(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の基板に対する処理を順次連続的に行う基板処理装置を制御する制御装置であって、
前記複数の基板のそれぞれに対する処理内容を各基板別、かつ、各基板に対して行う処理工程別に規定する複数のレシピを記憶するとともに、前記複数のレシピを識別するためのレシピ名の所定部分に当該レシピの実行順に関する順番情報を含ませて前記複数のレシピの記憶を行うレシピ記憶手段と、
前記レシピ記憶手段が記憶する前記複数のレシピを、前記レシピ名に含まれる前記順番情報に基づいて読み出し順を判断しつつ、前記レシピ記憶手段から順に読み出すレシピ読み出し手段と、
前記レシピ読み出し手段が読み出したレシピによって規定される処理内容の処理を前記基板処理装置が行うように前記基板処理装置に対して動作指示を与える動作指示手段と
を備える基板処理装置の制御装置。
【請求項２】
前記複数のレシピのそれぞれに付与される前記順番情報のうちの一つは、前記複数のレ
シピの実行順の最後を明示する情報を含む
請求項１記載の基板処理装置の制御装置。
【請求項３】
前記レシピ読み出し手段は、読み出すべき順のレシピが前記レシピ記憶手段に存在しな
いと、前記レシピ記憶手段からのレシピの読み出しを待機する
請求項１または２記載の基板処理装置の制御装置。
【請求項４】
前記複数の基板に対する処理には、前記複数の基板の中から処理対象となる基板を選択
して処理可能な状態にする処理が含まれる
請求項１、２または３記載の基板処理装置の制御装置。
【請求項５】
複数の基板に対する処理を順次連続的に行う基板処理装置に搭載されるコンピュータ、または前記基板処理装置と接続されて用いられるコンピュータを、
前記複数の基板のそれぞれに対する処理内容を各基板別、かつ、各基板に対して行う処理工程別に規定する複数のレシピを記憶するとともに、前記複数のレシピを識別するためのレシピ名の所定部分に当該レシピの実行順に関する順番情報を含ませて前記複数のレシピの記憶を行うレシピ記憶手段、
前記レシピ記憶手段が記憶する前記複数のレシピを、前記レシピ名に含まれる前記順番情報に基づいて読み出し順を判断しつつ、前記レシピ記憶手段から順に読み出すレシピ読み出し手段、および、
前記レシピ読み出し手段が読み出したレシピによって規定される処理内容の処理を前記基板処理装置が行うように前記基板処理装置に対して動作指示を与える動作指示手段
として機能させる基板処理制御プログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば半導体製造工程にて用いられる基板処理装置の制御装置および基板処理制御プログラムに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体発光素子等の半導体装置は、基板上に複数の薄膜が積層されて構成される。このような半導体装置は、基板上に薄膜を成膜する基板処理装置を用いて製造される。基板処理装置を用いる半導体製造工程では、基板に対する一回の処理が終了したら引き続き他の基板に対する処理を行うといったように、複数の基板に対する処理を順次連続的に行うことで、半導体装置の量産に対応することがある（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１１−１４７９９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
複数の基板に対する処理を順次連続的に行う場合には、各基板に対して行う処理内容とその実行順序を予め規定しておき、その規定内容に従って基板処理装置を動作させる必要がある。
各基板に対して行う処理内容については、各基板別または当該基板に対して行う処理工程別に設定されるレシピによって規定することが一般的である。レシピとは、基板処理装置が行う処理の処理方法やパラメータ（温度や圧力等の処理条件）等を指定する命令やデータ等の集まりのことをいう。
また、各基板に対する処理の実行順序については、例えば、設定された各レシピとその実行順序との対応関係を纏めた実行順序リストを作成し、その実行順序リストによって各レシピの実行順序を規定することが考えられる。
【０００５】
しかしながら、上述した基板処理装置の動作制御手法では、各基板に対して行う処理を開始する前の段階で当該処理に必要となる全てのレシピおよび実行順序リストが完成していなければならず、そのために以下に述べるような難点が生じてしまうおそれがある。
例えば、実際の半導体製造工程では、小ロット生産の各種半導体装置の製造に対応すべく、基板処理装置において様々な処理条件で数万回に及ぶ処理を１カ月程度の期間に亘り連続して行うことがあり得る。ところが、期間中での生産計画の変更等が生じる可能性を考慮すると、数万件に及ぶレシピやその実行順序リストを当該期間前に予め完成させておくことは、必ずしも現実的ではない。
また、実際の半導体製造工程においては、生産計画の変更等が生じ得ることから、レシピの変更、追加、削除等をフレキシブルに行えることが望ましい。ところが、予め完成しているべき実行順序リストによって各レシピの実行順序を規定する場合には、このような要請に柔軟に応えることが必ずしも容易ではない。
さらに、実行順序リストによって各レシピの実行順序を規定する場合には、各レシピとは別に実行順序リストを必要とするため、これらを記憶保持する記憶領域の大容量化を招く要因となり得る。また、各レシピを記憶領域から読み出して使用する際にも、実行順序リストにアクセスして実行順序を確認しなければならず、そのために記憶領域へのアクセス処理が煩雑化してしまう。
【０００６】
そこで、本発明は、半導体製造工程において複数の基板に対する処理を順次連続的に行う場合に、その処理を実行する基板処理装置に対する動作制御を柔軟かつ簡便に行うことを可能にする基板処理装置の制御装置および基板処理制御プログラムを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために、本発明は、次のように構成されている。
本発明の一態様によれば、
複数の基板に対する処理を順次連続的に行う基板処理装置を制御する制御装置であって、
前記複数の基板のそれぞれに対する処理内容を規定する複数のレシピを記憶するとともに、前記複数のレシピを識別するためのレシピ名の所定部分に当該レシピの実行順に関する順番情報を含ませて前記複数のレシピの記憶を行うレシピ記憶手段と、
前記レシピ記憶手段が記憶する前記複数のレシピを、前記レシピ名に含まれる前記順番情報に基づいて読み出し順を判断しつつ、前記レシピ記憶手段から順に読み出すレシピ読み出し手段と、
前記レシピ読み出し手段が読み出したレシピによって規定される処理内容の処理を前記基板処理装置が行うように前記基板処理装置に対して動作指示を与える動作指示手段と
を備える基板処理装置の制御装置が提供される。
【０００８】
本発明の他の態様によれば、
複数の基板に対する処理を順次連続的に行う基板処理装置に搭載されるコンピュータ、または前記基板処理装置と接続されて用いられるコンピュータを、
前記複数の基板のそれぞれに対する処理内容を規定する複数のレシピを記憶するとともに、前記複数のレシピを識別するためのレシピ名の所定部分に当該レシピの実行順に関する順番情報を含ませて前記複数のレシピの記憶を行うレシピ記憶手段、
前記レシピ記憶手段が記憶する前記複数のレシピを、前記レシピ名に含まれる前記順番情報に基づいて読み出し順を判断しつつ、前記レシピ記憶手段から順に読み出すレシピ読み出し手段、および、
前記レシピ読み出し手段が読み出したレシピによって規定される処理内容の処理を前記基板処理装置が行うように前記基板処理装置に対して動作指示を与える動作指示手段
として機能させる基板処理制御プログラムが提供される。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、半導体製造工程において複数の基板に対する処理を順次連続的に行う場合であっても、その処理を実行する基板処理装置に対する動作制御を柔軟かつ簡便に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の一実施形態で用いる基板処理システムの全体構成の一例を示すブロック図である。
【図２】本発明の一実施形態で用いる基板処理装置の構成例を示す縦断面概略図である。
【図３】本発明の一実施形態で用いる基板処理装置における基本的な処理動作例の手順を示すフローチャートである。
【図４】本発明の一実施形態における制御装置が記憶するレシピおよびそのレシピ名についての概念を模式的に示す説明図である。
【図５】本発明の一実施形態における制御装置が基板処理装置の動作を制御する際の当該制御装置での処理動作例の手順を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、図面に基づき本発明に係る基板処理装置の制御装置および基板処理制御プログラムについて説明する。
【００１２】
本実施形態では、半導体装置として半導体発光素子を製造する半導体製造工程において、基板処理装置を用いて基板上に窒化ガリウム（ＧａＮ）膜を形成する成膜処理を行う場合を例に挙げる。
【００１３】
（１）基板処理システムの全体構成
先ず、はじめに、本実施形態で用いる基板処理システムの全体構成について簡単に説明する。
図１は、本実施形態で用いる基板処理システムの全体構成の一例を示すブロック図である。
本実施形態で用いる基板処理システムは、基板上にＧａＮ膜の成膜処理を行う基板処理装置１と、その基板処理装置１を制御する制御装置２と、これらの間を通信可能に接続する有線または無線の通信回線３と、を備えて構成されている。このような基板処理システムにおいて、制御装置２が本発明に係る「基板処理装置の制御装置」に相当するとともに、本発明に係る「基板処理制御プログラム」を実行することになる。
【００１４】
（２）基板処理装置の構成
続いて、本実施形態の基板処理システムにおける基板処理装置１の構成について説明する。
図２は、本実施形態で用いる基板処理装置１の構成例を示す縦断面概略図である。
【００１５】
（第１の容器）
基板処理装置１は、例えば石英（ＳｉＯ２）または炭化シリコン（ＳｉＣ）等の耐熱性材料によって形成された円筒状の気密容器である第１の容器１０を備えている。第１の容器１０は、筒端の両側壁部に基板搬入口１０ａおよび基板搬出口１０ｂを有するとともに、これら基板搬入口１０ａおよび基板搬出口１０ｂに開閉可能なゲートバルブ１１ａ，１１ｂが設けられている。そして、ゲートバルブ１１ａ，１１ｂが開いていると基板搬入口１０ａおよび基板搬出口１０ｂを通じて第１の容器１０内が外部と連通するが、ゲートバルブ１１ａ，１１ｂが閉じていると第１の容器１０内が密閉されるように構成されている。
【００１６】
（基板搬送経路）
第１の容器１０内の基板搬入口１０ａと基板搬出口１０ｂとの間には、基板搬送経路１２が設けられている。基板搬送経路１２は、処理対象となる基板Ｗを基板搬入口１０ａから基板搬出口１０ｂへ向けて搬送する際の搬送路として用いられるものである。
【００１７】
処理対象となる基板Ｗとしては、例えば平坦なサファイア基板（サファイアウエハ）を用いる。ただし、基板Ｗには、成膜しようとする薄膜とは別の薄膜が既に表面に形成されていてもよい。このような基板Ｗに対して、後述するような成膜処理を行うことで、半導体発光素子等の半導体装置が構成されることになる。
【００１８】
このような基板Ｗを、基板搬送経路１２上では、基板載置部材１３に載置された状態で搬送する。基板載置部材１３は、後述する第２の容器１４の一部を構成するものであり、基板Ｗの被処理面を露出させた状態で当該基板Ｗが載置されるようになっている。このような基板載置部材１３は、例えば一つの基板載置部材１３に一枚の基板Ｗが載置されるように構成されていてもよいが、複数枚の基板Ｗが載置されるように構成されていてもよい。この場合、基板載置部材１３は、複数枚の基板Ｗが同一面上に並べて載置されるように構成されていると好ましい。ここで、同一面上とは、完全な同一面に限られるものではなく、基板載置部材１３を上面から見たときに、複数枚の基板Ｗが互いに重ならないように並べられていればよい。
【００１９】
基板搬送経路１２は、このような基板載置部材１３が複数連なって存在し得るように構成されている。そして、基板搬送経路１２上では、複数の基板載置部材１３が必要に応じて一方向（基板搬入口１０ａから基板搬出口１０ｂへ向かう方向）に移動するようになっている。なお、その移動のために必要となる機構（ただし不図示）については、公知技術を利用して構成されたものであればよい。具体的には、例えば、外部から第１の容器１０内への基板載置部材１３の押し込みや第１の容器１０内から外部への基板載置部材１３の引き出し等を行うプッシュ・プル機構を用いたり、可動ビームを利用したウォーキングビーム機構を用いたり、送りねじ機構を用いたり、ベルトコンベア機構を用いたりすることが考えられる。
【００２０】
（第２の容器）
第１の容器１０内における基板搬送経路１２の上方側には、第２の容器１４が設けられている。第２の容器１４は、処理対象となる基板Ｗ上にＧａＮ膜を形成する成膜処理を行うためのものである。より詳しくは、第２の容器１４は、成膜処理の対象となる基板Ｗを収容するとともに、その状態で後述するように当該成膜処理に必要となる加熱およびガス供給が行われるものである。そのために、第２の容器１４は、例えば耐熱性材料である石英、カーボン、炭化シリコン等によって形成されている。
【００２１】
また、第２の容器１４は、処理対象となる基板Ｗを収容するために、下端に開口が設けられた上側容器１４ａと、その開口を閉塞可能に形成された下側容器１４ｂとによって構成されている。下側容器１４ｂは、基板搬送経路１２上を移動する基板載置部材１３としても機能する。つまり、第２の容器１４において、上側容器１４ａに設けられた開口は、基板Ｗが載置された基板載置部材１３によって閉塞されるように構成されている。
【００２２】
このような第２の容器１４の下方側には、昇降機構１５が設けられている。昇降機構１５は、基板搬送経路１２上の基板載置部材１３を上昇させたり、上昇させた基板載置部材１３を基板搬送経路１２上まで下降させたりするものである。より詳しくは、昇降機構１５は、基板載置部材１３を下方から支持するとともに、基板載置部材１３を上昇させることで上側容器１４ａの開口を閉塞し、基板載置部材１３を下降させることで上側容器１４ａの開口を開放するように構成されている。この昇降機構１５の具体的な構成については、公知技術を利用したものであればよく、ここではその詳細な説明を省略する。なお、昇降機構１５は、必ずしも基板載置部材１３を昇降させるものでなくともよく、上側容器１４ａの開口を閉塞したり開放したりし得るものであれば、例えば第２の容器１４を昇降させるように構成されたものであってもよい。
【００２３】
（ヒータ）
第２の容器１４に収容された基板Ｗは、第１の容器１０の外周側に設けられたヒータ１６によって所定の温度（例えば８００℃〜１１００℃）に加熱されるようになっている。そのために、ヒータ１６は、例えば給電により発熱する電熱器によって構成されており、第１の容器１０の外周壁面を囲うように配置されている。
【００２４】
ヒータ１６は、少なくとも第２の容器１４に収容された基板Ｗを加熱し得るものであればよいが、第２の容器１４内の基板Ｗのみならず、基板搬入口１０ａから第２の容器１４までの基板搬送経路１２上に存在する基板載置部材１３に載置された基板Ｗについても、予備的に加熱し得るものであることが好ましい。換言すると、基板搬入口１０ａと第２の容器１４との間の基板搬送経路１２は、ヒータ１６の加熱によって、未処理の基板Ｗが第２の容器１４内に収容された後直ちに成膜処理を開始できる程度の温度（所定の処理温度付近）まで当該基板Ｗを昇温させることができる長さに構成されているとよい。一方、第２の容器１４と基板搬出口１０ｂとの間の基板搬送経路１２については、第２の容器１４内から取り出された処理済の基板Ｗが基板搬出口１０ｂに至るまでに、所定の温度（例えば第１の容器１０内から搬出可能な温度）に降温させることができる長さに構成されているとよい。
【００２５】
上述した基板Ｗの予備的加熱および降温を実現するための基板搬送経路１２の長さは、当該基板搬送経路１２上における基板Ｗの搬送速度と、基板Ｗの昇温速度または降温速度と、昇温時または降温時の温度変化量とに基づいて決定すればよい。基板Ｗの搬送速度は、主に、第２の容器１４内で行われる成膜処理の処理時間に依存して決定される。昇温速度または降温速度は、主に、ヒータ１６の配設位置、ヒータ１６の加熱能力、第１の容器１０の伝熱速度等により決定される。昇温時または降温時の温度変化量は、第２の容器１４内で行われる成膜処理の処理温度と、第１の容器１０に対して搬出入される基板Ｗの温度との差により決定される。
【００２６】
（ガス供給系）
第２の容器１４には、当該第２の容器１４内での成膜処理のために必要となる各種ガスを供給するガス供給ノズル１７ａが設けられている。ガス供給ノズル１７ａの上流端には、III族原料ガス供給管１７ｂ、Ｖ族原料ガス供給管１７ｄおよびクリーニングガス供給管１７ｅの下流端がそれぞれ接続されている。III族原料ガス供給管１７ｂ、Ｖ族原料ガス供給管１７ｄおよびクリーニングガス供給管１７ｅは、いずれも、例えば石英等によって構成されており、第１の容器１０の側壁を貫通するように配されている。
【００２７】
III族原料ガス供給管１７ｂの上流側は、図示せぬ開閉弁としてのバルブを介して、同じく図示せぬ反応ガス供給源に接続されている。そして、反応ガス供給源からは、反応ガスとして、例えば塩化水素（ＨＣｌ）ガスが供給されるようになっている。
また、III族原料ガス供給管１７ｂには、その途中に介在するＧａタンク１７ｃが設けられている。Ｇａタンク１７ｃは、例えば石英等で形成されて第１の容器１０内に配置されており、金属原料であるガリウム（Ｇａ）融液を貯留するように構成されている。このようなＧａタンク１７ｃ内にＨＣｌガスが供給されることで、Ｇａタンク１７ｃ内ではＧａ融液とＨＣｌガスとが反応してIII族原料ガスである塩化ガリウム（ＧａＣｌ）ガスが生成される。そして、Ｇａタンク１７ｃ内で生成されたＧａＣｌガスが、III族原料ガス供給管１７ｂからガス供給ノズル１７ａを介して第２の容器１４内に供給されることになる。
なお、III族原料ガス供給管１７ｂは、III族原料ガスの供給と併行して、キャリアガスとしての例えば水素（Ｈ２）ガス、窒素（Ｎ２）ガス、あるいはこれらの混合ガス等が供給できるように構成されていてもよい。
【００２８】
Ｖ族原料ガス供給管１７ｄの上流側は、図示せぬ開閉弁としてのバルブを介して、同じく図示せぬＶ族原料ガス供給源に接続されている。そして、Ｖ族原料ガス供給源からは、Ｖ族原料ガスとして、例えばアンモニア（ＮＨ３）ガスが供給されるようになっている。これにより、Ｖ族原料ガス供給管１７ｄからは、ＮＨ３ガスがガス供給ノズル１７ａを介して第２の容器１４内に供給されることになる。なお、Ｖ族原料ガス供給管１７ｄは、Ｖ族原料ガスの供給と併行して、キャリアガスとしての例えばＨ２ガス、Ｎ２ガス、あるいはこれらの混合ガス等が供給できるように構成されていてもよい。
【００２９】
クリーニングガス供給管１７ｅの上流側は、図示せぬ開閉弁としてのバルブを介して、同じく図示せぬクリーニングガス供給源に接続されている。そして、クリーニングガス供給源からは、クリーニングガスとして、例えば塩酸（ＨＣｌ）ガスや塩素（Ｃｌ２）ガス等のＧａＮ膜をエッチングできるガスが供給されるようになっている。これにより、クリーニングガス供給管１７ｅからは、必要に応じてＨＣｌガスやＣｌ２ガス等のクリーニングガスがガス供給ノズル１７ａを介して第２の容器１４内に供給されることになる。
【００３０】
また、第１の容器１０には、その側壁を貫通するように、パージガス供給管１７ｆが配されている。パージガス供給管１７ｆの上流側は、図示せぬ開閉弁としてのバルブを介して、同じく図示せぬパージガス供給源に接続されている。そして、パージガス供給源からはパージガスが供給される。これにより、パージガス供給管１７ｆからは、第１の容器１０内における基板搬送経路１２に対して、パージガスが供給されることになる。パージガスとしては、Ｎ２ガス等の不活性ガスとともに、成長前後のウエハ表面を保護するガス（ＮＨ３ガス等）を供給することが好ましい。
【００３１】
（ガス排気系）
また、第２の容器１４には、主として当該第２の容器１４内を排気するための排気管１８の上流端が接続されている。排気管１８は、第１の容器１０の側壁を貫通するように設けられている。排気管１８には、図示せぬ圧力調整装置としてのＡＰＣ（Auto Pressure Controller）バルブや、同じく図示せぬ真空排気装置としての真空ポンプが接続されている。このような排気管１８が接続されていることで、第２の容器１４内および第１の容器１０内を所定の圧力（例えば真空状態等の大気未満の圧力）に調整することができる。
【００３２】
また、排気管１８には、パージガス排出口１８ａが設けられている。これにより、パージガス供給管１７ｆから供給されたパージガスは、パージガス排出口１８ａから排気管１８を経て第１の容器１０外へ排出される。
【００３３】
（コントロール部）
上述した構成の基板処理装置１は、当該基板処理装置１が有するコントロール部１９によって各部の動作がコントロールされる。コントロール部１９は、例えばシーケンサと呼ばれるＰＬＣ（Programmable Logic Controller）からなるもので、制御装置２から通信回線３を通じて与えられる動作指示の内容に従いつつ、基板処理装置１の各部を動作させるものである。より詳しくは、コントロール部１９は、制御装置２からの動作指示に従いつつ、ゲートバルブ１１ａ，１１ｂの開閉動作、基板搬送経路１２上における基板載置部材１３の移動動作、昇降機構１５による基板載置部材１３の昇降動作、ヒータ１６に対する給電動作、ガス供給系における各バルブの開閉動作、ガス排気系における真空ポンプやバルブの動作等をシーケンス制御するようになっている。
【００３４】
（３）基板処理装置における処理動作例
次に、上述した構成の基板処理装置１における基本的な処理動作例について説明する。なお、以下の説明において、基板処理装置１を構成する各部の動作は、制御装置２からの動作指示を受けたコントロール部１９によって管理運営される。
図３は、本実施形態で用いる基板処理装置１における基本的な処理動作例の手順を示すフローチャートである。
【００３５】
（温度・圧力調整工程：Ｓ１０１）
基板処理装置１は、基板Ｗに対する成膜処理を行うにあたり、先ず、温度・圧力調整工程（ステップ１０１、以下ステップを「Ｓ」と略す。）を行う。
温度・圧力調整工程（Ｓ１０１）では、基板Ｗの表面を所定の温度（例えば８００℃〜１１００℃）に加熱できるように、ヒータ１６への給電を行って、少なくとも第２の容器１４内を加熱する。加熱温度は、ヒータ１６への供給電力を制御することによって調整される。ヒータ１６による加熱は、後述の加熱部降温・大気圧復帰工程（Ｓ１０９）まで継続して行うものとする。
また、温度・圧力調整工程（Ｓ１０１）では、第１の容器１０内が所定の圧力（例えば真空状態等の大気未満の圧力）となるように、排気管１８を通じて第１の容器１０内を真空排気する。具体的には、第２の容器１４を構成する上側容器１４ａの下端に形成された開口を開放した状態で、排気管１８に接続された真空ポンプを動作させることで、第２の容器１４の上側容器１４ａにおける開口を通じて、第１の容器１０内を真空排気する。
【００３６】
（基板搬送工程：Ｓ１０２）
温度・圧力調整工程（Ｓ１０１）で第１の容器１０内が所定の圧力となり、ヒータ１６の加熱温度が所定の温度となったら、続いて、基板処理装置１は、基板搬送工程（Ｓ１０２）を行う。
基板搬送工程（Ｓ１０２）では、第１の容器１０内への基板Ｗの搬入と、第１の容器１０内の基板搬送経路１２上に並べられた基板Ｗの下流側への移動搬送と、第１の容器１０内からの基板Ｗの搬出とを、それぞれ同時並行的に行う。具体的には、ゲートバルブ１１ａが開いている状態で、基板Ｗが載置された基板載置部材１３を、基板搬入口１０ａを通じて第１の容器１０内に搬入する。これに伴い、基板搬送経路１２上では、基板Ｗが載置された状態で一列に並べられた複数の基板載置部材１３が、下流側（すなわち基板搬出口１０ｂの側）に向けて所定量だけ移動する。このときの所定量は、例えば一つの基板載置部材１３の移動方向の大きさに相当する量である。さらには、基板搬送経路１２上の最下流にある基板載置部材１３を、ゲートバルブ１１ｂが開いている状態の基板搬出口１０ｂを通じて、第１の容器１０外に搬出する。なお、基板Ｗの搬入および搬出を行ったら、次の搬入および搬出を行うまでの間、ゲートバルブ１１ａ，１１ｂを閉じて第１の容器１０内を密閉する。
【００３７】
このとき、第１の容器１０内がヒータ１６によって加熱された状態であることから、基板搬入口１０ａから第２の容器１４までの基板搬送経路１２上にある基板載置部材１３に載置された未処理の基板Ｗは、予備的に加熱されて、第２の容器１４内に収容された後直ちに成膜処理を開始できる程度の温度まで昇温される。一方、第２の容器１４から基板搬出口１０ｂまでの基板搬送経路１２上にある基板載置部材１３に載置された処理済の基板Ｗは、ヒータ１６から徐々に離れることから基板搬送経路１２上で放熱されることになり、基板搬出口１０ｂに至るまでに第１の容器１０内から搬出可能な温度に降温される。
【００３８】
なお、基板搬送工程（Ｓ１０２）は、第２の容器１４の上側容器１４ａにおける開口を開放した状態で、さらにＶ族原料ガス供給管１７ｄから保護ガスとしての水素含有ガス（例えばＮＨ３ガス）を供給した状態で行うとよい。ＮＨ３ガス雰囲気にすることで、基板Ｗ上に成膜した半導体層の熱分解が防止される。
【００３９】
（第２の容器内への基板搬入工程：Ｓ１０３）
基板搬送工程（Ｓ１０２）にて、処理対象となる基板Ｗを載置した基板載置部材１３が基板搬送経路１２上における第２の容器１４との対向位置まで到達したら、次いで、基板処理装置１は、第２の容器内への基板搬入工程（Ｓ１０３）を行う。
基板搬入工程（Ｓ１０３）では、第２の容器１４との対向位置にある基板載置部材１３を昇降機構１５により所定の位置まで上昇させて、第２の容器１４を構成する上側容器１４ａの開口を閉塞する。これにより、基板載置部材１３上に載置された未処理の基板Ｗが第２の容器１４内に搬入されて、第２の容器１４内に収容される。
【００４０】
（成膜工程：Ｓ１０４）
基板搬入工程（Ｓ１０３）で処理対象となる基板Ｗを第２の容器１４内に収容したら、次いで、基板処理装置１は、その基板Ｗに対する成膜工程（Ｓ１０４）を行う。
成膜工程（Ｓ１０４）では、第２の容器１４内に収容した基板Ｗが所定の温度に達した後に、排気管１８からの排気を行いつつ、III族原料ガス供給管１７ｂからガス供給ノズル１７ａを介して第２の容器１４内へのIII族原料ガスの供給を開始する。具体的には、先ず、III族原料ガス供給管１７ｂを通じてＧａタンク１７ｃ内へのＨＣｌガスの供給を、Ｎ２ガスもしくはＨ２ガスまたはこれらの混合ガスをキャリアガスとして行い、そのＧａタンク１７ｃ内でＧａＣｌガスを生成する。そして、Ｇａタンク１７ｃ内で生成したＧａＣｌガスを、ガス供給ノズル１７ａを介して第２の容器１４内に供給する。このとき、第２の容器１４内へのＧａＣｌガスの供給と併行して、Ｖ族原料ガスとしてのＮＨ３ガスについても、Ｖ族原料ガス供給管１７ｄからガス供給ノズル１７ａを介して第２の容器１４内に対し、Ｎ２ガスもしくはＨ２ガスまたはこれらの混合ガスをキャリアガスとして供給する。これにより、第２の容器１４内でIII族原料ガスであるＧａＣｌガスとＶ族原料ガスであるＮＨ３ガスとを反応させて、基板Ｗ上にＧａＮ膜を結晶成長させて形成する。その後、所定の処理時間が経過し、ＧａＮ膜の厚さが所定の厚さに達したら、第２の容器１４内へのＧａＣｌガスの供給を停止する。すなわち、Ｇａタンク１７ｃ内へのＨＣｌガスの供給を停止し、Ｎ２ガスもしくはＨ２ガスまたはこれらの混合ガス（以下、単に「キャリアガス」という。）のみの供給に切り替える。なお、Ｖ族原料ガス供給管１７ｄからのＮＨ３ガスの供給については、基板Ｗ上に成膜したＧａＮ膜の熱分解を抑制するという観点から、継続したままとする。
このように、基板処理装置１は、成膜工程（Ｓ１０４）において、III族元素の塩化物を含む金属塩化物ガスであるIII族原料ガスと、Ｖ族元素の水素化物を含むＶ族原料ガスとを、第２の容器１４内の基板Ｗに対して供給し、その基板Ｗ上にＩＩＩ−Ｖ族半導体結晶を成長させる。つまり、基板Ｗに対して、ハイドライド気相成長（ＨＶＰＥ：Hydride Vapor Phase Epitaxy）法による成膜処理を行うのである。
【００４１】
（パージ工程：Ｓ１０５）
成膜工程（Ｓ１０４）が終了したら、次に、基板処理装置１は、パージ工程（Ｓ１０５）を行う。
パージ工程（Ｓ１０５）では、Ｖ族原料ガス供給管１７ｄからはＮＨ３ガスとキャリアガスを供給し、III族原料ガス供給管１７ｂおよびクリーニングガス供給管１７ｅからはキャリアガスのみを供給して、III族原料ガスであるＧａＣｌガスを第２の容器１４内から排出する。このとき、第２の容器１４内へのＮＨ３ガス等の供給を継続しつつ、排気管１８からの排気を継続することで、第２の容器１４内からのＧａＣｌガスの排出を促すことができる。これにより、例えば昇降機構１５等の可動部に反応生成物が付着して、当該可動部の動作不良が生じることを抑制できる。
【００４２】
（第２の容器内からの基板搬出工程：Ｓ１０６）
パージ工程（Ｓ１０５）が終了したら、次に、基板処理装置１は、第２の容器１４内からの基板搬出工程（Ｓ１０６）を行う。
基板搬出工程（Ｓ１０６）では、第２の容器１４を構成する上側容器１４ａの開口を閉塞している基板載置部材１３を昇降機構１５により所定の位置まで下降させて、上側容器１４ａの開口を開放する。これにより、第２の容器１４の下側容器１４ｂとして機能していた基板載置部材１３上に載置された処理済の基板Ｗが第２の容器１４内に搬出されて、再び基板搬送経路１２上における第２の容器１４との対向位置に存在することになる。
【００４３】
（判断工程：Ｓ１０７）
基板搬出工程（Ｓ１０６）で処理済の基板Ｗを第２の容器１４外に搬出したら、次いで、基板処理装置１は、次に処理すべき未処理の基板Ｗがあるか否かを判断する（Ｓ１０７）。この判断は、後述するように、制御装置２からの指示に従って行えばよい。
【００４４】
この判断の結果、次に処理すべき未処理の基板Ｗがあれば、基板処理装置１は、その基板Ｗに対して、上述した一連の各工程（Ｓ１０２〜Ｓ１０６）を繰り返し行う。
【００４５】
（基板搬出工程：Ｓ１０８）
次に処理すべき未処理の基板Ｗがなければ、基板処理装置１は、基板搬出工程（Ｓ１０８）を行う。
基板搬出工程（Ｓ１０８）では、基板搬送工程（Ｓ１０２）の場合と同様に、第２の容器１４から基板搬出口１０ｂまでの基板搬送経路１２上に並べられた基板Ｗの下流側への移動搬送と、第１の容器１０内からの基板Ｗの搬出とを、それぞれ同時並行的に行う。ただし、基板搬出工程（Ｓ１０８）では、基板搬送工程（Ｓ１０２）の場合とは異なり、第１の容器１０内への基板Ｗの搬入と、基板搬入口１０ａから第２の容器１４までの基板搬送経路１２上に並べられた基板Ｗの下流側への移動搬送と、については行わない。次に処理すべき未処理の基板Ｗがないからである。
このような基板搬出工程（Ｓ１０８）が終了すると、第２の容器１４内で成膜処理がされた後の処理済の基板Ｗの全てが、第１の容器１０外に搬出されることになる。
【００４６】
（加熱部降温・大気圧復帰工程：Ｓ１０９）
基板搬出工程（Ｓ１０８）が終了したら、基板処理装置１は、予定されていた全枚数の基板Ｗに対する処理が終了したと判断して、加熱部降温・大気圧復帰工程（Ｓ１０９）を行う。
加熱部降温・大気圧復帰工程（Ｓ１０９）では、ヒータ１６を降温させるとともに、第１の容器１０内を大気圧に復帰させる。これにより、基板処理装置１における一連の処理動作を終了する。
【００４７】
以上に説明した一連の各工程（Ｓ１０１〜Ｓ１０９）を経ることで、基板処理装置１は、複数の基板Ｗに対してＨＶＰＥ法による成膜処理を順次連続的に行う。このような基板処理装置１における処理動作は、当該基板処理装置１が制御装置２からの動作指示に従って行う。つまり、基板処理装置１における処理動作は、制御装置２によって制御されるのである。
【００４８】
（４）制御装置の構成
次に、上述した基板処理装置１の動作を制御する制御装置２の構成について、図１を参照しながら説明する。
【００４９】
制御装置２は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）、ＲＡＭ（Random Access Memory）、ＲＯＭ（Read Only Memory）、ＨＤＤ（Hard Disk Drive）、通信Ｉ／Ｆ（Interface）部等のハードウエア資源を組み合わせて構成されたコンピュータからなるものである。なお、制御装置２は、ディスプレイ装置やプリンタ装置等の情報出力部や、キーボードやマウス等の情報入力部（いずれも不図示）等を備えるものであってもよい。
【００５０】
また、制御装置２は、所定プログラムがインストールされ、その所定プログラムをＣＰＵが必要に応じて実行することで、レシピ記憶手段２１、レシピ読み出し手段２３および動作指示手段２４として機能するようになっている。
【００５１】
（レシピ記憶手段）
レシピ記憶手段２１は、ＨＤＤの記憶領域を確保して、複数のレシピ２２を記憶するためのものである。ただし、レシピ記憶手段２１は、詳細を後述するレシピ名を付与した状態で、各レシピ２２の記憶を行うようになっている。
【００５２】
（レシピ）
ここで、レシピ記憶手段２１が記憶するレシピ２２およびそのレシピ名について簡単に説明する。
図４は、本実施形態における制御装置２が記憶するレシピ２２およびそのレシピ名についての概念を模式的に示す説明図である。
【００５３】
レシピ２２は、基板処理装置１が基板Ｗに対して行う処理の内容を規定するものであり、当該処理の処理方法やパラメータ等を指定する命令やデータ等の集まりからなるものである。レシピ２２は、基板処理装置１が処理対象とする各基板Ｗ別、かつ、各基板Ｗに対して行う処理工程別に設定される。したがって、基板処理装置１が複数の基板Ｗに対する処理を順次連続的に行う場合には、これに対応して複数のレシピ２２が設定されることになる。
【００５４】
具体的には、例えば成膜工程（Ｓ１０４）について設定されたレシピ２２であれば、そのレシピ２２によって、第２の容器１４内の処理温度、処理圧力、III族原料ガスであるＧａＣｌガスの流量、Ｖ族原料ガスであるＮＨ３ガスの流量、成膜処理時間等が規定される。
また、レシピ２２は、成膜工程（Ｓ１０４）のみならず、他の処理工程についても設定され得る。他の処理工程としては、例えば基板搬送工程（Ｓ１０２）、基板搬入工程（Ｓ１０３）、基板搬出工程（Ｓ１０６）等がある。これらの各工程については、基板Ｗが載置された基板載置部材１３の移動速度や移動タイミング等がレシピ２２によって規定される。つまり、いわゆる処理対象基板の段取り替えを自動的に行うために必要となる処理内容がレシピ２２によって規定される。
さらに、レシピ２２は、温度・圧力調整工程（Ｓ１０１）、パージ工程（Ｓ１０５）、加熱部降温・大気圧復帰工程（Ｓ１０９）等の処理内容を規定するものであってもよい。
このように、レシピ２２によって内容が規定される処理には、少なくとも、基板Ｗに対して行う成膜処理の他に、複数の基板Ｗの中から処理対象となる基板Ｗを選択して第２の容器１４内で処理可能な状態にする処理が含まれる。そして、基板処理装置１で処理すべき複数の基板Ｗのそれぞれについて、当該基板Ｗに対して行う各処理工程別に、その処理内容を規定するレシピ２２が設定されるのである。
【００５５】
このように設定される複数のレシピ２２については、それぞれを互いに識別し得るようにする必要がある。このことから、複数のレシピ２２については、レシピ記憶手段２１での記憶にあたり、それぞれを識別するためのレシピ名が付与される。レシピ名の付与は、制御装置２が備える情報入力部を利用して行うことが考えられるが、これに限られることはなく、他の手法を利用して行ってもよい。
【００５６】
ところで、本実施形態において、複数のレシピ２２のそれぞれに付与されるレシピ名は、以下のような特徴的構成を有している。すなわち、各レシピ２２のレシピ名は、順番情報２２ａと識別名情報２２ｂとを備えて構成されている。
【００５７】
順番情報２２ａは、複数のレシピ２２のそれぞれの実行順に関する情報である。詳しくは、順番情報２２ａは、レシピ名の所定部分、例えばレシピ名を構成する文字列の先頭部分に位置する。そして、例えば「０００１」、「０００２」、「０００３」・・・「＊＊＊Ｎ」といった所定桁数の数字列（番号）によって構成され、これにより各レシピ２２の実行順を特定する。つまり、順番情報２２ａは、各レシピ２２の実行順を特定する番号に相当する情報である。なお、順番情報２２ａは、各レシピ２２の実行順を特定し得るものであれば、必ずしも数字列である必要はなく、他の文字列や記号等からなるものであってもよい。数字列等の桁数についても、特に限定されるものではない。例えば、連続して処理する工程の数が数万にも及ぶ場合には、順番情報２２ａの桁数を五桁以上とすることが考えられる。
【００５８】
複数のレシピ２２の実行順を特定すべく各レシピ２２のそれぞれに付与される順番情報２２ａのうちの一つは、当該各レシピ２２の実行順の最後を明示する情報２２ｃを含んでいるものとする。実行順の最後を明示する情報２２ｃは、例えば「ｅｎｄ」という文字列によって構成される。
【００５９】
識別名情報２２ｂは、複数のレシピ２２のそれぞれに個別に付される名称に相当する情報である。
【００６０】
このようなレシピ名は、レシピ記憶手段２１での記憶にあたり、複数のレシピ２２のそれぞれに対して個別に付与される。つまり、レシピ記憶手段２１は、各レシピ２２のレシピ名の所定部分に順番情報２２ａを含ませて、当該各レシピ２２の記憶を行うのである。
【００６１】
（レシピ読み出し手段）
また図１において、レシピ読み出し手段２３は、レシピ記憶手段２１が記憶する複数のレシピ２２について、そのレシピ２２をレシピ記憶手段２１から読み出すためのものである。ただし、レシピ読み出し手段２３は、レシピ記憶手段２１からの読み出しにあたり、各レシピ２２に付与されたレシピ名に含まれる順番情報２２ａに基づいて読み出し順を判断しつつ、各レシピ２２を順に読み出すようになっている。また、レシピ読み出し手段２３は、読み出すべき順のレシピ２２がレシピ記憶手段２１により記憶されておらず存在しないと、後述する所定の待機処理を行って、そのレシピ２２のレシピ記憶手段２１からの読み出しを待機するようになっている。
【００６２】
（動作指示手段）
動作指示手段２４は、レシピ読み出し手段２３がレシピ記憶手段２１からレシピ２２を読み出すと、その読み出したレシピ２２によって規定される処理内容の処理を基板処理装置１が行うように、基板処理装置１のコントロール部１９に対して通信回線３を通じて動作指示を与えるものである。動作指示手段２４は、このような動作指示を与える処理動作を、レシピ読み出し手段２３がレシピ２２の読み出しを行う度に行うものとする。
【００６３】
（所定プログラム）
以上のようなレシピ記憶手段２１、レシピ読み出し手段２３および動作指示手段２４としての機能は、制御装置２が所定プログラムを実行することによって実現される。換言すると、この所定プログラムは、コンピュータとしてのハードウエア資源を備える制御装置２を各手段２１、２３、２４として機能させるものであり、本発明に係る基板処理制御プログラムの一実施形態に相当するものである。
【００６４】
このような所定プログラム（基板処理制御プログラム）は、制御装置２にインストールされて用いられることになる。その場合に、当該プログラムは、インストールに先立って、制御装置２で読み取り可能な記録媒体に格納されて提供されるものであってもよいし、あるいは制御装置２と接続する通信回線を通じて当該制御装置２へ提供されるものであってもよい。
【００６５】
（５）制御装置における処理動作例
次に、上述した構成の制御装置２における処理動作例について説明する。
図５は、本実施形態における制御装置２が基板処理装置１の動作を制御する際の当該制御装置２での処理動作例の手順を示すフローチャートである。
【００６６】
基板処理装置１における処理動作の制御を開始するにあたり、制御装置２では、先ず、レシピ読み出し手段２３がレシピ実行順管理番号Ｎを「１」に設定する（Ｓ２０１）。レシピ実行順管理番号Ｎは、レシピ読み出し手段２３がレシピ２２の読み出しを管理するために用いる情報であり、当該レシピ読み出し手段２３が必要に応じてその値を可変に設定し得る情報である。
【００６７】
そして、レシピ読み出し手段２３は、レシピ記憶手段２１に記憶されている複数のレシピ２２について、それぞれのレシピ名を検索して、レシピ名における順番情報２２ａが「＊＊＊Ｎ」であるレシピ２２が存在するか否かを判断する（Ｓ２０２）。すなわち、例えば、レシピ実行順管理番号Ｎ＝１に設定した場合であれば、レシピ読み出し手段２３は、順番情報２２ａが「０００１」であるレシピ２２が存在するか否かを判断する。
【００６８】
その結果、目的の順番情報２２ａを含むレシピ名のレシピ２２（すなわち、読み出すべき順となったレシピ２２）がレシピ記憶手段２１に存在しなければ、レシピ読み出し手段２３は、所定の待機処理を行う（Ｓ２０３）。所定の待機処理では、予め設定された待機時間が経過するまでの間、レシピ記憶手段２１からのレシピ読み出しを待機する。そして、待機時間が経過したら、再びレシピ記憶手段２１に記憶されているレシピ２２のレシピ名を検索して、目的の順番情報２２ａを含むレシピ名のレシピ２２が存在するか否かを判断する。これを、レシピ２２が存在していると判断するまで繰り返す。なお、予め設定された許容回数だけ待機処理を繰り返し行ったら、レシピ読み出し手段２３は、目的の順番情報２２ａを含むレシピ名のレシピ２２がレシピ記憶手段２１に存在しない旨のアラーム出力を、制御装置２の情報出力部等を通じて行うようにしても構わない。
【００６９】
一方、目的の順番情報２２ａを含むレシピ名のレシピ２２がレシピ記憶手段２１に存在していれば、レシピ読み出し手段２３は、続いて、そのレシピ２２におけるレシピ名が、実行順の最後を明示する情報２２ｃである「ｅｎｄ」という文字列を含むものであるか否かを判断する（Ｓ２０４）。
【００７０】
そして、レシピ名が「ｅｎｄ」という文字列を含むものでなければ、レシピ読み出し手段２３は、そのレシピ名のレシピ２２、すなわち目的の順番情報２２ａを含むレシピ名のレシピ２２について、レシピ記憶手段２１からの読み出しを行う（Ｓ２０５）。なお、レシピ読み出し手段２３が読み出したレシピ２２については、その読み出し後にレシピ記憶手段２１から削除するようにしてもよい。このようにすれば、記憶領域の容量の制限を緩和でき、容量の限られた記憶領域の有効活用が図れる。ただし、必ずしもレシピ２２を削除する必要はなく、レシピ読み出し手段２３が読み出した後においてもレシピ記憶手段２１がレシピ２２を記憶しておくようにすれば、基板処理装置１における新たな動作を制御する際に、そのレシピ２２を再利用するといったことが実現可能となる。
【００７１】
レシピ読み出し手段２３がレシピ２２の読み出しを行うと、続いて、動作指示手段２４は、その読み出したレシピ２２によって規定される処理内容の処理を基板処理装置１が行うように、基板処理装置１のコントロール部１９に対して動作指示を与える。つまり、レシピ読み出し手段２３が読み出したレシピ２２は、動作指示手段２４が基板処理装置１のコントロール部１９に動作指示を与えることで、そのレシピ２２によって規定される処理内容の処理が基板処理装置１によって実行されることになる。
【００７２】
具体的には、例えば、読み出したレシピ２２が成膜工程（Ｓ１０４）の処理条件等を規定するものであれば、動作指示手段２４からの動作指示に従いつつ、その処理条件等による成膜工程（Ｓ１０４）が基板処理装置１において実行される。また、例えば、読み出したレシピ２２が基板搬送工程（Ｓ１０２）、基板搬入工程（Ｓ１０３）、基板搬出工程（Ｓ１０６）等の処理内容を規定するものであれば、動作指示手段２４からの動作指示に従いつつ、処理対象基板の搬入、搬出、段取り替え等が基板処理装置１において実行される。
【００７３】
このようにして基板処理装置１で実行される処理、すなわち一つのレシピ２２によって規定される処理内容の処理が終了すると、基板処理装置１のコントロール部１９からは、当該処理が終了した旨が制御装置２に対して通知される。この通知を受けると、制御装置２では、レシピ読み出し手段２３がレシピ実行順管理番号Ｎをインクリメントする。つまり、レシピ読み出し手段２３は、レシピ実行順管理番号Ｎを「Ｎ＋１」に設定する（Ｓ２０７）。そして、レシピ読み出し手段２３は、インクリメント後のレシピ実行順管理番号Ｎについて、再び、そのレシピ実行順管理番号Ｎを順番情報２２ａとするレシピ２２がレシピ記憶手段２１に存在するか否かを判断する（Ｓ２０２）。
【００７４】
以上のような一連の処理ステップ（Ｓ２０２〜Ｓ２０７）を、制御装置２は、レシピ名が「ｅｎｄ」という文字列を含むものであると判断するまで（Ｓ２０４）、繰り返し行う。なお、目的の順番情報２２ａを含むレシピ名が「ｅｎｄ」という文字列を含むものであれば、そのレシピ名のレシピ２２は、レシピ記憶手段２１に記憶されている複数のレシピ２２の実行順の最後を明示するものである。そのため、制御装置２は、上述した一連の処理ステップ（Ｓ２０２〜Ｓ２０７）を繰り返すルーチンから抜け出して、基板処理装置１に対する制御処理を終了する。これにより、基板処理装置１においても、処理対象となる複数の基板Ｗに対して順次連続的に行う処理を終了することになる。
ただし、別の構成として、実行順の最後を明示する情報２２ｃをレシピ名に含ませないようにすることも可能である。この場合、制御処理の終了は、基板処理装置１または制御装置２に付加された終了命令を発生するスイッチボタンにより行えばよい。
【００７５】
（６）本実施形態の効果
本実施形態によれば、以下に述べる１つまたは複数の効果を奏する。
【００７６】
（ａ）本実施形態においては、基板処理装置１が基板Ｗに対して行う処理内容を規定する複数のレシピ２２について、それぞれのレシピ名の所定部分に順番情報２２ａを含ませて各レシピ２２の記憶を行うとともに、それぞれのレシピ名に含まれる順番情報２２ａに基づいて読み出し順を判断しつつ各レシピ２２の読み出しを順に行う。そのため、基板処理装置１における処理動作を制御するために複数のレシピ２２を用いる場合であっても、各レシピ２２の実行順を規定する実行順序リストを必要とすることなく、各レシピ２２によって規定される内容の処理を順次連続的に行うように基板処理装置１を制御することができる。
【００７７】
つまり、本実施形態においては、複数のレシピ２２についての実行順序リストを必要とせず、各基板Ｗに対して行う処理を開始する前の段階で実行順序リストが完成している必要も生じない。しかも、複数のレシピ２２についても、少なくとも各レシピ２２の実行順が訪れた段階で該当レシピ２２がレシピ記憶手段２１に存在していればよく、各基板Ｗに対して行う処理を開始する前の段階では全てのレシピ２２が完成していなくてもよい。
そのため、本実施形態によれば、実際の半導体製造工程において、例えば生産計画の変更等が生じた場合であっても、レシピ２２の変更、追加、削除等をフレキシブルに行うことができる。具体的には、例えば、小ロット生産の各種半導体装置の製造に対応すべく、基板処理装置１において様々な処理条件で数万回に及ぶ処理を１カ月程度の期間に亘り連続して行う場合に、期間中での生産計画の変更等が生じても、実行順序リストによって各レシピ２２の実行順序を規定している場合とは異なり、このような要請に柔軟に応えることが容易となる。
さらに、本実施形態によれば、複数のレシピ２２についての実行順序リストを必要としないので、当該実行順序リストを必要とする場合とは異なり、これらを記憶保持する記憶領域の大容量化を抑制できる。また、各レシピ２２を読み出す際にも、実行順序リストへのアクセスが不要であり、記憶領域へのアクセス処理の煩雑化を抑制して簡便化することができる。
【００７８】
したがって、本実施形態によれば、半導体製造工程において複数の基板Ｗに対する処理を順次連続的に行う場合であっても、その処理を実行する基板処理装置１に対する動作制御を柔軟かつ簡便に行うことができる。
【００７９】
（ｂ）本実施形態においては、複数のレシピ２２の実行順に関する順番情報２２ａを、各レシピ２２を識別するためのレシピ名に含ませている。そのため、本実施形態によれば、複数のレシピ２２を順に読み出す際に、各レシピ２２の識別に必要となるレシピ名を参照すれば、そのレシピ名に含まれる順番情報２２ａに基づいて各レシピ２２の実行順序を把握することができる。つまり、レシピ名を参照すれば、順番情報２２ａによって規定される実行順のとおりに、各レシピ２２の読み出しを順に行うことができる。
【００８０】
（ｃ）本実施形態において、各レシピ２２の実行順に関する順番情報２２ａは、レシピ名の所定部分、例えばレシピ名を構成する文字列の先頭部分に位置している。そのため、本実施形態によれば、レシピ名を参照した際に、そのレシピ名のどの部分が順番情報２２ａを表しているかを明確に認識することができる。つまり、各レシピ名における順番情報２２ａを、誤認識等が生じるおそれを排除しつつ、迅速かつ的確に認識することができる。
【００８１】
（ｄ）本実施形態において、複数のレシピ２２のそれぞれに付与される順番情報２２ａのうちの一つは、各レシピ２２の実行順の最後を明示する情報２２ｃである「ｅｎｄ」という文字列を含んでいる。そのため、本実施形態によれば、順番情報２２ａに基づいて読み出し順を判断しつつ各レシピ２２の読み出しを順に行う場合であっても、各レシピ２２の総数等に拘らずに、各レシピ２２の実行順の最後を明確かつ容易に認識することができる。つまり、各レシピ２２の実行順の最後を明確かつ容易に認識し得るので、各レシピ２２について一連の処理ステップ（Ｓ２０２〜Ｓ２０７）を繰り返すことで基板処理装置１に対する制御処理を行う場合であっても、各処理ステップ（Ｓ２０２〜Ｓ２０７）の繰り返しルーチンから確実に抜け出すことができ、基板処理装置１に順次連続的に処理を行わせるための制御処理に適用して非常に好適と言える。
【００８２】
（ｅ）本実施形態において、読み出すべき順のレシピ２２がレシピ記憶手段２１に存在しない場合には、レシピ読み出し手段２３がレシピ記憶手段２１からのレシピ２２の読み出しを待機する待機処理を行うようになっている。具体的には、Ｎ番目のレシピ２２を読み出して実行した後、Ｎ＋１番目のレシピ２２が存在していなければ、そのＮ＋１番目のレシピ２２がレシピ記憶手段２１にセットされるまで、各レシピ２２の読み出しを待機する。そのため、本実施形態によれば、レシピ名に含まれる順番情報２２ａに基づいて読み出し順を判断しつつ各レシピ２２の読み出しを順に行う場合に、例えば読み出すべき順のレシピ２２が存在しない等の事態が生じても、必ず順番情報２２ａによって特定される実行順のとおりに各レシピ２２が読み出されることになる。換言すると、読み出すべき順のレシピ２２が存在しなければ待機処理を行うため、意図せぬ想定外の処理が進行してしまうことがなく、安全性確保や不良品発生の抑制等が図れる。また、読み出すべき順のレシピ２２が存在しなければ待機処理を行うため、当該レシピ２２によって規定される処理が基板処理装置１で開始される直前まで当該レシピ２２の変更等を行うことが可能であると言え、これにより生産計画の変更等にも柔軟に対応することが容易に実現可能となる。
【００８３】
（ｆ）本実施形態において、制御装置２によって動作制御される基板処理装置１が基板Ｗに対して行う処理には、成膜工程（Ｓ１０４）で行う成膜処理の他に、複数の基板Ｗの中から処理対象となる基板Ｗを選択して第２の容器１４内で処理可能な状態にする処理が含まれる。そのため、本実施形態によれば、複数のレシピ２２を順に読み出して実行することで、基板Ｗに対する成膜処理のみならず、処理対象基板の段取り替え等についても自動的に行うことになり、特に多枚数の基板Ｗに対する連続処理を行う場合に適用して非常に好適である。
【００８４】
（７）変形例等
以上に、本発明の好適な実施形態について説明したが、上述した開示内容は、本発明の例示的な実施形態の一つを示すものである。すなわち、本発明の技術的範囲は、上述した例示的な実施形態に限定されるものではない。
【００８５】
本実施形態では、基板処理装置１を制御する制御装置２が当該基板処理装置１と通信回線３を介して接続されている場合、すなわち制御装置２が基板処理装置１とは別体のコンピュータによって構成されている場合を例に挙げたが、本発明がこれに限定されることはない。例えば、制御装置２は、基板処理装置１に搭載されたコンピュータによって構成されたものであっても構わない。
【００８６】
また、本実施形態では、基板処理装置１がＨＶＰＥ法による結晶成長を利用して基板Ｗ上にＧａＮ膜の成膜処理を行う場合を例に挙げたが、本発明がこれに限定されることはない。すなわち、基板処理装置１は、複数の基板Ｗに対する処理を順次連続的に行うものであれば、他の成長方法による成膜処理を行うものであってもよいし、ＧａＮ膜以外の薄膜を形成する成膜処理を行うものであってもよい。さらには、成膜処理ではなく、アニール処理、酸化処理、窒化処理、拡散処理、リソグラフィ処理等の他の基板処理を行うものであってもよい。
【００８７】
また、本実施形態では、半導体発光素子を製造する半導体製造工程において用いられる基板処理システムに本発明を適用した場合を例に挙げたが、本発明がこれに限定されることはない。すなわち、本発明は、他の種類の半導体装置の製造工程において用いられる基板処理システムにも、好適に適用することが可能である。
【符号の説明】
【００８８】
１…基板処理装置、２…制御装置、３…通信回線、１０…第１の容器、１２…基板搬送経路、１３…基板載置部材、１４…第２の容器、１５…昇降機構、１６…ヒータ、１７ａ…ガス供給ノズル、１７ｂ…III族原料ガス供給管、１７ｄ…Ｖ族原料ガス供給管、１８…排気管、１９…コントロール部、２１…レシピ記憶手段、２２…レシピ、２２ａ…順番情報、２３…レシピ読み出し手段、２４…動作指示手段、Ｗ…基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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