(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
平均粒径５〜２００ｎｍのコロイダルシリカと、
粉砕された、平均粒径０．２〜１．０μｍの湿式法シリカ粒子と、を含有し、
ｐＨ値が０．５〜３．０であり、前記コロイダルシリカの平均粒径に対する前記湿式法シリカ粒子の平均粒径の比の値が２．０〜１６．０である無電解ニッケル−リンめっきされたアルミニウム磁気ディスク基板の研磨に用いられる研磨剤組成物。
【請求項２】
前記コロイダルシリカおよび前記湿式法シリカ粒子の合計濃度が１〜５０質量％であり、
前記コロイダルシリカおよび前記湿式法シリカ粒子の合計に占める、前記コロイダルシリカの割合が５〜９５質量％であり、且つ、前記湿式法シリカ粒子の割合が５〜９５質量％である請求項１に記載の研磨剤組成物。
【請求項３】
酸および酸化剤を更に含有する水系組成物である請求項１または２に記載の研磨剤組成物。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか一項に記載の研磨剤組成物を用いて磁気ディスク基板を研磨する、磁気ディスク基板の研磨方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体、ハードディスクといった磁気記録媒体などの電子部品の研磨に使用される研磨剤組成物に関する。特に、ガラス磁気ディスク基板やアルミニウム磁気ディスク基板などの磁気記録媒体用基板の表面研磨に使用される研磨剤組成物に関する。さらには、アルミニウム合金製の基板表面に無電解ニッケル−リンめっき皮膜を形成した磁気記録媒体用アルミニウム磁気ディスク基板の表面研磨に使用される研磨剤組成物に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、アルミニウム磁気ディスク基板の無電解ニッケル−リンめっき皮膜表面を研磨するための研磨剤組成物として、生産性の観点から、高い研磨速度を実現し得る比較的粒径の大きなアルミナ粒子を水に分散させた研磨剤組成物が使用されてきた。しかし、アルミナ粒子を使用した場合、アルミナ粒子はアルミニウム磁気ディスク基板の無電解ニッケル−リンめっき皮膜に比べてかなり硬度が高いため、アルミナ粒子が基板に突き刺さり、この突き刺さった粒子が後段の研磨工程に悪影響を与えることが問題となっていた。【０００３】
このような問題の解決策として、アルミナ粒子とシリカ粒子とを組み合わせた研磨剤組成物が提案されている（特許文献１〜４等）。また、アルミナ粒子を使用せず、シリカ粒子のみで研磨する方法が提案されている（特許文献５〜１０）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００１−２６０００５号公報
【特許文献２】特開２００９−１７６３９７号公報
【特許文献３】特開２０１１−２０４３２７号公報
【特許文献４】特開２０１２−４３４９３号公報
【特許文献５】特開２０１０−１６７５５３号公報
【特許文献６】特表２０１１−５２７６４３号公報
【特許文献７】特開２０１４−２９７５４号公報
【特許文献８】特開２０１４−２９７５５号公報
【特許文献９】特表２００３−５１４９５０号公報
【特許文献１０】特開２０１２−１５５７８５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１〜４のように、アルミナ粒子とシリカ粒子とを組み合わせることにより、基板に突き刺さったアルミナ粒子をある程度除去することは可能となる。しかしながら、このアルミナ粒子を含む研磨剤組成物を使用する限り、研磨剤組成物中に含まれるアルミナ粒子が基板に突き刺さる可能性は、依然として残っている。また、このような研磨剤組成物は、アルミナ粒子とシリカ粒子の両方を含むため、それぞれの粒子が有する特性を相互に打ち消しあい、研磨速度および表面平滑性が悪化するという問題が生じる。【０００６】
そこで、アルミナ粒子を使用せずに、シリカ粒子のみで研磨する方法が提案されている。特許文献５および６では、コロイダルシリカと研磨促進剤との組み合わせが提案されている。特許文献７および８では、コロイダルシリカや、フュームドシリカ、表面修飾されたシリカ、水ガラス法で製造されたシリカなどによる研磨、特に特殊な形状のコロイダルシリカを使用する方法が提案されている。しかしながら、これらの方法では研磨速度が不十分であり、改良が求められている。また、特許文献９では、コロイダルシリカとフュームドシリカを組み合わせて使用する方法が提案されている。しかしながら、この方法では研磨速度の向上は見られるものの、フュームドシリカは嵩比重がとても小さいため、スラリー化などの作業性が非常に悪くなり、粉じんによる健康への影響の懸念もある。また、特許文献１０では、破砕シリカ粒子を使用することにより、アルミナ粒子に近い研磨速度を出す方法が提案されている。しかしながら、この方法では、表面平滑性が悪化するという問題があり、改良が求められている。【０００７】
本発明は、このような従来技術の有する問題点に鑑みてなされたものであり、その課題は、アルミナ粒子を使用することなく、高い研磨速度を実現すると同時に、良好な表面平滑性を得ることを可能にする研磨剤組成物を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者らは上記課題を達成すべく鋭意検討した結果、特定の粒径を有するコロイダルシリカと、粉砕工程を経て形成される特定の粒径を有する湿式法シリカ粒子を組み合わせることによって、それぞれのシリカ粒子を単独使用した場合よりも、予想以上に高い研磨速度と、良好な表面平滑性を達成することが可能であることを見出し、本発明を完成するに至った。【０００９】
即ち、本発明によれば、以下に示す研磨剤組成物が提供される。【００１０】
［１］  平均粒径５〜２００ｎｍのコロイダルシリカと、粉砕された、平均粒径０．２〜１．０μｍの湿式法シリカ粒子と、を含有し、ｐＨ値が０．５〜３．０であり、前記コロイダルシリカの平均粒径に対する前記湿式法シリカ粒子の平均粒径の比の値が２．０〜１６．０である無電解ニッケル−リンめっきされたアルミニウム磁気ディスク基板の研磨に用いられる研磨剤組成物。
【００１１】
［２］  前記コロイダルシリカおよび前記湿式法シリカ粒子の合計濃度が１〜５０質量％であり、前記コロイダルシリカおよび前記湿式法シリカ粒子の合計に占める、前記コロイダルシリカの割合が５〜９５質量％であり、且つ、前記湿式法シリカ粒子の割合が５〜９５質量％である前記［１］に記載の研磨剤組成物。【００１２】
［３］酸および酸化剤を更に含有する水系組成物である前記［１］または［２］に記載の研磨剤組成物。
【００１４】
［４］  前記［１］〜［３］のいずれかに記載の研磨剤組成物を用いて磁気ディスク基板を研磨する、磁気ディスク基板の研磨方法。
【発明の効果】
【００１５】
本発明の研磨剤組成物は、アルミニウム合金製の基板表面に無電解ニッケル−リンめっき皮膜を形成した磁気記録媒体用アルミニウム磁気ディスク基板の表面を研磨する際に、２種類のシリカ粒子を組み合わせて使用することにより、それぞれのシリカ粒子を単独使用した場合よりも高い研磨速度を実現すると同時に、良好な表面平滑性を得ることができるものである。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明の実施の形態について説明するが、本発明は以下の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、当業者の通常の知識に基づいて、以下の実施の形態に対し適宜変更、改良等が加えられたものも本発明の範囲に入ることが理解されるべきである。
【００１７】
１．研磨剤組成物
本発明の研磨剤組成物は、コロイダルシリカと、湿式法シリカ粒子と、を少なくとも含有する水系組成物である。コロイダルシリカの平均粒径は５〜２００ｎｍであり、湿式法シリカ粒子は、平均粒径０．１〜１．０μｍである。コロイダルシリカの平均粒径（Ａ）に対する湿式法シリカ粒子の平均粒径（Ｂ）の比の値（Ｂ／Ａ）は２．０〜３０．０である。ここで、湿式法シリカ粒子は、その製造工程において、粉砕により解砕されたものである。即ち、湿式法シリカ粒子の製造工程は、粉砕工程を含むものである。
【００１８】
本発明の研磨剤組成物は、特定のコロイダルシリカと、特定の湿式法シリカ粒子とを、両者の平均粒径が特定の関係となるように含有することにより、それぞれのシリカ粒子を単独使用した場合と比較して、予想外に高い研磨速度を達成すると同時に、良好な表面平滑性を達成するものである。一般的に、大粒径の粒子（本発明の場合の湿式法シリカ粒子）と小粒径の粒子（本発明の場合のコロイダルシリカ）とを組み合わせて用いた場合、その研磨速度および表面平滑性は大粒径の粒子がもたらす研磨速度および表面平滑性に支配される傾向にある。すなわち、一般的に、研磨速度は大粒径の粒子による研磨速度を大きく超えることはなく、また、表面平滑性は大粒径の粒子の研磨による表面平滑性となり、小粒径の粒子による表面平滑性に劣る。ところが、本発明の研磨剤組成物は、コロイダルシリカまたは湿式法シリカ粒子をそれぞれ単独使用した場合よりも、研磨速度が有意に高く、且つ、良好な表面平滑性を維持するものである。このような効果は、従来の技術常識からは予期し得ない、顕著なものであると言える。
【００１９】
以下、本発明の研磨剤組成物について、さらに詳細に説明する。以下の説明中、単に「研磨剤組成物」と言う場合、特に断らない限り、本発明の研磨剤組成物を意味する。また、以下の説明中、単に「コロイダルシリカ」または「湿式法シリカ粒子」と言う場合、特に断らない限り、本発明において用いられるコロイダルシリカまたは湿式法シリカ粒子を意味するものとする。
【００２０】
１−１．コロイダルシリカ
本発明の研磨剤組成物に含有されるコロイダルシリカは、平均粒径が５〜２００ｎｍである。平均粒径が５ｎｍ以上であることにより、研磨速度の低下を抑制することができる。平均粒径が２００ｎｍ以下であることにより、表面平滑性の悪化を抑制することができる。コロイダルシリカの平均粒径は、好ましくは５〜１５０ｎｍであり、より好ましくは３０〜１００ｎｍである。また、本願における平均粒径とは、メディアン径（Ｄ５０）である。
【００２１】
コロイダルシリカは、球状、鎖状、金平糖型（表面に凸部を有する粒子状）、異形型などの形状が知られており、水中に一次粒子が単分散してコロイド状をなしている。本発明で使用されるコロイダルシリカとしては、球状、または球状に近いコロイダルシリカが特に好ましい。球状、または球状に近いコロイダルシリカを用いることで、表面平滑性をより向上させることができる。コロイダルシリカは、ケイ酸ナトリウムまたはケイ酸カリウムを原料とする水ガラス法、テトラエトキシシラン等のアルコキシシランを酸またはアルカリで加水分解する方法等によって得られる。
【００２２】
１−２．湿式法シリカ粒子
本発明で使用される湿式法シリカ粒子は、ケイ酸アルカリ水溶液と無機酸または無機酸水溶液とを反応容器に添加することにより、沈殿ケイ酸として得られる湿式法シリカから調製される粒子のことを指しており、湿式法シリカ粒子には上述のコロイダルシリカは含まれない。
【００２３】
湿式法シリカの原料であるケイ酸アルカリ水溶液としては、ケイ酸ナトリウム水溶液、ケイ酸カリウム水溶液、ケイ酸リチウム水溶液などが挙げられるが、一般的にはケイ酸ナトリウム水溶液が好ましく使用される。無機酸としては、硫酸、塩酸、硝酸等を挙げることができるが、一般的には硫酸が好ましく使用される。反応終了後、反応液を濾過、水洗し、その後乾燥機で水分が６％以下になるように乾燥を行う。乾燥機は静置乾燥機、噴霧乾燥機、流動乾燥機のいずれでも良い。その後ジェットミル等の粉砕機で粉砕し、さらに分級を行い、湿式法シリカ粒子を得る。
【００２４】
このように粉砕により解砕された湿式法シリカ粒子の粒子形状は、角部を有しており、球状に近い粒子よりも研磨能力が高い。
【００２５】
湿式法シリカ粒子の平均粒径は０．１〜１．０μｍであり、好ましくは０．２〜１．０μｍであり、より好ましくは０．２〜０．６μｍである。平均粒径が０．１μｍ以上であることにより、研磨速度の低下を抑制することができる。平均粒径が１．０μｍ以下であることにより、表面平滑性の悪化を抑制することができる。
【００２６】
湿式法シリカ粒子の平均粒径（Ｂ）とコロイダルシリカの平均粒径（Ａ）の比の値（Ｂ／Ａ）は２．０〜３０．０であり、好ましくは２．０〜１６．０であり、より好ましくは３．０〜１６．０であり、さらに好ましくは３．０〜１０．０であり、特に好ましくは４．０〜１０．０である。平均粒径の比が２．０以上であることにより、研磨速度を向上させることができる。平均粒径の比が３０．０以下であることにより、表面平滑性の悪化を抑制することができる。
【００２７】
コロイダルシリカと湿式法シリカ粒子の合計濃度は、研磨剤組成物全体の１〜５０質量％であることが好ましく、より好ましくは２〜４０質量％である。シリカ粒子の合計濃度が１質量％以上であることにより、研磨速度の低下を抑制することができる。シリカ粒子の合計濃度が５０質量％以下であることにより、必要以上のシリカ粒子を使用することなく十分な研磨速度を維持することができる。
【００２８】
シリカ粒子全体に占めるコロイダルシリカの割合は、５〜９５質量％であることが好ましく、より好ましくは２０〜８０質量％である。コロイダルシリカの割合が５質量％以上であることにより、表面平滑性の悪化を抑制することができる。コロイダルシリカの割合が９５質量％以下であることにより、研磨速度の低下を抑制することができる。
【００２９】
シリカ粒子全体に占める湿式法シリカ粒子の割合は、５〜９５質量％であることが好ましく、より好ましくは２０〜８０質量％である。湿式法シリカ粒子の割合が９５質量％以下であることにより、表面平滑性の悪化を抑制することができる。湿式法シリカ粒子の割合が５質量％以上であることにより、研磨速度の低下を抑制することができる。
【００３０】
１−３．その他の成分
研磨剤組成物に含有される粒子としては、コロイダルシリカおよび湿式法シリカ粒子以外にも、その他の粒子を含有することができる。但し、アルミナ粒子の研磨対象基板への突き刺さりを低減させるという観点から、アルミナ粒子を含まないことが特に好ましい。
【００３１】
研磨剤組成物は、シリカ粒子に加えて、酸を含有していることが好ましい。酸としては、酸および／またはその塩であって良い。酸の具体例としては、硝酸、硫酸、塩酸、リン酸、ホスホン酸、ホスフィン酸、ピロリン酸、トリポリリン酸等の無機酸、２−アミノエチルホスホン酸、１−ヒドロキシエチリデン−１，１−ジホスホン酸、アミノトリ（メチレンホスホン酸）、エチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）、ジエチレントリアミン（メチレンホスホン酸）、エタン−１，１−ジホスホン酸、メタンヒドロキシホスホン酸等の有機ホスホン酸、グルタミン酸、アスパラギン酸等のアミノカルボン酸、クエン酸、酒石酸、シュウ酸、ニトロ酢酸、マレイン酸等のカルボン酸等が挙げられる。これらの酸を用いる場合の対イオンとしては、特に限定はなく、具体的には、金属、アンモニウム、アルキルアンモニウム等のイオンが挙げられる。
【００３２】
研磨剤組成物は、シリカ粒子に加えて、酸化剤を含有していることが好ましい。酸化剤としては、過酸化物、過マンガン酸またはその塩、クロム酸またはその塩等が挙げられる。具体例としては、過酸化水素、過酸化ナトリウム、過酸化バリウム、過マンガン酸カリウム等が挙げられる。中でも過酸化水素が好ましい。
【００３３】
研磨剤組成物は、上述の成分以外に、水溶性高分子化合物、防カビ剤、防菌剤等を含有していても良い。
【００３４】
１−４．物性
研磨剤組成物のｐＨ値は０．１〜４．０であることが好ましく、より好ましくは０．５〜３．０である。研磨剤組成物のｐＨ値が０．１以上であることにより、表面平滑性の悪化を抑制することができる。研磨剤組成物のｐＨ値が４．０以下であることにより、研磨速度の低下を抑制することができる。
【００３５】
本発明の研磨剤組成物は、半導体、ハードディスクといった磁気記録媒体など種々の電子部品の研磨に使用することができる。特に、アルミニウム合金製のアルミニウム磁気ディスク基板の研磨に好適に用いることができる。さらに好適には、無電解ニッケル−リンめっきされたアルミニウム磁気ディスク基板の研磨に用いることができる。無電解ニッケル−リンめっきは、通常ｐＨ４〜６の条件下でめっきされる。ｐＨ４以下の条件ではニッケルが溶解傾向に向かうため、めっきが進行しにくくなる。一方、研磨においては、例えば、ｐＨ４．０以下の条件下でニッケルが溶解傾向となるため、本発明の研磨剤組成物を用いることにより、研磨速度を高めることが可能となる。
【００３６】
２．磁気ディスク基板の研磨方法
研磨剤組成物は、無電解ニッケル−リンめっきされたアルミニウム磁気ディスク基板（以下、「アルミディスク」）やガラス磁気ディスク基板等の磁気ディスク基板の研磨での使用に適している。特に、アルミディスクの研磨での使用に適している。したがって、本発明は、上述の研磨剤組成物を用いて磁気ディスク基板を研磨する磁気ディスク基板の研磨方法である。また、研磨剤組成物は、炭化ケイ素、ケイ素、ゲルマニウム、ガリウムヒ素、ガリウム燐、インジウム燐、チッ化ガリウム等の半導体基板、サファイア、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム等の単結晶基板、磁気ヘッド等の研磨にも利用することができる。
【００３７】
本発明の研磨剤組成物を適用することが可能な研磨方法としては、例えば、研磨機の定盤に研磨パッドを貼り付け、研磨対象物（例えばアルミディスク）の研磨する表面または研磨パッドに研磨剤組成物を供給し、研磨する表面を研磨パッドで擦り付ける方法（ポリッシングと呼ばれている）がある。例えば、アルミディスクのおもて面と裏面を同時に研磨する場合には、上定盤および下定盤それぞれに研磨パッドを貼り付けた両面研磨機を用いる方法がある。この方法では、上定盤および下定盤に貼り付けた研磨パッドでアルミディスクを挟み込み、研磨面と研磨パッドの間に研磨剤組成物を供給し、２つの研磨パッドを同時に回転させることによって、アルミディスクのおもて面と裏面を研磨する。
【００３８】
研磨パッドは、ウレタンタイプ、スウェードタイプ、不織布タイプ、その他いずれのタイプも使用することができる。
【実施例】
【００３９】
以下、本発明を実施例に基づいて具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものでなく、本発明の技術的範囲に属する限り、種々の態様で実施できることはいうまでもない。【００４０】
（１）研磨剤組成物の調製方法
（実施例１〜５、比較例１〜２）
実施例１〜５および比較例１〜２で使用した研磨剤組成物は下記の材料を含んだ研磨剤組成物である。【００４１】
［コロイダルシリカ１］（平均粒径（Ｄ５０）：累積体積基準で５１ｎｍ、市販のコロイダルシリカ。含有量は表１に示す。比較例２には含まれない。）
［湿式法シリカ１］（平均粒径（Ｄ５０）：０．３μｍ、市販の湿式法シリカ粒子。含有量は表１に示す。比較例１には含まれない。）
［硫酸］１．９質量％（すべての実施例、比較例で、この濃度に調整した。）
［過酸化水素］１．２質量％（すべての実施例、比較例で、この濃度に調整した。）【００４２】
（実施例６〜１０、比較例３）
実施例６〜１０および比較例３では、湿式法シリカ１に代わって、湿式法シリカ２（平均粒径（Ｄ５０）：０．４μｍ）を使用した。含有量は表１に示す。
コロイダルシリカとしては、コロイダルシリカ１を使用した。含有量は表１に示す。比較例３には含まれない。
［硫酸］１．９質量％（すべての実施例、比較例で、この濃度に調整した。）
［過酸化水素］１．２質量％（すべての実施例、比較例で、この濃度に調整した。）【００４３】
（実施例１１〜１５、比較例４）
実施例１１〜１５および比較例４では、湿式法シリカ１に代わって、湿式法シリカ３（平均粒径（Ｄ５０）：０．８μｍ）を使用した。含有量は表２に示す。
コロイダルシリカとしては、コロイダルシリカ１を使用した。含有量は表２に示す。比較例４には含まれない。
［硫酸］１．９質量％（すべての実施例、比較例で、この濃度に調整した。）
［過酸化水素］１．２質量％（すべての実施例、比較例で、この濃度に調整した。）【００４４】
（参考例１〜５、比較例５）
参考例１〜５および比較例５ではコロイダルシリカ１に代わって、コロイダルシリカ２（平均粒径（Ｄ５０）：累積体積基準で１０ｎｍ）を使用した。含有量は表２に示す。
湿式法シリカ粒子としては、湿式法シリカ１を使用した。含有量は表２に示す。比較例５には含まれない。
［硫酸］１．９質量％（すべての実施例、参考例、比較例で、この濃度に調整した。）
［過酸化水素］１．２質量％（すべての実施例、参考例、比較例で、この濃度に調整した。）
【００４５】
（実施例１６）
実施例１６では、コロイダルシリカ１、コロイダルシリカ３（平均粒径（Ｄ５０）：累積体積基準で１１２ｎｍ）、および、湿式法シリカ１の３種類のシリカ粒子を使用した。含有量は表２に示すが、コロイダルシリカ１とコロイダルシリカ３の含有比は６４対２２であり、コロイダルシリカ１とコロイダルシリカ３の全体としての平均粒径（Ｄ５０）は、累積体積基準で６３ｎｍであった。
［硫酸］１．９質量％
［過酸化水素］１．２質量％
【００４６】
コロイダルシリカの粒子径は、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）（日本電子（株）製、透過型電子顕微鏡  ＪＥＭ２０００ＦＸ（２００ｋＶ））を用いて倍率１０万倍の視野の写真を撮影し、この写真を解析ソフト（マウンテック（株）製、Ｍａｃ−Ｖｉｅｗ  Ｖｅｒ．４．０）を用いて解析することによりＨｅｙｗｏｏｄ径（投射面積円相当径）として測定した。コロイダルシリカの平均粒径は前述の方法で２０００個程度のコロイダルシリカの粒子径を解析し、小粒径側からの積算粒径分布（累積体積基準）が５０％となる粒径を上記解析ソフト（マウンテック（株）製、Ｍａｃ−Ｖｉｅｗ  Ｖｅｒ．４．０）を用いて算出した平均粒径（Ｄ５０）である。【００４７】
湿式法シリカ粒子の平均粒径は、０．４μｍ以下の粒子では動的光散乱式粒度分布測定装置（日機装（株）製、マイクロトラックＵＰＡ）を用いて、また０．４μｍより大きい粒子ではレーザー回折式粒度分布測定機（（株）島津製作所製、ＳＡＬＤ２２００）を用いて測定した。湿式法シリカ粒子の平均粒径は、体積を基準とした小粒径側からの積算粒径分布が５０％となる平均粒径（Ｄ５０）である。【００４８】
（２）研磨条件
無電解ニッケル−リンめっきした外径９５ｍｍのアルミディスクを研磨対象の基板として、下記研磨条件で研磨を行った。
研磨機：システム精工（株）製、９Ｂ両面研磨機
研磨パッド：（株）ＦＩＬＷＥＬ社製、Ｐ１パッド
定盤回転数：上定盤  −１３．０ｍｉｎ−１
下定盤  １６．０ｍｉｎ−１
研磨剤組成物供給量：７０ｍｌ／ｍｉｎ
研磨時間：研磨量が１．２〜１．５μｍ／片面となる時間まで研磨する。（１３０〜１５００秒）
加工圧力：１２０ｋＰａ【００４９】
（３）研磨したディスク表面の評価
（３−１）研磨速度比
研磨速度は、研磨後に減少したアルミディスクの質量を測定し、下記式に基づいて算出した。
研磨速度（μｍ／ｍｉｎ）＝アルミディスクの質量減少量（ｇ）／研磨時間（ｍｉｎ）／アルミディスク片面の面積（ｃｍ２）／無電解ニッケル−リンめっき皮膜の密度（ｇ／ｃｍ３）／２×１０４
（ただし、上記式中、アルミディスク片面の面積は６５．９ｃｍ２、無電解ニッケル−リンめっき皮膜の密度は８．０ｇ／ｃｍ３）
研磨速度比は、上記式を用いて求めた比較例１の研磨速度を１とした場合の相対値である。なお、比較例１の研磨速度は、０．１３１μｍ／ｍｉｎであった。【００５０】
（３−２）ピット
ピットはＺｙｇｏ社製の走査型白色干渉法を利用した三次元表面構造解析顕微鏡を用いて測定した。Ｚｙｇｏ社製の測定装置（Ｎｅｗ  Ｖｉｅｗ  ５０３２（レンズ：２．５倍、ズーム：０．５倍））とＺｙｇｏ社製の解析ソフト（Ｍｅｔｒｏ  Ｐｒｏ）を用いて測定した。得られた形状プロファイルにおいて、ピットがほとんど認められない場合に「○（良）」と評価した。ピットが認められた場合に「×（不可）」と評価した。ピットが多数認められた場合には目視でもピットを観察することができた。【００５１】
（３−３）表面粗さ（Ｚｙｇｏ−Ｒａ）
アルミディスクの表面粗さ（Ｒａ）は、Ｚｙｇｏ社製の走査型白色干渉法を利用した三次元表面構造解析顕微鏡を用いて測定した（以下、この方法によって測定した表面粗さを、「Ｚｙｇｏ−Ｒａ」という）。測定条件は、Ｚｙｇｏ社製の測定装置（Ｎｅｗ  Ｖｉｅｗ  ５０３２（レンズ：２．５倍、ズーム：０．５倍））とＺｙｇｏ社製の解析ソフト（Ｍｅｔｒｏ  Ｐｒｏ）を用い、フィルターはＦＦＴ  Ｆｉｘｅｄ  Ｐａｓｓ  波長０．００〜０．０８ｍｍとし、測定エリアは５．６８ｍｍ×４．２６ｍｍとした。表面粗さが「測定不可」とは、ピットが認められ、上記測定方法で表面粗さが測定できない状態であることを示している。【００５２】
【表１】
0006511039.tif 000002
【００５３】
【表２】
0006511039.tif 000003
【００５４】
（４）考察
表１および表２の結果から、実施例１〜１６、参考例１〜５のようにコロイダルシリカと湿式法シリカ粒子を組み合わせて使用すると、それぞれのシリカ粒子を単独使用した場合から予想される研磨速度よりも有意に高くなっていることがわかる。なお、コロイダルシリカまたは湿式法シリカ粒子をそれぞれ単独使用した場合から予想される研磨速度は、主に湿式法シリカ粒子の含有量と相関関係を有しながら変動すると、一般的に予想される。ところが、実施例１〜１６、参考例１〜５の結果は、この予想を有意に上回る顕著なものである。これは、コロイダルシリカと湿式法シリカ粒子の間で、研磨性能面で相互補完的な関係が生じ、相乗効果として研磨速度を向上させていると考えられる。具体的には、湿式法シリカ粒子の粒径とコロイダルシリカの粒径を本発明のように特定の関係に調節することにより、大粒径の湿式法シリカ粒子の表面に小粒径のコロイダルシリカが付着すると考えられる。このような表面に付着したコロイダルシリカを有する湿式法シリカ粒子が、湿式法シリカ粒子単独使用の場合よりも研磨能力が向上しているものと考えられる。
【００５５】
また、実施例１〜１６、参考例１〜５の研磨剤組成物は、ピットや表面粗さ等の表面形状特性においても、研磨性能が向上している。ここでも、表面に付着したコロイダルシリカを有する湿式法シリカ粒子が生成されていると考えられ、その表面に付着したコロイダルシリカの作用により、湿式法シリカ粒子の研磨能力が向上すると同時に、表面平滑性も向上すると考えられる。このように、表面平滑性においてもコロイダルシリカおよび湿式法シリカ粒子の両方の相互補完的関係が生じ、相乗効果が現れていると考えられる。
【産業上の利用可能性】
【００５６】
本発明の研磨剤組成物は、半導体、ハードディスクといった磁気記録媒体などの電子部品の研磨に使用することができる。特に、ガラス磁気ディスク基板やアルミニウム磁気ディスク基板などの磁気記録媒体用基板の表面研磨に使用することができる。さらには、アルミニウム合金製の基板表面に無電解ニッケル−リンめっき皮膜を形成した磁気記録媒体用アルミニウム磁気ディスク基板の表面研磨に使用することができる。