(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子銃から入射した電子ビームを加速する加速空洞と、
前記電子ビームが加速してなる高エネルギー電子ビームを輸送する輸送路と、
前記輸送路から分岐するｎ個（ｎ≧１）の分岐路の始点に設けられ、ｎ個の前記分岐路及び前記輸送路のうちいずれか一つを前記高エネルギー電子ビームの進路に設定するキッカーと、
前記キッカーを通過した後の前記輸送路及びｎ個の前記分岐路のうち少なくとも２つ以上に配置され、前記高エネルギー電子ビームの通過によりレーザ光を発生するアンジュレータと、
発生した前記レーザ光を導いて末端から照射する導光路と、を備え、
前記輸送路は、前記加速空洞を含む閉回路を構成し、
前記分岐路の終点は、電子ビームの進行方向を曲げる偏向電極を伴って前記輸送路に合流し、前記アンジュレータを通過した電子ビームを前記閉回路に戻し、
前記導光路の先端は、前記閉回路に戻った電子ビームから分離したレーザ光を入射することを特徴とする自由電子レーザ光源。
【請求項２】
請求項１に記載の自由電子レーザ光源において、
前記導光路の末端に接続する機器の駆動部から出力される照射要求信号を受信する受信部と、
前記高エネルギー電子ビームの進路が前記分岐路となるように前記キッカーに磁場を発生させる分岐信号を生成する分岐信号生成部と、
受信した前記照射要求信号に関連付けられた前記機器が接続する前記導光路を指定する導光路指定部と、
前記指定された導光路のみに前記レーザ光が導かれるよう選択した前記キッカーに前記分岐信号を送信する選択送信部と、を有する制御部をさらに備えることを特徴とする自由電子レーザ光源。
【請求項３】
請求項２に記載の自由電子レーザ光源において、
前記キッカーに対する前記分岐信号の送信状態に基づいて、前記レーザ光がいずれの前記導光路からも照射されていないことを示す確認信号を前記機器の駆動部に出力する確認信号出力部を、さらに備えることを特徴とする自由電子レーザ光源。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の自由電子レーザ光源において、
前記輸送路又は前記分岐路を通過して前記加速空洞に戻ってきた前記高エネルギー電子ビームを、この加速空洞の機能により減速させたのちに前記閉回路の外に廃棄する電子廃棄部を、さらに備えることを特徴とする自由電子レーザ光源。
【請求項５】
請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の自由電子レーザ光源において、
前記電子銃及び前記加速空洞が多重化して備わることを特徴とする自由電子レーザ光源。
【請求項６】
請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の自由電子レーザ光源において、
前記レーザ光はＥＵＶ光であって、前記導光路の末端に接続する機器は半導体露光機器であることを特徴とする自由電子レーザ光源。
【請求項７】
請求項６に記載の自由電子レーザ光源において、
前記半導体露光機器は、前記導光路から分岐した複数の末端の各々に接続されていることを特徴とする自由電子レーザ光源。
【請求項８】
電子銃から入射した電子ビームを加速する加速空洞と、
前記電子ビームが加速してなる高エネルギー電子ビームを輸送する輸送路と、
前記輸送路から分岐するｎ個（ｎ≧１）の分岐路の始点に設けられ、ｎ個の前記分岐路及び前記輸送路のうちいずれか一つを前記高エネルギー電子ビームの進路に設定するキッカーと、
前記キッカーを通過した後の前記輸送路及びｎ個の前記分岐路のうち少なくとも２つ以上に配置され、前記高エネルギー電子ビームの通過によりレーザ光を発生するアンジュレータと、
発生した前記レーザ光を導いて末端から照射する導光路と、を備え、
前記輸送路は、前記加速空洞を含む閉回路を構成し、
前記分岐路の終点は、電子ビームの進行方向を曲げる偏向電極を伴って前記輸送路に合流し、前記アンジュレータを通過した電子ビームを前記閉回路に戻し、
前記導光路の先端は、前記閉回路に戻った電子ビームから分離したレーザ光を入射する自由電子レーザ光源に対し、
前記導光路の末端に接続する機器の駆動部から出力される照射要求信号を受信するステップと、
前記高エネルギー電子ビームの進路が前記分岐路となるように前記キッカーに磁場を発生させる分岐信号を生成するステップと、
受信した前記照射要求信号に関連付けられた前記機器が接続する前記導光路を指定するステップと、
前記指定された導光路のみに前記レーザ光が導かれるよう選択した前記キッカーに前記分岐信号を送信するステップと、を含むことを特徴とする自由電子レーザ光源の制御方法。
【請求項９】
電子銃から入射した電子ビームを加速する加速空洞と、
前記電子ビームが加速してなる高エネルギー電子ビームを輸送する輸送路と、
前記輸送路から分岐するｎ個（ｎ≧１）の分岐路の始点に設けられ、ｎ個の前記分岐路及び前記輸送路のうちいずれか一つを前記高エネルギー電子ビームの進路に設定するキッカーと、
前記キッカーを通過した後の前記輸送路及びｎ個の前記分岐路のうち少なくとも２つ以上に配置され、前記高エネルギー電子ビームの通過によりレーザ光を発生するアンジュレータと、
発生した前記レーザ光を導いて末端から照射する導光路と、を備え、
前記輸送路は、前記加速空洞を含む閉回路を構成し、
前記分岐路の終点は、電子ビームの進行方向を曲げる偏向電極を伴って前記輸送路に合流し、前記アンジュレータを通過した電子ビームを前記閉回路に戻し、
前記導光路の先端は、前記閉回路に戻った電子ビームから分離したレーザ光を入射する自由電子レーザ光源に対し、コンピュータが、
前記導光路の末端に接続する機器の駆動部から出力される照射要求信号を受信するステップ、
前記高エネルギー電子ビームの進路が前記分岐路となるように前記キッカーに磁場を発生させる分岐信号を生成するステップ、
受信した前記照射要求信号に関連付けられた前記機器が接続する前記導光路を指定するステップ、
前記指定された導光路のみに前記レーザ光が導かれるよう選択した前記キッカーに前記分岐信号を送信するステップ、を実行することを特徴とする自由電子レーザ光源の制御プログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、高強度のレーザ光を取り出すことができる自由電子レーザ光源及びその制御技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体集積回路の製造におけるリソグラフィ工程は、次のようなものである。
すなわち、回路パターンの形成されたフォトマスクを固定し、感光性樹脂（フォトレジスト）の表面塗布されたシリコンウェハを、このフォトマスクから一定間隔あけて設置する。そして、フォトマスクを介してシリコンウェハの表面を露光し、感光性樹脂に回路パターンを転写するというものである。
【０００３】
半導体集積回路は、回路の微細化がすすむ程、集積度が上がり、動作速度が上がり、消費電力が少なくなるといった利点を有している。このため、感光性樹脂に転写される回路パターンの更なる微細化を図るために、露光光源の短波長化が常に検討されている。
現在の露光光源は、エキシマレーザ（波長：１９３ｎｍ）を発生するＡｒＦ光源が主流である。
【０００４】
次世代光源として、さらに波長の短い極端紫外線（ＥＵＶ：Extreme Ultra-Violet）を発生するレーザ生成プラズマ（ＬＰＰ：Laser produced plasma）光源や放電生成プラズマ（ＤＰＰ：Discharge Produced Plasma）光源が、開発途上にある。しかし、このＬＰＰ光源やＤＰＰ光源は大出力化が困難な課題がある。
そこで、半導体リソグラフィ用の大強度のＥＵＶ光源として、電子加速器を用いた自由電子レーザ（ＦＥＬ：Free Electron Laser）光源が注目されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００３−１７７８８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ＦＥＬ光源は、電子ビームを発生させる電子銃と、電子ビームを高エネルギーに加速させる加速空洞と、高エネルギーの電子ビームから自由電子レーザを発生させるアンジュレータと、を構成要素としているため設備規模が大きく高価である。
また半導体のリソグラフィ工程の現場には、複数の露光機器が配置されるが、各々の露光機器で実際に行われる露光は、間欠的で連続する時間も長くはない。
【０００７】
このために、複数の露光機器のそれぞれに、レーザ光を供給するＦＥＬ光源を、個別に設けるわけにはいかず、共有させることが求められる。
しかし、複数の露光機器でＦＥＬ光源を共有させるにしても、供給されるレーザ光の効率的な利用方法が提案されない限り、生産コストの改善につながらない課題がある。
【０００８】
本発明の実施形態はこのような事情を考慮してなされたもので、複数の中から指定した導光路に対し、レーザ光照射を切り替えることができる自由電子レーザ光源及びその制御技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
実施形態に係る自由電子レーザ光源において、電子銃から入射した電子ビームを加速する加速空洞と、前記電子ビームが加速してなる高エネルギー電子ビームを輸送する輸送路と、前記輸送路から分岐するｎ個（ｎ≧１）の分岐路の始点に設けられ、ｎ個の前記分岐路及び前記輸送路のうちいずれか一つを前記高エネルギー電子ビームの進路に設定するキッカーと、前記キッカーを通過した後の前記輸送路及びｎ個の前記分岐路のうち少なくとも２つ以上に配置され、前記高エネルギー電子ビームの通過によりレーザ光を発生するアンジュレータと、発生した前記レーザ光を導いて末端から照射する導光路と、を備え、前記輸送路は、前記加速空洞を含む閉回路を構成し、前記分岐路の終点は、電子ビームの進行方向を曲げる偏向電極を伴って前記輸送路に合流し、前記アンジュレータを通過した電子ビームを前記閉回路に戻し、前記導光路の先端は、前記閉回路に戻った電子ビームから分離したレーザ光を入射する。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の実施形態により、複数の中から指定した導光路に対し、レーザ光照射を切り替えることができる自由電子レーザ光源及びその制御技術が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の第１実施形態に係る自由電子レーザ光源を示す図。
【図２】第２実施形態に係る自由電子レーザ光源を示す図。
【図３】第３実施形態に係る自由電子レーザ光源を示す図。
【図４】第４実施形態に係る自由電子レーザ光源を示す図。
【図５】各実施形態に係る自由電子レーザ光源の制御方法及びプログラムを説明するフローチャート。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
（第１実施形態）
以下、本発明の実施形態を添付図面に基づいて説明する。
図１に示すように第１実施形態に係る自由電子レーザ光源１０Ａ（１０）は、電子銃１１から入射した電子ビームを加速する加速空洞１２と、この電子ビームが加速してなる高エネルギー電子ビームを輸送する輸送路１３と、この輸送路１３から分岐するｎ個（ｎ＝１）の分岐路１５の始点に設けられこの分岐路１５及び輸送路１３のうちいずれか一つを高エネルギー電子ビームの進路に設定するキッカー１６と、このキッカー１６を通過した後の輸送路１３及び分岐路１５の両方に配置され高エネルギー電子ビームの通過によりレーザ光を発生するアンジュレータ１７（１７1，１７2）と、発生したレーザ光を導いて末端から照射する導光路１８（１８1，１８2）と、を備えている。
【００１３】
電子銃１１は、固体中の電子を、高熱や高電界、光電効果で空間に放出させ、静電場により初期加速するものである。電子銃１１は、電子ビームを、所定の周期で断続的に加速空洞１２に向かって放出する。
加速空洞１２は、電子銃１１から加速位相で入射した電子ビームを、高周波電場により直線的に加速し、高エネルギーにするものである。
輸送路１３及び分岐路１５の曲率を有する部分には、磁場の作用により加速された電子ビームの進行方向を曲げる偏向電極２１が配置されている。このように輸送路１３は、加速空洞１２を含む閉回路を構成している。
【００１４】
分岐路１５は、輸送路１３に設けられたキッカー１６を始点とし、その終点は、輸送路１３に合流している。
キッカー１６は、輸送路１３に付与する磁場をＯＮ／ＯＦＦするものである。キッカー１６が、磁場を付与しない状態では、高エネルギー電子ビームは輸送路１３を直進する。そして、後述する制御部３０から分岐信号Ｃを受信し、キッカー１６が磁場を付与した状態になると、高エネルギー電子ビームは曲げられて分岐路１５に進路を変更する。
【００１５】
こうようにキッカー１６は、付与する磁場をＯＮ／ＯＦＦすることにより、分岐路１５及び輸送路１３のうちいずれか一つを、高エネルギー電子ビームの進路に設定する。
なお、第１実施形態において分岐路１５は、一つのみ設けられているが、複数の分岐路１５が設けられている場合、高エネルギー電子ビームの進路は、ｎ個（ｎ≧２）の分岐路１５及び輸送路１３のうちいずれか一つに設定される。
【００１６】
電子廃棄部２２は、輸送路１３及び／又は分岐路１５を通過して加速空洞１２に戻ってきた電子ビームを、この加速空洞１２の機能により減速させたのちに閉回路の外に廃棄するものである。
加速空洞１２は、減速位相で入射した電子ビームを減速させる機能を有している。
つまり、電子銃１１から所定周期で断続的に放出された電子ビームは、加速空洞１２で加速され、後述するアンジュレータ１７でレーザ光を発生し、閉回路を一周した後に、加速空洞１２で減速され廃棄される。
【００１７】
アンジュレータ１７（１７1，１７2）は、極性が交互となるように多数の磁石を直線状に並べたもので、輸送路１３又は分岐路１５内の電子軌道を蛇行させるものである。
電子ビームは、速度や運動方向が変えられた時、軌道の接線方向に放射光が放出される。そして、この放射光と電子の相互作用により、特定波長の自由電子レーザ（レーザ光）の発振に至る。
【００１８】
なお、第１実施形態においてアンジュレータ１７（１７1，１７2）は、輸送路１３及び分岐路１５の両方に配置されている。しかし、複数の分岐路１５が設けられている場合、アンジュレータ１７は、輸送路１３及びｎ個（ｎ≧２）の分岐路１５のうち少なくとも２つ以上に配置される。
各実施形態において、アンジュレータ１７は、電子ビームを通過させて発生するレーザ光が、極端紫外線（ＥＵＶ：Extreme Ultra-Violet）となるように、各種条件が設計されている。しかし、自由電子レーザ光源から出力されるレーザの波長に特に限定はない。
【００１９】
アンジュレータ１７で仕事して通過した後の電子ビームは、その後段に配置されている偏向電極２１により進路を曲げられ、加速空洞１２に減速位相で入射し、減速された後に電子廃棄部２２に廃棄される。
一方、アンジュレータ１７（１７1，１７2）で発生したレーザ光は、その長手方向をそのまま直進し、導光路１８（１８1，１８2）の先端に入射しその末端から照射される。
このように照射されるレーザ光は、電子銃１１から放出される電子ビームの周期に対応した、周期を有するパルス光である。
【００２０】
導光路１８（１８1，１８2）から分岐した複数の末端の各々には、半導体露光機器２３が接続されている。
半導体集積回路の製造におけるリソグラフィ工程とは、ウェーハに感光性樹脂（フォトレジスト）を塗布し、フォトマスクを介して露光した感光性樹脂の部分を変質させ、回路パターンを転写するというものである。
このリソグラフィ工程では、ウェーハに形成される配線回路層の層数に応じて、フォトマスクのセットとレーザ光の露光とが繰り返されるため（数十回）、多数の露光機器２３を配置してスループットの向上が図られている。
【００２１】
共通の導光路１８に接続する複数の半導体露光機器２３は、同じ駆動部２４により駆動されており、ウェーハ送りや露光タイミングは、全て一致している。
一方の導光路１８1に接続する半導体露光機器２３1の群は、他方の導光路１８2に接続する半導体露光機器２３2の群と露光タイミングが一致しないように、それぞれの駆動部２４（２４1，２４2）は駆動する。具体的には、一方の半導体露光機器２３1の群がステップ動作やフォトマスクを交換等するタイミングに、他方の半導体露光機器２３2の群において露光が行われる。
【００２２】
なお、導光路１８の末端に接続する機器は半導体露光機器２３に限定されない、物性実験機器、イメージング機器、セキュリティスキャン機器といった各種機器を接続することができる。また一つの導光路１８に複数の機器２３が接続されている態様を示しているが、一つの導光路１８に一つの機器２３が接続される場合も含まれる。
【００２３】
そして自由電子レーザ光源の制御部３０は、導光路１８（１８1，１８2）の末端に接続する機器２３（２３1，２３2）の駆動部２４（２４1，２４2）から出力される照射要求信号Ａ（Ａ1，Ａ2）を受信する受信部３１と、高エネルギー電子ビームの進路が分岐路１５となるようにキッカー１６に磁場を発生させる分岐信号Ｃを生成する分岐信号生成部３２と、受信した照射要求信号Ａに関連付けられた機器２３が接続する導光路１８を指定する導光路指定部３３と、指定された導光路１８のみにレーザ光が導かれるよう選択したキッカー１６に分岐信号Ｃを送信する選択送信部３４と、を有している。
【００２４】
照射要求信号Ａ（Ａ1，Ａ2）には、出力元の駆動部２４（２４1，２４2）を識別する識別信号を含まれている。もしくは受信部３１が、駆動部２４（２４1，２４2）に対応して属性の異なるポートで、照射要求信号Ａ（Ａ1，Ａ2）を受信するように構成されている。
導光路指定部３３は、この識別信号やポートの属性を識別して、受信した照射要求信号Ａに対応する導光路１８を指定する。
【００２５】
分岐信号生成部３２が生成する分岐信号Ｃは、キッカー１６に入力すると、キッカー１６に偏向磁場を生じさせ、輸送路１３を直進しようとする高エネルギー電子ビームの進路を曲げて、分岐路１５に進入させる。
第１実施形態では、一つのキッカー１６の接続先である輸送路１３及び分岐路１５の各々にアンジュレータ１７（１７1，１７2）が設けられている。
【００２６】
このため選択送信部３４は、ＯＮ／ＯＦＦスイッチで実現される。すなわち、選択送信部３４がＯＮに設定されると、キッカー１６が磁場を発生し、高エネルギー電子ビームは曲げられて分岐路１５を通過して、導光路１８1に接続する露光機器２３1の群にレーザ光が照射される。そして、選択送信部３４がＯＦＦに設定されると、高エネルギー電子ビームはキッカー１６を直進して輸送路１３を通過し、導光路１８2に接続する露光機器２３2の群にレーザ光が照射される。
【００２７】
なお、第１実施形態においては、駆動部２４から照射要求信号Ａが出力されない場合であっても、アンジュレータ１７（１７1，１７2）のうちいずれかは、レーザ光を発生する。この場合、露光機器２３にレーザ光が照射しないように、レーザ光が通過する経路のいずれかに、照射要求信号Ａに同期してその通過／遮断を制御するシャッタ（図示略）か、電子銃１１を連動してオフにする機構（図示略）が設けられている。
【００２８】
電子加速器を用いた自由電子レーザ（ＦＥＬ）によるＥＵＶ光源は高価であり設備規模も大きくなる。しかし、露光機器２３からのレーザ光照射のオンオフ要請に従い、キッカー１６を操作してレーザ光の照射先を切り替えることとすれば、レーザ光の有効利用を通じて半導体集積回路の生産コストの低減に寄与することができる。
【００２９】
（第２実施形態）
図２に示すように第２実施形態に係る自由電子レーザ光源１０Ｂ（１０）は、電子銃１１から入射した電子ビームを加速する加速空洞１２と、この電子ビームが加速してなる高エネルギー電子ビームを輸送する輸送路１３と、この輸送路１３から分岐するｎ個（ｎ≧２）の分岐路１５（１５1，１５2，…１５n）の始点に設けられｎ個の分岐路１５（１５1，１５2，…１５n）のうちいずれか一つを高エネルギー電子ビームの進路に設定するキッカー１６（１６1，１６2，…１６n）と、分岐路１５（１５1，１５2，…１５n）の各々に配置され高エネルギー電子ビームの通過によりレーザ光を発生するアンジュレータ１７（１７1，１７2，…１７n）と、発生したレーザ光を導いて末端から照射する導光路１８（１８1，１８2，…１８n）と、を備えている。
【００３０】
第２実施形態の自由電子レーザ光源１０Ｂは、ｎ個のキッカー１６（１６1，１６2，…１６n）から分岐するｎ個の分岐路１５（１５1，１５2，…１５n）の各々にアンジュレータ１７（１７1，１７2，…１７n）が設けられる構成を有する。
このように構成されることで、ｎ個の駆動部２４（２４1，２４2，…２４n）で駆動される露光機器２３の群が形成され、半導体生産の多様性への対応力が向上する。
なお、図２において図１と共通の構成又は機能を有する部分は、同一符号で示し、重複する説明を省略する。
【００３１】
第２実施形態の自由電子レーザ光源１０Ｂでは、輸送路１３にアンジュレータ１７を設けない構成か、電子銃１１を連動してオフにする機構（図示略）を有する。
このように構成されることで、自由電子レーザ光源１０Ｂにおいて、レーザ光の発生を休止させることができる。これにより、常時、安定したレーザ光を、露光機器２３に照射させることができる。また、全てのキッカー１６（１６1，１６2，…１６n）を直進に設定し、加速空洞１２に電子ビームが加速位相で入射するよう設定し、閉軌道を複数回周回させることにより、電子ビームを高エネルギーにすることもできる。
【００３２】
自由電子レーザ光源の制御部３０Ｂは、キッカー１６（１６1，１６2，…１６n）に対する分岐信号Ｃの送信状態に基づいて、レーザ光がいずれの導光路１８（１８1，１８2，…１８n）からも照射されていないことを示す確認信号Ｂを機器２３の駆動部２４（２４1，２４2，…２４n）に出力する確認信号出力部３５を、さらに備えている。
なお、図２において図１と共通の構成又は機能を有する部分は、同一符号で示し、重複する説明を省略する。
【００３３】
第２実施形態の制御部３０Ｂにおいて、選択送信部３４は、ｎ個のキッカー１６（１６1，１６2，…１６n）の各々に対し分岐信号Ｃを送信する接点と、いずれのキッカー１６にも分岐信号Ｃを送信しない接点３４xと、が設けられている。
この選択送信部の接点３４xが短絡された場合、高エネルギー電子ビームは輸送路１３を周回するのみでレーザ光を照射することは無い。この場合、分岐信号Ｃは確認信号出力部３５に受信されこの確認信号出力部３５は未照射確認信号Ｂを出力する。
【００３４】
この未照射確認信号Ｂは、駆動部２４（２４1，２４2，…２４n）の各々に入力され、照射要求信号Ａ（Ａ1，Ａ2，…Ａn）を出力するタイミングの決定に利用される。
これにより、複数の駆動部２４から照射要求信号Ａが同時に出力される競合を回避し、多数の露光機器２３におけるレーザ光の効率利用に寄与する。
【００３５】
（第３実施形態）
図３に示すように第３実施形態に係る自由電子レーザ光源１０Ｃ（１０）は、電子銃１１（１１ａ，１１ｂ）及び加速空洞１２（１２ａ，１２ｂ）が多重化して備えられている。これに伴い、電子廃棄部２２（２２ａ，２２ｂ）も多重化して備えられている。
なお、図３において図１と共通の構成又は機能を有する部分は、同一符号で示し、重複する説明を省略する。図３は加速ラインを二重化したものを例示しているが、三重化以上も考えられる。
このように構成されることにより、１つの加速ラインがダウンした場合でも、他の加速ラインを起動させることにより、半導体集積回路の製造の中断を防止することができる。
また、複数の加速ラインの電子ビームのタイミングをずらすことで、複数のアンジュレータで同時にレーザ光を発生させたり、１つのアンジュレータに電子ビームを集中させてレーザ光の強度を向上させたりすることも考えられる。
【００３６】
（第４実施形態）
図４に示すように第４実施形態に係る自由電子レーザ光源１０Ｄ（１０）は、輸送路１３又は分岐路１５を通過した電子ビームを、それぞれの終端で廃棄する電子廃棄部２２を備えている。
このように構成されることで、輸送路１３を閉回路で構成する必要はなくなり、自由電子レーザ光源１０Ｄ（１０）のレイアウトを多様化することができる。
【００３７】
図５のフローチャートに基づいて各実施形態に係る自由電子レーザ光源の制御方法及びプログラムを説明する。
電子銃１１で発生させた電子ビームを加速空洞１２に入射して加速する（Ｓ１１）。半導体集積回路の製造におけるリソグラフィ工程で使用する複数の露光機器２３の群を起動（スタートアップ）する（Ｓ１２）。
露光機器の駆動部２４からの照射要求信号Ａを受信しないうちは（Ｓ１３ Ｎｏ）、露光機器２３にレーザ光は照射されない（Ｓ１４，Ｓ１５ Ｎｏ）。
【００３８】
そして、露光機器の駆動部２４から照射要求信号Ａを受信すると（Ｓ１３ Ｙｅｓ）、この駆動部２４に対応するキッカー１６に分岐信号Ｃが送信され（Ｓ１６）、電子ビームを対応するアンジュレータ１７に通過させレーザ光を発生させる（Ｓ１７）。
このレーザ光は、導光路１８を通過してその末端に接続する露光機器に入射する（Ｓ１８）。そして、この（Ｓ１３）から（Ｓ１８）までのフローを、露光機器２３をシャットダウンするまで続ける（Ｓ１５ Ｙｅｓ ＥＮＤ）。
【００３９】
以上述べた少なくともひとつの実施形態の自由電子レーザ光源によれば、キッカーの操作により高エネルギー電子ビームの進行方向を変えることにより、複数の中から指定した導光路に対し、レーザ光照射を切り替えることが可能となる。
【００４０】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更、組み合わせを行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。
また、自由電子レーザ光源の制御部は、コンピュータのプロセッサで実現することも可能であり、自由電子レーザ光源の制御プログラムにより動作させることが可能である。
【００４１】
以上説明した自由電子レーザ光源の制御部は、専用のチップ、ＦＰＧＡ（Field Programmable Gate Array）、ＧＰＵ（Graphics Processing Unit）、又はＣＰＵ（Central Processing Unit）などのプロセッサを高集積化させた制御装置と、ＲＯＭ（Read Only Memory）やＲＡＭ（Random Access Memory）などの記憶装置と、ＨＤＤ（Hard Disk Drive）やＳＳＤ（Solid State Drive）などの外部記憶装置と、ディスプレイなどの表示装置と、マウスやキーボードなどの入力装置と、通信Ｉ／Ｆとを、備えており、通常のコンピュータを利用したハードウェア構成で実現できる。
【００４２】
また自由電子レーザ光源の制御で実行されるプログラムは、ＲＯＭ等に予め組み込んで提供される。もしくは、このプログラムは、インストール可能な形式又は実行可能な形式のファイルでＣＤ−ＲＯＭ、ＣＤ−Ｒ、メモリカード、ＤＶＤ、フレキシブルディスク（ＦＤ）等のコンピュータで読み取り可能な記憶媒体に記憶されて提供するようにしてもよい。
【符号の説明】
【００４３】
１０（１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ，１０Ｄ）…自由電子レーザ光源、１１…電子銃、１２…加速空洞、１３…輸送路、１５…分岐路、１６…キッカー、１７…アンジュレータ、１８…導光路、２１…偏向電極、２２…電子廃棄部、２３…露光機器（機器）、２４…駆動部、３０（３０Ａ，３０Ｂ）…制御部、３１…受信部、３２…分岐信号生成部、３３…導光路指定部、３４…選択送信部、３５…確認信号出力部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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