(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材の表面の一方側に少なくとも１層の膜を成膜して積層体を得る成膜装置であって、
その内部に処理空間を有する処理チャンバーと、
前記処理チャンバー内で前記基材を保持する基材保持部と、
前記処理空間にガスを供給するガス供給部と、
前記処理チャンバー内の気体を排出する排気部と、
前記基材保持部に保持された前記基材の前記表面に成膜処理を実行する成膜処理部と、
前記一方側から前記積層体を視た際の色情報が入力される入力部と、
複数の色に関して、色情報と前記一方側から視てその色となる前記積層体を得るための成膜条件とを対応付けた対応データが格納された記憶部と、
前記入力部から入力された前記色情報を基に前記対応データを参照して前記成膜条件を確定する確定部と、
を備え、
前記色情報は、ＸＹＺ表色系の情報であり、
前記積層体は、前記一方側から視て順に透明層と金属製の不透明層とを有し、
前記成膜条件には、色調整の要素として少なくとも前記透明層の膜厚が含まれることを特徴とする成膜装置。
【請求項２】
請求項１に記載の成膜装置であって、
前記一方側から前記積層体に照射光を付与した際に前記積層体の前記一方側の表面で前記照射光が反射して得られる第１反射光と、前記一方側から前記積層体に照射光を付与した際に前記積層体の前記透明層を通過して前記透明層と前記金属製の不透明層との界面で反射して得られる第２反射光と、が干渉する作用により前記色調整が実現され、
この干渉作用が前記透明層の膜厚に応じて変化することを特徴とする成膜装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の成膜装置であって、
前記入力部から入力された前記色情報が前記対応データの対応可能範囲に含まれるか否かを判定する判定部と、
前記色情報が前記対応可能範囲に含まれない場合に、その旨を装置の操作者に報知する報知部と、
をさらに備えることを特徴とする成膜装置。
【請求項４】
請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の成膜装置であって、
前記対応データは、前記積層体を構成する各層の各光学定数および前記透明層の膜厚と、前記一方側から視た前記積層体の色情報と、を理論的な計算により対応付けたデータであることを特徴とする成膜装置。
【請求項５】
請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の成膜装置であって、
前記積層体は、建物のインテリアまたはエクステリアの装飾材料として用いられることを特徴とする成膜装置。
【請求項６】
請求項１ないし請求項５のいずれかに記載の成膜装置であって、
前記透明層は窒化シリコン層であることを特徴とする成膜装置。
【請求項７】
請求項１ないし請求項５のいずれかに記載の成膜装置であって、
前記透明層は酸化チタン層であることを特徴とする成膜装置。
【請求項８】
請求項１ないし請求項５のいずれかに記載の成膜装置であって、
前記透明層は酸化アルミニウム層であることを特徴とする成膜装置。
【請求項９】
請求項１ないし請求項５のいずれかに記載の成膜装置であって、
前記透明層は窒化チタン層であることを特徴とする成膜装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基材の表面に膜を成膜する成膜装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
基材の表面に膜を成膜する際の成膜条件を調整することにより、得られる膜の色を調整する技術が知られている。この種の技術として、例えば、特許文献１には、高分子色素の膜に特定の屈折率と厚さを有する透明膜を重ね合わせることで、一方側（透明膜側）から視た場合の色調が変化してみえる積層体を得る技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１５−２４６２２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記一方側から視てある色の積層体を成膜したい場合に、過去に同一色の成膜処理を実行したデータがあれば、そのデータを参照して過去の処理と同一の成膜条件で成膜処理を実行することで、目的の色の積層体が得られる。
【０００５】
他方、上記一方側から視てある色の膜を成膜したい場合に、過去に同一色の成膜処理を実行したデータがなければ、成膜装置の操作者の勘や経験則によって成膜条件の調整が行われることが一般的である。
【０００６】
しかしながら、この態様においては、操作者ごとの誤差の影響が避けられず、高精度で安定的に所望の色の積層体を得ることは困難であった。
【０００７】
そこで、本発明は、成膜処理により、高精度で安定的に所望の色の積層体を得る技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の第１の態様にかかる成膜装置は、基材の表面の一方側に少なくとも１層の膜を成膜して積層体を得る成膜装置であって、その内部に処理空間を有する処理チャンバーと、前記処理チャンバー内で前記基材を保持する基材保持部と、前記処理空間にガスを供給するガス供給部と、前記処理チャンバー内の気体を排出する排気部と、前記基材保持部に保持された前記基材の前記表面に成膜処理を実行する成膜処理部と、前記一方側から前記積層体を視た際の色情報が入力される入力部と、複数の色に関して、色情報と前記一方側から視てその色となる前記積層体を得るための成膜条件とを対応付けた対応データが格納された記憶部と、前記入力部から入力された前記色情報を基に前記対応データを参照して前記成膜条件を確定する確定部と、を備え、前記色情報は、ＸＹＺ表色系の情報であり、前記積層体は、前記一方側から視て順に透明層と金属製の不透明層とを有し、前記成膜条件には、色調整の要素として少なくとも前記透明層の膜厚が含まれることを特徴とする。
【０００９】
本発明の第２の態様にかかる成膜装置は、本発明の第１の態様にかかる成膜装置であって、前記一方側から前記積層体に照射光を付与した際に前記積層体の前記一方側の表面で前記照射光が反射して得られる第１反射光と、前記一方側から前記積層体に照射光を付与した際に前記積層体の前記透明層を通過して前記透明層と前記金属製の不透明層との界面で反射して得られる第２反射光と、が干渉する作用により前記色調整が実現され、この干渉作用が前記透明層の膜厚に応じて変化することを特徴とする。
【００１０】
本発明の第３の態様にかかる成膜装置は、本発明の第１の態様または第２の態様にかかる成膜装置であって、前記入力部から入力された前記色情報が前記対応データの対応可能範囲に含まれるか否かを判定する判定部と、前記色情報が前記対応可能範囲に含まれない場合に、その旨を装置の操作者に報知する報知部と、をさらに備えることを特徴とする。
【００１１】
本発明の第４の態様にかかる成膜装置は、本発明の第１の態様ないし第３の態様のいずれかにかかる成膜装置であって、前記対応データは、前記積層体を構成する各層の各光学定数および前記透明層の膜厚と、前記一方側から視た前記積層体の色情報と、を理論的な計算により対応付けたデータであることを特徴とする。
【００１２】
本発明の第５の態様にかかる成膜装置は、本発明の第１の態様ないし第４の態様のいずれかにかかる成膜装置であって、前記積層体は、建物のインテリアまたはエクステリアの装飾材料として用いられることを特徴とする。
【００１３】
本発明の第６の態様にかかる成膜装置は、本発明の第１の態様ないし第５の態様のいずれかにかかる成膜装置であって、前記透明層は窒化シリコン層であることを特徴とする。
【００１４】
本発明の第７の態様にかかる成膜装置は、本発明の第１の態様ないし第５の態様のいずれかにかかる成膜装置であって、前記透明層は酸化チタン層であることを特徴とする。
【００１５】
本発明の第８の態様にかかる成膜装置は、本発明の第１の態様ないし第５の態様のいずれかにかかる成膜装置であって、前記透明層は酸化アルミニウム層であることを特徴とする。
【００１６】
本発明の第９の態様にかかる成膜装置は、本発明の第１の態様ないし第５の態様のいずれかにかかる成膜装置であって、前記透明層は窒化チタン層であることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２４】
本発明の第１の態様ないし第９の態様では、成膜装置において、確定部が入力部から入力された色情報を基に対応データを参照して成膜条件を確定する。また、成膜条件には、色調整の要素として少なくとも透明層の膜厚が含まれる。このため、本発明の第１の態様では、成膜装置の操作者の勘や経験則によって成膜条件の調整が行われる態様に比べ、高精度で安定的に所望の色の成膜処理を実行可能である。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】スパッタリング装置の概略構成を模式的に示す断面模式図である。
【図２】スパッター処理部およびその周辺を示す断面模式図である。
【図３】誘導結合アンテナの例を示す側面図である。
【図４】スパッター処理部およびその周辺を示す斜視図である。
【図５】成膜処理により得られる積層体の一例を示す縦断面図である。
【図６】光学定数が同一で膜厚が異なる窒化シリコン膜を透明層として成膜した場合における、積層体の反射率スペクトルを示す図である。
【図７】処理全体の流れを示す図である。
【図８】基材上に不透明層として窒化チタン膜を成膜した第１の積層体と、基材上に不透明層として窒化チタン膜を成膜しさらにその上に透明層として窒化シリコン膜を成膜した第２の積層体と、についての反射率スペクトルを示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
以下、図面を参照しながら、本発明の実施形態について説明する。図面では同様な構成および機能を有する部分に同じ符号が付され、重複説明が省略される。なお、以下の実施形態は、本発明を具体化した一例であり、本発明の技術的範囲を限定する事例ではない。また、図面においては、理解容易のため、各部の寸法や数が誇張または簡略化して図示されている場合がある。また、図面には、方向を説明するためにＸＹＺ直交座標軸がふされる場合がある。座標軸における＋Ｚ方向は鉛直上方向であり、ＸＹ平面は水平面である。
【００２７】
＜１  実施形態＞
＜１．１  スパッタリング装置１の構成＞
図１は、スパッタリング装置１の概略構成を模式的に示す断面模式図である。図２は、スパッター処理部５０およびその周辺を示す断面模式図である。図３は、誘導結合アンテナ１５１の例を示す側面図である。また、図４は、スパッター処理部５０およびその周辺を示す斜視図である。
【００２８】
スパッタリング装置１は、搬送される基材９１の上面にスパッター処理で成膜する装置である。基材９１は、例えば、ＳＵＳ板などにより構成される。また、基材９１に対して成膜処理が行われて得られる積層体は、例えば、インテリアまたはエクステリアにおける装飾材料として用いられる。
【００２９】
スパッタリング装置１は、チャンバー１００（処理チャンバー）と、基材９１を搬送する搬送機構３０と、搬送される基材９１の上面にスパッターにより成膜処理を実行するスパッター処理部５０と、スパッタリング装置１の各部を統括制御する制御部１９０とを備える。チャンバー１００は、直方体形状の外形を呈する中空部材である。チャンバー１００は、その底板および天板が水平姿勢となるように配置されている。また、Ｘ軸およびＹ軸の各々は、チャンバー１００の側壁と平行な軸である。
【００３０】
スパッタリング装置１は、さらに、スパッター処理部５０の周囲を取り囲むように配置された筒状の遮蔽部材であるチムニー６０を備える。チムニー６０は、スパッター処理部５０にて発生するプラズマの範囲やターゲットからスパッタされたスパッタ粒子の飛散範囲を制限するシールドとしての機能と、チムニー内部の雰囲気を外部と遮断する雰囲気遮断機能と、を有する。以下では、チャンバー１００の内部空間のうち、チムニー６０の内側でありスパッター処理が実行される空間を処理空間Ｖと呼ぶ。
【００３１】
チャンバー１００内には、水平な搬送経路面Ｌがチムニー６０の下方に規定されている。搬送経路面Ｌの延在方向はＸ軸方向であり、基材９１はＸ軸方向に沿って搬送される。
【００３２】
また、スパッタリング装置１は、チャンバー１００内を搬送される基材９１を加熱する板状の加熱部４０を備える。加熱部４０は、例えば、搬送経路面Ｌの下側に配置されたシースヒータによって構成される。
【００３３】
チャンバー１００のうち搬送経路面Ｌの−Ｘ側の端部には、基材９１をチャンバー１００内に搬入するためのゲート１６０が設けられる。他方、チャンバー１００のうち搬送経路面Ｌの＋Ｘ側の端部には、基材９１をチャンバー１００外に搬出するためのゲート１６１が設けられている。また、チャンバー１００のＸ方向両端部には、ロードロックチャンバーや、アンロードロックチャンバーなどの他のチャンバーの開口部が気密を保った形態で接続可能に構成されている。各ゲート１６０、１６１は、開閉の切替可能に構成される。
【００３４】
また、チャンバー１００には、チャンバー１００内の気体を排気する排気部１７０が接続されている。排気部１７０は、例えば、それぞれ図示省略の真空ポンプと、排気配管と、排気バルブと備える。排気配管は、一端が真空ポンプに接続され、他端がチャンバー１００の内部空間に連通接続される。また、排気バルブは、排気配管の経路途中に設けられる。排気バルブは、具体的には、排気配管を流れるガスの流量を自動調整できるバルブである。この構成において、真空ポンプが作動された状態で、排気バルブが開放されると、チャンバー１００内の気体が排気され、チャンバー１００内が真空状態とされる。制御部１９０が排気部１７０による排気を制御することで、チャンバー１００内の圧力が特定の値に調整される。
【００３５】
搬送機構３０は、チャンバー１００の内部で、Ｙ方向において搬送経路面Ｌを挟んで対向配置された搬送ローラ３１の複数の対と、これらを同期させて回転駆動する駆動部（図示省略）とを含んで構成される。搬送ローラ３１は、搬送経路面Ｌの延在方向であるＸ方向に沿って複数対設けられる。なお、図１では、５対の搬送ローラ３１の図示手前側（−Ｙ側）に位置する５つのローラが描かれている。
【００３６】
キャリア９０は板状のトレーなどによって構成され、基材９１はキャリア９０の略水平な上面に着脱可能に保持される。なお、キャリア９０における基材９１の保持態様は、真空吸着方式により基材９１を保持する態様やチャックピン等で機構的に基材９１を把持する態様など種々の態様を採用しうる。
【００３７】
基材９１が配設されたキャリア９０がゲート１６０を介してチャンバー１００内に導入されると、各搬送ローラ３１が該キャリア９０の端縁（±Ｙ側の端縁）付近に下方から当接する。そして、駆動部（図示省略）によって各搬送ローラ３１が同期回転されることによって、キャリア９０およびキャリア９０に保持される基材９１が搬送経路面Ｌに沿って搬送される。本実施形態では、各搬送ローラ３１が時計回りおよび反時計回りの双方に回転可能であり、キャリア９０およびキャリア９０に保持される基材９１が双方向（±Ｘ方向）に搬送される態様について説明する。搬送経路面Ｌは、スパッター処理部５０（成膜処理部）に対向した被成膜箇所Ｐを含む。このため、搬送機構３０によって搬送される基材９１の上面のうち被成膜箇所Ｐに配される箇所に成膜処理が行われる。
【００３８】
スパッタリング装置１は、処理空間Ｖに不活性ガスであるアルゴンガスなどのスパッターガスを供給するスパッターガス供給部５１０と、処理空間Ｖに窒素ガスなどの反応性ガスを供給する反応性ガス供給部５２０とを備える。したがって、スパッターガス供給部５１０および反応性ガス供給部５２０の一方がガスを供給した場合には処理空間Ｖ内にその一方のガスの雰囲気が形成され、双方がガスを供給した場合には処理空間Ｖ内にスパッターガスと反応性ガスとの混合雰囲気が形成される。
【００３９】
スパッターガス供給部５１０は、具体的には、例えば、スパッターガスの供給源であるスパッターガス供給源５１１と、配管５１２とを備える。配管５１２は、一端がスパッターガス供給源５１１と接続され、他端が処理空間Ｖと連通する各ノズル５１４に接続される。また、配管５１２の経路途中には、バルブ５１３が設けられる。バルブ５１３は、制御部１９０の制御下で処理空間Ｖに供給されるスパッターガスの量を調整する。バルブ５１３は、配管を流れるガスの流量を自動調整できるバルブであることが好ましく、具体的には、例えば、マスフローコントローラ等を含んで構成することが好ましい。
【００４０】
各ノズル５１４は、回転カソード５、６間に設けられた１列の誘導結合アンテナ１５１の±Ｘ側に設けられ、チャンバー１００の天板を貫通して下側に向けて開口している。このため、スパッターガス供給源５１１から供給されたスパッターガスは、各ノズル５１４から処理空間Ｖに導入される。
【００４１】
反応性ガス供給部５２０は、具体的には、例えば、反応性ガスの供給源である反応性ガス供給源５２１と、配管５２２とを備える。配管５２２は、一端が反応性ガス供給源５２１と接続され、他端が複数（図４の例では、６つ）に分岐して処理空間Ｖに設けられた複数のノズル１２（図４の例では、＋Ｘ側と−Ｘ側とにそれぞれ３つずつ計６つのノズル１２）に接続される。配管５２２の経路途中には、バルブ５２３が設けられる。バルブ５２３は、制御部１９０の制御下で処理空間Ｖに供給される反応性ガスの量を調整する。
【００４２】
各ノズル１２は、処理空間Ｖのうち下方の領域においてＹ方向に延在するように設けられている。配管５２２の各他端は、各ノズル１２のＸ方向両端面のうち外側の各端面と接続されている。各ノズル１２には、当該各端面に開口して配管５２２の他端と接続されるとともにノズル内部で複数に分岐する各流路が形成されている。各流路の先端はノズル１２のＸ方向両端面のうち内側の各端面に達して開口し、この各端面には複数の吐出口１１が形成される。
【００４３】
＋Ｘ側の各ノズル１２の上方には、光ファイバーのプローブ１３が設けられる。また、プローブ１３に入射するプラズマ発光の分光強度を測定可能な分光器１４が設けられている。分光器１４は制御部１９０と電気的に接続されており、分光器１４の測定値は制御部１９０に供給される。制御部１９０は、分光器１４の出力に基づいて、プラズマエミッションモニター（ＰＥＭ）法によりバルブ５２３を制御することで、反応性ガス供給部５２０からチャンバー１００内に供給される反応性ガスの導入量を制御する。バルブ５２３は、配管を流れるガスの流量を自動調整できるバルブであることが好ましく、例えば、マスフローコントローラ等を含んで構成することが好ましい。
【００４４】
スパッタリング装置１が備える各構成要素は、制御部１９０と電気的に接続されており、当該各構成要素は制御部１９０により制御される。制御部１９０は、具体的には、例えば、各種演算処理を行うＣＰＵ、プログラム等を記憶するＲＯＭ、演算処理の作業領域となるＲＡＭ、プログラムや各種のデータファイルなどを記憶するハードディスク、ＬＡＮ等を介したデータ通信機能を有するデータ通信部等がバスラインなどにより互いに接続された、一般的なＦＡコンピュータにより構成される。また、制御部１９０は、各種表示を行うディスプレイ、キーボードおよびマウスなどで構成される入力部１９１と接続されている。入力部１９１は、例えば、一方側（図５における図示上側）から積層体を視た際の色情報を装置の操作者が指定して入力する際に用いられる。
【００４５】
スパッター処理部５０は、２つの回転カソード５、６と、２つの回転カソード５、６をそれぞれの中心軸線回りに回転させる２つの回転部１９と、２つの回転カソード５、６の内部にそれぞれ収容される２つの磁石ユニット２１、２２と、２つの回転カソード５、６にそれぞれスパッター電力を供給するスパッター用電源１６３と、を備える。
【００４６】
回転カソード５、６は、処理空間ＶにおいてＸ方向に一定距離を隔てて対向配置されて、カソード対として構成される。このように回転カソード５、６が並設されることにより、基材９１上の被成膜箇所Ｐにラジカルがより集中し、スパッター処理により得られる膜の膜質が向上しうる。
【００４７】
スパッター処理部５０は、回転カソード５、６間に設けられた１列の誘導結合アンテナ１５１と、整合回路１５４と、整合回路１５４を介して各誘導結合アンテナ１５１に高周波電力を供給する高周波電源１５３とをさらに備える。
【００４８】
ここで、１列の誘導結合アンテナ１５１とは、Ｙ方向に沿って間隔をあけて設けられた５つの誘導結合アンテナ１５１のことを意味する。
【００４９】
このため、高周波電源１５３が各誘導結合アンテナ１５１に高周波電力（例えば、周波数１３．５６ＭＨｚの電力）を供給することにより、チムニー６０の内部に設けられた各誘導結合アンテナ１５１が処理空間Ｖ内に誘導結合プラズマを生成する。
【００５０】
各誘導結合アンテナ１５１は、石英硝子などからなる誘電体の保護部材１５２によって覆われて、チャンバー１００の天板を貫通してチャンバー１００の内部空間に突出して設けられる。
【００５１】
各誘導結合アンテナ１５１は、例えば、図３に示されるように、金属製のパイプ状導体をＵ字形に曲げたものであり、「Ｕ」の字の状態でチャンバー１００の天板を貫通してチャンバー１００の内部空間に突設されている。誘導結合アンテナ１５１は、内部に冷却水を循環させるなどして、適宜、冷却されている。
【００５２】
各誘導結合アンテナ１５１の一端は、整合回路１５４を介して、高周波電源１５３に電気的に接続されている。また、各誘導結合アンテナ１５１の他端は接地されている。この構成において、高周波電源１５３から誘導結合アンテナ１５１に高周波電力が供給されると、誘導結合アンテナ１５１の周囲に高周波誘導磁界が生じ、チャンバー１００の内部空間に誘導結合プラズマ（Inductively Coupled Plasｍa：ＩＣＰ）が発生する。この誘導結合プラズマは、電子の空間密度が３×１０１０個／ｃｍ３以上の高密度プラズマである。
【００５３】
また、本実施形態のようにＵ字形状の誘導結合アンテナ１５１は、巻数が一周未満の誘導結合アンテナに相当し、巻数が一周以上の誘導結合アンテナよりもインダクタンスが低い。このため、誘導結合アンテナ１５１の両端に発生する高周波電圧が低減され、生成するプラズマへの静電結合に伴うプラズマ電位の高周波揺動が抑制される。このため、対地電位へのプラズマ電位揺動に伴う過剰な電子損失が低減され、プラズマ電位が特に低く抑えられる。これにより、基材９１上へのダメージを低減することが可能となる。
【００５４】
磁石ユニット２１（２２）は、回転カソード５（６）の外周面のうち自身の近傍で磁界（静磁場）を形成する。回転カソード５、６間に設けられた１列の誘導結合アンテナ１５１は、処理空間Ｖのうち磁石ユニット２１、２２によって磁界が形成されている部分を含む空間に誘導結合プラズマを発生する。
【００５５】
回転カソード５（６）は、水平面内において搬送方向に垂直なＹ方向に延設された筒状のベース部材８と、ベース部材８の外周を被覆する筒状のターゲット１６（１７）とを備えて構成されている。ベース部材８は導電体であり、ターゲット１６の材料としては窒化シリコン成膜用のシリコン（Ｓｉ）を含む材料が用いられ、ターゲット１７としてはチタン成膜用のチタン（Ｔｉ）を含む材料が用いられる。なお、回転カソード５（６）がベース部材８を含まず、円筒状のターゲット１６（１７）によって構成されてもよい。ターゲット１６（１７）の形成は、例えば、ターゲット材料の粉末を圧縮成型して筒状に形成し、その後、ベース部材８を挿入する手法などによって行われる。
【００５６】
本明細書では、並設される回転カソード５、６およびそれぞれの内部に配される磁石ユニット２１、２２を一体的に表現する場合には、マグネトロンカソード対と呼ぶ。
【００５７】
各ベース部材８の中心軸線２（３）方向の両端部は、中央部に円状の開口が設けられた蓋部によってそれぞれ塞がれている。回転カソード５（６）の中心軸線２（３）方向の長さは、例えば、１，４００ｍｍに設定され、直径は、例えば、１５０ｍｍに設定される。
【００５８】
スパッター処理部５０は、２対のシール軸受９、１０と、２つの円筒状の支持棒７とをさらに備えている。シール軸受９、１０の各対は、回転カソード５（６）の長手方向（Ｙ方向）において回転カソード５（６）を挟んで設けられている。シール軸受９、１０は、それぞれ、チャンバー１００の天板の下面から立設された台部と、台部の下部に設けられた略円筒状の円筒部とを備えている。
【００５９】
各支持棒７の一端はシール軸受９の円筒部に軸受けされ、他端はシール軸受１０の円筒部に軸受けされている。各支持棒７は、ベース部材８の一端の蓋部の開口から回転カソード５（６）内に挿入されて、回転カソード５（６）を中心軸線２（３）に沿って貫通し、ベース部材８の他端の蓋部の開口から回転カソード５（６）外に出されている。
【００６０】
磁石ユニット２１（２２）は、透磁鋼などの磁性材料により形成されたヨーク２５（支持板）と、ヨーク２５上に設けられた複数の磁石（後述する中央磁石２３ａ、周辺磁石２３ｂ）とを備えて構成されている。
【００６１】
ヨーク２５は、平板状の部材であり、回転カソード５（６）の内周面に対向して回転カソード５の長手方向（Ｙ方向）に延在している。回転カソード５、６の内周面に対向するヨーク２５の表面上には、ヨーク２５の長手方向に延在する中央磁石２３ａが、ヨーク２５の長手方向に沿った中心線上に配置されている。ヨーク２５の表面の外縁部には、中央磁石２３ａの周囲を囲む環状（無端状）の周辺磁石２３ｂが、さらに設けられている。中央磁石２３ａ、周辺磁石２３ｂは、例えば、永久磁石によって構成される。
【００６２】
中央磁石２３ａと周辺磁石２３ｂとのそれぞれのターゲット１６（１７）側の極性は、互いに異なっている。また、２つの磁石ユニット２１、２２におけるそれぞれの極性は相補的に構成される。例えば、磁石ユニット２１ではターゲット１６（１７）側における中央磁石２３ａの極性がＮ極とされ周辺磁石２３ｂの極性がＳ極とされる一方で、磁石ユニット２２ではターゲット１６（１７）側における中央磁石２３ａの極性がＳ極とされ周辺磁石２３ｂの極性がＮ極とされる。
【００６３】
ヨーク２５の裏面には、固定部材２７の一端が接合されている。固定部材２７の他端は、支持棒７に接合されている。これにより、磁石ユニット２１、２２は支持棒７に連結される。本実施形態では、マグネトロンカソード対を構成する磁石ユニット２１、２２が、互いに向き合う位置から被成膜箇所Ｐに近づく−Ｚ方向に所定角度だけ回転された状態で固定されている。このため、回転カソード５、６の間でかつ被成膜箇所Ｐ側の空間には、磁石ユニット２１、２２間によって相対的に強い静磁場が形成される。
【００６４】
各シール軸受９の台部には、モータと、モータの回転を伝達するギア（それぞれ図示省略）を備えた回転部１９が設けられている。また、回転カソード５、６のベース部材８の＋Ｙ側の蓋部の開口部の周囲には、各回転部１９のギアと噛み合うギア（図示省略）が設けられている。
【００６５】
各回転部１９は、モータの回転によって中心軸線２（３）を中心に回転カソード５（６）を回転させる。より詳細には、回転部１９は、回転カソード５、６のそれぞれの外周面のうち互いに対向している部分が下側から上側に向けてそれぞれ移動するように、中心軸線２、３回りで互いに逆方向に回転カソード５、６を回転させる。回転速度は例えば１０〜２０回転／分に設定され、スパッター処理の期間中は上記した回転速度および回転方向で定速回転される。また、回転カソード５、６は、シール軸受１０および支持棒７を介して内部に冷却水を循環させるなどして、適宜、冷却されている。
【００６６】
スパッター用電源１６３に接続される電線は、２つに分岐して回転カソード５、６の各シール軸受１０内に導かれている。各電線の先端には、回転カソード５、６のベース部材８の−Ｙ側の蓋部に接触するブラシが設けられている。スパッター用電源１６３は、このブラシを介してベース部材８に、スパッター電力を供給する。本実施形態では、後述するように、スパッター用電源１６３がまず回転カソード６に負電位の直流電力を供給し、その後にスパッター用電源１６３が回転カソード５に負電位の直流電力を供給する。
【００６７】
各ベース部材８（ひいては、各ターゲット１６、１７）にスパッター電力が供給されると、処理空間Ｖの各ターゲット１６、１７の表面にスパッターガスのプラズマが生成される。このプラズマは、磁石ユニット２１、２２が形成する静磁場によって、回転カソード５、６間でかつ被成膜箇所Ｐ側の空間に高密度に閉じ込められる。本明細書では、このように磁界閉じ込め効果によって高密度化されたプラズマをマグネトロンプラズマと呼ぶ。本実施形態のようにマグネトロンカソード対がマグネトロンプラズマを生成する態様では、１つのマグネトロンカソードがマグネトロンプラズマを生成する場合よりもプラズマが高密度化される。このため、本実施形態の態様は成膜レート向上の観点から望ましい。
【００６８】
上述の通り、回転カソード５、６間に設けられた１列の誘導結合アンテナ１５１は、処理空間Ｖのうち磁石ユニット２１、２２によって磁界が形成されている部分を含む空間に誘導結合プラズマを発生する。その結果、マグネトロンカソード対により発生するマグネトロンプラズマと誘導結合アンテナ１５１によって発生する誘導結合プラズマとが互いに重なり合い、混合プラズマが形成される。誘導結合アンテナ１５１が発生させた高密度の誘導結合プラズマも、磁石ユニット２１、２２が回転カソード５、６の外周面の近傍に形成する磁界によるマグネトロンプラズマとともに、ターゲット１６、１７のスパッターに寄与する。
【００６９】
このように誘導結合プラズマをスパッターに寄与させる場合、誘導結合プラズマの寄与がない場合に比べて、回転カソード５、６に供給するスパッター電力の大きさが同一でもスパッター電圧を低くすることができる（インピーダンスを低くすることができる）。これにより、ターゲット１６、１７から飛翔する反跳アルゴンや負イオンが基材９１の被成膜面に与えるダメージが低下しつつ、高成膜レートで成膜処理が実行される。
【００７０】
スパッター処理では、チャンバー１００の処理空間Ｖにスパッターガスと反応性ガスとを導入して、上記混合プラズマの雰囲気において回転カソード５、６の外周を被覆するターゲット１６、１７をスパッターし、当該ターゲット１６、１７に対向する基材９１上にチタン膜および窒化シリコン膜を成膜する。
【００７１】
＜１．２  透明層２０１の膜厚と積層体２００の色との関係＞
図５は、成膜処理により得られる積層体２００の一例を示す縦断面図である。図５に示されるように、本実施形態では、スパッタリング装置１が基材９１の上面の一方側に２層の膜を成膜することで、一方側（図示上側）から視て順に透明層２０１と金属製の不透明層２０２とを有する積層体２００が得られる。
【００７２】
以下では、基材９１に成膜処理を実行して積層体２００を得る際に積層体２００の色を調整する技術について説明する。なお、本明細書において、「積層体２００の色」とは、上記一方側からこの積層体２００を視た際の色を意味する。
【００７３】
以下、数１〜数１８の各数式を参照しつつ、積層体２００を構成する各層の各光学定数および透明層２０１の膜厚と積層体２００の色情報とを対応させた対応関係について説明する。なお、各数式において、下付き文字の「０」は空気を意味し、下付き文字の「１」は成膜される膜を意味し、下付き文字の「２」は基材９１を意味する。また、下付き文字の「ｐ」はｐ偏光を意味し、下付き文字の「ｓ」はｓ偏光を意味する。
【００７４】
複素屈折率をＮとすると、光学定数（屈折率ｎおよび消衰係数ｋ）および虚数ｉを用いて、以下の数１が成り立つ。
【００７５】
【数１】
0006600214.tif 000002
【００７６】
また、各層への入射角をθとすると、スネルの法則により、以下の数２が成り立つ。
【００７７】
【数２】
0006600214.tif 000003
【００７８】
このとき、位相変化をβとすると、以下の数３が成り立つ。
【００７９】
【数３】
0006600214.tif 000004
【００８０】
そして、振幅反射係数をｒとし、振幅透過係数をｔとし、反射率をＲとし、透明層２０１の膜厚をｄとすると、フレネルの式より、以下の数４〜数９が成り立つ。
【００８１】
【数４】
0006600214.tif 000005
【００８２】
【数５】
0006600214.tif 000006
【００８３】
【数６】
0006600214.tif 000007
【００８４】
【数７】
0006600214.tif 000008
【００８５】
【数８】
0006600214.tif 000009
【００８６】
【数９】
0006600214.tif 000010
【００８７】
図６は、光学定数が同一で膜厚が異なる窒化シリコン膜を透明層２０１として成膜した場合における、積層体２００の反射率スペクトルを示す図である。図６において、横軸は波長を示し、縦軸は反射率を示す。
【００８８】
また、反射率分布をＳ（λ）とし、ＸＹＺ表色系における等色関数をｘ（λ），ｙ（λ），ｚ（λ）とすると、以下の数１０〜数１３が成り立つ。
【００８９】
【数１０】
0006600214.tif 000011
【００９０】
【数１１】
0006600214.tif 000012
【００９１】
【数１２】
0006600214.tif 000013
【００９２】
【数１３】
0006600214.tif 000014
【００９３】
ここで、ＸＹＺ表色系からＬ＊ａ＊ｂ＊表色系に色変換を行うと、以下の数１４〜数１８が成り立つ。
【００９４】
【数１４】
0006600214.tif 000015
【００９５】
【数１５】
0006600214.tif 000016
【００９６】
【数１６】
0006600214.tif 000017
【００９７】
【数１７】
0006600214.tif 000018
【００９８】
【数１８】
0006600214.tif 000019
【００９９】
以上説明したように、理論的な計算により、積層体２００を構成する各層の各光学定数および透明層２０１の膜厚と色情報とを一対一に対応付けた対応関係が得られる。
【０１００】
また、図６に示されるように、積層体２００においては、窒化シリコン膜から成る不透明層２０２の膜厚が６０ｎｍ〜９０ｎｍに大きくなるにつれて、可視領域（約３８０ｎｍ〜７８０ｎｍの波長領域）における反射率の最大のピークが長波長側にシフトすることが分かる。すなわち、透明層２０１の膜厚が６０ｎｍの際には積層体２００の色味がより青味の強い青となり、透明層２０１の膜厚が９０ｎｍの際には積層体２００の色味がより赤味を帯びた青となることが分かる。
【０１０１】
このように、ガス供給量、スパッター電圧値、高周波電力値、チャンバー内の圧力値などの各条件を同一にしてスパッター処理を行い、光学定数が一定の積層体２００を得る場合であっても、処理時間によって透明層２０１の膜厚さえ調整すれば、積層体２００の色を調整することができる。
【０１０２】
また、ガス供給量、スパッター電圧値、高周波電力値、チャンバー内の圧力値などの各条件を可変にしてスパッター処理を行い、光学定数を調整した積層体２００を得る場合には、処理時間によって透明層２０１の膜厚を調整することで、積層体２００の色をさらに広範囲に調整することができる。
【０１０３】
透明層２０１の膜厚により積層体２００の色が変化する理由は、次のように考えられる。上記一方側から積層体２００に照射光を付与した際に、積層体２００の上記一方側の表面（すなわち、透明層２０１の表面）で照射光が反射して第１反射光が得られる。また、上記一方側から積層体２００に照射光を付与した際に、積層体２００の透明層２０１を通過して透明層２０１と金属製の不透明層２０２（反射層）との界面で反射して第２反射光が得られる。この第１反射光および第２反射光が干渉する作用により、積層体２００の色調整が実現されるものと考えられる。そして、干渉作用は透明層２０１の膜厚に応じて変化するため、透明層２０１の膜厚を調整すれば積層体２００の色を調整できるものと考えられる。
【０１０４】
＜１．３  処理例＞
＜１．３．１  処理全体の流れ＞
図７は、本実施形態における処理全体の流れを示す図である。
【０１０５】
以下では、過去に行ったスパッター処理と各条件を同一にしてスパッター処理を行い、その過去の処理で得られた積層体２００と光学定数が同一である積層体２００を得る場合について説明する。上述の通り、この場合においても、処理時間によって不透明層２０２の膜厚を調整すれば、積層体２００の色を調整することができる。
【０１０６】
スパッター処理に先立って、色情報（例えば、Ｌ＊ａ＊ｂ＊表色系における一色）と上記一方側から視てその色となる積層体２００を得るための成膜条件とを対応付けた対応データが制御部１９０の記憶部に格納される（ステップＳＴ１）。具体的には、本実施形態では、過去の処理時に積層体２００の各層について操作者がエリプソメトリー等の測定器を用いて各光学定数（屈折率および消衰係数）を実測しておき、この各光学定数と上記対応関係とが制御部１９０の記憶部に予め格納されている。
【０１０７】
対応データが制御部１９０に格納された後は、スパッター処理において、装置の操作者が入力部１９１から積層体２００の色を指定することが可能となる。具体的には、操作者は、得られる積層体２００として所望する色の色情報（例えば、Ｌ＊ａ＊ｂ＊の各値）を入力部１９１に入力する（ステップＳＴ２）。
【０１０８】
制御部１９０は、入力部から入力された色情報が対応データの対応可能範囲に含まれるか否かを判定する（ステップＳＴ３）。ここで、色情報が対応データの対応可能範囲に含まれる場合には、対応データにおいて入力された色情報と完全に一致する色の膜を成膜可能な成膜条件が存在する場合と、対応データにおいて入力された色情報とのずれが許容範囲の色の膜を成膜可能な成膜条件が存在する場合と、の双方が含まれる。
【０１０９】
そして、入力された色情報が対応データの対応可能範囲に含まれる場合には、ステップＳＴ３でＹｅｓに分岐し、制御部１９０が入力部１９１から入力された色情報を基に対応データを参照して、スパッタリング装置１でその色の積層体２００を得るための成膜条件を確定する（ステップＳＴ４）。その後、後述するスパッター処理が実行される（ステップＳＴ５）。
【０１１０】
他方、入力された色情報が対応データの対応可能範囲に含まれない場合には、ステップＳＴ３でＮｏに分岐し、制御部１９０がディスプレイへの表示や警告音等を通じてその旨を装置の操作者に報知する（ステップＳＴ６）。
【０１１１】
このように、制御部１９０は、装置各部を制御する機能の他に、入力された色を成膜可能か判定する判定部としての機能と、成膜条件を確定する確定部としての機能と、入力された色を成膜できない際にその旨を操作者に知らせる報知部としての機能と、を有する。
【０１１２】
本実施形態では、色情報と成膜条件とを対応付けた対応データを参照して成膜条件が確定される。このため、本実施形態の態様では、操作者の勘や経験則によって色と成膜条件とを対応付ける他の態様に比べ、高精度で安定的に所望の色の積層体２００を得ることができる。
【０１１３】
また、本実施形態では、入力された色情報が対応データの対応可能範囲に含まれない場合に速やかにその旨が操作者に報知される。このため、現時点の対応データで成膜不能な色について操作者が試行錯誤する時間や手間が省略され、望ましい。
【０１１４】
また、この場合、装置の操作者は、成膜条件における色調整の要素として膜厚以外の他の各要素（例えば、ガス供給量、スパッター電圧値、高周波電力値、チャンバー内の圧力値など）を変更しながら光学定数を変更しつつ対応データを作成すればよい。これにより、対応データが更新されてそのデータ数が拡大するので、前の時点の対応データでは成膜不能だった色が更新後の対応データでは成膜可能となりうる。
【０１１５】
＜１．３．２  スパッター処理＞
上記ステップＳＴ５のスパッター処理について、その流れを説明する。
【０１１６】
まず、スパッターガス供給部５１０により、処理空間Ｖ内にアルゴンガスの雰囲気が形成される。高周波電源１５３により回転カソード５、６間に配される各誘導結合アンテナ１５１に高周波電力が供給される。これにより、処理空間Ｖに誘導結合プラズマが生成される。また、処理空間Ｖに誘導結合プラズマが生成されると、チャンバー１００内でプラズマ処理を行うのに適したプロセス圧に到達するまで、排気部１７０がチャンバー１００内の気体を排気する。チャンバー１００内の圧力がプロセス圧に達すると、スパッター用電源１６３により回転カソード６にスパッター電力が供給される。これにより、処理空間ＶのＹ方向中央位置にマグネトロンプラズマが生成される。その結果、処理空間ＶのＹ方向中央位置に（具体的には、回転カソード５、６間でかつ被成膜箇所Ｐ側の空間に）おいて、マグネトロンプラズマと誘導結合プラズマとの混合プラズマが形成される。
【０１１７】
この状態で、搬送機構３０が、ゲート１６０から基材９１を搬入し、搬送経路面Ｌに沿って基材９１を搬送する。より具体的には、搬送機構３０は、基材９１が被成膜箇所Ｐを複数回通過するように、基材９１を搬送経路面Ｌに沿って±Ｘ方向に移動させる。また、加熱部４０が搬送される基材９１を加熱する。その結果、搬送される基材９１の上面には、回転カソード６のターゲット１７からスパッターされたチタン粒子が結晶化して堆積し、チタン膜が成膜される。これにより、基材９１の上面にチタンを主成分とする不透明層２０２が形成される。
【０１１８】
その後、反応性ガス供給部５２０による処理空間Ｖ内への反応性ガスの供給が開始され、処理空間Ｖ内に窒素ガスとアルゴンガスの混合雰囲気が形成される。また、制御部１９０がスパッター用電源１６３を制御することにより、回転カソード６にスパッター電力が供給された状態から、回転カソード５にスパッター電力が供給された状態へと切り替えられる。また、この切り替えの後も、高周波電源１５３により各誘導結合アンテナ１５１に継続的に高周波電力が供給される。
【０１１９】
この状態で、搬送機構３０は、基材９１が被成膜箇所Ｐを複数回通過するように、基材９１を搬送経路面Ｌに沿って±Ｘ方向に移動させる。また、加熱部４０が搬送される基材９１を加熱する。その結果、搬送される基材９１の上面（より具体的には、基材９１上に形成された不透明層２０２の上面）には、回転カソード５のターゲット１６からスパッターされた窒化シリコン粒子が結晶化して堆積し、窒化シリコン膜が成膜される。これにより、基材９１の上面に窒化シリコンを主成分とする透明層２０１が形成される。
【０１２０】
所定の処理時間が経過し、透明層２０１の膜厚が入力部１９１から入力された膜厚に達すると、スパッター処理が終了する。具体的には、スパッター用電源１６３による回転カソード５へのスパッター電圧の印加が停止される。スパッターガス供給源５１１によるスパッターガスの供給が停止される。また、反応性ガス供給源５２１による反応性ガスの供給が停止される。また、高周波電源１５３による各誘導結合アンテナ１５１への高周波電力の供給が停止される。そして、搬送機構３０が成膜後の基材９１をゲート１６１からスパッタリング装置１の外部へと搬出する。
【０１２１】
本実施形態で得られる積層体２００は、上記一方側から順に、窒化シリコンを主成分とする透明層２０１と、チタンを主成分とする不透明層２０２と、を有する。そして、上記一方側から積層体２００を視た際の色が透明層２０１の膜厚に対して依存性を有する（図６）。
【０１２２】
透明層２０１の膜厚はスパッター処理の処理時間によって容易に調整可能であるので、積層体２００の色を容易に調整することができ、望ましい。
【０１２３】
また、一般に、合金のターゲットは単一金属のターゲットに比べて高価である。このため、合金のターゲットをスパッターして所望の色の積層体を得る他の態様に比べて、処理時間を調整しつつ単一金属のターゲットをスパッターして所望の色の積層体２００を得る本実施形態では、安価に積層体２００を生成することができる。
【０１２４】
また、透明層２０１が機能成膜である場合、積層体２００の最も表面側に透明層２０１が設けられるため、積層体２００に対して透明層２０１の機能が付与され、望ましい。例えば、窒化シリコン膜は、化学的機能(耐溶剤、耐酸性、耐塩基性)および機械的機能に優れる。
【０１２５】
また、チタンを主成分とする不透明層２０２は、透明層２０１の基材９１に対する密着性を高める密着層としての機能を有する。このため、基材９１上に直接的に透明層２０１を成膜して積層体を得る他の態様に比べ、不透明層２０２を介して透明層２０１と基材９１とを密着させる本実施形態の態様では、積層体２００から透明層２０１が剥離し難い。上述したように、積層体２００は建物のインテリアまたはエクステリアの装飾材料として用いられ、積層体２００には必要に応じて切断や折り曲げ等の加工が施される。このように加工を施す技術分野であることを考慮すると、積層体２００が密着層としての不透明層２０２を有することは特に有効である。
【０１２６】
＜２  変形例＞
以上、本発明の実施の形態について説明したが、この発明はその趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。
【０１２７】
図８は、基材９１上に不透明層２０２として窒化チタン膜を成膜した第１の積層体と、基材９１上に不透明層２０２として窒化チタン膜を成膜しさらにその上に透明層２０１として窒化シリコン膜を成膜した第２の積層体と、についての反射率スペクトルを示す図である。図８において、横軸は波長を示し、縦軸は反射率を示す。
【０１２８】
第２の積層体は、上記一方側から視て順に透明層（窒化シリコン膜）と金属製の不透明層（窒化チタン膜）とを有し、積層体の色が透明層の膜厚に対して依存性を有する。したがって、この変形例における第２の積層体も本発明の範囲に含まれる。図８に示されるように、第２の積層体の反射率スペクトルは可視領域においてほぼ０である。このように、透明層の膜厚を調整することで積層体の色を黒色に近づけることも可能である。
【０１２９】
また、上記実施形態では、透明層２０１が窒化シリコン層である態様について説明したが、これに限られるものではない。例えば、透明層２０１は酸化チタン層であってもよい。この場合、酸化チタンの触媒効果により積層体２００の防汚性が特に高まる。また、透明層２０１は酸化アルミニウム層であってもよい。この場合、酸化アルミニウムの硬度が高いので積層体２００の耐摩耗性が特に高まる。また、透明層２０１は窒化チタン層であってもよい。この場合、窒化チタンは化学的に安定なので積層体２００の耐食性が特に高まる。
【０１３０】
また、上記実施形態では、基材９１上に２層の膜を成膜して積層体２００を得る態様について説明したが、これに限られるものではない。基材９１上に１層の膜を成膜して積層体を得てもよい。この場合、基材９１が金属製の不透明層として機能し、該１層の膜が透明層として機能することで、本発明を適用可能である。また、基材９１上に３層以上の膜を成膜して積層体を得てもよい。この場合であっても、積層体が金属製の不透明層と透明層とを有することで、本発明を適用可能である。
【０１３１】
また、上記実施形態では、基材９１がＳＵＳ板で構成される態様について説明したが、基材９１としては樹脂、木材、ガラスなどが用いられてもよい。
【０１３２】
また、上記実施形態では、成膜装置としてスパッタリング装置１を用いる態様について説明したが、これに限られるものではない。他の成膜装置（例えば、蒸着装置など）においても、本発明を適用可能である。
【０１３３】
また、上記実施形態では、入力部１９１に入力される色情報がＬ＊ａ＊ｂ＊表色系における色情報である場合について説明しが、これに限られるものではない。入力部１９１に入力される色情報は、ＸＹＺ表色系などＬ＊ａ＊ｂ＊表色系以外の表色系における色情報であってもかまわない。
【０１３４】
また、上記実施形態では、基材保持部として基材９１を保持しつつ搬送する搬送機構３０が用いられる態様について説明したが、基材９１を静止状態で保持する基材保持部が用いられても構わない。また、搬送機構３０が基材９１を搬送する方向についても、上記実施形態のように水平方向の場合の他に、例えば垂直方向であっても構わない。
【０１３５】
また、上記実施形態では、各誘導結合アンテナ１５１がチャンバー１００の天板を貫通してチャンバー１００の内部空間に突出して設けられる態様について説明したが、これに限られるものではない。各誘導結合アンテナ１５１がチャンバー１００の側壁や底板などを貫通してチャンバー１００の内部空間に突出して設けられてもよい。また、各誘導結合アンテナ１５１が、チャンバー１００の内壁（天板、側壁、或いは、底板）に埋め込まれてチャンバー１００の内部空間に突出しない態様で設けられてもよい。
【０１３６】
また、上記実施形態では、２つの回転カソード５、６を並設する場合について説明しているが、回転カソードは１つでもよい。また、回転カソードを用いるのではなく、平板型のカソードを用いてもよい。
【０１３７】
また、上記実施形態では、１列を構成する誘導結合アンテナ１５１の個数が５個の場合について説明しているが、該個数は回転カソード５（６）の長さに応じて適宜変更すればよい。また、複数列の誘導結合アンテナ１５１が設けられてもよい。その他にも、各部の位置、個数、長さなどの設計事項は適宜に変更可能である。
【０１３８】
また、上記実施形態では、搬送される基材９１の表面のうち上面に成膜処理が行われる態様について説明したが、これに限られるものでない。例えば、搬送される基材９１の表面のうち他の一面（側面、或いは、下面など）に成膜処理が行われてもよいし、搬送される基材９１の表面のうち複数の面（例えば、上面および下面）に同時に成膜処理が行われてもよい。
【０１３９】
以上、実施形態およびその変形例に係る成膜装置および積層体について説明したが、これらは本発明に好ましい実施形態の例であって、本発明の実施の範囲を限定するものではない。本発明は、その発明の範囲内において、各実施形態の自由な組み合わせ、あるいは各実施形態の任意の構成要素の変形、もしくは各実施形態において任意の構成要素の増減が可能である。
【符号の説明】
【０１４０】
１  スパッタリング装置
５，６  回転カソード
７  支持棒
８  ベース部材
１６，１７  ターゲット
１９  回転部
２１，２２  磁石ユニット
３０  搬送機構
３１  搬送ローラ
５０  スパッター処理部
１００  チャンバー
１５１  誘導結合アンテナ
１５３  高周波電源
１６３  スパッター用電源
１９０  制御部
１９１  入力部
６０  チムニー
９０  キャリア
９１  基材
２００  積層体
２０１  透明層
２０２  不透明層
５１０  スパッターガス供給部
５２０  反応性ガス供給部
Ｖ  処理空間
【図１】
0006600214.tif 000020
【図２】
0006600214.tif 000021
【図３】
0006600214.tif 000022
【図４】
0006600214.tif 000023
【図５】
0006600214.tif 000024
【図６】
0006600214.tif 000025
【図７】
0006600214.tif 000026
【図８】
0006600214.tif 000027