(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に導電膜を成膜する工程と、
前記導電膜上に感光性レジスト材料を形成する工程と、
前記感光性レジスト材料に露光の光照射を行う工程と、
前記感光性レジスト材料を一部除去した後に前記導電膜をエッチング除去することにより複数の引き出し配線パターンを形成する工程と、を有する液晶表示装置の製造方法であって、
前記露光の光照射は、第1の露光領域と第２の露光領域に分けて行い、
前記第1の露光領域と前記第２の露光領域とは互いに重畳するつなぎ合わせ領域を有し、
前記つなぎ合わせ領域は前記引き出し配線パターンを横断しないように形成し、
前記つなぎ合わせ領域は、前記引き出し配線と重畳するように設定することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項２】
前記つなぎ合わせ領域は、前記引き出し配線の延在方向と略並行であることを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置の製造方法。  
【請求項３】
前記引き出し配線は、前記つなぎ合わせ領域と重畳していない引き出し配線よりも太いことを特徴とする請求項１または２に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項４】
前記つなぎ合わせ領域と前記引き出し配線との重畳部において、前記第１の露光領域の端部に相当する箇所と前記第２の露光領域の端部に相当する箇所との両方に、前記引出し配線を形成するためのパターンが設けられているような露光を用いることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項５】
前記感光性レジスト材料はポジ型であることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の液晶表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置とその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置は、通常、それぞれに透明電極が形成された上下一対の電極基板を、基板の画像表示部外縁に形成されたシール材により貼り合わせ、その内部に液晶を封入するよう構成されている。また、液晶表示装置には、アクティブマトリクス型とパッシブマトリクス型のものがある。アクティブマトリクス型の液晶表示装置は、スイッチング素子である薄膜トランジスタがマトリクス状に形成されたＴＦＴアレイ基板を有している。そして、ＴＦＴアレイ基板と対向基板がシール材を介して貼り合わされている。そして、ＴＦＴアレイ基板と対向基板との間には液晶が封入されている。
【０００３】
ＴＦＴアレイ基板の表示領域には、走査信号線と、表示信号線と、画素電極とが形成される。走査信号線を伝播する走査信号によって、スイッチング素子であるＴＦＴがＯＮ／ＯＦＦ制御される。表示信号線を伝播する表示信号がＴＦＴを介して画素電極に供給される。そして、画素電極に表示信号が供給されると、対向電極と画素電極との間に表示信号に応じた表示電圧が印加され、液晶が駆動する。走査信号線を伝播する走査信号、及び表示信号線を伝播する表示信号とは、ドライバＩＣから供給される。従って、表示領域の外側の額縁領域には、ドライバＩＣから走査信号線、及び表示信号線までの間の引き回し配線が形成されている。さらに、額縁領域には、シール材、及び共通配線が形成される。この共通配線によって、共通電位を与えるための共通信号が伝播される。
【０００４】
ＴＦＴアレイパターンのパターン形成には、一般的にフォトリソグラフィ技術によって製造される。フォトリソグラフィでは、先ず、素子や配線などの所望のパターンを含むレチクル（マスク）を介して、ＴＦＴアレイ基板上に塗布されたレジストに光を照射し、レジストを所望のパターンに露光する。そして、得られたレジスト膜を保護膜としてエッチングを行うことにより所望のＴＦＴアレイパターンを形成する。
【０００５】
このようなフォトリソグラフィ技術において、レジストを露光するには、露光装置が用いられる。露光装置は、紫外線源などから放射される光を、レチクルを介してレジストに照射する装置である。露光装置が光を照射することができる最大露光領域があり、露光領域を超えるサイズのパネルを露光する場合、レチクルを複数に分割し、それぞれのレチクルをつなぎ合わせながら順次露光することにより、所望のＴＦＴアレイパターンを形成する分割露光が行われる。
【０００６】
分割露光のつなぎ合わせ領域においては、一般的に他の領域と比較し、照射される光量が多い為に所望のＴＦＴアレイパターンよりも小さく形成される。引き回し配線を横断するようにつなぎ合わせ領域がある場合には、引き回し配線の断線が発生する為、配線のピッチを広げ補正パターンを形成するか、引き回し配線自体を太くする必要があった。（特許文献１参照）
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特公昭６３−０４８３３１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
特許文献１に記載の方法で断線対策を実施した場合には、引き回し配線のすべての配線を太くする必要があった為、額縁領域が大きくなり、液晶表示装置の小型化が困難になるという問題点があった。本発明は、以上説明のような問題点を解決するためになされたもので、額縁領域を小さくすることができるTFTアレイ基板及び液晶表示装置を得るものである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するために、本発明に係る液晶表示装置の製造方法は、基板上に導電膜を成膜する工程と、前記導電膜上に感光性レジスト材料を形成する工程と、前記感光性レジスト材料に露光の光照射を行う工程と、前記感光性レジスト材料を一部除去した後に前記導電膜をエッチング除去することにより複数の引き出し配線パターンを形成する工程と、を有する液晶表示装置の製造方法であって、前記露光の光照射は、第１の露光領域と第２の露光領域に分けて行い、前記第１の露光領域と前記第２の露光領域とは互いに重畳するつなぎ合わせ領域を有し、前記つなぎ合わせ領域は前記引き出し配線パターンを横断しないように形成し、前記つなぎ合わせ領域は、前記引き出し配線と重畳するように設定することを特徴としている。
【発明の効果】
【００１０】
分割露光を使用して作製される液晶表示装置において、断線を生じることなく額縁領域を小さくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の実施の形態１に係る液晶表示装置に用いられるＴＦＴアレイ基板の構成を示す平面図である。
【図２】本発明の実施の形態１に係る液晶表示装置を示す断面図である。
【図３】本発明の実施の形態１に係るＴＦＴアレイ基板の表示領域を示す平面図である。
【図４】本発明の実施の形態１に係るＴＦＴアレイ基板の表示領域を示す断面図である。
【図５】本発明の実施の形態１に係るＴＦＴアレイ基板の分割露光の露光領域概念図である。
【図６】本発明の実施の形態１に係るＴＦＴアレイ基板の詳細図である。
【図７】本発明の実施の形態２に係るＴＦＴアレイ基板の詳細図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
実施の形態．１
以下に、本発明の好ましい実施の形態を説明する。以下の説明は、本発明の実施の形態を説明するものであり、本発明が以下の実施形態に限定されるものではない。また、説明の明確化のため、以下の記載及び図面は、適宜、省略及び簡略化がなされている。図面は模式的なものであり、示された構成要素の正確な大きさなどを反映するものではない。なお、各図において同一の符号を付されたものは同様の要素を示しており、適宜、重複説明は省略されている。
【００１３】
初めに、本発明の第１の実施形態に係る液晶表示装置の説明を行う。図１は、本実施の形態１における液晶表示装置を構成するＴＦＴアレイ基板１００を示す平面図である。本実施の形態１に係る液晶表示装置を構成するＴＦＴアレイ基板１００は、図１に示す様に、基板上に画像を表示する単位となる画素５０に対応して液晶へ電圧印加する表示電圧の供給のオンとオフを制御するスイッチング素子となるＴＦＴ５１が配置されている。ＴＦＴ５１は画素５０ごとにアレイ状に配列していることから、このＴＦＴ５１が配置される基板をＴＦＴアレイ基板１００と呼ぶ。
【００１４】
このＴＦＴアレイ基板１００は基板１を有している。基板１は、例えば、ガラス基板や半導体基板より構成される。ＴＦＴアレイ基板１００には、ＴＦＴ５１がアレイ状に配列して形成される領域であるアレイ領域とアレイ領域を囲むように設けられた額縁領域とが設けられている。具体的には、液晶表示装置などの表示装置においては、ＴＦＴ５１がアレイ状に配列して形成される領域であるアレイ領域は画像を表示する領域である表示領域４１（図中点線にて囲まれる領域）に対応し、アレイ領域を囲むように設けられた額縁領域については、表示領域４１を囲むように設けられた額縁領域４２（ＴＦＴアレイ基板における図中点線にて囲まれる領域を除いた領域）に対応する。
【００１５】
この表示領域４１には、複数のゲート配線（走査信号線）４３と複数のソース配線（表示信号線）４４とが形成されている。複数のゲート配線４３は平行に設けられている。同様に、複数のソース配線４４は平行に設けられている。ゲート配線４３とソース配線４４とはお互いに交差するように形成されている。隣接するゲート配線４３とソース配線４４とで囲まれた領域が画素５０となる。従って、表示領域４１では、画素５０がマトリクス状に配列される。
【００１６】
ＴＦＴアレイ基板１００の額縁領域４２には、走査信号駆動回路４６ａ、表示信号駆動回路４６ｂ、配線変換部４５、引き出し配線４７ａ１、４７ａ２、４７ｂ１、４７ｂ２、及び外部接続端子４８ａ１、４８ａ２、４８ｂ１、４８ｂ２などが設けられている。ゲート配線４３は、表示領域４１から額縁領域４２まで延設され、額縁領域４２においてゲート配線４３と同一材料により形成される引き出し配線４７ａ１によりＴＦＴアレイ基板１００の端部まで引き出され、更にＴＦＴアレイ基板１００の端部で、引き出し配線４７ａ１の端部に複数配列して設けられた外部接続端子４８ａ１を介して走査信号駆動回路４６ａと接続される。
【００１７】
ソース配線４４は配線変換部４５にてゲート配線４３と同一材料により同層に形成された第１の導電膜に電気的に接続され、第１の導電膜で形成された引き出し配線４７ｂ１により、ＴＦＴアレイ基板１００の端部まで引き出され、更にＴＦＴアレイ基板１００の端部で、引き出し配線４７ｂ１の端部に複数配列して設けられた外部接続端子４８ｂ１を介して表示信号駆動回路４６ｂと接続される。走査信号駆動回路４６ａの近傍には、外部配線４９ａが引き出し配線４７ａ２及び外部接続端子４８ａ２を介して接続されている。また、表示信号駆動回路４６ｂの近傍には、外部配線４９ｂが引き出し配線４７ｂ２及び外部接続端子４８ｂ２を介して接続されている。外部配線４９ａ、４９ｂは、例えばＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ  Ｐｒｉｎｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）などの配線基板である。
【００１８】
外部配線４９ａ及び引き出し配線４７ａ２を介して走査信号駆動回路４６ａに、外部配線４９ｂ及び引き出し配線４７ｂ２を介して表示信号駆動回路４６ｂに外部からの各種信号が供給される。走査信号駆動回路４６ａは外部からの制御信号に基づいて、ゲート信号（走査信号）をゲート配線４３に供給する。このゲート信号によって、ゲート配線４３が順次選択されていく。表示信号駆動回路４６ｂは外部からの制御信号や、表示データに基づいて表示信号をソース配線４４に供給する。これにより、表示データに応じた表示電圧を各画素５０に供給することができる。
【００１９】
画素５０内には、少なくとも１つのＴＦＴ５１が形成されている。ＴＦＴ５１はソース配線４４とゲート配線４３の交点近傍に配置される。例えば、このＴＦＴ５１が画素電極に表示電圧を供給する。即ち、ゲート配線４３からのゲート信号によって、スイッチング素子であるＴＦＴ５１がオンする。これにより、ソース配線４４から、ＴＦＴ５１のドレイン電極に接続された画素電極に表示電位が印加される。更に、画素電極は平板状電極であり、櫛歯状電極或いはスリット電極を有する共通電極（対向電極）と絶縁膜を介して対向配置されている。共通電極（対向電極）には、共通電位が与えられ、画素電極と対向電極との間には、表示電圧（表示電位−共通電位間の電位差）に応じたフリンジ電界が生じる。なお、画素５０の詳細な構成については、後述する。
【００２０】
続いて、本実施の形態１における液晶表示装置の全体構成について、図２の断面図を用いて説明する。図２に示す様に、先に詳細説明を行ったＴＦＴアレイ基板１００の表面には、配向膜６１が形成されている。更に、ＴＦＴアレイ基板１００に対し、対向基板６０が対向して配置されている。対向基板６０は、例えば、カラーフィルター基板であり、視認側に配置される。対向基板６０には、カラーフィルター６４、ブラックマトリクス（Ｂｌａｃｋ  Ｍａｔｒｉｘ:ＢＭ）６３、及び配向膜６１などが形成されている。ＴＦＴアレイ基板１００と対向基板６０との間には液晶層６２が狭持される。即ち、ＴＦＴアレイ基板１００と対向基板６０の間には液晶が導入されている。更に、ＴＦＴアレイ基板１００と対向基板６０との外側の面には、偏光板６５が設けられ、液晶表示パネルが構成される。また、液晶表示パネルの反視認側となるＴＦＴアレイ基板１００の裏面側に位相差板などの光学フィルム６６を介して、バックライトユニット６７が配置され、液晶表示パネル及びこれら周辺部材は樹脂や金属などよりなるフレーム（図示省略）内に適宜収納される。本実施の形態１の液晶表示装置は以上の様に構成される。
【００２１】
画素電極と対向電極との間のフリンジ電界によって、液晶が駆動される。即ち、基板間の液晶の配向方向が変化する。これにより、液晶層６２を通過する光の偏光状態が変化する。即ち、偏光板６５を通過して直線偏光となった光は液晶層６２によって、偏光状態が変化する。具体的にはバックライトユニット６７からの光は、ＴＦＴアレイ基板側の偏光板６５によって直線偏光になる。この直線偏光が液晶層６２を通過することによって、偏光状態が変化する。偏光状態によって、対向基板側の偏光板６５を通過する光量は変化する。即ち、バックライトユニット６７から液晶表示パネルを透過する透過光のうち、視認側の偏光板６５を通過する光の光量が変化する。液晶の配向方向は、印加される表示電圧によって変化する。従って、表示電圧を制御することによって、視認側の偏光板６５を通過する光量を変化させることができる。即ち、画素５０ごとに表示電圧を変えることによって、所望の画像を表示することができる。
【００２２】
次に、本実施の形態１に係る液晶表示装置のＴＦＴ５１の配置される表示領域４１の詳細構成について図３及び図４を用いて説明する。図３は、実施の形態１に係るＴＦＴアレイ基板１００の表示領域４１の中央部近傍の画素構成を示した平面図、図４は、図３におけるＡ１−Ａ２断面線における断面図を其々示したものである。図３及び図４において、例えば、ガラス基板などの絶縁性材料よりなる基板１の上に、ＴＦＴ５１のゲート電極と接続するゲート配線４３が形成されている。ここでは、ゲート配線４３はその一部がゲート電極を構成するように形成されている。
【００２３】
ゲート電極、ゲート配線４３は、例えばＣｒ，Ａｌ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｍｏ，Ｗ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ａｕ，Ａｇなどの高融点金属または低抵抗金属やこれらを主成分とする合金膜、またはこれらの積層膜からなる第１の導電膜によって形成されている。ゲート絶縁膜となる第１の絶縁膜８の上には半導体層３が形成されている。半導体層３は、ゲート配線４３と重なるよう第１の絶縁膜８の上に形成され、非結晶シリコン、多結晶シリコン、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏなどにより形成されている。更に、半導体層３の上には、導電性不純物がドーピングされたオーミックコンタクト膜４が形成されている。オーミックコンタクト膜４は、ＴＦＴ５１のチャネル領域を除く半導体層３上のほぼ全面に配設されている。ゲート電極と重複する半導体層３のうち、オーミックコンタクト膜４に対応する半導体層３の領域は、ソース・ドレイン領域となる。具体的には、ゲート電極（ゲート配線４３）と重複する図４中左側のオーミックコンタクト膜４に対応する半導体層３の領域がソース領域となる。そしてゲート電極（ゲート配線４３）と重複する図４中右側のオーミックコンタクト膜４に対応する半導体層３の領域がドレイン領域となる。そして半導体層３のソース・ドレイン領域に挟まれた領域がチャネル領域となる。半導体層３のチャネル領域上には、オーミックコンタクト膜４は形成されていない。オーミックコンタクト膜４は、例えば、リン（Ｐ）などの不純物が高濃度にドーピングされたｎ型非結晶シリコンやｎ型多結晶シリコンなどにより形成されている。
【００２４】
オーミックコンタクト膜４の上には、ソース電極５３、ドレイン電極５４及びソース配線４４が形成されている。具体的には、半導体層３のソース領域側のオーミックコンタクト膜４上に、ソース電極５３が形成されている。そして、ドレイン領域のオーミックコンタクト膜４上に、ドレイン電極５４が形成されている。この様に、チャネルエッチ型のＴＦＴ５１が構成されている。そして、ソース電極５３及びドレイン電極５４は半導体層３のチャネル領域の外側へ延在するように形成されている。即ち、ソース電極５３及びドレイン電極５４は、オーミックコンタクト膜４と同様に半導体層３のチャネル領域上には形成されない。また、ソース電極５３は半導体層３のチャネル領域の外側へ延在し、ソース配線４４と繋がっている。即ち、ソース配線４４はソース電極５３と接続している。ソース配線４４は、基板１上においてゲート配線５３と交差する方向に直線的に延在するように配設されている。従って、ソース配線４４は、ゲート配線４３との交差部において分岐してからゲート配線４３に沿って延在し、ソース電極５３となる。
【００２５】
ソース電極５３、ドレイン電極５４、及びソース配線４４は、上層がAlを主成分とした金属膜、下層がＣｒ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｍｏ，Ｗ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ａｕ，Ａｇなどの高融点金属または低抵抗金属やこれらを主成分とする合金膜の積層膜で構成される第２の導電膜によって形成される金属パターンである。即ち、ソース配線４４については、ソース電極５３及びドレイン電極５４と同一材料により同層に形成される金属パターンである。また、ドレイン電極５４は、半導体層３のチャネル領域の外側に延在し、画素電極５５と電気的に接続されている。
【００２６】
本実施の形態１では、画素電極５５は、ドレイン電極５４上に直接重ねて形成されている。即ち、画素電極５５の下面（下側の表面）がドレイン電極５４の上面（上側の表面）と直接接触するように形成されている。そして、画素電極５５は、ドレイン電極５４上から画素５０内へと延在され、図３及び図４に示す様に、画素５０を構成するソース配線４４とゲート配線４３とに囲まれた領域のほぼ全面に形成されている。即ち、画素電極５５は、その一部がドレイン電極５４に重複するように配設されている。なお、画素電極５５は、ＩＴＯなどの透明導電膜によって形成されている透明導電膜パターンである。この様に、画素電極５５は、絶縁膜を介さずに、ドレイン電極５４の上層に直接重ねて形成されている。この様な構成により、画素電極５５をドレイン電極５４と電気的に接続するためのコンタクトホールが不要となる。これは、画素電極５５の一部をドレイン電極５４の上に直接重なるように配置することで、これらの間の電気的な接続を得ることができるからである。従って、ドレイン電極５４と画素電極５５の接続に対してコンタクトホールを配置するエリアを設けることなく画素５０を形成することが可能となり、開口率を高くできる。
【００２７】
なお、上記説明ではドレイン電極５４の上に直接重なる部分における透明導電膜パターンとソース配線４４とゲート配線４３とに囲まれた領域のほぼ全面に形成されている透明導電膜パターンについて、一体に形成されていることから、まとめて画素電極５５と呼び説明を行った。然しながら、後者の透明導電膜パターンが実質的に画素電極５５として機能するものであることから、前者の透明導電膜パターンについては、画素電極５５と同一材料である透明導電膜により同層に形成された第１の透明導電膜パターン６として、画素電極５５と区別して解釈しても良い。更に、実質的に画素電極５５として機能する後者の透明導電膜パターンについても、隣接する画素電極５５を主体とすると、画素電極５５と同一材料である透明導電膜により同層に形成された第１の透明導電膜パターン６と解釈できるので、特に区別することなく、画素電極５５全体を第１の透明導電膜パターン６と解釈しても良い。
【００２８】
画素電極５５及び第１の透明導電膜パターン６を覆う上層絶縁膜として第２の絶縁膜９が設けられている。第２の絶縁膜９はＴＦＴ５１を覆っており、ＴＦＴ５１の保護膜として機能している。第２の絶縁膜は窒化シリコン、酸化シリコンなどの絶縁膜、塗布型の（塗布により形成される）絶縁膜、またはそれらの積層膜により形成されている。そして、本実施の形態１では第２の絶縁膜９の上に対向電極５６が形成されている。対向電極５６は、第２の絶縁膜９を介して画素電極５５の対面に配設され、画素電極５５との間にフリンジ電界を発生させるためのスリット５９が設けられている。以上の画素電極５５と対向電極５６の構成により、フリンジ電界を発生させ液晶を駆動することにより、ＦＦＳモードの液晶表示装置を構成することができる。
【００２９】
なお、対向電極５６と画素電極５５は第２の絶縁膜９により絶縁されていることから、第２の絶縁膜９は、層間絶縁膜としても機能している。また、対向電極５６は、ゲート配線４３を挟んで隣接する画素５０の対向電極５６に繋がるように一体的に形成されている。具体的には、ゲート配線４３を挟んで隣接する画素５０の対向電極５６同士を対向電極連結部５７により連結している。ここでは、対向電極５６の対向電極連結部５７はソース配線４４またはＴＦＴ５１と重複しない領域のゲート配線４３を跨ぐように形成されている。即ち、対向電極５６はゲート配線４３の少なくとも一部において重なり合うように形成されている。対向電極５６及び対向電極連結部５７は、ＩＴＯなどの透明導電膜によって一体に形成されている透明導電膜パターンである。
【００３０】
次に、本実施の形態１に係る液晶表示装置のＴＦＴアレイパターン形成時の分割露光について説明する。図５は、分割露光時の露光領域の概念図である。図５において、４７ｂ１は引き出し配線であり、表示信号駆動回路４６の外部接続端子４８ｂ１と接続している。さらに、表示信号駆動回路４６の外部接続端子４８ｂ１と、外部配線４９の外部接続端子４８ｂ２とは、引き出し配線４７ｂ２を介して接続されている。
【００３１】
本実施の形態１においては図５に示す通り、第１の露光領域A（１０１）と第１の露光領域に隣接する第２の露光領域B（１０２）の二つの領域に分けて分割露光をする。この場合、露光領域A（１０１）と露光領域B（１０２）を重ねて露光するつなぎ合わせ領域を設けても、つなぎ合わせ領域が配線パターンを横断していないため、パターンの断線をすることなく、ＴＦＴアレイパターンを形成することができる。
【００３２】
さらに、図６を用いて詳細に説明する。図６は図５の中において１０４で示した箇所の詳細図である。額縁領域４２においては、図６に示すように、つなぎ合わせ領域１０３を引き出し配線４７ｂ１とほぼ並行になるように設定している。ここで、つなぎ合わせ領域を分割露光のプロセスバラツキを考慮して太くした引き出し配線４７ｂ３と重畳するように配置することで、引き出し配線４７ｂ３以外の引き出し配線４７ｂ１のピッチを変えることなく、かつ、額縁領域４２を広げることなく、ＴＦＴアレイパターンを形成することができる。
【００３３】
次に製造方法についても説明する。基板上に配線を構成する金属膜等の導電膜（図示しない）を成膜した後に、ポジ型の感光性レジスト材料を塗布し、図５に示すような第１の露光領域１０１と第２の露光領域１０２に光を照射する写真製版処理を行う。その際、第１の露光領域１０１に用いるレチクルと第２の露光領域１０２に用いるレチクルの境界部が配線上に重畳するように露光を行う。その後、配線パターンに相当する領域以外のレジスト材料を除去して露出する導電膜をエッチングにより除去し、図６に示すような配線パターンを得ることができる。
【００３４】
ここで、つなぎ合わせ領域１０３には２回の露光工程が行われることになるが、第１の露光領域と第２の露光領域との境界部、言い換えれば第１の露光領域の端部と第２の露光領域の端部との重畳部には光は照射されない。それは、つなぎ合わせ領域と引き出し配線４７ｂ３との重畳部において、第１の露光領域１０１の端部に相当する箇所と第２の露光領域１０２の端部に相当する箇所との両方に、引出し配線４７ｂ３を形成するためのパターンが設けられているレチクルを露光に用いるためである。なお、両方の露光領域の端部にパターンが配置されるようにしていることが重要であって、必ずしもレチクルの端部にパターンが形成されていなければならないということではない。
【００３５】
そのため、当該境界部に対応する位置に形成される配線パターンは、第１の露光領域１０１の端部と第２の露光領域１０２の端部とが合わさることにより、他の配線パターンよりも太く形成されることになる。これにより、引き出し配線４７ｂ３は予め太く形成するように設定しているので問題は無い。この製造方法により、引き出し配線４７ｂ３以外の引き出し配線４７ｂ１のピッチを変えることなく、かつ、額縁領域４２を広げることなく、ＴＦＴアレイパターンを形成することができる。
【００３６】
実施の形態２．
図７に、本実施の形態２に係る液晶表示装置のＴＦＴアレイパターンを示す。図７では、額縁領域４２における露光領域のつなぎ合わせ領域１０３もあわせて示している。実施の形態１では、露光領域のつなぎ合わせ領域１０３を配線パターンと重畳するように設定したが、本実施の形態２においてはつなぎ合わせ領域１０３を引き出し配線間隔４７ｂ４に配置することでも同様の効果を得ることができる。
【００３７】
言い換えれば、本実施の形態２では、配線と配線との間に露光領域のつなぎ合わせ領域を設けることを特徴としている。さらに、露光領域のつなぎ合わせ領域をはさんで隣接する配線間の間隔は、露光領域のつなぎ合わせ領域が設定されていない配線間の間隔よりも広いと、プロセスマージンの許容幅も広くなるためなお良い。
【００３８】
次に製造方法についても説明する。基板上に配線を構成する金属膜等の導電膜（図示しない）を成膜した後に、ポジ型の感光性レジスト材料を塗布し、図５に示すような第１の露光領域１０１と第２の露光領域１０２に光を照射する写真製版処理を行う。その後、配線パターンに相当する領域以外のレジスト材料を除去して露出する導電膜をエッチングにより除去し、図７に示すような配線パターンを得ることができる。
【００３９】
ここで、つなぎ合わせ領域１０３には２回の露光が照射されることになるが、その領域は隣接配線間のスペースであってもともと配線パターンを形成しない領域であるため問題は無い。むしろ、２回露光することにより配線間のレジスト材料をより除去する方向に作用するため、配線間の短絡をより防止することができる。この製造方法により、引き出し配線４７ｂ４以外の引き出し配線４７ｂ１のピッチを変えることなく、かつ、額縁領域４２を広げることなく、ＴＦＴアレイパターンを形成することができる。
【００４０】
また、図５〜７では、引き出し配線４７ｂ１が配置される額縁領域４２に関して説明したが、引き出し配線４７ａ１が形成される額縁領域４２においても同様の構成をとることで、同様の効果を得ることができる。また、ポジ型のレジスト材料について説明をしたが、光の照射有無の関係を逆にすればネガ型のレジスト材料を使用しても良い。
【００４１】
以上のように形成されたＴＦＴアレイパターンを有するアレイ基板はシール材を介して対向基板と貼り合わされ、その間に液晶を封入することにより、液晶表示パネルが形成される。その液晶表示パネルに光源や駆動回路を実装することにより、液晶表示装置が形成される。また、アレイ基板の画素電極上に電界を印加することにより発光する発光層を形成した後、絶縁膜により覆い、共通電極を形成することによりエレクトロルミネッセンス表示装置を製造することができる。さらに、白と黒との顔料粒子を含むマイクロカプセルをアレイ基板と外部回路とが生成する電界により駆動する電気泳動方式の表示装置や、電子粉流体方式の表示装置を製造することも可能である。表示装置とは異なるが、本発明にかかるアレイ基板において画素電極の代わりに光電変換素子を設けることにより、可視光や紫外光や放射線のイメージセンサーを製造することも可能である。
【符号の説明】
【００４２】
１  基板、３  半導体膜、  ４  オーミックコンタクト膜、
８  第１の絶縁膜、９  第２の絶縁膜、４１  表示領域、４２  額縁領域、
４３  ゲート配線、４４  ソース配線、４５  配線変換部、
４６ａ  走査信号駆動回路、４６ｂ  表示信号駆動回路、
４７ａ１，４７ａ２，４７ｂ１，４７ｂ２，４７ｂ３  引き出し配線、
４７ｂ４  引き出し配線間隔、
４８ａ１，４８ａ２，４８ｂ１，４８ｂ２  外部接続端子、
４９ａ，４９ｂ  外部配線、５０  画素、５１  ＴＦＴ、５３  ソース電極、
５４  ドレイン電極、５５  画素電極、５６  対向電極、５７  対向電極連結部、
５９  スリット部、６０  対向基板、６１  配向膜、６２  液晶層、
６３  ブラックマトリクス、６４  カラーフィルター、６５  偏光板、
６６  光学フィルム、６７  バックライトユニット、１００  ＴＦＴアレイ基板、
１０１  第１の露光領域、１０２  第２の露光領域、
１０３  露光領域のつなぎ合わせ領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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