(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１電源（２００）と、
電気負荷（３００）と、
前記第１電源と前記電気負荷との間に接続されており、前記第１電源と前記電気負荷との電気的な接続状態を切り替えるリレー（２０１ａ，２０１ｂ）と、
前記リレーと前記電気負荷との間に設けられ、前記電気負荷側から前記リレー側への通電を遮断するダイオード（Ｄ１）を有する昇圧回路（３０１）と、
前記リレーと前記昇圧回路の間に設けられた第１コンデンサ（Ｃ１）と、
前記昇圧回路と前記電気負荷との間に設けられた第２コンデンサ（Ｃ２）と、
第２電源（１００）と、
前記リレーにおける前記第１コンデンサと接続される側と前記第２電源との間に設けられ、磁気的に結合する第１コイル（Ｌ１１，Ｌ２１，Ｌ３１）及び第２コイル（Ｌ１２，Ｌ２２，Ｌ３２）からなるトランス（Ｔｒ１１，Ｔｒ２１，Ｔｒ３１）、及びスイッチング素子（Ｑ１１，Ｑ１１ａ，Ｑ１２，Ｑ１２ａ，Ｑ２１〜Ｑ２４，Ｑ３１〜Ｑ３３，Ｑ３３ａ）を有する電力変換回路（１０，１０ａ，２０，３０，３０ａ）と、
前記第２電源と前記電力変換回路との間に設けられるチョークコイル（Ｌ１３，Ｌ２３，Ｌ３３）と、
前記チョークコイルをフライバックトランスとして機能させるべく、前記第２コンデンサに直列接続されており、前記チョークコイルと磁気的に結合し、前記チョークコイルに前記第２電源の正極側から負極側へ励磁電流が流れた場合に、前記第２コンデンサに対して正極側から負極側への電流が流れる方向に巻かれた補助コイル（Ｌ１４，Ｌ２４，Ｌ３４）と、
前記補助コイルと直列接続され、前記補助コイルにおける通電を制御する通流規制素子（Ｄ３）と、
前記リレーにより前記第１電源と前記電気負荷とを電気的に接続する前に、前記チョークコイルから前記補助コイルに電力を供給させるように前記電力変換回路を制御することで、前記第２コンデンサの電圧を前記第１コンデンサの電圧よりも高くする制御部（４００）と、を備える電力変換システム。
【請求項２】
前記第１コイル（Ｌ１１）は、センタータップを有し、
前記電力変換回路（１０，１０ａ）は、前記第１コイルの両端のそれぞれに接続された第１スイッチング素子（Ｑ１１，Ｑ１１ａ）及び第２スイッチング素子（Ｑ１２，Ｑ１２ａ）を有し、
前記第１スイッチング素子及び前記第２スイッチング素子が、前記第２電源の正極及び負極の一方に接続され、前記センタータップが前記第２電源の正極及び負極の他方に接続される、請求項１に記載の電力変換システム。
【請求項３】
前記制御部は、
前記第１スイッチング素子と前記第２スイッチング素子との一方をＯＮとし、他方をＯＦＦとする制御と、前記第１スイッチング素子と前記第２スイッチング素子とを共にＯＦＦとする制御と、を順に行う期間を含む第１モードと、
前記第１スイッチング素子と前記第２スイッチング素子とを共にＯＮとする制御と、前記第１スイッチング素子と前記第２スイッチング素子との一方をＯＮとし、他方をＯＦＦとする制御と、前記第１スイッチング素子と前記第２スイッチング素子とを共にＯＦＦとする制御と、を順に行う期間を含む第２モードと、
前記第１スイッチング素子と前記第２スイッチング素子との一方をＯＮとし、他方をＯＦＦとする制御と、前記第１スイッチング素子と前記第２スイッチング素子とを共にＯＮとする制御と、を順に行う期間を含む第３モードと、
前記第１スイッチング素子と前記第２スイッチング素子とを共にＯＮとする制御と、前記第１スイッチング素子と前記第２スイッチング素子とを共にＯＦＦとする制御と、を順に行う期間を含む第４モードと、のうち、第４モードを含む少なくとも２つのモードを実行する、請求項２に記載の電力変換システム。
【請求項４】
前記電力変換回路（２０）は、
直列接続された第１スイッチング素子（Ｑ２１）及び第２スイッチング素子（Ｑ２２）と、直列接続された第３スイッチング素子（Ｑ２３）及び第４スイッチング素子（Ｑ２４）と、を有し、
前記第１コイルの一端は前記第１スイッチング素子と前記第２スイッチング素子の接続部に接続され、前記第１コイルの他端は前記第３スイッチング素子と前記第４スイッチング素子の接続部に接続され、
前記第１スイッチング素子及び前記第３スイッチング素子が前記第２電源の正極側に接続され、前記第２スイッチング素子及び前記第４スイッチング素子が前記第２電源の負極側に接続されるフルブリッジ回路を備える、請求項１に記載の電力変換システム。
【請求項５】
前記制御部は、
前記第１スイッチング素子と前記第４スイッチング素子とをＯＮとし、前記第２スイッチング素子と前記第３スイッチング素子とをＯＦＦとする制御、又は、前記第２スイッチング素子と前記第３スイッチング素子とをＯＮとし、前記第１スイッチング素子と前記第４スイッチング素子とをＯＦＦとする制御と、前記第１〜第４スイッチング素子をいずれもＯＦＦとする制御と、を順に行う期間を含む第１モードと、
前記第１〜第４スイッチング素子をいずれもＯＮとする制御と、前記第１スイッチング素子と前記第４スイッチング素子とをＯＮとし、前記第２スイッチング素子と前記第３スイッチング素子とをＯＦＦとする制御、又は、前記第２スイッチング素子と前記第３スイッチング素子とをＯＮとし、前記第１スイッチング素子と前記第４スイッチング素子とをＯＦＦとする制御と、前記第１〜第４スイッチング素子をいずれもＯＦＦとする制御と、を順に行う期間を含む第２モードと、
前記第１〜第４スイッチング素子をいずれもＯＮとする制御と、前記第１スイッチング素子と前記第４スイッチング素子とをＯＮとし、前記第２スイッチング素子と前記第３スイッチング素子とをＯＦＦとする制御、又は、前記第２スイッチング素子と前記第３スイッチング素子とをＯＮとし、前記第１スイッチング素子と前記第４スイッチング素子とをＯＦＦとする制御と、順に行う期間を含む第３モードと、
前記第１〜第４スイッチング素子をいずれもＯＮとする制御と、前記第１〜第４スイッチング素子をいずれもＯＦＦとする制御とを順に行う期間を含む第４モードと、のうち、第４モードを含む少なくとも２つのモードを実行する、請求項４に記載の電力変換システム。
【請求項６】
前記電力変換回路（３０，３０ａ）は、
前記第１コイルに直列接続された第２スイッチング素子（Ｑ３２）と、
前記第１コイル及び前記第２スイッチング素子に並列接続された第１スイッチング素子（Ｑ３１）と、
前記第２コイルに並列接続又は直列接続された、第３スイッチング素子（Ｑ３３，Ｑ３３ａ）とコンデンサ（Ｃ３０，Ｃ３０ａ）との直列接続体と、を有するアクティブクランプ回路を備える、請求項１に記載の電力変換システム。
【請求項７】
前記制御部は、
前記第１スイッチング素子及び前記第３スイッチング素子をＯＦＦとし、前記第２スイッチング素子をＯＮとする制御と、前記第１スイッチング素子及び前記第２スイッチング素子をＯＦＦとし、前記第３スイッチング素子をＯＮとする制御とを順に行う期間を含む第１モードと、
前記第１スイッチング素子及び前記第３スイッチング素子をＯＮとし、前記第２スイッチング素子をＯＦＦとする制御と、前記第１スイッチング素子及び前記第３スイッチング素子をＯＦＦとし、前記第２スイッチング素子をＯＮとする制御と、前記第１スイッチング素子及び前記第２スイッチング素子をＯＦＦとし、前記第３スイッチング素子をＯＮとする制御とを順に行う期間を含む行う第２モードと、
前記第１スイッチング素子及び前記第３スイッチング素子をＯＮとし、前記第２スイッチング素子をＯＦＦとする制御と、前記第１スイッチング素子及び前記第３スイッチング素子をＯＦＦとし、前記第２スイッチング素子をＯＮとする制御と、を順に行う期間を含む第３モードと、
前記第１スイッチング素子及び前記第３スイッチング素子をＯＮとし、前記第２スイッチング素子をＯＦＦとする制御と、前記第１スイッチング素子及び前記第２スイッチング素子をＯＦＦとし、前記第３スイッチング素子をＯＮとする制御とを順に行う期間を含む第４モードと、のうち、第４モードを含む少なくとも２つのモードを実行する、請求項６に記載の電力変換システム。
【請求項８】
前記第１コンデンサの電圧を検出する電圧検出部（２０２）をさらに備え、
前記制御部は、
前記電圧が所定値よりも小さい場合には、前記第１〜第３モードの何れかを実行し、
前記電圧が前記所定値よりも大きい場合には、前記第４モードを実行する、請求項３、５、７のいずれか１項に記載の電力変換システム。
【請求項９】
前記制御部は、前記チョークコイルから前記補助コイルへと電力を供給して前記第２コンデンサを充電し、前記第２コンデンサを充電した後に前記昇圧回路を介して第２コンデンサから前記第１コンデンサへ電力を供給する、請求項１、２、４、６のいずれか１項に記載の電力変換システム。
【請求項１０】
前記制御部は、前記第１コンデンサの電圧を取得し、取得した電圧に基づいて前記電力変換回路を駆動して前記第２電源から前記第１コンデンサへ電力を供給し、前記第１コンデンサの電圧を取得できない場合に、前記第２コンデンサを充電した後に前記昇圧回路を介して第２コンデンサから前記第１コンデンサへ電力を供給する、請求項９に記載の電力変換システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電力変換システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
二次電池である電源とモータジェネレータ等の電気負荷との間での電力の授受を、昇圧回路を介して行うものとして、特許文献１に記載の電力変換システムがある。特許文献１の電力変換システムでは、電源と昇圧回路との間をシステムメインリレーを介して接続しており、そのシステムメインリレーと昇圧回路との間には、コンデンサが設けられている。そして、システムメインリレーを接続状態とする際にコンデンサの電圧を監視し、その電圧により、システムメインリレーが溶着したか否かを判定している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００７−２９５６９９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に記載の電力変換システムでは、コンデンサの充電を行ううえで、コンデンサの電圧が電源の電圧よりも高くなる場合がある。コンデンサの充電によりコンデンサの電圧が電源の電圧よりも高ければ、その電位差により、システムメインリレーを接続状態とした際に突入電流が生ずる。このとき、突入電流の発生に寄与するコンデンサの容量が大きいほど、突入電流は大きくなり、システムメインリレーの溶着のおそれが増大する。
【０００５】
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、その主たる目的は、電源と電気負荷とを接続するリレーの溶着を抑制することができる電力変換システムを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、電力変換システムであって、第１電源と、電気負荷と、前記第１電源と前記電気負荷との電気的な接続状態を切り替えるリレーと、前記リレーと前記電気負荷との間に設けられ、前記電気負荷側から前記リレー側への電力の供給を遮断するダイオードを備える昇圧回路と、前記リレーと前記昇圧回路の間に設けられた第１コンデンサと、前記昇圧回路と前記電気負荷との間に設けられた第２コンデンサと、前記リレーを接続状態とする前に前記第２コンデンサの電圧を前記第１コンデンサの電圧よりも高くする制御を行う制御部と、を備える。
【０００７】
第１電源と電気負荷とを電気的に接続させるべく、リレーを接続状態とする場合、第１電源の電圧よりも第１コンデンサの電圧のほうが高ければ、第１コンデンサＣ１からリレーへと突入電流が生ずる場合がある。このとき、昇圧回路と電気負荷との間に接続された第２コンデンサの電圧が、第１コンデンサの電圧と等しければ、第１コンデンサに加えて第２コンデンサも突入電流の発生に寄与する。すなわち、突入電流の発生に寄与するコンデンサの容量が、より大きくなる。
【０００８】
この点、本実施形態では、制御部は、リレーを接続状態とする前に、第２コンデンサの電圧が第１コンデンサの電圧よりも高くなるよう制御を行っている。これにより、第２コンデンサは、昇圧回路が備えるダイオードによりフローティング状態となる。リレーを接続状態とした場合に、フローティング状態である第２コンデンサは突入電流の発生に寄与しないため、突入電流が発生したとしても、その電流値は小さくなる。したがって、突入電流の発生に寄与する容量を小さくすることができ、リレーの溶着を抑制することができる。
【０００９】
また、第２コンデンサの電圧を第１コンデンサの電圧よりも高くする制御を行うことで、第２コンデンサに充電された電力を用いて第１コンデンサの充電を行うこともできる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】電力変換システムの回路図である。
【図２】第１モードにおける制御を示すタイムチャートである。
【図３】制御Ａにおける電流経路を示す図である。
【図４】制御Ｂにおける電流経路を示す図である。
【図５】第２モードにおける制御を示すタイムチャートである。
【図６】制御Ｃにおける電流経路を示す図である。
【図７】第３モードにおける制御を示すタイムチャートである。
【図８】制御Ａにおける電流経路を示す図である。
【図９】第４モードにおける制御を示すタイムチャートである。
【図１０】制御部が実行する処理を示すフローチャートである。
【図１１】第１〜第４モードの制御を行った場合の第２電圧及び第３電圧の変化を示す図である。
【図１２】第２実施形態での第３モードにおける制御を示すタイムチャートである。
【図１３】第２実施形態における制御部が実行する処理を示す制御ブロック図である。
【図１４】第３実施形態における電力変換システムの回路図である。
【図１５】第３実施形態での第１モードにおける制御を示すタイムチャートである。
【図１６】第３実施形態での第２モードにおける制御を示すタイムチャートである。
【図１７】第３実施形態での第３モードにおける制御を示すタイムチャートである。
【図１８】第３実施形態での第４モードにおける制御を示すタイムチャートである。
【図１９】第４実施形態における電力変換システムの回路図である。
【図２０】第４実施形態での第１モードにおける制御を示すタイムチャートである。
【図２１】第４実施形態での第２モードにおける制御を示すタイムチャートである。
【図２２】第４実施形態での第３モードにおける制御を示すタイムチャートである。
【図２３】第４実施形態での第４モードにおける制御を示すタイムチャートである。
【図２４】第５実施形態での制御を示すフローチャートである。
【図２５】第５実施形態での制御を示すタイムチャートである。
【図２６】電力変換システムの別の例を示す図である。
【図２７】電力変換システムの別の例を示す図である。
【図２８】第１モードの制御の別の例を示す図である。
【図２９】第２モードの制御の別の例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、各実施形態を図面に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、図中、同一符号を付しており、同一符号の部分についてはその説明を援用する。
【００１２】
＜第１実施形態＞
本実施形態に係る電力変換システムは、公称電圧が１２Ｖである鉛バッテリ等の二次電池と、公称電圧が数百Ｖであるリチウムイオンバッテリ等の高電圧蓄電池とを備えるハイブリッドカーに搭載されるものである。
【００１３】
図１は、本実施形態に係る電力変換システムの回路図である。本実施形態に係る電力変換システムは、鉛バッテリである補機バッテリ１００と、リチウムイオンバッテリである主機バッテリ２００とを有し、補機バッテリ１００側と主機バッテリ２００側との電力の授受を、電力変換回路１０を介して行うものである。なお、主機バッテリ２００を第１電源と称することができ、補機バッテリ１００を第２電源と称することができる。
【００１４】
電力変換回路１０は、トランスＴｒ１１と、ＭＯＳＦＥＴである第１〜第６スイッチング素子Ｑ１１〜Ｑ１６を備えている。トランスＴｒ１１は、互いに磁気的に結合した第１コイルＬ１１と第２コイルＬ１２とにより構成され、第１コイルＬ１１は、センタータップを有している。第２コイルＬ１２の巻数は、第１コイルＬ１１の巻数のＮ／２倍である。すなわち、第２コイルＬ１２の巻数が、第１コイルＬ１１のいずれか一方の端からセンタータップまでの巻数のＮ倍となっている。
【００１５】
第１コイルＬ１１の両端は、それぞれ、第１スイッチング素子Ｑ１１のドレイン、第２スイッチング素子Ｑ１２のドレインに接続されている。一方、第１スイッチング素子Ｑ１１のソースと第２スイッチング素子Ｑ１２のソースとが接続されている。
【００１６】
補機バッテリ１００は、チョークコイルＬ１３を介して電力変換回路１０と接続されている。具体的には、チョークコイルＬ１３の一端が補機バッテリ１００の正極に接続され、チョークコイルＬ１３の他端が、第１コイルＬ１１のセンタータップに接続されている。一方、第１スイッチング素子Ｑ１１のソースと第２スイッチング素子Ｑ１２のソースとの接続点は、補機バッテリ１００の負極に接続されている。また、補機バッテリ１００には、コンデンサ１０１が並列接続されている。
【００１７】
第２コイルＬ１２の端部の一方は、第３スイッチング素子Ｑ１３のソース及び第４スイッチング素子Ｑ１４のドレインに接続されている。第２コイルＬ１２の端部の他方は、第５スイッチング素子Ｑ１５のソース及び第６スイッチング素子Ｑ１６のドレインに接続されている。第３スイッチング素子Ｑ１３のドレイン及び第５スイッチング素子Ｑ１５のドレインは、正極側のシステムメインリレー２０１ａを介して主機バッテリ２００の正極に接続されている。第４スイッチング素子Ｑ１４のソース及び第６スイッチング素子Ｑ１６のソースは、負極側のシステムメインリレー２０１ｂを介して主機バッテリ２００の負極に接続されている。
【００１８】
システムメインリレー２０１ａ，２０１ｂの電力変換回路１０側には、電気負荷である高圧負荷３００が接続されている。この高圧負荷は、例えば、モータジェネレータとインバータとを含んでいる。モータジェネレータの駆動時にはインバータを制御してモータジェネレータへ電力の供給し、モータジェネレータの発電時には、インバータにより整流を行う。
【００１９】
高圧負荷３００は、昇圧回路３０１を介してシステムメインリレー２０１ａ，２０１ｂに接続されている。昇圧回路３０１は、上アームスイッチング素子Ｓ１と下アームスイッチング素子Ｓ２との直列接続体と、上アームスイッチング素子Ｓ１と下アームスイッチング素子Ｓ２との接続点に接続されたコイル３０１ａと、上アームスイッチング素子Ｓ１に並列接続された第１ダイオードＤ１と、下アームスイッチング素子Ｓ２に並列接続された第２ダイオードＤ２とを含んでいる。第１ダイオードＤ１及び第２ダイオードＤ２は、正極側から負極側への通電を遮断すべく、カソードが正極側に接続され、アノードが負極側に接続されている。
【００２０】
システムメインリレー２０１ａ，２０１ｂと昇圧回路３０１との間には、第１コンデンサＣ１が並列接続されている。高圧負荷３００と昇圧回路３０１との間には、第２コンデンサＣ２が並列接続されている。
【００２１】
電力変換システムは、さらに、チョークコイルＬ１３と磁気的に結合する補助コイルＬ１４を備えている。これらチョークコイルＬ１３と補助コイルＬ１４により、フライバックトランスとして機能する第２トランスＴｒ１２を構成している。補助コイルＬ１４は、第２コンデンサＣ２に対して直列接続されている。
【００２２】
この補助コイルＬ１４は、チョークコイルＬ１３に補機バッテリ１００の正極側から負極側へ励磁電流が流れた場合に、第２コンデンサＣ２の正極配線側から負極配線側へと励磁電流が流れる方向に巻かれている。この補助コイルＬ１４とチョークコイルＬ１３との巻数比は、Ｎ：１である。加えて、補助コイルＬ１４には、ダイオードＤ３が、第２コンデンサＣ２の正極配線側から負極配線側への通電を可能とし、逆方向への通電を遮断するように、直列接続されている。チョークコイルＬ１３に対して補機バッテリ１００の正極から電圧が印加される場合には、ダイオードＤ３により、補助コイルＬ１４を介した出力側への電力の供給は遮断される。
【００２３】
電力変換システムは、電力変換回路１０の補機バッテリ１００側には、補機バッテリ１００側の電圧である第１電圧ＶＢを検出する第１電圧検出部１０２と、チョークコイルＬ１３を流れる電流であるリアクトル電流ＩＬを検出する入力電流検出部１０３とを備えている。電力変換回路１０の主機バッテリ２００側には、主機バッテリ２００側の電圧、すなわち第１コンデンサＣ１の電圧である第２電圧ＶＬを検出する第２電圧検出部２０２と、高圧負荷３００側の電圧、すなわち第２コンデンサＣ２の電圧である第３電圧ＶＨを検出する第３電圧検出部３０２とを備えている。検出された第１電圧ＶＢ、第２電圧ＶＬ、第３電圧ＶＨ、及びリアクトル電流ＩＬは、制御部４００へ入力される。
【００２４】
制御部４００は、入力された第１電圧ＶＢ、第２電圧ＶＬ、第３電圧ＶＨ、及びリアクトル電流ＩＬに基づいて演算を行い、第１スイッチング素子Ｑ１１、第２スイッチング素子Ｑ１２へ制御信号を送信する。このとき、第１コンデンサＣ１への充電の進行具合に応じて、第１スイッチング素子Ｑ１１及び第２スイッチング素子Ｑ１２の制御状態が異なる第１〜第４モードのいずれかを選択して制御を行う。
【００２５】
第１モードの制御について、図２のタイムチャートを用いて説明する。第１モードでは、第１スイッチング素子Ｑ１１をＯＮとし、第２スイッチング素子Ｑ１２をＯＦＦとする制御Ａと、第１スイッチング素子Ｑ１１及び第２スイッチング素子Ｑ１２をいずれもＯＦＦとする制御Ｂとを交互に行う。換言すれば、第２スイッチング素子Ｑ１２を常にＯＦＦとしておき、第１スイッチング素子Ｑ１１のＯＮとＯＦＦとを交互に行う。
【００２６】
制御Ａでは、リアクトル電流ＩＬの単位時間あたりの変化量は、第１電圧ＶＢから、第２電圧ＶＬを巻数比Ｎで除算した値を減算したものとなる。この制御Ａが行われる際の電流経路について、図３を用いて説明する。図３では、電流経路を矢印で示している。第１コイルＬ１１側では、補機バッテリ１００から供給される電流は、チョークコイルＬ１３、第１コイルＬ１１、第１スイッチング素子Ｑ１１の順に通過する経路をとることとなる。第２コイルＬ１２側では、第６スイッチング素子Ｑ１６、第２コイルＬ１２、第３スイッチング素子Ｑ１３の順に通過する経路をとることとなる。この制御Ａが行われる期間において、第１コンデンサＣ１及び第２コンデンサＣ２の充電が行われる。
【００２７】
制御Ａでは、リアクトル電流ＩＬが単調増加するため、リアクトル電流ＩＬが予め定められた値である第１指令値Ｉｒｅｆ１となることを条件に、リアクトル電流ＩＬを減少させるべく制御Ｂへと切り替えられる。
【００２８】
制御Ｂでは、リアクトル電流ＩＬはゼロとなる。一方で、チョークコイルＬ１３には逆起電力が生じるため、補助コイルＬ１４に流れる電流であるフライバック電流ＩＦは、第３電圧ＶＨの値に基づいて直線的に単調減少する。この制御Ｂが行われる際の電流経路について、図４を用いて説明する。この電流経路は、制御Ｂの前半である期間Ｂ１１の経路を示している。制御Ｂにおいて、第１コイルＬ１１側では、第１スイッチング素子Ｑ１１及び第２スイッチング素子Ｑ１２が共にＯＦＦであるため、補機バッテリ１００からの電力の供給は行われない。一方で、チョークコイルＬ１３にはリアクトル電流ＩＬが残存しており逆起電力が生ずる。そのリアクトル電流ＩＬによりチョークコイルＬ１３から補助コイルＬ１４への電力の供給がなされることとなる。この期間Ｂ１１において、第２コンデンサＣ２の充電が行われる。なお、制御Ｂの後半である期間Ｂ１２は、フライバック電流ＩＦがゼロである期間であり、いずれの電流も流れないため、電流経路についての説明を省略する。
【００２９】
続いて、第２モードの制御について、図５のタイムチャートを用いて説明する。第２モードでは、第１スイッチング素子Ｑ１１及び第２スイッチング素子Ｑ１２を共にＯＮとする制御Ｃ、第１スイッチング素子Ｑ１１をＯＮとし、第２スイッチング素子Ｑ１２をＯＦＦとする制御Ａ、第１スイッチング素子Ｑ１１及び第２スイッチング素子Ｑ１２を共にＯＦＦとする制御Ｂを順に行う。
【００３０】
制御Ｃでは、チョークコイルＬ１３に対して補機バッテリ１００から第１電圧ＶＢが印加される。すなわち、リアクトル電流ＩＬは、直線的に単調増加する。このとき、第２コイルＬ１２には電力の供給がなされない。
【００３１】
この制御Ｃが行われる際の電流経路について、図６を用いて説明する。第１スイッチング素子Ｑ１１及び第２スイッチング素子Ｑ１２が共にＯＮであるため、第１コイルＬ１１から第２コイルＬ１２へと電力が供給されることはない。そのため、チョークコイルＬ１３に流れるリアクトル電流ＩＬが増加することとなる。
【００３２】
このように、制御Ｃではリアクトル電流ＩＬが単調増加するため、リアクトル電流ＩＬが予め定められた値である第２指令値Ｉｒｅｆ２となることを条件に、制御Ｃから制御Ａへと移行する。
【００３３】
続く制御Ａでは、図３で示したように、第１モードにおける制御Ａと同じ電流経路をとることとなるため、その説明を省略する。制御Ａから制御Ｂへの切り替えは、制御Ｃの開始から所定時間が経過することを条件としてもよいし、制御Ａの開始から所定時間が経過することを条件としてもよい。なお、図５のタイムチャートにおいて、制御Ａでリアクトル電流ＩＬが単調増加するものとしているが、リアクトル電流ＩＬは、第１電圧ＶＢと第２電圧ＶＬの関係によっては、増減しない場合もあるし、単調減少する場合もある。
【００３４】
制御Ｂでは、第１コイルＬ１１側では、第１スイッチング素子Ｑ１１及び第２スイッチング素子Ｑ１２が共にＯＦＦであるため、補機バッテリ１００からの電流の供給は行われず、リアクトル電流ＩＬはゼロとなる。一方で、チョークコイルＬ１３には逆起電力が生じるため、補助コイルＬ１４に流れる電流であるフライバック電流ＩＦは、第３電圧ＶＨの値に基づいて直線的に単調減少する。なお、制御Ｂが行われる期間の電流経路については、図４で示したように、第１モードにおける電流経路と同様であるため、その説明を省略する。
【００３５】
続いて、第３モードの制御について、図７のタイムチャートを用いて説明する。第３モードでは、第１スイッチング素子Ｑ１１及び第２スイッチング素子Ｑ１２を共にＯＮとする制御Ｃと、第１スイッチング素子Ｑ１１と第２スイッチング素子Ｑ１２との一方をＯＮとし、他方をＯＦＦとする制御Ａとを交互に行う。このとき、制御Ａについては、第１スイッチング素子Ｑ１１がＯＮであり第２スイッチング素子Ｑ１２がＯＦＦである場合と、第１スイッチング素子Ｑ１１がＯＦＦであり第２スイッチング素子Ｑ１２がＯＮである場合とが、交互に行われる。
【００３６】
制御Ｃでは、リアクトル電流ＩＬは、第２モードと同様に直線的に単調増加する。このとき、第１コイルＬ１１には通電がなされないため出力側電流ＩＣはゼロである。
【００３７】
この制御Ｃが行われる際の電流経路は、図６で示したものと同等であるため、説明を省略する。制御Ｃではリアクトル電流ＩＬが単調増加するため、リアクトル電流ＩＬが予め定められた値である第３指令値Ｉｒｅｆ３となることを条件に、制御Ｃから制御Ａへと移行する。
【００３８】
続く制御Ａが行われる際の電流経路について、第１スイッチング素子Ｑ１１がＯＮであり、第２スイッチング素子Ｑ１２がＯＦＦである場合は、図３で示したものと同等であるため、説明を省略する。図８は、第１スイッチング素子Ｑ１１がＯＦＦであり、第２スイッチング素子Ｑ１２がＯＮである例を示している。第１コイルＬ１１側では、補機バッテリ１００から供給される電流は、チョークコイルＬ１３、第１コイルＬ１１、第２スイッチング素子Ｑ１２を通過する経路をとることとなる。第２コイルＬ１２側では、第４スイッチング素子Ｑ１４、第２コイルＬ１２、第５スイッチング素子Ｑ１５を通過する経路をとることとなる。
【００３９】
続いて、第４モードの制御について、図９のタイムチャートを用いて説明する。第４モードでは、第１スイッチング素子Ｑ１１及び第２スイッチング素子Ｑ１２を共にＯＮとする制御Ｃと、第１スイッチング素子Ｑ１１及び第２スイッチング素子Ｑ１２を共にＯＦＦとする制御Ｂとを交互に行う。
【００４０】
制御Ｃが行われる際の電流経路は、図６で示したものと同等である。制御Ｃではリアクトル電流ＩＬが単調増加するため、リアクトル電流ＩＬが予め定められた値である第４指令値Ｉｒｅｆ４となることを条件に、制御Ｃから制御Ｂへと切り替える。
【００４１】
続く制御Ｂが行われる際の電流経路は、図３で示したものと同等である。すなわち、チョークコイルＬ１３から補助コイルＬ１４へと電力の供給がなされ、第２コンデンサＣ２の充電が行われる。
【００４２】
これら第１〜第４モードは、第２電圧ＶＬの値によって切り替えられる。第１，第２コンデンサＣ１，Ｃ２の充電開始時には第１モードで制御が行われ、充電が進行して第２電圧ＶＬが第１所定値Ｖ１よりも大きくなれば、第２モードで制御が行われる。そして、さらに充電が進行して第２電圧ＶＬが第２所定値Ｖ２よりも大きくなれば、第３モードで制御が行われる。第３モードでの制御が継続され、第１コンデンサＣ１の充電が完了した場合、すなわち、第２電圧ＶＬが目標値ＶＬ＊に到達した場合、第４モードの制御に切り替える。この第４モードの制御を行うことにより、第２コンデンサＣ２の電圧は、第１コンデンサＣ１の電圧よりも高くなる。
【００４３】
第１モードの制御で入力側から出力側へと電力の供給が可能であるのは、第１電圧ＶＢに巻数比Ｎを乗算した値が、第２電圧ＶＬよりも大きい場合である。そのため、第１電圧ＶＢが一定であるとしたうえで、第１所定値Ｖ１は、少なくとも、定数である第１電圧ＶＢに巻数比Ｎを乗算した値よりも小さく設定されることとなる。また、第３モードにおける制御Ａでリアクトル電流ＩＬが減少する条件は、第１電圧ＶＢに巻数比Ｎを乗算した値が、第２電圧ＶＬよりも小さい場合である。そのため、第１電圧ＶＢが一定であるとしたうえで、第２所定値Ｖ２は、少なくとも、定数である第１電圧ＶＢに巻数比Ｎを乗算した値よりも大きく設定されることとなる。
【００４４】
続いて、制御部４００が実行する一連の処理について、図１０のフローチャートを用いて説明する。図９のフローチャートに係る制御は、所定の制御周期で実行される。
【００４５】
まず、起動要求を取得したか否かを判定する（Ｓ１０１）。この起動要求の指令信号は、例えば、上位の制御装置であるＥＣＵ等から送信される。起動要求を取得していない場合（Ｓ１０１：ＮＯ）、一連の制御を行わず、待機状態を継続する。
【００４６】
起動要求を取得すれば（Ｓ１０１：ＹＥＳ）、第２電圧ＶＬを取得し（Ｓ１０２）、その第２電圧ＶＬが第１所定値Ｖ１以下であるか否かを判定する（Ｓ１０３）。第２電圧ＶＬが第１所定値Ｖ１以下であれば（Ｓ１０３：ＹＥＳ）、第１モードでの制御を行う（Ｓ１０４）。第２電圧ＶＬが第１所定値Ｖ１以下でなければ（Ｓ１０３：ＮＯ）、続いて、第２電圧ＶＬが第２所定値Ｖ２以下であるか否かを判定する（Ｓ１０５）。第２電圧ＶＬが第２所定値Ｖ２以下であれば（Ｓ１０５：ＹＥＳ）、第２モードで制御を行う（Ｓ１０６）。
【００４７】
一方、第２電圧ＶＬが第２所定値Ｖ２以下でなければ（Ｓ１０５：ＮＯ）、第２電圧ＶＬが目標値ＶＬ＊に到達したか否かを判定する（Ｓ１０７）。第２電圧ＶＬが目標値ＶＬ＊に到達していなければ（Ｓ１０７：ＮＯ）、第３モードで制御を行う（Ｓ１０８）。第２電圧ＶＬが目標値ＶＬ＊に到達していれば（Ｓ１０７：ＹＥＳ）、第４モードで制御を行う（Ｓ１０９）。
【００４８】
第１〜第４モードのいずれかの制御が所定時間行われた後、制御の終了判定を行う（Ｓ１１０）。具体的には、第３電圧ＶＨが、第３電圧ＶＨの目標値ＶＨ＊以上となったか否かを判定する。第３電圧ＶＨが目標値ＶＨ＊以上である場合（Ｓ１１０：ＹＥＳ）、一連の処理を終了して起動要求がなされるまで待機する。第３電圧ＶＨが目標値ＶＨ＊未満である場合（Ｓ１１０：ＮＯ）、終了要求を取得したか否かを判定する（Ｓ１１１）。この終了要求の指令信号は、ＥＣＵ等の上位の制御装置から送信される。終了要求を取得すれば（Ｓ１１１：ＹＥＳ）、一連の処理を終了して起動要求がなされるまで待機する。終了要求を取得しなければ（Ｓ１１１：ＮＯ）、Ｓ１０２以降の処理を再度実行する。
【００４９】
なお、図１０のフローチャートでは、第１，第２コンデンサＣ１，Ｃ２への充電制御に関する制御のみを示しているが、電力変換システムは第１，第２コンデンサＣ１，Ｃ２への充電制御以外の電力変換も行う。例えば、主機バッテリ２００を介して供給される電力を降圧し、補機バッテリ１００への充電を行う制御が挙げられる。その制御は、周知の制御であるため、説明を省略する。
【００５０】
以上の制御が行われた場合の、第２電圧ＶＬ及び第３電圧ＶＨの時間変化、及び、リアクトル電流ＩＬの平均値ＩＬ＿ａｖｅについて、図１１を参照して説明する。
【００５１】
まず、時刻ｔ０で第１モードの制御が開始される。第１モードでは、制御Ａで第１，第２コンデンサＣ１，Ｃ２の充電が行われ、制御Ｂで第２コンデンサＣ２の充電が行われるため、第２電圧ＶＬよりも第３電圧ＶＨのほうが高くなる。
【００５２】
時刻ｔ１で第２電圧ＶＬが第１所定値Ｖ１よりも大きくなれば、第２モードの制御が開始される。第２モードの制御では、制御Ａで第１，第２コンデンサＣ１，Ｃ２の充電が行われ、制御Ｂで第２コンデンサＣ２の充電が行われるものの、制御Ｂでの第２コンデンサＣ２の充電量は小さい。したがって、第３電圧ＶＨは、第２電圧ＶＬよりも若干高くなる。
【００５３】
時刻ｔ２で第２電圧ＶＬが第２所定値Ｖ２よりも大きくなれば、第３モードの制御が開始される。第３モードの制御では、制御Ａで第１，第２コンデンサＣ１，Ｃ２の充電が行われる。したがって、第２電圧ＶＬと第３電圧ＶＨとが等しくなる。
【００５４】
時刻ｔ３で第２電圧ＶＬが目標値ＶＬ＊に到達すれば、第４モードの制御が開始される。第４モードの制御では、第１コンデンサＣ１の充電は行われず、制御Ｂで第２コンデンサＣ２の充電が行われる。したがって、第２電圧ＶＬは目標値ＶＬ＊を維持し、第２コンデンサＣ３の充電の進行により第３電圧ＶＨは上昇する。
【００５５】
時刻ｔ４で第３電圧ＶＨが目標値ＶＨ＊に到達すれば、第４モードの制御を終了する。したがって、第２コンデンサＣ２の電圧は、目標値ＶＨ＊に維持される。
【００５６】
上記構成により、本実施形態に係る電力変換システムは以下の効果を奏する。
【００５７】
・主機バッテリ２００と、電力変換回路１０及び昇圧回路３０１とを電気的に接続させるべく、システムメインリレー２０１ａ，２０１ｂを接続状態とする場合、主機バッテリ２００の電圧よりも第１コンデンサＣ１の電圧のほうが高ければ、第１コンデンサＣ１からシステムメインリレー２０１ａ，２０１ｂへと突入電流が生ずる場合がある。このとき、昇圧回路３０１と高圧負荷３００との間に接続された第２コンデンサＣ２の電圧が、第１コンデンサＣ１の電圧と等しければ、第１コンデンサＣ１に加えて第２コンデンサＣ２も突入電流の発生に寄与する。すなわち、突入電流の発生に寄与するコンデンサの容量が、より大きくなる。この点、本実施形態では第３電圧ＶＨを第２電圧ＶＬよりも高くなるように第４モードの制御を行い、第１，第２コンデンサＣ１，Ｃ２の充電を行っている。これにより、第２コンデンサＣ２は、昇圧回路３０１の第１ダイオードＤ１によりフローティング状態となる。システムメインリレー２０１ａ，２０１ｂを接続状態とした場合に、フローティング状態である第２コンデンサＣ２は突入電流の発生に寄与しないため、突入電流が発生したとしても、その電流値は小さくなる。したがって、突入電流の発生に寄与する容量を小さくすることができ、システムメインリレー２０１ａ，２０１ｂの溶着を抑制することができる。
【００５８】
・第１モード及び第２モードにおいて、制御Ｂでは、チョークコイルＬ１３に残存するリアクトル電流ＩＬを回路中で消費する必要がある。この点、チョークコイルＬ１３と磁気的に結合する補助コイルＬ１４を介して第２コンデンサＣ２の充電を行うことができるため、第２コンデンサＣ２の充電を早め、且つ、電力の供給効率を高めることができる。
【００５９】
・第１，第２コンデンサＣ１，Ｃ２への充電（プリチャージ）の開始時等、第２電圧ＶＬが小さい場合では、第１スイッチング素子Ｑ１１及び第２スイッチング素子Ｑ１２の一方をＯＮとし、他方をＯＦＦとする制御Ａと、第１スイッチング素子Ｑ１１及び第２スイッチング素子Ｑ１２を共にＯＦＦとする制御Ｂとを交互に行うものとしている。これにより、制御Ａにおいて増加したチョークコイルＬ１３の電流を、制御Ｂで減少させることができる。よって、チョークコイルＬ１３に流れる電流が増加し続けることを防ぐことができる。
【００６０】
・第２電圧ＶＬが第１所定値Ｖ１より大きくなった場合において、第２モードへと移行し、第１スイッチング素子Ｑ１１及び第２スイッチング素子Ｑ１２を共にＯＮとする制御Ｃ、第１スイッチング素子Ｑ１１をＯＮとし、第２スイッチング素子Ｑ１２をＯＦＦとする制御Ａ、第１スイッチング素子Ｑ１１及び第２スイッチング素子Ｑ１２を共にＯＦＦとする制御Ｂを順に行うものとしている。そのため、制御ＣでチョークコイルＬ１３に流れる電流を大きくすることができ、出力側への電力の供給速度を向上させることができる。また、制御ＢでチョークコイルＬ１３の電流を減少させることができる。よって、チョークコイルＬ１３に流れる電流が増加し続けることを防ぐことができる。
【００６１】
・第１，第２コンデンサＣ１，Ｃ２へのプリチャージがさらに進行した場合等、第２電圧ＶＬが第２所定値Ｖ２より大きくなった場合には、第３モードへと移行し、第１スイッチング素子Ｑ１１及び第３スイッチング素子Ｑ１３をＯＮとし、第２スイッチング素子Ｑ１２及び第４スイッチング素子Ｑ１４をＯＦＦとする制御Ｃと、第１スイッチング素子Ｑ１１、第３スイッチング素子Ｑ１３及び第４スイッチング素子Ｑ１４をＯＦＦとし、第２スイッチング素子Ｑ１２をＯＮとする制御Ａとを交互に行うものとしている。したがって、制御ＣによりチョークコイルＬ１３に流れる電流を増加させることができ、続く制御ＡによりチョークコイルＬ１３に流れる電流を減少させることができ、充電が進行した第１，第２コンデンサＣ１，Ｃ２へのさらなる充電を迅速に行うことができる。
【００６２】
＜第２実施形態＞
本実施形態では、第３モードにおける制御が、第１実施形態と一部異なっている。図１２は、本実施形態での第３モードにおける第１スイッチング素子Ｑ１１及び第２スイッチング素子Ｑ１２の開閉状態と、そのときのリアクトル電流ＩＬとを示している。
【００６３】
第３モードにおいて、制御Ｃにおけるリアクトル電流ＩＬの増加量と、制御Ａにおけるリアクトル電流ＩＬの減少量が等しければ、リアクトル電流ＩＬの過剰な増加を抑制することができる。そこで、制御Ｃが行われる期間と制御Ａが行われる期間の比を、１未満の値であるＤを用いてＤ：（１−Ｄ）とし、第１電圧ＶＢ及び第２電圧ＶＬを用いてＤを定める。
【００６４】
加えて、第３モードでは、低調波発振を抑制すべく、リアクトル電流ＩＬにスロープ電流Ｉｓを加算した値が補正指令値Ｉｒｅｆ３＊となるように、制御Ｃから制御Ａへと切り替えるタイミングを制御する。このスロープ電流Ｉｓについて、図１０を用いて説明する。スロープ電流Ｉｓは、直線的に増加する仮想的な値であり、制御Ｃにおけるリアクトル電流ＩＬの増加量をΔＩＬとし、スロープ電流Ｉｓの増加量をΔＩｓとすれば、第３指令値Ｉｒｅｆ３にΔＩＬとΔＩｓとを加算した値である補正指令値Ｉｒｅｆ３＊を算出する。そして、この補正指令値Ｉｒｅｆ３＊となるように、制御Ｃから制御Ａへと切り替える制御を行う。
【００６５】
続いて、制御部４００が実行する処理を、図１３の制御ブロック図により説明する。定電流制御部５０では、第１〜第４モードにおけるリアクトル電流ＩＬの指令値である第１〜第４指令値Ｉｒｅｆ１〜Ｉｒｅｆ４を、メモリから読み出して制御に用いる。
【００６６】
第１指令値Ｉｒｅｆ１、第２指令値Ｉｒｅｆ２、及び第４指令値は、そのまま、定電流制御部５０から出力される。なお、第１指令値Ｉｒｅｆ１、第２指令値Ｉｒｅｆ２及び第４指令値Ｉｒｅｆ４は、同じ値であってもよいし、異なる値であってもよい。
【００６７】
第３指令値Ｉｒｅｆ３は、フィードバック制御部５１に入力される。フィードバック制御部５１は、加えて、リアクトル電流ＩＬの実電流である平均値ＩＬ＿ａｖｅを取得する。この平均値ＩＬ＿ａｖｅは、入力電流検出部１０３により検出されたリアクトル電流ＩＬを所定期間蓄積し、その値を平均化したものである。第３指令値Ｉｒｅｆ３と平均値ＩＬ＿ａｖｅは加算部５２に入力され、加算部５２は、第３指令値Ｉｒｅｆ３と平均値ＩＬ＿ａｖｅの差分をとる。この差分はＰＩ制御器５３に入力され、リミッタ５４へ入力される。このリミッタ５４では、ＰＩ制御器５３の出力値が上限値よりも大きければ、その出力値を上限値に制限する。リミッタ５４からの出力値は、加算器５５において第３指令値Ｉｒｅｆ３に加算され、フィードバック制御部５１から出力される。
【００６８】
一方、電流補正部５７には、第１電圧ＶＢ及び第２電圧ＶＬが入力され、第３指令値Ｉｒｅｆ３の補正量を出力する。そして、加算器５６で第３指令値Ｉｒｅｆ３とフィードバック制御部５１の出力値との和に加算されることにより、補正指令値Ｉｒｅｆ３＊が得られる。
【００６９】
定電流制御部５０から出力された第１指令値Ｉｒｅｆ１、第２指令値Ｉｒｅｆ２、及び補正指令値Ｉｒｅｆ３＊は、モード選択部６０に入力される。モード選択部６０には、さらに、第２電圧ＶＬも入力され、その第２電圧ＶＬと、第１所定値Ｖ１及び第２所定値Ｖ２とを比較する。そして、第１指令値Ｉｒｅｆ１、第２指令値Ｉｒｅｆ２及び補正指令値Ｉｒｅｆ３＊のいずれを出力するかを決定して出力する。
【００７０】
モード選択部６０から出力された第１指令値Ｉｒｅｆ１、第２指令値Ｉｒｅｆ２及び補正指令値Ｉｒｅｆ３＊のいずれかは、ピーク電流制御部７０に入力され、ＤＡ変換器７１においてアナログ値に変換され、コンパレータ７２のマイナス端子に入力される。
【００７１】
一方、ピーク電流制御部７０のスロープ補償部７３は、レジスタの値により得られるスロープ電流Ｉｓの値を信号として生成し、ＤＡ変換器７４に入力する。このスロープ電流Ｉｓは、上述した通り、各制御周期において０Ａから直線的に単調増加する鋸歯状波の信号である。そして、ＤＡ変換器７４によりアナログ波形とされたスロープ電流Ｉｓとリアクトル電流ＩＬとを、加算部７５において加算して、コンパレータ７２のプラス端子に入力する。なお、スロープ補償部７３は、直接アナログ波形を生成し、ＤＡ変換器７４を介さずコンパレータ７２に入力するものとしてもよい。
【００７２】
このスロープ補償部７３は、第１モード及び第２モードでは、スロープ電流Ｉｓの値をゼロとし、第３モードでは、上述した鋸歯状波のスロープ電流Ｉｓを出力するものとしている。これは、第１モードでは、第１スイッチング素子Ｑ１１と第２スイッチング素子Ｑ１２とを共にＯＦＦとする期間を有しており、その期間ではリアクトル電流ＩＬがゼロとなり、その結果として低調波発振現象が発生しないためである。
【００７３】
コンパレータ７２は、マイナス端子に入力された、第１指令値Ｉｒｅｆ１、第２指令値Ｉｒｅｆ２及び補正指令値Ｉｒｅｆ３＊のいずれかと、プラス端子に入力された、リアクトル電流ＩＬにスロープ電流Ｉｓが加算された値との比較を行う。そして、プラス端子の入力値がマイナス端子の入力値よりも小さい期間において、ハイ状態の信号をＲＳフリップフロップ７７のＳ端子に入力し、プラス端子の入力値がマイナス端子の入力値よりも大きい期間において、ロー状態の信号をＲＳフリップフロップ７７のＳ端子に入力する。また、ＲＳフリップフロップ７７のＲ端子には、クロック７６からクロック信号が入力される。
【００７４】
第１モードにおいて、入力された信号がロー状態の信号となれば、リアクトル電流ＩＬが第１指令値Ｉｒｅｆ１を超えたことを意味する。そのため、ＲＳフリップフロップ７７は、第１スイッチング素子Ｑ１１及び第２スイッチング素子Ｑ１２を共にＯＦＦとする信号を送信することにより、制御Ａから制御Ｂへと切り替える。そして、１制御周期が経過すれば、第１スイッチング素子Ｑ１１及び第２スイッチング素子Ｑ１２の一方をＯＮとし他方をＯＦＦとする信号を送信することにより、制御Ｂから制御Ａへと切り替える。
【００７５】
第２モードにおいて、入力された信号がロー状態の信号となれば、リアクトル電流ＩＬが第２指令値Ｉｒｅｆ２を超えたことを意味する。そのため、ＲＳフリップフロップ７７は、第１スイッチング素子Ｑ１１及び第２スイッチング素子Ｑ１２の一方をＯＮとし、他方をＯＦＦとする信号を送信することにより、制御Ｃから制御Ａへと切り替える。続いて、制御Ｃの開始から１制御周期未満の所定時間（例えば半周期）が経過すれば、ＲＳフリップフロップ７７は、第１スイッチング素子Ｑ１１及び第２スイッチング素子Ｑ１２をいずれもＯＦＦとする信号を送信することにより、制御Ａから制御Ｂへと切り替える。そして、１制御周期が経過すれば、第１スイッチング素子Ｑ１１及び第２スイッチング素子Ｑ１２を共にＯＮとする信号を送信することにより、制御Ｂから制御Ｃへと切り替える。
【００７６】
第３モードにおいて、入力された信号がロー状態の信号となれば、リアクトル電流ＩＬにスロープ電流Ｉｓを加算した値が補正指令値Ｉｒｅｆ３＊を超えたことを意味する。そのため、ＲＳフリップフロップ７７は、第１スイッチング素子Ｑ１１及び第２スイッチング素子Ｑ１２の一方をＯＮとし、他方をＯＦＦとする信号を送信することにより、制御Ｃから制御Ａへと切り替える。そして、１制御周期が経過すれば、第１スイッチング素子Ｑ１１及び第２スイッチング素子Ｑ１２を共にＯＮとする信号を送信することにより、制御Ａから制御Ｃへと切り替える。
【００７７】
ＲＳフリップフロップ７７の出力は、Ｄｕｔｙ制限部７８へ入力される。このＤｕｔｙ制限部７８では、各制御の期間の長さが上限値を超えていればその上限値に設定され、下限値を下回っていれば、下限値に設定される。そして、第１スイッチング素子Ｑ１１及び第２スイッチング素子Ｑ１２へ制御信号が送信される。
【００７８】
上記構成により、本実施形態に係る電力変換システムは、第１実施形態に係る電力変換システムが奏する効果に加えて、以下の効果を奏する。
【００７９】
・ピーク電流制御部７０において、定電流制御部５０から入力された各指令値を用いて定電流制御を行っている。これにより、第１電圧ＶＢに変化が生じた場合等において、過電流に対するロバスト性を向上させることができる。
【００８０】
・第３モードでリアクトル電流ＩＬについてのピーク電流制御を行ううえで、スロープ電流を加算するものとしている。これにより、リアクトル電流ＩＬの低調波発振を抑制することができる。
【００８１】
＜第３実施形態＞
本実施形態では、電力変換システムの回路構成が第１実施形態と異なっている。また、回路構成が異なっていることから、制御部４００が実行する処理についても、一部異なっている。
【００８２】
図１４は、本実施形態に係る電力変換システムの回路図である。電力変換システムが備える電力変換回路２０は、第１コイルＬ２１及び第２コイルＬ２２からなるトランスＴｒ２１と、ＭＯＳＦＥＴである第１〜第８スイッチング素子Ｑ２１〜Ｑ２８を備えている。第１コイルＬ２１と第２コイルＬ２２の巻数比は、１：Ｎである。
【００８３】
第１スイッチング素子Ｑ２１のソースと、第２スイッチング素子Ｑ２２のドレインとが接続され、その接続点には第１コイルＬ２１の一端が接続されている。一方、第３スイッチング素子Ｑ２３のソースと第４スイッチング素子Ｑ２４のドレインとが接続され、その接続点には第１コイルＬ２１の他端が接続されている。第１スイッチング素子Ｑ２１のドレイン及び第３スイッチング素子Ｑ２３のドレインは、チョークコイルＬ２３の一端に接続され、チョークコイルＬ２３の他端は補機バッテリ１００の正極に接続されている。第２スイッチング素子Ｑ２２のソース及び第４スイッチング素子Ｑ２４のソースは、補機バッテリ１００の負極に接続されている。
【００８４】
第２コイルＬ２２側に設けられる第５〜第８スイッチング素子Ｑ２５〜Ｑ２８については、第１実施形態の第３〜第６スイッチング素子Ｑ１３〜Ｑ１６と同様に接続されるため、その説明を省略する。
【００８５】
チョークコイルＬ２３には、補助コイルＬ２４が磁気的に結合するように設けられ、これらチョークコイルＬ２３及び補助コイルＬ２４により、第２トランスＴｒ２２を構成している。補助コイルＬ２４には、ダイオードＤ３が直列接続されている。なお、チョークコイルＬ２３、補助コイルＬ２４については、第１実施形態と同様に巻かれており、ダイオードＤ３は第１実施形態と同様に接続されているため、詳しい説明を省略する。
【００８６】
図１５は、第１モードにおける処理を示すタイムチャートである。第１モードでは、第１スイッチング素子Ｑ２１及び第４スイッチング素子Ｑ２４をＯＮし、第２スイッチング素子Ｑ２２及び第３スイッチング素子Ｑ２３をＯＦＦとする制御Ａと、第１〜第４スイッチング素子Ｑ２１〜Ｑ２４をいずれもＯＦＦとする制御Ｂとを交互に行う。
【００８７】
制御Ａでは、第１実施形態における制御Ａと同様に、リアクトル電流ＩＬが単調増加し、第１，第２コンデンサＣ１，Ｃ２へ充電が行われる。制御Ｂでは、第１実施形態における制御Ｂと同様にリアクトル電流ＩＬがゼロとなり、フライバック電流ＩＦが単調減少する。この制御Ｂでは、第１コンデンサＣ１への充電は行われず、第２コンデンサＣ２への充電が行われる。
【００８８】
図１６は、第２モードにおける処理を示すタイムチャートである。第２モードでは、第１〜第４スイッチング素子Ｑ２１〜Ｑ２４をいずれもＯＮとする制御Ｃ、第１スイッチング素子Ｑ２１及び第４スイッチング素子Ｑ２４をＯＮし、第２スイッチング素子Ｑ２２及び第３スイッチング素子Ｑ２３をＯＦＦとする制御Ａ、第１〜第４スイッチング素子Ｑ２１〜Ｑ２４をいずれもＯＦＦとする制御Ｂを順に行う。
【００８９】
制御Ｃでは、第１実施形態における制御Ｃと同様に、リアクトル電流ＩＬは単調増加する。一方で、第１コイルＬ２１から第２コイルＬ２２への電力の供給は行われない。制御Ａでは、第１実施形態における制御Ａと同様に、第１電圧ＶＢと第２電圧ＶＬとの関係によって、リアクトル電流ＩＬの変化量が定まる。このとき、第１コイルＬ２１から第２コイルＬ２２への電力の供給が行われ、第１，第２コンデンサＣ１，Ｃ２の充電が行われる。続く制御Ｂでは、第１実施形態における制御Ｂと同様に、リアクトル電流ＩＬはゼロとなり、フライバック電流ＩＦが単調減少する。この制御Ｂでは、第１コンデンサＣ１への充電は行われず、第２コンデンサＣ２への充電が行われる。
【００９０】
図１７は、第３モードにおける処理を示すタイムチャートである。第３モードでは、第１〜第４スイッチング素子Ｑ２１〜Ｑ２４をいずれもＯＮとする制御Ｃと、第１スイッチング素子Ｑ２１及び第４スイッチング素子Ｑ２４をＯＮし、第２スイッチング素子Ｑ２２及び第３スイッチング素子Ｑ２３をＯＦＦとする制御Ａ、又は第１スイッチング素子Ｑ２１及び第４スイッチング素子Ｑ２４をＯＦＦし、第２スイッチング素子Ｑ２２及び第３スイッチング素子Ｑ２３をＯＮとする制御Ａとを、交互に行う。
【００９１】
制御Ｃでは、第１実施形態における制御Ｃと同様に、リアクトル電流ＩＬは単調増加する。一方で、第１コイルＬ２１から第２コイルＬ２２への電力の供給は行われない。制御Ａでは、第１実施形態における制御Ａと同様に、リアクトル電流ＩＬは単調減少する。このとき、第１コイルＬ２１から第２コイルＬ２２への電力の供給が行われ、第１，第２コンデンサＣ１，Ｃ２の充電が行われる。
【００９２】
図１８は、第４モードにおける処理を示すタイムチャートである。第４モードでは、第１〜第４スイッチング素子Ｑ２１〜Ｑ２４をいずれもＯＮとする制御Ｃと、第１〜第４スイッチング素子Ｑ２１〜Ｑ２４をいずれもＯＦＦとする制御Ｂとを、交互に行う。
【００９３】
制御Ｃでは、リアクトル電流ＩＬは単調増加する。一方で、第１コイルＬ２１から第２コイルＬ２２への電力の供給、及び、チョークコイルＬ２３から補助コイルＬ２４への電力の供給は、行われない。制御Ｂでは、リアクトル電流ＩＬはゼロとなり、フライバック電流ＩＦが単調減少する。この制御Ｂでは、第１コンデンサＣ１への充電は行われず、第２コンデンサＣ２への充電が行われる。
【００９４】
上記構成により、本実施形態に係る電力変換システムは、第１実施形態に準ずる効果を奏する。
【００９５】
＜第４実施形態＞
本実施形態では、電力変換システムの回路構成が第１実施形態と異なっている。また、回路構成が異なっていることから、制御部４００が実行する処理についても、一部異なっている。
【００９６】
図１９は、本実施形態に係る電力変換システムの回路図である。電力変換システムが備える電力変換回路３０は、トランスＴｒ３１、第１〜第４スイッチング素子Ｑ３１〜Ｑ３４、第１〜第４ダイオードＤ３１〜Ｄ３４、及びコンデンサＣ３０を含んで構成されている。トランスＴｒ３１の入力側として設けられる第１コイルＬ３１には、ＭＯＳＦＥＴである第２スイッチング素子Ｑ３２が直列接続されて直列接続体をなし、その直列接続体にＭＯＳＦＥＴである第１スイッチング素子Ｑ３１が並列接続されている。より具体的には、第１コイルＬ３１の一端に第１スイッチング素子Ｑ３１のドレインが接続されており、第１コイルＬ３１の他端に第２スイッチング素子Ｑ３２のドレインが接続されている。そして、第１スイッチング素子Ｑ３１のソースと第２スイッチング素子Ｑ３２のソースが接続されている。
【００９７】
第１スイッチング素子Ｑ３１のドレインと第１コイルＬ３１との接続点は、チョークコイルＬ３３を介して補機バッテリ１００の正極に接続されている。一方、第１スイッチング素子Ｑ３１のソースと第２スイッチング素子Ｑ３２のソースとの接続点は、補機バッテリ１００の負極に接続されている。
【００９８】
トランスＴｒ３１の出力側には第１コイルＬ３１と磁気的に結合する第２コイルＬ３２が設けられている。第１コイルＬ３１と第２コイルＬ３２との巻数比は、１：Ｎである。出力側では、ＭＯＳＦＥＴである第３スイッチング素子Ｑ３３とコンデンサＣ３０とが直列接続されて直列接続体をなし、その直列接続体と第２コイルＬ３２とが並列接続されて並列接続体をなしている。その並列接続体には、ＭＯＳＦＥＴである第４スイッチング素子Ｑ３４が直列接続されている。より具体的には、第２コイルＬ３２の一端とコンデンサＣ３０の一端とが接続され、コンデンサＣ３０の他端と第３スイッチング素子Ｑ３３のドレインが接続され、第２コイルＬ３２の他端と第３スイッチング素子Ｑ３３のソースが接続されている。第２コイルＬ３２と第３スイッチング素子Ｑ３３のソースとの接続点には、第４スイッチング素子Ｑ３４のドレインが接続されている。
【００９９】
第２コイルＬ３２とコンデンサＣ３０との接続点は、正極側出力端子２００ａに接続されており、第４スイッチング素子Ｑ３４のソースは負極側出力端子２００ｂに接続されている。この正極側出力端子２００ａ、負極側出力端子２００ｂには、コンデンサ２０１が並列接続されている。
【０１００】
チョークコイルＬ３３には、補助コイルＬ３４が磁気的に結合するように設けられ、これらチョークコイルＬ３３及び補助コイルＬ３４により、第２トランスＴｒ３２を構成している。補助コイルＬ３４には、ダイオードＤ３が直列接続されている。なお、チョークコイルＬ３３、補助コイルＬ３４については、第１実施形態と同様に巻かれており、ダイオードＤ３は第１実施形態と同様に接続されているため、詳しい説明を省略する。
【０１０１】
図２０は、第１モードにおける処理を示すタイムチャートである。第１モードでは、第１スイッチング素子Ｑ３１、第３スイッチング素子Ｑ３３及び第４スイッチング素子Ｑ３４をＯＦＦとし、第２スイッチング素子Ｑ３２をＯＮとする制御Ａと、第１スイッチング素子Ｑ３１、第２スイッチング素子Ｑ３２、及び第４スイッチング素子Ｑ３４をＯＦＦとし、第３スイッチング素子Ｑ３３をＯＮとする制御Ｂとを交互に行う。換言すれば、第１スイッチング素子Ｑ３１及び第４スイッチング素子Ｑ３４については常にＯＦＦとし、第２スイッチング素子Ｑ３２と第３スイッチング素子Ｑ３３とを交互にＯＮとする制御を行う。
【０１０２】
制御Ａでは、第１実施形態における制御Ａと同様に、リアクトル電流ＩＬが単調増加し、第１，第２コンデンサＣ１，Ｃ２へ充電が行われる。制御Ｂでは、第１実施形態における制御Ｂと同様にリアクトル電流ＩＬがゼロとなり、フライバック電流ＩＦが単調減少する。この制御Ｂでは、第１コンデンサＣ１への充電は行われず、第２コンデンサＣ２への充電が行われる。
【０１０３】
図２１は、第２モードにおける処理を示すタイムチャートである。第２モードでは、第１スイッチング素子Ｑ３１及び第３スイッチング素子Ｑ３３をＯＮとし、第２スイッチング素子Ｑ３２及び第４スイッチング素子Ｑ３４をＯＦＦとする制御Ｃ、第１スイッチング素子Ｑ３１、第３スイッチング素子Ｑ３３及び第４スイッチング素子Ｑ３４をＯＦＦとし、第２スイッチング素子Ｑ３２をＯＮとする制御Ａ、第１スイッチング素子Ｑ３１、第２スイッチング素子Ｑ３２、及び第４スイッチング素子Ｑ３４をＯＦＦとし、第３スイッチング素子Ｑ３３をＯＮとする制御Ｂを順に行う。
【０１０４】
制御Ｃでは、第１実施形態における制御Ｃと同様に、リアクトル電流ＩＬは単調増加する。一方で、第１コイルＬ３１から第２コイルＬ３２への電力の供給は行われない。制御Ａでは、第１実施形態における制御Ａと同様に、第１電圧ＶＢと第２電圧ＶＬとの関係によって、リアクトル電流ＩＬの変化量が定まる。このとき、第１コイルＬ３１から第２コイルＬ３２への電力の供給が行われ、第１，第２コンデンサＣ１，Ｃ２の充電が行われる。続く制御Ｂでは、第１実施形態における制御Ｂと同様に、リアクトル電流ＩＬはゼロとなり、フライバック電流ＩＦが単調減少する。この制御Ｂでは、第１コンデンサＣ１への充電は行われず、第２コンデンサＣ２への充電が行われる。
【０１０５】
図２２は、第３モードにおける処理を示すタイムチャートである。第３モードでは、第１スイッチング素子Ｑ３１及び第３スイッチング素子Ｑ３３をＯＮとし、第２スイッチング素子Ｑ３２及び第４スイッチング素子Ｑ３４をＯＦＦとする制御Ｃと、第１スイッチング素子Ｑ３１、第３スイッチング素子Ｑ３３及び第４スイッチング素子Ｑ３４をＯＦＦとし、第２スイッチング素子Ｑ３２をＯＮとする制御Ａとを交互に行う。
【０１０６】
制御Ｃでは、第１実施形態における制御Ｃと同様に、リアクトル電流ＩＬは単調増加する。一方で、第１コイルＬ３１から第２コイルＬ３２への電力の供給は行われない。制御Ａでは、第１実施形態における制御Ａと同様に、リアクトル電流ＩＬは単調減少する。このとき、第１コイルＬ３１から第２コイルＬ３２への電力の供給が行われ、第１，第２コンデンサＣ１，Ｃ２の充電が行われる。
【０１０７】
図２３は、第４モードにおける処理を示すタイムチャートである。第４モードでは、第１スイッチング素子Ｑ３１及び第３スイッチング素子Ｑ３３をＯＮとし、第２スイッチング素子Ｑ３２及び第４スイッチング素子Ｑ３４をＯＦＦとする制御Ｃと、第１スイッチング素子Ｑ３１、第２スイッチング素子Ｑ３２、及び第４スイッチング素子Ｑ３４をＯＦＦとし、第３スイッチング素子Ｑ３３をＯＮとする制御Ｂとを、交互に行う。
【０１０８】
制御Ｃでは、リアクトル電流ＩＬは単調増加する。一方で、第１コイルＬ３１から第２コイルＬ３２への電力の供給、及び、チョークコイルＬ３３から補助コイルＬ３４への電力の供給は、行われない。制御Ｂでは、リアクトル電流ＩＬはゼロとなり、フライバック電流ＩＦが単調減少する。この制御Ｂでは、第１コンデンサＣ１への充電は行われず、第２コンデンサＣ２への充電が行われる。
【０１０９】
上記構成により、本実施形態に係る電力変換システムは、第１実施形態に準ずる効果を奏する。
【０１１０】
＜第５実施形態＞
上述した各実施形態では、図１０のフローチャートで示したように、第１〜第４モードの制御を行ううえで、第２電圧ＶＬの値に応じてモードを選択するものとしている。したがって、第２電圧検出部２０２が故障した場合等、第２電圧ＶＬの値を取得できない場合には、図１０で示したフローチャートに係る制御を進めることができなくなる。すなわち、第２電圧ＶＬの検出ができない場合には、図１０で示したフローチャートに係る制御では、第１コンデンサＣ１の充電ができなくなる。
【０１１１】
そこで、本実施形態では、第２電圧ＶＬの検出ができない場合においても第１コンデンサＣ１の充電を可能とすべく、第４モードの制御を行う。上記の各実施形態で説明したように、第４モードの制御では、第３電圧ＶＨが目標値ＶＨ＊に達するまで第２コンデンサＣ２の充電を行っている。したがって、第２コンデンサＣ２を充電した後に、第２コンデンサＣ２に蓄えられた電力を第１コンデンサＣ１側へと供給すれば、第１コンデンサＣ１の充電が可能である。
【０１１２】
図２４は、本実施形態に係る一連の処理を示すフローチャートである。なお、図２４のフローチャートにおいて、第１実施形態の図１０で示したものと同等の処理を行う箇所には同じ符号を付与しており、説明を省略する。
【０１１３】
まず、起動要求を取得すれば（Ｓ１０１）、第２電圧ＶＬを取得可能であるか否かを判定する（Ｓ２０１）。第２電圧ＶＬを取得可能である場合（Ｓ２０１：ＹＥＳ）、第１実施形態と同様に、Ｓ１０２〜Ｓ１１１の制御を行い、第１コンデンサＣ１及び第２コンデンサＣ２の充電を行う。
【０１１４】
第２電圧ＶＬを取得できない場合（Ｓ２０１：ＮＯ）、第４モードの制御を行う（Ｓ２０２）。第４モードの制御を所定時間行った後、第４モードの制御により第３電圧ＶＨが目標値ＶＨ＊に到達したか否かを判定する（Ｓ２０３）。この目標値ＶＨ＊は、第１，２コンデンサＣ１，Ｃ２の容量と、第１コンデンサＣ１の電圧である第２電圧ＶＬの目標値ＶＬ＊に基づいて定まる値である。具体的には、第２コンデンサＣ２の電力を用いた第１コンデンサＣ１の充電の終了時に、第２電圧ＶＬが目標値ＶＬ＊となるように定められている。
【０１１５】
第３電圧ＶＨが目標値ＶＨ＊に到達していない場合（Ｓ２０３：ＮＯ）、Ｓ２０２の制御を繰り返す。第３電圧ＶＨが目標値ＶＨ＊に到達している場合（Ｓ２０３：ＹＥＳ）、第４モードの制御を終了し（Ｓ２０４）、昇圧回路３０１の制御を開始する（Ｓ２０５）。昇圧回路３０１の制御を所定時間行った後、第３電圧ＶＨが第２電圧ＶＬの目標値ＶＬ＊に到達したか否かを判定する（Ｓ２０６）。第３電圧ＶＨが第２電圧ＶＬの目標値ＶＬ＊に到達していない場合（Ｓ２０６：ＮＯ）、Ｓ２０５の制御を繰り返す。第３電圧ＶＨが第２電圧ＶＬの目標値ＶＬ＊に到達している場合、昇圧回路３０１の制御を停止し（Ｓ２０７）、一連の処理を終了する。
【０１１６】
本実施形態に係る制御を行った場合の第２電圧ＶＬ及び第３電圧ＶＨの時間変化を、図２５のタイムチャートを参照して説明する。
【０１１７】
時刻ｔ１０にて、第２電圧ＶＬを取得できないとの判定がなされれば、第２コンデンサ２の充電を行うべく、第４モードの制御を行う。この第４モードの制御を行うことで、第２コンデンサＣ２の充電の進行に伴い、第３電圧ＶＨは上昇する。時刻ｔ１１で第３電圧ＶＨが目標値ＶＨ＊に到達すれば、第４モードの制御を終了し、昇圧回路３０１の制御を開始する。なお、図２５では、第３電圧ＶＨの検出の遅れにより、第３電圧ＶＨがオーバーシュートする例を示している。
【０１１８】
昇圧回路３０１の制御により、第２コンデンサＣ２から第１コンデンサＣ１へと電力が供給されれば、第３電圧ＶＨは減少し、第２電圧ＶＬは上昇する。そして、時刻ｔ１２で第３電圧ＶＨが第２電圧ＶＬの目標値ＶＬ＊に到達すれば、昇圧回路３０１の制御を終了する。
【０１１９】
なお、本実施形態において、第２コンデンサＣ２から第１コンデンサＣ１へと電力を供給するうえで、第３電圧ＶＨが第２電圧ＶＬよりも高い状態で、電力の供給を終了するものとしてもよい。この場合には、第２コンデンサＣ２から第１コンデンサＣ１へと電力を供給する際の時定数を予め測定しておき、第３電圧ＶＨが第２電圧ＶＬよりも高いと推定できる時間で、昇圧回路３０１の制御を終了すればよい。また、第２コンデンサＣ２から第１コンデンサＣ１への充電が進むにつれ、第３電圧ＶＨの時間当たりの減少量は、小さくなる。そこで、第３電圧ＶＨの時間当たりの減少量が所定値を下回った場合に、昇圧回路３０１の制御を終了してもよい。こうすることで、第２電圧ＶＬの検出ができない場合でも、第１実施形態と同等の効果を得ることができる。
【０１２０】
上記構成により、本実施形態に係る電力変換システムは、以下の効果を奏する。
【０１２１】
・第４モードの制御を行うことにより第２コンデンサＣ２の充電を行っているため、第２電圧ＶＬの検出ができない場合でも、第２コンデンサＣ２に蓄えられた電力を用いて第１コンデンサＣ１の充電を行うことができる。したがって、フェールセーフ機能を担保することができる。
【０１２２】
＜変形例＞
・実施形態では、通流規制素子としてダイオードＤ３を使用したが、ダイオードＤ３の代わりに、スイッチング素子、例えば還流ダイオードを備えるＭＯＳＦＥＴやＩＧＢＴを用いてもよい。ダイオードＤ３の代わりにスイッチング素子を用いる場合には、チョークコイルＬ１３から補助コイルＬ１４へと電力を供給する制御Ｂの期間において、そのスイッチング素子をＯＮとする同期整流制御を行えばよい。特に、スイッチング素子としてＭＯＳＦＥＴを使用する場合、制御Ｂの期間において、ＭＯＳＦＥＴをＯＮとして同期整流制御を実施することで、チョークコイルＬ１３から補助コイルＬ１４へ電力を供給する際の効率を向上させることができる。
【０１２３】
・実施形態では、ダイオードＤ３を第２コンデンサＣ２に対して負極側に設けているが、第２コンデンサＣ２に対して正極側に設けてもよい。
【０１２４】
・第２コンデンサＣ２の電圧を第１コンデンサＣ１の電圧よりも高くするために用いる回路は、各実施形態で示したものに限られない。例えば、補機バッテリ１００側に第２コンデンサＣ２の充電に用いるスイッチング回路をさらに設けるものとしてもよい。
【０１２５】
・第１実施形態の電力変換回路１０を、図２６のように構成してもよい。具体的には、電力変換回路１０ａにおいて、トランスＴｒ１１ａを構成する第１コイルＬ１１ａの端部のそれぞれに、第１スイッチング素子Ｑ１１ａのソース、第２スイッチング素子Ｑ１２ａのソースをそれぞれ接続する。一方で、第１スイッチング素子Ｑ１１ａのドレインと第２スイッチング素子Ｑ１２ａのドレインは接続され、その接続点はチョークコイルＬ１３の一端に接続される。また、第１コイルＬ１１のセンタータップは、補機バッテリ１００の負極に接続される。なお、第２コイルＬ１２側の構成については、第１実施形態と同様であるため、説明を省略する。このとき、制御部４００が実行する処理は、第１実施形態と同様のものとなる。
【０１２６】
・第４実施形態に係る電力変換回路３０（フォワードアクティブクランプ回路）の第２コイルＬ３２側について、図２７のように構成してもよい。具体的には、トランスＴｒ３１の出力側を構成する第２コイルＬ３２の一端は正極側出力端子２００ａに接続されており、他端は第４スイッチング素子Ｑ３４ａのドレインに接続されている。第２コイルＬ３２と第４スイッチング素子Ｑ３４ａのドレインとの接続点は、コンデンサＣ３０ａを介して第３スイッチング素子Ｑ３３ａのソースに接続されており、第４スイッチング素子Ｑ３４ａのソースは第３スイッチング素子Ｑ３３ａのドレインに接続されている。この第４スイッチング素子Ｑ３４ａと第３スイッチング素子Ｑ３３ａの接続点は、負極側出力端子２００ｂに接続されている。なお、第３スイッチング素子Ｑ３３ａには第３ダイオードＤ３３ａが逆方向に並列接続されており、第４スイッチング素子Ｑ３４には第４ダイオードＤ３４ａが逆方向に並列接続されている。制御部４００が実行する具体的な処理については、第４実施形態と同様であるため、説明を省略する。
【０１２７】
・各実施形態では、第１〜第４モードの制御をいずれも行うものとしているが、第１〜第３モードの少なくとも１つのモードと、第４モードとを行うものであればよい。
【０１２８】
・第１実施形態における第１モードにおいて、第２スイッチング素子Ｑ１２を常にＯＦＦとする例を示したが、図２８（ａ）に示すように、制御Ａでは、第１スイッチング素子Ｑ１１がＯＮである場合とＱ１２がＯＮである場合とを交互に行うものとしてもよい。また、図２８（ｂ）に示すように、第１スイッチング素子Ｑ１１がＯＮである制御Ａを複数回行い、続いて、第２スイッチング素子Ｑ１２がＯＮである制御Ａを複数回行うものとしてもよい。
【０１２９】
・第１実施形態における第２モードにおいて、第２スイッチング素子Ｑ１２をＯＦＦとすることにより制御Ｃから制御Ａへと切り替えるものとしているが、図２９（ａ）に示すように、第２スイッチング素子Ｑ１２をＯＦＦとすることにより制御Ｃから制御Ａへと切り替える制御と、第１スイッチング素子Ｑ１１をＯＦＦとすることにより制御Ｃから制御Ａへと切り替える制御とを交互に行うものとしてもよい。また、図２９（ｂ）に示すように、第２スイッチング素子Ｑ１２をＯＦＦとすることにより制御Ｃから制御Ａへと切り替える制御を複数回行い、続いて、第１スイッチング素子Ｑ１１をＯＦＦとすることにより、制御Ｃから制御Ａへと切り替える制御を複数回行うものとしてもよい。なお、第７スイッチング素子Ｑ１７は、制御Ｂが行われる期間において、ＯＮとされる。
【０１３０】
・第１〜第４モードにおいて、第１〜第４指令値Ｉｒｅｆ１〜Ｉｒｅｆ４を用いて制御するものとしたが、各モードにおいて、制御Ａ〜制御Ｃを行う期間の長さを予め定めておき、その定められた期間に基づいて制御を行うものとしてもよい。
【０１３１】
・第５実施形態に係る制御は、第３、４実施形態に係るシステムにおいても同様に実施することができる。
【０１３２】
・各実施形態では、チョークコイルＬ１３，Ｌ２３，Ｌ３３を補機バッテリ１００に対して正極側に設けているが、負極側に設けてもよい。また、チョークコイルＬ１３，Ｌ２３，Ｌ３３を正極側及び負極側に設け、それぞれに磁気結合する補助コイルＬ１４，Ｌ２４，Ｌ３４を設けるものとしてもよい。
【０１３３】
・補助コイルＬ１４とチョークコイルＬ１３との巻数比を、Ｎ以上：１としてもよい。
【０１３４】
・実施形態において、電力変換システムがハイブリッドカーに搭載されるものとしたが、搭載対象はこれに限られることはない。
【符号の説明】
【０１３５】
１０…電力変換回路、２０…電力変換回路、３０…電力変換回路、１００…第２電源、２００…第１電源、２０１ａ，２０１ｂ…システムメインリレー、３００…高圧負荷、３０１…昇圧回路、４００…制御部、Ｃ１…第１コンデンサ、Ｃ２…第２コンデンサ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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