(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の基板を棚状に保持する基板保持具と、
前記複数の基板及び前記基板保持具を収容する内筒と、前記内筒の外側に配置される外筒とを有する処理容器と、
前記処理容器内に収容される前記複数の基板の被処理面に対して平行に処理ガスを供給するガス供給手段と、
ガス出口を介して前記処理容器内の前記処理ガスを排気する排気手段と、
前記基板保持具を介して前記ガス供給手段に対向する側の前記内筒の側壁に設けられる排気口と、
前記処理容器の周方向において前記排気口と前記ガス出口との間の前記内筒の外周壁又は前記外筒の内周壁に設けられる整流板と
を備え、
前記整流板は、前記基板保持具の下端に対応する位置よりも下方から、少なくとも前記排気口の下端に対応する位置まで上方に向けて延在するように、前記処理容器の鉛直方向に沿って設けられる、
基板処理装置。
【請求項２】
前記整流板は、前記基板保持具の下端に対応する位置よりも下方から、少なくとも前記基板保持具の中央に対応する位置まで延在するように、前記処理容器の鉛直方向に沿って設けられる、
請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記排気口は、上端の位置が前記基板保持具のうち最上段に保持されるウエハの位置よりも上方となるように形成され、下端の位置が前記基板保持具のうち最下段に保持されるウエハの位置よりも下方となるように形成されているスリットである、
請求項１又は２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記排気口は、前記処理容器の鉛直方向に沿って形成されている複数の開口部である、
請求項１又は２に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記基板保持具は、
天板と、
前記天板と対向して設けられる底板と、
前記天板と前記底板を連結する支柱と、
前記支柱に設けられ、前記複数の基板を保持する爪部と
前記天板と前記複数の基板との間及び前記底板と前記複数の基板との間に設けられ、前記複数の基板の外径よりも大きい外径を有する円板状部材と
を有する、
請求項１乃至４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記円板状部材は、切欠部を有し、前記切欠部の位置を前記支柱の位置と対応させることで、前記爪部に保持される、
請求項５に記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記整流板は、前記外筒の内周壁に設けられる、
請求項１乃至６のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記整流板の平面視における長さは、前記外筒の内周壁と前記内筒の外周壁との間の長さの０．６７倍以上である、
請求項１乃至７のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、多数枚のウエハに対して一括（バッチ）で熱処理を行う基板処理装置として縦型熱処理装置が知られている。縦型熱処理装置では、処理容器にウエハを収容し、ガス供給手段からウエハに処理ガスを供給して熱処理を行う。
【０００３】
縦型熱処理装置としては、処理容器の側壁にウエハの配列方向に複数のゾーンに分けて排気する排気口を設け、ウエハを挟んで排気口と対向する位置に処理ガスを供給するガス導入管を設ける構成が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００１−７７０４２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記技術では、排気口が処理容器の下方に設けられているため、処理容器に導入された処理ガスは下方に向かって流れやすい。このため、処理容器内におけるガスの流れに偏りが生じることがある。その結果、処理容器に収容された多数枚のウエハに対して熱処理を行ったときの面間均一性が低下する。
【０００６】
そこで、本発明の一つの案では、処理容器内におけるガスの流れの偏りを抑制することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
一つの案では、複数の基板を棚状に保持する基板保持具と、前記複数の基板及び前記基板保持具を収容する内筒と、前記内筒の外側に配置される外筒とを有する処理容器と、前記処理容器内に収容される前記複数の基板の被処理面に対して平行に処理ガスを供給するガス供給手段と、ガス出口を介して前記処理容器内の前記処理ガスを排気する排気手段と、前記基板保持具を介して前記ガス供給手段に対向する側の前記内筒の側壁に設けられる排気口と、前記処理容器の周方向において前記排気口と前記ガス出口との間の前記内筒の外周壁又は前記外筒の内周壁に設けられる整流板とを備え、前記整流板は、前記基板保持具の下端に対応する位置よりも下方から、少なくとも前記排気口の下端に対応する位置まで上方に向けて延在するように、前記処理容器の鉛直方向に沿って設けられる、基板処理装置が提供される。
【発明の効果】
【０００８】
一態様によれば、処理容器内におけるガスの流れの偏りを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の一実施形態に係る基板処理装置の概略縦断面図である。
【図２】ウエハボートを例示する概略斜視図である。
【図３】円板状部材を例示する概略平面図である。
【図４】本発明の一実施形態に係る基板処理装置の概略横断面図である。
【図５】図４の補助線ＡＬに沿った概略一部展開図である。
【図６】実施例１のシミュレーションで用いた基板処理装置の概略構成図である。
【図７】実施例１における気流シミュレーションの結果を示す特性図である。
【図８】実施例２のシミュレーションで用いた基板処理装置の概略構成図である。
【図９】実施例２における気流シミュレーションの結果を示す特性図である。
【図１０】実施例３のシミュレーションで用いた基板処理装置の概略構成図である。
【図１１】実施例３における気流シミュレーションの結果を示す特性図である。
【図１２】比較例のシミュレーションで用いた基板処理装置の概略構成図である。
【図１３】比較例における気流シミュレーションの結果を示す特性図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明の実施形態について添付の図面を参照しながら説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複した説明を省く。
【００１１】
（基板処理装置の全体構成）
本発明の一実施形態に係る基板処理装置について説明する。図１は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置１の概略縦断面図である。
【００１２】
図１に示すように、基板処理装置１は、長手方向が鉛直方向である略円筒形の処理容器４を有する。処理容器４は、天井を有する外筒６と、外筒６の内側に同心的に配置され、天井を有する内筒８とを備える２重管構造を有する。内筒８の下端部は外向きに突出するフランジを有し、外筒６の内壁に溶接等によって固定される。外筒６の下端部は外向きに突出するフランジを有し、ステンレス等から形成される円環状のボトムフランジ１０によって外筒６のフランジ下面が支持されている。ボトムフランジ１０は、ボルト等の固定手段によってベースプレートに固定される。なお、処理容器４の詳細な構成については後述する。
【００１３】
ボトムフランジ１０の下端部の開口部には、例えばステンレススチール等からなる円盤状のキャップ部１４が、Ｏリング等のシール部材１６を介して気密封止可能に取り付けられている。また、キャップ部１４の略中心部には、例えば磁性流体シール１８により気密状態で回転可能な回転軸２０が挿通されている。この回転軸２０の下端は回転機構２２に接続されており、回転軸２０の上端には、例えばステンレススチールよりなるテーブル２４が固定されている。
【００１４】
テーブル２４上には、例えば石英製の保温筒２６が設置されている。また、保温筒２６上には、基板保持具として例えば石英製のウエハボート２８が載置される。ウエハボート２８は、複数のウエハＷを処理容器４内で棚状に保持するための基板保持具である。ウエハボート２８には、例えば５０〜１５０枚の半導体ウエハＷ等の基板が、所定の間隔、例えば１０ｍｍ程度のピッチで収容される。
【００１５】
図２は、ウエハボート２８を例示する概略斜視図である。図３は、円板状部材２９を例示する概略平面図である。
【００１６】
ウエハボート２８は、例えば図２に示すように、天板２８ａと底板２８ｂの間に複数本例えば３本の支柱２８ｃを介設してなる。支柱２８ｃには、ウエハＷを保持するための爪部２８ｄが設けられている。また、支柱２８ｃと共に補助支柱２８ｅが適宜設けられていてもよい。
【００１７】
ウエハボート２８の天板２８ａと複数のウエハＷが保持される領域との間、ウエハボート２８の底板２８ｂと複数のウエハＷが保持される領域との間及びウエハボート２８の鉛直方向における中央部分には、各々、１又は複数の円板状部材２９が設けられている。図２では、各々に円板状部材２９が１つずつ設けられている。
【００１８】
円板状部材２９は、例えば図３に示すように、ウエハＷの外径よりも大きい外径を有し、また、ウエハボート２８の支柱２８ｃ及び補助支柱２８ｅと対応する位置に切欠部２９ａを有する。図３では、切欠部２９ａが５つ形成されている。円板状部材２９は、石英等の耐熱性材料から形成される。
【００１９】
なお、円板状部材２９は、溶接等によってウエハボート２８に固定されている構成であってもよく、ウエハボート２８に取り外し可能に載置されている構成であってもよい。
【００２０】
ウエハボート２８、保温筒２６、テーブル２４及びキャップ部１４は、例えばボートエレベータである昇降機構３０により、処理容器４内に一体となってロード、アンロードされる。
【００２１】
ボトムフランジ１０の側面には、処理容器４内に処理ガスを導入するための、ガス導入管８２が設けられる。ガス導入管８２は、継手８３等の固定手段によりガス導入ポート７５に接続されている。外筒６のフランジには、ガス導入ポート７５に対応する位置に貫通孔が形成されている。インジェクタ６０の水平部分が処理容器４内から貫通孔に挿入されるとともに、継手８３によってガス導入管８２とインジェクタ６０が接続固定される。
【００２２】
インジェクタ６０は、ガス導入管８２を経てガス導入ポート７５に供給された処理ガスを、ウエハＷに供給するためのガス供給手段である。インジェクタ６０は、例えば石英で構成されてもよいし、ＳｉＣ等のセラミクスで構成されてもよい。また、インジェクタ６０は、石英、セラミクスの他、処理容器４の内部を汚染し難い種々の材料を用いて構成することができる。
【００２３】
インジェクタ６０の上方の先端部は密封されており、インジェクタ６０の側面には、処理容器４内に収容される複数のウエハＷの被処理面に対して平行に処理ガスを供給するためのガス供給孔６１が複数設けられている。つまり、鉛直方向に所定間隔を有してガス供給孔６１が設けられ、ガス供給孔６１から処理ガスを供給しながらウエハＷを熱処理し、ウエハＷに成膜を行う。よって、ガス供給孔６１は、ウエハＷに近接した側に設けられる。
【００２４】
また、図１では、ガス導入管８２が１つ設置される構成を示したが、本発明はこの構成に限定されない。使用するガス種の数等に依存して、複数のガス導入管８２を有する基板処理装置１であっても良い。また、ガス導入ポート７５から処理容器４へと導入されるガスは、ガス供給源８０から供給され、流量制御バルブ８１により、流量制御される。
【００２５】
また、基板処理装置１には、ガス供給孔６１から供給される処理ガスを高周波電力により発生したプラズマにより活性化する活性化手段が設けられていてもよい。
【００２６】
外筒６の下部には、ガス出口３６が設けられており、ガス出口３６には排気手段の一例としての排気系３８が連結される。排気系３８は、ガス出口３６に接続された排気通路４０と、排気通路４０の途中に順次接続された圧力調整弁４２及び真空ポンプ４４とを含む。排気系３８により、処理容器４内の圧力を調整しながらガスを排気することができる。
【００２７】
処理容器４の外周側には、処理容器４を囲むようにしてウエハＷ等の被処理体を加熱するヒータ装置４８が設けられる。
【００２８】
また、ウエハボート２８を介してインジェクタ６０に対向する側の内筒８の側壁には、鉛直方向に沿って排気口の一例としてのスリット１０１が形成されており、内筒８内のガスを排気できるようになっている。すなわち、インジェクタ６０のガス供給孔６１からウエハＷに向けて供給された処理ガスは、スリット１０１を通って内筒８から内筒８と外筒６との間の空間に流れ、ガス出口３６から処理容器４外に排気される。
【００２９】
スリット１０１は、上端の位置がウエハボート２８に保持されているウエハＷのうち最上段に保持されているウエハＷの位置よりも上方となるように形成されている。また、スリット１０１は、下端の位置がウエハボート２８に保持されているウエハＷのうち最下段に保持されているウエハＷの位置よりも下方となるように形成されている。
【００３０】
なお、図１では、排気口として、スリット１０１について図示しているが、本発明はこの点において限定されるものではない。排気口としては、処理容器４の鉛直方向に沿って形成された複数の開口部であってもよい。
【００３１】
図４は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置１の概略横断面図である。図５は、図４の補助線ＡＬに沿った概略一部展開図である。なお、図４における矢印は、排気系３８が設けられた方向を示す。また、図５における矢印は、処理ガスの流れを示す。
【００３２】
図４に示すように、外筒６の内周壁には、周方向におけるスリット１０１と排気系３８（ガス出口３６）との間の各々に、例えば溶接により内筒８の外周壁の方向に向けて突設する板状の整流板１０２が設けられている。整流板１０２は、図５に示すように、長手方向が鉛直方向であり、ウエハボート２８の下端に対応する位置よりも下方から、少なくともスリット１０１の下端に対応する位置まで上方に向けて延在する。
【００３３】
整流板１０２の平面視における長さＬ１としては、図４に示すように、外筒６の内周壁と内筒８の外周壁との間の長さをＬ２とすると、Ｌ１がＬ２の０．６７倍以上（Ｌ１≧０．６７×Ｌ２）であることが好ましい。整流板１０２の鉛直方向の高さは、内筒８の下端からウエハボート２８の高さ方向の略中央部分まで延在する高さであることが好ましい。
【００３４】
なお、図４では、整流板１０２が外筒６の内周壁に設けられている構成について説明したが、本発明はこの点において限定されるものではなく、整流板１０２は内筒８の外周壁に、外筒６の内周壁の方向に向けて突設するように設けられていてもよい。
【００３５】
また、図１に示すように、基板処理装置１には、基板処理装置１の各部の動作を制御する、例えばコンピュータからなる制御部１Ａが設けられている。制御部１Ａはプログラム、メモリ、ＣＰＵからなるデータ処理部等を備えており、プログラムには、制御部１Ａから基板処理装置１の各部に制御信号を送り、各種の処理を実行させるように命令（各ステップ）が組み込まれている。このプログラムは、コンピュータ記憶媒体、例えばフレキシブルディスク、コンパクトディスク、ハードディスクＭＯ（光磁気ディスク）及びメモリーカード等の記憶媒体に格納されて制御部１Ａにインストールされる。
【００３６】
（作用・効果）
本発明の一実施形態に係る基板処理装置１の作用・効果について説明する。
【００３７】
本発明の一実施形態に係る基板処理装置１は、ウエハボート２８を介してインジェクタ６０に対向する側の内筒８の側壁に設けられるスリット１０１と、処理容器４の周方向においてスリット１０１とガス出口３６との間の内筒８の外周壁又は外筒６の内周壁に設けられる整流板１０２とを備える。また、整流板１０２は、ウエハボート２８の下端に対応する位置よりも下方から、少なくともスリット１０１の下端に対応する位置まで上方に向けて延在するように、処理容器４の鉛直方向に沿って設けられている。
【００３８】
このため、スリット１０１を通って内筒８から内筒８と外筒６との間の空間に流れ出た処理ガスの一部は、直線的にガス出口３６に到達するのではなく、整流板１０２によって流れを変更された後、ガス出口３６から排気される。
【００３９】
具体的には、図５に示すように、スリット１０１の上方部分から内筒８と外筒６との間の空間に流れ出た処理ガスは、整流板１０２による影響をほとんど受けることなくガス出口３６から排気される。これに対して、スリット１０１の下方部分から内筒８と外筒６との間の空間に流れ出た処理ガスは、整流板１０２を避けるように上方に向かって流れ、整流板１０２が設けられた位置を通過するとガス出口３６に向かって下方に流れ、ガス出口３６から排気される。
【００４０】
結果として、ガス出口３６が処理容器４の下方に設けられている基板処理装置１において、処理容器４に導入された処理ガスが内筒８内において下方に向かって流れることを抑制することができる。すなわち、処理容器４内におけるガスの流れに偏りが生じることを抑制することができる。その結果、処理容器４に収容された多数枚のウエハＷに対して熱処理を行ったときの面間均一性の向上を図ることができる。
【００４１】
また、基板処理装置１には、ウエハボート２８の天板２８ａと複数のウエハＷが保持される領域との間、及びウエハボート２８の底板２８ｂと複数のウエハＷが保持される領域との間に、各々、１又は複数の円板状部材２９が設けられている。このため、ウエハボート２８の鉛直方向における上端の位置近傍で処理ガスが鉛直方向上方に引かれる傾向が弱まり、下端の位置近傍でガスが鉛直方向下方に引かれる傾向が弱まる。また、ウエハボート２８の鉛直方向における中央部分にも１又は複数の円板状部材２９が設けられているため、ウエハボート２８の鉛直方向における中央の位置近傍で処理ガスが鉛直方向下方に引かれる傾向が弱まる。このため、ガス供給孔６１から供給された処理ガスの流れがウエハボート２８の水平方向と略平行となる。すなわち、処理容器４内におけるガスの流れに偏りが生じることを抑制することができる。その結果、処理容器４に収容された多数枚のウエハＷに対して熱処理を行ったときの面間均一性の向上を図ることができる。なお、本発明の一実施形態では３つの円板状部材２９を用いたが、円板状部材２９の枚数を増やしてウエハＷが保持される領域を複数の領域に仕切ってもよく、この場合も同じ作用効果が得られる。
【実施例】
【００４２】
処理容器４内にウエハボート２８と、インジェクタ６０と、ガス出口３６とを設けたモデルを用いて、インジェクタ６０からウエハボート２８に向けてガスを供給したときのガスの流れ（以下「気流」ともいう。）のシミュレーションを行った。なお、ウエハボート２８としては、直径３００ｍｍのウエハＷが載置可能なものとした。
【００４３】
（実施例１）
図６は、実施例１のシミュレーションで用いた基板処理装置の概略構成図である。具体的には、図６（ａ）及び（ｂ）は、各々、実施例１のシミュレーションで用いた基板処理装置の概略平面図及び概略縦断面図である。
【００４４】
実施例１では、図６に示すように、インジェクタ６０に対向させて内筒８の反対側の側壁に、鉛直方向に沿ってスリット１０１（幅が５０ｍｍ）を設けた。また、処理容器４の周方向においてスリット１０１とガス出口３６との間の外筒６の内周壁の各々に、内筒８の外周壁の方向に向けて突設し、長手方向が鉛直方向である板状の整流板１０２を設けた。整流板１０２の鉛直方向の長さとしては、保温筒２６の下面からウエハボート２８の鉛直方向における中央部分に対応する位置まで延在する長さ（図６中、「Ｈ」で示す。）とした。
【００４５】
図７は、実施例１における気流シミュレーションの結果を示す特性図である。図７において、処理容器４内のガスの流れを実線で示す。
【００４６】
図７に示すように、実施例１では、スリット１０１近傍でガスが鉛直方向下方に引かれる傾向が弱まり、インジェクタ６０から供給されたガスの流れがウエハボート２８の水平方向と略平行となっていることが確認できた。すなわち、実施例１では、処理容器４内におけるガスの流れに偏りが生じることを抑制することが可能であると考えられる。
【００４７】
（実施例２）
図８は、実施例２のシミュレーションで用いた基板処理装置の概略構成図である。具体的には、図８（ａ）及び（ｂ）は、各々、実施例２のシミュレーションで用いた基板処理装置の概略平面図及び概略縦断面図である。
【００４８】
実施例２では、図８に示すように、インジェクタ６０に対向させて内筒８の反対側の側壁に、鉛直方向に沿ってスリット１０１（幅が５０ｍｍ）を設けた。また、ウエハボート２８の鉛直方向における上端の位置、中央部分の位置及び下端の位置の３か所に円板状部材２９を各々２つずつ設けた。円板状部材２９の大きさとしては、ウエハＷの外径よりも大きく、内筒８に干渉しない外径を有する大きさとした。
【００４９】
図９は、実施例２における気流シミュレーションの結果を示す特性図である。図９において、処理容器４内のガスの流れを実線で示す。
【００５０】
図９に示すように、実施例２では、ウエハボート２８の鉛直方向における上端の位置近傍でガスが鉛直方向上方に引かれる傾向が弱まり、下端の位置近傍でガスが鉛直方向下方に引かれる傾向が弱まっていることが確認できた。そして、インジェクタ６０から供給されたガスの流れがウエハボート２８の水平方向と略平行となっていることが確認できた。すなわち、実施例２では、処理容器４内におけるガスの流れに偏りが生じることを抑制することが可能であると考えられる。
【００５１】
（実施例３）
図１０は、実施例３のシミュレーションで用いた基板処理装置の概略構成図である。具体的には、図１０（ａ）及び（ｂ）は、各々、実施例３のシミュレーションで用いた基板処理装置の概略平面図及び概略縦断面図である。
【００５２】
実施例３では、図１０に示すように、インジェクタ６０に対向させて内筒８の反対側の側壁に、鉛直方向に沿ってスリット１０１（幅が５０ｍｍ）を設けた。また、処理容器４の周方向においてスリット１０１とガス出口３６との間の外筒６の内周壁の各々に、内筒８の外周壁の方向に向けて突設し、長手方向が鉛直方向である板状の整流板１０２を設けた。さらに、ウエハボート２８の鉛直方向における上端の位置、中央部分の位置及び下端の位置の３か所に円板状部材２９を各々２つずつ設けた。整流板１０２は実施例１と同様とし、円板状部材２９の大きさは実施例２と同様とした。すなわち、実施例３は、実施例１と実施例２とを組み合わせたものである。
【００５３】
図１１は、実施例３における気流シミュレーションの結果を示す特性図である。図１１において、処理容器４内のガスの流れを実線で示す。
【００５４】
図１１に示すように、実施例３では、スリット１０１近傍でガスが鉛直方向下方に引かれる傾向が弱まり、ガス供給孔６１から供給されたガスの流れがウエハボート２８の水平方向と略平行となっていることが確認できた。また、実施例３では、ウエハボート２８の鉛直方向における上端の位置近傍でガスが鉛直方向上方に引かれる傾向が弱まり、下端の位置近傍でガスが鉛直方向下方に引かれる傾向が弱まっていることが確認できた。そして、インジェクタ６０から供給されたガスの流れがウエハボート２８の水平方向と略平行となっていることが確認できた。すなわち、実施例３では、処理容器４内におけるガスの流れに偏りが生じることを抑制することが可能であると考えられる。
【００５５】
（比較例）
図１２は、比較例のシミュレーションで用いた基板処理装置の概略構成図である。具体的には、図１２は、比較例のシミュレーションで用いた基板処理装置の概略縦断面図である。
【００５６】
比較例では、実施例１乃至３で設けたスリット１０１に替えて鉛直方向の上方から下方に向けて順に大きさを小さくした開口部９０１を有する点、実施例１乃至３で設けた整流板１０２及び円板状部材２９を設けていない点で、実施例１乃至３と異なる。
【００５７】
図１３は、比較例における気流シミュレーションの結果を示す特性図である。図１３において、処理容器４内のガスの流れを実線で示す。
【００５８】
図１３に示すように、比較例では、インジェクタ６０から供給されたガスは、ウエハボート２８の水平方向に対して大きく曲がって流れていることが確認できた。また、ウエハボート２８の鉛直方向の下端の位置近傍では、ガス出口３６が設けられた下方にガスが大きく引かれていることが確認できた。すなわち、比較例では、処理容器４内におけるガスの流れに大きく偏りが生じると考えられる。
【００５９】
以上、熱処理装置を実施例によって説明したが、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、本発明の範囲内で種々の変形及び改良が可能である。
【符号の説明】
【００６０】
４      処理容器
６      外筒
８      内筒
２８    ウエハボート
２８ａ  天板
２８ｂ  底板
２８ｃ  支柱
２８ｄ  爪部
２９    円板状部材
３６    ガス出口
３８    排気系
６０    インジェクタ
６１    ガス供給孔
１０１  スリット
１０２  整流板
Ｗ      ウエハ
【図１】
0006468901.tif 000002
【図２】
0006468901.tif 000003
【図３】
0006468901.tif 000004
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
0006468901.tif 000009
【図９】
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【図１０】
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【図１１】
0006468901.tif 000012
【図１２】
0006468901.tif 000013
【図１３】
0006468901.tif 000014