(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の第一領域及びそれぞれの前記第一領域を囲む形状の第二領域を有する基体を用意し、前記第二領域を避けて前記複数の第一領域に樹脂層を形成する工程と、
前記第二領域に、前記樹脂層よりも防湿性の高い埋め込み層を形成し、前記埋め込み層の第１部分を前記樹脂層の上面に直接的に配置し、前記埋め込み層の第２部分を前記樹脂層の周縁を囲むように配置する工程と、
前記樹脂層及び前記埋め込み層の上に、画像を構成する複数の単位画素それぞれで輝度が制御されて発光する自発光素子層を含む機能層を形成する工程と、
前記樹脂層を前記複数の第一領域にそれぞれ対応して複数の部分に分離するように、前記第二領域を通るラインで、前記埋め込み層及び前記機能層を切断する工程と、を含み、
前記第１部分は、前記樹脂層の内側に向けて、厚みが徐々に減っていくように形成し、
前記第２部分は、前記樹脂層の前記周縁に向けて、厚みが徐々に減っていくように形成することを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項２】
前記埋め込み層及び前記機能層を切断する工程では、前記埋め込み層及び前記機能層とともに、前記基体を切断する、ことを特徴とする請求項１に記載の表示装置の製造方法。
【請求項３】
前記埋め込み層及び前記機能層を切断する工程後に、切断された前記基体を前記樹脂層から剥離する工程を更に含む、ことを特徴とする前記請求項２に記載の表示装置の製造方法。
【請求項４】
前記第一領域に樹脂層を形成する工程は、
用意した前記基体の、前記複数の第一領域及び前記第二領域に前記樹脂層を形成する工程と、前記複数の第一領域及び前記第二領域に形成された前記樹脂層のうち、前記第二領域に形成された前記樹脂層を前記基体から除去する工程と、を含む、ことを特徴とする請求項１乃至３いずれか一項に記載の表示装置の製造方法。
【請求項５】
前記埋め込み層及び機能層を切断する工程前に、前記機能層の前記基体と対向する側とは反対側に対向基板を貼り合わせる工程を更に含み、
前記埋め込み層及び前記機能層を切断する工程は、前記埋め込み層及び前記機能層とともに、前記対向基板を切断する、ことを特徴とする請求項１乃至４いずれか一項に記載の表示装置の製造方法。
【請求項６】
前記対向基板を貼り合わせる工程は、
前記対向基板及び前記機能層の少なくとも一方に、前記複数の第一領域に対応する領域をそれぞれ囲むように、シール材を設ける工程と、
前記シール材に囲まれた複数の領域にそれぞれ充填材を設ける工程と、
前記シール材及び前記充填材を介して、前記対向基板を前記機能層に貼り合わせる工程と、を含む、ことを特徴とする請求項５に記載の表示装置の製造方法。
【請求項７】
前記対向基板を貼り合わせる工程は、
前記埋め込み層及び前記機能層を切断するライン上にスペーサを設ける工程を更に含む、ことを特徴とする請求項６に記載の表示装置の製造方法。
【請求項８】
前記対向基板は、第二樹脂層と、前記第二樹脂層の周囲を囲み且つ前記第二樹脂層よりも防湿性の高い第二埋め込み層を有し、
前記対向基板を貼り合わせる工程で、前記第二埋め込み層が前記第二領域に対応する位置にあるように、前記対向基板を貼り合わせる、ことを特徴とする請求項５乃至７いずれか一項に記載の表示装置の製造方法。
【請求項９】
第一樹脂層と、
前記第一樹脂層の上面に直接的に載る第１部分と前記第一樹脂層の周縁を囲む第２部分を有するように設けられた第一枠体と、
前記第一樹脂層の上面及び前記第一枠体の上面に積層され、画像を構成する複数の単位画素それぞれで輝度が制御されて発光する自発光素子層を含む機能層と、
を含み、
前記第１部分の厚みは、前記第一樹脂層の内側に向けて徐々に減っていき、
前記第２部分の厚みは、前記第一樹脂層の前記周縁に向けて徐々に減っていくことを特徴とする表示装置。
【請求項１０】
前記第一樹脂層の前記機能層が配置される側とは反対側に配置される保護膜を更に含む、ことを特徴とする請求項９の表示装置。
【請求項１１】
前記機能層は、薄膜トランジスタ層と、前記薄膜トランジスタ層の前記第一樹脂層と対向する側とは反対側に形成された前記自発光素子層と、前記薄膜トランジスタ層と前記第一樹脂層との間に備えられる第一バリア層と、前記自発光素子層の前記薄膜トランジスタ層と対向する側とは反対側に形成された第二バリア層と、を含み、
前記第二バリア層は更に、前記薄膜トランジスタ層の側面と、前記自発光素子層の端面とを取り囲むように配置される、ことを特徴とする請求項９又は１０に記載の表示装置。
【請求項１２】
前記機能層の前記第一樹脂層と対向する側とは反対側に配置される対向基板を更に含む、ことを特徴とする請求項９乃至１１いずれか一項に記載の表示装置。
【請求項１３】
前記第二バリア層と前記対向基板とは、充填材と、平面視において前記充填材の周囲を取り囲むように配置されたシール材と、を介して互いに貼り合わせがされている、ことを特徴とする請求項１２に記載の表示装置。
【請求項１４】
前記第一バリア層と前記第二バリア層とは、前記シール材と前記第一枠体とに挟持される、ことを特徴とする請求項１３に記載の表示装置。
【請求項１５】
前記シール材の前記充填材と対向する側とは反対側であって、前記第二バリア層と前記対向基板との間に配置されるスペーサを更に含む、ことを特徴とする請求項１４に記載の表示装置。
【請求項１６】
前記対向基板は、第二樹脂層と、前記第二樹脂層の側面部に前記第二樹脂層の周囲を囲むように設けられた第二枠体を有し、
前記第二枠体は、平面視において前記第一枠体と前記シール材と少なくとも一部が重なるように配置される、ことを特徴とする請求項１３乃至１５いずれか一項に記載の表示装置。
【請求項１７】
前記第一枠体の厚さは、前記第一樹脂層の厚さよりも大きい、ことを特徴とする請求項９乃至１６いずれか一項に記載の表示装置。
【請求項１８】
前記第一枠体は、平面視において前記第一樹脂層の周囲に備えられるとともに、前記第一樹脂層の前記上面の全体を覆うように備えられている、ことを特徴とする請求項９乃至１７いずれか一項に記載の表示装置。
【請求項１９】
前記第一枠体は、第一無機絶縁膜と、前記第一無機絶縁膜と接する第二無機絶縁膜とを有し、
前記第一無機絶縁膜は、前記第一樹脂層の前記上面と側面部とに接し、
前記第二無機絶縁膜は、前記第一無機絶縁膜を介して、前記第一樹脂層の前記側面部と対向することを特徴とする請求項９乃至１７のいずれか一項に記載の表示装置。
【請求項２０】
前記第一無機絶縁膜は、平面視において前記第一樹脂層の前記上面の全体を覆うことを特徴とする請求項１９に記載の表示装置。
【請求項２１】
前記埋め込み層は、第一無機絶縁膜と、前記第一無機絶縁膜と接する第二無機絶縁膜とを有し、
前記第一無機絶縁膜は、前記樹脂層の前記上面と側面部とに接し、
前記第二無機絶縁膜は、前記第一無機絶縁膜を介して、前記樹脂層の前記側面部と対向することを特徴とする請求項１乃至８のいずれか一項に記載の表示装置の製造方法。
【請求項２２】
前記埋め込み層は、平面視において前記樹脂層の前記上面の全体を覆うことを特徴とする請求項１乃至８のいずれか一項に記載の表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
コンピュータや携帯電話など情報通信端末等の表示デバイスとして、一対の基板を有する表示装置が広く用いられている。このような表示装置として、近年、可撓性を有する表示装置が開発されている。このような表示装置は、可撓性を有する樹脂基板上に薄膜トランジスタが形成されたＴＦＴ（thin film transistor）基板や、樹脂基板上にカラーフィルタが形成されたカラーフィルタ基板が用いられる。
【０００３】
可撓性を有する表示装置の製造方法として、ＴＦＴ母基板と対向母基板を貼り合わせた後に、ＴＦＴ基板と対向基板を表示領域毎に切断する方法が特許文献１に開示されている。
【０００４】
さらに、ポリイミドの対向基板にブラックマトリクスと一体化した部材が対向基板の周囲を覆う構造が特許文献２に開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００６−１８５６７９号公報
【特許文献２】特開２０１４−１４９５１７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
中小型の表示装置を製造する方法として、大判の多面取りパネルを分割して所望のサイズの表示装置を得る方法が知られている。多面取りパネルは、ガラス基板等で形成される基体上に、中小型の表示装置を複数形成した後、該基体をスクライブ（例えば、金属等の針を用いて刻みをつける、あるいはレーザー光線をして刻みをつける）し、ブレイク（スクライブした刻みに沿って分断）することで複数の表示装置を得ることが可能となる。
【０００７】
フレキシブルな表示装置を上記の方法によって製造する場合、基体にフレキシブルな樹脂膜が形成されたものを分断することによって、製造される表示装置の側面には該樹脂膜の側面の断面が外部に晒されることとなる。
【０００８】
ここで、樹脂膜は水分バリア性が乏しいものであるため、外部の水分が樹脂膜を通じて表示装置内部に入り込む虞がある。仮に表示装置内部に水分が入り込むと、表示不良等を引き起こすため、表示装置の信頼性を低下させることとなる。
【０００９】
本発明の目的は、水分バリア性を高め、これによって信頼性が向上された表示装置、及び該表示装置の製造方法を提供することにある。
【００１０】
また、本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面によって明らかにする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明における表示装置の製造方法は、複数の第一領域及びそれぞれの前記第一領域を囲む形状の第二領域を有する基体を用意し、前記第二領域を避けて前記複数の第一領域に樹脂層を形成する工程と、前記第二領域に、前記樹脂層よりも防湿性の高い埋め込み層を形成する工程と、前記樹脂層及び前記埋め込み層の上に、画像を構成する複数の単位画素それぞれで輝度が制御されて発光する自発光素子層を含む機能層を形成する工程と、前記樹脂層を前記複数の第一領域にそれぞれ対応して複数の部分に分離するように、前記第二領域を通るラインで、前記埋め込み層及び前記機能層を切断する工程と、を含むことを特徴とする。
【００１２】
また、本発明における表示装置は、第一樹脂層と、前記第一樹脂層の周囲に、前記第一樹脂層の上面に載る部分を有するように設けられた第一枠体と、前記第一樹脂層の上面及び前記第一枠体の上面に積層され、画像を構成する複数の単位画素それぞれで輝度が制御されて発光する自発光素子層を含む機能層と、を含むことを特徴とする。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の第一実施形態に係る表示装置を模式的に示す平面図である。
【図２】図１の切断線ＩＩ‐ＩＩにおける断面を示す図であり、第一実施形態に係る表示装置の構成を示す図である。
【図３】図２の破線ＩＩＩによって囲まれる領域を拡大して示す図である。
【図４】第二実施形態に係る表示装置の構成を示す断面図である。
【図５】第一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するフローチャートである。
【図６Ａ】第一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する図であり、第一基体に第一樹脂層を積層した状態を示す図である。
【図６Ｂ】第一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する図であり、第一樹脂層の一部を除去した状態を示す図である。
【図６Ｃ】第一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する図であり、第一埋め込み層を形成した状態を示す図である。
【図６Ｄ】第一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する図であり、自発光素子層を含む第一機能層を形成した状態を示す図である。
【図６Ｅ】第一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する図であり、第二基体に第二樹脂層を積層した状態を示す図である。
【図６Ｆ】第一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する図であり、第二樹脂層の一部を除去した後、第二埋め込み層を形成した状態を示す図である。
【図６Ｇ】第一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する図であり、カラーフィルタ層を含む第二機能層を形成した状態を示す図である。
【図６Ｈ】第一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する図であり、図６Ｄに示される第一基板と、図６Ｇに示される第二基板とを貼り合せた状態を示す図である。
【図６Ｉ】第一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する図であり、多面取りパネルを表示装置に相当する単位ごとに切断した状態を示す図である。
【図６Ｊ】第一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する図であり、第一、第二基体を剥離した状態を示す図である。
【図６Ｋ】第一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する図であり、保護フィルムを取りつけ第一実施形態に係る表示装置が完成した状態を示す図である。
【図７】第三実施形態に係る表示装置の構成を示す断面図である。
【図８】第四実施形態に係る表示装置の構成を示す断面図である。
【図９Ａ】第三実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する図であり、第一基体に第一樹脂層を積層した状態を示す図である。
【図９Ｂ】第三実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する図であり、第一樹脂層の一部を除去した状態を示す図である。
【図９Ｃ】第三実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する図であり、第一埋め込み層を形成した状態を示す図である。
【図９Ｄ】第三実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する図であり、自発光素子層を含む第一機能層を形成した状態を示す図である。
【図９Ｅ】第三実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する図であり、第二基体に第二樹脂層を積層した状態を示す図である。
【図９Ｆ】第三実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する図であり、第二樹脂層の一部を除去した後、第二埋め込み層を形成した状態を示す図である。
【図９Ｇ】第三実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する図であり、カラーフィルタ層を含む第二機能層を形成した状態を示す図である。
【図９Ｈ】第三実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する図であり、図９Ｄに示される第一基板と、図９Ｇに示される第二基板とを貼り合せた状態を示す図である。
【図９Ｉ】第三実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する図であり、多面取りパネルを表示装置に相当する単位ごとに切断した状態を示す図である。
【図９Ｊ】第三実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する図であり、第一、第二基体を剥離した状態を示す図である。
【図９Ｋ】第三実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する図であり、保護フィルムを取りつけ第三実施形態に係る表示装置が完成した状態を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
［第一実施形態に係る表示装置］
はじめに、本発明の第一実施形態に係る表示装置の概略について、図１〜３を参照して説明する。
【００１５】
図１は、本発明の第一実施形態に係る表示装置を模式的に示す平面図である。また、図２は、図１の切断線ＩＩ‐ＩＩにおける断面を示す図であり、第一実施形態に係る表示装置の構成を示す図である。図３は、図２の破線ＩＩＩによって囲まれる領域を拡大して示す図である。
【００１６】
本発明の第一実施形態に係る表示装置１０は、自発光素子層１３２等を含んで構成される機能層を備える第一基板１００と、対向基板である第二基板２００とを有するものである。
【００１７】
はじめに、第一基板１００の構成について説明する。第一基板１００は、フレキシブルな樹脂で形成された第一樹脂層１１０と、第一樹脂層１１０上に形成された第一機能層１３０とを含んで構成されている。
【００１８】
第一樹脂層１１０は、柔軟性に優れ可撓性を有する材料によって形成され、例えば、ポリイミド、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）によって形成されることとしてもよい。
【００１９】
また、第一樹脂層１１０の下面側（後述する薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）層１３１と対向する側とは反対側）には、外部からの水分を遮断する第一保護フィルム１４０が取りつけられていることとしてもよい。第一保護フィルム１４０は、例えば、ポリエチレンフィルム、アルミフィルム等で実現されることとしてもよい。
【００２０】
また、図２に示されるように、第一樹脂層１１０の側面部には、第一樹脂層１１０の上面（後述するＴＦＴ層１３１と対向する側の面）に載る部分を有するように設けられた第一枠体１２０が備えられている。また、図１に示されるように、第一枠体１２０は第一樹脂層１１０の周囲に備えられる。
【００２１】
また、第一枠体１２０を第一樹脂層１１０の上面に載るように設けるために、第一枠体１２０の厚さは、第一樹脂層１１０の厚さよりも大きいものとすることとしてもよい。
【００２２】
なお、後に詳しく説明するが、表示装置１０に備えられる第一枠体１２０は、その製造方法において第一樹脂層１１０の周囲に埋め込まれるように形成されるものである。したがって、第一枠体１２０を後の説明においては、以後、第一埋め込み層１２０と呼ぶこととする。
【００２３】
図３に示されるように、第一埋め込み層１２０は、第一樹脂層１１０の周囲に埋め込まれるように形成されることによって、第一樹脂層１１０の上面に載る部分を有するように設けられることとなる。
【００２４】
また、第一埋め込み層１２０を形成する材料の防湿性は、第一樹脂層１１０を形成する材料よりも防湿性が高いものである。すなわち、第一埋め込み層１２０の防湿性は、第一樹脂層１１０の防湿性よりも高いものである。
【００２５】
また、第一埋め込み層１２０は無機材料によって形成されることとしてもよい。第一樹脂層１１０は、前述のようにポリイミド等の有機樹脂によって形成される。有機樹脂は、無機材料と比較して水との親和性が高いため、外部の水蒸気等に起因する水分を取り込みやすいため防湿性が低いものである。
【００２６】
仮に第一樹脂層１１０を経由して外部の水分が表示装置１０の内部に侵入した場合、自発光素子層１３２等に悪影響を及ぼし、表示不良等を引き起こす虞がある。
【００２７】
表示装置１０に備えられる第一埋め込み層１２０は、外部からの水分が表示装置１０内部に侵入することを抑制するために、第一樹脂層１１０の外表面を覆うように形成される。そして第一埋め込み層１２０が、第一樹脂層１１０の上面の一部まで覆うように備えられることによって、表示装置１０内部への水分の侵入を更に抑制することとなる。
【００２８】
第一機能層１３０は、図２に示されるようにＴＦＴ層１３１と、ＴＦＴ層１３１の第一樹脂層１１０と対向する側とは反対側に形成された自発光素子層１３２と、ＴＦＴ層１３１と第一樹脂層１１０との間に備えられる第一バリア層１３３と、自発光素子層１３２のＴＦＴ層１３１と対向する側とは反対側に形成された第二バリア層１３４と、を含むこととしてもよい。
【００２９】
そして、図２に示されるように第二バリア層１３４は、ＴＦＴ層１３１の側面と、自発光素子層１３２の端面とを取り囲むように配置されることとしてもよい。  第一機能層１３０の一部を構成する第一バリア層１３３及び第二バリア層１３４は、第一機能層１３０の内部を、外部からの腐食性ガス、水分、金属イオン等の汚染から保護するものである。
【００３０】
第一バリア層１３３及び第二バリア層１３４は、例えば、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２等の金属酸化物、ＳｉＮ等の金属窒化物等によって形成されることとしてもよい。また、第一バリア層１３３及び第二バリア層１３４は、例えばＣＶＤ（chemical vapor deposition）法、ＰＶＤ法（physical vapor deposition）、ＡＬＤ（atomic layer deposition）法を用いて形成されることとしてもよい。
【００３１】
また、第一機能層１３０の一部を構成するＴＦＴ層１３１は、第一樹脂層１１０上に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を有する画素がマトリクス状に配置されたものである。
【００３２】
ＴＦＴ層１３１の一部を構成する、ＴＦＴは、ポリシリコンなどの半導体膜と、半導体膜を覆うゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜を介して半導体膜の上方に配置されたゲート電極と、ゲート絶縁膜を貫通して半導体膜に電気的に接続するソース電極及びドレイン電極と、を含むこととしてもよい。また、ＴＦＴ層１３１を構成する複数のＴＦＴを制御するための、制御回路（図示なし）が、例えば前述の第一樹脂層１１０上に配置されることとしてもよい。
【００３３】
また、第一機能層１３０の一部を構成する自発光素子層１３２は、画像を構成する複数の単位画素それぞれで輝度が制御されて発光するように設けらる。自発光素子層１３２は、共通電極１３２Ｂと、共通電極１３２ＢとＴＦＴ層１３１との間にある複数の画素電極１３２Ａと、共通電極１３２Ｂと複数の画素電極１３２Ａとの間に介在する発光層１３２Ｃと、を含むものである。
【００３４】
共通電極１３２Ｂは、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide、インジウムスズ酸化物）やＩＺＯ（Indium Zinc Oxide、インジウム亜鉛酸化物）等の透明金属による導電膜で形成されることとしてもよい。
【００３５】
また本明細書中における発光層１３２Ｃは、有機発光層であることとしてもよいし、ＱＬＥＤ（Quantum-dot Light Emitting Diode）等に代表される無機発光層であることとしてもよい。、また、有機発光層は、電子輸送層、ホール輸送層、電子注入層、ホール注入層等を含むこととしてもよい。
【００３６】
第一実施形態に係る表示装置１０における発光層１３２Ｃは、単色（白色）の光を発する材料で、複数の画素電極１３２Ａに対して連続的に設けられている。他の態様として、発光層１３２Ｃは、それぞれの画素電極１３２Ａに対して、複数色（例えば、Ｒ（赤色）、Ｇ（緑色）、Ｂ（青色）の３色）の発光部に分割されて設けられることとしてもよい。
【００３７】
次に、第二基板２００の構成について説明する。第二基板２００は、フレキシブルな樹脂で形成された第二樹脂層２１０と、第二樹脂層２１０上に形成された第二機能層２３０とを含んで構成されている。
【００３８】
第二樹脂層２１０は、柔軟性に優れ可撓性を有する材料によって形成され、例えば、ポリイミド、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）によって形成されることとしてもよい。
【００３９】
また、第二樹脂層２１０の上面側（後述するカラーフィルタ層２３１と対向する側とは反対側）には、外部からの物理的な損傷等を抑制する第二保護フィルム（図示なし）が取りつけられていることとしてもよい。第二保護フィルムは、例えば、ポリエチレンフィルム等で実現されることとしてもよい。
【００４０】
また、第二樹脂層２１０の側面部には、第二樹脂層２１０の周囲を囲むように設けられた第二枠体２２０が備えられていることとしてもよい。また、第二枠体２２０は、平面視において第一枠体１２０と後述するシール材３００と少なくとも一部が重なるように配置されることとしてもよい。
【００４１】
なお、後に詳しく説明するが、第二樹脂層２１０の周囲を囲むように設けられる第二枠体２２０は、その製造方法において第二樹脂層２１０の周囲に埋め込まれるように形成されるものである。したがって、第二枠体２２０を後の説明においては、以後、第二埋め込み層２２０と呼ぶこととする。
【００４２】
また、第二埋め込み層２２０を形成する材料の防湿性は、第二樹脂層２１０を形成する材料よりも防湿性が高いものであることとしてもよい。
【００４３】
また、第二埋め込み層２２０は無機材料によって形成されることとしてもよい。第二樹脂層２１０は、前述のようにポリイミド等の有機樹脂によって形成される。仮に第二樹脂層２１０を経由して外部の水分が第二基板２００の内部に侵入した場合、第二基板２００内部に曇りが発生する等の理由により表示不良等を引き起こす虞がある。
【００４４】
表示装置１０に備えられる第二埋め込み層２２０は、外部からの水分が表示装置１０内部に侵入することを抑制するために、第二樹脂層２１０の側端面を覆うように形成されるものである。
【００４５】
第二機能層２３０は、図２に示されるように、カラーフィルタ層２３１と、カラーフィルタ層２３１の第二樹脂層２１０と対向する側とは反対側に形成された第三バリア層２３２と、を含むこととしてもよい。
【００４６】
第二機能層２３０の一部を構成するカラーフィルタ層２３１は、図２に示されるようにＲ（赤色）、Ｇ（緑色）、Ｂ（青色）の着色層２３１Ｒ，２３１Ｇ，２３１Ｂを含んで構成されていることとしてもよい。前述の自発光素子層１３２から発せられる光が単色（白色）である場合、自発光素子層１３２から発せられる光（白色）は、各色の着色層２３１Ｒ，２３１Ｇ，２３１Ｂを通過することによって、Ｒ（赤色）、Ｇ（緑色）、Ｂ（青色）それぞれの色として外部にて視認されることとなる。
【００４７】
カラーフィルタ層２３１に含まれる着色層２３１Ｒ，２３１Ｇ，２３１Ｂのそれぞれは、樹脂内にＲ（赤色）、Ｇ（緑色）、Ｂ（青色）それぞれの色の顔料を内部に分散したものであることとしてもよい。
【００４８】
また、カラーフィルタ層２３１は、それぞれの色の領域を通過した光が隣接する他の色の領域に入り込むことを防ぐために、各色の着色層２３１Ｒ，２３１Ｇ，２３１Ｂの間にブラックマトリクス２３１Ｋを備えることとしてもよい。また、ブラックマトリクス２３１Ｋは、樹脂内に黒色の顔料を内部に分散したものであることとしてもよい。
【００４９】
なお、第一機能層１３０の一部を構成する発光層１３２Ｃが、複数色（例えば、Ｒ（赤色）、Ｇ（緑色）、Ｂ（青色）の３色）の発光部に分割されて設けられる、所謂塗り分け方式の発光層１３２Ｃである場合、第二機能層２３０はカラーフィルタ層２３１を含まないこととしてもよい。
【００５０】
第二機能層２３０の一部を構成する第三バリア層２３２は、第二機能層２３０の内部を、外部からの腐食性ガス、水分、金属イオン等の汚染から保護するものである。第三バリア層２３２は、例えば、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２等の金属酸化物、ＳｉＮ等の金属窒化物等によって形成されることとしてもよい。また、第三バリア層２３２は、例えばＣＶＤ法、ＰＶＤ法、ＡＬＤ法を用いて形成されることとしてもよい。
【００５１】
第一実施形態に係る表示装置１０は、上記説明した第一基板１００と、対向基板である第二基板２００とは、シール材３００（ダム材ともいう）及び／又は充填材４００（フィル材ともいう）を介して互いに貼り合わせがされていることとしてもよい。
【００５２】
図２に示されるように、第一実施形態に係る表示装置１０は、第一基板１００の一部を構成する第二バリア層１３４と、第二基板２００とが、充填材４００と、平面視において充填材４００の周囲を取り囲むように配置されたシール材３００と、を介して互いに貼り合わせがされている。
【００５３】
また、図２に示されるように、上述のように第一基板１００と第二基板２００とが貼り合わせされることによって、第一バリア層１３３と第二バリア層１３４とは、シール材３００と第一埋め込み層１２０とに挟持されることとなる。
【００５４】
充填材４００は、例えば光硬化樹脂等であることとしてもよい。充填材４００が光硬化樹脂によって形成される場合、充填材４００が配置される領域の周縁にシール材３００を設け、シール材３００によって囲まれる領域に、硬化前の光硬化樹脂を流し込み、その後光硬化することによって、第一基板１００と第二基板２００の貼り合せが行われることとしてもよい。
【００５５】
また、第一基板１００と、対向基板である第二基板２００との間には、両基板の間隔を均一なものとするために、スペーサ３５０が備えられることとしてもよい。スペーサ３５０は、シール材３００の外側領域のみに備えられることとしてもよい。また、スペーサ３５０は、第一基板１００の端部と第二基板２００の端部の間を埋めるように備えられることとしてもよい。
【００５６】
図２に示されるように、第一実施形態に係る表示装置１０には、シール材３００の充填材４００と対向する側とは反対側であって、第二バリア層１３４と第二基板２００との間に配置されるスペーサ３５０が備えられている。
【００５７】
［第二実施形態に係る表示装置］
以下に、本発明の第二実施形態に係る表示装置２０について、図４を参照して説明する。図４は、第二実施形態に係る表示装置の構成を示す断面図である。
【００５８】
第二実施形態に係る表示装置２０は、第一埋め込み層１２０の形状が、第一実施形態に係る表示装置１０に備えられる第一埋め込み層１２０の形状と異なるものである。第二実施形態に係る表示装置２０のそれ以外の構成については、第一実施形態に係る表示装置１０と同様である。
【００５９】
第二実施形態に係る表示装置２０の一部を構成する第一埋め込み層１２０は、平面視において第一樹脂層１１０の周囲に備えられるとともに、第一樹脂層１１０の上面（ＴＦＴ層１３１と対向する側の面）の全体を覆うように備えられている。
【００６０】
第二実施形態に係る表示装置２０の第一埋め込み層１２０が、第一樹脂層１１０の周囲と上面の全面を覆うように備えられることによって、第一実施形態に係る表示装置１０と比較して、表示装置２０内部への水分の侵入を更に抑制することとなる。
【００６１】
［第一実施形態に係る表示装置の製造方法］
次に、第一実施形態に係る表示装置の製造方法について説明する。図５は、第一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するフローチャートである。
【００６２】
図５に示されるように、第一実施形態に係る表示装置１０の製造方法は、第一基板形成工程Ｓ１と、第二基板形成工程Ｓ２と、を含むこととしてもよい。
【００６３】
第一基板形成工程Ｓ１は、複数の第一領域及びそれぞれの第一領域を囲む形状の第二領域を有する第一基体５００を用意し、第二領域を避けて複数の第一領域に第一樹脂層１１０を形成する工程（第一樹脂層形成工程Ｓ１１、及び、第一樹脂層一部除去工程Ｓ１２）と、第二領域に、第一樹脂層１１０よりも防湿性の高い第一埋め込み層１２０を形成する工程（第一埋め込み層形成工程Ｓ１３）と、第一樹脂層１１０及び第一埋め込み層１２０の上に、画像を構成する複数の単位画素それぞれで輝度が制御されて発光する自発光素子層１３２を含む第一機能層１３０を形成する工程（第一機能層形成工程Ｓ１４）と、を含むものである。
【００６４】
そして、第一実施形態に係る表示装置１０の製造方法は、第一樹脂層１１０を複数の第一領域にそれぞれ対応して複数の部分に分離するように、第二領域を通るラインで、第一埋め込み層１２０及び第一機能層１３０を切断する工程（切断工程Ｓ４）を含むものである。
【００６５】
なお、後に詳細に説明する切断工程Ｓ４において、第二領域を通るラインで、第一埋め込み層１２０及び第一機能層１３０を切断する切断線を、図６Ａ〜６Ｋにおいて符号ＳＬと示すこととする。
【００６６】
また、第二基板形成工程Ｓ２は、第二基体６００を用意し、第二基体６００上に第二樹脂層２１０を形成する工程（第二樹脂層形成工程Ｓ２１）と、第二樹脂層２１０よりも防湿性の高い第二埋め込み層２２０を形成する工程（第二埋め込み層形成工程Ｓ２２）と、第二樹脂層２１０及び第二埋め込み層２２０の上に、カラーフィルタ層２３１を含む第二機能層２３０を形成する工程（第二機能層形成工程Ｓ２３）と、を含むこととしてもよい。
【００６７】
以下、第一実施形態に係る表示装置１０の製造方法におけるそれぞれの工程について図６Ａ〜６Ｋを参照して説明する。
【００６８】
図６Ａは、第一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する図であり、第一基体に第一樹脂層を積層した状態を示す図である。
【００６９】
第一実施形態に係る表示装置の製造に際し、はじめに用意された第一基体５００に、フレキシブルな第一樹脂層１１０を形成する（第一樹脂層形成工程Ｓ１１）。第一樹脂層形成工程Ｓ１１は、複数の第１領域及びそれぞれの第一領域を囲む形状の第二領域を有する第一基体５００を用意し、複数の第一領域及び第二領域に第一樹脂層１１０を形成する工程である。
【００７０】
第一基体５００が有する第一領域Ａ１とは、後の工程において第一機能層１３０の一部を構成する自発光素子層１３２が形成される領域を含むものである。また、第二領域Ａ２とは、自発光素子層１３２が形成される領域の周囲を取り囲み、後の切断工程Ｓ４において切断する切断線ＳＬを該領域内に含むものである。
【００７１】
用意される第一基体５００は、無機材料によって形成されたものであることとしてもよい。具体的には、第一基体５００は、ガラス等によって形成されたものであることとしてもよい。
【００７２】
また、第一樹脂層１１０は例えば所定の樹脂を溶剤等に溶かした樹脂ワニスを第一基体５００上に塗布し、溶剤を揮発させることによって形成することとしてもよい。
【００７３】
後の工程において、第一基体５００は形成された第一樹脂層１１０と剥離されることとなる。したがって、第一基体５００は、第一樹脂層１１０との剥離の容易さ等を考慮した材料によって形成されることが好ましく、例えばガラス等の無機材料で形成されることとしてもよい。
【００７４】
ガラス等の無機材料で形成された第一基体５００は、有機材料によって形成される第一樹脂層１１０との親和性が弱いため、後の工程において容易に剥離可能となる。
【００７５】
図６Ｂは、第一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する図であり、第一樹脂層の一部を除去した状態を示す図である。
【００７６】
第一樹脂層一部除去工程Ｓ１２においては、第一樹脂層形成工程Ｓ１１にて形成された第一樹脂層１１０のうち、第二領域Ａ２に形成された第一樹脂層１１０の一部を除去する。すなわち、第一基体５００上には、複数の第一領域Ａ１に形成された第一樹脂層１１０のみが残ることとなる。
【００７７】
第一樹脂層一部除去工程Ｓ１２における第一樹脂層１１０の一部除去は、例えば所定のマスクを用いてパターニングすることによって実現されることとしてもよい。
【００７８】
また、第一樹脂層一部除去工程Ｓ１２における第一樹脂層１１０の一部除去は、例えばレーザー光線を用いた加工技術であるレーザーアブレーションを適用し実現することとしてもよい。レーザーアブレーションによる第一樹脂層１１０の一部除去は、マスクレスにて行うことが可能となるため、運用費の削減や、専用設備の導入の必要がなく、製造コストの低減が期待できる。
【００７９】
図６Ｃは、第一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する図であり、第一埋め込み層を形成した状態を示す図である。
【００８０】
第一樹脂層一部除去工程Ｓ１２によって第一樹脂層１１０の一部が除去されることによって、第一基体５００上には凹部１１０ＣＰが形成されていることとなる。第一埋め込み層形成工程Ｓ１３においては、該凹部１１０ＣＰを埋めるように第一埋め込み層１２０を形成する。
【００８１】
第一埋め込み層１２０を形成する材料の防湿性は、第一樹脂層１１０を形成する材料の防湿性よりも高いものである。例えば、第一埋め込み層１２０が防湿性に優れた無機材料によって形成される場合、第一埋め込み層１２０はＣＶＤ法、ＰＶＤ法、ＡＬＤ法を用いて形成されることとしてもよい。
【００８２】
このように、第一樹脂層１１０に予め形成された凹部を埋めるように、第一埋め込み層１２０を形成することによって、第一樹脂層１１０の上面に載る部分を有するように第一埋め込み層１２０を容易に形成することができる。
【００８３】
図６Ｄは、第一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する図であり、自発光素子層を含む第一機能層を形成した状態を示す図である。
【００８４】
第一機能層形成工程Ｓ１４においては、表示装置１０の表示機能を発揮するための第一機能層１３０を形成する。具体的には、本実施形態に係る表示装置１０の第一機能層１３０は、ＴＦＴ層１３１、自発光素子層１３２を含んで構成されている。
【００８５】
ＴＦＴ層１３１、自発光素子層１３２は、既知の半導体製造プロセス方法である写真蝕刻技術（ＰＥＰ技術、フォトリソグラフィ技術等）を用いて形成されることとしてもよい。
【００８６】
以上、図６Ａ〜６Ｄを参照して説明した工程を経て、第一基板形成工程Ｓ１が完了する。
【００８７】
次に、図６Ｅ〜６Ｇを参照して第二基板形成工程Ｓ２について説明する。第二基板形成工程Ｓ２は、先に説明した第一基板形成工程Ｓ１とは別工程で行われることとなる。
【００８８】
図６Ｅは、第一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する図であり、第二基体に第二樹脂層を積層した状態を示す図である。
【００８９】
第二基板形成工程Ｓ２においては、はじめに用意された第二基体６００に、フレキシブルな第二樹脂層２１０を形成する（第二樹脂層形成工程Ｓ２１）。第二樹脂層形成工程Ｓ２１においては、第二基体６００の一方側の面の全てを覆うように第二樹脂層２１０を形成することとしてもよい。
【００９０】
また、用意される第二基体６００は、無機材料によって形成されたものであることとしてもよい。具体的には、第二基体６００は、ガラス等によって形成されたものであることとしてもよい。
【００９１】
また、第二樹脂層２１０は例えば所定の樹脂を溶剤等に溶かした樹脂ワニスを第二基体６００上に塗布し、溶剤を揮発させることによって形成することとしてもよい。
【００９２】
後の工程において、第二基体６００は形成された第二樹脂層２１０と剥離されることとなる。したがって、第二基体６００は、第二樹脂層２１０との剥離の容易さ等を考慮した材料によって形成されることが好ましく、例えばガラス等の無機材料で形成されることとしてもよい。
【００９３】
ガラス等の無機材料で形成された第二基板２００は、有機材料によって形成される第二樹脂層２１０との親和性が弱いため、後の工程において容易に剥離可能となる。
【００９４】
図６Ｆは、第一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する図であり、第二樹脂層の一部を除去した後、第二埋め込み層を形成した状態を示す図である。
【００９５】
第二埋め込み層２２０は、形成された第二樹脂層２１０の一部を除去することによって形成された凹部２１０ＣＰに所定の材料を埋め込むことによって形成される。該凹部２１０ＣＰは、例えば、所定のマスクを用いてパターニングする方法や、レーザー光線を用いた加工技術であるレーザーアブレーションを適用した方法によって形成されることとしてもよい。
【００９６】
また、第二埋め込み層２２０を形成する材料の防湿性は、第二樹脂層２１０を形成する材料の防湿性よりも高いものであることとしてもよい。第二埋め込み層２２０が無機材料によって形成される場合、例えばＣＶＤ法、ＰＶＤ法，ＡＬＤ法を用いて形成されることとしてもよい。
【００９７】
図６Ｇは、第一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する図であり、カラーフィルタ層を含む第二機能層を形成した状態を示す図である。
【００９８】
カラーフィルタ層２３１は、既知の方法である写真蝕刻技術（ＰＥＰ技術、フォトリソグラフィ技術等）を用いて形成されることとしてもよい。
【００９９】
以上、図６Ｅ〜６Ｇを参照して説明した工程を経て、第二基板形成工程Ｓ２が完了する。
【０１００】
次に、図６Ｄに示される第一基板１００と、図６Ｇに示される第二基板２００とを貼り合せる（第一、第二基板貼り合せ工程Ｓ３）。図６Ｈは、第一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する図であり、図６Ｄに示される第一基板と、図６Ｇに示される第二基板とを貼り合せた状態を示す図である。
【０１０１】
両基板（第一、第二基板１００，２００）の貼り合せは、両基板に形成された第一埋め込み層１２０、第二埋め込み層２２０の周辺に備えられたシール材３００を介して行われることとしてもよい。そして、第一基板１００および、第二基板２００の間には、間隙を埋めるように充填材４００が充填されることとしてもよい。
【０１０２】
また、本工程において、第一基板１００と第二基板２００との間隔が一定なものとなるように、後に行われる切断工程Ｓ４にて切断される位置、すなわち第一埋め込み層１２０及び第一機能層１３０を切断する切断線ＳＬ上にスペーサ３５０を設けることとしてもよい。
【０１０３】
また、図６Ｄに参照されるように、対向基板である第二基板２００に備えられた第二埋め込み層２２０が、第二領域Ａ２に対応する位置にあるように、第二基板２００が、第一基板１００に貼り合わされることとしてもよい。
【０１０４】
このように貼り合せることによって、切断工程Ｓ４において切断されるライン上に、第一埋め込み層１２０、第二埋め込み層２２０のそれぞれが配置されることとなる。ここで、第一埋め込み層１２０及び／又は第二埋め込み層２２０が無機材料で形成されている場合、一般的に無機材料は有機材料よりも脆く割れやすい性質を有するため、後の切断工程Ｓ４において切断が容易に行えるという利点を有する。
【０１０５】
次に、第一、第二基板貼り合せ工程Ｓ３にて貼り合わされたものを、表示装置１０に相当する単位ごとに切断する（切断工程Ｓ４）。図６Ｉは、第一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する図であり、多面取りパネルを表示装置に相当する単位ごとに切断した状態を示す図である。
【０１０６】
切断工程Ｓ４は、例えば、第一、第二基体５００，６００をスクライブ（例えば、金属等の針を用いて刻みをつける、あるいはレーザー光線をして刻みをつける）し、ブレイク（スクライブした刻みに沿って分断）することによって行われることとしてもよい。すなわち、切断工程Ｓ４においては、第一埋め込み層１２０、第一機能層１３０とともに、第一基体５００を切断することとしてもよい。また、切断工程Ｓ４においては、第一埋め込み層１２０、第一機能層１３０とともに、第二基板２００を切断することとしてもよい。
【０１０７】
次いで、表示装置１０に相当する単位ごとに切断した状態のものから、切断された第一、第二基体５００，６００のそれぞれを剥離する（基体（ガラス基板）除去工程Ｓ５）。
【０１０８】
図６Ｊは、第一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する図であり、第一、第二基体を剥離した状態を示す図である。
【０１０９】
先に説明したように、ガラス等の無機材料で形成された第一、第二基体５００，６００は、有機材料によって形成される第一、第二樹脂層１１０，２１０との親和性が弱いため、本工程において容易に剥離可能となる。
【０１１０】
最後に、第一基体５００が剥離され露出した第一樹脂層１１０の面に、外部からの水分の侵入、あるいは外部からの物理的損傷を防止するための第一保護フィルム１４０を取りつける（保護膜形成工程Ｓ６）。
【０１１１】
なお、保護膜形成工程Ｓ６においては、第二基体６００が剥離され露出した第二樹脂層２１０の面に、物理的損傷を防止するための第二保護フィルム（図示なし）を取りつけることとしてもよい。
【０１１２】
図６Ｋは、第一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する図であり、保護フィルムを取りつけ第一実施形態に係る表示装置が完成した状態を示す図である。図６Ｋに示されるように、第一保護フィルム１４０は第一樹脂層１１０の第一機能層１３０が配置される側とは反対側に配置されることとなる。
【０１１３】
以上の工程を経て、第一実施形態に係る表示装置１０を得ることができる。
【０１１４】
上記製造工程を経て得られる表示装置１０は、樹脂層と、前記樹脂層の周囲に、前記樹脂層の上面に載る部分を有するように設けられた枠体と、前記樹脂層の上面及び前記枠体の上面に積層され、画像を構成する複数の単位画素それぞれで輝度が制御されて発光する自発光素子層１３２と、を含む、ことを特徴とする表示装置１０である。
【０１１５】
そして、上記製造工程を経て得られる表示装置１０は、水分バリア性を高め、これによって信頼性が向上された表示装置１０である。
【０１１６】
［第三実施形態に係る表示装置］
以下に、本発明の第三実施形態に係る表示装置３０について、図７を参照して説明する。図７は、第三実施形態に係る表示装置の構成を示す断面図である。
【０１１７】
第三実施形態に係る表示装置３０は、第一埋め込み層１２０の形状が、第一実施形態に係る表示装置１０に備えられる第一埋め込み層１２０の形状と異なるものである。第三実施形態に係る表示装置３０のそれ以外の構成については、第一実施形態に係る表示装置１０と同様である。
【０１１８】
第三実施形態に係る表示装置３０の一部を構成する第一埋め込み層１２０は二つの部分にて構成されるものである。より具体的には、第一埋め込み層１２０のうち、第一樹脂層の上面に載る部分は、ＣＶＤ、ＰＶＤ、ＡＬＤ等によって形成された第一無機絶縁膜１２０Ａによって形成されたものである。
【０１１９】
第一無機絶縁膜１２０ＡはＡｌＯ、ＳｉＯ、ＳｉＮ、ＳｉＣ、ＳｉＣＮ、ＳｉＯＮ、ＳｉＯＣＮ等の材料によって形成された膜であることとしてもよい。該材料がＣＶＤ、ＰＶＤ、ＡＬＤ等によって形成されることにより、第一無機絶縁膜１２０Ａはより緻密な膜として形成されることとなる。
【０１２０】
高密度の第一無機絶縁膜１２０Ａは、水分、ガスを遮断する性能が高く、その結果、表示装置３０の信頼性を更に高めることとなる。一方で、第一無機絶縁膜１２０Ａはプロセス上、膜厚の大きい被膜を形成することが困難である。
【０１２１】
そのため、第三実施形態に係る表示装置３０は、第一無機絶縁膜１２０Ａの他に、ＳＯＧ（Spin on Glass）、ＰＳＧ（Phosphorus Silicon Glass）、ＢＰＳＧ（Boron Phosphorus Silicon Glass）等によって形成される第二無機絶縁膜１２０Ｂを含むものである。
【０１２２】
ＳＯＧ、ＰＳＧ、ＢＰＳＧ等によって形成される第二無機絶縁膜１２０Ｂは第一無機絶縁膜１２０Ａと比較して低密度である反面、材料の特性上、膜厚の大きい被膜を形成することが可能であり、埋め込み特性が優れるものである。
【０１２３】
このように、第一埋め込み層１２０が、密度の異なる二つの無機絶縁膜により構成されることにより、第一埋め込み層１２０の厚さが、第一樹脂層１１０の厚さよりも大きいものとなる。これによって、シール材３００が凹部１１０ＣＰに入り込むことに起因するシール性の低下や、あるいはスペーサ３５０が凹部１１０ＣＰに入り込んで両基板の間隔を不均一なものとすることを抑制することとなる。
【０１２４】
また、切断線ＳＬ上に、無機材料によって形成される第三実施形態に係る表示装置３０の第一埋め込み層１２０が備えられることにより、製造プロセスにおいて切断が容易に行えるという利点も有することとなる。
【０１２５】
［第四実施形態に係る表示装置］
以下に、本発明の第四実施形態に係る表示装置４０について、図８を参照して説明する。図８は、第四実施形態に係る表示装置の構成を示す断面図である。
【０１２６】
第四実施形態に係る表示装置４０は、第一埋め込み層１２０の形状が、第一実施形態に係る表示装置１０に備えられる第一埋め込み層１２０の形状と異なるものである。第四実施形態に係る表示装置４０のそれ以外の構成については、第一実施形態に係る表示装置１０と同様である。
【０１２７】
第四実施形態に係る表示装置４０の一部を構成する第一埋め込み層１２０は、平面視において第一樹脂層１１０の周囲に備えられるとともに、第一樹脂層１１０の上面（ＴＦＴ層１３１と対向する側の面）の全体を覆うように備えられている。
【０１２８】
また、第四実施形態に係る表示装置４０の一部を構成する第一埋め込み層１２０は、第三実施形態に係る表示装置３０の一部を構成する第一埋め込み層１２０と同様、二つの部分にて構成されるものである。
【０１２９】
そして、第一樹脂層１１０の上面の全体を覆う部分は、ＣＶＤ、ＰＶＤ、ＡＬＤ等によって形成された第一無機絶縁膜１２０Ａによって形成されたものである。また、第四実施形態に係る表示装置４０は、第一無機絶縁膜１２０Ａの他に、ＳＯＧ、ＰＳＧ、ＢＰＳＧ等によって形成される第二無機絶縁膜１２０Ｂを含むものである。
【０１３０】
このように、第一無機絶縁膜１２０Ａが第一樹脂層１１０の上面の全体を覆うことによって、表示装置４０の信頼性を更に高めることとなる。
【０１３１】
なお図８に示される第四実施形態に係る表示装置４０では、第一機能層１３０の一部を構成する第一バリア層１３３が設けられているが、第一無機絶縁膜１２０Ａが備えられることにより、第一バリア層１３３は省略することとしてもよい。
【０１３２】
［第三実施形態に係る表示装置の製造方法］
次に、第三実施形態に係る表示装置の製造方法について説明する。なお、第三実施形態に係る表示装置３０の製造は、第一実施形態に係る表示装置１０の製造と同様、図５に示されるフローにそって行われる。
【０１３３】
以下、第三実施形態に係る表示装置３０の製造方法におけるそれぞれの工程について図９Ａ〜９Ｋを参照して説明する。
【０１３４】
図９Ａは、第三実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する図であり、第一基体に第一樹脂層を積層した状態を示す図である。
【０１３５】
第三実施形態に係る表示装置の製造に際し、はじめに用意された第一基体５００に、フレキシブルな第一樹脂層１１０を形成する（第一樹脂層形成工程Ｓ１１）。第一樹脂層形成工程Ｓ１１は、複数の第１領域及びそれぞれの第一領域を囲む形状の第二領域を有する第一基体５００を用意し、複数の第一領域及び第二領域に第一樹脂層１１０を形成する工程である。
【０１３６】
第三実施形態に係る表示装置３０の製造においては、第一基体５００上の第一樹脂層１１０が形成される面に、犠牲剥がれ層７００が予め形成されている。犠牲剥がれ層７００は、α−カーボン、α−Ｓｉ、金属薄膜等によって形成されることとしてもよい。
【０１３７】
ここで、先に説明した第一実施形態に係る表示装置１０の製造と同様に、第三実施形態に係る表示装置３０の製造においても、後に第一基体５００を除去する工程（基体（ガラス基板）除去工程Ｓ５）が行われることとなる。
【０１３８】
例えば上記例示した材料によって形成された犠牲剥がれ層７００と第一樹脂層１１０との剥離は、第一基体５００と第一樹脂層１１０との剥離と比べ容易なものとなる。これによって、第一基体５００を除去する工程（基体（ガラス基板）除去工程Ｓ５）をより容易に実施することができる。
【０１３９】
なお、犠牲剥がれ層７００は先に説明した第一実施形態に係る表示装置１０の製造においても用いることができる。
【０１４０】
第三実施形態に係る表示装置３０の製造において用意される第一基体５００や、第一樹脂層１１０は、第一実施形態に係る表示装置１０の製造に用いたものと同様のものを用いることができる。また、第一樹脂層１１０は、第一実施形態に係る表示装置１０の製造にて説明した方法と同様の方法にて形成することができる。
【０１４１】
図９Ｂは、第三実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する図であり、第一樹脂層の一部を除去した状態を示す図である。
【０１４２】
第一樹脂層一部除去工程Ｓ１２においては、第一樹脂層形成工程Ｓ１１にて形成された第一樹脂層１１０のうち、第二領域Ａ２に形成された第一樹脂層１１０の一部を除去する。すなわち、第一基体５００上には、複数の第一領域Ａ１に形成された第一樹脂層１１０のみが残ることとなる。
【０１４３】
第三実施形態に係る表示装置の製造における、第一樹脂層１１０の一部除去は、第一実施形態に係る表示装置１０の製造にて説明した方法と同様の方法にて行うこととしてもよい。
【０１４４】
図９Ｃは、第三実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する図であり、第一埋め込み層を形成した状態を示す図である。第三実施形態に係る表示装置３０は、第一埋め込み層１２０の形状が、第一実施形態に係る表示装置１０に備えられる第一埋め込み層１２０の形状と異なり、二つの部分にて構成されるものである。
【０１４５】
第一樹脂層一部除去工程Ｓ１２にて第一樹脂層１１０の一部が除去されることによって、第一基体５００上には凹部１１０ＣＰが形成されていることとなる。第一埋め込み層形成工程Ｓ１３においては、該凹部１１０ＣＰを埋めるように第一埋め込み層１２０を形成する。
【０１４６】
第一埋め込み層１２０の形成は、はじめに、第一樹脂層１１０の上面に載る部分となる、第一無機絶縁膜１２０ＡをＡｌＯ、ＳｉＯ、ＳｉＮ、ＳｉＣ、ＳｉＣＮ、ＳｉＯＮ、ＳｉＯＣＮ等の材料を用い、ＣＶＤ、ＰＶＤ、ＡＬＤ等によって形成する。
【０１４７】
第一無機絶縁膜１２０Ａは、第一樹脂層１１０の全面に一旦形成した後、凹部１１０ＣＰに相当する場所のみを残して、他の部分を取り除くことによって形成することとしてもよいし、マスク等を用いて、凹部１１０ＣＰに相当する場所にのみ形成することとしてもよい。
【０１４８】
第一無機絶縁膜１２０Ａは、膜厚の大きい被膜を形成することが困難であるため、第一樹脂層１１０の一部を除去したことによって形成された凹部１１０ＣＰを完全に埋めることは困難である。
【０１４９】
そこで、第二無機絶縁膜１２０Ｂを第一無機絶縁膜１２０Ａ上に、ＳＯＧ（Spin on Glass）、ＰＳＧ（Phosphorus Silicon Glass）、ＢＰＳＧ（Boron Phosphorus Silicon Glass）等によって凹部１１０ＣＰを完全に埋めるように形成する。
【０１５０】
なお、第一無機絶縁膜１２０Ａを第一樹脂層１１０の全面に一旦形成した後、凹部１１０ＣＰに相当する場所のみに第二無機絶縁膜１２０Ｂを形成することによって、第四実施形態に係る表示装置４０を製造することができる。
【０１５１】
図９Ｄは、第三実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する図であり、自発光素子層を含む第一機能層を形成した状態を示す図である。
【０１５２】
第三実施形態に係る表示装置の製造における第一機能層形成工程Ｓ１４は、第一実施形態に係る表示装置１０の製造にて説明した方法と同様の方法にて行うこととしてもよい。
【０１５３】
以上、図９Ａ〜９Ｄを参照して説明した工程を経て、第一基板形成工程Ｓ１が完了する。
【０１５４】
次に、図９Ｅ〜９Ｇを参照して第二基板形成工程Ｓ２について説明する。第二基板形成工程Ｓ２は、先に説明した第一基板形成工程Ｓ１とは別工程で行われることとなる。
【０１５５】
図９Ｅは、第三実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する図であり、第二基体に第二樹脂層を積層した状態を示す図である。
【０１５６】
第二基板形成工程Ｓ２においては、はじめに用意された第二基体６００に、フレキシブルな第二樹脂層２１０を形成する（第二樹脂層形成工程Ｓ２１）。第二樹脂層形成工程Ｓ２１においては、第二基体６００の一方側の面の全てを覆うように第二樹脂層２１０を形成することとしてもよい。
【０１５７】
ここで、用意される第二基体６００には、犠牲剥がれ層７００同様、犠牲剥がれ層８００が形成されることとしてもよい。なお、犠牲剥がれ層８００は先に説明した第一実施形態に係る表示装置１０の製造においても用いることができる。
【０１５８】
第三実施形態に係る表示装置３０の製造において用意される第二基体６００や、第二樹脂層２１０は、第一実施形態に係る表示装置１０の製造に用いたものと同様のものを用いることができる。また、第二樹脂層２１０は、第一実施形態に係る表示装置１０の製造にて説明した方法と同様の方法にて形成することができる。
【０１５９】
図９Ｆは、第三実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する図であり、第二樹脂層の一部を除去した後、第二埋め込み層を形成した状態を示す図である。図９Ｇは、第三実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する図であり、カラーフィルタ層を含む第二機能層を形成した状態を示す図である。
【０１６０】
第二埋め込み層２２０の形成、及びカラーフィルタ層２３１の形成は、第一実施形態に係る表示装置１０の製造にて説明した方法と同様の方法にて形成することができる。
【０１６１】
以上、図９Ｅ〜９Ｇを参照して説明した工程を経て、第二基板形成工程Ｓ２が完了する。
【０１６２】
次に、図９Ｄに示される第一基板１００と、図９Ｇに示される第二基板２００とを貼り合せる（第一、第二基板貼り合せ工程Ｓ３）。図９Ｈは、第三実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する図であり、図９Ｄに示される第一基板と、図９Ｇに示される第二基板とを貼り合せた状態を示す図である。
【０１６３】
両基板（第一、第二基板１００，２００）の貼り合せは、第一実施形態に係る表示装置１０の製造にて説明した方法と同様の方法にて形成することができる。
【０１６４】
次に、第一、第二基板貼り合せ工程Ｓ３にて貼り合わされたものを、表示装置１０に相当する単位ごとに切断する（切断工程Ｓ４）。図９Ｉは、第三実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する図であり、多面取りパネルを表示装置に相当する単位ごとに切断した状態を示す図である。
【０１６５】
切断工程Ｓ４は、第一実施形態に係る表示装置１０の製造にて説明した方法と同様の方法にて行われることとしてもよい。
【０１６６】
次いで、表示装置１０に相当する単位ごとに切断した状態のものから、切断された第一、第二基体５００，６００のそれぞれを剥離する（基体（ガラス基板）除去工程Ｓ５）。
【０１６７】
図９Ｊは、第三実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する図であり、第一、第二基体を剥離した状態を示す図である。
【０１６８】
先に説明したように、第三実施形態に係る表示装置の製造においては、犠牲剥がれ層７００、８００が形成されているため、第一、第二基体５００，６００は、本工程において容易に剥離されることとなる。
【０１６９】
なお、第一、第二基体５００，６００の剥離とともに、犠牲剥がれ層７００、８００も第一、第二樹脂層１１０、２１０から剥離されることとなるが、仮に犠牲剥がれ層７００、８００の一部又は全部が第一、第二樹脂層１１０、２１０から剥離されなくてもよい。
【０１７０】
最後に、第一基体５００が剥離され露出した第一樹脂層１１０の面に、外部からの水分の侵入、あるいは外部からの物理的損傷を防止するための第一保護フィルム１４０を取りつける（保護膜形成工程Ｓ６）。
【０１７１】
なお、保護膜形成工程Ｓ６においては、第二基体６００が剥離され露出した第二樹脂層２１０の面に、物理的損傷を防止するための第二保護フィルム（図示なし）を取りつけることとしてもよい。
【０１７２】
図９Ｋは、第三実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する図であり、保護フィルムを取りつけ第三実施形態に係る表示装置が完成した状態を示す図である。図９Ｋに示されるように、第一保護フィルム１４０は第一樹脂層１１０の第一機能層１３０が配置される側とは反対側に配置されることとなる。
【０１７３】
以上の工程を経て、第三実施形態に係る表示装置３０を得ることができる。
【０１７４】
上記製造工程を経て得られる表示装置３０は、樹脂層と、前記樹脂層の周囲に、前記樹脂層の上面に載る部分を有するように設けられた枠体と、前記樹脂層の上面及び前記枠体の上面に積層され、画像を構成する複数の単位画素それぞれで輝度が制御されて発光する自発光素子層１３２と、を含む、ことを特徴とする表示装置３０である。
【０１７５】
そして、上記製造工程を経て得られる表示装置３０は、水分バリア性を高め、これによって信頼性が向上された表示装置３０である。
【符号の説明】
【０１７６】
１０，２０  表示装置、１００  第一基板、１１０  第一樹脂層、１２０  第一埋め込み層、１３０  第一機能層、１３１  ＴＦＴ層、１３２  自発光素子層、１３２Ａ  画素電極、１３２Ｂ  共通電極、１３２Ｃ  発光層、１３３  第一バリア層、１３４  第二バリア層、１４０  第一保護フィルム、２００  第二基板、２１０  第二樹脂層、２２０  第二埋め込み層、２３０  第二機能層、２３１  カラーフィルタ層、２３１Ｒ，２３１Ｇ，２３１Ｂ  着色層、２３２  第三バリア層、３００  シール材、４００  充填材、５００  第一基体、６００  第二基体。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
0006474337.tif 000008
【図６Ｃ】
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【図６Ｄ】
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【図６Ｅ】
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【図６Ｆ】
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【図６Ｇ】
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【図６Ｈ】
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【図６Ｉ】
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【図６Ｊ】
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【図６Ｋ】
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【図７】
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【図８】
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【図９Ａ】
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【図９Ｂ】
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【図９Ｃ】
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【図９Ｄ】
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【図９Ｅ】
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【図９Ｆ】
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【図９Ｇ】
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【図９Ｈ】
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【図９Ｉ】
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【図９Ｊ】
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【図９Ｋ】
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