(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
炉体内に炉心管が配置され、前記炉体と前記炉心管との間の空間にガスを供給する第一供給口と、前記空間からガスを排気する第一排気口と、前記炉心管内にガスを供給する第二供給口と、前記炉心管からガスを排気する第二排気口と、を備える焼結炉を用いて、前記炉心管内に多孔質母材を収容して焼結を行う光ファイバ母材の製造方法であって、
前記第一供給口からヘリウムガスを供給するとともに、前記第二供給口からヘリウム以外のガスを供給し、前記第二排気口から排気された排気ガス中のヘリウムガス濃度を測定する第一工程と、
前記炉心管内に前記多孔質母材を収容して焼結を行う第二工程と、
前記第一工程で測定した前記ヘリウムガス濃度と、前記第二工程で焼結した光ファイバ母材から線引きした光ファイバの伝送損失値との関係に基づいて、前記ヘリウムガス濃度の基準値範囲を求める第三工程と、
を含み、
前記第一工程、前記第二工程、および前記第三工程を実施して前記ヘリウムガス濃度の基準値範囲を求めてから、
前記第一工程を実施して前記第二排気口から排気された排気ガス中のヘリウムガス濃度が前記基準値範囲内であることを少なくとも一回確認して、以降、前記第二工程を実施して光ファイバ母材を製造する、光ファイバ母材の製造方法。
【請求項２】
前記第三工程は、
前記第一工程において測定したヘリウムガス濃度が経時的に増加する傾きと、前記第二工程で焼結した光ファイバ母材から線引きした光ファイバの伝送損失値との関係に基づいて、前記基準値範囲を求める、請求項１に記載の光ファイバ母材の製造方法。
【請求項３】
前記第三工程は、
前記第一工程において前記第一供給口からヘリウムガスを供給し始めてから一定時間経過した後に前記第二排気口から排気された排気ガス中のヘリウムガス濃度と、前記第二工程で焼結した光ファイバ母材から線引きした光ファイバの伝送損失との関係に基づいて、前記基準値範囲を求める、請求項１に記載の光ファイバ母材の製造方法。
【請求項４】
前記第一工程、前記第二工程、および前記第三工程を実施して前記ヘリウムガス濃度の基準値範囲を求めてから、
前記炉心管を組み替えた直後に、前記第一工程を実施してヘリウムガス濃度が前記基準値範囲内であることを少なくとも一回確認して、以降、前記第二工程を実施する、請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の光ファイバ母材の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光ファイバ母材の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
炉体内に炉心管が配置され、炉体と炉心管との間の空間にガスを供給する供給口と排気する排気口と、炉心管内にガスを供給する供給口と排気する排気口とがそれぞれ設けられて、炉心管内に多孔質母材を収容して焼結を行う光ファイバ母材の焼結炉が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００２−６８７７０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記のような光ファイバ母材の焼結炉では、炉心管を組み立てたときのずれや、炉心管フランジ面の精度などによって、炉心管の気密性が変化することが考えられる。炉心管の気密性が悪い場合は、炉体側の汚染されたガスが炉心管内に漏れて入るおそれがある。この汚染されたガスが炉心管内に入った状態で光ファイバ母材の焼結を行った場合、金属汚染等により汚染された光ファイバ母材となるおそれがある。そして、汚染された光ファイバ母材から線引きされた光ファイバは、不良品となるレベルまで伝送損失値が大きくなるおそれがある。
【０００５】
そこで、本発明の目的は、光ファイバ母材から線引きされた光ファイバが、不良品となるレベルまで伝送損失値が大きくなることを防ぐことができる光ファイバ母材の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一態様に係る光ファイバ母材の製造方法は、炉体内に炉心管が配置され、前記炉体と前記炉心管との間の空間にガスを供給する第一供給口と、前記空間からガスを排気する第一排気口と、前記炉心管内にガスを供給する第二供給口と、前記炉心管からガスを排気する第二排気口と、を備える焼結炉を用いて、前記炉心管内に多孔質母材を収容して焼結を行う光ファイバ母材の製造方法であって、
前記第一供給口からヘリウムガスを供給するとともに、前記第二供給口からヘリウム以外のガスを供給し、前記第二排気口から排気された排気ガス中のヘリウムガス濃度を測定する第一工程と、
前記炉心管内に前記多孔質母材を収容して焼結を行う第二工程と、
前記第一工程で測定した前記ヘリウムガス濃度と、前記第二工程で焼結した光ファイバ母材から線引きした光ファイバの伝送損失値との関係に基づいて、前記ヘリウムガス濃度の基準値範囲を求める第三工程と、
を含み、
前記第一工程、前記第二工程、および前記第三工程を実施して前記ヘリウムガス濃度の基準値範囲を求めてから、
前記第一工程を実施して前記第二排気口から排気された排気ガス中のヘリウムガス濃度が前記基準値範囲内であることを少なくとも一回確認して、以降、前記第二工程を実施して光ファイバ母材を製造する。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、光ファイバ母材から線引きされた光ファイバが、不良品となるレベルまで伝送損失値が大きくなることを防ぐことができる光ファイバ母材を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本実施形態に係る光ファイバ母材の製造方法で使用される装置の概略構成図である。
【図２】測定開始からの経過時間と測定されたヘリウムガス濃度との関係の一例を示すグラフである。
【図３】測定開始１０分後のヘリウムガス濃度が経時的に増加する傾きと、それぞれの焼結炉で焼結した光ファイバ母材から得られた光ファイバの伝送損失値の増加量との関係の一例を示すグラフである。
【図４】測定開始１０分後のヘリウムガス濃度と、それぞれの焼結炉で焼結した光ファイバ母材から得られた光ファイバの伝送損失値の増加量との関係の一例を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
［本発明の実施形態の説明］
最初に本発明の実施形態を列記して説明する。
本発明の実施形態に係る光ファイバ母材の製造方法は、
（１）  炉体内に炉心管が配置され、前記炉体と前記炉心管との間の空間にガスを供給する第一供給口と、前記空間からガスを排気する第一排気口と、前記炉心管内にガスを供給する第二供給口と、前記炉心管からガスを排気する第二排気口と、を備える焼結炉を用いて、前記炉心管内に多孔質母材を収容して焼結を行う光ファイバ母材の製造方法であって、
前記第一供給口からヘリウムガスを供給するとともに、前記第二供給口からヘリウム以外のガスを供給し、前記第二排気口から排気された排気ガス中のヘリウムガス濃度を測定する第一工程と、
前記炉心管内に前記多孔質母材を収容して焼結を行う第二工程と、
前記第一工程で測定した前記ヘリウムガス濃度と、前記第二工程で焼結した光ファイバ母材から線引きした光ファイバの伝送損失値との関係に基づいて、前記ヘリウムガス濃度の基準値範囲を求める第三工程と、
を含み、
前記第一工程、前記第二工程、および前記第三工程を実施して前記ヘリウムガス濃度の基準値範囲を求めてから、
前記第一工程を実施して前記第二排気口から排気された排気ガス中のヘリウムガス濃度が前記基準値範囲内であることを少なくとも一回確認して、以降、前記第二工程を実施して光ファイバ母材を製造する。
【００１０】
上記（１）の光ファイバ母材の製造方法によれば、第二排気口から排気された排気ガス中のヘリウムガス濃度を測定することで炉心管の気密性がわかる。炉心管の気密性と、炉心管によって焼結した光ファイバ母材から線引きされる光ファイバの伝送損失値とは関連する。よって、光ファイバの伝送損失値が正常な範囲内となる、ヘリウムガス濃度の基準値範囲を求めることができる。
上記のように求められた基準値範囲を利用し、多孔質母材の焼結を行う前に、予め上記ヘリウムガス濃度が基準値範囲内であることを少なくとも一回確認することで、炉心管の気密性を確認できる。
したがって、以降、気密性を確認した炉心管で焼結を行うことにより、光ファイバ母材から線引きされた光ファイバが、不良品となるレベルまで伝送損失値が大きくなることを防ぐことができる。
【００１１】
（２）  （１）の光ファイバ母材の製造方法において、前記第三工程は、
前記第一工程において測定したヘリウムガス濃度が経時的に増加する傾きと、前記第二工程で焼結した光ファイバ母材から線引きした光ファイバの伝送損失値との関係に基づいて、前記基準値範囲を求める。
ヘリウムガス濃度が経時的に増加する傾きと、焼結した光ファイバ母材から線引きした光ファイバの伝送損失値との関係に基づいて、基準値範囲を求めることができる。
【００１２】
（３）  （１）の光ファイバ母材の製造方法において、前記第三工程は、
前記第一工程において前記第一供給口からヘリウムガスを供給し始めてから一定時間経過した後に前記第二排気口から排気された排気ガス中のヘリウムガス濃度と、前記第二工程で焼結した光ファイバ母材から線引きした光ファイバの伝送損失との関係に基づいて、前記基準値範囲を求める。
第一供給口からヘリウムガスを供給し始めてから一定時間経過した後に第二排気口から排気された排気ガス中のヘリウムガス濃度と、焼結した光ファイバ母材から線引きした光ファイバの伝送損失値との関係に基づいて、基準値範囲を求めることができる。
【００１３】
（４）  （１）から（３）のいずれか一の光ファイバ母材の製造方法において、前記第一工程、前記第二工程、および前記第三工程を実施して前記ヘリウムガス濃度の基準値範囲を求めてから、
前記炉心管を組み替えた直後に、前記第一工程を実施してヘリウムガス濃度が前記基準値範囲内であることを少なくとも一回確認して、以降、前記第二工程を実施する。
炉心管を組み替えた直後に、ヘリウムガス濃度が基準値範囲内であることを確認するので、炉心管を組み替えたときのずれによる気密性の悪化を予め検知することができる。
【００１４】
［本発明の実施形態の詳細］
本発明の実施形態に係る光ファイバ母材の製造方法の具体例を、以下に図面を参照しつつ説明する。
なお、本発明はこれらの例示に限定されるものではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【００１５】
図１は、本実施形態に係る光ファイバ母材の製造方法で使用する焼結炉の一例を示す概略構成図である。
図１に示すように、焼結炉１００は、炉体７内に、炉心管３（以下、第一炉心管という）が配置され、第一炉心管３内に第二炉心管４が第一炉心管３と同軸状に配置されて構成されている。第一炉心管３と第二炉心管４との間には空間（以下、中間室という）１０が画成されている。
【００１６】
ＳｉＯ２粒子からなる多孔質母材１は、出発棒である支持棒２を、第二炉心管４の貫通部４ａ、第一炉心管３の貫通部３ａおよび炉体７の貫通部７ａを通して、第二炉心管４の中心部に吊り下げ支持される。第一炉心管３および第二炉心管４は、ともに高純度のカーボンで作られた円筒状の側壁部材が複数個に分割して多段に積重ねられて、その上下が円板状の蓋と底部材で封止されて構成されている。第一炉心管３および第二炉心管４の複数個の側壁部材同士の接合箇所を接合部３ｂ，４ｂとする。なお、第一炉心管３および第二炉心管４は、石英の分割構造で構成してもよい。
【００１７】
第一炉心管３の外側には、加熱ヒータ５が配置され、加熱ヒータ５の外側を断熱材６で覆って外部への熱放散を遮蔽している。炉体７は、ステンレス等の耐食性に優れた金属で形成され、第一炉心管３および第二炉心管４を含む構成部材の全体を囲い、外囲気から完全に封止する。
【００１８】
第二炉心管４には、供給口１１ａからガスを供給するガス供給管１１と、第二炉心管４内のガスを排気口１２ａから排気するガス排気管１２とがそれぞれ独立して連結されている。中間室１０には、供給口１３ａからガスを供給するガス供給管１３と中間室１０内のガスを排気口１４ａから排気するガス排気管１４とがそれぞれ独立して連結されている。炉体７には、供給口１５ａからガスを供給するガス供給管１５と、炉体内のガスを排気口１６ａから排気するガス排気管１６がそれぞれ独立して連結されている。
【００１９】
各ガス排気管（ガス排気管１２、ガス排気管１４、ガス排気管１６）には、排ガス処理を行うスクラバー１７に連結されている。ガス排気管１２には、スクラバー１７との間にヘリウムガス濃度を測定するヘリウムリークディテクタ１８が設けられている。
【００２０】
焼結時には、第二炉心管４内の空間である炉心室８には、ガス供給管１１から、母材１の焼結処理用のガスが供給される。この焼結処理用ガスには、例えば、ガラスの透明化に有利なヘリウムガスとＳｉＣｌ４またはＣｌ２などの腐食性ガスが含まれる。なお、母材１の屈折率調整のために高温で分解するＣＦ４、ＳＦ６、ＳｉＦ４等のフッ素化合物ガスが供給されてもよい。供給ガスとしては、上記の例に限定されるものではなく、母材の製造プロセスによって異なる種類のガスが使用される。
【００２１】
焼結時には、炉体７と第一炉心管３との間の空間である炉体室９に、加熱ヒータ５および断熱材６が酸化による劣化を起こさないように、窒素またはアルゴンガス等の不活性ガスがガス供給管１５から供給され、ガス排気管１６へ排気される。
【００２２】
第一炉心管３と第二炉心管４との間に形成される中間室１０は、第二炉心管４の炉心室８と炉体７の空間である炉体室９とを遮断する。焼結時には、中間室１０内に不活性ガスとして、例えばヘリウムガスがガス供給管１３から供給され、ガス排気管１４へ排気される。そして、中間室１０内の圧力は、炉心室８および炉体室９の圧力より、多少低い圧力になるように調整される。
【００２３】
以上のように、炉心管を二重構造にして、中間室１０の圧力を炉心室８の圧力より低くなるように設定すれば、焼結時に、気密性が悪い箇所から中間室１０内に漏れたガスは、排気口１４ａから排気されると共に、圧力が高い炉心室８に漏れることを防ぐことができる。また、中間室１０の圧力を炉体室９の圧力より低くなるように設定すれば、焼結時に、気密性が悪い箇所から中間室１０内に漏れたガスは、排気口１４ａから排気されると共に、圧力が高い炉体室９に漏れることを防ぐことができる。
【００２４】
炉心室８、炉体室９、中間室１０の各室内の圧力を圧力計により計測して、各室内の圧力が上記のような圧力差となるように、ガスの供給流量や排気流量を調整して調整することが考えられる。
【００２５】
しかしながら、圧力計は各ガス供給管（１１，１３，１５）などに設置されるので、圧力計で計測された圧力は、上記各室内の実際の圧力とずれてしまう。このため、計測された炉心管（第一炉心管３、第二炉心管４）内外の圧力差が所定の範囲であっても、汚染されたガスが炉心室８内に漏れて、焼結した光ファイバ母材から得られる光ファイバの伝送損失が増加するおそれがある。
【００２６】
焼結炉１００は、前述のように、第一炉心管３および第二炉心管４は、複数個の側壁部材による多段構成となっており、側壁部材同士の接合箇所である接合部３ｂ，４ｂが複数存在する。これらの接合箇所全ての気密性を完全に保つことは困難であり、組み立てたときのずれや、炉心管フランジ面の精度などによって、炉心管の気密性が変化する。
【００２７】
以上の考察により、発明者らは、炉心管の更新などで、炉心管を組み替えた後に、この炉心管の気密性が所定の水準を満たしていれば、安定して所定の範囲内の伝送損失値の光ファイバが得られる光ファイバ母材を製造できることをつきとめた。
【００２８】
以下に、本実施形態に係る光ファイバ母材１の製造方法を、図１で示した焼結炉１００を使用した例で詳細に説明する。以下の製造方法は、光ファイバ母材１から線引きされた光ファイバが、不良品となるレベルまで伝送損失が大きくならないように、第二炉心管４の気密性を予め確認してから光ファイバ母材１を製造できる方法である。
【００２９】
（第一工程）
図１に示すように、第二炉心管４の炉心室８内に多孔質母材１を収容する。この多孔質母材１を焼結する前に、第一工程を実施する。第一工程実施中は、焼結炉１００は昇温せずに室温の状態とする。
炉体室９に供給口１５ａからヘリウムガスを供給する。同時に、炉心室８に供給口１１ａからヘリウム以外のガス（例えば、窒素ガス、アルゴンガス、酸素ガス等）を供給する。また同時に、中間室１０内に供給口１３ａからヘリウム以外のガス（例えば、窒素ガス、アルゴンガス、酸素ガス等）を供給する。
【００３０】
上記のようにして、各供給口（１１ａ、１３ａ、１５ａ）からのガス供給を所定時間（例えば、４０分程度）続け、ガス排気管１２の途中に設けられたヘリウムリークディテクタ１８を用いて、炉心室８の排気口１２ａから排気された排気ガス中のヘリウムガス濃度を測定する。このヘリウムガス濃度の測定方法としては、例えば、ＪＩＳ規格Ｚ２３３１ヘリウム漏れ試験方法に規定された吸込み法（スニッファー法）を用いる。
【００３１】
なお、炉心室８内に多孔質母材１を収容せずに、焼結炉１００を昇温（例えば、焼結温度まで昇温）して、第一工程を実施してもよい。この場合は、供給口１１ａおよび供給口１３ａから供給するガスは、炉心管がカーボンの場合は酸素ガスを使用すると燃焼するので、酸素以外のガスを使用する。焼結炉１００を昇温した場合は、焼結温度での第二炉心管４の気密性に近い状態で、排気ガス中のヘリウムガス濃度を測定できる。
【００３２】
（第二工程）
加熱ヒータ５により、焼結温度まで焼結炉１００内を昇温させる。炉心室８に供給口１１ａから焼結処理用のガス（例えば、ヘリウムガスとＳｉＣｌ４またはＣｌ２などの腐食性ガスを含むガス）を供給し、焼結処理を実施する。なお、さらにＣＦ４、ＳＦ６、ＳｉＦ４等のフッ素化合物ガスを供給してもよい。
【００３３】
上記焼結処理中は、炉体室９に、窒素またはアルゴンガス等の不活性ガスを供給口１５ａから供給する。また、中間室１０に、不活性ガス（例えば、ヘリウムガス）を供給口１３ａから供給する。
焼結処理中は、例えば（中間室１０内から、或いは各室（炉心室８、炉体室９、中間室１０）から）排気するガスの流量、或いは（中間室１０内、或いは各室（炉心室８、炉体室９、中間室１０）内に）供給するガスの流量を調整するなどにより、中間室１０内の圧力が、炉心室８および炉体室９の圧力より、低い圧力になるように調整する。
【００３４】
（第三工程）
第二工程を実施し、焼結して透明化された光ファイバ母材１を線引きする。この線引きで得られた光ファイバに対して、伝送損失値を測定する。
第一工程の測定で得られたヘリウムガス濃度と、上記測定で得られた伝送損失値との関係に基づいて、ヘリウムガス濃度の基準値範囲を求める。
【００３５】
以下、ヘリウムガス濃度の基準値範囲の具体的な求め方について説明する。
第一工程において、ヘリウムガスは所定の流量で炉心室８に徐々に漏れていくものと考えられるので、例えば図２に示すように、時間が経過するに連れてヘリウムリークディテクタ１８で測定されるヘリウムガス濃度は増加していく。例えば、異なる焼結炉（或いは、炉心管を組み替える前後の焼結炉）では、炉心室８に漏れるヘリウムガスの流量が異なることが考えられ、図２の特性は、測定する焼結炉によって変化する。
【００３６】
（基準値範囲の求め方１）
第一工程の測定中に、ヘリウムガス濃度が経時的に増加する傾き（以下、適宜「傾き」と略記する）を求め、その焼結炉１００内で、第二工程で焼結した光ファイバ母材１から得られた光ファイバの伝送損失値を求める。
例えば具体例として、炉心室８に漏れるヘリウムガスの流量（漏れ流量）が異なる５つの条件の焼結炉ａ（最も低い漏れ流量のものであり、この漏れ流量を１倍とする）、ｂ（２倍の漏れ流量）、ｃ（３．５倍の漏れ流量）、ｄ（８倍の漏れ流量）、ｅ（１３倍の漏れ流量）を用いて、第一工程の測定開始１０分後の「傾き」と、それぞれの焼結炉ａ〜ｅで得られた光ファイバの伝送損失値を求めた。この際、炉心管室８、炉体室９、中間室１０に供給するガスの流量は同じとした。漏れ流量が少ない１倍、２倍、３．５倍の３つの条件の焼結炉ａ〜ｃから得られた光ファイバの伝送損失値は、一般的に正常とされる範囲内の低い値（焼結炉ａ〜ｃとも同じ値）であった。これに対して、漏れ流量が多い焼結炉ｄ、ｅでは、焼結炉ａ〜ｃに比べて光ファイバの伝送損失値が増加した。焼結炉ａ〜ｃの伝送損失値に対する増加量（ｄＢ／ｋｍ）を縦軸とし、各焼結炉における上記「傾き」の値（ｐｐｍ／ｍｉｎ）を横軸としたグラフを図３に示す。光ファイバの伝送損失値が正常である範囲として、例えば光ファイバの伝送損失の増加量が０．００５ｄＢ／ｋｍ以下の範囲とする。図３の例では、伝送損失の増加量が０．００５ｄＢ／ｋｍ以下となる、「傾き」の範囲（基準値範囲）は、０〜５２００ｐｐｍ／ｍｉｎ程度である。
以上のようにして、ヘリウムガス濃度が経時的に増加する傾きに対して、基準値範囲を求めることができる。なお、伝送損失の増加量は０．００５ｄＢ／ｋｍ以外でも良く、製造する光ファイバの種類に応じて適宜設定して良い。
【００３７】
（基準値範囲の求め方２）
第一工程において、ヘリウムガスを供給し始めてから一定時間経過した後（例えば、１０分後）にヘリウムガス濃度を測定し、その焼結炉１００内で、第二工程で焼結した光ファイバ母材１から得られた光ファイバの伝送損失値を求める。
例えば具体例として、上記の「基準値範囲の求め方１」と同じ５つの条件の焼結炉ａ〜ｅを用いて、第一工程の測定開始１０分後のヘリウムガス濃度と、それぞれの焼結炉で得られた光ファイバの伝送損失値を求めた。上記の「基準値範囲の求め方１」と同様に、漏れ流量が多いｄ、ｅの焼結炉では、１倍、２倍、３．５倍の３つの条件の焼結炉ａ〜ｃに比べて光ファイバの伝送損失値が増加した。焼結炉ａ〜ｃの伝送損失値に対する増加量を縦軸とし、各焼結炉における第一工程の測定開始１０分後のヘリウムガス濃度の値を横軸としたグラフを図４に示す。図４において、光ファイバの伝送損失値が正常である範囲を、例えば図３の例と同様に光ファイバの伝送損失の増加量が０．００５ｄＢ／ｋｍ以下の範囲とする。図４の例では、伝送損失の増加量が０．００５ｄＢ／ｋｍ以下となる、第一工程の測定開始１０分後のヘリウムガス濃度の範囲（基準値範囲）は、０〜３１４００ｐｐｍ程度である。
以上のようにして、第一工程の測定開始から一定時間経過した後のヘリウムガス濃度に対して、基準値範囲を求めることができる。
【００３８】
以上の第一工程、第二工程、および第三工程を実施してヘリウムガス濃度の基準値範囲を求める。そして、少なくとも一回、第一工程を実施して、排気口１２ａから排気された排気ガス中のヘリウムガス濃度を測定し、上記基準値範囲内であるか否かを確認する。
【００３９】
ヘリウムガス濃度が基準値範囲である場合は、測定した焼結炉１００を使用して、以降、第二工程の実施による光ファイバ母材１の製造を繰り返し実施する。すなわち、焼結炉１００において、ヘリウムガス濃度が基準値範囲であることが確認できれば、多孔質母材１を一本焼結する毎にあらためて第一工程を実施して確認する必要はない。一方、ヘリウムガス濃度が基準値範囲でない場合、すなわち、伝送損失値が不良となる範囲であった場合は、測定した焼結炉１００は使用しないようにする。または、炉心管を組み替えてから改めて第一工程を実施し、ヘリウムガス濃度が基準値範囲であることが確認できれば、第二工程の実施による光ファイバ母材１の製造を行う。
【００４０】
なお、上記基準値範囲内であるか否かの確認は、焼結炉１００の炉心管（第一炉心管３或いは第二炉心管４、またはその両方）を組み替えた直後に実施すれば、炉心管を組み替えたときのずれによる気密性の悪化を予め検知することができる。
【００４１】
以上、詳述した本実施形態の光ファイバ母材の製造方法によれば、排気口（第二排気口）１２ａから排気された排気ガス中のヘリウムガス濃度から第二炉心管（炉心管）４の気密性がわかる。第二炉心管（炉心管）４の気密性と、焼結した光ファイバ母材１から線引きされる光ファイバの伝送損失値とは関連する。よって、光ファイバの伝送損失値が正常な範囲内となる、ヘリウムガス濃度の基準値範囲を求めることができる。
【００４２】
上記のように求められた基準値範囲を利用し、多孔質母材１の焼結を行う前に、予め排気口１２ａから排気された排気ガス中のヘリウムガス濃度が基準値範囲内であることを少なくとも一回確認する。このことで、第二炉心管（炉心管）４の気密性が、光ファイバの伝送損失値が正常な範囲内となる所定の水準になっているか否かを判断できる。
したがって、第二炉心管（炉心管）４の気密性が上記所定の水準になっていれば、以降、気密性を確認した第二炉心管（炉心管）４で焼結を行うことにより、光ファイバ母材１から線引きされた光ファイバが、不良品となるレベルまで伝送損失値が大きくなることを防ぐことができる。
【００４３】
また、上記の基準値範囲は、ヘリウムガス濃度が経時的に増加する傾きと、焼結した光ファイバ母材１から線引きした光ファイバの伝送損失値との関係に基づいて、求めることができる。或いは、供給口（第一供給口）１５ａからヘリウムガスを供給し始めてから一定時間経過した後に排気口（第二排気口）１２ａから排気された排気ガス中のヘリウムガス濃度と、焼結した光ファイバ母材１から線引きした光ファイバの伝送損失値との関係に基づいて、上記基準値範囲を求めることができる。
【００４４】
なお、上記の説明では、炉心管が二重構造となっている焼結炉１００を使用したが、本実施形態に係る光ファイバ母材の製造方法は、炉心管が二重構造となっていない焼結炉に対しても適用できる。
【符号の説明】
【００４５】
１  光ファイバ母材（多孔質母材）
２  支持棒
３  第一炉心管
４  第二炉心管（炉心管）
５  加熱ヒータ
６  断熱材
７  炉体
８  炉心室
９  炉体室（空間）
１０  中間室
１１，１３，１５  ガス供給管
１１ａ  供給口（第二供給口）
１３ａ  供給口
１５ａ  供給口（第一供給口）
１２，１４，１６  ガス排気管
１２ａ  排気口（第二排気口）
１４ａ  排気口
１６ａ  排気口（第一排気口）
１７  スクラバー
１８  ヘリウムリークディテクタ
【図１】
0006519488.tif 000002
【図２】
0006519488.tif 000003
【図３】
0006519488.tif 000004
【図４】
0006519488.tif 000005