(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
顆粒ポリシリコンの分級および除塵方法であって、前記顆粒ポリシリコンをスクリーニングプラントに供給して１つ以上の篩面によって２つ以上の分級物に分け、前記スクリーニングプラント内の前記顆粒ポリシリコンのスローイング動作が前記顆粒ポリシリコンから付着塵粒を除去し、前記除去した塵粒を前記スクリーニングプラントに供給されるガスフローによって前記スクリーニングプラントから取り除き、前記スクリーニングプラントは気密設計であり、前記スクリーニングプラントが周囲に対して陽圧になるように前記ガスフローの供給および取出しを行い、前記スクリーニングプラントが、蓋および底部を備え、ガス流の均一な圧入を篩分けプロセス中に前記スクリーニングプラントの前記蓋で行うことにより、前記スクリーニングプラントの前記底部での排出に前記顆粒ポリシリコンおよび前記ガスフローと並流で塵粒を移動し、かつ前記スクリーニングプラントの前記底部において別個の分級物として前記塵粒を除去する、方法。
【請求項２】
制御部を用いて前記スクリーニングプラント内において周囲と比べて一定の陽圧を達成する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
計量部を用いて前記スクリーニングプラント内に前記顆粒ポリシリコンを供給する、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
ろ過マットを経て前記スクリーニングプラント内に前記ガス流が通過する、請求項１〜３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
前記スクリーニングプラント内の平均ガス速度が０．１〜０．４ｍ／秒である、請求項１〜４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記スクリーニングプラントが、周囲と比べて５〜５０ミリバールの陽圧である、請求項１〜５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
前記スクリーニングプラントの単位篩面積当たりの標準条件下での前記ガスフローの供給される体積流量が、少なくとも２００ｍ３／（ｈｍ２）である、請求項１〜６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
顆粒ポリシリコンを分級および除塵するための装置であって、前記顆粒ポリシリコンの除塵が統合されたスクリーニングプラントと、前記スクリーニングプラント内への前記顆粒ポリシリコンの供給部と、１つ以上の篩面と、前記スクリーニングプラント内に導入されたガスフローによって塵粒を排出するための排出領域とを備え、前記スクリーニングプラントが気密設計であり、前記スクリーニングプラントが周囲に対して陽圧であり、前記スクリーニングプラントが、蓋および底部を備え、ガス流の均一な圧入を篩分けプロセス中に前記スクリーニングプラントの前記蓋で行うことにより、前記スクリーニングプラントの前記底部での排出に前記顆粒ポリシリコンおよび前記ガスフローと並流で塵粒を移動し、かつ前記スクリーニングプラントの前記底部において別個の分級物として前記塵粒を除去する、装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、顆粒ポリシリコンの分級および除塵のための装置および方法を提供する。
【背景技術】
【０００２】
顆粒多結晶シリコンまたは略して顆粒ポリシリコンを流動床反応器内で製造する。流動床内でガスフローを用いてシリコン粒子を流動し、加熱装置を用いて高温まで前記床を加熱することによりこれを行う。シリコン含有反応ガスの添加は、熱い粒子表面において熱分解反応をもたらす。これにより、シリコン粒子状に元素ケイ素が成膜して個々の粒子は直径が増大する。直径が拡張した粒子の定期的離脱および比較的小さいシリコン粒子の種粒子として添加することにより、方法をその付随する利点の全てと共に連続的に運転可能とする。使用し得るシリコン含有反応ガスは、シリコン−ハロゲン化合物（例えば、クロロシランまたはブロモシラン）、モノシラン（ＳｉＨ４）およびこれらのガスと水素との混合物である。
【０００３】
一旦製造すれば、顆粒ポリシリコンを、通常、スクリーニングプラント（分級）によって２つ以上の分級物または分類に分ける。その後、最小の篩分け分級物（篩下）を製粉プラントで種粒子に処理し、反応器に添加してもよい。篩分け目標分級物を、通常、包装して顧客に輸送する。顧客は、とりわけ、チョクラルスキー法（Ｃｚ法）に従って単結晶の成長用に顆粒ポリシリコンを使用する。
【０００４】
分級は篩選別機を使用する。篩選別機は、概括的な言葉で、篩い分け、すなわち、粒径に応じて固体混合物を分離するための機械である。平面振動篩選別機および振盪篩選別機の間は、動作の特徴に関して区別される。通常、電磁的手段またはアンバランスモーターもしくは駆動により篩選別機を駆動する。篩分けトレーの動作は、篩の長手方向に投入材料を運び、微粉分級物がメッシュ開口部を通過するのを促進する。平面振動篩選別機と対照的に、振盪篩選別機は、水平方向の篩い分けの加速だけでなく垂直方向も行う。
【０００５】
振盪篩選別機では、垂直方向スローイング動作は、穏やかな回転動作と合わさる。このことは、粒子が同時に垂直方向の加速を経験するが、試料材料は篩分けトレーの全領域にわたって分布する効果を有する。前記粒子は、空気中および篩上に落ちる際に、篩繊維のメッシュと比較して自由回転できる。粒子が前記粒子より小さい場合、篩を通過し、大きい場合、再度上方に跳ねられる。回転動作は、前記粒子が篩繊維に衝突する次に異なる方向になり、それ故、たぶん最終的にメッシュ開口部を通過するだろうことを保証する。
【０００６】
平面篩選別機では、スクリーニング塔は、平面内で水平方向の円形動作を行う。結果として、大部分の粒子は、篩繊維上でその方向を保持する。試料材料が上方に跳ねることが必ずしも有利でない場合、針状、結晶板形状、細長いまたは繊維状の篩い分けした材料用に平面篩選別機を好適に使用する。
【０００７】
１つの特定の種類は、いくつかの粒径を同時に分別できる多段篩選別機である。これらは、中程度〜超微細粒径範囲の非常に多数のシャープな分離用に設計されている。多段平面篩選別機の駆動原理は、線形振動を発生するために反対方向に稼動する２つのアンバランスモーターに基づいている。篩い分けられた材料は、水平分離面にわたって直線に移動する。機械は低振動加速で動作する。多数のスクリーンデッキをスクリーンスタックに組み立てるために使用してもよい。従って、篩分けトレーを変更する必要のないことが要求される場合、単一の機械で異なる粒径を製造できる。同じスクリーンデッキ配列の複数回の反復により、篩い分けされた材料に利用可能な大きな篩面積を製造できる。
【０００８】
米国特許第７，９５９，００８（Ｂ２）号は、第一篩面に沿って顆粒を運ぶことにより第一および第二粒子を含んでなる顆粒から第一粒子を篩い分けする方法を特許請求しており、該顆粒は前記面と該篩面に沿って伸びるカバー間の篩面に沿って運ばれ、該カバーにより第一粒子は該篩面に沿って伸びるその縦軸と合わせ、各第一粒子の長手の伸びは第一篩面を形成するスクリーンのメッシュ幅より大きく、第二粒子の長手の伸びはメッシュ幅と等しいかまたはより小さい。方法は、上流の篩分け段階において塵粒の除去を提供する。マイクロメートルの大きさの塵粒の緩い接着は、スローイング動作により脱離し、スクリーンデッキの上および／または下の吸引除去手段によりスクリーニングプラントから取り除かれる。
【０００９】
米国特許出願公開第２０１２／００５２２９７（Ａ１）号は、多結晶シリコンからシリコン粉塵を除去するため、湿式化学処理なしで、圧縮空気またはドライアイスを用いて、顆粒の形態または桿状体、桿状片または塊の形態で存在する多結晶シリコンを除塵する方法を開示している。
【００１０】
米国特許出願公開第２０１４／０２６２９８１（Ａ１）号は、顆粒ポリシリコンを除塵するための装置および方法について記載している。ここでは、顆粒ポリシリコンは、円柱状ライニング容器内に配置された円錐状分配器上に落下し、従って、顆粒ポリシリコンを放射状に外側への動作に向け直す。下に位置して、該円錐状分配器は、個別の結合により流入する顆粒ポリシリコンに向流して遊離された粉塵を排出するため不活性ガスを容器に注入するノズルである。真空排出をさらに助けることを排出スタブに適用してもよい。
【００１１】
米国特許第６，６０９，８７０（Ｂ２）号は、除塵装置を備える顆粒ポリシリコン用空気式運搬システムについて記載している。このシステムでは、顆粒ポリシリコンは、空気式手段によりパイプを経て、第一容器から垂直に上方に第二容器内に運搬される。この第二容器では、顆粒ポリシリコンは、ガイドプレートを経て、重力により回収容器内に運搬される。ガイドプレートとの接触は、粉塵を顆粒ポリシリコンから移動して層をなしたガス流を経て吸引により除去されることを引き起こす。
【００１２】
顆粒多結晶シリコンが塵粒を表面に付着することは公知である。付着塵粒は、好ましくは、１０μｍ未満の大きさの粒子である。これらの付着塵粒は、固形物輸送または環境からの有機／無機粒子からの前述の方法で生成したシリコン粒子、プラスチックまたは金属アトリタスのいずれかである。
【００１３】
これらの塵粒は溶融中に浮遊するので、さらなる処理に対して有害な影響を及ぼし、従って、ＣＺ引き上げ中に付着問題をもたらし得る。パイプおよび取付け部品は、このような塵粒のせいでファウリングにさらに困る。塵粒は、さらに、その大きな特定の表面積が理由で可能性のある汚染運搬体である。
【００１４】
従って、これらの塵粒を除去する必要性がある。
【００１５】
先行技術は、個々の装置でそのために提供される表面における衝撃効果または振り分け方法中の動作のいずれかにより、表面付着塵粒の可動化を達成している。可動化した塵粒は、吸引除去手段によりプラントから取り除かれる。場合によっては、吸引による除去は、ガス注入により促進される。
【００１６】
先行技術では、顆粒ポリシリコンは除塵中環境により汚染されることが観察された。これは、スクリーニングプラント内に吸引される環境からの不純物に起因する。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１７】
本発明により達成すべき目的は、前述の問題から生じた。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
本発明の目的は、顆粒ポリシリコンの分級および除塵方法であって、該顆粒ポリシリコンをスクリーニングプラントに供給して１つ以上の篩面によって２つ以上の分級物に分け、該スクリーニングプラント内の該顆粒ポリシリコンのスローイング動作が該顆粒ポリシリコンから付着塵粒を除去し、該除去した塵粒を該スクリーニングプラントに供給されるガスフローによって該スクリーニングプラントから取り除き、該スクリーニングプラントは気密設計であり、該スクリーニングプラントが周囲に対して陽圧になるように該ガスフローの供給および取出しを行う方法により達成される。
【００１９】
目的は、顆粒ポリシリコンを分級および除塵するための装置であって、該顆粒ポリシリコンの除塵が統合されたスクリーニングプラントと、該スクリーニングプラント内への該顆粒ポリシリコンの供給部と、１つ以上の篩面と、該スクリーニングプラント内に導入されたガスフローによって塵粒を排出するための排出領域とを備え、該スクリーニングプラントが気密設計であり、該スクリーニングプラントが周囲に対して陽圧である装置によっても達成される。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
方法は、スクリーニングプラントの篩面上のスローイング動作が理由で、付着塵粒が顆粒ポリシリコンから脱離することを提供する。
【００２１】
スクリーニングプラントは気密設計である。スクリーニングプラントは好ましくは蓋および底部を備える。振り分け方法中スクリーニングプラントの蓋においてガス流の均一注入を行うことにより、スクリーニングプラントの底部において粒子束と並流で塵粒を排出まで移動する場合が好ましい。スクリーニングプラントの底部において、個別の分級物として塵粒を除去する。
【００２２】
除塵中に周囲の影響を排除するために、スクリーニングプラントにおける除塵を、周囲に対して陽圧下で実施する。
【００２３】
一定の陽圧をスクリーニングプラントに適用することを保証するために、ガスの供給および取出しを好ましくは閉ループ制御回路により制御する。先行技術では、吸引による除去により、スクリーントラフ内に達成する周囲と比べて陰圧となった。ガスを周囲と交換可能とするプラントまたはプラントセットアップ内の僅かな漏れは、環境からの不純物がプラント内に吸引されるのを可能とし、前記不純物が顆粒ポリシリコンの表面汚染の原因となる。
【００２４】
本発明における「スクリーニングプラントの気密設計」および「周囲に対して陽圧で運転」という特徴を合わせることで、これを回避可能とする。
【００２５】
ガスフローは、塵粒の排除を促進するが、顆粒ポリシリコンから塵粒の脱離を促進しない。スクリーニングプラントで顆粒ポリシリコンのスローイング動作および作業中の衝撃効果により、塵粒の脱離を達成する。
【００２６】
ガスフローを、粒子束と並流で提供する。
【００２７】
１つの実施形態では、顆粒ポリシリコンのスクリーニングプラント内へ供給する部は計量部である。
【００２８】
顆粒ポリシリコンの供給する部、好ましくは計量部で、スクリーニングプラントの蓋を経てガスを注入する場合が好ましい。
【００２９】
スクリーニングプラントでのガスの均一化を保証し、スクリーニングプラントへのフリージェットを回避するために、スクリーニングプラントの蓋に配置されたろ過マット（ミクロポーラスプラスチック本体）により、ガスを均一に導入するのが好ましい。
【００３０】
従来のノズルによる注入は同様に可能である。
【００３１】
スクリーニングプラントの蓋のろ過マットを通るガス供給点の数は、要望通りに変更してもよいが、但し、スクリーニングプラントの蓋との結合配置は、設置の観点から技術的に実行可能なものである。
【００３２】
好ましい数は、篩面積ｍ２当たり蓋において１〜５０個の供給点、特に好ましくは、篩面積ｍ２当たり蓋において３０〜４０個の供給点である。
【００３３】
ろ過マットへのガス供給に関して、全ての供給点を専用ガス流と共に供給し制御するか、あるいは１０個までの供給点のグループで集合的に供給点を供給し制御する。
【００３４】
複数の供給点のグループをガスと一緒に供給する場合、ガス供給は、等しい体積流量を供給点で得るためにその上流に横断面の狭小化（例えば、穿孔プレートまたはラバルノズルによる）を有するべきである。
【００３５】
塵粒の排出をさらに促進するために、スクリーニングプラントの底部において排出方向にガスを注入する。
【００３６】
振り分けられた材料の最小製品分級物を、最終スクリーニング段階による粉塵分級物から分離し、従って、粉塵を、専用出口を経てスクリーニングプラント底部より排出する。
【００３７】
ガスの異なる供給点は、スクリーニングプラントの最適フロープロファイルを得て、スクリーニングプラントからの塵粒の最良で可能な空気式排出を行う。
【００３８】
さらに除塵するため、好ましくは、製品分級物を追加的にそれぞれの排出導管内でガスの向流流れに付す。
【００３９】
それぞれの排出導管の塵粒を積んだガス流を、スクリーニングプラントからの粉塵用排出導管と結合する。 
【００４０】
塵粒を積んだオフガス流の体積流量を、周囲に対して陽圧をスクリーニングプラントで達成するように制御する。
【００４１】
さらにこの制御は、スクリーニングプラントより低い向流除塵によりスクリーニングプラント内に塵粒が吹き戻されないことを保証する。
【００４２】
スクリーニングプラント内の平均ガス速度は、０．１〜０．４ｍ／秒、特に好ましくは０．２〜０．３ｍ／秒であるべきである。
【００４３】
平均ガス速度を、供給された測定可能なガス体積流量から算出してもよい。
【００４４】
０．２ｍ／秒の平均ガス速度を、例えば、約２００ｍ３／（ｈ（時）ｍ２）の標準条件下、篩面積に基づくガススループットを用いて達成してもよい。
【００４５】
スクリーニングプラントは、５〜５０ミリバール、好ましくは１０〜２０ミリバールの周囲に対して陽圧であるべきである。
【００４６】
スクリーニングプラントを出た後、好ましくは、塵粒を空気式手段により運搬する。
【００４７】
ガス供給部を経て排出導管にガスを供給することによりこれを行ってもよい（ベンチュリノズル用として同様な原理により）。
【００４８】
微細な粉塵を、ろ過部を経て除去されたガス流から除去する場合が好ましい。
【００４９】
それから、精製ガスをオフガスとして環境に放出するか、あるいはガス供給に戻し再循環してもよい。
【００５０】
適切なガスとしては、精製空気、窒素または他の不活性ガスが挙げられる。
【００５１】
ガスの損失、酸素含有率減少および漏れた粉塵による粒子濃度上昇を回避するため、本発明に従ったスクリーニングプラントは、さらに、注入ガスがスクリーニングプラント周囲の作業空間に漏れることがないように構成しなければならない。
【００５２】
それにもかかわらず、スクリーニングプラント内で漏れが起こる場合、周囲に対して陽圧である運転方法は、外部の不純物がスクリーニングプラント内に入ることができないことを保証する。
【００５３】
この運転方法は、環境による表面汚染のリスクを防止する。
【００５４】
周囲に対するプラント内の一定の陽圧は、スクリーニングプラント内の圧測定ならびにそれに応じて除塵ガスの供給および取出しの制御により保証される。
【００５５】
本発明に従った方法の上記実施形態に関連して引用された特徴を、本発明に従った装置に対応するように適用してもよい。逆に、本発明に従った装置の上記実施形態に関連して引用された特徴を、本発明の従った方法に対応するように適用してもよい。本発明に従った実施形態のこれらおよび他の特徴を、図の説明および請求の範囲において明らかにする。個々の特徴を、本発明の実施形態として別々にあるいは組み合わせて現実化してもよい。前記特徴は、それ自身の権利の保護のために好適な有利な実施についてさらに説明し得る。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】顆粒ポリシリコンの分級および除塵のための装置を示す。
【図２】先行技術に従って分級および除塵された顆粒ポリシリコンの微細粉塵濃度（比較例）および本発明の３つの例示となる実施形態（本発明の分級および除塵）を示す。
【図３】先行技術に従って分級および除塵された顆粒ポリシリコンの表面炭素濃度（比較例）および本発明の３つの例示となる実施形態（本発明の分級および除塵）を示す。
【図４】先行技術に従って分級および除塵された顆粒ポリシリコンのホウ素濃度（比較例）および本発明の３つの例示となる実施形態（本発明の分級および除塵）を示す。
【図５】先行技術に従って分級および除塵された顆粒ポリシリコンのリン濃度（比較例）および本発明の３つの例示となる実施形態（本発明の分級および除塵）を示す。
【図６】先行技術に従って分級および除塵された顆粒ポリシリコンのナトリウム濃度（比較例）および本発明の３つの例示となる実施形態（本発明の分級および除塵）を示す。
【符号の説明】
【００５７】
１．スクリーニングプラント
２．製品供給
３．スクリーニングプラント蓋
４．スクリーニングプラント底部
５．篩面／スクリーンデッキ
６．ガス供給
７．塵粒を積んだガス取出し
８．塵粒用フィルター
９．篩下排出分級物
１０．目標サイズ排出分級物
１１．篩上排出分級物
【００５８】
図１は、顆粒ポリシリコンの分級および除塵のための装置の模式的構成を示す。
【００５９】
スクリーニングプラント１は、蓋３および底部４を備える。分級および除塵される顆粒ポリシリコンを、製品供給２によって導入する。篩面／スクリーンデッキ５を分級のために準備する。ガス供給６を経てガスを注入する。塵粒を積んだガスを、ガス取出し７を経てスクリーニングプラント１から除去する。除去したガス流から微細粉塵を取り除く塵粒用フィルター８を準備する。顆粒ポリシリコンを、３つの分級物（篩下、目標サイズ、篩上）に分級する。これら３つの分級物用に排出９、１０、１１を準備する。
【実施例】
【００６０】
比較例および実施例
比較例および実施例では、異なる方法で分級および除塵した顆粒ポリシリコン上の微細粉塵、表面炭素、ホウ素、リンおよびナトリウムの濃度を決定した。
【００６１】
表面における炭素濃度を、米国特許出願公開第２０１３／０２１６４６６（Ａ１）号に詳細に記載されているいわゆるＬＥＣＯ法により決定した。
【００６２】
ホウ素およびリンを、フォトルミネセンスによる多結晶材料（ＳＥＭＩ  ＭＦ  １７２３）から製造されたＦＺ単結晶の単結晶試料に対してＳＥＭＩ  ＭＦ  １３９８に従って決定した。
【００６３】
金属濃度（ナトリウム）を、ＩＣＰ−ＭＳ（誘導結合プラズマ質量分析）によりＡＳＴＭ  １７２４−０１に従って決定した。
【００６４】
ドイツ特許公開第１０２０１００３９７５４（Ａ１）号の方法に従って微細粉塵を洗い落とした。微細粉塵含有率を粒度計で測定しないが、むしろ粉塵含有率をＵＶ／可視分光法による測光手段によって決定する。ＵＶ／可視分光法は、紫外線（ＵＶ）および可視（Ｖｉｓ）光の電磁波を利用する分光法の一種である。
【００６５】
比較例（発明外）
比較例は、粉塵を篩分け領域から吸引により除去した先行技術のスクリーニングプラント（国際公開第２０１５／０３２５８４（Ａ１）号参照）を使用した。しかしながら、このスクリーニングプラントを外向きに密閉しなかった。粉塵の吸引による除去および周囲からの空気の関連する吸引は、不純物が製品表面上に付着するのを可能とした。
【００６６】
表１は、５つの試料の結果および平均値を示す。
【表１】
0006462144.tif 000002
実施例は、本発明の方法／本発明の装置（気密スクリーニングプラント、周囲に比べ陽圧での運転）を使用した。加えて、ガススループットおよび従ってスクリーニングプラント内の流量を変化させた。
【００６７】
実施例１
パージのための単位篩面積当たりの標準条件下での供給した体積流量は、１００ｍ３／（ｈｍ２）であった。
【００６８】
表２は、５つの試料の結果および平均値を示す。
【表２】
0006462144.tif 000003
【００６９】
実施例２
パージのための単位篩面積当たりの標準条件下での供給した体積流量は、２００ｍ３／（ｈｍ２）であった。
【００７０】
表３は、５つの試料の結果および平均値を示す。
【表３】
0006462144.tif 000004
【００７１】
実施例３
パージのための単位篩面積当たりの標準条件下での供給した体積流量は、４００ｍ３／（ｈｍ２）であった。
【００７２】
表４は、５つの試料の結果および平均値を示す。
【表４】
0006462144.tif 000005
【００７３】
さらなる説明のため、図２〜６は、パラメーター、微細粉塵、表面炭素、ホウ素、リンおよびナトリウムに対すて比較例および実施例１〜３の結果をボックスプロットで示す。
【００７４】
本発明に従った方法が結果として除塵を改良することは、実施例１〜３から明白である。
【００７５】
さらに、ガス流の増強は、除塵性能のさらなる改良を記録することは明白である。
【００７６】
特定のパージ体積流量以上ではさらなる改良はできない。
【００７７】
示した実施例では、２００ｍ３／（ｈｍ２）および４００ｍ３／（ｈｍ２）の単位篩面積当たりの標準条件下での体積流量間で測定できる微細粉塵含有率のさらなる減少はない。
【００７８】
この挙動は、粉塵が篩分け動作により可動化していることを示している。
【００７９】
同様に篩分け領域から可動化した粉塵を排出して逆汚染を避けるために、２００ｍ３／（ｈｍ２）の最小ガス量を選択するのが好ましい。
【００８０】
顆粒ポリシリコンおよびプラスチック残渣の形態のシリコン塵粒の表面に付着している表面炭素は、微細粉塵で観察されるものと同様な挙動を示す。塵粒の排出は、同時に、いくつかのプラスチックアトリタスの排出も行う。
【００８１】
元素ホウ素およびリンに対する改良を、周囲に対して陽圧下、気密運転方法によって達成した。環境を経て導入されるこれらの元素については、気密設計および陽圧運転方法が効果に関与しているので、パージガス量は本質的に重要でない。
【００８２】
環境を経て顆粒ポリシリコン上に典型的に付着し得る元素Ｎａについては、周囲に対して陽圧であるスクリーニングプラント気密設計は、同様に、プラント内への進入を防止した。結果として、リンおよびホウ素と同様に、比較例と比較して値の減少を達成した。
【００８３】
例示の実施形態の本明細書中の上記説明は、例証であるとして理解すべきである。それによる開示は、当業者が本発明およびそれに関連する利点を理解するのを可能とし、当業者に明らかな記載の構成および方法の代替および修正も包含する。従って、全てのこのような代替および修正ならびに均等物も、特許請求の範囲の保護の範囲により包含されるべきである。
【図１】
0006462144.tif 000006
【図２】
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【図３】
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【図４】
0006462144.tif 000009
【図５】
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【図６】
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