(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ロールツーロールで長尺体を搬送する搬送手段と、長尺体が外周面に巻き付けられる冷却キャンロールと、冷却キャンロールの外周面に沿って設けられかつ成膜用のスパッタリングターゲットがそれぞれ装着される第一スパッタリングカソード並びに第二スパッタリングカソードと、反応性ガスを供給するガス供給手段を真空チャンバー内に備え、直流電源から各スパッタリングカソードに電力を供給してスパッタリングを行うと共に、異常放電時に、上記直流電源が、異常放電の持続を防ぐため電源を遮断する一方、瞬時に逆バイアスを印加してスパッタリングを復活させる機能を有するスパッタリング装置において、
上記長尺体に成膜された皮膜の成膜状態を検査する反射型レーザセンサが、冷却キャンロール外周面の近傍でかつ第一スパッタリングカソードおよび／または第二スパッタリングカソードの下流側位置に付設されていることを特徴とするスパッタリング装置。
【請求項２】
銅の金属膜が成膜された長尺体の上記金属膜上に、第一スパッタリングカソードに装着されたスパッタリングターゲットと反応性ガスを用いた反応性スパッタリングにより金属吸収膜を成膜し、かつ、当該金属吸収膜の成膜状態を上記反射型レーザセンサで検査することを特徴とする請求項１に記載のスパッタリング装置。
【請求項３】
上記反射型レーザセンサのレーザ波長が６００〜１５５０ｎｍであることを特徴とする請求項１または２に記載のスパッタリング装置。
【請求項４】
真空チャンバー内に配置された冷却キャンロールの外周面にロールツーロールで搬送される長尺体を巻き付け、上記冷却キャンロールの外周面に沿って設けられたスパッタリングカソードに直流電源から電力を供給すると共に、真空チャンバー内に供給された反応性ガスとスパッタリングカソードに装着されたスパッタリングターゲットを用いた反応性スパッタリングにより長尺体への成膜を行い、かつ、異常放電時に、上記直流電源が、異常放電の持続を防ぐため電源を遮断する一方、瞬時に逆バイアスを印加してスパッタリングを復活させる機能を具備するスパッタリング成膜法において、
上記冷却キャンロール外周面の近傍でかつスパッタリングカソードの下流側位置に反射型レーザセンサを配設し、反応性スパッタリングにより長尺体に成膜された皮膜の成膜状態を検査するようにしたことを特徴とするスパッタリング成膜法。
【請求項５】
銅の金属膜が成膜された長尺体の上記金属膜上に、スパッタリングカソードに装着されたスパッタリングターゲットと反応性ガスを用いた反応性スパッタリングにより金属吸収膜を成膜し、かつ、当該金属吸収膜の成膜状態を上記反射型レーザセンサで検査するようにしたことを特徴とする請求項４に記載のスパッタリング成膜法。
【請求項６】
上記反射型レーザセンサのレーザ波長が６００〜１５５０ｎｍであることを特徴とする請求項４または５に記載のスパッタリング成膜法。
【請求項７】
反射型レーザセンサで検査される金属吸収膜の上記成膜状態が特定波長の反射率から計測される金属吸収膜の膜厚であることを特徴とする請求項４〜６のいずれかに記載のスパッタリング成膜法。
【請求項８】
樹脂フィルムから成る透明基板と該基板の片面若しくは両面に設けられた積層膜とで構成され、かつ、上記積層膜が金属膜と反応性スパッタリングにより成膜された金属吸収膜を有する積層体フィルムの製造方法において、
上記金属吸収膜が請求項４〜７のいずれかに記載のスパッタリング成膜法で形成されていることを特徴とする積層体フィルムの製造方法。
【請求項９】
Ｎｉ単体、若しくは、Ｔｉ、Ａｌ、Ｖ、Ｗ、Ｔａ、Ｓｉ、Ｃｒ、Ａｇ、Ｍｏ、Ｃｕより選ばれる１種以上の元素が添加されたＮｉ系合金、または、Ｃｕ単体、若しくは、Ｔｉ、Ａｌ、Ｖ、Ｗ、Ｔａ、Ｓｉ、Ｃｒ、Ａｇ、Ｍｏ、Ｎｉより選ばれる１種以上の元素が添加されたＣｕ系合金から成るスパッタリングターゲットを請求項４に記載のスパッタリングカソードに装着させて上記金属吸収膜が成膜されていることを特徴とする請求項８に記載の積層体フィルムの製造方法。
【請求項１０】
上記積層膜が、透明基板側から数えて１層目の金属吸収膜、２層目の金属膜、および、３層目の第２金属吸収膜で構成されることを特徴とする請求項８または９に記載の積層体フィルムの製造方法。
【請求項１１】
請求項５に記載の反射型レーザセンサで検査される金属吸収膜の成膜状態が特定波長の反射率から計測される上記第２金属吸収膜の膜厚であることを特徴とする請求項１０に記載の積層体フィルムの製造方法。
【請求項１２】
樹脂フィルムから成る透明基板と該基板の片面若しくは両面に設けられた積層細線から成るメッシュ構造の回路パターンを有する電極基板フィルムの製造方法において、
請求項８〜１１のいずれかに記載の方法で製造された積層体フィルムの積層膜を化学エッチング処理して、線幅が２０μｍ以下である上記積層細線に加工することを特徴とする電極基板フィルムの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、異常放電時における復旧機能を備えた直流電源からスパッタリングカソードに電力を供給してスパッタリング成膜を行うスパッタリング装置とその成膜法に係り、特に、スパッタリング成膜された皮膜の成膜状態を検査できるスパッタリング装置とスパッタリング成膜法およびこのスパッタリング成膜法を用いて積層体フィルムと電極基板フィルムを製造する方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話、携帯電子文書機器、自動販売機、カーナビゲーション等のフラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）表面に設置する「タッチパネル」が普及し始めている。
【０００３】
上記「タッチパネル」には、大きく分けて抵抗型と静電容量型が存在する。「抵抗型のタッチパネル」は、樹脂フィルムから成る透明基板と該基板上に設けられたＸ座標（またはＹ座標）検知電極シート並びにＹ座標（またはＸ座標）検知電極シートと、これ等シートの間に設けられた絶縁体スペーサーとで主要部が構成されている。そして、上記Ｘ座標検知電極シートとＹ座標検知電極シートは空間的に隔たっているが、ペン等で押さえられたときに両座標検知電極シートは電気的に接触してペンの触った位置（Ｘ座標、Ｙ座標）が判るようになっており、ペンを移動させればその都度座標を認識して、最終的に文字の入力が行なえる仕組みとなっている。他方、「静電容量型のタッチパネル」は、絶縁シートを介してＸ座標（またはＹ座標）検知電極シートとＹ座標（またはＸ座標）検知電極シートが積層され、これ等の上にガラス等の絶縁体が配置された構造を有しており、上記絶縁体に指を近づけたとき、その近傍のＸ座標検知電極、Ｙ座標検知電極の電気容量が変化するため位置検知を行なえる仕組みとなっている。
【０００４】
そして、電極等の回路パターンを構成する導電性材料として、従来、ＩＴＯ（酸化インジウム−酸化錫）等の透明導電膜が広く用いられていた（特許文献１参照）。また、タッチパネルの大型化に伴い、特許文献２や特許文献３等に開示されたメッシュ構造の金属製細線（金属膜）も使用され始めている。
【０００５】
上記透明導電膜と金属製細線（金属膜）を較べた場合、透明導電膜は、可視波長領域における透過性に優れるため電極等の回路パターンが殆ど視認されない利点を有するが、金属製細線（金属膜）より電気抵抗値が高いためタッチパネルの大型化や応答速度の高速化には不向きな欠点を有する。他方、金属製細線（金属膜）は、電気抵抗値が低いためタッチパネルの大型化や応答速度の高速化に向いているが、可視波長領域における反射率が高いため、例え微細なメッシュ構造に加工されたとしても高輝度照明下において回路パターンが視認されることがあり、製品価値を低下させてしまう欠点を有する。
【０００６】
そこで、電気抵抗値が低い金属製細線（金属膜）の特性を生かすため、樹脂フィルムから成る透明基板と金属製細線（金属膜）との間に金属酸化物から成る金属吸収膜（黒化膜と称される）を介在させると共に、上記金属製細線（金属膜）上に金属酸化物から成る第２金属吸収膜を成膜して金属製細線（金属膜）の反射を低減させる方法が提案されている（特許文献４、特許文献５参照）。尚、金属酸化物から成る上記金属吸収膜と第２金属吸収膜については、金属酸化物の成膜効率を図る観点から、通常、真空チャンバー内に供給された反応性ガス（酸素ガス）と金属ターゲットを用いた反応性スパッタリングにより長尺状樹脂フィルム（長尺体）に成膜する方法が採られている。
【０００７】
そして、長尺状樹脂フィルムの片面若しくは両面に、樹脂フィルム側から数えて１層目の金属吸収膜、２層目の金属膜、３層目の第２金属吸収膜から成る積層膜が形成されて積層体フィルムが製造され、タッチパネル等に用いられる電極基板フィルムは、上記積層体フィルムの積層膜（金属吸収膜／金属膜／第２金属吸収膜）を積層細線（金属製細線）にエッチング加工して製造されている。
【０００８】
ところで、金属ターゲットを装着するスパッタリングカソード用の電源に直流電源が適用されたスパッタリング装置を用いて、反応性ガス（酸素ガス）と上記金属ターゲットによる反応性スパッタリングを行った場合、反応性ガス（酸素ガス）による金属ターゲット表面の酸化あるいは金属ターゲット表面に生じた堆積物の落下等が原因となって、時折、成膜中に異常放電を生ずることがあった。このため、直流電源には、異常放電の持続等を防ぐため電源を遮断する一方、瞬時に逆バイアスを印加してスパッタリングを復活させるための復旧機能が備わっている（特許文献６参照）。
【０００９】
しかし、異常放電時における上記復旧機能によりスパッタリング成膜が短時間停止することになるため、金属酸化物から成る金属吸収膜や第２金属吸収膜を反応性スパッタリングにより成膜する場合にその膜厚が目標値より薄くなってしまうことがあった。
【００１０】
そして、金属吸収膜や第２金属吸収膜の膜厚が不足した場合、上記吸収膜から金属膜が透けて視認される等金属吸収膜や第２金属吸収膜の光吸収作用が低下してしまい、特に、金属膜上に成膜される第２金属吸収膜において顕著であった。
【００１１】
このため、従来においては、積層膜（金属吸収膜／金属膜／第２金属吸収膜）が形成された全ての積層体フィルムについて合否検査を行い、金属膜が透けて視認される欠陥部分を個別に排除する作業を必要とする問題が存在した。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１２】
【特許文献１】特開２００３−１５１３５８号公報（請求項２参照）
【特許文献２】特開２０１１−０１８１９４号公報（請求項１参照）
【特許文献３】特開２０１３−０６９２６１号公報（段落0004参照）
【特許文献４】特開２０１４−１４２４６２号公報（請求項５、段落0038参照）
【特許文献５】特開２０１３−２２５２７６号公報（請求項１、段落0041参照）
【特許文献６】特開平０８−３１１６４７号公報（段落0002参照）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
本発明はこのような問題点に着目してなされたもので、その課題とするところは、異常放電時における復旧機能を有する直流電源が適用されかつ成膜された皮膜の成膜状態が成膜中に検査できるスパッタリング装置とスパッタリング成膜法を提供すると共に、該スパッタリング成膜法を用いて製造された積層体フィルムの製造後における合否検査を必要としない積層体フィルムと電極基板フィルムの各製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
すなわち、本発明に係る第１の発明は、
ロールツーロールで長尺体を搬送する搬送手段と、長尺体が外周面に巻き付けられる冷却キャンロールと、冷却キャンロールの外周面に沿って設けられかつ成膜用のスパッタリングターゲットがそれぞれ装着される第一スパッタリングカソード並びに第二スパッタリングカソードと、反応性ガスを供給するガス供給手段を真空チャンバー内に備え、直流電源から各スパッタリングカソードに電力を供給してスパッタリングを行うと共に、異常放電時に、上記直流電源が、異常放電の持続を防ぐため電源を遮断する一方、瞬時に逆バイアスを印加してスパッタリングを復活させる機能を有するスパッタリング装置において、
上記長尺体に成膜された皮膜の成膜状態を検査する反射型レーザセンサが、冷却キャンロール外周面の近傍でかつ第一スパッタリングカソードおよび／または第二スパッタリングカソードの下流側位置に付設されていることを特徴とし、
第２の発明は、
第１の発明に記載のスパッタリング装置において、
銅の金属膜が成膜された長尺体の上記金属膜上に、第一スパッタリングカソードに装着されたスパッタリングターゲットと反応性ガスを用いた反応性スパッタリングにより金属吸収膜を成膜し、かつ、当該金属吸収膜の成膜状態を上記反射型レーザセンサで検査することを特徴とし、
第３の発明は、
第１の発明または第２の発明に記載のスパッタリング装置において、
上記反射型レーザセンサのレーザ波長が６００〜１５５０ｎｍであることを特徴とするものである。
【００１５】
また、本発明に係る第４の発明は、
真空チャンバー内に配置された冷却キャンロールの外周面にロールツーロールで搬送される長尺体を巻き付け、上記冷却キャンロールの外周面に沿って設けられたスパッタリングカソードに直流電源から電力を供給すると共に、真空チャンバー内に供給された反応性ガスとスパッタリングカソードに装着されたスパッタリングターゲットを用いた反応性スパッタリングにより長尺体への成膜を行い、かつ、異常放電時に、上記直流電源が、異常放電の持続を防ぐため電源を遮断する一方、瞬時に逆バイアスを印加してスパッタリングを復活させる機能を具備するスパッタリング成膜法において、
上記冷却キャンロール外周面の近傍でかつスパッタリングカソードの下流側位置に反射型レーザセンサを配設し、反応性スパッタリングにより長尺体に成膜された皮膜の成膜状態を検査するようにしたことを特徴とし、
第５の発明は、
第４の発明に記載のスパッタリング成膜法において、
銅の金属膜が成膜された長尺体の上記金属膜上に、スパッタリングカソードに装着されたスパッタリングターゲットと反応性ガスを用いた反応性スパッタリングにより金属吸収膜を成膜し、かつ、当該金属吸収膜の成膜状態を上記反射型レーザセンサで検査するようにしたことを特徴とし、
第６の発明は、
第４の発明または第５の発明に記載のスパッタリング成膜法において、
上記反射型レーザセンサのレーザ波長が６００〜１５５０ｎｍであることを特徴とし、
第７の発明は、
第４の発明〜第６の発明のいずれかに記載のスパッタリング成膜法において、
反射型レーザセンサで検査される金属吸収膜の上記成膜状態が特定波長の反射率から計測される金属吸収膜の膜厚であることを特徴とするものである。
【００１６】
次に、本発明に係る第８の発明は、
樹脂フィルムから成る透明基板と該基板の片面若しくは両面に設けられた積層膜とで構成され、かつ、上記積層膜が金属膜と反応性スパッタリングにより成膜された金属吸収膜を有する積層体フィルムの製造方法において、
上記金属吸収膜が第４の発明〜第７の発明のいずれかに記載のスパッタリング成膜法で形成されていることを特徴とし、
第９の発明は、
第８の発明に記載の積層体フィルムの製造方法において、
Ｎｉ単体、若しくは、Ｔｉ、Ａｌ、Ｖ、Ｗ、Ｔａ、Ｓｉ、Ｃｒ、Ａｇ、Ｍｏ、Ｃｕより選ばれる１種以上の元素が添加されたＮｉ系合金、または、Ｃｕ単体、若しくは、Ｔｉ、Ａｌ、Ｖ、Ｗ、Ｔａ、Ｓｉ、Ｃｒ、Ａｇ、Ｍｏ、Ｎｉより選ばれる１種以上の元素が添加されたＣｕ系合金から成るスパッタリングターゲットを第４の発明に記載のスパッタリングカソードに装着させて上記金属吸収膜が成膜されていることを特徴とし、
第１０の発明は、
第８の発明または第９の発明に記載の積層体フィルムの製造方法において、
上記積層膜が、透明基板側から数えて１層目の金属吸収膜、２層目の金属膜、および、３層目の第２金属吸収膜で構成されることを特徴とし、
第１１の発明は、
第１０の発明に記載の積層体フィルムの製造方法において、
第５の発明に記載の反射型レーザセンサで検査される金属吸収膜の成膜状態が特定波長の反射率から計測される上記第２金属吸収膜の膜厚であることを特徴とし、
また、本発明に係る第１２の発明は、
樹脂フィルムから成る透明基板と該基板の片面若しくは両面に設けられた積層細線から成るメッシュ構造の回路パターンを有する電極基板フィルムの製造方法において、
第８の発明〜第１１の発明のいずれかに記載の方法で製造された積層体フィルムの積層膜を化学エッチング処理して、線幅が２０μｍ以下である上記積層細線に加工することを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１７】
本発明に係るスパッタリング装置とスパッタリング成膜法によれば、
冷却キャンロール外周面の近傍でかつスパッタリングカソードの下流側位置に配設された反射型レーザセンサを用いて長尺状樹脂フィルム等の長尺体にスパッタリング成膜された皮膜の成膜状態が検査され、かつ、長尺体の長さ方向に亘って検査された皮膜の成膜状態を記録することで長尺体の不合格箇所を成膜時に把握することが可能となる。
【００１８】
従って、上記スパッタリング装置とスパッタリング成膜法を用いて製造された積層体フィルムの製造後における合否検査を行う必要がないため、積層体フィルムと該積層体フィルムを用いて得られる電極基板フィルムの製造効率が飛躍的に改善される効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】長尺状樹脂フィルム（長尺体）から成る透明基板の両面に透明基板側から数えて１層目の金属吸収膜と２層目の金属膜がスパッタリングにより形成された製造途中における積層体フィルムの概略構成説明図。
【図２】長尺状樹脂フィルム（長尺体）から成る透明基板の両面に透明基板側から数えて１層目のスパッタリングにより形成された金属吸収膜と２層目のスパッタリングと湿式めっきにより形成された金属膜を有する製造途中における積層体フィルムの概略構成説明図。
【図３】長尺状樹脂フィルム（長尺体）から成る透明基板の両面に透明基板側から数えて１層目のスパッタリングにより形成された金属吸収膜と２層目のスパッタリングと湿式めっきにより形成された金属膜と３層目のスパッタリングにより形成された第２金属吸収膜を有する本発明に係る積層体フィルムの概略構成説明図。
【図４】透明基板の両面に金属製の積層細線がそれぞれ形成された本発明に係る電極基板フィルムの概略構成説明図。
【図５】本発明に係るスパッタリング装置（スパッタリングウェブコータ）の説明図。
【図６】スパッタリングにより形成された３層目の第２金属吸収膜における膜厚が目標値より薄く成膜された本発明に係る積層体フィルムの概略構成説明図。
【図７】銅の金属膜上に７種類の膜厚（０ｎｍ、５ｎｍ、１０ｎｍ、１５ｎｍ、２０ｎｍ、２５ｎｍ、３０ｎｍ）でそれぞれスパッタリング成膜された各第２金属吸収膜における波長と反射率の関係を示すグラフ図。
【図８】１層目の金属吸収膜と２層目の金属膜が形成された長尺状樹脂フィルム（長尺体）の上記金属膜上に成膜された３層目の第２金属吸収膜における成膜状態を反射型レーザセンサで検査して求められた長尺体の長さ方向における特定領域（０ｃｍ〜２０ｃｍに亘る領域）の距離と光量（反射光量）カウントとの関係を示すグラフ図。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、本発明に係る実施の形態について図面を用いて詳細に説明する。
【００２１】
（１）積層体フィルムと電極基板フィルム
本発明に係る積層体フィルムは、長尺状樹脂フィルム（長尺体）から成る透明基板と該基板の片面若しくは両面に設けられた積層膜とで構成され、かつ、上記積層膜が金属膜と反応性スパッタリングにより成膜された金属吸収膜（透明基板側から数えて１層目の金属吸収膜と３層目の第２金属吸収膜とで構成される）を有することを特徴とし、本発明に係る電極基板フィルムは、長尺状樹脂フィルム（長尺体）から成る透明基板と該基板の片面若しくは両面に設けられた積層細線から成るメッシュ構造の回路パターンを有することを特徴とする。
【００２２】
（１−１）製造途中における積層体フィルムと完成された積層体フィルム
製造途中における積層体フィルムは、図１に示すように長尺状樹脂フィルム（長尺体）から成る透明基板４０と、該透明基板４０の両面に反応性スパッタリング法により形成された１層目の金属吸収膜４１、４３とスパッタリング法により形成された２層目の金属膜４２、４４とで構成されている。
【００２３】
尚、透明基板側から数えて２層目の金属膜については、乾式成膜法（スパッタリング法）と湿式成膜法（湿式めっき法）を組み合わせて形成してもよい。
【００２４】
すなわち、図２に示すように長尺状樹脂フィルム（長尺体）から成る透明基板５０と、該透明基板５０の両面に反応性スパッタリング法により形成された１層目の金属吸収膜５１、５３と、スパッタリング法により形成された２層目の金属膜５２、５４と湿式めっき法により形成された２層目の金属膜５５、５６とで構成してもよい。
【００２５】
また、完成された積層体フィルムは、図３に示すように長尺状樹脂フィルム（長尺体）から成る透明基板６０と、該透明基板６０の両面に反応性スパッタリング法により形成された１層目の金属吸収膜６１、６３と、スパッタリング法により形成された２層目の金属膜６２、６４と湿式めっき法により形成された２層目の金属膜６５、６６と、反応性スパッタリング法により形成された３層目の第２金属吸収膜６７、６８で構成されている。
【００２６】
（１−２）電極基板フィルム
メッシュ構造の回路パターンを有する本発明に係る電極基板フィルムは、長尺状樹脂フィルム（長尺体）から成る透明基板と該基板の片面若しくは両面に設けられた積層膜とで構成される積層体フィルムの上記積層膜（１層目の金属吸収膜／２層目の金属膜／３層目の第２金属吸収膜）をエッチング処理して、金属製の積層細線（１層目の金属吸収膜／２層目の金属膜／３層目の第２金属吸収膜）に加工することにより製造できる。
【００２７】
ここで、図４に示す長尺状樹脂フィルム（長尺体）から成る透明基板７０と、該透明基板７０の両面に設けられた金属製の積層細線（１層目の金属吸収膜７１、７３／２層目の金属膜７２、７５、７４、７６／３層目の第２金属吸収膜７７、７８）とで構成される本発明に係る電極基板フィルムにおいて、１層目の金属吸収膜７１、７３と３層目の第２金属吸収膜７７、７８を形成している理由は、積層体フィルムを用いて作製された電極基板フィルムをタッチパネルに組み込んだときに金属製積層細線から成るメッシュ構造の回路パターンが視認されないようにするためである。
【００２８】
（１−３）金属吸収膜および第２金属吸収膜の構成材料
上記金属吸収膜および第２金属吸収膜は、Ｎｉ単体、若しくは、Ｔｉ、Ａｌ、Ｖ、Ｗ、Ｔａ、Ｓｉ、Ｃｒ、Ａｇ、Ｍｏ、Ｃｕより選ばれる１種以上の元素が添加されたＮｉ系合金、または、Ｃｕ単体、若しくは、Ｔｉ、Ａｌ、Ｖ、Ｗ、Ｔａ、Ｓｉ、Ｃｒ、Ａｇ、Ｍｏ、Ｎｉより選ばれる１種以上の元素が添加されたＣｕ系合金から成るスパッタリングターゲットと酸素を含む反応性ガスを用いた反応性スパッタリングにより形成される。尚、上記Ｎｉ系合金としては、Ｎｉ−Ｃｕ合金が好ましい。また、上記金属吸収膜および第２金属吸収膜を構成する金属酸化物の酸化が進み過ぎると透明になってしまうため、黒化膜になる程度の酸化レベルに設定することを要する。また、金属吸収膜の各波長における光学定数（屈折率、消衰係数）は、反応の度合い、すなわち、酸化度に大きく影響され、Ｎｉ系合金から成る金属材だけで決定されるものではない。
【００２９】
（１−４）金属膜の構成材料
上記金属膜の構成材料としては、電気抵抗値が低い金属であれば特に限定されず、例えば、Ｃｕ単体、若しくは、Ｔｉ、Ａｌ、Ｖ、Ｗ、Ｔａ、Ｓｉ、Ｃｒ、Ａｇより選ばれる１種以上の元素が添加されたＣｕ系合金、または、Ａｇ単体、若しくは、Ｔｉ、Ａｌ、Ｖ、Ｗ、Ｔａ、Ｓｉ、Ｃｒ、Ｃｕより選ばれる１種以上の元素が添加されたＡｇ系合金が挙げられ、特に、Ｃｕ単体が、回路パターンの加工性や抵抗値の観点から望ましい。また、金属膜の膜厚は電気特性に依存するものであり、光学的な要素から決定されるものではないが、通常、透過光が測定不能なレベルの膜厚に設定される。
【００３０】
（１−５）透明基板を構成する長尺状樹脂フィルム（長尺体）
上記積層体フィルムに適用される長尺状樹脂フィルム（長尺体）の材質としては特に限定されることはなく、その具体例として、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）、ポリアリレート（ＰＡＲ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリオレフィン（ＰＯ）、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）およびノルボルネンの樹脂材料から選択された樹脂フィルムの単体、あるいは、上記樹脂材料から選択された樹脂フィルム単体とこの単体の片面または両面を覆うアクリル系有機膜との複合体が挙げられる。特に、ノルボルネン樹脂材料については、代表的なものとして、日本ゼオン社のゼオノア（商品名）やＪＳＲ社のアートン（商品名）等が挙げられる。
【００３１】
尚、本発明に係る積層体フィルムを用いて作製される電極基板フィルムは「タッチパネル」等に使用するため、上記樹脂フィルムの中でも可視波長領域での透明性に優れるものが望ましい。
【００３２】
（２）スパッタリング装置とスパッタリング成膜法
（２−１）スパッタリング装置
ロールツーロールで搬送される長尺状樹脂フィルム（長尺体）に対し連続成膜するスパッタリング装置はスパッタリングウェブコータと称され、図５に示すように真空チャンバー１０内に設けられており、巻き出しロール１１から巻き出された長尺体１２に対して所定の成膜処理を行った後、巻き取りロール２４で巻き取るようになっている。これ等巻き出しロール１１から巻き取りロール２４までの搬送経路の途中に、モータで回転駆動される冷却キャンロール１６が配置されている。この冷却キャンロール１６の内部には、真空チャンバー１０の外部で温調された冷媒が循環している。
【００３３】
真空チャンバー１０内では、スパッタリング成膜のため、到達圧力１０-4Ｐａ程度までの減圧と、その後のプロセスガス（スパッタリングガス）の導入による０.１〜１０Ｐａ程度の圧力調整が行われる。プロセスガスにはアルゴン等公知のガスが使用され、更に、酸素等の反応性ガスが添加される。真空チャンバー１０の形状や材質は、このような減圧状態に耐え得るものであれば特に限定はなく種々のものを使用することができる。また、真空チャンバー１０内を減圧してその状態を維持するため、真空チャンバー１０にはドライポンプ、ターボ分子ポンプ、クライオコイル等種々の装置（図示せず）が組み込まれている。
【００３４】
巻き出しロール１１から冷却キャンロール１６までの搬送経路には、長尺体ム１２を案内するフリーロール１３と、長尺体１２の張力の測定を行う張力センサロール１４がこの順で配置されている。また、張力センサロール１４から送り出されて冷却キャンロール１６に向かう長尺体１２は、冷却キャンロール１６の近傍に設けられたモータ駆動の前フィードロール１５によって冷却キャンロール１６の周速度に対する調整が行われ、これにより冷却キャンロール１６の外周面に長尺体１２を密着させることができる。
【００３５】
冷却キャンロール１６から巻き取りロール２４までの搬送経路も、上記同様に、冷却キャンロール１６の周速度に対する調整を行うモータ駆動の後フィードロール２１、長尺体１２の張力の測定を行う張力センサロール２２および長尺体１２を案内するフリーロール２３がこの順に配置されている。
【００３６】
上記巻き出しロール１１および巻き取りロール２４では、パウダークラッチ等によるトルク制御によって長尺体１２の張力バランスが保たれている。また、冷却キャンロール１６の回転とこれに連動して回転するモータ駆動の前フィードロール１５、後フィードロール２１により、巻き出しロール１１から長尺体１２が巻き出されて巻き取りロール２４に巻き取られるようになっている。
【００３７】
冷却キャンロール１６の近傍には、冷却キャンロール１６の外周面上に画定される搬送経路（すなわち、冷却キャンロール１６外周面内の長尺体１２が巻き付けられる領域）に対向する位置に、スパッタリングターゲットがそれぞれ装着される第一スパッタリングカソード１７、１８と第二スパッタリングカソード１９、２０が組み込まれ、第一スパッタリングカソード１７、１８と第二スパッタリングカソード１９、２０の近傍に反応性ガスを放出するガス放出パイプ２５、２６、２７、２８、２９、３０、３１、３２が設置されている。
【００３８】
尚、図５に示すスパッタリング装置において、第一スパッタリングカソード１７、１８と第二スパッタリングカソード１９、２０にそれぞれ装着されるスパッタリングターゲットとして板状ターゲットが用いられているが、板状ターゲットを用いた場合、ターゲット上にノジュール（異物の成長）を生ずることがある。これが問題になる場合は、ノジュールの発生がなくかつターゲットの使用効率も高い円筒形のロータリーターゲットを使用することが好ましい。
【００３９】
（２−２）反応性スパッタリング成膜法
金属酸化物から成る金属吸収膜（第２金属吸収膜）を成膜する目的で酸化物ターゲットを適用した場合、成膜速度が遅く量産に適さない。このため、高速成膜が可能なＮｉ系等の金属ターゲットを用い、かつ、酸素を含む反応性ガスを制御しながら導入する反応性スパッタリング成膜法が採られている。
【００４０】
そして、反応性ガスを制御する方法として以下の４つの方法が知られている。
（2-2-1）一定流量の反応性ガスを放出する方法。
（2-2-2）一定圧力を保つように反応性ガスを放出する方法。
（2-2-3）スパッタリングカソードのインピーダンスが一定になるように反応性ガスを放出する（インピーダンス制御）方法。
（2-2-4）スパッタリングのプラズマ強度が一定になるように反応性ガスを放出する（プラズマエミッション制御）方法。
【００４１】
（２−３）異常放電時における復旧機能を有する直流電源
金属ターゲットを装着するスパッタリングカソード用の電源に直流電源が適用されたスパッタリング装置を用いて反応性スパッタリングを行った場合、上述したように反応性ガス（酸素ガス）による金属ターゲット表面の酸化あるいは金属ターゲット表面に生じた堆積物の落下等が原因となって、時折、成膜中に異常放電を生ずることがある。このため、直流電源には、異常放電の持続等を防ぐため電源を遮断する一方、瞬時に逆バイアスを印加してスパッタリングを復活させる復旧機能が備わっている。
【００４２】
尚、スパッタリングカソード用の電源には、直流電源の他にパルス電源、ｋＨｚ領域の周波数による中周波電源やＭＨｚ領域の周波数による高周波電源が知られているが、スパッタリング成膜速度等効率の観点から上記直流電源の適用が望ましい。
【００４３】
そして、成膜基板が移動しないバッチ式のスパッタリングにおいては、異常放電時における復旧機能によりスパッタリング成膜が短時間停止されたとしても、復旧後の成膜時間を長くすれば目標とする膜厚を得ることは可能となる。
【００４４】
しかし、成膜基板が移動するロールツーロール方式のスパッタリング成膜においては、異常放電時における復旧機能によりスパッタリング成膜が短時間停止した場合、上述したように金属酸化物から成る金属吸収膜や第２金属吸収膜の膜厚が目標値より薄くなってしまう弊害を生ずる。例えば、図６に示すように長尺状樹脂フィルム（長尺体）から成る透明基板８０と、該透明基板８０の両面に反応性スパッタリング法により形成された１層目の金属吸収膜８１、８３と、スパッタリング法により形成された２層目の金属膜８２、８４と湿式めっき法により形成された２層目の金属膜８５、８６と、反応性スパッタリング法により形成された３層目の第２金属吸収膜８７、８８とで積層体フィルムが構成されている場合、符号８９で示すように第２金属吸収膜８７の膜厚が目標値より薄くなってしまうことがあった。
【００４５】
このため、従来においては、積層膜（金属吸収膜／金属膜／第２金属吸収膜）が形成された全ての積層体フィルムについて合否検査を行い、金属膜が透けて視認される欠陥部分を個別に排除する煩雑な作業を必要とする問題が存在した。
【００４６】
（３）反射型レーザセンサとレーザ波長
（３−１）反射型レーザセンサ
そこで、本発明に係るスパッタリング装置においては、図５に示すように、冷却キャンロール１６外周面の近傍でかつ第一スパッタリングカソード１７、１８、および／または、第二スパッタリングカソード１９、２０の下流側位置に反射型レーザセンサ３３、３４を付設し、長尺状樹脂フィルム（長尺体）１２に成膜された皮膜（金属吸収膜および／または第２金属吸収膜）の成膜状態を検査できるようになっている。
【００４７】
そして、本発明に係るスパッタリング装置によれば、長尺体１２に成膜された皮膜（金属吸収膜および／または第２金属吸収膜）の成膜状態が検査され、かつ、検査された皮膜（金属吸収膜および／または第２金属吸収膜）の成膜状態を長尺体１２の長さ方向に亘って継続的に記録することで不合格箇所を成膜時に把握することが可能となる。
【００４８】
従って、本発明に係るスパッタリング装置を用いて製造された積層体フィルムの製造後における合否検査を行う必要がなくなるため、積層体フィルムと該積層体フィルムを用いて得られる電極基板フィルムの製造効率が飛躍的に改善される顕著な効果を有する。
【００４９】
（３−２）反射型レーザセンサのレーザ波長
（3-2-1）第２金属吸収膜
透明基板側から数えて３層目の第２金属吸収膜においては、異常放電時における復旧機能により第２金属吸収膜の膜厚が目標値より薄くなった場合、上述したようにその光吸収作用は顕著に低下する。
【００５０】
そして、第２金属吸収膜の膜厚が不足すると、例えば、透明基板側から数えて２層目の金属膜が銅（Ｃｕ）で構成されている場合、反射型レーザセンサにより銅（Ｃｕ）で構成される金属膜からの反射光が検出されることになる。
【００５１】
図７のグラフ図は、銅（Ｃｕ）で構成される金属膜上に、異なる膜厚条件（０ｎｍ、５ｎｍ、１０ｎｍ、１５ｎｍ、２０ｎｍ、２５ｎｍ、３０ｎｍ）でスパッタリング成膜された７種類の第２金属吸収膜（Ｎｉ−Ｃｕ合金ターゲットが適用されている）における波長と反射率との関係を示している。そして、図７のグラフ図に、第２金属吸収膜の膜厚が薄ければ薄い程、金属（Ｃｕ）膜からの波長６００ｎｍより長波長側における反射率が高くなり、第２金属吸収膜の膜厚が厚ければ厚い程、金属（Ｃｕ）膜からの波長６００ｎｍより長波長側における反射率が低くなることが示されている。また、図７のグラフ図から、透明基板側から数えて２層目の金属膜が銅（Ｃｕ）で構成されている場合、反射型レーザセンサのレーザ波長は６００〜１５５０ｎｍが望ましい。ところで、半導体レーザは、波長が１５５０ｎｍ以上の製品は一般的に普及していないため、レーザ波長の上限値は上記１５５０ｎｍとなる。
【００５２】
（3-2-2）金属吸収膜
透明基板側から数えて１層目の金属吸収膜における成膜状態を反射型レーザセンサで検査する場合、反射型レーザセンサで検出される光は、金属吸収膜と長尺体を介しレーザセンサに入射される冷却キャンロールからの反射光になる。このため、反射型レーザセンサのレーザ波長は、冷却キャンロールを構成する金属材料に適合した波長を選択することを要する。
【実施例】
【００５３】
以下、本発明の実施例について具体的に説明するが、本発明に係る構成が以下の実施例により限定されるものではない。
【００５４】
［実施例］
図５に示すスパッタリング装置（スパッタリングウェブコータ）を用い、反応性ガスには酸素ガスを用いると共に、冷却キャンロール１６は、直径６００ｍｍ、幅７５０ｍｍのステンレス製で、ロール本体表面にハードクロムめっきが施されている。前フィードロール１５と後フィードロール２１は、直径１５０ｍｍ、幅７５０ｍｍのステンレス製で、ロール本体表面にハードクロムめっきが施されている。また、下記ターゲットが装着される第一スパッタリングカソード（マグネトロンスパッタリングカソード）１７、１８と第二スパッタリングカソード（マグネトロンスパッタリングカソード）１９、２０の上流側と下流側にガス放出パイプ２５、２６、２７、２８、２９、３０、３１、３２を設置し、かつ、第一スパッタリングカソード（マグネトロンスパッタリングカソード）１７、１８には金属吸収膜（第２金属吸収膜）用のＮｉ−Ｃｕターゲットを取付け、第二スパッタリングカソード（マグネトロンスパッタリングカソード）１９、２０には金属膜用のＣｕターゲットを取り付けた。
【００５５】
また、符号３３、３４で示される反射型レーザセンサには、金属銅（Ｃｕ）に適合した波長６５５ｎｍの反射型デジタルレーザセンサ（キーエンス社製  ＬＶ−Ｓ４１）を採用した。
【００５６】
また、透明基板を構成する長尺状樹脂フィルム（長尺体）１２には、厚さ５０μｍ、幅６００ｍｍ、長さ１２００ｍのＰＥＴフィルムを用い、冷却キャンロール１６は０℃に冷却制御した。また、真空チャンバー１０を複数台のドライポンプにより５Ｐａまで排気した後、更に、複数台のターボ分子ポンプとクライオコイルを用いて３×１０-3Ｐａまで排気した。
【００５７】
そして、長尺状樹脂フィルム（長尺体）１２の搬送速度を５．７ｃｍ／秒に設定した後、ガス放出パイプ２５、２６、２７、２８からアルゴンガスを５００ｓｃｃｍと酸素ガスを５０ｓｃｃｍ混合した混合ガスを導入し、かつ、異常放電時における復旧機能を有する直流電源から、第一スパッタリングカソード（マグネトロンスパッタリングカソード）１７、１８に対し膜厚３０ｎｍのＮｉ−Ｃｕ酸化膜が得られる電力を制御しながら供給する一方、上記ガス放出パイプ２９、３０、３１、３２からアルゴンガスを５００ｓｃｃｍ導入し、かつ、異常放電時における復旧機能を有する直流電源から、第二スパッタリングカソード（マグネトロンスパッタリングカソード）１９、２０に対し膜厚８０ｎｍのＣｕ膜が得られる電力を制御しながら供給して、長尺状樹脂フィルム（長尺体）１２の片面（第１面）に、反応性スパッタリングにより１層目の金属吸収膜（Ｎｉ−Ｃｕ酸化膜）とスパッタリング法により２層目の金属膜（Ｃｕ膜）を連続的に成膜した。
【００５８】
次に、長尺状樹脂フィルム（長尺体）１２の片面（第１面）の成膜が終了した後、長尺状樹脂フィルム（長尺体）１２の他方の面（第２面）が被成膜面となるようにフィルムを巻き戻すと共に、巻き出しロール１１に再セットし、上記片面（第１面）の成膜条件と同様にして長尺状樹脂フィルム（長尺体）１２の他方の面（第２面）に反応性スパッタリングにより１層目の金属吸収膜（Ｎｉ−Ｃｕ酸化膜）とスパッタリング法により２層目の金属膜（Ｃｕ膜）を連続的に成膜した。
【００５９】
そして、長尺状樹脂フィルム（長尺体）１２の両面に１層目の金属吸収膜（Ｎｉ−Ｃｕ酸化膜）と２層目の金属膜（Ｃｕ膜）がそれぞれ成膜された後、スパッタリング法により第１面と第２面にそれぞれ形成された膜厚８０ｎｍのＣｕ膜上に湿式めっき法により２層目の金属膜（Ｃｕ膜）を３００ｎｍ成膜した。
【００６０】
次に、長尺状樹脂フィルム（長尺体）１２の第１面と第２面に１層目の金属吸収膜（Ｎｉ−Ｃｕ酸化膜）と２層目の金属膜（スパッタリング法と湿式めっき法により形成された合計膜厚３８０ｎｍのＣｕ膜）がそれぞれ成膜された長尺状樹脂フィルム（長尺体）１２を、図５に示すスパッタリング装置（スパッタリングウェブコータ）に戻して再セットし、長尺状樹脂フィルム（長尺体）１２の第１面側に３層目の第２金属吸収膜（Ｎｉ−Ｃｕ酸化膜）を成膜した。この際、第二スパッタリングカソード（マグネトロンスパッタリングカソード）１９、２０におけるＣｕ膜のスパッタリングは停止している。
【００６１】
更に、長尺状樹脂フィルム（長尺体）１２の第１面における第２金属吸収膜（Ｎｉ−Ｃｕ酸化膜）の成膜が終了した後、長尺状樹脂フィルム（長尺体）１２の第２面が被成膜面となるようにフィルムを巻き戻すと共に、巻き出しロール１１に再セットし、長尺状樹脂フィルム（長尺体）１２の第２面側に３層目の第２金属吸収膜（Ｎｉ−Ｃｕ酸化膜）を成膜して、長尺状樹脂フィルム（長尺体）１２の両面に、積層膜［膜厚３０ｎｍの金属吸収膜（Ｎｉ−Ｃｕ酸化膜）／膜厚３８０ｎｍの金属膜（Ｃｕ膜）／膜厚３０ｎｍの第２金属吸収膜（Ｎｉ−Ｃｕ酸化膜）］が形成された積層体フィルムを製造した。尚、この場合においても第二スパッタリングカソード（マグネトロンスパッタリングカソード）１９、２０におけるＣｕ膜のスパッタリングは停止している。
【００６２】
［波長６５５ｎｍの反射型デジタルレーザセンサ３３による検査］
上記長尺状樹脂フィルム（長尺体）１２の第１面と第２面における３層目の第２金属吸収膜（Ｎｉ−Ｃｕ酸化膜）を反応性スパッタリングでそれぞれ連続成膜している間中、符号３３で示された波長６５５ｎｍの反射型デジタルレーザセンサを用いて第２金属吸収膜（Ｎｉ−Ｃｕ酸化膜）の成膜状態を連続的に検査し、かつ、検査データ［膜厚３８０ｎｍの金属膜（Ｃｕ膜）からの反射光量］は、長尺状樹脂フィルム（長尺体）１２の長さ方向に亘って（すなわち、ＰＥＴフィルムの０ｍ〜１２００ｍに亘って）継続的に記録されている。
【００６３】
図８は、長尺状樹脂フィルム（長尺体）１２の第２面における３層目の第２金属吸収膜（Ｎｉ−Ｃｕ酸化膜）を反射型デジタルレーザセンサ３３で検査して求められた長尺状樹脂フィルム（長尺体）１２の長さ方向における特定領域（長さ０ｍ〜１２００ｍのＰＥＴフィルム中における特定部位０ｃｍ〜２０ｃｍに亘る領域）の距離と光量（反射光量）カウントとの関係を示すグラフ図である。
【００６４】
そして、図８のグラフ図は、光量カウントが設定しきい値（２００）を越える区間が上記特定部位０ｃｍ〜２０ｃｍ中に４ｃｍ存在していることを示しており、この検出しきい値は波長６５５ｎｍにおける反射率が約１．５倍に増加する値で、３層目の第２金属吸収膜の膜厚が半分程度しか成膜されていないことを示すしきい値である。
【００６５】
そこで、長尺状樹脂フィルム（長尺体）１２の長さ方向に亘って記録された検査データに基づき上記光量カウントが設定しきい値（２００）を越えた領域を選び出し、かつ、この領域を取り除いて積層体フィルムを出荷した。
【００６６】
尚、出荷せずに取り除かれた積層体フィルムを目視により調べたところ、３層目の第２金属吸収膜から２層目のＣｕ層が若干透けて視認されることが確認された。
【００６７】
このように上記反射型デジタルレーザセンサが付設された実施例に係るスパッタリング装置（スパッタリングウェブコータ）を用いて製造された積層体フィルムにおいては、製造後における合否検査を行う必要がないため製造効率が飛躍的に改善され、かつ、不良品の流出を確実に防止できる顕著な効果が確認された。
【産業上の利用可能性】
【００６８】
透明基板と積層膜（金属吸収膜／金属膜／第２金属吸収膜）とで構成される積層体フィルムを本発明に係るスパッタリング装置で製造した場合、第２金属吸収膜の膜厚が不足した不良品の流出を回避することができるため、ＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ）表面に設置する「タッチパネル」に利用される産業上の可能性を有している。
【符号の説明】
【００６９】
１０  真空チャンバー
１１  巻き出しロール
１２  長尺状樹脂フィルム（長尺体）
１３  フリーロール
１４  張力センサロール
１５  前フィードロール
１６  冷却キャンロール
１７  第一スパッタリングカソード（マグネトロンスパッタリングカソード）
１８  第一スパッタリングカソード（マグネトロンスパッタリングカソード）
１９  第二スパッタリングカソード（マグネトロンスパッタリングカソード）
２０  第二スパッタリングカソード（マグネトロンスパッタリングカソード）
２１  後フィードロール
２２  張力センサロール
２３  フリーロール
２４  巻き取りロール
２５  ガス放出パイプ
２６  ガス放出パイプ
２７  ガス放出パイプ
２８  ガス放出パイプ
２９  ガス放出パイプ
３０  ガス放出パイプ
３１  ガス放出パイプ
３２  ガス放出パイプ
３３  反射型レーザセンサ
３４  反射型レーザセンサ
４０  透明基板
４１  反応性スパッタリング法で形成された金属吸収膜
４２  スパッタリング法で形成された金属膜（銅層）
４３  反応性スパッタリング法で形成された金属吸収膜
４４  スパッタリング法で形成された金属膜（銅層）
５０  透明基板
５１  反応性スパッタリング法で形成された金属吸収膜
５２  スパッタリング法で形成された金属膜（銅層）
５３  反応性スパッタリング法で形成された金属吸収膜
５４  スパッタリング法で形成された金属膜（銅層）
５５  湿式めっき法で形成された金属膜（銅層）
５６  湿式めっき法で形成された金属膜（銅層）
６０  透明基板
６１  反応性スパッタリング法で形成された金属吸収膜
６２  スパッタリング法で形成された金属膜（銅層）
６３  反応性スパッタリング法で形成された金属吸収膜
６４  スパッタリング法で形成された金属膜（銅層）
６５  湿式めっき法で形成された金属膜（銅層）
６６  湿式めっき法で形成された金属膜（銅層）
６７  反応性スパッタリング法で形成された第２金属吸収膜
６８  反応性スパッタリング法で形成された第２金属吸収膜
７０  透明基板
７１  反応性スパッタリング法で形成された金属吸収膜
７２  スパッタリング法で形成された金属膜（銅層）
７３  反応性スパッタリング法で形成された金属吸収膜
７４  スパッタリング法で形成された金属膜（銅層）
７５  湿式めっき法で形成された金属膜（銅層）
７６  湿式めっき法で形成された金属膜（銅層）
７７  反応性スパッタリング法で形成された第２金属吸収膜
７８  反応性スパッタリング法で形成された第２金属吸収膜
８０  透明基板
８１  反応性スパッタリング法で形成された金属吸収膜
８２  スパッタリング法で形成された金属膜（銅層）
８３  反応性スパッタリング法で形成された金属吸収膜
８４  スパッタリング法で形成された金属膜（銅層）
８５  湿式めっき法で形成された金属膜（銅層）
８６  湿式めっき法で形成された金属膜（銅層）
８７  反応性スパッタリング法で形成された第２金属吸収膜
８８  反応性スパッタリング法で形成された第２属吸収膜
８９  目標値より膜厚が薄い第２属吸収膜
【図１】
0006566208.tif 000002
【図２】
0006566208.tif 000003
【図３】
0006566208.tif 000004
【図４】
0006566208.tif 000005
【図５】
0006566208.tif 000006
【図６】
0006566208.tif 000007
【図７】
0006566208.tif 000008
【図８】
0006566208.tif 000009