(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁板と、前記絶縁板の主面に設けられた回路板を有する絶縁基板と、
おもて面に電極を有し、裏面が前記絶縁基板の回路板に固定された半導体素子と、
前記絶縁板の主面に対向して設けられた第１のプリント基板と、
一端が前記半導体素子の前記電極に接続され、他端が前記第１のプリント基板に接続された第１の導電ポストと、
前記絶縁板の主面に対向し、前記第１のプリント基板よりも前記絶縁基板から離れて設けられ、絶縁層と、前記絶縁層の面のうち前記絶縁基板から遠い側の面に設けられた回路層を有する第２のプリント基板と、
前記第２のプリント基板の前記回路層に固定された電子部品と、
前記第２のプリント基板の前記絶縁層に設けられた貫通孔に挿通され、一端が前記半導体素子の前記電極に接続され、他端が前記第２のプリント基板に接続された第２の導電ポストと、
を備え、
前記第２の導電ポストが、前記第２のプリント基板の前記回路層と、前記半導体素子の前記電極とを直接接続する半導体装置。
【請求項２】
前記第２のプリント基板が、前記絶縁層の面のうち前記絶縁基板から近い側の面に設けられた金属層を更に有する請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記金属層が前記半導体素子に対向する位置に設けられた請求項２記載の半導体装置。
【請求項４】
ソース端子をさらに備え、
前記半導体素子は前記おもて面にソース電極を有するパワーＭＯＳＦＥＴであり、
前記第２のプリント基板の前記回路層は第１領域及び第２領域を有し、
前記第２の導電ポストの前記一端が前記パワーＭＯＳＦＥＴの前記ソース電極に接続され、前記他端が前記第１領域に接続され、
前記ソース端子は前記第２領域に接続され、
前記電子部品は前記第１領域と前記第２領域の間に接続される請求項１記載の半導体装置。
【請求項５】
前記電子部品が、シャント抵抗である請求項４記載の半導体装置。
【請求項６】
ドレイン端子及びソース端子をさらに備え、
前記半導体素子は前記おもて面にソース電極を有し、裏面にドレイン電極を有するパワーＭＯＳＦＥＴであり、
前記第２のプリント基板の回路層は第１領域及び第２領域を有し、
前記第２の導電ポストの前記一端が前記パワーＭＯＳＦＥＴのソース電極に接続され、前記他端が前記第１領域に接続され、
前記ソース端子は前記第１領域に接続され、
前記ドレイン端子は前記ドレイン電極及び前記第２領域と接続され、
前記電子部品は前記第１領域と前記第２領域の間に接続される請求項１記載の半導体装置。
【請求項７】
前記電子部品が、コンデンサである請求項６記載の半導体装置。
【請求項８】
前記電子部品が、前記回路板に接続された前記ドレイン端子と電気的に接続している請求項６又は７に記載の半導体装置。
【請求項９】
絶縁板と、前記絶縁板の主面に設けられた回路板を有する絶縁基板と、
前記絶縁板の主面に対向して設けられた第１のプリント基板と、
前記絶縁板の主面に対向し、前記第１のプリント基板よりも前記絶縁基板から離れて設けられた第２のプリント基板と、
前記第１のプリント基板と前記第２のプリント基板を接続する導電ポストと、
を備えた半導体装置を製造する方法であって、
前記第１のプリント基板及び前記第２のプリント基板を、前記導電ポストを介して一体化する工程と、
一体化された前記第１のプリント基板及び前記第２のプリント基板を、前記絶縁基板に対して取り付ける工程と、
を含み、
前記第１のプリント基板及び前記第２のプリント基板を一体化する工程において、前記第１のプリント基板及び前記第２のプリント基板との間に絶縁樹脂を注入して固化する工程を含む半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
絶縁板と、前記絶縁板の主面に設けられた回路板を有する絶縁基板と、
前記絶縁板の主面に対向して設けられた第１のプリント基板と、
前記絶縁板の主面に対向し、前記第１のプリント基板よりも前記絶縁基板から離れて設けられた第２のプリント基板と、
前記第１のプリント基板と前記第２のプリント基板を接続する導電ポストと、
を備えた半導体装置を製造する方法であって、
前記第１のプリント基板を、前記絶縁基板に対して取り付ける工程と、
前記第２のプリント基板を、少なくとも前記導電ポストにより位置合わせして前記第１のプリント基板と間隔を有するように取り付ける工程と、
を含み、
前記第１のプリント基板を取り付ける工程の後に、前記第１のプリント基板及び前記第２のプリント基板との間にスペーサを配置する工程をさらに含み、
前記第２のプリント基板を取り付ける工程の後に、前記スペーサを取り外す工程をさらに含む半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置、特にパワー半導体チップを備える半導体装置、及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
パワー半導体モジュールの一例は、絶縁基板の回路板に、半導体チップが電気的かつ機械的に接続されている。このパワー半導体チップのおもて面に形成されている電極と、絶縁基板の回路板等とを電気的に接続するために、半導体チップのおもて面及び絶縁基板の回路板に対向するプリント基板と、このプリント基板に一端が接続され、他端が半導体チップの電極又は回路板に電気的かつ機械的に接続する複数の導電ポストとを有する配線部材がある（特許文献１）。
【０００３】
プリント基板と導電ポストとを有する配線部材は、信頼性が高く、また、ボンディングワイヤを用いた場合に比べてパワー半導体モジュールを薄型化できる。また、導電ポストは、ボンディングワイヤに比べて半導体チップのおもて面の電極の面積が小さくても確実に接続できる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】国際公開第２０１３／１１８４１５号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
近年、保護機能や駆動回路のための電子部品が組み込まれたインテリジェントパワーモジュール（ＩＰＭ）が開発されている。このインテリジェントパワーモジュール用の電子部品、例えばサーミスタ、シャント抵抗等のセンサ、又はＩＣチップ等を、配線インダクタンスの増加を抑制しながら、かつ、空間的な制約を考慮しながら内蔵させることは、設計上の課題である。
【０００６】
パワー半導体モジュールの配線部材を構成するプリント基板に、電子部品を取り付けることを考えると、電子部品の種類によっては、プリント基板の配線が複雑になる。例えば、電子部品としてＭＯＳＦＥＴ等の半導体チップを搭載する場合には，半導体チップと電気的に接続するために専用の端子が必要であり、プリント基板の設計が複雑化するうえ、構成に制約がある。
【０００７】
特許文献１には、プリント基板の面積を最小限とするように、プリント基板の両主面にそれぞれ対向するように設けられた２枚のセラミックス絶縁基板を使用して、高さ方向に回路を構成した例が記載されている（図１３参照）。この例におけるセラミックス絶縁基板の一つに電子部品を取り付けることを考えると、セラミックス絶縁基板は導電ポストを接合するために孔を形成する加工が容易でない。なぜなら、セラミックスは孔を形成する際、割れる恐れがあるからである。したがって、導電ポストを用いて半導体チップの電極から直線的に、直接セラミックス絶縁基板に接続するのが難しい。
また、特許文献１にはプリント基板および２枚のセラミック絶縁基板を用いて、高さ方向に回路を構成したモジュールについて記載されているが、その具体的な製造方法については特に例示されていない。
【０００８】
本発明は、上記の問題を有利に解決するものであり、配線インダクタンスの増加を抑制しつつパワー半導体モジュールに電子部品を内蔵させる設計の自由度を向上させることができる半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の半導体装置は、絶縁板と、前記絶縁板の主面に設けられた回路板を有する絶縁基板と、おもて面に電極を有し、裏面が前記絶縁基板の回路板に固定された半導体素子と、前記絶縁基板の主面に対向して設けられた第１のプリント基板と、一端が前記半導体素子の前記電極に接続され、他端が前記第１のプリント基板に接続された第１の導電ポストと、前記絶縁板の主面に対向し、前記第１のプリント基板よりも前記絶縁基板から離れて設けられ、絶縁層と、前記絶縁層の面のうち前記絶縁基板から遠い側の面に設けられた回路層を有する第２のプリント基板と、前記第２のプリント基板の前記回路層に固定された電子部品と、前記第２のプリント基板の前記絶縁層に設けられた貫通孔に挿通され、一端が前記半導体素子の前記電極に接続され、他端が前記第２のプリント基板に接続された第２の導電ポストと、を備え、前記第２の導電ポストが、前記第２のプリント基板の前記回路層と、前記半導体素子の前記電極とを直接接続することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の半導体装置によれば、第２のプリント基板を備え、第２のプリント基板に電子部品が取り付けられることにより、パワー半導体モジュールに電子部品を内蔵させる設計の自由度を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の一実施形態のパワー半導体モジュールの模式的な断面図である。
【図２】図１のＩＩ−ＩＩ線における平面図である。
【図３】図１のＩＩＩ−ＩＩＩ線の位置における平面図である。
【図４】図１のＩＶ−ＩＶ線の位置における平面図である。
【図５】図１のＶ−Ｖ線の位置における平面図である。
【図６】実施形態１のパワー半導体モジュールの等価回路図である。
【図７】本発明の別の実施形態のパワー半導体モジュールの模式的な断面図である。
【図８】図７のＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ線の位置における平面図である。
【図９】図７のＩＸ−ＩＸ線の位置における平面図である。
【図１０】図７のＸ−Ｘ線の位置における平面図である。
【図１１】図７のＸＩ−ＸＩ線の位置における平面図である。
【図１２】実施形態２のパワー半導体モジュールの等価回路図である。
【図１３】本発明の別の実施形態のパワー半導体モジュールの模式的な断面図である。
【図１４】図１３のＸＩＶ−ＸＩＶ線の位置における平面図である。
【図１５】図１３のＸＶ−ＸＶ線の位置における平面図である。
【図１６】本図１３のＸＶＩ−ＸＶＩ線の位置における平面図である。
【図１７】のＸＶＩＩ−ＸＶＩＩ線の位置における平面図である。
【図１８】実施形態３のパワー半導体モジュールの等価回路図である。
【図１９】本発明のパワー半導体モジュールの製造方法１の説明図である。
【図２０】本発明のパワー半導体モジュールの製造方法１の説明図である。
【図２１】本発明のパワー半導体モジュールの製造方法２の説明図である。
【図２２】本発明のパワー半導体モジュールの製造方法２の説明図である。
【図２３】本発明のパワー半導体モジュールの製造方法２の説明図である。
【図２４】本発明のパワー半導体モジュールの製造方法２の説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明の半導体装置の実施形態について、図面を参照しつつ具体的に説明する。なお、本出願の記載に用いられている「電気的かつ機械的に接続されている」という用語は、対象物同士が直接接合により接続されている場合に限られず、はんだや金属焼結材などの導電性の接合材を介して対象物同士が接続されている場合も含むものとする。
【００１３】
（実施形態１）
実施形態１のパワー半導体モジュールは、電子部品としてシャント抵抗を備える例である。
図１は、本発明の実施形態１のパワー半導体モジュール１０の模式的な断面図である。
パワー半導体モジュール１０は、絶縁基板１１、半導体チップ１２、半導体チップ１３、第１のプリント基板１４、第１の導電ポスト１５、第２のプリント基板１６、第２の導電ポスト１７及び電子部品としてのシャント抵抗１８を備えている。
【００１４】
絶縁基板１１は、絶縁板１１ａと、絶縁板１１ａの主面（図では上面）に設けられた回路板１１ｂと、絶縁板１１ａの裏面（図では下面）に設けられた金属板１１ｃとで構成されている。絶縁板１１ａは例えば窒化アルミニウムや窒化珪素、酸化アルミニウム等の絶縁性セラミックスよりなり、回路板１１ｂ及び金属板１１ｃは、例えば銅やアルミニウムなどの導電性の金属よりなる。絶縁基板１１は、例えばＤＣＢ（Ｄｉｒｅｃｔ  Ｃｏｐｐｅｒ  Ｂｏｎｄｉｎｇ）基板やＡＭＢ（Ａｃｔｉｖｅ  Ｍｅｔａｌ  Ｂｌａｚｉｎｇ）基板等を用いることができる。
【００１５】
図２に図１のＩＩ−ＩＩ線の位置における平面図を示す。図１は、図２のＩ−Ｉ線で切断した断面図に相当する。図２において回路板１１ｂは、長方形の平面形状を有している絶縁板１１ａの主面上に選択的に形成されていて、第１領域１１ｂ１、第２領域１１ｂ２、第３領域１１ｂ３、第４領域１１ｂ４及び第５領域１１ｂ５を含んでいる。
【００１６】
回路板１１ｂの第１領域１１ｂ１は、絶縁板１１ａの一辺付近から中央部付近までを占めるように形成されている。第１領域１１ｂ１の中央部には、半導体チップ１２及び半導体チップ１３が並べて設けられている。図１及び図２において半導体チップ１２は縦型のパワーＭＯＳＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）の例であり、半導体チップ１３は半導体チップ１２と逆並列に接続されるダイオードの例である。
半導体チップ１２の裏面にはドレイン電極が形成されていて、このドレイン電極と第１領域１１ｂ１とが、接合材としてのはんだ２０により電気的かつ機械的に接続されている。また、半導体チップ１３の裏面にはカソード電極が形成されていて、このカソード電極と第１領域１１ｂ１とが、はんだ２０により電気的かつ機械的に接続されている。
【００１７】
第１領域１１ｂ１の二つの隅部付近には、外部端子としてのドレイン端子１９Ａが、それぞれはんだ等の接合材、超音波接合又は溶接により電気的かつ機械的に接続されている。したがって、ドレイン端子１９Ａは、第１領域１１ｂ１を通して半導体チップ１２のドレイン電極及び半導体チップ１３のカソード電極と電気的に接続されている。
【００１８】
回路板１１ｂの第２領域１１ｂ２、第３領域１１ｂ３、第４領域１１ｂ４及び第５領域１１ｂ５は、絶縁板１１ａ上において、第１領域１１ｂ１が占める範囲以外の部分で、絶縁板１１ａの他辺に沿って並べて形成されている。第２領域１１ｂ２は、絶縁板１１ａの一つの隅部付近に形成されていて、外部端子としてのソース端子１９Ｂが接合材、超音波接合又は溶接によって電気的かつ機械的に接続されている。また、第５領域１１ｂ５は、絶縁板１１ａの他の隅部付近に形成されていて、外部端子としてのソース端子１９Ｂが接合材、超音波接合又は溶接によって電気的かつ機械的に接続されている。
【００１９】
第２領域１１ｂ２と第５領域１１ｂ５との間で、第２領域１１ｂ２に隣接して形成されている第３領域１１ｂ３は、外部端子としてのゲート端子１９Ｃが接合材、超音波接合又は溶接によって電気的かつ機械的に接続されている。また、第３領域１１ｂ３と第５領域１１ｂ５との間に形成されている第４領域１１ｂ４は、外部端子としての補助ソース端子１９Ｄが接合材、超音波接合又は溶接によって電気的かつ機械的に接続されている。なお、補助ソース端子１９Ｄは、図１の断面図には表れていない。ドレイン端子１９Ａ、ソース端子１９Ｂ及び補助ソース端子１９Ｄは、大電流を流すためには銅板等のリードからなることが好ましい。
【００２０】
縦型のパワーＭＯＳＦＥＴの例である半導体チップ１２は、おもて面にソース電極及びゲート電極を有し，裏面にドレイン電極を有している。半導体チップ１２は縦型のものに限られず、半導体チップ１２のおもて面にのみ複数種類の電極が配置された横型の半導体チップであってもよい。
【００２１】
半導体チップ１２は、パワーＭＯＳＦＥＴに限られず、他のスイッチング素子、例えばＩＧＢＴ（絶縁ゲートバイポーラトランジスタ）とすることができる。半導体チップ１２がＩＧＢＴの場合では、裏面の電極はコレクタ電極であり、おもて面の電極はエミッタ電極及びゲート電極である。半導体チップ１２は、シリコン半導体よりなるものでもよいし、炭化ケイ素（ＳｉＣ）半導体よりなるものでもよい。ＳｉＣからなる半導体チップ（例えばＳｉＣ−ＭＯＳＦＥＴ）は、シリコンからなる半導体チップに比べて高耐圧で、かつ高周波でのスイッチングが可能である。半導体チップ１２は、パワーＭＯＳＦＥＴやＩＧＢＴに限定されず、スイッチングの動作が可能な半導体素子の一個又は複数個の組み合わせであればよい。
半導体チップ１２と逆並列に接続されるダイオードの例である半導体チップ１３は、おもて面にアノード電極を有し、裏面にカソード電極を有している。
【００２２】
図１に示すように、絶縁板１１ａの主面に対向して、第１のプリント基板１４が設けられている。すなわち、第１のプリント基板１４は、半導体チップ１２のおもて面電極（ソース電極及びゲート電極）、半導体チップ１３のおもて面電極（アノード電極）、及び絶縁基板１１の回路板１１ｂに対向している。第１のプリント基板１４は、絶縁層１４ａと、この絶縁層１４ａの少なくとも一方の面に形成された金属層１４ｂとを有している。図１に示した例では、金属層１４ｂは、絶縁層１４ａの面のうち絶縁基板１１より遠い側に形成されている。
【００２３】
第１のプリント基板１４と、半導体チップ１２のおもて面電極、半導体チップ１３のおもて面電極、又は絶縁基板１１の回路板１１ｂとの間には、第１の導電ポスト１５が設けられている。第１の導電ポスト１５は、その一端が半導体チップ１２のおもて面電極、半導体チップ１３のおもて面電極又は絶縁基板１１の回路板１１ｂに、はんだ２０により電気的かつ機械的に接続されている。そして、第１の導電ポスト１５の他端は、第１のプリント基板１４の絶縁層１４ａを貫いて、金属層１４ｂに、はんだやロウ付け、又はカシメにより電気的かつ機械的に接続されている。
【００２４】
図３に、図１のＩＩＩ−ＩＩＩ線の位置における平面図を示す。図３は第１のプリント基板１４の絶縁層１４ａと金属層１４ｂとが示されている。
絶縁層１４ａは、ドレイン端子１９Ａ、ゲート端子１９Ｃ、ソース端子１９Ｂ、補助ソース端子１９Ｄ及び導電ポスト１５Ａを通す貫通孔１４ｈを有している。
【００２５】
金属層１４ｂは第１領域１４ｂ１及び第２領域１４ｂ２を含んでいる。
金属層１４ｂの第１領域１４ｂ１は、半導体チップ１２のソース電極、半導体チップ１３のアノード電極及び絶縁基板１１の回路板１１ｂの第２領域１１ｂ２及び第５領域１１ｂ５を、第１のプリント基板１４に向けて投影させた領域を少なくとも部分的に含むように形成されている。換言すれば、第１領域１４ｂ１は、半導体チップ１２のソース電極、半導体チップ１３のアノード電極及び絶縁基板１１の回路板１１ｂの第２領域１１ｂ２及び第５領域１１ｂ５と、少なくとも部分的に重なるように、絶縁層１４ａの主面の外側寄りに形成されている。また、第１領域１４ｂ１は、絶縁基板１１の回路板１１ｂの第１領域１１ｂ１に電気的かつ機械的に接続されているドレイン端子１９Ａとは非接触であり、第２領域１１ｂ２及び第５領域１１ｂ５に電気的かつ機械的に接合されているソース端子１９Ｂとも非接触である。
【００２６】
金属層１４ｂの第２領域１４ｂ２は、半導体チップ１２のゲート電極及び絶縁基板１１の回路板１１ｂの第３領域１１ｂ３を第１のプリント基板１４に向けて投影させた領域を少なくとも部分的に含むように、かつ、この投影させた領域を相互に接続するように、絶縁層１４ａの主面の内側寄りに形成されている。
金属層１４ｂの第１領域１４ｂ１及び第２領域１４ｂ２は、インダクタンスを低減するために、なるべく絶縁層１４ａの面上における面積を大きくしている。
【００２７】
第１の導電ポスト１５は、金属層１４ｂの第１領域１４ｂ１と半導体チップ１２のソース電極とを電気的に接続している導電ポスト１５Ａと、金属層１４ｂの第１領域１４ｂ１と半導体チップ１３のアノード電極とを電気的に接続している導電ポスト１５Ｂと、金属層１４ｂの第２領域１４ｂ２と半導体チップ１２のゲート電極とを電気的に接続している導電ポスト１５Ｃと、金属層１４ｂの第２領域１４ｂ２と絶縁基板１１の回路板１１ｂの第３領域１１ｂ３とを電気的に接続している導電ポスト１５Ｄと、金属層１４ｂの第１領域１４ｂ１と絶縁基板１１の回路板１１ｂの第４領域１１ｂ４とを電気的に接続している導電ポスト１５Ｅとを有している。なお、本実施形態においては、後述する他の実施形態とは異なり、金属層１４ｂの第１領域１４ｂ１と絶縁基板１１の回路板１１ｂの第２領域１１ｂ２との間には第１の導電ポスト１５は設けられていない。また、金属層１４ｂの第１領域１４ｂ１と絶縁基板１１の回路板１１ｂの第５領域１１ｂ５との間にも第１の導電ポスト１５は設けられていない。
以下の説明では、個別の導電ポスト１５Ａ〜１５Ｅを総称して第１の導電ポスト１５という。
【００２８】
導電ポスト１５Ａと、第１のプリント基板１４の金属層１４ｂの第１領域１４ｂ１と、導電ポスト１５Ｃとが電気的に接続されていることにより、導電ポスト１５Ａの一端で接続する半導体チップ１２のソース電極と、導電ポスト１５Ｂの一端で接続する半導体チップ１３のアノード電極とが相互に接続されている。
【００２９】
導電ポスト１５Ｃと、第１のプリント基板１４の金属層１４ｂの第２領域１４ｂ２と、導電ポスト１５Ｄとが電気的に接続されていることにより、導電ポスト１５Ｃの一端で接続する半導体チップ１２のゲート電極と、導電ポスト１５Ｄの一端で接続する絶縁基板１１の回路板１１ｂの第３領域１１ｂ３に接合されているゲート端子１９Ｃとが電気的に接続されている。
【００３０】
このように第１のプリント基板１４と第１の導電ポスト１５とにより構成されている半導体チップ１２等の配線部材は、半導体チップ１２の発熱の繰り返しによる熱サイクルに対する信頼性が高いパワー半導体モジュール１０とすることができる。また、配線部材にボンディングワイヤを用いた場合に比べてパワー半導体モジュール１０を薄型化できる。また、第１の導電ポスト１５は、ボンディングワイヤに比べて半導体チップ１２のおもて面の電極の面積が小さくても確実に接続できる。また、リードに比べて半導体チップ１２に加わる応力が小さいので信頼性が高く、接合材の厚さを薄くできるので電気伝導、熱伝導に有利である。
【００３１】
第１のプリント基板１４は、絶縁層１４ａの面のうち絶縁基板１１より遠い側に金属層１４ｂの第１領域１４ｂ１及び第２領域１４ｂ２が形成されている例に限られず、第１領域１４ｂ１を絶縁層１４ａの面のうち絶縁基板１１より近い側及び遠い側のいずれか一方に、第２領域１４ｂ２を絶縁層１４ａの面のうち第１領域１４ｂ１が形成されている面とは別の面に形成されている例とすることもできる。
【００３２】
第１のプリント基板１４の金属層１４ｂや第１の導電ポスト１５は、導電性のよい金属、例えば銅よりなる。また、第１のプリント基板１４の金属層１４ｂや第１の導電ポスト１５は、必要に応じてめっきを表面に施すことができる。第１のプリント基板１４の絶縁層１４ａは、ガラスエポキシ材などからなるリジッド基板でもよく、また、絶縁層１４ａがポリイミド材などからなるフレキシブル基板でもよい。
【００３３】
第１の導電ポスト１５は、円柱形状、直方体形状等の形状とすることができるが特に限定されない。第１の導電ポスト１５の底面の大きさは、半導体チップ１２及び半導体チップ１３のおもて面の電極よりも小さい。更に、一つの半導体チップ１２又は半導体チップ１３に対する第１の導電ポスト１５の設置数は任意であり、一つのおもて面電極に複数個の第１の導電ポスト１５を接合することも可能である。
【００３４】
第１のプリント基板１４と第１の導電ポスト１５とは、パワー半導体モジュール１０の組み立てに当たって、あらかじめ一体化して配線部材とすることができる。一体化された配線部材を用いることにより、ボンディングワイヤに比べてパワー半導体モジュール１０の製造工程を簡素化することができる。
【００３５】
図１に示すように、絶縁板１１ａの主面に対向し、第１のプリント基板１４よりも絶縁基板１１から離れて、第２のプリント基板１６が設けられている。換言すると、パワー半導体モジュール１０の内部に、絶縁基板１１、第１のプリント基板１４、第２のプリント基板１６が、この順に積層するように配置されている。
【００３６】
第２のプリント基板１６は、２つの面を有する絶縁層１６ａと、絶縁層１６ａの面のうち絶縁基板１１より遠い側の面に設けられた回路層１６ｂと、絶縁層１６ａの面のうち絶縁基板１１より近い側の面に設けられた金属層１６ｃとで構成されている。回路層１６ｂには、電子部品であるシャント抵抗１８が固定されて搭載されている。
第２のプリント基板１６の絶縁層１６ａは、ドレイン端子１９Ａ、ソース端子１９Ｂ、ゲート端子１９Ｃ、補助ソース端子１９Ｄを挿通させる孔１６ｈを有している。また、この絶縁層１６ａは、導電ポスト１５Ａ（第２の導電ポスト１７）を挿通させる孔を有している。
【００３７】
第２のプリント基板１６の固定は、例えばその四隅近傍にドレイン端子１９Ａ及びソース端子１９Ｂを挿通させる孔１６ｈを形成するとともに、ドレイン端子１９Ａ及びソース端子１９Ｂに、その第２のプリント基板１６に形成された上記孔の径よりも太径の部分１９Ａｂ、１９Ｂｂを形成しておき、第２のプリント基板１６の上記孔にドレイン端子１９Ａ及びソース端子１９Ｂを通して上記太径の部分１９Ａｂ、１９Ｂｂで係止することにより行うことができる。第２のプリント基板１６の固定は、この他にも後述する製造方法を用いて行うことができる。
【００３８】
第２のプリント基板１６の回路層１６ｂと、第１のプリント基板１４の金属層１４ｂとの間には、第２の導電ポスト１７が設けられている。本実施形態において第２の導電ポスト１７は、第１の導電ポスト１５のうちの導電ポスト１５Ａの一端が第２のプリント基板１６の回路層１６ｂまで延伸してなるものである。換言すれば、一端が半導体チップ１２のソース電極と接続する導電ポスト１５Ａが、第２の導電ポスト１７を兼ねていて、他端が第２のプリント基板１６の回路層１６ｂと電気的に接続されている。これにより、第２のプリント基板１６の回路層１６ｂと、半導体チップ１２のソース電極とを直接接続する。
もっとも、第２の導電ポスト１７は図１に示した例に限られず、一端が第２のプリント基板１６の回路層１６ｂに接続され、他端が第１のプリント基板１４の金属層１４ｂ、半導体チップ１２のソース電極、ゲート電極、半導体チップ１３のアノード電極、絶縁基板１１の回路板１１ｂのいずれか一つに接続されたものとすることができる。
【００３９】
図４に、図１のＩＶ−ＩＶ線の位置における平面図を示す。図４は、第２のプリント基板１６の金属層１６ｃと第１のプリント基板１４とが示されている。金属層１６ｃは、半導体チップ１２又は半導体チップ１３の電磁シールドのために設けられている。そのため、金属層１６ｃは、ドレイン端子１９Ａ、ソース端子１９Ｂ、ゲート端子１９Ｃ、補助ソース端子１９Ｄ及び第２の導電ポスト１７とは非接触状態で、なるべく絶縁層１６ａの面上における面積を大きくしている。
金属層１６ｃの変形例として、半導体チップ１２又は半導体チップ１３の放熱のために、第２の導電ポスト１７と接触するような構成とすることもできる。
【００４０】
図５に、図１のＶ−Ｖ線の位置における平面図を示す。図５において第２のプリント基板１６の回路層１６ｂは、中央部付近で二分されていて、絶縁層１６ａの一方の面に選択的に形成された第１領域１６ｂ１と第２領域１６ｂ２とを含んでいる。
第１領域１６ｂ１に、第２の導電ポスト１７（導電ポスト１５Ａ）の端部が接続される。また、第２の導電ポスト１７は、半導体チップ１２のソース電極にも接続される。
【００４１】
第２領域１６ｂ２に、２本のソース端子１９Ｂ、および補助ソース端子１９Ｄが接続される。ソース端子１９Ｂは、前述のように絶縁基板１１の回路板１１ｂの第２領域１１ｂ２および第５領域１１ｂ５に接続され、補助ソース端子１９Ｄは、回路板１１ｂの第４領域１１ｂ４に接続される。
第２のプリント基板１６の絶縁層１６ａの材料は、第１のプリント基板１４の絶縁層１４ａと同様とすることができる。回路層１６ｂ、金属層１６ｃの材料は、第１のプリント基板１４の金属層１４ｂと同様に導電性の金属、例えは銅からなるものとすることができる。
【００４２】
回路層１６ｂの第１領域１６ｂ１と第２領域１６ｂ２の間で、第１領域１６ｂ１と第２領域１６ｂ２とを接続するようにシャント抵抗１８がはんだ２０により取り付けられている。また、シャント抵抗１８の近傍における第１領域１６ｂ１と第２領域１６ｂ２のそれぞれに、センス端子２１が設けられている。シャント抵抗１８を第２のプリント基板１６に設け、センス電流をセンス端子２１から取り出すことにより、パワー半導体モジュール１０内部に流れる電流を検出することができる。
【００４３】
パワー半導体モジュール１０の各部材である絶縁基板１１、半導体チップ１２、１３、第１のプリント基板１４、第１の導電ポスト１５、第２のプリント基板１６、第２の導電ポスト１７は、図示しない絶縁性の熱硬化性樹脂よりなる封止材により封止されている。また、外部端子（ドレイン端子１９Ａ、ソース端子１９Ｂ、ゲート端子１９Ｃ、補助ソース端子１９Ｄ）は、封止材から突出するように配置される。
【００４４】
図６に、本実施形態のパワー半導体モジュール１０の等価回路図を示す。本実施形態のパワー半導体モジュール１０は、ドレイン端子１９Ａから導かれた電流が、半導体チップ１２、第２の導電ポスト１７、第２のプリント基板１６の第１領域１６ｂ１を経て、シャント抵抗１８から第２領域１６ｂ２に流れ、更にソース端子１９Ｂに導かれる。このシャント抵抗１８を流れる電流を、センス端子２１により検出する。
【００４５】
本実施形態のパワー半導体モジュール１０は、第２のプリント基板１６を備えていることから、絶縁基板１１や第１のプリント基板１４を広げることなく、第２のプリント基板１６に電子部品として例えばシャント抵抗１８を搭載することができる。したがって、パワー半導体モジュールをインテリジェントパワーモジュールとして用いる場合に必要となる電子部品の配置の自由度を、パワー半導体モジュールのフットプリントを広げることなく向上させることができる。
【００４６】
また、第２のプリント基板１６に第１領域１６ｂ１と第２領域１６ｂ２が形成され、第１領域１６ｂ１が半導体チップ１２のソース電極に、第２領域１６ｂ２がソース端子１９Ｂに接続され、そしてシャント抵抗１８が第１領域１６ｂ１と第２領域１６ｂ２に接続して取り付けられていることから、パワー半導体モジュール１０内部に流れる電流を検出することができる。
【００４７】
更に、第２の導電ポスト１７により、半導体チップ１２のソース電極と第２のプリント基板１６とを直線的に、換言すれば最短経路で接続するから、絶縁基板１１や第１のプリント基板１４に配置してワイヤなどで接続する場合に比べ、配線インダクタンスを低減することができる。
【００４８】
第２のプリント基板１６の金属層１６ｃは、電磁シールドのために用いられているから、シャント抵抗１８の動作とは直接の関連性がない。したがってパワー半導体モジュール１０は、金属層１６ｃを配置しない構成とすることもできる。もっとも、金属層１６ｃを配置することにより、半導体チップ１２から生じるノイズを遮蔽することができる。よってシャント抵抗１８の耐ノイズ性を向上させることができる。
また、金属層１６ｃの変形例として当該金属層１６ｃを第２の導電ポスト１７に接続すれば、半導体チップ１２からの熱がより効率的にパワー半導体モジュール１０内部で伝熱されるため、放熱性を向上させることができる。
また、別の変形例として第２のプリント基板の回路層１６ｂは、第１領域１６ｂ１及び第２領域１６ｂ２以外に、放熱性及びシールド性向上のための領域を設けてもよい。
【００４９】
更に、シャント抵抗１８は、図５では１個であるが、個数は特に限定されない。複数個の電子部品を取り付ける場合に、第２のプリント基板１６に加えて、第３のプリント基板等を用いるように、３枚以上のプリント基板を用いることもできる。
【００５０】
（実施形態２）
実施形態２のパワー半導体モジュールは、電子部品としてコンデンサを備える例である。
図７〜１２を用いて、本発明の実施形態２のパワー半導体モジュール３０を説明する。なお、図７〜１２において、図１〜図６と同一の部材については、同一の符号を付している。
【００５１】
図７は、パワー半導体モジュール３０の模式的な断面図であり、図８は図７のＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ線の位置における平面図である。図７は、図８におけるＶＩＩ−ＶＩＩ断面図に相当する。図７に示すように、パワー半導体モジュール３０は、絶縁基板１１、半導体チップ１２、半導体チップ１３、第１のプリント基板２４、第１の導電ポスト１５、第２のプリント基板２６、第２の導電ポスト１７及び電子部品としてのコンデンサ２２を備えている。
【００５２】
絶縁基板１１は、回路板１１ｂの各領域の配置を含めて実施形態１のパワー半導体モジュール１０と同じ構成を有していて、半導体チップ１２及び半導体チップ１３も実施形態１のパワー半導体モジュール１０と同じく、それぞれ縦型のパワーＭＯＳＦＥＴ及びダイオードの例である。したがって、本実施形態のパワー半導体モジュール３０の絶縁基板１１、半導体チップ１２及び半導体チップ１３について、既に実施形態１のパワー半導体モジュール１０において説明したのと重複する説明は省略する。
【００５３】
絶縁基板１１の絶縁板１１ａの主面に対向して、第１のプリント基板２４が設けられている。第１のプリント基板は、絶縁層２４ａと、この絶縁層２４ａの少なくとも一方の面に形成された金属層２４ｂとを有している。
図９に、図７のＩＸ−ＩＸ線の位置における平面図を示す。図９は、第１のプリント基板２４の絶縁層２４ａと金属層２４ｂとが示されている。
【００５４】
絶縁層２４ａは、ドレイン端子１９Ａ、ゲート端子１９Ｃ、ソース端子１９Ｂ、補助ソース端子１９Ｄ及び導電ポスト１５Ａを通す貫通孔２４ｈを有している。
金属層２４ｂは、第１領域２４ｂ１及び第２領域２４ｂ２を含んでいる。第１領域２４ｂ１は、図３に示された実施形態１における第１領域１４ｂ１と比べると、ほぼ同じ範囲で設けられているが、ソース端子１９Ｂ及び補助ソース端子１９Ｄにも電気的に接続するように設けられている点で第１領域１４ｂ１とは相違している。第２領域２４ｂ２は、図３に示された実施形態１における第１領域１４ｂ１と同じ範囲で設けられている。第１のプリント基板２４は、上記した第１領域２４ｂ１が設けられている範囲を除いて実施形態１の第１のプリント基板１４と同じ構成を有しているので、既に実施形態１のパワー半導体モジュール１０において第１のプリント基板１４によって説明したのと重複する説明は省略する。
【００５５】
第１の導電ポスト１５は、金属層２４ｂの第１領域２４ｂ１と半導体チップ１２のソース電極とを電気的に接続している導電ポスト１５Ａと、金属層２４ｂの第１領域２４ｂ１と半導体チップ１３のアノード電極とを電気的に接続している導電ポスト１５Ｂと、金属層２４ｂの第２領域２４ｂ２と半導体チップ１２のゲート電極とを電気的に接続している導電ポスト１５Ｃと、金属層２４ｂの第２領域２４ｂ２と絶縁基板１１の回路板１１ｂの第３領域１１ｂ３とを電気的に接続している導電ポスト１５Ｄと、金属層２４ｂの第１領域２４ｂ１と絶縁基板１１の回路板１１ｂの第４領域１１ｂ４とを電気的に接続している導電ポスト１５Ｅとを有している。本実施形態の第１の導電ポスト１５は、実施形態１の第１の導電ポスト１５と同じ構成を有しているので、既に実施形態１のパワー半導体モジュール１０において第１の導電ポスト１５によって説明したのと重複する説明は省略する。
【００５６】
導電ポスト１５Ａと、第１のプリント基板１４の金属層１４ｂの第１領域１４ｂ１と、導電ポスト１５Ｂと、導電ポスト１５Ｅと、ソース端子１９Ｂとが電気的に接続されていることにより、導電ポスト１５Ａの一端で接続する半導体チップ１２のソース電極と、導電ポスト１５Ｂの一端で接続する半導体チップ１３のアノード電極と、導電ポスト１５Ｅの一端で接続する絶縁基板１１の回路板１１ｂの第４領域に接合されている補助ソース端子１９Ｄと、ソース端子１９Ｂとが電気的に接続されている。
【００５７】
また、導電ポスト１５Ｃと、第１のプリント基板１４の金属層１４ｂの第２領域１４ｂ２と、導電ポスト１５Ｄとが電気的に接続されていることにより、導電ポスト１５Ｃの一端で接続する半導体チップ１２のゲート電極と、導電ポスト１５Ｄの一端で接続する絶縁基板１１の回路板１１ｂの第３領域１１ｂ３に接合されているゲート端子１９Ｃとが電気的に接続されている。
【００５８】
このように第１のプリント基板２４と第１の導電ポスト１５とにより半導体チップ１２のソース電極及び半導体チップ１３のアノード電極と、絶縁基板１１の回路板１１ｂに接合されたソース端子１９Ｂ及び補助ソース端子１９Ｄとが電気的に接続され、半導体チップ１２のゲート電極と、絶縁基板１１の回路板１１ｂに接合されたゲート端子１９Ｃとが電気的に接続される。したがって、第１のプリント基板２４及び第１の導電ポスト１５は、ボンディングワイヤの代わりに配線部材として用いられている。配線部材としての第１のプリント基板２４及び第１の導電ポスト１５は、実施形態１における第１のプリント基板１４及び第１の導電ポスト１５と同じ効果を有する。
【００５９】
絶縁板１１ａの主面に対向し、第１のプリント基板２４よりも絶縁基板１１から離れて、第２のプリント基板２６が設けられている。
第２のプリント基板２６は、絶縁層２６ａと、絶縁層２６ａの面のうち絶縁基板１１より遠い側の面に設けられた回路層２６ｂと、絶縁層２６ａの面のうち絶縁基板１１より近い側の面に設けられた金属層２６ｃとで構成されている。回路層２６ｂには、電子部品であるコンデンサ２２が搭載されている。
【００６０】
第２のプリント基板２６の絶縁層２６ａは、ドレイン端子１９Ａ、ソース端子１９Ｂ、ゲート端子１９Ｃ、補助ソース端子１９Ｄを挿通させる孔２６ｈを有している。また、この絶縁層２６ａは、第２の導電ポスト１７を挿通させる孔を有している。
第２のプリント基板２６の固定は、実施形態１の第２のプリント基板１６と同様とすることができる。
【００６１】
第２のプリント基板２６の回路層２６ｂと、第１のプリント基板２４の金属層２４ｂとの間には、第２の導電ポスト１７が設けられている。本実施形態において第２の導電ポスト１７は、実施形態１の第２の導電ポスト１７と同じく、導電ポスト１５Ａの一端が第２のプリント基板２６の回路層２６ｂまで延伸してなるものである。
【００６２】
図１０に、図７のＸ−Ｘ線の位置における平面図を示す。図１０は、第２のプリント基板２６の金属層２６ｃと第１のプリント基板２４とが示されている。金属層２６ｃは、実施形態１の金属層１６ｃと同じ構成を有している。したがって、金属層２６ｃについて先に金属層１６ｃで述べたのと重複する説明は省略する。
【００６３】
図１１に、図７のＸＩ−ＸＩ線の位置における平面図を示す。図１１において第２のプリント基板２６の回路層２６ｂは二分されていて、絶縁層２６ａの一方の面に選択的に形成された第１領域２６ｂ１と第２領域２６ｂ２とを含んでいる。
そして、第１領域２６ｂ１に、ドレイン端子１９Ａが接続される。
【００６４】
また、第２領域２６ｂ２に、第２の導電ポスト１７（導電ポスト１５Ａ）の一端が接続され、他端は半導体チップ１２のソース電極に接続される。この第２領域２６ｂ２に、ソース端子１９Ｂが接続される。更に、この第２領域２６ｂ２には補助ソース端子１９Ｄが接続される。
【００６５】
回路層２６ｂは、第１領域２６ｂ１及び第２領域２６ｂ２が設けられている範囲及び接続する端子又は電極ポストを除いて実施形態１の第２のプリント基板１６の回路層１６ｂと同じ構成を有している。したがって、既に実施形態１のパワー半導体モジュール１０において第２のプリント基板１６によって説明したのと重複する説明は省略する。
回路層２６ｂの第１領域２６ｂ１及び第２領域２６ｂ２の間で、第１領域２６ｂ１と第２領域２６ｂ２とを接続するように、コンデンサ２２がはんだ２０により取り付けられている。
【００６６】
コンデンサ２２は、図１１では１個であるが、個数は特に限定されない。複数個の電子部品を取り付ける場合に、第２のプリント基板１６に加えて、第３のプリント基板等を用いるように、３枚以上のプリント基板を用いることもできる。
【００６７】
図１２に、本実施形態のパワー半導体モジュール３０の等価回路図を示す。本実施形態のパワー半導体モジュール３０は、コンデンサ２２が、ドレイン端子１９Ａとソース端子１９Ｂとの間に、半導体チップ１２および半導体チップ１３と並列に設けられている。コンデンサ２２が設けられていることにより、パワー半導体モジュール１０の配線インダクタンスの低減が可能となる。
また、本実施形態のパワー半導体モジュール３０が、第２のプリント基板２６及び第２の導電ポスト１７を備えていることによる効果は、先に説明した実施形態１のパワー半導体モジュール１０が、第２のプリント基板２６及び第２の導電ポスト１７を備えていることによる効果と同じである。
【００６８】
本実施形態のパワー半導体モジュール３０の変形例として、第２のプリント基板２６の第１領域２６ｂ１が、ドレイン端子１９Ａとは接続しないで、ゲート端子１９Ｃと接続するようにして、コンデンサ２２が、ゲート端子１９Ｃとソース端子１９Ｂとの間に並列に設けられるような構成とすることもできる。コンデンサ２２が、ゲート端子１９Ｃとソース端子１９Ｂとの間に並列に設けられることにより、半導体チップ１２としてパワーＭＯＳＦＥＴなどのスイッチング素子を用いた場合、スイッチング時に発生するｄＶ／ｄｔノイズによる誤動作を防止することができるため、有効である。
【００６９】
（実施形態３）
実施形態３のパワー半導体モジュールは、電子部品としてサーミスタを備える例である。
図１３〜１８を用いて、本発明の実施形態３のパワー半導体モジュール５０を説明する。なお、図１３〜１８において、図１〜図１２と同一部材については同一の符号を付している。
【００７０】
図１３は、パワー半導体モジュール５０の模式的な断面図であり、図１４は、図１３のＸＩＶ−ＸＩＶ線の位置における平面図である。図１３は、図１４におけるＸＩＩＩ−ＸＩＩＩ断面図に相当する。図１３に示すように、パワー半導体モジュール５０は、絶縁基板１１、半導体チップ１２、半導体チップ１３、第１のプリント基板２４、第１の導電ポスト１５、第２のプリント基板３６、第２の導電ポスト１７及び電子部品としてのサーミスタ２３を備えている。
【００７１】
絶縁基板１１は、回路板１１ｂの各領域の配置を含めて実施形態１のパワー半導体モジュール１０と同じ構成を有していて、半導体チップ１２及び半導体チップ１３も実施形態１のパワー半導体モジュール１０と同じく、それぞれ縦型のＭＯＳＦＥＴ及びダイオードの例である。したがって、本実施形態のパワー半導体モジュール５０の絶縁基板１１、半導体チップ１２及び半導体チップ１３について、既に実施形態１のパワー半導体モジュール１０において説明したのと重複する説明は省略する。
【００７２】
絶縁基板１１の絶縁板１１ａの主面に対向して第１のプリント基板２４が設けられている。第１のプリント基板は、絶縁層２４ａと、この絶縁層２４ａの少なくとも一方の面に形成された金属層２４ｂとを有している。
【００７３】
図１５に、図１３のＸＶ−ＸＶ線の位置における平面図を示す。図１５は、第１のプリント基板２４の絶縁層２４ａと金属層２４ｂとが示されている。金属層２４ｂは、第１領域２４ｂ１及び第２領域２４ｂ２を含んでいる。
第１のプリント基板２４は、上記した第１領域２４ｂ１及び第２領域２４ｂ２が設けられている範囲を含めて実施形態２の第１のプリント基板２４と同じ構成を有しているので、既に実施形態２のパワー半導体モジュール３０において第１のプリント基板２４によって説明したのと重複する説明は省略する。
【００７４】
第１の導電ポスト１５は、導電ポスト１５Ａ〜導電ポスト１５Ｅを有していることを含めて実施形態２の第１の導電ポスト１５と同じ構成を有しているので、既に実施形態２のパワー半導体モジュール３０において第１の導電ポスト１５によって説明したのと重複する説明は省略する。
【００７５】
絶縁板１１ａの主面に対向し、第１のプリント基板２４よりも絶縁基板１１から離れて、第２のプリント基板３６が設けられている。
第２のプリント基板３６は、絶縁層３６ａと、絶縁層３６ａの面のうち絶縁基板１１より遠い側の面に設けられた回路層３６ｂと、絶縁層３６ａの面のうち絶縁基板１１より近い側の面に設けられた金属層３６ｃとで構成されている。回路層３６ｂには、電子部品であるサーミスタ２３が搭載されている。
【００７６】
第２のプリント基板３６の絶縁層３６ａは、ドレイン端子１９Ａ、ソース端子１９Ｂ、ゲート端子１９Ｃ、補助ソース端子１９Ｄを挿通させる孔３６ｈを有している。また、この絶縁層３６ａは、第２の導電ポスト１７を挿通させる孔を有している。
第２のプリント基板３６の固定は、実施形態１の第２のプリント基板１６と同様とすることができる。
【００７７】
第２のプリント基板３６の回路層３６ｂと、第１のプリント基板２４の金属層２４ｂとの間には、第２の導電ポスト１７が設けられている。本実施形態において第２の導電ポスト１７は、実施形態１の第２の導電ポスト１７と同じく、導電ポスト１５Ａの一端が第２のプリント基板３６の回路層３６ｂまで延伸してなるものである。
【００７８】
図１６に、図１３のＸＶＩ−ＸＶＩ線の位置における平面図を示す。図１６は、第２のプリント基板３６の金属層３６ｃと第１のプリント基板２４とが示されている。金属層３６ｃは、実施形態１の金属層１６ｃと同じ構成を有している。したがって、金属層３６ｃについて先に金属層１６ｃで述べたのと重複する説明は省略する。
図１７に、図７のＸＶＩＩ−ＸＶＩＩ線の位置における平面図を示す。図１７において第２のプリント基板３６の回路層３６ｂは、絶縁層３６ａの一方の面に選択的に形成された第１領域３６ｂ１と第２領域３６ｂ２と第３領域３６ｂ３を含んでいる。
【００７９】
第１領域３６ｂ１は、半導体チップ１２から生じる熱を、第２の導電ポスト１７を通じてサーミスタ２３に伝える領域であり、第２の導電ポスト１７（導電ポスト１５Ａ）の一端が接続され、他端は半導体チップ１２のソース電極に接続される。第１領域３６ｂ１はドレイン端子１９Ａ、ゲート端子１９Ｃ、ソース端子１９Ｂ及び補助ソース端子１９Ｄとは非接触である。第１領域３６ｂ１は、半導体チップ１２に生じた熱の放熱に寄与するため絶縁層３６ａ上において、第２領域３６ｂ２及び第３領域３６ｂ３を除いて、なるべく広い範囲で形成されていることが好ましい。
【００８０】
第２領域３６ｂ２及び第３領域３６ｂ３は、サーミスタ２３への配線のための領域であり、第２領域３６ｂ２及び第３領域３６ｂ３のそれぞれにセンス端子２５が設けられている。
第２の導電ポスト１７の一端の近傍において、回路層３６ｂの第２領域３６ｂ２及び第３領域３６ｂ３にそれぞれ電気的に接続するように、サーミスタ２３がはんだ２０により取り付けられている。
サーミスタ２３は、図１７では１個であるが、個数は特に限定されない。複数個の電子部品を取り付ける場合に、第２のプリント基板１６に加えて、第３のプリント基板等を用いるように、３枚以上のプリント基板を用いることもできる。
【００８１】
図１８に、本実施形態のパワー半導体モジュール５０の等価回路図を示す。本実施形態のパワー半導体モジュール５０は、サーミスタ２３が、半導体チップ１２の近傍に設けられている。サーミスタ２３が設けられていることにより、パワー半導体モジュール５０内部の温度を検出することができる。特にサーミスタ２３が第２の導電ポスト１７の近傍に設けられることにより、半導体チップ１２の発熱による温度を高精度に検出することができる。
【００８２】
また、本実施形態のパワー半導体モジュール５０が、第２のプリント基板３６及び第２の導電ポスト１７を備えていることによる効果は、先に説明した実施形態１のパワー半導体モジュール１０が、第２のプリント基板２６及び第２の導電ポスト１７を備えていることによる効果と同じである。
【００８３】
以上述べた実施形態１ではシャント抵抗１８の例を、実施形態２ではコンデンサ２２の例を、実施形態３ではサーミスタ２３の例を示したが、第２の電子部品はこれらの例に限定されない。例えば電子部品は磁気抵抗センサ等の４端子素子であってもよい。
【００８４】
次に、本発明の半導体装置の製造方法の例を、実施形態１のパワー半導体モジュール１０の製造方法で代表させて説明する。なお、実施形態２のパワー半導体モジュール３０の製造方法や実施形態３のパワー半導体モジュール５０の製造方法についても実施形態１と同様とすることができる。
【００８５】
（製造方法１）
図１９及び図２０を用いて、本発明の製造方法１を説明する。
製造方法１は第１のプリント基板１４及び第２のプリント基板１６を一体化し、さらに一体化された第１のプリント基板１４及び第２のプリント基板１６を、絶縁基板１１に一度に取り付ける方法である。
最初に、絶縁基板１１、半導体チップ１２、半導体チップ１３、第１のプリント基板１４、第１の導電ポスト１５、第２のプリント基板１６、シャント抵抗１８、ドレイン端子１９Ａ、ソース端子１９Ｂ、ゲート端子１９Ｃ、補助ソース端子１９Ｄを準備する。
次に、第１のプリント基板１４の所定の位置に、第１の導電ポスト１５を、はんだやロウ付け、又はカシメにより電気的かつ機械的に接続し、また、ドレイン端子１９Ａ、ソース端子１９Ｂ、ゲート端子１９Ｃ、補助ソース端子１９Ｄを、貫通孔１４ｈを通してはんだで接合する。
また、第２のプリント基板１６の所定の位置に、シャント抵抗１８及びセンス端子２１をはんだ２０により固定する。
【００８６】
次に、第２のプリント基板１６と第１のプリント基板１４とを位置合わせする。この位置合わせは、第２のプリント基板１６の貫通孔１６ｈに、ドレイン端子１９Ａ、ソース端子１９Ｂ、補助ソース端子１９Ｄ及び第２の導電ポスト１７（導電ポスト１５Ａ）を通すことで行うことができる。
このとき、図１９に示すように、第１のプリント基板１４と第２のプリント基板１６とが所定の間隔を維持できるように、第１のプリント基板１４と第２のプリント基板１６との間に、ウレタン樹脂等の絶縁樹脂２７を注入し、熱硬化工程などにより固化してもよい。これにより、一体化した第１のプリント基板１４と第２のプリント基板１６を、後の工程で容易に扱うことができるようになるため、有効である。絶縁樹脂２７は、少なくとも、外部端子１９Ａ〜１９Ｄよりも細い径である導電ポスト１７を覆うように配置すれば、後の工程で導電ポスト１７の変形を効果的に防止することができるので、有効である。
また、第１のプリント基板１４と第２のプリント基板１６を所定の間隔を維持できるようにするため、ドレイン端子１９Ａ、ソース端子１９Ｂの太径の部分１９Ａｂ、１９Ｂｂを活用しても良い。
【００８７】
次に、第２のプリント基板１６の回路層１６ｂの第１領域１６ｂ１と、第２の導電ポスト１７（導電ポスト１５Ａ）とをはんだで接合し、第１領域１６ｂ１とソース端子１９Ｂとをはんだで接合する。
次に、絶縁基板１１の回路板１１ｂの第１領域１１ｂ１上の所定の位置にはんだペースト２０を塗布し、このはんだペースト２０上に半導体チップ１２及び半導体チップ１３を載置する。また、回路板１１ｂの第２領域１１ｂ１〜第５領域１１ｂ５上の所定の位置に同様にはんだペースト２０を塗布する。これは、回路板１１ｂと、ドレイン端子１９Ａ、ソース端子１９Ｂ、ゲート端子１９Ｃ、補助ソース端子１９Ｄ、導電ポスト１５Ｄ及び導電ポスト１５Ｅとの間を接続するための接合材として機能する。
【００８８】
次に、半導体チップ１２及び半導体チップ１３の電極上にはんだペースト２０を塗布し、一体化された第１のプリント基板１４及び第２のプリント基板１６と、絶縁基板１１とを位置合わせする。この位置合わせは、絶縁基板１１、半導体チップ１２及び半導体チップ１３の少なくともいずれかを基準に行うことができる。
次に、加熱炉によりはんだペースト２０をリフローさせて、絶縁基板１１、半導体チップ１２、半導体チップ１３、第１のプリント基板１４、導電ポスト１５、ドレイン端子１９Ａ、ソース端子１９Ｂ、ゲート端子１９Ｃ及び補助ソース端子１９Ｄを接合する。
最後に、図２０に示すように、上記構成部材全体を、外部端子１９Ａ〜１９Ｄの先端や、金属板１１Ｃの裏面が露出するように、モールド工程などを用いて絶縁樹脂２８で封止する。絶縁樹脂２７および絶縁樹脂２８により、半導体チップ１２や半導体チップ１３などの破損を防止することができる。
なお、絶縁樹脂２７および絶縁樹脂２８は、同じ樹脂材料を用いても良いし、異なる樹脂材料を用いても良い。同じ樹脂材料を用いれば、絶縁樹脂２７と絶縁樹脂２８の密着性を向上させることができる。また、絶縁樹脂２７では容易に熱硬化する樹脂材料を用い、絶縁樹脂２８では絶縁性に優れた材料を用いることにより、製造コストと信頼性を両立させたパワー半導体モジュール１０を実現することができる。
【００８９】
この製造方法によれば、第１のプリント基板１４と第２のプリント基板１６とを一体化するから、組み立て工程の煩雑化を抑制することができ、また、精度よく第２のプリント基板１６を配置することができる。
【００９０】
（製造方法２）
製造方法２は、絶縁基板１１に、第１のプリント基板１４及び第２のプリント基板１６を順次に取り付ける方法である。
最初に、絶縁基板１１、半導体チップ１２、半導体チップ１３、第１のプリント基板１４、第１の導電ポスト１５、第２のプリント基板１６、シャント抵抗１８、ドレイン端子１９Ａ、ソース端子１９Ｂ、ゲート端子１９Ｃ、補助ソース端子１９Ｄを準備する。
次に、第１のプリント基板１４の所定の位置に、第１の導電ポスト１５をはんだやロウ付け、又はカシメにより電気的かつ機械的に接続する。図２１に示すパワー半導体モジュール１０の分解図に、第１のプリント基板１４と導電ポスト１５との一体物を示す。
また、第２のプリント基板１６の所定の位置に、シャント抵抗１８及びセンス端子２１をはんだ２０により固定する。図２１に、第２のプリント基板１６とシャント抵抗１８とセンス端子２１との一体物を示す。
【００９１】
次に、絶縁基板１１の回路板１１ｂの第１領域１１ｂ１上の所定の位置にはんだペースト２０を塗布し、このはんだペースト２０上に半導体チップ１２及び半導体チップ１３を載置する。また、回路板１１ｂの第３領域１１ｂ３及び第４領域１１ｂ４上の所定の位置に同様にはんだペースト２０を塗布する。これは、回路板１１ｂと、導電ポスト１５Ｄ及び導電ポスト１５Ｅとの間を接続するための接合材として機能する。図２１に絶縁基板１１に載置された半導体チップ１２、１３を示す。
次に、半導体チップ１２及び半導体チップ１３の電極上にはんだペースト２０を塗布し、絶縁基板１１と第１のプリント基板１４とを位置合わせする。この位置合わせは、絶縁基板１１、半導体チップ１２及び半導体チップ１３の少なくともいずれかを基準に行うことができる。
【００９２】
次に、図２２に示すように、加熱炉によりはんだペースト２０をリフローさせて絶縁基板１１、半導体チップ１２及び半導体チップ１３、第１のプリント基板１４を接合する。
次に、図２３に示すように、絶縁基板１１の回路板１１ｂの第１領域１１ｂ１にドレイン端子１９Ａを、第２領域１１ｂ２及び第５領域１１ｂ５にソース端子１９Ｂを、第３領域１１ｂ３にゲート端子１９Ｃを、第４領域１１ｂ４に補助ソース端子１９Ｄをはんだ等の接合材、超音波接合又は溶接により電気的かつ機械的に接続する。その際、各端子はプリント基板１４の貫通孔１４ｈを挿通させてから、回路板１１ｂに接続される。
次に、第２のプリント基板１６を、第１のプリント基板１４に対して位置合わせする。この位置合わせは、横方向（絶縁板１１ａの主面と平行な方向）については、第２のプリント基板１６の貫通孔１６ｈに、第２の導電ポスト１７（導電ポスト１５Ａ）を通すことで行うことができる。また、ドレイン端子１９Ａ、ソース端子１９Ｂ、ゲート端子１９Ｃ及び補助ソース端子１９Ｄを用いて、横方向の位置合わせを行っても良い。
また、縦方向（絶縁板１１ａの主面と垂直な方向）の位置合わせについては、ドレイン端子１９Ａ、ソース端子１９Ｂの太径の部分１９Ａｂ、１９Ｂｂを活用しても良い。また、第２のプリント基板１６を配置する前に、第１のプリント基板１４上にスペーサを配置して、さらにスペーサ上に第２のプリント基板１６を配置して行うこともできる。この場合、後述の第２のプリント基板１６を取り付ける工程の後に、スペーサを取り外す工程を行えば良い。スペーサを用いることにより、ドレイン端子１９Ａ、ソース端子１９Ｂに太径の部分１９Ａｂ、１９Ｂｂを別途加工する工程が不要となるため、製造コストが低減できる。
最後に、図２４に示すように第２のプリント基板１６の回路層１６ｂの第１領域１６ｂ１と、第２の導電ポスト１７（導電ポスト１５Ａ）とをはんだで接合し、第１領域１６ｂ１とソース端子１９Ｂとをはんだで接合する。その後は製造方法１と同様に、上記構成部材全体を、外部端子１９Ａ〜１９Ｄの先端や、金属板１１Ｃの裏面が露出するように、モールド工程などを用いて絶縁樹脂で封止する。
【００９３】
この製造方法によれば、第２のプリント基板１６が、第１のプリント基板１４から第２のプリント基板に向けて延びるドレイン端子１９Ａ、ソース端子１９Ｂ、補助ソース端子１９Ｄ及び第２の導電ポスト１７（導電ポスト１５Ａ）により位置決めをすることができるので精度よく第２のプリント基板１６を配置することができる。
【００９４】
以上、本発明の半導体装置を図面及び実施形態を用いて具体的に説明したが、本発明の半導体装置は、実施形態及び図面の記載に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で幾多の変形が可能である。
【符号の説明】
【００９５】
１０、３０、５０  パワー半導体モジュール
１１  絶縁基板
１２、１３  半導体チップ
１４、２４  第１のプリント基板
１５  第１の導電ポスト
１６、２６、３６  第２のプリント基板
１７  第２の導電ポスト
１８  シャント抵抗
１９Ａ  ドレイン端子
１９Ｂ  ソース端子
１９Ｃ  ゲート端子
２２  コンデンサ
２３  サーミスタ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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