(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
直流の高電圧側と低電圧側との間に接続された第１のコンデンサと、前記第１のコンデンサと並列に接続された第１のパワー半導体モジュールと、前記第１のパワー半導体モジュールと並列に接続され前記第１のコンデンサよりも容量が小さい第２のコンデンサと、前記第１のパワー半導体モジュールと前記第１のコンデンサとの間を接続する導体とを有する電力変換装置において、
前記第１のパワー半導体モジュールの端子と前記導体の端子と前記第２のコンデンサの端子とが重なった状態で固定するネジを有するとともに、
前記第２のコンデンサから前記導体を介して前記第１のコンデンサに流れる電流経路において、前記第２のコンデンサの端子を流れる電流の向きと前記導体の端子を流れる電流の向きが対向しており、
前記第１のコンデンサと並列に接続された第２のパワー半導体モジュールと、
前記第２のパワー半導体モジュールと並列に接続され前記第１のコンデンサよりも容量が小さい第３のコンデンサとを更に有し、
前記第２のパワー半導体モジュールと前記第１のコンデンサの間は、前記第１のパワー半導体モジュールと前記第１のコンデンサとの間を接続する前記導体により接続され、
前記第２のパワー半導体モジュールの端子と前記導体の端子と前記第３のコンデンサの端子とが重なった状態で固定するネジを有し、
前記第３のコンデンサから前記導体を介して前記第１のコンデンサに流れる電流経路において、前記第３のコンデンサの端子を流れる電流の向きと前記導体の端子を流れる電流の向きが対向していることを特徴とする電力変換装置。
【請求項２】
請求項１において、前記第２のコンデンサおよび前記第３のコンデンサは前記導体に重なるように配置され、前記第１のコンデンサと前記第２のコンデンサとの間、および、前記第１のコンデンサと前記第３のコンデンサとの間に前記導体が挟まれていることを特徴とする電力変換装置。
【請求項３】
請求項１において、前記第１のパワー半導体モジュールの端子と前記第２のコンデンサの端子との間に前記導体の端子が挟まれた状態で前記ネジにより固定され、前記第２のパワー半導体モジュールの端子と前記第３のコンデンサの端子との間に前記導体の端子が挟まれた状態で前記ネジにより固定されることを特徴とする電力変換装置。
【請求項４】
請求項１において、前記第２のコンデンサから前記導体を介して前記第１のコンデンサに流れる電流経路において、前記第２のコンデンサを流れる電流の向きと前記導体を流れる電流の向きが対向し、前記第３のコンデンサから前記導体を介して前記第１のコンデンサに流れる電流経路において、前記第３のコンデンサを流れる電流の向きと前記導体を流れる電流の向きが対向していることを特徴とする電力変換装置。
【請求項５】
請求項１において、前記第１のパワー半導体モジュールと前記第２のパワー半導体モジュールは複数設けられ、
前記第２のコンデンサは、前記第１のパワー半導体モジュール毎に設けられ、
前記第３のコンデンサは、前記第２のパワー半導体モジュール毎に設けられ、
複数の前記第１のパワー半導体モジュールと複数の前記第２のパワー半導体モジュールと前記第１のコンデンサは共通の前記導体によって接続されることを特徴とする電力変換装置。
【請求項６】
請求項１から５の何れか１項に記載の電力変換装置と、前記電力変換装置から出力される交流電圧で駆動されるモータと、前記モータによって駆動され昇降路内を昇降する乗りかごとを有することを特徴とするエレベーター。
【請求項７】
電力変換装置と、前記電力変換装置から出力される交流電圧で駆動されるモータと、前記モータによって駆動され昇降路内を昇降する乗りかごとを備え、
前記電力変換装置は、直流の高電圧側と低電圧側との間に接続された第１のコンデンサと、前記第１のコンデンサと並列に接続されたパワー半導体モジュールと、前記パワー半導体モジュールと並列に接続され前記第１のコンデンサよりも容量が小さい第２のコンデンサと、前記パワー半導体モジュールと前記第１のコンデンサとの間を接続する導体とを有するエレベーターにおいて、
前記パワー半導体モジュールの端子と前記導体の端子と前記第２のコンデンサの端子とが重なった状態で固定するネジを有するとともに、
前記第２のコンデンサから前記導体を介して前記第１のコンデンサに流れる電流経路において、前記第２のコンデンサの端子を流れる電流の向きと前記導体の端子を流れる電流の向きが対向していることを特徴とするエレベーター。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パワー半導体スイッチング素子を用いた電力変換装置およびエレベーターに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
現在、エレベーター等の可変速駆動にはインバータなどの変換器を介して直流を可変周波数の交流に変換し、モータ駆動をする方式が一般的となっている。近年、インバータのパワー半導体スイッチング素子はスイッチング速度の高速化や低損失化が進み、パワーモジュールが低損失になることにより、変換器の冷却器等の周辺機器の小形化が可能になる。
【０００３】
主回路電圧のスイッチング時の跳ね上がりである跳ね上がり電圧ΔＶはΔＶ＝Ｌｄｉ／ｄｔで決まることから、スイッチング速度、すなわちｄｉ／ｄｔが高速化するに従い跳ね上がり電圧ΔＶも増加するというトレードオフの関係にある。このため、跳ね上がり電圧ΔＶを小さく抑えるためにはスイッチングの高速化に伴い主回路インダクタンス成分（Ｌ）の低減も同時に求められる。
【０００４】
ここで、跳ね上がり電圧ΔＶを小さくするためには、ｄｉ／ｄｔを小さくする、すなわち速度を低減させるためにコンデンサ成分を大きくするといった対策も可能である。しかしながら、近年の低損失デバイスの普及により冷却器の小形化が実現した結果、電力変換装置の体積の中では変換器の直流側に接続されている平滑コンデンサが大きな割合を占めており、平滑コンデンサ容量を最適化することで小形化を実現することが求められており、コンデンサ成分を大きくすることは困難である。また、スイッチング高速化によって低損失、および小形化を実現することができるという観点からも、スイッチング速度はそのままで、主回路インダクタンスを低減させることが必須である。
【０００５】
このため、跳ね上がり電圧を低減するために、例えば特許文献１ように、スイッチングモジュールの直近、Ｐ−Ｎ間にスナバ回路を用いることで跳ね上がり電圧を吸収させる対策がとられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１０−９８８４６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、スナバ回路を設けたとしても、変換器の直流側の平滑コンデンサと、スナバ回路の中のスナバコンデンサと、両者の間を接続する導体とにより電流ループが存在することになる。そして、導体にはインダクタンス成分が存在するため、この電流ループはＬＣ共振経路となり、主回路ＰＮ間電圧が振動してしまうという問題が発生する。これは、スナバ回路のスナバコンデンサが小さくなるほど顕著になる。
【０００８】
本発明の目的は、直流を交流に変換する電力変換装置およびそれを用いたエレベーターにおいて、直流に接続された平滑コンデンサとスナバ回路のスナバコンデンサとの間に形成されたＬＣ共振経路による電圧振動を抑制することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の電力変換装置は、例えば、直流の高電圧側と低電圧側との間に接続された第１のコンデンサと、前記第１のコンデンサと並列に接続された第１のパワー半導体モジュールと、前記第１のパワー半導体モジュールと並列に接続され前記第１のコンデンサよりも容量が小さい第２のコンデンサと、前記第１のパワー半導体モジュールと前記第１のコンデンサとの間を接続する導体とを有する電力変換装置において、前記第１のパワー半導体モジュールの端子と前記導体の端子と前記第２のコンデンサの端子とが重なった状態で固定するネジを有するとともに、前記第２のコンデンサから前記導体を介して前記第１のコンデンサに流れる電流経路において、前記第２のコンデンサの端子を流れる電流の向きと前記導体の端子を流れる電流の向きが対向しており、前記第一のコンデンサと並列に接続された第２のパワー半導体モジュールと、前記第２のパワー半導体モジュールと並列に接続され前記第１のコンデンサよりも容量が小さい第３のコンデンサとを更に有し、前記第２のパワー半導体モジュールと前記第１のコンデンサの間は、前記第１のパワー半導体モジュールと前記第１のコンデンサとの間を接続する前記導体により接続され、前記第２のパワー半導体モジュールの端子と前記導体の端子と前記第３のコンデンサの端子とが重なった状態で固定するネジを有し、前記第３のコンデンサから前記導体を介して前記第１のコンデンサに流れる電流経路において、前記第３のコンデンサの端子を流れる電流の向きと前記導体の端子を流れる電流の向きが対向していることを特徴とする。
【００１０】
また、本発明のエレベーターは、例えば、前記電力変換装置と、前記電力変換装置から出力される交流電圧で駆動されるモータと、前記モータによって駆動され昇降路内を昇降する乗りかごとを有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、スナバコンデンサ端子と配線導体端子部にて相互インダクタンスを発生させ、ＬＣ共振経路におけるインピーダンスを抑えることが出来るので、ＬＣ共振経路による電圧振動を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】第１の実施例の電力変換装置の概略構成
【図２】第１の実施例の電力変換装置におけるパワー半導体モジュール端子部の概略構成
【図３】第１の実施例の電力変換装置の回路図
【図４】比較例の電力変換装置の概略構成
【図５】比較例の電力変換装置におけるパワー半導体モジュール端子部の概略構成
【図６】比較例の電力変換装置の回路図
【図７】第２の実施例の電力変換装置の概略構成
【図８】第２の実施例の電力変換装置の回路図
【図９】第３の実施例の電力変換装置の概略構成
【図１０】第３の実施例の電力変換装置の回路図
【発明を実施するための形態】
【００１３】
本発明の実施例を、図面を参照しながら説明する。尚、各図および各実施例において、同一又は類似の構成要素には同じ符号を付し、説明を省略する。
【実施例１】
【００１４】
図１は、第１の実施例の電力変換装置の概略構成である。図１（ｂ）は上面図であり、図１（ａ）は図１（ｂ）を上方向から見た側面図であり、図１（ｃ）は図１（ｂ）を下方向から見た側面図である。図３は、第１の実施例の電力変換装置の回路図である。
【００１５】
図１、図３に示すように、第１の実施例の電力変換装置は、例えば、直流の高電圧側（Ｐ側）と低電圧側（Ｎ側）との間に接続された平滑コンデンサ１３１（第１のコンデンサ）と、平滑コンデンサ１３１と並列に接続されたパワー半導体モジュール１０１と、パワー半導体モジュール１０１と並列に接続され平滑コンデンサ１３１よりも容量が小さいスナバコンデンサ１４１（第２のコンデンサ）と、パワー半導体モジュール１０１と平滑コンデンサ１３１との間を接続する導体（Ｐ側配線導体１１１およびＮ側配線導体１２１）とを有する。
【００１６】
パワー半導体モジュール１０１は、パワー半導体スイッチング素子としてＭＯＳＦＥＴ素子を用いた例を示しているが、高速、低損失スイッチングであればＭＯＳＦＥＴ素子のドレイン―ソース間にダイオードを接続した構成や、ＩＧＢＴとダイオードを用いた構成などであってもよい。また、他のパワー半導体デバイスを用いてもよい。
【００１７】
ここで、図１、図３に示すように、パワー半導体モジュール１０１は、パワー半導体スイッチング素子と、直流の高電圧側に接続される端子であるＰ端子１０４と、直流の低電圧側に接続される端子であるＮ端子１０２と、交流側に接続される端子である出力端子１０３とを有する。平滑コンデンサ１３１は、直流の高電圧側に接続される端子である平滑コンデンサ端子１３４と、直流の低電圧側に接続される端子である平滑コンデンサ端子１３２とを有する。Ｐ側配線導体１１１は、その端子としてＰ側配線導体端子１１４を有する。Ｎ側配線導体１２１は、その端子としてＮ側配線導体端子１２２を有する。スナバコンデンサ１４１は、スナバ回路の役割を有し、その端子としてスナバコンデンサ端子１４４および１４２を有する。また、パワー半導体モジュール１０１を冷却する冷却器１０６も設けられている。
【００１８】
パワー半導体モジュール１０１には、Ｐ端子１０４にてスナバコンデンサ端子１４４との間にＰ側配線導体端子１１４を挟み、ネジ１５４を用いてスナバコンデンサ１４１とＰ側配線導体１１１が接続、固定される。さらに平滑コンデンサ１３１は平滑コンデンサ端子１３４とＰ側配線導体１１１が接続されることにより、Ｐ側配線導体１１１を介してパワー半導体モジュール１０１のＰ端子１０４と接続される。同様に、パワー半導体モジュール１０１には、Ｎ端子１０２にてスナバコンデンサ端子１４２との間にＮ側配線導体端子１２２を挟み、ネジ１５２を用いてスナバコンデンサ１４１とＮ側配線導体１２１が接続、固定される。さらに平滑コンデンサ１３１は平滑コンデンサ端子１３２とＮ側配線導体１２１が接続することにより、Ｎ側配線導体１２１を介してパワー半導体モジュール１０１のＮ端子１０２と接続される。なお、Ｐ側配線導体１１１とＮ側配線導体１２１との間は絶縁体１６１にて絶縁されている。
【００１９】
図２は、第１の実施例の電力変換装置におけるパワー半導体モジュール端子部の概略構成である。図２（ａ）は図１（ａ）に対応する端子部の実装構造を示しており、図２（ｂ）および図２（ｃ）は図１（ｃ）に対応する端子部の実装構造を示している。
【００２０】
図２（ａ）に示すように、第１の実施例では、パワー半導体モジュール１０１のＰ端子１０４とＰ側配線導体１１１のＰ側配線導体端子１１４とスナバコンデンサ１４１のスナバコンデンサ端子１４４とが重なった状態でネジにより固定されており、さらにその配置は、スナバコンデンサ１４１からＰ側配線導体１１１を介して平滑コンデンサ１３１に流れる電流経路において、スナバコンデンサ端子１４４を流れる電流の向きとＰ側配線導体端子１１４を流れる電流の向きが対向する配置となっている。図２（ｂ）および図２（ｃ）でも、Ｐ側とＮ側が異なるだけで図２（ａ）とほぼ同様な構成になっており、スナバコンデンサ１４１からＮ側配線導体１２１を介して平滑コンデンサ１３１に流れる電流経路において、スナバコンデンサ端子１４２を流れる電流の向きとＮ側配線導体端子１２２を流れる電流の向きが対向する配置となっている。
【００２１】
次に、第１の実施例の構成および効果を、比較例を用いて説明する。図４は、比較例の電力変換装置の概略構成であり、図１に対応する図である。図５は、比較例の電力変換装置におけるパワー半導体モジュール端子部の概略構成であり、図２（ｂ）に対応する図である。図６は、比較例の電力変換装置の回路図であり、図３に対応する図である。
【００２２】
図４から図６に示すように、比較例において第１の実施例と異なる部分は、スナバコンデンサ１４１がパワー半導体モジュール１０１と重なる位置に設けられており、図５に示すように、スナバコンデンサ１４１からＮ側配線導体１２１を介して平滑コンデンサ１３１に流れる電流経路において、スナバコンデンサ端子１４２を流れる電流の向きとＮ側配線導体端子１２２を流れる電流の向きが対向しない配置となっている点である。尚、図示しないが、スナバコンデンサ１４１からＰ側配線導体１１１を介して平滑コンデンサ１３１に流れる電流経路においても、スナバコンデンサ端子１４４を流れる電流の向きとＰ側配線導体端子１１４を流れる電流の向きが対向しない配置となっている。
【００２３】
図３、図６に示すように、第１の実施例の場合も比較例の場合も、平滑コンデンサ１３１とスナバコンデンサ１４１との間には、インダクタンス１１１ａを有するＰ側配線導体１１１、インダクタンス１１４ａを有するＰ側配線導体端子１１４、インダクタンス１４４ａを有するスナバコンデンサ端子１４４、インダクタンス１４２ａを有するスナバコンデンサ端子１４２、インダクタンス１２２ａを有するＮ側配線導体端子１２２、インダクタンス１２１ａを有するＮ側配線導体１２１を介して流れる電流ループにより生じるＬＣ共振経路が形成されている。
【００２４】
このとき、第１の実施例では、図２（ｂ）および図３に示すように、スナバコンデンサ１４１からＮ側配線導体１２１を介して平滑コンデンサ１３１に流れる電流経路において、スナバコンデンサ端子１４２を流れる電流の向きとＮ側配線導体端子１２２を流れる電流の向きが対向する配置となっている、すなわち、端子部分で電流の折り返し経路を持つことから、相互インダクタンスの効果を得ることができ、ＬＣ共振経路のインピーダンスを抑えることが可能になる。これにより、パワー半導体モジュール１０１のＰＮ間電圧ＶＰＮの電圧振動を抑制できる。なお、ここでは図２（ｂ）のＮ側について説明したが、図２（ａ）のＰ側についても同様である。
【００２５】
特に、図２に示すように、ネジ１５２、１５４にてスナバコンデンサ端子１４２、１４４とＮ側配線導体端子１２２およびＰ側配線導体端子１１４が固定される場合、スナバコンデンサ端子１４２、１４４とＮ側配線導体端子１２２およびＰ側配線導体端子１１４の接触面で隙間が生じる。これにより、先ほど説明した端子部分で電流の折り返し経路が形成される。
【００２６】
さらに、第１の実施例では、図２（ｃ）に示したように、スナバコンデンサ１４１がＮ側配線導体１２１の上に配置されることによって、スナバコンデンサ１４１内を流れる電流の向きとＮ側配線導体１２１に流れる電流の向きが対向し、スナバコンデンサ１４１とＮ側配線導体１２１との間においても端子部と同様に相互インダクタンスの効果を得ることができ、ＬＣ共振経路のインピーダンスを抑え、パワー半導体モジュール１０１のＰＮ間電圧ＶＰＮの電圧振動を抑制できる。
【００２７】
また、第１の実施例では、スナバコンデンサ１４１はＮ側配線導体１２１およびＰ側配線導体１１１に重なるように配置され、平滑コンデンサ１３１とスナバコンデンサ１４１との間にＮ側配線導体１２１およびＰ側配線導体１１１が挟まれている。これにより、図４のようにスナバコンデンサ１４１をパワー半導体モジュール１０１の上に重ねて実装する必要がなくなる。
【００２８】
また、パワー半導体モジュール１０１の駆動回路をパワー半導体モジュール１０１上に実装することが可能となり、その場合、高速駆動時に問題となる駆動回路配線による誤動作の抑制や小形化などの効果を得ることも可能となる。
【００２９】
なお、第１の実施例では、パワー半導体モジュール１０１の端子（Ｎ端子１０２、Ｐ端子１０４）とスナバコンデンサ１４１の端子（スナバコンデンサ端子１４２、１４４）との間に導体の端子（Ｎ側配線導体端子１２２、Ｐ側配線導体端子１１４）が挟まれた状態でネジ１５４、１５２により固定されている例を説明したが、この順に限られず、パワー半導体モジュール１０１の端子（Ｎ端子１０２、Ｐ端子１０４）と導体の端子（Ｎ側配線導体端子１２２、Ｐ側配線導体端子１１４）でスナバコンデンサ１４１の端子（スナバコンデンサ端子１４２、１４４）を挟み、端子部分で電流の折り返し経路を形成して相互インダクタンスの効果を得るようにしてもよい。
【実施例２】
【００３０】
図７は、第２の実施例の電力変換装置の概略構成であり、図１に対応する図である。図８は、第２の実施例の電力変換装置の回路図であり、図３に対応する図である。
【００３１】
第２の実施例は、第１の実施例におけるパワー半導体モジュール１０１が平滑コンデンサ１３１を挟んで並列化され、一方が直流を交流に変換するインバータ、他方が交流を直流に変換するコンバータを構成した場合に相当する。この場合、Ｐ側配線導体１１１およびＮ側配線導体１２１を共通化している。この場合であっても、第１の実施例と同様の効果を得られる。
【００３２】
なお、第２の実施例のように並列化した場合においては、ＬＣ共振経路は平滑コンデンサ１３１とスナバコンデンサ４４１との間を流れる電流ループにも形成されるが、第１の実施例と同様にこちらの経路においても第１の実施例と同様に構成することで相互インダクタンスの効果を得て第１の実施例と同様の効果を得られる。
【００３３】
図７および図８において、パワー半導体モジュール４０１、Ｎ端子４０２、出力端子４０３、Ｐ端子４０４、冷却器４０６、Ｐ側配線導体１１１とそのインダクタンス１１１ｂ、Ｐ側配線導体端子４１４とそのインダクタンス４１４ａ、Ｎ側配線導体１２１とそのインダクタンス１２１ｂ、Ｎ側配線導体端子４２２とそのインダクタンス４２２ａ、スナバコンデンサ４４１、スナバコンデンサ端子４４２とそのインダクタンス４４２ａ、スナバコンデンサ端子４４４とそのインダクタンス４４４ａ、ネジ４５２、４５４は、第１の実施例とほぼ同様であるため、説明を省略する。
【実施例３】
【００３４】
図９は、第３の実施例の電力変換装置の概略構成であり、図１に対応する図である。図１０は、第３の実施例の電力変換装置の回路図であり、図３に対応する図である。
【００３５】
第３の実施例は、第２の実施例を３相インバータ、コンバータにした構成であり、第１の実施例および第２の実施例と同様の効果を得られる。また、第３の実施例においては、平滑コンデンサ１３１、２３１、３３１を並列接続しているが、平滑コンデンサが直列接続であってもよく、また、並列と直列とを組み合わせた構成であってもよい。なお、並列および直列の個数には、特に制限はない。
【００３６】
第３の実施例では、第２の実施例と同様に、ＬＣ共振経路が複数存在するが、第１の実施例および第２の実施例と同様の効果が得られる。
【００３７】
図９および図１０において、パワー半導体モジュール１０１、２０１、３０１、４０１、５０１、６０１、Ｎ端子１０２、２０２、３０２、４０２、５０２、６０２、出力端子１０３、２０３、３０３、４０３、５０３、６０３、Ｐ端子１０４、２０４、３０４、４０４、５０４、６０４、冷却器１０６、２０６、３０６、４０６、５０６、６０６、Ｐ側配線導体１１１とそのインダクタンス１１１ａ、１１１ｂ、Ｐ側配線導体端子１１４、２１４、３１４、４１４、５１４、６１４とそのインダクタンス１１４ａ、２１４ａ、３１４ａ、４１４ａ、５１４ａ、６１４ａ、Ｎ側配線導体１２１とそのインダクタンス１２１ａ、１２１ｂ、Ｎ側配線導体端子１２２、２２２、３２２、４２２、５２２、６２２とそのインダクタンス１２２ａ、２２２ａ、３２２ａ、４２２ａ、５２２ａ、６２２ａ、平滑コンデンサ１３１、２３１、３３１、平滑コンデンサ端子１３２、１３４、２３２、２３４、３３２、３３４、スナバコンデンサ１４１、２４１、３４１、４４１、５４１、６４１、スナバコンデンサ端子１４２、１４４、２４２、２４４、３４２、３４４、４４２、４４４、５４２、５４４、６４２、６４４とそのインダクタンス１４２ａ、１４４ａ、２４２ａ、２４４ａ、３４２ａ、３４４ａ、４４２ａ、４４４ａ、５４２ａ、５４４ａ、６４２ａ、６４４ａ、ネジ１５２、１５４、２５２、２５４、３５２、３５４、４５２、４５４、５５２、５５４、６５２、６５４は、第１の実施例および第２の実施例とほぼ同様であるため、説明を省略する。
【実施例４】
【００３８】
第４の実施例は、第１の実施例から第３の実施例の何れかで説明した電力変換装置をエレベーターに適用した実施例である。第４の実施例のエレベーターは、第１の実施例から第３の実施例の何れかで説明した電力変換装置と、この電力変換装置から出力される交流電圧で駆動されるモータと、このモータによって駆動され昇降路内を昇降する乗りかごとを有する。他にも、乗りかごと主ロープを介して接続された釣り合いおもりや、モータにより駆動され主ロープが巻き掛けられた巻上機等を有していてもよい。第４の実施例で説明した構成は一般的なエレベーターとほぼ同じであるため詳細な説明は省略する。
【００３９】
以上、本発明の実施例を説明してきたが、これまでの各実施例で説明した構成はあくまで一例であり、本発明は、技術思想を逸脱しない範囲内で適宜変更が可能である。また、それぞれの実施例で説明した構成は、互いに矛盾しない限り、組み合わせて用いても良い。
【符号の説明】
【００４０】
１００、２００、３００、４００、５００、６００・・・電力変換回路
１０１、２０１、３０１、４０１、５０１、６０１・・・パワー半導体モジュール
１０２、２０２、３０２、４０２、５０２、６０２・・・Ｎ端子
１０３、２０３、３０３、４０３、５０３、６０３・・・出力端子
１０４、２０４、３０４、４０４、５０４、６０４・・・Ｐ端子
１０６、２０６、３０６、４０６、５０６、６０６・・・冷却器
１１１・・・Ｐ側配線導体
１１４、２１４、３１４、４１４、５１４、６１４・・・Ｐ側配線導体端子
１２１・・・Ｎ側配線導体
１２２、２２２、３２２、４２２、５２２、６２２・・・Ｎ側配線導体端子
１３１、２３１、３３１・・・平滑コンデンサ
１３２、１３４、２３２、２３４、３３２、３３４・・・平滑コンデンサ端子
１４１、２４１、３４１、４４１、５４１、６４１・・・スナバコンデンサ
１４２、１４４、２４２、２４４、３４２、３４４、４４２、４４４、５４２、５４４、６４２、６４４・・・スナバコンデンサ端子
１５２、１５４、２５２、２５４、３５２、３５４、４５２、４５４、５５２、５５４、６５２、６５４・・・ネジ
１６１・・・絶縁体
１１１ａ、１１１ｂ、１１４ａ、１２１ａ、１２１ｂ、１２２ａ、１４２ａ、１４４ａ、２１４ａ、２２２ａ、２４２ａ、２４４ａ、３１４ａ、３２２ａ、３４２ａ、３４４ａ、４１４ａ、４２２ａ、４４２ａ、４４４ａ、５１４ａ、５２２ａ、５４２ａ、５４４ａ、６１４ａ、６２２ａ、６４２ａ、６４４ａ・・・インダクタンス
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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