(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の絶縁層が積層されて成る多層配線基板と、
前記多層配線基板の一方主面に実装された複数の部品と、
前記多層配線基板の一方主面に積層され、前記複数の部品を封止する封止樹脂層と、
前記封止樹脂層内において、前記複数の部品のうち所定の部品と他の部品との間に配置されたシールド壁と、
前記多層配線基板の所定の隣接する前記絶縁層間に配置された第１配線層とを備え、
前記多層配線基板を平面視して、前記シールド壁は線状に形成されるとともに、当該線は屈曲部を有し、
前記第１配線層は、当該第１配線層に設けられている配線電極とは電気的に分離され、前記平面視で前記屈曲部に重なるように設けられた第１ダミー電極を有することを特徴とする高周波モジュール。
【請求項２】
前記第１ダミー電極は、前記平面視で前記シールド壁の全体と重なるように設けられることを特徴とする請求項１に記載の高周波モジュール。
【請求項３】
前記配線電極は、前記平面視で前記シールド壁と重なっていない第１配線電極を有することを特徴とする請求項１または２に記載の高周波モジュール。
【請求項４】
前記配線電極は、前記平面視で前記シールド壁と交差するように配設されたライン状の第２配線電極を有し、
前記第２配線電極は、前記シールド壁に交差する部分のライン幅が、他の部分のライン幅よりも太く形成されていることを特徴とする請求項１に記載の高周波モジュール。
【請求項５】
前記第１配線層よりも前記多層配線基板の他方主面側に配置されるとともに、隣接する前記絶縁層間に配置された第２配線層を備え、
前記第２配線層は、前記平面視で前記シールド壁と交差するように配設されたライン状の第３配線電極を有し、
前記第１配線層は、前記シールド壁と前記第３配線電極とが交差する部分において、前記シールド壁と前記第３配線電極との間に介在するように配設された第２ダミー電極を有することを特徴とする請求項１に記載の高周波モジュール。
【請求項６】
前記第１配線層と前記シールド壁との間の前記絶縁層に形成されたビア導体を備え、
前記ビア導体が、前記平面視で前記屈曲部に重なるように配設されて前記第１ダミー電極に接続されていることを特徴とする請求項１ないし５のいずれかに記載の高周波モジュール。
【請求項７】
前記第１ダミー電極と前記第１配線電極とは、同じ金属材料で構成されていることを特徴とする請求項３に記載の高周波モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板に実装された複数の部品を被覆する封止樹脂層と、部品間のノイズの相互干渉を防止するためのシールド壁とを備える高周波モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯端末装置などに搭載される高周波モジュールには、電磁波を遮蔽するためのシールド層が設けられる場合がある。この種のモジュールの中には、配線基板上に実装された部品がモールド樹脂で被覆され、該モールド樹脂の表面を被覆するようにシールド層が設けられるものがある。
【０００３】
このようなシールド層は、外部からのノイズを遮蔽するために設けられているが、配線基板に複数の部品が実装される場合は、これらの部品から発生するノイズが、他の部品に干渉するという問題がある。そこで、従来では、外部のみならず、実装部品間のノイズを相互に遮蔽するシールドが設けられた高周波モジュールが提案されている。例えば、図１０に示すように、特許文献１に記載の高周波モジュール１００は、配線基板１０１上に２つの部品１０２が実装され、両部品１０２がモールド樹脂層１０３により封止される。モールド樹脂層１０３の両部品間には、当該モールド樹脂層１０３を貫通するスリットＳが形成される。シールド層１０４は、モールド樹脂層１０３の表面を被覆するとともにスリットＳに充填される導電性樹脂により形成される。また、スリットＳに充填された導電性樹脂は、配線基板１０１に形成されたグランド電極１０５に電気的に接続される。
【０００４】
この場合、モールド樹脂層１０３の表面を被覆する導電性樹脂により、部品１０２に対する外部からのノイズを遮蔽できる。また、スリットＳに充填された導電性樹脂により両部品１０２間のノイズの相互干渉を防止することもできる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１０−２２５６２０号公報（段落００２５〜００２６、図１等参照）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、上述のシールド層１０４は、ダイシングで形成されるため、スリットＳは途中で方向を変えることが難しい。そこで、スリットＳの途中で方向を変えたい場合は、例えばレーザ加工やドリル加工によりスリットＳを形成する場合がある。この場合、モールド樹脂層１０３にスリットＳを形成するときの熱や衝撃で、配線基板１０１に形成された配線電極の断線や変形が生じるという問題がある。また、スリットＳが折れ曲がるような形状を有する場合には、当該屈曲部の真下でレーザ光またはドリルによる熱や衝撃が最も強く作用するため、このような問題が顕著化する。
【０００７】
本発明は、上記した課題に鑑みてなされたものであり、部品間のノイズの相互干渉を防止するシールド壁を備える高周波モジュールにおいて、配線基板に形成された配線電極の断線や変形を低減することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記した目的を達成するために、本発明の高周波モジュールは、  複数の絶縁層が積層されて成る多層配線基板と、前記多層配線基板の一方主面に実装された複数の部品と、前記多層配線基板の一方主面に積層され、前記複数の部品を封止する封止樹脂層と、前記封止樹脂層内において、前記複数の部品のうち所定の部品と他の部品との間に配置されたシールド壁と、前記多層配線基板の所定の隣接する前記絶縁層間に配置された第１配線層とを備え、前記多層配線基板を平面視して、前記シールド壁は線状に形成されるとともに、当該線は屈曲部を有し、前記第１配線層は、当該第１配線層に設けられている配線電極とは電気的に分離され、前記平面視で前記屈曲部に重なるように設けられた第１ダミー電極を有することを特徴としている。
【０００９】
この場合、多層配線基板の内部の第１配線層には、シールド壁の屈曲部に平面視で重なるように第１ダミー電極が設けられる。第１ダミー電極は、封止樹脂層を形成する樹脂よりも熱導電率が高く、かつ、延性を有する。したがって、例えばレーザ加工やドリル加工時に多層配線基板の配線電極等に作用する熱や衝撃を第１ダミー電極により緩和することができるため、多層配線基板に形成された配線電極の断線や変形を低減することができる。
【００１０】
また、配線電極の断線や変形が低減することで、配線電極の特性の安定化を図ることができる。また、第１ダミー電極は、レーザ加工やドリル加工時の熱や衝撃が最も強く作用するシールド壁の屈曲部に平面視で重なるように設けられる。そのため、本来、断線や変形が生じ易い屈曲部の真下の配線電極を、第１ダミー電極で保護することができる。
【００１１】
また、前記第１ダミー電極は、前記平面視で前記シールド壁の全体と重なるように設けられていてもよい。多層配線基板の平面視でシールド壁に重なる部分には、レーザ加工やドリル加工時の熱や衝撃の影響を受けやすい。そのため、第１ダミー電極を、平面視でシールド壁の全体と重なるように設けることで、配線電極の断線や変形を確実に低減することができる。
【００１２】
また、前記配線電極は、前記平面視で前記シールド壁と重なっていない第１配線電極を有していてもよい。このようにすると、第１ダミー電極の存在によりシールド壁の形成に起因する第１配線電極の断線や変形を低減することができる。
【００１３】
また、前記配線電極は、前記平面視で前記シールド壁と交差するように配設されたライン状の第２配線電極を有し、前記第２配線電極は、前記シールド壁に交差する部分のライン幅が、他の部分のライン幅よりも太く形成されていてもよい。この場合、第２配線電極の中で、シールド壁の形成時の熱や衝撃が最も強く作用される部分のライン幅が太く形成されるため、第２配線電極の断線を低減することができる。
【００１４】
また、前記第１配線層よりも前記多層配線基板の他方主面側に配置されるとともに、隣接する前記絶縁層間に配置された第２配線層を備え、前記第２配線層は、前記平面視で前記シールド壁と交差するように配設されたライン状の第３配線電極を有し、前記第１配線層は、前記シールド壁と前記第３配線電極とが交差する部分において、前記シールド壁と前記第３配線電極との間に介在するように配設された第２ダミー電極を有していてもよい。
【００１５】
この構成によると、第３配線電極に作用するシールド壁形成時の熱や衝撃を、第２ダミー電極により緩和できるため、シールド壁形成時の熱や衝撃に起因する第３配線電極の断線や変形を低減することができる。
【００１６】
また、前記第１配線層と前記シールド壁との間の前記絶縁層に形成されたビア導体を備え、前記ビア導体が、前記平面視で前記屈曲部に重なるように配設されて前記第１ダミー電極に接続されていてもよい。この場合、シールド壁の形成時に最も熱や衝撃が強く作用する箇所にビア導体が配置されるため、シールド壁の形成時に多層配線基板に作用する熱や衝撃をさらに低減することができる。
【００１７】
また、前記第１ダミー電極と前記第１配線電極とは、同じ金属材料で構成されていてもよい。このようにすると、シールド壁の形成時の熱や衝撃を緩和する第１ダミー電極を容易に形成することができる。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、多層配線基板の内部の第１配線層には、シールド壁の屈曲部に平面視で重なるように第１ダミー電極が設けられる。第１ダミー電極は、封止樹脂層を形成する樹脂よりも熱導電率が高く、かつ、延性を有する。この場合、例えばレーザ加工やドリル加工時に多層配線基板の配線電極等に作用する熱や衝撃を第１ダミー電極により緩和できるため、多層配線基板に形成された配線電極の断線や変形を低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明の第１実施形態にかかる高周波モジュールの平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ矢視断面図である。
【図３】図１のダミー電極を説明するための図である。
【図４】図３の配線電極の変形例を示す図である。
【図５】本発明の第２実施形態にかかる高周波モジュールの平面図である。
【図６】本発明の第３実施形態にかかる高周波モジュールを示す図である。
【図７】本発明の第４実施形態にかかる高周波モジュールの断面図である。
【図８】図７のダミー電極を説明するための図である。
【図９】本発明の第５実施形態にかかる高周波モジュールを示す図である。
【図１０】従来の高周波モジュールの断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
＜第１実施形態＞
本発明の第１実施形態にかかる高周波モジュール１ａについて、図１〜図３を参照して説明する。なお、図１は高周波モジュールの平面図、図２は図１のＡ−Ａ矢視断面図、図
３はダミー電極１３ａを説明するための図である。また、図１では、シールド膜６の天面部分および封止樹脂層４を図示省略している。また、図３は、ダミー電極１３ａが設けられた配線層１０の平面図を示す。
【００２１】
この実施形態にかかる高周波モジュール１ａは、図１および図２に示すように、多層配線基板２と、該多層配線基板２の上面２０ａに実装された複数の部品３ａ，３ｂと、多層配線基板２の上面２０ａに積層された封止樹脂層４と、封止樹脂層４の表面を被覆するシールド膜６と、封止樹脂層４内に設けられたシールド壁５とを備え、例えば、高周波信号が用いられる電子機器のマザー基板等に搭載される。
【００２２】
多層配線基板２は、例えば、低温同時焼成セラミックやガラスエポキシ樹脂などで形成された複数の絶縁層２ａ〜２ｄが積層されて成る。多層配線基板２の上面２０ａ（本発明の「多層配線基板の一方主面」に相当）には、各部品３ａ，３ｂの実装用の実装電極７や後述するシールド壁５用のシールド壁用電極８が形成されるとともに、下面２０ｃ（本発明の「多層配線基板の他方主面」に相当）には、外部接続用の複数の外部電極９が形成される。また、この実施形態では、隣接する絶縁層２ａ〜２ｄ間それぞれに、各種の配線電極１０ａ〜１２ａや後述するダミー電極１３ａを有する配線層１０〜１２が配置される。これにより、多層配線基板２は、絶縁層２ａ〜２ｄと配線層１０〜１２が交互に積層されたような構造になっている。また、多層配線基板２の内部には、異なる配線層１０〜１２の配線電極１０ａ〜１２ａ同士を接続するための複数のビア導体１４が形成される。
【００２３】
実装電極７、シールド壁用電極８、外部電極９、配線電極１０ａ〜１２ａ、およびダミー電極１３ａは、いずれもＣｕやＡｇ、Ａｌ等の配線電極として一般的に採用される金属で形成されている。また、各ビア導体１４は、ＡｇやＣｕ等の金属で形成されている。なお、各実装電極７、シールド壁用電極８、各外部電極９には、Ｎｉ／Ａｕめっきがそれぞれ施されていてもよい。また、シールド壁用電極８には、例えば、半田膜等の、シールド壁用電極８を保護する金属部材が積層されていてもよい。
【００２４】
各部品３ａ，３ｂは、ＳｉやＧａＡｓ等の半導体で形成された半導体素子や、チップインダクタ、チップコンデンサ、チップ抵抗等のチップ部品で構成される。
【００２５】
封止樹脂層４は、配線基板２の上面２０ａと各部品３ａ，３ｂとを被覆するように多層配線基板２に積層される。封止樹脂層４は、エポキシ樹脂等の封止樹脂として一般的に採用される樹脂で形成することができる。
【００２６】
シールド膜６は、多層配線基板２内の各種配線電極１０ａ〜１２ａや各部品３ａ，３ｂに対する外部からのノイズを遮蔽するためのものであり、封止樹脂層４の多層配線基板２の上面２０ａとの反対面４ａおよび周側面４ｂを被覆するように封止樹脂層４に積層される。なお、シールド膜６が、多層配線基板２の側面２０ｂをさらに被覆するように設けられ、当該側面２０ｂに露出した多層配線基板２のグランド電極（図示省略）とシールド膜６とを接続するようにしてもよい。
【００２７】
また、シールド膜６は、封止樹脂層４の表面に積層された密着膜と、密着膜に積層された導電膜と、導電膜に積層された保護膜とを有する多層構造で形成することができる。
【００２８】
密着膜は、導電膜と封止樹脂層４との密着強度を高めるために設けられたものであり、例えば、ＳｕＳなどの金属で形成することができる。導電膜は、シールド膜６の実質的なシールド機能を担う層であり、例えば、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌのうちのいずれかの金属で形成することができる。保護膜は、導電膜が腐食したり、傷が付いたりするのを防止するために設けられたものであり、例えば、ＳＵＳで形成することができる。
【００２９】
シールド壁５は、封止樹脂層４内で所定の部品３ａ，３ｂ間に配置される。具体的には、この実施形態のシールド壁５は、図１に示すように、多層配線基板２の上面２０ａを２つの領域に区切るように配設され、当該区切られた領域間の各部品３ａ，３ｂの間でノイズの相互干渉を防止する。また、シールド壁５は、その上端部がシールド膜６の天面と電気的に接続される。
【００３０】
また、シールド壁５は、多層配線基板２の上面２０ａに垂直な方向から見た平面視（以下、平面視という）で線状（直線状、曲線状）に形成されるとともに、当該線は複数（この実施形態では２つ）の屈曲部５ａを有する。シールド壁用電極８は、平面視でシールド壁５を投影したような形状（平面視形状がシールド壁５の平面視形状とほぼ同じ）に形成され、シールド壁５の下端部に接続される。なお、シールド壁用電極８は、多層配線基板２の内部のグランド電極（図示省略）に接続されている。なお、図１では、シールド壁５の屈曲部５ａが形成している角度は平面視して９０°であるが、本発明において、屈曲部５ａが形成する角度は９０°でなくてもよい。
【００３１】
シールド壁５は、例えば、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌのいずれかの金属フィラを含有する導電性ペーストで形成される。なお、封止樹脂層４にレーザ加工などでシールド壁５用の溝を形成し、該溝に成膜技術を用いて金属を成膜することで、シールド壁５を形成することもできる。
【００３２】
最上層の絶縁層２ａとこれに隣接する絶縁層２ｂとの間に配置された最上層の配線層１０（本発明の「第１配線層」に相当）は、図３に示すように、２つのダミー電極１３ａ（本発明の「第１電極部」に相当）と、複数の配線電極１０ａ（本発明の「第１配線電極」に相当）を有する。２つのダミー電極１３ａと複数の配線電極１０ａとは、典型的には、同じ材料で構成されている。
【００３３】
このとき、ダミー電極１３ａは、平面視でシールド壁５の屈曲部５ａに重なるように配設される。この実施形態のシールド壁５は、屈曲部５ａが２箇所あり、両屈曲部５ａそれぞれに、平面視矩形状のダミー電極１３ａが平面視で重なるように配設される。ここで、ダミー電極１３ａは、高周波モジュール１ａに形成される電気回路とは無関係の電極であり、配線電極１０ａと電気的に分離されている。ダミー電極１３ａは、典型的には、電源ラインやグラウンドラインに接続されていない電極である。ただし、第４の実施形態において後述するように、本発明の「ダミー電極」は、シールド壁５と電気的に接続されることにより、接地されていてもよい。
【００３４】
なお、ダミー電極１３ａは、平面視でシールド壁５の屈曲部５ａに重なるように形成されていればよく、その平面視形状は適宜変更することができる。また、この実施形態では、ダミー電極１３ａをシールド壁５に近い最上層の配線層１０に設けたが、これよりも下層の配線層１１，１２に設けるようにしてもよい。ただし、シールド壁５用の溝の形成時に各配線層１０〜１２に作用する熱や衝撃を低減するには、シールド壁５に近い配線層（例えば、配線層１０）にダミー電極を設けるのが好ましい。
【００３５】
また、各配線電極１０ａは、いずれもライン状に形成されるとともに、平面視でシールド壁５と重ならないように配設される。すなわち、この実施形態の各配線電極１０ａは、いずれも平面視でシールド壁５を跨がないように引き回されている。なお、最上層以外の配線層１１，１２の各配線電極１１ａ，１２ａも、平面視でシールド壁５を跨がないように形成されていてもよい。
【００３６】
（高周波モジュールの製造方法）
次に、高周波モジュール１ａの製造方法について説明する。まず、実装電極７、シールド壁用電極８、各配線層１０〜１２およびビア導体９が形成された多層配線基板２を準備する。このとき、最上層の配線層１０のダミー電極１３ａは、後に形成されるシールド壁５の屈曲部５ａに平面視で重なる位置に配設されるように形成する。また、当該配線層１０の各配線電極１０ａは、いずれも平面視でシールド壁５を跨がないように形成する。
【００３７】
次に、多層配線基板２の上面２０ａに、半田実装などの周知の表面実装技術を用いて各部品３ａ，３ｂを実装する。
【００３８】
次に、各部品３ａ，３ｂを被覆するように、多層配線基板２の上面２０ａに封止樹脂層４を積層する。封止樹脂層４は、例えば、塗布方式、印刷方式、トランスファモールド方式、コンプレッションモールド方式などで形成することができる。
【００３９】
次に、封止樹脂層４の反対面４ａを平坦化するために、封止樹脂層４の表面を研磨または研削する。
【００４０】
次に、封止樹脂層４の反対面４ａ側からシールド壁５を配置する箇所にレーザ光を照射して溝を形成する。このとき、シールド壁５用の溝は、平面視で屈曲部５ａを有するように形成する。なお、シールド壁５用の溝を、ドリル加工により形成してもよい。
【００４１】
次に、塗布方式や印刷方式などにより、例えば、Ｃｕフィラを含有する導電性ペーストを封止樹脂層４に形成した溝に充填して、シールド壁５を形成する。
【００４２】
次に、スパッタ装置や真空蒸着装置を用いて、封止樹脂層４の表面（反対面４ａおよび側面４ｂ）を被覆するようにシールド膜６を成膜して、高周波モジュール１ａが完成する。なお、シールド壁５を、シールド膜６と同様の成膜技術を用いて形成してもよい。この場合、シールド膜６の成膜時に、併せてシールド壁５用の溝を埋めるようにすればよい。
【００４３】
したがって、上記した実施形態によれば、多層配線基板２の最上層の配線層１０には、シールド壁５の屈曲部５ａに平面視で重なるようにダミー電極１３ａが設けられる。ダミー電極１３ａは、封止樹脂層４を形成する樹脂よりも熱導電率が高く、かつ、延性を有する。したがって、例えば封止樹脂層４のレーザ加工やドリル加工時に多層配線基板２の各配線層１０〜１２等に作用する熱や衝撃をダミー電極１３ａで緩和できるため、多層配線基板２の各配線電極１０ａ〜１２ａが断線したり、変形したりするのを低減することができる。また、各配線電極１０ａ〜１２ａの断線や変形が低減することで、各配線電極１０ａ〜１２ａの特性の安定化を図ることができる。
【００４４】
ところで、部品３ａ、３ｂ間に配置されたシールド壁５は、上述のように、レーザ加工やドリル加工などで封止樹脂層４に溝を形成し、当該溝に導電性ペーストを充填することにより形成される。この場合、シールド壁５の平面視形状に屈曲部５ａがある場合、当該屈曲部５ａには、溝形成時のレーザ光の熱エネルギーが他の箇所と比較して強く作用する。そうすると、多層配線基板２の各配線電極１０ａ〜１２ａ（特に、平面視で屈曲部５ａ近傍に配置される配線電極１０ａ〜１２ａ）が断線したり変形したりしてダメージを受ける。
【００４５】
しかしながら、この実施形態では、ダミー電極１３ａが平面視でシールド壁５の屈曲部５ａに重なるように配設されるとともに、最上層の配線層１０に設けられるため、レーザ加工やドリル加工時の熱や衝撃が、下層側の配線層１１，１２の各配線電極１１ａ，１２ａに与えるダメージを効果的に低減することができる。
【００４６】
また、最上層の配線層１０に設けられる各配線電極１０ａは、平面視でシールド壁５に重ならないように配設される。このように、各配線電極１０ａを、シールド壁５用の溝形成時に作用する熱や衝撃が最も強く作用するシールド壁５の直下を避けて引き回すことで、各配線電極１０ａの断線や変形を低減することができる。
【００４７】
（配線電極の変形例）
次に、この実施形態の最上層の配線層１０ａに設けられた配線電極１０ａの変形例について、図４を参照して説明する。なお、図４は配線電極の変形例を示す図で、図３に対応する図である。
【００４８】
上述の配線層１０では、各配線電極１０ａを平面視でシールド壁５と重ならないように設ける場合について説明したが、例えば、図４に示すように、各配線電極１０ｂを、平面視でシールド壁５と交差するように配設してもよい。この場合、各配線電極１０ｂは、シールド壁５に交差する部分のライン幅Ｗ１が、他の部分のライン幅Ｗ２よりも太く形成される（Ｗ１＞Ｗ２）。
【００４９】
この構成によると、配線電極１０ｂの中で、シールド壁５用の溝の形成時の熱や衝撃が最も強く作用する部分のライン幅Ｗ１が、他の部分よりも太く形成されるため、配線電極１０ｂの断線を低減することができる。
【００５０】
＜第２実施形態＞
本発明の第２実施形態にかかる高周波モジュール１ｂについて、図５を参照して説明する。なお、図５は高周波モジュール１ｂの平面図で、図１に対応する図である。
【００５１】
この実施形態にかかる高周波モジュール１ｂが、図１〜図３を参照して説明した第１実施形態の高周波モジュール１ａと異なるところは、図５に示すように、シールド壁５の構成が異なることである。その他の構成は、第１実施形態の高周波モジュール１ａと同じであるため、同一符号を付すことにより説明を省略する。
【００５２】
この場合、シールド壁５は、平面視で屈曲部５ａの幅Ｗ３が、他の部分よりも幅Ｗ４よりも大きく形成されている（Ｗ３＞Ｗ４）。また、シールド壁用電極８は、平面視でシールド壁５を投影したような形状（平面視形状がシールド壁５の平面視形状とほぼ同じ）に形成され、シールド壁５の下端部に接続される。
【００５３】
この構成によると、例えば、シールド壁用電極８の平面視でシールド壁５の屈曲部５ａと重なる部分と、多層配線基板２の内部のグランド電極とをビア導体１４を介して接続すると、シールド壁５と当該グランド電極との接続面積を容易に増やすことができる。また、シールド壁５とグランド電極との接続面積が増えることで両者の接続抵抗が減少してシールド特性が向上するとともに、両者の接続信頼性が向上する。
【００５４】
＜第３実施形態＞
本発明の第３実施形態にかかる高周波モジュール１ｃについて、図６を参照して説明する。なお、図６は高周波モジュール１ｃを示す図で、図３に対応する図である。また、図３では、最上層の配線層１０の各配線電極１０ａを図示省略している。
【００５５】
この実施形態にかかる高周波モジュール１ｃが、図１〜図３を参照して説明した第１実施形態の高周波モジュール１ａと異なるところは、図６に示すように、ダミー電極１３ｂの形状が異なることである。その他の構成は、第１実施形態の高周波モジュール１ａと同じであるため、同一符号を付すことにより説明を省略する。
【００５６】
この場合、最上層の配線層１０に設けられたダミー電極１３ｂは、シールド壁用電極８と同様に、平面視形状がシールド壁５の平面視形状とほぼ同じ、すなわち、平面視でシールド壁５の全体と重なるように線状に形成される。なお、ダミー電極１３ｂの平面視の幅を、シールド壁５よりも大きくしてもよい。
【００５７】
多層配線基板２の平面視でシールド壁５に重なる領域には、シールド壁５用の溝形成時のレーザ光やドリルの熱や衝撃の影響を受けやすい。そのため、ダミー電極１３ｂを、平面視でシールド壁５の全体と重なるように設けることで、ダミー電極１３ｂよりも下層の配線層１１，１２に設けられた各配線電極１１ａ，１２ａの断線や変形を確実に低減することができる。
【００５８】
＜第４実施形態＞
本発明の第４実施形態にかかる高周波モジュール１ｄについて、図７および図８を参照して説明する。なお、図７は高周波モジュール１ｄの断面図で、図１に対応する図、図８は高周波モジュール１ｄの配線層１０の平面図である。また、図８では、配線層１０の各配線電極１０ａを図示省略している。
【００５９】
この実施形態にかかる高周波モジュール１ｄが、図１〜図３を参照して説明した第１実施形態の高周波モジュール１ａと異なるところは、図７に示すように、ダミー電極１３ａとシールド壁用電極８とが、最上層の絶縁層２ａに形成されたダミービア導体１４ａ（本発明の「ビア導体」に相当）により接続されていることである。その他の構成は、第１実施形態の高周波モジュール１ａと同じであるため、同一符号を付すことにより説明を省略する。
【００６０】
この構成によると、シールド壁５の形成時に最も熱や衝撃が強く作用する箇所にビア導体１４ａが配置されるため、シールド壁５の形成時に多層配線基板２に作用する熱や衝撃をさらに低減することができる。なお、ダミービア導体１４ａは、平面視でシールド壁５の屈曲部５ａに重なるように配置されていればよく、必ずしもシールド壁用電極８とダミー電極１３ａとを接続するものでなくてもよい。また、屈曲部５ａ以外の平面視でシールド壁５に重なる部分に、さらに他のダミービア導体を配置する構成であってもよい。
【００６１】
＜第５実施形態＞
本発明の第４実施形態にかかる高周波モジュール１ｅについて、図９を参照して説明する。なお、図９は高周波モジュール１ｅを示す図で、図３に対応する図である。また、図９では、配線層１０の各配線電極１０ａを図示省略している。
【００６２】
この実施形態にかかる高周波モジュール１ｅが、図１〜図３を参照して説明した第１実施形態の高周波モジュール１ａと異なるところは、図９に示すように、ダミー電極１３ａ，１３ｃの構成が異なることと、上から２番目の配線層１１の構成が異なることである。その他の構成は、第１実施形態の高周波モジュール１ａと同じであるため、同一符号を付すことにより説明を省略する。
【００６３】
この場合、最上層の配線層１０の一つ下層の配線層１１（本発明の「第２配線層」に相当）は、平面視でシールド壁５と交差するように配設されたライン状の複数の配線電極１１ａ（本発明の「第３配線電極」に相当）を有する。また、最上層の配線層１０は、平面視でシールド壁５の屈曲部５ａに重なるように配置された２つのダミー電極１３ａ（本発明の「第１電極部」に相当）に加え、さらに２つのダミー電極１３ｃ（本発明の「第２電極部」に相当）を有する。
【００６４】
両ダミー電極１３ｃは、いずれも平面視でシールド壁５と、各配線電極１１ａとが交差する部分において、シールド壁５と各配線電極１１ａとの間に介在するように配置される。なお、当該両ダミー電極１３ｃは、必ずしも最上層の配線層１０に設ける必要はなく、例えば、平面視でシールド壁５に交差する配線電極がさらに下層側にある場合は、その配線電極を有する配線層と、シールド壁５との間にある配線層のいずれかに設ければよい。また、両ダミー電極１３ｃの平面視形状や数は、シールド壁５に交差する配線電極１１ａの引き回しの構成や数に応じて、適宜変更することができる。
【００６５】
この構成によると、上から２番目の配線層１１の各配線電極１１ａに作用するシールド壁５の形成時における熱や衝撃を、ダミー電極１３ｃにより緩和できるため、シールド壁５の形成時における熱や衝撃に起因する各配線電極１１ａの断線や変形を低減することができる。
【００６６】
なお、本発明は上記した各実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて、上記したもの以外に種々の変更を行なうことが可能である。例えば、上記した各実施形態や変形例の構成を組合わせてもよい。
【００６７】
また、上記した各実施形態では、シールド壁５が、平面視で多層配線基板２の上面２０ａを２つの領域に区切るように配設される場合について説明したが、例えば、シールド壁５が所定の部品３ａ，３ｂの周囲を囲むように形成されていてもよい。
【００６８】
また、多層配線基板２を構成する絶縁層や配線層の層数は、適宜変更することができる。
【００６９】
また、本発明は、配線基板に実装された部品を被覆する封止樹脂層と、部品間のノイズの相互干渉を防止するシールド壁とを備える種々の高周波モジュールに適用することができる。
【符号の説明】
【００７０】
１ａ〜１ｅ    高周波モジュール
２    多層配線基板
２ａ〜２ｄ    絶縁層
３ａ，３ｂ    部品
４    封止樹脂層
５    シールド壁
５ａ    屈曲部
１０    配線層（第１配線層）
１０ａ    配線電極（第１配線電極）
１０ｂ    配線電極（第２配線電極）
１１    配線層（第２配線層）
１１ａ    配線電極（第３配線電極）
１３ａ，１３ｂ    ダミー電極（第１電極部）
１３ｃ    ダミー電極（第２電極部）
１４ａ    ダミービア導体（ビア導体）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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