(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体レーザ装置であって、
基台と、
前記基台に設けられた第１配線及び第２配線と、
前記基台の上面側において固定され、第１電極及び第２電極を備える半導体レーザ素子と、
前記半導体レーザ素子を覆うように前記基台の上面側に設けられた窓部を備えるキャップと、
前記基台の上面側における前記キャップの外側あるいは前記基台の下面側に設けられ、前記第１配線を介して前記半導体レーザ素子の第１電極に電気的に接続された、表面が金属よりなる第１ブロック部と、
前記基台の上面側における前記キャップの外側あるいは前記基台の下面側に設けられ、前記第２配線を介して前記半導体レーザ素子の第２電極に電気的に接続された、表面が金属よりなる第２ブロック部と、を備え、
前記半導体レーザ装置を実装する実装基板に対し、２つ以上の異なる向きでの実装が可能となるよう前記第１ブロック部及び前記第２ブロック部の各々が少なくとも１つ以上の実装面を有する半導体レーザ装置。
【請求項２】
前記第１ブロック部と前記第２ブロック部の双方が前記基台の下面側に設けられる請求項１に記載の半導体レーザ装置。
【請求項３】
前記基台の上面側に前記第１ブロック部と前記第２ブロック部の双方が設けられ、前記基台の下面側に前記第１配線及び前記第２配線が設けられる請求項１に記載の半導体レーザ装置。
【請求項４】
前記第１ブロック部と前記第２ブロック部のいずれか一方が前記基台の上面側に設けられ、他方が前記基台の下面側に設けられる請求項１に記載の半導体レーザ装置。
【請求項５】
半導体レーザ装置の製造方法であって、
第１配線及び第２配線が設けられた基台を準備する工程と、
第１電極及び第２電極を有する複数の半導体レーザ素子を、前記第１電極及び前記第２電極が前記第１配線及び前記第２配線にそれぞれ電気的に接続されるよう前記基台の上面側に配置する工程と、
前記複数の半導体レーザ素子が覆われるよう、窓部を備えた複数のキャップを前記基台の上面側に設ける工程と、
１つの個片に前記複数のキャップの１つが含まれるよう前記基台を個片化する工程と、
表面が金属よりなる第１ブロック部であって、少なくとも１つ以上の実装面を有する前記第１ブロック部を前記基台の上面側及び下面側の一方に配置し、前記第１ブロック部と前記第１配線とを電気的に接続する工程と、
表面が金属よりなる第２ブロック部であって、少なくとも１つ以上の実装面を有する前記第２ブロック部を前記基台の上面側及び下面側の一方に配置し、前記第２ブロック部と前記第２配線とを電気的に接続する工程と、
を有し、
前記半導体レーザ装置を実装する実装基板に対し、前記第１ブロック部及び前記第２ブロック部の各々が有する前記実装面を利用して、２つ以上の異なる向きでの実装が可能となる半導体レーザ装置の製造方法。
【請求項６】
前記第１ブロック部と前記第２ブロック部とを配置した後、前記第１ブロック部及び前記第２ブロック部の各々が分割されるよう前記基台を個片化する請求項５に記載の半導体レーザ装置の製造方法。
【請求項７】
前記第１ブロック部と前記第２ブロック部はそれぞれ切り欠き部を有し、
前記第１ブロック部及び前記第２ブロック部は前記切り欠き部にて分割される請求項６に記載の半導体レーザ装置の製造方法。
【請求項８】
前記第１ブロック部と前記第２ブロック部とを配置する前に、前記基台を個片化する請求項５に記載の半導体レーザ装置の製造方法。
【請求項９】
前記第１ブロック部及び／又は前記第２ブロック部を配置する工程において、
前記第１ブロック部の一部及び／又は前記第２ブロック部の一部を前記基台の端部よりも外側に位置させる請求項８に記載の半導体レーザ装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
半導体レーザ装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体レーザ装置の分野においては、実装基板に対して光を垂直に出射する垂直出射型と水平に出射する水平出射型とが区別されており、半導体レーザ装置の設計者やユーザは、両者を区別して設計、製造又は管理等を行っている（特許文献１、２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００４−３１９００号公報
【特許文献２】特開平７−３３５９６６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、このような区別された取り扱いは、半導体レーザ装置の設計者やユーザにとって負担が大きく、半導体レーザ装置やその応用分野における作業効率を低下させてしまうおそれがある。また従来の半導体レーザ装置には、個々の部品を１つずつ組み立てているため、生産性が低くなることが考えられる。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記課題は、例えば、次の手段により解決することができる。
【０００６】
本発明の一実施形態に係る半導体レーザ装置は、基台と、前記基台に設けられた第１配線及び第２配線と、前記基台の上面側において固定され、第１電極及び第２電極を備える半導体レーザ素子と、前記半導体レーザ素子を覆うように前記基台の上面側に設けられた窓部を備えるキャップと、前記基台の上面側における前記キャップの外側あるいは前記基台の下面側に設けられ、前記第１配線を介して前記半導体レーザ素子の第１電極に電気的に接続された、表面が金属よりなる第１ブロック部と、前記基台の上面側における前記キャップの外側あるいは前記基台の下面側に設けられ、前記第２配線を介して前記半導体レーザ素子の第２電極に電気的に接続された、表面が金属よりなる第２ブロック部と、を備える。特に、実装基板に対する２つ以上の異なる向きでの実装が可能となるよう前記第１ブロック部及び前記第２ブロック部の各々が少なくとも１つ以上の実装面を有する。
【０００７】
本発明の一実施形態に係る半導体レーザ装置の製造方法は、第１配線及び第２配線が設けられた基台を準備する工程と、第１電極及び第２電極を有する複数の半導体レーザ素子を、前記第１電極及び前記第２電極が前記第１配線及び前記第２配線にそれぞれ電気的に接続されるよう前記基台の上面側に配置する工程と、前記複数の半導体レーザ素子が覆われるよう、窓部を備えた複数のキャップを前記基台の上面側に設ける工程と、１つの個片に前記複数のキャップの１つが含まれるよう前記基台を個片化する工程と、表面が金属よりなる第１ブロック部を前記基台の上面側及び下面側の一方に配置し前記第１ブロック部と前記第１配線とを電気的に接続する工程と、表面が金属よりなる第２ブロック部を前記基台の上面側及び下面側の一方に配置し前記第２ブロック部と前記第２配線とを電気的に接続する工程と、を有する。
【発明の効果】
【０００８】
上記した半導体レーザ装置によれば、半導体レーザ装置を異なる向きで実装することによってレーザ光の出射方向を変えることができるため、レーザ光の出射方向に応じて異なるタイプの半導体レーザ装置を設計したり使用したりする必要がない。したがって、上記した半導体レーザ装置によれば、半導体レーザ装置の設計者やユーザの負担を軽減して、半導体レーザ装置やその応用分野における作業効率を高めることができる。また、上記した半導体レーザ装置の製造方法によれば、上記した半導体レーザ装置をウエハプロセス内で組み立てることができるため、上記した半導体レーザ装置の生産性を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１Ａ】実施形態１に係る半導体レーザ装置の模式的平面図である。
【図１Ｂ】実施形態１に係る半導体レーザ装置の模式的底面図である。
【図１Ｃ】実施形態１に係る半導体レーザ装置の模式的背面図である。
【図１Ｄ】実施形態１に係る半導体レーザ装置の模式的側面図である。
【図１Ｅ】図１Ａ中のＡ−Ａ断面図である。
【図１Ｆ】図１Ａ中のＢ−Ｂ断面図である。
【図１Ｇ】図１Ｃ中のＣ−Ｃ断面図である。
【図１Ｈ】実施形態１に係る半導体レーザ装置を実装基板に実装した様子（その１）を示す図である。
【図１Ｉ】実施形態１に係る半導体レーザ装置を実装基板に実装した様子（その２）を示す図である。
【図２Ａ】実施形態２に係る半導体レーザ装置の模式的平面図である。
【図２Ｂ】実施形態２に係る半導体レーザ装置の模式的底面図である。
【図２Ｃ】実施形態２に係る半導体レーザ装置の模式的背面図である。
【図２Ｄ】実施形態２に係る半導体レーザ装置の模式的側面図である。
【図２Ｅ】図２Ａ中のＡ−Ａ断面図である。
【図２Ｆ】図２Ａ中のＢ−Ｂ断面図である。
【図２Ｇ】実施形態２に係る半導体レーザ装置を実装基板に実装した様子（その１）を示す図である。
【図２Ｈ】実施形態２に係る半導体レーザ装置を実装基板に実装した様子（その２）を示す図である。
【図３Ａ】実施形態３に係る半導体レーザ装置の模式的平面図である。
【図３Ｂ】実施形態３に係る半導体レーザ装置の模式的底面図である。
【図３Ｃ】実施形態３に係る半導体レーザ装置の模式的背面図である。
【図３Ｄ】実施形態３に係る半導体レーザ装置の模式的側面図である。
【図３Ｅ】図３Ａ中のＡ−Ａ断面図である。
【図３Ｆ】図３Ａ中のＢ−Ｂ断面図である。
【図３Ｇ】図３Ｃ中のＣ−Ｃ断面図である。
【図３Ｈ】実施形態３に係る半導体レーザ装置を実装基板に実装した様子（その１）を示す図である。
【図３Ｉ】実施形態３に係る半導体レーザ装置を実装基板に実装した様子（その２）を示す図である。
【図４Ａ】実施形態４に係る半導体レーザ装置の模式的平面図である。
【図４Ｂ】実施形態４に係る半導体レーザ装置の模式的底面図である。
【図４Ｃ】実施形態４に係る半導体レーザ装置の模式的背面図である。
【図４Ｄ】実施形態４に係る半導体レーザ装置の模式的側面図である。
【図４Ｅ】図４Ａ中のＡ−Ａ断面図である。
【図４Ｆ】図４Ａ中のＢ−Ｂ断面図である。
【図４Ｇ】図４Ｃ中のＣ−Ｃ断面図である。
【図４Ｈ】実施形態４に係る半導体レーザ装置を実装基板に実装した様子（その１）を示す図である。
【図４Ｉ】実施形態４に係る半導体レーザ装置を実装基板に実装した様子（その２）を示す図である。
【図５Ａ】半導体レーザ装置の製造方法例（その１）を説明する半導体レーザ装置の模式的断面図である。
【図５Ｂ】半導体レーザ装置の製造方法例（その１）を説明する半導体レーザ装置の模式的断面図である。
【図５Ｃ】半導体レーザ装置の製造方法例（その１）を説明する半導体レーザ装置の模式的断面図である。
【図５Ｄ】半導体レーザ装置の製造方法例（その１）を説明する半導体レーザ装置の模式的断面図である。
【図５Ｅ】半導体レーザ装置の製造方法例（その１）を説明する半導体レーザ装置の模式的断面図である。
【図６Ａ】半導体レーザ装置の製造方法例（その２）を説明する半導体レーザ装置の模式的断面図である。
【図６Ｂ】半導体レーザ装置の製造方法例（その２）を説明する半導体レーザ装置の模式的断面図である。
【図６Ｃ】半導体レーザ装置の製造方法例（その２）を説明する半導体レーザ装置の模式的断面図である。
【図６Ｄ】半導体レーザ装置の製造方法例（その２）を説明する半導体レーザ装置の模式的断面図である。
【図６Ｅ】半導体レーザ装置の製造方法例（その２）を説明する半導体レーザ装置の模式的断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
［実施形態１に係る半導体レーザ装置］
図１Ａ、図１Ｂ、図１Ｃ、及び図１Ｄは、それぞれ、実施形態１に係る半導体レーザ装置の模式的平面図、模式的底面図、模式的背面図及び模式的側面図である。また、図１Ｅ、図１Ｆは、それぞれ、図１Ａ中のＡ−Ａ断面図、Ｂ−Ｂ断面図であり、図１Ｇは図１Ｃ中のＣ−Ｃ断面図である。図１Ａから図１Ｇに示すように、実施形態１に係る半導体レーザ装置は、基台１０と、基台１０に設けられた第１配線１１及び第２配線１２と、基台１０の上面側において固定され、第１電極２１及び第２電極２２を備える半導体レーザ素子２５と、半導体レーザ素子２５を覆うように基台１０の上面側に設けられた窓部３１を備えるキャップ３０と、基台１０の上面側におけるキャップ３０の外側あるいは基台１０の下面側に設けられ、第１配線１１を介して半導体レーザ素子２５の第１電極２１に電気的に接続された、表面が金属よりなる第１ブロック部４０と、基台１０の上面側におけるキャップ３０の外側あるいは基台１０の下面側に設けられ、第２配線１２を介して半導体レーザ素子２５の第２電極２２に電気的に接続された、表面が金属よりなる第２ブロック部５０と、を備える。第１ブロック部４０及び第２ブロック部５０の各々は、実装基板８０に対する２つ以上の異なる向きでの実装が可能となるよう少なくとも１つ以上の実装面を有する。
【００１１】
図１Ｈ、図１Ｉは、それぞれ、実施形態１に係る半導体レーザ装置を実装基板に実装した様子（その１）、（その２）を示す図である。図１Ｈ、図１Ｉに示すように、実施形態１に係る半導体レーザ装置は、図１Ｈに示した向きで実装基板８０に実装することもできるし、図１Ｉに示した向きで実装基板８０に実装することもできる。そして、図１Ｈに示した向きで実装した場合には、半導体レーザ装置から実装基板８０に対して垂直方向にレーザ光が出射され、図１Ｉに示した向きで実装した場合には、半導体レーザ装置から実装基板８０に対して水平方向にレーザ光が出射される。実施形態１に係る半導体レーザ装置によれば、半導体レーザ装置を異なる向きで実装することによってレーザ光の出射方向を変えることができるため、レーザ光の出射方向に応じて異なるタイプの半導体レーザ装置を設計したり使用したりする必要がない。よって、実施形態１に係る半導体レーザ装置によれば、半導体レーザ装置の設計者やユーザの負担を軽減して、半導体レーザ装置やその応用分野における作業効率を高めることができる。
【００１２】
以下、各部材について説明する。
【００１３】
（基台１０）
基台１０としてはＡｌＮ、ＳｉＣ、アルミナなどの絶縁性セラミックやダイヤモンドなどを用いることができる。
【００１４】
（第１配線１１、第２配線１２）
第１配線１１及び第２配線１２は基台１０に設けられている。第１配線１１や第２配線１２は、例えば、めっき層と金属層を有する部材である。めっき層はスパッタ法や蒸着法によって基台１０の表面の一部に形成されたシード層上に形成されており、金属層はめっき層の上に形成されている。シード層はＮｉ、Ｔｉ、Ｗ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ等による金属の単層又はそれらを含む積層体などによって形成することができ、めっき層はＣｕやＡｕなどによって形成することができる。また、金属層は密着性や接合方法等によって適宜選択された材料により形成することができる。なお、シード層の一例としては例えばＴｉ／Ａｕ、Ｎｉ／Ａｕ、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ、またはＴｉ／Ｐｔ／Ａｕを挙げることができる。また、金属層の一例としては、例えば、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ、Ｎｉ／Ｐｔ／Ａｕを挙げることができる。
【００１５】
（半導体レーザ素子２５）
半導体レーザ素子２５は、レーザ光の出射方向が半導体レーザ装置を実装する向きにより定まるよう、基台１０の上面側において固定される。一例を挙げると、例えば、基台１０上に設けられたサブマウント７０に設けられた配線７１に半田等を用いて、半導体レーザ素子２５を固定することができる。なお、半導体レーザ素子２５をサブマウント７０に固定すれば、半導体レーザ素子２５において発生する熱を、サブマウント７０を介して基台１０に効率的に逃がすことができる。半導体レーザ素子２５は、半導体部２０と第１電極２１（例：ｐ側電極）と第２電極２２（例：ｎ側電極）とを備える。半導体部２０には、例えば３―５族の化合物を用いることができるが、なかでも窒化物半導体を用いるのが好ましい。サブマウント７０は、半導体レーザ素子２５の放熱のために熱伝導性の高い部材によって形成されることが好ましい。具体的には、ＡｌＮ、ＣｕＷ、ダイヤモンド、ＳｉＣ等をサブマウント７０の材料として好ましく用いることができる。なお、理解を容易にするため、図２以下においては、半導体レーザ素子２５中の半導体部２０、第１電極２１、及び第２電極２２を図示せず、半導体レーザ素子を単に符号「２５」で示すが、図２以下で示す半導体レーザ素子２５も半導体部２０、第１電極２１、及び第２電極２２を有する。
【００１６】
半導体レーザ素子２５は、ジャンクションアップ（フェイスアップ）実装、すなわち、半導体レーザ素子２５の成長用基板側がサブマウント７０に向くよう実装されていてもよい。また、半導体レーザ素子２５は、ジャンクションダウン（フェイスダウン）実装、すなわち、半導体レーザ素子２５の成長用基板とは反対側がサブマント７０に向くよう実装されていてもよい。半導体レーザ素子２５をジャンクションダウン実装すれば、第１電極２１と第２電極２２とのうちより発熱しやすい第１電極２１側をサブマウント７０に近づけることができるため、放熱性を向上させることが可能となり、高温時にも光出力を向上させることができる。
【００１７】
半導体レーザ２５の第１電極２１及び第２電極２２は、ワイヤを介して、それぞれ第１配線１１及び第２配線１２に電気的に接続される。ただし、第２電極２２と第２配線１２とを電気的に接続するワイヤは、第２電極２２に直接接合されるのではなく、サブマウント７０上に設けられた配線７１に接合される。
【００１８】
半導体レーザ素子２５は、１つのサブマウント７０の上に１つのみ配置されていてもよいし、１つのサブマウント７０の上に複数配置されていてもよい。
【００１９】
（キャップ３０）
キャップ３０は、半導体レーザ素子２５にゴミ等が付着しないよう（光集塵の防止）、半導体レーザ素子２５を覆うように基台１０の上面側に設けられる。キャップ３０は窓部３１を備えており、半導体レーザ素子２５から出射したレーザ光は窓部３１を通過してキャップ３０の外部に取り出される。キャップ３０としてはＮｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｎｉ−Ｆｅ合金、コバール、真鍮などを用いることができる。窓部３１は、キャップ３０の内部にゴミ等が混入しないようキャップ３０の開口を塞ぐように取り付けられている。窓部３１としては、例えばホウケイ酸ガラス、石英ガラス、合成石英ガラス等を用いることができる。
【００２０】
（第１ブロック部４０、第２ブロック部５０）
第１ブロック部４０、第２ブロック部５０は、それぞれ、基台１０の上面側におけるキャップ３０の外側、あるいは基台１０の下面側に設けられる。第１ブロック部４０や第２ブロック部５０としては、表面が金属よりなる部材を用いることができるが、放熱性の観点からは全体が金属よりなる部材を用いることが好ましい。例えば、ＳｉＣ、ＡｌＮ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｆｅ、ＣｕＷ、又はステンレス鋼などの放熱性の良好な放熱部材に、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ、Ｎｉ／Ａｕ、又はＮｉ／Ｐｄ／Ａｕ等の金属層を全面的または部分的に設けた部材を第１ブロック部４０や第２ブロック部５０として用いることが好ましく、なかでも、めっきによって表面にＴｉ／Ｐｔ／Ａｕが形成されたＣｕを用いることが好ましい。なお、金属層は、第１ブロック部４０や第２ブロック部５０の実装面に設けられていれば足りるが、第１ブロック部４０や第２ブロック部５０を半田により実装基板８０に実装する場合には、実装面において部分的に設けることが好ましい。このようにすれば、実装面における半田の這い上がりを抑制することができるため、第１ブロック部４０と第２ブロック部５０とが近接して配置される場合において、半田の広がりによる第１ブロック部４０と第２ブロック部５０との意図しない導通を抑制することができる。
【００２１】
第１ブロック部４０及び第２ブロック部５０は、それぞれ、第１配線１１及び第２配線１２を介して半導体レーザ素子２５の第１電極２１及び第２電極２２に電気的に接続されている。したがって、第１ブロック部４０及び第２ブロック部５０の各実装面を実装基板８０の実装電極８１、８２にそれぞれ接合することにより、第１配線１１及び第２配線１２を介して半導体レーザ素子２５に対する電力を供給することが可能となる。
【００２２】
第１ブロック部４０や第２ブロック部５０の形状は特に限定されないが、例えば、直方体状や半円柱状などとすることができる。第１ブロック部４０や第２ブロック部５０の一辺の長さは、例えば２００μｍ以上５００００μｍ以下とすることができるが、５００μｍ以上１５０００μｍ以下であることが好ましく、１０００μｍ以上８０００μｍ以下であることがさらに好ましい。これらの値を用いれば、第１ブロック部４０や第２ブロック部５０において実装面を大きくとることが可能となるため放熱性を向上させることができる。その一方、第１ブロック部４０や第２ブロック部５０が無駄に大きくなることがないため、コストの削減を図ることができる。なお、第１ブロック部４０と第２ブロック部５０は、同じ大きさや形状を有していてもよいが、異なる大きさや形状を有している方が好ましい。大きさや形状の違いにより第１ブロック部４０と第２ブロック部５０を見分けることが可能となるため、半導体レーザ装置をどのような向きで実装基板８０へ実装しているのかを容易に判断できるようになるためである。
【００２３】
（第１ブロック部４０及び第２ブロック部５０の各々が有する実装面）
第１ブロック部４０及び第２ブロック部５０の各々は、実装基板８０に対する２つ以上の異なる向きでの実装が可能となるよう、少なくとも１つ以上の実装面を有する。具体的に説明すると、本実施形態では、第１ブロック部４０が２つの実装面４１、４２を有し、第２ブロック部５０が２つの実装面５１、５２を有しており、半導体レーザ装置は、図１Ｈに示す向き（第１ブロック部４０の実装面４１と第２ブロック部５０の実装面５１とが実装基板８０の電極８１、８２に対向する向き）と図１Ｉに示す向き（第１ブロック部４０の実装面４２と第２ブロック部５０の実装面５２とが実装基板８０の電極８１、８２に対向する向き）の２通りの向きで実装基板８０に実装することができる。なお、半導体レーザ素子２５が基台１０の上面側において固定されているため、半導体レーザ装置の向きを変えればレーザ光の出射方向が変わる。
【００２４】
半導体レーザ装置の実装は、例えば、半田付けやねじ止め等により行うことができる。具体的に説明すると、実施形態１においては、図１Ｈに示した向きで半導体レーザ装置を実装する場合、第１ブロック部４０の実装面４１と第２ブロック部５０の実装面５１とが半田付けにより実装基板８０の電極８１、８２に電気的に接続される、他方、図１Ｉに示した向きで半導体レーザ装置を実装する場合には、第１ブロック部４０の実装面４２と第２ブロック部５０の実装面５２とが半田付けにより実装基板８０の電極８１、８２に電気的に接続される。
【００２５】
以上のとおり、実施形態１に係る半導体レーザ装置によれば、半導体レーザ装置を異なる向きで実装することによってレーザ光の出射方向を変えることができるため、レーザ光の出射方向に応じて異なるタイプの半導体レーザ装置を設計したり使用したりする必要がない。よって、実施形態１に係る半導体レーザ装置によれば、半導体レーザ装置の設計者やユーザの負担を軽減して、半導体レーザ装置やその応用分野における作業効率を高めることができる。
【００２６】
［実施形態２に係る半導体レーザ装置］
図２Ａ、図２Ｂ、図２Ｃ、及び図２Ｄは、それぞれ、実施形態２に係る半導体レーザ装置の模式的平面図、模式的底面図、模式的背面図及び模式的側面図である。また、図２Ｅ、図２Ｆは、それぞれ、図２Ａ中のＡ−Ａ断面図、Ｂ−Ｂ断面図である。図２Ａから図２Ｆに示すように、実施形態２に係る半導体レーザ装置は、キャップ３０の窓部３１がキャップ３０の上面側に設けられている点で、キャップ３０の窓部３１がキャップ３０の側面側に設けられている実施形態１に係る半導体レーザ装置と相違する。なお、実施形態２に係る半導体レーザ装置はヒートシンク９０を備えている。ヒートシンク９０としては、熱伝導率の良好なＣｕ、Ａｌ、Ｆｅ等の金属、又はＡｌＮ、ＳｉＣ等の絶縁性部材を含んで構成することができる。
【００２７】
図２Ｇ、図２Ｈは、それぞれ、実施形態２に係る半導体レーザ装置を実装基板に実装した様子（その１）、（その２）を示す図である。図２Ｇ、図２Ｈに示すように、実施形態２に半導体レーザ装置は、図２Ｇに示した向きで実装基板８０に実装することもできるし、図２Ｈに示した向きで実装基板８０に実装することもできる。そして、図２Ｇに示した向きで実装した場合には、半導体レーザ装置から実装基板８０に対して垂直方向にレーザ光が出射され、図２Ｈに示した向きで実装した場合には、半導体レーザ装置から実装基板８０に対して水平方向にレーザ光が出射される。したがって、実施形態２に係る半導体レーザ装置によっても、実施形態１に係る半導体レーザ装置と同様に、半導体レーザ装置の設計者やユーザの負担を軽減して、半導体レーザ装置やその応用分野における作業効率を高めることができる。なお、図２Ｇに示した向きで半導体レーザ装置を実装する場合には、第１ブロック部４０の実装面４１と第２ブロック部５０の実装面５１とが半田付けにより実装基板８０の電極８１、８２に電気的に接続される、他方、図２Ｈに示した向きで半導体レーザ装置を実装する場合には、第１ブロック部４０の実装面４２と第２ブロック部５０の実装面５２とが半田付けにより実装基板８０の電極８１、８２に電気的に接続される。
【００２８】
［実施形態３に係る半導体レーザ装置］
図３Ａ、図３Ｂ、図３Ｃ、及び図３Ｄは、それぞれ、実施形態３に係る半導体レーザ装置の模式的平面図、模式的底面図、模式的背面図及び模式的側面図である。また、図３Ｅ、図３Ｆ、図３Ｇは、それぞれ、図３Ａ中のＡ−Ａ断面図、Ｂ−Ｂ断面図、図３Ｃ中のＣ−Ｃ断面図である。図３Ａから図３Ｇに示すように、実施形態３に係る半導体レーザ装置は、基台１０の上面側に第１ブロック部４０と第２ブロック部５０の双方が設けられ、基台１０の下面側に第１配線１１及び第２配線１２が設けられる点で、第１ブロック部４０と第２ブロック部５０の双方が基台１０の下面側に設けられる実施形態１に係る半導体レーザ装置と相違する。
【００２９】
図３Ｈ、図３Ｉは、それぞれ、実施形態３に係る半導体レーザ装置を実装基板に実装した様子（その１）、（その２）を示す図である。図３Ｈ、図３Ｉに示すように、実施形態３に半導体レーザ装置は、図３Ｈに示した向きで実装基板８０に実装することもできるし、図３Ｉに示した向きで実装基板８０に実装することもできる。そして、図３Ｈに示した向きで実装した場合には、半導体レーザ装置から実装基板８０に対して垂直方向にレーザ光が出射され、図３Ｉに示した向きで実装した場合には、半導体レーザ装置から実装基板８０に対して水平方向にレーザ光が出射される。したがって、実施形態３に係る半導体レーザ装置によっても、実施形態１に係る半導体レーザ装置と同様に、半導体レーザ装置の設計者やユーザの負担を軽減して、半導体レーザ装置やその応用分野における作業効率を高めることができる。なお、図３Ｈに示した向きで半導体レーザ装置を実装する場合には、第１ブロック部４０の実装面４２と第２ブロック部５０の実装面５２とが半田付けにより実装基板８０の電極８１、８２に電気的に接続される。他方、図３Ｉに示した向きで半導体レーザ装置を実装する場合には、第１配線１１及び第２配線１２が半田付けにより実装基板８０の電極８１、８２に電気的に接続される。
【００３０】
第１配線１１及び第２配線１２は、基台１０の下面ほぼ全面に設けられる。これにより、図３Ｈに示した向きで半導体レーザ装置を実装する場合に、放熱面を大きく確保することができ、放熱性を向上させることができる。
【００３１】
［実施形態４に係る半導体レーザ装置］
図４Ａ、図４Ｂ、図４Ｃ、及び図４Ｄは、それぞれ、実施形態４に係る半導体レーザ装置の模式的平面図、模式的底面図、模式的背面図及び模式的側面図である。また、図４Ｅ、図４Ｆ、図４Ｇは、それぞれ、図４Ａ中のＡ−Ａ断面図、Ｂ−Ｂ断面図、図４Ｃ中のＣ−Ｃ断面図である。図４Ａから図４Ｇに示すように、実施形態４に係る半導体レーザ装置は、第１ブロック部４０と第２ブロック部５０のいずれか一方（例えば第１ブロック部４０）が基台１０の上面側に設けられ、他方（例えば第２ブロック部５０）が基台１０の下面側に設けられる点で、第１ブロック部４０と第２ブロック部５０の双方が基台１０の下面側に設けられる実施形態１に係る半導体レーザ装置と相違する。
【００３２】
図４Ｈ、図４Ｉは、それぞれ、実施形態４に係る半導体レーザ装置を実装基板に実装した様子（その１）、（その２）を示す図である。図４Ｈ、図４Ｉに示すように、実施形態４に半導体レーザ装置は、図４Ｈに示した向きで実装基板８０に実装することもできるし、図４Ｉに示した向きで実装基板８０に実装することもできる。そして、図４Ｈに示した向きで実装した場合には、半導体レーザ装置から実装基板８０に対して垂直方向にレーザ光が出射され、図４Ｉに示した向きで実装した場合には、半導体レーザ装置から実装基板８０に対して水平方向にレーザ光が出射される。したがって、実施形態４に係る半導体レーザ装置によっても、実施形態１に係る半導体レーザ装置と同様に、半導体レーザ装置の設計者やユーザの負担を軽減して、半導体レーザ装置やその応用分野における作業効率を高めることができる。なお、図４Ｈに示した向きで半導体レーザ装置を実装する場合には、第１ブロック部４０の実装面４１と第２ブロック部５０の実装面５１とが半田付けにより実装基板８０の電極８１、８２に電気的に接続される。他方、図４Ｉに示した向きで半導体レーザ装置を実装する場合には、第１ブロック部４０の実装面４２が半田付けにより実装基板８０の電極８１に電気的に接続され、第２ブロック部５０の実装面５２がワイヤを介して実装基板８０の電極８２に電気的に接続される。
【００３３】
実施形態４においては、第２ブロック部５０が基台１０の上面側に設けられているため、第１ブロック部４０の実装面４２は実施形態１〜実施形態３の実装面４２に比較して大きくすることができる。このとき、一辺の長さは、例えば４００μｍ以上１０００００μｍ以下とすることができるが、１０００μｍ以上３００００μｍ以下であることが好ましく、２０００μｍ以上１６０００μｍ以下であることがさらに好ましい。これらの値を用いれば、第１ブロック部４０において実装面を大きくとることが可能となるため放熱性を向上させることができる。
【００３４】
［半導体レーザ装置の製造方法例（その１）］
図５Ａから図５Ｅは半導体レーザ装置の製造方法例（その１）を説明する半導体レーザ装置の模式的断面図である。以下、図５Ａから図５Ｅを参照しつつ、半導体レーザ装置の製造方法例（その１）について説明する。
【００３５】
（第１工程）
まず、図５Ａに示すように、一対の第１配線１１及び第２配線１２が複数設けられた基台１０を準備する。例えば、上面側、内部（例：貫通孔の内壁）、及び／又は下面側に第１配線１１及び第２配線１２が設けられた基台１０を準備する。
【００３６】
（第２工程）
次に、図５Ｂに示すように、第１電極２１及び第２電極２２を有する複数の半導体レーザ素子２５を、第１電極２１及び第２電極２２が第１配線１１及び第２配線１２にそれぞれ電気的に接続されるよう基台１０の上面側に配置する。具体的には、基台１０の上面側にサブマウント７０を実装し、サブマウント７０に半導体レーザ素子２５を載置し、第１電極２１と第１配線１１、及び第２電極２２と第２配線１２、をそれぞれワイヤを介して電気的に接続している。なお、前もって半導体レーザ素子２５を載置したサブマウント７０を基台１０の上面側に実装することもできる。
【００３７】
（第３工程）
次に、図５Ｃに示すように、複数の半導体レーザ素子２５が覆われるよう、窓部３１を備えた複数のキャップ３０を基台１０の上面側に設ける。キャップ３０は、溶接又は共晶材料により基台１０の上面側に実装することができる。
【００３８】
（第４工程）
次に、図５Ｄに示すように、１つの個片に複数のキャップ３０の１つが含まれるよう基台１０を個片化する。個片化は、例えば、基台１０をダイシングなどで分割することにより行う。
【００３９】
（第５工程）
次に、図５Ｅに示すように、表面が金属よりなる第１ブロック部４０を基台１０の上面側及び下面側の一方に配置し第１ブロック部４０と第１配線１１とを電気的に接続するとともに、表面が金属よりなる第２ブロック部５０を基台１０の上面側及び下面側の一方に配置し第２ブロック部５０と第２配線１２とを電気的に接続する。なお、第１ブロック部４０や第２ブロック部５０は、図５Ｅに示すように基台１０の下面側に形成することができるほか（実施形態１、２、４）、上記したように、基台１０の上面側に形成することもできる（実施形態３、４）。なお、第１ブロック部４０と第１配線１１との接続、及び第２ブロック部５０と第１配線１２との接続には、熱伝導率の良い材料を用いることが好ましい。このような材料の一例としては、例えば、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｄなどの導電ペーストや、ＡｕＳｎなどの共晶半田、低融点金属等のロウ材を挙げることができるが、なかでも、比較的低温で接着でき、放熱性も良好なＡｕＳｎ等の共晶半田は好ましく用いることができる。
【００４０】
以上説明した半導体レーザ装置の製造方法例（その１）によれば、上記した半導体レーザ装置をウエハプロセス内で組み立てることができるため、上記した半導体レーザ装置の生産性を高めることができる。
【００４１】
なお、図５Ｅに示すように、第１ブロック部４０及び／又は第２ブロック部５０を配置する工程において、第１ブロック部４０の一部及び／又は第２ブロック部５０の一部は基台１０の端部よりも外側に位置させることが好ましい。このようにすれば、第１ブロック部４０及び第２ブロック部４０の表面積などを大きく形成することができるため、第１ブロック部４０及び第２ブロック部４０を基台１０の下面側に実装する場合において半導体レーザ装置の放熱性を向上させることができる。
【００４２】
［半導体レーザ装置の製造方法例（その２）］
図６Ａから図６Ｅは半導体レーザ装置の製造方法例（その２）を説明する半導体レーザ装置の模式的平面図である。半導体レーザ装置の製造方法例（その２）は、図６Ｄ、図６Ｅに示すように、第１ブロック部４０と第２ブロック部５０とを配置した後、第１ブロック部４０及び第２ブロック部５０の各々が分割されるよう基台１０を個片化する点で、第１ブロック部４０と第２ブロック部５０とを配置する前に、基台１０を個片化する半導体レーザ装置の製造方法例（その１）と相違する。製造方法例（その２）によれば、一の第１ブロック部４０が分割されて隣り合う２つの半導体レーザ装置の各第１ブロック部４０となり、一の第２ブロック部５０が分割されて隣り合う２つの半導体レーザ装置の各第２ブロック部５０となるため、隣り合う２つの半導体レーザ装置が備える各第１ブロック部４０及び各第２ブロック部５０を個々に配置する必要がなくなる（換言すると、隣り合う２つの半導体レーザ装置の各第１ブロック部４０及び各第２ブロック部５０を一の工程にて配置することが可能となる。）。したがって、上記した半導体レーザ装置の製造工程を簡素化することができる。
【００４３】
第１ブロック部４０や第２ブロック部５０の分割は、第１ブロック部４０や第２ブロック部５０をダイシングなどで切断することにより行う。分割前における第１ブロック部４０や第２ブロック部５０として、全表面にＴｉ／Ｐｔ／Ａｕ等の金属層が設けられているものを用いる場合は、基台１０の個片化後に、分割された第１ブロック部４０や第２ブロック部５０の分割面（切断面）に電解めっきなどを行うことでＴｉ／Ｐｔ／Ａｕなどの金属層を設ける。なお、製造方法例（その１）による場合は、第１ブロック部４０や第２ブロック部５０において分割面（切断面）が生じないため、このような基台１０の個片後における電解めっきなどを行う必要はない。
【００４４】
製造方法例（その２）においては、第１ブロック部４０と第２ブロック部５０がそれぞれ切り欠き部Ｐを有していることが好ましい。このようにすれば、たとえ分割（切断）する位置がずれたとしても（例えば、分割線Ｘ、Ｙで分割する予定であったものが実際にはＸ、Ｚで分割されることになったとしても）、半導体レーザ装置の出射面Ｓが隣接する半導体レーザ装置が有する第１ブロック部４０や第２ブロック部５０の分割片により遮られることがない。
【００４５】
以上、実施形態について説明したが、これらの説明は一例に関するものであり、特許請求の範囲に記載された構成を何ら限定するものではない。
【符号の説明】
【００４６】
１０    基台
１１    第１配線
１２    第２配線
２０    半導体部
２１    第１電極
２２    第２電極
２５    半導体レーザ素子
３０    キャップ
３１    窓部
４０    第１ブロック部
４１、４２    第１ブロック部が有する実装面  
５０    第２ブロック部
５１、５２    第２ブロック部が有する実装面  
７０    サブマウント
７１    配線
８０    実装基板
８１、８２    実装基板の電極
９０    ヒートシンク
Ｐ    切り欠き部
Ｘ、Ｙ、Ｚ    分割線
Ｓ      出射面
【図１Ａ】
0006524632.tif 000002
【図１Ｂ】
0006524632.tif 000003
【図１Ｃ】
0006524632.tif 000004
【図１Ｄ】
0006524632.tif 000005
【図１Ｅ】
0006524632.tif 000006
【図１Ｆ】
0006524632.tif 000007
【図１Ｇ】
0006524632.tif 000008
【図１Ｈ】
0006524632.tif 000009
【図１Ｉ】
0006524632.tif 000010
【図２Ａ】
0006524632.tif 000011
【図２Ｂ】
0006524632.tif 000012
【図２Ｃ】
0006524632.tif 000013
【図２Ｄ】
0006524632.tif 000014
【図２Ｅ】
0006524632.tif 000015
【図２Ｆ】
0006524632.tif 000016
【図２Ｇ】
0006524632.tif 000017
【図２Ｈ】
0006524632.tif 000018
【図３Ａ】
0006524632.tif 000019
【図３Ｂ】
0006524632.tif 000020
【図３Ｃ】
0006524632.tif 000021
【図３Ｄ】
0006524632.tif 000022
【図３Ｅ】
0006524632.tif 000023
【図３Ｆ】
0006524632.tif 000024
【図３Ｇ】
0006524632.tif 000025
【図３Ｈ】
0006524632.tif 000026
【図３Ｉ】
0006524632.tif 000027
【図４Ａ】
0006524632.tif 000028
【図４Ｂ】
0006524632.tif 000029
【図４Ｃ】
0006524632.tif 000030
【図４Ｄ】
0006524632.tif 000031
【図４Ｅ】
0006524632.tif 000032
【図４Ｆ】
0006524632.tif 000033
【図４Ｇ】
0006524632.tif 000034
【図４Ｈ】
0006524632.tif 000035
【図４Ｉ】
0006524632.tif 000036
【図５Ａ】
0006524632.tif 000037
【図５Ｂ】
0006524632.tif 000038
【図５Ｃ】
0006524632.tif 000039
【図５Ｄ】
0006524632.tif 000040
【図５Ｅ】
0006524632.tif 000041
【図６Ａ】
0006524632.tif 000042
【図６Ｂ】
0006524632.tif 000043
【図６Ｃ】
0006524632.tif 000044
【図６Ｄ】
0006524632.tif 000045
【図６Ｅ】
0006524632.tif 000046