(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素がマトリクス状に配置された表示領域を備える表示装置であって、
前記画素に対応して配置され、少なくとも第１導電層および当該第１導電層上に配置された第２導電層を含み、当該第１導電層の端部よりも当該第２導電層の端部が外側に拡がっている画素電極と、
前記第２導電層上に配置され、前記第１導電層および前記第２導電層が積層された領域の当該第２導電層の表面の一部を露出し、前記第２導電層の、前記第１導電層の端部よりも外側に広がっている領域を覆う保護層と、
絶縁材料であり、前記画素電極の端部および前記保護層の端部を覆って前記第２導電層の一部を露出するバンク層と、
前記第２導電層のうち前記保護層および前記バンク層によって露出された領域、および前記バンク層の少なくとも一部に接触する発光層と、
前記発光層を覆うように配置された対向電極と、
を備え、
前記保護層の前記第２導電層を露出する側の側壁は、前記発光層と接触していることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記側壁の表面と前記バンク層の表面とは、連続的につながっていることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記保護層の前記第２導電層を露出する側の側壁は、前記バンク層に覆われていることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項４】
前記保護層は、無機絶縁材料であることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項５】
前記保護層は、前記第２導電層よりも厚いことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項６】
前記第２導電層は、前記第１導電層よりも薄いことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項７】
前記第１導電層の前記第２導電層とは反対側に配置された第３導電層をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項８】
前記第３導電層は、前記第２導電層と同じ材料を含み、
前記第３導電層の端部は、前記第１導電層の端部より内側に位置することを特徴とする請求項７に記載の表示装置。
【請求項９】
前記第１導電層は、光反射性を有する金属層であり、
前記第２導電層は、光透過性を有する金属酸化物の導電層であることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項１０】
複数の画素がマトリクス状に配置された表示領域を備える表示装置であって、
前記画素に対応して配置され、少なくとも第１導電層および当該第１導電層上に配置された第２導電層を含み、当該第１導電層の端部よりも当該第２導電層の端部が外側に拡がっている画素電極と、
前記第２導電層上に配置され、前記第１導電層および前記第２導電層が積層された領域の当該第２導電層の表面の一部を露出し、前記第２導電層の、前記第１導電層の端部よりも外側に広がっている領域を覆う保護層と、
絶縁材料であり、前記画素電極の端部および前記保護層の端部を覆って前記第２導電層の一部を露出するバンク層と、
を備え、
前記保護層は、導電材料であることを特徴とする表示装置。
【請求項１１】
複数の画素がマトリクス状に配置された表示領域を備える表示装置であって、
前記画素に対応して配置され、少なくとも第１導電層および当該第１導電層上に配置された第２導電層を含み、当該第１導電層の端部よりも当該第２導電層の端部が外側に拡がっている画素電極と、
前記第２導電層上に配置され、前記第１導電層および前記第２導電層が積層された領域の当該第２導電層の表面の一部を露出し、前記第２導電層の、前記第１導電層の端部よりも外側に広がっている領域を覆う保護層と、
絶縁材料であり、前記画素電極の端部および前記保護層の端部を覆って前記第２導電層の一部を露出するバンク層と、
を備え、
前記保護層の前記第２導電層を露出する側の側壁の傾斜は、当該第２導電層の端部側における当該保護層の側壁の傾斜よりも緩いことを特徴とする表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
薄型ディスプレイなどの表示装置は、画素のそれぞれに電極（画素電極）が設けられている。例えば、ＯＬＥＤ（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ）等の電流駆動型の素子を用いた表示装置においては、それぞれの画素電極を介して、ＯＬＥＤに電流が供給される（例えば、特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００７−２２０３９３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
このような表示装置の場合、各画素電極に供給される電流によって、表示される内容が決定される。そのため、様々な製造工程中の事情により、隣接する画素電極が電気的に接続（ショート）されてしまう状態になると、互いに接続された画素電極への電流制御ができなくなり、表示不良を招く。
【０００５】
本発明の目的一つは、画素電極間のショートに起因する不良を低減することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一態様は、複数の画素がマトリクス状に配置された表示領域を備える表示装置であって、前記画素に対応して配置され、少なくとも第１導電層および当該第１導電層上に配置された第２導電層を含み、当該第１導電層の端部よりも当該第２導電層の端部が外側に拡がっている画素電極と、前記第２導電層上に配置され、前記第１導電層および前記第２導電層が積層された領域の当該第２導電層の表面の一部を露出し、前記第２導電層の、前記第１導電層の端部よりも外側に広がっている領域を覆う保護層と、絶縁材料であり、前記画素電極の端部および前記保護層の端部を覆って前記第２導電層の一部を露出するバンク層と、を備えることを特徴とする表示装置を提供する。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】本発明の第１実施形態における表示装置の概略構成を示す図である。
【図２】本発明の第１実施形態における表示装置の表示領域における断面構成を示す模式図である。
【図３】本発明の第１実施形態における画素電極と保護層との位置関係を示す模式図である。
【図４】本発明の第１実施形態における表示装置の製造方法のうち、薄膜トランジスタを形成する工程を説明する図である。
【図５】本発明の第１実施形態における表示装置の製造方法の図４に続く工程を説明する図である。
【図６】本発明の第１実施形態における表示装置の製造方法の図５に続く工程を説明する図である。
【図７】本発明の第１実施形態における表示装置の製造方法の図６に続く工程を、画素電極の端部を拡大して説明する図である。
【図８】本発明の第１実施形態における表示装置の製造方法の図７に続く工程を説明する図である。
【図９】本発明の第１実施形態における表示装置の製造方法の図８に続く工程を、画素電極の端部を拡大して説明する図である。
【図１０】図９（ｃ）における全体の構成を説明する図である。
【図１１】本発明の第２実施形態における表示装置の製造方法において、図９に対応する工程を説明する図である。
【図１２】従来の表示装置の製造方法において生じる課題の例を説明する図である。
【図１３】従来の表示装置の製造方法において生じる課題の例を説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下に、本発明の各実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。
【０００９】
＜第１実施形態＞
［概略構成］
本発明の一実施形態における表示装置は、ＯＬＥＤを用いた有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ−Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）表示装置である。この例での有機ＥＬ表示装置は、白色光を放出するＯＬＥＤを用いる。このＯＬＥＤからの白色光を、カラーフィルタに通過させてカラー表示を得る。
【００１０】
表示装置は第１基板と第２基板とが貼り合わされた構成になっている。第１基板には、ＯＬＥＤの発光状態を制御するための薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）等の駆動素子が配置されている。第２基板には、カラーフィルタ等が形成されている。第１基板と第２基板との間には、空隙を埋めるように充填材が設けられていてもよい。
【００１１】
第１基板に配置されたＯＬＥＤからの光は、第１基板側とは反対側に放出され、第２基板に配置されたカラーフィルタを通してユーザに視認されるトップエミッション方式が用いられている。
【００１２】
なお、この例においては、トップエミッション方式の有機ＥＬ表示装置を、実施形態の一例として説明しているが、所定の積層構造（詳細は後述する）を有する画素電極を用いる表示装置であれば、どのような表示装置であってもよい。例えば、ボトムエミッション方式の有機ＥＬ表示装置であってもよいし、液晶を用いた表示装置であってもよい。
【００１３】
本発明の一実施形態における表示装置では、以下に説明するとおり、所定の積層構造を有する画素電極において表示不良が発生することを抑制することができる。
【００１４】
［表示装置１０００の外観構成］
図１は、本発明の一実施形態における表示装置の概略構成を示す図である。表示装置１０００は、表示領域Ｄ１および走査線駆動回路１０３が配置された第１基板１と、表示領域Ｄ１および走査線駆動回路１０３を覆うように配置された第２基板２とを備えている。また、表示装置１０００は、第１基板１に取り付けられたドライバＩＣ１０４およびＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ  ｐｒｉｎｔｅｄ  ｃｉｒｃｕｉｔｓ）１０６を備える。第２基板２には、カラーフィルタ等が配置されている。
【００１５】
表示領域Ｄ１には、走査線１０１、および走査線１０１と垂直に交わるデータ信号線１０２が配置されている。走査線１０１とデータ信号線１０２との交差部に対応する位置には、画素１０５が配置されている。画素１０５は、マトリクス状に配置されている。なお、図１においては、１つの画素１０５につき、走査線１０１またはデータ信号線１０２に沿った方向に延びる信号線が１本であるが、複数であってもよい。また、表示領域Ｄ１には電源線等の所定の電圧を供給する配線が配置されてもよい。
【００１６】
走査線駆動回路１０３は、走査線１０１に制御信号を供給する。ドライバＩＣ１０４はデータ信号線１０２にデータ電圧を供給し、また、走査線駆動回路１０３を制御する。なお、表示領域Ｄ１の周囲に、その他の駆動回路がさらに設けられていてもよい。
【００１７】
各画素１０５には、制御信号およびデータ電圧に基づいて発光を制御するための画素回路と、画素回路によって発光が制御される発光素子（ＯＬＥＤ）とを含む表示素子が配置されている。画素回路は、例えば、薄膜トランジスタおよびコンデンサを含み、制御信号およびデータ電圧によって薄膜トランジスタを駆動して、発光素子の発光を制御する。この発光の制御によって、表示領域Ｄ１に画像が表示される。
【００１８】
［表示装置１０００の断面構成］
続いて、表示装置１０００の断面構成について説明する。以下では、表示領域Ｄ１における画素回路等の断面構造を説明する。
【００１９】
図２は、本発明の第１実施形態における表示装置の表示領域における断面構成を示す模式図である。以下に説明する断面構成は、いずれにおいても端面図として表している。第１基板１における第１支持基板１０および第２基板２における第２支持基板２０は、ガラス基板である。なお、第１支持基板１０および第２支持基板２０の一方または双方が、フレキシブル性を有する樹脂基板であってもよい。
【００２０】
第１基板１の構成について説明する。第１支持基板１０上に、薄膜トランジスタ１１０が配置されている。薄膜トランジスタ１１０を覆うように、層間絶縁層２００が配置されている。層間絶縁層２００上には画素電極３００が配置されている。層間絶縁層２００は、例えば、感光性のアクリル樹脂を塗布し、露光、現像、および焼成を経て、所望のパターンが形成された層である。層間絶縁膜２００は、画素電極３００を形成するに先立ち、表面を平坦化する役目も有しているため、アクリル樹脂等が好適であるが、無機材料で形成されてもよい。なお、図２において、層間絶縁層２００は、単層で表されているが、複数の絶縁膜の積層であってもよい。この場合、複数の絶縁膜の間に配線が設けられていてもよい。この例では、層間絶縁層２００は、アクリル樹脂だけでなく、その表面側、すなわち画素電極３００と接する面側に、窒化シリコン膜（ＳｉＮ）を含む積層構造である。
【００２１】
画素電極３００は、層間絶縁層２００に設けられたコンタクトホール２５０を介して薄膜トランジスタ１１０の導電層１１５に接続されている。画素電極３００は、ＯＬＥＤのアノード電極として用いられる。ここで、表示装置１０００は、トップエミッション方式で画像を表示するため、画素電極３００は光透過性を有しなくてもよい。したがって、画素電極３００は、ＯＬＥＤが放出した光を反射する層を含んでいてもよい。この例では、画素電極３００は、光反射性を有する反射層（この例では、銀：Ａｇ）と、この反射層を挟むように光透過性を有するインジウム酸化物など金属酸化物を含む導電層（この例では、ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）とが積層された積層構造を有している。反射層は、Ａｇ、Ａｌ等の可視光領域に高い反射率を有する材料が用いられることが望ましい。
【００２２】
ＯＬＥＤ側の金属酸化物導電層は、ＯＬＥＤとの関係で有利な仕事関数を有するために用いられる一方、光の反射を妨げるべきではない。さらには、膜厚を所定の値に制御することによって、良好な干渉効果によってＯＬＥＤからの光を効率的に外部に放出させることもできる。このような効果を得るためには、他の膜に比べて薄い層が求められている。一方、層間絶縁層２００側の金属酸化物導電層については、層間絶縁層２００との密着性の良さ、薄膜トランジスタ１１０の導電層との接続の良さ等、製造工程の関係性によって用いられている。反射層に積層される金属酸化物導電層は、このような特徴を有する膜であることが望ましい。なお、層間絶縁層２００側の金属酸化物導電層は存在しなくてもよい。
【００２３】
保護層３５０は、画素電極３００の外周端部において、この外周端部を覆うように配置されている。保護層３５０は、無機絶縁材料（酸化シリコン：ＳｉＯ2、窒化シリコン：ＳｉＮ等）または無機導電材料（チタン：Ｔｉ、タンタル：Ｔａ等）で形成されている。この例では、無機絶縁材料の酸化シリコンによって、保護層３５０が形成されている。
【００２４】
図３は、本発明の第１実施形態における画素電極と保護層との位置関係を示す模式図である。画素電極３００は、図３における網掛け部分である。破線部分が画素電極３００の端部３００Ｅである。保護層３５０は、端部３００Ｅを覆い、画素電極３００の一部を露出するように環状に配置されている。すなわち、保護層３５０の外側端部３５０Ｅ１は、画素電極３００の端部３００Ｅと同じ位置またはさらに外側に位置している。保護層３５０の内側端部３５０Ｅ２は、画素電極３００の端部３００Ｅの内側に位置している。保護層３５０の内側とは、画素電極３００が露出されている側に対応する。画素電極３００および保護層３５０の断面構造の詳細は後述する。
【００２５】
図２に戻って説明を続ける。バンク層４００は、画素電極３００の端部３００Ｅおよび隣接する画素間を覆い、画素電極３００の一部を露出する開口部を備えている。また、この例では、バンク層４００は、保護層３５０の内側端部３５０Ｅ２の側壁を露出し、外側端部３５０Ｅ１を覆っている。バンク層４００は、保護層３５０の上面の全てを覆っていてもよいし、上面のうち内側端部３５０Ｅ２側の一部を露出していてもよい。バンク層４００が保護層３５０の上面の全てを覆っている場合には、バンク層４００の表面と保護層３５０の内側端部３５０Ｅ２の側壁とが、連続的につながっているといえる。このように連続的につながっている状態において、バンク層４００の表面と内側端部３５０Ｅ２の側壁とは、それぞれの傾きが同じであってもよいし、異なっていてもよい。バンク層４００は、アクリル樹脂等の有機絶縁材料で形成されている。
【００２６】
発光層５００は、ＯＬＥＤであり、画素電極３００とバンク層４００とを覆って、これらの構成と接触する。このとき、保護層３５０の内側端部３５０Ｅ２の側壁についても発光層５００と接触する。光透過性電極６００は、発光層５００を覆い、ＯＬＥＤのカソード電極（画素電極３００に対する対向電極）を形成する。光透過性電極６００は、ＯＬＥＤからの光を透過する電極であり、例えば、ＩＴＯ、ＩＺＯなどの金属酸化物、または光が透過する程度に薄い金属層等が適用される。封止層７００は、発光層５００への水分、ガス等の発光層を劣化させる成分の到達を抑制するための層であり、光透過性電極６００を覆う窒化シリコン等の無機絶縁層である。
【００２７】
画素電極３００と光透過性電極６００とを介して発光層５００に電流が供給されると、画像を表示させる光が光透過性電極６００を通して放出される。そのため、バンク層４００および保護層３５０によって露出された画素電極３００の領域が発光領域となる。図２における領域Ａを拡大した図が、後述する図９（ｄ）に示す図に対応する。以上が第１基板１についての説明である。
【００２８】
続いて、第２基板２の構成について説明する。第２支持基板２０には、遮光層９５０および赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）、白（Ｗ）に対応するカラーフィルタ９００Ｒ、９００Ｇ、９００Ｂ、９００Ｗが配置されている。図２においては、カラーフィルタ９００Ｂ、９００Ｗは省略されている。遮光層９５０は、金属等の遮光性のある材料で形成されている。また、遮光層９５０は、この例では、色が異なる画素の境界部分および表示領域Ｄ１の外側の領域に配置されている。
【００２９】
カラーフィルタ９００Ｒ、９００Ｇ、９００Ｂ、９００Ｗは、各画素の発光領域に対応して配置されている。カラーフィルタ９００Ｒ、９００Ｇ、９００Ｂ、９００Ｗは、各色を呈する顔料を含む感光性の樹脂を塗布し、露光、現像、および焼成を経て、所望のパターンが形成された層である。カラーフィルタ９００Ｗは、顔料を含んでいない樹脂で形成されてもよい。印刷方式、インクジェット方式を用いて形成されてもよい。
【００３０】
充填材８００は、第１基板１と第２基板２との間に充填される材料であり、例えば、アクリル樹脂である。充填材８００が表示領域Ｄ１に配置されている場合には、光透過性を有する必要がある。また、第１基板と第２基板とを貼り合わせ固定する部材として、この充填材８００が用いられてもよい。
【００３１】
［表示装置１０００の製造方法］
続いて、上記の表示装置１０００の製造方法について、図４から図１０を用いて説明する。
【００３２】
図４は、本発明の第１実施形態における表示装置の製造方法のうち、薄膜トランジスタを形成する工程を説明する図である。図５は、本発明の第１実施形態における表示装置の製造方法の図４に続く工程を説明する図である。図６は、本発明の第１実施形態における表示装置の製造方法の図５に続く工程を説明する図である。まず、第１支持基板１０に薄膜トランジスタ１１０を形成する（図４）。ここでは、薄膜トランジスタ１１０は、ソース、ドレイン、ゲートに接続されたコンタクトホール１１４を備えた層間絶縁層１１２、およびこの導電層１１５を備えている。第１支持基板１０と薄膜トランジスタ１１０との間には、酸化シリコン、窒化シリコン等の絶縁層１１８が形成されてもよい。この絶縁層によって、水分、ガス等の内部への侵入を抑制してもよい。
【００３３】
薄膜トランジスタ１１０を覆うように、コンタクトホール２５０を備えた層間絶縁層２００を形成する（図５）。続いて、層間絶縁層２００を覆うように、画素電極３００に相当する積層導電層と、保護層３５０に相当する無機絶縁層とを形成する（図６）。この後に、積層導電層および無機絶縁層をエッチングして、画素電極３００および保護層３５０のパターンを形成する。この工程について、図６に示す領域Ａ（画素電極３００の端部近傍）を拡大して説明する。
【００３４】
図７は、本発明の第１実施形態における表示装置の製造方法の図６に続く工程を、画素電極の端部を拡大して説明する図である。図７（ａ）は、図６の領域Ａを拡大した図である。層間絶縁層２００上には、第３導電層３３０、第１導電層３１０および第２導電層３２０が順に積層されている。この例では、第１導電層３１０はＡｇ膜であり、その膜厚が１３０ｎｍ（８０ｎｍ以上２００ｎｍ以下であることが望ましい）である。第２導電層３２０はＩＴＯ膜であり、その膜厚が１５ｎｍ（５ｎｍ以上２５ｎｍ以下であることが望ましい）である。特に、第２導電層３２０は、求められる特性により、第１導電層３１０よりも薄くなることが多い。第３導電層３３０はＩＴＯ膜であり、その膜厚が５０ｎｍ（２０ｎｍ以上７０ｎｍ以下であることが望ましい）である。保護層３５０はＳｉＯ2膜であり、その膜厚が３００ｎｍ（１５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下であることが望ましい）である。
【００３５】
この状態において、保護層３５０の表面にレジストを形成して、保護層３５０をエッチングし、レジストを剥離する。この例ではドライエッチングを保護層３５０のエッチングに用いる。このレジストのパターンは、画素電極の３００のパターンに対応する。このエッチングによって、保護層３５０の外側端部３５０Ｅ１が形成される（図７（ｂ））。一方、この時点では、上述した保護層３５０の内側端部３５０Ｅ２は形成されていない。すなわち、画素電極３００（第２導電層３２０）は露出されていない。
【００３６】
続いて、保護層３５０をマスクにして、第２導電層３２０をエッチングする（図７（ｃ））。この例では、ＩＴＯのエッチング液によるウエットエッチングを用いて、第２導電層３２０をエッチングする。ＩＴＯのエッチング液は、例えば、リン酸、硝酸及び酢酸からなる混酸が用いられる。あるいは、シュウ酸を用いてもよい。さらに、保護層３５０および第２導電層３２０をマスクにして、第１導電層３１０をエッチングする（図７（ｄ））。この例では、Ａｇのエッチング液によるウエットエッチングを用いて、第１導電層３１０をエッチングする。Ａｇのエッチング液は、例えば、リン酸、硝酸および酢酸からなる混酸が用いられる。このエッチングには、第１導電層３１０の膜厚が厚いほど、長い時間を要する。また、エッチングを十分行うために、オーバーエッチング時間も十分確保する必要がある。この結果、第１導電層３１０の横方向へのエッチングも進行し、第２導電層３２０の端部は、庇のような突出部Ｐが形成される。
【００３７】
さらに、保護層３５０、第２導電層３２０および第１導電層３１０をマスクにして、第３導電層３３０をエッチングする（図７（ｅ））。このエッチングは、第２導電層３２０をエッチングしたときと同様に、ウエットエッチングによって第３導電層３３０がエッチングされる。この際、第２導電層３２０の突出部Ｐについてもエッチング液に曝されることによってエッチングされると考えられるが、実際には、突出部Ｐは残存することが経験上確認されている。このように残存した突出部Ｐは１５ｎｍと薄いため、外力によって破損しやすい状態になってしまう。一方、この例では、保護層３５０が突出部Ｐを支持することで、破損が抑制されている。なお、第３導電層３３０のエッチングの際に、第３導電層３３０の端部が第１導電層３１０の端部よりも内側に位置するようになる。
【００３８】
ここで、従来のように、保護層３５０を用いなかった場合にどのような問題が生じるか、図１２および図１３を用いて簡単に説明する。
【００３９】
図１２は、従来の表示装置の製造方法において生じる課題の例を説明する図である。上述のような保護層３５０が存在しない従来の表示装置の場合、画素電極３００Ｚのパターンを形成するために、図１２（ａ）に示すようにレジストＲを用いる。そして、レジストＲをマスクにして、上述した場合と同様に、第２導電層３２０、第１導電層３１０、および第３導電層３３０の順にエッチングを行うと、保護層３５０の支持がない状態で突出部Ｐが存在する（図１２（ｂ））。そのため、外力が加わることによって、突出部Ｐの部分が破損して、破損部ＰＤが発生する可能性が大きくなる（図１２（ｃ））。
【００４０】
図１３は、従来の表示装置の製造方法において生じる課題の例を説明する図である。図１３は、上述した図３に対応する図である。図１３における網掛け部分が突出部Ｐに該当する。そのため、破線内側が、第１導電層３１０が存在する位置に対応する。突出部Ｐの一部が破損して破損部ＰＤが発生すると、破損部ＰＤが画素電極３００Ｚ（第２導電層３２０Ｚ）の表面に付着する場合がある。単に破損部ＰＤが画素電極３００Ｚの表面に付着するだけでも表示に欠陥を生じる場合があるが、図１３に示すように、破損部ＰＤが隣接間の画素を掛け渡すように付着してしまうと、その隣接間の画素電極がショートしてしまう。そのため、この隣接間の画素が表示の欠陥として現れることになる。このように、突出部Ｐの破損を防ぐことは、表示の欠陥を低減することに大きく貢献することになる。本実施形態によれば、保護層３５０の存在によって、突出部Ｐの破損を防ぐことができるため、画素電極間のショートに起因する表示の欠陥を低減することができる。
【００４１】
図８は、本発明の第１実施形態における表示装置の製造方法の図７に続く工程を説明する図である。図８は、図７（ｅ）の状態において、バンク層４００となる材料（この例では感光性のアクリル樹脂）を塗布した状態を示している。この後に、バンク層４００のパターンを形成し、その後に、保護層３５０のパターンを形成する。この工程について、図８に示す領域Ａを拡大して説明する。
【００４２】
図９は、本発明の第１実施形態における表示装置の製造方法の図８に続く工程を、画素電極の端部を拡大して説明する図である。図９（ａ）は、図８に対応している。塗布された感光性アクリル樹脂に対して、露光、現像、焼成をすることによって、所望のパターンのバンク層４００が形成される。バンク層４００は、保護層３５０の表面の一部を露出するように形成される（図９（ｂ））。
【００４３】
続いて、バンク層４００をマスクとして、露出された領域の保護層３５０をエッチングして、画素電極３００（第２導電層３２０）の表面を露出させ、内側端部３５０Ｅ２が形成される（図９（ｃ））。このエッチングは、ドライエッチングによって行われる。エッチングガスには、酸素が添加されて、バンク層４００の表面を後退させながら、保護層３５０がエッチングされていく。この結果、この例では、バンク層４００の表面と、保護層３５０の内側端部３５０Ｅ２の側壁とが、ほぼ連続的につながることになる。
【００４４】
また、バンク層４００の表面を後退させながら、保護層３５０がエッチングするため、内側端部３５０Ｅ２の側壁は緩い傾斜を有することになる。そのため、この例では、保護層３５０は、内側端部３５０Ｅ２の側壁が外側端部３５０Ｅ１の側壁よりも緩い傾斜を有している。なお、内側端部３５０Ｅ２の側壁と外側端部３５０Ｅ１の側壁との傾斜の関係はこの例に限らない。また、保護層３５０の内側端部３５０Ｅ２から外側端部３５０Ｅ１までの長さＬｃは、保護層３５０の膜厚Ｌｔよりも長いことが望ましい。また、保護層３５０の第１導電層３１０と重なっている部分の長さがゼロである場合、突出部Ｐの破損を防ぐ作用は得られないため、少なくとも保護層３５０は、第１導電層３１０の上方まで重なるように延在することが望ましい。さらに、保護層３５０が、第１導電層３１０の上方に重なる部分の長さが、Ｌｃの１／４以上であることが望ましい。
【００４５】
図１０は、図９（ｃ）における全体の構成を説明する図である。バンク層４００は、保護層３５０の内側端部３５０Ｅ２および画素電極３００（第２導電層３２０）の表面の一部を露出する。一方、バンク層４００は、この露出部分以外の領域、すなわち、隣接する画素電極３００間（保護層３５０の外側端部３５０Ｅ１および画素電極３００の端部３００Ｅを含む）を覆っている。この後に、バンク層４００を覆うように、発光層５００、光透過性電極６００および封止層７００を形成すると、図２に示す第１基板１の構成が実現される。この実施形態における第１基板１によれば、突出部Ｐが破損することを抑制できるため、画素電極３００間のショートに起因する不良を低減することができる。
【００４６】
＜第２実施形態＞
第１実施形態では、保護層３５０の内側端部３５０Ｅ２を露出するバンク層４００を備えていたが、第２実施形態では、内側端部３５０Ｅ２を覆うバンク層４００Ａを備えている例について説明する。このようなバンク層４００Ａを備える表示装置の製造方法について説明する。
【００４７】
図１１は、本発明の第２実施形態における表示装置の製造方法において、図９に対応する工程を説明する図である。図１１（ａ）は、図７（ｅ）と同じである。この後の製造工程から、第１実施形態における製造工程とは異なっている。この例では、バンク層４００を形成する前に、保護層３５０をエッチングすることによって、画素電極３００（第２導電層３２０）の表面の一部を露出させる。このエッチングは、レジストで形成されたマスクを用いて、ウエットエッチングまたはドライエッチングによって行われる。この結果、第２実施形態では、バンク層４００Ａが形成される前に、予め保護層３５０の内側端部３５０Ｅ２が形成される（図１１（ｂ））。
【００４８】
続いて、画素電極３００（第２導電層３２０）の表面の一部を露出させ、第１実施形態の場合に比べて、さらに保護層３５０の内側端部３５０Ｅ２を覆うように、バンク層４００Ａが形成される（図１１（ｃ））。バンク層４００Ａを覆うように、発光層５００、光透過性電極６００および封止層７００を形成すると、第２実施形態における第１基板の構成が実現される（図１１（ｄ））。
【００４９】
＜その他の実施形態＞
保護層３５０は、無機導電材料（チタン：Ｔｉ、タンタル：Ｔａ等）で形成されていてもよい。この場合には、保護層３５０のエッチングは、Ｔｉの場合に塩素系のエッチングガスを用い、Ｔａの場合にフッ素系のエッチングガスを用いればよい。
【００５０】
本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。例えば、前述の各実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除若しくは設計変更を行ったもの、または、工程の追加、省略若しくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００５１】
１…第１基板、２…第２基板、１０…第１支持基板、２０…第２支持基板、１０１…走査線、１０２…データ信号線、１０３…走査線駆動回路、１０４…ドライバＩＣ、１０５…画素、１０６…ＦＰＣ、１１０…薄膜トランジスタ、２００…層間絶縁層、２５０…コンタクトホール、３００…画素電極、３１０…第１導電層、３２０…第２導電層、３３０…第３導電層、３５０…保護層、４００…バンク層、５００…発光層、６００…光透過性電極、７００…封止層、８００…充填材、９００Ｒ，９００Ｇ，９００Ｂ，９００Ｗ…カラーフィルタ、９５０…遮光層、１０００…表示装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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