(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
被検査対象の基板に形成されたパターンを検査する検査装置であって、
複数のプローブと、
電流の流れによって発生した磁場を測定する磁気センサと、
検査項目を選択する検査内容選択部と、
前記パターンの設計データを読み出し、前記検査内容選択部で選択された検査項目に基づき、前記基板における被検査位置を絞り込んで前記被検査位置を含む所定単位の領域を被検査領域として抽出する不良解析位置絞り込み処理部と、
前記被検査位置に基づいて、前記複数のプローブから検査に用いるプローブを選択するプローブ選択部と、
前記プローブ選択部で選択されたプローブが前記パターンに接触するように前記選択されたプローブの駆動を制御し、且つ、前記不良解析位置絞り込み処理部で抽出された前記被検査領域上を前記磁気センサが走査するように前記磁気センサの駆動を制御する位置補正部と、
前記選択されたプローブの接触により前記パターンに電流が流れて発生する磁場のうち、前記被検査領域上を走査する前記磁気センサによって測定された磁場を分布化する磁場分布取得部と、
前記磁場分布取得部で取得された磁場分布を所定単位で画像化して検査画像を作成する検査画像作成部と、
前記検査画像と、前記パターンの設計データから作成された比較画像とを比較して、前記パターンの欠陥を検出する画像比較部と、
を有することを特徴とする検査装置。
【請求項２】
前記不良解析位置絞り込み処理部は、前記パターンの不良が発生し易い箇所を前記被検査位置として絞り込むことを特徴とする請求項１に記載の検査装置。
【請求項３】
前記基板の表面側であって前記基板と離間する位置、および前記基板の裏面側であって前記基板と離間する位置に前記複数のプローブが配置されており、前記プローブ選択部は、前記複数のプローブから一対のプローブを選択することを特徴とする請求項１または２に記載の検査装置。
【請求項４】
前記被検査対象の基板に形成されたアライメントマークを撮像する撮像部を有し、
前記位置補正部は、前記撮像部で撮像された画像と、前記パターンの設計データからの情報とを用いて、前記パターンの設計値からの位置ずれ量を取得し、前記パターンの設計データと前記位置ずれ量にしたがって、前記選択されたプローブが前記パターンに接触するように前記選択されたプローブの駆動を制御し、且つ、前記パターンの設計データと前記位置ずれ量にしたがって、前記被検査領域の補正を行い、前記磁気センサが前記補正された被検査領域上を走査するように前記磁気センサの駆動を制御することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の検査装置。
【請求項５】
前記基板を保持するステージを有し、前記ステージは、前記プローブが、前記基板の表面または裏面に接触するように、前記基板の表面および裏面それぞれの少なくとも一部が外部に向かって露出するように構成されることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の検査装置。
【請求項６】
被検査対象の基板に形成されたパターンを検査する検査方法であって、
検査項目を選択する工程と、
前記選択された検査項目に基づき、前記パターンの設計データから、前記基板における被検査位置を絞り込んで前記被検査位置を含む所定単位の領域を被検査領域として抽出する工程と、
複数のプローブから前記被検査領域の前記パターンに電流を流すのに適したプローブを選択する工程と、
前記パターンの位置を測定する工程と、
前記選択されたプローブのプロービングを行い、前記基板の前記パターンに接触させる工程と、
前記プロービングを行ったプローブに電流を印加する工程と、
磁気センサを用い、前記被検査領域の走査をさせる工程と、
前記走査をする前記磁気センサを用い、前記被検査領域の磁場を測定する工程と、
前記プロービングを行ったプローブへの電流の印加により前記パターンに電流が流れて発生する磁場のうち、前記被検査領域を走査する前記磁気センサによって測定された磁場を分布化し、取得された磁場分布を所定単位で画像化して検査画像を作成する工程と、
前記パターンの設計データから前記検査画像に対応する比較画像を作成する工程と、
前記検査画像と前記比較画像とを比較して、前記検査画像の良否の判定を行う工程と、
前記判定の結果を検査結果として表示する工程と、
を有することを特徴とする検査方法。
【請求項７】
前記被検査位置を含む所定単位の領域を被検査領域として抽出する工程は、前記パターンの不良が発生し易い箇所を前記被検査位置として絞り込むことを特徴とする請求項６に記載の検査方法。
【請求項８】
前記プローブを選択する工程は、前記基板の表面側であって前記基板と離間する位置、および前記基板の裏面側であって前記基板と離間する位置に配置された前記複数のプローブから、一対のプローブを選択することを特徴とする請求項６または７に記載の検査方法。
【請求項９】
前記パターンの位置を測定する工程は、前記基板のアライメントマークを撮像し、得られた画像と前記パターンの設計データからの情報とを用いて前記パターンの設計値からの位置ずれ量を取得し、前記パターンの設計データと前記位置ずれ量にしたがって前記パターンの位置を決める工程であり、
前記磁気センサを用い、前記被検査領域の走査をさせる工程は、前記パターンの設計データと前記位置ずれ量にしたがって前記被検査領域の補正を行い、前記磁気センサを用いて前記補正された被検査領域を走査させる工程であり、
前記被検査領域の磁場を測定する工程は、前記補正された被検査領域の磁場を測定する工程であり、
前記検査画像を作成する工程は、前記補正された被検査領域上を走査する前記磁気センサによって測定された磁場を分布化し、取得された磁場分布を所定単位で画像化して前記検査画像を作成する工程であることを特徴とする請求項６〜８のいずれか１項に記載の検査方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プローブを用いて配線基板等を検査する技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
プリント配線基板などの配線基板を検査する場合、配線基板に検査信号を供給して検出した信号を分析する方法が採用されている。例えば、導電性を有するピンからなるプローブが被検査対象の配線に接触し、信号源からプローブを介して配線に信号を供給した状態で、配線の導通検査を行う。このとき、プローブは、例えば、全ての配線に接触し、それによって全ての配線が検査される。
【０００３】
ところで、近年の大規模集積回路（Ｌａｒｇｅ  Ｓｃａｌｅ  Ｉｎｔｅｇｒａｔｉｏｎ；ＬＳＩ）の高集積化および大容量化に伴い、半導体素子に要求される回路寸法は狭小化の一途を辿っている。例えば、代表的なロジックデバイスでは、数十ｎｍの線幅のパターン形成が要求される状況となっている。すなわち、高集積化および大容量化に伴い、単位時間あたりに検査できる配線基板の領域が減少し、１枚の配線基板に対する検査時間が長くなるという問題がある。
【０００４】
上記問題に対して、特許文献１には、被検査領域を欠陥が発生し易い外周付近などに設定し、かかる被検査領域のみを検査する技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１０−２８２８１０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１は、半導体ウェハに電子線を照射し、半導体ウェハから発生する２次電子や反射電子線を検出して欠陥を検出するものであり、配線基板にプローブを接触させて欠陥を検出する技術とは異なる。
【０００７】
そこで、本発明は、プローブを用いて、従来よりも短時間で配線基板等を検査することのできる技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の第１の態様は、被検査対象の基板に形成されたパターンを検査する検査装置であって、
複数のプローブと、
電流の流れによって発生した磁場を測定する磁気センサと、
検査項目を選択する検査内容選択部と、
前記パターンの設計データを読み出し、前記検査内容選択部で選択された検査項目に基づき、前記基板における被検査位置を絞り込んで前記被検査位置を含む所定単位の領域を被検査領域として抽出する不良解析位置絞り込み処理部と、
前記被検査位置に基づいて、前記複数のプローブから検査に用いるプローブを選択するプローブ選択部と、
前記プローブ選択部で選択されたプローブが前記パターンに接触するように前記選択されたプローブの駆動を制御し、且つ、前記不良解析位置絞り込み処理部で抽出された前記被検査領域上を前記磁気センサが走査するように前記磁気センサの駆動を制御する位置補正部と、
前記選択されたプローブの接触により前記パターンに電流が流れて発生する磁場のうち、前記被検査領域上を走査する前記磁気センサによって測定された磁場を分布化する磁場分布取得部と、
前記磁場分布取得部で取得された磁場分布を所定単位で画像化して検査画像を作成する検査画像作成部と、
を有することを特徴とする検査装置に関する。
【０００９】
本発明の第１の態様において、前記検査画像と、前記パターンの設計データから作成された比較画像とを比較して、前記パターンの欠陥を検出する画像比較部を有することが好ましい。
【００１０】
本発明の第１の態様において、前記不良解析位置絞り込み処理部は、前記パターンの不良が発生し易い箇所を前記被検査位置として絞り込むことが好ましい。
【００１１】
本発明の第１の態様において、前記基板の表面側であって前記基板と離間する位置、および前記基板の裏面側であって前記基板と離間する位置に前記複数のプローブが配置されており、前記プローブ選択部は、前記複数のプローブから一対のプローブを選択することが好ましい。
【００１２】
本発明の第１の態様において、前記被検査対象の基板に形成されたアライメントマークを撮像する撮像部を有し、
前記位置補正部は、前記撮像部で撮像された画像と、前記パターンの設計データからの情報とを用いて、前記パターンの設計値からの位置ずれ量を取得し、前記パターンの設計データと前記位置ずれ量にしたがって、前記選択されたプローブが前記パターンに接触するように前記選択されたプローブの駆動を制御し、且つ、前記パターンの設計データと前記位置ずれ量にしたがって、前記被検査領域の補正を行い、前記磁気センサが前記補正された被検査領域上を走査するように前記磁気センサの駆動を制御することが好ましい。
【００１３】
本発明の第１の態様において、前記基板を保持するステージを有し、前記ステージは、前記プローブが、前記基板の表面または裏面に接触するように、前記基板の表面および裏面それぞれの少なくとも一部が外部に向かって露出するように構成されることが好ましい。
【００１４】
本発明の第２の態様は、被検査対象の基板に形成されたパターンを検査する検査方法であって、
検査項目を選択する工程と、
前記選択された検査項目に基づき、前記パターンの設計データから、前記基板における被検査位置を絞り込んで前記被検査位置を含む所定単位の領域を被検査領域として抽出する工程と、
複数のプローブから前記被検査領域の前記パターンに電流を流すのに適したプローブを選択する工程と、
前記パターンの位置を測定する工程と、
前記選択されたプローブのプロービングを行い、前記基板の前記パターンに接触させる工程と、
前記プロービングを行ったプローブに電流を印加する工程と、
磁気センサを用い、前記被検査領域の走査をさせる工程と、
前記走査をする前記磁気センサを用い、前記被検査領域の磁場を測定する工程と、
前記プロービングを行ったプローブへの電流の印加により前記パターンに電流が流れて発生する磁場のうち、前記被検査領域を走査する前記磁気センサによって測定された磁場を分布化し、取得された磁場分布を所定単位で画像化して検査画像を作成する工程と、
前記パターンの設計データから前記検査画像に対応する比較画像を作成する工程と、
前記検査画像と前記比較画像とを比較して、前記検査画像の良否の判定を行う工程と、
前記判定の結果を検査結果として表示する工程と、
を有することを特徴とする検査方法に関する。
【００１５】
本発明の第２の態様において、前記被検査位置を含む所定単位の領域を被検査領域として抽出する工程は、前記パターンの不良が発生し易い箇所を前記被検査位置として絞り込むことが好ましい。
【００１６】
本発明の第２の態様において、前記プローブを選択する工程は、前記基板の表面側であって前記基板と離間する位置、および前記基板の裏面側であって前記基板と離間する位置に配置された前記複数のプローブから、一対のプローブを選択することが好ましい。
【００１７】
本発明の第２の態様において、前記パターンの位置を測定する工程は、前記基板のアライメントマークを撮像し、得られた画像と前記パターンの設計データからの情報とを用いて前記パターンの設計値からの位置ずれ量を取得し、前記パターンの設計データと前記位置ずれ量にしたがって前記パターンの位置を決める工程であり、
前記磁気センサを用い、前記被検査領域の走査をさせる工程は、前記パターンの設計データと前記位置ずれ量にしたがって前記被検査領域の補正を行い、前記磁気センサを用いて前記補正された被検査領域を走査させる工程であり、
前記被検査領域の磁場を測定する工程は、前記補正された被検査領域の磁場を測定する工程であり、
前記検査画像を作成する工程は、前記補正された被検査領域上を走査する前記磁気センサによって測定された磁場を分布化し、取得された磁場分布を所定単位で画像化して前記検査画像を作成する工程であることが好ましい。
【発明の効果】
【００１８】
本発明の第１および第２の態様によれば、プローブを用いて、従来よりも短時間で配線基板等を検査することのできる技術が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明の実施の形態１における検査装置の概略構成図である。
【図２】図１の検査装置におけるデータや指示の流れを示す概念図である
【図３】本発明の実施の形態２の検査方法を示すフローチャートの一例である。
【図４】不良解析位置絞り込み処理部で行われる処理の一例を説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
本実施の形態では、プリント配線基板、半導体ウェハ、ＴＦＴ液晶基板または薄膜多層基板等の基板を被検査対象とする。そして、その被検査対象に形成された回路パターンまたは配線パターンからなるパターンである被検査パターンの短絡および断線等の不良を検査するための検査装置および検査方法について述べる。尚、この検査装置および検査方法は、ＩＣチップ等の半導体デバイスの入出力特性等にも適用可能である。
【００２１】
実施の形態１．
図１は、本発明の実施の形態１における検査装置１の概略構成図である。
【００２２】
尚、図１では、本実施の形態で必要な構成部を記載しているが、検査に必要な他の公知の構成部が含まれていてもよい。また、本明細書において、「〜部」と記載したものは、コンピュータで動作可能なプログラムにより構成することができるが、ソフトウェアとなるプログラムだけではなく、ハードウェアとソフトウェアとの組合せやファームウェアとの組合せによって実施されるものであってもよい。プログラムにより構成される場合、プログラムは、磁気ディスク装置などの記録装置に記録される。また、所謂クラウドコンピューティング技術を活用したプログラムの利用も可能である。例えば、不良解析位置絞り込み処理部１８は、電気的回路で構成されてもよく、全体制御部１４によって処理されるソフトウェアとして実現されてもよい。また、電気的回路とソフトウェアの組合せによって実現されてもよい。
【００２３】
検査装置１は、被検査対象である基板２に形成された導電性のパターンである、被検査パターン（図示せず）に電流を流したときに発生する磁場を測定する。そして、検査装置１は、測定された磁場を分布化して所定単位の検査画像を作成する。このとき、上述の検査画像は、抽出された被検査領域の検査画像である。より具体的に、検査装置１では、被検査パターンの短絡および断線等の不良が発生し易い箇所を被検査位置として絞り込み、この被検査位置を含む所定単位の領域を被検査領域として抽出する。被検査パターンの短絡および断線等の不良が発生し易い箇所については、検査装置１において、被検査パターンの設計データからそれを抽出することができる。
【００２４】
そして、検査装置１では、上述の検査画像と、被検査パターンの設計データから作成した比較画像とを比較して、被検査パターンの不良箇所（欠陥）を検出する。例えば、検査装置１は、被検査パターンの設計データから上述の被検査領域に対応する領域の比較画像を作成し、上述の検査画像と比較して被検査パターンの欠陥を検出することができる。
【００２５】
検査装置１では、従来技術のように基板２の全面についての検査画像の取得を必要とせず、その一部である所定単位の領域の検査画像を取得し、比較画像との比較に用いることができる。したがって、検査装置１は、従来よりも短時間で被検査対象の基板２を検査することができる。
【００２６】
以下、検査装置１の各部について詳しく説明する。
【００２７】
検査装置１は、基板２が載置されるステージ３と、ステージ３をＸ軸方向、Ｙ軸方向およびＺ軸方向に駆動させるステージ駆動部４と、プローブＰ１を備えたプローブ部５と、プローブＰ２を備えたプローブ部６と、プローブＰ３を備えたプローブ部７と、プローブＰ４を備えたプローブ部８とを有する。プローブＰ１〜Ｐ４は、基板２の被検査パターンに実際に接触して検査装置１と基板２の被検査パターンとが電気的に接続するための接触子となる。
【００２８】
また、検査装置１は、スキャナ部９と、電源部１０と、磁気センサ１１とを有する。スキャナ部９は、プローブ部５〜８への電流供給をそれぞれ独立に制御する。電源部１０は、スキャナ部９を介してプローブ部５〜８に電流を供給する。磁気センサ１１は、電流の流れによって発生した磁場を測定する。そして、検査装置１は、後述する位置補正部２１によって制御され、プローブ部５〜８および磁気センサ１１のそれぞれを独立にＸ軸方向、Ｙ軸方向およびＺ軸方向に駆動させることができる駆動部３０を有する。さらに、検査装置１は、基板２上のアライメントマークを撮像するための、ＣＣＤカメラ等を備えた撮像部１２を有している。
【００２９】
尚、図１に示した検査装置１では、４つのプローブ部５〜８を有して構成されているが、本発明において、プローブ部の数は４つに限られるわけではない。本発明において、検査装置のプローブは、２つ以上あればよく、例えば、４つより多くすることも可能である。
【００３０】
ステージ３は、被検査対象の基板２を安定して保持する。
ステージ３は、例えば、図１に示すように、基板２を載置して保持することができる。
【００３１】
図１に示されるステージ３上の基板２は、ステージ３側の主面が裏面であり、その裏面と対向するもう一方の主面が表面を構成する。図１のステージ３に保持された基板２において、上述の表面は外部に向かって露出するように構成されている。すなわち、ステージ３では、基板２の上方側から基板２の表面に、例えば、プローブ部７のプローブＰ３やプローブ部８のプローブＰ４が接触できるように構成されている。
【００３２】
また、図１のステージ３は、その中心部を含む領域に開口部（図示せず）を有し、基板２の裏面の一部が外部に向かって露出するように構成されている。すなわち、ステージ３は、基板２の下方側から基板２の裏面に、例えば、上述したプローブ部５のプローブＰ１やプローブ部６のプローブＰ２が接触できるように構成されている。
【００３３】
尚、ステージ３は、中心部を含む領域が広く開口した枠状の形状を有し、クリップのような部材で基板２の四隅を把持し、基板２を固定して保持する構造とすることもできる。
【００３４】
例えば、被検査対象の基板２が、図１に示すように、板状の形状、すなわち、扁平な直方体状の形状を有するものとする。その場合、上述した四隅を固定して基板２を保持する構造では、ステージ３によって基板２が保持されて、図の上方側となる主面が表面となり、その表面と対向する主面が裏面となる。そして、基板２は水平となるように、すなわち、基板２の表面および裏面がそれぞれ水平となるように配置される。
【００３５】
以上のような構造を有することにより、ステージ３は、基板２を固定的に保持することができる。併せて、検査装置１は、ステージ３に保持された基板２の表面および裏面の所望の位置に、基板２の上下両方の側からプローブ部５〜８のプローブＰ１〜Ｐ４を接触させることができる。
【００３６】
ステージ駆動部４は、例えば、ステージ３をＸ軸方向に駆動するＸ軸モータと、Ｙ軸方向に駆動するＹ軸モータと、Ｘ軸およびＹ軸に直交するＺ軸方向に駆動するＺ軸モータとを有する。そのため、ステージ３は、基板２を固定的に保持した状態で、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向およびＺ軸方向に移動することができる。つまり、ステージ３は、基板２を受け入れた後、基板２を検査のための所望とする位置に移動させることができる。また、ステージ駆動部４は、ステージ３をθ方向（Ｚ軸周りの回転方向）に駆動するθ軸モータを有していてもよい。
【００３７】
プローブＰ１〜Ｐ４を備えたプローブ部５〜８は、それぞれが駆動部３０に駆動されて、Ｘ軸、Ｙ軸およびＺ軸方向に移動することができるように構成されている。したがって、プローブ部５〜８のプローブＰ１〜Ｐ４は、駆動部３０に駆動され、プローブ部５〜８の動作にしたがってそれぞれがＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸方向に移動することができる。
【００３８】
そして、図１に示すように、検査装置１では、例えば、プローブ部５を基板２に対して、図の左側の下方となる位置に配置できる。また、プローブ部６を基板２に対して、図の右側の下方となる位置に配置できる。また、プローブ部７を基板２に対して、図の右側の上方となる位置に配置できる。そして、プローブ部８を基板２に対して、図の左側の上方となる位置に配置できる。
【００３９】
したがって、検査装置１において、複数のプローブＰ１〜Ｐ４が設けられる。例えば、図１に示すように、基板２の表面側であって基板２と離間する位置、および基板２の裏面側であって基板２と離間する位置に、複数のプローブＰ１〜Ｐ４が配置される。そして、後述するように、プローブ選択部１９によって、複数のプローブＰ１〜Ｐ４のうちから検査に用いられる一対のプローブが選択される。
【００４０】
検査装置１で、プローブ部５〜８が、上述のような配置構造と動作性能を有することにより、基板２の上方側と下方側の両方の側から、基板２の表裏両面にある所望の位置に、プローブＰ１〜Ｐ４のうちから選択された一対のプローブを接触させることができる。
【００４１】
磁気センサ１１についても、上述したプローブ部５〜８と同様に、駆動部３０に駆動されて、Ｘ軸、Ｙ軸およびＺ軸方向に移動することができるように構成されている。そのように構成された磁気センサ１１は、電流の流れによって発生した磁場を測定することができる。すなわち、基板２のうちの必要な領域の上を離間するようにして走査され、プローブＰ１〜Ｐ４の接触により被検査パターンに電流が流れて発生する磁場のうち、測定が必要とされる被検査領域で発生した磁場を測定することができる。
【００４２】
磁気センサ１１としては、例えば、ＩｎＳｂ磁気抵抗素子、ＩｎＳｂホール素子、もしくはＩｎＡｓ、ＧａＡｓおよびＳｉ等のホール素子を用いた半導体磁気センサ、ＮｉＦｅおよびＮｉＣｏ等の薄膜磁気抵抗素子を用いた磁性体磁気センサ、軟磁性体のコアに励磁コイルと検出コイルを巻いたフラックスゲート型センサ、または超伝導における磁束の量子化を利用した超高感度なＳＱＵＩＤ（Ｓｕｐｅｒｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ  ＱＵａｎｔｕｍ  Ｉｎｔｅｒｆｅｒｅｎｃｅ  Ｄｅｖｉｃｅ）等が挙げられる。
【００４３】
また、検査装置１は、検査装置１の全体の制御を司る全体制御部１４と、データ伝送路となるバス１５と、バス１５を介して全体制御部１４に接続する、検査内容選択部１６と、データ保存部１７と、不良解析位置絞り込み処理部１８と、プローブ選択部１９と、補正情報入力部２０と、位置補正部２１と、ステージ制御部２２と、磁場信号処理部２３と、磁場分布取得部２４と、検査画像作成部２５と、比較画像作成部２６と、画像比較部２７と、検査結果表示部２８とを有する。
【００４４】
検査内容選択部１６は、被検査パターンおよび検査項目を選択する。被検査パターンとしては、例えば、プリント配線基板、半導体ウェハ、ＴＦＴ液晶基板または薄膜多層基板等の被検査対象となる基板に形成された回路パターンまたは配線パターン等が挙げられる。また、検査項目としては、例えば、短絡および断線等が挙げられる。
【００４５】
データ保存部１７には、被検査パターンの設計データ等が保存されている。データ保存部１７としては、例えば、磁気ディスク装置等が挙げられる。
【００４６】
不良解析位置絞り込み処理部１８は、検査内容選択部１６で選択された検査項目に基づき、データ保存部１７に保存された被検査パターンの設計データを読み出し、基板２において不良の解析を行うべき位置、すなわち被検査位置を絞り込む。
【００４７】
例えば、基板２の被検査パターンが、２つの配線パターンであり、検査内容選択部１６で選択された検査項目が短絡である場合がある。その場合、不良解析位置絞り込み処理部１８は、その２つの配線パターンが短絡する可能性がある部分、すなわち、両配線が隣接して配線されている部分の設計データを読み出す。そして、不良解析位置絞り込み処理部１８（以下、便宜上「解析位置絞り込み部１８」と略記することがある。）は、基板２において不良解析を行うべき位置を基板２における被検査位置として絞り込み、その被検査位置を含む所定単位の領域を被検査領域として抽出する。
【００４８】
プローブ選択部１９は、解析位置絞り込み部１８で絞り込まれた被検査位置に基づいて、プローブＰ１〜Ｐ４のうちから、最適な電気的接続を実現できる配置の一対のプローブを選択し、その情報をスキャナ部９に伝える。
【００４９】
プローブ選択部１９が行うプローブの選択については、基板２における被検査領域の配置、および、被検査パターンの接続端子または接続端子となりうる部分が基板２の表面にあるのか裏面にあるのか等の条件に基づいて行われる。
尚、以下、本明細書では、基板２の被検査パターンの「接続端子または接続端子以外の部分であって接続端子としての利用が可能な部分」を便宜的にまとめて、「接続端子」と称することにする。
【００５０】
被検査対象となる基板２は、例えば、多層の配線構造を有するものである。したがって、基板２の被検査パターンは、基板の表面、裏面および内部における形成が可能である。そして、基板２において、被検査パターンの接続端子は、基板２の表面や裏面に設けられる。
【００５１】
基板２において、被検査パターンの検査に最適となる接続端子がいずれも基板２の裏面に設けられている場合、プローブ選択部１９は、例えば、基板２の裏面側に配置されたプローブ部５とプローブ部６のプローブＰ１，Ｐ２を選択することができる。その結果、検査装置１は、基板２の表面側で走査される磁気センサ１１の動作を妨害することなく、基板２の裏面で、被検査パターンの接続端子に、一対のプローブＰ１，Ｐ２を接触させることができる。
【００５２】
また、被検査パターンの検査に最適となる接続端子が、基板２の表面にあって、且つ、それらに一対のプローブを接触させたとしても、基板２の被検査領域の位置によっては、磁気センサ１１の走査を妨害しない場合がある。そのような場合には、プローブ選択部１９は、例えば、基板２の表面側に配置されたプローブ部７とプローブ部８のプローブＰ３，Ｐ４を選択することも可能である。そして、磁気センサ１１の走査を妨害することなく、基板２の表面にある被検査パターンの接続端子等に、一対のプローブＰ３，Ｐ４を接触させることができる。
【００５３】
補正情報入力部２０および位置補正部２１は、基板２の被検査領域上を走査する磁気センサ１１と、基板２の被検査パターンの接続端子に接触するためのプローブ部５〜８のプローブＰ１〜Ｐ４のアライメント（位置補正）を行う。
【００５４】
検査装置１では、補正情報入力部２０と位置補正部２１を有することにより、磁気センサ１１が基板２の所望とする被検査領域の磁場を測定するように構成することができる。例えば、磁気センサ１１が基板２の所望とする被検査領域のみの磁場を測定するように構成することができる。また、検査装置１では、補正情報入力部２０と位置補正部２１を有することにより、プローブ部５〜８の各プローブＰ１〜Ｐ４が、基板２上の被検査パターンの所望とする接続端子に正確に接触するように構成することができる。
【００５５】
補正情報入力部２０には、被検査パターンの設計データからの情報として、基板２に設けられたアライメントマークの位置情報が入力される。尚、アライメントマークに代えて、被検査パターンのうちから選ばれたパターンを用い、被検査パターンの設計データからの情報として、この被検査パターンの位置情報が入力されるようにしてもよい。
【００５６】
位置補正部２１は、撮像部１２で撮像された画像と、データ保存部１７に保存された被検査パターンの設計データからの情報とを用いて、その被検査パターンの設計値からの位置ずれ量を取得する。すなわち、位置補正部２１は、撮像部１２で撮像された画像から得られた基板２のアライメントマークの位置情報と、補正情報入力部２０から得られた設計データによるアライメントマークの位置情報とを用いて、被検査パターンの設計値からの位置ずれ量を取得する。
【００５７】
上述したように、検査装置１において、駆動部３０は、プローブ部５〜８および磁気センサ１１をそれぞれ独立にＸ軸方向、Ｙ軸方向およびＺ軸方向に駆動させる。位置補正部２１は、被検査パターンの設計データと上述した位置ずれ量にしたがって、上述した解析位置絞り込み部１８で抽出された被検査領域を補正する。そして、位置補正部２１は、駆動部３０を制御して、磁気センサ１１が、その補正された被検査領域上を走査するように磁気センサ１１の駆動を制御する。
【００５８】
例えば、位置補正部２１は、駆動部３０を制御して、上述の位置ずれ量に基づいて磁気センサ１１が走査を開始する出発点を補正する。そして、磁気センサ１１が走査する範囲（面積）については、被検査パターンの設計データから被検査領域を抽出するときの、抽出されたその被検査領域と同様とする。その結果、検査装置１では、位置補正部２１と駆動部３０と磁気センサ１１とを用い、基板２の被検査パターンに対し、所望とする、ずれのない正しい被検査領域での磁場の測定が可能となる。
【００５９】
また、位置補正部２１は、被検査パターンの設計データと上述した位置ずれ量にしたがって、プローブ部５〜８のプローブＰ１〜Ｐ４のうちの選択された一対のプローブＰ１，Ｐ２が、例えば、被検査パターンの接続端子等に接触するように、駆動部３０を制御する。
【００６０】
すなわち、上述した解析位置絞り込み部１８において被検査パターンの設計データから被検査位置が絞り込まれ、所定単位の被検査領域が抽出される。それに対応して、プローブ選択部１９によって、プローブ部５〜８のプローブＰ１〜Ｐ４から、実際の検査に用いられて被検査パターンの接続端子に接触する一対が決められる。
【００６１】
尚、本実施の形態においては、一例として、プローブ部５〜８のプローブＰ１〜Ｐ４から選択されて被検査パターンの接続端子に接触する一対のプローブが、プローブＰ１，Ｐ２であるとして、以下の説明を行う。
【００６２】
検査装置１では、位置補正部２１によって、上述のように被検査パターンの設計値からの位置ずれ量が取得される。位置補正部２１は、駆動部３０を制御して、被検査パターンの設計データと上述した位置ずれ量にしたがって、プローブ選択部１９で選択された一対のプローブＰ１，Ｐ２が被検査パターンに接触するように、一対のプローブＰ１，Ｐ２のそれぞれの駆動を制御する。
【００６３】
その結果、検査装置１では、位置補正部２１と駆動部３０とプローブ部５〜８のプローブＰ１〜Ｐ４とを用い、基板２の被検査パターンに対し、所望とする、ずれのない正しい接触位置による電気的接続が可能となる。
【００６４】
磁場信号処理部２３は、被検査領域上を走査する磁気センサ１１で測定された磁場信号を処理する。すなわち、プローブ選択部１９で選択されたプローブへの電流の印加により被検査パターンに電流が流れて発生する磁場のうち、上述の補正された被検査領域上を走査する磁気センサ１１によって測定された磁場の信号が処理される。例えば、上述のように、プローブ選択部１９で一対のプローブＰ１，Ｐ２が選択された場合、プローブＰ１，Ｐ２への電流の印加により、プローブＰ１，Ｐ２が接触する被検査パターンに電流が流れて磁場が発生する。このようにして発生する磁場のうち、磁気センサ１１によって測定された磁場の信号が処理される。
【００６５】
導電性材料からなる被検査パターンに電流を流すと、その電流の強さと向きに応じて電流の周囲に磁場が誘起されて、磁場が発生する。被検査パターンに欠陥がない場合、その内部に流れる電流は均質であり、周囲に誘起される磁場の状態も均質になる。一方、被検査パターンに欠陥がある場合には、電流は欠陥がある部分を迂回して流れたり、欠陥を通過する電流が小さくなったりする。このような電流の方向や強さの変化によって、欠陥部では磁場に乱れが生じる。かかる磁場の乱れは、欠陥の位置、形状、大きさに応じたものとなる。したがって、被検査パターンに電流を流し、それによって誘起される磁場の分布を測定することにより、被検査パターンに存在する欠陥を検出することができる。
【００６６】
ここで、電流の乱れによる磁場の変化は、被検査パターンの全断面を流れる電流によって誘起される磁場の強度と比較すると小さい。したがって、被検査パターンを流れる全電流に起因する磁場強度を、反対方向に流れる同じ大きさの電流により発生する磁場で相殺し、欠陥に起因する磁場の乱れのみを抽出する信号処理が必要となる。また、磁気センサ１１には高感度のものが使用されるため、検査装置１が有する強磁性体部品や、検査装置１の内部を流れる電流の影響、検査装置１の周囲に配置された各種装置に起因する磁場、さらには地磁気等の環境磁気ノイズの影響も大きい。したがって、こうしたノイズを除く信号処理も必要になる。そこで、磁場信号処理部２３において、磁気センサ１１で測定された磁場信号に対し上記の信号処理を行い、欠陥に起因する磁場の乱れを抽出する。
【００６７】
磁場分布取得部２４は、磁場信号処理部２３で抽出された信号から、被検査パターンの磁場分布を取得する。すなわち、磁場分布取得部２４は、被検査領域上を走査する磁気センサ１１によって測定された磁場を分布化する。そして、例えば、被検査パターンとなる配線パターンについて、Ｘ座標とＹ座標によって定まる任意の位置と、その位置で測定された磁場とを対応させたマップを作成する。
【００６８】
検査画像作成部２５は、磁場分布取得部２４で取得された磁場分布を所定単位で画像化した検査画像を作成する。
【００６９】
比較画像作成部２６は、被検査パターンの設計データから被検査領域の検査画像に対応する比較画像を作成する。
【００７０】
この比較画像は、被検査パターンの設計データから被検査パターンに電流が流れて発生する磁場の分布をシミュレートし、上述の検査画像と同様のマップ化を行って得られた画像である。
【００７１】
画像比較部２７は、検査画像と比較画像を比較して検査画像の良否を判定する。
例えば、画像比較部２７は、検査画像と比較画像に所定の閾値を超える差異が含まれていない場合、被検査パターンに欠陥がないという意味で、「良」の判定をする。一方、画像比較部２７は、検査画像と比較画像に所定の閾値を超える差異が含まれている場合、「否」の判定をする。そして、画像比較部２７は検査画像と比較画像の差分を抽出し、抽出された差分から被検査パターンの不良箇所を特定する。
【００７２】
検査結果表示部２８は、画像比較部２７での判定結果を表示する。
【００７３】
例えば、画像比較部２７で、被検査パターンに欠陥がないという意味で「良」の判定がなされた場合、検査結果表示部２８は、そのことを検査結果として表示する。一方、画像比較部２７で、「否」の判定がなされた場合、検査結果表示部２８は、そのことを検査結果として表示するとともに、特定された被検査パターンの不良箇所を示す。
【００７４】
以上の構成を有することにより、本実施の形態における検査装置１は、プローブＰ１〜Ｐ４を用いて、被検査対象である基板２に対し、従来よりも短時間で正確な検査を行うことができる。
【００７５】
実施の形態２．
次に、本発明の実施の形態２における検査方法を説明する。
【００７６】
本実施の形態の検査方法は、プローブを用いた基板の検査方法である。そして、本実施の形態の検査方法は、上述した本実施の形態の検査装置１を用いて実施されることが好ましい。したがって、上述した図１を適宜参照しながら、本実施の形態の検査方法を説明する。
【００７７】
本実施の形態の検査方法において、被検査対象は、例えば、図１の基板２に形成された導電性のパターンである被検査パターン（図示せず）である。そして、本実施の形態の検査方法では、被検査パターンに電流を流したときに発生する磁場を測定する。その後、測定された磁場を分布化して所定単位の検査画像を作成する。このとき、上述の検査画像は、抽出された被検査領域の検査画像である。より具体的に、本実施の形態の検査方法では、被検査パターンの短絡および断線等の不良が発生し易い箇所を被検査位置として絞り込み、この被検査位置を含む所定単位の領域を被検査領域として抽出する。本実施の形態の検査方法では、被検査パターンの短絡および断線等の不良が発生し易い箇所について、被検査パターンの設計データから抽出することができる。
【００７８】
そして、本実施の形態の検査方法では、上述の検査画像と、被検査パターンの設計データから作成した比較画像とを比較して、被検査パターンの不良箇所（欠陥）を検出する。例えば、本検査方法では、被検査パターンの設計データから上述の被検査領域に対応する領域の比較画像を作成し、上述の検査画像と比較して被検査パターンの欠陥を検出することができる。
【００７９】
本実施の形態の検査方法では、従来技術のように基板２の全面についての検査画像の取得を必要とせず、その一部である所定単位の領域の検査画像を取得し、比較画像との比較に用いることができる。したがって、本検査方法では、従来よりも短時間で被検査対象の基板２を検査することができる。
【００８０】
以下、本発明の実施の形態２における検査方法について、下記のように図２および図３を用い、上述したように図１も参照しながら、より詳しく説明を行う。
【００８１】
図２は、図１に示した本発明の実施の形態の検査装置１におけるデータや指示の流れを示す概念図である。
【００８２】
また、図３は、本発明の実施の形態２の検査方法を示すフローチャートの一例である。
【００８３】
本実施の形態の検査方法においては、検査方法を開始すると、まず、検査内容選択部１６において、検査内容が選択される（Ｓ１０１）。
具体的には、基板２について、被検査パターンと、例えば、短絡および断線等の検査項目が選択される。
【００８４】
次に、設計データから、選択された検査内容に該当する箇所が抽出される（Ｓ１０２）。
具体的には、不良解析位置絞り込み処理部１８（上述したように、便宜上「解析位置絞り込み部１８」と略記することがある。）において、検査内容選択部１６で選択された検査項目に基づき、データ保存部１７に保存された被検査パターンの設計データが読み出される。
【００８５】
続いて、被検査領域が抽出される（Ｓ１０３）。具体的には、解析位置絞り込み部１８が、Ｓ１０２で読み出した設計データから、基板２において不良解析を行う被検査位置を絞り込む。そして、Ｓ１０３では、解析位置絞り込み部１８が、その被検査位置を含む所定単位の領域を被検査領域として抽出する。
【００８６】
図４は、不良解析位置絞り込み処理部で行われる処理の一例を説明する図である。
【００８７】
図４を用いて、本実施の形態の検査方法において、不良解析位置絞り込み処理部１８、すなわち、解析位置絞り込み部１８で行われる処理の一例を説明する。
【００８８】
図４において、基板２には、配線パターン−ａと配線パターン−ｂが形成されている。尚、図４において、基板２は、配線パターン−ａおよび配線パターン−ｂを強調するために、便宜的に破線によって示されている。
【００８９】
検査内容選択部１６において、被検査パターンとして「配線パターン−ａと配線パターン−ｂ」を選択し、検査項目として「短絡」を選択した場合を想定する。その場合、検査内容は、「配線パターン−ａと配線パターン−ｂの短絡検査」になる。
【００９０】
解析位置絞り込み部１８は、全体制御部１４を通じて、データ保存部１７から、配線パターン−ａと配線パターン−ｂの各設計データを読み出す。そして、解析位置絞り込み部１８は、配線パターン−ａと配線パターン−ｂとが短絡するおそれがある箇所を設計データから抽出する。具体的には、解析位置絞り込み部１８は、配線パターン−ａと配線パターン−ｂとが隣り合って配置されている箇所を設計データから抽出する。これにより、不良解析を行う被検査位置が絞り込まれ、その被検査位置を含む所定単位の被検査領域Ａが決定される。
【００９１】
次に、被検査領域の被検査パターンに電流を流すのに適したプローブを選択する（Ｓ１０４）。
【００９２】
具体的には、Ｓ１０３で決定された被検査領域Ａに対し、Ｓ１０４では、被検査領域Ａに含まれる被検査パターンに電流を流すのに適した一対のプローブが、プローブ選択部１９によって選択される。
すなわち、プローブ選択部１９において、被検査領域Ａの被検査パターンに電流を流すのに適した一対のプローブ部がプローブ部５〜８の中から選択される。その結果、被検査領域Ａの被検査パターンに電流を流すのに適した一対のプローブが、プローブＰ１〜Ｐ４（図４では図示されない）の中から選択される。
【００９３】
図４に示された基板２の被検査パターンである配線パターン−ａは、接続端子４１が基板２の表面に形成され、もう一方の接続端子４２が基板２の裏面に形成された配線パターンである。また、基板２の被検査パターンである配線パターン−ｂは、接続端子４３が基板２の裏面に形成され、もう一方の接続端子４４が基板２の表面に形成された配線パターンである。
【００９４】
したがって、図４の例では、プローブ選択部１９は、例えば、基板２の下方側となる裏面側に配置されたプローブ部５のプローブＰ１とプローブ部６のプローブＰ２とを選択することができる。その結果、検査装置１では、プローブ部５，６のプローブＰ１，Ｐ２が、基板２の上方側となる表面側で走査される磁気センサ１１の走査を妨害することがない。すなわち、後述するように、検査装置１は、磁気センサ１１の走査を妨害することなく、基板２の裏面で、被検査パターンである配線パターン−ａの接続端子４２および配線パターン−ｂの接続端子４３に、プローブ部５，６のプローブＰ１，Ｐ２を接触させることができる。
【００９５】
また、図４の例において、被検査領域Ａが、基板２の表面（裏面）全体に対し、より狭い範囲（面積）で決定されることがある。その場合には、配線パターン−ａの接続端子４１および配線パターン−ｂの接続端子４４に、プローブ部７，８のプローブＰ３，Ｐ４を接触させても、基板２の表面側を走査する磁気センサ１１の走査を妨害しないようにすることができる。そのような場合には、プローブ選択部１９は、例えば、基板２の上方である表面側に配置されたプローブ部７とプローブ部８のプローブＰ３，Ｐ４を選択することも可能である。そして、磁気センサ１１の走査を妨害することなく、基板２の上方側である表面にある被検査パターンの接続端子等に、一対のプローブＰ３，Ｐ４を接触させることができる。
【００９６】
次に、被検査対象である基板２の被検査パターンの位置が測定される（Ｓ１０５）。
【００９７】
具体的には、補正情報入力部２０に、基板２に設けられたアライメントマークの位置情報が入力される。このアライメントマークの位置情報は、被検査パターンの設計データから読み出されたものである。尚、アライメントマークに代えて、被検査パターンのうちから選ばれたパターンを用いることもできる。
【００９８】
そして、ＣＣＤカメラ等を備えた撮像部１２により、基板２上のアライメントマークが撮像される。この撮像部１２での撮像により得られた画像から、基板２上のアライメントマークの位置に関する情報が得られ、位置補正部２１に入力される。
【００９９】
次いで、位置補正部２１では、撮像部１２で撮像された画像と、補正情報入力部２０からのアライメントマークの情報とが用いられ、被検査パターンにおける設計値からの位置ずれ量が取得される。
【０１００】
より具体的には、撮像部１２による画像から得られたアライメントマークの位置に関する情報と、被検査パターンの設計データから読み出されたアライメントマークの位置に関する情報とが用いられ、位置補正部２１によって、上述の位置ずれ量の取得が行われる。
【０１０１】
そして、取得された位置ずれ量に基づいて、設計データから読み出された被検査パターンの位置に関する情報が補正され、被検査対象である基板２の被検査パターンの位置が決められる。これによって、被検査対象である基板２の被検査パターンの位置が測定される。
【０１０２】
次に、Ｓ１０４で選択されたプローブのプロービングが行われる（Ｓ１０６）。その結果、Ｓ１０４で選択されたプローブは、基板２の被検査パターンに接触する。
【０１０３】
具体的には、位置補正部２１によって駆動部３０が制御され、プローブ部５〜８のプローブＰ１〜Ｐ４のうちのＳ１０４で選択された一対のプローブが、Ｓ１０５で位置が測定された被検査パターンに対し、プロービングする。そして、Ｓ１０４で選択された一対のプローブが、被検査パターンの接続端子に接触する。その結果、Ｓ１０４で選択された一対のプローブは、被検査パターンの所望とする接続端子に正確に接触し、電気的に接続することができる。
【０１０４】
例えば、Ｓ１０４でプローブＰ１，Ｐ２が選択された場合、それらが被検査パターンの接続端子に接触し、電気的な接続が行われる。
【０１０５】
次に、プロービングが行われたプローブに電流が印加される（Ｓ１０７）。
【０１０６】
具体的には、Ｓ１０４でプローブ選択部１９によって選択された一対のプローブに対し、駆動部３０の駆動によるプロービングの後、電源部１０から電流が供給される。このとき、電源部１０から選択された一対のプローブへの電流の供給は、プローブ部５〜８への電流供給をそれぞれ独立に制御することができるスキャナ部９を介して行われる。
【０１０７】
例えば、Ｓ１０４でプローブＰ１，Ｐ２が選択された場合、スキャナ部９を介すことにより、そのプローブＰ１，Ｐ２に電源部１０から電流が印加される。
【０１０８】
次に、磁気センサ１１を用い、基板２の被検査領域の走査をさせる（Ｓ１０８）。例えば、磁気センサ１１を用いて、基板２の被検査領域のみを走査させることができる。次いで、走査をする磁気センサ１１を用い、被検査領域の磁場測定を行う（Ｓ１０９）。
【０１０９】
Ｓ１０８において、位置補正部２１によって駆動部３０が制御され、磁気センサ１１は、例えば、基板２の被検査領域のみを、それと離間する上方側の位置で、走査するよう駆動される。このとき、磁気センサ１１が走査する基板２の被検査領域は、Ｓ１０５で取得された位置ずれ量に基づいて、設計データから読み出された被検査パターンの位置に関する情報が補正されて、Ｓ１０３で抽出された被検査領域が補正されている。したがって、Ｓ１０８では、位置補正部２１によって駆動部３０が制御され、磁気センサ１１は、上述の位置ずれ量に基づいて補正された被検査領域上のみを走査することができる。
【０１１０】
ここで、Ｓ１０５で取得された位置ずれ量を用いた被検査領域の補正については、例えば、位置補正部２１が駆動部３０を制御して、上述の位置ずれ量に基づいて磁気センサ１１が走査を開始する出発点を補正することによって行うことができる。このとき、磁気センサ１１が走査する範囲（面積）については、Ｓ１０３で被検査パターンの設計データから被検査領域を抽出するときの、抽出されたその被検査領域と同様のものとする。その結果、Ｓ１０８では、位置補正部２１と駆動部３０と磁気センサ１１とが用いられ、基板２の被検査パターンに対し、磁気センサ１１による所望とする、ずれのない正しい被検査領域上での走査が可能となる。
【０１１１】
そして、Ｓ１０８での磁気センサ１１の走査に併せて、Ｓ１０９では、走査するその磁気センサ１１が用いられ、上述の補正された被検査領域の磁場測定が行われる。
【０１１２】
次に、検査画像が作成される（Ｓ１１０）。
【０１１３】
具体的には、磁場信号処理部２３によって、Ｓ１０８で補正された被検査領域上を走査する磁気センサ１１で測定された磁場信号が処理される。すなわち、Ｓ１０７でのプローブへの電流の印加により被検査パターンに電流が流れて発生する磁場のうち、上述の補正された被検査領域上を走査する磁気センサ１１によって測定された磁場の信号が処理される。
【０１１４】
例えば、Ｓ１０４でプローブＰ１，Ｐ２が選択された場合、プローブＰ１，Ｐ２への電流の印加により被検査パターンに電流が流れて発生する磁場のうち、上述の補正された被検査領域上を走査する磁気センサ１１によって測定された磁場の信号が処理される。
【０１１５】
次いで、磁場分布取得部２４により、磁場信号処理部２３で抽出された信号から、被検査パターンの磁場分布が取得される。例えば、被検査パターンとなる配線パターンについて、Ｘ座標とＹ座標によって定まる任意の位置と、その位置で測定された磁場とを対応させたマップが作成される。
【０１１６】
その後、検査画像作成部２５により、磁場分布取得部２４で取得された磁場分布を所定単位で画像化した検査画像が作成される。
【０１１７】
次に、比較画像が作成される（Ｓ１１１）。
【０１１８】
具体的には、比較画像作成部２６により、被検査パターンの設計データから検査画像に対応する比較画像が作成される。
【０１１９】
この比較画像は、被検査パターンの設計データから、被検査パターンに電流が流れて発生する磁場の分布をシミュレートし、上述の検査画像と同様のマップ化を行って得られた画像である。
【０１２０】
次に、検査画像と比較画像との比較が行われる（Ｓ１１２）。
【０１２１】
具体的には、画像比較部２７により、検査画像と比較画像とが比較され、検査画像の良否の判定が行われる。
【０１２２】
例えば、Ｓ１１２では、検査画像と比較画像に所定の閾値を超える差異が含まれていない場合、被検査パターンに欠陥がないという意味で、「良」の判定がなされる。一方、検査画像と比較画像に所定の閾値を超える差異が含まれている場合、「否」の判定がなされる。そして、検査画像と比較画像の差分が抽出され、抽出された差分から検査パターンの不良箇所が特定される。
【０１２３】
次に、Ｓ１１２での判定結果が、検査結果として表示される（Ｓ１１３）。
【０１２４】
具体的には、検査結果表示部２８により、画像比較部２７での判定結果が検査結果として表示される。
【０１２５】
例えば、Ｓ１１２で、被検査パターンに欠陥がないという意味で「良」の判定がなされた場合、そのことが検査結果として表示される。一方、Ｓ１１２で「否」の判定がなされた場合、そのことが検査結果として表示されるとともに、特定された被検査パターンの不良箇所が示される。そして、本実施の形態の検査方法が終了する。
【０１２６】
以上の構成を有することにより、本実施の形態における検査方法は、プローブＰ１〜Ｐ４から選択された最適な一対のプローブを用いて、被検査対象の基板２の正確な検査を従来よりも短時間で行うことができる。
【０１２７】
すなわち、従来のプローブを用いた基板の検査方法では、基板全体で磁場測定をして基板全体の磁場分布を取得して評価する。また、従来のプローブを用いた基板の検査方法では、不良解析対象となるような部分の外観を目視で観察して回路図面と比較し、不良箇所を特定するなどしていた。そのため、従来のプローブを用いた基板の検査方法は、検査に長い時間を要していた。さらに、従来のプローブを用いた基板の検査方法は、目視で検査や評価が行われていたため、精度よく不良箇所を特定し、正確な検査を行うことができなかった。
【０１２８】
これに対し、本実施の形態における検査方法では、被検査パターンの設計データから不良箇所を含む被検査領域を絞り込んで抽出し、事前に被検査領域の位置補正を行い、最適な接続端子に正確なプロービングを行うことができる。さらに、検査範囲のみを磁気センサで磁場測定することができ、取得された検査画像と設計データから作成された比較画像とを比較することができる。そのため、本実施の形態における検査方法は、上述したように、従来よりも短時間で被検査対象の正確な検査を行うことができる。
【０１２９】
以上、本発明の検査装置および検査方法それぞれの実施の形態について説明したが、本発明は実施の形態で説明した検査装置および検査方法に限定されるものではない。本発明については種々の変更、改良、組合せ等が可能である。
【０１３０】
例えば、本発明の実施の形態１の検査装置１では、被検査対象となる基板２の抽出された被検査領域に対し、磁気センサ１１を走査して磁場測定を行う構成とした。しかし、このような構成に限定されるわけではなく、磁気センサ１１を固定し、ステージ３を駆動することによって基板２を移動させて、被検査領域の磁場測定を行うように構成することも可能である。その場合には、プローブＰ１〜Ｐ４も、ステージ３の駆動に合わせて移動するように構成されることが好ましい。
【０１３１】
また、本発明の要素を具備し、当業者が適宜設計変更し得る全ての検査装置および検査方法は、本発明の範囲に包含される。
【符号の説明】
【０１３２】
１    検査装置
２    基板
３    ステージ
４    ステージ駆動部
５，６，７，８    プローブ部
９    スキャナ部
１０    電源部
１１    磁気センサ
１２    撮像部
１４    全体制御部
１５    バス
１６    検査内容選択部
１７    データ保存部
１８    不良解析位置絞り込み処理部
１９    プローブ選択部
２０    補正情報入力部
２１    位置補正部
２２    ステージ制御部
２３    磁場信号処理部
２４    磁場分布取得部
２５    検査画像作成部
２６    比較画像作成部
２７    画像比較部
２８    検査結果表示部
３０    駆動部
４１，４２，４３，４４    接続端子
Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４    プローブ
【図１】
0006596341.tif 000002
【図２】
0006596341.tif 000003
【図３】
0006596341.tif 000004
【図４】
0006596341.tif 000005