(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明基板と、該透明基板の一方の面に位置する遮光膜パターンとを備えた露光用マスクにおいて、
前記透明基板は、主パターン領域と、該主パターン領域の周囲に位置する外側領域とが画定されており、
前記主パターン領域には、前記遮光膜パターンが位置しており、
前記外側領域には、複数の検査部位が画定され、該検査部位では少なくとも一部に前記透明基板が露出しており、前記検査部位の一部に遮光層が位置し、 
前記検査部位の前記透明基板が露出した部分と前記遮光層との双方には、成長性異物原因物質が存在し、該成長性異物原因物質は、含硫黄化合物、含燐化合物、含窒素化合物、含硫黄化合物にレーザを照射して形成した凝集物、含燐化合物にレーザを照射して形成した凝集物、および、含窒素化合物にレーザを照射して形成した凝集物の少なくとも１種であり、複数の前記検査部位の相互において、前記成長性異物原因物質の濃度が異なることを特徴とする露光用マスク。
【請求項２】
透明基板と、該透明基板の一方の面に位置する遮光膜パターンとを備えた露光用マスクにおいて、 
前記透明基板は、主パターン領域と、該主パターン領域の周囲に位置する外側領域とが画定されており、 
前記主パターン領域には、前記遮光膜パターンが位置しており、 
前記外側領域には、検査部位が画定され、該検査部位では少なくとも一部に前記透明基板が露出しており、前記検査部位の少なくとも一部には、複数の微細開口を有する半透過遮光層が位置し、 
前記検査部位には、成長性異物原因物質が存在し、該成長性異物原因物質は、含硫黄化合物、含燐化合物、含窒素化合物、含硫黄化合物にレーザを照射して形成した凝集物、含燐化合物にレーザを照射して形成した凝集物、および、含窒素化合物にレーザを照射して形成した凝集物の少なくとも１種であり、前記透明基板が露出した部分と該半透過遮光層の双方に前記成長性異物原因物質が存在することを特徴とする露光用マスク。
【請求項３】
前記外側領域には、複数の前記検査部位が画定されており、複数の前記検査部位の相互において、前記半透過遮光層の前記微細開口の密度が異なることを特徴とする請求項２に記載の露光用マスク。
【請求項４】
複数の前記検査部位の相互において、前記成長性異物原因物質の濃度は均一であることを特徴とする請求項３に記載の露光用マスク。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の露光用マスクの管理方法において、
前記検査部位に生じる成長性異物の大きさに基づいて、露光用マスクの洗浄時期、洗浄強度、使用限界を判断することを特徴とする露光用マスクの管理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、被転写体へのパターン転写に用いる露光用マスクと、その管理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子等の電子デバイスの製造プロセスにおけるリソグラフィ工程では、露光用マスクを介した露光によりパターンを作製している。近年の素子の微細化・高集積化に伴い、露光光の光源が、ｇ線（４３６ｎｍ）やｉ線（３６５ｎｍ）よりも短波長の光を発生させるＫｒＦエキシマレーザ（２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザ（１９３ｎｍ）、さらにＥＵＶ（１３．５ｎｍ）へと移行しつつある。しかし、短波長の露光光はエネルギーが高く、露光マスク上に時間の経過と共に成長する異物（成長性異物：ヘイズ、Ｈａｚｅ、曇り、とも称する）が生じて露光マスクが汚染されるという現象がある。この成長性異物が露光用マスクに付着すると、照射光を遮ったり、反射してしまうため、成長性異物の大きさが所定の大きさを超えると、転写したパターンの欠損、パターン間の短絡等が生じてパターン欠陥が発生するという問題があった。
【０００３】
このような成長性異物の発生要因の一つとして、例えば、露光用マスクの表面に、マスク洗浄などに用いた硫酸、アンモニアのような化学薬品が残留していた場合、これらが露光時のレーザ照射により反応を起して、硫酸アンモニウム等を生じることが挙げられる。このため、露光用マスクの製造後の検査では無欠陥の良好な状態であっても、繰り返しレーザ照射露光が行われることにより、露光用マスク上に異物が生じ、時間の経過と共に異物が成長し、重大な汚染を生じることになる。しかも露光マスクによっては少ない露光量でも異物が発生する場合もあり、露光マスクの管理を難しいものとしている。
また、露光用マスクには、異物が直接付着しないように、パターン領域を囲むように位置する枠体を介して透光性カバー（ペリクル）を備えるものがある。しかし、樹脂フィルムであるペリクルや、ペリクルを枠体に固着させるための接着剤からガスが放出される場合、露光用マスクの基板、枠体、ペリクルで囲まれた空間にガスが充満し、パターン形成時のレーザ照射により反応を起して、異物が生じることがある。したがって、ペリクルを具備する露光用マスクにおいても、成長性異物の付着による問題があった。
【０００４】
このような問題に対処するために、例えば、成長性異物の原因物質を保持するＨａｚｅ発生予測基板にレーザ照射を行って、原因物質をわずかに成長させ、このＨａｚｅ発生予測基板を露光用マスクの露光、保管等の工程上に放置し、定期的にＨａｚｅ発生予測基板の異物発生を検査することにより、成長性異物が発生しやすい環境や部材を早期に予測して、工程や部材の最適化を図ることが提案されている（特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１０−１５３７２５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１に記載の方法は、Ｈａｚｅ発生を予測するための専用基板が露光用マスク毎に必要であり、半導体素子等の製造コストの低減に支障を来すものであった。
また、露光用マスクとは別に、露光機への専用基板の載置と、専用基板に対する露光が必要であり、さらに、保管ケース等への専用基板の載置も必要であり、工程が煩雑であった。
【０００７】
さらに、成長性異物の成長は、原因物質量に影響されるが、特許文献１に記載の方法で検出される原因物質量は、あくまで専用基板上における原因物質量であり、個々の露光用マスク毎の原因物質量がモニターできていないので、個別の露光用マスクについて、成長性異物の発生による汚染がないことを保証することは困難であった。また、成長性異物の発生状況に応じて露光用マスク毎に洗浄の強度を管理することができず、必要以上に強い洗浄を実施してしまい、露光用マスク面に損傷を与えるおそれがあった。
本発明は、上述のような実情に鑑みてなされたものであり、成長性異物の発生を容易に把握することができ、管理が容易で、成長性異物による汚染の回避が可能な露光用マスクと、その管理方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
このような課題を解決するために、本発明は、透明基板と、該透明基板の一方の面に位置する遮光膜パターンとを備えた露光用マスクにおいて、前記透明基板は、主パターン領域と、該主パターン領域の周囲に位置する外側領域とが画定されており、前記主パターン領域には、前記遮光膜パターンが位置しており、前記外側領域には、複数の検査部位が画定され、該検査部位では少なくとも一部に前記透明基板が露出しており、前記検査部位の一部に遮光層が位置し、前記検査部位の前記透明基板が露出した部分と前記遮光層との双方には、成長性異物原因物質が存在し、該成長性異物原因物質は、含硫黄化合物、含燐化合物、含窒素化合物、含硫黄化合物にレーザを照射して形成した凝集物、含燐化合物にレーザを照射して形成した凝集物、および、含窒素化合物にレーザを照射して形成した凝集物の少なくとも１種であり、複数の前記検査部位の相互において、前記成長性異物原因物質の濃度が異なるような構成とした。
【００１０】
また、本発明は、透明基板と、該透明基板の一方の面に位置する遮光膜パターンとを備えた露光用マスクにおいて、前記透明基板は、主パターン領域と、該主パターン領域の周囲に位置する外側領域とが画定されており、前記主パターン領域には、前記遮光膜パターンが位置しており、前記外側領域には、検査部位が画定され、該検査部位では少なくとも一部に前記透明基板が露出しており、前記検査部位の少なくとも一部には、複数の微細開口を有する半透過遮光層が位置し、前記検査部位には、成長性異物原因物質が存在し、該成長性異物原因物質は、含硫黄化合物、含燐化合物、含窒素化合物、含硫黄化合物にレーザを照射して形成した凝集物、含燐化合物にレーザを照射して形成した凝集物、および、含窒素化合物にレーザを照射して形成した凝集物の少なくとも１種であり、前記透明基板が露出した部分と該半透過遮光層の双方に前記成長性異物原因物質が存在するような構成とした。
本発明の他の態様として、前記外側領域には、複数の前記検査部位が画定されており、複数の前記検査部位の相互において、前記半透過遮光層の前記微細開口の密度が異なるような構成とした。
本発明の他の態様として、複数の前記検査部位の相互において、前記成長性異物原因物質の濃度は均一であるような構成とした。
【００１１】
本発明の露光用マスクの管理方法は、上述のいずれかの露光用マスクの管理方法であって、前記検査部位に生じる成長性異物の大きさに基づいて、露光用マスクの洗浄時期、洗浄強度、使用限界を判断するような構成とした。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の露光用マスクは、成長性異物の発生を容易に把握することができ、管理が容易で、成長性異物による汚染の回避が可能である。
本発明の露光用マスクの管理方法は、個々の露光用マスクについて成長性異物の発生を容易に把握して、適切な対応を可能にする。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】図１は、本発明の露光用マスクの一実施形態を示す平面図である。
【図２】図２は、検査部位の一例を示す図であり、図２（Ａ）は平面図、図２（Ｂ）はＩ−Ｉ線における縦断面図である。
【図３】図３は、検査部位の他の例を示す図であり、図３（Ａ）は平面図、図３（Ｂ）、図３（Ｃ）はII−II線における縦断面図である。
【図４】図４は、検査部位の他の例を示す図であり、図４（Ａ）は平面図、図４（Ｂ）はIII−III線における縦断面図である。
【図５】図５は、検査部位の他の例を示す図であり、図５（Ａ）は平面図、図５（Ｂ）はIV−IV線における縦断面図である。
【図６】図６は、本発明の露光用マスクの他の実施形態を示す平面図である。
【図７】図７は、本発明の露光用マスクの他の実施形態を示す図面であり、図７（Ａ）は平面図であり、図７（Ｂ）は、図７（Ａ）に示される露光用マスクのＶ−Ｖ線における縦断面図である。
【図８】図８は、本発明の露光用マスクの他の実施形態を示す平面図である。
【図９】図９は、本発明の露光用マスクの他の実施形態を示す図面であり、図９（Ａ）は平面図であり、図９（Ｂ）は、図９（Ａ）に示される露光用マスクのVI−VI線における縦断面図である。
【図１０】図１０は、本発明の露光用マスクの他の実施形態を示す平面図である。
【図１１】図１１は、本発明の露光用マスクの他の実施形態を示す平面図である。
【図１２】図１２は、本発明の露光用マスクの他の実施形態を示す平面図である。
【図１３】図１３は、透明基板の外側領域に配設されたバーコードパターンを使用した検査部位の例を示す平面図である。
【図１４】図１４は、図１３に示される検査部位のVII−VII線における縦部分断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。
尚、図面は模式的または概念的なものであり、各部材の寸法、部材間の大きさの比等は、必ずしも現実のものと同一とは限らず、また、同じ部材等を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比が異なって表される場合もある。
図１は、本発明の露光用マスクの一実施形態を示す平面図である。図１において、露光用マスク１１は、透明基板１２と、この透明基板１２の一方の面１２ａに位置する本パターンである遮光膜パターンとを備えている。
【００１５】
透明基板１２の一方の面１２ａには、主パターン領域１３（鎖線で囲んで示している）と、この主パターン領域１３の周囲に位置する外側領域１４とが画定されている。このような透明基板１２は、従来の露光用マスクに使用されている透明基板であってよく、例えば、ガラス基板、合成石英基板、樹脂基板等である。
主パターン領域１３には、遮光膜パターン（図示せず）が位置している。遮光膜パターンは、例えば、クロム薄膜に所望のパターン形状で透光部が形成されたものである。遮光膜パターンは、露光光の透過の有無が得られるバイナリタイプ、遮光部も若干の光透過が可能であり透光部との干渉を利用して解像度を向上させたハーフトーンタイプ、いずれであってもよい。
【００１６】
また、外側領域１４には、後述するような形状、寸法で検査部位１５が画定されており、この検査部位１５には、成長性異物原因物質が存在する。成長性異物は、ＫｒＦエキシマレーザ（２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザ（１９３ｎｍ）、ＥＵＶ（１３．５ｎｍ）等の光源から短波長の露光光が照射されることにより生じるものであり、この成長性異物の発生原因物質として、含硫黄化合物、含燐化合物、含窒素化合物が考えられている。本発明では、含硫黄化合物、含燐化合物、含窒素化合物、含硫黄化合物にレーザを照射して形成した凝集物、含燐化合物にレーザを照射して形成した凝集物、および、含窒素化合物にレーザを照射して形成した凝集物を成長性異物原因物質としており、これらの少なくとも１種が検査部位１５に存在するものである。検査部位１５に存在する成長性異物原因物質の量は、例えば、０．２〜１００ｎｇ／ｃｍ2程度の範囲で、成長性異物原因物質の種類等を考慮して適宜設定することができる。成長性異物原因物質の量が０．２ｎｇ／ｃｍ2未満であると、成長性異物原因物質における成長性異物の発生が困難となり、また、成長性異物原因物質の量が１００ｎｇ／ｃｍ2を超えると、成長性異物原因物質における成長性異物の発生が過大となり、成長性異物の発生予測が難しくなり、好ましくない。
【００１７】
上記の凝集物を形成するために、含硫黄化合物、含燐化合物、含窒素化合物に照射するレーザは、例えば、照射量が１０〜２００ｋＪ／ｃｍ2の範囲となるように、被照射物質に応じて適宜設定することができる。
検査部位１５は、透明基板１２の裏面から照射された露光光が成長性異物原因物質に照射されるように、少なくとも一部に透明基板１２が露出したものであ。
【００１８】
図２〜図５は、外側領域１４に画定された検査部位１５を例示する部分平面図と縦断面図である。図示例では、検査部位１５の周囲に遮光層１６（傾斜鎖線を付して示している）が存在している。
図２に示される例では、検査部位１５は、検査部位として画定された全域に透明基板１２が露出しており（図２（Ａ））、この露出している透明基板１２上に成長性異物原因物質１７が略均一に存在している（図２（Ｂ））。
【００１９】
図３に示される例では、検査部位１５の約半分が遮光部１５ｓであり、遮光層１６が存在しており、残りの領域が透光部１５ｐであり、透明基板１２が露出している（図３（Ａ）、遮光層１６は傾斜鎖線を付して示している）。そして、成長性異物原因物質１７は検査部位１５の遮光部１５ｓと透光部１５ｐの双方に略均一に存在している（図３（Ｂ））。尚、遮光部１５ｓに存在する遮光層は、図３（Ｃ）に示すように、検査部位１５の周囲に存在する遮光層１６よりも厚みが薄い遮光層１６′であってもよい。
【００２０】
図４に示される例では、検査部位１５の約半分が遮光部１５ｓであり、半透過遮光層１６″が存在しており、残りの領域が透光部１５ｐであり、透明基板１２が露出している（図４（Ａ）、半透過遮光層１６″は傾斜二点鎖線を付して示している）。そして、成長性異物原因物質１７は検査部位１５の遮光部１５ｓと透光部１５ｐの双方に略均一に存在している（図４（Ｂ））。半透過遮光層１６″は、複数の微細開口を有しており、微細開口の開口寸法は４０ｎｍ〜２．０μｍの範囲、微細開口の密度は、５×１０7〜２．５×１０13個／ｃｍ2の範囲で適宜設定することができ、例えば、所謂ハーフトーンマスクの半透過膜であってもよい。
【００２１】
また、図５に示される例では、検査部位１５として画定された全域に半透過遮光層１６″が存在しており（図５（Ａ）、半透過遮光層１６″は傾斜二点鎖線を付して示している）、透明基板１２は、半透過遮光層１６″の微細開口に露出している。そして、成長性異物原因物質１７は検査部位１５に位置する半透過遮光層１６″の全域に略均一に存在している（図５（Ｂ））。
【００２２】
図２〜図５に示される検査部位１５の形状は方形状であるが、検査部位１５の形状、大きさは、成長性異物原因物質１７から発生する成長性異物の大きさの観察に支障を来さないように、検査部位１５を画定することができる。図示例の方形状では、例えば、１ｍｍ×１ｍｍ〜１０ｍｍ×１０ｍｍ程度の範囲で適宜画定することができる。また、透明基板１２の外部領域１４における検査部位１５の位置は特に制限されないが、主パターン領域１３に位置する遮光膜パターンの露光において、同時に露光することが可能な位置に画定とすることができる。また、透明基板１２の側端部から、例えば、７ｍｍ以上離間した位置であることが好適である。
【００２３】
本発明の露光用マスク１１は、複数の検査部位１５が画定されたものであってもよい。図６に示される例では、露光用マスク１１は検査部位１５として、６個の検査部位１５Ａ，１５Ｂ，１５Ｃ，１５Ｄ，１５Ｅ，１５Ｆが外側領域１４に画定されている。但し、複数の検査部位１５の数は６個に限定されるものではない。
【００２４】
このような６個の検査部位１５Ａ，１５Ｂ，１５Ｃ，１５Ｄ，１５Ｅ，１５Ｆは、各検査部位における成長性異物の発生の程度が異なるものとすることができる。例えば、検査部位１５が図２や図３に示されるような構成である場合、６個の検査部位１５Ａ，１５Ｂ，１５Ｃ，１５Ｄ，１５Ｅ，１５Ｆの相互において、成長性異物原因物質１７の濃度が異なるようにすることができる。この場合の成長性異物原因物質１７の濃度は、例えば、０．２〜１００ｎｇ／ｃｍ2程度の範囲で、成長性異物原因物質１７の種類等を考慮して適宜設定することができる。
【００２５】
また、検査部位１５が図４や図５に示されるような構成である場合、６個の検査部位１５Ａ，１５Ｂ，１５Ｃ，１５Ｄ，１５Ｅ，１５Ｆの相互において、半透過遮光層１６″の微細開口の密度が異なり、成長性異物原因物質１７の濃度が均一であるようにすることができる。この場合の微細開口の密度は、６個の検査部位１５Ａ，１５Ｂ，１５Ｃ，１５Ｄ，１５Ｅ，１５Ｆの相互において、透明基板１１の裏面からのレーザ照射による露光量が異なるように設定することができ、例えば、５×１０7〜２．５×１０13個／ｃｍ2程度の範囲で、成長性異物原因物質１７の種類等を考慮して適宜設定することができる。
また、検査部位１５が図４や図５に示されるような構成である場合において、６個の検査部位１５Ａ，１５Ｂ，１５Ｃ，１５Ｄ，１５Ｅ，１５Ｆ相互で、半透過遮光層１６″の微細開口の密度が異なり、かつ、成長性異物原因物質１７の濃度も異なるようにしてもよい。
【００２６】
６個の検査部位１５Ａ，１５Ｂ，１５Ｃ，１５Ｄ，１５Ｅ，１５Ｆには、１種の成長性異物原因物質１７が存在してもよく、また、２種以上の成長性異物原因物質１７が存在してもよい。２種以上の成長性異物原因物質１７が存在する場合、異なる発生要因による成長性異物の発生を把握することが可能となる。
また、本発明の露光用マスクは、ペリクルを備えるものであってもよい。図７は、このような露光用マスクの実施形態を示す図面であり、図７（Ａ）は平面図であり、図７（Ｂ）は、図７（Ａ）に示される露光用マスクのＶ−Ｖ線における縦断面図である。図７において、露光用マスク２１は、透明基板２２と、この透明基板２２の一方の面２２ａに位置する遮光膜パターンとを備えている。
【００２７】
透明基板２２の一方の面２２ａには、主パターン領域２３（鎖線で囲んで示している）と、この主パターン領域２３の周囲に位置する外側領域２４とが画定されている。主パターン領域２３には、遮光膜パターン（図示せず）が位置しており、外側領域２４には、検査部位２５が画定されており、この検査部位２５には、成長性異物原因物質が存在する。
また、外側領域２４には、主パターン領域２３を囲み、かつ、検査部位２５が外部に位置するように枠体２８が配設されている。この枠体２８にはペリクル２９が張設されており、遮光膜パターンは透明基板２２、枠体２８、ペリクル２９で囲まれた空間に位置している。
【００２８】
このような露光用マスク２１を構成する透明基板２２、主パターン領域２３、主パターン領域２３に位置する遮光膜パターン、外側領域２４、検査部位２５、この検査部２５に存在する成長性異物原因物質は、上述の露光用マスク１１を構成する透明基板１２、主パターン領域１３、主パターン領域１３に位置する遮光膜パターン、外側領域１４、検査部位１５、成長性異物原因物質１７と同様とすることができ、ここでの説明は省略する。また、露光用マスク２１を構成する枠体２８、ペリクル２９は、従来から露光用マスクに使用されている枠体、ペリクルと同様とすることができる。
【００２９】
また、ペリクルを備える本発明の露光用マスクでは、図８に示すように、外側領域２４に複数の検査部位２５が画定されたものであってもよい。図８に示される例では、露光用マスク２１は検査部位２５として、６個の検査部位２５Ａ，２５Ｂ，２５Ｃ，２５Ｄ，２５Ｅ，２５Ｆが外側領域２４に画定されているが、複数の検査部位２５の数は６個に限定されるものではない。このような複数の検査部位２５は、上述の図６に示した露光用マスク１１における６個の検査部位１５Ａ，１５Ｂ，１５Ｃ，１５Ｄ，１５Ｅ，１５Ｆと同様とすることができる。
【００３０】
また、ペリクルを備える露光用マスク２１では、図９に示すような実施形態であってもよい。図９は、本発明の露光用マスクの実施形態を示す図面であり、図９（Ａ）は平面図であり、図９（Ｂ）は、図９（Ａ）に示される露光用マスクのVI−VI線における縦断面図である。図９に示される露光用マスク２１は、主パターン領域２３を囲み、かつ、検査部位２５が外部に位置するように外側領域２４に位置する枠体２８に加えて、検査部位２５を囲むように枠体２８′を備えており、これらの枠体２８，２８′にはペリクル２９が張設されている。このような実施形態では、透明基板２２、枠体２８、ペリクル２９で囲まれた空間に位置している遮光膜パターンと同様に、検査部位２５は透明基板２２、枠体２８′、ペリクル２９で囲まれた空間に位置している。したがって、検査部位２５での成長性異物の発生観察を、遮光膜パターンと同じ環境下で行うことができる。
【００３１】
また、ペリクルを備える露光用マスク２１では、図１０に示すように、外側領域２４に画定された検査部位２５が枠体２８の内側に位置するものであってもよい。また、図１１に示すように、枠体２８の内側の外側領域２４、および、枠体２８の外側の外側領域２４に検査部位２５が画定されたものであってもよい。尚、図１０および図１１に示される露光用マスク２１においても、検査部位２５が複数であってよい。
【００３２】
また、本発明の露光用マスクは、検査部位として、露光用マスクが透明基板の外側領域に備える製造管理用のバーコードパターン、エッチング量調整用のダミーパターン等を使用したものであってもよい。図１２は、このような露光用マスクの実施形態を示す平面図である。図１２において、露光用マスク３１は、透明基板３２と、この透明基板３２の一方の面３２ａに位置する遮光膜パターンとを備えている。透明基板３２の一方の面３２ａには、主パターン領域３３（鎖線で囲んで示している）と、この主パターン領域３３の周囲に位置する外側領域３４とが画定されている。主パターン領域３３には、遮光膜パターン（図示せず）が位置しており、外側領域３４には、バーコードパターン４１が配設されているとともに、このバーコードパターン４１を使用した検査部位３５が画定されており、この検査部位３５には、成長性異物原因物質が存在する。
【００３３】
このような露光用マスク３１を構成する透明基板３２、主パターン領域３３、主パターン領域３３に位置する遮光膜パターン、外側領域３４は、上述の露光用マスク１１を構成する透明基板１２、主パターン領域１３、主パターン領域１３に位置する遮光膜パターン、外側領域１４と同様とすることができ、ここでの説明は省略する。
【００３４】
図１３は、透明基板３２の外側領域３４に配設されたバーコードパターン４１を使用した検査部位３５を例示する平面図であり、図１４は、図１３に示される検査部位３５のVII−VII線における縦部分断面図である。露光用マスク３１が備えるバーコードパターン４１は、透明基板３２の外側領域３４に位置する遮光層３６（図１３では傾斜鎖線を付して示している）に所望のバーコード形状で透光部４１ｐが形成され、透光部４１ｐ間には遮光層３６からなる遮光部４１ｓが存在する。また、検査部位３５は、このバーコードパターン４１が配設されている領域に画定されており、図１３では二点鎖線で囲んで検査部位３５を示している。この検査部位３５は、透光部３５ｐと遮光部３５ｓからなり、透光部３５ｐでは透明基板３２が露出している。この検査部位３５を構成する透光部３５ｐ、遮光部３５ｓは、それぞれバーコードパターン４１を構成する透光部４１ｐ、遮光部４１ｓを利用したものである。そして、検査部位３５の遮光部３５ｓと透光部３５ｐの双方には、成長性異物原因物質３７が略均一に存在している。この検査部位３５に存在する成長性異物原因物質３７は、上述の露光用マスク１１を構成する検査部位１５に存在する成長性異物原因物質１７と同様とすることができ、ここでの説明は省略する。
【００３５】
上記の例では、露光用マスク３１が備えるバーコードパターン４１に１個の検査部位３５が画定されているが、バーコードパターン４１が配設されている領域に複数の検査部位３５が画定されたものであってもよい。この場合、個々の検査部位３５相互において、成長性異物原因物質３７の濃度が異なるようにすることができる。この場合の成長性異物原因物質３７の濃度は、例えば、０．２〜１００ｎｇ／ｃｍ2程度の範囲で、成長性異物原因物質３７の種類等を考慮して適宜設定することができる。
上述の露光用マスクの実施形態は例示であり、本発明の露光用マスクは、これらの実施形態に限定されるものではない。
【００３６】
このような本発明の露光用マスクを管理する本発明の露光用マスク管理方法では、露光用マスクの検査部位に成長性異物原因物質が存在するので、露光用マスク毎に、検査部位に生じる成長性異物の大きさを継続的、定量的に容易に把握することができる。これにより、露光用マスクの使用によって生じる成長性異物の大きさに基づいて、露光用マスク毎に、洗浄時期、洗浄強度、使用限界を判断することができる。尚、成長性異物の大きさの把握は、光学顕微鏡、マスク検査機等を用いて行うことができる。
【００３７】
本発明の露光用マスク管理方法では、成長性異物の大きさが所定の大きさに達しているか否かにより、洗浄時期を判断する。そして、露光用マスクの洗浄強度の管理では、成長性異物の大きさが、露光用マスクの洗浄が必要とされる大きさに達したとしても、未だ重大な欠陥等を生じる大きさに至っていない段階では、洗浄強度を最適な条件、すなわち、遮光膜パターンに損傷を与えないような緩やかな条件に設定する。また、洗浄を行わず露光用マスクの使用を継続した場合、成長性異物の大きさが所定の大きさに達しているか否かにより、使用限界を判断する。
【００３８】
また、本発明の露光用マスク管理方法では、検査部位に生じる成長性異物の大きさを継続的に把握することにより、遮光膜パターンにおける成長性異物の成長を予測することができるので、露光用マスクの管理が容易、確実なものとなる。特に、露光用マスクが複数の検査部位を備え、検査部位相互において、成長性異物原因物質からの成長性異物の発生の程度が異なる場合、成長性異物の発生が促進されているような検査部位における成長性異物の大きさを継続的に把握することにより成長性異物の成長を予測し、これにより遮光膜パターンにおける成長性異物の成長をより確実に予測することができる。また、例えば、成長性異物の発生が促進されているような検査部位における成長性異物の大きさが急激に拡大するような場合、露光機内等の雰囲気に異常が発生しているおそれもある。このような場合、装置等の点検、管理を行うことにより、露光用マスクにおける成長性異物の異常な発生を防止することができる。また、所定の検査部位における成長性異物の大きさに基づいた洗浄時期の管理を行うことができる。すなわち、まず、成長性異物の発生の程度が高い検査部位を用いて洗浄時期を判断し、洗浄を行い、この洗浄時期が適切であるか検討を行う。洗浄時期が早いようであれば、次の洗浄においては、成長性異物の発生の程度がより低い検査部位を用いて洗浄時期を判断し、洗浄を行う。一方、最初に洗浄時期を判断する検査部位における成長性異物の発生の程度が、主パターン領域の遮光膜パターンにおける成長性異物の発生の程度よりも低く、このため、洗浄時期が遅いと判断された場合には、成長性異物の発生の程度がより高い検査部位を用いて洗浄時期を判断し、洗浄を行う。このようにすることで、成長性異物の発生の程度が、主パターン領域の遮光膜パターンにより近似した検査部位を選択することができ、より正確に洗浄時期を管理することができる。
【００３９】
また、本発明の露光用マスク管理方法では、露光用マスクが検査部位を備えているので、露光用マスクとは別に成長性異物の発生を把握するための専用基板は不要である。さらに、通常の露光工程とは別に、検査部位を露光するための露光工程を設けることも不要である。これにより、本発明の露光用マスク管理方法では、管理コストを抑えることができる。
さらに、本発明の露光用マスク管理方法では、露光用マスクの検査部位として、露光用マスクが透明基板の外側領域に備えるバーコードパターン、ダミーパターン等を使用することにより、製造管理に露光用マスクの管理を組み込むことが可能となる。
【００４０】
また、露光用マスクの使用者と製造者とが異なり、例えば、使用した露光用マスクを製造者において洗浄したり、ペリクルの貼り替えを行う場合、製造者は検査部位に発生している成長性異物の大きさから、露光用マスクの使用劣化を定量的に判断することができる。これにより、例えば、露光用マスクの洗浄強度を最適な条件に設定する等の管理が可能となる。
このような本発明の露光用マスク管理方法により、半導体デバイス等の製造ラインの歩留りや生産効率を改善することができ、また、露光用マスクの欠陥に起因する基板廃棄等を低減することができる。さらに、個々の露光用マスク毎の成長性異物の発生をモニターできるので、個別の露光用マスクについて、成長性異物の発生による汚染がないことを保証することができる。
【産業上の利用可能性】
【００４１】
露光用マスクを介した露光により所望のパターンを形成する工程を有する種々の製造分野において有用である。
【符号の説明】
【００４２】
１１，２１，３１…露光用マスク
１２，２２，３２…透明基板
１３，２３，３３…主パターン領域
１４，２４，３４…外側領域
１５，２５，３５…検査部位
１５ｐ、３５ｐ…透光部
１５ｓ、３５ｓ…遮光部
１６，３６…遮光層
１７，３７…成長性異物原因物質
２８，２８′…枠体
２９…ペリクル
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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