(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板からサブマウントを形成するサブマウントの製造方法において、
前記基板の一方の面を保持部材により保持し、ドライエッチングによって前記基板に島部を形成する環状形状の貫通部を形成し、前記基板のドライエッチング面をサブマウントの少なくとも１つの側面として形成するドライエッチング工程と、
前記基板から前記保持部材を取り除くとともに、前記島部を取り除く除去工程と、
前記ドライエッチング面で形成したサブマウントの少なくとも１つの側面と、前記基板の一方の面または他方の面の少なくとも一方に金属膜を形成する金属膜形成工程と、
前記サブマウントの少なくとも１つの側面を除く面を機械加工することで、前記基板から前記サブマウントを切り離す個片化工程と、
を有することを特徴とするサブマウントの製造方法。
【請求項２】
前記機械加工は、ダイシング加工であることを特徴とする請求項１に記載のサブマウントの製造方法。
【請求項３】
前記サブマウントの少なくとも一つの側面は、被搭載物への搭載面であることを特徴とする請求項１または２に記載のサブマウントの製造方法。
【請求項４】
前記ドライエッチングによって前記サブマウントの対向する２側面を形成し、前記機械加工によって前記対向する２側面に直交する他の対向する２側面を形成することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載のサブマウントの製造方法。
【請求項５】
前記基板上に形成された複数の前記サブマウントの隣接する前記サブマウントの間に形成された前記貫通部は、前記隣接するサブマウントによって共有されることを特徴とする請求項４に記載のサブマウントの製造方法。
【請求項６】
前記基板は、シリコン基板であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載のサブマウントの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光デバイス（ＨＤＤ／ＤＶＤレコーダなどのピックアップ、光通信）用モジュールとして半導体レーザ素子等が実装されるサブマウントの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、光デバイス用モジュールは、半導体レーザ素子等を、チップ部品（以下サブマウントと呼ぶ）を介してヘッド部に実装されることが知られている。サブマウントは上面に半導体レーザ素子を精度よく実装し、さらにサブマウントの側面を基準面としてヘッド部に対して実装される。このとき半導体レーザ素子の光出射部がヘッド部の基準面に対して高い垂直性を求められる。
【０００３】
そのようなサブマウントは極めて小さく（例えば各辺が０．５ｍｍ以下のサイズ）、例えば６インチの基板から多数個を製造することができる。そして半導体レーザ素子等を実装することによって半導体レーザ装置や、それを実装した光デバイスとして用いられ、その技術に関する多くの提案がなされている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００４】
特許文献１は、ウエハ状の基板に格子状の溝部を形成して複数のサブマウントを形成し、そこに別の製造工程で製造された複数の半導体レーザ素子からなる素子バーを実装することによって、サブマウントと半導体レーザ素子との実装精度を高めることができ、個片化工程を経て高精度の半導体レーザ装置を得られる製造方法に関するものである。
【０００５】
ここで、図８に特許文献１のサブマウントの製造工程を説明する。尚、図８は特許文献１の発明の主旨を外さない範囲で製造工程を説明し易くするために斜視図に示し（上面図、側面図は省略）、また一部符号を変更している。図８（ａ）はサブマウントの前半の製造工程に相当し、図８（ｂ）は、後半の製造工程に相当する。
【０００６】
図８（ａ）において、サブマウント基板１２２は溝部形成工程によって上面に直交する溝部１２３、１２４を格子状に形成しサブマウント１２１が複数形成される。ここで溝部１２３、１２４は垂直性を高精度に形成するためにドライエッチングによって形成している。尚、溝部の深さは後述する半導体レーザ装置に個片化する過程の研磨工程のためにハーフエッチングして研磨代１２２ｋを残している。
【０００７】
次に、図８（ｂ）において、電極形成工程によってサブマウント基板１２２の上面に所定の形状の電極１２９が形成されサブマウント基板１２２ａが得られる。次に、図示しない素子バー実装工程においてサブマウント基板１２２ａの複数の電極１２９に対して前述の素子バーの複数の電極をそれぞれ対向させて実装するようになっている。
【０００８】
次に、図示しない第１の個片化工程において裏面側から溝部が露出するまで研磨代１２２ｋを研磨することでバー状に分割し、そして第２の個片化工程においてレーザースクライブ等で半導体レーザ装置に個片化している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２０１４−２４１３７８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、特許文献１に示した従来技術は、ウエハ状のサブマウント基板に、表面から溝部１２３、１２４をドライエッチング等によって形成し、次工程では裏面側から溝部が露出するまで研磨して、基板からサブマウントを個片化する方法を行っている。
【００１１】
表面はドライエッチングで溝を形成し、裏面は研磨加工を行うと、工程上ウエハの姿勢変更が必要である。姿勢変更に伴い移し替え作業や再度の位置決め作業が必要になりウエハレベルでの工程が途切れてしまうのでハンドリング性が低下するという問題がある。また、研磨加工は時間と負荷がかかるという問題もある。
【００１２】
（発明の目的）
本発明の目的は上記課題を解決し、垂直性の高い側面の形成とともに製造工程の時間短縮と基板のウエハレベルのハンドリング性に優れたサブマウントの製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明におけるサブマウントの製造方法は、下記の通りである。基板からサブマウントを形成するサブマウントの製造方法において、基板をドライエッチングによって貫通させ、基板のドライエッチング面をサブマウントの少なくとも１面として形成するドライエッチング工程と、サブマウントの表面に金属膜を形成する金属膜形成工程と、基板のドライエッチング面の少なくとも１面を除く他の面を機械加工することで、基板からサブマウントを切り離す個片化工程と、を有することを特徴とする。
【００１４】
これにより、基板に形成された複数のサブマウントに対して、垂直性を必要とする側面は基板をドライエッチング加工により貫通させて形成するので、垂直性の高い側面を形成できる。
【００１５】
また、垂直性を必要とする面はドライエッチングで形成し、垂直性を必要としない他の面は機械加工で切断を行うので、基板の姿勢変更を伴わない個片化が可能となり基板のウエハレベルのハンドリング性がよく個片化の加工時間が短縮できる。また、貫通部の側面と上面に金属膜を同時形成できるので金属膜形成時間が短縮できる。
【００１６】
また、基板の一方の面を保持部材により保持し、ドライエッチング工程において、基板の一方の面と対向する他方の面より基板を貫通し、基板の貫通部は、その内部に基板が貫通されない島部が残るよう環状形状で形成され、保持部材を基板から取り除くことで、基板より島部を取り除くとよい。
【００１７】
これにより、細い貫通部をドライエッチングにより形成するので、より垂直性の高い側面を形成することができる。
【００１８】
また、機械加工は、ダイシング加工であるとよい。
【００１９】
これにより、垂直性を必要としない面はダイシング加工により切断するので、加工負荷が小さく個片化工程の加工時間を短縮することができる。
【００２０】
また、金属膜形成工程で、ドライエッチング面と、基板の一方の面または他方の面の少なくとも一方に金属膜を形成するとよい。
【００２１】
これにより、ドライエッチングにより形成された側面を基準面とし、基板の上面または下面の少なくとも一方の面に装着物の実装が可能になる。
【００２２】
ドライエッチング面は被搭載物への搭載面であるとよい。
【００２３】
これにより、サブマウントは垂直性の高い側面を基準面として被搭載物に装着することにより、被搭載物とサブマウントに実装される装着物との垂直性を確保できる。
【００２４】
また、ドライエッチングによって形成するサブマウントの側面は一方の対向２側面であり、機械加工によって形成する側面は一方の対向２側面に直交する他の対向２側面であるとよい。
【００２５】
これにより、ドライエッチングで形成する貫通部によりサブマウントの対向２側面に垂直性の高い側面を形成し、垂直性を必要としない他の対向２側面を機械加工により形成するので、効率的な側面形成と個片化ができる。
【００２６】
また、基板上に形成された複数のサブマウントの隣接するサブマウントの間に形成された貫通部は、隣接するサブマウントによって共有されるとよい。
【００２７】
これにより、ドライエッチングにより形成される貫通部を隣接するサブマウントにより共有配置するので、効率的な多数個取りが可能になる。
【００２８】
また、基板は、シリコン基板であるとよい。
【発明の効果】
【００２９】
本発明によるサブマウントの製造方法によれば、ドライエッチングによるサブマウントの垂直性の高い側面の形成とともにサブマウントの側面を含む表面への金属膜の同時形成による金属膜形成時間の短縮と、ドライエッチングと機械加工の好適な組み合わせによる個片化の加工時間の短縮とを可能にできる。その結果ウエハレベルのハンドリング性を改善したサブマウントの製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】本発明の製造方法により製造されたサブマウントの構成及び被搭載物への搭載状態を説明する斜視図及び側面図である。
【図２】本発明の第１の実施形態の製造方法を説明する工程図である。
【図３】図２の工程図のドライエッチング工程を説明する平面図と斜視図である。
【図４】図２の工程図の金属膜形成工程を説明する平面図と斜視図である。
【図５】図２の工程図の個片化工程を説明する平面図と斜視図である。
【図６】本発明の第２の実施形態の製造方法を説明する平面図と断面図である。
【図７】本発明の第３の実施形態の製造方法を説明する平面図である。
【図８】従来のサブマウントの製造方法を説明するための斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００３１】
以下、図面に基づいて本発明を詳述する。ただし、以下に示す実施の形態は、本発明の思想を具体化するためのサブマウントの製造方法を例示するものであって、本発明は以下に説明する方法及び構成に特定するものではない。特に実施の形態に記載されている製造方法及び部材の形状、材質、その相対的配置等は特定的な記載がない限りは本発明の範囲をそれのみに限定する趣旨ではなく説明例に過ぎない。また、各図面が示す製造方法及び部材の大きさや形状、位置関係等は説明をわかりやすくするために誇張していることがある。
【００３２】
本発明のサブマウントの製造方法は、垂直性の高い側面の形成とともに製造工程の時間短縮とウエハレベルのハンドリング性に優れたサブマウントの製造方法を提供するものである。
【００３３】
このようなサブマウントの製造方法を実現するために、基板をドライエッチングによって貫通させ、基板のドライエッチング面をサブマウントの少なくとも１面として形成するドライエッチング工程と、サブマウントの表面に金属膜を形成する金属膜形成工程と、基板のドライエッチング面の少なくとも１面を除く面を機械加工することで、基板からサブマウントを切り離す個片化工程と、を備えるようにした。
【００３４】
このような製造方法とすることによって、ドライエッチングによるサブマウントの垂直性の高い側面の形成とともにサブマウントの側面を含む表面への金属膜の同時形成による金属膜形成時間の短縮を可能にできる。
【００３５】
また、垂直性を必要とする面はドライエッチングで形成し、垂直性を必要としない他の面は機械加工で切断を行うので、基板の姿勢変更を伴わない個片化が可能となり個片化の加工時間を短縮できる。その結果、基板のウエハレベルのハンドリング性を改善したサブマウントの製造方法を提供することができる。
【００３６】
まず、図１〜図５を用いて第１の実施形態について説明し、次に図６を用いて第２の実施形態を説明し、次に図７を用いて第３の実施形態を説明する。
説明にあたっては、同一要素には同一番号を付し重複する説明は省略するものとする。また、発明に関係のない部分は省略している。
【００３７】
［第１の実施形態の説明：図１〜図５］
図１は、本発明の製造方法によって製造されるサブマウントの構成及び被搭載物への搭載状況を示し、図２は、第１の実施形態の製造工程のフローチャートを示す。また、図３、図４、図５は、図２に示すＳ２１０、Ｓ２２０、Ｓ２３０の工程をそれぞれ平面図及び斜視図によって示す。
【００３８】
［サブマウントの構成及び被搭載物への装着状況：図１］
図１（ａ）はサブマウント２０の斜視図を示し。図１（ｂ）、（ｃ）はサブマウント２０の基準面２０Ｓを被搭載物２７に装着した状態の２つの例を側面図に示す。図１（ａ）に示すように、サブマウント２０は基板から形成された１つの直方体である。側面２０Ｓは基板から形成されたサブマウント２０の側面の１つであり、サブマウント２０の基準面である。また、側面２０Ｓに隣り合う２つの側面２０Ｋ、２０Ｋ´及び側面２０Ｓに対向する側面２０Ｓ´は、基板からサブマウントが個片化される時に形成される他の側面である。また、上面２０Ｊは基板の上面に相当し、下面２０Ｊ´は基板の下面に相当する。
【００３９】
サブマウント２０を例えば図示しない光デバイスなどの被搭載物に側面２０Ｓを基準面として装着する場合、側面２０Ｓには金属膜を形成しておく必要がある。また、上面２０Ｊには例えば図示しない半導体レーザ素子などを実装する場合、同様に金属膜を形成しておく必要がある。したがって側面２０Ｓ、上面２０Ｊには例えばスパッタリング等の方法によって金属膜２１を形成している。
【００４０】
ここで図１（ａ）に示す金属膜２１は、側面２０Ｓに形成された金属膜２１と上面２０Ｊに形成された金属膜２１とは分離しているが目的に応じて接続させてもよい。また金属膜２１の膜層構成として例えば下層側からＴｉ／Ｐｔ／Ａｕの順に形成しておくとよい。Ｔｉは基板との密着層として、ＰｔはＡｕの基板への拡散防止層として、Ａｕは例えば後述するＡｕＳｎハンダとの接合保持層としての役割がある。
【００４１】
金属膜２１の形成を基板の上面側から行う場合、後述するように側面２０Ｓを形成する貫通部の幅を必要量確保することで上面２０Ｊと側面２０Ｓに同時に形成することができる。尚、用途によってサブマウントの下面２０Ｊ´側に金属膜２１を形成してもよい。その場合は基板の下面側から金属膜を形成するので基板の姿勢変更を伴うものの、下面２０Ｊ´側にも他の装着物を実装することが可能になる。
【００４２】
次に、サブマウント２０の上面２０Ｊには、例えば半導体レーザ素子などを実装するために、図１に示すような金属膜２２を金属膜２１の上面に積層形成しておく。例えばＡｕＳｎのハンダ膜を積層形成しておくとよい。
【００４３】
次に、図１（ｂ）にサブマウント２０を例えば光デバイスなどの被搭載物２７にサブマウント２０を装着した状態を示す。被搭載物２７の装着面２８にサブマウント２０の側面２０Ｓを実装している。また、サブマウント２０には例えば半導体レーザ素子などの装着物２５を実装している。サブマウント２０の側面２０Ｓに対して上面２０Ｊは垂直性が高いので、例えば半導体レーザ素子などの装着物２５から出射するレーザ光は被搭載物２７の装着面２８に対して高い垂直精度で導光される。
【００４４】
図１（ｃ）は同様にサブマウント２０´を被搭載物２７に装着した状態を示す。サブマウント２０´は下面２０Ｊ´側にも金属膜２１を形成してあるので用途によって他の装着物２６を実装することができる。ここで、側面２０Ｓに形成された金属膜２１と下面２０Ｊ´に形成された金属膜２１とは分離しているが目的に応じて接続させてもよい。
【００４５】
［製造工程フローチャート：図２］
次に、図２に製造工程フローチャートを示し、まず、第１の実施形態の製造方法について流れを説明する。尚、ここでは基板の材料として半導体材料であるシリコン（Ｓｉ）を用いた例として説明する。また以下の各工程では特定の記載がない限りそれぞれの工程に必要な所定の検査、所定の洗浄等を行うことは当然のこととし、それらの詳細な説明は省略する。
【００４６】
［基板受け入れ工程］
まず、基板の受け入れ工程Ｓ２００では基板の所定の検査、所定の洗浄等を行う。
【００４７】
［ドライエッチング工程］
次に、基板に複数のサブマウント形成するためにドライエッチング工程Ｓ２１０を行い、サブマウントの基準面となる側面を形成するための貫通部を形成する。
【００４８】
［金属膜形成工程］
次に、ドライエッチングにより貫通部が形成された基板に、金属膜形成工程Ｓ２２０を行い上面側より貫通部側面及び表面に所定の金属膜を形成する。
【００４９】
［個片化工程］
次に、金属膜が形成された基板に機械加工による個片化工程Ｓ２３０を行い、サブマウントを個片化する。
【００５０】
［各工程の詳細な説明：図３〜図５］
次に、図３〜図５を用いて、図２の製造工程フローチャートの順に各工程をより具体的に説明する。尚、ここでは基板受け入れ工程Ｓ２００の詳細説明は省略する。
【００５１】
［ドライエッチング工程Ｓ２１０：図３］
図３（ａ）は、基板１０に複数のサブマウント２０（破線で示す）を形成する状況を示し、基板１０の一部を拡大して示している。図３（ｂ）は、基板１０の同じ部分を斜視図にて立体的に示している。図３（ａ）、（ｂ）において、ドライエッチング工程Ｓ２１０について説明する。シリコンからなり所定の厚さに形成された基板１０を例えばフォトリソグラフィー等によってレジストパターンを形成し、ドライエッチングによって貫通部１２を複数形成する。各貫通部１２は各サブマウント２０の基準面となる側面２０Ｓを有しておりサブマウント２０の側面２０Ｓがそれぞれ形成される。
【００５２】
破線で示す各サブマウント２０は、縦、横に格子状に配設しており、図３（ｂ）に示すように１つのサブマウント２０の側面２０Ｓの対向面側にも同じ貫通部１２が形成されている。また、対向面側の貫通部１２はＹ方向に隣り合うサブマウント２０の側面２０Ｓを形成している。このようにＹ方向にサブマウント２０が複数並ぶ列が形成され、その列がＸ方向に複数配設される構成になっている。
【００５３】
このように、貫通部１２を隣り合うサブマウント２０が共有するように配設することにより効率的な多数個取りが可能である。尚、貫通部１２は隣り合うサブマウントによる共有配置に限定するものではなくそれぞれのサブマウント２０に固有の貫通部１２を配設してもよい。また、特に限定はしないが貫通部１２を形成するドライエッチングは、例えばＤＲＩＥ（Ｄｅｅｐ  Ｒｅａｃｔｉｖｅ  Ｉｏｎ  Ｅｔｃｈｉｎｇ）により貫通部１２を形成するとよい。ＤＲＩＥ等の方法を用いることにより高い垂直性の側面２０Ｓを形成することができる。
【００５４】
［金属膜形成工程Ｓ２２０：図４］
図４は、前述のドライエッチング工程Ｓ２１０にて基板１０に複数のサブマウント２０を形成し、各サブマウント２０に金属膜を形成した状態を示す。
【００５５】
サブマウント２０の側面２０Ｓ及び上面２０Ｊには金属膜を形成しておく必要がある。図４（ａ）、または（ｂ）に示すように、下地金属膜形成工程として、貫通部１２が複数形成された基板１０に上面側から例えばスパッタリング等の方法により金属膜２１を形成する。金属膜２１の膜層構成として、例えば下層側からＴｉ／Ｐｔ／Ａｕの順に形成しておく。
【００５６】
ここで、貫通部１２のＹ方向の幅がある程度大きければ基板１０の上面側から金属膜を形成すると貫通部１２の側面にも同時に形成することが出来る。そして形成された金属膜をフォトリソグラフィーによりレジスト開口し、イオンミリング等により金属膜をエッチングし、基板１０の上面及び貫通部１２の側面に所定の金属膜２１を形成する。
【００５７】
また、金属膜２１には用途に応じて回路パターンを構成してもよい。また、後述するサブマウント２０を基板１０から個片化するときにダイシング等の機械加工による切断領域にはストリートと呼ばれる金属膜開口部２３を設けておくと工具と金属膜の接触を避けられて便利である。
【００５８】
次に、接着用金属膜形成工程として、金属膜２１に積層して金属膜２２を形成する。金属膜２２は、サブマウントの上面にフォトリソグラフィーによりレジスト開口し、例えば下層側からＰｔ／Ｆ−Ａｕ／ＡｕＳｎ／Ｆ−Ａｕの順に形成する。これにより半導体レーザ素子等をサブマウント２０に実装し接合することができる。
【００５９】
また、用途によってサブマウントの基板１０の下面側に金属膜２１を形成してもよい。その場合は基板の下面側から金属膜を形成するので基板の姿勢変更を伴うものの、サブマウントの下面２０Ｊ´側（図１（ｃ）参照）にも他の装着物を実装することが可能になる。ここで図４（ａ）に、後述する個片化工程においてダイシングブレード３０により切断する切断溝１７を示す。切断溝１７はダイシングライン３１に沿って切断することで形成され、貫通部１２の一部を含んで切断することを示している。
【００６０】
尚、特に限定はしないが金属膜を形成する製造方法をあげておく。例えば真空蒸着法、スパッタリング法などである。
【００６１】
［個片化工程Ｓ２３０：図５］
次に、図５は、前述の金属膜形成工程Ｓ２２０にて金属膜が形成された基板１０において、機械加工による個片化工程Ｓ２３０を示す。前工程の図４（ａ）に示すように、ハッチングで示す領域はダイシングブレード３０によって切断される切断溝１７である。切断溝１７をＸ方向に各ダイシングライン３１に沿って順次切断していく。そして図５（ａ）、（ｂ）に示すように、幅Ｌの切断溝１７により接続部が除去されサブマウント２０が個片化される。これにより、サブマウントの一方の対向２側面はドライエッチングにより形成し、他方の対向２側面は機械加工により形成されたサブマウント２０を得る。
【００６２】
以上に説明したように、ドライエッチングによるサブマウントの垂直性の高い側面の形成とともにサブマウントの側面を含む表面への金属膜の同時形成による金属膜形成時間の短縮と、ドライエッチングと機械加工の好適な組み合わせによる個片化の加工時間の短縮とを可能にできる。その結果、基板の姿勢変更を伴うことなくウエハレベルのハンドリング性を改善したサブマウントの製造方法を提供することができる。
【００６３】
尚、基板の材質は、シリコン基板として説明したがこれに限定されず、目的を同一とする他の材質でもよい。またドライエッチングとしてＤＲＩＥを用いて説明したがこれに限定されず目的を同一とする他の方法でもよい。またサブマウントの基準面となる貫通部はそれぞれのサブマウントに共有されない固有の貫通部を配設するようにしてもよい。また、サブマウントの一方の対向２側面はドライエッチングにより形成し、他方の対向２側面は機械加工により形成する例を説明したが、これに限定されず垂直性を必要とする少なくとも１つの側面をドライエッチングで形成し、残りの他の側面を機械加工で形成してもよい。
【００６４】
［第２の実施形態の説明：図６］
次に、図６を用いて第２の実施形態を説明する。図６は、第１の実施形態の説明で用いた図３（ｂ）に相当している。
【００６５】
第２の実施形態の特徴は、ドライエッチング工程における貫通部の形成において、細い環状の貫通部を形成し、環状の貫通部の内部に形成された島部を基板より取り除くことによって形成される幅広の貫通部を利用することである。これによりドライエッチング特有の、細い貫通部の形成によって、より高い垂直性を得られるという効果を利用してサブマウントの側面を形成するものである。基本的な製造方法は第１の実施形態と同様であるので、同一要素には同一番号を付し、重複する説明は省略する。
【００６６】
図６（ａ）は、基板１０にサブマウントを形成するためにドライエッチングを行い細い環状の貫通部が複数形成された状態を示している。また、基板１０の下面側には保持部材としてのドライフィルム３２が配設され密着し保持されている。図６（ｂ）は、図６（ａ）に示すＡ−Ａ´断面である。図６（ｂ）において、細い環状の貫通部１１が島部１８の両側に形成されている。
【００６７】
ドライエッチングでは、形成する貫通部１１の幅が狭いほど高い垂直性の貫通部の側面が得られることが知られているが、フォトリソグラフィーによるレジストの最小開口幅の制限があるので貫通部１１の幅は例えば１０〜２０μｍ程度であることが望ましい。また、基板１０の下面をドライフィルム３２により保持しておくことにより、貫通部１１内の島部１８を抜け落ちないように保持することができる。
【００６８】
次に、貫通部１１を複数形成した基板１０をレジスト剥離液に浸漬することによりレジストやドライフィルムを剥離除去する。図６（ｃ）に示すように、島部１８をドライフィルム３２とともに基板１０から離脱させると幅広の貫通部１２が形成される。これにより幅広であっても、より垂直性の高い側面を有する貫通部１２が得られるので、より垂直性の高い側面２０Ｓを得られる。
【００６９】
以上説明したように、ドライエッチング工程における貫通部の形成において、細い環状の貫通部を形成し、環状の貫通部の内部に形成された島部を基板より取り除くことによって形成される幅広の貫通部は、より垂直性の高い側面を得られる。一方幅広の貫通部を得られるので、サブマウントの側面を含む表面への金属膜の形成は支障なく行える。この結果、より垂直性の高い基準面を備えるサブマウントの製造方法が可能になる。
【００７０】
［第３の実施形態の説明：図７］
次に、図７を用いて第３の実施形態を説明する。図７（ａ）は、第１の実施形態の説明で用いた図３（ａ）に相当し（ドライエッチング工程）、図７（ｂ）は、第１の実施形態の説明で用いた図４（ａ）に相当する（金属膜形成工程）。
【００７１】
第３の実施形態の特徴は、ドライエッチング工程における貫通部の形成において、基準面２０Ｓと、対向面２０Ｓ´と、直交する１つの側面と、の３つの側面をドライエッチングにより形成し、残りの１側面を背中合わせに配設した上でその背中合わせの接続部を機械加工で切断し個片化しようとするものである。基本的な製造方法は第１の実施形態と同様であるので、同一要素には同一番号を付し、重複する説明は省略する。
【００７２】
図７（ａ）を用いて、基板に形成するサブマウント２０の配列を説明する。図７（ａ）に示す一点鎖線の枠で囲ったＢ部に注目する。Ｂ部領域内における下側の２つのサブマウント２０は１つの辺を背中合わせにして接続部４０で接続している。それぞれのサブマウント２０の下側の辺にはドライエッチングにより、島部を有する細い環状の貫通部を形成している（Ｐ部を参照）。同様に上側の辺も島部を有する細い環状の貫通部を形成している（Ｑ部を参照）。また、接続部４０と対向する辺は島部を有しない幅広の貫通部を有している（Ｒ、Ｓ部参照）。
【００７３】
Ｐ、Ｑ部に示す貫通部は、図６にて説明した前述のＡ−Ａ´断面に示す貫通部と同様である。したがって島部を取り除くことによって幅広の貫通部が形成され側面は垂直性の高い側面を得られる。また、Ｒ、Ｓ部に示す貫通部は幅広のため、Ｐ、Ｑ部に比べて垂直精度は低いが、垂直精度を必要としない側面なので特に支障はない。また、Ｙ方向に配設された隣接するサブマウント２０についても同様である。
【００７４】
図７（ｂ）は、このようにしてＹ方向、Ｘ方向にサブマウント２０を複数配設し、図示しない保持部材であるドライフィルムを剥離除去するとともに島部を基板から離脱し、金属膜が形成された状態を示す。この状態で、ハッチングで示す領域は機械加工によって切断される切断溝１７である。このように、ダイシングブレード３０をダイシングライン３１に沿ってＸ方向に１列とびに順次切断することによって複数のサブマウント２０が個片化される。
【００７５】
以上説明したように、ドライエッチング工程における貫通部の形成において、細い環状の貫通部を形成し、環状の貫通部の内部に形成された島部を基板より取り除くことによって形成される幅広の貫通部は、より垂直性の高い側面を得られるとともに、サブマウントを背中合わせに配設することによって、１列とびの機械加工で個片化が可能になる。
【００７６】
これにより、ドライエッチングによるサブマウントの垂直性の高い側面の形成とともにサブマウントの側面を含む表面への金属膜の同時形成による金属膜形成時間の短縮と、ドライエッチングと機械加工の好適な組み合わせによる個片化の加工時間の短縮とを可能にできる。その結果、基板の姿勢変更をともなうことなく基板のウエハレベルのハンドリング性をより改善したサブマウントの製造方法を提供することができる。
【符号の説明】
【００７７】
１０    基板（ウエハ）
１１    環状の貫通部
１２    貫通部
１７    切断溝
１８    島部
２０、２０Ｊ´    サブマウント
２０Ｊ    サブマウントの上面
２０Ｊ´    サブマウントの下面
２０Ｓ    サブマウントの側面（基準となる側面）
２０Ｓ´    サブマウントの対向側面
２０Ｋ    サブマウントの側面に隣り合う側面
２０Ｋ´    サブマウントの側面に隣り合う側面
２１    下地金属膜（回路パターン）
２２    接着用金属膜
２３    金属膜開口部（ストリート）
２５、２６    装着物
２７    被搭載物
２８    被搭載物の搭載面
３０    ダイシングブレード
３１    ダイシングライン
３２    ドライフィルム（保持部材）
４０    サブマウントの接続部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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