(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を保持して回転させる保持回転部と、
リング形状を有し、前記基板の周縁部の上方に配置されるリング部材と、
供給管から供給される処理液を前記基板の周縁部へ向けて吐出する吐出部と、
一連の基板処理を制御する制御部と
を備え、
前記吐出部は、
吐出口と、
前記供給管から前記吐出口へ通じる配管と、
前記配管まわりに配置された発熱体を含み、前記配管を介して前記処理液を加熱可能に設けられた加熱部と
を有し、前記リング部材側および前記基板を挟んだ該基板の裏側へそれぞれ設けられ、
前記吐出部はそれぞれ、
前記吐出口へ向けて前記配管を通過する前記処理液を前記加熱部により加熱した後に、同時に前記基板に対して吐出し、
前記制御部は、
前記発熱体への通電を制御することによって前記加熱部による前記処理液の加熱を制御し、
前記制御部はさらに、
前記発熱体への通電を開始して該発熱体が規定の昇温温度にまで上昇した後に、前記吐出部に前記基板に対する前記処理液の吐出を開始させること
を特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記制御部は、
前記吐出部による前記基板に対する前記処理液の吐出が終了した後に、前記発熱体への通電を解除すること
を特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記制御部は、
前記基板処理の待機中である場合に、前記発熱体への通電を解除したまま、前記吐出部にダミーディスペンスを行わせること
を特徴とする請求項１または２に記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
開示の実施形態は、基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体ウェハ等の基板に対し、処理液を供給して所定の基板処理を施す基板処理装置が知られている。たとえば、特許文献１には、基板の周縁部（ベベル部）へエッチング用途の処理液を供給することによって、基板に対しベベルエッチング処理を施す基板処理装置が開示されている。
【０００３】
なお、特許文献１の基板処理装置は、エッチングの処理性能を高めるため、基板を加熱する加熱部を備えており、かかる加熱部により基板を加熱しながらベベル部へ処理液を供給する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１１−０５４９３２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上述した従来技術には、処理不良を防ぐうえで更なる改善の余地がある。たとえば、処理液の種類によっては加熱により供給管内で気泡が生じてしまい、かかる気泡が吐出されて処理不良を招くおそれがある。
【０００６】
実施形態の一態様は、処理液の吐出状態に起因する処理不良を防ぐことができる基板処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
実施形態の一態様に係る基板処理装置は、保持回転部と、リング部材と、吐出部と、制御部とを備える。保持回転部は、基板を保持して回転させる。リング部材は、リング形状を有し、基板の周縁部の上方に配置される。吐出部は、供給管から供給される処理液を基板の周縁部へ向けて吐出する。制御部は、一連の基板処理を制御する。また、吐出部は、吐出口と、配管と、加熱部とを有する。配管は、供給管から吐出口へ通じる。加熱部は、配管まわりに配置された発熱体を含み、配管を介して処理液を加熱可能に設けられる。また、吐出部は、リング部材側および基板を挟んだ基板の裏側へそれぞれ設けられる。また、吐出部はそれぞれ、吐出口へ向けて配管を通過する処理液を加熱部により加熱した後に、同時に基板に対して吐出する。また、制御部は、発熱体への通電を制御することによって加熱部による処理液の加熱を制御する。また、制御部はさらに、発熱体への通電を開始して発熱体が規定の昇温温度にまで上昇した後に、吐出部に基板に対する処理液の吐出を開始させる。
【０００８】
また、実施形態の別の一態様に係る基板処理装置は、保持回転部と、供給管と、吐出部とを備える。保持回転部は、基板を保持して回転させる。供給管は、処理液を供給する。吐出部は、供給管から供給される処理液を基板に対して吐出する。また、吐出部は、吐出口を有する。吐出口の形状は、基板の接線方向側よりも基板の径方向側の方が長くなるように設けられている。
【発明の効果】
【０００９】
実施形態の一態様によれば、処理液の吐出状態に起因する処理不良を防ぐことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】図１は、第１の実施形態に係る基板処理システムの概略構成を示す図である。
【図２】図２は、処理ユニットの概略構成を示す図である。
【図３Ａ】図３Ａは、吐出部の構成を示す図である。
【図３Ｂ】図３Ｂは、ヒータの配置例を示す図である。
【図３Ｃ】図３Ｃは、ヒータの通電制御の説明図である。
【図４Ａ】図４Ａは、比較例となるノズルを用いる場合の説明図である。
【図４Ｂ】図４Ｂは、第２の実施形態に係るノズルを用いる場合の説明図である。
【図４Ｃ】図４Ｃは、第２の実施形態に係る吐出口による被吐出領域の説明図である。
【図５Ａ】図５Ａは、吐出口の具体例を示す図（その１）である。
【図５Ｂ】図５Ｂは、吐出口の具体例を示す図（その２）である。
【図５Ｃ】図５Ｃは、吐出口の具体例を示す図（その３）である。
【図５Ｄ】図５Ｄは、吐出口の具体例を示す図（その４）である。
【図５Ｅ】図５Ｅは、吐出口の具体例を示す図（その５）である。
【図６Ａ】図６Ａは、吐出口が複数である場合の具体例を示す図（その１）である。
【図６Ｂ】図６Ｂは、吐出口が複数である場合の具体例を示す図（その２）である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、添付図面を参照して、本願の開示する基板処理装置の実施形態を詳細に説明する。なお、以下に示す実施形態によりこの発明が限定されるものではない。
【００１２】
また、以下では、処理液が、純水で希釈されたアンモニア水であり、かかる処理液を使用した基板処理の一例として、ベベルエッチング処理が行われる場合を例に挙げて説明を行う。
【００１３】
（第１の実施形態）
図１は、本実施形態に係る基板処理システムの概略構成を示す図である。以下では、位置関係を明確にするために、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を規定し、Ｚ軸正方向を鉛直上向き方向とする。
【００１４】
図１に示すように、基板処理システム１は、搬入出ステーション２と、処理ステーション３とを備える。搬入出ステーション２と処理ステーション３とは隣接して設けられる。
【００１５】
搬入出ステーション２は、キャリア載置部１１と、搬送部１２とを備える。キャリア載置部１１には、複数枚の基板、本実施形態では半導体ウェハ（以下ウェハＷ）を水平状態で収容する複数のキャリアＣが載置される。
【００１６】
搬送部１２は、キャリア載置部１１に隣接して設けられ、内部に基板搬送装置１３と、受渡部１４とを備える。基板搬送装置１３は、ウェハＷを保持するウェハ保持機構を備える。また、基板搬送装置１３は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウェハ保持機構を用いてキャリアＣと受渡部１４との間でウェハＷの搬送を行う。
【００１７】
処理ステーション３は、搬送部１２に隣接して設けられる。処理ステーション３は、搬送部１５と、複数の処理ユニット１６とを備える。複数の処理ユニット１６は、搬送部１５の両側に並べて設けられる。
【００１８】
搬送部１５は、内部に基板搬送装置１７を備える。基板搬送装置１７は、ウェハＷを保持するウェハ保持機構を備える。また、基板搬送装置１７は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウェハ保持機構を用いて受渡部１４と処理ユニット１６との間でウェハＷの搬送を行う。
【００１９】
処理ユニット１６は、基板搬送装置１７によって搬送されるウェハＷに対して所定の基板処理を行う。
【００２０】
また、基板処理システム１は、制御装置４を備える。制御装置４は、たとえばコンピュータであり、制御部１８と記憶部１９とを備える。記憶部１９には、基板処理システム１において実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御部１８は、記憶部１９に記憶されたプログラムを読み出して実行することによって基板処理システム１の動作を制御する。
【００２１】
なお、かかるプログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、その記憶媒体から制御装置４の記憶部１９にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体としては、たとえばハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカードなどがある。
【００２２】
上記のように構成された基板処理システム１では、まず、搬入出ステーション２の基板搬送装置１３が、キャリア載置部１１に載置されたキャリアＣからウェハＷを取り出し、取り出したウェハＷを受渡部１４に載置する。受渡部１４に載置されたウェハＷは、処理ステーション３の基板搬送装置１７によって受渡部１４から取り出されて、処理ユニット１６へ搬入される。
【００２３】
処理ユニット１６へ搬入されたウェハＷは、処理ユニット１６によって処理された後、基板搬送装置１７によって処理ユニット１６から搬出されて、受渡部１４に載置される。そして、受渡部１４に載置された処理済のウェハＷは、基板搬送装置１３によってキャリア載置部１１のキャリアＣへ戻される。
【００２４】
次に、処理ユニット１６の概略構成について図２を参照して説明する。図２は、処理ユニット１６の概略構成を示す図である。
【００２５】
図２に示すように、処理ユニット１６は、チャンバ２０と、基板保持機構３０と、基板加熱機構４０と、処理カップ５０とを備える。
【００２６】
チャンバ２０は、基板保持機構３０と基板加熱機構４０と処理カップ５０とを収容する。チャンバ２０の天井部には、ＦＦＵ（Fan  Filter  Unit）２１が設けられる。ＦＦＵ２１は、バルブ２２を介してガス供給源２３に接続される。
【００２７】
ＦＦＵ２１は、ガス供給源２３から供給されるガス（たとえば窒素ガス）をチャンバ２０内に吐出して、チャンバ２０内にダウンフローを形成する。
【００２８】
また、チャンバ２０の底面には、チャンバ２０内の雰囲気を吸引する吸気口２４が形成される。吸気口２４には、たとえば真空ポンプなどの負圧発生装置２５が接続される。
【００２９】
基板保持機構３０は、回転保持部３１と、回転軸３２とを備える。回転保持部３１は、載置されたウェハＷを保持する。回転軸３２は、鉛直方向に延在する部材であり、軸受３３によって回転可能に支持され、先端部において回転保持部３１を水平に支持する。
【００３０】
また、回転軸３２の基端部側は、モータ等を含む駆動部３４へ連結される。駆動部３４は、回転軸３２を鉛直軸まわりに回転させる。なお、回転保持部３１および回転軸３２の内部には、吸引路３５が形成されており、吸引路３５には、たとえば真空ポンプなどの負圧発生装置３６が接続される。
【００３１】
すなわち、基板保持機構３０は、負圧発生装置３６を用いて吸引路３５を介しウェハＷを真空吸着しつつ、駆動部３４を用いて回転軸３２を回転させることによって回転軸３２に支持された回転保持部３１を回転させる。これにより、回転保持部３１に保持されたウェハＷを回転させる。
【００３２】
基板加熱機構４０は、ヒータ４１を有し、ベベルエッチング処理におけるエッチングの効果を高めるために、回転保持部３１に保持されているウェハＷを裏面側からヒータ４１を用いて温める。
【００３３】
処理カップ５２は、基板保持機構３０を取り囲むように配置される。また、リング天板５１は平面視でリング形状を有しており、ウェハＷのベベル部上方および外方に配置され、回転保持部３１によって保持されて回転するウェハＷのベベル部に対し、処理液を吐出する吐出部５１１が設けられている。
【００３４】
吐出部５１１は、処理液供給管５１２およびバルブ５１３を介して処理液供給源５１４へ接続され、処理液供給源５１４から供給される処理液をベベル部へウェハＷの表（おもて）面側から吐出する。
【００３５】
処理カップ５２は、ウェハＷのベベル部下方および外方に配置される。また、処理カップ５２は、吐出部５２１を備える。吐出部５２１は、処理液供給管５２２およびバルブ５２３を介して処理液供給源５２４へ接続され、処理液供給源５２４から供給される処理液をベベル部へウェハＷの裏面側から吐出する。処理カップ５２は、吸引部５２５を備える。吸引部５２５には、たとえば真空ポンプなどの負圧発生装置５２６が接続される。吸引部５２５は、吐出部５１１，５２１から吐出された処理液を吸引する。
【００３６】
吐出部５１１，５２１は、加熱された処理液を、ウェハＷに対して吐出することができる。かかる加熱された処理液の吐出を、基板加熱機構４０によるウェハＷの加熱とあわせて行うことにより、ベベルエッチング処理におけるエッチングのレートをさらに高めることができる。
【００３７】
一般にベベルエッチング処理は、ウェハＷの端部からのエッチングの幅に関して高い精度を求められる。本実施形態の吐出部５１１，５２１は、エッチング精度を高めるために、ウェハＷ全面のエッチングを行うための吐出部と比較して、その先端は細くなっており、単位時間あたりの吐出量も少なくなっている。しかしながら、このような吐出部を用いて加熱した処理液を吐出する場合、吐出部から気泡が吐出するおそれがある。以下その理由について説明する。
【００３８】
従来のベベルエッチング装置は、図２の符号を用いて説明すれば、例えば処理液供給源５１４とバルブ５１３の間、処理液供給源５２４とバルブ５２３の間にヒータが設けられており、処理液がエッチングに適した温度まで加熱されている。加熱された処理液はウェハＷに供給されるが、吐出終了時にバルブ５１３，５２３を閉めると、その一部は吐出部５１１，５２１までたどり着くことなく処理液供給管５１２，５２２に残存することになる。残存する処理液はしばらく高い温度を保ち続け、またヒータ４１の熱の影響も受ける。ここで、処理液に含まれるアンモニアは熱の影響を受けて気体に変化するという現象が生じる。気体に変化したアンモニアは気泡となり処理液供給管５１２，５２２の内壁面に付着する。付着した気泡は、次回の処理液供給の際に少しずつ剥がれて吐出部５１１，５２１まで至り、ウェハＷへと吐出され意図しない領域まで処理液が付着してしまうことになる。
【００３９】
ダミーディスペンスにより管内に強い液流を生じさせて一度に全ての気泡を剥がし落とすという手法もあるが、本実施形態の吐出部５１１，５２１は単位時間あたりの吐出量が少ないためこの手法を適用することは困難である。
【００４０】
そこで、本実施形態では、処理液をヒータにより気泡が生じる温度まで加熱することなく処理液供給管５１２，５２２を通過させ、吐出部５１１および吐出部５２１まで到着させるようにした。そして、吐出部５１１および吐出部５２１が、処理液を、吐出する直前に急速に加熱し、気泡が生じる前にウェハＷへ吐出することとした。これにより、処理液供給管５１２，５２２内に気泡が付着する現象は生じなくなり、ウェハＷへ気泡が吐出されてしまうのを防ぐことができる。すなわち、処理液の吐出状態に起因する処理不良を防ぐのに資することができる。
【００４１】
次に、図３Ａ〜図３Ｃを参照して、吐出部５１１，５２１の構成についてより具体的に説明する。図３Ａは、吐出部５１１，５２１の構成を示す図である。図３Ｂは、ヒータＨの配置例を示す図である。図３Ｃは、ヒータＨの通電制御の説明図である。
【００４２】
図３Ａに示すように、吐出部５１１は、配管５１１ａと、加熱部５１１ｂと、ノズル５１１ｃとを備える。同様に、吐出部５２１は、配管５２１ａと、加熱部５２１ｂと、ノズル５２１ｃとを備える。
【００４３】
なお、吐出部５１１，５２１は、処理液の吐出方向が異なるのみで略同一構成であるので、以下、図３Ａ〜図３Ｃを参照した説明では、主に吐出部５１１側を例に挙げて説明を進める。
【００４４】
配管５１１ａは、処理液供給管５１２からノズル５１１ｃ先端部の吐出口へ通じるように設けられる。加熱部５１１ｂは、配管５１１ａを介して処理液を加熱可能に設けられる。具体的には、加熱部５１１ｂは、ヒータＨを含む。
【００４５】
ヒータＨは、たとえば通電されることによって発熱する発熱体であり、図３Ｂに示すように配管５１１ａ（および５２１ａ）まわりに配置される。かかるヒータＨが通電され、発熱することによって、処理液は配管５１１ａを介して加熱される。
【００４６】
通電開始／解除の制御信号は、制御装置４から送出される。すなわち、制御装置４の制御部１８（図１参照）は、ヒータＨへの通電を制御することによって、加熱部５１１ｂによる処理液の加熱を制御する。
【００４７】
具体的に、制御部１８は、図３Ｃに示すように、１枚のウェハＷへベベルエッチング処理を施すにあたり、吐出部５１１に処理液の吐出を開始させる前に、たとえば時間Ｔ１においてまずヒータＨへの通電を開始する。本実施形態において、Ｔ１より前のヒータ温度は、工場における装置の設置場所の大気温度（例えば、２０℃）と一致している。また、供給される処理液の温度も大気温度（例えば、２０℃）と一致している。
【００４８】
そして、制御部１８は、ヒータＨへの通電を開始して、ヒータＨがたとえば時間Ｔ２において規定の昇温温度にまで上昇したならば、その直後に吐出部５１１に処理液の吐出を開始させる。
【００４９】
ここで、規定の昇温温度は、処理液をヒータＨおよび配管５１１ａを介してウェハＷを処理可能な温度まで加熱できる温度であり、実運用前の検証結果等に基づいてあらかじめ規定される。本実施形態では、Ｔ２をヒータＨの温度を基準に吐出開始タイミングを調整するが、処理液自体が実際にウェハＷに着液する温度を基準に吐出開始タイミングを調整してもよい。この場合、例えば、実験により、予め着液した処理液が所望の温度になるまでのＴ１からの経過時間を計測しておき、その経過時間をＴ２として設定する。
【００５０】
そして、制御部１８は、１枚のウェハＷに対する処理液の吐出をたとえば時間Ｔ３において終了させたならば、その直後のたとえば時間Ｔ４にヒータＨへの通電を解除する。すなわち、図３Ｃに示すように、制御部１８は、吐出部５１１による処理液の吐出開始から吐出終了までの吐出区間が、ヒータＨへの通電開始から通電解除までの通電区間に含まれるように制御する。
【００５１】
なお、通電区間および吐出区間は、可能な限り略同等に近づくように制御されることが好ましい。これにより、たとえば処理液が吐出されていない間に、配管５１１ａ内やノズル５１１ｃ内にある処理液の温度が上昇し続けて気泡が生じるのを抑えることができる。
【００５２】
また、ヒータＨは、熱伝導率の高い素材からなることが好ましい。また、これに応じ、配管５１１ａも熱伝導率が高いことが好ましい。これにより、処理液の温度を急速に上昇あるいは下降させることが可能となり、処理液に気泡を生じさせる間を与えずに処理液を吐出させることが可能となる。
【００５３】
また、制御部１８は、ベベルエッチング処理の待機中、すなわち回転保持部３１へウェハＷが保持されていない間、ヒータＨへの通電を解除したままとするが、基板加熱機構４０の予熱等で配管５１１ａ内やノズル５１１ｃ内に残っている処理液が温められ、気泡が生じてしまうおそれがある。
【００５４】
このため、制御部１８は、ベベルエッチング処理の待機中である場合、ヒータＨへの通電を解除したまま、定期的に吐出部５１１にダミーディスペンスを行わせる。これにより残存する温められた処理液が外部に排出されるので、前述の予熱等によって配管５１１ａ内やノズル５１１ｃ内に気泡が生じることを防ぐことができる。
【００５５】
なお、ここまでは、主に吐出部５１１側を例に挙げた説明を行ったが、制御部１８は、吐出部５１１，５２１に対して同一の通電制御および吐出制御を行ってもよい。また、制御部１８は、吐出部５１１，５２１のそれぞれで、たとえばウェハＷの表面側および裏面側に施すエッチング幅等に応じて、個別の通電制御および吐出制御を行ってもよい。
【００５６】
上述してきたように、第１の実施形態に係る基板処理システム１（「基板処理装置」の一例に相当）は、基板保持機構３０（「保持回転部」の一例に相当）と、処理液供給管５１２，５２２（「供給管」の一例に相当）と、吐出部５１１，５２１とを備える。
【００５７】
基板保持機構３０は、基板を保持して回転させる。処理液供給管５１２，５２２は、処理液を供給する。吐出部５１１，５２１は、処理液供給管５１２，５２２から供給される処理液をウェハＷ（「基板」の一例に相当）に対して吐出する。
【００５８】
また、吐出部５１１，５２１は、吐出口と、配管５１１ａ，５２１ａと、加熱部５１１ｂ，５２１ｂとを有する。配管５１１ａ，５２１ａは、処理液供給管５１２，５２２から吐出口へ通じる。加熱部５１１ｂ，５２１ｂは、配管５１１ａ，５２１ａを介して処理液を加熱可能に設けられる。
【００５９】
また、吐出部５１１，５２１は、吐出口へ向けて配管５１１ａ，５２１ａを通過する処理液を加熱部５１１ｂ，５２１ｂにより加熱した後に、ウェハＷに対して吐出する。
【００６０】
したがって、第１の実施形態に係る基板処理システム１によれば、処理液の吐出状態に起因する処理不良を防ぐことができる。
【００６１】
ところで、上述した第１の実施形態では、ベベルエッチング処理において処理液を加熱するにあたり、気泡を生じさせないようにすることで処理不良を防ぐ場合について説明したが、たとえば処理対象となるエッチング幅を処理液が確実にカバーできるようにノズル５１１ｃ，５２１ｃの吐出口の形状を工夫することで処理不良を防いでもよい。かかる場合を第２の実施形態として、図４Ａ〜図６Ｂを参照しつつ説明する。
【００６２】
（第２の実施形態）
まず、図４Ａ〜図４Ｃを参照して、第２の実施形態の概要について説明する。図４Ａは、比較例となるノズル５１１ｃ’，５２１ｃ’を用いる場合の説明図である。また、図４Ｂは、本実施形態に係るノズル５１１ｃ，５２１ｃを用いる場合の説明図である。また、図４Ｃは、本実施形態に係る吐出口ＥＸによる被吐出領域ＥＲの説明図である。以下では、説明の便宜上、処理液に符号「Ｓ」を付す場合がある。
【００６３】
なお、前提として、第２の実施形態に係る基板処理システム１では、処理ユニット１６の構成は上述した第１の実施形態と略同様の構成をとることができるが、吐出部５１１，５２１における加熱部５１１ｂ，５２１ｂについては省略することができる。
【００６４】
図４Ａに示すように、比較例となるノズル５１１ｃ’，５２１ｃ’を用いる場合、たとえばベベルエッチング処理の処理対象となるエッチング幅ｗが大きければ、処理液ＳがウェハＷの最外縁（エッジ）付近で液滴状になって転がり、かかるエッジ付近の薄膜Ｐを覆いきれないおそれがある。このような処理液の吐出状態の場合、図４Ａの閉曲線Ｍに囲まれた部分に示すように、ウェハＷのエッジ付近に膜残りＲが生じてしまう。
【００６５】
これは、比較例となるノズル５１１ｃ’，５２１ｃ’では通常、その吐出口ＥＸ’（図示略）が略円状に形成されるためである。
【００６６】
そこで、図４Ｂに示すように、本実施形態では、処理液ＳがウェハＷのエッジ付近の薄膜Ｐを覆いきれるように、ノズル５１１ｃ，５２１ｃの吐出口ＥＸを略円状ではない形状とすることとした。
【００６７】
具体的には、図４Ｃに示すように、本実施形態では、吐出口ＥＸは、ウェハＷの接線方向側よりもウェハＷの径方向側の方が長くなる（すなわち、ａ＞ｂ）ように設けられている。
【００６８】
これにより、ウェハＷのエッジ付近の薄膜Ｐを覆いきれるように、処理液Ｓのカバレッジ性能を向上させ、図４Ｂの閉曲線Ｍに囲まれた部分に示すように、ウェハＷのエッジ付近に膜残りＲを生じさせないようにすることができる。すなわち、処理液の吐出状態に起因する処理不良を防ぐことができる。
【００６９】
なお、このような吐出口ＥＸは、たとえばノズル５１１ｃ，５２１ｃの双方に適用してもよいし、重力作用で処理液ＳがウェハＷの表面側よりは滴下しやすい裏面側のノズル５２１ｃのみに適用してもよい。また、求められるエッチング幅等に応じて、表面側のノズル５１１ｃのみに適用してもよい。
【００７０】
次に、図５Ａ〜図５Ｅを参照して、吐出口ＥＸの具体例について説明する。図５Ａ〜図５Ｅは、吐出口ＥＸの具体例を示す図（その１）〜（その５）である。なお、以下では、吐出口の符号ＥＸに付番する場合があるが、吐出口を総称する場合には単に符号を「ＥＸ」とする。
【００７１】
また、図５Ａの左側および図５Ｃの左側には、説明を分かりやすくするために、比較例として略円状であり、かつ、口径ｄの吐出口ＥＸ’を示している。口径ｄは、ベベルエッチング処理に必要となる精度を確保可能な寸法であるものとする。
【００７２】
まず、本実施形態では、吐出口ＥＸは、前述の被吐出領域ＥＲの形状がウェハＷの接線方向側よりもウェハＷの径方向側の方が長くなるように、たとえば図５Ａの右側に示す吐出口ＥＸ１のように、長辺が径方向に沿い、短辺が接線方向に沿った長方形に形成される。このとき、接線方向の短辺は、吐出口ＥＸ’の口径ｄと同程度の寸法であることが好ましい。
【００７３】
また、たとえば図５Ｂに示すように、本実施形態の吐出口ＥＸは、図５Ａの長方形の角がそれぞれ半径を有する、いわゆるＲを付けた角丸長方形に形成された吐出口ＥＸ２として設けられてもよい。
【００７４】
また、本実施形態の吐出口ＥＸは、たとえば図５Ｃの右側に示す吐出口ＥＸ３のように、長軸が径方向に沿い、短軸が接線方向に沿った楕円形に形成されてもよい。このとき、接線方向の短軸は、吐出口ＥＸ’の口径ｄと同程度の寸法であることが好ましい。なお、ここに言う楕円形は、両端で同一の半径を有するものである。
【００７５】
かかる楕円形の別パターンとして、本実施形態の吐出口ＥＸは、たとえば図５Ｄに示す吐出口ＥＸ４のように、両端で同一の半径ｒを有するトラック状の形状に形成されてもよい。
【００７６】
また、本実施形態の吐出口ＥＸは、たとえば図５Ｅに示す吐出口ＥＸ５のように、両端でそれぞれ異なる半径ｒ１，ｒ２を有する形状に形成されてもよい。なお、このとき、ｒ１＜ｒ２であるならば、ｒ１の半径を有する端部は径方向内側に、ｒ２の半径を有する端部は径方向外側に、それぞれ向けて配置されることが好ましい。
【００７７】
これにより、半径ｒ１側ではエッチングに必要となる精度を、半径ｒ２側では処理液が届きにくいウェハＷのエッジ付近への処理液の供給を、それぞれ確保し、処理不良を防ぐのに資することができる。
【００７８】
なお、図５Ｂ〜図５Ｅに示した各例の形状は、総じて「略オーバル状」と言うことができる。したがって、いわゆる卵形等を含んでもよい。
【００７９】
ところで、図５Ａ〜図５Ｅには、吐出口ＥＸが１個である場合を例に挙げたが、吐出口ＥＸは複数個設けられてもよい。なお、このとき、複数個の吐出口ＥＸをウェハＷの径方向に沿うように配置することで、前述の被吐出領域ＥＲの形状がウェハＷの接線方向側よりもウェハＷの径方向側の方が長くなるようにすることができる。
【００８０】
図６Ａおよび図６Ｂは、吐出口ＥＸが複数である場合の具体例を示す図（その１）および（その２）である。すなわち、図６Ａに示すように、同一の半径ｒを有する略円状の吐出口ＥＸ６を、ウェハＷの径方向に沿って複数個配置してもよい。
【００８１】
また、図６Ｂに示すように、ｒ１＜ｒ２＜ｒ３の関係にあるそれぞれ異なる半径を有する吐出口ＥＸ７，８，９を、ウェハＷの径方向に沿って配置してもよい。なお、このとき、より半径の小さい吐出口ＥＸ７が径方向内側に、より半径の大きい吐出口ＥＸ９が径方向外側に、それぞれ配置されることが好ましい。
【００８２】
これにより、図５Ｅに示した例と同様に、径方向内側ではエッチングに必要となる精度を、径方向外側では処理液が届きにくいウェハＷのエッジ付近への処理液の供給を、それぞれ確保し、処理不良を防ぐのに資することができる。
【００８３】
なお、図６Ａおよび図６Ｂでは、３個の吐出口ＥＸを示したが、複数個であればよく、個数を限定するものではない。
【００８４】
上述してきたように、第２の実施形態に係る基板処理システム１（「基板処理装置」の一例に相当）は、基板保持機構３０（「保持回転部」の一例に相当）と、処理液供給管５１２，５２２（「供給管」の一例に相当）と、吐出部５１１，５２１とを備える。
【００８５】
基板保持機構３０は、基板を保持して回転させる。処理液供給管５１２，５２２は、処理液を供給する。吐出部５１１，５２１は、処理液供給管５１２，５２２から供給される処理液をウェハＷ（「基板」の一例に相当）に対して吐出する。
【００８６】
また、吐出部５１１，５２１は、吐出口ＥＸを有し、吐出口ＥＸは、ウェハＷの接線方向側よりもウェハＷの径方向側の方が長くなるように設けられている。
【００８７】
したがって、第２の実施形態に係る基板処理システム１によれば、処理不良を防ぐことができる。
【００８８】
なお、上述した各実施形態では、処理ユニット１６においてベベルエッチング処理が行われる場合を例に挙げたが、基板処理の種類を限定するものではない。たとえばリンス処理等であってもよい。
【００８９】
したがって、上述した処理液もアンモニア水溶液に限らず、たとえばＤＩＷ（純水）等であってもよい。
【００９０】
また、上述した第１の実施形態では、制御部１８が、規定の昇温温度に基づいてヒータＨを制御する例を挙げたが、処理液の温度を計測する測定部をさらに備えたうえで、その測定結果に基づいてヒータＨを制御してもよい。
【００９１】
さらなる効果や変形例は、当業者によって容易に導き出すことができる。このため、本発明のより広範な態様は、以上のように表しかつ記述した特定の詳細および代表的な実施形態に限定されるものではない。したがって、添付の特許請求の範囲およびその均等物によって定義される総括的な発明の概念の精神または範囲から逸脱することなく、様々な変更が可能である。
【符号の説明】
【００９２】
１  基板処理システム
２  搬入出ステーション
３  処理ステーション
４  制御装置
１６  処理ユニット
１８  制御部
３０  基板保持機構
５１１，５２１  吐出部
５１１ａ，５２１ａ  配管
５１１ｂ，５２１ｂ  加熱部
５１１ｃ，５２１ｃ  ノズル
５１２，５２２  処理液供給管
ＥＲ  被吐出領域
ＥＸ  吐出口
Ｈ  ヒータ
Ｗ  ウェハ
【図１】
0006482978.tif 000002
【図２】
0006482978.tif 000003
【図３Ａ】
0006482978.tif 000004
【図３Ｂ】
0006482978.tif 000005
【図３Ｃ】
0006482978.tif 000006
【図４Ａ】
0006482978.tif 000007
【図４Ｂ】
0006482978.tif 000008
【図４Ｃ】
0006482978.tif 000009
【図５Ａ】
0006482978.tif 000010
【図５Ｂ】
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【図５Ｃ】
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【図５Ｄ】
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【図５Ｅ】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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