(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
主面を有する基板と、
前記主面の上に形成された第１電極膜と、
前記第１電極膜から間隔を空けて前記主面の上に形成された第２電極膜と、
前記主面の上において前記第１電極膜および前記第２電極膜の間の領域に形成された中間電極膜と、
前記主面において前記第１電極膜および前記中間電極膜の間の領域に互いに間隔を空けて形成され、前記第１電極膜および前記中間電極膜の対向方向に沿ってストライプ状に延びる第１内部電極形成用トレンチおよび第２内部電極形成用トレンチ、前記第１内部電極形成用トレンチに埋設され、前記第１電極膜に電気的に接続された第１内部電極、および、前記第２内部電極形成用トレンチに埋設され、前記中間電極膜に電気的に接続された第２内部電極を含み、前記第１電極膜および前記中間電極膜に電気的に接続されたコンデンサからなる第１受動素子と、
前記基板において前記第２電極膜および前記中間電極膜の間の領域に形成され、前記第２電極膜および前記中間電極膜に電気的に接続された第２受動素子と、
前記第１電極膜に接続された第１外部電極と、
前記第２電極膜に接続された第２外部電極と、を含む、チップ部品。
【請求項２】
主面を有する基板と、
前記主面の上に形成された第１電極膜と、
前記第１電極膜から間隔を空けて前記主面の上に形成された第２電極膜と、
前記主面の上において前記第１電極膜および前記第２電極膜の間の領域に形成された中間電極膜と、
前記主面の上において前記第２電極膜および前記中間電極膜の間の領域に形成された第２中間電極膜と、
前記主面において前記第１電極膜および前記中間電極膜の間の領域に形成されたトレンチ、および、前記トレンチに埋設された導電体を含み、前記第１電極膜および前記中間電極膜に電気的に接続された第１受動素子と、
前記基板において前記中間電極膜および前記第２中間電極膜の間の領域に形成され、前記中間電極膜および前記第２中間電極膜に電気的に接続された第２受動素子と、
前記基板において前記第２電極膜および前記第２中間電極膜の間の領域に形成され、前記第２電極膜および前記第２中間電極膜に電気的に接続された第３受動素子と、
前記第１電極膜に接続された第１外部電極と、
前記第２電極膜に接続された第２外部電極と、を含む、チップ部品。
【請求項３】
前記トレンチは、平面視螺旋状のコイル形成用トレンチを含み、
前記導電体は、前記コイル形成用トレンチに埋設されており、
前記第１受動素子は、コイルである、請求項２に記載のチップ部品。
【請求項４】
前記トレンチは、互いに間隔を空けて形成された第１内部電極形成用トレンチおよび第２内部電極形成用トレンチを含み、
前記導電体は、前記第１内部電極形成用トレンチに埋設され、前記第１電極膜に電気的に接続された第１内部電極、および、前記第２内部電極形成用トレンチに埋設され、前記中間電極膜に電気的に接続された第２内部電極を含み、
前記第１受動素子は、コンデンサである、請求項２に記載のチップ部品。
【請求項５】
前記第１内部電極形成用トレンチおよび前記第２内部電極形成用トレンチは、前記第１電極膜および前記中間電極膜の対向方向に沿って延びるストライプ状に形成されている、請求項４に記載のチップ部品。
【請求項６】
前記第３受動素子は、前記第１受動素子および前記第２受動素子とは異なる受動素子からなる、請求項２〜５のいずれか一項に記載のチップ部品。
【請求項７】
前記第２受動素子は、前記第１受動素子とは異なる受動素子からなる、請求項１〜６のいずれか一項に記載のチップ部品。
【請求項８】
前記第１電極膜および前記主面の間、前記第２電極膜および前記主面の間、ならびに、前記中間電極膜および前記主面の間に介在し、前記第１受動素子を被覆する主面絶縁膜をさらに含む、請求項１〜７のいずれか一項に記載のチップ部品。
【請求項９】
前記中間電極膜に接続された中間外部電極をさらに含む、請求項１〜８のいずれか一項に記載のチップ部品。
【請求項１０】
主面を有する基板と、
前記主面の上に形成された第１電極膜と、
前記第１電極膜から間隔を空けて前記主面の上に形成された第２電極膜と、
前記主面において前記第１電極膜および前記第２電極膜の間の領域に形成されたトレンチ、および、前記トレンチに埋設された導電体を含み、前記第１電極膜に電気的に接続された一端および前記第２電極膜に電気的に接続された他端を有する第１受動素子と、
前記基板における前記第１電極膜および前記第２電極膜の間の領域において前記第１電極膜および前記第２電極膜の対向方向に交わる方向に前記第１受動素子から間隔を空けて形成され、前記第１電極膜に電気的に接続された一端および前記第２電極膜に電気的に接続された他端を有する第２受動素子と、
前記第１電極膜に接続された第１外部電極と、
前記第２電極膜に接続された第２外部電極と、を含む、チップ部品。
【請求項１１】
前記トレンチは、平面視螺旋状のコイル形成用トレンチを含み、
前記導電体は、前記コイル形成用トレンチに埋設されており、
前記第１受動素子は、コイルである、請求項１０に記載のチップ部品。
【請求項１２】
前記トレンチは、互いに間隔を空けて形成された第１内部電極形成用トレンチおよび第２内部電極形成用トレンチを含み、
前記導電体は、前記第１内部電極形成用トレンチに埋設され、前記第１電極膜に電気的に接続された第１内部電極、および、前記第２内部電極形成用トレンチに埋設され、前記第２電極膜に電気的に接続された第２内部電極を含み、
前記第１受動素子は、コンデンサである、請求項１０に記載のチップ部品。
【請求項１３】
前記第１内部電極形成用トレンチおよび前記第２内部電極形成用トレンチは、前記第１電極膜および前記第２電極膜の対向方向に沿って延びるストライプ状に形成されている、請求項１２に記載のチップ部品。
【請求項１４】
前記第２受動素子は、前記第１受動素子とは異なる受動素子からなる、請求項１０〜１３のいずれか一項に記載のチップ部品。
【請求項１５】
前記基板における前記第１電極膜および前記第２電極膜の間の領域において前記第１電極膜および前記第２電極膜の対向方向に交わる方向に前記第１受動素子および前記第２受動素子から間隔を空けて形成され、前記第１電極膜に電気的に接続された一端および前記第２電極膜に電気的に接続された他端を有する第３受動素子をさらに含む、請求項１０〜１４のいずれか一項に記載のチップ部品。
【請求項１６】
前記第３受動素子は、前記第１受動素子および前記第２受動素子とは異なる受動素子からなる、請求項１５に記載のチップ部品。
【請求項１７】
前記第１電極膜および前記主面の間、ならびに、前記第２電極膜および前記主面の間に介在し、前記第１受動素子を被覆する主面絶縁膜をさらに含む、請求項１０〜１６のいずれか一項に記載のチップ部品。
【請求項１８】
主面を有する基板と、
前記主面の上に形成された第１電極膜と、
前記第１電極膜から間隔を空けて前記主面の上に形成された第２電極膜と、
前記主面において前記第１電極膜および前記第２電極膜の間の領域に形成されたトレンチに埋設された第１導電体を含み、前記第１電極膜および前記第２電極膜に電気的に接続された第１受動素子と、
前記第１受動素子を覆うように前記主面の上に形成された第１絶縁膜と、
前記第１絶縁膜を挟んで前記第１受動素子と対向するように前記第１絶縁膜の上に積層配置された第２導電体を含み、前記第１受動素子に電気的に並列接続された第２受動素子と、
前記第１電極膜に接続された第１外部電極と、
前記第２電極膜に接続された第２外部電極と、を含む、チップ部品。
【請求項１９】
主面を有する基板と、
前記主面の上に形成された第１電極膜と、
前記第１電極膜から間隔を空けて前記主面の上に形成された第２電極膜と、
前記主面において前記第１電極膜および前記第２電極膜の間の領域に形成されたトレンチに埋設された第１導電体を含み、前記第１電極膜および前記第２電極膜に電気的に接続された第１受動素子と、
前記第１受動素子を覆うように前記主面の上に形成された第１絶縁膜と、
前記第１絶縁膜を挟んで前記第１受動素子と対向するように前記第１絶縁膜の上に積層配置された第２導電体を含み、前記第１受動素子に電気的に並列接続された第２受動素子と、
前記第２受動素子を覆うように前記第１絶縁膜の上に形成された第２絶縁膜と、
前記第２絶縁膜を挟んで前記第２受動素子と対向するように前記第２絶縁膜の上に積層配置された第３導電体を含み、前記第２受動素子に電気的に並列接続された第３受動素子と、
前記第１電極膜に接続された第１外部電極と、
前記第２電極膜に接続された第２外部電極と、を含む、チップ部品。
【請求項２０】
基板と、
前記基板上に互いに間隔を空けて形成された第１電極および第２電極と、
前記第１電極および前記第２電極の間に形成され、前記第１電極および前記第２電極の対向方向に交わる方向に並んで配置された第１受動素子、第２受動素子および第３受動素子を含む回路網と、を含み、
前記第１受動素子は、前記基板に形成された第１トレンチに埋設された第１導電体を含み、前記第１電極に電気的に接続可能な一端および前記第２電極に電気的に接続可能な他端を有しており、
前記第２受動素子は、前記第１トレンチ外の前記基板上に形成された第２導電体を含み、前記第１電極に電気的に接続可能な一端および前記第２電極に電気的に接続可能な他端を有しており、
前記第３受動素子は、前記基板に形成された第２トレンチに埋設された第３導電体を含み、前記第１電極に電気的に接続可能な一端および前記第２電極に電気的に接続可能な他端を有しており、
前記第１受動素子、前記第２受動素子および前記第３受動素子の各前記一端のうち、少なくとも二つの前記一端を前記基板上で接続し、前記第１電極に電気的に接続される第１内部接続部と、
前記第１受動素子、前記第２受動素子および前記第３受動素子の各前記他端のうち、少なくとも二つの前記他端を前記基板上で接続し、前記第２電極に電気的に接続される第２内部接続部と、を含む、チップ部品。
【請求項２１】
前記第２トレンチは、平面視螺旋状のコイル形成用トレンチを含み、
前記第３受動素子は、前記コイル形成用トレンチに埋設された前記第３導電体を含むコイルである、請求項２０に記載のチップ部品。
【請求項２２】
前記第２トレンチは、第１内部電極膜形成用トレンチと、平面視において、前記第１内部電極膜形成用トレンチから間隔を空けて形成された第２内部電極膜形成用トレンチとを含み、
前記第３受動素子は、前記第１内部電極膜形成用トレンチに埋設された前記第３導電体により形成された第１内部電極と、前記第２内部電極膜形成用トレンチに埋設された前記第３導電体により形成された第２内部電極とを含むコンデンサである、請求項２０に記載のチップ部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板上に受動素子が形成されたチップ部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、基板上に導体パターンが螺旋状に形成されたインダクタが開示されている。特許文献１記載の螺旋状の導体パターンは、基板上に導体膜を形成した後、エッチングによって導体膜を螺旋状にパターニングすることにより形成されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平９−１９９３６５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の一つの目的は、共通の基板上に複数の受動素子を含むチップ部品を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記目的を達成するための一局面に係るチップ部品は、基板と、前記基板上に互いに間隔を空けて形成された第１電極および第２電極と、前記第１電極および前記第２電極の間に形成された回路網とを含み、前記回路網は、前記基板に形成された第１トレンチに埋設された第１導電体を含む第１受動素子と、前記第１トレンチ外の前記基板上に形成された第２導電体を含む第２受動素子とを含む。
【０００６】
この構成によれば、基板に形成された第１トレンチに埋設された第１導電体を利用して第１受動素子が形成され、基板上の第２導電体を用いて第２受動素子が形成されている。このように、基板の内部領域と、基板の表面上の領域とを第１受動素子および第２受動素子をそれぞれ形成するための領域として活用することにより、共通の基板上に複数の受動素子を有するチップ部品を提供できる。しかも、基板の内部領域および基板の表面上の領域をそれぞれ利用して第１受動素子および第２受動素子を形成できるので、それらの受動素子の設計自由度を高めることができる。
【０００７】
具体的には、第１受動素子および第２受動素子のそれぞれの配置や、第１受動素子および第２受動素子と第１電極および第２電極との接続態様等に関して、大きな自由度を確保できる。これにより、たとえば、第１電極および第２電極との間に接続される回路網は、第１受動素子および第２受動素子が直列接続された回路や、第１受動素子および第２受動素子が並列接続された回路を有することができる。これにより、第１受動素子および第２受動素子を有する回路網を含む複合素子型のチップ部品を提供できる。
【０００８】
前記第１トレンチは、平面視螺旋状の第１コイル形成用トレンチを含んでいてもよく、前記第１受動素子は、前記第１コイル形成用トレンチに埋設された前記第１導電体を含む第１コイルであってもよい。
この構成によれば、平面視螺旋状の第１コイル形成用トレンチを利用して基板内に形成された第１コイルを含む複数の受動素子を共通の基板上に有するチップ部品を提供できる。また、基板表面上の導体膜でコイルを形成する場合に比較して、トレンチ内の第１導電体を利用して形成された第１コイルの巻線は、大きな断面積（巻線の螺旋方向に直交する断面積）を有することができるので、第１コイルの内部抵抗を低減できる。これにより、第１コイルのＱ値（Quality factor）を向上できる。したがって、優れた特性のコイルを含む複数の受動素子を共通の基板上に有するチップ部品を提供できる。また、基板に第１コイル形成用トレンチを形成し、第１コイル形成用トレンチ内に導電体を埋設することによって第１コイルの巻線を形成できるので、第１コイルの製造が容易である。
【０００９】
前記第１トレンチは、第１内部電極形成用トレンチと、平面視において、前記第１内部電極形成用トレンチから間隔を空けて形成された第２内部電極形成用トレンチとを含んでいてもよい。この場合に、前記第１受動素子は、前記第１内部電極形成用トレンチに埋設された前記第１導電体により形成された第１内部電極と、前記第２内部電極形成用トレンチに埋設された前記第１導電体により形成された第２内部電極とを含む第１コンデンサであってもよい。
【００１０】
この構成によれば、第１内部電極形成用トレンチおよび第２内部電極形成用トレンチを利用して基板内部に形成された第１コンデンサを含む複数の受動素子を共通の基板上に有するチップ部品を提供できる。また、この構成によれば、第１内部電極および第２内部電極を、基板の厚さ方向に直交する方向に対向させることができる。したがって、基板の表面の面積を大きくしなくても、第１内部電極および第２内部電極の対向面の面積を大きくすることが可能となる。これにより、チップ部品のサイズを大幅に増加することなく、第１コンデンサの大容量化を図ることができるから、大容量のコンデンサを含む複数の受動素子を共通の基板上に有するチップ部品を提供できる。
【００１１】
前記第１内部電極および前記第２内部電極は、互いに平行な対向面を有していることが好ましい。それにより、基板上で大きな面積を専有することなく第１コンデンサの大容量化を図ることができる。したがって、大容量のコンデンサを含む複数の受動素子を共通の基板上に有し、しかも小型のチップ部品を提供することができる。
前記第２導電体は、抵抗用導電体膜を含んでもよく、前記第２受動素子は、その抵抗用導電体膜を有する抵抗であってもよい。この構成によれば、基板の表面上の抵抗用導電体膜を用いて形成された抵抗を含む複数の受動素子を共通の基板上に有するチップ部品を提供できる。また、基板上に抵抗用導電体膜を形成すればよいので、抵抗の製造が容易であるから、複雑な製造工程を要することなく、抵抗を含む複数の受動素子を共通の基板上に有するチップ部品を製造できる。
【００１２】
前記抵抗用導電体膜は、前記基板上に形成された抵抗膜と、前記抵抗膜上に間隔を空けて形成された複数の導体膜とを含んでいてもよく、この場合に、互いに隣り合う前記導体膜の間から露出する部分の前記抵抗膜が１個の抵抗体を構成してもよい。この構成によれば、互いに隣合う導体膜の間から露出する抵抗膜の形状および／または面積を変更することにより、抵抗体の抵抗値を変更および調節できる。このような抵抗を含むチップ部品によれば、第２受動素子との組み合わせにより、様々な電気的特性を有する電気回路を実現できる。これにより、様々な電気的特性を達成できる複合素子型のチップ部品を製造工程を共通化して製造し、かつ提供できる。
【００１３】
互いに等しい抵抗値を有する複数の前記抵抗体が、前記基板上に行列状に配列されていてもよい。そして、前記第２受動素子は、複数の前記抵抗体の少なくとも１つを、前記第１電極および前記第２電極に電気的に接続し、または前記第１電極および前記第２電極から電気的に分離する溶断可能なヒューズ部をさらに含んでもよい。この構成によれば、チップ部品の基本設計を変更することなく、ヒューズ部の溶断の有無によって、抵抗値を変更および調節できる。これにより、所望の電気的特性に容易に合せ込むことができる複合素子型のチップ部品を提供できる。
【００１４】
前記第２導電体は、第１電極膜を含んでいてもよい。この場合に、前記第２受動素子は、前記第１電極膜と、前記第１電極膜上に形成された第１誘電体膜と、前記第１誘電体膜上に形成された第２電極膜と、を含む第２コンデンサであってもよい。
この構成によれば、第２コンデンサを含む複数の受動素子を共通の基板上に有するチップ部品を提供できる。また、第１電極膜、第１誘電体膜、および第２電極膜を、基板の表面上に順に形成すればよいので、第２コンデンサの製造が容易であり、それに応じて、複合素子型のチップ部品の製造が容易である。
【００１５】
前記第１受動素子および前記第２受動素子は、前記第１電極および前記第２電極の対向方向に並んで配置されていてもよい。また、前記第１受動素子および前記第２受動素子は、前記第１電極および前記第２電極の対向方向に交わる方向に並んで配置されていてもよい。
前記回路網は、前記基板に形成された第２トレンチに埋設された第３導電体を含む第３受動素子をさらに含んでいてもよい。この構成によれば、第１受動素子、第２受動素子、および第３受動素子を含む複合素子型のチップ部品を提供できる。
【００１６】
前記第２トレンチは、平面視螺旋状の第２コイル形成用トレンチを含んでいてもよく、前記第３受動素子は、前記第２コイル形成用トレンチ埋設された前記第３導電体を含む第２コイルであってもよい。この構成によれば、平面視螺旋状の第２コイル形成用トレンチを利用して基板内部に形成された第２コイルを含む複数の受動素子を共通の基板上に有するチップ部品を提供できる。
【００１７】
前記第２トレンチは、第３内部電極形成用トレンチと、平面視において、前記第３内部電極形成用トレンチから間隔を空けて形成された第４内部電極形成用トレンチとを含んでいてもよい、この場合に、前記第３受動素子は、前記第３内部電極形成用トレンチに埋設された前記第３導電体により形成された第３内部電極と、前記第４内部電極形成用トレンチに埋設された前記第３導電体により形成された第４内部電極とを含む第３コンデンサであってもよい。この構成によれば、第３内部電極形成用トレンチおよび第４内部電極形成用トレンチを利用して基板内部に形成された第３コンデンサを含む複数の受動素子を共通の基板上に有するチップ部品を提供できる。
【００１８】
前記第１受動素子、前記第２受動素子および前記第３受動素子は、前記第１電極および前記第２電極の対向方向に並んで配置されていてもよい。この場合、前記第１受動素子、前記第２受動素子および前記第３受動素子は、直列に接続されていてもよい。
前記第１受動素子、前記第２受動素子および前記第３受動素子は、前記第１電極および前記第２電極の対向方向に交わる方向に並んで配置されていてもよい。この場合、前記第１受動素子は、前記第１電極に電気的に接続可能な一端と、前記第２電極に電気的に接続可能な他端とを含み、前記第２受動素子は、前記第１電極に電気的に接続可能な一端と、前記第２電極に電気的に接続可能な他端とを含み、前記第３受動素子は、前記第１電極に電気的に接続可能な一端と、前記第２電極に電気的に接続可能な他端とを含み、前記第１受動素子、前記第２受動素子および前記第３受動素子の各前記一端のうち、少なくとも二つの前記一端を前記基板上で接続し、前記第１電極に電気的に接続される第１内部接続部と、前記第１受動素子、前記第２受動素子および前記第３受動素子の各前記他端のうち、少なくとも二つの前記他端を前記基板上で接続し、前記第２電極に電気的に接続される第２内部接続部とを含んでもよい。
【００１９】
この構成によれば、第１受動素子、第２受動素子、および第３受動素子の接続形態を、第１内部接続部および第２内部接続部によって容易に変更できる。これにより、第１電極および第２電極の間に接続される回路網は、第１受動素子、第２受動素子および第３受動素子を含む直列回路、並列回路、ブリッジ回路等の種々の接続形態をとることができる。
前記チップ部品は、前記第１受動素子を覆うように前記基板上に形成された絶縁膜をさらに含んでいてもよく、この場合に、前記第２受動素子は、前記絶縁膜上に形成されていることが好ましい。この構成によれば、絶縁膜を挟んで、第１受動素子が形成される領域と第２受動素子が形成される領域とを区画できるので、第１受動素子および第２受動素子は、互いに大きな制約を与え合うことなく形成できる。
【００２０】
前記絶縁膜は、平坦な表面を有していることが好ましい。この構成によれば、絶縁膜上に、第２受動素子を良好に形成できる。前記絶縁膜は、ＵＳＧ膜（Undoped Silica Glass膜）またはＳＯＧ膜（Spin-On-Glass膜）を含んでもよい。前記絶縁膜は、８０００Å〜１５０００Åの厚さを有してもよい。
前記第２受動素子は、平面視において、前記第１受動素子が形成された領域と重なる領域に少なくとも一部（一部または全部）が形成されていてもよい。この構成によれば、第１受動素子および第２受動素子が部分的または全体的に積層配置された積層構造を有する複合素子型チップ部品を提供できる。積層構造により、基板の面積を低減できるので、複合素子型でありながら、実装スペースの小さいチップ部品を提供できる。加えて、一枚のベース基板（個片化される前の複数のチップ部品を含む元基板）から得られるチップ部品の数量を増加させることもできる。
【００２１】
上記目的を達成するための他の局面に係るチップ部品は、基板と、前記基板に形成された平面視螺旋状のコイル形成用トレンチに埋設されたコイル用導電体を含むコイルと、前記コイル形成用トレンチ外の前記基板上に形成された抵抗用導電体を含む抵抗とを含む。
この構成によれば、共通の基板上にコイルおよび抵抗が形成されたＬＲ回路を含むチップ部品を提供できる。
【００２２】
前記チップ部品は、前記基板に形成された第１内部電極形成用トレンチに埋設された第１コンデンサ用導電体により形成された第１内部電極と、平面視において、前記第１内部電極形成用トレンチから間隔を空けて前記基板に形成された第２内部電極形成用トレンチに埋設された第２コンデンサ用導電体により形成された第２内部電極と、を含むコンデンサをさらに含んでもよい。
【００２３】
この構成によれば、共通の基板上にコイル、抵抗およびコンデンサが形成されたＬＲＣ回路を含むチップ部品を提供できる。
上記目的を達成するためのさらに他の局面に係るチップ部品は、基板と、前記基板に形成されたトレンチに埋設された第１導電体を含む第１受動素子と、前記第１受動素子を覆うように前記基板上に形成された第１絶縁膜と、前記第１絶縁膜上に形成され、前記第１絶縁膜を挟んで前記第１受動素子上に少なくとも一部が積層配置された第２導電体を含む第２受動素子とを含む。
【００２４】
この構成によれば、第２受動素子の一部または全部が、第１絶縁膜を挟んで第１受動素子上に積層配置された積層構造を有するチップ部品を提供できる。積層構造により、基板の面積を低減できるので、複合素子型チップ部品の実装スペースを削減できる。加えて、一枚のベース基板（個片化される前の複数のチップ部品を含む元基板）から得られるチップ部品の数量を増加させることもできる。
【００２５】
前記チップ部品は、前記第２受動素子を覆うように前記第１絶縁膜上に形成された第２絶縁膜と、前記第２絶縁膜上に形成され、前記第２絶縁膜を挟んで前記第２受動素子上に少なくとも一部が積層配置された第３導電体を含む第３受動素子とをさらに含んでいてもよい。この構成によれば、第３受動素子の一部または全部が、第２絶縁膜を挟んで第２受動素子上に積層配置された積層構造を有するチップ部品を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】図１は、この発明の第１実施形態に係るチップ部品の一部切欠斜視図である。
【図２】図２は、図１に示すチップ部品の平面図である。
【図３】図３は、図１に示すチップ部品に係るコイル領域を示す拡大平面図である。
【図４】図４は、図３に示すIV-IV線に沿う断面図である。
【図５】図５は、図４に示すコイル形成用トレンチの拡大断面図である。
【図６】図６は、図３に示すVI-VI線に沿う断面図である。
【図７】図７は、コイル領域の電気的構造の一例を示す電気回路図である。
【図８】図８は、図１に示すチップ部品に係る第１コンデンサ領域を示す拡大平面図である。
【図９】図９は、図８に示すIX-IX線に沿う断面図である。
【図１０】図１０は、図８に示すX-X線に沿う断面図である。
【図１１】図１１は、図９に示す内部電極形成用トレンチの拡大断面図である。
【図１２】図１２は、図８に示すXII-XII線に沿う断面図である。
【図１３】図１３は、第１コンデンサ領域の電気的構造の一例を示す電気回路図である。
【図１４】図１４は、図１に示すチップ部品に係る抵抗領域を示す拡大平面図である。
【図１５】図１５は、表面絶縁膜上の構造を示す平面図である。
【図１６】図１６は、図１５に示す素子の一部分を拡大した平面図である。
【図１７】図１７は、図１６に示すXVII-XVII線に沿う断面図である。
【図１８】図１８は、図１６に示すXVIII-XVIII線に沿う断面図である。
【図１９】図１９は、抵抗膜ラインおよび導体膜の電気的構造の一例を示す電気回路図である。
【図２０】図２０は、抵抗領域の電気的構造の一例を示す電気回路図である。
【図２１】図２１は、抵抗領域の電気的構造の他の例を示す電気回路図である。
【図２２】図２２は、抵抗領域の電気的構造のさらに他の例を示す電気回路図である。
【図２３】図２３は、図１に示すチップ部品の平面図であって、受動素子および内部電極膜の配置を示す図である。
【図２４】図２４は、図１に示すチップ部品の電気的構造の一例を示す電気回路図である。
【図２５】図２５は、図１に示すチップ部品を実装基板に接続した回路アセンブリの構成を示す断面図である。
【図２６】図２６は、図１に示すチップ部品の製造方法の一例を示すフローチャートである。
【図２７】図２７は、図１に示すチップ部品の元となるベース基板の平面図であり、一部の領域を拡大して示してある。
【図２８】図２８は、この発明の第２実施形態に係るチップ部品の第２コンデンサ領域を示す平面図である。
【図２９】図２９は、図２８に示すXXIX-XXIX線に沿う断面図である。
【図３０】図３０は、図２８に示す第２コンデンサ領域の電気的構造の一例を示す電気回路図である。
【図３１】図３１は、図２８に示すチップ部品の製造方法の一例を示す工程図である。
【図３２】図３２は、この発明の第３実施形態に係るチップ部品の一部切欠斜視図である。
【図３３】図３３は、図３２に示すチップ部品の平面図である。
【図３４】図３４は、この発明の第４実施形態に係るチップ部品の一部切欠斜視図である。
【図３５】図３５は、図３４に示すチップ部品の平面図である。
【図３６】図３６は、図３４に示すチップ部品の電気的構造の一例を示す電気回路図である。
【図３７】図３７は、図３４に示すチップ部品を実装基板に接続した回路アセンブリの構成を示す断面図である。
【図３８】図３８は、この発明の第５実施形態に係るチップ部品の一部切欠斜視図である。
【図３９】図３９は、図３８に示すチップ部品の平面図である。
【図４０】図４０は、図３８に示すチップ部品の電気的構造の一例を示す電気回路図である。
【図４１】図４１は、図３８に示すチップ部品に係る受動素子の接続例を説明するための電気回路図である。
【図４２】図４２は、図４１の接続例から得られる第１回路例である。
【図４３】図４３は、図４１の接続例から得られる第２回路例である。
【図４４】図４４は、図４１の接続例から得られる第３回路例である。
【図４５】図４５は、図４１の接続例から得られる第４回路例である。
【図４６】図４６は、この発明の第６実施形態に係るチップ部品の一部切欠斜視図である。
【図４７】図４７は、図４６に示すチップ部品の分解斜視図である。
【図４８】図４８は、図４６のXLVIII-XLVIII線に沿う断面図である。
【図４９】図４９は、図４６に示すチップ部品の電気的構造の一例を示す電気回路図である。
【図５０】図５０は、この発明の第７実施形態に係るチップ部品の一部切欠斜視図である。
【図５１】図５１は、図５０に示すチップ部品の電気的構造の一例を示す電気回路図である。
【図５２】図５２は、この発明の第８実施形態に係るチップ部品の一部切欠斜視図である。
【図５３】図５３は、図５２に示すチップ部品の電気的構造の一例を示す電気回路図である。
【図５４】図５４は、この発明の第９実施形態に係るチップ部品の一部切欠斜視図である。
【図５５】図５５は、図５４に示すチップ部品の電気的構造の一例を示す電気回路図である。
【図５６】図５６は、この発明の第１０実施形態に係るチップ部品の分解斜視図である。
【図５７】図５７は、図５６に示すチップ部品の電気的構造の一例を示す電気回路図である。
【図５８】図５８は、第１変形例に係るチップ部品の一部切欠斜視図である。
【図５９】図５９は、第２変形例に係るチップ部品の一部切欠斜視図である。
【図６０】図６０は、受動素子領域の一配置例を示す平面図である。
【図６１】図６１は、受動素子領域の他の配置例を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
以下では、この発明の実施形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
＜第１実施形態＞
図１は、この発明の第１実施形態に係るチップ部品１の一部切欠斜視図である。図２は、チップ部品１の平面図である。
図１に示すように、チップ部品１は、直方体形状に形成されている。チップ部品１の平面形状は矩形であり、その長手方向の長さＷ１が１．０ｍｍ〜１．２ｍｍ、短手方向の長さＷ２が０．２ｍｍ程度であってもよい。また、チップ部品１の全体の厚さＴは、０．１５ｍｍ程度であってもよい。
【００２８】
チップ部品１は、直方体形状の基板２を含む。基板２は、一対の主面２ａ，２ｂと、４つの側面２ｃとを含む。一対の主面２ａ，２ｂのうちの一方（図１の上面側の主面２ａ）が素子形成面とされている。以下、この主面２ａを「素子形成面２ａ」といい、素子形成面２ａと反対側の主面２ｂを「裏面２ｂ」という。基板２の表面（素子形成面２ａ）は、絶縁膜３によって覆われている。基板２の４つの側面２ｃおよび絶縁膜３の外周部はパッシベーション膜４で覆われている。パッシベーション膜４は、窒化膜等であってもよい。
【００２９】
基板２上には、第１外部電極５（第１電極）と、第２外部電極６（第２電極）とが互いに間隔を空けて形成されている。第１外部電極５は、基板２の一端部に配置されている。第２外部電極６は、基板２の他端部に配置されている。第１外部電極５および第２外部電極６の間には、第１中間外部電極７および第２中間外部電極８が互いに間隔を空けて配置されている。第１外部電極５、第２外部電極６、第１中間外部電極７および第２中間外部電極８は、それぞれ平面視矩形状に形成されており、等間隔に配置されている。第１外部電極５、第２外部電極６、第１中間外部電極７および第２中間外部電極８は、たとえば、Ｎｉ膜と、Ｎｉ膜上に形成されたＰｄ膜と、Ｐｄ膜上に形成されたＡｕ膜とを有するＮｉ／Ｐｄ／Ａｕ積層膜であってもよい。
【００３０】
図１および図２に示すように、この実施形態では、受動素子が形成される複数の受動素子領域が、第１外部電極５および第２外部電極６の対向方向に沿って並んで配置されている。より具体的には、第１外部電極５と第１中間外部電極７との間の領域、第１中間外部電極７と第２中間外部電極８との間の領域、および第２中間外部電極８と第２外部電極６との間の領域のそれぞれに、受動素子領域が設定されている。
【００３１】
受動素子領域とは、受動素子の一例としてのコイルＬが形成されるコイル領域１３、受動素子の一例としての第１コンデンサＣ１が形成される第１コンデンサ領域１４、および、受動素子の一例としての抵抗Ｒが形成される抵抗領域１５のいずれか１つが適用される領域である。この実施形態では、第１外部電極５と第１中間外部電極７との間の領域にコイル領域１３が設定され、第１中間外部電極７と第２中間外部電極８との間の領域に第１コンデンサ領域１４が設定され、第２中間外部電極８と第２外部電極６との間の領域に抵抗領域１５が設定された例を示している。
＜コイル領域１３＞
図３は、図１に示すチップ部品１に係るコイル領域１３を示す拡大平面図である。図４は、図３に示すIV-IV線に沿う断面図である。図５は、図４に示すコイル形成用トレンチ１６の拡大断面図である。図６は、図３に示すVI-VI線に沿う断面図である。
【００３２】
図３および図４に示すように、コイル領域１３における基板２には、平面視螺旋状のコイル形成用トレンチ１６が、素子形成面２ａから所定の深さまで掘り下げられることにより形成されている。この実施形態では、コイル形成用トレンチ１６は、平面視において、四角の螺旋形に形成されており、基板２の各側面２ｃにそれぞれ平行な直線状部分を複数有している。コイル形成用トレンチ１６は平面視において円形の螺旋状であってもよいし、平面視八角形の螺旋状等のように四角形以外の平面視多角形の螺旋状であってもよい。
【００３３】
図５に示すように、コイル形成用トレンチ１６の螺旋方向に直交する方向の断面に関して、コイル形成用トレンチ１６の断面は、基板２の厚さ方向に細長い矩形状である。コイル形成用トレンチ１６の幅Ｄ１は、たとえば３μｍ以上１０μｍ以下であってもよい。また、コイル形成用トレンチ１６の深さＤ２は、たとえば１０μｍ以上１００μｍ以下であってもよい。
【００３４】
コイル形成用トレンチ１６は、絶縁膜３に形成された第１トレンチ部分１７と、基板２に形成され、第１トレンチ部分１７と連通する第２トレンチ部分１８とを含む。基板２におけるコイル形成用トレンチ１６（第２トレンチ部分１８）の内面には、内面絶縁膜１９が形成されている。内面絶縁膜１９は、たとえば、ＳｉＯ２であってもよい。この実施形態では、基板２における螺旋状のコイル形成用トレンチ１６（第２トレンチ部分１８）によって挟まれた壁の全体が絶縁膜とされ、絶縁体部２０が形成されている。
【００３５】
コイル形成用トレンチ１６には、導電体２１（第１導電体）が埋設されている。導電体２１は、第１導電体層２２と、第２導電体層２３とを含む。第１導電体層２２は、内面絶縁膜１９の表面およびコイル形成用トレンチ１６の第１トレンチ部分１７の表面に沿って形成されている。第１導電体層２２は、たとえば、窒化チタン（ＴｉＮ）を含むバリアメタル層であってもよい。第１導電体層２２の膜厚は、４００Å〜５００Å程度であってもよい。第２導電体層２３は、第１導電体層２２により区画された凹状の空間に埋設されている。第２導電体層２３は、たとえば、タングステン（Ｗ）を含んでもよい。
【００３６】
コイル形成用トレンチ１６に埋設された導電体２１によって、平面視螺旋状（四角の螺旋形状）のコイルＬが構成されている。コイルＬは、基板２の各側面２ｃにそれぞれ平行な板状部分を複数有している。
図４に示すように、絶縁膜３上には、コイルＬを被覆するように、表面絶縁膜２４が形成されている。表面絶縁膜２４は、平面視で、素子形成面２ａと整合する矩形である。表面絶縁膜２４は、平坦な表面を有している。表面絶縁膜２４は、たとえば、ＵＳＧ膜（Undoped Silicate Glass膜）またはＳＯＧ膜（Spin-On-Glass膜）を含む。ＳＯＧ膜は、ＳｉＯ２および水素化シルセシキオキサン（ＨＳＱ）等の無機系材料を含む無機ＳＯＧ膜であってもよい。また、ＳＯＧ膜は、ＳｉＯ２およびメチルシルセシキオキサン（ＭＳＱ）等の有機系材料を含む有機ＳＯＧ膜であってもよい。表面絶縁膜２４は、８０００Å〜１５０００Åの厚さを有してもよい。
【００３７】
図３および図４に示すように、表面絶縁膜２４には、コイルＬの一端２５（素子形成面２ａの一端部側に位置する端部）を露出させる第１コイル用コンタクト孔２６が形成されている。また、図３および図６に示すように、表面絶縁膜２４には、コイルＬの他端２７（コイルＬの一端２５と反対側に位置する端部）を露出させる第２コイル用コンタクト孔２８とが形成されている。表面絶縁膜２４の表面には、第１内部電極膜２９および第２内部電極膜３０が形成されている。
【００３８】
図３に示すように、第１内部電極膜２９は、第１外部電極５の下方に配置されている。第１内部電極膜２９は、コイルＬの一端２５に接続された第１引出し電極３１と、第１引出し電極３１と一体的に形成された平面視矩形状の第１パッド３２とを含む。第１引出し電極３１は、表面絶縁膜２４の表面から第１コイル用コンタクト孔２６に入り込み、第１コイル用コンタクト孔２６内でコイルＬの一端２５に接続されている。第１引出し電極３１は、コイルＬの一端２５上を通って、第１パッド３２に至る直線状に形成されている。第１内部電極膜２９は、アルミニウム膜を含んでもよい。
【００３９】
第２内部電極膜３０は、第１中間外部電極７の下方に配置されている。第２内部電極膜３０は、コイルＬの一端２５に接続された第２引出し電極３３と、第２引出し電極３３と一体的に形成された平面視矩形状の第２パッド３４とを含む。第２引出し電極３３は、表面絶縁膜２４の表面から第２コイル用コンタクト孔２８に入り込み、第２コイル用コンタクト孔２８内でコイルＬの他端２７に接続されている。第２引出し電極３３は、コイルＬの他端２７上を通って、第２パッド３４に至る直線状に形成されている。第２内部電極膜３０は、アルミニウム膜を含んでもよい。
【００４０】
なお、コイルＬの他端２７を、第２パッド３４の下方位置まで延長させてもよい。この場合、第２パッド３４に第２コイル用コンタクト孔２８を形成できるので、コイルＬの他端２７は、第２引出し電極３３を介さずに第２パッド３４に接続される。
図４に示すように、第１内部電極膜２９および第２内部電極膜３０は、パッシベーション膜３５によって覆われている。パッシベーション膜３５は、窒化膜を含んでもよい。パッシベーション膜３５上には、ポリイミド等の樹脂膜３６が形成されている。パッシベーション膜３５および樹脂膜３６には、第１パッド３２のコイル領域１３側の縁部を除く領域を露出させる第１切除部３７が形成されている。また、パッシベーション膜３５および樹脂膜３６には、第２パッド３４のコイル領域１３側の縁部および第１コンデンサ領域１４側の縁部を除く領域を露出させる第２切除部３８が形成されている（図２も併せて参照）。
【００４１】
図４に示すように、第１外部電極５は、第１切除部３７を埋め尽くすように形成されている。第１外部電極５は、樹脂膜３６から突出するように形成されている。第１外部電極５は、樹脂膜３６の表面に沿ってコイル領域１３側に引き出された被覆部３９を有している。この実施形態では、第１外部電極５は、第１切除部３７から露出している第１パッド３２、表面絶縁膜２４の表面、および基板２の一端部側のパッシベーション膜４の上端面を覆うように形成されている。第１外部電極５の内方側の側面を除く３つの側面は、パッシベーション膜４の表面と面一となるように形成されている。
【００４２】
第１中間外部電極７は、第２切除部３８を埋め尽くすように形成されている。第１中間外部電極７は、樹脂膜３６から突出するように形成されている。第１中間外部電極７は、樹脂膜３６の表面に沿ってコイル領域１３側および第１コンデンサ領域１４側に引き出された被覆部４０を有している。この実施形態では、第１中間外部電極７は、第２切除部３８から露出している第２パッド３４、表面絶縁膜２４の表面、および基板２の側面２ｃ側のパッシベーション膜４の上端面を覆うように形成されている。第１中間外部電極７は、パッシベーション膜４の表面と面一となるように形成されている。
【００４３】
パッシベーション膜３５および樹脂膜３６は、コイルＬ、表面絶縁膜２４、第１内部電極膜２９および第２内部電極膜３０を被覆しており、これらを保護する保護膜として機能している。一方、パッシベーション膜４は、基板２の側面２ｃと表面絶縁膜２４の外周部とを保護する保護膜として機能している。
図７は、コイル領域１３の電気的構造の一例を示す電気回路図である。
【００４４】
図７に示すように、コイルＬの一端２５は第１外部電極５に接続され、コイルＬの他端２７は第１中間外部電極７に接続されている。これにより、コイルＬは、所定のインダクタンスを有するコイルとして機能する。
コイルＬの性能（品質）を表すパラメータとして、コイルＬのＱ値（Quality Factor）がある。Ｑ値が高いほど損失が小さく、高周波用インダクタンスとして優れた特性を有する。
【００４５】
コイルＬのＱ値は、次式（１）によって表される。
Ｑ＝２πｆＬ／ＲＬ・・・（１）
上記式（１）において、ｆはコイルＬに流れる電流の周波数、ＬはコイルＬのインダクタンス、ＲＬはコイルＬの内部抵抗である。
このように、コイル領域１３では、基板２に形成された平面視螺旋状のコイル形成用トレンチ１６に導電体２１が埋設されて、コイルＬが形成されている。基板表面上の導体膜でコイルを形成する場合に比較して、コイル形成用トレンチ１６内の導電体２１を利用して形成されたコイルＬの巻線は、大きな断面積（巻線の螺旋方向に直交する断面積）を有することができるので、コイルＬの内部抵抗ＲＬを低減できる。これにより、コイルＬのＱ値を向上できる。また、基板２にコイル形成用トレンチ１６を形成し、コイル形成用トレンチ１６内に導電体２１を埋設することによってコイルＬの巻線を形成できるので、コイルＬの製造が容易である。
【００４６】
また、基板２に形成されたコイル形成用トレンチ１６に導電体２１を埋設することにより、コイルＬを形成できるので、コイルＬの製造が容易である。
＜第１コンデンサ領域１４＞
図８は、図１に示すチップ部品１に係る第１コンデンサ領域１４を示す拡大平面図である。図９は、図８に示すIX-IX線に沿う断面図である。図１０は、図８に示すX-X線に沿う断面図である。図１１は、図９に示す第１内部電極形成用トレンチ４１および第２内部電極形成用トレンチ４２の拡大断面図である。図１２は、図８に示すXII-XII線に沿う断面図である。
【００４７】
図８〜図１０に示すように、第１コンデンサ領域１４における基板２には、複数の第１内部電極形成用トレンチ４１および複数の第２内部電極形成用トレンチ４２が形成されている。第１内部電極形成用トレンチ４１および第２内部電極形成用トレンチ４２は、素子形成面２ａの長手方向に沿って延びる平面視ストライプ状に形成されている。第１内部電極形成用トレンチ４１および第２内部電極形成用トレンチ４２は、基板２の短手方向に所定の間隔を隔てて平行に延びている。第１内部電極形成用トレンチ４１および第２内部電極形成用トレンチ４２は、基板２の短手方向に交互に並ぶにように、配置されている。
【００４８】
第１内部電極形成用トレンチ４１および第２内部電極形成用トレンチ４２は、第１中間外部電極７の下方の領域から第１コンデンサ領域１４を通って第２中間外部電極８の下方の領域まで延びている。平面視において、第１内部電極形成用トレンチ４１の一端および第２内部電極形成用トレンチ４２の一端は、第１中間外部電極７の下方の領域に位置している。一方、平面視において、第１内部電極形成用トレンチ４１の他端および第２内部電極形成用トレンチ４２の他端は、第２中間外部電極８の下方の領域に位置している。
【００４９】
第１内部電極形成用トレンチ４１および第２内部電極形成用トレンチ４２は、素子形成面２ａから所定の深さまで掘り下げられることにより形成されている。第１内部電極形成用トレンチ４１および第２内部電極形成用トレンチ４２の横断面は、基板２の厚さ方向に細長い矩形状である。
図１１に示すように、第１内部電極形成用トレンチ４１および第２内部電極形成用トレンチ４２の幅Ｄ３は、たとえば３μｍ以上１０μｍ以下であってもよい。第１内部電極形成用トレンチ４１および第２内部電極形成用トレンチ４２の深さＤ４は、たとえば１０μｍ以上１００μｍ以下であってもよい。
【００５０】
第１内部電極形成用トレンチ４１は、絶縁膜３に形成された第１トレンチ部分４３と、基板２に形成され、第１トレンチ部分４３と連通する第２トレンチ部分４４とを含む。同様に、第２内部電極形成用トレンチ４２は、絶縁膜３に形成された第１トレンチ部分４３と、基板２に形成され、第１トレンチ部分４３と連通する第２トレンチ部分４４とを含む。
【００５１】
基板２における第１内部電極形成用トレンチ４１の第２トレンチ部分４４の内面、および基板２における第２内部電極形成用トレンチ４２の第２トレンチ部分４４の内面には、それぞれ、内面絶縁膜１９が形成されている。この実施形態では、基板２における隣り合う第１内部電極形成用トレンチ４１の第２トレンチ部分４４と、第２内部電極形成用トレンチ４２の第２トレンチ部分４４との間の壁の全体が絶縁膜とされ、絶縁体部２０が形成されている。
【００５２】
第１内部電極形成用トレンチ４１および第２内部電極形成用トレンチ４２には、前述のコイル領域１３と同様に、導電体２１が埋設されている。導電体２１は、第１導電体層２２と、第２導電体層２３とを含む。第１導電体層２２は、内面絶縁膜１９の表面、ならびに、第１内部電極形成用トレンチ４１および第２内部電極形成用トレンチ４２の各第１トレンチ部分４３の表面に沿って形成されている。第２導電体層２３は、第１導電体層２２により区画された凹状の空間に埋設されている。
【００５３】
第１内部電極形成用トレンチ４１に埋設された導電体２１によって第１内部電極４５が形成されている。同様に、第２内部電極形成用トレンチ４２に埋設された導電体２１によって第２内部電極４６が形成されている。第１内部電極４５および第２内部電極４６は、基板２の短手方向から見て、基板２の長手方向に長い矩形である。第１内部電極４５および第２内部電極４６は、基板２の長手方向に沿う側面２ｃに対して平行な表面を有する平板状である。
【００５４】
第１内部電極４５および第２内部電極４６は、基板２の短手方向に交互に並ぶように配置されている。したがって、隣り合う第１内部電極４５と第２内部電極４６とは基板２の短手方向において対向した対向面を有している。隣り合う第１内部電極４５と第２内部電極４６との対向面に挟まれた基板２の壁（絶縁体部２０）が誘電体膜を構成している。隣り合う１組の第１内部電極４５および第２内部電極４６と、それらの間の誘電体膜とによって１つのキャパシタ要素ＣＥが構成されている。
【００５５】
この実施形態では、第１内部電極４５および第２内部電極４６は４個ずつ設けられているので、隣り合う第１内部電極４５および第２内部電極４６の組は７組ある。このため、７つのキャパシタ要素ＣＥ１〜ＣＥ７が基板２に形成されている。第１内部電極４５および第２内部電極４６（第１内部電極形成用トレンチ４１および第２内部電極形成用トレンチ４２）は、それぞれ１個以上設けられていればよい。
【００５６】
図１２に示すように、基板２の素子形成面２ａ（絶縁膜３の表面）上には、素子形成面２ａおよびキャパシタ要素ＣＥ１〜ＣＥ７を被覆するように、表面絶縁膜２４が形成されている。図８および図９に示すように、表面絶縁膜２４には、第１中間外部電極７の下方において、キャパシタ要素ＣＥ１〜ＣＥ７を構成する第１内部電極４５の一端５０（以下、単に「第１コンデンサＣ１の一端５０」という）を露出させる第１コンデンサ用コンタクト孔４７が形成されている。図８および図１０に示すように、表面絶縁膜２４には、第２中間外部電極８の下方において、第２内部電極４６の他端５３（以下、単に「第１コンデンサＣ１の他端５３」という）を露出させる第２コンデンサ用コンタクト孔４８が形成されている。表面絶縁膜２４上には、第２内部電極膜３０および第３内部電極膜４９が形成されている。
【００５７】
図８および図９に示すように、第２内部電極膜３０（第２パッド３４）は、表面絶縁膜２４から第１コンデンサ用コンタクト孔４７に入り込むように形成されている。第２内部電極膜３０は、第１コンデンサ用コンタクト孔４７内において、第１コンデンサＣ１の一端５０に電気的に接続されている。
図８および図１０に示すように、第３内部電極膜４９は、第２中間外部電極８の下方に配置されている。第３内部電極膜４９は、第３パッド５１を含む。第３内部電極膜４９は、表面絶縁膜２４から第２コンデンサ用コンタクト孔４８に入り込むように形成されている。第３内部電極膜４９は、第２コンデンサ用コンタクト孔４８内において、第１コンデンサＣ１の他端５３に電気的に接続されている。第３内部電極膜４９の構成については、後述する抵抗領域１５において具体的に説明する。
【００５８】
第２内部電極膜３０および第３内部電極膜４９は、パッシベーション膜３５によって覆われている。パッシベーション膜３５上には、樹脂膜３６が形成されている。パッシベーション膜３５および樹脂膜３６には、第３内部電極膜４９の第１コンデンサ領域１４側の縁部および抵抗領域１５側の縁部を除く領域を露出させる第３切除部５２が形成されている。
【００５９】
図１０および図１２に示すように、第２中間外部電極８は、第３切除部５２を埋め尽くすように形成されている。第２中間外部電極８は、樹脂膜３６から突出するように形成されている。第２中間外部電極８は、樹脂膜３６の表面に沿って第１コンデンサ領域１４側および抵抗領域１５側に引き出された被覆部５４を有している。この実施形態では、第２中間外部電極８は、第３切除部５２から露出している第３内部電極膜４９、表面絶縁膜２４の表面、およびパッシベーション膜４の上端部を覆うように形成されている。第２中間外部電極８は、パッシベーション膜４の表面と面一となるように形成されている。
【００６０】
パッシベーション膜３５および樹脂膜３６は、第１コンデンサ領域１４において、第１内部電極４５および第２内部電極４６、表面絶縁膜２４、第２内部電極膜３０および第３内部電極膜４９を被覆しており、これらを保護する保護膜として機能している。
図１３は、第１コンデンサ領域１４の電気的構造の一例を示す電気回路図である。
図１３（ａ）に示すように、キャパシタ要素ＣＥ１〜ＣＥ７が、それぞれ並列に接続されている。各キャパシタ要素ＣＥ１〜ＣＥ７の一端５０は第１中間外部電極７に接続され、各キャパシタ要素ＣＥ１〜ＣＥ７の他端５３は第２中間外部電極８に接続されている。これらの合成容量により、図１３（ｂ）に示すように、第１コンデンサＣ１が形成される。第１コンデンサＣ１の一端５０は第１中間外部電極７に接続され、第１コンデンサＣ１の他端５３は第２中間外部電極８に接続されている。これにより、所定の容量を有する第１コンデンサＣ１が形成されている。
【００６１】
このように、第１コンデンサ領域１４では、第１内部電極４５と第２内部電極４６とを、基板２の厚さ方向に直交する方向（基板２の表面に平行な方向）に対向させることができる。したがって、基板２の表面の面積を大きくしなくても、第１内部電極４５と第２内部電極４６との対向面の面積を大きくすることが可能となる。これにより、小型化および大容量化を図ることができる。
【００６２】
また、基板２に第１内部電極形成用トレンチ４１および第２内部電極形成用トレンチ４２に導電体２１を埋設することによって、第１内部電極４５および第２内部電極４６を形成できるので、第１内部電極４５および第２内部電極４６の製造が容易である。
＜抵抗領域１５＞
図１４は、チップ部品１に係る抵抗領域１５を示す拡大平面図である。図１５は、表面絶縁膜２４上の構造を示す平面図である。１６は、図１５に示す素子の一部分を拡大した平面図である。図１７は、図１６に示すXVII-XVII線に沿う断面図である。図１８は、図１６に示すXVIII-XVIII線に沿う断面図である。図１９は、抵抗膜ライン６２および導体膜６３の電気的構造の一例を示す電気回路図である。
【００６３】
図１７に示すように、基板２（素子形成面２ａ）の全域を覆う絶縁膜３と、絶縁膜３の表面全域を覆う表面絶縁膜２４とが形成されている。この実施形態では、表面絶縁膜２４上に抵抗領域１５が設定されている。
図１４〜図１７に示すように、表面絶縁膜２４上には、前述の第３内部電極膜４９と、第２外部電極６の下方に設けられた第４内部電極膜５８と、抵抗Ｒとが形成されている。
【００６４】
図１４および図１５に示すように、抵抗Ｒは、第３内部電極膜４９と第４内部電極膜５８との間に配置された抵抗用導電体膜６１（第２導電体）を含む。抵抗用導電体膜６１の一端５９（以下、単に「抵抗Ｒの一端５９」という。）は、第３内部電極膜４９に接続されている。抵抗用導電体膜６１の他端６０（以下、単に「抵抗Ｒの他端６０」という。）は、第４内部電極膜５８に接続されている。
【００６５】
図１７および図１８に示すように、抵抗用導電体膜６１は、表面絶縁膜２４上に形成された複数の抵抗膜ライン６２と、抵抗膜ライン６２上に積層された複数の導体膜６３とを含む。抵抗用導電体膜６１は、さらに、複数の導体膜６３と接続される接続用導体膜６４と、接続用導体膜６４と一体的に連なるヒューズ部６５とを含む（図１６等も併せて参照）。
【００６６】
この実施形態では、抵抗膜ライン６２が、第３内部電極膜４９および第４内部電極膜５８の対向方向に延びる直線状パターンを有している例を示している。抵抗膜ライン６２は、第３内部電極膜４９および第４内部電極膜５８の対向方向に交わる方向に延びる直線状パターンを有してもよい。また、抵抗膜ライン６２は、対向方向に延びる直線状パターンと、対向方向に交わる方向に延びる直線状パターンとを組み合わせたパターンを有してもよい。抵抗膜ライン６２は、第３内部電極膜４９および第４内部電極膜５８の対向方向の途中部で切断されてもよい。抵抗膜ライン６２は、ＴｉＮ、ＴｉＯＮおよびＴｉＳｉＯＮのいずれかを含んでもよい。抵抗膜ライン６２の厚さは、たとえば約２０００Åであってもよい。
【００６７】
複数の導体膜６３は、抵抗膜ライン６２上に、一定の間隔を開けて配置されている。導体膜６３は、抵抗膜ライン６２の導電率ρ６２よりも高い導電率ρ６３を有している（抵抗膜ライン６２の導電率ρ６２＜導体膜６３の導電率ρ６３）。導体膜６３は、たとえばアルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、およびこれらの合金（ＡｌＣｕ合金）のいずれかを含んでもよい。導体膜６３の厚さは、たとえば約８０００Åであってもよい。
【００６８】
図１７および図１９（ａ）を参照して、互いに隣り合う導体膜６３の間から露出する抵抗膜ライン６２の露出部が１個の抵抗体６６を形成している。一方、抵抗膜ライン６２における導体膜６３が配置された部分は、導体膜６３により短絡されているので抵抗体６６として機能しない。複数の抵抗体６６は、全て等しい形状および面積を有している。つまり、各抵抗体６６は、等しい抵抗値ｒを有する単位抵抗として形成されている。これにより、図１７に示す構成は、電気的には図１９（ｂ）に示す電気回路図で表すことができる。また、図１６に示す構成は、電気的には図１９（ｃ）に示す電気回路図で表すことができる。
【００６９】
抵抗膜ライン６２には、このような抵抗体６６が複数形成されている。より具体的には、複数の抵抗体６６は、表面絶縁膜２４上において、基板２の長手方向および基板２の短手方向に沿う行列状に配列されている。この実施形態では、複数の抵抗体６６は、行方向（基板２の長手方向）に沿って配列された８個の抵抗体６６と、列方向（基板２の短手方向）に沿って配列された４４個の抵抗体６６とを含む。合計３５２個の抵抗体６６が、抵抗領域１５に形成されている。各抵抗膜ライン６２上には、１個〜６４個の抵抗体６６を直列接続させた直列抵抗群が形成されている。各抵抗膜ライン６２の抵抗値は、当該抵抗膜ライン６２上に形成された複数の抵抗体６６の合成抵抗により定まる。つまり、各抵抗膜ライン６２は、複数種類の抵抗値を有する抵抗単位体として設けられている。複数の抵抗膜ライン６２の合成抵抗により、抵抗Ｒの抵抗値が定まる。
【００７０】
複数の導体膜６３は、接続用導体膜６４およびヒューズ部６５を介して、第３内部電極膜４９および第４内部電極膜５８に電気的に接続されている。
接続用導体膜６４は、第３内部電極膜４９および第４内部電極膜５８の対向方向に沿って形成された直線状パターンを含む。接続用導体膜６４は、第３内部電極膜４９および第４内部電極膜５８の対向方向に交わる方向に延びる直線状パターンを含んでもよい。接続用導体膜６４は、対向方向に延びる直線状パターンと、対向方向に交わる方向に延びる直線状パターンとを組み合わせたパターンを含んでもよい。接続用導体膜６４は、各抵抗膜ライン６２上に形成された導体膜６３と一体的に連なっている。接続用導体膜６４は、導体膜６３と同一の層に、同一材料で形成されている。
【００７１】
ヒューズ部６５は、溶断可能に接続用導体膜６４と一体的に連なるように形成されている。ヒューズ部６５は、第４内部電極膜５８の抵抗領域１５側の辺に沿って形成されている。ヒューズ部６５は、第３内部電極膜４９および第４内部電極膜５８の対向方向に沿って、接続用導体膜６４よりも細い直線状に形成されている。ヒューズ部６５の周囲には、抵抗体６６が形成されていない。ヒューズ部６５は、接続用導体膜６４に１つ以上設けられてもよい。一部のヒューズ部６５は、未使用であってもよい。ヒューズ部６５は、導体膜６３と同一の層に、同一材料で形成されている。
【００７２】
ヒューズ部６５は、導体膜６３の一部だけでなく、抵抗体６６（抵抗膜ライン６２）の一部と抵抗膜ライン６２上の導体膜６３の一部とにより構成されたヒューズ素子であってもよい。導体膜６３上にさらに別の導体膜を積層し、導体膜６３全体の抵抗値を下げるようにしてもよい。この場合であっても、ヒューズ部６５の上に別の導体膜６３を積層しなければ、ヒューズ部６５の溶断性が悪くなることはない。
【００７３】
図１９（ｃ）を参照して、ヒューズ部６５が接続されている場合、抵抗体６６（抵抗膜ライン６２）は、導体膜６３および接続用導体膜６４により短絡されている。たとえば、第３内部電極膜４９および第４内部電極膜５８に電圧が印加されると、接続用導体膜６４を流れる電流は、抵抗膜ライン６２および抵抗体６６を迂回して、接続用導体膜６４および導体膜６３を流れる。つまり、ヒューズ部６５が接続用導体膜６４に接続されている場合、抵抗体６６は、第３内部電極膜４９および第４内部電極膜５８から電気的に分離されるので、抵抗値は増加しない。
【００７４】
一方、ヒューズ部６５が切断（溶断）された場合、第３内部電極膜４９および第４内部電極膜５８に電圧が印加されると、抵抗体６６（抵抗膜ライン６２）に電流が流れ込む電流経路が形成される。つまり、ヒューズ部６５が切断（溶断）された場合、抵抗体６６が、第３内部電極膜４９および第４内部電極膜５８に電気的に接続されるので、抵抗値が増加する。
【００７５】
図１７に示すように、第３内部電極膜４９は、表面絶縁膜２４上に形成された第１導電体膜６７と、第１導電体膜６７上に形成された第２導電体膜６８とを含む積層構造を有している。第１導電体膜６７は、抵抗膜ライン６２と一体的に形成されている。第１導電体膜６７は、抵抗膜ライン６２と同一の材料で形成されている。一方、第２導電体膜６８は、導体膜６３と一体的に形成されている。第２導電体膜６８は、導体膜６３と同一の材料で形成されている。
【００７６】
第４内部電極膜５８は、第２外部電極６に電気的に接続される。つまり、第４内部電極膜５８は、平面視矩形状の第４パッドを含む。第４内部電極膜５８は、第３内部電極膜４９と同様に、表面絶縁膜２４上に形成された第１導電体膜６７と、第１導電体膜６７上に形成された第２導電体膜６８とを含む積層構造を有している。
第３内部電極膜４９および第４内部電極膜５８は、パッシベーション膜３５によって覆われている。パッシベーション膜３５上には、樹脂膜３６が形成されている。パッシベーション膜３５および樹脂膜３６には、第４内部電極膜５８の抵抗領域１５側の縁部を除く領域を露出させる第４切除部６９が形成されている。
【００７７】
第２外部電極６は、第４切除部６９を埋め尽くすように形成されている。第２外部電極６は、樹脂膜３６から突出するように形成されている。第２外部電極６は、樹脂膜３６の表面に沿って抵抗領域１５側および抵抗領域１５と反対側に引き出された被覆部７０を有している。この実施形態では、第２外部電極６は、第４切除部６９から露出する第４内部電極膜５８、表面絶縁膜２４の表面、およびパッシベーション膜４の上端部を覆うように形成されている。第２外部電極６の内方側の側面を除く３つの側面は、パッシベーション膜４の表面と面一となるように形成されている。
【００７８】
パッシベーション膜３５および樹脂膜３６は、抵抗領域１５において、抵抗用導電体膜６１、表面絶縁膜２４、第３内部電極膜４９および第４内部電極膜５８を被覆しており、これらを保護する保護膜として機能している。また、パッシベーション膜３５によって、抵抗体６６等の不所望な短絡が抑制されている。
図２０は、抵抗領域１５の電気的構造の一例を示す電気回路図である。
【００７９】
抵抗Ｒは、第２外部電極６および第２中間外部電極８に電気的に接続されている。抵抗Ｒは、基準抵抗回路Ｒ８と、抵抗回路Ｒ６４、２つの抵抗回路Ｒ３２、抵抗回路Ｒ１６、抵抗回路Ｒ８、抵抗回路Ｒ４、抵抗回路Ｒ２、抵抗回路Ｒ１、抵抗回路Ｒ／２、抵抗回路Ｒ／４、抵抗回路Ｒ／８、抵抗回路Ｒ／１６、抵抗回路Ｒ／３２とが直列接続された構成を有している。
【００８０】
基準抵抗回路Ｒ８および抵抗回路Ｒ６４〜Ｒ２は、それぞれ自身の末尾の数（Ｒ６４の場合には「６４」）と同数の直列接続された抵抗体６６を含む。たとえば、抵抗回路Ｒ６４は、直列接続された６４個の抵抗体６６を含む。抵抗回路Ｒ／２〜Ｒ／３２は、それぞれ自身の末尾の数（Ｒ／３２の場合には「３２」）と同数の並列接続された抵抗体６６を含む。たとえば、抵抗回路Ｒ／３２は、並列接続された３２個の抵抗体６６を含む。
【００８１】
基準抵抗回路Ｒ８以外の抵抗回路Ｒ６４〜抵抗回路Ｒ／３２のそれぞれに、ヒューズ部６５が並列接続されている。ヒューズ部６５同士は、直接または接続用導体膜６４を介して直列接続されている（図１６参照）。
図２０に示すように、いずれのヒューズ部６５も溶断されていない状態では、基準抵抗回路Ｒ８以外の抵抗回路Ｒ６４〜抵抗回路Ｒ／３２がヒューズ部６５により短絡されている。したがって、電流は、基準抵抗回路Ｒ８を通過した後、抵抗回路Ｒ６４〜抵抗回路Ｒ／３２を迂回するようにヒューズ部６５を流れる。この場合、抵抗Ｒは、基準抵抗回路Ｒ８のみを含むと見なせる。基準抵抗回路Ｒ８では、８個の抵抗体６６が直列接続されているので、たとえば、１個の抵抗体６６の抵抗値ｒを８Ωとすれば、抵抗体６６の数（＝８個）と抵抗値（＝８Ω）との積（＝８個×８Ω）により６４Ωの合成抵抗値を得ることができる。
【００８２】
ヒューズ部６５は、要求される抵抗値に応じて選択的に溶断される。ヒューズ部６５の溶断は、たとえばレーザ光で行われる。ヒューズ部６５が溶断された抵抗回路は、第２外部電極６および第２中間外部電極８に電気的に接続される。したがって、ヒューズ部６５を選択的に溶断することにより、抵抗Ｒ全体の抵抗値を、細かく、かつデジタル的に、任意の抵抗値となるように調節できる。これにより、所望の抵抗値（合成抵抗）を得ることができる。
【００８３】
図２１は、抵抗領域１５の電気的構造の他の例を示す電気回路図である。
抵抗Ｒは、基準抵抗回路Ｒ／１６と、１２種類の抵抗回路Ｒ／１６、Ｒ／８、Ｒ／４、Ｒ／２、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ４、Ｒ８、Ｒ１６、Ｒ３２、Ｒ６４、Ｒ１２８の並列回路との直列回路を含む。
基準抵抗回路Ｒ／１６以外の１２種類の抵抗回路Ｒ／１６〜Ｒ１２８には、それぞれ、ヒューズ部６５が直列に接続されている。このような構成であっても、ヒューズ部６５を選択的に溶断することにより、抵抗Ｒの抵抗値を、細かく、かつデジタル的に、任意の抵抗値となるように調節できる。これにより、所望の抵抗値（合成抵抗）を得ることができる。
【００８４】
図２２は、抵抗領域１５の電気的構造のさらに他の例を示す電気回路図である。
抵抗Ｒは、直列接続された複数の直列抵抗回路Ｒ１２ｎ（ｎ＝０，１，２・・・）と、並列接続された複数の並列抵抗回路Ｒ２２ｎ（ｎ＝０，１，２・・・）とを含む。直列抵抗回路Ｒ１２ｎおよび並列抵抗回路Ｒ２２ｎは、直列接続されている。直列抵抗回路Ｒ１２ｎには、図２０の構成と同様、抵抗回路毎に、ヒューズ部６５が並列接続されている。並列抵抗回路Ｒ２２ｎには、図２１の構成と同様、抵抗回路毎に、ヒューズ部６５が直列接続されている。したがって、直列抵抗回路Ｒ１２ｎおよび並列抵抗回路Ｒ２２ｎのいずれにおいても、ヒューズ部６５の溶断の有無により、合成抵抗値を変更および調節できる。
【００８５】
このような構成によれば、直列抵抗回路Ｒ１２ｎ側で、高抵抗回路（たとえば、１ｋΩ以上の抵抗回路）が容易に実現される。他方、並列抵抗回路Ｒ２２ｎ側で、低抵抗回路（たとえば、１ｋΩ以下の抵抗回路）が容易に実現される。したがって、数Ω〜数ＭΩの抵抗値までの広範な範囲の抵抗回路を含む抵抗Ｒを形成できる。
＜電気回路＞
図２３は、チップ部品１の平面図であって、コイルＬ、第１コンデンサＣ１、および抵抗Ｒの配置、ならびに第１内部電極膜２９、第２内部電極膜３０、第３内部電極膜４９および第４内部電極膜５８の配置を示す図である。図２４は、チップ部品１の電気的構造の一例を示す電気回路図である。
【００８６】
図２３に示すように、コイルＬの一端２５は、第１内部電極膜２９を介して第１外部電極５に接続されている。コイルＬの他端２７は、第２内部電極膜３０を介して第１コンデンサＣ１の一端５０に接続されている。つまり、第２内部電極膜３０は、コイルＬの他端２７および第１コンデンサＣ１の一端５０を同時に接続する共通の内部接続部を形成している。コイルＬの他端２７および第１コンデンサＣ１の一端５０は、第２内部電極膜３０を介して第１中間外部電極７に接続されている。第１コンデンサＣ１の他端５３は、第３内部電極膜４９を介して抵抗Ｒの一端５９に接続されている。つまり、第３内部電極膜４９は、第１コンデンサＣ１の他端５３および抵抗Ｒの一端５９を同時に接続する共通の内部接続部を形成している。第１コンデンサＣ１の他端５３および抵抗Ｒの一端５９は、第４内部電極膜５８を介して第２中間外部電極８が接続されている。抵抗Ｒの他端６０は、第４内部電極膜５８を介して第２外部電極６に接続されている。これにより、図２４に示すように、コイルＬ、第１コンデンサＣ１および抵抗Ｒが直列接続されたＬＣＲ直列回路網が形成されている。
【００８７】
図２４では、説明上の便宜のため、第１コンデンサ領域１４に形成された第１コンデンサＣ１を合成容量で表し、抵抗領域１５に形成された抵抗Ｒを合成抵抗で表している。また、図２４では、第１外部電極５に電源が接続され、第１中間外部電極７に第１スイッチＳＷ１が接続され、第２中間外部電極８に第２スイッチＳＷ２が接続され、第２外部電極６に第３スイッチＳＷ３が接続された例を示している。
【００８８】
第１スイッチＳＷ１を「オン」に設定し、第２スイッチＳＷ２および第３スイッチＳＷ３のそれぞれを「オフ」に設定した場合、電流はコイルＬのみを流れる。これによりＬＣＲ直列回路網からコイルＬのみを取り出して使用できる。電源の接続先と第１スイッチＳＷ１の接続先とを入れ替えると、ＬＣＲ直列回路網から第１コンデンサＣ１のみを取り出して使用できる。同様に、電源の接続先と第３スイッチＳＷ３の接続先とを入れ替えると、ＬＣＲ直列回路網から抵抗Ｒのみを取り出して使用できる。
【００８９】
また、第２スイッチＳＷ２を「オン」に設定し、第１スイッチＳＷ１および第３スイッチＳＷ３のそれぞれを「オフ」に設定した場合、ＬＣＲ直列回路網からコイルＬおよび第１コンデンサＣ１のＬＣ直列回路網のみを取り出して使用できる。電源の接続先と第３スイッチＳＷ３の接続先とを入れ替えると、ＬＣ直列回路網から抵抗Ｒおよび第１コンデンサＣ１のＲＣ直列回路網のみを取り出して使用できる。第３スイッチＳＷ３を「オン」に設定し、第１中間外部電極７と第２中間外部電極８とを短絡することにより、ＬＣＲ直列回路網からコイルＬおよび抵抗ＲのＬＲ直列回路網のみを取り出して使用できる。
【００９０】
また、第１スイッチＳＷ１および第２スイッチＳＷ２のそれぞれを「オフ」に設定し、第３スイッチＳＷ３を「オン」に設定した場合、ＬＣＲ直列回路網のみを取り出して使用できる。
チップ部品１は、第１外部電極５側からコイルＬ（コイル領域１３）、第１コンデンサＣ１（第１コンデンサ領域１４）、および抵抗Ｒ（抵抗領域１５）の順に配置されたＬＣＲ直列回路網（ＲＣＬ直列回路網）に限定されるものではない。チップ部品１は、第１外部電極５側からコイルＬ、抵抗Ｒ、および第１コンデンサＣ１の順に配置されたＬＲＣ直列回路網（ＣＲＬ直列回路網）であってもよい。また、チップ部品１は、第１外部電極５側から抵抗Ｒ、コイルＬ、および第１コンデンサＣ１の順に配置されたＲＬＣ直列回路網（ＣＬＲ直列回路網）であってもよい。
＜チップ部品１の効果＞
以上のように、チップ部品１によれば、コイル形成用トレンチ１６を利用して基板２内にコイルＬが形成されている。また、第１内部電極形成用トレンチ４１および第２内部電極形成用トレンチ４２を利用して基板２内に第１コンデンサＣ１が形成されている。さらに、基板２上の抵抗用導電体膜６１を用いて抵抗Ｒが形成されている。
【００９１】
このように、基板２の内部領域を、コイルＬおよび第１コンデンサＣ１をそれぞれ形成するための領域とし、基板２の表面上の領域を、抵抗Ｒを形成するための領域として活用することにより、共通の基板２上に複数の受動素子を有する複合素子型のチップ部品１を提供できる。しかも、基板２の内部領域および基板２の表面上の領域をそれぞれ利用してコイルＬ、第１コンデンサＣ１および抵抗Ｒを形成できるので、それらの受動素子の設計自由度を高めることができる。
【００９２】
具体的には、コイルＬ、第１コンデンサＣ１および抵抗Ｒのそれぞれの配置や、コイルＬ、第１コンデンサＣ１および抵抗Ｒと第１外部電極５、第２外部電極６、第１中間外部電極７、および第２中間外部電極８との接続態様等に関して、大きな自由度を確保できる。この実施形態では、コイルＬ、第１コンデンサＣ１または抵抗Ｒを選択的に取り出して使用することもできる。これにより、第１受動素子および第２受動素子を有する回路網を含む複合素子型のチップ部品１を提供できる。
【００９３】
また、コイル領域１３では、優れたＱ値（Quality factor）を有するコイルＬが形成されているので、優れた特性のコイルＬを共通の基板２上に有する複合素子型のチップ部品１を提供できる。
また、第１コンデンサ領域１４では、第１内部電極４５および第２内部電極４６は、互いに平行な対向面を有している。それにより、基板２上で大きな面積を専有することなく第１コンデンサＣ１の大容量化を図ることができる。したがって、大容量の第１コンデンサＣ１を共通の基板２上に有し、しかも複合素子型でありながらも小型のチップ部品１を提供することができる。
【００９４】
また、抵抗領域１５では、抵抗用導電体膜６１を用いて抵抗Ｒが形成されている。抵抗用導電体膜６１では、互いに隣合う導体膜６３の間から露出する抵抗膜ライン６２の形状および／または面積を変更することにより、抵抗体６６の抵抗値を変更および調節できる。しかも、抵抗用導電体膜６１によれば、一つまたは複数のヒューズ部６５を選択して切断することにより、複数の抵抗値を容易に実現できる。このような抵抗Ｒと、コイルＬまたは第１コンデンサＣ１との組み合わせによれば、様々な電気的特性、より具体的には様々な周波数特性を有する電気回路を実現できる。その結果、様々な電気的特性を達成できる複合素子型のチップ部品１を製造工程を共通化して製造し、かつ提供できる。
【００９５】
また、チップ部品１は表面絶縁膜２４を含む。コイル領域１３および第１コンデンサ領域１４、ならびに抵抗領域１５は、表面絶縁膜２４を挟んで、基板２内および基板２外に設定されている。これにより、表面絶縁膜２４を挟んで、コイル領域１３および第１コンデンサ領域１４が形成される領域と、抵抗Ｒが形成される領域とを区画できるので、コイルＬ、第１コンデンサＣ１および抵抗Ｒは、互いに大きな制約を与え合うことなく形成できる。また、表面絶縁膜２４は、平坦な表面を有しているので、抵抗Ｒ（抵抗用導電体膜６１）を良好に形成できる。
【００９６】
また、チップ部品１によれば、基板２の素子形成面２ａ側に、第１外部電極５、第２外部電極６、第１中間外部電極７および第２中間外部電極８が形成されている。そこで、図２５に示すように、素子形成面２ａを実装基板８０に対向させて、第１外部電極５、第２外部電極６、第１中間外部電極７および第２中間外部電極８をはんだ８１によって実装基板８０上に接合することにより、チップ部品１を実装基板８０上に表面実装した回路アセンブリ８２を提供できる。すなわち、フリップチップ接続型のチップ部品１を提供することができ、素子形成面２ａを実装基板８０の実装面に対向させたフェースダウン接合によって、ワイヤレスボンディングによってチップ部品１を実装基板８０に接続できる。これによって、実装基板８０上におけるチップ部品１の占有空間を小さくできる。特に、実装基板８０上におけるチップ部品１の低背化を実現できる。これにより、小型電子機器等の筐体内の空間を有効に利用でき、高密度実装および小型化に寄与できる。
＜チップ部品１の製造方法＞
図２６は、チップ部品１の製造方法の一例を示すフローチャートである。図２７は、チップ部品１の元となるベース基板９０の平面図であり、一部の領域を拡大して示してある。
【００９７】
まず、基板２が個片化される前のベース基板９０が用意される（ステップＳ１：ベース基板用意）。ベース基板９０の表面は、基板２の素子形成面２ａに対応し、ベース基板９０の裏面は、基板２の裏面２ｂに対応している。
図２７に示すように、ベース基板９０の表面には、複数のチップ部品１に対応した、チップ領域９１が、行列状に配置されている。隣り合うチップ領域９１の間には、境界領域９２が設定されている。境界領域９２は、略一定の幅を有する帯状の領域であり、直交する二方向に延びて格子状に形成されている。ベース基板９０の表面に対して必要な工程を行った後に、境界領域９２に沿ってベース基板９０を切り離すことにより、チップ領域９１がチップ部品１に個片化される。
【００９８】
より具体的には、ベース基板９０が用意された後、ベース基板９０の表面に絶縁膜３（図４等参照）が形成される（ステップＳ２：絶縁膜形成工程）。絶縁膜３が形成された後、フォトリソグラフィおよびエッチングにより、絶縁膜３のうち、コイル形成用トレンチ１６（図３等参照）、第１内部電極形成用トレンチ４１および第２内部電極形成用トレンチ４２（図８等参照）を形成すべき領域に対応する部分が除去される（ステップＳ３：トレンチ形成工程）。これにより、コイル形成用トレンチ１６の第１トレンチ部分１７（図５参照）、ならびに、第１内部電極形成用トレンチ４１および第２内部電極形成用トレンチ４２の各第１トレンチ部分４３（図１２参照）がベース基板９０に形成される。
【００９９】
次に、コイル形成用トレンチ１６の第１トレンチ部分１７、ならびに、第１内部電極形成用トレンチ４１および第２内部電極形成用トレンチ４２の各第１トレンチ部分４３を介するエッチングにより、ベース基板９０の不要な部分が除去される。これにより、コイル形成用トレンチ１６の第２トレンチ部分１８（図５参照）、ならびに、第１内部電極形成用トレンチ４１および第２内部電極形成用トレンチ４２の各第２トレンチ部分４４（図１２参照）が、ベース基板９０に形成される。
【０１００】
このような工程を経て、絶縁膜３およびベース基板９０に、コイル形成用トレンチ１６、第１内部電極形成用トレンチ４１および第２内部電極形成用トレンチ４２が形成される。コイル形成用トレンチ１６、第１内部電極形成用トレンチ４１および第２内部電極形成用トレンチ４２は、たとえば、いわゆるボッシュプロセス（BOSCH Process）を用いて形成されてもよい。
【０１０１】
次に、コイル形成用トレンチ１６、第１内部電極形成用トレンチ４１および第２内部電極形成用トレンチ４２の内面に、内面絶縁膜１９（図５および図１２参照）が形成される（ステップＳ４：内面絶縁膜形成工程）。この際、ベース基板９０におけるコイル形成用トレンチ１６の側部および底部を含む内面、第１内部電極形成用トレンチ４１の側部および底部を含む内面、ならびに第２内部電極形成用トレンチ４２の側部および底部を含む内面に、内面絶縁膜１９が形成される。この実施形態では、ベース基板９０において、螺旋状のコイル形成用トレンチ１６によって挟まれた壁の全体、ならびに隣り合う第１内部電極形成用トレンチ４１および第２内部電極形成用トレンチ４２によって挟まれた壁の全体が絶縁膜とされる。これにより、絶縁性を有する絶縁体部２０（図４、図１３等参照）が、ベース基板９０に形成される。
【０１０２】
次に、コイル形成用トレンチ１６、第１内部電極形成用トレンチ４１および第２内部電極形成用トレンチ４２に導電体２１が埋設される（ステップＳ５：導電体埋設工程）。この工程では、まず、コイル形成用トレンチ１６、第１内部電極形成用トレンチ４１および第２内部電極形成用トレンチ４２の内面に沿って、第１導電体層２２が形成される（図５および図１２参照）。第１導電体層２２は、ＴｉＮであってもよい。この後、アニール処理が施されてもよい。次に、たとえばＣＶＤ法により、コイル形成用トレンチ１６、第１内部電極形成用トレンチ４１および第２内部電極形成用トレンチ４２の内を含むベース基板９０上に第２導電体層２３が堆積される。第２導電体層２３は、タングステンであってもよい。
【０１０３】
次に、第２導電体層２３の表面が絶縁膜３の表面と面一となるように、第２導電体層２３がエッチバックされる。これにより、第１導電体層２２および第２導電体層２３を含む導電体２１が、コイル形成用トレンチ１６、第１内部電極形成用トレンチ４１および第２内部電極形成用トレンチ４２に埋設される（図５および図１２参照）。コイル形成用トレンチ１６に埋設された導電体２１により、コイルＬが形成される。また、第１内部電極形成用トレンチ４１および第２内部電極形成用トレンチ４２に埋設された導電体２１により、第１内部電極４５第および第２内部電極４６が形成されて、第１コンデンサＣ１が形成される。
【０１０４】
次に、コイルＬおよび第１コンデンサＣ１を被覆するように、表面絶縁膜２４が絶縁膜３上に形成される（ステップＳ６：表面絶縁膜形成工程）。表面絶縁膜形成工程は、たとえばＣＶＤ法によって、ＵＳＧ膜を形成するＵＳＧ膜形成工程であってもよい。ＵＳＧ膜の厚さ、たとえば２００００Å〜４００００Åであってもよい。次に、ＵＳＧ膜の表面が平坦化される（ステップＳ７：表面絶縁膜平坦化工程）。ＵＳＧ膜の表面の平坦化は、たとえばＣＭＰ法によって行われる。平坦化後のＵＳＧ膜の厚さは、たとえば８０００Å〜１５０００Åであってもよい。
【０１０５】
また、ＵＳＧ膜形成工程に代えて、ＳＯＧ膜形成工程を実施してもよい。ＳＯＧ膜形成工程では、ベース基板９０が所定の回転速度で回転された状態で、ＳｉＯ２を含む無機溶剤、またはＳｉＯ２を含む有機溶剤がベース基板９０上に塗布される。ベース基板９０に塗布された溶剤は、ベース基板９０の回転による遠心力を受けて、当該ベース基板９０の全面に拡がる。これにより、ベース基板９０の表面上に略均一な厚さの溶剤膜が形成される。その後、熱処理が施されて、溶剤膜が硬化（ガラス化）される。これにより、平坦な表面を有する表面絶縁膜２４が形成される。熱処理後のＳＯＧ膜の厚さは、たとえば８０００Å〜１５０００Åであってもよい。
【０１０６】
次に、フォトリソグラフィおよびエッチングにより、第１コイル用コンタクト孔２６および第２コイル用コンタクト孔２８（図３参照）、ならびに、第１コンデンサ用コンタクト孔４７および第２コンデンサ用コンタクト孔４８（図８参照）が、表面絶縁膜２４に形成される（ステップＳ８：コンタクト孔形成工程）。
次に、たとえばスパッタにより、表面絶縁膜２４上に、第１内部電極膜２９および第２内部電極膜３０を形成するための電極膜が形成される（ステップＳ９：電極膜形成工程）。電極膜は、アルミニウム膜であってもよい。次に、フォトリソグラフィおよびエッチングにより、電極膜がパターニングされることにより、第１内部電極膜２９および第２内部電極膜３０が形成される。
【０１０７】
次に、抵抗領域１５に抵抗Ｒが形成される（図１４等参照）。抵抗Ｒを形成する工程では、まず、たとえばスパッタにより、抵抗膜ライン６２、ヒューズ部６５の一部、ならびに第３内部電極膜４９および第４内部電極膜５８の各第１導電体膜６７を構成する相対的に低い導電率ρ６２を有する導電体膜（以下、単に「抵抗体膜」という）が表面絶縁膜２４上に形成される（ステップＳ１０：抵抗体膜形成工程）。抵抗体膜は、ＴｉＮ膜であってもよい。
【０１０８】
次に、導体膜６３、接続用導体膜６４、ヒューズ部６５の一部、ならびに第３内部電極膜４９および第４内部電極膜５８の各第２導電体膜６８を構成する、前記抵抗体膜の導電率ρ６２よりも高い導電率ρ６３を有する導電体膜（以下、単に「配線膜」という）が、抵抗体膜上に形成される（ステップＳ１１：配線膜形成工程）。配線膜は、アルミニウム膜であってもよい。
【０１０９】
次に、フォトリソグラフィおよびエッチングにより抵抗体膜および配線膜が同時にパターニングされる（ステップＳ１２：抵抗体膜および配線膜パターニング工程）。これにより、第３内部電極膜４９、第４内部電極膜５８、抵抗膜ライン６２、接続用導体膜６４、およびヒューズ部６５が同時に形成される。この際、配線膜は、抵抗膜ライン６２の全域を覆っている。次に、たとえばウェットエッチングにより抵抗膜ライン６２上に形成された配線膜が選択的に除去される（ステップＳ１３：配線膜除去工程）。これにより、抵抗膜ライン６２上に、導体膜６３が一定間隔を空けて形成される。
【０１１０】
次に、たとえばＣＶＤ法によって、表面絶縁膜２４の全域を覆うカバー膜が形成される（ステップＳ１４：カバー膜形成工程）。カバー膜は、窒化膜であってもよい。次に、カバー膜を選択的にエッチングすることによって、第３内部電極膜４９および第４内部電極膜５８の一部を露出させる。
次に、抵抗測定装置のプローブが、第３内部電極膜４９および第４内部電極膜５８に接触されて、抵抗Ｒの抵抗値が測定される（ステップＳ１５：抵抗値測定工程）。次に、レーザ光がカバー膜越しに照射されて、任意のヒューズ部６５が溶断される（ステップＳ１６：ヒューズ部切断工程）。第３内部電極膜４９および第４内部電極膜５８が露出する部分以外の領域は、カバー膜により覆われている。そのため、溶断の際に生じた破片などが他の領域に付着して生じる短絡等の接続不良を抑制できる。
【０１１１】
次に、ＣＶＤ法によって表面絶縁膜２４上に窒化膜を再度形成し、カバー膜が厚くされる。これにより、パッシベーション膜３５が形成される（ステップＳ１７：パッシベーション膜形成工程）。
次に、パッシベーション膜３５上に、感光性ポリイミドが塗布される（ステップＳ１８：樹脂膜形成工程）。感光性ポリイミドは、第１切除部３７、第２切除部３８、第３切除部５２、および第４切除部６９に対応するパターンで露光された後、現像される。これにより、第１切除部３７、第２切除部３８、第３切除部５２、および第４切除部６９に対応した切除部を有する樹脂膜３６が形成される。その後、必要に応じて、樹脂膜３６をキュアするための熱処理が行われる。次に、樹脂膜３６をマスクとして、パッシベーション膜３５の不要な部分がドライエッチングによって除去される（ステップＳ１９：切除部形成工程）。これにより、第１切除部３７、第２切除部３８、第３切除部５２、および第４切除部６９が形成される（図２等参照）。
【０１１２】
次に、境界領域９２（図２７参照）に整合する格子状の開口を有するレジストマスクが樹脂膜３６上に形成される（ステップＳ２０：切断用の溝形成工程）。このレジストマスクを介してプラズマエッチングが行われ、表面絶縁膜２４、絶縁膜３およびベース基板９０が、表面絶縁膜２４の表面から所定の深さまで除去される。これにより、境界領域９２に沿って、切断用の溝（スクライブ溝）が形成される。溝が形成された後、レジストマスクが剥離される。
【０１１３】
次に、たとえばＣＶＤ法によって、溝の内面（側部および底部）を含むベース基板９０の全域に、窒化膜等のパッシベーション膜４が形成される（ステップＳ２１：パッシベーション膜形成工程）。次に、基板２の側面２ｃに対応する部分がパッシベーション膜４に覆われるように、パッシベーション膜４が選択的にエッチングされる。
次に、たとえば無電界めっきによって、第１切除部３７、第２切除部３８、第３切除部５２、および第４切除部６９に、Ｎｉ、ＰｄおよびＡｕが順にめっき成長される（ステップＳ２２：外部電極形成工程）。これにより、第１外部電極５、第２外部電極６、第１中間外部電極７および第２中間外部電極８が形成される。
【０１１４】
次に、先ダイシング（ＤＢＧ；Dicing Before Grinding）法によって、チップ領域９１がチップ部品１に個片化される（ステップＳ２３：チップ部品個片化工程）。具体的には、まず、ベース基板９０の表面側に、粘着面を有する支持テープが貼着される。次に、ベース基板９０が裏面から、溝の底部に到達するまで研磨される。これにより、複数のチップ領域９１が、個々のチップ部品１に個片化される。
＜第２実施形態＞
図２８は、この発明の第２実施形態に係るチップ部品１０１の第２コンデンサ領域１０２を示す平面図である。図２９は、図２８に示すXXIX-XXIX線に沿う断面図である。図２８および図２９において、図１〜図２７に示された各部と対応する部分には同一の参照符号を付して、説明を省略する。
【０１１５】
図２８および図２９に示すように、この実施形態では、前述の抵抗領域１５に代えて、第２コンデンサ領域１０２が設定されている。第２コンデンサ領域１０２には、第２コンデンサＣ２が形成されている。第２コンデンサＣ２は、表面絶縁膜２４上に形成された第１電極膜１０３（第２導電体）と、第１電極膜１０３上に形成された誘電体膜１０４と、誘電体膜１０４上に形成された第２電極膜１０５とを含む。図２８では、第１電極膜１０３を破線で示し、第２電極膜１０５を実線で示している。
【０１１６】
第１電極膜１０３は、前述の第３内部電極膜４９と、第３内部電極膜４９と一体的に形成された第１キャパシタ電極膜１０６とを含む。第１キャパシタ電極膜１０６は、第３内部電極膜４９から第２外部電極６の直下の領域まで延びている。第１キャパシタ電極膜１０６は、第３内部電極膜４９を介して第２中間外部電極８と電気的に接続されている。つまり、第３内部電極膜４９は、第２コンデンサＣ２の一端１１２を兼ねている。また、第３内部電極膜４９は、第２コンデンサＣ２の一端１１２および第１コンデンサＣ１の他端５３を同時に接続する共通の内部接続部を形成している。
【０１１７】
誘電体膜１０４は、第１キャパシタ電極膜１０６を覆うように表面絶縁膜２４上に形成されている。誘電体膜１０４は、たとえば、酸化膜（ＳｉＯ２膜）または窒化膜（ＳｉＮ膜）であってもよい。また、誘電体膜１０４は、酸化膜（ＳｉＯ２膜）／窒化膜（ＳｉＮ膜）／酸化膜（ＳｉＯ２膜）をこの順に含むＯＮＯ膜であってもよい。
第２電極膜１０５は、前述の第４内部電極膜５８と、第４内部電極膜５８と一体的に形成された第２キャパシタ電極膜１０７と、第４内部電極膜５８および第２キャパシタ電極膜１０７を接続する複数のヒューズ部１０８とを含む。第２キャパシタ電極膜１０７は、第４内部電極膜５８を介して第２外部電極６と電気的に接続されている。つまり、第４内部電極膜５８は、第２コンデンサＣ２の他端１１３を兼ねている。
【０１１８】
第２キャパシタ電極膜１０７は、２つ以上（この実施形態では、８つ）の電極膜部分１０７Ａ〜１０７Ｈに分割されている。各電極膜部分１０７Ａ〜１０７Ｈは、いずれも、ヒューズ部１０８から第２中間外部電極８に向かって帯状に延びる平面視矩形状に形成されている。各電極膜部分１０７Ａ〜１０７Ｈは、誘電体膜１０４を挟んで第１キャパシタ電極膜１０６に対向している。電極膜部分１０７Ａ〜１０７Ｈの第１キャパシタ電極膜１０６に対する対向面積は、公比を１以上とする等比数列を含んでもよい。各電極膜部分１０７Ａ〜１０７Ｈの第１キャパシタ電極膜１０６に対する対向面積は、たとえば、１：２：４：８：１６：３２：６４：６４であってもよい。
【０１１９】
第２コンデンサ領域１０２では、第４内部電極膜５８が、誘電体膜１０４を挟んで第１キャパシタ電極膜１０６と対向することにより、キャパシタ要素ＣＥ１０が形成されている。また、各電極膜部分１０７Ａ〜１０７Ｈが、誘電体膜１０４を挟んで第１キャパシタ電極膜１０６と対向することにより、複数のキャパシタ要素ＣＥ１１〜ＣＥ１８が形成されている。
【０１２０】
各電極膜部分１０７Ａ〜１０７Ｈは、１つまたは複数のヒューズ部１０８を介して、第４内部電極膜５８と電気的に接続されている。一部のヒューズ部１０８は未使用であってもよい。
ヒューズ部１０８は、第４内部電極膜５８の第２コンデンサ領域１０２側の辺に沿って形成されている。ヒューズ部１０８は、第４内部電極膜５８と接続された第１幅広部１０９と、電極膜部分１０７Ａ〜１０７Ｈと接続された第２幅広部１１０と、第１幅広部１０９および第２幅広部１１０の間に接続された幅狭部１１１とを含む。幅狭部１１１は、第１幅広部１０９および第２幅広部１１０よりも幅狭に構成されている。幅狭部１１１を選択的に切断（溶断）することにより、電極膜部分１０７Ａ〜１０７Ｈを、第２外部電極６および第２中間外部電極８から電気的に分離できる。
【０１２１】
図３０は、図２８に示す第２コンデンサ領域１０２の電気的構造の一例を示す電気回路図である。
図３０に示すように、第２外部電極６および第２中間外部電極８の間に複数のキャパシタ要素ＣＥ１０〜ＣＥ１８が並列に接続されている。第２外部電極６直下の領域に形成されたキャパシタ要素ＣＥ１０には、ヒューズ部１０８が設けられていない。一方、各電極膜部分１０７Ａ〜１０７Ｈにより形成されるキャパシタ要素ＣＥ１１〜ＣＥ１８には、ヒューズ部１０８が直列に接続されている。
【０１２２】
いずれのヒューズ部１０８も接続されている場合、第２コンデンサＣ２の容量値は、キャパシタ要素ＣＥ１０〜ＣＥ１８の合成容量の値となる。全てのヒューズ部１０８が切断（溶断）されている場合、第２コンデンサＣ２の容量値は、第２外部電極６直下の領域に形成されたキャパシタ要素ＣＥ１０の容量値となる。一方、ヒューズ部１０８が選択的に切断（溶断）された場合、第２コンデンサＣ２の容量値は、分離されたキャパシタ要素ＣＥ１１〜ＣＥ１８の容量値の分だけ減少する。
＜第２コンデンサＣ２の製造方法＞
図３１は、図２８に示すチップ部品１０１の製造方法の一例を示す工程図である。
【０１２３】
第２コンデンサＣ２を製造するには、図２６に示すステップＳ９〜ステップＳ１３に代えて、図３１に示すステップＳ３１〜ステップＳ３３が実行される。
まず、ステップＳ９の電極膜形成工程を利用して、第１内部電極膜２９および第２内部電極膜３０と同時に、第３内部電極膜４９を含む第１電極膜１０３が第２コンデンサ領域１０２に形成される（ステップＳ３１：電極膜形成工程）。次に、第１電極膜１０３を覆うように誘電体膜１０４が形成される（ステップＳ３２：誘電体膜形成工程）。誘電体膜１０４は、酸化膜（ＳｉＯ２膜）／窒化膜（ＳｉＮ膜）／酸化膜（ＳｉＯ２膜）が順に積層されたＯＮＯ膜であってもよい。次に、誘電体膜１０４を覆うように、第２電極膜１０５を形成するための電極膜が形成される（ステップＳ３３：第２電極膜形成工程）。次に、第２電極膜１０５の最終形状に対応したレジストマスクが電極膜上に形成される。このレジストマスクを介するエッチングにより、第４内部電極膜５８と、第２キャパシタ電極膜１０７と、ヒューズ部１０８とを含む第２電極膜１０５が形成される。
【０１２４】
次に、前述のステップＳ１４〜ステップＳ１６と同様の工程を経て、第２コンデンサＣ２の容量値が調節される。その後、ステップＳ１７〜ステップＳ２３の工程が順次実行されて、第２コンデンサ領域１０２を含むチップ部品１０１が製造される。
＜チップ部品１０１の効果＞
以上の構成によれば、コイル領域１３、第１コンデンサ領域１４、および第２コンデンサ領域１０２を共通の基板２上に有し、ＣＬＣ直列回路網を含むチップ部品１０１を提供できる。第２コンデンサ領域１０２では、ヒューズ部１０８の切断（溶断）の有無により、第２コンデンサＣ２の容量値を容易に変更および調節できる。したがって、第２コンデンサＣ２と、コイルＬおよび第１コンデンサＣ１との組み合わせにより、様々な電気的特性、より具体的には様々な周波数特性を有する電気回路を容易に実現できる。これにより、所望の電気的特性に容易に合せ込むことができる複合素子型のチップ部品１０１を提供できる。これにより、様々な電気的特性を達成できる複合素子型のチップ部品１０１を製造工程を共通化して製造し、かつ提供できる。
【０１２５】
この実施形態では、抵抗領域１５に代えて、第２コンデンサ領域１０２が設定されたＣＬＣ直列回路網を含むチップ部品１０１の例について説明したが、第１コンデンサ領域１４に代えて、第２コンデンサ領域１０２を設定してもよい。つまり、チップ部品１０１は、第２コンデンサ領域１０２と、前述のコイル領域１３と、前述の抵抗領域１５とを含むＣＬＲ直列回路網を含んでもよい。この場合、チップ部品１０１は、抵抗値を変更および調節可能な抵抗Ｒと、容量値を変更および調節可能な第２コンデンサＣ２とを含む。このような抵抗Ｒおよび第２コンデンサＣ２と、コイルＬとの組み合わせにより、実現可能な電気的特性（周波数特性）をより一層増加させることができる。これにより、様々な電気的特性を達成できる複合素子型のチップ部品１０１を製造工程を共通化して製造し、かつ提供できる。
＜第３実施形態＞
図３２は、この発明の第３実施形態に係るチップ部品１２１の一部切欠斜視図である。図３３は、チップ部品１２１の平面図である。図３２および図３３において、図１〜図３１に示された各部と対応する部分には同一の参照符号を付して、説明を省略する。
【０１２６】
図３２に示すように、チップ部品１２１は、第１中間外部電極７および第２中間外部電極８を有していない。つまり、図３３に示すように、チップ部品１２１は、前述の実施形態から、第２切除部３８および第３切除部５２が除かれた構成を有している。
以上の構成によれば、第１中間外部電極７および第２中間外部電極８を形成する必要がないので、安価なチップ部品１２１を提供できる。
＜第４実施形態＞
図３４は、この発明の第４実施形態に係るチップ部品１３１の一部切欠斜視図である。図３５は、図３４に示すチップ部品１３１の平面図である。図３４および図３５において、図１〜図３３に示された各部と対応する部分には同一の参照符号を付して、説明を省略する。
【０１２７】
図３４に示すように、チップ部品１３１は、直方体形状に形成されている。チップ部品１３１の平面形状は矩形であり、その長手方向の長さＷ１が１．０ｍｍ〜１．２ｍｍ、短手方向の長さＷ２が０．４ｍｍ程度であってもよい。また、チップ部品１３１の全体の厚さＴは、０．１５ｍｍ程度であってもよい。
チップ部品１３１は、直方体形状の基板２を含む。基板２は、一対の主面２ａ，２ｂと、４つの側面２ｃとを含む。前記一対の主面２ａ，２ｂのうちの一方（図３４の上面側の主面２ａ）が素子形成面とされている。以下、この主面２ａを「素子形成面２ａ」といい、素子形成面２ａと反対側の主面２ｂを「裏面２ｂ」という。基板２の表面（素子形成面２ａ）は、絶縁膜３によって覆われている。基板２の４つの側面２ｃおよび絶縁膜３の外周部は、パッシベーション膜４で覆われている。
【０１２８】
図３５に示すように、基板２上には、第１外部電極１３２と、第２外部電極１３３とが互いに間隔を空けて形成されている。第１外部電極１３２は、基板２の長手方向に沿う一方側の端部に沿って配置されている。第１外部電極１３２は、平面視矩形状に形成されている。第２外部電極１３３は、基板２の長手方向に沿う他方側の端部に沿って配置されている。第２外部電極１３３は、平面視矩形状に形成されている。
【０１２９】
この実施形態では、第１外部電極１３２および第２外部電極１３３の対向方向に交わる方向（直交する方向）に沿って、複数の受動素子領域が並んで配置されている。より具体的には、複数の受動素子領域は、前述のコイル領域１３と、前述の第１コンデンサ領域１４と、前述の抵抗領域１５とを含む。この実施形態では、コイル領域１３を挟み込むように第１コンデンサ領域１４および抵抗領域１５が配置された例を示している。
【０１３０】
第１外部電極１３２の下方には、第１内部電極膜１３６が配置されている。第１内部電極膜１３６は、第１コンデンサ領域１４とコイル領域１３との境界、およびコイル領域１３と抵抗領域１５との境界のそれぞれを横切るように配置されている。第１内部電極膜１３６は、抵抗領域１５において、抵抗Ｒの一端５９に電気的に接続されている。第１内部電極膜１３６は、コイル領域１３において、表面絶縁膜２４に形成された第１コイル用コンタクト孔２６に入り込む第１引出し電極３１を介して、コイルＬの一端２５に電気的に接続されている。第１内部電極膜１３６は、第１コンデンサ領域１４において、表面絶縁膜２４に形成された第１コンデンサ用コンタクト孔４７に入り込み、第１コンデンサＣ１の一端５０に電気的に接続されている。
【０１３１】
第２外部電極１３３の下方には、第２内部電極膜１３７が配置されている。第２内部電極膜１３７は、第１コンデンサ領域１４とコイル領域１３との境界、およびコイル領域１３と抵抗領域１５との境界のそれぞれを横切るように配置されている。第２内部電極膜１３７は、抵抗領域１５において、抵抗Ｒの他端６０に電気的に接続されている。第２内部電極膜１３７は、コイル領域１３において、表面絶縁膜２４に形成された第２コイル用コンタクト孔２８に入り込む第２引出し電極３３を介して、コイルＬの他端２７に電気的に接続されている。第２内部電極膜１３７は、第１コンデンサ領域１４において、表面絶縁膜２４に形成された第２コンデンサ用コンタクト孔４８に入り込み、第１コンデンサＣ１の他端５３に電気的に接続されている。
【０１３２】
パッシベーション膜３５および樹脂膜３６には、第１内部電極膜１３６の抵抗領域１５、コイル領域１３および第１コンデンサ領域１４側の縁部を除く領域を露出させる第１切除部１３８が形成されている。同様に、パッシベーション膜３５および樹脂膜３６には、第２内部電極膜１３７の抵抗領域１５、コイル領域１３および第１コンデンサ領域１４側の縁部を除く領域を露出させる第２切除部１３９が形成されている。
【０１３３】
第１外部電極１３２は、第１切除部１３８を埋め尽くすように形成されている。第１外部電極１３２は、樹脂膜３６から突出するように形成されている。第１外部電極１３２は、樹脂膜３６の表面に沿って、抵抗領域１５、コイル領域１３および第１コンデンサ領域１４側に引き出された被覆部１４０を有している。同様に、第２外部電極１３３は、第２切除部１３９を埋め尽くすように形成されている。第２外部電極１３３は、樹脂膜３６から突出するように形成されている。第２外部電極１３３は、樹脂膜３６の表面に沿って、抵抗領域１５、コイル領域１３および第１コンデンサ領域１４側に引き出された被覆部１４１を有している。
【０１３４】
図３６は、図３４に示すチップ部品１３１の電気的構造の一例を示す電気回路図である。
図３６に示すように、抵抗Ｒの一端５９、コイルＬの一端２５および第１コンデンサＣ１の一端５０は、第１内部電極膜１３６（図３５参照）を介して第１外部電極１３２に接続されている。一方、抵抗Ｒの他端６０、コイルＬの他端２７および第１コンデンサＣ１の他端５３は、第２内部電極膜１３７（図３５参照）を介して第２外部電極１３３に接続されている。これにより、抵抗Ｒ、コイルＬおよび第１コンデンサＣ１が並列接続されたＲＬＣ並列回路網が形成されている。
【０１３５】
以上の構成によれば、ＲＬＣ並列回路網が共通の基板２に形成されたチップ部品１３１を提供できる。
また、チップ部品１３１によれば、基板２の一方の表面である素子形成面２ａに、第１外部電極１３２および第２外部電極１３３が形成されている。そこで、図３７に示すように、素子形成面２ａを実装基板８０に対向させて、第１外部電極１３２および第２外部電極１３３をはんだ８１によって実装基板８０上にフェースダウン接合することにより、チップ部品１３１を実装基板８０上に表面実装した回路アセンブリ８２を提供できる。これにより、実装基板８０上におけるチップ部品１３１の占有空間を小さくでき、実装基板８０上におけるチップ部品１３１の低背化を実現できる。その結果、小型電子機器等の筐体内の空間を有効に利用でき、高密度実装および小型化に寄与できる。
＜第５実施形態＞
図３８は、この発明の第５実施形態に係るチップ部品１５１の一部切欠斜視図である。図３９は、図３８に示すチップ部品１５１の平面図である。図３８および図３９において、図１〜図３７に示された各部と対応する部分には同一の参照符号を付して、説明を省略する。
【０１３６】
図３８および図３９に示すように、基板２上には、第１外部電極１５２と、第２外部電極１５３とが互いに間隔を空けて形成されている。第１外部電極１５２は、基板２の長手方向に沿う一方側の端部と、基板２の短手方向に沿う一方側の端部とが交わる角部（第１コンデンサ領域１４側の角部）に配置されている。第１外部電極１５２は、平面視矩形状に形成されている。第２外部電極１５３は、基板２の長手方向に沿う他方側の端部と、基板２の短手方向に沿う他方側の端部とが交わる角部（抵抗領域側の角部）に配置されている。第２外部電極１５３は、平面視矩形状に形成されている。
【０１３７】
この実施形態では、第１外部電極１５２および第２外部電極１５３の対向方向に交わる方向に沿って、前述のコイル領域１３と、前述の第１コンデンサ領域１４と、前述の抵抗領域１５とが配置されている。
図３９に示すように、基板２の長手方向に沿う一方側の端部に沿って、第１内部電極膜１５６が形成されている。第１内部電極膜１５６は、コイルＬの一端２５、第１コンデンサＣ１の一端５０および抵抗Ｒの一端５９の各一端のうち、少なくとも２つの一端を電気的に接続する電極膜部分を含む。より具体的には、この実施形態では、第１内部電極膜１５６は、互いに間隔を空けて配置された第１電極膜部分１５６Ａと、第２電極膜部分１５６Ｂとを含む。
【０１３８】
第１電極膜部分１５６Ａは、コイル領域１３と抵抗領域１５との境界を横切って形成されており、コイルＬの一端２５および抵抗Ｒの一端５９のそれぞれに電気的に接続されている。第２電極膜部分１５６Ｂは、第１外部電極１５２の下方に配置されており、第１コンデンサＣ１の一端５０に電気的に接続されている。
第１電極膜部分１５６Ａと第２電極膜部分１５６Ｂとの間には、表面絶縁膜２４が露出している。当該表面絶縁膜２４上には、パッシベーション膜３５および樹脂膜３６が形成されている。したがって、第１電極膜部分１５６Ａと第２電極膜部分１５６Ｂとの間は、電気的に絶縁されている。そのため、第１電極膜部分１５６Ａおよび第２電極膜部分１５６Ｂは直接接続されていない。
【０１３９】
基板２の長手方向に沿う他方側の端部には、第２内部電極膜１５７が形成されている。第２内部電極膜１５７は、コイルＬの他端２７、第１コンデンサＣ１の他端５３および抵抗Ｒの他端６０の各他端のうち、少なくとも２つの他端を電気的に接続する電極膜部分を含む。より具体的には、この実施形態では、第２内部電極膜１５７は、互いに間隔を空けて配置された第１電極膜部分１５７Ａと、第２電極膜部分１５７Ｂとを含む。
【０１４０】
第１電極膜部分１５７Ａは、第２外部電極１５３の下方に配置されており、抵抗Ｒの他端６０に電気的に接続されている。第２電極膜部分１５７Ｂは、コイル領域１３と第１コンデンサ領域１４との境界を横切って形成されており、コイルＬの他端２７および第１コンデンサＣ１の他端５３のそれぞれに電気的に接続されている。
第１電極膜部分１５７Ａと第２電極膜部分１５７Ｂとの間には、表面絶縁膜２４が露出している。当該表面絶縁膜２４上には、パッシベーション膜３５および樹脂膜３６が形成されている。したがって、第１電極膜部分１５７Ａと第２電極膜部分１５７Ｂとの間は、電気的に絶縁されている。そのため、第１電極膜部分１５７Ａおよび第２電極膜部分１５７Ｂは直接接続されていない。
【０１４１】
パッシベーション膜３５および樹脂膜３６には、第１内部電極膜１５６の第２電極膜部分１５６Ｂを露出させる第１切除部１５８が形成されている。第１外部電極１５２は、第１切除部１５８を埋め尽くすように形成されている。同様に、パッシベーション膜３５および樹脂膜３６には、第２内部電極膜１５７の第２電極膜部分１５７Ａを露出させる第２切除部１５９が形成されている。第２外部電極１５３は、第２切除部１５９を埋め尽くすように形成されている。
＜電気回路＞
図４０は、チップ部品１５１の電気的構造の一例を示す電気回路図である。
【０１４２】
抵抗Ｒの他端６０は、第２内部電極膜１５７の第１電極膜部分１５７Ａを介して、第２外部電極１５３に電気的に接続されている。抵抗Ｒの一端５９は、第１内部電極膜１５６の第２電極膜部分１５６Ｂを介して、コイルＬの一端２５に電気的に接続されている。コイルＬの他端２７は、第２内部電極膜１５７の第２電極膜部分１５７Ｂを介して、第１コンデンサＣ１の他端５３に電気的に接続されている。そして、第１コンデンサＣ１の一端５０は、第１内部電極膜１５６の第１電極膜部分１５６Ａを介して、第１外部電極１５２に電気的に接続されている。これにより、抵抗Ｒ、コイルＬおよび第１コンデンサＣ１が直列接続されたＲＬＣ直列回路網が形成されている。
【０１４３】
以上の構成によれば、ＲＬＣ直列回路網が共通の基板２に形成されたチップ部品１５１を提供できる。このようなＲＬＣ直列回路網を含むチップ部品１５１は、図４１に示す接続例に基づいて形成されている。図４１は、図３８に示すチップ部品１５１に係る受動素子の接続例を説明するための電気回路図である。
図４１に示すように、チップ部品１５１は、３つの受動素子１６１を有している。各受動素子１６１は、一端１６２および他端１６３を有している。１つの受動素子１６１には、前述のコイルＬ（コイル領域１３）、前述の第１コンデンサＣ１（第１コンデンサ領域１４）、前述の第２コンデンサＣ２（第２コンデンサ領域１０２）、および前述の抵抗Ｒ（抵抗領域１５）のいずれか１つが組み込まれる。以下では、図４１の上から順に、第１受動素子１６１Ａの一端１６２Ａおよび他端１６３Ａ、第２受動素子１６１Ｂの一端１６２Ｂおよび他端１６３Ｂ、および第３受動素子１６１Ｃの一端１６２Ｃおよび他端１６３Ｃという。
【０１４４】
図４１に示すように、第１内部電極膜１５６は、第１受動素子１６１Ａの一端１６２Ａに電気的に接続可能な第１電極膜部分１５６Ａと、第２受動素子１６１Ｂの一端１６２Ｂに電気的に接続可能な第２電極膜部分１５６Ｂと、第３受動素子１６１Ｃの一端１６２Ｃに電気的に接続可能な第３電極膜部分１５６Ｃとを含む。
第２内部電極膜１５７は、第１受動素子１６１Ａの他端１６３Ａに電気的に接続可能な第１電極膜部分１５７Ａと、第２受動素子１６１Ｂの他端１６３Ｂに電気的に接続可能な第２電極膜部分１５７Ｂと、第３受動素子１６１Ｃの他端１６３Ｃに電気的に接続可能な第３電極膜部分１５７Ｃとを含む。
【０１４５】
第１外部電極１５２は、第１電極膜部分１５６Ａに電気的に接続可能な第１外部電極部分１５２Ａと、第２電極膜部分１５６Ｂに電気的に接続可能な第２外部電極部分１５２Ｂと、第３電極膜部分１５６Ｃに電気的に接続可能な第３外部電極部分１５２Ｃとを含む。
第２外部電極１５３は、第１電極膜部分１５７Ａに電気的に接続可能な第１外部電極部分１５３Ａと、第２電極膜部分１５７Ｂに電気的に接続可能な第２外部電極部分１５３Ｂと、第３電極膜部分１５７Ｃに電気的に接続可能な第３外部電極部分１５３Ｃとを含む。
【０１４６】
第１内部電極膜１５６では、第１電極膜部分１５６Ａおよび第２電極膜部分１５６Ｂ間を電気的に接続するか否か、ならびに第２電極膜部分１５６Ｂおよび第３電極膜部分１５６Ｃ間を電気的に接続するか否かを選択できる。これらの組み合わせは、４通りある。
同様に、第２内部電極膜１５７では、第１電極膜部分１５７Ａおよび第２電極膜部分１５７Ｂ間を電気的に接続するか否か、ならびに第２電極膜部分１５７Ｂおよび第３電極膜部分１５７Ｃ間を電気的に接続するか否かを選択できる。これらの組み合わせは、４通りある。
【０１４７】
第１外部電極１５２では、第１外部電極部分１５２Ａを設けるか否か、第２外部電極部分１５２Ｂを設けるか否か、および第３外部電極部分１５２Ｃを設けるか否かを選択できる。これらの組み合わせは、６通りある。さらに、第１外部電極１５２では、第１外部電極部分１５２Ａおよび第２外部電極部分１５２Ｂ間を電気的に接続するか否か、ならびに第２外部電極部分１５２Ｂおよび第３外部電極部分１５２Ｃ間を電気的に接続するか否かを選択できる。これらの組み合わせは、４通りある。
【０１４８】
第２外部電極１５３では、第１外部電極部分１５３Ａを設けるか否か、第２外部電極部分１５３Ｂを設けるか否か、および第３外部電極部分１５３Ｃを設けるか否かを選択できる。これらの組み合わせは、６通りある。さらに、第２外部電極１５３では、第１外部電極部分１５３Ａおよび第２外部電極部分１５３Ｂ間を電気的に接続するか否か、ならびに第２外部電極部分１５３Ｂおよび第３外部電極部分１５３Ｃ間を電気的に接続するか否かを選択できる。これらの組み合わせは、４通りある。
【０１４９】
そして、第１受動素子１６１Ａ、第２受動素子１６１Ｂ、および第３受動素子１６１Ｃに組み込まれる受動素子が、前述のコイルＬ（コイル領域１３）、前述の第１コンデンサＣ１（第１コンデンサ領域１４）、前述の第２コンデンサＣ２（第２コンデンサ領域１０２）、および前述の抵抗Ｒ（抵抗領域１５）のいずれかから１つ選択される。これらの組み合わせは、６４通りある。
【０１５０】
以上の組み合わせ（４×４×６×４×６×４×６４通りの組み合わせ）から適切な電気回路を選択して共通の基板２に形成することにより、所望の受動素子回路網を含むチップ部品１５１を得ることができる。図４２〜図４５では、その一例を示している。
図４２では、第１外部電極部分１５２Ａ、第２外部電極部分１５２Ｂおよび第３外部電極部分１５２Ｃが形成されている。第１外部電極部分１５２Ａは、第１電極膜部分１５６Ａを介して第１受動素子１６１Ａの一端１６２Ａに接続されている。第２外部電極部分１５２Ｂは、第２電極膜部分１５６Ｂを介して第２受動素子１６１Ｂの一端１６２Ｂに接続されている。第３外部電極部分１５２Ｃは、第３電極膜部分１５６Ｃを介して第３受動素子１６１Ｃの一端１６２Ｃに接続されている。第１受動素子１６１Ａの他端１６３Ａ、第２受動素子１６１Ｂの他端１６３Ｂおよび第３受動素子１６１Ｃの他端１６３Ｃは、第１電極膜部分１５７Ａ、第１電極膜部分１５７Ｂおよび第１電極膜部分１５７Ｃが一体となった第２内部電極膜１５７により、電気的に接続されている。第２内部電極膜１５７は、第１外部電極部分１５３Ａ、第２外部電極部分１５３Ｂおよび第３外部電極部分１５３Ｃから電気的に分離されている。この回路の場合、第１外部電極部分１５２Ａ、第２外部電極部分１５２Ｂおよび第３外部電極部分１５２Ｃのいずれかが、入力端子または出力端子に設定され得る。
【０１５１】
図４３では、第１外部電極部分１５２Ａおよび第２外部電極部分１５３Ｂ間に、第１受動素子１６１Ａおよび第２受動素子１６１Ｂの並列回路が形成されている。第３受動素子１６１Ｃは、第３外部電極部分１５２Ｃおよび第３外部電極部分１５３Ｃ間に、直列接続されている。第３受動素子１６１Ｃは、第１受動素子１６１Ａおよび第２受動素子１６１Ｂから電気的に分離された１つの直列回路を形成している。図４４は、図４３の回路に対して、第３電極膜部分１５７Ｃが、第１電極膜部分１５７Ａおよび第２電極膜部分１５７Ｂに電気的に接続されている点、第１外部電極部分１５３Ａおよび第２外部電極部分１５３Ｂが電気的に接続されている点で異なる。
【０１５２】
図４５では、第１受動素子１６１Ａの他端１６３Ａに第２受動素子１６１Ｂの他端１６３Ｂが接続され、第３受動素子１６１Ｃの一端１６２Ｃに第２受動素子１６１Ｂの一端１６２Ｂが接続されたブリッジ回路が形成されている。
以上のように、この発明によれば、複数の受動素子から選択される様々な組み合わせからなる回路網が共通の基板２に形成されたチップ部品１５１を容易に製造し、提供できる。
＜第６実施形態＞
図４６は、この発明の第６実施形態に係るチップ部品２０１の一部切欠斜視図である。図４７は、図４６に示すチップ部品２０１の分解斜視図である。図４８は、図４６のXLVIII-XLVIII線に沿う断面図である。図４９は、チップ部品２０１の電気的構造の一例を示す電気回路図である。図４６〜図４９において、図１〜図４５に示された各部と対応する部分には同一の参照符号を付して、説明を省略する。
【０１５３】
図４６に示すように、チップ部品２０１は、直方体形状に形成されている。チップ部品２０１の平面形状は矩形であり、その長手方向の長さＷ１が０．４ｍｍ、短手方向の長さＷ２が０．２ｍｍ程度であってもよい。また、チップ部品２０１の全体の厚さＴは、０．１５ｍｍ程度であってもよい。
チップ部品２０１は、直方体形状の基板２を含む。基板２は、一対の主面２ａ，２ｂと、４つの側面２ｃとを含む。一対の主面２ａ，２ｂのうちの一方（図４６の上面側の主面２ａ）が素子形成面とされている。以下、この主面２ａを「素子形成面２ａ」といい、素子形成面２ａと反対側の主面２ｂを「裏面２ｂ」という。基板２の表面（素子形成面２ａ）は、絶縁膜３によって覆われている。基板２の４つの側面２ｃおよび絶縁膜３の外周部はパッシベーション膜４で覆われている。
【０１５４】
チップ部品２０１は、互いに間隔を空けて基板２上に形成された第１外部電極２０２および第２外部電極２０３を含む。第１外部電極２０２は、基板２の一端部に配置されており、平面視矩形状に形成されている。第２外部電極２０３は、基板２の他端部に配置されており、平面視矩形状に形成されている。
図４７に示すように、チップ部品２０１は、第１外部電極２０２および第２外部電極２０３間に、第１外部電極２０２および第２外部電極２０３の対向方向に交わる方向に沿って、複数の受動素子領域が並んで配置されている。より具体的には、チップ部品２０１は、複数の受動素子が、基板２の表面に垂直に交わる垂直方向に積層配置された積層構造を有している。この実施形態では、チップ部品２０１が、前述のコイル領域１３と前述の抵抗領域１５とが積層配置された積層構造を有している。
【０１５５】
より具体的には、図４７および図４８に示すように、絶縁膜３が形成された基板２に前述のコイル領域１３が同様の構成で設定されている。基板２上には、コイル領域１３を覆うように、第１表面絶縁膜２０４が形成されている。第１表面絶縁膜２０４は、前述の表面絶縁膜２４に対応している。第１表面絶縁膜２０４上には、第１内部電極膜２０５および第２内部電極膜２０６が配置されている。
【０１５６】
第１内部電極膜２０５は、基板２の一端部に配置されている。第１内部電極膜２０５は、第１表面絶縁膜２０４に形成された第１コイル用コンタクト孔２６に入り込み、コイルＬの一端２５に電気的に接続された第１引出し電極３１を有している。第２内部電極膜２０６は、基板２の他端部に配置されている。第２内部電極膜２０６は、第１表面絶縁膜２０４に形成された第２コイル用コンタクト孔２８に入り込み、コイルＬの他端２７に電気的に接続された第２引出し電極３３を有している。
【０１５７】
第１表面絶縁膜２０４上には、第１内部電極膜２０５および第２内部電極膜２０６を覆うように、第２表面絶縁膜２０７が形成されている。第２表面絶縁膜２０７は、平面視で、素子形成面２ａと整合する矩形である。第２表面絶縁膜２０７は、平坦な表面を有している。第２表面絶縁膜２０７は、たとえば、ＵＳＧ膜またはＳＯＧ膜を含む。ＳＯＧ膜は、ＳｉＯ２および水素化シルセシキオキサン（ＨＳＱ）等の無機系材料を含む無機ＳＯＧ膜であってもよい。また、ＳＯＧ膜は、ＳｉＯ２およびメチルシルセシキオキサン（ＭＳＱ）等の有機系材料を含む有機ＳＯＧ膜であってもよい。第２表面絶縁膜２０７は、８０００Å〜１５０００Åの厚さを有してもよい。
【０１５８】
第２表面絶縁膜２０７は、第１内部電極膜２０５の一部を第１パッド２０８として露出させる第１パッド開口２０９と、第２内部電極膜２０６の一部を第２パッド２１０として露出させる第２パッド開口２１１とを含む。
第２表面絶縁膜２０７上には、抵抗領域１５が設定されている。抵抗領域１５には、抵抗Ｒ（抵抗用導電体膜６１）と、抵抗Ｒの一端５９に電気的に接続された第３内部電極膜２１２と、抵抗Ｒの他端６０に電気的に接続された第４内部電極膜２１３とが形成されている。第３内部電極膜２１２は、第２表面絶縁膜２０７の表面に沿って第１パッド開口２０９に入り込むように形成されている。第３内部電極膜２１２は、第１パッド開口２０９内で、第１パッド２０８（第１内部電極膜２０５）に電気的に接続されている。第４内部電極膜２１３は、第２表面絶縁膜２０７の表面に沿って第２パッド開口２１１に入り込むように形成されている。第４内部電極膜２１３は、第２パッド開口２１１内で、第２パッド２１０（第２内部電極膜２０６）に電気的に接続されている。
【０１５９】
図４８に示すように、第２表面絶縁膜２０７上には、抵抗Ｒ（抵抗用導電体膜６１）、第３内部電極膜２１２および第４内部電極膜２１３を覆うように、パッシベーション膜３５が形成されている。パッシベーション膜３５上には、樹脂膜３６が形成されている。パッシベーション膜３５および樹脂膜３６には、第３内部電極膜２１２の抵抗領域１５側の縁部を除く領域を露出させる第１切除部２１４と、第４内部電極膜２１３の抵抗領域１５側の縁部を除く領域を露出させる第２切除部２１５が形成されている。
【０１６０】
第１外部電極２０２は、第１切除部２１４を埋め尽くすように形成されている。第１外部電極２０２は、樹脂膜３６から突出するように形成されている。第１外部電極２０２は、樹脂膜３６の表面に沿って抵抗領域１５側に引き出された被覆部２１６を有している。この実施形態では、第１外部電極２０２は、第１切除部２１４から露出している第１パッド２０８、第２表面絶縁膜２０７の表面、および基板２の一端部側のパッシベーション膜４の上端部を覆うように形成されている。第１外部電極２０２の内方側の側面を除く３つの側面は、パッシベーション膜４の表面と面一となるように形成されている。
【０１６１】
第２外部電極２０３は、第２切除部２１５を埋め尽くすように形成されている。第２外部電極２０３は、樹脂膜３６から突出するように形成されている。第２外部電極２０３は、樹脂膜３６の表面に沿って抵抗領域１５側に引き出された被覆部２１７を有している。この実施形態では、第２外部電極２０３は、第２切除部２１５から露出している第２パッド２１０、第２表面絶縁膜２０７の表面、および基板２の一端部側のパッシベーション膜４の上端部を覆うように形成されている。第２外部電極２０３の内方側の側面を除く３つの側面は、パッシベーション膜４の表面と面一となるように形成されている。
【０１６２】
第１外部電極２０２は、第３内部電極膜２１２を介して抵抗Ｒの一端５９に電気的に接続されている。また、第１外部電極２０２は、第３内部電極膜２１２および第１内部電極膜２０５を介してコイルＬの一端２５に電気的に接続されている。第２外部電極２０３は、第４内部電極膜２１３を介して抵抗Ｒの他端６０に電気的に接続されている。また、第２外部電極２０３は、第４内部電極膜２１３および第２内部電極膜２０６を介してコイルＬの他端２７に電気的に接続されている。
【０１６３】
以上のような構成によれば、図４９に示すように、抵抗ＲおよびコイルＬが並列接続されたＲＬ並列回路網が共通の基板２に形成されたチップ部品２０１を提供できる。また、チップ部品２０１は、第１表面絶縁膜２０４を挟んでコイルＬ上に抵抗Ｒが積層配置された積層構造を有している。積層構造によれば、コイルＬおよび抵抗Ｒが積層方向に直交する方向に並んで配置されている場合等に比べて、基板２の面積を低減できるので、チップ部品２０１の実装スペースを削減できる。また、一枚のベース基板９０（図２７参照）から得られるチップ部品２０１の数量を増加させることもできる。
＜第７実施形態＞
図５０は、この発明の第７実施形態に係るチップ部品２２１の一部切欠斜視図である。図５１は、図５０に示すチップ部品２２１の電気的構造の一例を示す電気回路図である。図５０および図５１において、図１〜図４９に示された各部と対応する部分には同一の参照符号を付して、説明を省略する。
【０１６４】
図５０に示すように、チップ部品２２１では、第２表面絶縁膜２０７上に、前述の抵抗領域１５に代えて、前述の第２コンデンサ領域１０２が設定されている。第２コンデンサ領域１０２には、第１電極膜１０３と、第１電極膜１０３上に形成された誘電体膜１０４と、誘電体膜１０４上に形成された第２電極膜１０５とを含む第２コンデンサＣ２が形成されている。第１電極膜１０３は、第３内部電極膜２１２と、第３内部電極膜２１２に一体的に連なる第１キャパシタ電極膜１０６とを含む。第３内部電極膜２１２は、第２コンデンサＣ２の一端１１２を兼ねている。第２電極膜１０５は、第４内部電極膜２１３と、第４内部電極膜２１３とヒューズ部１０８を介して電気的に接続された第２キャパシタ電極膜１０７とを含む。第４内部電極膜２１３は、第２コンデンサＣ２の他端１１３を兼ねている。
【０１６５】
第１外部電極２０２は、第３内部電極膜２１２（第２コンデンサＣ２の一端１１２）を介して第１キャパシタ電極膜１０６に電気的に接続されている。また、第１外部電極２０２は、第３内部電極膜２１２および第１内部電極膜２０５を介してコイルＬの一端２５に電気的に接続されている。第２外部電極２０３は、第４内部電極膜２１３（第２コンデンサＣ２の他端１１３）を介して第２キャパシタ電極膜１０７に電気的に接続されている。また、第２外部電極２０３は、第４内部電極膜２１３および第２内部電極膜２０６を介してコイルＬの他端２７に電気的に接続されている。
【０１６６】
このような構成によれば、図５１に示すように、コイルＬおよび第２コンデンサＣ２が並列接続されたＬＣ並列回路網が共通の基板２に形成された積層構造型のチップ部品２２１を提供できる。
＜第８実施形態＞
図５２は、この発明の第８実施形態に係るチップ部品２３１の一部切欠斜視図である。図５３は、チップ部品２３１の電気的構造の一例を示す電気回路図である。図５２および図５３において、図１〜図５１に示された各部と対応する部分には同一の参照符号を付して、説明を省略する。
【０１６７】
チップ部品２３１は、前述のチップ部品２０１の構成に、前述の第２コンデンサ領域１０２をさらに積層した積層構造を有している。
より具体的には、図５２に示すように、第２表面絶縁膜２０７上には、抵抗領域１５を覆う第３表面絶縁膜２３２が形成されている。第３表面絶縁膜２３２は、平面視で、素子形成面２ａと整合する矩形である。第３表面絶縁膜２３２は、平坦な表面を有している。第３表面絶縁膜２３２は、たとえば、ＵＳＧ膜またはＳＯＧ膜を含む。ＳＯＧ膜は、ＳｉＯ２および水素化シルセシキオキサン（ＨＳＱ）等の無機系材料を含む無機ＳＯＧ膜であってもよい。また、ＳＯＧ膜は、ＳｉＯ２およびメチルシルセシキオキサン（ＭＳＱ）等の有機系材料を含む有機ＳＯＧ膜であってもよい。第３表面絶縁膜２３２は、８０００Å〜１５０００Åの厚さを有してもよい。
【０１６８】
第３表面絶縁膜２３２は、第３内部電極膜２１２の一部を第３パッド２３３として露出させる第３パッド開口２３４と、第４内部電極膜２１３の一部を第４パッド２３５として露出させる第４パッド開口２３６とを含む。
第３表面絶縁膜２３２上には、前述の第２コンデンサＣ２（第２コンデンサ領域１０２）が形成されている。第２コンデンサＣ２は、第３表面絶縁膜２３２上に形成された第１電極膜１０３と、第１電極膜１０３上に形成された誘電体膜１０４と、誘電体膜１０４上に形成された第２電極膜１０５とを含む。
【０１６９】
この実施形態では、第１電極膜１０３は、第５内部電極膜２３７と、第５内部電極膜２３７と一体的に連なる第１キャパシタ電極膜１０６を含む。第５内部電極膜２３７は、第２コンデンサＣ２の一端１１２を兼ねている。第２電極膜１０５は、第６内部電極膜２３８と、第６内部電極膜２３８とヒューズ部１０８を介して電気的に接続された第２キャパシタ電極膜１０７とを含む。第６内部電極膜２３８は、第２コンデンサＣ２の他端１１３を兼ねている。
【０１７０】
第５内部電極膜２３７は、第３表面絶縁膜２３２の表面に沿って第３パッド開口２３４に入り込むように形成されている。第５内部電極膜２３７は、第３パッド開口２３４内で、第３パッド２３３（第３内部電極膜２１２）に電気的に接続されている。第６内部電極膜２３８は、第３表面絶縁膜２３２の表面に沿って第４パッド開口２３６内に入り込むように形成されている。第６内部電極膜２３８は、第４パッド開口２３６内で、第４パッド２３５（第４内部電極膜２１３）に電気的に接続されている。
【０１７１】
第１外部電極２０２は、第５内部電極膜２３７（第２コンデンサＣ２の一端１１２）を介して第１キャパシタ電極膜１０６に電気的に接続されている。また、第１外部電極２０２は、第５内部電極膜２３７および第３内部電極膜２１２を介して抵抗Ｒの一端５９に電気的に接続されている。また、第１外部電極２０２は、第５内部電極膜２３７、第３内部電極膜２１２および第１内部電極膜２０５を介してコイルＬの一端２５に電気的に接続されている。
【０１７２】
第２外部電極２０３は、第６内部電極膜２３８（第２コンデンサＣ２の他端１１３）を介して第２キャパシタ電極膜１０７に電気的に接続されている。また、第２外部電極２０３は、第６内部電極膜２３８および第４内部電極膜２１３を介して抵抗Ｒの他端６０に電気的に接続されている。また、第２外部電極２０３は、第６内部電極膜２３８、第４内部電極膜２１３および第２内部電極膜２０６を介してコイルＬの他端２７に電気的に接続されている。
【０１７３】
このような構成によれば、図５３に示すように、第２コンデンサＣ２、抵抗ＲおよびコイルＬが並列接続されたＬＲＣ並列回路網が共通の基板２に形成された積層構造型のチップ部品２３１を提供できる。
＜第９実施形態＞
図５４は、この発明の第９実施形態に係るチップ部品２４１の一部切欠斜視図である。図５５は、チップ部品２４１の電気的構造の一例を示す電気回路図である。図５４および図５５において、図１〜図５３に示された各部と対応する部分には同一の参照符号を付して、説明を省略する。
【０１７４】
図５４に示すように、チップ部品２４１に係る第２表面絶縁膜２０７上には、前述の抵抗領域１５が設定されている。抵抗領域１５には、抵抗Ｒ（抵抗用導電体膜６１）と、抵抗Ｒの一端５９に電気的に接続された第３内部電極膜２１２と、抵抗Ｒの他端６０に電気的に接続された第４内部電極膜２１３とが形成されている。第３内部電極膜２１２は、第２表面絶縁膜２０７に形成された第１パッド開口２０９からコイル領域１３側に間隔を空けて形成されており、コイルＬの一端２５（第１内部電極膜２０５）から電気的に分離して設定されている。第４内部電極膜２１３は、第２表面絶縁膜２０７に形成された第２パッド開口２１１に入り込み、コイルＬの他端２７（第２内部電極膜２０６）に電気的に接続されている。
【０１７５】
第２表面絶縁膜２０７上に形成された第３表面絶縁膜２３２は、第３パッド開口２３４に加えて、コンタクト孔２４２を有している。コンタクト孔２４２は、第３パッド開口２３４からコイル領域１３側に間隔を空けて形成されており、第３内部電極膜２１２の一部を露出させている。この実施形態では、第３表面絶縁膜２３２は、第４パッド開口２３６（図５２参照）を有していない。
【０１７６】
第３表面絶縁膜２３２上には、前述の第２コンデンサＣ２（第２コンデンサ領域１０２）が形成されている。第２コンデンサＣ２は、第３表面絶縁膜２３２上に形成された第１電極膜１０３と、第１電極膜１０３上に形成された誘電体膜１０４と、誘電体膜１０４上に形成された第２電極膜１０５とを含む。
この実施形態では、第１電極膜１０３は、第５内部電極膜２４３と、第５内部電極膜２４３と一体的に連なる第１キャパシタ電極膜１０６を含む。第２電極膜１０５は、第６内部電極膜２４４と、第６内部電極膜２４４にヒューズ部１０８を介して電気的に接続された第２キャパシタ電極膜１０７を含む。
【０１７７】
第５内部電極膜２４３は、第３表面絶縁膜２３２の表面に沿ってコンタクト孔２４２内に入り込むように形成されている。第５内部電極膜２４３は、コンタクト孔２４２内で、第３内部電極膜２１２に電気的に接続されている。第５内部電極膜２４３は、誘電体膜１０４を挟んで、第２キャパシタ電極膜１０７と対向している。第５内部電極膜２４３は、第２コンデンサＣ２の一端１１２を兼ねている。第６内部電極膜２４４は、基板２の他端部に配置されており、誘電体膜１０４を挟んで、第１電極膜１０３と対向している。第６内部電極膜２４４は、第２コンデンサＣ２の他端１１３を兼ねている。
【０１７８】
パッシベーション膜３５および樹脂膜３６には、第１パッド開口２０９および第３パッド開口２３４を介して、第１内部電極膜２０５（第１パッド２０８）を露出させる第１切除部２１４と、第６内部電極膜２４４の一部を露出させる第２切除部２１５とが形成されている。
第１外部電極２０２は、第１パッド開口２０９、第３パッド開口２３４および第１切除部２１４を埋め尽くすように形成されている。第２外部電極２０３は、第２切除部２１５を埋め尽くすように形成されている。
【０１７９】
第１外部電極２０２は、第１内部電極膜２０５を介してコイルＬの一端２５に電気的に接続されている。コイルＬの他端２７は、第２内部電極膜２０６および第４内部電極膜２１３を介して抵抗Ｒの他端６０に電気的に接続されている。抵抗Ｒの一端５９は、第３内部電極膜２１２および第５内部電極膜２４３（第２コンデンサＣ２の一端１１２）を介して第１キャパシタ電極膜１０６に電気的に接続されている。第２キャパシタ電極膜１０７は、第６内部電極膜２４４（第２コンデンサＣ２の他端１１３）を介して、第２外部電極２０３に電気的に接続されている。
【０１８０】
このような構成によれば、図５５に示すように、第２コンデンサＣ２、抵抗ＲおよびコイルＬが直列接続されたＬＲＣ直列回路網が共通の基板２に形成された積層構造型のチップ部品２４１を提供できる。
＜第１０実施形態＞
図５６は、この発明の第１０実施形態に係るチップ部品２５１の分解斜視図である。図５７は、チップ部品２５１の電気的構造の一例を示す電気回路図である。図５６および図５７において、図１〜図５５に示された各部と対応する部分には同一の参照符号を付して、説明を省略する。
【０１８１】
チップ部品２５１では、前述のチップ部品２０１と異なり、コイルＬ（コイル領域１３）に代えて、前述の第１コンデンサＣ１（第１コンデンサ領域１４）が基板２に設定されている。
より具体的には、第１コンデンサＣ１（第１コンデンサ領域１４）がチップ部品１と同様の構成で設定されている。基板２上には、第１コンデンサ領域１４を覆うように、第１表面絶縁膜２０４が形成されている。第１表面絶縁膜２０４上には、第１内部電極膜２０５および第２内部電極膜２０６が配置されている。第１内部電極膜２０５は、第１表面絶縁膜２０４に形成された第１コンデンサ用コンタクト孔４７に入り込み、第１コンデンサＣ１の一端５０に電気的に接続されている。第２内部電極膜２０６は、第１表面絶縁膜２０４に形成された第２コンデンサ用コンタクト孔４８に入り込み、第１コンデンサＣ１の他端５３に電気的に接続されている。
【０１８２】
第１外部電極２０２は、第３内部電極膜２１２を介して抵抗Ｒの一端５９に電気的に接続されている。また、第１外部電極２０２は、第３内部電極膜２１２および第１内部電極膜２０５を介して第１コンデンサＣ１の一端５０に電気的に接続されている。第２外部電極２０３は、第４内部電極膜２１３を介して抵抗Ｒの他端６０に電気的に接続されている。また、第２外部電極２０３は、第４内部電極膜２１３および第２内部電極膜２０６を介して第１コンデンサＣ１の他端５３に電気的に接続されている。
【０１８３】
このような構成によれば、図５７に示すように、第１コンデンサＣ１および抵抗Ｒが並列接続されたＣＲ並列回路網が共通の基板２に形成された積層構造型のチップ部品２５１を提供できる。
以上、本発明の複数の実施形態について説明したが、本発明はさらに他の形態で実施することもできる。
【０１８４】
たとえば、前述の第６実施形態〜第１０実施形態では、積層構造型のチップ部品２０１，２２１，２３１，２４１，２５１の例について説明した。この積層構造型のチップ部品２０１，２２１，２３１，２４１，２５１の構成を第１実施形態〜第５実施形態に係るチップ部品１，１０１，１２１，１３１，１５１の構成に組み合わせてもよい。
たとえば、第１実施形態〜第３実施形態のチップ部品１，１０１，１２１に、積層構造型のチップ部品２０１，２２１，２３１，２４１，２５１を組み合わせる場合、図５８に示す構成を採用してもよい。図５８は、第１変形例に係るチップ部品２６１の一部切欠斜視図である。図５８において、図１〜図５７に示された各部と対応する部分には同一の参照符号を付して、説明を省略する。
【０１８５】
図５８に示すように、チップ部品２６１は、直方体形状に形成されている。チップ部品２６１の平面形状は矩形であり、その長手方向の長さＷ１が０．８ｍｍ〜１．０ｍｍ、短手方向の長さＷ２が０．２ｍｍ程度であってもよい。また、チップ部品１の全体の厚さＴは、０．１５ｍｍ程度であってもよい。
基板２には、前述のコイルＬ（コイル領域１３）と、第１コンデンサＣ１（第１コンデンサ領域１４）とが形成されている。コイルＬ（コイル領域１３）は、第１外部電極５と第１中間外部電極７との間に形成されている。第１コンデンサＣ１（第１コンデンサ領域１４）は、第１中間外部電極７と第２外部電極６との間に形成されている。この例では、第２中間外部電極８が形成されていない。
【０１８６】
図５８に示すように、第１コンデンサ領域１４上に前述の抵抗Ｒ（抵抗領域１５）が積層配置されている。この抵抗Ｒ（抵抗領域１５）に代えて、第２コンデンサ領域１０２を積層配置してもよい（図５８の二点鎖線参照）。さらに、この抵抗Ｒ（抵抗領域１５）上に、第２コンデンサ領域１０２を積層配置してもよい（図５８の二点鎖線参照）。したがって、第１コンデンサ領域１４上に、抵抗領域１５および／または第２コンデンサ領域１０２が積層配置されてもよい。
【０１８７】
同様に、コイル領域１３上に、抵抗領域１５および／または第２コンデンサ領域１０２が積層配置されてもよい（図５８の二点鎖線参照）。さらに、第１中間外部電極７を取り除いて、第１コンデンサ領域１４上およびコイル領域１３上の全域に、抵抗領域１５および／または第２コンデンサ領域１０２が積層配置されてもよい。
以上のような構成によれば、各受動素子領域における設計の自由度をより一層高めることができるので、より一層複雑な受動素子回路網が共通の基板２に形成された複合素子型のチップ部品２６１を提供できる。また、第１実施形態〜第３実施形態のチップ部品１，１０１，１２１と異なり、抵抗領域１５および／または第２コンデンサ領域１０２を設定するためだけに基板２の面積を拡大する必要がないので、チップ部品２６１の更なる微細化を達成できる。これにより、チップ部品２６１の実装スペースを削減できる。また、一枚のベース基板９０から得られるチップ部品２６１の数量を増加させることもできる。
【０１８８】
また、第４実施形態および第５実施形態のチップ部品１３１，１５１に、積層構造型のチップ部品２０１，２２１，２３１，２４１，２５１を組み合わせる場合、図５９に示す構成を採用してもよい。図５９は、第２変形例に係るチップ部品２６２の一部切欠斜視図である。図５９において、図１〜図５８に示された各部と対応する部分には同一の参照符号を付して、説明を省略する。
【０１８９】
図５９に示すように、チップ部品２６２は、直方体形状に形成されている。チップ部品２６１の平面形状は、長さＷ１×長さＷ２＝０．４ｍｍ×０．４ｍｍ程度の矩形である。また、チップ部品２６２の全体の厚さＴは、０．１５ｍｍ程度であってもよい。
図５９に示すように、第１外部電極１５２は、互いに間隔を空けて形成された第１外部電極部分１５２Ａおよび第２外部電極部分１５２Ｂを含む。また、第２外部電極１５３は、互いに間隔を空けて形成された第１外部電極部分１５３Ａおよび第２外部電極部分１５３Ｂを含む。
【０１９０】
基板２には、前述のコイルＬ（コイル領域１３）と、第１コンデンサＣ１（第１コンデンサ領域１４）とが形成されている。コイルＬ（コイル領域１３）は、第１外部電極１５２の第１外部電極部分１５２Ａと、第２外部電極１５３の第１外部電極部分１５３Ａとの間に形成されている。第１コンデンサＣ１（第１コンデンサ領域１４）は、第１外部電極１５２の第２外部電極部分１５２Ｂと、第２外部電極１５３の第２外部電極部分１５３Ｂとの間に形成されている。
【０１９１】
図５９に示すように、第１コンデンサ領域１４上に前述の抵抗Ｒ（抵抗領域１５）が積層配置されている。この抵抗Ｒ（抵抗領域１５）に代えて、第２コンデンサ領域１０２を積層配置してもよい（図５９の二点鎖線参照）。さらに、この抵抗Ｒ（抵抗領域１５）上に、第２コンデンサ領域１０２を積層配置してもよい（図５９の二点鎖線参照）。したがって、第１コンデンサ領域１４上に、抵抗領域１５および／または第２コンデンサ領域１０２が積層配置されてもよい。
【０１９２】
同様に、コイル領域１３上に、抵抗領域１５および／または第２コンデンサ領域１０２が積層配置されてもよい（図５９の二点鎖線参照）。さらに、第１外部電極１５２、および第２外部電極１５３の対向方向に直交する方向に沿って、抵抗領域１５および／または第２コンデンサ領域１０２が、第１コンデンサ領域１４上およびコイル領域１３上の全域に積層配置されてもよい。
【０１９３】
このような構成によれば、各受動素子領域における設計の自由度をより一層高めることができるので、より一層複雑な受動素子回路網が共通の基板２に形成された複合素子型のチップ部品２６２を提供できる。また、第４実施形態および第５実施形態のチップ部品１３１，１５１と異なり、抵抗領域１５および／または第２コンデンサ領域１０２を設定するためだけに基板２の面積を拡大する必要がないので、チップ部品２６２の更なる微細化を達成できる。これにより、チップ部品２６２の実装スペースを削減できる。また、一枚のベース基板９０から得られるチップ部品２６２の数量を増加させることもできる。
【０１９４】
前述の第１実施形態〜第１０実施形態において、コイル領域１３、第１コンデンサ領域１４、第２コンデンサ領域１０２、および抵抗領域１５の配置に関して、図６０に示すような配置例が採用されてもよい。図６０は、受動素子領域の一配置例を示す平面図である。図６０において、図１〜図５９に示された各部と対応する部分には同一の参照符号を付して、説明を省略する。
【０１９５】
図６０に示すように、第１外部電極５，１３２，１５２，２０２（以下、単に「第１外部電極２６５」という。）と第２外部電極６，１３３，１５３，２０３（以下、単に「第２外部電極２６６」という。）との間に、第１受動素子領域２６７、第２受動素子領域２６８および第３受動素子領域２６９が設定されている。前述のコイル領域１３、前述の第１コンデンサ領域１４、前述の第２コンデンサ領域１０２、および前述の抵抗領域１５のいずれか１つが、第１受動素子領域２６７、第２受動素子領域２６８および第３受動素子領域２６９のそれぞれに形成される。
【０１９６】
第１受動素子領域２６７および第２受動素子領域２６８は、第１外部電極２６５および第２外部電極２６６の対向方向に並ぶように配置されている。第３受動素子領域２６９は、第１外部電極２６５および第２外部電極２６６の対向方向に沿って延びるように配置されている。第３受動素子領域２６９は、第１外部電極２６５および第２外部電極２６６の対向方向に交わる方向に関して、第１受動素子領域２６７および第２受動素子領域２６８の双方と並ぶように配置されている。
【０１９７】
第１受動素子領域２６７は、第１外部電極２６５、第２受動素子領域２６８および第３受動素子領域２６９のそれぞれに対向している。したがって、第１受動素子領域２６７は、第１外部電極２６５、第２受動素子領域２６８および第３受動素子領域２６９のうち、少なくとも１つに電気的に接続され得る。第１受動素子領域２６７は、引き回し配線を用いることにより、第２外部電極２６６にも電気的に接続され得る。
【０１９８】
第２受動素子領域２６８は、第２外部電極２６６、第１受動素子領域２６７および第３受動素子領域２６９のそれぞれに対向している。したがって、第２受動素子領域２６８は、第２外部電極２６６、第１受動素子領域２６７および第３受動素子領域２６９のうち、少なくとも１つに電気的に接続され得る。第２受動素子領域２６８は、引き回し配線を用いることにより、第１外部電極２６５にも電気的に接続され得る。
【０１９９】
第３受動素子領域２６９は、第１外部電極２６５、第２外部電極２６６、第１受動素子領域２６７および第２受動素子領域２６８のそれぞれに対向している。したがって、第３受動素子領域２６９は、第１外部電極２６５、第２外部電極２６６、第１受動素子領域２６７および第２受動素子領域２６８のうち、少なくとも１つに電気的に接続され得る。
図６０に示す配置例によれば、様々な接続形式に対応できるチップ部品を提供できる。
【０２００】
また、図６０に示す配置例に代えて、図６１に示す配置例を採用してもよい。図６１は、受動素子領域の他の配置例を示す平面図である。
図６１に示すように、第１外部電極２６５と第２外部電極２６６間との間に、第１受動素子領域２６７、第２受動素子領域２６８および第３受動素子領域２６９が設定されている。
【０２０１】
第１受動素子領域２６７および第２受動素子領域２６８は、第１外部電極２６５および第２外部電極２６６の対向方向に直交する方向に並ぶように配置されている。第３受動素子領域２６９は、第１外部電極２６５および第２外部電極２６６の対向方向に沿って延びるように配置されている。第３受動素子領域２６９は、第１外部電極２６５および第２外部電極２６６の対向方向に関して、第１受動素子領域２６７および第２受動素子領域２６８の双方と並ぶように配置されている。
【０２０２】
第１受動素子領域２６７は、第２外部電極２６６、第２受動素子領域２６８および第３受動素子領域２６９のそれぞれに対向している。したがって、第１受動素子領域２６７は、第２外部電極２６６、第２受動素子領域２６８および第３受動素子領域２６９のうち、少なくとも１つに電気的に接続され得る。第１受動素子領域２６７は、引き回し配線を用いることにより、第１外部電極２６５にも電気的に接続され得る。
【０２０３】
第２受動素子領域２６８は、第２外部電極２６６、第１受動素子領域２６７および第３受動素子領域２６９のそれぞれに対向している。したがって、第２受動素子領域２６８は、第２外部電極２６６、第１受動素子領域２６７および第３受動素子領域２６９のうち、少なくとも１つに電気的に接続され得る。第２受動素子領域２６８は、引き回し配線を用いることにより、第１外部電極２６５にも電気的に接続され得る。
【０２０４】
第３受動素子領域２６９は、第１外部電極２６５、第１受動素子領域２６７および第２受動素子領域２６８のそれぞれに対向している。したがって、第３受動素子領域２６９は、第１外部電極２６５、第１受動素子領域２６７および第２受動素子領域２６８のうち、少なくとも１つに電気的に接続され得る。第３受動素子領域２６９は、引き回し配線を用いることにより、第２外部電極２６６にも電気的に接続され得る。
【０２０５】
図６１に示す配置例によれば、様々な接続形式に対応できるチップ部品を提供できる。
また、図６０および図６１に示す受動素子領域の配置例は、抵抗Ｒ（抵抗領域１５）および第２コンデンサＣ２（第２コンデンサ領域１０２）が形成され得る表面絶縁膜２４（第１表面絶縁膜２０４）、第２表面絶縁膜２０７、および第３表面絶縁膜２３２上にも採用してもよい。
【０２０６】
また、前述の第１実施形態〜第１０実施形態において、基板２は、絶縁性基板であってもよいし、シリコン基板（半導体基板）であってもよい。基板２がシリコン基板（半導体基板）を含む場合、基板２の表面上に形成される絶縁膜３や内面絶縁膜１９等を熱酸化法によって容易に形成できる。また、基板２がシリコン基板を含む場合、チップ部品１，１０１，１２１，１３１，１５１，２０１，２２１，２３１，２４１，２５１は、基板２に形成された半導体素子（半導体素子領域）をさらに含んでもよい。
【０２０７】
前述の第５実施形態では、図４１に示すように、第１受動素子１６１Ａ、第２受動素子１６１Ｂ、第３受動素子１６１Ｃを用いて受動素子（受動素子領域）の接続例について説明した。第１受動素子１６１Ａ、第２受動素子１６１Ｂ、第３受動素子１６１Ｃを用いる受動素子（受動素子領域）の接続例は、むろん、前述の第５実施形態以外の実施形態にも適用できる。
【０２０８】
前述のチップ部品は、たとえば、電源回路用、高周波回路用、デジタル回路用等の受動素子として、電子機器、携帯電子機器等のモバイル端末に組み込むことができる。この場合、電子機器は、チップ部品１，１０１，１２１，１３１，１５１，２０１，２２１，２３１，２４１，２５１が実装された回路アセンブリ８２を収容した筐体を含む。
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
【符号の説明】
【０２０９】
１        チップ部品
２        基板
５        第１外部電極
６        第２外部電極
１３      コイル領域
１４      コンデンサ領域
１５      抵抗領域
１６      コイル形成用トレンチ
２１      導電体
２４      表面絶縁膜
２５      コイルの一端
２７      コイルの他端
２９      第１内部電極膜
３０      第２内部電極膜
４１      第１内部電極形成用トレンチ
４２      第２内部電極形成用トレンチ
４５      第１内部電極
４６      第２内部電極
４９      第３内部電極膜
５０      第１コンデンサの一端
５３      第１コンデンサの他端
５８      第４内部電極膜
５９      抵抗の一端
６０      抵抗の他端
６１      抵抗用導電体膜
６２      抵抗膜ライン
６３      導体膜
６５      ヒューズ部
１０１    チップ部品
１０３    第１電極膜
１０４    誘電体膜
１０５    第２電極膜
１１２    第２コンデンサの一端
１１３    第２コンデンサの他端
１２１    チップ部品
１３１    チップ部品
１３２    第１外部電極
１３３    第２外部電極
１３６    第１内部電極膜
１３７    第２内部電極膜
１５１    チップ部品
１５２    第１外部電極
１５３    第２外部電極
１５６    第１内部電極膜
１５７    第２内部電極膜
２０１    チップ部品
２０２    第１外部電極
２０３    第２外部電極
２０４    第１表面絶縁膜
２０５    第１内部電極膜
２０６    第２内部電極膜
２０７    第２表面絶縁膜
２１２    第３内部電極膜
２１３    第４内部電極膜
２２１    チップ部品
２３１    チップ部品
２３２    第３表面絶縁膜
２３７    第５内部電極膜
２３８    第６内部電極膜
２４１    チップ部品
２４３    第５内部電極膜
２４４    第６内部電極膜
２５１    チップ部品
２６１    チップ部品
２６２    チップ部品
２６５    第１外部電極
２６６    第２外部電極
Ｃ１      第１コンデンサ
Ｃ２      第２コンデンサ
Ｌ        コイル
Ｒ        抵抗
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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【図４１】
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【図４２】
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【図４３】
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【図４４】
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【図４５】
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【図４６】
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【図４７】
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【図４８】
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【図４９】
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【図５０】
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【図５１】
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【図５２】
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【図５３】
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【図５４】
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【図５５】
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【図５６】
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【図５７】
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【図５８】
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【図５９】
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【図６０】
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【図６１】
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