している。
【請求項１１】
絶縁材料からなる基部絶縁層と、前記基部絶縁層上に形成された、導体パッドを含む導体層と、前記基部絶縁層上および前記導体層上に形成された、前記導体パッドを露出する開口を有する被覆絶縁層と、前記露出した導体パッド上に形成されたバンプと、を具えるプリント配線板の製造方法において、
前記基部絶縁層上に前記導体層が形成され、前記基部絶縁層および前記導体層上に被覆絶縁層が形成されたプリント配線板を準備することと、
前記被覆絶縁層を貫通して前記導体パッドに至る開口を形成することと、
前記露出した導体パッドの上面、前記被覆絶縁層の上面および前記開口の内壁面に沿って前記導体パッドと電気的に接続する無電解めっき金属層を形成することと、
前記被覆絶縁層の開口位置に該被覆絶縁層の開口よりも１０％以上３０％以下大きい開口を有するように、無電解めっき金属層上にめっきレジストを形成することと、
前記無電解めっき金属層の、前記めっきレジストの開口から露出する部分上にめっきによりバリア金属層を形成することと、
前記無電解めっき金属層を給電層とする電解めっきにより、前記被覆絶縁層の開口内および前記めっきレジストの開口内に半田層を形成することと、
前記めっきレジストを除去することと、
前記めっきレジストの除去によって露出した、前記被覆絶縁層の上面上の無電解めっき層を除去することと、
前記半田層を加熱によりリフローさせてバンプを形成することと、を含む。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、導体パッドを露出する開口を有する被覆絶縁層と、露出した導体パッド上に形成されたバンプと、を具えるプリント配線板およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１は、図５に示されるように、樹脂絶縁層３４、３６、３８と配線パターン３３、３５、３７とが交互に積層された多層構造を有するビルドアップ多層プリント配線板を開示している。複数の樹脂絶縁層３４、３６、３８のうち最も表層側に位置する樹脂絶縁層３８には、配線パターン３７を露出させるバイアホール４４が形成され、バイアホール４４内は銅めっきで充填されて外部接続端子としてのポスト状の導電パッド４０が形成されている。各導電パッド４０の上面には半田バンプ４１が形成されている。導電パッド４０の上端部は、バイアホール４４よりも径が大きく樹脂絶縁層３８の上面上で半径方向外側にフランジ状に張り出している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００４−６３９０７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１に開示されるビルドアップ多層プリント配線板では、銅製の導電パッド４０と半田バンプ４１との境界において半田バンプ４１内に銅が拡散してＣｕ−Ｓｎ合金層が生成され、さらに導電パッド４０および半田バンプ４１が樹脂絶縁層３８の表面上にフランジ状に張り出すように形成されているため、バンプ４１の、当該張り出した部分の周辺にＣｕ−Ｓｎ合金が残渣として発生し、マイグレーションの原因となるという問題がある。
【０００５】
また、特許文献１に開示されるビルドアップ多層プリント配線板では、導電パッド４０をポスト状に形成して半田バンプ４１の支持層としているため、銅の使用量が多くコスト高となる問題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、本発明のプリント配線板は、絶縁材料からなる基部絶縁層と、前記基部絶縁層上に形成された、導体パッドを含む導体層と、前記基部絶縁層上および前記導体層上に形成された、前記導体パッドを露出する開口を有する被覆絶縁層と、前記露出した導体パッド上に形成されたバンプと、を具えるプリント配線板において、前記バンプは、前記露出した導体パッド上に形成された無電解めっき金属層と、前記無電解めっき金属層上に形成され該無電解めっき金属層を覆うバリア金属層と、前記バリア金属層上に形成された半田層と、を有しており、前記無電解めっき金属層および前記バリア金属層は、前記絶縁被覆層の上面の、前記開口の周囲に沿って形成されている。
【０００７】
また、本発明のプリント配線板は、絶縁材料からなる基部絶縁層と、前記基部絶縁層上に形成された、導体パッドを含む導体層と、前記基部絶縁層上および前記導体層上に形成された、前記導体パッドを露出する開口を有する被覆絶縁層と、前記露出した導体パッド上に形成されたバンプ前駆体と、を具えるプリント配線板において、前記バンプ前駆体は、前記露出した導体パッド上に形成された無電解めっき金属層と、前記無電解めっき金属層上に形成され該無電解めっき金属層を覆うバリア金属層と、前記バリア金属層上に形成された半田層と、を有しており、前記無電解めっき金属層および前記バリア金属層は、前記被覆絶縁層の上面の、前記開口の周囲に沿って形成されている。
【０００８】
また、本発明のプリント配線板の製造方法は、絶縁材料からなる基部絶縁層と、前記基部絶縁層上に形成された、導体パッドを含む導体層と、前記基部絶縁層上および前記導体層上に形成された、前記導体パッドを露出する開口を有する被覆絶縁層と、前記露出した導体パッド上に形成されたバンプと、を具えるプリント配線板の製造方法において、前記基部絶縁層上に前記導体層が形成され、前記基部絶縁層および前記導体層上に被覆絶縁層が形成されたプリント配線板を準備することと、前記被覆絶縁層を貫通して前記導体パッドに至る開口を形成することと、前記露出した導体パッドの上面、前記被覆絶縁層の上面および前記開口の内壁面に沿って前記導体パッドと電気的に接続する無電解めっき金属層を形成することと、前記被覆絶縁層の開口位置に該被覆絶縁層の開口よりも大きい開口を有するように、無電解めっき金属層上にめっきレジストを形成することと、前記無電解めっき金属層の、前記めっきレジストの開口から露出する部分上にめっきによりバリア金属層を形成することと、前記無電解めっき金属層を給電層とする電解めっきにより、前記被覆絶縁層の開口内および前記めっきレジストの開口内に半田層を形成することと、前記めっきレジストを除去することと、前記めっきレジストの除去によって露出した、前記被覆絶縁層の上面上の無電解めっき層を除去することと、前記半田層を加熱によりリフローさせてバンプを形成することと、を含む。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の実施形態によれば、バンプは、導体パッドの上面および開口の内壁面を被覆する無電解めっき金属層と、該無電解めっき金属層上に被覆絶縁層の開口内を満たすように形成された半田層とから形成されるため、特許文献１に開示されるように、バンプを銅製ポスト上に形成する場合に比べて銅の使用量を削減することができ、低コスト化を図ることができる。また、無電解めっき金属層と半田層との間に形成されたバリア金属層により、無電解めっき金属層の金属（例えば無電解めっき金属層が無電解銅めっき層の場合には銅）がバンプの半田層内に拡散するのが防止されるので、無電解めっき金属層と半田層との間に無電解めっき金属層の金属（例えば銅）と半田層を構成する金属（例えば錫）との合金が形成されない。したがって、合金残渣が被覆絶縁層上の開口周辺に発生してマイグレーションを発生させるのを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明のバンプ付きプリント配線板の一実施形態を一部拡大して示す部分断面図である。
【図２】（Ａ）〜（Ｈ）は、図１に示されるバンプ付きプリント配線板の製造方法の一例を示す部分断面図である。
【図３】本発明の実施形態のバンプ付きプリント配線板の一適用例を示す断面図である。
【図４】本発明の実施形態のバンプ付きプリント配線板の他の適用例を示す断面図である。
【図５】従来のプリント配線板の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
図１は、本発明に従う一実施形態のバンプ付きプリント配線板を一部拡大して示す部分断面図である。本実施形態のバンプ付きプリント配線板は、絶縁材料からなる基部絶縁層１と、基部絶縁層１上に形成された、導体パッド２ａを含む導体層２と、基部絶縁層１上に形成され、導体パッド２ａを露出する開口３ａを有する被覆絶縁層３と、開口３ａから露出した導体パッド２ａ上に形成されたバンプ４とを具える。基部絶縁層１は、図示されているような単層のものでもよいが、複数層の積層構造を有し、それらの絶縁層間に導体層２が形成されているものでもよい。なお、本説明において、「上」とは基部絶縁層１と導体層２との関係において導体層２がある側または導体層２と被覆絶縁層３との関係において被覆絶縁層３がある側を指す。また、「下」とは基部絶縁層１と導体層２との関係において基部絶縁層１がある側または導体層２と被覆絶縁層３との関係において導体層２がある側を指す。よって、例えば被覆絶縁層３の上面とは、被覆絶縁層３の両面のうち、導体層２または基部絶縁層１と対向する側とは反対側の面を指す。同様に、導体パッド２ａの上面とは、導体パッド２ａの両面のうち、基部絶縁層１と対向する側とは反対側の面を指す。導体パッド２ａ、開口３ａおよびバンプ４は図１では各一つ示されるが、各々複数設けられていてよい。
【００１２】
基部絶縁層１を形成する絶縁材料は、エポキシやポリイミド等の有機樹脂材料でもよいがセラミックやガラス等の無機材料でもよい。導体層２は、導電性金属であればよいが銅であると好ましい。被覆絶縁層３を形成する材料は、絶縁性樹脂フィルムとしての市販のビルドアップフィルムでもよいが通常のソルダーレジストでもよい。開口３ａの上端径は、開口３ａ同士のピッチ（中心間距離）の２０％以上７０％以下であることが好ましい。また、開口３ａ同士の最小ピッチは、３０μｍ以上で９０μｍ以下が好ましい。これにより例えば搭載した半導体素子同士を超高密度配線で接続するパッケージ基板を形成できる。
【００１３】
バンプ４は、薄膜状の無電解めっき金属層５と被覆絶縁層３の開口３ａ内を満たすとともに上部が被覆絶縁層３の上面より突出した半田層６とを有する。無電解めっき金属層５は、被覆絶縁層３の開口３ａから露出した導体パッド２ａの上面、被覆絶縁層３の開口３ａの内壁面、および被覆絶縁層３の、開口３ａの周囲上面を被覆するように形成される。
【００１４】
また、無電解めっき金属層５と半田層６との間には、バリア金属層７が形成されている。バリア金属層７は、被覆絶縁層３の開口３ａから露出した導体パッド２ａの上面、被覆絶縁層３の開口３ａの内壁面、および被覆絶縁層３の、開口３ａの周囲上面に沿って、無電解めっき金属層５を被覆するよう形成されている。よって、無電解めっき金属層５およびバリア金属層７は、その上端部に被覆絶縁層３の上面に沿って開口３ａより半径方向外側に張り出す張出し部５ａ、７ａを有している。このような張出し部５ａ、７ａを設けることにより、バンプ４と被覆絶縁層３との密着性を向上させるとともにバンプ４の強度を高めることができる。張出し部５ａ、７ａの張出し長さ（開口３ａの上端縁から張出し部５ａ、７ａの外周縁までの半径方向に沿う長さ）は、被覆絶縁層３の開口３ａの内径に対して１０％以上で３０％以下とすることが好ましい。張出し部５ａ、７ａの長さが開口３ａの内径に対して１０％未満であると、バンプ４と被覆絶縁層３との密着性を向上させるとともにバンプ４の強度を高める効果が得られない可能性があるからである。また、張出し部５ａ、７ａの長さが開口３ａの内径に対して３０％を超えると、隣接するバンプ４との距離が過小になり、絶縁性の確保が困難になる可能性があるからである。
【００１５】
半田層６は、好ましくは電解めっき層である。この場合、半田層６は、無電解めっき金属層５を給電層とする電解めっき法により、無電解めっき金属層５上に形成される。半田層６は、例えばＳｎ／Ｐｂからなる。ただしこれに限られず、半田層６は、Ｓｎ／Ｓｂ、Ｓｎ／Ａｇ、Ｓｎ／Ａｇ／Ｃｕ、Ｓｎ／Ｃｕ、又はＳｎ／Ｚｎ等から形成されてもよい。半田層６は、無電解めっき金属層５およびバリア金属層７の張出し部５ａ、７ａ上にも形成されており、半田層６の外径は、絶縁被覆層３の上面の開口３ａの端縁（上端縁）の内径よりも大きい。
【００１６】
無電解めっき金属層５は、好ましくは無電解銅めっき層である。無電解めっき金属層５の厚みは０．１μｍ以上で３μｍ以下とするのが好ましい。無電解めっき金属層５の厚みが０．１μｍ未満の場合には、無電解めっき金属層５を給電層として半田層６を形成する際に半田層６の形成にむらが生じる可能性があり、３μｍを超えると無電解めっき法による無電解めっき金属層５の形成に時間を要するとともに無電解めっき金属層５を構成する金属（例えば銅）の使用量が増大しコスト高となる。
【００１７】
バリア金属層７は、好ましくはニッケルめっき層であり、より好ましくは無電解めっき金属層５を給電層とする電解めっき法により形成された電解ニッケルめっき層である。バリア金属層７がニッケルめっき層である場合に、その厚みは１μｍ以上で３μｍ以下とすることが好ましい。１μｍ以上の厚みのニッケルであれば、無電解めっき金属層５の金属（例えば銅）が半田層６内に拡散するのを有効に防止できる。また、その厚みを３μｍより大きくしても無電解めっき金属層５の金属（例えば銅）の半田層６への拡散を防止する効果が飽和する。
【００１８】
本実施形態のバンプ付きプリント配線板によれば、バンプ４は、導体パッド２ａの上面および開口３ａの内壁面を被覆する無電解めっき金属層５と、該無電解めっき金属層５上に被覆絶縁層３の開口３ａ内を満たすように形成された半田層６とから形成されるため、特許文献１に開示されるように、バンプを銅製ポスト上に形成する場合に比べて銅の使用量を削減することができ、低コスト化を図ることができる。また、無電解めっき金属層５と半田層６との間に形成されたバリア金属層７により、無電解めっき金属層５の金属（例えば無電解めっき金属層５が無電解銅めっき層の場合には銅）がバンプ４の半田層６内に拡散するのが防止されるので、無電解めっき金属層５と半田層６との間に無電解めっき金属層５の金属（例えば銅）と半田層６を構成する金属（例えば錫）との合金が形成されない。したがって、合金残渣が被覆絶縁層３上の開口３ａ周辺に発生するのを防止することができる。
【００１９】
上記構成を有するバンプ付きプリント配線は、図２（Ａ）〜（Ｈ）に示される、本発明の一実施形態のバンプ付きプリント配線板の製造方法により製造することができる。
【００２０】
本実施形態の製造方法では、図２（Ａ）に示されるように、絶縁材料からなる基部絶縁層１と、基部絶縁層１上に形成されている導体層２と、基部絶縁層１および導体層２上に形成された被覆絶縁層３と、を有する中間基板が準備される。基部絶縁層１は、例えばエポキシやポリイミド等の有機樹脂材料またはセラミックやガラス等の無機材料で形成されている。導体層２は、例えばアディティブ法、セミアディティブ法、サブトラクティブ法等によって形成される。導体層２は、例えば銅で形成されている。導体層２は、半導体素子などの電子部品を搭載するための導体パッド２ａと、信号線や電源等の図示されない配線とを含む。被覆絶縁層３は、絶縁性樹脂フィルムとしての市販のビルドアップフィルムやエポキシ等の絶縁樹脂からなるソルダーレジストで形成される。
【００２１】
まず、図２（Ａ）に示されるように、被覆絶縁層３に、その被覆絶縁層３を貫通して導体パッド２ａに至る開口３ａが形成される。複数の開口３ａが形成される場合の最小の開口ピッチ（中心間距離）は好ましくは３０μｍ以上で９０μｍ以下とされる。開口径は、好ましくは開口ピッチの２０％以上７０％以下とされ、例えば開口ピッチ５５μｍに対し開口径２５μｍとされる。被覆絶縁層３の上面および開口３ａの内壁面には、好ましくは粗面処理が施される。
【００２２】
被覆絶縁層３の開口３ａは、例えばレーザ、好ましくは小径孔の形成に適しているＵＶレーザで形成される。レーザの出力を高くすることにより、被覆絶縁層３が十分に溶融し、開口３ａの内壁面は導体パッド２ａの表面に対し直線的に交差する倒立裁頭円錐状となる。レーザ光束を絞ることにより、被覆絶縁層３で被覆されている導体パッド２ａの表面に対する開口３ａの内壁面の交差角は４５°以上で９０°未満とされる。
【００２３】
開口３ａの内壁面は、導体パッド２ａの表面に対し直角に交差する一定内径の円筒状とされてもよい。その場合、開口３ａは、レーザの代わりに例えばドライエッチング、プラズマエッチング、ライトエッチング等のエッチングを行い、その後にアルカリ脱脂処理を施すことで形成される。
【００２４】
あるいは、被覆絶縁層３の開口３ａは、被覆絶縁層３として感光性のソルダーレジストを用いる場合には、露光、現像処理により形成されてもよい。
【００２５】
次に、図２（Ｂ）に示されるように、被覆絶縁層３の上面上および開口３ａの内壁面上に、無電解めっき金属層５が形成される。無電解めっき金属層５は、好ましくは銅めっきで形成される。無電解めっき金属層５は、被覆絶縁層３の上面および開口３ａの内壁面が粗面処理されていると、被覆絶縁層３に強固に被着する。無電解めっき金属層５の厚みは、０．１μｍ以上で３μｍ以下とするのが好ましい。
【００２６】
次に、図２（Ｃ）に示されるように、被覆絶縁層３の上面上の無電解めっき金属層５上に、例えば紫外線硬化型の厚膜のめっきレジスト（ドライフィルムレジスト）９が積層され、そのめっきレジスト９上にマスクを配置して被覆絶縁層３の開口３ａに対応する位置を覆った状態で露光し、その後に現像することで、めっきレジスト９に開口９ａが形成される。めっきレジスト９の開口９ａの下端径は、被覆絶縁層３の開口３ａの上端径よりも大径とされる。めっきレジスト９の開口９ａの下端径は、被覆絶縁層３の開口３ａの上端径の１１０％以上で１３０％以下とされることが好ましい。
【００２７】
次に、図２（Ｄ）に示されるように、被覆絶縁層３の開口３ａおよびめっきレジスト９の開口９ａ内に、無電解めっき金属５を給電層とする電解めっき法によりバリア金属層７が形成される。バリア金属層７は、電解めっき法に限らず無電解めっき法に形成されてもよい。バリア金属層７は、好ましくは１μｍ以上で３μｍ以下の厚みで形成される。
【００２８】
次に、図２（Ｅ）に示されるように、被覆絶縁層３の開口３ａ内およびめっきレジスト９の開口９ａ内に、無電解めっき金属層５を給電層とする電解めっき法により半田層６が形成される。なお、フィリングめっきにより半田層６を形成すると膜厚にばらつきが生じるため、半田層６は、好ましくは、図示のような表面中央部が凹んだ形状となるコンフォーマルめっきにより形成される。
【００２９】
次に、図２（Ｆ）に示されるように、めっきレジスト９が、例えば作業者による手作業で剥離され、半田層６の外周面（側面）が露出するとともに被覆絶縁層３の上面を覆う無電解めっき金属層５が露出する。
【００３０】
次に、図２（Ｇ）に示されるように、無電解めっき金属層５の、半田層で覆われずに露出している部分が、エッチングにより除去され、バンプ前駆体４’を備えるプリント配線板が得られる。なお本明細書において「バンプ前駆体」とは、後述のバンプ４がリフロー処理される前のものを指す。バンプ前駆体４’は、導体パッド２ａ上に形成された無電解めっき金属層５と、該無電解めっき金属層５を覆うバリア金属層７と、該バリア金属層７上に形成された半田層６とを有している。バンプ前駆体４’におけるバリア金属層７は、被覆絶縁層３の上面の、開口３ａの周囲に沿って形成されている。また、バンプ前駆体４’において半田層６は、上面に中央に向けて深さが増大する凹部を有している。
【００３１】
そして、図２（Ｈ）に示されるように、バンプ前駆体４’における半田層６がリフロー処理されて、被覆絶縁層３の上面より突出する部分が略半球状をなすバンプ４が形成される。
【００３２】
図３は、この発明の実施形態のバンプ付きプリント配線板の一適用例を示す断面図である。この適用例では、半導体素子Ｅ１，Ｅ２を搭載した下側パッケージ基板Ｐ１上に、半導体素子Ｅ３を搭載した上側パッケージ基板Ｐ２が積層されるとともに電気的に接続されたパッケージオンパッケージ（ＰＯＰ）型のプリント配線基板のうち下側パッケージ基板Ｐ１に、先の実施形態と同様にして製造された実施形態のバンプ付きプリント配線板が適用されている。下側パッケージ基板Ｐ１は、半導体素子Ｅ１，Ｅ２の微細化した端子ピッチに対応したピッチの中央部領域の導体パッド２ａ上にこの発明に基づいて形成されたバンプ４の半田層６を介して半導体素子Ｅ１，Ｅ２の端子と接続するとともに、上側パッケージ基板Ｐ２の大きな端子ピッチに対応した周辺領域の導体パッド２ａ上にこの発明に基づいて形成されたバンプ４の半田層６を介して上側パッケージ基板Ｐ２の下面の端子に接続している。
【００３３】
図４は、この発明の実施形態のバンプ付きプリント配線板の他の一適用例を示す断面図である。この適用例では、多層プリント配線板Ｐ３の外層２層分に形成された凹部内に、先の実施形態と同様にして製造された実施形態のバンプ付きプリント配線板Ｐ４が埋設されており、プリント配線板Ｐ４は、多層プリント配線基板Ｐ３上に実装される半導体素子としての例えばメモリチップＣ１とＣＰＵチップＣ２とのそれぞれの微細化した端子ピッチに対応したピッチの導体パッド２ａ上にこの発明に基づいて形成されたバンプ４の半田層６を介してメモリチップＣ１とＣＰＵチップＣ２との端子同士を接続し、基板上（内）広帯域信号伝送路を構成する。なお、実施形態のバンプ付きプリント配線板Ｐ４は、多層プリント配線基板Ｐ３の２層の外層上に搭載されて、例えばメモリチップＣ１とＣＰＵチップＣ２とを接続してもよい。
【産業上の利用可能性】
【００３４】
かくして、本発明により、プリント配線板の低コスト化を図るとともに、バンプ周囲への合金残渣の発生を防止することが可能となった。
【符号の説明】
【００３５】
１  基部絶縁層
２  導体層
２ａ  導体パッド
３  被覆絶縁層
３ａ  開口
４  バンプ
４’  バンプ前駆体
５  無電解めっき金属層
５ａ  張出し部
６  半田層
７  バリア金属層
７ａ  張出し部
９  めっきレジスト（ドライフィルムレジスト）
９ａ  開口
Ｃ１  メモリチップ
Ｃ２  ＣＰＵチップ
Ｅ１，Ｅ２，Ｅ３  半導体素子
Ｐ１  下側パッケージ基板
Ｐ２  上側パッケージ基板
Ｐ３  多層プリント配線板
Ｐ４  バンプ付きプリント配線板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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