(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１透明絶縁シートの第１入力検知領域に、第１方向に所定間隔を隔てて第１方向と直交する第２方向に沿って配線される複数の第１透明検出電極と、
第１透明絶縁シートの第１入力検知領域と絶縁間隔を隔てて対向する第２透明絶縁シートの第２入力検知領域に、第２方向に所定間隔を隔てて第１方向に沿って配線される複数の第２透明検出電極と、
複数の第１透明検出電極と複数の第２透明検出電極の全ての交差位置で交差する第１透明検出電極と第２透明検出電極間の浮遊容量の変化を検出する静電容量検出手段とを備え、
入力操作体が接近して交差位置で交差する第１透明検出電極と第２透明検出電極間の浮遊容量が変化する第１透明検出電極と第２透明検出電極の第１方向と第２方向の配線位置から、入力操作体の第１方向と第２方向の入力操作位置を検出する静電容量式入力装置であって、
第１入力検知領域の全面に形成される透明導電層は、第２方向に沿って１００μｍ以下の線幅でその透明導電層が除去された複数の第１スリットにより複数の透明導電層に分割され、第１方向で隣り合う第１スリットの間の透明導電層により、複数の第１透明検出電極と複数の第１ダミーパターンが第１方向に交互に形成されるとともに、
第２入力検知領域の全面に形成される透明導電層は、第１方向に沿ってその透明導電層が除去された複数の第２スリットにより複数の透明導電層に分割され、各第２透明検出電極は、第２方向で隣り合う一対の第２スリットの間の透明導電層により形成され、
第２方向に沿って形成される前記各第１ダミーパターンは、第２スリットを第１入力検知領域上に投影させた投影形状の両側に沿って１００μｍ以下の線幅で透明導電層が除去された複数の絶縁スリットにより、相互に絶縁された複数のパターンに分割されることを特徴とする静電容量式入力装置。
【請求項２】
透明絶縁シートの表面側の第１入力検知領域に、第１方向に所定間隔を隔てて第１方向と直交する第２方向に沿って配線される複数の第１透明検出電極と、
前記透明絶縁シートの裏面側の第２入力検知領域に、第２方向に所定間隔を隔てて第１方向に沿って配線される複数の第２透明検出電極と、
複数の第１透明検出電極と複数の第２透明検出電極の全ての交差位置で交差する第１透明検出電極と第２透明検出電極間の浮遊容量の変化を検出する静電容量検出手段とを備え、
入力操作体が接近して交差位置で交差する第１透明検出電極と第２透明検出電極間の浮遊容量が変化する第１透明検出電極と第２透明検出電極の第１方向と第２方向の配線位置から、入力操作体の第１方向と第２方向の入力操作位置を検出する静電容量式入力装置であって、
第１入力検知領域の全面に形成される透明導電層は、第２方向に沿って１００μｍ以下の線幅でその透明導電層が除去された複数の第１スリットにより複数の透明導電層に分割され、第１方向で隣り合う第１スリットの間の透明導電層により、複数の第１透明検出電極と複数の第１ダミーパターンが第１方向に交互に形成されるとともに、
第２入力検知領域の全面に形成される透明導電層は、第１方向に沿ってその透明導電層が除去された複数の第２スリットにより複数の透明導電層に分割され、各第２透明検出電極が、第２方向で隣り合う一対の第２スリットの間の透明導電層により形成され、
第２方向に沿って形成される前記各第１ダミーパターンは、第２スリットを第１入力検知領域上に投影させた投影形状の両側に沿って１００μｍ以下の線幅で透明導電層が除去された複数の絶縁スリットにより、相互に絶縁された複数のパターンに分割されることを特徴とする静電容量式入力装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、浮遊容量の変化から入力操作を検出する透明検出電極が目立たない静電容量式入力装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子機器のディスプレーに表示されたアイコンなどを指示入力するポインティングデバイスとして、指などの入力操作体が入力検知領域に配線された検出電極に接近することによる静電容量の変化から、入力検知領域への入力操作位置を検出する静電容量式入力装置が知られている。
【０００３】
静電容量式入力装置のうち、入力検知領域上の直交するＸＹ方向の２次元入力操作位置を検出するタッチパネルは、Ｙ方向に沿った多数のＸ検出電極と、Ｘ方向に沿った多数のＹ検出電極とを、所定の絶縁間隔を隔てて積層した２枚の絶縁シートの対向面にそれぞれ配線し、全てのＸ検出電極とＹ検出電極についての静電容量を監視し、静電容量が変化したＸ検出電極とＹ検出電極の交差位置に指などの入力操作体が接近したものとして、その交差位置のＸ検出電極とＹ検出電極の配線位置から２次元入力操作位置を検出している。
【０００４】
以下、この検出原理を用いて二次元の入力操作位置を検出するタッチパネル１００を図７で説明する。このタッチパネル１００は、Ｙ方向に沿った多数のＸ検出電極１０１と、Ｘ方向に沿った多数のＹ検出電極１０２とが、所定の絶縁間隔を隔てて積層された２枚の絶縁シート１０３（上方の絶縁シートは、図示を省略）の対向面の入力検知領域にそれぞれ配線されている。切り換え制御回路１０７は、多数のＹ検出電極１０２に接続するＹ軸入力スイッチ１０４を切り換え制御し、発振回路１０５を順次全てのＹ検出電極１０２に切り換え接続し、切り換え接続したＹ検出電極１０２へ所定のパルス波形の検出信号を出力する。また、切り換え制御回路１０７は、多数のＸ検出電極１０１に接続するＸ軸入力スイッチ１０６にも接続し、いずれかのＹ検出電極１０２に上記検出信号が出力されている間、順次全てのＸ検出電極１０１を演算回路１０８に切り換え接続し、接続したＸ検出電極１０１の検出信号の電位を読み取る。
【０００５】
指などの入力操作体が接近する検出電極１０１、１０２では、入力操作体との浮遊容量が増大するので、検出電極１０１、１０２に流れるパルス波形の検出信号の一部が、浮遊容量を通して入力操作体側に漏れ、演算回路１０８で検出する検出信号の電位は、入力操作体を接近させる前の電位より低下する。絶縁シート１０３上には、多数のＸ検出電極１０１とＹ検出電極１０２が交差してマトリックス状に配置されているので、入力操作体が絶縁シート１０３のＸ検出電極１０１とＹ検出電極１０２のいずれかの交差位置に接近すると、その交差位置に配線されるＸ検出電極１０１とＹ検出電極１０２を切り換え制御回路１０７が切り換え接続した際に演算回路１０８が検出した検出信号の電位が最も低下するので、演算回路１０８は、そのＸ検出電極１０１のＸ方向の配線位置とＹ検出電極１０２のＹ方向配線位置とから、ＸＹ座標で表す入力操作位置を検出して、入力操作位置を処理する制御回路１０９へ出力する。
【０００６】
一般にこのように構成された静電容量式入力装置は、その背面側に配置される液晶表示パネルなどの表示装置とともに用いられ、操作者は、表示装置に表示されるアイコンなどを見ながら静電容量式入力装置の入力検知領域への入力操作を行う。従って、静電容量式入力装置の少なくとも入力検知領域に配置される各部品、例えば、上記タッチパネル１００では、２枚の絶縁シート１０３とＸ検出電極１０１とＹ検出電極１０２は透明材料で形成される。
【０００７】
特に、Ｘ検出電極１０１とＹ検出電極１０２とは、透明性と低抵抗の導電性が求められるので、その材料は限られ、ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ（ポリエチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルフォン酸）等の導電性ポリマーや銀ナノワイヤー等のナノサイズ導電体で形成されている。しかしながら、これらの材料は、透明性を有するものではあるが、ＩＴＯ、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ等の導電性ポリマーは薄い青色、銀ナノワイヤーは薄い黄色を帯びているので、検出電極１０１、１０２の輪郭が目視され、格子状に配線されている場合には格子状の模様となって表れ美感を損なう。
【０００８】
導電性透明材料で形成される検出電極自体の厚さを薄くすれば透明に近づけることは可能であるが、検出電極の電気抵抗が高くなるので、微小な電圧変化から入力操作位置を検出する静電容量式入力装置には限界がある。
【０００９】
そこで、特許文献１に開示される従来の静電容量式タッチパネルは、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳで形成した検出電極と、同色の薄い青色のインキでコーティングしたガラス板、意匠シート等を検出電極を配線した透明絶縁シートに重ね、検出電極の輪郭が目立たないようにしている。
【００１０】
また、特許文献２に開示される従来の静電容量式タッチパネル１１０は、図９に示すように、Ｘ検出電極１１１とＹ検出電極１１２とが絶縁シートの積層方向で重ならない幅２００μｍ程度の隙間１１３に、Ｘ検出電極１１１やＹ検出電極１１２のいずれにも接続されない多数のダミーパターン１１４を絶縁シートの表裏に形成している。ダミーパターン１１４を、Ｘ検出電極１１１及びＹ検出電極１１２と同一の透明導電材料であるＩＴＯで形成することにより、Ｘ検出電極１１１とＹ検出電極１１２間の隙間１１３や各電極１１１、１１２の輪郭を見え難くしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】特開２０１１−３１６９公報
【特許文献２】特開２０１０−９４５６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
従来の特許文献１に開示される静電容量式タッチパネルは、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳで形成される薄い青色の検出電極に、更に同色のインキでコーティングしたガラス板、意匠シート等を重ねるので、入力検知領域の透明性が悪化し、その内方に配置される表示装置の表示が見えづらくなる。
【００１３】
更に、この静電容量式タッチパネルでは、検出電極の輪郭を見えづらいものとするために別部材のガラス板、意匠シート等を積層させるので、部品点数が増加すると共にタッチパネルの薄型化の障害となる。
【００１４】
また、従来の静電容量式タッチパネル１１０は、入力検知領域に接近する入力操作体との対向面積を拡大させるために、複数のＸ検出電極１１１と複数のＹ検出電極１１２とを、相補する同一のパターン形状として、Ｘ検出電極１１１とＹ検出電極１１２のいずれかで入力検知領域のほぼ全面を覆うものであるが、Ｘ検出電極１１１とＹ検出電極１１２間の幅２００μｍ程度のわずかな隙間１１３に、Ｘ検出電極１１１とＹ検出電極１１２のいずれにも接続しないダミーパターン１１４を形成するので、Ｘ検出電極１１１、Ｙ検出電極１１２及びダミーパターン１１４のパターニングに高度な製造精度が求められる。
【００１５】
そこで、一般に、絶縁シート上に形成されるＸ検出電極１１１、Ｙ検出電極１１２及びダミーパターン１１４は、フォトエッチングによるパターニングで形成されるが、多数の工程を要すると共に、エッチングには強酸のエッチング液を用いるので自然環境を損なう原因ともなる。
【００１６】
本発明は、このような従来の問題点を考慮してなされたものであり、別部材を重ねることなく、透明検出電極の輪郭が目立たない静電容量式入力装置を提供することを目的とする。
【００１７】
また、高度な製造精度を要することなく、輪郭が目立たない透明検出電極を形成する静電容量式入力装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
上述の目的を達成するため、請求項１に記載の静電容量式入力装置は、第１透明絶縁シートの第１入力検知領域に、第１方向に所定間隔を隔てて第１方向と直交する第２方向に沿って配線される複数の第１透明検出電極と、第１透明絶縁シートの第１入力検知領域と絶縁間隔を隔てて対向する第２透明絶縁シートの第２入力検知領域に、第２方向に所定間隔を隔てて第１方向に沿って配線される複数の第２透明検出電極と、複数の第１透明検出電極と複数の第２透明検出電極の全ての交差位置で交差する第１透明検出電極と第２透明検出電極間の浮遊容量の変化を検出する静電容量検出手段とを備え、入力操作体が接近して交差位置で交差する第１透明検出電極と第２透明検出電極間の浮遊容量が変化する第１透明検出電極と第２透明検出電極の第１方向と第２方向の配線位置から、入力操作体の第１方向と第２方向の入力操作位置を検出する静電容量式入力装置であって、
第１入力検知領域の全面に形成される透明導電層は、第２方向に沿って１００μｍ以下の線幅でその透明導電層が除去された複数の第１スリットにより複数の透明導電層に分割され、第１方向で隣り合う第１スリットの間の透明導電層により、複数の第１透明検出電極と複数の第１ダミーパターンが第１方向に交互に形成されるとともに、第２入力検知領域の全面に形成される透明導電層は、第１方向に沿ってその透明導電層が除去された複数の第２スリットにより複数の透明導電層に分割され、各第２透明検出電極は、第２方向で隣り合う一対の第２スリットの間の透明導電層により形成され、
第２方向に沿って形成される前記各第１ダミーパターンは、第２スリットを第１入力検知領域上に投影させた投影形状の両側に沿って１００μｍ以下の線幅で透明導電層が除去された複数の絶縁スリットにより、相互に絶縁された複数のパターンに分割されることを特徴とする。
【００１９】
透明導電層に第２方向に沿って複数の第１スリットを形成するだけで、その間に第２方向に沿って配線される第１透明検出電極を形成することができ、また、その形状に多少の誤差が生じていても、第１方向の入力操作位置の検出には影響しないので、第１スリットの形成に高い加工精度は求められない。
【００２０】
透明導電層に第１方向に沿って複数の第２スリットを形成するだけで、その間に第１方向に沿って配線される第２透明検出電極が形成される。また、第２透明検出電極の形状に多少の誤差が生じていても、第２方向の入力操作位置の検出に影響しないので、第２スリットの形成に高い加工精度は求められない。
【００２１】
複数の第１透明検出電極の間には、１００μｍ以下の線幅の第１スリットを介して第１透明検出電極と同材料で形成される第１ダミーパターンが配置されるので、第１透明検出電極の輪郭は目立たない。
【００２２】
また、第１透明検出電極に絶縁して隣接する第１ダミーパターンは、第１入力検知領域上に投影させた第２スリットの両側に沿った複数の絶縁スリットにより第２透明検出電極の単位で複数のパターンに分割されるので、分割された第１ダミーパターンが対向位置に配線される第２透明検出電極と容量結合しても第２方向の入力操作位置の検出精度に影響しない。
【００２３】
絶縁スリットは、１００μｍ以下の線幅で形成されるので、絶縁スリットにより分割された第１ダミーパターンの輪郭は目立たない。
【００２４】
請求項２に記載の静電容量式入力装置は、透明絶縁シートの表面側の第１入力検知領域に、第１方向に所定間隔を隔てて第１方向と直交する第２方向に沿って配線される複数の第１透明検出電極と、前記透明絶縁シートの裏面側の第２入力検知領域に、第２方向に所定間隔を隔てて第１方向に沿って配線される複数の第２透明検出電極と、
複数の第１透明検出電極と複数の第２透明検出電極の全ての交差位置で交差する第１透明検出電極と第２透明検出電極間の浮遊容量の変化を検出する静電容量検出手段とを備え、
入力操作体が接近して交差位置で交差する第１透明検出電極と第２透明検出電極間の浮遊容量が変化する第１透明検出電極と第２透明検出電極の第１方向と第２方向の配線位置から、入力操作体の第１方向と第２方向の入力操作位置を検出する静電容量式入力装置であって、
第１入力検知領域の全面に形成される透明導電層は、第２方向に沿って１００μｍ以下の線幅でその透明導電層が除去された複数の第１スリットにより複数の透明導電層に分割され、第１方向で隣り合う第１スリットの間の透明導電層により、複数の第１透明検出電極と複数の第１ダミーパターンが第１方向に交互に形成されるとともに、第２入力検知領域の全面に形成される透明導電層は、第１方向に沿ってその透明導電層が除去された複数の第２スリットにより複数の透明導電層に分割され、各第２透明検出電極が、第２方向で隣り合う一対の第２スリットの間の透明導電層により形成され、
第２方向に沿って形成される前記各第１ダミーパターンは、第２スリットを第１入力検知領域上に投影させた投影形状の両側に沿って１００μｍ以下の線幅で透明導電層が除去された複数の絶縁スリットにより、相互に絶縁された複数のパターンに分割されることを特徴とする。
【００２５】
第１透明検出電極は、目視されない線幅の一対の第１スリットを輪郭とするので、輪郭が目立たない。
【００２６】
絶縁シートの表面側と裏面側に形成される透明導電層に、互いに直交する複数の第１スリットと複数の第２スリットとをそれぞれ形成するだけで、直交方向に配線される第１透明検出電極と第２透明検出電極を形成することができ、また、その形状に多少の誤差が生じていても、入力操作位置の検出には影響しないので、第１スリット若しくは第２スリットの形成に高い加工精度は求められない。
【発明の効果】
【００２７】
請求項１又は請求項２の発明によれば、同色のインクをコーティングした別部材を重ねることなく、透明性を悪化させることなく、第１透明検出電極と第２透明検出電極のいずれの輪郭も目立たたず、美感を損なわない静電容量式入力装置とすることができる。
【００２８】
また、高精度の加工精度を要しない第１スリットを複数形成するだけで、第１方向で隣り合う１対の第１スリットの内側に第１透明検出電極を形成できる。
【００２９】
また、透明導電層に第１方向に沿って複数の第２スリットを形成するだけで、その間に第１方向に沿って配線される第２透明検出電極を、直交する第１透明検出電極と絶縁して形成することができ、二次元の入力操作位置を検出する第１透明検出電極と第２透明検出電極を容易に形成できる。
【００３０】
また、第１透明検出電極を任意幅とすることによって生じる第１透明検出電極間の隙間は、第１ダミーパターンが形成されることにより目立たず、更に第１ダミーパターンを第１透明検出電極の間に配置しても、絶縁スリットによって第２透明検出電極の単位で複数のパターンに分割されるので、入力操作位置の検出精度に影響しない。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】本発明の一実施の形態に係る静電容量式入力装置１の平面図である。
【図２】静電容量式入力装置１の側面図である。
【図３】積層された入力検知領域２Ａ、３Ａの部分拡大底面図である。
【図４】入力検知領域２Ａの部分拡大底面図である。
【図５】入力検知領域３Ａの部分拡大平面図である。
【図６】図３のＡ−Ａ線断面図である。
【図７】タッチパネル１００の基本構成を示す回路図である。
【図８】他の実施の形態に係る入力検知領域３Ａの部分拡大平面図である。
【図９】従来の静電容量式入力装置１００の検出電極１１１、１１２の交差部分を拡大した平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３２】
以下、本発明の一実施の形態に係る静電容量式入力装置１と静電容量式入力装置１の透明検出電極１０Ｘ、１０Ｙの形成方法を、図１乃至図７を用いて説明する。本実施の形態に係る静電容量式入力装置は、静電容量式タッチパネル（以下、単にタッチパネルという）１であり、図７に示すタッチパネル１００と同様の動作原理で入力操作位置を検出するものであるので、同一に作用する構成については同一の番号を用いてその詳細な説明は省略する。また、タッチパネル１の図２に示す積層構造の全体は後述するように透明体で形成されるが、図２を除く各図では、理解を容易にするために、上部透明絶縁シート２と下部透明絶縁シート３の輪郭、各スリット及び引き出し線５を実線で表す。
【００３３】
このタッチパネル１は、直交するＸＹ方向の入力操作位置を検出するために、上部透明絶縁シート２の入力検知領域２Ａに、Ｙ方向に沿って多数のＸ側透明検出電極１０Ｘを、上部透明絶縁シート２の入力検知領域２Ａに対して絶縁スペーサシート４を介して対向する下部透明絶縁シート３の入力検知領域３Ａに、Ｘ方向に沿って多数のＹ側透明検出電極１０Ｙを配線している。
【００３４】
２枚の透明絶縁シート２、３は、その入力検知領域２Ａ、３Ａに薄膜の透明導電層を形成可能な材質であれば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）やポリイミド等のプラスチックシートやガラス基板等の種々の材料で構成することができるが、ここでは、透明性と可撓性を備え、積層が容易なＰＥＴで形成している。図２に示す構造では、上部透明絶縁シート２と下部透明絶縁シート３とを、同様にＰＥＴで形成した絶縁スペーサシート４を挟んで上下に３層に積層させた構造としているが、上部透明絶縁シート２上に、更に入力検知領域２Ａ、３Ａを保護する硬質のガラス基板や、入力検知領域２Ａ、３Ａが入力操作領域であることを表示した透明意匠シートを重ねて積層してもよい。
【００３５】
図１に示すように、入力検知領域２Ａ、３Ａは、上部透明絶縁シート２と下部透明絶縁シート３とを積層させた状態で、鉛直方向に同一の長方形輪郭で重なり、入力検知領域２Ａ、３Ａの周囲の余白領域６に、各Ｘ側透明検出電極１０Ｘ及び各Ｙ側透明検出電極１０ＹをそれぞれＸ軸入力スイッチ１０６及びＹ軸入力スイッチ１０４へ接続する銀細線からなる引き出し線５が印刷形成されている。
【００３６】
入力検知領域２Ａに配線される多数のＸ側透明検出電極１０Ｘは、任意の透明導電材料で形成できるが、ここでは、ＰＥＴに薄膜を形成可能なＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ（ポリエチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルフォン酸）で形成されている。図４に示すように、入力検知領域２Ａの全面には、スパッタ法、真空蒸着法、ＣＶＤ法若しくはスクリーン印刷などで、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳを数１０ｎｍの厚さで形成した薄膜導電層が形成され、各Ｘ側透明検出電極１０Ｘは、それぞれその薄膜導電層の一部をＹ方向に沿って除去した多数のＸ側スリット１１Ｘの内、Ｘ方向で隣り合う１対のＸ側スリット１１Ｘ、１１Ｘの間の薄膜導電層で形成される。
【００３７】
Ｘ方向に沿って隣り合うＸ側スリット１１Ｘ間のピッチが交互に異なることにより、Ｘ方向に複数に分割された薄膜導電層からＸ側スリット１１Ｘとダミーパターン１３とが交互に形成される。ここで、各Ｘ側透明検出電極１０Ｘは、入力操作体のＸ方向幅、タッチパネル１のＸ方向の分解能からＸ方向幅Ｄ（１０Ｘ）が一定幅に定められ、また、隣り合うＸ側透明検出電極１０Ｘ間のピッチＰ（１０Ｘ）も、入力検知領域２ＡのＸ方向幅とＸ軸入力スイッチ１０６の切り換え端子数とから一定幅に決定されるので、ピッチＰ（１０Ｘ）からＸ方向幅Ｄ（１０Ｘ）と２列分のＸ側スリット１１Ｘの幅を除いた残る幅にダミーパターン１３が形成される。
【００３８】
Ｘ側スリット１１ＸのＸ方向の溝幅は、２０μｍから１００μｍの間に設定され、ここでは、スポット径が４０μｍのレーザー光をＹ方向に沿って照射し、幅４０μｍで薄膜導電層が除去されたＸ側スリット１１Ｘを形成する。視力１．０の操作者が入力検知領域２Ａから４３ｃｍ離れた距離で視認可能な溝幅が１２０μｍであることから、Ｘ側スリット１１ＸのＸ方向の溝幅が１００μｍ以下であれば、通常の使用状態でＸ側スリット１１Ｘが視認されることはなく、一方、２０μｍ未満となると、隣接するダミーパターン１３との静電容量が増大して容量結合し、Ｘ方向の入力位置検出精度に影響することとなる。
【００３９】
幅４０μｍの一対のＸ側スリット１１Ｘで囲われるＸ側透明検出電極１０Ｘの輪郭は目視されることがなく、また、隣り合うＸ側透明検出電極１０Ｘ間の隙間には、Ｘ側透明検出電極１０Ｘと同一の透明導電材料からなるダミーパターン１３が形成されるので、その隙間も目立たないものとなる。
【００４０】
各ダミーパターン１３は、更にダミーパターン１３の薄膜導電層の一部をＸ方向に沿って除去した複数の絶縁スリット１４によって、Ｙ方向に複数のダミーパターン１３に分割されている。複数の絶縁スリット１４は、図３に示すように、後述するＹ側スリット１１Ｙを入力検知領域２Ａ上に投影させた投影形状の両側に沿って、スポット径が４０μｍのレーザー光を照射し、幅４０μｍで薄膜導電層が除去して形成される。従って、複数の絶縁スリット１４により分割される各ダミーパターン１３は、Ｙ側スリット１１Ｙで区切られる後述するＹ側透明検出電極１０Ｙの単位でＹ方向に分割される。絶縁スリット１４の溝幅も４０μｍであるので、目視されず、分割されたダミーパターン１３の輪郭も目立たない。一方、各ダミーパターン１３がＹ側透明検出電極１０Ｙの単位でＹ方向に複数に分割されるので、大面積のダミーパターン１３が入力操作体に対向することがなく、入力操作位置の検出に影響しない。また、図６に示すように、絶縁スリット１４とＹ側スリット１１Ｙとは、鉛直方向で重ならずに積層されるので、極端に透明性が異なる部分が線状に表れない。
【００４１】
入力検知領域３Ａに配線される多数のＹ側透明検出電極１０Ｙも、Ｘ側透明検出電極１０Ｘと同一のＰＥＤＯＴ／ＰＳＳで形成されている。各Ｙ側透明検出電極１０Ｙは、Ｘ側透明検出電極１０Ｘと同様に、図５に示すように、入力検知領域３Ａの全面にスパッタ法、真空蒸着法、ＣＶＤ法若しくはスクリーン印刷などで、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳを数１０ｎｍの厚さで成膜した薄膜導電層の一部をＸ方向に沿って除去した多数のＹ側スリット１１ＹからＹ方向で隣り合う１対のＹ側スリット１１Ｙ、１１Ｙ間の薄膜導電層により形成される。
【００４２】
透明絶縁シート２、３の対向面に配線されるＸ側透明検出電極１０ＸとＹ側透明検出電極１０Ｙとは、スペーサシート４を介して透明絶縁シート２、３を積層することにより、スペーサシート４で絶縁されると共に平面側上方からみて格子状に配線される。Ｙ側透明検出電極１０Ｙには、上方から入力操作を行う入力操作体との間にスペーサシート４が介在するので、入力操作体が接近することによる浮遊容量の変化は、Ｘ側透明検出電極１０Ｘより小さく、従って、Ｘ側透明検出電極１０Ｘのようにその間にダミーパターン１３を形成せずに、Ｙ側透明検出電極１０Ｙは、Ｙ方向に等間隔で形成される１対のＹ側スリット１１Ｙ、１１Ｙ間に、Ｘ側透明検出電極１０Ｘより幅広に形成される。
【００４３】
Ｙ側スリット１１Ｙも、スポット径が４０μｍのレーザー光をＸ方向に沿って照射し、幅４０μｍで入力検知領域３Ａの薄膜導電層を除去して形成される。Ｙ側スリット１１ＹのＹ方向の溝幅が目視できない４０μｍ幅で形成されることによって、Ｙ側透明検出電極１０Ｙの輪郭も目立たないものとなる。
【００４４】
このように構成されるタッチパネル１の図１に示す入力検出部の製造工程は、初めに、上部透明絶縁シート２の裏面側の長方形の入力検知領域２Ａの全面に、例えばスクリーン印刷でＰＥＤＯＴ／ＰＳＳからなる薄膜導電層を形成する。続いて、形成した薄膜導電層に対し、入力検知領域２Ａの左側から、Ｘ側透明検出電極１０ＸのＸ方向幅Ｄ（１０Ｘ）を隔てた両側の位置で、Ｙ方向に沿ってスポット径が４０μｍのレーザー光を照射し、４０μｍ幅で薄膜導電層が除去された一対のＸ側スリット１１Ｘを形成し、Ｘ側透明検出電極１０Ｘ間のピッチＰ（１０Ｘ）で入力検知領域２Ａの右側に達するまでこのレーザー加工工程を繰り返し、Ｘ方向に等間隔で所定数のＸ側透明検出電極１０Ｘを形成する。
【００４５】
同時に、Ｘ方向で隣り合うＸ側透明検出電極１０Ｘの間にダミーパターン１３が形成されるので、各ダミーパターン１３について、Ｙ側スリット１１Ｙを入力検知領域２Ａ上に投影させた投影形状の両側に沿って、スポット径が４０μｍのレーザー光を照射し、幅４０μｍ幅で薄膜導電層が除去された絶縁スリット１４を形成し、Ｙ側透明検出電極１０Ｙの単位でダミーパタン１３をＹ方向に分割する。
【００４６】
続いて、入力検知領域２Ａ上に形成された各Ｘ側透明検出電極１０ＸをＸ軸入力スイッチ１０６の各切り換え端子に接続する引き出し線５を、スクリーン印刷などで上部透明絶縁シート２の余白領域６に配線し、上部透明絶縁シート２側の加工が完了する。
【００４７】
また、下部透明絶縁シート３の表面側の長方形の入力検知領域３Ａにも、同様の方法で複数のＹ側透明検出電極１０Ｙを形成する。すなわち、力検知領域３Ａの全面に、スクリーン印刷でＰＥＤＯＴ／ＰＳＳからなる薄膜導電層を形成し、形成した薄膜導電層に対し、入力検知領域３Ａの上端から、Ｙ側透明検出電極１０Ｙ間のピッチＰ（１０Ｙ）の位置で、Ｘ方向に沿ってスポット径が４０μｍのレーザー光を照射して４０μｍ幅で薄膜導電層が除去されたＹ側スリット１１Ｙを形成し、入力検知領域３Ａの下端に達するまでこのレーザー加工工程を繰り返し、Ｙ方向に等間隔でＸ方向に配線される所定数のＹ側透明検出電極１０Ｙを形成する。
【００４８】
その後、入力検知領域３Ａ上に形成された各Ｙ側透明検出電極１０ＹをＹ軸入力スイッチ１０４の各切り換え端子に接続する引き出し線５を、スクリーン印刷などで下部透明絶縁シート３の余白領域６に配線し、下部透明絶縁シート２側の加工も完了する。
【００４９】
続いて、表面と裏面に透明粘着剤を付着させたスペーサシート４の表面と裏面に、それぞれ上記加工を行った上部透明絶縁シート２と下部透明絶縁シート３とを重ね、スペーサシート４を介して入力検知領域２Ａと入力検知領域３Ａが対向してその輪郭が重なる状態で全体を積層し、タッチパネル１の入力検出部の製造工程が完了する。
【００５０】
このように構成されたタッチパネル１は、切り換え制御回路１０７が一定の走査周期で、Ｙ軸入力スイッチ１０４の切り換え端子を切り換え制御し、発振回路１０５を順次全てのＹ側透明検出電極１０Ｙに接続して、切り換え接続したＹ側透明検出電極１０Ｙへ所定のパルス波形の交流検出信号を出力する。
【００５１】
尚、本実施の形態では、切り換え制御回路１０７で切り換え制御されないＹ軸入力スイッチ１０４の他の切り換え端子は、一定電位、ここでは接地接続され、接地電位となるようになっている。従って、交流検出信号が印加されていない他の全てのＹ側透明検出電極１０Ｙは接地されてシールド板として作用し、タッチパネル１が配置される機器の内方で発生する高周波ノイズは、接地されたＹ側透明検出電極１０Ｙにより遮蔽され、高周波検出信号の電位を検出するＸ側透明検出電極１０Ｘに重畳しない。
【００５２】
切り換え制御回路１０７は、Ｙ側透明検出電極１０Ｙに接続するＹ軸入力スイッチ１０４のいずれかの切り換え端子を切り換え制御している間、順次Ｘ軸入力スイッチ１０６の切り換え端子を切り換え制御し、全てのＸ側透明検出電極１０Ｘを演算回路１０８に切り換え接続し、接続したＸ側透明検出電極１０Ｘの検出信号の電位を読み取る。
【００５３】
指などの入力操作体が入力検知領域２Ａ、３Ａに接近すると、入力操作体にＸＹ方向の配線位置が最も近いＸ側透明検出電極１０ＸとＹ側透明検出電極１０Ｙの入力操作体との浮遊容量が増大するので、そのＸ側透明検出電極１０ＸとＹ側透明検出電極１０Ｙに流れる交流検出信号の一部が、浮遊容量を通して入力操作体側に漏れ、演算回路１０８で検出する交流検出信号の電位は、入力操作体が接近する以前の電位より低下する。そこで演算回路１０８は、上記一走査周期中に最も低い交流検出電位を検出したＸ側透明検出電極１０Ｘと、その検出した際に交流検出信号を印加したＹ側透明検出電極１０Ｙの入力検知領域２Ａ、３Ａ上の配線位置から、ＸＹ座標で表す入力操作位置を検出し、入力操作位置を処理する制御回路１０９へ出力する。
【００５４】
上述の実施の形態では、図５に示すように、交流検出信号を印加したＹ側透明検出電極１０Ｙの間に、入力検知領域２Ａの第１ダミーパターン１３のようなダミーパターンを形成しないので太幅に形成されているが、交差位置で対向するＸ側透明検出電極１０Ｘとの対向面積が拡大し、例えば、Ｘ側透明検出電極１０ＸとＹ側透明検出電極１０Ｙ間の絶縁間隔が１００μｍ以下となると、その間に形成される静電容量が増大し、相対的に入力操作体が接近することによるＸ側透明検出電極１０ＸやＹ側透明検出電極１０Ｙの浮遊容量の変化量が減少して、入力操作位置の検出精度が低下する。
【００５５】
そこで、交差位置で対向するＸ側透明検出電極１０ＸとＹ側透明検出電極１０Ｙのいずれかに、リング状絶縁スリット１５で囲われた第２ダミーパターン１６を形成し、両者の対向面積を減少させるものとしてもよい。以下、Ｙ側透明検出電極１０Ｙの一部に第２ダミーパターン１６を形成した本発明の他の実施の形態を図８を用いて説明する。図８では、上記実施の形態と同一若しくは同様の構成について同一の番号を付し、その説明を省略する。
【００５６】
この実施の形態では、入力検知領域３Ａの薄膜導電層に対して、Ｙ側スリット１１Ｙで区切られるＹ側透明検出電極１０Ｙの間であって、図中破線で示すＸ側透明検出電極１０Ｘとの交差位置に、長方形の輪郭でスポット径が４０μｍのレーザー光を照射して４０μｍ幅で薄膜導電層が除去されたリング状絶縁スリット１５を形成し、リング状絶縁スリット１５で囲われる内側に薄膜導電層からなる第２ダミーパターン１６を形成する。
【００５７】
これにより、Ｘ側透明検出電極１０Ｘとの交差位置のＹ側透明検出電極１０Ｙは、Ｙ方向の上下にリング状絶縁スリット１５が形成されることによって細幅となり、交差位置でのＸ側透明検出電極１０Ｘとで形成される静電容量が減少し、相対的にＸ側透明検出電極１０ＸとＹ側透明検出電極１０Ｙの浮遊容量の変化量が増大し、入力操作感度が上昇する。
【００５８】
このように第２ダミーパターン１６を形成しても、Ｙ側透明検出電極１０Ｙと同一材料の透明導電層で形成され、目視されない線幅のリング状絶縁スリット１５で囲われるので、その輪郭は目立たない。
【００５９】
また、第２ダミーパターン１６は、Ｙ側透明検出電極１０Ｙに絶縁して入力検知領域３Ａに形成されるので、入力操作位置の検出に影響しない。
【００６０】
また、上述の実施の形態では、Ｘ側透明検出電極１０ＸとＹ側透明検出電極１０Ｙを短冊状の長方形に形成しているので、Ｘ側スリット１１Ｘ、Ｙ側スリット１１Ｙを直線に沿って形成しているが、Ｘ側スリット１１Ｘ、Ｙ側スリット１１Ｙの一部若しくは全部を曲線で形成し、Ｘ側透明検出電極１０Ｘ若しくはＹ側透明検出電極１０Ｙを種々の形状とすることもできる。
【００６１】
また、薄膜の透明導電層を２０μｍ乃至１００μｍの幅で除去してスリット１１Ｘ、１１Ｙ、１４を形成する加工を、レーザー光を照射するレーザー加工で行っているが、機械的な切削加工、エッチング等他の加工方法で形成してもよい。
【００６２】
また、上述のタッチパネル１は、２種類の検出電極の一方に交流検出信号を印加し、他方の検出電極の交流検出信号の電位から入力操作を検出する相互容量方式（２線式）の静電容量式入力検知装置で説明したが、１種類の検出電極についての浮遊容量の増加を検出して、その検出電極への入力操作を検出するタッチスイッチやタッチセンサーのような自己容量方式（１線式）の静電容量式入力検知装置にも本発明を適用できる。
【００６３】
また、上述の実施の形態では、直交するＸＹ方向に互いに絶縁された２種類のＸ側透明検出電極１０ＸとＹ側透明検出電極１０Ｙを配線して、２次元の入力操作位置を検出する例で説明したが、１方向に多数の透明検出電極を配置して１方向の入力操作位置を検出する静電容量式入力検知装置であってもよい。
【００６４】
また、２種類のＸ側透明検出電極１０ＸとＹ側透明検出電極１０Ｙを、それぞれ上部透明絶縁シート２と下部透明絶縁シート３に形成しているが、１枚の透明絶縁シートの表面と裏面に分けて２種類のＸ側透明検出電極１０ＸとＹ側透明検出電極１０Ｙを形成するものであってもよい。
【産業上の利用可能性】
【００６５】
入力操作体を接近させることによる透明検出電極の浮遊容量の微小変化から入力操作位置を検出する静電容量式入力装置に適している。
【符号の説明】
【００６６】
１      静電容量式入力装置
２      上部透明絶縁シート（第１透明絶縁シート）
２Ａ    入力検知領域（第１入力検知領域）
３      下部透明絶縁シート（第２透明絶縁シート）
３Ａ    入力検知領域（第２入力検知領域）
１０Ｘ  Ｘ側透明検出電極（第１透明検出電極）
１０Ｙ  Ｙ側透明検出電極（第２透明検出電極）
１１Ｘ  Ｘ側スリット（第１スリット）
１１Ｙ  Ｙ側スリット（第２スリット）
１３  ダミーパターン
１４  絶縁スリット
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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