(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の主面上に半導体構造が設けられたウエハを準備する工程と、
前記基板に、上面視形状が六角形である複数の発光素子に割断するための割断起点部を形成する工程と、
前記ウエハを所定の状態に保持する保持シートを準備する工程と、
前記ウエハの基板側の面を保持シートに貼り付けた状態で、前記ウエハの半導体構造側の面が下向きになるよう前記ウエハを保持する工程と、
先端部が球面である押圧部材を準備する工程と、
前記保持シートに前記先端部を押し当てた状態で、上面視において、前記発光素子を構成するいずれの辺とも平行でない方向に前記先端部を走査することにより前記ウエハを割断し、上面視形状が六角形である複数の発光素子に個片化する工程と、を含む発光素子の製造方法。
【請求項２】
前記先端部の外径は、前記発光素子の上面視形状の外接円の直径よりも長い請求項１に記載の発光素子の製造方法。
【請求項３】
前記割断起点部は、前記基板の半導体構造が形成された面と反対側の面に達している請求項１および２のいずれか１項に記載の発光素子の製造方法。
【請求項４】
前記割断起点部は、前記基板の前記半導体構造の近傍にまで形成される請求項１から３のいずれか１項に記載の発光素子の製造方法。
【請求項５】
前記割断起点部は、前記基板の内部にレーザ光を集光させて形成される請求項１から４のいずれか１項に記載の発光素子の製造方法。
【請求項６】
前記基板はサファイア基板であり、
前記割断起点部は、前記発光素子の少なくとも１辺が前記基板のａ面に沿うように形成される請求項１から５のいずれか１項に記載の発光素子の製造方法。
【請求項７】
前記割断起点部は、前記半導体構造を貫通しない請求項１から６のいずれか１項に記載の発光素子の製造方法。
【請求項８】
前記個片化工程における、前記先端部の走査は一度の走査で行われる請求項１から７のいずれか１項に記載の発光素子の製造方法。
【請求項９】
前記個片化工程における、前記先端部を走査する走査パターンの間隔は、前記先端部が押圧可能な領域の最大幅以下である請求項１から８のいずれか１項に記載の発光素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光素子の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
成長基板上に半導体構造が形成されたウエハを割断し矩形状の発光素子に個片化する方法として、ウエハに形成された加工溝に沿ってブレークボールを走査し加工溝を起点にウエハを個片化する方法が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平１０−０７４７１２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、発光素子の上面視形状が六角形である場合、ウエハに形成された割断ラインが折れ線状に形成されるためブレークボールを加工溝に沿って走査させることが困難となる。さらに、ウエハに六角形の発光素子が隙間なく配置されている場合、１つの発光素子の一角がなす一点で、他の２つの発光素子が隣接することになるが、その一点に繋がった３つの辺はそれぞれが異なる方向に形成されている。したがって、割断ラインに沿って押圧部材を走査すると割断ラインの交点（３つの発光素子１が隣接する一点）近傍に応力が集中し発光素子の角部に負荷がかかり損傷する虞がある。
【０００５】
そこで、本発明は、ウエハを上面視形状が六角形である複数の発光素子に個片化するときに発光素子の損傷を抑制することができる製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一実施形態に係る発光素子の製造方法は、基板の主面上に半導体構造が設けられたウエハを準備する工程と、基板に、上面視形状が六角形である複数の発光素子に割断するための割断起点部を形成する工程と、ウエハを所定の状態に保持する保持シートを準備する工程と、ウエハの基板側の面を保持シートに貼り付けた状態で、ウエハの半導体構造側の面が下向きになるようウエハを保持する工程と、先端部が曲面を有する押圧部材を準備する工程と、保持シートに先端部を押し当てた状態で、上面視において、発光素子を構成するいずれの辺とも平行でない方向に先端部を走査することによりウエハを割断し、上面視形状が六角形である複数の発光素子に個片化する工程と、を含む発光素子の製造方法である。
【発明の効果】
【０００７】
本発明の一実施形態に係る発光素子の製造方法によれば、ウエハを上面視形状が六角形である複数の発光素子に個片化するときに発光素子の損傷を抑制することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の一実施形態に係る製造方法による得られる発光素子を模式的に示す断面図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る製造方法に用いるウエハを模式的に示す上面図である。
【図３】レーザ光をウエハの内部に照射して割断起点部を形成する例を模式的に示す断面図である。
【図４】図３のウエハに割断起点部を形成した例を模式的に示す要部拡大上面図である。
【図５】押圧部材でウエハを割断する様子を模式的に示す断面図である。
【図６】押圧部材の先端部でウエハを押圧する様子を模式的に示す図である。
【図７】押圧部材をウエハ上で走査させる走査パターンを模式的に示す上面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
図１は、本実施形態に係る製造方法で得られる発光素子１の断面図を示す図である。図２は、本実施形態で用いるウエハの外観を示す上面図である。図３は、割断起点部１２を形成する例を説明するための断面図である。図４は、ウエハ１０の一部を拡大し、ウエハ１０に割断起点部１２が形成されている様子を説明するための要部拡大上面図である。図５は、保持シート３０に保持されたウエハ１０を、押圧部材２０を用いて割断する様子を示す図である。図６は、押圧部材２０が保持シート３０に押し当てられた様子を示す要部拡大断面図である。図７は、ウエハ１０上を押圧部材２０が走査されるパターンを示す図と、ウエハ１０の一部を拡大し走査パターンＳＰと発光素子１の関係を説明するための要部拡大上面図である。
【００１０】
本実施形態に係る発光素子の製造方法は、基板２の主面上に半導体構造４が設けられたウエハ１０を準備する工程と、基板２に、上面視形状が六角形である複数の発光素子１に割断するための割断起点部１２を形成する工程と、ウエハ１０を所定の状態に保持する保持シート３０を準備する工程と、ウエハ１０の基板２側の面を保持シート３０に貼り付けた状態で、ウエハ１０の半導体構造４側の面が下向きになるようウエハ１０を保持する工程と、先端部２２が曲面を有する押圧部材２０を準備する工程と、保持シート３０に先端部２２を押し当てた状態で、上面視において、発光素子１を構成するいずれの辺とも平行でない方向に先端部２２を走査することによりウエハ１０を割断し、上面視形状が六角形である複数の発光素子１に個片化する工程と、を含んでいる。
【００１１】
これにより、ウエハ１０を上面視形状が六角形である複数の発光素子１に個片化するときに発光素子１の損傷を抑制することが可能となる。以下、この点について説明する。
【００１２】
ウエハ１０を上面視形状が矩形状の発光素子に割断するときには、ウエハ１０に形成される割断ラインは直線状であるため割断ラインに沿って容易に割断が可能である。一方で、上面視形状が六角形である発光素子１であると割断ラインは折れ線状になるため割断ラインに沿って押圧部材２０を走査することが困難である。さらに、図４に示すように、ウエハ１０に六角形の発光素子１が隙間なく配置（平面充填）されている場合、１つの発光素子１の一角がなす一点で、他の２つの発光素子１が隣接することになるが、その一点に繋がった３つの辺はそれぞれが異なる方向に形成されている。したがって、割断ラインに沿って押圧部材２０を走査すると割断ラインの交点（３つの発光素子１が隣接する一点）近傍に応力が集中し発光素子１の角部に負荷がかかり損傷する虞がある。
【００１３】
そこで、本実施形態では、発光素子１のいずれの辺とも平行でない方向に先端部２２が曲面である押圧部材２０を走査させることによりウエハ１０を複数の発光素子１に個片化している。これにより、応力が割断ラインの交点に集中することなく個片化が可能となり、発光素子１の損傷を抑制することができる。
【００１４】
さらに、本実施形態では、ウエハ１０の基板２側の面を保持シート３０に貼り付けた状態で、ウエハ１０の半導体構造４側の面が下向きになるようウエハ１０を保持し、保持シート３０側から押圧部材２０を押し当てた状態で走査している。複数の発光素子１に個片化する際に、ウエハ１０を保護シートなどで挟んだ状態で一方の面側から応力をかけると、他方の面側に設けられた保護シートにウエハ１０が接触し発光素子１が損傷する場合がある。そこで、本実施形態では、ウエハ１０の保持シート３０に貼り付けられていない面は露出した状態としている。これにより、割断時にウエハ１０が何かに接触することはなくウエハ１０にかかる負荷がないため、発光素子１の損傷を抑制できる。また、ウエハ１０を割断した際に、発光素子１に欠けが生じても欠けがウエハ１０から下方に落ちてウエハ上に残留することがない。そのため、発光素子１の欠けが残留した状態で個片化工程が行われることがなく、発光素子１の欠けに起因するさらなる発光素子１の欠けを発生させるといった２次的な損傷も抑制することができる。
【００１５】
以下、図を参照しながら発光素子１の製造方法について説明する。
【００１６】
（ウエハ準備工程）
まず、基板２の主面上に半導体構造４が設けられたウエハ１０を準備する。ウエハ１０は、図２の上面図に示すように、上面視が略円形状で、円弧の一部を平坦としたオリエンテーションフラット面ＯＬを設けている。ウエハ１０は、基板２と、その上に設けられた半導体構造４とを備える。ウエハ１０のサイズは、例えばΦ５０〜１００ｍｍ程度とすることができる。
【００１７】
なお、図１の断面図に示すように、本発明の一実施形態に係る製造方法により、ウエハ１０を個片化して得られる発光素子１は、基板２の主面上に、半導体構造４として複数の半導体層が積層されている。つまり、ウエハ１０は複数の発光素子１が縦横に繋がった状態のものである。具体的には、発光素子１は、基板２の主面上に、ｐ側半導体層４ｐ、活性層４ａ、ｎ側半導体層４ｎが主面側から順に積層された半導体構造４を備えている。ｎ側半導体層４ｎにはｎ電極３Ａが電気的に接続され、ｐ側半導体層４ｐにはｐ電極３Ｂが電気的に接続されている。半導体構造４は、絶縁性の保護膜５に被覆されている。
【００１８】
（割断起点部形成工程）
次に、基板２に、ウエハ１０を複数の発光素子１に個片化するための割断起点部１２を形成する。割断起点部１２は、ウエハ１０を所定の大きさに個片化して発光素子１を得るために形成され、ウエハ１０の割断を容易にするためのガイドとなる部分である。図３に、レーザ光ＬＢを基板２の内部に照射して割断起点部１２を形成する例を示す。レーザ光をウエハ１０に対して走査させることで、所望のパターンの割断起点部１２を形成することができる。本実施形態では、上面視において、連続した直線状に割断起点部１２を形成しているが、波線状やドット状などの離散的なパターンとすることもできる。
【００１９】
図３では、基板２の内部に形成される帯状の改質領域を割断起点部１２として示すが、実際は、割断起点部１２は、レーザ照射後に改質領域から主として基板２の厚み方向（図３において上下方向）に広がった亀裂を含む。ただし、基板２の表面に溝を形成してこれを割断起点部１２とすることもできる。
【００２０】
割断起点部１２は、図３に示すように、半導体構造４が形成された主面とは反対側の面、すなわち基板２の裏面側からレーザ光を照射し基板２内に集光させることにより形成することができる。これにより、レーザ光により半導体構造４が損傷を受けることを抑制できる。また、基板２の裏面側からレーザ光を照射する場合、基板２の内部におけるレーザ光の集光位置は、例えば、基板２の厚み方向において、半導体構造４から７０μｍ以上離れた位置とすることが好ましい。このような集光位置とすることで、半導体構造４のレーザ光による損傷を抑制できる。
【００２１】
割断起点部１２は、半導体構造４が形成された主面とは反対側の面、すなわち基板２の裏面に達するように形成することが好ましい。これにより、後述する個片化工程において、ウエハ１０を割断しやすくすることできる。さらに、割断起点部１２の一端が半導体構造４の近傍まで達するように、割断起点部１２を形成することが好ましい。これにより、個片化工程において割断すべきウエハ１０の厚みがさらに薄くなり、ウエハ１０の割断を容易に行い各発光素子に個片化できるため、発光素子１の欠けを抑制することができる。ただし、全領域において割断起点部１２が半導体構造４の近傍に達していなくてもよい。
【００２２】
半導体構造４の近傍にまで割断起点部１２を形成する場合、割断起点部１２と半導体構造４との距離は０〜１０μｍとすることができる。なお、割断起点部１２の一部が半導体構造４を貫通してウエハ１０の表面に達していてもよいが、半導体構造４が完全に分断されると、個片化工程に入る前に発光素子１に個片化されて飛散する虞があるため、好ましくは個片化工程を行うまでは割断起点部１２が半導体構造４を貫通しない状態とすることが好ましい。割断起点部１２がどこまで延伸するかは、レーザ光の照射条件やレーザ光照射後の待機時間などによって調整することができる。
【００２３】
レーザ光はパルス駆動でウエハに照射することができる。この場合、パルス当たりのエネルギーは、例えば、０．８〜５μＪとすることができる。レーザ光の周波数は、例えば、５０〜２００ｋＨｚとすることができる。レーザ光のパルス幅は、例えば、３００〜５００００ｆｓ（フェムト秒）とすることができる。レーザ光の波長は、５００〜１１００ｎｍとすることができる。レーザ光の照射走査速度は２０〜２０００ｍｍ／ｓｅｃとすることができる。
【００２４】
割断起点部１２を基板２に形成するパターンは、個片化工程によって得られる発光素子１の上面視における形状を規定する。一般に発光素子１の形状は矩形状であるが、レンズ等との組み合わせや出力光の照射範囲などを考慮すると、円形であることが好ましい。ただ、円形の発光素子とする場合は、割断自体が困難となる。そこで、上面視形状が六角形の発光素子１とすることで、発光素子１の上面視形状を円形に近付け、より高品質な出力光を得られるよう改善が期待できる。
【００２５】
図４に示すように、複数の発光素子１の上面視形状が六角形となるよう、割断起点部１２のパターンをウエハ１０に形成する。このように形成した場合、割断起点部１２は、ウエハ１０の上面視において屈曲した折れ線状になる。ウエハ１０上の無駄な領域を可能な限り低減するために、発光素子１が平面充填されるように配置されている。本実施形態では、発光素子１の上面視形状を１辺の長さが等しい正六角形とし、それらをハニカム状に配置している。
【００２６】
基板２としては、六方晶系の結晶構造を有するものを用いることができる。六方晶系の結晶構造を有する基板２としては、例えばサファイア基板、ＧａＮ基板が挙げられる。例えば、サファイア基板にレーザ光を照射し上面視形状が六角形である発光素子１を規定する割断起点部１２を形成する場合は、六角形の発光素子１の少なくとも１辺がａ面に沿った割断起点部１２とすることが好ましい。このようにすれば、レーザ光の照射によるクラックが厚み方向に伸展し易くなるため、ウエハ１０を容易に割断することができる。通常、ウエハ１０の厚みの大部分を基板２が占めるため、基板２の割断容易性はウエハ１０の割断容易性とほぼ等しい。半導体構造４など基板２以外の部材がウエハの厚みの大部分を占める場合は、その部材を六方晶系の結晶構造を有する材料で形成すればよい。
【００２７】
（保持工程）
次に、ウエハ１０を所定の状態に保持するための保持シート３０を準備し、図５に示すように、保持シート３０にウエハ１０を貼り付ける。具体的には、ウエハ１０の基板２側の面を保持シート３０に貼り付けた状態で、ウエハ１０の半導体構造４が設けられた側の面が下向きになるようにウエハ１０を保持する。例えば、ウエハ１０が貼り付けられた保持シート３０の周囲を枠部材などで挟んだ状態で固定し、ウエハ１０が下方に向くように保持する。このようにすれば、後述する個片化工程において、ウエハ１０を割断するときにウエハ１０の半導体構造４が形成されている面が露出された状態であるため、保護シート等で被覆されている場合と比較して、割断したときに半導体構造４が保護シートに接触するといった負荷が抑制される。その結果、個片化された発光素子１の欠けが抑制され、信頼性に優れた発光素子１を生産性良く製造することができる。さらに、割断した際に発光素子１が欠けたとしてもその欠けが落ちてウエハ１０上に残留する事態を回避できる。そのため、発光素子１の欠けが残留した状態で個片化工程が行われることがなく、その残留した欠けでさらに発光素子１が欠けてしまうといった２次的な発光素子１の損傷を防止することができる。
【００２８】
保持シート３０は、保持工程においてウエハ１０を下方に向けて保持できるものであれば特に限定されず、例えば、ＵＶテープや粘着性を有するシートを用いることができる。
【００２９】
ウエハ１０を保持シート３０に貼り付けるのは、割断起点部１２を形成する前でも後でもよいが、割断起点部１２を形成する前にウエハ１０を保持シート３０に貼り付けることが好ましい。割断起点部１２が半導体構造４の近傍まで生じる場合、割断起点部１２の形成後にウエハ１０を保持シート３０に貼り付けようとすると、意図せず個片化されて発光素子１が飛散する虞があるためである。
【００３０】
（個片化工程）
次に、ウエハ１０を割断し複数の発光素子１に個片化する。基板２には割断起点部１２が形成されており、ウエハ１０は割断起点部１２により割断される。具体的には、図６に示すように、押圧部材２０の先端部２２を保持シート３０に押し当てた状態で保持シート３０上を移動させ、割断起点部１２を利用してウエハ１０を複数の発光素子１に個片化する。
【００３１】
押圧部材２０を走査させるパターンは、ウエハ１０の上面視において割断起点部１２を構成する線分を含む直線のすべてと交差する方向に押圧部材２０を移動させる。つまり、各発光素子の外形の多角形を構成するいずれの辺とも平行でない方向に押圧部材２０を走査させる。ここで、上面視形状が六角形の発光素子１とするためにウエハ１０に形成される割断起点部１２は折れ線状であるため、押圧部材２０を割断起点部１２に沿って走査させることが困難である。さらに、図４に示すように、ウエハ１０に六角形の発光素子１が隙間なく配置されている場合、１つの発光素子１の一角がなす一点で、他の２つの発光素子１が隣接することになるが、その一点に繋がった３つの辺はそれぞれが異なる方向に形成されている。したがって、割断起点部１２に沿って押圧部材２０を走査すると割断起点部１２の交点（３つの発光素子１が隣接する一点）近傍に応力が集中し発光素子１の角部に負荷がかかり損傷する虞がある。そこで本実施形態においては、敢えて割断起点部１２の線分に沿わせず、図７に示すように、上面視における割断起点部１２の線分に対して斜めに交差する方向に走査させている。このような走査によって、様々な方向や角度で設けられた割断起点部１２に対して応力を印加し、一気に割断させるようにしている。その結果、割断ラインの交点に応力が集中することなく割断されるため、発光素子１の損傷を抑制しながら効率よく個片化することができる。さらに、走査回数を低減させることができるので、製造時間の短縮にも繋がり、発光素子１の製造工程の生産性を向上させることができる。
【００３２】
押圧部材２０を走査させる方向は、図７に示すように、例えばウエハ１０のオリエンテーションフラット面ＯＬに対して傾斜した方向とすることができる。この際、オリエンテーションフラット面ＯＬに対して押圧部材２０の走査方向を傾斜させる角度θは、発光素子１の外形を構成するいずれの辺とも平行とならない角度、すなわちいずれの辺とも交差するような角度に設定する。例えば、図７の例では、発光素子１の外形を正六角形状とし、かつ正六角形の一辺がオリエンテーションフラット面ＯＬと平行となる姿勢に配置しているため、オリエンテーションフラット面ＯＬに対して０°、６０°、１２０°の角度で押圧部材２０を走査させると、六角形の１辺のいずれかと合致する。このような走査をすると、いずれかの一辺に応力が集中し、他の辺に相当する部位では、割断の応力が相対的に弱くなって割断面の品質にばらつきが生じることが考えられる。そこで、押圧部材２０を走査する方向は、オリエンテーションフラット面ＯＬに対して０°、６０°、１２０°傾斜させる角度θを除く角度に設定する。本実施形態においては、角度θを４５°に設定している。
【００３３】
走査パターンＳＰの間隔Ｐは、ウエハ１０に含まれるすべての発光素子１が割断されるように設定することが好ましい。１つの直線状の走査で押圧できる範囲は先端部２２の形状及び押し込み量によって定まるため、それを考慮して走査パターンＳＰの間隔Ｐを設定することができる。走査パターンＳＰの間隔Ｐは、先端部２２が押圧可能な領域の最大幅以下とすることが好ましく、さらには当該最大幅よりも小さいことが好ましい。なお、押圧部材２０の走査パターンＳＰは、先端部２２の中心が通過する軌跡を指す。
【００３４】
以上ではオリエンテーションフラット面ＯＬと発光素子１の辺の１つが平行である場合を例として説明した。このような配置であれば、オリエンテーションフラット面ＯＬを基準として走査する方向を定めることができる。ただし、これに限られるものではなく、例えば発光素子１の辺のいずれもオリエンテーションフラット面ＯＬと平行でない配置としてもよい。
【００３５】
（押圧部材２０）
押圧部材２０は、図５及び図６に示すように、保持シート３０に押し当てる先端部２２を曲面としている。先端部２２が曲面である押圧部材２０を保持シート３０に押圧することで、作用点からの応力を分散させながらウエハ１０及び保持シート３０を撓ませることができるので、ウエハ１０が割断起点部１２を離れて意図しない方向に割れるリスクを軽減しつつ割断できる。これにより、割断起点部１２が折れ線状に形成されている場合であっても、割断起点部１２に効率よく応力を作用させつつ割断が可能となり、発光素子１の損傷を抑制することができる。さらに、ウエハ１０に対する負荷も軽減できるので、発光素子１の欠けが抑制される。
【００３６】
押圧部材２０の材料は、ステンレスやジルコニアなどを用いることができる。
【００３７】
押圧部材２０の先端部２２は球面とすることが好ましい。なお、本明細書において、球面とは球の全面を意味するのではなく、球の一部の面を意味することは言うまでもない。例えば、押圧部材２０の先端部２２を球面とするために、先端部２２の形状を半球状とすることができる。また、先端部２２は、球体で構成されていてもよい。例えば、球体をホルダーに固定し、この球体によってウエハ１０を押圧してもよい。球面の先端部２２を用いることで、ウエハ１０を点に近い領域で押圧することができる。先端部２２は、球面以外の楕円面でもよい。
【００３８】
本実施形態において、先端部２２の外径は、発光素子１の上面視形状の外接円の直径よりも長い。好ましくは、先端部２２の外径を、発光素子１の上面視形状の外接円の直径の２倍以上とする。また、先端部２２の外径は、例えばウエハ１０の直径よりも小さい。
【００３９】
先端部２２は、ウエハ１０の全体を一度に押圧可能な曲面よりも大きな曲率であることが好ましい。すなわち、ウエハ１０の全体を一度に押圧可能な曲面よりも小さな曲率半径であることが好ましい。曲率を大きく（曲率半径を小さく）することでウエハ１０の撓み量を大きくできるため、良好に割断することが可能である。先端部２２の曲率半径は、例えば２〜２０ｍｍとすることができる。また、先端部２２の曲率半径は、発光素子１の上面視形状の１辺の２〜２５倍程度でもよい。先端部２２は、押圧部材２０がウエハ１０の主面の内どこを押圧しても必ず、図６に示すように、割断位置となる割断起点部１２の左右を同時に押圧し得る大きさとすることが好ましい。もし先端部２２の外径が発光素子１の外径よりも小さければ割断起点部１２の片側の発光素子１のみを押圧する場合があり得るため、割断不良が生じる虞がある。このため先端部２２の球面は、その外径を、発光素子１の外径よりも大きくすることが好ましい。本実施形態においては、六角形の中心を挟んで対向する頂点同士の距離が発光素子１の外径となる。これにより、発光素子１のどの位置に先端部２２が接触しても、必ず両側の割断起点部１２を含む範囲を押圧することが可能である。そして、そのように押圧できるように押圧部材２０の押し込み量を設定することによって、割断を確実に行うことができる。先端部２２の外径は、例えば、発光素子１の外径の５〜３０倍程度とすることができる。
【００４０】
なお、先端部２２とは、押圧部材２０のうちウエハ１０を押圧可能な面を含む部分を指す。押圧時には、先端部２２が点に近い極めて小さな領域でウエハ１０を押圧することが好ましい。これにより、小さな力で容易に割断することが可能となる。また、上述のとおり、隣接する２以上の発光素子１を同時に押圧可能であるように先端部２２の形状（外径、曲率など）及び押圧部材２０の押し込み量を設定することが好ましい。これにより、先端部２２が常に２以上の発光素子１を押圧する状態で押圧部材２０を走査させることができるので効率よく割断することができる。すなわち、先端部２２が１つの発光素子１のみを押圧する状態では、押圧された発光素子１が若干沈み込む程度であって分割され難いが、この状態を避けることができる。
【００４１】
（発光素子の取り出し工程）
発光素子１を個片化した後、複数の発光素子１を取り出す。各発光素子１は保持シート３０に貼り付けられた状態で保持されている。そして、各発光素子１が割断起点部１２に沿って割断された状態から、各発光素子１を保持シート３０から取り外して、個片化された発光素子１を得ることができる。
【００４２】
以上、実施形態について説明したが、これらの説明は一例に関するものであり、特許請求の範囲に記載された構成を何ら限定するものではない。
【符号の説明】
【００４３】
１・・・発光素子
２・・・基板
３・・・電極
３Ａ・・・ｎ電極
３Ｂ・・・ｐ電極
４・・・半導体構造
４ｐ・・・ｐ側半導体層
４ａ・・・活性層
４ｎ・・・ｎ側半導体層
５・・・保護膜
１０・・・ウエハ
１２・・・割断起点部
２０・・・押圧部材
２２…先端部
３０…保持シート
ＬＢ・・・レーザ光
ＯＬ・・・オリエンテーションフラット面
ＳＰ・・・走査パターン
【図１】
0006468113.tif 000002
【図２】
0006468113.tif 000003
【図３】
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【図４】
0006468113.tif 000005
【図５】
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【図６】
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【図７】
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