(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板処理装置であって、
基板を回転する基板回転機構と、
前記基板の主面に向けて処理液の液滴を吐出するノズル部と、
前記ノズル部を前記主面に沿う方向に移動するノズル移動機構と、
を備え、
前記ノズル部が、
案内面と、
前記案内面に沿ってガスを噴出することにより、前記案内面に沿って流れる第１ガス流を形成する第１ガス噴出口と、
前記案内面に設けられ、前記第１ガス流と前記案内面との間に前記処理液を供給する処理液供給口と、
前記案内面の端部近傍において前記端部から飛散する前記処理液に衝突する第２ガス流を形成する第２ガス噴出口と、
を備え、
前記案内面が、所定の中心軸を中心とする円錐面であり、
前記処理液供給口が、前記中心軸を中心とする環状であり、
前記中心軸を中心とする環状噴出口が設けられており、前記環状噴出口から前記円錐面に沿って前記円錐面の基部から頂部に向かう方向にガスが噴出され、
前記環状噴出口の一部が前記第１ガス噴出口として機能し、前記環状噴出口の他の一部が前記第２ガス噴出口として機能することを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の基板処理装置であって、
前記ノズル部が、前記円錐面の前記頂部近傍に設けられ、前記中心軸に沿ってガスを噴出する補助ガス噴出口をさらに備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の基板処理装置であって、
前記ノズル部から前記基板の前記主面上に吐出される液滴の粒径を変更する液滴径変更部をさらに備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項４】
請求項３に記載の基板処理装置であって、
前記液滴径変更部が、前記第１ガス噴出口からのガスの流量を調整する、または、前記処理液供給口からの前記処理液の流量を調整することを特徴とする基板処理装置。
【請求項５】
基板処理装置であって、
基板を回転する基板回転機構と、
前記基板の主面に向けて処理液の液滴を吐出するノズル部と、
前記ノズル部を前記主面に沿う方向に移動するノズル移動機構と、
を備え、
前記ノズル部が、
端部に線状のエッジを有する案内面と、
前記案内面に沿ってガスを噴出することにより、前記案内面に沿って流れる第１ガス流を形成する第１ガス噴出口と、
前記案内面に設けられ、前記第１ガス流と前記案内面との間に前記処理液を供給する処理液供給口と、
前記案内面の前記エッジに平行かつ前記エッジに近接する、または、前記エッジに一致する他のエッジを有する他の案内面と、
前記他の案内面に沿って前記他の案内面の前記他のエッジとは反対側から前記他のエッジに向かう方向にガスを噴出することにより、前記案内面の前記端部近傍において前記端部から飛散する前記処理液に衝突する第２ガス流を形成する第２ガス噴出口と、
を備え、
前記案内面および前記他の案内面が板状部材の側面の一部を含み、前記第１ガス噴出口、前記処理液供給口および前記第２ガス噴出口のそれぞれが、前記板状部材の少なくとも一方の主面、および、前記側面に開口するスリットであることを特徴とする基板処理装置。
【請求項６】
請求項５に記載の基板処理装置であって、
前記ノズル部から前記基板の前記主面上に吐出される液滴の粒径を変更する液滴径変更部をさらに備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項７】
請求項６に記載の基板処理装置であって、
前記液滴径変更部が、前記第１ガス噴出口からのガスの流量を調整する、または、前記処理液供給口からの前記処理液の流量を調整することを特徴とする基板処理装置。
【請求項８】
基板処理装置であって、
基板を回転する基板回転機構と、
前記基板の主面に向けて処理液の液滴を吐出するノズル部と、
前記ノズル部を前記主面に沿う方向に移動するノズル移動機構と、
第１ガス流量調整部と、
第２ガス流量調整部と、
制御部と、
を備え、
前記ノズル部が、
端部に線状のエッジを有する案内面と、
前記案内面に沿ってガスを噴出することにより、前記案内面に沿って流れる第１ガス流を形成する第１ガス噴出口と、
前記案内面に設けられ、前記第１ガス流と前記案内面との間に前記処理液を供給する処理液供給口と、
前記案内面の前記エッジに平行かつ前記エッジに近接する、または、前記エッジに一致する他のエッジを有する他の案内面と、
前記他の案内面に沿って前記他の案内面の前記他のエッジとは反対側から前記他のエッジに向かう方向にガスを噴出することにより、前記案内面の前記端部近傍において前記端部から飛散する前記処理液に衝突する第２ガス流を形成する第２ガス噴出口と、
を備え、
前記第１ガス流量調整部が、前記第１ガス噴出口から噴出されるガスの流量を調整し、
前記第２ガス流量調整部が、前記第２ガス噴出口から噴出されるガスの流量を調整し、
前記制御部が、前記第１ガス流量調整部および前記第２ガス流量調整部を制御することにより、液滴の吐出方向を変更することを特徴とする基板処理装置。
【請求項９】
基板処理装置であって、
基板を回転する基板回転機構と、
前記基板の主面に向けて処理液の液滴を吐出するノズル部と、
前記ノズル部を前記主面に沿う方向に移動するノズル移動機構と、
第１ガス流量調整部と、
第２ガス流量調整部と、
制御部と、
を備え、
前記ノズル部が、
案内面と、
前記案内面に沿ってガスを噴出することにより、前記案内面に沿って流れる第１ガス流を形成する第１ガス噴出口と、
前記案内面に設けられ、前記第１ガス流と前記案内面との間に前記処理液を供給する処理液供給口と、
前記案内面の端部近傍において前記端部から飛散する前記処理液に衝突する第２ガス流を形成する第２ガス噴出口と、
所定の中心軸を中心とする筒状案内部と、
を備え、
前記筒状案内部において、一端から他端に向かうに従って、肉厚が漸次減少し、
前記筒状案内部の内周面および外周面の一方が、前記案内面に含まれ、他方が他の案内面に含まれ、
前記案内面が、前記他端に環状のエッジを有し、
前記第１ガス噴出口および前記処理液供給口が、前記中心軸を中心とする環状であり、
前記第１ガス噴出口が、前記案内面に沿って前記筒状案内部の前記一端から前記他端に向かう方向にガスを噴出し、
前記第２ガス噴出口が、前記中心軸を中心とする環状であり、
前記第２ガス噴出口が、前記他の案内面に沿って前記筒状案内部の前記一端から前記他端に向かう方向にガスを噴出し、
前記第１ガス流量調整部が、前記第１ガス噴出口から噴出されるガスの流量を調整し、
前記第２ガス流量調整部が、前記第２ガス噴出口から噴出されるガスの流量を調整し、
前記制御部が、前記第１ガス流量調整部および前記第２ガス流量調整部を制御することにより、液滴の吐出方向を変更することを特徴とする基板処理装置。
【請求項１０】
請求項８または９に記載の基板処理装置であって、
前記制御部が、前記ノズル部から前記液滴が飛散している間に、前記吐出方向を変更することを特徴とする基板処理装置。
【請求項１１】
請求項５ないし１０のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記案内面の前記エッジが前記基板の前記主面に平行であることを特徴とする基板処理装置。
【請求項１２】
請求項５ないし１１のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記ノズル部が、前記他の案内面に設けられ、前記第２ガス流と前記他の案内面との間に処理液を供給する他の処理液供給口をさらに備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項１３】
請求項１ないし１２のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記基板の前記主面に垂直な上下方向に前記ノズル部を昇降するノズル昇降機構をさらに備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項１４】
請求項１３に記載の基板処理装置であって、
前記ノズル昇降機構が前記上下方向における前記ノズル部の位置を変更することにより、前記主面上において液滴が分散する領域の大きさが変更されることを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、半導体基板（以下、単に「基板」という。）の製造工程では、基板表面に処理液の液滴を付与する基板処理装置が利用されている。例えば、特許文献１の基板処理装置では、いわゆる、外部混合型の二流体ノズルが取り付けられる。二流体ノズルの一方の端部では、環状の気体吐出口が開口し、気体吐出口の中心部近傍に液体吐出口が開口している。液体吐出口から吐出された純水はほぼ直進するが、環状の気体吐出口から吐出された窒素ガスはケーシング外の収束点に向かって収束するように進むため、窒素ガスと純水とは収束点で衝突して混合され、純水の液滴の噴流が形成される。
【０００３】
また、特許文献２の基板洗浄装置に取り付けられる洗浄ノズルでは、筒状体の壁面に複数の吐出孔が穿設され、当該壁面のうち複数の吐出孔と対向する部位の外壁面には圧電素子が貼設される。交流電圧を圧電素子に印加することにより、筒状体内部の洗浄液に振動が付与され、複数の吐出孔から洗浄液の液滴が吐出される。
【０００４】
なお、特許文献３では、微粉末にする、または、気化させるための液滴を生成するノズルが開示されている。当該ノズルでは、供給口から液体が傾斜面に供給され、当該液体は、傾斜面に沿って高速流動させる空気流で薄く引き伸ばされて薄膜流となる。薄膜流は空気流に加速されて傾斜面の先端から気体中に噴射され、微粒子の液滴となる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００４−３４９５０１号公報
【特許文献２】特許第５２６１０７７号公報
【特許文献３】特許第２７９７０８０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、特許文献１の二流体ノズルでは、ボリュームミーディアン径がたとえば１０μｍないし１６μｍとされるが、液滴の粒径分布は比較的大きくなってしまう。近年、基板表面に形成されるパターンのさらなる微細化が進められており、粒径が大きい液滴が存在する場合、パターン等に欠陥が生じやすくなる。一方、特許文献２の洗浄ノズルでは、例えば、平均液滴径が１５μｍ以上３０μｍ以下であり、液滴径の分布が３σ（σは標準偏差）で２μｍ以下に収まっており、粒径が大きい液滴に起因するパターン等の欠陥の発生が防止される。しかしながら、特許文献２の洗浄ノズルでは、所定の範囲から単位時間当たりに吐出される液滴数が、二流体ノズルに比べて大幅に少なくなる。したがって、二流体ノズルと同等の処理を行うには、当該洗浄ノズルの大型化や、洗浄時間の延長等が必要となる。
【０００７】
本発明は上記課題に鑑みなされたものであり、均一な粒径の多数の液滴を吐出して基板を適切に処理することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
請求項１に記載の発明は、基板処理装置であって、基板を回転する基板回転機構と、前記基板の主面に向けて処理液の液滴を吐出するノズル部と、前記ノズル部を前記主面に沿う方向に移動するノズル移動機構とを備え、前記ノズル部が、案内面と、前記案内面に沿ってガスを噴出することにより、前記案内面に沿って流れる第１ガス流を形成する第１ガス噴出口と、前記案内面に設けられ、前記第１ガス流と前記案内面との間に前記処理液を供給する処理液供給口と、前記案内面の端部近傍において前記端部から飛散する前記処理液に衝突する第２ガス流を形成する第２ガス噴出口とを備え、前記案内面が、所定の中心軸を中心とする円錐面であり、前記処理液供給口が、前記中心軸を中心とする環状であり、前記中心軸を中心とする環状噴出口が設けられており、前記環状噴出口から前記円錐面に沿って前記円錐面の基部から頂部に向かう方向にガスが噴出され、前記環状噴出口の一部が前記第１ガス噴出口として機能し、前記環状噴出口の他の一部が前記第２ガス噴出口として機能する。
【００１０】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の基板処理装置であって、前記ノズル部が、前記円錐面の前記頂部近傍に設けられ、前記中心軸に沿ってガスを噴出する補助ガス噴出口をさらに備える。
【００１１】
請求項３に記載の発明は、請求項１または２に記載の基板処理装置であって、前記ノズル部から前記基板の前記主面上に吐出される液滴の粒径を変更する液滴径変更部をさらに備える。
請求項４に記載の発明は、請求項３に記載の基板処理装置であって、前記液滴径変更部が、前記第１ガス噴出口からのガスの流量を調整する、または、前記処理液供給口からの前記処理液の流量を調整する。
【００１２】
請求項５に記載の発明は、基板処理装置であって、基板を回転する基板回転機構と、前記基板の主面に向けて処理液の液滴を吐出するノズル部と、前記ノズル部を前記主面に沿う方向に移動するノズル移動機構とを備え、前記ノズル部が、端部に線状のエッジを有する案内面と、前記案内面に沿ってガスを噴出することにより、前記案内面に沿って流れる第１ガス流を形成する第１ガス噴出口と、前記案内面に設けられ、前記第１ガス流と前記案内面との間に前記処理液を供給する処理液供給口と、前記案内面の前記エッジに平行かつ前記エッジに近接する、または、前記エッジに一致する他のエッジを有する他の案内面と、前記他の案内面に沿って前記他の案内面の前記他のエッジとは反対側から前記他のエッジに向かう方向にガスを噴出することにより、前記案内面の前記端部近傍において前記端部から飛散する前記処理液に衝突する第２ガス流を形成する第２ガス噴出口とを備え、前記案内面および前記他の案内面が板状部材の側面の一部を含み、前記第１ガス噴出口、前記処理液供給口および前記第２ガス噴出口のそれぞれが、前記板状部材の少なくとも一方の主面、および、前記側面に開口するスリットである。
請求項６に記載の発明は、請求項５に記載の基板処理装置であって、前記ノズル部から前記基板の前記主面上に吐出される液滴の粒径を変更する液滴径変更部をさらに備える。
請求項７に記載の発明は、請求項６に記載の基板処理装置であって、前記液滴径変更部が、前記第１ガス噴出口からのガスの流量を調整する、または、前記処理液供給口からの前記処理液の流量を調整する。
請求項８に記載の発明は、基板処理装置であって、基板を回転する基板回転機構と、前記基板の主面に向けて処理液の液滴を吐出するノズル部と、前記ノズル部を前記主面に沿う方向に移動するノズル移動機構と、第１ガス流量調整部と、第２ガス流量調整部と、制御部とを備え、前記ノズル部が、端部に線状のエッジを有する案内面と、前記案内面に沿ってガスを噴出することにより、前記案内面に沿って流れる第１ガス流を形成する第１ガス噴出口と、前記案内面に設けられ、前記第１ガス流と前記案内面との間に前記処理液を供給する処理液供給口と、前記案内面の前記エッジに平行かつ前記エッジに近接する、または、前記エッジに一致する他のエッジを有する他の案内面と、前記他の案内面に沿って前記他の案内面の前記他のエッジとは反対側から前記他のエッジに向かう方向にガスを噴出することにより、前記案内面の前記端部近傍において前記端部から飛散する前記処理液に衝突する第２ガス流を形成する第２ガス噴出口とを備え、前記第１ガス流量調整部が、前記第１ガス噴出口から噴出されるガスの流量を調整し、前記第２ガス流量調整部が、前記第２ガス噴出口から噴出されるガスの流量を調整し、前記制御部が、前記第１ガス流量調整部および前記第２ガス流量調整部を制御することにより、液滴の吐出方向を変更する。
【００１３】
請求項９に記載の発明は、基板処理装置であって、基板を回転する基板回転機構と、前記基板の主面に向けて処理液の液滴を吐出するノズル部と、前記ノズル部を前記主面に沿う方向に移動するノズル移動機構と、第１ガス流量調整部と、第２ガス流量調整部と、制御部とを備え、前記ノズル部が、案内面と、前記案内面に沿ってガスを噴出することにより、前記案内面に沿って流れる第１ガス流を形成する第１ガス噴出口と、前記案内面に設けられ、前記第１ガス流と前記案内面との間に前記処理液を供給する処理液供給口と、前記案内面の端部近傍において前記端部から飛散する前記処理液に衝突する第２ガス流を形成する第２ガス噴出口と、所定の中心軸を中心とする筒状案内部とを備え、前記筒状案内部において、一端から他端に向かうに従って、肉厚が漸次減少し、前記筒状案内部の内周面および外周面の一方が、前記案内面に含まれ、他方が他の案内面に含まれ、前記案内面が、前記他端に環状のエッジを有し、前記第１ガス噴出口および前記処理液供給口が、前記中心軸を中心とする環状であり、前記第１ガス噴出口が、前記案内面に沿って前記筒状案内部の前記一端から前記他端に向かう方向にガスを噴出し、前記第２ガス噴出口が、前記中心軸を中心とする環状であり、前記第２ガス噴出口が、前記他の案内面に沿って前記筒状案内部の前記一端から前記他端に向かう方向にガスを噴出し、前記第１ガス流量調整部が、前記第１ガス噴出口から噴出されるガスの流量を調整し、前記第２ガス流量調整部が、前記第２ガス噴出口から噴出されるガスの流量を調整し、前記制御部が、前記第１ガス流量調整部および前記第２ガス流量調整部を制御することにより、液滴の吐出方向を変更する。
請求項１０に記載の発明は、請求項８または９に記載の基板処理装置であって、前記制御部が、前記ノズル部から前記液滴が飛散している間に、前記吐出方向を変更する。
【００１４】
請求項１１に記載の発明は、請求項５ないし１０のいずれかに記載の基板処理装置であって、前記案内面の前記エッジが前記基板の前記主面に平行である。
【００１５】
請求項１２に記載の発明は、請求項５ないし１１のいずれかに記載の基板処理装置であって、前記ノズル部が、前記他の案内面に設けられ、前記第２ガス流と前記他の案内面との間に処理液を供給する他の処理液供給口をさらに備える。
【００２０】
請求項１３に記載の発明は、請求項１ないし１２のいずれかに記載の基板処理装置であって、前記基板の前記主面に垂直な上下方向に前記ノズル部を昇降するノズル昇降機構をさらに備える。
【００２１】
請求項１４に記載の発明は、請求項１３に記載の基板処理装置であって、前記ノズル昇降機構が前記上下方向における前記ノズル部の位置を変更することにより、前記主面上において液滴が分散する領域の大きさが変更される。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、均一な粒径の多数の液滴を吐出して基板を適切に処理することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】第１の実施の形態に係る基板処理装置の構成を示す図である。
【図２】ノズル部の正面図である。
【図３】ノズル部の側面図である。
【図４】本体プレートの正面図である。
【図５】基板の処理の流れを示す図である。
【図６】ノズル部を用いた基板の処理の一例を示す図である。
【図７】処理液の流量およびガスの流量と液滴の粒径との関係を示す図である。
【図８Ａ】ノズル部を用いた基板の処理の他の例を示す図である。
【図８Ｂ】ノズル部を用いた基板の処理の他の例を示す図である。
【図９Ａ】ノズル部を用いた基板の処理の他の例を示す図である。
【図９Ｂ】ノズル部を用いた基板の処理の他の例を示す図である。
【図１０】第２の実施の形態に係るノズル部の断面図である。
【図１１】第３の実施の形態に係るノズル部の断面図である。
【図１２】本体プレートの他の例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る基板処理装置１の構成を示す図である。基板処理装置１における各構成要素は、制御部１０により制御される。基板処理装置１は、基板保持部であるスピンチャック２２と、基板回転機構であるスピンモータ２１と、スピンチャック２２の周囲を囲むカップ２３とを備える。基板９は、スピンチャック２２上に載置される。スピンチャック２２は、基板９の周縁に複数の挟持部材を接触させることにより、基板９を挟持する。これにより、基板９が水平な姿勢にてスピンチャック２２により保持される。以下の説明では、上方を向く基板９の主面９１を「上面９１」という。上面９１には、微細なパターンが形成されている。
【００２５】
スピンチャック２２の下面には、上下方向（鉛直方向）に伸びるシャフト２２１が接続される。シャフト２２１の中心軸である回転軸Ｊ１は、基板９の上面９１に垂直であり、基板９の中心を通る。スピンモータ２１は、シャフト２２１を回転する。これにより、スピンチャック２２および基板９が、上下方向を向く回転軸Ｊ１を中心として回転する。なお、スピンチャック２２は、基板９の裏面を吸着する構造等であってもよい。
【００２６】
基板処理装置１は、リンス液供給部３１１と、リンス液ノズル３１２と、保護液供給部３２１と、保護液ノズル３２２と、ガス供給部４１と、処理液供給部４２と、ノズル部５と、ノズル移動機構４３、ノズル昇降機構４４とを備える。リンス液供給部３１１では、リンス液の供給源が弁を介してリンス液ノズル３１２に接続される。保護液供給部３２１では、後述の保護液の供給源が弁を介して保護液ノズル３２２に接続される。
【００２７】
ガス供給部４１は、２つのガス供給管４１１を有する。２つのガス供給管４１１の一端は合流して、後述の液滴生成用のガスである窒素ガスの供給源に接続される。２つのガス供給管４１１の他端は、ノズル部５に接続される。各ガス供給管４１１にはガス流量調整部４１２が設けられる。ガス供給部４１では、窒素ガス以外のガスがノズル部５に供給されてよい。
【００２８】
処理液供給部４２は、２つの処理液供給管４２１を有する。２つの処理液供給管４２１の一端は合流して、液滴生成用の処理液である純水の供給源に接続される。２つの処理液供給管４２１の他端は、ノズル部５に接続される。各処理液供給管４２１には処理液流量調整部４２２が設けられる。処理液供給部４２では、純水以外の液体が液滴生成用の処理液としてノズル部５に供給されてよい。以下の説明では、単に「処理液」という場合は、ノズル部５に供給される液滴生成用の処理液を意味するものとする。
【００２９】
保護液ノズル３２２およびノズル部５は、ノズル移動機構４３のアーム４３１に取り付けられる。ノズル移動機構４３は、アーム４３１を回転軸Ｊ１に平行な軸を中心として回動することにより、保護液ノズル３２２およびノズル部５を、基板９の上面９１に対向する対向位置と、水平方向において基板９から離れた待機位置とに選択的に配置する。ノズル昇降機構４４は、アーム４３１と共に、保護液ノズル３２２およびノズル部５を、上面９１に垂直な上下方向に昇降する。リンス液ノズル３１２も、他のノズル移動機構または他のノズル昇降機構により、ノズル部５等と同様に移動可能であってよい。
【００３０】
図２は、ノズル部５の正面図であり、図３は、ノズル部５の側面図である。図２および図３に示すように、ノズル部５は、本体プレート５１と、２つのカバー部材５２とを備える。本体プレート５１およびカバー部材５２は、例えば、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）や石英にて形成される。本体プレート５１は、略直方体状の２つのカバー部材５２の間に挟まれて保持される。詳細には、各カバー部材５２では、他方のカバー部材５２との対向面５２０に、凹部５２１が形成される。２つのカバー部材５２の対向面５２０同士を接触させた状態で、本体プレート５１が２つのカバー部材５２の凹部５２１内に配置される。実際には、本体プレート５１における後述の下端エッジ５１６（後述の図４参照）の近傍を除き、本体プレート５１の周囲が、２つのカバー部材５２により覆われる。
【００３１】
各カバー部材５２は、１つのガス連絡路５２２と、１つの処理液連絡路５２３とを有する。ガス連絡路５２２は、図２および図３のカバー部材５２の上面に設けられる接続部５２４と、凹部５２１の底面（すなわち、対向面５２０に平行な凹部５２１内の面）との間を連絡する。当該接続部５２４には、ガス供給管４１１が接続される。処理液連絡路５２３は、カバー部材５２における対向面５２０とは反対側の面に設けられる接続部５２５と、凹部５２１の上記底面との間を連絡する。当該接続部５２５には、処理液供給管４２１が接続される。
【００３２】
図４は、本体プレート５１の正面図である。本体プレート５１は、一定の厚さの板状部材である。本体プレート５１は、２つの案内面５１１と、２つのガス噴出口５１２と、２つの処理液供給口５１３と、２つのガス室５１４と、２つの処理液室５１５とを備える。各案内面５１１の下側の端部は、図４の紙面に垂直な方向に伸びる直線状の下端エッジ５１６を有する。本実施の形態では、２つの案内面５１１における下端エッジ５１６はほぼ一致している。２つの案内面５１１が下端エッジ５１６を頂点としてなす角度は、下端エッジ５１６が伸びる方向の全ての位置で一定である。２つの案内面５１１がなす角度は、例えば鋭角である。下端エッジ５１６が伸びる方向は、本体プレート５１の厚さ方向に一致するため、以下の説明では、「プレート厚さ方向」という。
【００３３】
本体プレート５１が２つのカバー部材５２の間に挟まれた状態において（図２参照）、本体プレート５１のプレート厚さ方向に垂直な両主面は、下端エッジ５１６近傍を除き、カバー部材５２の凹部５２１の底面により覆われる。これにより、２つのガス室５１４および２つの処理液室５１５の間において液体および気体の移動が不能となる。２つのガス室５１４には、２つのカバー部材５２のガス連絡路５２２（図４中にて二点鎖線にて示す。）がそれぞれ接続される。したがって、ガス供給部４１（図１参照）により、ガス供給管４１１およびガス連絡路５２２を介して、ガス室５１４内にガスが充填可能である。同様に、２つの処理液室５１５には、２つのカバー部材５２の処理液連絡路５２３（図４中にて二点鎖線にて示す。）がそれぞれ接続される。したがって、処理液供給部４２により、処理液供給管４２１および処理液連絡路５２３を介して、処理液室５１５内に処理液が充填可能である。
【００３４】
各案内面５１１は、処理液供給口５１３の部位を除き、下端エッジ５１６からガス室５１４内へと連続する平滑面である。案内面５１１の法線は、プレート厚さ方向に垂直である。ガス噴出口５１２は、処理液供給口５１３とガス室５１４との間における案内面５１１の部分と、当該部分に等間隔にて対向する面とにより形成され、ガス室５１４から連続する。ガス供給部４１によるガス室５１４内へのガスの供給により、ガス噴出口５１２から案内面５１１に沿ってガスが噴出される。すなわち、案内面５１１に沿って下端エッジ５１６とは反対側（ガス室５１４側）から下端エッジ５１６に向かう方向にガスが噴出される。これにより、下端エッジ５１６に向かうとともに案内面５１１に沿って流れるガス流が形成される。
【００３５】
処理液供給口５１３は、プレート厚さ方向に垂直かつ互いに平行な２つの面により形成される。処理液供給口５１３は、処理液室５１５から連続して案内面５１１において開口する。すなわち、処理液供給口５１３は、案内面５１１に設けられる。処理液供給部４２による処理液室５１５内への処理液の供給により、処理液供給口５１３から、上記ガス流と案内面５１１との間に処理液が供給される。既述のように、ノズル部５では、本体プレート５１の両主面が、下端エッジ５１６近傍を除き、２つのカバー部材５２の凹部５２１の底面により覆われる。したがって、当該底面が、ガス噴出口５１２および処理液供給口５１３のそれぞれの一部と捉えられてもよい。
【００３６】
本体プレート５１において、下端エッジ５１６近傍における２つの案内面５１１の部位は、本体プレート５１のいずれの他の部位にも覆われておらず、本体プレート５１自体の側面に含まれる。換言すると、２つの案内面５１１は、本体プレート５１の側面の一部を含む。本体プレート５１では、両主面を除く全ての面が、プレート厚さ方向に垂直な法線を有する。本体プレート５１の作製では、２つのガス噴出口５１２および２つの処理液供給口５１３は、ワイヤ放電加工等により、両主面および側面に開口する微細なスリットとして形成される。したがって、複雑な加工を行うことなく、ガス噴出口５１２および処理液供給口５１３を容易に形成することができ、ノズル部５を安価に作製することができる。本実施の形態における本体プレート５１は、下端エッジ５１６を含むとともに図４の縦方向に広がる面に関して対称な形状である。
【００３７】
ノズル部５の設計によっては、２つのガス噴出口５１２および２つの処理液供給口５１３は、所定の溝加工により本体プレート５１の一方の主面および側面に開口するスリットとして形成されてもよい。ガス噴出口５１２および処理液供給口５１３のそれぞれが本体プレート５１の少なくとも一方の主面、および、側面に開口するスリットであることにより、ノズル部５を容易に作製することが可能となる。
【００３８】
図５は、基板処理装置１における基板９の処理の流れを示す図である。まず、外部の搬送機構により未処理の基板９が図１の基板処理装置１内に搬入され、スピンチャック２２にて保持される（ステップＳ１１）。続いて、スピンモータ２１により、所定の回転数（回転速度）での基板９の回転が開始される。そして、リンス液供給部３１１により、基板９の上方に位置するリンス液ノズル３１２を介して、リンス液である純水が上面９１の中央部に連続的に供給される。上面９１上の純水は基板９の回転により外縁部へと広がり、上面９１の全体に純水が供給される。これにより、上面９１が純水で覆われる（ステップＳ１２）。純水の供給は所定時間継続され、その後、停止される。
【００３９】
続いて、ノズル移動機構４３によりノズル部５および保護液ノズル３２２が、基板９の上面９１に対向する対向位置に配置される。そして、ガス供給部４１によりガスがノズル部５のガス室５１４（図４参照）内に連続的に供給されるとともに、処理液供給部４２により処理液がノズル部５の処理液室５１５内に連続的に供給される。各ガス噴出口５１２から噴出されるガスにより案内面５１１に沿って流れるガス流が形成され、ガス流と案内面５１１との間に処理液供給口５１３から処理液が供給される。処理液は、ガス流と案内面５１１との間にて引き伸ばされて薄膜流となり、下端エッジ５１６において案内面５１１から離れて飛散する。
【００４０】
ここで、既述のように、ノズル部５では、２つの案内面５１１が設けられており、両案内面５１１が下端エッジ５１６を共有している。一方の案内面５１１に沿って流れて下端エッジ５１６から飛散する処理液に着目すると、当該処理液に対して、他方の案内面５１１に沿って流れるガス流が下端エッジ５１６近傍にて衝突する。すなわち、２つのガス噴出口５１２のうちの一方を、処理液を薄膜流として下端エッジ５１６へと運ぶガス流を形成する第１ガス噴出口として捉えると、他方が、下端エッジ５１６から飛散する処理液に衝突するガス流を形成する第２ガス噴出口となる。これにより、均一な粒径の多数の液滴が生成される。また、一方の案内面５１１に沿って流れて下端エッジ５１６から飛散する処理液は、他方の案内面５１１に沿って流れて下端エッジ５１６から飛散する処理液にも下端エッジ５１６近傍にて衝突する。ノズル部５では、２つの案内面５１１に沿って流れる処理液の薄膜流同士が下端エッジ５１６の近傍にて互いに衝突していると捉えることもできる。ノズル部５にて生成された液滴は、基板９の上面９１へと向かう。このようにして、ノズル部５から上面９１に向けて処理液の液滴が吐出される（ステップＳ１３）。
【００４１】
このとき、図６に示すように、保護液供給部３２１により、保護液ノズル３２２を介して保護液が上面９１に連続的に供給される。保護液ノズル３２２は、例えばストレートノズルであり、上面９１においてノズル部５による液滴の吐出領域に保護液が広がるように、上下方向に対して傾斜して設けられる。したがって、基板９の上面９１では、保護液が付着した領域に対してノズル部５から液滴が吐出される。図６では、保護液の膜に符号８１を付している。保護液は、例えば、ＳＣ−１（ＮＨ４ＯＨとＨ２Ｏ２とを含む混合液）である。したがって、基板９の上面９１に付着しているパーティクル等の異物と基板９との結合力がＳＣ−１により弱められる。この状態において、ノズル部５から液滴が上面９１に向けて吹き付けられ、当該異物が液滴の衝突により物理的に除去される。もちろん、基板９と異物との結合力等によっては、保護液の吐出が省略されてよい。また、純水や炭酸水等、ＳＣ−１以外の保護液が利用されてもよい。
【００４２】
また、図１のノズル移動機構４３がアーム４３１を揺動することにより、ノズル部５および保護液ノズル３２２が基板９の上面９１に沿う方向に移動する。例えば、ノズル部５からの液滴の吐出領域（すなわち、保護液ノズル３２２からの保護液の吐出領域）は、基板９の中央部と外縁部との間で複数回往復する。さらに、基板９が所定の回転数にて回転する。これにより、基板９の上面９１の全体に対して、処理液の液滴および保護液が供給される。処理液の液滴および保護液の吐出は所定時間継続され、その後、停止される。
【００４３】
基板９に対する液滴による処理が完了すると、ノズル移動機構４３によりノズル部５および保護液ノズル３２２が、水平方向において基板９から離れた待機位置へと移動する。そして、リンス液供給部３１１により、基板９の上方に位置するリンス液ノズル３１２を介して、リンス液が上面９１に連続的に供給される（ステップＳ１４）。これにより、上面９１上の保護液等がリンス液により洗い流される。リンス液の供給中も、スピンモータ２１による基板９の回転が継続される。リンス液の供給は所定時間継続され、その後、停止される。
【００４４】
リンス液の供給が完了すると、スピンモータ２１により基板９が、上記処理における回転数よりも高い回転数にて回転する。これにより、基板９の上面９１に付着しているリンス液が遠心力により周囲に振り切られる。その結果、上面９１のリンス液が除去され、基板９が乾燥される（ステップＳ１５）。乾燥後の基板９は、外部の搬送機構により基板処理装置１から搬出され、基板処理装置１における処理が完了する（ステップＳ１６）。
【００４５】
図７は、処理液供給口５１３における処理液の流量、および、ガス噴出口５１２におけるガスの流量と、ノズル部５から吐出される液滴の粒径との関係を示す図である。図７の縦軸は液滴の平均粒径を示し、横軸は２つの処理液供給口５１３における処理液の合計流量を示す。２つの処理液供給口５１３における処理液の流量は同じである。また、図７中の黒い四角は、各ガス噴出口５１２からのガスの流量が毎分３０リットル（３０［Ｌ／ｍｉｎ］）である場合の液滴の粒径を示し、白い丸はガスの流量が６０［Ｌ／ｍｉｎ］である場合の液滴の粒径を示す。２つのガス噴出口５１２におけるガスの流量は同じである。当該ガスは、所定の圧力にてガス噴出口５１２に供給される。なお、液滴の粒径は、下端エッジ５１６から所定距離だけ離れた位置にて、レーザ光散乱方式の粒子径測定装置にて計測した。
【００４６】
図７に示すように、ガスの流量が３０［Ｌ／ｍｉｎ］である場合、処理液の流量を毎分１８ミリリットル（１８［ｍＬ／ｍｉｎ］）から５５［ｍＬ／ｍｉｎ］に漸次増大させることにより、液滴の粒径は約１２マイクロメートル（μｍ）から約２０μｍに増大する。また、ガスの流量が６０［Ｌ／ｍｉｎ］である場合、処理液の流量を１８［ｍＬ／ｍｉｎ］から５６［ｍＬ／ｍｉｎ］に漸次増大させることにより、液滴の粒径は約７μｍから約１０μｍに増大する。
【００４７】
このように、基板処理装置１では、ガス流量調整部４１２がガス噴出口５１２からのガスの流量を調整する、または、処理液流量調整部４２２が処理液供給口５１３からの処理液の流量を調整することにより、ノズル部５から基板９の上面９１上に吐出される液滴の粒径を変更することが可能となる（後述の図１０および図１１のノズル部５ａ，５ｂにおいて同様）。換言すると、ガス流量調整部４１２および処理液流量調整部４２２は、上面９１上に吐出される液滴の粒径を変更する液滴径変更部である。実際には、ノズル部５では、液滴の粒径分布も比較的小さくなる。すなわち、均一な粒径の液滴が吐出可能である。
【００４８】
以上に説明したように、基板処理装置１におけるノズル部５では、案内面５１１に沿って流れるガス流と当該案内面５１１との間に処理液が供給される。そして、案内面５１１の下端エッジ５１６近傍において下端エッジ５１６から飛散する処理液に対して、他の案内面５１１に沿って流れるガス流が衝突する。これにより、ノズル部５では、均一な粒径の多数の液滴を吐出することができる。また、スピンモータ２１が基板９を回転しつつ、ノズル移動機構４３がノズル部５を基板９の上面９１に沿う方向に移動することにより、基板９の上面９１の全体を、処理液の液滴により適切に処理することが実現される。さらに、下端エッジ５１６が基板９の上面９１に平行であることにより、上面９１の広範囲に液滴を吐出して基板９の処理に要する時間を短縮するとともに、液滴の吐出領域の全体に均一な処理を行うことが実現される。
【００４９】
基板処理装置１では、液滴径変更部が上面９１上に吐出される液滴の粒径を変更することにより、上面９１上に倒壊しやすい微細パターンが形成されている場合や、強力な物理的洗浄が必要な場合等、基板９の処理における様々な条件に対応することが可能となる。
【００５０】
基板処理装置１では、２つのガス噴出口５１２におけるガスの流量は必ずしも同じである必要はない。例えば、図８Ａおよび図８Ｂに示すように、一方の案内面５１１に沿って流れるガスの流量が、他方の案内面５１１に沿って流れるガスの流量よりも大きい場合、両案内面５１１におけるガスの流量の相違に従って、下端エッジ５１６の真下とは異なる上面９１上の領域に向けて液滴が吐出される。図８Ａおよび図８Ｂでは、各案内面５１１に沿って流れるガスの流量を、矢印Ａ１の長さで示している。また、液滴が分散する（広がる）範囲を破線にて示している（後述の図９Ａおよび図９Ｂにおいて同様）。
【００５１】
以上のように、基板処理装置１では、ガス噴出口５１２から噴出されるガスの流量を調整するガス流量調整部４１２が、２つのガス噴出口５１２に対して個別に設けられ、制御部１０が、２つのガス流量調整部４１２を制御することにより、液滴の吐出方向が変更される。これにより、仮に、ノズル移動機構４３によるノズル部５の移動範囲に制限がある場合等であっても、上面９１の広範囲に向けてノズル部５から液滴を吐出することが実現される。また、ノズル部５から液滴が飛散している間に、制御部１０が２つのガス噴出口５１２から噴出されるガスの流量を漸次変更して、液滴の吐出方向が変更されてもよい。これにより、例えば、ノズル部５の位置を一定に保持した状態で、上面９１上において液滴が分散する領域をある程度移動させることが可能となる。液滴の吐出方向を変更する上記手法は、後述の図１１のノズル部５ｂにおいて利用されてよい。
【００５２】
ノズル部５から吐出される液滴は、上下方向および下端エッジ５１６に垂直な方向に広がりつつ上面９１へと向かう。したがって、図９Ａおよび図９Ｂに示すように、ノズル昇降機構４４（図１参照）が上下方向におけるノズル部５の位置を変更することにより、上面９１上において液滴が分散する領域、すなわち、吐出領域の大きさが変更されてもよい（後述の図１０および図１１のノズル部５ａ，５ｂにおいて同様）。図９Ａおよび図９Ｂでは、回転軸Ｊ１を中心とする径方向におけるノズル部５の位置に応じて、ノズル部５の高さ（上下方向の位置）を変更している。これにより、上面９１上の単位面積当たりに飛散する液滴の量を変更することが可能となる。また、吐出領域の大きさや、上面９１に衝突する液滴の速度（物理的洗浄における強さ、または、上面９１に付与するエネルギー）も変更することが可能となる。その結果、工程毎に処理の程度を変更する等、基板処理装置１における処理の自由度を大きくすることができる。
【００５３】
図１０は、本発明の第２の実施の形態に係るノズル部５ａを示す図である。図１０のノズル部５ａの外形は、所定の中心軸Ｃ１を中心とする略円錐形状の下部と、円柱状の上部とを有する。ノズル部５ａは、案内面５３１と、環状噴出口５３２と、処理液供給口５３３と、ガス室５３４と、処理液室５３５と、補助ガス噴出口５３７と、補助ガス連絡路５３８とを備える。図１０のノズル部５ａでは、これらの構成要素のそれぞれは１つのみ設けられる。案内面５３１は中心軸Ｃ１を中心とする略円錐面である。案内面５３１の下側の端部は、中心軸Ｃ１を中心とする環状の下端エッジ５３６を有する。環状の下端エッジ５３６は、補助ガス噴出口５３７のエッジでもある。
【００５４】
ノズル部５ａが設けられる基板処理装置１では、２つのガス供給管４１１および１つの処理液供給管４２１が設けられる。２つのガス供給管４１１は、ガス室５３４および補助ガス連絡路５３８にそれぞれ接続される。処理液供給管４２１は、処理液室５３５に接続される。案内面５３１は、処理液供給口５３３の部位を除き、下端エッジ５３６からガス室５３４内へと連続する平滑面である。中心軸Ｃ１を中心とする環状噴出口５３２は、処理液供給口５３３とガス室５３４との間における案内面５３１の部分と、当該部分に等間隔にて対向する面とにより形成され、ガス室５３４から連続する。ガス供給部４１（図１参照）によるガス室５３４内へのガスの供給により、環状噴出口５３２から案内面５３１に沿ってガスが噴出される。すなわち、頂部が基部よりも下方に位置する略円錐面である案内面５３１に沿って、当該基部から当該頂部に向かう方向にガスが噴出される。これにより、下端エッジ５３６に向かうとともに案内面５３１に沿って流れるガス流が形成される。
【００５５】
また、補助ガス噴出口５３７は、中心軸Ｃ１に沿って伸びる円筒面により形成される。補助ガス噴出口５３７は、補助ガス連絡路５３８から連続して当該頂部近傍において開口する。すなわち、補助ガス噴出口５３７は、当該頂部近傍に設けられる。ガス供給部４１による補助ガス連絡路５３８へのガスの供給により、補助ガス噴出口５３７から中心軸Ｃ１に沿ってガスが噴出される。例えば、補助ガス噴出口５３７から噴出されるガスの流量は、環状噴出口５３２から噴出されるガスの流量よりも小さい。処理液供給口５３３は、中心軸Ｃ１を中心とする環状であり、中心軸Ｃ１に沿って伸びるとともに互いに平行な２つの円筒面により形成される。処理液供給口５３３は、処理液室５３５から連続して案内面５３１において開口する。処理液供給部４２による処理液室５３５内への処理液の供給により、処理液供給口５３３から、上記ガス流と案内面５３１との間に処理液が供給される。
【００５６】
ノズル部５ａの作製では、中心軸Ｃ１を中心とする筒状の第１部材５４１が、略筒状の第２部材５４２に挿入され、当該第２部材５４２が略筒状の第３部材５４３に挿入される。案内面５３１は、第１部材５４１の外周面の一部、および、第２部材５４２の外周面の一部を含む。環状噴出口５３２およびガス室５３４は、第２部材５４２の外周面の一部、および、第３部材５４３の内周面の一部により形成される。処理液供給口５３３および処理液室５３５は、第１部材５４１の外周面の一部、および、第２部材５４２の内周面の一部により形成される。補助ガス噴出口５３７および補助ガス連絡路５３８は、第１部材５４１の内周面により形成される。ノズル部５ａ（の第１ないし第３部材５４１〜５４３）は、例えば、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）や石英にて形成される（後述の図１１のノズル部５ｂにおいて同様）。
【００５７】
図１０のノズル部５ａでは、環状噴出口５３２から噴出されるガスにより案内面５３１に沿って流れるガス流が形成され、ガス流と案内面５３１との間に処理液供給口５３３から処理液が供給される。処理液は、ガス流と案内面５３１との間にて引き伸ばされて薄膜流となり、下端エッジ５３６において案内面５３１から離れて飛散する。
【００５８】
ここで、環状噴出口５３２の一部から噴出されるガスにより引き伸ばされて下端エッジ５３６から飛散する処理液に着目すると、環状噴出口５３２の他の一部から噴出されて案内面５３１に沿って流れるガス流が、下端エッジ５３６近傍にて当該処理液に対して衝突する。すなわち、環状噴出口５３２の一部が、処理液を薄膜流として下端エッジ５３６へと運ぶガス流を形成する第１ガス噴出口として機能し、環状噴出口５３２の他の一部が、下端エッジ５３６から飛散する処理液に衝突するガス流を形成する第２ガス噴出口として機能する。これにより、均一な粒径の多数の液滴が生成される。ノズル部５ａでは、処理液の薄膜流同士が下端エッジ５３６の近傍にて互いに衝突していると捉えることもできる。
【００５９】
以上のように、図１０のノズル部５ａでは、均一な粒径の多数の液滴を吐出することができ、ノズル部５ａを有する基板処理装置１では、基板９を適切に処理することができる。また、ノズル部５ａが、中心軸Ｃ１に沿ってガスを噴出する補助ガス噴出口５３７を有することにより、基板９に向けて吐出される液滴の状態（例えば、液滴の粒径や吐出速度等）を変更することが容易に可能となる。
【００６０】
図１１は、本発明の第３の実施の形態に係るノズル部５ｂを示す図である。図１１のノズル部５ｂは、２つの案内面５５１と、２つのガス噴出口５５２と、２つの処理液供給口５５３と、２つのガス連絡路５５４と、２つの処理液連絡路５５５とを備える。２つの案内面５５１は、所定の中心軸Ｃ１を中心とする筒状案内部５５０の内周面および外周面をそれぞれ含む。筒状案内部５５０は筒状部材５６１の端部である。筒状案内部５５０では、筒状部材５６１の中央部から離れるに従って径方向の厚さが漸次減少する。すなわち、筒状案内部５５０において筒状部材５６１の中央部側を一端とすると、当該一端から他端に向かうに従って肉厚が漸次減少する。本実施の形態では、２つの案内面５５１は、中心軸Ｃ１を中心とする略円錐台面である。各案内面５５１の下側の端部は、筒状案内部５５０の当該他端であり、中心軸Ｃ１を中心とする環状の下端エッジ５５６を有する。２つの案内面５５１における下端エッジ５５６はほぼ一致する。図１１では、２つの案内面５５１のうち一方の案内面５５１の直径が下端エッジ５５６に向かって漸次減少し、他方の案内面５５１の直径が下端エッジ５５６に向かって漸次増大するが、例えば、２つの案内面５５１の双方の直径が下端エッジ５５６に向かって漸次増大または減少してもよい。
【００６１】
ノズル部５ｂが設けられる基板処理装置１では、２つのガス供給管４１１および２つの処理液供給管４２１が設けられる。２つのガス供給管４１１は、２つのガス連絡路５５４にそれぞれ接続される。２つの処理液供給管４２１は、２つの処理液連絡路５５５にそれぞれ接続される。各案内面５５１は、処理液供給口５５３の部位を除き、下端エッジ５５６からガス連絡路５５４へと連続する平滑面である。各ガス噴出口５５２は、中心軸Ｃ１を中心とする環状である。ガス噴出口５５２は、処理液供給口５５３とガス連絡路５５４との間における案内面５５１の部分と、当該部分に等間隔にて対向する面とにより形成され、ガス連絡路５５４から連続する。ガス供給部４１（図１参照）によるガス連絡路５５４内へのガスの供給により、ガス噴出口５５２から案内面５５１に沿ってガスが噴出される。すなわち、円錐台面である案内面５５１に沿って、筒状案内部５５０の上記一端から他端に向かう方向にガスが噴出される。これにより、下端エッジ５５６に向かうとともに案内面５５１に沿って流れるガス流が形成される。
【００６２】
各処理液供給口５５３は、中心軸Ｃ１を中心とする環状であり、中心軸Ｃ１に沿って伸びるとともに互いに平行な２つの円筒面により形成される。処理液供給口５５３は、処理液連絡路５５５から連続して案内面５５１において開口する。処理液供給部４２による処理液連絡路５５５内への処理液の供給により、処理液供給口５５３から、上記ガス流と案内面５５１との間に処理液が供給される。処理液は、ガス流と案内面５５１との間にて引き伸ばされて薄膜流となり、下端エッジ５５６において案内面５５１から離れて飛散する。
【００６３】
ここで、既述のように、ノズル部５ｂでは、２つの案内面５５１が設けられており、両案内面５５１が下端エッジ５５６を共有している。一方の案内面５５１に沿って流れて下端エッジ５５６から飛散する処理液に着目すると、当該処理液に対して、他方の案内面５５１に沿って流れるガス流が下端エッジ５５６近傍にて衝突する。すなわち、２つのガス噴出口５５２のうちの一方を、処理液を薄膜流として下端エッジ５５６へと運ぶガス流を形成する第１ガス噴出口として捉えると、他方が、下端エッジ５５６から飛散する処理液に衝突するガス流を形成する第２ガス噴出口となる。これにより、均一な粒径の多数の液滴が生成される。ノズル部５ｂでは、２つの案内面５５１に沿って流れる処理液の薄膜流同士が下端エッジ５５６の近傍にて互いに衝突していると捉えることもできる。
【００６４】
以上のように、図１１のノズル部５ｂでは、均一な粒径の多数の液滴を吐出することができ、ノズル部５ｂを有する基板処理装置１では、基板９を適切に処理することができる。また、ノズル部５ｂでは、環状の下端エッジ５５６が基板９の上面９１に平行であることにより、上面９１の全体に均一な処理を行うことが容易に実現される。
【００６５】
上記基板処理装置１では様々な変形が可能である。
【００６６】
例えば、図４の本体プレート５１を有するノズル部５において、２つの案内面５１１の下端エッジの間に、プレート厚さ方向に長い補助ガス噴出口が設けられてよい。この場合、２つの案内面５１１の下端エッジは、互いに平行かつ近接して設けられる。
【００６７】
２つの案内面５１１が設けられる図４のノズル部５において、一方の案内面５１１における処理液供給口５１３が省略されてもよい。同様に、２つの案内面５５１が設けられる図１１のノズル部５ｂにおいて、筒状案内部５５０の内周面および外周面の一方を含む案内面５５１における処理液供給口５５３が省略されてもよい。いずれの場合でも、他方の案内面５１１，５５１における処理液供給口５１３，５５３から供給されて下端エッジ５１６，５５６から飛散する処理液に対して、当該一方の案内面５１１，５５１に沿って流れるガス流を衝突させることにより、均一な粒径の多数の液滴を吐出することが可能である。ノズル部の設計によっては、飛散する処理液に衝突するガス流を案内する案内面が省略されてもよい。多数の液滴を効率よく生成するという観点では、当該一方の案内面５１１，５５１に沿って流れるガス流と、当該一方の案内面５１１，５５１との間に処理液を供給する処理液供給口５１３，５５３が、当該一方の案内面５１１，５５１にも設けられることが好ましい。
【００６８】
ノズル部５の下端エッジ５１６に垂直な断面、および、ノズル部５ａ，５ｂの中心軸Ｃ１を含む断面において、案内面５１１，５３１，５５１の形状が湾曲していてもよい。また、図１２に示すように、ガス噴出口５１２の下端、すなわち、案内面５１１と等間隔にて対向する面の下端が、下端エッジ５１６の上側近傍に配置されてもよい。案内面５１１に沿って流れるガス流を形成するガス噴出口５１２は、様々な態様にて実現可能である（ノズル部５ａ，５ｂにおいて同様）。なお、図１２の例では、ガス噴出口５１２は、板状部材である本体プレート５１の側面に直接的に開口し、処理液供給口５１３は、ガス噴出口５１２の一部を介して当該側面に間接的に開口している。
【００６９】
基板処理装置１では、２つのガス供給管４１１からノズル部５，５ａ，５ｂに互いに異なる種類のガスが供給されてよい。同様に、２つの処理液供給管４２１からノズル部５，５ｂに互いに異なる種類の処理液が供給されてよい。
【００７０】
基板９を回転する基板回転機構は、シャフトを回転するモータ以外に、例えば、複数のコイルを含む円環状のステータ部により、環状の永久磁石を含むロータ部を浮遊状態にて回転する機構等であってもよい。また、ノズル移動機構は、アームに取り付けられたノズル部を回動する機構以外に、ノズル部を直線移動させる機構等であってもよい。
【００７１】
基板処理装置１にて処理される基板は半導体基板には限定されず、ガラス基板や他の基板であってもよい。
【００７２】
上記実施の形態および各変形例における構成は、相互に矛盾しない限り適宜組み合わされてよい。
【符号の説明】
【００７３】
１    基板処理装置
５，５ａ，５ｂ    ノズル部
９    基板
１０    制御部
２１    スピンモータ
４３    ノズル移動機構
４４    ノズル昇降機構
５１    本体プレート
９１    上面
４１２    ガス流量調整部
４２２    処理液流量調整部
５１１，５３１，５５１    案内面
５１２，５５２    ガス噴出口
５１３，５３３，５５３    処理液供給口
５１６，５３６，５５６    下端エッジ
５３２    環状噴出口
５３７    補助ガス噴出口
５５０    筒状案内部
Ｃ１    中心軸
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
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【図９Ａ】
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【図９Ｂ】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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