(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
マイクロフォンアセンブリであって、
１つのトランスデューサ（２）と、
当該トランスデューサ（２）に接続されて動作する１つの電子回路（３）と、を備え、
前記電子回路（３）は、前記マイクロフォンアセンブリ（１）を１つ以上の試験モードまたは１つの動作モードに選択的に設定するための１つの試験モード回路（１２）を備え、
前記１つ以上の試験モードは、前記トランスデューサ（２）の特性評価を、前記マイクロフォンアセンブリ（１）を分解することを要せずに可能とすることで、前記トランスデューサ（２）の少なくとも１つのパラメータを決定することを可能とし、
前記マイクロフォンアセンブリ（１）が前記試験モードであるとき、前記トランスデューサ（２）の前記パラメータが、前記電子回路（３）の出力の測定から入手できる、
ことを特徴とする、マイクロフォンアセンブリ。
【請求項２】
請求項１に記載のマイクロフォンアセンブリにおいて、
入力信号（１３）用の入力を備え、
前記マイクロフォンアセンブリは、前記入力信号（１３）の値に応じて、１つの特定の試験モードまたは１つの動作モードに設定される、
ことを特徴とするマイクロフォンアセンブリ。
【請求項３】
前記入力信号は、外部から１つの試験モード制御ピンを介して供給されることを特徴とする、請求項２に記載のマイクロフォンアセンブリ。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか１項に記載のマイクロフォンアセンブリにおいて、
前記試験モード回路（１２）は、１つの入力信号（１３）を処理して２つ以上の制御信号（１５，１６，１７）とするように構成されており、
各々の制御信号（１５，１６，１７）は、前記電子回路（３）の一部の動作モードを制御する、
ことを特徴とするマイクロフォンアセンブリ。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか１項に記載のマイクロフォンアセンブリにおいて、
前記試験モード回路（１２）は、１つの入力信号を１つ以上の制御信号（１５，１６，１７）に変換する、１つの不揮発性メモリを備えることを特徴とするマイクロフォンアセンブリ。
【請求項６】
前記試験モードは、前記トランスデューサ（２）の信号対ノイズ比（ＳＮＲ）を決定することを可能とすることを特徴とする、請求項１乃至５のいずれか１項に記載のマイクロフォンアセンブリ。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか１項に記載のマイクロフォンアセンブリにおいて、
前記電子回路（３）は、前記トランスデューサ（２）用の１つの電圧源（９）を備え、
前記試験モード回路（１２）は、前記トランスデューサに供給されている電圧を低減するため、あるいは当該供給されている電圧をゼロに設定するための第１の制御信号（１５）を出力するように構成されている、
ことを特徴とするマイクロフォンアセンブリ。
【請求項８】
前記試験モードが、前記トランスデューサ（２）のコラプスが起こる音圧レベルを決定することを可能とすることを特徴とする、請求項１乃至７のいずれか１項に記載のマイクロフォンアセンブリ。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか１項に記載のマイクロフォンアセンブリにおいて、
前記電子回路（３）は、前記トランスデューサ（２）のコラプスを防止するかあるいは除去するためのコラプス制御部（１１）を備え、
前記試験モード回路（１２）は、前記コラプス制御部（１１）の動作を不可とするための第２の制御信号（１６）を供給するように構成されている、
ことを特徴とするマイクロフォンアセンブリ。
【請求項１０】
前記試験モードは、前記トランスデューサ（２）の全高調波歪を音圧レベルの関数として決定することを可能とすることを特徴とする、請求項１乃至９のいずれか１項に記載のマイクロフォンアセンブリ。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか１項に記載のマイクロフォンアセンブリにおいて、
前記電子回路（３）は、前記トランスデューサ（２）の信号を処理するための１つの増幅器（４）を備え、
前記試験モード回路（１２）は、前記トランスデューサによって生成された信号を、当該信号が前記増幅器（４）によって処理される前に、取り出すための第３の制御信号（１７）を出力するように構成されている、
ことを特徴とするマイクロフォンアセンブリ。
【請求項１２】
請求項１乃至１１のいずれか１項に記載のマイクロフォンアセンブリにおけるトランスデューサの少なくとも１つのパラメータを決定する方法であって、
（Ａ）１つの入力信号（１３）を前記試験モード回路（１２）に供給し、これにより前記マイクロフォンアセンブリ（１）を１つ以上の試験モードまたは１つの動作モードに選択的に設定するステップと、
（Ｂ）前記電子回路（３）の出力（６）を測定するステップと、
を備えることを特徴とする方法。
【請求項１３】
請求項１２に記載の方法において、
前記入力信号（１３）は、外部から１つの制御ピン（１９）を介して供給されることを特徴とする方法。
【請求項１４】
請求項１２または１３に記載の方法において、
前記電子回路（３）が、前記トランスデューサ用（２）の１つの電圧源（９）を備え、
前記入力信号（１３）が、前記トランスデューサ用の電圧を低減する動作、あるいは当該電圧をゼロとする動作を作動するステップを備えることを特徴とする方法。
【請求項１５】
請求項１４に記載の方法において、
前記ステップＢ）は、前記電子回路（３）の出力（６）でのノイズを測定するステップと、
当該ノイズを測定するステップで得られた値を１つの動作モードにおけるノイズと比較するステップと、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項１６】
請求項１２乃至１５のいずれか１項に記載の方法において、
前記電子回路（３）は、前記トランスデューサ（２）のコラプスを防止するかあるいは除去するためのコラプス制御部（１１）を備え、前記入力信号（１３）は当該コラプス制御部（１１）の動作を不可とすることを特徴とする方法。
【請求項１７】
請求項１６に記載の方法において、
前記ステップＢ）は、前記マイクロフォンアセンブリの感度を音圧レベルの関数として、
前記電子回路（３）の出力（６）で測定するステップと、
当該測定で得られた値を１つの動作モードにおける感度と比較するステップと、
を備えることを特徴とする方法。
【請求項１８】
請求項１２乃至１７のいずれか１項に記載の方法において、
前記電子回路（３）は、前記トランスデューサ（２）の信号を処理するための１つの増幅器（４）を備え、前記入力信号（１３）は、前記トランスデューサの信号を、当該信号が前記増幅器（４）によって処理される前に、取り出す動作を作動することを特徴とする方法。
【請求項１９】
請求項１８に記載の方法において、
前記ステップＢ）は、全高調波歪を音圧レベルの関数として、前記電子回路（３）の出力（６）で測定するステップを含むことを特徴とする方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はマイクロフォンアセンブリ、具体的にはコンデンサＭＥＭＳマイクロフォンアセンブリに関し、およびこのマイクロフォンアセンブリにおけるトランスデューサの１つ以上のパラメータを決定するための方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１は、ミニチュアマイクロフォンの信号処理回路の選択された性能パラメータを測定するための方法を開示している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】国際出願公開第２０１１／０８５９３２号パンフレット
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の目的は、改善された性能を有するマイクロフォンアセンブリと、マイクロフォンアセンブリにおけるトランスデューサの少なくとも１つのパラメータを決定するための改善された方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の１つの態様は、マイクロフォンアセンブリに関するものである。このマイクロフォンアセンブリは、１つの音響入力信号を１つの電気信号に変換するための１つのトランスデューサを備える。このトランスデューサは、ＭＥＭＳ（Micro-Electrical-Mechanical Systems）技術を用いて製造されてよい。このトランスデューサは、１つのキャパシタを備えてよい。具体的には、１つの音響入力信号は、このトランスデューサのキャパシタンスの変化を生じ得る。これよりこのマイクロフォンは、１つのコンデンサマイクロフォンすなわちキャパシタマイクロフォンであってよい。このトランスデューサは、１つのダイヤフラムおよび１つのバックプレートを備えてよい。音響入力によって、具体的には圧力波によって、ダイヤフラムとバックプレートとの間の距離が変化するように、このダイヤフラムは変位することができ、このトランスデューサのキャパシタンスの変化が生じる。
【０００６】
さらに本発明によるマイクロフォンアセンブリは、上記のトランスデューサに接続されて動作する１つの電子回路を備えてよい。この電子回路は、上記のトランスデューサで生成された信号を処理することができる。具体的には、この電子回路は、１つの増幅器を備えてよい。この増幅器は、上記のトランスデューサによって生成された高インピーダンスの電気信号を低インピーダンスの信号に変換することができる。さらにこの増幅器は、信号レベルを調整することができる。この電子回路は、１つのＡＳＩＣ（application-specific electronic circuit）であってよい。
【０００７】
試験またはデバッギングの目的のために、上記のマイクロフォンアセンブリにおける、すなわちシステムレベルにおけるトランスデューサの１つ以上のパラメータを決定することが有利である。このマイクロフォンアセンブリの出力は、上記のトランスデューサおよび、上記の電子回路、たとえば上記の増幅器によって生成される信号の相互作用および組合せに影響を受けるので、このパラメータの決定は困難な課題である。とりわけ、システムレベルにおける上記のトランスデューサの電子音響特性評価は、上記の電子回路の詳細な知識を必要とし、あるいは上記のトランスデューサと上記の電子回路との間の内部ノードのプロービングを必要とする可能性がある。このマイクロフォンアセンブリの故障解析に関しても、困難かつ時間がかかる課題であることが分るであろう。その構成部品間、たとえばＭＥＭＳトランスデューサ，ＡＳＩＣ，および基板間の密接な相互作用のために、観測される故障または異常の根本的原因を局所化することは困難であろう。
【０００８】
本発明によるマイクロフォンアセンブリは、このマイクロフォンアセンブリを１つ以上の試験モードあるいは動作モードに選択的に設定するための試験モード回路を備えている。各々の試験モードは、上記のトランスデューサの少なくとも１つのパラメータを決定することを可能としてよい。具体的には、この試験モード回路への特定の入力信号に応じて、上記の電子回路の内部ノードがこの試験モードに設定される。入力信号は、外部から１つの試験モード制御ピンを介して供給されてよい。これはシステムレベルでの、特に最終的なパッケージ品における上記のトランスデューサの特性評価を、このマイクロフォンアセンブリを分解することを要せずに、可能とする。具体的には、このトランスデューサは、特定の入力信号に対して、このマイクロフォンアセンブリの出力を測定することによって特性評価することができる。
【０００９】
上記の試験モード回路は、１つの入力信号を処理して１つ以上の制御信号とするように構成されていてよい。各々の制御信号は、上記の電子回路の一部の動作モードを制御することができる。１つの実施形態においては、１つの単一の制御信号が供給されてよい。この制御信号は、上記の入力信号に対応してよい。好ましくは、上記の試験モード回路は、この入力信号を処理して２つ以上の制御信号とするように構成されている。これらの制御信号は、上記の電子回路の内部ノードを設定することができる。例として、１つの制御信号は、上記の電子回路における１つのスイッチを作動してよい。各々の制御信号は、２つの可能な値、具体的には「オン」と「オフ」を有する。上記の動作モードも、上記の制御信号（複数）の値（複数）特定の組合せ、具体的には全ての制御信号が「オフ」の組合せに対応してよい。
【００１０】
上記の試験モード回路は、異なる試験モードが可能であるように設計されていてよい。各々の試験モードは、上記のトランスデューサの１つのパラメータを決定することを可能としてよい。各々の試験モードは、上記の制御信号（複数）の値（複数）の特定の組合せに対応してよい。上記の入力信号の異なる値（複数）は、上記のマイクロフォンを、異なる試験モード（複数）または上記の動作モードに設定することができる。具体的には、上記の入力信号の１つの特定の値は、１つの特定の試験モードまたは上記の動作モードに対応する、上記の制御信号（複数）の１つの特定の組合せに変換されてよい。
【００１１】
１つの実施形態においては、上記の試験モード回路は１つのメモリを備える。このメモリは１つの不揮発性メモリであってよい。このメモリは、外部からの、具体的には１つの試験モード制御ピンからの１つの信号を受信するための１つの入力を備えてよい。上記の特定の入力信号に応じて、このメモリは、上述したように、上記の入力信号を１つ以上の制御信号に変換することができる。
【００１２】
１つの実施形態においては、上記の試験モードは、上記のトランスデューサの信号対ノイズ比（ＳＮＲ）を決定することができる。１つの実施形態においては、上記の試験モードは、上記のトランスデューサのコラプスが起こる音圧レベル（ＳＰＬ）を決定することを可能とする。１つの実施形態においては、上記の試験モードは、上記のトランスデューサの全高調波歪（ＴＨＤ）を音圧レベルの関数として決定することができる。
【００１３】
上記の電子回路は、上記のトランスデューサ用の１つの電圧源を備えてよい。これによりこのトランスデューサに１つのバイアス電圧を印加することができ、具体的にはこのトランスデューサのダイヤフラムとバックプレートとの間に印加することができる。
【００１４】
上記の試験モード回路は、供給されている電圧を低減するため、あるいはこの供給されている電圧をゼロに設定するための制御信号を出力するように構成されていてよい。この制御信号は、特定の入力信号から処理されたものであってよい。例として、上記の電子回路は、上記の電圧源の出力を電気的に接地するための１つの短絡デバイスを備えてよく、この短絡デバイスは、上記の制御信号で作動する。この試験モードにおいては、上記のトランスデューサのＳＮＲは、上記の出力の測定によって得ることができる。
【００１５】
上記の電子回路は、上記のトランスデューサのコラプスを防止するかあるいは除去するためのコラプス制御部を備えてよい。コラプスにおいては、トランスデューサのダイヤフラムがバックプレートに接触する。このダイヤフラムとバックプレートとの間に与えられている電界のために、このダイヤフラムがバックプレートに付着して、このトランスデューサは、コラプス状態のままとなり得る。このダイヤフラムは、このダイヤフラムとバックプレートとの間のバイアス電圧を低減すること、あるいはこのバイアス電圧をゼロに設定することによって解放することができる。このコラプス制御部は、上記のバイアス電圧を低減する動作、あるいは上記の音響入力の特定のレベルＳＰＬにおいてこのバイアス電圧をゼロに設定する動作を作動するように構成されていてよい。これによってコラプスを防止あるいは除去することができる。
【００１６】
上記の試験モード回路は、上記のコラプス制御部を動作不可とするように構成されていてよい。この試験モードは、上記のトランスデューサのコラプスが起こるＳＰＬを決定することを可能とすることができる。
【００１７】
上記の電子回路は、上記のトランスデューサの信号を処理するための１つの増幅器を備えてよい。具体的には、この増幅器は、上記のトランスデューサによって生成された高インピーダンスの電気信号を低インピーダンス信号に変換することができる。
【００１８】
上記の試験モード回路は、上記のトランスデューサによって生成された信号を、この信号が上記の増幅器によって処理される前に、取り出すための１つの制御信号を出力するように構成されていてよい。具体的にはこの制御信号は、上記の増幅器の入力に１つのキャパシタを負荷するためのスイッチを作動させることができる。この試験モードは、上記のトランスデューサのＴＨＤをＳＰＬの関数として決定することを可能とすることができる。
【００１９】
本発明のもう１つの態様は、マイクロフォンアセンブリにおけるトランスデューサの少なくとも１つのパラメータを決定する方法に関する。上記の本発明によるマイクロフォンアセンブリに関して説明した特徴は本方法に関しても開示されているものであり、この逆もまた成立するものである。これはそれぞれの特徴が顕わにそれぞれの態様に関連して記述されていなくとも成立するものである。
【００２０】
本方法によれば、１つのトランスデューサ、１つの電子回路、および１つの試験モード回路を備えるマイクロフォンアセンブリが提供される。本方法は、この試験モード回路に１つの入力信号を供給し、これによってこのマイクロフォンアセンブリを１つの試験モードに設定するステップを備える。次のステップにおいては、上記の電子回路の出力が測定される。これにより上記のトランスデューサの１つのパラメータを決定することができる。本方法は、１つの動作モードにおける上記の電子回路の出力を測定するステップを含んでもよい。この動作モードにおける上記の電子回路の設定のために、１つの特定の入力信号が供給されてよい。上記のトランスデューサの１つのパラメータは、この動作モードにおける測定と上記の試験モードにおける測定とを比較することによって決定することができる。
【００２１】
本発明によるマイクロフォンアセンブリに関して上述したように、このマイクロフォンアセンブリを１つの特定の試験モードまたは１つの動作モードに設定するために、１つの入力信号が供給されてよい。１つの実施形態においては、２つ以上の試験モードが可能であってよい。１つの特定の試験モードは、上記の入力信号の値によって選択されてよい。
【００２２】
上記の入力信号はそのまま、１つの特定の動作モードにおける上記のデバイスの特定の部分を設定するための制御信号として機能してよい。１つの実施形態においては、上記の入力信号は処理されて、１つ以上の制御信号とされてよい。これらの制御信号は制御ビット（複数）であってよい。
【００２３】
１つの実施形態においては、上記の入力信号は、上記のトランスデューサ用の電圧源の電圧を低減する動作、あるいはこの電圧をゼロとする動作を作動する。具体的には、上記の入力信号は、この電圧源の動作モードを制御する１つの制御信号に変換されてよい。上記のトランスデューサの１つのパラメータは、上記の電子回路の出力でのノイズを測定すること、およびこの測定により得られた値を１つの動作モードにおけるノイズと比較することによって決定することができる。具体的には、上記のトランスデューサのＳＮＲを得ることができる。
【００２４】
１つの実施形態においては、上記の入力信号は、上記の電子回路のコラプス制御部の動作を不可とする。具体的には、上記の入力信号は、このコラプス制御部の動作を制御する１つの制御信号に変換されてよい。上記のトランスデューサの１つのパラメータは、上記のマイクロフォンアセンブリの感度を測定すること、および得られた値を１つの動作モードにおける感度と比較することによって決定することができる。この試験モードは、上記のトランスデューサのコラプスが起こる音圧レベルＳＰＬを決定することを可能とすることができる。
【００２５】
１つの実施形態においては、上記の入力信号は、上記のトランスデューサの信号を、この信号が増幅器によって処理される前に取り出す動作を作動する。具体的には、上記の入力信号は、１つのキャパシタの動作モードを制御する１つの制御信号に変換されてよい。たとえば上記の制御信号は、このキャパシタに接続された１つのスイッチを作動してよい。上記のトランスデューサの１つのパラメータは、上記の電子回路の出力における全高調波歪を音圧レベルの関数として測定することによって決定することができる。以上により上記のトランスデューサの全高調波歪を得ることができる。この実施形態においては、上記の入力信号は、同時に上記のコラプス制御部の動作を不可とすることができる。これは広いＳＰＬの領域に渡って上記のＴＨＤを測定することを可能とする。
【００２６】
さらなる特徴、変形例および実施例が、図に関連した例示的な実施形態の以下の説明で明らかとなる。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】１つのマイクロフォンアセンブリの１つの実施形態を示す簡単なブロック図である。
【００２８】
図１は、１つのマイクロフォンアセンブリの１つの実施形態、具体的には１つのコンデンサマイクロフォンアセンブリを示す。マイクロフォンアセンブリ１は、１つの音響入力信号を１つの電気信号に変換する、１つのトランスデューサ２を備える。このトランスデューサ２はＭＥＭＳトランスデューサである。このトランスデューサは、１つのダイヤフラムおよび１つのバックプレートを備える。１つの音響入力の際に、上記のダイヤフラムは上記のバックプレートの方向に変位し、この際このトランスデューサのキャパシタンスが変化し、これが電気信号を生じる。
【００２９】
さらにこのマイクロフォンアセンブリ１は、上記のトランスデューサ２に接続されて動作する１つの電子回路３を備える。具体的には、この電子回路３はＡＳＩＣ（application-specific electronic circuit）として製造されている。この電子回路３は、トランスデューサ２で生成された信号を処理する。この電子回路３は、トランスデューサ２の高インピーダンスの電気信号を、正しい信号レベルを有する低インピーダンス出力に変換するための１つの増幅器４を備える。この増幅器４は、１つの入力５，１つの出力６，１つの電圧源８，１つのグラウンド７，および制御信号１７のための１つのラインに接続されている。
【００３０】
電圧源９は、トランスデューサ２に印加されるバイアス電圧１０を供給し、これによってこのトランスデューサ２の感度が調整される。この電圧源９は１つのチャージポンプを備えてよい。上記のダイヤフラムの上記のバックプレートとのコラプスを防止および／または検出するためのコラプス制御部１１は、この電圧源９に接続されている。このコラプス制御部１１は、トランスデューサ２によって供給される入力信号を所定の閾値電圧と比較する。目標とする音圧レベル（ＳＰＬ）で上記のコラプス制御部１１は、上記の電圧源９によって供給されるバイアス電圧が低減されるかまたは完全に除去される動作を作動する。
【００３１】
さらに回路３は、マイクロフォンアセンブリ１を１つ以上の試験モードまたは１つの動作モードに選択的に設定するための１つの試験モード回路１２を備える。この試験モード回路１２は、１つの制御ピン１９を介して外部からアクセスされる１つの入力を備える。所定の入力信号１３により、この試験モード回路１２は、１つの特定の試験モードに入る。以上によりトランスデューサ２に関する情報を得るための多数の測定を行うことができる。さらにこの試験モード回路１２にはクロック信号１８が供給される。
【００３２】
この入力信号１３は、１つのメモリ１４、具体的には１つの不揮発性メモリに送られる。このメモリ１４は、入力信号１３を処理して、信号処理回路３の素子（複数）へそれぞれの制御信号１５，１６，１７を供給する。これらの制御信号１５，１６，１７は、「オン」または「オフ」値を有するビット（複数）で構成されていてよい。各々の試験モードは、このビット（複数）の１つの特定の組合せに対応してよい。上記の動作モードは、各々のビットが「オフ」値を有することに対応してよい。
【００３３】
第１の試験モードにおいては、１つの第１の制御信号１５が電圧源９に供給されてよい。具体的には、この第１の制御信号が、電圧源９によって供給されるバイアス電圧１０が顕著に低減されるかまたは０Ｖに設定される動作を作動してよい。以上によりトランスデューサ２の感度は無視できる値に設定することができ、回路３のノイズＮASICを出力６で分離して測定することができる。この測定結果を、標準バイアス電圧でのこのマイクロフォンアセンブリ１全体のノイズＮMAと組み合わせることにより、トランスデューサ２のノイズＮMEMSを以下のように計算することができる。
ＮMEMS＝Ｓｑｒｔ（ＮMA2−ＮASIC2）
全てのノイズの値は、それぞれこのアセンブリの出力６で測定されたものを使用している。
【００３４】
さらに、トランスデューサ２の信号対ノイズ比ＳＮＲMEMSを、このトランスデューサの感度ＳMEMSとこのトランスデューサ２のノイズＮMEMSとの間の比、すなわちＳＮＲMEMS＝ＳMEMS／ＮMEMSによって計算することができる。このトランスデューサのノイズおよび感度は両方ともこのアセンブリの出力６で測定される。このトランスデューサ２の感度ＳMEMSは、基本的にこのコンデンサマイクロフォン１の感度であり、出力６で測定することができる。
【００３５】
こうしてトランスデューサ２のＳＮＲは、この出力６での測定（複数）により得ることができる。
【００３６】
第２の試験モードにおいては、１つの第２の制御信号１６がコラプス制御部１１に供給されてよい。この第２の制御信号１６は、トランスデューサ２によって供給される入力信号が所定の閾値を越える場合に上記のバイアス電圧が保持されるように、このコラプス制御部の動作を不可とすることができる。
【００３７】
このモードにおいては、出力６での電気信号をＳＰＬの関数として測定することができ、こうしてマイクロフォンアセンブリ１の感度を測定することができる。感度を下げることによって、このＳＰＬは、コラプスが検出されるまで増加することができる。この測定結果を、コラプス制御部が動作可能となっているマイクロフォンアセンブリ１での結果と比較することによって、このコラプス制御部１１を作動することが、実際のダイヤフラムのコラプスに対応するかどうかを決定することができる。具体的にはコラプス制御部１１の誤った作動、すなわちダイヤフラムのコラプスを伴わない作動を確認することができる。この情報は、コラプス制御部１１を作動するトリガレベルを調整するために用いることができる。
【００３８】
第３の試験モードにおいては、１つの第３の制御信号１７が増幅器４に供給されてよい。この第３の制御信号１７は、上記の増幅器の入力５に、このトランスデューサからの信号を取り出すキャパシタ（複数）を負荷する動作を作動することができる。これにより全高調波歪（ＴＨＤ）は、このトランスデューサによるものが支配的となり、このトランスデューサのＴＨＤをＳＰＬの関数として特性化することができる。これと同時に上記のコラプス制御部は、上記で説明したように、このコラプス制御部１１へ第２の制御信号１６を供給することによって、動作不可とすることができる。これはＳＰＬレベルの広い領域に渡ってＴＨＤを測定すること、特に高いＳＰＬレベルにおける測定をも可能とする。
【００３９】
上記の第１の試験モードにおいては、第１の制御信号１５は、「オン」値を有してよく、これに対し第２および第３の制御信号１６，１７は、「オフ」値を有してよい。上記の第２の試験モードにおいては、第２の制御信号１６は、「オン」値を有してよく、これに対し、第１および第３の制御信号１５，１７は、「オフ」値を有してよい。上記の第３の試験モードにおいては、第３および第２の制御信号１７，１６は、「オン」値を有してよく、これに対し、第１制御信号１５は、「オフ」値を有してよい。上記の動作モードにおいては、全ての制御信号１５，１６，１７は、「オフ」値を有してよい。
【符号の説明】
【００４０】
１  ：  マイクロフォンアセンブリ
２  ：  トランスデューサ
３  ：  電子回路
４  ：  増幅器
５  ：  電子回路の入力
６  ：  電子回路の出力
７  ：  グラウンド
８  ：  増幅器の電圧源
９  ：  トランスデューサの電圧源
１０  ：  バイアス電圧
１１  ：  コラプス制御部
１２  ：  試験モード回路
１３  ：  入力信号
１４  ：  メモリ
１５  ：  第１の制御信号
１６  ：  第２の制御信号
１７  ：  第３の制御信号
１８  ：  クロック信号
１９  ：  制御ピン
ＮMEMS  ：  トランスデューサのノイズ
ＮMA  ：  マイクロフォンアセンブリのノイズ
ＮASIC  ：  電子回路のノイズ
ＳMA  ：  マイクロフォンアセンブリの感度
ＳMEMS  ：  トランスデューサの感度
ＳＮＲMEMS  ：  トランスデューサの信号対ノイズ比
【図１】
0006468446.tif 000002