(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラスからなる基材の少なくとも片面に、基材フィルムと前記基材フィルム上に形成されたポリイミド前駆体層とを備える転写フィルムであって、前記ポリイミド前駆体層は単層でありイミド化率が４５％以下である転写フィルムを、前記ポリイミド前駆体層が前記基材側と対向するように積層し、転写させる転写ステップ、
前記ステップで得られた積層体から前記基材フィルムを剥離する剥離ステップ、及び
前記ポリイミド前駆体層を焼成する焼成ステップ、を含むポリイミド積層体の製造方法。
【請求項２】
前記転写ステップの転写温度が、ポリイミド前駆体を焼成して得られるポリイミドがガラス転移温度を有する場合は該ポリイミドのガラス転移温度以下の温度である、又はポリイミド前駆体を焼成して得られるポリイミドがガラス転移温度を有しない場合は２００℃以下である請求項１に記載のポリイミド積層体の製造方法。
【請求項３】
前記ポリイミド積層体のポリイミド層表面の平均面粗さ（算術平均粗さ（Ｓａ））が、０．００１ｎｍ以上、１００ｎｍ以下である、請求項１又は２に記載のポリイミド積層体の製造方法。
【請求項４】
前記ポリイミド前駆体層の厚みが１μｍ〜５０μｍである、請求項１〜３のいずれか１項に記載のポリイミド積層体の製造方法。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の製造方法により得られるポリイミド積層体を巻きとる工程を含む、ロール状物の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ガラス又は金属からなる基材にポリイミド前駆体を転写できる転写フィルム、それを用いたポリイミド積層体の製造方法及びそれを用いて作製されたポリイミド積層体に関する。より詳細には、電子デバイス（電子部品）の基板として好適なポリイミド積層体の作製に用いられる転写フィルム、ポリイミド積層体の製造方法及びそれを用いて作製されたポリイミド積層体に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、有機ＥＬパネル、太陽電池、薄膜２次電池等の電子デバイス（電子部品）の薄型化、軽量化が進行しており、これらの電子デバイスに用いられる基板の薄板化が進行している。しかしながら、基板にガラスを用いる場合、薄板化によりガラス基板の強度が低下するとハンドリング性が悪化するという問題がある。また、ガラス基板の代わりに樹脂基板を用いることも可能であるが、樹脂基板は、ガラス基板に比べ、耐薬品性、耐透湿性、耐熱性等に問題がある。また、金属基板上に樹脂を積層した樹脂／金属積層体にも、さらなる耐熱性が求められている。
【０００３】
最近では、有機ＥＬパネルなどの電子デバイスに使用するために、ガラスの特性とプラスチックの特性を組み合わせた素材の開発が行われている。
例えば、屈曲性、可撓性、耐衝撃性および外観に優れる透明基板を得るために、溶剤透過性を有する支持基材上に形成させた溶剤を含む熱可塑性樹脂からなる塗布層と無機ガラスとを接着剤組成物を介して貼り合わせて得られた積層体に熱処理を施し、塗布層中の残存溶剤量を所定量まで減少させて、その後、当該積層体から支持基材を剥離して、再度、熱処理を行い塗布層を乾燥させ、熱可塑性樹脂層を無機ガラス上に形成する方法が提案されている（特許文献１）。
【０００４】
また、ポリイミドは一般に、耐熱性が高い樹脂として知られている。特許文献２には、特定のポリイミドを含む樹脂層とガラス基板を積層したガラス/樹脂積層体が提案されて
いる。また、特許文献２には、樹脂層とガラスを積層する方法として、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム上にポリアミド酸溶液を塗布、熱処理して耐熱性ポリイミドフィルムを作製し、プラズマ処理を施し、シランカップリング処理したガラス基板上に上記プラズマ処理後のポリイミドフィルムを金属ローラを用いて圧着する方法が開示されている。また、ガラス基板と耐熱性ポリイミドフィルムの間に熱可塑性フィルムをセットし、加熱プレスしてガラス／樹脂積層体を得る方法も開示されている。また、ガラス基板上に樹脂層を直接形成する方法として、シランカップリング処理後のガラス基板上にポリアミド酸溶液を塗布し、熱処理を施す方法が開示されている。
また、離型材上にポリイミドの前駆体であるポリアミック酸を含有する樹脂層を形成した転写シートも提案されている。例えば、離型材上に感光性ポリアミック酸樹脂からなる感光層を形成し、その上に接着性ポリアミック酸樹脂からなる接着層を形成してなる転写シートが開発されている（特許文献３）。また、ポリエステルからなる離型材上に感光性ポリアミック酸を含む樹脂層が形成された樹脂転写材の製造方法も提案されている（特許文献４）。特許文献３及び４に開示されている樹脂転写材は、ガラス板に熱転写した後に、パターン形成し、電子部品などの回路基板の絶縁層や各種電子部品の接着剤層の形成に用いられる転写シートである。
特許文献５には、特定の構成成分からなるポリイミド前駆体溶液を金属箔上に直接塗布し、硬化させ、多孔性ポリイミド層を含有するポリイミド層と金属箔層が積層されたプリント配線用基板の製造方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】国際公開第２０１１／１３６３２７号パンフレット
【特許文献２】国際公開第２０１１／０３０７１６号パンフレット
【特許文献３】特開２０００−２６７２７６号公報
【特許文献４】特開２００５−３０１０７２号公報
【特許文献５】特開２０１２−１０１４３８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
有機ＥＬパネル等の電子デバイス用基板としては、さらなる薄型化、高い耐熱性、ハンドリング性が求められている。このような特性をもつ、ポリイミドと基材を積層させたポリイミド積層体を製造しようとすると、ポリイミドと基材を直接熱融着する方法においては、通常、ポリイミドのガラス転移温度（Ｔｇ）以上に加熱する必要があるため、ガラス転移温度を持たない高耐熱性を示すポリイミドでは、熱融着することが難しい。また、ポリイミドと基材とを直接積層する方法では、層間密着性を確保するために、通常、基材やポリイミドに表面処理を施す必要があり、製造工程が複雑になる。また、厚み数μｍの薄いポリイミドとガラスなどの基材の積層体を熱融着により作製する場合、ＰＥＴなどの転写用基材に支持されたポリイミドをガラスに転写する方法がある。しかしながら、接着層を介さずにポリイミドをガラス上に直接転写しようとすると、ポリイミドのガラス転移温度以上に加熱する必要があるため、転写用基材には、ポリイミド以上の耐熱性が求められる。よって、ポリイミドよりも耐熱性が劣るＰＥＴ等の汎用的な転写用基材を使用することが難しく、高価な耐熱性転写用基材を使用する必要がある。また、ポリイミドによっては、その硬さのため、ラミネートすることが困難である。
また、ポリイミド前駆体溶液を基材表面に直接塗布する方法では、溶媒乾燥のために長い乾燥ラインを通すことになり、薄板化されたガラス基板を用いる場合には、ライン上でガラス基板が破損する懸念がある。
そこで、本発明の主たる目的は、転写後において、有機ＥＬパネル等の電子デバイス用基板として好適に使用できる高い耐熱性、ハンドリング性を有するポリイミド積層体を提供できる、低温でラミネート可能な転写フィルム、それを用いたポリイミド積層体の製造方法及びポリイミド積層体を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者らは上記の課題に鑑みて鋭意検討した結果、特定のイミド化率を有するポリイミド前駆体層を基材フィルム上に形成し、転写フィルムとすることで、従来よりも低温で、ガラス又は金属からなる基材上に容易に転写でき、優れた耐熱性を示し、且つ、ハンドリング性に優れたポリイミド積層体が得られることを見出し、本発明を完成するに至った。
すなわち本発明は以下の通りである。
【０００８】
［１］  基材フィルムと、前記基材フィルム上に形成されたイミド化率が４５％以下のポリイミド前駆体層とを備える転写フィルム。
［２］  前記ポリイミド前駆体層の厚みが１μｍ〜５０μｍである、［１］に記載の転写フィルム。
［３］  前記ポリイミド前駆体を焼成して得られるポリイミドのガラス転移温度が２００℃以上又はガラス転移温度を有しない、［１］又は［２］に記載の転写フィルム。
［４］  ［１］〜［３］のいずれかに記載の転写フィルムを巻いてなるロール状物。
［５］  ガラス又は金属からなる基材の少なくとも片面に、［１］〜［４］のいずれかに記載の転写フィルムを、前記ポリイミド前駆体層が前記基材側と対向するように積層し、
転写させる転写ステップ、
前記ステップで得られた積層体から前記基材フィルムを剥離する剥離ステップ、及び
前記ポリイミド前駆体層を焼成する焼成ステップ、を含むポリイミド積層体の製造方法。
［６］  前記転写ステップの転写温度が、ポリイミド前駆体を焼成して得られるポリイミドがガラス転移温度を有する場合は該ポリイミドのガラス転移温度以下の温度である、又はポリイミド前駆体を焼成して得られるポリイミドがガラス転移温度を有しない場合は２００℃以下である［５］に記載のポリイミド積層体の製造方法。
［７］  ［５］又は［６］に記載の製造方法により得られるポリイミド積層体。
［８］  ［７］記載のポリイミド積層体を巻いてなるロール状物。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、転写後において、有機ＥＬパネル等の電子デバイス用基板として好適に使用できる高い耐熱性、ハンドリング性を有するポリイミド積層体を提供できる、低温でラミネート可能な転写フィルム、それを用いたポリイミド積層体の製造方法を提供することができ、高い耐熱性、ハンドリング性を有するポリイミド積層体を得ることが可能となる。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下に本発明の転写フィルム、及びポリイミド積層体の実施の形態を詳細に説明するが、以下に記載する構成要件の説明は、本発明の実施形態の一例（代表例）であり、本発明はこれらの内容に特定されるものではない。
【００１１】
以下、本発明の転写フィルム（以下、「本転写フィルム」とも称する）、本転写フィルムを用いて作製するポリイミド積層体（以下、「本ポリイミド積層体」とも称する）の製造方法、及び本ポリイミド積層体、さらにそれらを構成する材料について詳細に説明する。
【００１２】
＜転写フィルム＞
本発明の転写フィルムは、基材フィルム上にイミド化率が４５％以下のポリイミド前駆体層を備えた構成を有する転写フィルムである。以下、転写フィルムを構成する基材フィルム、ポリイミド前駆体層について説明する。
【００１３】
＜基材フィルム＞
基材フィルムは、転写フィルムにおいてポリイミド前駆体層を支持する支持体であり、また、他の部材に転写フィルムを積層させて樹脂層を転写した後、積層体から剥離する離型フィルムである。
基材フィルムを構成する材料としては特に限定されるものではなく、公知のものを任意に用いることができるが、耐熱性を有することが好ましい。すなわち、その表面に、溶媒に溶解されたポリイミド前駆体を含むポリイミド前駆体溶液を塗布し、溶媒を乾燥することができ、また、ガラス又は金属からなる基材上に本転写フィルムを熱ラミネートできる程度に耐熱性を有することが好ましい。
このような基材フィルムを構成する材料としては、具体的には、ポリエステル系樹脂、ポリオレフィン系樹脂及びポリカーボネート系樹脂などが挙げられる。これらの樹脂の中でも、耐熱性や塗工性の観点からポリエステル系樹脂が好ましい。
【００１４】
基材フィルムに使用可能なポリエステル系樹脂としては、各種多価カルボン酸と各種多価アルコールの共重合体や、各種ヒドロキシカルボン酸の単独重合体及び多価カルボン酸と多価アルコールとヒドロキシカルボン酸の共重合体などを好ましく例示することができる。
中でも、透明性が高く、適度な伸びと強度を有する観点から、テレフタル酸とエチレングリコールを主とする共重合体（いわゆるポリエチレンテレフタレート）や、ナフタレンジカルボン酸とエチレングリコールを主とする共重合体（いわゆるポリエチレンナフタレート）が特に好ましい。また、これらの共重合体には、例えばイソフタル酸などの第三成分が共重合されていてもよい。
【００１５】
基材フィルムは、本転写フィルムのハンドリング性や、転写後の剥離性を向上させるという観点から、その厚みが２０μｍ以上であることが好ましく、３０μｍ以上であることがさらに好ましく、３８μｍ以上であることが特に好ましい。また、１５０μｍ以下であることが好ましく、１３０μｍ以下であることがさらに好ましく、１００μｍ以下であることが特に好ましい。
基材フィルムの厚みが２０μｍ以上であれば、本転写フィルムのハンドリング性を向上させることが出来る一方、基材フィルムの厚みが１５０μｍ以下であれば、基材フィルムの曲げ弾性が大きくなり過ぎず、本転写フィルムをガラス又は金属からなる基材上に積層後、基材フィルムを剥離する際の剥離性が良好となる。
【００１６】
本発明においては、転写フィルムのポリイミド前駆体層を基材に転写してポリイミド積層体としたとき、基材フィルム側のポリイミド前駆体層表面が、基材側と反対側の表面となる。このため、ポリイミド前駆体層表面、さらには本ポリイミド積層体のポリイミド側表面の平滑性を高める観点から、基材フィルム表面の平均面粗さ（算術平均粗さ（Ｓａ））は小さいほうが好ましく、具体的には、１００ｎｍ以下であることが好ましく、１０ｎｍ以下であることがさらに好ましく、２ｎｍ以下であることが特に好ましい。下限としては特に限定されないが、０．００１ｎｍ程度である。
なお、平均面粗さは算術平均粗さ（Ｓａ）であり、下記の測定方法にて算出できる。
（算術平均粗さ（Ｓａ）の測定方法）
非接触表面・層断面計測システムＶｅｒｔＳｃａｎ２．０（株式会社菱化システム製）を用い基材フィルムの表面観察（観察視野：９３．９７μｍ×７１．３０μｍ）を実施し、基材フィルムの表面について、平均面粗さ（算術平均粗さＳａ）を算出する。
基材フィルムの樹脂層側表面の平均面粗さを調整する方法としては、平均面粗さが上記範囲のものを準備すればよく、既知の方法により平均面粗さを調整してもよく、当該範囲の市販品を購入してもよい。
一方で転写フィルムにおいては、転写フィルムを他の部材と積層し、樹脂層を他の部材に転写した後に基材フィルムを剥離する必要があることから、基材フィルムの樹脂層側表面は良好な離型性が要求される。そのため、通常は離型性を向上させるため、シリコーン系樹脂などの離型剤による表面処理が行われる。このような離型剤により表面処理を行うことで、表面の平均面粗さは大きくなる傾向にある。
【００１７】
本発明においては、基材フィルム表面の平滑性、ポリイミド前駆体溶液の塗工性及びポリイミド前駆体層との剥離性等を損なわない範囲で、必要に応じて基材フィルムの、ポリイミド前駆体溶液の塗布側表面に、表面処理を施してもよい。
具体的には、例えば、ポリイミド前駆体溶液の塗工性の向上を目的として、コロナ処理、低圧プラズマ処理、大気圧プラズマ処理、フレーム処理及び紫外線照射処理により表面処理を施しても良いし、平滑化処理を施しても良い。また、塗工性の向上や、表面平滑化を目的として、熱又は光硬化性樹脂や熱可塑性樹脂を用いて樹脂層を設けても良い。また、接着性の向上を目的として、アンカーコート剤により処理を施してもよい。
一方、ポリイミド前駆体溶液の塗工性の観点から、ポリイミド前駆体溶液の塗布側表面をシリコーン系、長鎖アルキル系、フッ素系等の離型剤で処理されていない基材フィルムを用いることが好ましい。転写フィルムの基材フィルムは転写後に剥離するものであるので、通常は優れた離型性を有するものが好適に用いられる。一方、上記のような離型剤で処理された基材フィルム表面は、ポリイミド前駆体溶液をはじきやすくなる。
本発明において、このような離型剤で処理された基材フィルムにポリイミド前駆体溶液を塗布しようとすると、塗工性を改良するためにポリイミド前駆体溶液の固形分濃度を上げる必要がある。しかしながら、固形分濃度を上げると、例えば、塗布の際に気泡をかみ込むなどして、塗工ムラが発生してしまい、結果としてポリイミド前駆体層に外観上の欠陥が生じてしまう可能性が高くなる。
また、上述したように、離型剤により表面処理を行うことで、表面の平均面粗さは大きくなる傾向にあるため、ポリイミド積層体としたときのポリイミド層の表面が荒れてしまう場合がある。これらの理由のため、本発明においては、ポリイミド前駆体溶液の塗布側表面をシリコーン系、長鎖アルキル系、フッ素系等の離型剤で処理されていない基材フィルムを用いることが好ましく、また、離型剤で処理されていない基材フィルムを用いることは、コスト面でも有利である。
【００１８】
＜ポリイミド前駆体層＞
本転写フィルムにおける、イミド化率が４５％以下のポリイミド前駆体層は、ポリイミド前駆体を溶媒に溶解させたポリイミド前駆体溶液を基材フィルム上に塗布し、加熱処理により溶媒を乾燥することで形成される。すなわち、本発明のポリイミド前駆体層は、イミド化率が４５％以下のポリイミド前駆体を含み、ポリイミド前駆体以外に溶媒なども含むものである。本転写フィルムにおけるポリイミド前駆体層は、イミド化率が４５％以下であるため、ガラス又は金属からなる基材上に、当該ポリイミドのガラス転移温度（Ｔｇ）以下の温度で、接着層を使用しなくても容易に転写することができる。また、ポリイミド前駆体層を備える転写フィルムは柔軟性を有し、通常、ポリイミド前駆体層表面はブロッキングするような粘着性を有さないので、ロール状に巻いてなるロール状物としてもブロッキングし難く、ロール状物の状態で使用、保管することが出来る。
さらに、平均面粗さが小さい基材フィルムを用いることや、ポリイミド前駆体溶液を基材上に均一な厚さに塗布して塗工ムラを抑制することにより、本転写フィルムにおけるポリイミド前駆体層の外観上の欠陥を少なくすることができる。このような転写フィルムをガラス又は金属からなる基材に転写することにより、外観上の欠陥が少なく、平滑性に優れたポリイミド積層体を得ることが出来る。
【００１９】
本転写フィルムのポリイミド前駆体層においては、イミド化率の上限は４５％である。本発明においては、イミド化率を４５％以下とすることで、後述する転写時の温度でのポリイミド前駆体層の弾性率を転写に好ましい範囲とすることができ、本転写フィルムを用いて、ガラス又は金属からなる基材上に、ポリイミド前駆体層を良好に転写することができる。すなわち、ポリイミド前駆体層のイミド化率を４５％以下とすることで、ポリイミド前駆体層の転写温度での弾性率を１ＧＰａ以下とすることができ、ガラス又は金属からなる基材へ、接着層を介さずとも容易に転写することができる。接着層を介さずに転写できることで、高耐熱性を有する接着層を使用しなくてもよいため、接着層を設ける工程が不要となり製造工程数を減らすことができ、短時間で製造が可能となり、また、コストを下げることが可能となる。
なお、本発明において、弾性率は以下の方法により測定した値をいう。弾性率は、動的粘弾性測定における振動周波数１０Ｈｚ、歪み０．１％、昇温速度３℃／ｍｉｎ．の条件でシートの縦方向に測定した際の、転写温度における貯蔵弾性率（Ｅ’）で評価する。
また、熱ラミネート特性の観点から、ポリイミド前駆体層のイミド化率は４３％以下であることが好ましく、４０％以下であることがさらに好ましい。また、熱ラミネート特性と残溶剤のバランスの観点から、ポリイミド前駆体層のイミド化率は３％以上が好ましく、５％以上がさらに好ましく、７％以上がより好ましく、１０％以上が特に好ましい。
【００２０】
本転写フィルムのポリイミド前駆体層内の残溶媒量は、ポリイミド前駆体層全重量に対して３０ｗｔ％以下であることが好ましく、１５ｗｔ％以下であることがさらに好ましく、１０ｗｔ％以下であることが特に好ましい。ポリイミド前駆体層内の残溶媒量が、３０
ｗｔ％以下であれば、ポリイミド前駆体層表面の粘着性が失われるので、ポリイミド前駆体層上に保護層を設けなくても、本転写フィルムをロール状に巻き取ることができる。なお、本転写フィルムのポリイミド前駆体層内の残溶媒量の測定方法は特に限定されない。例えば、一定温度一定時間加熱処理して加熱処理前後の重量の差から求める方法、ガスクロマトグラフ質量分析計で残留溶媒を揮発させて定量する方法等が挙げられる。
【００２１】
本発明のポリイミド前駆体層は、その厚みが１μｍ以上、５０μｍ以下であることが好ましい。この範囲内であれば、ガラス又は金属からなる基材上に、良好に熱転写することができる。また、ポリイミド前駆体層の加熱処理（焼成）時の焼成ムラを防ぐ観点から、５０μｍ以下が好ましく、３０μｍ以下がより好ましく、２５μｍ以下がさらに好ましく、２０μｍ以下が特に好ましい。このように、ポリイミド前駆体層の厚みが１μｍ以上、５０μｍ以下であれば、加熱処理（焼成）時に、例えば、ポリイミド前駆体層からの水分や残留溶媒の放出に起因する焼成ムラの発生が抑制された、均一な厚みのポリイミド層を有するポリイミド積層体を得ることが出来る。通常、転写フィルムにおいては、転写時の応力による破断などに備え、ある程度の厚みを必要とする。本実施態様においては、ポリイミド前駆体層のイミド化率を４５％以下とすることで、ポリイミド前駆体層の膜厚を上記のように薄くしても、厚みの薄いガラス又は金属からなる基材に好適に転写できる。また、ポリイミド前駆体層の厚みを薄くすることで、焼成後、厚みが均一で、緻密なポリイミドを形成し、高耐熱性でハンドリング性に優れたポリイミド積層体とすることができる。このように均一で薄い厚みを有するポリイミド積層体を用いることにより、電子デバイスの薄型化、軽量化を図ることができる。
なお、焼成とは、ポリイミド前駆体の脱水・環化（イミド化）反応を進めるための加熱処理を意図している。
また、焼成ムラの発生している状態とは、焼成後のポリイミド表面に、ポリイミドの厚みの違いによって、色の濃い部分と薄い部分が発生している状態、すなわちムラになっている状態を意図している。
【００２２】
（ポリイミド前駆体）
本発明のポリイミド前駆体層のポリイミド前駆体としては、ポリアミック酸が挙げられる。ポリアミック酸としては、汎用の基材フィルム上にポリイミド前駆体層を形成したときに、基材フィルムが溶融する温度以下で、ガラス又は金属からなる基材上に熱転写できるものであれば特に限定されるものではない。
【００２３】
（ポリアミック酸）
本発明のポリイミド前駆体であるポリアミック酸は、ジアミンとテトラカルボン酸二無水物との反応により得ることができる。
【００２４】
ジアミンとしては、例えば、ｐ−フェニレンジアミン、ｍ−フェニレンジアミン、３，４′−ジアミノジフェニルエーテル、４，４′−ジアミノジフェニルエーテル、４，４′−ジアミノジフェニルメタン、３，３′−ジメチル−４，４′−ジアミノジフェニルメタン、２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン、１，２−ビス（アニリノ）エタン、ジアミノジフェニルスルホン、ジアミノベンズアニリド、ジアミノベンゾエート、ジアミノジフェニルスルフィド、２，２−ビス（ｐ−アミノフェニル）プロパン、２，２−ビス（ｐ−アミノフェニル）ヘキサフルオロプロパン、１，５−ジアミノナフタレン、ジアミノトルエン、ジアミノベンゾトリフルオライド、１，４−ビス（ｐ−アミノフェノキシ）ベンゼン、４，４′−ビス（ｐ−アミノフェノキシ）ビフェニル、ジアミノアントラキノン、４，４′−ビス（３−アミノフェノキシフェニル）ジフェニルスルホン、１，３−ビス（アニリノ）ヘキサフルオロプロパン、１，４−ビス（アニリノ）オクタフルオロブタン、１，５−ビス（アニリノ）デカフルオロペンタン、及び１，７−ビス（アニリノ）テトラデカフルオロヘプタンなどが挙げられる。ジアミンとしては、単
独で用いてもよいし、２種以上を混合物として併用してもよい。
これらの中でも、高耐熱性のポリイミド積層体を得る観点から、ｐ−フェニレンジアミン、ｍ−フェニルジアミン、３，４′−ジアミノジフェニルエーテル、４，４′−ジアミノジフェニルエーテルを使用することが好ましい。
【００２５】
テトラカルボン酸二無水物としては、例えば、ピロメリット酸、３，３′，４，４′−ビフェニルテトラカルボン酸、３，３′，４，４′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸、３，３′，４，４′−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸、３，３′，４，４′−ジフェニルエーテルテトラカルボン酸、２，３，３′，４′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸、２，３，６，７−ナフタレンテトラカルボン酸、１，４，５，７−ナフタレンテトラカルボン酸、１，２，５，６−ナフタレンテトラカルボン酸、３，３′，４，４′−ジフェニルメタンテトラカルボン酸、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン、３，４，９，１０−テトラカルボキシペリレン、２，２−ビス［４−（３，４−ジカルボキシフェノキシ）フェニル］プロパン、及び２，２−ビス［４−（３，４−ジカルボキシフェノキシ）フェニル］ヘキサフルオロプロパンなどの二無水物が挙げられる。テトラカルボン酸二無水物は、単独で使用してもよいし、２種以上を併用して使用してもよい。これらの中でも、高耐熱性のポリイミド積層体を得る観点から、ピロメリット酸二無水物、３，３′，４，４′−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、３，３′，４，４′−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物を使用することが好ましい。
【００２６】
ポリアミック酸は通常、溶媒に溶解させ、ポリアミック酸溶液として使用される。ポリアミック酸溶液中の、ポリアミック酸及びその他成分を含めた合計の固形分濃度は、塗工性や溶媒乾燥後のポリイミド前駆体層の外観の観点から、５重量％以上であることが好ましく、７重量％以上であることがさらに好ましく、１０重量％以上であることが特に好ましい。また、３０重量％以下であることが好ましく、２５重量％以下であることがさらに好ましく、２０重量％以下であることが特に好ましい。前記固形分濃度が５重量％以上、３０重量％以下であれば、塗工ムラや、ポリイミド前駆体層の外観上の欠陥の発生を抑制することができるので好ましい。
【００２７】
ポリアミック酸溶液の溶媒としては、Ｎ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）等のアミド系溶媒、ジメチルスルホキシド、ジエチルスルホキシドなどのスルホキシド類、ジメチルスルホン、ジエチルスルホンなどのスルホン類を挙げることができる。これらの溶媒は単独で用いてもよく、混合して用いてもよい。
ポリアミック酸溶液は、テトラカルボン酸二無水物とジアミンとを、実質的に等モル、またはどちらかの成分を少し過剰にして、有機溶媒中で反応させ調製し、用いることができる。また、市販されているものをそのまま用いることもできるし、市販されているものを調製して用いることもできる。また、異なるイミド化率のポリアミック酸溶液を混合して用いることもできる。
市販されているポリアミック酸溶液としては、例えば、ユニチカ製「ＵイミドワニスＡＲ」、「ＵイミドワニスＢＨ」、「ＵイミドワニスＣＲ」、宇部興産製「Ｕ−ワニス」などを好適に用いることができる。
【００２８】
また、ポリアミック酸溶液には、本発明の目的を損なわない範囲で、ガラス又は金属からなる基材との密着性を高めるために、シランカップリング剤等の添加剤を添加してもよい。
【００２９】
上記シランカップリング剤としては、例えば、３−（メタ）アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３−（メタ）アクリロキシプロピルトリエトキシシラン、３−アミノプ
ロピルトリエトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３−イソシアネートプロピルトリエトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン等が挙げられる。
【００３０】
また、本発明の目的を損なわない範囲で、イミド化触媒や脱水剤を加えてもよく、充填剤、難燃剤、難燃助剤などを加えてもよい。
【００３１】
上記のポリイミド前駆体層表面には、ガラス又は金属からなる基材表面との密着性や本ポリイミド積層体の耐熱性等の物性を損なうものでなければ、必要に応じて、表面処理を施してもよい。
具体的には、例えば、ガラス又は金属からなる基材表面との密着性の向上を目的として、シランカップリング剤を用いたシランカップリング処理、コロナ処理、低圧プラズマ処理、大気圧プラズマ処理、フレーム処理及び紫外線照射処理により表面処理を施してもよいし、平滑化処理を施してもよい。
【００３２】
＜接着剤層＞
本実施形態の転写フィルムは、特定のイミド化率を有するポリイミド前駆体層とすることで接着剤層を介さなくてもガラス又は金属からなる基材に好適に熱転写することができるが、接着剤層を更に有してもよい。接着剤層を有する場合、基材フィルム、樹脂層及び接着剤層の順に積層される。接着剤層を有することで、転写フィルムを転写する部材と樹脂層の接着性を向上させることができる。
接着剤層としては、本ポリイミド積層体の耐熱性の観点から、ポリイミドよりも耐熱性に劣る接着剤層でなければよく、例えばエポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコ−ン樹脂、などがあげられる。
接着剤層の膜厚は特に限定されず、通常３００ｎｍ以上、好ましくは５００ｎｍ以上、また通常２μｍ以下、好ましくは１μｍ以下である。
接着剤層を形成する方法は特には限定されず、上記説明した塗工などの方法を用いることができる。
【００３３】
＜保護層＞
本実施形態の転写フィルムは、保護層を更に有してもよい。保護層を有する場合、基材フィルム、ポリイミド前駆体層、（接着剤層）及び保護層の順に積層される。保護層を有することで、ポリイミド前駆体層表面を汚染や損傷から防ぎ、転写フィルムを良好に保管することができる。また、接着剤層を有する場合、保護層を設けることで、接着剤層の粘着性によらずロール状物とすることができる。保護層は、転写フィルムの使用前に転写フィルムから剥離して使用する。
保護層としては、ポリイミド前駆体層又は接着剤層の形態を損なうことなく剥離できるものであれば特に限定されないが、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリエステルフィルム等、これらのフィルムを紙材料の片面または両面にコートした離型紙等が挙げられる。
【００３４】
＜転写フィルムの製造方法＞
本転写フィルムは、基材フィルムの表面にポリイミド前駆体であるポリアミック酸の溶液を塗布し、乾燥させることで作製することができる。
【００３５】
ポリアミック酸溶液を基材フィルム表面上に塗布する方法としては、目的とする厚さに塗布できる方法であれば、通常の方法を用いることができる。例えば、ダイコート塗工、バーコーター塗工、メイヤーバー塗工、エアナイフ塗工、グラビア塗工、リバースグラビア塗工、オフセット印刷、フレキソ印刷、スクリーン印刷、ディップコートを挙げることができる。
【００３６】
塗布したポリアミック酸溶液の溶媒を乾燥させるための加熱処理手法は、必要な温度、時間を維持できる方法であれば特に限定されない。例えば、所定の温度に設定したオーブンや恒温室で保管する方法、熱風を吹き付ける方法、赤外線ヒーターで加熱する方法、ランプで光を照射する方法、熱ロールや熱板と接触させて直接的に熱を付与する方法、マイクロ波を照射する方法などが使用できる。また、取扱いが容易な大きさに基材フィルムを切断してから加熱処理してもよいし、基材フィルムロールの状態で加熱処理してもよい。さらに、コーター等の塗工装置の一部分に加熱装置を組み込み、塗工過程で加熱処理を行うこともできる。
【００３７】
塗布したポリアミック酸溶液の溶媒を乾燥させるための加熱処理条件については、溶媒を乾燥させ、且つ、ポリイミド前駆体層のイミド化率を前述の範囲内にできる条件であれば特に制限されない。
乾燥条件としては、用いるポリイミド前駆体、目的とする厚みにもよるが、イミド化反応速度の観点から、通常、５０℃以上、好ましくは６０℃以上、より好ましくは７０℃以上、さらに好ましくは７５℃以上、特に好ましくは８０℃以上で行う。また、基材フィルムの耐熱性の観点から、通常、２００℃以下、好ましくは１８０℃以下、より好ましくは１７０℃以下、さらに好ましくは１６０℃以下、特に好ましくは１５０℃以下で行う。
乾燥時間としては、生産性の観点から、通常、１分以上、好ましくは３分以上で実施する。また、結晶化度制御の観点から、３０分以下、好ましくは２０分以下、より好ましくは１０分以下で実施する。本実施態様においては、厚みの薄いポリイミド前駆体層を加熱処理するので、上記のような短時間で、ポリイミド前駆体層のイミド化率を目的とする範囲とすることができる。
また、一定温度で乾燥してもよいし、予温していた温度から１０℃／ｍｉｎ．程度で昇温させて乾燥してもよい。乾燥時の乾燥ムラを防ぐ観点から、乾燥温度は順次上昇させることが、好ましい。
また、乾燥は窒素、アルゴン、ヘリウム等の不活性ガス雰囲気下や、空気等の活性ガス雰囲気下で行ってもよいし、真空状態で行ってもよい。
このような加熱処理を行うことで、溶媒を乾燥させ、且つ、ポリイミド前駆体層のイミド化率を前述の範囲内に調整することができる。
また、ガラスやポリエステルフィルム上にポリイミド前駆体層を形成した後、形成したポリイミド前駆体層を基材フィルム上に転写させて、本発明の転写フィルムを製造することもできる。
【００３８】
このようにして製造した転写フィルムをロール状物とするには、公知の巻取り装置を用いることができる。また、乾燥工程後に連続して巻き取るように巻取り装置を組み込んだ装置設計としてもよい。
【００３９】
＜ポリイミド積層体＞
本発明の別の実施形態は、ガラス又は金属からなる基材の少なくとも一方の面上にポリイミド層が積層されてなるポリイミド積層体である。本ポリイミド積層体は、本転写フィルムのポリイミド前駆体層側の面をガラス又は金属からなる基材と向き合うように熱ラミネートし、基材フィルムを剥離して、基材表面にポリイミド前駆体層を転写した後、好適な温度でポリイミド前駆体層を焼成しイミド化させてポリイミド層とすることで得られる。本ポリイミド積層体は、基材の片面にポリイミド層を有していてもよいし、両面に有していてもよい。
【００４０】
＜ガラス又は金属からなる基材＞
本実施形態に使用できるガラス基材は特に限定されない。具体的には、ソーダライムガラス、ホウケイ酸ガラス、無アルカリガラスなどを例示することができる。このようなガ
ラスとしては、市販されているものを用いることができる。
【００４１】
電子デバイスの材料としたときの観点から、ガラス基材の厚みは、１０μｍ以上であることが好ましく、１５μｍ以上であることがさらに好ましく、２０μｍ以上であることが特に好ましい。また、２００μｍ以下であることが好ましく、１５０μｍ以下であることがさらに好ましく、１００μｍ以下であることが特に好ましい。本発明において、上記範囲の厚さのガラス基材であれば、片面又は両面にポリイミド層を有することで、ハンドリング性に優れ、且つ、ロール状物として巻き取ることができる。
【００４２】
ガラス基材には、ポリイミド前駆体層及び／又はポリイミド層との密着性を向上させる目的で、シランカップリング剤、チタンカップリング剤などによるカップリング剤処理、酸処理、アルカリ処理、オゾン処理、イオン処理などの化成処理、プラズマ処理、グロー放電処理、アーク放電処理、コロナ処理などの放電処理、紫外線処理、Ｘ線処理、ガンマ線処理、レーザー処理などの電磁波照射処理、その他火炎処理などの表面処理などの各種表面処理をしてもよい。
【００４３】
金属基材の具体例としては、熱延鋼板、冷延鋼板、溶融亜鉛めっき鋼板、電気亜鉛メッキ鋼板、ニッケルメッキ鋼板、ブリキ板、ティンフリースチール板、黄銅板、銅板、アルミニウム板、アルミニウム合金板、ステンレス鋼板などが挙げられる。このよう金属基材としては、市販されているものを用いることができる。
【００４４】
金属基材の厚みは、１０μｍ以上であることが好ましく、１５μｍ以上であることがさらに好ましく、２０μｍ以上であることが特に好ましい。また、２００μｍ以下であることが好ましく、１５０μｍ以下であることがさらに好ましく、１００μｍ以下であることが特に好ましい。本発明において、１０μｍ以上、２００μｍ以下の金属基材であれば、ロール状物として巻き取ることができ、フレキシブルな電子回路の基板材料として使用することが可能である。
【００４５】
これら金属板はその表面が、化学的処理されたものであってもよい。化学的処理としては、めっき処理、浸漬クロム酸処理、リン酸クロム酸処理、ジンクロメート処理、アルマイト処理、プライマー塗布処理などが挙げられる。
【００４６】
＜ポリイミド層＞
本実施形態においてポリイミド積層体のポリイミド層は、ガラス又は金属からなる基材表面に、本転写フィルムから転写されたポリイミド前駆体層を焼成処理して形成される。ポリイミド層としては、本ポリイミド積層体の耐熱性の観点から、ガラス転移温度が２００℃以上であるポリイミド、又はガラス転移温度を有しないポリイミドからなるものが好ましい。ガラス転移温度は３００℃以上がさらに好ましく、３５０℃以上が特に好ましい。ポリイミド層の耐熱温度が２００℃以上であれば、電子デバイスの基板として本ポリイミド積層体を使用することが可能であるので好ましい。ガラス転移温度の上限は限定されないが、通常、６００℃以下である。
なお、本発明において、ガラス転移温度は以下の方法により測定した値をいう。
（ガラス転移温度の測定方法）
ガラス転移温度は、動的粘弾性測定における振動周波数１０Ｈｚ、歪み０．１％、昇温速度３℃／ｍｉｎ．の条件でシートの縦方向に測定した際の、損失弾性率（Ｅ”）のピーク温度で評価する。なお、損失弾性率（Ｅ”）のピーク温度が複数ある場合には、最も高い温度をガラス転移温度とする。また、ピークを示さない場合、ガラス転移温度を有しないものとする。
【００４７】
ポリイミド層の平均面粗さ（算術平均粗さ（Ｓａ））は、０．００１ｎｍ以上、１００
ｎｍ以下であることが好ましく、０．００１ｎｍ以上、１０ｎｍ以下であることがさらに好ましく、０．００１ｎｍ以上、２ｎｍ以下であることが特に好ましい。平均面粗さが０．００１ｎｍ以上、１００ｎｍ以下であれば、本ポリイミド積層体を電子デバイスの基板として使用することが可能であるので好ましい。
なお、平均面粗さ（算術平均粗さ（Ｓａ））は、下記測定方法にて算出できる。
（算術平均粗さ（Ｓａ）の測定方法）
非接触表面・層断面計測システムＶｅｒｔＳｃａｎ２．０（株式会社菱化システム製）を用いポリイミド層の表面観察を観察視野（測定領域）：９３．９７μｍ×７１．３０μｍにて実施し、ポリイミド層の表面について、平均面粗さ（算術平均粗さＳａ）を算出する。
【００４８】
本発明のポリイミド積層体のポリイミド層は、その厚みが１μｍ以上、５０μｍ以下であることが好ましい。また、電子デバイスとしたときの薄型化、軽量化の観点から、３０μｍ以下がより好ましく、２５μｍ以下がさらに好ましく、２０μｍ以下が特に好ましい。
尚、ポリイミド前駆体層と、焼成処理して得られるポリイミド層の厚みは、ほぼ同じとなる。
【００４９】
＜ポリイミド積層体の製造方法＞
本実施形態に係る積層体の製造方法は、本転写フィルムをガラス又は金属からなる基材上に転写して製造する方法であれば、特に限定されない。
まず、ガラス又は金属からなる基材を準備し、その少なくとも一方の面に、本転写フィルムのポリイミド前駆体層が基材と対向するように積層、転写し、その後、基材フィルムを剥離することで、ポリイミド前駆体層を有する積層体が得られる。このポリイミド前駆体層を有する積層体を焼成することで、ポリイミド前駆体層がイミド化し、ポリイミド層とガラス又は金属からなる基材が積層された、ポリイミド積層体を作製することができる。以下、ポリイミド積層体の製造方法の一実施形態をより詳しく説明する。
【００５０】
転写ステップは、ガラス又は金属からなる基材を準備し、前記基材の少なくとも片面に本発明の転写フィルムを積層させ、ポリイミド前駆体層をガラス又は金属からなる基材に転写するステップである。この際転写フィルムは、ポリイミド前駆体層又は接着剤層とガラス又は金属からなる基板とを対向するように積層する。
転写フィルムは、ガラス又は金属からなる基材のどちらか一方の面にのみ積層させてもよく、両面に積層させてもよい。
【００５１】
転写ステップおいて本転写フィルムは、取扱いが容易な大きさに切断した枚葉の状態で使用してもよく、ロール状態から巻き出して使用してもよい。また、ガラス又は金属からなる基材は、取扱いが容易な大きさに切断した枚葉の状態で使用してもよいし、ロール状に巻くことができるような厚みの薄い基材の場合は、ロール状態から巻き出して使用しても良い。
【００５２】
ガラス又は金属からなる基材と転写フィルムを積層させた後、転写させる方法としては、プレス、ラミネート、ロールラミネートなどの公知の方法を用いることができる。例えば、熱プレスする方法は、カットシート状の枚葉品の製造に適しており、一対以上のゴムロールや金属ロールを有する熱ロールラミネート装置での連続処理による方法はロール品の製造に適している。本実施形態においては、既知の装置を用いればよいが、例えば、熱ラミネート装置の一部分にポリイミド前駆体の塗工装置、及び塗工後の組成物を乾燥させる乾燥装置を組み込んだ熱ラミネート装置とし、本転写フィルムの製造と熱ラミネートを連続的に行ってもよい。
熱ラミネートは、ガラス又は金属からなる基材の片面又は両面に、ポリイミド前駆体層
を基材表面へ対向するようにした状態で本転写フィルムを積層し、所定温度に加熱したニップロール間を通過させることにより行うことができる。
【００５３】
本ポリイミド積層体の製造方法においては、転写温度は、ポリイミド前駆体層をガラス又は金属からなる基材へ良好に転写する観点から、通常、前記ポリイミド前駆体層のガラス転移温度以上であり、前記ポリイミド前駆体層のガラス転移温度＋５０℃以下が好ましい。一般に、ポリイミド前駆体のガラス転移温度はポリイミドのガラス転移温度より５０℃以上低い。すなわち、転写温度は、ポリイミド前駆体層の焼成後に得られるポリイミドのガラス転移温度（Ｔｇ）以下であることが好ましい。ポリイミド前駆体層の焼成後に得られるポリイミドがガラス転移温度を有しない場合は、転写温度は２００℃以下が好ましい。このように、転写温度を低くすることにより、ポリエチレンテレフタレート等の汎用的な転写用基材を使用することができる。
また、本発明のポリイミド前駆体層は、イミド化率が前述の範囲内であることによって、転写ステップの転写温度がポリイミド前駆体層のガラス転移温度以上であれば、ポリイミド前駆体層の弾性率が転写に好ましい範囲になるため、ガラス又は金属からなる基材上に、ポリイミド前駆体層を良好に転写することができる。ここで、転写温度とは、転写ステップにおいて、ガラス又は金属からなる基材と本転写フィルムを挟み込む部材、例えばニップロールの制御温度である。
【００５４】
プレス時のプレス圧は、ガラス又は金属からなる基材とポリイミド層の密着性の観点から、１ＭＰａ以上、２０ＭＰａ以下が好ましい。この範囲のプレス圧で転写することで、基材として上述した厚みの薄いガラスを用いても破損し難く、ポリイミド積層体としたときに、基材とポリイミドとの間に十分な密着性が得られる。
ラミネート時のニップロール圧は、ガラス又は金属からなる基材とポリイミド層の密着性の観点から、ラミネートロールの単位長さ当たりの圧力として、０．１ＭＰａ・ｃｍ以上、５ＭＰａ・ｃｍ以下が好ましい。この範囲のロール圧でラミネートすることで、基材として上述した厚みの薄いガラスを用いても、破損し難く、ポリイミド積層体としたときに、基材とポリイミドとの間に十分な密着性が得られる。このように、本発明においては、特定のイミド化率とすることにより、ニップロール圧を低くしても好適に転写できるため、より薄いガラス基材を用いることができる。また、ラミネート速度は、残留溶媒に起因する発泡を抑制する観点から、０．１ｍ／ｍｉｎ．以上、良好にラミネート加工する観点から、５０ｍ／ｍｉｎ．以下であることが好ましい。
【００５５】
剥離ステップは、上記転写ステップで得られた積層体から、基材フィルムを剥離するステップである。通常、転写フィルムの基材フィルムは良好な離型性を有し、剥離の方法は特段限定されない。
【００５６】
焼成ステップは、上記転写ステップで得られた積層体のポリイミド前駆体層を焼成し、硬化するステップである。焼成ステップにおける焼成温度及び焼成時間は、ポリイミド前駆体のイミド化反応が進む条件であれば特に制限はない。例えば、焼成後に得られるポリイミドのガラス転移温度（Ｔｇ）＋５０℃、ポリイミドのガラス転移温度（Ｔｇ）が明確でない場合は、ポリイミド積層体の使用温度＋５０℃で、３０分から１時間程度処理すればよい。このような加熱処理は、ポリアミック酸溶液の溶媒を乾燥させるための加熱処理手法で上述した、公知の加熱方法を用いて行うことができる。また、窒素、アルゴン、ヘリウム等の不活性ガス雰囲気下や、空気等の活性ガス雰囲気下で行ってもよいし、真空状態で行ってもよい。
【００５７】
このように、ガラス又は金属からなる基材上に、本転写フィルムを積層・転写し、基材フィルムを剥離させて得られたポリイミド前駆体層を有する積層体を焼成することで、簡易な方法で、高耐熱性を示すポリイミド層をガラス又は金属からなる基材上に設けること
ができ、また、ハンドリング性に優れるポリイミド積層体が得られる。
【００５８】
また、本実施形態に係るポリイミド積層体は、公知の巻取り装置を用いて、ロール状物とすることができる。この際、硬化後に連続して巻き取るように巻取り装置を組み込んだ装置設計としてもよい。
【実施例】
【００５９】
以下、実施例によって本発明をさらに詳細に説明するが、本発明が以下の実施例に記載の態様に限定されるものではない。
なお、実施例における測定・評価は以下の方法・基準で行った。
＜測定・評価＞
（１）イミド化率
赤外分光光度計を用い、全反射吸光分光法（ＡＴＲ法）により、イミドの吸光度（１３８０ｃｍ-1）とベンゼン環の吸光度（１５１０ｃｍ-1）より、その吸光度比から式（ａ）よりイミド化率を求めた。
なお、測定は、転写フィルムのポリイミド前駆体層表面側から行った。
イミド化率％＝（１３８０cm-1の吸光度）/（１５１０ｃｍ-1の吸光度）×１００・・・
式（ａ）
【００６０】
（２）塗工ムラ（転写フィルム上のポリイミド前駆体内の欠陥数）
転写フィルム上のポリイミド前駆体の範囲１０ｃｍ２に、１ｍｍ２以上の大きさの欠陥（未塗工部分、空隙、凹部分）があるかどうかを目視で確認した。
×：１個以上ある 
△：測定箇所によって、欠陥が有る箇所と無い箇所が存在する
○：なし
【００６１】
（３）熱ラミネート適性
ガラス又は金属からなる基材に転写フィルムを熱ラミネートし、基材フィルムを剥離した。ガラス又は金属からなる基材にポリイミド前駆体層がラミネートされているかを目視で確認した。
○：ガラス又は金属からなる基材にポリイミド前駆体層がラミネートされている。
×：ガラス又は金属からなる基材にポリイミド前駆体層がラミネートされておらず、基材フィルム上にある。
【００６２】
（４）焼成ムラ
ポリイミド前駆体層をガラス又は金属からなる基材に転写後、基材フィルムを剥離し、イミド化のため、２５０℃で３０分、４５０℃で３０分、窒素雰囲気下で焼成を行い、焼成後のポリイミド層表面に、色の濃い部分と薄い部分が発生した状態を焼成ムラありとした。焼成ムラは目視で確認した。
○：焼成ムラなし
△：わずかに焼成ムラが見られるが、実用上問題なし
×：焼成ムラあり
【００６３】
[実施例１]
固形分濃度１８％のユニチカ製「ＵイミドワニスＡＲ」を基材フィルム（ポリエチレンテレフタレートの二軸延伸フィルム（三菱樹脂株式会社製「Ｔ１００−１００」））にバーコーターで塗布、乾燥用オーブンにて１００℃で５分間乾燥し、イミド化率３６％、厚み２２μｍのポリイミド前駆体層を有する転写フィルムを得た。
次に、ガラス基材（日本電気硝子株式会社製「ＯＡ−１０Ｇ」、厚み：１００μｍ）を準備し、直径２００ｍｍの金属ロールと直径２００ｍｍのゴムロールを有したラミネータ
ーを用いて、線圧０．４ＭＰａ・ｃｍで前記転写フィルムと１５０℃で熱ラミネートした。
基材フィルムを剥離した後、乾燥用オーブンにて、２５０℃で３０分間、４５０℃で３０分間窒素雰囲気下で焼成し、ポリイミド積層体を作製した。  得られた転写フィルムについて、上記記載の方法に従い、イミド化率、塗工ムラを評価した。また、得られたポリイミド積層体について、上記記載の方法に従い、熱ラミネート適正、焼成ムラを評価した。結果を表１に示す。
【００６４】
[実施例２]
乾燥条件を８０℃、４分間に変更し、イミド化率２０％、厚み１８μｍのポリイミド前駆体層を形成した以外は実施例１と同様にして、ポリイミド積層体を作製した。
得られた転写フィルム及びポリイミド積層体について、実施例１と同様に評価を実施した結果を表１に示す。
【００６５】
[実施例３]
ガラス基材の代わりに８０μｍ熱延鋼板を使用した以外は実施例２と同様にして、ポリイミド積層体を作製した。
得られた転写フィルム及びポリイミド積層体について、実施例１と同様に評価を実施した。結果を表１に示す。
【００６６】
［実施例４]
厚み４０μｍのポリイミド前駆体層を形成した以外は実施例２と同様にして、ポリイミド積層体を作成した。
得られた転写フィルム及びポリイミド積層体について、実施例１と同様に評価を実施した。結果を表１に示す。
【００６７】
［実施例５］
基材フィルムとしてシリコーン離型処理フィルム（ポリエチレンテレフタレートの二軸延伸フィルム（三菱樹脂株式会社製「ＭＲＦ−３８」）を使用した以外は実施例１と同様にして、ポリイミド積層体を作製した。
得られた転写フィルム及びポリイミド積層体について、実施例１と同様に評価を実施した。結果を表１に示す。
【００６８】
［比較例１］
乾燥条件を２００℃、５分間に変更し、イミド化率４８％のポリイミド前駆体層を形成した以外は実施例２と同様にして、ポリイミド積層体を作製した。
得られた転写フィルム及びポリイミド積層体について、実施例１と同様に評価を実施した。結果を表１に示す。
【００６９】
【表１】
0006519126.tif 000002
【００７０】
実施例１〜５、比較例１の結果から、イミド化率が４５％以下であるポリイミド前駆体層を有する本発明の転写フィルムを使用することで、ガラス又は金属からなる基材上にポリイミド前駆体層を良好に転写できることが確認された。また、転写後焼成することで、高耐熱性を示すポリイミド樹脂と、ガラス又は金属からなる基材が積層されたポリイミド積層体が得られることがわかった。さらには、得られたポリイミド積層体のポリイミド層には外観上の欠陥がないことがわかった。
【産業上の利用可能性】
【００７１】
本発明の転写フィルムは、従来よりも低温で、ガラス又は金属からなる基材に簡易にポリイミド層を積層することができ、また、本発明の転写フィルムを用いて作製されたポリイミド積層体は耐熱性及びハンドリング性に優れるので、産業上非常に有用である。