(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ディスク装置用サスペンションのロードビームに取付けるフレキシャであって、
ステンレス鋼の板からなるメタルベースと、該メタルベースに沿って配置された配線部とを有し、
前記配線部が、
電気絶縁材料からなり前記メタルベース上に形成された絶縁層と、該絶縁層上に形成された導体とを有し、かつ、
前記配線部の長手方向の一部をなす第１領域の前記導体に形成された薄導体部と、
前記配線部の長手方向の他の一部をなす第２領域の前記導体に形成され前記薄導体部よりも厚さが大きい厚導体部と、
を具備し、
前記配線部が、前記サスペンションのジンバル部のタングに沿って配置されたメタルベースを有しない空中配線部を含み、該空中配線部に前記薄導体部を有したことを特徴とするディスク装置用サスペンションのフレキシャ。
【請求項２】
ディスク装置用サスペンションのロードビームに取付けるフレキシャであって、
ステンレス鋼の板からなるメタルベースと、該メタルベースに沿って配置された配線部とを有し、
前記配線部が、
電気絶縁材料からなり前記メタルベース上に形成された絶縁層と、該絶縁層上に形成された導体とを有し、かつ、
前記配線部の長手方向の一部をなす第１領域の前記導体に形成された薄導体部と、
前記配線部の長手方向の他の一部をなす第２領域の前記導体に形成され前記薄導体部よりも厚さが大きい厚導体部と、
を具備し、
前記配線部が、前記ロードビームの一対のヒンジ部間に配置された可撓配線部を含み、該可撓配線部に前記薄導体部を有したことを特徴とするディスク装置用サスペンションのフレキシャ。
【請求項３】
ディスク装置用サスペンションのロードビームに取付けるフレキシャであって、
ステンレス鋼の板からなるメタルベースと、該メタルベースに沿って配置された配線部とを有し、
前記配線部が、
電気絶縁材料からなり前記メタルベース上に形成された絶縁層と、該絶縁層上に形成された導体とを有し、かつ、
前記配線部の長手方向の一部をなす第１領域の前記導体に形成された薄導体部と、
前記配線部の長手方向の他の一部をなす第２領域の前記導体に形成され前記薄導体部よりも厚さが大きい厚導体部と、
を具備し、
フレキシャテール部の前記メタルベースに形成された開口と、該開口を境に厚さ方向に曲がる前記メタルベースの折曲部と、前記開口に臨む位置にて前記厚さ方向に曲がる配線曲がり部とを有し、該配線曲がり部に前記厚導体部を有したことを特徴とするディスク装置用サスペンションのフレキシャ。
【請求項４】
メタルベース上に形成された絶縁層と該絶縁層上に形成された導体とを含み、かつ、該導体の長手方向の一部に薄導体部と、前記導体の長手方向の他の一部に厚導体部とを有するフレキシャの配線部、の製造方法であって、
前記絶縁層上に第１のレジストを前記厚導体部の厚さに応じた高さに形成することにより、該第１のレジストによって覆われたマスキング部と該第１のレジストによって覆われない薄導体形成空間および厚導体形成空間を形成する第１のマスキング工程と、
前記薄導体形成空間および前記厚導体形成空間内にそれぞれ前記薄導体部の厚さまで銅をめっきすることにより、前記薄導体形成空間および前記厚導体形成空間内に前記第１のレジストよりも高さが低い第１の厚さのめっき層を形成する第１のめっき工程と、
前記薄導体形成空間の開口を第２のレジストによって埋めることにより、前記薄導体形成空間内の前記めっき層を覆う第２のマスキング工程と、
前記第２のマスキング工程後に、前記厚導体形成空間内のめっき層の上に前記厚導体部のための第２の厚さの追加のめっき層を形成する第２のめっき工程と、
前記第２のめっき工程後に、前記第１のレジストと前記第２のレジストを除去する工程と、
を具備したことを特徴とするフレキシャの配線部の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、例えばパーソナルコンピュータ等の情報処理装置に使用されるディスク装置用サスペンションのフレキシャと、フレキシャの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
パーソナルコンピュータ等の情報処理装置に、ハードディスク装置（ＨＤＤ）が使用されている。ハードディスク装置は、スピンドルを中心に回転する磁気ディスクと、ピボット軸を中心に旋回するキャリッジなどを含んでいる。キャリッジはアーム（アクチュエータアーム）を有し、ボイスコイルモータ等のポジショニング用モータによって、ピボット軸を中心にディスクのトラック幅方向に旋回するように構成されている。
【０００３】
前記アクチュエータアームにサスペンションが取付けられている。サスペンションは、ロードビーム(load beam)と、ロードビームに重ねて配置されるフレキシャ(flexure)などを含んでいる。フレキシャの先端付近に形成されたジンバル部に、磁気ヘッドを構成するスライダが取付けられている。スライダには、データの読取りあるいは書込み等のアクセスを行なうための素子（トランスジューサ）が設けられている。ディスクが回転すると、前記スライダがディスク表面から僅かに浮上するとともに、ディスクとスライダとの間にエアベアリングが形成される。
【０００４】
ハードディスク装置は、ディスクの高記憶密度化に対応するために、スライダの浮上高さ（フライングハイト）を年々低下させてきた。低フライングハイトを安定的に実現するには、ジンバル部（タングまわり）の剛性のコントロールが非常に重要であり、従来より様々な手段が提案されてきた。
【０００５】
例えば特許文献１に開示されているように、ステンレス鋼製のメタルベースのハーフエッチング部によって剛性をコントロールする例がある。また特許文献２に開示されているように、メタルベースの平面形状を最適化することにより、剛性をコントロールする例がある。さらに特許文献３に開示されているように、ジンバル部の一対のアウトリガーの内側に配線部を配置し、配線部の形状とメタルベースの形状を最適化することにより、剛性をコントロールする例もある。また特許文献４に開示されているように、空中配線部の絶縁層（ベースポリイミド）の厚さを薄くすることによって、剛性を下げることも考えられた。
【０００６】
特許文献５には、互いに平行に配置される複数の導体のうちの一方の導体の厚さを大きく、他方の導体の厚さを小さく形成したサスペンション用基板が記載されている。この特許文献５では、互いに厚さが異なる複数の導体を形成する手段として、第１のマスキング工程によって薄い導体の厚さに応じた高さの第１のレジストパターンを形成したのち、第１の銅めっきによって薄い導体（薄い銅層）が形成される。そののち第２のマスキング工程において、前記第１のレジストパターンの上に厚い導体のための第２のレジストパターンが積み上げられたのち、この第２のレジストパターンを用いる第２の銅めっきによって厚い導体（厚い銅層）が形成される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開平６−２０３５０８号公報
【特許文献２】特開平９−１７１３９号公報
【特許文献３】特開平１１−３９６２６号公報
【特許文献４】特開２０１２−９１１１号公報
【特許文献５】特開２０１０−６７３１７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
特許文献１〜３に記載された従来技術では、メタルベースの厚さを小さくしたり、メタルベースの平面形状を細くしたりすることで、低剛性化を果たしてきた。しかし配線部は、要求される電気特性を満足するために、薄くしたり細くしたりすることに限界がある。このため例えばジンバル部を低剛性化するためにメタルベースの剛性を小さくすると、配線部の剛性がジンバル部の剛性に与える影響の度合い（配線部の剛性寄与率）が高まり、所望の剛性を得るための設計自由度が狭まってしまう。理想的には、ジンバル部の剛性に関して配線部の剛性寄与率がゼロであれば、ジンバル部の剛性を最適化することが容易となる。
【０００９】
特許文献４に記載されているように、タングまわりに形成された空中配線部の絶縁層（ベースポリイミド）の厚さを薄くすることによって、ジンバル部の剛性を下げることも考えられるが、ポリイミドの厚さを部分的に小さくすることは技術的に難しい。また配線部を低剛性化する手段として、導体を覆うカバー層（カバーポリイミド）を使用しないことも考えられる。しかしカバーポリイミドの厚さは数μｍ程度と薄いため、カバー層を無くしても十分な低剛性化を図ることができない。
【００１０】
タングまわりの空中配線部はメタルベースを有しないため、この空中配線部に金めっきされた導体のみを用いれば、タングまわりの剛性を小さくすることができる。しかし導体のみの空中配線部は、互いに隣り合う導体同士の位置をコントロールすることができないため、導体間の距離がばらつくことにより電気的特性に悪影響が生じたり、導体が変形しやすいという問題がある。
【００１１】
参考として挙げた前記特許文献５は、複数の導体を有する配線部において、一方の導体と他方の導体の厚さを互いに異ならせている。しかし特許文献５は導体の長手方向に厚さが異なる部分を形成する技術ではない。つまり薄い導体と厚い導体を形成するにあたって、まず薄い導体と同じ高さの第１のレジストパターンを形成し、この第１のレジストパターンを用いて薄い銅層を形成する。そののち、厚い導体を形成するための第２のレジストパターンを第１のレジストパターンの上に積み上げ、第２のレジストパターンを用いて厚い銅層を積み上げている。このため第１のレジストパターンと第２のレジストパターンの位置が少しでもずれていると、厚い導体（銅層）の側面に段差が生じたり、不連続な部分が生じたりする。この段差や不連続な部分が原因となって電気的な特性や機械的な特性が悪化し、極端な場合には断線の起点になるおそれもある。
【００１２】
従ってこの発明の目的は、撓みやすさ等の機械的特性あるいは電気的特性を向上させることができるディスク装置用サスペンションのフレキシャと、フレキシャの配線部の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
１つの実施形態は、ディスク装置用サスペンションのロードビームに取付けるフレキシャであって、ステンレス鋼の板からなるメタルベースと、該メタルベースに沿って配置された配線部とを有し、前記配線部が、電気絶縁材料（例えばポリイミド）からなり前記メタルベース上に形成された絶縁層と、該絶縁層上に形成された導体（めっき銅の層）とを有し、かつ、前記配線部の長手方向の一部をなす第１領域の前記導体に形成された薄導体部と、前記配線部の長手方向の他の一部をなす第２領域の前記導体に形成され前記薄導体部よりも厚さが大きい厚導体部とを具備している。
【００１４】
この実施形態において、前記配線部が、前記サスペンションのジンバル部のタングに沿って配置されたメタルベースを有しない空中配線部（第１領域の一例）を含み、該空中配線部に前記薄導体部を有してもよい。また前記配線部が、前記ロードビームの一対のヒンジ部間に配置された可撓配線部（第１領域の一例）を含み、該可撓配線部に前記薄導体部を有してもよい。
【００１５】
またフレキシャテール部の前記メタルベースに形成された開口と、前記開口を境に厚さ方向に曲がる前記メタルベースの折曲部と、前記開口に臨む位置にて前記厚さ方向に曲がる配線曲がり部（第２領域の一例）とを有し、該配線曲がり部に前記厚導体部を有してもよい。
【００１６】
さらに他の実施形態では、前記導体が電子回路の端子に接続される端子部（第２領域の一例）を有し、該端子部に前記厚導体部を有してもよい。また前記配線部の幅方向に互いに間隔を存して配置された複数の導体を有し、これら導体のうちの一部の導体に形成された薄導体部と、他方の導体に形成された厚導体部とを有してもよい。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、例えばタングまわりに配置された空中配線部やヒンジ部付近に配置される可撓配線部の剛性を下げることができるなど、機械的な特性が向上する。またフレキシャテール部の曲げ部のようにメタルベースに開口が形成されている個所に厚導体部を配置した場合には、開口に臨む個所の導体厚さが大きいことによりインピーダンスを下げることができ、インピーダンス整合を促進できるなど電気的特性が向上する。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】ディスク装置の一例を示す斜視図。
【図２】図１に示されたディスク装置の一部の断面図。
【図３】第１の実施形態に係るディスク装置用サスペンションの一例を示す斜視図。
【図４】図３に示されたサスペンションの先端部を図３とは反対側から見た斜視図。
【図５】図４に示されたサスペンション先端部の配線部の長手方向に沿う断面図。
【図６】図５中のｉ−ｉ線に沿う第１領域の断面と、ii−ii線に沿う第２領域の断面を示す配線部の断面図。
【図７】図６に示された配線部の製造工程においてレジストを設ける前のメタルベースと絶縁層と導電膜を示す断面図。
【図８】図７に示された絶縁層上に第１のレジストを設けた状態を示す断面図。
【図９】第１の厚さのめっき層が形成された状態を示す断面図。
【図１０】薄導体部形成空間の開口が第２のレジストによって埋められた状態を示す断面図。
【図１１】厚導体形成空間内のめっき層の上に追加のめっき層が形成された状態を示す断面図。
【図１２】第１のレジストと第２のレジストが除去された状態を示す断面図。
【図１３】互いに隣り合う導体間の導電膜が除去された状態を示す断面図。
【図１４】導体がカバー層によって覆われた状態を示す断面図。
【図１５】第２の実施形態に係る配線部の一部（可撓配線部）を示す断面図。
【図１６】第３の実施形態に係る配線部の端子部を示す断面図。
【図１７】第４の実施形態に係るフレキシャの配線部の断面図。
【図１８】第５の実施形態に係るディスク装置用サスペンションの平面図。
【図１９】図１８に示されたサスペンションのフレキシャテール部のメタルベースと導体を拡大して示した平面図。
【図２０】図１９に示されたフレキシャテール部の折曲予定部の断面図。
【図２１】図２０に示された折曲予定部を厚さ方向に略９０°曲げた状態の断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
［第１の実施形態］（図１〜図１４）  
以下に第１の実施形態に係るディスク装置用サスペンションのフレキシャについて、図１から図１４を参照して説明する。  
図１に示すディスク装置（ＨＤＤ）１は、ケース２と、スピンドル３を中心に回転するディスク４と、ピボット軸５を中心に旋回するキャリッジ６と、キャリッジ６を旋回させるためのポジショニング用モータ７とを有している。ケース２は、図示しない蓋によって密閉される。
【００２０】
図２は、ディスク装置１の一部を模式的に示す断面図である。キャリッジ６にアーム８が設けられている。アーム８の先端部に、ディスク装置用サスペンション１０（これ以降、単にサスペンション１０と称する）が取付けられている。サスペンション１０の先端部にスライダ１１が配置されている。ディスク４が高速で回転することにより、ディスク４とスライダ１１との間にエアベアリングが形成される。ポジショニング用モータ７によってキャリッジ６が旋回すると、サスペンション１０がディスク４の径方向に移動することにより、スライダ１１がディスク４の所望トラックまで移動する。
【００２１】
図３はサスペンション１０の一例を示している。サスペンション１０は、ベースプレート１９と、ロードビーム２０と、ロードビーム２０に取付けられた配線付フレキシャ(flexure with conductors)３０とを備えている。この明細書では配線付フレキシャ３０を単にフレキシャ３０と称することもある。ロードビーム２０とフレキシャ３０などによってヘッドジンバルアセンブリが構成されている。
【００２２】
ベースプレート１９のボス部１９ａは、キャリッジ６のアーム８（図１と図２に示す）に固定される。ロードビーム２０に一対のヒンジ部２１，２２が形成されている。ヒンジ部２１，２２は、厚さ方向に弾性的に撓むことが可能なばね性を有している。図３に矢印Ｘで示す方向がサスペンション１０の長手方向（前後方向）すなわちロードビーム２０の長手方向である。ロードビーム２０の厚さは例えば３０μｍ〜１００μｍである。ロードビーム２０の先端付近にディンプル２３が形成されている。
【００２３】
図４は、サスペンション１０の先端部を図３とは反対側から見た斜視図である。フレキシャ３０の先端付近に、タング３１が形成されている。タング３１にスライダ１１が取付けられている。スライダ１１の先端に、磁気ヘッドとして機能する素子群３５が配置されている。
【００２４】
素子群３５は、ディスク４にデータを記録する書込用素子（例えば磁気コイル）と、ディスク４に記録されたデータを読取る読取用素子とを含んでいる。読取用素子の一例はＭＲ（Magneto Resistive）素子である。ＭＲ素子は、ディスク４に記録された磁気信号を電気信号に変換する。つまりディスク４に対するデータの書込みあるいは読取り等のアクセスが素子群３５によって行なわれる。
【００２５】
フレキシャ３０は、ロードビーム２０よりも薄いステンレス鋼の板からなるメタルベース４０と、メタルベース４０に沿って配置された配線部４１とを備えている。メタルベース４０は、例えば厚さ１０〜２５μｍ程度のステンレス鋼の圧延板からなり、レーザ溶接等によってロードビーム２０に固定されている。
【００２６】
図４に示されるように、タング３１の両側にアウトリガー部４５，４６が形成されている。タング３１とアウトリガー部４５，４６は、いずれもメタルベース４０の一部であり、ばね性を有している。タング３１とアウトリガー部４５，４６は、連続部４７，４８を介して互いに連なっている。タング３１は、ロードビーム２０に形成されたディンプル２３（図３に示す）の先端を支点として、ローリング方向Ｒ（図４に示す）とピッチング方向Ｐなどに揺動する。すなわちタング３１とアウトリガー部４５，４６などによって、スライダ１１を揺動自在に支持するジンバル部４９が構成されている。
【００２７】
図５は、フレキシャ３０の配線部４１の一部（中空配線部４１ａ）の長手方向に沿う断面を示している。図６の右側半分は図５中のｉ−ｉ線に沿う配線部４１の断面図、図６の左側半分は図５中のii−ii線に沿う配線部４１の断面図である。
【００２８】
配線部４１は、メタルベース４０上に形成された絶縁層５０と、絶縁層５０上にスパッタリングによって形成された極薄い導電膜５１と、導電膜５１上に形成された導体５５，５６と、導体５５，５６を覆うカバー層５７とを有している。絶縁層５０とカバー層５７とは、いずれもポリイミド等の電気絶縁材料からなる。
【００２９】
絶縁層５０の厚さは５〜２０μｍ（例えば１０μｍ）である。導電膜５１はスパッタリング等によって形成されたきわめて薄い金属（例えばニッケル）からなり、厚さ０．０１μｍ以下である。導体５５，５６の厚さは４〜１５μｍ（例えば５μｍ）である。カバー層５７の厚さは２〜１０μｍ（例えば４μｍ）である。導体５５，５６は、スライダ１１の端子１１ａ（図４に示す）に電気的に接続されている。なお、配線部４１には２本以上（例えば８〜１２本）の導体が存在するが、説明の都合上、理解しやすいように２本の導体５５，５６が代表して示されている。
【００３０】
配線部４１は、配線部４１の長手方向の一部をなす第１領域Ａ１と、配線部４１の長手方向の他の一部をなす第２領域Ａ２とを含んでいる。第１領域Ａ１の一例は空中配線部４１ａである。空中配線部４１ａは、タング３１まわりのアウトリガー部４５，４６に沿って配置されている。
【００３１】
図５と図６に示されるように、空中配線部４１ａは、絶縁層５０と、導電膜５１と、導体５５，５６（一部のみ示す）と、カバー層５７とを含んでいる。第１領域Ａ１（空中配線部４１ａ）には、剛性を小さくするためにメタルベース４０は設けられていない。第２領域Ａ２にはメタルベース４０が設けられている。
【００３２】
導体（銅層）５５，５６の厚さは、第１領域Ａ１と第２領域Ａ２とで異なっている。すなわち第１領域Ａ１（空中配線部４１ａ）には、厚さＴ１（図６に示す）の薄導体部５５ａ，５６ａが配置されている。第２領域Ａ２には、厚さＴ２の厚導体部５５ｂ，５６ｂが配置されている。厚導体部５５ｂ，５６ｂの厚さＴ２は、薄導体部５５ａ，５６ａの厚さＴ１よりも大きい。
【００３３】
このように本実施形態では、第１領域Ａ１をなす空中配線部４１ａに薄導体部５５ａ，５６ａが配置されている。しかも空中配線部４１ａにはメタルベース４０が設けられていない。このため本実施形態のフレキシャ３０の配線部４１は、タング３１まわりの空中配線部４１ａの曲げ剛性を小さくすることができる。すなわち空中配線部４１ａのようにばね定数を小さくすることが重視される個所に、導体（銅層）５５，５６の長手方向の一部である薄導体部５５ａ，５６ａを配置したことにより、空中配線部４１ａのばね定数を小さくすることができた。よって、タング３１のジンバル運動に配線部４１が与える影響の度合いを小さくすることができ、ジンバル運動をコントロールしやすい。
【００３４】
以下に配線部４１の製造方法について、図７〜図１４を参照して説明する。図７〜図１４は、図６に示す配線部４１を製造する工程順に模式的に示している。配線部４１には２本以上（例えば８〜１２本）の導体が存在するが、理解しやすいように一対の導体５５，５６のみを代表して説明する。他の導体も同様に製造することができる。
【００３５】
図７に示されるように、ステンレス鋼からなるメタルベース４０上に、ベースポリイミドからなる絶縁層５０が形成されている。絶縁層５０上には、スパッタリング等の金属膜形成手段によって導電膜５１が形成されている。
【００３６】
（１）第１のマスキング工程
図８に示されるように、導電膜５１上に、所定の導体パターンに応じた第１のレジスト６１が、厚導体部５５ｂ，５６ｂ（図６に示す）の厚さＴ２に応じた高さＨ１に形成される。この第１のマスキング工程により、導電膜５１上に、第１のレジスト６１によって覆われたマスキング部６２と、第１のレジスト６１によって覆われない薄導体形成空間６３および厚導体形成空間６４が形成される。
【００３７】
（２）第１のめっき工程
図９に示されるように、薄導体形成空間６３および厚導体形成空間６４の導電膜５１上に、直流電源７０と銅めっき液７１（一部のみ示す）を用いる電解めっきによって、薄導体部５５ａ，５６ａ（図６に示す）の厚さＴ１の高さまで銅をめっきする。この第１のめっき工程により、薄導体形成空間６３および厚導体形成空間６４の双方に、第１の厚さｈ１のめっき層Ｍ１が形成される。第１の厚さｈ１は、薄導体部５５ａ，５６ａの厚さＴ１と同じである。第１の厚さｈ１は第１のレジスト６１の高さＨ１よりも小さい。
【００３８】
（３）第２のマスキング工程
図１０に示されるように、第２のレジスト７２によって薄導体形成空間６３の開口６３ａを埋めることにより、薄導体形成空間６３内のめっき層Ｍ１を覆う。
【００３９】
（４）第２のめっき工程
図１１に示されるように、第２のレジスト７２によって覆われていない厚導体形成空間６４内のめっき層Ｍ１の上に、直流電源７０と銅めっき液７１（一部のみ示す）を用いる電解めっきによって、第２の厚さｈ２の追加のめっき層Ｍ２を形成する。これにより、厚導体形成空間６４内に合計厚さＴ２（図６に示す）の厚導体部５５ｂ，５６ｂが形成される。薄導体形成空間６３内のめっき層Ｍ１は第２のレジスト７２によって覆われているため、めっき層Ｍ１の厚さは増加しない。
【００４０】
（５）レジストを除去する工程
第１のレジスト６１と第２のレジスト７２を除去することにより、図１２に示されるように導体５５，５６の側面が露出する。
【００４１】
（６）導電膜を除去する工程
図１３に示されるように、導体５５，５６間の導電膜５１を除去することにより、導体５５，５６同士を電気的に絶縁させる。
【００４２】
（７）カバー層を形成する工程
図１４に示されるように、カバー層５７を形成することにより、導体５５，５６をカバー層５７で被覆する。
【００４３】
（８）メタルベースの一部を除去する工程
第１領域Ａ１（空中配線部４１ａ）のメタルベース４０（図１４に示す）をエッチング等によって除去することにより、空中配線部４１ａ（図６に示す）が形成される。
【００４４】
以上説明した配線部の製造方法によれば、第１のマスキング工程において厚導体部５５ｂ，５６ｂの厚さＴ２に相当する高さＨ１の第１のレジスト６１が形成される。この第１のレジスト６１を用いて、第１のめっき工程と第２のめっき工程とにより、厚導体部５５ｂ，５６ｂが形成される。このため厚導体部５５ｂ，５６ｂを形成するために第１のめっき工程の後に第２のめっき工程が行われても、厚導体部５５ｂ，５６ｂの側面（めっき銅の側面）に段差や不連続な部分が生じることがなく、厚導体部５５ｂ，５６ｂを精度良く形成することができる。
【００４５】
［第２の実施形態］（図１５）  
図１５は、第２の実施形態に係る配線部４１の第１領域Ａ１と第２領域Ａ２とを示している。この実施形態の第１領域Ａ１は、撓みやすさ（曲げ剛性が小さいこと）が要求されるヒンジ部２１，２２（図３に示す）間の可撓配線部４１ｂに配置されている。この可撓配線部４１ｂ（第１領域Ａ１）に薄導体部５５ａが形成され、かつ、剛性を下げるためにメタルベース４０が設けられていない。
【００４６】
このように構成された可撓配線部４１ｂにより、ヒンジ部２１，２２に沿う可撓配線部４１ｂの曲げ剛性を小さくすることができ、可撓配線部４１ｂがヒンジ部２１，２２のばね特性に与える影響の度合いを小さくすることができた。すなわちヒンジ部２１，２２間の可撓配線部４１ｂのようにばね定数を小さくすることが重視される個所に、薄導体部５５ａを配置したことにより、可撓配線部４１ｂのばね定数を小さくすることができた。
【００４７】
［第３の実施形態］（図１６）  
図１６は、第３の実施形態に係る配線部４１を示している。この実施形態の配線部４１は、スライダ１１の端子１１ａに接続される端子部４１ｃを有している。スライダ１１は電子回路を有する電子部品の一例である。配線部４１の第２領域Ａ２としての端子部４１ｃに、厚導体部５５ｂが配置されている。そして端子部４１ｃとスライダ１１の端子１１ａとが、はんだ等の導電部材９０によって互いに接続されている。端子部４１ｃに厚導体部５５ｂが配置されたことにより、確実な電気接続が要求される配線部４１の端子部４１ｃと電子回路の端子１１ａとの接続状態を良好にすることができた。この実施形態は、スライダ１１以外の電子回路の端子と配線部４１の端子部４１ｃとの接続個所に適用することもできる。
【００４８】
［第４の実施形態］（図１７）  
図１７は、第４の実施形態に係る配線部４１´を示している。配線部４１´の幅方向に互いに間隔を存して配置された複数の導体５５，５６，９５，９６のうち、比較的小さな電流が流れる導体５５，５６に、第１の実施形態で説明した製造方法（図７〜図１３）を利用して薄導体部５５ａ，５６ａが形成され、比較的大きな電流が流れる導体９５，９６に、厚導体部５５ｂ，５６ｂが形成されている。このように厚さが互いに異なる複数の導体を有する配線部４１´において、厚導体部５５ｂ，５６ｂの直流抵抗（ＤＣＲ）を小さくすることができるため、例えばＴＦＣ（Thermal Flying-height Control）配線や、ＭＡＭＲ（Micro-wave Assisted Magnetic Recording）配線など、他の配線と比較して大きな電流を流す導体を有する配線に有利である。あるいは書込用配線や読取用配線あるいはセンサ用配線等の直流配線において、厚導体部５５ｂ，５６ｂを用いることにより、電気抵抗値を小さくすることができ、消費電力を小さくすることが可能となる。
【００４９】
［第５の実施形態］（図１８〜図２１）  
図１８〜図２１に第５の実施形態に係るサスペンション１０Ａが示されている。この第５の実施形態において、第１の実施形態のサスペンション１０と共通の箇所には両者に共通の符号を付して説明を省略する。
【００５０】
図１８に示されたサスペンション１０Ａのフレキシャ３０は、ロードビーム２０に固定される基部３０ａと、基部３０ａからベースプレート１９の後方（図１８に矢印Ｙで示す方向）に延びるフレキシャテール部３０ｂとを含んでいる。
【００５１】
図１９は、フレキシャテール部３０ｂに形成されたテール電極群１００ｘを示している。テール電極群１００ｘの一例は、グランド用のテール電極１００ａと、センサ用のテール電極１００ｂ，１００ｃと、読取用のテール電極１００ｄ，１００ｅと、ヒータ用のテール電極１００ｆと、書込用のテール電極１００ｇ，１００ｈとを含んでいる。これらテール電極１００ａ〜１００ｈは、それぞれ、配線部４１の導体１０５ａ〜１０５ｈと導通している。なお図１９は、メタルベース４０とテール電極１００ａ〜１００ｈとの位置関係を判りやすくするために、絶縁層５０とカバー層５７とが省略されている。
【００５２】
テール電極１００ａ〜１００ｈは、それぞれ、回路基板１１０（図１８に示す）の導体１１０ａ〜１１０ｈに接続されている。回路基板１１０の一例はＦＰＣ（Flexible Printed Circuit board）である。回路基板１１０には、信号処理回路の一部をなすプリアンプが実装されている。プリアンプから出力される書込用の電流は、書込用のテール電極１００ｇ，１００ｈを介して、スライダ１１の書込用素子（磁気コイル）に供給される。スライダ１１の読取用素子（ＭＲ素子）によって検出された電気信号は、読取用のテール電極１００ｄ，１００ｅと回路基板１１０の導体１１０ｄ，１１０ｅとを介して、プリアンプに入力される。
【００５３】
テール電極１００ａ〜１００ｈを回路基板１１０の導体１１０ａ〜１１０ｈに接続するにあたって、フレキシャテール部３０ｂと回路基板１１０との位置関係によっては、図１９に２点鎖線で示した曲げ予定部１２０において、フレキシャテール部３０ｂを厚さ方向に例えば９０°程度曲げることがある。このためメタルベース４０の曲げ予定部１２０には、メタルベース４０の幅方向に延びる横長形状の開口１２１が形成されている。
【００５４】
図２０はフレキシャテール部３０ｂの一部（曲げ予定部１２０付近）の配線部４１の長手方向に沿う断面を示している。フレキシャテール部３０ｂは、開口１２１を有するメタルベース４０と、メタルベース４０上に形成された配線部４１とを有している。配線部４１は、絶縁層５０と、絶縁層５０上に導電膜５１を介して形成された導体１０５ａ〜１０５ｈ（図１９に示す）と、導体１０５ａ〜１０５ｈを覆うカバー層５７とを含んでいる。
【００５５】
図２１に示すように、開口１２１を境にメタルベース４０を厚さ方向に例えば９０°程度曲げることにより、メタルベース４０の折曲部１２２が形成されている。すなわちこのフレキシャテール部３０ｂの配線部４１は、開口１２１を境にメタルベース４０を厚さ方向に曲げた折曲部１２２と、開口１２１を臨む位置において厚さ方向に曲がる配線曲がり部１２３とを有している。各導体１０５ａ〜１０５ｈ（図１９に示す）には、開口１２１を臨む配線曲がり部１２３（第２領域Ａ２）に、それぞれ厚導体部５５ｂが形成されている。
【００５６】
本実施形態では、メタルベース４０に開口１２１が形成されていることにより、曲げ予定部１２０においてメタルベース４０を曲げることが容易となり、かつ、導体１０５ａ〜１０５ｈ（図１９に示す）に過剰な応力が生じることを回避することができた。また、開口１２１を臨む第２領域Ａ２に厚導体部５５ｂが配置されているため、開口１２１に臨む個所の導体厚さが大きいことによりインピーダンスを下げることができ、配線部４１のインピーダンス整合（定インピーダンス化）を促進できるなど、電気的特性が向上する。また同一配線幅であれば、厚導体部５５ｂを用いることで低インピーダンス（省電力）化が可能となる。同一インピーダンスの場合には、厚導体部５５ｂを用いることで配線部の幅を小さくすることにより、配線部の省スペース化が可能となる。すなわち開口１２１に臨む配線曲がり部１２３のように電気特性が重視される個所（ばね定数は無関係）に、厚導体部５５ｂを配置したことにより、配線部４１の電気特性を向上させることができた。
【００５７】
なお本発明を実施するに当たり、フレキシャを構成するメタルベースや配線部の具体的な形状や配置をはじめとして、第１領域および第２領域の位置や絶縁層および導体等の具体的な態様を種々に変形して実施できることは言うまでもない。また薄導体部と厚導体部は、配線部に要求される機械的特性あるいは電気的特性に応じて形成すればよく、前記実施形態に限定されるものではない。
【符号の説明】
【００５８】
１…ディスク装置（ＨＤＤ）、１０，１０Ａ…サスペンション、１１…スライダ、２０…ロードビーム、２１，２２…ヒンジ部、３０…フレキシャ、３０ａ…基部、３０ｂ…フレキシャテール部、３１…タング、４０…メタルベース、４１…配線部、４１ａ…空中配線部、４１ｂ…可撓配線部、４１ｃ…端子部、Ａ１…第１領域、Ａ２…第２領域、４９…ジンバル部、５０…絶縁層、５１…導電膜、５５，５６…導体、５５ａ，５６ａ…薄導体部、５５ｂ，５６ｂ…厚導体部、５７…カバー層、６１…第１のレジスト、６２…マスキング部、６３…薄導体形成空間、６４…厚導体形成空間、７２…第２のレジスト、Ｍ１…めっき層、Ｍ２…追加のめっき層、１１０…回路基板、１２１…開口、１２２…折曲部、１２３…配線曲がり部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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