(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電膜を有するデュプレクサであって、
圧電膜を伝搬する弾性波の音速よりも伝搬するバルク波音速が高速である高音速材と、  前記高音速材上に積層されており、前記圧電膜を伝搬するバルク波音速よりも伝搬するバルク波音速が低速である低音速膜と、
前記低音速膜上に積層された前記圧電膜と、
前記圧電膜の一方面に形成されており、第１の帯域通過型フィルタを構成している第１の電極と、
前記圧電膜の一方面に形成されており、第２の帯域通過型フィルタを構成している第２の電極とを備え、
前記第１の帯域通過型フィルタが構成されている部分における前記圧電膜の厚みが、前記第２の帯域通過型フィルタが構成されている部分における前記圧電膜の厚みと異なっており、前記第１の帯域通過型フィルタを構成している部分における前記低音速膜の厚みが前記第２の帯域通過型フィルタを構成している部分における前記低音速膜の厚みと異なっているか、または、前記第１の帯域通過型フィルタを構成している部分における前記高音速材の厚みが前記第２の帯域通過型フィルタを構成している部分における前記高音速材の厚みと異なっている、デュプレクサ。
【請求項２】
前記第１の帯域通過型フィルタが構成されている部分における圧電膜と、前記第２の帯域通過型フィルタを構成している部分における前記圧電膜とが連なっている、請求項１に記載のデュプレクサ。
【請求項３】
前記第１の帯域通過型フィルタが構成されている部分における圧電膜と、前記第２の帯域通過型フィルタを構成している部分における前記圧電膜とが段差を経て連なっている、請求項２に記載のデュプレクサ。
【請求項４】
支持基板をさらに備え、前記高音速材が、前記支持基板上に形成されている、請求項１〜３のいずれか１項に記載のデュプレクサ。
【請求項５】
前記高音速材が１枚の高音速支持基板である、請求項１〜３のいずれか１項に記載のデュプレクサ。
【請求項６】
請求項１〜３のいずれか１項に記載のデュプレクサの製造方法であって、
高音速材上に、低音速膜を積層する工程と、
前記低音速膜上に、圧電膜を形成する工程と、
前記圧電膜上にレジストを付与する工程と、
前記圧電膜をエッチングする工程と、
前記エッチング後に、前記レジストを除去し、前記圧電膜に、厚みの相対的に厚い部分と、相対的に薄い部分とを設ける工程と、
前記圧電膜の一方面に前記第１及び第２の電極を形成する工程と、
前記圧電膜の形成に先立ち、前記低音速膜または前記高音速材において、前記第１の帯域通過型フィルタが構成される部分と、前記第２の帯域通過型フィルタが構成される部分とにおいて厚みを異ならせる工程とを備える、デュプレクサの製造方法。
【請求項７】
支持基板を用意する工程と、
前記支持基板上に前記高音速材を積層する工程とをさらに備える、請求項６に記載のデュプレクサの製造方法。
【請求項８】
前記高音速材として、高音速支持基板を用意し、該高音速支持基板上に前記低音速膜を積層する、請求項６に記載のデュプレクサの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、圧電膜に低音速膜及び高音速材が積層されている構造を有するデュプレクサ及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、携帯電話機等には、弾性表面波素子を用いたデュプレクサが広く用いられている。下記の特許文献１には、同一の圧電基板上に、複数の弾性表面波素子が構成されている弾性表面波装置が開示されている。少なくとも１つの弾性表面波素子における弾性表面波伝搬方向が、他の弾性表面波素子の弾性表面波伝搬方向と異ならされている。それによって、比帯域幅を異ならせている。
【０００３】
下記の特許文献２には、支持基板上に、高音速膜、低音速膜及び圧電膜をこの順序で積層してなる弾性表面波装置が開示されている。下記の特許文献３には、同一圧電基板内に複数の弾性表面波素子が構成されている弾性表面波装置が開示されている。特許文献３では、圧電基板とＩＤＴ電極との間に誘電体層が配置されている。少なくとも１つの弾性表面波素子における誘電体層の膜厚を、他の弾性表面波素子の誘電体層の膜厚と異ならせている。それによって、比帯域幅が変化されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】ＷＯ１３／０６１９２６
【特許文献２】ＷＯ１２／０８６６３９
【特許文献３】特開２０１２−１６９７０７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１に記載の弾性表面波装置では、弾性表面波の伝搬方向が異なる弾性表面波素子が複数形成されているため、小型化が困難であった。特許文献２に記載の弾性表面波装置では、複数の弾性素子間で比帯域幅を異ならせる構成は記載されていない。
【０００６】
他方、特許文献３では、誘電体層の膜厚を変更することにより、比帯域幅を小さくする方向には調整することができる。しかしながら、比帯域幅を大きくする方向には調整することができない。従って、設計範囲が制限され、またＱ値を高めることができなかった。
【０００７】
本発明の目的は、第１及び第２の帯域通過型フィルタの比帯域幅を容易に調整することができ、しかも小型化を図り得る、デュプレクサを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、圧電膜を有するデュプレクサであって、圧電膜を伝搬する弾性波の音速よりも伝搬するバルク波音速が高速である高音速材と、前記高音速材上に積層されており、前記圧電膜を伝搬するバルク波音速よりも伝搬するバルク波音速が低速である低音速膜と、前記低音速膜上に積層された前記圧電膜と、前記圧電膜の一方面に形成されており、第１の帯域通過型フィルタを構成している第１の電極と、前記圧電膜の一方面に形成されており、第２の帯域通過型フィルタを構成している第２の電極とを備え、前記第１の帯域通過型フィルタが構成されている部分における前記圧電膜の厚みが、前記第２の帯域通過型フィルタが構成されている部分における前記圧電膜の厚みと異なっている、デュプレクサである。
【０００９】
本発明に係るデュプレクサのある特定の局面では、前記第１の帯域通過型フィルタが構成されている部分における圧電膜と、前記第２の帯域通過型フィルタを構成している部分における前記圧電膜とが連なっている。この場合には、第１，第２の帯域通過型フィルタが構成されている部分の圧電膜を同一プロセスで形成することができる。
【００１０】
本発明に係るデュプレクサの他の特定の局面では、前記第１の帯域通過型フィルタが構成されている部分における圧電膜と、前記第２の帯域通過型フィルタを構成している部分における前記圧電膜とが段差を経て連なっている。
【００１１】
本発明に係るデュプレクサのさらに他の特定の局面では、前記第１の帯域通過型フィルタを構成している部分における前記低音速膜及び前記高音速材のうち少なくとも一方が、前記第２の帯域通過型フィルタを構成している部分における前記低音速膜及び前記高音速材の少なくとも一方の厚みと異なっている。
【００１２】
本発明に係るデュプレクサの別の特定の局面では、支持基板がさらに備えられており、前記高音速材が、前記支持基板上に形成されている。
【００１３】
また、本発明に係るデュプレクサの別の特定の局面では、前記高音速材が１枚の高音速支持基板である。
【００１４】
本発明に係るデュプレクサの製造方法は、本発明に従って構成されているデュプレクサの製造方法であって、高音速材上に、低音速膜を積層する工程と、前記低音速膜上に、圧電膜を形成する工程と、前記圧電膜上にレジストを付与する工程と、前記圧電膜をエッチングする工程と、前記エッチング後に、前記レジストを除去し、前記圧電膜に、厚みの相対的に厚い部分と、相対的に薄い部分とを設ける工程と、前記圧電膜の一方面に前記第１及び第２の電極を形成する工程とを備える。
【００１５】
本発明に係るデュプレクサの製造方法のある特定の局面では、前記圧電膜の形成に先立ち、前記低音速膜及び高音速材の少なくとも一方において、前記第１の帯域通過型フィルタが構成される部分と、第２の帯域通過型フィルタが構成される部分とにおいて厚みを異ならせる工程がさらに備えられている。
【００１６】
本発明に係るデュプレクサの製造方法の別の特定の局面では、支持基板を用意する工程と、前記支持基板上に前記高音速材を積層する工程とがさらに備えられている。
【００１７】
本発明に係るデュプレクサの製造方法の他の特定の局面では、前記高音速材として、高音速支持基板を用意し、該高音速支持基板上に前記低音速膜を積層する。
【発明の効果】
【００１８】
本発明に係るデュプレクサ及びその製造方法によれば、高音速材及び低音速膜を含む積層構造を用いており、小型化を図ることができるだけでなく、第１及び第２の帯域通過型フィルタの比帯域幅を容易に調整することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明の第１の実施形態に係るデュプレクサの模式的正面断面図である。
【図２】本発明の第１の実施形態のデュプレクサの回路図である。
【図３】本発明の第１の実施形態及び比較例のデュプレクサの減衰量−周波数特性を示す図である。
【図４】本発明の第１の実施形態及び比較例のデュプレクサのアンテナ端のインピーダンススミスチャートを示す図である。
【図５】本発明の第１の実施形態及び比較例のデュプレクサの受信端のインピーダンススミスチャートを示す図である。
【図６】（ａ）〜（ｄ）は、本発明のデュプレクサの製造方法の第２の実施形態を説明するための各模式的断面図である。
【図７】本発明のデュプレクサの製造方法の第２の実施形態を説明するための模式的断面図である。
【図８】（ａ）〜（ｃ）は、本発明のデュプレクサの製造方法の第３の実施形態を説明するための各模式的断面図である。
【図９】（ａ）及び（ｂ）は、本発明のデュプレクサの製造方法の第３の実施形態を説明するための各模式的断面図である。
【図１０】（ａ）及び（ｂ）は、本発明のデュプレクサの製造方法の第３の実施形態を説明するための各模式的断面図である。
【図１１】（ａ）〜（ｃ）は、本発明のデュプレクサの製造方法の第４の実施形態を説明するための各模式的断面図である。
【図１２】（ａ）及び（ｂ）は、本発明のデュプレクサの製造方法の第４の実施形態を説明するための各模式的断面図である。
【図１３】（ａ）及び（ｂ）は、本発明のデュプレクサの製造方法の第４の実施形態を説明するための各模式的断面図である。
【図１４】第１の実施形態の変形例に係るデュプレクサの模式的正面断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。
【００２１】
なお、本明細書に記載の各実施形態は、例示的なものであり、異なる実施形態間において、構成の部分的な置換または組み合わせが可能であることを指摘しておく。
【００２２】
図１は、本発明の第１の実施形態に係るデュプレクサの模式的正面断面図であり、図２はこのデュプレクサの回路図である。
【００２３】
デュプレクサ１は、支持基板２を有する。支持基板２上に、低音速膜３、高音速膜４、低音速膜５及び圧電膜６がこの順序で積層されている。圧電膜６は、ＬｉＴａＯ３からなる。もっとも、圧電膜６は、ＬｉＮｂＯ３などの他の圧電単結晶からなっていてもよい。
【００２４】
低音速膜３，５は、圧電膜６を伝搬するバルク波の音速よりも、伝搬するバルク波音速が低速である適宜の材料からなる。本実施形態では、低音速膜３，５は、酸化ケイ素からなる。
【００２５】
上記低音速膜３，５を構成する材料としては、酸化ケイ素に限らず、ガラス、酸窒化ケイ素、酸化タンタル、酸化ケイ素に、フッ素、炭素またはホウ素を加えた化合物などを用いることができる。
【００２６】
高音速膜４は、伝搬するバルク波音速が、圧電膜６を伝搬する弾性波の音速よりも高い適宜の材料からなる。本実施形態では、高音速膜４は、窒化ケイ素からなる。もっとも、高音速膜４は、窒化ケイ素の他、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、炭化ケイ素、酸窒化ケイ素、ＤＬＣ膜、またはダイヤモンド、あるいはこれらの材料を主成分とする適宜の材料からなるものであってもよい。
【００２７】
低音速膜５の圧電膜６とは反対側の面に高音速膜４が積層されている。そのため高音速膜４よりも下方に弾性波が漏洩し難い。それによってＱ値が高められている。
【００２８】
圧電膜６上には、ＩＤＴ電極７，８が形成されている。デュプレクサ１は、第１の帯域通過型フィルタとしての送信フィルタ１１と、第２の帯域通過型フィルタとしての受信フィルタ１２とを有する。送信フィルタ１１及び受信フィルタ１２は、複数の弾性波共振子を有する。図１では、第１の電極として、送信フィルタ１１を構成している１つの弾性波共振子のＩＤＴ電極７が図示されている。同様に、第２の電極として、受信フィルタ１２を構成している弾性波共振子のうちの１つの弾性波共振子のＩＤＴ電極８が図示されている。
【００２９】
本実施形態の特徴は、上記低音速膜５及び高音速膜４が圧電膜６の下方に積層されている構造において、圧電膜６の厚みが、送信フィルタ１１と、受信フィルタ１２とで異なっていることにある。より詳細には、送信フィルタ１１が構成されている部分の圧電膜６の厚みが、受信フィルタ１２を構成している部分における圧電膜６の厚みよりも厚くされている。
【００３０】
従って、送信フィルタ１１が構成されている部分では、圧電膜６の上面６ａが、受信フィルタ１２を構成している部分における圧電膜６の上面６ｂよりも高い位置にある。上面６ａと上面６ｂとは、段差６ｃを介して連ねられている。
【００３１】
なお、段差６ｃは、上面６ａから上面６ｂに至るにつれて徐々に高さが低くなるように傾斜されている。すなわち傾斜面により段差６ｃが形成されている。もっとも、段差６ｃは、上面６ａ，６ｂに直交する方向に延びる面により形成されていてもよい。
【００３２】
デュプレクサ１では、送信フィルタ１１が構成されている部分の圧電膜６の厚みが、受信フィルタ１２を構成している部分における圧電膜６の厚みよりも厚くされているため、送信フィルタ１１の比帯域幅と、受信フィルタ１２の比帯域幅とを異ならせることができる。従って、高音速膜４、低音速膜５及び圧電膜６を積層した積層構造を有し、小型化を図り得るだけでなく、送信フィルタ１１及び受信フィルタ１２の比帯域幅を容易に調整することが可能となる。
【００３３】
図２を参照して、上記デュプレクサ１の回路構成を説明する。
【００３４】
デュプレクサ１は、アンテナ１３に接続されるアンテナ端子１４を有する。アンテナ端子１４とグラウンド電位との間にインダクタＬ１が接続されている。アンテナ端子１４に、送信フィルタ１１及び受信フィルタ１２が接続されている。より詳細には、アンテナ端子１４と送信端子１５との間に送信フィルタ１１が接続されている。また、アンテナ端子１４と受信端子１６との間に受信フィルタ１２が接続されている。
【００３５】
送信フィルタ１１は、直列腕共振子Ｓ１〜Ｓ５と、並列腕共振子Ｐ１〜Ｐ４とを有する。すなわち、送信端子１５とアンテナ端子１４とを結ぶ直列腕において、直列腕共振子Ｓ１〜Ｓ５が互いに直列に接続されている。なお、直列腕共振子Ｓ１と送信端子１５との間にインダクタＬ２が接続されている。並列腕共振子Ｐ１は、直列腕共振子Ｓ１，Ｓ２間の接続点とグラウンド電位との間に接続されている。並列腕共振子Ｐ２の一端が、直列腕共振子Ｓ２，Ｓ３間の接続点に接続されている。並列腕共振子Ｐ３の一端が、直列腕共振子Ｓ３，Ｓ４間の接続点に接続されている。並列腕共振子Ｐ４の一端が、直列腕共振子Ｓ４，Ｓ５間の接続点に接続されている。並列腕共振子Ｐ２〜Ｐ４の他端同士が共通接続されており、インダクタＬ３を介してグラウンド電位に接続されている。
【００３６】
送信フィルタ１１は、上記直列腕共振子Ｓ１〜Ｓ５及び並列腕共振子Ｐ１〜Ｐ４を有するラダー型の弾性波フィルタである。
【００３７】
受信フィルタ１２は、５ＩＤＴ型の縦結合共振子型弾性波フィルタ１７を有する。縦結合共振子型弾性波フィルタ１７とアンテナ端子１４との間には、弾性波共振子１８，１９が接続されている。弾性波共振子１８，１９間の接続点とグラウンド電位との間に弾性波共振子２０が接続されている。縦結合共振子型弾性波フィルタ１７の出力端とグラウンド電位との間に弾性波共振子２１が接続されている。
【００３８】
次に、具体的な実験例に基づき、上記実施形態によれば、送信フィルタ１１及び受信フィルタ１２の比帯域幅を容易に調整し、かつインピーダンスマッチングを良好にとり得ることを説明する。
【００３９】
以下の設計パラメータに基づき、上記実施形態のデュプレクサ１として、Ｂａｎｄ４のデュプレクサを作製した。Ｂａｎｄ４の送信周波数帯域は、１７１０〜１７５５ＭＨｚであり、受信周波数帯域は２１１０〜２１５５ＭＨｚである。Ｂａｎｄ４では、送信帯域と受信帯域との周波数差が広い。すなわち、送信帯域の中心周波数は１７３２．５ＭＨｚであり、受信帯域の中心周波数は２１３２．５ＭＨｚと離れている。
【００４０】
送信フィルタ１１における積層構造：ＬｉＴａＯ３膜（厚み６００ｎｍ）／ＳｉＯ２膜（厚み５７０ｎｍ）／ＳｉＮ膜（厚み１８００ｎｍ）／ＳｉＯ２膜（厚み２０００ｎｍ）／Ｓｉ基板
受信フィルタ１２における積層構造：ＬｉＴａＯ３膜（厚み４９０ｎｍ）／ＳｉＯ２膜（厚み５７０ｎｍ）／ＳｉＮ膜（厚み１８００ｎｍ）／ＳｉＯ２膜（厚み２０００ｎｍ）／Ｓｉ基板
【００４１】
比較のために、受信フィルタにおける積層構造を送信フィルタと同等としたことを除いては、上記実施形態と同様にして、比較例のデュプレクサを作製した。
【００４２】
図３は、上記実施形態及び比較例のデュプレクサの減衰量−周波数特性を示す。図４は、上記実施形態及び比較例のデュプレクサのアンテナ端におけるインピーダンススミスチャートを示し、図５は受信端におけるインピーダンススミスチャートを示す。図３〜図５において、実線が実施形態の結果を、破線が比較例の結果を示す。
【００４３】
なお、送信フィルタ及び受信フィルタの設計パラメータは下記の表１〜表３に示す通りである。
【００４４】
送信フィルタの直列腕共振子Ｓ１〜Ｓ５及び並列腕共振子Ｐ１〜Ｐ４の設計パラメータを表１に示す。
【００４５】
【表１】
0006497018.tif 000002
【００４６】
５ＩＤＴ型の縦結合共振子型弾性波フィルタ１７の設計パラメータを表２に示す。第１のＩＤＴ〜第５のＩＤＴは、弾性表面波伝搬方向に沿って順に配置された第１〜第５のＩＤＴである。
【００４７】
【表２】
0006497018.tif 000003
【００４８】
受信フィルタにおいて用いられている弾性波共振子１８〜２１の設計パラメータを下記の表３に示す。
【００４９】
【表３】
0006497018.tif 000004
【００５０】
図３から明らかなように、比較例では、受信フィルタの通過帯域において、波形が崩れていることがわかる。さらに、図４から明らかなように、アンテナ端のインピーダンススミスチャートにおいて、破線の巻いている部分が膨らんでおり、インピーダンスマッチングがずれていることがわかる。
【００５１】
これは、Ｂａｎｄ４では、上述したように、送信帯域の中心周波数と、受信帯域の中心周波数とが離れているため、送信フィルタにおけるＩＤＴ電極の電極指ピッチと、受信フィルタにおけるＩＤＴ電極の電極指ピッチとが大きく異なることによるためと考えられる。すなわち、電極指ピッチが大きく異なるため、送信フィルタの比帯域幅と受信フィルタの比帯域幅に差が生じてしまう。また、上記高音速膜４及び低音速膜５を積層した構造では、比帯域幅は、この積層構造の規格化膜厚Ｈ／λで決まるため、周波数が高い側の受信フィルタ１２では、比帯域幅が小さくなり、インピーダンスマッチングがとり難い。
【００５２】
他方、図３から明らかなように、上記実施形態では、受信フィルタの通過帯域において波形が崩れていないことがわかる。これは、受信フィルタにおける積層構造の膜厚を上記のように設定しているため、すなわちＬｉＴａＯ３からなる圧電膜６の厚みを４９０ｎｍと変更していることによる。送信フィルタの中心周波数が、受信フィルタの中心周波数の０．８１倍であるため、ＬｉＴａＯ３の膜厚を６００ｎｍ×０．８１＝４９０ｎｍとしたものである。そのため、受信フィルタの比帯域幅を送信フィルタと同等となるよう設計することができ、それによって受信フィルタの特性を改善することができたと考えられる。
【００５３】
また、図４及び図５から明らかなように、実施形態では、アンテナ端及び受信端におけるインピーダンスマッチングも良好であることがわかる。
【００５４】
なお、本実験例では、ＬｉＴａＯ３の規格化膜厚を、送信フィルタと受信フィルタとで同一となるように設計した。すなわち、圧電膜６の実際の膜厚を異ならせたが、送信フィルタにおける圧電膜部分及び受信フィルタにおける圧電膜部分の規格化膜厚は同一となるように設計した。
【００５５】
もっとも、本発明においては、圧電膜の厚みだけでなく、低音速膜及び高音速膜の厚みを、送信フィルタと受信フィルタとで異ならせてもよい。すなわち、第１の帯域通過型フィルタを構成している部分における低音速膜及び高音速膜のうち少なくとも一方を、第２の帯域通過型フィルタを構成している部分における低音速膜及び高音速膜の少なくとも一方の厚みと異ならせてもよい。それによって温度特性の調整および高調波の抑止を実現することができる。
【００５６】
また、上記実施形態では、高音速膜４の下方に低音速膜３がさらに積層されていたが、下方の低音速膜３は省略されてもよい。
【００５７】
ここで、上記実施形態のデュプレクサ１の製造方法の一例を説明する。支持基板２上に、低音速膜３、高音速膜４、低音速膜５をスパッタリングなどの成膜方法により成膜する。次に、圧電膜６を成膜した後に、送信フィルタが構成される領域において、エリアマスクを配置し、受信フィルタが構成される領域側において、圧電膜６にレーザービームを照射すること等によりミリングする。このようにして、受信フィルタが構成される側において、圧電膜６の厚みを薄くすることができる。すなわち、図１の上面６ａ及び上面６ｂが段差６ｃを介して連ねられた圧電膜６を得ることができる。最後に、フォトリソグラフィー法等によりＩＤＴ電極７，８を形成する。このようにして、デュプレクサ１を得ることができる。
【００５８】
次に、本発明のデュプレクサの製造方法の第２の実施形態を、図６及び図７を参照して説明する。
【００５９】
図６（ａ）に示すように、Ｓｉからなる支持基板２上に、スパッタリングなどの薄膜形成方法により、ＳｉＯ２からなる低音速膜３を形成する。次に、図６（ｂ）に示すように、同じくスパッタリングなどの薄膜形成方法により、ＳｉＮからなる高音速膜４を成膜する。
【００６０】
さらに、図６（ｃ）に示すように、上記高音速膜４上に、ＳｉＯ２膜５ａを成膜する。他方、片面にＳｉＯ２膜５ｂが積層されているＬｉＴａＯ３からなる圧電膜６を用意する。この圧電膜６をＳｉＯ２膜５ｂ側から上記ＳｉＯ２膜５ａ上に積層する。このようにして、図６（ｄ）に示す積層体が得られる。
【００６１】
しかる後、圧電膜６を研磨し、図７に示すようにマスクＭを送信フィルタが構成される部分上に配置する。次に、レーザービームを矢印で示すように照射して、受信フィルタが構成される部分の圧電膜６をミリングする。それによって、上面６ａに比べて低い上面６ｂ及び段差６ｃを形成する。しかる後、フォトリソグラフィー法により、図１に示したＩＤＴ電極７，８を形成する。このようにして、厚みが異なる部分を有する圧電膜６を形成することができる。
【００６２】
図８（ａ）〜（ｃ）、図９（ａ），（ｂ）及び図１０（ａ），（ｂ）は、本発明のデュプレクサの製造方法の第３の実施形態を説明するための各模式的断面図である。図８（ａ）に示すように、支持基板２上に、ＳｉＯ２からなる低音速膜３をスパッタリング等により形成する。次に、図８（ｂ）に示すように、ＳｉＯ２からなる低音速膜３上に、ＳｉＮからなる高音速膜４を成膜する。さらに、送信フィルタが構成される領域にレジスト層２２を形成する。
【００６３】
次に、図８（ｃ）に矢印で示すように、受信フィルタが構成される部分において、高音速膜４の厚みを薄くするようにエッチングする。しかる後、レジスト層２２を除去する。
【００６４】
次に、上記高音速膜４上に、ＳｉＯ２からなる低音速膜５をスパッタリングなどにより形成する。図９（ａ）に示すように、下地の高音速膜４の厚みが受信フィルタ側において薄くなっている。そのため、ＳｉＯ２からなる低音速膜５の表面に段差が形成されている。次に、ＣＭＰ研磨などにより低音速膜５の上面を平坦化する。しかる後、図９（ｂ）に示すように、片面にＳｉＯ２膜５ｃが積層されているＬｉＴａＯ３からなる圧電膜６を、ＳｉＯ２膜５ｃ側から上記低音速膜５上に積層する。それによって、図１０（ａ）に示す積層体が得られる。
【００６５】
次に、図１０（ｂ）に示すように、第２の実施形態の場合と同様に、エリアマスク２４を送信フィルタが構成される部分上に配置する。その状態で、レーザービームを照射して、圧電膜６をミリングする。このようにして、上面６ａと、上面６ａよりも低い位置にある上面６ｂとが段差６ｃを介して連ねられた構造が得られる。
【００６６】
上記のような工程を経ているため、送信フィルタにおける低音速膜５の厚みが、受信フィルタにおける低音速膜５の厚みよりも薄くされている。それによって、温度特性を調整することができる。
【００６７】
また、高音速膜の膜厚においては、逆に、送信フィルタにおける高音速膜の膜厚が、受信フィルタにおける高音速膜の膜厚よりも厚くなっている。もっとも、高音速膜の膜厚の差は、低音速膜５の膜厚の差ほど影響を与えない。
【００６８】
図１１（ａ）〜（ｃ）〜図１３（ａ）及び（ｂ）を参照して、本発明のデュプレクサの製造方法の第４の実施形態を説明する。
【００６９】
まず、図１１（ａ）に示すように、圧電膜６上にＳｉＯ２膜５ｄを成膜する。しかる後、図１１（ａ）に示すように、ＳｉＯ２膜５ｄ上において、受信フィルタが構成される側にレジスト層２５を載置し、矢印で示すようにエッチングを行なう。これによって、レジスト層２５で覆われていない部分のＳｉＯ２膜５ｄの厚みを相対的に薄くすることができる。次に、レジスト層２５を除去し、図１１（ｂ）に示すように、ＳｉＮからなる高音速膜４をスパッタリング等により成膜する。
【００７０】
さらに、図１１（ｃ）に示すように、ＳｉＮからなる高音速膜４上にＳｉＯ２膜３ａを成膜する。高音速膜４及びＳｉＯ２膜３ａは、いずれも、送信フィルタが構成される側において、上面が受信フィルタが構成されている側に比べて低くなっている。
【００７１】
次に、図１２（ａ）に示すように、上記ＳｉＯ２膜３ａの上面をＣＭＰ研磨により平坦化する。
【００７２】
他方、図１２（ｂ）に示すように、支持基板２上にＳｉＯ２膜３ｂを成膜する。次に、図１３（ａ）に示すように、上記ＳｉＯ２膜３ｂ上に、ＳｉＯ２膜３ａが接触するように、図１２（ａ）に示す積層体を、支持基板２上に接合する。この接合は熱処理等により行ない得る。しかる後、図１３（ｂ）に示すように、エリアマスク２４を送信フィルタが構成される領域上に配置し、矢印で示すように圧電膜６をミリングする。このようにして、上面６ａ及び上面６ｂが段差６ｃを介して連ねられている圧電膜６を形成することができる。
【００７３】
なお、上記第３，第４の実施形態においても、圧電膜６を上記のように加工した後、周知のフォトリソグラフィー法によりＩＤＴ電極を形成すればよい。
【００７４】
図１４に示す変形例のように、高音速材からなる支持基板３１上に低音速膜５、圧電膜６が積層されていてもよい。このような高音速材としては、前述した高音速膜４を構成する材料のような適宜の高音速材料を用いればよい。
【００７５】
なお、上記実施形態では、送信フィルタ１１がラダー型フィルタであり、受信フィルタ１２が縦結合共振子型弾性波フィルタ１７を有していたが、本発明のデュプレクサにおける第１，第２の帯域通過型フィルタの回路構成は特に限定されるものではない。すなわち、従来より公知の様々な弾性波フィルタにより第１，第２の帯域通過型フィルタを構成することができる。
【符号の説明】
【００７６】
１…デュプレクサ
２…支持基板
３，５…低音速膜
３ａ，３ｂ，５ａ〜５ｄ…ＳｉＯ２膜
４…高音速膜
６…圧電膜
６ａ，６ｂ…上面
６ｃ…段差
７，８…ＩＤＴ電極
１１…送信フィルタ
１２…受信フィルタ
１３…アンテナ
１４…アンテナ端子
１５…送信端子
１６…受信端子
１７…縦結合共振子型弾性波フィルタ
１８〜２１…弾性波共振子
２２…レジスト層
２４…エリアマスク
２５…レジスト層
３１…支持基板
Ｌ１〜Ｌ３…インダクタ
Ｍ…マスク
Ｐ１〜Ｐ４…並列腕共振子
Ｓ１〜Ｓ５…直列腕共振子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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