(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
パターンが設けられた基板の表面を洗浄およびリンスし、
洗浄およびリンスされた前記基板の表面に、固化剤を含有する固化剤含有液を供給し、
前記固化剤含有液が前記パターンを覆っている状態で、前記固化剤含有液における前記固化剤の溶解度を低下させることで、前記基板の表面に前記固化剤を固体として析出させた後、前記固化剤含有液の溶媒を除去し、
前記基板の裏面に流体を供給して前記固体を分解させて気化させることで、前記基板の表面から前記固体を除去する、
ことを含み、
前記固化剤は、アンモニウム塩を含有し、
前記アンモニウム塩は、アンモニウムイオン、またはアンモニウムイオンの４個の水素原子のうちの１個以上が他の原子または原子団に置換された構造のイオンを含有する、
基板処理方法。
【請求項２】
前記アンモニウム塩は、炭酸アンモニウム、炭酸水素アンモニウム、亜硫酸アンモニウム、塩素酸アンモニウム、過塩素酸アンモニウム、または塩化アンモニウムである第１の塩と、前記第１の塩のアンモニウムイオンの４個の水素原子のうちの１個以上が他の原子または原子団に置換された構造の第２の塩の少なくともいずれかを含有する、請求項１に記載の基板処理方法。
【請求項３】
前記固体は、前記固体を加熱することで分解される、請求項１または２に記載の基板処理方法。
【請求項４】
前記流体は、前記固体の分解温度以上の温度に加熱された液体またはガスである、請求項１から３のいずれか１項に記載の基板処理方法。
【請求項５】
前記固化剤含有液における前記固化剤の溶解度は、前記固化剤含有液の温度を調整することで低下される、請求項１から４のいずれか１項に記載の基板処理方法。
【請求項６】
前記固化剤は、前記固化剤含有液に前記固化剤の溶解度を低下させる物質を添加することで析出される、請求項１から５のいずれか１項に記載の基板処理方法。
【請求項７】
パターンが設けられた基板の表面を洗浄およびリンスする洗浄部およびリンス部と、
洗浄およびリンスされた前記基板の表面に、固化剤を含有する固化剤含有液を供給する固化剤含有液供給部と、
前記固化剤含有液が前記パターンを覆っている状態で、前記固化剤含有液における前記固化剤の溶解度を低下させることで、前記基板の表面に前記固化剤を固体として析出させた後、前記固化剤含有液の溶媒を除去する析出部と、
前記基板の裏面に流体を供給して前記固体を分解させて気化させることで、前記基板の表面から前記固体を除去する分解部とを備え、
前記固化剤は、アンモニウム塩を含有し、
前記アンモニウム塩は、アンモニウムイオン、またはアンモニウムイオンの４個の水素原子のうちの１個以上が他の原子または原子団に置換された構造のイオンを含有する、
基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、基板処理装置および基板処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
基板の表面を洗浄およびリンスした後には、基板の表面を乾燥させる必要がある。基板乾燥方法の例には、スピン乾燥やＩＰＡ（イソプロピルアルコール）乾燥がある。しかしながら、これらの基板乾燥方法で基板の表面を乾燥させると、基板上のパターンに残存液の表面張力に起因するラプラス圧が掛かることで、パターンが倒壊する可能性がある。そこで、基板上のパターンをシリル化することで、ラプラス圧を低下させ、パターンの倒壊を防止することが行われている。しかしながら、基板上のパターンがシリル化できない材料で形成されている場合には、シリル化を適用することができない。
【０００３】
そこで、新たな基板乾燥方法として固化乾燥が注目されている。固化乾燥では例えば、洗浄およびリンスされた基板上に固化剤含有液を供給し、基板上に固化剤を析出させ、析出した固化剤を昇華させることで、基板の表面を乾燥させる。しかしながら、この場合には、昇華性の固化剤の取り扱いが難しいことや、昇華を促進するための減圧チャンバが必要になることなどが問題となる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１３−１６６９９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
基板上のパターンの倒壊を防止しつつ、基板を容易に乾燥させることが可能な基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
一の実施形態によれば、基板処理方法は、パターンが設けられた基板の表面を洗浄およびリンスし、洗浄およびリンスされた前記基板の表面に、固化剤を含有する固化剤含有液を供給することを含む。さらに、前記方法は、前記基板の表面に前記固化剤を固体として析出させ、前記固体を分解させて気化させることで、前記基板の表面から前記固体を除去することを含む。さらに、前記固化剤は、アンモニウム塩を含有し、前記アンモニウム塩は、アンモニウムイオン、またはアンモニウムイオンの４個の水素原子のうちの１個以上が他の原子または原子団に置換された構造のイオンを含有する。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】第１実施形態の基板処理方法を示す断面図(1/3)である。
【図２】第１実施形態の基板処理方法を示す断面図(2/3)である。
【図３】第１実施形態の基板処理方法を示す断面図(3/3)である。
【図４】基板上のパターンに掛かるラプラス圧について説明するための断面図である。
【図５】第１実施形態の固化剤の例を示した表である。
【図６】第２実施形態の基板処理装置の構造を模式的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、本発明の実施形態を、図面を参照して説明する。
【０００９】
（第１実施形態）
図１〜図３は、第１実施形態の基板処理方法を示す断面図である。
【００１０】
まず、基板１の表面を洗浄液２で洗浄する（図１(ａ)）。洗浄液２の例は、硫酸水溶液、過酸化水素水溶液、アンモニア水溶液などである。本実施形態の基板１は、基板１の表面として、上面Ｓａと下面Ｓｂとを有しており、基板１の上面Ｓａに複数のパターン１ａが設けられている。上面Ｓａは、第１面の例である。下面Ｓｂは、第１面の逆側の第２面の例である。本工程では、基板１の上面Ｓａに洗浄液２を供給して、上面Ｓａを洗浄液２で洗浄する。
【００１１】
図１(ａ)は、基板１の上面Ｓａや下面Ｓｂに平行で、互いに垂直なＸ方向およびＹ方向と、基板１の上面Ｓａや下面Ｓｂに垂直なＺ方向とを示している。本明細書においては、＋Ｚ方向を上方向として取り扱い、−Ｚ方向を下方向として取り扱う。例えば、基板１と洗浄液２との位置関係は、洗浄液２が基板１の上方から基板１の上面Ｓａに供給されると表現される。本実施形態の−Ｚ方向は、重力方向と一致していてもよいし、重力方向と一致していなくてもよい。
【００１２】
基板１は例えば、半導体基板（半導体ウェハ）と、半導体基板上に形成された１つ以上の層とを備えている。パターン１ａは、これらの層に形成されていてもよいし、半導体基板に形成されていてもよい。パターン１ａの例は、Ｙ方向に延び、Ｘ方向に互いに隣接するラインパターンである。ラインパターンの例は、ＮＡＮＤメモリの素子領域やワード線である。
【００１３】
次に、基板１の表面をリンス液３でリンスする（図１(ｂ)）。リンス液３の例は、温水である。本工程では、基板１の上面Ｓａにリンス液３を供給して、上面Ｓａをリンス液３でリンスする。
【００１４】
次に、基板１の表面に、固化剤を含有する固化剤含有液４を供給する（図２(ａ)）。固化剤含有液４の例は、固化剤が溶解している温水である。本工程では、基板１の上面Ｓａにリンス液３が残存している間に、基板１の上面Ｓａに固化剤含有液４を供給して、リンス液３を固化剤含有液４に置換する。これにより、パターン１ａが液体から露出してパターン１ａが倒壊することを防止することができる。また、固化剤含有液４の溶媒を温水とすることで、固化剤が本工程中に析出（結晶化）することを防止することができる。
【００１５】
本実施形態の固化剤は、熱などの作用により分解して気化する性質を有する。固化剤の例は、炭酸アンモニウム（（ＮＨ４）２ＣＯ３）、炭酸水素アンモニウム（ＮＨ４ＨＣＯ３）、亜硫酸アンモニウム（（ＮＨ４）２ＳＯ３）、塩素酸アンモニウム（ＮＨ４ＣｌＯ３）、過塩素酸アンモニウム（ＮＨ４ＣｌＯ４）、塩化アンモニウム（ＮＨ４Ｃｌ）などのアンモニウム塩である。これらのアンモニウム塩は、熱により分解して気化する。これらのアンモニウム塩は、第１の塩の例である。
【００１６】
また、これらのアンモニウム塩は、熱により分解して気化する性質を保持できる範囲内であれば、アンモニウムイオン（ＮＨ４＋）の代わりに、アンモニウムイオン（ＮＨ４＋）の４個の水素原子のうちの１個以上が他の原子または原子団に置換された構造のイオンを含有していてもよい。このようなイオンの例は、モノフルオロアンモニウムイオン（ＮＨ３Ｆ＋）、ジフルオロアンモニウムイオン（ＮＨ２Ｆ２＋）、トリフルオロアンモニウムイオン（ＮＨＦ３＋）などである。これらのアンモニウム塩は、第２の塩の例である。
【００１７】
次に、固化剤含有液４を冷却液５により冷却して、基板１の表面に固化剤を固体として析出させる（図２(ｂ)）。冷却液５の例は、冷水である。符号６は、固化剤の析出物を示している。本工程では、基板１の下面Ｓｂに冷却液５を供給することで、基板１の上面Ｓａの固化剤含有液４を冷却して、上面Ｓｂに析出物６を析出させる。
【００１８】
固化剤含有液４は、冷却液５以外の手段により冷却してもよい。例えば、基板１の上面Ｓａまたは下面Ｓｂに冷却ガスを供給することで、固化剤含有液４を冷却してもよい。冷却ガスの例は、窒素ガスや希ガスなどの不活性ガスである。また、基板１の下面Ｓｂに冷却装置や冷却部材を接触させることで、固化剤含有液４を冷却してもよい。冷却装置や冷却部材の例は、ペルチェ素子である。
【００１９】
また、固化剤は、冷却以外の方法により析出させてもよい。例えば、固化剤含有液４に固化剤の溶解度を低下させる物質を添加することで、固化剤を析出させてもよい。このような物質の例は、アルコールである。また、固化剤含有液４の温度を上昇させると固化剤の溶解度が低下する場合には、固化剤含有液４を加熱することで、固化剤を析出させてもよい。
【００２０】
本実施形態では、図２(ｂ)に示すように、析出物６がパターン１ａの上端を覆うように固化剤を析出させることが望ましい。すなわち、パターン１ａが析出物６で完全に覆われることが望ましい。理由は、パターン１ａが析出物６で完全には覆われず、パターン１ａの上端が固化剤含有液４に露出していると、パターン１ａが固化材含有液４により倒壊する可能性があるからである。ただし、後述する分解処理を短時間で行うために、析出物６の析出量は多すぎないことが望ましい。
【００２１】
次に、固化剤の析出後に、基板１上の固化剤含有液４を乾燥させる（図３(ａ)）。本工程では、基板１をスピン乾燥により乾燥させてもよいし、基板１の上面Ｓａにガスを吹き付けて基板１を乾燥させてもよい。なお、図１(ａ)〜図３(ｃ)の工程を基板１を回転させながら行う場合には、スピン乾燥の際の基板１の回転速度を、他の工程の際の基板１の回転速度よりも速く設定することが望ましい。
【００２２】
次に、固化剤の析出物６を加熱液７により加熱することで、析出物６を分解させて気化させる（図３(ｂ)）。これにより、基板１の表面から析出物６が除去される。加熱液７の例は、温水である。符号８は、析出物６から生成された分解生成物を示している。例えば、固化剤が炭酸水素アンモニウムの場合、分解生成物８は二酸化炭素ガス、アンモニウムガス、および水蒸気である。本工程では、基板１の下面Ｓｂに加熱液７を供給することで、基板１の上面Ｓａの析出物６を加熱して、析出物６を分解および気化させる。
【００２３】
固化剤の析出物６は、加熱液７以外の手段により加熱してもよい。例えば、基板１の上面Ｓａまたは下面Ｓｂに加熱ガスを供給することで、析出物６を加熱してもよい。加熱ガスの例は、窒素ガスや希ガスなどの不活性ガスである。また、基板１の下面Ｓｂに加熱装置や加熱部材を接触させることで、析出物６を加熱してもよい。加熱装置や加熱部材の例は、抵抗加熱ヒーターである。
【００２４】
本実施形態では、固化剤の分解温度以上の温度を有する加熱液７を基板１に供給することで、固化剤の析出物６を分解させる。例えば、固化剤が炭酸水素アンモニウム（分解温度：４１．９℃）の場合には、４１．９℃以上の温度を有する加熱液７を供給する。本実施形態では、固化剤を分解しやすいように、分解温度が低い固化剤を使用することが望ましい。このような固化剤の例は、炭酸アンモニウム（分解温度：５８℃）、炭酸水素アンモニウム（分解温度：４１．９℃）、亜硫酸アンモニウム（分解温度：６５℃）などである。これらのアンモニウム塩は、分解温度が水の沸点の１００℃よりも低いため、加熱液７として温水を使用して分解することができる。
【００２５】
これは、加熱液７以外の手段により析出物６を加熱する場合にも同様である。析出物６を加熱ガスにより加熱する場合には、固化剤の分解温度以上の温度を有する加熱ガスを供給する。析出物６を抵抗加熱ヒーターにより加熱する場合には、抵抗加熱ヒーターの温度を固化剤の分解温度以上に設定する。
【００２６】
図４は、基板１上のパターン１ａに掛かるラプラス圧について説明するための断面図である。
【００２７】
符号Ｔａ、Ｔｂは、パターン１ａ間のスペース（溝）を示す。これらのスペースＴａ、Ｔｂ内には、少量の液体が残存している。符号θは、液体の接触角を示す。符号ΔＨは、スペースＴａ内の液面高さとスペースＴｂ内の液面高さとの差を示す。符号Ｓは、スペースＴａ、Ｔｂのスペース幅を示す。液体の表面張力をγで表す場合、パターン１ａに掛かるラプラス圧Ｆは、次の式（１）で表される。
Ｆ＝γ（ｃｏｓθ）ΔＨ／Ｓ  ・・・（１）
【００２８】
一般に、基板１をスピン乾燥やＩＰＡ乾燥で乾燥させる際には、図４に示すように、スペースＴａ、Ｔｂが部分的に液体で満たされた状態が生じ得る。この際、パターン１ａにラプラス圧Ｆが掛かることで、パターン１ａが倒壊する可能性がある。そこで、パターン１ａをシリル化すれば、接触角θを９０度に近付けることができ、ラプラス圧Ｆを低下させることができる。しかしながら、パターン１ａがシリル化できない材料で形成されている場合には、シリル化を適用することができない。ラプラス圧Ｆはスペース幅Ｓに反比例するため、パターン１ａが微細になるほどパターン１ａが倒壊しやすくなる。
【００２９】
そこで、本実施形態では、基板１を固化乾燥により乾燥させる。よって、本実施形態によれば、図４に示すように大きなラプラス圧Ｆがパターン１ａに掛かる状態を回避することができ、パターン１ａの倒壊を防止することができる。
【００３０】
また、本実施形態では、固化剤の析出物６を昇華ではなく分解により気化させる。一般に、昇華性の固化剤は、有機物であるため取り扱いが難しいことや、昇華を促進するための減圧チャンバを必要とするなどの問題がある。一方、本実施形態では、アンモニウム塩のように取り扱いが容易な無機物を固化剤として使用することができ、また、減圧チャンバなしで固化剤を気化させることができる。よって、本実施形態によれば、パターン１ａの倒壊を防止しつつ、基板１を容易に乾燥させることができる。
【００３１】
図５は、第１実施形態の固化剤の例を示した表である。
【００３２】
図５は、６種類の固化剤の分解温度、分解生成物、水に対する溶解度を示している。これらの固化剤は、上述の６種類のアンモニウム塩であり、熱により分解して気化する。塩化アンモニウム（ＮＨ４Ｃｌ）、過塩素酸アンモニウム（ＮＨ４ＣｌＯ４）、炭酸水素アンモニウム（ＮＨ４ＨＣＯ３）の溶解度は、水の温度が上昇すると増加する。よって、これらの固化剤は、冷却により析出させることができる。一方、炭酸アンモニウム（（ＮＨ４）２ＣＯ３）の溶解度は、水の温度が上昇すると減少する。よって、これらの固化剤は、加熱により析出させることができる。
【００３３】
以上のように、本実施形態では、基板１の表面に固化剤含有液４を供給し、基板１の表面に固化剤の析出物６を析出させ、析出物６を分解させて気化させることで基板１の表面から析出物６を除去する。そのため、本実施形態では、アンモニウム塩のように取り扱いが容易な無機物を固化剤として使用することができ、また、減圧チャンバなしで固化剤を気化させることができる。よって、本実施形態によれば、基板１上のパターン１ａの倒壊を防止しつつ、基板１を容易に乾燥させることが可能となる。
【００３４】
（第２実施形態）
図６は、第２実施形態の基板処理装置の構造を模式的に示す断面図である。本実施形態の基板処理装置は、第１実施形態の基板処理方法を実行するために使用される。
【００３５】
図６の基板処理装置は、筐体１１と、支持部１２と、チャック部１３と、洗浄液供給部２１と、リンス液供給部２２と、固化剤含有液供給部２３と、冷却液供給部２４と、加熱液供給部２５と、冷却ガス供給部２６と、加熱ガス供給部２７と、溶解度調整液供給部２８と、トラップ部２９と、制御部３０とを備えている。洗浄液供給部２１およびリンス液供給部２２は、洗浄部およびリンス部の例である。冷却液供給部２４、冷却ガス供給部２６、および溶解度調整液供給部２８は、析出部の例である。加熱液供給部２５および加熱ガス供給部２７は、分解部の例である。
【００３６】
筐体１１は、支持部１２を収容している。支持部１２は、その上面にチャック部１３を有している。支持部１２は、チャック部１３により基板１をチャックすることで、基板１を支持することができる。また、支持部１２は、図１(ａ)〜図３(ｂ)の工程で基板１を回転させることができる。基板１の回転速度は、制御部３０により制御される。
【００３７】
洗浄液供給部２１は、図１(ａ)の工程で、基板１の上面Ｓａに洗浄液２を供給し、基板１を洗浄する。リンス液供給部２２は、図１(ｂ)の工程で、基板１の上面Ｓａにリンス液３を供給し、基板１をリンスする。固化剤含有液供給部２３は、図２(ａ)の工程で、基板１の上面Ｓａに固化剤含有液４を供給し、リンス液３を固化剤含有液４に置換する。洗浄液２、リンス液３、固化剤含有液４の供給量、供給タイミング、供給温度は、制御部３０により制御される。本実施形態の固化剤含有液４は、熱により分解して気化する固化剤を含有している。
【００３８】
冷却液供給部２４は、図２(ｂ)の工程で、基板１の下面Ｓｂに冷却液５を供給する。これにより、基板１の上面Ｓａの固化剤含有液４が冷却され、上面Ｓａに固化剤の析出物６が析出する。本実施形態の冷却液５は、固化剤含有液４と混ざるのを防ぐために、基板１の下面Ｓｂに供給される。冷却液５の供給量、供給タイミング、供給温度は、制御部３０により制御される。
【００３９】
図２(ｂ)の工程では、冷却液供給部２４の代わりに、冷却ガス供給部２６を用いてもよい。冷却ガス供給部２６は、図２(ｂ)の工程で、基板１の上面Ｓａまたは下面Ｓｂに冷却ガスを供給する。これにより、基板１の上面Ｓａの固化剤含有液４が冷却され、上面Ｓａに固化剤の析出物６が析出する。本実施形態の冷却ガスは、冷却液５とは異なり、基板１の上面Ｓａと下面Ｓｂのいずれに供給してもよい。冷却ガスの供給量、供給タイミング、供給温度は、制御部３０により制御される。
【００４０】
図２(ｂ)の工程では、冷却液供給部２４の代わりに、溶解度調整液供給部２８を用いてもよい。溶解度調整液供給部２８は、図２(ｂ)の工程で、基板１の上面Ｓａに溶解度調整液を供給する。溶解度調整液は、固化剤含有液４中の固化剤の溶解度を低下させる物質を含有している。溶解度調整液の例は、アルコール水溶液である。固化剤含有液４に溶解度調整液が混ざると、固化剤の溶解度が低下して、基板１の上面Ｓａに固化剤の析出物６が析出する。溶解度調整液の供給量、供給タイミング、供給温度は、制御部３０により制御される。
【００４１】
加熱液供給部２５は、図３(ｂ)の工程で、基板１の下面Ｓｂに加熱液７を供給する。これにより、基板１の上面Ｓａの析出物６が加熱され、析出物６が分解および気化される。本実施形態の加熱液７は、析出物６と触れるのを防ぐために、基板１の下面Ｓｂに供給される。加熱液７の供給量、供給タイミング、供給温度は、制御部３０により制御される。
【００４２】
図３(ｂ)の工程では、加熱液供給部２５の代わりに、加熱ガス供給部２７を用いてもよい。加熱ガス供給部２７は、図３(ｂ)の工程で、基板１の上面Ｓａまたは下面Ｓｂに加熱ガスを供給する。これにより、基板１の上面Ｓａの析出物６が加熱され、析出物６が分解および気化される。本実施形態の加熱ガスは、加熱液７とは異なり、基板１の上面Ｓａと下面Ｓｂのいずれに供給してもよい。加熱ガスの供給量、供給タイミング、供給温度は、制御部３０により制御される。
【００４３】
なお、本実施形態の基板処理装置は、冷却液供給部２４、冷却ガス供給部２６、および溶解度調整液供給部２８のうちの１つのみまたは２つのみを備えていてもよい。また、本実施形態の基板処理装置は、加熱液供給部２５および加熱ガス供給部２７のうちの一方のみを備えていてもよい。
【００４４】
トラップ部２９には、使用後の洗浄液２、リンス液３、固化剤含有液４、冷却液５、加熱液７、溶解度調整液が流入する。トラップ部２９にはさらに、使用後の冷却ガスや加熱ガスが流入する。トラップ部２９にはさらに、これらの液体に含まれる固化剤やその析出物６や、これらの気体に含まれる分解生成物８が流入する。トラップ部２９は、これらの液体や気体から固化剤、析出物６、分解生成物８などを除去して、排液や排気として排出する。
【００４５】
制御部３０は、上記のように、基板処理装置の種々の動作を制御する。例えば、制御部３０は、冷却液５や冷却ガスの温度をこれらを冷却することで制御したり、加熱液７や加熱ガスの温度をこれらを加熱することで制御する。また、制御部３０は、固化剤含有液４中の固化剤が図２(ｂ)の工程の前に析出しないように、リンス液３や固化剤含有液４の温度を高温に制御する。例えば、リンス液３が水であり、固化剤含有液４が炭酸水素アンモニウム水溶液である場合には、リンス液３や固化剤含有液４の温度は、２５℃〜４０℃に設定されることが望ましい。
【００４６】
以上のように、本実施形態では、基板１の表面に固化剤含有液４を供給し、基板１の表面に固化剤の析出物６を析出させ、析出物６を分解させて気化させることで基板１の表面から析出物６を除去する。そのため、本実施形態では、アンモニウム塩のように取り扱いが容易な無機物を固化剤として使用することができ、また、減圧チャンバなしで固化剤を気化させることができる。よって、本実施形態によれば、基板１上のパターン１ａの倒壊を防止しつつ、基板１を容易に乾燥させることが可能となる。
【００４７】
なお、本実施形態の基板処理装置は、析出物６を昇華ではなく分解により気化させることから、昇華を促進するための減圧装置を備えている必要はない。よって、本実施形態によれば、減圧装置のないシンプルな構造の基板処理装置を実現することが可能となる。
【００４８】
以上、いくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例としてのみ提示したものであり、発明の範囲を限定することを意図したものではない。本明細書で説明した新規な装置および方法は、その他の様々な形態で実施することができる。また、本明細書で説明した装置および方法の形態に対し、発明の要旨を逸脱しない範囲内で、種々の省略、置換、変更を行うことができる。添付の特許請求の範囲およびこれに均等な範囲は、発明の範囲や要旨に含まれるこのような形態や変形例を含むように意図されている。
【符号の説明】
【００４９】
１：基板、１ａ：パターン、２：洗浄液、３：リンス液、４：固化剤含有液、
５：冷却液、６：析出物、７：加熱液、８：分解生成物、
１１：筐体、１２：支持部、１３：チャック部、
２１：洗浄液供給部、２２：リンス液供給部、２３：固化剤含有液供給部、
２４：冷却液供給部、２５：加熱液供給部、
２６：冷却ガス供給部、２７：加熱ガス供給部、２８：溶解度調整液供給部、
２９：トラップ部、３０：制御部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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