(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
一端が互いに接続されている２つの半導体スイッチを同時にオン又はオフにするスイッチ制御部を備え、該スイッチ制御部が前記２つの半導体スイッチをオン又はオフにすることによって前記２つの半導体スイッチの他端間を流れる電流を制御する電流制御装置において、
該２つの半導体スイッチ夫々の両端間の耐圧は互いに異なっており、
該２つの半導体スイッチは２つの蓄電器夫々の一端間を接続し、
該２つの半導体スイッチ夫々の両端間に２つのダイオードが接続されており、
該２つのダイオードのアノード又はカソードが互いに接続されており、
前記２つの半導体スイッチ夫々の耐圧は、自身の両端間に接続されている前記ダイオードのカソード側の前記蓄電器に印加される電圧が高い程、高いこと
を特徴とする電流制御装置。
【請求項２】
前記２つの半導体スイッチのいずれかに並列に接続されている一又は複数の第２の半導体スイッチを備え、
該一又は複数の第２の半導体スイッチ夫々は、並列に接続されている前記半導体スイッチと同じ耐圧を有し、
前記スイッチ制御部は、前記２つの半導体スイッチと、前記一又は複数の第２の半導体スイッチとを同時にオン又はオフにすること
を特徴とする請求項１に記載の電流制御装置。
【請求項３】
前記２つの半導体スイッチ中の一方の半導体スイッチに並列に接続されている前記第２の半導体スイッチの数は、他方の半導体スイッチに並列に接続されている前記第２の半導体スイッチの数と異なっていること
を特徴とする請求項２に記載の電流制御装置。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれか１つに記載の電流制御装置と、
前記２つの蓄電器と、
該２つの蓄電器によって給電される負荷と
を備え、
前記２つの蓄電器夫々には異なる電圧が印加されること
を特徴とする電源システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一端が互いに接続されている２つの半導体スイッチを略同時にオン又はオフにすることによって、２つの半導体スイッチの他端間に流れる電流を制御する電流制御装置、及び、該電流制御装置を備える電源システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
車両には、バッテリが負荷に給電する電源システムが搭載されている。バッテリが負荷に給電する電源システムの中には、夫々の一端が互いに接続された２つの半導体スイッチを備える電源システムがある。この電源システムでは、一方の半導体スイッチの他端がバッテリの正極に接続され、他方の半導体スイッチの他端が負荷の一端にされている。そして、２つの半導体スイッチを略同時にオン又はオフにすることによって、バッテリから負荷へ流れる電流を制御する。
【０００３】
特許文献１には、夫々の一端が互いに接続された２つの半導体スイッチを略同時にオン又はオフにすることによって、２つの半導体スイッチ夫々の他端間を流れる電流を制御する電流制御装置が開示されている。特許文献１に記載の電流制御装置は、２つのＮチャネル型のＦＥＴ（Field Effect Transistor）を備え、２つのＦＥＴ夫々は半導体スイッチとして機能する。
【０００４】
２つのＦＥＴに関して、一方のＦＥＴのソースが他方のＦＥＴのソースに接続されている。２つのＦＥＴ夫々のゲートに共通の電圧が印加される。２つのＦＥＴ夫々のゲートに印加されている電圧を調整することによって、２つのＦＥＴを略同時にオン又はオフにする。これにより、２つのＦＥＴ夫々のドレインを介して流れる電流が制御される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１４−４９６８６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
２つの半導体スイッチを介して電流が流れた場合、２つの半導体スイッチ夫々から熱が発生する。一端が互いに接続されている２つの半導体スイッチを備える電流制御装置から発生する熱の量は、２つの半導体スイッチの他端間の抵抗、即ち、２つの半導体スイッチのオン抵抗の合成抵抗が大きい程大きく、２つの半導体スイッチを介して流れる電流の値が大きい程大きい。２つの半導体スイッチで大きな熱が発生した場合、２つの半導体スイッチの他端間が短絡する虞がある。
【０００７】
現在、車両には、バッテリによって給電される多数の負荷が搭載されており、２つの半導体スイッチを介して大電流を多数の負荷に供給する必要がある。そこで、２つの半導体スイッチ夫々を略同時にオン又はオフにすることによって電流を制御する電流制御装置として、大電流が２つの半導体スイッチに流れた場合であっても発熱量が小さい電流制御装置が求められている。
発熱量が小さい電流制御装置として、オン抵抗が小さい２つの半導体スイッチを備える電流制御装置が考えられる。
【０００８】
しかしながら、両端間の耐圧が同じである半導体スイッチに関して、オン抵抗が小さい半導体スイッチのサイズは一般的に大きい。このため、両端間の耐圧が同一であってオン抵抗が小さい２つの半導体スイッチを備える電流制御装置は、大型であるため、空間が限定的である車両に搭載する電流制御装置として適していない。
また、大型の半導体スイッチは高価であるため、オン抵抗が小さい２つの半導体スイッチを備える電流制御装置には製造費用が嵩むという問題もある。
【０００９】
本発明は斯かる事情に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、発熱量が小さくて安価に製造することができる小型の電流制御装置、及び、該電流制御装置を備える電源システムを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明に係る電流制御装置は、一端が互いに接続されている２つの半導体スイッチを同時にオン又はオフにするスイッチ制御部を備え、該スイッチ制御部が前記２つの半導体スイッチをオン又はオフにすることによって前記２つの半導体スイッチの他端間を流れる電流を制御する電流制御装置において、該２つの半導体スイッチ夫々の両端間の耐圧は互いに異なっており、該２つの半導体スイッチは２つの蓄電器夫々の一端間を接続し、該２つの半導体スイッチ夫々の両端間に２つのダイオードが接続されており、該２つのダイオードのアノード又はカソードが互いに接続されており、前記２つの半導体スイッチ夫々の耐圧は、自身の両端間に接続されている前記ダイオードのカソード側の前記蓄電器に印加される電圧が高い程、高いことを特徴とする。
【００１１】
本発明にあっては、２つの半導体スイッチ夫々の一端は互いに接続されている。２つの半導体スイッチの一方の他端に１つの蓄電器の一端が接続され、２つの半導体スイッチの他方の他端にもう１つの蓄電器の一端が接続される。半導体スイッチがＦＥＴである場合、例えば、一方の半導体スイッチのソースが他方の半導体スイッチのソースに接続されている。２つの半導体スイッチを同時にオン又はオフにすることによって、２つの半導体スイッチを介して流れる電流を制御する。
【００１２】
２つの半導体スイッチ夫々の両端間の耐圧は異なっている。半導体スイッチのオン抵抗は、一般的に、耐圧が高い程大きい。従って、２つの半導体スイッチに関して、両端間の耐圧が異なるため、２つの半導体スイッチのオン抵抗の合成抵抗は小さい。これにより、２つの半導体スイッチ夫々の他端を介して電流が流れた場合に発生する熱の量は小さい。また、両端間の耐圧が低い半導体スイッチは、小型であり、安価である。このため、装置は小型であり、安価に製造される。
２つの半導体スイッチ夫々の両端間に２つのダイオードが接続されている。２つのダイオードのアノード又はカソードが互いに接続されている。２つの半導体スイッチ夫々の耐圧は、自身の両端間に接続されているダイオードのカソード側の蓄電器に印加される電圧が高い程、高い。
【００１３】
本発明に係る電流制御装置は、前記２つの半導体スイッチのいずれかに並列に接続されている一又は複数の第２の半導体スイッチを備え、該一又は複数の第２の半導体スイッチ夫々は、並列に接続されている前記半導体スイッチと同じ耐圧を有し、前記スイッチ制御部は、前記２つの半導体スイッチと、前記一又は複数の第２の半導体スイッチとを同時にオン又はオフにすることを特徴とする。
【００１４】
本発明にあっては、２つの半導体スイッチのいずれかに、一又は複数の第２の半導体スイッチが並列に接続されている。並列に接続されている半導体スイッチ、及び、第２の半導体スイッチ夫々の両端間の耐圧は同じである。２つの半導体スイッチと、一又は複数の第２の半導体スイッチとを同時にオン又はオフにすることによって、２つの半導体スイッチの他端間を流れる電流を制御する。
【００１５】
半導体スイッチに第２の半導体スイッチが並列に接続された場合、半導体スイッチの両端間の抵抗、即ち、半導体スイッチ及び第２の半導体スイッチ夫々のオン抵抗の合成抵抗は、半導体スイッチのオン抵抗よりも小さい。更に、半導体スイッチの両端間の抵抗は、並列に接続されている第２の半導体スイッチの数が多い程小さい。当然のことながら、半導体スイッチの両端間の抵抗が小さい場合、２つの半導体スイッチの他端間の抵抗も小さい。このため、２つの半導体スイッチ及び一又は複数の第２の半導体スイッチがオンである場合において、２つの半導体スイッチ夫々の他端間の抵抗がより小さく、装置の発熱量がより小さい。
【００１６】
本発明に係る電流制御装置は、前記２つの半導体スイッチ中の一方の半導体スイッチに並列に接続されている前記第２の半導体スイッチの数は、他方の半導体スイッチに並列に接続されている前記第２の半導体スイッチの数と異なっていることを特徴とする。
【００１７】
本発明にあっては、例えば、２つの半導体スイッチの中で、両端間の耐圧が高い半導体スイッチに、両端間の耐圧が低い半導体スイッチに並列に接続されている第２の半導体スイッチの数よりも多い第２の半導体スイッチを並列に接続する。通常、両端間の耐圧が高い半導体スイッチのオン抵抗は大きい。また、オン抵抗が高い半導体スイッチに第２の半導体スイッチを並列に接続した場合における抵抗の下げ幅は、オン抵抗が低い半導体スイッチに第２の半導体スイッチを並列に接続した場合における抵抗の下げ幅よりも大きい。従って、両端間の耐圧が高い半導体スイッチに、多くの第２の半導体スイッチを並列に接続した場合、２つの半導体スイッチ及び一又は複数の半導体スイッチがオンである状態での２つの半導体スイッチ夫々の他端間の抵抗が格段に小さい装置が実現される。
【００１８】
また、例えば、２つの半導体スイッチの中で、両端間の耐圧が低い半導体スイッチに、両端間の耐圧が高い半導体スイッチに並列に接続されている第２の半導体スイッチの数よりも多い第２の半導体スイッチを並列に接続する。両端間の耐圧が低い半導体スイッチは一般的に安価である。従って、両端間の耐圧が低い半導体スイッチに、多くの第２の半導体スイッチを並列に接続した場合、２つの半導体スイッチ及び一又は複数の半導体スイッチがオンである状態での２つの半導体スイッチ夫々の他端間の抵抗が更に小さい装置が安価に実現される。
【００１９】
本発明に係る電源システムは、前述した電流制御装置と、前記２つの蓄電器と、該２つの蓄電器によって給電される負荷とを備え、前記２つの蓄電器夫々には異なる電圧が印加されることを特徴とする。
【００２０】
本発明にあっては、２つの半導体スイッチの一方の他端に一端が接続されている１つの蓄電器と、２つの半導体スイッチの他方の他端に一端が接続されているもう１つの蓄電器とによって、負荷は給電される。２つの半導体スイッチを同時にオン又はオフにすることによって、２つの半導体スイッチの他端間に流れる電流を制御する。蓄電が行われる場合に２つの蓄電器夫々に印加される電圧は異なっており、２つの半導体スイッチ夫々の両端間の耐圧は、２つの蓄電器夫々に印加される電圧に応じた値である。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、発熱量が小さくて安価に製造することができる小型の電流制御装置を実現することができ、更に、該電流制御装置を備える電源システムも実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】実施の形態１における電源システムの要部構成を示すブロック図である。
【図２】半導体スイッチのドレインにおける電圧変動の一例を示す電圧波形である。
【図３】実施の形態２における電源システムの要部構成を示すブロック図である。
【図４】実施の形態３における電源システムの要部構成を示すブロック図である。
【図５】実施の形態４における電源システムの要部構成を示すブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、本発明をその実施の形態を示す図面に基づいて詳述する。
（実施の形態１）
図１は実施の形態１における電源システム１の要部構成を示すブロック図である。電源システム１は、好適に車両に搭載されており、発電機１０、第１蓄電器１１、ＤＣＤＣコンバータ１２、第２蓄電器１３、負荷１４、制御部１５、電流センサ１６及び２つの半導体スイッチ２０，３０を備える。
【００２４】
２つの半導体スイッチ２０，３０夫々はＮチャネル型のＦＥＴ（Field Effect Transistor）である。ダイオード２１，３１夫々は半導体スイッチ２０，３０の寄生ダイオードである。ダイオード２１に関して、カソードは半導体スイッチ２０のドレインに接続されており、アノードは半導体スイッチ２０のソースに接続されている。また、ダイオード３１に関して、カソードは半導体スイッチ３０のドレインに接続されており、アノードは半導体スイッチ３０のソースに接続されている。
【００２５】
半導体スイッチ２０のソースは半導体スイッチ３０のソースに接続されている。半導体スイッチ２０のドレインには、発電機１０及びＤＣＤＣコンバータ１２夫々の一端と、第１蓄電器１１の正極とが接続されている。半導体スイッチ３０のドレインには、ＤＣＤＣコンバータ１２の他端と、第２蓄電器１３の正極と、負荷１４の一端とが接続されている。このように、２つの半導体スイッチ２０，３０は第１蓄電器１１及び第２蓄電器１３夫々の正極間を接続する。発電機１０及び負荷１４夫々の他端と、第１蓄電器１１及び第２蓄電器１３夫々の負極とは接地されている。半導体スイッチ２０，３０のゲートは各別に制御部１５に接続されている。制御部１５は更に電流センサ１６に接続されている。
【００２６】
半導体スイッチ２０，３０夫々に関して、制御部１５からゲートに印加されている電圧が一定電圧以上である場合、ドレイン及びソース間に電流が流れることが可能である。また、制御部１５からゲートに印加されている電圧が一定電圧未満である場合、ドレイン及びソース間に電流が流れることはない。
従って、半導体スイッチ２０，３０夫々は、ゲートに印加されている電圧が一定電圧以上である場合にオンであり、ゲートに印加されている電圧が一定電圧未満である場合にオフである。
【００２７】
発電機１０は、車両に搭載されている図示しないエンジンに連動して交流電力を発生させる。発電機１０は、発生させた交流電力を直流電力に整流し、整流した直流電力に係る直流電圧を、出力電圧としてＤＣＤＣコンバータ１２の一端に出力する。また、発電機１０は、出力電圧を第１蓄電器１１に印加する。
【００２８】
発電機１０には、出力電圧の低下を指示する低下指示が制御部１５から入力される。発電機１０は、低下指示が入力された場合、通常、出力している出力電圧よりも低い出力電圧を出力する。以下では、発電機１０が、通常、出力する出力電圧を通常電圧と記載し、低下指示が入力された発電機１０が臨時に出力する出力電圧を臨時電圧と記載する。通常電圧及び臨時電圧夫々は一定である。
【００２９】
発電機１０には、出力電圧の低下の解除を指示する解除指示が制御部１５から更に入力される。発電機１０は、解除指示が入力された場合、出力電圧を、臨時電圧から通常電圧に戻す。
【００３０】
第１蓄電器１１は例えば、キャパシタである。発電機１０の出力電圧が第１蓄電器１１に印加された場合、第１蓄電器１１は蓄電する。発電機１０が発電していない場合、第１蓄電器１１は出力電圧をＤＣＤＣコンバータ１２の一端に出力する。
【００３１】
ＤＣＤＣコンバータ１２は、発電機１０又は第１蓄電器１１が出力した出力電圧を変圧する。ＤＣＤＣコンバータ１２が変圧した変圧電圧はＤＣＤＣコンバータ１２から第２蓄電器１３及び負荷１４に印加される。
【００３２】
ＤＣＤＣコンバータ１２には、変圧の開始を指示する開始指示と、変圧の停止を指示する停止指示とが制御部１５から入力される。ＤＣＤＣコンバータ１２は、制御部１５から開始指示が入力された場合、前述した変圧を開始する。また、ＤＣＤＣコンバータ１２は、停止指示が入力された場合、変圧を停止する。ＤＣＤＣコンバータ１２を介して流れる電流は制限されている。
【００３３】
第２蓄電器１３は例えば鉛蓄電池である。負荷１４は車両に搭載される電気機器である。
２つの半導体スイッチ２０，３０がオフであってＤＣＤＣコンバータ１２が変圧を行っている場合、第２蓄電器１３及び負荷１４夫々に、ＤＣＤＣコンバータ１２から変圧電圧が印加される。これにより、第２蓄電器１３は蓄電し、負荷１４は給電される。
【００３４】
また、２つの半導体スイッチ２０，３０がオンであってＤＣＤＣコンバータ１２が変圧を停止している場合において、発電機１０が発電しているとき、発電機１０は、出力電圧を、２つの半導体スイッチ２０，３０を介して、第２蓄電器１３及び負荷１４に印加する。同様の場合において、発電機１０が発電していないとき、第１蓄電器１１は、出力電圧を、２つの半導体スイッチ２０，３０を介して、第２蓄電器１３及び負荷１４に印加する。発電機１０又は第１蓄電器１１が出力した出力電圧の印加により、第２蓄電器１３は蓄電し、負荷１４は給電される。
【００３５】
２つの半導体スイッチ２０，３０がオフであってＤＣＤＣコンバータ１２が変圧を停止している場合、第２蓄電器１３は負荷１４に出力電圧を印加する。これにより、負荷１４は給電される。
【００３６】
電流センサ１６は、ＤＣＤＣコンバータ１２の他端、又は、半導体スイッチ３０のドレインから出力される出力電流を検出し、検出した電流の大きさを示す電流情報を制御部１５に出力する。
【００３７】
制御部１５は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）を有し、図示しないＲＯＭ（Read Only Memory）に記憶してある制御プログラムを実行することによって処理を実行する。制御部１５は、電流センサ１６から入力された電流情報が示す電流の大きさに基づいて、発電機１０の出力電圧の調整と、ＤＣＤＣコンバータ１２の作動及び停止と、半導体スイッチ２０，３０夫々のオン及びオフとを制御する。
【００３８】
制御部１５は、発電機１０に低下指示及び解除指示を出力することによって発電機１０の出力電圧を通常電圧又は臨時電圧に調整する。また、制御部１５は、ＤＣＤＣコンバータ１２に開始指示及び停止指示を出力することによって、ＤＣＤＣコンバータ１２の作動及び停止を制御する。更に、制御部１５は、半導体スイッチ２０，３０夫々のゲートに印加されている電圧を調整することによって半導体スイッチ２０，３０夫々のオン及びオフを制御する。
【００３９】
エンジンが作動している場合において、制御部１５は、通常、発電機１０の出力電圧を通常電圧に調整し、ＤＣＤＣコンバータ１２に変圧を行わせ、２つの半導体スイッチ２０，３０をオフにしている。このときの電源システム１の状態を以下では通常状態と記載する。
【００４０】
電源システム１が通常状態である場合、発電機１０は通常電圧を出力し、ＤＣＤＣコンバータ１２から変圧電圧が第２蓄電器１３及び負荷１４に印加される。このとき、第１蓄電器１１には発電機１０から通常電圧が印加されて第１蓄電器１１は蓄電し、第２蓄電器１３にはＤＣＤＣコンバータ１２から変圧電圧が印加されて第２蓄電器１３は蓄電する。通常電圧は変圧電圧と異なっている。具体的には、通常電圧は変圧電圧よりも高い。通常電圧は例えば２４ボルトであり、変圧電圧は例えば１２ボルトである。
【００４１】
電源システム１が通常状態である場合、ＤＣＤＣコンバータ１２の他端から電流が出力されている。電源システム１が通常状態である場合において、制御部１５は、電流センサ１６から入力される電流情報が示す電流の大きさに基づいて、ＤＣＤＣコンバータ１２の出力電流が上限電流以上であるか否かを判定する。
上限電流は、ＤＣＤＣコンバータ１２を介して流れることが可能な最大電流以下である。
【００４２】
制御部１５は、電源システム１が通常状態である場合において、ＤＣＤＣコンバータ１２の出力電流が上限電流以上であると判定したとき、発電機１０の出力電圧を通常電圧から臨時電圧に低下させ、ＤＣＤＣコンバータ１２に変圧を停止させ、２つの半導体スイッチ２０，３０を同時又は略同時にオンにする。このときの電源システム１の状態を以下では直接給電状態と記載する。
【００４３】
電源システム１が直接給電状態である場合、第２蓄電器１３及び負荷１４夫々は、２つの半導体スイッチ２０，３０夫々のドレインを介して、発電機１０又は第１蓄電器１１によって直接に給電される。具体的には、発電機１０が発電している場合、発電機１０から第２蓄電器１３及び負荷１４に臨時電圧が印加される。これにより、第２蓄電器１３は蓄電し、負荷１４は給電される。発電機１０が発電していない場合、第１蓄電器１１から出力電圧が第２蓄電器１３及び負荷１４に印加される。これにより、第２蓄電器１３は蓄電し、負荷１４は給電される。
電源システム１が直接給電状態である場合、発電機１０又は第１蓄電器１１から負荷１４に前述した最大電流を超える電流を供給することが可能である。
【００４４】
以上のように、電源システム１が通常状態である場合において、ＤＣＤＣコンバータ１２の出力電流が上限電流以上となったとき、電源システム１は通常状態から直接給電状態に切替わり、負荷１４に給電し続ける。従って、負荷１４が、ＤＣＤＣコンバータ１２を介して流れることが可能な最大電流以上の電流の供給を必要とする場合であっても、負荷１４に給電し続けることができる。
【００４５】
電源システム１が直接給電状態である場合、半導体スイッチ３０のドレインから電流が出力されている。電源システム１が直接給電状態である場合において、制御部１５は、電流センサ１６から入力される電流情報が示す電流の大きさに基づいて、半導体スイッチ３０のドレインから出力される出力電流が下限電流未満であるか否かを判定する。下限電流は上限電流以下である。例えば、上限電流は１００Ａであり、下限電流は９０Ａである。
【００４６】
制御部１５は、電源システム１が直接給電状態である場合において、半導体スイッチ３０のドレインから出力される出力電流が下限電流未満であると判定したとき、２つの半導体スイッチ２０，３０を同時又は略同時にオフにし、ＤＣＤＣコンバータ１２に変圧を開始させ、発電機１０の出力電圧を臨時電圧から通常電圧に戻す。これにより、電源システム１は通常状態に戻る。
制御部１５はスイッチ制御部として機能する。
【００４７】
エンジンが停止している場合、発電機１０が発電することはない。エンジンが停止した場合、制御部１５は、ＤＣＤＣコンバータ１２に変圧を停止させ、２つの半導体スイッチ２０，３０をオフにする。従って、エンジンが停止している場合、負荷１４は、第２蓄電器１３から給電され、発電機１０及び第１蓄電器１１から給電されることはない。
【００４８】
以上のように、制御部１５は、２つの半導体スイッチ２０，３０を同時又は略同時にオン又はオフすることによって、２つの半導体スイッチ２０，３０のドレイン間を流れる電流を制御する。制御部１５及び２つの半導体スイッチ２０，３０は電流制御装置として機能する。
【００４９】
また、前述したように、半導体スイッチ２０のソースは半導体スイッチ３０のソースに接続されている。このため、ダイオード２１のアノードがダイオード３１のアノードに接続されている。従って、２つの半導体スイッチ２０，３０がオフである場合において、半導体スイッチ２０，３０のドレイン間を電流が流れることはない。
【００５０】
図２は半導体スイッチ２０のドレインにおける電圧変動の一例を示す電圧波形である。図２の電圧波形は、第１蓄電器１１の両端間の電圧が通常電圧Ｖｎである場合において、外乱ノイズが通常電圧Ｖｎに加わったときに半導体スイッチ２０のドレインで生じる電圧変動を示している。図２に示すように、第１蓄電器１１の両端間の電圧が通常電圧Ｖｎである場合において、外乱ノイズが通常電圧Ｖｎに加わったとき、半導体スイッチ２０のドレインで生じる電圧がΔＶｎだけ急激に上昇する。その後、第１蓄電器１１の両端間の電圧は通常電圧Ｖｎに戻る。
【００５１】
電圧（Ｖｎ＋ΔＶｎ）は、半導体スイッチ２０のドレインにおける電圧の最大値である。このため、半導体スイッチ２０のドレイン及びソース間の耐圧は、（Ｖｎ＋ΔＶｎ）以上であればよい。
電源システム１が通常状態である場合において、外乱ノイズが通常電圧Ｖｎに加わったときに、半導体スイッチ２０のドレインにおける電圧が電圧（Ｖｎ＋ΔＶｎ）となる可能性がある。
【００５２】
半導体スイッチ３０のドレインにおける電圧は、第２蓄電器１３の両端間の電圧が変圧電圧Ｖｃである場合において、外乱ノイズが変圧電圧Ｖｃに加わったとき、半導体スイッチ２０のドレインにおける電圧と同様に変動し、ΔＶｃだけ急激に上昇する。その後、第２蓄電器１３の両端間の電圧は変圧電圧Ｖｃに戻る。
【００５３】
電圧（Ｖｃ＋ΔＶｃ）は、半導体スイッチ３０のドレインにおける電圧の最大値である。このため、半導体スイッチ３０のドレイン及びソース間の耐圧は、（Ｖｃ＋ΔＶｃ）以上であればよい。
電源システム１が通常状態である場合において、外乱ノイズが変圧電圧Ｖｃに加わったときに、半導体スイッチ３０のドレインにおける電圧が電圧（Ｖｃ＋ΔＶｃ）となる可能性がある。
【００５４】
前述したように、変圧電圧Ｖｃは通常電圧Ｖｎ未満である。このため、電圧（Ｖｃ＋ΔＶｃ）は電圧（Ｖｎ＋ΔＶｎ）未満である。電圧（Ｖｃ＋ΔＶｃ）は電圧（Ｖｎ＋ΔＶｎ）未満であるので、電源システム１では、半導体スイッチ３０として、ドレイン及びソース間の耐圧が、半導体スイッチ２０のドレイン及びソース間の耐圧よりも低い半導体スイッチが用いられる。
【００５５】
例えば、電圧（Ｖｎ＋ΔＶｎ）は４８ボルトであり、電圧（Ｖｃ＋ΔＶｃ）は２４ボルトである。このとき、電源システム１では、半導体スイッチ２０として、例えば、ドレイン及びソース間の耐圧が５０ボルトである半導体スイッチを用い、半導体スイッチ３０として、例えば、ドレイン及びソース間の耐圧が２５ボルトである半導体スイッチを用いる。
【００５６】
以上のように、電源システム１では、半導体スイッチ２０のドレイン及びソース間の耐圧は第１蓄電器１１に印加される電圧に応じた値であり、半導体スイッチ３０のドレイン及びソース間の耐圧は第２蓄電器１３に印加される電圧に応じた値である。
【００５７】
半導体スイッチ、特に、ＭＯＳＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）に関して、オン抵抗は、一般的にドレイン及びソース間の耐圧が高い程大きい。これは、ドレイン及びソース間の耐圧が高い半導体スイッチでは、パンチスルー現象を防止するためにチャネル長が確保されており、リーチスルー現象を防止するためにエピタキシャル層のキャリア濃度を低くしているためである。
【００５８】
前述したように、２つの半導体スイッチ２０，３０に関して、ドレイン及びソース間の耐圧が異なっている。このため、２つの半導体スイッチ２０，３０のオン抵抗の合成抵抗は、２つの半導体スイッチ２０，３０の代わりに、ドレイン及びソース間の耐圧が（Ｖｎ＋ΔＶｎ）である２つの半導体スイッチが用いられた場合における該２つの半導体スイッチのオン抵抗の合成抵抗よりも小さい。２つの半導体スイッチ２０，３０のオン抵抗の合成抵抗が小さい場合、２つの半導体スイッチ２０，３０の他端間の抵抗が小さい。従って、制御部１５及び２つの半導体スイッチ２０，３０を有する電流制御装置においては、２つの半導体スイッチ２０，３０夫々のドレインを介して電流が流れた場合に発生する熱の量は小さい。
【００５９】
また、ドレイン及びソース間の耐圧が低い半導体スイッチは、一般的に、小型であり、安価である。半導体スイッチ３０は、ドレイン及びソース間の耐圧が低いので、小型であり、安価である。このため、制御部１５及び２つの半導体スイッチ２０，３０を有する電流制御装置は小型であり、安価に製造される。
【００６０】
（実施の形態２）
実施の形態１においては、半導体スイッチ２０のソースが半導体スイッチ３０のソースに接続されている。しかしながら、半導体スイッチ２０のドレインが半導体スイッチ３０のドレインに接続されていてもよい。
以下では、実施の形態２について実施の形態１と異なる点を説明する。後述する構成を除く他の構成については実施の形態１と同様であるため、同様の符号を付してその詳細な説明を省略する。
【００６１】
図３は実施の形態２における電源システム１の要部構成を示すブロック図である。実施の形態２における電源システム１も、実施の形態１における電源システム１と同様に好適に車両に搭載されている。実施の形態２における電源システム１は、実施の形態１における電源システム１が備える全ての構成部を備える。実施の形態２において、発電機１０、第１蓄電器１１、ＤＣＤＣコンバータ１２、第２蓄電器１３、負荷１４、制御部１５及び電流センサ１６夫々は実施の形態１と同様に接続されている。
【００６２】
半導体スイッチ２０のドレインは、半導体スイッチ３０のドレインに接続されている。半導体スイッチ２０のソースには、発電機１０及びＤＣＤＣコンバータ１２夫々の一端と、第１蓄電器１１の正極とが接続されている。半導体スイッチ３０のソースには、ＤＣＤＣコンバータ１２の他端と、第２蓄電器１３の正極と、負荷１４の一端とが接続されている。このように、２つの半導体スイッチ２０，３０は第１蓄電器１１及び第２蓄電器１３夫々の正極間を接続する。半導体スイッチ２０，３０のゲートは各別に制御部１５に接続されている。
【００６３】
ダイオード２１のカソード及びアノード夫々は半導体スイッチ２０のドレイン及びソースに接続されている。ダイオード３１のカソード及びアノード夫々は半導体スイッチ３０のドレイン及びソースに接続されている。従って、ダイオード２１のカソードはダイオード３１のカソードに接続されている。このため、２つの半導体スイッチ２０，３０がオフである場合において、半導体スイッチ２０，３０のソース間を電流が流れることはない。
【００６４】
発電機１０、第１蓄電器１１、ＤＣＤＣコンバータ１２、第２蓄電器１３、負荷１４、制御部１５及び電流センサ１６夫々は、実施の形態１と同様に作用する。これらの作用については、実施の形態１の説明において、半導体スイッチ２０のドレイン及びソースを入れ替え、半導体スイッチ３０のドレイン及びソースを入れ替えることによって説明することができる。半導体スイッチ２０，３０のオン及びオフは制御部１５によって実施の形態１と同様に行われる。
【００６５】
電圧（Ｖｎ＋ΔＶｎ）は、半導体スイッチ２０のソースにおける電圧の最大値である。このため、半導体スイッチ３０のドレイン及びソース間の耐圧は、（Ｖｎ＋ΔＶｎ）以上であればよい。
実施の形態２における電源システム１が通常状態である場合、半導体スイッチ３０のドレイン及びソース間に電圧（Ｖｎ＋ΔＶｎ）が印加される可能性がある。
【００６６】
電圧（Ｖｃ＋ΔＶｃ）は、半導体スイッチ３０のソースにおける電圧の最大値である。このため、半導体スイッチ２０のドレイン及びソース間の耐圧は、（Ｖｃ＋ΔＶｃ）以上であればよい。
実施の形態２における電源システム１が通常状態である場合、半導体スイッチ２０のドレイン及びソース間に電圧（Ｖｃ＋ΔＶｃ）が印加される可能性がある。
【００６７】
変圧電圧Ｖｃは通常電圧Ｖｎ未満である。このため、電圧（Ｖｃ＋ΔＶｃ）は電圧（Ｖｎ＋ΔＶｎ）未満である。電圧（Ｖｃ＋ΔＶｃ）は電圧（Ｖｎ＋ΔＶｎ）未満であるので、実施の形態２における電源システム１では、半導体スイッチ２０として、ドレイン及びソース間の耐圧が、半導体スイッチ３０のドレイン及びソース間の耐圧よりも低い半導体スイッチが用いられている。
実施の形態２における電源システム１では、半導体スイッチ２０のドレイン及びソース間の耐圧は、第２蓄電器１３に印加される電圧に応じた値であり、半導体スイッチ３０のドレイン及びソース間の耐圧は、第１蓄電器１１に印加される電圧に応じた値である。
【００６８】
以上のように実施の形態２においても、２つの半導体スイッチ２０，３０に関して、ドレイン及びソース間の耐圧が異なっている。このため、制御部１５及び２つの半導体スイッチ２０，３０を有する実施の形態２の電源システム１は、実施の形態１と同様の効果を奏する。
【００６９】
（実施の形態３）
実施の形態１における電源システム１では、２つの半導体スイッチ２０，３０に関して、ドレイン及びソース間の耐圧が異なるため、２つの半導体スイッチ２０，３０夫々のドレインを介して電流が流れた場合に発生する熱の量が小さい。半導体スイッチ２０，３０夫々に半導体スイッチを並列に接続することによって、発熱量を更に小さくすることができる。
【００７０】
以下では、実施の形態３について実施の形態１と異なる点を説明する。後述する構成を除く他の構成については実施の形態１と同様であるため、同様の符号を付してその詳細な説明を省略する。
【００７１】
図４は実施の形態３における電源システム４の要部構成を示すブロック図である。電源システム４も、実施の形態１における電源システム１と同様に、好適に車両に搭載されている。電源システム４は、電源システム１と同様に、発電機１０、第１蓄電器１１、ＤＣＤＣコンバータ１２、第２蓄電器１３、負荷１４、制御部１５、電流センサ１６及び２つの半導体スイッチ２０，３０を備え、これらは実施の形態１と同様に接続されている。
【００７２】
電源システム４は、更に、Ｍ（Ｍ：自然数）個の半導体スイッチ４０，４０，・・・，４０と、Ｎ（Ｎ：自然数）個の半導体スイッチ５０，５０，・・・，５０とを備える。半導体スイッチ４０，５０夫々はＮチャネル型のＦＥＴである。以下では、単にＮと記載した場合、それは、Ｎチャネルではなく、半導体スイッチ４０の数を意味する。
【００７３】
Ｍ個の半導体スイッチ４０，４０，・・・，４０夫々には、寄生ダイオードであるダイオード４１が接続されている。ダイオード４１に関して、カソードは半導体スイッチ４０のドレインに接続され、アノードは半導体スイッチ４０のソースに接続されている。
Ｎ個の半導体スイッチ５０，５０，・・・，５０夫々にも、寄生ダイオードであるダイオード５１が接続されている。ダイオード５１に関して、カソードは半導体スイッチ５０のドレインに接続され、アノードは半導体スイッチ５０のソースに接続されている。
【００７４】
Ｍ個の半導体スイッチ４０，４０，・・・，４０夫々に関して、ドレインは半導体スイッチ２０のドレインに接続され、ソースは半導体スイッチ２０のソースに接続されている。同様に、Ｎ個の半導体スイッチ５０，５０，・・・，５０夫々に関して、ドレインは半導体スイッチ３０のドレインに接続され、ソースは半導体スイッチ３０のソースに接続されている。
【００７５】
以上のように、Ｍ個の半導体スイッチ４０，４０，・・・，４０夫々は半導体スイッチ２０に並列に接続され、Ｎ個の半導体スイッチ５０，５０，・・・，５０夫々は半導体スイッチ３０に並列に接続されている。
Ｍ個の半導体スイッチ４０，４０，・・・，４０及びＮ個の半導体スイッチ５０，５０，・・・，５０夫々は第２の半導体スイッチとして機能する。
【００７６】
Ｍ個の半導体スイッチ４０，４０，・・・，４０及びＮ個の半導体スイッチ５０，５０，・・・，５０のゲートは制御部１５に各別に接続されている。
【００７７】
半導体スイッチ４０，５０夫々に関して、制御部１５からゲートに印加されている電圧が一定電圧以上である場合、ドレイン及びソース間に電流が流れることが可能である。また、制御部１５からゲートに印加されている電圧が一定電圧未満である場合、ドレイン及びソース間に電流が流れることはない。
従って、半導体スイッチ４０，５０夫々は、ゲートに印加されている電圧が一定電圧以上である場合にオンであり、ゲートに印加されている電圧が一定電圧未満である場合にオフである。
【００７８】
制御部１５は、Ｍ個の半導体スイッチ４０，４０，・・・，４０及びＮ個の半導体スイッチ５０，５０，・・・，５０夫々のゲートに印加されている電圧を調整することによって、これらのオン及びオフを制御する。
【００７９】
制御部１５は、半導体スイッチ２０，３０を同時又は略同時にオン又はオフにする場合、Ｍ個の半導体スイッチ４０，４０，・・・，４０及びＮ個の半導体スイッチ５０，５０，・・・，５０も同時又は略同時にオン又はオフにする。言い換えると、制御部１５は、半導体スイッチ２０，３０、Ｍ個の半導体スイッチ４０，４０，・・・，４０及びＮ個の半導体スイッチ５０，５０，・・・，５０を同時又は略同時にオン又はオフにする。
【００８０】
従って、実施の形態１において２つの半導体スイッチ２０，３０をオンにすることは、実施の形態３では、半導体スイッチ２０，３０、Ｍ個の半導体スイッチ４０，４０，・・・，４０及びＮ個の半導体スイッチ５０，５０，・・・，５０をオンにすることに対応する。更に、実施の形態１において２つの半導体スイッチ２０，３０をオフにすることは、実施の形態３では、半導体スイッチ２０，３０、Ｍ個の半導体スイッチ４０，４０，・・・，４０及びＮ個の半導体スイッチ５０，５０，・・・，５０をオフにすることに対応する。
【００８１】
実施の形態３では、制御部１５は、２つの半導体スイッチ２０，３０を実施の形態１と同様にオン又はオフにする。発電機１０，第１蓄電器１１、ＤＣＤＣコンバータ１２、第２蓄電器１３、負荷１４及び電流センサ１６は実施の形態１と同様に作用する。
【００８２】
エンジンが作動している場合において、制御部１５は、通常、発電機１０の出力電圧を通常電圧に調整し、ＤＣＤＣコンバータ１２に変圧を行わせる。更に、制御部１５は、２つの半導体スイッチ２０，３０、Ｍ個の半導体スイッチ４０，４０，・・・，４０及びＮ個の半導体スイッチ５０，５０，・・・，５０夫々をオフにしている。このとき、電源システム４は通常状態であり、電源システム４の通常状態は電源システム１の通常状態に対応する。
【００８３】
制御部１５は、電源システム４が通常状態である場合において、ＤＣＤＣコンバータ１２の出力電流が上限電流以上であると判定したとき、発電機１０の出力電圧を通常電圧から臨時電圧に低下させ、ＤＣＤＣコンバータ１２に変圧を停止させる。更に、制御部１５は、２つの半導体スイッチ２０，３０、Ｍ個の半導体スイッチ４０，４０，・・・，４０及びＮ個の半導体スイッチ５０，５０，・・・，５０夫々を同時又は略同時にオンにする。このとき、電源システム４は直接給電状態であり、電源システム４の直接給電状態は電源システム１の直接給電状態に対応する。
【００８４】
電源システム４が通常状態である場合、及び、電源システム４が直接給電状態である場合夫々において制御部１５は実施の形態１と同様の処理を行う。実施の形態３における制御部１５の処理に関して、半導体スイッチ２０，３０だけではなく、Ｍ個の半導体スイッチ４０，４０，・・・，４０及びＮ個の半導体スイッチ５０，５０，・・・，５０も同時又は略同時にオン又はオフにする点が実施の形態１と異なる。
【００８５】
エンジンが停止している場合、発電機１０が発電することはない。エンジンが停止した場合、制御部１５は、ＤＣＤＣコンバータ１２に変圧を停止させ、２つの半導体スイッチ２０，３０、Ｍ個の半導体スイッチ４０，４０，・・・，４０及びＮ個の半導体スイッチ５０，５０，・・・，５０をオフにする。従って、エンジンが停止している場合、負荷１４は、第２蓄電器１３によって給電され、発電機１０及び第１蓄電器１１によって給電されることはない。
【００８６】
電源システム４では、ダイオード２１，４１，４１，・・・，４１夫々のアノードがダイオード３１，５１，５１，・・・，５１夫々のアノードに接続されている。従って、２つの半導体スイッチ２０，３０、Ｍ個の半導体スイッチ４０，４０，・・・，４０及びＮ個の半導体スイッチ５０，５０，・・・，５０がオフである場合において、半導体スイッチ２０，３０のドレイン間を電流が流れることはない。
【００８７】
電圧（Ｖｎ＋ΔＶｎ）は、半導体スイッチ２０、及び、Ｍ個の半導体スイッチ４０，４０，・・・，４０夫々のドレインにおける電圧の最大値である。従って、Ｍ個の半導体スイッチ４０，４０，・・・，４０のドレイン及びソース間の耐圧は、（Ｖｎ＋ΔＶｎ）以上であればよい。
Ｍ個の半導体スイッチ４０，４０，・・・，４０夫々におけるドレイン及びソース間の耐圧は、Ｍ個の半導体スイッチ４０，４０，・・・，４０夫々に並列に接続されている半導体スイッチ２０のドレイン及びソース間の耐圧と同じ又は略同じである。
【００８８】
電圧（Ｖｃ＋ΔＶｃ）は、半導体スイッチ３０、及び、Ｎ個の半導体スイッチ５０，５０，・・・，５０夫々のドレインにおける電圧の最大値である。従って、Ｎ個の半導体スイッチ５０，５０，・・・，５０のドレイン及びソース間の耐圧は、（Ｖｃ＋ΔＶｃ）以上であればよい。
Ｎ個の半導体スイッチ５０，５０，・・・，５０夫々におけるドレイン及びソース間の耐圧は、Ｎ個の半導体スイッチ５０，５０，・・・，５０夫々に並列に接続されている半導体スイッチ２０のドレイン及びソース間の耐圧と同じ又は略同じである。
【００８９】
実施の形態３においては、制御部１５、２つの半導体スイッチ２０，３０、Ｍ個の半導体スイッチ４０，４０，・・・，４０及びＮ個の半導体スイッチ５０，５０，・・・，５０が電流制御装置として機能する。この電流制御装置でも、２つの半導体スイッチ２０，３０夫々におけるドレイン及びソース間の耐圧が異なる。このため、実施の形態３における電流制御装置も実施の形態１と同様の効果を奏する。
【００９０】
また、半導体スイッチ２０、及び、Ｍ個の半導体スイッチ４０，４０，・・・，４０のオン抵抗の合成抵抗は半導体スイッチ２０のオン抵抗よりも小さい。更に、半導体スイッチ３０、及び、Ｎ個の半導体スイッチ５０，５０，・・・，５０のオン抵抗の合成抵抗は半導体スイッチ３０のオン抵抗よりも小さい。このため、２つの半導体スイッチ２０，３０、Ｍ個の半導体スイッチ４０，４０，・・・，４０及びＮ個の半導体スイッチ５０，５０，・・・，５０がオンである場合において、２つの半導体スイッチ２０，３０のドレイン間の抵抗は、実施の形態１における２つの半導体スイッチ２０，３０のドレイン間の抵抗よりも小さい。従って、実施の形態３における電流制御装置において発生する熱の量は、実施の形態１における電流制御装置において発生する熱の量よりも小さい。
【００９１】
前述したように、半導体スイッチに関して、オン抵抗はドレイン及びソース間の耐圧が高い程大きい。従って、半導体スイッチ２０及びＭ個の半導体スイッチ４０，４０，・・・，４０夫々のオン抵抗は、半導体スイッチ３０及びＮ個の半導体スイッチ５０，５０，・・・，５０夫々のオン抵抗よりも大きい。
【００９２】
このため、半導体スイッチ２０，３０のドレイン間の抵抗に関して、半導体スイッチ４０を半導体スイッチ２０に並列に接続することによって下がる抵抗の下げ幅は、半導体スイッチ５０を半導体スイッチ３０に並列に接続することによって下がる抵抗の下げ幅よりも大きい。
【００９３】
例えば、半導体スイッチ２０，４０夫々のオン抵抗が１０オームである場合、半導体スイッチ２０，４０のオン抵抗の合成抵抗は５オームである。従って、半導体スイッチ４０を半導体スイッチ２０に並列に接続することによって、半導体スイッチ２０，３０のドレイン間の抵抗は、５オーム下がる。
【００９４】
例えば、半導体スイッチ３０，５０夫々のオン抵抗が６オームである場合、半導体スイッチ３０，５０のオン抵抗の合成抵抗は３オームである。従って、半導体スイッチ５０を半導体スイッチ３０に並列に接続することによって、半導体スイッチ２０，３０のドレイン間の抵抗は、３オーム下がる。
【００９５】
前述したように、ドレイン及びソース間の耐圧が低い半導体スイッチは一般的に安価である。
【００９６】
半導体スイッチ２０に並列に接続されている半導体スイッチ４０の数Ｍは、半導体スイッチ３０に並列に接続されている半導体スイッチ５０の数Ｎと異なっている。
【００９７】
以上のことから、ＭがＮよりも大きい場合、２つの半導体スイッチ２０，３０、Ｍ個の半導体スイッチ４０，４０，・・・，４０及びＮ個の半導体スイッチ５０，５０，・・・，５０がオンである状態での２つの半導体スイッチ２０，３０夫々の他端間の抵抗が実施の形態１における電流制御装置よりも格段に小さい電流制御装置が実現される。
【００９８】
また、ＮがＭよりも大きい場合、２つの半導体スイッチ２０，３０、Ｍ個の半導体スイッチ４０，４０，・・・，４０及びＮ個の半導体スイッチ５０，５０，・・・，５０がオンである状態での２つの半導体スイッチ２０，３０夫々の他端間の抵抗が実施の形態１における電流制御装置よりも小さい電流制御装置が安価に実現される。
【００９９】
なお、実施の形態３において、半導体スイッチ２０に並列に接続されている半導体スイッチ４０の数Ｍは、半導体スイッチ３０に並列に接続されている半導体スイッチ５０の数Ｎと同じであってもよい。この場合であっても、２つの半導体スイッチ２０，３０、Ｍ個の半導体スイッチ４０，４０，・・・，４０及びＮ個の半導体スイッチ５０，５０，・・・，５０がオンである状態での２つの半導体スイッチ２０，３０夫々の他端間の抵抗が実施の形態１における電流制御装置よりも小さい電流制御装置が実現される。
【０１００】
（実施の形態４）
実施の形態３においては、半導体スイッチ２０のソースが半導体スイッチ３０のソースに接続されている。しかしながら、半導体スイッチ２０のドレインが半導体スイッチ３０のドレインに接続されてもよい。
以下では、実施の形態４について実施の形態１と異なる点を説明する。後述する構成を除く他の構成については実施の形態１と同様であるため、同様の符号を付してその詳細な説明を省略する。
【０１０１】
図５は実施の形態４における電源システム４の要部構成を示すブロック図である。実施の形態４における電源システム４も、実施の形態３における電源システム４と同様に好適に車両に搭載されている。実施の形態４における電源システム４は、実施の形態３における電源システム４が備える全ての構成部を備える。実施の形態４において、発電機１０、第１蓄電器１１、ＤＣＤＣコンバータ１２、第２蓄電器１３、負荷１４、制御部１５及び電流センサ１６夫々は実施の形態３と同様に接続されている。
【０１０２】
半導体スイッチ２０のドレインは、半導体スイッチ３０のドレインに接続されている。半導体スイッチ２０のソースには、発電機１０及びＤＣＤＣコンバータ１２夫々の一端と、第１蓄電器１１の正極とが接続されている。半導体スイッチ３０のソースには、ＤＣＤＣコンバータ１２の他端と、第２蓄電器１３の正極と、負荷１４の一端とが接続されている。このように、２つの半導体スイッチ２０，３０は第１蓄電器１１及び第２蓄電器１３夫々の正極間を接続する。半導体スイッチ２０，３０のゲートは各別に制御部１５に接続されている。
【０１０３】
Ｍ個の半導体スイッチ４０，４０，・・・，４０夫々に関して、ドレイン及びソース夫々は半導体スイッチ２０のドレイン及びソースに接続されている。Ｎ個の半導体スイッチ５０，５０，・・・，５０夫々に関して、ドレイン及びソース夫々は半導体スイッチ３０のドレイン及びソースに接続されている。Ｍ個の半導体スイッチ４０，４０，・・・，４０及びＮ個の半導体スイッチ５０，５０，・・・，５０のゲートは各別に制御部１５に接続されている。
【０１０４】
ダイオード２１のカソード及びアノード夫々は半導体スイッチ２０のドレイン及びソースに接続されている。ダイオード３１及び半導体スイッチ３０の接続関係、ダイオード４１及び半導体スイッチ４０の接続関係、並びに、ダイオード５１及び半導体スイッチ５０の接続関係夫々は、ダイオード２１及び半導体スイッチ２０の接続関係と同様である。
【０１０５】
従って、ダイオード２１，４１，４１，・・・，４１夫々のカソードがダイオード３１，５１，５１，・・・，５１夫々のカソードに接続されている。このため、２つの半導体スイッチ２０，３０、Ｍ個の半導体スイッチ４０，４０，・・・，４０及びＮ個の半導体スイッチ５０，５０，・・・，５０がオフである場合において、半導体スイッチ２０，３０のソース間を電流が流れることはない。
【０１０６】
発電機１０、第１蓄電器１１、ＤＣＤＣコンバータ１２、第２蓄電器１３、負荷１４、制御部１５及び電流センサ１６夫々は、実施の形態３と同様に作用する。これらの作用については、実施の形態３の説明において、半導体スイッチ２０のドレイン及びソースを入れ替え、半導体スイッチ３０のドレイン及びソースを入れ替え、半導体スイッチ４０のドレイン及びソースを入れ替え、半導体スイッチ５０のドレイン及びソースを入れ替える。これにより、発電機１０、第１蓄電器１１、第２蓄電器１３、負荷１４、ＤＣＤＣコンバータ１２、制御部１５及び電流センサ１６夫々の作用を説明することができる。
【０１０７】
２つの半導体スイッチ２０，３０、Ｍ個の半導体スイッチ４０，４０，・・・，４０及びＮ個の半導体スイッチ５０，５０，・・・，５０のオン及びオフは制御部１５によって実施の形態３と同様に行われる。
【０１０８】
実施の形態２と同様の理由で、半導体スイッチ３０のドレイン及びソース間の耐圧は、（Ｖｎ＋ΔＶｎ）以上であればよく、半導体スイッチ２０のドレイン及びソース間の耐圧は、（Ｖｃ＋ΔＶｃ）以上であればよい。従って、実施の形態４における電源システム４では、半導体スイッチ２０として、ドレイン及びソース間の耐圧が、半導体スイッチ３０のドレイン及びソース間の耐圧よりも低い半導体スイッチが用いられている。
【０１０９】
実施の形態３と同様に、Ｍ個の半導体スイッチ４０，４０，・・・，４０夫々におけるドレイン及びソース間の耐圧は半導体スイッチ２０のドレイン及びソース間の耐圧と同じ又は略同じである。更に、Ｎ個の半導体スイッチ５０，５０，・・・，５０夫々におけるドレイン及びソース間の耐圧は、半導体スイッチ２０のドレイン及びソース間の耐圧と同じ又は略同じである。
【０１１０】
実施の形態４においても、制御部１５、２つの半導体スイッチ２０，３０、Ｍ個の半導体スイッチ４０，４０，・・・，４０及びＮ個の半導体スイッチ５０，５０，・・・，５０が電流制御装置として機能する。この電流制御装置は実施の形態３と同様の特徴を有する。
【０１１１】
即ち、実施の形態４における電流制御装置では、２つの半導体スイッチ２０，３０夫々のドレイン及びソース間の耐圧は互いに異なっており、半導体スイッチ２０にＭ個の半導体スイッチ４０，４０，・・・，４０夫々が並列に接続されており、半導体スイッチ３０にＮ個の半導体スイッチ５０，５０，・・・，５０夫々が並列に接続されている。また、半導体スイッチ４０の数Ｍは半導体スイッチ５０の数Ｎと異なっている。従って、実施の形態４における電流制御装置は実施の形態３における電流制御装置と同様の効果を奏する。
【０１１２】
ただし、実施の形態４では、半導体スイッチ２０のドレイン及びソース間の耐圧は、半導体スイッチ３０のドレイン及びソース間の耐圧よりも低い。従って、半導体スイッチ２０，３０のソース間の抵抗に関して、半導体スイッチ５０を半導体スイッチ３０に並列に接続することによって下がる抵抗の下げ幅は、半導体スイッチ４０を半導体スイッチ２０に並列に接続することによって下がる抵抗の下げ幅よりも大きい。
【０１１３】
このため、ＭがＮよりも大きい場合、実施の形態４における電流制御装置は、ＮがＭよりも大きい場合に実施の形態３における電流制御装置が奏する効果を奏する。そして、ＮがＭよりも大きい場合、実施の形態４における電流制御装置は、ＭがＮよりも大きい場合に実施の形態３における電流制御装置が奏する効果を奏する。
【０１１４】
なお、実施の形態４において、半導体スイッチ２０に並列に接続されている半導体スイッチ４０の数Ｍは、半導体スイッチ３０に並列に接続されている半導体スイッチ５０の数Ｎと同じであってもよい。この場合であっても、２つの半導体スイッチ２０，３０、Ｍ個の半導体スイッチ４０，４０，・・・，４０及びＮ個の半導体スイッチ５０，５０，・・・，５０がオンである状態での２つの半導体スイッチ２０，３０夫々の他端間の抵抗が実施の形態２における電流制御装置よりも小さい電流制御装置が実現される。
【０１１５】
また、実施の形態１〜４において、半導体スイッチ２０，３０，４０，５０夫々は、Ｎチャネル型のＦＥＴに限定されず、例えば、Ｐチャネル型のＦＥＴであってもよい。この場合、制御部１５は、ゲートに印加されている電圧を一定電圧未満に調整することよって半導体スイッチ２０，３０，４０，５０をオンにし、ゲートに印加されている電圧を一定電圧以上に調整することによって半導体スイッチ２０，３０，４０，５０をオフにする。
【０１１６】
半導体スイッチ２０がＰチャネル型のＦＥＴである場合、ダイオード２１のカソードが半導体スイッチ２０のソースに接続され、ダイオード２１のアノードが半導体スイッチ２０のドレインに接続されている。半導体スイッチ３０及びダイオード３１の接続関係、半導体スイッチ４０及びダイオード４１の接続関係、及び、半導体スイッチ５０及びダイオード５１の接続関係夫々は、半導体スイッチ２０及びダイオード２１の接続関係と同様である。
【０１１７】
従って、実施の形態１〜４において、半導体スイッチ２０，３０，４０，５０がＰチャネル型のＦＥＴである場合における半導体スイッチ２０，４０のドレイン及びソース間の耐圧は、半導体スイッチ２０，３０，４０，５０がＮチャネル型のＦＥＴである場合における半導体スイッチ３０，５０のドレイン及びソース間の耐圧である。また、半導体スイッチ２０，３０，４０，５０がＰチャネル型のＦＥＴである場合における半導体スイッチ３０，５０のドレイン及びソース間の耐圧は、半導体スイッチ２０，３０，４０，５０がＮチャネル型のＦＥＴである場合における半導体スイッチ２０，４０のドレイン及びソース間の耐圧である。
【０１１８】
このため、実施の形態３，４において、半導体スイッチ２０，３０，４０，５０がＰチャネル型のＦＥＴである場合においてＭがＮより大きいときに電流制御装置が奏する効果は、半導体スイッチ２０，３０，４０，５０がＮチャネル型のＦＥＴである場合においてＮがＭより大きいときに電流制御装置が奏する効果である。更に、半導体スイッチ２０，３０，４０，５０がＰチャネル型のＦＥＴである場合においてＮがＭより大きいときに電流制御装置が奏する効果は、半導体スイッチ２０，３０，４０，５０がＮチャネル型のＦＥＴである場合においてＭがＮより大きいときに電流制御装置が奏する効果である。
【０１１９】
また、実施の形態３，４において、半導体スイッチ４０の数Ｍ又は半導体スイッチ５０の数Ｎはゼロであってもよい。半導体スイッチ４０の数Ｍがゼロである場合であっても、半導体スイッチ３０にＮ個の半導体スイッチ５０が並列に接続されているため、半導体スイッチ２０，３０のドレイン間の抵抗は小さい。同様に、半導体スイッチ５０の数Ｎがゼロである場合であっても、半導体スイッチ２０にＭ個の半導体スイッチ４０が並列に接続されているため、半導体スイッチ２０，３０のドレイン間の抵抗は小さい。
更に、実施の形態１〜４において、ＤＣＤＣコンバータ１２の構成は、一端に印加されている電圧を降圧する構成に限定されず、一端に印加されている電圧を昇圧する構成であってもよい。この場合、通常電圧は変圧電圧よりも低い。
【０１２０】
開示された実施の形態１〜４は、全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上述の説明ではなく特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内での全ての変更が含まれることが意図される。
【符号の説明】
【０１２１】
１，４  電源システム
１１  第１蓄電器
１３  第２蓄電器
１４  負荷
１５  制御部（スイッチ制御部、電流制御装置の一部）
２０，３０  半導体スイッチ（電流制御装置の一部）
４０，５０  半導体スイッチ（第２の半導体スイッチ、電流制御装置の一部）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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