(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上にパターン形態で備えられた第１電極と、
前記第１電極に対向して備えられた第２電極と、
前記第１電極と第２電極との間に備えられた有機物層と、
前記第１電極の補助電極とを含み、
前記第１電極の補助電極は、波長５５０ｎｍにおける反射度が８０％以上の第１層と、同一のエッチング液組成でエッチングする時、前記第１層に比べてエッチング速度が速い第２層との積層構造を有し、
前記第２層の下面の線幅（ｂ）は、前記第２層の下にある前記第１層の上面の線幅（ａ’）より小さく、
前記第１電極の補助電極の第１層のみが前記第１電極の側面の少なくとも一部と接するようにパターン形態で備えられたことを特徴とする、有機発光素子。
【請求項２】
波長５５０ｎｍにおける反射度が８０％以上の前記第１層が、前記第２層よりも前記基板により近く備えられたことを特徴とする、請求項１に記載の有機発光素子。
【請求項３】
波長５５０ｎｍにおける反射度が８０％以上の前記第１層が前記基板に接して備えられたことを特徴とする、請求項１に記載の有機発光素子。
【請求項４】
前記第１層の下面の線幅（ａ）に対する前記第１層の上面の線幅（ａ’）の比は、１未満であることを特徴とする、請求項１に記載の有機発光素子。
【請求項５】
前記第１層はＡｌ層であり、前記第２層はＭｏ層であることを特徴とする、請求項１に記載の有機発光素子。
【請求項６】
前記第１電極の補助電極のテーパ角は、０度より大きく６０度以下であることを特徴とする、請求項１に記載の有機発光素子。
【請求項７】
前記補助電極の第１層の厚さに対する第２層の厚さの比は、１／４０〜１／３であることを特徴とする、請求項１に記載の有機発光素子。
【請求項８】
前記基板の第１電極が備えられた面の反対面に外部光抽出層をさらに含むことを特徴とする、請求項１〜７のいずれか１項に記載の有機発光素子。
【請求項９】
前記外部光抽出層は、平坦層を含むことを特徴とする、請求項８に記載の有機発光素子。
【請求項１０】
前記第１電極または補助電極と前記基板との間に備えられた内部光抽出層をさらに含むことを特徴とする、請求項１〜９のいずれか１項に記載の有機発光素子。
【請求項１１】
前記内部光抽出層は、平坦層を含むことを特徴とする、請求項１０に記載の有機発光素子。
【請求項１２】
前記有機発光素子は、フレキシブル有機発光素子であることを特徴とする、請求項１〜７のいずれか１項に記載の有機発光素子。
【請求項１３】
請求項１〜１２のいずれか１項に記載の有機発光素子を含むことを特徴とする、ディスプレイ装置。
【請求項１４】
請求項１〜１２のいずれか１項に記載の有機発光素子を含むことを特徴とする、照明装置。
【請求項１５】
基板と、
前記基板上にパターン形態で備えられた電極と、
前記電極と電気的に連結され、波長５５０ｎｍにおける反射度が８０％以上の第１層と、同一のエッチング液組成でエッチングする時、前記第１層に比べてエッチング速度が速い第２層との積層構造を有する補助電極とを含み、
前記第２層の下面の線幅（ｂ）は、前記第２層の下にある前記第１層の上面の線幅（ａ’）より小さく、
前記補助電極の第１層のみが前記電極の側面の少なくとも一部と接するようにパターン形態で備えられたことを特徴とする、電極積層体。
【請求項１６】
波長５５０ｎｍにおける反射度が８０％以上の前記第１層が、前記第２層よりも前記基板により近く備えられたことを特徴とする、請求項１５に記載の電極積層体。
【請求項１７】
波長５５０ｎｍにおける反射度が８０％以上の前記第１層が前記基板に接して備えられたことを特徴とする、請求項１５に記載の電極積層体。
【請求項１８】
前記第１層の下面の線幅（ａ）に対する前記第１層の上面の線幅（ａ’）の比は、１未満であることを特徴とする、請求項１５に記載の電極積層体。
【請求項１９】
前記第１層はＡｌ層であり、前記第２層はＭｏ層であることを特徴とする、請求項１５に記載の電極積層体。
【請求項２０】
前記電極の補助電極のテーパ角は、０度より大きく６０度以下であることを特徴とする、請求項１５に記載の電極積層体。
【請求項２１】
前記補助電極の第１層の厚さに対する第２層の厚さの比は、１／４０〜１／３であることを特徴とする、請求項１５に記載の電極積層体。
【請求項２２】
前記基板の電極が備えられた面の反対面に外部光抽出層をさらに含むことを特徴とする、請求項１５〜２１のいずれか１項に記載の電極積層体。
【請求項２３】
前記外部光抽出層は、平坦層を含むことを特徴とする、請求項２２に記載の電極積層体。
【請求項２４】
前記電極または補助電極と前記基板との間に備えられた内部光抽出層をさらに含むことを特徴とする、請求項１５〜２１のいずれか１項に記載の電極積層体。
【請求項２５】
前記内部光抽出層は、平坦層を含むことを特徴とする、請求項２４に記載の電極積層体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本出願は、２０１３年７月１９日付で韓国特許庁に提出された韓国特許出願第１０−２０１３−００８５６９９号の出願日の利益を主張し、その内容のすべては本明細書に組み込まれる。
本明細書は、電極積層体およびこれを含む有機発光素子に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
最近、ディスプレイ、有機発光素子、タッチパネルなどの電子素子において、有効画面部に透明電極が形成されることが要求されている。このために、電極として、ＩＴＯ、ＺｎＯなどのような材料で形成された透明導電膜を使用しているが、これらは電気抵抗が大きい問題がある。特に、有機発光素子を用いた照明装置の場合、大面積で形成する場合、このような大きい電気抵抗は、照明装置の商業化に大きな障害となり得る。したがって、大面積で形成する場合でも、電気抵抗が減少した透明電極の開発が要求されている。一方、有機発光素子で発生した光は、３０％まで素子内に閉じ込められていて、発光効率が低下する問題がある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
本発明者らは、透明電極の電気伝導度および／または光抽出効率を改善するための研究の末、本明細書に記載の構成を有する電極積層体およびこれを含む有機発光素子を発明するに至った。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本明細書の一実施態様は、
基板と、
前記基板上に備えられた第１電極と、
前記第１電極に対向して備えられた第２電極と、
前記第１電極と第２電極との間に備えられた有機物層と、
前記第１電極の補助電極とを含み、
前記第１電極の補助電極は、波長５５０ｎｍにおける反射度が８０％以上の第１層と、前記第１層に比べてエッチング速度が速い第２層との積層構造を有し、
前記第１電極の補助電極が前記第１電極と前記基板との間に備えられるか、前記第１電極の補助電極の第１層が前記第１電極の側面の少なくとも一部と接するように備えられた有機発光素子を提供する。
【０００５】
本明細書のもう一つの実施態様は、前記第１電極の補助電極が前記基板に接して備えられた有機発光素子を提供する。
本明細書のもう一つの実施態様は、前記第１電極が前記基板上にパターン形態で備えられ、前記第１電極の補助電極が前記第１電極のパターンの側面の少なくとも一部と接するパターン形態で備えられた有機発光素子を提供する。
【０００６】
本明細書のもう一つの実施態様は、前記基板の第１電極が備えられた面の反対面に外部光抽出層が追加的に備えられた有機発光素子を提供する。
本明細書のもう一つの実施態様は、
基板と、
前記基板上に備えられた電極と、
前記電極と電気的に連結され、波長５５０ｎｍにおける反射度が８０％以上の第１層と、第１層に比べてエッチング速度が速い第２層との積層構造を有する補助電極とを含み、
前記補助電極が前記電極と前記基板との間に備えられるか、前記補助電極の第１層が前記電極の側面の少なくとも一部と接するように備えられた電極積層体を提供する。
【０００７】
本明細書のもう一つの実施態様は、前記補助電極が前記基板に接して備えられた電極積層体を提供する。
本明細書のもう一つの実施態様は、前記電極が前記基板上にパターン形態で備えられ、前記補助電極が前記電極のパターンの側面の少なくとも一部と接するパターン形態で備えられた電極積層体を提供する。
【０００８】
本明細書のもう一つの実施態様は、前記基板の電極が備えられた面の反対面に外部光抽出層が追加的に備えられた電極積層体を提供する。
【発明の効果】
【０００９】
本明細書に記載の実施態様によれば、基板に対向する面の波長５５０ｎｍにおける反射度が８０％以上の補助電極を電極の下面または側面に用いることにより、電極または素子を大面積で作製する場合でも、抵抗を減少させることができるだけでなく、有機発光素子の有機物層で発生した光が、素子と空気層との間または各層の間での全反射などによって素子内に閉じ込められることなく、素子の外部に光を抽出する効率を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本明細書の実施態様にかかる電極積層体の構成の一例を示したものである。
【図２】本明細書の実施態様にかかる電極積層体の構成の一例を示したものである。
【図３】本明細書の実施態様にかかる電極積層体の構成の一例を示したものである。
【図４】従来の補助電極の一例を示したものである。
【図５】比較例１で製造した電極積層体の構造を示したものである。
【図６】例示的な補助電極材料の反射度および基板の反射度を示したものである。
【図７】例示的な補助電極材料の反射度および基板の反射度を示したものである。
【図８】本明細書の実施態様にかかる補助電極の第１層および第２層の線幅を示したものである。
【図９】本明細書の実施態様にかかる補助電極の第１層および第２層の線幅を示したものである。
【図１０】実施例で製造された補助電極のＳＥＭ写真である。
【図１１】図１０のＳＥＭ写真の断面模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本明細書の実施態様をより詳細に説明する。
本明細書の一実施態様にかかる有機発光素子は、基板と、前記基板上に備えられた第１電極と、前記第１電極に対向して備えられた第２電極と、前記第１電極と第２電極との間に備えられた有機物層と、前記第１電極の補助電極とを含み、前記第１電極の補助電極は、波長５５０ｎｍにおける反射度が８０％以上の第１層と、前記第１層に比べてエッチング速度が速い第２層との積層構造を有し、前記第１電極の補助電極が前記第１電極と前記基板との間に備えられるか、前記第１電極の補助電極の第１層が前記第１電極の側面の少なくとも一部と接するように備えられたことを特徴とする。
【００１２】
本明細書の一実施態様によれば、前記波長５５０ｎｍにおける反射度が８０％以上の第１層が、前記第２層よりも前記基板により近く備えられる。
本明細書の一実施態様によれば、前記第１電極の補助電極は、前記基板に接して備えられてよい。図１〜図３に、それぞれ第１電極の補助電極が基板に接した例を示した。
【００１３】
図１によれば、前記第１電極の補助電極が前記第１電極の側面の少なくとも一部と接するように備えられる。具体的には、前記第１電極が前記基板上にパターン形態で備えられ、前記第１電極の補助電極が前記第１電極のパターンの側面の少なくとも一部と接するパターン形態で備えられる。ここで、パターンとは、全面層と区分される表現であって、下部層の全面を覆っているのではなく、下部層の一部のみを覆い、下部層の一部が露出している形態を意味する。この時、下部層の一部を覆っている部分の形態は特に限定されず、目的に応じて必要な形態に形成することができる。
図２および図３によれば、前記第１電極の補助電極は、前記第１電極と前記基板との間に備えられる。
【００１４】
図１〜図３のような構造を有する場合、発光層から放出された光が基板内に閉じ込められることなく、第１電極の補助電極と基板との界面で光を反射することにより、光抽出が効果的に行われる。反面、図４および図５のように、基板に接する側に前記補助電極の第２層に対応する層が備えられる場合、基板に入った光が外部に放出されず、第２層に対応する層に吸収され得るので、光抽出効率が減少することがある。
前記のように、前記第１電極の補助電極が前記基板に接して備えられてよいが、必要に応じて補助電極と基板との間に追加の層が備えられてもよい。
【００１５】
前記第１電極の補助電極は、第１電極より電気伝導度が良いものであれば特に限定されない。電気伝導度を良くする構成として、電気伝導度が高い材料を使用するか、厚さを厚くする方法が利用可能である。例えば、前記第１電極は透明電極、前記補助電極の第１層および／または第２層は金属材料からなってよい。前記透明電極は、可視光透過率が６０％以上、好ましくは７０％以上、好ましくは８０％以上、より好ましくは９０％以上、さらに好ましくは９５％以上であってよい。前記透明電極材料としては、透明伝導性酸化物が使用可能であり、例えば、ＩＴＯ、ＩＺＯなどが使用可能である。
【００１６】
本明細書の一実施態様によれば、前記第１電極の補助電極は、波長５５０ｎｍにおける反射度が８０％以上の第１層と、前記第１層よりエッチング速度が速い第２層との積層構造を有する。
【００１７】
前記第１層は、波長５５０ｎｍにおける反射度が８０％以上であることから、第１層と他の層、例えば、基板との界面で光が反射して、光抽出を向上させることができる。本明細書において、反射度は、基板上に反射度測定対象層を蒸着し、反射度測定対象層側で反射度を測定した後、基板のみの反射度を引いた値で計算することができる。
【００１８】
反射度は、コニカミノルタ社のＣＭ３７００Ａを用いて測定することができるが、これにのみ限定されるものではない。反射度は、層を構成する材料だけでなく、層の厚さも影響を与えることができる。前記第１層が前記のような反射度を有するように、第１層の材料および厚さなどが選択可能である。
【００１９】
一実施態様によれば、前記第１電極の補助電極の第１層は、波長５５０ｎｍにおける反射度が８５％以上である。
一実施態様によれば、前記第１電極の補助電極の第１層は、波長５００ｎｍ〜６５０ｎｍにおける反射度が８０％以上である。
一実施態様によれば、前記第１電極の補助電極の第１層は、波長５００ｎｍ〜６５０ｎｍにおける反射度が８５％以上である。
【００２０】
一実施態様によれば、前記第１電極の補助電極の第１層は、波長４５０ｎｍ〜６５０ｎｍにおける反射度が８０％以上である。
一実施態様によれば、前記第１電極の補助電極の第１層は、波長４５０ｎｍ〜６５０ｎｍにおける反射度が８５％以上である。
【００２１】
前記第１層の材料としては、電気伝導度が前記第１電極より高い材料が使用されることが好ましい。
前記第１層の材料としては、Ａｌ、Ａｇ、Ａｌ合金、Ａｇ合金などがある。ここで、合金とは、１種以上の追加の金属を含むことを意味する。例えば、Ａｇ合金は、Ａｇのほか、Ｃｕ、Ｐｄなどをさらに含むことができる。Ａｇ合金の非限定的な例としては、ＡｇＣｕ、ＡｇＰｄ、ＡｇＣｕＰｄなどがある。合金内に含まれる２以上の金属の比は、必要に応じて調整可能である。
【００２２】
図６に、第１層の材料として使用可能な例示的な材料の厚さ１００ｎｍにおける反射度を示した。図６において、ＣＯＲＡ０５００とＣＯＲＡ０５０５は、ＣＯＭＥＴ社製の合金の商品名である。
【００２３】
前記第１層の線幅および厚さは、目的の反射率、電気伝導度など、必要に応じて調節可能である。例えば、前記第１層の厚さは、５００オングストローム〜１０，０００オングストロームの範囲内で選択できる。
【００２４】
前記第２層は、前記第１層よりエッチング速度が速い層である。ここで、エッチング速度が速いとは、第１層および第２層の積層構造を同一のエッチング液組成でエッチングする時、第１層より速い速度でエッチングされることを意味する。このような性質を有する第２層を用いることにより、第１層の適切なテーパ角を得ることができる。このような適切なテーパ角によって、その上に備えられる第１電極、例えば、透明伝導性酸化物層、例えば、ＩＴＯ層が安定的に形成できる。適切なテーパ角は、前述の第１層および第２層の材料だけでなく、エッチング液の種類やエッチング条件によって影響を受けることができ、当業者は、前述のテーパ角を得るために、各層の材料、エッチング液の種類やエッチング条件を当技術分野で知られている技術に基づいて選択することができる。例えば、エッチング条件は、５０℃でジャストエッチングタイムが５０秒の時、ジャストエッチングタイムの２００％〜６００％、例えば、３００％〜５００％の時間の間エッチングを行ってオーバーエッチングをすることができる。
【００２５】
一実施態様によれば、前記第２層のエッチング速度は、５０℃で５００オングストローム／ｓ以上であり、前記第１層のエッチング速度は、１００オングストローム／ｓ以下である。
一実施態様によれば、前記第２層のエッチング速度は、５０℃で８００オングストローム／ｓ以上であり、前記第１層のエッチング速度は、８００オングストローム／ｓ以下である。
【００２６】
一実施態様によれば、前記第１層の側面は、正テーパ角を有する。本明細書において、テーパ角とは、ここで、テーパ角（θ）は、図３に示しているように、第１層の側面と下面とのなす角度を意味し、正テーパ角とは、前記角度が鋭角であることを意味する。
一実施態様によれば、前記補助電極の第１層のテーパ角は、０度超過９０度未満である。一実施態様によれば、前記補助電極の第１層のテーパ角は、０度超過６０度以下であることが好ましい。前記第１層のテーパ角は、その上に備えられる層の安定性のために、小さければ小さいほど良い。
【００２７】
前記のように、第１電極が正テーパ角を有する場合、前記補助電極の上部に備えられた有機物層から発生した光が、前記補助電極の第１層と基板との間だけでなく、前記第１層の側面でも反射して、光抽出効率をより向上させることができるだけではなく、第１電極が前記補助電極の積層構造上に安定的に形成できる。図３に、前記補助電極の上部に備えられた有機物層で発光した光の方向を矢印で表示した。
【００２８】
一実施態様によれば、前記補助電極の第１層の下面の線幅（ａ）に対する第１層の上面の線幅（ａ’）の比は、１未満である。図８に、前記補助電極の第１層の線幅が示されている。ここで、第１層の下面と側面との境界部分が曲面をなすか、第２層の上面と側面との境界部分が曲面をなす場合、第１層の下面の線幅は、基板と接する面の延長面と第１層の側面の延長面との会う辺を基準として測定し、第１層の上面は、第１層の上面の延長面と第１層の側面の延長面との会う辺を基準として測定する。
【００２９】
一実施態様によれば、前記補助電極の第１層の線幅は、上面から下面方向に次第に大きくなる。
一実施態様によれば、前記補助電極の第２層の下面の線幅（ｂ）は、第１層の上面の線幅（ａ’）より小さいか等しい。このような構成を、図９に例示した。
【００３０】
一実施態様によれば、前記補助電極の第２層の下面の線幅（ｂ）と第１層の上面の線幅（ａ’）との差は、０．０１マイクロメートル〜１マイクロメートル、例えば、０．０５マイクロメートル〜０．５マイクロメートル、具体的には０．２マイクロメートルである。
【００３１】
前記実施態様によれば、任意の１種以上のエッチング液に対して、前記のように第２層のエッチング速度が第１層のエッチング速度に比べて速ければよいし、エッチング液の種類が限定されるものではない。
【００３２】
本発明の一実施態様によれば、前記補助電極の第１層と第２層は、酸を含むエッチング液でエッチングされる材料を用いることができる。一例として、前記エッチング液は、リン酸、硝酸および酢酸のうちの１種以上を含むことができる。
【００３３】
一実施態様によれば、前記第２層の水分または空気への露出時、酸化度が前記第１層に比べて低い。この場合、第１層が水分または空気に露出しても、少なくとも第１層と第２層との間の界面では第１層の酸化を防止することができる。
【００３４】
一実施態様によれば、前記第２層の硬度は、前記第１層に比べて高い。この場合、第１層の硬度が低い場合でも、補助電極を外部の物理的損傷（ｄａｍａｇｅ）から保護することができる。また、第１層と基板との間の熱膨張係数が異なる場合、熱処理時に第１層が膨らむヒロック（ｈｉｌｌｏｃｋ）が発生し得るが、第２層の硬度が第１層に比べて高い場合、前記のようなヒロック不良を防止することもできる。
前記第２層の材料としては、Ｍｏなどがある。
【００３５】
前記第２層の線幅および厚さは、目的の電気伝導度または補助電極のテーパ角に応じて決定可能である。例えば、第２層の厚さは、１０〜５，０００オングストローム、例えば、１２．５〜３，５００オングストローム、具体的には６２．５〜１，２５０オングストロームで形成されてよい。
【００３６】
一実施態様によれば、前記補助電極の第１層の厚さに対する第２層の厚さの比は、１／４０〜１／３であり、例えば、１／８であってよい。前記のような厚さ比の範囲内で、第１層の反射度および電気伝導度に応じて補助電極の適切な物性を提供しながら、第１層の正テーパ角、および必要な場合、酸化防止、優れた硬度といった特性を提供することができる。
【００３７】
本明細書の一実施態様によれば、前記第１層はＡｌ層であり、前記第２層はＭｏ層である。図７に、厚さ４０００オングストロームのＡｌ層と、厚さ５００オングストロームのＭｏ層の反射度を示した。ここで、厚さ４０００オングストロームのＡｌ層の波長５５０ｎｍに対する反射度は８６．７７％、厚さ５００オングストロームのＭｏ層の波長５５０ｎｍに対する反射度は４４．５７％であった。
【００３８】
本明細書において、第２電極材料としては、当技術分野で知られているものが使用できる。例えば、金属や透明伝導性酸化物、伝導性高分子などが使用できる。前記第２電極材料は、第１電極の材料と同一であってもよく、異なっていてもよい。
【００３９】
本明細書において、有機物層材料としては、当技術分野で知られているものが使用できる。例えば、有機物層は、発光層の単一層からなってもよく、発光層のほか、電荷注入または輸送層、例えば、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層などを追加的に含む多層からなってもよい。正孔遮断層、電子遮断層、バッファ層のような追加の機能性層が備えられてもよい。必要に応じて、金属ハロゲン化物のような無機層、有機金属層、または無機物のドーピングされた有機物層が使用されてもよい。
【００４０】
本明細書の一実施態様によれば、前記基板の第１電極が備えられた面の反対面に外部光抽出層が追加的に備えられる。前述の実施態様にかかる補助電極の構造を用いる場合、補助電極を使用しなかったり、他の構造の補助電極を使用するのに比べて、外部光抽出層の適用による光抽出効果の上昇幅がより大きくなることを、本発明者らは確認した。これは、後述の実施例により確認することができる。
【００４１】
前記外部光抽出層は、光散乱を誘導して、素子の光抽出効率を向上させることができる構造であれば特に制限しない。一つの実施態様において、前記外部光抽出層は、バインダー内に散乱粒子が分散した構造を有するか、凹凸を有するフィルムを用いて形成されてよい。
【００４２】
また、前記外部光抽出層は、基板上に、スピンコーティング、バーコーティング、スリットコーティングなどの方法によって直接形成されるか、フィルム形態で作製して付着させる方式によって形成されてよい。前記外部光抽出層は、平坦層を含むことができる。
【００４３】
本明細書の一実施態様によれば、前記第１電極または補助電極と前記基板との間に備えられた内部光抽出層が追加的に含まれる。前記内部光抽出層は、光散乱を誘導して、素子の光抽出効率を向上させることができる構造であれば特に制限しない。一つの実施態様において、前記内部光抽出層は、バインダー内に散乱粒子が分散した構造を有するか、凹凸を有するフィルムを用いて形成されてよい。
【００４４】
また、前記内部光抽出層は、基板上に、スピンコーティング、バーコーティング、スリットコーティングなどの方法によって直接形成されるか、フィルム形態で作製して付着させる方式によって形成されてよい。前記内部光抽出層は、平坦層を含むことができる。
【００４５】
本明細書の一実施態様によれば、前記有機発光素子は、絶縁層を追加的に含むことができる。一例として、前記絶縁層は、第１電極の補助電極の第１電極と接する面以外の残りの面の少なくとも一部または全部を取り囲むように備えられてよい。もう一つの例として、前記絶縁層は、前記第１電極の補助電極が基板と第１電極との間に備えられ、前記第１電極の上面のうち、補助電極を覆っている領域上に絶縁層が追加的に備えられてよい。前記絶縁層は、第１電極または第１電極の補助電極と第２電極またはその他の部品と電気的に連結されるのを防止することができる。前記絶縁層の材料としては特に限定されないが、ＰＳＰＩが使用できる。
【００４６】
本明細書の一実施態様によれば、前記有機発光素子は、フレキシブル有機発光素子である。この場合、前記基板がフレキシブル材料を含む。例えば、撓み可能な薄膜形態のガラス、プラスチック、またはフィルム形態の基板を使用することができる。
前記プラスチック基板の材料は特に限定しないが、一般的に、ＰＥＴ、ＰＥＮ、ＰＥＥＫ、およびＰＩなどのフィルムを単層または複層の形態で使用することができる。
【００４７】
基板を薄膜で形成する場合、追加のプラスチック基板を付着させることができる。例えば、基板として、薄膜形態のガラスとプラスチック基板との積層体を用いることができる。薄膜形態のガラスにプラスチック基板を付着させることにより、機械的物性を向上させることができる。
【００４８】
本明細書の一実施態様は、前述の有機発光素子を含むディスプレイ装置を提供する。ディスプレイ装置において、前記有機発光素子は、画素またはバックライトの役割を果たすことができる。その他のディスプレイ装置の構成は、当技術分野で知られているものが適用可能である。
【００４９】
本明細書の一実施態様は、前述の有機発光素子を含む照明装置を提供する。照明装置において、前記有機発光素子は、発光部の役割を果たす。その他照明装置に必要な構成は、当技術分野で知られているものが適用可能である。
【００５０】
本明細書のもう一つの実施態様は、基板と、前記基板上に備えられた電極と、前記電極と電気的に連結され、波長５５０ｎｍにおける反射度が８０％以上の第１層と、第１層に比べてエッチング速度が速い第２層との積層構造を有する補助電極とを含み、前記補助電極が前記電極と前記基板との間に備えられるか、前記補助電極の第１層が前記電極の側面の少なくとも一部と接するように備えられた電極積層体を提供する。
【００５１】
一実施態様によれば、前記電極が前記基板上にパターン形態で備えられ、前記補助電極が前記電極のパターンの側面の少なくとも一部と接するように備えられたパターン形態で備えられてよい。
【００５２】
本明細書に記載の電極積層体において、電極および補助電極は、上述の有機発光素子に関連する実施態様において、それぞれ第１電極と第１電極の補助電極に関する説明が適用可能である。前記第１電極と第１電極の補助電極以外の、追加の構成、例えば、基板、外部光抽出層、内部光抽出層、および絶縁層などの構成も、上述の有機発光素子に関連する実施態様の説明が同様に電極積層体に適用可能である。
【００５３】
以下、実施例により、上述の実施態様をより詳細に説明する。しかし、以下の実施例は、本明細書の実施態様を例示するためのものに過ぎず、範囲を限定するためのものではない。
【実施例】
【００５４】
［実施例１］
ガラス基板上に、Ａｌ（厚さ４０００オングストローム）およびＭｏ（厚さ５００オングストローム）の積層構造で補助電極パターンを形成し、基板および補助電極パターンの上に、第１電極としてＩＴＯ層を形成した。この時、補助電極のＡｌ層のテーパ角は３０〜６０度の範囲内であった。
【００５５】
実施例で製造されたＡｌおよびＭｏの積層構造のＳＥＭ写真を、図１０に示した。図１０によれば、Ｍｏ層の下面の一端部からＡｌ層の上面の一端部までの距離は０．１マイクロメートルである。図１１は、図１０のＳＥＭ断面の模式図である。
次に、前記第１電極上に発光層および第２電極を形成して、有機発光素子を作製した。
【００５６】
［実施例２］
前記基板の補助電極が備えられた面の反対側にＯＣＦ（外部光抽出層）を追加的に形成したことを除いては、実施例１と同様に実施した。
【００５７】
［比較例１］
ガラス基板上に、Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏの積層構造で補助電極パターンを形成し、基板および補助電極パターンの上に第１電極を形成した。この時、Ｍｏ層は厚さ５００オングストローム、Ａｌ層は厚さ４０００オングストロームで形成し、第１電極としてはＩＴＯ層を用いた。
【００５８】
［比較例２］
前記基板の補助電極が備えられた面の反対側にＯＣＦ（外部光抽出層）を追加的に形成したことを除いては、比較例１と同様に実施した。
前記実施例および比較例で作製した素子の物性を測定して、下記の表に示した。
【００５９】
【表１】
0006448636.tif 000002
【００６０】
前記表１において、ｌｍは輝度、すなわち、光の明るさを意味し、ＬＥは発光効率、すなわち、消費電力対比の光の明るさを示し、ＱＥは光子数であって、光を発する粒子数を示し、ＣＣＴは色温度であって、数値が低ければ赤色系列、数値が高ければ青色系列を示す。Ｄｕｖは色偏差であって、数値が小さければ小さいほど優れた効果を示す。
【００６１】
前記表１によれば、比較例２に比べて、実施例１の色補正された効率が１１％以上増加し、光子数も９％以上増加したことが分かる。
前記実施例および比較例において、ＯＣＦ（外部光抽出層）の適用前に比べた、適用後の効果改善比率を、下記の表２に示した。
【００６２】
【表２】
0006448636.tif 000003
【００６３】
前記表２に示しているように、比較例に比べて、実施例でＯＣＦ（外部光抽出層）を適用した時、より素子の性能が向上することが分かった。
【図１】
0006448636.tif 000004
【図２】
0006448636.tif 000005
【図３】
0006448636.tif 000006
【図４】
0006448636.tif 000007
【図５】
0006448636.tif 000008
【図６】
0006448636.tif 000009
【図７】
0006448636.tif 000010
【図８】
0006448636.tif 000011
【図９】
0006448636.tif 000012
【図１０】
0006448636.tif 000013
【図１１】
0006448636.tif 000014