(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に複数の分割予定ラインが格子状に形成されているとともに該複数の分割予定ラインによって区画された複数の領域に表面にバンプを備えたデバイスが形成されたウエーハの加工方法であって、
第１の厚みを有する切削ブレードによってウエーハの表面側から分割予定ラインに沿ってデバイスの仕上がり厚さに相当する深さの切削溝を形成する切削溝形成工程と、
該切削溝形成工程が実施されたウエーハの表面にモールド樹脂を敷設するとともに該切削溝にモールド樹脂を埋設するモールディング工程と、
該モールディング工程が実施されたウエーハの表面に敷設されたモールド樹脂の外周部を環状に除去して該切削溝を表出させ該切削溝に埋設されたモールド樹脂をウエーハの表面に露出させるモールド樹脂除去工程と、
該モールド樹脂除去工程が実施されウエーハの外周部に露出された該切削溝に埋設されたモールド樹脂を検出し、該第１の厚みより薄い第２の厚みを有する切削ブレードをモールド樹脂の幅方向中央に位置付け、切削ブレードによってモールド樹脂を該切削溝に沿って切削する切削工程と、を含み、
該モールディング工程では、該バンプが露出するようにウエーハの表面にモールド樹脂を被覆して、該モールド樹脂除去工程を実施する前に該モールド樹脂で被覆されたウエーハの表面に該バンプが露出した状態とするか、又は、該モールディング工程において、該バンプがモールド樹脂によって被覆される場合は、デバイスの表面に形成された該バンプを露出させるバンプ露出工程を実施して、該モールド樹脂除去工程を実施する前に該モールド樹脂で被覆されたウエーハの表面に該バンプが露出した状態とするウエーハ加工方法。
【請求項２】
該モールド樹脂除去工程を実施した後に、ウエーハの表面に敷設されたモールド樹脂の表面に保護部材を貼着する保護部材貼着工程と、ウエーハの裏面を研削してデバイスの仕上がり厚さに形成する裏面研削工程と、ウエーハの裏面にサポート部材を貼着するとともにウエーハの表面に敷設されたモールド樹脂の表面に貼着されている保護部材を剥離するサポート部材貼着工程とを実施し、該切削工程は該サポート部材貼着工程を実施した後に実施する、請求項１記載のウエーハの加工方法。
【請求項３】
該モールディング工程を実施した後に、ウエーハの表面に敷設されたモールド樹脂の表面に保護部材を貼着する保護部材貼着工程と、ウエーハの裏面を研削してデバイスの仕上がり厚さに形成する裏面研削工程と、ウエーハの裏面にサポート部材を貼着するとともにウエーハの表面に敷設されたモールド樹脂の表面に貼着されている保護部材を剥離するサポート部材貼着工程とを実施し、その後に該モールド樹脂除去工程と該切削工程を実施する、請求項１記載のウエーハの加工方法。
【請求項４】
該モールド樹脂除去工程を実施した後に、該切削工程において該切削溝の底面に達する切断溝を形成し、その後にウエーハの表面に敷設されたモールド樹脂の表面に保護部材を貼着する保護部材貼着工程と、ウエーハの裏面を研削してデバイスの仕上がり厚さに形成してウエーハを個々のデバイスに分割する裏面研削工程と、ウエーハの裏面にサポート部材を貼着するとともにウエーハの表面に敷設されたモールド樹脂の表面に貼着されている保護部材を剥離するサポート部材貼着工程を実施する、請求項１記載のウエーハの加工方法。
【請求項５】
表面に複数の分割予定ラインが格子状に形成されているとともに該複数の分割予定ラインによって区画された複数の領域に表面にバンプを備えたデバイスが形成されたウエーハの加工方法であって、
第１の厚みを有する切削ブレードによってウエーハの表面側から分割予定ラインに沿ってデバイスの仕上がり厚さに相当する深さの切削溝を形成する切削溝形成工程と、
該切削溝形成工程が実施されたウエーハの表面にモールド樹脂を敷設するとともに該切削溝にモールド樹脂を埋設するモールディング工程と、
該モールディング工程が実施されたウエーハの表面に敷設されたモールド樹脂の外周部を環状に除去して該切削溝を表出させ該切削溝に埋設されたモールド樹脂をウエーハの表面に露出させるモールド樹脂除去工程と、
該モールド樹脂除去工程が実施されウエーハの外周部に露出された該切削溝に埋設されたモールド樹脂を検出し、該第１の厚みより薄い第２の厚みを有する切削ブレードをモールド樹脂の幅方向中央に位置付け、切削ブレードによってモールド樹脂を該切削溝に沿って切削する切削工程と、を含み、
該モールディング工程を実施した後に、ウエーハの表面に敷設されたモールド樹脂の表面に保護部材を貼着する保護部材貼着工程と、ウエーハの裏面を研削してデバイスの仕上がり厚さに形成するとともに該切削溝を表出させ該切削溝に埋設されたモールド樹脂をウエーハの裏面に露出させる裏面研削工程と、該第１の厚みより薄い第２の厚みを有する切削ブレードによってウエーハの裏面側から該切削溝に埋設されたモールド樹脂を略半分の深さで切削してハーフカット溝を形成するハーフカット溝形成工程と、ウエーハの裏面にサポート部材を貼着するとともにウエーハの表面に敷設されたモールド樹脂の表面に貼着されている保護部材を剥離するサポート部材貼着工程とを実施し、その後に該モールド樹脂除去工程と該切削工程を実施する、請求項１記載のウエーハの加工方法。
【請求項６】
表面に複数の分割予定ラインが格子状に形成されているとともに該複数の分割予定ラインによって区画された複数の領域に表面にバンプを備えたデバイスが形成されたウエーハの加工方法であって、
第１の厚みを有する切削ブレードによってウエーハの表面側から分割予定ラインに沿ってデバイスの仕上がり厚さに相当する深さの切削溝を形成する切削溝形成工程と、
該切削溝形成工程が実施されたウエーハの表面にモールド樹脂を敷設するとともに該切削溝にモールド樹脂を埋設するモールディング工程と、
該モールディング工程が実施されたウエーハの表面に敷設されたモールド樹脂の外周部を環状に除去して該切削溝を表出させ該切削溝に埋設されたモールド樹脂をウエーハの表面に露出させるモールド樹脂除去工程と、
該モールド樹脂除去工程が実施されウエーハの外周部に露出された該切削溝に埋設されたモールド樹脂を検出し、該第１の厚みより薄い第２の厚みを有する切削ブレードをモールド樹脂の幅方向中央に位置付け、切削ブレードによってモールド樹脂を該切削溝に沿って切削する切削工程と、を含み、
該モールド樹脂除去工程を実施した後に、ウエーハの表面に敷設されたモールド樹脂の表面に保護部材を貼着する保護部材貼着工程と、ウエーハの裏面を研削してデバイスの仕上がり厚さに形成するとともに該切削溝を表出させ該切削溝に埋設されたモールド樹脂をウエーハの裏面に露出させる裏面研削工程と、該第１の厚みより薄い第２の厚みを有する切削ブレードによってウエーハの裏面側から該切削溝に埋設されたモールド樹脂を略半分の深さで切削してハーフカット溝を形成するハーフカット溝形成工程と、ウエーハの裏面にサポート部材を貼着するとともにウエーハの表面に敷設されたモールド樹脂の表面に貼着されている保護部材を剥離するサポート部材貼着工程とを実施し、その後に該切削工程を実施する、請求項１記載のウエーハの加工方法。
【請求項７】
表面に複数の分割予定ラインが格子状に形成されているとともに該複数の分割予定ラインによって区画された複数の領域に表面にバンプを備えたデバイスが形成されたウエーハの加工方法であって、
第１の厚みを有する切削ブレードによってウエーハの表面側から分割予定ラインに沿ってデバイスの仕上がり厚さに相当する深さの切削溝を形成する切削溝形成工程と、
該切削溝形成工程が実施されたウエーハの表面にモールド樹脂を敷設するとともに該切削溝にモールド樹脂を埋設するモールディング工程と、
該モールディング工程が実施されたウエーハの表面に敷設されたモールド樹脂の外周部を環状に除去して該切削溝を表出させ該切削溝に埋設されたモールド樹脂をウエーハの表面に露出させるモールド樹脂除去工程と、
該モールド樹脂除去工程が実施されウエーハの外周部に露出された該切削溝に埋設されたモールド樹脂を検出し、該第１の厚みより薄い第２の厚みを有する切削ブレードをモールド樹脂の幅方向中央に位置付け、切削ブレードによってモールド樹脂を該切削溝に沿って切削する切削工程と、を含み、
該モールド樹脂除去工程を実施した後に、該切削工程において該切削溝に埋設されたモールド樹脂の略半分の深さのハーフカット溝を形成し、その後にウエーハの表面に敷設されたモールド樹脂の表面に保護部材を貼着する保護部材貼着工程と、ウエーハの裏面を研削してデバイスの仕上がり厚さに形成するとともに該切削溝を表出させ該切削溝に埋設されたモールド樹脂をウエーハの裏面に露出させる裏面研削工程と、該第１の厚みより薄い第２の厚みを有する切削ブレードによってウエーハの裏面側から該切削溝に埋設された残存するモールド樹脂を完全に切削して個々のデバイスに分割する分割工程と、ウエーハの裏面にサポート部材を貼着するとともにウエーハの表面に敷設されたモールド樹脂の表面に貼着されている保護部材を剥離するサポート部材貼着工程とを実施する、請求項１記載のウエーハの加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表面に複数の分割予定ラインが格子状に形成されているとともに該複数の分割予定ラインによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたウエーハを、分割予定ラインに沿って個々のデバイスに分割するとともに個々のデバイスを樹脂で被覆するウエーハの加工方法に関する
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイス製造工程においては、略円板形状である半導体ウエーハの表面に格子状に配列された分割予定ラインによって複数の領域が区画され、この区画された領域にＩＣ、ＬＳＩ等のデバイスを形成する。このように形成された半導体ウエーハを分割予定ラインに沿って切断することにより、デバイスが形成された領域を分割して個々のデバイスを製造している。
【０００３】
近年、ウエーハを個々のデバイスに分割するとともに、個々のデバイスを樹脂で被覆するパッケージ技術が開発されている。このパッケージ技術の一つであるウエーハレベルチップサイズパッケージ（WLCSP）と呼ばれるパッケージ技術が下記特許文献１に開示されている。
【０００４】
下記特許文献１に開示されたパッケージ技術は、ウエーハの裏面に樹脂を被覆し、ウエーハの表面から分割予定ラインに沿って樹脂に達する切削溝を形成し、ウエーハの表面にモールド樹脂を敷設して各デバイスを被覆するとともに切削溝にモールド樹脂を埋設した後、切削溝の幅より薄い厚みの切削ブレードによって切削溝に充填されたモールド樹脂を切断することにより、個々のウエーハレベルチップサイズパッケージ（WLCSP）に分割する。
【０００５】
また、ウエーハレベルチップサイズパッケージ（WLCSP）を製造するウエーハの加工方法として次の技術が開発されている。
（１）ウエーハの表面側から分割予定ラインに沿ってデバイスの仕上がり厚さに相当する深さの切削溝を形成する。
（２）ウエーハの表面にモールド樹脂を敷設するとともに切削溝にモールド樹脂を埋設する。
（３）ウエーハの表面に敷設されたモールド樹脂の表面に保護部材を貼着しウエーハの裏面を研削して切削溝を表出させる。
（４）ウエーハの裏面をダイシングテープに貼着し、切削溝の幅より薄い厚みの切削ブレードによって切削溝に埋設されたモールド樹脂を切断することにより、個々のウエーハレベルチップサイズパッケージ（WLCSP）に分割する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００６−１００５３５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかるに、上述したいずれの加工方法においても、切削ブレードによって切削溝に埋設されたモールド樹脂を切断する際、ウエーハの表面にはモールド樹脂が敷設されているため、デバイスに形成されモールド樹脂の表面から露出されている突起電極であるバンプを基準として分割予定ラインに形成された切削溝を間接的に切削ブレードを位置付けているが、バンプと分割予定ラインとが必ずしも正確な位置関係なっていないことに起因して切削ブレードが分割予定ラインに形成された切削溝から外れてウエーハレベルチップサイズパッケージ（WLCSP）を構成するデバイスの側面に傷をつけるという問題がある。
【０００８】
本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術課題は、品質が良好なウエーハレベルチップサイズパッケージ（WLCSP）を得ることができるウエーハの加工方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記主たる技術課題を解決するため、本発明による第１の発明においては、表面に複数の分割予定ラインが格子状に形成されているとともに該複数の分割予定ラインによって区画された複数の領域に表面にバンプを備えたデバイスが形成されたウエーハの加工方法であって、
第１の厚みを有する切削ブレードによってウエーハの表面側から分割予定ラインに沿ってデバイスの仕上がり厚さに相当する深さの切削溝を形成する切削溝形成工程と、
該切削溝形成工程が実施されたウエーハの表面にモールド樹脂を敷設するとともに該切削溝にモールド樹脂を埋設するモールディング工程と、
該モールディング工程が実施されたウエーハの表面に敷設されたモールド樹脂の外周部を環状に除去して該切削溝を表出させ該切削溝に埋設されたモールド樹脂をウエーハの表面に露出させるモールド樹脂除去工程と、
該モールド樹脂除去工程が実施されウエーハの外周部に露出された該切削溝に埋設されたモールド樹脂を検出し、該第１の厚みより薄い第２の厚みを有する切削ブレードをモールド樹脂の幅方向中央に位置付け、切削ブレードによってモールド樹脂を該切削溝に沿って切削する切削工程と、を含み、
該モールディング工程では、該バンプが露出するようにウエーハの表面にモールド樹脂を被覆して、該モールド樹脂除去工程を実施する前に該モールド樹脂で被覆されたウエーハの表面に該バンプが露出した状態とするか、又は、該モールディング工程において、該バンプがモールド樹脂によって被覆される場合は、デバイスの表面に形成された該バンプを露出させるバンプ露出工程を実施して、該モールド樹脂除去工程を実施する前に該モールド樹脂で被覆されたウエーハの表面に該バンプが露出した状態とするウエーハの加工方法が提供される。
【００１０】
本発明による第２の発明においては、上記モールド樹脂除去工程を実施した後に、ウエーハの表面に敷設されたモールド樹脂の表面に保護部材を貼着する保護部材貼着工程と、ウエーハの裏面を研削してデバイスの仕上がり厚さに形成する裏面研削工程と、ウエーハの裏面にサポート部材を貼着するとともにウエーハの表面に敷設されたモールド樹脂の表面に貼着されている保護部材を剥離するサポート部材貼着工程とを実施し、上記切削工程はサポート部材貼着工程を実施した後に実施する。
【００１１】
本発明による第３の発明においては、上記モールディング工程を実施した後に、ウエーハの表面に敷設されたモールド樹脂の表面に保護部材を貼着する保護部材貼着工程と、ウエーハの裏面を研削してデバイスの仕上がり厚さに形成する裏面研削工程と、ウエーハの裏面にサポート部材を貼着するとともにウエーハの表面に敷設されたモールド樹脂の表面に貼着されている保護部材を剥離するサポート部材貼着工程とを実施し、その後に上記モールド樹脂除去工程と上記切削工程を実施する。
【００１２】
本発明による第４の発明においては、上記モールド樹脂除去工程を実施した後に、上記切削工程において切削溝の底面に達する切断溝を形成し、その後にウエーハの表面に敷設されたモールド樹脂の表面に保護部材を貼着する保護部材貼着工程と、ウエーハの裏面を研削してデバイスの仕上がり厚さに形成してウエーハを個々のデバイスに分割する裏面研削工程と、ウエーハの裏面にサポート部材を貼着するとともにウエーハの表面に敷設されたモールド樹脂の表面に貼着されている保護部材を剥離するサポート部材貼着工程を実施する。
【００１３】
本発明による第５の発明においては、表面に複数の分割予定ラインが格子状に形成されているとともに該複数の分割予定ラインによって区画された複数の領域に表面にバンプを備えたデバイスが形成されたウエーハの加工方法であって、第１の厚みを有する切削ブレードによってウエーハの表面側から分割予定ラインに沿ってデバイスの仕上がり厚さに相当する深さの切削溝を形成する切削溝形成工程と、該切削溝形成工程が実施されたウエーハの表面にモールド樹脂を敷設するとともに該切削溝にモールド樹脂を埋設するモールディング工程と、該モールディング工程が実施されたウエーハの表面に敷設されたモールド樹脂の外周部を環状に除去して該切削溝を表出させ該切削溝に埋設されたモールド樹脂をウエーハの表面に露出させるモールド樹脂除去工程と、該モールド樹脂除去工程が実施されウエーハの外周部に露出された該切削溝に埋設されたモールド樹脂を検出し、該第１の厚みより薄い第２の厚みを有する切削ブレードをモールド樹脂の幅方向中央に位置付け、切削ブレードによってモールド樹脂を該切削溝に沿って切削する切削工程と、を含み、該モールディング工程を実施した後に、ウエーハの表面に敷設されたモールド樹脂の表面に保護部材を貼着する保護部材貼着工程と、ウエーハの裏面を研削してデバイスの仕上がり厚さに形成するとともに切削溝を表出させ切削溝に埋設されたモールド樹脂をウエーハの裏面に露出させる裏面研削工程と、上記第１の厚みより薄い第２の厚みを有する切削ブレードによってウエーハの裏面側から切削溝に埋設されたモールド樹脂を略半分の深さで切削してハーフカット溝を形成するハーフカット溝形成工程と、ウエーハの裏面にサポート部材を貼着するとともにウエーハの表面に敷設されたモールド樹脂の表面に貼着されている保護部材を剥離するサポート部材貼着工程とを実施し、その後に上記モールド樹脂除去工程と上記切削工程を実施する。
【００１４】
本発明による第６の発明において、表面に複数の分割予定ラインが格子状に形成されているとともに該複数の分割予定ラインによって区画された複数の領域に表面にバンプを備えたデバイスが形成されたウエーハの加工方法であって、第１の厚みを有する切削ブレードによってウエーハの表面側から分割予定ラインに沿ってデバイスの仕上がり厚さに相当する深さの切削溝を形成する切削溝形成工程と、該切削溝形成工程が実施されたウエーハの表面にモールド樹脂を敷設するとともに該切削溝にモールド樹脂を埋設するモールディング工程と、該モールディング工程が実施されたウエーハの表面に敷設されたモールド樹脂の外周部を環状に除去して該切削溝を表出させ該切削溝に埋設されたモールド樹脂をウエーハの表面に露出させるモールド樹脂除去工程と、該モールド樹脂除去工程が実施されウエーハの外周部に露出された該切削溝に埋設されたモールド樹脂を検出し、該第１の厚みより薄い第２の厚みを有する切削ブレードをモールド樹脂の幅方向中央に位置付け、切削ブレードによってモールド樹脂を該切削溝に沿って切削する切削工程と、を含み、該モールド樹脂除去工程を実施した後に、ウエーハの表面に敷設されたモールド樹脂の表面に保護部材を貼着する保護部材貼着工程と、ウエーハの裏面を研削してデバイスの仕上がり厚さに形成するとともに切削溝を表出させ切削溝に埋設されたモールド樹脂をウエーハの裏面に露出させる裏面研削工程と、上記第１の厚みより薄い第２の厚みを有する切削ブレードによってウエーハの裏面側から切削溝に埋設されたモールド樹脂を略半分の深さで切削してハーフカット溝を形成するハーフカット溝形成工程と、ウエーハの裏面にサポート部材を貼着するとともにウエーハの表面に敷設されたモールド樹脂の表面に貼着されている保護部材を剥離するサポート部材貼着工程とを実施し、その後に上記切削工程を実施する。
【００１５】
本発明による第７の発明においては、表面に複数の分割予定ラインが格子状に形成されているとともに該複数の分割予定ラインによって区画された複数の領域に表面にバンプを備えたデバイスが形成されたウエーハの加工方法であって、第１の厚みを有する切削ブレードによってウエーハの表面側から分割予定ラインに沿ってデバイスの仕上がり厚さに相当する深さの切削溝を形成する切削溝形成工程と、該切削溝形成工程が実施されたウエーハの表面にモールド樹脂を敷設するとともに該切削溝にモールド樹脂を埋設するモールディング工程と、該モールディング工程が実施されたウエーハの表面に敷設されたモールド樹脂の外周部を環状に除去して該切削溝を表出させ該切削溝に埋設されたモールド樹脂をウエーハの表面に露出させるモールド樹脂除去工程と、該モールド樹脂除去工程が実施されウエーハの外周部に露出された該切削溝に埋設されたモールド樹脂を検出し、該第１の厚みより薄い第２の厚みを有する切削ブレードをモールド樹脂の幅方向中央に位置付け、切削ブレードによってモールド樹脂を該切削溝に沿って切削する切削工程と、を含み、該モールド樹脂除去工程を実施した後に、上記切削工程において切削溝に埋設されたモールド樹脂の略半分の深さのハーフカット溝を形成し、その後にウエーハの表面に敷設されたモールド樹脂の表面に保護部材を貼着する保護部材貼着工程と、ウエーハの裏面を研削してデバイスの仕上がり厚さに形成するとともに切削溝を表出させ切削溝に埋設されたモールド樹脂をウエーハの裏面に露出させる裏面研削工程と、上記第１の厚みより薄い第２の厚みを有する切削ブレードによってウエーハの裏面側から切削溝に埋設された残存するモールド樹脂を完全に切削して個々のデバイスに分割する分割工程と、ウエーハの裏面にサポート部材を貼着するとともにウエーハの表面に敷設されたモールド樹脂の表面に貼着されている保護部材を剥離するサポート部材貼着工程とを実施する。
【発明の効果】
【００１６】
本発明におけるウエーハの加工方法は、表面に複数の分割予定ラインが格子状に形成されているとともに該複数の分割予定ラインによって区画された複数の領域に表面にバンプを備えたデバイスが形成されたウエーハの加工方法であって、第１の厚みを有する切削ブレードによってウエーハの表面側から分割予定ラインに沿ってデバイスの仕上がり厚さに相当する深さの切削溝を形成する切削溝形成工程と、該切削溝形成工程が実施されたウエーハの表面にモールド樹脂を敷設するとともに該切削溝にモールド樹脂を埋設するモールディング工程と、該モールディング工程が実施されたウエーハの表面に敷設されたモールド樹脂の外周を環状に除去して該切削溝を表出させ該切削溝に埋設されたモールド樹脂をウエーハの表面に露出させるモールド樹脂除去工程と、該モールド樹脂除去工程が実施されウエーハの外周部に露出された該切削溝に埋設されたモールド樹脂を検出し、該第１の厚みより薄い第２の厚みを有する切削ブレードをモールド樹脂の幅方向中央に位置付け、切削ブレードによってモールド樹脂を該切削溝に沿って切削する切削工程とを含み、該モールディング工程では、該バンプが露出するようにウエーハの表面にモールド樹脂を被覆して、該モールド樹脂除去工程を実施する前に該モールド樹脂で被覆されたウエーハの表面に該バンプが露出した状態とするか、又は、該モールディング工程において、該バンプがモールド樹脂によって被覆される場合は、デバイスの表面に形成された該バンプを露出させるバンプ露出工程を実施して、該モールド樹脂除去工程を実施する前に該モールド樹脂で被覆されたウエーハの表面に該バンプが露出した状態とするものであるので、切削工程は、ウエーハの外周部表面に露出された切削溝に埋設されたモールド樹脂の幅方向中央に切削ブレードを位置付けて実施するため、ウエーハの表面にモールド樹脂が敷設されていても切削溝に埋設されたモールド樹脂の幅方向中央を切削ブレードによってモールド樹脂が埋設された切削溝に沿って正確に切削することができ、デバイスの側面に傷を付けるという問題が解消される。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明によるウエーハの加工方法によって分割されるウエーハとしての半導体ウエーハの斜視図。
【図２】本発明によるウエーハの加工方法における切削溝形成工程を実施するための切削装置の要部斜視図。
【図３】本発明によるウエーハの加工方法における切削溝形成工程の説明図。
【図４】本発明によるウエーハの加工方法におけるモールディング工程の説明図。
【図５】本発明によるウエーハの加工方法におけるバンプ露出工程を示す説明図。
【図６】本発明によるウエーハの加工方法におけるモールド樹脂除去工程を実施するための切削装置の要部斜視図。
【図７】本発明によるウエーハの加工方法の第１の実施形態におけるモールド樹脂除去工程が実施された半導体ウエーハの斜視図。
【図８】本発明によるウエーハの加工方法の第１の実施形態における保護部材貼着工程の説明図。
【図９】本発明によるウエーハの加工方法の第１の実施形態における裏面研削工程の説明図。
【図１０】本発明によるウエーハの加工方法の第１の実施形態におけるサポート部材貼着工程の説明図。
【図１１】本発明によるウエーハの加工方法における切削工程を実施するための切削装置の要部斜視図。
【図１２】本発明によるウエーハの加工方法の第１の実施形態における切削工程の説明図。
【図１３】本発明によるウエーハの加工方法によって個々に分割されたデバイスの斜視図。
【図１４】本発明によるウエーハの加工方法の第２の実施形態における保護部材貼着工程の説明図。
【図１５】本発明によるウエーハの加工方法の第２に実施形態における裏面研削工程が実施された半導体ウエーハの裏面側からみた斜視図および要部拡大断面図。
【図１６】本発明によるウエーハの加工方法の第２の実施形態におけるサポート部材貼着工程の説明図。
【図１７】本発明によるウエーハの加工方法の第２の実施形態におけるモールド樹脂除去工程の説明図。
【図１８】本発明によるウエーハの加工方法の第３の実施形態における切削工程の説明図。
【図１９】本発明によるウエーハの加工方法の第３の実施形態における保護部材貼着工程の説明図。
【図２０】本発明によるウエーハの加工方法の第３の実施形態における裏面研削工程が実施された半導体ウエーハの裏面側からみた斜視図および要部拡大断面図。
【図２１】本発明によるウエーハの加工方法の第３の実施形態におけるサポート部材貼着工程の説明図。
【図２２】本発明によるウエーハの加工方法の第４の実施形態におけるハーフカット溝形成工程の説明図。
【図２３】本発明によるウエーハの加工方法の第４の実施形態におけるサポート部材貼着工程の説明図。
【図２４】本発明によるウエーハの加工方法の第４の実施形態におけるモールド樹脂除去工程が実施された半導体ウエーハの斜視図。
【図２５】本発明によるウエーハの加工方法の第４の実施形態における切削工程の説明図。
【図２６】本発明によるウエーハの加工方法の第６の実施形態における切削工程の説明図。
【図２７】本発明によるウエーハの加工方法の第６の実施形態における分割工程の説明図。
【図２８】本発明によるウエーハの加工方法の第６の実施形態におけるサポート部材貼着工程の説明図。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本発明によるウエーハの加工方法の好適な実施形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。
【００１９】
図１には、本発明に従って加工されるウエーハとしての半導体ウエーハの斜視図が示されている。図１に示す半導体ウエーハ２は、厚みが例えば６００μｍのシリコンウエーハからなっており、表面２ａに複数の分割予定ライン２１が格子状に形成されているとともに、該複数の分割予定ライン２１によって区画された複数の領域にＩＣ、ＬＳＩ等のデバイス２２が形成されている。この各デバイス２２は、全て同一の構成をしている。デバイス２２の表面にはそれぞれ複数の突起電極であるバンプ２３が形成されている。以下、この半導体ウエーハ２を分割予定ライン２１に沿って個々のデバイス２２に分割するとともに個々のデバイスを樹脂で被覆するウエーハの加工方法について説明する。
【００２０】
先ず、第１の厚みを有する切削ブレードによって半導体ウエーハ２の表面側から分割予定ライン２１に沿ってデバイスの仕上がり厚さに相当する深さの切削溝を形成する切削溝形成工程を実施する。この切削溝形成工程は、図示の実施形態においては図２に示す切削装置３を用いて実施する。図２に示す切削装置３は、被加工物を保持するチャックテーブル３１と、該チャックテーブル３１に保持された被加工物を切削する切削手段３２と、該チャックテーブル３１に保持された被加工物を撮像する撮像手段３３を具備している。チャックテーブル３１は、被加工物を吸引保持するように構成されており、図示しない切削送り手段によって図２において矢印Ｘで示す切削送り方向に移動せしめられるとともに、図示しない割り出し送り手段によって矢印Ｙで示す割り出し送り方向に移動せしめられるようになっている。また、チャックテーブル３１は、図示しない回動機構によって適宜回転せしめられるように構成されている。
【００２１】
上記切削手段３２は、実質上水平に配置されたスピンドルハウジング３２１と、該スピンドルハウジング３２１に回転自在に支持された回転スピンドル３２２と、該回転スピンドル３２２の先端部に装着された環状の切れ刃３２３ａを備えた切削ブレード３２３を含んでおり、回転スピンドル３２２がスピンドルハウジング３２１内に配設された図示しないサーボモータによって矢印３２２ａで示す方向に回転せしめられるようになっている。なお、切削ブレード３２３の環状の切れ刃３２３ａは、図示の実施形態においては第１の厚みである５０μｍに設定されている。上記撮像手段３３は、顕微鏡やＣＣＤカメラ等の光学手段からなっており、撮像した画像信号を図示しない制御手段に送る。
【００２２】
上述した切削装置３を用いて切削溝形成工程を実施するには、図２に示すようにチャックテーブル３１上に半導体ウエーハ２の裏面２ｂ側を載置し、図示しない吸引手段を作動することにより半導体ウエーハ２をチャックテーブル３１上に吸引保持する。従って、チャックテーブル３１に保持された半導体ウエーハ２は、表面２ａが上側となる。このようにして、半導体ウエーハ２を吸引保持したチャックテーブル３１は、図示しない切削送り手段によって撮像手段３３の直下に位置付けられる。
【００２３】
チャックテーブル３１が撮像手段３３の直下に位置付けられると、撮像手段３３および図示しない制御手段によって半導体ウエーハ２の分割予定ライン２１に沿って分割溝を形成すべき切削領域を検出するアライメント作業を実行する。即ち、撮像手段３３および図示しない制御手段は、半導体ウエーハ２の所定方向に形成されている分割予定ライン２１と、切削ブレード３２３との位置合わせを行うためのパターンマッチング等の画像処理を実行し、切削領域のアライメントを遂行する（アライメント工程）。また、半導体ウエーハ２に形成されている上記所定方向に対して直交する方向に延びる分割予定ライン２１に対しても、同様に切削領域のアライメントが遂行される。
【００２４】
以上のようにしてチャックテーブル３１上に保持されている半導体ウエーハ２の切削領域を検出するアライメントが行われたならば、半導体ウエーハ２を保持したチャックテーブル３１を切削加工領域の切削開始位置に移動する。このとき、図３の（ａ）で示すように半導体ウエーハ２は分割予定ライン２１の一端（図３の（ａ）において左端）が切削ブレード３２３の環状の切れ刃３２３ａの直下より所定量右側に位置するように位置付けられる。次に、切削ブレード３２３を図３の（ａ）において２点鎖線で示す待機位置から矢印Ｚ１で示すように下方に切り込み送りし、図３の（ａ）において実線で示すように所定の切り込み送り位置に位置付ける。この切り込み送り位置は、図３の（ａ）および図３の（ｃ）に示すように切削ブレード３２３の環状の切れ刃３２３ａの下端が半導体ウエーハ２の表面からデバイスの仕上がり厚さに相当する深さ位置（例えば、２００μｍ）に設定されている。
【００２５】
次に、切削ブレード３２３を図３の（ａ）において矢印３２２ａで示す方向に所定の回転速度で回転せしめ、チャックテーブル３１を図３の（ａ）において矢印Ｘ１で示す方向に所定の切削送り速度で移動せしめる。そして、分割予定ライン２１の他端（図３の（ｂ）において右端）が切削ブレード３２３の環状の切れ刃３２３ａの直下より所定量左側に位置する位置まで達したら、チャックテーブル３１の移動を停止する。このようにチャックテーブル３１を切削送りすることにより、図３の（ｄ）で示すように半導体ウエーハ２には分割予定ライン２１に沿って表面からデバイスの仕上がり厚さに相当する深さ（例えば、２００μｍ）で幅が５０μｍの切削溝２１０が形成される（切削溝形成工程）。
【００２６】
次に、切削ブレード３２３を図３の（ｂ）において矢印Ｚ２で示すように上昇させて２点鎖線で示す待機位置に位置付け、チャックテーブル３１を図３の（ｂ）において矢印Ｘ２で示す方向に移動して、図３の（ａ）に示す位置に戻す。そして、チャックテーブル３１を紙面に垂直な方向（割り出し送り方向）に分割予定ライン２１の間隔に相当する量だけ割り出し送りし、次に切削すべき分割予定ライン２１を切削ブレード３２３と対応する位置に位置付ける。このようにして、次に切削すべき分割予定ライン２１を切削ブレード３２３と対応する位置に位置付けたならば、上述した切削溝形成工程を実施する。そして、上述した切削溝形成工程を半導体ウエーハ２に形成された全ての分割予定ライン２１に実施する。
【００２７】
上述した切削溝形成工程を実施したならば、半導体ウエーハ２の表面にモールド樹脂を敷設するとともに切削溝２１０にモールド樹脂を埋設するモールディング工程を実施する。このモールディング工程は、図４の（ａ）に示すように樹脂被覆装置４の保持テーブル４１の上面である保持面上に上記切削溝形成工程が実施された半導体ウエーハ２の裏面２ｂ側を載置する。そして、図示しない吸引手段を作動することにより、保持テーブル４１の保持面上に半導体ウエーハ２を吸引保持する。従って、保持テーブル４１に保持された半導体ウエーハ２は、表面２ａが上側となる。このようにして、保持テーブル４１上に半導体ウエーハ２を保持したならば、図４の（ａ）に示すように樹脂供給ノズル４２の噴出口４２１を保持テーブル４１上に保持された半導体ウエーハ２の中心部に位置付け、図示しない樹脂供給手段を作動して、樹脂供給ノズル４２の噴出口４２１からモールド樹脂４０を保持テーブル４１上に保持された半導体ウエーハ２の中央領域に所定量滴下する。半導体ウエーハ２の表面２ａの中央領域へ所定量のモールド樹脂４０を滴下したならば、図４の（ｂ）に示すように保持テーブル４１を矢印４１ａで示す方向に所定の回転速度で所定時間回転することにより、図４の（ｂ）および（ｃ）に示すように半導体ウエーハ２の表面２ａにモールド樹脂４０が敷設されるとともに切削溝２１０にモールド樹脂４０が埋設される。なお、モールド樹脂４０は、図示の実施形態においては熱硬化性の液状樹脂（エポキシ系の樹脂）が用いられており、半導体ウエーハ２の表面２ａに敷設されるとともに切削溝２１０に埋設された後、１５０℃程度で加熱することにより硬化せしめられる。
【００２８】
次に、半導体ウエーハ２の表面２ａに敷設されたモールド樹脂４０を研磨して、デバイス２２の表面に形成されたバンプ２３を露出するバンプ露出工程を実施する。このバンプ露出工程は、図５の（ａ）に示す研磨装置５を用いて実施する。図５の（ａ）に示す研磨装置５は、被加工物を保持するチャックテーブル５１と、該チャックテーブル５１に保持された被加工物を研磨する研磨手段５２を具備している。チャックテーブル５１は、上面に被加工物を吸引保持するように構成されており、図示しない回転駆動機構によって図５の（ａ）において矢印５１ａで示す方向に回転せしめられる。研磨手段５２は、スピンドルハウジング５２１と、該スピンドルハウジング５２１に回転自在に支持され図示しない回転駆動機構によって回転せしめられる回転スピンドル５２２と、該回転スピンドル５２２の下端に装着されたマウンター５２３と、該マウンター５２３の下面に取り付けられた研磨工具５２４とを具備している。この研磨工具５２４は、円形状の基台５２５と、該基台５２５の下面に装着された研磨パッド５２６とからなっており、基台５２５がマウンター５２３の下面に締結ボルト５２７によって取り付けられている。なお、研磨パッド５２６は、図示の実施形態においては、フェルトに研磨材としてシリカからなる砥粒が混入されている。
【００２９】
上述した研磨装置５を用いて上記バンプ露出工程を実施するには、図５の（ａ）に示すようにチャックテーブル５１の上面（保持面）に上記モールディング工程が実施された半導体ウエーハ２の裏面２ｂ側を載置する。そして、図示しない吸引手段を作動することによりチャックテーブル５１上に半導体ウエーハ２を吸着保持する（ウエーハ保持工程）。従って、チャックテーブル５１上に保持された半導体ウエーハ２は、表面２ａに敷設されたモールド樹脂４０が上側となる。このようにチャックテーブル５１上に半導体ウエーハ２を吸引保持したならば、チャックテーブル５１を図５の（ａ）において矢印５１ａで示す方向に所定の回転速度で回転しつつ、研磨手段５２の研磨工具５２４を図５の（ａ）において矢印５２４ａで示す方向に所定の回転速度で回転せしめて、図５の（ｂ）に示すように研磨パッド５２６を被加工面である表面２ａに敷設されたモールド樹脂４０の上面に接触せしめ、研磨工具５２４を図５の（ａ）および図５の（ｂ）において矢印５２４ｂで示すように所定の研磨送り速度で下方（チャックテーブル５１の保持面に対し垂直な方向）に所定量研磨送りする。この結果、図５の（ｃ）に示すように表面２ａに敷設されたモールド樹脂４０が研磨され、デバイス２２の表面に形成されたバンプ２３が露出せしめられる。
なお、上記モールディング工程においてバンプ２３を被覆しないで半導体ウエーハ２の表面２ａにモールド樹脂４０を敷設した場合には、上述したバンプ露出工程は必ずしも必要ではない。
【００３０】
上述した切削溝形成工程とモールディング工程およびバンプ露出工程は本発明によるウエーハの加工方法に共通した加工手順である。以下、バンプ露出工程以降の本発明によるウエーハの加工方法の実施形態について説明する。
先ず、バンプ露出工程以降の本発明によるウエーハの加工方法の第１の実施形態について、図６乃至図１３を参照して説明する。
【００３１】
上述したバンプ露出工程を実施したならば、半導体ウエーハ２の表面に敷設されたモールド樹脂４０の外周部を環状に除去して切削溝２１０を表出させ切削溝２１０に埋設されたモールド樹脂４０を半導体ウエーハ２の表面に露出させるモールド樹脂除去工程を実施する。このモールド樹脂除去工程は、図示の実施形態においては図６に示す切削装置３０を用いて実施する。なお、図６に示す切削装置３０は、上記図２に示す切削装置３と切削ブレード３２３の環状の切れ刃３２３ａ以外は同一の構成であるため、同一部材には同一符号を付して説明は省略する。図６に示す切削装置３０における切削ブレード３２３の環状の切れ刃３２３ｂは、厚みが２〜３ｍｍに設定されている。
【００３２】
図６に示す切削装置３０を用いてモールド樹脂除去工程を実施するには、チャックテーブル３１上に上記バンプ露出工程が実施された半導体ウエーハ２の裏面２ｂ側を載置する。そして、図示しない吸引手段を作動することによってチャックテーブル３１上に半導体ウエーハ２を吸引保持する。従って、チャックテーブル３１上に保持された半導体ウエーハ２は、半導体ウエーハ２の表面に敷設されたモールド樹脂４０が上側となる。このようにして、半導体ウエーハ２を吸引保持したチャックテーブル３１は、切削ブレード３２３による切削加工領域に移動され、図６に示すように半導体ウエーハ２の外周部を切削ブレード３２３の直下に位置付ける。
【００３３】
次に、切削ブレード３２３を図６において矢印３２２ａで示す方向に所定の回転速度で回転せしめるとともに矢印Ｚ１で示すように下方に切り込み送りする。この切り込み送り位置は、モールド樹脂４０が敷設された半導体ウエーハ２の表面に達する位置に設定されている。そして、チャックテーブル３１を図６において矢印３１ａで示す方向に１回転させる。この結果、図７に示すように半導体ウエーハ２の表面２ａに敷設されたモールド樹脂４０の外周部が環状に除去されて切削溝２１０が表出されるとともに切削溝２１０に埋設されたモールド樹脂４０は半導体ウエーハ２の表面２ａに露出される。このようにモールド樹脂除去工程を実施して半導体ウエーハ２の表面２ａに敷設されたモールド樹脂４０の外周部を環状に除去し切削溝２１０を表出するとともに切削溝２１０に埋設されたモールド樹脂４０を半導体ウエーハ２の表面２ａに露出させることにより、半導体ウエーハ２の表面２ａに露出された切削溝２１０に埋設されたモールド樹脂４０の所定位置に後述する切削工程を正確に実施することができる。
【００３４】
上述したようにモールド樹脂除去工程を実施したならば、半導体ウエーハ２の表面２ａに敷設されたモールド樹脂４０の表面に保護部材を貼着する保護部材貼着工程を実施する。即ち、図８の（ａ）および（ｂ）に示すように半導体ウエーハ２の表面２ａに敷設されたモールド樹脂４０の表面に保護部材としての保護テープ６を貼着する。なお、保護テープ６は、図示の実施形態においては厚さが１００μｍのポリ塩化ビニル（PVC）からなるシート状基材の表面にアクリル樹脂系の糊が厚さ５μｍ程度塗布されている。
【００３５】
次に、保護部材貼着工程が実施された半導体ウエーハ２の裏面を研削して切削溝２１０を表出させ切削溝２１０に埋設されたモールド樹脂を半導体ウエーハ２の裏面に露出させる裏面研削工程を実施する。この裏面研削工程は、図９に示す研削装置７を用いて実施する。図９の（ａ）に示す研削装置７は、被加工物を保持するチャックテーブル７１と、該チャックテーブル７１に保持された被加工物を研削する研削手段７２を具備している。チャックテーブル７１は、保持面である上面に被加工物を吸引保持するように構成されており、図示しない回転駆動機構によって図９の（ａ）において矢印７１ａで示す方向に回転せしめられる。研削手段７２は、スピンドルハウジング７２１と、該スピンドルハウジング７２１に回転自在に支持され図示しない回転駆動機構によって回転せしめられる回転スピンドル７２２と、該回転スピンドル７２２の下端に装着されたマウンター７２３と、該マウンター７２３の下面に取り付けられた研削ホイール７２４とを具備している。この研削ホイール７２４は、円環状の基台７２５と、該基台７２５の下面に環状に装着された研削砥石７２６とからなっており、基台７２５がマウンター７２３の下面に締結ボルト７２７によって取り付けられている。
【００３６】
上述した研削装置７を用いて上記裏面研削工程を実施するには、図９の（ａ）に示すようにチャックテーブル７１の上面（保持面）に上記保護部材貼着工程が実施された半導体ウエーハ２の保護テープ６側を載置する。そして、図示しない吸引手段を作動することによってチャックテーブル７１上に半導体ウエーハ２を保護テープ６を介して吸引保持する。従って、チャックテーブル７１上に保持された半導体ウエーハ２は、裏面２ｂが上側となる。このようにチャックテーブル７１上に半導体ウエーハ２を保護テープ６を介して吸引保持したならば、チャックテーブル７１を図９の（ａ）において矢印７１ａで示す方向に例えば３００ｒｐｍで回転しつつ、研削手段７２の研削ホイール７２４を図９の（ａ）において矢印７２４ａで示す方向に例えば６０００ｒｐｍで回転して、図９の（ｂ）に示すように研削砥石７２６を被加工面である半導体ウエーハ２の裏面２ｂに接触せしめ、研削ホイール７２４を図９の（ａ）および図９の（ｂ）において矢印７２４ｂで示すように例えば１μｍ／秒の研削送り速度で下方（チャックテーブル７１の保持面に対し垂直な方向）に所定量研削送りする。この結果、半導体ウエーハ２の裏面２ｂが研削され、図９の（ｃ）で示すように切削溝２１０が半導体ウエーハ２の裏面２ｂに表出し、切削溝２１０に埋設されたモールド樹脂４０が半導体ウエーハ２の裏面２ｂに露出せしめられる。
【００３７】
上述した裏面研削工程を実施したならば、半導体ウエーハ２の裏面にサポート部材を貼着するとともに半導体ウエーハ２の表面に敷設されたモールド樹脂４０の表面に貼着されている保護部材としての保護テープ６を剥離するサポート部材貼着工程を実施する。即ち、図１０に示すように、環状のフレームＦの内側開口部を覆うように外周部が装着されたサポート部材としてのダイシングテープＴの表面に上述した裏面研削工程が実施された半導体ウエーハ２の裏面２ｂを貼着する。そして、半導体ウエーハ２の表面に敷設されたモールド樹脂４０の表面に貼着されている保護テープ６を剥離する。従って、ダイシングテープＴの表面に貼着された半導体ウエーハ２は、表面に敷設されたモールド樹脂４０が上側となる。
【００３８】
次に、上記モールド樹脂除去工程が実施され半導体ウエーハ２の外周部に露出された切削溝２１０に埋設されたモールド樹脂４０を検出し、上記第１の厚みより薄い第２の厚みを有する切削ブレードをモールド樹脂４０の幅方向中央に位置付け、切削ブレードによってモールド樹脂４０を切削溝２１０に沿って切削する切削工程を実施する。この切削工程は、図示の実施形態においては図１１に示す切削装置３００を用いて実施する。なお、図１１に示す切削装置３００は、上記図２に示す切削装置３と切削ブレード３２３の環状の切れ刃３２３ａ以外は同一の構成であるため、同一部材には同一符号を付して説明は省略する。図１１に示す切削装置３００における切削ブレード３２３の環状の切れ刃３２３ｃは、上記環状の切れ刃３２３ａの第１の厚み（５０μｍ）より薄い第２の厚みである２０μｍに設定されている。
【００３９】
図１１に示す切削装置３００を用いて切削工程を実施するには、チャックテーブル３１上に上記サポート部材貼着工程が実施された半導体ウエーハ２のダイシングテープＴ側を載置する。そして、図示しない吸引手段を作動することによってチャックテーブル３１上に半導体ウエーハ２をダイシングテープＴを介して吸引保持する。従って、チャックテーブル３１上に保持された半導体ウエーハ２は、表面に敷設されたモールド樹脂４０が上側となる。なお、図１１においてはダイシングテープＴが装着された環状のフレームＦを省いて示しているが、環状のフレームＦはチャックテーブル３１に配設された適宜のフレーム保持手段に保持される。このようにして、半導体ウエーハ２を吸引保持したチャックテーブル３１は、図示しない切削送り手段によって撮像手段３３の直下に位置付けられる。
【００４０】
チャックテーブル３１が撮像手段３３の直下に位置付けられると、撮像手段３３および図示しない制御手段によって半導体ウエーハ２に形成された切削溝２１０に埋設されたモールド樹脂４０の切削すべき切削領域を検出するアライメント作業を実行する。即ち、撮像手段３３および図示しない制御手段は、半導体ウエーハ２の外周に露出し所定方向に形成されている切削溝２１０に埋設されたモールド樹脂４０と、切削ブレード３２３との位置合わせを行うための画像処理を実行し、切削領域のアライメントを遂行する（アライメント工程）。また、半導体ウエーハ２に形成されている上記所定方向に対して直交する方向に形成された切削溝２１０に埋設されたモールド樹脂４０に対しても、同様に切削領域のアライメントが遂行される。このアライメント工程においては、切削溝２１０に埋設されたモールド樹脂４０が半導体ウエーハ２の外周部表面に露出されているので、切削溝２１０に埋設されたモールド樹脂４０を撮像手段３３によって撮像することによって明確に検出することができる。
【００４１】
以上のようにしてチャックテーブル３１上に保持されている半導体ウエーハ２の切削領域を検出するアライメントが行われたならば、半導体ウエーハ２を保持したチャックテーブル３１を切削加工領域の切削開始位置に移動する。このとき、図１２の（ａ）で示すように半導体ウエーハ２は切削すべき切削溝２１０に埋設されたモールド樹脂４０の一端（図１２の（ａ）において左端）を切削ブレード３２３の環状の切れ刃３２３ｃの直下より所定量右側に位置するように位置付けるとともに、切削溝２１０に埋設されたモールド樹脂４０の幅方向中央を切削ブレード３２３と対応する位置に位置付ける。
【００４２】
このようにして切削装置３のチャックテーブル３１上に保持された半導体ウエーハ２が切削加工領域の切削開始位置に位置付けられたならば、切削ブレード３２３を図１２の（ａ）において２点鎖線で示す待機位置から矢印Ｚ１で示すように下方に切り込み送りし、図１２の（ａ）において実線で示すように所定の切り込み送り位置に位置付ける。この切り込み送り位置は、図１２の（ｃ）に示すように切削ブレード３２３の環状の切れ刃３２３ｃの下端が半導体ウエーハ２の裏面に貼着されたダイシングテープＴに達する位置に設定されている。
【００４３】
次に、切削ブレード３２３を図１２の（ａ）において矢印３２２ａで示す方向に所定の回転速度で回転せしめ、チャックテーブル３１を図１２の（ａ）において矢印Ｘ１で示す方向に所定の切削送り速度で移動せしめる。そして、切削溝２１０に埋設されたモールド樹脂４０の他端（図１２の（ｂ）において右端）が切削ブレード３２３の環状の切れ刃３２３ｃの直下より所定量左側に位置する位置まで達したら、チャックテーブル３１の移動を停止する。このようにチャックテーブル３１を切削送りすることにより、図１２の（ｄ）で示すように半導体ウエーハ２の表面に敷設されたモールド樹脂４０および切削溝２１０に埋設されたモールド樹脂４０はダイシングテープＴに達する幅が２０μｍの切削溝４１０によって完全切削される（切削工程）。この切削工程は、上述したアライメント工程において検出され半導体ウエーハ２の外周部表面に露出された切削溝２１０に埋設されたモールド樹脂４０の幅方向中央を切削ブレード３２３と対応する位置に位置付けて実施するので、半導体ウエーハ２の表面にモールド樹脂４０が敷設されていても切削溝２１０に埋設されたモールド樹脂４０の幅方向中央を切削ブレード３２３によって切削溝２１０に沿って正確に切削することができるため、デバイスの側面に傷を付けるという問題が解消される。
【００４４】
次に、切削ブレード３２３を図１２の（ｂ）において矢印Ｚ２で示すように上昇させて２点鎖線で示す待機位置に位置付け、チャックテーブル３１を図１２の（ｂ）において矢印Ｘ２で示す方向に移動して、図１２の（ａ）に示す位置に戻す。そして、チャックテーブル３１を紙面に垂直な方向（割り出し送り方向）にモールド樹脂４０が埋設された切削溝２１０の間隔（分割予定ライン２１の間隔）に相当する量だけ割り出し送りし、次に切削すべき切削溝２１０に埋設されたモールド樹脂４０を切削ブレード３２３と対応する位置に位置付ける。このようにして、次に切削すべき切削溝２１０に埋設されたモールド樹脂４０を切削ブレード３２３と対応する位置に位置付けたならば、上述した切削工程を実施する。そして、上述した切削工程を半導体ウエーハ２に形成された全ての切削溝２１０に埋設されたモールド樹脂４０に実施する。この結果、半導体ウエーハ２は分割予定ライン２１に沿って個々のデバイス２２に分割され、個々に分割されてデバイス２２は図１３に示すように表面および側面がモールド樹脂４０によって被覆されたウエーハレベルチップサイズパッケージ（WLCSP）を構成している。
【００４５】
次に、上記バンプ露出工程以降の本発明によるウエーハの加工方法の第２の実施形態について、上記各実施形態と図１４乃至図１７を参照して説明する。
ウエーハの加工方法の第２の実施形態は、上記モールディング工程およびバンプ露出工程を実施した後に半導体ウエーハ２の表面に敷設されたモールド樹脂４０の表面に保護部材を貼着する保護部材貼着工程を実施する。即ち、図１４に示すように半導体ウエーハ２の表面２ａに敷設されたモールド樹脂４０の表面に保護部材としての保護テープ６を貼着する。なお、保護テープ６は、上記第１の実施形態において用いたものと同様のものを用いる。
【００４６】
保護部材貼着工程を実施したならば、半導体ウエーハ２の裏面を研削して切削溝２１０を表出させ切削溝２１０に埋設されたモールド樹脂を半導体ウエーハ２の裏面に露出させる裏面研削工程を実施する。この裏面研削工程は、上記図９に示す第１の実施形態における裏面研削工程と同様に実施する。この結果、半導体ウエーハ２の裏面２ｂが研削され、図１５の（ａ）および（ｂ）で示すように切削溝２１０が半導体ウエーハ２の裏面２ｂに表出し、切削溝２１０に埋設されたモールド樹脂４０が半導体ウエーハ２の裏面２ｂに露出せしめられる。
【００４７】
上述した裏面研削工程を実施したならば、半導体ウエーハ２の裏面にサポート部材を貼着するとともに半導体ウエーハ２の表面に敷設されたモールド樹脂４０の表面に貼着されている保護部材としての保護テープ６を剥離するサポート部材貼着工程を実施する。このサポート部材貼着工程は上記図１０で示す第１の実施形態におけるサポート部材貼着工程と同様に、図１６に示すように、環状のフレームＦの内側開口部を覆うように外周部が装着されたサポート部材としてのダイシングテープＴの表面に上述した裏面研削工程が実施された半導体ウエーハ２の裏面２ｂを貼着し、半導体ウエーハ２の表面に敷設されたモールド樹脂４０の表面に貼着されている保護テープ６を剥離する。従って、ダイシングテープＴの表面に貼着された半導体ウエーハ２は、表面に敷設されたモールド樹脂４０が上側となる。
【００４８】
上述したサポート部材貼着工程を実施したならば、半導体ウエーハ２の表面に敷設されたモールド樹脂４０の外周部を環状に除去して切削溝２１０を表出させ切削溝２１０に埋設されたモールド樹脂４０を半導体ウエーハ２の表面に露出させるモールド樹脂除去工程を実施する。このモールド樹脂除去工程は、上記第１の実施形態おけるモールド樹脂除去工程と同様に図６に示す切削装置３０を用いて実施する。即ち、図１７の（ａ）に示すように、切削装置３０のチャックテーブル３１上に上記サポート部材貼着工程が実施された半導体ウエーハ２のダイシングテープＴ側を載置する。そして、図示しない吸引手段を作動することによってチャックテーブル３１上にダイシングテープＴを介して半導体ウエーハ２を吸引保持する。従って、チャックテーブル３１上にダイシングテープＴを介して保持された半導体ウエーハ２は、半導体ウエーハ２の表面に敷設されたモールド樹脂４０が上側となる。なお、図１７の（ａ）においてはダイシングテープＴが装着された環状のフレームＦを省いて示しているが、環状のフレームＦはチャックテーブル３１に配設された適宜のフレーム保持手段に保持される。このようにして、半導体ウエーハ２を吸引保持したチャックテーブル３１は、切削ブレード３２３による切削加工領域に移動され、図１７の（ａ）に示すように半導体ウエーハ２の外周部を切削ブレード３２３の直下に位置付ける。
【００４９】
次に、上記図６に示す第１の実施形態におけるモールド樹脂除去工程と同様に、切削ブレード３２３を図１７の（ａ）において矢印３２２ａで示す方向に所定の回転速度で回転せしめるとともに矢印Ｚ１で示すように下方に切り込み送りする。この切り込み送り位置は、モールド樹脂４０が敷設された半導体ウエーハ２の表面に達する位置に設定されている。そして、チャックテーブル３１を図１７の（ａ）において矢印３１ａで示す方向に１回転させる。この結果、図１７の（ｂ）に示すように半導体ウエーハ２の表面に敷設されたモールド樹脂４０の外周部が環状に除去されて切削溝２１０が表出されるとともに切削溝２１０に埋設されたモールド樹脂４０は半導体ウエーハ２の表面に露出される。
【００５０】
上述したモールド樹脂除去工程を実施したならば、半導体ウエーハ２の外周部に露出された切削溝２１０に埋設されたモールド樹脂４０を検出し、上記第１の厚みより薄い第２の厚みを有する切削ブレードをモールド樹脂４０の幅方向中央に位置付け、切削ブレードによってモールド樹脂４０を切削溝２１０に沿って切削する切削工程を実施する。この切削工程は、上記図１１に示す切削装置３００を用いて、図１１および図１２に示す上記第１の実施形態における切削工程と同様に実施する。この切削工程は、上述したように半導体ウエーハ２の外周部表面に露出された切削溝２１０に埋設されたモールド樹脂４０の幅方向中央を切削ブレード３２３と対応する位置に位置付けて実施するので、半導体ウエーハ２の表面にモールド樹脂４０が敷設されていても切削溝２１０に埋設されたモールド樹脂４０の幅方向中央を切削ブレード３２３によって切削溝２１０に沿って正確に切削することができるため、デバイスの側面に傷を付けるという問題が解消される。
【００５１】
次に、上記バンプ露出工程以降の本発明によるウエーハの加工方法の第３の実施形態について、上記各実施形態と図１８乃至図２１を参照して説明する。
ウエーハの加工方法の第３の実施形態は、上記図６および図７に示す第１の実施形態におけるモールド樹脂除去工程を実施した後に、半導体ウエーハ２の外周部に露出された切削溝２１０に埋設されたモールド樹脂４０を検出し、上記第１の厚みより薄い第２の厚みを有する切削ブレードをモールド樹脂４０の幅方向中央に位置付け、切削ブレードによってモールド樹脂４０を切削溝２１０に沿って切削する切削工程を実施する。なお、第３の実施形態における切削工程においては、上記切削溝２１０の底面に達する切断溝を形成する。この切削工程は、上記図１１に示す切削装置３００を用いて実施する。
【００５２】
上記図１１に示す切削装置３００を用いて切削工程と実施するには、切削装置３００のチャックテーブル３１上に上記モールド樹脂除去工程が実施された半導体ウエーハ２の裏面２ｂ側を載置する。そして、図示しない吸引手段を作動することによってチャックテーブル３１上に半導体ウエーハ２を吸引保持する。従って、チャックテーブル３１上に保持された半導体ウエーハ２は、図１８の（ａ）に示すように表面２ａに敷設されたモールド樹脂４０が上側となる。このようにして、チャックテーブル３１上に半導体ウエーハ２を吸引保持したならば、上記第１の実施形態における切削工程のアライメント工程と同様に半導体ウエーハ２に形成された切削溝２１０に埋設されたモールド樹脂４０の切削すべき切削領域を検出するアライメント作業を実行する。このアライメント工程においては、切削溝２１０に埋設されたモールド樹脂４０が半導体ウエーハ２の外周部表面に露出されているので、切削溝２１０に埋設されたモールド樹脂４０を撮像手段３３によって撮像することによって明確に検出することができる。
【００５３】
次に、半導体ウエーハ２を保持したチャックテーブル３１を切削加工領域の切削開始位置に移動する。このとき、図１８の（ａ）で示すように半導体ウエーハ２は切削すべき切削溝２１０に埋設されたモールド樹脂４０の一端（図１８の（ａ）において左端）が切削ブレード３２３の環状の切れ刃３２３ｃの直下より所定量右側に位置するように位置付けるとともに、切削溝２１０に埋設されたモールド樹脂４０の幅方向中央を切削ブレード３２３と対応する位置に位置付ける。
【００５４】
このようにして切削装置３００のチャックテーブル３１上に保持された半導体ウエーハ２が切削加工領域の切削開始位置に位置付けられたならば、切削ブレード３２３を図１８の（ａ）において２点鎖線で示す待機位置から矢印Ｚ１で示すように下方に切り込み送りし、図１８の（ａ）において実線で示すように所定の切り込み送り位置に位置付ける。この切り込み送り位置は、図１８の（ｃ）に示すように切削ブレード３２３の環状の切れ刃３２３ｃの下端が切削溝２１０の底面２１０ａに達する位置に設定されている。
【００５５】
次に、切削ブレード３２３を図１８の（ａ）において矢印３２２ａで示す方向に所定の回転速度で回転せしめ、チャックテーブル３１を図１８の（ａ）において矢印Ｘ１で示す方向に所定の切削送り速度で移動せしめる。そして、切削溝２１０に埋設されたモールド樹脂４０の他端（図１８の（ｂ）において右端）が切削ブレード３２３の環状の切れ刃３２３ｂの直下より所定量左側に位置する位置まで達したら、チャックテーブル３１の移動を停止する。このようにチャックテーブル３１を切削送りすることにより、図１８の（ｄ）で示すように半導体ウエーハ２の表面に敷設されたモールド樹脂４０および切削溝２１０に埋設されたモールド樹脂４０の厚さより深く半導体ウエーハ２に達する幅が２０μｍの切削溝４１０が形成される。この切削工程は、上述したアライメント工程において検出され半導体ウエーハ２の外周部表面に露出された切削溝２１０に埋設されたモールド樹脂４０の幅方向中央を切削ブレード３２３と対応する位置に位置付けて実施するので、半導体ウエーハ２の表面にモールド樹脂４０が敷設されていても切削溝２１０に埋設されたモールド樹脂４０の幅方向中央を切削ブレード３２３によって切削溝２１０に沿って正確に切削することができるため、デバイスの側面に傷を付けるという問題が解消される。
【００５６】
次に、切削ブレード３２３を図１８の（ｂ）において矢印Ｚ２で示すように上昇させて２点鎖線で示す待機位置に位置付け、チャックテーブル３１を図１８の（ｂ）において矢印Ｘ２で示す方向に移動して、図１８の（ａ）に示す位置に戻す。そして、チャックテーブル３１を紙面に垂直な方向（割り出し送り方向）にモールド樹脂４０が埋設された切削溝２１０の間隔（分割予定ライン２１の間隔）に相当する量だけ割り出し送りし、次に切削すべき切削溝２１０に埋設されたモールド樹脂４０を切削ブレード３２３と対応する位置に位置付ける。このようにして、次に切削すべき切削溝２１０に埋設されたモールド樹脂４０を切削ブレード３２３と対応する位置に位置付けたならば、上述した切削工程を実施する。そして、上述した切削工程を半導体ウエーハ２に形成された全ての切削溝２１０に埋設されたモールド樹脂４０に対応した領域に実施する。
【００５７】
上述したように切削工程を実施したならば、半導体ウエーハ２の表面に敷設されたモールド樹脂４０の表面に保護部材を貼着する保護部材貼着工程を実施する。即ち、図１９に示すように半導体ウエーハ２の表面２ａに敷設されたモールド樹脂４０の表面に切削工程が実施された保護部材としての保護テープ６を貼着する。なお、保護テープ６は、上記第１の実施形態において用いたものと同様のものを用いる。
【００５８】
上記のようにして保護部材貼着工程を実施したならば、半導体ウエーハ２の裏面を研削して切削溝２１０を表出させ切削溝２１０に埋設されたモールド樹脂を半導体ウエーハ２の裏面に露出させる裏面研削工程を実施する。この裏面研削工程は、上記図９に示す第１の実施形態における裏面研削工程と同様に実施する。この結果、半導体ウエーハ２の裏面２ｂが研削され、図２０の（ａ）および（ｂ）で示すように切削溝２１０が半導体ウエーハ２の裏面２ｂに表出し、切削溝２１０に埋設されたモールド樹脂４０およびモールド樹脂４０を切断した切削溝４１０が半導体ウエーハ２の裏面２ｂに露出せしめられる。従って、半導体ウエーハ２は分割予定ラインに沿って個々のデバイスに分割される。
【００５９】
上述した裏面研削工程を実施したならば、半導体ウエーハ２の裏面にサポート部材を貼着するとともに半導体ウエーハ２の表面に敷設されたモールド樹脂４０の表面に貼着されている保護部材としての保護テープ６を剥離するサポート部材貼着工程を実施する。即ち、図２１に示すように、環状のフレームＦの内側開口部を覆うように外周部が装着されたサポート部材としてのダイシングテープＴの表面に上述した裏面研削工程が実施された半導体ウエーハ２の裏面２ｂを貼着する。そして、半導体ウエーハ２の表面に敷設されたモールド樹脂４０の表面に貼着されている保護テープ６を剥離する。従って、ダイシングテープＴの表面に貼着されている半導体ウエーハ２の表面に敷設されたモールド樹脂４０を切断した切削溝４１０が露出される。
【００６０】
以上のようにして、サポート部材貼着工程が実施された半導体ウエーハ２は、次工程であるピックアップ工程に搬送され、個々のデバイス毎にピックアップされる。このようにしてピックアップされたデバイス２２は、上記図１３に示すように表面および側面がモールド樹脂４０によって被覆されたウエーハレベルチップサイズパッケージ（WLCSP）を構成している。
【００６１】
次に、上記バンプ露出工程以降の本発明によるウエーハの加工方法の第４の実施形態について、上記各実施形態と図２２乃至図２５を参照して説明する。
ウエーハの加工方法の第４の実施形態は、上記モールディング工程およびバンプ露出工程を実施した後に、半導体ウエーハ２の表面に敷設されたモールド樹脂４０の表面に保護部材を貼着する保護部材貼着工程と、半導体ウエーハ２の裏面を研削して切削溝２１０を表出させ切削溝２１０に埋設されたモールド樹脂を半導体ウエーハ２の裏面に露出させる裏面研削工程を実施する。即ち、保護部材貼着工程は上記第２の実施形態における図１４に示す保護部材貼着工程を実施し、裏面研削工程は上記第２の実施形態における図１５に示す裏面研削工程を実施する。
【００６２】
上述した裏面研削工程を実施したならば、上記第１の厚みより薄い第２の厚みを有する切削ブレードによって半導体ウエーハ２の裏面側から切削溝２１０に埋設されたモールド樹脂４０を略半分の深さで切削してハーフカット溝を形成するハーフカット溝形成工程を実施する。このハーフカット溝形成工程は、上記図１１に示す切削装置３００を用いて実施する。
【００６３】
図１１に示す切削装置３００を用いてハーフカット溝形成工程を実施するには、チャックテーブル３１上に上記裏面研削工程が実施された半導体ウエーハ２の保護テープ６側を載置する。そして、図示しない吸引手段を作動することによってチャックテーブル３１上に半導体ウエーハ２を保護テープ６を介して吸引保持する。従って、チャックテーブル３１上に保持された半導体ウエーハ２は、図２２の（ａ）に示すように裏面２ｂが上側となる。このようにして、半導体ウエーハ２を吸引保持したチャックテーブル３１は、図示しない切削送り手段によって撮像手段３３の直下に位置付けられる。
【００６４】
チャックテーブル３１が撮像手段３３の直下に位置付けられると、撮像手段３３および図示しない制御手段によって半導体ウエーハ２に形成された切削溝２１０に埋設されたモールド樹脂４０を切削してハーフカット溝を形成すべき切削領域を検出するアライメント作業を実行する。即ち、撮像手段３３および図示しない制御手段は、半導体ウエーハ２の所定方向に形成されている切削溝２１０に埋設されたモールド樹脂４０と、切削ブレード３２３との位置合わせを行うための画像処理を実行し、切削領域のアライメントを遂行する（アライメント工程）。また、半導体ウエーハ２に形成されている上記所定方向に対して直交する方向に形成された切削溝２１０に埋設されたモールド樹脂４０に対しても、同様に切削領域のアライメントが遂行される。
【００６５】
以上のようにしてチャックテーブル３１上に保持されている半導体ウエーハ２の切削領域を検出するアライメントが行われたならば、半導体ウエーハ２を保持したチャックテーブル３１を切削加工領域の切削開始位置に移動する。このとき、図２２の（ａ）で示すように半導体ウエーハ２は切削すべき切削溝２１０に埋設されたモールド樹脂４０の一端（図２２の（ａ）において左端）を切削ブレード３２３の環状の切れ刃３２３１ｃの直下より所定量右側に位置するように位置付けるとともに、切削溝２１０に埋設されたモールド樹脂４０の幅方向中央を切削ブレード３２３と対応する位置に位置付ける。
【００６６】
このようにして切削装置３００のチャックテーブル３１上に保持された半導体ウエーハ２が切削加工領域の切削開始位置に位置付けられたならば、切削ブレード３２３を図２２の（ａ）において２点鎖線で示す待機位置から矢印Ｚ１で示すように下方に切り込み送りし、図２２の（ａ）において実線で示すように所定の切り込み送り位置に位置付ける。この切り込み送り位置は、図２２の（ｃ）に示すように切削ブレード３２３の環状の切れ刃３２３ｂの下端が切削溝２１０に埋設されたモールド樹脂４０の厚み方向中間位置に設定されている。
【００６７】
次に、切削ブレード３２３を図２２の（ａ）において矢印３２２ａで示す方向に所定の回転速度で回転せしめ、チャックテーブル３１を図２２の（ａ）において矢印Ｘ１で示す方向に所定の切削送り速度で移動せしめる。そして、切削溝２１０に埋設されたモールド樹脂４０の他端（図２２の（ｂ）において右端）が切削ブレード３２３の環状の切れ刃３２３ｂの直下より所定量左側に位置する位置まで達したら、チャックテーブル３１の移動を停止する。このようにチャックテーブル３１を切削送りすることにより、図２２の（ｄ）で示すように切削溝２１０に埋設されたモールド樹脂４０は略半分の深さで切削され幅が２０μｍのハーフカット溝４０１が形成される（ハーフカット溝形成工程）。
【００６８】
上述したハーフカット溝形成工程を実施したならば、半導体ウエーハ２の裏面にサポート部材を貼着するとともに半導体ウエーハ２の表面に敷設されたモールド樹脂４０の表面に貼着されている保護部材としての保護テープ６を剥離するサポート部材貼着工程を実施する。このサポート部材貼着工程は上記図１６で示す第２の実施形態におけるサポート部材貼着工程と同様に図２３に示すように、環状のフレームＦの内側開口部を覆うように外周部が装着されたサポート部材としてのダイシングテープＴの表面に上述した裏面研削工程が実施された半導体ウエーハ２の裏面２ｂを貼着し、半導体ウエーハ２の表面に敷設されたモールド樹脂４０の表面に貼着されている保護テープ６を剥離する。このようにしてダイシングテープＴに貼着された半導体ウエーハ２に形成された切削溝２１０に埋設されたモールド樹脂４０には、上記ハーフカット溝４０１が形成されている。
【００６９】
次に、半導体ウエーハ２の表面に敷設されたモールド樹脂４０の外周部を環状に除去して切削溝２１０を表出させ切削溝２１０に埋設されたモールド樹脂４０を半導体ウエーハ２の表面に露出させるモールド樹脂除去工程を実施する。このモールド樹脂除去工程は、上記図６に示す切削装置３０を用いて、上記第２の実施形態における図１７の（ａ）および（ｂ）に示すモールド樹脂除去工程と同様に実施する。この結果、図２４に示すように半導体ウエーハ２の表面に敷設されたモールド樹脂４０の外周部が環状に除去されて切削溝２１０が表出されるとともに切削溝２１０に埋設されたモールド樹脂４０は半導体ウエーハ２の表面に露出される。なお、半導体ウエーハ２に形成された切削溝２１０に埋設されたモールド樹脂４０には、上記ハーフカット溝４０１が形成されている。
【００７０】
上述したモールド樹脂除去工程を実施したならば、半導体ウエーハ２の外周部に露出された切削溝２１０に埋設されたモールド樹脂４０を検出し、上記第１の厚みより薄い第２の厚みを有する切削ブレードをモールド樹脂４０の幅方向中央に位置付け、切削溝２１０に埋設された残存するモールド樹脂４０を完全に切削する切削工程を実施する。この切削工程は、上記図１１に示す切削装置３００を用いて、図２５の（ａ）乃至（ｄ）に示すように実施する。即ち、切削装置３００のチャックテーブル３１上に上記モールド樹脂除去工程が実施された半導体ウエーハ２が貼着されたサポート部材としてのダイシングテープＴ側を載置する。そして、図示しない吸引手段を作動することにより、ダイシングテープＴを介して半導体ウエーハ２をチャックテーブル３１上に吸引保持する（ウエーハ保持工程）。従って、チャックテーブル３１に保持された半導体ウエーハ２は、図２５の（ａ）に示すように表面に敷設されたモールド樹脂４０が上側となる。このようにして、半導体ウエーハ２を吸引保持したチャックテーブル３１は、図示しない切削送り手段によって撮像手段３３の直下に位置付けられる。
【００７１】
チャックテーブル３１が撮像手段３３の直下に位置付けられると、撮像手段３３および図示しない制御手段によって半導体ウエーハ２に形成された切削溝２１０に埋設された残存するモールド樹脂４０を完全に切削すべき切削領域を検出するアライメント工程を実行する。このアライメント工程は、上記第１の実施形態における切削工程のアライメント工程と同様に半導体ウエーハ２に形成された切削溝２１０に埋設されたモールド樹脂４０の切削すべき切削領域を検出するアライメント作業を実行する。このアライメント工程においては、切削溝２１０に埋設されたモールド樹脂４０が半導体ウエーハ２の外周部表面に露出されているので、切削溝２１０に埋設されたモールド樹脂４０を撮像手段３３によって撮像することによって明確に検出することができる。
【００７２】
以上のようにしてチャックテーブル３１上に保持されている半導体ウエーハ２の切削領域を検出するアライメントが行われたならば、半導体ウエーハ２を保持したチャックテーブル３１を切削加工領域の切削開始位置に移動する。このとき、図２５の（ａ）で示すように半導体ウエーハ２は切削すべき切削溝２１０に埋設されたモールド樹脂４０の一端（図２５の（ａ）において左端）が切削ブレード３２３の環状の切れ刃３２３ｃの直下より所定量右側に位置するように位置付けるとともに、切削溝２１０に埋設されたモールド樹脂４０の幅方向中央を切削ブレード３２３と対応する位置に位置付ける。
【００７３】
このようにして切削装置３００のチャックテーブル３１上に保持された半導体ウエーハ２が切削加工領域の切削開始位置に位置付けられたならば、切削ブレード３２３を図２５の（ａ）において２点鎖線で示す待機位置から矢印Ｚ１で示すように下方に切り込み送りし、図２５の（ａ）において実線で示すように所定の切り込み送り位置に位置付ける。この切り込み送り位置は、図２５の（ｃ）に示すように切削ブレード３２３の環状の切れ刃３２３ｃの下端がハーフカット溝４０１に達する位置に設定されている。
【００７４】
次に、切削ブレード３２３を図２５の（ａ）において矢印３２２ａで示す方向に所定の回転速度で回転せしめ、チャックテーブル３１を図２５の（ａ）において矢印Ｘ１で示す方向に所定の切削送り速度で移動せしめる。そして、切削溝２１０に埋設されたモールド樹脂４０の他端（図２５の（ｂ）において右端）が切削ブレード３２３の環状の切れ刃３２３ｂの直下より所定量左側に位置する位置まで達したら、チャックテーブル３１の移動を停止する。このようにチャックテーブル３１を切削送りすることにより、図２５の（ｄ）で示すように切削溝２１０に埋設された残存するモールド樹脂４０はハーフカット溝４０１に達する幅が２０μｍの分割溝４０２によって完全切削される（切削工程）。この切削工程は、上述したアライメント工程において検出され半導体ウエーハ２の外周表面に露出された切削溝２１０に埋設されたモールド樹脂４０の幅方向中央を切削ブレード３２３と対応する位置に位置付けて実施するので、半導体ウエーハ２の表面にモールド樹脂４０が敷設されていても切削溝２１０に埋設されたモールド樹脂４０の幅方向中央を切削ブレード３２３によって切削溝２１０に沿って正確に切削することができるため、デバイスの側面に傷を付けるという問題が解消される。
【００７５】
次に、切削ブレード３２３を図２５の（ｂ）において矢印Ｚ２で示すように上昇させて２点鎖線で示す待機位置に位置付け、チャックテーブル３１を図２５の（ｂ）において矢印Ｘ２で示す方向に移動して、図２５の（ａ）に示す位置に戻す。そして、チャックテーブル３１を紙面に垂直な方向（割り出し送り方向）にモールド樹脂４０が埋設された切削溝２１０の間隔（分割予定ライン２１の間隔）に相当する量だけ割り出し送りし、次に切削すべき切削溝２１０に埋設されたモールド樹脂４０を切削ブレード３２３と対応する位置に位置付ける。このようにして、次に切削すべき切削溝２１０に埋設されたモールド樹脂４０を切削ブレード３２３と対応する位置に位置付けたならば、上述した切削工程を実施する。そして、上述した切削工程を半導体ウエーハ２に形成された全ての切削溝２１０に埋設されたモールド樹脂４０に実施する。この結果、半導体ウエーハ２は、分割予定ラインに沿って形成された切削溝２１０に埋設されたモールド樹脂４０に沿って個々のデバイスに分割される。この切削工程が実施され個々のデバイスに分割された半導体ウエーハ２は、環状のフレームＦに装着されたダイシングテープＴに貼着された状態で次工程であるピックアップ工程に搬送され、個々のデバイス毎にピックアップされる。このようにしてピックアップされたデバイス２２は、上記図１３に示すように表面および側面がモールド樹脂４０によって被覆されたウエーハレベルチップサイズパッケージ（WLCSP）を構成している。
【００７６】
次に、上記バンプ露出工程以降の本発明によるウエーハの加工方法の第５の実施形態について、上記各実施形態において実施した各工程を参照して説明する。
ウエーハの加工方法の第５の実施形態は、上記モールディング工程およびバンプ露出工程を実施した後に、半導体ウエーハ２の表面に敷設されたモールド樹脂４０の外周を環状に除去して切削溝２１０を表出させ切削溝２１０に埋設されたモールド樹脂４０を半導体ウエーハ２の表面に露出させるモールド樹脂除去工程と、半導体ウエーハ２の表面に敷設されたモールド樹脂４０の表面に保護部材を貼着する保護部材貼着工程と、半導体ウエーハ２の裏面を研削して切削溝２１０を表出させ切削溝２１０に埋設されたモールド樹脂を半導体ウエーハ２の裏面に露出させる裏面研削工程を実施する。なお、モールド樹脂除去工程は上記第１の実施形態における図６および図７に示すモールド樹脂除去工程を実施し、保護部材貼着工程は上記第１の実施形態における図８に示す保護部材貼着工程を実施し、裏面研削工程は上記第１の実施形態における図９に示す裏面研削工程を実施する。
【００７７】
上述した裏面研削工程を実施したならば、上記第１の厚みより薄い第２の厚みを有する切削ブレードによって半導体ウエーハ２の裏面側から切削溝２１０に埋設されたモールド樹脂４０を略半分の深さで切削してハーフカット溝を形成するハーフカット溝形成工程と、半導体ウエーハ２の裏面にサポート部材を貼着するとともに半導体ウエーハ２の表面に敷設されたモールド樹脂４０の表面に貼着されている保護部材としての保護テープ６を剥離するサポート部材貼着工程と、半導体ウエーハ２の外周部に露出された切削溝２１０に埋設されたモールド樹脂４０を検出し、上記第１の厚みより薄い第２の厚みを有する切削ブレードをモールド樹脂４０の幅方向中央に位置付け、切削溝２１０に埋設された残存するモールド樹脂４０を完全に切削する切削工程を実施する。なお、ハーフカット溝形成工程は上記第４の実施形態における図２２に示すハーフカット溝形成工程を実施し、サポート部材貼着工程は上記第４の実施形態における図２３に示すサポート部材貼着工程を実施し、切削工程は上記第４の実施形態における図２５に示す切削工程を実施する。この結果、半導体ウエーハ２は、分割予定ラインに沿って形成された切削溝２１０に埋設されたモールド樹脂４０に沿って個々のデバイスに分割される。この切削工程が実施され個々のデバイスに分割された半導体ウエーハ２は、環状のフレームＦに装着されたダイシングテープＴに貼着された状態で次工程であるピックアップ工程に搬送され、個々のデバイス毎にピックアップされる。このようにしてピックアップされたデバイス２２は、上記図１３に示すように表面および側面がモールド樹脂４０によって被覆されたウエーハレベルチップサイズパッケージ（WLCSP）を構成している。
【００７８】
次に、上記バンプ露出工程以降の本発明によるウエーハの加工方法の第６の実施形態について、上記各実施形態および図２６および図２７を参照して説明する。
ウエーハの加工方法の第６の実施形態は、上記モールディング工程およびバンプ露出工程を実施した後に、半導体ウエーハ２の表面に敷設されたモールド樹脂４０の外周部を環状に除去して切削溝２１０を表出させ切削溝２１０に埋設されたモールド樹脂４０を半導体ウエーハ２の表面に露出させるモールド樹脂除去工程を実施する。このモールド樹脂除去工程は、上記第１の実施形態における図６および図７に示すモールド樹脂除去工程を実施する。
【００７９】
上述したモールド樹脂除去工程を実施したならば、モールド樹脂除去工程を実施することにより半導体ウエーハ２の外周部に露出された切削溝２１０に埋設されたモールド樹脂４０を検出し、上記第１の厚みより薄い第２の厚みを有する切削ブレードをモールド樹脂４０の幅方向中央に位置付け、切削溝２１０に埋設されたモールド樹脂４０を略半分の深さで切削してハーフカット溝を形成する切削工程を実施する。このハーフカット溝を形成する切削工程は、上記図１１に示す切削装置３００を用いて実施する。
【００８０】
図１１に示す切削装置３００を用いてハーフカット溝形成工程を実施するには、チャックテーブル３１上に上記モールド樹脂除去工程が実施された半導体ウエーハ２の裏面２ｂ側を載置する。そして、図示しない吸引手段を作動することによってチャックテーブル３１上に半導体ウエーハ２を吸引保持する。従って、チャックテーブル３１上に保持された半導体ウエーハ２は、図２６の（ａ）に示すように半導体ウエーハ２の表面に敷設されたモールド樹脂４０が上側となる。このようにして、半導体ウエーハ２を吸引保持したチャックテーブル３１は、図示しない切削送り手段によって撮像手段３３の直下に位置付けられる。
【００８１】
チャックテーブル３１が撮像手段３３の直下に位置付けられると、撮像手段３３および図示しない制御手段によって半導体ウエーハ２に形成された切削溝２１０に埋設されたモールド樹脂４０を切削してハーフカット溝を形成すべき切削領域を検出するアライメント工程を実行する。このアライメント工程は、上記第１の実施形態における切削工程のアライメント工程と同様に半導体ウエーハ２に形成された切削溝２１０に埋設されたモールド樹脂４０の切削すべき切削領域を検出するアライメント作業を実行する。このアライメント工程においては、切削溝２１０に埋設されたモールド樹脂４０が半導体ウエーハ２の外周部表面に露出されているので、切削溝２１０に埋設されたモールド樹脂４０を撮像手段３３によって撮像することによって明確に検出することができる。
【００８２】
以上のようにしてチャックテーブル３１上に保持されている半導体ウエーハ２の切削領域を検出するアライメントが行われたならば、半導体ウエーハ２を保持したチャックテーブル３１を切削加工領域の切削開始位置に移動する。このとき、図２６の（ａ）で示すように半導体ウエーハ２は切削すべき切削溝２１０に埋設されたモールド樹脂４０の一端（図２６の（ａ）において左端）が切削ブレード３２３の環状の切れ刃３２３ｃの直下より所定量右側に位置するように位置付けるとともに、切削溝２１０に埋設されたモールド樹脂４０の幅方向中央を切削ブレード３２３と対応する位置に位置付ける。
【００８３】
このようにして切削装置３００のチャックテーブル３１上に保持された半導体ウエーハ２が切削加工領域の切削開始位置に位置付けられたならば、切削ブレード３２３を図２６の（ａ）において２点鎖線で示す待機位置から矢印Ｚ１で示すように下方に切り込み送りし、図２６の（ａ）において実線で示すように所定の切り込み送り位置に位置付ける。この切り込み送り位置は、図２６の（ｃ）に示すように切削ブレード３２３の環状の切れ刃３２３ｃの下端が切削溝２１０に埋設されたモールド樹脂４０の厚み方向中間位置に設定されている。
【００８４】
次に、切削ブレード３２３を図２６の（ａ）において矢印３２２ａで示す方向に所定の回転速度で回転せしめ、チャックテーブル３１を図２６の（ａ）において矢印Ｘ１で示す方向に所定の切削送り速度で移動せしめる。そして、切削溝２１０に埋設されたモールド樹脂４０の他端（図２６の（ｂ）において右端）が切削ブレード３２３の環状の切れ刃３２３ｃの直下より所定量左側に位置する位置まで達したら、チャックテーブル３１の移動を停止する。このようにチャックテーブル３１を切削送りすることにより、図２６の（ｄ）で示すように切削溝２１０に埋設されたモールド樹脂４０は略半分の深さで切削され幅が２０μｍのハーフカット溝４０３が形成される（切削工程）。この切削工程は、上述したアライメント工程において検出され半導体ウエーハ２の外周部表面に露出された切削溝２１０に埋設されたモールド樹脂４０の幅方向中央を切削ブレード３２３と対応する位置に位置付けて実施するので、半導体ウエーハ２の表面にモールド樹脂４０が敷設されていても切削溝２１０に埋設されたモールド樹脂４０の幅方向中央を切削ブレード３２３によって切削溝２１０に沿って正確に切削することができるため、デバイスの側面に傷を付けるという問題が解消される。
【００８５】
上述したハーフカット溝４０３を形成する切削工程を実施したならば、半導体ウエーハ２の表面に敷設されたモールド樹脂４０の表面に保護部材を貼着する保護部材貼着工程と、半導体ウエーハ２の裏面を研削して切削溝２１０を表出させ切削溝２１０に埋設されたモールド樹脂を半導体ウエーハ２の裏面に露出させる裏面研削工程を実施する。なお、保護部材貼着工程は上記第１の実施形態における図８に示す保護部材貼着工程を実施し、裏面研削工程は上記第１の実施形態における図９に示す裏面研削工程を実施する。
【００８６】
上述した裏面研削工程を実施したならば、半導体ウエーハ２の外周部に露出された切削溝２１０に埋設されたモールド樹脂４０を検出し、上記第１の厚みより薄い第２の厚みを有する切削ブレードによって半導体ウエーハ２の裏面側から切削溝２１０に埋設された残存するモールド樹脂４０を完全に切削して半導体ウエーハ２を個々のデバイスに分割する分割工程を実施する。この分割工程は、上記図１１に示す切削装置３００を用いて実施する。即ち、切削装置３００のチャックテーブル３１上に上記裏面研削工程が実施された半導体ウエーハ２の保護テープ６側を載置する。そして、図示しない吸引手段を作動することにより、保護テープ６を介して半導体ウエーハ２をチャックテーブル３１上に吸引保持する（ウエーハ保持工程）。従って、チャックテーブル３１に保持された半導体ウエーハ２は、図２７の（ａ）に示すように裏面２ｂが上側となる。このようにして、半導体ウエーハ２を吸引保持したチャックテーブル３１は、図示しない切削送り手段によって撮像手段３３の直下に位置付けられる。
【００８７】
チャックテーブル３１が撮像手段３３の直下に位置付けられると、撮像手段３３および図示しない制御手段によって半導体ウエーハ２に形成された切削溝２１０に埋設された残存するモールド樹脂４０を完全に切削すべき切削領域を検出するアライメント工程を実行する。このアライメント工程は、上記第４の実施形態におけるハーフカット溝形成工程のアライメント工程と同様に半導体ウエーハ２に形成された切削溝２１０に埋設されたモールド樹脂４０の切削すべき切削領域を検出するアライメント作業を実行する。
【００８８】
次に、半導体ウエーハ２を保持したチャックテーブル３１を切削加工領域の切削開始位置に移動する。このとき、図２７の（ａ）で示すように半導体ウエーハ２は切削すべき切削溝２１０に埋設されたモールド樹脂４０の一端（図２７の（ａ）において左端）が切削ブレード３２３の環状の切れ刃３２３ｃの直下より所定量右側に位置するように位置付けるとともに、切削溝２１０に埋設されたモールド樹脂４０の幅方向中央を切削ブレード３２３と対応する位置に位置付ける。
【００８９】
このようにして切削装置３００のチャックテーブル３１上に保持された半導体ウエーハ２が切削加工領域の切削開始位置に位置付けられたならば、切削ブレード３２３を図２７の（ａ）において２点鎖線で示す待機位置から矢印Ｚ１で示すように下方に切り込み送りし、図２７の（ａ）において実線で示すように所定の切り込み送り位置に位置付ける。この切り込み送り位置は、図２７の（ｃ）に示すように切削ブレード３２３の環状の切れ刃３２３ｃの下端がハーフカット溝４０３に達する位置に設定されている。
【００９０】
次に、切削ブレード３２３を図２７の（ａ）において矢印３２２ａで示す方向に所定の回転速度で回転せしめ、チャックテーブル３１を図２７の（ａ）において矢印Ｘ１で示す方向に所定の切削送り速度で移動せしめる。そして、切削溝２１０に埋設されたモールド樹脂４０の他端（図２７の（ｂ）において右端）が切削ブレード３２３の環状の切れ刃３２３ｂの直下より所定量左側に位置する位置まで達したら、チャックテーブル３１の移動を停止する。このようにチャックテーブル３１を切削送りすることにより、図２７の（ｄ）で示すように切削溝２１０に埋設された残存するモールド樹脂４０はハーフカット溝４０３に達する幅が２０μｍの切削溝４０４によって完全切削され、半導体ウエーハ２は個々のデバイスに分割される（分割工程）。
【００９１】
上述した分割工程を実施したならば、半導体ウエーハ２の裏面にサポート部材を貼着するとともに半導体ウエーハ２の表面に敷設されたモールド樹脂４０の表面に貼着されている保護部材としての保護テープ６を剥離するサポート部材貼着工程を実施する。このサポート部材貼着工程は、上記第４の実施形態における図２３に示すサポート部材貼着工程と同様に図２８に示すように、環状のフレームＦの内側開口部を覆うように外周部が装着されたサポート部材としてのダイシングテープＴの表面に上述した分割工程が実施された半導体ウエーハ２の裏面２ｂを貼着し、半導体ウエーハ２の表面に敷設されたモールド樹脂４０の表面に貼着されている保護テープ６を剥離する。このようにしてダイシングテープＴに貼着された半導体ウエーハ２に形成された切削溝２１０に埋設されたモールド樹脂４０には、上記ハーフカット溝４０３と切削溝４０４が形成されている。このサポート部材貼着工程が実施された半導体ウエーハ２は、次工程であるピックアップ工程に搬送され、個々のデバイス毎にピックアップされる。このようにしてピックアップされたデバイス２２は、上記図１３に示すように表面および側面がモールド樹脂４０によって被覆されたウエーハレベルチップサイズパッケージ（WLCSP）を構成している。
【符号の説明】
【００９２】
２：半導体ウエーハ
２１：分割予定ライン
２２：デバイス
３，３０：切削装置
３１：切削装置のチャックテーブル
３２：切削手段
３２３：切削ブレード
４：樹脂被覆装置
４０：モールド樹脂
５：研磨装置
５１：研磨装置のチャックテーブル
５２：研磨手段
５２４：研磨工具
６：保護テープ
７：研削装置
７１：研削装置のチャックテーブル
７２：研削手段
７６：研削ホイール
Ｆ：環状のフレーム
Ｔ：ダイシングテープ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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