(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ステムと、
前記ステムに固定された温度制御モジュールと、
前記温度制御モジュールに固定されたキャリアと、
前記キャリアに発光素子固定面で固定され、互いに反対の面を構成する前面および後面を有し、前記前面にある第１の出射点から信号光を出射し、前記後面にある第２の出射点から背面光を出射する発光素子と、
前記キャリアに受光素子固定面で固定された受光素子と、
前記信号光を受けるレンズが固定され、前記温度制御モジュール、前記キャリア、前記発光素子、前記受光素子を内包するように前記ステムに固定されたレンズキャップとを備え、
前記キャリアに反射面が形成され、
前記受光素子は、前記反射面で反射された前記背面光を受光し、
前記受光素子の受光面の中心は、前記信号光の光軸方向において、前記前面と前記後面の間に位置する光モジュール。
【請求項２】
前記受光面は、前記受光素子固定面と対向し、かつ、前記受光素子固定面に垂直な方向において、前記第２の出射点よりも前記受光素子固定面に近いことを特徴とする請求項１に記載の光モジュール。
【請求項３】
前記受光素子固定面は、前記キャリアに設けられた凹部であることを特徴とする請求項２に記載の光モジュール。
【請求項４】
前記受光面は、前記反射面と対向していることを特徴とする請求項１に記載の光モジュール。
【請求項５】
前記反射面は、前記第２の出射点から出射された前記背面光のうち前記後面に垂直な方向に出射された光を、前記発光素子固定面に垂直な方向から見て、前記受光面の方に反射する方向を向いていることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の光モジュール。
【請求項６】
前記後面は、前記レンズの光軸に対して垂直であることを特徴とする請求項５に記載の光モジュール。
【請求項７】
前記発光素子は、前記発光素子固定面に垂直な方向から見て、前記レンズの光軸に対して傾いていることを特徴とする請求項５に記載の光モジュール。
【請求項８】
前記第１の出射点は、前記発光素子固定面に垂直な方向から見て、前記レンズの光軸からずれた位置にあることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の光モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、光通信分野などに用いられる光モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
発光素子の温度を制御するために温度制御モジュールを用いる光モジュールにおいて、サイズを小型化したいという要求に応えるために、ＴＯ−ＣＡＮ（Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ  Ｏｕｔｌｉｎｅｄ  ＣＡＮ）型パッケージを利用することができる。このような光モジュールのトラッキングエラー低減のため、特許文献１にレンズを１枚追加する構造が開示されている。また、特許文献２に温度変化に伴って膨張または収縮する透過部材を用いる構造が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１１−１０８９３７号公報
【特許文献２】特開２０１４−１３２６２７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上述した従来例では、レンズや透過部材といった追加部品が必要であり、それらの部品を配置するスペースを確保しなければならないため、光軸方向の長さが長くなり、光モジュールの小型化が妨げられるという問題があった。
【０００５】
この発明は上記の問題を解決するためになされたもので、光モジュールの小型化と、トラッキングエラー抑制を同時に可能とする光モジュールを得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
この発明の光モジュールは、ステムと、ステムに固定された温度制御モジュールと、温度制御モジュールに固定されたキャリアと、キャリアに発光素子固定面で固定され、互いに反対の面を構成する前面および後面を有し、前面にある第１の出射点から信号光を出射し、後面にある第２の出射点から背面光を出射する発光素子と、キャリアに受光素子固定面で固定された受光素子と、信号光を受けるレンズが固定され、温度制御モジュール、キャリア、発光素子、受光素子を内包するようにステムに固定されたレンズキャップとを備え、キャリアに反射面が形成され、受光素子は、反射面で反射された背面光を受光し、受光素子の受光面の中心は、信号光の光軸方向において、前面と後面の間に位置する。
【発明の効果】
【０００７】
この発明の光モジュールは、受光素子の受光面の中心が、信号光の光軸方向において、発光素子の前面と後面の間に位置している。その結果、光軸方向の長さを短くできるため、光モジュールの小型化可能となり、同時にトラッキングエラーが抑制される。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】この発明の実施の形態１における光モジュールの断面図である。
【図２】ステムの反りにより集光点がｙ軸方向にずれることを説明する図である。
【図３】レンズキャップの熱膨張および収縮により集光点がｚ軸方向にずれることを説明する図である。
【図４】従来の光モジュールの断面図である。
【図５】集光点のｙ軸方向のずれ量とトラッキングエラーの関係を表す図である。
【図６】集光点のｚ軸方向のずれ量とトラッキングエラーの関係を表す図である。
【図７】この発明の実施の形態２における光モジュールの断面図である。
【図８】この発明の実施の形態２におけるキャリアの斜視図である。
【図９】この発明の実施の形態３における光モジュールの断面図である。
【図１０】この発明の実施の形態４における光モジュールの断面図である。
【図１１】この発明の実施の形態５における光モジュールの断面図である。
【図１２】この発明の実施の形態６における光モジュールの断面図である。
【図１３】この発明の実施の形態６における光モジュールの断面図であり、斜め研磨された光ファイバを配置している。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
実施の形態１．
（構成）
実施の形態１の光モジュール１００の断面図が図１に示されている。図１（ａ）は光モジュール１００をｘ軸方向から見た断面図であり、図１（ｂ）はｙ軸方向から見た断面図である。ステム７に温度制御モジュール４が固定されている。温度制御モジュール４は第１の基板４ａ、ペルチェ素子４ｂ、第２の基板４ｃで構成される。温度制御モジュール４にキャリア３が固定されている。キャリア３には光を反射する反射面３ａが設けられている。キャリア３に発光素子１が発光素子固定面１ａで固定されている。発光素子１には前面１ｂと後面１ｃがある。さらにキャリア３には受光素子２が受光素子固定面２ａで固定されている。受光素子２は受光面２ｂを有している。受光面２ｂの中心は、信号光の光軸方向であるｚ軸方向において、前面１ｂと後面１ｃとの間に位置している。そして受光面２ｂは、受光面２ｂに垂直な方向であるｙ軸方向において、背面光出射点よりも受光素子固定面２ａに近い位置にある。ステム７には筒状のレンズキャップ５が固定されており、ステム７とレンズキャップ５が、温度制御モジュール４、キャリア３、発光素子１、受光素子２を内包している。またレンズキャップ５にはレンズ６が固定されている。さらにステム７には、信号送受用または電源・グラウンド供給用に、リードピン８が貫通または接続されている。発光素子１としては、通常、半導体レーザが用いられ、光変調器をモノリシックに集積したものも用いられる。
【００１０】
ここで各部品の材料について記述する。ステム７の材料は冷間圧延鋼板（ＳＰＣ）などの金属である。温度制御モジュール４の第１の基板４ａおよび第２の基板４ｃの材料は、窒化アルミニウムやアルミナなどのセラミック材である。キャリア３の材料は銅タングステンなどの金属化合物である。レンズキャップ５の材料はステンレス鋼材（ＳＵＳ）などの金属である。
【００１１】
（動作）
実施の形態１の光モジュール１００の動作には、信号光の外部への出射、背面光強度の外部への伝達、発光素子１の温度の一定制御がある。ここでは、これらの動作について述べる。
【００１２】
発光素子１から信号光が出射され、その信号光はレンズ６によって集光され、集光された光は光ファイバ（図示せず）によって外部へと導かれる。信号光は発光素子１の前面１ｂにある信号光出射点から、図１の点線で表すように出射される。そしてその信号光はレンズ６によって集光点に集光され、光ファイバによって外部へと導かれる。なお信号光は外部からリードピン８を介して変調されている。
【００１３】
発光素子１から背面光が出射され、その背面光は反射面３ａで反射され、反射された光の一部は受光素子２によって電流に変換され、その電流は外部へと伝達される。背面光は発光素子１の後面１ｃにある背面光出射点から、図１の点線で表すように拡散して出射される。背面光出射点から出射された背面光は反射面３ａで反射され、反射された背面光の一部を受光素子２が受光面２ｂで受け取る。受光面２ｂに入射された光はその強度に応じた電流に変換され、その電流がリードピン８を介して外部に伝達される。そしてその電流値を基に、外部に設けられた制御装置（図示せず）は信号光強度を一定に制御する。
【００１４】
発光素子１の温度は温度制御モジュール４によって一定に制御される。一般に発光素子１から出射される信号光の波長や強度は、発光素子１自身の温度により変わる。したがって信号光の波長や強度の変化を一定の範囲内にとどめるためには、発光素子１の温度を一定にする必要がある。また一般に発光素子１から出射される信号光と背面光の強度比も、発光素子１自身の温度により変わる。そしてこの強度比が変化すると、信号光強度が一定に保たれず、トラッキングエラーが発生する。したがってこのトラッキングエラーを抑えるためにも、発光素子１の温度を一定にする必要がある。そのために温度制御モジュール４がキャリア３を通じて、発光素子１から熱を吸収したり、あるいは発光素子１に熱を与えたりすることで、発光素子１の温度を一定に制御している。
【００１５】
（トラッキングエラーの発生原因）
光モジュール１００におけるトラッキングエラーの発生原因として考えられる事象にはステム７の反りや、レンズキャップ５の熱膨張または収縮がある。ここではそれらの事象によってトラッキングエラーが発生する理由を述べる。なお、光モジュール１００では、温度制御モジュール４に搭載されたキャリア３の上に発光素子１と受光素子２が固定されているため、これらの間の位置関係の変化や温度差は小さい。しかし、温度制御モジュール４は、ステム７やレンズキャップ５まで温度制御するものではないため、これらの温度変化がトラッキングエラーの原因となる。
【００１６】
ステム７が反ると、信号光出射点の位置がずれて、トラッキングエラーが発生する。ステム７は例えばＳＰＣで出来ており、一方、温度制御モジュール４の第１の基板４ａは例えば窒化アルミニウムで出来ている。線膨張係数は、ＳＰＣは例えば１３．９×１０−６（１／Ｋ）であり、窒化アルミニウムは例えば４．５×１０−６（１／Ｋ）である。すなわち線膨張係数はステム７のほうが第１の基板４ａよりも大きい。したがって例えば周囲温度が高くなるとステム７は膨張しようとするが、ステム７の、第１の基板４ａに近い部分は、線膨張係数の小さい第１の基板４ａに拘束されて膨張が妨げられる。それに対してステム７の、第１の基板４ａから遠い部分は、近い部分よりも膨張しようとする。その結果ステム７に反りが生じる。この反りにより、図２に示したように、信号光出射点がｙ軸方向にずれる可能性がある。信号光出射点がｙ軸方向にずれると、集光点の位置が変わる。通常、集光点付近に、信号光を外部に導くための光ファイバの端面を配置する。したがって集光点の位置が変わると、信号光の光ファイバへの結合効率が低くなり、トラッキングエラーが発生する。以上から周囲温度の変化によってステム７に反りが生じると、トラッキングエラーが発生することが分かる。なおここでは信号光出射点がｙ軸方向にずれる場合を例示したが、ステムが反る方向によってはｘ軸方向にもずれる。この場合でもｙ軸方向にずれた場合と同じようにトラッキングエラーが発生する。
【００１７】
レンズキャップ５の熱膨張または収縮が起こると、信号光出射点の位置がずれて、トラッキングエラーが発生する。レンズキャップ５は例えばＳＵＳで出来ており、周囲温度の変化につれてレンズキャップ５の温度も変化し、膨張または収縮する。これに対してキャリア３は、その温度が温度制御モジュール４によってほぼ一定に制御されているため、周囲温度の変化による膨張または収縮がほとんどない。したがって周囲温度の変化によってレンズキャップ５がｚ軸方向に膨張または収縮した量が、発光素子１の前面１ｂからレンズ６への距離の変化量となる。この距離が変化すると、図３に示したように、集光点の位置が変わる。集光点の位置が変わると、信号光の光ファイバへの結合効率が低くなり、トラッキングエラーが発生する。以上から周囲温度の変化によってレンズキャップ５がｚ軸方向に膨張または収縮すると、トラッキングエラーが発生することがわかる。
【００１８】
（発明の効果）
実施の形態１の光モジュール１００に適用した発明の効果は、小型化とトラッキングエラーの抑制である。ここでは、これらの効果が生じる理由を述べる。
【００１９】
実施の形態１の光モジュール１００では、キャリア３およびレンズキャップ５のｚ軸方向の長さを短くでき、小型化が可能となる。ここでは従来の光モジュールと対比して、その理由を述べる。従来の光モジュール５０の断面図が図４に示されている。従来の光モジュール５０の受光素子２は、受光面２ｂが背面光を直接受ける位置に置かれていた。これに対して実施の形態１の光モジュール１００では受光素子２は、受光面２ｂの中心がｚ軸方向において発光素子１の前面１ｂと後面１ｃとの間にあるように置かれている。そのため従来の光モジュール５０に比べて、キャリア３のｚ軸方向の長さを短くできる。さらに従来の光モジュール５０では、受光素子２とリードピン８とを接続するワイヤ配線９を、後面１ｃと受光面２ｂとの間に通す必要があった。これに対して実施の形態１の光モジュール１００ではワイヤ配線（図示せず）が後面１ｃの後方を通る必要がない。したがって、さらにキャリア３のｚ軸方向の長さを短くできる。そしてその分レンズキャップ５の長さも短くできる。したがって光モジュールの小型化が可能となる。発明者らの試算によれば、従来の光モジュール５０に対してキャリア３の長さは０．４ｍｍほど短縮可能であり、レンズキャップ５の長さも同じく０．４ｍｍほど短縮可能である。
【００２０】
そしてキャリア３またはレンズキャップ５のｚ軸方向の長さが短くなればトラッキングエラーが小さくなる。以下にその理由を述べる。
【００２１】
キャリア３のｚ軸方向の長さが短くなればトラッキングエラーが小さくなるのは、ステム７に反りが生じても、信号光出射点の位置ずれ量が小さくて済むからである。上述したように、周囲温度の変化によってステム７に反りが生じると、集光点のｙ軸方向の位置が変わる。このときの集光点の位置の変化量Δｙは次の式で表される。
Δｙ＝ｔａｎθ×Ｌ１×Ｍ    （１）
ここで、θはステム７に反りが生じて温度制御モジュールおよびキャリアが傾く角度、Ｌ１はステム７から発光素子１の前面１ｂへの距離、Ｍはレンズ６の倍率である。図２を見れば分かるように、キャリア３のｚ軸方向の長さが短くなればＬ１は小さくなる。Ｌ１が小さくなればΔｙが小さくなることが式（１）から分かる。そしてΔｙが小さくなればトラッキングエラーが小さくなることが、Δｙとトラッキングエラーの関係を示した図５から分かる。なお図５ではトラッキングエラーを負の量としているが、ここで考えているトラッキングエラーの大小は、その絶対値である。以上からキャリア３の長さが短くなればトラッキングエラーが小さくなることが分かる。なおここでは集光点の位置がｙ軸方向に変わるとして説明したが、実際はｘ軸方向にも変わりうる。その場合でもキャリア３の長さが短くなればトラッキングエラーが小さくなることに変わりはない。
【００２２】
レンズキャップ５のｚ軸方向の長さが短くなればトラッキングエラーが小さくなるのは、レンズキャップ５の熱膨張または収縮が生じても信号光出射点の位置ずれ量が小さくて済むからである。上述したように、周囲温度の変化によってレンズキャップ５がｚ軸方向に膨張または収縮すると、集光点のｚ軸方向の位置が変わる。このときの集光点の位置の変化量Δｚは次の式で表される。
Δｚ＝ΔＴ×α×Ｌ２×Ｍ２    （２）
ここで、ΔＴは周囲温度の変化量、αはレンズキャップ５の線膨張係数、Ｌ２はレンズキャップ５の長さ（ステム側の端からレンズの中心までの長さ）、Ｍはレンズ６の倍率である。Ｌ２が小さくなればΔｚが小さくなることが式（２）から分かる。そしてΔｚが小さくなればトラッキングエラーが小さくなることが、Δｚとトラッキングエラーの関係を示した図６から分かる。なお図６ではトラッキングエラーを負の量としているが、ここで考えているトラッキングエラーの大小は、その絶対値である。以上からレンズキャップ５の長さが短くなればトラッキングエラーが小さくなることが分かる。
【００２３】
ここで一例として従来の光モジュール５０に対して、実施の形態１の光モジュール１００ではトラッキングエラーがどの程度改善されるかを見積もると、０．１６ｄＢである。ここでは、その計算について述べる。
【００２４】
集光点の位置の変化量Δｙが発生することで生じるトラッキングエラー改善量を見積もると、０．０４ｄＢである。この値は、条件をθ＝０．００５度、Ｍ＝３．５、従来の光モジュール５０ではＬ１＝２．６ｍｍ、実施の形態１の光モジュール１００ではＬ１＝２．２ｍｍとして見積もった。これらの条件では式（１）から、従来の光モジュール５０がΔｙ＝０．７９ｕｍ、実施の形態１の光モジュール１００がΔｙ＝０．６７ｕｍと計算される。これらの値から図５を利用してトラッキングエラーを求めると、従来の光モジュール５０では０．１４ｄＢであり、実施の形態１の光モジュール１００では０．１０ｄＢである。以上からトラッキングエラーが０．０４ｄＢ改善されることが分かる。
【００２５】
集光点の位置の変化量Δｚが発生することで生じるトラッキングエラー改善量を見積もると、０．０８ｄＢである。この値は、条件をΔＴ＝７０℃、α＝１０．４×１０−６（１／Ｋ）、Ｍ＝３．５、従来の光モジュール５０ではＬ２＝３．７ｍｍ、実施の形態１の光モジュール１００ではＬ２＝３．３ｍｍとして見積もった。これらの条件では式（２）から、従来の光モジュール５０がΔｚ＝３３．０ｕｍ、実施の形態１の光モジュール１００がΔｚ＝２９．４ｕｍと計算される。これらの値から図６を利用してトラッキングエラーを求めると、従来の光モジュール５０では０．５５ｄＢであり、実施の形態１の光モジュール１００では０．４３ｄＢである。以上からトラッキングエラーが０．１２ｄＢ改善されることが分かる。
【００２６】
上記２つのトラッキングエラー改善量を合わせると、従来の光モジュール５０に対して実施の形態１の光モジュール１００では０．１６ｄＢの改善量となる。
【００２７】
実施の形態２．
この発明の実施の形態２の光モジュールについて述べる。ここでは実施の形態１の光モジュールとの違いに主眼を置いて説明する。
【００２８】
（構成）
図７は実施の形態２の光モジュール２００の断面図である。図７（ａ）は光モジュール２００をｘ軸方向から見た断面図であり、図７（ｂ）はｙ軸方向から見た断面図である。図８は実施の形態２の光モジュール２００のキャリア２０３の斜視図である。実施の形態２の光モジュール２００ではキャリア２０３に凹部２０３ｂが設けられており、受光素子２は受光素子固定面２ａで凹部２０３ｂに固定されている。
【００２９】
（発明の効果）
実施の形態２の光モジュール２００では受光素子２が凹部２０３ｂに固定されている。そのため受光面２ｂは、実施の形態１の光モジュール１００よりもさらに受光素子固定面２ａに近い位置に配置されている。したがって実施の形態１の光モジュール１００に比べて、発光素子１の後面１ｃから出射され、反射面２０３ａで反射される背面光を、受光素子２が受光する量が増える。
【００３０】
さらに、必要な受光量を確保しやすくなるため、受光素子２の実装公差を緩めることができる。
【００３１】
実施の形態３．
この発明の実施の形態３の光モジュールについて述べる。ここでは実施の形態１の光モジュールとの違いに主眼を置いて説明する。
【００３２】
（構成）
図９は実施の形態３の光モジュール３００の断面図である。図９（ａ）は光モジュール３００をｘ軸方向から見た断面図であり、図９（ｂ）はｙ軸方向から見た断面図である。実施の形態３の光モジュール３００では受光素子３０２の受光面３０２ｂが、キャリア３に設けられた反射面３ａに対向している。
【００３３】
（発明の効果）
実施の形態３の光モジュール３００では受光素子３０２の受光面３０２ｂが反射面３ａに対向している。したがって実施の形態１の光モジュール１００に比べて、発光素子１の後面１ｃから出射され、反射面３ａで反射される背面光を、受光素子３０２が受光する量が増える。
【００３４】
さらに、必要な受光量を確保しやすくなるため、受光素子３０２の実装公差を緩めることができる。
【００３５】
実施の形態４．
この発明の実施の形態４の光モジュールについて述べる。ここでは実施の形態１の光モジュールとの違いに主眼を置いて説明する。
【００３６】
（構成）
図１０は実施の形態４の光モジュール４００の断面図である。図１０（ａ）は光モジュール４００をｘ軸方向から見た断面図であり、図１０（ｂ）はｙ軸方向から見た断面図である。実施の形態４の光モジュール４００ではキャリア４０３に設けられた反射面４０３ａが、レンズの光軸６ａに対して、発光素子固定面１ａに垂直な方向であるｙ軸方向から見て傾いている。その傾きの方向は、後面１ｃに対して垂直に出射された背面光を、受光素子２の受光面２ｂの方に反射するように決められている。図１０（ｂ）には一点鎖線で、発光素子１から後面１ｃに対して垂直に出射された背面光が、反射面４０３ａで反射されて、受光面２ｂの方に向かう様子が示されている。
【００３７】
（発明の効果）
一般に発光素子１から出射される背面光の強度は、後面１ｃに対して垂直な方向が最も高い。上述したように実施の形態４の光モジュール４００では、発光素子１の後面１ｃに対して垂直に出射された背面光が受光面２ｂの方に反射される。したがって実施の形態４の光モジュール４００では、実施の形態１の光モジュール１００に比べて、発光素子１の後面１ｃから出射され、反射面４０３ａで反射される背面光を、受光素子２が受光する量が増える。
【００３８】
さらに、必要な受光量を確保しやすくなるため、受光素子２の実装公差を緩めることができる。
【００３９】
また一般に背面光が、信号光を外部に伝達するための光ファイバと結合すると、信号光の品質が劣化する。特に発光素子１が電界吸収型変調器を集積した半導体レーザの場合、背面光は連続光であるため、さらに信号光の品質が劣化する。実施の形態４の光モジュール４００では、後面１ｃに対して垂直に出射された背面光は、反射面４０３ａで斜めに反射される。そのため後面１ｃに対して垂直に出射された背面光が、光ファイバと結合しにくい。したがって実施の形態１の光モジュール１００に比べて、信号光の品質劣化が起こりにくい。
【００４０】
なお実施の形態４の光モジュール４００に適用した発明は、実施の形態１〜３にも適用可能である。
【００４１】
実施の形態５．
この発明の実施の形態５の光モジュールについて述べる。ここでは実施の形態１の光モジュールとの違いに主眼を置いて説明する。
【００４２】
（構成）
図１１は実施の形態５の光モジュール５００の断面図である。図１１（ａ）は光モジュール５００をｘ軸方向から見た断面図であり、図１１（ｂ）はｙ軸方向から見た断面図である。実施の形態５の光モジュール５００では発光素子１が、レンズの光軸６ａに対して、発光素子固定面１ａに垂直な方向であるｙ軸方向から見て傾いている。その傾きの方向は、後面１ｃに対して垂直に出射された背面光を、キャリア３に設けられた反射面３ａが、受光面２ｂの方に反射するように決められている。図１１（ｂ）には一点鎖線で、発光素子１から後面１ｃに対して垂直に出射された背面光が、反射面３ａで反射されて、受光面２ｂの方に向かう様子が示されている。
【００４３】
（発明の効果）
実施の形態５の光モジュール５００では、実施の形態４の光モジュール４００と同様の理由で、実施の形態１の光モジュール１００に比べて、発光素子１の後面１ｃから出射され、反射面３ａで反射される背面光を、受光素子２が受光する量が増える。
【００４４】
さらに、必要な受光量を確保しやすくなるため、受光素子２の実装公差を緩めることができる。また信号光の品質劣化が起こりにくい。
【００４５】
なお実施の形態５の光モジュール５００に適用した発明は、実施の形態１〜３にも適用可能である。
【００４６】
実施の形態６．
この発明の実施の形態６の光モジュールについて述べる。ここでは実施の形態１の光モジュールとの違いに主眼を置いて説明する。
【００４７】
（構成）
図１２は実施の形態６の光モジュール６００の断面図である。図１２（ａ）は光モジュール６００をｘ軸方向から見た断面図であり、図１２（ｂ）はｙ軸方向から見た断面図である。実施の形態６の光モジュール６００では発光素子１が、発光素子固定面１ａに垂直な方向であるｙ軸方向から見て、レンズの光軸６ａからずれて配置されている。発光素子１から出射された信号光はレンズ６で集光され、その集光された信号光は光ファイバ１０で外部に導かれる。光ファイバ１０に入射する信号光の光軸は、図１２に示したように、ｙ軸方向から見て、光ファイバ１０の端面に対して斜めになっている。
【００４８】
（発明の効果）
一般に信号光が信号光出射点に戻ると、信号光の品質が劣化する。実施の形態６の光モジュール６００では信号光の光軸が、光ファイバの端面に対して斜めである。したがって光ファイバの端面で反射される信号光が発光素子１の信号光出射点に戻りにくい。そのため信号光の品質劣化が起こりにくい。
【００４９】
さらに受光素子６０２の受光面６０２ｂの面積を大きくできる。なぜならこの光モジュール６００では、発光素子１がレンズの光軸６ａからずれているため、キャリア３の上にスペースが空く。そしてその空いたスペースを利用して、受光面６０２ｂの面積が大きい受光素子６０２を配置できるからである。
【００５０】
なお実施の形態６の光モジュール６００では光ファイバの端面が斜め研磨されているのが好ましい。図１３に、端面が斜め研磨された光ファイバ６１０を配置した実施の形態６の光モジュール６００の、ｙ軸方向から見た断面図を示す。この場合、信号光の光ファイバ６１０への結合効率がスネルの法則に従って最適になるように、発光素子１の角度を調節して配置するのが好ましい。
【００５１】
なお実施の形態６の光モジュール６００に適用した発明は、実施の形態１〜５にも適用可能である。
【符号の説明】
【００５２】
１  発光素子
２  受光素子
３  キャリア
４  温度制御モジュール
５  レンズキャップ
６  レンズ
７  ステム
８  リードピン
９  ワイヤ
１０  光ファイバ
１００  光モジュール
【図１】
0006578976.tif 000002
【図２】
0006578976.tif 000003
【図３】
0006578976.tif 000004
【図４】
0006578976.tif 000005
【図５】
0006578976.tif 000006
【図６】
0006578976.tif 000007
【図７】
0006578976.tif 000008
【図８】
0006578976.tif 000009
【図９】
0006578976.tif 000010
【図１０】
0006578976.tif 000011
【図１１】
0006578976.tif 000012
【図１２】
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【図１３】
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