(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材と、該基材の一の平面に設定された凹凸構造領域に位置する複数の凸部と、を少なくとも有し、
隣接する凸部であって、一方の凸部の側壁面から該側壁面と対向する他方の凸部の側壁面までの対向距離を、前記平面に平行な面内における距離としたときに、該対向距離の最小値が５０ｎｍ以下となる位置関係にある凸部を有し、
該位置関係にある前記凸部の前記側壁面同士が対向して形成される対向領域において、前記対向距離が最小となる部位は、前記対向領域の中央部を除いた部位に存在し、 
前記位置関係にある前記凸部の少なくとも一方の凸部は、前記対向領域の中央部に凹み部を有し、 
前記位置関係にある前記凸部の対向する側壁面の大きさが異なり、少なくとも側壁面の小さい前記凸部の側壁面に前記凹み部が存在することを特徴とするインプリントモールド。
【請求項２】
基材と、該基材の一の平面に設定された凹凸構造領域に位置する複数の凸部と、を少なくとも有し、 
隣接する凸部であって、一方の凸部の側壁面から該側壁面と対向する他方の凸部の側壁面までの対向距離を、前記平面に平行な面内における距離としたときに、該対向距離の最小値が５０ｎｍ以下となる位置関係にある凸部を有し、 
該位置関係にある前記凸部の前記側壁面同士が対向して形成される対向領域において、前記対向距離が最小となる部位は、前記対向領域の中央部を除いた部位に存在し、 
前記位置関係にある前記凸部において、前記対向距離が最小となる部位が、前記対向領域の幅方向の両側端から中央部寄りの１０ｎｍまでの範囲を除く領域に存在することを特徴とするインプリントモールド。
【請求項３】
基材と、該基材の一の平面に設定された凹凸構造領域に位置する複数の凸部と、を少なくとも有し、 
隣接する凸部であって、一方の凸部の側壁面から該側壁面と対向する他方の凸部の側壁面までの対向距離を、前記平面に平行な面内における距離としたときに、該対向距離の最小値が５０ｎｍ以下となる位置関係にある凸部を有し、 
該位置関係にある前記凸部の前記側壁面同士が対向して形成される対向領域において、前記対向距離が最小となる部位は、前記対向領域の中央部を除いた部位に存在し、 
前記位置関係にある前記凸部において、前記凸部の断面形状が矩形である場合、該断面形状は、各辺が外側に出っ張るような丸みを有するもの、あるいは、角部の丸みが大きいものであることを特徴とするインプリントモールド。
【請求項４】
前記角部の丸みは、断面形状において角部をなす２つの辺の外挿線の交点から、丸みが存在する範囲が１０ｎｍを超えるものであることを特徴とする請求項３に記載のインプリントモールド。
【請求項５】
基材と、該基材の一の平面に設定された凹凸構造領域に位置する複数の凸部と、を少なくとも有し、 
隣接する凸部であって、一方の凸部の側壁面から該側壁面と対向する他方の凸部の側壁面までの対向距離を、前記平面に平行な面内における距離としたときに、該対向距離の最小値が５０ｎｍ以下となる位置関係にある凸部を有し、 
該位置関係にある前記凸部の前記側壁面同士が対向して形成される対向領域において、前記対向距離が最小となる部位は、前記対向領域の中央部を除いた部位に存在し、 
前記位置関係にある前記凸部の少なくとも一方の凸部は、他方の凸部と対向していない側壁面に、該凸部の幅よりも狭い幅の凸部が連続していることを特徴とするインプリントモールド。
【請求項６】
前記対向距離は、前記対向領域の中央部において最大であることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれかに記載のインプリントモールド。
【請求項７】
前記位置関係にある前記凸部において、前記対向領域の幅方向の長さは、前記最小値の１倍〜１０倍の範囲であることを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれかに記載のインプリントモールド。
【請求項８】
前記位置関係にある前記凸部の少なくとも一方の凸部は、前記対向領域の中央部に凹み部を有することを特徴とする請求項２乃至請求項５のいずれかに記載のインプリントモールド。
【請求項９】
前記位置関係にある前記凸部の対向する側壁面の大きさが異なり、少なくとも側壁面の小さい前記凸部の側壁面に前記凹み部が存在することを特徴とする請求項８に記載のインプリントモールド。
【請求項１０】
側壁面の大きい前記凸部の側壁面にも前記凹み部が存在し、側壁面の小さい前記凸部の側壁面に存在する前記凹み部の深さおよび／または幅と、側壁面の大きい前記凸部の側壁面に存在する前記凹み部の深さおよび／または幅が異なることを特徴とする請求項１または請求項９に記載のインプリントモールド。
【請求項１１】
被転写体の所望の面に、被成形樹脂材料層を形成する工程と、
請求項１乃至請求項１０のいずれかに記載のインプリントモールドの凸部の途中までを前記被成形樹脂材料層に押し込み、当該状態で前記被成形樹脂材料層を硬化させて樹脂層を形成する工程と、
前記樹脂層と前記インプリントモールドを引き離し、前記モールドが備える凸部に対応した凹部を有する樹脂層を前記被転写体上に位置させる工程と、を有することを特徴とするインプリント方法。
【請求項１２】
基材と、該基材の一の平面に設定された凹凸構造領域に位置する複数の凸部と、を少なくとも有し、隣接する凸部であって、一方の凸部の側壁面から該側壁面と対向する他方の凸部の側壁面までの対向距離を、前記平面に平行な面内における距離としたときに、該対向距離の最小値が５０ｎｍ以下となる位置関係にある凸部を有し、該位置関係にある前記凸部の前記側壁面同士が対向して形成される対向領域において、前記対向距離が最小となる部位は、前記対向領域の中央部を除いた部位に存在するインプリントモールドを用いたインプリント方法であって、 
被転写体の所望の面に、被成形樹脂材料層を形成する工程と、
前記インプリントモールドの凸部の途中までを前記被成形樹脂材料層に押し込み、当該状態で前記被成形樹脂材料層を半硬化させて樹脂層を形成する工程と、
前記樹脂層と前記インプリントモールドを引き離す工程と、を前記被成形樹脂材料層の所望の領域に繰り返し行い、その後、前記樹脂層を硬化させて、前記モールドが備える凸部に対応した凹部を有する樹脂層を前記被転写体上に位置させることを特徴とするインプリント方法。
【請求項１３】
被転写体の所望の面に、被成形樹脂材料層を形成する工程と、
請求項１乃至請求項１０のいずれかに記載のインプリントモールドの凸部の途中までを前記被成形樹脂材料層に押し込み、当該状態で前記被成形樹脂材料層を半硬化させて樹脂層を形成する工程と、
前記樹脂層と前記インプリントモールドを引き離す工程と、を前記被成形樹脂材料層の所望の領域に繰り返し行い、その後、前記樹脂層を硬化させて、前記モールドが備える凸部に対応した凹部を有する樹脂層を前記被転写体上に位置させることを特徴とするインプリント方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インプリント方法、特にナノインプリント方法にて高精度のパターン形成が可能なインプリントモールドと、そのようなインプリントモールドを用いたインプリント方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、フォトリソグラフィ技術に代わる微細なパターン形成技術として、インプリント方法を用いたパターン形成技術が注目されている。インプリント方法は、微細な凹凸構造を備えた型部材（モールド）を用い、凹凸構造を被成形樹脂材料に転写することで微細構造を等倍転写するパターン形成技術である。例えば、被成形樹脂材料として光硬化性レジストを用いたインプリント方法では、被転写体の表面に光硬化性レジストの液滴を供給し、所望の凹凸構造を有するモールドと被転写体とを所定の距離まで近接させて凹凸構造内に光硬化性レジストを充填し、この状態でモールド側から光を照射して光硬化性レジストを硬化させてレジスト層を形成し、その後、モールドをレジスト層から引き離すことにより、モールドが備える凹凸が反転した凹凸構造を有するレジストパターン（凹凸パターン）を被転写体上に形成する。そして、このレジストパターンをエッチングマスクとして被転写体をエッチングすることにより、被転写体にパターン構造体を形成することができる。このようなインプリント方法は、例えば、集積回路の形成において、メモリセルのような周期的なライン／スペース形状のパターン形成等に用いられている（特許文献１）。
【０００３】
また、近年の半導体装置等のパターンの微細化に伴い、コンタクトホールの微細化や配置の高密度化が進み、フォトリソグラフィー法によるコンタクトホールの形成が困難であるという問題があった。また、極紫外線（ＥＵＶ）を使用したフォトリソグラフィー法であっても、露光に要する時間が長く、スループットが低くなるという問題があった。このため、インプリント方法によるコンタクトホールの形成が検討されている。例えば、被転写体の表面に予めレジスト層を形成しておき、モールドが備える凹凸構造の凸部の途中までをレジスト層に刺し込み、この状態でレジスト層を硬化させ、その後、モールドを引き離すことにより、モールドが備える凸部に対応した凹部を有するレジストパターンを被転写体上に形成する。そして、このレジストパターンをエッチングマスクとして被転写体をエッチングすることにより、コンタクトホールを形成する方法が検討されている（特許文献２）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１２−６８４５０号公報
【特許文献２】特開２０１３−６９９２１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、インプリント方法では、モールドを用いて被転写体上に形成したレジストパターンは、形成時の硬化工程により収縮が生じ、モールドが備える凸部に対応した凹部の形状を高い精度で維持できなくなるという問題があった。
また、モールドを用いて形成したレジストパターンの凹部の底部には残膜が存在し、この残膜を除去するためのエッチングの前後で凹部のパターン形状に変化が生じ、このため、モールドが備える凹凸が反転した正確な凹凸構造を有するレジストパターンの形成に支障を来す場合があった。モールドが備える凹凸構造の凸部の途中までをレジスト層に刺し込むインプリント方法では、残膜が厚くなるので、上記のような残膜に起因した問題は、更に顕著なものとなる。
【０００６】
このようなレジストパターンの収縮、残膜除去のエッチングによるパターン形状の変化は、例えば、半導体デバイスのコンタクトホール形成、電極パターン形成、微細な配線の形成等にインプリント方法を適用する場合に問題となる。すなわち、レジストパターンをエッチングマスクとして被転写体をエッチングする際に、レジストパターンにおける隣接した凹部間に存在するレジストの細り、歪みにより、コンタクトホール間の間隔制御、電極パターン間の距離制御、あるいは、微細な配線形成を高い精度で行うことが困難となる。特に、隣接した凹部間に存在するレジストの細りは、レジストの中央部において顕著であり、このため、エッチングの途中で凹部間に存在するレジストが中央部において消失する場合には、所望のパターンの電気的な独立が損なわれ、短絡を生じるという問題があった。
本発明は、上述のような実情に鑑みてなされたものであり、所望の形状のパターンを高い精度で形成するためのインプリントモールドと、このようなインプリントモールドを用いたインプリント方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
このような目的を達成するために、本発明のインプリントモールドは、基材と、該基材の一の平面に設定された凹凸構造領域に位置する複数の凸部と、を少なくとも有し、隣接する凸部であって、一方の凸部の側壁面から該側壁面と対向する他方の凸部の側壁面までの対向距離を、前記平面に平行な面内における距離としたときに、該対向距離の最小値が５０ｎｍ以下となる位置関係にある凸部を有し、該位置関係にある前記凸部の前記側壁面同士が対向して形成される対向領域において、前記対向距離が最小となる部位は、前記対向領域の中央部を除いた部位に存在し、前記位置関係にある前記凸部の少なくとも一方の凸部は、前記対向領域の中央部に凹み部を有し、前記位置関係にある前記凸部の対向する側壁面の大きさが異なり、少なくとも側壁面の小さい前記凸部の側壁面に前記凹み部が存在するような構成とした。
本発明の他の態様として、側壁面の大きい前記凸部の側壁面にも前記凹み部が存在し、側壁面の小さい前記凸部の側壁面に存在する前記凹み部の深さおよび／または幅と、側壁面の大きい前記凸部の側壁面に存在する前記凹み部の深さおよび／または幅が異なるような構成とした。 
本発明のインプリントモールドは、基材と、該基材の一の平面に設定された凹凸構造領域に位置する複数の凸部と、を少なくとも有し、隣接する凸部であって、一方の凸部の側壁面から該側壁面と対向する他方の凸部の側壁面までの対向距離を、前記平面に平行な面内における距離としたときに、該対向距離の最小値が５０ｎｍ以下となる位置関係にある凸部を有し、該位置関係にある前記凸部の前記側壁面同士が対向して形成される対向領域において、前記対向距離が最小となる部位は、前記対向領域の中央部を除いた部位に存在し、前記位置関係にある前記凸部において、前記対向距離が最小となる部位が、前記対向領域の幅方向の両側端から中央部寄りの１０ｎｍまでの範囲を除く領域に存在するような構成とした。 
本発明のインプリントモールドは、基材と、該基材の一の平面に設定された凹凸構造領域に位置する複数の凸部と、を少なくとも有し、隣接する凸部であって、一方の凸部の側壁面から該側壁面と対向する他方の凸部の側壁面までの対向距離を、前記平面に平行な面内における距離としたときに、該対向距離の最小値が５０ｎｍ以下となる位置関係にある凸部を有し、該位置関係にある前記凸部の前記側壁面同士が対向して形成される対向領域において、前記対向距離が最小となる部位は、前記対向領域の中央部を除いた部位に存在し、前記位置関係にある前記凸部において、前記凸部の断面形状が矩形である場合、該断面形状は、各辺が外側に出っ張るような丸みを有するもの、あるいは、角部の丸みが大きいものであるような構成とした。 
本発明の他の態様として、前記角部の丸みは、断面形状において角部をなす２つの辺の外挿線の交点から、丸みが存在する範囲が１０ｎｍを超えるものであるような構成とした。 
本発明のインプリントモールドは、基材と、該基材の一の平面に設定された凹凸構造領域に位置する複数の凸部と、を少なくとも有し、隣接する凸部であって、一方の凸部の側壁面から該側壁面と対向する他方の凸部の側壁面までの対向距離を、前記平面に平行な面内における距離としたときに、該対向距離の最小値が５０ｎｍ以下となる位置関係にある凸部を有し、該位置関係にある前記凸部の前記側壁面同士が対向して形成される対向領域において、前記対向距離が最小となる部位は、前記対向領域の中央部を除いた部位に存在し、前記位置関係にある前記凸部の少なくとも一方の凸部は、他方の凸部と対向していない側壁面に、該凸部の幅よりも狭い幅の凸部が連続しているような構成とした。
【０００８】
本発明の他の態様として、前記対向距離は、前記対向領域の中央部において最大であるような構成とした。
本発明の他の態様として、前記位置関係にある前記凸部において、前記対向領域の幅方向の長さは、前記最小値の１倍〜１０倍の範囲であるような構成とした。
本発明の他の態様として、前記位置関係にある前記凸部の少なくとも一方の凸部は、前記対向領域の中央部に凹み部を有するような構成とし、また、前記位置関係にある前記凸部の対向する側壁面の大きさが異なり、少なくとも側壁面の小さい前記凸部の側壁面に前記凹み部が存在するような構成とし、また、側壁面の大きい前記凸部の側壁面にも前記凹み部が存在し、側壁面の小さい前記凸部の側壁面に存在する前記凹み部の深さおよび／または幅と、側壁面の大きい前記凸部の側壁面に存在する前記凹み部の深さおよび／または幅が異なるような構成とした。
【００１０】
本発明のインプリント方法は、被転写体の所望の面に、被成形樹脂材料層を形成する工程と、上述のいずれかのインプリントモールドの凸部の途中までを前記被成形樹脂材料層に押し込み、当該状態で前記被成形樹脂材料層を硬化させて樹脂層を形成する工程と、前記樹脂層と前記インプリントモールドを引き離し、前記モールドが備える凸部に対応した凹部を有する樹脂層を前記被転写体上に位置させる工程と、を有するような構成とした。
【００１１】
また、本発明のインプリント方法は、被転写体の所望の面に、被成形樹脂材料層を形成する工程と、上述のいずれかのインプリントモールドの凸部の途中までを前記被成形樹脂材料層に押し込み、当該状態で前記被成形樹脂材料層を半硬化させて樹脂層を形成する工程と、前記樹脂層と前記インプリントモールドを引き離す工程と、を前記被成形樹脂材料層の所望の領域に繰り返し行い、その後、前記樹脂層を硬化させて、前記モールドが備える凸部に対応した凹部を有する樹脂層を前記被転写体上に位置させるような構成とした。
また、本発明のインプリント方法は、基材と、該基材の一の平面に設定された凹凸構造領域に位置する複数の凸部と、を少なくとも有し、隣接する凸部であって、一方の凸部の側壁面から該側壁面と対向する他方の凸部の側壁面までの対向距離を、前記平面に平行な面内における距離としたときに、該対向距離の最小値が５０ｎｍ以下となる位置関係にある凸部を有し、該位置関係にある前記凸部の前記側壁面同士が対向して形成される対向領域において、前記対向距離が最小となる部位は、前記対向領域の中央部を除いた部位に存在するインプリントモールドを用いたインプリント方法であって、被転写体の所望の面に、被成形樹脂材料層を形成する工程と、前記インプリントモールドの凸部の途中までを前記被成形樹脂材料層に押し込み、当該状態で前記被成形樹脂材料層を半硬化させて樹脂層を形成する工程と、前記樹脂層と前記インプリントモールドを引き離す工程と、を前記被成形樹脂材料層の所望の領域に繰り返し行い、その後、前記樹脂層を硬化させて、前記モールドが備える凸部に対応した凹部を有する樹脂層を前記被転写体上に位置させるような構成とした。
【発明の効果】
【００１２】
本発明のインプリントモールドは、隣接する凹部パターン間の距離を高い精度で制御するパターン形成が可能である。
本発明のインプリント方法は、寸法精度が良好なパターンを形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】図１は、本発明のインプリントモールドの一実施形態を説明するための側面図である。
【図２】図２は、本発明のインプリントモールドにおいて隣接する凸部の一例を示す側面図である。
【図３】図３は、本発明のインプリントモールドにおいて隣接する凸部の一例を示す平面図である。
【図４】図４は、本発明のインプリントモールドにおいて隣接する凸部の一例を示す斜視図である。
【図５】図５は、本発明のインプリントモールドの他の実施形態における凸部の平面図であり、図３相当の図である。
【図６】図６は、本発明のインプリントモールドの他の実施形態における凸部の平面図であり、図３相当の図である。
【図７】図７は、本発明のインプリントモールドの他の実施形態における凸部の平面図であり、図３相当の図である。
【図８】図８は、本発明のインプリントモールドの他の実施形態における凸部の平面図であり、図３相当の図である。
【図９】図９は、本発明のインプリントモールドの他の実施形態における凸部の平面図であり、図３相当の図である。
【図１０】図１０は、本発明のインプリントモールドの他の実施形態における凸部の平面図であり、図３相当の図である。
【図１１】図１１は、本発明のインプリントモールドの他の実施形態における凸部の平面図であり、図３相当の図である。
【図１２】図１２は、本発明のインプリント方法の一実施形態を説明するための工程図である。
【図１３】図１３は、インプリント方法で形成された凹部を示す斜視図である。
【図１４】図１４は、実施例において基材に形成した凹部間に存在する仕切り部の幅の測定位置を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。
尚、図面は模式的または概念的なものであり、各部材の寸法、部材間の大きさの比等は、必ずしも現実のものと同一とは限らず、また、同じ部材等を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比が異なって表される場合もある。
【００１５】
［インプリントモールド］
図１は、本発明のインプリントモールドの一実施形態を説明するための側面図である。図１において、本発明のインプリントモールド１１は、支持部１３の表面１３ａに凸構造部１４を備えた、いわゆるメサ構造の基材１２を有し、凸構造部１４の平面１４ａには、凹凸構造領域Ａが設定されており、この凹凸構造領域Ａに複数の凸部２１が位置している。尚、図１における基材１２と凸部２１との大きさの比、凸部２１の個数、位置等は便宜的なものである。また、凸構造部１４は、その表面１４ａの周縁が、凸構造部１４の外側の領域に対して２段以上の凸構造となっていてもよい。さらに、基材１２は、メサ構造ではなく、平板形状等の他の形状であってもよい。
インプリントモールド１１の基材１２は、光透過性が必要な場合には、例えば、石英ガラス、珪酸系ガラス、フッ化カルシウム、フッ化マグネシウム、アクリルガラス等のガラス類の他、サファイアや窒化ガリウム、更にはポリカーボネート、ポリスチレン、アクリル、ポリプロピレン等の樹脂、あるいは、これらの任意の積層材を用いることができる。また、基材１２に光透過性が必要ではない場合には、上記の材料以外に、例えば、シリコンやニッケル、チタン、アルミニウム等の金属およびこれらの合金、酸化物、窒化物、あるいは、これらの任意の積層材を用いることができる。
【００１６】
基材１２の厚みは、凸構造部１４の突出高さ、基材１２の強度、取り扱い適性等を考慮して設定することができ、例えば、３００μｍ〜１０ｍｍ程度の範囲で適宜設定することができる。
このようなインプリントモールド１１は、隣接する凸部２１であって、一方の凸部２１の側壁面から、この側壁面と対向する他方の凸部２１の側壁面までの対向距離を、上記の平面１４ａに平行な面内における距離としたときに、当該対向距離の最小値が５０ｎｍ以下となる位置関係にある凸部２１を有している。対向距離の最小値が５０ｎｍ以下であると、フォトリソグラフィー法による高精度のパターン形成が困難となる。また、対向距離が５０ｎｍ以下で隣接する凸部を備えた従来のインプリントモールドを使用したインプリントを用いて、凹部形状が隣接するようなレジストパターンを転写形成した場合においても、レジストパターンを介したエッチング時に、隣接するパターン同士がつながったり、パターン間の寸法制御が困難となる。このため、対向距離の最小値が５０ｎｍ以下となる位置関係にある凸部を有し、後述するような作用効果を奏する本発明のインプリントモールドが極めて有用となる。一方、対向距離の最小値の下限は、特に制限はなく、例えば、コンタクトホールの形成にインプリントモールド１１を使用した場合、対向距離の最小値が８ｎｍ未満であると、隣接するパターン同士を分離して転写形成できたとしても、トンネル効果の影響から、電気的に短絡してしまう懸念があるので、このような場合には、対向距離の最小値の下限を８ｎｍとすることができる。
【００１７】
図２は、対向距離の最小値が５０ｎｍ以下となる位置関係にある凸部２１の一例を示す側面図であり、図３は平面図であり、図４は斜視図である。図２〜図４では、対向する１組の凸部２１の一方の凸部を２１Ａ、他方の凸部を２１Ｂとして示している。図２〜図４において、隣接する１組の凸部２１Ａと凸部２１Ｂは、これらの凸部２１が配設されている平面１４ａに平行な面での断面形状が同じ大きさの正方形であり、凸部２１Ａの側壁面２２ａと凸部２１Ｂの側壁面２２ｂが対向している。凸部２１Ａの側壁面２２ａから、凸部２１Ｂの側壁面２２ｂまでの対向距離Ｌは、図２に示されるように、平面１４ａに平行な任意の面Ｐ（二点鎖線で示している）を設定したときに、この面Ｐ内において側壁面２２ａと側壁面２２ｂとが対向する方向（図２、図３に矢印ａで示される方向）での側壁面２２ａから側壁面２２ｂまでの距離である。
隣接して対向する１組の凸部２１Ａと凸部２１Ｂにおいて、対向する側壁面２２ａと側壁面２２ｂとの間には対向領域２７が形成されている。この対向領域２７の幅方向（図３に矢印ｂで示される方向）の長さＭは、図示例では、対向している凸部２１Ａ、凸部２１Ｂの矢印ｂ方向の寸法と同じである。尚、図３では、対向領域２７に網点を付して示している。
【００１８】
また、凸部２１Ａの側壁面２２ａ、凸部２１Ｂの側壁面２２ｂには、それぞれ対向領域２７の中央部に位置し、かつ、凸部２１Ａ，２１Ｂの頂部から底部（平面１４ａ側）方向に沿って、凹み部２４ａ、凹み部２４ｂが位置している。
上記の対向距離Ｌは、対向領域２７の中央部に位置する凹み部２４ａと凹み部２４ｂが対向する部位で最大値Ｌmaxとなっている。また、対向領域Ｌは、対向領域２７の側端寄りで最小値Ｌminとなっている。このように、本発明のインプリントモールドは、側壁面２２ａと側壁面２２ｂの対向距離Ｌが最小値Ｌminとなる部位が、対向領域２７の中央部を除いた位置に存在すればよい。
上記の対向領域２７の幅方向（矢印ｂで示される方向）の長さＭは、対向距離Ｌの最小値Ｌminの１倍〜１０倍の範囲である場合に、凹み部２４ａと凹み部２４ｂを形成することで、対向領域におけるエッチングをより安定的に実施することができる。
このような凸部２１の高さ（凸構造部１４の平面１４ａから頂部までの垂直距離）は２０〜２００ｎｍ程度、好ましくは５０〜１５０ｎｍの範囲で設定することができる。
【００１９】
ここで、微小な対向領域を介して隣接する凸部を備えた本発明のインプリントモールドを使用し、インプリントで形成したレジストパターンは、凸部に対応した凹部が形成され、凹部間を仕切るように存在するレジストの幅が中央部において大きいものとなる。図３に示される例では、対向領域２７の端部は凸部２１Ａ、凸部２１Ｂのコーナーと一致しており、インプリントモールド１１を用いて転写形成されるレジストパターンの凹部のコーナーとなる。通常、レジストパターンを介したエッチングでは、コーナーは、中央部に比べてエッチングが進行し難いため、コーナーと中央部とでエッチング速度に差が生じる。したがって、レジストパターンの凹部間に存在するレジストは、端部（レジストパターンの凹部のコーナー）に比べて中央部で、エッチングによる細りの進行が速く、このため、従来のインプリントモールドを使用した場合、凹部間を仕切るように存在するレジストの中央部がエッチング中に消失して隣接する凹部パターン同士がつながったり、レジストの中央部が細くなり、パターン間の寸法を制御することが困難となる。しかし、本発明では、図３に示されるように、微小面積のパターンが向かい合う対向領域２７に、凹み部２４ａと凹み部２４ｂが存在するので、対向領域２７に対応するレジストは、端部（レジストパターンの凹部のコーナー）よりも中央部において幅が大きいものとなる。このため、レジストパターンの凹部間を仕切るように存在するレジストにおいて、エッチング速度の差によるレジストの細りの進行に差が生じても、このレジストの中央部が端部よりも細くなることが抑制され、レジストの幅をより均一とすることができ、これによりパターン間の寸法をより均一にエッチングすることが可能となる。
【００２０】
凸部２１Ａの側壁面２２ａに位置する凹み部２４ａ、凸部２１Ｂの側壁面２２ｂに位置する凹み部２４ｂの深さ（側壁面２２ａと側壁面２２ｂとが対向する方向である矢印ａ方向の凹みの程度）、幅（対向領域２７の幅方向である矢印ｂ方向の凹み部位の幅）、位置は適宜設定することができる。例えば、凹み部２４ａ，２４ｂの深さは、インプリントにより対向領域２７に対応するように形成されるレジストの端部（レジストパターンの凹部のコーナー）と中央部における、エッチング速度の差によるレジストの細りの進行の差に応じて設定することができ、対向距離Ｌの最小値Ｌminの０．０５倍〜０．２倍の範囲で適宜設定することができる。また、凹み部２４ａ，２４ｂの幅は、インプリントにより対向領域２７に対応するように形成されるレジストの端部（レジストパターンの凹部のコーナー）と中央部における、エッチング速度の差によるレジストの細りの進行の差が生じる領域に応じて設定することができ、対向領域２７の幅方向（矢印ｂで示される方向）の長さＭの０．３倍〜０．７倍の範囲で適宜設定することができる。さらに、対向距離Ｌが最小値Ｌminとなる部位が、対向領域２７の幅方向の両側端から中央部寄りの１０ｎｍまでの範囲を除く領域に存在するように、凹み部２４ａ，２４ｂの幅、位置を設定してもよい。このように対向距離Ｌが最小値Ｌminとなる部位を適宜設定することにより、インプリントモールド１１を用いて転写形成されるレジストパターンを介したエッチングにおいて、パターン間の寸法をより均一なものに制御することができる。
【００２１】
尚、図示例では、凸部２１の側壁面が凸構造部１４の平面１４ａに対して垂直となっているが、凸部２１は、頂部が底部（平面１４ａ側）よりも小さくなるようなテーパー形状であってもよい。この場合、上述の「平面１４ａに平行な面Ｐ」の設定位置は、凸部２１の頂部から底部に向かう方向であって、頂部から所望の範囲内、例えば、インプリント時に凸部２１を被成形樹脂材料層に刺し込む深さの範囲内のいずれの位置であってよい。以下の実施形態においても同様である。
また、上述の例では、対向領域２７の中央部に位置する凹み部２４ａと凹み部２４ｂとが対向する部位で、対向距離Ｌが最大値Ｌmaxとなっているが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、平面１４ａに平行な面での凸部２１Ａ、凸部２１Ｂの正方形断面の各辺が外側に出っ張るような丸みを有するものである場合、あるいは、正方形断面の角部の丸みが大きい場合、隣接して対向する側壁面２２ａ、側壁面２２ｂの対向距離Ｌは、対向領域２７の幅方向の側端部において最大値Ｌmaxとなってもよい。本発明のインプリントモールドは、このような形状の凸部を備えたインプリントモールドであってもよく、側壁面２２ａ、側壁面２２ｂの対向距離Ｌが最小値Ｌminとなる部位が、対向領域の中央部を除いた位置に存在すればよい。尚、上記の角部の丸みが大きい場合とは、断面形状において角部をなす２つの辺の外挿線の交点から、丸みが存在する範囲が１０ｎｍを超える場合を意味する。以下においても同様である。
【００２２】
図５は、本発明のインプリントモールドの他の実施形態における凸部の平面図であり、図３相当の図である。この図５では、対向距離の最小値が５０ｎｍ以下となる位置関係にある凸部３１を示しており、一方の凸部を３１Ａ、他方の凸部を３１Ｂとして示している。図５において、隣接する１組の凸部３１Ａと凸部３１Ｂは、これらの凸部３１が配設されている平面（図２では平面１４ａ）に平行な面での断面形状が正方形である。そして、凸部３１Ａの断面形状に対して、対向している凸部３１Ｂの断面形状が大きいものとなっており、凸部３１Ａの側壁面３２ａが、凸部３１Ｂの側壁面３２ｂの一部と対向している。凸部３１Ａの側壁面３２ａから、凸部３１Ｂの側壁面３２ｂまでの対向距離Ｌは、図２に示される例と同様に、凸部３１Ａと凸部３１Ｂが配設されている平面（図２では平面１４ａ）に平行な任意の面を設定したときに、この面内において側壁面３２ａと側壁面３２ｂとが対向する方向（図５に矢印ａで示される方向）での側壁面３２ａから側壁面３２ｂまでの距離である。
上記のように隣接して対向する１組の凸部３１Ａと凸部３１Ｂにおいて、対向する側壁面３２ａと側壁面３２ｂとの間には対向領域３７が形成されている。この対向領域３７の幅方向（図５に矢印ｂで示される方向）の長さＭは、凸部３１Ａの矢印ｂ方向の寸法と同じである。尚、図５では、対向領域３７に網点を付して示している。
【００２３】
また、凸部３１Ｂに比べて対向する側壁面が小さい凸部３１Ａの側壁面３２ａには、対向領域３７の中央部に位置し、かつ、凸部３１Ａの頂部から底部方向に沿って、凹み部３４ａが位置している。
上記の対向距離Ｌは、対向領域３７の中央部に位置する凹み部３４ａで最大値Ｌmaxとなっている。また、対向距離Ｌは、対向領域３７の中央部から側端寄りで最小値Ｌminとなっている。このように、本発明のインプリントモールドは、側壁面３２ａと側壁面３２ｂの対向距離Ｌが最小値Ｌminとなる部位が、対向領域３７の中央部を除いた位置に存在すればよい。
また、対向領域３７の幅方向（矢印ｂで示される方向）の長さＭは、対向距離Ｌの最小値Ｌminの１倍〜１０倍の範囲であることが好ましい。
このような凸部３１の高さは２０〜２００ｎｍ程度、好ましくは５０〜１５０ｎｍの範囲で設定することができる。
尚、図５に示される例では、対向領域３７の中央部に位置する凹み部３４ａにおいて対向距離Ｌが最大値Ｌmaxとなっているが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、凸部３１Ａが配設されている平面に平行な任意の面での凸部３１Ａの正方形断面の各辺が外側に出っ張るような丸みを有するものである場合、あるいは、正方形断面の角部の丸みが大きい場合、隣接して対向する側壁面３２ａ、側壁面３２ｂの対向距離Ｌは、対向領域３７の幅方向の側端部において最大値Ｌmaxとなってもよい。
【００２４】
図５に示される例では、対向領域３７の端部は、凸部３１Ａのコーナーと一致しており、このインプリントモールドを用いて転写形成されるレジストパターンの凹部のコーナーとなる。一方、凸部３１Ｂのコーナーは対向領域３７の端部から離れた位置にある。上述のように、レジストパターンを介したエッチングでは、通常、コーナーは、中央部に比べてエッチングが進行し難いため、コーナーと中央部とでエッチング速度に差が生じる。しかし、凸部３１Ａに対応したレジストパターンの凹部と、凸部３１Ｂに対応したレジストパターンの凹部とを比較した場合、コーナーが中央部により近く位置する凸部３１Ａに対応した凹部の方が、エッチング時においてコーナーの影響を受け易い。このため、凸部３１Ａの方に凹み部３４ａを設けることにより、凹部間を仕切るように存在するレジストの中央部がエッチング中に消失して隣接する凹部パターン同士がつながるようなことが防止され、また、このレジストの中央部が端部よりも細くなることが抑制される。これにより、レジストの幅をより均一とすることができ、パターン間の寸法がより均一となるようにエッチングすることが可能となる。
【００２５】
また、図６に示すように、凸部３１Ａに比べて対向する側壁面が大きい凸部３１Ｂの側壁面３２ｂにも、対向領域３７の中央部に位置し、かつ、凸部３１Ｂの頂部から底部方向に沿って、凹み部３４ｂが位置していてもよい。この例では、対向領域３７の中央部に位置する凹み部３４ａと凹み部３４ｂとが対向する部位で、対向距離Ｌが最大値Ｌmaxとなり、対向領域３７の中央部から側端寄りで、対向距離Ｌが最小値Ｌminとなっている。したがって、側壁面３２ａと側壁面３２ｂの対向距離Ｌが最小値Ｌminとなる部位は、対向領域３７の中央部を除いた位置に存在している。
【００２６】
上記のように、凸部３１Ａの側壁面３２ａに位置する凹み部３４ａ、凸部３１Ｂの側壁面３２ｂに位置する凹み部３４ｂの深さ（矢印ａ方向の凹みの程度）、幅（矢印ｂ方向の凹み部位の幅）、位置は適宜設定することができ、凹み部３４ａの深さおよび／または幅と、凹み部３４ｂの深さおよび／または幅は、同一であってもよく、また、図６に示すように、異なるものであってもよい。例えば、凹み部３４ａ，３４ｂの深さは、対向領域３７に対応するレジストの端部（凸部３１Ａに対応するレジストパターンの凹部のコーナー）と中央部における、エッチング速度の差によるレジストの細りの進行の差に応じて設定することができ、対向距離Ｌの最小値Ｌminの０．０５倍〜０．２倍の範囲で適宜設定することができる。また、凹み部３４ａ，３４ｂの幅は、対向領域３７に対応するレジストの端部（凸部３１Ａに対応するレジストパターンの凹部のコーナー）と中央部における、エッチング速度の差によるレジストの細りの進行の差が生じる領域に応じて設定することができ、対向領域３７の幅方向（矢印ｂで示される方向）の長さＭの０．３倍〜０．７倍の範囲で適宜設定することができる。さらに、対向距離Ｌが最小値Ｌminとなる部位が、対向領域３７の幅方向の両側端から中央部寄りの１０ｎｍまでの範囲を除く領域に存在するように、凹み部３４ａ、凹み部３４ｂの幅、位置を設定してもよい。このように対向距離Ｌが最小値Ｌminとなる部位を適宜設定することにより、インプリントモールド１１を用いて転写形成されるレジストパターンを介したエッチングにおいて、パターン間の寸法をより均一なものに制御することができる。
【００２７】
図６に示される例では、対向領域３７の端部は、凸部３１Ａのコーナーと一致しており、このインプリントモールドを用いて転写形成されるレジストパターンの凹部のコーナーとなる。一方、凸部３１Ｂのコーナーは対向領域３７の端部から離れた位置にある。上述のように、レジストパターンを介してエッチングでは、通常、コーナーは、中央部に比べてエッチングが進行し難いため、コーナーと中央部とでエッチング速度に差が生じる。しかし、凸部３１Ａに対応したレジストパターンの凹部と、凸部３１Ｂに対応したレジストパターンの凹部とを比較した場合、コーナーが中央部により近く位置する凸部３１Ａに対応した凹部の方が、エッチング時においてコーナーの影響を受け易い。このため、凸部３１Ａに位置する凹み部３４ａは、深さを大きくし、凸部３１Ｂに位置する凹み部３４ｂは、深さは浅いが、幅を長く設定している。このように凹み部３４ａ，３４ｂを設けたことにより、凹部間を仕切るように存在するレジストの中央部がエッチング中に消失して隣接する凹部パターン同士がつながるようなことが防止される。また、対向領域３７を有する凸部３１Ａ、凸部３１Ｂの側壁の長さや、凸部３１Ａ、凸部３１Ｂが配設されている平面（図２では平面１４ａ）に平行な面での凸部３１Ａ、凸部３１Ｂの断面形状の面積等に合わせて、凹み部３４ａ，３４ｂの深さ、幅を設定することで、寸法の均一性も向上することができる。
尚、凹み部３４ａ，３４ｂの深さ、幅は、事前にインプリント転写を行った結果を用いて設定することができる。
【００２８】
図７は、本発明のインプリントモールドの他の実施形態における凸部の平面図であり、図３相当の図である。この図７では、対向距離の最小値が５０ｎｍ以下となる位置関係にある３個の凸部４１を示しており、各凸部を４１Ａ、４１Ｂ、４１Ｃとして示している。図７において、凸部４１Ａ，４１Ｂ，４１Ｃは、これらの凸部４１が配設されている平面（図２では平面１４ａ）に平行な面での断面形状が同じ大きさの正８角形であり、凸部４１Ｂが凸部４１Ａ、凸部４１Ｃと隣接している。
隣接する１組の凸部４１Ａと凸部４１Ｂは、凸部４１Ａの側壁面４２ａが、凸部４１Ｂの側壁面４２ｂと対向している。また、隣接する１組の凸部４１Ｂと凸部４１Ｃは、凸部４１Ｂの側壁面４２ｂ′が、凸部４１Ｃの側壁面４２ｃと対向している。また、上記のように対向する側壁面４２ａと側壁面４２ｂとの間には対向領域４７が形成され、側壁面４２ｂ′と側壁面４２ｃとの間には対向領域４７′が形成されている。ここで、ａ方向、ａ′方向は、二つの側壁面が対向する方向とし、ｂ方向、ｂ′方向は、対向領域の幅方向とする。
【００２９】
凸部４１Ａの側壁面４２ａから、凸部４１Ｂの側壁面４２ｂまでの対向距離Ｌは、図２に示される例と同様に、凸部４１Ａと凸部４１Ｂが配設されている平面に平行な任意の面を設定したときに、この面内において側壁面４２ａと側壁面４２ｂとが対向する方向（図７に矢印ａで示される方向）での側壁面４２ａから側壁面４２ｂまでの距離である。同様に、凸部４１Ｂの側壁面４２ｂ′から、凸部４１Ｃの側壁面４２ｃまでの対向距離Ｌも、凸部４１Ｂと凸部４１Ｃが配設されている平面に平行な任意の面を設定したときに、この面内において側壁面４２ｂ′と側壁面４２ｃとが対向する方向（図７に矢印ａ′で示される方向）での側壁面４２ｂ′から側壁面４２ｃまでの距離である。
この対向領域４７の幅方向（図７に矢印ｂで示される方向）の長さＭ、対向領域４７′の幅方向（図７に矢印ｂ′で示される方向）の長さＭ′は、上記の正８角形の断面形状の１辺の長さに相当する。通常、対向領域４７と対向領域４７′は同じ形状、寸法の空間をなしている。尚、図７では、対向領域４７，４７′に網点を付して示している。
尚、図７においては、対向領域４７のｂ方向（幅方向）と対向領域４７′のａ′方向（対向方向）が一致し、対向領域４７のａ方向（対向方向）と対向領域４７′のｂ′方向（幅方向）が一致している。
【００３０】
このような凸部４１Ａの側壁面４２ａ、凸部４１Ｂの側壁面４２ｂには、それぞれ対向領域４７の中央部に位置し、かつ、凸部４１Ａ，４１Ｂの頂部から底部方向に沿って、凹み部４４ａ、凹み部４４ｂが位置している。また、凸部４１Ｂの側壁面４２ｂ′、凸部４１Ｃの側壁面４２ｃには、それぞれ対向領域４７′の中央部に位置し、かつ、凸部４１Ｂ，４１Ｃの頂部から底部方向に沿って、凹み部４４ｂ′、凹み部４４ｃが位置している。
隣接する１組の凸部４１Ａと凸部４１Ｂの対向距離Ｌは、対向領域４７の中央部に位置する凹み部４４ａと凹み部４４ｂが対向する部位で最大値Ｌmaxとなり、対向領域４７の側端寄りで最小値Ｌminとなっている。また、隣接する１組の凸部４１Ｂと凸部４１Ｃの対向距離Ｌは、対向領域４７′の中央部に位置する凹み部４４ｂ′と凹み部４４ｃが対向する部位で最大値Ｌmaxとなり、対向領域４７′の側端寄りで最小値Ｌminとなっている。したがって、側壁面４２ａと側壁面４２ｂの対向距離Ｌが最小値Ｌminとなる部位は、対向領域４７の中央部を除いた位置に存在し、側壁面４２ｂ′と側壁面４２ｃの対向距離Ｌが最小値Ｌminとなる部位は、対向領域４７′の中央部を除いた位置に存在している。
また、対向領域４７の幅方向の長さＭ、対向領域４７′の幅方向の長さＭ′は、対向距離Ｌの最小値Ｌminの１倍〜１０倍の範囲であることが好ましい。
このような凸部４１の高さは２０〜２００ｎｍ程度、好ましくは５０〜１５０ｎｍの範囲で設定することができる。
【００３１】
尚、図７に示される例では、対向領域４７の中央部に位置する凹み部４４ａと凹み部４４ｂとが対向する部位で、対向距離Ｌが最大値Ｌmaxとなり、また、対向領域４７′の中央部に位置する凹み部４４ｂ′と凹み部４４ｃが対向する部位で、対向距離Ｌが最大値Ｌmaxとなっているが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、上記の正８角形の断面形状の各辺が外側に出っ張るような丸みを有するものである場合、あるいは、正８角形断面の角部の丸みが大きい場合、隣接して対向する側壁面４２ａと側壁面４２ｂとの対向距離Ｌ、側壁面４２ｂ′と側壁面４２ｃとの対向距離Ｌは、対向領域４７，４７′の幅方向の側端部において最大値Ｌmaxとなってもよい。
上記のように、凸部４１Ａの側壁面４２ａに位置する凹み部４４ａ、凸部４１Ｂの側壁面４２ｂ，４２ｂ′に位置する凹み部４４ｂ，４４ｂ′、凸部４１Ｃの側壁面４２ｃに位置する凹み部４４ｃの深さ、幅は適宜設定することができる。例えば、凹み部４４ａ，４４ｂ，４４ｂ′，４４ｃの深さは、対向領域４７，４７′に対応するレジストの端部（凸部４１に対応するレジストパターンの凹部のコーナー）と中央部における、エッチング速度の差によるレジストの細りの進行の差に応じて設定することができ、対向距離Ｌの最小値Ｌminの０．０５倍〜０．２倍の範囲で適宜設定することができる。また、凹み部４４ａ，４４ｂ，４４ｂ′，４４ｃの幅は、対向領域４７，４７′対応するレジストの端部（凸部４１に対応するレジストパターンの凹部のコーナー）と中央部における、エッチング速度の差によるレジストの細りの進行の差が生じる領域に応じて設定することができ、対向領域４７，４７′の幅方向の長さＭ，Ｍ′の０．３倍〜０．７倍の範囲で適宜設定することができる。さらに、対向距離Ｌが最小値Ｌminとなる部位が、対向領域４７、対向領域４７′の幅方向の両側端から中央部寄りの１０ｎｍまでの範囲を除く領域に存在するように、凹み部４４ａ，４４ｂ，４４ｂ′，４４ｃの幅、位置を設定してもよい。
【００３２】
図７に示す例では、対向領域４７，４７′の端部は凸部４１のコーナーと一致しており、このインプリントモールドを用いて転写形成されるレジストパターンの凹部のコーナーとなる。そして、凸部４１のコーナーの角度は、凸部４１の断面形状が正８角形であるため１３５°となっており、図３、図５、図６に示されるように凸部のコーナーの角度が９０°に設計してある場合と比較し、エッチング時のコーナーによる影響は少ない。このため、凸部に設ける凹み部の深さと幅は、凸部のコーナーの角度に応じて調節してもよい。
尚、図７に示される例では、凸部４１Ｂにおいて、他の凸部４１Ａ，４１Ｃの側壁面と対向する側壁面４２ｂ，４２ｂ′は、凸部４１Ｂの一つの側壁面を間に挟んで配置されているが、二つ以上の側壁面を挟んで配置されていてもよい。
【００３３】
図８は、本発明のインプリントモールドの他の実施形態における凸部の平面図であり、図３相当の図である。この図８では、対向距離の最小値が５０ｎｍ以下となる位置関係にある３個の凸部５１を示しており、各凸部を５１Ａ、５１Ｂ、５１Ｃとして示している。図８において、凸部５１Ａ，５１Ｂ，５１Ｃは、これらの凸部５１が配設されている平面（図２では平面１４ａ）に平行な面での断面形状が同じ大きさの長方形であり、凸部５１Ｂが凸部５１Ａ、凸部５１Ｃと隣接している。
隣接する１組の凸部５１Ａと凸部５１Ｂは、長方形断面の長辺に該当する凸部５１Ａの側壁面５２ａの一部が、長方形断面の長辺に該当する凸部５１Ｂの側壁面５２ｂの一部と対向している。また、隣接する１組の凸部５１Ｂと凸部５１Ｃは、長方形断面の長辺に該当する凸部５１Ｂの側壁面５２ｂ′の一部が、長方形断面の長辺に該当する凸部５１Ｃの側壁面５２ｃの一部と対向している。このように、凸部５１Ａ，５１Ｂ，５１Ｃは、長方形断面の長辺方向に一定の距離でずれた状態となっている。
上記の凸部５１Ａの側壁面５２ａから、凸部５１Ｂの側壁面５２ｂまでの対向距離Ｌは、図２に示される例と同様に、凸部５１Ａと凸部５１Ｂが配設されている平面に平行な任意の面を設定したときに、この面内において側壁面５２ａと側壁面５２ｂとが対向する方向（図８に矢印ａで示される方向）での側壁面５２ａから側壁面５２ｂまでの距離である。同様に、凸部５１Ｂの側壁面５２ｂ′から、凸部５１Ｃの側壁面５２ｃまでの対向距離Ｌも、凸部５１Ｂと凸部５１Ｃが配設されている平面に平行な任意の面を設定したときに、この面内において側壁面５２ｂ′と側壁面５２ｃとが対向する方向（図８に矢印ａで示される方向）での側壁面５２ｂ′から側壁面５２ｃまでの距離である。
【００３４】
上記のように対向する側壁面５２ａと側壁面５２ｂとの間には対向領域５７が形成され、側壁面５２ｂ′と側壁面５２ｃとの間には対向領域５７′が形成されている。この対向領域５７の幅方向（図８に矢印ｂで示される方向）の長さＭ、対向領域５７′の幅方向（図８に矢印ｂで示される方向）の長さＭ′は、長方形断面の長辺方向における凸部５１Ａと凸部５１Ｂのずれ量、凸部５１Ｂと凸部５１Ｃのずれ量で決定される。通常、対向領域５７と対向領域５７′は同じ形状、寸法の空間をなしている。尚、図８では、対向領域５７，５７′に網点を付して示している。
このような凸部５１Ａの側壁面５２ａ、凸部５１Ｂの側壁面５２ｂには、それぞれ対向領域５７の中央部に位置し、かつ、凸部５１Ａ，５１Ｂの頂部から底部方向に沿って、凹み部５４ａ、凹み部５４ｂが位置している。また、凸部５１Ｂの側壁面５２ｂ′、凸部５１Ｃの側壁面５２ｃには、それぞれ対向領域５７′の中央部に位置し、かつ、凸部５１Ｂ，５１Ｃの頂部から底部方向に沿って、凹み部５４ｂ′、凹み部５４ｃが位置している。
【００３５】
隣接する１組の凸部５１Ａと凸部５１Ｂの対向距離Ｌは、対向領域５７の中央部に位置する凹み部５４ａと凹み部５４ｂが対向する部位で最大値Ｌmaxとなり、対向領域５７の側端寄りで最小値Ｌminとなっている。また、隣接する１組の凸部５１Ｂと凸部５１Ｃの対向距離Ｌも、対向領域５７′の中央部に位置する凹み部５４ｂ′と凹み部５４ｃが対向する部位で最大値Ｌmaxとなり、対向領域５７′の側端寄りで最小値Ｌminとなっている。したがって、側壁面５２ａと側壁面５２ｂの対向距離Ｌが最小値Ｌminとなる部位は、対向領域５７の中央部を除いた位置に存在し、側壁面５２ｂ′と側壁面５２ｃの対向距離Ｌが最小値Ｌminとなる部位は、対向領域５７′の中央部を除いた位置に存在している。
また、対向領域５７の幅方向の長さＭ、対向領域５７′の幅方向の長さＭ′は、対向距離Ｌの最小値Ｌminの１倍〜１０倍の範囲であることが好ましい。
このような凸部５１の高さは２０〜２００ｎｍ程度、好ましくは５０〜１５０ｎｍの範囲で設定することができる。
尚、図８に示される例では、対向領域５７の中央部に位置する凹み部５４ａと凹み部５４ｂとが対向する部位で、対向距離Ｌが最大値Ｌmaxとなり、また、対向領域５７′の中央部に位置する凹み部５４ｂ′と凹み部５４ｃが対向する部位で、対向距離Ｌが最大値Ｌmaxとなっているが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、上記の長方形の断面形状の各辺が外側に出っ張るような丸みを有するものである場合、あるいは、長方形断面の角部の丸みが大きい場合、隣接して対向する側壁面５２ａと側壁面５２ｂとの対向距離Ｌ、側壁面５２ｂ′と側壁面５２ｃとの対向距離Ｌは、対向領域５７，５７′の幅方向の側端部において最大値Ｌmaxとなってもよい。
【００３６】
上記のように、凸部５１Ａの側壁面５２ａに位置する凹み部５４ａ、凸部５１Ｂの側壁面５２ｂ，５２ｂ′に位置する凹み部５４ｂ，５４ｂ′、凸部５１Ｃの側壁面５２ｃに位置する凹み部５４ｃの深さ、幅は適宜設定することができ、例えば、凹み部５４ａ，５４ｂ，５４ｂ′，５４ｃの深さは、対向領域５７，５７′に対応するレジストの端部（凸部５１に対応するレジストパターンの凹部のコーナー）と中央部における、エッチング速度の差によるレジストの細りの進行の差に応じて設定することができ、対向距離Ｌの最小値Ｌminの０．０５倍〜０．２倍の範囲で適宜設定することができる。また、凹み部５４ａ，５４ｂ，５４ｂ′，５４ｃの幅は、対向領域５７，５７′対応するレジストの端部（凸部５１に対応するレジストパターンの凹部のコーナー）と中央部における、エッチング速度の差によるレジストの細りの進行の差が生じる領域に応じて設定することができ、対向領域５７，５７′の幅方向の長さＭ，Ｍ′の０．３倍〜０．７倍の範囲で適宜設定することができる。さらに、対向距離Ｌが最小値Ｌminとなる部位が、対向領域５７、対向領域５７′の幅方向（図示の矢印ｂ方向）の両側端から中央部寄りの１０ｎｍまでの範囲を除く領域に存在するように、凹み部５４ａ，５４ｂ，５４ｂ′，５４ｃの幅、位置を設定してもよい。
【００３７】
図９は、本発明のインプリントモールドの他の実施形態における凸部の平面図であり、図３相当の図である。この図９では、対向距離の最小値が５０ｎｍ以下となる位置関係にある９個の凸部６１を示しており、各凸部を６１Ａ〜６１Ｉとして示している。図９において、各凸部６１Ａ〜６１Ｉは、これらの凸部６１が配設されている平面（図２では平面１４ａ）に平行な面での断面形状が同じ大きさの正方形である。そして、図示の凸部６１Ａは、その正方形断面の４辺において、凸部６１Ｂ、凸部６１Ｃ、凸部６１Ｄ、凸部５１Ｅと隣接している。
この例では、隣接する１組の凸部の状態は共通しているので、以下に凸部６１Ａと凸部６１Ｂを例として説明する。隣接する１組の凸部６１Ａと凸部６１Ｂは、凸部６１Ａの側壁面６２ａの一部が、凸部６１Ｂの側壁面６２ｂと対向している。
【００３８】
このような凸部６１Ａの側壁面６２ａから、凸部６１Ｂの側壁面６２ｂまでの対向距離Ｌは、図２に示される例と同様に、凸部６１Ａと凸部６１Ｂが配設されている平面に平行な任意の面を設定したときに、この面内において側壁面６２ａと側壁面６２ｂとが対向する方向（図９に矢印ａで示される方向）での側壁面６２ａから側壁面６２ｂまでの距離である。
上記のように対向する側壁面６２ａと側壁面６２ｂとの間には対向領域６７が形成されている。この対向領域６７の幅方向（図９に矢印ｂで示される方向）の長さＭは、凸部６１Ａ，６１Ｂの正方形断面の１辺の長さと同じである。尚、図９では、対向領域６７に網点を付して示している。
このような凸部６１Ａの側壁面６２ａ、凸部６１Ｂの側壁面６２ｂには、それぞれ対向領域６７の中央部に位置し、かつ、凸部６１Ａ，６１Ｂの頂部から底部方向に沿って、凹み部６４ａ、凹み部６４ｂが位置している。
隣接する１組の凸部６１Ａと凸部６１Ｂの対向距離Ｌは、対向領域６７の中央部に位置する凹み部６４ａと凹み部６４ｂが対向する部位で最大値Ｌmaxとなり、対向領域６７の側端寄りで最小値Ｌminとなっている。したがって、側壁面６２ａと側壁面６２ｂの対向距離Ｌが最小値Ｌminとなる部位は、対向領域６７の中央部を除いた位置に存在している。
また、対向領域６７の幅方向の長さＭは、対向距離Ｌの最小値Ｌminの１倍〜１０倍の範囲であることが好ましい。
このような凸部６１の高さは２０〜２００ｎｍ程度、好ましくは５０〜１５０ｎｍの範囲で設定することができる。
【００３９】
尚、図９に示される例では、対向領域６７の中央部に位置する凹み部６４ａと凹み部６４ｂとが対向する部位で、対向距離Ｌが最大値Ｌmaxとなっているが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、上記の正方形の断面形状の各辺が外側に出っ張るような丸みを有するものである場合、あるいは、正方形断面の角部の丸みが大きい場合、隣接して対向する側壁面６２ａと側壁面６２ｂとの対向距離Ｌは、対向領域６７の幅方向の側端部において最大値Ｌmaxとなってもよい。
上記のように、凸部６１Ａの側壁面６２ａに位置する凹み部６４ａ、凸部６１Ｂの側壁面６２ｂに位置する凹み部６４ｂの深さ、幅は適宜設定することができる。例えば、凹み部６４ａ，６４ｂの深さは、対向領域６７に対応するレジストの端部（凸部６１に対応するレジストパターンの凹部のコーナー）と中央部における、エッチング速度の差によるレジストの細りの進行の差に応じて設定することができ、対向距離Ｌの最小値Ｌminの０．０５倍〜０．２倍の範囲で適宜設定することができる。また、凹み部６４ａ，６４ｂの幅は、対向領域６７対応するレジストの端部（凸部６１に対応するレジストパターンの凹部のコーナー）と中央部における、エッチング速度の差によるレジストの細りの進行の差が生じる領域に応じて設定することができ、対向領域６７の幅方向の長さＭの０．３倍〜０．７倍の範囲で適宜設定することができる。さらに、対向距離Ｌが最小値Ｌminとなる部位が、対向領域６７の幅方向（図示の矢印ｂ方向）の両側端から中央部寄りの１０ｎｍまでの範囲を除く領域に存在するように、凹み部６４ａ、凹み部６４ｂの幅、位置を設定してもよい。
【００４０】
対向距離の最小値が５０ｎｍ以下となる位置関係にある複数の凸部が、相互に同じ状態で隣接するような態様は、図９に示される例に限定されるものではない。例えば、図７に示されるような断面形状が正８角形の凸部が、正８角形の１辺おきに他の凸部と隣接するような態様であってもよい。
上述のインプリントモールドは、対向距離の最小値が５０ｎｍ以下となる位置関係にある複数の凸部の断面形状が正方形、長方形、正８角形の例であるが、本発明では凸部の断面形状には特に制限はない。
本発明のインプリントモールドは、凹凸構造領域Ａに位置している複数の凸部の配置には特に制限がなく、例えば、半導体装置の配線設計におけるコンタクトホールの位置等、形成しようとするホールパターンに応じて、適宜配置を設定することができる。
【００４１】
また、本発明のインプリントモールドは、対向距離の最小値が５０ｎｍ以下となる位置関係にある凸部の少なくとも一方の凸部が、他方の凸部と対向していない側壁面に、凸部の幅よりも狭い幅の線状凸部を連続して有しているものであってもよい。図１０は、このようなインプリントモールドの凸部の平面図であり、図３相当の図である。この図１０では、対向距離の最小値が５０ｎｍ以下となる位置関係にある凸部７１を示しており、一方の凸部を７１Ａ、他方の凸部を７１Ｂとして示している。図１０において、隣接する１組の凸部７１Ａと凸部７１Ｂは、凸部７１Ａの側壁面７２ａが、凸部７１Ｂの側壁面７２ｂの一部と対向している。また、凸部７１Ａでは、凸部７１Ｂと対向している側壁面７２ａと異なる側壁面７２ａ′に、凸部７１Ａの幅よりも狭い幅の線状凸部７５Ａが連続している。同様に、凸部７１Ｂでは、凸部７１Ａと対向している側壁面７２ｂと異なる側壁面７２ｂ′に、凸部７１Ｂの幅よりも狭い幅の線状凸部７５Ｂが連続している。
凸部７１Ａの側壁面７２ａから、凸部７１Ｂの側壁面７２ｂまでの対向距離Ｌは、図２に示される例と同様に、凸部７１Ａと凸部７１Ｂが配設されている平面（図２では平面１４ａ）に平行な任意の面を設定したときに、この面内において側壁面７２ａと側壁面７２ｂとが対向する方向（図１０に矢印ａで示される方向）での側壁面７２ａから側壁面７２ｂまでの距離である。
【００４２】
上記のように隣接して対向する１組の凸部７１Ａと凸部７１Ｂにおいて、対向する側壁面７２ａと側壁面７２ｂとの間には対向領域７７が形成されている。この対向領域７７の幅方向（図１０に矢印ｂで示される方向）の長さＭは、図示例では、凸部７１Ａ，７１Ｂの矢印ｂ方向の寸法と同じである。尚、図１０では、対向領域６７に網点を付して示している。
また、凸部７１Ａの側壁面７２ａ、凸部７１Ｂの側壁面７２ｂには、それぞれ対向領域７７の中央部に位置し、かつ、凸部７１Ａ，７１Ｂの頂部から底部方向に沿って、凹み部７４ａ、凹み部７４ｂが位置している。
上記の対向距離Ｌは、対向領域７７の中央部に位置する凹み部７４ａと凹み部７４ｂが対向する部位で最大値Ｌmaxとなっている。また、対向領域Ｌは、対向領域７７の中央部から側端寄りで最小値Ｌminとなっている。したがって、側壁面７２ａと側壁面７２ｂの対向距離Ｌが最小値Ｌminとなる部位は、対向領域７７の中央部を除いた位置に存在している。そして、上記の態様と同様に、対向距離Ｌが最小値Ｌminとなる部位が、対向領域７７の幅方向の両側端から中央部寄りの１０ｎｍまでの範囲を除く領域に存在するようにしてもよい。
また、対向領域７７の幅方向（矢印ｂで示される方向）の長さＭは、対向距離Ｌの最小値Ｌminの１倍〜１０倍の範囲であることが好ましい。
【００４３】
また、凸部７１Ａの側壁面７２ａ′に連続している狭幅の線状凸部７５Ａ、凸部７１Ｂの側壁面７２ｂ′に連続している狭幅の線状凸部７５Ｂの幅は、適宜設定することができる。
このような凸部７１と線状凸部７５の高さは２０〜２００ｎｍ程度、好ましくは５０〜１５０ｎｍの範囲で設定することができる。
凸部７１Ａに連続する狭幅の線状凸部７５Ａ、凸部７１Ｂに連続する狭幅の線状凸部７５Ｂの位置、方向、および、凸部７１Ａと凸部７１Ｂの形状は、図１０に示される例に限定されるものでない。例えば、図１１（Ａ）〜図１１（Ｃ）に示されるような態様等、適宜設定とすることができる。
【００４４】
このような本発明のインプリントモールドは、隣接する凸部２１の側壁面の対向距離の最小値が５０ｎｍ以下である凸部２１間において、対向距離の最小値が、側壁面同士が対向している対向領域の中央部を除いた部位に存在する。したがって、本発明のインプリントモールドを使用したインプリントで形成した樹脂層では、このような微小な対向領域を有する隣接した凸部に対応した凹部が形成され、凹部間を仕切るように存在する樹脂層の幅が中央部において大きいものとなる。これにより、樹脂層に形成した凹部の底部に残る樹脂層、いわゆる残膜の除去におけるエッチング、樹脂層を介した被転写体のエッチングにおいて、隣接する凹部間を仕切る樹脂層の中央部の細り、消失が防止され、凹部パターン間の距離を高い精度で制御することができる。
【００４５】
上述のインプリントモールドの実施形態は例示であり、本発明は当該実施形態に限定されるものではない。
また、本発明のインプリントモールドが備える凹み部の形成は、以下に挙げる方法により行うことができる。
例えば、電子線描画装置を用いて凹み部を描画し、現像エッチングで凹み部を形成することができる。電子線描画を行った後にレジストを現像した場合、インプリントと異なり、レジスト残膜が存在しないため、その後のエッチングでも凹み部の形成が可能である。
また、インプリントモールドの対向領域に対して、電子線修正装置、ＦＩＢ（収束イオンビーム）修正装置、あるいは、ＡＦＭ（原子間力顕微鏡）等の装置にて部分的に切削加工を施して凹み部を形成することができる。この方法は、設けたい凹み部の数が少ない場合に有用である。
また、マスターモールドを用いてインプリント転写によりインプリントモールドを作製する場合、凹み部に対応する凸部を電子線描画等でマスターモールドに形成し、インクジェット等を用いレジスト残膜を調節した条件でインプリント転写をして、凹み部を形成することができる。
【００４６】
上述のような方法で形成する凹み部の深さと幅の設定は、事前にインプリント転写を行った結果を用いて調整することができる。例えば、インプリントにより形成したレジストパターンの形状や、レジストパターンを介して被転写体までエッチング加工した形状を観察し、凹部間を仕切るように存在するレジストの細りの程度を測定し、その結果を基に凹み部の深さ、幅を決定すればよい。
また、本発明のインプリントモールドは、複数種の態様の隣接する凸部を備えるものであってもよい。例えば、図３に示されるような態様の隣接する凸部を備えるインプリントモールドにおいて、図３に示される態様とは異なる態様で隣接する凸部を備えるものであってよい。図５〜図７に示されるような態様の隣接する凸部を備える各インプリントモールドにおいても同様である。このように複数種の態様の隣接する凸部を備える場合、態様毎に凸部の形状に応じて、凹み部の深さ、幅等を設定することが好ましい。
【００４７】
［インプリント方法］
次に、本発明のインプリント方法について説明する。
図１２は、本発明のインプリント方法の一実施形態を説明するための工程図であり、上述の本発明のインプリントモールド１１を使用する例を示している。
本発明のインプリント方法では、まず、被転写体１１１上の所望の面に被成形樹脂材料層１２１を形成する（図１２（Ａ））。使用する被成形樹脂材料は、例えば、光硬化性樹脂、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂等の樹脂を挙げることができる。被成形樹脂材料層１２１の形成方法は特に制限はなく、例えば、被転写体１１１上に被成形樹脂材料を供給し、スピンコート法で形成することができる。被成形樹脂材料層１２１の厚みは、後述するように被成形樹脂材料層１２１を硬化させて形成する樹脂層１２２が具備するエッチング耐性、すなわち、被転写体１１１をエッチングする際のエッチングマスクとしての機能を考慮して適宜設定することができ、例えば、３０〜２００ｎｍ程度の範囲で設定することができる。
【００４８】
次に、本発明のインプリントモールド１１の凸部２１の途中までを被成形樹脂材料層１２１に押し込む（図１２（Ｂ））。被成形樹脂材料層１２１への凸部２１の押し込み量は、被成形樹脂材料層１２１の厚み、凸部２１の高さ等を考慮して設定することができ、例えば、被成形樹脂材料層１２１の厚みが８０ｎｍであり、凸部２１の高さが８０ｎｍである場合、押し込み量を５０ｎｍ程度とすることができる。また、この押し込み量は、凸部２１が、頂部から底部（平面１４ａ側）よりもちいさくなるようなテーパー形状を有している場合、樹脂層１２２に形成する凹部の開口寸法が所望の寸法となるような位置まで押し込むように設定することができる。
【００４９】
次いで、凸部２１の途中までを被成形樹脂材料層１２１に押し込んだ状態で被成形樹脂材料層１２１を硬化させて樹脂層１２２を形成し、この樹脂層１２２とインプリントモールド１１を引き離し、インプリントモールド１１が備える凸部２１に対応した空間からなる凹部１２３を有する樹脂層１２２を被転写体１１１上に形成する（図１２（Ｃ））。図１３は、このように形成された凹部１２３の中で、対向距離の最小値が５０ｎｍ以下となる位置関係にある凸部２１（図２〜図４に示される凸部２１Ａ、凸部２１Ｂ）に対応する凹部１２３を示す斜視図であり、樹脂層１２２の表面に斜線を付して示している。図１３において、凹部１２３は、凸部２１Ａに対応する凹部１２３Ａと、凸部２１Ｂに対応する凹部１２３Ｂとが隣接している。このような凹部１２３Ａと凹部１２３Ｂとの間に存在する樹脂層１２２は、インプリントモールド１１において、隣接して対向する凸部２１Ａと凸部２１Ｂとの間に位置する対向領域２７（図２〜図４参照）に対応した形状を有する仕切り部１２７となっている。したがって、この仕切り部１２７は、凹部１２３Ａから凹部１２３Ｂへ向かう方向（図１３に矢印ａで示す方向）での幅の最小値が略５０ｎｍ以下にある。そして、仕切り部１２７の長さ方向（図１３に矢印ｂで示す方向）の中央部が、インプリントモールド１１の凸部２１Ａが側壁面２２ａに備える凹み部２４ａ、凸部２１Ｂが側壁面２２ｂに備える凹み部２４ｂに対応して、最も幅が広いものとなっている。
【００５０】
上記の被成形樹脂材料層１２１の硬化は、被成形樹脂材料が光硬化性であり、インプリントモールド１１がこれらを硬化させるための照射光を透過可能である場合には、インプリントモールド１１側から光照射することができる。また、被転写体１１１が光を透過可能である場合には、被転写体１１１側から光照射を行ってもよく、さらに、インプリントモールド１１側と被転写体１１１側の両方から光照射を行ってもよい。被成形樹脂材料が熱硬化性、あるいは、熱可塑性である場合には、それぞれ被転写材料に対して加熱処理、あるいは、冷却（放冷）処理を施すことができる。
【００５１】
上記のように形成した樹脂層１２２を介して被転写体１１１をエッチングすることにより、凹部１１２を被転写体１１１に形成する（図１２（Ｄ））。この樹脂層１２２を介した被転写体１１１のエッチングでは、樹脂層１２２に形成した凹部１２３の底部に残る樹脂層、いわゆる残膜の厚みが大きく、このため、樹脂層１２２を介したエッチングが被転写体１１１に到達するまでの時間が長くなる。しかし、本発明では、凹部１１２を高い精度で形成することができる。すなわち、エッチングによる細りは、樹脂層１２２の仕切り部１２７の長さ方向の中央部において最も進行するが、上記のように、樹脂層１２２の仕切り部１２７の長さ方向の中央部が最も幅が広いものとなっているので、仕切り部１２７の中央部の細り、消失が防止され、したがって、被転写体１１１に形成する凹部１１２間の距離を高い精度で制御することができる。
尚、被転写体１１１としてハードマスク材料層を備えた基材を使用してもよい。この場合、樹脂層１２２を介してハードマスク材料層をエッチングしてハードマスクを作製し、このハードマスクを介して被転写体１１１をエッチングすることができる。
このような本発明のインプリント方法は、凹部パターン間の距離を高い精度で制御した樹脂層を介して被転写体のエッチングを行うことができ、例えば、コンタクトホール間の間隔制御、電極パターン間の距離制御、あるいは、微細な配線形成を高い精度で行うことができる。
【００５２】
上述のインプリント方法の実施形態は例示であり、本発明は当該実施形態に限定されるものではない。例えば、被転写体１１１に多面付けでホールパターンを形成する場合、インプリントモールド１１を用いてステップ＆リピート方式でインプリントを行うことができる。この際、各インプリントの工程毎に、上記にように、インプリントモールド１１の凸部２１の途中までを被成形樹脂材料層１２１に押し込んだ状態で硬化させて樹脂層１２２を形成してもよく、また、各インプリントの工程では、半硬化の状態で樹脂層１２２を形成し、最後に、樹脂層１２２を完全に硬化させてもよい。
【実施例】
【００５３】
次に、実施例を挙げて本発明を更に詳細に説明する。
［実施例１］
（インプリントモールドの作製）
インプリントモールド用の基材として、中央に２６ｍｍ×３３ｍｍ、高さ３０μｍの凸構造部を有するメサ構造の石英ガラス基板（１５２ｍｍ角、厚み６．３５ｍｍ）を準備した。この石英ガラス基板の凸構造部が位置する側の面にスパッタリング法によりクロム薄膜（厚み５ｎｍ）を成膜してハードマスク材料層を形成した。この基材を、凸構造部を有する面が水平に上面となるようにインプリント装置の基板保持部に装着保持した。
次に、この基材の凸構造部のハードマスク材料層上に、被成形樹脂材料として光硬化性樹脂組成物の液滴をインクジェット方式で供給した。
次いで、電子線描画法を用いて作製したマスターモールドと上記の基材を近接させ、マスターモールドと基材との間に液滴を展開して、光硬化性樹脂層を形成した。
【００５４】
次に、インプリント装置の照明光学系から平行光（ピーク波長が３６５ｎｍの紫外線）をマスターモールド側に２００ｍＪ／ｃｍ2の条件で照射した。これにより、光硬化性樹脂層を硬化させて樹脂層とした。
次に、樹脂層とマスターモールドを離間させて、マスターモールドが有する凹部に対応した凸部を有する樹脂層を基材上に形成した。この樹脂層において、凸部が存在しない箇所の厚み、すなわち、残膜の厚みは１０ｎｍであり、薄いものであった。
次いで、この樹脂層をエッチングマスクとしてハードマスク材料層をドライエッチングして、クロムのハードマスクを形成した。その後、このハードマスクをエッチングマスクとしてドライエッチングにより、基材の凹凸構造領域に複数の凸部を形成して、インプリントモールドを作製した。
【００５５】
このように作製したインプリントモールドは、図２〜図４に示されるような、対向距離の最小値が５０ｎｍ以下となる位置関係にある凸部を有するものであった。このような位置関係にある凸部は、図３に示される凸部２１Ａ、凸部２１Ｂを参照して説明すると、対向領域２７の長さＭは５０ｎｍ、対向領域２７の中央部に位置する凹み部２４ａ、凹み部２４ｂの深さ（図３の矢印ａ方向の凹みの程度）は２ｎｍ、凹み部２４ａ、凹み部２４ｂの幅（図３の矢印ｂ方向の凹み部位の長さ）は１５ｎｍ、対向距離Ｌの最小値Ｌminは１５ｎｍ、対向距離Ｌの最大値Ｌmaxは１９ｎｍであった。また、凸部２１Ａの矢印ａ方向、矢印ｂ方向の寸法は５０ｎｍ、凸部２１Ｂの矢印ａ方向、矢印ｂ方向の寸法は５０ｎｍであり、凸部２１Ａ、凸部２１Ｂの高さは８０ｎｍであった。このようなインプリントモールドの寸法測定は、ＡＦＭ（原子間力顕微鏡）を用いて行った。以下の実施例、比較例においても同様とした。
【００５６】
（パターン形成）
被転写体として、石英ガラス基板（１５２ｍｍ角、厚み６．３５ｍｍ）を準備し、一方の面にスパッタリング法によりクロム薄膜（厚み５ｎｍ）を成膜してハードマスク材料層を形成した。
次に、この被転写体のハードマスク材料層上に、被成形樹脂材料として光硬化性樹脂組成物を供給し、スピンコート法により被成形樹脂材料層（厚み８０ｎｍ）を形成した（図１２（Ａ）参照）。この被転写体を、被成形樹脂材料層を有する面が水平に上面となるようにインプリント装置の基板保持部に装着保持した。
次いで、上述のように作製したインプリントモールドを被転写体に近接させ、インプリントモールドの凸部を被成形樹脂材料層に５０ｎｍ押し込み、この状態でインプリント装置の照明光学系から平行光（ピーク波長が３６５ｎｍの紫外線）をモールド側に２００ｍＪ／ｃｍ2の条件で照射した。これにより、被成形樹脂材料層を硬化させて樹脂層とした（図１２（Ｂ）参照）。
【００５７】
次に、樹脂層とインプリントモールドを引き離し、インプリントモールドが備える凸部に対応した空間からなる凹部を有する樹脂層を被転写体上に位置させた（図１２（Ｃ）参照）。この樹脂層に形成された凹部の中で、上記のような微細な対向距離を有した位置関係にある凸部に対応するように形成された隣接凹部は、この凹部間に位置する仕切り部が図１３に示されるような形状であった。また、凹部の底部に位置する樹脂層、すなわち残膜の厚みは３０ｎｍであり、マスターモールドを用いたインプリントモールドの作製時の樹脂層の残膜厚みに比べて大幅に厚いものであった。
次いで、上記のように形成した樹脂層をエッチングマスクとしてハードマスク材料層をドライエッチングして、クロムのハードマスクを形成した。さらに、このハードマスクをエッチングマスクとしてドライエッチングにより、被転写体の凹凸構造領域に複数の凹部を形成した（図１２（Ｄ）参照）。
【００５８】
このように被転写体である石英ガラス基板に形成した凹部の中で、上記のような微細な対向距離を有した位置関係にある凸部に対応している隣接凹部について、凹部間に位置する石英ガラス基板の仕切り部の幅を測定した。すなわち、図１４に示すように、凹部１１２Ａと凹部１１２Ｂとの間に位置する仕切り部１１７を６等分する５箇所の測定部位（図１４に鎖線を付して示したＰ１〜Ｐ５の５箇所）を設定し、これらの各測定部位における仕切り部１１７の幅を測定した。このような測定を１０組の隣接する凹部について行い、仕切り部１１７の幅の平均値、最大値、最小値を求め、（最大値−最小値）／平均値の値を算出して下記の表１に示した。尚、仕切り部１１７の幅の測定は、ＡＦＭ（原子間力顕微鏡）を用いて行った。以下の実施例、比較例においても同様とした。
【００５９】
［比較例１］
インプリントモールドとして、実施例１におけるインプリントモールドにおける凹み部２４ａ、凹み部２４ｂを設けないものを作製した。すなわち、対向領域２７の長さＭは５０ｎｍ、対向距離Ｌは１５ｎｍで均一としたインプリントモールドを作製した。
このインプリントモールドを使用した他は、実施例１と同様にして、基材の凹凸構造領域に複数の凹部を形成した。
このように石英ガラス基板に形成した凹部について、実施例１と同様にして、仕切り部の幅の平均値、最大値、最小値を求め、（最大値−最小値）／平均値の値を算出して下記の表１に示した。
【００６０】
［実施例２］
（インプリントモールドの作製）
実施例１と同様にして、図６に示されるような、対向距離の最小値が５０ｎｍ以下となる位置関係にある凸部を有するインプリントモールドを作製した。このような位置関係にある凸部は、図６に示される凸部３１Ａ、凸部３１Ｂを参照して説明すると、対向領域３７の長さＭは５０ｎｍ、凸部３１Ａの凹み部３４ａの深さ（図６の矢印ａ方向の凹みの程度）は２ｎｍ、幅（図６の矢印ｂ方向の凹み部位の長さ）は１５ｎｍ、凸部３１Ｂの凹み部３４ｂの深さは１ｎｍ、幅は３５ｎｍ、対向距離Ｌの最小値Ｌminは１６ｎｍ、対向距離Ｌの最大値Ｌmaxは１９ｎｍであった。また、凸部３１Ａの矢印ａ方向、矢印ｂ方向の寸法は５０ｎｍ、凸部３１Ｂの矢印ａ方向、矢印ｂ方向の寸法は１００ｎｍであり、凸部３１Ａ、凸部３１Ｂの高さは８０ｎｍであった。
【００６１】
（パターン形成）
上記のインプリントモールドを使用し、実施例１と同様にして、石英ガラス基板の凹凸構造領域に複数の凹部を形成した。
このように石英ガラス基板に形成した凹部について、実施例１と同様にして、仕切り部の幅の平均値、最大値、最小値を求め、（最大値−最小値）／平均値の値を算出して下記の表１に示した。
【００６２】
［比較例２］
インプリントモールドとして、実施例２におけるインプリントモールドにおける凹み部３４ａ、凹み部３４ｂを設けないものを作製した。すなわち、対向領域３７の長さＭは５０ｎｍ、対向距離Ｌは１６ｎｍで均一としたインプリントモールドを作製した。
このインプリントモールドを使用した他は、実施例２と同様にして、石英ガラス基板の凹凸構造領域に複数の凹部を形成した。
このように石英ガラス基板に形成した凹部について、実施例１と同様にして、仕切り部の幅の平均値、最大値、最小値を求め、（最大値−最小値）／平均値の値を算出して下記の表１に示した。
【００６３】
［実施例３］
（インプリントモールドの作製）
実施例１と同様にして、図７に示されるような、対向距離の最小値が５０ｎｍ以下となる位置関係にある凸部を有するインプリントモールドを作製した。このような位置関係にある凸部は、図７に示される凸部４１Ａ、凸部４１Ｂを参照して説明すると、対向領域４７の長さＭは５０ｎｍ、凸部４１Ａの凹み部４４ａの深さ（図７の矢印ａ方向の凹みの程度）は１．５ｎｍ、幅（図７の矢印ｂ方向の凹み部位の長さ）は２０ｎｍ、凸部４１Ｂの凹み部４４ｂの深さは１．５ｎｍ、幅は２０ｎｍ、対向距離Ｌの最小値Ｌminは１７ｎｍ、対向距離Ｌの最大値Ｌmaxは２０ｎｍであった。また、凸部４１Ａ、凸部４１Ｂの矢印ａ方向、矢印ｂ方向の寸法は１２０ｎｍであり、凸部４１Ａ、凸部４１Ｂの高さは８０ｎｍであった。
【００６４】
（パターン形成）
上記のインプリントモールドを使用し、実施例１と同様にして、石英ガラス基板の凹凸構造領域に複数の凹部を形成した。
このように石英ガラス基板に形成した凹部について、実施例１と同様にして、仕切り部の幅の平均値、最大値、最小値を求め、（最大値−最小値）／平均値の値を算出して下記の表１に示した。
【００６５】
［比較例３］
インプリントモールドとして、実施例３におけるインプリントモールドにおける凹み部４４ａ、凹み部４４ｂを設けないものを作製した。すなわち、対向領域４７の長さＭは５０ｎｍ、対向距離Ｌは１７ｎｍで均一としたインプリントモールドを作製した。
このインプリントモールドを使用した他は、実施例３と同様にして、石英ガラス基板の凹凸構造領域に複数の凹部を形成した。
このように石英ガラス基板に形成した凹部について、実施例１と同様にして、仕切り部の幅の平均値、最大値、最小値を求め、（最大値−最小値）／平均値の値を算出して下記の表１に示した。
【００６６】
【表１】
0006515618.tif 000002
表１に示されるように、実施例１〜実施例３では、隣接する凹部間に位置する基材の仕切り部が比較例１〜比較例３に比べより一定の幅で存在する。比較例１〜比較例３では、仕切り部の幅のばらつきが見られ、一部では仕切り部の消失が確認された。このことから、実施例１〜実施例３では、インプリントモールドを用いて形成した樹脂層の凹部間に位置する仕切り部の消失が防止され、仕切り部の寸法のばらつきも低減していることが確認された。
【産業上の利用可能性】
【００６７】
本発明はインプリント方法を使用する種々の微細加工に適用することができ、例えば、半導体メモリのコンタクトホール形成、バイオチップの作製、光学素子、磁気記録メディア用のホールパターン形成等に有用である。
【符号の説明】
【００６８】
１１…インプリントモールド
１２…基材
２１，２１Ａ，２１Ｂ，３１，３１Ａ，３１Ｂ，４１，４１Ａ，４１Ｂ，４１Ｃ，５１，５１Ａ，５１Ｂ，５１Ｃ，６１，６１Ａ，６１Ｂ，６１Ｃ，６１Ｄ，６１Ｅ，６１Ｆ，６１Ｇ，６１Ｈ，６１Ｉ，７１，７１Ａ，７１Ｂ…凸部
２２ａ，２２ｂ，３２ａ，３２ｂ，４２ａ，４２ｂ，４２ｂ′，４２ｃ，５２ａ，５２ｂ，５２ｂ′，５２ｃ，６２ａ，６２ｂ，７２ａ，７２ａ′，７２ｂ，７２ｂ′…側壁面
２４ａ，２４ｂ，３４ａ，３４ｂ，４４ａ，４４ｂ，４４ｂ′，４４ｃ，５４ａ，５４ｂ，５４ｂ′，５４ｃ，６４ａ，６４ｂ，７４ａ，７４ｂ…凹み部
２７，３７，４７，４７′，５７，５７′，６７，７７…対向領域
７５，７５Ａ，７５Ｂ…狭幅の凸部
Ａ…凹凸構造領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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