(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
アミジネート金属（金属はＭｇ以外の金属）錯体の製造方法であって、
前記方法は、マグネシウムアミジネート錯体と金属ハロゲン化物とを反応させる方法であり、
前記マグネシウムアミジネート錯体が、ビス（Ｎ，Ｎ’−ジイソプロピルプロピオンアミジネート）マグネシウム｛Ｍg［ｉ−Ｃ３Ｈ７ＮＣ（Ｃ２Ｈ５）Ｎ−ｉ−Ｃ３Ｈ７］２｝であり
前記金属ハロゲン化物が、ハロゲン化イットリウム、ハロゲン化マンガン、ハロゲン化鉄、ハロゲン化コバルト、ハロゲン化ニッケル、ハロゲン化銅、ハロゲン化銀、ハロゲン化亜鉛、ハロゲン化カドミウムの群の中から選ばれる一種又は二種以上である
方法。
【請求項２】
請求項１の方法で得られたアミジネート金属（金属はＭｇ以外の金属）錯体を用いて薄膜形成技術により基体上に薄膜を形成する
方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はアミジネート金属錯体に関する。
【背景技術】
【０００２】
各種の分野で薄膜形成技術が用いられている。前記分野は、例えば半導体の分野、磁性材（例えば、磁気抵抗メモリ）の分野、合金（例えば、機能性合金）の分野、エネルギー貯蔵の分野、又は超伝導の分野である。勿論、前記分野に限られない。前記薄膜形成には化学気相成長法（ＣＶＤ法）、又は原子層堆積法（ＡＬＤ法）が用いられる。他にもＳＣＦＤ（SupercrＩtＩcal FluＩd DeposＩtＩon）法が用いられる。
【０００３】
前記薄膜形成には金属有機化合物が用いられる。前記金属有機化合物はどのような化合物でも良い訳ではない。適切な蒸気圧を持つ化合物が望まれた。しかし、所望の蒸気圧を持つ化合物で有れば良いと言うものでもなかった。例えば、β−ジケトン金属錯体は適度な蒸気圧を持つ。前記β−ジケトン金属錯体（原料）を用い、ＣＶＤ法（又はＡＬＤ法）によって、金属膜（又は金属窒化膜）を形成すると、前記膜中にＯ（酸素原子）の混入が認められた。酸化膜の場合には問題は小さいかも知れない。尤も、Ｏ量に狂いが起きるので、酸化膜の場合でも全く問題がないと言う訳でもないだろう。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００４】
【非特許文献１】J.Chem.Soc.,Dalton Trans.,1997,pp957-963
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
前記β−ジケトン金属錯体に代わって、アミジネート金属錯体が注目され出した。アミジネート金属錯体はＯ（酸素原子）を持っていない。従って、前記Ｏ（酸素原子）混入の恐れは小さい。
【０００６】
アミジネート金属錯体が用いられると、ＣＶＤ法（又はＡＬＤ法）によって、高品質な金属膜（又は窒化膜）の作製が可能となるであろう。銅のアミジネート錯体をＳＣＦＤ法に適用すると、バルク銅に近い銅膜が作製された。
【０００７】
半導体などの分野にあっては、アルカリ金属（例えば、Ｎａ等）はデバイスの性能を著しく低下させる。従って、アルカリ金属の混入は問題である。
【０００８】
前記アミジネート金属錯体は、アミジネートリチウム錯体（又は、アミジネートナトリウム錯体）と金属ハロゲン化物とを反応させることによって、合成された。この為、アルカリ金属がアミジネート金属錯体中に混入（不純物）する。アルカリ金属を不純物として含むアミジネート金属錯体の精製は簡単ではない。ＬＩ，Ｎａ等のアルカリ金属（不純物）の混入量は多い。
【０００９】
従って、本発明が解決しようとする課題は、前記問題点を解決することである。高純度なアミジネート金属（金属はＭｇ以外の金属）錯体を提供することである。特に、アルカリ金属類（不純物）混入量が少ないアミジネート金属（金属はＭｇ以外の金属）錯体を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
前記課題を解決する為の検討が、鋭意、推し進められて行った。高純度なアミジネートマグネシウム錯体を用いることによって、高純度なアミジネート金属（金属はＭｇ以外の金属）錯体を得られる事が判って来た。特に、アミジネートマグネシウム錯体を用いた（アルカリ金属のアミジネート錯体を用いない）ので、半導体デバイスに致命的なアルカリ金属類の不純物混入量が少ないアミジネート金属錯体が得られた。
【００１１】
上記知見に基づいて本発明が達成された。
【００１２】
本発明は、
アミジネート金属（金属はＭｇ以外の金属）錯体の製造方法であって、
マグネシウムアミジネート錯体と、金属ハロゲン化物（金属はＭｇ以外の金属）とを反応させる
ことを特徴とするアミジネート金属錯体の製造方法を提案する。
【００１３】
本発明は前記アミジネート金属錯体の製造方法であって、前記マグネシウムアミジネート錯体が下記の式［Ｉ］で表される化合物である
ことを特徴とするアミジネート金属錯体の製造方法を提案する。
【００１４】
式［Ｉ］
0006587282.tif 000002
（式［Ｉ］中、Ｒ１，Ｒ１’，Ｒ２，Ｒ２’，Ｒ３，Ｒ３’は炭化水素基。Ｒ１，Ｒ１’，Ｒ２，Ｒ２’，Ｒ３，Ｒ３’は、全てが同じでも、異なっていても良い。）
【００１５】
本発明は前記アミジネート金属錯体の製造方法であって、前記マグネシウムアミジネート錯体が上記式［Ｉ］で表される化合物（式［Ｉ］中、Ｒ１，Ｒ１’，Ｒ２，Ｒ２’，Ｒ３，Ｒ３’は、好ましくは、炭素数が１〜６の炭化水素基。Ｒ１，Ｒ１’，Ｒ２，Ｒ２’，Ｒ３，Ｒ３’は、全てが同じでも、異なっていても良い。）であることを特徴とするアミジネート金属錯体の製造方法を提案する。
【００１６】
本発明は前記アミジネート金属錯体の製造方法であって、前記マグネシウムアミジネート錯体が上記式［Ｉ］で表される化合物（式［Ｉ］中、Ｒ１，Ｒ１’，Ｒ２，Ｒ２’，Ｒ３，Ｒ３’は、好ましくは、アルキル基。Ｒ１，Ｒ１’，Ｒ２，Ｒ２’，Ｒ３，Ｒ３’は、全てが同じでも、異なっていても良い。）であることを特徴とするアミジネート金属錯体の製造方法を提案する。
【００１７】
本発明は前記アミジネート金属錯体の製造方法であって、前記マグネシウムアミジネート錯体が上記式［Ｉ］で表される化合物のテトラヒドロフラン付加体であることを特徴とするアミジネート金属錯体の製造方法を提案する。
【００１８】
本発明は前記アミジネート金属錯体の製造方法であって、前記マグネシウムアミジネート錯体が上記式［Ｉ］で表される化合物のジオキサン付加体であることを特徴とするアミジネート金属錯体の製造方法を提案する。
【００１９】
本発明は前記アミジネート金属錯体の製造方法であって、前記マグネシウムアミジネート錯体が、好ましくは、ビス（Ｎ，Ｎ’−ジイソプロピルプロピオンアミジネート）マグネシウムであることを特徴とするアミジネート金属錯体の製造方法を提案する。
【００２０】
本発明は前記アミジネート金属錯体の製造方法であって、前記金属ハロゲン化物が、ハロゲン化イットリウム、ハロゲン化マンガン、ハロゲン化鉄、ハロゲン化コバルト、ハロゲン化ニッケル、ハロゲン化銅、ハロゲン化銀、ハロゲン化亜鉛、ハロゲン化カドミウムの群の中から選ばれる一種又は二種以上であることを特徴とするアミジネート金属錯体の製造方法を提案する。
【００２１】
本発明は前記アミジネート金属錯体の製造方法であって、前記金属ハロゲン化物がＹＸ３，ＭｎＸ２，ＦｅＸ２，ＣｏＸ２，ＮｉＸ２，ＣｕＸ，ＡｇＸ，ＺｎＸ２，ＣｄＸ２（前記Ｘはハロゲン原子）の群の中から選ばれる一種又は二種以上であることを特徴とするアミジネート金属錯体の製造方法を提案する。
【００２２】
本発明は前記アミジネート金属錯体の製造方法であって、前記金属ハロゲン化物がＹＣｌ３，ＭｎＣｌ２，ＦｅＣｌ２，ＣｏＣｌ２，ＮｉＣｌ２，ＣｕＣｌ，ＡｇＣｌ，ＺｎＣｌ２，ＣｄＣｌ２，ＹＢｒ３，ＭｎＢｒ２，ＦｅＢｒ２，ＣｏＢｒ２，ＮｉＢｒ２，ＣｕＢｒ，ＡｇＢｒ，ＺｎＢｒ２，ＣｄＢｒ２，ＹＩ３，ＭｎＩ２，ＦｅＩ２，ＣｏＩ２，ＮｉＩ２，ＣｕＩ，ＡｇＩ，ＺｎＩ２，ＣｄＩ２の群の中から選ばれる一種又は二種以上であることを特徴とするアミジネート金属錯体の製造方法を提案する。
【００２３】
本発明は前記アミジネート金属錯体の製造方法であって、前記マグネシウムアミジネート錯体と前記金属ハロゲン化物との反応が、好ましくは、溶媒中で行われることを特徴とするアミジネート金属錯体の製造方法を提案する。
【００２４】
本発明は前記アミジネート金属錯体の製造方法であって、前記マグネシウムアミジネート錯体と前記金属ハロゲン化物との反応が、好ましくは、炭化水素およびエーテルの群の中から選ばれる一種又は二種以上の溶媒中で行われることを特徴とするアミジネート金属錯体の製造方法を提案する。
【００２５】
本発明は前記アミジネート金属錯体の製造方法であって、前記マグネシウムアミジネート錯体と前記金属ハロゲン化物との反応が、好ましくは、ヘキサン、ヘプタン、ジエチルエーテル、ジプロピルエーテル、ジオキサンの群の中から選ばれる一種又は二種以上の溶媒中で行われることを特徴とするアミジネート金属錯体の製造方法を提案する。
【００２６】
本発明は、好ましくは、薄膜形成技術で成膜原料として用いられるアミジネート金属錯体の製造方法を提案する。前記薄膜形成技術としては、例えばＣＶＤ法、ＡＬＤ法、ＳＦＣＤ法などが適宜用いられる。
【００２７】
本発明は、前記マグネシウムアミジネート錯体が、好ましくは、精製マグネシウムアミジネート錯体であることを特徴とするアミジネート金属錯体の製造方法を提案する。前記精製には、好ましくは、蒸留、昇華、又は／及び再結晶の方法が用いられる。ビス（Ｎ，Ｎ’−ジイソプロピルプロピオンアミジネート）マグネシウム｛Ｍg［Ｉ−Ｃ３Ｈ７ＮＣ（Ｃ２Ｈ５）Ｎ−Ｉ−Ｃ３Ｈ７］２｝は液体（２５℃で１気圧の条件下）である。従って、前記化合物は蒸留操作で簡単に高純度品が得られる。
【発明の効果】
【００２８】
高純度なアミジネート金属（金属はＭｇ以外の金属）錯体が簡単に得られた。特に、アルカリ金属類（不純物）混入量が少ないアミジネート金属（金属はＭｇ以外の金属）錯体が簡単に得られた。例えば、Ｌｉが含まれているにしても、Ｌｉ含有量は５μｇ／ｇ未満であった。Ｎａが含まれているにしても、Ｎａ含有量は５μｇ／ｇ未満であった。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
本発明はアミジネート金属（金属はＭｇ以外の金属）錯体の製造方法である。特に、アルカリ金属（例えば、Ｌｉ，Ｎａ等）含有量が、多くても、各々、５μｇ／ｇ（０であることは排除されない。しかし、現在の測定装置では０であることの確認が出来ない。）であるアミジネート金属（金属はＭｇ以外の金属）錯体の製造方法である。前記アミジネート金属錯体は、例えば薄膜形成技術で成膜原料として用いられる。前記薄膜形成技術としては、例えばＣＶＤ法、ＡＬＤ法、ＳＦＣＤ法などが適宜用いられる。前記方法は、マグネシウムアミジネート錯体と金属ハロゲン化物（金属はＭｇ以外の金属）との反応を要件とする。前記マグネシウムアミジネート錯体は、好ましくは、精製マグネシウムアミジネート錯体である。前記精製には、例えば蒸留、昇華、又は／及び再結晶の方法が用いられる。ビス（Ｎ，Ｎ’−ジイソプロピルプロピオンアミジネート）マグネシウム｛Ｍg［ｉ−Ｃ３Ｈ７ＮＣ（Ｃ２Ｈ５）Ｎ−ｉ−Ｃ３Ｈ７］２｝は液体（２５℃で１気圧の条件下）である。従って、前記化合物は蒸留操作で簡単に高純度品が得られる。
【００３０】
前記マグネシウムアミジネート錯体は、好ましくは、前記式［Ｉ］で表される化合物である。式［Ｉ］中、Ｒ１，Ｒ１’，Ｒ２，Ｒ２’，Ｒ３，Ｒ３’は炭化水素基である。前記炭化水素基はＳｉを持つ場合が有る。前記炭化水素基は、好ましくは、炭素数が１〜６の炭化水素基である。前記炭化水素基は、好ましくは、アルキル基である。前記Ｒ１，Ｒ１’，Ｒ２，Ｒ２’，Ｒ３，Ｒ３’は、全てが同じでも、異なっていても良い。前記マグネシウムアミジネート錯体は、前記式［Ｉ］で表される化合物のテトラヒドロフラン付加体であっても良い。前記式［Ｉ］で表される化合物のジオキサン付加体であっても良い。
【００３１】
前記金属ハロゲン化物は、例えばハロゲン化イットリウム、ハロゲン化マンガン、ハロゲン化鉄、ハロゲン化コバルト、ハロゲン化ニッケル、ハロゲン化銅、ハロゲン化銀、ハロゲン化亜鉛、ハロゲン化カドミウムの群の中から選ばれる一種又は二種以上である。好ましくは、ＹＸ３，ＭｎＸ２，ＦｅＸ２，ＣｏＸ２，ＮｉＸ２，ＣｕＸ，ＡｇＸ，ＺｎＸ２，ＣｄＸ２（前記Ｘはハロゲン原子）の群の中から選ばれる一種又は二種以上である。例えば、ＹＣｌ３，ＭｎＣｌ２，ＦｅＣｌ２，ＣｏＣｌ２，ＮｉＣｌ２，ＣｕＣｌ，ＡｇＣｌ，ＺｎＣｌ２，ＣｄＣｌ２，ＹＢｒ３，ＭｎＢｒ２，ＦｅＢｒ２，ＣｏＢｒ２，ＮｉＢｒ２，ＣｕＢｒ，ＡｇＢｒ，ＺｎＢｒ２，ＣｄＢｒ２，ＹＩ３，ＭｎＩ２，ＦｅＩ２，ＣｏＩ２，ＮｉＩ２，ＣｕＩ，ＡｇＩ，ＺｎＩ２，ＣｄＩ２の群の中から選ばれる一種又は二種以上である。
【００３２】
前記マグネシウムアミジネート錯体と前記金属ハロゲン化物との反応は、好ましくは、溶媒中で行われる。前記溶媒は、例えば炭化水素系の溶媒である。具体的には、例えばヘキサンやヘプタン等が挙げられる。前記溶媒は、例えばエーテルである。具体的には、例えばジエチルエーテル、ジプロピルエーテル、ジオキサン等が挙げられる。
【００３３】
上記方法によれば、高純度なアミジネート金属（金属はＭｇ以外の金属）錯体が簡単に得られた。特に、アルカリ金属類（不純物）混入量が少ないアミジネート金属（金属はＭｇ以外の金属）錯体が簡単に得られた。例えば、Ｌｉが含まれているにしても、Ｌｉ含有量は５μｇ／ｇ未満であった。Ｎａが含まれているにしても、Ｎａ含有量は５μｇ／ｇ未満であった。
【００３４】
前記非特許文献は本発明を開示していない。前記非特許文献はＭｇ［（ＰｒＩＮ）２ＣＮＰｒＩ２］２（ｔｈｆ）の製造方法を開示している。しかし、Ｍｇ［（ＰｒＩＮ）２ＣＮＰｒＩ２］２（ｔｈｆ）と金属ハロゲン化物（金属はＭｇ以外の金属）との反応を開示していない。すなわち、前記非特許文献は本発明を開示していない。本発明は前記非特許文献から、到底に、想像も出来ない。本発明は前記非特許文献から容易に発明できなかったと本発明者は確信している。
【００３５】
以下、具体的な実施例が挙げられる。但し、本発明は以下の実施例にのみ限定されない。本発明の特長が大きく損なわれない限り、各種の変形例や応用例も本発明に含まれる。
【００３６】
［実施例１］
ビス（Ｎ，Ｎ’−ジイソプロピルプロピオンアミジネート）マグネシウム錯体を用いたビス（Ｎ，Ｎ’−ジイソプロピルプロピオンアミジネート）銅の合成
先ず、ビス（Ｎ，Ｎ’−ジイソプロピルプロピオンアミジネート）マグネシウムが、減圧蒸留によって、精製された。
２５０ｍＬの溶液（０．１２７モルの精製ビス（Ｎ，Ｎ’−ジイソプロピルプロピオンアミジネート）マグネシウムが溶解したＴＨＦ（テトラヒドロフラン）溶液）が、フラスコ（前記フラスコ内には、０．２５３モルの粒状の塩化銅（Ｉ）が溶解したＴＨＦ溶液１５０ｍｌが入っている。）内に、窒素雰囲気下で、滴下された。ビス（Ｎ，Ｎ’−ジイソプロピルプロピオンアミジネート）マグネシウムとＴＨＦとは、混合時、発熱し、溶媒配位した。緩やかな発熱と共に、塩化銅の粒は、反応によって、消失した。２４時間撹拌後、溶媒のＴＨＦが減圧下で留去された。これによって、白い固体が得られた。１５００ｍＬのヘキサンが用いられ、濃縮固体は溶解させられた。溶解しなかった白い固体は、濾過によって、取り除かれた。濾液が濃縮された。薄い茶色の固体が得られた。この固体の収率（マグネシウム錯体から計算）は９８．６％であった。アセトンによって再結晶が行われた。これによって、白色固体が得られた。収率（マグネシウム錯体から計算）は８０％であった。前記白色固体がＣ６Ｄ６（重水素化ベンゼン）に溶解させられた。ＮＭＲによる解析が行われた。Ｈ−ＮＭＲ：σ0.965(t,3H)，σ1.2(w,12H)、σ2.16(q,2H)、σ3.47(sep,2H)  その結果、前記白色固体はビス（Ｎ，Ｎ’−ジイソプロピルプロピオンアミジネート）銅であることが確認できた。前記ビス（Ｎ，Ｎ’−ジイソプロピルプロピオンアミジネート）銅が金属不純物分析装置（ＩＣＰ−ＡＥＳ）によって調べられた。その結果は、測定金属すべてが検出限界未満であった。Ｌｉ＜５，Ｎａ＜５，Ｆｅ＜５，Ｚｎ＜５，Ｔｉ＜５，Ｃｒ＜５，Ｃｄ＜５，Ｍｎ＜５，Ｃｏ＜５，Ｎｉ＜５（単位はμｇ／ｇ）すなわち、前記化合物の純度は高かった。
【００３７】
［比較例］
ビス（Ｎ，Ｎ’−ジイソプロピルプロピオンアミジネート）リチウム錯体を用いたビス（Ｎ，Ｎ’−ジイソプロピルプロピオンアミジネート）銅の合成
５００ｍＬの溶液（０．５２モルのビス（Ｎ，Ｎ’−ジイソプロピルプロピオンアミジネート）リチウムが溶解したＴＨＦ溶液）が、フラスコ（前記フラスコ内には、０．５３モルの粒状の塩化銅（Ｉ）が溶解したＴＨＦ溶液３００ｍｌが入っている。）内に、窒素雰囲気下で、滴下された。緩やかな発熱と共に、塩化銅の粒は、反応によって、消失した。２４時間撹拌後、溶媒のＴＨＦが減圧下で留去された。これによって、白い固体が得られた。３０００ｍＬのヘキサンが用いられ、濃縮固体は溶解させられた。溶解しなかった白い固体は、濾過によって、取り除かれた。濾液が濃縮された。薄い茶色の固体が得られた。この固体の収率（リチウム錯体から計算）は９７．３％であった。アセトンによって再結晶が行われた。これによって、白色固体が得られた。収率（リチウム錯体から計算）は７５％であった。前記実施例と同様にして、ＮＭＲによる解析が行われた。その結果、前記白色固体はビス（Ｎ，Ｎ’−ジイソプロピルプロピオンアミジネート）銅であることが確認できた。前記ビス（Ｎ，Ｎ’−ジイソプロピルプロピオンアミジネート）銅が金属不純物分析装置（ＩＣＰ−ＡＥＳ）によって調べられた。Ｌｉ＝２０（μｇ／ｇ），Ｎａ＝６（μｇ／ｇ），Ｆｅ＝９（μｇ／ｇ），Ｚｎ＜５（μｇ／ｇ），Ｔｉ＝８（μｇ／ｇ），Ｃｒ＜５（μｇ／ｇ），Ｃｄ＜５（μｇ／ｇ），Ｍｎ＝１０（μｇ／ｇ），Ｃｏ＝８（μｇ／ｇ），Ｎｉ＜５（μｇ／ｇ）  すなわち、前記実施例の場合に比べて純度は低かった。
【００３８】
［実施例２］
実施例１において、ビス（Ｎ，Ｎ’−ジイソプロピルプロピオンアミジネート）マグネシウムの代わりに、ビス（Ｎ，Ｎ’−ジイソプロピルアセトアミジネート）マグネシウムが用いられ、同様に行われた。その結果、実施例１と同様に、ビス（Ｎ，Ｎ’−ジイソプロピルアセトアミジネート）銅が得られた。この化合物の純度は、実施例１の場合と同様に、高かった。
【００３９】
［実施例３］
前記式［Ｉ］において、Ｒ１＝Ｒ１’＝Ｒ３＝Ｒ３’＝−ＣＨ（ＣＨ３）２，Ｒ２＝Ｒ２’＝−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ３のマグネシウム錯体が用いられ、実施例１と同様に行われた。その結果、実施例１と同様に、銅錯体が得られた。この化合物の純度は、実施例１の場合と同様に、高かった。
【００４０】
［実施例４］
前記式［Ｉ］において、Ｒ１＝Ｒ１’＝Ｒ３＝Ｒ３’＝−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ３，Ｒ２＝Ｒ２’＝−ＣＨ３のマグネシウム錯体が用いられ、実施例１と同様に行われた。その結果、実施例１と同様に、銅錯体が得られた。この化合物の純度は、実施例１の場合と同様に、高かった。
【００４１】
［実施例５］
前記式［Ｉ］において、Ｒ１＝Ｒ１’＝Ｒ３＝Ｒ３’＝−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ３，Ｒ２＝Ｒ２’＝−ＣＨ２ＣＨ３のマグネシウム錯体が用いられ、実施例１と同様に行われた。その結果、実施例１と同様に、銅錯体が得られた。この化合物の純度は、実施例１の場合と同様に、高かった。
【００４２】
［実施例６］
前記式［Ｉ］において、Ｒ１＝Ｒ１’＝Ｒ３＝Ｒ３’＝−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ３，Ｒ２＝Ｒ２’＝−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ３のマグネシウム錯体が用いられ、実施例１と同様に行われた。その結果、実施例１と同様に、銅錯体が得られた。この化合物の純度は、実施例１の場合と同様に、高かった。
【００４３】
［実施例７］
前記式［Ｉ］において、Ｒ１＝Ｒ１’＝Ｒ３＝Ｒ３’＝−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ３，Ｒ２＝Ｒ２’＝−ＣＨ３のマグネシウム錯体が用いられ、実施例１と同様に行われた。その結果、実施例１と同様に、銅錯体が得られた。この化合物の純度は、実施例１の場合と同様に、高かった。
【００４４】
［実施例８］
前記式［Ｉ］において、Ｒ１＝Ｒ１’＝Ｒ３＝Ｒ３’＝−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ３，Ｒ２＝Ｒ２’＝−ＣＨ２ＣＨ３のマグネシウム錯体が用いられ、実施例１と同様に行われた。その結果、実施例１と同様に、銅錯体が得られた。この化合物の純度は、実施例１の場合と同様に、高かった。
【００４５】
［実施例９］
前記式［Ｉ］において、Ｒ１＝Ｒ１’＝Ｒ３＝Ｒ３’＝−ＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）２，Ｒ２＝Ｒ２’＝−ＣＨ３のマグネシウム錯体が用いられ、実施例１と同様に行われた。その結果、実施例１と同様に、銅錯体が得られた。この化合物の純度は、実施例１の場合と同様に、高かった。
【００４６】
［実施例１０］
前記式［Ｉ］において、Ｒ１＝Ｒ１’＝Ｒ３＝Ｒ３’＝−ＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）２，Ｒ２＝Ｒ２’＝−ＣＨ２ＣＨ３のマグネシウム錯体が用いられ、実施例１と同様に行われた。その結果、実施例１と同様に、銅錯体が得られた。この化合物の純度は、実施例１の場合と同様に、高かった。
【００４７】
［実施例１１］
前記式［Ｉ］において、Ｒ１＝Ｒ１’＝Ｒ３＝Ｒ３’＝−ＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）２，Ｒ２＝Ｒ２’＝−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ３のマグネシウム錯体が用いられ、実施例１と同様に行われた。その結果、実施例１と同様に、銅錯体が得られた。この化合物の純度は、実施例１の場合と同様に、高かった。
【００４８】
［実施例１２］
前記式［Ｉ］において、Ｒ１＝Ｒ１’＝Ｒ３＝Ｒ３’＝−ＣＨ（ＣＨ３）ＣＨ２ＣＨ３，Ｒ２＝Ｒ２’＝−ＣＨ３のマグネシウム錯体が用いられ、実施例１と同様に行われた。その結果、実施例１と同様に、銅錯体が得られた。この化合物の純度は、実施例１の場合と同様に、高かった。
【００４９】
［実施例１３］
前記式［Ｉ］において、Ｒ１＝Ｒ１’＝Ｒ３＝Ｒ３’＝−ＣＨ（ＣＨ３）ＣＨ２ＣＨ３，Ｒ２＝Ｒ２’＝−ＣＨ２ＣＨ３のマグネシウム錯体が用いられ、実施例１と同様に行われた。その結果、実施例１と同様に、銅錯体が得られた。この化合物の純度は、実施例１の場合と同様に、高かった。
【００５０】
［実施例１４］
前記式［Ｉ］において、Ｒ１＝Ｒ１’＝Ｒ３＝Ｒ３’＝−ＣＨ（ＣＨ３）ＣＨ２ＣＨ３，Ｒ２＝Ｒ２’＝−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ３のマグネシウム錯体が用いられ、実施例１と同様に行われた。その結果、実施例１と同様に、銅錯体が得られた。この化合物の純度は、実施例１の場合と同様に、高かった。
【００５１】
［実施例１５］
前記式［Ｉ］において、Ｒ１＝Ｒ１’＝Ｒ３＝Ｒ３’＝−Ｃ６Ｈ５，Ｒ２＝Ｒ２’＝−ＣＨ３のマグネシウム錯体が用いられ、実施例１と同様に行われた。その結果、実施例１と同様に、銅錯体が得られた。この化合物の純度は、実施例１の場合と同様に、高かった。
【００５２】
［実施例１６］
前記式［Ｉ］において、Ｒ１＝Ｒ１’＝Ｒ３＝Ｒ３’＝−Ｃ６Ｈ５，Ｒ２＝Ｒ２’＝−ＣＨ２ＣＨ３のマグネシウム錯体が用いられ、実施例１と同様に行われた。その結果、実施例１と同様に、銅錯体が得られた。この化合物の純度は、実施例１の場合と同様に、高かった。
【００５３】
［実施例１７，１８］
ＣｕＣｌの代わりにＣｕＢｒ（又はＣｕＩ）が用いられ、実施例１と同様に行われた。その結果、実施例１と同様に、銅錯体が得られた。この化合物の純度は、実施例１の場合と同様に、高かった。
【００５４】
［実施例１９，２０，２１］
ＣｕＣｌの代わりにＹＣｌ３（若しくはＹＢｒ３、又はＹＩ３）が用いられ、実施例１と同様に行われた。その結果、イットリウム錯体が得られた。この化合物の純度は、実施例１の場合と同様に、高かった。
【００５５】
［実施例２２，２３，２４］
ＣｕＣｌの代わりにＭｎＣｌ２（若しくはＭｎＢｒ２、又はＭｎＩ２）が用いられ、実施例１と同様に行われた。その結果、マンガン錯体が得られた。この化合物の純度は、実施例１の場合と同様に、高かった。
【００５６】
［実施例２５，２６，２７］
ＣｕＣｌの代わりにＦｅＣｌ２（若しくはＦｅＢｒ２、又はＦｅＩ２）が用いられ、実施例１と同様に行われた。その結果、鉄錯体が得られた。この化合物の純度は、実施例１の場合と同様に、高かった。
【００５７】
［実施例２８，２９，３０］
ＣｕＣｌの代わりにＮｉＣｌ２（若しくはＮｉＢｒ２、又はＮｉＩ２）が用いられ、実施例１と同様に行われた。その結果、ニッケル錯体が得られた。この化合物の純度は、実施例１の場合と同様に、高かった。
【００５８】
［実施例３１，３２，３３］
ＣｕＣｌの代わりにＡｇＣｌ（若しくはＡｇＢｒ、又はＡｇＩ）が用いられ、実施例１と同様に行われた。その結果、銀錯体が得られた。この化合物の純度は、実施例１の場合と同様に、高かった。
【００５９】
［実施例３４，３５，３６］
ＣｕＣｌの代わりにＺｎＣｌ２（若しくはＺｎＢｒ２、又はＺｎＩ２）が用いられ、実施例１と同様に行われた。その結果、亜鉛錯体が得られた。この化合物の純度は、実施例１の場合と同様に、高かった。
【００６０】
［実施例３７，３８，３９］
ＣｕＣｌの代わりにＣｄＣｌ２（若しくはＣｄＢｒ２、又はＣｄＩ２）が用いられ、実施例１と同様に行われた。その結果、カドミウム錯体が得られた。この化合物の純度は、実施例１の場合と同様に、高かった。
【００６１】
［実施例４０，４１］
ＣｕＣｌの代わりにＣｏＢｒ２（又はＣｏＩ２）が用いられ、実施例１と同様に行われた。その結果、コバルト錯体が得られた。この化合物の純度は、実施例１の場合と同様に、高かった。
【００６２】
［実施例４２，４３，４４，４５，４６］
実施例１において、ＴＨＦの代わりに、ヘキサン、ヘプタン、ジエチルエーテル、ジプロピルエーテル、又はジオキサンが用いられ、実施例１と同様に行われた。その結果、実施例１と同様に、銅錯体が得られた。この化合物の純度は、実施例１の場合と同様に、高かった。
【００６３】
［実施例４７，４８］
実施例１において、ＣｕＣｌの代わりにＣｏＣｌ２が用いられ、実施例１と同様に行われた。その結果、ビス（Ｎ，Ｎ’−ジイソプロピルプロピオンアミジネート）コバルトが得られた。前記ビス（Ｎ，Ｎ’−ジイソプロピルプロピオンアミジネート）コバルトが金属不純物分析装置（ＩＣＰ−ＡＥＳ）によって調べられた。その結果は、測定金属の全てが検出限界以下であった。Ｌｉ＜５，Ｎａ＜５，Ｆｅ＜５，Ｚｎ＜５，Ｔｉ＜５，Ｃｒ＜５，Ｃｄ＜５，Ｍｎ＜５，Ｎｉ＜５（単位はμｇ／ｇ）すなわち、前記化合物の純度は高かった。
前記ビス（Ｎ，Ｎ’−ジイソプロピルプロピオンアミジネート）コバルトが用いられ、ＣＶＤ法（及びＡＬＤ法）によって、コバルト薄膜が成膜された。この膜の抵抗が測定された。その結果は１８μΩ・ｃｍであった。この値は膜が純金属膜に相当することを示している。前記膜に対してＳＩＭＳ分析が行われた。Ｌｉ及びＮａは検出されなかった。
【００６４】
［実施例４９］
実施例１で得られたビス（Ｎ，Ｎ’−ジイソプロピルプロピオンアミジネート）銅が用いられた。ＳＦＣＤ法が用いられ、銅薄膜が形成された。超臨界流体はＣＯ２とＨ２とであった。圧力は１３ＭＰａであった。Ｈ２分圧は１ＭＰａであった。前記超臨界流体中にビス（Ｎ，Ｎ’−ジイソプロピルプロピオンアミジネート）銅が導入された。１５分間の作業によって、基板上に堆積が行われた。前記堆積膜は銅色であった。前記堆積膜の抵抗値が調べられた。その結果は１．７μΩ・ｃｍであった。この値は膜が純銅膜に相当することを示している。前記膜に対してＥＤＳ（エネルギー分散型X線分析、Energy dＩspersＩve X-ray spectrometry）分析が行われた。Ｌｉ及びＮａは検出されなかった。