(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
電力用半導体素子の一面である素子固着面が基板の一面である基板固着面に接合材により固着された電力用半導体装置において、
前記接合材中に、片面に複数の異なる高さの突起が形成され、他面にも複数の異なる高さの突起が形成されている中間板が挿入され、前記中間板の前記基板固着面に対向するが面が前記基板固着面に対して傾斜するとともに、前記中間板の前記素子固着面に対向する面が前記素子固着面に対して傾斜していることを特徴とする電力用半導体装置。
【請求項２】
電力用半導体素子の一面である素子固着面が基板の一面である基板固着面に接合材により固着された電力用半導体装置において、
前記接合材中に、板材の中央部から周辺部に向かって放射状に山折と谷折が交互に形成されて、前記基板固着面に対して傾斜した複数の平面を有する形状の中間板が挿入され、前記中間板の前記基板固着面に対向するが面が前記基板固着面に対して傾斜するとともに、前記中間板の前記素子固着面に対向する面が前記素子固着面に対して傾斜していることを特徴とする電力用半導体装置。
【請求項３】
前記接合材がはんだであることを特徴とする請求項１または２に記載の電力用半導体装置。
【請求項４】
前記中間板は少なくとも表面が金属材料で形成されていることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の電力用半導体装置。
【請求項５】
前記基板固着面の材料がアルミニウムであり、前記中間板はアルミニウムよりも高い融点を有する材料で形成されていることを特徴とする請求項４に記載の電力用半導体装置。
【請求項６】
前記基板固着面の材料がアルミニウムであり、前記中間板はアルミニウムよりも高い硬度を有する材料で形成されていることを特徴とする請求項４に記載の電力用半導体装置。
【請求項７】
前記中間板は前記基板固着面の材料よりも小さい線膨張係数を有する材料で形成されていることを特徴とする請求項４に記載の電力用半導体装置。
【請求項８】
前記電力用半導体素子はワイドバンドギャップ半導体により形成されていることを特徴とする請求項１から７のいずれか１項に記載の電力用半導体装置。
【請求項９】
前記ワイドバンドギャップ半導体は、炭化珪素、窒化ガリウム系材料またはダイアモンドの半導体であることを特徴とする請求項８に記載の電力用半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発電・送電から効率的なエネルギーの利用・再生まであらゆる場面で利用される電力用半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
産業機器から家電・情報端末まであらゆる製品にパワーモジュール（電力用半導体装置）が普及しつつあり、自動車や電鉄など輸送機器に搭載されるモジュールについては、高い信頼性が求められ、小型化を実現するために高い放熱性が求められる。また、動作温度が高く、効率に優れている点で、今後の主流となる可能性の高いＳｉＣ半導体などワイドバンドギャップ半導体に適用できるパッケージ形態であることも同時に求められている。
【０００３】
電力用半導体装置は、高電圧・大電流を扱うために発熱が大きく、効率的に排熱する目的で熱伝導率に優れたセラミック基板を絶縁基板として用いる場合が多い。セラミック基板はアルミナやＡｌＮ等の基材に、導体層を両面に張り付ける構造となっており、自動車など輸送機器に用いるパワーモジュールとしては、軽量化のためにアルミ導体層を用いることが多い。しかし、アルミは200℃前後で再結晶を生じるため、高温動作を行うことでアルミ結晶の粗大化や粒界の割れなどが生じやすいという問題がある。このアルミの熱変形によってダイボンド部のはんだにボイドを生じさせたり、電力用半導体素子自体の変形や割れを起こす可能性があった。
【０００４】
特許文献１には、突起を有する中間板を電力用半導体素子のダイボンド部のはんだに埋め込み、ダイボンド部のはんだの厚さを確保し、熱応力に伴う電力用半導体素子への影響を抑制しようとする手法が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００２−２１７３６４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１に記載された方法によると、突起を有する中間板を挟み込むことで、アルミ導体層の熱変形の影響を抑制することが可能であるが、はんだ付けの際に生じる気泡が抜けにくくなってボイドとして残存し、熱抵抗となって熱暴走する可能性があった。
【０００７】
この発明は、上記のような問題点を解決するためになされたものであり、はんだなど接合材中に残存するボイドが抑制された電力用半導体装置を得ることを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、半導体素子の一面である素子固着面が基板の一面である基板固着面に接合材により固着された電力用半導体装置において、接合材中に、基板固着面に対向する面が基板固着面に対して傾斜し、素子固着面に対向する面が素子固着面に対して傾斜した中間板が挿入されているようにした。
【発明の効果】
【０００９】
この発明によれば、傾斜した中間板を挿入することで、中間板の上下の接合材層の厚さが外周に向かって徐々に厚くなるようになり、接合材中に発生した気泡が排出されやすくなり、ボイドの発生を抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の実施の形態１による電力用半導体装置の概略構成を示す側面断面図である。
【図２】本発明の実施の形態１による電力用半導体装置の概略構成をダイレクトポッティング封止樹脂を取り去って示す上面図である。
【図３】本発明の実施の形態１による電力用半導体装置の中間板の構成を示す断面図である。
【図４】本発明の実施の形態１による電力用半導体装置の中間板の構成を示す上面図である。
【図５】本発明の実施の形態１による電力用半導体装置の製造プロセスを示す第１の図である。
【図６】本発明の実施の形態１による電力用半導体装置の製造プロセスを示す第２の図である。
【図７】本発明の実施の形態１による電力用半導体装置の製造プロセスを示す第３の図である。
【図８】本発明の実施の形態１による電力用半導体装置の製造プロセスを示す第４の図である。
【図９】本発明の実施の形態１による電力用半導体装置の製造プロセスを示す第５の図である。
【図１０】本発明の電力用半導体装置の中間板の効果を説明するための断面図である。
【図１１】本発明の実施の形態２による電力用半導体装置の中間板の構成を示す斜視図である。
【図１２】本発明の実施の形態２による電力用半導体装置の中間板の構成を示す上面図である。
【図１３】本発明の実施の形態２による電力用半導体装置の要部の概略構成を示す図１２のＣ−Ｃ位置に対応した側面断面図である。
【図１４】本発明の実施の形態２による電力用半導体装置の要部の概略構成を示す図１２のＤ−Ｄ位置に対応した側面断面図である。
【図１５】本発明の実施の形態２による電力用半導体装置の概略構成を示す側面断面図である。
【図１６】本発明の実施の形態３による電力用半導体装置の概略構成を示す側面断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
実施の形態１．
図１は本発明の実施の形態１による電力用半導体装置の構成を示す側面断面図、図２は後述のダイレクトポッティング封止樹脂を取り去って示す上面図である。表面に回路導体層１３、裏面に裏面導体層１２（いずれもアルミニウム、パターン厚さ０．４ｍｍ）が形成された基板１１（ＡｌＮ製、40mm×25mm×厚さ0.635mm、以降セラミック基板１１とも称する。）の回路導体層１３に、電力用半導体素子としてダイオード２１（15mm×15mm×厚さ0.3mm）とＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）２２がダイボンド部３１によって接合されている。回路導体層１３の、電力用半導体素子が固着される面を基板固着面と称する。また、電力用半導体素子の、回路導体層１３と接合される面を素子固着面と称する。ダイボンド部３１は接合材であるはんだに中間板９０が挿入された構成となっている。セラミック基板１１にはケース５１（ＰＰＳ樹脂製、48mm×28mm×高さ12mm）が接着剤８（シリコーン製）を用いて固定されており、ケース５１内部はダイレクトポッティング封止樹脂７により全体が封止されている。
【００１２】
ケース５１には、外部への接続のための主端子（ケース上部のネジ止め端子部分の幅は１０ｍｍ）が２個配置され、一方の主端子６１の先端はケース中でセラミック基板１１から２ｍｍ程度浮いており、ダイオードの主回路電極２１１およびＩＧＢＴの主回路電極２２１（ソース電極）とはんだ３２で接続される。他方の主端子であるネジ止め端子６１２はセラミック基板１１の回路導体層１３に直接はんだ付けされ、ＩＧＢＴ２２のドレイン電極と接続される。ケース５１に設けられた信号端子６２（幅1.5mm）は、ＩＧＢＴ２２の制御電極２２２（ゲート電極、温度センサー電極など）と、ワイヤ４で接続される。
【００１３】
図３および図４は本発明の実施の形態１による中間板９０の概念図である。図３は断面図であり、図４は上面図である。図３および図４に示すように、中間板９０は銅製の板材（無酸素銅C1020、15mm×15mm×0.2mm）であり、プレス加工によって突起９１および９２が形成されている。上面突起９１は高さが0.2mmの９１Ｈと、高さが0.1mmの９１Ｌとからなり、右側に９１Ｈが並び、左側に９１Ｌが並んでいる。逆に下面突起９２は、左側に高さが0.2mmの９２Ｈが並び、右側に高さ0.1mmの９２Ｌが並んでいる。このように片面に高さが異なる複数の突起が形成され、他面にも高さが異なる複数の突起が形成された中間板９０が、電力用半導体素子であるダイオード２１やＩＧＢＴ２２の主回路電極とセラミック基板１１とを接合する接合材中に挿入されることにより、中間板９０は、セラミック基板１１の基板固着面や電力用半導体素子の素子固着面に対して傾斜して設置されることになる。
【００１４】
図５〜９は実施の形態１によるパワーモジュールのプロセスを説明する図である。図５に示すように、セラミック基板１１（ＡｌＮ製、40mm×25mm×厚さ0.635m、裏面導体層１２および回路導体層１３のパターン厚さ0.4mm）上に、ダイオード２１（15mm×15mm×厚さ0.3mm）と、ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）２２がはんだによって搭載される。その際、厚さ0.15ｍｍのはんだ３０を２枚用い、中間板９０を挟むようにして搭載し、リフロー炉を用いてはんだ付けすることで図６に示すように、はんだダイボンド部３１を形成する。このようにして、はんだダイボンド部３１は、接合材であるはんだ中に中間板９０が、基板固着面に対向する面が基板固着面に対して傾斜し、素子固着面に対向する面が素子固着面に対して傾斜して挿入された構成となる。
【００１５】
次に図７に示すように、ケース５１（ＰＰＳ樹脂製、48mm×28mm×高さ12mm）を接着剤８（シリコーン製）を用いてセラミック基板１１に固定し、隙間を埋めることでダイレクトポッティング封止樹脂７の漏れを防止している。図８に示すように、ケース５１にはネジ止め端子６１１がケース外周部に形成された主端子６１がインサートモールドされており、ダイオード２１やＩＧＢＴ２２など電力用半導体素子のソース電極およびドレイン電極といった大電流が流れる電極とはんだ３２で接続される。また、ケースに形成された信号端子６２には、ＩＧＢＴ２２のゲート電極や温度センサー電極などと、ワイヤ（アルミ製φ0.15ｍｍ）４でそれぞれ電気的に接続される。最後に図９に示すように、ダイレクトポッティング封止樹脂７を６０℃に加熱した状態で流し込み、真空脱泡して加熱（１００℃、１．５時間→１４０℃、１．５時間）して硬化させて封止を完了し、パワーモジュールが完成する。
【００１６】
図６に示すように、中間板９０は、高さの異なる突起の効果によって傾斜をもってはんだダイボンド部３１中に存在している。電力用半導体素子と中間板の間のはんだは、図６においては、左の方が薄く、右の方が厚い。一方、中間板とセラミック基板の間のはんだについては、左の方が厚く、右の方が薄い。このように、はんだの厚さが連続的に変化していて、かつ厚い方が外部に接している状態においては、はんだ中に発生した気泡が外部に排出されやすいと考えられる。
【００１７】
排出機構、すなわち、はんだ中のボイドの移動原理について説明する。文献”水平の狭い矩形流路内の気泡挙動に関する実験”（日本機械学会論文集(Ｂ編)、 ｖｏｌ．６１, Ｎｏ．５８１、１９９５、ｐｐ．２０１-２０７）によれば、平板間に挟まれた液体中の気体は、表面張力の働きにより液体の断面積の大きな方へ移動するとある。図１０は、厚さが変化するはんだ中のボイドの挙動を示す図であり、中間板９０とセラミック基板１１の回路導体層１３との間のはんだ３０を示す。はんだ３０は、厚さが右から左に漸増的に大きくなっており、はんだや電力用半導体素子のメタライズ層から気化成分が出てボイドが発生して複数のボイドがつながって大きくなると、中間板９０と回路導体層１３に挟まれてボイド３９０は扁平した形状となる。やがてボイド３９０は、表面積の小さな球に近い形状を取ることができるように、はんだ厚さの大きい方へ移動して、球形に近いボイド３９１となる。ボイド３９１は複数個集まるとやがて扁平した形状となり、やがて移動する。それを繰り返してボイドが外部に排出されることによって、ボイドの低減が可能となる。この際、減圧リフロー炉を用いることで、復圧時にボイドが小さくなることはもちろん、減圧時にボイドが大きくなることで上記の移動が容易となる。電力用半導体素子と中間板９０の間では左右が逆転するものの同じことが起こり、ボイドは右側へ排出されることとなる。
【００１８】
ここでは中間板９０として銅を用いたが、基板固着面である回路導体層１３の材料がアルミニウムの場合、アルミニウムより融点が高く、硬度が高く、はんだぬれ性が確保できれば、ニッケルや鉄などの金属、あるいはコバールや４２アロイなどの合金、またはニッケル金めっきを施したチタンやセラミック板でも同様の効果が得られる。回路導体層１３の材料が銅の場合は、中間板９０の材料として、より融点が高く、硬度が高い材料を用いることでさらなる耐熱性の改善が可能であるが、回路導体層１３と同じ銅であってもボイドを低減する効果は得られる。また、基板固着面と半導体素子との間で生じる熱応力が小さくなるよう、中間板９０の線膨張係数は、基板固着面の材料よりも小さい線膨張係数を有する材料が好ましい。
【００１９】
突起９１、突起９２の形成方法は、プレス加工に限らず、ワイヤボンドによって突起を形成したり、中間板の一部を折り曲げるなどして突起を形成しても同様の効果が得られる。
【００２０】
セラミック基板の材料は、ＡｌＮに限らず、アルミナやＳｉＮなどのセラミック材料であっても同様の効果が得られる。さらに放熱性の必要があまりない場合には、ガラスエポキシ基板などを用いることも可能である。また、基板として、ベース板とセラミック基板の機能を併せ持つ金属基板を用いることで部品点数の削減が可能となり、軽量化や小型化が可能となる。ケースの材料はＰＰＳに限らず、ＬＣＰ（液晶ポリマー）などを用いることができる。また、ダイオードとＩＧＢＴが１対の１ｉｎ１でのモジュール構成のものを示したが、２対の２ｉｎ１や６対の６ｉｎ１であっても、主端子となる金属板上に信号端子を配置することで同様の効果が得られる。また、銅板の主端子６１を用いて電力用半導体素子との間をはんだを用いて接続するものを示したが、ワイヤボンドによってネジ止め端子６１１と電力用半導体素子間を接続しても同様の効果が得られる。また、ここではアルミ製のワイヤボンドを用いたが、銅製ワイヤやアルミ被覆銅ワイヤ、または金ワイヤを用いても同様の効果が得られる。また、リボンボンドを用いたり、金属板を超音波接合するバスバーなどを用いても同様の効果が得られる。また、ダイレクトポッティング封止樹脂については、流し込んで常温硬化させる種類のものでも同様の効果が得られる。例えば、シリコンゲルやエポキシ樹脂等を用いることができる。
【００２１】
以上では、電力用半導体素子とセラミック基板の接続を行う接合材としてはんだを用いたものを説明したが、Ａｇフィラーをエポキシ樹脂に分散させた導電性接着剤や、ナノ粒子を低温焼成させるＡｇナノパウダやＣｕナノパウダなどを用いた場合でも、ボイドが生じた場合にはんだと同様の効果が期待できる。
【００２２】
実施の形態２．
図１１〜図１４は実施の形態２による電力用半導体装置の中間板の構成を示す概念図である。図１１は斜視図であり、図１２は上面図である。図１１、図１２に示すように、中間板９５は銅製の板材（無酸素銅C1020、15mm×15mm×0.2mm）であり、プレス加工によって山折（対角線）と谷折（各辺の中心を結ぶ）が４５度毎に交互に形成されている。山折と谷折は交互に形成する必要があるが、必ずしも４５度毎に形成する必要は無く、例えば３０度毎にするなど、山折と谷折の数を４つよりも多く形成しても良い。
【００２３】
図１３、図１４は実施の形態２によるパワーモジュールのはんだダイボンド部の拡大図である。図１３は、図１２のＣ−Ｃ断面を示し、図１４はＤ−Ｄ断面を示す。図１１〜図１４に示すように、本実施の形態２による中間板９５は、板材の中央部から周辺部に向かって放射状に山折と谷折が交互に形成されて、基板固着面に対して傾斜した複数の平面を有する形状となっている。また、図１３、図１４に示すように、本実施の形態２の中間板９５も、実施の形態１の中間板９０と同様、基板固着面に対向する面が基板固着面に対して傾斜し、素子固着面に対向する面が素子固着面に対して傾斜するよう接合材中に挿入されることになる。
【００２４】
図１３の断面において、電力用半導体素子２１と中間板９５の間に発生した気泡は、はんだ厚さの大きな外周部に移動して排出される。一方、中間板９５とセラミック基板１１の間に発生した気泡は一旦中央に集まってくるが、図１４の断面に示すように４５度回転した断面では中間板９５とセラミック基板１１の間は外周部の方がはんだ厚さが大きいため、中央に集まった気泡はほどなく外部に排出される。つまり、中間板の上下のはんだ層において発生した気泡は、いずれかの経路で外部に排出されることとなる。わずかに小さな気泡が、中間板の下部の中心に残る可能性はあるが、発熱元である電力用半導体素子２１表面からは離れているため、熱抵抗としてはほとんど無視できると考えられる。
【００２５】
ここでは中間板９５として銅を用いたが、基板固着面である回路導体層１３の材料がアルミニウムの場合、アルミニウムより融点が高く、硬度が高く、はんだぬれ性が確保できれば、ニッケルや鉄などの金属、あるいはコバールや４２アロイなどの合金、またはニッケル金めっきを施したチタンやセラミック板でも同様の効果が得られる。回路導体層１３の材料が銅の場合は、中間板９０の材料として、より融点が高く、硬度が高い材料を用いることでさらなる耐熱性の改善が可能であるが、回路導体層１３と同じ銅であってもボイドを低減する効果は得られる。また、基板固着面と半導体素子との間で生じる熱応力が小さくなるよう、中間板の線膨張係数は、基板固着面の材料よりも小さい線膨張係数を有する材料が好ましい。
【００２６】
図１５は実施の形態２による電力用半導体装置の構成を示す断面図である。実施の形態２による電力用半導体装置の製造方法は、実施の形態１による電力用半導体装置の製造方法と同じである。セラミック基板１１（ＡｌＮ製、40mm×25mm×厚さ0.635m、裏面導体層１２および回路導体層１３のパターン厚さ0.4mm）上に、ダイオード２１（15mm×15mm×厚さ0.3mm）と、ＩＧＢＴ２２がはんだによって搭載される。その際、厚さ0.15mmのはんだを２枚用い、中間板９５を挟むようにして搭載し、リフロー炉を用いてはんだ付けすることで、はんだダイボンド部３１を形成する。
【００２７】
次に、ケース５１（ＰＰＳ樹脂製、48mm×28mm×高さ12mm）を接着剤８（シリコーン製）を用いてセラミック基板１１に固定し、隙間を埋めることでダイレクトポッティング封止樹脂７の漏れを防止している。ケース５１には、ネジ止め端子６１１がケース外周部に形成された主端子６１がインサートモールドされており、ダイオード２１やＩＧＢＴ２２などの電力用半導体素子のソース電極およびドレイン電極といった大電流が流れる電極とはんだ３２で接続されている。また、ケース５１に形成された信号端子６２は、ＩＧＢＴのゲート電極や温度センサー電極などと、ワイヤ（アルミ製φ0.15ｍｍ）４でそれぞれ電気的に接続されている。最後に、ダイレクトポッティング封止樹脂７を６０℃に加熱した状態で流し込み、真空脱泡して加熱（１００℃、１．５時間→１４０℃、１．５時間）して硬化させて封止を完了し、パワーモジュールが完成する。
【００２８】
セラミック基板の材料は、ＡｌＮに限らず、アルミナやＳｉＮなどのセラミック材料でも同様の効果が得られる。さらに放熱性の必要があまりない場合には、ガラスエポキシ基板などを用いることも可能である。また、基板として、ベース板とセラミック基板の機能を併せ持つ金属基板を用いることで部品点数の削減が可能となり、軽量化や小型化が可能となる。ケースの材料はＰＰＳに限らず、ＬＣＰ（液晶ポリマー）などを用いることができる。また、ダイオードとＩＧＢＴが１対の１ｉｎ１でのモジュール構成を示したが、２対の２ｉｎ１や６対の６ｉｎ１であっても、主端子となる金属板上に信号端子を配置することで同様の効果が得られる。また、銅板の主端子６１を用いて電力用半導体素子との間をはんだを用いて接続したが、ワイヤボンドによってネジ止め端子６１１と電力用半導体素子間を接続しても同様の効果が得られる。また、ここではアルミ製のワイヤボンドを用いたが、銅製ワイヤやアルミ被服銅ワイヤ、または金ワイヤを用いても同様の効果が得られる。また、リボンボンドを用いたり、金属板を超音波接合するバスバーなどを用いても同様の効果が得られる。また、ダイレクトポッティング封止樹脂については、流し込んで常温硬化させる種類のものでも同様の効果が得られる。
【００２９】
以上では、電力用半導体素子とセラミック基板の接続を行う接合材にはんだを用いたものを説明したが、Ａｇフィラーをエポキシ樹脂に分散させた導電性接着剤や、ナノ粒子を低温焼成させるＡｇナノパウダやＣｕナノパウダなどを用いた場合でも、ボイドが生じた場合にはんだと同様の効果が期待できる。
【００３０】
実施の形態３．
図１６は実施の形態３による電力用半導体装置の概略構成を示す断面図である。セラミック基板１１（ＡｌＮ製、40mm×25mm×厚さ0.635mm、裏面導体層１２および回路導体層１３のパターン厚さ0.4mm）上に、ダイオード２１（15mm×15mm×厚さ0.3mm）と、ＩＧＢＴ２２がはんだによって搭載される。その際、厚さ0.15ｍｍのはんだ３０を２枚用い、中間板９０を挟むようにして搭載し、リフロー炉を用いてはんだ付けすることで、はんだダイボンド部３１を形成する。ここで、中間板は実施の形態２で示した中間板９５を用いても良いのは言うまでもない。
【００３１】
次に、メインリードフレーム６３および信号端子リードフレーム６４がセラミック基板上に位置決めされ、メインリードフレーム６３はダイオード２１やＩＧＢＴ２２など電力用半導体素子のソース電極およびドレイン電極といった大電流が流れる電極とはんだ３２で接続される。また、信号端子リードフレーム６４は、ＩＧＢＴのゲート電極や温度センサー電極などと、ワイヤ（アルミ製φ0.15ｍｍ）４でそれぞれ電気的に接続されている。
【００３２】
最後に、トランスファモールド封止樹脂７４を金型に流し込み、硬化させて封止を完了し、パワーモジュールが完成する。ここでは封止樹脂としてトランスファモールド樹脂を用いたが、低圧形成用樹脂を用いても同様の効果が得られる。
【００３３】
以上のように、実施の形態１および実施の形態２で説明した中間板は、ケースを用いず、トランスファモールド封止樹脂や低圧形成用樹脂により絶縁封止した電力用半導体装置に適用することができる。実施の形態１や実施の形態２と同様、接合材中に発生した気泡が排出されやすくなり、ボイドの発生を抑制できるという効果を奏するのは言うまでもない。
【００３４】
なお、本発明は、電力用半導体素子として、例えば高温動作も可能なワイドバンドギャップ半導体材料である炭化珪素（ＳｉＣ）等を用いた電力用半導体素子を実装する電力用半導体装置に適用すると、高い電流密度の回路を形成することができるため特に効果がある。ワイドバンドギャップ半導体材料としては、他に、窒化ガリウム系材料、ダイアモンドなどがある。
【００３５】
以上に説明した各実施の形態の構成、動作に限定されることはなく、本発明の範囲内において、各実施の形態を組み合わせたり、各実施の形態を適宜、変形、省略したりすることが可能である。
【符号の説明】
【００３６】
１１  セラミック基板（基板）、１２  裏面導体層、１３  回路導体層、２１  ダイオード（電力用半導体素子）、２２  ＩＧＢＴ（電力用半導体素子）、３０  はんだ、３１  はんだダイボンド部、３２  はんだ接合部、４  アルミワイヤボンド、５１  ケース、６１  主端子、６１１、６１２  ネジ止め端子、６２  信号端子、６３  メインリードフレーム、６４  信号端子リードフレーム、７  ダイレクトポッティング封止樹脂、７４  トランスファモールド封止樹脂、８  接着剤、９０、９５  中間板
【図１】
0006504962.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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