(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｐ型半導体領域（３）、ｎ型半導体領域（５）、および前記ｐ型半導体領域（３）と前記ｎ型半導体領域（５）との間に配置される活性層（４）を有する半導体積層体（２）を含む半導体ボディ（１）と、
プラスチックと第１のビア（１１）と第２のビア（１２）とを含むキャリア（１０）と、
前記キャリア（１０）と前記半導体ボディ（１）の間で少なくとも幾つかの領域に配置されているｐコンタクト層（６）およびｎコンタクト層（８、８Ａ）であって、前記ｐコンタクト層（６）は、前記第１のビア（１１）および前記ｐ型半導体領域（３）に電気的に接合されており、前記ｎコンタクト層（８、８Ａ）は、前記第２のビア（１２）および前記ｎ型半導体領域（５）に電気的に接合されている、ｐコンタクト層（６）およびｎコンタクト層（８、８Ａ）と、
前記ｎコンタクト層（８）と前記キャリア（１０）の間で少なくとも幾つかの領域に配置されており、厚さが少なくとも５μｍである、金属補強層（１４）と、
前記第１のビア（１１）と前記ｐコンタクト層（６）との間に配置されており、厚さが少なくとも５μｍであり、前記補強層（１４）によって少なくとも幾つかの領域において横方向に囲まれている、少なくとも１つのｐコンタクトフィードスルー（７）と
を含む、オプトエレクトロニクス半導体部品（１００）。
【請求項２】
前記金属補強層（１４）は、ニッケルまたは銅を含む、または前記ニッケルおよび前記銅から構成されている、
請求項１に記載のオプトエレクトロニクス半導体部品。
【請求項３】
前記金属補強層（１４）は、前記キャリアの方を向いている界面で少なくとも５０ｎｍのＲＭＳ粗さを有する、
請求項１または２に記載のオプトエレクトロニクス半導体部品。
【請求項４】
前記キャリア（１０）と前記金属補強層（１４）との間に誘電層（１５）が配置されている、
請求項１〜３のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体部品。
【請求項５】
前記誘電層（１５）は、前記金属補強層（１４）と前記ｐコンタクトフィードスルー（７）の間に少なくとも部分的に配置されている、
請求項４に記載のオプトエレクトロニクス半導体部品。
【請求項６】
前記半導体積層体（２）は、前記キャリア（１０）によって横方向に少なくとも幾つかの領域において囲まれている、
請求項１〜５のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体部品。
【請求項７】
前記補強層（１４）は、横方向に見たとき前記半導体積層体（２）と前記キャリア（１０）の間で幾つかの領域に配置されている、
請求項６に記載のオプトエレクトロニクス半導体部品。
【請求項８】
前記オプトエレクトロニクス半導体部品（１００）は、前記キャリア（１０）の外側によって少なくとも幾つかの領域に形成される傾斜した側壁（２２）を含み、
前記側壁（２２）は、前記オプトエレクトロニクス半導体部品（１００）の断面が前記キャリア（１０）から放射出口表面（１６）に向かって先細になるように斜めに延びている、
請求項１〜７のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体部品。
【請求項９】
変換体層（２０）は、前記オプトエレクトロニクス半導体部品（１００）の放射出口表面（１６）に配置されている、
請求項１〜８のいずれか一項に記載のオプトエレクトロニクス半導体部品。
【請求項１０】
前記変換体層（２０）は、横方向に少なくとも５μｍの長さ（Ｌ）だけ前記半導体積層体（２）の上に突出する、
請求項９に記載のオプトエレクトロニクス半導体部品。
【請求項１１】
前記変換体層（２０）は、面取り部（２８）を含む、
請求項９または１０に記載のオプトエレクトロニクス半導体部品。
【請求項１２】
前記変換体層（２０）の側部表面は、光吸収層または光反射層（２７）でカバーされている、
請求項９〜１１のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体部品。
【請求項１３】
前記光吸収層（２７）は、前記変換体層（２０）の前記表面に向かって増加する厚さを有する、
請求項１２に記載のオプトエレクトロニクス半導体部品。
【請求項１４】
前記キャリア（１０）は、エポキシ樹脂またはシリコーンを含む、
請求項１〜１３のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体部品。
【請求項１５】
前記ｎコンタクト層（８、８Ａ）は、前記ｐ型半導体領域（３）および前記活性層（４）のギャップを通して前記ｎ型半導体領域（５）の中に経路設定される少なくとも１つのｎスルーコンタクト（８Ａ）を含む、
請求項１〜１４のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体部品。
【請求項１６】
前記少なくとも１つのｐコンタクトフィードスルー（７）は、少なくとも１つのｎスルーコンタクト（８Ａ）から横方向に離されている、
請求項１〜１５のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体部品。
【請求項１７】
前記ｐコンタクト層（６）は、無機誘電封止層（９）によって幾つかの領域においてカバーされている、請求項１〜１６のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体部品。
【請求項１８】
請求項１〜１７のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体部品（１００）を製造するための方法であって、
前記補強層（１４）および前記ｐコンタクトフィードスルー（７）は、電気めっきによって製造される、
オプトエレクトロニクス半導体部品の製造方法。
【請求項１９】
前記誘電層（１５）は、酸化ケイ素層であり、ＣＶＤを用いてオルトケイ酸テトラエチルから製造される、少なくとも請求項４を参照した請求項１８に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本出願は、半導体ボディおよびプラスチック材料で構成されたキャリアを含むオプトエレクトロニクス半導体部品に関し、また、同部品を製造するための方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
オプトエレクトロニクス半導体部品は、具体的には、半導体ボディと、成形法によって製造されたプラスチックキャリアとを含むことができ、半導体ボディの電気コンタクトのためにビアを備える。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
達成すべき目的は、改善された機械的および／または電気光学的な特性によって区別されて、比較的容易に製造することのできる、改善されたオプトエレクトロニクス半導体部品を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
これらの目的は、独立請求項に記載のオプトエレクトロニクス半導体部品およびオプトエレクトロニクス半導体部品を製造するための方法によって達成される。本発明の有利な実施形態および展開は、従属請求項によって提供される。
【０００５】
１つの実施形態に係るオプトエレクトロニクス半導体部品は、ｐ型半導体領域、ｎ型半導体領域、ｐ型半導体領域とｎ型半導体領域との間に配置される活性層を有する半導体積層体を含む半導体ボディを含む。活性層は、具体的には放射放出活性層である場合がある。ｐ型半導体領域、ｎ型半導体領域、および活性層は、１つまたは複数の半導体層を個々が含む場合がある。ｐ型半導体領域は、１つまたは複数のｐドープ半導体層を包含し、ｎドープ半導体領域は、１つまたは複数のｎドープ半導体層を包含する。同じく可能なことは、ｐ型半導体領域および／またはｎ型半導体領域が１つまたは複数の非ドープ半導体層を包含することである。
【０００６】
活性層は、例えば、ｐｎ接合部、ダブルヘテロ構造、単一量子井戸構造、または、多重量子井戸構造の形である場合がある。ここでの用語「量子井戸構造」は、電荷キャリアが閉じ込めによってそれらのエネルギー状態の量子化を受ける任意の構造を含む。具体的には、用語「量子井戸構造」には、量子化の次元に関する含意はない。従って、それは、とりわけ、量子井戸、量子細線、および量子ドット、ならびにこれらの構造の任意の組み合わせを含む。
【０００７】
さらにまた、オプトエレクトロニクス半導体部品は、プラスチックを含むキャリアを含む。キャリアは、特に、成形法によって製造される場合がある。換言すれば、キャリアは、いわゆる成形されたボディである。ここでの用語「成形法」は、成形構成物が予め定めた形状にされて、特に、その後に硬化される、製造方法のすべてを含む。具体的には、用語「成形法」は、注型加工またはポッティング加工、射出成形、トランスファ成形、および圧縮成形を含む。キャリアは、圧縮成形によってまたはフィルム補助式の成形法（フィルム補助式のトランスファ成形）によって形成することが好ましい。
【０００８】
キャリアのプラスチックは、例えば、エポキシ樹脂などの注型加工の樹脂またはシリコーンを含むことが好ましい。プラスチックは、混合物として１つまたは複数の添加物を含む場合がある。例えば、キャリアは、熱膨張率を調整するために二酸化ケイ素粒子を含む場合がある。キャリアは、例えば、厚さが８０μｍ〜５００μｍである場合があり、１００μｍ〜２００μｍであることが好ましく、典型的には、約１００μｍである。
【０００９】
少なくとも１つの実施形態によれば、キャリアは、第１のビアおよび第２のビアを有し、その個々は、半導体ボディの方を向いているキャリアの第１の主要表面から、半導体ボディから遠くに向いているキャリアの第２の主要表面まで、経路設定される。
【００１０】
ビアがキャリアの第１の主要表面からキャリアの反対側の第２の主要表面まで経路設定されることにより、オプトエレクトロニクス部品は、電気的結合部をキャリアの第２の主要表面に備えることができることが有利である。具体的には、オプトエレクトロニクス部品は、キャリアの第２の主要表面上で印刷回路基板のトレースに接合される場合があり、例えば、はんだ層を用いて第１のビアを印刷回路基板の第１のトレースに、また、第２のはんだ層を用いて第２のビアを印刷回路基板の第２のトレースに、接合することによる。従って、オプトエレクトロニクス部品は、表面実装可能であることが有利である。
【００１１】
さらにまた、オプトエレクトロニクス半導体部品は、ｐコンタクト層およびｎコンタクト層を含むことが有利であり、それらは、キャリアと半導体ボディの間で少なくとも幾つかの領域に配置されており、ｐコンタクト層は、第１のビアおよびｐ型半導体領域に電気的に接合されており、ｎコンタクト層は、第２のビアおよびｎ型半導体領域に電気的に接合されている。ｐコンタクト層およびｎコンタクト層は、少なくとも１つの電気的絶縁層によって相互に絶縁されている。有利なことに、ｐ型半導体領域およびｎ型半導体領域の双方は、オプトエレクトロニクス半導体チップのキャリア側からコンタクトされている。これは、キャリアの反対側の半導体ボディの放射出口表面が結合層なしにできるという利点を有する。放射の収率は、このように有利に増加する。
【００１２】
さらにまた、それは、放射出口表面に向かうキャリアの方向に放出される放射を反射する目的で、ｎコンタクト層および／またはｐコンタクト層が活性層によって放出される放射に関して反射性を有する場合に、有利である。ｎコンタクト層および／またはｐコンタクト層は、特に、反射性金属層を含む場合があり、銀、金、またはアルミニウムを含むことが好ましい。可能なことは、ｎコンタクト層および／またはｐコンタクト層が、複数のサブ層、特に、金属層、および、例えば、ＩＴＯまたはドープ酸化亜鉛などの透明導電性酸化物で構成される層を含み、ドーパントが、例えば、アルミニウムまたはガリウムを含む場合があることである。
【００１３】
オプトエレクトロニクス半導体部品は、半導体積層体とキャリアとの間で少なくとも幾つかの領域に配置される金属補強層を含むことが有利である。金属補強層は、特に、ｎコンタクト層とキャリアとの間で少なくとも幾つかの領域に配置される。金属補強層は、金属または合金を含み、厚さが少なくとも５μｍであり、特に、少なくとも１０μｍであることが好ましい。キャリアと半導体積層体の間の比較的厚い金属補強層の結果として、改善された機械的安定性は、オプトエレクトロニクス半導体部品において達成される。金属補強層は、少なくとも幾つかの領域において、キャリアに直接隣接する場合がある、および／または、誘電層によってキャリアから分離される場合がある。
【００１４】
さらにまた、オプトエレクトロニクス半導体部品は、第１のビアとｐコンタクト層の間に配置されるｐコンタクトフィードスルーを含む。ｐコンタクトフィードスルーは、金属補強層のようであるが、金属または合金を含むことが有利である。
【００１５】
少なくとも１つの実施形態によれば、少なくとも１つのｐコンタクトフィードスルーは、金属補強層のようであるが、厚さが少なくとも５μｍであり、特に、少なくとも１０μｍであることが好ましい。具体的には、ｐコンタクトフィードスルーは、電気めっきによって製造される場合がある。少なくとも１つのｐコンタクトフィードスルーは、少なくとも幾つかの領域において横方向に補強層によって囲まれることが好ましい。換言すると、ｐコンタクトフィードスルーおよび補強層は、少なくとも幾つかの領域において１つの平面に横たわる。ｐコンタクトフィードスルーは、ここでは補強層に直接隣接しないが、電気的絶縁層によって補強層から有利に絶縁され、前記電気的絶縁層は、厚さが５μｍ以下であることが好ましい。電気的絶縁層の領域を除いて、キャリアと半導体積層体の間に配置されるオプトエレクトロニクス半導体部品の全領域は、金属補強層によってまたはｐコンタクトフィードスルーによってカバーされることが好ましい。２つの比較的厚い層である金属補強層およびｐコンタクトフィードスルーは、こうしてキャリアの方を向いている表面のオプトエレクトロニクス半導体部品の機械的な補強を共に形成する。
【００１６】
キャリアの方を向いている界面で、金属補強層は、少なくとも５０ｎｍのＲＭＳ粗さを有することが好ましい。キャリアの方を向いている界面で、金属補強層が、少なくとも５０ｎｍ、好ましくは少なくとも１００ｎｍ、特に好ましくは少なくとも２００ｎｍ、のＲＭＳ粗さを有することにより、金属補強層に対するキャリアおよび／または誘電層の付着性は、有利に改善され、こうしてオプトエレクトロニクス半導体部品の機械的安定性は、さらに改善される。
【００１７】
金属補強層は、ニッケルまたは銅を含むかまたはニッケルおよび銅で構成されることが好ましい。例えば、ニッケル層または銅層が、特に、電気めっきによって、ＲＭＳ粗さが少なくとも５０ｎｍまたは少なくとも２００ｎｍ相当である比較的高い粗さを備えて、簡単なやり方で製造することができることが示される。金属補強層を粗面化するための分離プロセスステップ、例えば、エッチングプロセスは、必ずしも実施が必須となるわけではないが、少なくとも５０ｎｍのＲＭＳ粗さが電気めっき中に既に得られる場合には、実施される場合がある。これは、例えば、金属補強層の電気めっき用の電解槽に堆積層の表面粗さの低下をもたらす添加物を何も付加しないことによって、達成される場合がある。具体的には、ニッケル層または銅層の電気めっきにおいて、５０ｎｍを超えるＲＭＳ粗さを備える層は、電解槽で得られる場合があり、その層は、別個のプロセスステップによって粗面化する必要がない。
【００１８】
少なくとも１つの実施形態によれば、誘電層は、キャリアと金属補強層の間に配置されている。誘電層は、無機層であることが好ましく、特に、酸化ケイ素層であることが好ましい。誘電層は、金属補強層にコンフォーマルに形成することが好ましい。換言すると、誘電層の表面は、金属補強層と実質上同じ粗さを有することが好ましい。誘電層のＲＭＳ粗さは、特に、少なくとも５０ｎｍである場合があり、少なくとも１００ｎｍであることが好ましく、特に、少なくとも２００ｎｍであることが好ましい。誘電層は、キャリアに直接隣接して、その粗さのおかげでキャリアの付着性を改善する場合がある。誘電層に変換される金属補強層の粗さのために、金属補強層に対する誘電層の付着性は、同じく改善される。
【００１９】
誘電層は、金属補強層とｐコンタクトフィードスルーの間に少なくとも部分的に配置されていることが好ましい。誘電層は、金属補強層の堆積後に堆積させることが好ましく、金属補強層の側壁を同じくカバーする。ｐコンタクトフィードスルーは、金属補強層の開口部の誘電層の堆積後に形成することが好ましく、開口部の方を向いている補強層の側壁は、誘電層を備える。
【００２０】
少なくとも１つの有利な実施形態によれば、半導体積層体は、キャリアによって横方向に少なくとも幾つかの領域において囲まれている。このようにすることで、半導体積層体の側面は、キャリアによって保護される。半導体積層体は、どの点においてもキャリアに直接隣接せずに、少なくとも１つの金属層および／または誘電層によってキャリアから分離することが好ましい。キャリアのプラスチック材料は、こうして活性層によって放出される放射から有利に保護される。具体的には、横方向に見て、補強層は、半導体積層体とキャリアの間で幾つかの領域に配置される場合がある。このように、金属補強層は、改善された機械的安定性と、横の方向における同等の半導体積層体の保護と、をもたらす。
【００２１】
別の有利な実施形態によれば、オプトエレクトロニクス半導体部品は、キャリアの外側によって少なくとも幾つかの領域に形成される傾斜した側壁を有する。側壁は、オプトエレクトロニクス部品の断面がキャリアから放射出口表面に向かって先細になるように斜めに延びていることが好ましい。換言すると、オプトエレクトロニクス部品は、キャリア側がキャリアの反対側の放射出口表面よりも幅広である。これは、側面からの把持時に、オプトエレクトロニクス半導体チップについて、放射出口表面に配置された層のどれにも接触せずに、実質的にキャリアの側面だけで接触するという利点を有する。
【００２２】
これは、特に、変換体層がオプトエレクトロニクス半導体チップの放射出口表面に配置される好適な実施形態において有利である。変換体層は、例えば、シリコーンなどの、例えば、マトリクス材料に埋め込まれる１つまたは複数のルミネセンス変換物質を含む場合がある。変換体層は、チップが側面から把持されるときに、斜めの側壁のおかげで、有利に接触されず、従って、変換体層が損傷するリスクおよび／または把持ツールが変換体層の材料で汚染するリスクが特に存在しない。
【００２３】
好適な実施形態では、変換体層は、半導体積層体の上に横方向に少なくとも５μｍの長さＬだけ突出し、それは、少なくとも５μｍから５０μｍ以下であることが好ましい。このように、変換体層を通過していない、例えば、不所望の青色の印象を与える放射の、オプトエレクトロニクス半導体チップの縁部での放出は、有利に回避される。さらにまた、同じく可能なことは、変換体層が、好ましい斜めの側壁の上に横に突出することである。
【００２４】
別の有利な実施形態によれば、変換体層は、面取り部を有する。換言すると、表面での変換体層の縁部は、変換体層の表面に対して、直角ではなくて、斜めに、例えば、４５度に形成され、または、縁部は丸くされる。このように、変換体層の上側縁部の方向に放出される光は、変換体層を通って著しく長い距離を進行すること、従って、過度の割合の変換光を含むことが防止される。
【００２５】
別の有利な実施形態によれば、変換体層の側部表面は、光吸収層または光反射層でカバーされる。このように、垂直方向に放出される光と比較して、変換体層を極めて長い距離進行して、従って、異なった色の印象、例えば、黄色がかった色の印象を与える光の、変換体層の縁部での放出は、防止される。
【００２６】
光吸収層のケースでは、これは、変換体層の表面に向かって増加する変化する厚さを有することが好ましい。このように、変換体層の上側縁部で放出される光は、変換体層を通って著しく長い距離を進行して、従って、著しく高い割合の変換光を有するが、例えば、黄色がかった色の印象を低減するために、より強く減衰される。
【００２７】
別の可能な実施形態では、変換体層の変換体粒子の濃度は、変換体層の外側に向かう方向に減少する。このように、確保できることは、外側の方向に放出される光が、変換体層を通って長めの距離を進行するが、外側領域の変換体粒子の低い濃度のために、それが垂直方向に放出される光とほぼ同じ程度まで変換されることである。
【００２８】
別の可能な実施形態では、変換体層は、外側よりも中心がより大きな厚さを有する。これは、半導体積層体が、例えば、中心に凹みが得られるように外側領域よりも半導体積層体の中心の金属を侵食させることによって、エッチングによって粗面化される、方法ステップで達成される場合がある。変換体層が、次いで、例えば、液状またはゲル状に堆積される場合、変換体層は、中心がより厚く得られる。このように、放射によって変換体材料を通って進行する距離は、斜め方向に放出される光のための変換体材料を通るより長い距離を少なくとも部分的に補償する目的で、また、こうして放射のカラー・オーバー・アングル均一性を改善する目的で、垂直方向に放出される光のために増加される。
【００２９】
好適な実施形態では、ｎコンタクト層は、ｐ型半導体領域および活性層のギャップを通してｎ型半導体領域の中に経路設定される少なくとも１つのｎスルーコンタクトを含む。ギャップの領域においては、少なくとも１つのｎスルーコンタクトは、電気的絶縁層によって活性層およびｐ型半導体領域からから分離される。少なくとも１つのｐコンタクトフィードスルーは、少なくとも１つのｎスルーコンタクトから横方向に、少しの距離を置いて設けられていることが好ましい。換言すると、ｎスルーコンタクトまたは複数のｎスルーコンタクトは、ｐコンタクトフィードスルーまたは複数のｐコンタクトフィードスルーの上に鉛直方向に横たわらない。従って、上面図では、ｐコンタクトフィードスルーとｎスルーコンタクトの間のどの点においてもオーバーラップが存在しないことが有利である。
【００３０】
別の有利な実施形態では、ｐコンタクト層は、封止層によって幾つかの領域においてカバーされている。封止層は、無機誘電層、特に、例えば、酸化ケイ素層、酸化アルミニウム層または窒化ケイ素層などの酸化層または窒化層であることが好ましい。
【００３１】
オプトエレクトロニクス半導体チップを製造するための方法では、補強層および／またはｐコンタクトフィードスルーは、電気めっきによって有利に製造される。電気めっきによって、補強層は、特に、少なくとも５０ｎｍの比較的高いＲＭＳ粗さを備えて製造される場合がある。これは、特に、ニッケル層または銅層が電気めっきされる場合である。
【００３２】
さらにまた、それは、金属補強層の少なくとも幾つかの領域に配置される誘電層が、化学蒸着によってオルトケイ酸テトラエチル（ＴＥＯＳ）から形成される酸化ケイ素層である場合に、形成する方法において有利である。この方法が、補強層と実質上同じ粗さを有する層が補強層にコンフォーマルに堆積されるのを、可能にすることが示されている。誘電層のＲＭＳ粗さは、金属補強層のＲＭＳ粗さのように、少なくとも５０ｎｍであることが好ましく、特に、少なくとも２００ｎｍであることが好ましい。
【００３３】
本方法の別の有利な実施形態は、オプトエレクトロニクス半導体部品の上の説明から獲得することができ、その逆もそうである。
【００３４】
本発明は、図１〜４に関連して例示的な実施形態を用いて以下により詳細に説明する。各図が示すものは次の通りである。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】第１の例示的な実施形態に係るオプトエレクトロニクス部品の断面の概略図である。
【図２Ａ】中間ステップを用いてオプトエレクトロニクス部品を製造するための方法の例示的な実施形態の概略図である。
【図２Ｂ】中間ステップを用いてオプトエレクトロニクス部品を製造するための方法の例示的な実施形態の概略図である。
【図２Ｃ】中間ステップを用いてオプトエレクトロニクス部品を製造するための方法の例示的な実施形態の概略図である。
【図２Ｄ】中間ステップを用いてオプトエレクトロニクス部品を製造するための方法の例示的な実施形態の概略図である。
【図２Ｅ】中間ステップを用いてオプトエレクトロニクス部品を製造するための方法の例示的な実施形態の概略図である。
【図２Ｆ】中間ステップを用いてオプトエレクトロニクス部品を製造するための方法の例示的な実施形態の概略図である。
【図２Ｇ】中間ステップを用いてオプトエレクトロニクス部品を製造するための方法の例示的な実施形態の概略図である。
【図２Ｈ】中間ステップを用いてオプトエレクトロニクス部品を製造するための方法の例示的な実施形態の概略図である。
【図２Ｉ】中間ステップを用いてオプトエレクトロニクス部品を製造するための方法の例示的な実施形態の概略図である。
【図２Ｊ】中間ステップを用いてオプトエレクトロニクス部品を製造するための方法の例示的な実施形態の概略図である。
【図２Ｋ】中間ステップを用いてオプトエレクトロニクス部品を製造するための方法の例示的な実施形態の概略図である。
【図２Ｌ】中間ステップを用いてオプトエレクトロニクス部品を製造するための方法の例示的な実施形態の概略図である。
【図２Ｍ】中間ステップを用いてオプトエレクトロニクス部品を製造するための方法の例示的な実施形態の概略図である。
【図３】第２の例示的な実施形態に係るオプトエレクトロニクス部品の断面の概略図である。
【図４】第３の例示的な実施形態に係るオプトエレクトロニクス部品の断面の概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００３６】
恒等の１つまたは複数の部品であって同一の効果を有するものは、個々の場合において図中、同一の符号が与えられている。示されている部品および部品相互の寸法比は、縮尺通りであると考えるべきではない。
【００３７】
図１に示されているオプトエレクトロニクス半導体部品１００の第１の例示的な実施形態は、ＬＥＤである。ＬＥＤは、放射を発することのできる活性層４を有する半導体積層体２を含む半導体ボディ１を含む。活性層４は、例えば、ｐｎ接合部または放射を生み出すための単一または複数の量子井戸構造を含む場合がある。活性層４は、ｐ型半導体領域３とｎ型半導体領域５の間に配置される。
【００３８】
半導体積層体２は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体材料系、具体的には、砒化物、窒化物、または燐化物‐化合物半導体材料系であることが好ましい。例えば、半導体積層体２は、ＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ、ＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＰ、または、ＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＡｓ（個々において、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、およびｘ＋ｙ≦１）を含む場合がある。ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体材料は、この場合では、必ずしも上式のうちの１つによる数学的に正確な組成を有していなくてもよい。その代わりに、１つまたは複数のドーパント、および材料の物理特性を実質上変えない追加の成分が含まれる場合がある。しかしながら、簡略化の目的のため、上式は、結晶格子の不可欠の成分だけを含むが、これらは少量の他の物質で部分的に置換することができる。
【００３９】
例示的な実施形態に係るＬＥＤは、いわゆる薄膜ＬＥＤであり、それから半導体積層体２を成長させるために使用された成長基板は、半導体積層体２からその後に分離されている。元の成長基板、例えば、サファイア、シリコーン、またはＧａＡｓ基板は、その上に放射出口表面１６がそのとき存在している半導体ボディ１の側面から分離された。半導体ボディ１は、半導体ボディ１からの放射の結合を改善するために、その放射出口表面１６が粗面化されるかまたはパターン化を備える場合がある。半導体ボディ１の放射出口表面１６上のパターン化または粗面化は、特に、エッチングプロセスによって行われる場合がある。
【００４０】
放射出口表面１６の反対側の表面において、半導体ボディ１は、キャリア１０に接合される。キャリア１０は、プラスチックで作製される。具体的には、キャリア１０は、圧縮成形、トランスファ成形、または注型加工方法によって製造される場合がある。キャリア１０のプラスチック材料は、例えば、エポキシ樹脂またはシリコーンを含む場合がある。
【００４１】
キャリア１０は、半導体ボディ１の方を向いている第１の主要表面１７と、半導体ボディから遠くに向いている第２の主要表面１８とを有する。キャリア１０は、第１のビア１１および第２のビア１２を有し、その個々は、キャリア１０の第１の主要表面１７から第２の主要表面１８に経路設定されている。ビア１１、１２は、金属または合金を含むことが有利であり、特に、電気めっきによって製造される場合がある。ビア１１、１２は、例えば、銅、ニッケル、または、はんだを含む場合がある。２つのビア１１、１２は、半導体ボディ１の電気コンタクトのために使用される。例えば、第１のビア１１は、半導体積層体２のｐ型半導体領域３に電気的に接合され、第２のビア１２は、ｎ型半導体領域５に電気的に接合される。
【００４２】
ビア１１、１２の後部側において、後部コンタクト２９、３０は、堆積される場合がある。後部コンタクトは、金属または合金、特に、はんだを含む場合がある。後部コンタクト２９、３０は、例えば、金、パラジウム、銀、錫、銅、ニッケル、チタン、アルミニウム、タングステン、および／またはプラチナを含む場合がある。例えば、後部コンタクト２９、３０は、銅錫層、ニッケル錫層、銅ニッケル錫層、チタン金層、チタンプラチナ金層、ニッケル金層、チタン金錫層、チタンプラチナ金錫層、ニッケル金錫層、またはニッケルパラジウム金層である。また、後部コンタクト２９、３０は、錫銀銅層（ＳＡＣはんだ層）、金錫層、銅銀ニッケル層、もしくは純銀、純銅、または純金の層である場合もある。
【００４３】
図１に示されている例示的な実施形態では、後部コンタクトは、ビア１１、１２の全体にわたって突出している。しかしながら、あるいは、同じく可能なことは、後部コンタクト２９、３０が、ビア１１、１２と一致するかまたはビア１１、１２を完全にはカバーしないことである。
【００４４】
第１のビア１１とｐ型半導体領域３との間の電気的な伝導性接合は、例えば、ｐ型半導体領域に隣接するｐコンタクト層６と、半導体ボディ１とキャリア１０との間に配置されるｐコンタクトフィードスルー７と、を特に用いて作製される。ｐコンタクトフィードスルー７は、第１のビア１１をｐコンタクト層６に接合する。同じく可能なことは、ｐコンタクトフィードスルー７が第１のビア１１の一部であることである。例えば、ｐコンタクトフィードスルー７および第１のビア１１は、例えば、金属または合金を電気めっきすることによって同時に製造される場合がある。
【００４５】
第２のビア１２は、ｎコンタクト層８、８Ａを用いてｎ型半導体領域５に電気的に接合される。これは、例えば、ｎコンタクト層８の一部を、半導体積層体２を通る少なくとも１つのギャップを通してｎ型半導体領域５の中に経路設定し、こうして少なくとも１つのスルーコンタクト８Ａを形成することによって、行われる場合がある。ｎコンタクト層８、８Ａは、少なくとも１つの電気的絶縁層１３によって、ｐ型半導体領域３、活性層４、ｐコンタクト層６および第１のビア１１から電気的に絶縁される。少なくとも１つの電気的絶縁層１３は、例えば、酸化ケイ素または酸化アルミニウムを含む場合がある。
【００４６】
活性ゾーン４を通して経路設定されたｎコンタクト層８、８Ａを用いたオプトエレクトロニクス部品のコンタクトは、ｎ型半導体領域５およびｐ型半導体領域３の両方のコンタクトが、キャリア１０の方を向いている半導体ボディ１の側面から行われるという利点を有する。従って、オプトエレクトロニクス部品の放射出口表面１６は、例えば、ボンドパッド、コンタクト金属化または接続ワイヤなどの電気コンタクト要素から解放されることが有利である。このように、放射出口表面１６のコンタクト要素による放射の吸収は、防止される。
【００４７】
半導体ボディ１の反対側のキャリア１０の第２の主要表面１８において、ビア１１、１２は、外部から接続され得ることが有利である。具体的には、電気的伝導性ビア１１、１２は、キャリア１０第２の主要表面１８に、例えば、印刷回路基板のトレースに、接合される場合がある。従って、オプトエレクトロニクス半導体部品は、表面実装可能であることが有利である。
【００４８】
ｎコンタクト層８とキャリア１０の間には、金属補強層１４が有利に配置される。金属補強層１４は、少なくとも５μｍの厚さを有利に有し、特に、少なくとも１０μｍの厚さを有することが好ましい。金属補強層１４は、金属または合金、例えば、ニッケルまたは銅を含む。補強層１４は、電気めっきによって製造することが好ましい。補強層１４は、少なくとも５０ｎｍのＲＭＳ粗さを有することが好ましく、特に、少なくとも２００ｎｍのそれを有することが好ましい。補強層１４の比較的高い粗度は、キャリア１０の方向においてそれに続く別の電気的絶縁層１５の付着性が改善されるという利点を有する。
【００４９】
キャリア１０と補強層１４の間の電気的絶縁層１５は、オプトエレクトロニクス部品に対するキャリア１０のプラスチック材料の付着性を改善する。
【００５０】
半導体積層体２の側壁２１は、少なくとも幾つかの領域が、好ましくは完全に、１つまたは複数の電気的絶縁層１３、１５および１つまたは複数の金属層８、１４を含む積層体によって、カバーされる。具体的には、半導体積層体２の側壁２１は、キャリア１０に直接隣接しない。キャリア１０のプラスチック材料は、活性層４で発生する放射からこうして有利に保護される。金属補強層１４は、少なくとも５μｍの厚さを有することが有利であるが、半導体積層体２の側壁２１とキャリアボディ１０との間の少なくとも幾つかの領域に配置されることが好ましい。キャリアボディ１０を活性層３からの放射から保護することに加えて、機械的安定性の改善についても、このように達成される。オプトエレクトロニクス半導体部品１００の長期の安定性は、こうして改善される。
【００５１】
電気的絶縁層１５は、補強層１４の、ｐコンタクトフィードスルー７からと第１のビア１１からとの電気的な絶縁を提供する。電気的絶縁層１５は、例えば、無機誘電材料を含み、厚さが５μｍ未満であることが好ましい。ｐコンタクトフィードスルー７および補強層１４は、少なくとも幾つかの領域において、電気的絶縁層１５だけによって相互に分離される。具体的には、ｐコンタクトフィードスルー７は、鉛直方向に補強層１４を通して経路設定され、補強層１４は、示されている例示的な実施形態では、ｎコンタクト層８に電気的に接合され、従って、電気的絶縁層１５を用いて、ｐコンタクトフィードスルー７から絶縁されねばならない。少なくとも１つのｐコンタクトフィードスルー７は、少なくとも１つのｎスルーコンタクト８Ａからｎ型半導体領域５につながる横方向に或る距離をおくことが好ましい。換言すると、少なくとも１つのｐコンタクトフィードスルー７および少なくとも１つのｎスルーコンタクト８Ａは、鉛直方向において上下に位置決めされない。
【００５２】
金属補強層１４は、少なくとも幾つかの領域においてｎコンタクト層８に隣接する場合があり、こうして第２のビア１２とｎコンタクト層８との間に電気的な伝導性接合が形成される。具体的には、第２のビア１２の一部は、電気的絶縁層１５を貫通して、それとの電気コンタクトを作る目的で、金属補強層１４に隣接する場合がある。換言すると、第２のビア１２は、金属補強層１４およびｎコンタクト層８、８Ａを経由してｎ型半導体領域５に電気的に接合される。
【００５３】
示されている例示的な実施形態では、変換体層２０は、半導体積層体２の放射出口表面１６に配置されている。変換体層２０は、少なくとも幾つかの領域において、特に、半導体積層体２に直接隣接する場合があり、誘電材料によって半導体積層体２から特に分離されない。変換体層２０を用いて、活性層４によって放出される放射の少なくとも一部は、大きめの波長を有する放射に変換される。このように、白色光は、例えば、青色またはＵＶスペクトル範囲で放出する半導体チップを使用して、発生される場合がある。この目的のため、変換体層２０は、例えば、マトリクス材料に、例えば、シリコーンに、埋め込むことのできる１つまたは複数の変換物質を含むことが有利である。発光変換の原理および適する変換物質については、当業者に公知であり、従って、この時点でより詳細に解説はしない。
【００５４】
変換体層２０は、半導体積層体２を超えて横方向に或る長さＬだけ延び、それは、少なくとも５μｍで５０μｍ以下であることが好ましい。このように、放出される放射の改善された色均一性は、有利に達成される場合がある、および／または、放出される放射の色ロケーションは、放射の角度の関数として目標のやり方で調整される場合がある。
【００５５】
オプトエレクトロニクス部品１００は、斜めの側壁２２を有することが有利である。側壁２２は、半導体積層体２の主要平面に関して９０度に等しくない角度で特に傾斜される。斜めの側壁２２は、オプトエレクトロニクス部品１００がキャリアから放射出口表面１６に向かって延びる方向に先細であるように、有利に傾斜される。従って、オプトエレクトロニクス部品１００は、キャリア１０の第２の主要表面１８によって形成される場合のある後部側が、放射出口表面１６と任意選択の変換体層２０とが配置される前部側よりも、広めである。側壁２２の斜め構成は、オプトエレクトロニクス半導体部品１００が側面から把持されるときに、把持ツールが変換体層２０に接触するリスクが存在しないという利点を有する。このように、把持ツールが、例えば、粘着性のシリコーンを含む変換体層２０によって汚染するリスクは、減少する。
【００５６】
オプトエレクトロニクス部品１００は、同一形式の別の複数のオプトエレクトロニクス部品と共にウエハ複合材で製造することが好ましい。斜めの側壁２２は、ウエハが個々のオプトエレクトロニクス部品１００に分離されるときに、作り出されることが好ましい。分離は、例えば、鋸引きまたはレーザ切断によって行われる場合がある。
【００５７】
次の図２Ａ〜２Ｍでは、オプトエレクトロニクス半導体部品を製造するための方法の例示的な実施形態について説明する。上で説明するオプトエレクトロニクス半導体部品の個々の部品の有利な実施形態は、下で説明する方法に同じように妥当し、その逆もそうである。
【００５８】
図２Ａに示されている方法の中間ステップでは、半導体積層体２は、ｐ型半導体領域３、活性層４、およびｎ型半導体領域５を含むが、成長基板２３上に成長している。成長基板２３は、例えば、窒化ガリウム、サファイア、ヒ化ガリウム、ケイ素、または炭化ケイ素を含む場合がある。半導体積層体２は、エピタキシャルに、具体的には、有機金属気相成長法（ＭＯＶＰＥ）を用いて、製造することが好ましい。ｐ型半導体領域３、活性層４、およびｎ型半導体領域５は、複数の個別の層で個々が構成される場合があるが、それらは簡略化のために個別に示していない。
【００５９】
図２Ｂに示されている中間ステップでは、ｐコンタクト層６は、半導体積層体２に堆積されて、サブ領域にパターン化されている。ｐコンタクト層６は、金属または合金を含むことが好ましく、特に反射層である場合がある。ｐコンタクト層６は、例えば、銀を含むかまたはそれで構成される場合がある。同じく可能なことは、ｐコンタクト層６が複数のサブ層から形成されることである。さらにまた、封止層９は、ｐコンタクト層６の上に堆積されている。封止層９は、無機誘電層、具体的には、例えば、酸化ケイ素層または窒化ケイ素層などの酸化層または窒化層であることが好ましい。あるいは、封止層は、例えば、窒化タングステンチタン、窒化チタン、タングステンチタン、またはクロムを含む場合がある。封止層９は、例えば、ｐコンタクト層６を次の電気的伝導層から、具体的には、ｎコンタクト層から電気的に絶縁する目的、および／または、ｐコンタクト層６を保護する目的に役立つ。
【００６０】
図２Ｃに示されている中間ステップでは、凹所は、例えば、エッチングプロセスによって、半導体積層体２に作り出されたが、前記凹所は、ｎ型半導体領域５の中に延びている。凹所の目的は、ｎコンタクト層をｎ型半導体領域５の中に別の方法で送り込むことである。
【００６１】
図２Ｄに示されている中間ステップでは、メサ構造は、半導体積層体２に作り出された。この目的のため、半導体積層体２は、それを所望の形状および寸法にパターン化する目的で、縁部領域に、例えば、エッチングプロセスによって、侵食を受けた。メサ構造は、成長基板２３の領域の中に延びることが好ましい、即ち、半導体積層体２は、縁部領域において、殆ど完全または完全に侵食を受ける。加えて、図２に示されている中間ステップでは、別の電気的絶縁層１３は、堆積されており、特に、メサ構造および凹所のエッチングしたトレンチの半導体積層体２の側壁をカバーし、こうして電気的に絶縁する。ｎコンタクト層の次のフィードスルーのための前の中間ステップで形成された凹所の底部において、電気的絶縁層１３は、ｎ型半導体領域５をそこに露出させる目的で、除去されている。
【００６２】
図２Ｅに示されている中間ステップでは、ｎコンタクト層８は、堆積されている。ｎコンタクト層８は、金属または合金を含むことが好ましい。具体的には、ｎコンタクト層８は、例えば、アルミニウムまたは銀などの反射性金属を含む場合がある。凹所の領域においては、ｎコンタクト層８は、ｐ型半導体領域３および活性層４を通ってｎ型半導体領域５の中に延びて、この領域にスルーコンタクト８Ａを形成する。ｎコンタクト層８は、半導体積層体２の側壁上の予め堆積された電気的絶縁層１３をカバーする場合がある。
【００６３】
図２Ｆに示されている中間ステップでは、金属補強層１４は、堆積されている。金属補強層１４は、金属または合金を用いて形成され、特に、電気めっきを用いて堆積される場合がある。補強層１４は、例えば、ニッケルを含む場合がある。電気めっきによる金属補強層１４の製造のために、シード層は、予め堆積されて、任意選択でパターン化される場合がある（図示せず）。金属補強層をパターン化されたやり方で堆積させるために、同じく可能なことは、それ自体は公知であるが、特に、レジストマスクを用いるフォトリソグラフィステップを採用することである。
【００６４】
補強層１４は、厚さが少なくとも５μｍであることが好ましく、特に、少なくとも１０μｍであることが好ましい。補強層１４は、特に、半導体積層体２の側面に少なくとも部分的に同じく配置される。補強層１４の結果として、機械的安定性は、次のプロセスステップで、特に、出来上がったオプトエレクトロニクス部品において、増大する。
【００６５】
図２Ｇに示されている中間ステップでは、少なくとも１つの開口部２４は、補強層１４および下に横たわるｎコンタクト層８に作り出されたが、前記開口部２４は、例えば、電気的絶縁層１３まで延びている。あるいは、同じく可能であろうことは、図２Ｆの方法ステップにおいて、金属補強層１４を、それが１つまたは複数の開口部２４を既に含むように、パターン化されたやり方で堆積させることである。さらにまた、別の電気的絶縁層１５は、補強層１４の上に堆積されており、それは、上で説明した封止層９または電気的絶縁層１３のように、例えば、酸化ケイ素などの少なくとも１つの無機誘電材料を好ましくは含む場合がある。電気的絶縁層１５は、補強層１４の表面を完全にカバーすることが好ましい。具体的には、電気的伝導層８、１４は、開口部２４の領域においては、電気的絶縁層１５によってカバーされる。
【００６６】
電気的絶縁層１５は、酸化ケイ素層であることが好ましく、オルトケイ酸テトラエチルを使用するＣＶＤを用いて有利に製造される。電気的絶縁層１５による補強層１４のコンフォーマルなカバーが、この方法を用いることによって有利に達成される場合があることが示されている。電気的絶縁層１５は、こうして補強層１４と実質上同一の粗さを有することが有利である。電気的絶縁層１５のＲＭＳ粗さは、好ましくは少なくとも５０ｎｍであり、少なくとも１００ｎｍであることが好ましい。電気的絶縁層１５は、少なくとも１つの開口部２４の領域において、電気的絶縁をそこに提供する目的で、補強層１４を、特に、コンフォーマルに、カバーする。
【００６７】
図２Ｈに示されている中間ステップでは、少なくとも１つの開口部２５は、ｐコンタクト層６を露出させるために、電気的絶縁層１３、１５および封止層９に作り出され、少なくとも１つの別の開口部２６は、補強層１４の領域を露出させるために、電気的絶縁層１５に作り出された。
【００６８】
図２Ｉに示されている中間ステップでは、予め作り出されている開口部は、ｐコンタクト層６の上が金属層で充填されて、ｐスルーコンタクト７を形成する。ｐスルーコンタクト７は、金属コンタクト層に接合されて、出来上がった部品において、キャリアを貫く第１のビア１１を形成する。第１のビア１１は、このように、 ｐスルーコンタクト７およびｐコンタクト層６を経由して、ｐ型半導体領域３に電気的に接合される。さらにまた、中間ステップでは、出来上がった部品において、キャリアを貫く第２のビア１２を形成する第２の金属コンタクト層は、補強層１４の上に配置される電気的絶縁層１５の予め形成されている開口部の上に形成された。第２のビア１２は、このように補強層１４に電気的に接合され、こうしてｎ型半導体領域３にスルーコンタクト８Ａを備えたｎコンタクト層８を経由して接触する。可能なことは、第１のビア１１、第２のビア１２、および／または、ｐスルーコンタクト７を、電気めっきによって１つの方法ステップで形成することである。ｐスルーコンタクト７および補強層１４は、１つの平面に、少なくとも幾つかの領域に、配置され、また、厚さが５μｍより小さいことが好ましい電気的絶縁層１５の領域だけによって相互に分離される。
【００６９】
可能なことは、単一のｐコンタクトフィードスルー７の代わりに、複数のｐコンタクトフィードスルー７を、第１のビア１１とｐコンタクト層６との間に作り出すことである（図示せず）。この変形例では、複数の開口部は、前の中間ステップにおいて、補強層１４、ｎコンタクト層８、電気的絶縁層１３および封止層９に作り出される。少なくとも１つのｐコンタクトフィードスルー７は、例えば、上面図で円形断面を有する場合がある。複数のｐコンタクトフィードスルー７が形成される場合、これらは、例えば、複数の円形の構造を形成する場合がある。この少なくとも１つのｐコンタクトフィードスルー７は、必ずしも垂直に延びなくてもよく、別法として鉛直方向に対して斜めに延びる、および／または、湾曲した形状を備えた側壁を有することもできる。これにより、ｐコンタクトフィードスルー７がそれを通して延びる電気的絶縁層１５に対するｐコンタクトフィードスルー７の付着性と、電気的絶縁層１５の過大評価とが改善される。
【００７０】
図２Ｊに示されている中間ステップでは、成長基板２３から遠くに向いているオプトエレクトロニクス部品の側面は、キャリア１０をこのように形成する目的で、プラスチック材料で封止されている。キャリア１０は、例えば、二酸化ケイ素充填エポキシ、シリコーンまたはハイブリッド材料などのポリマを特に含む場合がある。ビア１１、１２が、キャリア１０のプラスチック材料が堆積されるときに、カバーされる場合、これらは、例えば、研削、ラップ、研磨、他の機械的処理ステップ、レーザアブレーション、エッチング、または、そういった方法ステップを複数組み合わせたものによって再度露出される。ビア１１、１２は、プラスチック材料自体が侵食されているとき、部分的に研削することが好ましい。
【００７１】
図２Ｋに示されている中間ステップでは、成長基板２３は、半導体積層体２から引き離される。成長基板２３の引き離しは、例えば、レーザリフトオフ法、エッチングまたは研削を用いて行われる場合がある。オプトエレクトロニクス半導体部品については、前の中間ステップと比較して、ここでは上下逆に示しているが、その理由は、ここでは、半導体積層体２の表面が前側を表し、キャリア１０がオプトエレクトロニクス半導体部品の後ろ側を表すからである。加えて、ビア１１、１２の後ろ側は、後部コンタクト２９、３０を備える。
【００７２】
図２Ｌに示されている別の中間ステップでは、半導体積層体２の表面は、放射出口表面１６として働くが、特に、放射の取り出しを改善するために、粗面化された。さらにまた、変換体層２０は、例えば、注型加工、圧縮成形、変換体膜のスプレーコーティングまたは積層によって堆積された。変換体層２０は、好ましくは、横の方向に少なくとも５μｍだけ半導体積層体２の上に突出する。例えば、変換体層は、横の方向に少なくとも５μｍから５０μｍ以下までだけ半導体積層体２の上に突出する場合がある。これまでに説明した中間ステップは、ウエハ段階で実施することが好ましい、即ち、同じタイプの複数のオプトエレクトロニクス半導体部品は、相互に隣りで同時に処理される。
【００７３】
図２Ｍに示されている別の中間ステップでは、斜めの側壁２２は、作り出されたが、このプロセスステップは、特に、ウエハが個別のオプトエレクトロニクス部品に個片化されるときに行われる場合がある。変換体層２０が存在する場合、個片化は、変換体層２０への熱負荷を最小化する目的で、ピコ秒レーザを用いるレーザ切断によって、または、ウォータジェットガイドプロセスによって、行うことが好ましい。このように、図１に示されているオプトエレクトロニクス半導体部品１００は、例として製造される場合がある。
【００７４】
図３に示されているオプトエレクトロニクス半導体部品１００の第２の例示的な実施形態は、変換体層が面取り部２８、即ち、表面の外側で傾斜している縁部を有するという点で、図１に示されている例示的な実施形態と異なる。面取り部は、例えば、変換体層２０の表面に対して４５度の角度を形成する場合がある。あるいは、変換体層２０は、丸い縁部を有する場合がある。このように、放出される放射の均一性（カラー・オーバー・アングル）は、有利に改善される場合がある。別の実施形態および関連する利点の観点から、第２の例示的な実施形態は、第１の例示的な実施形態に対応している。
【００７５】
ビア１１、１２とキャリア１０の間には、電気的絶縁層１９が各ケースで有利に配置される。このように、金属のビア１１、１２に対するキャリア１０のプラスチック材料の付着性は、改善される。電気的絶縁層１９は、キャリアの材料と異なる誘電材料を含む。具体的には、電気的絶縁層１９は、無機誘電材料を含む場合がある。
【００７６】
図４に示されているオプトエレクトロニクス半導体部品１００の第３の例示的な実施形態では、光吸収層または光反射層２７は、変換体層２０の側部表面に堆積された。このように、変換体層２０による横の放出は、減少し、放出される放射の色均一性は、このように改善される。光吸収層２７は、変換体層２０の表面に向けて増加する変化する厚さを有する。このように、変換体層２０の上側縁部で放出される光は、変換体層２０を通って著しく長い距離を進行して、従って、著しく高い割合の変換光を有するが、例えば、黄色がかった色の印象を低減するために、より強く減衰される。
【００７７】
さらにまた、図４に示されている例示的な実施形態は、ｎコンタクト層８がどの点においてもオプトエレクトロニクス半導体チップの側壁２２に隣接しないという点で、図１の例示的な実施形態と異なる。これは、ｎコンタクト層８が、特に湿度などの環境の影響に敏感である、例えば、銀などの金属を含む場合に、特に有利である。ｎコンタクト層８が、出来上がったオプトエレクトロニクス半導体部品１００において、チップの側壁に隣接しないことを確実にするために、ｎコンタクト層８は、例えば、図２Ｅの方法ステップにおいて、パターン化されたやり方で設置され、従って、横方向の成長基板２３の側壁に到達せず、こうして、次の方法ステップにおいて、特に誘電層１５によって両側でカバーされる。
【００７８】
別の実施形態および関連する利点の観点から、第３の例示的な実施形態は、第１の例示的な実施形態に対応している。
【００７９】
本説明は、例示的な実施形態の助けを借りているが、本発明をそれに限定するものではない。寧ろ、本発明は、任意の新規特徴および任意の特徴の組み合わせを含み、具体的には、特許請求の範囲における特徴を任意に組み合わせたものは、たとえこの特徴またはこの組み合わせが特許請求の範囲または例示的な実施形態においてそれ自体明示的に記載されていなくても、含まれる。
【００８０】
本出願は、独国特許出願第１０２０１５１１４５８７．１号の優先権を主張し、その開示内容については、これによって参照により組み込まれる。
【符号の説明】
【００８１】
１  半導体ボディ
２  半導体積層体
３  ｐ型半導体領域
４  活性層
５  ｎ型半導体領域
６  ｐコンタクト層
７  ｐコンタクトフィードスルー
８  ｎコンタクト層
８Ａ  ｎスルーコンタクト
９  封止層
１０  キャリア
１１  第１のビア
１２  第２のビア
１３  電気的絶縁層
１４  補強層
１５  電気的絶縁層
１６  放射出口表面
１７  第１の主要表面
１８  第２の主要表面
１９  電気的絶縁層
２０  変換体層
２１  半導体積層体の側壁
２２  半導体部品の側壁
２３  成長基板
２４  開口部
２５  開口部
２６  開口部
２７  光吸収または反射層
２８  面取り部
２９  後部コンタクト
３０  後部コンタクト
１００  オプトエレクトロニクス半導体部品
【図１】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図２Ｃ】
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【図２Ｄ】
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【図２Ｅ】
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【図２Ｆ】
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【図２Ｇ】
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【図２Ｈ】
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【図２Ｉ】
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【図２Ｊ】
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【図２Ｋ】
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【図２Ｌ】
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【図２Ｍ】
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【図３】
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【図４】
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