(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップの樹脂封止用の金型であって、
前記金型の表面に形成した第１のキャビティと、
前記第１のキャビティの内側底面に平面視的に重畳して設けた第２のキャビティと、
前記第２のキャビティの上面周囲に設けた段差部と、を有し、
前記第１のキャビティの４隅および前記第２のキャビティの４隅にはそれぞれ所定の曲率半径を有するコーナー部を備え、
前記第２のキャビティの内側底面に重畳して順次設けられた第３乃至第ｎ段のキャビティと、前記第３乃至第ｎ段のキャビティのそれぞれの上面周囲に設けた段差部とからなり、前記第３乃至前記第ｎ段のキャビティのそれぞれの４隅にはそれぞれ所定の曲率半径を有するコーナー部をさらに備えたことを特徴とする樹脂封止用金型。
【請求項２】
半導体チップの樹脂封止用の金型の製造方法であって、
金属材料を準備する工程と、
前記金属材料を第１の円形刃物にて高速回転切削加工して第１のキャビティを形成するとともに前記第１のキャビティの４隅に第１の曲率半径のコーナー部を形成する工程と、
前記第１のキャビティの内側底面に第２の円形刃物にて高速切削加工して第２のキャビティを形成するとともに前記第２のキャビティの４隅に第２の曲率半径のコーナー部を形成する工程と、
前記第２のキャビティの内側底面に第３乃至第ｎ段の円形刃物にて高速切削加工して第３乃至第ｎ段のキャビティをそれぞれ形成するとともに、第３乃至第ｎ段のキャビティのそれぞれの４隅に第３乃至第ｎ段の曲率半径のコーナー部を形成する工程と、
からなることを特徴とする樹脂封止用金型の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、樹脂封止用金型とその製造方法、およびその金型を用いて製造されるパッケージとそのパッケージを用いた半導体装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年の携帯電子機器の小型化に伴い、使用される半導体パッケージにも小型化、薄型化された半導体パッケージが必要とされている。半導体パッケージは搭載される半導体チップを環境雰囲気から保護するために半導体チップを樹脂で封止する必要がある。そして、半導体パッケージの小型、薄型化から、半導体パッケージ用樹脂封止金型も微細、薄型化が要求されている。また、半導体パッケージの製造コストを削減するために、半導体パッケージ製造で使用されるリードフレームも高密度レイアウトが要求され、高密度レイアウトリードフレーム用樹脂封止金型も、微細で高精度な金型が要求されている。
【０００３】
半導体パッケージは小型、薄型化されても、半導体としての性能は高めなければならないため、できるだけ大きな半導体チップが搭載できる必要がある。
半導体パッケージに、できるだけ大きな半導体チップを搭載できるようにするには封止樹脂のコーナー部を直角形状としているのが一般的である。
【０００４】
半導体パッケージを形成するための樹脂封止用金型のキャビティ形状を形成するには、金型のキャビティを型彫放電加工機により型彫放電加工用電極を用いた放電加工で加工する工法が一般に用いられている。前記した型彫放電加工は、型彫放電加工電極用電極が必ず必要である。型彫放電加工用電極は型彫放電加工機にセットし灯油等の絶縁加工液中において金型材料表面に断続的にアーク放電を行い、金型のキャビティ形状を形成していく。型彫放電加工は、粗加工、中加工、仕上げ加工と複数回に分けて加工される。そのため、粗加工、中加工、仕上げ加工のための加工用電極も製作する必要がある。また、加工精度や面粗度の追い込みのため、さらに加工を追加する場合もある。そして、型彫放電加工機での型彫放電加工時間だけではなく、型彫放電加工用電極をさらに製作する必要があり、金型の加工時間は長くなる。その結果製造コストが高くなる。
【０００５】
また、型彫放電加工で、粗加工、中加工、仕上げ加工と複数回に分けて加工を行うため、型彫放電加工用電極の交換や、精度が要求される金型のキャビティ加工の場合は加工途中の金型材料を装置から取り外し、計測してから、型彫放電加工用電極位置を補正することがあり、金型のキャビティの加工時間はさらに長くなる。その結果金型のキャビティ加工費用がさらに高くなる。
【０００６】
また、半導体パッケージを安価に製造するため、近年は高密度にレイアウトされたリードフレームが必要とされている。高密度にレイアウトされたリードフレームに使用される樹脂封止加工用、金型のキャビティ加工は、金型のキャビティ間の間隔が狭くなり、型彫放電加工用電極が強度不足のため製作できない場合もあり、樹脂封止金型のキャビティ型彫放電加工用電極を複数に分け分割加工する必要がでてきた。これにより金型のキャビティ加工時間がさらに長くなる。そのためその分金型が高くなる。
【０００７】
半導体パッケージ用金型のキャビティの加工は型彫放電加工機に型彫放電用電極を用いた型彫放電加工時間を短くするために、金型のキャビティの加工の一部を切削加工で行い仕上げ加工を型彫放電加工機で処理することが提案されている。（例えば、特許文献１参照）
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２０００−１０２９２９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、一部の加工を切削加工で行い、最終仕上げを型彫放電加工で行う場合、同一の装置では加工ができない。また、型彫放電加工機用で用いられる型彫放電加工用電極の製作が必要であり、金型加工時間はそれほど速くならない。また、型彫放電加工機で型彫放電加工用電極を使用した金型のキャビティ加工では、加工面に梨地面が形成され、半導体パッケージ用樹脂封止金型での加工後にリードフレームを金型から取り出す際に梨地面がアンカーとなり、離形不良による樹脂クラックが発生するという懸念がある。
【００１０】
本発明は、金型のキャビティ加工時間を短縮し、金型のキャビティ加工面に型彫放電加工において形成される梨地面のようなアンカー形状が形成されない、金型のキャビティ製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記課題解決のために本発明では以下の手段を用いた。
まず、半導体チップの樹脂封止用金型であって、前記金型に設けられたキャビティは、前記金型の表面に形成した第１のキャビティと、前記第１のキャビティの内側底面に重畳して設けた第２のキャビティと、前記第２キャビティの上面周囲に設けた段差部とからなり、前記第１のキャビティおよび前記第２のキャビティの４隅には所定の曲率半径のコーナー部を有することを特徴とする樹脂封止用金型とした。
【００１２】
また、半導体チップの樹脂封止用金型の加工方法であって、金属材料を準備する工程と、前記金属材料を第１の円形刃物にて高速回転切削加工して第１のキャビティを形成するとともに前記第１のキャビティの４隅に第１の曲率半径のコーナー部を形成する工程と、前記第１のキャビティの内側底面に第２の円形刃物にて高速切削加工して第２のキャビティを形成するとともに前記第２のキャビティの４隅に第２の曲率半径のコーナー部を形成する工程とからなることを特徴とする樹脂封止用金型の製造方法とした。
【００１３】
また、半導体チップを半導体パッケージに樹脂封止した半導体装置であって、アイランド上に載置した半導体チップと、前記アイランドの周囲近傍に設けられたリードと、前記半導体チップの電極と前記リードを電気的に接続するワイヤーと、前記半導体チップとアイランドとリードとワイヤーを樹脂封止した封止体とからなり、前記封止体は第１の封止体と第２の封止体との積層構造であることを特徴とする半導体装置とした。
【発明の効果】
【００１４】
本発明による円形刃物を用いた高速回転切削加工を用いた金型製造におけるキャビティ加工は、円形刃物を用いた切削加工で行うため、型彫放電加工機での型彫放電加工で必要とされる型彫放電加工用電極は不要となり金型のキャビティ加工時間が短縮され加工コストが大きく削減できる。
【００１５】
また、高密度レイアウトリードフレーム用金型の製造におけるキャビティ加工でも、分割での加工は不要であり、高精度な金型製作が可能である。
また、型彫放電加工を用いた場合に発生する金型のキャビティ加工面の梨地によるアンダーカットによる樹脂封止後の金型からの離形時に樹脂クラック発生懸念のない金型製造が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の半導体パッケージ用樹脂封止金型の鳥瞰図である。
【図２】本発明の半導体パッケージ用樹脂封止金型の平面図である。
【図３】本発明の半導体パッケージ用樹脂封止金型の断面図である。
【図４】本発明の金型のキャビティ加工を示す断面図である。
【図５】図４に続く、本発明の金型のキャビティ加工を示す断面図である。
【図６】比較例の金型のキャビティの加工を示す断面図である。
【図７】本発明の金型を用いて樹脂封止した半導体パッケージの鳥瞰図である。
【図８】本発明の金型を用いて樹脂封止した半導体パッケージの平面図である。
【図９】本発明の金型を用いて樹脂封止した半導体パッケージの透視平面図である。
【図１０】本発明の金型を用いて樹脂封止した半導体パッケージの透視断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明を図面に基づいて説明する。
図１は、本発明の半導体パッケージ用樹脂封止金型の鳥瞰図である。本図は、半導体チップ１個分の拡大図である。
【００１８】
金型１に半導体パッケージの樹脂封止形状となる第１のキャビティ２と第２のキャビティ３が形成され、第１のキャビティ２と第２のキャビティ３の各４隅には、円形刃物の刃物半径以上の曲率半径を有するコーナー部２ａ、３ａが形成されている。そして、第１のキャビティ２および第２のキャビティ３の内側面にはテーパー形状が形成されている。
【００１９】
図２は、図１をキャビティ側からみた平面図である。第１のキャビティ２は第２のキャビティ３より大きく形成され、平面視的に第１のキャビティ２の内側に第２のキャビティ３が重畳して設けられている。第１のキャビティ２の４隅には丸みのあるコーナー部２ａが形成され、第２のキャビティ３の４隅にも丸みのあるコーナー部２ａと同様のコーナー部３ａが形成されている。
【００２０】
図３は、図２における矩形のキャビティの対角のコーナー部に沿って切断したときの断面図である。第１のキャビティ２は金型１の表面からある深さまで開孔形成され、第１のキャビティ２の下に第２のキャビティ３が開孔形成されている。図では、第１のキャビティ２の周囲の下面には段差部５が設けられ、第１のキャビティ２の開孔下面の幅は第２のキャビティ３の開孔上面の幅よりも大きく、各キャビティの深さは同じであるが、第１のキャビティ２の深さと第２のキャビティ３の深さの比を変えても良い。
【００２１】
図４は、本発明の第１のキャビティの加工を示す断面図である。準備された金型材料１に円形刃物４、例えばエンドミルを用いた高速回転切削加工で第１のキャビティ２を開孔形成する。開孔深さは、円形刃物４の刃物直径と等しい深さから刃物直径の２倍であることが望ましい。円形刃物の切削側面にはテーパーが付いており、このテーパーが被切削物である金型１に転写されてテーパー側面を有する第１のキャビティ２を形成することになる。また、第１のキャビティ２の４隅に形成されるコーナー部２ａは所定の曲率半径を有するが、この曲率半径は円形刃物の刃物半径以上である。なお、刃物半径や刃物直径はテーパーの付いた円形刃物の縦半分の長さの断面における半径、直径を示すものである。
【００２２】
図５は、本発明の第１のキャビティ加工に続く、第２のキャビティの加工を示す断面図である。第１のキャビティ２よりも内側の底面に円形刃物４を接触させ、深く掘り込んで第２のキャビティ３を形成する。ここで用いる円形刃物４は先の第１のキャビティ加工で用いたものと同じでも良いし、異なっていても良い。円形刃物の切削側面にはテーパーが付いており、このテーパーが被切削物である金型１に転写されてテーパー側面を有する第２のキャビティ３を形成することになる。また、第２のキャビティ３の４隅に形成されるコーナー部３ａは所定の曲率半径を有するが、この曲率半径は円形刃物の刃物半径以上である。
【００２３】
以上の２段の切削加工によって、階段状のキャビティが形成されることになるが、２段に限られることはなく、必要に応じて、第３段乃至第ｎ段のキャビティを設けた多段キャビティであっても良い。
【００２４】
比較例として、図６に円形刃物を用いた高速切削加工を１段で加工した例の断面図を示す。円形刃物４の刃物径に対して、加工深さが刃物径の２倍以上になると、切削加工時に高速回転する円形刃物に金型材料１の切削加工負荷が加わり、円形刃物が破損する可能性がある。半導体パッケージの樹脂封止金型のキャビティは、リードフレームのレイアウトにより複数加工される。多いものでは１０００箇所以上のものもある。複数ある金型のキャビティの加工途中で、円形刃物４が破損した場合、金型にキズを付けてしまう可能性がある。円形刃物の破損を避けるために刃物半径を大きくすると、４隅のコーナー部の曲率半径が極めて大きくなり、半導体チップの大きさに対し、樹脂封止した後の半導体パッケージの大きさが極めて大きくなるという問題がある。
【００２５】
本発明の円形刃物での高速回転切削加工では、金型のキャビティ用加工機、例えばＮＣフライスの金型材料をセットすると、円形刃物の摩耗による円形刃物交換は必要であるが、加工終了までワークの取り出しは不要である。また、円形刃物の交換はＮＣフライス等の工作機械にはＡＴＣ（Auto tool changer）が搭載されていため、人の手による交換作業は不要であり、装置に金型材料と刃物をセットすれば、ＮＣフライス等加工機の加工精度、例えば±０．０００２ｍｍ（±０．２μｍ）での仕上げまでの加工が型彫放電加工機で型彫放電加工用電極を用いた型彫放電加工に比べ短時間で精度のよい金型のキャビティを加工することが可能となる。
【００２６】
円形切削での高速回転切削加工では、金型の加工面は切削面であり、型彫放電加工機で型彫放電加工用電極を用いた型彫放電加工で形成されるような梨地面はなく、滑らかで、樹脂封止後の成形金型からの離形時にも梨地面のような凸凹形状によるアンダーカット影響もない樹脂クラック発生懸念のない半導体パッケージの成形が可能である。
【００２７】
図７は本発明の金型を用いて製造された半導体パッケージに樹脂封止された半導体装置の鳥瞰図であり、図８は平面図である。金型形状に対応して封止樹脂は第１の封止体１８の上に第２の封止体１７が縦に積層された形状である。そして、第２に封止体１７の断面積が第１の封止体１８の断面積に比較して小さく、第１の封止体１８の外周上面には樹脂段差２３を有する構成ある。また、第１の封止体の側面からはアウターリード１９が露出している。第１の封止体１８および第２の封止体１７の４隅の角部は丸みを帯びた形状で欠けにくいという特徴を有する。図９は透視平面図であり、図１０は透視断面図である。リードフレームのアイランド２２上に半導体チップ２１が載置され、アイランド２２の周囲近傍にはアウターリード１９を有するリードが設けられている。半導体チップ２１の表面に設けられている電極とリードはワイヤー２０を介して電気的に接続されている。そして、これらは第１の封止体１８および第２の封止体によって樹脂封止されている。リードフレームのアイランドやリードが第１の封止体１８に被覆され、半導体チップの電極と接続するワイヤー２０が第２の封止体１７に被覆されるという構成である。したがって、第２の封止体１７が第１の封止体１８に対し幾分小さいものであっても樹脂封止性に影響のあるものではない。
【００２８】
以上では、２段の封止体を有する半導体パッケージを例に説明したが、本発明は２段の封止体に限られるものではなく、必要に応じて多段の封止体を有する半導体パッケージであっても良い。
【符号の説明】
【００２９】
１    金型材料、金型
２    第１のキャビティ
２ａ  第１のキャビティのコーナー部
３    第２のキャビティ
３ａ  第２のキャビティのコーナー部
４    円形刃物
５    段差部
１７  第２の封止体
１８  第１の封止体
１９  アウターリード
２０  ワイヤー
２１  半導体チップ
２２  アイランド
２３  樹脂段差
【図１】
0006470956.tif 000002
【図２】
0006470956.tif 000003
【図３】
0006470956.tif 000004
【図４】
0006470956.tif 000005
【図５】
0006470956.tif 000006
【図６】
0006470956.tif 000007
【図７】
0006470956.tif 000008
【図８】
0006470956.tif 000009
【図９】
0006470956.tif 000010
【図１０】
0006470956.tif 000011