(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１および第２の電極を備えた基板上の有機太陽電池セルであって、
前記第１の電極は、前記基板上に配設されており、前記第２の電極は対向電極を形成し、
前記第１の電極と前記第２の電極との間に、少なくとも１つの光活性な層系が配設されており、当該層系は、有機材料を含む少なくとも１つのドナー−アクセプター系を備え、
前記対向電極（１）は、少なくとも１つの第１の層（２）と、当該第１の層（２）と前記有機太陽電池セルの前記光活性な層系との間に配設されている１つの第１の中間層（３）と、当該第１の層（２）上に配設されている１つの第２の層（４）とを備え、前記第１の中間層（３）と前記対向電極の前記第１の層（２）との間に、金属または金属酸化物からなる第２の中間層（６）が挿入されており、当該第２の中間層（６）は、０．０５〜３０ｎｍの層厚を有し、当該第１の層（２）は、銀、または銀を含む合金を含み、当該第１の中間層（３）はＣａ，Ｍｇ，またはＭｏＯxを含み、当該第２の層（４）は、１０〜１００ｎｍの層厚および２より大きい屈折率を有し、
前記対向電極（１）と前記光活性な層系の間には、１つの、ドーピングされた輸送層，部分的にドーピングされた輸送層，またはドーピングされていない輸送層が配設されている、
ことを特徴とする有機太陽電池セル。
【請求項２】
前記第１の層（２）は、ＡｇおよびＣａから成る合金、またはＡｇおよびＭｇから成る合金を含むことを特徴とする、請求項１に記載の有機太陽電池セル。
【請求項３】
前記第１の層（２）は、ＡｇおよびＣａから成る合金、またはＡｇおよびＭｇから成る合金を含み、ＡｇまたはＣａまたはＭｇの割合は、少なくとも３０％であることを特徴とする、請求項１または２に記載の有機太陽電池セル。
【請求項４】
前記対向電極の前記第１の中間層（３）は、０．１〜１００ｎｍの層厚の熱蒸着層を有することを特徴とする、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の有機太陽電池セル。
【請求項５】
前記対向電極（１）の前記第１の層（２）は、３〜２０ｎｍの層厚を有することを特徴とする、請求項１乃至４のいずれか１項に記載の有機太陽電池セル。
【請求項６】
前記対向電極（１）の前記第１の層（２）は、５〜１０ｎｍの層厚を有することを特徴とする、請求項１乃至５のいずれか１項に記載の有機太陽電池セル。
【請求項７】
前記第２の層（４）は、アルカリ金属またはアルカリ土類金属，金属酸化物または有機材料を含むことを特徴とする、請求項１乃至６のいずれか１項に記載の有機太陽電池セル。
【請求項８】
前記第２の層（４）は、窒化物，セレン化物，硫化物，酸化物，テルル化物，またはポリマーを含むことを特徴とする、請求項１乃至７のいずれか１項に記載の有機太陽電池セル。
【請求項９】
前記第２の層（４）は、２．２より大きい屈折率を有することを特徴とする、請求項１乃至８のいずれか１項に記載の有機太陽電池セル。
【請求項１０】
前記第２の層（４）上に、酸化物を含みかつ層厚が１００ｎｍより大きい保護層（５）が配設されていることを特徴とする、請求項１乃至９のいずれか１項に記載の有機太陽電池セル。
【請求項１１】
前記対向電極（１）の前記第１の層（２）と前記第２の層（４）との間には、金属または金属酸化物から成るもう１つの中間層（７）が挿入されていることを特徴とする、請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の有機太陽電池セル。
【請求項１２】
前記基板は不透明または透明に実装されていることを特徴とする、請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の有機太陽電池セル。
【請求項１３】
前記基板は可撓に実装されていることを特徴とする、請求項１乃至１２のいずれか１項に記載の有機太陽電池セル。
【請求項１４】
前記有機太陽電池セルは、ｐｉｎシングルセル，ｐｉｎタンデムセル，ｐｉｎ多層セル，ｎｉｐシングルセル，ｎｉｐタンデムセル，またはｎｉｐ多層セルであることを特徴とする、請求項１乃至１３のいずれか１項に記載の有機太陽電池セル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は光電子デバイス用透明電極に関する。
【背景技術】
【０００２】
太陽電池セルまたはＬＥＤ，ＴＦＴ等の光電子デバイスは、今日では日常の多様なアプリケーションおよび産業分野で用いられている。ここでとりわけ有益なことは、その構造により、これらのデバイスが曲面あるいは凸面上への配設が可能となることである。
【０００３】
こうして、たとえば、フレキシブルな構造を備え、かつこれにより曲面上への配設が可能な薄膜太陽電池セルが知られている。ここでこのような太陽電池セルは、好ましくはアモルファスシリコン（α−Ｓｉ）またはＣＩＧＳ（Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）（Ｓ，Ｓｅ）2）から成る活性層を備える。
【０００４】
とりわけこれらの薄膜太陽電池セルの欠点は、材料によって決まる高い製造コストである。
【０００５】
バックライトが不要なおかげで極めて薄く、かつこのためフレキシブルでもある構造の有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ'ｓ）もまた知られている。
【０００６】
さらに、フレキシブルな構造となっている、有機活性層（複数）を有する太陽電池セル（コナルカ社のパワープラスチック製品群）も知られている。これらの有機活性層は、ポリマー（たとえば特許文献１参照）または小分子（たとえば特許文献２参照）から形成することができる。ポリマーは、これらが蒸着不可能であり、したがって溶液によってのみ塗布可能であるのに対して、小分子は蒸着可能である。
【０００７】
従来の非有機ベース（シリコン，ガリ砒素等の半導体）のデバイスに対する、このような有機ベースのデバイスの利点の１つは、極めて高い光吸収係数（２×１０5ｃｍ-1に達する）であり、したがって僅かな材料とエネルギーの使用で極めて薄い太陽電池セルの製造を可能とすることである。更なる技術的特徴は、低価格であること、プラスチック薄膜でフレキシブルな大面積のデバイスが製造できること、そしてほぼ制限の無い変形実施の可能性と制限の無い有機化学の適用性である。
【０００８】
太陽電池セルは光エネルギーを電気エネルギーに変換する。光活性であるということは、ここでは、光エネルギーを電気エネルギーに変換することも意味するものである。
非有機太陽電池セルとは対照的に、有機太陽電池セルの場合は、光によって直接電荷キャリアが生成されるのではなく、まずエキシトン、すなわち電気的に中性な励起状態（束縛された電子−正孔対）が形成される。漸く第２のステップにおいて、これらのエキシトンは、自由電荷キャリアに分離され、これらはこうして電流フローに寄与する。
【０００９】
既に文献で提示されている、有機太陽電池セルの１つの実現可能性は、以下のような層構造を有するｐｉｎダイオードに見いだされている（非特許文献１）。
０．  担体，基板
１．  基板側接続部（Grundkontakt）、通常透明
２．  ｐ層（複数でもよい）
３．  ｉ層（複数でもよい）
４．  ｎ層（複数でもよい）
５．  上側接続部（Deckkontakt）
【００１０】
ここでｎあるいはｐは、ｎドーピングあるいはｐドーピングを表し、これらは熱的平衡状態にある自由電子あるいは正孔の密度の増大をもたらす。しかしながら、これらのｎ層（複数）あるいはｐ層（複数）が、少なくとも部分的に仕様通りにはドーピングされておらず、材料特性（たとえば異なる移動度）のみによって、未知の不純物（たとえば合成や、層生成の際の分解生成物あるいは反応生成物）によって、または周囲環境（たとえば接している層，金属または他の有機材料の拡散，周辺雰囲気からのガスドーピング）によって、主にｎが支配的あるいはｐが支配的な特性を備えることも可能である。この観点からこのような層は、第１に輸送層であると理解される。ｉ層なる名称は、これに対し、名目上ドーピングされていない層（真性層）を表す。ここで１つ以上のｉ層は、１つの材料から成っていても、また２つの材料の混合物（いわゆる相互貫入ネットワークあるいはバルクヘテロ接合；非特許文献２）から成っていてもよい。透明基板接続部を通って入射する光は、このｉ層あるいはｎ−／ｐ−層においてエキシトン（束縛された電子−正孔対）を生成する。これらのエキシトンは、非常に大きな電場または適合した界面によって分離することができる。有機太陽電池セルにおいては、十分に大きな電場が得られないので、全ての有機太陽電池セルの実現に結びつくアイデアは、光活性な界面でのエキシトンの分離に関係している。これらのエキシトンは拡散によってこのような活性界面に到達し、ここで電子および正孔は互いに分離される。この際電子を取り込む材料は、アクセプターと呼ばれ、正孔を取り込む材料は、ドナーと呼ばれる。上記の分離界面は、上記のｐ（ｎ）層と上記のｉ層との間、あるいは２つのｉ層の間にあってよい。組み込まれた太陽電池セルの電場においては、電子はここでｎ領域に送り出され、正孔はｐ領域に送り出される。好ましくはこれらの輸送層は、たとえば特許文献３に記載されているような、ワイドギャップを有する透明またはほぼ透明な材料である。ワイドギャップ材料としては、ここでは吸収ピークが４５０ｎｍ未満の波長領域にあり、好ましくは４００ｎｍ未満である。
【００１１】
光によって常にまずエキシトンが生成されるが、まだ自由電荷キャリヤはまったく生成されていないので、上記の活性界面への、再結合の少ないエキシトンの拡散は有機太陽電池セルで非常に重要な役割を持っている。以上より、光電流に寄与するようにするためには、良好な有機太陽電池セルにおいては、エキシトンの拡散長は、典型的な光の浸透深さを大幅に上回らなければならず、これによって光の大部分が利用できるようになる。構造的に、かつ化学的な純粋さに関して、完全な有機結晶または薄層は、全くこの基準を満たすものである。大面積での応用に対しては、とりわけ単結晶有機材料の使用は不可能であり、十分に構造的な完全性を有する多層の生成は、いままで極めて困難であった。
【００１２】
このｉ層が混合層である場合、光吸収の役割はこれらの成分の１つまたは両方の成分が担うことになる。混合層の利点は、生成されたエキシトン(複数）が、これらが分離されるドメイン境界に到達するまでの極めて短い距離のみを移動すればよいということである。電子あるいは正孔の輸送は、それぞれの材料で分離されて行われる。この混合層においては、これらの材料が到る所で互いに接触しているので、このアイデアで重要なことは、分離された電荷がそれぞれの材料において長い寿命を有し、それぞれの場所から２種の電荷キャリア用の専用の透過通路（Perkolationspfade）がそれぞれの接合部に向かって存在しているということである。
【００１３】
特許文献４には、有機材料のドーピングが開示されている。アクセプター類あるいはドナー類のドーピング物質の添加によって、層における平衡電荷キャリア濃度が高くなり、導電性が増大する。特許文献４によれば、ドーピングされた層は、エレクトロルミネッセンスデバイスにおける接合部の材料との界面への注入層として用いられる。同様なドーピングの使用は、太陽電池セルに対しても同様に有効である。
【００１４】
文献によれば、光活性なｉ層の様々な実現可能性が知られている。このような可能性として、１つの二重層を用いるもの（特許文献５）または混合層を用いるもの（非特許文献３）がある。二重層および混合層の組み合わせも知られている（非特許文献３および特許文献６）。また、この混合層の様々な領域における混合比率が異なっていること（特許文献７）、すなわちこの混合比率に勾配があることが知られている。
【００１５】
さらにタンデム型太陽電池セルすなわち多層太陽電池セルが文献で公知となっている（非特許文献４および特許文献８）。
【００１６】
従前より文献から有機タンデム型太陽電池セルが知られている（平本、非特許文献３）。この平本のタンデム型太陽電池セルには、２ｎｍ厚の金の層が２つのユニットセルの間に存在している。この金層の役割は、これら２つのユニットセル間の良好な電気的接続を行うことである。この金層は、１つの部分セルからの正孔が、他の部分セルからの電子と効率良く再結合するように作用し、これら２つの部分セルが電気的に直列に回路接続されるように作用する。さらにこの金層は、他のあらゆる薄い金属層（たとえば金属クラスター）と同様に、入射光の一部を吸収する。この吸収は、平本のタンデム型太陽電池セルにおける損失機構である。これはこの吸収によって、このタンデム型太陽電池セルの２つのユニットセルにおける光活性層（Ｈ２Ｐｃ（金属フリーのフタロシアニン）／Ｍｅ−ＰＴＣ（Ｎ，Ｎ"−ジメチルペリレン−３，４，９，１０−ビス（ジカルボオキシミド））により少ない光が供給されるからである。この金層の役割は、このタンデム構造においては、したがって純粋に電気的な側面に関するものである。このアイデアにおいては、この金層はできるかぎり薄くなければならず、すなわち理想的には完全に取り除かれなければならない。
【００１７】
さらに文献から、有機ｐｉｎタンデム型太陽電池セル（特許文献８）が知られている。このようなタンデム型太陽電池セルの構造は、２つのｐｉｎ型ユニットセル（複数）から成っており、ここでこのｐｉｎ型層配列は、１つのｐドーピングされた層系（Schichtsystem），１つのドーピングされていない光活性の層系，および１つのｎドーピングされた層系を表している。これらのドーピングされた層系は、好ましくは透明な材料、いわゆるワイドギャップ材料／層から成り、ここではこれらは、部分的にドーピングされていても、または全くドーピングされていなくともよく、または部位に依存して様々なドーピング濃度を有してもよく、あるいはこのドーピング濃度に連続的な傾きがあってもよい。また特別に極めて僅かにドーピングされた、あるいは高濃度にドーピングされた領域が、電極の境界領域，別の１つのドーピングされた輸送層またはドーピングされていない輸送層との境界領域，活性層（複数）との境界領域，またはタンデム型セルすなわち多層型セルでは隣接するｐｉｎ型部分セルあるいはｎｉｐ型部分セルの境界領域に、すなわち再結合の領域にあってよい。全てのこれらの特徴を任意に組み合わせてもよい。当然ながらこのようなタンデム型セルは、いわゆる反転構造（たとえばｎｉｐタンデム型セル）であってよい。以下ではこれら全ての可能なタンデム型セルの実施形態をｐｉｎタンデムセルと総称する。このようなｐｉｎタンデムセルの利点は、ドーピングされた輸送層を用いることによって、極めて簡単にかつ同時に極めて効率的な、上記の２つの部分セル間の再結合ゾーン実現可能性があり得るということである。
このタンデムセルは、たとえばｐｉｎｐｉｎ構造（またはたとえばｎｉｐｎｉｐであってもよい）を備える。上記の２つのｐｉｎ部分セルの間の界面には、それぞれに１つのｎドーピングされた層と１つのｐドーピングされた層が存在し、これらはｐｎ系（あるいはｎｐ系）を形成している。このようなｐｎ系においては、電子と正孔との極めて効率的な再結合が起こる。２つのｐｉｎユニットセルの積層は、これによって、さらなる層を必要とせずに、そのまま１つの完全なｐｉｎタンデムセルを形成する。ここで、平本の場合のように、効率的な再結合を確実にするための、薄い金属層がもはや必要でないということは、とりわけ有利である。これによってこのような薄い金属層の吸収損失を完全に避けることができる。
【００１８】
従来文献に記載されているトップコンタクトは、高い透明性を有する光電子デバイスの実現のためには不十分であり、反射が大きすぎるものであった。さらに不透明な基板上に透明なトップコンタクトを実現することへの大きな要求があった。
【００１９】
有機デバイス上の透明トップコンタクトの実現のために、文献により、中間層を有する熱的に蒸着された薄い金属層、およびスパッタリングされたＩＴＯ層が知られている。
【００２０】
バイリー−ザルツマン等は、彼らの２００６年の論文（非特許文献５）で、半透明な有機太陽電池セルの実現のために薄いＡｇ層（２５ｎｍ）を用いることを開示している。
【００２１】
マイス等は、彼らの２００９年の論文（非特許文献６）で、透明な有機太陽電池セルの実現のために薄いＡｇ層（１４ｎｍ）を用いることを開示している。
さらに加えてこの論文には、このＡｇ層の下に、このＡｇ層の平坦化のために薄いＡｌの中間層を用いることを開示している。またここには、トップコンタクトの透明性を高めるために、この薄いＡｇ層上に有機層を用いることが示されている。
【００２２】
マイス等は、彼らの２０１１年の論文（非特許文献７）で、上記で説明した薄いＡｌ中間層の代替として、薄いＣａ層を用いることを提示している。
【００２３】
この文献には、透明トップコンタクトを有する有機デバイスを、不透明ボトムコンタクト上に実現することも開示されている。ホフマン等は、彼らの２０１２年の論文（非特許文献８）で、トップコンタクトの透明度を高めるための、ドーピングされた輸送層と、１つの薄いＡｇ金属層（１３ｎｍ）と、このＡｇ層上に１つの有機層とを用いた、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を提示している。
【００２４】
従来の解決方法は、不透明な基板では、大きな寄生吸収と反射損失をもたらし、これによってＩＴＯの基板側接続部のような透明基板に対して効率の低下を招いていた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００２５】
【特許文献１】米国特許第７８２５３２６号明細書
【特許文献２】欧州特許公開公報第２３８５５５６Ａ１号明細書
【特許文献３】国際公開公報ＷＯ２００４０８３９５８号
【特許文献４】米国特許第５０９３６９８号明細書
【特許文献５】欧州特許公開公報第００００８２９Ａ１号明細書
【特許文献６】米国特許第６５５９３７５号明細書
【特許文献７】米国特許公開公報第２００５０１１０００５Ａ１号明細書
【特許文献８】独国特許公開公報第１０２００４０１４０４６Ａ１号明細書
【非特許文献】
【００２６】
【非特許文献１】Martin Pfeiffer, ？Controlled doping of organic vacuum deposited dye layers: basics and applications", PhD thesis TU-Dresden, 1999.
【非特許文献２】M. Hiramoto et al. Mol.  Cryst.  Liq.  Cryst., 2006, 444, pp. 33？40
【非特許文献３】Hiramoto, Appl. Phys.Lett.58, 1062 (1991)
【非特許文献４】Hiramoto, Chem. Lett.,1990, 327 (1990)
【非特許文献５】APPLIED PHYSICS LETTERS 88, 233502, 2006
【非特許文献６】APPLIED PHYSICS LETTERS 95, 213306, 2009
【非特許文献７】APPLIED PHYSICS LETTERS 99, 193307, 2011
【非特許文献８】APPLIED PHYSICS LETTERS 97, 253308, 2010
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００２７】
そこで本発明の課題は、上記の従来技術の欠点を克服することであり、光電子デバイス用の透明トップコンタクトを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００２８】
この課題は請求項１に記載のデバイスによって解決される。有利な実施例が、従属項に示されている。
【００２９】
本発明によれば、第１および第２の電極を備えた光電子デバイスが基板上に配設され、第１の電極はこの基板上に配設されており、第２の電極は対向電極を形成しており、これらの電極間には少なくとも１つの光活性な層系が配設されており、この層系は有機材料を有する少なくとも１つのドナー−アクセプター系を備え、この対向電極は、金属または合金を含む少なくとも１つの第１の層を備える。さらにこの対向電極は、アルカリ金属またはアルカリ土類金属，金属酸化物を含み、このデバイスの上記の第１の層と光活性な層系との間に第１の中間層が配設されている。さらにこの対向電極は、上記の第１の層上に配設された、１０〜１００ｎｍの層厚の第２の層を備える。
【００３０】
１つの実施形態においては、この第１の層の金属は、Ａｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ａｌ、Ｚｒ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｓｎ，Ｓｒ，Ｌａ，Ｉｎ，Ｓｃ，Ｈｆから成るグループから選択される。
【００３１】
本発明のもう１つの実施形態においては、この第１の層は、アルカリ金属またはアルカリ土類金属，金属酸化物を含む。
【００３２】
本発明の１つの実施形態においては、この第１の層はＡｇを含む。
【００３３】
本発明の１つの実施形態においては、この第１の層は、ＡｇおよびＣａ、またはＡｇおよびＭｇから成る１つの合金を含む。
【００３４】
本発明の１つの実施形態においては、この層は、ＡｇおよびＣａ、またはＡｇおよびＭｇから成る１つの合金を含み、ここでＡｇまたはＣａまたはＭｇの割合は少なくとも３０％である。
【００３５】
もう１つの実施形態においては、この第１の中間層は、０．０５〜３０ｎｍの層厚を有する。
【００３６】
１つの実施形態においては、この第１の中間層は、ＣａまたはＭｏＯｘを含む。
【００３７】
もう１つの実施形態においては、この第１の中間層は、ハロゲン化アルカリ金属またはハロゲン化アルカリ土類金属を含む。
【００３８】
本発明のもう１つの実施形態においては、上記の第２の層は、アルカリ金属またはアルカリ土類金属，金属酸化物または有機材料を含む。
【００３９】
本発明のもう１つの実施形態においては、上記の第２の層上に、金属酸化物を含み、層厚が１００ｎｍより大きい１つの保護層が設けられる。この保護層は、ここではたとえばスクラッチ保護（Kratzschutz）として用いられる。
【００４０】
本発明のもう１つの実施形態においては、基板は不透明または透明に実装されている。
【００４１】
不透明とは本発明では透明でないことを意味する。
【００４２】
本発明のもう１つの実施形態においては、基板は可撓に実装されている。
【００４３】
可撓性の基板とは、本発明では、外部の力の作用によって変形可能であることが保証された基板である。こうしてこのような可撓性基板は、曲がった表面上に配設することに適している。可撓性基板は、たとえば薄膜（Folien）または金属板（Metallbander）である。
【００４４】
本発明のもう１つの実施形態においては、基板は可撓に実装されている。
【００４５】
本発明のもう１つの実施形態においては、基板に配設されている電極は、不透明または透明に実装されている。
【００４６】
本発明のもう１つの実施形態においては、基板上に配設された電極は、金属，金属酸化物，金属格子，金属−金属酸化物の層系，金属粒子，金属ナノワイヤ，グラーフェン，有機半導体を含む。
【００４７】
本発明の第１の実施形態においては、上記の対向電極の第１の中間層は、０．１〜１００ｎｍの層厚を備え、熱的蒸着によって堆積されている。これは、金属層または酸化金属層が、有機層または有機材料を含む層上に堆積されなければならない場合は、特に有利である。
【００４８】
熱的蒸着とは、本発明では、蒸着装置で蒸着する材料を加熱することを意味し、この際この材料は加熱されることによって蒸発されて、材料蒸気が生成され、この材料蒸気が、この蒸着装置で空間的に近く配設された基板に層として堆積される。
【００４９】
もう１つの実施形態においては、上記の第１の層は、０．５〜３０ｎｍの層厚を有する。
【００５０】
本発明の１つの実施形態においては、この第１の層は熱的蒸着によって堆積されており、０．５〜２０ｎｍの層厚を有する。
【００５１】
もう１つの実施形態においては、上記の第１の中間層は、ＭｏＯ，ＭｏＯ２およびＭｏＯ３のグループから選択された酸化モリブデンを含む。
【００５２】
本発明のもう１つの実施形態においては、上記の対向電極の第１の層は、３〜２０ｎｍの層厚を有し、好ましくは５〜１０ｎｍの層厚を有し、熱的蒸着によって堆積されていない。熱的蒸着の代替の堆積方法は、次のような堆積技術であってよい。たとえば電子ビーム蒸着（Elektronenstrahlverdampfen、英語：electron beam evaporation），レーザービーム蒸着（Laserstrahlverdampfen、英語：pulsed laser deposition, pulsed laser ablation），アーク蒸着（Lichtbogenverdampfen、英語：arc evaporation, Arc-PVD）, 分子ビームエピタキシー（Molekularstrahlepitaxie），スパッタリング（Sputtern、Sputterdeposition, Kathodenzerstaubung），イオンビームアシスト堆積（Ionenstrahlgestutzte Deposition、英語：ion beam assisted deposition, IBAD），イオンプレーティング（Ionenplattieren），ＩＣＢ技術（ICB-Technik、英語：ionized cluster beam deposition, ICBD）であってよい。
【００５３】
これらの代替の堆積方法による、上記の第１の層の堆積は、熱的蒸着と比較して、共通に多くの利点を備えている。
１）熱的蒸着に対して、これらの代替の堆積方法を用いて、より平坦な層を生成することができ、極めて薄い層において、基板の平面に既に高い導電性を有する閉じた層を実現することができる。僅かな層厚のおかげで、この層の高い透過性が達成され、同時に（この平面における）充分な導電性が達成される。２）熱的蒸着に対して、上記の堆積方法を用いて、基板上の層厚の高度な均一性をもたらすことができる。これは薄いトップコンタクト層の場合は特に重要である。これは上記の第２の層の層厚における変化がデバイスの性能に直接影響を与え、このデバイスの光学的効果の目に見える変化をもたらすからであり、これは一般的に好ましいものでない。３）これらの代替の堆積方法を用いることによって、熱的蒸着に対して、さらに多数の様々な材料を、（たとえば反応性スパッタリングの）プロセスパラメータを大きく変化させて用いることができる。
【００５４】
本発明のもう１つの実施形態においては、上記の第２の層は、１０〜１００ｎｍの層厚を備え、熱的蒸着または代替の堆積方法にによって堆積されている。この第２の層は、主にトップコンタクトの反射防止膜として機能し、この太陽電池セルに利用可能な波長領域で、この第２の層に続く媒体より高い屈折率を有していなければならない。
【００５５】
本発明のもう１つの実施形態においては、上記の第２の層は、２より大きい屈折率を備え、好ましくは２．２より大きな屈折率を備える。これは、これに続く接着剤層に対して、この太陽電池セルにおいて利用可能な波長領域で大きな屈折率を確保するためにとりわけ有利である。２より大きな屈折率を有する化合物の例は、セレン化物，硫化物，テルル化物，窒化物，ポリマー，等であり、たとえばＺｎＳ，ＺｎＳｅ，ＺｎＴｅ等である。
【００５６】
本発明のもう１つの実施形態においては、上記の第２の層上に、金属酸化物を含む、層厚が１００ｎｍより大きい１つの保護層が設けられる。この保護層は、デバイスを機械的に保護し、特に水および酸素の接触に対する保護を可能とし、および／またはこの有機デバイスの活性面の保護強化を実現する。
【００５７】
本発明のもう１つの実施形態においては、上記の対向電極の第１の中間層と第１の層との間に、金属または金属酸化物から成る少なくとも１つの第２の中間層が挿入されており、この第２の中間層は０．０２〜４０ｎｍの層厚を備えている。この第２の中間層は、平坦化層または濡れ性層（Benetzungsschicht、英語：wetting-layer）またはシード層（Keimschicht、英語：Seedlayer）として機能する。
【００５８】
この第２の中間層の１つの構成においては、平坦化層として下層の凹凸を平坦化し、導電性の第１の層をこの第２の中間層によって平坦化された第１の中間層上に成長させ、ここで充分な導電性が、既にこの第１の層の僅かな層厚で達成される。
【００５９】
この第２の中間層の１つの構成においては、濡れ性層として、第１の層の島状成長（Inselwachstum）を阻害あるいは低減し、充分な導電性が、この基板の平面での第１の層の僅かな層厚で既に達成される。この第２の中間層の１つの構成においては、シード層として、この島状成長は避けられないものであるが、上記の第１の層の堆積の際にこのシード層のシードに島が形成され、これらは極めて密集して隣接して存在しており、この第１の層の僅かな層厚で基板の平面に充分な導電性が生成される。
【００６０】
この第２の中間層は、たとえば上記の堆積技術を用いて堆積されてよい。
【００６１】
この実施形態の構成においては、この第２の中間層は、様々な材料組成を有する複数の層で実装されている。さらにこの第２の中間層は、導電性材料または材料の混合物で実装されていてよい。
この層がデバイスの層間の応力を低減するのに寄与すると考えられる。このような層間の応力は、たとえば異なる熱膨張係数（膨張係数等）のために生じ得るが、これは最も深刻な場合には部分的または全体的な層の剥離をもたらし得る。
【００６２】
本発明のもう１つの実施形態においては、上記の対向電極の第１および第２の層の間に、金属または金属酸化物から成る、０．０２ｎｍ〜４０ｎｍの層厚の第３の中間層が挿入される。この第３の中間層は、平坦化層，濡れ性層，またはシード層として機能してよい。この第３の中間層は、上記の堆積方法の１つを用いて堆積されていてよく、あるいは熱的に堆積されていてよい。この実施形態の構成においては、この第３の中間層は、様々な材料組成を有する複数の層で実装されている。さらにこの第３の中間層は、導電性材料または材料の混合物で実装されていてよい。さらにこの第３の中間層は、応力低減に寄与すると考えられる。
【００６３】
本発明のもう１つの実施形態においては、上記の第２の層は、アルカリ金属またはアルカリ土類金属，金属酸化物または有機材料を含む。
【００６４】
本発明のもう１つの実施形態においては、この第２の層は、窒化物，セレン化物，硫化物，酸化物，テルル化物，またはポリマーを含む。
【００６５】
本発明のもう１つの実施形態においては、この第２の層は、Ａｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ａｌ，Ｚｒ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｓｎ，Ｓｒ，Ｌａ，Ｉｎ，Ｓｃ，Ｈｆ，または以上の元素の少なくとも１つを含む合金を含む。
【００６６】
本発明のもう１つの実施形態においては、デバイスは、ｐｉｎシングルセル，ｐｉｎタンデムセル，ｐｉｎ多層セル，ｎｉｐシングルセル，ｎｉｐタンデムセル，またはｎｉｐ多層セルである。
【００６７】
本発明のもう１つの実施形態においては、デバイスは、ｎｉｐ，ｎｉ，ｉｐ，ｐｎｉｐ，ｐｎｉ，ｐｉｐ，ｎｉｐｎ，ｎｉｎ，ｉｐｎ，ｐｎｉｐｎ，ｐｎｉｎ，またはｐｉｐｎの構造の組み合わせから実装されており、ここでは多くの個々の組み合わせは、少なくとも１つのｉ層を含み、重なり合って積層されている。
【００６８】
本発明のもう１つの実施形態においては、上記の活性層は、少なくとも２つの主材料を有する少なくとも１つの混合層を含み、これらは光活性なドナー−アクセプター系を形成する。
【００６９】
本発明のもう１つの実施形態においては、少なくとも１つの主材料は、有機材料である。
【００７０】
本発明のもう１つの実施形態においては、この有機材料は、小分子である。
小分子とは、本発明での意味は、蒸発されて基板上に堆積することができるものである。
【００７１】
本発明のもう１つの実施形態においては、この有機材料は、少なくとも部分的にポリマーである。
【００７２】
本発明のもう１つの実施形態においては、上記の活性な混合層の少なくとも１つは、アクセプターとして、フラーレンあるいはフラーレン誘導体のグループの１つの材料を含む。
【００７３】
本発明のもう１つの実施形態においては、上記の電極と対向電極との間には、少なくとも１つのドーピングされた輸送層，部分的にドーピングされた輸送層，またはドーピングされていない輸送層が配設されている。
【００７４】
本発明のもう１つの実施形態においては、上記の対向電極と光活性な層系の間には、少なくとも１つのドーピングされた輸送層，部分的にドーピングされた輸送層，またはドーピングされていない輸送層が配設されている。
【００７５】
本発明のもう１つの実施形態においては、光電子デバイスは、有機太陽電池セルである。
【００７６】
本発明のもう１つの実施形態においては、光電子デバイスは、有機発光ダイオードである。
【００７７】
また本発明の対象は、金属または合金から成る少なくとも１つの第１の層および１つの第１の中間層を含む層系から成る電極構造体（Elektrodenvorrichtung）であり、これは光活性な層と第１の層との間に配設されており、この層系は、４０〜９５％の透明度を備える。
【００７８】
さらに、本発明の対象は、光電子デバイスにおける電極構造体の利用である。
【００７９】
さらに、本発明の対象は、光電子デバイス用の電極構造体の製造方法であり、以下のステップを備える。
【００８０】
デバイスの光活性な層系上に、アルカリ金属またはアルカリ土類金属または金属酸化物から成る第１の中間層を熱的蒸着を用いて堆積するステップ。
【００８１】
この第１の中間層上に、電子ビーム蒸着，レーザービーム蒸着，アーク蒸着，分子線エピタキシー，スパッタリング，イオンビームアシスト堆積，イオンプレーティング，ＩＣＢ技術から成るグループから選択された堆積技術によって第１の層を堆積するステップ。
【００８２】
この第１の層上に第２の層を堆積するステップ。
【００８３】
本発明のもう１つの実施形態においては、光電子デバイスは、上記の電極と対向電極との間に１つの以上の光活性な層を備える。
【００８４】
本発明のもう１つの実施形態においては、上記の混合層(複数）は、それぞれ２つの主材料から成る。
【００８５】
本発明のもう１つの実施形態においては、個々の混合層において、混合比の傾斜が存在してよい。
【００８６】
本発明のもう１つの実施形態においては、１つ以上のさらなる有機層は、ドーピングされたワイドギャップ層であり、その吸収ピークは４５０ｎｍ未満にある。
【００８７】
本発明のもう１つの実施形態においては、これらの混合層の少なくとも２つの主材料は、異なる光学的吸収スペクトルを備える。
【００８８】
本発明のもう１つの実施形態においては、これらの混合層の主材料(複数）は、互いに補完し合って、できるかぎり広いスペクトル領域をカバーするような異なる吸収スペクトルを備える。
【００８９】
本発明のもう１つの実施形態においては、上記の混合層の主材料の少なくとも１つの吸収領域は、赤外領域にある。
【００９０】
本発明のもう１つの実施形態においては、上記の混合層の主材料の少なくとも１つの吸収領域は、赤外領域にあり、波長が７００ｎｍより大きく、１５００ｎｍまでの領域にある。
【００９１】
本発明のもう１つの実施形態においては、これらの主材料のＨＯＭＯ準位およびＬＵＭＯ準位は、系が最大の開放電圧（Leerlaufspannung），最大の短絡電流，および最大の充填率を可能とするようにマッチングされる。
【００９２】
本発明のもう１つの実施形態においては、光活性な混合層の少なくとも１つは、アクセプターとして、フラーレンあるいはフラーレン誘導体（Ｃ60，Ｃ70，等）のグループの１つの材料を含む。
【００９３】
本発明のもう１つの実施形態においては、全ての光活性な混合層は、アクセプターとして、フラーレンあるいはフラーレン誘導体（Ｃ60，Ｃ70，等）のグループの１つの材料を含む。
【００９４】
本発明のもう１つの実施形態においては、光活性な混合層の少なくとも１つは、ドナーとして、フタロシアニン，ペリレン誘導体，ＴＰＤ誘導体，オリゴチオフェンの類の１つの材料，または国際公開公報ＷＯ２００６０９２１３４号に記載されているような材料を含む。
【００９５】
本発明のもう１つの実施形態においては、光活性な混合層の少なくとも１つは、アクセプターの材料としてフラーレンＣ60、およびドナーの材料として４Ｐ−ＴＰＤを含む。
【００９６】
本発明の範疇には、２つ以上の光活性な混合層を含むポリマー太陽電池セルも含まれ、これらの混合層は直接互いに接している。ポリマー太陽電池セルでは、溶液から成る材料が塗布されなければならないという問題があり、これによりさらに塗布される層は、容易にその下にある層を溶解し，分解し，またはその形態に変化をもたらし得る。このためポリマー太陽電池セルでは、極めて制限された多層の混合層のみが製造可能であり、製造の際に互いに影響を及ぼしあわないかまたはほとんど及ぼし合わない、様々な材料系および溶剤系を用いることによって可能である。ここで小分子から成る太陽電池セルは、明らかに利点を有する。これは真空における蒸着処理によって、任意の系および層が重なり合って取り付けられることが可能であり、これによって多層の混合層の利点が幅広く利用でき、任意の材料の組み合わせで実現できるからである。
【００９７】
本発明のもう１つの実施形態においては、第１の電子輸送層（ｎ層）と基板上にある電極との間には、まだｐドーピングされた層が存在している。したがってこれはｐｎｉｐ構造またはｐｎｉ構造であり、ここで好ましくはこのドーピング濃度は、直接のｐｎ接合がまったくブロッキング作用を有せず、むしろこれが好ましくはトンネル効果によって損失の少ない再結合をもたらすように選択される。
【００９８】
本発明のもう１つの実施形態においては、デバイスには活性な層と基板上にある電極との間にさらに１つのｐドーピングされた層が存在し、したがってこれはｐｉｐ構造またはｐｉ構造を呈し、この追加のｐドーピングされた層は、最大でも、このｉ層の電子輸送層の準位よりも０．４Ｖ低い，しかしながら好ましくはこのｉ層の電子輸送層の準位よりも０．３Ｖ以上低くないフェルミ準位を有し、これによってｉ層からｐ層への損失の少ない電子抽出がもたらされ得る。
【００９９】
本発明のもう１つの実施形態においては、このｐドーピングされた層と上記の対向電極との間にさらに１つのｎ層系が存在し、したがってこれはｎｉｐｎ構造またはｉｐｎ構造を呈し、ここで好ましくはこのドーピング濃度は、直接のｐｎ接合がまったくブロッキング作用を有せず、むしろこれが好ましくはトンネル過程によって損失の少ない再結合をもたらすように選択される。
【０１００】
本発明のもう１つの実施形態においては、デバイスには真性な光活性な層と対向電極との間にさらに１つのｎ層系が存在し、したがってこれはｎｉｎ構造またはｉｎ構造を呈し、この追加のｎドーピングされた層は、このｉ層の正孔輸送層の準位よりも最大でも０．４Ｖ高い，しかしながら好ましくはこのｉ層の正孔輸送層の準位よりも０．３Ｖ以上高くないフェルミ準位を有し、これによってｉ層からｎ層への損失の少ない正孔抽出がもたらされ得る。
【０１０１】
もう１つの実施形態においては、上記のアクセプター材料は、４５０ｎｍより長い波長領域で吸収ピークを有する。
【０１０２】
もう１つの実施形態においては、上記のドナー材料は、４５０ｎｍより長い波長領域で吸収ピークを有する。
【０１０３】
もう１つの実施形態においては、上記の活性な層系は、上記の混合層に加えて、さらに別の光活性な単一層または混合層を含む。
【０１０４】
もう１つの実施形態においては、上記のｎ材料系は、１つ以上のドーピングされたワイドギャップ層を含む。
ここでワイドギャップ層とは４５０ｎｍより短い波長領域で吸収ピークを有する層のことである。
【０１０５】
もう１つの実施形態においては、上記のｐ材料系は、１つ以上のドーピングされたワイドギャップ層を含む。
【０１０６】
もう１つの実施形態においては、上記のアクセプター材料は、フラーレンあるいはフラーレン誘導体（好ましくはＣ60またはＣ70）またはＰＴＣＤＩ誘導体（ペリレン−３，４，９，１０−ビス（ジカルボオキシミド）誘導体）のグループの１つの材料である。
【０１０７】
もう１つの実施形態においては、上記のドナー材料は、オリゴマー、具体的には国際公開公報ＷＯ２００６０９２１３４号に記載されているオリゴマーであり、ポルフィリン誘導体，ペンタセン誘導体，またはＤＩＰ（ジインデノペリレン），ＤＢＰ（ジベンゾペリレン）のようなペリレン誘導体である。
【０１０８】
もう１つの実施形態においては、上記のｐ材料系は、ＴＰＤ誘導体（トリフェニルアミンダイマー），スピロ化合物，スピロキサジン，ＭｅＯ−ＴＰＤ（Ｎ，Ｎ，Ｎ'，Ｎ'−テトラキス（４−メトキシフェニル）−ベンジジン），Ｄｉ−ＮＰＢ（Ｎ，Ｎ'ジフェニル−Ｎ，Ｎ'−ビス（Ｎ，Ｎ'−ジ（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ'−ジフェニル−（１，１'−ビフェニル）４，４'−ジアミン），ＭＴＤＡＴＡ（４，４'，４''−トリス−（Ｎ−３−メチルフェニル−Ｎ−フェニル−アミノ）−トリフェニルアミン），ＴＮＡＴＡ（４，４'，４''−トリス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニル−アミノ］−トリフェニルアミン），ＢＰＡＰＦ（９，９−ビス｛４−［ジ−（ｐ−ビフェニル）アミノフェニル］｝フルオレン），ＮＰＡＰＦ（９，９−ビス［４−（Ｎ，Ｎ'−ビス−ナフタレン−２−イル−アミノ）フェニル］−９Ｈ−フルオレン），スピロ−ＴＡＤ（２，２'，７，７'−テトラキス−（ジフェニルアミノ）−９，９'−スピロビフルオレン），ＰＶ−ＴＰＤ（Ｎ，Ｎ−ジ４−２，２−ジフェニル−エテン−１−イル−フェニル−Ｎ，Ｎ−ジ４−メチルフェニルフェニルベンジジン），４Ｐ−ＴＰＤ（４，４'−ビス−（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）−テトラフェニル），または特許文献８に記載のｐ材料である。
【０１０９】
もう１つの実施形態においては、上記のｎ材料系は、たとえばＣ６０，Ｃ７０のようなフラーレン，ＮＴＣＤＡ（１，４，５，８−ナフタレン−テトラカルボン酸−二無水物），ＮＴＣＤＩ（ナフタレンテトラカルボン酸ジイミド），またはＰＴＣＤＩ（ペリレン−３，４，９，１０−ビス（ジカルボオキシミド）を含む。
【０１１０】
もう１つの実施形態においては、上記のｐ材料系は、ｐドーパントを含み、このｐドーパントは、Ｆ４−ＴＣＮＱ，独国特許公開公報第１０３３８４０６号，第１０３５７０４４号，第１０３４７８５６号、第１０２００４０１０９５４号，第１０２００６０５３３２０号，第１０２００６０５４５２４号，第１０２００８０５１７３７号の明細書に記載されているようなｐドーパント，または遷移金属（ＶＯ，ＷＯ，ＭｏＯ，等）である。
【０１１１】
もう１つの実施形態においては、上記のｎ材料系は、ｎドーパントを含み、このｎドーパントは、ＴＴＦ誘導体（テトラチアフルバレン誘導体）またはＤＴＴ誘導体（ジチエノチオフェン），独国特許公開公報第１０３３８４０６号，第１０３４７８５６号，第１０３５７０４４号，第１０２００４０１０９５４号，第１０２００６０５３３２０号，第１０２００６０５４５２４号，第１０２００８０５１７３７号の明細書に記載されているようなｎドーパント，またはＣｓ，Ｌｉ，またはＭｇである。
【０１１２】
もう１つの実施形態においては、電極は透過率が８０％より大きく透明に実装され、他の電極は、反射率が５０％より大きい反射性を有するように実装されている。
【０１１３】
もう１つの実施形態においては、デバイスは、半透明で１０〜８０％の透過率を有するように実装されている。
【０１１４】
もう１つの実施形態においては、用いられている上記の有機材料は、低い融点を有し、好ましくは１００℃より低い融点を有する。
【０１１５】
もう１つの実施形態においては、用いられている上記の有機材料は、低いガラス転移温度を有し、好ましくは１５０℃より低いガラス転移温度を有する。
【０１１６】
もう１つの実施形態においては、本発明による光電子デバイスは、たとえばバッテリー，コンデンサ等のエネルギー緩衝器（Energiepuffer）あるいはエネルギー蓄積媒体（Energiespeichermedium）と共に、負荷器（Verbraucher）あるいは装置に接続されて使用される。
【０１１７】
もう１つの実施形態においては、本発明による光電子デバイスは、薄膜バッテリーと組み合わせて用いられる。
【０１１８】
もう１つの実施形態においては、本発明による光電子デバイスは、たとえばガラス，コンクリート，屋根瓦，自動車ガラス，等の曲面表面で用いられる。この際本発明による有機太陽電池は、従来の有機太陽電池に比較して、薄膜，布地，等の可撓性の担体上に取り付けることができる。
【０１１９】
本発明の実施のために、上記の実施形態を互いに組み合わせてもよい。
【０１２０】
以下にいくつかの実施形態例および図を参照して、本発明を詳細に説明する。
ここでこれらの実施形態例は、本発明を説明するものであるが、本発明を限定するものではない。
【図面の簡単な説明】
【０１２１】
【図１】本発明による第１の実施形態の電極構造体の概略図である。
【図２】本発明による第２の実施形態の電極構造体の概略図である。
【図３】本発明による第３の実施形態の電極構造体の概略図である。
【図４】本発明による第４の実施形態の電極構造体の概略図である。
【０１２２】
本発明の１つの実施形態における、本発明による電極構造体（Elektrodenanordnung）１が図１に示されており、これは金属または金属酸化物、たとえばＭｏＯ３、から成る、第１の中間層３を備える。ここでこの第１の中間層３は、熱的蒸着によってデバイスの有機層上に堆積される。この上にＡｇ等の金属を含む第１の層２が堆積される。この堆積はスパッタリングを用いて行われる。この第１の層２の上に第２の層４が反射防止層として配設される。この第２の層は、たとえばＮ，Ｎ'−ビス（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ'−ビス（フェニル）−ベンジジンを含んでいる。
【０１２３】
本発明のもう１つの詳細には示されていない実施形態例においては、本発明による電極構造体１は、金属またはＭｏＯ3のような金属酸化物から成る第１の中間層３を備える。ここでこの第１の中間層３は、熱的蒸着によってデバイスの有機層上に堆積される。この上にＡｇ：Ｃａ等の合金を含む第１の層２が堆積される。この堆積はスパッタリングを用いて行われる。この第１の層２の上に第２の層４が反射防止層として配設される。この第２の層は、たとえばＮ，Ｎ'−ビス（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ'−ビス（フェニル）−ベンジジンを含んでいる。
【０１２４】
本発明のもう１つの詳細には示されていない実施形態例においては、本発明による電極構造体１は、アルカリ金属またはＣａのようなアルカリ土類金属から成る第１の中間層３を備える。ここでこの第１の中間層３は、熱的蒸着によってデバイスの有機層上に堆積される。この上にＡｇ：Ｃａ等の合金を含む第１の層２が堆積される。この堆積はスパッタリングを用いて行われる。この第１の層２の上に第２の層４が反射防止層として配設される。この第２の層は、たとえばＺｎＳ，ＺｎＳｅ，またはＺｎＴｅを含んでいる。
【０１２５】
本発明のもう１つの詳細には示されていない実施形態例においては、本発明による電極構造体１は、アルカリ金属またはアルカリ土類金属、たとえばＭｇ、から成る第１の中間層３を備える。ここでこの第１の中間層３は、熱的蒸着によってデバイスの有機層上に堆積される。この上にＡｇ：Ｍｇ等の合金を含む第１の層２が堆積される。この堆積はスパッタリングを用いて行われる。この第１の層２の上に第２の層４が反射防止層として配設される。この第２の層は、たとえばＺｎＳ，ＺｎＳｅ，またはＺｎＴｅを含んでいる。
【０１２６】
もう１つの実施形態例においては、電極構造体１の別の構成が図２に示されている。この電極構造体１は上記の実施形態例が備えているものと同様な構造となっているが、第２の層４の上にスクラッチ保護層５が配設されている。このスクラッチ保護層５は、たとえばＴｉＯ2で実装されていてよく、１５０ｎｍの層厚を有する。
【０１２７】
もう１つの実施形態例においては、電極構造体１の概略図が図３に示されており、これは金属または金属酸化物、たとえばＭｏＯ3、から成る、第１の中間層３を備える。この上にＮｂ2Ｏ5から成る、５〜４０ｎｍの層厚を有する第２の中間層６が配設されている。この第２の中間層６の上に、Ａｇのような金属から成る上記の第１の層２が堆積されている。ここでこの堆積はスパッタリングによって行われる。この第１の層２の上に第２の層４が反射防止層として配設される。この第２の層は、たとえばＮ，Ｎ'−ビス（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ'−ビス（フェニル）−ベンジジンを含んでいる。この第２の層４の上には、スクラッチ保護層５が配設されている。このスクラッチ保護層５は、たとえばＴｉＯ2で実装されていてよく、１５０ｎｍの層厚を有する。
【０１２８】
もう１つの詳細には示されていない実施形態例においては、電極構造体１は、金属またはＭｏＯ3のような金属酸化物から成る、第１の中間層３を備える。この上にＭｇから成る、５〜４０ｎｍの層厚を有する第２の中間層６が配設されている。この第２の中間層６の上に、Ａｇ：Ｍｇのような合金から成る上記の第１の層２が堆積されている。ここでこの堆積はスパッタリングによって行われる。この第１の層２の上に第２の層４が反射防止層として配設される。この第２の層は、たとえばＺｎＳを含んでいる。この第２の層４の上には、スクラッチ保護層５が配設されている。このスクラッチ保護層５は、たとえばＴｉＯ2で実装されていてよく、１５０ｎｍの層厚を有する。
【０１２９】
もう１つの詳細には示されていない実施形態例においては、電極構造体１は、金属またはＭｏＯ3のような金属酸化物から成る、第１の中間層３を備える。この上にＣａから成る、５〜４０ｎｍの層厚を有する第２の中間層６が配設されている。この第２の中間層６の上に、Ａｇ：Ｃａのような合金から成る、上記の第１の層２が堆積されている。ここでこの堆積はスパッタリングによって行われる。この第１の層２の上に第２の層４が反射防止層として配設される。この第２の層は、たとえばＺｎＳｅを含んでいる。この第２の層４の上には、スクラッチ保護層５が配設されている。このスクラッチ保護層５は、たとえばＴｉＯ2で実装されていてよく、１５０ｎｍの層厚を有する。
【０１３０】
上記の実施形態例の詳細に示されていない１つの構成においては、上記の第２の中間層６は、アルミニウムが添加された酸化亜鉛（ＡＺＯ）で実装されている。ここでこの層厚は５〜４０ｎｍである。
【０１３１】
上記の実施形態例の詳細に示されていないもう１つの構成においては、上記の第２の中間層６は、アルミニウムで実装されている。ここでこの層厚は０．２〜３ｎｍである。
【０１３２】
上記の実施形態例の詳細には示されていない１つの構成においては、上記の電極構造体１は、金属またはＭｏＯ3のような金属酸化物から成る、第１の中間層３を備える。この上にＮｂ2Ｏ5から成る、５〜４０ｎｍの層厚を有する第２の中間層６が配設されている。この第２の中間層６の上に、Ａｇのような金属から成る第１の中間層３が堆積されている。ここでこの堆積はスパッタリングによって行われる。この第１の層３の上には、スクラッチ保護層５が配設される。このスクラッチ保護層５は、たとえばＴｉＯ2で実装されていてよく、１５０ｎｍの層厚を有する。
【０１３３】
もう１つの実施形態例においては、電極構造体１の概略図が図４に示されており、これは金属または金属酸化物、たとえばＭｏＯ3から成る、第１の中間層３を備える。この第１の中間層３の上にＮｂ2Ｏ5から成る、５〜４０ｎｍの層厚を有する第２の中間層６が配設されている。この上に、Ａｇのような金属から成る第１の層２が配設されている。ここでこの第１の層２の堆積はスパッタリングを用いて行われる。この第１の層２の上に、たとえばＩＴＯから成る第３の中間層７が配設されている。ＩＴＯから成るこの第３の中間層７の層厚は、５〜４０ｎｍである。この第３の中間層７の上に第２の層４が反射防止層として配設される。この第２の層は、たとえばＮ，Ｎ'−ビス（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ'−ビス（フェニル）−ベンジジンを含んでいる。この第２の層４の上には、スクラッチ保護層５が配設されている。このスクラッチ保護層５は、たとえばＴｉＯ2で実装されていてよく、１５０ｎｍの層厚を有する。
【０１３４】
上記の実施形態例の１つの構成においては、上記の第３の中間層７は、アルミニウム添加された酸化亜鉛ＡＺＯで実装されており、この中間層は５〜４０ｎｍの層厚を有する。
【０１３５】
上記の実施形態例の詳細には示されていないもう１つの構成においては、上記の電極構造体１は、金属またはＭｏＯ3のような金属酸化物から成る、第１の中間層３を備える。この第１の中間層３の上にＮｂ2Ｏ5から成る、５〜４０ｎｍの層厚を有する第２の中間層６が配設されている。この上に、Ａｇのような金属から成る第１の層３が配設されている。ここで上記の第１の層２の堆積はスパッタリングを用いて行われる。この第１の中間層２の上に、たとえばＩＴＯから成る第３の中間層７が配設されている。ＩＴＯから成るこの第３の中間層７の層厚は、５〜４０ｎｍである。この第３の層７の上には、スクラッチ保護層５が配設されている。このスクラッチ保護層５は、たとえばＴｉＯ2で実装されていてよく、１５０ｎｍの層厚を有する。
【０１３６】
もう１つの詳細には示されていない実施形態例においては、上記の電極構造体１は、金属またはたとえばＭｏＯ3のような金属酸化物から成る、第１の中間層３を備える。この第１の中間層３の上にＮｂ2Ｏ5から成る、５〜４０ｎｍの層厚を有する第２の中間層６が配設されている。この第２の中間層６の上に、Ａｇのような金属から成る第１の中間層２が配設されている。ここでこの第１の層２の堆積はスパッタリングを用いて行われる。この第１の中間層２の上に、たとえばＩＴＯから成る第３の中間層７が配設されている。ＩＴＯから成るこの第３の中間層７の層厚は、５〜４０ｎｍである。この第３の中間層７の上に第２の層４が反射防止層として配設される。この第２の層は、たとえばＮ，Ｎ'−ビス（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ'−ビス（フェニル）−ベンジジンを含んでいる。この第２の層４の上には、スクラッチ保護層５が配設されている。このスクラッチ保護層５は、たとえばＴｉＯ2で実装されていてよく、１５０ｎｍの層厚を有する。
【０１３７】
もう１つの詳細には示されていない実施形態例においては、上記の電極構造体１は、金属またはＭｏＯ3のような金属酸化物から成る、第１の中間層３を備える。この第１の中間層３の上にＭｇから成る、５〜４０ｎｍの層厚を有する第２の中間層６が配設されている。この第２の中間層６の上に、Ａｇ：Ｍｇのような合金から成る第１の層２が配設されている。ここでこの第１の層２の堆積はスパッタリングを用いて行われる。この第１の中間層２の上に、たとえばＭｇから成る第３の中間層７が配設されている。Ｍｇから成るこの第３の中間層７の層厚は、５〜４０ｎｍである。この第１の中間層７の上に第３の層４が反射防止層として配設される。この第３の層は、たとえばＺｎＳ，ＺｎＳｅ，またはＺｎＴｅを含んでいる。この第２の層４の上には、スクラッチ保護層５が配設されている。このスクラッチ保護層５は、たとえばＴｉＯ2で実装されていてよく、１５０ｎｍの層厚を有する。
【０１３８】
もう１つの詳細には示されていない実施形態例においては、上記の電極構造体１は、金属またはＭｏＯ3のような金属酸化物から成る、第１の中間層３を備える。この第１の中間層３の上にＮｂ2Ｏ5から成る、５〜４０ｎｍの層厚を有する第２の中間層６が配設されている。この第２の中間層６の上に、Ａｇのような金属から成る第１の層２が配設されている。ここでこの第１の層２の堆積はスパッタリングを用いて行われる。この第１の層２の上に、たとえばＩＴＯから成る第３の中間層７が配設されている。ＩＴＯから成るこの第３の中間層７の層厚は、５〜４０ｎｍである。この第３の中間層７の上には、スクラッチ保護層５が配設される。このスクラッチ保護層５は、たとえばＴｉＯ2で実装されていてよく、１５０ｎｍの層厚を有する。
【符号の説明】
【０１３９】
１    電極構造体
２    第１の層
３    第１の中間層
４    第２の層
５    スクラッチ保護層
６    第２の中間層
７    第３の中間層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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