(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
反応炉ハウジング（１）の中に配置されたガス注入素子（２）を含み、プロセスチャンバー（３）に面するガス排出プレート（８）を含み、当該ガス排出プレート（８）が多孔質材と多数のガス排出開口（９）を含み、当該ガス排出開口（９）が前記ガス注入素子（２）の中に配置されたガス分配ボリューム（７）からプロセスガスを供給され、
前記多孔質材が前記ガス排出プレート（８）のコア（１２）を形成し、当該コア（１２）の細孔が閉じられるように、お互いから離れて向く前記ガス排出プレート（８）の２つの広い面（１０，１１）と前記ガス排出開口（９）の壁（１３）とが密封される、
ことを特徴とするＣＶＤプロセスを実行するための装置。
【請求項２】
プロセスガスと接触する前記コア（１２）の表面部分が、セラミックまたは金属層によって密封されることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記コア（１２）の材料が固体発泡体であるか、または前記コア（１２）が耐熱材料から作られることを特徴とする請求項１または２に記載の装置。
【請求項４】
前記固体発泡体が、カーボン、グラファイトまたは炭化ケイ素または金属で作られた固体発泡体であることを特徴とする請求項３に記載の装置。
【請求項５】
導電性の前記コア（１２）が導電性材料で作られる接触エリア（１０，１１；１８，１９）を含み、当該接触エリア（１０，１１；１８，１９）が接触端子（１６，１７）に接続され、当該接触端子（１６，１７）に前記ガス注入素子（２）を加熱するために電気加熱電圧（ＵＨ）が印加されることができることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の装置。
【請求項６】
前記コア（１２）がインチ当たり１００個の細孔の多孔率を有する開口細孔の固体発泡体であることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１項に記載の装置。
【請求項７】
前記ガス排出開口（９）の壁が穴に挿入されるスリーブ（１４）によって構成されることを特徴とする請求項１ないし６のいずれか１項に記載の装置。
【請求項８】
前記ガス排出プレート（８）の２つの密封された広い面において、下方を向く広い面（１１）が前記プロセスチャンバー（３）の屋根を形成し、上方を向く広い面（１０）が前記ガス分配ボリューム（７）の壁を形成することを特徴とする請求項１ないし７のいずれか１項に記載の装置。
【請求項９】
前記ガス排出プレート（８）が、前記ガス排出開口（９）とは異なる多数のガス排出開口（９’）を含み、
前記ガス排出プレート（８）の中を走り、多数の前記ガス排出開口（９，９’）にプロセスガスを供給するガス分配経路（２１、２６）を有する、
ことを特徴とする請求項１ないし８のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１０】
前記ガス分配ボリューム（７）と流れに関して接続されておらず、前記ガス排出開口（９’）にプロセスガスを供給するガス分配ボリューム（７’）を有し、
前記２つのガス分配ボリューム（７，７’）が別々の供給ライン（１５，３０）によってプロセスガスを供給される、
ことを特徴とする請求項９に記載の装置。
【請求項１１】
前記ガス注入素子（２）の全体の長さに渡って延びる前記ガス分配経路（２１，２６）が列の形でお互いのそばに並べられていることを特徴とする請求項９または１０に記載の装置。
【請求項１２】
お互いのそばに直接並べられた前記ガス分配経路（２１，２６）が異なる前記ガス分配ボリューム（７，７’）に割り当てられており、異なるプロセスガスが前記プロセスチャンバーの中にお互いから分離されて供給されることができることを特徴とする請求項１０に記載の装置。
【請求項１３】
前記ガス分配ボリューム（７’）が、前記ガス排出プレート（８）の広い面（１０，１１）によって境界を形成される前記ガス排出プレート（８）のボリュームの内部に配置されることを特徴とする請求項１０または１２に記載の装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＣＶＤプロセスを実行するための装置に関する。その装置は、反応炉ハウジングの中に配置されたガス注入素子を含み、プロセスチャンバーに面するガス排出プレートを含む。ガス排出プレートは、多孔質材と多数のガス排出開口を含み、ガス排出開口はガス注入素子の中に配置されたガス分配ボリュームからプロセスガスを供給される。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１にＣＶＤ反応炉が記載されている。特許文献１では、ガス注入素子の最も低いプレートであってプロセスチャンバーに面する最も低いプレートが、多孔質ボディからプロセスチャンバーの中にプロセスガスを注入するために構成される。ガス排出素子の水冷のより低い壁がその多孔質ボディの上に位置している。
【０００３】
特許文献２は、ＣＶＤ反応炉のためのプロセスガス源を記載する。そのプロセスガス源の中では固体発泡体が使用される。
【０００４】
特許文献３は、特許文献４と同様に、拡散器として働き、ガス注入素子で使用される固体発泡体を記載する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】独国特許公開第１０  ２００６  ０１８  ５１５号公報
【特許文献２】国際公開第２０１２／１７５１２４号パンフレット
【特許文献３】ヨーロッパ特許第１  ８６９  ６９１号公報
【特許文献４】独国特許公開第１０２  １１  ４４２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の基礎にある問題は、ガス注入素子の生産的側面、特に大きなコーティングエリアを持つＣＶＤ反応炉に対するガス注入素子の生産的側面を改善することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
この問題は、請求項に記載される本発明によって解決される。
【０００８】
最初に、そして本質的に、ガス排出プレートが多孔質のコアを含み、プロセスガスと接触するその表面部分が密封されることが提案される。表面の密封はコーティングであることができる。コーティングは、セラミックまたは金属材料でされることができる。コーティングは、ガス排出プレートの広い面の上に堆積された薄いプレートによって構成されることができる。特に、コアを構成する多孔質ボディの２つの広い面であってお互いに離れて向く２つの広い面は、気密の薄いプレートまたはフィルムで各々コーティングされる。また、ガス排出開口の壁は同様の方法で密封される。密封の効果は、多孔質ボディの細孔が密封の領域で閉じられることである。本実施形態の結果として、固体材料で作られる従来のガス排出プレートよりもずっと軽量にガス排出プレートが作られる。ガス排出プレートの１つの広い面は、直接プロセスチャンバーの方向を向く。それはプロセスチャンバーの屋根を形成する。ガス排出プレートの反対側の広い面はガス注入素子の方向を向いており、特にガス注入素子の内側におけるガス分配ボリュームの壁またはガス注入素子の内側における冷却チャンバーの壁を形成することができる。このようにして作られたガス排出プレートは、大面積のガス排出プレートが重力の影響の元で下方に変形する傾向を有するという効果を弱める。本発明に係るガス排出プレートの”サンドイッチデザイン”は軽量発泡体ボディを使うが、それは中央領域においてガス排出プレートが垂れ下がることを防ぐ。多孔質ベースボディの２つの広い面上でセラミック接着剤を用いてコーティングが行われることができる。ガス排出開口の壁のコーティングはスリーブによって形成されることができる。この目的のために、多孔質のコアが両面を密封された後でガス排出プレートに多数の孔がドリルで開けられ、その孔の中に金属またはセラミックのスリーブが挿入される。また、セラミック接着剤でここに接続を生じさせることができる。広い面をそれぞれ密封する２つの層は、望ましくは同じ材料で作られる。多孔質のコアの空洞にプロセスガスが浸透することができないように密封が生じることができる。けれどもまた、その装置が真空プロセスで使われるときに圧力の平衡が生じることができるために、対象とされる方法では、多孔質のボディの表面領域を密封しないように定められる。特に、ガスが多孔質のボディに入ることができ、そこから出ることができるように、ガス排出プレートの輪郭にそって走る狭い面が密封されないか、または密封されない部分を含むように定められる。望ましくは、コアの材料は固体発泡体を含む。それはカーボン、例えばグラファイトで作られることができる。しかし、また、セラミック材料、例えば炭化ケイ素で作られることができる。多孔質のボディは耐熱であり、開口細孔を有する。それはインチ当たりおよそ１００個の細孔の多孔率を有する。細孔は固体ボディを通って不規則に走る。それらは網状の構造を形成する。固体発泡体はガス排出プレートのコアを形成するが、それは導電性であることができる。ガス排出プレートが調節されることになるとき、これは特に有利である。接触エリアの形で電極がガス排出プレート上に与えられることができ、その電極を用いて電圧がガス排出プレートに印加されることができ、それで電流がガス排出プレートを通って流れることができる。これはガス排出プレートの加熱に導く。接触エリアは広い面のコーティングによって構成されることができる。そのとき、後者は導電性の材料で作られ、お互いに接続されない。そのとき、狭い面のコーティングは非導電性、例えばセラミック材料で作られることができる。けれどもまた、接触エリアは狭い面に割り当てられることができる。この場合には、広い面のコーティングは非導電性材料または不完全に導電性の材料、例えばセラミック材料で作られる。固体発泡体の全ての表面部分が密封されるように、密封は真空状態の下で起こることができる。これの効果は、本発明に従って設置されたガス注入素子が真空状態の下で使われるとき、固体発泡体の内部で圧力が増大しないことである。スリーブなどを使って、固体、例えばフィルムを貼り付けることによってそのコーティングを行うことができる。けれどもまた、電気めっき、例えば電気めっき槽を利用して、またはＣＶＤプロセスを用いてコーティングが実行されるように定められる。多孔質のコアのＣＶＤ密封は、特に炭化ケイ素の固体発泡体上に炭化ケイ素の層を堆積させることによって起こる。本発明の変形によれば、ガス注入素子がガス排出プレートを含み、ガス排出プレートが複数のガス排出開口を含み、ガス排出開口を通ってお互いに異なるプロセスガスがプロセスチャンバーに入ることができるように定められる。複数のガス排出開口は、各場合において異なるガス分配ボリュームに割り当てられる。そのとき、異なるガス分配ボリュームが異なるガス排出開口に供給する。また、複数のガス分配経路が与えられ、その各々が複数のガス排出開口に供給する。望ましくは、ガス分配経路はガス排出プレートの内部を走る。流れに関してお互いに接続されていない２つのガス分配ボリュームが与えられ、それらは別々の供給ラインによって供給される。各ガス分配ボリュームは多数のガス排出開口に供給する。それらのガス排出開口は、異なるガス分配ボリュームに属するが、列の形でお互いのそばに並べられることができる。１つの列は、各場合においてガス分配経路に割り当てられることができる。パイプがガス分配経路の底面から離れて導くことができ、それらのパイプがガス排出プレートのガス排出エリアに現れる。望ましくは、ガス分配ボリュームはガス分配プレートのボリュームの内部に完全に配置されることができる。このボリュームは、ガス排出プレートの２つの広い面の間に広がる。そのガス分配ボリュームは、くし状または格子状に並べられた複数のガス分配経路によって構成されることができる。上記ガス分配経路の間に、流れに関してガス排出プレートの上に配置されたガス分配ボリュームに接続されたガス分配経路が走ることができる。それらのガス分配経路は開いた経路として構成されることができ、その経路の底はパイプを経由してガス排出エリアに接続されることができる。けれどもまた、それらのガス分配経路は閉じた経路として構成されることができ、例えばそれらの経路は金属層によって閉じられることができる。隣り合ったガス分配経路の間には、多孔質のコアの材料が配置される。
【０００９】
本発明の実施形態が、添付図面を参照して以下に説明される。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】主要な機能素子のみが図示されたＣＶＤ反応炉のハウジングの断面図である。
【図２】第１の実施形態に係る図１のＩＩの詳細を示す。
【図３】第２の実施形態に係る図２と同じ部分を示す。
【図４】第３の実施形態に係る図１と同様の断面図を示す。
【図５】図４のＶの詳細を示す。
【図６】第４の実施形態に係る図５と同じ部分を示す。
【図７】図８のＶＩＩ−ＶＩＩ線に沿う第５の実施形態に係るガス排出素子２の断面図である。
【図８】図７のＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ線に沿う断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
図１に示されるＣＶＤ反応炉はハウジング１を含み、ハウジング１は環境に対してその内側を気密に封止する。ガス注入素子２がＣＶＤ反応炉１の内側に配置されている。ガス注入素子２は、空洞の空間を形成するボディである。空洞の空間は、ガス分配ボリューム７を形成し、供給ライン１５を通って外部からプロセスガスを供給される。図１には、１つのガス分配ボリューム７のみが示されている。本実施形態には示されていないが、複数のガス分配ボリュームが存在することができる。それらはお互いから分離されており、対応する供給ラインを通ってそれらの中に異なるプロセスガスが供給されることができる。
【００１２】
ガス注入素子２は、ガス排出プレート８を含む。ガス排出プレート８は、多数のガス排出開口９を含み、シャワーヘッドの方法で配置される。ガス分配ボリューム７に供給されるプロセスガスは、ガス排出開口９を通って排出されることができる。従って、ガス分配ボリューム７は、特にグリッドポイント上に配置された多数のガス排出開口９に供給する。
【００１３】
複数のガス分配ボリュームが与えられるならば、各ガス分配ボリュームはそれぞれのガス分配ボリュームに個別に割り当てられたガス排出開口９に接続され、それらのガス排出開口を通ってガス注入素子２の下に配置されたプロセスチャンバー３にプロセスガスが流れることができる。
【００１４】
本実施形態には示されていないが、ガス排出プレート８の真上に冷却チャンバーが与えられ、その冷却チャンバーを通って冷却液、例えば水が流れることができる。そのような実施形態の場合には、ガス注入素子２に面しているガス排出プレート８の広い面が冷却チャンバーの壁を形成する。
【００１５】
図１に示される実施形態では、ガス注入素子２に面しているガス排出プレート８の壁はガス分配ボリューム７の内壁を形成する。
【００１６】
ガスバッフル板がガス分配ボリューム７の内側に配置される。ガスバッフル板は、ガスの一様な分配およびガス排出開口９からのガス排出流の一様な形成のために必要である。
【００１７】
ガス排出プレート８は水平に広がる。サセプタ４は水平に置かれ、ガス排出プレート８の下に配置される。サセプタ４はグラファイト、特にコーティングされたグラファイト、モリブデンまたは他の適切な材料で作られることができる。コーティングされる基板５がサセプタ４の上にある。
【００１８】
サセプタ４の下にヒーター６が配置される。それは、抵抗ヒーターまたはＲＦヒーターであることができる。サセプタ４はこのヒーター６によってプロセス温度に加熱される。ガス排出開口９からプロセスチャンバー３に導入されるプロセスガスはその温度で熱分解されるか、またはお互いに化学反応を起こすことができ、それで薄い一様な層が基板５の上に堆積することができる。
【００１９】
図１と同様に図４は、ハウジング１、その中に配置されたガス注入素子２、およびコーティングされるべき１つ以上の基板５が置かれるためのサセプタ４を有するＯＶＰＤ反応炉の構造を図示する。ＯＶＰＤシステムでは、ＯＬＥＤディスプレイを生産するために有機層を堆積する。これは本質的に凝結プロセスで起こり、そこにおいて基板５が冷却されたサセプタ４の上に置かれる。この目的のために、サセプタ４は、例えば冷却管２０の形で冷却チャンバーを含み、冷却管２０を通って液体冷却媒体がサセプタ４の中を流れる。この実施形態において、ガス注入素子２は加熱される。特に、ガス排出プレート８は抵抗加熱されるように定められる。この目的のために、それは導電性材料から作られることができ、それを通って電流が流れることができる。
【００２０】
本実施形態では、ガス排出プレート８はガス注入素子２にその端でのみ接続される。ガス排出プレート８の中央領域が下にたわむことを防ぐために、本発明に係るガス排出プレート８は軽量構造技術で製造される。それは低密度のコアを含み、プロセスガスと接触するコアの表面部分は密封される。密封は、連続した表面が密封のために使われる材料から形成されるように実行される。本実施形態では、お互いから離れて向く２つの広い面１０，１１は全体的に密封される。更に、ガス排出開口９の壁は密封層１３で覆われる。
【００２１】
サセプタ４の底部エリアは、ガス排出プレート８の底部エリアと一致しているが、数平方メートルに達することができる。サセプタ４とガス排出プレート８の底部エリアは、円形、多角形、例えば正方形であることができる。
【００２２】
図２，図３，図５，および図６に示される実施形態では、ガス排出プレート８はコア１２を含み、コア１２は耐熱の多孔質材で製造される。ここで、それはインチ当たりおよそ１００個の細孔密度を持った固体発泡体を含む。固体発泡体は、インチ当たり５０から２００個の細孔密度を持つものが使用されることができる。それは開口細孔の固体発泡体を含み、その固体発泡体は炭化ケイ素またはグラファイトで作られる。けれどもまた、その固体発泡体は他の適切なセラミック材料または金属で作られることができる。ＣＶＤコーティングがコーティング１０，１１，１３を生じることができ、細孔が閉じられるように、例えば発泡体の表面をＣＶＤプロセスにおいて炭化ケイ素または金属でコーティングすることができる。望ましくは、これは真空状態の下で起こる。
【００２３】
図２に示される実施形態では、薄いプレートが密封層１０，１１を形成するために使用された。それは金属プレートであることができるが、またセラミックプレートであることもできる。そのプレートは耐熱性のセラミック接着剤によって多孔質のコア１２に接続される。
【００２４】
ガス排出開口はドリルで穴をあけることによって作られる。それから、穴の壁が密封材料、例えば金属層１３で密封される。
【００２５】
図３に示される第２の実施形態では、多孔質材で作られるコア１２の広い面は数ミクロンの厚さの薄い層１０，１１でそれぞれコーティングされる。それらの層は薄膜の材料であることができる。けれどもまた、電気めっきまたはＣＶＤプロセスで層１０，１１を堆積することができる。それらの層は１ミクロンの厚さまでであることができる。ガス排出プレートの全体の面積は５ｍ２までまたはそれ以上であることができる。
【００２６】
ここでもまた、ガス排出開口９は穴によって構成され、それらは発泡体１２の２つの広い面が密封された後で作られる。それから、スリーブ１４が作成済みの穴に挿入される。それらのスリーブは半径方向に外の方へ向くカラーを含むことができる。それらのスリーブの端は例えばセラミック接着剤によって端面密封に接続され、それで気密接続が生じる。
【００２７】
密封は真空状態の下で起こる。特に、ガス排出プレート８の全ての表面部分が密封され、それで発泡体の内側がその外側に対して気密に密封されるように定められる。従って、外側からガスが多孔質のコアの細孔の中に入ることはできない。けれどもまた、対象とされる方法では、ガス排出プレート８の表面部分は密封されず、密封されていない領域で圧力の平衡が起こることができるように定められる。従って、圧力が変化した場合には、ガスはガス排出プレート８の中に入ることができ、またガス排出プレート８から出ることができる。
【００２８】
図５と図６に示される実施形態は、電気回路を用いて加熱されることができるガス排出プレート８を示す。図５に示される実施形態では、２つの広い面１０，１１は導電性の材料、例えば金属で作られる。従って、２つの相互に向かい合う広い面のコーティング１０，１１は、接触エリアを形成する。それらはお互いから電気的に分離される。広い面のコーティング１０は接触端子１６に接続され、広い面のコーティング１１は接触端子１７に接続される。加熱電圧ＵＨが両方の接触端子１６，１７に印加されることができる。これは、後者を加熱するために、例えばグラファイト発泡体で作られたガス排出プレート８を通る電流に導く。
【００２９】
図６に示される実施形態では、２つの広い面のコーティング１０，１１は非導電性の材料、例えばセラミック材料で作られる。金属の接触エリア１８，１９が２つの相互に対向する狭い面に堆積される。接触エリア１８，１９は、基本的にそれぞれの狭い面の全体の長さに渡って広がる。接触エリア１８，１９には接触端子１６，１７が与えられ、それで加熱電圧ＵＨをガス排出プレート８に印加することができる。これは、ガス排出プレート８を通って流れる電流およびガス排出プレート８の加熱に導く。
【００３０】
図７と図８に示される第５の実施形態では、ガス注入素子２は流れの観点からお互いに接続されない供給ライン１５，３０を含む。供給ライン１５は、ガス排出プレート８の上に配置されたガス分配ボリューム７に供給する。このガス分配ボリューム７は溝の形状のガス分配経路２１に接続され、ガス分配経路２１はガス排出プレート８の内側に延びる。また、ガス分配経路２１の深さは０であることができる。そのとき、ガス分配経路２１の側壁の高さは０であり、ガス分配経路２１の底２３は金属層１０で平らに終わり、金属層１０はガス分配ボリューム７に対して多孔質のコア１２を分離する。けれども、本実施形態では、ガス分配経路２１はガス排出プレート８の材料の厚さのおおよそ半分に渡って延びる。そして、その材料の厚さは基本的に多孔質のコア１２によって形成され、その広い面１０，１１は金属の層を含む。
【００３１】
ガス注入素子２の幅全体に渡って延びる２つのガス分配経路２１の間にいずれの場合にも、ガス分配ボリューム７に対して閉じられたガス分配経路２６が延びる。ガス分配経路２１は狭い壁２５で端を閉じられているのに対して、全てのガス分配経路２６はそれらの狭い側の端でお互いに接続されている。これは、ガス注入素子２の外壁３１に沿って走る横向きの経路を介して起こる。その経路システムは第２のガス分配ボリューム７’を形成する。第２のガス分配ボリューム７’は、供給ライン３０と３０’を通ってプロセスガスを供給される。長方形の横断面を持つガス分配経路２１，２６は２つの側壁２２，２７を有している。２つの側壁２２，２７は、お互いから離れて間隔を空けられており、お互いに平行に、そして他の各ガス分配経路２６，２１の側壁２７，２２と平行に走る。ガス分配経路２１，２６は底面２３，２８を形成する。底面２３，２８は、ガス排出プレートのガス排出エリアに複数のパイプ２９によって各々接続される。
【００３２】
従って、列の形で並べられたガス排出開口９は、流れに関してガス分配経路２１に接続され、ガス排出開口９’はガス分配経路２６に接続される。ここでまた、ガス排出プレート８は多孔質材で作られたコアを含み、広い面１０，１１のみが金属プレートを含む。 
【００３３】
図７と図８に示される実施形態では、異なるガス分配ボリュームに接続された２つのガス分配経路２６，２１がお互いに交互に配置される。けれどもまた、いずれの場合にも異なるガス分配ボリュームに接続された３つ以上のガス分配経路がお互いに交互に配置されるように定められる。この場合、２つの異なるプロセスガスが異なるガス排出開口９，９’を通ってプロセスチャンバーに送られることができるのみならず、２つ以上の異なるプロセスガスがいずれの場合にも個別に割り当てられたガス排出開口を通ってプロセスチャンバーに送られることができる。
【００３４】
上述した解説は、本出願によって全体としてカバーされ、少なくとも以下の特徴の組み合わせによって各々の場合に独立して先行技術を更に改善する本発明を説明するために役立つ。すなわち：
【００３５】
多孔質材がガス排出プレート８のコア１２を形成し、プロセスガスと接触するその表面部分が密封されることを特徴とする装置。
【００３６】
プロセスガスと接触するコアの表面部分が、コーティング、特にセラミックまたは金属層によって密封されることを特徴とする装置。
【００３７】
コア１２の細孔が閉じられるように、お互いから離れて向くガス排出プレート８の２つの広い面１０，１１が密封されることを特徴とする装置。
【００３８】
ガス排出プレート８のコア１２の細孔が閉じられるように、またはガス排出プレート８のコア１２の表面部分が密封されず、それで圧力が変化した場合にはガスがガス排出プレート８の中に入ることができ、そこから出ることができるように、穴によって形成されるガス排出開口９の壁１３が密封されることを特徴とする装置。
【００３９】
コア１２の材料が固体発泡体、特にカーボン、グラファイトまたは炭化ケイ素または金属で作られた固体発泡体であるか、またはコア１２が耐熱材料から作られることを特徴とする装置。
【００４０】
コア１２は導電性材料で作られる接触エリア１０，１１；１８，１９を含み、それらは接触端子１６，１７に接続され、ガス注入素子２を加熱するために接触端子１６，１７に電気加熱電圧ＵＨが印加されることができることを特徴とする装置。
【００４１】
コア１２がインチ当たり１００個の細孔の多孔率を有する開口細孔の固体発泡体であることを特徴とする装置。
【００４２】
ガス排出開口９，９’の壁が穴に挿入されるスリーブ１４またはパイプ２４，２９によって構成されることを特徴とする装置。
【００４３】
ガス排出プレート８の２つの密封された広い面において、下方を向く広い面１１がプロセスチャンバー３の屋根を形成し、上方を向く広い面１０がガス分配ボリューム７の壁を形成することを特徴とする装置。
【００４４】
ガス排出プレート８の中を走り、いずれの場合にも複数のガス排出開口９，９’に供給するガス分配経路２１，２６を特徴とする装置。
【００４５】
流れに関してお互いに接続されておらず、別々の供給ライン１５，３０によって供給される少なくとも２つのガス分配ボリューム７，７’が、流れに関して異なるガス排出開口９，９’に接続されていることを特徴とする装置。
【００４６】
お互いのそばに直接並べられたガス分配経路２１，２６が異なるガス分配ボリューム７，７’に割り当てられており、異なるプロセスガスがプロセスチャンバーの中にお互いから分離されて供給されることができることを特徴とする装置。
【００４７】
ガス分配ボリューム７’が、ガス排出プレート８の広い面１０，１１によって境界を形成されるガス排出プレート８のボリュームの内部に配置されることを特徴とする装置。
【００４８】
開示される全ての特徴は（それら自体で、しかしまた、お互いとの組み合わせで）本発明に不可欠である。従ってまた、関連した／添付する優先権書類（先願のコピー）の開示内容は、これらの書類の特徴を本出願の請求項に導入する目的のために、本出願の開示における全体の内容の中に含まれる。従属項は、特にこれらの請求項に基づいて分割出願をすることができるように、それらの特徴で先行技術の独立した発明の改良を特徴づける。
【符号の説明】
【００４９】
１…反応炉のハウジング
２…ガス注入素子
３…プロセスチャンバー
４…サセプタ
５…基板
６…ヒーター
７，７’…ガス分配ボリューム
８…ガス排出プレート
９，９’…ガス排出開口
１０…広い面のコーティング
１１…広い面のコーティング
１２…コア
１３…壁、（密封）層
１４…スリーブ
１５…供給ライン
１６…接触端子
１７…接触端子
１８…接触エリア
１９…接触エリア
２０…冷却管
２１…ガス分配経路
２２…側壁
２３…底面
２４…パイプ
２５…狭い壁
２６…ガス分配経路
２７…側壁
２８…底面
２９…パイプ
３０，３０’…供給ライン
３１…外壁
ＵＨ…加熱電圧
【図１】
0006524104.tif 000002
【図２】
0006524104.tif 000003
【図３】
0006524104.tif 000004
【図４】
0006524104.tif 000005
【図５】
0006524104.tif 000006
【図６】
0006524104.tif 000007
【図７】
0006524104.tif 000008
【図８】
0006524104.tif 000009