(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理体の一面上に、第一レジストからなる厚膜Ａと、第二レジストからなる厚膜Ｂとが順に積層されており、前記厚膜Ａの内部に形成された第一空間が、前記厚膜Ｂの内部に形成された第二空間と重なる位置に配され、かつ、前記第一空間と前記第二空間が連通してなるレジスト構造体の製造方法であって、
前記厚膜Ａの厚さＤＡが前記厚膜Ｂの厚さＤＢより大きく、かつ、前記厚さＤＡと前記厚さＤＢが何れも、ミクロンオーダーとなるように、前記厚膜Ａを形成するステップＳＡと、前記厚膜Ｂを形成するステップＳＢとを順に備え、
前記厚膜Ａを形成するステップＳＡは、
前記被処理体上に第一レジスト層をスピン塗布法により成膜する工程Ａ１と、
前記工程Ａ１により形成された前記第一レジスト層を焼成する工程Ａ２とを備え、
前記工程Ａ１と前記工程Ａ２を繰り返すことにより、前記厚膜Ａを所定の厚さとし、
塗布回数が１回目の焼成温度よりも、塗布回数が２回目以降の焼成温度の方が低く、
かつ、前記２回目以降の焼成温度は、前記１回目の焼成温度よりも５℃〜１０℃低い
ことを特徴とするレジスト構造体の製造方法。
【請求項２】
前記厚膜Ｂを形成するステップＳＢは、
前記厚膜Ａ上に第二レジスト層をスピン塗布法により成膜する工程Ｂ１と、
前記工程Ｂ１により形成された前記第二レジスト層を焼成する工程Ｂ２とを備え、
前記工程Ｂ１と前記工程Ｂ２を繰り返すことにより、前記厚膜Ｂを所定の厚さとし、
塗布回数が１回目の焼成温度よりも、塗布回数が２回目以降の焼成温度の方が低く、
かつ、前記２回目以降の焼成温度は、前記１回目の焼成温度よりも５℃〜１０℃低い
ことを特徴とする請求項１に記載のレジスト構造体の製造方法。
【請求項３】
前記第一空間と前記第二空間の重なり方向から見て、
前記第一空間の占有領域ＳＡが、前記第二空間の占有領域ＳＢより広く、かつ、前記占有領域ＳＡの中に前記占有領域ＳＢが含まれるように、フォトリソ法を用いて前記厚膜Ｂに前記第二空間を形成するステップＳＣと、ウェットエッチング法を用いて前記厚膜Ａに前記第一空間を形成するステップＳＤとを順に備える
ことを特徴とする請求項１又は２に記載のレジスト構造体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高さがミクロンオーダーのはんだバンプを作製する際に有効な、レジスト構造体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、はんだバンプ形成方法としては、たとえば、めっき法、はんだボール搭載法、印刷法、スパッタ法などが挙げられ、微細化の観点からスパッタ法が有望視されている（特許文献１）。これら４つの手法には各々、以下の示すような長所と短所があることが公知である。
【０００３】
めっき法は、微細パターンが可能であるという長所がある反面、精密な組成制御が必要であり、材料の選択性が狭く、スループットが低く、バンプ高さのバラツキが大きい等の短所がある。ゆえに、バンプのサイズ／ピッチは、４０μｍ／５０μｍ程度が限界である。
【０００４】
はんだボール搭載法は、バンプ高さのバラツキが小さいという長所がある反面、微細パターンが難しい。それゆえ、バンプのサイズ／ピッチは、８０μｍ／１５０μｍ程度が現状である。
【０００５】
印刷法は、安価に製造が可能であり、スループットが高く、バンプ高さを大きくできるという長所がある反面、バンプ高さのバラツキが大きく、バンプ内部にボイド（欠陥）が発生し易いという短所がある。このため、バンプのサイズ／ピッチは、８０μｍ／１００μｍ程度が限界である。
【０００６】
スパッタ法は、微細パターンが可能であると共に、バンプの組成制御が容易あり、材料の選択性が広く、バンプ高さのバラツキが小さいという長所がある反面、スループットが低いという短所がある。このような多くの長所を備えているので、スパッタ法によれば、バンプのサイズ／ピッチを、４０μｍ以下／５０μｍ以下とすることができる。
したがって、微細なバンプのサイズ／ピッチを実現する上で、スパッタ法が、他の手法に比べて有望であることから、高速成膜技術の開発が期待されていた。
【０００７】
ただし、バンプの高さを稼ぐためには、スパッタ法により形成するバンプの高さより、大きな内部空間を有するレジスト構造体を、まずは用意する必要がある。
しかしながら、現実には、図４（ａ）〜（ｃ）に示すような工程により、図５（ａ）や図５（ｂ）の写真に示すようなレジスト形状が限界であった。つまり、レジスト形状の屋根（ヒサシ）と被処理体との距離は、図５（ａ）の場合は０．５μｍ程度、図５（ｂ）の場合でも１．４μｍ程度であり、２μｍ以上の距離とすることは困難であった。
【０００８】
図６は、バンプサイズと各種基板（パッケージ基板、インターポーザー、デバイスチップ）との関係を示す模式的な断面図である。本発明は対象とするマイクロバンプは、パッケージ基板とインターポーザーとの間、あるいは、インターポーザーとデバイスチップとの間、に配置されるものである。従来のはんだボールやはんだバンプに比べて高さは低い（３〜８μｍ）ものの、マイクロバンプには、高さのバラツキにおいて、優れた均一性が求められる。
ゆえに、高さのバラツキが小さいマイクロバンプを形成するためには、バンプの高さより、大きな内部空間を有するレジスト構造体を、再現性よく安定に製造できる方法の開発が期待されていた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開平０８−０１７８３３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明は、このような従来の実情に鑑みて考案されたものであり、マイクロバンプの形成に好適な、バンプの高さより、大きな内部空間を有するレジスト構造体の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の請求項１に記載のレジスト構造体の製造方法は、被処理体の一面上に、第一レジストからなる厚膜Ａと、第二レジストからなる厚膜Ｂとが順に積層されており、前記厚膜Ａの内部に形成された第一空間が、前記厚膜Ｂの内部に形成された第二空間と重なる位置に配され、かつ、前記第一空間と前記第二空間が連通してなる（レジスト）構造体の製造方法であって、前記厚膜Ａの厚さＤＡが前記厚膜Ｂの厚さＤＢより大きく、かつ、前記厚さＤＡと前記厚さＤＢが何れも、ミクロンオーダーとなるように、前記厚膜Ａを形成するステップＳＡと、前記厚膜Ｂを形成するステップＳＢとを順に備え、
前記厚膜Ａを形成するステップＳＡは、前記被処理体上に第一レジスト層をスピン塗布法により成膜する工程Ａ１と、前記工程Ａ１により形成された前記第一レジスト層を焼成する工程Ａ２とを備え、前記工程Ａ１と前記工程Ａ２を繰り返すことにより、前記厚膜Ａを所定の厚さとし、塗布回数が１回目の焼成温度よりも、塗布回数が２回目以降の焼成温度の方が低く、かつ、前記２回目以降の焼成温度は、前記１回目の焼成温度よりも５℃〜１０℃低いことを特徴とする。
本発明の請求項２に記載のレジスト構造体の製造方法は、請求項１において、前記厚膜Ｂを形成するステップＳＢは、前記厚膜Ａ上に第二レジスト層をスピン塗布法により成膜する工程Ｂ１と、前記工程Ｂ１により形成された前記第二レジスト層を焼成する工程Ｂ２とを備え、前記工程Ｂ１と前記工程Ｂ２を繰り返すことにより、前記厚膜Ｂを所定の厚さとし、塗布回数が１回目の焼成温度よりも、塗布回数が２回目以降の焼成温度の方が低く、かつ、前記２回目以降の焼成温度は、前記１回目の焼成温度よりも５℃〜１０℃低いことを特徴とする。
本発明の請求項３に記載のレジスト構造体の製造方法は、請求項１又は２において、前記第一空間と前記第二空間の重なり方向から見て、前記第一空間の占有領域ＳＡが、前記第二空間の占有領域ＳＢより広く、かつ、前記占有領域ＳＡの中に前記占有領域ＳＢが含まれるように、フォトリソ法を用いて前記厚膜Ｂに前記第二空間を形成するステップＳＣと、ウェットエッチング法を用いて前記厚膜Ａに前記第一空間を形成するステップＳＤとを順に備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
本発明では、第一レジストからなる厚膜Ａと、第二レジストからなる厚膜Ｂとを順に積層するために、前記厚膜Ａの厚さＤＡが前記厚膜Ｂの厚さＤＢより大きく、かつ、前記厚さＤＡと前記厚さＤＢが何れも、ミクロンオーダーとなるように、前記厚膜Ａを形成するステップＳＡと、前記厚膜Ｂを形成するステップＳＢとを順に備えている。これにより、その後の工程において、前記厚膜Ｂに開口部を形成することにより、この開口部を通して前記厚膜Ａをエッチングすることが可能となる。その結果、厚膜Ｂの下方に位置する厚膜Ａの内部には、被処理体の一面が露呈したミクロンオーダーの空間を形成することができる。この厚膜Ｂの開口部を通して、ミクロンオーダーの空間に露呈した被処理体の一面上に、スパッタ法などを用いて所望の導電部を形成することにより、ミクロンオーダーの高さを有するはんだバンプを作製することが可能となる。
したがって、本発明は、ミクロンオーダーの高さを有するマイクロバンプの形成に好適な、バンプの高さより、大きな内部空間を有するレジスト構造体の製造方法に寄与する。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明に係るレジスト構造体の製造方法の一例を示す断面図。
【図２】本発明により作製されたレジスト構造体の一例を示す断面ＳＥＭ写真。
【図３】本発明により作製されたレジスト構造体の他の一例を示す断面ＳＥＭ写真。
【図４】従来例に係るレジスト構造体の製造方法の一例を示す断面図。
【図５】従来例において作製されたレジスト構造体の一例を示す断面ＳＥＭ写真。
【図６】バンプサイズの適用例を説明する断面図。
【図７】従来例のレジスト構造体を用いバンプを形成した一例を示す断面ＳＥＭ写真。
【図８】従来例のレジスト構造体を用いバンプを形成した他の一例を示す断面ＳＥＭ写真。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下では、本発明に係るレジスト構造体の製造方法の一実施形態について、図面に基づいて説明する。
【００１５】
図１は、本発明に係るレジスト構造体の製造方法の一例を工程順に示す断面図である。
＜被処理体１０＞
図１（ａ）は、レジスト構造体を形成するために用いる被処理体１０を表わしている。この被処理体１０は、絶縁性の基体１１、第一導電部１２、絶縁部１３、及び、絶縁部１３の内部に配され、前記第一導電部１２と電気的に接する第二導電部１４、を含んで構成されている。第二導電部１４の上面は、第一導電部１２の上面と面一を成しており、第二導電部１４の上面と第一導電部１２の上面は何れも、露呈された状態にある。
【００１６】
＜第一レジストからなる厚膜Ａを形成する工程ＳＡ＞
図１（ｂ）〜図１（ｄ）は、第一レジストからなる厚膜Ａを形成する工程ＳＡを示している。本発明における第一レジストからなる厚膜Ａは、全膜厚を一回に形成するのではなく、多数回に分けて積層形成する手法により積層する。
前記厚膜Ａを形成するステップＳＡは、前記被処理体上に第一レジスト層をスピン塗布法により成膜する工程Ａ１［図１（ｂ）］と、前記工程Ａ１により形成された前記第一レジスト層を焼成する工程Ａ２［図１（ｃ）］とを備え、前記工程Ａ１と前記工程Ａ２を繰り返すことにより、前記厚膜Ａを所定の厚さ［図１（ｄ）］とする。
第一レジストとしては、アルカリ性現像液によって融解され、かつ感光性を持たないレジストが好適に用いられ、例えば、ＳＦ−７シリーズ（日本化薬株式会社製）、ＬＯＲシリーズ（日本化薬株式会社製）などが挙げられる。
【００１７】
図１（ｂ）は、被処理体１０の一面、すなわち、絶縁部１３、及び、第二導電部１４、を被覆するように、第一レジスト層１５ａ（１５α）をスピン塗布法（Ｒ１は被処理体１０の回転を表わす）により成膜する［工程Ａ１］。塗布条件（単位時間あたりの塗布量、回転数Ｒ１など）は、適宜調整すればよい。
次いで、図１（ｃ）に示すように、前記工程Ａ１により形成された第一レジスト層１５ａ（１５α）を、加熱手段Ｈ１を用いて焼成する。これにより、焼成された第一レジスト層１５ａＢ（１５β）が得られる［工程Ａ２］。焼成条件（処理温度、処理時間など）は、適宜調整すればよい。
【００１８】
図１（ｄ）は、工程Ａ１と工程Ａ２を複数回、繰り返すことにより、所定の厚さを有する厚膜Ａを形成した状態を表わしている。図１（ｄ）には、工程Ａ１と工程Ａ２を３回繰り返した構成例［１５ａＢ、１５ｂＢ、１５ｃＢ（１５β）］を表わしているが、本発明は３回に限定されるものではなく、４回以上でも構わない。また、工程Ａ１で成膜する膜の厚さには特に制限はなく、同じ厚さを繰り返しても良いし、異なる厚さとしても構わない。つまり、繰り返し回数や各膜の厚さは、適宜選択される。
ただし、厚膜Ａの全膜厚は、後工程においてミクロンオーダーの空間を形成するために、少なくとも２μｍ以上、１５μｍ以下とすることが好ましい。
【００１９】
＜第二レジストからなる厚膜Ｂを形成する工程ＳＢ＞
図１（ｅ）〜図１（ｇ）は、第二レジストからなる厚膜Ｂを形成する工程ＳＢを示している。本発明における第二レジストからなる厚膜Ｂは、膜厚に応じて、単膜を一度に積層する手法、及び多数回に分けて積層する手法が用いられる。
前記厚膜Ｂを形成するステップＳＢは、前記厚膜Ａ（１５β）上に第二レジスト層をスピン塗布法により成膜する工程Ｂ１［図１（ｅ）］と、前記工程Ｂ１により形成された前記第二レジスト層を焼成する工程Ｂ２［図１（ｆ）］とを備え、前記工程Ｂ１と前記工程Ｂ２を繰り返すことにより、前記厚膜Ｂを所定の厚さ［図１（ｇ）］とする。
【００２０】
第二レジストとしては、フォトリソグラフィ処理によりエッチングされるレジストが好適に用いられ、例えば、ＯＦＰＲシリーズ（東京応化工業株式会社製）、ＫＭＰＲ１０００シリーズ（日本化薬株式会社製）、ＴＺＮＲシリーズ（東京応化工業株式会社製）、ＳＵ−８シリーズ（日本化薬株式会社製）、ＰＭＥＲシリーズ（東京応化工業株式会社製）、ＺＰＮシリーズ（日本ゼオン株式会社製）などが挙げられる。
【００２１】
図１（ｅ）は、厚膜Ａ（１５β）の上面を被覆するように、第二レジスト層１６ａ（１６α）をスピン塗布法（Ｒ２は被処理体１０の回転を表わす）により成膜する［工程Ｂ１］。塗布条件（単位時間あたりの塗布量、回転数Ｒ２など）は、適宜調整すればよい。
次いで、図１（ｆ）に示すように、前記工程Ｂ１により形成された第二レジスト層１６ａ（１６α）を、加熱手段Ｈ２を用いて焼成する。これにより、焼成された第二レジスト層１６ａＢ（１６β）が得られる［工程Ｂ２］。焼成条件（処理温度、処理時間など）は、適宜調整すればよい。
【００２２】
図１（ｇ）は、工程Ｂ１と工程Ｂ２を複数回、繰り返すことにより、所定の厚さを有する厚膜Ｂを形成した状態を表わしている。図１（ｇ）には、工程Ｂ１と工程Ｂ２を２回繰り返した構成例［１６ａＢ、１６ｂＢ（１６β）］を表わしているが、本発明は２回に限定されるものではなく、３回以上でも構わない。また、工程Ｂ１で成膜する膜の厚さには特に制限はなく、同じ厚さを繰り返しても良いし、異なる厚さとしても構わない。つまり、繰り返し回数や各膜の厚さは、適宜選択される。
【００２３】
ただし、厚膜Ｂの全膜厚は、後工程においてミクロンオーダーの空間を形成するために、少なくとも２μｍ以上、１０μｍ以下とすることが好ましい。
後述する、「フォトリソ法を用いて前記厚膜Ｂに第二空間を形成するステップＳＣ」において、第二空間を作製し易い程度の膜厚が、厚膜Ｂの全膜厚には求められる。
【００２４】
＜厚膜Ｂに第二空間を形成するステップＳＣ＞
図１（ｈ）は、フォトリソ法を用いて前記厚膜Ｂ（１６β）に対して、該厚膜Ｂを貫通し、かつ、前記厚膜Ａ（１５β）の上面が露呈するように第二空間１６Ｈを形成する。
フォトリソ法を行う際には、開口部が口径１６ＷのマスクＭ１を用い、この開口部を通して、厚膜Ｂ（１６β）に対して波長ｈν（λ）の光を照射することにより、第二空間１６Ｈが形成される。図１（ｈ）において、符号１６ＨＳは第二空間１６Ｈを規定する、厚膜Ｂ（１６β）の内側面であり、符号１６ＨＢは、第二空間１６Ｈを規定する、厚膜Ａ（１５β）の露呈した上面である。
【００２５】
その場合、次工程で形成される第一空間１５Ｈと前記第二空間１６Ｈの重なり方向から見て、第一空間１５Ｈの占有領域ＳＡが、第二空間１６Ｈの占有領域ＳＢより広く、かつ、前記占有領域ＳＡの中に前記占有領域ＳＢが含まれるように、前記厚膜Ｂ（１６β）に対する前記フォトリソが行われる。これにより、次工程において、前記厚膜Ａ（１５β）に対して第一空間１５Ｈを形成する際のマスクの開口部として機能する、第二空間１６Ｈを形成することができる。
【００２６】
＜厚膜Ａに第一空間を形成するステップＳＤ＞
図１（ｉ）は、ウェットエッチング法を用いて前記厚膜Ａ（１５β）に対して、該厚膜Ａを貫通し、かつ、前記被処理体１０の上面（１３、１４）が露呈するように第一空間１５Ｈを形成する。
【００２７】
ウェットエッチング法を行う際には、薬液の温度などを適宜選択することにより、前記第一空間１５Ｈと前記第二空間１６Ｈの重なり方向から見て、前記第一空間１５Ｈの占有領域ＳＡが、前記第二空間１６Ｈの占有領域ＳＢより広くなるように、前記第一空間１５Ｈを形成する。図１（ｉ）において、符号１５ＨＳは、第一空間１５Ｈを規定する、厚膜Ａ（１５β）の内側面である。符号１５ＨＢは、第一空間１５Ｈを規定する、被処理体１０（絶縁部１３、第二導電部１４）の露呈した上面である。符号１５ＨＴは、前記第一空間１５Ｈと前記第二空間１６Ｈの重なり方向から見て、屋根状に延びる部位である。
【００２８】
ステップＳＤにおいては、第一空間１５Ｈの底面１５ＨＢに、被処理体１０の上面（絶縁部１３、第二導電部１４）が露呈するように、前記第一空間１５Ｈを形成することが重要である。これにより、後の工程において、スパッタ法を用いて形成される、はんだバンプが確実に、第二導電部１４と電気的に接続された構成とすることができる。
【００２９】
また、図１（ｉ）に示した、各層を断面視する方向において、「（第二導電部１４の幅）＜（第二空間１６Ｈの開口径１６Ｗ）＜（第一空間１５Ｈの開口径１５Ｗ）」という関係式を満たすように、屋根状に延びる部位１５ＨＴの寸法を調整することも重要である。これにより、後の工程において、スパッタ法を用い、はんだバンプを形成した場合、前記はんだバンプが第二導電部１４を覆うとともに、はんだバンプの大きさ（直径、高さ）を制御して設けることが可能となる。
【００３０】
＜レジスト構造体＞
図２および図３は何れも、本発明により作製されたレジスト構造体を示す断面ＳＥＭ写真である。
図２は、厚膜Ａに形成した第一空間１５Ｈの幅（内径）が３０μｍ、厚膜Ｂに形成した第二空間１６Ｈの幅（内径）が２０μｍとした、レジスト構造体であり、厚膜Ａと厚膜Ｂの合計膜厚は１２μｍである。
図２のレジスト構造体は、厚膜Ｂの開口部の径と比較して、厚膜Ａの径が大きいという特徴がある。
【００３１】
図３は、厚膜Ａに形成した第一空間１５Ｈの幅（内径）が６０μｍ、厚膜Ｂに形成した第二空間１６Ｈの幅（内径）が５０μｍとした、レジスト構造体であり、厚膜Ａと厚膜Ｂの合計膜厚は１２μｍである。
図３のレジスト構造体は、図２と同様に、厚膜Ｂの開口部の径と比較して、厚膜Ａの径が大きい。ただし、いずれの開口部の径も、図２に比べて２倍以上のサイズを有するという特徴がある。
図２に示すレジスト構造体は、以下に詳述する製造条件により、安定して作製することができる。図３についても、同様の製造条件により作成可能である。
【００３２】
以下では、第一レジスト層を形成する塗布回数（２回、３回）と、塗布回数が２回目以降の焼成温度（１６０、１７０、１７５、１８０［℃］）とを変更して、図２に示すレジスト構造体を作製した各実験例について説明する。その際、塗布回数が１回目の焼成温度は１８０℃（Ｔ１）で固定した。以下の説明では、ｎ回目の焼成温度をＴｎと呼称する。
【００３３】
（実験例１−４）
第一レジスト層１５ａＢとして、ＬＯＲをスピン塗布法により４μｍ成膜し、焼成温度１８０℃（Ｔ１）で焼成した。次いで、第一レジスト層１５ｂＢとして、ＬＯＲをスピン塗布法により４μｍ成膜し、焼成温度Ｔ２で焼成した。
焼成温度Ｔ２を１６０、１７０、１７５、１８０［℃］に設定した場合が順に、実験例１、実験例２、実験例３、実験例４である。各実験例において形成された第一レジスト層１５βは順に、試料Ｓ１、試料Ｓ２、試料Ｓ３、試料Ｓ４、と呼ぶ。
【００３４】
（実験例５−８）
第一レジスト層１５ａＢとして、ＬＯＲをスピン塗布法により４μｍ成膜し、焼成温度１８０℃（Ｔ１）で焼成した。次いで、第一レジスト層１５ｂＢとして、ＬＯＲをスピン塗布法により４μｍ成膜し、焼成温度Ｔ２で焼成した。さらに、第一レジスト層１５ｃＢとして、ＬＯＲをスピン塗布法により４μｍ成膜し、焼成温度Ｔ３で焼成した。ただし、焼成温度はＴ２＝Ｔ３とした。
焼成温度Ｔ２を１６０、１７０、１７５、１８０［℃］に設定した場合が順に、実験例５、実験例６、実験例７、実験例８である。各実験例において形成された第一レジスト層１５βは順に、試料Ｓ５、試料Ｓ６、試料Ｓ７、試料Ｓ８、と呼ぶ。
【００３５】
（実験例９）
第一レジスト層１５ａＢとして、ＬＯＲをスピン塗布法により８μｍ成膜し、１８０℃で焼成した。得られた第一レジスト層１５βは、試料Ｓ９と呼ぶ。
【００３６】
表１は、上述した各実験例の評価結果である。表１において、○印は「良好」、×印は「揮発不足」、△印は「ひび割れ」、−印は「該当データなし」を表わす。
【００３７】
【表１】
0006448027.tif 000002
【００３８】
表１の結果から、以下の点が明らかとなった。
（Ａ１）塗布回数を１回として厚膜を形成した場合（Ｓ９）には、ひび割れ等が発生し、所望の高さは備えているが、レジストとして不適当な形状となる。
【００３９】
（Ａ２）塗布回数２を２回として厚膜を形成した場合（Ｓ１−Ｓ４）には、２回目以降の焼成温度を特定の範囲（１７０−１７５［℃］）に設定した場合（Ｓ２、Ｓ３）、レジストとして好適な所望の高さと形状が得られる。この特定の範囲を外れた場合（Ｓ１、Ｓ４）には、揮発不足（溶媒除去不足）となり、高さも形状も不適当になったり、あるいは、上記Ｓ９と同様に、ひび割れ等が発生する等の不具合が生じた。
【００４０】
（Ａ３）塗布回数２を３回として厚膜を形成した場合（Ｓ５−Ｓ８）も、上記（Ａ２）と同様の結果であった。すなわち、２回目以降の焼成温度を特定の範囲（１７０−１７５［℃］）に設定した場合（Ｓ６、Ｓ７）、レジストとして好適な所望の高さと形状が得られる。この特定の範囲を外れた場合（Ｓ５、Ｓ８）には、揮発不足（溶媒除去不足）となり、高さも形状も不適当になったり、あるいは、上記Ｓ９と同様に、ひび割れ等が発生する等の不具合が生じた。
【００４１】
上述した各実験例により、本発明に係るレジスト構造体の製造方法によれば、ミクロンオーダーの厚膜Ａを形成できることが確認された。
【００４２】
＜従来例＞
図４は、従来のレジスト構造体を用い、スパッタ法によりバンプを製造する方法の一例を示す断面図である。図４（ａ）において、１１０は被処理体、１１１は絶縁性の基体、１１２は第一導電部、１１３は絶縁部、１１４は第二導電部、１１５はレジストからなる被膜、１１５Ｈが被膜１１５に設けれらた開口部である。１００Ａ（１００）は、被処理体１１０の上にレジストからなる被膜１１１を設けた試料である。
【００４３】
図４（ｂ）は、前記開口部１１５Ｈを通過したスパッタ粒子を、第二導電部１１４を含み絶縁部１１３の特定領域を覆うように堆積させることによって、所望の被着体（Adherend）１２０Ａ（１２０）を形成してなる試料１００Ｂ（１００）である。その際、開口部１１５Ｈを除いた被膜１１５上にも、被着体１２０Ｂ（１２０）は形成される。
従来は、レジストからなる被膜１１５の膜厚が薄いため、被着体１２０Ａの上端部が、被着体１２０Ｂの開口部に被る下端部と近接する傾向にあった。このため、被着体１２０Ａの膜厚をミクロンオーダーの高さとすることは困難であった。
【００４４】
図４（ｃ）は、前記レジストからなる被膜１１５を除去し、被処理体１１０の一面上に被着体１２０Ａ（１２０）を残すために、被膜１１５と被着体１２０Ｂ（１２０）を全て取り除くことが可能な、所望のエッチング液に試料１００Ｂ（１００）を浸漬する。
これにより、被処理体１１０の一面上に被着体１２０Ａ（２０）が残された試料１００Ｃ（１００）を得る。
【００４５】
図５は、従来例において作製されたレジスト構造体の一例を示す断面ＳＥＭ写真であり、図５（ａ）は、従来のリフトオフプロセスで使用される通常粘度のレジストを用いた場合、図５（ｂ）は、粘度の高いレジストを用い、１層目の膜厚を大きくして、高さを増大させた場合、を各々示している。
【００４６】
図５より、以下の点が明らかとなった。
（５ａ）これまでのリフトオフプロセスのレジスト形成においては、図５（ａ）に示すような厚さ（０．５μｍ程度）しか達成することが難しかった。すなわち、厚い膜をリフトオフすることは困難であった。
（５ｂ）粘度の高いレジストを用いても、図５（ｂ）に示すような厚さ（１．４μｍ程度）しか達成することが難しかった。つまり、２μｍを超えるような、高さがミクロンオーダーのはんだバンプを作製するには不十分な厚さのレジスト構造しか得られなかった。
【００４７】
図７は、従来例のレジスト構造体を用いバンプを形成した一例を示す断面ＳＥＭ写真であり、図８は、従来例のレジスト構造体を用いバンプを形成した他の一例を示す断面ＳＥＭ写真である。
図７は、厚さが０．２μｍのはんだバンプを、スパッタリング法により形成した場合、図８は、厚さが３μｍのはんだバンプを、スパッタリング法により形成した場合、を各々示している。
【００４８】
図７より、以下の点が明らかとなった。
（７ａ）レジスト構造体のリフトオフには問題ないものの、はんだバンプの量が十分でなく、実装工程に不具合が生じた。                                                  
【００４９】
図８より、以下の点が明らかとなった。
（８ａ）第二レジストの屋根状の部分と、はんだバンプの部分（特に上端部）とが、固着しており、レジスト構造体のリフトオフが適切に行われない不具合が生じた。
【００５０】
以上の結果より、本発明は、ミクロンオーダーの高さを有するマイクロバンプの形成に好適な、バンプの高さより、大きな内部空間を有するレジスト構造体の製造方法として、極めて有望であることが確認された。
したがって、本発明のレジスト構造体の製造方法は、ミクロンオーダーの高さを有するマイクロバンプの量産に寄与する。
【００５１】
以上、本発明のレジスト構造体の製造方法について説明してきたが、本発明はこれに限定されるものではなく、発明の趣旨を逸脱しない範囲で、適宜変更が可能である。
【産業上の利用可能性】
【００５２】
本発明は、レジスト構造体の製造方法に広く適用可能である。
【符号の説明】
【００５３】
１  試料、１０  被処理体、１１  基体、１２  第一導電部、１３  絶縁部、１４  第二導電部、１５β  厚膜Ａ、１５Ｈ  第一空間、１６β  厚膜Ｂ、１６Ｈ  第二空間。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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