(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
走査線と、
前記走査線と交差するデータ転送線と、
前記走査線と前記データ転送線との交差に対応して設けられた画素回路と、
前記画素回路にリセット電位を供給するリセット電位供給線と、
前記画素回路を駆動する駆動回路と、
を有し、
前記画素回路は、
前記データ転送線に接続された第１電極と、第２電極とを含む第１容量と、
前記第２電極と、前記リセット電位供給線との間に接続された第１トランジスターと、
ゲート電極、第１電流端、及び第２電流端を備える駆動トランジスターと、
前記第１容量の前記第２電極と、前記駆動トランジスターの前記ゲート電極との間に接続された第２トランジスターと、
前記駆動トランジスターの前記第１電流端と、前記駆動トランジスターの前記ゲート電極とを導通させるための第３トランジスターと、
前記駆動トランジスターを介して供給される電流の大きさに応じた輝度で発光する発光素子と、
前記駆動トランジスターの前記第１電流端と、前記発光素子との間に接続された第４トランジスターと、
を含み、
前記駆動回路は、
第１期間に、前記第１トランジスターをオンさせると共に、前記第３トランジスター及び前記第４トランジスターをオフさせ、前記データ転送線に初期電位を供給し、
前記第１期間に続く第２期間に、前記第１トランジスターをオフさせるとともに、前記第２トランジスター及び前記第３トランジスターをオンさせて、前記駆動トランジスターの前記第１電流端と、前記駆動トランジスターの前記ゲート電極とを導通させると共に、前記第１容量の前記第１電極の電位を一定の変化率で経時的に低下又は上昇させる、
ことを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記駆動回路は、前記第２期間に、一定の変化率で低下する電圧を生成し、前記データ
転送線を介して前記第１容量の前記第１電極に印加する電圧生成回路を含む、
ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記駆動回路は、前記第２期間に、前記データ転送線を介して、前記第１容量の前記第
１電極から定電流を引き込む定電流源を含む、
ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記リセット電位供給線と、前記発光素子との間に接続された第５トランジスターを含む、
ことを特徴とする請求項１乃至３のうちいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記駆動回路は、
前記第２期間に続く第３期間において、前記第１トランジスター及び第３トランジスターをオフさせ、且つ、第２トランジスターをオンさせると共に、指定階調に応じたデータ信号を保持する第２容量を、前記データ転送線に接続する、
ことを特徴とする請求項１乃至４のうちいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項６】
走査線と、
前記走査線と交差するデータ転送線と、
前記走査線と前記データ転送線との交差に対応して設けられた画素回路と、
前記画素回路にリセット電位を供給するリセット電位供給線と、
を有し、
前記画素回路は、
前記データ転送線に接続された第１電極と、第２電極とを含む第１容量と、
前記第２電極と、前記リセット電位供給線との間に接続された第１トランジスターと、
ゲート電極、第１電流端、及び第２電流端を備える駆動トランジスターと、
前記第１容量の前記第２電極と、前記駆動トランジスターの前記ゲート電極との間に接続された第２トランジスターと、
前記駆動トランジスターの前記第１電流端と、前記駆動トランジスターの前記ゲート電極とを導通させるための第３トランジスターと、
前記駆動トランジスターを介して供給される電流の大きさに応じた輝度で発光する発光素子と、
前記駆動トランジスターの前記第１電流端と、前記発光素子との間に接続された第４トランジスターと、
を含む電気光学装置の駆動方法であって、
第１期間に、前記第１トランジスターをオンさせるとともに、前記第３トランジスター及び前記第４トランジスターをオフさせ、前記データ転送線に初期電位を供給し、
前記第１期間に続く第２期間に、前記第１トランジスターをオフさせるとともに、前記第２トランジスター及び前記第３トランジスターをオンさせて、前記駆動トランジスターの前記第１電流端と、前記駆動トランジスターの前記ゲート電極とを導通させると共に、前記第１容量の前記第１電極の電位を一定の変化率で経時的に低下又は上昇させる、
ことを特徴とする電気光学装置の駆動方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置、電子機器、及び電気光学装置の駆動方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、有機発光ダイオード（以下、ＯＬＥＤ（Organic Light Emitting Diode）という）素子などの発光素子を用いた電気光学装置が各種提案されている。この電気光学装置の一般的な構成では、走査線とデータ線との交差に対応して、発光素子やトランジスターなどを含む画素回路が、表示すべき画像の画素に対応して設けられる。
このような構成において、画素の階調レベルに応じた電位のデータ信号が当該トランジスターのゲートに印加されると、当該トランジスターは、ゲート・ソース間の電圧に応じた電流を発光素子に供給する。これにより、当該発光素子は、階調レベルに応じた輝度で発光する。
【０００３】
トランジスターを発光強度の調節に用いる駆動方式では、各画素に設けられたトランジスターの閾値電圧がばらつくと、発光素子に流れる電流がばらつくため、表示画像の画質が低下してしまう。従って、画質の低下を防ぐためには、トランジスターの閾値電圧のばらつきを補償する必要がある。この補償に係る動作（以下、補償動作という）を実行する期間を補償期間といい、補償期間においては、当該トランジスターのドレイン及びゲートを、列ごとに設けられたデータ信号の供給線に接続し、その電位を当該トランジスターの閾値電圧に応じた値に設定する（例えば特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１３−８８６１１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、データ信号の供給線には寄生容量が付随しているため、補償動作を実行する際には当該寄生容量への充電又は放電も行われてしまう。そして、この寄生容量への充電又は放電に要する時間分だけ、補償期間が長くなってしまう。また、当該供給線に付随する寄生容量への充電又は放電に要する時間を考慮せずに補償期間を設定すると、当該補償期間での補償が不充分になってしまう。
本発明は上述した事情に鑑みてなされたものであり、その目的のひとつは、発光強度の調節に用いるトランジスターの閾値電圧のばらつきを補償する補償動作の高速化を実現することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するために、本発明の一態様に係る電気光学装置は、走査線と、前記走査線と交差するデータ転送線と、前記走査線と前記データ転送線との交差に対応して設けられた画素回路と、前記画素回路を駆動する駆動回路と、を有し、前記画素回路は、前記データ転送線に接続された第１電極と、第２電極とを含む第１容量と、前記第２電極と、前記データ転送線にリセット電位を供給するリセット電位供給線との間に接続された第１トランジスターと、ゲート電極、第１電流端、及び第２電流端を備える駆動トランジスターと、前記第１容量の前記第２電極と、前記駆動トランジスターの前記ゲート電極との間に接続された第２トランジスターと、前記駆動トランジスターの前記第１電流端と、前記駆動トランジスターの前記ゲート電極とを導通させるための第３トランジスターと、前記駆動トランジスターを介して供給される電流の大きさに応じた輝度で発光する発光素子と、を含み、前記駆動回路は、第１期間に、前記第１トランジスターをオンさせるとともに、前記第２トランジスター及び前記第３トランジスターをオフさせ、前記データ転送線に初期電位を供給し、前記第１期間に続く第２期間に、前記第１トランジスターをオフさせるとともに、前記第２トランジスター及び前記第３トランジスターをオンさせて、前記駆動トランジスターの前記第１電流端と、前記駆動トランジスターの前記ゲート電極とを導通させると共に、前記第１容量の前記第１電極の電位を一定の変化率で経時的に低下又は上昇させる、ことを特徴とする。
【０００７】
この態様によれば、第２期間（補償期間）では、駆動トランジスターを所謂ダイオード接続した状態で、第１容量の第１電極の電位を、一定の変化率で経時的に変化（例えば低下）させる。これにより、補償動作中に初期電位を一定に維持する構成（第１容量の第１電極の電位を一定に維持する構成）と比較して、当該補償期間に要する時間が短縮される。つまり、補償動作の高速化が実現する。これは、第１容量の第１電極に印加する電位を一定の変化率で経時的に例えば低下させることで、第１電極の電荷を強制的に移動させ、結果として駆動トランジスターのゲート電極の電位が、第１電極の電位の変化率に応じた一定の電流が流れる電位に、迅速に変化するからである。
【０００８】
本発明の他の態様に係る電気光学装置は、前記一態様に係る電気光学装置であって、前記駆動回路は、前記第２期間に、一定の変化率で低下する電圧を生成し、前記データ転送線を介して前記第１容量の前記第１電極に印加する電圧生成回路を含む、ことを特徴とする。この態様によれば、一定の変化率で低下する電圧を第１容量の第１電極に印加することで、当該第１電極の電位を一定の変化率で経時的に低下させることができる。
【０００９】
本発明の他の態様に係る電気光学装置は、前記一態様に係る電気光学装置であって、前記駆動回路は、前記第２期間に、前記データ転送線を介して、前記第１容量の前記第１電極から定電流を引き込む定電流源を含む、ことを特徴とする。この態様によれば、第１容量の第１電極から定電流を引き込むことで、当該第１電極の電位を一定の変化率で経時的に低下させることができる。
【００１０】
本発明の他の態様に係る電気光学装置は、前記一態様に係る電気光学装置であって、前記駆動トランジスターの前記第１電流端と、前記発光素子との間に接続された第４トランジスターを含む、ことを特徴とする。この態様によれば、第４トランジスターが、駆動トランジスターと発光素子との間の電気的な接続を制御するスイッチングトランジスターとして機能する。
【００１１】
本発明の他の態様に係る電気光学装置は、前記一態様に係る電気光学装置であって、前記発光素子にリセット電位を供給するリセット電位供給線と、前記発光素子との間に接続された第５トランジスターを含む、ことを特徴とする。この態様によれば、第５トランジスターが、リセット電位供給線と発光素子との間の電気的な接続を制御するスイッチングトランジスターとして機能する。
【００１２】
本発明の他の態様に係る電気光学装置は、前記一態様に係る電気光学装置であって、前記駆動回路は、前記第２期間に続く第３期間において、前記第１トランジスター及び第３トランジスターをオフさせ、且つ、第２トランジスターをオンさせるとともに、指定階調に応じたデータ信号を保持する第２容量を前記データ転送線に接続する、ことを特徴とする。この態様によれば、第３期間（書込期間）において、各画素の指定階調に応じたデータ信号がデータ転送線を介して画素回路に供給される。
【００１３】
本発明の他の態様に係る電気光学装置は、データ転送線と、前記データ転送線に接続された第１電極と、第２電極とを含む第１容量と、駆動トランジスターと、前記駆動トランジスターの電気特性に応じた電位を前記第２電極に出力する補償部と、前記補償部が前記駆動トランジスターの電気特性に応じた電位を前記第２電極に出力する期間において、前記第１容量の前記第１電極の電位を一定の変化率で経時的に低下又は上昇させる電圧生成回路と、前記データ転送線及び前記第１電極の電位の変化量が階調レベルに応じた値となるように、前記データ転送線及び前記第１電極の電位を切り替えるデータ転送線駆動回路と、前記駆動トランジスターの電気特性に応じた電位から前記変化量分に応じてシフトさせた電位に基づいて供給される電流の大きさに応じた輝度で発光する発光素子と、含むことを特徴とする。
【００１４】
この態様によれば、補償部が駆動トランジスターの電気特性に応じた電位を第２電極に出力する期間（補償期間）では、駆動トランジスターを所謂ダイオード接続した状態で、第１容量の第１電極の電位を、一定の変化率で経時的に変化（例えば低下）させる。これにより、補償動作中に初期電位を一定に維持する構成（第１容量の第１電極の電位を一定に維持する構成）と比較して、当該補償期間に要する時間が短縮される。つまり、補償動作の高速化が実現する。これは、第１容量の第１電極に印加する電位を一定の変化率で経時的に例えば低下させることで、第１電極の電荷を強制的に移動させ、結果として駆動トランジスターのゲート電極の電位が、第１電極の電位の変化率に応じた一定の電流が流れる電位に、迅速に変化するからである。
【００１５】
上記目的を達成するために、本発明の一態様に係る電子機器は、前記各態様のいずれかに係る電気光学装置を備えることを特徴とする。この態様によれば、前記各態様のいずれかに係る電気光学装置を備える電子機器が提供される。
【００１６】
上記目的を達成するために、本発明の一態様に係る電気光学装置の駆動方法は、走査線と、前記走査線と交差するデータ転送線と、前記走査線と前記データ転送線との交差に対応して設けられた画素回路と、を有し、前記画素回路は、前記データ転送線に接続された第１電極と、第２電極とを含む第１容量と、前記第２電極と、前記データ転送線にリセット電位を供給するリセット電位供給線との間に接続された第１トランジスターと、ゲート電極、第１電流端、及び第２電流端を備える駆動トランジスターと、前記第１容量の前記第２電極と、前記駆動トランジスターの前記ゲート電極との間に接続された第２トランジスターと、前記駆動トランジスターの前記第１電流端と、前記駆動トランジスターの前記ゲート電極とを導通させるための第３トランジスターと、前記駆動トランジスターを介して供給される電流の大きさに応じた輝度で発光する発光素子と、を含む電気光学装置の駆動方法であって、第１期間に、前記第１トランジスターをオンさせるとともに、前記第２トランジスター及び前記第３トランジスターをオフさせ、前記データ転送線に初期電位を供給し、前記第１期間に続く第２期間に、前記第１トランジスターをオフさせるとともに、前記第２トランジスター及び前記第３トランジスターをオンさせて、前記駆動トランジスターの前記第１電流端と、前記駆動トランジスターの前記ゲート電極とを導通させると共に、前記第１容量の前記第１電極の電位を一定の変化率で経時的に低下又は上昇させる、ことを特徴とする。
【００１７】
この態様によれば、第２期間（補償期間）では、駆動トランジスターを所謂ダイオード接続した状態で、第１容量の第１電極の電位を、一定の変化率で経時的に変化（例えば低下）させる。これにより、補償動作中に初期電位を一定に維持する構成（第１容量の第１電極の電位を一定に維持する構成）と比較して、当該補償期間に要する時間が短縮される。つまり、補償動作の高速化が実現する。これは、第１容量の第１電極に印加する電位を一定の変化率で経時的に例えば低下させることで、第１電極の電荷を強制的に移動させ、結果として駆動トランジスターのゲート電極の電位が、第１電極の電位の変化率に応じた一定の電流が流れる電位に、迅速に変化するからである。
【００１８】
上記目的を達成するために、本発明の一態様に係る電気光学装置の駆動方法は、データ転送線と、前記データ転送線に接続された第１電極と、第２電極とを含む第１容量と、駆動トランジスターと、前記駆動トランジスターの電気特性に応じた電位を前記第２電極に出力する補償部と、前記駆動トランジスターを介して供給される電流の大きさに応じた輝度で発光する発光素子と、を含む電気光学装置の駆動方法であって、前記第１容量の前記第１電極の電位を一定の変化率で経時的に低下又は上昇させるとともに、前記補償部により前記駆動トランジスターの電気特性に応じた電位を前記第２電極に出力し、前記データ転送線及び前記第１電極の電位の変化量が階調レベルに応じた値となるように、前記データ転送線及び前記第１電極の電位を切り替え、前記駆動トランジスターの電気特性に応じた電位から前記変化量分に応じてシフトさせた電位に基づいて、発光素子に電流を供給することを特徴とする
【００１９】
この態様によれば、補償部が駆動トランジスターの電気特性に応じた電位を第２電極に出力する期間（補償期間）では、駆動トランジスターを所謂ダイオード接続した状態で、第１容量の第１電極の電位を、一定の変化率で経時的に変化（例えば低下）させる。これにより、補償動作中に初期電位を一定に維持する構成（第１容量の第１電極の電位を一定に維持する構成）と比較して、当該補償期間に要する時間が短縮される。つまり、補償動作の高速化が実現する。これは、第１容量の第１電極に印加する電位を一定の変化率で経時的に例えば低下させることで、第１電極の電荷を強制的に移動させ、結果として駆動トランジスターのゲート電極の電位が、第１電極の電位の変化率に応じた一定の電流が流れる電位に、迅速に変化するからである。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の実施形態に係る電気光学装置の構成を示す斜視図である。
【図２】同電気光学装置の構成を示すブロック図である。
【図３】同電気光学装置のデマルチプレクサとレベルシフト回路との構成を説明するための回路図である。
【図４】同電気光学装置の画素回路の構成を示す回路図である。
【図５】同電気光学装置の動作を示すタイミングチャートである。
【図６】同電気光学装置の動作説明図である。
【図７】同電気光学装置の動作説明図である。
【図８】同電気光学装置の動作説明図である。
【図９】同電気光学装置の補償期間を説明するグラフを示す図である。
【図１０】同電気光学装置の動作説明図である。
【図１１】変形例に係る画素回路の構成を示す回路図である。
【図１２】ＨＭＤの外観構成を示す図である。
【図１３】ＨＭＤの光学構成を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
図１は、本発明の実施形態に係る電気光学装置１の構成を示す斜視図である。電気光学装置１は、例えばヘッドマウント・ディスプレイにおいて画像を表示するマイクロ・ディスプレイである。
図１に示すように、電気光学装置１は、表示パネル２と、表示パネル２の動作を制御する制御回路３とを備える。表示パネル２は、複数の画素回路と、当該画素回路を駆動する駆動回路とを備える。本実施形態において、表示パネル２が備える複数の画素回路及び駆動回路は、シリコン基板に形成され、画素回路には、発光素子の一例であるＯＬＥＤが用いられる。また、表示パネル２は、例えば、表示部で開口する枠状のケース８２に収納されるとともに、ＦＰＣ（Flexible Printed Circuits）基板８４の一端が接続される。
ＦＰＣ基板８４には、半導体チップの制御回路３が、ＣＯＦ（Chip On Film）技術によって実装されるとともに、複数の端子８６が設けられて、図示省略された上位回路に接続される。
【００２２】
図２は、実施形態に係る電気光学装置１の構成を示すブロック図である。上述のとおり、電気光学装置１は、表示パネル２と、制御回路３とを備える。
制御回路３には、図示省略された上位回路よりデジタルの画像データＶideoが同期信号に同期して供給される。ここで、画像データＶideoとは、表示パネル２（厳密には、後述する表示部１００）で表示すべき画像の画素の階調レベルを例えば８ビットで規定するデータである。また、同期信号とは、垂直同期信号、水平同期信号、及び、ドットクロック信号を含む信号である。
【００２３】
制御回路３は、同期信号に基づいて、各種制御信号を生成し、これを表示パネル２に対して供給する。具体的には、制御回路３は、表示パネル２に対して、制御信号Ｃtrと、正論理の制御信号Ｇiniと、これと論理反転の関係にある負論理の制御信号／Ｇiniと、正論理の制御信号Ｇcplと、これと論理反転の関係にある負論理の制御信号／Ｇcplと、制御信号Ｓel(1)、Ｓel(2)、Ｓel(3)と、これらの信号に対して論理反転の関係にある制御信号／Ｓel(1)、／Ｓel(2)、／Ｓel(3)と、を供給する。
ここで、制御信号Ｃtrとは、パルス信号や、クロック信号、イネーブル信号など、複数の信号を含む信号である。
なお、制御信号Ｓel(1)、Ｓel(2)、Ｓel(3)を、制御信号Ｓelと総称し、制御信号／Ｓel(1)、／Ｓel(2)、／Ｓel(3)を、制御信号／Ｓelと総称する場合がある。
また、制御回路３は電圧生成回路３１を含む。電圧生成回路３１は、表示パネル２に対して、各種電位を供給する。具体的には、制御回路３は、表示パネル２に対してリセット電位Ｖorst及び初期電位Ｖini等を供給する。
【００２４】
さらに、制御回路３は、画像データＶideoに基づいて、アナログの画像信号Ｖidを生成する。具体的には、制御回路３には、画像信号Ｖidの示す電位、及び、表示パネル２が備える発光素子（後述するＯＬＥＤ１３０）の輝度を対応付けて記憶したルックアップテーブルが設けられる。そして、制御回路３は、当該ルックアップテーブルを参照することで、画像データＶideoに規定される発光素子の輝度に対応した電位を示す画像信号Ｖidを生成し、これを表示パネル２に対して供給する。
【００２５】
図２に示すように、表示パネル２は、表示部１００と、これを駆動する駆動回路（データ転送線駆動回路１０及び走査線駆動回路２０）とを備える。
表示部１００には、表示すべき画像の画素に対応した画素回路１１０がマトリクス状に配列されている。詳細には、表示部１００において、Ｍ行の走査線１２が図において横方向（Ｘ方向）に延在して設けられ、また、３列毎にグループ化された（３Ｎ）列のデータ転送線１４が図において縦方向（Ｙ方向）に延在し、かつ、各走査線１２と互いに電気的な絶縁を保って設けられている。そして、Ｍ行の走査線１２と（３Ｎ）列のデータ転送線１４との交差部に対応して画素回路１１０が設けられている。このため、本実施形態において画素回路１１０は、縦Ｍ行×横（３Ｎ）列でマトリクス状に配列されている。
【００２６】
ここで、Ｍ、Ｎは、いずれも自然数である。走査線１２及び画素回路１１０のマトリクスのうち、行（ロウ）を区別するために、図において上から順に１、２、３、…、（Ｍ−１）、Ｍ行と呼ぶ場合がある。同様にデータ転送線１４及び画素回路１１０のマトリクスの列（カラム）を区別するために、図において左から順に１、２、３、…、（３Ｎ−１）、（３Ｎ）列と呼ぶ場合がある。
ここで、データ転送線１４のグループを一般化して説明するために、１以上の任意の整数をｎと表すと、左から数えてｎ番目のグループには、（３ｎ−２）列目、（３ｎ−１）列目及び（３ｎ）列目のデータ転送線１４が属している、ということになる。
【００２７】
なお、同一行の走査線１２と同一グループに属する３列のデータ転送線１４との交差に対応した３つの画素回路１１０は、それぞれＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の画素に対応して、これらの３画素が表示すべきカラー画像の１ドットを表現する。すなわち、本実施形態では、ＲＧＢに対応したＯＬＥＤの発光によって１ドットのカラーを加法混色で表現する構成となっている。
【００２８】
また、図２に示すように、表示部１００において、（３Ｎ）列の給電線（リセット電位供給線）１６が、縦方向に延在し、かつ、各走査線１２と互いに電気的な絶縁を保って設けられる。各給電線１６には、所定のリセット電位Ｖorstが共通に給電されている。ここで、給電線１６の列を区別するために、図において左から順に１、２、３、…、（３Ｎ）列目の給電線１６と呼ぶ場合がある。１列目〜（３Ｎ）列目の給電線１６の各々は、１列目〜（３Ｎ）列目のデータ転送線１４の各々に対応して設けられる。
【００２９】
走査線駆動回路２０は、１個のフレームの期間内にＭ本の走査線１２を１行毎に順番に走査するための走査信号Ｇwrを、制御信号Ｃtrに従って生成する。ここで、１、２、３、…、Ｍ行目の走査線１２に供給される走査信号Ｇwrを、それぞれＧwr(1)、Ｇwr(2)、Ｇwr(3)、…、Ｇwr(M-1)、Ｇwr(M)と表記している。
なお、走査線駆動回路２０は、走査信号Ｇwr(1)〜Ｇwr(M)のほかにも、当該走査信号Gwrに同期した各種制御信号を行毎に生成して表示部１００に供給するが、図２においては図示を省略している。また、フレームの期間とは、電気光学装置１が１カット（コマ）分の画像を表示するのに要する期間をいい、例えば同期信号に含まれる垂直同期信号の周波数が１２０Ｈｚであれば、その１周期分の８．３ミリ秒の期間である。
【００３０】
データ転送線駆動回路１０は、（３Ｎ）列のデータ転送線１４の各々と１対１に対応して設けられる（３Ｎ）個のレベルシフト回路ＬＳ、各グループを構成する３列のデータ転送線１４毎に設けられるＮ個のデマルチプレクサＤＭ、及び、データ信号供給回路７０を備える。
【００３１】
データ信号供給回路７０は、制御回路３より供給される画像信号Ｖidと制御信号Ｃtrとに基づいて、データ信号Ｖd(1)、Ｖd(2)、…、Ｖd(N)を生成する。すなわち、データ信号供給回路７０は、データ信号Ｖd(1)、Ｖd(2)、…、Ｖd(N)を時分割多重した画像信号Ｖidに基づいて、データ信号Ｖd(1)、Ｖd(2)、…、Ｖd(N)を生成する。そして、データ信号供給回路７０は、データ信号Ｖd(1)、Ｖd(2)、…、Ｖd(N)を、１、２、…、Ｎ番目のグループに対応するデマルチプレクサＤＭに対して、それぞれ供給する。
【００３２】
図３は、デマルチプレクサＤＭとレベルシフト回路ＬＳとの構成を説明するための回路図である。なお、図３は、ｎ番目のグループに属するデマルチプレクサＤＭと、当該デマルチプレクサＤＭに接続された３個のレベルシフト回路ＬＳとを、代表的に表している。なお、以下では、ｎ番目のグループに属するデマルチプレクサＤＭを、ＤＭ(n)と表記する場合がある。
【００３３】
以下では、図２に加えて図３を参照しながら、デマルチプレクサＤＭ及びレベルシフト回路ＬＳの構成について説明する。
図３に示すように、デマルチプレクサＤＭは、列毎に設けられたトランスミッションゲート３４の集合体であり、各グループを構成する３列に、データ信号を順番に供給するものである。ここで、ｎ番目のグループに属する（３ｎ−２）、（３ｎ−１）、（３ｎ）列に対応したトランスミッションゲート３４の入力端は互いに共通接続されて、その共通端子にそれぞれデータ信号Ｖd(n)が供給される。ｎ番目のグループにおいて左端列である（３ｎ−２）列に設けられたトランスミッションゲート３４は、制御信号Ｓel(1)がＨレベルであるとき（制御信号／Ｓel(1)がＬレベルであるとき）にオン（導通）する。同様に、ｎ番目のグループにおいて中央列である（３ｎ−１）列に設けられたトランスミッションゲート３４は、制御信号Ｓel(2)がＨレベルであるとき（制御信号／Ｓel(2)がＬレベルであるとき）にオンし、ｎ番目のグループにおいて右端列である（３ｎ）列に設けられたトランスミッションゲート３４は、制御信号Ｓel(3)がＨレベルであるとき（制御信号／Ｓel(3)がＬレベルであるとき）にオンする。
【００３４】
レベルシフト回路ＬＳは、保持容量（第２容量）４１、トランスミッションゲート４５、及び、トランスミッションゲート４２の組を列毎に有し、各列のトランスミッションゲート３４の出力端から出力されるデータ信号の電位をシフトするものである。
【００３５】
各列のトランスミッションゲート４５のソース又はドレインは、データ転送線１４に電気的に接続される。また、制御回路３は、各列のトランスミッションゲート４５のゲートに対して、制御信号／Ｇiniを共通に供給する。トランスミッションゲート４５は、データ転送線１４と、初期電位Ｖiniの供給線とを、制御信号／ＧiniがＬレベルのときに電気的に接続し、制御信号／ＧiniがＨレベルのときに電気的に非接続とする。なお、初期電位Ｖiniの供給線６１には、制御回路３から所定の初期電位Ｖiniが供給される。
【００３６】
保持容量４１は２つの電極を有する。保持容量４１の一方の電極は、ノードｈを介してトランスミッションゲート４２の入力端に電気的に接続される。また、トランスミッションゲート４２の出力端は、データ転送線１４に電気的に接続される。
制御回路３は、各列のトランスミッションゲート４２に対して、制御信号Ｇcpl及び制御信号／Ｇcplを共通に供給する。このため、各列のトランスミッションゲート４２は、制御信号ＧcplがＨレベルであるとき（制御信号／ＧcplがＬレベルであるとき）に一斉にオンする。
【００３７】
各列の保持容量４１の一方の電極は、ノードｈを介して、トランスミッションゲート３４の出力端、及び、トランスミッションゲート４２の入力端に電気的に接続される。そして、トランスミッションゲート３４がオンした際、保持容量４１の一方の電極には、トランスミッションゲート３４の出力端を介してデータ信号Ｖd(n)が供給される。すなわち、保持容量４１は、一方の電極にデータ信号Ｖd(n)が供給される。
また、各列の保持容量４１の他方の電極は、固定電位である電位Ｖssが供給される給電線に共通に接続される。ここで、電位Ｖssは、論理信号である走査信号や制御信号のＬレベルに相当するものであってもよい。なお、保持容量４１の容量値をＣrfとする。
【００３８】
図４を参照して画素回路１１０について説明する。画素回路１１０が配列する行を一般的に示すために、１以上Ｍ以下の任意の整数をｍと表す。
各画素回路１１０については電気的にみれば互いに同一構成なので、ここでは、ｍ行目に位置し、且つ、ｎ番目のグループのうち左端列の（３ｎ−２）列目に位置する、ｍ行（３ｎ−２）列の画素回路１１０を例にとって説明する。
【００３９】
図４に示されるように、画素回路１１０は、ＰチャネルＭＯＳ型のトランジスター１２１〜１２６と、ＯＬＥＤ１３０と、画素容量１３２と、データ転送容量（第１容量）１３３を含む。この画素回路１１０には、走査信号Ｇwr(m)、制御信号Ｇcmp(m)、Ｇel(m)、Ｇorst(m)、Ｇfix(m)が供給される。ここで、走査信号Ｇwr(m)、制御信号Ｇcmp(m)、Ｇel(m)、Ｇorst(m) 、Ｇfix(m)は、それぞれm行目に対応して走査線駆動回路２０によって供給されるものである。
【００４０】
なお、図２では図示省略したが、表示パネル２（表示部１００）には、図２において横方向（Ｘ方向）に延在するｍ行の制御線１４３（第１制御線）、横方向に延在するｍ行の制御線１４４（第２制御線）、横方向に延在するｍ行の制御線１４５（第３制御線）、及び、横方向に延在するｍ行の制御線１４６（第４制御線）が設けられる。
【００４１】
そして、走査線駆動回路２０は、１、２、３、…、ｍ行目の制御線１４３に対して、それぞれ、制御信号Ｇcmp(1)、Ｇcmp(2)、Ｇcmp(3)、…、Ｇcmp(m)を供給し、１、２、３、…、ｍ行目の制御線１４４に対して、それぞれ、制御信号Ｇel(1)、Ｇel(2)、Ｇel(3)、…、Ｇel(m)を供給し、１、２、３、…、ｍ行目の制御線１４５に対して、それぞれ、制御信号Ｇorst(1)、Ｇorst(2)、Ｇorst(3)、…、Ｇorst(m)を供給し、１、２、３、…、ｍ行目の制御線１４６に対して、それぞれ、制御信号Ｇfix(1)、Ｇfix(2)、Ｇfix(3)、…、Ｇfix(m)を供給する。
すなわち、走査線駆動回路２０は、ｍ行目に位置する（３ｎ）個の画素回路に対して、走査信号Ｇwr(m)、制御信号Ｇel(m)、Ｇcmp(m)、Ｇorst(m)、Ｇfix(m)を、それぞれ、ｍ行目の走査線１２、制御線１４３、１４４、１４５、１４６を介して、共通に供給する。
以下では、走査線１２、制御線１４３、制御線１４４、制御線１４５、及び制御線１４６を、「制御線」と総称する場合がある。すなわち、本実施形態に係る表示パネル２には、各行に、走査線１２を含む５本の制御線が設けられる。
【００４２】
画素容量１３２及びデータ転送容量１３３は、それぞれ２つの電極を有する。データ転送容量１３３は、第１電極１３３−１と第２電極１３３−２とを含む静電容量である。
【００４３】
第２トランジスター１２２は、ゲートがｍ行目の走査線１２に電気的に接続され、ソース又はドレインの一方が、データ転送容量１３３の一方の電極（第２電極１３３−２）に電気的に接続されている。また、第２トランジスター１２２は、ソースまたはドレインの他方が、駆動トランジスター１２１のゲートと、画素容量１３２の一方の電極とに、それぞれ電気的に接続されている。すなわち、第２トランジスター１２２は駆動トランジスター１２１のゲートと保持容量１３３の第２電極１３３−２との間に電気的に接続され、駆動トランジスター１２１のゲートと、（３ｎ−２）列目のデータ転送線１４に接続されたデータ転送容量１３３の第２電極１３３−２との間の電気的な接続を制御するトランジスターとして機能する。
【００４４】
駆動トランジスター１２１は、ソースが給電線１１６に電気的に接続され、ドレインが第３トランジスター１２３のソースまたはドレインの他方と、第４トランジスター１２４のソースとにそれぞれ電気的に接続されている。
ここで、給電線１１６には、画素回路１１０において電源の高位側となる電位Ｖelが給電される。この駆動トランジスター１２１は、駆動トランジスター１２１のゲート及びソース間の電圧に応じた電流を流す駆動トランジスターとして機能する。
第３トランジスター１２３は、ゲートが制御線１４３に電気的に接続され、制御信号Ｇcmp(m)が供給される。この第３トランジスター１２３は、駆動トランジスター１２１のゲート及びドレインの間の電気的な接続を制御する、スイッチングトランジスターとして機能する。よって、第３トランジスター１２３は、第２トランジスター１２２を介して駆動トランジスター１２１のゲート及びドレインの間を導通させるためのトランジスターである。なお、第３トランジスター１２３のソース及びドレインの一方と駆動トランジスター１２１のゲートとの間には第２トランジスター１２２が接続されているが、第３トランジスター１２３のソース及びドレインの一方は、駆動トランジスター１２１のゲートに電気的に接続されているとも解釈され得る。
【００４５】
第４トランジスター１２４は、ゲートが制御線１４４に電気的に接続され、制御信号Ｇel(m)が供給される。また、第４トランジスター１２４は、ドレインが第５トランジスター１２５のソースとＯＬＥＤ１３０のアノード１３０ａとにそれぞれ電気的に接続されている。この第４トランジスター１２４は、駆動トランジスター１２１のドレインと、ＯＬＥＤ１３０のアノードとの間の電気的な接続を制御する、スイッチングトランジスターとして機能する。さらに、駆動トランジスター１２１のドレインとＯＬＥＤ１３０のアノードとの間には第４トランジスター１２４が接続されているが、駆動トランジスター１２１のドレインは、ＯＬＥＤ１３０のアノードに電気的に接続されているとも解釈され得る。
第５トランジスター１２５は、ゲートが制御線１４５に電気的に接続され、制御信号Ｇorst(m)が供給される。また、第５トランジスター１２５のドレインは（３ｎ−２）列目の給電線１６に電気的に接続されてリセット電位Ｖorstに保たれている。この第５トランジスター１２５は、給電線１６と、ＯＬＥＤ１３０のアノード１３０ａとの間の電気的な接続を制御するスイッチングトランジスターとして機能する。
【００４６】
第１トランジスター１２６は、ゲートが制御線１４６に電気的に接続され、制御信号Ｇfix(m)が供給される。また、第１トランジスター１２６のソース又はドレインの一方は、（３ｎ−２）列目の給電線１６に電気的に接続されてリセット電位Ｖorstに保たれている。また、第１トランジスター１２６は、ソース又はドレインの他方がデータ転送容量１３３の第２電極１３３−２と、第３トランジスター１２３のソース又はドレインの一方とに電気的に接続されている。この第１トランジスター１２６は、主として、給電線１６と、データ転送容量１３３の第２電極１３３−２との間の電気的な接続を制御するスイッチングトランジスターとして機能する。
【００４７】
なお、本実施形態において表示パネル２はシリコン基板に形成されるので、トランジスター１２１〜１２６の基板電位については電位Ｖelとしている。また、上記におけるトランジスター１２１〜１２６のソース、ドレインは、トランジスター１２１〜１２６のチャネル型、電位の関係に応じて入れ替わってもよい。また、トランジスターは薄膜トランジスターであっても電界効果トランジスターであってもよい。
【００４８】
画素容量１３２は、一方の電極が駆動トランジスター１２１のゲートに電気的に接続され、他方の電極が給電線１１６に電気的に接続される。このため、画素容量１３２は、駆動トランジスター１２１のゲート・ソース間の電圧を保持する保持容量として機能する。なお、画素容量１３２の容量値をＣpixと表記する。
なお、画素容量１３２としては、駆動トランジスター１２１のゲートｇに寄生する容量を用いても良いし、シリコン基板において互いに異なる導電層で絶縁層を挟持することによって形成される容量を用いても良い。
【００４９】
ＯＬＥＤ１３０のアノード１３０ａは、画素回路１１０毎に個別に設けられる画素電極である。これに対して、ＯＬＥＤ１３０のカソードは、画素回路１１０のすべてにわたって共通に設けられる共通電極１１８であり、画素回路１１０において電源の低位側となる電位Ｖctに保たれている。ＯＬＥＤ１３０は、上記シリコン基板において、アノード１３０ａと光透過性を有するカソードとで白色有機ＥＬ層を挟持した素子である。そして、ＯＬＥＤ１３０の出射側（カソード側）にはＲＧＢのいずれかに対応したカラーフィルターが重ねられる。
【００５０】
このようなＯＬＥＤ１３０において、アノード１３０ａからカソードに電流が流れると、アノード１３０ａから注入された正孔とカソードから注入された電子とが有機ＥＬ層で再結合して励起子が生成され、白色光が発生する。このときに発生した白色光は、シリコン基板（アノード１３０ａ）とは反対側のカソードを透過し、カラーフィルターによる着色を経て、観察者側に視認される構成となっている。なお、白色有機ＥＬ層を挟んで配置される２つの反射層間の光学距離を調整してキャビティ構造を形成し、ＯＬＥＤ１３０から発せられる光の波長を設定してもよい。この場合、カラーフィルターを有していてもよいし、なくてもよい。
【００５１】
図５を参照して電気光学装置１の動作について説明する。図５は、電気光学装置１における各部の動作を説明するためのタイミングチャートである。この図に示されるように、走査線駆動回路２０は、走査信号Ｇwr(1)〜Ｇwr(M)を順次Ｌレベルに切り替えて、１フレームの期間において１〜M行目の走査線１２を１水平走査期間（Ｈ）毎に順番に走査する。
１水平走査期間（Ｈ）での動作は、各行の画素回路１１０にわたって共通である。そこで以下については、ｍ行目が水平走査される水平走査期間において、特にｍ行（３ｎ−２）列の画素回路１１０について着目して動作を説明する。
【００５２】
本実施形態ではｍ行目の水平走査期間は、大別すると、図５において（ｂ）で示される初期化期間と、（ｃ）で示される補償期間と、（ｄ）で示される書込期間とに分けられる。また、水平走査期間以外の期間は、（ａ）で示される発光期間である。そして、（ｄ）の書込期間の後、再び、（ａ）で示される発光期間となり、１フレームの期間経過後に再びｍ行目の水平走査期間に至る。このため、時間の順でいえば、発光期間→初期化期間→補償期間→書込期間→発光期間というサイクルの繰り返しとなる。
【００５３】
以下、説明の便宜上、初期化期間の前提となる発光期間から説明する。図６は、発光期間における画素回路１１０などの動作を説明する図である。なお、図６においては、動作説明で重要となる電流経路を太線で示し、オフ状態のトランジスター又はトランスミッションゲート上には太線で「Ｘ」印を付している（以下の図７、図８、及び図１０においても同様である）。
【００５４】
＜発光期間＞
図５に示されるように、ｍ行目の発光期間では、走査信号Ｇwr(m)がＨレベルであり、制御信号Ｇel(m)はＬレベルであり、制御信号Ｇcmp(m)はＨレベルであり、制御信号Ｇfix(m)はＨレベルである。
このため、図６に示されるようにｍ行（３ｎ−２）列の画素回路１１０においては、トランジスター１２４がオンする一方、トランジスター１２２、１２３，１２５，１２６がオフする。これにより、駆動トランジスター１２１は、画素容量１３２によって保持された電圧、すなわちゲート・ソース間の電圧Ｖgsに応じた駆動電流Ｉdsを、ＯＬＥＤ１３０に供給する。つまり、ＯＬＥＤ１３０は、駆動トランジスター１２１によって各画素の指定階調に応じた階調電位に応じた電流が供給され、当該電流に応じた輝度で発光する。
【００５５】
ここで、発光期間においてレベルシフト回路ＬＳでは、図６に示されるように、制御信号／ＧiniがＨレベルになるのでトランスミッションゲート４５がオフし、制御信号ＧcplがＬレベルになるので、トランスミッションゲート４２がオフする。また、発光期間のデマルチプレクサＤＭ（ｎ）においては、制御信号Ｓel（1）がＬレベルになるので、トランスミッションゲート３４がオフする。
【００５６】
なお、ｍ行目の発光期間は、ｍ行目以外が水平走査される期間であるから、トランスミッションゲート３４、トランスミッションゲート４２、トランスミッションゲート４５はこれらの行の動作に合わせてオン又はオフし、データ転送線１４の電位は適宜変動する。ただし、ｍ行目の画素回路１１０においては、第２トランジスター１２２がオフしているので、ここでは、データ転送線１４の電位変動を考慮していない。
【００５７】
＜初期化期間＞
次にｍ行目の水平走査期間に至ると、まず、（ｂ）の初期化期間が開始する。図５に示されるように、ｍ行目の初期化期間では、走査信号Ｇwr(m)がＬレベルであり、制御信号Ｇel(m)はＨレベルであり、制御信号Ｇcmp(m)はＨレベルであり、制御信号Ｇfix(m)はＬレベルである。
このため、図７に示されるように、ｍ行（３ｎ−２）列の画素回路１１０においてはトランジスター１２２、１２５，１２６がオンする一方、トランジスター１２３、１２４がオフする。これにより、ＯＬＥＤ１３０に供給される電流の経路が遮断されるので、ＯＬＥＤ１３０は、オフ（非発光）状態となる。また、データ転送容量１３３の第２電極１３３−２は、給電線１６と電気的に接続され、リセット電位Ｖorstに設定される。また、第５トランジスター１２５がオンすることによって、ＯＬＥＤ１３０のアノード１３０ａと給電線１６とが電気的に接続され、アノード１３０ａの電位がリセット電位Ｖorstに設定される。
【００５８】
ここで、初期化期間においてレベルシフト回路ＬＳでは、図７に示されるように、制御信号／ＧiniがＬレベルになるのでトランスミッションゲート４５がオンし、制御信号ＧcplがＬレベルになるので、トランスミッションゲート４２がオフする。このため、図７に示されるようにデータ転送容量１３３の第１電極１３３−１に接続されたデータ転送線１４は初期電位Ｖiniに設定される。
【００５９】
また、初期化期間においては、制御信号Ｓel(1)がＨレベルになるので、デマルチプレクサＤＭ（ｎ）においては、図７に示されるようにトランスミッションゲート３４がオンする。これにより、容量値Ｃrfの保持容量４１に階調電位が書き込まれる。
また、図７に示されるように、ｍ行（３ｎ−２）列の画素回路１１０では第２トランジスター１２２及び第１トランジスター１２６がオンするので、ゲートｇが給電線１６に電気的に接続された状態になる。したがって、ゲートｇもリセット電位Ｖorstになるので、画素容量１３２の保持電圧は、発光期間において保持していた電圧から、（Ｖel−Ｖorst）に初期化される。
【００６０】
＜補償期間＞
ｍ行目の水平走査期間では、上述した（ｂ）の初期化期間を終えると、（ｃ）の補償期間が開始する。ｍ行目の補償期間では、走査信号Ｇwr(m)がＬレベルであり、制御信号Ｇel(m)はＨレベルであり、制御信号Ｇcmp(m)はＬレベルであり、制御信号Ｇfix(m)はＨレベルである。
このため、図８に示されるように、ｍ行（３ｎ−２）列の画素回路１１０においてはトランジスター１２２、１２３、１２５がオンする一方、第４トランジスター１２４、１２６がオフする。このとき、駆動トランジスター１２１のゲートｇは、トランジスター１２２とトランジスター１２３とを介して自身のドレインに接続（ダイオード接続）され、駆動トランジスター１２１がオンしてドレイン電流が流れてゲートｇを充電する。また、駆動トランジスター１２１のドレインは、給電線１６と電気的に非接続であり、且つ、データ転送容量１３３の第２電極１３３−２と駆動トランジスター１２１のゲートと電気的に接続される。
つまり、第２トランジスター１２２及び第３トランジスター１２３を介して、駆動トランジスター１２１のドレインとゲートとがデータ転送容量１３３の第２電極１３３−２に接続される。第２トランジスター１２２及び第３トランジスター１２３は、駆動トランジスター１２１の電気特性に応じた電位を第２電極１３３−２に出力する補償部として機能する。
【００６１】
ここで、補償期間のレベルシフト回路ＬＳにおいては、図８に示されるように、制御信号／ＧiniがＬレベルになるのでトランスミッションゲート４５がオンし、制御信号ＧcplがＬレベルになるので、トランスミッションゲート４２がオフする。このため、図７に示されるようにデータ転送容量１３３の第１電極１３３−１及びデータ転送線１４には初期電位Ｖiniが印加される。
また、補償期間においては、制御信号Sel(1)がＨレベルになるので、デマルチプレクサＤＭ（ｎ）においては、図７に示されるようにトランスミッションゲート３４がオンする。これにより、容量値Ｃrfの保持容量４１に階調電位が書き込まれる。
【００６２】
図９は、補償期間における初期電位Ｖini及びゲートｇの電位Ｖｇの時間変化のグラフ、及び、駆動トランジスター１２１に流れる駆動電流Ｉdsの時間変化のグラフを示す図である。
図９に示されるように、補償期間においては、データ転送容量１３３の第１電極１３３−１及びデータ転送線１４には、初期電位Ｖiniとして、一定の変化率α（単位時間当たりの電位の変動量）で経時的に低下するランプ波形の電位が供給される。これにより、駆動トランジスター１２１のドレインからゲートｇへ、データ転送容量１３３の第１電極１３３−１の電位（初期電位Ｖini）の変化に応じた電流が流れ、図９に示すようにゲートノードの電位Ｖｇは当該電流に応じた電位に設定される。
【００６３】
但し、駆動トランジスター１２１のドレインからゲートｇへ流れる駆動電流Ｉdsは、ゲートｇの電位Ｖｇが電位Ｖelに近づくにつれて流れにくくなるので、ゲートｇの電位Ｖｇは、補償期間の終了に至るまでに、図９に示すように電位Ｖelに向かって経時的に増加する。
このようにして設定されたゲートノードの電位Ｖｇは、駆動トランジスター１２１の移動度や閾値電圧Ｖthなどの電気特性に応じた電位である。これにより、各画素回路１１０における駆動トランジスター１２１の電気特性のばらつきが補償される。
【００６４】
具体的には下記の動作により、各画素回路１１０における駆動トランジスター１２１の電気特性のばらつきが補償される。
すなわち、駆動トランジスター１２１、第２トランジスター１２２、及び第３トランジスター１２３がオンすることで、データ転送容量１３３の第２電極１３３−２には、駆動トランジスター１２１のソース-ドレインと第３トランジスター１２３とを経由して、給電線１１６から電位Ｖelが供給され、電荷が供給（充電）される。
他方、第１電極１３３−１では、印加される初期電位Ｖiniの低下によって、当該第１電極１３３−１の電荷がデータ転送線１４を経由して放電される。
【００６５】
従って、データ転送容量１３３においては、第２電極１３３−２に対する電荷の供給（駆動トランジスター１２１を経由して流れる電流）は、駆動トランジスター１２１のゲートｇの電位Ｖgを上昇させるように作用する一方、第１電極１３３−１からの電荷の放出は電位Ｖgを低下させるように作用する。
【００６６】
いま、第１電極１３３−１からの電荷の放出により電位Ｖgが低下すると、駆動トランジスター１２１のゲート-ソース間の電圧Ｖgsは上昇するため、駆動電流Ｉdsが増加する。これは、電位Ｖgを増加させるように作用する。
すなわち、第１電極１３３−１からの電荷の放出に由来する電位Ｖgの低下と、第２電極１３３−２に対する電荷の供給に由来する電位Ｖgの上昇とが、相互に平衡するように駆動トランジスターの駆動電流Ｉdsが調整される。ここで駆動電流Ｉdsは、初期電位Ｖiniの変化率α（第１電極１３３−１の電荷量の時間変化）に応じた一定値の電流である。
【００６７】
以上の説明から理解される通り、補償動作では、駆動トランジスター１２１の閾値電圧Ｖthの値に関わらず、初期電位Ｖiniの変化率αに応じた一定の駆動電流Ｉdsが、駆動トランジスター１２１のソース-ドレイン間に流れるように、駆動トランジスター１２１のゲートの電位Ｖgが調整される。
すなわち、補償動作により、駆動トランジスター１２１のゲートｇの電位Ｖgは、駆動トランジスター１２１の移動度や閾値電圧Ｖth等の電気特性を反映した電位に設定される。換言すれば、駆動トランジスター１２１のゲートｇの電位Ｖgは、個々の駆動トランジスター１２１間で相違し得る閾値電圧Ｖthや移動度のもとで、一定の駆動電流Ｉdsが流れるような電位に設定される。
以上説明したように、第２トランジスター１２２及び第３トランジスター１２３は、駆動トランジスター１２１の電気特性に応じた電位を第２電極１３３−２に出力する補償部として機能する。
【００６８】
本実施形態の補償期間では、上述したように駆動トランジスター１２１をダイオード接続した状態で、データ転送容量１３３の第１電極１３３−１の電位を一定の変化率αで経時的に低下させる。
これにより、補償動作中に初期電位Ｖiniを一定に維持する構成と比較して、当該補償期間に要する時間が短縮される。つまり、補償動作の高速化が実現する。これは、初期電位Ｖiniを一定の変化率αで経時的に変化させることで、第１電極１３３−１の電荷を強制的に移動させ、結果として駆動トランジスター１２１のゲートｇの電位Ｖgが、変化率αに応じた一定の電流Ｉdsが流れる電位に迅速に変化するからである。
【００６９】
なお、第４トランジスター１２４はオフしているため、駆動トランジスター１２１のドレインはＯＬＥＤ１３０と電気的に非接続である。また、初期化期間と同様、第５トランジスター１２５がオンすることによって、ＯＬＥＤ１３０のアノード１３０ａと給電線１６とが電気的に接続され、アノード１３０ａの電位がリセット電位Ｖorstに設定される。
【００７０】
＜書込期間＞
ｍ行目の水平走査期間では、上述した（ｃ）の補償期間を終えると、（ｄ）の書込期間が開始する。ｍ行目の書込期間では、走査信号Ｇwr(m)がＬレベルであり、制御信号Ｇel(m)はＨレベルであり、制御信号Ｇcmp(m)はＨレベルであり、制御信号Ｇfix(m)はＨレベルである。
このため、図１０に示されるように、ｍ行（３ｎ−２）列の画素回路１１０においてはトランジスター１２２、１２５がオンする一方、トランジスター１２３、１２４、１２６がオフする。
【００７１】
ここで、書込期間のレベルシフト回路ＬＳにおいては、図１０に示されるように、制御信号／ＧiniがＨレベルになるのでトランスミッションゲート４５がオフし、制御信号ＧcplがＨレベルになるので、トランスミッションゲート４２がオンする。このため、データ転送容量１３３の第１電極１３３−１及びデータ転送線１４への、初期電位Ｖiniの供給が解除されると共に、データ転送容量１３３の第１電極１３３−１及びデータ転送線１４に対して容量値Ｃrfの保持容量４１の一方の電極が接続され、データ転送容量１３３の第１電極１３３−１に階調電位が供給される。そして、階調電位がレベルシフトされた信号が、駆動トランジスター１２１のゲートに供給され、画素容量Ｃpixに書き込まれる。
なお、書込期間においては、制御信号Sel(1)がＬレベルになるので、デマルチプレクサＤＭ（ｎ）においては、図１０に示されるようにトランスミッションゲート３４がオフする。
【００７２】
なお、第４トランジスター１２４はオフしているため、駆動トランジスター１２１のドレインはＯＬＥＤ１３０と電気的に非接続である。また、初期化期間と同様、第５トランジスター１２５がオンすることによって、ＯＬＥＤ１３０のアノード１３０ａと給電線１６とが電気的に接続され、アノード１３０ａの電位がリセット電位Ｖorstに初期化される。
【００７３】
ところで、ｍ行目の書込期間において、制御回路３は、ｎ番目のグループでいえば、データ信号Ｖd(n)を順番に、ｍ行（３ｎ−２）列、ｍ行（３ｎ−１）列、ｍ行（３ｎ）列の画素の階調レベルに応じた電位に切り替える。一方、制御回路３は、データ信号の電位の切り替えに合わせて制御信号Ｓel(1)、Ｓel(2)、Ｓel(3)を順番に排他的にＨレベルとする。制御回路３は、図示は省略しているが、制御信号Ｓel(1)、Ｓel(2)、Ｓel(3)とは論理反転の関係にある制御信号／Ｓel(1)、／Ｓel(2)、／Ｓel(3)についても出力している。これによって、デマルチプレクサＤＭでは、各グループにおいてトランスミッションゲート３４がそれぞれ左端列、中央列、右端列の順番でオンする。
【００７４】
ここで、左端列のトランスミッションゲート３４が制御信号Ｓel(1)、／Ｓel(1)によってオンしたとき、データ転送容量１３３の第１電極１３３−１及びデータ転送線１４の電位の変化量をΔＶとすると、ゲートｇの電位Ｖｇの変化量ΔＶｇは、下記（式１）で表せる。
【数１】
0006492447.tif 000002
【数２】
0006492447.tif 000003
つまり、書込期間におけるゲートｇの電位Ｖｇは、補償期間における電位Ｖｇから、データ転送容量１３３の第１電極１３３−１及びゲート線１４の電位の変化量ΔＶに対して、容量比Ｒを乗じた値だけシフトした値となる。この書込期間を終えると、上述した（ａ）の発光期間が開始する。
以上説明したように、本発明の一実施形態によれば、発光強度の調節に用いるトランジスターの閾値電圧のばらつきを補償する補償動作の高速化を実現することで電気光学装置、電子機器、及び、電気光学装置の駆動方法を提供することができる。
【００７５】
本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく、例えば次に述べるような各種の変形が可能である。また、次に述べる変形の態様は、任意に選択された一または複数を、適宜に組み合わせることもできる。
＜変形例１＞
上述した実施形態では、補償期間において、一定の変化率αで経時的に低下するランプ波形の初期電位Ｖiniをデータ転送容量１３３の第１電極１３３−１に印加する構成であるが、このような初期電位Ｖiniを印加する構成ではなく、トランスミッションゲート４５がＯＮしたときにデータ転送容量１３３の第１電極１３３−１から定電流を引き込む定電流源を設ける構成としてもよい。
【００７６】
＜変形例２＞
上述した実施形態では、データ転送線１４を３列毎にグループ化するとともに、各グループにおいてデータ転送線１４を順番に選択して、データ信号を供給する構成としたが、グループを構成するデータ転送線数は、「２」以上「３ｎ」以下の所定数であればよい。例えば、グループを構成するデータ転送線数は、「２」であっても良いし、「４」以上であっても良い。
また、グループ化せずに、すなわちデマルチプレクサＤＭを用いないで各列のデータ転送線１４にデータ信号を一斉に線順次で供給する構成でも良い。
【００７７】
＜変形例３＞
上述した実施形態では、各画素回路１１０において第３トランジスター１２３は、駆動トランジスター１２１のドレインとデータ転送容量１３３の第２電極１３３−２との間に接続されているが、図１１に示すように駆動トランジスター１２１のドレインとゲートとの間に接続されていてもよい。
＜変形例４＞
上述した実施形態の各画素回路１１０において、第５トランジスター１２５は設けなくてもよい。
【００７８】
＜変形例５＞
上述した実施形態では、画素回路１１０におけるトランジスター１２１〜１２６をＰチャネル型で統一したが、Ｎチャネル型で統一しても良い。また、Ｐチャネル型及びＮチャネル型を適宜組み合わせても良い。
例えば、トランジスター１２１〜１２６をＮチャネル型で統一する場合、上述した実施形態における、データ信号Ｖd(j)とは、正負が逆転した電位を、各画素回路１１０に供給すればよい。また、この場合、トランジスター１２１〜１２６のソース及びドレインは、上述した実施形態及び変形例とは逆転した関係となる。また、この場合、補償期間においてデータ転送容量１３３の第１電極１３３−１に印加する初期電位Ｖiniを、一定の変化率で経時的に上昇するランプ波形の電位としてもよい。
＜変形例６＞
上述した実施形態及び変形例では、電気光学素子として発光素子であるＯＬＥＤを例示したが、例えば無機発光ダイオードやＬＥＤ（Light Emitting Diode）など、電流に応じた輝度で発光するものであれば良い。
【００７９】
＜応用例＞
次に、実施形態等や応用例に係る電気光学装置１を適用した電子機器について説明する。電気光学装置１は、画素が小サイズで高精細な表示な用途に向いている。そこで、電子機器として、ヘッドマウント・ディスプレイを例に挙げて説明する。
【００８０】
図１２は、ヘッドマウント・ディスプレイの外観を示す図であり、図１３は、その光学的な構成を示す図である。
まず、図１２に示されるように、ヘッドマウント・ディスプレイ３００は、外観的には、一般的な眼鏡と同様にテンプル３１０や、ブリッジ３２０、レンズ３０１Ｌ、３０１Ｒを有する。また、ヘッドマウント・ディスプレイ３００は、図１３に示されるように、ブリッジ３２０近傍であってレンズ３０１Ｌ、３０１Ｒの奥側（図において下側）には、左眼用の電気光学装置１Ｌと右眼用の電気光学装置１Ｒとが設けられる。
電気光学装置１Ｌの画像表示面は、図１３において左側となるように配置している。これによって電気光学装置１Ｌによる表示画像は、光学レンズ３０２Ｌを介して図において９時の方向に出射する。ハーフミラー３０３Ｌは、電気光学装置１Ｌによる表示画像を６時の方向に反射させる一方で、１２時の方向から入射した光を透過させる。
電気光学装置１Ｒの画像表示面は、電気光学装置１Ｌとは反対の右側となるように配置している。これによって電気光学装置１Ｒによる表示画像は、光学レンズ３０２Ｒを介して図において３時の方向に出射する。ハーフミラー３０３Ｒは、電気光学装置１Ｒによる表示画像を６時方向に反射させる一方で、１２時の方向から入射した光を透過させる。
【００８１】
この構成において、ヘッドマウント・ディスプレイ３００の装着者は、電気光学装置１Ｌ、１Ｒによる表示画像を、外の様子と重ね合わせたシースルー状態で観察することができる。
また、このヘッドマウント・ディスプレイ３００において、視差を伴う両眼画像のうち、左眼用画像を電気光学装置１Ｌに表示させ、右眼用画像を電気光学装置１Ｒに表示させると、装着者に対し、表示された画像があたかも奥行きや立体感を持つかのように知覚させることができる（３Ｄ表示）。
【００８２】
なお、電気光学装置１については、ヘッドマウント・ディスプレイ３００のほかにも、ビデオカメラやレンズ交換式のデジタルカメラなどにおける電子式ビューファインダーにも適用可能である。
【符号の説明】
【００８３】
１、１Ｌ、１Ｒ…電気光学装置、２…表示パネル、３…制御回路、１０…データ転送線駆動回路、１２…走査線、１４…データ転送線、１６…給電線、２０…走査線駆動回路、３１…電圧生成回路、３４…トランスミッションゲート、４１…保持容量、４２…トランスミッションゲート、４５…トランスミッションゲート、７０…データ信号供給回路、１００…表示部、１１０…画素回路、１１６…給電線、１１８…共通電極、１２１、１２２，１２３，１２４，１２５，１２６…トランジスター、１３０…ＯＬＥＤ、１３０ａ…アノード、１３２…画素容量、１３３…データ転送容量、１４３、１４４、１４５、１４６…制御線、３００…ディスプレイ、３０１Ｌ、３０１Ｒ…レンズ、３０２Ｌ、３０２Ｒ…光学レンズ、３０３Ｌ、３０３Ｒ…ハーフミラー、３１０…テンプル、３２０…ブリッジ、ＤＭ…デマルチプレクサ、ＬＳ…レベルシフト回路。
【図１】
0006492447.tif 000004
【図２】
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【図３】
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【図４】
0006492447.tif 000007
【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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