(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
分割領域で画定された複数の素子領域を有する第１の面と前記第１の面と反対側の第２の面とを備え、前記素子領域に素子電極が露出した凸部が形成された基板を、前記分割領域で分割して複数の素子チップを製造する素子チップの製造方法であって、
前記凸部をキャリアに接触させることにより前記第１の面と前記キャリアとの間に空隙部が形成された状態で、前記基板の前記第１の面の側が前記キャリアに支持されるとともに、前記素子領域と対向する前記第２の面の領域を覆い且つ前記分割領域と対向する前記第２の面の領域を露出させるように耐エッチング層が形成された基板を準備する準備工程と、
前記準備工程の後、前記キャリアに支持された前記基板にプラズマ処理を施すプラズマ処理工程とを含み、
前記プラズマ処理工程は、
前記第２の面を第１のプラズマに晒すことにより、前記耐エッチング層に覆われていない領域の前記基板をこの基板の深さ方向に前記第１の面に達するまでエッチングして前記基板を素子チップに分割し、前記第１の面、前記第２の面および前記第１の面と前記第２の面とを結ぶ側面を備える素子チップが前記キャリア上に互いに間隔をあけて保持された状態とする分割工程と、
前記分割工程の後、前記キャリア上に互いに間隔をあけて保持された状態で前記素子チップを保護膜形成用ガスを供給しながら発生させた第２のプラズマに晒すことにより、前記素子チップの前記第２の面と、前記素子チップの前記側面と、前記空隙部の前記第１の面に保護膜を形成する保護膜形成工程と、
前記保護膜形成工程の後、前記キャリア上に互いに間隔をあけて保持された状態で前記素子チップの前記第２の面と前記側面を保護膜エッチング用ガスを供給しながら発生させた第３のプラズマに晒すことにより、前記第３のプラズマに晒されにくい前記空隙部に形成された前記保護膜の少なくとも一部を残存させて前記素子チップの前記第２の面および前記側面に形成された保護膜を除去する保護膜除去工程と、を含む素子チップの製造方法。
【請求項２】
前記分割工程は、前記第１のプラズマにより前記基板を前記素子チップに分割した後で、アッシング用プラズマにより、前記素子チップの前記第２の面に残存する前記耐エッチング層を除去することを含み、
前記分割工程と前記保護膜形成工程とが、プラズマエッチング装置が備える同じ処理室内で行われる、請求項１に記載の素子チップの製造方法。
【請求項３】
前記保護膜がフルオロカーボン膜である、請求項１又は２に記載の素子チップの製造方法。
【請求項４】
前記保護膜形成用ガスがフッ化炭素を含む、請求項１乃至３の何れかに記載の素子チップの製造方法。
【請求項５】
前記プラズマ処理工程は、前記基板を支持する前記キャリアを前記処理室内に配置され、高周波電力を印加可能なステージに載置した状態で行われ、前記保護膜除去工程で前記ステージに印加される高周波電力は、前記保護膜形成工程で前記ステージに印加される高周波電力以上である、請求項１乃至４の何れかに記載の素子チップの製造方法。
【請求項６】
請求項１から５に記載の素子チップの製造方法によって形成された素子チップの前記凸部を、プリント基板に形成されたランド電極に半田接合して成る電子部品実装構造体の製造方法であって、
前記ランド電極にペースト状の半田を供給する半田ペースト供給工程と、
前記凸部を対応する前記ランド電極に供給された半田ペーストに着地させて前記プリント基板に搭載する搭載工程と、
前記プリント基板を加熱して前記半田を溶融させて前記凸部とランド電極とを半田接合する溶融工程と、
前記プリント基板を冷却して溶融した前記半田を固化させる冷却工程とを含み、
前記溶融工程において、前記空隙部の前記保護膜が、溶融した半田の前記空隙部における拡がりを抑制する、電子部品実装構造体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数の素子領域を有する基板を素子領域毎に分割して素子チップを製造する素子チップの製造方法およびこの素子チップを基板に実装してなる電子部品実装構造体の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子などの素子チップは、複数の素子領域を有するウェハ状の基板から個片に分割されて製造される（例えば特許文献１参照）。この特許文献に示す先行技術では、まず回路が形成されたウェハの表面がダイシングテープに貼り付けられた状態でウェハの裏面を研磨し、さらにエッチングによってウェハを薄化する。そしてこの後に素子領域に相当する部分にレジスト層を形成してマスキングし、プラズマエッチングを施すことにより、ウェハを個片の半導体素子に分離するようにしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００２−９３７５２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上述のようにしてウェハ状の基板から切り出された個片状の素子チップはパッケージングが施されてデバイス装置として用いられるほか、フリップチップなど素子チップそのままの形態で電子部品実装工程に送られる場合がある。このような場合には、素子チップは回路形成面を接合用のクリーム半田や銀ペースト等の導電性材料に直接接触させる形で実装される。この実装過程においては、素子チップ搭載時に押し広げられた導電性材料が回路形成面の接合部位のみならず、素子チップの側面や裏面まで濡れ広がる、いわゆる「這い上がり」が生じる場合がある。このような導電性材料の這い上がりは、隣接する電極間での短絡や素子チップの側面に不要な電気回路を形成して消費電流の増大を招くなど、各種の不具合の原因となる。このため、このような実装過程における導電性材料の這い上がりを抑制することが求められていた。
【０００５】
そこで本発明は、実装過程における導電性材料の這い上がりを抑制することができる素子チップの製造方法および電子部品実装構造体の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の素子チップの製造方法は、分割領域で画定された複数の素子領域を有する第１の面と前記第１の面と反対側の第２の面とを備え、前記素子領域に素子電極が露出した凸部が形成された基板を、前記分割領域で分割して複数の素子チップを製造する素子チップの製造方法であって、前記凸部をキャリアに接触させることにより前記第１の面と前記キャリアとの間に空隙部が形成された状態で、前記基板の前記第１の面の側が前記キャリアに支持されるとともに、前記素子領域と対向する前記第２の面の領域を覆い且つ前記分割領域と対向する前記第２の面の領域を露出させるように耐エッチング層が形成された基板を準備する準備工程と、前記準備工程の後、前記キャリアに支持された前記基板にプラズマ処理を施すプラズマ処理工程とを含み、前記プラズマ処理工程は、前記第２の面を第１のプラズマに晒すことにより、前記耐エッチング層に覆われていない領域の前記基板をこの基板の深さ方向に前記第１の面に達するまでエッチングして前記基板を素子チップに分割し、前記第１の面、前記第２の面および前記第１の面と前記第２の面とを結ぶ側面を備える素子チップが前記キャリア上に互いに間隔をあけて保持された状態とする分割工程と、前記分割工程の後、前記キャリア上に互いに間隔をあけて保持された状態で前記素子チップを保護膜形成用ガスを供給しながら発生させた第２のプラズマに晒すことにより、前記素子チップの前記第２の面と、前記素子チップの前記側面と、前記空隙部の前記第１の面に保護膜を形成する保護膜形成工程と、前記保護膜形成工程の後、前記キャリア上に互いに間隔をあけて保持された状態で前記素子チップの前記第２の面と前記側面を保護膜エッチング用ガスを供給しながら発生させた第３のプラズマに晒すことにより、前記第３のプラズマに晒されにくい前記空隙部に形成された前記保護膜の少なくとも一部を残存させて前記素子チップの前記第２の面および前記側面に形成された保護膜を除去する保護膜除去工程と、を含む。
【０００７】
本発明の電子部品実装構造体の製造方法は、請求項１から５に記載の素子チップの製造方法によって形成された素子チップの前記凸部を、プリント基板に形成されたランド電極に半田接合して成る電子部品実装構造体の製造方法であって、前記ランド電極にペースト状の半田を供給する半田ペースト供給工程と、前記凸部を対応する前記ランド電極に供給された半田ペーストに着地させて前記プリント基板に搭載する搭載工程と、前記プリント基板を加熱して前記半田を溶融させて前記凸部とランド電極とを半田接合する溶融工程と、前記プリント基板を冷却して溶融した前記半田を固化させる冷却工程とを含み、前記溶融工程において、前記空隙部の前記保護膜が、溶融した半田の前記空隙部における拡がりを抑制する。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、実装過程における導電性材料の這い上がりを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の一実施の形態の素子チップの製造方法の工程説明図
【図２】本発明の一実施の形態の素子チップの製造方法の工程説明図
【図３】本発明の一実施の形態の素子チップの製造方法において使用されるプラズマエッチング装置の構成説明図
【図４】本発明の一実施の形態の素子チップの製造方法における保護膜形成の拡大説明図
【図５】本発明の一実施の形態の素子チップの製造方法によって製造された素子チップの構成説明図
【図６】本発明の一実施の形態の電子部品実装構造体の製造方法の工程説明図
【発明を実施するための形態】
【００１０】
次に本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。まず本実施の形態の素子チップの製造方法について、図１、図２を参照して説明する。ここで示す素子チップの製造方法は、分割領域で画定された複数の素子領域を有する第１の面と、この第１の面と反対側の第２の面とを備え、素子領域に素子電極が露出した凸部が形成された基板を、分割領域で分割して複数の素子チップを製造するものである。
【００１１】
図１（ａ）に示すように、基板１は素子部２を有する複数の素子チップ１０（図１（ｃ）参照）が第１の面１ａに作り込まれたウェハ状の基板である。基板１において素子部２が形成された素子面である第１の面１ａには、分割領域１ｃで画定された複数の素子領域２ａが設定されている。それぞれの素子領域２ａには、接続用の素子電極が露出した複数の凸部３が形成されている。基板１は素子チップ製造のための準備工程に送られ、以下に説明するように、キャリア５による支持とマスク形成が行われる。キャリア５としては、ダイシングフレームで保持されたダイシングテープや、保持面５ａに接着層を備えた支持基板を例示することができる。
【００１２】
この準備工程では、図１（ｂ）に示すように、凸部３の先端面をキャリア５の保持面５ａに接触させることにより、第１の面１ａとキャリア５との間に空隙部Ｓが形成された状態で、基板１の第１の面１ａの側がキャリア５の保持面５ａに支持されるとともに、第２の面１ｂにプラズマダイシングにおいてマスクとして機能するレジストマスクや表面保護膜などによって耐エッチング層４が形成される。すなわち第２の面１ｂには、素子領域２ａと対向する第２の面１ｂの領域を覆い且つ分割領域１ｃと対向する第２の面１ｂの領域１ｄを露出させるように、耐エッチング層４が形成される。
【００１３】
このようにして準備工程が行われた後には、キャリア５に支持された基板１にプラズマ処理を施すために、キャリア５はプラズマ処理工程に送られる。このプラズマ処理工程において用いられるプラズマエッチング装置２０の構成について、図３を参照して説明する。図３において真空容器であるチャンバ２１の内部はプラズマ処理を行うための処理室２１ａであり、処理室２１ａの底部には処理対象である基板１を支持したキャリア５を載置するステージ２２が配置されている。チャンバ２１の頂部の上面には、上部電極としてのアンテナ２３が配置されており、アンテナ２３は第１の高周波電源部２４に電気的に接続されている。処理室２１ａ内のステージ２２はプラズマ処理のための下部電極としての機能も有しており、ステージ２２は第２の高周波電源部２５に電気的に接続されている。
【００１４】
チャンバ２１には、排気口２１ｃを介して真空排気部２７が接続されており、真空排気部２７を駆動することにより、処理室２１ａ内が真空排気される。さらに処理室２１ａは、ガス導入口２１ｂを介してプラズマ発生用ガス供給部２６が接続されている。本実施の形態に示すプラズマエッチング装置２０では、プラズマ処理の目的に応じて、複数種類のプラズマ発生用ガスを選択的に供給することが可能となっている。ここでは、プラズマ発生用ガスの種類として、第１のガス２６ａ、第２のガス２６ｂ、第３のガス２６ｃおよびアッシング用ガス２６ｄを選択可能となっている。
【００１５】
第１のガス２６ａとしては、ＳＦ６やＣ４Ｆ８など、シリコンを対象とするエッチング効果に優れたものが用いられる。本実施の形態において第１のガス２６ａは、基板１をプラズマエッチングにより分割する第１のプラズマＰ１を発生させるために用いられる。第２のガス２６ｂはプラズマ処理により皮膜を形成するプラズマＣＶＤ用のガスであり、Ｃ４Ｆ８、Ｃ２Ｆ６、ＣＦ４、Ｃ６Ｆ６、Ｃ６Ｆ４Ｈ２、ＣＨＦ３、ＣＨ２Ｆ２などのフッ化炭素とヘリウムの混合ガスが用いられる。本実施の形態においては、基板１を分割した素子チップ１０の側面や第２の面１ｂ、空隙部Ｓ内の第１の面１ａに保護膜を形成する保護膜形成用ガスとして用いられる。なお、混合ガスの総流量に対するヘリウムの流量の比率は、ガス種の組み合わせに応じて適宜設定される。例示値としては、混合ガスの総流量に対するヘリウムの比率が１０％〜８０％を挙げることができる。
【００１６】
第３のガス２６ｃは保護膜エッチング用ガスであり、酸素ガスやアルゴンガスなど物理的なエッチング効果に優れたものが用いられる。本実施の形態においては、前述の保護膜のうち不要な部分を除去するスパッタリング用途に用いられる。そしてアッシング用ガス２６ｄは酸素ガスであり、本実施の形態においては、マスク機能を終えた後の耐エッチング層４など樹脂膜を除去する目的で用いられる。
【００１７】
プラズマエッチング装置２０によるプラズマ処理においては、まずステージ２２上に処理対象の基板１をキャリア５とともに載置し、真空排気部２７を駆動して処理室２１ａ内を真空排気する。これとともに、プラズマ処理の目的に応じたプラズマ発生用ガスを、プラズマ発生用ガス供給部２６によって処理室２１ａ内に供給して所定圧力に維持する。そしてこの状態でアンテナ２３に第１の高周波電源部２４によって高周波電力を供給することにより、処理室２１ａ内には供給されたプラズマ発生用ガスの種類に応じたプラズマが発生する。このとき、第２の高周波電源部２５によって下部電極としてのステージ２２にバイアス電圧を印加することにより、処理室２１ａ内に発生するプラズマに対してステージ２２の方向への入射を促進するバイアス作用を及ぼすことができ、所望の特定方向へのプラズマ処理効果を強めて異方性エッチングを行うことが可能となっている。
【００１８】
プラズマ処理工程においては、まず前述の第１のガス２６ａを用いた第１のプラズマＰ１による処理が実行される。図１（ｃ）に示すように、基板１の第２の面１ｂを上述の第１のプラズマＰ１に晒すことにより、耐エッチング層４に覆われていない領域１ｄ（図１（ｂ）参照）の基板１をこの基板１の深さ方向に第１の面１ａに達するまでエッチングして（矢印ｅ参照）、各素子チップ１０を隔てるエッチング溝１１（図２（ａ）参照）を形成し、基板１を個片の素子チップ１０に分割する。すなわち基板１の状態においては第１の面１ａであった第１の面１０ａ、第２の面１ｂであった第２の面１０ｂおよび第１の面１０ａと第２の面１０ｂとを結ぶ側面１０ｃを備える素子チップ１０が、キャリア５上に互いに間隔をあけて保持された状態とする（分割工程）。
【００１９】
分割工程におけるエッチング条件は、基板１の材質に応じて適宜選択することができる。基板１がシリコン基板の場合、分割工程におけるエッチングには、いわゆるボッシュプロセスを用いることができる。ボッシュプロセスにおいては、堆積膜堆積ステップと、堆積膜エッチングステップと、シリコンエッチングステップとを順次繰り返すことにより、耐エッチング層４に覆われていない領域１ｄを基板の深さ方向に垂直に掘り進むことができる。
【００２０】
堆積膜堆積ステップの条件としては、例えば、原料ガスとしてＣ４Ｆ８を１５０〜２５０ｓｃｃｍで供給しながら、処理室内の圧力を１５〜２５Ｐａに調整し、第１の高周波電源部２４からアンテナ２３への投入電力を１５００〜２５００Ｗ，第２の高周波電源部２５から下部電極への投入電力を０Ｗ、処理時間を５〜１５秒とすればよい。堆積膜エッチングステップの条件としては、例えば、原料ガスとしてＳＦ６を２００〜４００ｓｃｃｍで供給しながら、処理室内の圧力を５〜１５Ｐａに調整し、第１の高周波電源部２４からアンテナ２３への投入電力を１５００〜２５００Ｗ，第２の高周波電源部２５から下部電極への投入電力を１００〜３００Ｗ、処理時間を２〜１０秒とすればよい。
【００２１】
シリコンエッチングステップの条件としては、例えば、原料ガスとしてＳＦ６を２００〜４００ｓｃｃｍで供給しながら、処理室内の圧力を５〜１５Ｐａに調整し、第１の高周波電源部２４からアンテナ２３への投入電力を１５００〜２５００Ｗ，第２の高周波電源部２５から下部電極への投入電力を５０〜２００Ｗ、処理時間を１０〜２０秒とすればよい。そして、これらの条件において、堆積膜堆積ステップ、堆積膜エッチングステップ、および、シリコンエッチングステップを繰り返すことにより、シリコン基板を１０μｍ／分の速度で掘り進むことができる。
【００２２】
この後、個片の素子チップ１０において第２の面１０ｂを覆った状態の耐エッチング層４を除去するアッシングが行われる。すなわち、図２（ａ）に示すように、プラズマエッチング装置２０において処理室２１ａ内にアッシング用ガス２６ｄを用いたアッシング用プラズマを発生させ、樹脂を主成分とする耐エッチング層４をアッシングにより除去する。これにより、個片に分割された素子チップ１０の第２の面１０ｂが露呈された状態となる。
【００２３】
アッシングの条件は、耐エッチング層４の材料に応じて適宜選択することができる。例えば、耐エッチング層４がレジスト膜の場合、原料ガスとして酸素を１５０〜３００ｓｃｃｍ、ＣＦ４を０〜５０ｓｃｃｍで供給しながら、処理室内の圧力を５〜１５Ｐａに調整し、第１の高周波電源部２４からアンテナ２３への投入電力を１５００〜２５００Ｗ，第２の高周波電源部２５から下部電極への投入電力を０〜３０Ｗとすればよい。この条件において１μｍ／分程度の速度で耐エッチング層４を除去することができる。
【００２４】
次いで上述の分割工程の後、保護膜形成工程が実行される。すなわちプラズマエッチング装置２０において、キャリア５上に互いに間隔をあけて保持された状態で、処理室２１ａ内で保護膜形成用ガス（フッ化炭素とヘリウムの混合ガス）である第２のガス２６ｂを供給しながら発生させた第２のプラズマＰ２に素子チップ１０を晒す。これにより、図４（ａ）に示すように、素子チップ１０の第２の面１０ｂ、側面１０ｃには、それぞれ、保護膜形成用ガス中のフッ化炭素がプラズマ中で分解され、その後堆積して被膜化した、フッ素と炭素を含むフルオロカーボン膜よりなる保護膜１２ｂ、１２ｃが形成されるとともに、第１の面１０ａとキャリア５との間の空隙部Ｓ内においても同様の保護膜が形成される。
【００２５】
すなわち、空隙部Ｓのうち隣接する凸部３の間に位置する空隙部Ｓ１においては、第１の面１０ａに保護膜１２ａ１が、また凸部３の側面に保護膜１２ｄが、さらにキャリア５の保持面５ａには保護膜１２ｅが形成される。そして空隙部Ｓのうち凸部３の外側に位置する空隙部Ｓ２においては、第１の面１０ａに保護膜１２ａ２が、また凸部３の側面に保護膜１２ｄが、さらにキャリア５の保持面５ａには保護膜１２ｅが形成される。
【００２６】
これらの保護膜は、素子チップ１０を直接パッケージ基板などに接合する実装過程における導電性材料の這い上がりを抑制することを目的として形成されるものであるため、吸湿性が少なく組成が緻密なものであることが望まれる。本実施の形態では、これら保護膜の形成のために用いられる第２のプラズマＰ２の原料ガスとして、フッ化炭素とヘリウムの混合ガスを含む保護膜形成用ガスを用いることから、吸湿性が少なく組成が緻密で密着性に優れたフルオロカーボン膜より成る保護膜を形成することが可能となっている。なおこの保護膜形成工程において、キャリア５が載置されるステージ２２（図３参照）に高周波バイアスを印加する。これにより、素子チップ１０へのイオンの入射が促進され、より緻密で密着性の高い保護膜を形成することができる。
【００２７】
保護膜の形成条件としては、例えば、原料ガスとしてＣ４Ｆ８を１５０ｓｃｃｍ、Ｈｅを５０ｓｃｃｍで供給しながら、処理室内の圧力を１５〜２５Ｐａに調整し、第１の高周波電源部２４からアンテナ２３への投入電力を１５００〜２５００Ｗ，第２の高周波電源部２５から下部電極への投入電力を５０〜１５０Ｗとすればよい。この条件において３００秒処理することで、厚さ３μｍの保護膜を形成することができる。
【００２８】
本実施の形態では、原料ガスとして、フッ化炭素とヘリウムの混合ガスを用いるが、これは、ヘリウムを混合することにより、プラズマ中での原料ガスの乖離が促進され、その結果として、緻密で密着性の高い保護膜を形成できるためである。
【００２９】
なお、上記した条件例においては、原料ガスの全流量に対するＨｅ流量の比率が、２５％（＝５０／（１５０＋５０）×１００）である。この比率は、以下に説明するように、１０％から８０％の間であることが望ましい。すなわち原料ガスの全流量に対するＨｅ流量の比率が１０％より大きいと、プラズマ中での原料ガスの乖離が促進されやすく、その結果として、より緻密で密着性の高い保護膜を形成しやすくなる。一方で、原料ガスの全流量に対するＨｅ流量の比率が８０％より大きいと、原料ガスに占めるＣ４Ｆ８の比率が減少するため、保護膜形成に寄与するプラズマ中の成分（Ｃ，Ｆおよびそれらの化合物）の基板表面への供給が不足し、基板表面における保護膜の堆積速度が遅くなり、生産性が低下する。
【００３０】
次に保護膜形成工程にて形成された保護膜のうち、不要な部分を除去するための保護膜除去工程が実行される。上述の保護膜形成工程においては、素子チップ１０の第１の面１０ａとともに、側面１０ｃおよび第２の面１０ｂにも保護膜１２ｂが形成される（図２（ｂ）参照）。本実施の形態においては、これらの保護膜１２ｂ，１２ｃは不要であるため、これを除去するための第３のプラズマＰ３を用いたプラズマ処理が行われる。
【００３１】
すなわちプラズマエッチング装置２０において、処理室２１ａ内で、アルゴンガスや酸素ガスを成分とする保護膜エッチング用ガスである第３のガス２６ｃを供給しながら第３のプラズマＰ３を発生させ、図２（ｃ）に示すように、キャリア５上に互いに間隔をあけて保持された状態で、素子チップ１０を第３のプラズマＰ３に晒す。これにより、空隙部Ｓに形成された保護膜の少なくとも一部を残存させて、素子チップ１０において上面に露呈した第２の面１０ｂに形成された保護膜１２ｂ、側面１０ｃに形成された保護膜１２ｃを第３のプラズマＰ３のエッチング作用によって除去する。
【００３２】
これにより、図４（ｂ）に示すように、素子チップ１０の第２の面１０ｂおよび側面１０ｃは露呈された状態となり、キャリア５の上面に付着した保護膜１２ｅのうち、素子チップ１０に覆われていない範囲の保護膜１２ｅも除去される。そして空隙部Ｓのうち隣接する凸部３の間に位置する空隙部Ｓ１においては、第１の面１０ａの保護膜１２ａ１が、また凸部３の側面の保護膜１２ｄが残留している。また空隙部Ｓのうち凸部３の外側に位置する空隙部Ｓ２においては、第１の面１０ａの保護膜１２ａ２が、また凸部３の側面には保護膜１２ｄがそれぞれ除去されずに残留している。
【００３３】
保護膜除去の条件としては、例えば、原料ガスとしてＡｒを１５０〜３００ｓｃｃｍ、Ｏ２を０〜１５０ｓｃｃｍで供給しながら、処理室内の圧力を０．２〜１．５Ｐａに調整し、第１の高周波電源部２４からアンテナ２３への投入電力を１５００〜２５００Ｗ，第２の高周波電源部２５から下部電極への投入電力を１５０〜３００Ｗとすればよい。この条件において、０．５μｍ／分程度の速度で上面に露呈した保護膜をエッチングすることができる。
【００３４】
図５は、このような製造過程によって製造された素子チップ１０を示している。すなわち、キャリア５から個片毎に取り出された素子チップ１０は、第１の面１０ａに保護膜１２ａ１，１２ａ２が形成されているとともに、凸部３の側面を覆う保護膜１２ｄを有し、凸部３の上面は露出している。なお、図４（ｂ）において、素子チップ１０に覆われている範囲のキャリア５の保持面５ａに残存する保護膜１２ｅは、キャリア５の保持面５ａに強固に付着している。一方、図４（ｂ）において、凸部３の側面を覆う保護膜１２ｄは、凸部３の側面に強固に付着している。
【００３５】
したがって、素子チップ１０をキャリア５から個片毎に取り出す際に、キャリア５の保持面５ａに残存する保護膜１２ｅは素子チップ１０からは分離される。このような構成を有する素子チップ１０は、以下に説明するように、樹脂パッケージングなどの工程を経ることなくプリント基板などに半田接合により直接実装して電子部品実装構造体を形成する場合に、第１の面１０ａにおけるクリーム半田などの導電性材料の濡れ広がりを抑制して、導電性材料の這い上がりを防止するという効果を有する。
【００３６】
以下、図６を参照して、上述の素子チップの製造方法によって形成された素子チップ１０をプリント基板に形成されたランド電極に半田接合して成る電子部品実装構造体の製造方法について説明する。図６（ａ）において、プリント基板１５の上面には、素子チップ１０の接続用の素子電極である凸部３に対応して、ランド電極１６が形成されている。ランド電極１６には、素子チップ１０の搭載に先立って、ペースト状の半田１７が供給される（ペースト供給工程）。
【００３７】
ペースト供給工程後のプリント基板１５には、素子チップ１０が搭載される（搭載工程）。すなわち素子チップ１０の凸部３を対応するランド電極１６に位置合わせし、図６（ｂ）に示すように、凸部３をランド電極１６上の半田１７に着地させる。これにより、素子チップ１０はプリント基板１５に搭載される。
【００３８】
次いで搭載工程後のプリント基板１５はリフロー工程に送られ、ここで半田接合のための加熱が行われる。すなわちプリント基板１５を加熱して、半田１７を溶融させて凸部３とランド電極１６とを半田接合する（溶融工程）。そしてその後、プリント基板１５を冷却して、溶融した半田を冷却固化させる（冷却工程）。これにより、図６（ｃ）に示すように、凸部３とランド電極１６とを半田接合する半田接合部１７＊が形成される。
【００３９】
前述のように、空隙部Ｓ１，Ｓ２においては、第１の面１０ａに保護膜１２ａ１、１２ａ２が残留していることから、溶融工程において半田１７が溶融した溶融半田は、保護膜１２ａ１、１２ａ２に接触する。保護膜１２ａ１、１２ａ２の表面性状は溶融半田の濡れ拡がりを抑制する特性を有することから、溶融工程において半田１７が溶融した溶融半田は、空隙部Ｓ１，Ｓ２内において第１の面１０ａに沿って拡がることなく凸部３とランド電極１６との周囲で冷却固化して、良好な半田接合部１７＊が形成される。すなわち、上述の溶融工程においては、空隙部Ｓ１，Ｓ２の保護膜１２ａ１、１２ａ２が、溶融した半田１７の空隙部Ｓ１，Ｓ２における拡がりを抑制する。
【産業上の利用可能性】
【００４０】
本発明の素子チップの製造方法および電子部品実装構造体の製造方法は、実装過程における導電性材料の這い上がりを抑制することができるという効果を有し、複数の素子領域を有する基板を素子領域毎に分割して素子チップを製造する分野において有用である。
【符号の説明】
【００４１】
１  基板
１ａ  第１の面
１ｂ  第２の面
１ｃ  分割領域
２  素子部
２ａ  素子領域
３  凸部
４  耐エッチング層
５  キャリア
１０  素子チップ
１０ａ  第１の面
１０ｂ  第２の面
１０ｃ  側面
１２ａ１，１２ａ２，１２ｂ，１２ｃ  保護膜
１６  ランド電極
１７  半田
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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