(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方の主表面における二乗平均平方根粗さ（Ｒｑ）が０．１５ｎｍ以下であり、かつ、該主表面の中心座標を（０，０）とし、該主表面の四隅の座標を、それぞれ（−６６，−６６）、（−６６，６６）、（６６，−６６）、（６６，６６））とするとき、原子間力顕微鏡を用いて、測定範囲を１００ｎｍ×１００ｎｍとし、測定間隔を０．２ｎｍ以下として、前記四隅近傍を測定することで得られる該主表面の表面形状が下記（１）、（２）を満たし、ガラス基板上に形成されたマークにより該主表面の向きが識別可能である、ＥＵＶリソグラフィ（ＥＵＶＬ）マスクブランク用ガラス基板。
（１）前記四隅（−６６，−６６）、（−６６，６６）、（６６，−６６）、（６６，６６）のうち、表面性状のアスペクト比Ｓｔｒ（ｓ＝０．２）（ＩＳＯ  ２５１７８−２）の数値が低い方から任意の２点を選んだ場合に、該任意の２点のアスペクト比が０．７以下である。
（２）前記座標（ｘ，ｙ）における（ｘ，０）方向を０°とし、（０，ｙ）方向を９０°とするとき、表面形状の自己相関長さが最大となる角度が、前記２点のいずれも、０±３０°、または、９０±３０°を満たす。
【請求項２】
前記ガラス基板上に形成されたマークがＳＥＭＩ  Ｐ３７−１１０２で規定されるノッチマークである、請求項１に記載のＥＵＶＬマスクブランク用ガラス基板。
【請求項３】
請求項１または２に記載のＥＵＶＬマスクブランク用ガラス基板の前記Ｒｑが０．１５ｎｍ以下、かつ、Ｓｔｒが０．７以下となる主表面上に、反射層として、低屈折率層と高屈折率層とを交互に複数回積層させてなる多層反射膜を形成してなるＥＵＶリソグラフィ（ＥＵＶＬ）用反射層付基板。
【請求項４】
ガラス基板上に、反射層として、低屈折率層と高屈折率層とを交互に複数回積層させてなる多層反射膜が形成されたＥＵＶリソグラフィ（ＥＵＶＬ）用反射層付基板であって、前記多層反射膜表面における二乗平均平方根粗さ（Ｒｑ）が０．１５ｎｍ以下であり、かつ、該多層反射膜表面の中心座標を（０，０）とし、該多層反射膜表面の四隅の座標を、それぞれ（−６６，−６６）、（−６６，６６）、（６６，−６６）、（６６，６６））とするとき、原子間力顕微鏡を用いて、測定範囲を１００ｎｍ×１００ｎｍとし、測定間隔を０．２ｎｍ以下として、前記四隅近傍を測定することで得られる該多層反射膜表面の表面形状（四隅の座標が（−６６，−６６）、（−６６，６６）、（６６，−６６）、（６６，６６））が下記（１）、（２）を満たし、前記ガラス基板上に形成されたマークにより前記多層反射膜表面の向きが識別可能である、ＥＵＶＬ用反射層付基板。
（１）前記四隅（−６６，−６６）、（−６６，６６）、（６６，−６６）、（６６，６６）のうち、表面性状のアスペクト比Ｓｔｒ（ｓ＝０．２）（ＩＳＯ  ２５１７８−２）の数値が低い方から任意の２点を選んだ場合に、該任意の２点のアスペクト比が０．７以下である。
（２）前記座標（ｘ，ｙ）における（ｘ，０）方向を０°とし、（０，ｙ）方向を９０°とするとき、表面形状の自己相関長さが最大となる角度が、前記２点のいずれも、０±３０°、または、９０±３０°を満たす。
【請求項５】
前記ガラス基板上に形成されたマークがノッチマークである、請求項４に記載のＥＵＶＬ用反射層付基板。
【請求項６】
請求項４または５に記載のＥＵＶＬ用反射層付基板の多層反射膜上に吸収層を形成してなるＥＵＶリソグラフィ（ＥＵＶＬ）用反射型マスクブランク。
【請求項７】
請求項１または２に記載のＥＵＶＬマスクブランク用ガラス基板の前記Ｒｑが０．１５ｎｍ以下、かつ、Ｓｔｒが０．７以下となる主表面上に、多層反射膜、および、吸収層をこの順に形成してなるＥＵＶリソグラフィ（ＥＵＶＬ）用反射型マスクブランク。
【請求項８】
ガラス基板上に、多層反射膜、および、吸収層をこの順に形成してなるＥＵＶリソグラフィ（ＥＵＶＬ）用反射型マスクブランクであって、前記吸収層表面における二乗平均平方根粗さ（Ｒｑ）が０．３０ｎｍ以下であり、かつ、該吸収層表面の中心座標を（０，０）とし、該吸収層表面の四隅の座標を、それぞれ（−６６，−６６）、（−６６，６６）、（６６，−６６）、（６６，６６））とするとき、原子間力顕微鏡を用いて、測定範囲を１００ｎｍ×１００ｎｍとし、測定間隔を０．２ｎｍ以下として、前記四隅近傍を測定することで得られる該吸収層表面の表面形状（四隅の座標が（−６６，−６６）、（−６６，６６）、（６６，−６６）、（６６，６６））が下記（１）、（２）を満たし、前記ガラス基板上に形成されたマークにより前記吸収層表面の向きが識別可能である、ＥＵＶＬ用反射型マスクブランク。
（１）前記四隅（−６６，−６６）、（−６６，６６）、（６６，−６６）、（６６，６６）のうち、表面性状のアスペクト比Ｓｔｒ（ｓ＝０．２）（ＩＳＯ  ２５１７８−２）の数値が低い方から任意の２点を選んだ場合に、該任意の２点のアスペクト比が０．７以下である。
（２）前記座標（ｘ，ｙ）における（ｘ，０）方向を０°とし、（０，ｙ）方向を９０°とするとき、表面形状の自己相関長さが最大となる角度が、前記２点のいずれも、０±３０°、または、９０±３０°を満たす。
【請求項９】
前記ガラス基板上に形成されたマークがＳＥＭＩ  Ｐ３７−１１０２で規定されるノッチマークである、請求項８に記載のＥＵＶＬ用反射型マスクブランク。
【請求項１０】
請求項７〜９のいずれかに記載のＥＵＶＬ用反射型マスクブランクをパターニングしてなるＥＵＶリソグラフィ（ＥＵＶＬ）用反射型マスク。
【請求項１１】
研磨装置の定盤の研磨面に対し、キャリアに保持されたガラス基板の一方の主表面を、その中心が前記定盤の回転軸と一致しない位置に配置し、前記定盤を回転軸を中心に回転させつつ、前記研磨面上で前記ガラス基板を保持する前記キャリアを前記定盤の回転軸を中心に相対的に公転させ、かつ、前記キャリアの中心を回転軸として該キャリアを自転させて、前記ガラス基板の主表面を研磨する、ＥＵＶリソグラフィ（ＥＵＶＬ）マスクブランク用ガラス基板の製造方法であって、
表面性状のアスペクト比Ｓｔｒが０．７以下となるように、研磨時に使用する研磨剤の粒径を選択し、
研磨終了時における前記主表面の中心座標を（０，０）とし、前記主表面の四隅の座標を、それぞれ（−６６，−６６）、（−６６，６６）、（６６，−６６）、（６６，６６））とし、前記座標（ｘ，ｙ）における（ｘ，０）方向を０°とし、（０，ｙ）方向を９０°とするとき、
前記四隅（−６６，−６６）、（−６６，６６）、（６６，−６６）、（６６，６６）のうち、前記定盤に対する前記ガラス基板の相対的な進行方向における手前側の２点の研磨終了時における研磨軌跡がなす角度がいずれも、０±３０°、または、９０±３０°を満たすように、下記（１）〜（４）のうち、少なくとも１つを調整することを特徴とするＥＵＶＬマスクブランク用ガラス基板の製造方法。
（１）キャリア回転数
（２）定盤回転数
（３）基板中心と定盤中心との距離
（４）基板中心とキャリア中心との距離
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＥＵＶ（Ｅｘｔｒｅｍｅ  Ｕｌｔｒａ  Ｖｉｏｌｅｔ：極端紫外）光を用いたリソグラフィ（以下、「ＥＵＶＬ」と略する）に使用されるマスクブランク用ガラス基板（以下、「ＥＵＶＬマスクブランク用ガラス基板」と略する。）、より具体的には、アナモルフィック（ａｎａｍｏｒｐｈｉｃ）レンズを用いたＥＵＶ露光装置投影系を利用するＥＵＶＬに好適なＥＵＶＬマスクブランク用ガラス基板、およびその製造方法に関する。
本明細書において、ＥＵＶ光とは、軟Ｘ線領域または真空紫外線領域の波長の光線を指し、具体的には波長５〜２０ｎｍ程度、特に１３．５ｎｍ±０．３ｎｍ程度の光線を指す。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体デバイスの微細化への要求に応じて、光リソグラフィの露光波長をより短くして解像度を上げる方法が検討されている。これまでに波長１９３ｎｍのフッ化アルゴン（ＡｒＦ）エキシマレーザ光を用いたＡｒＦリソグラフィが主に開発されてきたが、これよりも短い波長（例えば１３．５ｎｍ）のＥＵＶ光を用いるリソグラフィ（ＥＵＶＬ）の開発が進められている。
ＥＵＶ光は、あらゆる物質に対して吸収されやすく、かつこの波長で物質の屈折率が１に近いため、従来の可視光または紫外光を用いたフォトリソグラフィのような屈折光学系を使用できない。このため、ＥＵＶＬでは、反射光学系、すなわち反射型フォトマスクとミラーとが用いられる。
【０００３】
マスクブランクは、フォトマスク製造に用いられるパターニング前の積層体である。ＥＵＶマスクブランクの場合、ガラス製等の基板上にＥＵＶ光を反射する反射層と、ＥＵＶ光を吸収する吸収層とがこの順で形成された構造を有している。反射層としては、低屈折率膜と高屈折率膜とを交互に積層することで、ＥＵＶ光を層表面に照射した際の光線反射率が高められた多層反射膜が通常使用される。
【０００４】
従来、解像度を上げる方法としては、上記の露光波長を短くする手法の他に、投影光学系の開口数（ＮＡ）を大きくする手法が知られている。そのため、ＥＵＶ露光装置においても、従来の露光装置と同様に、投影光学系の開口数（ＮＡ）を大きくして解像度を向上させる試みがなされている。
一方、解像度を上げる方法として、上記の手法に加えて、アナモルフィック（ａｎａｍｏｒｐｈｉｃ）レンズを用いたＥＵＶ露光装置の使用が提案されている（非特許文献１、２）。アナモルフィックレンズは、結像されるイメージの縮小率が縦・横方向で異なるレンズであり、一例を挙げると、縦方向の縮小率が１／８倍で、横方向の縮小率が１／４倍のレンズがある。アナモルフィックではないレンズを用いた従来のＥＵＶ露光では、ｘ，ｙ方向のいずれも縮小率が同じ露光、一例を挙げると、ｘ，ｙ方向のいずれも１／４縮小露光、が実施されていたが、アナモルフィックレンズを用いたＥＵＶ露光では、ｘ方向、ｙ方向のうち、いずれかの方向が１／８縮小露光、もう一方の方向の１／４縮小露光というｘ，ｙ方向で縮小率が異なる露光が可能となる。このようなｘ，ｙ方向の縮小率が異なる露光を前提として、反射型フォトマスクのマスクパターンを設計することで、解像度の向上が可能となる。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００５】
【非特許文献１】Ｓａｓｃｈａ  Ｍｉｇｕｒａ  ｅｔ  ａｌ．，  ＥＵＶ  Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ  Ｏｐｔｉｃｓ  ｆｏｒ  ｓｕｂ  ９ｎｍ  Ｒｅｓｏｌｕｔｉｏｎ，  ２０１４  Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ  Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ  ｏｎ  Ｅｘｔｒｅｍｅ  Ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ  Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ
【非特許文献２】Ｊａｎ  ｖａｎ  Ｓｃｈｏｏｔ  ｅｔ  ａｌ．，  ＥＵＶ  Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ  Ｓｃａｎｎｅｒ  ｆｏｒ  ｓｕｂ  ９ｎｍ  Ｒｅｓｏｌｕｔｉｏｎ，  ２０１４  Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ  Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ  ｏｎ  Ｅｘｔｒｅｍｅ  Ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ  Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上述したように、アナモルフィックレンズを用いたＥＵＶ露光では、ｘ，ｙ方向で縮小率が異なる露光となる。このような露光を実施した場合、ウェハに形成されたパターンのエッジの粗さ（ＬＥＲ）に異方性が生じることが明らかになった。具体的にはｘ方向に平行なラインパターンと、ｙ方向に平行なラインパターンと、でウェハに形成されたパターンのエッジの粗さ（ＬＥＲ）に差が生じることが明らかになった。
【０００７】
本発明は、上記した従来技術の問題点を解決するため、アナモルフィックレンズを用いてＥＵＶ露光時におけるウェハに形成されたパターンのエッジの粗さ（ＬＥＲ）への悪影響を抑制できる、ＥＵＶＬマスクブランク用ガラス基板、およびその製造方法の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記した目的を達成するため、本発明は、一方の主表面における二乗平均平方根粗さ（Ｒｑ）が０．１５ｎｍ以下であり、かつ、該主表面の中心座標を（０，０）とし、該主表面の四隅の座標を、それぞれ（−６６，−６６）、（−６６，６６）、（６６，−６６）、（６６，６６））とするとき、原子間力顕微鏡を用いて、測定範囲を１００ｎｍ×１００ｎｍとし、測定間隔を０．２ｎｍ以下として、前記四隅近傍を測定することで得られる該主表面の表面形状が下記（１）、（２）を満たし、ガラス基板上に形成されたマークにより該主表面の向きが識別可能である、ＥＵＶリソグラフィ（ＥＵＶＬ）マスクブランク用ガラス基板を提供する。
（１）前記四隅（−６６，−６６）、（−６６，６６）、（６６，−６６）、（６６，６６）のうち、表面性状のアスペクト比Ｓｔｒ（ｓ＝０．２）（ＩＳＯ  ２５１７８−２）の数値が低い方から任意の２点を選んだ場合に、該任意の２点のアスペクト比が０．７以下である。
（２）前記座標（ｘ，ｙ）における（ｘ，０）方向を０°とし、（０，ｙ）方向を９０°とするとき、表面形状の自己相関長さが最大となる角度が、前記２点のいずれも、０±３０°、または、９０±３０°を満たす。
【０００９】
また、本発明は、本発明のマスクブランク用ガラス基板の前記Ｒｑが０．１５ｎｍ以下、かつ、Ｓｔｒが０．７以下となる主表面上に、反射層として、低屈折率層と高屈折率層とを交互に複数回積層させてなる多層反射膜を形成してなるＥＵＶリソグラフィ（ＥＵＶＬ）用反射層付基板を提供する。
【００１０】
また、本発明は、ガラス基板上に、反射層として、低屈折率層と高屈折率層とを交互に複数回積層させてなる多層反射膜が形成されたＥＵＶリソグラフィ（ＥＵＶＬ）用反射層付基板であって、前記多層反射膜表面における二乗平均平方根粗さ（Ｒｑ）が０．１５ｎｍ以下であり、かつ、該多層反射膜表面の中心座標を（０，０）とし、該多層反射膜表面の四隅の座標を、それぞれ（−６６，−６６）、（−６６，６６）、（６６，−６６）、（６６，６６））とするとき、原子間力顕微鏡を用いて、測定範囲を１００ｎｍ×１００ｎｍとし、測定間隔を０．２ｎｍ以下として、前記四隅近傍を測定することで得られる該多層反射膜表面の表面形状（四隅の座標が（−６６，−６６）、（−６６，６６）、（６６，−６６）、（６６，６６））が下記（１）、（２）を満たし、前記ガラス基板上に形成されたマークにより前記多層反射膜表面の向きが識別可能である、ＥＵＶＬ用反射層付基板を提供する。
（１）前記四隅（−６６，−６６）、（−６６，６６）、（６６，−６６）、（６６，６６）のうち、表面性状のアスペクト比Ｓｔｒ（ｓ＝０．２）（ＩＳＯ  ２５１７８−２）の数値が低い方から任意の２点を選んだ場合に、該任意の２点のアスペクト比が０．７以下である。
（２）前記座標（ｘ，ｙ）における（ｘ，０）方向を０°とし、（０，ｙ）方向を９０°とするとき、表面形状の自己相関長さが最大となる角度が、前記２点のいずれも、０±３０°、または、９０±３０°を満たす。
【００１１】
また、本発明は、本発明のＥＵＶＬ用反射層付基板の多層反射膜上に吸収層を形成してなるＥＵＶリソグラフィ（ＥＵＶＬ）用反射型マスクブランクを提供する。
【００１２】
また、本発明は、本発明のマスクブランク用ガラス基板の前記Ｒｑが０．１５ｎｍ以下、かつ、Ｓｔｒが０．７以下となる主表面上に、多層反射膜、および、吸収層をこの順に形成してなるＥＵＶリソグラフィ（ＥＵＶＬ）用反射型マスクブランクを提供する。
【００１３】
また、本発明は、ガラス基板上に、多層反射膜、および、吸収層をこの順に形成してなるＥＵＶリソグラフィ（ＥＵＶＬ）用反射型マスクブランクであって、前記吸収層表面における二乗平均平方根粗さ（Ｒｑ）が０．３０ｎｍ以下であり、かつ、該吸収層表面の中心座標を（０，０）とし、該吸収層表面の四隅の座標を、それぞれ（−６６，−６６）、（−６６，６６）、（６６，−６６）、（６６，６６））とするとき、原子間力顕微鏡を用いて、測定範囲を１００ｎｍ×１００ｎｍとし、測定間隔を０．２ｎｍ以下として、前記四隅近傍を測定することで得られる該吸収層表面の表面形状（四隅の座標が（−６６，−６６）、（−６６，６６）、（６６，−６６）、（６６，６６））が下記（１）、（２）を満たし、前記ガラス基板上に形成されたマークにより前記吸収層表面の向きが識別可能である、ＥＵＶＬ用反射型マスクブランクを提供する。
（１）前記四隅（−６６，−６６）、（−６６，６６）、（６６，−６６）、（６６，６６）のうち、表面性状のアスペクト比Ｓｔｒ（ｓ＝０．２）（ＩＳＯ  ２５１７８−２）の数値が低い方から任意の２点を選んだ場合に、該任意の２点のアスペクト比が０．７以下である。
（２）前記座標（ｘ，ｙ）における（ｘ，０）方向を０°とし、（０，ｙ）方向を９０°とするとき、表面形状の自己相関長さが最大となる角度が、前記２点のいずれも、０±３０°、または、９０±３０°を満たす。
【００１４】
本発明において、前記ガラス基板上に形成されたマークがＳＥＭＩ  Ｐ３７−１１０２で規定されるノッチマークであることが好ましい。
【００１５】
また、本発明は、本発明のＥＵＶＬ用反射型マスクブランクをパターニングしてなるＥＵＶリソグラフィ（ＥＵＶＬ）用反射型マスクを提供する。
【００１６】
また、本発明は、研磨装置の定盤の研磨面に対し、キャリアに保持されたガラス基板の一方の主表面を、その中心が前記定盤の回転軸と一致しない位置に配置し、前記定盤を回転軸を中心に回転させつつ、前記研磨面上で前記ガラス基板を保持する前記キャリアを前記定盤の回転軸を中心に相対的に公転させ、かつ、前記キャリアの中心を回転軸として該キャリアを自転させて、前記ガラス基板の主表面を研磨する、ＥＵＶリソグラフィ（ＥＵＶＬ）マスクブランク用ガラス基板の製造方法であって、
表面性状のアスペクト比Ｓｔｒが０．７以下となるように、研磨時に使用する研磨剤の粒径を選択し、
研磨終了時における前記主表面の中心座標を（０，０）とし、前記主表面の四隅の座標を、それぞれ（−６６，−６６）、（−６６，６６）、（６６，−６６）、（６６，６６））とし、前記座標（ｘ，ｙ）における（ｘ，０）方向を０°とし、（０，ｙ）方向を９０°とするとき、
前記四隅（−６６，−６６）、（−６６，６６）、（６６，−６６）、（６６，６６）のうち、前記定盤に対する前記ガラス基板の相対的な進行方向における手前側の２点の研磨終了時における研磨軌跡がなす角度が、いずれも、０±３０°、または、９０±３０°を満たすように、下記（１）〜（４）のうち、少なくとも１つを調整することを特徴とするＥＵＶＬマスクブランク用ガラス基板の製造方法、を提供する。
（１）キャリア回転数
（２）定盤回転数
（３）基板中心と定盤中心との距離
（４）基板中心とキャリア中心との距離
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、アナモルフィックレンズを用いたＥＵＶ露光時におけるウェハに形成されたパターンのエッジの粗さ（ＬＥＲ）への悪影響を抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】図１（ａ），（ｂ）は、アナモルフィックレンズを用いたＥＵＶ露光時における表面性状への影響を説明するための図であり、図１（ａ）はＥＵＶＬマスクの表面性状を示しており、図１（ｂ）は該ＥＵＶＬマスクを用いてＥＵＶ露光されたウェハの表面性状を示している。
【図２】図２（ａ），（ｂ）は、図１（ａ），（ｂ）と同様の図である。但し、図２（ａ）に示すＥＵＶＬマスクの表面性状、および、図２（ｂ）に示すウェハの表面性状が図１（ａ），（ｂ）とは異なっている。
【図３】図３は、本発明のＥＵＶＬマスクブランク用ガラス基板を説明するための図であり、ガラス基板は平面図として示されている。
【図４】図４は、本発明のＥＵＶＬマスクブランク用ガラス基板の製造方法を説明するための図であり、ガラス基板が研磨装置の定盤上に配置された状態で示されている。
【図５】図５は、図４のガラス基板１０における研磨軌跡を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、図面を参照して、本発明について説明する。
図１（ａ），（ｂ）は、アナモルフィックレンズを用いたＥＵＶ露光時における表面性状への影響を説明するための図であり、図１（ａ）はＥＵＶＬマスクの表面性状を示しており、図１（ｂ）は該ＥＵＶＬマスクを使用し、アナモルフィックレンズを用いてＥＵＶ露光されたウェハの表面性状を示している。ここで、アナモルフィックレンズを用いたＥＵＶ露光は、図中、縦方向に１／４縮小露光、横方向に１／８縮小露光した場合を想定している。
図１（ａ）に示すＥＵＶＬマスク２００の表面性状、および、図１（ｂ）に示すウェハ３００の表面性状は、それぞれ、ＥＵＶＬマスク２００の主表面における凸部２１０の分布、ウェハ３００表面における凸部３１０の分布により影響される。
図１（ａ）に示すＥＵＶＬマスク２００の主表面には、凸部２１０が方向性を持たず均一に分布しており、表面性状の均一性が高い。図１（ａ）に示すＥＵＶＬマスク２００のように、ＥＵＶＬマスク２００の表面性状の均一性が高いことは、アナモルフィックではないレンズを用いた従来のＥＵＶ露光、すなわち、等倍縮小露光では、露光時におけるウェハに形成されたパターンのエッジの粗さ（ＬＥＲ）への悪影響を抑制できること、ＥＵＶＬマスクブランク用基板、ＥＵＶＬマスクブランクを製造する工程において主表面に存在する異物の除去が容易であることから好ましいとされている。
しかしながら、ｘ，ｙ方向で縮小率が異なるアナモルフィックレンズを用いたＥＵＶ露光の場合、図１（ａ）に示すＥＵＶＬマスク２００のような、表面性状の均一性が高いＥＵＶＬマスクを使用すると、ウェハの表面性状に異方性が生じる。
図１（ｂ）に示すウェハ３００の表面に分布する凸部３１０は、ＥＵＶＬマスク２００の主表面に分布する凸部２１０が転写されたものであるが、該ウェハ３００の表面上に、図中横方向に整列して存在しており、異方性が生じている。
上述したように、図１（ｂ）は、縦方向に１／４縮小露光、横方向に１／８縮小露光した場合に関する図であり、凸部２１０の異方性は、縦横方向の縮小露光のうち、より縮小率が大きい横方向に配向している。この結果、ウェハに形成されたパターンのエッジの粗さ（ＬＥＲ）にも異方性が生じる。
【００２０】
一方、図２（ａ）に示すＥＵＶＬマスク２００の主表面では、凸部２１０が図中縦方向に整列して存在しており、その表面性状に異方性が生じている。この異方性は、図１（ｂ）に示すウェハ３００の表面性状における異方性（図中、横方向）に対し直交方向である。
アナモルフィックレンズを用いたＥＵＶ露光に、表面性状に異方性が生じているＥＵＶＬマスク２００を使用すると、ウェハの表面性状の異方性が軽減される。
図２（ｂ）に示すウェハ３００の表面に分布する凸部３１０は、図中縦方向に若干整列して存在しているが、図２（ａ）に示すＥＵＶＬマスク２００の主表面に分布する凸部２１０や、図１（ｂ）に示すウェハ３００の表面に分布する凸部３１０に比べると、その異方性は軽微である。この結果、ウェハに形成されたパターンのエッジの粗さ（ＬＥＲ）の異方性が軽減される。
但し、ＥＵＶＬマスク２００主表面の表面性状における異方性は、アナモルフィックレンズを用いたＥＵＶ露光によってウェハ３００表面に生じる異方性に対し、直交する方向の異方性であることが求められる。
【００２１】
本発明では、凹凸に起因する表面性状の異方性の指標として、ＩＳＯ  ２５１７８−２で規定される表面性状のアスペクト比Ｓｔｒを用いる。表面性状のアスペクト比Ｓｔｒは、表面性状の異方性を表す尺度であり、ＩＳＯ  ２５１７８−２で規定される自己相関関数が最も早く特定の値ｓへ減衰する方向の水平距離（最少自己相関長さＳａｌ）を最も遅くｓへ減衰する方向の水平距離で割ったものである。特定の値ｓのデフォルト値は、０．２であり、本発明においても、ｓ＝０．２とする。
【００２２】
上述した点から明らかなように、ＥＵＶＬマスク２００主表面の表面性状は、該主表面における凸部の分布により影響される。ＥＵＶＬマスク２００主表面における凸部の分布には複数の要因が影響するが、最も影響が大きいのは、ＥＵＶＬマスク２００の作製、より具体的には、ＥＵＶＬマスクブランクに用いられる基板の主表面における凸部の分布である。そのため、本発明のＥＵＶＬマスクブランク用ガラス基板について、まず初めに記載する。
【００２３】
本発明のＥＵＶＬマスクブランク用ガラス基板は、一方の主表面の中心座標を（０，０）とし、該主表面の四隅の座標を、それぞれ（−６６，−６６）、（−６６，６６）、（６６，−６６）、（６６，６６））とするとき、原子間力顕微鏡を用いて、測定範囲を１００ｎｍ×１００ｎｍとし、測定間隔を０．２ｎｍ以下として、四隅近傍を測定することで得られる該主表面の表面形状が下記（１）、（２）を満たす。
（１）四隅（−６６，−６６）、（−６６，６６）、（６６，−６６）、（６６，６６）のうち、表面性状のアスペクト比Ｓｔｒ（ｓ＝０．２）（ＩＳＯ  ２５１７８−２）の数値が低い方から任意の２点を選んだ場合に、該任意の２点のアスペクト比が０．７以下である。
（２）座標（ｘ，ｙ）における（ｘ，０）方向を０°とし、（０，ｙ）方向を９０°とするとき、表面形状の自己相関長さが最大となる角度が、前記２点のいずれも、０±３０°、または、９０±３０°を満たす。
なお、この場合の主表面とは、ＥＵＶＬマスクブランクの作製時に反射層および吸収層が形成される側の主表面である。
【００２４】
図３は、本発明のＥＵＶＬマスクブランク用ガラス基板を説明するための図であり、ガラス基板は平面図として示されている。図３には、上記した各座標、すなわち、ガラス基板の主表面の中心座標（０，０）と、該主表面の四隅の座標（（−６６，−６６）、（−６６，６６）、（６６，−６６）、（６６，６６））がひし形の記号で示されている。
ＥＵＶＬマスクブランク用ガラス基板には、外形６インチ（１５２ｍｍ）角のガラス基板が広く用いられている。上記した主表面の四隅の座標は、外形６インチ（１５２ｍｍ角）のガラス基板の主表面のうち、１３２ｍｍ×１３２ｍｍの領域の四隅の座標である。なお、１３２ｍｍ×１３２ｍｍの領域の四隅の座標とするのは以下の理由である。
ＥＵＶＬマスクブランク用ガラス基板のパターン形成領域は、該基板の１５２ｍｍ角の主表面中央の１３２ｍｍ×１０４ｍｍの領域である。詳しくは後述するが、本発明のＥＵＶＬマスクブランク用ガラス基板は、必要に応じて基板の向きを９０°回転させて使用する。１３２ｍｍ×１３２ｍｍの領域であれば、基板の向きを９０°回転させて使用する場合でも、上述したパターン形成領域に対応できる。そして、１３２ｍｍ×１３２ｍｍの領域の四隅を測定することで、当該１３２ｍｍ×１３２ｍｍの領域の代表値とすることができる。
また、上記四隅近傍とするのは、原子間力顕微鏡による測定範囲が１００ｎｍ×１００ｎｍという一定の広さを持つためである。なお、原子間力顕微鏡による測定範囲を１００ｎｍ×１００ｎｍ、かつ、測定間隔を０．２ｎｍ以下とする理由は以下の通りである。
測定範囲を１００ｎｍ×１００ｎｍ、かつ、測定間隔を０．２ｎｍ以下とする理由
詳しくは後述するが、本発明のＥＵＶＬマスクブランク用ガラス基板の製造時には、当該ガラス基板の主表面を所定の条件を満たすように研磨する。マスクブランク用基板の表面粗さは、この研磨時に使用する研磨剤の粒径によって決まる。研磨剤の粒径に相当する周期のスジ状の表面粗さが基板表面に転写されるためである。Ｒｑが０．１５ｎｍ以下の基板表面を得るためには、平均粒径５〜５０ｎｍのコロイダルシリカを研磨剤として用いることが一般的である。そのため、基板表面には５〜５０ｎｍの空間波長の表面粗さが存在している。また、５〜５０ｎｍの空間波長の表面粗さは、ポリスチレンラテックス粒子換算サイズが５０ｎｍ以上の異物付着に最も影響する。以上の理由から、５〜５０ｎｍの空間波長の表面粗さを検出するために最も適した条件として、測定範囲を１００ｎｍ×１００ｎｍ、かつ、測定間隔を０．２ｎｍ以下の測定条件とした。
【００２５】
上記（１）において、表面性状のアスペクト比Ｓｔｒが０．７以下であれば、ＥＵＶＬマスクブランク用ガラス基板の主表面の表面性状に、アナモルフィックレンズを用いたＥＵＶ露光時にウェハの表面性状の異方性を軽減するのに十分な大きさの異方性が生じている。表面性状のアスペクトＳｔｒは０．６以下が好ましい。なお、四隅のうち、表面性状のアスペクト比Ｓｔｒの数値が低い方から任意の２点としているのは以下の理由である。
詳しくは後述するが、マスクブランク用ガラス基板の主表面の表面性状は、該マスクブランク用ガラス基板の作製時に実施されるガラス基板の研磨軌跡、より具体的には、研磨終了時における研磨軌跡の影響を受ける。ここで、研磨終了時における研磨軌跡としては、１３２ｍｍ×１３２ｍｍの領域の四隅のうち、研磨時におけるガラス基板の相対的な進行方向における手前側の２点における研磨軌跡が、残りの２点における研磨軌跡よりも、マスクブランク用ガラス基板の主表面の表面性状により反映される。ここで、研磨時におけるガラス基板の相対的な進行方向における手前側の２点と、残りの２点と、を比較すると、表面性状のアスペクト比Ｓｔｒは前者のほうが数値が低い。そのため、表面性状のアスペクト比Ｓｔｒの数値が低い方から任意の２点とすることで、マスクブランク用ガラス基板の主表面の表面性状により反映される。
【００２６】
ただし、マスクブランク用ガラス基板の主表面の表面性状に異方性が生じている場合でも、該主表面における異方性の向きによっては、アナモルフィックレンズを用いたＥＵＶ露光時にウェハの表面性状の異方性を軽減する効果を発揮できない場合がある。上記の２点、すなわち、表面性状のアスペクト比Ｓｔｒの数値が低い方から任意の２点が、上記（２）を満たしていれば、必要に応じてマスクブランク用ガラス基板の主表面の向きを９０°回転することで、該主表面における異方性の向きが、アナモルフィックレンズを用いたＥＵＶ露光時にウェハの表面性状の異方性を軽減するのに適した状態になる。
ここで、上記座標（ｘ，ｙ）における（ｘ，０）方向は図３のＸ軸方向であり、この方向を０°とする。一方、（０，ｙ）方向は図３のＹ軸方向であり、この方向を９０°とする。表面形状の自己相関長さが最大となる角度とは、表面形状の自己相関長さが最大となる方向が、この座標系においてなす角度である。
表面形状の自己相関長さが最大となる角度が、上記２点のいずれも、０±２０°、または、９０±２０°を満たすことが好ましく、０±１５°、または、９０±１５°を満たすことがより好ましい。
【００２７】
上述したように、ＥＵＶ露光時において、ウェハの表面性状の異方性を軽減するためには、ＥＵＶＬマスク２００主表面の表面性状における異方性が、アナモルフィックレンズを用いたＥＵＶ露光によってウェハ３００表面に生じる異方性に対し、直交する方向の異方性であることが求められる。本発明のマスクブランク用ガラス基板は、ガラス基板上に形成されたマークにより該主表面の向きが識別可能である。この目的で形成されるマークとしては、ＳＥＭＩ  Ｐ３７−１１０２で規定されるノッチマークであることが好ましい。
ここでいう「ノッチマーク」とは、半導体国際規格（ＳＥＭＩ規格）（ＳＥＭＩ  Ｐ３７−１１０２）で規定された形状のマークであり、具体的には、マスクブランク用ガラス基板の主表面、若しくは、該主表面に対する裏面、から角部に向けて傾斜面を形成するような形状で、ＳＥＭＩ規格に定められた範囲の形状で形成されたマークである。
マスクブランク用ガラス基板の主表面に形成されるノッチマークの個数や形成位置は、基板のスペックに応じてＳＥＭＩ規格で定められている。
【００２８】
また、本発明のマスクブランク用ガラス基板は、上記で定義した主表面の表面形状が上記（１）、（２）を満たすことに加えて、表面粗さが小さいことが求められる。具体的には、その主表面の二乗平均平方根粗さ（Ｒｑ）が０．１５ｎｍ以下であり、好ましくは０．１２以下であり、より好ましくは０．１０以下である。
なお、本明細書における表面粗さは、ＪＩＳ−Ｂ０６０１に基づく二乗平均平方根粗さＲｑ（旧ＲＭＳ）を指す。
【００２９】
以下、本発明のマスクブランク用ガラス基板についてさらに記載する。
本発明のマスクブランク用ガラス基板を構成するガラスは、熱膨張係数が小さくかつそのばらつきの小さいことが好ましい。具体的には２０℃における熱膨張係数の絶対値が６００ｐｐｂ／℃の低熱膨張ガラスが好ましく、２０℃における熱膨張係数が４００ｐｐｂ／℃の超低熱膨張ガラスがより好ましく、２０℃における熱膨張係数が１００ｐｐｂ／℃の超低熱膨張ガラスがさらに好ましく、３０ｐｐｂ／℃が特に好ましい。
上記低熱膨張ガラスおよび超低熱膨張ガラスとしては、ＳｉＯ2を主成分とするガラス、典型的には合成石英ガラスが使用できる。具体的には、例えば合成石英ガラス、ＡＱシリーズ（旭硝子株式会社製合成石英ガラス）や、ＳｉＯ2を主成分とし１〜１２質量％のＴｉＯ2を含有する合成石英ガラス、ＡＺ（旭硝子株式会社製ゼロ膨張ガラス）が挙げられる。
【００３０】
マスクブランク用ガラス基板の大きさや厚さなどはマスクの設計値等により適宜決定される。後で示す実施例では、外形６インチ（１５２ｍｍ）角で、厚さ０．２５インチ（６．３５ｍｍ）の合成石英ガラスを用いた。
【００３１】
一般に、ガラス基板の製造時には、ガラス基板を所定の厚さに粗研磨し、端面研磨と面取り加工を行い、更にガラス基板の主表面を、所定の表面性状を満たすように研磨する。
本発明のマスクブランク用ガラス基板の製造時においても、上記と同様の手順を実施するが、マスクブランク用ガラス基板の主表面の研磨は、下記手順にしたがって実施する。
【００３２】
図４は、本発明のＥＵＶＬマスクブランク用ガラス基板の製造方法を説明するための図であり、ガラス基板１０が研磨装置の定盤１００上に配置された状態で示されている。
研磨装置の定盤１００の研磨面に対し、キャリア（図示せず）に保持されたガラス基板１０の一方の主表面を、その中心が定盤の回転軸と一致しない位置に配置し、定盤１００を矢印ｒ１の方向に回転軸を中心に回転させつつ、該定盤１００の研磨面上でガラス基板１０を保持するキャリア（図示せず）を、矢印ｒ２方向に、定盤１００の回転軸を中心に相対的に公転させ、かつ、キャリア（図示せず）の中心を回転軸として該キャリアを自転させて（図中では、ガラス基板１０の中心を回転軸として該ガラス基板１０を自転させた状態で示している）、ガラス基板１０の主表面を研磨する。
本発明のＥＵＶＬマスクブランク用ガラス基板の製造方法では、研磨終了時におけるＥＵＶＬマスクブランク用ガラス基板の主表面の中心座標を（０，０）とし、該主表面の四隅の座標を、それぞれ（−６６，−６６）、（−６６，６６）、（６６，−６６）、（６６，６６））とし、座標（ｘ，ｙ）における（ｘ，０）方向を０°とし、（０，ｙ）方向を９０°とするとき、該四隅（−６６，−６６）、（−６６，６６）、（６６，−６６）、（６６，６６）のうち、定盤１００に対するガラス基板１０の相対的な進行方向における手前側の２点の研磨終了時における研磨軌跡がなす角度がいずれも、０±３０°、または、９０±３０°を満たすようにすることで、上記で定義した主表面の表面形状が上記（１）、（２）を満たすマスクブランク用ガラス基板を得る。
ここで、上記の研磨軌跡は、研磨装置の定盤１００に対するガラス基板１０上の任意の点の相対的な移動方向を指す。研磨終了時における研磨軌跡に着目する理由は、研磨終了時における研磨軌跡が、マスクブランク用ガラス基板の主表面に転写されて、該主表面の表面性状に反映されるためである。そのため、研磨終了時における研磨軌跡がなす角度が０±３０°、または、９０±３０°を満たしていれば、マスクブランク用ガラス基板の主表面の表面形状が上記（２）を満たす。
【００３３】
上述したように、マスクブランク用基板の主表面の表面性状は、研磨時に使用する研磨剤の粒径によって影響され、使用する研磨剤の粒径が小さいほど、マスクブランク用基板の主表面の表面性状の均一性が向上する。そのため、上記で定義する表面性状のアスペクト比Ｓｔｒを０．７０以下とするためには、使用する研磨剤の粒径が比較的大きい方が好ましい。具体的には、研磨剤の平均粒径が５ｎｍ以下であることが好ましい。
【００３４】
図４において、符号Ｃ1，Ｃ2が定盤１００に対するガラス基板１０の相対的な進行方向における手前側の２点である。ガラス基板１０の相対的な進行方向における手前側の２点における研磨軌跡に着目する理由は、ガラス基板１０の相対的な進行方向における手前側の２点における研磨軌跡に着目する理由は、ガラス基板１０の相対的な進行方向における手前側の２点と、奥側の２点（ガラス基板１０の四隅のうち、符号を付していない残りの２点）と、を比較すると、ガラス基板１０の相対的な進行方向における手前側の２点のほうが、奥側の２点よりも、フレッシュな状態の研磨スラリー、すなわち、未使用の研磨スラリーが供給されるため、研磨レートが高い。そのため、研磨終了時における研磨軌跡が、マスクブランク用ガラス基板の主表面に転写される度合いが高く、該主表面の表面性状により反映されるためである。
図５は、図４に示すガラス基板１０の研磨軌跡を説明するための図であり、ガラス基板１０の研磨軌跡が破線で示されている。図５において、符号Ｃ1，Ｃ2で研磨軌跡がなす角度はいずれも７７°（９０−１３°）である。なお、図５において、ガラス基板１０の四隅のうち、符号を付していない残りの２点）で研磨軌跡がなす角度はいずれも１０３°（９０＋１３°）である。
【００３５】
本発明のＥＵＶＬマスクブランク用ガラス基板の製造方法において、上記２点の研磨終了時における研磨軌跡がなす角度がいずれも、０±３０°、または、９０±３０°を満たすようにするため、下記［１］〜［４］のうち、少なくとも１つを調整する。この場合、いずれか１つのみ調整してよく、２つ以上を調整してもよい。
［１］キャリア回転数
［２］定盤回転数
［３］基板中心と定盤中心との距離
［４］基板中心とキャリア中心との距離
なお、上記２点の研磨終了時における研磨軌跡がなす角度を調整する目的で、定盤１００、および、キャリア（図示せず、図中ではガラス基板１０）を矢印ｒ１方向およびｒ２方向に回転させたままで、定盤１００の研磨面とガラス基板１０の主表面と、を離間させて、研磨を終了させる場合は、定盤１００の圧縮による影響を避けるため、定盤１００の研磨面と、ガラス基板１０の主表面と、を離間させる速度を１ｍｍ／ｓｅｃ以上であることが好ましく、２ｍｍ／ｓｅｃ以上であることが好ましく、３ｍｍ／ｓｅｃ以上であることがさらに好ましい。
【００３６】
上述した本発明のマスクブランク用ガラス基板のＲｑが０．１５ｎｍ以下、かつ、上記で定義した表面形状が上記（１）、（２）を満たす主表面上に、ＥＵＶ光を反射する反射層を形成し、該反射層上にＥＵＶ光を吸収する吸収層を形成する。ここで、反射層としては、ＥＵＶ光に対して低屈折率となる層である低屈折率層と、ＥＵＶ光に対して高屈折率となる層である高屈折率層とを交互に複数回積層させた多層反射膜が広く用いられる。本発明においても、反射層として多層反射膜をマスクブランク用ガラス基板の主表面上に形成する。なお、多層反射膜をマスクブランク用ガラス基板の主表面上に形成する本発明において、ＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの吸収層を形成する前の状態、すなわち、マスクブランク用ガラス基板の主表面上に多層反射膜を形成したものが本発明のＥＵＶＬ用反射層付基板である。上記したマスクブランク用ガラス基板の主表面の表面性状は、マスクブランク用ガラス基板の主表面上に形成された多層反射膜の表面性状や、吸収層の表面性状にも反映される。したがって、マスクブランク用ガラス基板の主表面上に形成された多層反射膜は表面粗さが小さく、多層反射膜表面の表面性状に異方性が生じている。具体的には、多層反射膜表面の二乗平均平方根粗さ（Ｒｑ）は０．１５ｎｍ以下であり、かつ、多層反射膜表面の表面形状が上記で定義した（１）、（２）を満たす。
また、反射層をなす多層反射膜上に形成された吸収層表面の（Ｒｑ）は０．３０ｎｍ以下であり、かつ、吸収層表面の表面形状が上記で定義した（１）、（２）を満たす。
【実施例】
【００３７】
以下、実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれに限定されない。
（実施例、比較例）
図４に示すように、研磨装置の定盤１００の研磨面に対し、キャリア（図示せず）に保持されたマスクブランク用ガラス基板１０の一方の主表面を、その中心が定盤の回転軸と一致しない位置に配置し、定盤１００を矢印ｒ１の方向に回転軸を中心に回転させつつ、該定盤１００の研磨面上でマスクブランク用ガラス基板１０を保持するキャリア（図示せず）を、矢印ｒ２方向に、定盤１００の回転軸を中心に相対的に公転させ、かつ、キャリア（図示せず）の中心を回転軸として該キャリアを自転させて、ガラス基板１０の主表面を研磨する。研磨剤には、平均粒径２０ｎｍのコロイダルシリカを使用する。キャリア回転数、定盤回転数、基板中心と定盤中心との距離、および、基板中心とキャリア中心との距離は下記表に示す通り。実施例では、図５に示す座標系において、定盤１００に対するガラス基板１０の相対的な進行方向における手前側の２点（符号Ｃ1，Ｃ2）の研磨終了時における研磨軌跡がなす角度が９０°となるように制御する。一方、比較例では、符号Ｃ1，Ｃ2の研磨終了時における研磨軌跡がなす角度を制御しない。
研磨終了後のマスクブランク用ガラス基板について、原子間力顕微鏡を用いて、その主表面の二乗平均平方根粗さ（Ｒｑ）を求める。また、測定範囲を１００ｎｍ×１００ｎｍとし、測定間隔を０．２ｎｍ以下として、図３に示す座標系の四隅（−６６，−６６）、（−６６，６６）、（６６，−６６）、（６６，６６））近傍を測定して、表面性状のアスペクト比（Ｓｔｒ）を求める。表面性状のアスペクト比Ｓｔｒの数値が低い方から任意の２点を選び、図３に示す座標系において、表面形状の自己相関長さが最大となる角度を求める。これらの結果を下記表に示す。
また、研磨終了後のマスクブランク用ガラス基板の主表面上に多層反射膜および吸収層をこの順に形成してＥＵＶＬ用マスクブランクスを作製する。このＥＵＶＬ用マスクブランクスについて、多層反射膜表面、および、吸収層表面について、の二乗平均平方根粗さ（Ｒｑ）、吸収層表面の二乗平均平方根粗さ（Ｒｑ）をそれぞれ求める。
さらに、このＥＵＶＬ用マスクブランクスの吸収層をパターニングした反射型マスクを用いて、アナモルフィックレンズを用いたＥＵＶ露光を実施し、ウェハに形成されたパターンのエッジの粗さ（ＬＥＲ）を評価する。表中の符号はそれぞれ以下を示す。
○：ｘ方向のラインパターンとｙ方向のラインパターンでウェハに形成されたパターンのエッジの粗さ（ＬＥＲ）に有意な差は認められない。
×：ｘ方向のラインパターンとｙ方向のラインパターンでウェハに形成されたパターンのエッジの粗さ（ＬＥＲ）に有意な差が認められる。
【表１】
0006515737.tif 000002
【表２】
0006515737.tif 000003
実施例、比較例はいずれも、基板表面、および、多層反射膜表面のＲｑが０．１５ｎｍ以下である。また、吸収層表面のＲｑが０．３０ｎｍ以下である。
実施例、比較例はいずれも、四隅（−６６，−６６）、（−６６，６６）、（６６，−６６）、（６６，６６）の表面性状のアスペクト比Ｓｔｒが０．７以下である。但し、定盤１００に対するガラス基板１０の相対的な進行方向における手前側の２点（符号Ｃ1，Ｃ2）の研磨終了時における研磨軌跡がなす角度が９０°となるように制御された実施例は、Ｓｔｒの数値が低い２点において、表面形状の自己相関長さが最大となる角度が９０±３０°を満たすのに対し、符号Ｃ1，Ｃ2の研磨終了時における研磨軌跡がなす角度が制御されていない比較例は、Ｓｔｒの数値が低い２点において、表面形状の自己相関長さが最大となる角度が９０±３０°を満たさない。表面性状のアスペクト比Ｓｔｒ、および、Ｓｔｒの数値が低い２点において表面形状の自己相関長さが最大となる角度は、多層反射膜表面、および吸収層表面においても同様の結果である。その結果、実施例ではウェハに形成されたパターンのエッジの粗さ（ＬＥＲ）が○であるのに対し、比較例では×である。
【符号の説明】
【００３８】
１０：基板
１００：定盤
２００：ＥＵＶＬマスク
２１０：凸部
３００：ウェハ
３１０：凸部
【図１】
0006515737.tif 000004
【図２】
0006515737.tif 000005
【図３】
0006515737.tif 000006
【図４】
0006515737.tif 000007
【図５】
0006515737.tif 000008