(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
一面（１０ａ、６０ａ）および前記一面と反対側の他面（１０ｂ、６０ｂ）を有する半導体基板（１０、６０）を用意する工程と、
前記一面に保護層（１７）を形成する工程と、
前記半導体基板の他面が支持台（２０）側と反対側に位置するように、前記保護層をチャンバ内に設置された前記支持台に固定する工程と、
前記半導体基板の他面にドライエッチングを行うことによって凹部（１１）を形成する工程と、を行う半導体装置の製造方法において、
前記半導体基板を用意する工程では、前記一面にパッシベーション膜（１６）が形成されたものを用意し、
前記保護層を形成する工程では、前記パッシベーション膜上に前記保護層を形成すると共に、前記保護層として、当該保護層における前記他面のうちの前記凹部が形成される凹部形成予定領域と対向する領域を含む領域に開口部（１７ａ）が形成されたものを形成し、さらに、前記パッシベーション膜に前記開口部と連通する開口部（１６ａ）を形成し、
前記凹部を形成する工程では、前記開口部内の空間に前記保護層より前記熱伝達率が高い熱伝達ガス（２２）を導入しつつ、前記チャンバ内に前記凹部を形成するためのエッチングガスと、エッチングされた部分の側壁を保護する側壁保護膜を形成するためのデポガスとを導入して行い、前記熱伝達ガスとして前記パッシベーション膜より熱伝達率の高いものを用いることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記半導体基板を用意する工程では、複数のチップ形成領域（７０）がスクライブライン（７１）で区画されたウェハ状のものを用意し、
前記保護層を形成する工程では、それぞれの前記チップ形成領域における前記凹部形成予定領域と対向する領域に前記開口部が形成されていると共に、前記スクライブラインと対向する領域に開口部（１７ｂ）が形成され、前記凹部形成予定領域と対向する領域に形成された前記開口部と、前記スクライブラインと対向する領域に形成された前記開口部とがそれぞれ繋がっている前記保護層を形成することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
一面（１０ａ、６０ａ）および前記一面と反対側の他面（１０ｂ、６０ｂ）を有する半導体基板（１０、６０）を用意する工程と、
前記一面に保護層（１７）を形成する工程と、
前記半導体基板の他面が支持台（２０）側と反対側に位置するように、前記保護層をチャンバ内に設置された前記支持台に固定する工程と、
前記半導体基板の他面にドライエッチングを行うことによって凹部（１１）を形成する工程と、を行う半導体装置の製造方法において、
前記半導体基板を用意する工程では、複数のチップ形成領域（７０）がスクライブライン（７１）で区画されたウェハ状のものを用意し、
前記保護層を形成する工程では、前記保護層として、当該保護層における、それぞれの前記チップ形成領域のうちの前記凹部が形成される凹部形成予定領域と対向する領域を含む領域に開口部（１７ａ）が形成されていると共に、前記スクライブラインと対向する領域に開口部（１７ｂ）が形成され、前記凹部形成予定領域と対向する領域に形成された前記開口部と、前記スクライブラインと対向する領域に形成された前記開口部とがそれぞれ繋がっているものを形成し、
前記凹部を形成する工程では、前記開口部内の空間に前記保護層より前記熱伝達率が高い熱伝達ガス（２２）を導入しつつ、前記チャンバ内に前記凹部を形成するためのエッチングガスと、エッチングされた部分の側壁を保護する側壁保護膜を形成するためのデポガスとを導入して行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記半導体基板を用意する工程では、前記半導体基板として、第１基板（１０）と第２基板（４０）とが接合されることによって構成され、前記他面が前記第１基板で構成されると共に前記一面が前記第２基板で構成されており、前記第２基板における前記第１基板側の一面（４０ａ）のうちの前記凹部形成予定領域と対向する領域を含む領域に窪み部が形成されることにより、前記第１基板と前記第２基板との間に前記窪み部内の空間によって基準室（５０）が構成され、前記第１基板のうちの前記第２基板側の一面（１０ａ）に配線層（１４）が形成され、前記第２基板に、前記配線層を露出させる貫通孔（４４）が形成されていると共に前記貫通孔に前記配線層と電気的に接続される貫通電極（４６）が形成されたものを用意することを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１つに記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体基板をドライエッチングで加工する工程を行う半導体装置の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、例えば、特許文献１には、一面および一面と反対側の他面を有する半導体基板を有し、半導体基板の他面に凹部を形成することによってダイヤフラム部が形成され、当該ダイヤフラム部にブリッジ回路を構成するようにゲージ抵抗が形成された圧力センサが提案されている。この圧力センサでは、ダイヤフラム部に圧力が印加されると、ダイヤフラム部が圧力に応じて変形する。このため、ダイヤフラム部の変形に応じてゲージ抵抗の抵抗値が変化することでブリッジ回路の電圧が変化し、この電圧の変化に応じたセンサ信号が出力される。
【０００３】
このような圧力センサは、半導体基板の一面にゲージ抵抗を形成した後、基板の他面に対してドライエッチングを行うことで凹部を形成することによって製造される。なお、凹部を形成する際には、まず、半導体基板の一面上にゲージ抵抗等を保護するための保護層を形成する。次に、当該保護層をチャンバ内に設置された支持台に固定することで半導体基板を支持台に固定する。その後、チャンバ内にエッチングガスとデポガスを供給することにより、半導体基板の他面側からデポガスによってエッチングされた部分に側壁保護膜を形成しつつ、エッチングガスによって半導体基板をエッチングして掘り下げることで凹部を形成する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１５−４５５１２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記圧力センサの製造方法では、保護層は、通常、レジストやテープ等が用いられ、例えば、半導体基板としてシリコン基板を用いた場合、保護層の熱伝達率がシリコン基板より数十〜数百倍程度低くなる。このため、ドライエッチングを行って凹部を形成する際、半導体基板に発生する熱が支持台に伝達され難くなる。つまり、半導体基板の温度が上昇し易くなる。したがって、半導体基板の温度が上昇すると側壁保護膜が形成され難くなるため、凹部の形状がばらつき易いという問題がある。
【０００６】
本発明は上記点に鑑みて、ドライエッチングを行って凹部を形成する工程を含む半導体装置の製造方法において、凹部の形状がばらつくことを抑制できる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するため、請求項１および３に記載の発明では、一面（１０ａ、６０ａ）および一面と反対側の他面（１０ｂ、６０ｂ）を有する半導体基板（１０、６０）を用意する工程と、一面に保護層（１７）を形成する工程と、半導体基板の他面が支持台（２０）側と反対側に位置するように、保護層をチャンバ内に設置された支持台に固定する工程と、半導体基板の他面にドライエッチングを行うことによって凹部（１１）を形成する工程と、を行う半導体装置の製造方法において、以下の点を特徴としている。
【０００８】
すなわち、請求項１に記載の発明では、半導体基板を用意する工程では、一面にパッシベーション膜（１６）が形成されたものを用意し、保護層を形成する工程では、パッシベーション膜上に保護層を形成すると共に、保護層として、当該保護層における他面のうちの凹部が形成される凹部形成予定領域と対向する領域を含む領域に開口部（１７ａ）が形成されたものを形成し、さらに、パッシベーション膜に開口部と連通する開口部（１６ａ）を形成し、凹部を形成する工程では、開口部内の空間に保護層より熱伝達率が高い熱伝達ガス（２２）を導入しつつ、チャンバ内に凹部を形成するためのエッチングガスと、エッチングされた部分の側壁を保護する側壁保護膜を形成するためのデポガスとを導入して行い、熱伝達ガスとしてパッシベーション膜より熱伝達率の高いものを用いることを特徴としている。
また、請求項３に記載の発明では、半導体基板を用意する工程では、複数のチップ形成領域（７０）がスクライブライン（７１）で区画されたウェハ状のものを用意し、保護層を形成する工程では、保護層として、当該保護層における、それぞれのチップ形成領域のうちの凹部が形成される凹部形成予定領域と対向する領域を含む領域に開口部（１７ａ）が形成されていると共に、スクライブラインと対向する領域に開口部（１７ｂ）が形成され、凹部形成予定領域と対向する領域に形成された開口部と、スクライブラインと対向する領域に形成された開口部とがそれぞれ繋がっているものを形成し、凹部を形成する工程では、開口部内の空間に保護層より熱伝達率が高い熱伝達ガス（２２）を導入しつつ、チャンバ内に凹部を形成するためのエッチングガスと、エッチングされた部分の側壁を保護する側壁保護膜を形成するためのデポガスとを導入して行うことを特徴としている。
【０００９】
これによれば、保護層のうちの凹部形成予定領域と対向する領域に開口部を形成し、当該開口部に保護層よりも熱伝達率の高い熱伝達ガスを導入した状態でドライエッチングを行う。このため、保護層に開口部が形成されていない場合と比較して、半導体基板に発生する熱が熱伝達ガスを介して支持台に伝達され易くなり、半導体基板の温度が上昇することを抑制できる。したがって、ドライエッチングの際、エッチングされた部分の側壁に側壁保護膜（デポガス）が形成され難くなることを抑制でき、凹部の形状がばらつくことを抑制できる。
【００１０】
なお、この欄および特許請求の範囲で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の第１実施形態における圧力センサの断面図である。
【図２】図１に示す圧力センサの製造工程を示す図である。
【図３】本発明の第２実施形態における圧力センサの製造工程を示す図である。
【図４】本発明の第３実施形態における圧力センサの断面図である。
【図５】図４に示す圧力センサの製造工程を示す断面図である。
【図６】図５に続く圧力センサの製造工程を示す断面図である。
【図７】本発明の第４実施形態における半導体基板の一面側の平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、同一符号を付して説明を行う。
【００１３】
（第１実施形態）
本発明の第１実施系形態について図面を参照しつつ説明する。なお、本実施形態では、本発明の半導体装置の製造方法を圧力センサの製造方法に適用した例について説明する。
【００１４】
図１に示されるように、圧力センサは、一面１０ａおよび当該一面１０ａと反対側の他面を有するシリコン基板等のセンサ基板１０を備えている。そして、センサ基板１０には、他面１０ｂに凹部１１が形成されることによって凹部１１の底面と一面１０ａとの間の部分にて薄肉のダイヤフラム部１２が構成されており、当該ダイヤフラム部１２に、ブリッジ回路を構成するように４つ（図１中では２つのみ図示）のゲージ抵抗１３が形成されている。なお、本実施形態では、センサ基板１０が本発明の半導体基板に相当している。
【００１５】
また、センサ基板１０には、一面１０ａ側の表層部に、図１とは別断面において各ゲージ抵抗１３と適宜電気的に接続される拡散配線層１４が形成されていると共に、一面１０ａ上に拡散配線層１４と適宜電気的に接続されるＡｌ等で構成される金属配線１５が形成されている。なお、ゲージ抵抗１３および拡散配線層１４は、不純物をイオン注入した後に熱処理された拡散層によって形成される。
【００１６】
さらに、センサ基板１０の一面１０ａ上には、ＳｉＯ２、ＳｉＮ等で構成されるパッシベーション膜１６が形成されている。なお、パッシベーション膜１６には、図１とは別断面において、金属配線１５の一部を露出させるコンタクトホールが形成されており、当該コンタクトホールを介して外部回路と金属配線１５（ゲージ抵抗１３）との電気的な接続が図れるようになっている。
【００１７】
以上が本実施形態における圧力センサの構成である。このような圧力センサでは、ダイヤフラム部１２に圧力が印加されると、ダイヤフラム部１２が圧力に応じて変形する。そして、ダイヤフラム部１２の変形に応じてゲージ抵抗１３の抵抗値が変化することでブリッジ回路の電圧が変化するため、この電圧の変化に応じたセンサ信号が出力される。
【００１８】
次に、上記圧力センサの製造方法ついて図２を参照しつつ説明する。
【００１９】
まず、図２（ａ）に示されるように、周知の半導体製造プロセス工程を行い、センサ基板１０に、上記ゲージ抵抗１３、拡散配線層１４、金属配線１５、パッシベーション膜１６が形成されたものを用意する。そして、パッシベーション膜１６上に、保護レジストや保護テープ等で構成される保護層１７を配置する。
【００２０】
具体的には、パッシベーション膜１６上に、凹部１１（ダイヤフラム部１２）が形成される凹部形成予定領域と対向する領域を含む領域に開口部１７ａが形成されている保護層１７を形成する。本実施形態では、開口部１７ａは、保護層１７のうちの凹部形成予定領域と対向する全ての領域が開口するように形成されている。言い換えると、開口部１７ａは、パッシベーション膜１６のうちの凹部形成予定領域と対向する全ての領域が露出するように形成されている。なお、本実施形態では、開口部１７ａは、凹部形成予定領域より大きく形成されている。
【００２１】
また、センサ基板１０の他面１０ｂ上にＳｉＯ２等で構成されるマスク１８を形成し、当該マスク１８に凹部形成予定領域を露出させる開口部１８ａを形成する。
【００２２】
続いて、図２（ｂ）に示されるように、図示しないチャンバ内に設置された吸着式の支持台２０に、センサ基板１０の他面１０ｂが支持台２０と反対側に位置するように、保護層１７（センサ基板１０）を吸着固定する。
【００２３】
ここで、本実施形態の支持台２０の構成について説明する。本実施形態の支持台２０は、一面２０ａを有し、一面２０ａに複数の凹み部２１が形成されている。そして、一面２０ａのうちの凹み部２１が形成されていない領域にて保護層１７を吸着固定できるようになっている。また、支持台２０には、凹み部２１内に、パッシベーション膜１６および保護層１７よりも熱伝達率の高いＨｅ等の熱伝達ガス（熱伝達媒体）２２を排出する図示しない排出機構が設けられている。さらに、支持台２０には、内部に冷却媒体が流れる冷却通路２３が設けられている。
【００２４】
そして、センサ基板１０は、保護層１７の開口部１７ａと凹み部２１とが連通するように、支持台２０に吸着固定される。つまり、センサ基板１０は、凹み部２１内に排出された熱伝達ガス２２が開口部１７ａ内にも導入されるように、支持台２０に吸着固定される。
【００２５】
次に、開口部１７ａに熱伝達ガス２２を導入した状態でドライエッチングを行うことにより、上記凹部１１を形成する。本実施形態では、ドライエッチングを行う際には、チャンバ内にＣ４Ｆ８ガスやＯ２ガス等のデポガス２４ａと、ＳＦ６ガス等のエッチングガス２４ｂとをチャンバ内に導入して各ガスをプラズマ化し、センサ基板１０の他面１０ｂから凹部１１を形成するエッチング工程（凹部１１の底部を掘り下げる工程）と、エッチングされた部分（凹部１１）の側壁に側壁保護膜を形成する工程とを同時に行う。
【００２６】
この際、保護層１７には上記開口部１７ａが形成されており、当該開口部１７ａ内には熱伝達ガス２２が導入されている。つまり、開口部１７ａ内の空間は、保護層１７よりセンサ基板１０に発生した熱が支持台２０に伝達され易くなっている。このため、センサ基板１０に発生する熱が熱伝達ガス２２を介して支持台２０に伝達され易くなり、センサ基板１０の温度が上昇することを抑制できる。したがって、ドライエッチングの際、エッチングされた部分の側壁に側壁保護膜（デポガス）が形成され難くなることを抑制でき、凹部１１の形状がばらつくことを抑制できる。
【００２７】
なお、図２（ｂ）中の矢印は、熱の伝達のされ易さを示しており、矢印が大きいほど熱が伝達され易いことを示している。つまり、センサ基板１０に発生した熱は、保護層１７よりも熱伝達ガス２２を介して支持台２０に伝達され易いことを示している。また、保護層１７の開口部１７ａから露出する部分は、支持台２０の一面２０ａと離間した状態となる（支持台２０の一面２０ａと接触しない）ため、当該露出した部分が損傷することもない。
【００２８】
このように、センサ基板１０に凹部１１が形成されることによってダイヤフラム部１２が形成され、上記圧力センサが製造される。
【００２９】
なお、上記では、１つの圧力センサの製造方法について説明したが、ウェハ状のセンサ基板１０を用意し、ウェハ状のまま上記各工程を行った後にこのものをダイシングカットしてチップ単位に分割するようにしてもよい。
【００３０】
以上説明したように、本実施形態では、保護層１７のうちの凹部形成予定領域と対向する領域に開口部１７ａを形成し、当該開口部１７ａに保護層１７よりも熱伝達率の高い熱伝達ガス２２を導入した状態でドライエッチングを行っている。このため、保護層１７に開口部１７ａが形成されていない場合と比較して、センサ基板１０に発生する熱が熱伝達ガス２２を介して支持台２０に伝達され易く、センサ基板１０の温度が上昇することを抑制できる。したがって、ドライエッチングの際、エッチングされた部分の側壁に側壁保護膜（デポガス）が形成され難くなることを抑制でき、凹部１１の形状がばらつくことを抑制できる。
【００３１】
（第２実施形態）
本発明の第２実施形態について説明する。本実施形態は、第１実施形態に対してパッシベーション膜１６にも開口部を形成したものであり、その他に関しては第１実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
【００３２】
本実施形態では、図３に示されるように、上記図２（ａ）の工程を行う際、パッシベーション膜１６にも開口部１６ａを形成する。具体的には、開口部１６ａは、パッシベーション膜１６のうちの凹部形成予定領域と対向する全ての領域が開口するように形成されている。言い換えると、開口部１６ａは、センサ基板１０の一面のうちの凹部１１が形成されることによってダイヤフラム部１２となる全ての領域が露出するように形成されている。なお、本実施形態では、開口部１６ａおよび開口部１７ａは同じ大きさとされている。そして、このものを支持台２０に固定し、上記図２（ｂ）と同様にドライエッチング工程を行うことによって凹部１１を形成する。この際、熱伝達ガス２２は、開口部１６ａ内にも導入される。つまり、開口部１６ａ、１７ａ内に熱伝達ガス２２を導入した状態でドライエッチングを行う。
【００３３】
以上説明したように、本実施形態では、パッシベーション膜１６に開口部１６ａを形成し、当該開口部１６ａ内にもパッシベーション膜１６より熱伝達率の高い熱伝達ガス２２を導入した状態でドライエッチングを行っている。したがって、センサ基板１０の温度が上昇することをさらに抑制できるため、凹部１１の形状がばらつくことをさらに抑制できる。
【００３４】
（第３実施形態）
本発明の第３実施形態について説明する。本実施形態は、第１実施形態に対して圧力センサの構造を変更したものであり、その他に関しては第１実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
【００３５】
まず、本実施形態の圧力センサの構造について説明する。本実施形態の圧力センサは、センサ基板１０の一面１０ａにキャップ基板４０が備えられたものである。
【００３６】
具体的には、センサ基板１０は、支持基板３１、絶縁膜３２、半導体層３３が順に積層され、一方向を長手方向とする平面矩形状のＳＯＩ（Silicon on Insulator）基板が用いられている。そして、半導体層３３のうちの絶縁膜３２と反対側の一面がセンサ基板１０の一面１０ａを構成し、支持基板３１のうちの絶縁膜３２と反対側の一面がセンサ基板１０の他面１０ｂを構成している。なお、本実施形態では、センサ基板１０が本発明の第１基板に相当している。
【００３７】
そして、凹部１１は、センサ基板１０のうちの長手方向の一端部側（図４中の紙面右側）に形成されている。本実施形態では、凹部１１は、センサ基板１０の他面１０ｂから絶縁膜３２に達するように形成されている。このため、ダイヤフラム部１２は、凹部１１の底面とセンサ基板１０の一面１０ａとの間に位置する絶縁膜３２および半導体層３３にて構成される。
【００３８】
さらに、ゲージ抵抗１３および拡散配線層１４は、センサ基板１０のうちの半導体層３３に形成されている。そして、拡散配線層１４は、ゲージ抵抗１３と接側される部分からセンサ基板１０の他端部側（図４中の紙面左側）まで引き出されている。
【００３９】
キャップ基板４０は、シリコン等の基板４１と、基板４１のうちのセンサ基板１０と対向する一面側に形成された絶縁膜４２と、基板４１のうちの絶縁膜４２側と反対側の一面に形成された絶縁膜４３とを有している。そして、絶縁膜４２がセンサ基板１０（半導体層３３）と接合されている。
【００４０】
本実施形態では、絶縁膜４２とセンサ基板１０（半導体層３３）とは、絶縁膜４２およびセンサ基板１０のうちの接合面を活性化させて接合するいわゆる直接接合等で接合されている。
【００４１】
なお、本実施形態では、キャップ基板４０が本発明の第２基板に相当しており、センサ基板１０とキャップ基板４０にて本発明の半導体基板６０が構成されている。また、絶縁膜４３のうちの基板４１と反対側の一面にて半導体基板６０の一面６０ａ（キャップ基板４０の他面４０ｂ）が構成され、センサ基板１０の他面１０ｂにて半導体基板６０の他面６０ｂが構成され、絶縁膜４２のうちの基板４１と反対側の一面にてキャップ基板４０の一面４０ａが構成されている。
【００４２】
基板４１には、ダイヤフラム部１２と対向する部分（凹部１１の底面と対向する部分）に窪み部４１ａが形成されている。そして、センサ基板１０とキャップ基板４０との間には、この窪み部４１ａによって構成される基準室５０が形成されている。本実施形態では、窪み部４１ａは、凹部１１よりも開口端部が大きくされており、凹部１１の底面（ダイヤフラム部１２）をセンサ基板１０の一面１０ａに投影した投影領域が窪み部４１ａの開口端部内に全て位置するように構成されている。
【００４３】
なお、図４では、窪み部４１ａの壁面に絶縁膜４２が形成されていないものを図示しているが、窪み部４１ａの壁面に絶縁膜４２が形成されていてもよい。また、窪み部４１ａは、凹部１１よりも開口端部が小さくされていてもよい。そして、本実施形態では、基準室５０は、真空圧とされている。
【００４４】
また、キャップ基板４０には、センサ基板１０とキャップ基板４０との積層方向にキャップ基板４０を貫通する複数の貫通孔４４が形成されている。具体的には、複数の貫通孔４４は、各拡散配線層１４の一部をそれぞれ露出させるように形成されている。そして、各貫通孔４４の壁面には、ＴＥＯＳ（Tetra ethyl ortho silicate）等で構成される絶縁膜４５が成膜され、絶縁膜４５上にはＡｌ等で構成される貫通電極４６が適宜拡散配線層１４と電気的に接続されるように形成されている。また、絶縁膜４３上には、貫通電極４６と電気的に接続されるパッド部４７が形成されている。
【００４５】
以上が本実施形態における圧力センサの構成である。このような圧力センサでは、ダイヤフラム部１２に圧力が印加されると、ダイヤフラム部１２は測定媒体の圧力と基準室５０との差圧に応じて変形する。そして、差圧に応じてブリッジ回路の電圧が変化するため、この電圧の変化に応じたセンサ信号が出力される。
【００４６】
次に、上記圧力センサの製造方法について図５を参照しつつ説明する。
【００４７】
まず、図５（ａ）に示されるように、周知の半導体製造プロセス工程を行い、センサ基板１０における半導体層３３に上記ゲージ抵抗１３および拡散配線層１４を形成する。
【００４８】
次に、図５（ｂ）に示されるように、基板４１に絶縁膜４２を形成した後、上記窪み部４１ａを形成する。そして、基板４１（絶縁膜４２）とセンサ基板１０とを接合する。本実施形態では、まず、センサ基板１０の接合面および絶縁膜４２の接合面にＡｒイオンビーム等を照射し、各接合面を活性化させる。そして、センサ基板１０および基板４１に適宜設けられたアライメントマーク等を用いて赤外顕微鏡等によるアライメントを行い、室温〜５５０°の低温で接合するいわゆる直接接合により、センサ基板１０と基板４１（絶縁膜４２）とを接合する。これにより、センサ基板１０と基板４１の窪み部４１ａとの間の空間によって基準室５０が構成される。
【００４９】
続いて、拡散配線層１４の一部が露出するように、ドライエッチング等で基板４１、絶縁膜４２を貫通する貫通孔４４を形成する。そして、各貫通孔４４の壁面にＴＥＯＳ等の絶縁膜４５を成膜する。このとき、基板４１上に形成された絶縁膜にて上記絶縁膜４３が構成される。次に、各貫通孔４４の底部に形成された絶縁膜４５を除去する。そして、各貫通孔４４にスパッタ法や蒸着法等でＡｌやＡｌ−Ｓｉ等の金属膜を成膜することにより、拡散配線層１４と電気的に接続される貫通電極４６を形成する。その後、キャップ基板４０の他面４０ｂ上に形成された金属膜をパターニングして貫通電極４６と電気的に接続されるパッド部４７を形成する。
【００５０】
なお、貫通孔４４を形成する際もドライエッチングを行うが、貫通孔４４を形成する際には、半導体基板６０の他面６０ｂ（センサ基板１０の他面１０ｂ）が支持台２０に吸着固定される。つまり、半導体基板６０の他面６０ｂには、配線等が何も形成されていないため、センサ基板１０の他面１０ｂが直接支持台２０に吸着固定される。このため、この工程におけるドライエッチングでは、半導体基板６０に発生する熱が支持台２０に伝達され易いため、半導体基板６０の温度が上昇し難くなっている。
【００５１】
次に、図５（ｃ）に示されるように、絶縁膜４３上に、貫通電極４６およびパッド部４７を覆いつつ、開口部１７ａが形成された保護層１７を形成する。具体的には、開口部１７ａは、上記と同様に、凹部形成予定領域と対向する領域を含む領域に形成されている。なお、本実施形態では、窪み部４１ａが凹部１１よりも開口端部が大きくされており、開口部１７ａは、窪み部４１ａと対向する領域も全て含む領域に形成されている。
【００５２】
また、半導体基板６０の他面６０ｂ（センサ基板１０の他面１０ｂ）上に、凹部形成予定領域が開口する開口部１８ａが形成されたマスク１８を配置する。
【００５３】
そして、図６に示されるように、保護層１７を支持台２０に吸着固定し、上記図２（ｂ）と同様に、開口部１７ａ内に熱伝達ガス２２を導入しつつドライエッチングを行って凹部１１を形成する。
【００５４】
この際、半導体基板６０の内部には、基準室５０が構成されており、基準室５０は真空圧とされているため、基準室５０が構成されていない場合よりキャップ基板４０の他面４０ｂ側に熱が伝達され難くなっている。このため、本実施形態のように、保護層１７に上記開口部１７ａを形成し、当該開口部１７ａ内に熱伝達ガス２２を導入しつつ、凹部１１を形成することにより、半導体基板１０の温度が上昇することを抑制できる。なお、図６（ｂ）中の矢印は、熱の伝達のされ易さを示しており、矢印が大きいほど熱が伝達され易いことを示している。つまり、センサ基板１０に発生した熱は、基準室５０が存在する部分では伝達され難いことを示し、保護層１７よりも熱伝達ガス２２を介して支持台２０に伝達され易いことを示している。
【００５５】
以上説明したように、本実施形態では、半導体基板６０の内部に基準室５０を有する圧力センサの製造方法に本発明を適用している。このように基準室５０を有する場合には、基準室５０が存在する部分では熱が伝達され難いため、保護層１７に開口部１７ａが形成されてない場合には、凹部１１の直下に位置する部分の温度が上昇し易くなり、さらに凹部１１の形状がばらつき易くなる。これに対し、本実施形態では、保護層１７に開口部１７ａを形成しているため、半導体基板６０の温度が上昇することを抑制できる。
【００５６】
（第４実施形態）
本発明の第４実施形態について説明する。本実施形態は、第１実施形態に対してウェハ状の半導体基板１０を用いるものであり、その他に関しては第１実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
【００５７】
本実施形態では、上記図２（ａ）の工程を行う際、図７に示されるように、複数のチップ形成領域７０を有し、各チップ形成領域７０がスクライブライン７１にて区画されたウェハ状の半導体基板１０を用意する。そして、各チップ形成領域７０に、上記ゲージ抵抗１３、拡散配線層１４、金属配線１５、パッシベーション膜１６を形成する。また、各チップ形成領域７０に形成されたパッシベーション膜１６上に、凹部形成予定領域と対向する領域を含む領域に開口部１７ａが形成されている上記保護層１７を形成する。
【００５８】
この際、各チップ形成領域７０に形成された開口部１７ａは、隣接するチップ形成領域７０の開口部１７ａの少なくとも１つと繋がるように形成する。本実施形態では、保護層１７には、スクライブライン７１と対向する部分にも開口部１７ｂが形成されていると共に、各開口部１７ａと開口部１７ｂとを繋ぐ通路１７ｃがそれぞれ形成されている。これにより、隣接する開口部１７ａ同士が開口部１７ｂおよび通路１７ｃを介して繋がる構成とされている。なお、図７中では、各チップ形成領域７０の凹部形成予定領域を破線で示している。
【００５９】
そして、上記図２（ｂ）と同様にドライエッチングを行うことにより、各チップ形成領域７０に凹部１１を形成する。この際、各チップ形成領域７０の開口部１７ａ同士が繋がっているため、開口部１７ａ内に熱伝達ガス２２が滞留することを抑制できる。つまり、凹み部２１内から開口部１７ａ内に導入された熱伝達ガス２２を流動させることができる。このため、熱伝達ガス２２が流動することによって熱伝達ガス２２自体の温度が高くなることを抑制できる。したがって、熱伝達効率が低下することを抑制でき、凹部１１の形状がばらつくことをさらに抑制できる。
【００６０】
以上説明したように、本実施形態では、ウェハ状の半導体基板１０を用い、各チップ形成領域７０に形成された開口部１７ａ同士が繋がるようにしている。このため、開口部１７ａ内に熱伝達ガス２２が滞留することを抑制でき、凹部１１の形状がばらつくことをさらに抑制できる。
【００６１】
（他の実施形態）
本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した範囲内において適宜変更が可能である。
【００６２】
例えば、上記各実施形態では、本発明を圧力センサの製造方法を適用した例について説明したが、本発明はドライエッチングにて凹部１１を形成する他の半導体装置の製造方法に適用することもできる。
【００６３】
また、上記各実施形態では、ドライエッチングで凹部１１を形成する工程では、エッチングガスとデポガスとを同時にチャンバ内に導入する例について説明したが、エッチングガスとデポガスとを交互に導入するようにしてもよい。つまり、エッチングする（掘り下げる）工程と、エッチングした部分の側壁に側壁保護膜を形成する工程とを交互に行うようにしてもよい。
【００６４】
さらに、上記各実施形態において、開口部１７ａは、保護層１７のうちの凹部形成予定領域と対向する全ての領域を含む領域に形成されていなくてもよい。つまり、開口部１７ａは、保護層１７のうちの凹部形成予定領域と対向する一部の領域に形成されていてもよい。このような開口部１７ａを形成して凹部１１を形成したとしても、凹部１１内に熱伝達ガス２２を導入しつつドライエッチングを行うことにより、上記第１実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００６５】
また、上記各実施形態を適宜組み合わせるようにしてもよい。すなわち、上記第２実施形態を上記第４実施形態に組み合わせ、パッシベーション膜１６に開口部１６ａを形成するようにしてもよい。また、上記第２実施形態を上記第３実施形態に組み合わせ、半導体基板６０の一面６０ａ上にパッシベーション膜１６を形成し、当該パッシベーション膜１６に開口部１６ａを形成するようにしてもよい。さらに、上記第３実施形態を上記第４実施形態に組み合わせ、基準室５０を有する圧力センサの製造方法としてもよい。
【符号の説明】
【００６６】
１０    センサ基板
１０ａ  一面
１０ｂ  他面
１１    凹部
１７    保護層
１７ａ  開口部
２０    支持台
６０    半導体基板
６０ａ  一面
６０ｂ  他面
【図１】
0006515691.tif 000002
【図２】
0006515691.tif 000003
【図３】
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【図４】
0006515691.tif 000005
【図５】
0006515691.tif 000006
【図６】
0006515691.tif 000007
【図７】
0006515691.tif 000008