(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の表面上に配置され且つ露光されたレジスト膜を現像してレジストパターンを形成する現像方法であって、
水平に保持された前記基板の表面に直交する方向に延びている回転軸の周りに前記基板を５回転／分〜１００回転／分の回転速度で回転させつつ、前記基板の上方に位置し且つ前記基板の表面と対向する対向面を有する接液部材に設けられた吐出口から現像液を前記レジスト膜上に吐出しながら前記接液部材を前記基板の表面の上方において移動させて、前記レジスト膜の表面上に現像液を行き渡らせる工程と、
前記レジスト膜の表面上に現像液を行き渡らせる工程の後に、前記回転軸の周りに前記基板を５回転／分〜１００回転／分の回転速度で回転させつつ、前記現像液の吐出を停止した状態で、前記接液部材を前記基板の周縁部上において１０秒〜２０秒間静止させる工程とを含む、現像方法。
【請求項２】
前記レジスト膜の表面上に現像液を行き渡らせる工程は、前記基板の周縁から前記回転軸に向けて前記接液部材を移動させることを含む、請求項１に記載の現像方法。
【請求項３】
前記レジスト膜の表面上に現像液を行き渡らせる工程は、前記回転軸から前記基板の周縁に向けて前記接液部材を移動させることを含む、請求項１に記載の現像方法。
【請求項４】
前記レジスト膜の表面上に現像液を行き渡らせる工程又は前記接液部材を静止させる工程では、前記接液部材に正の電位が付加されている、請求項１〜３のいずれか一項に記載の現像方法。
【請求項５】
前記レジスト膜の表面と前記接液部材の前記対向面との離間距離は０．１ｍｍ〜２．０ｍｍである、請求項１〜４のいずれか一項に記載の現像方法。
【請求項６】
前記接液部材は柱状又は板状を呈している、請求項１〜５のいずれか一項に記載の現像方法。
【請求項７】
前記接液部材の周縁には、前記対向面から前記基板の表面に向けて延びる環状の突条部が設けられている、請求項１〜６のいずれか一項に記載の現像方法。
【請求項８】
前記接液部材の前記対向面には、前記対向面から前記基板の表面に向けて延びる複数の突起部が設けられている、請求項１〜７のいずれか一項に記載の現像方法。
【請求項９】
基板の表面上に配置され且つ露光されたレジスト膜を現像してレジストパターンを形成する現像装置であって、
前記基板を水平に保持しつつ、前記基板の表面に直交する方向に延びている回転軸の周りに前記基板を回転させる回転保持部と、
前記基板の表面と対向する対向面を有し、前記レジスト膜上に現像液を吐出する吐出口が前記対向面に設けられた接液部材と、
前記吐出口に現像液を供給するように構成された現像液供給部と、
前記接液部材を移動させる移動機構と、
制御部とを備え、
前記制御部は、
前記回転保持部を制御して、前記回転軸の周りに前記基板を５回転／分〜１００回転／分の回転速度で回転させつつ、前記現像液供給部及び前記移動機構を制御して、前記基板の上方に位置する前記接液部材の前記吐出口から現像液を前記レジスト膜上に吐出させながら前記接液部材を前記基板の表面の上方において移動させて、前記レジスト膜の表面上に現像液を行き渡らせる処理と、
前記レジスト膜の表面上に現像液を行き渡らせる処理の後に、前記接液部材及び前記現像液供給部を制御して、前記回転軸の周りに前記基板を５回転／分〜１００回転／分の回転速度で回転させつつ、前記現像液の供給を停止した状態で、前記接液部材を前記基板の周縁部上において１０秒〜２０秒間静止させる処理とを実行する、現像装置。
【請求項１０】
前記レジスト膜の表面上に現像液を行き渡らせる処理又は前記接液部材を静止させる処理において、前記接液部材に正の電位が付加されている、請求項９に記載の現像装置。
【請求項１１】
前記接液部材は柱状又は板状を呈している、請求項９又は１０に記載の現像装置。
【請求項１２】
前記接液部材の周縁には、前記対向面から前記基板の表面に向けて延びる環状の突条部が設けられている、請求項９〜１１のいずれか一項に記載の現像装置。
【請求項１３】
前記接液部材の前記対向面には、前記対向面から前記基板の表面に向けて延びる複数の突起部が設けられている、請求項９〜１２のいずれか一項に記載の現像装置。
【請求項１４】
請求項１〜８のいずれか一項に記載の現像方法を現像装置に実行させるためのプログラムを記録した、コンピュータ読み取り可能な記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、露光後のレジスト膜の現像方法、現像装置、及び当該現像装置に用いられるコンピュータ読み取り可能な記録媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、基板の微細加工を行うにあたり、フォトリソグラフィ技術を用いて凹凸パターンを基板（例えば、半導体ウエハ）上に形成することが広く行われている。例えば、半導体ウエハ上にレジストパターンを形成する工程は、半導体ウエハの表面にレジスト膜を形成することと、このレジスト膜を所定のパターンに沿って露光することと、露光後のレジスト膜と現像液とを反応させて現像することとを含む。
【０００３】
これまで種々の現像技術が開発されている。例えば、特許文献１は静止した基板上に現像液からなるパドル（液溜まり）を形成する現像方式を開示する。パドルの形成には長尺な吐出口を備えたノズルが使用され、吐出口から現像液を吐出しながらノズルを基板の一端から他端へ移動させることで基板上のレジスト膜の表面全体に現像液が盛られる。以下、便宜上、この現像方式を「静止現像方式」と称する。
【０００４】
特許文献２は、回転する基板に対して現像液を供給する現像方式を開示する。ノズルは基板の半径方向に移動しながら、その吐出口から基板に向けて現像液を供給する。基板の回転による遠心力の作用と、現像液の供給位置の移動とにより、レジスト膜上に現像液の液膜が形成される。以下、便宜上、回転する基板に対して現像液を供給する現像方式を「回転現像方式」と称する。
【０００５】
特許文献３は、回転現像方式に分類される現像方法の一例を開示する。すなわち、特許文献３に記載の方法は、ウエハに対向配置される下端面を有するノズルを使用するものであり、回転するウエハと、その回転中心を含む領域に配置されたノズルの下端面との隙間を液密状態にしてウエハ上に液が供給され、その液が遠心力によって外側に広がる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００１−１９６３０１号公報（特許第３６１４７６９号公報）
【特許文献２】特開２０１１−０９１２７４号公報（特許第４８９３７９９号公報）
【特許文献３】特開２０１２−７４５８９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
静止現像方式の場合、現像液からなるパドルにおいて現像液の対流が生じにくく、レジスト膜と反応して反応性が低下した現像液がその場に留まりやすい。そのため、現像処理に比較的長い時間を要することがありうる。
【０００８】
回転現像方式の場合、供給された現像液が基板上を流れる。この場合、現像液が基板上で流動するので、現像液が流動しながらレジスト膜と反応し、現像液の流れる方向に沿って現像液の濃度が変化する。そのため、現像液の液流れに起因して、基板の表面内におけるレジストパターンの線幅（ＣＤ（Critical dimension）ともいう。以下では、レジストパターンの線幅を単に「線幅」と称することがある。）の分布（基板の表面内における線幅の分布を「面内線幅分布」ともいう。）が不均一となりうる。
【０００９】
そこで、本開示は、面内線幅分布の均一性を向上させることが可能な現像方法、現像装置、及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体を説明する。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本開示の一つの観点に係る現像方法は、基板の表面上に配置され且つ露光されたレジスト膜を現像してレジストパターンを形成する現像方法であって、水平に保持された基板の表面に直交する方向に延びている回転軸の周りに基板を回転させつつ、基板の上方に位置する吐出口から現像液をレジスト膜上に吐出して、レジスト膜の表面上に現像液を行き渡らせる工程と、基板の表面と対向する対向面を有する接液部材を、基板の表面のうち吐出口からの現像液の供給が先行した領域である先行領域の上方に配置する工程とを含む。
【００１１】
通常、現像液の供給が先行した領域ほど、レジスト膜に対する現像液の接液時間が長くなる。そのため、現像液の供給が先行した領域ほど、レジスト膜の現像液への溶解が促進され、線幅が小さくなると共に、現像液の供給が後行した領域ほど、レジスト膜の現像液への溶解が進んでおらず、線幅が大きくなる傾向にある。しかしながら、本開示の一つの観点に係る現像方法では、基板の表面と対向する対向面を有する接液部材を、基板の表面のうち吐出口からの現像液の供給が先行した領域の上方に配置している。そのため、接液部材の対向面とレジスト膜の表面との間で、現像液が保持される。現像液の供給が先行した領域において、接液部材の存在により現像液が保持されると、現像液中に含まれる溶解生成物の濃度が対向面とレジスト膜の表面との間で高まる。従って、現像液の供給が先行した領域において、レジスト膜の溶解が抑制され、現像の進行が抑えられる。その結果、接液部材を用いることで、現像液の供給が先行した領域における線幅を、現像液の供給が後行した領域における線幅と同程度に制御することができる。以上より、面内線幅分布の均一性を向上させることが可能となる。
【００１２】
レジスト膜の表面上に現像液を行き渡らせる工程では、基板の周縁から回転軸に向けて吐出口を移動させてもよい。この場合、基板の周縁側で発生した溶解生成物が、吐出口の移動につれて、吐出口から供給される現像液に随伴して回転軸側に移動しやすくなる。そのため、線幅を制御するために用いられる溶解生成物が、基板の外部に排出され難くなる。従って、基板の表面上において生成された溶解生成物を、線幅の制御のために効果的に活用することが可能となる。
【００１３】
レジスト膜の表面上に現像液を行き渡らせる工程では、回転軸から基板の周縁に向けて吐出口を移動させてもよい。
【００１４】
接液部材を先行領域の上方に配置する工程では、接液部材を先行領域の上方に所定時間静止させてもよい。
【００１５】
接液部材を先行領域の上方に配置する工程では、接液部材に正の電位が付加されていてもよい。溶解生成物は負に帯電していることが知られている。そのため、接液部材に正の電位を付加することで、溶解生成物を接液部材の近傍に滞留させやすくなる。
【００１６】
基板の回転速度は５回転／分〜１００回転／分であってもよい。この場合、レジスト膜上に現像液を行き渡らせる速度をより正確に制御できる。
【００１７】
レジスト膜の表面と接液部材の対向面との離間距離は０．１ｍｍ〜２．０ｍｍであってもよい。
【００１８】
接液部材を先行領域の上方に配置する工程では、基板の表面のうち吐出口から現像液が供給された領域の順に応じて、接液部材を基板の表面の上方において移動させてもよい。この場合、レジスト膜の溶解が進行しやすい領域の順に接液部材が移動するので、基板の表面の全体において線幅を同等に制御することができる。そのため、面内線幅分布の均一性をより向上させることが可能となる。
【００１９】
吐出口は接液部材の対向面に形成されていてもよい。この場合、現像液の供給が接液部材によって行われる。そのため、部品点数が少なくなるので、コストの低減を図ることができる。
【００２０】
接液部材とは別体の吐出ノズルに吐出口が形成されていてもよい。
【００２１】
本開示の他の観点に係る現像装置は、基板の表面上に配置され且つ露光されたレジスト膜を現像してレジストパターンを形成する現像装置であって、基板を水平に保持しつつ、基板の表面に直交する方向に延びている回転軸の周りに基板を回転させる回転保持部と、レジスト膜上に現像液を吐出する吐出口と、基板の表面と対向する対向面を有する接液部材と、接液部材を移動させる移動機構と、レジスト膜上に現像液が供給された状態における基板の表面のうちレジストパターンの線幅を調整すべき所定の領域の上方に接液部材が位置するように、移動機構を制御する制御部とを備える。
【００２２】
本開示の他の観点に係る現像装置では、制御部が移動機構を制御して、レジスト膜上に現像液が供給された状態における基板の表面のうちレジストパターンの線幅を調整すべき所定の領域の上方に接液部材を位置させている。そのため、接液部材の対向面とレジスト膜の表面との間で、現像液が保持される。接液部材の存在により現像液が保持されると、現像液中に含まれる溶解生成物の濃度が対向面とレジスト膜の表面との間で高まる。従って、レジストパターンの線幅を調整すべき上記所定の領域において、レジスト膜の溶解が抑制され、現像の進行が抑えられる。その結果、上記領域における線幅を、他の領域における線幅と同程度に制御することができる。以上より、面内線幅分布の均一性を向上させることが可能となる。
【００２３】
接液部材は柱状又は板状を呈していてもよい。
【００２４】
接液部材の周縁には、対向面から基板の表面に向けて延びる環状の突条部が設けられていてもよい。この場合、突条部の存在により、接液部材の中央から周縁に向かう現像液の流れが妨げられる。そのため、接液部材の対向面とレジスト膜の表面との間で現像液を保持しやすくなる。
【００２５】
接液部材の対向面には、対向面から基板の表面に向けて延びる複数の突起部が設けられていてもよい。この場合、複数の突起部の存在により、現像液の流れが妨げられる。そのため、接液部材の対向面とレジスト膜の表面との間で現像液を保持しやすくなる。
【００２６】
本開示の他の観点に係るコンピュータ読み取り可能な記録媒体は、上記の現像方法を現像装置に実行させるためのプログラムを記録している。本開示の他の観点に係るコンピュータ読み取り可能な記録媒体では、上記の現像方法と同様に、面内線幅分布の均一性を向上させることが可能となる。本明細書において、コンピュータ読み取り可能な記録媒体には、一時的でない有形の媒体（non-transitory computer recording medium）（例えば、各種の主記憶装置又は補助記憶装置）や、伝播信号（transitory computerrecording medium）（例えば、ネットワークを介して提供可能なデータ信号）が含まれる。
【発明の効果】
【００２７】
本開示に係る現像方法、現像装置、及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体によれば、面内線幅分布の均一性を向上させることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】図１は、基板処理システムを示す斜視図である。
【図２】図２は、図１のＩＩ−ＩＩ線断面図である。
【図３】図３は、図２のＩＩＩ−ＩＩＩ線断面図である。
【図４】図４は、現像ユニットを示す模式図である。
【図５】図５は、接液部材を斜め下方から見た様子を示す斜視図である。
【図６】図６は、接液部材により現像液をレジスト膜上に供給する様子を示す断面図である。
【図７】図７は、接液部材により現像液をレジスト膜上に行き渡らせる様子を説明するための図である。
【図８】図８は、接液部材により現像液を保持する様子を説明するための図である。
【図９】図９の（ａ）は、現像残渣がレジストパターンの線幅に与える影響を確認するために用いたウエハを示し、図９の（ｂ）は、現像残渣の濃度に対するレジストパターンの線幅を示すグラフである。
【図１０】図１０は、他の例において、接液部材により現像液をレジスト膜上に行き渡らせる様子を説明するための図である。
【図１１】図１１は、他の例において、接液部材により現像液を保持する様子を説明するための図である。
【図１２】図１２の（ａ）は、他の例における接液部材を斜め下方から見た様子を示し、図１２の（ｂ）は、図１２の（ａ）のＢ−Ｂ線断面を示す。
【図１３】図１３の（ａ）は、他の例における接液部材を斜め下方から見た様子を示し、図１３の（ｂ）は、図１３の（ａ）のＢ−Ｂ線断面を示す。
【図１４】図１４の（ａ）は、他の例における接液部材を斜め上方から見た様子を示し、図１４の（ｂ）は、図１４の（ａ）の接液部材により現像液を保持する様子を示す。
【図１５】図１５は、他の例における現像ユニットを示す模式図である。
【図１６】図１６は、試験例１における、ウエハ中心からの距離に対するレジストパターンの線幅の関係を示すグラフである。
【図１７】図１７は、試験例２における、ウエハ中心からの距離に対するレジストパターンの線幅の関係を示すグラフである。
【図１８】図１８は、試験例３における、ウエハ中心からの距離に対するレジストパターンの線幅の関係を示すグラフである。
【図１９】図１９は、試験例４における、ウエハ中心からの距離に対するレジストパターンの線幅の関係を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
本発明の実施形態について図面を参照して説明するが、以下の本実施形態は、本発明を説明するための例示であり、本発明を以下の内容に限定する趣旨ではない。説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。
【００３０】
［基板処理システムの構成］
基板処理システム１は、塗布現像装置２と露光装置３とを備える。露光装置３は、レジスト膜の露光処理を行う。具体的には、液浸露光等の方法によりレジスト膜（感光性被膜）の露光対象部分にエネルギー線を照射する。エネルギー線としては、例えばＡｒＦエキシマレーザー、ＫｒＦエキシマレーザー、ｇ線、ｉ線又は極端紫外線（ＥＵＶ：Extreme Ultraviolet）が挙げられる。
【００３１】
塗布現像装置２は、露光装置３による露光処理の前に、ウエハＷ（基板）の表面にレジスト膜を形成する処理を行い、露光処理後にレジスト膜の現像処理を行う。本実施形態において、ウエハＷは円板状を呈するが、円形の一部が切り欠かれていたり、多角形などの円形以外の形状を呈するウエハを用いてもよい。ウエハＷは、例えば、半導体基板、ガラス基板、マスク基板、ＦＰＤ（Flat Panel Display）基板その他の各種基板であってもよい。
【００３２】
図１〜図３に示されるように、塗布現像装置２は、キャリアブロック４と、処理ブロック５と、インターフェースブロック６とを備える。キャリアブロック４、処理ブロック５及びインターフェースブロック６は、水平方向に並んでいる。
【００３３】
キャリアブロック４は、キャリアステーション１２と搬入搬出部１３とを有する。搬入搬出部１３は、キャリアステーション１２と処理ブロック５との間に介在する。キャリアステーション１２は、複数のキャリア１１を支持する。キャリア１１は、例えば円形の複数枚のウエハＷを密封状態で収容し、ウエハＷを出し入れするための開閉扉（不図示）を側面１１ａ側に有する（図３参照）。キャリア１１は、側面１１ａが搬入搬出部１３側に面するように、キャリアステーション１２上に着脱自在に設置される。搬入搬出部１３は、キャリアステーション１２上の複数のキャリア１１にそれぞれ対応する複数の開閉扉１３ａを有する。側面１１ａの開閉扉と開閉扉１３ａとを同時に開放することで、キャリア１１内と搬入搬出部１３内とが連通する。搬入搬出部１３は受け渡しアームＡ１を内蔵している。受け渡しアームＡ１は、キャリア１１からウエハＷを取り出して処理ブロック５に渡し、処理ブロック５からウエハＷを受け取ってキャリア１１内に戻す。
【００３４】
処理ブロック５は、ＢＣＴモジュール（下層膜形成モジュール）１４と、ＣＯＴモジュール（レジスト膜形成モジュール）１５と、ＴＣＴモジュール（上層膜形成モジュール）１６と、ＤＥＶモジュール（現像処理モジュール）１７とを有する。これらのモジュールは、床面側からＤＥＶモジュール１７、ＢＣＴモジュール１４、ＣＯＴモジュール１５、ＴＣＴモジュール１６の順に並んでいる。
【００３５】
ＢＣＴモジュール１４は、ウエハＷの表面上に下層膜を形成するように構成されている。ＢＣＴモジュール１４は、複数の塗布ユニット（不図示）と、複数の熱処理ユニット（不図示）と、これらのユニットにウエハＷを搬送する搬送アームＡ２とを内蔵している。塗布ユニットは、下層膜形成用の塗布液をウエハＷの表面に塗布するように構成されている。熱処理ユニットは、例えば熱板によりウエハＷを加熱し、加熱後のウエハＷを例えば冷却板により冷却して熱処理を行うように構成されている。ＢＣＴモジュール１４において行われる熱処理の具体例としては、下層膜を硬化させるための加熱処理が挙げられる。
【００３６】
ＣＯＴモジュール１５は、下層膜上に熱硬化性且つ感光性のレジスト膜を形成するように構成されている。ＣＯＴモジュール１５は、複数の塗布ユニット（不図示）と、複数の熱処理ユニット（不図示）と、これらのユニットにウエハＷを搬送する搬送アームＡ３とを内蔵している。塗布ユニットは、レジスト膜形成用の処理液（レジスト剤）を下層膜の上に塗布するように構成されている。熱処理ユニットＵ２は、例えば熱板によりウエハＷを加熱し、加熱後のウエハＷを例えば冷却板により冷却して熱処理を行うように構成されている。ＣＯＴモジュール１５において行われる熱処理の具体例としては、レジスト膜を硬化させるための加熱処理（ＰＡＢ：Pre Applied Bake）が挙げられる。
【００３７】
ＴＣＴモジュール１６は、レジスト膜上に上層膜を形成するように構成されている。ＴＣＴモジュール１６は、複数の塗布ユニット（不図示）と、複数の熱処理ユニット（不図示）と、これらのユニットにウエハＷを搬送する搬送アームＡ４とを内蔵している。塗布ユニットは、上層膜形成用の塗布液をウエハＷの表面に塗布するように構成されている。熱処理ユニットは、例えば熱板によりウエハＷを加熱し、加熱後のウエハＷを例えば冷却板により冷却して熱処理を行うように構成されている。ＴＣＴモジュール１６において行われる熱処理の具体例としては、上層膜を硬化させるための加熱処理が挙げられる。
【００３８】
ＤＥＶモジュール１７は、露光されたレジスト膜の現像処理を行うように構成されている。ＤＥＶモジュール１７は、複数の現像ユニット（現像装置）Ｕ１と、複数の熱処理ユニットＵ２と、これらのユニットにウエハＷを搬送する搬送アームＡ５と、これらのユニットを経ずにウエハＷを搬送する直接搬送アームＡ６とを内蔵している（図２及び図３参照）。現像ユニットＵ１は、レジスト膜を部分的に除去してレジストパターンを形成するように構成されている。熱処理ユニットＵ２は、例えば熱板によりウエハＷを加熱し、加熱後のウエハＷを例えば冷却板により冷却して熱処理を行う。ＤＥＶモジュール１７において行われる熱処理の具体例としては、現像処理前の加熱処理（ＰＥＢ：Post Exposure Bake）、現像処理後の加熱処理（ＰＢ：Post Bake）等が挙げられる。
【００３９】
処理ブロック５内におけるキャリアブロック４側には棚ユニットＵ１０が設けられている（図２及び図３参照）。棚ユニットＵ１０は、床面からＴＣＴモジュール１６に亘るように設けられており、上下方向に並ぶ複数のセルに区画されている。棚ユニットＵ１０の近傍には昇降アームＡ７が設けられている。昇降アームＡ７は、棚ユニットＵ１０のセル同士の間でウエハＷを昇降させる。
【００４０】
処理ブロック５内におけるインターフェースブロック６側には棚ユニットＵ１１が設けられている（図２及び図３参照）。棚ユニットＵ１１は床面からＤＥＶモジュール１７の上部に亘るように設けられており、上下方向に並ぶ複数のセルに区画されている。
【００４１】
インターフェースブロック６は、受け渡しアームＡ８を内蔵しており、露光装置３に接続される。受け渡しアームＡ８は、棚ユニットＵ１１のウエハＷを取り出して露光装置３に渡し、露光装置３からウエハＷを受け取って棚ユニットＵ１１に戻すように構成されている。
【００４２】
［現像ユニットの構成］
続いて、図４〜図６を参照して、現像ユニット（現像装置）Ｕ１についてさらに詳しく説明する。現像ユニットＵ１は、図４に示されるように、回転保持部２０と、駆動部（移動機構）３０と、現像液供給部４０と、制御部１００とを備える。
【００４３】
回転保持部２０は、回転部２１と、保持部２３とを有する。回転部２１は、上方に突出したシャフト２２を有する。回転部２１は、例えば電動モータ等を動力源としてシャフト２２を回転させる。保持部２３は、シャフト２２の先端部に設けられている。保持部２３上には、表面Ｗａ上に露光後のレジスト膜Ｒが形成されたウエハＷが水平に配置される。保持部２３は、例えば吸着等によりウエハＷを略水平に保持する。すなわち、回転保持部２０は、ウエハＷの姿勢が略水平の状態で、ウエハＷの表面に対して垂直な軸（回転軸）周りでウエハＷを回転させる。本実施形態では、回転軸は、円形状を呈するウエハＷの中心を通っているので、中心軸でもある。本実施形態では、図４に示されるように、回転保持部２０は、上方から見て時計回りにウエハＷを回転させる。
【００４４】
駆動部３０は、接液部材Ｎを駆動するように構成されている。駆動部３０は、ガイドレール３１と、スライドブロック３２と、アーム３３とを有する。ガイドレール３１は、回転保持部２０（ウエハＷ）の上方において水平方向に沿って延びている。スライドブロック３２は、ガイドレール３１に沿って水平方向に移動可能となるように、ガイドレール３１に接続されている。アーム３３は、上下方向に移動可能となるように、スライドブロック３２に接続されている。アーム３３の下端には接液部材Ｎが接続されている。
【００４５】
駆動部３０は、例えば電動モータ等を動力源として、スライドブロック３２及びアーム３３を移動させ、これに伴って接液部材Ｎを移動させる。平面視において、接液部材Ｎは、現像液の吐出時において、ウエハＷの回転軸に直交する直線上をウエハＷの径方向に沿って移動する。
【００４６】
現像液供給部４０は、現像液貯留部４１と、接液部材Ｎと、供給管４２と、ポンプ４３と、バルブ４４とを有する。現像液貯留部４１は現像液Ｌ（図６参照）を貯留する。現像液貯留部４１が貯留する現像液Ｌとしては、ポジ型フォトレジスト用の現像液でもよいし、ネガ型フォトレジスト用の現像液でもよい。レジスト膜Ｒの種類に応じて、これらの現像液を適宜選択してもよい。ポジ型フォトレジスト用現像液として例えばアルカリ水溶液が挙げられ、そのアルカリ成分として例えばテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイト（ＴＭＡＨ）が挙げられる。ネガ型フォトレジスト用現像液として、例えば有機溶剤が挙げられる。
【００４７】
接液部材Ｎは、供給管４２を介して現像液貯留部４１に接続されている。接液部材Ｎは、図４に示されるように、保持部２３に保持されたウエハＷの上方に配置される。接液部材Ｎは、図５に示されるように、本実施形態において円柱形状又は円板形状を呈する。接液部材Ｎには、その中心軸方向に沿って延びる貫通孔Ｈが形成されている。貫通孔Ｈの一端は、供給管４２と接続されている。貫通孔Ｈの他端は、供給管４２を介して現像液貯留部４１から供給された現像液Ｌを吐出する吐出口Ｎａである。そのため、接液部材Ｎは、現像液Ｌの吐出ノズルとしても機能する。
【００４８】
接液部材Ｎは、吐出口Ｎａから横方向に広がる下端面（対向面）Ｎｂを有する。すなわち、吐出口Ｎａは下端面Ｎｂに形成されている。下端面Ｎｂは、本実施形態において円形状を呈する略平坦面であり、ウエハＷの表面Ｗａと略平行の状態で対向している。そのため、吐出口Ｎａは鉛直下方を向いている。従って、現像液Ｌは、吐出口Ｎａから表面Ｗａに向けて下方に吐出される。
【００４９】
吐出口Ｎａの断面形状は、例えば円形であってもよい。吐出口Ｎａの直径は、１ｍｍ〜８ｍｍ程度であってもよいし、３ｍｍ〜５ｍｍ程度であってもよい。下端面Ｎｂの直径は、２０ｍｍ〜２００ｍｍ程度であってもよく、３０ｍｍ〜１００ｍｍ程度であってもよい。
【００５０】
ポンプ４３は、供給管４２の途中に設けられ、現像液貯留部４１から接液部材Ｎに現像液Ｌを圧送する。バルブ４４は、供給管４２において接液部材Ｎとポンプ４３との間に設けられている。バルブ４４は、接液部材Ｎからの現像液Ｌの吐出を開始又は停止させる。
【００５１】
制御部１００は、一つ又は複数の制御用コンピュータにより構成され、現像ユニットＵ１を制御する。制御部１００は、制御条件の設定画面を表示する表示部（図示せず）と、制御条件を入力する入力部（図示せず）と、コンピュータ読み取り可能な記録媒体からプログラムを読み取る読取部（図示せず）とを有する。記録媒体は、現像ユニットＵ１に現像処理を実行させるためのプログラムを記録している。このプログラムが制御部１００の読取部によって読み取られる。記録媒体としては、例えば、半導体メモリ、光記録ディスク、磁気記録ディスク、光磁気記録ディスクであってもよい。制御部１００は、入力部に入力された制御条件と、読取部により読み取られたプログラムとに応じて現像ユニットＵ１を制御し、下記の現像処理を現像ユニットＵ１に実行させる。
【００５２】
［現像方法］
現像ユニットＵ１を使用し、露光処理後のレジスト膜Ｒを現像処理する方法について説明する。まず、レジスト膜Ｒが露光装置３により露光された後のウエハＷを回転保持部２０に保持させる。次に、図７の（ａ）に示されるように、接液部材Ｎの下端面ＮｂがウエハＷの表面Ｗａにおける周縁部と対向するように、制御部１００がスライドブロック３２及びアーム３３を制御して、接液部材ＮをウエハＷの表面Ｗａ上に位置させる。次に、図７の（ａ）及び（ｂ）に示されるように、制御部１００が回転部２１を制御してウエハＷを回転させた状態で、制御部１００がポンプ４３及びバルブ４４を制御して、レジスト膜Ｒの表面と下端面Ｎｂとによって形成されるギャップＧ（図６参照）に吐出口Ｎａから現像液Ｌを供給させつつ、制御部１００がスライドブロック３２を制御して、ウエハＷの周縁部から中央部（回転軸）に向けて接液部材Ｎを移動させる（図７の（ａ）及び（ｂ）における矢印Ｄ１参照）。
【００５３】
接液部材ＮがウエハＷの回転軸上に到達後、制御部１００がポンプ４３及びバルブ４４を制御して、吐出口Ｎａからの現像液Ｌの吐出を停止させる。こうして、図７の（ｃ）に示されるように、レジスト膜Ｒの表面全体に現像液Ｌが行き渡り、レジスト膜Ｒの現像が進行する。ギャップＧの大きさ（レジスト膜Ｒの表面と下端面Ｎｂとの離間距離）は、０．１ｍｍ〜２．０ｍｍ程度であってもよいし、１．０ｍｍ程度であってもよい。
【００５４】
このとき、ウエハＷの回転速度は、例えば、５回転／分〜１００回転／分であってもよく、１０回転／分〜５０回転／分であってもよく、２０回転／分〜４０回転／分であってもよい。ウエハＷの回転速度を５回転／分以上とすることで、レジスト膜Ｒ上に現像液Ｌを短時間のうちに十分に行き渡らせることができる。ウエハＷの回転速度を１００回転／分以下とすることで、接液部材Ｎから供給された現像液Ｌがレジスト膜Ｒの表面において遠心力によってウエハＷの周縁側に流れ出ることを十分に抑制でき、これによりレジスト膜Ｒ上に現像液を行き渡らせる速度をより一層正確に制御できる。
【００５５】
続いて、図８の（ａ）に示されるように、接液部材Ｎの下端面ＮｂとウエハＷの表面Ｗａとが対向した状態のまま、制御部１００がスライドブロック３２を制御して、接液部材ＮをウエハＷの周縁部に移動させる。その後、ウエハＷを回転させた状態で、接液部材ＮをウエハＷの周縁部上に静止させる。このとき、ウエハＷの回転速度は、現像液Ｌを供給する工程と同程度であってもよい。
【００５６】
ここで、図８の（ｂ）に示されるように、接液部材Ｎの周縁近傍においては、接液部材Ｎの外側に拡がろうとする流れよりも、接液部材Ｎの内側に戻ろうとする渦流が顕著に生ずる。そのため、接液部材Ｎの下端面Ｎｂとレジスト膜Ｒの表面との間に位置する現像液Ｌの大部分は、接液部材Ｎの外方に流出せずに、接液部材Ｎの下端面Ｎｂとレジスト膜Ｒの表面との間で保持される。特に、本実施形態では、ウエハＷの回転数が上述のとおり比較的小さいので、現像液Ｌが接液部材Ｎの外方に流失し難い。従って、接液部材ＮがウエハＷの周縁部に位置すると、図８の（ａ）及び（ｂ）に示されるように、接液部材Ｎの下端面Ｎｂとレジスト膜Ｒとの間で現像液Ｌが保持される。保持する時間（接液部材ＮがウエハＷの周縁部に到達してから当該周縁部に静止している時間）は、例えば、１０秒〜２０秒程度であってもよい。
【００５７】
続いて、所定の現像時間（現像液Ｌの吐出が停止してから経過した時間）が経過後、制御部１００がスライドブロック３２及びアーム３３を制御して、接液部材ＮをウエハＷの表面Ｗａ上から退避させる。現像時間は、例えば、１０秒〜６０秒程度であってもよい。その後、ウエハＷの表面Ｗａを洗浄液で洗浄し、ウエハＷを乾燥することで、ウエハＷの表面Ｗａ上に所定のレジストパターンが形成される。以上により、現像処理が完了する。
【００５８】
［現像残渣の濃度と線幅との関係］
ところで、レジスト膜Ｒ（レジスト材料）に現像液Ｌが供給されると、レジスト膜Ｒは現像液Ｌに溶解し始め、レジスト膜Ｒからの溶解生成物（現像残渣）が現像液Ｌ中にイオンとして拡がる。そのため、レジスト膜Ｒの現像液Ｌへの溶解が進むと、現像液Ｌ中における現像残渣の濃度が高まってくる。本発明者らが当該濃度と線幅との関係性を調査したところ、当該濃度に対する線幅が正の相関を有することが判明した。以下に、その調査方法について、具体的に説明する。
【００５９】
まず、ネガ型のフォトレジストを用いてレジスト膜Ｒが表面Ｗａに形成されたウエハＷを、試験サンプル１〜５として５つ用意した。図９の（ａ）に示されるように、ウエハＷの表面Ｗａにおいて、中心部側の領域Ｓ１とその外側の領域Ｓ２との２つの領域を設定した。
【００６０】
円形状を呈する領域Ｓ１に含まれるレジスト膜Ｒに対しては、試験サンプル１〜５に応じて露光する面積を任意に調節した。一方、円環状を呈する領域Ｓ２に含まれるレジスト膜Ｒに対しては、パターン間隔（Ｌ／Ｓ）が４５ｎｍ程度となるように所定の開口パターンを有するマスク（レチクル）を用いて、試験サンプルによらずに露光量を一定としてその全域を露光した。
【００６１】
続いて、ウエハＷの表面Ｗａの全域（レジスト膜Ｒの表面の全域）に現像液Ｌを供給して、現像処理を行った。現像処理の完了後、ウエハＷの表面Ｗａを洗浄液で洗浄し、ウエハＷを乾燥した。そして、試験サンプル１〜５のそれぞれについて線幅を測定した。
【００６２】
ここで、各試験サンプル１〜５の領域Ｓ１における露光面積について、以下に具体的に説明する。試験サンプル１では、領域Ｓ１の全域を露光した。そのため、続く現像処理では、領域Ｓ１のレジスト膜Ｒはほとんど溶解せず、領域Ｓ１からは現像残渣が生じなかった。従って、領域Ｓ２に存在する現像残渣の量は、主として、領域Ｓ２において溶解したレジスト膜Ｒに由来した。
【００６３】
試験サンプル２では、領域Ｓ１の７５％の面積を露光し且つ残余の面積を露光しなかった。そのため、続く現像処理では、領域Ｓ１のレジスト膜Ｒは若干溶解し、領域Ｓ１において生じた現像残差のうち少なくとも一部が領域Ｓ２に供給された。従って、領域Ｓ２に存在する現像残渣の量は、領域Ｓ１，Ｓ２において溶解したレジスト膜Ｒの量に由来した。
【００６４】
試験サンプル３では、領域Ｓ１の５０％の面積を露光し且つ残余の面積を露光しなかった。そのため、続く現像処理では、領域Ｓ１のレジスト膜Ｒは溶解し、領域Ｓ１において生じた現像残差のうち少なくとも一部が領域Ｓ２に供給された。従って、領域Ｓ２に存在する現像残渣の量は、領域Ｓ１，Ｓ２において溶解したレジスト膜Ｒの量に由来した。
【００６５】
試験サンプル４では、領域Ｓ１の２５％の面積を露光し且つ残余の面積を露光しなかった。そのため、続く現像処理では、領域Ｓ１のレジスト膜Ｒは相当量溶解し、領域Ｓ１において生じた現像残差のうち少なくとも一部が領域Ｓ２に供給された。従って、領域Ｓ２に存在する現像残渣の量は、領域Ｓ１，Ｓ２において溶解したレジスト膜Ｒの量に由来した。
【００６６】
試験サンプル５では、領域Ｓ１の全域を露光しなかった。そのため、続く現像処理では、領域Ｓ１のレジスト膜Ｒはほとんど溶解し、領域Ｓ１において生じた現像残差のうち少なくとも一部が領域Ｓ２に供給された。従って、領域Ｓ２に存在する現像残渣の量は、領域Ｓ１，Ｓ２において溶解したレジスト膜Ｒの量に由来した。以上より、領域Ｓ２における現像残渣の濃度（領域Ｓ２において現像液Ｌに含まれる現像残渣の量）は、試験サンプル１において最も低く、試験サンプル２〜５の順に高くなっていった。
【００６７】
各試験サンプル１〜５について測定された線幅の結果を図９の（ｂ）に示す。図９の（ｂ）に示されるように、現像残渣の濃度に対するレジストパターンの線幅は正の相関を示すことが確認された。すなわち、現像残渣の濃度が高いほど現像速度が遅く、線幅が大きくなるという知見が得られた。なお、図９の（ｂ）に示される直線状の破線は、各点に関する一次近似直線（回帰直線）である。
【００６８】
［作用］
ところで、通常、現像液Ｌの供給が先行した領域（先行領域）ほど、レジスト膜Ｒに対する現像液Ｌの接液時間が長くなる。そのため、現像液Ｌの供給が先行した領域ほど現像が進行して、レジスト膜Ｒの現像液への溶解が促進され、線幅が小さくなる傾向にある。一方、現像液の供給が後行した領域ほど現像が遅く、レジスト膜の現像液への溶解が進まず、線幅が大きくなる傾向にある。そのため、均一な面内線幅分布を得るためには、ウエハＷの表面Ｗａのうち線幅が小さくなる傾向にある領域において、現像の進行を遅らせて、線幅を調整すべきである。そこで、本実施形態では、ウエハＷの表面Ｗａと対向する下端面Ｎｂを有する接液部材Ｎを、ウエハＷの表面Ｗａのうち接液部材Ｎの吐出口Ｎａからの現像液Ｌの供給が先行した領域（本実施形態において、ウエハＷの周縁部）の上方に配置して、下端面Ｎｂとレジスト膜Ｒの表面との間で現像液を保持している。そのため、現像液Ｌの供給が先行した領域（ウエハＷの周縁部）において、接液部材Ｎの存在により現像液Ｌが保持されると、現像液Ｌ中に含まれる現像残渣の濃度が下端面Ｎｂとレジスト膜Ｒの表面との間で高まる。従って、現像液Ｌの供給が先行した領域（ウエハＷの周縁部）において、レジスト膜Ｒの溶解が抑制され、現像の進行が抑えられる。その結果、接液部材Ｎを用いることで、現像液Ｌの供給が先行した領域（ウエハＷの周縁部）における線幅を、現像液Ｌの供給が後行した領域（ウエハＷの中央部）における線幅と同程度に制御することができる。以上より、面内線幅分布の均一性を向上させることが可能となる。特に、現像残渣の濃度に対して線幅が正の相関を有するという上記の知見に基づいて、現像液Ｌの供給が先行した領域に接液部材を配置して当該領域における現像残渣の濃度を調節することにより、所望の線幅を実現することが可能となる。
【００６９】
本実施形態では、レジスト膜Ｒの表面全体に現像液Ｌが行き渡らせる際に、ウエハＷの周縁部から回転軸に向けて接液部材Ｎを移動させている。そのため、ウエハＷの周縁側で発生した現像残渣が、接液部材Ｎの移動につれて、吐出口Ｎａから供給された現像液Ｌに随伴してウエハＷの中央部（回転軸）側に移動しやすくなる。従って、線幅を制御するために用いられる現像残渣が、ウエハＷの外部に排出され難くなる。その結果、ウエハＷの表面Ｗａ上において生成された現像残渣を、線幅の制御のために効果的に活用することが可能となる。
【００７０】
本実施形態では、吐出口Ｎａが、接液部材Ｎの下端面Ｎｂに形成されている。そのため、現像液Ｌの供給が接液部材Ｎによって行われる。そのため、部品点数が少なくなるので、コストの低減を図ることができる。
【００７１】
［他の実施形態］
以上、本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明は上記した実施形態に限定されるものではない。例えば、上記実施形態では、接液部材ＮをウエハＷの周縁部上に位置させて、接液部材Ｎの下端面Ｎｂとレジスト膜Ｒの表面との間で現像液Ｌを保持したが、ウエハＷの表面Ｗａのうち接液部材Ｎからの現像液Ｌの供給が先行した領域であれば、接液部材ＮをウエハＷの周縁部以外に位置させてもよい。
【００７２】
レジスト膜Ｒの表面全体に現像液Ｌを行き渡らせる際に、制御部１００がスライドブロック３２を制御して、ウエハＷの中央部（回転軸）から周縁部に向けて接液部材Ｎを移動させてもよい。具体的には、まず、図１０の（ａ）に示されるように、接液部材Ｎの下端面ＮｂがウエハＷの表面Ｗａにおける中央部（回転軸）と対向するように、制御部１００がスライドブロック３２及びアーム３３を制御して、接液部材ＮをウエハＷの表面Ｗａ上に位置させる。次に、図１０の（ａ）及び（ｂ）に示されるように、制御部１００が回転部２１を制御してウエハＷを回転させた状態で、制御部１００がポンプ４３及びバルブ４４を制御して、レジスト膜Ｒの表面と下端面Ｎｂとによって形成されるギャップＧ（図６参照）に吐出口Ｎａから現像液Ｌを供給させつつ、制御部１００がスライドブロック３２を制御して、ウエハＷの中央部（回転軸）から周縁部に向けて接液部材Ｎを移動させる（図１０の（ａ）における矢印Ｄ１参照）。次に、接液部材ＮがウエハＷの周縁部に到達したときに、制御部１００がポンプ４３及びバルブ４４を制御して、吐出口Ｎａからの現像液Ｌの吐出を停止させる。こうして、図１０の（ｃ）に示されるように、レジスト膜Ｒの表面全体に現像液Ｌが行き渡り、レジスト膜Ｒの現像が進行する。この場合、ウエハＷの中央部において現像液Ｌの供給が先行するので、接液部材Ｎの下端面Ｎｂとレジスト膜Ｒの表面との間に現像液Ｌを保持する際には、接液部材ＮをウエハＷの中央部上に位置させる。
【００７３】
接液部材Ｎの下端面Ｎｂとレジスト膜Ｒの表面との間で現像液Ｌを保持する際に、図１１に示されるように、接液部材Ｎに正の電位が付加されていてもよい。現像残渣は負に帯電していることが知られている。そのため、接液部材Ｎに正の電位を付加することで、現像残渣を接液部材Ｎの近傍に保持しやすくなる。
【００７４】
接液部材Ｎは、レジスト膜Ｒの表面（ウエハＷの表面Ｗａ）と対向する下端面Ｎｂを有していればよい。そのため、接液部材Ｎの形状は特に制限されず、例えば柱状や板状を呈していてもよい。
【００７５】
下端面Ｎｂは、平面状のみならず、例えば、二次元的又は三次元的に湾曲した湾曲状面、凹凸面などであってもよい。下端面Ｎｂが粗面化処理されていてもよい。これらの場合でも、下端面Ｎｂの表面積が増加し、下端面Ｎｂにより現像液Ｌの流動が妨げられるので、下端面Ｎｂとレジスト膜Ｒの表面との間で現像液Ｌを保持しやすくなる。
【００７６】
他の例に係る接液部材Ｎを、図１２を参照して説明する。図１２に示される接液部材Ｎの下端面Ｎｂには、突条部Ｎｃが設けられている。突条部Ｎｃは、接液部材Ｎ（下端面Ｎｂ）の周縁に沿って円環状に延びている。そのため、突条部Ｎｃの存在により、接液部材Ｎの中央から周縁に向かう現像液Ｌの流れが妨げられる。従って、接液部材Ｎの下端面Ｎｂとレジスト膜の表面との間で現像液Ｌをより保持しやすくなる。
【００７７】
他の例に係る接液部材Ｎを、図１３を参照して説明する。図１３に示される接液部材Ｎの下端面Ｎｂには、複数の突起部Ｎｄが設けられている。そのため、複数の突起部Ｎｄの存在により、現像液Ｌの流れが妨げられる。そのため、接液部材Ｎの下端面Ｎｂとレジスト膜Ｒの表面との間で現像液Ｌを保持しやすくなる。突起部Ｎｄは、図１３においては三角錐形状を呈しているが、接液部材Ｎと現像液Ｌとの接触面積を大きくして現像液Ｌの流れを妨げることができればよいので、例えば、他の多角錐形状、多角柱形状、その他の異形状であってもよい。
【００７８】
上記実施形態では、吐出口Ｎａが下端面Ｎｂに形成されており、接液部材Ｎが現像液Ｌの吐出ノズルとしても機能したが、図１４に示されるように、接液部材Ｎに貫通孔Ｈ及び吐出口Ｎａが形成されておらず、現像液供給部４０が接液部材Ｎとは別体の吐出ノズルＮ１を備えていてもよい。このとき、同図に示されるように、駆動部３０は、スライドブロック３４と、アーム３５とをさらに有する。スライドブロック３４は、ガイドレール３１に沿って水平方向に移動可能となるように、ガイドレール３１に接続されている。アーム３５は、上下方向に移動可能となるように、スライドブロック３４に接続されている。アーム３５の下端には吐出ノズルＮ１が接続されている。吐出ノズルＮ１は、供給管４２を介して現像液貯留部４１に接続されている。吐出ノズルＮ１の下端には吐出口Ｎ１ａが形成されており、現像液貯留部４１から供給された現像液Ｌが吐出口Ｎ１ａから吐出される。
【００７９】
図１４に示される現像ユニットＵ１において、ウエハＷの表面Ｗａにおいて周縁部から中央部へと現像液Ｌを供給した場合には、貫通孔Ｈ及び吐出口Ｎａが形成されていない単なる柱状又は板状の接液部材Ｎの代わりに、図１５の（ａ）に示されるような接液部材Ｎ２を用いてもよい。接液部材Ｎ２は、円環状を呈しており、例えば、円板の中央部を円形に切り抜いて得られる。接液部材Ｎ２は、その中心軸と交差する方向に拡がる下端面Ｎｂを有する。図１４の（ｂ）に示されるように、下端面Ｎｂは、ウエハＷの周縁部において、ウエハＷの表面Ｗａと略平行の状態で対向する。この場合も、現像液Ｌの供給が先行した領域（ウエハＷの周縁部）において、レジスト膜Ｒの溶解が抑制され、現像の進行が抑えられる。その結果、面内線幅分布の均一性を向上させることが可能となる。なお、接液部材Ｎ２をウエハＷの表面Ｗａに位置させている間、ウエハＷを回転させていてもよいし、ウエハＷを回転させていなくてもよい。
【００８０】
接液部材Ｎの下端面Ｎｂとレジスト膜Ｒの表面との間で現像液Ｌを保持する際に、ウエハＷの表面Ｗａのうち接液部材Ｎ又は吐出ノズルＮ１から現像液Ｌが供給された領域の順に応じて、接液部材Ｎ又は吐出ノズルＮ１をウエハＷの表面Ｗａの上方において移動させてもよい。この場合、レジスト膜Ｒの溶解が進行しやすい領域の順に接液部材Ｎ又は吐出ノズルＮ１が移動するので、ウエハＷの表面Ｗａの全体において線幅の大きさを同等に制御することができる。そのため、面内線幅分布の均一性をより向上させることが可能となる。
【００８１】
レジスト膜Ｒは、ネガ型のフォトレジストを用いて形成されていてもよいし、ポジ型のフォトレジストを用いて形成されていてもよい。
【実施例】
【００８２】
上記実施形態に係る現像ユニットＵ１と同様の構成を有する現像ユニットを用いて現像処理を行った場合に、面内線幅分布の均一性を向上できることを確認するため、下記の試験例１〜４の試験を行った。
【００８３】
（試験例１）
直径３００ｍｍのウエハと、ネガ型のフォトレジストとを用意した。次に、当該フォトレジストを用いて、厚さ０．１μｍのレジスト膜をウエハの表面に形成した。次に、レジスト膜は、所定パターンの開口を有するマスク（レチクル）を用いて、露光装置によりレジスト膜を露光した。次に、ウエハを回転させた状態で、レジスト膜の表面と接液部材の下端面（直径２０ｍｍ）とによって形成されるギャップ（図６参照の符号Ｇ参照）に接液部材の吐出口から現像液を供給させつつ、ウエハの周縁部から中央部（回転軸）に向けて接液部材を移動させた。このとき、ウエハの回転数を３０回転／分に設定し、接液部材の移動速度を２０ｍｍ／秒に設定し、吐出口からの現像液の吐出流量を１ｃｃ／秒に設定した。ウエハの周縁部から中央部までの接液部材の移動時間は、７．５秒であった。
【００８４】
接液部材がウエハの回転軸上に到達後、吐出口からの現像液の吐出を停止させた。次に、接液部材をウエハの中央部から周縁部に向けて移動させた。接液部材がウエハの中央部から周縁部まで移動するのに要した時間は、１秒程度であった。その後、ウエハを回転させた状態で、接液部材をウエハの周縁部上に５秒程度静止させた。このとき、ウエハの回転数を３０回転／分に設定した。試験例１において、接液部材の中心位置は、ウエハＷの中心から１３０ｍｍとなる位置であった。すなわち、試験例１における接液部材の中心位置は、ウエハの表面のうち接液部材の吐出口からの現像液の供給が最先となる領域であった。
【００８５】
続いて、現像液の吐出が停止してから経過した時間（現像時間）が１０秒経過した後に、接液部材をウエハの表面上から退避させた。次に、ウエハの表面を洗浄液で洗浄し、ウエハを乾燥した。以上により、現像処理が完了し、ウエハの表面上に所定のレジストパターンが形成された。その後、形成された当該レジストパターンについて、ウエハの中心からの距離に応じて線幅を測定した。この線幅の測定には、測長ＳＥＭ（株式会社日立ハイテクノロジーズ製）を使用した。その測定結果を図１６に示す。試験例１においては、線幅の最大値と最小値との差が１．６ｎｍ程度であった。
【００８６】
（試験例２）
接液部材の静止位置をウエハの中心から８０ｍｍの位置とした以外は、試験例１と同様に現像処理を行い、ウエハの中心からの距離に応じて線幅を測定した。その測定結果を図１７に示す。試験例２においては、線幅の最大値と最小値との差が２．３ｎｍ程度であった。
【００８７】
（試験例３）
接液部材の静止位置をウエハの中心から４０ｍｍの位置とした以外は、試験例１と同様に現像処理を行い、ウエハの中心からの距離に応じて線幅を測定した。その測定結果を図１８に示す。試験例３においては、線幅の最大値と最小値との差が３．７ｎｍ程度であった。
【００８８】
（試験例４）
接液部材の静止位置をウエハの中心から０ｍｍの位置（ウエハの直上）とした以外は、試験例１と同様に現像処理を行い、ウエハの中心からの距離に応じて線幅を測定した。その測定結果を図１９に示す。試験例４においては、線幅の最大値と最小値との差が３．８ｎｍ程度であった。
【００８９】
（試験結果）
図１９に示されるように、接液部材の静止位置がウエハの中心であった試験例４においては、現像液の供給が先行したウエハの周縁部ほど、レジスト膜に対する現像液の接液時間が長くなる。そのため、現像液の供給が先行したウエハの周縁部ほど、レジスト膜の現像液への溶解が促進され、線幅が小さくなる傾向にあるが、現像液の供給が後行したウエハの中央部ほど、レジスト膜の現像液への溶解が進んでおらず、線幅が大きくなる傾向にあることが確認された。
【００９０】
これに対し、図１６〜図１８に示されるように、試験例１〜３では、接液部材の静止位置において線幅が大きくなる傾向にあることが確認された。特に、図１６に示されるように、ウエハの表面のうち接液部材の吐出口からの現像液の供給が最先となる領域に接液部材を静止させた試験例１では、ウエハの中央部から周縁部にかけて線幅の分布がほぼ一定となり、面内線幅分布の均一性が極めて高いことが確認された。
【符号の説明】
【００９１】
１…基板処理システム、２…塗布現像装置、２０…回転保持部、３０…駆動部（移動機構）、１００…制御部、Ｌ…現像液、Ｎ，Ｎ２…接液部材、Ｎａ…吐出口、Ｎｂ…下端面（対向面）、Ｎｃ…突条部、Ｎｄ…突起部、Ｎ１…吐出ノズル、Ｒ…レジスト膜、Ｕ１…現像ユニット（現像装置）、Ｗ…ウエハ（基板）、Ｗａ…表面
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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