(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力電圧を出力電流に変換し、固定のトランスコンダクタンスを有する電圧電流変換増幅器と、
前記出力電流を出力電圧に変換する電流電圧変換増幅器と、
前記電圧電流変換増幅器における前記出力電流を出力する第１のノードおよび前記電流電圧変換増幅器における前記出力電圧を出力する第２のノードの少なくともいずれかと接地線との間に接続され、外部からの制御に基づいて抵抗値が変化する可変抵抗回路と
を備え、前記電圧電流変換増幅器の負荷容量及び前記電流電圧変換増幅器の負荷容量に基づいて前記抵抗値を変化させることで所定の周波数範囲におけるピーキング値を変化させることを特徴とする増幅回路。
【請求項２】
前記第１のノードまたは前記第２のノードの一方と前記接地線との間に接続され、抵抗値が一定の抵抗素子を備え、
前記可変抵抗回路は、前記第１のノードまたは前記第２のノードの他方と前記接地線との間に接続されること
を特徴とする請求項１記載の増幅回路。
【請求項３】
互いに同じ特性を有する第１の増幅回路および第２の増幅回路と、前記第１の増幅回路および前記第２の増幅回路の動作を制御する制御回路とを含む半導体装置であって、
前記第１の増幅回路は、
入力電圧を出力電流に変換し、固定のトランスコンダクタンスを有する第１の電圧電流変換増幅器と、
前記出力電流を出力電圧に変換する第１の電流電圧変換増幅器と、
前記第１の電圧電流変換増幅器における前記出力電流を出力する第１のノードおよび前記第１の電流電圧変換増幅器における前記出力電圧を出力する第２のノードの少なくともいずれかと接地線との間に接続され、制御信号に基づいて抵抗値が変化する第１の可変抵抗回路と
を備え、前記第１の電圧電流変換増幅器の負荷容量及び前記第１の電流電圧変換増幅器の負荷容量に基づいて前記第１の可変抵抗回路の抵抗値を変化させることで所定の周波数範囲におけるピーキング値を変化させ、
前記第２の増幅回路は、
試験入力電圧を試験出力電流に変換し、固定のトランスコンダクタンスを有する第２の電圧電流変換増幅器と、
前記試験出力電流を試験出力電圧に変換する第２の電流電圧変換増幅器と、
前記第２の電圧電流変換増幅器における前記試験出力電流を出力する第３のノードおよび前記第２の電流電圧変換増幅器における前記試験出力電圧を出力する第４のノードの少なくともいずれかと前記接地線との間に接続され、前記制御信号に基づいて抵抗値が変化する第２の可変抵抗回路と
を備え、前記第２の電圧電流変換増幅器の負荷容量及び前記第２の電流電圧変換増幅器の負荷容量に基づいて前記第２の可変抵抗回路の抵抗値を変化させることで所定の周波数範囲におけるピーキング値を変化させ、
前記制御回路は、前記制御信号により前記第２の可変抵抗回路の抵抗値を変化させ、前記試験入力電圧を生成して前記試験出力電圧を受けることで、前記第２の増幅回路が所定の周波数特性を有する場合における前記第２の可変抵抗回路の抵抗値であって、ピーク角周波数での利得がＤＣ利得に合う抵抗値を求め、求めた抵抗値に対応する前記制御信号を前記第１の増幅回路に出力することを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、増幅回路および半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
位相シフト回路に内蔵されるバンドパスフィルタにおいて、積分回路の出力から入力への負帰還経路に電圧増幅回路を配置し、電圧増幅回路の利得を変化させることで、バンドパスフィルタのＱ値を変化させる手法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。ここで、Ｑ値は、共振回路の共振のピークの鋭さを示す指標である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００３−１３３９０４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、伝送路を介して伝送される信号の高周波成分は劣化しやすく、高周波成分が劣化すると、受信装置が伝送路を介して受信する信号の波形は鈍ってしまう。そこで、受信装置には、鈍った信号の高周波成分を増幅し、信号の波形を整形するイコライザが搭載される。
【０００５】
例えば、入力電圧を出力電流に変換する電圧電流変換増幅器と、電圧電流変換増幅器からの出力電流を出力電圧に変換する電流電圧変換増幅器とを有するイコライザでは、特定の周波数（ピーク角周波数）において利得のピークを有する場合がある。伝送路を伝送される信号の周波数帯域がピーク角周波数を含む場合、イコライザは、利得のピーク付近の周波数成分も増幅してしまう。また、利得のピークを減少させ、イコライザの周波数特性を平坦するために、イコライザに含まれる素子の抵抗値または容量値を変化させた場合、ＤＣ（Direct Current）利得またはピーク角周波数が変化してしまう。すなわち、ＤＣ利得およびピーク角周波数を変化させることなく、所定の周波数範囲において信号の利得を一定にし、イコライザの精度を向上させることは困難である。
【０００６】
本件開示の増幅回路および半導体装置は、ＤＣ利得およびピーク角周波数を変化させることなく、所定の周波数範囲における信号の利得を一定にすることで、従来に比べて精度が高い増幅回路を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
一つの観点によれば、増幅回路は、入力電圧を出力電流に変換し、固定のトランスコンダクタンスを有する電圧電流変換増幅器と、出力電流を出力電圧に変換する電流電圧変換増幅器と、電圧電流変換増幅器における出力電流を出力する第１のノードおよび電流電圧変換増幅器における出力電圧を出力する第２のノードの少なくともいずれかと接地線との間に接続され、外部からの制御に基づいて抵抗値が変化する可変抵抗回路とを有し、電圧電流変換増幅器の負荷容量及び電流電圧変換増幅器の負荷容量に基づいて抵抗値を変化させることで所定の周波数範囲におけるピーキング値を変化させる。
【０００８】
別の観点によれば、互いに同じ特性を有する第１の増幅回路および第２の増幅回路と、第１の増幅回路および第２の増幅回路の動作を制御する制御回路とを含む半導体装置であって、第１の増幅回路は、入力電圧を出力電流に変換し、固定のトランスコンダクタンスを有する第１の電圧電流変換増幅器と、出力電流を出力電圧に変換する第１の電流電圧変換増幅器と、第１の電圧電流変換増幅器における出力電流を出力する第１のノードおよび第１の電流電圧変換増幅器における出力電圧を出力する第２のノードの少なくともいずれかと接地線との間に接続され、制御信号に基づいて抵抗値が変化する第１の可変抵抗回路とを備え、前記第１の電圧電流変換増幅器の負荷容量及び前記第１の電流電圧変換増幅器の負荷容量に基づいて前記第１の可変抵抗回路の抵抗値を変化させることで所定の周波数範囲におけるピーキング値を変化させ、第２の増幅回路は、試験入力電圧を試験出力電流に変換し、固定のトランスコンダクタンスを有する第２の電圧電流変換増幅器と、試験出力電流を試験出力電圧に変換する第２の電流電圧変換増幅器と、第２の電圧電流変換増幅器における試験出力電流を出力する第３のノードおよび第２の電流電圧変換増幅器における試験出力電圧を出力する第４のノードの少なくともいずれかと接地線との間に接続され、制御信号に基づいて抵抗値が変化する第２の可変抵抗回路とを備え、前記第２の電圧電流変換増幅器の負荷容量及び前記第２の電流電圧変換増幅器の負荷容量に基づいて前記第２の可変抵抗回路の抵抗値を変化させることで所定の周波数範囲におけるピーキング値を変化させ、制御回路は、制御信号により第２の可変抵抗回路の抵抗値を変化させ、試験入力電圧を生成して試験出力電圧を受けることで、第２の増幅回路が所定の周波数特性を有する場合における第２の可変抵抗回路の抵抗値であって、ピーク角周波数での利得がＤＣ利得に合う抵抗値を求め、求めた抵抗値に対応する制御信号を第１の増幅回路に出力する。
【発明の効果】
【０００９】
本件開示の増幅回路および半導体装置は、ＤＣ利得およびピーク角周波数を変化させることなく、所定の周波数範囲における信号の利得を一定にすることができ、従来に比べて精度が高い増幅回路を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】増幅回路の一実施形態を示す図である。
【図２】図１に示す可変抵抗回路の一例を示す図である。
【図３】図１に示す増幅回路が搭載される半導体装置の一例を示す図である。
【図４】図１に示す増幅回路が搭載される半導体装置の別の例を示す図である。
【図５】図１に示す増幅回路が搭載される半導体装置のさらなる別の例を示す図である。
【図６】図１に示す増幅回路が搭載される半導体装置のさらなる別の例を示す図である。
【図７】図１に示す増幅回路を有する通信システムの一例を示す図である。
【図８】図１に示す増幅回路の周波数特性の一例を示す図である。
【図９】図１に示す増幅回路の周波数特性の別の例を示す図である。
【図１０】増幅回路の別の実施形態を示す図である。
【図１１】増幅回路の別の実施形態を示す図である。
【図１２】増幅回路の別の実施形態を示す図である。
【図１３】増幅回路の別の実施形態を示す図である。
【図１４】増幅回路の別の例を示す図である。
【図１５】図１４に示す増幅回路においてフィードバック抵抗の抵抗値を変化させた場合の周波数特性の一例を示す図である。
【図１６】図１４に示す増幅回路において容量の容量値を変化させた場合の周波数特性の一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、図面を用いて実施形態を説明する。信号が伝達される信号線および端子には、信号名と同じ符号を使用する。
【００１２】
図１は、増幅回路の一実施形態を示す。図１に示す増幅回路ＡＭＰＣＫＴ１は、増幅器ＡＭＰ１、ＡＭＰ２、ＡＭＰ３、可変抵抗回路ＶＲ１、ＶＲ２および容量Ｃ１、Ｃ２を有する。例えば、増幅回路ＡＭＰＣＫＴ１は、信号の受信装置に搭載され、受信した信号の損失をアナログ的に補償するＣＴＬＥ（Continuous Time Linear Equalizer）等の広帯域増幅器として使用される。
【００１３】
増幅器ＡＭＰ１、ＡＭＰ３は、入力電圧Ｖｉを受ける入力端子Ｖｉと出力電圧Ｖｏを出力する出力端子Ｖｏの間に、ノードＶｘを介して直列に接続される。増幅器ＡＭＰ２は、増幅器ＡＭＰ３の出力から増幅器ＡＭＰ３の入力へのフィードバック経路に配置される。増幅器ＡＭＰ１、ＡＭＰ２、ＡＭＰ３のそれぞれに付した符号”−ｇｍ１”、”ｇｍ２”、”−ｇｍ３”は、トランスコンダクタンスを示す。増幅器ＡＭＰ１は、入力電圧を出力電流に変換する電圧電流変換増幅器（ｇｍセルとも称する）として機能する。また、増幅器ＡＭＰ２、ＡＭＰ３は、増幅器ＡＭＰ１からの出力電流を出力電圧に変換するＴＩＡ（Trans Impedance Amplifier；電流電圧変換増幅器）として機能する。すなわち、増幅回路ＡＭＰＣＫＴ１は、ｇｍセルとＴＩＡとを直列に接続した２段構成を有する。
【００１４】
容量Ｃ１は、例えば、増幅器ＡＭＰ１の出力容量、増幅器ＡＭＰ２の出力容量、増幅器ＡＭＰ３の入力容量および配線容量等を含む負荷容量である。容量Ｃ２は、例えば、増幅器ＡＭＰ３の出力容量、増幅器ＡＭＰ２の入力容量、出力端子Ｖｏに接続される容量および配線容量等を含む負荷容量である。
【００１５】
可変抵抗回路ＶＲ１は、増幅器ＡＭＰ１の出力と接地線ＶＳＳとの間に接続され、外部から供給される少なくとも１ビットの制御信号ＣＮＴ１に基づいて抵抗値を変化させる。可変抵抗回路ＶＲ２は、増幅器ＡＭＰ３の出力と接地線ＶＳＳとの間に接続され、外部から供給される少なくとも１ビットの制御信号ＣＮＴ２に基づいて抵抗値を変化させる。可変抵抗回路ＶＲ１、ＶＲ２の一例は、図２に示す。以下では、可変抵抗回路ＶＲ１の抵抗値は符号Ｒ１で示され、可変抵抗回路ＶＲ２の抵抗値は符号Ｒ２で示される。
【００１６】
図１に示す増幅回路ＡＭＰＣＫＴ１において、並列接続された可変抵抗回路ＶＲ１と容量Ｃ１とのインピーダンスＺ１と、並列接続された可変抵抗回路ＶＲ２と容量Ｃ２とのインピーダンスＺ２とは、式（１）で示される。式（１）において、符号”ｓ”は、ラプラス変換における変数を示す。増幅回路ＡＭＰＣＫＴ１の伝達関数Ｈ（ｓ）は、式（１）に基づいて、式（２）で示される。
【００１７】
【数１】
0006578649.tif 000002
【００１８】
【数２】
0006578649.tif 000003
式（２）において、増幅器ＡＭＰ２のトランスコンダクタンスｇｍ２と、増幅器ＡＭＰ３のトランスコンダクタンスｇｍ３と、抵抗値Ｒ１と抵抗値Ｒ２との積が１より大きいと仮定すると（ｇｍ２・ｇｍ３・Ｒ１・Ｒ２＞＞１）、式（３）が成立する。式（３）における符号Ｇ'は、増幅回路ＡＭＰＣＫＴ１のＤＣ利得であり、式（４）で示される。式（３）における符号ω'ｐは、最大利得での角周波数（ピーク角周波数）であり、式（５）で示される。式（３）における符号Ｑ'ｐは、最大利得（ピーク角周波数でのピーキング値）であり、式（６）で示される。
【００１９】
【数３】
0006578649.tif 000004
【００２０】
【数４】
0006578649.tif 000005
【００２１】
【数５】
0006578649.tif 000006
【００２２】
【数６】
0006578649.tif 000007
式（４）、（５）は抵抗値Ｒ１、Ｒ２を含まないため、抵抗値Ｒ１、Ｒ２を変化させても、ＤＣ利得Ｇ’および最大利得Ｑ’ｐは変化しない。これに対して、式（６）は抵抗値Ｒ１、Ｒ２を含むため、抵抗値Ｒ１、Ｒ２の少なくともいずれかを変化させることで、ピーキング値Ｑ'ｐは変化する。すなわち、抵抗値Ｒ１、Ｒ２の少なくともいずれかを変化させることで、ＤＣ利得Ｇ'およびピーク角周波数ω'ｐを変化させることなく、ピーキング値Ｑ'ｐを変化させることができる。
【００２３】
なお、式（２）において、”ｇｍ２・ｇｍ３・Ｒ１・Ｒ２＞＞１”を仮定せず、”１／ｇｍ２・ｇｍ３・Ｒ１・Ｒ２”の項を残す場合、ＤＣ利得Ｇ'は、抵抗値Ｒ１、Ｒ２の少なくともいずれかの変化に伴って僅かに変化する。しかしながら、例えば、抵抗値Ｒ１、Ｒ２の少なくともいずれかを５００オームから１００オームに変化させた場合、ＤＣ利得Ｇ'の変化量は１ｄＢ程度であり、実使用上で問題になることはほとんどない。
【００２４】
図２は、図１に示す可変抵抗回路ＶＲ１、ＶＲ２の一例を示す。可変抵抗回路ＶＲ１は、ノードＶｘと接地線ＶＳＳとの間に直列接続された抵抗素子Ｒ１（Ｒ１１またはＲ１２、Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１５）およびトランジスタＴ１（Ｔ１１またはＴ１２、Ｔ１３、Ｔ１４、Ｔ１５）を有する。例えば、各トランジスタＴ１１−Ｔ１５は、ｎチャネルＭＯＳ（Metal Oxide Semiconductor）トランジスタである。各トランジスタＴ１１−Ｔ１５は、ゲートでハイレベルの制御信号ＣＮＴ１（ＣＮＴ１１またはＣＮＴ１２、ＣＮＴ１３、ＣＮＴ１４、ＣＮＴ１５）を受けたときにオンするスイッチとして動作する。例えば、抵抗素子Ｒ１１は、１００オームであり、抵抗素子Ｒ１２は、２００オームであり、抵抗素子Ｒ１３は、３００オームであり、抵抗素子Ｒ１４は、４００オームであり、抵抗素子Ｒ１５は、５００オームである。
【００２５】
可変抵抗回路ＶＲ２は、ノードＶｏと接地線ＶＳＳとの間に直列接続された抵抗素子Ｒ２（Ｒ２１またはＲ２２、Ｒ２３、Ｒ２４、Ｒ２５）およびトランジスタＴ２（Ｔ２１またはＴ２２、Ｔ２３、Ｔ２４、Ｔ２５）を有する。例えば、各トランジスタＴ２１−Ｔ２５は、ｎチャネルＭＯＳトランジスタである。各トランジスタＴ２１−Ｔ２５は、ゲートでハイレベルの制御信号ＣＮＴ２（ＣＮＴ２１またはＣＮＴ２２、ＣＮＴ２３、ＣＮＴ２４、ＣＮＴ２５）を受けたときにオンするスイッチとして動作する。例えば、抵抗素子Ｒ２１は、１００オームであり、抵抗素子Ｒ２２は、２００オームであり、抵抗素子Ｒ２３は、３００オームであり、抵抗素子Ｒ２４は、４００オームであり、抵抗素子Ｒ２５は、５００オームである。
【００２６】
この実施形態では、制御信号ＣＮＴ１１−ＣＮＴ１５のいずれか１つと、制御信号ＣＮＴ２５がハイレベルに設定され、他の制御信号ＣＮＴ１、ＣＮＴ２１−ＣＮＴ２５は、ロウレベルに設定される。これにより、ノードＶｘは、抵抗素子Ｒ１１−Ｒ１５のいずれかを介して接地線ＶＳＳに接続され、ノードＶｏは、抵抗素子Ｒ２５を介して接地線ＶＳＳに接続される。
【００２７】
あるいは、制御信号ＣＮＴ１５と、制御信号ＣＮＴ２１−ＣＮＴ２５のいずれか１つがハイレベルに設定され、他の制御信号ＣＮＴ１１−ＣＮＴ１４、ＣＮＴ２は、ロウレベルに設定されてもよい。この場合、ノードＶｘは、抵抗素子Ｒ１５を介して接地線ＶＳＳに接続され、ノードＶｏは、抵抗素子Ｒ２１−Ｒ２５のいずれかを介して接地線ＶＳＳに接続される。
【００２８】
制御信号ＣＮＴ１１−ＣＮＴ１５、ＣＮＴ２１−ＣＮＴ２５は、増幅回路ＡＭＰＣＫＴ１の外部から供給される。なお、可変抵抗回路ＶＲ１、ＶＲ２の構成（抵抗素子の数および抵抗値）は、図２に限定されることなく、オンさせるトランジスタＴ１１−Ｔ１５、Ｔ２１−Ｔ２５の組み合わせは、上記に限定されることはない。
【００２９】
図３は、図１に示す増幅回路ＡＭＰＣＫＴ１が搭載される半導体装置の一例を示す。図３に示す半導体装置ＳＥＭ１において二重の四角印は、外部端子を示す。外部端子は、半導体チップ上のパッド、あるいは半導体チップが収納されるパッケージのリード等である。外部端子を介して供給される信号には、端子名と同じ符号を使用する。
【００３０】
増幅回路ＡＭＰＣＫＴ１は、入力端子Ｖｉで受ける信号の波形を整形し、出力信号Ｖｏとして出力する。出力信号Ｖｏは、半導体装置ＳＥＭ１に搭載されるＤＦＥ（Decision Feedback Equalizer）等の等化回路、または、入力信号Ｖｉの論理を判定する判定回路等に供給される。
【００３１】
例えば、半導体装置ＳＥＭ１のウェハ製造工程が完了した後、ＬＳＩ（Large Scale Integration）テスタ等の試験装置を用いて、ウェハ状態の半導体装置ＳＥＭ１の試験が実行される。例えば、試験装置は、制御信号ＣＮＴ１１−ＣＮＴ１５のいずれか１つと、制御信号ＣＮＴ２１−ＣＮＴ２５のいずれか１つとをハイレベルに設定し、他の制御信号ＣＮＴ１、ＣＮＴ２をロウレベルに設定する。次に、試験装置は、入力端子Ｖｉに試験信号を与え、試験端子である出力端子Ｖｏの電圧をモニタする。そして、試験装置は、ハイレベルに設定する制御信号ＣＮＴ１１−ＣＮＴ１５、ＣＮＴ２１−ＣＮＴ２５を順次に変更し、所望の周波数特性が得られる可変抵抗回路ＶＲ１、ＶＲ２（図２）の抵抗値を求める。
【００３２】
次に、半導体装置ＳＥＭ１のパッケージング工程において、試験装置による試験結果に基づいて、所望の周波数特性が得られる可変抵抗回路ＶＲ１、ＶＲ２の抵抗値に対応する制御信号ＣＮＴ１、ＣＮＴ２の論理が設定される。制御信号ＣＮＴ１（またはＣＮＴ２）のハイレベルは、制御端子ＣＮＴ１（またはＣＮＴ２）を電源線等に接続することで設定される。制御信号ＣＮＴ１（またはＣＮＴ２）のロウレベルは、制御端子ＣＮＴ１（またはＣＮＴ２）を接地線等に接続することで設定される。また、出力端子Ｖｏは、オープン状態（未接続）に設定される。これにより、パッケージング工程を完了した半導体装置ＳＥＭ１内の増幅回路ＡＭＰＣＫＴ１は、所望の周波数特性で動作する。
【００３３】
図４は、図１に示す増幅回路ＡＭＰＣＫＴ１が搭載される半導体装置の別の例を示す。図４に示す半導体装置ＳＥＭ２において二重の四角印は、図３と同様に、外部端子を示す。
【００３４】
半導体装置ＳＥＭ２は、増幅回路ＡＭＰＣＫＴ１に加えて、制御端子ＣＮＴ１１、ＣＮＴ１２、,,,、ＣＮＴ２５のそれぞれに接続されたプログラム部ＰＧＭを有する。各プログラム部ＰＧＭは、電源線ＶＤＤと接地線ＶＳＳの間に直列に接続された抵抗素子ＲおよびヒューズＦＳを有する。プログラム部ＰＧＭは、ヒューズＦＳがカットされることで制御端子ＣＮＴ１（またはＣＮＴ２）をハイレベルに固定し、ヒューズＦＳをカットされないことで制御端子ＣＮＴ１（またはＣＮＴ２）をロウレベルに固定する。半導体装置ＳＥＭ２がシステム基板等に搭載された後において、増幅回路ＡＭＰＣＫＴ１から出力される出力信号Ｖｏの用途は、図３と同様である。
【００３５】
図４に示す半導体装置ＳＥＭ２は、ウェハ製造工程が完了した後、図３に示す半導体装置ＳＥＭ１と同様に、ＬＳＩテスタ等の試験装置を用いて試験が実行され、所望の周波数特性が得られる可変抵抗回路ＶＲ１、ＶＲ２（図２）の抵抗値が求められる。
【００３６】
次に、試験装置による試験結果に基づいてプログラム部ＰＧＭがプログラムされる。この後、パッケージング工程において、制御端子ＣＮＴ１、ＣＮＴ２および出力端子Ｖｏがオープンにされた状態（非接続状態）で、半導体装置ＳＥＭ２が組み立てられる。これにより、パッケージング工程を完了した半導体装置ＳＥＭ２内の増幅回路ＡＭＰＣＫＴ１は、所望の周波数特性で動作する。なお、ＬＳＩテスタ等の試験装置を用いて試験は、ウェハ状態の半導体装置ＳＥＭ２に対して実行されてもよく、パッケージングされた半導体装置ＳＥＭ２に対して実行されてもよい。
【００３７】
図５は、図１に示す増幅回路ＡＭＰＣＫＴ１が搭載される半導体装置のさらなる別の例を示す。図５に示す半導体装置ＳＥＭ３において二重の四角印は、図３と同様に、外部端子を示す。
【００３８】
半導体装置ＳＥＭ３は、増幅回路ＡＭＰＣＫＴ１に加えて、制御回路ＴＣＮＴ１およびスイッチ回路ＳＷを有する。半導体装置ＳＥＭ３がシステム基板等に搭載された後において、増幅回路ＡＭＰＣＫＴ１から出力される出力信号Ｖｏの用途は、図３と同様である。
【００３９】
制御回路ＴＣＮＴ１は、試験モード端子ＴＭＤの論理が試験モードを示す期間に、図３で説明したＬＳＩテスタ等の試験装置の代わりに動作する。試験モード中、制御回路ＴＣＮＴ１は、スイッチ制御信号ＳＷＣをスイッチ回路ＳＷに供給し、制御回路ＴＣＮＴ１の試験入力端子ＴＶｉを増幅回路ＡＭＰＣＫＴ１の入力端子Ｖｉに接続する。次に、制御回路ＴＣＮＴ１は、ハイレベルに設定する制御信号ＣＮＴ１１−ＣＮＴ１５、ＣＮＴ２１−ＣＮＴ２５を順次に変更し、試験入力信号ＴＶｉを入力端子Ｖｉに与え、出力端子Ｖｏに接続された試験出力端子ＴＶｏの電圧をモニタする。そして、制御回路ＴＣＮＴ１は、所望の周波数特性が得られる可変抵抗回路ＶＲ１、ＶＲ２（図２）の抵抗値を求める。
【００４０】
制御回路ＴＣＮＴ１は、所望の周波数特性が得られる可変抵抗回路ＶＲ１、ＶＲ２の抵抗値を設定する制御信号ＣＮＴ１、ＣＮＴ２の論理を、内蔵するＲＯＭ（Read Only Memory）等のプログラム部に記憶する。この後、制御回路ＴＣＮＴ１は、試験モード端子ＴＭＤの論理が通常動作モードを示す期間に、スイッチ制御信号ＳＷＣを、半導体装置ＳＥＭ３の入力端子Ｖｉを増幅回路ＡＭＰＣＫＴ１の入力端子Ｖｉに接続する論理に設定する。また、制御回路ＴＣＮＴ１は、試験モード端子ＴＭＤの論理が通常動作モードを示す期間に、プログラム部に記憶した論理の制御信号ＣＮＴ１、ＣＮＴ２を増幅回路ＡＭＰＣＫＴ１に出力する。なお、増幅回路ＡＭＰＣＫＴ１の出力端子Ｖｏと制御回路ＴＣＮＴ１の試験出力端子ＴＶｏとの接続を通常動作モード中に解除するスイッチ回路が、半導体装置ＳＥＭ３に設けられてもよい。
【００４１】
図５に示す半導体装置ＳＥＭ３では、制御回路ＴＣＮＴ１の状態は、試験モード端子ＴＭＤの論理に応じて、試験モードに遷移される。このため、半導体装置ＳＥＭ３を搭載するシステムは、通常動作モードで動作中の半導体装置ＳＥＭ３を一時的に試験モードに移行させ、所望の周波数特性が得られる可変抵抗回路ＶＲ１、ＶＲ２の抵抗値を求めることができる。すなわち、増幅回路ＡＭＰＣＫＴ１の通常動作期間に可変抵抗回路ＶＲ１、ＶＲ２の抵抗値を補正するバックグランドキャリブレーションを実行することができる。なお、半導体装置ＳＥＭ３は、パワーオン時の初期化シーケンス等の増幅回路ＡＭＰＣＫＴ１の通常動作期間外に、可変抵抗回路ＶＲ１、ＶＲ２の抵抗値を補正するフォアグランドキャリブレーションを実行することができる。これにより、半導体装置ＳＥＭ３に供給される電源電圧の変動または半導体装置ＳＥＭ３の温度の変動に応じて、可変抵抗回路ＶＲ１、ＶＲ２の抵抗値を補正することができ、増幅回路ＡＭＰＣＫＴ１を所定の精度に維持することができる。
【００４２】
図６は、図１に示す増幅回路ＡＭＰＣＫＴ１が搭載される半導体装置のさらなる別の例を示す。図６に示す半導体装置ＳＥＭ４において二重の四角印は、図３と同様に、外部端子を示す。
【００４３】
半導体装置ＳＥＭ４は、増幅回路ＡＭＰＣＫＴ１に加えて、増幅回路ＡＭＰＣＫＴ１のレプリカおよび制御回路ＴＣＮＴ２を有する。増幅回路ＡＭＰＣＫＴ１と、増幅回路ＡＭＰＣＫＴ１のレプリカとは、例えば、共通のレイアウトデータを用いて製造され、互いに同じ特性を有する。
【００４４】
制御回路ＴＣＮＴ２は、図５に示す制御回路ＴＣＮＴ１からスイッチ制御信号ＳＷＣを生成する機能を削除していることを除き、制御回路ＴＣＮＴ１と同様の機能を有する。制御回路ＴＣＮＴ２の試験入力端子ＴＶｉおよび試験出力端子ＴＶｏは、増幅回路ＡＭＰＣＫＴ１のレプリカのみに接続され、増幅回路ＡＭＰＣＫＴ１には接続されない。
【００４５】
制御回路ＴＣＮＴ２は、試験モード中に、所定の制御信号ＣＮＴ１１−ＣＮＴ１５、ＣＮＴ２１−ＣＮＴ２５をハイレベルに設定する。この状態で、制御回路ＴＣＮＴ２は、試験入力電圧ＴＶｉを増幅回路ＡＭＰＣＫＴ１のレプリカの入力端子Ｖｉに与える。増幅回路ＡＭＰＣＫＴ１のレプリカの増幅器ＡＭＰ１（図１）は、試験入力電圧ＴＶｉを試験出力電流に変換する。増幅回路ＡＭＰＣＫＴ１のレプリカのＴＩＡ（図１）は、増幅器ＡＭＰ１からの試験出力電流を試験出力電圧ＴＶｏに変換する。
【００４６】
制御回路ＴＣＮＴ２は、増幅回路ＡＭＰＣＫＴ１のレプリカの出力端子Ｖｏから出力される試験出力電圧ＴＶｏをモニタする。制御回路ＴＣＮＴ２は、ハイレベルに設定する制御信号ＣＮＴ１１−ＣＮＴ１５、ＣＮＴ２１−ＣＮＴ２５を順次に変更し、試験入力電圧ＴＶｉの出力と試験出力電圧ＴＶｏのモニタとを繰り返す。そして、制御回路ＴＣＮＴ２は、試験出力電圧ＴＶｏに基づいて、増幅回路ＡＭＰＣＫＴ１のレプリカが所望の周波数特性を有する場合における可変抵抗回路ＶＲ１、ＶＲ２（図２）の抵抗値を求める。
【００４７】
制御回路ＴＣＮＴ２は、所望の周波数特性が得られる可変抵抗回路ＶＲ１、ＶＲ２の抵抗値を設定する制御信号ＣＮＴ１、ＣＮＴ２の論理を、内蔵するプログラム部に記憶する。この後、制御回路ＴＣＮＴ２は、試験モード端子ＴＭＤの論理が通常動作モードを示す期間に、プログラム部に記憶した論理の制御信号ＣＮＴ１、ＣＮＴ２を増幅回路ＡＭＰＣＫＴ１に出力する。
【００４８】
レプリカを動作させて可変抵抗回路ＶＲ１、ＶＲ２の抵抗値を求めることで、図５に示すスイッチ回路ＳＷのように、試験用の余分な回路や負荷が、通常動作モード中に使用する増幅回路ＡＭＰＣＫＴ１に接続されることを抑止することができる。これにより、増幅回路ＡＭＰＣＫＴ１の特性が、余分な負荷により悪化することを抑止することができる。
【００４９】
図６に示す半導体装置ＳＥＭ４は、図５に示す半導体装置ＳＥＭ３と同様に、バックグランドキャリブレーションまたはフォアグランドキャリブレーションのいずれにおいても、可変抵抗回路ＶＲ１、ＶＲ２の抵抗値を補正することができる。
【００５０】
なお、増幅回路ＡＭＰＣＫＴ１の動作を試験モード中に完全に停止させたい場合、制御回路ＴＣＮＴ２は、増幅回路ＡＭＰＣＫＴ１の動作を停止する停止信号を試験モード中に増幅回路ＡＭＰＣＫＴ１に出力してもよい。
【００５１】
図７は、図１に示す増幅回路ＡＭＰＣＫＴ１を有する通信システムＳＹＳの一例を示す。通信システムＳＹＳは、伝送路ＴＰを介して互いに接続される送信装置ＴＲＮＳおよび受信装置ＲＣＶを有する。送信装置ＴＲＮＳは、信号を伝送路ＴＰに出力するドライバＤＲＶを含む送信器ＴＸを有し、受信装置ＲＣＶは、伝送路ＴＰに伝送される信号を受信するイコライザＥＱを含む受信器ＲＸを有する。例えば、受信器ＲＸは、図３から図６に示す半導体装置ＳＥＭ（ＳＥＭ１、ＳＥＭ２、ＳＥＭ３、ＳＥＭ４）のいずれかである。イコライザＥＱは、図１に示す増幅回路ＡＭＰＣＫＴ１を有するＣＴＬＥであり、伝送路ＴＰを介して受信した信号の波形を整形する。
【００５２】
なお、受信器ＲＸは、イコライザＥＱの出力に接続されるＤＦＥを有してもよい。また、送信装置ＴＲＮＳに受信器ＲＸを追加し、受信装置ＲＣＶに送信器ＴＸを追加することで、信号を双方向に伝送可能な通信システムＳＹＳが構築されてもよい。
【００５３】
図８は、図１に示す増幅回路ＡＭＰＣＫＴ１の周波数特性の一例を示す。図８は、抵抗値Ｒ１を５００オームに固定し、抵抗値Ｒ２を１００オームから５００オームまで変化させた場合の周波数特性を示す。
【００５４】
式（４）、（５）、（６）で示したように、抵抗値Ｒ２を変更することで、ピーキング値Ｑ'ｐは変化するが、ＤＣ利得Ｇ'およびピーク角周波数ω'ｐは変化しない。このため、抵抗値Ｒ２を変更することで、所定の周波数範囲における信号の利得を一定にすることができる。例えば、抵抗値Ｒ２を２００オームにすることで、ほぼ５ＧＨｚ（ギガヘルツ）までの信号の利得を一定にすることができる。
【００５５】
なお、信号の周波数が低い領域（例えば、１ＧＨｚより低い領域）の利得は、ソースデジェネレーション手法等を用いて減衰させてもよい。ソースデジェネレーション手法では、例えば、増幅回路ＡＭＰＣＫＴ１内においてｇｍセルとして動作させるトランジスタのソースが、抵抗素子を介して接地される。
【００５６】
図９は、図１に示す増幅回路ＡＭＰＣＫＴ１の周波数特性の別の例を示す。図９は、抵抗値Ｒ１を１００オームから５００オームまで変化させ、抵抗値Ｒ２を５００オームに固定した場合の周波数特性を示す。
【００５７】
図９では、図８と同様に、抵抗値Ｒ１を変更することで、ピーキング値Ｑ'ｐは変化するが、ＤＣ利得Ｇ'およびピーク角周波数ω'ｐは変化しない。このため、抵抗値Ｒ１を変更することで、所定の周波数範囲における信号の利得を一定にすることができる。例えば、抵抗値Ｒ１を２００オームにすることで、ほぼ５ＧＨｚ（ギガヘルツ）までの信号の利得を一定にすることができる。なお、周波数が低い領域（例えば、１ＧＨｚより低い領域）の利得は、ソースデジェネレーション手法等を用いて減衰させてもよい。
【００５８】
なお、図８および図９に示すＤＣ利得Ｇ'の値とピーク角周波数ω'ｐの値は、一例である。例えば、ＤＣ利得Ｇ'は、式（４）に示すように、増幅器ＡＭＰ１、ＡＭＰ２のトランスコンダクタンスｇｍ１、ｇｍ２を変更することにより調整することができ、ピーク角周波数ω'ｐは、式（５）に示すように、増幅器ＡＭＰ２、ＡＭＰ３のトランスコンダクタンスｇｍ２、ｇｍ３を変更することにより調整することができる。
【００５９】
以上、図１から図９に示した実施形態では、適切な抵抗値Ｒ１、Ｒ２を選択することで、信号の周波数が変化した場合にもＤＣ利得およびピーク角周波数を変化させることなくピーキング値のみを変化させることができる。この結果、適切な抵抗値Ｒ１、Ｒ２を選択することで、ＤＣ利得およびピーク角周波数を変化させることなく、所定の周波数範囲における信号の利得を一定（平坦）にすることができ、従来に比べて精度が高い増幅回路ＡＭＰＣＫＴ１を提供することができる。
【００６０】
抵抗値Ｒ１、Ｒ２の選択は、抵抗素子とトランジスタとを含む可変抵抗回路Ｒ１、Ｒ２により実現できるため、増幅回路ＡＭＰＣＫＴ１の回路規模の増加を最小限にすることができる。
【００６１】
図１０は、増幅回路の別の実施形態を示す。図１０に示す増幅回路ＡＭＰＣＫＴ２は、図１に示す増幅回路ＡＭＰＣＫＴ１から可変抵抗回路ＶＲ１を削除している。増幅回路ＡＭＰＣＫＴ２のその他の構成は、図１に示す増幅回路ＡＭＰＣＫＴ１と同様である。例えば、増幅回路ＡＭＰＣＫＴ２は、図３から図６に示す半導体装置ＳＥＭ１−ＳＥＭ４のいずれかに搭載される。この場合、図３に示す半導体装置ＳＥＭ１および図４に示す半導体装置ＳＥＭ２は、制御端子ＣＮＴ１１−ＣＮＴ１５を持たず、図５に示す制御回路ＴＣＮＴ１および図６に示す制御回路ＴＣＮＴ２は、制御信号ＣＮＴ１１−ＣＮＴ１５を出力する機能を持たない。また、増幅回路ＡＭＰＣＫＴ２は、図７に示す通信システムＳＹＳにおいて、受信器ＲＸのイコライザＥＱに使用される。
【００６２】
以上、図１０に示す実施形態においても、図１から図９に示す実施形態と同様に、適切な抵抗値Ｒ２を選択することで、所定の周波数範囲における信号の利得を一定にすることができ、従来に比べて精度が高い増幅回路ＡＭＰＣＫＴ２を提供することができる。
【００６３】
図１１は、増幅回路の別の実施形態を示す。図１１に示す増幅回路ＡＭＰＣＫＴ３は、図１に示す増幅回路ＡＭＰＣＫＴ１から可変抵抗回路ＶＲ２を削除している。増幅回路ＡＭＰＣＫＴ３のその他の構成は、図１に示す増幅回路ＡＭＰＣＫＴ１と同様である。増幅回路ＡＭＰＣＫＴ３は、図３から図６に示す半導体装置ＳＥＭ１−ＳＥＭ４のいずれかに搭載される。この場合、図３に示す半導体装置ＳＥＭ１および図４に示す半導体装置ＳＥＭ２は、制御端子ＣＮＴ２１−ＣＮＴ２５を持たず、図５に示す制御回路ＴＣＮＴ１および図６に示す制御回路ＴＣＮＴ２は、制御信号ＣＮＴ２１−ＣＮＴ２５を出力する機能を持たない。また、増幅回路ＡＭＰＣＫＴ３は、図７に示す通信システムＳＹＳにおいて、受信器ＲＸのイコライザＥＱに使用される。
【００６４】
以上、図１１に示す実施形態においても、図１から図９に示す実施形態と同様に、適切な抵抗値Ｒ１を選択することで、所定の周波数範囲における信号の利得を一定にすることができ、従来に比べて精度が高い増幅回路ＡＭＰＣＫＴ３を提供することができる。
【００６５】
図１２は、増幅回路の別の実施形態を示す。図１２に示す増幅回路ＡＭＰＣＫＴ４は、図１に示す増幅回路ＡＭＰＣＫＴ１の可変抵抗回路ＶＲ１の代わりに抵抗値が一定の抵抗素子ＦＲ１を有している。例えば、抵抗素子ＦＲ１の抵抗値は、５００オームである。増幅回路ＡＭＰＣＫＴ４のその他の構成は、図１に示す制御信号ＣＮＴ１１−ＣＮＴ１５を受けないことを除き、増幅回路ＡＭＰＣＫＴ１と同様である。増幅回路ＡＭＰＣＫＴ４は、図３から図６に示す半導体装置ＳＥＭ１−ＳＥＭ４のいずれかに搭載される。この場合、図３に示す半導体装置ＳＥＭ１および図４に示す半導体装置ＳＥＭ２は、制御端子ＣＮＴ１１−ＣＮＴ１５を持たず、図５に示す制御回路ＴＣＮＴ１および図６に示す制御回路ＴＣＮＴ２は、制御信号ＣＮＴ１１−ＣＮＴ１５を出力する機能を持たない。また、増幅回路ＡＭＰＣＫＴ４は、図７に示す通信システムＳＹＳにおいて、受信器ＲＸのイコライザＥＱに使用される。
【００６６】
以上、図１２に示す実施形態においても、図１から図９に示す実施形態と同様に、適切な抵抗値Ｒ２を選択することで、所定の周波数範囲における信号の利得を一定にすることができ、従来に比べて精度が高い増幅回路ＡＭＰＣＫＴ４を提供することができる。
【００６７】
図１３は、増幅回路の別の実施形態を示す。図１３に示す増幅回路ＡＭＰＣＫＴ５は、図１に示す増幅回路ＡＭＰＣＫＴ１の可変抵抗回路ＶＲ２の代わりに抵抗値が一定の抵抗素子ＦＲ２を有している。例えば、抵抗素子ＦＲ２の抵抗値は、５００オームである。増幅回路ＡＭＰＣＫＴ５のその他の構成は、図１に示す制御信号ＣＮＴ２１−ＣＮＴ２５を受けないことを除き、増幅回路ＡＭＰＣＫＴ１と同様である。増幅回路ＡＭＰＣＫＴ５は、図３から図６に示す半導体装置ＳＥＭ１−ＳＥＭ４のいずれかに搭載される。この場合、図３に示す半導体装置ＳＥＭ１および図４に示す半導体装置ＳＥＭ２は、制御端子ＣＮＴ２１−ＣＮＴ２５を持たず、図５に示す制御回路ＴＣＮＴ１および図６に示す制御回路ＴＣＮＴ２は、制御信号ＣＮＴ２１−ＣＮＴ２５を出力する機能を持たない。また、増幅回路ＡＭＰＣＫＴ５は、図７に示す通信システムＳＹＳにおいて、受信器ＲＸのイコライザＥＱに使用される。
【００６８】
以上、図１３に示す実施形態においても、図１から図９に示す実施形態と同様に、適切な抵抗値Ｒ１を選択することで、所定の周波数範囲における信号の利得を一定にすることができ、従来に比べて精度が高い増幅回路ＡＭＰＣＫＴ５を提供することができる。
【００６９】
図１４は、増幅回路の別の例を示す。図１４に示す増幅回路ＡＭＰＣＫＴ６は、増幅器ＡＭＰａ、ＡＭＰｂ、フィードバック抵抗素子Ｒｆｂおよび容量Ｃｏａ、Ｃｏｂを有する。増幅器ＡＭＰａは、入力電圧を出力電流に変換する電圧電流変換増幅器（ｇｍセルとも称する）として機能する。また、増幅器ＡＭＰｂおよびフィードバック抵抗素子Ｒｆｂは、ＴＩＡとして機能する。このように、増幅回路ＡＭＰＣＫＴ６は、図１に示す増幅回路ＡＭＰＣＫＴ１と同様に、ｇｍセルとＴＩＡとを直列に接続した２段構成を有し、ＣＴＬＥ等の広帯域増幅器として通信システムの受信器に搭載される。
【００７０】
増幅器ＡＭＰａ、ＡＭＰｂは、入力電圧Ｖｉを受ける入力端子Ｖｉと出力電圧Ｖｏを出力する出力端子Ｖｏの間に直列に接続される。フィードバック抵抗素子Ｒｆｂは、増幅器ＡＭＰｂの出力から増幅器ＡＭＰｂの入力へのフィードバック経路に配置される。増幅器ＡＭＰａに示す符号”−ｇｍａ”および増幅器ＡＭＰｂに示す符号”−ｇｍｂ”は、増幅器ＡＭＰａ、ＡＭＰｂのそれぞれのトランスコンダクタンスを示す。以下では、フィードバック抵抗素子Ｒｆｂの抵抗値は、符号Ｒｆｂで示される。
【００７１】
容量Ｃｏａは、増幅器ＡＭＰａの出力容量、増幅器ＡＭＰｂの入力容量および配線容量等を含む負荷容量である。容量Ｃｏｂは、増幅器ＡＭＰｂの出力容量、出力端子Ｖｏに接続される容量および配線容量等を含む負荷容量である。
【００７２】
式（７）は、図１４に示す増幅回路ＡＭＰＣＫＴ６の伝達関数Ｈ（ｓ）を示す。式（７）において、符号”ｓ”は、ラプラス変換における変数を示す。
【００７３】
【数７】
0006578649.tif 000008
式（８）は、ωａ＝１／（Ｃｏａ・Ｒｆｂ）、ωｂ＝１／（Ｃｏｂ・Ｒｆｂ）とし、式（７）を二次伝達関数の標準形に変形したものである。
【００７４】
【数８】
0006578649.tif 000009
ここで、式（９）に示すように、増幅回路ＡＭＰＣＫＴ６のＤＣ利得Ｇを定義すると、式（８）は、式（１０）で表される。式（１０）における符号ωｐは、最大利得での角周波数（ピーク角周波数）であり、式（１１）で示される。式（１０）における符号Ｑｐは、最大利得（ピーク角周波数でのピーキング値）であり、式（１２）で示される。
【００７５】
【数９】
0006578649.tif 000010
【００７６】
【数１０】
0006578649.tif 000011
【００７７】
【数１１】
0006578649.tif 000012
【００７８】
【数１２】
0006578649.tif 000013
式（９）は、容量値Ｃｏａ、Ｃｏｂのパラメータを含まず、抵抗値Ｒｆｂのパラメータを含む。式（１１）および式（１２）は、容量値Ｃｏａ、Ｃｏｂのパラメータおよび抵抗値Ｒｆｂのパラメータを両方含む。このため、抵抗値Ｒｆｂを変化させた場合、ＤＣ利得Ｇ、ピーク角周波数ωｐおよびピーキング値Ｑｐのいずれも変化する。また、容量値Ｃｏａ、Ｃｏｂの少なくともいずれかを変化させた場合、ＤＣ利得Ｇは変化しないが、ピーク角周波数ωｐおよびピーキング値Ｑｐのいずれも変化する。換言すれば、図１４に示す増幅回路ＡＭＰＣＫＴ６では、ＤＣ利得Ｇおよびピーク角周波数ωｐを変化させることなく、ピーキング値Ｑｐを変化させることは、困難である。
【００７９】
図１５は、図１４に示す増幅回路ＡＭＰＣＫＴ６においてフィードバック抵抗素子Ｒｆｂの抵抗値を変化させた場合の周波数特性の一例を示す。図１５は、フィードバック抵抗値Ｒｆｂを２０００オームから１２５オームまで変化させた場合の周波数特性を示す。抵抗値Ｒｆｂを除くパラメータは、所定の値に固定される。式（９）、（１１）、（１２）に示すように、抵抗値Ｒｆｂを変更することで、ＤＣ利得Ｇ、ピーク角周波数ωｐおよびピーキング値Ｑｐは全て変化する。図１５では、フィードバック抵抗素子Ｒｆｂの抵抗値を小さくすることで、ピーキング値Ｑｐは小さくなるが、ＤＣ利得とピーク角周波数ωｐとはフィードバック抵抗Ｒｆｂの抵抗値の変化に応じて変化してしまう。
【００８０】
図１６は、図１４に示す増幅回路ＡＭＰＣＫＴ６において容量Ｃｏｂの容量値を変化させた場合の周波数特性の一例を示す。図１６は、容量値Ｃｏｂを１００ｆＦ（フェムトファラッド）から１０ｐＦ（ピコファラッド）まで変化させた場合の周波数特性を示す。容量値Ｃｏｂを除くパラメータは、所定の値に固定される。式（９）、（１１）、（１２）に示すように、容量値Ｃｏｂを変更することで、ＤＣ利得Ｇは変化しないが、ピーク角周波数ωｐおよびピーキング値Ｑｐは変化する。図１６では、容量値Ｃｏｂを大きくすることで、ＤＣ利得を変化させることなくピーキング値Ｑｐは小さくなるが、ピーク角周波数ωｐは容量値Ｃｏｂに応じて劣化してしまう。
【００８１】
以上の詳細な説明により、実施形態の特徴点および利点は明らかになるであろう。これは、特許請求の範囲がその精神および権利範囲を逸脱しない範囲で前述のような実施形態の特徴点および利点にまで及ぶことを意図するものである。また、当該技術分野において通常の知識を有する者であれば、あらゆる改良および変更に容易に想到できるはずである。したがって、発明性を有する実施形態の範囲を前述したものに限定する意図はなく、実施形態に開示された範囲に含まれる適当な改良物および均等物に拠ることも可能である。
【符号の説明】
【００８２】
ＡＭＰ１、ＡＭＰ２、ＡＭＰ３…増幅器；ＡＭＰａ、ＡＭＰｂ…増幅器；ＡＭＰＣＫＴ１、ＡＭＰＣＫＴ２、ＡＭＰＣＫＴ３、ＡＭＰＣＫＴ４、ＡＭＰＣＫＴ５、ＡＭＰＣＫＴ６…増幅回路；Ｃ１、Ｃ２、Ｃｏａ、Ｃｏｂ…容量；ＣＮＴ１１、ＣＮＴ１２、ＣＮＴ１３、ＣＮＴ１４、ＣＮＴ１５、ＣＮＴ２１、ＣＮＴ２２、ＣＮＴ２３、ＣＮＴ２４、ＣＮＴ２５…制御信号；ＤＲＶ…ドライバ；ＥＱ…イコライザ；ＦＲ１、ＦＲ２…抵抗素子；ＦＳ…ヒューズ；ＰＧＭ…プログラム部；ＶＲ１…可変抵抗回路；Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１５…抵抗素子；ＶＲ２…可変抵抗回路；Ｒ２１、Ｒ２２、Ｒ２３、Ｒ２４、Ｒ２５…抵抗素子；ＲＣＶ…受信装置；Ｒｆｂ…フィードバック抵抗素子；ＲＸ…受信器；ＳＥＭ１、ＳＥＭ２、ＳＥＭ３、ＳＥＭ４…半導体装置；ＳＷ…切り替え部；ＳＹＳ…通信システム；Ｔ１１、Ｔ１２、Ｔ１３、Ｔ１４、Ｔ１５、Ｔ２１、Ｔ２２、Ｔ２３、Ｔ２４、Ｔ２５…トランジスタ；ＴＣＮＴ１、ＴＣＮＴ２…制御回路；ＴＭＤ…試験モード端子；ＴＰ…伝送路；ＴＲＮＳ…送信装置；ＴＸ…送信器；Ｖｉ…入力端子；Ｖｏ…出力端子
【図１】
0006578649.tif 000014
【図２】
0006578649.tif 000015
【図３】
0006578649.tif 000016
【図４】
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【図５】
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【図６】
0006578649.tif 000019
【図７】
0006578649.tif 000020
【図８】
0006578649.tif 000021
【図９】
0006578649.tif 000022
【図１０】
0006578649.tif 000023
【図１１】
0006578649.tif 000024
【図１２】
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【図１３】
0006578649.tif 000026
【図１４】
0006578649.tif 000027
【図１５】
0006578649.tif 000028
【図１６】
0006578649.tif 000029