(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気泳動電着法において用いられる電着液であって、
セラミックス粒子と、直鎖状のオルガノポリシロキサン組成物と、金属アルコキシドとを含み、
前記オルガノポリシロキサン組成物は、金属アルコキシド末端変性ポリジアルキルシロキサン、金属アルコキシド末端変性ポリジアリールシロキサンおよび金属アルコキシド末端変性ポリアルキルアリールシロキサンの少なくとも一つを含むことを特徴とする電着液。
【請求項２】
前記オルガノポリシロキサン組成物は、分子量が８０００以上である
請求項１に記載の電着液。
【請求項３】
前記オルガノポリシロキサン組成物は、分子量が８００００未満である
請求項１又は２に記載の電着液。
【請求項４】
液体中に金属アルコキシド末端変性ポリジアルキルシロキサン、金属アルコキシド末端変性ポリジアリールシロキサンおよび金属アルコキシド末端変性ポリアルキルアリールシロキサンの少なくとも一つを含む直鎖状のオルガノポリシロキサン組成物および金属アルコキシドよりなるバインダ原料と、セラミックス粒子とを含む電着液を作成する工程と、
前記電着液に浸漬したメタル基板の表面に、電気泳動電着法により、前記セラミックス粒子と前記バインダ原料とからなる電着膜を形成する工程と、
前記電着膜の前記バインダ原料を加水分解・重縮合させて硬化させる工程とを含む
メタルコア基板の製造方法。
【請求項５】
浸漬前の前記メタル基板の表面は、プラズマ電解酸化されていることを特徴とする
請求項４記載のメタルコア基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電着液、およびメタルコア基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、パワー半導体の高出力化や電子回路、特にＣＰＵ関係の部品の小型化および集積化により、装置における発熱が問題となっており、高放熱性基板の需要が高まっている。その中で注目されているのが、金属などの導電性基板に高放熱および高絶縁性を有する層をコーティングしたメタルコア基板である。
【０００３】
メタルコア基板の絶縁層としては、導電性基板上へ直接コーティングされたセラミックス、あるいは、樹脂・セラミックスフィラー複合体などが用いられている。例えば、ポリイミドをバインダとして、電気泳動電着法（電着法）により炭素基板に窒化アルミニウムをコーティングしたメタルコア基板が開示されている（例えば、特許文献１参照）。電着法が用いられる場合、導電性基板へセラミックス層を定着させるためには３００℃以上の熱処理が必要であり、導電性基板とセラミックス層との熱膨張係数の相違から、コーティング後に基板が反り返ったり、導電性基板とセラミックス層とが剥がれたり、セラミックス層にクラックが発生する等の問題が生じる。したがって、導電性基板上に高熱伝導性および高絶縁性を有するセラミックス層を形成することは困難である。この対策として、特許文献１では金属にくらべると熱膨張係数の小さい炭素基板を用いてコーティングしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００３−２０９３２９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１のメタルコア基板では、炭素基板が用いられているので、メタル基板の放熱性能は、金属基板を用いた場合に比べると低下するという問題がある。
【０００６】
また、樹脂・セラミックスフィラー複合体が用いられる場合、樹脂層の耐熱性能によって導電性基板をコーティングした基板（メタルコア基板）の使用温度が制限されるため、高熱伝導性および高絶縁性を有するメタルコア基板を得ることが難しいという問題がある。
【０００７】
本発明は、上述した課題を解決しようとするものであり、高熱伝導性および高絶縁性を有するメタルコア基板の製造に用いられる電着液およびメタルコア基板の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するために、本発明の一態様に係る電着液は、電気泳動電着法において用いられる電着液であって、セラミックス粒子と、直鎖状のオルガノポリシロキサン組成物と、金属アルコキシドとを含み、前記オルガノポリシロキサン組成物は、金属アルコキシド末端変性ポリジアルキルシロキサン、金属アルコキシド末端変性ポリジアリールシロキサンおよび金属アルコキシド末端変性ポリアルキルアリールシロキサンの少なくとも一つを含む。
【０００９】
本態様によれば、電着液中にオルガノポリシロキサン組成物を含むことで、電気泳動電着法において、コーティング材料であるセラミックス材料をフレキシブルに結合しながらメタル基板にコーティングを行うことができる。したがって、耐熱性、温度変化に対する応力緩和性に優れるセラミックス層を形成することができる。
【００２２】
また、上記目的を達成するために、本発明の一態様に係るメタルコア基板の製造方法は、液体中に金属アルコキシド末端変性ポリジアルキルシロキサン、金属アルコキシド末端変性ポリジアリールシロキサンおよび金属アルコキシド末端変性ポリアルキルアリールシロキサンの少なくとも一つを含む直鎖状のオルガノポリシロキサン組成物および金属アルコキシドよりなるバインダ原料と、セラミックス粒子とを含む電着液を作成する工程と、前記電着液に浸漬したメタル基板の表面に、電気泳動電着法により、前記セラミックス粒子と前記バインダ原料とからなる電着膜を形成する工程と、前記電着膜の前記バインダ原料を加水分解・重縮合させて硬化させる工程とを含む。
【００２３】
本態様によれば、電着膜の表面形状は均一であり、電着膜が形成されたメタルコア基板を折り曲げても電着膜は剥離されず、柔軟性を有する。したがって、高熱伝導性および高絶縁性を有するメタルコア基板を製造することができる。
【００２８】
また、上記目的を達成するために、本発明の一態様に係るメタルコア基板の製造方法は、浸漬前の前記メタル基板の表面は、プラズマ電解酸化されていることを特徴とする。
【００２９】
本態様によれば、より優れた高熱伝導性および高絶縁性を有するメタルコア基板を製造することができる。したがって、電子回路基板として用いるのに適したメタルコア基板を製造することができる。
なお、前記封孔処理する工程では、前記オルガノポリシロキサン組成物の分子量に依存して定まる電流密度の電流を用いた前記電気泳動電着法により、前記メタル基板の表面を封孔処理してもよい。
【発明の効果】
【００３０】
本発明によれば、高熱伝導性および高絶縁性を有するメタルコア基板の製造に用いられる電着液およびメタルコア基板の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】図１は、実施の形態１に係るメタルコア基板の構造を示す断面図である。
【図２】図２は、実施の形態１に係るメタルコア基板の製造工程を示すフローチャートである。
【図３Ａ】図３Ａは、実施の形態１に係る電着装置の概略構成図である。
【図３Ｂ】図３Ｂは、実施の形態１に係る電着膜の形成工程を示す図である。
【図４】図４は、実施の形態１に係るバインダの特性を説明するための図である。
【図５】図５は、実施の形態１に係る電着液の作成手順を示す図である。
【図６】図６は、実施の形態１に係るバインダの原料とその硬化体の構造を示す図である。
【図７】図７は、実施の形態１に係る電着膜表面の状態を示す図である。
【図８】図８は、実施の形態１に係る熱伝導率の評価装置を示す図である。
【図９】図９は、実施の形態１に係る電着膜の熱伝導率の変化について示す図である。
【図１０】図１０は、実施の形態１に係る電着膜の絶縁耐電圧の評価装置を示す図である。
【図１１】図１１は、実施の形態１に係るメタルコア基板について、電着膜の硬度、熱伝導率および絶縁破壊電界強度の特性をまとめた図である。
【図１２】図１２は、本実施の形態に係るメタルコア基板について、電着時の電流条件を変化させたときに得られた電着膜の硬度についての測定結果を示す図である。
【図１３】図１３は、本実施の形態に係るメタルコア基板について、電着時の電流条件を変化させたときに得られた電着膜の硬度についての測定結果（図１３の（ａ））、および、推定される電着膜中のバインダの成分量（図１３の（ｂ））を示す図である。
【図１４】図１４は、本実施の形態に係るメタルコア基板について、電着時の電流条件を変化させたときに得られる電着膜におけるバインダ成分の堆積速度を示す図である。
【図１５】図１５は、本実施の形態に係るメタルコア基板について、電着時の電流条件を変化させたときに得られた電着膜の耐熱性についての測定結果を示す図である。
【図１６】図１６は、電着膜の組成比の評価方法（推定方法）を示す図である。
【図１７】図１７は、図１６の（ｂ）に示される「ＴＧによるアルミナ・バインダ比（重量比）の推定」の詳細な方法を示す図である。
【図１８】図１８は、図１６の（ｂ）に示される「アルキメデス法による電着膜の密度測定」の詳細な方法を示す図である。
【図１９】図１９は、図１７に示された「ＴＧによるアルミナ・バインダ比（重量比）」および図１８に示された「アルキメデス法による電着膜の密度」から算出される電着膜の体積比の例を示す図である。
【図２０】図２０は、電着液におけるＥＳ−ＰＤＭＳの添加量を変えた場合の電着膜の構造変化の例を示す図である。
【図２１】図２１は、電着液におけるＥＳ−ＰＤＭＳの分子量を変えた場合の電着膜の構造変化の例を示す図である。
【図２２】図２２は、Ｂｒｕｇｇｅｍａｎの式を用いて得られるメタルコア基板の熱伝導率についての推測値と実測値との比較結果を示す図である。
【図２３】図２３は、各種電着液を用いた製造されたメタルコア基板の特性を示す図である。
【図２４】図２４は、図２３に示された測定結果のうち、「熱伝導率（Ｗ／ｍＫ）」に関する測定結果の一部を示すグラフである。
【図２５】図２５は、図２３に示された測定結果のうち、「耐熱温度（３％重量減少温度）（℃）」に関する測定結果の一部（追加された測定結果含む）を示すグラフである。
【図２６】図２６は、本実施の形態に係る２種類のメタルコア基板の電着膜の比誘電率の測定値およびその測定値を用いて求められたアルミナ占有率の推定値などを示す図である。
【図２７】図２７は、実施の形態２に係るプラズマ電解酸化（ＰＥＯ）膜を示す図である。
【図２８】図２８は、実施の形態２に係るプラズマ電解酸化後の電着膜の特性を示す図である。
【図２９Ａ】図２９Ａは、実施の形態２に係る封孔処理前のＰＥＯ表面を示す図である。
【図２９Ｂ】図２９Ｂは、実施の形態２に係る封孔処理後のＰＥＯ表面を示す図である。
【図２９Ｃ】図２９Ｃは、実施の形態２に係る封孔処理後のＰＥＯ表面を示す図である。
【図３０】図３０は、実施の形態２に係る各膜における絶縁破壊電界強度を示す図である。
【図３１】図３１は、実施の形態２に係る各膜における熱伝導率および絶縁耐電圧を示す図である。
【図３２】図３２は、実施の形態２に係る封孔処理前後における熱伝導率を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００３２】
以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。なお、以下で説明する実施の形態は、いずれも本発明の好ましい一具体例を示すものである。以下の実施の形態で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置位置、接続形態、ステップ及びステップの順序等は、一例であり、本発明を限定する主旨ではない。本発明は、特許請求の範囲によって特定される。よって、以下の実施の形態における構成要素のうち、独立請求項に記載されていない構成要素については、本発明の課題を達成するのに必ずしも必要ではないが、より好ましい形態を構成するものとして説明される。
【００３３】
（実施の形態１）
［１．メタルコア基板の構成］
まず、図１を参照しながら、実施の形態に係るメタルコア基板を有する基板について説明する。図１は、本実施の形態に係るメタルコア基板の構造を示す断面図である。
【００３４】
図１に示すように、本実施の形態に係るメタルコア基板１は、メタル基板１０と、絶縁層１２とで構成されている。また、メタルコア基板１の絶縁層１２上には、配線層１４が形成され、メタルコア基板１と配線層１４とで回路基板２が構成されている。
【００３５】
メタル基板１０は、例えばアルミニウム基板で構成されている。絶縁層１２は、例えばアルミナで構成され、電着によりメタル基板１０の表面に形成されている。つまり、メタル基板１０は絶縁層１２によりコーティングされた構成である。このメタル表面のコーティングは、フォトリソグラフィ技術を用いることで、基板上で選択的に行うことができる。
【００３６】
さらに、絶縁層１２の上には、例えば銅で構成される配線層１４がパターニングにより形成されている。
【００３７】
この構成によれば、メタルコア基板１を露出させ、ヒートシンク等の放熱部品をメタルコア基板１に直接実装することにより、高温で動作する部品の熱を効率よく外部に放出することができる。
【００３８】
［２．メタルコア基板の製造方法］
次に、本実施の形態におけるメタルコア基板の製造工程について説明する。
【００３９】
図２は、本実施の形態に係るメタルコア基板の製造工程を示すフローチャートである。本実施の形態にかかるメタルコア基板の製造方法としては、（１）電気泳動電着法によりメタル基板１０に電着膜を形成する製造方法と、（２）メタル基板１０にプラズマ電解酸化膜を形成し、その後電気泳動電着法により封孔処理を行う製造方法の２種類がある。
【００４０】
（１）の電気泳動電着法によりメタル基板１０に電着膜を形成する製造方法については、図２の（ａ）に示すように、はじめに、メタル基板１０であるアルミニウム基板を準備し、洗浄する（ステップＳ１０）。その後、アルミニウム基板に、上述した電気泳動電着法により電着膜（絶縁層１２）を形成する（ステップＳ１２）。なお、電気泳動電着法において使用する電着液は、あらかじめ作成しておく。また、電着膜を形成する際に、アルミニウム基板の一部は、放熱効率を向上するために電着膜から露出していてもよい。なお、電気泳動電着法により形成した層のことを電着膜と呼ぶ。さらに、電着膜（絶縁層１２）の上に配線層１４を形成する（ステップＳ１４）。これにより、回路基板２が完成する。配線層１４については、半硬化状態の電着膜を介して張り合わせ、その後、バインダ材料の硬化に伴う接着によっても形成することができる。
【００４１】
また、（２）のメタル基板１０にプラズマ電解酸化膜を形成し、その後電気泳動電着法により封孔処理を行うという製造方法については、図２の（ｂ）に示すように、はじめに、メタル基板１０であるアルミニウム基板を準備し、洗浄する（ステップＳ１０）。次に、アルミニウム基板に、プラズマ電解酸化を行い、プラズマ電解酸化膜（ＰＥＯ膜）を形成する（ステップＳ２２）。その後、上述した電気泳動電着法によりプラズマ電解酸化膜表面に電着膜を形成する封孔処理を行う（ステップＳ２３）。このとき、アルミニウム基板の一部は、放熱効率を向上するために電着膜から露出していてもよい。さらに、封孔処理されたプラズマ電解酸化膜（絶縁層１２）の上に配線層１４を形成する（ステップＳ１４）。これにより、回路基板２が完成する。
【００４２】
以下では、上述した（１）の電気泳動電着法によりメタル基板１０に電着膜を形成する製造方法について具体的に説明する。なお、（２）のメタル基板１０にプラズマ電解酸化膜を形成し、その後電気泳動電着法により封孔処理を行うという製造方法については、実施の形態２で具体的に説明する。
【００４３】
［３．電気泳動電着法による電着膜の形成］
図３Ａ、図３Ｂ、図４〜図１１を用いて、電気泳動電着法によりメタル基板１０に電着膜を形成する製造方法について説明する。図３Ａは、本実施の形態に係る電着装置の概略構成図である。図３Ｂは、本実施の形態に係る電着膜の形成過程を示す図である。図４は、バインダの特性を説明するための図である。図５は、本実施の形態に係る電着液の作成手順を示す図である。
【００４４】
メタル基板１０への絶縁層１２の形成は、電気泳動電着法により行われる。電気泳動電着法は、以下に説明する電着装置２０において行われる。
【００４５】
図３Ａに示すように、電着装置２０は、容器２２と、容器２２内に入れられた電着液２８と、電着液２８に浸された電極１０ａおよび１０ｂと、電極１０ａおよび１０ｂとに接続された電源２６とを備えている。
【００４６】
電極１０ａは、例えばアルミニウム基板で構成されている。電極１０ｂはステンレス鋼材あるいは炭素材等により構成される。電極１０ａには正の電圧が印加され、電極１０ｂには負の電圧が印加される。したがって、電極１０ａは陽極、電極１０ｂは陰極となる。以下、電極１０ａおよび１０ｂを、それぞれ、アルミニウム基板１０ａおよびＳＵＳ基板１０ｂと呼ぶ。
【００４７】
また、電着液２８中には、セラミックス粒子の一例である球状のアルミナ粒子２８ａが浮遊している。電気泳動電着法では、溶液中にて、アルミナ粒子２８ａが負電荷に帯電する。図３Ａおよび図３Ｂに示すように、アルミナ粒子２８ａは電界印加により陽極であるアルミニウム基板１０ａに引き寄せられ、アルミニウム基板１０ａ上へ固定、または堆積される。このとき、アルミナ粒子２８ａと共に電着された有機・無機ハイブリッド材料の原料成分は、未硬化もしくは半硬化状態であり、その後、水の存在下で加水分解、重縮合反応によって硬化して、有機・無機ハイブリッド材料となり、図４に示すように、電着膜におけるバインダ２８ｂとして機能する。
【００４８】
したがって、本実施の形態において、アルミニウム基板１０ａは、メタルコア基板１におけるメタル基板１０となり、アルミニウム基板１０ａの表面に付着して層状に形成されたアルミナ粒子２８ａとバインダ２８ｂとからなるセラミックス層は、メタルコア基板１の絶縁層１２となる。
【００４９】
なお、図３Ａに示した電着装置２０では、アルミニウム基板１０ａにおけるＳＵＳ基板１０ｂと対向する面に絶縁層１２が形成される。したがって、アルミニウム基板１０ａの両面に絶縁層１２を形成する場合には、アルミニウム基板１０ａの向きを裏返すか、アルミニウム基板１０ａの両面と対向するように２つのＳＵＳ基板１０ｂをそれぞれ配置することが好ましい。
【００５０】
電着液２８は、図５に示す作成手順にて作成される。
【００５１】
まず、球状のアルミナＡｌ２Ｏ３（アルミナ粒子２８ａ）を用意する。このアルミナ粒子２８ａを、１３０℃で２時間乾燥させる。その後、脱水イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）および安定化剤であるモノクロロ酢酸（ＭＣＡＡ）を加える。このときの電着液２８は、例えば、純度が９９．９％より大きく平均粒径が０．５μｍのαアルミナ（住友化学製スミコランダムＡＡ−０５）を１５ｗｔ％と、ＭＣＡＡ（和光純薬Ｃｈｌｏｒｏａｃｅｔｉｃ  Ａｃｉｄ）を１２．７５ｗｔ％と、脱水ＩＰＡ（和光純薬２−プロパノール（超脱水））を７２．２５ｗｔ％とが配合されたものである。
【００５２】
次に、図５に示したように、アルミナ粒子２８ａが含まれた脱水ＩＰＡおよびＭＣＡＡに対して、ｈｉｅｌｃｈｅｒ製ＵＰ１００Ｈによる超音波ホモジナイザー処理３分、Ｆｉｎｅ製ＦＵ−３Ｈによる超音波バス処理１時間が行われる。これらの処理は、脱水ＩＰＡおよびＭＣＡＡ内にアルミナ粒子２８ａが均一に混合されるように、アルミナ粒子２８ａを含む脱水ＩＰＡおよびＭＣＡＡを攪拌しながら行われる。
【００５３】
次に、アルミナ粒子２８ａを含む脱水ＩＰＡおよびＭＣＡＡに、バインダ原料を添加する。バインダ原料には、オルガノポリシロキサン組成物を用いる。より具体的には、例えば、アルコキシシラン等の金属アルコキシド、および、金属アルコキシドを末端に有するオルガノポリシロキサン（金属アルコキシド末端変性オルガノポリシロキサン）の混合液を用いる。この混合液のことを、オルガノポリシロキサンＰＤＭＳ（ポリジメチルシロキサン）系ハイブリッドの原料液と呼び、この原料が水に接触した後に、加水分解・脱水重縮合をしてできるオルガノポリシロキサン硬化体をオルガノポリシロキサン系有機・無機ハイブリッド材料と呼ぶ。フレキシブルで、耐熱性を有するオルガノポリシロキサン系有機・無機ハイブリッド材料をバインダとすることで、耐熱性、温度変化に対する応力緩和性に優れるセラミックス層（絶縁層）を形成することができる。
【００５４】
例えば、オルガノポリシロキサン組成物として、図６の（ａ）に示すようなエチルシリケート（ＥＳ）を末端にもつオルガノポリシロキサンである質量平均分子量（以下、単に分子量ともいう）８０００のエチルシリケート末端変性ＰＤＭＳ（ＥＳ−ＰＤＭＳ−Ａと呼ぶ。）、質量平均分子量２２０００のエチルシリケート末端変性ＰＤＭＳ（ＥＳ−ＰＤＭＳ−Ｂと呼ぶ。）、質量平均分子量４２０００のエチルシリケート末端変性ＰＤＭＳ（ＥＳ−ＰＤＭＳ−Ｃと呼ぶ。）、または、質量平均分子量７６０００のエチルシリケート末端変性ＰＤＭＳ（ＥＳ−ＰＤＭＳ−Ｄと呼ぶ。）と、エチルシリケート（以降、ＥＳと呼ぶ。）とを含むハイブリッド材料（ＰＤＭＳ系ハイブリッド）を用いる。
【００５５】
これらオルガノポリシロキサン組成物の加水分解・脱水重縮合による硬化体は、図６の（ｂ）に示すようなシリカナノガラス２９を介して架橋した硬化体、すなわち、オルガノポリシロキサン系有機・無機ハイブリッド材料となる。オルガノポリシロキサン系有機・無機ハイブリッド材料は、高い耐熱性（連続２００℃、短時間４００℃以上）と柔軟性を有する。図６の（ａ）に示すエチルシリケートにおいては、例えば、ｎ＝８〜１０である。これらの材料を用いることにより、バインダの原料としてのオルガノポリシロキサン組成物は電着液中で加水分解が生じにくく凝集体を形成しにくくなる。なお、ＥＳ−ＰＤＭＳ−Ａ、ＥＳ−ＰＤＭＳ−Ｂ、ＥＳ−ＰＤＭＳ−Ｃ、およびＥＳ−ＰＤＭＳ−Ｄ（これらを総称してＥＳ−ＰＤＭＳと呼ぶ）の合成方法は、例えば、以下のとおりである。
【００５６】
ＥＳ−ＰＤＭＳ−Ａ、ＥＳ−ＰＤＭＳ−Ｂ、およびＥＳ−ＰＤＭＳ−Ｃの場合、密閉された窒素雰囲気下、２５℃にて、ＥＳ：ＰＤＭＳ＝２：１のモル比にて、ＥＳ（多摩化学工業製品ＥＳ４５）とＰＤＭＳ（モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン製品ＹＦ３８００（質量平均分子量６０００）あるいはＸＦ−３９０５（質量平均分子量２００００）、ＹＦ−３０５７（質量平均分子量４００００））をスクリュー管瓶に入れマグネチックスターラーを用いて３０分間撹拌する。その後、あらかじめチタニウムテトラエトキシド（メルク社製、以後、「ＴＴＥ」と略する）とＤＬ−リンゴ酸ジエチルエステル（東京化成工業株式会社製、以後、「ＭＡ」と略する）とを同モルで混合した溶液を、上記ＥＳとＰＤＭＳの混合液に、ＥＳとＰＤＭＳの混合液１モルに対して０．０１６５モル加える。さらに、混合溶液を、マグネチックスターラーを用い密封したまま１３０℃で８時間加熱撹拌する。このときの混合溶液の反応は、フーリエ変換赤外分光光度計（ＦＴ−ＩＲ）およびゲル浸透クロマトグラフィ（ＧＰＣ）を用いて確認することができる。ＴＴＥとＭＡの上記混合液は、ＴＴＥとＭＡとを同モルでスクリュー管瓶の中に入れ、２５℃で３０分間攪拌して作製する（ＷＯ２０１０／１４３３５７（特許文献２）の実施例１を参照）。ＥＳ−ＰＤＭＳ−Ｄの場合、配合条件、作製条件はＥＳ−ＰＤＭＳ−Ｂと同様であるが、重合処理を１３０℃で２４時間行って作製した。
【００５７】
アルミナ粒子２８ａを含む脱水ＩＰＡおよびＭＣＡＡにバインダ材料が添加される工程は、図５に示したように、アルミナ粒子２８ａを含む脱水ＩＰＡおよびＭＣＡＡを攪拌しながら行われる。
【００５８】
以上のようにして、電着液が作成される。
【００５９】
次に、上述のようにして形成された電着液２８を用いて、アルミニウム基板１０ａへ電着法により電着膜（絶縁層１２）が形成される。電着法は、図３Ａに示した電着装置２０により行われる。電源装置はＡｎａｔｅｃｈ製Ｐｒｏ−３９００を用いた。
【００６０】
電着の条件は、電流を一定とし、例えば、電着膜の膜厚が５０μｍとなるように電着時間を適宜調整する。膜厚５０μｍの電着膜の形成後、２５０℃で２時間の加熱処理を行い、電着膜を硬化した電着硬化膜が得られる。本明細書における、これ以降の実施例についてはすべて２５０℃２時間の加熱処理を施した電着膜の性質を記述したが、例えば、室温から３００℃までの他の温度条件でも硬化体を得ることが出来る。
【００６１】
ここで、アルミニウム基板１０ａとアルミナの電着膜とでは熱膨張率が異なるため、バインダ材料として、上述したオルガノポリシロキサン系ハイブリッドを使用することにより、アルミニウムとアルミナとの熱膨張率の差を緩和することができる。変性ＥＳ−ＰＤＭＳの加熱により得られる重合体（オルガノポリシロキサン系有機・無機ハイブリッド材料）は、高い耐熱性（連続２００℃、短時間４００℃以上）と柔軟性を有するため、これをバインダとするアルミナ電着膜も高い耐熱性を有する。
【００６２】
図７は、アルミニウム基板１０ａ上に形成された電着膜の表面の状態を示す光学顕微鏡像である。図７に示すように、電着膜の表面形状は均一であるとわかる。また、電着膜が形成されたメタルコア基板１を折り曲げても電着膜は剥離されず、柔軟性を有している。
【００６３】
［４．電着膜が形成されたメタルコア基板の性質］
ここで、アルミニウム基板１０ａ上にアルミナの電着膜が形成されたメタルコア基板１の性質、および、電着時の好ましい条件について説明する。
【００６４】
はじめに、電着液への変性ＥＳ−ＰＤＭＳの添加が電着膜の性質に与える影響について説明する。アルミニウム基板１０ａ上に形成されたアルミナの電着膜について、電着液への変性ＥＳ−ＰＤＭＳの添加が電着膜の性質に与える影響は、変性ＥＳ−ＰＤＭＳの分子量の違いおよび変性ＥＳ−ＰＤＭＳの添加量により異なる。
【００６５】
次に、メタルコア基板１の熱伝導率について説明する。
【００６６】
図８は、本実施の形態に係る熱伝導率の評価装置を示す図である。
【００６７】
図８に示すように、評価装置３０は、断熱材３１の上に、ヒータ３２と、アルミブロック３４と、サンプル３６と、アルミブロック３４と、空冷フィン３８とを備えている。また、ヒータ３２と、アルミブロック３４と、サンプル３６と、アルミブロック３４と、空冷フィン３８とのそれぞれの間には、放熱グリースが塗布されている。２つのアルミブロック３４のそれぞれに穴を開け、熱電対を挿入してヒータ３２側の温度Ｔ１、空冷フィン３８側の温度Ｔ２をそれぞれ測定する。一定のパワーでヒータ３２を加熱し、十分に時間をおくと、ヒータからの発熱はすべてサンプルへ伝わるとみなせ、その熱量はヒータ３２への入力パワー（＝Ｑ）と等しいとみなせる。アルミブロック３４間の温度差△Ｔ＝Ｔ１−Ｔ２と熱流量Ｑから、熱抵抗が測定される。測定される熱抵抗は、アルミブロック３４（の半分）と、サンプル３６と、アルミブロック３４（の半分）の熱抵抗と、アルミブロック３４（の半分）とサンプル３６間の接触熱抵抗、アルミブロック３４とサンプル３６間の接触熱抵抗の合計である。サンプル３６なしでも同様に熱抵抗の測定を行い、全熱抵抗からサンプル３６以外の熱抵抗、接触熱抵抗を差し引くことで、サンプル３６の熱抵抗を求めることができる。さらに、サンプル３６の厚さ、面積からサンプル３６の熱伝導率は求められる。
【００６８】
ここで、サンプル３６として、メタルコア基板１を用いた場合の熱伝導率について以下に示す。
【００６９】
図９は、本実施の形態に係る電着膜の熱伝導率の変化について示す図である。
【００７０】
図９に示すように、電着電流密度が高くなるにつれて、電着膜熱伝導率は低くなる。言い換えると、電着電流密度が低くなるにつれて、電着膜熱伝導率は高くなる。電流密度の低下により、電着膜は緻密化し、電着膜中のアルミナの占有率が増大するためである。したがって、電着時の電着電流密度を下げることで、電着膜の熱伝導率を高くすることができる。しかし、電流密度を下げすぎると、基板全体に均一な電着膜を形成することが困難であり、均一な電着膜を得られる程度に電着電流密度を下げることが好ましい。
【００７１】
次に、メタルコア基板１の絶縁破壊電界強度について説明する。
【００７２】
図１０は、本実施の形態に係る電着膜の絶縁破壊電界強度の評価装置を示す図である。
【００７３】
図１０に示すように、絶縁破壊電界強度の評価装置４０は、容器中に下部電極４２と、計測試料４４と、上部電極４６と、電源４８とを備えている。容器中には、例えば３Ｍ製品のフロリナート（登録商標）等のフッ素系不活性液体が入れられ、フッ素系不活性液体中に下部電極４２と、計測試料４４と、上部電極４６とがこの順に配置される。下部電極４２と上部電極４６との間には、電源４８が接続されている。
【００７４】
下部電極４２および上部電極４６は、例えばステンレス鋼製の平板電極で構成される。上部電極４６は、例えば平坦部の直径が１０ｍｍφ、端部曲率は１０ｍｍである。下部電極４２の大きさは、計測試料４４が載置できる大きさで、例えば５０ｍｍφである。また、電源４８から下部電極４２と上部電極４６との間に印加することができる最大の電圧は、１０ｋＶである。絶縁破壊電界強度の評価装置４０において、下部電極４２と上部電極４６との間にかかる電圧を徐々に増加させ、５．０ｍＡ以上の電流が流れたときを絶縁膜破壊とする。
【００７５】
この条件において、計測試料４４をメタルコア基板１として、メタルコア基板１の絶縁破壊電界強度を計測した。一例として、分子量８０００の変性ＥＳ−ＰＤＭＳ（ＥＳ−ＰＤＭＳ−Ａ）を含む電着液を用いて製造されたメタルコア基板１では、電着膜の膜厚が３５μｍの場合に絶縁耐電圧が３．４ｋＶであり、絶縁破壊電界強度は９８ｋＶ／ｍｍという特性が得られた。
【００７６】
ここで、図１１は、本実施の形態に係るメタルコア基板１について、電着膜の硬度、熱伝導率および絶縁破壊電界強度の特性をまとめた図である。ここで、電着膜の硬度とは、ひっかき硬度のことである。電着膜の硬度は、例えばひっかき硬度計（ＥＲＩＣＨＳＥＮ製ＭＯＤＥＬ３１８−Ｓ）により測定される。また、図１１では、エチルシリケート（ＥＳ）と、変性ＥＳ−ＰＤＭＳ−Ａ（分子量Ｍｗ＝８０００）、変性ＥＳ−ＰＤＭＳ−Ｂ（分子量Ｍｗ＝２２０００）、または、変性ＥＳ−ＰＤＭＳ−Ｃ（分子量Ｍｗ＝４２０００）とを混合したＰＤＭＳ系ハイブリッド（図中の「変性ＰＤＭＳ」）とアルミナ粒子とを含む電着液を用いて製造されたメタルコア基板の特性について示している。
【００７７】
図１１において、示されたＰＤＭＳ系ハイブリッド（図中の「変性ＰＤＭＳ」）のうち、ＥＳ（ＥＳ４５）の配合量を５重量部、ＥＳ−ＰＤＭＳ（変性ＥＳ−ＰＤＭＳ−Ａ、変性ＥＳ−ＰＤＭＳ−Ｂ、または、変性ＥＳ−ＰＤＭＳ−Ｃ変性）の配合量を１５重量部として配合したＰＤＭＳ系ハイブリッドについて、アルミニウム基板１０ａに電着膜を形成した場合のメタルコア基板１について比較する。
【００７８】
硬度については、変性ＥＳ−ＰＤＭＳ−Ａでは２．０Ｎ、変性ＥＳ−ＰＤＭＳ−Ｂでは２．０Ｎ、変性ＥＳ−ＰＤＭＳ−Ｃでは１．０Ｎであり、ＥＳ−ＰＤＭＳ−ＡまたはＥＳ−ＰＤＭＳ−Ｂのときに、特に高強度の電着膜が作成されていることがわかる。
【００７９】
熱伝導率については、変性ＥＳ−ＰＤＭＳ−Ａでは２．４Ｗ／ｍＫ、変性ＥＳ−ＰＤＭＳ−Ｂでは２．９Ｗ／ｍＫ、変性ＥＳ−ＰＤＭＳ−Ｃでは１．１Ｗ／ｍＫであり、分子量２２０００のときに最も熱伝導率の高い電着膜が作成されていることがわかる。
【００８０】
絶縁破壊電界強度については、変性ＥＳ−ＰＤＭＳ−Ａでは７６．０ｋＶ／ｍｍ、変性ＥＳ−ＰＤＭＳ−Ｂでは９７．１ｋＶ／ｍｍ、変性ＥＳ−ＰＤＭＳ−Ｃでは３０．９ｋＶ／ｍｍであり、分子量２２０００のときに最も絶縁破壊電界強度の高い電着膜が作成されていることがわかる。
【００８１】
また、図１１において、示されたＰＤＭＳ系ハイブリッド（図中の「変性ＰＤＭＳ」）のうち、変性ＥＳ（ＥＳ４５）の配合量を５重量部とし、ＥＳ−ＰＤＭＳ−Ａ（分子量Ｍｗ＝８０００）の配合量を１５重量部と１７．５重量部として配合したＰＤＭＳ系ハイブリッドについて、アルミニウム基板１０ａに電着膜を形成した場合のメタルコア基板１について比較する。
【００８２】
硬度については、ＥＳ−ＰＤＭＳ−Ａの配合量を１５重量部とした場合では２．０Ｎ、ＥＳ−ＰＤＭＳ−Ａの配合量を１７．５重量部とした場合では３．３Ｎであり、ＥＳ−ＰＤＭＳの配合量が高いほうが高強度の電着膜が作成されていることがわかる。
【００８３】
熱伝導率については、ＥＳ−ＰＤＭＳ−Ａの配合量を１５重量部とした場合では２．４Ｗ／ｍＫ、ＥＳ−ＰＤＭＳ−Ａの配合量を１７．５重量部とした場合では３．１Ｗ／ｍＫであり、ＥＳ−ＰＤＭＳ−Ａの配合量が高いほうが熱伝導率の高い電着膜が作成されていることがわかる。
【００８４】
絶縁破壊電界強度については、ＥＳ−ＰＤＭＳ−Ａの配合量を１５重量部とした場合では７６．０ｋＶ／ｍｍ、ＥＳ−ＰＤＭＳ−Ａの配合量を１７．５重量部とした場合では７９．５ｋＶ／ｍｍであり、ＥＳ−ＰＤＭＳ−Ａの配合量が高いほうが絶縁破壊電界強度の高い電着膜が作成されていることがわかる。
【００８５】
また、図１１において、示されたＰＤＭＳ系ハイブリッド（図中の「変性ＰＤＭＳ」）のうち、変性ＥＳの配合を５重量部と７．５重量部とし、ＥＳ−ＰＤＭＳ−Ａの配合量を１７．５重量部としてアルミニウム基板１０ａに電着膜を形成した場合のメタルコア基板１について比較する。
【００８６】
硬度については、ＥＳの配合量を５重量部とした場合では３．３Ｎ、ＥＳの配合量を７．５重量部とした場合では３．５Ｎであり、ＥＳの配合量が高いほうが高強度の電着膜が作成されていることがわかる。
【００８７】
熱伝導率については、ＥＳの配合量を５重量部とした場合では３．１Ｗ／ｍＫ、ＥＳの配合量を７．５重量部とした場合では２．２Ｗ／ｍＫであり、ＥＳの配合量が低いほうが熱伝導率の高い電着膜が作成されていることがわかる。
【００８８】
絶縁破壊電界強度については、ＥＳの配合量を５重量部とした場合では７９．５ｋＶ／ｍｍ、ＥＳの配合量を７．５重量部とした場合では８９．１ｋＶ／ｍｍであり、ＥＳの配合量が高いほうが絶縁破壊電界強度の高い電着膜が作成されていることがわかる。
【００８９】
以上の全ての実施例は、図１１に示されるように、比較例（特許文献１）で得られた電着膜に比べて高い絶縁性と熱伝導性を有している。
【００９０】
また、主鎖ＰＤＭＳ分子量が８０００（変性ＥＳ−ＰＤＭＳ−Ａ）より小さい場合には、電着膜の応力緩和性が不十分で基板のそりが大きくなりやすい。また、主鎖ＰＤＭＳ分子量８００００を超える場合、電着液中で変性ＰＤＭＳ成分の分離が起こりやすく一様な電着膜の形成には不適である。以上の結果から、変性ＥＳ−ＰＤＭＳの分子量は８０００から８００００程度が好ましい。
【００９１】
以上より、本技術によれば、アルミニウム基板１０ａにアルミナの電着膜を形成する際の電着液２８のバインダ材料として、上述したＰＤＭＳ系ハイブリッドを使用することにより、アルミニウムとアルミナとの熱膨張率の差を緩和することができる。変性ＥＳ−ＰＤＭＳの加熱により得られる重合体は、高い耐熱性（連続２００℃、短時間４００℃以上）と柔軟性を有する。よって、メタルコア基板１において、高い熱伝導率と絶縁耐圧（絶縁耐電圧）を有する電着膜を得ることができる。
【００９２】
なお、ＥＳ５重量部、ＥＳ−ＰＤＭＳ−Ｂを１５重量部添加した電着液により作製された電着膜を３００℃で２００時間保管したが、熱伝導率、絶縁耐圧、接着強度に変化はなく、３００℃から室温までの急冷、急加熱の熱ショックに対しても耐性を有することが確認できている。
【００９３】
また、未硬化の電着膜を接着層として、メタルコア基板１上に金属配線層の形成も可能である。基材として、エタノールとアセトンにて脱脂した長さ８０ｍｍ、幅２０ｍｍ、厚さ２ｍｍのアルミニウム基板（Ａ２０１７Ｓ）と長さ８０ｍｍ、幅２０ｍｍ、厚さ０．２ｍｍの銅板の上に、ＥＳ５重量部、分子量２２０００の変性ＥＳ−ＰＤＭＳ１５重量部を添加した電着液により形成された厚さ２５μｍの電着膜を形成する。その後、アルミニウム板と銅板の電着面同士を張り合わせて、ピンチ２個を用いて圧締した状態で、２５０度で２時間の加熱処理を施すと、銅／絶縁層／アルミニウム積層構造が形成される。銅板およびアルミニウム板間の接着強度を、ＪＩＳ  Ｋ６８５０  剛性被着材の引張りせん断接着強さの試験方法に準拠し、引張り試験機（株式会社島津製作所製精密万能試験機オートグラフＡＧＳ−Ｊ）を用いて各アルミニウム板の端部を反対方向に試験速度５ｍｍ／ｍｉｎで引張り、接着面が剥がれるときの応力を接着面積（２０ｍｍ×２０ｍｍ）で除することにより、接着強度（ＭＰａ）を算出すると、接着強度は、例えば０．５ＭＰａ（１．８ＭＰａなど）となることが確認されている。
【００９４】
次に、以上で説明したメタルコア基板１の特性評価（測定）に加えて、さらに詳細にメタルコア基板１の特性評価（測定）を行ったので、以下、４−１．電着時の電流条件による電着膜の構造への影響、４−２．電着時の電流条件による電着膜の耐熱性への影響、４−３．電着膜の組成比の測定、４−４．誘電特性についての検討として、説明する。
【００９５】
［４−１．電着時の電流条件による電着膜の構造への影響］
図１２は、本実施の形態に係る各種メタルコア基板１について、電着時の電流条件（電流値）を変化させたときに得られた電着膜の硬度についての測定結果を示す図である。ここでは、メタルコア基板１の製造に用いられた電着液に含まれるＰＤＭＳ系ハイブリッドに含まれるＥＳの配合量（ｇ）並びにＥＳ−ＰＤＭＳの配合量（ｇ）及び分子量（Ｍｗ）の組み合わせが異なる６種類について、電着時の電流が５Ａ、７．５Ａ、１０Ａ、１２Ａで電着して得られたメタルコア基板１の電着膜の硬度に関する測定結果が示されている。なお、配合量（ｇ）は、電着液１００ｇに対する配合量を示している。また、図中の測定結果において、「×」はその条件で作製した電着膜のすべてにクラックが発生したことを示し、「△」は一部の電着膜にクラックが発生したことを示し、「○」はすべての電着膜にクラックが全く発生しなかったことを示し、「△」または「○」とともに記載された数値（Ｎ）は、測定された硬度を示す。
【００９６】
図１２に示される測定結果より、電着時に低い電流を印加した場合には、電着膜として、アルミナが緻密に堆積されやすく、かつ、バインダの割合が低いため、クラックが入りやすいと考えられる。
【００９７】
図１３は、本実施の形態に係る各種メタルコア基板１について、電着時の電流条件（電流密度）を変化させたときに得られた電着膜の硬度についての測定結果（図１３の（ａ））、および、推定される電着膜中のバインダの成分量（図１３の（ｂ））を示す図である。
【００９８】
つまり、図１３の（ａ）は、図１２に示された硬度（測定値）を、電着時の電流密度（Ａ／ｃｍ２）と硬度（Ｎ）との関係を示すグラフとしてプロットした図である。ただし、図１２に示す測定結果に対して若干の測定結果が追加されている。４種類のカーブは、用いられた電着液に含まれるＰＤＭＳ系ハイブリッドを構成するＥＳ−ＰＤＭＳの配合量（ｇ）及び分子量（Ｍｗ）の組み合わせ（４種類）に対応する。
【００９９】
また、図１３の（ｂ）は、ＥＳ−ＰＤＭＳの配合量（ｇ）及び分子量（Ｍｗ）の組み合わせが異なる５種類の電着液を用いて得られる電着膜に含まれるバインダ（樹脂）の重量比（％；推定値）を示している。
【０１００】
図１３の（ａ）および（ｂ）から、次のことが分かる。つまり、電着時の電流密度が小さすぎると、電着とは関係なくメタル基板１０の表面に付着するバインダ（樹脂）の成分が相対的に大きくなり、バインダの重量比が高くなる（図１３の（ｂ）における電流密度０．８ｍＡ／ｃｍ２でのデータ参照）。また、電着時の電流密度が大きくなるに従い、電着膜中のバインダの割合が高くなり（図１３の（ｂ）における電流密度が２．０ｍＡ／ｃｍ２以上でのデータ参照）、電着膜の硬度が低下する（図１３の（ａ）における電流密度が２．０ｍＡ／ｃｍ２以上でのデータ参照）。
【０１０１】
また、図１３の（ａ）から、ＥＳ−ＰＤＭＳの分子量と電着膜の硬度との関係について、次のことが分かる。つまり、ＥＳ−ＰＤＭＳの分子量が小さいと、電着膜の硬度は大きくなり、クラックが入りやすい。一方、ＥＳ−ＰＤＭＳの分子量が大きいと、電着膜の硬度は小さくなり、クラックが発生しにくい。また、電着時の電流を大きくすれば、電着膜はポーラスにやりやすく、応力緩和しやすくなる。その結果、クラックがない電着膜ができる（つまり、ポーラスなため、熱伝導性が低下する）。
【０１０２】
図１４は、本実施の形態に係る各種メタルコア基板１について、電着時の電流条件（電流または電圧）を変化させたときに得られる電着膜におけるバインダ成分（推定値）の堆積速度を示す図である。つまり、図１４の（ａ）は、図１３の（ｂ）と同一であり、図１４の（ｂ）は、図１４の（ａ）における長円で囲まれたデータをバインダ成分の堆積速度に換算して得られるカーブを示す。
【０１０３】
図１４の（ｂ）から分かるように、電着液に含まれるＰＤＭＳ系ハイブリッドを構成するＥＳ−ＰＤＭＳの分子量の違いによって、バインダ成分の堆積速度が異なる。低分子量のＥＳ−ＰＤＭＳを用いると、低い電流でバインダ成分の堆積速度が増加すると考えられる。
【０１０４】
以上の図１２〜図１４で得られた知見をまとめると、電着時の電流量が与える電着膜のアルミナ成分およびバインダ成分への影響は、次の通りである。
【０１０５】
（１）アルミナ成分への影響
アルミナ粒子は、粒度分布を持つ。つまり、電着時の電流が小さいときは、小さなアルミナ粒子が電着されやすい。また、電流量の増大につれて、大きなアルミナ粒子が相対的に多く堆積されるようになる。
【０１０６】
言い換えると、低電流条件では、粒度分布の狭いアルミナ粒子の堆積がなされ、高電流条件では、粒度分布の広い条件での堆積がなされる。
【０１０７】
よって、低電流条件では緻密な電着膜に、大電流条件ではポーラスな電着膜になりやすい。
【０１０８】
（２）バインダ成分への影響
電流量の増大につれて、電着速度が上がるのはアルミナ粒子と同様である。
【０１０９】
厳密には、ＥＳとＥＳ−ＰＤＭＳでは、電気泳動条件が異なる。すなわち、低分子量のＥＳの方が、高分子量のＥＳ−ＰＤＭＳと比べて、低電流条件でも堆積されやすいと考えられる。よって、電流条件によって、バインダ成分としてのＥＳとＥＳ−ＰＤＭＳとの割合は異なる可能性もあるが、分子量の違いによる密度の違いはわずか（１．０４〜１．２の範囲）であるため、電着膜の組成評価の際には、電流条件の異なる場合も非電着膜と同一と仮定している。
【０１１０】
大電流条件ほど、電着膜中のバインダの割合が高くなる。
【０１１１】
［４−２．電着時の電流条件による電着膜の耐熱性への影響］
図１５は、本実施の形態に係る各種メタルコア基板１について、電着時の電流条件（電流密度）を変化させたときに得られた電着膜の耐熱性についての測定結果を示す図である。つまり、図１５の（ａ）は、電着膜の重量が３％減少する温度（３％重量減少温度（℃））を示し、図１５の（ｂ）は、６００℃における電着膜の重量の減少割合（重量減少＠６００℃（％））を示す。図１５の（ａ）および（ｂ）において、５種類のカーブは、用いられた電着液に含まれるＰＤＭＳ系ハイブリッドを構成するＥＳ−ＰＤＭＳの配合量（ｇ）及び分子量（Ｍｗ）の組み合わせ（５種類）に対応する。
【０１１２】
図１５に示される測定結果から、電着液に配合されるＥＳ−ＰＤＭＳの割合が増大するに従い、形成された電着膜の耐熱性が低下することが分かる。
【０１１３】
上記で述べた４−１．電着時の電流条件による電着膜の構造への影響、および、４−２．電着時の電流条件による電着膜の耐熱性への影響を考慮して、電着層を形成（あるいは、選択的に形成）する工程では、バインダの分子量に依存して定まる電流密度の電流を用いた電着法を用いることで、電着膜に含まれるバインダの割合を制御し、電着膜の硬度および耐熱性を制御できることが分かる。
【０１１４】
［４−３．電着膜の組成比の測定］
メタルコア基板１に形成された電着膜の組成比を評価したので、その評価方法と評価結果を説明する。
【０１１５】
図１６は、電着膜の組成比の評価方法（推定方法）を示す図である。つまり、図１６の（ａ）は、電着膜の構造を示す模式図であり、図１６の（ｂ）は、組成比の推定方法を示すフロー図である。
【０１１６】
図１６の（ａ）に示されるように、電着膜は、アルミナとバインダと空孔（空気）とから構成されていると仮定する。そして、図１６の（ｂ）に示されるように、熱重量分析（ＴＧ）により、アルミナ・バインダ比（重量比）を推定し、一方、アルキメデス法により、電着膜の密度を測定し、得られたアルミナ・バインダ比（重量比）と電着膜の密度とから、電着膜に示すアルミナ、バインダおよび空孔の体積比を推定した。
【０１１７】
図１７は、図１６の（ｂ）に示される「ＴＧによるアルミナ・バインダ比（重量比）の推定」の詳細な方法を示す図である。
【０１１８】
まず、図１７の（ａ）に示されるように、アルミナとバインダとを含む電着膜、アルミナのみの電着膜、及び、バンダの硬化体のそれぞれを１０００℃まで加熱した時の重量減少量を測定する。図１７の（ａ）は、その測定結果を示す図である。ここでは、左の図が、アルミナとバインダ（ここでは、ＥＳと分子量Ｍｗが２２０００のＥＳ−ＰＤＭＳ−Ｂとを、ＥＳ：ＥＳ−ＰＤＭＳ＝５：１５で配合したＰＤＭＳ系ハイブリッドで形成したバインダ）を含む電着膜の温度依存による重量減少量（残留重量（％））を示し、右の図が、アルミナのみの電着膜（「バインダ添加無  電着膜」）およびバインダの硬化体（「ＥＳ＋ＥＳ−ＰＤＭＳ」）の温度依存による重量減少量（残留重量（％））を示す。
【０１１９】
次に、図１７の（ｂ）に示されるように、求めた重量減少量からアルミナおよびバインダの重量比（ｗｔ％）を推定する。図１７の（ｂ）は、その重量比の推定方法を示す図である。ここでは、電着膜の熱重量減少を示す模式図、電着膜をアルミナ成分とバインダ成分とに分けたときの熱重量減少を示す模式図、アルミナの重量比ｘとセラミックスの重量減少分ａ（％）とバインダの重量減少分ｂ（％）と電着膜の重量減少分ｃ（％）との関係を示す式（ｃ＝ａｘ／１００＋ｂ（１００−ｘ）／１００、ｘ＝１００（ｃ−ｂ）／（ａ−ｂ））、および、その式と図１７の（ａ）に示される測定結果（ａ＝２．８％、ｂ＝７１．２％、ｃ＝６．５％）から求められたアルミナおよびバインダの重量比の例が示されている。アルミナ成分の重量比として９４．６％、バインダ成分として５．４％の例が示されている。
【０１２０】
図１８は、図１６の（ｂ）に示される「アルキメデス法による電着膜の密度測定」の詳細な方法を示す図である。
【０１２１】
図１８の（ａ）は、アルキメデス法の装置の概要と密度の算出式を示している。アルキメデス法の装置として、ＩＰＡ（密度ρ＝０．７８５）が満たされたビーカーの中に、上方に載置された電子天秤からつり糸で吊り下げられた密度測定籠が浸されている様子が示されている。また、密度の算出式として、物体の密度ｄｓ＝｛物体の空気中で秤量したときにつりあう質量ｗ／（ｗ−物体が液体中にあるときにつりあう質量ｗ’）｝×（物体を浸す液体の密度ｄ１）が示されている。
【０１２２】
図１８の（ｂ）は、図１８の（ａ）に示される方法で算出されたバインダおよび電着膜の密度の計算例を示す。ここでは、バインダの密度として１．１ｇ／ｍ３、電着膜の密度として３．３０±０．０３ｇ／ｍ３の例が示されている。
【０１２３】
図１９は、図１７に示された「ＴＧによるアルミナ・バインダ比（重量比）」および図１８に示された「アルキメデス法による電着膜の密度」から算出される電着膜の体積比の例を示す図である。ここでは、図１７で説明したように、ＥＳと分子量Ｍｗが２２０００のＥＳ−ＰＤＭＳとを、ＥＳ：ＥＳ−ＰＤＭＳ＝５：１５で配合したＰＤＭＳ系ハイブリッドを含む電着液で形成された電着膜とその電着膜を構成するアルミナ、バインダおよび空孔の重量比（ｗｔ％）、密度（ｇ／ｃｍ３）および体積比（％）の例が示されている。
【０１２４】
図２０は、電着液におけるＥＳ−ＰＤＭＳの添加量を変えた場合の電着膜の構造変化の例を示す図である。ここでは、図１６〜図１９で示された方法によって実測された各種電着膜の成分の重量比（ｗｔ％、図２０の（ａ））および体積比（％、図２０の（ｂ）、図２０の（ｃ））の例が示されている。用いられたＥＳ−ＰＤＭＳの分子量Ｍｗは６０００であり、ＥＳとの配合量（ＥＳ：ＥＳ−ＰＤＭＳ）は、５：５、５：１０、５：１５、５：２０の４種類である。
【０１２５】
図２０に示された結果から分かるように、ＥＳに対するＥＳ−ＰＤＭＳの配合量が増えるに従って、電着膜に占めるバインダ成分および空孔成分の体積が増えていく。
【０１２６】
図２１は、電着液におけるＥＳ−ＰＤＭＳの分子量を変えた場合の電着膜の構造変化（体積比の変化）の例を示す図である。ここでは、図１６〜図１９で示された方法によって実測された各種電着膜の成分の体積比（％）の例が示されている。ＥＳ−ＰＤＭＳの分子量が８０００での結果と２２０００での結果が示されている。
【０１２７】
図２１に示された結果から分かるように、ＥＳ−ＰＤＭＳの分子量が大きいほど電気泳動がされにくいので、相対的にアルミナの占有率が増加し、空孔率も増大する恐れがある。
【０１２８】
図２２は、Ｂｒｕｇｇｅｍａｎの式を用いて得られる電着膜の熱伝導率についての推測値と実測値との比較結果を示す図である。フィラーとマトリックスの２成分からなる複合体（コンパウンド）の熱伝導率は、図２２の（ａ）のＢｒｕｇｇｅｍａｎの式で示される。図２２の（ｂ）は、アルミナの体積充填率（％）とアルミナ―バインダからなる電着膜の熱伝導率（Ｗ／ｍＫ）との関係を示す図である。ここには、図２２の（ａ）に示されたＢｒｕｇｇｅｍａｎの式から得られる熱伝導率の理論曲線（推測値）と、分子量２２０００および分子量８０００のＥＳ−ＰＤＭＳを用いて得られた電着膜の熱伝導率の実測値とが描かれている。ただし、アルミナとバインダの熱伝導率をそれぞれ、２０Ｗ／ｍＫ、０．２Ｗ／ｍＫとしている。図２２の（ｃ）は、図２２の（ｂ）に示された２つの実測値と理論値（推測値）とを比較して示す図である。
【０１２９】
図２２の（ｂ）および（ｃ）から分かるように、Ｂｒｕｇｇｅｍａｎの式を用いて得られる電着膜の熱伝導率についての推測値に比べて、実測値は、小さな値となる。これは、電着膜に含まれる空孔の影響によるものと考えられる。図２０の結果からわかるように、より分子量の大きなＥＳ−ＰＤＭＳを用いて得られた電着膜は、空孔成分の堆積が大きいため、実測値は理論値（推測値）から大きく異なる値となる。
【０１３０】
図２３は、各種電着液を用いた製造されたメタルコア基板１の特性を示す図である。本図は、図１１に示された測定結果に対して測定結果が追加されたものに相当し、左から、「ＥＳ−ＰＤＭＳの種類」（電着液に配合されたＥＳ−ＰＤＭＳの分子量）、「ＥＳ４５配合量（部）」（ＥＳの配合量）、「ＥＳ−ＰＤＭＳの配合量（部）」、得られた電着膜の「硬度（Ｎ）」、「熱伝導率（Ｗ／ｍＫ）」、「絶縁破壊（電界）強度（ｋＶ／ｍｍ）」、「耐熱温度（３％重量減少温度）（℃）」、「複合体に示すバインダ成分の重量比（ｗｔ％）」、「アルミナの体積比（％）」、「バインダの体積比（％）」、「空孔（空気）の体積比（％）」が示されている。
【０１３１】
図２３に示される実測値から、次のことが分かる。つまり、ＥＳ−ＰＤＭＳの配合量の増大に伴い、電着膜におけるバインダ成分が増大する。このとき、バインダ成分の増大によって、耐熱温度は低下する傾向となる。
【０１３２】
また、同じ配合量（ＥＳ５ｇ＋ＥＳ−ＰＤＭＳ１５ｇ）で比較した場合、ＥＳ−ＰＤＭＳの分子量の増大により、耐熱性は向上する傾向がある。これは、ＥＳ−ＰＤＭＳの分子量の増大により電着膜を占めるバインダ成分の割合が低下するためである。前記の図２２に示すように、空孔がない場合であれば、複合体の熱伝導率が２．０Ｗ／ｍＫ以上となるためには、アルミナの占有率（体積充填率）は）５８％以上、複合体の熱伝導率が３．０Ｗ／ｍＫ以上となるためには、アルミナの占有率（体積充填率）は）６５％以上でなければならない。一方、複合膜に空孔（ボイド）がある場合、複合体の熱伝導率は低下する。空孔率が低い場合（５％以下）、空孔率ｆのときの複合体の熱伝導率ｋｅと母材の熱伝導率ｋｍの関係は、小さな球状空孔が一様に分散するものとみなしたＢｒｕｇｇｅｍａｎの式
ｋｅ／ｋｍ＝（１−ｆ）３／２
に従う。この式によれば、空孔率が０．０５のとき、熱伝導率は７．５％程度低下し、空孔率が０．１のとき、熱伝導率は１５％程度低下することが推測される。しかし、空孔率が大きくなるにつれ空孔のサイズは大きくなり、上記のＢｒｕｇｇｅｍａｎの式で求められる複合体の熱伝導率からの乖離が大きくなり、急激に熱伝導率が低下する。また、空孔の増加は絶縁特性を低下させる。以上のことから、空孔率は５％以下であることが望ましい。
【０１３３】
さらに空孔の存在による複合体熱伝導率の低下を見込むならば、アルミナの占有率は６５％以上出ることが望ましい。図２３に示したように、複合体を占めるアルミナ、空孔（空気）の割合が、それぞれ６５％以上、５％以下となる複合体が製作されている。
【０１３４】
図２４は、図２３に示された測定結果のうち、「熱伝導率（Ｗ／ｍＫ）」に関する測定結果の一部を示すグラフである。ここでは、電着液１００ｇに含まれるＰＤＭＳ系ハイブリッド（５ｇのＥＳとＥＳ−ＰＤＭＳ）として配合されるＰＤＭＳの添加量（横軸（ｇ））と、その電着液で形成されたメタルコア基板の熱伝導率（縦軸（Ｗ／ｍＫ））との関係がプロットされている。
【０１３５】
図２４において、同じ量のＰＤＭＳ系ハイブリッド（５ｇのＥＳと１５ｇのＥＳ−ＰＤＭＳ）が配合された電着液で形成されたメタルコア基板の熱伝導率（横軸が１５ｇにおけるプロット）に着目すると、次のことが分かる。つまり、ＰＤＭＳの分子量が小さい場合は（Ｍｗ＝８０００）、バインダ量が多くなりやすく、その結果、アルミナのアルミナ占有率が低下しやすいため、熱伝導率は低くなる。ＰＤＭＳの分子量が大きくなると（Ｍｗ＝２２０００）、バインダ量は低下して、相対的にアルミナ占有率は高くなり、熱伝導率が増大する。ＰＤＭＳの分子量がさらに大きくなると（Ｍｗ＝７６０００）、バインダ量がさらに減少する。電着条件は大電流条件となるため、電着膜はポーラスになりやすいと考えられる。その結果、熱伝導率は低下する。
【０１３６】
図２５は、図２３に示された測定結果のうち、「耐熱温度（３％重量減少温度）（℃）」に関する測定結果の一部（追加された測定結果含む）を示すグラフである。ここでは、電着液１００ｇに含まれるＰＤＭＳ系ハイブリッド（５ｇのＥＳとＰＤＭＳ）として配合されるＰＤＭＳの添加量（横軸（ｇ））と、その電着液で形成された電着膜の耐熱温度（３％重量減少温度）（℃）との関係がプロットされている。
【０１３７】
図２５に示されるプロットから、次のことが分かる。つまり、電着液へのＰＤＭＳの添加量が増加するにしたがい、耐熱性が低下する。これは、電着膜中のポリマー成分が増大するためと考えられる。また、電着液へのＰＤＭＳの添加量が同じでも、ＰＤＭＳの分子量により、電着膜でのポリマー比が異なり、耐熱性は変化する。ＰＤＭＳの分子量が大きいほど、電着膜を占めるポリマー成分の割合は低下し、その結果、電着膜の耐熱性は高くなる。
【０１３８】
［４−４．誘電特性についての検討］
図２６は、本実施の形態に係る２種類のメタルコア基板１の電着膜の比誘電率の測定値およびその測定値を用いて求めたアルミナ占有率の推定値などを示す図である。より詳しくは、図２６の（ａ）は、本実施の形態に係る２種類のメタルコア基板１の電着膜の比誘電率の１ｋＨｚにおける測定値を示すグラフである。図２６の（ｂ）は、図２６の（ａ）に示される測定値から電着膜中のアルミナ占有率を求めるのに用いた有効媒質理論に基づく関係式である。図２６の（ｃ）は、図２６の（ａ）に示される測定値（「比誘電率」）、その測定値と図２６の（ｂ）に示される関係式とから求めたアルミナ占有率の推定値（「誘電率測定による推定値」）、および、熱重量測定と密度測定とから推定されるアルミナ占有率（「ＴＧ測定、密度測定からの推定値」）を示す表である。２種類のメタルコア基板１の電着膜は、ＰＤＭＳ系ハイブリッドに配合されるＥＳとＥＳ−ＰＤＭＳの配合量が、ＥＳ：ＥＳ−ＰＤＭＳ＝５：５、および、ＥＳ：ＥＳ−ＰＤＭＳ＝５：１５である場合に得られる電着膜である。
【０１３９】
ＥＳ：ＥＳ−ＰＤＭＳ＝５：５、および、ＥＳ：ＥＳ−ＰＤＭＳ＝５：１５である場合に得られる電着膜の１ｋＨｚにおける比誘電率は、図２６の（ａ）のグラフおよび図２６の（ｃ）の表の「比誘電率」に示されるように、それぞれ６．９、５．９となった。図２６の（ｂ）に示される関係式は、電着膜におけるアルミナの充填率Ｘ、アルミナの比誘電率ε１、ＰＤＭＳ系ハイブリッドの比誘電率ε２、および、電着膜の比誘電率εｅｆｆの間で成り立つ式である。ここで、この関係式において、アルミナの比誘電率ε１として９．０（文献値）、ＰＤＭＳ系ハイブリッドの比誘電率ε２として２．８（＠１ｋＨｚ）を代入することで、アルミナの充填率Ｘを推測すると上記２種類の電着膜のそれぞれについて、７４％および５９％が得られた（図２６の（ｃ）の「誘電率測定による推定値」）。これは、熱重量測定および密度測定で見積もられた値（図２６の（ｃ）の「ＴＧ測定、密度測定からの推定値」に示される７８％および５３％）とほぼ等しい値である。
【０１４０】
本実施の形態に係る電着膜の比誘電率（６．９および５．９）がアルミナの比誘電率（９．０）に比べて低いことから、本実施の形態に係るメタルコア基板は、マイクロ波デバイス向けの基板としても有用であることが分かる。
【０１４１】
［５．効果］
以上、本実施の形態に係るメタルコア基板によると、高耐熱性、耐熱衝撃性を有する絶縁放熱基板を形成することができる。すなわち、フレキシブルで、耐熱性を有するポリジメチルシロキサン系有機・無機ハイブリッド材料をバインダとする電着液を用いることで、耐熱性、温度変化に対する応力緩和性に優れるセラミックス層を形成することができる。
【０１４２】
具体的には、本実施の形態に係るメタルコア基板は、（１）折り曲げてもセラミックス層は剥離しない、（２）３００℃の耐熱性を有する、室温から３００℃の熱衝撃に耐える応力緩和性を有する、（３）高絶縁性を有する（３．０ｋＶ／５０ｕｍ）、（４）高い放熱性（２．５Ｗ／ｍＫ）、（５）電着膜を介した接着により配線層の貼り付けが可能などの特徴を有することがわかる。一例として、２Ｗ／ｍＫ以上の熱伝導率および５０ｋＶ／ｍｍ以上の絶縁破壊電界強度を有し、かつ、耐熱温度が２００℃以上であるメタルコア基板が実現される。
【０１４３】
なお、上述した実施の形態では、バインダ材料について、オルガノポリシロキサン系有機・無機ハイブリッド材料を例として説明したが、その他の材料であってもよい。例えば、オルガノポリシロキサン系有機・無機ハイブリッド材料を含む、オルガノポリシロキサン組成物の硬化体であればよい。
【０１４４】
金属アルコキシド末端変性オルガノポリシロキサンの例として、エチルシリケート末端変性オルガノポリジメチルシロキサン（ＥＳ−ＰＤＭＳ）を示したが、その他の金属アルコキシド末端変性オルガノポリシロキサンを用いることが出来る。金属アルコキシド末端変性オルガノポリシロキサンは、一般式（１）に示すオルガノポリシロキサンの主鎖の片末端若しくは両末端、あるいは側鎖の少なくとも一方側を、一般式（２）、（３）または（４）に示す金属アルコキシド若しくはその加水分解縮合物にて修飾したものである。
【０１４５】
【化１】
0006519794.tif 000002
【０１４６】
【化２】
0006519794.tif 000003
【０１４７】
【化３】
0006519794.tif 000004
【０１４８】
【化４】
0006519794.tif 000005
【０１４９】
オルガノポリシロキサンとしては、例えば、ポリジアルキルシロキサン、ポリジアリールシロキサン、ポリアルキルアリールシロキサン等を好適に挙げられ、より具体的には、ポリジメチルシロキサン、ポリジエチルシロキサン、ポリジフェニルシロキサン、ポリメチルフェニルシロキサン、ポリジフェニルジメチルシロキサン等を挙げられる。これらの内の１種類を用いても良く、あるいは２種類以上を併用しても良い。
【０１５０】
オルガノポリシロキサンの主鎖の少なくとも片末端あるいは側鎖の少なくとも一方であって少なくとも一部を修飾する金属アルコキシドとしては、特に制限は無いが、アルコキシシランが特に好ましい。アルコキシシランとしては、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラ−ｎ−プロポキシシラン、テトラ−ｉ−プロポキシシラン、テトラ−ｎ−ブトキシシランなどのテトラアルコキシシラン類；メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、ｎ−プロピルトリメトキシシラン、ｎ−プロピルトリエトキシシラン、ｉ−プロピルトリメトキシシラン、ｉ−プロピルトリエトキシシラン、ｎ−ブチルトリメトキシシラン、ｎ−ブチルトリエトキシシラン、ｎ−ペンチルトリメトキシシラン、ｎ−ヘキシルトリメトキシシラン、ｎ−ヘプチルトリメトキシシラン、ｎ−オクチルトリメトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、シクロヘキシルトリメトキシシラン、シクロヘキシルトリエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、３−クロロプロピルトリメトキシシラン、３−クロロプロピルトリエトキシシラン、３，３，３−トリフルオロプロピルトリメトキシシラン、３，３，３−トリフルオロプロピルトリエトキシシラン、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、２−ヒドロキシエチルトリメトキシシラン、２−ヒドロキシエチルトリエトキシシラン、２−ヒドロキシプロピルトリメトキシシラン、２−ヒドロキシプロピルトリエトキシシラン、３−ヒドロキシプロピルトリメトキシシラン、３−ヒドロキシプロピルトリエトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリエトキシシラン、３−イソシアナートプロピルトリメトキシシラン、３−イソシアナートプロピルトリエトキシシラン、３−（メタ）アクリルオキシプロピルトリメトキシシラン、３−（メタ）アクリルオキシプロピルトリエトキシシラン、３−ウレイドプロピルトリメトキシシラン、３−ウレイドプロピルトリエトキシシランなどのトリアルコキシシラン類；ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジエチルジメトキシシラン、ジエチルジエトキシシラン、ジ−ｎ−プロピルジメトキシシラン、ジ−ｎ−プロピルジエトキシシラン、ジ−ｉ−プロピルジメトキシシラン、ジ−ｉ−プロピルジエトキシシラン、ジ−ｎ−ブチルジメトキシシラン、ジ−ｎ−ブチルジエトキシシラン、ジ−ｎ−ペンチルジメトキシシラン、ジ−ｎ−ペンチルジエトキシシラン、ジ−ｎ−ヘキシルジメトキシシラン、ジ−ｎ−ヘキシルジエトキシシラン、ジ−ｎ−ヘプチルジメトキシシラン、ジ−ｎ−ヘプチルジエトキシシラン、ジ−ｎ−オクチルジメトキシシラン、ジ−ｎ−オクチルジエトキシシラン、ジ−ｎ−シクロヘキシルジメトキシシラン、ジ−ｎ−シクロヘキシルジエトキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、ジフェニルジエトキシシランなどのジアルコキシシラン類を例示できる。これらのアルコキシシランの内の１種類を用いても良く、あるいは２種類以上を併用しても良い。アルコキシシランとしては、特に、テトラメトキシシランおよびトリメトキシメチルシランが好ましい。オルガノポリシロキサンとして、特に、ポリジメチルシロキサンおよびポリジフェニルジメチルシロキサンが好ましい。上記好ましいアルコキシシランと上記好ましいオルガノポリシロキサンとを組み合わせると、好適に、末端をメトキシシランにて修飾したポリジメチルシロキサンまたはポリジフェニルジメチルシロキサンを生成できる。
【０１５１】
アルコキシシランの加水分解縮合物としては、ポリメチルシリケート、ポリエチルシリケート、ポリプロポキシシリケート、ポリブトキシシリケート、ポリブトキシシリケートを好適に例示できる。これらのアルコキシシランの加水分解縮合物の内の１種類を用いても良く、あるいは２種類以上を併用しても良い。アルコキシシランの加水分解縮合物としては、特に、エチルシリケートが好ましい。オルガノポリシロキサンとしては、先に述べたように、ポリジメチルシロキサンおよびポリジフェニルジメチルシロキサンが好ましい。
【０１５２】
また、メタル基板１０としては、上記したアルミニウム基板に限らず、他の導電性基板を用いてもよく、例えば、銅、ＳＵＳ鋼等の金属基板や炭素基板等が例示される。また、セラミックス粒子についても、上記したアルミナ粒子２８ａに限らず、ＡｌＮ、ＭｇＯ、ＳｉＣ等の他のセラミックス材料であってもよい。
【０１５３】
（実施の形態２）
以下、実施の形態２について説明する。本実施の形態では、実施の形態１の［２．メタルコア基板の製造方法］で示した（２）のメタル基板にプラズマ電解酸化膜を形成し、その後電気泳動電着法により封孔処理を行うという製造方法について具体的に説明する。
【０１５４】
図２７〜図３２を参照しながら、メタル基板にプラズマ電解酸化膜を形成し、電気泳動電着法により封孔処理を行う製造方法について説明する。
【０１５５】
図２７は、本実施の形態に係るプラズマ電解酸化（ＰＥＯ）装置を示す図である。図２８は、本実施の形態に係るＰＥＯ膜の特性を示す図である。
【０１５６】
プラズマ電解酸化（ＰＥＯ）法は、水溶液中でプラズマを発生させてアルミニウム表面の薄い酸化膜をマイクロアークで放電破壊して、新たな酸化膜を形成する手法である。
【０１５７】
図２７に示すように、ＰＥＯ装置５０は、アルミニウム基板で構成されるアノード電極５５ａとカソード電極５５ｂと電源５８とを備えている。アノード電極５５ａとカソード電極５５ｂとの間には、例えば、６００Ｖの電圧が印加される。なお、上述した電気泳動電着法では、２枚のアルミニウム基板１０ａおよびＳＵＳ基板１０ｂの間には、４０Ｖ程度の電圧が印加される。
【０１５８】
プラズマ電解酸化を行ったメタル基板は、セラミックスのように、プラズマ電解酸化を行わないメタル基板に比べて硬度、耐蝕性、耐熱性、絶縁性が高い。図２８に示すように、硬度については、ＰＥＯを行っていないアルミニウム基板では３０〜１００Ｈｖであるのに対し、ＰＥＯを行った基板では、８００〜１４００Ｈｖである。
【０１５９】
耐蝕性（塩水噴霧に対する耐蝕性）については、ＰＥＯを行っていないアルミニウム基板が１００時間程度の耐蝕性を有するのに対し、ＰＥＯを行った基板では５０００時間程度の耐蝕性を有する。
【０１６０】
瞬間耐熱性については、ＰＥＯを行っていないアルミニウム基板では６４０℃程度であるのに対し、ＰＥＯを行った基板では２０００℃程度である。
【０１６１】
絶縁性については、ＰＥＯを行っていないアルミニウム基板では０であるのに対し、ＰＥＯを行った基板では厚さ５０μｍで２．５ｋＶである。
【０１６２】
したがって、ＰＥＯにより形成されたプラズマ電解酸化膜（ＰＥＯ膜）は、耐摩耗性、耐蝕性の高い酸化膜である。
【０１６３】
しかし、ＰＥＯ膜は、高い機械的強度を有するが、成膜時に発生するガスによりポーラスとなるため、表面の粗度は大きく、絶縁性に劣る場合がある。具体的には、ＰＥＯ膜は、熱伝導率が１Ｗ／ｍＫ以下、絶縁耐圧が２．５ｋＶ以下に留まる。したがって、電子回路基板として用いるためには、熱伝導性および絶縁性を強化するためにプラズマ電解酸化膜上に電着膜を形成するという封孔処理を行うことが有効である。
【０１６４】
電着膜を形成するには、上述した電気泳動電着法が用いられる。すなわち、図３Ａにおけるアルミニウム基板１０ａを、ＰＥＯ膜が形成されたアルミニウム基板として、ＰＥＯ膜上に電着膜を形成する。電着の条件は、電流を一定とし、例えば、電着膜の膜厚が５０μｍとなるように電着時間を適宜調整する。膜厚５０μｍの電着膜の形成後、２５０℃で２時間の加熱処理を行い、電着膜を硬化する。これにより、電着硬化膜が得られる。
【０１６５】
図２９Ａは、実施の形態に係る封孔処理前のＰＥＯ膜の表面を示す図である。図２９Ｂおよび図２９Ｃは、実施の形態に係る封孔処理後のＰＥＯ膜の表面を示す図である。
【０１６６】
図２９Ａに示すように、封孔処理前のＰＥＯ膜は、陽極酸化膜に比べてはるかに緻密な膜が得られているが、空孔による凹凸形状が存在する。これに対し、ＥＳ５重量部、ＰＤＭＳ−Ｂを１５重量部添加した電着液により表面に５μｍの厚さの電着膜を形成した封孔処理後のＰＥＯ膜では、図２９Ｂに示すように空孔が封止され、図２９Ａと比較してＰＥＯ膜の表面の凹凸形状がなだらかになっている。また、表面に１０μｍの厚さの電着膜が形成された、封孔処理後のＰＥＯ膜では、図２９Ｃに示すように空孔が封止され、図２９Ａおよび図２９Ｂと比較してさらにＰＥＯ膜の表面の凹凸形状がなだらかになっている。したがって、封孔処理により、ＰＥＯ膜の表面の空孔をなくし、表面を平滑化できていることがわかる。
【０１６７】
次に、封孔処理による絶縁破壊電界強度、絶縁特性および熱伝導特性について説明する。図３０は、実施の形態に係る各膜における絶縁破壊電界強度を示す図である。図３１は、実施の形態に係る各膜における熱伝導率および絶縁耐電圧を示す図である。図３２は、実施の形態に係る封孔処理前後における熱伝導率を示す図である。
【０１６８】
はじめに、封孔処理によるＰＥＯ膜の絶縁特性について説明する。
【０１６９】
図３０では、ＰＥＯ膜５０μｍ、ＰＥＯ膜５０μｍの上に電着膜１３μｍを形成した膜、電着膜のみ３５μｍについての絶縁破壊電界強度を示している。図３０に示すように、ＰＥＯ膜上に電着膜を形成することによって絶縁破壊電界強度は大きくなる。
【０１７０】
図３１では、図３０に示された各膜（「ＰＥＯ膜（ＰＥＯ膜５０μｍ）」、「本技術による電着膜（電着膜のみ３５μｍ）」、「電着膜で封孔処理されたＰＥＯ膜（ＰＥＯ膜５０μｍの上に電着膜１３μｍを形成した膜）」）の絶縁耐電圧および熱伝導率を示している。図３１に示すように、熱伝導率については、「ＰＥＯ膜」の熱伝導率が０．８９Ｗ／ｍＫ、「本技術による電着膜」の熱伝導率が２．５６Ｗ／ｍＫ、「電着膜で封孔処理されたＰＥＯ膜」の熱伝導率が１．７１Ｗ／ｍＫである。これは、ＰＥＯ膜を封孔処理した後、ＰＥＯ膜部分の熱伝導率は約１０％増加することを意味する（この説明は、図３２を用いて後述する）。また、ＰＥＯ膜封孔処理後の絶縁耐電圧は、３．８ｋＶとなり、電着膜部分の誘電率をＰＥＯ膜と変わらないものとして、破壊電圧印加時のＰＥＯ膜の分担電圧を概算すると３．１ｋＶとなる。したがって、封孔処理を行う前のＰＥＯ膜の絶縁耐電圧が２．５ｋＶであることと比較すると、封孔処理によりＰＥＯ膜の耐電圧が２５％増大することがわかる。
【０１７１】
次に、封孔処理によるＰＥＯ膜の熱伝導特性向上の効果について説明する。
【０１７２】
図３２に示すように、封孔処理前のＰＥＯ膜については、熱伝導率は０．８９Ｗ／ｍＫであるのに対し（図３１参照）、電着膜が形成され封孔処理された後のＰＥＯ膜については、膜全体の熱伝導率が１．７１Ｗ／ｍＫであることから（図３１参照）、ＰＥＯ膜の熱伝導率が０．９８Ｗ／ｍＫ、電着膜の熱伝導率が２．５４Ｗ／ｍＫである。したがって、ＰＥＯ膜を封孔処理することにより、ＰＥＯ層の熱伝導率は１０％増大することがわかる。
【０１７３】
以上より、メタル基板にプラズマ電解酸化膜を形成した後、封孔処理を行うことで、メタルコア基板１の耐熱性、温度変化に対する応力緩和性を向上することができる。
【０１７４】
以上、本実施の形態に係るメタルコア基板によると、ＰＥＯ膜を形成した後、封孔処理を行うことにより、高耐熱性、耐熱衝撃性がより優れた絶縁放熱基板を形成することができる。
【０１７５】
以上、本発明の実施の形態に係るメタルコア基板およびメタルコア基板の製造方法について説明したが、本発明は、これらの実施の形態に限定されるものではない。
【０１７６】
例えば、上述した実施の形態では、電着液に添加されるバインダ材料について、オルガノポリシロキサン系有機・無機ハイブリッド材料を例として説明したが、その他の材料であってもよい。例えば、ポリジメチルシロキサン系有機・無機ハイブリッド材料を含む、オルガノポリシロキサン組成物の硬化体であればよい。
【０１７７】
また、メタル基板１０としては、上記したアルミニウム基板に限らず、他の金属基板あるいは炭素基板など、導電性基板を用いてもよい。また、セラミックス粒子についても、上記したアルミナ粒子に限らず他のセラミックス材料であってもよい。
【０１７８】
また、電着液を構成する材料の配合は、上述したαアルミナを１５ｗｔ％と、ＭＣＡＡを１２．７５ｗｔ％と、脱水ＩＰＡを７２．２５ｗｔ％に限らず、他の配合であってもよい。
【０１７９】
さらに、上記実施の形態をそれぞれ組み合わせるとしてもよい。
【産業上の利用可能性】
【０１８０】
本発明に係るメタルコア基板は、例えば、インバータ基板、ヘッドライト光源、急速充電器、ヒートポンプエアコン、太陽光および熱機器など、高耐熱性、耐熱衝撃性、高絶縁性を必要とするデバイスおよび装置へ利用できる。
【符号の説明】
【０１８１】
１  メタルコア基板
２  回路基板
１０  メタル基板（アルミニウム基板）
１０ａ  電極（アルミニウム基板）
１０ｂ  電極（ＳＵＳ基板）
１２  絶縁層（電着膜）
１４  配線層
２０  電着装置
２２  容器
２６、４８、５８  電源
２８  電着液
２８ａ  アルミナ粒子（セラミックス粒子）
２８ｂ  バインダ
２９  シリカナノガラス
３０  評価装置
３１  断熱材
３２  ヒータ
３４  アルミブロック
３６  サンプル
３８  空冷フィン
４０  絶縁破壊電界強度の評価装置
４２  下部電極
４４  計測試料
４６  上部電極
５０  ＰＥＯ装置
５５ａ  アノード電極
５５ｂ  カソード電極
【図１】
0006519794.tif 000006
【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図４】
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【図５】
0006519794.tif 000011
【図６】
0006519794.tif 000012
【図７】
0006519794.tif 000013
【図８】
0006519794.tif 000014
【図９】
0006519794.tif 000015
【図１０】
0006519794.tif 000016
【図１１】
0006519794.tif 000017
【図１２】
0006519794.tif 000018
【図１３】
0006519794.tif 000019
【図１４】
0006519794.tif 000020
【図１５】
0006519794.tif 000021
【図１６】
0006519794.tif 000022
【図１７】
0006519794.tif 000023
【図１８】
0006519794.tif 000024
【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９Ａ】
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【図２９Ｂ】
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【図２９Ｃ】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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