(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
光に応答して動作するデバイスに用いられる、光誘電効果を有する光応答性誘電体であって、
ＬａＡｌ1-xＺｎxＯ3（０．００＜ｘ＜０．０３）である光応答性誘電体。
【請求項２】
前記デバイスが、前記光誘電効果を有する光応答性誘電体と一対の電極とを含む容量変化検出素子である、請求項１に記載の光応答性誘電体。
【請求項３】
前記容量変化検出素子が、電荷による容量の変化も検出する、請求項２に記載の光応答性誘電体。
【請求項４】
前記光誘電効果の効率が２．５％以上である、請求項１〜３のいずれか一項に記載の光応答性誘電体。
【請求項５】
光誘電効果を有する光応答性誘電体と一対の電極とを含む、容量変化検出素子であって、
前記光応答性誘電体がＬａＡｌ1-xＺｎxＯ3（０．００＜ｘ＜０．０３）である、
容量変化検出素子。
【請求項６】
電荷による容量変化も検出する、請求項５に記載の容量変化検出素子。
【請求項７】
前記光誘電効果の効率が２．５％以上である、請求項５または６に記載の容量変化検出素子。
【請求項８】
請求項５〜７のいずれか一項に記載の容量変化検出素子を含むポインティングデバイス。
【請求項９】
タッチパネルである、請求項８に記載のポインティングデバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光応答性誘電体及び光応答性誘電体を含む容量変化検出素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
コンピュータと人間の接点であるマンマシンインタフェースの一つとして、マウス、トラックボール、タッチパネル等のポインティングデバイスが用いられている。
【０００３】
タッチパネルは、携帯電話やスマートフォン、携帯型ゲーム機器、タブレット型ＰＣやノート型ＰＣに、近年、タッチパネルが好適に使用されている。
【０００４】
タッチパネルは、上記使用用途に合わせて抵抗膜方式、表面弾性波方式、赤外線方式、電磁誘導方式、静電容量方式等、種々の方式が採用されているが、静電容量方式は複数点の同時の位置検出を可能とするため、近年、静電容量方式のタッチパネルが、スマートフォンやタブレット型ＰＣ等に採用されている。
【０００５】
特許文献１には、それぞれ所定のパターン形状を有する透明導電膜を備えた一対の透明面状体の間に誘電体層が介在されて構成されており、指などが操作面に触れると、人体を介して接地されることによる静電容量の変化を利用して、タッチ位置を検出することができるタッチパネルが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００３−１７３２３８号公報
【非特許文献】
【０００７】
【非特許文献１】S. Kronenberg and C. A. Accardo, Phys. Rev. 101, 989 (1956).
【非特許文献２】M. Takesada, T. Yagi, M. Itoh, and S. Koshihara, J. Phys. Soc. Jpn. 72, 37 (2003).
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、従来の静電容量方式のタッチパネル等のポインティングデバイスでは、位置検出のために指や帯電したペンなどを素子に接近させる必要がある。そのために、タッチパネルから離れた場所からポイントすることは困難であった。
【０００９】
遠隔からのポインティングデバイスとしては、マウスやトラックパッド等が実用されているが、これらは独りの操作者を前提としたデバイスであり、たとえば大型のディスプレイを囲む複数人の使用には適していない。
【００１０】
他にも、操作者のジェスチャーをカメラで撮影し、画像処理によりポインティング情報を検出する方法も提案されているが、原理的に位置精度が劣る。
【００１１】
光検出素子をポインティングデバイス等のタッチパネルに応用する方式も提案されているが、通常の静電容量検出方式と両立させるためには、これにフォトダイオードなどの素子を追加する必要があり、現実的なコストでこれを実現することは困難であった。
【００１２】
したがって、近接及び遠隔のいずれからも操作可能な光に応答して動作するデバイスを安価に提供することができる技術が望まれている。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明者は、上記課題に鑑みて、光誘電効果を有する光応答性誘電体を新規に見出した。本発明者が見出した光応答性誘電体は、光誘電効果を有し、光に応答して動作するデバイスに使用することができる。
【００１４】
本発明は、光に応答して動作するデバイスに用いられる、光誘電効果を有する光応答性誘電体を対象とする。
【００１５】
本発明はまた、光誘電効果を有する光応答性誘電体と一対の電極とを含む、容量変化検出素子を対象とする。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、近接及び遠隔のいずれからも操作可能な光に応答して動作するデバイスを安価に提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】図１は、光誘電効果の測定系の模式図である。
【図２】図２は、ＬａＡｌ1-xＺｎxＯ3のｘを変えて、ＬａＡｌ1-xＺｎxＯ3に光を照射したときの１ＭＨｚにおける誘電率の変化を示すグラフである。
【図３】図３は、光を照射しない場合と光を照射した場合の、ＬａＡｌ0.99Ｚｎ0.01Ｏ3の誘電率の周波数依存性を表したグラフである。
【図４】図４は、光を照射しない場合（Dark）と、照射する光の光強度を１０〜７０％に変化させた場合のＬａＡｌ0.99Ｚｎ0.01Ｏ3の誘電率の変化を表すグラフである。
【図５】図５は、図４の誘電率測定結果に対応するＬａＡｌ0.99Ｚｎ0.01Ｏ3の誘電損失（tanδ）の周波数依存性を示すグラフである。
【図６】図６は、光を照射しない場合と光を照射した場合の、ＬａＡｌＯ3の誘電率の周波数依存性を表したグラフである。
【図７】図７は、光を照射しない場合（Dark）と、照射する光の光強度を１０〜５０％に変化させた場合のＬａＡｌ0.97Ｚｎ0.03Ｏ3の誘電率の変化を表すグラフである。
【図８】図８は、光を照射しない場合と光を照射した場合の、ＰｂＭｇ1/3Ｎｂ2/3Ｏ3の誘電率の周波数依存性を表したグラフである。
【図９】図９は、図８の誘電率測定結果に対応するＰｂＭｇ1/3Ｎｂ2/3Ｏ3の誘電損失（tanδ）の周波数依存性を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
本発明は、光に応答して動作するデバイスに用いられる、光誘電効果を有する光応答性誘電体を対象とする。デバイスが光に応答して動作するので、近接及び遠隔のいずれからもデバイスを操作することができる。
【００１９】
デバイスは、好ましくは、光誘電効果を有する光応答性誘電体と一対の電極とを含む容量変化検出素子である。本願における光誘電効果とは、マクスウェルワグナー効果にはよらず、誘電損失が少なく、光により誘電率が変化する効果をいう。
【００２０】
従来、硫化物系蛍光材料や量子常誘電体であるＳｒＴｉＯ3などで、光照射による誘電率の変化が報告されている（非特許文献１、非特許文献２）。しかしながら、これらの光照射による誘電率の変化は、光照射によって光励起による部分的な伝導領域が形成されることに起因するマクスウェル-ワグナー効果によるものである。マクスウェル-ワグナー効果により誘電率の増加を示す誘電体は、誘電損失が極めて大きく絶縁性の低下が顕著であり、本発明に係る光応答性誘電体とは明確に区別される。
【００２１】
マクスウェル-ワグナー効果により誘電率の増加を示す誘電体の誘電損失（tanδ）は１．０を超えるが、本願発明に係る光応答性誘電体のtanδは、１０4Hz以上、好ましくは１０5Hz以上、より好ましくは１０5〜１０6Hzの周波数範囲で、好ましくは０．３以下、より好ましくは０．２以下、さらに好ましくは０．１以下、さらにより好ましくは０．０６以下であることができる。
【００２２】
また、マクスウェル-ワグナー効果による誘電率の増加は、１０2〜１０4Ｈｚの低周波数領域に現れる。これに対して、本発明に係る光応答性誘電体が有する光誘電効果は、１０4Ｈｚ以上、好ましくは１０5Ｈｚ以上、より好ましくは１０5〜１０6Hzの高周波数領域の誘電率の変化として現れる。したがって、本発明に係る光応答性誘電体の光誘電効果は、１０4〜１０6Ｈｚの周波数範囲、１０5〜１０6Ｈｚの周波数範囲、または１０6Ｈｚの周波数において評価することができる。
【００２３】
本発明における光応答性誘電体は上記の光誘電効果を有するので、光応答性誘電体を備えた容量変化検出素子は、近接及び遠隔のいずれからの光によっても、その容量の変化を検出することができる。
【００２４】
本発明に係る光応答性誘電体は、好ましくはバンドギャップと同等またはバンドギャップ未満のエネルギーを有する光を照射しても光誘電効果を有することができる。
【００２５】
本発明に係る容量変化検出素子は、光誘電効果を有する誘電体と一対の電極とを含み、他の構成は、従来のタッチパネル等のポインティングデバイスに用いられる静電容量の変化を検出する素子と同様であることができる。容量変化検出素子は、例えば、ガラス等の基板の上に、電極、光応答性誘電体、電極、及びカバーを配置して、作製され得る。
【００２６】
一対の電極は、光応答性誘電体を挟んで配置することができる。電極は、従来用いられている透明電極であることができ、例えば酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）を電極として用いることができる。従来行われている方法と同様に、例えばエッチング、リフトオフ、マスク蒸着等により、電極パターンを形成することができる。
【００２７】
容量変化検出素子は、好ましくは、電荷による容量の変化も検出する。光応答性誘電体が、光による誘電率の変化に加えて、電荷によっても誘電率を変化させることができる場合、容量変化検出素子は、近接及び遠隔からの光によりその容量の変化を検出することに加えて、静電的な導電性を有する物体を近接または接触させて、その容量の変化を検出することも可能となる。
【００２８】
容量変化検出素子は、誘電体の温度変化による容量の変化をさらに検出してもよい。光応答性誘電体が、光による誘電率の変化に加えて、温度によっても誘電率を変化させることにより、容量変化検出素子は、近接及び遠隔からの光によりその容量の変化を検出することに加えて、近接または遠隔から熱源にさらして、または熱源に接触させて、その容量の変化を検出することも可能となる。一方で、光応答性誘電体の誘電率が温度依存性を示す場合、光応答性誘電体の誘電率の温度依存性をあらかじめ測定しておき、温度変化があったときに、容量変化検出素子が検出する温度による誘電率の変化を無くすように、容量変化検出素子または容量変化検出素子に接続される回路が、誘電率の温度補償をしてもよい。
【００２９】
光応答性誘電体は、好ましくは、ＬａＡｌ1-xＺｎxＯ3（０．００＜ｘ＜０．０３）である。ＬａＡｌ1-xＺｎxＯ3は光誘電効果を有し、光に応答して動作するデバイスに用いることができる。ＬａＡｌ1-xＺｎxＯ3を備えた容量変化検出素子は、近接及び遠隔の両方からの光により、容量の変化を検出することができる。
【００３０】
ＬａＡｌ1-xＺｎxＯ3のｘの範囲は、０．００よりも大きく０．０３未満、好ましくは０．００５以上０．０２５以下、より好ましくは０．０１以上０．０２以下である。ｘが上記範囲のときに、大きな光誘電効果が得られる。
【００３１】
光誘電効果の測定は、浜松ホトニクスのＬＣ−Ｌ２光源を備える図１の測定系と、Ｐｒｅｃｉｓｉｏｎ  ＬＣＲ−ｍｅｔｅｒ（製造元：Ａｇｉｌｅｎｔ、型番Ｅ４９８０Ａ）を用いて行うことができる。
【００３２】
図１の測定系においては、ペルチェ素子上に誘電体試料を配置し、誘電体試料の上にマスクが配置される。放射温度計で誘電体試料の表面温度を測定し、白金抵抗温度計（ＰＲＴ）で誘電体試料の裏面温度を測定しながら、誘電体試料の表面から１ｃｍ上方に配置した浜松ホトニクスのＬＣ−Ｌ２光源から３６５ｎｍの光をスポット照射して、ＬＣＲメーターで誘電率の変化を測定することができる。このとき、誘電体試料の表面温度と裏面温度とが実質的に無視できる温度差であって、厚み方向に実質的に一定温度であることを確認する。光照射等により誘電体試料の温度が変化した場合は、別途、誘電体試料の誘電率の温度依存性を測定しておき、温度による誘電率変化の影響を除くことにより、光誘電効果を測定することができる。
【００３３】
図２に、ＬａＡｌ1-xＺｎxＯ3のｘを変えて、光強度５０％で光を照射したときの１ＭＨｚにおける誘電率の変化を示す。図２のグラフは、ＬａＡｌ1-xＺｎxＯ3試料に光照射しながら測定して得られたデータから、温度上昇による誘電率の変化を差し引いた結果である。ｘが０．００より大きく０．０３未満の範囲で、光照射による誘電率の向上効果が得られ、ｘが０．００５〜０．０２５の範囲で、より高い誘電率向上効果が得られ、ｘが０．０１〜０．０２の範囲で８％以上の誘電率向上効果が得られる。
【００３４】
光強度とは、図１の測定系に備える浜松ホトニクスのＬＣ−Ｌ２光源の最大照射強度を１００％としたときの相対的な強度である。ＬＣ−Ｌ２光源の最大照射強度を１００％としたとき、光源から１ｃｍの距離における照射強度は７８ｍＷ／ｃｍ2である。光を照射しない場合（Dark）とは、暗室における測定をいう。
【００３５】
上記範囲のｘを有するＬａＡｌ1-xＺｎxＯ3のｔａｎδは、１０4Ｈｚ以上、好ましくは１０5Ｈｚ以上、より好ましくは１０5〜１０6Hzの周波数範囲で、好ましくは０．３以下、より好ましくは０．２以下、さらに好ましくは０．１以下、さらにより好ましくは０．０６以下であることができる。
【００３６】
光応答性誘電体は、好ましくは、ＰｂＭｇ1/3Ｎｂ2/3Ｏ3である。ＰｂＭｇ1/3Ｎｂ2/3Ｏ3は光誘電効果を有し、光に応答して動作するデバイスに用いることができる。光応答性誘電体であるＰｂＭｇ1/3Ｎｂ2/3Ｏ3を備えた容量変化検出素子は、近接及び遠隔の両方からの光により、容量の変化を検出することができる。ＰｂＭｇ1/3Ｎｂ2/3Ｏ3も光を照射することにより、１０4Hz以上、好ましくは１０5Hz以上、より好ましくは１０5〜１０6Hzの周波数範囲で誘電率の向上効果が得られ、１ＭＨｚにおいて、光を照射しない場合（Dark）に対して、９％以上の誘電率の変化を示すことができる。
【００３７】
ＰｂＭｇ1/3Ｎｂ2/3Ｏ3のtanδは、１０4Hz以上、好ましくは１０5Hz以上、より好ましくは１０5〜１０6Hzの周波数範囲で、好ましくは０．０２以下、より好ましくは０．０．０１以下であることができる。
【００３８】
上記範囲のｘを有するＬａＡｌ1-xＺｎＯ3及びＰｂＭｇ1/3Ｎｂ2/3Ｏ3は、バンドギャップと同等またはバンドギャップ未満のエネルギーを有する光を照射しても、光誘電効果を得ることができる。
【００３９】
ＰｂＭｇ1/3Ｎｂ2/3Ｏ3を、ＰｂＭｇ1/3Ｎｂ2/3Ｏ3とチタン酸鉛との固溶体であるＰｂＭｇ1/3Ｎｂ2/3Ｏ3）1-x（ＰｂＴｉＯ3）x（０．０＜ｘ≦０．１）としてもよい。ＰｂＭｇ1/3Ｎｂ2/3Ｏ3）1-x（ＰｂＴｉＯ3）xも、良好な光誘電効果を有する。
【００４０】
光誘電効果の効率は、好ましくは２．５％、より好ましくは５％以上、さらに好ましくは８％である。光誘電効果の効率とは、光が照射されない環境下（Dark）における光応答性誘電体の誘電率を基準とした、光を照射したときの誘電体の誘電率の変化率である。
【００４１】
ＬａＡｌ1-xＺｎxＯ3及びＰｂＭｇ1/3Ｎｂ2/3Ｏ3の形成方法は特に限定されず、それぞれ、焼結、スパッタリング、パルスレーザーデポジション、ＥＢ蒸着等の物理気相蒸着（ＰＶＤ法）、化学気相蒸着法（ＣＶＤ法）等により形成することができる。上記方法を用いて、例えば酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）の透明電極パターン上に、ＬａＡｌ1-xＺｎxＯ3やＰｂＭｇ1/3Ｎｂ2/3Ｏ3を配置することができる。
【００４２】
本発明はまた、光誘電効果を有する光応答性誘電体と一対の電極とを含む、容量変化検出素子を対象とする。
【００４３】
本発明に係る容量変化検出素子は、近接及び遠隔のいずれからの光によっても容量の変化を検出することができる。近接からは、例えばライトペンのような光源から光を照射し、遠隔からは、例えば指向性の高いレーザーポインターのような光源から光を照射し、これらの照射光により高精度に容量の変化箇所を検出することができる。
【００４４】
容量変化検出素子は、好ましくは電荷による容量変化も検出する。容量変化検出素子が、電荷による容量変化も検出する場合、容量変化検出素子を例えばタッチパネルに用いると、上記の近接及び遠隔からの光照射による操作に加えて、従来の静電容量検出型タッチパネルとしての機能も有することができる。
【００４５】
その他の容量変化検出素子に関する構成は、上述の通りである。
【００４６】
本発明に係る容量変化検出素子を配列して、ポインティングデバイスを得ることができる。本発明に係る容量変化検出素子を備えたポインティングデバイスは、近接及び遠隔のいずれからも高精度に操作することができる。
【００４７】
容量変化検出素子が、電荷による容量変化も検出する場合、近接または遠隔からの光による容量の変化を検出することに加えて、静電的な導電性を有する物体を近接または接触させて、その容量の変化を検出することも可能となる。
【００４８】
本発明に係る容量変化検出素子を備えたポインティングデバイスは、従来のポインティングデバイスの構成と同様であることができ、例えば、ディスプレイの部材上に、ガラス等の基板、電極、光応答性誘電体、電極、及びカバーが配置されて作製され得る。
【００４９】
容量変化検出素子の光応答性誘電体の厚みは、容量及び光吸収の観点から調節することができ、例えば１００ｎｍ〜１０μｍの厚みにすることができる。
【００５０】
本発明に係る容量変化検出素子を備えたポインティングデバイスはタッチパネルであることができる。近接からは、例えばライトペンを用いて操作することができ、遠隔からは、例えば指向性の高いレーザーポインターを用いて操作することができる。
【００５１】
タッチパネルに含まれる容量変化検出素子が、電荷による容量変化も検出する場合、タッチパネルは、近接または遠隔からライトペンやレーザーポインターを照射して操作されることに加えて、静電容量型タッチパネルとしても機能することができる。
【００５２】
本発明に係る容量変化検出素子を備えたタッチパネルは、従来のタッチパネルの構成と同様であることができ、例えば、ディスプレイの部材上に、ガラス等の基板、電極、光応答性誘電体、電極、及びカバーが配置されて形成され得る。
【００５３】
例えば、従来の静電容量方式のタッチパネルと同様に、透明誘電体の両側に縦横２層からなる透明導電層を設け、近接からライトペン、または遠隔からレーザーポインターの光をタッチパネルに向けて照射することにより、接触位置の電極の容量の変化を縦横２つの電極列から知ることができ、接触位置を精密に判別することができる。また、タッチパネルに備える容量変化検出素子が電荷による容量変化も検出する場合、操作者が指等の静電的な導電性を有する物体をタッチパネルに接触させることでも、接触位置の電極の容量の変化を縦横２つの電極列から知ることができ、接触位置を精密に判別することができる。
【００５４】
本発明を利用するにあたり、照射する光の波長は、光応答性誘電体が吸収を示す波長であればよく、可視域からバンドギャップを超えた紫外域までの波長範囲であることができる。本発明に係る光応答性誘電体は、この範囲で光誘電効果を有することができる。
【実施例】
【００５５】
（実施例１）
Ｌａ2Ｏ3、Ａｌ2Ｏ3、及びＺｎＯの粉末試料を、メノウ乳鉢とメノウ乳棒を用いてエタノール中で湿式混合した。混合粉末を、１２００℃で１２時間、か焼した。か焼した粉末を、メノウ乳鉢とメノウ乳棒を用いて粉砕及び再混合し、その後ペレット成形した。ペレット成形した試料を、１４００℃で１２時間焼成して、焼結することにより、直径１０ｍｍ、厚みが３００μｍで、ＬａＡｌ1-xＺｎxＯ3のｘが０．０１である、ＬａＡｌ0.99Ｚｎ0.01Ｏ3の焼結体を作製した。
【００５６】
得られたＬａＡｌ0.99Ｚｎ0.01Ｏ3について、図１の光誘電効果の測定系と、Ｐｒｅｃｉｓｉｏｎ  ＬＣＲ−ｍｅｔｅｒ（製造元：Ａｇｉｌｅｎｔ、型番Ｅ４９８０Ａ）を用いて、室温にて、光を照射しない場合（Dark）と、５０％の光強度を有する光を照射した場合の光誘電効果を測定した。光誘電効果の測定は、光源と誘電体試料の表面との間の距離を１ｃｍにして行った。
【００５７】
図３に、光を照射しない場合と光を照射した場合の、ＬａＡｌ0.99Ｚｎ0.01Ｏ3の誘電率の周波数依存性を表したグラフを示す。図３のデータは、温度上昇による誘電率の変化を差し引いたデータである。以下のデータも同様である。
【００５８】
図３に示すように、光を照射しない場合（Dark）に対して、５０％の光強度を有する光を照射した場合、１ＭＨｚにおいて、誘電率は８％大きくなった。
【００５９】
図３において、光を照射しない場合に、低周波数側で誘電率が大きく変化しているが、この低周波数側の誘電率の変化はマクスウェルワグナー効果によるものであり、本発明に係る光応答性誘電体が有する光誘電効果は、１０5〜１０6Ｈｚの範囲の高周波数側において、光を照射しない場合（Dark）に対して、ほぼ一定の増加割合の誘電率の変化として現れた。
【００６０】
（実施例２）
実施例１で作製したＬａＡｌ0.99Ｚｎ0.01Ｏ3について、照射する光の光強度を変化させたときの誘電率の変化を評価した。図４に、光を照射しない場合（Dark）と、照射する光の光強度を１０〜７０％に変化させた場合の誘電率の変化を表すグラフを示す。光強度が大きいほど光誘電効果が大きくなり、光強度が１０〜７０％のときに、光を照射しない場合（Dark）に対して、１ＭＨｚにおける誘電率は２．５〜６．５％大きくなった。
【００６１】
図５に、図４の誘電率測定結果に対応する誘電損失tanδの周波数依存性を示す。誘電損失tanδは、室温にて、Precision LCR-meter（製造元：Agilent、型番E4980A）により測定した。ＬａＡｌ0.99Ｚｎ0.01Ｏ3のtanδは、１０5〜１０6Ｈｚの周波数範囲で０．０６以下という低い値を示した。
【００６２】
（比較例１）
Ｚｎをドープしなかったこと以外は、比較例１と同様にして、厚みが３００μｍのＬａＡｌＯ3の焼結体を作製した。ＬａＡｌＯ3は、ＬａＡｌ1-xＺｎxＯ3のｘを０．００としたものである。図６に示すように、光を照射しない場合（Dark）と光を照射した場合（光強度５０％）との間で、誘電率の変化はみられなかった。図６は、光を照射しない場合と光を照射した場合の、ＬａＡｌＯ3の誘電率の周波数依存性を表したグラフである。
【００６３】
（比較例２）
Ｚｎのドープ量が３％となるように調製したこと以外は、実施例１と同様にして、厚みが３００μｍのＬａＡｌ0.97Ｚｎ0.03Ｏ3の焼結体を作製した。図７に、光を照射しない場合（Dark）と、照射する光の光強度を１０〜５０％に変化させた場合のＬａＡｌ0.97Ｚｎ0.03Ｏ3の誘電率の変化を表すグラフを示す。図７に示すように、光を照射しない場合（Dark）と光を照射した場合（光強度１０〜５０％）との間で、１０5〜１０6Ｈｚの周波数領域において、誘電率の変化はみられなかった。
【００６４】
（実施例３）
ＭｇＯ及びＮｂ2Ｏ5の粉末を、化学量論比組成にて、メノウ乳鉢で混合し、混合した粉末を１１００℃、大気中で１２時間焼成し、ＭｇＮｂ2Ｏ5（コロンバイト）粉末を作製した。作製したコロンバイト粉末とＰｂＯ（酸化鉛）を１：１．０３の比で、メノウ乳鉢で混合し、９００℃、大気中で１２時間焼成し、ＰｂＭｇ1/3Ｎｂ2/3Ｏ3を主成分とする粉末を作製した。
【００６５】
作製したＰｂＭｇ1/3Ｎｂ2/3Ｏ3を主成分とする粉末と、ＰｂＯ、Ｂ2Ｏ3、及びＭｇＯの粉末とをそれぞれ、３０ｇ、２５ｇ、３ｇ、及び１ｇ秤量し、メノウ乳鉢で混合した。混合した粉末をＰｔるつぼに充填した。Ｐｔ蓋で密閉したるつぼをアルミナ製のるつぼに入れ、蓋をした後、セメント（アロンセラミックスＤ）で密閉した。密閉したるつぼを電気炉に入れ、１２００℃に昇温し、１２００℃で９時間保持した後、８６０℃まで２℃／分で冷却した。その後、電気炉の出力を落として、室温まで冷却を行い、るつぼを取り出した。硝酸にるつぼを浸したのち、撹拌をしながらホットプレートで６０℃に加温し、２日間置くことによってフラックスを溶解させ、縦１ｍｍ、横１ｍｍ、及び厚み１ｍｍのＰｂＭｇ1/3Ｎｂ2/3Ｏ3の単結晶を取り出し、縦１ｍｍ、横１ｍｍ、及び厚み３００μｍまで研磨成形した。
【００６６】
得られたＰｂＭｇ1/3Ｎｂ2/3Ｏ3について、実施例１と同様にして、光を照射しない場合（Dark）と、光を照射した場合の光誘電効果を測定した。図８に、光を照射しない場合と光を照射した場合の、ＰｂＭｇ1/3Ｎｂ2/3Ｏ3の誘電率の周波数依存性を表したグラフを示す。
【００６７】
図８に示すように、光を照射しない場合（Dark）に対して、２０％の光強度を有する光を照射した場合、１ＭＨｚにおいて、誘電率は９％大きくなった。
【００６８】
図９に、図８の誘電率測定結果に対応する誘電損失tanδの周波数依存性を示す。ＬａＡｌ0.99Ｚｎ0.01Ｏ3のtanδは、１０4〜１０6Ｈｚの周波数範囲で０．０１以下という低い値を示した。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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