(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ロール状に巻回されてなるロール状積層基板を製造する方法であって、
第１面及び当該第１面に対向する第２面を有する長尺帯状の導電性基材を繰り出しながら、前記導電性基材の前記第１面の一部を露出させるようにして前記導電性基材の前記第１面上に絶縁性樹脂材料を塗布することで絶縁層を形成する工程と、
前記導電性基材の前記第１面上に形成された前記絶縁層上及び露出する前記導電性基材の前記第１面上に導電性材料を成膜することでシード層を形成する工程と
を有し、
前記シード層は、前記絶縁層の少なくとも一部を被覆する被覆部と、当該被覆部に電気的に接続するとともに、前記導電性基材と電気的に導通可能に前記第１面の一部に接触する導通部とを有し、
前記絶縁層は、前記導電性基材の長手方向に沿って所定の間隔で位置する、前記絶縁層により囲まれる開口部を複数有し、
前記絶縁層を形成する工程において、前記複数の開口部のそれぞれから前記導電性基材の前記第１面を露出させるようにして前記絶縁層を形成し、
前記シード層を形成する工程において、前記導通部が前記開口部から露出する前記導電性基材の前記第１面と接触するようにして前記シード層を形成することを特徴とするロール状積層基板の製造方法。
【請求項２】
前記絶縁層の膜厚が２０μｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載のロール状積層基板の製造方法。
【請求項３】
前記導電性基材をその長手方向に沿って複数の領域に等分した場合、各領域内に位置する前記導通部が前記導電性基材の前記第１面に接触する面積は、当該領域における前記導電性基材の前記第１面の表面積の６．５％以上であることを特徴とする請求項１又は２に記載のロール状積層基板の製造方法。
【請求項４】
前記複数の領域のうちの一の領域内に位置する前記導通部と、前記一の領域に隣接する他の領域に位置する前記導通部との間の、前記導電性基材の長手方向に沿った長さが、５００ｍｍ以下であることを特徴とする請求項３に記載のロール状積層基板の製造方法。
【請求項５】
前記シード層上に、電気めっきにより金属めっき層を形成する工程をさらに有することを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のロール状積層基板の製造方法。
【請求項６】
請求項５に記載のロール状積層基板の製造方法により製造された前記ロール状積層基板の前記金属めっき層上にレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンをマスクとしたウェットエッチング処理により、前記絶縁層上に信号配線パターンを形成するとともに、前記導通部を介して前記導電性基材の前記第１面に電気的に接続されるグラウンド配線パターンを形成する工程と
を有することを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項７】
第１面及び当該第１面に対向する第２面を有する導電性基材と、前記導電性基材の前記第１面側に、絶縁性樹脂材料からなる絶縁層、シード層及び金属めっき層がこの順に積層されてなる積層部とを含む積層基板であって、
前記シード層は、前記絶縁層を被覆する被覆部と、前記被覆部に連続するとともに、前記導電性基材の前記第１面に接触する導通部とを有し、
前記絶縁層は、前記導電性基材の長手方向に沿って所定の間隔で位置する、前記絶縁層により囲まれる開口部を複数有し、
前記導通部は、前記開口部を介して前記導電性基材の前記第１面に接触することを特徴とする積層基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ロール状積層基板を製造する方法及び積層基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、ハードディスクドライブ（ＨＤＤ）に用いられる磁気ヘッドを支持するためのサスペンション用基板として、バネ性を有するステンレス等の金属基板の第１面上に、絶縁層、シード層及び金属めっき層がこの順に積層されてなる積層基板を用い、金属めっき層をエッチングすることで配線パターンを形成してなるものが知られている。このような積層基板を作製する方法としては、従来、ステンレス基板上にポリイミド系樹脂溶液を塗布して絶縁層を形成する工程、当該絶縁層上にスパッタ等によりシード層（第１シード層及び第２シード層）を形成する工程及び当該シード層上に電気めっきにより金属めっき層を形成する工程を含む方法が知られている（特許文献１参照）。
【０００３】
上記方法においては、シート状のステンレス基板を用いる、いわゆる枚葉式により積層基板が作成されているが、フレキシブルプリント基板等の機能性積層基板の作製方法として一般的なロール・ツー・ロール方式により上記積層基板を作製することができれば、当該積層基板の高生産性及び低コスト化を実現することができる。
【０００４】
当該積層基板をロール・ツー・ロール方式で作製しようとすると、まず、ロール状に巻回された長尺金属基板２００を繰り出しながら、当該長尺金属基板２００の第１面２１０に絶縁性材料を塗布して絶縁層３００を形成し、ロール状に巻き取る（図１５（Ａ）〜（Ｃ））。次に、絶縁層３００が形成された長尺金属基板２００を繰り出しながら、当該絶縁層３００上にスパッタにより導電性材料を成膜してシード層４００を形成し、ロール状に巻き取る（図１６（Ａ）〜（Ｃ））。そして、第１面２１０にシード層４００が形成され、その対向面に絶縁シート６００が貼付された長尺金属基板２００を繰り出しつつ、当該シード層４００に給電して電気めっき処理を施す（図１７）。このようにして金属めっき層が形成されれば、当該金属めっき層をエッチングして配線パターンを形成することにより、サスペンションを製造することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００８−１３５１６４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
サスペンション用基板等として用いられる上記積層基板において、絶縁層３００は、２５μｍ以下程度の膜厚で形成される。絶縁層３００の膜厚が厚くなりすぎると、サスペンションのバネ性が低下してしまうためである。このように薄膜として形成される絶縁層３００には、ピンホールが形成されてしまうことが多々ある。
【０００７】
ピンホールが形成された絶縁層３００上にシード層４００が形成されると、当該ピンホールを介して長尺金属基板２００とシード層４００とが導通することになる（図１８参照）。この状態で電気めっき処理工程にてシード層４００に対して給電すると、図１８の矢印で示すように、当該ピンホールに電流が集中し、積層基板が発熱し、発火等が生じてしまうことがある。ピンホールに限らず、絶縁層３００内に導電性異物が混入してしまった場合に、当該導電性異物を介して長尺金属基板２００とシード層４００とが導通し、同様の問題が生じ得る。また、絶縁層３００の一部が極めて薄い膜厚（５０ｎｍ以下程度）で形成されてしまった場合、シード層４００への印加電圧が高電圧になり、絶縁層３００の極めて薄い膜厚の部分が破壊されてしまうと、長尺金属基板２００とシード層４００とが導通する可能性があり、同様の問題が生じ得る。
【０００８】
上記積層基板をロール・ツー・ロール方式で作製する場合、長さ１０００ｍ程度の長尺金属基板２００のシード層４００上に、連続して電気めっき処理を施し、金属めっき層を形成することになる。しかし、絶縁層３００に１箇所でもピンホール等の欠陥が存在するだけで、電気めっき処理により金属めっき層を形成することができず、ロール・ツー・ロール方式によるメリットである高生産性及び低コスト化を実現することができないという問題がある。
【０００９】
絶縁層３００の品質を極めて向上させて、ピンホール等の欠陥の存在しない絶縁層３００を形成することができれば、ロール・ツー・ロール方式で上記積層基板を作製するのが可能となる。しかしながら、膜厚２５μｍ以下程度の絶縁層３００にピンホール等の欠陥が形成されるのを防止することは極めて困難である一方、絶縁層３００の品質を向上させることが、却ってピンホール等の欠陥サイズを小さくしてしまい、その結果、当該欠陥部分における電気抵抗が上昇し、積層基板の発熱、発火等が生じやすくなるおそれがある。
【００１０】
長尺金属基板２００の第１面２１０上に形成された絶縁層３００にピンホール等の欠陥が存在するか否かを検査し、当該欠陥が存在する部分にのみシード層４００を形成しないようにすれば、上記問題は解決され得る。しかしながら、絶縁層３００に存在するピンホール等の欠陥は、極めて微小であるため、当該欠陥を発見するのは極めて困難であるし、当該欠陥を発見することができたとしても、当該欠陥部分にのみシード層４００を形成しないようにスパッタ装置を制御するのも極めて困難である。
【００１１】
このように、積層基板の作製方法にロール・ツー・ロール方式を採用する場合には、電気めっき処理により金属めっき層を形成することが極めて困難であるという技術的課題が存在する。
【００１２】
上記課題に鑑みて、本発明は、長尺状の導電性基材上に、絶縁層及びシード層がこの順に積層されてなり、ロール状に巻回されてなる積層基板であって、ロール・ツー・ロール方式による電気めっき処理を施して当該シード層上に金属めっき層を形成することが可能なロール状積層基板の製造方法及び積層基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記課題を解決するために、本発明は、ロール状に巻回されてなるロール状積層基板を製造する方法であって、第１面及び当該第１面に対向する第２面を有する長尺帯状の導電性基材を繰り出しながら、前記導電性基材の前記第１面の一部を露出させるようにして前記導電性基材の前記第１面上に絶縁性樹脂材料を塗布することで絶縁層を形成する工程と、前記導電性基材の前記第１面上に形成された前記絶縁層上及び露出する前記導電性基材の前記第１面上に導電性材料を成膜することでシード層を形成する工程とを有し、前記シード層は、前記絶縁層の少なくとも一部を被覆する被覆部と、当該被覆部に電気的に接続するとともに、前記導電性基材と電気的に導通可能に前記第１面の一部に接触する導通部とを有し、前記絶縁層は、前記導電性基材の長手方向に沿って所定の間隔で位置する、前記絶縁層により囲まれる開口部を複数有し、前記絶縁層を形成する工程において、前記複数の開口部のそれぞれから前記導電性基材の前記第１面を露出させるようにして前記絶縁層を形成し、前記シード層を形成する工程において、前記導通部が前記開口部から露出する前記導電性基材の前記第１面と接触するようにして前記シード層を形成することを特徴とするロール状積層基板の製造方法を提供する（発明１）。
【００１４】
上記発明（発明１）により製造されるロール状積層基板は、シード層が絶縁層の少なくとも一部を被覆する被覆部と、当該被覆部に電気的に連続し、導電性基材と電気的に導通可能な導通部とを有するため、当該ロール状積層基板に給電して電気めっき処理を行う際に、絶縁層にピンホール等の欠陥が存在していたとしても、導通部を介してシード層から導電性基材に向かって電流が流れることになる。よって、上記発明（発明１）によれば、発熱・発火等を生じさせることなく、電気めっき処理によりシード層上に金属めっき層を形成可能なロール状積層基板を製造することができる。
【００１５】
上記発明（発明１）においては、前記絶縁層の膜厚が２０μｍ以下であるのが好ましく（発明２）、前記導電性基材をその長手方向に沿って複数の領域に等分した場合、各領域内に位置する前記導通部が前記導電性基材の前記第１面に接触する面積は、当該領域における前記導電性基材の前記第１面の表面積の６．５％以上であるのが好ましい（発明３）。
【００１６】
上記発明（発明３）においては、前記複数の領域のうちの一の領域内に位置する前記導通部と、前記一の領域に隣接する他の領域に位置する前記導通部との間の、前記導電性基材の長手方向に沿った長さが、５ｍｍ以下であるのが好ましい（発明４）。
【００１７】
上記発明（発明１〜４）においては、前記シード層上に、電気めっきにより金属めっき層を形成する工程をさらに有するのが好ましい（発明５）。
【００１８】
本発明は、上記発明（発明５）に係るロール状積層基板の製造方法により製造された前記ロール状積層基板の前記金属めっき層上にレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンをマスクとしたウェットエッチング処理により、前記絶縁層上に信号配線パターンを形成するとともに、前記導通部を介して前記導電性基材の前記第１面に電気的に接続されるグラウンド配線パターンを形成する工程とを有することを特徴とする配線基板の製造方法を提供する（発明６）。
【００２０】
また、本発明は、第１面及び当該第１面に対向する第２面を有する導電性基材と、前記導電性基材の前記第１面側に、絶縁性樹脂材料からなる絶縁層、シード層及び金属めっき層がこの順に積層されてなる積層部とを含む積層基板であって、前記シード層は、前記絶縁層を被覆する被覆部と、前記被覆部に連続するとともに、前記導電性基材の前記第１面に接触する導通部とを有し、前記絶縁層は、前記導電性基材の長手方向に沿って所定の間隔で位置する、前記絶縁層により囲まれる開口部を複数有し、前記導通部は、前記開口部を介して前記導電性基材の前記第１面に接触することを特徴とする積層基板を提供する（発明７）。
【００２１】
上記発明（発明８）においては、前記積層基板は実質的に方形状を有し、前記導通部は、実質的方形状の前記積層基板の少なくとも一辺に存在するのが好ましい（発明９）。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、導電性基材上に、絶縁層及びシード層がこの順に積層されてなり、ロール状に巻回されてなる積層基板であって、ロール・ツー・ロール方式による電気めっき処理を施して当該シード層上に金属めっき層を形成することが可能なロール状積層基板の製造方法及び積層基板を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】図１（Ａ）は、本発明の一実施形態に係るロール状積層基板の製造方法の一工程（絶縁層を形成する工程）を示す概略図であり、図１（Ｂ）は、当該工程により絶縁層が形成された長尺金属基板を示す平面図であり、図１（Ｃ）は、図１（Ｂ）におけるＩ−Ｉ線断面図である。
【図２】図２（Ａ）は、本発明の一実施形態に係るロール状積層基板の製造方法の一工程（シード層を形成する工程）を示す概略図であり、図２（Ｂ）は、当該工程によりシード層が形成された長尺金属基板を示す平面図であり、図２（Ｃ）は、図２（Ｂ）におけるII−II線断面図である。
【図３】図３は、本発明の一実施形態に係るロール状積層基板の製造方法の一工程（長尺金属基板の第２面に絶縁樹脂シートを貼付する工程）を示す概略図である。
【図４】図４は、本発明の一実施形態に係るロール状積層基板の製造方法の一工程（電気めっき処理により金属めっき層を形成する工程）を示す概略図である。
【図５】図５（Ａ）〜（Ｅ）は、本発明の一実施形態における絶縁層のエッジ形状の態様を示す断面図である。
【図６】図６は、本発明の一実施形態におけるロール状積層基板の製造方法の一工程（スパッタによりシード層を形成する工程）を示す概略図である。
【図７】図７は、本発明の一実施形態における導通部の長尺金属基板に対する接触面積を説明するための平面図である。
【図８】図８（Ａ）は、本発明の一実施形態におけるロール状積層基板の絶縁層及びシード層の他の態様（その１）を示す平面図であり、図８（Ｂ）は、図８（Ａ）におけるIII−III線断面図であり、図８（Ｃ）は、本発明の一実施形態におけるロール状積層基板の絶縁層及びシード層の他の態様（その２）を示す、図８（Ｂ）に相当する断面図である。
【図９】図９は、本発明の一実施形態におけるロール状積層基板の絶縁層及びシード層の他の態様（その３）を示す平面図である。
【図１０】図１０（Ａ）は、本発明の一実施形態におけるロール状積層基板の絶縁層及びシード層の他の態様（その４）を示す平面図であり、図１０（Ｂ）は、図１０（Ａ）におけるIV−IV線断面図である。
【図１１】図１１は、本発明の一実施形態におけるロール状積層基板の絶縁層及びシード層の他の態様（その５）を示す平面図である。
【図１２】図１２は、本発明の一実施形態におけるロール状積層基板の絶縁層及びシード層の他の態様（その６）を示す平面図である。
【図１３】図１３は、本発明の一実施形態におけるロール状積層基板の絶縁層及びシード層の他の態様（その７）を示す平面図である。
【図１４】図１４（Ａ）は、本発明の一実施形態における積層基板の概略構成を示す平面図であり、図１４（Ｂ）は、図１４（Ａ）におけるＶ−Ｖ線断面図であり、図１４（Ｃ）は、図１４（Ａ）におけるVI−VI線断面図である。
【図１５】図１５（Ａ）は、従来の積層基板をロール・ツー・ロール方式で作製しようとしたときに考えられる製造工程の一工程（絶縁層を形成する工程）を示す概略図であり、図１５（Ｂ）は、当該工程により絶縁層が形成された長尺金属基板を示す平面図であり、図１５（Ｃ）は、図１５（Ｂ）におけるVII−VII線断面図である。
【図１６】図１６（Ａ）は、従来の積層基板をロール・ツー・ロール方式で作製しようとしたときに考えられる製造工程の一工程（シード層を形成する工程）を示す概略図であり、図１６（Ｂ）は、当該工程によりシード層が形成された長尺金属基板を示す平面図であり、図１６（Ｃ）は、図１６（Ｂ）におけるVIII−VIII線断面図である。
【図１７】図１７は、従来の積層基板をロール・ツー・ロール方式で作製しようとしたときに考えられる製造工程の一工程（電気めっき処理により金属めっき層を形成する工程）を示す概略図である。
【図１８】図１８は、従来の積層基板をロール・ツー・ロール方式で作製したときに生じる課題を説明するための断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、図面を参照しながら、本発明の実施の形態について詳細に説明する。
本実施形態に係るロール状積層基板の製造方法においては、まず、第１面２１及び第１面２１に対向する第２面２２を有し、ロール状に巻回された帯状の長尺金属基板２を準備し、当該長尺金属基板２を繰り出しながら、第１面２１上に絶縁性樹脂材料を塗布して絶縁層３を形成し、絶縁層３が形成された長尺金属基板２を巻き取る（図１（Ａ）参照）。
【００２５】
長尺金属基板２を構成する材料としては、特に限定されるものではなく、例えば、ＳＵＳ、銅、銅合金、ニッケル合金、アルミ合金等を挙げることができる。本実施形態により製造されるロール状積層基板１（図４参照）がサスペンション用基板として用いられる場合、長尺金属基板２は、適度な導電性及びばね性を有するものであるのが望ましい。
【００２６】
長尺金属基板２の長手方向の長さは、特に限定されるものではなく、例えば、５０〜１０００ｍ程度である。また、長尺金属基板２の幅Ｗ2（図１（Ｂ）参照）も、特に限定されるものではなく、例えば、２５０〜５００ｍｍ程度である。長尺金属基板２の厚さＴ2（図１（Ｃ）参照）は、１０μｍ以上であるのが好ましく、１０〜３０μｍであるのがより好ましく、１５〜２５μｍであるのが特に好ましい。長尺金属基板２の厚さＴ2が１０μｍ未満であると、ロール状積層基板１（図４参照）の機械的強度が低下するおそれがある。また、当該厚さＴ2が３０μｍを超えると、ロール状積層基板１（図４参照）が例えばサスペンション用基板として用いられる場合、所望とするばね性が奏され難くなる。
【００２７】
絶縁性樹脂材料としては、絶縁性を有する樹脂材料であれば特に制限はなく、例えば、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリイミド前駆体（ポリアミック酸）等の構造中にイミド結合を有するものや、ポリスチレン、ポリエチレン、ポリメチルメタクリレート、液晶ポリマー等の高分子化合物等が挙げられる。絶縁性樹脂材料としてポリイミド前駆体（ポリアミック酸)を用いる場合、長尺金属基板２の第１面２１上にポリイミド前駆体含有塗工液を塗布し、熱処理を施してイミド化させることで、ポリイミドからなる絶縁層３を形成することができる。
【００２８】
絶縁層３の膜厚Ｔ3（図１（Ｃ）参照）は、２０μｍ以下であるのが好ましく、５〜１５μｍであるのがより好ましく、８〜１０μｍであるのが特に好ましい。絶縁層３の膜厚Ｔ3が２０μｍを超えると、絶縁層３の形成以降の加工精度（例えばシード層４の成膜精度等）が悪化するおそれがあるとともに、ロール状積層基板１（図４参照）が例えばサスペンション用基板として用いられる場合には、所望とするばね性が奏されなくなるおそれがある。また、絶縁層３の膜厚Ｔ3が薄すぎると、所望とする絶縁性を奏することができないおそれがある。
【００２９】
絶縁層３は、長尺金属基板２の両エッジＥ2，Ｅ2から幅方向内側２０ｍｍ程度の範囲内に形成されるのが好ましい。本実施形態においては、後述するように、シード層４が絶縁層３上にスパッタにより形成される（図２参照）。そして、シード層４は、その一部が長尺金属基板２の第１面２１に接触するように形成される。このようにシード層４が長尺金属基板２の第１面２１に接触することで、後述する電気めっき処理が可能となる。後述する工程（図２参照）にてシード層４をスパッタにより形成する場合、チャンバ側壁等のスパッタ装置内にスパッタ粒子が付着するのを防止する保護板８１が、長尺金属基板２の両エッジＥ2，Ｅ2から幅方向内側１０ｍｍ程度の位置に設けられているため（図６参照）、当該シード層４は、長尺金属基板２の両エッジＥ2，Ｅ2から幅方向内側１０ｍｍ程度の範囲内に形成される。よって、絶縁層３が長尺金属基板２の両エッジＥ2，Ｅ2から幅方向内側１０ｍｍ程度の範囲内に形成されていることで、シード層４の導通部４２を長尺金属基板２の第１面２１に適度に接触させることができる。
【００３０】
絶縁層３の幅方向両側のエッジ形状は、特に限定されるものではなく、例えば、テーパ形状（図５（Ａ）、（Ｂ）参照）、逆テーパ形状（図５（Ｃ）参照）、幅方向外側に突出する形状（図５（Ｄ）参照）、幅方向内側に向かって凹んだ形状（図５（Ｅ）参照）等が挙げられる。
【００３１】
次に、第１面２１に絶縁層３が形成され、巻回されてなる長尺金属基板２を繰り出しながら、絶縁層３上に導電性材料を成膜してシード層４を形成する（図２（Ａ）参照）。
【００３２】
シード層４は、絶縁層３を被覆する被覆部４１と、当該被覆部４１に連続するとともに、長尺金属基板２の第１面２１に接触する導通部４２とを有するようにして形成される。具体的には、シード層４は、絶縁層３を被覆するように、絶縁層３の幅Ｗ3よりも広幅に形成される。これにより、絶縁層３の幅方向外側において露出する長尺金属基板２の第１面２１に接触する導通部４２を形成することができる（図２（Ｂ）、（Ｃ）参照）。
【００３３】
図７に示すように、長尺金属基板２をその長手方向に沿って複数の領域ＡＲ（各領域ＡＲに少なくとも一の導通部４２が含まれる）に等分したとき、各領域ＡＲにおいて導通部４２が長尺金属基板２の第１面２１に接触する面積（図７において斜線で示す部分の面積）は、当該領域ＡＲにおける長尺金属基板２の第１面２１の表面積の６．５％以上であるのが好ましい。本実施形態においては、後述する電気めっき工程（図４参照）にてシード層４に給電された際に、長尺金属基板２の第１面２１に接触する導通部４２を介して、長尺金属基板２に電流が流れる。その結果、絶縁層３にピンホール等の欠陥が存在する場合であっても、当該欠陥部分に電流が集中するのを防止することができる。しかしながら、各領域における導通部４２の接触面積が、当該領域における長尺金属基板２の第１面２１の表面積の６．５％未満であると、その領域内やその領域の近傍に存在する、絶縁層３のピンホール等の欠陥部分に電流が集中しやすくなるおそれがある。
【００３４】
本実施形態において、導通部４２が長尺金属基板２の長手方向に連続するように、絶縁層３の幅方向両側に形成される場合（図２参照）、絶縁層３の幅方向両側の各導通部４２の長さＷ42が５ｍｍ以上であって、絶縁層３の幅方向両側の導通部４２の当該長さＷ42の合計が好ましくは１０ｍｍ以上、より好ましくは１５ｍｍ以上、特に好ましくは２０ｍｍ以上となるようにシード層４が形成される。少なくとも一方の導通部４２の幅方向の長さＷ42が５ｍｍ未満であると、絶縁層３のピンホール等の欠陥部分に電流が集中しやすくなるおそれがある。さらに好ましくは、絶縁層３の幅方向両側の導通部４２の長さＷ42，Ｗ42が実質的に同一（一方の長さＷ42が他方の長さＷ42に対する８５〜１００％程度）である。
【００３５】
本実施形態において、シード層４は、絶縁層３上に形成され、絶縁層３に対する密着層として機能する第１シード層と、第１シード層上に形成される第２シード層とを含む。シード層４の被覆部４１及び導通部４２は、いずれも第１シード層と第２シード層との積層構造を有していてもよいし、被覆部４１が第１シード層と第２シード層との積層構造を有し、導通部４２は第２シード層の単層により構成されていてもよい。後者の場合、絶縁層３上に当該絶縁層３と実質的に同一の幅の第１シード層を形成し、第１シード層上にそれよりも広幅の第２シード層を形成すればよい。
【００３６】
第１シード層を構成する材料としては、絶縁層３との密着性の良好な材料である限り特に制限はないが、例えば、Ｎｉ、Ｃｒ及びその合金等が挙げられる。第１シード層の膜厚は、絶縁層３に対して所望とする密着性を得られる限り、特に制限はなく、例えば５〜１０ｎｍの範囲内で適宜設定され得る。
【００３７】
シード層４が第１シード層のみから構成されると、後述する工程（図４参照）における電気めっき処理時に、膜厚５〜１０ｎｍの第１シード層に給電されることになるが、第１シード層が薄膜であることで抵抗が上昇し、第１シード層がめっき液中に溶解してしまうおそれがある。そのため、膜厚１００〜５００ｎｍの第２シード層を第１シード層上に形成する。これによりシード層４に給電された際の抵抗の上昇を抑制し、シード層４がめっき液中に溶解してしまうのを防止することができる。第２シード層を構成する材料としては、特に制限はないが、金属めっき層５を構成する金属材料と同一であるのが好ましい。
【００３８】
なお、本実施形態においては、長尺金属基板２の幅Ｗ2よりも狭幅の絶縁層３が形成され、絶縁層３の幅方向両側に形成される導通部４２が、長尺金属基板２の長手方向に沿って連続する態様を例に挙げて説明したが（図２参照）、シード層４が長尺金属基板２の第１面２１に接触する部分、すなわち導通部４２として構成される部分を有していればよく、上記態様に限定されるものではない。
【００３９】
例えば、図８（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、幅方向略中央に位置し、長手方向に延在する絶縁層非形成部３１を有するように絶縁層３が形成され、当該絶縁層非形成部３１及びその両側の絶縁層３，３を完全に被覆するようにシード層４が形成される態様であってもよい。図８（Ａ）及び（Ｂ）に示す態様において、導通部４２は、絶縁層非形成部３１により露出する第１面２１及び絶縁層３，３の幅方向外側において露出する第１面２１に接触する部分として構成される。しかし、絶縁層非形成部３１が、長尺金属基板２とシード層４とを十分に接触させ得る程度の大きさ（幅）を有するのであれば、図８（Ｃ）に示すように、絶縁層３，３の幅方向外側において露出する第１面２１にシード層４が接触していなくてもよい。図８（Ｃ）に示す態様においては、絶縁層３，３を長尺金属基板２の両エッジＥ2，Ｅ2の近傍まで形成することができる。
【００４０】
また、図９に示すように、幅方向の略中央に位置し、長手方向に延在する絶縁層非形成部３１と、当該絶縁層非形成部３１に実質的に直交し、幅方向に延在する絶縁層非形成部３２とを有するように絶縁層３が形成され、当該絶縁層非形成部３１，３２及び絶縁層３を完全に被覆するようにシード層４が形成される態様であってもよい。図９に示す態様においても、絶縁層非形成部３１，３２が、長尺金属基板２とシード層４とを十分に接触させ得る程度の大きさ（幅）を有するのであれば、絶縁層３，３の幅方向外側において露出する第１面２１にシード層４が接触していなくてもよい。
【００４１】
さらに、図１０に示すように、絶縁層３が、長手方向に所定の間隔で複数の開口部３３を有するように形成され、絶縁層３の幅Ｗ3よりも狭幅のシード層４が形成される態様であってもよい。この場合において、開口部３３を介して露出する第１面２１と接触する部分が、導通部４２として構成される。
【００４２】
さらにまた、図１１及び図１２に示すように、絶縁層３が、長手方向に沿って所定の間隔で、幅方向に延在する絶縁層非形成部３４を有するように形成され、絶縁層３の幅Ｗ3よりも狭幅のシード層４が形成される態様であってもよいし（図１１参照）、当該絶縁層非形成部３４及び絶縁層３を完全に被覆するようにシード層４が形成される態様であってもよい（図１２参照）。
【００４３】
また、図１３に示すように、シード層４の両エッジが、平面視において波線形状を有するように当該シード層４が形成される態様であってもよい。この態様では、シード層４のうち、絶縁層３の両エッジよりも幅方向外側の部分が、長尺金属基板２の第１面２１に接触する導通部４２として構成される。なお、図１３に示す態様において、シード層４は、絶縁層３を完全に被覆するように形成されているが、シード層４の一部を長尺金属基板２の第１面２１に十分に接触させ得る限りにおいて、絶縁層３の少なくとも一部を被覆するように形成されていてもよい。
【００４４】
図１０〜１３に示す態様において、各領域ＡＲに導通部４２が存在するように複数の領域ＡＲに区分された場合に、一の領域ＡＲ１とそれに隣接する他の領域ＡＲ２とにおいて、一の領域ＡＲ１内の導通部４２と、他の領域ＡＲ２内の導通部４２との間の長さＬ（ピッチ；長尺金属基板２の長手方向に平行な長さ）は、５００ｍｍ以下であるのが好ましく、４００ｍｍ以下であるのがより好ましい。当該長さＬｓが５００ｍｍを超えると、長尺金属基板２の長手方向において近接する導通部４２，４２間に存在する、絶縁層３のピンホール等の欠陥部分に電流が集中しやすくなるおそれがある。したがって、長尺金属基板２の長手方向に沿って区分した複数の領域ＡＲのそれぞれの長さを５００ｍｍとしたときに、各領域ＡＲに少なくとも一の導通部４２が含まれるようにシード層４を形成するのが望ましい。なお、図１０に示す態様において、上記長さＬは、長手方向において隣接する開口部３３，３３のピッチであり、図１１及び１２に示す態様において、上記長さＬは、長手方向において隣接する絶縁層非形成部３４，３４のピッチである。
【００４５】
続いて、シード層４が形成された長尺金属基板２を繰り出しながら、長尺金属基板２の第２面２２側に、当該第２面２２を被覆する絶縁樹脂シート６（ＰＥＴシート等）を貼付する（図３参照）。そして、絶縁樹脂シート６が第２面２２に貼付された長尺金属基板２を、給電ロール７１を有する電気めっき槽７０に搬送し、電気めっき処理によりシード層４上に金属めっき層５を形成する（図４参照）。
【００４６】
本実施形態においては、絶縁層３上に形成されたシード層４の一部（導通部４２）が長尺金属基板２の第１面２１に接触している。そのため、電気めっき槽７０にて給電ロール７１からシード層４に給電された際に、絶縁層３に存在するピンホール等の欠陥部分に電流が集中してしまうことがなく、長尺金属基板２が発熱し、発火するのを防止することができる。その結果、長尺金属基板２の長手方向の全域において、シード層４上に金属めっき層５を好適に形成することができる。このようにして金属めっき層５が形成された長尺金属基板２を巻き取ることで、ロール状積層基板１が製造される。上述したように、本実施形態によれば、ロール・ツー・ロール方式により、ロール状に巻回されたロール状積層基板１を製造することができる。
【００４７】
本実施形態において製造されるロール状積層基板１が、サスペンション用基板として用いられる場合、ロール状積層基板１を所定の大きさに切断し、金属めっき層５上にレジストパターンを形成し、当該レジストパターンをマスクとしたウェットエッチング処理を金属めっき層５に施すことで、サスペンションの配線パターン層が形成される。したがって、ロール状積層基板１がこのような用途で用いられる場合、金属めっき層５を構成する材料としては、例えば、Ｃｕ、Ａｇ、銅合金、ニッケル合金等の導電性を有する材料を用いることができ、金属めっき層５の膜厚は、５〜１０μｍ程度に設定され得る。
【００４８】
上述したように、本実施形態に係るロール状積層基板の製造方法においては、絶縁層３上に形成されるシード層４が、長尺金属基板２の第１面２１と導通部４２を介して電気的に接続される。そのため、シード層４上に金属めっき層５を形成するために電気めっき処理を行うときに、絶縁層３にピンホール等の欠陥が存在していたとしても、当該欠陥部分に電流が集中することがなく、発熱、発火等の問題が生じない。よって、本実施形態によれば、ロール・ツー・ロール方式により電気めっき処理を施してシード層４上に金属めっき層５を形成し、ロール状積層基板１を製造することができる。
【００４９】
次に、上述のようにして製造されたロール状積層基板から作製される積層基板について説明する。
【００５０】
図１４に示すように、本実施形態における積層基板１０は、第１面２０ａ及びそれに対向する第２面２０ｂを有する実質的に方形状の金属基板２０と、金属基板２０の第１面２０ａ上に積層されてなる積層部３０とを含み、上述したロール状積層基板１を切断して個片化してなるものである。したがって、図１４に示す積層基板１０において、本実施形態により製造されるロール状積層基板１と同様の構成については同一の符号を付し、その詳細な説明を省略するものとする。
【００５１】
積層部３０は、絶縁層３、シード層４及び金属めっき層５が金属基板２０の第１面２０ａ上に積層されてなる構造を有する。シード層４は、金属基板２０の上の絶縁層３を被覆する被覆部４１と、金属基板２０の第１面２０ａに接触する導通部４２とを有する。本実施形態において、導通部４２は、実質的に方形状の金属基板２０の一辺に沿って設けられている。すなわち、実質的に方形状の金属基板２０の一辺においては、金属基板２０上にシード層４（導通部４２）及び金属めっき層５が積層されてなり、他の三辺においては、金属基板２０上に絶縁層３、シード層４（被覆部４１）及び金属めっき層５が積層されてなる。
【００５２】
かかる積層基板１０において、金属めっき層５は、レジストパターンをマスクとしたウェットエッチング処理により、絶縁層３上に信号配線パターンを形成するための層であるとともに、金属基板２０に電気的に接続するグラウンド配線パターンを形成するための層である。
【００５３】
このように、本実施形態における積層基板１０によれば、シード層４の導通部４２が金属基板２０の第１面２０ａに接触していることで、シード層４上に積層されている金属めっき層５のエッチングにより、絶縁層３上に信号配線パターンを形成するのと同時に、金属基板２０に電気的に接続するグラウンド配線パターンも形成することができる。
【００５４】
なお、図１４に示す態様においては、実質的に方形状の金属基板２０の一辺においては、金属基板２０上にシード層４（導通部４２）及び金属めっき層５が積層されてなり、他の三辺においては、金属基板２０上に絶縁層３、シード層４（被覆部４１）及び金属めっき層５が積層されてなる。しかしながら、このような態様に限定されることなく、金属基板２０の少なくとも一辺において、金属基板２０上にシード層４（導通部４２）及び金属めっき層５が積層されていればよい。
【００５５】
以上説明した実施形態は、本発明の理解を容易にするために記載されたものであって、本発明を限定するために記載されたものではない。したがって、上記実施形態に開示された各要素は、本発明の技術的範囲に属する全ての設計変更や均等物をも含む趣旨である。
【実施例】
【００５６】
以下、実施例等を挙げて本発明をさらに詳細に説明するが、本発明は下記の実施例等に何ら限定されるものではない。
【００５７】
〔実施例１〕
厚さ２０μｍ、長さ５００ｍ、幅４２０ｍｍのロール状のステンレス板（長尺金属基板２）を繰り出しながら、厚さ１０μｍのポリイミド膜（絶縁層３）を塗工法により形成した（図１参照）。次に、ポリイミド膜（絶縁層３）を被覆する被覆部４１とステンレス板上に接触する導通部４２とを有するシード層４（密着性材料としてのＮｉ−Ｃｒ合金からなる第１シード層（膜厚１０ｎｍ）及び導電性材料としてのＣｕからなる第２シード層（膜厚１００ｎｍ））をスパッタにより形成した（図２参照）。そして、シード層４の形成された面と対向する面にＰＥＴフィルムを貼付したステンレス板（長尺金属基板２）を電気めっき槽７０に導入し、シード層４に給電して電気銅めっき処理を施した（図４参照）。実施例１においては、ステンレス板（長尺金属基板２）の長手方向の全域において、シード層４上に金属めっき層５を形成することができた。
【００５８】
〔比較例１〕
絶縁層３よりも狭幅のシード層４であって、ステンレス板上に接触する導通部４２を有しないようにシード層４を形成した以外は、実施例１と同様にしてシード層４に給電して電気銅めっき処理を施した。しかしながら、比較例１においては、シード層４に給電した後、ステンレス板（長尺金属基板２）が発熱してしまい、電気銅めっき処理を行うことができなかった。
【産業上の利用可能性】
【００５９】
本発明は、サスペンション用基板等の導電性基材上に絶縁層及び導電層がこの順に積層されてなる積層基板をロール・ツー・ロール方式で製造する方法において有用である。
【符号の説明】
【００６０】
１…ロール状積層基板
２…長尺金属基板（導電性基材）
２１…第１面
２２…第２面
３…絶縁層
３１，３２，３４…絶縁層非形成部
３３…開口部
４…シード層
４１…被覆部
４２…導通部
５…金属めっき層
１０…積層基板
２０…金属基板（導電性基材）
２０ａ…第１面
２０ｂ…第２面
３０…積層部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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