(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
電荷発生剤を含有する電荷発生層と、正孔輸送剤及びバインダー樹脂を含有する電荷輸送層とを有する感光層を備え、
前記正孔輸送剤は、一般式（２）で表されるトリアリールアミン誘導体のうちの１種以上を含み、
前記正孔輸送剤の含有量は、前記バインダー樹脂１００質量部に対して３０質量部以上５５質量部以下である、積層型電子写真感光体。
【化１】
0006524891.tif 000048
前記一般式（２）中、
Ｒ3及びＲ4は、各々独立に、ハロゲン原子、置換基を有してもよい炭素原子数１以上６以下のアルキル基、置換基を有してもよい炭素原子数１以上６以下のアルコキシ基、又は置換基を有してもよい炭素原子数６以上１４以下のアリール基を表し、
ｐは０を表し、
ｑは２を表し、
同一のベンゼン環に存在する２個のＲ4は何れも、Ｒ4を有するベンゼン環が結合する窒素原子に対してオルト位に存在し、前記２個のＲ4は同一でも異なっていてもよく、
ｒは２を表し、ｓは２を表す。
【請求項２】
前記バインダー樹脂は、一般式（Ｉ）で表されるポリカーボネート樹脂を含む、請求項１に記載の積層型電子写真感光体。
【化２】
0006524891.tif 000049
前記一般式（Ｉ）中、
Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7及びＲ8は、各々独立に、水素原子、アルキル基、又はアリール基を表す。ただし、Ｒ7及びＲ8は、互いに結合してシクロアルキリデン基を形成してもよい。
ｔ＋ｕ＝１．００であり、０．３５≦ｔ＜０．７０である。
【請求項３】
前記一般式（Ｉ）中、
Ｒ5及びＲ6は、各々独立に、水素原子、又は炭素原子数１以上４以下のアルキル基を表し、
Ｒ7及びＲ8は、互いに結合して炭素原子数５以上７以下のシクロアルキリデン基を表す、請求項２に記載の積層型電子写真感光体。
【請求項４】
前記一般式（２）中、
Ｒ3及びＲ4は、各々独立に、炭素原子数１以上６以下のアルキル基を表す、請求項１〜３の何れか一項に記載の積層型電子写真感光体。
【請求項５】
像担持体と、
前記像担持体の表面を帯電する帯電部と、
前記像担持体の前記表面に静電潜像を形成する露光部と、
前記静電潜像をトナー像として現像する現像部と、
前記トナー像を前記像担持体から被転写体へ転写する転写部と
を備える画像形成装置であって、
前記像担持体は、請求項１〜４の何れか一項に記載の積層型電子写真感光体である、画像形成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、積層型電子写真感光体、及び画像形成装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子写真感光体は、像担持体として電子写真方式の画像形成装置（例えば、プリンター、又は複合機）に用いられる。一般に、電子写真感光体は、感光層を備える。感光層は、電荷発生剤、電荷輸送剤（例えば、正孔輸送剤及び電子輸送剤）、及びこれらを結着させる樹脂（バインダー樹脂）を含有することができる。また、感光層は、電荷発生の機能を有する電荷発生層と、電荷輸送の機能を有する電荷輸送層とを含むことができる。このような電子写真感光体は、積層型電子写真感光体と呼ばれる。
【０００３】
電子写真感光体に使用可能な正孔輸送剤として、例えば、アミンスチルベン誘導体が知られている（特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平０７−３６２０３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１に記載のアミンスチルベン誘導体を用いたとしても、耐摩耗性及び電気特性を両立させることは困難である。
【０００６】
本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、耐摩耗性及び電気特性の両立可能な積層型電子写真感光体を提供することである。また、このような積層型電子写真感光体を備えることで、画像不良の発生を抑制する画像形成装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の積層型電子写真感光体は、感光層を備える。前記感光層は、電荷発生層と電荷輸送層とを有する。前記電荷発生層は、電荷発生剤を含有する。前記電荷輸送層は、正孔輸送剤及びバインダー樹脂を含有する。前記正孔輸送剤は、一般式（１）で表されるトリアリールアミン誘導体、及び一般式（２）で表されるトリアリールアミン誘導体のうちの１種以上を含む。前記正孔輸送剤の含有量は、前記バインダー樹脂１００質量部に対して３０質量部以上５５質量部以下である。
【０００８】
【化１】
0006524891.tif 000002
【０００９】
前記一般式（１）中、Ｒ1及びＲ2は、各々独立に、ハロゲン原子、置換基を有してもよい炭素原子数１以上６以下のアルキル基、置換基を有してもよい炭素原子数１以上６以下のアルコキシ基、又は置換基を有してもよい炭素原子数６以上１４以下のアリール基を表す。ｋ及びｌは、各々独立に、０以上４以下の整数を表す。ｍは、１以上３以下の整数を表す。
【００１０】
【化２】
0006524891.tif 000003
【００１１】
前記一般式（２）中、Ｒ3及びＲ4は、各々独立に、ハロゲン原子、置換基を有してもよい炭素原子数１以上６以下のアルキル基、置換基を有してもよい炭素原子数１以上６以下のアルコキシ基、又は置換基を有してもよい炭素原子数６以上１４以下のアリール基を表す。ｐ及びｑは、各々独立に、０以上４以下の整数を表す。ｒ及びｓは、各々独立に、１以上３以下の整数を表す。
【００１２】
本発明の画像形成装置は、像担持体と、帯電部と、露光部と、現像部と、転写部とを備える。前記帯電部は、前記像担持体の表面を帯電する。前記露光部は、前記像担持体の前記表面に静電潜像を形成する。前記現像部は、前記静電潜像をトナー像として現像する。前記転写部は、前記トナー像を前記像担持体から被転写体へ転写する。前記帯電部の帯電極性は、負極性である。前記像担持体は、上述の積層型電子写真感光体である。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の積層型電子写真感光体によれば、耐摩耗性及び電気特性を両立することができる。また、本発明の画像形成装置によれば、上述の積層型電子写真感光体を備えることで、画像不良の発生を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】（ａ）、（ｂ）、及び（ｃ）は、各々、第一実施形態に係る積層型電子写真感光体の構造を示す概略断面図である。
【図２】式（ＨＴＭ−１）で表されるトリアリールアミン誘導体の1Ｈ−ＮＭＲスペクトルである。
【図３】式（ＨＴＭ−２）で表されるトリアリールアミン誘導体の1Ｈ−ＮＭＲスペクトルである。
【図４】式（ＨＴＭ−３）で表されるトリアリールアミン誘導体の1Ｈ−ＮＭＲスペクトルである。
【図５】式（ＨＴＭ−４）で表されるトリアリールアミン誘導体の1Ｈ−ＮＭＲスペクトルである。
【図６】式（ＨＴＭ−５）で表されるトリアリールアミン誘導体の1Ｈ−ＮＭＲスペクトルである。
【図７】式（ＨＴＭ−６）で表されるトリアリールアミン誘導体の1Ｈ−ＮＭＲスペクトルである。
【図８】第二実施形態に係る画像形成装置の一態様の構成を示す概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明の実施形態について詳細に説明する。しかし、本発明は、以下の実施形態に何ら限定されない。本発明は、本発明の目的の範囲内で、適宜変更を加えて実施できる。なお、説明が重複する箇所については、適宜説明を省略する場合があるが、発明の要旨を限定するものではない。
【００１６】
以下、炭素原子数１以上６以下のアルキル基、炭素原子数１以上４以下のアルキル基、炭素原子数１以上６以下のアルコキシ基、及び炭素原子数６以上１４以下のアリール基は、各々、次の意味である。
【００１７】
炭素原子数１以上６以下のアルキル基は、直鎖状又は分枝鎖状で非置換の炭素原子数１以上６以下のアルキル基である。炭素原子数１以上６以下のアルキル基の例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、又はヘキシル基が挙げられる。
【００１８】
炭素原子数１以上４以下のアルキル基は、直鎖状又は分枝鎖状で非置換の炭素原子数１以上４以下のアルキル基である。炭素原子数１以上４以下のアルキル基の例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓ−ブチル基、又はｔ−ブチル基が挙げられる。
【００１９】
炭素原子数１以上６以下のアルコキシ基は、直鎖状又は分枝鎖状で非置換の炭素原子数１以上６以下のアルコキシ基である。炭素原子数１以上６以下のアルコキシ基の例としては、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基、ペンチルオキシ基、イソペンチルオキシ基、ネオペンチルオキシ基、又はヘキシルオキシ基が挙げられる。
【００２０】
炭素原子数６以上１４以下のアリール基は、例えば、炭素原子数６以上１４以下の非置換の芳香族単環炭化水素基、炭素原子数６以上１４以下の非置換の芳香族縮合二環炭化水素基、又は炭素原子数６以上１４以下の非置換の芳香族縮合三環炭化水素基である。炭素原子数６以上１４以下のアリール基の例としては、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、又はフェナントリル基が挙げられる。
【００２１】
＜第一実施形態：積層型電子写真感光体＞
第一実施形態は、積層型電子写真感光体（以下、感光体と記載することがある）に関する。以下、図１を参照して、第一実施形態の感光体１について説明する。図１は、第一実施形態に係る感光体１の構造を示す概略断面図である。
【００２２】
感光体１は、例えば、図１（ａ）に示すように、導電性基体２と、感光層３とを備える。感光層３は、例えば、図１（ａ）に示すように、導電性基体２上に直接設けられてもよい。感光層３は、電荷発生層３ａと、電荷輸送層３ｂとを含む。感光体１においては、図１（ａ）に示すように導電性基体２上に電荷発生層３ａが設けられ、電荷発生層３ａの上に電荷輸送層３ｂが設けられてもよい。図１（ｂ）に示すように導電性基体２上に電荷輸送層３ｂが設けられ、電荷輸送層３ｂ上に電荷発生層３ａが設けられてもよい。ただし、一般に電荷輸送層３ｂの膜厚は、電荷発生層３ａの膜厚に比べ厚いため、電荷輸送層３ｂは、電荷発生層３ａに比べ破損しにくい。このため、感光体１では、図１（ａ）に示すように、電荷発生層３ａ上に電荷輸送層３ｂが設けられることが好ましい。
【００２３】
第一実施形態に係る感光体１は、耐摩耗性及び電気特性を両立することができる。その理由は、以下のように推測される。感光層３は、電荷発生剤を含有する電荷発生層３ａと、正孔輸送剤及びバインダー樹脂を含有する電荷輸送層３ｂとを有する。また、電荷輸送層３ｂは、正孔輸送剤として、一般式（１）で表されるトリアリールアミン誘導体、及び一般式（２）で表されるトリアリールアミン誘導体のうちの１種以上を含む。このようなトリアリールアミン誘導体には、各々、２個の窒素原子の間に二重結合が存在している。このような構造を有する一般式（１）又は（２）で表されるトリアリールアミン誘導体は、正孔輸送能に優れる傾向にある。
【００２４】
一般式（１）又は（２）で表されるトリアリールアミン誘導体は、特定の構造を有することにより、溶剤への溶解性が優れる傾向にある。一般式（１）又は（２）で表されるトリアリールアミン誘導体とバインダー樹脂との相溶性が優れる傾向にある。このため、一般式（１）又は（２）で表されるトリアリールアミン誘導体が均一に分散する電荷輸送層用塗布液を調製でき、一般式（１）又は（２）で表されるトリアリールアミン誘導体を電荷輸送層３ｂ中で均一に分散できると考えられる。したがって、第一実施形態に係る感光体１は、電気特性（感度特性）に優れると考えられる。
【００２５】
また、上述したように電荷輸送層３ｂは、バインダー樹脂と特定の構造を有する正孔輸送剤を含有する。電荷輸送層３ｂは、正孔輸送剤を、バインダー樹脂１００質量部に対して３０質量部以上５５質量部以下含む。一般式（１）又は（２）で表されるトリアリールアミン誘導体と、バインダー樹脂とは電荷輸送層３ｂ中でスタッキング構造を形成し易いため、電荷輸送層３ｂの層密度が高まり電荷輸送層３ｂの膜強度が向上すると考えられる。
【００２６】
更に、一般式（１）又は（２）で表されるトリアリールアミン誘導体は優れた正孔輸送能を有するため、電荷輸送層３ｂでの正孔輸送剤の含有量を低減できる。一方、正孔輸送剤の含有量が多すぎると、正孔輸送剤は可塑剤として機能する。このため、正孔輸送剤の含有量を低減することにより、感光体１の耐摩耗性の低下を抑制する傾向にある。したがって、第一実施形態に係る感光体１は、耐摩耗性に優れると考えられる。
【００２７】
また、正孔輸送剤の含有量が多いと、電荷輸送層３ｂの電荷輸送能は向上する。第一実施形態に係る感光体１では、正孔輸送剤の含有量が３０質量部以上５５質量部以下であるため、トレードオフの関係にある耐摩耗性及び電気特性を両立することができる。
【００２８】
引き続き、感光体１について説明する。感光層３は、導電性基体２上に間接的に設けられてもよい。例えば、図１（ｃ）に示すように、導電性基体２と感光層３との間に中間層４が適宜に設けられていてもよい。また、図１（ａ）及び図１（ｂ）に示すように、感光層３が最外層として露出していてもよい。あるいは、感光層３上に保護層５が適宜に備えられていてもよい。
【００２９】
感光層３の厚さは、感光層として充分に作用することができる限り、特に限定されない。感光層３の厚さは、例えば、５μｍ以上１００μｍ以下であり、１０μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましい。
【００３０】
以上、図１を参照して、第一実施形態に係る感光体１の構造を説明した。続いて、第一実施形態に係る感光体の要素（導電性基体２、感光層３、及び中間層４）を説明する。更に、感光体の製造方法も説明する。
【００３１】
［１．導電性基体］
導電性基体は、感光体の導電性基体として用いることができる限り、特に限定されない。導電性基体としては、例えば、少なくとも表面部が導電性を有する材料で構成される導電性基体を用いることができる。導電性基体としては、例えば、全体的に導電性材料から構成される導電性基体、又は部分的に導電性材料から構成される導電性基体（より具体的には、導電性材料で被覆された導電性基体）が挙げられる。例えば、絶縁性材料（例えば、プラスチック材料又はガラス）の表面が導電性材料（例えば、ヨウ化アルミニウム、アルマイト、酸化スズ、又は酸化インジウム）で被覆（例えば、蒸着、又はラミネート）された導電性基体を用いてもよい。導電性材料としては、例えば、金属（より具体的には、アルミニウム、鉄、アルミニウム、銅、スズ、白金、銀、バナジウム、モリブデン、クロム、カドミウム、チタン、ニッケル、パラジウム、又はインジウム等）、又は合金（より具体的には、ステンレス鋼、又は真鍮等）が挙げられる。これらの導電性を有する材料のうち、１種単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて（例えば、合金として）用いてもよい。これらの導電性を有する材料の中でも、感光層から導電性基体への電荷の移動が良好であり、より好適な画像を形成し易いことから、アルミニウム又はアルミニウム合金が好ましい。
【００３２】
導電性基体の形状は、特に限定されない。例えば、使用する画像形成装置の構造に合わせて適宜選択することができる。より具体的には、シート状の導電性基体、又はドラム状の導電性基体を使用することができる。また、導電性基体の厚みは、導電性基体の形状に応じて、適宜選択することができる。ただし、導電性基体は、使用に際して、十分な機械的強度を有することが好ましい。
【００３３】
［２．感光層］
既に上述したように、感光層は、電荷発生層と電荷輸送層とを有する。感光層は、添加剤を更に含有してもよい。以下、電荷発生層及び電荷輸送層を説明する。また、感光層に必要に応じて含まれてもよい添加剤について説明する。
【００３４】
［２−１．電荷発生層］
電荷発生層は、例えば、電荷発生剤、及び電荷発生層用バインダー樹脂（以下、ベース樹脂と記載することがある）を含む。電荷発生層の膜厚は、電荷発生層として十分に作用することができれば、特に限定されない。電荷発生層の膜厚は、具体的には、０．１μｍ以上５μｍ以下であることが好ましく、０．１μｍ以上３μｍ以下であることがより好ましい。以下、電荷発生剤、及びベース樹脂について説明する。
【００３５】
［２−１−１．電荷発生剤］
電荷発生剤は、感光体用の電荷発生剤である限り、特に限定されない。電荷発生剤としては、例えば、フタロシアニン系顔料、ペリレン顔料、ビスアゾ顔料、ジチオケトピロロピロール顔料、無金属ナフタロシアニン顔料、金属ナフタロシアニン顔料、スクアライン顔料、トリスアゾ顔料、インジゴ顔料、アズレニウム顔料、シアニン顔料、無機光導電材料（例えば、セレン、セレン−テルル、セレン−ヒ素、硫化カドミウム、又はアモルファスシリコン）の粉末、ピリリウム塩、アンサンスロン系顔料、トリフェニルメタン系顔料、スレン系顔料、トルイジン系顔料、ピラゾリン系顔料、又はキナクリドン系顔料が挙げられる。フタロシアニン系顔料としては、例えば、式（Ｈ2Ｐｃ）で表される無金属フタロシアニン、又は金属フタロシアニンが挙げられる。金属フタロシアニンとしては、例えば、式（ＴｉＯＰｃ）で表されるチタニルフタロシアニン、又は酸化チタン以外の金属が配位したフタロシアニン（例えば、Ｖ型ヒドロキシガリウムフタロシアニン）が挙げられる。無金属フタロシアニン、又は金属フタロシアニンは、誘導体化して使用されてもよい。
【００３６】
【化３】
0006524891.tif 000004
【００３７】
【化４】
0006524891.tif 000005
【００３８】
無金属フタロシアニンは、結晶であってもよい。無金属フタロシアニンの結晶としては、例えば、Ｘ型無金属フタロシアニンが挙げられる。また、チタニルフタロシアニンは、結晶であってもよい。チタニルフタロシアニンの結晶としては、例えば、α型チタニルフタロシアニン、β型チタニルフタロシアニン、又はＹ型チタニルフタロシアニンが挙げられる。
【００３９】
これらの電荷発生剤のうち、フタロシアニン系顔料が好ましく、Ｘ型無金属フタロシアニン又はＹ型チタニルフタロシアニンがより好ましい。電荷発生剤は、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００４０】
所望の領域に吸収波長を有する電荷発生剤を単独で用いてもよいし、２種以上の電荷発生剤を組み合わせて用いてもよい。更に、例えば、デジタル光学系の画像形成装置（例えば、半導体レーザーのような光源を使用したレーザービームプリンター、又はファクシミリ）には、７００ｎｍ以上の波長領域に感度を有する感光体を用いることが好ましい。そのため、例えば、フタロシアニン系顔料（例えば、Ｘ型無金属フタロシアニン、又はＹ型チタニルフタロシアニン）が好適に用いられる。フタロシアニン系顔料の結晶形状（例えば、α型、β型、又はＹ型）については特に限定されず、種々の結晶形状を有するフタロシアニン系顔料が使用される。
【００４１】
短波長レーザー光源（例えば、３５０ｎｍ以上５５０ｎｍ以下程度の波長を有するレーザー光源）を用いた画像形成装置に適用される感光体には、電荷発生剤として、アンサンスロン系顔料、又はペリレン系顔料が好適に用いられる。
【００４２】
電荷発生剤の含有量は、感光層においてバインダー樹脂１００質量部に対して、０．１質量部以上５０質量部以下であることが好ましく、０．５質量部以上３０質量部以下であることがより好ましい。
【００４３】
［２−１−２．ベース樹脂］
ベース樹脂は、電荷発生層用の樹脂であれば、特に限定されない。ベース樹脂としては、例えば、スチレン−ブタジエン共重合体、スチレン−アクリロニトリル共重合体、スチレン−マレイン酸共重合体、アクリル共重合体、スチレン−アクリル酸共重合体、ポリエチレン樹脂、エチレン−酢酸ビニル共重合体、塩素化ポリエチレン樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリプロピレン樹脂、アイオノマー樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、アルキド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリスルホン樹脂、ジアリルフタレート樹脂、ケトン樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ポリエーテル樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、エポキシ−アクリル酸系樹脂、又はウレタン−アクリル酸系樹脂が挙げられる。ベース樹脂としては、ポリビニルブチラール樹脂、又はポリビニルアセタール樹脂が好適に使用される。これらのベース樹脂は、１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００４４】
ベース樹脂は、後述するバインダー樹脂と同様の樹脂も例示されているが、同一の感光体においては、通常、バインダー樹脂と異なる樹脂が選択される。これは、以下の理由による。感光体を製造する際、通常、電荷発生層を形成した後に電荷発生層上に電荷輸送層を形成する。そのため、電荷発生層に、電荷輸送層用塗布液を塗布することになる。電荷輸送層を形成する際に、電荷発生層のベース樹脂が電荷輸送層用塗布液の溶剤に溶解しないことが求められるからである。そこで、ベース樹脂は、同一の感光体においては、バインダー樹脂とは異なる樹脂であることが好ましい。
【００４５】
［２−２．電荷輸送層］
電荷輸送層は、正孔輸送剤、及びバインダー樹脂を含有する。電荷輸送層の膜厚は、電荷輸送層として十分に作用することができれば、特に限定されない。電荷輸送層の膜厚は、具体的には、２μｍ以上１００μｍ以下であることが好ましく、５μｍ以上５０μｍ以下であることがより好ましい。以下、正孔輸送剤、及びバインダー樹脂について説明する。
【００４６】
［２−２−１．正孔輸送剤］
感光層には、正孔輸送剤として、一般式（１）で表されるトリアリールアミン誘導体（以下、トリアリールアミン誘導体（１）と記載することがある）及び一般式（２）で表されるトリアリールアミン誘導体（以下、トリアリールアミン誘導体（２）と記載することがある）のうちの１種以上が含有される。
【００４７】
【化５】
0006524891.tif 000006
【００４８】
一般式（１）中、Ｒ1及びＲ2は、各々独立に、ハロゲン原子、置換基を有してもよい炭素原子数１以上６以下のアルキル基、置換基を有してもよい炭素原子数１以上６以下のアルコキシ基、又は置換基を有してもよい炭素原子数６以上１４以下のアリール基を表す。ｋ及びｌは、各々独立に、０以上４以下の整数を表す。ｍは、１以上３以下の整数を表す。
【００４９】
【化６】
0006524891.tif 000007
【００５０】
一般式（２）中、Ｒ3及びＲ4は、各々独立に、ハロゲン原子、置換基を有してもよい炭素原子数１以上６以下のアルキル基、置換基を有してもよい炭素原子数１以上６以下のアルコキシ基、又は置換基を有してもよい炭素原子数６以上１４以下のアリール基を表す。ｐ及びｑは、各々独立に、０以上４以下の整数を表す。ｒ及びｓは、各々独立に、１以上３以下の整数を表す。
【００５１】
一般式（１）及び（２）中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、及びＲ4の表す炭素原子数１以上６以下のアルキル基、炭素原子数１以上６以下のアルコキシ基、又は炭素原子数６以上１４以下のアリール基は、置換基を有してもよい。Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、及びＲ4が置換基を有する炭素原子数１以上６以下のアルキル基、又は置換基を有する炭素原子数１以上６以下のアルコキシ基を表す場合、置換基としては、例えば、炭素原子数１以上６以下のアルコキシ基、又は炭素原子数６以上１４以下のアリール基が挙げられる。Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、及びＲ4が置換基を有する炭素原子数６以上１２以下のアリール基である場合、置換基としては、例えば、炭素原子数１以上６以下のアルキル基、炭素原子数１以上６以下のアルコキシ基、又は炭素原子数６以上１４以下のアリール基が挙げられる。
【００５２】
一般式（１）及び（２）中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、及びＲ4の置換位置は特に限定されない。例えば、Ｒ1は、Ｒ1を有するフェニル基が結合する窒素原子に対して、オルト位（ｏ位）、メタ位（ｍ位）、及びパラ位（ｐ位）の何れにも位置することができる。
【００５３】
一般式（１）及び（２）中、ｋ、ｌ、ｐ、及びｑが各々２以上の整数を表す場合、同一のベンゼン環に存在する複数のＲ1、複数のＲ2、複数のＲ3、及び複数のＲ4は各々同一であっても異なっていてもよい。以下、一般式（１−１）及び（２−１）を参照しながら詳細に説明する。一般式（１−１）及び（２−１）は、各々、一般式（１）及び（２）に対応する。
【００５４】
【化７】
0006524891.tif 000008
【００５５】
一般式（１−１）中、Ｒ1a、Ｒ1b、Ｒ1c、Ｒ1d、Ｒ1e、Ｒ2a、Ｒ2b、Ｒ2c、Ｒ2d、及びＲ2eは、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、置換基を有してもよい炭素原子数１以上６以下のアルキル基、置換基を有してもよい炭素原子数１以上６以下のアルコキシ基、及び置換基を有してもよい炭素原子数６以上１２以下のアリール基を表す。ただし、Ｒ1a、Ｒ1b、Ｒ1c、Ｒ1d、及びＲ1eから選択されるｋ個の基は、水素原子ではない。また、Ｒ2a、Ｒ2b、Ｒ2c、Ｒ2d、及びＲ2eから選択されるｌ個の基は、水素原子ではない。ｋ及びｌは、各々独立に、０以上４以下の整数を表す。ｍは、１以上３以下の整数を表す。
【００５６】
【化８】
0006524891.tif 000009
【００５７】
一般式（２−１）中、Ｒ3a、Ｒ3b、Ｒ3c、Ｒ3d、Ｒ3e、Ｒ4a、Ｒ4b、Ｒ4c、Ｒ4d、及びＲ4eは、各々独立に、ハロゲン原子、置換基を有してもよい炭素原子数１以上６以下のアルキル基、置換基を有してもよい炭素原子数１以上６以下のアルコキシ基、又は置換基を有してもよい炭素原子数６以上１４以下のアリール基を表す。ただし、Ｒ3a、Ｒ3b、Ｒ3c、Ｒ3d、及びＲ3eから選択されるｐ個の基は、水素原子ではない。また、Ｒ4a、Ｒ4b、Ｒ4c、Ｒ4d、及びＲ4eから選択されるｑ個の基は、水素原子ではない。ｐ及びｑは、各々独立に、０以上４以下の整数を表す。ｒ及びｓは、各々独立に、１以上３以下の整数を表す。
【００５８】
例えば、一般式（１）中、ｋが２以上の整数を表す場合、同一のベンゼン環に存在する複数のＲ1が同一であっても異なっていてもよいとは、以下を意味する。一般式（１−１）のベンゼン環（Ａ）に存在するＲ1a、Ｒ1b、Ｒ1c、Ｒ1d、及びＲ1eは、各々、同一の基であっても、異なる基であってもよい。ただし、ベンゼン環（Ａ）に存在するＲ1cと、ベンゼン環（Ｂ）に存在するＲ1cとは同一の基である。
【００５９】
一般式（１）中、ｌが２以上の整数を表す場合、一般式（１−１）のベンゼン環（Ｃ）に存在するＲ2a、Ｒ2b、Ｒ2c、Ｒ2d、及びＲ2eと、ベンゼン環（Ｄ）に存在するＲ2a、Ｒ2b、Ｒ2c、Ｒ2d、及びＲ2eとの関係は、一般式（１−１）のベンゼン環（Ａ）に存在するＲ1a、Ｒ1b、Ｒ1c、Ｒ1d、及びＲ1eと、ベンゼン環（Ｂ）に存在するＲ1a、Ｒ1b、Ｒ1c、Ｒ1d、及びＲ1eとの関係と同様である。
【００６０】
一般式（２）中、ｐが２以上の整数を表す場合、一般式（２−１）のベンゼン環（Ｅ）に存在するＲ3a、Ｒ3b、Ｒ3c、Ｒ3d、及びＲ3eと、ベンゼン環（Ｆ）に存在するＲ3a、Ｒ3b、Ｒ3c、Ｒ3d、及びＲ3eとの関係は、一般式（１−１）のベンゼン環（Ａ）に存在するＲ1a、Ｒ1b、Ｒ1c、Ｒ1d、及びＲ1eと、ベンゼン環（Ｂ）に存在するＲ1a、Ｒ1b、Ｒ1c、Ｒ1d、及びＲ1eとの関係と同様である。
【００６１】
一般式（２）中、ｑが２以上の整数を表す場合、一般式（２−１）のベンゼン環（Ｇ）に存在するＲ4a、Ｒ4b、Ｒ4c、Ｒ4d、及びＲ4eと、ベンゼン環（Ｈ）に存在するＲ4a、Ｒ4b、Ｒ4c、Ｒ4d、及びＲ4eとの関係は、一般式（１−１）のベンゼン環（Ａ）に存在するＲ1a、Ｒ1b、Ｒ1c、Ｒ1d、及びＲ1eと、ベンゼン環（Ｂ）に存在するＲ1a、Ｒ1b、Ｒ1c、Ｒ1d、及びＲ1eとの関係と同様である。
【００６２】
以上、一般式（１）及び（２）中、ｋ、ｌ、ｐ、及びｑが２以上の整数を表す場合について説明した。引き続き、一般式（１）及び（２）について説明する。
【００６３】
耐摩耗性及び電気特性を両立するという観点から、一般式（１）及び（２）中、Ｒ1、Ｒ2及びＲ4は、各々独立に、炭素原子数１以上６以下のアルキル基を表すことが好ましく、メチル基、又はエチル基を表すことがより好ましい。
【００６４】
耐摩耗性及び電気特性を両立するという観点から、一般式（１）中、ｋが０を表しｌが０を表すこと、又はｋが１を表しｌが０を表すことが好ましい。ｋが１を表す場合、Ｒ1は、Ｒ1を有するフェニル基が結合する窒素原子に対してパラ位に存在することが好ましい。ｌが１を表す場合、Ｒ2は、Ｒ2を有するフェニル基が結合する窒素原子に対してパラ位に存在することが好ましい。
【００６５】
耐摩耗性及び電気特性を両立するという観点から、一般式（２）中、ｐは０を表すことが好ましく、ｑは２であることが好ましい。
【００６６】
ｑが２を表す場合、同一のベンゼン環に存在する２個のＲ4は何れも、Ｒ4を有するフェニル基が結合する窒素原子に対してオルト位に存在することが好ましい。同一のベンゼン環に存在する２個のＲ4は同一でも異なっていてもよい。
【００６７】
同一のベンゼン環に存在する２個のＲ4は同一でも異なっていてもよいとは、以下を意味する。一般式（２−１）において、ベンゼン環（Ｇ）に存在するＲ4a、Ｒ4b、Ｒ4c、Ｒ4d、及びＲ4eのうちの２個の基は、ハロゲン原子、置換基を有してもよい炭素原子数１以上６以下のアルキル基、置換基を有してもよい炭素原子数１以上６以下のアルコキシ基、及び置換基を有してもよい炭素原子数６以上１４以下のアリール基からなる群から選択される、同一又は異なる基である。ベンゼン環（Ｇ）に存在するＲ4a、Ｒ4b、Ｒ4c、Ｒ4d、及びＲ4eのうちの２個以外の基は、水素原子である。ただし、ベンゼン環（Ｇ）に存在するＲ4cと、ベンゼン環（Ｈ）に存在するＲ4cとは同一の基である。
【００６８】
耐摩耗性及び電気特性を両立するという観点から、一般式（２）中、ｒは２を表し、ｓは２を表すことが好ましい。
【００６９】
耐摩耗性及び電気特性を両立するという観点から、トリアリールアミン誘導体（１）及び（２）のなかでも、トリアリールアミン誘導体（２）を使用することが好ましい。
【００７０】
感光層には、正孔輸送剤として、トリアリールアミン誘導体（１）及び（２）のうちの２種以上を含むことができる。トリアリールアミン誘導体（１）及び（２）のうちの２種以上が含まれる場合、トリアリールアミン誘導体（１）のうちの１種以上と、トリアリールアミン誘導体（２）のうちの１種以上とを、併用してもよい。あるいは、トリアリールアミン誘導体（１）のうちの２種以上を使用してもよい。あるいは、トリアリールアミン誘導体（２）のうちの２種以上を使用してもよい。
【００７１】
トリアリールアミン誘導体（１）及び（２）のうちの１種以上に加えて、トリアリールアミン誘導体（１）及び（２）以外の別の正孔輸送剤を組み合わせて用いてもよい。別の正孔輸送剤は、公知の正孔輸送剤から適宜選択できる。
【００７２】
正孔輸送剤の合計含有量は、感光層においてバインダー樹脂１００質量部に対して、１０質量部以上２００質量部以下であることが好ましく、１０質量部以上１００質量部以下であることがより好ましい。
【００７３】
トリアリールアミン誘導体（１）及び（２）の具体例としては、式（ＨＴＭ−１）〜（ＨＴＭ−７）で表されるトリアリールアミン誘導体が挙げられる。以下、式（ＨＴＭ−１）〜（ＨＴＭ−７）で表されるトリアリールアミン誘導体を、各々、トリアリールアミン誘導体（ＨＴＭ−１）〜（ＨＴＭ−７）と記載することがある。
【００７４】
【化９】
0006524891.tif 000010
【００７５】
【化１０】
0006524891.tif 000011
【００７６】
【化１１】
0006524891.tif 000012
【００７７】
【化１２】
0006524891.tif 000013
【００７８】
【化１３】
0006524891.tif 000014
【００７９】
【化１４】
0006524891.tif 000015
【００８０】
【化１５】
0006524891.tif 000016
【００８１】
トリアリールアミン誘導体（ＨＴＭ−１）〜（ＨＴＭ−７）のうち、トリアリールアミン誘導体（ＨＴＭ−１）〜（ＨＴＭ−６）の1Ｈ−ＮＭＲチャートを、それぞれ図２〜図７に示す。
【００８２】
トリアリールアミン誘導体（１）及び（２）は、例えば、以下のような工程を含む製造方法で製造できる。詳しくは、トリアリールアミン誘導体（１）の製造方法は、反応式（Ｒ−１）及び（Ｒ−２）にて表される反応を行う工程を含む。
【００８３】
【化１６】
0006524891.tif 000017
【００８４】
また、トリアリールアミン誘導体（２）の製造方法は、反応式（Ｒ−３）及び（Ｒ−４）にて表される反応を行う工程を含む。
【００８５】
【化１７】
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【００８６】
反応式（Ｒ−１）〜（Ｒ−４）中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4は、各々独立に、ハロゲン原子、置換基を有してもよい炭素原子数１以上６以下のアルキル基、置換基を有してもよい炭素原子数１以上６以下のアルコキシ基、及び置換基を有してもよい炭素原子数６以上１４以下のアリール基からなる群から選択される。ｋ、ｌ、ｐ及びｑは、各々独立に、０以上４以下の整数を表す。ｍ、ｒ、及びｓは、各々独立に、１以上３以下の整数を表す。Ｘは、ハロゲン原子を表す。
【００８７】
なお、反応式（Ｒ−１）〜（Ｒ−４）で表される反応は、カップリング反応である。
【００８８】
反応式（Ｒ−１）で表される反応では、一般式（３）で表される化合物（以下、アニリン誘導体（３）と記載することがある）と、一般式（４）で表される化合物（以下、ベンゼン誘導体（４）と記載することがある）とを反応させて、一般式（５）で表される化合物（トリアリールアミン誘導体（１）の中間体。以下、中間体（５）と記載することがある）を得る。
【００８９】
アニリン誘導体（３）と、ベンゼン誘導体（４）との反応比率は、（アニリン誘導体（３））／（ベンゼン誘導体（４））のモル比率が１／２以上２／１以下であることが好ましい。ベンゼン誘導体（４）の反応比率が過小であると、中間体（５）の収率が過度に低くなることがある。一方、ベンゼン誘導体（４）の反応比率が過大であると、過剰となったベンゼン誘導体（４）が未反応のまま過度に残留することがある。
【００９０】
反応式（Ｒ−１）で表される反応に関し、反応温度は８０℃以上１４０℃以下であることが好ましい。反応時間は２時間以上１０時間以下であることが好ましい。
【００９１】
反応式（Ｒ−１）で表される反応においては、触媒としてパラジウム化合物を用いることが好ましい。触媒としてパラジウム化合物を用いることにより、反応式（Ｒ−１）で表される反応においては、活性化エネルギーが効果的に低下する。その結果、中間体（５）の収率を向上させることができる。
【００９２】
パラジウム化合物の具体例としては、四価パラジウム化合物類、二価パラジウム化合物類、又はその他のパラジウム化合物類が挙げられる。四価パラジウム化合物類としては、例えば、ヘキサクロルパラジウム（ＩＶ）酸ナトリウム四水和物、又はヘキサクロルパラジウム（ＩＶ）酸カリウム四水和物が挙げられる。二価パラジウム化合物類としては、例えば、塩化パラジウム（ＩＩ）、臭化パラジウム（ＩＩ）、酢酸パラジウム（ＩＩ）、パラジウムアセチルアセテート（ＩＩ）、ジクロロビス（ベンゾニトリル）パラジウム（ＩＩ）、ジクロルビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）、ジクロロテトラミンパラジウム（ＩＩ）、又はジクロロ（シクロオクタ−１，５−ジエン）パラジウム（ＩＩ）が挙げられる。その他のパラジウム化合物類としては、例えば、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウムクロロホルム錯体（０）又はテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）が挙げられる。また、パラジウム化合物は１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００９３】
パラジウム化合物の添加量は、アニリン誘導体（３）１モルに対して、０．０００５モル以上２０モル以下であることが好ましく、０．００１モル以上１モル以下であることがより好ましい。
【００９４】
また、反応式（Ｒ−１）で表される反応は、塩基の存在下で実行されることが好ましい。
【００９５】
反応式（Ｒ−１）で表される反応を塩基の存在下で実行することにより、反応系中で発生するハロゲン化水素が速やかに中和され、触媒活性が向上する。その結果、中間体（５）の収率を向上させることができる。
【００９６】
塩基は、無機塩基であってもよいし、有機塩基であってもよい。有機塩基としては、特に限定されないが、例えば、アルカリ金属アルコシド（ナトリウムメトキシド、ナトリウムエトキシド、カリウムメトキシド、カリウムエトキシド、リチウム−ｔｅｒｔ−ブトキシド、ナトリウム−ｔｅｒｔ−ブトキシド、又はカリウム−ｔｅｒｔ−ブトキシド）が好ましく、ナトリウム−ｔｅｒｔ−ブトキシドがより好ましい。また、無機塩基としては、リン酸三カリウム、又はフッ化セシウムが挙げられる。
【００９７】
アニリン誘導体（３）１モルに対して、パラジウム化合物０．００５モルを加えた場合、塩基の添加量は１モル以上１０モル以下であることが好ましく、１モル以上５モル以下であることがより好ましい。
【００９８】
反応式（Ｒ−１）で表される反応は、溶剤中で行うことができる。溶剤としては、例えば、キシレン（ｏ−、ｍ−、又はｐ−）、トルエン、テトラヒドロフラン、又はジメチルホルムアミドが挙げられる。
【００９９】
次に、反応式（Ｒ−２）で表される反応について説明する。反応式（Ｒ−２）においては、中間体（５）と、一般式（６）で表される化合物（以下、スチルベン誘導体（６）と記載することがある）とを反応させて、トリアリールアミン誘導体（１）を得る。
【０１００】
反応式（Ｒ−２）で表される反応において、中間体（５）とスチルベン誘導体（６）との反応比率は、（中間体（５））／（スチルベン誘導体（６））のモル比率が１／２．５以上１／１以下であることが好ましい。スチルベン誘導体（６）の反応比率が過小であると、トリアリールアミン誘導体（１）の収率が過度に低下する場合がある。一方、スチルベン誘導体（６）の反応比率が過大であると、反応後に未反応のスチルベン誘導体（６）が過度に残留し、トリアリールアミン誘導体（１）の精製が困難となることがある。
【０１０１】
反応式（Ｒ−２）で表される反応に関し、反応温度は８０℃以上１４０℃以下であることが好ましい。反応時間は２時間以上１０時間以下であることが好ましい。
【０１０２】
反応式（Ｒ−２）で表される反応は触媒の存在下にて行うことができる。用いられる触媒としては、例えば、ナトリウムアルコキシド（ナトリウムメトキシド、又はナトリウムエトキシド）、金属水素化物（水素化ナトリウム、又は水素化カリウム）、又は金属塩（例えば、ｎ−ブチルリチウム）が挙げられる。これらの触媒は１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。こうした触媒の添加量は、スチルベン誘導体（６）の合計１モルに対して、１モル以上２モル以下であることが好ましい。こうした触媒の添加量が過少であると、中間体（５）とスチルベン誘導体（６）との反応性が著しく低下することがある。一方、こうした触媒の添加量が過多であると、反応の制御が困難になることがある。
【０１０３】
反応式（Ｒ−２）で表される反応においては、触媒としてパラジウム化合物を用いることが好ましい。触媒としてパラジウム化合物を用いることにより、反応式（Ｒ−２）で表される反応における活性化エネルギーが効果的に低下する。その結果、トリアリールアミン誘導体（１）の収率を向上させることができる。
【０１０４】
パラジウム化合物の具体例としては、四価パラジウム化合物類、二価パラジウム化合物類、又はその他のパラジウム化合物類が挙げられる。四価パラジウム化合物類としては、例えば、ヘキサクロルパラジウム（ＩＶ）酸ナトリウム四水和物、又はヘキサクロルパラジウム（ＩＶ）酸カリウム四水和物が挙げられる。二価パラジウム化合物類としては、例えば、塩化パラジウム（ＩＩ）、臭化パラジウム（ＩＩ）、酢酸パラジウム（ＩＩ）、パラジウムアセチルアセテート（ＩＩ）、ジクロロビス（ベンゾニトリル）パラジウム（ＩＩ）、ジクロルビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）、ジクロロテトラミンパラジウム（ＩＩ）、又はジクロロ（シクロオクタ−１，５−ジエン）パラジウム（ＩＩ）が挙げられる。その他のパラジウム化合物類としては、例えば、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウムクロロホルム錯体（０）、又はテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）が挙げられる。また、パラジウム化合物は１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【０１０５】
パラジウム化合物の添加量は、中間体（５）１モルに対して、０．０００５モル以上２０モル以下であることが好ましく、０．００１モル以上１モル以下であることがより好ましい。
【０１０６】
また、反応式（Ｒ−２）で表される反応は、塩基の存在下で実行されることが好ましい。
【０１０７】
反応式（Ｒ−２）で表される反応を塩基の存在下で実行することにより、反応系中で発生するハロゲン化水素が速やかに中和され、触媒活性が向上する。その結果、トリアリールアミン誘導体（１）の収率を向上させることができる。
【０１０８】
塩基は、無機塩基であってもよいし、有機塩基であってもよい。有機塩基としては、特に限定されないが、例えば、アルカリ金属アルコシド（ナトリウムメトキシド、ナトリウムエトキシド、カリウムメトキシド、カリウムエトキシド、リチウム−ｔｅｒｔ−ブトキシド、ナトリウム−ｔｅｒｔ−ブトキシド、又はカリウム−ｔｅｒｔ−ブトキシド）が好ましく、ナトリウム−ｔｅｒｔ−ブトキシドがより好ましい。また、無機塩基としては、リン酸三カリウム、又はフッ化セシウムが挙げられる。
【０１０９】
中間体（５）１モルに対して、パラジウム化合物０．００５モルを加えた場合、塩基の添加量は１モル以上１０モル以下であることが好ましく、１モル以上５モル以下であることがより好ましい。
【０１１０】
反応式（Ｒ−２）で表される反応は、例えば溶剤中で実行される。溶剤としては、例えば、キシレン（ｏ−、ｍ−、又はｐ−）、トルエン、テトラヒドロフラン、又はジメチルホルムアミドが挙げられる。
【０１１１】
次いで、トリアリールアミン誘導体（２）を製造する方法について述べる。トリアリールアミン誘導体（２）の製造方法は、例えば、反応式（Ｒ−３）及び反応式（Ｒ−４）で表される反応を行う工程を含む。
【０１１２】
反応式（Ｒ−３）で表される反応では、アニリン誘導体（３）と、一般式（７）で表される化合物（以下、ベンゼン誘導体（７）と記載することがある）とを反応させて、一般式（８）で表される化合物（トリアリールアミン誘導体（２）の中間体。以下、中間体（８）と記載することがある）を得る。
【０１１３】
アニリン誘導体（３）と、ベンゼン誘導体（７）との反応比率は、モル比率（アニリン誘導体（３）／ベンゼン誘導体（７））が１／２以上２／１以下であることが好ましい。ベンゼン誘導体（７）の反応比率が過小であると、中間体（８）の収率が過度に低くなることがある。一方、ベンゼン誘導体（７）の反応比率が過大であると、過剰となったベンゼン誘導体（７）が未反応のまま過度に残留することがある。
【０１１４】
反応式（Ｒ−３）で表される反応に関し、反応温度は８０℃以上１４０℃以下であることが好ましい。反応時間は２時間以上１０時間以下であることが好ましい。
【０１１５】
反応式（Ｒ−３）で表される反応においては、触媒としてパラジウム化合物を用いることが好ましい。触媒としてパラジウム化合物を用いることにより、反応式（Ｒ−３）で表される反応における活性化エネルギーが効果的に低下する。その結果、中間体（８）の収率を向上させることができる。
【０１１６】
パラジウム化合物の具体例としては、四価パラジウム化合物類、二価パラジウム化合物類、又はその他のパラジウム化合物類が挙げられる。四価パラジウム化合物類としては、例えば、ヘキサクロルパラジウム（ＩＶ）酸ナトリウム四水和物、又はヘキサクロルパラジウム（ＩＶ）酸カリウム四水和物が挙げられる。二価パラジウム化合物類としては、例えば、塩化パラジウム（ＩＩ）、臭化パラジウム（ＩＩ）、酢酸パラジウム（ＩＩ）、パラジウムアセチルアセテート（ＩＩ）、ジクロロビス（ベンゾニトリル）パラジウム（ＩＩ）、ジクロルビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）、ジクロロテトラミンパラジウム（ＩＩ）、又はジクロロ（シクロオクタ−１，５−ジエン）パラジウム（ＩＩ）が挙げられる。その他のパラジウム化合物類としては、例えば、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウムクロロホルム錯体（０）又はテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）が挙げられる。また、パラジウム化合物は１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【０１１７】
パラジウム化合物の添加量は、アニリン誘導体（３）１モルに対して、０．０００５モル以上２０モル以下であることが好ましく、０．００１モル以上１モル以下であることがより好ましい。
【０１１８】
また、反応式（Ｒ−３）で表される反応は、塩基の存在下で実行されることが好ましい。
【０１１９】
反応式（Ｒ−３）で表される反応を塩基の存在下で実行することにより、反応系中で発生するハロゲン化水素が速やかに中和され、触媒活性が向上する。その結果、中間体（８）の収率を向上させることができる。
【０１２０】
塩基は、無機塩基であってもよいし、有機塩基であってもよい。有機塩基としては、特に限定されないが、例えば、アルカリ金属アルコシド（ナトリウムメトキシド、ナトリウムエトキシド、カリウムメトキシド、カリウムエトキシド、リチウム−ｔｅｒｔ−ブトキシド、ナトリウム−ｔｅｒｔ−ブトキシド、又はカリウム−ｔｅｒｔ−ブトキシド）が好ましく、ナトリウム−ｔｅｒｔ−ブトキシドがより好ましい。また、無機塩基としては、リン酸三カリウム、又はフッ化セシウムが挙げられる。
【０１２１】
一般式（７）で表されるスチルベン誘導体１モルに対して、パラジウム化合物０．００５モルを加えた場合、塩基の添加量は１モル以上１０モル以下であることが好ましく、１モル以上５モル以下であることがより好ましい。
【０１２２】
反応式（Ｒ−３）で表される反応は、溶剤中で行うことができる。溶剤としては、例えば、キシレン（ｏ−、ｍ−、又はｐ−）、トルエン、テトラヒドロフラン、又はジメチルホルムアミドが挙げられる。
【０１２３】
次に、反応式（Ｒ−４）で表される反応について説明する。
反応式（Ｒ−４）においては、中間体（８）と、スチルベン誘導体（６）とを反応させて、トリアリールアミン誘導体（２）を得る。
【０１２４】
反応式（Ｒ−４）で表される反応において、中間体（８）とスチルベン誘導体（６）との反応比率は、モル比率（中間体（８）／スチルベン誘導体（６））が１／２．５以上１／１以下であることが好ましい。スチルベン誘導体（６）の反応比率が過小であると、トリアリールアミン誘導体（２）の収率が過度に低下する場合がある。一方、スチルベン誘導体（６）の反応比率が過大であると、反応後に未反応のスチルベン誘導体（６）が過度に残留し、トリアリールアミン誘導体（２）の精製が困難となることがある。
【０１２５】
反応式（Ｒ−４）で表される反応に関し、反応温度は８０℃以上１４０℃以下であることが好ましい。反応時間は２時間以上１０時間以下であることが好ましい。
【０１２６】
反応式（Ｒ−４）で表される反応は触媒の存在下にて行うことができる。用いられる触媒としては、例えば、ナトリウムアルコキシド（ナトリウムメトキシド、又はナトリウムエトキシド）、金属水素化物（水素化ナトリウム、又は水素化カリウム）、又は金属塩（例えば、ｎ−ブチルリチウム）が挙げられる。これらの触媒は１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。こうした触媒の添加量は、スチルベン誘導体（６）の合計１モルに対して、１モル以上２モル以下であることが好ましい。こうした触媒の添加量が過少であると、中間体（８）とスチルベン誘導体（６）との反応性が著しく低下することがある。一方、こうした触媒の添加量が過多であると、反応の制御が困難になることがある。
【０１２７】
反応式（Ｒ−４）で表される反応においては、触媒としてパラジウム化合物を用いることが好ましい。触媒としてパラジウム化合物を用いることにより、反応式（Ｒ−４）で表される反応における活性化エネルギーが効果的に低下する。その結果、トリアリールアミン誘導体（２）の収率を向上させることができる。
【０１２８】
パラジウム化合物の具体例としては、四価パラジウム化合物類、二価のパラジウム化合物類、又はその他のパラジウム化合物類が挙げられる。四価パラジウム化合物類としては、例えば、ヘキサクロルパラジウム（ＩＶ）酸ナトリウム四水和物、又はヘキサクロルパラジウム（ＩＶ）酸カリウム四水和物が挙げられる。二価のパラジウム化合物類としては、例えば、塩化パラジウム（ＩＩ）、臭化パラジウム（ＩＩ）、酢酸パラジウム（ＩＩ）、パラジウムアセチルアセテート（ＩＩ）、ジクロロビス（ベンゾニトリル）パラジウム（ＩＩ）、ジクロルビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）、ジクロロテトラミンパラジウム（ＩＩ）、又はジクロロ（シクロオクタ−１，５−ジエン）パラジウム（ＩＩ）が挙げられる。その他のパラジウム化合物類としては、例えば、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウムクロロホルム錯体（０）、又はテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）が挙げられる。また、パラジウム化合物は１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【０１２９】
パラジウム化合物の添加量は、中間体（８）１モルに対して、０．０００５モル以上２０モル以下であることが好ましく、０．００１モル以上１モル以下であることがより好ましい。
【０１３０】
また、反応式（Ｒ−４）で表される反応は、塩基の存在下で実行されることが好ましい。
【０１３１】
反応式（Ｒ−４）で表される反応を塩基の存在下で実行することにより、反応系中で発生するハロゲン化水素が速やかに中和され、触媒活性が向上する。その結果、トリアリールアミン誘導体（２）の収率を向上させることができる。
【０１３２】
塩基は、無機塩基であってもよいし、有機塩基であってもよい。有機塩基としては、特に限定されないが、例えば、アルカリ金属アルコシド（ナトリウムメトキシド、ナトリウムエトキシド、カリウムメトキシド、カリウムエトキシド、リチウム−ｔｅｒｔ−ブトキシド、ナトリウム−ｔｅｒｔ−ブトキシド、又はカリウム−ｔｅｒｔ−ブトキシド）が好ましく、ナトリウム−ｔｅｒｔ−ブトキシドがより好ましい。また、無機塩基としては、リン酸三カリウム、又はフッ化セシウムが挙げられる。
【０１３３】
中間体（８）１モルに対して、パラジウム化合物０．００５モルを加えた場合、塩基の添加量は１モル以上１０モル以下であることが好ましく、１モル以上５モル以下であることがより好ましい。
【０１３４】
反応式（Ｒ−４）で表される反応は、例えば溶剤中で実行される。溶剤としては、例えば、キシレン（ｏ−、ｍ−、又はｐ−）、トルエン、テトラヒドロフラン、又はジメチルホルムアミドが挙げられる。
【０１３５】
トリアリールアミン誘導体（１）及び（２）の製造方法では、反応式（Ｒ−１）及び（Ｒ−２）で表される反応、又は反応式（Ｒ−３）及び（Ｒ−４）で表される反応を行う工程以外に、必要に応じて適宜な工程を含んでいてもよい。
【０１３６】
［２−２−２．バインダー樹脂］
第一実施形態に用いられるバインダー樹脂としては、例えば、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、又は光硬化性樹脂が挙げられる。熱可塑性樹脂としては、例えば、ポリカーボネート樹脂、スチレン系樹脂、スチレン−ブタジエン共重合体、スチレン−アクリロニトリル共重合体、スチレン−マレイン酸共重合体、スチレン−アクリル酸共重合体、アクリル共重合体、ポリエチレン樹脂、エチレン−酢酸ビニル共重合体、塩素化ポリエチレン樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリプロピレン樹脂、アイオノマー、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、アルキド樹脂、ポリアミド樹脂、ウレタン樹脂、ポリアリレート樹脂、ポリスルホン樹脂、ジアリルフタレート樹脂、ケトン樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ポリエーテル樹脂、又はポリエステル樹脂が挙げられる。熱硬化性樹脂としては、例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、又はその他架橋性の熱硬化性樹脂が挙げられる。光硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ−アクリル酸系樹脂、又はウレタン−アクリル酸系樹脂が挙げられる。これらは１種単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。これらのバインダー樹脂のうち、一般式（Ｉ）で表されるポリカーボネート樹脂が好ましい。
【０１３７】
バインダー樹脂は、一般式（Ｉ）で表されるポリカーボネート樹脂（ポリカーボネート樹脂（Ｉ）と記載することがある）を含有することができる。
【０１３８】
【化１８】
0006524891.tif 000019
【０１３９】
一般式（Ｉ）中、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7及びＲ8は、各々独立に、水素原子、アルキル基、又はアリール基を表す。ただし、Ｒ7及びＲ8は、互いに結合してシクロアルキリデン基を形成してもよい。ｔ＋ｕ＝１．００であり、０．３５≦ｔ＜０．７０である。
【０１４０】
一般式（Ｉ）中、Ｒ5及びＲ6の表すアルキル基としては、例えば、炭素原子数１以上６以下のアルキル基が挙げられ、炭素原子数１以上４以下のアルキル基であることが好ましく、メチル基であることがより好ましい。Ｒ5及びＲ6の表すアルキル基は、無置換であってもよいし、置換基を有してもよい。このような置換基としては、例えば、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、炭素数１以上４以下のアルコキシ基、又はシアノ基が挙げられる。
【０１４１】
一般式（Ｉ）中、Ｒ7及びＲ8の表すアルキル基としては、例えば、炭素原子数１以上６以下のアルキル基が挙げられる。Ｒ7及びＲ8の表すアルキル基は、無置換であっても、置換基を有してもよい。このような置換基としては、Ｒ5及びＲ6の表すアルキル基の有してもよい置換基と同義である。Ｒ7とＲ8とが互いに結合して環を形成するシクロアルキリデン基としては、炭素原子数５以上７以下のシクロアルキリデン基であることが好ましく、シクロヘキシリデン基であることがより好ましい。
【０１４２】
一般式（Ｉ）中、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7及びＲ8の表すアリール基は、例えば、炭素原子数６以上１４以下のアリール基が挙げられる。Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7及びＲ8の表すアリール基は、無置換であってもよいし、置換基を有してもよい。このような置換基としては、例えば、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、炭素数１以上４以下のアルキル基、炭素数１以上４以下のアルコキシ基、ニトロ基、又はシアノ基が挙げられる。
【０１４３】
一般式（Ｉ）中、Ｒ5及びＲ6は、各々独立に、水素原子又は炭素原子数１以上４以下のアルキル基を表すことが好ましく、水素原子又はメチル基を表すことがより好ましい。Ｒ7及びＲ8は、互いに結合して炭素原子数５以上７以下のシクロアルキリデン基を表すことが好ましく、互いに結合してシクロヘキシリデン基を表すことがより好ましい。
【０１４４】
ポリカーボネート樹脂（Ｉ）は、一般式（Ｉ−１）で表される繰返し構造単位（以下、繰返し単位（Ｉ−１）と記載することがある）と一般式（Ｉ−２）で表される繰返し構造単位（以下、繰返し単位（Ｉ−２）と記載することがある）とを含むポリカーボネート樹脂である。なお、一般式（Ｉ−１）中のＲ5は、各々一般式（Ｉ）中のＲ5と同義である。一般式（Ｉ−２）中のＲ6、Ｒ7、及びＲ8は、各々一般式（Ｉ）中のＲ6、Ｒ7、及びＲ8と同義である。
【０１４５】
【化１９】
0006524891.tif 000020
【０１４６】
【化２０】
0006524891.tif 000021
【０１４７】
繰返し単位（Ｉ−２）における２つのフェニレン基の間には第四級炭素が存在し得る。この第四級炭素がアルキル基で置換されると、第二級炭素が存在する繰返し単位を有するポリカーボネート樹脂と比べて、繰返し単位自体として、相対的に低極性の箇所が部分的に存在する。これにより、正孔輸送剤は、ポリカーボネート樹脂（Ｉ）の繰返し単位の近傍に集まりやすくなる。その結果、電荷輸送層中の正孔輸送剤の分散性が高まって、安定した光感度を達成することができる。
【０１４８】
一般式（Ｉ）中、ｔ及びｕに関し、ｔ＋ｕ＝１．００であり、０．３５≦ｔ＜０．７０である。ｔは、ポリカーボネート樹脂（Ｉ）における繰返し単位（Ｉ−１）と繰返し単位（Ｉ−２）との合計物質量（モル）に対する、繰返し単位（Ｉ−１）の物質量（モル）の比率（モル比率）を表す。ｕは、ポリカーボネート樹脂（Ｉ）における繰返し単位（Ｉ−１）と繰返し単位（Ｉ−２）との合計物質量（モル）に対する、繰返し単位（Ｉ−２）の物質量（モル）の比率（モル比率）を表す。バインダー樹脂として、このようなポリカーボネート樹脂（Ｉ）を用いることで、感光体の耐摩耗性及び電気特性が向上し易い。
【０１４９】
ｔの値が０．３５以上０．７５未満を表す場合、感光体の電気特性及び耐摩耗性が向上する。更に感光体の感度を向上させるためには、ｔの値は０．３５以上０．５５以下を表すことがより好ましい。
【０１５０】
ポリカーボネート樹脂（Ｉ）は、例えば、繰返し単位（Ｉ−１）と繰返し単位（Ｉ−２）とがランダムに共重合したランダム共重合体であってもよい。又は、例えば、繰返し単位（Ｉ−１）と繰返し単位（Ｉ−２）とが交互に共重合した交互共重合体であってもよい。又は、１以上の繰返し単位（Ｉ−１）と、１以上の繰返し単位（Ｉ−２）とが周期的に共重合した周期的共重合体であってもよい。又は、複数の繰返し単位（Ｉ−１）からなるブロックと、複数の繰返し単位（Ｉ−２）からなるブロックとが共重合したブロック共重合体であってもよい。
【０１５１】
バインダー樹脂の分子量は、粘度平均分子量で４０，０００以上であることが好ましく、４０，０００以上５２，５００以下であることがより好ましい。バインダー樹脂の粘度平均分子量が４０，０００以上である場合、バインダー樹脂の耐摩耗性を十分に高めることができ、電荷輸送層が更に摩耗しにくくなる。また、バインダー樹脂の粘度平均分子量が４０，０００以上であると、感光体の耐摩耗性に加え、感光体の耐オイルクラック性を向上させ易くなる。一方、バインダー樹脂の分子量が５２，５００以下である場合、電荷輸送層の形成時に、バインダー樹脂が溶剤に溶解し易くなり、電荷輸送層の形成が容易になる傾向がある。
【０１５２】
ポリカーボネート樹脂（Ｉ）の製造方法は、特に限定されない。これらの製造方法として、例えば、ポリカーボネート樹脂の繰返し単位を構成するためのジオール化合物とホスゲンとを界面縮重合させる方法（いわゆる、ホスゲン法）、又は、ジオール化合物とジフェニルカーボネートとをエステル交換反応させる方法が挙げられる。より具体的には、例えば、一般式（Ｉ−３）で表されるジオール化合物及び一般式（Ｉ−４）で表されるジオール化合物を混合して得た混合物と、ホスゲンとを、一般式（Ｉ−３）で表されるジオール化合物が存在するように、界面縮重合させる方法が挙げられる。なお、一般式（Ｉ−３）中のＲ5は、一般式（Ｉ）中のＲ5と同義である。一般式（Ｉ−４）中のＲ6、Ｒ7及びＲ8は、各々一般式（Ｉ）中のＲ6、Ｒ7及びＲ8と同義である。
【０１５３】
【化２１】
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【０１５４】
【化２２】
0006524891.tif 000023
【０１５５】
一般式（Ｉ）で表されるポリカーボネート樹脂としては、例えば、式（Ｒｅｓｉｎ−１）〜（Ｒｅｓｉｎ−４）で表されるポリカーボネート樹脂（以下、ポリカーボネート樹脂（Ｒｅｓｉｎ−１）〜（Ｒｅｓｉｎ−４）と記載することがある）が挙げられる。
【０１５６】
【化２３】
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【０１５７】
【化２４】
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【０１５８】
【化２５】
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【０１５９】
【化２６】
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【０１６０】
【化２７】
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【０１６１】
【化２８】
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【０１６２】
【化２９】
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【０１６３】
【化３０】
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【０１６４】
バインダー樹脂の分子量は、粘度平均分子量で４０，０００以上であることが好ましく、４０，０００以上５２，５００以下であることがより好ましい。バインダー樹脂の粘度平均分子量が４０，０００以上であると、バインダー樹脂の耐摩耗性を十分に高めることができ、感光層が摩耗し難くなる。また、バインダー樹脂の分子量が５２，５００以下であると、感光層の形成時にバインダー樹脂が溶剤に溶解し易くなり、感光層用塗布液の粘度が高くなり過ぎない。その結果、感光層を形成し易くなる。
【０１６５】
［２−３．添加剤］
感光体の電子写真特性に悪影響を与えない範囲で、感光層は各種の添加剤を含有してもよい。添加剤としては、例えば、劣化防止剤（より具体的には、酸化防止剤、ラジカル捕捉剤、消光剤、又は紫外線吸収剤等）、軟化剤、表面改質剤、増量剤、増粘剤、分散安定剤、ワックス、アクセプター（より具体的には、電子輸送剤等）、ドナー、界面活性剤、可塑剤、増感剤、又はレベリング剤が挙げられる。酸化防止剤としては、例えば、ヒンダードフェノール、ヒンダードアミン、パラフェニレンジアミン、アリールアルカン、ハイドロキノン、スピロクロマン、スピロインダノン若しくはこれらの誘導体、有機硫黄化合物、又は有機燐化合物が挙げられる。以下、可塑剤、及び電子輸送剤を説明する。
【０１６６】
［２−３−１．可塑剤］
可塑剤としては、例えば、式（ＢＰ−１）〜（ＢＰ−２０）で表されるビフェニル誘導体が挙げられる。これらのうち、可塑剤としては、式（ＢＰ−３）で表されるビフェニル誘導体（メタターフェニル）が好ましい。
【０１６７】
【化３１】
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【０１６８】
［２−３−２．電子輸送剤］
既に述べたように、電荷輸送層は、電子輸送剤を含有してもよい。
【０１６９】
電子輸送剤としては、例えば、キノン系化合物、ヒドラゾン系化合物、マロノニトリル系化合物、チオピラン系化合物、トリニトロチオキサントン系化合物、３，４，５，７−テトラニトロ−９−フルオレノン系化合物、ジニトロアントラセン系化合物、ジニトロアクリジン系化合物、テトラシアノエチレン、２，４，８−トリニトロチオキサントン、ジニトロベンゼン、ジニトロアントラセン、ジニトロアクリジン、無水コハク酸、無水マレイン酸、又はジブロモ無水マレイン酸が挙げられる。キノン系化合物としては、例えば、ナフトキノン系化合物、ジフェノキノン系化合物、アントラキノン系化合物、アゾキノン系化合物、ニトロアントラキノン系化合物、又はジニトロアントラキノン系化合物が挙げられる。これらの電子輸送剤は、１種単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【０１７０】
［３．中間層］
感光体において、中間層（特に、下引き層）は、導電性基体と感光層との間に位置することができる。中間層は、例えば、無機粒子、及び中間層に用いられる樹脂（中間層用樹脂）を含有する。中間層の存在により、リーク発生を抑制し得る程度の絶縁状態を維持しつつ、感光体を露光した時に発生する電流の流れを円滑にして、抵抗の上昇を抑えることができる。
【０１７１】
無機粒子としては、例えば、金属（例えば、アルミニウム、鉄、又は銅）、金属酸化物（例えば、酸化チタン、アルミナ、酸化ジルコニウム、酸化スズ、又は酸化亜鉛）の粒子、又は非金属酸化物（例えば、シリカ）の粒子が挙げられる。これらの無機粒子は、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
【０１７２】
中間層用樹脂としては、中間層を形成する樹脂として用いることができる樹脂である限り、特に限定されない。
【０１７３】
中間層は、感光体の電子写真特性に悪影響を与えない範囲で、各種の添加剤を含有してもよい。添加剤は、感光層の添加剤と同様である。
【０１７４】
［４．感光体の製造方法］
次に、図１を参照して、感光体１の製造方法について説明する。感光体１の製造方法は、例えば、感光層形成工程を有する。感光層形成工程は、電荷発生層形成工程と、電荷輸送層形成工程とを有する。
【０１７５】
［４−１．電荷発生層形成工程］
電荷発生層形成工程では、電荷発生層用塗布液を、導電性基体２上に塗布し、塗布した電荷発生層用塗布液に含まれる溶剤を除去して電荷発生層３ａを形成する。電荷発生層用塗布液は、例えば、電荷発生剤と、ベース樹脂と、溶剤とを含む。電荷発生層用塗布液は、電荷発生剤及びベース樹脂を、溶剤に溶解又は分散させることにより調製することができる。電荷発生層用塗布液は、必要に応じて各種添加剤を加えてもよい。
【０１７６】
［４−２．電荷輸送層形成工程］
電荷輸送層形成工程では、電荷輸送層形成用塗布液を、電荷発生層３ａ上に塗布し、塗布した電荷輸送層形成用塗布液に含まれる溶剤の少なくとも一部を除去して電荷輸送層３ｂを形成する。電荷輸送層形成用塗布液は、例えば、正孔輸送剤としてトリアリールアミン誘導体（１）又は（２）と、バインダー樹脂としてポリカーボネート樹脂（Ｉ）と、溶剤とを含む。電荷発生層用塗布液は、例えば、トリアリールアミン誘導体（１）又は（２）、及びポリカーボネート樹脂（Ｉ）を溶剤に溶解又は分散させることにより調製することができる。電荷輸送層形成用塗布液には、必要に応じて各種添加剤を加えてもよい。
【０１７７】
以下、電荷発生層形成工程及び電荷輸送層形成工程を例に挙げ、感光層形成工程の詳細を説明する。
【０１７８】
電荷発生層用塗布液及び電荷輸送層用塗布液に含有される溶剤は、電荷発生層用塗布液及び電荷輸送層用塗布液に含まれる各成分を溶解又は分散できる限り、特に限定されない。溶剤としては、例えば、アルコール類（より具体的には、メタノール、エタノール、イソプロパノール、又はブタノール等）、脂肪族系炭化水素（より具体的には、ｎ−ヘキサン、オクタン、又はシクロヘキサン等）、芳香族炭化水素（より具体的には、ベンゼン、トルエン、又はキシレン等）、ハロゲン化炭化水素（より具体的には、ジクロロメタン、ジクロロエタン、四塩化炭素、又はクロロベンゼン等）、エーテル類（より具体的には、ジメチルエーテル、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、エチレングリコールジメチルエーテル、又はジエチレングリコールジメチルエーテル等）、ケトン類（より具体的には、アセトン、メチルエチルケトン、又はシクロヘキサノン等）、エステル類（より具体的には、酢酸エチル、又は酢酸メチル等）、ジメチルホルムアルデヒド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、又はジメチルスルホキシドが挙げられる。これらの溶剤は、単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。電荷発生層用塗布液及び電荷輸送層用塗布液に含有する溶剤としては、これらの溶剤のうち、非ハロゲン系溶剤が好ましい。
【０１７９】
電荷輸送層用塗布液に含まれる溶剤は、トリアリールアミン誘導体（１）又は（２）と、ポリカーボネート樹脂（Ｉ）とを均一に溶解又は分散させ易くするため、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）及びトルエンの混合溶媒が好ましい。この混合溶剤に対して、トリアリールアミン誘導体（１）又は（２）と、ポリカーボネート樹脂（Ｉ）とは分散性が優れる。このため、トリアリールアミン誘導体（１）又は（２）が均一に分散した電荷輸送層形成用塗布液を調製し易い。そして、このような電荷輸送層形成用塗布液を用いて電荷輸送層を形成すると、トリアリールアミン誘導体（１）又は（２）が均一に分散した電荷輸送層が形成され易い。ＴＨＦとトルエンの混合比は、８／２（＝ＴＨＦ／トルエン（質量比））であることが好ましい。
【０１８０】
更に、電荷輸送層形成用塗布液に含有される溶剤は、電荷発生層用塗布液に含有される溶剤と、異なることが好ましい。感光体１を製造する際、通常、電荷発生層３ａ、電荷輸送層３ｂの順に形成するため、電荷発生層３ａ上に、電荷輸送層形成用塗布液を塗布することになる。電荷輸送層形成時に、電荷発生層３ａは、電荷輸送層形成用塗布液の溶剤に溶解しないことが求められるからである。
【０１８１】
電荷発生層用塗布液及び電荷輸送層用塗布液は、各成分を混合し、溶剤に分散することにより調製される。混合又は分散には、例えば、ビーズミル、ロールミル、ボールミル、アトライター、ペイントシェーカー、又は超音波分散器を用いることができる。
【０１８２】
電荷発生層用塗布液及び電荷輸送層用塗布液は、各成分の分散性、又は形成される各々の層の表面平滑性を向上させるために、例えば、界面活性剤又はレベリング剤を含有してもよい。
【０１８３】
電荷発生層用塗布液及び電荷輸送層用塗布液を塗布する方法としては、例えば、導電性基体２上に均一に電荷発生層用塗布液及び電荷輸送層用塗布液を塗布できる方法である限り、特に限定されない。塗布方法としては、例えば、ディップコート法、スプレーコート法、スピンコート法、又はバーコート法が挙げられる。
【０１８４】
電荷発生層用塗布液及び電荷輸送層用塗布液に含まれる溶剤を除去する方法は、電荷発生層用塗布液及び電荷輸送層用塗布液中の溶剤を除去（例えば、蒸発）させ得る方法である限り、特に限定されない。溶剤を除去する方法としては、例えば、加熱、減圧、又は加熱と減圧との併用が挙げられる。より具体的には、高温乾燥機、又は減圧乾燥機を用いて、熱処理（熱風乾燥）する方法が挙げられる。熱処理条件は、例えば、４０℃以上１５０℃以下の温度、かつ３分間以上１２０分間以下の時間である。
【０１８５】
なお、感光体１の製造方法は、必要に応じて、中間層４を形成する工程、及び／又は保護層５を形成する工程を更に含んでいてもよい。中間層４を形成する工程、及び保護層５を形成する工程では、公知の方法を適宜選択することができる。
【０１８６】
以上、図１を参照して、第一実施形態に係る感光体１を説明した。第一実施形態に係る感光体１によれば、耐摩耗性及び電気特性を両立することができる。
【０１８７】
＜第二実施形態：画像形成装置＞
第二実施形態は、画像形成装置に関する。以下、図８を参照して、第二実施形態に係る画像形成装置６の一態様について説明する。図８は、第二実施形態に係る画像形成装置６の一態様の構成を示す概略図である。
【０１８８】
以下、画像形成装置６が中間転写方式を採用する場合を例に挙げて、説明する。なお、画像形成装置６が直接転写方式を採用する場合については後述する。
【０１８９】
画像形成装置６は、感光体に相当する像担持体１と、帯電装置に対応する帯電部２７と、露光装置に対応する露光部２８と、現像装置に対応する現像部２９と、転写部とを備える。帯電部２７は像担持体１の表面を負極性に帯電する。露光部２８は、帯電された像担持体１の表面を露光して、像担持体１の表面に静電潜像を形成する。現像部２９は、静電潜像をトナー像として現像する。転写部は、像担持体１から被転写体（中間転写ベルト２０）へトナー像を転写する。画像形成装置６が中間転写方式を採用する場合、転写部は、一次転写ローラー３３に相当する。被転写体は、中間転写ベルト２０に相当する。像担持体１として、第一実施形態に係る感光体１が備えられる。
【０１９０】
画像形成装置６は、電子写真方式の画像形成装置である限り、特に限定されない。画像形成装置６は、例えば、モノクロ画像形成装置であってもよいし、カラー画像形成装置であってもよい。異なる色のトナーによる各色のトナー像を形成するために、画像形成装置６は、タンデム方式のカラー画像形成装置であってもよい。
【０１９１】
以下、タンデム方式のカラー画像形成装置を例に挙げて、画像形成装置６を説明する。画像形成装置６は、所定方向に並設された複数の感光体１と、複数の現像部２９とを備える。複数の現像部２９は、各々、感光体１に対向して配置される。複数の現像部２９は、各々、現像ローラーを備える。現像ローラーは、トナーを担持して搬送し、対応する像担持体１の表面にトナーを供給する。
【０１９２】
図８に示すように、画像形成装置６は、箱型の機器筺体７を更に備える。機器筺体７内には、給紙部８、画像形成部９、及び定着部１０が設けられる。給紙部８は、用紙Ｐを給紙する。画像形成部９は、給紙部８から給紙された用紙Ｐを搬送しながら、用紙Ｐに画像データに基づくトナー像を転写する。定着部１０は、画像形成部９で用紙Ｐ上に転写された未定着のトナー像を、用紙Ｐに定着させる。更に、機器筺体７の上面には、排紙部１１が設けられる。排紙部１１は、定着部１０で定着処理された用紙Ｐを排紙する。
【０１９３】
給紙部８には、給紙カセット１２と、第一ピックアップローラー１３と、給紙ローラー１４、１５、及び１６と、レジストローラー対１７とが備えられる。給紙カセット１２は、機器筺体７から挿脱可能に設けられる。給紙カセット１２には、各種サイズの用紙Ｐが貯留される。第一ピックアップローラー１３は、給紙カセット１２の左上方位置に設けられる。第一ピックアップローラー１３は、給紙カセット１２に貯留されている用紙Ｐを１枚ずつ取り出す。給紙ローラー１４〜１６は、第一ピックアップローラー１３によって取り出された用紙Ｐを搬送する。レジストローラー対１７は、給紙ローラー１４〜１６によって搬送された用紙Ｐを、一時待機させた後に、所定のタイミングで画像形成部９に供給する。
【０１９４】
また、給紙部８は、手差しトレイ（不図示）と、第二ピックアップローラー１８とを更に備えている。手差しトレイは、機器筺体７の左側面に取り付けられる。第二ピックアップローラー１８は、手差しトレイに載置された用紙Ｐを取り出す。第二ピックアップローラー１８によって取り出された用紙Ｐは、給紙ローラー１４〜１６によって搬送され、レジストローラー対１７によって、所定のタイミングで画像形成部９に供給される。
【０１９５】
画像形成部９には、画像形成ユニット１９、中間転写ベルト２０、及び二次転写ローラー２１が備えられる。中間転写ベルト２０には、画像形成ユニット１９によって、中間転写ベルト２０の周面（像担持体１の表面との接触面）に、トナー像が一次転写される。なお、一次転写されるトナー像は、コンピューターのような上位装置から伝送された画像データに基づいて形成される。二次転写ローラー２１は、中間転写ベルト２０上のトナー像を、給紙カセット１２から送り込まれた用紙Ｐに二次転写する。
【０１９６】
画像形成ユニット１９は、イエロートナー供給用ユニット２５と、マゼンタトナー供給用ユニット２４と、シアントナー供給用ユニット２３と、ブラックトナー供給用ユニット２２とを備える。画像形成ユニット１９には、イエロートナー供給用ユニット２５を基準として中間転写ベルト２０の回転方向の上流側（図８では右側）から下流側に向けて、イエロートナー供給用ユニット２５、マゼンタトナー供給用ユニット２４、シアントナー供給用ユニット２３、及びブラックトナー供給用ユニット２２が順次配設されている。ユニット２２〜２５には、各ユニットの中央位置に、感光体１が配設されている。感光体１は、矢符（時計回り）方向に回転可能に配設されている。なお、ユニット２２〜２５は、画像形成装置６本体に対して脱着される後述のプロセスカートリッジであってもよい。
【０１９７】
そして、各像担持体１の周囲には、帯電部２７、露光部２８、現像部２９が、帯電部２７を基準として各像担持体１の回転方向の上流側から順に配置されている。
【０１９８】
像担持体１の回転方向における帯電部２７の上流側には、除電器（不図示）、及びクリーニング装置（不図示）が設けられてもよい。除電器は、中間転写ベルト２０へのトナー像の一次転写が終了した後、像担持体１の周面を除電する。クリーニング装置及び除電器によって清掃及び除電された像担持体１の周面は、帯電部２７へ送られ、新たに帯電処理される。画像形成装置６がクリーニング装置及び／又は除電器を備える場合、各像担持体１の回転方向の上流側から帯電部２７を基準として、帯電部２７、露光部２８、現像部２９、一次転写ローラー３３、クリーニング装置、及び除電器の順で配置される。
【０１９９】
既に述べたように、帯電部２７は、像担持体１の表面を帯電する。具体的には、帯電部２７は、像担持体１の周面を均一に負極性に帯電する。帯電部２７は、像担持体１の表面を均一に帯電できる限り、特に制限されない。帯電部２７は、非接触方式の帯電部であってもよいし、接触方式の帯電部であってもよい。このような接触方式の帯電部２７としては、例えば、帯電ローラー又は帯電ブラシが挙げられる。帯電部２７としては、接触方式の帯電部（より具体的には、帯電ローラー、又は帯電ブラシ等）が好ましい。接触方式の帯電部２７を使用することにより、帯電部２７から発生する活性ガス（例えば、オゾン、又は窒素酸化物）の排出を抑えることができる。その結果、活性ガスによる感光層の劣化が抑制されるとともに、オフィス環境に配慮した設計が達成できる。
【０２００】
帯電部２７が接触方式の帯電ローラーを備える場合、帯電ローラーは、像担持体１と接触したまま、像担持体１の表面を帯電する。このような帯電ローラーとしては、例えば、像担持体１の表面と接触したまま、像担持体１の回転に従属して回転する帯電ローラーが挙げられる。また、帯電ローラーとしては、例えば、少なくとも表面部が樹脂で構成された帯電ローラーが挙げられる。具体的には、帯電ローラーは、回転可能に軸支された芯金と、芯金上に形成された樹脂層と、芯金に電圧を印加する電圧印加部とを備える。このような帯電ローラーを備えた帯電部２７は、電圧印加部が芯金に電圧を印加することによって、樹脂層を介して接触する感光体１の表面を帯電させることができる。
【０２０１】
帯電ローラーの樹脂層を構成する樹脂は、像担持体１の周面を良好に帯電させることができる限り特に限定されない。樹脂層を構成する樹脂の具体例としては、シリコーン樹脂、ウレタン樹脂、又はシリコーン変性樹脂が挙げられる。樹脂層には、無機充填材を含有させてもよい。
【０２０２】
上述のような接触方式の帯電部２７を使用することにより、帯電部２７から発生する活性ガス（例えば、オゾン、又は窒素酸化物）の排出を抑えることができると考えられる。その結果、活性ガスによる感光層の劣化が抑制されるとともに、オフィス環境に配慮した設計が可能になると考えられる。
【０２０３】
帯電部２７が印加する電圧は、特に限定されない。しかし、帯電部２７が交流電圧を印加すること、又は直流電圧に交流電圧を重畳した重畳電圧を印加することよりも、帯電部２７が直流電圧のみを印加することが好ましい。帯電部２７が直流電圧のみを印加すると、像担持体１に印加される電圧値が一定であるため、像担持体１の表面を一様に一定電位まで帯電させ易い。また、帯電部２７が直流電圧のみを印加すると、感光層の磨耗量が減少する傾向がある。その結果、好適な画像を形成することができる。帯電部２７が感光体１に印加する直流電圧は、１，０００Ｖ以上２０００Ｖ以下であることが好ましく、１，２００Ｖ以上１，８００Ｖ以下であることがより好ましく、１，４００Ｖ以上１，６００Ｖ以下であることが特に好ましい。
【０２０４】
露光部２８としては、例えば、露光装置が挙げられ、より具体的には、レーザー走査ユニットが挙げられる。露光部２８は、帯電された像担持体１の表面を露光して、像担持体１の表面に静電潜像を形成する。具体的には、露光部２８は、帯電部２７によって均一に帯電された像担持体１の周面に、パーソナルコンピューターのような上位装置から入力された画像データに基づくレーザー光を照射する。これにより、像担持体１の周面に、画像データに基づく静電潜像が形成される。
【０２０５】
既に述べたように、現像部２９は、静電潜像をトナー像として現像する。現像部２９としては、例えば、現像装置が挙げられる。具体的には、現像部２９は、静電潜像が形成された像担持体１の周面にトナーを供給し、画像データに基づくトナー像を形成する。そして、形成されたトナー像が中間転写ベルト２０に一次転写される。なお、トナーの帯電極性は負極性である。
【０２０６】
中間転写ベルト２０は、無端状のベルト回転体である。中間転写ベルト２０は、駆動ローラー３０、従動ローラー３１、バックアップローラー３２、及び複数の一次転写ローラー３３に架け渡されている。複数の像担持体１の周面が、各々、中間転写ベルト２０の表面（接触面）に当接するように、中間転写ベルト２０は配置されている。
【０２０７】
また、中間転写ベルト２０は、各像担持体１に対向して配置される一次転写ローラー３３によって、像担持体１に押圧される。押圧された状態で、中間転写ベルト２０は、複数の駆動ローラー３０によって矢符（反時計回り）方向に無端回転する。駆動ローラー３０は、ステッピングモーターなどの駆動源によって回転駆動し、中間転写ベルト２０を無端回転させるための駆動力を与える。従動ローラー３１、バックアップローラー３２、及び複数の一次転写ローラー３３は、回転自在に設けられる。従動ローラー３１、バックアップローラー３２、及び一次転写ローラー３３は、駆動ローラー３０による中間転写ベルト２０の無端回転に伴って、従動回転する。従動ローラー３１、バックアップローラー３２、及び一次転写ローラー３３は、駆動ローラー３０の主動回転に応じて中間転写ベルト２０を介して従動回転するとともに、中間転写ベルト２０を支持する。
【０２０８】
一次転写ローラー３３は、像担持体１の表面に形成されたトナー像を中間転写ベルト２０に転写する。一次転写ローラー３３は、一次転写バイアス（具体的には、トナーの帯電極性と逆極性のバイアス）を中間転写ベルト２０に印加する。その結果、各像担持体１上に形成されたトナー像は、各像担持体１と一次転写ローラー３３との間で、周回する中間転写ベルト２０に対して、順次転写（一次転写）される。なお、トナーの帯電極性は負極性である。
【０２０９】
二次転写ローラー２１は、二次転写バイアス（具体的には、トナーの帯電極性と逆極性のバイアス）を用紙Ｐに印加する。その結果、中間転写ベルト２０上に一次転写されたトナー像は、二次転写ローラー２１とバックアップローラー３２との間で用紙Ｐに転写される。これにより、未定着のトナー像が用紙Ｐに転写される。
【０２１０】
定着部１０は、画像形成部９で用紙Ｐに転写された未定着トナー像を定着させる。定着部１０は、加熱ローラー３４と、加圧ローラー３５とを備えている。加熱ローラー３４は、通電発熱体により加熱される。加圧ローラー３５は、加熱ローラー３４に対向配置され、加圧ローラー３５の周面が加熱ローラー３４の周面に押圧される。
【０２１１】
画像形成部９で二次転写ローラー２１により用紙Ｐに転写された転写画像は、用紙Ｐが加熱ローラー３４と加圧ローラー３５との間を通過する際の加熱による定着処理により用紙Ｐに定着される。そして、定着処理の施された用紙Ｐは、排紙部１１へ排紙される。また、定着部１０と排紙部１１との間の適所に、複数の搬送ローラー３６が配設されている。
【０２１２】
排紙部１１は、機器筺体７の頂部が凹没されることによって形成される。凹没した凹部の底部に、排紙された用紙Ｐを受ける排紙トレイ３７が設けられる。以上、図８を参照して、第二実施形態の一態様の画像形成装置６について説明した。
【０２１３】
図８を参照して中間転写方式を採用する画像形成装置６を説明したが、第二実施形態に係る画像形成装置６は、別の態様として、直接転写方式を採用することもできる。この場合、被転写体は、記録媒体（例えば、用紙Ｐ）に相当する。また、転写部は、転写ローラーに相当する。転写ローラーは、対向する像担持体１との間に記録媒体が通るように配置される。
【０２１４】
図８を参照して説明したように、第二実施形態に係る画像形成装置６は、像担持体として、電気的特性及び耐摩耗性に優れる第一実施形態に係る感光体１を備えている。このような感光体１を備えることで、第二実施形態に係る画像形成装置６は、画像不良の発生を抑制することができる。
【実施例】
【０２１５】
以下、実施例を用いて本発明を更に具体的に説明する。なお、本発明は実施例の範囲に何ら限定されない。
【０２１６】
［１．材料の調製］
電荷発生剤、正孔輸送剤、及びバインダー樹脂を用いて、感光体（Ａ−１）〜（Ａ−１６）、及び（Ｂ−１）〜（Ｂ−４）を作製した。
【０２１７】
［１−１．電荷発生剤の調製］
感光体（Ａ−１）〜（Ａ−１６）、及び感光体（Ｂ−１）〜（Ｂ−４）の作製には、Ｙ型チタニルフタロシアニン（以下、電荷発生剤（Ｙ−ＴｉＯＰｃ）と記載することがある）を用いた。
【０２１８】
［１−２．正孔輸送剤の調製］
感光体（Ａ−１）〜（Ａ−１６）、及び感光体（Ｂ−２）〜（Ｂ−４）の作製には、正孔輸送剤として第一実施形態で上述したトリアリールアミン誘導体（ＨＴＭ−１）〜（ＨＴＭ−７）の何れかを用いた。これらのトリアリールアミン誘導体の合成方法については後述する。また、感光体（Ｂ−１）の作製には、式（ＨＴＭ−８）で表される正孔輸送剤（以下、正孔輸送剤（ＨＴＭ−８）と記載することがある）を用いた。
【０２１９】
【化３２】
0006524891.tif 000033
【０２２０】
［１−２−１．トリアリールアミン誘導体（ＨＴＭ−１）の調製］
反応式（Ｒ−５）〜（Ｒ−１０）で表される反応を行って、トリアリールアミン誘導体（ＨＴＭ−１）を合成した。
【０２２１】
【化３３】
0006524891.tif 000034
【０２２２】
【化３４】
0006524891.tif 000035
【０２２３】
【化３５】
0006524891.tif 000036
【０２２４】
まず、反応式（Ｒ−５）で表される反応を行った。詳しくは、２００ｍＬ容のフラスコに式（９）で表されるベンゼン誘導体１６．１ｇ（０．１モル）と、式（１０）で表される亜リン酸トリエチル２５ｇ（０．１５モル）とを投入した。これを、１８０℃で加熱しながら８時間攪拌した。次いで、室温まで冷却した後、過剰な亜リン酸トリエチルを減圧留去して、式（１１）で表されるホスホナート誘導体（白色液体）２４．１ｇ（収率：９２％）を得た。
【０２２５】
そして、反応式（Ｒ−６）で表される反応を行った。詳しくは、内温を０℃に調節した５００ｍＬの２口フラスコに、式（１１）で表されるホスホナート誘導体１３．０ｇ（０．０５モル）を投入し、アルゴンガス置換を行った。ここに、乾燥させたテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）１００ｍＬと、ナトリウムメトキシドのメタノール溶液（濃度２８質量％）９．３ｇ（０．０５モル）とを加え、０℃で３０分間攪拌した。この反応液に混合液を投入し、室温で１２時間攪拌した。混合液は、式（１２）で表されるシンナムアルデヒド６．２ｇ（０．０５モル）を乾燥ＴＨＦ３００ｍＬに溶解させて調製した。
【０２２６】
その後、反応液をイオン交換水に注ぎ、トルエンにて抽出して有機相（トルエン相）を得た。この有機相をイオン交換水にて５回洗浄した。次いで、有機相を無水硫酸ナトリウムで乾燥させた後、溶剤を留去して残渣を得た。その後、残渣を溶剤（トルエン２０ｍＬとメタノール１００ｍＬとの混合溶剤）で再結晶させることにより精製し、式（１３）で表されるスチルベン誘導体（白色結晶）１０ｇ（収率：９２％）を得た。
【０２２７】
次いで、反応式（Ｒ−７）で表される反応を行った。具体的には、２００ｍＬ容のフラスコに式（１４）で表されるジブロモブテン１６．１ｇ（０．０７５モル）と、式（１０）で表される亜リン酸トリエチル２５ｇ（０．１５モル）とを投入した。これを、１８０℃で加熱しながら８時間攪拌した。次いで、室温まで冷却した後、過剰な亜リン酸トリエチルを減圧留去して、式（１５）で表されるホスホナート誘導体（無色液体）２２．５ｇ（収率：９１％）を得た。
【０２２８】
次いで、反応式（Ｒ−８）で表される反応を行った。詳しくは、内温を０℃に調節した５００ｍＬの２口フラスコに、式（１５）で表されるホスホナート誘導体８．０ｇ（０．０２４モル）を投入し、アルゴンガス置換を行った。ここに、乾燥させたテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）１００ｍＬと、ナトリウムメトキシドのメタノール溶液（濃度２８質量％）９．３ｇ（０．０５モル）とを加え、０℃で３０分間攪拌した。この反応液に、式（１６）で表されるクロロベンズアルデヒド７．０ｇ（０．０５モル）を乾燥ＴＨＦ３００ｍＬに溶解させた混合液を投入し、室温で１２時間攪拌した。
【０２２９】
その後、反応液をイオン交換水に注ぎ、トルエンにて抽出して有機相（トルエン相）を得た。この有機相をイオン交換水にて５回洗浄した。次いで、有機相を無水硫酸ナトリウムで乾燥させた後、溶剤を留去して残渣を得た。その後、残渣を溶剤（トルエン２０ｍＬとメタノール１００ｍＬとの混合溶剤）で再結晶させることにより精製し、式（１７）で表されるスチルベン誘導体（白色結晶）２．０ｇ（収率：２７％）を得た。
【０２３０】
次いで、反応式（Ｒ−９）にて表される反応を行った。詳しくは、２Ｌ容の３口のフラスコに、式（１８）で表されるアニリン誘導体２．７ｇ（０．０２モル）と、式（１９）で表されるスチルベン誘導体４．９ｇ（０．０２モル）と、トリシクロヘキシルホスフィン（Ｐｃｙ３）０．０７２ｇ（０．００２０４９モル）と、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（Ｐｄ2（ｄｂａ）3）０．０４７ｇ（０．００００５１２３モル）とナトリウム−ｔｅｒｔ−ブトキシド（ｔ−ＢｕＯＮａ）２ｇ（０．０２１モル）とを投入した。更に、蒸留したｏ−キシレンを１００ｍＬ加えた。その後、アルゴンガス置換を行い、１２０℃で攪拌しつつ５時間反応を行った。
【０２３１】
次に、反応液（反応生成物とｏ−キシレンとを含む溶液）を室温まで冷却し、有機相を得た。この有機相をイオン交換水を用いて３回洗浄した。更に、有機相に対し、無水硫酸ナトリウム及び活性白土を用いて、乾燥及び吸着処理を行った。その後、ｏ−キシレンを減圧留去し残渣を得た。
【０２３２】
得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：クロロホルムとヘキサンとの混合溶媒）を用いて精製し、式（２０）で表される中間体６．１ｇ（収率：８６％）を得た。
【０２３３】
次いで、反応式（Ｒ−１０）で表される反応を行った。詳しくは、３口フラスコに、式（２０）で表される中間体３．３ｇ（０．０１モル）と、トリシクロヘキシルホスフィン０．０３５ｇ（０．００００９９６７モル）と、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム０．０４６ｇ（０．００００４９８３モル）と、ナトリウム−ｔｅｒｔ−ブトキシド（ｔ−ＢｕＯＮａ）１．０ｇ（０．０１モル）と、式（１７）で表されるスチルベン誘導体１．５ｇ（０．０５モル）とを投入した。更に、蒸留したｏ−キシレン２００ｍＬを加えた。その後、アルゴンガス置換を行い、１２０℃で攪拌しつつ５時間反応を行った。
【０２３４】
次いで、反応液を室温まで冷却し有機相を得た。得られた有機相をイオン交換水で３回洗浄し、更に、無水硫酸ナトリウム及び活性白土を用いて乾燥及び吸着処理を行った。その後、ｏ−キシレンを減圧留去し残渣を得た。
【０２３５】
得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：クロロホルムとヘキサンとの混合溶媒）を用いて精製し、トリアリールアミン誘導体（ＨＴＭ−１）３．４ｇを得た（収率：７５％）。
【０２３６】
トリアリールアミン誘導体（ＨＴＭ−１）をプロトン核磁気共鳴分光計（1Ｈ−ＮＭＲ、３００ＭＨｚ）によって測定した。溶媒として重水素化クロロホルム（ＣＤＣｌ3）を用いた。内部標準物質としてテトラメチルシラン（ＴＭＳ）を用いた。得られたトリアリールアミン誘導体（ＨＴＭ−１）の1Ｈ−ＮＭＲスペクトルを図２に示す。1Ｈ−ＮＭＲスペクトルによりトリアリールアミン誘導体（ＨＴＭ−１）が式（ＨＴＭ−１）で表される構造を有することを確認した。
【０２３７】
［１−２−２．トリアリールアミン誘導体（ＨＴＭ−２）の合成］
反応式（Ｒ−１１）及び（Ｒ−１２）で表される反応を行って、トリアリールアミン誘導体（ＨＴＭ−２）を合成した。
【０２３８】
【化３６】
0006524891.tif 000037
【０２３９】
詳しくは、式（１９）で表されるスチルベン誘導体に代えて式（２２）で表されるベンゼン誘導体を用い、更に式（１８）で表されるアニリン誘導体に代えて式（２１）で表されるアニリン誘導体を用い、反応式（Ｒ−９）に代えて反応式（Ｒ−１１）で表される反応を行った。その結果、式（２３）にて表される中間体を得た（収率：８５％）。次いで、式（１７）で表されるスチルベン誘導体を用いて反応式（Ｒ−１０）で表される反応と同様にして、反応式（Ｒ−１２）で表される反応を行った。その結果、トリアリールアミン誘導体（ＨＴＭ−２）を得た（収率：７７％）。トリアリールアミン誘導体（ＨＴＭ−２）の1Ｈ−ＮＭＲスペクトル（溶媒：ＣＤＣｌ3、内部標準物質：ＴＭＳ）を図４に示す。1Ｈ−ＮＭＲスペクトルによりトリアリールアミン誘導体（ＨＴＭ−２）が式（ＨＴＭ−２）で表される構造を有することを確認した。
【０２４０】
［１−２−３．トリアリールアミン誘導体（ＨＴＭ−３）の合成］
反応式（Ｒ−１３）〜（Ｒ−１６）で表される反応を行って、トリアリールアミン誘導体（ＨＴＭ−３）を合成した。
【０２４１】
【化３７】
0006524891.tif 000038
【０２４２】
【化３８】
0006524891.tif 000039
【０２４３】
まず、反応式（Ｒ−５）で表される反応と同様の手法により式（Ｒ−１３）で表される反応を実行した。次いで、式（１２）で表されるベンズアルデヒドに代えて式（１２−２）で表されるシンナムアルデヒド誘導体を用い、反応式（Ｒ−６）に代えて反応式（Ｒ−１４）で表される反応を行った。その結果、式（２４）で表されるスチルベン誘導体を得た（収率：７０％）。
【０２４４】
次いで、反応式（Ｒ−９）で表される反応と同様の手法により、反応式（Ｒ−１５）で表される反応を行った。その結果、式（２０）で表される中間体を得た（収率：８５％）。次いで、式（１７）で表されるスチルベン誘導体に代えて式（２４）で表されるスチルベン誘導体を用い、反応式（Ｒ−１０）に代えて反応式（Ｒ−１６）で表される反応を行った。その結果、トリアリールアミン誘導体（ＨＴＭ−３）を合成した（収率：８０％）。トリアリールアミン誘導体（ＨＴＭ−３）の1Ｈ−ＮＭＲスぺクトル（溶媒：ＣＤＣｌ3、内部標準物質：ＴＭＳ）を図５に示す。1Ｈ−ＮＭＲスペクトルによりトリアリールアミン誘導体（ＨＴＭ−３）が式（ＨＴＭ−３）で表される構造を有することを確認した。
【０２４５】
［１−２−４．トリアリールアミン誘導体（ＨＴＭ−４）の合成］
反応式（Ｒ−１７）及び（Ｒ−１８）で表される反応を行って、トリアリールアミン誘導体（ＨＴＭ−４）を合成した。
【０２４６】
【化３９】
0006524891.tif 000040
【０２４７】
まず、反応式（Ｒ−９）と同様の手法により反応式（Ｒ−１７）で表される反応を行った。その結果、式（２０）で表される中間体（２０）を得た（収率：８０％）。次いで、式（１７）で表されるスチルベン誘導体に代えて式（２４）で表されるスチルベン誘導体を用い、反応式（Ｒ−１０）に代えて反応式（Ｒ−１８）で表される反応を行った。その結果、トリアリールアミン誘導体（ＨＴＭ−４）を合成した（収率：８０％）。トリアリールアミン誘導体（ＨＴＭ−４）の1Ｈ−ＮＭＲスペクトル（溶媒：ＣＤＣｌ3、内部標準物質：ＴＭＳ）を図６に示す。1Ｈ−ＮＭＲスペクトルによりトリアリールアミン誘導体（ＨＴＭ−４）が式（ＨＴＭ−４）で表される構造を有することを確認した。
【０２４８】
［１−２−５．トリアリールアミン誘導体（ＨＴＭ−５）の合成］
反応式（Ｒ−１９）〜（Ｒ−２２）で表される反応を行って、式（ＨＴＭ−５）を合成した。
【０２４９】
【化４０】
0006524891.tif 000041
【０２５０】
【化４１】
0006524891.tif 000042
【０２５１】
まず、反応式（Ｒ−５）で表される反応と同様にして反応式（Ｒ−１９）で表される反応を行った。その結果、式（１１）で表されるホスホナート誘導体を得た。次いで、式（１２）で表されるアルデヒド誘導体に代えて式（１６）で表されるアルデヒド誘導体を用い、反応式（Ｒ−６）に代えて反応式（Ｒ−２０）で表される反応を行った。その結果、式（２５）で表されるスチルベン誘導体を得た（収率：７５％）。
【０２５２】
次いで、反応式（Ｒ−９）で表される反応に代えて式（Ｒ−２１）で表される反応を行った。その結果、式（２０）で表される中間体を得た（収率：８５％）。その後、式（１７）で表されるスチルベン誘導体に代えて式（２５）で表されるスチルベン誘導体を用い、反応式（Ｒ−１０）に代えて反応式（Ｒ−２２）で表される反応を行った。その結果、トリアリールアミン誘導体（ＨＴＭ−５）を合成した（収率：８５％）。トリアリールアミン誘導体（ＨＴＭ−５）の1Ｈ−ＮＭＲスペクトル（溶媒：ＣＤＣｌ3、内部標準物質：ＴＭＳ）を図７に示す。1Ｈ−ＮＭＲスペクトルによりトリアリールアミン誘導体（ＨＴＭ−５）が式（ＨＴＭ−５）で表される構造を有することを確認した。
【０２５３】
［１−２−６．トリアリールアミン誘導体（ＨＴＭ−６）の合成］
反応式（Ｒ−２３）及び（Ｒ−２４）で表される反応を行って、トリアリールアミン誘導体（ＨＴＭ−６）を合成した。
【０２５４】
【化４２】
0006524891.tif 000043
【０２５５】
反応式（Ｒ−９）で表される反応と同様にして、反応式（Ｒ−２３）で表される反応を行った。その結果、式（２０）で表される中間体を得た（収率：８３％）。次いで、式（１７）で表されるスチルベン誘導体に代えて式（２５）で表されるスチルベン誘導体を用い、反応式（Ｒ−１０）に代えて反応式（Ｒ−２４）で表される反応を行った。その結果、トリアリールアミン誘導体（ＨＴＭ−６）を合成した（収率：８５％）。トリアリールアミン誘導体（ＨＴＭ−６）の1Ｈ−ＮＭＲスペクトル（溶媒：ＣＤＣｌ3、内部標準物質：ＴＭＳ）を図８に示す。1Ｈ−ＮＭＲスペクトルによりトリアリールアミン誘導体（ＨＴＭ−６）が式（ＨＴＭ−６）で表される構造を有することを確認した。
【０２５６】
［１−２−７．トリアリールアミン誘導体（ＨＴＭ−７）の合成］
反応式（Ｒ−２５）〜（Ｒ−２８）で表される反応を行って、トリアリールアミン誘導体（ＨＴＭ−７）を合成した。
【０２５７】
【化４３】
0006524891.tif 000044
【０２５８】
【化４４】
0006524891.tif 000045
【０２５９】
式（９）で表されるベンゼン誘導体に代えて式（２６）で表されるベンゼン誘導体を用い、反応式（Ｒ−９）に代えて反応式（Ｒ−２５）で表される反応を行った。その結果、式（２７）で表されるホスホナート誘導体を得た。
【０２６０】
次いで、式（１２）で表されるベンズアルデヒドに代えて式（１２−２）で表されるシンナムアルデヒドを用い、反応式（Ｒ−６）に代えて反応式（Ｒ−２６）で表される反応を行った。その結果、式（２８）で表されるスチルベン誘導体を得た。
【０２６１】
次いで、式（１９）で表されるスチルベン誘導体に代えて式（２８）で表されるスチルベン誘導体を用い、反応式（Ｒ−９）に代えて反応式（Ｒ−２７）で表される反応を行った。その結果、式（２９）で表される中間体を得た（収率：７５％）。次いで、式（１７）で表されるスチルベン誘導体に代えて式（２４）で表されるスチルベン誘導体を用い、反応式（Ｒ−１０）で表される反応に代えて反応式（Ｒ−２８）で表される反応を行った。その結果、トリアリールアミン誘導体（ＨＴＭ−７）を合成した（収率：７３％）。
【０２６２】
［１−３．バインダー樹脂の調製］
感光体（Ａ−１）〜（Ａ−１６）及び（Ｂ−１）〜（Ｂ−４）の調製には、バインダー樹脂として、ポリカーボネート樹脂（Ｒｅｓｉｎ−１）〜（Ｒｅｓｉｎ−８）の何れかを用いた。
【０２６３】
［２．感光体の作製］
［２−１．感光体（Ａ−１）の製造］
（２−１−１．下引き層の形成）
始めに、下引き層用塗布液を調製した。具体的には、アルミナとシリカで表面処理後、湿式分散しながらメチルハイドロジェンポリシロキサンにて表面処理した酸化チタン（テイカ株式会社製「試作品ＳＭＴ−Ａ」、数平均一次粒径１０ｎｍ）（２質量部）と、６，１２，６６，６１０四元共重合ポリアミド樹脂（東レ株式会社製「アミラン（登録商標）ＣＭ８０００」）（１質量部）とをメタノール（１０質量部）、ブタノール（１質量部）及びトルエン（１質量部）からなる混合溶剤にビーズミルを用いて混合して５時間分散させた。その結果、下引き層用塗布液を得た。
【０２６４】
次に、下引き層を形成した。具体的には、得られた下引き層用塗布液を５μｍのフィルターにてろ過後、導電性基体としてのアルミニウム製のドラム状支持体（直径３０ｍｍ、全長２４６ｍｍ）にディップコート法にて塗布した。１３０℃で３０分間熱処理し、膜厚０．５μｍの下引き層を形成した。
【０２６５】
（２−１−２．電荷発生層の形成）
次に、電荷発生層用塗布液を調製した。具体的には、容器内に、電荷発生剤（Ｙ−ＴｉＯＰｃ）１．５質量部と、ベース樹脂としてのポリビニルアセタール樹脂（積水化学工業株式会社製「エスレックＢＸ−５」）１質量部と、分散媒としてのプロピレングリコールモノメチルエーテル４０質量部と、テトラヒドロフラン４０質量部とを混合し、ビーズミルにて２時間分散させた。その結果、電荷発生層用塗布液を得た。次に、得られた電荷発生層用塗布液を３μｍのフィルターにてろ過後、上記で作製した下引き層上にディップコート法にて塗布し、５０℃で１０分間乾燥させて、膜厚０．３μｍの電荷発生層を形成した。
【０２６６】
（２−１−３．電荷輸送層の形成）
次に、電荷輸送層形成用塗布液を調製した。具体的には、正孔輸送剤としてのトリアリールアミン誘導体（ＨＴＭ−１）４５質量部と、添加剤としてのメタターフェニル１３質量部と、バインダー樹脂（Ｒｅｓｉｎ−１）（粘度平均分子量５０，１００）１００質量部と、溶剤としての混合溶媒６３０質量部とを投入した。混合溶媒は、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）５０４質量部及びトルエン１２６質量部の混合溶媒であった。混合溶媒における各溶媒の比率（ＴＨＦ／トルエン（質量比））は、５０４質量部／１２６質量部、すなわち８／２であった。ボールミルを用いて、これらを混合して分散し、電荷輸送層用塗布液を調製した。
【０２６７】
ディップコート法を用いて、上記で作製した電荷発生層上に電荷輸送層用塗布液を塗布し、電荷発生層上に塗布膜を形成した。続いて、１１０℃で６０分間乾燥した。これにより、電荷発生層上に膜厚２０μｍの電荷輸送層を形成した。その結果、導電性基体上に下引き層、電荷発生層、及び電荷輸送層を備える感光体（Ａ−１）を得た。
【０２６８】
［２−２．感光体（Ａ−２）〜（Ａ−１６）及び（Ｂ−１）〜（Ｂ−４）の調製］
以下の点を変更した以外は、感光体（Ａ−１）の調製と同様の方法で、感光体（Ａ−２）〜（Ａ−１６）及び（Ｂ−１）〜（Ｂ−４）を調製した。感光体（Ａ−１）の調製に用いたトリアリールアミン誘導体（ＨＴＭ−１）、トリアリールアミン誘導体（ＨＴＭ−１）の含有量、及びバインダー樹脂（Ｒｅｓｉｎ−１）に代えて、各々、後述の表１及び表２に示す種類の正孔輸送剤、表１及び表２に示す含有量の正孔輸送剤、及び表１及び表２に示す種類のバインダー樹脂を用いた。
【０２６９】
［３．感光体の性能評価］
感光体（Ａ−１）〜（Ａ−１６）及び（Ｂ−１）〜（Ｂ−４）の何れかに対し、下記のような評価を行った。
【０２７０】
［３−１．感光体の耐摩耗性の評価］
感光体（Ａ−１）〜（Ａ−１６）及び感光体（Ｂ−１）〜（Ｂ−４）のうちの何れかの作製にて調製した電荷輸送層用塗布液を、アルミパイプ（直径：７８ｍｍ）に巻きつけたポリプロピレンシート（厚さ：０．３ｍｍ）に塗布した。これを、１２０℃で４０分間乾燥した。これにより、膜厚３０μｍの電荷輸送層が形成された摩耗評価試験用のシートを作製した。
【０２７１】
このポリプロピレンシートから、電荷輸送層を剥離した。剥離した電荷輸送層を、ウィールＳ−３６（テーバー社製）に貼り付け、サンプルを作製した。作製したサンプルをロータリーアブレージョンテスタ（株式会社東洋精機製作所製）にセットし、摩耗輪ＣＳ−１０（テーバー社製）を用いて、荷重５００ｇｆかつ回転速度６０ｒｐｍの条件で１，０００回転させ、耐摩耗性評価試験を実施した。耐摩耗性評価試験前後のサンプルの質量変化である摩耗減量を測定した。得られた摩耗減量に基づいて、感光体の耐摩耗性を評価した。摩耗減量が９．０ｍｇを超えると、感光体の耐摩耗性が不十分であったが、摩耗減量が９．０ｍｇ以下であると、感光体の耐摩耗性が良好であった。
【０２７２】
［３−２．感光体の電気特性（感度特性）の評価］
感光体（Ａ−１）〜（Ａ−１６）及び感光体（Ｂ−１）〜（Ｂ−４）のうちの何れかを、ドラム感度試験機（ジェンテック株式会社製）を用いて、表面電位Ｖ0が−４５０Ｖになるように感光体の表面を帯電させた。次いで、単色光（波長：７８０ｎｍ、露光量：０．２０μＪ／ｃｍ2）をハロゲンランプの光からバンドパスフェルターを用いて取り出し、感光体の表面に照射した。単色光の照射後から４０ミリ秒が経過した後の明部電位を測定した。得られた明部電位を感度電位ＶLとした。測定環境は、温度１０℃かつ湿度１０％ＲＨとした。
【０２７３】
得られた感度電位ＶLに基づいて、感光体の感度特性を評価した。感度電位ＶLが−１００Ｖより小さい場合は、感光体の感度特性が不十分であり、感度電位が−１００Ｖ以上である場合は、感光体の感度特性が良好であった。
【０２７４】
表１中「質量の比率」は、電荷輸送層におけるバインダー樹脂１００質量部に対する正孔輸送剤の含有量（質量部）の比率を示す。
【０２７５】
【表１】
0006524891.tif 000046
【０２７６】
【表２】
0006524891.tif 000047
【０２７７】
表１に示すように、感光体（Ａ−１）〜（Ａ−１６）では、電荷輸送層が正孔輸送剤としてトリアリールアミン誘導体（ＨＴＭ−１）〜（ＨＴＭ−７）の何れかが含有されていた。電荷輸送層は、バインダー樹脂としてポリカーボネート樹脂（Ｒｅｓｉｎ−１）〜（Ｒｅｓｉｎ−８）の何れかを含有していた。正孔輸送剤の含有量は、電荷輸送層においてバインダー樹脂１００質量部に対して３５質量部以上５５質量部以下であった。表２に示すように、摩耗減量は５．２ｍｇ以上８．７ｍｇ以下であった。感度電位ＶLは、−９８Ｖ以上−６０Ｖ以下であった。
【０２７８】
表１に示すように、感光体（Ｂ−１）では、電荷輸送層は正孔輸送剤としてトリアリールアミン誘導体（ＨＴＭ−８）を含有していた。トリアリールアミン誘導体（ＨＴＭ−８）は、一般式（１）又は（２）で表されるトリアリールアミン誘導体ではなかった。感光体（Ｂ−２）、（Ｂ−３）及び（Ｂ−４）では、正孔輸送層の含有量は、それぞれバインダー樹脂１００質量部に対して６５質量部、８０質量部、及び２８質量部であった。表２に示すように、感光体（Ｂ−１）及び（Ｂ−４）では、感度電位ＶLはそれぞれ−１０５Ｖ及び−１２０Ｖであった。感光体（Ｂ−２）及び（Ｂ−３）では、それぞれ摩耗減量は１０．１ｍｇ及び１２．１ｍｇ以下であった。
【０２７９】
以上から、感光体（Ａ−１）〜（Ａ−１６）は、感光体（Ｂ−１）〜（Ｂ−４）に比べ、耐摩耗性及び電気特性を両立していた。なお、感光体（Ａ−４）、（Ａ−８）、及び（Ａ−９）では、正孔輸送剤の含有量が減少するにつれ耐摩耗性が向上し、正孔輸送剤の含有量が増加するにつれ電気特性が向上する傾向が見られた。
【０２８０】
以上から、本発明に係る感光体は、耐摩耗性及び電気特性を両立できることが示された。
【産業上の利用可能性】
【０２８１】
本発明に係る感光体は、電子写真感光体として好適に使用できる。
【符号の説明】
【０２８２】
１      積層型電子写真感光体（像担持体）
３      感光層
３ａ    電荷発生層
３ｂ    電荷輸送層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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