(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の配線層と第２の配線層とが絶縁層を介して積層された構造を有するプリント基板であって、
前記第１の配線層の一部として形成された第１及び第２の配線ラインと、
前記第１の配線層に配置されており、一対の電極端子を有し、前記一対の電極端子のうちの一方の電極端子が前記第１の配線ラインの一端部と電気的に接続されているバイパスコンデンサと、
前記第２の配線層の一部として形成された第３の配線ラインと、
前記第２の配線層の他の一部として形成されたグラウンド導体面と、
前記絶縁層を貫通して形成され、前記第１の配線ラインの当該一端部を前記第３の配線ラインの一端部と導通させる第１の層間接続孔と、
前記絶縁層を貫通して形成され、前記第２の配線ラインの一端部を前記第３の配線ラインの他端部と導通させる第２の層間接続孔と、
前記絶縁層を貫通して形成され、前記一対の電極端子のうちの他方の電極端子を前記グラウンド導体面と電気的に導通させる第３の層間接続孔と
を備え、
前記第１及び第２の配線ラインは、磁気的に結合するように互いに対向し且つ互いに並行に延在しており、前記第１の配線ラインの当該一端部が前記第２の配線ラインの他端部と対向し、且つ前記第２の配線ラインの当該一端部が前記第１の配線ラインの他端部と対向している、
ことを特徴とするプリント基板。
【請求項２】
請求項１記載のプリント基板であって、前記第１の配線ライン及び前記第２の配線ラインは、磁気的に結合することにより等価的な負のインダクタンスを形成することを特徴とするプリント基板。
【請求項３】
請求項１または請求項２記載のプリント基板であって、前記第１の配線層に配置された回路素子を更に備え、
前記第１の配線ラインの当該他端部は、前記回路素子の電源端子と電気的に接続され、
前記第２の配線ラインの当該他端部は、電源と電気的に接続される、
ことを特徴とするプリント基板。
【請求項４】
請求項１から請求項３のうちのいずれか１項記載のプリント基板であって、前記第１の配線ライン及び前記第２の配線ライン間で発生する磁束の少なくとも一部を閉じ込める磁性体を更に備え、
前記磁性体は、前記第１の配線層の厚み方向からの平面視で、少なくとも前記第１の配線ラインと前記第２の配線ラインとの間の領域に配置されている、
ことを特徴とするプリント基板。
【請求項５】
請求項４記載のプリント基板であって、前記磁性体は、前記第１の配線ライン及び前記第２の配線ラインを被覆するように配置されることを特徴とするプリント基板。
【請求項６】
請求項４または請求項５記載のプリント基板であって、前記磁性体は、フェライト磁性体であることを特徴とするプリント基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ノイズフィルタを有するプリント基板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
プリント基板には、ＬＳＩ（Ｌａｒｇｅ  Ｓｃａｌｅ  Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  ｃｉｒｃｕｉｔ）またはＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）などの回路素子から漏洩する高周波帯域の電磁ノイズを除去するためにノイズフィルタが実装されている。図７は、プリント基板１００に実装された従来のノイズフィルタの一例を示す図である。このプリント基板１００には、回路素子１０１、コネクタ回路１０２、バイパスコンデンサ１０４、電源配線パターン１１１及びグラウンド配線パターン１１２が実装されている。
【０００３】
図７に示されるように、電源配線パターン１１１の一端は、回路素子１０１と接続され、電源配線パターン１１１の他端は、コネクタ回路１０２を介して外部電源１０３と接続されている。バイパスコンデンサ１０４の一端は、引き出し配線１１３を介して電源配線パターン１１１と接続され、バイパスコンデンサ１０４の他端は、引き出し配線１１４を介してグラウンド配線パターン１１２と接続されている。回路素子１０１で発生した高周波電磁ノイズが外部電源１０３に伝播すれば、たとえば、電源電圧が変動して回路素子１０１の動作不良、あるいは外部電源１０３から電源供給を受ける他の回路素子（図示せず）の動作不良を招くという問題が生じ得る。バイパスコンデンサ１０４は、高周波電磁ノイズに対してノイズフィルタとして機能し、電源配線パターン１１１を伝播する高周波電磁ノイズをグラウンド配線パターン１１２にバイパスすることができる。これにより電源品位の向上が可能となる。
【０００４】
しかしながら、バイパスコンデンサ１０４には寄生インダクタンスが存在する。この寄生インダクタンスによりバイパスコンデンサ１０４のバイパス性能が劣化するので、外部電源１０３側に漏洩する高周波電磁ノイズを十分に低減させることができないという課題がある。この課題に対しては、たとえば、特許文献１（特開２００５−３０３１９３号公報）の従来技術が知られている。この特許文献１に開示されているチップ型コンデンサアレイは、共通外部電極と並列に接続された複数個のコンデンサを備えているので、チップ型コンデンサアレイ自身の寄生インダクタンスを低減させることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００５−３０３１９３号公報（たとえば、図１〜図４及び段落００２０〜００３０）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１の従来技術では、バイパスコンデンサの実装に使用される配線の寄生インダクタンスに起因するバイパス性能の劣化を抑制することができない。
【０００７】
上記に鑑みて本発明の目的は、コンデンサを含むバイパス回路の性能劣化を抑制することができるプリント基板を提供する点にある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一態様によるプリント基板は、第１の配線層と第２の配線層とが絶縁層を介して積層された構造を有するプリント基板であって、前記第１の配線層の一部として形成された第１及び第２の配線ラインと、前記第１の配線層に配置されており、一対の電極端子を有し、前記一対の電極端子のうちの一方の電極端子が前記第１の配線ラインの一端部と電気的に接続されているバイパスコンデンサと、前記第２の配線層の一部として形成された第３の配線ラインと、前記第２の配線層の他の一部として形成されたグラウンド導体面と、前記絶縁層を貫通して形成され、前記第１の配線ラインの当該一端部を前記第３の配線ラインの一端部と導通させる第１の層間接続孔と、前記絶縁層を貫通して形成され、前記第２の配線ラインの一端部を前記第３の配線ラインの他端部と導通させる第２の層間接続孔と、前記絶縁層を貫通して形成され、前記一対の電極端子のうちの他方の電極端子を前記グラウンド導体面と電気的に導通させる第３の層間接続孔とを備え、前記第１及び第２の配線ラインは、磁気的に結合するように互いに対向し且つ互いに並行に延在しており、前記第１の配線ラインの当該一端部が前記第２の配線ラインの他端部と対向し、且つ前記第２の配線ラインの当該一端部が前記第１の配線ラインの他端部と対向していることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、第１の配線ライン及び第２の配線ラインは、第３の配線ラインを介して直列に接続されており、磁気的結合により相互インダクタンスを形成する。この相互インダクタンスに対応して等価的に現れる負のインダクタンスにより、バイパスコンデンサを含むバイパス回路の寄生インダクタンスを打ち消すことができる。したがって、新たな電子部品を追加することなく、バイパス回路の性能劣化を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明に係る実施の形態１の両面プリント基板の断面構造の一例を概略的に示す図である。
【図２】（Ａ），（Ｂ）は、実施の形態１の両面プリント基板を構成する配線層の平面図である。
【図３】（Ａ）は、一対の寄生インダクタを含む相互誘導回路を示す図であり、（Ｂ）は、この相互誘導回路のＴ型等価回路を示す図である。
【図４】実施の形態１の両面プリント基板の等価回路の主要部を概略的に示す図である。
【図５】実施の形態１の磁性体の一例を示す平面図である。
【図６】図５のＶＩ−ＶＩ線における断面構造の要部を概略的に示す図である。
【図７】プリント基板に実装された従来のノイズフィルタの一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、図面を参照しつつ、本発明に係る種々の実施の形態について詳細に説明する。なお、図面において同一符号を付された構成要素は、同一機能及び同一構成を有するものとする。
【００１２】
実施の形態１．
図１は、本発明に係る実施の形態１の両面プリント基板１の断面構造の一例を概略的に示す図であり、図２（Ａ），（Ｂ）は、この両面プリント基板１を構成する配線層の平面図である。図２（Ａ），（Ｂ）は、同一方向から視たときの上部配線層ＷＬ１及び下部配線層ＷＬ２の平面構成を示している。
【００１３】
図１に示されるように、両面プリント基板１は、第１の配線層である上部配線層ＷＬ１と、第２の配線層である下部配線層ＷＬ２と、これら上部配線層ＷＬ１及び下部配線層ＷＬ２の間に介在する絶縁層ＩＬと、上部配線層ＷＬ１上に設けられた磁性体２３とを備えている。両面プリント基板１は、上部配線層ＷＬ１、絶縁層ＩＬ及び下部配線層ＷＬ２が厚み方向（図面の垂直方向）に積層された構造を有している。ここで、絶縁層ＩＬは、非導電性樹脂などの電気絶縁材料で構成される。
【００１４】
図２（Ａ），（Ｂ）に示されるように、両面プリント基板１には、絶縁層ＩＬを貫通する層間接続孔であるビアＨａ，Ｈｂ，Ｈｃ，Ｈｄ，Ｈｅが形成されている。ビアＨａ，Ｈｂ，Ｈｃ，Ｈｄ，Ｈｅの内部には、たとえば、導電性ペーストが充填されたり、無電解メッキにより銅などの金属層が形成されたりしているので、ビアＨａ，Ｈｂ，Ｈｃ，Ｈｄ，Ｈｅは導電性を有する。このため、ビアＨａ，Ｈｂ，Ｈｃ，Ｈｄ，Ｈｅは、上部配線層ＷＬ１と下部配線層ＷＬ２との間を電気的に接続することができる。
【００１５】
上部配線層ＷＬ１は、絶縁層ＩＬの厚み方向両面のうち上面に形成されている。図２（Ａ）に示されるように、上部配線層ＷＬ１には、ＬＳＩまたはＩＣなどの電子部品である回路素子１０と、ＤＣ−ＤＣコンバータまたは車載用バッテリなどの外部電源１２と電気的に接続されたコネクタ回路１１と、電磁ノイズ除去用のバイパスコンデンサ１３とが設けられている。
【００１６】
また、上部配線層ＷＬ１を構成する配線パターンとしては、回路素子１０の電源端子と接続される電源配線パターンＷ１と、コネクタ回路１１を介して外部電源１２のプラス端子と電気的に接続される電源配線パターンＷ２と、バイパスコンデンサ１３の一方の電極端子を電源配線パターンＷ１と電気的に接続する引き出し配線Ｗ３と、バイパスコンデンサ１３の他方の電極端子をビアＨｃと電気的に接続する配線Ｗ４と、回路素子１０の接地端子をビアＨｄと電気的に接続するグラウンド配線Ｗ５と、コネクタ回路１１の接地端子をビアＨｅと電気的に接続するグラウンド配線Ｗ６とが形成されている。電源配線パターンＷ１，Ｗ２、引き出し配線Ｗ３、配線Ｗ４及びグラウンド配線Ｗ５，Ｗ６は、銅箔などの導電体で構成されればよい。
【００１７】
一方、下部配線層ＷＬ２は、図１に示されるように絶縁層ＩＬの下面に形成されている。この下部配線層ＷＬ２を構成する配線パターンは、図２（Ｂ）に示されるように、ビアＨａ，Ｈｂ間を電気的に接続する配線ラインＷ９と、電気的に接地されたグラウンド導体面２２とからなる。グラウンド導体面２２は、配線ラインＷ９とは電気的に絶縁されている。これら配線ラインＷ９とグラウンド導体面２２とは、銅箔などの導電体で構成されればよい。外部電源１２のマイナス端子は、上部配線層ＷＬ１におけるコネクタ回路１１、グラウンド配線Ｗ６及びビアＨｅを介して、グラウンド導体面２２と接続されている。
【００１８】
なお、配線ラインＷ９は、図２（Ｂ）に示されるように直角に折れ曲がる屈曲部分を有するが、これに限定されるものではない。このような配線ラインＷ９に代えて、直線状の配線ライン、または円形状もしくは楕円形状の配線ラインを採用してもよい。
【００１９】
次に、図２（Ａ）を参照すると、上部配線層ＷＬ１においては、一方の電源配線パターンＷ１は、他方の電源配線パターンＷ２と対向し且つ近接する位置に形成された第１の配線ラインＷ１ａを含み、他方の電源配線パターンＷ２は、一方の電源配線パターンＷ１と対向し且つ近接する位置に形成された第２の配線ラインＷ２ａを含む。これら第１及び第２の配線ラインＷ１ａ，Ｗ２ａ（以下「近接配線ラインＷ１ａ，Ｗ２ａ」と呼ぶ。）は、互いに対向し且つ互いに並行に延在するように形成されている。下部配線層ＷＬ２の配線ラインＷ９は、これら近接配線ラインＷ１ａ，Ｗ２ａを直列接続するための第３の配線ラインである。
【００２０】
図２（Ａ）に示されるように、近接配線ラインＷ１ａの左側一端部は、ビアＨａと電気的に接続されている。これにより、近接配線ラインＷ１ａは、図２（Ｂ）に示されるように、ビアＨａを介して下部配線層ＷＬ２の配線ラインＷ９の左側一端部と導通する。他方の近接配線ラインＷ２ａの右側一端部は、図２（Ａ）に示されるようにビアＨｂと電気的に接続されている。これにより、近接配線ラインＷ２ａは、図２（Ｂ）に示されるように、ビアＨｂを介して下部配線層ＷＬ２の配線ラインＷ９の右側他端部と導通する。したがって、近接配線ラインＷ１ａ，Ｗ２ａの端部同士が、ビアＨａ、配線ラインＷ９及びビアＨｂを介して直列に接続される。それ故、近接配線ラインＷ１ａ，Ｗ２ａに流れる電流の方向は同一方向となる。また、寄生インダクタンスに起因して近接配線ラインＷ１ａ，Ｗ２ａで発生する磁束の方向もほぼ同一方向となる。
【００２１】
また、近接配線ラインＷ１ａの左側一端部は、図２（Ａ）に示されるように、引き出し配線Ｗ３を介してバイパスコンデンサ１３の一方の電極端子と電気的に接続されている。バイパスコンデンサ１３の他方の電極端子は、配線Ｗ４を介してビアＨｃと電気的に接続されている。これにより、当該他方の電極端子は、ビアＨｃを介して下部配線層ＷＬ２のグラウンド導体面２２と導通する。一方、近接配線ラインＷ１ａの右側他端部は、図２（Ａ）に明示されていないが、近接配線ラインＷ２ａの右側一端部（ビアＨｂと接続する部分）と対向する部分であり、電源配線ラインＷ１の他の配線部分を介して回路素子１０の電源端子と電気的に接続されている。また、近接配線ラインＷ２ａの左側他端部も、図２（Ａ）に明示されていないが、近接配線ラインＷ１ａの左側一端部（ビアＨａと接続する部分）と対向する部分であり、電源配線ラインＷ２の他の配線部分とコネクタ回路１１とを介して外部電源１２と電気的に接続されている。
【００２２】
本実施の形態のノイズフィルタは、上記近接配線ラインＷ１ａ，Ｗ２ａとバイパスコンデンサ１３とを含んで構成される。近接配線ラインＷ１ａ，Ｗ２ａは、互いに磁気的に結合して相互誘導を起こす一対の寄生インダクタを有する。図３（Ａ）は、近接配線ラインＷ１ａの寄生インダクタ４１と近接配線ラインＷ２ａの寄生インダクタ４２とを含む相互誘導回路を模式的に示す図であり、図３（Ｂ）は、この相互誘導回路のＴ型等価回路を示す図である。節点ａ１，ａ２からそれぞれ電流ｉ１，ｉ２が寄生インダクタ４１，４２に流れ込むとき、寄生インダクタ４１，４２間に相互インダクタンス−Ｍが形成される。節点ｂ１，ｂ２が共通電位を有するとすれば、相互誘導回路は、図３（Ｂ）に示されるように３つのインダクタンスＬ１＋Ｍ，Ｌ２＋Ｍ，−Ｍを有する３個のインダクタ５１，５２，５３からなる等価回路と考えることができる。この種の等価回路は、Ｔ型等価回路と呼ばれている。
【００２３】
ここで、近接配線ラインＷ１ａ，Ｗ２ａが互いに距離ｄ（単位：ｍ）だけ離れて対向し、且つ近接配線ラインＷ１ａ，Ｗ２ａのライン長が共にＲ（単位：ｍ）である場合、近接配線ラインＷ１ａ，Ｗ２ａ間の相互インダクタンスの大きさＭ（単位：Ｈ＝Ｗｂ／Ａ）は、たとえば、次の近似式（１）で与えられる。
Ｍ＝（μ０／（２π））×Ｒ×（ｌｎ（２Ｒ／ｄ）−１）        （１）
【００２４】
ここで、μ０は、真空の透磁率（＝４π×１０−７Ｈ／ｍ）である。この式（１）に基づいて、相互インダクタンスを設計することが可能である。
【００２５】
なお、近接配線ラインＷ１ａ，Ｗ２ａ間の相互インダクタンスの大きさＭは、次式（２）によっても与えられる。
Ｍ＝ｋ×（Ｌ１×Ｌ２）１／２                                （２）
【００２６】
ここで、ｋは、結合係数である。
【００２７】
図４は、ノイズフィルタを有する両面プリント基板１の等価回路の主要部を概略的に示す図である。図４に示される等価回路は、回路素子１０と、上記したＴ型等価回路と、バイパスコンデンサ１３と、配線インダクタンスＬ４を有する寄生インダクタ５４と、コネクタ回路１１とを備えている。インダクタ５１の等価インダクタンスはＬ１＋Ｍであり、インダクタ５２の等価インダクタンスはＬ２＋Ｍである。また、バイパスコンデンサ１３は、容量Ｃを有するコンデンサ成分１３Ｃと、等価直列インダクタンス（ＥＳＬ）である残留インダクタンスＬｐを有する寄生インダクタ１３ＥＳＬとを備えている。ここで、寄生インダクタ５４は、図２（Ａ），（Ｂ）のビアＨｃによって形成される。なお、図４では、説明の便宜上、両面プリント基板１の他の回路要素（たとえば、引き出し配線Ｗ３の抵抗成分及び寄生インダクタ成分）の表示は省略されている。
【００２８】
本実施の形態のバイパス回路は、図２（Ａ）に示した引き出し配線Ｗ３、バイパスコンデンサ１３、配線Ｗ４及びビアＨｃによって構成される。このバイパス回路では、近接配線ラインＷ１ａ，Ｗ２ａが磁気的に結合すると、図４に示されるように、負のインダクタンス−Ｍを有するインダクタ５３が等価的に現れる。すなわち、インダクタ５１，５２間の直列接続点Ｎｐにインダクタ５３が等価的に接続されたこととなる。よって、このとき、バイパス回路では、負のインダクタンス−Ｍを有するインダクタ５３と、コンデンサ成分１３Ｃと、寄生インダクタ１３ＥＳＬとが直列に接続されることとなる。
【００２９】
ここで、ビアＨｃの配線インダクタンスＬ４については、ビアＨｃの寸法（たとえば、長さ及びビア径）に基づいて配線インダクタンスＬ４を近似的に算出することができる。また、バイパスコンデンサ１３の特性を測定することで、残留インダクタンスＬｐを算出することが可能である。
【００３０】
したがって、負のインダクタンス−Ｍと、ビアＨｃの配線インダクタンスＬ４と、バイパスコンデンサ１３の残留インダクタンスＬｐとについてインピーダンスが打ち消し合うように、インダクタンス−Ｍを設計することにより、バイパス回路のインピーダンスをコンデンサ成分１３Ｃのみのインピーダンスと等価とすることができる。たとえば上式（１）を用いて、負のインダクタンス−Ｍが最適な値となるような設計を行うことが可能である。これにより、バイパス回路におけるバイパス経路が実質的にインダクタンス成分を含まないことになるので、電源配線パターンＷ１を伝播する電磁ノイズの周波数が高くても、バイパス性能が低下することを防ぐことができる。
【００３１】
ここで、バイパスコンデンサ１３の実装に使用される引き出し配線Ｗ３及び配線Ｗ４の寄生インダクタンスを考慮してインダクタンス−Ｍを設計することも可能である。
【００３２】
次に、図１に示した磁性体２３について説明する。この磁性体２３は、近接配線ラインＷ１ａ，Ｗ２ａの近傍に配置され、且つ、平面視で少なくとも近接配線ラインＷ１ａ，Ｗ２ａ間の領域に配置される。これにより、近接配線ラインＷ１ａ，Ｗ２ａ間で発生する磁束の磁路の一部を磁性体２３の内部に閉じ込めることができる。
【００３３】
図５は、上部配線層ＷＬ１上に設けられる磁性体２３の一例を示す平面図であり、図６は、図５のＶＩ−ＶＩ線における断面構造の要部を概略的に示す図である。図５及び図６に示されるように、磁性体２３は、近接配線ラインＷ１ａ，Ｗ２ａに当接し、且つ近接配線ラインＷ１ａ，Ｗ２ａを被覆するように配置されている。これにより、磁性体２３の内部には、近接配線ラインＷ１ａ，Ｗ２ａ間で発生する磁束ＭＦが通過する磁路が形成される。近接配線ラインＷ１ａ，Ｗ２ａのうちの一方から発生する磁束の全てが、空気中に漏れ出ずにその他方に鎖交する状態のときに、近接配線ラインＷ１ａ，Ｗ２ａの寄生インダクタ４１，４２間の結合係数ｋは最高の値「１」となる。近接配線ラインＷ１ａ，Ｗ２ａの近傍に磁性体２３を配置することで、磁束ＭＦは磁性体２３の内部に集中するので、空気中に漏れ出る磁束の量を減らすことができる。その結果、結合係数ｋが「１」の値に近づき、上式（２）により相互インダクタンスの大きさＭが高くなる。よって、結合係数ｋが高くなる分に応じて、自己インダクタンスＬ１，Ｌ２を小さい値に設定することができる。これにより、近接配線ラインＷ１ａ，Ｗ２ａのライン長Ｒを短くすることが可能となる。したがって、上記インダクタンス−Ｍを得るために必要な近接配線ラインＷ１ａ，Ｗ２ａの寸法を小さくすることができる。
【００３４】
磁性体２３としては、数ＭＨｚ以上の高周波信号に対して高い透磁率を有するフェライト磁性体が好ましい。たとえば、軟磁性金属粉末が分散された樹脂シート、または厚みが数μｍ程度のフェライトめっき膜を磁性体２３として使用することができる。
【００３５】
以上に説明したように実施の形態１の両面プリント基板１では、近接配線ラインＷ１ａ，Ｗ２ａは、配線ラインＷ９を介して直列に接続され、磁気的結合により相互インダクタンスを形成するように互いに対向し且つ同一方向に延在している。この磁気的結合に対応して等価的に現れる負のインダクタンス−Ｍにより、バイパスコンデンサ１３を含むバイパス回路全体の寄生インダクタンスを打ち消すことができる。よって、新たな電子部品を追加することなく、バイパスコンデンサ１３のバイパス性能の劣化を抑制することが可能である。したがって、電源配線パターンＷ１を伝播する電磁ノイズを効果的に除去することができる。
【００３６】
ここで、バイパス回路の寄生インダクタンスを打ち消すために、インダクタなどの電子部品を追加で実装することが考えられる。しかしながら、新たな電子部品の追加は、プリント基板の製造コストの増加を招くとともに、当該新たな電子部品がプリント基板上の他の配線または他の電子部品に電磁的に作用して悪影響を与えるおそれがある。本実施の形態の両面プリント基板１は、そのような電子部品を追加で実装することなく、バイパス性能の劣化を抑制することができる。
【００３７】
また、図２（Ｂ）に示したように、近接配線ラインＷ１ａ，Ｗ２ａを直列接続する配線ラインＷ９が、グラウンド導体面２２と同じ下部配線層ＷＬ２に形成されるので、配線層の数を抑えることができ、両面プリント基板１の小型化を実現することができる。
【００３８】
以上、図面を参照して本発明に係る実施の形態について述べたが、この実施の形態は本発明の例示であり、この実施の形態以外の様々な形態を採用することもできる。たとえば、上記実施の形態は２層構造の両面プリント基板であるが、これに限定されるものではない。本発明は、３層以上の配線層を有する多層プリント基板に対して適用可能である。
【００３９】
また、上記外部電源１２に代えて、上記実施の形態の両面プリント基板１に、内部電源である電源素子を実装してもよい。この場合でも、実装された電源素子への高周波電磁ノイズの伝播を抑制することが可能である。
【００４０】
本発明の範囲内において、上記実施の形態の構成要素の自由な組み合わせ、上記実施の形態の任意の構成要素の変形、または上記実施の形態の任意の構成要素の省略が可能である。
【符号の説明】
【００４１】
ＷＬ１  上部配線層、ＷＬ２  下部配線層、ＩＬ  絶縁層、Ｗ１，Ｗ２  電源配線パターン、Ｗ１ａ，Ｗ２ａ  近接配線ライン（第１及び第２の配線ライン）、Ｗ９  配線ライン、Ｈａ，Ｈｂ，Ｈｃ，Ｈｄ，Ｈｅ  ビア、ＭＦ  磁束、１  両面プリント基板、１０  回路素子、１１  コネクタ回路、１２  外部電源、１３  バイパスコンデンサ、２２  グラウンド導体面、２３  磁性体、４１，４２  寄生インダクタ、５１〜５３  インダクタ、５４  寄生インダクタ。
【図１】
0006504960.tif 000002
【図２】
0006504960.tif 000003
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
0006504960.tif 000008