(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも一方がＣｕを主成分とする第１電極と第２電極とが対向し、接合部により接合されてなる電子装置であって、
前記接合部は、
Ｃｕ6Ｓｎ5の部分と、
Ｓｎと反応してＣｕ6Ｓｎ5よりも融点の高い化合物を生成する元素を主成分とする第１部分を第２部分で被覆する構造体と
を含み、
前記構造体は粒子であり、前記Ｃｕ6Ｓｎ5の部分内に分散されていることを特徴とする電子装置。
【請求項２】
少なくとも一方がＣｕを主成分とする第１電極と第２電極とが対向し、接合部により接合されてなる電子装置であって、
前記接合部は、
Ｃｕ6Ｓｎ5の部分と、
Ｓｎと反応してＣｕ6Ｓｎ5よりも融点の高い化合物を生成する元素を主成分とする第１部分を第２部分で被覆する構造体と
を含み、
前記構造体は、前記第１電極及び前記第２電極の少なくとも一方の対向面に形成された柱状突起であることを特徴とする電子装置。
【請求項３】
前記第１電極がＣｕを主成分とする電極であり、前記第２電極がＮｉを主成分とする電極であることを特徴とする請求項１又は２に記載の電子装置。
【請求項４】
前記構造体の前記第１部分は、Ａｇ，Ｆｅ，Ｎｉ，Ｍｇ，Ｍｎ，Ｐｔから選ばれた１種又は複数種の材料からなることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の電子装置。
【請求項５】
前記構造体の前記第２部分は、Ｃｕを主成分とする材料又は有機材料からなることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の電子装置。
【請求項６】
少なくとも一方がＣｕを主成分とする第１電極と第２電極とを対向させ、接合部により接合する電子装置の製造方法であって、
前記接合部を、
Ｃｕ6Ｓｎ5の部分と、
Ｓｎと反応してＣｕ6Ｓｎ5よりも融点の高い化合物を生成する元素を主成分とする第１部分を第２部分で被覆する構造体と
を含むように形成し、
前記構造体は粒子であり、
前記接合部を、Ｓｎを主成分とするハンダ内に前記構造体を分散させた材料で前記第１電極と前記第２電極とを接合することで形成することを特徴とする電子装置の製造方法。
【請求項７】
少なくとも一方がＣｕを主成分とする第１電極と第２電極とを対向させ、接合部により接合する電子装置の製造方法であって、
前記接合部を、
Ｃｕ6Ｓｎ5の部分と、
Ｓｎと反応してＣｕ6Ｓｎ5よりも融点の高い化合物を生成する元素を主成分とする第１部分を第２部分で被覆する構造体と
を含むように形成し、
前記第１電極及び前記第２電極の少なくとも一方の対向面に、突起状の前記第１部分を前記第２部分で被覆してなる柱状突起を形成して、前記構造体とすることを特徴とする電子装置の製造方法。
【請求項８】
前記第１電極がＣｕを主成分とする電極であり、前記第２電極がＮｉを主成分とする電極であることを特徴とする請求項６又は７に記載の電子装置の製造方法。
【請求項９】
前記構造体の前記第１部分は、Ａｇ，Ｆｅ，Ｎｉ，Ｍｇ，Ｍｎ，Ｐｔから選ばれた１種又は複数種の材料からなることを特徴とする請求項６〜８のいずれか１項に記載の電子装置の製造方法。
【請求項１０】
前記構造体の前記第２部分は、Ｃｕを主成分とする材料又は有機材料からなることを特徴とする請求項６〜９のいずれか１項に記載の電子装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子装置及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年では、半導体素子の高集積化や小型化、回路基板上への高密度実装化に伴い、接合部もより微細化が進んでいる。特に、微細な接続端子を多数形成できるフリップチップ接合が主流となってきている。半導体素子と回路基板とをフリップチップ接合するためには、Ｓｎを主成分とするハンダを用いている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１４−２７１２２号公報
【特許文献２】国際公開第２０１２／１１５２６８号
【特許文献３】特開２００２−２５４１９４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
フリップチップ接合された接合部では、電極の構成材料であるＣｕとハンダの主成分であるＳｎとの間で化合物を形成する。近年では、パワーデバイスや高性能半導体素子が多くなり、接合部に流れる電流量が増加傾向にある。電流量が増加すると、半導体素子の局所的な発熱により接合部が溶融し、断線してしまう。この断線を防止する対策として、接合部をハンダの構成元素のＳｎと電極の構成元素のＣｕとを反応させてＣｕＳｎ合金化することで対応している。
【０００５】
しかしながら、接合部を構成しているＣｕＳｎ合金はＣｕ6Ｓｎ5の組成であり、Ｃｕ6Ｓｎ5はハンダよりも抵抗値が高い。そのため、電流量が増加するとジュール発熱が多くなり、局所的に液相に近い温度に達すると、このＣｕ6Ｓｎ5は、Ｃｕ6Ｓｎ5，Ｃｕ3Ｓｎ，Ｓｎの３層に変化する。Ｓｎは融点が低いため、生成されたＳｎが接合部の融点を低下させ、溶断が発生する可能性が高くなる。
【０００６】
本発明は、上記の課題に鑑みてなされたものであり、電極間の接合部に局所的に電流が集中し接合部が高温になり、相分離して余剰なＳｎが生成されても、第１部分の元素がＳｎと新たに融点の高い合金を形成する。これにより、融点の低下が抑制されて接合部の溶断を確実に防止することができる、信頼性の高い接合部を備えた電子装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
電子装置の一態様は、少なくとも一方がＣｕを主成分とする第１電極と第２電極とが対向し、接合部により接合されてなる電子装置であって、前記接合部は、Ｃｕ6Ｓｎ5の部分と、Ｓｎと反応してＣｕ6Ｓｎ5よりも融点の高い化合物を生成する元素を主成分とする第１部分を第２部分で被覆する構造体とを含み、前記構造体は粒子であり、前記Ｃｕ6Ｓｎ5の部分内に分散されている。
電子装置の一態様は、少なくとも一方がＣｕを主成分とする第１電極と第２電極とが対向し、接合部により接合されてなる電子装置であって、前記接合部は、Ｃｕ6Ｓｎ5の部分と、Ｓｎと反応してＣｕ6Ｓｎ5よりも融点の高い化合物を生成する元素を主成分とする第１部分を第２部分で被覆する構造体とを含み、前記構造体は、前記第１電極及び前記第２電極の少なくとも一方の対向面に形成された柱状突起である。
【０００８】
電子装置の製造方法の一態様は、少なくとも一方がＣｕを主成分とする第１電極と第２電極とを対向させ、接合部により接合する電子装置の製造方法であって、前記接合部を、Ｃｕ6Ｓｎ5の部分と、Ｓｎと反応してＣｕ6Ｓｎ5よりも融点の高い化合物を生成する元素を主成分とする第１部分を第２部分で被覆する構造体とを含むように形成し、前記構造体は粒子であり、前記接合部を、Ｓｎを主成分とするハンダ内に前記構造体を分散させた材料で前記第１電極と前記第２電極とを接合することで形成する。
電子装置の製造方法の一態様は、少なくとも一方がＣｕを主成分とする第１電極と第２電極とを対向させ、接合部により接合する電子装置の製造方法であって、前記接合部を、Ｃｕ6Ｓｎ5の部分と、Ｓｎと反応してＣｕ6Ｓｎ5よりも融点の高い化合物を生成する元素を主成分とする第１部分を第２部分で被覆する構造体とを含むように形成し、前記第１電極及び前記第２電極の少なくとも一方の対向面に、突起状の前記第１部分を前記第２部分で被覆してなる柱状突起を形成して、前記構造体とする。
【発明の効果】
【０００９】
上記の諸態様によれば、電極間の接合部に局所的に電流が集中し接合部が高温になり、相分離して余剰なＳｎが生成されても、第１部分の元素がＳｎと新たに融点の高い合金を形成する。これにより、融点の低下が抑制されて接合部の溶断を確実に防止することができる、信頼性の高い接合部を備えた電子装置が実現する。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】第１の実施形態により作製された半導体装置の概略構成を示す断面図である。
【図２】第１の実施形態による半導体装置の電極接合構造を拡大して示す概略断面図である。
【図３】Ａｇ粒子の構成を示す概略断面図である。
【図４】電極接合構造における第１及び第２電極のサイズ、接合部の厚み（電極間のギャップ）、粒子の添加量、粒子のＡｇ粒子のサイズ、及び粒子のＣｕ膜の厚みの関係を示す概略断面図である。
【図５】第１の実施形態による半導体装置の作用効果を比較例と共に説明するために、接合部を一部拡大して示す概略図である。
【図６】第１の実施形態の変形例による半導体装置の電極接合構造を拡大して示す概略断面図である。
【図７】第２の実施形態による半導体装置の電極接合構造を拡大して示す概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、電子装置の諸実施形態について、図面を参照して詳細に説明する。以下の諸実施形態では、電子装置として、一対の半導体チップ間をフリップチップ接合してなる半導体装置を例示する。
【００１２】
（第１の実施形態）
図１は、本実施形態により作製された半導体装置の概略構成を示す断面図である。
この半導体装置は、第１半導体チップ１と第２半導体チップ２とがフリップチップ接合してなるものである。
【００１３】
第１半導体チップ１は、表面にパッド電極である第１電極１１が複数形成されている。第２半導体チップ２は、表面にパッド電極である第２電極１２が複数形成されている。第１電極１１及び第２電極１２は、共に銅（Ｃｕ）を主成分とするＣｕ電極である。半導体装置は、第１半導体チップ１と第２半導体チップ２とを表面同士を対向させ、第１電極１１と第２電極１２とが接合部１３により接合されて構成される。以下、この接合方法について、図２を用いて順次説明する。図２では、図１の円Ｃ内に示す１つの電極接合構造１０を拡大して示している。
【００１４】
例えば、第１半導体チップ１の第１電極１１上にＳｎを主成分とするペースト状のハンダを塗布する。この状態で第１半導体チップ１と第２半導体チップ２とを表面同士を対向させ、第１電極１１と第２電極１２とを当該ハンダで接続する。第１半導体チップ１及び第２半導体チップ２を所定温度（ここではハンダの溶融温度）で加熱してハンダを溶融させて接合する。このハンダには、微細な粒子２３が分散されている。粒子２３は、当該ハンダのＳｎと反応してＣｕ6Ｓｎ5よりも融点の高い化合物を生成する元素を主成分とする第１部分を第２部分で被覆する構造体である。第２部分の材料は、後述するように使用時に接合部が局所的に液相に近い温度に達した場合には、溶出する材料である。
【００１５】
粒子２３は、具体的には図３に示すように、第１部分として例えば銀（Ａｇ）粒子３１を、第２部分として例えばＣｕ膜３２で被覆してなる構造体である。Ｓｎを主成分とするハンダに粒子２３を分散させた状態では、Ａｇ粒子３１はＣｕ膜３２により当該ハンダから遮断された状態で保持されている。粒子２３は、所定の粉末状のＡｇに対して、Ｃｕを蒸着又はスパッタ等することにより作製される。粒子２３の第１部分としては、Ａｇの単体以外に、Ｆｅ，Ｎｉ，Ｍｇ，Ｍｎ，Ｐｔから選ばれた１種又はＡｇ，Ｆｅ，Ｎｉ，Ｍｇ，Ｍｎ，Ｐｔから選ばれた複数種の材料が好ましい。粒子２３の第２部分としては、Ｃｕ以外に、所定の有機材料、例えばポリアミド樹脂、エポキシ樹脂等を材料としても良い。
【００１６】
第１電極１１と第２電極１２とが上記のハンダで接合されると、第１電極１１と第２電極１２との間に接合部１３が形成される。接合部１３では、図２に示すように、第１及び第２電極１１，１２との界面近傍には、ＳｎとＣｕとの安定な合金であるＣｕ3Ｓｎが形成される。これをＣｕ3Ｓｎの部分２２とする。上下のＣｕ3Ｓｎの部分２２間には、ＣｕとＳｎとの準安定な合金であるＣｕ6Ｓｎ5が形成される。これをＣｕ6Ｓｎ5の部分２１とする。粒子２３の第２部分であるＣｕ膜３２は、当該ハンダよりも融点が高い。そのため、接合部１３を形成する際に当該ハンダが溶融しても、その溶融温度ではＣｕ膜３２は溶融することなく、Ｃｕ膜３２で被覆されたＡｇ粒子３１は当該ハンダから遮断された状態で保持される。
【００１７】
電極接合構造１０における第１及び第２電極１１，１２のサイズ、接合部１３の厚み（電極間のギャップ）、粒子２３の添加量、粒子２３のＡｇ粒子３１のサイズ、及び粒子２３のＣｕ膜３２の厚みの関係について、図４を用いて説明する。
第１及び第２電極１１，１２の電極径φを５０μｍ程度、電極間のギャップを２２μｍ程度とする。粒子２３のＡｇ粒子３１の半径を１μｍ程度とし、粒子２３をハンダに５％程度添加する。この場合、ＳｕとＡｇとの合金層を形成するために必要なハンダの体積は、１９６３４．９５μｍ3程度（厚み１０μｍ程度）となる。ハンダをＣｕ6Ｓｎ5に合金化させるために必要なＣｕの体積（第１及び第２電極１１，１２からのＣｕ拡散量）は、２３５６１．９４μｍ3程度（厚み１０μｍ程度）となる。以上に基づけば、Ｃｕ膜３２の厚みは２．２μｍ程度とすれば良い。
【００１８】
この半導体装置を使用した場合に奏する作用効果について、比較例との比較に基づいて説明する。比較例の半導体装置は、接合部を形成する際に、粒子２３のような構造体を付加（添加）しないＳｎを主成分とするハンダを用いたものである。図５は、本実施形態による半導体装置を使用したときの接合部の状態を、比較例との比較に基づいて、一部拡大して示す概略図である。（ａ）が比較例を、（ｂ）が本実施形態をそれぞれ示す。
【００１９】
比較例では、電極間を流れる電流量が増加するとジュール発熱が多くなり、局所的に液相に近い温度に達すると、接合部のＣｕ6Ｓｎ5は、Ｃｕ6Ｓｎ5，Ｃｕ3Ｓｎ，Ｓｎの３層に変化する。Ｓｎは、Ｃｕ6Ｓｎ5やＣｕ3Ｓｎに比べて融点が低い（融点は、Ｓｎ：２３１．９３℃程度、Ｃｕ6Ｓｎ5：４１５℃程度、Ｃｕ3Ｓｎ：６７６℃程度）。そのため、生成されたＳｎに起因して接合部の融点が低下する。これにより、接合部に溶断が発生する虞がある。
【００２０】
本実施形態では、電極間を流れる電流量が増加し、局所的に液相に近い温度に達すると、接合部１３のＣｕ6Ｓｎ5は、Ｃｕ6Ｓｎ5，Ｃｕ3Ｓｎ，Ｓｎの３層に変化する。このとき、接合部１３のＣｕ6Ｓｎ5内に分散された粒子２３では、そのＣｕ膜３２が溶出してＡｇ粒子３１が露出する。Ａｇ粒子３１は上記の３層内に溶出される。このＡｇがＳｎと合金化してＡｇ3Ｓｎが生成される。Ａｇ3ＳｎはＣｕ6Ｓｎ5よりも融点が高く（４８０℃程度）、接合部１３は高融点に維持される。これにより、接合部１３の溶断が抑止される。更に、使用により再び局所的にＣｕ6Ｓｎ5の液相に近い温度に達した場合でも、既に生成されたＡｇＳｎは安定に保持され、接合部１３の溶断が抑止される。
【００２１】
以上説明したように、本実施形態によれば、第１及び第２電極１１，１２間の接合部１３に局所的に電流が集中し接合部１３が高温になり、Ｃｕ6Ｓｎ5が相分離して余剰なＳｎが生成されても、Ｃｕ6Ｓｎ5内に分散された粒子２３のＡｇがＳｎと新たに融点の高い合金を形成する。これにより、融点の低下が抑制されて接合部１３の溶断を確実に防止することができる、信頼性の高い接合部１３を備えた半導体装置が実現する。
【００２２】
−変形例−
以下、第１の実施形態の変形例について説明する。本例では、第１の実施形態と同様に半導体装置について開示するが、その接合部の構造が異なる点で第１の実施形態と相違する。図６は、第１の実施形態の変形例による半導体装置の電極接合構造１０を拡大して示す概略断面図である。
【００２３】
本例では、第１半導体チップ１と第２半導体チップ２とを接合する前に、第１半導体チップ１の第１電極１１の表面（第２電極１２との対向面）に、複数の柱状突起２４を形成する。柱状突起２４は、接合に用いるハンダのＳｎと反応してＣｕ6Ｓｎ5よりも融点の高い化合物を生成する元素を主成分とする第１部分を第２部分で被覆する構造体である。第２部分の材料は、後述するように使用時に接合部が局所的に液相に近い温度に達した場合には、溶出する材料である。
【００２４】
柱状突起２４は、第１部分として例えば銀（Ａｇ）突起４１を、第２部分として例えばＣｕ膜４２で被覆してなる構造体である。柱状突起２４は、第１電極１１の表面に、リソグラフィー法及びメッキ法で複数のＡｇ突起４１を形成し、Ａｇ突起４１の表面を覆うようにメッキ法でＣｕ膜４２を形成することにより作製される。柱状突起２４の第１部分としては、Ａｇの単体以外に、Ｆｅ，Ｎｉ，Ｍｇ，Ｍｎ，Ｐｔから選ばれた１種又はＡｇ，Ｆｅ，Ｎｉ，Ｍｇ，Ｍｎ，Ｐｔから選ばれた複数種の材料が好ましい。柱状突起２４の第２部分としては、Ｃｕ以外に、所定の有機材料、例えばポリアミド樹脂、エポキシ樹脂等を材料としても良い。
【００２５】
第１電極１１と第２電極１２とがＳｎを主成分とするハンダで接合されると、第１電極１１と第２電極１２との間に接合部１４が形成される。接合部１４では、図６に示すように、第１及び第２電極１１，１２との界面近傍には、ＳｎとＣｕとの安定な合金であるＣｕ3Ｓｎが形成される。これをＣｕ3Ｓｎの部分２２とする。上下のＣｕ3Ｓｎの部分２２間には、ＳｎとＣｕとの準安定な合金であるＣｕ6Ｓｎ5が形成される。これをＣｕ6Ｓｎ5の部分２１とする。Ｃｕ6Ｓｎ5の部分２１に柱状突起２４が接触するところ、柱状突起２４の第２部分であるＣｕ膜４２は当該ハンダよりも融点が高い。そのため、接合部１４を形成する際に当該ハンダが溶融しても、その溶融温度ではＣｕ膜４２は溶融することなく、Ｃｕ膜４２で被覆されたＡｇ突起４１は当該ハンダから遮断された状態で保持される。
【００２６】
本例の半導体装置では、その使用により電極間を流れる電流量が増加し、局所的に液相に近い温度に達すると、接合部１４のＣｕ6Ｓｎ5は、Ｃｕ6Ｓｎ5，Ｃｕ3Ｓｎ，Ｓｎの３層に変化する。このとき、接合部１４のＣｕ6Ｓｎ5内に分散された柱状突起２４では、そのＣｕ膜４２が溶出してＡｇ突起４１が露出する。Ａｇ突起４１は上記の３層内に溶出される。このＡｇがＳｎと合金化してＡｇ3Ｓｎが生成される。Ａｇ3ＳｎはＣｕ6Ｓｎ5よりも融点が高く（４８０℃程度）、接合部１４は高融点に維持される。これにより、接合部１４の溶断が抑止される。更に、使用により再び局所的にＣｕ6Ｓｎ5の液相に近い温度に達した場合でも、既に生成されたＡｇＳｎは安定に保持され、接合部１４の溶断が抑止される。
【００２７】
以上説明したように、本実施形態によれば、第１及び第２電極１１，１２間の接合部１３に局所的に電流が集中し接合部１４が高温になり、Ｃｕ6Ｓｎ5が相分離して余剰なＳｎが生成されても、Ｃｕ6Ｓｎ5内に分散された柱状突起２４のＡｇがＳｎと新たに融点の高い合金を形成する。これにより、融点の低下が抑制されて接合部１４の溶断を確実に防止することができる、信頼性の高い接合部１４を備えた半導体装置が実現する。
【００２８】
（第２の実施形態）
次いで、第２の実施形態について説明する。本実施形態では、第１の実施形態と同様に半導体装置について開示するが、その接合部の構造が異なる点で第１の実施形態と相違する。図７は、第２の実施形態による半導体装置の電極接合構造１０を拡大して示す概略断面図である。
【００２９】
本実施形態では、第１半導体チップの表面に形成された第１電極１１は第１の実施形態と同様にＣｕを主成分とするＣｕ電極であるが、第２半導体チップの表面に形成された第１電極１５はニッケル（Ｎｉ）を主成分とするＮｉ電極である。半導体装置は、第１半導体チップと第２半導体チップとを表面同士を対向させ、第１電極１１と第２電極１５とが接合部１６により接合されて構成される。以下、この接合方法について、図７を用いて順次説明する。
【００３０】
例えば、第１半導体チップ１の第１電極１１上にＳｎを主成分とするペースト状のハンダを塗布する。この状態で第１半導体チップ１と第２半導体チップ２とを表面同士を対向させ、第１電極１１と第２電極１５とを当該ハンダで接続する。第１半導体チップ１及び第２半導体チップ２を所定温度（ここではハンダの溶融温度）で加熱してハンダを溶融させて接合する。このハンダには、第１の実施形態と同様に粒子２３が分散されている。Ｓｎを主成分とするハンダに粒子２３を分散させた状態では、Ａｇ粒子３１はＣｕ膜３２により当該ハンダから遮断された状態で保持されている。
【００３１】
第１電極１１と第２電極１５とが上記のハンダで接合されると、第１電極１１と第２電極１５との間に接合部１６が形成される。接合部１６では、図７に示すように、第１電極１１との界面近傍には、ＳｎとＣｕとの安定な合金であるＣｕ3Ｓｎが形成される。これをＣｕ3Ｓｎの部分２２とする。第２電極１５との界面近傍には、ＳｎとＮｉとの安定な合金である（ＣｕＮｉ）3Ｓｎ4＋（ＣｕＮｉ）6Ｓｎ5が形成される。これを（ＣｕＮｉ）3Ｓｎ4＋（ＣｕＮｉ）6Ｓｎ5の部分２５とする。部分２２，２５間には、ＣｕとＳｎとの準安定な合金であるＣｕ6Ｓｎ5が形成される。これをＣｕ6Ｓｎ5の部分２１とする。粒子２３の第２部分であるＣｕ膜３２は、当該ハンダよりも融点が高い。そのため、接合部１６を形成する際に当該ハンダが溶融しても、その溶融温度ではＣｕ膜３２は溶融することなく、Ｃｕ膜３２で被覆されたＡｇ粒子３１は当該ハンダから遮断された状態で保持される。
【００３２】
本実施形態の半導体装置では、その使用により電極間を流れる電流量が増加し、局所的に液相に近い温度に達すると、接合部１６のＣｕ6Ｓｎ5は、Ｃｕ6Ｓｎ5，Ｃｕ3Ｓｎ，Ｓｎの３層に変化する。このとき、接合部１６のＣｕ6Ｓｎ5内に分散された粒子２３では、そのＣｕ膜３２が溶出してＡｇ粒子３１が露出する。Ａｇ粒子３１は上記の３層内に溶出される。このＡｇがＳｎと合金化してＡｇＳｎが生成される。ＡｇＳｎはＣｕ6Ｓｎ5よりも融点が高く（４８０℃程度）、接合部１３は高融点に維持される。これにより、接合部１６の溶断が抑止される。更に、使用により再び局所的にＣｕ6Ｓｎ5の液相に近い温度に達した場合でも、既に生成されたＡｇＳｎは安定に保持され、接合部１６の溶断が抑止される。
【００３３】
以上説明したように、本実施形態によれば、第１及び第２電極１１，１５間の接合部１６に局所的に電流が集中し接合部１６が高温になり、Ｃｕ6Ｓｎ5が相分離して余剰なＳｎが生成されても、Ｃｕ6Ｓｎ5内に分散された粒子２３のＡｇがＳｎと新たに融点の高い合金を形成する。これにより、融点の低下が抑制されて接合部１６の溶断を確実に防止することができる、信頼性の高い接合部１６を備えた半導体装置が実現する。
【００３４】
なお、本実施形態でも、第１の実施形態の変形例と同様、ハンダに粒子２３を分散する代わりに、第１半導体チップ１の第１電極１１の表面（第２電極１５との対向面）に、複数の柱状突起を形成するようにしても良い。この柱状突起は、第１部分として例えばＡｇ突起を、第２部分として例えばＣｕ膜で被覆してなる構造体である。
【符号の説明】
【００３５】
１  第１半導体チップ
２  第２半導体チップ
１０  電極接合構造
１１  第１電極
１２，１５  第２電極
１３，１４，１６  接合部
２１  Ｃｕ6Ｓｎ5の部分
２２  Ｃｕ3Ｓｎの部分
２３  粒子
２４  柱状突起
２５  （ＣｕＮｉ）3Ｓｎ4＋（ＣｕＮｉ）6Ｓｎ5の部分
３１  Ａｇ粒子
３２，４２  Ｃｕ膜
４１  Ａｇ突起
【図１】
0006524724.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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