(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
チャンバー内に電極を配置し、前記チャンバー及び前記電極の一方にアースを接続し、基体に素子及び配線が形成された電子部品を前記チャンバー内に収容し、前記チャンバー内にエッチングガスを供給し、前記チャンバーを回転又は振り子動作させることにより前記チャンバー内の前記電子部品を動かし、前記電極と前記チャンバーの間にエッチングガスのプラズマを発生させることにより、前記電子部品の表面全体をエッチングする工程と、
前記チャンバー内に供給する前記エッチングガスを停止し、前記チャンバー内に原料ガスを供給し、前記チャンバーを回転又は振り子動作させることにより前記チャンバー内の前記電子部品を動かし、前記チャンバー及び前記電極の他方に高周波電力を供給し、前記電極と前記チャンバーの間に原料ガス系プラズマを発生させることにより、前記電子部品の表面全体に保護膜をＣＶＤ法により成膜する工程と、
を含むことを特徴とする電子部品の製造方法。
【請求項２】
前記チャンバーがアース棒によって打ち付けられることにより前記電子部品が攪拌されることを特徴とする請求項１に記載の電子部品の製造方法。  
【請求項３】
前記チャンバーにヒータが取り付けられていることを特徴とする請求項１または２に記載の電子部品の製造方法。
【請求項４】
前記チャンバーにバイブレータが取り付けられていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の電子部品の製造方法。
【請求項５】
前記チャンバー内部に棒状部材が取り付けられていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の電子部品の製造方法。
【請求項６】
内部の断面形状が円形または多角形を有する容器をチャンバー内に配置し、前記容器内に電極を配置し、前記容器及び前記電極の一方にアースを接続し、基体に素子及び配線が形成された電子部品を前記容器内に収容し、前記容器内にエッチングガスを供給し、前記容器を前記断面に対して略垂直方向を回転軸として回転又は振り子動作させることにより前記容器内の前記電子部品を動かし、前記容器及び前記電極の他方に高周波電力を供給し、前記電極と前記容器の間にエッチングガスのプラズマを発生させることにより、前記電子部品の表面全体をエッチングする工程と、
前記容器内に供給する前記エッチングガスを停止し、前記容器内に原料ガスを供給し、前記容器を前記断面に対して略垂直方向を回転軸として回転又は振り子動作させることにより前記容器内の前記電子部品を動かし、前記容器及び前記電極の他方に高周波電力を供給し、前記電極と前記容器の間に原料ガス系プラズマを発生させることにより、前記電子部品の表面全体に保護膜をＣＶＤ法により成膜することを特徴とする電子部品の製造方法。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一項において、
前記高周波電力の周波数は１０ｋＨｚ〜１ＭＨｚであることを特徴とする電子部品の製造方法。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一項において、
前記素子が光センサーであることを特徴とする電子部品の製造方法。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一項において、
前記素子が太陽電池用素子であることを特徴とする電子部品の製造方法。
【請求項１０】
請求項９において、
前記基体がアモルファスシリコンまたは結晶シリコンを有することを特徴とする電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子部品を製造する際に、電子部品の表面の酸化膜等をエッチングにより除去すること、電子部品の表面を保護するために、その電子部品の表面全体に保護膜を成膜することが要求される場合がある。
【０００３】
しかし、電子部品のサイズが非常に小さいと、その電子部品の表面全体を均一性良くエッチングすること、電子部品の表面全体に保護膜を均一性良く成膜することは困難である。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の一態様は、電子部品の表面全体を均一性良くエッチングした電子部品またはその製造方法を提供することを課題とする。
また、本発明の一態様は、電子部品の表面全体に保護膜を均一性良く成膜した電子部品またはその製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
以下に、本発明の種々の態様について説明する。
［１］表面全体に保護膜が成膜された電子部品であり、
前記電子部品は基体に素子及び配線が形成されており、
前記保護膜は、チャンバー内に電極を配置し、前記チャンバー及び前記電極の一方にアースを接続し、前記チャンバー内に前記電子部品を収容し、前記チャンバー内に原料ガスを供給し、前記チャンバーを回転又は振り子動作させることにより前記チャンバー内の前記電子部品を動かし、前記チャンバー及び前記電極の他方に高周波電力を供給し、前記電極と前記チャンバーの間に原料ガス系プラズマを発生させることにより、前記電子部品の表面全体にＣＶＤ法により成膜されたものであることを特徴とする電子部品。
【０００６】
なお、前記チャンバーは、重力方向に対して略平行な断面の内部形状が円形または多角形を有し、前記チャンバーを回転又は振り子動作させる際の回転軸は、前記断面に対して略垂直方向であるとよい。
【０００７】
［２］表面全体に保護膜が成膜された電子部品であり、
前記電子部品は基体に素子及び配線が形成されており、
前記保護膜は、内部の断面形状が円形または多角形を有する容器をチャンバー内に配置し、前記容器内に電極を配置し、前記容器及び前記電極の一方にアースを接続し、前記容器内に前記電子部品を収容し、前記容器内に原料ガスを供給し、前記容器を前記断面に対して略垂直方向を回転軸として回転又は振り子動作させることにより前記容器内の前記電子部品を動かし、前記容器及び前記電極の他方に高周波電力を供給し、前記電極と前記容器の間に原料ガス系プラズマを発生させることにより、前記電子部品の表面全体にＣＶＤ法により成膜されたものであることを特徴とする電子部品。
【０００８】
なお、前記高周波電力の周波数は１０ｋＨｚ〜１ＭＨｚであるとよい。
【０００９】
［３］表面全体に保護膜が成膜された電子部品であり、
前記電子部品は基体に素子及び配線が形成されており、
前記保護膜は、内部の断面形状が円形または多角形を有するチャンバー内に前記電子部品を収容し、前記チャンバーを前記断面に対して略垂直方向を回転軸として回転または振り子動作させることにより、前記チャンバー内の前記電子部品を攪拌あるいは回転させながらスパッタリングを行うことで、前記電子部品の表面全体に成膜されたものであることを特徴とする電子部品。
【００１０】
［４］上記［１］乃至［３］のいずれか一項において、
前記素子が光センサーであることを特徴とする電子部品。
【００１１】
［５］上記［１］乃至［３］のいずれか一項において、
前記素子が太陽電池用素子であることを特徴とする電子部品。
【００１２】
［６］上記［５］において、
前記基体がアモルファスシリコンまたは多結晶シリコンを有することを特徴とする電子部品。
【００１３】
［７］チャンバー内に電極を配置し、前記チャンバー及び前記電極の一方にアースを接続し、基体に素子及び配線が形成された電子部品を前記チャンバー内に収容し、前記チャンバー内に原料ガスを供給し、前記チャンバーを回転又は振り子動作させることにより前記チャンバー内の前記電子部品を動かし、前記チャンバー及び前記電極の他方に高周波電力を供給し、前記電極と前記チャンバーの間に原料ガス系プラズマを発生させることにより、前記電子部品の表面全体に保護膜をＣＶＤ法により成膜することを特徴とする電子部品の製造方法。
【００１４】
［８］上記［７］において、
前記チャンバー内に原料ガスを供給する前に、前記チャンバー内にエッチングガスを供給し、前記電極と前記チャンバーの間にエッチングガスのプラズマを発生させることにより、前記電子部品の表面全体をエッチングした後に、前記チャンバー内に供給する前記エッチングガスを停止し、前記チャンバー内に前記原料ガスを供給することを特徴とする電子部品の製造方法。
【００１５】
なお、前記チャンバーは、重力方向に対して略平行な断面の内部形状が円形または多角形を有し、前記チャンバーを回転又は振り子動作させる際の回転軸は、前記断面に対して略垂直方向であるとよい。
【００１６】
［９］内部の断面形状が円形または多角形を有する容器をチャンバー内に配置し、前記容器内に電極を配置し、前記容器及び前記電極の一方にアースを接続し、基体に素子及び配線が形成された電子部品を前記容器内に収容し、前記容器内に原料ガスを供給し、前記容器を前記断面に対して略垂直方向を回転軸として回転又は振り子動作させることにより前記容器内の前記電子部品を動かし、前記容器及び前記電極の他方に高周波電力を供給し、前記電極と前記容器の間に原料ガス系プラズマを発生させることにより、前記電子部品の表面全体に保護膜をＣＶＤ法により成膜することを特徴とする電子部品の製造方法。
【００１７】
［１０］上記［９］において、
前記容器内に原料ガスを供給する前に、前記容器内にエッチングガスを供給し、前記電極と前記容器の間にエッチングガスのプラズマを発生させることにより、前記電子部品の表面全体をエッチングした後に、前記容器内に供給する前記エッチングガスを停止し、前記容器内に前記原料ガスを供給することを特徴とする電子部品の製造方法。
【００１８】
［１１］上記［７］乃至［１０］のいずれか一項において、
前記高周波電力の周波数は１０ｋＨｚ〜１ＭＨｚであることを特徴とする電子部品の製造方法。
【００１９】
［１２］上記［７］乃至［１１］のいずれか一項において、
前記素子が光センサーであることを特徴とする電子部品の製造方法。
【００２０】
［１３］上記［７］乃至［１１］のいずれか一項において、
前記素子が太陽電池用素子であることを特徴とする電子部品の製造方法。
【００２１】
［１４］上記［１３］において、
前記基体がアモルファスシリコンまたは結晶シリコンを有することを特徴とする電子部品の製造方法。
【発明の効果】
【００２２】
本発明の一態様によれば、電子部品の表面全体を均一性良くエッチングした電子部品またはその製造方法を提供することができる。
また、本発明の一態様によれば、電子部品の表面全体に保護膜を均一性良く成膜した電子部品またはその製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】（Ａ）は本発明の一態様に係る電子部品の一例の第１の光検出器を示す模式図、（Ｂ）は本発明の一態様に係る電子部品の一例の第２の光検出器を示す模式図である。
【図２】（Ａ）は本発明の一態様に係る電子部品の一例のボール太陽電池を示す模式図、（Ｂ）は（Ａ）に示すボール太陽電池を基板上に複数配置した状態を示す模式図である。
【図３】（Ａ）は本発明の一態様に係る電子部品の一例の半導体チップを示す平面図、（Ｂ）は（Ａ）に示す４Ｂ−４Ｂ線に沿った断面図である。
【図４】（Ａ）は本発明の一態様に係る電子部品を製造するためのプラズマ処理装置を示す断面図、（Ｂ）は（Ａ）に示す２−２線に沿った断面図である。
【図５】（Ａ）は本発明の一態様に係るプラズマ処理装置の概略を示す断面図、（Ｂ）は（Ａ）に示す８Ｂ−８Ｂ線に沿った断面図である。
【図６】本発明の一態様に係るスパッタリング装置の概略を示す構成図である。
【図７】（Ａ）はＳｉＯ２膜を成膜する処理前の半導体チップのＦＥ−ＳＥＭ像、（Ｂ）はＳｉＯ２膜を成膜した処理後の半導体チップのＦＥ−ＳＥＭ像である。
【図８】図７（Ｂ）に示す保護膜を成膜した半導体チップの断面を観察したＳＩＭ画像である。
【図９】図７（Ｂ）に示す半導体チップのＳｉＯ２膜が十分な絶縁特性を有するか否かを調べた実験結果である。
【図１０】図７（Ｂ）に示す半導体チップのＳｉＯ２膜が十分な耐電圧特性を有するか否かを調べた実験結果である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下では、本発明の実施の形態について図面を用いて詳細に説明する。ただし、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
【００２５】
［実施の形態１］
＜電子部品としての第１の光検出器＞
図１（Ａ）は、本発明の一態様に係る電子部品の一例の第１の光検出器を示す模式図である。第１の光検出器は、立体的な光学センサーであり、最大外径が５０ｍｍ以下であることが好ましく、より好ましくは５ｍｍ以下である。球形状の基体１０１には、複数の素子１０２及び複数の素子１０２を互いに接続する配線１０３が形成されている。素子１０２は、光などの電磁気的エネルギーを検出する光センサーである。配線１０３は例えばＣｕ膜またはＣｕ合金膜からなる。
【００２６】
第１の光検出器の表面全体には保護膜（図示せず）が成膜されている。この保護膜は、光を透過する膜であって第１の光検出器の表面全体を保護する膜であり、例えばＳｉＯ２膜などの絶縁膜である。この保護膜は、図４に示すプラズマ処理装置によって成膜された膜であり、絶縁膜として十分に機能する高い絶縁性を有する。詳細には、保護膜は、チャンバー１１３内に電極２４を配置し、チャンバー１１３及び電極２４の一方にアースを接続し、チャンバー１１３内に第１の光検出器を収容し、チャンバー１１３内に原料ガスを供給し、チャンバー１１３を回転又は振り子動作させることによりチャンバー１１３内の第１の光検出器を動かし、チャンバー１１３及び電極２４の他方に高周波電力を供給し、電極２４とチャンバー１１３の間に原料ガス系プラズマを発生させることにより、第１の光検出器の表面全体にＣＶＤ法により成膜されたものである。
【００２７】
＜電子部品としての第２の光検出器＞
図１（Ｂ）は、本発明の一態様に係る電子部品の一例の第２の光検出器を示す模式図であり、図１（Ａ）と同一部分には同一符号を付し、異なる部分についてのみ説明する。
【００２８】
第２の光検出器は基体１０１ａを有し、この基体１０１ａには、複数の素子１０２及び複数の素子１０２を互いに接続する配線１０３が形成されている。基体１０１ａは縦の長さＬ１、横の長さＬ２、高さＬ３の直方体形状を有しており、Ｌ１は５０ｍｍ以下（好ましくは５ｍｍ以下）、Ｌ２は５０ｍｍ以下（好ましくは５ｍｍ以下）、Ｌ３は４０ｍｍ以下（好ましくは４ｍｍ以下）であることが好ましい。
【００２９】
第２の光検出器の表面全体には保護膜（図示せず）が成膜されている。この保護膜は、図１（Ａ）に示す第１の光検出器の保護膜と同様である。
【００３０】
＜電子部品としてのボール太陽電池＞
図２（Ａ）は、本発明の一態様に係る電子部品の一例のボール太陽電池１０４を示す模式図であり、図２（Ｂ）は、図２（Ａ）に示すボール太陽電池１０４を基板１０５上に複数配置した状態を示す模式図である。
【００３１】
図２（Ａ）に示すボール太陽電池１０４の最大外径は５０ｍｍ以下であることが好ましく、より好ましくは５ｍｍ以下である。ボール太陽電池１０４は球形状の基体１０１ｂを有し、この基体１０１ｂはアモルファスシリコンまたは多結晶シリコンを有する。基体１０１ｂには太陽電池用素子及び配線１０３ｂが形成されている。太陽電池用素子は、光起電力効果を利用し、光エネルギーを直接電力に変換して出力するものである。配線１０３ｂは例えばＣｕ膜またはＣｕ合金膜からなる。
【００３２】
ボール太陽電池１０４の表面全体には保護膜（図示せず）が成膜されている。この保護膜は、光を透過する膜であって図１（Ａ）に示す第１の光検出器の保護膜と同様である。
【００３３】
上記のボール太陽電池１０４は、図２（Ｂ）に示すように基板１０５上に複数配置される。ボール太陽電池１０４が球形状を有するため、基板１０５上の単位面積当たりの太陽電池用素子の表面積を、基板上に平面的に太陽電池用素子を配置した場合に比べて大きくすることができる。これにより、基板１０５上の単位面積当たりの発電効果を向上させることができる。
【００３４】
＜電子部品としての半導体チップ＞
図３（Ａ）は、本発明の一態様に係る電子部品の一例の半導体チップを示す平面図であり、図３（Ｂ）は、図３（Ａ）に示す４Ｂ−４Ｂ線に沿った断面図である。
【００３５】
図３（Ａ）に示す半導体チップの外形寸法は、縦１０００μｍ、横２０００μｍである。この半導体チップは基体としてのシリコン基板１０１ｃを有し、シリコン基板１０１ｃ上にはＣｕ配線１０３ｃが形成されている。Ｃｕ配線１０３ｃの平面パターン寸法は、横線の長さＬ４が１８００μｍ、横線の幅Ｌ５が８０μｍ、横線のスペース幅Ｌ６が８０μｍ、縦線の長さＬ７が６４０μｍ、縦線の幅Ｌ８が８０μｍである。なお、本態様では、半導体チップの最大外径を２０００μｍとしているが、５０ｍｍ以下（好ましくは５ｍｍ以下）の最大外径であれば他の外径寸法の半導体チップを用いてもよい。また、本態様では、基体としてシリコン基板１０１ｃを用いているが、基体として他の半導体基板を用いることも可能である。
【００３６】
半導体チップの詳細な製造方法は次のとおりである。
図３（Ｂ）に示すように、シリコンウェハ（シリコン基板１０１ｃ）上にスパッタリングによりＣｕ膜（又はＣｕ合金膜）を成膜し、Ｃｕ膜（又はＣｕ合金膜）をパターニングすることでシリコン基板１０１ｃ上にＣｕ配線（Ｃｕ合金配線）１０３ｃを形成する。次いで、シリコンウェハをダイシングにより個々の半導体チップ（図３（Ａ）参照）に切断する。
【００３７】
その後、半導体チップの表面全体に保護膜としてのＳｉＯ２膜１０６を成膜する。詳細には、Ｃｕ配線１０３ｃ及びシリコン基板１０１ｃの上にＣＶＤ法によりＳｉＯ２膜１０６を成膜する。
なお、本態様では、保護膜としてＳｉＯ２膜１０６を成膜するが、保護膜としてＤＬＣ(Diamond Like Carbon)膜を成膜してもよい。
【００３８】
上記の保護膜は、図４に示すプラズマ処理装置によって成膜された膜であり、絶縁膜として十分に機能する高い絶縁性を有する。詳細には、保護膜は、チャンバー１１３内に電極２４を配置し、チャンバー１１３及び電極２４の一方にアースを接続し、チャンバー１１３内に半導体チップを収容し、チャンバー１１３内に原料ガスを供給し、チャンバー１１３を回転又は振り子動作させることによりチャンバー１１３内の半導体チップを動かし、チャンバー１１３及び電極２４の他方に高周波電力を供給し、電極２４とチャンバー１１３の間に原料ガス系プラズマを発生させることにより、半導体チップの表面全体にＣＶＤ法により成膜されたものである。
【００３９】
＜プラズマ処理装置＞
図４（Ａ）は、本発明の一態様に係る電子部品を製造するためのプラズマ処理装置を示す断面図であり、図４（Ｂ）は、図４（Ａ）に示す２−２線に沿った断面図である。
【００４０】
プラズマ処理装置は、電子部品の表面全体にＣＶＤ法により薄膜（保護膜）を成膜する、または電子部品の表面全体をエッチングするための装置である。
【００４１】
図４（Ａ），（Ｂ）に示すように、プラズマ処理装置は内部断面形状が六角形のチャンバー１１３を有している。このチャンバー１１３の一方端はチャンバー蓋２１ａによって閉じられており、チャンバー１１３の他方端はチャンバー蓋２１ｂによって閉じられている。チャンバー１１３及びチャンバー蓋２１ａ，２１ｂそれぞれはアース（接地電位）に接続されている。
【００４２】
チャンバー１１３の内部には電子部品１００が収容される。電子部品１００としては、図１（Ａ）に示す第１の光検出器、図１（Ｂ）に示す第２の光検出器、図２に示すボール太陽電池、図３に示す半導体チップなどを用いることができる。
【００４３】
チャンバー１１３及びチャンバー蓋２１ａ，２１ｂそれぞれは導電性を有している。なお、本実施の形態では、チャンバー１１３の内部断面形状を六角形のバレル形状としているが、チャンバー１１３の内部断面形状を六角形以外の多角形のバレル形状としてもよく、例えば５角形、７角形、８角形、９角形、１０角形、１１角形、１２角形等のバレル形状としてもよい。
【００４４】
図４（Ｂ）で示す断面は重力方向１１１に対して略平行な断面である。なお、本明細書において「略平行」とは、完全な平行に対して±３°ずれているものも含む意味である。また、本明細書において「略垂直」とは、完全な垂直に対して±３°ずれているものも含む意味である。
【００４５】
また、プラズマ処理装置は、チャンバー１１３内に原料ガスまたはエッチングガスを導入するガス導入機構を備えている。このガス導入機構は筒状のガスシャワー電極（対向電極）２１を有している。このガスシャワー電極２４はチャンバー１１３内に配置されている。即ち、チャンバー１１３の他方側のチャンバー蓋２１ｂには開口が形成されており、この開口からガスシャワー電極２４が挿入されている。
【００４６】
ガスシャワー電極２４は電源２３に電気的に接続されており、電源２３によって高周波電力がガスシャワー電極２４に供給されるようになっている。電源２３は、周波数が１０ｋＨｚ〜１ＭＨｚの高周波電源を用いることが好ましく、より好ましくは周波数が５０ｋＨｚ〜５００ｋＨｚの高周波電源を用いることである。このように周波数の低い電源を用いることにより、１ＭＨｚより高い周波数の電源を用いた場合に比べて、ガスシャワー電極２４とチャンバー１１３との間より外側にプラズマが分散するのを抑制することができる。言い換えると、ガスシャワー電極２４とチャンバー１１３との間にプラズマを閉じ込めることができる。１０ｋＨｚ〜１ＭＨｚのＲＦプラズマを用いると、このような閉じられたプラズマ空間内で誘導加熱が起こりづらく、かつ成膜時に十分なＶＤＣが電子部品１００にかかるので、硬度の高い保護膜が容易に形成しやすい。逆に１３．５６ＭＨｚのようなＲＦプラズマを用いると、閉じられたプラズマ空間では、電子部品１００にＶＤＣがかかりづらいので硬度の高い保護膜が形成しにくい。
【００４７】
また、ガスシャワー電極２４に周波数が１０ｋＨｚ〜１ＭＨｚの高周波電力を印加し、電子部品１００を収容するチャンバー１１３にアースを接続する方が、ガスシャワー電極２４にアースを接続し、電子部品１００を収容するチャンバー１１３に周波数が１０ｋＨｚ〜１ＭＨｚの高周波電力を印加する場合に比べて、電子部品１００の表面に硬度の高い保護膜を容易に形成することができる。しかし、ガスシャワー電極２４にアースを接続し、チャンバー１１３に高周波電力を印加する構成に変更して実施してもよい。
【００４８】
チャンバー１１３内に収容されている電子部品１００と対向する対向面以外のガスシャワー電極（対向電極）２４の表面はアース遮蔽部材２７ａによって遮蔽されている。このアース遮蔽部材２７ａとガスシャワー電極２４とは５ｍｍ以下（好ましくは３ｍｍ以下）の間隔を有している。
【００４９】
高周波電力が供給されるガスシャワー電極２４をアース遮蔽部材２７ａで覆うことにより、チャンバー１１３の内側に高周波出力を集中させることができ、その結果、チャンバー１１３内に収容された電子部品１００に集中的に高周波電力を供給することができる。
【００５０】
ガスシャワー電極２４の一方側の前記対向面には、単数又は複数の原料ガス若しくはエッチングガスをシャワー状に吹き出すガス吹き出し口が複数形成されている。このガス吹き出し口は、ガスシャワー電極２４の底部（前記対向面）に配置され、チャンバー１１３に収容された電子部品１００と対向するように配置されている。即ち、ガス吹き出し口はチャンバー１１３の内面に対向するように配置されている。
【００５１】
また、図４（Ｂ）に示すように、ガスシャワー電極２４は、重力方向１１１に対して逆側の表面が前記逆側に凸の形状を有している。言い換えると、ガスシャワー電極２４の断面形状は、底部以外が円形又は楕円形となっている。これにより、チャンバー１１３を回転させているときに円形又は楕円形とされた部分（凸形状の部分）に電子部品１００が乗っても、その電子部品１００をガスシャワー電極２４から落下させることができる。
【００５２】
ガスシャワー電極２４の他方側は真空バルブ２６ａを介してマスフローコントローラ（ＭＦＣ）２２の一方側に接続されている。マスフローコントローラ２２の他方側は真空バルブ２６ｂ及び図示せぬフィルターなどを介して原料ガス発生源２０ａまたは図示せぬエッチングガス発生源に接続されている。この原料ガス発生源２０ａは、電子部品１００に被覆する保護膜によって発生させる原料ガスの種類が異なるが、例えばＳｉＯ２膜を成膜する場合はＳｉＨ４ガス等を発生させるものとする。
【００５３】
また、ガスシャワー電極２４の他方側は真空バルブ（図示せず）を介して図示せぬマスフローコントローラ（ＭＦＣ）の一方側に接続されている。このマスフローコントローラの他方側はアルゴンガスボンベ（図示せず）に接続されている。
【００５４】
チャンバー１１３には回転機構としてのモーター２９が設けられており、このモーター２９によりガスシャワー電極２４を回転中心としてチャンバー１１３を図４（Ａ），（Ｂ）に示す矢印３１のように回転又は振り子動作させることでチャンバー１１３内の電子部品１００を動かしながら成膜処理またはエッチング処理を行うものである。モーター２９によりチャンバー１１３を回転させる際の回転軸は、略水平方向（重力方向１１１に対して略垂直方向）に平行な軸である。なお、本明細書において「略水平方向」とは、完全な水平方向に対して±３°ずれているものも含む意味である。また、チャンバー１１３内の気密性は、チャンバー１１３の回転時においても保持されている。
【００５５】
また、プラズマ処理装置は、チャンバー１１３内を真空排気する真空排気機構を備えている。例えば、チャンバー１１３には排気口（図示せず）が複数設けられており、排気口は真空ポンプ（図示せず）に接続されている。
【００５６】
また、真空排気機構によってチャンバー１１３の内部から外部へガスが排気される経路における最小径又は最小隙間が５ｍｍ以下（好ましくは３ｍｍ以下）となるように、チャンバー１１３内には図示せぬアース部材が配置されている。ガスシャワー電極２４からチャンバー１１３内に導入された原料ガスは、前記最小径又は最小隙間を通って排気口から排気されるようになっている。このとき、前記最小径又は最小隙間を５ｍｍ以下とすることにより、チャンバー１１３内に収容された電子部品１００の近傍にプラズマを閉じ込めることを妨げないようにすることができる。つまり、前記最小径又は最小隙間を５ｍｍより大きくすると、プラズマが分散してしまったり、異常放電を起こすおそれがある。言い換えると、前記最小径又は最小隙間を５ｍｍ以下とすることにより、排気口側にＣＶＤ膜が成膜されてしまうことを抑制できる。
【００５７】
また、ガスシャワー電極２４はヒーター（図示せず）を有している。また、プラズマ処理装置は、チャンバー１１３の内面に収容された電子部品１００に振動を加えるための打ち付け部材としてのアース棒（図示せず）を有していてもよい。つまり、アース棒は、その先端を、駆動機構（図示せず）によってチャンバー１１３に打ち付けることができるようになっているとよい。チャンバー１１３にアース棒を連続的に打ち付けることにより、チャンバー１１３内に収容された電子部品１００に振動を加えることが可能となる。これにより、電子部品１００の攪拌を促進することができる。
【００５８】
なお、本実施の形態では、内部断面形状が六角形であるチャンバー１１３に電子部品１００を収容し、この電子部品１００に薄膜（保護膜）を成膜するプラズマ処理装置について説明するが、チャンバー１１３の内部断面形状は六角形に限られず、チャンバー１１３の内部断面形状を円形又は楕円形にすることも可能である。内部断面形状が六角形のチャンバー１１３と円形又は楕円形のチャンバーとの違いは、円形又は楕円形のチャンバーに比べて六角形のチャンバー１１３の方が外径の小さい電子部品の表面全体に薄膜（保護膜）を均一性良く成膜できる点である。
【００５９】
＜電子部品の製造方法＞
図４に示すプラズマ処理装置を用いて電子部品１００に保護膜を成膜する方法について説明する。ここでは、電子部品１００として図１（Ａ）に示す第１の光検出器、図１（Ｂ）に示す第２の光検出器、図２に示すボール太陽電池、図３に示す半導体チップなどを用い、その電子部品１００に保護膜（例えばＳｉＯ２膜、ＤＬＣ膜等）を成膜するものを例にとり説明する。
【００６０】
まず、複数の電子部品１００をチャンバー１１３内に収容する。電子部品１００の最大外径は５０ｍｍ以下（好ましくは５ｍｍ以下）である。
【００６１】
この後、真空ポンプを作動させることによりチャンバー１１３内を所定の圧力（例えば５×１０−５Ｔｏｒｒ程度）まで減圧する。これと共に、モーター２９によりチャンバー１１３を回転させることで、チャンバー１１３の内部に収容された電子部品１００がチャンバー内面において動かされる。なお、ここでは、チャンバー１１３を回転させているが、チャンバー１１３を回転機構によって振り子動作させることも可能である。
【００６２】
次いで、原料ガス発生源２０ａにおいて原料ガスとして例えばトルエン（Ｃ７Ｈ８）を発生させ、マスフローコントローラ２２によってトルエンを７ｃｃ／分の流量に制御し、アルゴンガスボンベから供給されたアルゴンガスを５ｃｃ／分の流量に制御し、これら流量制御されたトルエン及びアルゴンガスをガスシャワー電極２４の内側に導入する。そして、ガスシャワー電極２４のガス吹き出し口からトルエン及びアルゴンガスを吹き出させる。これにより、チャンバー１１３内を回転しながら動いている電子部品１００にトルエン及びアルゴンガスが吹き付けられ、制御されたガス流量と排気能力のバランスによって、ＣＶＤ法による成膜に適した圧力に保たれる。なお、本態様では、原料ガスとしてトルエンを用いているが、保護膜の材質に応じて適切な原料ガスに変更するとよい。
【００６３】
また、回転しているチャンバー１１３に駆動機構によってアース棒を連続的に打ち付ける。これにより、チャンバー１１３内に収容された電子部品１００に振動を加え、電子部品１００の攪拌及び混合を促進させることができる。
【００６４】
この後、ガスシャワー電極２４に電源２３から１５０Ｗで２５０ｋＨｚのＲＦ出力が供給される。この際、チャンバー１１３と電子部品１００はアースに接続されている。これにより、ガスシャワー電極２４とチャンバー１１３との間にプラズマが着火され、チャンバー１１３内にプラズマが発生され、ＤＬＣからなる保護膜が電子部品１００の表面全体に成膜される。つまり、チャンバー１１３を回転させることによって電子部品１００を攪拌し、回転させているため、電子部品１００の表面全体に保護膜を均一に成膜することが容易にできる。
【００６５】
上記実施の形態によれば、ガスシャワー電極２４に高周波電力を印加し、電子部品１００を収容するチャンバー１１３にアースを接続する装置構成とするため、ガスシャワー電極２４にアースを接続し、チャンバー１１３に高周波電力を印加する場合に比べて、プラズマ処理装置の機械構造を簡素化でき、装置コストを低減できる。また、プラズマ処理装置の機械構造を簡素化できるため、メンテナンス性が良くなる。
【００６６】
また、本実施の形態では、ガスシャワー電極２４に高周波電力を印加する装置構成とするため、チャンバー１１３に高周波電力を印加する場合に比べて、マッチングを取りやすく、チューニングを外れにくくすることができる。その理由は、チャンバー１１３に高周波電力を印加する構成とすると、チャンバー１１３の回転運動によりインピーダンスが常時変化するため、マッチングが取りにくく、チューニングが外れやすくなるからである。
【００６７】
また、本実施の形態では、六角形のバレル形状のチャンバー１１３自体を回転させることで電子部品１００自体を回転させ攪拌でき、更にバレルを六角形とすることにより、電子部品１００を重力により定期的に落下させることができる。このため、攪拌効率を飛躍的に向上させることができる。したがって、外径の非常に小さい電子部品１００に保護膜を成膜することが可能となる。具体的には、最大外径が５０ｍｍ以下の電子部品（好ましくは５ｍｍ以下の電子部品）の表面全体に保護膜を成膜することが可能となる。
【００６８】
また、本実施の形態では、チャンバー１１３内に収容されている電子部品１００と対向する対向面以外のガスシャワー電極２４の表面をアース遮蔽部材２７ａによって遮蔽している。このため、チャンバー１１３の内面とそれに対向するガスシャワー電極２４との間にプラズマを発生させることができる。つまり、チャンバー１１３の内側に高周波出力を集中させることができ、その結果、チャンバー１１３の内面に収容された電子部品１００に集中的に高周波電力を供給することができ、高周波電力を効果的に電子部品１００に供給することができる。
【００６９】
また、本実施の形態では、チャンバー１１３にアース棒を連続的に打ち付けることにより、チャンバー１１３内に収容された電子部品１００の攪拌を促進させることができる。したがって、より小さい最大外径を有する電子部品１００に対しても均一性良くＤＬＣからなる保護膜を被覆することが可能となる。
【００７０】
なお、上記実施の形態では、電子部品１００にＤＬＣからなる保護膜を成膜するプラズマＣＶＤ方法について説明しているが、電子部品１００にＤＬＣ以外の材料からなる保護膜を成膜することに対して本実施の形態によるプラズマ処理装置を用いることも可能である。
【００７１】
また、上記実施の形態では、電子部品１００の表面全体に保護膜を成膜しているが、電子部品１００の表面全体に保護膜を成膜する前に、電子部品１００の表面全体をエッチングして不要な絶縁膜等を除去した後に、電子部品１００の表面全体に保護膜を成膜してもよい。この場合の詳細な製造方法は以下のとおりである。
【００７２】
エッチングガス発生源においてエッチングガスを発生させ、マスフローコントローラ２２によってエッチングガスを所定の流量に制御し、この流量制御されたエッチングガスをガスシャワー電極２４の内側に導入する。そして、ガスシャワー電極２４のガス吹き出し口からエッチングガスを吹き出させる。これにより、チャンバー１１３内を回転しながら動いている電子部品１００にエッチングガスが吹き付けられ、制御されたガス流量と排気能力のバランスによって、エッチングに適した圧力に保たれる。
【００７３】
この後、ガスシャワー電極２４に電源２３から１５０Ｗで２５０ｋＨｚのＲＦ出力が供給される。この際、チャンバー１１３と電子部品１００はアースに接続されている。これにより、ガスシャワー電極２４とチャンバー１１３との間にプラズマが着火され、チャンバー１１３内にプラズマが発生され、電子部品１００の表面全体がエッチングされる。
【００７４】
次いで、エッチングガスが停止され、原料ガス発生源２０ａにおいて原料ガスを発生させ、マスフローコントローラ２２によって原料ガスを流量制御し、アルゴンガスボンベから供給されたアルゴンガスを流量制御し、これら流量制御されたガスをガスシャワー電極２４の内側に導入することにより、前述した保護膜の成膜方法と同様の方法で電子部品１００の表面全体に保護膜を成膜する。
【００７５】
［実施の形態２］
＜電子部品としての第１の光検出器＞
本発明の一態様に係る電子部品の一例の第１の光検出器は、図１（Ａ）に示すように基体１０１に素子１０２及び配線１０３が形成されている。第１の光検出器の表面全体には保護膜（図示せず）が成膜されている。この保護膜は、図５に示すプラズマ処理装置によって成膜された膜であり、絶縁膜として十分に機能する高い絶縁性を有する。詳細には、保護膜は、内部の断面形状が円形または多角形を有する容器３０をチャンバー３内に配置し、容器３０内に電極２４を配置し、容器３０及び電極２４の一方にアースを接続し、容器３０内に第１の光検出器を収容し、容器３０内に原料ガスを供給し、容器３０を前記断面に対して略垂直方向を回転軸として回転又は振り子動作させることにより容器３０内の第１の光検出器を動かし、容器３０及び電極２４の他方に高周波電力を供給し、電極２４と容器３０の間に原料ガス系プラズマを発生させることにより、第１の光検出器の表面全体にＣＶＤ法により成膜されたものである。
【００７６】
＜電子部品としての第２の光検出器＞
本発明の一態様に係る電子部品の一例の第２の光検出器は、図１（Ｂ）に示すように基体１０１ａを有し、この基体１０１ａには、複数の素子１０２及び複数の素子１０２を互いに接続する配線１０３が形成されている。
【００７７】
第２の光検出器の表面全体には保護膜（図示せず）が成膜されている。この保護膜は、本実施の形態の第１の光検出器の保護膜と同様である。
【００７８】
＜電子部品としてのボール太陽電池＞
本発明の一態様に係る電子部品の一例のボール太陽電池は、図２（Ａ）に示すように球形状の基体１０１ｂを有し、この基体１０１ｂには太陽電池用素子及び配線１０３ｂが形成されている。
【００７９】
ボール太陽電池１０４の表面全体には保護膜（図示せず）が成膜されている。この保護膜は、本実施の形態の第１の光検出器の保護膜と同様である。
【００８０】
＜電子部品としての半導体チップ＞
本発明の一態様に係る電子部品の一例の半導体チップは、図３（Ａ），（Ｂ）に示すように、シリコン基板１０１ｃ上に形成されたＣｕ配線（Ｃｕ合金配線）１０３ｃを有する。このＣｕ配線１０３ｃを有する半導体チップの表面全体には保護膜としてのＳｉＯ２膜１０６が成膜されている。
なお、本態様では、保護膜としてＳｉＯ２膜１０６を成膜するが、保護膜としてＤＬＣ膜を成膜してもよい。
【００８１】
上記の保護膜は、図５に示すプラズマ処理装置によって成膜された膜であり、絶縁膜として十分に機能する高い絶縁性を有する。詳細には、保護膜は、内部の断面形状が円形または多角形を有する容器３０をチャンバー３内に配置し、容器３０内に電極２４を配置し、容器３０及び電極２４の一方にアースを接続し、容器３０内に半導体チップを収容し、容器３０内に原料ガスを供給し、容器３０を前記断面に対して略垂直方向を回転軸として回転又は振り子動作させることにより容器３０内の半導体チップを動かし、容器３０及び電極２４の他方に高周波電力を供給し、電極２４と容器３０の間に原料ガス系プラズマを発生させることにより、半導体チップの表面全体にＣＶＤ法により成膜されたものである
【００８２】
＜プラズマ処理装置＞
図５（Ａ）は、本発明の一態様に係るプラズマ処理装置の概略を示す断面図であり、図５（Ｂ）は、図５（Ａ）に示す８Ｂ−８Ｂ線に沿った断面図である。
【００８３】
プラズマ処理装置は、電子部品の表面全体にＣＶＤ法により薄膜（保護膜）を成膜する、または電子部品の表面全体をエッチングするための装置である。
【００８４】
プラズマ処理装置は円筒形状のチャンバー３を有している。このチャンバー３の両端はチャンバー蓋２０によって閉じられている。チャンバー３の内部には容器３０が配置されている。この容器３０は、図５（Ｂ）に示すようにその断面が六角形のバレル形状（六角型バレル形状）を有しており、この容器３０の内部には電子部品１００が収容されるようになっている。また、容器３０は、電極としても機能し、プラズマ電源１３１又は接地電位に接続されるようになっており、両者はスイッチ３２により切り替え可能に構成されている。図５（Ｂ）で示す断面は、重力方向に対して略平行な断面である。なお、本実施の形態では、六角型バレル形状の容器３０を用いているが、これに限定されるものではなく、六角形以外の多角形のバレル形状の容器を用いることも可能であり、また断面形状が略円形の容器または断面形状が略楕円形の容器を用いることも可能である。
【００８５】
容器３０には回転機構（図示せず）が設けられており、この回転機構によりガスシャワー電極２４を回転中心として容器３０を矢印のように回転させることで容器３０内の電子部品１００を攪拌あるいは回転させながら成膜処理を行うものである。前記回転機構により容器３０を回転させる際の回転軸は、略水平方向（重力方向に対して略垂直方向）に平行な軸である。また、チャンバー３内の気密性は、容器３０の回転時においても保持されている。
【００８６】
また、プラズマ処理装置は、チャンバー３内に原料ガスまたはエッチングガスを導入するガス導入機構を備えている。このガス導入機構は筒状のガスシャワー電極２４を有しており、このガスシャワー電極２４は容器３０内に配置されている。即ち、容器３０の一方側には開口部が形成されており、この開口部からガスシャワー電極２４が挿入されている。ガスシャワー電極２４には、単数又は複数の原料ガス若しくはエッチングガスをシャワー状に吹き出すガス吹き出し口が複数形成されている。このガス吹き出し口は容器に収容された電子部品１００と対向するように配置されている。ガス吹き出し口は、図５（Ｂ）に示すように重力方向に対して容器３０の回転方向に１°〜９０°程度の方向に配置されている。
【００８７】
ガスシャワー電極２４は、真空バルブ、マスフローコントローラ（ＭＦＣ）、真空バルブ、フィルターなどを介して原料ガス発生源またはエッチングガス発生源に接続されている（ 図示せず）。この原料ガス発生源は、電子部品１００に成膜する薄膜（保護膜）によって発生させる原料ガスの種類が異なるが、例えばＳｉＯ２膜を成膜する場合はＳｉＨ４ガス等を発生させるものとする。
【００８８】
また、プラズマ処理装置はプラズマパワー供給機構を備えており、このプラズマパワー供給機構はガスシャワー電極２４にスイッチ３３を介して接続されたプラズマ電源２５を有している。プラズマ電源２５，１３１は、高周波電力（ＲＦ出力）を供給する高周波電源、マイクロ波用電源、ＤＣ放電用電源、及びそれぞれパルス変調された高周波電源、マイクロ波用電源、ＤＣ放電用電源のいずれかであればよい。例えばプラズマ電源が高周波電力を供給するものである場合、図示せぬインピーダンス整合器（マッチングボックス）を高周波電源とガスシャワー電極２４との間に配置することが好ましい。つまり、この場合、ガスシャワー電極２４はマッチングボックスに接続されており、マッチングボックスは同軸ケーブルを介して高周波電源（ＲＦ電源）に接続されている。
【００８９】
尚、ガスシャワー電極２４及び容器３０のいずれか一方にプラズマ電源が接続され、他方に接地電位が接続されていても良いし、ガスシャワー電極２４及び容器３０の両方にプラズマ電源が接続されていても良い。
【００９０】
また、プラズマ処理装置は、チャンバー３内を真空排気する真空排気機構を備えている。例えば、ガスシャワー電極２４にはチャンバー３内を排気する排気口（図示せず）が複数設けられており、排気口は真空ポンプ（図示せず）に接続されている。
【００９１】
＜電子部品の製造方法＞
図５に示すプラズマ処理装置を用いて電子部品１００に保護膜を成膜する方法について説明する。ここでは、電子部品１００として図１（Ａ）に示す第１の光検出器、図１（Ｂ）に示す第２の光検出器、図２に示すボール太陽電池、図３に示す半導体チップなどを用い、その電子部品１００に保護膜（例えばＳｉＯ２膜、ＤＬＣ膜等）を成膜するものを例にとり説明する。
【００９２】
まず、複数の電子部品１００を容器３０内に収容する。電子部品１００の最大外径は５０ｍｍ以下（好ましくは５ｍｍ以下）である。
【００９３】
この後、真空ポンプを作動させることによりチャンバー３内を所定の圧力（例えば２×１０−３Ｔｏｒｒ程度）まで減圧する。これと共に、回転機構により容器３０を回転させることで、その内部に収容された電子部品１００が容器３０内面において重力方向とそれに対して回転方向に９０°の間を転がりながら動く。なお、ここでは、チャンバー３を回転させているが、チャンバー３を回転機構によって振り子動作させることも可能である。
【００９４】
次いで、原料ガス発生源において原料ガス（例えばＳｉＨ４ガス）を発生させ、この原料ガスをマスフローコントローラによって流量制御し、この流量制御された原料ガスをガスシャワー電極２４の内側に導入する。そして、ガスシャワー電極のガス吹き出し口から原料ガスを吹き出させる。これにより、容器３０内を転がりながら動いている電子部品１００に原料ガスが吹き付けられ、制御されたガス流量と排気能力のバランスによって、ＣＶＤ法による成膜に適した圧力に保たれる。
【００９５】
この後、ガスシャワー電極２４に例えばマッチングボックスを介してプラズマ電源２５の一例である高周波電源（ＲＦ電源）から例えば１３．５６ＭＨｚのＲＦ出力が供給される。この際、容器３０は接地電位に接続されている。これにより、ガスシャワー電極２４と容器３０との間にプラズマを着火する。このとき、マッチングボックスは、容器３０とガスシャワー電極２４のインピーダンスに、インダクタンスＬ、キャパシタンスＣによって合わせている。これによって、容器３０内にプラズマが発生し、ＳｉＯ２からなる保護膜が電子部品１００の表面全体に成膜される。つまり、容器３０を回転させることによって電子部品１００を転がしているため、電子部品１００の表面全体に保護膜を均一性良く成膜することが容易にできる。
【００９６】
本実施の形態によれば、六角型バレル形状の容器３０自体を回転させることで電子部品１００自体を回転させ攪拌でき、更にバレルを六角型とすることにより、電子部品１００を重力により定期的に落下させることができる。このため、外径の非常に小さい電子部品の表面全体に保護膜を均一性よく成膜することが可能となる。
【００９７】
なお、上記実施の形態では、電子部品１００にＳｉＯ２からなる保護膜を成膜するプラズマＣＶＤ方法について説明しているが、電子部品１００にＳｉＯ２膜以外の材料からなる保護膜を成膜することに対して本実施の形態によるプラズマ処理装置を用いることも可能である。
【００９８】
また、上記実施の形態では、電子部品１００の表面全体に保護膜を成膜しているが、電子部品１００の表面全体に保護膜を成膜する前に、電子部品１００の表面全体をエッチングして不要な絶縁膜等を除去した後に、電子部品１００の表面全体に保護膜を成膜してもよい。この場合の詳細な製造方法は以下のとおりである。
【００９９】
エッチングガス発生源においてエッチングガスを発生させ、マスフローコントローラによってエッチングガスを所定の流量に制御し、この流量制御されたエッチングガスをガスシャワー電極２４の内側に導入する。そして、ガスシャワー電極２４のガス吹き出し口からエッチングガスを吹き出させる。これにより、容器３０内を回転しながら動いている電子部品１００にエッチングガスが吹き付けられ、制御されたガス流量と排気能力のバランスによって、エッチングに適した圧力に保たれる。
【０１００】
この後、ガスシャワー電極２４にプラズマ電源２５からＲＦ出力が供給される。この際、容器３０と電子部品１００はアースに接続されている。これにより、ガスシャワー電極２４と容器３０との間にプラズマが着火され、容器３０内にプラズマが発生され、電子部品１００の表面全体がエッチングされる。
【０１０１】
次いで、エッチングガスが停止され、原料ガス発生源において原料ガスを発生させ、マスフローコントローラによって原料ガスを流量制御し、アルゴンガスボンベから供給されたアルゴンガスを流量制御し、これら流量制御されたガスをガスシャワー電極２４の内側に導入することにより、前述した保護膜の成膜方法と同様の方法で電子部品１００の表面全体に保護膜を成膜する。
【０１０２】
［実施の形態３］
＜電子部品としての第１の光検出器＞
本発明の一態様に係る電子部品の一例の第１の光検出器は、図１（Ａ）に示すように基体１０１に素子１０２及び配線１０３が形成されている。第１の光検出器の表面全体には保護膜（図示せず）が成膜されている。この保護膜は、図６に示すスパッタリング装置によって成膜された膜であり、詳細には、内部の断面形状が円形または多角形を有するチャンバー１内に第１の光検出器を収容し、チャンバー１を前記断面に対して略垂直方向を回転軸として回転または振り子動作させることにより、チャンバー１内の第１の光検出器を攪拌あるいは回転させながらスパッタリングを行うことで、第１の光検出器の表面全体に成膜されたものである。
【０１０３】
＜電子部品としての第２の光検出器＞
本発明の一態様に係る電子部品の一例の第２の光検出器は、図１（Ｂ）に示すように基体１０１ａを有し、この基体１０１ａには、複数の素子１０２及び複数の素子１０２を互いに接続する配線１０３が形成されている。
【０１０４】
第２の光検出器の表面全体には保護膜（図示せず）が成膜されている。この保護膜は、本実施の形態の第１の光検出器の保護膜と同様である。
【０１０５】
＜電子部品としてのボール太陽電池＞
本発明の一態様に係る電子部品の一例のボール太陽電池は、図２（Ａ）に示すように球形状の基体１０１ｂを有し、この基体１０１ｂには太陽電池用素子及び配線１０３ｂが形成されている。
【０１０６】
ボール太陽電池１０４の表面全体には保護膜（図示せず）が成膜されている。この保護膜は、本実施の形態の第１の光検出器の保護膜と同様である。
【０１０７】
＜電子部品としての半導体チップ＞
本発明の一態様に係る電子部品の一例の半導体チップは、図３（Ａ），（Ｂ）に示すように、シリコン基板１０１ｃ上に形成されたＣｕ配線（Ｃｕ合金配線）１０３ｃを有する。このＣｕ配線１０３ｃを有する半導体チップの表面全体には保護膜としてのＳｉＯ２膜１０６が成膜されている。
なお、本態様では、保護膜としてＳｉＯ２膜１０６を成膜するが、保護膜としてＤＬＣ膜を成膜してもよい。
【０１０８】
上記の保護膜は、図６に示すスパッタリング装置によって成膜された膜であり、絶縁膜として十分に機能する高い絶縁性を有する。詳細には、保護膜は、内部の断面形状が円形または多角形を有するチャンバー１内に半導体チップを収容し、チャンバー１を前記断面に対して略垂直方向を回転軸として回転または振り子動作させることにより、チャンバー１内の半導体チップを攪拌あるいは回転させながらスパッタリングを行うことで、半導体チップの表面全体に成膜されたものである。
【０１０９】
＜スパッタリング装置＞
図６は、本発明の一態様に係るスパッタリング装置の概略を示す構成図である。このスパッタリング装置は、電子部品の表面全体にスパッタリング法により薄膜（保護膜）を成膜する装置である。
【０１１０】
スパッタリング装置は、電子部品１００に薄膜（保護膜）を成膜するチャンバー１を有しており、このチャンバー１は直径２００ｍｍの円筒部１ａとその内部に設置された断面が六角形のバレル（六角型バレル）１ｂとを備えている。ここで示す断面は、重力方向に対して略平行な断面である。なお、本実施の形態では、六角形のバレル１ｂを用いているが、これに限定されるものではなく、六角形以外の多角形のバレルを用いることも可能であり、また円形若しくは楕円形のバレルを用いることも可能である。
【０１１１】
チャンバー１には回転機構（図示せず）が設けられており、この回転機構により六角型バレル１ｂを矢印のように回転させることで六角型バレル１ｂ内の電子部品１００を攪拌あるいは回転させながら成膜処理を行うものである。前記回転機構により六角型バレルを回転させる際の回転軸は、略水平方向（重力方向に対して垂直方向）に平行な軸である。また、チャンバー１内には円筒の中心軸上にスパッタリングターゲット２が配置されており、このスパッタリングターゲット２は成膜する薄膜の材料からなるターゲットである。またターゲット２は角度を自由に変えられるように構成されている。これにより、六角型バレル１ｂを回転させながら成膜処理を行う時、ターゲット２を電子部品１００の位置する方向に向けることができ、それによってスパッタ効率を上げることが可能となる。
【０１１２】
チャンバー１には配管４の一端が接続されており、この配管４の他端には第１バルブ１２の一方側が接続されている。第１バルブ１２の他方側は配管５の一端が接続されており、配管５の他端はターボ分子ポンプ（ＴＭＰ）１０の吸気側に接続されている。ターボ分子ポンプ１０の排気側は配管６の一端に接続されており、配管６の他端は第２バルブ１３の一方側に接続されている。第２バルブ１３の他方側は配管７の一端に接続されており、配管７の他端はポンプ（ＲＰ）１１に接続されている。また、配管４は配管８の一端に接続されており、配管８の他端は第３バルブ１４の一方側に接続されている。第３バルブ１４の他方側は配管９の一端に接続されており、配管９の他端は配管７に接続されている。
【０１１３】
本装置は、チャンバー１内の電子部品１００を加熱するためのヒータ１７を備えている。また、本装置は、チャンバー１内の電子部品１００に振動を加えるためのバイブレータ１８を備えている。また、本装置は、チャンバー１の内部圧力を測定する圧力計１９を備えている。また、本装置は、チャンバー１内に窒素ガスを導入する窒素ガス導入機構１５を備えていると共にチャンバー１内にアルゴンガスを導入するアルゴンガス導入機構１６を備えている。また、本装置は、ターゲット２と六角型バレル１ｂとの間に高周波を印加する高周波印加機構（図示せず）を備えている。
【０１１４】
＜電子部品の製造方法＞
図６に示すスパッタリング装置を用いて電子部品１００に保護膜を成膜する方法について説明する。ここでは、電子部品１００として図１（Ａ）に示す第１の光検出器、図１（Ｂ）に示す第２の光検出器、図２に示すボール太陽電池、図３に示す半導体チップなどを用い、その電子部品１００に保護膜（例えばＳｉＯ２膜、ＤＬＣ膜等）を成膜するものを例にとり説明する。
【０１１５】
まず、六角型バレル１ｂ内に複数の電子部品１００を収容する。電子部品１００の最大外径は５０ｍｍ以下（好ましくは５ｍｍ以下）である。また、ターゲット２ にはＳｉＯ２を用いる。なお、本実施の形態では、ターゲット２にＳｉＯ２を用いているが、これに限定されるものではなく、他の材料、例えばＤＬＣからなるターゲットを用いることも可能である。
【０１１６】
次いで、ターボ分子ポンプ１０を用いて六角型バレル１ｂ内に高真空状態を作り、ヒータ１７で六角型バレルを加熱しながら、六角型バレル内を所定の圧力に減圧する。その後、アルゴンガス供給機構１６又は窒素ガス供給機構１５によりアルゴン又は窒素などの不活性ガスを六角型バレル１ｂ内に導入する。そして、回転機構により六角型バレル１ｂを１００Ｗで３０分間、２０ｒｐｍで回転させることで、六角型バレル１ｂ内の電子部品１００を回転させ、攪拌させる。その際、ターゲットは電子部品１００の位置する方向に向けられる。その後、高周波印加機構によりターゲット２と六角型バレル１ｂとの間に高周波を印加することで、電子部品１００の表面にＳｉＯ２をスパッタリングする。このようにして電子部品１００の表面全体に薄膜（保護膜）を成膜することができる。
【０１１７】
本実施の形態によれば、六角型バレル自体を回転させることで電子部品自体を回転させ攪拌でき、更にバレルを六角型とすることにより、電子部品を重力により定期的に落下させることができる。このため、攪拌効率を飛躍的に向上させることができる。したがって、外径の非常に小さい電子部品に薄膜（保護膜）を成膜することが可能となる。
【０１１８】
また、本実施の形態では、チャンバー１の外側にヒータ１７を取り付けており、このヒータ１７により六角型バレル１ｂを加熱することができる。このため、チャンバー１の内部を真空にする際、ヒータ１７で六角型バレルを加熱することにより、六角型バレル内の水分を気化させ排気することができる。
【０１１９】
また、本実施の形態では、チャンバー１の外側にバイブレータ１８を取り付けており、このバイブレータ１８により六角型バレル内の電子部品１００に振動を加えることができる。
【０１２０】
尚、本実施の形態では、バイブレータ１８により六角型バレル内の電子部品１００に振動を加えているが、バイブレータ１８の代わりに、又は、バイブレータ１８に加えて、六角型バレル内に棒状部材を収容した状態で該六角型バレルを回転させることにより、電子部品１００に振動を加えることも可能である。
【０１２１】
また、本実施の形態では、電子部品１００の表面全体に保護膜を成膜しているが、電子部品１００の表面全体に保護膜を成膜する前に、電子部品１００の表面全体をエッチングして不要な絶縁膜等を除去した後に、電子部品１００の表面全体に保護膜を成膜してもよい。
【０１２２】
なお、上記の実施の形態１〜３を互いに適宜組み合わせて実施することも可能である。
【実施例】
【０１２３】
図７（Ａ）は、表面全体に保護膜としてのＳｉＯ２膜を成膜する前（処理前）の半導体チップの表面を観察したＦＥ−ＳＥＭ（Field Emission Scanning Electron Microscope）像であり、図７（Ｂ）は、表面全体に保護膜としてのＳｉＯ２膜を成膜した後（処理後）の半導体チップの表面を観察したＦＥ−ＳＥＭ像である。図８は、図７（Ｂ）に示す保護膜を成膜した半導体チップの断面を観察したＳＩＭ（Scanning Ion Microscopy）画像である。
【０１２４】
図７（Ａ）に示す半導体チップは、シリコンウェハ上にスパッタリングによりＣｕ膜を形成し、このＣｕ膜をパターニングしてＣｕ配線を形成し、このシリコンウェハをダイシングにより半導体チップに切断したものであり、図８に示すＳｉＯ２膜を成膜する前の状態である。
【０１２５】
図７（Ｂ）に示す半導体チップは、図７（Ａ）に示す半導体チップの表面全体に保護膜としてのＳｉＯ２膜を表１に示す成膜条件で図５に示すプラズマＣＶＤ装置を用いて成膜したものであり、図３（Ｂ）と同様の膜構造を有する。つまり、図８に示す観察用保護膜を成膜する前の状態である。なお、表１に示す原料ガスのＨＭＤＳ−Ｎは、窒素を含むＨＭＤＳ（hexamethyldisilazane）を意味する。
【０１２６】
図８に示す半導体チップは、図７（Ｂ）に示す半導体チップのＳｉＯ２膜上に観察用保護膜として炭素（Ｃ）膜、Ｐｔ膜、炭素（Ｃ）膜を順に成膜したものである。これらの観察用保護膜は、図７（Ｂ）に示す半導体チップの断面をＳＩＭで観察する際に半導体チップを保護するための膜である。図８によれば、ＳｉＯ２膜の膜厚は３４０ｎｍであった。
【０１２７】
【表１】
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【０１２８】
図９は、図７（Ｂ）に示す半導体チップの保護膜としてのＳｉＯ２膜が十分な絶縁特性を有するか否かを調べた実験結果であって、電圧−電流特性を示すグラフである。
【０１２９】
図９に示すBlankは、比較のために図７（Ａ）に示す半導体チップであるBlankTipのＣｕ配線の左上端と右下端にプローブを当て、半導体パラメータアナライザによって電圧を印加して電流を測定した結果である。この測定結果からＣｕ配線の抵抗値は６．２２Ωであった。
これに対し、図９に示す＋ＳｉＯ２（ＳｉＯ２膜付Tip）は、図７（Ｂ）に示す半導体チップのＳｉＯ２膜における上記BlankTipと対応する位置（Ｃｕ配線の左上端と右下端との間）に電圧を印加して電流を測定した結果である。この測定結果からＳｉＯ２膜は十分な絶縁特性を有し、絶縁膜として十分に機能することが証明された。
【０１３０】
図１０は、図７（Ｂ）に示す半導体チップの保護膜としてのＳｉＯ２膜が十分な耐電圧特性を有するか否かを調べた実験結果であって、電圧と電流の関係を示すグラフである。
【０１３１】
比較のために図７（Ａ）に示す半導体チップであるBlankTipのＣｕ配線の形成されていない左上端のシリコン部分と右下端のシリコン部分にプローブを当て、半導体パラメータアナライザによって電圧を印加して電流を測定した結果を図１０に示す。図１０に示すように、BlankTipは８Ｖ以降、完全に導通してしまった。
これに対し、図７（Ｂ）に示す半導体チップであるＳｉＯ２膜付TipのＳｉＯ２膜における上記BlankTipと対応する位置（Ｃｕ配線の形成されていない左上端のシリコン部分と右下端のシリコン部分）にプローブを当て、半導体パラメータアナライザによって電圧を印加して電流を測定した結果を図１０に示す。図１０に示すように、ＳｉＯ２膜付TipのＳｉＯ２膜は１０Ｖまで絶縁を維持し、この後、１００Ｖまで印加電圧を増加させても導通せず絶縁を維持した。この測定結果からＳｉＯ２膜は十分な耐電圧特性を有し、絶縁膜として十分に機能することが証明された。
【符号の説明】
【０１３２】
１  チャンバー
１ａ  円筒部
１ｂ  六角形のバレル（六角型バレル）
２  スパッタリングターゲット
３  チャンバー
５，６，７，８，９  配管
１０  ターボ分子ポンプ
１１  ポンプ（ＲＰ）
１２  第１バルブ
１３  第２バルブ
１４  第３バルブ
１５  窒素ガス導入機構
１６  アルゴンガス導入機構
１７  ヒータ
１８  バイブレータ
１９  圧力計
２０，２１ａ，２１ｂ  チャンバー蓋
２０ａ  原料ガス発生源
２２  マスフローコントローラ（ＭＦＣ）
２３  電源
２４  ガスシャワー電極
２５  プラズマ電源
２６ａ，２６ｂ  真空バルブ
２７ａ  アース遮蔽部材
２９  モーター
３０  容器
３１  矢印
３２，３３  スイッチ
１００  電子部品
１０１，１０１ａ，１０１ｂ  基体
１０１ｃ  シリコン基板
１０２  素子
１０３，１０３ｂ  配線
１０３ｃ  Ｃｕ配線（Ｃｕ合金配線）
１０４  ボール太陽電池
１０５  基板
１０６  ＳｉＯ２膜
１１１  重力方向
１１３  チャンバー
１３１  プラズマ電源
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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