(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つの基板（７）にプラズマを適用する装置であって、
第１の電極（１）と前記第１の電極に向かい合うように配置可能な第２の電極（１２）とを備え、
前記第１の電極及び前記第２の電極（１，１２）は、協働して前記第１及び第２の電極（１，１２）間にプラズマを形成するように構成されている、装置において、
前記第１の電極及び前記第２の電極（１，１２）の少なくとも一方は、少なくとも内側の電極ユニット及び外側の電極ユニット（２，３）から形成されており、
前記内側の電極ユニット及び前記外側の電極ユニット（２，３）の双方が同じ電位に置かれており、
前記内側の電極ユニット（３）が上方へ移動可能であり、ロボットアーム（８，８’，８’’）によって前記基板（７）を前記内側の電極ユニット（３）に積載可能であり、
前記内側の電極ユニット（３）及び前記外側の電極ユニット（２）は、共通の載置面（Ｅ）を形成し、
前記基板（７）は、前記内側の電極ユニット（３）及び前記外側の電極ユニット（２）の前記共通の載置面（Ｅ）に載置可能である、
ことを特徴とする装置。
【請求項２】
前記内側の電極ユニット及び前記外側の電極ユニット（２，３）の位置は、別個に制御可能である、
請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記外側の電極ユニット（２）は、前記内側の電極ユニット（３）を受容する、
請求項１又は２に記載の装置。
【請求項４】
前記内側の電極ユニット（３）は、前記第１の電極（１）の電極面に垂直なＺ方向で、前記外側の電極ユニット（２）に対して相対的に、運動可能である、
請求項１から３までのいずれか１項に記載の装置。
【請求項５】
前記共通の載置面（Ｅ）に、同じ電位を印加可能である、
請求項１から４までのいずれか１項に記載の装置。
【請求項６】
前記内側の電極ユニット（３）及び前記外側の電極ユニット（２）の少なくとも一方は、１つもしくは複数の基板を受容する及び／又は固定するサンプルホルダとして構成されている、
請求項１から５までのいずれか１項に記載の装置。
【請求項７】
第１の電極（１）及び前記第１の電極（１）に向かい合うように配置された第２の電極（１２）によって形成されるプラズマを少なくとも１つの基板に適用する方法において、
前記第１の電極及び前記第２の電極（１，１２）の少なくとも一方が、少なくとも内側の電極ユニット及び外側の電極ユニット（２，３）を有するものとし、
前記内側の電極ユニット（３）及び前記外側の電極ユニット（２）は、共通の載置面（Ｅ）を形成し、
基板（７）は、前記内側の電極ユニット（３）及び前記外側の電極ユニット（２）の前記共通の載置面（Ｅ）に載置可能であり、
前記内側の電極ユニット及び前記外側の電極ユニット（２，３）の双方を同じ電位に置き、
前記内側の電極ユニット（３）を上方へ移動させ、ロボットアーム（８，８’，８’’）によって前記基板（７）を前記内側の電極ユニット（３）に積載する、
ことを特徴とする方法。
【請求項８】
前記内側の電極ユニット及び前記外側の電極ユニット（２，３）の位置を別個に制御する、
請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記内側の電極ユニット（３）を、１つもしくは複数の基板を受容する及び／又は固定するために、前記第１の電極（１）の電極面に垂直なＺ方向で、前記外側の電極ユニット（２）に対して相対的に、運動させる、
請求項７又は８に記載の方法。
【請求項１０】
前記内側の電極ユニット（３）及び前記外側の電極ユニット（２）は、共通の載置面（Ｅ）を形成し、前記共通の載置面（Ｅ）でプラズマが適用される、
請求項７から９までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
前記共通の載置面（Ｅ）に、同じ電位を印加する、
請求項１０に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、請求項１に記載の装置、並びに、これに対応する請求項８に記載の方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
多くの半導体製造プロセスが１つもしくは複数のプラズマ処理ステップを含んでいる。プラズマは、例えば基板のコーティング、半導体層の堆積、基板のエッチング、プラズマ活性化又はイオンリザーバの形成のために利用可能である。この場合、複数のガス、例えばシランＳｉＨ４、ヘリウムＨｅ、アルゴンＡｒ、水素Ｈ２及び／又は三フッ化窒素ＮＦ３がプラズマチャンバ内へ導入される。ＳｉＨ４又はＨ２は例えば半導体層の堆積の際に用いられ、ＮＦ３は例えば半導体層のプラズマエッチングの際に用いられる。希ガスと反応性ガスとの混合物が使用される場合、混合比を調整することによって層の組成を制御できる。したがって、金属だけでなく、酸素及び窒素及び炭化物を堆積することもできる。作業ガス又はガス混合物及びガス流量及び圧力の選択は、形成されるプラズマへの影響を有する。適用形態には大気圧プラズマ又は低圧プラズマ又は高圧プラズマがある。大気圧プラズマは、低圧プラズマ又は高圧プラズマとは異なって、大気圧とは異なる圧力レベルの維持又は別のガス雰囲気の維持を制御する反応容器を要さない。プラズマチャンバは、例えば高周波放電、マイクロ波放電、直流放電、直流マグネトロンスパッタリング及び／又は高周波マグネトロンスパッタリングに基づくプラズマプロセスによって、パルス駆動もしくは連続駆動可能である。
【０００３】
プラズマ形成には、エネルギ入力の方式が著しく異なるきわめて多種の手法が存在する。直流電圧を印加することにより、直流放電が形成される。容量結合式のメガヘルツ放電（容量結合プラズマＣＣＰ）は、プラズマエッチング及びプラズマコーティングに用いられる。導電性の基板も絶縁性の基板もＣＣＰプラズマによって処理することができる。イオン流及びプラズマ密度は、複数の周波数を使用することにより相互に別個に制御可能である。誘導結合式の放電（誘導結合プラズマＩＣＰ）の場合には、プラズマがトランスの２次コイルとして機能するので、プラズマ密度をさらに高めることができる。ここでの結合は誘電性電極によって行われるが、電極の金属コーティングによって入力が損なわれうるという欠点を有する。
【０００４】
基板は、反応チャンバ、好ましくはプラズマチャンバ内の保持部に固定される。この場合、反応性イオンがプラズマから処理すべき表面へ配向されるよう、高周波電圧が（半導体）基板の保持部に印加される。高周波電圧は保持部を介して基板自体に印加される。
【０００５】
機械的なクランプ装置、例えば３点懸架装置が使用されるが、これは基板の撓み、摩耗、劣悪な熱接触の原因となる。基板はサンプルホルダ内に存在する複数のピンによって持ち上げられ、特にはロボットアームとして構成されるロボットグリップ（パドル）がウェハの下方又は側方を走行可能であり、ピンの上昇運動によってこれを放出する。欠点は薄いウェハが強く撓むことであり、このため、ピンへの基板の位置決めが不正確ともなりうる。静電式の保持は良好な代替手段である。サンプルホルダの電極間の電圧により、基板を保持できる。静電式のウェハ保持装置は、プラズマチャンバの一部であり、プラズマ形成のための下方電極として用いられる。この場合、電極はチャンバ壁から電気的に絶縁されている。内側の１個の円形電極と外側の複数のリング形電極とが使用される構成では、個々のリング形電極が交互に絶縁される。静電式のウェハ保持装置は、例えば、米国特許出願公開第２００２／０１５９２１６号明細書（ＵＳ２００２／０１５９２１６Ａ１）及び欧州特許出願公開第０４７３９３０号明細書（ＥＰ０４７３９３０Ａ１）に示されている。
【０００６】
ウェハ保持装置は、ウェハを保持部に受容及び積載するため又は積載されたウェハを保持部から取り出すために、複数のローディングピンを含むリフト機構を保持部に有する。リフト機構は、国際公開第０３／０３８８９１号公報（ＷＯ０３／０３８８９１Ａ１）では第２の電極の一部として組み込まれており、また、米国特許出願公開第２０１２／０００３８３６号明細書（ＵＳ２０１２／０００３８３６Ａ１）では基板保持部に組み込まれており、制御ネットワークによって駆動可能である。
【０００７】
サンプル受容部として複数のローディングピンを含む構造は次のような問題を有する。すなわち、ローディングピンによってプラズマ場の不均一性が生じ、このために、プロセス中、必要な凹部に電圧ピークが発生するのである。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
したがって、本発明の課題は、特に基板表面全体にわたる均一なプロフィルで、均一なプラズマの形成を制御できる方法及び装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
この課題は、請求項１，８に記載の特徴によって解決される。本発明の有利な実施形態は各従属請求項に記載されている。明細書、特許請求の範囲及び／又は図面に記載されている各特徴のうち少なくとも２つから成る組み合わせの全ても本発明の範囲に該当する。なお、値領域が記載されている場合、言及した限界内の値も限界値として明らかに該当し、任意の組み合わせで特許請求の範囲に挙げられうる。
【００１０】
本発明の基本的着想は、向かい合う２つの電極の少なくとも一方、特にプラズマチャンバ内の下方電極及び／又は基板の受容に用いられる電極を、２部分から又は２つの電極ユニットから形成するということである。
【００１１】
本発明は、換言すれば、プラズマチャンバ用の２部分から成る電極によって最適な場の均一性を形成するための装置及び方法に関する。特には円形の基板受容部が下方電極に組み込まれ、この下方電極が外周（外側の電極ユニット）と内側領域（内側の電極ユニット）とを有する。内側の電極は、好ましくは外側の電極に対して可動であり、同時に、基板をプラズマチャンバに保持するために用いられる。
【００１２】
本発明の好ましい実施形態によれば、
１）内側の電極をサンプルの受容部及び放出部（ウェハ保持装置）として用い、
２）ローディングピンでのローディング及びアンローディングなしで、
３）ローディング後に内側の電極ユニットが外側の電極ユニットの対応する凹部へ走行し、特には同じ電位を有する特に閉じた平坦な面及び／又はコンタクト形成面が生じる。
【００１３】
可動の内側の電極ユニットが特に基板をローディング及びアンローディングするためのローディングピンに置き換わるので、本発明によればこのローディングピンを省略することができる。こうした構造により、サンプル受容部としてローディングピンを備える構造に比べ、均一なプラズマが得られる。ローディングピンを用いるとプラズマ場の不均一性が生じ、プロセス中、対応する凹部に電圧ピークが発生する。
【００１４】
本発明によって実現可能な、基板側面を含む内側の電極ユニット及び外側の電極ユニットの全面にわたるコンタクト面により、上述した場のシフトは発生しなくなり、より均一なプラズマが形成される。
【００１５】
さらに、ローディングピンの時間のかかる調整が不要となり、これに代えて、外側の電極ユニットに対する内側の電極ユニットの機械的構造が用いられ、従来の設計に比べて時間コストを小さくできる。
【００１６】
別の利点は、平面状の載置によって、ローディングピンの設計では撓んでしまうために取り扱えない薄い基板を取り扱う際に得られる。内側の電極ユニットの大きさは適合化可能であり、そのため種々のタイプの基板に適する。
【００１７】
したがって、本発明は、最適な電場均一性を有するプラズマチャンバ用の２部分から成る電極に関する。プラズマチャンバは、本発明の第１の実施形態では、ＲＦ電極（第２の電極、特に上方電極）と、基板を受容する基板ホルダを有する対向電極（第１の電極、特に２部分から成る電極）とを有する。ＲＦ電極と対向電極との間に、特にプラズマを形成するための高周波交流場が形成される。好ましい第２の実施形態では、プラズマチャンバは特に、ＲＦ電極（第２の電極、特に上方電極）と、基板を受容する基板ホルダを有するＲＦ対向電極（第１の電極、特に２部分から成る電極）とを有する。この実施形態では対向極はハウジングである。好ましくは、当該ハウジングはアースされる。
【００１８】
基板、好ましくはウェハは、第１の電極と第２の電極との間に位置決めされる。第１の電極及び第２の電極はプラズマチャンバの向かい合う側に配置され、好ましくは下方電極及び上方電極と称される。本発明の実施形態では、２つの電極の一方、好ましくは下方電極は、２つのモジュール、特に内側の電極ユニット及び外側の電極ユニットから成る。
【００１９】
内側の電極ユニットは、処理すべき基板（ウェハ、薄層基板など）の受容及び放出に用いられる。
【００２０】
基板ホルダ（第１の電極）は、特に、第１の電極に基板をローディングする際に、（特にサンプルホルダとして構成された）内側の電極ユニットが上方へ走行し、ロボットアームが基板を内側の電極ユニットへ積載できるように構成される。ロボットアーム（パドル）は特に、基板を受容する相応の凹部を有する。
【００２１】
内側の電極ユニットは、特にはＺ方向へ、好ましくは０ｍｍから５０ｍｍ上方へ、より好ましくは２ｍｍから２５ｍｍ上方へ、さらに好ましくは２ｍｍから１０ｍｍ上方へ運動する。Ｚ方向のゼロ点は、内側の電極ユニット及び外側の電極ユニットの載置面が同じ高さで整列するプラズマ印加位置、すなわち、好ましくは一定の電位を有する、特には完全に閉じた載置面Ｅを形成する位置である。
【００２２】
基板ホルダは、好ましくは、ローディング後に内側の電極が外側の電極の部分へ走行し、特に同じ電位を有する閉じた平坦な面及び／又はコンタクト形成面が形成される。
【００２３】
好ましくは、電極ユニットは、サンプルホルダ／基板ホルダとして構成される。基板ホルダ及び／又はサンプルホルダは基板を固定する固定エレメントを有することができる。固定エレメントは、機械的クランプ、及び／又は、接着性を有する特に切り換え可能な表面及び／又は真空路、及び／又は、静電装置及び／又は磁石装置の一部としての電極、特に永久磁石もしくは電磁石であってよい。基板ホルダ及びサンプルホルダに固定エレメントが設けられる場合、各固定エレメントは相互に独立に切り換え可能となる。このようにすることにより、本発明では、基板を基板ホルダから解離させることができる一方、中央に支承される内側のサンプルホルダが運動可能となり、同時に基板の固定が維持される。
【００２４】
アンローディング過程では、内側の電極ユニットが相応に持ち上げられ、プラズマ処理後の基板を自動ロボットグリップによってアンローディングできる。
【００２５】
基板として、本発明では、特に製品基板、好ましくは半導体ウェハが使用される。基板は任意のあらゆる形状を有することができるが、好ましくは円形である。半導体基板の直径は、好ましくは、半導体産業で通常の直径である２インチ、４インチ、６インチ、８インチ、１２インチもしくは１８インチに対応するが、必要に応じてこれとは異なっていてもよい。基板は、好ましくは、例えばケイ素Ｓｉ、ケイ素酸化物ＳｉＯ２、ケイ素窒化物Ｓｉ３Ｎ４、アルミニウムＡｌ、タングステンＷ及びチタンＴｉなどの材料及び／又は合金から形成される。本発明の実施形態では、基本的にあらゆる基板を、特にはその直径に無関係に取り扱うことができる。
【００２６】
本発明の特に独立した特徴は、内側の電極ユニットが同時に基板受容部としても用いられ、可動であって、これにより、ローディングピンなしでも簡単にサンプルをローディング及びアンローディングできるということである。基板受容部は、平面状の基板又は基板積層体又は複数の電子モジュール群、特にウェハを受容するために用いられる。
【００２７】
本発明の特に独立した別の特徴は、内側の電極及び外側の電極の載置面を同じ高さに配置可能又は配向可能であり、これによりプラズマ印加位置に均一な第１の電極が形成されるということである。基板は特に全面にわたって内側の電極ユニット及び外側の電極ユニットに載置され、重力とフォーカスリングとによって第１の電極（特に下方電極）に保持される。さらなる手段又は付加的な手段として、サンプルホルダへの基板の固定を真空又は負圧を用いて行うことが挙げられる。内側の電極及び外側の電極の全面にわたる接触面により、電界のシフトが発生しなくなり、均質なプラズマが形成される。
【００２８】
特にプラズマ電極として構成される第２の電極は、特にセラミック、ガラス、ケイ素又は鉱物質セラミックの化合物材料などの材料から成る支持体部分又は外側部分と、導電性材料から成る電極ヘッドとを有する。
【００２９】
特に２部分から成る第１の電極は、好ましくは、タングステンＷ、銅Ｃｕ、アルミニウムＡｌ、白金Ｐｔ、クロムＣｒ、ニッケルＮｉ、金Ａｕ、チタンＴｉ及び／又は特殊鋼などの材料及び／又は合金から形成される。
【００３０】
装置の別の要素は、好ましくはグラファイト又はケイ素炭化物から形成される。使用される材料の電気的特性は放電への影響を作用させることがあるので、必要に応じて種々の支持体材料及び／又は電極材料が使用される。電極がコーティングされる場合、電極材料に依存して層厚さが放電に影響しうる。層厚さは、好ましくは０．１μｍから３００μｍ、より好ましくは０．１μｍから２００μｍ、さらに好ましくは０．１μｍから１００μｍである。また適用形態に応じて、使用される金属の種類とは無関係に、電極を、例えばアルミニウム酸化物セラミック（Ａｌ２Ｏ３セラミック）から成る誘電保護層によってコーティングすることができる。
【００３１】
電極を駆動及び／又は作動させるためのＬＦ（低周波）発生器、ＲＦ（無線周波）発生器及びＭＷ（マイクロ波）発生器は、好ましくは次のような周波数で使用される。すなわち、ＬＦ発生器は周波数２０ｋＨｚから８００ｋＨｚ、好ましくは４０ｋＨｚから４００ｋＨｚかつ電力強度１Ｗから１０００００Ｗ、好ましくは２０Ｗから２５００Ｗで駆動され、ＲＦ発生器は周波数３ＭＨｚから３００ＭＨｚ、好ましくは３ＭＨｚから３０ＭＨｚ、かつ、電力強度１Ｗから１０００００Ｗ、好ましくは２０Ｗから１０００Ｗで駆動され、ＭＷ発生器は周波数３００ＭＨｚから３００ＧＨｚ、好ましくは３００ＭＨｚから３ＧＨｚ、かつ、電力強度１０Ｗから１２００Ｗ以上で駆動される。４０ｋＨｚの周波数は、半導体フロントエンドプロセスへの適用には制限があるが、半導体バックエンドプロセスには良好に適する。１３．５６ＭＨｚの周波数はフロントエンドプロセスにもバックエンドプロセスにも適する。４０ｋＨｚの低周波数では、プラズマ密度が比較的小さくなるので、形成されるラジカルの割合も小さくなり、このため（例えばドライエッチングにおいて）低い削剥速度が生じる。２つの周波数領域を必要に応じて２つの電極に使用することができる。各電極は、好ましくは、第１の電極用の発生器及び特にこれとは別個に制御可能な第２の電極用の発生器の形態の固有の給電部に接続される。電圧、電流、周波数などの外的な電気パラメータを選択することにより、プラズマ放電を必要及び適用形態に応じて制御できる。こうして、個別に適合化される駆動条件によって、プラズマケミカルプロセスの選択性を高めることができる。
【００３２】
特に誘電性のフォーカスリングは、好ましくは基板と同じ材料から形成される。好ましくは誘電性材料は、二酸化ケイ素ＳｉＯ２、ケイ素窒化物Ｓｉ３Ｎ４、アルミニウム酸化物Ａｌ２Ｏ３、ケイ素炭化物ＳｉＣ及びケイ素炭化窒化物ＳｉＣＮである。フォーカスリングは特に、外側の電極の表面すなわち載置面に取り付けられる。材料の選択及び第１の電極での位置決めは、本発明によれば、フォーカスリングと基板との間の電位差ができるだけ小さくなるか又は生じなくなるように選択される。これにより、基板縁部の均一性に正の影響が及ぶ。
【００３３】
本発明の実施形態は、好ましくは気密に封止可能であって、カバーの取り外しによってアクセス可能な、特に排気可能なチャンバ、より好ましくはプラズマチャンバにおいて行われる。特殊鋼チャンバのほか、石英ガラスチャンバも使用可能である。
【００３４】
プラズマチャンバは、プラズマ印加のために、特に１ｂａｒ未満の圧力、好ましくは１ｍｂａｒ未満の圧力、より好ましくは０．１ｍｂａｒ未満の圧力、さらに好ましくは０．０１ｍｂａｒ未満の圧力、特に好ましくは０．０００１ｍｂａｒ未満の圧力で排気される。プラズマチャンバは好ましくは正圧で動作させることもできる。この場合、最大圧力は、特に１ｂａｒ超、好ましくは１．５ｂａｒ超、より好ましくは２ｂａｒ超、さらに好ましくは５ｂａｒ超、特に好ましくは１０ｂａｒ超である。
【００３５】
イオン流測定センサは、プロセス監視のためにプラズマチャンバ内に組み込むことができる。２部分から成る電極は、プラズマチャンバの種々の動作方式、例えばＰＥ動作（プラズマエッチング動作）もしくはＲＩＥ動作（反応性イオンエッチング動作）に対して使用可能である。半導体技術では、ＲＩＥ動作はウェハに構造体を形成するために使用され、これは配向されたプラズマが基板に対して垂直に当たるためである。
【００３６】
使用されるプラズマガスと供給されるエネルギとに応じて、プラズマジェット内の温度は４００Ｋから５００００Ｋに達する。プラズマチャンバ内のプロセスによっては著しい温度上昇が生じることがあり、これによって基板も加熱される。基板の冷却又は加熱は、特に冷却要素及び／又は加熱要素を備えた基板受容部への熱結合によって行われる。基板と基板受容部との間の均等な熱結合を保証するために、本発明によれば、プロセス処理中、基板と基板受容部（第１の電極）との充分な全面にわたる熱接触を実現可能である。冷却剤例えば液体ヘリウムをウェハの下面で循環させ、ウェハを冷却することができる。冷却管路に代えて、例えばペルチエ素子などの他の冷却要素を設けてもよい。基板は特に、２部分から成る第１の電極に組み込まれた状態で配置される加熱装置によって加熱可能である。
【００３７】
温度依存性の反応では、プラズマは特に基板のエッチングのために用いられる。この場合、エッチング反応は温度に依存するので、エッチングすべき基板表面で均等な一定の温度を維持することが重要である。有利には、温度検出器もしくは熱電素子又は温度センサが基板保持部に組み込まれる。別の実施形態では、基板保持部又は２部分から成る電極は、ガス導入管路もしくはガス導入開口又はガス導出管路もしくはガス導出開口を有する。
【００３８】
本発明の別の利点及び特徴及び詳細は、好ましい実施形態についての以下の説明から図に即して得られる。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１ａ】本発明の装置の一実施形態を示す図である。
【図１ｂ】図１ａの実施形態の断面図である。
【図１ｃ】図１ａの実施形態による、本発明の第１の方法ステップの断面図である。
【図１ｄ】図１ａの実施形態による、本発明の第２の方法ステップの断面図である。
【図１ｅ】図１ａの実施形態による、本発明の第３の方法ステップの断面図である。
【図２】ａはロボットグリップを用いる図１ａの実施形態を示す図であり、ｂは代替的なロボットグリップを用いる図１ａの実施形態を示す図であり、ｃは本発明の装置の別の実施形態を示す図である。
【図３】本発明の装置の別の実施形態を示す詳細な断面図である。
【００４０】
図中、同じ要素及び同様の機能を有する要素には同じ参照番号を付してある。
【発明を実施するための形態】
【００４１】
図１ａには、本発明の実施形態により特に基板保持装置を組み込んだプラズマチャンバ６内の特に下方電極である第１の電極１の平面図が示されている。基板７の保持は特に真空路及び／又はフォーカスリング４，４’によって行われる。第１の電極１は、リング形電極として構成された外側の電極ユニット２と内側の電極ユニット３とを有する。内側の電極ユニット３は、外側の電極ユニット２によってその側方を画定され包囲されている。基板７の外側は、この基板７を取り巻くフォーカスリング４，４’、特にこの基板７を包囲するフォーカスリング４，４’によって保持される。
【００４２】
図１ｂには、第１の電極１及びプラズマチャンバ６の断面図が示されている。２部分から成る第１の電極１、又は、内側の電極ユニット３及び外側の電極ユニット２から形成される第１の電極１は、基板７の保持部として用いられ、特に外側の電極ユニット２の平坦な表面２ｏを有する。内側の電極ユニット３は基板７のローディング及びアンローディングに用いられ、特に、好ましくは真空路を有する平坦な表面３ｏを有する。
【００４３】
表面２ｏ，３ｏは、図１ｂによれば、プラズマ印加位置で、特にコンタクト形成面及び／又は閉じた面としての共通の載置面Ｅを形成する。
【００４４】
図１ｃから図１ｅには、本発明の方法のフローの本発明による実施形態が示されている。図１ｃでは、内側の電極ユニット３が外側の電極ユニット２に対してＺ方向に持ち上げられる（リフト機構９、図３も参照）か、又は、載置面Ｅから離れる方向へ走行する（ローディング位置）。基板保持部は内側の電極ユニット３に接続されたリフト機構を含む。リフト機構９の半径方向に支承されたリフト軸は、特にサンプルホルダとして構成された内側の電極ユニット３をＺ方向で電極表面３ｏに対して垂直に持ち上げる。リフト機構は、制御ネットワークによって駆動可能である（ただしこのことは図示されていない）。
【００４５】
基板７は、ハンドル又はロボットグリップ、特にロボットアーム８（図２ａ），８’（図２ｂ），８’’（図２ｃ）によって、特にサンプルホルダとして構成された内側の電極ユニット３へ積載され、プラズマ処理の後に再び引き取られる。１つもしくは複数のロボットグリップは定置されているか又は可動であり、プレプログラミングによって定められたタスクを実行する。図２ａ，図２ｂ，図２ｃには、本発明のロボットアーム８，８’，８’’の実施形態が示されている。ロボットアーム８，８’，８’’は、相応に形成されたプラズマチャンバ６の開口５（図１ｂを参照）を通して基板７のローディング及びアンローディングのために走行する。ロボットアーム８，８’，８’’には、図２ａ，図２ｂ，図２ｃの本発明の実施形態に示されているように、基板寸法に応じて基板７を受容する凹部８ａ，８ａ’，８ａ’’が設けられている。図２ｃのロボットアーム８’’の実施形態では、基板７の外輪郭がクランプエレメントによって包囲される。ロボットアーム８，８’，８’’により、基板７は内側の電極ユニット３へ積載される（図１ｄを参照）。基板７は、内側の電極ユニット３及び外側の電極ユニット２、特にはその全面に載置される（図２ｂ）か、又は、基板寸法に適合化可能な内側の電極ユニット３（図２ａ，図２ｃ）のみに載置される。
【００４６】
図１ｅに示されている方法ステップでは、基板７をプラズマ印加位置へローディングした後、内側の電極ユニット３は戻り方向へ走行する。基板７はフォーカスリング４，４’と重力とによって保持される。このようにすることにより、特に低抵抗性の材料（シリコン）又は高抵抗性の材料から成る全てのタイプの基板７を保持できる。
【００４７】
図３には、本発明のフォーカスリング４，４’の２つの異なる実施形態が示されている。
【００４８】
内側の電極ユニット３と外側の電極ユニット２とはプラズマ処理のために特には同じ電位に置かれるので、これらの電極間の絶縁は必要ない。同じ電位であることと障害要因（例えばローディングピン）がないこととにより、処理すべき基板表面全体にわたって均等に分布する電位が達成される。よって、２部分から成る第１の電極１は電界ピークを生じない。均等な電位分布により、基板７の全体に沿って均等なプラズマが発生する。
【００４９】
図１ｅに示されているように、第２の電極１２は、電極１，１２間にプラズマを形成するために、第１の電極１に向かい合って配置される。ここで、プラズマに必要な条件を調整できるようにするため、プラズマチャンバ６は閉鎖される。好ましい実施形態では、高周波端子１１を介して、第１の電極１、特に外側の電極ユニット２に、高周波電圧が特には容量的に結合される。この場合、コンデンサは好ましくは適合化ユニットに組み込まれる。したがって、オーム結合が行われ、電力発生器への電気供給部（高周波端子１１）はカップリングコンデンサを介して電極に接続されている。電極と電力発生器との間に接続されるカップリングコンデンサは、特に、相応の直流成分を除去するハイパスフィルタとして用いられるので、好ましくは専ら交流電圧成分のみが電極に印加される。特に、ハイパスフィルタリングされた電圧成分には純粋な直流電圧成分を重畳することができる。
【００５０】
図３には、２部分から成る電極１の実施形態の詳細な断面図が示されている。ここでは、高周波端子（ＲＦ端子）１１及び内側の電極ユニット３の電気的接続のために電気コンタクト素子１０を介した電気的結合が示されている。基板を内側の電極ユニット３へローディングした後、この内側の電極ユニット３が外側の電極ユニット２内へ入り込んで、プラズマ印加位置に達すると、相互のばねコンタクト素子１０が接触する。
【００５１】
基板７は、重力とフォーカスリング４，４’とによって保持される。内側の電極ユニット３と外側の電極ユニット２との対応する各コンタクト点はばねコンタクト素子１０を介して接続され、これにより外側の電極ユニット２と内側の電極ユニット３とが同じ電位に置かれる。
【００５２】
２部分から成る電極１は、特には少なくとも２つのばねコンタクト素子１０、好ましくは３つ以上、より好ましくは４つ以上、さらに好ましくは５つ以上、特に好ましくは６つ以上のばねコンタクト素子１０を有する。好ましい実施形態では、正確に６つのばねコンタクト素子１０が用いられる。
【００５３】
本発明の代替的な実施形態では、内側の電極ユニット３と外側の電極ユニット２との各コンタクト点がワイヤ接続部を介して電気的に接続される。基板７を内側の電極ユニット３にローディングした後、この内側の電極ユニットが外側の電極ユニット間へ入ると、各開放コンタクト点が接触する。これにより、電極ユニット２，３間にきわめて良好な導電性が得られる。好ましくは、内側の電極ユニット３と外側の電極ユニット２との間に金属導体路もしくはワイヤ接続部が設けられる。各電極ユニット２，３は、好ましくは複数のコンタクト領域を、特に周囲に分散した状態で有する。内側の電極ユニット及び外側の電極ユニットは各コンタクト領域でそれぞれ電気的に接続される。
【００５４】
２部分から成る第１の電極１は特に、少なくとも２つのコンタクト領域、好ましくは３つ以上、より好ましくは４つ以上、さらに好ましくは５つ以上、特に好ましくは６つ以上のコンタクト領域を有する。
【００５５】
高周波端子１１とプラズマチャンバとの有効な結合を達成するために、適合化ユニットによって、好ましくはプラズマチャンバのインピーダンスが高周波端子１１に通じるＲＦ同軸線のインピーダンスに一致するように調整が行われる。結合された端子（例えば直流電圧端子）とコンデンサ回路（すなわち容量結合回路網）とが適合化ユニットに集積されるので、特に２部分から成る第１の電極１の要素にはならない。
【符号の説明】
【００５６】
１    第１の電極
２    外側の電極ユニット
２ｏ  外側の電極ユニットの表面
３    内側の電極ユニット
３ｏ  内側の電極ユニットの表面
４，４’  フォーカスリング
５    開口
６    プラズマチャンバ
７    基板
８，８’，８’’  ロボットアーム
８ａ，８ａ’，８ａ’’  凹部
９    リフト機構
１０  ばねコンタクト素子
１１  高周波端子
１２  第２の電極
Ｅ    載置面
Ｚ    Ｚ方向
【図１ａ】
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【図１ｂ】
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【図１ｃ】
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【図１ｄ】
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【図１ｅ】
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【図２ａ】
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【図２ｂ】
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【図２ｃ】
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【図３】
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