(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
被加工物を保持する保持手段と、該保持手段に保持された被加工物を切削する切削手段と、該保持手段と該切削手段とを相対的に加工送りする加工送り手段と、から少なくとも構成される切削装置であって、
該切削手段は、スピンドルに装着され外周に切り刃を有する回転可能な切削ブレードと、該切削ブレードに切削水を供給する切削水供給ノズルと、該切削水供給ノズルに固着され切削水に接触する光触媒と、該光触媒を励起させ該切削水供給ノズルから噴射された切削水にヒドロキシラジカルによる酸化力を与える光照射器と、から構成される切削装置。
【請求項２】
前記光触媒は酸化チタン（ＴｉＯ２）である請求項１記載に切削装置。
【請求項３】
請求項１に記載の切削装置を用いたウエーハの加工方法であって、
ウエーハを前記保持手段に保持するウエーハ保持工程と、
前記切削ブレードを切削すべき領域に位置づけると共に該切削ブレードに切削水を供給し該切削ブレードを該保持手段に対して相対的に加工送りして切削する切削工程と、から少なくとも構成され、
該切削工程において、前記切削水供給ノズルから噴射された切削水に前記光触媒を接触させると共に該光触媒を励起させる光を照射して切削水にヒドロキシラジカルによる酸化力を与えることを特徴とするウエーハの加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、切削ブレードを備える切削装置及びウエーハの加工方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＩＣ、ＬＳＩ等の複数のデバイスが分割予定ライン（ストリート）によって区画され表面に形成されたウエーハは、回転可能な切削ブレードを備えた切削装置（例えば、特許文献１参照）によって個々のデバイスに分割され、各種電子機器等に利用されている。そして、ＩＣやＬＳＩによる処理の高速化を図るためは、デバイスの配線の抵抗や容量を削減する必要がある。これは、例えば、処理速度に大きな影響を与える信号遅延は抵抗と容量との積で決まるためである。そこで、シリコン等の半導体基板の上面に、無機物系のＳｉＯＦ膜（フッ素添加シリコン酸化膜）やＢＳＧ膜または有機物系のポリイミド系やパリレン系等のポリマー膜からなる低誘電率絶縁体と、銅やアルミニウム等の金属箔とが絡みあうように積層され分割予定ラインによって区画されてデバイスが形成されたウエーハが実用化されている。
【０００３】
ここで、低誘電率絶縁体と銅やアルミニウム等の金属箔とが絡みあうように積層された積層体は、比誘電率ｋの値が低いことからＬｏｗ−ｋ膜と呼ばれており、デバイス表面だけではなくストリート上にも積層されている。そして、Ｌｏｗ−ｋ膜は層間の隙間が多く非常に脆いために、雲母のようにデバイス表面から剥離しやすい。そのため、切削ブレードでストリートを切削すると、金属箔層の金属の延性に起因して、ストリートからデバイスにまで膜剥離が生じてしまい、個々のデバイスの品質を著しく低下させる。このデバイスに至る膜剥離を防ぐ手段としては、レーザー光線をストリートに沿って照射してストリート上のＬｏｗ−ｋ膜を除去し、その後、ストリートに沿って露出した半導体基板を切削ブレードで切削する方法がある（例えば、特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００１−１４４０３４号公報
【特許文献２】特開２００８−４８２２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、上記特許文献２に記載されているような方法では、レーザー光線の照射によって半導体基板に熱歪みが残存し、デバイスの抗折強度を低下させるという問題が生じる。
【０００６】
また、ストリートにＴＥＧ（評価用素子）と称される金属膜が形成されているウエーハを切削する場合にも、ストリートを切削ブレードで切削すると、金属の延性等に起因してバリが生じたり、ＴＥＧが剥離してデバイスの品質を低下させたりする問題が生じる。
【０００７】
さらに、窒化ガリウム（ＧａＮ）基板やシリコンカーバイド（ＳｉＣ）基板などの難削材を切削ブレードで切削しようとすると、切削によりストリートからデバイスに対してクラックが生じたり、デバイス表面の剥離が生じたりすることから、切削ブレードによる切削は困難であった。
【０００８】
したがって、Ｌｏｗ−ｋ膜やＴＥＧがストリート上に形成されているウエーハや、ＧａＮ基板やＳｉＣ基板などの難削材に対して、そのストリート上に対してレーザー光線による前処理等を行わずに切削ブレードで切削を行う場合であっても、デバイスの品質を低下させないようにするという課題が存在する。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するための本発明は、被加工物を保持する保持手段と、該保持手段に保持された被加工物を切削する切削手段と、該保持手段と該切削手段とを相対的に加工送りする加工送り手段と、から少なくとも構成される切削装置であって、該切削手段は、スピンドルに装着され外周に切り刃を有する回転可能な切削ブレードと、該切削ブレードに切削水を供給する切削水供給ノズルと、該切削水供給ノズルに固着され切削水に接触する光触媒と、該光触媒を励起させ該切削水供給ノズルから噴射された切削水にヒドロキシラジカルによる酸化力を与える光照射器と、から構成される切削装置である。
【００１０】
前記光触媒は酸化チタン（ＴｉＯ２）であると好ましい。
【００１１】
また、上記課題を解決するための本発明は、上記切削装置を用いたウエーハの加工方法であって、ウエーハを前記保持手段に保持するウエーハ保持工程と、外周に切り刃を有し高速回転する切削ブレードを切削すべき領域に位置づけると共に該切削ブレードに切削水を供給し該切削ブレードを該保持手段に対して相対的に加工送りして切削する切削工程と、から少なくとも構成され、該切削工程において、前記切削水供給ノズルから噴射された切削水に前記光触媒を接触させると共に該光触媒を励起させる光を照射して切削水にヒドロキシラジカルによる酸化力を与えることを特徴とするウエーハの加工方法である。
【発明の効果】
【００１２】
本発明に係る切削装置は、切削装置が備える切削手段を、スピンドルに装着され外周に切り刃を有する回転可能な切削ブレードと、切削ブレードに切削水を供給する切削水供給ノズルと、切削水に接触する光触媒と、光触媒を励起させ切削水にヒドロキシラジカルによる酸化力を与える光照射器とから構成されるものとしている。そのため、本発明に係る切削装置で、ストリート上にＬｏｗ−ｋ膜またはＴＥＧがあるウエーハに対して切削加工を行う場合に、切削水と接触する光触媒に光（例えば、紫外線である。）を照射し光触媒を励起させ、切削ブレードに供給する切削水と励起した光触媒とを接触させることで、切削ブレードに供給する切削水にヒドロキシラジカルによる酸化力を与え、ストリート上のＬｏｗ−ｋ膜に積層された金属箔またはＴＥＧを酸化させ、ストリートとデバイスとの間に跨る金属が有する延性を遮断しながら切削ブレードによる切削を遂行できるので、Ｌｏｗ−ｋ膜またはＴＥＧがデバイス表面から剥離することを抑制できるとともに、バリの発生を抑制することができる。また、切削するウエーハがＧａＮ基板やＳｉＣ基板である場合でも、そのストリート上を強い酸化力によって脆弱にしつつ切削ブレードで切削することができるため、切削ブレードによる切削が可能となる。
【００１３】
また、光触媒を酸化チタン（ＴｉＯ２）としたことで、紫外線を照射し酸化チタンを励起させ、供給する切削水と励起した酸化チタンとを接触させることで、供給する切削水にヒドロキシラジカルによるより強い酸化力を与えることができる。
【００１４】
さらに、本発明に係るウエーハの加工方法は、ウエーハの切削工程において、切削ブレードに切削水を供給し、さらに、光触媒を励起させる光を照射し励起させた光触媒と切削ブレードに供給する切削水とを接触させることで切削水にヒドロキシラジカルを生成させ、生成させたヒドロキシラジカルにより、ストリート上のＬｏｗ−ｋ膜に積層された金属箔またはＴＥＧを酸化させ、ストリートとデバイスとの間に跨る金属が有する延性を遮断しながら切削ブレードによる切削を遂行できるので、Ｌｏｗ−ｋ膜またはＴＥＧがデバイス表面から剥離することを抑制できるとともに、バリの発生を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】切削装置の外観を示す斜視図である。
【図２】切削手段の外観を示す斜視図である。
【図３】切削ブレードをスピンドルに装着する様子を示す分解斜視図である。
【図４】切削手段の分解斜視図である。
【図５】切削ブレード、光照射器、切削水供給ノズル及び光触媒の配置を示す断面図である。
【図６】ウエーハが切削されている状態を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
図１に示す切削装置１によって切削されるウエーハＷは、例えば、半導体ウエーハであり、ウエーハＷのウエーハ上面Ｗａ上は、シリコン基板の上面にＬｏｗ−ｋ膜が積層され、ストリートＳによって区画された格子状の領域に多数のデバイスＤが形成されている。そして、ウエーハＷのウエーハ底面ＷｂがダイシングテープＴの貼着面に貼着され、ダイシングテープＴの外周部は環状フレームＦに貼着されることで、ウエーハＷはダイシングテープＴを介して環状フレームＦに支持される。なお、ウエーハＷの形状及び種類は特に限定されるものではなく、ストリート上にＴＥＧが配されているウエーハや、ＧａＮ基板や、ＳｉＣ基板等も含まれる。
【００１７】
図１に示す切削装置１は、保持手段３で保持されたウエーハＷに切削手段６によって切削加工を施す装置である。保持手段３は、図示しない加工送り手段によってＸ軸方向へ移動可能となっている。また、切削手段６は、図示しない割り出し送り手段によってＹ軸方向へ移動可能となっており、図示しない切り込み送り手段によってＺ軸方向に移動可能となっている。
【００１８】
切削装置１の前面側には、Ｚ軸方向に往復移動する昇降機構１０上に設置されたウエーハカセット１１が備えられている。ウエーハカセット１１は、環状フレームＦによって支持されたウエーハＷを複数枚収容する。ウエーハカセット１１の後方（＋Ｙ方向側）には、ウエーハカセット１１からウエーハＷの搬出入を行う搬出入手段１２が配設されている。ウエーハカセット１１と搬出入手段１２との間には、搬出入対象のウエーハＷが一時的に載置される仮置き領域１３が設けられており、仮置き領域１３には、ウエーハＷを一定の位置に位置合わせする位置合わせ手段１４が配設されている。
【００１９】
仮置き領域１３の近傍には、保持手段３と仮置き領域１３との間で、ウエーハＷを搬送する第一の搬送手段１５ａが配設されている。第一の搬送手段１５ａにより吸着されたウエーハＷは、仮置き領域１３から保持手段３に搬送される。
【００２０】
第一の搬送手段１５ａの近傍には、切削加工後のウエーハＷを洗浄する洗浄手段１６が配設されている。また、洗浄手段１６の上方には、保持手段３から洗浄手段１６へと、切削加工後のウエーハＷを吸着し搬送する第二の搬送手段１５ｂが配設されている。
【００２１】
図１に示す保持手段３は、例えば、チャックテーブル３０である。チャックテーブル３０は、例えば、その外形が円形状であり、ウエーハＷを吸着する吸着部３００と、吸着部３００を支持する枠体３０１とを備える。吸着部３００は図示しない吸引源に連通し、吸着部３００の露出面である保持面３００ａ上でウエーハＷを吸引保持する。チャックテーブル３０は、カバー３１によって周囲から囲まれ、図示しない回転手段により回転可能に支持されている。また、チャックテーブル３０の周囲には、環状フレームＦを固定する固定手段３２が配設されている。
【００２２】
チャックテーブル３０は、ウエーハＷの着脱が行われる領域である着脱領域Ａと、切削手段６によるウエーハＷの切削が行われる領域である切削領域Ｂとの間を、カバー３１の下に配設された図示しない加工送り手段によりＸ軸方向に往復移動可能となっており、チャックテーブル３０の移動経路の上方にはウエーハＷの切削すべきストリートＳを検出するアライメント手段１７が配設されている。アライメント手段１７は、ウエーハ上面Ｗａを撮像する撮像手段１７０を備えており、撮像手段１７０により取得した画像に基づき切削すべきストリートＳを検出することができる。また、アライメント手段１７の近傍には、切削領域Ｂ内で、チャックテーブル３０に保持されたウエーハＷに対して切削加工を施す切削手段６が配設されている。切削手段６はアライメント手段１７と一体となって構成されており、両者は連動してＹ軸方向及びＺ軸方向へと移動する。
【００２３】
図２に示す切削手段６は、スピンドルユニット６２と、スピンドルユニット６２が備えるスピンドル６２１に装着され外周に切り刃６０１を有する回転可能な切削ブレード６０と、切削ブレード６０をカバーするブレードカバー６４と、ブレードカバー６４に取り付けられるブレード検出ブロック６５と、ブレードカバー６４に取り付けられる着脱カバー６６と、切削ブレード６０に切削水を供給する切削水供給ノズル６７と、切削水供給ノズル６７が噴出する切削水に接触する光触媒６８と、光触媒６８を励起させ切削ブレード６０に供給する切削水にヒドロキシラジカルによる酸化力を与える光照射器６９とから構成される。
【００２４】
図３に示すスピンドルユニット６２は、スピンドルハウジング６２０と、スピンドルハウジング６２０中に回転可能に収容され軸方向がＸ軸方向に対し水平方向に直交する方向（Ｙ軸方向）であるスピンドル６２１と、スピンドル６２１の先端に着脱可能に装着されたマウントフランジ６２２とを備える。マウントフランジ６２２は、フランジ部６２３と、フランジ部６２３から厚み方向（Ｙ軸方向）に突出しその側面にネジが設けられた凸部６２４とを備える。切削ブレード６０は、凸部６２４に挿入され、凸部６２４のネジと螺合するナット６３によって、ナット６３とフランジ部６２３とによりＹ軸方向両側から挟まれてスピンドル６２１に装着される。そして、図示しないモータによりスピンドル６２１が回転駆動されることに伴って、切削ブレード６０も高速回転する。
【００２５】
図３に示す切削ブレード６０は、例えば、電鋳ハブブレードであり、直径が５０ｍｍ程度の円盤状に形成されたアルミニウム製の基台６００と、基台６００の外周部に固定した切り刃６０１とを備える。切り刃６０１は、例えば、ダイヤモンド砥粒をニッケルメッキの電鋳バインダーで固定して形成されており、刃厚が約５０μｍで刃先長０．５〜２ｍｍである。なお、切削ブレード６０は電鋳ハブブレードに限定されるものではなく、例えば、外形が環状のワッシャー型のレジンボンドブレードやメタルボンドブレード等でもよい。
【００２６】
図４に示すように、ブレードカバー６４は、切削ブレード６０を＋Ｚ方向から跨ぐようにカバーしている。また、ブレード検出ブロック６５は、ブレード検出ブロック６５の上面に設けられた穴６５ａにネジ６５ｂを通してブレードカバー６４の上面に設けられたネジ穴６４ａに螺合させることにより、ブレードカバー６４に対して＋Ｚ方向から取り付けられる。ブレード検出ブロック６５には、発光素子及び受光素子からなる図示しないブレードセンサが取り付けられており、調整ネジ６５ｃによりブレードセンサのＺ方向の位置を調整できる。そして、このブレードセンサにより切削ブレード６０の切り刃６０１の状態を検出する。
【００２７】
着脱カバー６６は、着脱カバー６６の側面に設けられた穴６６ａにネジ６６ｂを通してブレードカバー６４のＹ軸方向側面に設けられたネジ穴６４ｂに螺合させることにより、ブレードカバー６４に対して−Ｙ方向から取り付けられる。
【００２８】
図４に示すように、切削ブレード６０のＹ軸方向前後には、切削ブレード６０に切削水を供給する切削水供給ノズル６７がそれぞれ一本ずつ設けられている。
【００２９】
各切削水供給ノズル６７は、例えば、切削水が流入する切削水流入管６７ａにそれぞれ連通している。各切削水流入管６７ａは、それぞれが着脱カバー６６、ブレードカバー６４によって支持されている。また、各切削水供給ノズル６７は、その長手方向が切削ブレード６０の面に沿ったＸ軸方向であり、切削ブレード６０に対面する位置には、切削ブレード６０が備える切り刃６０１のウエーハＷに対する加工点に対し切削水を噴射する噴射口６７ｂが、Ｘ軸方向に複数整列して設けられている。
【００３０】
図４に示す光触媒６８は、例えば、外形が板状の酸化チタン板６８であり、その長手方向が切削ブレード６０の面に沿ったＸ軸方向であり、切削水供給ノズル６７に対して沿うように切削水供給ノズル６７に固着されている。そして、図５に示すように、酸化チタン板６８は、切削水供給ノズル６７の噴射口６７ｂから噴射された切削水を受け、受けた切削水を切削ブレード６０の切り刃６０１へと向かわせる角度で、切削水供給ノズル６７に固着されている。なお、酸化チタン板６８の配設位置は、切り刃６０１に供給される前の切削水に接する位置であり、かつ、切削水が切り刃６０１に導かれるのを妨げない位置であればよく、図示の例には限定されない。したがって、酸化チタン板６８は、例えば、切削水供給ノズル６７に固着されていなくてもよい。
【００３１】
図４に示す光照射器６９は、例えば、波長が２８０ｎｍ〜３８０ｎｍ程度の紫外線を照射できる紫外線照射ランプであり、切削ブレード６０をＹ軸方向前後から挟むように酸化チタン板６８の上方に、着脱カバー６６及びブレードカバー６４の下部にそれぞれ一本ずつ着脱可能に接続されて配設され、切削ブレード６０によるウエーハの切削工程において酸化チタン板６８を励起させる紫外線を、図５に示す光照射口６９ａから照射する。なお、光照射器６９は、酸化チタン板６８の種類によっては、紫外線を照射する紫外線照射ランプに限定されるものではなく、例えば、酸化チタン板６８が、可視光線の照射で光触媒活性を発現する窒素をドープした窒素ドープ型酸化チタン等であれば、光照射器６９は、波長４００ｎｍ〜７４０ｎｍ程度の可視光線を照射するキセノンランプや蛍光灯等でもよい。また、光照射器６９の接続位置は、着脱カバー６６及びブレードカバー６４の下部に限定されるものではないが、酸化チタン板６８に対して、例えば、光照射口６９ａからの紫外線が分散せず直接入射する位置であると好ましい。さらに、光照射器６９は、光触媒６８に光を照射できるものであれば、その形状及び配設位置も、特に限定されない。
【００３２】
以下に、図１〜２及び図６を用いて、図１に示すウエーハＷを切削装置１により切削する場合の切削装置１の動作及びウエーハＷの加工方法について説明する。
【００３３】
（１）ウエーハ保持工程
図１に示すように、まず、搬出入手段１２により、一枚のウエーハＷが、ダイシングテープＴを介して環状フレームＦに支持された状態で、ウエーハカセット１１から仮置き領域１３に搬出される。そして、仮置き領域１３において、位置合わせ手段１４によりウエーハＷが所定の位置に位置決めされた後、第一の搬送手段１５ａがウエーハＷを吸着して仮置き領域１３から保持手段３であるチャックテーブル３０の保持面３００ａへとウエーハＷを移動させる。次いで、環状フレームＦが固定部３２によって固定され、ウエーハＷも保持面３００ａ上で吸引されることで、チャックテーブル３０によりウエーハＷが保持される。
【００３４】
（２）切削工程
ウエーハ保持工程が終了した後、ウエーハ保持工程でチャックテーブル３０に保持されたウエーハＷを、切削手段６で切削する切削工程を開始する。切削工程においては、図示しない加工送り手段により、チャックテーブル３０に保持されたウエーハＷが着脱領域Ａから切削領域Ｂへと−Ｘ方向に送られるとともに、撮像手段１７０によってウエーハ上面Ｗａが撮像されて切削すべきストリートＳの位置が検出される。ストリートＳが検出されるのに伴って、切削手段６が図示しない割り出し送り手段によってＹ軸方向に駆動され、切削すべきストリートＳと切削ブレード６０とのＹ軸方向における位置づけがなされる。
【００３５】
図１に示す切削ブレード６０と検出したストリートＳとのＹ軸方向の位置づけが図示しない割り出し送り手段によって行われた後、図示しない加工送り手段がウエーハＷを保持するチャックテーブル３０をさらに例えば約５０ｍｍ／秒の送り速度で−Ｘ方向に送り出すとともに、図示しない切込み送り手段が切削手段６を−Ｚ方向に降下させていく。また、図示しないモータがスピンドル６２１を回転速度約２００００ｒｐｍで高速回転させ、スピンドル６２１に固定された切削ブレード６０がスピンドル６２１の回転に伴って高速回転をしながらウエーハＷに切込み、ストリートＳを切削していく。図６に示すように、本切削工程中では、切削ブレード６０がウエーハＷに切り込む際に、切削ブレード６０の切り刃６０１とウエーハＷのストリートＳとの接触部位に対して、切削水供給ノズル６７が図２に示した切削水流入管６７ａから流入させた切削水Ｌを噴射口６７ｂから噴射することで、切削ブレード６０に切削水Ｌを例えば２０００ｃｃ／分の割合で供給する。噴射口６７ｂから噴射された切削水Ｌは、切削ブレード６０の切り刃６０１とウエーハＷのストリートＳとの接触部位に到達する前に、酸化チタン板６８と接触する。
【００３６】
さらに、図６に示すように、本切削工程中では、少なくとも切り刃６０１がウエーハＷのストリートＳに切り込む直前から切り刃６０１がウエーハＷから離間するまでの間は、光照射器６９が、例えば波長３６５ｎｍ程度の紫外線（光）Ｕを酸化チタン板６８に対して照射し、酸化チタン板６８を励起させる。すなわち、酸化チタン板６８の表面に紫外線Ｕを照射し、酸化チタン板６８の価電子帯の電子を励起させ電子と正孔の２つのキャリアを生じさせる。そして、酸化チタン板６８に生じた正孔が、酸化チタン板６８の表面にある切削水Ｌにヒドロキシラジカルにより高い酸化力を与える。
【００３７】
ヒドロキシラジカルによる酸化力を与えられた切削水Ｌは、少なくとも、切削ブレード６０の切り刃６０１とウエーハＷのストリートＳとの接触部位に到達する。そして、ウエーハＷのストリートＳ上にも積層されたＬｏｗ−ｋ膜中の金属箔層が、生成したヒドロキシラジカルにより酸化されることで、ストリートＳを隔てて隣り合うデバイスＤ間に存在するＬｏｗ−ｋ膜中の金属箔層の延性を遮断する。
【００３８】
切削装置１を用いたウエーハＷの本加工方法においては、切削ブレード６０は、ストリートＳ上の金属の延性が遮断されたウエーハＷに対して切削を行うことができるため、ストリートＳからデバイスＤに生じ得るＬｏｗ−ｋ膜の膜剥離を抑制でき、さらにチッピングやバリの発生も防がれる。また、切削水Ｌに生じたヒドロキシラジカルの存在時間は非常に短いため、切削水ＬによるデバイスＤの表面の酸化等も生じない。また、噴射された切削水Ｌは、切削ブレード６０とウエーハＷとの接触部位を冷却しかつウエーハＷの加工点に生じた切削屑を除去も行う。
【００３９】
切削ブレード６０がストリートＳを切削し終えるＸ軸方向の所定の位置までウエーハＷが−Ｘ方向に進行すると、図示しない加工送り手段によるウエーハＷの加工送りを一度停止させ、図示しない切込み送り手段が切削ブレード６０をウエーハＷから離間させ、次いで、図示しない加工送り手段がチャックテーブル３０を＋Ｘ方向へ送り出して元の位置に戻す。そして、隣り合うストリートＳの間隔ずつ切削ブレード６０をＹ軸方向に割り出し送りしながら順次同様の切削を行うことにより、同方向の全てのストリートＳを切削する。さらに、チャックテーブル３０を図示しない回転手段によって９０度回転させてから同様の切削を行うと、全てのストリートＳが縦横に全てカットされる。
【符号の説明】
【００４０】
１：切削装置  １０：昇降機構  １１：ウエーハカセット  １２：搬出入手段  
１３：仮置き領域  １４：位置合わせ手段  
１５ａ：第一の搬送手段  １５ｂ：第二の搬送手段  １６：洗浄手段
１７：アライメント手段  １７０：撮像手段  
３：保持手段  
３０：チャックテーブル  ３００：吸着部  ３００ａ：保持面  ３０１：枠体  
３１：カバー  ３２：固定手段
Ａ：着脱領域  Ｂ：切削領域
６：切削手段  
６０：切削ブレード  ６００：基台  ６０１：切り刃
６２：スピンドルユニット  ６２０：スピンドルハウジング  ６２１：スピンドル  
６２２：マウントフランジ  ６２３：フランジ部  ６２４：凸部  
６３：ナット  
６４：ブレードカバー  ６４ａ：ネジ穴  ６４ｂ：ネジ穴
６５：ブレード検出ブロック  ６５ａ：穴  ６５ｂ：ネジ  ６５ｃ：調整ネジ
６６：着脱カバー  ６６ａ：穴  ６６ｂ：ネジ
６７：切削水供給ノズル  ６７ａ：切削水流入管  ６７ｂ：噴射口
６８：酸化チタン板（光触媒）
６９：光照射器  ６９ａ：光照射口
Ｗ：ウエーハ  Ｗａ：ウエーハ上面  Ｗｂ：ウエーハ底面  Ｓ：ストリート  
Ｄ：デバイス  Ｆ：環状フレーム  Ｔ：ダイシングテープ  Ｌ：切削水  
Ｕ：紫外線（光）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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