(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
積層方向に配置された複数の誘電体層と複数の内部電極層とを有し、前記積層方向に相対する第１の主面および第２の主面と、前記積層方向に直交する幅方向に相対する第１の側面および第２の側面と、前記積層方向および前記幅方向に直交する長さ方向に相対する第１の端面および第２の端面とを含む積層体と、
前記積層体の前記第１の端面に配置され、前記内部電極層と接続する第１外部電極と、
前記積層体の前記第２の端面に配置され、前記内部電極層と接続する第２外部電極と、を備え、
前記第１外部電極は、前記内部電極層と接続する第１金属層と、前記第１金属層上に配置された第２金属層とを含み、
前記第１金属層は、前記第２金属層よりも比抵抗値が高く、
前記内部電極層のうち積層方向の最も外側に配置された最外内部電極層の上における第１金属層の厚さである第１金属層の最外部厚さと、積層方向の中央における第１金属層の厚さである第１金属層の中央部厚さとの差が５μｍ以下であり、
前記第１金属層は、金属、金属酸化物及びガラスからなる群から選択された少なくとも１種の化合物を含み、
前記金属酸化物は、酸化インジウムスズ、アルミナ及びジルコニアからなる群から選択された少なくとも１種の化合物を含み、
前記第２金属層である焼付け層の中央部厚さが、焼付け層の最外部厚さより大きく、
前記焼付け層は、ガラスと金属を含み、
前記積層体の角部及び稜線部には前記第２金属層が直接形成されていることを特徴とする電子部品。
【請求項２】
前記金属は、Ａｇ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｕ及びＰｄからなる群から選択された少なくとも１種の金属からなる請求項１に記載の電子部品。
【請求項３】
前記第２金属層を構成する金属はＣｕである請求項１又は２に記載の電子部品。
【請求項４】
積層方向に配置された複数の誘電体層と複数の内部電極層とを有し、前記積層方向に相対する第１の主面および第２の主面と、前記積層方向に直交する幅方向に相対する第１の側面および第２の側面と、前記積層方向および前記幅方向に直交する長さ方向に相対する第１の端面および第２の端面とを含む積層体を準備する工程と、
前記積層体の第１の端面に、第１金属層となる導電性シートを付与する工程と、
前記導電性シートが付与された前記第１の端面を、第２金属層となるガラスと金属を含む導電性ペーストに浸漬し、焼き付けることにより第２金属層であるガラスと金属を含む焼付け層を形成する工程と、を備える電子部品の製造方法であって、
前記第１金属層は、金属、金属酸化物及びガラスからなる群から選択された少なくとも１種の化合物を含み、
前記金属酸化物は、酸化インジウムスズ、アルミナ及びジルコニアからなる群から選択された少なくとも１種の化合物を含み、
前記第２金属層である焼付け層の中央部厚さが、焼付け層の最外部厚さより大きく、
積層体の角部及び稜線部には前記第２金属層を直接形成することを特徴とする電子部品の製造方法。
【請求項５】
前記積層体の第１の端面と前記導電性シートを接触させて圧力を加えることにより前記導電性シートを付与する請求項４に記載の電子部品の製造方法。
【請求項６】
前記導電性シートは樹脂を含み、
前記導電性シートを前記樹脂の相転移点以上の温度に加熱して前記積層体の第１の端面と前記導電性シートを接触させることにより前記導電性シートを付与する請求項４又は５に記載の電子部品の製造方法。
【請求項７】
前記導電性シートは弾性体で支持されており、
前記導電性シートを前記積層体の第１の端面で打ち抜くことにより前記導電性シートを付与する請求項４〜６のいずれかに記載の電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品及び電子部品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
積層セラミックコンデンサでは、誘電体層と内部電極層とを交互に積層し、焼成処理して得られた積層体の表面に外部電極が形成されている。このような構造とすることにより、小型で大きな容量を有するコンデンサを得ることができることから、近年のモバイル機器等の需要増加に伴って、種々の用途に広く用いられている。
【０００３】
積層体は、複数の内部電極層を含み、複数の内部電極層は、積層体の表面に露出して外部電極と接続されている。
特許文献１には、内部電極層と接続される下地電極層が形成され、下地電極層上にガラス層及び外部電極層が形成されてなる電子部品が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−１５９９６５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１におけるガラス層は抵抗層として機能するとされている。そして、このガラス層は積層体の端面にガラスペーストを塗布することで形成されることが記載されている。
抵抗層をガラスペーストの塗布によって形成する場合、ガラスペーストの粘度のばらつきやガラスペーストの乾燥の進み具合のばらつきに起因して、塗布されたガラスペーストの厚さが変化する。その結果、抵抗層となるガラス層の厚さが変化し、抵抗層の抵抗値自体がばらつくことがある。
【０００６】
近年、積層セラミックコンデンサは、モバイル製品に代表されるような省電力化の進む用途に用いられている。積層セラミックコンデンサがこのような用途に使用される場合、抵抗層の抵抗値のばらつきが大きいと小さい電圧の変化でも電流の変化が大きくなってしまうため、許容できないものとなっていた。
【０００７】
本発明は上記の課題を解決するためになされたものであり、抵抗層の抵抗値のばらつきが小さい電子部品及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するための、本発明の電子部品は、積層方向に配置された複数の誘電体層と複数の内部電極層とを有し、上記積層方向に相対する第１の主面および第２の主面と、上記積層方向に直交する幅方向に相対する第１の側面および第２の側面と、上記積層方向および上記幅方向に直交する長さ方向に相対する第１の端面および第２の端面とを含む積層体と、
上記積層体の上記第１の端面に配置され、上記内部電極層と接続する第１外部電極と、
上記積層体の上記第２の端面に配置され、上記内部電極層と接続する第２外部電極と、を備え、
上記第１外部電極は、上記内部電極層と接続する第１金属層と、上記第１金属層上に配置された第２金属層とを含み、
上記第１金属層は、上記第２金属層よりも比抵抗値が高く、
上記内部電極層のうち積層方向の最も外側に配置された最外内部電極層の上における第１金属層の厚さである第１金属層の最外部厚さと、積層方向の中央における第１金属層の厚さである第１金属層の中央部厚さとの差が５μｍ以下であることを特徴とする。
【０００９】
本発明の電子部品において、上記第１金属層は、金属、金属酸化物及びガラスからなる群から選択された少なくとも１種の化合物を含むことが好ましい。
また、上記金属は、Ａｇ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｕ及びＰｄからなる群から選択された少なくとも１種の金属からなることが好ましい。
また、上記金属酸化物は、酸化インジウムスズ、アルミナ及びジルコニアからなる群から選択された少なくとも１種の化合物を含むことが好ましい。
また、上記第２金属層を構成する金属はＣｕであることが好ましい。
【００１０】
本発明の電子部品の製造方法は、積層方向に配置された複数の誘電体層と複数の内部電極層とを有し、上記積層方向に相対する第１の主面および第２の主面と、上記積層方向に直交する幅方向に相対する第１の側面および第２の側面と、上記積層方向および上記幅方向に直交する長さ方向に相対する第１の端面および第２の端面とを含む積層体を準備する工程と、
上記積層体の第１の端面に、第１金属層となる導電性シートを付与する工程と、
上記導電性シートが付与された上記第１の端面を、第２金属層となる導電性ペーストに浸漬する工程と、を備えることを特徴とする。
【００１１】
本発明の電子部品の製造方法においては、上記積層体の第１の端面と上記導電性シートを接触させて圧力を加えることにより上記導電性シートを付与することが好ましい。
また、上記導電性シートは樹脂を含み、上記導電性シートを上記樹脂の相転移点以上の温度に加熱して上記積層体の第１の端面と上記導電性シートを接触させることにより上記導電性シートを付与することが好ましい。
また、上記導電性シートは弾性体で支持されており、上記導電性シートを上記積層体の第１の端面で打ち抜くことにより上記導電性シートを付与することが好ましい。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の電子部品は、内部電極層と接続する第１金属層を備えている。第１金属層は第２金属層によりも比抵抗値が高い層であり、抵抗層として機能することができる。そして、第１金属層はその厚さのばらつきが小さい層であるので抵抗値のばらつきが小さい電子部品とすることができる。
また、本発明の電子部品の製造方法では、第１金属層の形成を、導電性シートを用いて行うので、厚さばらつきが小さい第１金属層を形成して、抵抗値のばらつきが小さい電子部品を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】図１は、本発明の電子部品である積層セラミックコンデンサを構成する積層体の一例を模式的に示す斜視図である。
【図２】図２は、本発明の電子部品である積層セラミックコンデンサの一例を模式的に示す斜視図である。
【図３】図３は、本発明の電子部品である積層セラミックコンデンサのＬＴ断面の一例を模式的に示す断面図である。
【図４】図４は、図３において破線で囲んだ外部電極近傍の領域の拡大断面図である。
【図５】図５は、本発明の電子部品である積層セラミックコンデンサの別の一例を模式的に示す斜視図である。
【図６】図６（ａ）は、図５に示す積層セラミックコンデンサのＬＴ断面の一例を模式的に示す断面図であり、図６（ｂ）は、図５に示す積層セラミックコンデンサのＷＴ断面の一例を模式的に示す断面図である。
【図７】図７（ａ）は、両端面に引き出された内部電極層の形状の一例を示す断面図であり、図７（ｂ）は両側面に引き出された内部電極層の形状の一例を示す断面図である。
【図８】図８（ａ）及び図８（ｂ）は、積層体の第１の端面に導電性シートを付与する工程を模式的に示す工程図である。
【図９】図９（ａ）、図９（ｂ）及び図９（ｃ）は、積層体の第１の端面に導電性シートを付与する工程を模式的に示す工程図である。
【図１０】図１０（ａ）及び図１０（ｂ）は導電性ペーストへの浸漬工程を模式的に示す工程図である。
【図１１】図１１は、各実施例及び比較例における、第１金属層の最外部厚さと中央部厚さの差と直流抵抗のＣＶ値の関係を示すプロットである。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、図面を参照して、本発明の電子部品及び本発明の電子部品の製造方法について説明する。しかしながら、本発明は、以下の構成に限定されるものではなく、本発明の要旨を変更しない範囲において適宜変更して適用することができる。なお、以下において記載する本発明の個々の望ましい構成を２つ以上組み合わせたものもまた本発明である。
【００１５】
以下、積層体と外部電極とを備えた本発明の電子部品の一例につき、積層セラミックコンデンサを例にして説明する。
図１は、本発明の電子部品である積層セラミックコンデンサを構成する積層体の一例を模式的に示す斜視図であり、図２は、本発明の電子部品である積層セラミックコンデンサの一例を模式的に示す斜視図である。図２に示す積層セラミックコンデンサ１は、図１に示す積層体１０の端面に外部電極１００を設けてなる。
【００１６】
本発明の積層セラミックコンデンサ及び積層体では、長さ方向、幅方向、積層方向を、図１に示す積層体１０及び図２に示す積層セラミックコンデンサ１においてそれぞれ両矢印Ｌ、Ｗ、Ｔで定める方向とする。ここで、長さ方向と幅方向と積層方向とは互いに直交する。積層方向は、積層体１０を構成する複数の誘電体層２０と複数の内部電極層３０が積み上げられていく方向である。
【００１７】
積層体１０は、６面を有する略直方体状であり、積層された複数の誘電体層２０と複数の内部電極層３０を有する。そして、図１中に両矢印Ｔで示す積層方向Ｔに相対する第１の主面１１および第２の主面１２と、積層方向Ｔに直交する、両矢印Ｗで示す幅方向Ｗに相対する第１の側面１３および第２の側面１４と、積層方向Ｔ及び幅方向Ｗに直交する、両矢印Ｌで示す長さ方向Ｌに相対する第１の端面１５および第２の端面１６と、を含む。
【００１８】
本明細書において、第１の端面１５又は第２の端面１６に交差し、かつ、積層体１０の積層方向に沿う積層体１０の断面をＬＴ断面という。また、第１の側面１３又は第２の側面１４に交差し、かつ、積層体１０の積層方向に沿う積層体１０の断面をＷＴ断面という。また、第１の側面１３、第２の側面１４、第１の端面１５又は第２の端面１６に交差し、かつ、積層体１０の積層方向に直交する積層体１０の断面をＬＷ断面という。
【００１９】
積層体１０は、角部および稜線部に丸みがつけられていることが好ましい。角部は、積層体の３面が交わる部分であり、稜線部は、積層体の２面が交わる部分である。
【００２０】
積層体１０のＬ方向の長さは、０．４ｍｍ以上１．０ｍｍ以下であることが好ましい。
積層体１０のＷ方向の長さは、０．２ｍｍ以上０．５ｍｍ以下であることが好ましい。
積層体１０のＴ方向の長さは、０．２ｍｍ以上０．５ｍｍ以下であることが好ましい。
【００２１】
誘電体層２０は、外層部２１と内層部２２を含む。外層部２１は、積層体１０の両主面側に位置し、主面と最も主面に近い内部電極層との間に位置する誘電体層である。両外層部２１に挟まれた領域が内層部２２である。
【００２２】
誘電体層の枚数は、２００枚以上、６００枚以下であることが好ましい。なお、誘電体層の枚数には、外層部を構成する誘電体層の枚数を含めない。
誘電体層のうち内層部を構成する各誘電体層の厚さは、０．４μｍ以上０．８μｍ以下であることが好ましい。また、外層部の厚さは、２０μｍ以上３０μｍ以下であることが好ましい。
上記したような積層体の各寸法の測定はマイクロメータにより行うことができ、誘電体層の枚数のカウントは、光学顕微鏡を用いて行うことができる。
【００２３】
各誘電体層としては、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）に代表される、一般式ＡｍＢＯ３（ＡサイトはＢａであって、Ｂａ以外にＳｒ及びＣａからなる群より選ばれる少なくとも１種を含んでいてもよい。ＢサイトはＴｉであって、Ｔｉ以外にＺｒ及びＨｆからなる群より選ばれる少なくとも１種を含んでいてもよい。Ｏは酸素。ｍはＡサイトとＢサイトのモル比。）で表されるペロブスカイト型化合物を好ましく使用することができる。また、チタン酸カルシウム（ＣａＴｉＯ３）、チタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ３）又はジルコン酸カルシウム（ＣａＺｒＯ３）等を主成分とするセラミック材料を用いてもよい。また、各誘電体層は、主成分よりも含有量の少ない副成分として、Ｍｎ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｃｏ、Ｎｉ、または希土類等を含んでいてもよい。
【００２４】
内部電極層は、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｄ合金又はＡｕ等の金属材料を含んでいることが好ましい。また、誘電体層に含まれるセラミック材料と同一組成系の誘電体材料を含んでいることも好ましい。
【００２５】
内部電極層の枚数は、２枚以上であることが好ましく、５００枚以下であることが好ましい。また、内部電極層の厚さは、０．３μｍ以上であることが好ましく、１．０μｍ以下であることが好ましい。
【００２６】
図３は、本発明の電子部品である積層セラミックコンデンサのＬＴ断面の一例を模式的に示す断面図である。図３は、図２におけるＡ−Ａ線断面図でもある。
図３に示すように、複数の内部電極層３０は、積層方向に配置された第１内部電極層３５および第２内部電極層３６を含む。第１内部電極層３５は第１の端面１５に露出し、第２内部電極層３６は第２の端面１６に露出する。第１内部電極層３５と第２内部電極層３６が誘電体層２０を挟んで対向する対向電極部で静電容量が発生する。
【００２７】
各内部電極層３０は、積層方向から平面視されて、略矩形状である。
誘電体層２０を挟んで第２内部電極層３６と対向する第１内部電極層３５は、誘電体層２０を挟んで第２内部電極層３６と対向する対向電極部と、対向電極部から第１の端面１５に引き出されて第１の端面１５に露出する引出電極部とを有する。誘電体層２０を挟んで第１内部電極層３５と対向する第２内部電極層３６は、誘電体層２０を挟んで第１内部電極層３５の対向電極部と対向する対向電極部と、対向電極部から第２の端面１６に引き出されて第２の端面１６に露出する引出電極部とを有する。
対向電極部と、第１の端面又は第２の端面の間に位置する、引出電極部を含む積層体の部分はＬギャップともいう。
また、対向電極部と、第１の側面又は第２の側面の間に位置する積層体の部分はＷギャップともいう。
【００２８】
外部電極１００は、第１外部電極１１０及び第２外部電極１２０を含む。第１外部電極１１０は、積層体１０の第１の端面１５に配置され、かつ、第１の端面１５から第１の主面１１、第２の主面１２、第１の側面１３及び第２の側面１４のそれぞれの一部に延びている。第１外部電極１１０は、第１の端面１５で各第１内部電極層３５と接続されている。第２外部電極１２０は、積層体１０の第２の端面１６に配置され、かつ、第２の端面１６から第１の主面１１、第２の主面１２、第１の側面１３及び第２の側面１４のそれぞれの一部に延びている。第２外部電極１２０は、第２の端面１６で各第２内部電極層３６と接続されている。
【００２９】
外部電極の構成の詳細を、第１外部電極１１０について説明する。第１外部電極１１０は、第１内部電極層３５と接続する第１金属層６１と、第１金属層６１の上に配置された第２金属層６２と、第２金属層６２の上に配置されためっき層６３を含む。
なお、第２外部電極１２０の構成も第１外部電極１１０と同様とすることができる。ただし、本発明の電子部品において、第１金属層は第１の端面に配置された第１外部電極のみに設けられていてもよい。
【００３０】
第１金属層は、第２金属層よりも比抵抗値が高い層であり、抵抗層として機能する。第１金属層の比抵抗値は１ｍΩ以上、１Ω以下であることが好ましい。
第１金属層と第２金属層の比抵抗値は、ＨＰ製３５８４Ａにより測定することができる。具体的には、第１金属層又は第２金属層となるシートを作製し、シートを二つのランドに跨るように配置する。二つのランドにＨＰ製３５８４Ａのプローブを当てることで抵抗値を測定する。さらにシートの断面積を、接触式の表面粗さ計もしくはレーザ変位計により測定する。
そして、抵抗値を断面積で除することで比抵抗値を算出する。
第１金属層は、金属、金属酸化物及びガラスからなる群から選択された少なくとも１種の化合物を含む層であることが好ましい。
金属としては、Ａｇ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｕ及びＰｄからなる群から選択された少なくとも１種の金属からなることが好ましい。これらの中ではＮｉを含むことがより好ましい。Ｎｉは粒径を細かくできるためである。
【００３１】
金属酸化物は、導電性粉末を含むことが好ましく、導電性粉末としては酸化インジウムスズ、アルミナ及びジルコニアからなる群から選択された少なくとも１種の化合物を含むことが好ましい。導電性粉末が酸化インジウムスズを含むことがより好ましい。
【００３２】
ガラスとしては、ＢａＯ−ＳｒＯ−Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２系ガラス、Ｂｉ２Ｏ３−Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２−ＺｎＯ−Ａｌ２Ｏ３系ガラス、ＺｎＯ−Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３系ガラス等を使用することができる。
【００３３】
第１金属層の厚さは、その最外部と中央部において厚さの差が５μｍ以下となっており、厚さばらつきの小さい金属層となっている。このことを具体的に図面を用いて説明する。
図４は、図３において破線で囲んだ外部電極近傍の領域の拡大断面図である。
第１内部電極層３５のうち、積層方向の最も外側に配置された内部電極層を最外内部電極層３５ａ及び最外内部電極層３５ｂとする。
最外内部電極層３５ａの上における第１金属層６１の厚さは図４に両矢印Ｘ２で示す厚さであり、最外内部電極層３５ｂの上における第１金属層６１の厚さは図４に両矢印Ｘ３で示す厚さである。両矢印Ｘ２及び両矢印Ｘ３で示す厚さをそれぞれ第１金属層の最外部厚さとする。
【００３４】
積層方向の中央における第１金属層６１の厚さは図４に両矢印Ｘ１で示す厚さである。両矢印Ｘ１で示す厚さを第１金属層の中央部厚さとする。積層方向の中央は、２カ所ある最外内部電極層の中点として定めればよい。
【００３５】
本明細書において、第１金属層の最外部厚さと第１金属層の中央部厚さの差が５μｍ以下であるということは、第１金属層の最外部厚さの２カ所での平均値と、第１金属層の中央部厚さとの差が５μｍ以下であるということを意味する。
また、第１金属層の最外部厚さと第１金属層の中央部厚さの差は２μｍ以下であることが好ましい。
なお、便宜上、第１金属層の中央部厚さと第１金属層の最外部厚さの差を求めているが、一方の最外内部電極層の上から他方の最外内部電極層の上までの全体にわたって、第１電極層の厚さの最大値と最小値の差を求めても良い。
【００３６】
また、第１金属層の厚さに関し、一方の最外内部電極層の上から他方の最外内部電極層の上までの全体にわたって、第１電極層の厚さの最大値と最小値の差が５μｍ以下であることがより好ましい。第１電極層の両端は最外内部電極層のさらに外側に位置するがその部分は厚さが薄くなりやすい。上記規定は最外内部電極層よりも外側に位置する部分を除いた、第１電極層が内部電極層と接続する位置の全体にわたって第１電極層が特に厚い部分や薄い部分がないことを意味している。
【００３７】
第１金属層の厚さは、ＬＴ断面が露出するように積層体を幅方向の１／２の深さまで研磨し、積層断面の電子画像を得て、第１金属層の厚さを測ることによって得ることができる。
第１金属層の厚さは、３μｍ以上、３０μｍ以下であることが好ましい。より好ましくは、３μｍ以上、２０μｍ以下である。第１金属層の厚さが５μｍ以上、２０μｍ以下である場合、第１金属層の最外部厚さと第１金属層の中央部厚さの差は２μｍ以下であることが好ましい。
また、第１金属層の厚さは、３μｍ以上、５μｍ以下であることがさらに好ましい。第１金属層の厚さが３μｍ以上、５μｍ以下である場合、第１金属層の最外部厚さと第１金属層の中央部厚さの差は１μｍ以下であることが好ましい。
なお、上記した第１金属層の厚さは、第１金属層の中央部厚さ及び２カ所ある第１金属層の最外部厚さの平均値として定める。
【００３８】
第２金属層は、ガラスと金属を含む層であることが好ましい。また、ガラスと金属を含む導電性ペーストを積層体に塗布して焼き付けた焼付け層であることが好ましい。焼付け層は１層であっても複数層であってもよい。
【００３９】
焼付け層の最も厚い部分の厚さは、１μｍ以上、５０μｍ以下であることが好ましい。焼付け層が複数層である場合、焼付け層の厚さは複数層の合計厚さとして定める。
【００４０】
また、焼付け層の最外部と中央部における厚さの差は、第１金属層の最外部と中央部における厚さの差よりも大きいことが好ましい。
図４において第２電極層６２が焼付け層のみである場合の例として、上記厚さの差について説明する。最外内部電極層３５ａの上における焼付け層６２の厚さは図４に両矢印Ｙ２で示す厚さであり、最外内部電極層３５ｂの上における焼付け層６２の厚さは図４に両矢印Ｙ３で示す厚さである。両矢印Ｙ２及び両矢印Ｙ３で示す厚さをそれぞれ焼付け層の最外部厚さとする。
積層方向の中央における焼付け層６２の厚さは図４に両矢印Ｙ１で示す厚さである。両矢印Ｙ１で示す厚さを焼付け層の中央部厚さとする。積層方向の中央は、２カ所ある最外内部電極層の中点として定めればよい。
【００４１】
通常、焼付け層の中央部厚さは、焼付け層の最外部厚さよりも大きくなるので、焼付け層の最外部と中央部における厚さの差は、焼付け層の中央部厚さから、焼付け層の最外部厚さの２カ所での平均値を引いた値として算出することができる。
このようにして求めた、焼付け層の最外部と中央部における厚さの差が、第１金属層の最外部厚さと第１金属層の中央部厚さの差よりも大きくなっている。
【００４２】
第２金属層は、１層又は複数層の樹脂層を含んでいてもよい。第２金属層が樹脂層を含む場合、上記焼付け層の上に樹脂層が設けられていることが好ましい。
また、樹脂層は、導電性粒子と熱硬化性樹脂を含んでいてもよい。樹脂層が導電性粒子を含む場合は、焼付け層を形成せずに樹脂層が設けられていてもよいが、第２金属層の比抵抗値が第１金属層の比抵抗値より低くなるように導電性粒子の配合量等を調整する。
樹脂層の最も厚い部分の厚さは、５μｍ以上、１００μｍ以下であることが好ましい。樹脂層が複数層である場合、樹脂層の厚さは複数層の合計厚さとして定める。
【００４３】
第２金属層を構成する金属としては、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｄ合金及びＡｕからなる群から選択された少なくとも１つの金属を含むことが好ましく、Ｃｕを含むことがさらに好ましい。上記金属の粒子を樹脂層に含まれる導電性粒子として使用してもよい。
また、第２金属層としての焼付け層を構成するガラスとしては、ＢａＯ−ＳｒＯ−Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２系ガラス、Ｂｉ２Ｏ３−Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２−ＺｎＯ−Ａｌ２Ｏ３系ガラス、ＺｎＯ−Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３系ガラス等を使用することができる。
【００４４】
めっき層は、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｄ合金及びＡｕからなる群から選択された少なくとも１つの金属を含む層であることが好ましい。
めっき層はガラスを含まない層であることが好ましい。
また、めっき層はその単位体積あたりの金属の含有割合が９９体積％以上であることが好ましい。
【００４５】
めっき層は１層であっても複数層であってもよい。好ましくは、第２金属層の上に設けられたＮｉめっき層とその上に設けられたＳｎめっき層からなる構造である。
Ｎｉめっき層を有すると、電子部品を実装する際のはんだによって第２金属層が侵食されることを防止することができ、Ｓｎめっき層を有すると、電子部品を実装する際のはんだの濡れ性が向上し、電子部品の実装が容易になる。
また、めっき層１層あたりの厚みは、１μｍ以上であることが好ましい。
【００４６】
めっき層は、めっき層を構成する金属が厚み方向に沿ってめっき成長したものであることが好ましい。
【００４７】
また、本発明の電子部品は、積層体の側面にさらに外部電極を備えていてもよい。
以下、本発明の電子部品の別の形態の一例について説明する。
図５は、本発明の電子部品である積層セラミックコンデンサの別の一例を模式的に示す斜視図である。
【００４８】
図５に示す積層セラミックコンデンサ２は、内部電極層の構成が図１に示す積層体とは異なる積層体３００と、積層体３００の端面に配置された外部電極１００と、積層体３００の側面に配置された外部電極２００とを備えてなる。
外部電極１００と積層体３００の位置関係は、図２に示す積層セラミックコンデンサ１と同様である。
外部電極２００は、第３外部電極２１０及び第４外部電極２２０を含む。第３外部電極２１０は、積層体３００の第１の側面３１３に配置され、かつ、第１の側面３１３から第１の主面３１１及び第２の主面３１２のそれぞれの一部に延びている。
第４外部電極２２０は、積層体３００の第２の側面３１４に配置され、かつ、第２の側面３１４から第１の主面３１１及び第２の主面３１２のそれぞれの一部に延びている。
【００４９】
図６（ａ）は、図５に示す積層セラミックコンデンサのＬＴ断面の一例を模式的に示す断面図である。図６（ａ）は、図５におけるＢ−Ｂ線断面図でもある。図６（ｂ）は、図５に示す積層セラミックコンデンサのＷＴ断面の一例を模式的に示す断面図である。図６（ｂ）は、図５におけるＣ−Ｃ線断面図でもある。図７（ａ）は、両端面に引き出された内部電極層の形状の一例を示す断面図であり、図７（ｂ）は両側面に引き出された内部電極層の形状の一例を示す断面図である。図７（ａ）及び図７（ｂ）はＬＷ断面図である。
【００５０】
内部電極層は、第１内部電極層３３５及び第２内部電極層３３６からなり、誘電体層３２０を挟んで対向している。
第１内部電極層３３５は、第１の端面３１５及び第２の端面３１６に引き出されており、第２内部電極層３３６は、第１の側面３１３及び第２の側面３１４に引き出されている。
第１外部電極１１０は第１の端面３１５で第１内部電極層３３５と接続されており、第２外部電極１２０は第２の端面３１６で第１内部電極層３３５と接続されている。第３外部電極２１０は第１の側面３１３で第２内部電極層３３６と接続されており、第４外部電極２２０は第２の側面３１４で第２内部電極層３３６と接続されている。
【００５１】
積層体３００の端面に配置される第１外部電極１１０の構成は、図２に示す積層セラミックコンデンサ１の場合と同様にすることができ、第１内部電極層３３５と接続する第１金属層６１と、第１金属層６１の上に配置された第２金属層６２と、第２金属層６２の上に配置されためっき層６３を含む。
第１金属層は、第２金属層よりも比抵抗値が高く、内部電極層のうち積層方向の最も外側に配置された最外内部電極層の上における第１金属層の厚さである第１金属層の最外部厚さと、積層方向の中央における第１金属層の厚さである第１金属層の中央部厚さとの差が５μｍ以下である。
第１金属層、第２金属層及びめっき層の好ましい構成も図２に示す積層セラミックコンデンサ１の場合と同様にすることができる。
第２外部電極１２０の構成も第１外部電極１１０と同様とすることができる。
【００５２】
積層体３００の側面に配置される第３外部電極２１０及び第４外部電極２２０は、第１金属層を備えている必要はなく、第２内部電極層３３６と接続する第２金属層６２と第２金属層６２の上に配置されためっき層６３を含む。
ただし、第１外部電極及び第２外部電極のように抵抗層として働く第１金属層が設けられていてもよく、この場合、第１金属層の厚さのばらつきは大きくても小さくてもよい。
積層体の側面に配置される外部電極を構成する各層の材料は、積層体の端面に配置される外部電極を構成する各層の材料と同様にすることができる。
【００５３】
ここまで、電子部品が積層セラミックコンデンサである場合を例にして本発明の電子部品について説明したが、積層体と外部電極とを備えた本発明の電子部品は積層セラミックコンデンサに限定されるものではない。
積層セラミックコンデンサ以外の電子部品の場合、誘電体層を構成するセラミックとして、ＰＺＴ系セラミックなどの圧電体セラミック、スピネル系セラミックなどの半導体セラミック、フェライトなどの磁性体セラミックを用いることができる。
圧電体セラミックを用いた場合は圧電部品として機能し、半導体セラミックを用いた場合はサーミスタとして機能し、磁性体セラミックを用いた場合はインダクタとして機能する。ただし、インダクタの場合は内部電極層はコイル状の導体となる。
【００５４】
以下に、本発明の電子部品の製造方法につき、積層セラミックコンデンサを製造する場合を例にして説明する。
（１）積層体の準備
積層体の準備は、例えば以下のようにして行うことができる。
誘電体層の原料となるセラミックと有機物および溶媒等が混合されたセラミックスラリーを、ＰＥＴフィルム等のキャリアフィルム上に、スプレーコーティング、ダイコーティング、スクリーン印刷等の方法によってシート状に塗布することによって、誘電体シートを得る。誘電体シートの厚さは０．６μｍ以上、１．２μｍ以下が好ましい。
Ｎｉ粉等の金属材料、溶剤、分散剤及びバインダ等からなる、内部電極層形成用の導電性ペーストを調製する。内部電極層形成用の導電性ペーストを誘電体シート上にスクリーン印刷、グラビア印刷などの方法で印刷し、内部電極パターンを形成する。
印刷された内部電極パターンの厚さは０．６μｍ以上、２．０μｍ以下が好ましい。
内部電極パターンが形成された内層部用誘電体シートと、内部電極パターンが形成されていない外層部用誘電体シートを所定枚数積層して、積層シートを得る。
積層シートを剛体プレスもしくは静水圧プレスにより圧着して積層ブロックを得る。所定温度で圧着することで誘電体シート同士を接着させることができる。なお、最外層に一定厚みの樹脂シートを配置することで内部電極パターンが形成されていない部分に圧力が加わり、誘電体シート同士の接着力を高めることができる。
積層ブロックをダイシング、押し切り等の方法でチップ状に個片化する。その結果、端面に内部電極層が露出したチップが得られる。
チップを所定の条件で焼成することにより、積層体が得られる。
続けて、積層体と研磨材をバレルに収容して、バレルに回転運動を与えて積層体の角部を丸める、バレル研磨を行うことが好ましい。
【００５５】
（２）導電性シートの付与
積層体の第１の端面に、第１金属層となる導電性シートを付与する。
まず、導電性シートを準備する。導電性シートは、第１金属層となる原料を含むシートであり、樹脂、溶剤、分散剤、金属粉末、ガラス、酸化物粉末等のうち必要なものを含む導電性スラリーから得られるシートである。
導電性スラリーをＰＥＴフィルム等のキャリアフィルム上に、スプレーコーティング、ダイコーティング、スクリーン印刷等の方法によってシート状に塗布し、乾燥することによって、キャリアフィルム上に導電性シートが得られる。
導電性スラリーの塗布厚みは３μｍ以上、４５μｍ以下であることが好ましい。
導電性スラリーの好ましい配合例は以下のとおりである。
Ｎｉ粉末：１重量％以上、４０重量％以下
酸化インジウムスズ粉末：１０重量％以上、５０重量％以下
ガラス：１５重量％以上、３０重量％以下
樹脂：２０重量％以上、４０重量％以下
溶剤：２０重量％以上、５０重量％以下
分散剤：１重量％以上、１０重量％以下
なお、Ｎｉ粉末に代えてＣｕ粉末又はＡｇ粉末を用いることも好ましい。
【００５６】
図８（ａ）及び図８（ｂ）、並びに、図９（ａ）、図９（ｂ）及び図９（ｃ）は、積層体の第１の端面に導電性シートを付与する工程を模式的に示す工程図である。
以下、図面を参照して積層体の第１の端面に導電性シートを付与する方法について説明する。
図８（ａ）に示すように、基材４１２に粘着層４１１が形成された粘着シート４１０を準備し、積層体１０の第２の端面１６を粘着層４１１に粘着保持させる。
粘着シート４１０としては、発泡剥離シートなど、粘着力を調整できるシートを用いることが好ましい。
【００５７】
図８（ｂ）に示すように、キャリアフィルム４２１に支持された導電性シート４２０を準備し、加熱板４２２の上に載置する。
そして、導電性シート４２０に積層体１０の第１の端面１５を当接させる。導電性シート４２０と積層体１０の第１の端面１５が当接した状態で加熱板４２２を用いて加熱を行う。
加熱の温度は、導電性シートに含まれる樹脂の相転移点以上の温度とすることが好ましい。導電性シートと積層体を当接させて樹脂の相転移点より高い温度に加熱することにより、導電性シートが積層体と癒着しやすくなる。
なお、導電性シートは、キャリアフィルムから剥がした状態で積層体の端面に当接させてもよい。キャリアフィルムから剥がした状態であると、後述する打ち抜き工程を行いやすい。一方、キャリアフィルムで支持させておくと薄い導電性シートを使用する場合には有利である。また、導電性シートを複数層使用してもよい。
加熱板による加熱は必須ではなく、加熱を行わない場合には、積層体の第１の端面に溶剤を塗布した上で導電性シートに当接させることが好ましい。
【００５８】
続けて、導電性シートと積層体の第１の端面を当接させた状態で放熱を行う。放熱は空冷ファンやペルチェ素子等を用いて行うことができる。また、自然放熱であってもよい。
放熱させることで後述する打ち抜き工程を行いやすくなる。
【００５９】
次に、図９（ａ）に示すように、加熱板４２２に代えて弾性体４３０を配置し、粘着シート４１０の側から積層体１０を加圧することで導電性シート４２０の打ち抜きを行う。打ち抜かれた導電性シート４２０が積層体１０の第１の端面１５に付与される。
使用する弾性体は２５℃以下の温度とすることが好ましい。導電性シートに含まれる樹脂により導電性シートが変形すると積層体の角部で打ち抜くことが難しいためである。また、弾性体の弾性率は、５０ＭＰａ以下であることが好ましく、弾性体の厚さは５ｍｍ以下であることが好ましい。
【００６０】
次に、図９（ｂ）に示すように、導電性シート４２０以外のシートである、キャリアフィルム４２１と弾性体４３０を剥離する。剥離方法は限定されるものではないが、図９（ｂ）に示すようにめくるような剥離方法であると付与された導電性シートが積層体の第１の端面から剥がれにくいので好ましい。
なお、キャリアフィルムと弾性体の剥離は、後述する加熱圧着の後に行ってもよい。
【００６１】
次に、図９（ｃ）に示すように、加熱板４２２に導電性シート４２０を接触させて粘着シート４１０の側から積層体１０を加圧し、積層体１０と導電性シート４２０を加熱圧着させる。加熱圧着により積層体の第１の端面に導電性シートが強固に付与される。
加熱温度は２００℃以下であることが好ましい。また、導電性シートが軟化する相転移点以下の温度にすることが好ましい。
なお、この工程は、導電性シートを打ち抜いた際、導電性シートが充分に積層体に固着していれば必要ではない。
上記工程により、積層体の第１の端面に導電性シートを付与することができる。
積層体の第１の端面に付与された導電性シートは第１電極層となる。
【００６２】
また、必要に応じて、積層体の第２の端面にも同様の方法により導電性シートを付与してもよい。この場合、積層体の第１の端面に付与した導電性シートを粘着シートに当接させて同様の工程を行う。
【００６３】
なお、上記工程において、導電性シートとしては、破断強度が１ＭＰａ以上、５０ＭＰａ以下のものを使用することが好ましく、破断歪みが５０％以下のものを使用することが好ましい。
導電性シートの打ち抜き時には、バレル研磨後の積層体を使用するため、積層体の角部が丸まっている。積層体の角部の丸みが不均一であると、導電性シートの打ち抜きが不安定になる原因となる。これを安定させるために、打ち抜き時の圧力や温度の調整、打ち抜き前の加熱時の圧力、温度若しくは時間の調整、導電性シートの調製に用いる樹脂の種類の変更等を行うことが好ましい。
【００６４】
（３）導電性ペーストへの浸漬
次に、導電性シートが付与された積層体の第１の端面を、第２金属層となる導電性ペーストに浸漬する。
図１０（ａ）及び図１０（ｂ）は導電性ペーストへの浸漬工程を模式的に示す工程図である。
まず、ベース５００上に、第２金属層となる導電性ペースト５１０を一定の厚みで層状に形成する。
導電性ペースト５１０は、第２金属層となる原料を含むペーストであり、第２金属層を構成する金属粉末、ガラス、分散剤、溶剤等を含んでおり、一定の粘度を有していることが好ましい。導電性ペースト５１０に、導電性シート４２０が付与された積層体１０の第１の端面１５を浸漬し、引き上げることで第２金属層となる導電性ペーストが付与される。
導電性ペーストの過剰な塗れ上がりを防止するため、あらかじめ積層体の表面に撥油処理を施しておくことが好ましい。
引き上げ後、乾燥を行うことが好ましい。
また、乾燥後、別の導電性ペーストに浸漬し、導電性ペーストを複数回付与しても良い。また、導電性ペーストの付与後、平板に押し当てることで端面の平坦性向上および薄膜化を促しても良い。
続いて、第２の端面にも同様にして導電性ペーストを付与する。
両端面に導電性ペーストを付与した後、６００℃以上、８００℃以下の温度で加熱することで焼付け層としての第２金属層とすることができる。
加熱方法はヒータによるもの、遠赤外線によるものなど種々の加熱方法を使用することができる。なお、焼付け層でない第２金属層とする場合は、加熱は必須ではない。
【００６５】
（４）めっき層の形成
第２金属層の上に、めっき処理によりめっき層を形成する。好ましくはＮｉめっき、Ｓｎめっきの順でめっき層を形成する。なお、めっき方法としては電解めっきなどの種々の方法を使用することができる。
これらの工程を経て、本発明の電子部品としての積層セラミックコンデンサを製造することができる。
なお、図５に示す形態の積層セラミックコンデンサを製造する場合、内部電極パターンを変更して積層体を作製し、積層体の側面に導電性ペーストを付与して外部電極を形成すればよい。
【実施例】
【００６６】
以下、本発明の電子部品をより具体的に開示した実施例を示す。なお、本発明は、これらの実施例のみに限定されるものではない。
【００６７】
（実施例１〜４）
１）積層セラミックコンデンサの作製
セラミック原料としてのＢａＴｉＯ３に、ポリビニルブチラール系バインダ、可塑剤及び有機溶剤としてのエタノールを加え、これらをボールミルにより湿式混合し、セラミックスラリーを作製した。次いで、このセラミックスラリーをリップ方式によりシート成形し、矩形のセラミックグリーンシートを得た。次に、上記セラミックグリーンシート上に、Ｎｉを含有する導電性ペーストをスクリーン印刷し、Ｎｉを主成分とする内部電極パターンを形成した。次に、内部電極パターンが形成されたセラミックグリーンシートを、内部電極層の引き出されている側が互い違いになるように複数枚積層し、コンデンサ本体となるべき生の積層シートを得た。次に、この生の積層シートを、加圧成形し、ダイシングにより分割してチップを得た。得られたチップをＮ２雰囲気中にて加熱して、バインダを燃焼させた後、Ｈ２、Ｎ２及びＨ２Ｏガスを含む還元性雰囲気中において焼成し、焼結した積層体を得た。積層体の構造は、複数の誘電体層と複数の内部電極層を有する構造である。
この積層体に対してバレル研磨を行い、積層体の角部を丸めた。
【００６８】
２）導電性シートの付与
導電性スラリーとして下記組成のスラリーを調製した。
Ｎｉ粉末：１重量％以上、４０重量％以下
酸化インジウムスズ粉末：１０重量％以上、５０重量％以下
ガラス：１５重量％以上、３０重量％以下
樹脂：２０重量％以上、４０重量％以下
溶剤：２０重量％以上、５０重量％以下
分散剤：１重量％以上、１０重量％以下
上記組成の導電性スラリーをキャリアフィルム上に塗布して、それぞれ実施例１〜４の４種類の厚みの導電性シートを作製し、導電性シートを積層体の端面と当接させて加熱し、放熱後に導電性シートを打ち抜いた。
キャリアフィルムを剥離したのち、積層体の端面に付与した導電性シートを加熱板に接触させて加圧して、導電性シートを積層体の端面に固着させた。
導電性シートは積層体の第１の端面と第２の端面の両方に付与した。
【００６９】
３）導電性ペーストへの浸漬
第２電極層となる導電性ペーストとして、ガラスフリットとＣｕ粉を含有する導電性ペーストを調製した。
導電性シートが付与された積層体の端面を、第２金属層となる導電性ペーストに浸漬して引き上げた後、焼成を行って第２電極層を形成した。
第２電極層の上にめっき処理によりＮｉめっき層及びＳｎめっき層を設けて、積層セラミックコンデンサを製造した。
【００７０】
（比較例１）
実施例１の導電性スラリーに代えて導電性ペーストを準備し、導電性ペーストに積層体の端面を浸漬して乾燥することにより、内部電極層と接続する第１金属層を形成した。
その後の第２電極層となる導電性ペーストへの浸漬及びめっき処理は各実施例と同様にして積層セラミックコンデンサを製造した。
【００７１】
（特性評価）
次に、各実施例及び比較例で製造した積層セラミックコンデンサについて、以下のような評価を行なった。
【００７２】
（第１金属層の厚さ測定）
外部電極を含むように幅方向中央部まで積層セラミックコンデンサを研磨し、研磨面の研磨垂れを除去した。
外部電極の最も厚い部分から積層体に向かう仮想線を引き、仮想線を含む第１金属層をＳＥＭにより１５０μｍ×１５０μｍ（１ｋ倍）の面積で撮像した。１視野では撮影できないので、サイズにより複数視野で内部電極全体が入るように撮影した。なお、撮影するときに、一部重なるように撮影した。撮像した画像から最外内部電極層の上における第１金属層の厚さと、積層方向中央における第１金属層の厚さを測定し、第１金属層の最外部厚さと第１金属層の中央部厚さとの差を求めた。
各実施例及び比較例につき５０個の積層セラミックコンデンサについて測定を行い、上記差の値の平均値を求めて図１１の横軸にプロットした。
【００７３】
（抵抗値の測定）
各実施例及び比較性で製造した積層セラミックコンデンサにつき、ＬＣＲメーター（アジレント・テクノロジー社製Ｅ４９８０）にて１ＭＨｚで測定したＥＳＲを取得し、それらのＣＶ値を計算した。各実施例及び比較例につき５０個の積層セラミックコンデンサについて測定を行い、上記ＣＶ値の平均値を求めて図１１の縦軸にプロットした。
【００７４】
図１１は、各実施例及び比較例における、第１金属層の最外部厚さと中央部厚さの差と直流抵抗のＣＶ値の関係を示すプロットである。
この図からわかるように、第１金属層の最外部厚さと中央部厚さの差が５μｍ以下である場合に抵抗値のばらつきが小さい電子部品とすることができる。
【符号の説明】
【００７５】
１、２  積層セラミックコンデンサ
１０、３００  積層体
１１、３１１  第１の主面
１２、３１２  第２の主面
１３、３１３  第１の側面
１４、３１４  第２の側面
１５、３１５  第１の端面
１６、３１６  第２の端面
２０、３２０  誘電体層
３０  内部電極層
３５ａ、３５ｂ  最外内部電極層
３５、３３５  第１内部電極層
３６、３３６  第２内部電極層
６１  第１金属層
６２  第２金属層
６３  めっき層
１００  外部電極（積層体の端面に配置された外部電極）
１１０  第１外部電極
１２０  第２外部電極
２００  外部電極（積層体の側面に配置された外部電極）
２１０  第３外部電極
２２０  第４外部電極
４２０  導電性シート
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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