(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の絶縁体層が積層方向に積層されてなる積層体と、
前記積層方向に直交する直交方向に並ぶ２つの第１のＬＣ並列共振器であって、それぞれが第１のインダクタ及び第１のコンデンサを含んでいる２つの第１のＬＣ並列共振器と、
前記直交方向の両側から前記２つの第１のＬＣ並列共振器を挟むように配置されている２つの第２のＬＣ並列共振器であって、それぞれが第２のインダクタ及び第２のコンデンサを含んでいる２つの第２のＬＣ並列共振器と、
前記２つの第２のＬＣ並列共振器の一方端に接続されている第３のコンデンサと、
前記直交方向に隣り合わない２つの前記第１のＬＣ並列共振器を接続する、又は、該直交方向に隣り合わない前記第１のＬＣ並列共振器と前記第２のＬＣ並列共振器との２つのＬＣ並列共振器を接続する第１の接続導体と、
を備えており、
前記２つの第１のＬＣ並列共振器及び前記２つの第２のＬＣ並列共振器は、前記直交方向に隣り合うもの同士で磁界結合することにより、バンドパスフィルタを構成しており、
前記第１の接続導体は、２つの前記第１のＬＣ並列共振器の内の前記直交方向の一方側に位置する前記第１のＬＣ並列共振器と２つの前記第２のＬＣ並列共振器の内の該直交方向の他方側に位置する前記第２のＬＣ並列共振器とを接続し、
前記電子部品は、
２つの前記第１のＬＣ並列共振器の内の前記直交方向の他方側に位置する前記第１のＬＣ並列共振器と２つの前記第２のＬＣ並列共振器の内の該直交方向の一方側に位置する前記第２のＬＣ並列共振器とを接続する第２の接続導体を、
更に備えており、
前記第１の接続導体及び前記第２の接続導体は、前記絶縁体層上に設けられている導体層であり、
前記第１の接続導体と前記第２の接続導体とは、前記積層方向から平面視したときに、交差していること、
を特徴とする電子部品。
【請求項２】
各前記第１のＬＣ並列共振器は、前記第１のインダクタ及び前記第１のコンデンサにより囲まれたループ面であって、前記積層方向と実質的に平行な第１のループ面を形成しており、
各前記第２のＬＣ並列共振器は、前記第２のインダクタ及び前記第２のコンデンサにより囲まれたループ面であって、前記積層方向と実質的に平行な第２のループ面を形成していること、
を特徴とする請求項１に記載の電子部品。
【請求項３】
前記第１のインダクタは、前記絶縁体層を前記積層方向に貫通する第１の層間接続導体及び第２の層間接続導体と、前記絶縁体層上に設けられている第１のインダクタ導体層と、を含んでおり、
前記第１の層間接続導体及び前記第２の層間接続導体は、前記第１のインダクタ導体層から前記積層方向の一方側に向かって延在しており、
前記第２のインダクタは、前記絶縁体層を前記積層方向に貫通する第３の層間接続導体及び第４の層間接続導体と、前記絶縁体層上に設けられている第２のインダクタ導体層と、を含んでおり、
前記第３の層間接続導体及び前記第４の層間接続導体は、前記第２のインダクタ導体層から前記積層方向の一方側に向かって延在していること、
を特徴とする請求項２に記載の電子部品。
【請求項４】
前記第１のコンデンサは、前記絶縁体層を介して対向する第１のコンデンサ導体層及び第１のグランド導体層により構成されており、
前記第２のコンデンサは、前記絶縁体層を介して対向する第２のコンデンサ導体層及び第２のグランド導体層により構成されており、
前記第１の層間接続導体は、前記第１のコンデンサ導体層に接続され、
前記第２の層間接続導体は、前記第１のグランド導体層に接続され、
前記第３の層間接続導体は、前記第２のコンデンサ導体層に接続され、
前記第４の層間接続導体は、前記第２のグランド導体層に接続されていること、
を特徴とする請求項３に記載の電子部品。
【請求項５】
２以上の前記第１のループ面及び２つの前記第２のループ面は、前記直交方向に隣り合うもの同士で対向していること、
を特徴とする請求項２ないし請求項４のいずれかに記載の電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品に関し、より特定的には、複数のＬＣ並列共振器を備えた電子部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の電子部品に関する発明としては、例えば、特許文献１に記載の積層帯域通過フィルタが知られている。該積層帯域通過フィルタは、４つのＬＣ並列共振器を備えている。ＬＣ並列共振器は、左右方向に一列に並んでおり、互いに磁界結合している。以上のように構成された積層帯域通過フィルタは、バンドパスフィルタとして機能する。【０００３】
また、積層帯域通過フィルタの変形例では、両端に設けられている２つのＬＣ並列共振器の間に接続されたコンデンサが追加されている。これにより、減衰極の周波数を調整することができる。【０００４】
ところで、特許文献１に記載の積層帯域通過フィルタでは、所望の通過特性を得ることが困難である。より詳細には、積層帯域通過フィルタにおいて、コンデンサが追加されると、全ての減衰極の周波数が変化する。その結果、積層帯域通過フィルタにおいて、所望の通過特性を得ることが困難である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】国際公開２００７/１１９３５６号（特に、図４６及び図４７）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
そこで、本発明の目的は、所望の通過特性を容易に得ることができる電子部品を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一形態に係る電子部品は、複数の絶縁体層が積層方向に積層されてなる積層体と、前記積層方向に直交する直交方向に並ぶ２つの第１のＬＣ並列共振器であって、それぞれが第１のインダクタ及び第１のコンデンサを含んでいる２つの第１のＬＣ並列共振器と、前記直交方向の両側から前記２つの第１のＬＣ並列共振器を挟むように配置されている２つの第２のＬＣ並列共振器であって、それぞれが第２のインダクタ及び第２のコンデンサを含んでいる２つの第２のＬＣ並列共振器と、前記２つの第２のＬＣ並列共振器の一方端に接続されている第３のコンデンサと、前記直交方向に隣り合わない２つの前記第１のＬＣ並列共振器を接続する、又は、該直交方向に隣り合わない前記第１のＬＣ並列共振器と前記第２のＬＣ並列共振器との２つのＬＣ並列共振器を接続する第１の接続導体と、を備えており、前記２つの第１のＬＣ並列共振器及び前記２つの第２のＬＣ並列共振器は、前記直交方向に隣り合うもの同士で磁界結合することにより、バンドパスフィルタを構成しており、前記第１の接続導体は、２つの前記第１のＬＣ並列共振器の内の前記直交方向の一方側に位置する前記第１のＬＣ並列共振器と２つの前記第２のＬＣ並列共振器の内の該直交方向の他方側に位置する前記第２のＬＣ並列共振器とを接続し、前記電子部品は、２つの前記第１のＬＣ並列共振器の内の前記直交方向の他方側に位置する前記第１のＬＣ並列共振器と２つの前記第２のＬＣ並列共振器の内の該直交方向の一方側に位置する前記第２のＬＣ並列共振器とを接続する第２の接続導体を、更に備えており、前記第１の接続導体及び前記第２の接続導体は、前記絶縁体層上に設けられている導体層であり、前記第１の接続導体と前記第２の接続導体とは、前記積層方向から平面視したときに、交差していること、を特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、所望の通過特性を容易に得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】第１の実施形態に係る電子部品１０ａの等価回路図である。
【図２】電子部品１０ａ〜１０ｅの外観斜視図である。
【図３Ａ】電子部品１０ａの分解斜視図である。
【図３Ｂ】電子部品１０ａを上側から透視した図である。
【図４】第１のモデルの通過特性（Ｓ２１）を示したグラフである。
【図５】第２のモデルの通過特性（Ｓ２１）を示したグラフである。
【図６】第３のモデルの通過特性（Ｓ２１）を示したグラフである。
【図７】第２の実施形態に係る電子部品１０ｂの等価回路図である。
【図８】電子部品１０ｂの分解斜視図である。
【図９】電子部品１０ｃの分解斜視図である。
【図１０】電子部品１０ｄの等価回路図である。
【図１１】電子部品１０ｅの等価回路図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
（第１の実施形態）
以下に、本発明の第１の実施形態に係る電子部品について図面を参照しながら説明する。図１は、第１の実施形態に係る電子部品１０ａの等価回路図である。
【００１１】
まず、電子部品１０ａの等価回路について図面を参照しながら説明する。電子部品１０ａは、図１に示すように、インダクタＬ１〜Ｌ４，Ｌ１１，Ｌ１２、コンデンサＣ１〜Ｃ４，Ｃ１１及び外部電極１４ａ〜１４ｃを等価回路の構成として備えており、所定の帯域の高周波信号を通過させるバンドパスフィルタである。
【００１２】
外部電極１４ａ，１４ｂは、高周波信号が入出力する入出力端子である。外部電極１４ｃは、接地される接地端子である。
【００１３】
インダクタＬ１（第２のインダクタの一例）とコンデンサＣ１（第２のコンデンサの一例）とは、互いに並列に接続されており、ＬＣ並列共振器ＬＣ１（第２のＬＣ並列共振器の一例）を構成している。ＬＣ並列共振器ＬＣ１の共振周波数は、ｆ１である。インダクタＬ２（第１のインダクタの一例）とコンデンサＣ２（第１のコンデンサの一例）とは、互いに並列に接続されており、ＬＣ並列共振器ＬＣ２（第１のＬＣ並列共振器の一例）を構成している。ＬＣ並列共振器ＬＣ２の共振周波数は、ｆ２である。インダクタＬ３（第１のインダクタの一例）とコンデンサＣ３（第１のコンデンサの一例）とは、互いに並列に接続されており、ＬＣ並列共振器ＬＣ３（第１のＬＣ並列共振器の一例）を構成している。ＬＣ並列共振器ＬＣ３の共振周波数は、ｆ３である。インダクタＬ４（第２のインダクタの一例）とコンデンサＣ４（第２のコンデンサの一例）とは、互いに並列に接続されており、ＬＣ並列共振器ＬＣ４（第２のＬＣ並列共振器の一例）を構成している。ＬＣ並列共振器ＬＣ４の共振周波数は、ｆ４である。
【００１４】
ＬＣ並列共振器ＬＣ１の一方端は、外部電極１４ａに接続されている。ＬＣ並列共振器ＬＣ４の一方端は、外部電極１４ｂに接続されている。更に、ＬＣ並列共振器ＬＣ１〜ＬＣ４は、外部電極１４ａから外部電極１４ｂの間にこの順に並んでいる。ＬＣ並列共振器ＬＣ１〜ＬＣ４は、隣り合うもの同士で磁界結合し、ＬＣ並列共振器ＬＣ１〜ＬＣ４は、バンドパスフィルタを構成している。また、ＬＣ並列共振器ＬＣ１〜ＬＣ４の他方端は、外部電極１４ｃに接続されている。
【００１５】
コンデンサＣ１１は、外部電極１４ａと外部電極１４ｂとの間に接続されることにより、ＬＣ並列共振器ＬＣ１の一方端とＬＣ並列共振器ＬＣ４の一方端との間に接続されている。
【００１６】
インダクタＬ１１は、隣り合わないインダクタＬ１（ＬＣ並列共振器ＬＣ１）とインダクタＬ３（ＬＣ並列共振器ＬＣ３）とを接続している。インダクタＬ１２は、隣り合わないインダクタＬ２（ＬＣ並列共振器ＬＣ２）とインダクタＬ４（ＬＣ並列共振器ＬＣ４）とを接続している。
【００１７】
以上のように構成された電子部品１０ａは、ｆ１〜ｆ４付近の周波数の高周波信号を外部電極１４ａから外部電極１４ｂへと通過させるバンドパスフィルタを構成している。より詳細には、ＬＣ並列共振器ＬＣ１〜ＬＣ４のインピーダンス値は、ｆ１〜ｆ４付近の高周波信号が外部電極１４ａから入力すると最大となる。そのため、ｆ１〜ｆ４付近の周波数の高周波信号は、ＬＣ並列共振器ＬＣ１〜ＬＣ４を通過することができないので、外部電極１４ｃから出力しない。その結果、ｆ１〜ｆ４付近の周波数の高周波信号は、外部電極１４ｂから出力する。また、ｆ１〜ｆ４付近の周波数以外の高周波信号は、ＬＣ並列共振器ＬＣ１〜ＬＣ４を通過して外部電極１４ｃから出力する。
【００１８】
次に、電子部品１０ａの具体的な構成について図面を参照しながら説明する。図２は、電子部品１０ａの外観斜視図である。図３Ａは、電子部品１０ａの分解斜視図である。図３Ｂは、電子部品１０ａを上側から透視した図である。図３Ｂでは、積層体１２、インダクタ導体層１８ａ〜１８ｄ及びビアホール導体ｖ１〜ｖ８のみを示した。以下では、電子部品１０ａの積層方向を上下方向（下側が積層方向の一方側の一例であり、上側が積層方向の他方側の一例である。）と定義する。また、電子部品１０ａを上側から平面視したときに、電子部品１０ａの長辺が延在する方向を左右方向（直交方向の一例／右側が直交方向の一方側の一例であり、左側が直交方向の他方側の一例である。）と定義し、電子部品１０ａの短辺が延在する方向を前後方向と定義する。上下方向、前後方向及び左右方向は、互いに直交している。
【００１９】
電子部品１０ａは、積層体１２、外部電極１４ａ〜１４ｃ、インダクタ導体層１８ａ〜１８ｄ、コンデンサ導体層２０ａ〜２０ｄ，２２、グランド導体層２１、接続導体層３０ａ，３０ｂ及びビアホール導体ｖ１〜ｖ８，ｖ１１，ｖ１２，ｖ２１〜ｖ２６（層間接続導体の一例）を備えている。
【００２０】
積層体１２は、直方体状をなしており、絶縁体層１６ａ〜１６ｉが上側から下側へとこの順に並ぶように積層されることにより構成されている。絶縁体層１６ａ〜１６ｉは、上側から平面視したときに、長方形状をなしており、例えば、セラミック等により作製されている。以下では、絶縁体層１６ａ〜１６ｉの上側の主面を表面と呼び、絶縁体層１６ａ〜１６ｉの下側の主面を裏面と呼ぶ。
【００２１】
インダクタ導体層１８ａ〜１８ｄは、絶縁体層１６ｂの表面上に設けられている帯状の導体層であり、それぞれ、絶縁体層１６ｂの前後方向に延在している。
【００２２】
ビアホール導体ｖ１（第３の層間接続導体の一例）は、絶縁体層１６ｂ〜１６ｇを上下方向に貫通している。ビアホール導体ｖ１の上端は、インダクタ導体層１８ａの前端に接続されている。これにより、ビアホール導体ｖ１は、インダクタ導体層１８ａから下側に向かって延在している。
【００２３】
ビアホール導体ｖ２（第４の層間接続導体の一例）は、絶縁体層１６ｂ〜１６ｆを上下方向に貫通している。ビアホール導体ｖ２の上端は、インダクタ導体層１８ａの後端に接続されている。
【００２４】
以上のように構成されたインダクタ導体層１８ａ（第２のインダクタ導体層の一例）及びビアホール導体ｖ１，ｖ２は、インダクタＬ１に含まれている。これにより、インダクタＬ１は、左側から平面視したときに、下側に向かって開口する角張ったＵ字型をなしている。
【００２５】
コンデンサ導体層２０ａ，２０ｄ（第２のコンデンサ導体層の一例）は、絶縁体層１６ｈの表面上に設けられている帯状の導体層である。コンデンサ導体層２０ａ、２０ｄは、絶縁体層１６ｈの左右側の短辺近傍において前後方向に延在している。
【００２６】
グランド導体層２１（第１のグランド導体層及び第２のグランド導体層の一例）は、絶縁体層１６ｇの表面上に設けられている矩形状の導体層である。グランド導体層２１は、絶縁体層１６ｇの略全面を覆っている。これにより、コンデンサ導体層２０ａは、絶縁体層１６ｇを介してグランド導体層２１と対向している。ただし、グランド導体層２１の右前の角及び左前の角は、ビアホール導体ｖ１，ｖ７が通過するために切り欠かれている。
【００２７】
以上のように構成されたコンデンサ導体層２０ａ及びグランド導体層２１は、コンデンサＣ１に含まれている。また、ビアホール導体ｖ１の下端は、コンデンサ導体層２０ａに接続されている。ビアホール導体ｖ２の下端は、グランド導体層２１に接続されている。これにより、インダクタＬ１とコンデンサＣ１は、互いに並列接続されて、ＬＣ並列共振器ＬＣ１を構成している。
【００２８】
ビアホール導体ｖ３、ｖ５（第２の層間接続導体の一例）は、絶縁体層１６ｂ〜１６ｉを上下方向に貫通している。ビアホール導体ｖ３の上端は、インダクタ導体層１８ｂの前端に接続されている。ビアホール導体ｖ５の上端は、インダクタ導体層１８ｃの前端に接続されている。
【００２９】
ビアホール導体ｖ４、ｖ６（第１の層間接続導体の一例）は、絶縁体層１６ｂ〜１６ｅを上下方向に貫通している。ビアホール導体ｖ４の上端は、インダクタ導体層１８ｂの後端に接続されている。ビアホール導体ｖ６の上端は、インダクタ導体層１８ｃの後端に接続されている。
【００３０】
以上のように構成されたインダクタ導体層１８ｂ（第１のインダクタ導体層の一例）及びビアホール導体ｖ３，ｖ４は、インダクタＬ２に含まれている。これにより、インダクタＬ２は、左側から平面視したときに、下側に向かって開口する角張ったＵ字型をなしている。同様に、インダクタ導体層１８ｃ（第１のインダクタ導体層の一例）及びビアホール導体ｖ５、ｖ６は、インダクタＬ３に含まれている。これにより、インダクタＬ３は、左側から平面視したときに、下側に向かって開口する角張ったＵ字型をなしている。
【００３１】
コンデンサ導体層２０ｂ，２０ｃ（第１のコンデンサ導体層の一例）は、絶縁体層１６ｆの表面上に設けられている矩形状の導体層である。コンデンサ導体層２０ｂ、２０ｃは、絶縁体層１６ｆの後ろ側の長辺の中央近傍に隣接して設けられ、絶縁体層１６ｆを介してグランド導体層２１と対向している。
【００３２】
以上のように構成されたコンデンサ導体層２０ｂ及びグランド導体層２１は、コンデンサＣ２に含まれている。また、ビアホール導体ｖ３の下端は、グランド導体層２１に接続されている。ビアホール導体ｖ４の下端は、コンデンサ導体層２０ｂに接続されている。これにより、インダクタＬ２とコンデンサＣ２は、互いに並列接続されて、ＬＣ並列共振器ＬＣ２を構成している。ＬＣ並列共振器ＬＣ２は、ＬＣ並列共振器ＬＣ１に対して右側に位置している。また、コンデンサ導体層２０及びグランド導体層２１は、コンデンサＣ３に含まれている。また、ビアホール導体ｖ５の下端は、グランド導体層２１に接続されている。ビアホール導体ｖ６の下端は、コンデンサ導体層２０ｃに接続されている。これにより、インダクタＬ３とコンデンサＣ３は、互いに並列接続されて、ＬＣ並列共振器ＬＣ３を構成している。ＬＣ並列共振器ＬＣ３は、ＬＣ並列共振器ＬＣ４に対して左側に位置している。
【００３３】
ビアホール導体ｖ７（第３の層間接続導体の一例）は、絶縁体層１６ｂ〜１６ｇを上下方向に貫通している。ビアホール導体ｖ７の上端は、インダクタ導体層１８ｄの前端に接続されている。
【００３４】
ビアホール導体ｖ８（第４の層間接続導体の一例）は、絶縁体層１６ｂ〜１６ｆを上下方向に貫通している。ビアホール導体ｖ８の上端は、インダクタ導体層１８ｄの後端に接続されている。これにより、ビアホール導体ｖ８は、インダクタ導体層１８ｄから下側に向かって延在している。
【００３５】
以上のように構成されたインダクタ導体層１８ｄ（第２のインダクタ導体層の一例）及びビアホール導体ｖ７，ｖ８は、インダクタＬ４に含まれている。これにより、インダクタＬ４は、左側から平面視したときに、下側に向かって開口する角張ったＵ字型をなしている。
【００３６】
以上のように構成されたコンデンサ導体層２０ｄ及びグランド導体層２１は、コンデンサＣ４に含まれている。また、ビアホール導体ｖ７の下端は、コンデンサ導体層２０ｄに接続されている。ビアホール導体ｖ８の下端は、グランド導体層２１に接続されている。これにより、インダクタＬ４とコンデンサＣ４は、互いに並列接続されて、ＬＣ並列共振器ＬＣ４を構成している。
【００３７】
以上のように構成されたＬＣ並列共振器ＬＣ１〜ＬＣ４は、図３Ｂに示すように、インダクタＬ１〜Ｌ４及びコンデンサＣ１〜Ｃ４により囲まれたループ面Ｓ１〜Ｓ４であって、上下方向と実質的に平行なループ面Ｓ１〜Ｓ４を形成している。各ループ面は、各インダクタ導体層の左右方向を通過する平面である。
【００３８】
ビアホール導体ｖ２１〜ｖ２６は、絶縁体層１６ｇ〜１６ｉを上下方向に貫通している。ビアホール導体ｖ２１〜ｖ２６の上端は、グランド導体層２１に接続されている。ビアホール導体ｖ２１〜ｖ２６の下端は、外部電極１４ｃに接続されている。これにより、ＬＣ並列共振器ＬＣ１〜ＬＣ４は、外部電極１４ｃに接続されている。
【００３９】
以上のように構成されたＬＣ並列共振器ＬＣ１〜ＬＣ４は、左側から右側へとこの順に並んでいる。
【００４０】
従って、ＬＣ並列共振器ＬＣ１〜ＬＣ４のループ面Ｓ１〜Ｓ４は、左右方向に隣り合うもの同士で対向している。具体的には、ループ面Ｓ１（第２のループ面の一例）とループ面Ｓ２（第１のループ面の一例）とが対向している。ループ面Ｓ２とループ面Ｓ３（第１のループ面の一例）とが対向している。ループ面Ｓ３とループ面Ｓ４（第４のループ面の一例）とが対向している。これにより、ＬＣ並列共振器ＬＣ１〜ＬＣ４は、左右方向に隣り合うもの同士で磁界結合することにより、バンドパスフィルタを構成している。
【００４１】
コンデンサ導体層２２は、絶縁体層１６ｅの表面上に設けられている帯状の導体層である。コンデンサ導体層２２は、絶縁体層１６ｅの前側の長辺近傍において左右方向に延在している。これにより、コンデンサ導体層２２は、上側から平面視したときに、コンデンサ導体層２０ａ、２０ｄの前端と重なっている。よって、コンデンサ導体層２０ａとコンデンサ導体層２０ｄとの間にコンデンサ導体層２２を介してコンデンサＣ１１が形成されている。なお、コンデンサ導体層２２は、インダクタ導体層１８ａ〜１８ｄやグランド導体層２１と平面視で重なっていない。
【００４２】
接続導体層３０ａ（第１の接続導体の一例）は、絶縁体層１６ｃの表面上に設けられている線状の導体層である。接続導体層３０ａは、左右方向に隣り合わないインダクタＬ１（ＬＣ並列共振器ＬＣ１）とインダクタＬ３（ＬＣ並列共振器ＬＣ３）との２つのインダクタ（ＬＣ並列共振器）を接続している。すなわち、接続導体層３０ａは、インダクタＬ１，Ｌ４（ＬＣ並列共振器ＬＣ１，ＬＣ４）の内の左側に位置するインダクタＬ１（ＬＣ並列共振器ＬＣ１）と、インダクタＬ２，Ｌ３（ＬＣ並列共振器ＬＣ２，ＬＣ３）の内の右側に位置するインダクタＬ３（ＬＣ並列共振器ＬＣ３）とを接続している。接続導体層３０ａの前端は、ビアホール導体ｖ５に接続されている。接続導体層３０ａの後端は、ビアホール導体ｖ２に接続されている。接続導体層３０ａは、インダクタＬ１１に含まれている。
【００４３】
接続導体層３０ｂ（第２の接続導体の一例）は、絶縁体層１６ｄの表面上に設けられている線状の導体層である。接続導体層３０ｂは、左右方向に隣り合わないインダクタＬ２（ＬＣ並列共振器ＬＣ２）とインダクタＬ４（ＬＣ並列共振器ＬＣ４）との２つのインダクタ（ＬＣ並列共振器）を接続している。すなわち、接続導体層３０ｂは、インダクタＬ１，Ｌ４（ＬＣ並列共振器ＬＣ１，ＬＣ４）の内の右側に位置するインダクタＬ４（ＬＣ並列共振器ＬＣ４）と、インダクタＬ２，Ｌ３（ＬＣ並列共振器ＬＣ２，ＬＣ３）の内の左側に位置するインダクタＬ２（ＬＣ並列共振器ＬＣ２）とを接続している。接続導体層３０ｂの前端は、ビアホール導体ｖ３に接続されている。接続導体層３０ｂの後端は、ビアホール導体ｖ８に接続されている。接続導体層３０ｂは、インダクタＬ１２に含まれている。
【００４４】
また、接続導体層３０ａと接続導体層３０ｂとは、上側から平面視したときに、交差している。これにより、接続導体層３０ａと接続導体層３０ｂとは、磁界結合している。
【００４５】
（効果）
本実施形態に係る電子部品１０ａによれば、所望の通過特性を容易に得ることができる。以下に、図面を参照しながら説明する。図４は、第１のモデルの通過特性（Ｓ２１）を示したグラフである。図５は、第２のモデルの通過特性（Ｓ２１）を示したグラフである。図６は、第３のモデルの通過特性（Ｓ２１）を示したグラフである。図４ないし図６の縦軸は｜Ｓ２１｜を示し、図４ないし図６の横軸は周波数を示す。Ｓ２１とは、外部電極１４ａから入力した高周波信号の強度に対する外部電極１４ｂから出力した高周波信号の強度の比の値である。
【００４６】
本願発明者は、以下に説明する第１のモデルないし第３のモデルを作成し、コンピュータシミュレーションにより各モデルの通過特性を演算した。第１のモデルは、電子部品１０ａにおいて接続導体層３０ａ，３０ｂを取り除くと共に、コンデンサ導体層２２の線幅を太くする、又は、コンデンサ導体層２２を電子部品１０ａより下側に位置させたモデルである。第２のモデルは、電子部品１０ａにおいて接続導体層３０ａ，３０ｂを取り除いたモデルである。第３のモデルは、電子部品１０ａのモデルである。第２のモデルのコンデンサ導体層２２の線幅と第３のモデルのコンデンサ導体層２２の線幅とは等しい。なお、第１のモデル及び第２のモデルは、比較例に係るモデルである。
【００４７】
第１のモデルの通過特性は、図４に示す特性である。第１のモデルの通過特性では、通過帯域よりも低い周波数において減衰極Ｐ１，Ｐ２が形成され、通過帯域よりも高い周波数において減衰極Ｐ３，Ｐ４が形成されている。このような第１のモデルにおいて、減衰極Ｐ１〜Ｐ４における減衰量を大きくして、通過帯域の両端において急峻に立ち上がり急峻に立ち下がる通過特性を得たいという要望が存在する。
【００４８】
そこで、第２のモデルのコンデンサ導体層２２の線幅を第１のモデルのコンデンサ導体層２２の線幅よりも細くする、又は、コンデンサ導体層２２を下側に位置させることが考えられる。これにより、コンデンサＣ１１の容量値が小さくなる。その結果、図５に示すように、減衰極Ｐ３における減衰極が大きくなり、通過特性は、通過帯域の高周波側において急峻に立ち下がるようになる。
【００４９】
しかしながら、コンデンサＣ１１の容量値が小さくなると、図５に示すように、減衰極Ｐ１と減衰極Ｐ２とが近づいてしまう。その結果、減衰極Ｐ１，Ｐ２が消滅して、なまった波形になってしまう。したがって、通過特性は、通過帯域の低周波側において急峻に立ち上がらなくなる。
【００５０】
そこで、第３のモデルでは、接続導体層３０ａ，３０ｂが設けられている。これにより、ＬＣ並列共振器ＬＣ１とＬＣ並列共振器ＬＣ３とが磁界結合し、ＬＣ並列共振器ＬＣ２とＬＣ並列共振器ＬＣ４とが磁界結合する。その結果、減衰極Ｐ３と減衰極Ｐ４との位置関係が変化せずに、減衰極Ｐ１と減衰極Ｐ２とが離れて、減衰極Ｐ１，Ｐ２が出現するようになる。更に、第３のモデルの減衰極Ｐ１における減衰量は、第１のモデルの減衰極Ｐ１，Ｐ２における減衰量よりも大きくなっている。すなわち、第３のモデルでは、通過帯域の両端において急峻に立ち上がり急峻に立ち下がる通過特性が得られている。
【００５１】
以上のように、コンデンサＣ１１の容量値を調整すると共に、接続導体層３０ａ，３０ｂを設けることによって、通過帯域の両端に形成される減衰極Ｐ１〜Ｐ４のそれぞれの減衰量及び周波数を調整することが可能となる。その結果、電子部品１０ａによれば、所望の通過特性を得ることが容易となる。
【００５２】
また、電子部品１０ａでは、接続導体層３０ａ，３０ｂは、上側から平面視したときに、互いに重なっている。これにより、接続導体層３０ａ，３０ｂ間に磁界結合及び電界結合が発生しやすくなる。したがって、接続導体層３０ａと接続導体層３０ｂとが重なっている面積を調整することによって、磁界結合及び電界結合を調整することができる。その結果、電子部品１０ａの通過特性を調整することができる。
【００５３】
（第２の実施形態）
以下に第２の実施形態に係る電子部品について図面を参照しながら説明する。図７は、第２の実施形態に係る電子部品１０ｂの等価回路図である。図８は、電子部品１０ｂの分解斜視図である。
【００５４】
電子部品１０ｂは、図７及び図８に示すように、インダクタＬ１２（接続導体層３０ｂ）が設けられていない点において、電子部品１０ａと相違する。このように、インダクタＬ１１（接続導体層３０ａ）とインダクタＬ１２（接続導体層３０ｂ）とは、いずれか一方が設けられていればよい。
【００５５】
以上のように構成された電子部品１０ｂにおいても、電子部品１０ａと同じ作用効果を得ることができる。
【００５６】
（第３の実施形態）
以下に第３の実施形態に係る電子部品について図面を参照しながら説明する。図９は、電子部品１０ｃの分解斜視図である。
【００５７】
電子部品１０ｃは、図９に示すように、接続導体層３０ａと接続導体層３０ｂとが上側から平面視したときに交差していない点、及び、ＬＣ並列共振器ＬＣ３の方向において、電子部品１０ａと相違する。このように、接続導体層３０ａと接続導体層３０ｂとが強く磁界結合及び電界結合してほしくない場合には、接続導体層３０ａ，３０ｂを交差させなければよい。
【００５８】
以上のように構成された電子部品１０ｃにおいても、電子部品１０ａと同じ作用効果を得ることができる。
【００５９】
（第４の実施形態）
以下に第４の実施形態に係る電子部品について図面を参照しながら説明する。図１０は、電子部品１０ｄの等価回路図である。
【００６０】
電子部品１０ｄは、図１０に示すように、インダクタＬ１２の代わりにコンデンサＣ１２が設けられている点において、電子部品１０ａと相違する。
【００６１】
以上のように構成された電子部品１０ｄにおいても、電子部品１０ａと同じ作用効果を得ることができる。
【００６２】
（第５の実施形態）
以下に第５の実施形態に係る電子部品について図面を参照しながら説明する。図１１は、電子部品１０ｅの等価回路図である。
【００６３】
電子部品１０ｅは、図１１に示すように、ＬＣ並列共振器ＬＣ１〜ＬＣ５を備えている点において、電子部品１０ａと相違する。このように、電子部品１０ｅは、５つ以上のＬＣ並列共振器を備えていてもよい。
【００６４】
また、電子部品１０ｅでは、インダクタＬ１３は、左右方向に隣り合わない２つのＬＣ並列共振器ＬＣ２とＬＣ並列共振器ＬＣ４とを接続している。
【００６５】
以上のように構成された電子部品１０ｅにおいても、電子部品１０ａと同じ作用効果を得ることができる。
【００６６】
なお、電子部品１０ｅでは、インダクタＬ１３は、例えば、左右方向に隣り合わない２つのＬＣ並列共振器を接続していればよい。したがって、インダクタＬ１３は、ＬＣ並列共振器ＬＣ１とＬＣ並列共振器ＬＣ３とを接続してもよいし、ＬＣ並列共振器ＬＣ１とＬＣ並列共振器ＬＣ４とを接続してもよい。また、インダクタＬ１３は、ＬＣ並列共振器ＬＣ２とＬＣ並列共振器ＬＣ５とを接続してもよいし、ＬＣ並列共振器ＬＣ３とＬＣ並列共振器ＬＣ５とを接続してもよい。
【００６７】
したがって、インダクタＬ１３は、ＬＣ並列共振器ＬＣ２〜ＬＣ４の内の左右方向に隣り合わない２つのＬＣ並列共振器ＬＣ２〜ＬＣ４を接続する、又は、ＬＣ並列共振器ＬＣ１〜ＬＣ５の内の左右方向に隣り合わないＬＣ並列共振器ＬＣ１，ＬＣ５のいずれかとＬＣ並列共振器ＬＣ２〜ＬＣ４のいずれかとの２つのＬＣ並列共振器を接続すればよい。ただし、インダクタＬ１３は、両端に位置するＬＣ並列共振器ＬＣ１とＬＣ並列共振器ＬＣ５とを接続してはいけない。
【００６８】
（その他の実施形態）
本発明に係る電子部品は、前記電子部品１０ａ〜１０ｅに限らず、その要旨の範囲内において変更可能である。
【００６９】
なお、電子部品１０ａ〜１０ｅの構成を任意に組み合わせてもよい。
【００７０】
なお、ループ面Ｓ１〜Ｓ４は、互いに平行でなくてもよい。
【産業上の利用可能性】
【００７１】
以上のように、本発明は、電子部品に有用であり、特に、所望の通過特性を容易に得ることができる点において優れている。
【符号の説明】
【００７２】
１０ａ〜１０ｅ：電子部品
１２：積層体
１４ａ〜１４ｃ：外部電極
１６ａ〜１６ｉ：絶縁体層
１８ａ〜１８ｄ：インダクタ導体層
２０ａ〜２０ｄ，２２：コンデンサ導体層
２１：グランド導体層
３０ａ，３０ｂ：接続導体層
Ｃ１〜Ｃ５，Ｃ１１，Ｃ１２：コンデンサ
Ｌ１〜Ｌ５，Ｌ１１〜Ｌ１３：インダクタ
ＬＣ１〜ＬＣ５：ＬＣ並列共振器
Ｓ１〜Ｓ４：ループ面
ｖ１〜ｖ８，ｖ１１，ｖ１２，ｖ２１〜ｖ２６：ビアホール導体                                                                                
【図１】
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【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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