(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第1のダイオード，第１の半導体スイッチング素子，第２の半導体スイッチング素子，第２のダイオードを順次直列に接続した直列回路と、第３のダイオード，第３の半導体スイッチング素子，第４の半導体スイッチング素子，第４のダイオードを順次直列に接続した直列回路と、第１，第２の平滑コンデンサを直列に接続した直列回路とを、一対の直流出力端子間に互いに並列に接続し、
前記第１のダイオードと前記第１の半導体スイッチング素子との接続点を第１のリアクトルを介して第１の正側直流入力端子に接続すると共に、前記第２の半導体スイッチング素子と前記第２のダイオードとの接続点を第２のリアクトルを介して第１の負側直流入力端子に接続し、かつ、前記第３のダイオードと前記第３の半導体スイッチング素子との接続点を第３のリアクトルを介して第２の正側直流入力端子に接続すると共に、前記第４の半導体スイッチング素子と前記第４のダイオードとの接続点を第４のリアクトルを介して第２の負側直流入力端子に接続し、
前記第１，第２の正側直流入力端子と前記第１，第２の負側直流入力端子との間に印加された直流電源電圧を、前記第１〜第４の半導体スイッチング素子のＯＮ／ＯＦＦにより所定値に変換して出力する並列チョッパ装置において、
前記第１，第２の半導体スイッチング素子同士の接続点と前記第１，第２の平滑コンデンサ同士の接続点との間を流れる電流と、前記第３，第４の半導体スイッチング素子同士の接続点と前記第１，第２の平滑コンデンサ同士の接続点との間を流れる電流と、の差分値を検出する電流検出手段を備えたことを特徴とする並列チョッパ装置。
【請求項２】
請求項１に記載した並列チョッパ装置において、
前記第１，第３の半導体スイッチング素子がＯＮし、かつ、前記第２，第４の半導体スイッチング素子がＯＦＦしているときに、前記電流検出手段による電流検出値に基づいて、前記第１のリアクトルと前記第３のリアクトルとを流れる電流の差分値を検出し、
前記第１，第３の半導体スイッチング素子がＯＦＦし、かつ、前記第２，第４の半導体スイッチング素子がＯＮしているときに、前記電流検出手段による電流検出値に基づいて、前記第２のリアクトルと前記第４のリアクトルとを流れる電流の差分値を検出することを特徴とする並列チョッパ装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載した並列チョッパ装置において、
前記第１，第２のリアクトル同士、及び、前記第３，第４のリアクトル同士が、それぞれ磁気的に結合されていることを特徴とする並列チョッパ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数のチョッパを並列に接続した場合に発生するチョッパ間の電流アンバランスの検出技術に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
図４は、ＤＣ／ＤＣコンバータの一種である昇圧チョッパを示しており、例えば特許文献１，２に記載されているものとほぼ同一の回路である。
図４において、１，２はリアクトル、３，６はダイオード、４，５は半導体スイッチング素子、７，８は平滑コンデンサ、１１，１２は直流入力端子、２１，２２は直流出力端子である。なお、スイッチング素子４，５は、後述する図８のスイッチング素子１０１ｂ，１０１ｃ，１０２ｂ，１０２ｃと同様に、逆並列接続された還流ダイオードを備えていて双方向に電流を通流可能な素子である。
【０００３】
図４の昇圧チョッパでは、ＰＷＭ（Pulse Width Modulation）制御により、スイッチング素子４，５を互いに１８０度の位相差を持たせてＯＮ／ＯＦＦさせることにより、入力電圧Ｖｉｎを昇圧した出力電圧Ｖｏｕｔを得ている。また、直流出力端子２１，２２に加えて、平滑コンデンサ７，８同士の接続点も直流出力端子として用いれば、各出力端子間から３種類のレベルの直流電圧を出力させる、いわゆる３レベル昇圧チョッパを構成することも可能である。
なお、ダイオード３，６の代わりに半導体スイッチング素子を接続し、いわゆる同期整流を行うことも可能である。
【０００４】
図５は、電力変換容量を増加させるために、図４の昇圧チョッパを二つ並列に接続した並列チョッパ装置を示している。図５において、１’，２’はリアクトル、３’，６’はダイオード、４’，５’は半導体スイッチング素子、１１’，１２’は直流入力端子であり、その他の部分には図４と同一の符号を付してある。ここで、スイッチング４’，５’も、逆並列接続された還流ダイオードを備えていて双方向に電流を通流可能な素子である。
【０００５】
上記構成において、リアクトル１，２、ダイオード３，６、スイッチング素子４，５により一方の昇圧チョッパ（以下、第１チョッパという）が構成され、リアクトル１’，２’、ダイオード３’，６’、スイッチング素子４’，５’により他方の昇圧チョッパ（以下、第２チョッパという）が構成される。
第２チョッパを構成するスイッチング素子４’，５’は、第１チョッパのスイッチング素子４，５と同様に、ＰＷＭ制御により互いに１８０度の位相差を持たせてＯＮ／ＯＦＦされる。
【０００６】
図５に示した並列チョッパ装置において、リアクトルの抵抗成分やインダクタンス成分の個体差、更には、ダイオード及びスイッチング素子のスイッチング特性や電圧降下の個体差が充分小さい理想条件では、第１チョッパ及び第２チョッパを出入りする電流Ｉｉｎｐ，Ｉｉｎｐ’，Ｉｉｎｎ，Ｉｉｎｎ’がバランスし、Ｉｉｎｐ＝Ｉｉｎｐ’，Ｉｉｎｎ＝Ｉｉｎｎ’となる。
しかしながら、実際には上述した諸特性に個体差が存在するため、Ｉｉｎｐ，Ｉｉｎｐ’及びＩｉｎｎ，Ｉｉｎｎ’はそれぞれ等しくならない。
【０００７】
ここで、数式１は図５における正側電流のアンバランス成分ΔＩｉｎｐを示し、数式２は負側電流のアンバランス成分ΔＩｉｎｎを示している。
［数式１］
ΔＩｉｎｐ＝Ｉｉｎｐ’−Ｉｉｎｐ
［数式２］
ΔＩｉｎｎ＝Ｉｉｎｎ’−Ｉｉｎｎ
【０００８】
これらの電流アンバランス成分ΔＩｉｎｐ，ΔＩｉｎｎは、回路内の各構成部品における発熱の不均一、電力変換損失の増加、更には、スイッチング素子やダイオードのスイッチング時に発生するサージ電圧の増加などを引き起こすため、有意な値にならないように抑制する必要がある。
電流アンバランスの一般的な抑制方法としては、第１チョッパ及び第２チョッパを流れる電流を検出してスイッチング素子のＯＮ／ＯＦＦ時間を適切に制御する方法が知られており、そのためにはΔＩｉｎｐ，ΔＩｉｎｎを検出する必要がある。
【０００９】
図６は、図５に電流アンバランス成分ΔＩｉｎｐ，ΔＩｉｎｎの検出機能を付加した並列チョッパ装置の回路図である。
図６において、３０，３１，３２は電流検出手段であり、これらの電流検出手段３０，３１，３２により３箇所の電流値Ｉｉｎ，Ｉｉｎｐ，Ｉｉｎｎを検出する。次に、これらの電流検出値Ｉｉｎ，Ｉｉｎｐ，Ｉｉｎｎに対して数式３，４の差分演算を行えば、電流アンバランス成分ΔＩｉｎｐ，ΔＩｉｎｎを間接的に検出することができる。
［数式３］
ΔＩｉｎｐ＝（Ｉｉｎ−Ｉｉｎｐ）−Ｉｉｎｐ
［数式４］
ΔＩｉｎｎ＝（Ｉｉｎ−Ｉｉｎｎ）−Ｉｉｎｎ
【００１０】
また、図７は、電流検出箇所が図６と異なる並列チョッパ装置の回路図である。
図６では、電流検出手段３０により全体の入力電流Ｉｉｎを検出すると共に、電流検出手段３１，３２により第１チョッパの正側入力電流Ｉｉｎｐ及び負側入力電流Ｉｉｎｎをそれぞれ検出するのに対し、図７の回路では、電流検出手段４１，４２により、第１チョッパ，第２チョッパの正側入力電流Ｉｉｎｐ，Ｉｉｎｐ’による差分磁束と負側入力電流Ｉｉｎｎ，Ｉｉｎｎ’ による差分磁束とをそれぞれ検出している。
【００１１】
図７における電流検出手段４１，４２としては、電気的に絶縁した状態で電流を測定可能な検出手段、例えばホール素子を用いた電流検出手段を想定している。
これらの電流検出手段４１，４２は、互いに逆方向に流れる正側入力電流Ｉｉｎｐ，Ｉｉｎｐ’、及び、互いに逆方向に流れる負側入力電流Ｉｉｎｎ，Ｉｉｎｎ’から差分磁束をそれぞれ検出し、一方の電流検出手段４１はＩｉｎｐ，Ｉｉｎｐ’による差分磁束に基づいて電流アンバランス成分ΔＩｉｎｐを検出し、他方の電流検出手段４２はＩｉｎｎ，Ｉｉｎｎ’による差分磁束に基づいて電流アンバランス成分ΔＩｉｎｎを検出するものである。
【００１２】
図７では、電流バランス制御に必要な電流検出手段の数が２つで済み、図６よりも少なくなる。ただし、ＤＣ／ＤＣコンバータの入力電流を制御する上で、図７の回路でも入力電流Ｉｉｎを検出することが必要であるため、全体的な電流検出手段の数は図６と同様に合計３つとなる。
【００１３】
なお、二つのチョッパからなる並列チョッパ装置（多重チョッパ装置）において、各チョッパ間の電流アンバランスを解消するようにした従来技術が、特許文献３に記載されている。
図８は、特許文献３に記載された多重チョッパ装置の構成図であり、１００は直流電源、１０１，１０２はそれぞれ第１チョッパ，第２チョッパ、１０１ａ，１０２ａはリアクトル、１０１ｂ，１０１ｃ，１０２ｂ，１０２ｃはスイッチング素子、１０１ｄ，１０２ｄはドライバ、１０３，１０４は平滑コンデンサ、１０５は電流検出手段、２００は負荷、３０１，３０２は電流抽出回路、３０１ａ，３０２ａは増幅回路、３０１ｂ，３０２ｂはフィルタ、３０１ｃ，３０２ｃはスイッチ、３０３は演算比較回路、３０４は制御回路、３０５は補正回路、３０６，３０７はサンプリング回路である。
【００１４】
図８に示した多重チョッパ装置では、各チョッパ１０１，１０２の下アームのスイッチング素子１０１ｃ，１０２ｃのオフ期間に同期したサンプリング回路３０６，３０７の出力信号によりスイッチ３０１ｃ，３０２ｃをそれぞれオンし、電流検出手段１０５による電流検出値Ｉ３を増幅して演算比較回路３０３に入力する。
ここで、多重チョッパ装置の昇圧比が２倍以上である場合には、下アームのスイッチング素子１０１ｃ，１０２ｃがそれぞれオフとなる期間が重なることはないため、電流検出手段１０５による電流検出値Ｉ３は、スイッチング素子１０１ｃのオフ期間に第１チョッパ１０１の出力電流Ｉ１に等しく、また、スイッチング素子１０２ｃのオフ期間に第２チョッパ１０２の出力電流Ｉ２に等しくなる。
よって、演算比較回路３０３により電流抽出回路３０１，３０２の出力の差を求めれば、第１チョッパ１０１及び第２チョッパ１０２の出力電流Ｉ１，Ｉ２のアンバランスを検出することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１５】
【特許文献１】特開２０１３−３８９２１号公報（図３（ｂ）等）
【特許文献２】特許第５０７０９３７号公報（図１〜図４等）
【特許文献３】特許第５５７０３３８号公報（段落[００１４]〜[００３２]、図１，図２等）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
図６，図７の従来技術において、電流アンバランス成分ΔＩｉｎｐ，ΔＩｉｎｎを検出するために必要な電流検出手段の数は、少なくとも２つであり、装置全体のコストの削減や小型化のためには、電流検出手段の数を更に少なくすることが求められている。
これに対し、図８に示した従来技術によれば、電流検出手段が単一で済む利点がある。しかし、電流を抽出するためのサンプリング回路３０６，３０７やスイッチ３０１ｃ，３０２ｃによって回路構成が複雑化すると共に、昇圧比が２倍未満である場合には、下アームのスイッチング素子１０１ｃ，１０２ｃのオフ期間が重ならないように、補正回路３０５によって電流のサンプリングタイミングをずらす等の処理が必要である。
このため、電流検出手段の削減が可能であるとしても、周辺回路や演算処理が複雑化するという問題を生じていた。
【００１７】
そこで、本発明の解決課題は、簡単な構成で電流アンバランス成分を検出可能とし、コストの低減を図った並列チョッパ装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
上記課題を解決するため、請求項１に係る発明は、第1のダイオード，第１の半導体スイッチング素子，第２の半導体スイッチング素子，第２のダイオードを順次直列に接続した直列回路と、第３のダイオード，第３の半導体スイッチング素子，第４の半導体スイッチング素子，第４のダイオードを順次直列に接続した直列回路と、第１，第２の平滑コンデンサを直列に接続した直列回路とを、一対の直流出力端子間に互いに並列に接続し、
前記第１のダイオードと前記第１の半導体スイッチング素子との接続点を第１のリアクトルを介して第１の正側直流入力端子に接続すると共に、前記第２の半導体スイッチング素子と前記第２のダイオードとの接続点を第２のリアクトルを介して第１の負側直流入力端子に接続し、かつ、前記第３のダイオードと前記第３の半導体スイッチング素子との接続点を第３のリアクトルを介して第２の正側直流入力端子に接続すると共に、前記第４の半導体スイッチング素子と前記第４のダイオードとの接続点を第４のリアクトルを介して第２の負側直流入力端子に接続し、
前記正側直流入力端子と前記負側直流入力端子との間に直流電源電圧が印加される並列チョッパ装置であって、前記第１〜第４の半導体スイッチング素子のＯＮ／ＯＦＦにより前記直流電源電圧の大きさを変換して出力する並列チョッパ装置において、
前記第１，第２の半導体スイッチング素子同士の接続点と前記第１，第２の平滑コンデンサ同士の接続点との間を流れる電流と、前記第３，第４の半導体スイッチング素子同士の接続点と前記第１，第２の平滑コンデンサ同士の接続点との間を流れる電流と、の差分値を検出する電流検出手段を備えたものである。
【００１９】
請求項２に係る発明は、請求項１に記載した並列チョッパ装置において、前記第１，第３の半導体スイッチング素子がＯＮし、かつ、前記第２，第４の半導体スイッチング素子がＯＦＦしているときに、前記電流検出手段による電流検出値に基づいて、前記第１のリアクトルと前記第３のリアクトルとを流れる電流の差分値を検出し、前記第１，第３の半導体スイッチング素子がＯＦＦし、かつ、前記第２，第４の半導体スイッチング素子がＯＮしているときに、前記電流検出手段による電流検出値に基づいて、前記第２のリアクトルと前記第４のリアクトルとを流れる電流の差分値を検出するものである。
【００２０】
請求項３に係る発明は、請求項１または２に記載した並列チョッパ装置において、前記第１，第２のリアクトル同士、及び、前記第３，第４のリアクトル同士が、それぞれ磁気的に結合されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、二つのチョッパを並列接続した場合に発生する電流アンバランス成分を、単一の電流検出手段によって検出することができる。特に、特許文献３のように昇圧比に応じて電流のサンプリングタイミングをずらす等の煩雑な処理が不要であり、電流アンバランスの検出を低コストにて実現可能である。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本発明の実施形態に係る並列チョッパ装置の回路図である。
【図２】本発明の実施形態における各スイッチング素子のＯＮ／ＯＦＦ状態に対するＩｍ，Ｉｍ’，ΔＩｍの推移を示す図である。
【図３】本発明の実施形態における各スイッチング素子のＯＮ／ＯＦＦ状態の組み合わせに対する電流経路の推移を示す図である。
【図４】昇圧チョッパの回路図である。
【図５】第１チョッパ及び第２チョッパからなる並列チョッパ装置の回路図である。
【図６】図５に電流アンバランス成分の検出機能を付加した並列チョッパ装置の回路図である。
【図７】図５に電流アンバランス成分の検出機能を付加した、他の並列チョッパ装置の回路図である。
【図８】特許文献３に記載された多重チョッパ装置の構成図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、図に沿って本発明の実施形態を説明する。
図１は、この実施形態に係る並列チョッパ装置の回路図であり、図４における各部と同一の機能を有するものには同一の符号を付してある。
【００２４】
図１において、直流出力端子２１，２２の間には、ダイオード３とスイッチング素子４，５とダイオード６が直列に接続され、ダイオード３とスイッチング素子４との接続点はリアクトル１を介して正側の直流入力端子１１に接続されると共に、スイッチング素子５とダイオード６との接続点はリアクトル２を介して負側の直流入力端子１２に接続されている。
同様に、直流出力端子２１，２２の間には、ダイオード３’とスイッチング素子４’，５’とダイオード６’が直列に接続され、ダイオード３’とスイッチング素子４’との接続点はリアクトル１’を介して正側の直流入力端子１１’に接続されると共に、スイッチング素子５’とダイオード６’との接続点はリアクトル２’を介して負側の直流入力端子１２’に接続されている。
上記のスイッチング素子４，４’，５，５’は、前述した図８のスイッチング素子１０１ｂ，１０１ｃ，１０２ｂ，１０２ｃと同様に、逆並列接続された還流ダイオードを備えていて双方向に電流を通流可能な素子である。
【００２５】
上記構成において、リアクトル１，２、ダイオード３，６、スイッチング素子４，５により第１チョッパが構成され、リアクトル１’，２’、ダイオード３’，６’、スイッチング素子４’，５’により第２チョッパが構成されている。
なお、直流入力端子１１，１１’は単一の直流電源（図示せず）の正極に接続され、直流入力端子１２，１２’は前記直流電源の負極に接続されている。また、リアクトル１，２やリアクトル１’，２’は、それぞれ互いに磁気結合されていても良い。
【００２６】
ここで、直流入力端子１１，１１’は請求項における第１，第２の正側直流入力端子に、直流入力端子１２，１２’は請求項における第１，第２の負側直流入力端子に、リアクトル１，２は第１，第２のリアクトルに、リアクトル１’，２’は第３，第４のリアクトルに、ダイオード３，６，３’，６’は第１〜第４のダイオードに、スイッチング素子４，５，４’，５’は第１〜第４のスイッチング素子に、コンデンサ７，８は第１，第２のコンデンサに、それぞれ相当している。
【００２７】
また、直流出力端子２１，２２の間には平滑コンデンサ７，８が直列に接続されており、平滑コンデンサ７，８同士の接続点と、スイッチング素子４，５同士の接続点及びスイッチング素子４’，５’同士の接続点との間には、電流検出手段４０が接続されている。
この電流検出手段４０には、図７における電流検出手段４１，４２と同様に、電気的に絶縁した状態で電流を測定可能なホール素子等が用いられており、互いに逆方向に流れる後述の電流Ｉｍ，Ｉｍ’から差分磁束を検出し、この差分磁束に基づいて差分値ΔＩｍひいてはチョッパ間の電流アンバランス成分を検出する。
【００２８】
なお、図１に示すように、第１チョッパにおける流入電流，流出電流をそれぞれＩｉｎｐ，Ｉｉｎｎとし、第２チョッパにおける流入電流，流出電流をそれぞれＩｉｎｐ’，Ｉｉｎｎ’とする。また、スイッチング素子４，５同士の接続点から平滑コンデンサ７，８同士の接続点に向かって流れる電流をＩｍとし、スイッチング素子４’，５’同士の接続点から平滑コンデンサ７，８同士の接続点に向かって流れる電流をＩｍ’とする。これらの電流Ｉｍ，Ｉｍ’ の差分値ΔＩｍは、電流検出手段４０において、数式５により検出可能である。
［数式５］
ΔＩｍ＝Ｉｍ’−Ｉｍ
【００２９】
次に、この実施形態の動作を、図２，図３を参照しつつ説明する。
図２は、スイッチング素子４，４’，５，５’のＯＮ／ＯＦＦ状態に対するＩｍ，Ｉｍ’，ΔＩｍの推移を示している。ここでは、第１チョッパと第２チョッパとの間で電流アンバランスが発生しており、各チョッパの流入電流，流出電流の大小関係は、Ｉｉｎｐ＜Ｉｉｎｐ’かつＩｉｎｎ＜Ｉｉｎｎ’であると仮定する。
【００３０】
スイッチング素子４，４’，５，５’の通流率は、図２（ａ）が５０[％]未満（以下、降圧モードという）であり、図２（ｂ）が５０[％]以上（以下、昇圧モードという）である。なお、降圧モードではＶｉｎ＞Ｖｏｕｔであり、昇圧モードではＶｉｎ＜Ｖｏｕｔである。
降圧モード・昇圧モードを含めて、スイッチング素子４，４’，５，５’のＯＮ／ＯＦＦ状態の組み合わせは４通り存在し、それぞれの組み合わせごとに、平滑コンデンサ７，８同士の接続点を流れる電流Ｉｍ，Ｉｍ’も変化する。なお、スイッチング素子４，４’は同時にＯＮ／ＯＦＦし、同５，５’も同時にＯＮ／ＯＦＦする。
【００３１】
図３（ａ）〜（ｄ）は、スイッチング素子４，４’，５，５’の４通りのＯＮ／ＯＦＦ状態に対する電流経路の推移を示す図である。なお、図３（ａ）〜（ｄ）では電流検出手段４０が簡略的に図示されているが、その構成は図１における電流検出手段４０と同一である。
スイッチング素子４，４’または同５，５’がＯＮしている図３（ａ），（ｂ）ではＩｍ，Ｉｍ’が流れ、スイッチング素子４，４’，５，５’がすべてＯＦＦである図３（ｃ）やすべてＯＮである図３（ｄ）ではＩｍ，Ｉｍ’が流れない。
【００３２】
このうち、図３（ａ）は、スイッチング素子４，４’がＯＮ、同５，５’がＯＦＦの状態であり、Ｉｍ＝Ｉｉｎｐ，Ｉｍ’＝Ｉｉｎp’である。また、図３（ｂ）は、スイッチング素子４，４’がＯＦＦ、同５，５’がＯＮの状態であり、Ｉｍ＝−Ｉｉｎｎ，Ｉｍ’＝−Ｉｉｎｎ’である。
【００３３】
電流検出手段４０は、前述した数式５に従って差分値ΔＩｍを検出する。前述したごとく、Ｉｉｎｐ＜Ｉｉｎｐ’かつＩｉｎｎ＜Ｉｉｎｎ’であるため、スイッチング素子４，４’，５，５’のＯＮ／ＯＦＦ状態の組み合わせに対するＩｍ，Ｉｍ’，ΔＩｍは、下記の表１のようになる。
【表１】
0006573167.tif 000002
【００３４】
なお、表１において、ΔＩｉｎｐ＞０，ΔＩｉｎｎ＞０であり、電流検出手段４０は、数式６，数式７に示すように、スイッチング素子４，４’がＯＮであって同５，５’がＯＦＦの時に、ΔＩｍとしてΔＩｉｎｐを検出し、スイッチング素子４，４’がＯＦＦであって同５，５’がＯＮの時に、ΔＩｍとして−ΔＩｉｎｎを検出する（言い換えれば、−ΔＩｍとしてΔＩｉｎｎを検出する）ことになる。
【００３５】
［数式６］
ΔＩｉｎｐ＝ΔＩｍ    （スイッチング素子４，４’：ＯＮ，同５，５’：ＯＦＦ）
［数式７］
ΔＩｉｎｎ＝−ΔＩｍ  （スイッチング素子４，４’：ＯＦＦ，同５，５’：ＯＮ）
【００３６】
従って、この実施形態では、第１チョッパ及び第２チョッパの上アームまたは下アームのスイッチング素子をＯＮさせた状態で、単一の電流検出手段４０のみを用いて電流アンバランス成分ΔＩｉｎｐ，ΔＩｉｎｎを検出することができる。なお、この実施形態では、一スイッチング周期において少なくとも２回の電流検出処理を行うことにより、ΔＩｉｎｐ，ΔＩｉｎｎの検出が可能になる。
このようにして、電流検出手段４０の出力に基づいて電流アンバランス成分ΔＩｉｎｐ，ΔＩｉｎｎが検出された場合には、アラームを発生させる、スイッチング素子４，４’，５，５’のＯＮ／ＯＦＦのタイミングを調整してアンバランスを解消する、等の処理を行えば良い。
【符号の説明】
【００３７】
１，１’，２，２’：リアクトル
３，３’，６，６’：ダイオード
４，４’，５，５’：半導体スイッチング素子
７，８：平滑コンデンサ
１１，１１’，１２，１２’：直流入力端子
２１，２２：直流出力端子
４０：電流検出手段
【図１】
0006573167.tif 000003
【図２】
0006573167.tif 000004
【図３】
0006573167.tif 000005
【図４】
0006573167.tif 000006
【図５】
0006573167.tif 000007
【図６】
0006573167.tif 000008
【図７】
0006573167.tif 000009
【図８】
0006573167.tif 000010