(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
与えられた順の層構造、
ａ）シンチレーターまたは光導電層（１）、
ｂ）単一の画像化アレイ（２）、
ｃ）第１の支持体（３）
ｄ）第２の支持体（４）および、第２の支持体の１つの面上のＸ−線吸収層（５）、を含んでなるＸ−線シールド、
ｅ）画像アレイ（６）に接続している下方の電子機器、
を含んでなる、放射線透過撮影用フラットパネル検出器であって、
ここで、吸収層（５）が、結合剤（ｂｉｎｄｅｒ）並びに、２０以上の原子番号をもつ一つの金属元素および一つ以上の非金属元素を有する化合物、を含んでなり、Ｘ−線吸収層が、ナイフコーティング、ドクターブレードコーティング、スピン被覆、浸漬被覆、噴霧被覆、スクリーン印刷および張り合わせの群から選択される方法によって第２の支持体上に適用される、
ことを特徴とする、
放射線透過撮影用フラットパネル検出器であって、
層構造が、
ａ）シンチレーターまたは光導電層（１）、
ｂ）画像化アレイ（２）、
ｃ）第１の支持体（３）
ｄ）第２の支持体（４）
ｅ）Ｘ−線吸収層（５）、
ｆ）画像アレイ（６）に接続している下方の電子機器、
で与えられた順である、
放射線透過撮影用フラットパネル検出器。
【請求項２】
第２の支持体（４）が本質的に、アルミニウム、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリイミド、ポリエーテルスルホン、炭素繊維強化プラスチック、ガラス、セルローストリアセテートよりなる群から選択される物質およびそれらの組み合わせ物またはそれらの積層物より成る、請求項１に従う放射線透過撮影用フラットパネル検出器。
【請求項３】
第２の支持体が柔軟なシートである、請求項１または２に従う放射線透過撮影用フラットパネル検出器。
【請求項４】
化合物がＣｓＩ、Ｇｄ2Ｏ2Ｓ、ＢａＦＢｒ、ＣａＷＯ4、ＢａＴｉＯ3、Ｇｄ2Ｏ3、ＢａＣｌ2、ＢａＦ2、ＢａＯ、Ｃｅ2Ｏ3、ＣｅＯ2、ＣｓＮＯ3、ＧｄＦ2、ＰｄＩ2、ＴｅＯ2、ＳｎＩ2、ＳｎＯ、ＢａＳ、ＢａＣＯ3、ＢａＩ、ＢａＦＸ、ＲＦＸn、ＲＦyＯz、ＲＦy（ＳＯ4）z、ＲＦyＳz、ＲＦy（ＷＯ4）z、ＣｓＢｒ、ＣｓＣｌ、ＣｓＦ、Ｃｓ2ＳＯ4、ハロゲン化オスミウム、酸化オスミウム、硫化オスミウム、ハロゲン化レニウム、酸化レニウムおよび硫化レニウムまたはそれらの混合物よりなる群から選択され、そこで
−  ＸがＦ、Ｃｌ、ＢｒおよびＩの群から選択されるハロゲンであり、そして
−  ＲＦがＬａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、ＹｂおよびＬｕから選択されるランタニドであり、そして
−  ｎ、ｙ、ｚが独立して１を超える整数である、
請求項１〜３のいずれかに従う放射線透過撮影用フラットパネル検出器。
【請求項５】
結合剤が、セルロースアセテートブチレート、ポリアルキル（メト）アクリレート、ポリビニル−ｎ−ブチラール、ポリ（ビニルアセテート−コ−ビニルクロリド）、ポリ（アクリロニトリル−コ−ブタジエン−コ−スチレン）、ポリ（ビニルクロリド−コ−ビニルアセテート−コ−ビニルアルコール）、ポリ（ブチルアクリレート）、ポリ（エチルアクリレート）、ポリ（メタクリル酸）、ポリ（ビニルブチラール）、トリメリット酸、ブテンジオン酸無水物、フタル酸無水物、ポリイソプレンおよびそれらの混合物の群から選択される、請求項１〜４のいずれかに従う放射線透過撮影用フラットパネル検出器。
【請求項６】
Ｘ−線吸収層中の結合剤の量が１０重量％以下である、請求項１〜５のいずれかに従う放射線透過撮影用フラットパネル検出器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、診断用画像化、そしてより具体的には、検出器電子機器を防護し、そしてＸ−線源に対する対象の暴露期間中の後方散乱Ｘ−線の影響を減少または排除するＸ−線シールドをもつ放射線透過撮影用（ｒａｄｉｏｇｒａｐｈｙ）Ｘ−線検出器に関する。
【背景技術】
【０００２】
Ｘ−線の画像化は、患者または動物の医学的画像を捕促し、同時にまた荷物、包装物および他の小包のような密閉容器の中味を検査するための非侵襲的方法である。これらの画像を捕促するためにＸ−線ビームが物体を照射する。次にＸ−線は物体を通過する時に減衰される。減衰の程度は、対象の内部の組成および／または厚さのばらつきの結果として対象全体でばらつく。減衰されたＸ−線ビームは、減衰ビームを、対象の内部構造の使用可能な影の画像に変えるようになっているＸ−線検出器上に衝突する。
【０００３】
放射線透過撮影用フラットパネル検出器（ＲＦＰＤ）は益々、検査法期間中の検体の、または分析される患者の身体部分の画像を捕促するために、使用されるようになっている。これらの検出器はＸ−線を直接（直接変換直接放射線透過撮影法−ＤＣＤＲ）または間接的方法（間接変換直接放射線透過撮影法−ＩＣＤＲ）で電荷に変換することができる。
【０００４】
直接変換直接放射線透過撮影法において、ＲＦＰＤはＸ−線を電荷に直接変える。Ｘ−線は非晶質セレン（ａ−Ｓｅ）のような光導電層と直接相互作用する。
【０００５】
間接変換直接放射線透過撮影法において、ＲＦＰＤは、Ｘ−線を光に変え、次にそれが非晶質ケイ素（ａ−Ｓｉ）の半導体層と相互反応し、そこで電荷が形成されるＣｓＩ：ＴｌまたはＧｄ2Ｏ2Ｓのようなシンチレーチョン燐をもつ。
【０００６】
形成される電荷は、薄膜トランジスター（ＴＦＴ）を含んでなる切り替えアレイを介して集電される。トランジスターは、横列毎に、そして縦列毎にスイッチをいれて作動されて、検出器の信号を読み出す。電荷は電圧に変換され、それがデジタル数字に変換されて、コンピューターファイル内に保存され、それを使用してソフトコピーまたはハードコピーの画像を形成することができる。近年、相補的金属酸化物半導体（ＣＭＯＳ）センサーがＸ−線の画像化において重要になりつつある。ＣＭＯＳに基づく検出器はすでに、乳房撮影法、歯科、蛍光透視、心臓学および血管造影の画像に使用されている。これらの検出器を使用する利点は、高い読み出し速度および低い電子ノイズである。
【０００７】
一般に、切り替えアレイとしてのＴＦＴおよび光ダイオード（ＩＣＤＲの場合）を含む画像化アレイは、ガラスの薄い支持体上にメッキされる。ガラス支持体上の、シンチレーターまたは光導電体および画像化アレイのアセンブリーは、Ｘ−線源から来て、診断の対象により透過されるすべての一次光線は吸収しない。従って、このアセンブリーの下方に配置される電子機器は、特定の割合の一次Ｘ−線光線に暴露される。電子機器は十分には放射線抵抗性でないので、この透過光線が損傷を誘発するかも知れない。更に、ガラス支持体上のシンチレーターまたは光導電体および画像化アレイのアセンブリーにより吸収されないＸ−線は、ガラス支持体の下方の構造物中に吸収されることができる。これらの構造物中に吸収される一次光線は、等方向に放射され、従って検出器の画像化部分を暴露する二次光線を形成する。二次光線は「後方散乱光」と呼ばれ、検出器の画像部分を暴露し、それにより再構築された画像中にアーチファクト（ａｒｔｉｆａｃｔｓ）を導入する可能性がある。アセンブリーの下方の空間は均等には充填されていないので、散乱光の量は位置により左右される。散乱光の一部はシンチレーターまたは光導電体および画像化アレイのアセンブリーの方向に放射され、そして記録される信号に寄与することができる。この寄与は空間的に均等ではないので、この寄与が画像の曇りをもたらすかも知れず、従って、ダイナミックレンジを低下すると考えられる。それはまた、画像のアーチファクト（ａｒｔｅｆａｃｔｓ）を形成すると考えられる。
【０００８】
散乱光線による電子機器への損傷および画像アーチファクトを回避するために、シンチレーターまたは光導電体および画像化アレイのアセンブリーの下方にＸ−線シールドを適用することができる。高い原子番号をもつ金属が、それらの高い密度およびＸ−線に対する高い固有の停止力のために、このようなＸ−線シールド中の材料として使用される。これらの例は、特許文献１、特許文献２および特許文献３に開示されたようなタンタルム、鉛またはタングステンからのシートまたはプレートである（特許文献１、２、３参照）。
【０００９】
しかし、高い原子番号をもつ金属はまた、高い密度をもつ。従って、これらの材料を基材にしたＸ−線シールドは高い重量をもつ。重量は特にＲＦＰＤの運搬性のためにＲＦＰＤの重要な特徴である。従って、あらゆる重量の減少が、医療スタッフのようなＲＦＰＤの使用者にとり有益である。
【００１０】
特許文献４は、Ｘ−線検出器の背面カバーのＸ−線の反射を減少するための放射線吸収材を含んでなる、放射線を吸収するＸ−線検出器パネル支持体を開示している（特許文献４参照）。鉛、硫酸バリウムおよびタングステンのような重原子を含む吸収材を、硬いパネル支持体上に、化学蒸着法により膜としてメッキするか、または射出成形により、硬いパネル支持体を加工するために使用される土台の材料と混合することができる。
【００１１】
特許文献５において、変換および検出ユニットを支持する支持体を含むＸ−線画像化検出器が開示されている（特許文献５参照）。その支持体は２２を超える原子番号をもつ一つ以上の元素を含む。検出アレイは支持体上に直接メッキされるので、支持体の適切な材料の種類はむしろ限定される。
【００１２】
特許文献６において、支持体、好適には、Ｐｂ、Ｂａ、ＴａもしくはＷにより形成される群から選択される一つの金属を含むガラス、を含んでなる画像化装置が開示されている（特許文献６参照）。該発明者等によると、このガラスの使用は、鉛基材の更なるＸ−線シールドを必要としないと考えられる。しかし、Ｐｂ、Ｂａ、ＴａもしくはＷにより形成される群からの十分量の金属を含むガラスは、画像化アレイのための支持体として通常使用されるガラスより高価である。
【００１３】
特許文献７は、それぞれ、異なる厚さをもつシンチレーターとしての２枚のシンチレーチョン燐層および、前記の２層の間のＸ−線に透過性の支持体を含んでなる、放射線透過撮影の画像化装置、すなわちＲＦＰＤを開示している（特許文献７参照）。支持体の反対の面における更なる燐層の使用が、空間分解能（ｓｐａｔｉａｌ  ｒｅｓｏｌｕｔｉｏｎ）を維持しながら、Ｘ−線吸収率を改善する。開示された通りの更なる燐層の存在は、その下方に横たわる電子機器の損傷を防止し、後方散乱を防止するために、すべての一次Ｘ−線放射を吸収するには十分でない。このＲＦＰＤのデザインには、更なるＸ−線シールドがまだ、必要であると考えられる。
【００１４】
特許文献８において、二重スクリーンのデジタル放射線透過撮影装置が請求されている（特許文献８参照）。この装置はそれぞれ、Ｘ−線を捕促し、処理するためのシンチレーチョン燐層を含んでなる、２枚の平らなパネルの検出器（前方パネルと後方パネル）よりなる。後方パネル中のシンチレーチョン燐層は画像形成に寄与し、下方の電子機器を防護するためのＸ−線シールドとしての機能をもたない。この二重スクリーンのデジタルのフラットパネルはまだ、下方の電子機能を防護し、そして散乱放射による、画像アーチファ
クト（ａｒｔｅｆａｃｔｓ）を回避するためのＸ−線シールドを必要とする。
【００１５】
特許文献９は、鉛または他の適切な材料がＣＴ−装置中の処理回路の前方に配置されているＸ−線検出器のための遮蔽につき記載している（特徴文献９参照）。
【００１６】
特許文献１０は、少なくとも０．２５４ｍｍ当量の鉛のＸ−線吸収率をもち、そしてエプロン、甲状腺シールド、生殖腺シールド、手袋、等のような個人的放射線防護または減衰のために、衣類または布類の上に適用しなければならない軽量の膜を開示している（特許文献１０参照）。前記の膜は、高い原子量の金属またはそれらの関連化合物および／または合金を含んでなるポリマーラテックス混合物から得られる。適切な金属は、４５を超える原子番号をもつものである。ＲＦＰＤ中への、この軽量の膜の使用は言及されていない。軽量の膜は請求されているが、その膜の組成物中に使用される金属粒子はまだ、シールドの重量に高度に寄与する。
【００１７】
特許文献１１は、身体の放射線防護のために衣類または布類上に適用される放射線遮蔽組成物を開示している（特許文献１１参照）。該組成物はポリマー、好適にはエラストマーおよび、充填剤として組成物の少なくとも８０重量％の量の、高い原子番号をもつ金属の均一に分散された粉末よりなった。装填物質（ｌｏａｄｉｎｇ  ｍａｔｅｒｉａｌ）は１８０℃未満の温度で、充填材（ｆｉｌｌｅｒ）と混合され、エラストマーと混練されて、工業的規模で衣類および布類に均一に適用することができる放射線遮蔽組成物をもたらす。しかし、金属の使用は、本発明のシールドの重量をかなり増加している。
【００１８】
特許文献１２は、高い放射線遮蔽能および優れた経済効率をもつ、鉛および他の有害成分を含まない放射線遮蔽シートを開示している（特許文献１２参照）。前記シートは遮蔽材を有機ポリマー物質中に充填することにより形成され、該遮蔽材は、ランタン（Ｌａ）、セリウム（Ｃｅ）、プラセオジム（Ｐｒ）、ネオジム（Ｎｄ）、サマリウム（Ｓｍ）、ユウロピウム（Ｅｕ）およびガドリニウム（Ｇｄ）よりなる群から選択される少なくとも一つの元素を含む酸化物の粉末であり、そして該ポリマーは、ゴム、熱可塑性エラストマー、ポリマー樹脂または類似物のような物質である。放射線遮蔽シート中に充填される遮蔽材の容量は、シートの総容量に対して４０〜８０容量％である。ＲＦＰＤ中へのこの軽量の膜の使用は言及されていない。
【００１９】
以上の考察から、下方の電子機器を防護し、そして下方の構造物により形成される散乱放射線を吸収して画像化領域における画像のアーチファクトを回避するためのＸ−線シールドをもつが、しかし軽量、低コストをもち、そして経済効率的な方法で生産可能なＲＦＰＤの需要が存在することが明白であるにちがいない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００２０】
【特許文献１】欧州特許第１４７１３８４Ｂ１号明細書
【特許文献２】米国特許第２０１３／００３２７２４Ａ１号明細書
【特許文献３】米国特許第２０１２／００９７８５７Ａ１号明細書
【特許文献４】米国特許第７３１７１９０Ｂ２号明細書
【特許文献５】米国特許第５６５０６２６号明細書
【特許文献６】米国特許第５７７７３３５号明細書
【特許文献７】米国特許第７５６９８３２号明細書
【特許文献８】米国特許第２００８／０１１９６０Ａ１号明細書
【特許文献９】国際公開第２００５０５７２３５Ａ１号パンフレット
【特許文献１０】国際公開第２００５１０５５９３８号パンフレット
【特許文献１１】米国特許第６５４８５７０号明細書
【特許文献１２】国際公開第２００９／００７８８９１号パンフレット
【発明の概要】
【００２１】
発明の要約
従って、単一の画像化アレイをもつ放射線透過撮影用フラットパネル検出器（ｒａｄｉｏｇｒａｐｈｙ  ｆｌａｔ  ｐａｎｅｌ  ｄｅｔｅｃｔｏｒ）中のＸ−線シールドの高い重量の寄与に対する解決策を与え、そして同時に、経済効率のよい方法でＸ−線シールドを生産する解決策を与えることが、本発明の目的である。その目的は、請求項１に規定される通りの放射線透過撮影用フラットパネル検出器により達成された。Ｘ−線シールドは請求項１に規定される通りの第２の支持体とＸ−線吸収層との組み合わせ物である。
【００２２】
請求項１に規定されるＲＦＰＤの更なる利点は、前記Ｘ−線シールドの厚さが、標準の厚さをもつ市販のシールド用金属シートの場合におけるような大規模工程の代わりに、連続的方法で、必要な程度のＸ−線シールド効果に調整することができる点である。注文に従って作製された厚さをもつプレートを購入することができても、これらの金属プレートの価格は、特注生産のためにまだ非常に高価である。
【００２３】
本発明の他の態様に従うと、Ｘ−線シールドの組成物は第２の支持体で層を封印する工程を回避するほど機械的に十分強いか、または高価な成型技術を必要としないＸ−線吸収層をもたらす。更に、Ｘ−線シールドは第２の支持体を含んでなり、従って、Ｘ−線シールドはＲＦＰＤ全体、そしてより具体的には単一の画像化アレイの、薄い、脆弱なガラス支持体の機械的強度に寄与する。
【００２４】
他の態様に従うと、本発明は放射線透過撮影用フラットパネル検出器の製法を含む。その方法は、支持体を提供する工程並びに、前記支持体上に２０以上の原子番号をもつ一つの金属元素および一つ以上の非金属元素をもつ少なくとも一つの化合物とともに結合剤を被覆する工程、を含む。
【００２５】
本発明の他の特徴物、要素、工程、特徴および利点は、本発明の好適な実施態様の以下の詳細な説明から、より明確になると考えられる。本発明の具体的な実施態様はまた、付属請求項中に規定されている。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】図１は本発明の一つの実施態様に従うＲＦＰＤおよびその下方の電子機器の断面図を表わし、図中、１はシンチレーターまたは光導電層であり、２は単一の画像化アレイであり、３は第１の支持体であり、４は第２の支持体であり、５はＸ−線吸収層であり、６は下方の電子機器である。
【図２】図２は本発明の一つの実施態様に従うＲＦＰＤの断面図を表わし、図中、１はシンチレーターまたは光導電層であり、２は単一の画像化アレイであり、３は第１の支持体であり、４は第２の支持体であり、５はＸ−線吸収層であり、６は下方の電子機器である。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
実施態様の説明
本発明は、シンチレーターまたは光導電層、第１の支持体上の単一の画像化アレイ並びに、支持体（第２の支持体）上に被覆された、結合剤および、２０以上の原子番号をもつ一つの金属元素および一つ以上の非金属元素を有する化合物、を含んでなるＸ−線吸収層をもつＸ−線シールド、を含んでなる放射線透過撮影用フラットパネル検出器（ＲＦＰＤ）に関する。
【００２８】
Ｘ−線吸収層
Ｘ−線シールドは、結合剤並びに、２０以上の原子番号をもつ一つの金属元素および一つ以上の非金属元素をもつ一つ以上の化合物を含んでなる層の使用によってのみ、金属よりなるＸ−線シールドと同様なＸ−線停止力をもつが、それよりかなり軽量を伴って製造することができることが発見された。これらの化合物は好適には、２０以上の原子番号をもつ金属の酸化物または、ハロゲン化物、オキシスルフィド、亜硫酸化物、炭酸化物のような塩である。本発明の範囲内に使用することができる、２０より高い原子番号をもつ適切な金属元素の例は、バリウム（Ｂａ）、カルシウム（Ｃａ）、セリウム（Ｃｅ）、セシウム（Ｃｓ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、ランタン（Ｌａ）、ルテチウム（Ｌｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、錫（Ｓｎ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、テルル（Ｔｅ）、イットリウム（Ｙ）および亜鉛（Ｚｎ）のような金属である。本発明の更なる利点は、これらの化合物が比較的安価であり、低毒性を特徴とする点である。
【００２９】
２０以上の原子番号をもつ一つの金属元素および一つ以上の非金属元素をもつ好適な化合物の例は、ヨウ化セシウム（ＣｓＩ）、酸硫化ガドリニウム（Ｇｄ2Ｏ2Ｓ）、フッ化臭化バリウム（ＢａＦＢｒ）、タングステン酸カルシウム（ＣａＷＯ4）、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ3）、酸化ガドリニウム（Ｇｄ2Ｏ3）、塩化バリウム（ＢａＣｌ2）、フッ化バリウム（ＢａＦ2）、酸化バリウム（ＢａＯ）、酸化セリウム、硝酸セシウム（ＣｓＮＯ3）、フッ化ガドリニウム（ＧｄＦ2）、ヨウ化パラジウム（ＰｄＩ2）、二酸化テルル（ＴｅＯ2）、ヨウ化錫、酸化錫、硫化バリウム、炭酸バリウム（ＢａＣＯ3）、ヨウ化バリウム、塩化セシウム（ＣｓＣｌ）、臭化セシウム（ＣｓＢｒ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、硫酸セシウム（Ｃｓ2ＳＯ4）、ハロゲン化オスミウム、酸化オスミウム、硫化オスミウム、ハロゲン化レニウム、酸化レニウム、硫化レニウム、ＢａＦＸ（式中、ＸはＣｌもしくはＩを表わす）、ＲＦＸn（式中、ＲＦはＬａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ：から選択されるランタニドを表わしそしてＸはＦ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ：から選択されるハロゲンを表わす）、ＲＦyＯz、ＲＦy（ＳＯ4）z、ＲＦyＳzおよび／またはＲＦy（ＷＯ4）z，［ここでｎ、ｙ、ｚは独立して１より大きい整数である］である。これらの化合物は比較的軽量のＸ−線シールドを製造することができ、それらの純粋な金属類似体より、それらの低い吸湿性のために処理し易い。もっとも好適な金属化合物はＧｄ2Ｏ2Ｓ、Ｇｄ2Ｏ3、Ｃｅ2Ｏ3、ＣｓＩ、ＢａＦＢｒ、ＣａＷＯ4およびＢａＯ：である。
【００３０】
Ｘ−線吸収層のために使用することができる金属元素の範囲は、それらの多数がそれらの元素形態では安定ではないために、純粋な金属および／または合金の対応範囲よりずっと大きいことが本発明の他の利点である。例は、アルカリ金属、アルカリ土類金属および希土類金属である。更に、本発明のＸ−線シールドは、Ｘ−線吸収層の厚さが、放射線を減衰するために必要な許容可能な線量限界を参照して決定されるような方法でＸ−線装置に柔軟な調整を許す。
【００３１】
２０以上の原子番号をもつ一つの金属元素および一つ以上の非金属元素を有する化合物は、結合剤中に分散された粉末として本発明のＸ−線吸収層中に使用することができる。
Ｘ−線吸収層中の結合剤の量は、１重量％〜５０重量％、好適には１重量％〜２５重量％、より好適には１重量％〜１０重量％、もっとも好適には１重量％〜３重量％の範囲内でばらつくことができる。
【００３２】
適切な結合剤は例えば、有機ポリマーまたは無機結合成分である。適切な有機ポリマーの例は、ポリエチレングリコールアクリレート、アクリル酸、ブテン酸、プロペン酸、ウレタンアクリレート、ヘキサンジオール・ジアクリレート、コポリエステル・テトラアクリレート、メチル化メラミン、酢酸エチル、メチルメタクリレートである。無機結合成分も同様に使用することができる。適切な無機結合成分の例は、アルミナ、シリカもしくはアルミナのナノ粒子、リン酸アルミニウム、ほう酸ナトリウム、リン酸バリウム、リン酸、硝酸バリウムである。
【００３３】
好適な結合剤は、有機ポリマー、例えばセルロースアセテートブチレート、ポリアルキル（メト）アクリレート、ポリビニル−ｎ−ブチラール、ポリ（ビニルアセテート−コ−ビニルクロリド）、ポリ（アクリロニトリル−コ−ブタジエン−コ−スチレン）、ポリ（ビニルクロリド−コ−ビニルアセテート−コ−ビニルアルコール）、ポリ（ブチルアクリレート）、ポリ（エチルアクリレート）、ポリ（メタクリル酸）、ポリ（ビニルブチラール）、トリメリット酸、ブテンジオン酸無水物、フタル酸無水物、ポリイソプレンおよび／またはそれらの混合物である。結合剤は好適には、ゴム状および／またはエラストマーポリマーのような、ポリブタジエンまたはポリイソプレンからの、飽和ゴムブロックをもつ一つ以上のスチレン−水素化ジエンブロックコポリマーを含んでなる。本発明に従うブロックコポリマー結合剤として使用することができる特に適切な熱可塑性ゴムは、ＫＲＡＴＯＮTM  Ｇゴムであり、ＫＲＡＴＯＮTMはＳＨＥＬＬからの商品名である。
【００３４】
Ｘ−線吸収層の被膜が硬化される場合、結合剤は好適には、単官能性もしくは多官能性モノマー、オリゴマーまたはポリマーまたはそれらの組み合わせ物であることができる重合性化合物を含む。重合性化合物は一つ以上の重合性基、好適にはラジカル重合性基を含むことができる。当該技術分野で一般に知られた、あらゆる重合性モノもしくはオリゴ官能性モノマーまたはオリゴマーを使用することができる。好適な単官能性モノマーは、欧州特許第１６３７３２２Ａ号明細書の段落［００５４］〜［００５７］に記載されている。好適なオリゴ官能性モノマーまたはオリゴマーは欧州特許第１６３７３２２Ａ号明細書の段落［００５９］〜［００６４］に記載されている。特に好適な重合性化合物は、ウレタン（メト）アクリレートおよび１，６−ヘキサンジオールジアクリレートである。ウレタン（メト）アクリレートは１、２、３またはそれ以上の重合性基をもつことができるオリゴマーである。
【００３５】
Ｘ−線吸収層の被覆溶液の調製期間中に有機ポリマーである結合剤を溶解するために適切な溶媒は、アセトン、ヘキサン、メチルアセテート、エチルアセテート、イソプロパノール、メトキシプロパノール、イソブチルアセテート、エタノール、メタノール、メチレンクロリドおよび水であることができる。もっとも好適なものはトルエン、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）およびメチルシクロヘキサンである。適切な無機結合成分を溶解するためには、主要な溶媒として水が好適である。硬化性被覆液の場合には、一つ以上の単官能性および／または二官能性モノマーおよび／またはオリゴマーを希釈剤として使用することができる。希釈剤として働く好適なモノマーおよび／またはオリゴマーは前記のウレタン（メト）アクリレートオリゴマーと混和性である。希釈剤として使用される一種もしくは複数のモノマーまたは一種もしくは複数のオリゴマーは好適には、低粘度の一種もしくは複数のアクリレートモノマーである。
【００３６】
本発明のＸ−線吸収層はまた、更なる化合物、例えば、分散剤、可塑化剤、光反応開始剤、光硬化性モノマー、静電気防止剤、界面活性剤、安定剤、酸化剤、接着剤、ブロッキ
ング剤および／またはエラストマー、を含むことができる。
【００３７】
本発明に使用することができる分散剤は、２０以上の原子番号をもつ一つの金属元素および一つ以上の非金属元素を有する化合物の粒子の分離を改善し、そして更に被覆溶液中の沈降または凝集を防止するために結合剤に添加される、非界面活性ポリマーまたは、界面活性剤のような界面活性物質を含む。分散剤の適切な例は、ＳａｋｙｏからのＳｔａｎｎ  ＪＦ９５ＢおよびＤａｎｉｅｌ  Ｐｒｏｄｕｋｔｓ  ＧｅｒｍａｎｙからのＤｉｓｐｅｒｓｅ  ＡｙｄTM  １９００である。Ｘ−線吸収層の被覆溶液に対する分散剤の添加は更に、層の均一性を改善する。
【００３８】
可塑化剤の適切な例はＢＡＳＦからのＰｌａｓｔｉｌｉｔTM  ３０６０、Ｓｏｌｕｔｉａ  ＥｕｒｏｐｅからのＳａｎｔｉｃｉｚｅｒTM  ２７８およびＢＡＳＦからのＰａｌａｔｉｎｏｌTM  Ｃである。Ｘ−線吸収層に対する可塑化剤の存在は、柔軟な支持体との相溶性を改善する。
【００３９】
適切な光開始剤は例えば、Ｇ．Ｂｒａｄｌｅｙにより編纂され、Ｊｏｈｎ  Ｗｉｌｅｙ
ａｎｄ  Ｓｏｎｓ  Ｌｔｄ  Ｌｏｎｄｏｎにより１９９８年に刊行されたＳｕｒｆａｃｅ  Ｃｏａｔｉｎｇｓ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ（表面コーティング技術）におけるＷｉｌｅｙ／ＳＩＴＡ  Ｓｅｒｉｅｓの第ＩＩＩ巻、Ｊ．Ｖ．Ｃｒｉｖｅｌｌｏ等の「フリーラジカル、カチオン＆アニオン光重合のための光開始剤、第２版」、ページ２７６〜２９４に開示されている。適切な光開始剤の例は、ＲａｈｎからのＤａｒｏｃｕｒｅTM  １１７３およびＮｕｖｏｐｏｌTM  ＰＩ−３０００であることができる。適切な静電気防止剤の例はＡｃｒｉｓからのＣｙａｓｔａｔTM  ＳＮ５０およびＬａｎｇｅｒからのＬａｎｃｏTM  ＳＴＡＴ  Ｋ  １００Ｎであることができる。
【００４０】
適切な界面活性剤の例は、Ｄｏｗ  ＣｏｒｎｉｎｇTM  １９０およびＧａｆａｃ  ＲＭ７１０、ＲｏｄｉａからのＲｈｏｄａｆａｃTM  ＲＳ−７１０であることができる。適切な安定剤化合物の例は、ＩＣＩ  ＳｕｒｆａｃｔａｎｔｓからのＢｒｉｊTM  ７２およびＢａｅｒｌｏｃｈｅｒ  ＩｔａｌｉａからのＢａｒｏｓｔａｂTM  ＭＳであることができる。適切な酸化剤の例はＲｉｅｄｅｌ  Ｄｅ  Ｈａｅｎからの酸化鉛（ＩＶ）であることができる。適切な接着剤の例は、Ｃｒａｙ  ＶａｌｌｅｙからのＣｒａｙｎｏｒTM  ４３５およびＮｏｖｅｏｎからのＬａｎｃｏTM  ワックスＴＦ１７８０であることができる。適切なブロッキング剤の一例はＢａｘｅｎｄｅｎからのＴｒｉｘｅｎｅTM  ＢＩ７９５１であることができる。適切なエラストマー化合物の一例はＳｃｈｒａｍｍからのＭｅｔａｌｉｎｅTMであることができる。
【００４１】
Ｘ−線吸収層の厚さも同様に異なることができ、必要な遮蔽力および／またはＲＦＰＤのデザイン中にＸ−線シールドを取り入れるために利用可能な空間に左右される。本発明において、Ｘ−線吸収層の厚さは、少なくとも０．１ｍｍ、より好適には０．１〜１．０ｍｍの範囲内にある。
【００４２】
適用に応じて、Ｘ−線シールド中の２０以上の原子番号をもつ一つの金属元素および一つ以上の非金属元素を有する化合物の被膜量は調整することができ、そして医学目的にＲＦＰＤを使用する場合は、この被膜量は好適には、少なくとも１００ｍｇ／ｃｍ2、より好適には少なくとも２００ｍｇ／ｃｍ2である。
【００４３】
Ｘ−線吸収層のための支持体
本発明に従うＸ−線シールドのＸ−線吸収層のための支持体は、以後第２の支持体と呼ばれるが、硬いかまたは柔軟のいずれか、例えばアルミニウムプレート、アルミニウムフォイル、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）
ポリイミド（ＰＩ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）の膜、金属フォイル、炭素繊維強化プラスチック（ＣＦＲＰ）シート、ガラス、柔軟なガラス、トリアセテートおよびそれらの組み合わせ物またはそれらの積層物であることができる。本発明の第２の支持体に好適な材料は、それらの軽量、それらの低コストおよびそれらの入手性のために、ＰＥＴ、ガラスおよびアルミニウムである。
【００４４】
本発明に適切な支持体はまた、支持体中に光吸収または光反射材料を取り入れることにより、実質的に光透過性でない支持体を含む。
【００４５】
より好適な支持体は例えば、ＰＥＴ、アルミニウムまたは柔軟なガラスから得られる柔軟なシートである。上記のような支持体（第２の支持体）上へのＸ−線吸収層の適用は好適には、被覆法により実施される。被覆は支持体上への１枚以上の層の適用の、経済的に効率的な方法である。被覆法により、Ｘ−線吸収層は光吸収層または光反射層、接着層等と一緒に適用されることができる。柔軟な支持体は連続的被覆法に特に適している。更に、柔軟な支持体はロール物として入手可能であり、被覆および乾燥または硬化の生産工程中に巻き取り、そして巻き出すことができる。
【００４６】
Ｘ−線吸収層中のシンチレーチョン燐により放射される光を反射するためには、白色層を使用することができる。ＴｉＯ2を含んでなる層は好適には、シンチレーチョン燐により放射される光の一つ以上の波長において、９０％以上の光を反射するために使用される。光反射層中のＴｉＯ2の固形分は好適には、２５〜５０（重量）％の範囲内にあり、そしてその厚さは好適には５〜４０μｍの範囲内にある。より好適には、ＴｉＯ2の固形分は層の総固形分の３３〜３８（重量）％であり、層の厚さは１３〜３０μｍの間である。
【００４７】
本発明の他の好適な実施態様において、光を吸収するそれらの高い効率のために黒色の層を使用して、Ｘ−線吸収層中のシンチレーチョン燐により放射される光を吸収することができる。シンチレーチョン燐による放射光の十分な吸収を得るために、微細な炭素黒粉末（アイボリー黒、チタン黒、鉄黒）のような黒色粒子が適する。炭素黒の固形分は好適には３〜３０（重量）％の範囲内にあり、２〜３０μｍの層の厚さがシンチレーチョン燐による放射光の９０％以上を吸収すると考えられる。より好適には、炭素黒の固形分の範囲は、６〜１５（重量）％の範囲にあり、層の厚さは５〜１５μｍ間である。発明の他の実施態様において、特に、Ｘ−線吸収層中のシンチレーチョン燐による放射光の最大波長において吸収する有色顔料または染料を使用することができる。
【００４８】
シンチレーター
本発明に従う間接変換直接放射線透過撮影用のＲＦＰＤにおいて、シンチレーターは場合により支持体を含んでなり、そしてその上に、Ｇｄ2Ｏ2Ｓ：Ｔｂ、Ｇｄ2Ｏ2Ｓ：Ｅｕ、Ｇｄ2Ｏ３：Ｅｕ、Ｌａ2Ｏ2Ｓ：Ｔｂ、Ｌａ2Ｏ2Ｓ、Ｙ2Ｏ2Ｓ：Ｔｂ、ＣｓＩ：Ｔｌ、ＣｓＩ：Ｅｕ、ＣｓＩ：Ｎａ、ＣｓＢｒ：Ｔｌ、ＮａＩ：Ｔｌ、ＣａＷＯ4、ＣａＷＯ4：Ｔｂ、ＢａＦＢｒ：Ｅｕ、ＢａＦＣＩ：Ｅｕ、ＢａＳＯ4：Ｅｕ、ＢａＳｒＳＯ4、ＢａＰｂＳＯ4、ＢａＡＩ12Ｏ19:Ｍｎ、ＢａＭｇＡｌ10Ｏ17：Ｅｕ、Ｚｎ2Ｓｉ０4：Ｍｎ、（Ｚｎ、Ｃｄ）Ｓ：Ａｇ、ＬａＯＢｒ、ＬａＯＢｒ：Ｔｍ、Ｌｕ2Ｏ2Ｓ：Ｅｕ、Ｌｕ2Ｏ2Ｓ：Ｔｂ、ＬｕＴａ０4、ＨｆＯ2：Ｔｉ、ＨｆＧｅ０4：Ｔｉ、ＹＴａ０4、ＹＴａ０4：Ｇｄ、ＹＴａ０4：Ｎｂ、Ｙ2Ｏ３：Ｅｕ、ＹＢＯ3：Ｅｕ、ＹＢＯ3：Ｔｂまたは（Ｙ，Ｇｄ）ＢＯ3：Ｅｕまたはそれらの組み合わせ物のようなシンチレーチョン燐を提供される。結晶質のシンチレーチョン燐以外に、閃光発生ガラスまたは有機シンチレーターも使用することができる。
【００４９】
適当な条件下で蒸発される時にドープＣｓＩの層は支持体上に高い充填密度を伴う、針様の、密に充填された結晶体の形状に凝縮すると考えられる。このような柱状または針様
シンチレーチョン燐は当該技術分野で知られている。例えば、ＡＬＮ  Ｓｔｅｖｅｌｓ等の，“Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｅｄ  ＣｓＩ：Ｎａ  Ｌａｙｅｒｓ：Ｓｃｒｅｅｎｓ
ｆｏｒ  Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ  ｉｎ  Ｘ−Ｒａｙ  Ｉｍａｇｉｎｇ  Ｄｅｖｉｃｅｓ（蒸着ＣｓＩ：Ｎａ層：Ｘ−線画像化装置に適用のためのスクリーン），”Ｐｈｉｌｉｐｓ  Ｒｅｓｅａｒｃｈ  Ｒｅｐｏｒｔｓ  ２９：３５３−３６２（１９７４）；およびＴ．Ｊｉｎｇ等の“Ｅｎｈａｎｃｅｄ  Ｃｏｌｕｍｎａｒ  Ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ  ｉｎ  ＣｓＩ  Ｌａｙｅｒ  ｂｙ  Ｓｕｂｓｔｒａｔｅ  Ｐａｔｔｅｒｎｉｎｇ（支持体のデザインによるＣｓＩ層中に高められた柱状構造）”，ＩＥＥＥ  Ｔｒａｎｓ．Ｎｕｃｌ．Ｓｃｉ．３９：１１９５−１１９８（１９９２）を参照されたい。より好適には、シンチレーチョン燐層はドープＣｓＩを含む。
【００５０】
異なるシンチレーチョン燐のブレンドも使用することができる。平均粒度は概括的に約０．５μｍ〜約４０μｍ間である。１μｍ〜約２０μｍ間の平均粒度は、配合の容易さ並びに速度、明瞭さおよびノイズのような最適化特性のために好適である。本発明の実施態様のためのシンチレーターは、シンチレーチョン燐の粉末、例えばＧｄ2Ｏ2Ｓが、結合材の溶液と混合され、支持体上にブレードコーターにより被覆される従来の被覆法を使用して調製することができる。結合剤は、Ｘ−線に透過性で、刺激性で、そして光を放射する様々な知られた有機ポリマーから選択することができる。当該技術分野で一般に使用される結合剤は、ポリ（ビニルアルコール）のナトリウムｏ−スルホベンズアルデヒドアセタール、クロロスルホン化ポリ（エチレン）、高分子ビスフェノールのポリ（カーボネート）および、ビスフェノールカーボネートとポリ（アルキレンオキシド）とを含んでなるコポリマーの混合物、水性エタノール可溶性ナイロン、ポリ（アルキルアクリレートとメタクリレート）並びにポリ（アクリル酸とメタクリル酸を含むアルキルアクリレートおよびメタクリレート）のコポリマー、ポリ（ビニルブチラール）、並びにポリ（ウレタン）エラストマー、を含む。使用することができる他の好適な結合剤は、Ｘ−線吸収層の項で前記に記載されている。結合剤に対するあらゆる従来の燐の比率を使用することができる。概括的に、結合剤に対して高い重量比率の燐が使用される時には、シンチレーチョン燐層がより薄いほど、より明瞭な画像が実現される。約７０：３０〜９９：１の範囲の重量比の燐対結合剤比率が好適である。
【００５１】
光導電層
本発明に従う直接変換直接放射線透過撮影のためのＲＦＰＤにおいて、ＨｇＩ2、ＰｂＯ、ＰｂＩ2、ＴｌＢｒ、ＣｄＴｅおよびガドリニウム化合物のような他の光導電体を使用することができるが、光導電層は通常、非晶質セレンである。光導電層は優先的に蒸着により画像化アレイ上にメッキされるが、またあらゆる適切な被覆法を使用して被覆されることができる。
【００５２】
画像化アレイおよび第１の支持体
間接変換直接放射線透過撮影のために本発明に使用される単一の画像化アレイは、Ｘ−線を光に変換し、その後、それが電荷に変換される幾つかの物理的構成部品を使用する、間接変換法に基づく。第１の構成部品は、Ｘ−線を光（光子）に変換するシンチレーチョン燐である。光は更に、非晶質ケイ素の光ダイオード層の方向に誘導され、それが光を電子に変換し、そして電荷が形成される。電荷は集電されて、保存コンデンサーにより保存される。非晶質ケイ素に隣接する薄膜トランジスター（ＴＦＴ）アレイが電荷を読みだし、画像が形成される。適切な画像アレイの例は、米国特許第５２６２６４９号明細書中にそして、Ｓａｍｅｉ  Ｅ．ｅｔ  ａｌ．，“Ｇｅｎｅｒａｌ  ｇｕｉｄｅｌｉｎｅｓ  ｆｏｒ  ｐｕｒｃｈａｓｉｎｇ  ａｎｄ  ａｃｃｅｐｔａｎｃｅ  ｔｅｓｔｉｎｇ  ｏｆ  ＰＡＣＳ  ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ（ＰＡＣＳ装置の購入および許容試験のための一般的指針）”，Ｒａｄｉｏｇｒａｐｈｉｃｓ，２４，３１３−３３４により開示されている。好適には、米国特許第２０１３／００４８８６６号明細書の段落［９０−１２５］および米国
特許第２０１３／２２１２３０号明細書の段落［５３−７１］と［８１−１０４］中に記載された通りの画像化アレイを使用することができる。
【００５３】
直接変換直接放射線透過撮影のために本発明に使用される単一の画像化アレイは、電荷へのＸ−線光子の直接変換法に基づく。このアレイにおいては、光導電層の上部に配置された上部電極とＴＦＴ素子間に電場が形成される。Ｘ−線が光導電体に当たる時に電荷が形成され、電場がそれらをＴＦＴ素子の方向に移動させ、そこでそれらは集電され、保存コンデンサーにより保存される。適切な画像アレイの例は、Ｓａｍｅｉ  Ｅ．ｅｔ  ａｌ．，“Ｇｅｎｅｒａｌ  ｇｕｉｄｅｌｉｎｅｓ  ｆｏｒ  ｐｕｒｃｈａｓｉｎｇ  ａｎｄ
ａｃｃｅｐｔａｎｃｅ  ｔｅｓｔｉｎｇ  ｏｆ  ＰＡＣＳ  ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ（ＰＡＣＳ装置の購入および許容試験のための一般的市指針）”，Ｒａｄｉｏｇｒａｐｈｉｃｓ，２４，３１３−３３４により開示されている。
【００５４】
直接および間接変換法双方に対して、電荷は読み出し電子機器により読み出されなければならない。形成され、保存される電荷が、列毎に読み出される読み出し電子機器の例は、Ｓａｍｅｉ  Ｅ．ｅｔ  ａｌ．，Ａｄｖａｎｃｅｓ  ｉｎ  Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｒａｄｉｏｇｒａｐｈｙ．ＲＳＮＡ  Ｃａｔｅｇｏｒｉｃａｌ  Ｃｏｕｒｓｅ  ｉｎ  Ｄｉａｇｎｏｓｔｉｃ  Ｒａｄｉｏｌｏｇｙ  Ｐｈｙｓｉｃｓ（診断放射線物理学におけるＲＳＮＡの分類コース）（ｐ．４９−６１）Ｏａｋ  Ｂｒｏｏｋ，Ｉｌｌにより開示されている。
【００５５】
以後「第１の支持体」と呼ばれる、本発明の画像化アレイの支持体は通常、ガラスである。しかし、プラスチック製品、金属フォイルでできた支持体上に加工された画像化アレイも使用することができる。画像化アレイは、ケイ素窒化物の層または、フルオロポリマー、ポリイミド、ポリアミド、オリウレタンおよびエポキシ樹脂のようなポリマー基材の被膜により、湿度および環境因子から防護されることができる。更に、Ｂ段階のビスベンゾシクロブテン基材の（ＢＣＢ）モノマーに基づくポリマーを使用することができる。あるいはまた、低誘電定数をもつ多孔質の無機誘電体も使用することができる。
【００５６】
下方の電子機器
Ｘ−線吸収層の下方に配置される下方の電子機器は、画像化アレイからの電気信号を処理しそして／または画像化アレイのドライバーを制御するための電子部品を備え、そして画像化アレイに電気的に接続している回路盤を含んでなる。
【００５７】
放射線透過撮影用フラットパネル検出器の製法
Ｘ−線シールドの製法
本発明のＸ−線シールドは、ナイフコーティング、ドクターブレードコーティング、スピン被覆、浸漬被覆、噴霧被覆、スクリーン印刷および張り合わせのようなあらゆる知られた方法により、２０以上の原子番号をもつ一つの金属元素および一つ以上の非金属元素を有する少なくとも一つの化合物および結合剤を含んでなる被覆溶液を支持体（第２の支持体）上に適用することにより得ることができる。もっとも好適な方法はドクターブレードコーティングである。
【００５８】
好適な実施態様において、被覆溶液は最初に、結合剤を適当な溶媒中に溶解することにより調製される。この溶液に、２０以上の原子番号をもつ一つの金属元素および一つ以上の非金属元素を有する化合物が添加される。均一な被覆溶液またはラッカーを得るために、調製工程中に混合物の均一化工程または粉砕工程を含むことができる。２０以上の原子番号をもつ一つの金属元素および一つ以上の非金属元素を有する化合物と混合する前に、分散剤を結合剤溶液に添加することができる。分散剤は、被覆溶液中の粒子の分離を改善し、被覆溶液中の成分の沈降または凝集を防止する。Ｘ−線吸収層の被覆溶液に対する分散剤の添加は、被覆溶液の表面張力を低下させ、そしてＸ−線吸収層の被膜の質（ｑｕａ
ｌｉｔｙ）を改善する。
【００５９】
本発明の他の実施態様において、重合性化合物である結合剤を、１種以上の単官能性および／または二官能性モノマーおよび／またはオリゴマーを含んでなる希釈剤中に溶解することができる。
【００６０】
撹拌または均一化後に、被覆溶液を好適には、被覆ナイフまたはドクターブレードを使用して支持体上に適用する。支持体は第１の支持体または第２の支持体であることができる。被覆溶液が第１の支持体上に被覆される場合は、被覆は好適には画像化アレイに反対側の面上で実施される。支持体上へのＸ−線吸収層の被覆後に、Ｘ−線吸収層を、ＩＲ源、ＵＶ源、加熱金属ロールまたは加熱空気により乾燥することができる。光硬化性モノマーが被覆溶液中に使用される時は、被覆層は加熱によりまたはＵＶ源により硬化されることができる。乾燥または硬化後、第２の支持体上に被覆されるＸ−線シールドは適当なサイズのシートに切断されることができる。
【００６１】
支持体並びに、結合剤並びに２０以上の原子番号をもつ一つの金属元素および一つ以上の非金属元素を有する化合物を含んでなるＸ−線吸収層を含んでなる、得られたＸ−線シールドは、医療装置および非破壊的試験装置中の電子機器をＸ−線から遮蔽するために使用することができる。Ｘ−線吸収層の、支持体との組み合わせ物は、医学装置または非破壊的試験装置中の内蔵型部品として使用されるのに十分な機械的強度を全Ｘ−線シールドに与える。
【００６２】
間接変換直接放射線透過撮影のためのＲＦＰＤの製法
本発明に従う間接変換直接放射線透過撮影用ＲＦＰＤは、上記に説明されている異なる構成部品を集成することにより製造される。好適な方法が次に説明される。
【００６３】
第１の工程において、シンチレーチョン燐および支持体を含んでなるシンチレーターが、第１の支持体、好適にはガラス上に配置された単一の画像化アレイ上に張り付けることにより結合される。張り付けは接着剤またはホットメルトを使用して実施される。好適にはホットメルトが使用される。ホットメルトの適例はポリエチレン・ビニルアセテート、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリエステル、ポリウレタン、スチレンブロックコポリマー、ポリカーボネート、フルオロポリマー、シリコーンゴム、ポリピロールである。もっとも好適なものは、より高温の抵抗性および安定性のために、ポリオレフィンおよびポリウレタンである。ホットメルトは好適には、２５μｍより薄い。ライニングをもつホットメルトが画像化アレイの表面上に配置される。次に、ホットメルトとともに第１の支持体上の画像化アレイが、記載された温度においてオーブン中で加熱される。冷却後、ライニングを除去され、粘着剤をもたない面に溶融されたホットメルトを解放する。シンチレーチョン燐層をホットメルトの粘着性の面と接触させ、そして高温で高圧を適用することにより、シンチレーターを画像化アレイに接合する。画像化アレイの全領域上に良好な粘着を達成するために、０．６〜２０バールの範囲の圧力を適用しなければならず、そして１０〜１０００秒間、８０〜２２０℃の範囲の温度値が必要である。それにより、シンチレーター−画像化アレイ−第１の支持体、の積層物が形成される。本発明の一つの好適な実施態様において、この積層物は、画像化アレイからの電気信号の処理、または画像化アレイのドライバーの制御、を実施する下方の電子機器の上方に配置することができる。
【００６４】
最後の工程において、Ｘ−線シールドは単一の画像化アレイの反対側の面で第１の支持体に結合される。第２の支持体、またはＸ−線シールドのＸ−線吸収層、のいずれかが第１の支持体に接することができる。好適な方法は、接触後に、防御能をもつフォイルを使用して、冷ロール張り合わせまたは加熱ロール張り合わせにより得られる積層物の一構成材（ｃｏｍｐｏｎｅｎｔ）を固定することである。最良の適切なフォイルは、最大１００
μｍの厚さをもつ、ポリエチレン、ポリエステル、ポリビニルクロリドまたはアクリル基剤のフォイルである。他の好適な方法は、粘着性の接着剤またはホットメルトを使用することである。ライニングをもつホットメルトは支持体（第２の支持体）またはＸ−線シールドのＸ−線吸収層のいずれかの上に配置される。次にＸ−線シールドを、好適には前記の温度のオーブン中で加熱される。冷却後、ライニングを外し、粘着材のない面に溶融ホットメルトを解放する（ｒｅｌｅａｓｅｓ）。Ｘ−線シールドは、積層物の第１の支持体をホットメルトの粘着面と接触させ、そして高温で高圧をかけることにより画像化アレイに結合される。張り付けされる構成材の全領域にわたり良好な接着を達成するために、０．６〜２０バールの範囲の圧力を適用しなければならず、そして１０〜１０００秒間、８０〜２２０℃の範囲の温度値が必要である。
【００６５】
発明の好適な実施態様において、シンチレーチョン燐は被覆またはメッキ法により、単一の画像化アレイ上に直接適用される。この方法は、張り付けが必要でなく、そのため、ＲＦＰＤの生産工程中の少なくとも一工程を省くという利点を有する。
【００６６】
直接変換直接放射線透過撮影のためのＲＦＰＤの製法
本発明に従う直接変換直接放射線透過撮影のためのＦＰＤは、前記の異なる構成部品を集成することにより製造される。
【００６７】
好適な方法は以下の通りである：光導電体、好適には非晶質セレンを、好適にはガラスである第１の支持体上に配置された単一の画像化アレイ上にメッキする。メッキ法の例は、Ｆｉｓｃｈｂａｃｈ  ｅｔ  ａｌ．，‘Ｃｏｍｐａｒｉｓｏｎ  ｏｆ  ｉｎｄｉｒｅｃｔ  ＣｓＩ／ａ：Ｓｉ  ａｎｄ  ｄｉｒｅｃｔ  ａ：Ｓｅ  ｄｉｇｉｔａｌ  ｒａｄｉｏｇｒａｐｈｙ（間接ＣｓＩ／ａ：Ｓｉおよび直接ａ：Ｓｅデジタルレントゲン撮影法の比較）’，Ａｃｔａ  Ｒａｄｉｏｌｏｇｉｃａ  ４４（２００３）６１６−６２１に開示されている。光導電層の上部に、頭部電極を提供後、光導電体をもつ単一の画像化アレイをＸ−線シールドに結合する。これは間接変換地放射線透過用ＲＦＰＤの製法につき記載されたものと同様な方法に従い実施されることができる。
【実施例】
【００６８】
１．測定法
１．１  Ｘ−線シールドのＸ−線遮蔽能
本発明に従う（ＩＮＶ）Ｘ−線シールドおよび市販の金属基材のＸ−線シールド（ＣＯＭＰ）のＸ−線遮蔽能を、Ｘ−線暴露および現像後に、シンチレーターとＸ−線シールド間に配置された放射線透過撮影フィルムの光学密度の測定値に基づいて測定した。放射線透過撮影フィルムはＡｇｆａ  Ｈｅａｌｔｈｃａｒｅ（ＡＧＦＡＨＤＲＣ１８２４）から市販され、放射線感光性の一面をもつ緑色感光性フィルムである。Ｘ−線暴露はＰｈｉｌｉｐｓ  Ｏｐｔｉｍｕｓ  ８０  Ｘ線源を使用して実施された。Ｘ−線シールドは通常、以下の構造：シンチレーター―放射線透過撮影フィルム―Ｘ−線シールド―印刷回路盤（ＰＣＢ）、鉛ストリップおよびＰＭＭＡブロックを含んでなる散乱素子、に配置されている。この構造はＲＦＰＤの標準構造と呼ばれる。使用された規定の（ｄｅｆａｕｌｔ）シンチレーチョン燐は市販のＧＯＳシンチレーター（ＣＡＷＯからのＣＡＷＯ  Ｓｕｐｅｒｆｉｎｅ  １１５  ＳＷ）であった。シンチレーチョン燐層は放射線透過撮影フィルムの放射線感光面と接して配置された。ＲＦＰＤの下方の電子機器は個別の構成部品、鉛のストリップおよびポリ（メチルメタクリレート）のブロックをもつＰＣＢによりシミュレートされた。ポリ（メチルメタクリレート）はその非常に高い散乱性のために使用される。
【００６９】
構成部品間に良好な接触を達成するために、各Ｘ−線シールドを、シンチレーターおよび放射線透過撮影フィルムと一緒に、黒色のポリエチレンバッグ（Ｃｏｒｎｅｌｉｓ  ＰｌａｓｔｉｃからのＰＥ，Ｔｙｐｅ  Ｂ，２６０ｘ３６９ｍｍ，０，１９ｍｍの厚さ）中
に真空により封入した。Ｘ−線シールドの支持体は、別記されない限り常に、放射線透過撮影フィルムの放射線非感光面と接触される。このように準備されたパッケージは基礎ＲＦＰＤと呼ばれる。
【００７０】
Ｘ−線源、基礎ＲＦＰＤおよび散乱素子は水平な台上に固定された。基礎ＲＦＰＤはＸ−線源から１．５ｍに配置された。基礎ＲＦＰＤの後方にＰＭＭＡのブロック、３ｍｍ厚さの鉛のストリップおよびＰＣＢが相互の隣に配置されて、ＲＦＰＤの下方の電子機器をシミュレートをした。散乱素子と基礎ＲＦＰＤ間の距離は０．２ｃｍ未満であった。対照の測定はＲＦＰＤの後方に散乱素子を伴わない基礎ＲＦＰＤ構造を使用して実施した。
【００７１】
以下の標準放射線Ｘ−線ビームの特性（ｑｕａｌｉｔｙ）、ＩＥＣ標準６１２６７，第１版（１９９４）中に規定されたようなＲＱＡ  Ｘ−線ビームの特性：ＲＱＡ３（１０ｍｍ  Ａｌ，５２ｋＶ）、ＲＱＡ５（２１ｍｍ  Ａｌ，７３ｋＶ）、ＲＱＡ７（３０ｍｍ  Ａｌ，８８ｋＶ）およびＲＱＡ９（４０ｍｍ  Ａｌ，１１７ｋＶ）、が使用された。
【００７２】
暴露後に、各フィルムをＧ１３８ｉ（Ａｇｆａ  Ｈｅａｌｔｈｃａｒｅ）中で３３℃で９０秒間現像し、ＭａｃＢｅｔｈ濃度計、タイプＴＲ−９２４中にいれて、光学密度を測定した。測定された光学密度が高いほど、Ｘ−線の後方散乱が多く起こっていた。
【００７３】
１．２．Ｘ−線シールドの秤量：
本発明に従って調製されたＸ−線シールド（ＩＮＶ）および対照のＸ−線シールド（ＣＯＭＰ）を０．０１ｇの分析限界（ｒｅｓｏｌｕｔｉｏｎ）を伴って、実験室の重量計（Ｍｅｔｔｌｅｒ  Ｔｏｌｅｄｏ  ＰＧ５００２−Ｓ）を使用して秤量した。
【００７４】
１．３．Ｘ−線シールドのＸ−線吸収率
Ｘ−線シールドのＸ−線吸収率は３０ｃｃ容量のセルをもつＴｒｉａｄ線量計と一緒のＰｈｉｌｉｐｓ  Ｏｐｔｉｍｕｓ  ８０装置を使用して測定された。測定セルはＸ−線シールドのすぐ後方に、Ｘ−線源から１．５ｍの距離に配置された。Ｘ−線シールドは双方の場合に、その支持体をＸ−線源の方向に向けて配置された。各スクリーンにつきデータを複数回、収集し、標準偏差と一緒に平均値を計算した。
【００７５】
すべての試験は、別記されない限り、標準放射線Ｘ−線ビームの特性（ＩＥＣ標準６１２６７，１st  Ｅｄ．（１９９４）中に規定された通りのＲＱＡ  Ｘ−線ビーム特性）：ＲＱＡ３（１０ｍｍ  Ａｌ，５２ｋＶ）、ＲＱＡ５（２１ｍｍ  Ａｌ，７３ｋＶ）、ＲＱＡ７（３０ｍｍ  Ａｌ，８８ｋＶ）およびＲＱＡ９（４０ｍｍ  Ａｌ，１１７ｋＶ）に対して実施された。
【００７６】
２．材料
以下の実施例中に使用された材料は、別記されない限り、ＡＬＤＲＩＣＨ  ＣＨＥＭＩＣＡＬ  Ｃｏ．（ベルギー）、ＡＣＲＯＳ（ベルギー）およびＢＡＳＦ（ベルギー）のような標準の製造元から容易に入手可能であった。すべての材料は別記されない限り、更に精製せずに使用された。
・  ガドリニウム・オキシスルフィド（Ｇｄ２Ｏ２Ｓ）もしくはＧＯＳ：（ＣＡＳ  １２３３９−０７−０）粉末はＮｉｃｈｉａから得た、平均粒度：３．３μｍ。
・  ＣａＷＯ4粉末はＮｉｃｈｉａから得た、平均粒度：７．０μｍ。
・  ＹＴａＯ4粉末はＮｉｃｈｉａから得た、平均粒度：４．４μｍ。
・  白色ＰＥＴ支持体：０．１９ｍｍの厚さをもち、Ｍｉｔｓｕｂｉｓｈｉ，から得られた、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム、商品名Ｈｏｓｔａｐｈａｎ  ＷＯ・  黒色ＰＥＴ支持体：０．１８８ｍｍの厚さをもち、Ｔｏｒａｙから得られたポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム、商品名Ｌｕｍｉｒｒｏｒ  Ｘ３０。
・  Ｄｉｓｐｅｒｓｅ  ＡｙｄTM  ９１００（Ｄｉｓｐｅｒｓｅ  ＡｙｄTM  Ｗ−２２）：  アニオン界面活性剤／脂肪酸エステル分散剤（Ｄａｎｉｅｌ  Ｐｒｏｄｕｋｔｓ  Ｃｏｍｐａｎｙから）。
・  ＫｒａｔｏｎTM  ＦＧ１９０１Ｘ（新規名＝ＫｒａｔｏｎTM  ＦＧ１９０１  ＧＴ）：  Ｓｈｅｌｌ  Ｃｈｅｍｉｃａｌｓからの、３０％のポリスチレン含量をもつ、スチレンおよびエチレン／ブチレンに基づく、透明な直線状の３ブロック  コポリマー。
・  基準（Ｄｅｆａｕｌｔ）ＧＯＳシンチレーター、ＣＡＷＯ  Ｓｕｐｅｒｆｉｎｅ  １１５  ＳＷ、ＣＡＷＯから。
・  ヨウ化セシウム（ＣｓＩ）：Ｒｏｃｋｗｏｏｄ  Ｌｉｔｈｉｕｍからの（ＣＡＳ  ７７８９−１７−５）粉末、９９．９９９％。
・  Ａｌｕｍｉｎｉｕｍ  ３１８Ｇ：０．３ｍｍの厚さをもつＡｌａｎｏｄからのプレート。
・  画像化アレイ：０．７ｍｍの厚さをもつ、Ｃｏｒｎｉｎｇ  ＬｏｔｕｓTM  Ｇｌａｓｓ上のＴＦＴ（米国特許第２０１３／００４８８６６号明細書、段落［９０−１２５］および米国特許第２０１３／２２１２３０号明細書、段落［５３−７１］と［８１−１０４］）に従う）。
・  放射線透過撮影フィルム：Ａｇｆａ  ＨｅａｌｔｈｃａｒｅからのＡＧＦＡＨＤＲＣ１８２４。
・  ＰＭＭＡ：ポリ（メチルメタクリレート）、７ｃｍの厚さ、３０ｘ３０ｃｍ、ＩＳＯ
９２３６−１標準に準ずる。
・  鉛ストリップ：１３ｃｍ×２．５ｃｍ、０．３ｃｍの厚さ。
・  ＰＣＢ：１３ｃｍ×４．５ｃｍ
【００７７】
３．Ｘ−線シールドの調製
３．１  Ｘ−線吸収層の被覆のための溶液の調製：
４．５ｇの結合剤（ＫｒａｔｏｎTM  ＦＧ１９０１Ｘ）を、１８ｇの、トルエンとＭＥＫの溶媒混合物（比率７５：２５（重量／重量））に溶解し、１９００ｒ．ｐ．ｍ．の速度で１５分間撹拌した。その後、２００ｇの量の粉末としての、２０以上の原子番号をもつ一つの金属元素および一つ以上の非金属元素を有する化合物を添加し、混合物を１９００ｒ．ｐ．ｍ．の速度で更に３０分間撹拌した。
【００７８】
３．２  Ｘ−線シールドＳＤ−０１〜ＳＤ−２０（ＩＮＶ）の調製：
§１．１中で得られた通りの被覆溶液を、幾つかのＰＥＴ支持体（白色および黒色）上に４ｍ／分の被覆速度でドクターブレードを使用して被覆して、１００〜４５０μｍの、異なる、乾燥した層の厚さを得て、Ｘ−線シールドＳＤ−０１〜ＳＤ−２０を得た（表１参照）。その後、Ｘ−線シールドを３０分間、室温で乾燥した。揮発性溶媒をできるだけ除去するために、被覆したＸ−線シールドを乾燥オーブン中で、６０℃で３０分間、再度９０℃で２０〜３０分間乾燥した。各層を乾燥後に、Ｘ−線吸収層の全厚さを、湿った層の厚さおよび／または相互の上に被覆される層の数を調整することにより制御した。湿った層の厚さは２２０μｍ〜１５００μｍ間の値をもつ。得られたシールドのサイズは１８ｃｍ×２４ｃｍであった。
【００７９】
被覆後に、各Ｘ−線シールドを秤量し、２０以上の原子番号をもつ一つの金属元素および一つ以上の非金属元素を有する化合物の被膜量を、式１を適用することにより得た。結果は表１に報告されている。
【００８０】
【数１】
0006514206.tif 000002
【００８１】
式中：
ＷFはＸ−線シールド（第２の支持体＋Ｘ−線吸収層）の重量であり、
ＷSはＸ−線シールドの支持体（第２の支持体）の重量であり、
ＡSは支持体（第２の支持体）の表面積であり、
Ｐ％はＸ−線吸収層中の２０以上の原子番号をもつ一つの金属元素および一つ以上の非金属元素を有する化合物の重量％の量である。
【００８２】
３．３  モリブデンＸ−線シールドＳＤ−２１（ＣＯＭＰ）
モリブデンのプレートよりなるＸ−線シールドを、市場で販売されているＲＦＰＤの一つから得た。モリブデンプレートの厚さは０．３ｍｍであり、サイズは１８ｃｍ×２４ｃｍであった。モリブデンプレートは支持体を含まなかった。プレートの組成は９９．８５（重量）％のＭｏおよび０．０５％（重量）未満のＮａ、Ｋ、Ｃａ、Ｎｉ、ＣｕおよびＢｉであった。
【００８３】
このＭｏプレートの被膜量を、Ｐ％が１００でありそしてＷｓが０であることを考慮にいれて、式１に基づいて計算した。以後ＳＤ−２１と呼ばれる、Ｍｏプレートの計算された被膜量の結果は表１に報告された。
【００８４】
【表１】
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【００８５】
３．４  分散剤を含む、または含まないＸ−線シールドの調製
ＧＯＳに基づき、Ｘ−線吸収層の被覆溶液中に分散剤を含んで、または含まないで調製されたＸ−線シールド間の相異を示すために、２種のＸ−線シールドを§３．１．に記載の方法に従って調製した。双方の場合に、白色ＰＥＴ支持体が使用された。ＧＯＳの被膜量は双方のシールドに対して１７２ｍｇ／ｃｍ2であった。シールドＳＤ−００．１は被覆溶液中に分散剤を含まずに調製され、ＳＤ−００．２は被覆溶液に分散剤（Ｄｉｓｐｅｒｓｅ  ＡｙｄTM  ９１００）を添加されて調製された。最初に、０．５ｇの分散剤を、７５：２５（重量／重量）の比率をもつ、１１．２１ｇの、トルエンおよびメチル−エチル−ケトン（ＭＥＫ）溶媒混合物中に溶解し、§３．１で調製されたように結合剤溶液と混合された。更なる調製工程は§３．１および§３．２と同様であった。双方のシールドのＸ−線吸収率を、ＲＱＡ５  Ｘ−線ビーム特性および６．３ｍＡｓの負荷を使用して測定法３に従って決定した。結果は表２示される。
【００８６】
【表２】
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【００８７】
表２に示されるように、被覆溶液中に存在する分散剤を伴って調製されたＸ−線シールドは、分散剤を伴わずに調製されたＸ−線シールドと匹敵する重量およびＸ−線吸収率に対して、より均一なＸ−線吸収層を有した。分散剤の存在は、それが更に表面張力を低下し、μｍサイズの粒子の浮遊を防止するために、シールドの調製工程に対して好都合である。
【００８８】
４．対照シールドと比較された本発明のＸ−線シールドのＸ−線遮蔽能
従って、本発明のＸ−線シールドＳＤ−１７およびＳＤ−１８のＸ−線遮蔽能を、ＲＦＰＤの標準構造における測定方法１．１に従って対照のＭｏプレートのＸ−線シールド（ＳＤ−２１）と比較して測定した。本発明のＸ−線シールドＳＤ−１９およびＳＤ−２０のＸ−線遮蔽能を、散乱素子が鉛ストリップおよびＰＭＭＡブロックよりなる構造において、測定方法１．１に従って、対照のＭｏプレートのＸ−線シールド（ＳＤ−２１）と比較して測定した。同一表面をもつＸ−線シールドを測定方法１．２に従って秤量した。結果は表３に示される。
【００８９】
【表３】
0006514206.tif 000005
【００９０】
これらの結果は、本発明のシールドの遮蔽能が、モリブデンプレートに基づく対照Ｘ−線シールドと同等またはそれ以上であり、そして場合により、ごく僅かに低いが、それらの重量は、対照Ｘ−線シールドより有意に低いことを示す。
【実施例１】
【００９１】
異なるＸ−線シールドを含むＲＦＰＤの調製
間接変換直接放射線透過撮影のためのＲＦＰＤｓを、シンチレーターをガラス支持体（Ｃｏｒｎｉｎｇ  ＬｏｔｕｓTM  Ｇｌａｓｓ）上の前記の画像化アレイと接触させることにより調製した。次にこのパッケージを異なるＸ−線シールドＳＤ−０１〜ＳＤ−１８およびモリブデン金属プレートＳＤ−２１と接触させた。
【００９２】
ＲＦＰＤの各層間に良好なオプティカルコンタクトを確保するために、ポリウレタン基材の、２５μｍ以下の厚さをもつホットメルト層を使用した。２タイプのシンチレーター：ｉ）電力に基づくシンチレーチョン燐ＧＯＳ（ＣＡＷＯからのＣＡＷＯ  Ｓｕｐｅｒｆｉｎｅ  １１５  ＳＷ）およびｉｉ）１２０ｍｇ／ｃｍ2のＣｓＩの被膜量をもつアルミニウム３１８Ｇ支持体上にメッキされた針状のシンチレーチョン燐ＣｓＩ、を使用した。ＣｓＩ基材のシンチレーターは次のように調製された：４００ｇのＣｓＩを真空メッキ室内の容器内に入れた。室内の圧力を５．１０-5ｍｂａｒに低下させた。次に容器を６８０℃の温度に加熱し、ＣｓＩを２４ｃｍ×１８ｃｍのサイズをもつアルミニウム支持体ＡＩ３  １８Ｇ上にメッキした。容器と支持体間の距離は２０ｃｍであった。蒸発中に、支持体を１２ｒ．ｐ．ｍ．で回転し、１４０℃の温度に維持した。蒸発工程中、アルゴンガスを室内に導入した。工程の期間は１６０分である。蒸発工程後、Ｘ−線シールドをオーブン内に配置し、１７０℃で１時間保持した。
【００９３】
最初にシンチレーターをガラス上の画像化アレイに結合した。結合は、ガラス上で、画像化アレイの表面上に、ライニングとともにホットメルトを配置することにより実施された。次に画像化アレイをもつガラスをオーブン内にいれ、８５℃の温度で１０分間維持した。冷却後、ライニングを外して、溶融ホットメルトの粘着性の面を解放した。その後、シンチレーターのシンチレーチョン燐層を高圧、高温下でホットメルトの粘着性面と接触させた。全領域上に良好な接着を達成するために、０．８ｂａｒの範囲の圧力を１１５℃の温度で１５分間かけた。
【００９４】
以下の工程において、Ｘ−線シールドをガラス支持体−画像化アレイ−シンチレーターパッケージに結合した。ライニングを伴う最大２５μｍの厚さのポリウエレタン基材のホットメルトを、Ｘ−線吸収層の反対側の面のＸ−線シールドＳＤ−０１〜ＳＤ−１８の支持体（第２の支持体）上に配置した。対照のシールド、ＳＤ−２１の使用により、ホットメルトは金属プレートの片面上に直接適用される。Ｘ−線シールドをオーブン内にいれ、８０℃の温度で、１０分間維持した。冷却後、ライニングを外して溶融ホットメルトの粘着性面を解放した。その後、画像化アレイを担持するガラス支持体とシンチレーターを高温、高圧下でホットメルトの粘着性面と接触させた。全領域にわたり良好な接着を達成するために、１１５℃の温度で１５分間０．８ｂａｒの圧力をかけた。
【００９５】
上記の方法に従って、以下のＲＦＰＤを調製した：
ａ）ＤＲＧＯＳ−０１〜ＤＲＧＯＳ−１８：ＧＯＳシンチレーター＋ＧＯＳ  Ｘ−線シールドＳＤ−０１〜ＳＤ−１８、
ｂ）ＤＲＣＳＩ−０１〜ＤＲＣＳＩ−１８：ＣｓＩシンチレーター＋ＧＯＳ  Ｘ−線シールドＳＤ−０１〜ＳＤ−１８、
ｃ）ＤＲＧＯＳ−１９：ＧＯＳシンチレーター＋Ｍｏ  Ｘ−線シールドＳＤ−２１、
ｄ）ＤＲＣＳＩ−１９：ＣｓＩシンチレーター＋Ｍｏ  Ｘ−線シールドＳＤ−２１。
【実施例２】
【００９６】
異なるＸ−線シールドのＸ−線遮蔽能
本実施例は、異なる散乱素子を含むＲＦＰＤの標準構造における、異なる被膜量および異なる支持体（第２の支持体）をもつＸ−線シールドのＸ−線遮蔽能を示す。従って、§３．１〜３．３に従って調製され、そして測定法１．１に記載の通りに、標準ＲＦＰＤ構造に集成された、幾つかのＸ−線シールドの後方散乱を減少させる、本発明のＸ−線シールドの能力が示される。標準ＲＦＰＤ構造における暴露された放射線透過撮影フィルムの光学密度が、散乱素子を伴わないＲＦＰＤ構造で暴露された放射線透過撮影フィルムの光学密度に比較される。試験は測定法１に記載の通りのＲＱＡ  Ｘ−線ビームの特性およびＲＱＡ３−１２．５ｍＡｓ、ＲＱＡ５−６．３ｍＡｓ、ＲＱＡ７−５．６ｍＡｓおよびＲＱＡ９−３ｍＡｓに対する負荷を使用して実施された。表４は測定されたＸ−線遮蔽能を示す。
【００９７】
【表４】
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【００９８】
結果は、ＲＦＰＤにおけるすべての本発明のＸ−線シールドが、ＲＦＰＤの下方の電子機器をシミュレートする散乱素子から発するＸ−線の後方散乱を減少させることができることを示す。
【図１】
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【図２】
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