(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
内径より１０倍を上回って大きい縦方向寸法を有する円筒形反応器を使用して、ＩＩＩ族窒化物結晶を成長させる方法であって、
（ａ）前記円筒形反応器の縦方向に沿ってＩＩＩ族元素を含有する培養成分を設置することと、
（ｂ）各シードが前記培養成分に面するように、ＩＩＩ族窒化物シード結晶を前記円筒形反応器の壁上または前記壁の近傍に設置することと、
（ｃ）アルカリ金属またはハロゲン元素のいずれかを含有する鉱化剤を前記円筒形反応器の内側に設置することと、
（ｄ）アンモニアを前記円筒形反応器内に充填することと、
（ｅ）前記円筒形反応器を外部加熱器を用いて加熱し、超臨界アンモニアを生成することと、
を含み、前記円筒形反応器は、事実上均一温度において加熱される、方法。
【請求項２】
前記円筒形反応器は、前記培養成分および前記シード結晶を分離するための流量制限プレートを内側に有していない、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記培養成分およびシード結晶は両方とも、前記縦方向に沿って、前記反応器の長さの７５％を上回って延在する、請求項１または請求項２に記載の方法。
【請求項４】
各シード結晶の底面の片側は、前記培養成分に面する、請求項１−３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
前記１つのシード結晶から最近傍培養成分までの距離は、前記円筒形反応器内の全シード結晶に対して事実上同一である、請求項１−４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
前記１つのシード結晶から最近傍培養成分までの距離は、１つのシード結晶から最近傍培養成分までの平均距離と１０％差以内である、請求項１−５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
前記培養成分は、前記超臨界アンモニア中の溶解速度が前記シード結晶のものより高速であるように選択される、請求項１−６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
前記培養成分の総表面積は、前記シード結晶の総表面積より大きい、請求項１−７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
前記培養成分は、多結晶窒化ガリウムを含有する、請求項１−８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
シード結晶は、単結晶または多結晶窒化ガリウムである、請求項１−９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
前記鉱化剤は、リチウム金属、ナトリウム金属、カリウム金属、リチウムアミド、ナトリウムアミド、カリウムアミド、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素、フッ化アンモニウム、塩化アンモニウム、臭化アンモニウムまたはヨウ化アンモニウムから選択される、請求項１−１０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１２】
前記ＩＩＩ族窒化物は、窒化ガリウムである、請求項１−１１のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１３】
前記円筒形反応器の前記縦方向寸法は、内径より１５倍を上回って大きい、請求項１−１２のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１４】
前記円筒形反応器の前記縦方向寸法は、内径より２０倍を上回って大きい、請求項１−１３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１５】
請求項１〜１４のいずれか１項に記載のＩＩＩ族窒化物結晶を成長させる方法を用いて、ＩＩＩ族窒化物のバルク結晶を成長させることと、
前記ＩＩＩ族窒化物のバルク結晶からＩＩＩ族窒化物ウエハをスライスすることと
を含む、ＩＩＩ族窒化物ウエハを生産する方法。
【請求項１６】
アモノサーマル成長プロセスにおいてＩＩＩ族窒化物を成長させるための高圧反応器であって、
（ａ）チャンバを画定し、縦軸および前記縦軸と平行な内側側壁を有する、円筒形反応器本体と、
（ｂ）前記円筒形反応器本体の縦軸の大部分に沿って延在する、培養成分容器と、
（ｃ）前記円筒形反応器本体の内側側壁に隣接し、前記円筒形反応器本体の縦軸の大部分に沿って延在する、１つまたはそれを上回るシード保定器と、
を備える、高圧反応器
【請求項１７】
前記シード保定器は、前記円筒形反応器本体の円周の周囲に分散され、シードを前記円筒形反応器本体の円周および縦軸の大部分に位置させる、請求項１６に記載の高圧反応器。
【請求項１８】
前記反応器本体は、前記チャンバ内にバッフルを有していない、請求項１６または請求項１７に記載の高圧反応器。
【請求項１９】
前記培養成分容器は、複数の積載可能バスケットを備える、請求項１６−１８のいずれか１項に記載の高圧反応器。
【請求項２０】
前記培養成分容器および前記シード保定器は、前記反応器の円筒形本体の外部に位置付けられる、同一加熱器によって加熱されるように位置付けられる、請求項１６−１９のいずれか１項に記載の高圧反応器。
【請求項２１】
前記ＩＩＩ族窒化物結晶は、転位密度約１０４ｃｍ−２を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項２２】
前記ＩＩＩ族窒化物結晶は、転位密度約１０４ｃｍ−２を有し、ある量の鉱化剤を含有する、請求項１に記載の方法。
【請求項２３】
前記ＩＩＩ族窒化物結晶は、バルク結晶である、請求項２１または請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
ＩＩＩ族窒化物結晶を成長させる方法であって、
（ａ）ＩＩＩ族元素から形成される培養成分を超臨界アンモニア中に溶解させることと、
（ｂ）前記超臨界アンモニアを使用して、溶解された培養成分を複数のＩＩＩ族窒化物シードに移送することと、
（ｃ）同時に、前記溶解された培養成分を前記複数のＩＩＩ族窒化物シード上に堆積させることであって、前記培養成分は、前記培養成分の溶解と堆積との間に温度差を提供せずに、溶解および堆積される、ことと、
を含む、方法。
【請求項２５】
前記溶解された培養成分の移送機構は、主に、前記培養成分の近傍と前記シードの近傍との間の前記超臨界アンモニア中の濃度勾配に起因して、前記超臨界アンモニアを通して拡散される、請求項２４に記載の方法。
【請求項２６】
超臨界アンモニアの対流は、前記培養成分溶解と前記培養成分堆積との間の温度差の欠如のため、低減される、請求項２４または請求項２５に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
（関連出願の相互参照）
本願は、２０１５年６月２５日に出願され、本願と同一の発明の名称および発明者を有する米国出願第６２／１８４，６７４号に対する優先権の利益を主張するものであり、該出願は、以下に完全に記載されているのと同然にその全体が参照により本明細書中に援用される。
【０００２】
本願は、以下の米国特許出願に関連している。
【０００３】
ＰＣＴ特許出願第ＵＳ２００５／０２４２３９号，出願日２００５年７月８日，発明者Ｋｅｎｊｉ  Ｆｕｊｉｔｏ，Ｔａｄａｏ  ＨａｓｈｉｍｏｔｏおよびＳｈｕｊｉ  Ｎａｋａｍｕｒａ，発明の名称”ＭＥＴＨＯＤ  ＦＯＲ  ＧＲＯＷＩＮＧ  ＧＲＯＵＰ  ＩＩＩ−ＮＩＴＲＩＤＥ  ＣＲＹＳＴＡＬＳ  ＩＮ  ＳＵＰＥＲＣＲＩＴＩＣＡＬ  ＡＭＭＯＮＩＡ  ＵＳＩＮＧ  ＡＮ  ＡＵＴＯＣＬＡＶＥ”，代理人管理番号３０７９４．０１２９−ＷＯ−０ｌ（２００５−３３９−１）；
【０００４】
米国特許出願第１１／７８４，３３９号，出願日２００７年４月６日，発明者Ｔａｄａｏ  Ｈａｓｈｉｍｏｔｏ，Ｍａｋｏｔｏ  Ｓａｉｔｏ，およびＳｈｕｊｉ  Ｎａｋａｍｕｒａ，発明の名称”ＭＥＴＨＯＤ  ＦＯＲ  ＧＲＯＷＩＮＧ  ＬＡＲＧＥ  ＳＵＲＦＡＣＥ  ＡＲＥＡ  ＧＡＬＬＩＵＭ  ＮＩＴＲＩＤＥ  ＣＲＹＳＴＡＬＳ  ＩＮ  ＳＵＰＥＲＣＲＩＴＩＣＡＬ  ＡＭＭＯＮＩＡ  ＡＮＤ  ＬＡＲＧＥ  ＳＵＲＦＡＣＥ  ＡＲＥＡ  ＧＡＬＬＩＵＭ  ＮＩＴＲＩＤＥ  ＣＲＹＳＴＡＬＳ”,代理人管理番号３０７９４．１７９−ＵＳ−Ｕ１（２００６−２０４），該出願は，米国仮特許出願第６０／７９０，３１０号，出願日２００６年４月７日，発明者Ｔａｄａｏ  Ｈａｓｈｉｍｏｔｏ，Ｍａｋｏｔｏ  Ｓａｉｔｏ，およびＳｈｕｊｉ  Ｎａｋａｍｕｒａ，発明の名称”Ａ  ＭＥＴＨＯＤ  ＦＯＲ  ＧＲＯＷＩＮＧ  ＬＡＲＧＥ  ＳＵＲＦＡＣＥ  ＡＲＥＡ  ＧＡＬＬＩＵＭ  ＮＩＴＲＩＤＥ  ＣＲＹＳＴＡＬＳ  ＩＮ  ＳＵＰＥＲＣＲＩＴＩＣＡＬ  ＡＭＭＯＮＩＡ  ＡＮＤ  ＬＡＲＧＥ  ＳＵＲＦＡＣＥ  ＡＲＥＡ  ＧＡＬＬＩＵＭ  ＮＩＴＲＩＤＥ  ＣＲＹＳＴＡＬＳ”，代理人管理番号３０７９４．１７９−ＵＳ−Ｐ１（２００６−２０４）の３５  Ｕ．Ｓ．Ｃ．  Ｓｅｃｔｉｏｎ  １１９（ｅ）のもとでの利益を主張するものである；
【０００５】
米国特許出願第６０／９７３，６０２号，出願日２００７年９月１９日，発明者Ｔａｄａｏ  ＨａｓｈｉｍｏｔｏおよびＳｈｕｊｉ  Ｎａｋａｍｕｒａ，発明の名称”ＧＡＬＬＩＵＭ  ＮＩＴＲＩＤＥ  ＢＵＬＫ  ＣＲＹＳＴＡＬＳ  ＡＮＤ  ＴＨＥＩＲ  ＧＲＯＷＴＨ  ＭＥＴＨＯＤ”，代理人管理番号３０７９４．２４４−ＵＳ−Ｐ１（２００７−８０９−１）；
【０００６】
米国特許出願第１１／９７７，６６１号，出願日２００７年１０月２５日，発明者Ｔａｄａｏ  Ｈａｓｈｉｍｏｔｏ，発明の名称”ＭＥＴＨＯＤ  ＦＯＲ  ＧＲＯＷＩＮＧ  ＧＲＯＵＰ  ＩＩＩ−  ＮＩＴＲＩＤＥ  ＣＲＹＳＴＡＬＳ  ＩＮ  Ａ  ＭＩＸＴＵＲＥ  ＯＦ  ＳＵＰＥＲＣＲＩＴＩＣＡＬ  ＡＭＭＯＮＩＡ  ＡＮＤ  ＮＩＴＲＯＧＥＮ，  ＡＮＤ  ＧＲＯＵＰ  ＩＩＩ−ＮＩＴＲＩＤＥ  ＣＲＹＳＴＡＬＳ  ＧＲＯＷＮ  ＴＨＥＲＥＢＹ”，代理人管理番号３０７９４．２５３−ＵＳ−Ｕ１（２００７−７７４−２）；
【０００７】
米国特許出願第６１／０６７，１１７号，出願日２００８年２月２５日，および第１２／３９２，９６０号，出願日２００９年２月２５日，発明者Ｔａｄａｏ  Ｈａｓｈｉｍｏｔｏ，Ｅｄｗａｒｄ  Ｌｅｔｔｓ，Ｍａｓａｎｏｒｉ  Ｉｋａｒｉ，発明の名称”ＭＥＴＨＯＤ  ＦＯＲ  ＰＲＯＤＵＣＩＮＧ  ＧＲＯＵＰ  ＩＩＩ−ＮＩＴＲＩＤＥ  ＷＡＦＥＲＳ  ＡＮＤ  ＧＲＯＵＰ  ＩＩＩ−ＮＩＴＲＩＤＥ  ＷＡＦＥＲＳ”，代理人管理番号６２１５８−３０００２．００またはＳＩＸＰＯＩ−００３；
【０００８】
米国特許出願第６１／０５８，９００号，出願日２００８年６月４日，および第１２／４５５，７６０号，出願日２００９年６月４日，発明者Ｅｄｗａｒｄ  Ｌｅｔｔｓ，Ｔａｄａｏ  Ｈａｓｈｉｍｏｔｏ，Ｍａｓａｎｏｒｉ  Ｉｋａｒｉ，発明の名称”ＭＥＴＨＯＤＳ  ＦＯＲ  ＰＲＯＤＵＣＩＮＧ  ＩＭＰＲＯＶＥＤ  ＣＲＹＳＴＡＬＬＩＮＩＴＹ  ＧＲＯＵＰ  ＩＩＩ−ＮＩＴＲＩＤＥ  ＣＲＹＳＴＡＬＳ  ＦＲＯＭ  ＩＮＩＴＩＡＬ  ＧＲＯＵＰ  ＩＩＩ−ＮＩＴＲＩＤＥ  ＳＥＥＤ  ＢＹ  ＡＭＭＯＮＯＴＨＥＲＭＡＬ  ＧＲＯＷＴＨ”，代理人管理番号６２１５８−３０００４．００またはＳＩＸＰＯＩ−００２；
【０００９】
米国特許出願第６１／０５８，９１０号，出願日２００８年６月４日，第１２／４５５，６８３号，出願日２００９年６月４日（現在では米国特許第８，２３６，２６７号），発明者Ｔａｄａｏ  Ｈａｓｈｉｍｏｔｏ，Ｅｄｗａｒｄ  Ｌｅｔｔｓ，Ｍａｓａｎｏｒｉ  Ｉｋａｒｉ，発明の名称”ＨＩＧＨ−ＰＲＥＳＳＵＲＥ  ＶＥＳＳＥＬ  ＦＯＲ  ＧＲＯＷＩＮＧ  ＧＲＯＵＰ  ＩＩＩ  ＮＩＴＲＩＤＥ  ＣＲＹＳＴＡＬＳ  ＡＮＤ  ＭＥＴＨＯＤ  ＯＦ  ＧＲＯＷＩＮＧ  ＧＲＯＵＰ  ＩＩＩ  ＮＩＴＲＩＤＥ  ＣＲＹＳＴＡＬＳ  ＵＳＩＮＧ  ＨＩＧＨ−ＰＲＥＳＳＵＲＥ  ＶＥＳＳＥＬ  ＡＮＤ  ＧＲＯＵＰ  ＩＩＩ  ＮＩＴＲＩＤＥ  ＣＲＹＳＴＡＬ”，代理人管理番号６２１５８−３０００５．００またはＳＩＸＰＯＩ−００５；
【００１０】
米国特許出願第６１／１３１，９１７号，出願日２００８年６月１２日，第１２／４５６，１８１号，出願日２００９年６月１２日（現在では米国特許第８，３５７，２４３号），発明者Ｔａｄａｏ  Ｈａｓｈｉｍｏｔｏ，Ｍａｓａｎｏｒｉ  Ｉｋａｒｉ，Ｅｄｗａｒｄ  Ｌｅｔｔｓ，発明の名称”ＭＥＴＨＯＤ  ＦＯＲ  ＴＥＳＴＩＮＧ  ＩＩＩ−  ＮＩＴＲＩＤＥ  ＷＡＦＥＲＳ  ＡＮＤ  ＩＩＩ−ＮＩＴＲＩＤＥ  ＷＡＦＥＲＳ  ＷＩＴＨ  ＴＥＳＴ  ＤＡＴＡ”，代理人管理番号６２１５８−３０００６．００またはＳＩＸＰＯＩ−００１；
【００１１】
米国特許出願第６１／１０６，１１０号，出願日２００８年１０月１６日，第１２／５８０，８４９号，出願日２００９年１０月１６日，発明者Ｔａｄａｏ  Ｈａｓｈｉｍｏｔｏ，Ｍａｓａｎｏｒｉ  Ｉｋａｒｉ，Ｅｄｗａｒｄ  Ｌｅｔｔｓ，発明の名称”ＲＥＡＣＴＯＲ  ＤＥＳＩＧＮ  ＦＯＲ  ＧＲＯＷＩＮＧ  ＧＲＯＵＰ  ＩＩＩ  ＮＩＴＲＩＤＥ  ＣＲＹＳＴＡＬＳ  ＡＮＤ  ＭＥＴＨＯＤ  ＯＦ  ＧＲＯＷＩＮＧ  ＧＲＯＵＰ  ＩＩＩ  ＮＩＴＲＩＤＥ  ＣＲＹＳＴＡＬＳ”，代理人管理番号ＳＩＸＰＯＩ−００４；
【００１２】
米国特許出願第６１／６９４，１１９号，出願日２０１２年８月２８日，発明者Ｔａｄａｏ  Ｈａｓｈｉｍｏｔｏ，Ｅｄｗａｒｄ  Ｌｅｔｔｓ，Ｓｉｅｒｒａ  Ｈｏｆｆ，発明の名称”ＧＲＯＵＰ  ＩＩＩ  ＮＩＴＲＩＤＥ  ＷＡＦＥＲ  ＡＮＤ  ＰＲＯＤＵＣＴＩＯＮ  ＭＥＴＨＯＤ”，代理人管理番号ＳＩＸＰＯＩ−０１５；
【００１３】
米国特許出願第６１／７０５，５４０号，出願日２０１２年９月２５日，発明者Ｔａｄａｏ  Ｈａｓｈｉｍｏｔｏ，Ｅｄｗａｒｄ  Ｌｅｔｔｓ，Ｓｉｅｒｒａ  Ｈｏｆｆ，発明の名称”ＭＥＴＨＯＤ  ＯＦ  ＧＲＯＷＩＮＧ  ＧＲＯＵＰ  ＩＩＩ  ＮＩＴＲＩＤＥ  ＣＲＹＳＴＡＬＳ”，代理人管理番号ＳＩＸＰＯＩ−０１４；
【００１４】
全て、以下に完全に記載される場合と同様に、参照することによってその全体として本明細書に組み込まれる。
【背景技術】
【００１５】
（技術分野）
本発明は、超臨界アンモニア中におけるＩＩＩ族窒化物の成長方法と、本方法によって成長されたＩＩＩ族窒化物結晶に関する。高圧反応器が、超臨界アンモニア中においてＩＩＩ族窒化物のバルク結晶を成長させるために使用される。ＩＩＩ族窒化物結晶は、発光ダイオード（ＬＥＤ）およびレーザダイオード（ＬＤ）等の光電子素子ならびにトランジスタ等の電子素子を含む、種々の素子のための半導体ウエハを生産するために使用される。より具体的には、ＩＩＩ族窒化物は、ガリウムを含む。
【００１６】
（既存技術の説明）
（注記：本特許出願は、括弧内の数字、例えば、［ｘ］を用いて示されるように、いくつかの刊行物および特許を参照する。これらの刊行物および特許の一覧は、「参考文献」と題された節に見出され得る。）
【００１７】
窒化ガリウム（ＧａＮ）およびその関連ＩＩＩ族窒化物合金は、ＬＥＤ、ＬＤ、マイクロ波電力トランジスタ、ならびにソーラー・ブラインド型光検出器等の種々の光電子および電子素子のための重要な材料である。現在、ＬＥＤは、ディスプレイ、インジケータ、汎用照明において広く使用されており、ＬＤは、データ保管用ディスクドライブにおいて使用されている。しかしながら、これらの素子の大部分は、ＧａＮ基板が、これらのヘテロエピタキシャル基板と比較して、高価であるため、サファイアおよび炭化ケイ素等の異種基板上にエピタキシャル成長される。ＩＩＩ族窒化物のヘテロエピタキシャル成長は、著しく欠陥があるまたはさらに亀裂がある膜を生じさせ、汎用電灯もしくは高電力マイクロ波トランジスタのための高輝度ＬＥＤ等の高性能光学および電子素子の実現を妨害する。
【００１８】
へテロエピタキシによって生じるあらゆる基本問題を解決するために、バルクＩＩＩ族窒化物結晶インゴットからスライスされた結晶ＩＩＩ族窒化物ウエハを利用することが不可欠である。素子の大部分に関して、結晶ＧａＮウエハは、ウエハの伝導性を制御することが比較的に容易であって、ＧａＮウエハが、素子層と最小格子／熱不整合を提供するであろうため、好ましい。しかしながら、高融点および高温における高窒素蒸気圧のため、ＧａＮ結晶インゴットを成長させることは困難である。現在、市販のＧａＮ基板の大部分は、水素化物気相エピタキシ（ＨＶＰＥ）と呼ばれる方法によって生産される。ＨＶＰＥは、気相法のうちの１つであって、転位密度を１０５ｃｍ−２未満に低減させることが困難である。
【００１９】
転位密度が１０５ｃｍ−２未満の高品質ＧａＮ基板を得るために、アモノサーマル成長と呼ばれる方法が、開発されている［１−６］。最近は、１０５ｃｍ−２未満の転位密度を有する高品質ＧａＮ基板は、アモノサーマル成長によって得られることができる。アモノサーマル成長の高圧反応器は、極端な温度および圧力条件に起因して、Ｎｉ−Ｃｒ系超合金を用いて構築されなければならない。Ｎｉ−Ｃｒ超合金反応器の最大直径は、構築材料、その特性、高圧および高温、ならびに合金内の化学物質の化学的侵襲性によって限定される。高圧反応器のチャンバ直径は、したがって、かなり小さい最大値に限定される。１つの反応器内で同時に成長される結晶の数を増加させるために、反応器の長さは、延長されなければならない。しかしながら、反応器の長さが延長される場合、反応器が、反応器の条件および構築材料に関する限界に起因して、閉鎖またはバッチ反応器であるため、かつ化学物質移送が、反応器内の自然対流によるため、培養成分と培養成分から最も遠いシード結晶との間の距離は、大きすぎ、結晶成長が生じることができなくなるであろう。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【００２０】
本発明は、高圧反応器と、ＩＩＩ族窒化物結晶を超臨界アンモニア中で成長させる方法とを開示する。従来のアモノサーマル法と異なり、高圧反応器のチャンバを培養成分領域および成長領域に分割するためのバッフルが存在しない。半径方向寸法より長い縦方向寸法を有する、円筒形高圧反応器が、使用される。培養成分は、円筒形の中心の周囲において、円筒形の縦軸に沿って設置され、シード結晶は、反応器壁上またはそこから若干離れて設置され、超臨界アンモニア、ガリウム、および添加剤の溶液が、シード結晶の両面に接触することを可能にする。言い換えると、シード結晶は全て、任意の高さにおいて、培養成分に面している。反応器は、反応器の温度が事実上均一となるように、外部加熱器によって加熱される。言い換えると、成長環境は、縦方向に沿った温度差が殆どまたは全く存在せず、反応器の内側の対流が最小限にされるように制御される。結晶成長は、従来の実践と対照的に、平衡条件の近傍で生じる。この従来と異なる構成および成長方法論を用いることで、１つのバッチ内で成長される結晶の数は、高圧反応器の長さを延長することによって、著しく増加されることができる。
本発明は、例えば、以下を提供する。
（項目１）
内径より１０倍大きい縦方向寸法を有する円筒形反応器を使用して、ＩＩＩ族窒化物結晶を成長させる方法であって、
（ａ）前記円筒形反応器の縦方向に沿ってＩＩＩ族要素を含有する培養成分を設置するステップと、
（ｂ）各シードが前記培養成分に面するように、ＩＩＩ族窒化物シード結晶を前記円筒形反応器の壁上またはその近傍に設置するステップと、
（ｃ）アルカリ金属またはハロゲン元素のいずれかを含有する鉱化剤を前記円筒形反応器の内側に設置するステップと、
（ｄ）アンモニアを前記円筒形反応器内に充填するステップと、
（ｅ）前記円筒形反応器を外部加熱器を用いて加熱し、超臨界アンモニアを生成するステップと、
を含む、方法。
（項目２）
前記円筒形反応器は、前記培養成分および前記シード結晶を分離するための流量制限プレートを内側に有していない、項目１に記載の方法。
（項目３）
前記培養成分およびシード結晶は両方とも、前記縦方向に沿って、前記反応器の長さの７５％を上回って延在する、項目１または項目２に記載の方法。
（項目４）
各シード結晶の底面の片側は、前記培養成分に面する、項目１−３のいずれか１項に記載の方法。
（項目５）
前記１つのシード結晶から前記最近傍培養成分までの距離は、前記円筒形反応器内の全シード結晶に対して事実上同一である、項目１−４のいずれか１項に記載の方法。
（項目６）
前記１つのシード結晶から前記最近傍培養成分までの距離は、前記１つのシード結晶から前記最近傍培養成分までの平均距離と１０％差以内である、項目１−５のいずれか１項に記載の方法。
（項目７）
前記円筒形反応器は、事実上均一温度において加熱される、項目１−６のいずれか１項に記載の方法。
（項目８）
前記培養成分は、前記超臨界アンモニア中の溶解速度が前記シード結晶のものより高速であるように選択される、項目１−７のいずれか１項に記載の方法。
（項目９）
前記培養成分の総表面積は、前記シード結晶の総表面積より大きい、項目１−８のいずれか１項に記載の方法。
（項目１０）
前記培養成分は、多結晶窒化ガリウムを含有する、項目１−９のいずれか１項に記載の方法。
（項目１１）
シード結晶は、単結晶または高配向性多結晶窒化ガリウムである、項目１−１０のいずれか１項に記載の方法。
（項目１２）
前記鉱化剤は、リチウム金属、ナトリウム金属、カリウム金属、リチウムアミド、ナトリウムアミド、カリウムアミド、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素、フッ化アンモニウム、塩化アンモニウム、臭化アンモニウムまたはヨウ化アンモニウムから選択される、項目１−１１のいずれか１項に記載の方法。
（項目１３）
前記ＩＩＩ族窒化物は、窒化ガリウムである、項目１−１２のいずれか１項に記載の方法。
（項目１４）
前記円筒形反応器の前記縦方向寸法は、内径より１５倍を上回って大きい、項目１−１３のいずれか１項に記載の方法。
（項目１５）
前記円筒形反応器の前記縦方向寸法は、内径より２０倍を上回って大きい、項目１−１４のいずれか１項に記載の方法。
（項目１６）
項目１−１５のいずれかに記載の方法によって成長される、ＩＩＩ族窒化物のバルク結晶。
（項目１７）
項目１６におけるＩＩＩ族窒化物のバルク結晶から生産される、ＩＩＩ族窒化物ウエハ。
（項目１８）
アモノサーマル成長プロセスにおいてＩＩＩ族窒化物を成長させるための高圧反応器であって、
（ａ）チャンバを画定し、縦軸および前記縦軸と平行な内側側壁を有する、円筒形反応器本体と、
（ｂ）前記円筒形反応器本体の縦軸の大部分に沿って延在する、培養成分容器と、
（ｃ）前記円筒形反応器本体の内側側壁に隣接し、前記円筒形反応器本体の縦軸の大部分に沿って延在する、１つまたはそれを上回るシード保定器と、
を備える、高圧反応器
（項目１９）
前記シード保定器は、前記円筒形反応器本体の円周の周囲に分散され、シードを前記円筒形反応器本体の円周および縦軸の大部分に位置させる、項目１８に記載の高圧反応器。
（項目２０）
前記反応器本体は、前記チャンバ内にバッフルを有していない、項目１８または項目１９に記載の高圧反応器。
（項目２１）
前記培養成分容器は、複数の積載可能バスケットを備える、項目１８−２０のいずれか１項に記載の高圧反応器。
（項目２２）
前記培養成分容器および前記シード保定器は、前記反応器の円筒形本体の外部に位置付けられる、同一加熱器によって加熱されるように位置付けられる、項目１８−２１のいずれか１項に記載の高圧反応器。
（項目２３）
アモノサーマル法によって形成され、転位密度約１０４ｃｍ−２を有する、窒化ガリウム結晶。
（項目２４）
転位密度約１０４ｃｍ−２を有し、ある量の鉱化剤を含有する、窒化ガリウム結晶。
（項目２５）
前記結晶は、バルク結晶である、項目２３または項目２４に記載の結晶。
（項目２６）
ＩＩＩ族窒化物結晶を成長させる方法であって、
（ａ）ＩＩＩ族元素から形成される培養成分を超臨界アンモニア中に溶解させるステップと、
（ｂ）前記超臨界アンモニアを使用して、溶解された培養成分を複数のＩＩＩ族窒化物シードに移送するステップと、
（ｃ）同時に、前記溶解された培養成分を前記複数のＩＩＩ族窒化物シード上に堆積させるステップであって、前記培養成分は、前記培養成分の溶解と堆積との間に温度差を提供せずに、溶解および堆積される、ステップと、
を含む、方法。
（項目２７）
前記溶解された培養成分の移送機構は、主に、前記培養成分の近傍と前記シードの近傍との間の前記超臨界アンモニア中の濃度勾配に起因して、前記超臨界アンモニアを通して溶解される、項目２６に記載の方法。
（項目２８）
超臨界アンモニアの対流は、前記培養成分溶解と前記培養成分堆積との間の温度差の欠如のため、低減される、項目２６または項目２７に記載の方法。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
ここで、類似参照番号が全体を通して対応する部品を表す図面を参照する。
【００２２】
【図１】図１は、従来のアモノサーマル成長構成の断面の概略図である。図中、各番号は、以下を表す。１０１．高圧反応器本体１０２．蓋１０３．クランプ１０４．ガスケット１０５．下側ゾーンのための加熱器１０６．上側ゾーンのための加熱器１０７．バッフル１０８．培養成分バスケット１０９．培養成分１１０．シード結晶１１２．閉じ込めセル１１３．排出弁１１４．排出ライン１１５．弁操作デバイス
【００２３】
【図２】図２は、本発明における反応器構成の一実施例の断面図である。図中、各番号は、以下を表す。２０１．高圧反応器本体２０２．蓋２０３．クランプ２０４．ガスケット２０５．加熱器２０８．培養成分バスケット２０９．培養成分２１０．シード結晶２１２．閉じ込めセル２１３．排出弁２１４．排出ライン２１５．弁操作デバイス
【発明を実施するための形態】
【００２４】
（従来の方法の限界）
従来のアモノサーマル法では、内径より約１０倍大きい縦方向寸法を有する、円筒形高圧反応器が、使用される。従来のアモノサーマル成長の構成は、図１に示される。高圧反応器は、本体１０１と、蓋１０２と、クランプ１０３と、ガスケット１０４とから成り、垂直構成にあって、すなわち、円筒形反応器は、地面に対して垂直に立設される。高圧反応器のチャンバは、主に、上側領域および下側領域に分割され、流量制限バッフル１０７を伴う。高圧反応器は、外部加熱器を用いて加熱される。加熱器は、少なくとも２つの領域に分裂される。上側ゾーン１０６のための加熱器は、上側領域のための温度を制御し、下側ゾーン１０５のための加熱器は、下側領域のための温度を制御する。対流を向上させるために、下側領域のための温度は、典型的には、上側領域のものより高く設定される。システムは、随意に、閉じ込めセル１１２を装備し、これは、アンモニアガスの遠隔放出を可能にし、排出弁１１３と、排出ライン１１４と、弁操作デバイス１１５とを伴う。
【００２５】
バッフルによって生成される領域のうちの１つは、培養成分を提供するため専用であって、他の領域は、結晶化のため専用である。これらの機能が行われる領域は、超臨界アンモニアの酸性度に依存する。例えば、アルカリ系鉱化剤がアンモニアに添加されると、超臨界アンモニアは、塩基性になる。アンモニア塩基性溶液中では、ＧａＮ等のＩＩＩ族窒化物は、逆行溶解度を有する。その結果、培養成分１０９および培養成分を含有する任意のバスケット１０８は、従来の反応器の上側領域内に設置され、シード結晶１１０は、従来の反応器の下側領域内に設置される。逆に言えば、ハロゲン化アンモニウムがアンモニアに添加される場合、超臨界アンモニアは、酸性となり、ＩＩＩ族窒化物は、酸性溶液中で正常溶解度を呈する。したがって、培養成分１０９は、従来の反応器の下側領域内に設置され、シード結晶１１０は、従来の反応器の上側領域内に設置される。
【００２６】
ＩＩＩ族窒化物の結晶は、４００〜６００℃の温度範囲および１０，０００〜６０，０００ｐｓｉの圧力範囲において、シード結晶上に成長される。高温および極端な高圧に起因して、高圧反応器は、典型的には、Ｎｉ−Ｃｒ系超合金を用いて構築される。Ｎｉ−Ｃｒ超合金の大径ビレットを生産することは困難であるため、ビレット最大直径は、限定され、これは、高圧反応器のチャンバの直径を限定する。１つの反応器内で同時に成長される結晶の数を増加させるために、高圧反応器の長さを延長させることが必要である。しかしながら、反応器長が長すぎる場合、培養成分と培養成分から最も遠いシード結晶との間の距離が、大きくなりすぎて、前駆体がシード結晶の表面に到達することができない。したがって、培養成分から最も遠い結晶の成長レートは、最も遠い結晶への培養成分欠乏および不良対流循環に起因して、非常に小さいまたはゼロにさえなる。これは、従来のアモノサーマル成長の基本的限界である。従来のアモノサーマル反応器では、縦方向寸法は、典型的には、内径の約１０倍である。したがって、従来の方法を用いると、内径より１０倍、１５倍、または２０倍を上回って大きい縦方向寸法を有する反応器を用いて結晶を成長させることは、非常に困難である。
【００２７】
（本発明の技術説明）
従来のアモノサーマル法の限界を克服するために、本発明は、培養成分を反応器内の全シード結晶に対して十分に近接して位置させる。図２に示されるように、高圧反応器は、本体２０１と、蓋２０２と、クランプ２０３と、ガスケット２０４とから成る。従来のアモノサーマル法と異なり、培養成分２０９は、縦方向に沿って、反応器の中心の周囲に位置する。シード結晶２１０は、シードの底面が培養成分に面するように、壁の近傍またはその上に設定される。培養成分およびシード結晶は両方とも、縦方向に沿って、反応器の長さの７５％を上回って延在することができる。本構成を用いると、事実上全シード結晶が、培養成分から類似距離に位置する。したがって、１つのシード結晶から最近傍培養成分までの距離は、１つのシード結晶から最近傍培養成分までの平均距離と１０％差以内である。培養成分は、シード結晶に対して十分に近接するため、対流は、必要とされない。培養成分は、濃度勾配に起因して、シードに拡散することができる。したがって、従来のアモノサーマル法における培養成分ゾーンとシードゾーンとの間の温度差を提供する、バッフルは、排除される。また、反応器は、反応器の全長が可能な限り均一な温度を達成するように加熱される。反応器は、所望に応じて、垂直に、水平に、または対角線上に設置されることができる。
【００２８】
ＩＩＩ族窒化物の結晶は、４００〜６００℃の温度範囲および１０，０００〜６０，０００ｐｓｉの圧力範囲において、シード結晶上に成長される。極端な高温および高圧に起因して、高圧反応器は、典型的には、Ｎｉ−Ｃｒ系超合金から構築される。Ｎｉ−Ｃｒ超合金の大径ビレットを生産することが困難であるため、ビレット最大直径は、限定され、これは、高圧反応器内のチャンバの直径を限定する。１つの反応器内で同時に成長される結晶の数を増加させるために、反応器長は、本明細書に提供される新しい反応器内では、全シード結晶のための成長レートに影響を及ぼすことなく、延長されることができる。
【００２９】
図２に示されるように、多結晶ＧａＮおよび／または金属Ｇａの小片等の培養成分が、超臨界アンモニアが容器にアクセスことを可能にする、相互にまたは他の容器もしくは複数の容器上に積載され得る、複数のバスケット２０８内に保持されることができる。シード結晶は、開放フレームまたはサセプタプレート等の中実プラットフォーム上に設置されることができる。開放フレームの場合、シード結晶の両側が、成長の間、超臨界アンモニア溶液に暴露される。シードは、図２に描写されるように、シードの主要表面（底面）が反応器の半径と略垂直になるように、反応器の内周の周囲に位置付けられてもよい。しかしながら、培養成分からの距離に起因して、培養成分と反対のシードの主要表面上の成長レートは、培養成分に面するシードの主要表面上より低速である。シードは、当然ながら、シード縁が直接培養成分に面し、シードの主要表面が反応器の半径と略平行に位置付けられ、シードの主要表面が反応器の縦軸と略平行および／またはシードの主要表面が反応器の縦軸と垂直のいずれかとなるように、位置付けられてもよい。シード結晶が中実サセプタプレート上に搭載されると、シード結晶の片側が、直接プレートに触れ、したがって、結晶は、培養成分に面する暴露された底面上でのみ成長する。
【００３０】
反応器は、シード結晶を、反応器のチャンバに面する側壁の円周の周囲に完全に、かつ反応器の長さの大部分または全部に沿って垂直に分散させることができる。本発明の反応器は、したがって、反応器の長さを従来の反応器長を越えて延長させる前にさえ、従来の反応器内に設置され得るものより多くのシードを反応器内に設置することを可能にする。
【００３１】
全シード上で同一特性を有する結晶を得るために、反応器に沿った温度差を最小限にすることが望ましい。しかしながら、これは、加熱器が、１つのゾーンまたは一体型であるべきであることを必ずしも意味しない。むしろ、反応器に沿って複数の加熱ゾーンを有し、反応器に沿って均一温度を得ることが有用である。反応器の均一加熱を用いると、超臨界アンモニアの対流は、最小限にされる。詳細な成長機構は、よく解明されていないが、ＩＩＩ族窒化物（特に、エピタキシャルなＧａＮ）結晶成長は、培養成分と新しい結晶が成長するシード結晶との間の温度差がない平衡条件の近傍下で成長する。結晶は、培養成分とシードとの間の前駆体濃度の差異によって生じる、拡散駆動質量移送を通して成長し得る。前駆体濃度の差異は、培養成分とシード結晶との間の異なる溶解速度によって生じ得、これは、培養成分とシード結晶との間の異なる表面積によって生じ得る。
【００３２】
反応器はまた、反応器の各端部に面して（例えば、反応器が蓋を両端に有するとき、反応器の各端における蓋に面して）位置付けられる加熱器を有してもよい。本構成は、反応器の全長に沿ってより均一温度を提供し、シードが、そうでなければ反応器の中央部分より低温となるであろう、反応器の端部により近接して設置されることを可能にすることができる。
【００３３】
対流は、本発明では最小限にされることができるため、乱流アンモニア流によって生じる結晶成長変動は、最小限にされることができる。これは、本方法において成長されるＩＩＩ族窒化物のより優れた結晶品質につながり得る。ＧａＮ等のＩＩＩ族窒化物の転位密度は、好ましくは、約１０４ｃｍ−２またはそれ未満まで低減され、亀裂形成もまた、好ましくは、低減および最小限にされる。
【００３４】
反応器は、例えば、単結晶ＩＩＩ族窒化物または多結晶ＩＩＩ族窒化物を成長させるために使用されることができる。反応器はまた、他の化合物、結晶、または遷移金属窒化物等のその他を形成するためにも使用されることができる。
（実施例）
【実施例１】
【００３５】
（従来のアモノサーマル構成におけるＧａＮの成長）
２インチを上回る内径を有し、時効硬化性Ｎｉ−Ｃｒ超合金から作製される、円筒形高圧反応器が、開口部を両端に有する。蓋は、別のタイプの時効硬化性Ｎｉ−Ｃｒ超合金から作製される。ガスケットは、９９％を上回るＮｉ含有量を有する、Ｎｉ系合金から作製される。反応器のチャンバは、バッフルプレートを用いて、２つの領域に分割される。培養成分として使用される多結晶ＧａＮは、ニッケルメッシュから作製される２つのバスケット内に保持される。各バスケット内の多結晶ＧａＮの総量は、約６００ｇである。これらのバスケットは、上部バッフルプレートの上方に設置される。底部バッフルプレートの下方には、シードフレームのいくつかの層が存在する。各層は、単結晶ＧａＮの少なくとも１つのシード結晶を有する。鉱化剤として使用される約４００ｇのナトリウムが、破裂板を装備する、カプセル内に含有される。加熱後、アンモニア圧力が増加すると、破裂板は、破壊し、ナトリウムは、アンモニアと混合する。これらの成分の装填後、反応器は、シールされ、真空化され、アンモニアで充填される。アンモニアの総量は、約７ｋｇである。次いで、反応器は、バックエッチング条件まで加熱され、シード結晶の上部表面を除去する。バックエッチングの間、培養成分ゾーンのための温度は、約４００℃に設定され、これは、シードゾーンのものより約５０℃高い。ＧａＮ結晶成長は、約５５０℃において、４日間にわたって実施される。シード領域のための温度は、培養成分領域のための温度より約３０℃高く設定される。成長後、結晶厚が、測定され、成長レートが、計算される。フレームの上部に位置するシード上のＧａＮの成長レートは、約１１３ミクロン／日であって、フレームの中間に位置するシード上の成長レートは、約１０４ミクロン／日であって、フレームの底部に位置するシード上の成長レートは、約６４ミクロン／日である。これは、培養成分ゾーンから供給される前駆体が、アンモニア流がシードフレームの各層を通して通過するにつれて消費され、底部においてシード結晶に到達すると枯渇されることを示す。
【実施例２】
【００３６】
（ナトリウム鉱化剤を用いた本発明）
２インチを上回る内径を有し、時効硬化性Ｎｉ−Ｃｒ超合金から作製される、円筒形高圧反応器が、開口部を両端に有する。蓋は、別のタイプの時効硬化性Ｎｉ−Ｃｒ超合金から作製される。ガスケットは、９９％を上回るＮｉ含有量を有する、Ｎｉ系合金から作製される。反応器の長さは、直径の１０倍を上回る。培養成分として使用される多結晶ＧａＮは、ニッケルメッシュから作製される１０個のバスケット内に保持される。各バスケット内の多結晶ＧａＮの総量は、約６００ｇである。これらのバスケットは、反応器の中心線に沿って積載される。シードサセプタは、片側が反応器の湾曲壁に嵌合し、他側が平坦に成形される、長いスラブである。６つのサセプタが、内壁の円形全体を充填する、すなわち、各サセプタは、反応器の内円の１／６を被覆する。スラブの長さは、反応器の長さと略同一であって、これは、反応器の総長の７５％を上回る。シード結晶は、上部から底部までアレイ内のサセプタの平坦表面に対して固定される。サセプタが反応器の内壁上に固定されると、各シードから最も近い培養成分までの距離は、任意の高さにおいて事実上一定となる、すなわち、培養成分から各シードまでの距離は、培養成分からシード結晶までの平均距離と誤差１０％以内である。培養成分の総表面積は、シード結晶の総表面積より１桁を上回って大きい。鉱化剤として使用される約３００ｇのナトリウムが、破裂板を装備する、カプセル内に含有される。カプセルは、反応器の底部等の任意の便宜的場所に位置する。加熱後、アンモニア圧力が増加すると、破裂板は、破壊し、ナトリウムは、アンモニアと混合する。これらの成分の装填後、反応器は、シールされ、真空化され、アンモニアで充填される。アンモニアの総量は、約４ｋｇである。次いで、反応器は、均一に加熱される。漸増の間、ＧａＮ培養成分およびシードは両方とも、アンモニア中に溶解し、これは、シード結晶のバックエッチングを提供する。温度が成長温度に到達すると、反応器は、４日間にわたって一定温度に維持される。成長後、各シード上のＧａＮの成長レートが、評価される。最上シードに関する成長レートは、約８９ミクロン／日であって、最下シードに関する成長レートは、約９２ミクロン／日である。シードは全て、場所にかかわらず、類似成長レートを示す。
【実施例３】
【００３７】
（塩化アンモニウム鉱化剤を用いた本発明）
ＧａＮは、実施例２におけるナトリウム鉱化剤の代わりに塩化アンモニウム鉱化剤を代用することによって成長されることができる。溶解度の温度依存は、酸性鉱化剤と反対であるが、ＧａＮは、実施例２に見出されるものと同一反応器構成を用いて成長する。同一反応器構成は、したがって、超臨界溶液が酸性である、アモノサーマル法のためと、溶液が塩基性である方法のためとに使用されることができる。成長機構は、あまり分かっていないが、ＧａＮは、培養成分面積とシード面積との間の前駆体濃度の差異に伴って成長し得る。成長レートは、実施例２に類似し、塩基性溶液のために構成されるまたは酸性溶液のために構成される従来のアモノサーマル反応器において成長が生じる方法と対照的に、シード場所に伴って変化しない。
【００３８】
（利点および改良点）
従来のアモノサーマル法では、培養成分およびシード結晶は、バッフルを用いて垂直に分離される。反応器長が延長される場合、培養成分から最も遠いシード結晶までの距離は、離れすぎ、結晶成長をもたらすことができない。一方、本発明では、ＩＩＩ族窒化物結晶は、反応器の長さが延長される場合でも、反応器内の全シード結晶のための類似成長レートを維持しながら、超臨界アンモニア中で成長されることができる。ＨＶＰＥ等のＩＩＩ族窒化物の他のバルク結晶成長法と比較して、アモノサーマル法における成長レートは、非常に低い。したがって、反応器内の１つのバッチ内で成長される結晶の数を増加させることが重要である。本発明を用いると、反応器長は、全シード結晶のための成長レートを損なうことなく、延長されることができる。
【００３９】
（可能性として考えられる修正）
好ましい実施形態は、ナトリウムまたは塩化アンモニウム鉱化剤を説明するが、リチウム金属、カリウム金属、リチウムアミド、ナトリウムアミド、カリウムアミド、フッ化アンモニウム、臭化アンモニウム、ヨウ化アンモニウム、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素から選択される他の鉱化剤も、本発明の目的を損なうことなく、使用されることができる。
【００４０】
好ましい実施形態は、窒化ガリウムを説明するが、本発明はまた、窒化アルミニウム、窒化インジウム、窒化ガリウムアルミニウム、または他の合金等の他のＩＩＩ族窒化物にも適用されることができる。
【００４１】
好ましい実施形態は、シード結晶を保持するために、シードサセプタを説明するが、結晶を吊架するためのシードフレーム等の他の構造も、使用されることができる。
【００４２】
反応器は、円筒形形状を有し、時効硬化性Ｎｉ−Ｃｒ系超合金から作製されることができる。反応器は、時効硬化性Ｎｉ−Ｃｒ系超合金から作製される少なくとも１つの蓋を一端に有するが、各端に１つずつ、２つの蓋を有してもよい。蓋は、そのＮｉ含有量が時効硬化性Ｎｉ−Ｃｒ系超合金より高い、Ｎｉ系金属から作製されるガスケットでシールされることができる。
【００４３】
参考文献
【００４４】
以下の参考文献は、参照することによって本明細書に組み込まれる。
［１］Ｒ．  Ｄｗｉｌｉｎｓｋｉ，  Ｒ．  Ｄｏｒａｄｚｉｎｓｋｉ，  Ｊ．  Ｇａｒｃｚｙｎｓｋｉ，  Ｌ．  Ｓｉｅｒｚｐｕｔｏｗｓｋｉ，  Ｙ．  Ｋａｎｂａｒａ（米国特許第６，６５６，６１５号）
［２］Ｒ．  Ｄｗｉｌｉｎｓｋｉ，  Ｒ．  Ｄｏｒａｄｚｉｎｓｋｉ，  Ｊ．  Ｇａｒｃｚｙｎｓｋｉ，  Ｌ．  Ｓｉｅｒｚｐｕｔｏｗｓｋｉ，  Ｙ．  Ｋａｎｂａｒａ（米国特許第７，１３２，７３０号）
［３］Ｒ．  Ｄｗｉｌｉｎｓｋｉ，  Ｒ．  Ｄｏｒａｄｚｉｎｓｋｉ，  Ｊ．  Ｇａｒｃｚｙｎｓｋｉ，  Ｌ．  Ｓｉｅｒｚｐｕｔｏｗｓｋｉ，  Ｙ．  Ｋａｎｂａｒａ（米国特許第７，１６０，３８８号）
［４］Ｋ．  Ｆｕｊｉｔｏ，  Ｔ．  Ｈａｓｈｉｍｏｔｏ，  Ｓ．  Ｎａｋａｍｕｒａ（国際特許出願第ＰＣＴ／ＵＳ２００５／０２４２３９号、第ＷＯ０７００８１９８号）
［５］Ｔ．  Ｈａｓｈｉｍｏｔｏ，  Ｍ．  Ｓａｉｔｏ，  Ｓ．  Ｎａｋａｍｕｒａ（国際特許出願第ＰＣＴ／ＵＳ２００７／００８７４３号、第ＷＯ０７１１７６８９号。また、第ＵＳ２００７０２３４９４６号、２００７年４月６日に出願された米国出願第１１／７８４，３３９号も参照）
［６］Ｄ’  Ｅｙｅｌｙｎ（米国出願第７，０７８，７３１号）
【００４５】
上記の参考文献はそれぞれ、本明細書に完全に記載される場合と同様に、特に、アモノサーマル法を使用した作製方法およびこれらの窒化ガリウム基板の使用方法の説明に関して、参照することによって全体として組み込まれる。
【図１】
0006474920.tif 000002
【図２】
0006474920.tif 000003