(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
試料台に載置された試料に成膜された被エッチング膜をマスクを用いて所定の深さまでプラズマエッチングするドライエッチング方法において、
反応性ガスを用いて前記被エッチング膜をプラズマエッチングすることにより前記被エッチング膜のエッチング形状を裾引き形状とする第一の工程と、
前記第一の工程後、前記第一の工程にてエッチングされた被エッチング膜を不活性ガスのみを用いてスパッタエッチングする第二の工程とを有し、
前記所定の深さに到達するまで前記第一の工程と前記第二の工程を繰り返し、
前記第二の工程の前記試料台に供給する高周波バイアス電力を前記第一の工程の前記試料台に供給する高周波バイアス電力より高くし、
前記被エッチング膜は、シリコン基板、ポリシリコン膜、シリコンゲルマニウム膜(ＳｉＧｅ)、アモルファスシリコン膜、タングステンシリサイド膜(ＷＳｉ)、酸化シリコン膜(ＳｉＯ２)、窒化シリコン膜(ＳｉＮ)、炭化シリコン膜(ＳｉＣ)または炭素添加酸化シリコン膜(ＳｉＯＣ)であることを特徴とするドライエッチング方法。
【請求項２】
試料台に載置された試料に成膜された被エッチング膜をマスクを用いて所定の深さまでプラズマエッチングするドライエッチング方法において、
反応性ガスを用いて前記被エッチング膜をプラズマエッチングすることにより前記被エッチング膜のエッチング形状を裾引き形状とする第一の工程と、
前記第一の工程後、前記第一の工程にてエッチングされた被エッチング膜を不活性ガスのみを用いてスパッタエッチングする第二の工程とを有し、
前記所定の深さに到達するまで前記第一の工程と前記第二の工程を繰り返し、
前記第一の工程の時間は、前記マスクのパターン間のスペース幅を半分にした値を前記第一の工程のエッチング速度により除した値以下の時間であり、
前記被エッチング膜は、シリコン基板、ポリシリコン膜、シリコンゲルマニウム膜(ＳｉＧｅ)、アモルファスシリコン膜、タングステンシリサイド膜(ＷＳｉ)、酸化シリコン膜(ＳｉＯ２)、窒化シリコン膜(ＳｉＮ)、炭化シリコン膜(ＳｉＣ)または炭素添加酸化シリコン膜(ＳｉＯＣ)であることを特徴とするドライエッチング方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載のドライエッチング方法において、
前記不活性ガスは、Ｈｅガス、Ｎｅガス、Ａｒガス、Ｋｒガス、Ｘｅガス、Ｎ２ガスの中の少なくともいずれか一つのガスであることを特徴とするドライエッチング方法。
【請求項４】
請求項２に記載のドライエッチング方法において、
前記第二の工程の前記試料台に供給する高周波バイアス電力を前記第一の工程の前記試料台に供給する高周波バイアス電力より高くすることを特徴とするドライエッチング方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体装置の製造方法に関し、特に被エッチング材料のプラズマエッチング技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年では半導体デバイスの高集積化、高速化を達成させるため、マスク形成方法においてもＳｅｌｆ Ａｌｉｇｎ  Ｄｏｕｂｌｅ  Ｐａｔｔｅｒｎｉｎｇ(ＳＡＤＰ)やＳｅｌｆ−Ａｌｉｇｎｅｄ  Ｑｕａｄｒｕｐｌｅ  Ｐａｔｔｅｒｎｉｎｇ(ＳＡＱＰ)などの技術を用いたパターンの縮小化が加速度的に進んでいる。また、トランジスタの構造は従来のPlanar型から3D構造であるＦｉｎ  Ｆｉｅｌｄ  Ｅｆｆｅｃｔ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ(Ｆｉｎ  ＦＥＴ、以下、Ｆｉｎ  ＦＥＴと称する)構造へと複雑な構造へと変化している。
【０００３】
そのため、デバイスの世代が進む度に高アスペクト化が進み、より高度なエッチング技術が要求されるようになって来ている。特にＦｉｎ  ＦＥＴゲートを形成するシリコンのトレンチのエッチング工程や、Ｆｉｎ  ＦＥＴゲートを跨いで形成するＰｏｌｙ−Ｓｉのダミーゲート配線エッチング工程では、高アスペクト構造のため垂直エッチングを達成することが難しい。
【０００４】
高アスペクト構造の狭いパターン間には、化学反応を起こすエッチャントが入り難く、エッチングが進み難いためテーパ形状、あるいは裾引き形状となり、エッチングストップを引き起こす問題が発生する。そのため、例えば、プロセスガス流量を増やしたり、より揮発性の高い反応を起こすガスとして少量のフッ素含有ガス等を添加してエッチングが止まらないようにエッチング条件を調整する。
【０００５】
しかしながら、狭いパターン間では、同時に反応性生物量も少ないため、反応性生物の付着によって十分な側壁保護膜を形成できない。このため、エッチングが進むにつれてマスク直下の部分にサイドエッチ形状が発生する。この対策として、例えば、特許文献１に示すようにエッチングの途中に酸素プラズマのステップを挿入して側壁を保護とエッチングを繰り返してエッチングする方法が考案されている。
【０００６】
または、ウェハに印加するRFバイアスを高くしてイオンスパッタ作用を強める事により、狭いパターン間のエッチングの進行を促し、反応生成物を増やす事で側壁を保護する方法もある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特公平６−６５２１４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、特許文献１の方法では、エッチングにより加工された底面角部の裾引き形状を維持したまま次の酸素ステップへ移行し、エッチング表面を酸化させて固めてしまうため、これを繰り返すことにより、エッチング側壁がスカロップ形状と呼ばれる段々形状となる問題がある。
【０００９】
また、RFバイアスの出力を増加させて側壁保護膜を形成する方法の場合、スパッタ効果によりマスクとの選択性が低下し、マスクの肩落ちが発生しやすくなる問題がある。
【００１０】
これらの問題を鑑みて本発明は、マスク選択比を維持しながら垂直形状にプラズマエッチングするドライエッチング方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は、試料台に載置された試料に成膜された被エッチング膜をマスクを用いて所定の深さまでプラズマエッチングするドライエッチング方法において、反応性ガスを用いて前記被エッチング膜をプラズマエッチングすることにより前記被エッチング膜のエッチング形状を裾引き形状とする第一の工程と、前記第一の工程後、前記第一の工程にてエッチングされた被エッチング膜を不活性ガスのみを用いてスパッタエッチングする第二の工程とを有し、前記所定の深さに到達するまで前記第一の工程と前記第二の工程を繰り返し、前記第二の工程の前記試料台に供給する高周波バイアス電力を前記第一の工程の前記試料台に供給する高周波バイアス電力より高くし、前記被エッチング膜は、シリコン基板、ポリシリコン膜、シリコンゲルマニウム膜(ＳｉＧｅ)、アモルファスシリコン膜、タングステンシリサイド膜(ＷＳｉ)、酸化シリコン膜(ＳｉＯ２)、窒化シリコン膜(ＳｉＮ)、炭化シリコン膜(ＳｉＣ)または炭素添加酸化シリコン膜(ＳｉＯＣ)であることを特徴とする。
【００１２】
また、本発明は、試料台に載置された試料に成膜された被エッチング膜をマスクを用いて所定の深さまでプラズマエッチングするドライエッチング方法において、反応性ガスを用いて前記被エッチング膜をプラズマエッチングすることにより前記被エッチング膜のエッチング形状を裾引き形状とする第一の工程と、前記第一の工程後、前記第一の工程にてエッチングされた被エッチング膜を不活性ガスのみを用いてスパッタエッチングする第二の工程とを有し、前記所定の深さに到達するまで前記第一の工程と前記第二の工程を繰り返し、前記第一の工程の時間は、前記マスクのパターン間のスペース幅を半分にした値を前記第一の工程のエッチング速度により除した値以下の時間であり、前記被エッチング膜は、シリコン基板、ポリシリコン膜、シリコンゲルマニウム膜(ＳｉＧｅ)、アモルファスシリコン膜、タングステンシリサイド膜(ＷＳｉ)、酸化シリコン膜(ＳｉＯ２)、窒化シリコン膜(ＳｉＮ)、炭化シリコン膜(ＳｉＣ)または炭素添加酸化シリコン膜(ＳｉＯＣ)であることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
本発明は、マスク選択比を維持しながら垂直形状にプラズマエッチングすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明のドライエッチング方法におけるエッチングフローを示す図である。
【図２】シリコンエッチングにおけるイオンエッチングの原理図である。
【図３】シリコンエッチングにおける化学的エッチングの原理図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明にかかる実施の形態を図面を用いて説明する。本実施例は、従来の電子サイクロトロン共鳴を利用してエッチングを行うＥｌｅｃｔｒｏｎ  Ｃｙｃｌｏｔｒｏｎ  Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ(ＥＣＲ)エッチング装置を用いて実施したものである。
【００１６】
図１(ａ)は、本実施例に係る半導体素子の断面図である。半導体シリコン基板１０１上に薄いＳｉＯ２膜１０２を形成し、ハードマスクとしてＳｉＮ膜１０３を形成する。ＳｉＯ２膜１０２とＳｉＮ膜１０３は適切なプロセス処理により、予めパターン間のスペース幅が４０ｎｍのデバイスパターンが転写されており、エッチング深さの目標としては２００ｎｍとする。
【００１７】
先ず始めに第一の工程である反応性イオンアシストエッチステップの条件として、例えば、マイクロ波電力を６００Ｗ、ＲＦバイアス電力を４０Ｗとし、エッチングガスは２０ｍｌ／ｍｉｎのＣｌ２ガスと５ｍｌ／ｍｉｎのＯ２ガスと６０ｍｌ／ｍｉｎのＨＢｒガスとの混合ガスを使用し、処理室内圧力を０．４Ｐａに保ちウェハ温度は４０℃を維持した条件とする。
【００１８】
また、予めこの条件のエッチング速度を測定しておき、この条件においては、１．０ｎｍ／秒のエッチング速度である事を確認した。本実施例では、この条件にて２０秒、エッチング処理を行い、２０ｎｍ程エッチングした。この時のエッチング形状は、図１(ｂ)に示すように反応性イオンアシストエッチングによる加工のため、エッチング底面の角部に裾引き形状が発生する。
【００１９】
次に被エッチング膜と化学反応を起こさない不活性ガスのプラズマに高いＲＦバイアスを印加した第二の工程であるイオンスパッタエッチステップの処理を行った。このエッチング条件は、例えば、マイクロ波電力を６００Ｗ、ＲＦバイアスは１００Ｗとし、不活性ガスとして１００ｍｌ／ｍｉｎのＡｒガスを使用し、処理室内圧力を０．４Ｐａに保ちウェハ温度は４０℃を維持して１０秒間の処理を行った。
【００２０】
このイオンスパッタエッチステップの処理により、図１(ｃ)で示すようにイオンスパッタステップによりエッチング底面の角部にイオンによるスパッタが集中し、図１(ｂ)で発生した裾形状部分だけを選択的にエッチングされて裾形状を除去することができる。
【００２１】
この時のエッチング底面の角部にスパッタが集中する理由としては、図２に示すようにシリコン基板１０１の側壁をガイドとしてイオンがエッチング底面に導かれることにより、パターン側壁底面の角部分にイオンスパッタのエネルギーが集中するためであると考えられる。この現象により、底面の角部分に形成された裾引き形状にイオンスパッタ効果が集中し、高いエネルギーを集めるため、局部的にエッチングが進行して全体の深さは変わらずに裾引き形状だけが除去されるものと考えられる。
【００２２】
また、裾部分のスパッタエッチングには、不活性ガスのプラズマであるため、化学反応によるエッチングが行われないことから高いイオンスパッタエネルギーを必要とする。イオンスパッタステップのＲＦバイアスの設定は、下記に示す理由により決定される。
【００２３】
一般的に反応性イオンアシストエッチングで裾形状を除去するためには、ＲＦバイアスを増加させてイオンスパッタ効果を向上させる方法が考えられるが、その場合、化学反応も伴うため、マスクの選択比が低下したり、化学反応により生成された反応生成物によって側壁がテーパ形状となる問題が発生する。
【００２４】
一方、本発明では、反応性ガスは使わずに不活性ガスによりイオンスパッタを行なうことによってマスク選択比の低下や反応生成物による問題が発生し難い。このため、反応性イオンスパッタエッチステップよりも高いＲＦバイアスを印加する事ができる。すなわち、イオンスパッタエッチステップのＲＦバイアスは、第一の工程である反応性イオンアシストエッチステップよりも高いＲＦバイアスを印加することができるため裾形状を効率よく除去することができると考えられる。
【００２５】
引続き、図１(ｂ)の反応性イオンアシストエッチステップと図１(ｃ)による不活性ガスのみのプラズマによるイオンスパッタエッチステップを合計１０回、繰り返して図１(ｄ)に示すように目標の深さである２００ｎｍまでエッチング処理を行った。このように１サイクル毎に裾形状を除去しながらエッチングを進める事ができ、最終形状は裾形状のない垂直エッチングを達成することができた。
【００２６】
本発明のイオンスパッタエッチステップの実施タイミングとしては、反応性イオンアシストエッチステップで形成される裾引き形状が小さい段階で実施する必要がある。裾引き形状は、通常、化学反応によりエッチングが等方性に進む事により発生する。そのため、図３に示すようなパターンがある場合、エッチャントがエッチング面に到達する時にはパターン側壁がガイドとなるため、ある程度方向性が揃った状態となる。
【００２７】
また、側壁で反射しながら底面に到達するため、底面での到達確率は中央部が高くなり、必然的に底面中央部のエッチングが選択的に進行するため、パターン幅を直径とした半円状の形状を形成する。そのため、裾引き形状が最大となる場合のエッチ量は、パターン間の寸法の半分の深さに到達した量となる。つまり、裾引き形状が最大となるエッチング時間は、下記の(１)式で求められる。
【００２８】
（数１）
Ｔ＝（Ｗ／２）／Ｓ      (１)
Ｔ＝エッチング時間（秒）
Ｗ＝パターン間のスペース幅（ｎｍ）
Ｓ＝エッチング速度（ｎｍ／秒）
(１)式より本実施例では、パターン間のスペース幅が４０ｎｍ、エッチング速度が１．０ｎｍ／秒であったことから、反応性イオンアシストエッチステップの処理時間を２０秒と設定した。よって、より裾引き形状を効率よく除去するためには、(１)式で求められる処理時間以下の時間によりイオンアシストエッチステップを挿入する必要がある。言い換えると、反応性イオンアシストエッチステップの処理時間は、(１)式で求められる時間以下の時間とすれば良い。
【００２９】
本発明は、反応性イオンアシストエッチステップのエッチング速度から、パターン間のスペース幅の半分以下の量をエッチングする時間を算出し、算出された時間のエッチング処理する毎に不活性ガスのみによるプラズマを用いて、反応性イオンアシストエッチステップよりも高いRFバイアスを印加したイオンスパッタエッチ条件で処理し、反応性イオンアシストエッチステップとイオンスパッタエッチを繰り返して規定のエッチング量まで加工することによってマスク選択比を高く保ちながら、裾引き形状の無い、垂直エッチング加工を達成することができる。
【００３０】
また、マスク選択比を維持しながら垂直形状を得るためには、本発明は、必ずしも反応性イオンアシストエッチステップとイオンスパッタエッチステップを繰り返す必要はない。つまり、本発明は、反応性イオンアシストエッチステップとイオンスパッタエッチステップをそれぞれ少なくとも１回ずつ行うことにより、マスク選択比を維持しながら垂直形状を得ることができる。
【００３１】
本実施例では、反応性イオンアシストエッチ条件で裾引き形状が最大となる深さからエッチング時間を算出したが、この最大深さになる時間以下で図１(ｃ)の処理を実施することによって、より小さな裾形状の段階でイオンスパッタによる垂直化が行なえるため、垂直化の効果が高くなる。
【００３２】
本実施例では、不活性ガスによるプラズマ処理で１００WのRFバイアスを使用したが、不活性ガスによるイオンスパッタエッチステップのＲＦバイアスは、反応性イオンアシストエッチステップよりも高いＲＦバイアスを印加した場合でも本実施例と同様の効果が得られる。
【００３３】
また、本実施例でのエッチング条件は、シリコン基板１０１をエッチングするためのエッチング条件の一例であり、本発明に係るエッチング条件は、本実施例でのエッチング条件に限定されるものではない。
【００３４】
また、本実施例では、シリコン基板のエッチングを例に示したが、ダミーゲートで使用されるポリシリコンのエッチング工程や、その他のシリコン元素を含有する材料のエッチング工程及びＳｉＧｅ、アモルファスシリコン、ＷＳｉ、ＳｉＯ２、ＳｉＮ、ＳｉＣ、ＳｉＯＣなどのシリコン元素を含有する材料を含んだ材料のエッチング工程でも本実施例と同様の効果が得られる。
【００３５】
さらに本実施例では、図１(ｃ)の処理において、不活性ガスとしてＡｒガスを使用したが、この他にＨｅガス、Ｎｅガス、Ｋｒガス、Ｘｅガス、Ｎ２ガス、または、これらのうち２種類以上を混合した混合ガスを使用しても良い。また、本実施例においてシリコン基板のマスクにはＳｉＮ膜によるハードマスクを用いたが、ＳｉＯ２膜、レジストマスクまたは他のマスク構造を用いても本発明は適用可能である。
【００３６】
また、本実施例ではプラズマ源にマイクロ波ＥＣＲプラズマを用いたが、誘導結合型プラズマ、容量結合型プラズマ、ヘリコン波プラズマ等のプラズマ源を使ったエッチングにおいても本発明は適用可能である。
【符号の説明】
【００３７】
１０１  シリコン基板
１０２  ＳｉＯ２膜
１０３  ＳｉＮ膜
【図１】
0006557588.tif 000002
【図２】
0006557588.tif 000003
【図３】
0006557588.tif 000004