(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上のインプリント材にモールドを用いてパターンを形成するインプリント装置であって、
前記モールドと前記基板とを相対的に傾斜させる傾斜部と、
前記モールドで反射された光と前記基板で反射された光との干渉パターンを検出する検出部と、
前記モールドと前記基板上のインプリント材とが接触している状態において前記検出部によって検出された干渉パターンに基づいて、前記状態における前記モールドと前記基板との間の相対的な傾きが低減されるように、前記傾斜部を制御する制御部と、
を有し、
前記制御部は、前記干渉パターンから前記モールドのパターンが存在する領域の端を検出することによって、前記領域における前記干渉パターンの相対的な位置を特定し、前記干渉パターンの相対的な位置に基づいて前記モールドと前記基板とを相対的に傾斜させることを特徴とするインプリント装置。
【請求項２】
前記制御部は、前記モールドのパターンが存在する領域の中心と前記干渉パターンの中心との間の距離が低減されるように、前記傾斜部を制御することを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
【請求項３】
前記制御部は、前記傾きが５マイクロラジアン以下になるように、前記傾斜部を制御することを特徴とする請求項１又は２に記載のインプリント装置。
【請求項４】
前記制御部は、前記モールドのパターンが存在する領域における前記干渉パターンの位置に基づいて、前記傾きの値を求めることを特徴とする請求項１乃至３のうちいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項５】
前記制御部は、前記モールドのパターンが存在する領域における前記干渉パターンの位置と、前記モールドと前記基板との間の相対的な傾きとの関係を示す情報を参照して、前記傾きの値を求めることを特徴とする請求項４に記載のインプリント装置。
【請求項６】
前記状態において前記傾斜部によって傾斜させた前記モールドと前記基板との間の相対的な傾き量を示す情報を記憶する記憶部を更に有し、
前記制御部は、前記記憶部に情報が記憶されている場合には、当該情報に基づいて、前記傾斜部を制御することを特徴とする請求項１乃至５のうちいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項７】
前記記憶部は、前記基板のショット領域ごとに、前記傾き量を示す情報を記憶することを特徴とする請求項６に記載のインプリント装置。
【請求項８】
前記モールドを保持する第１保持部と、
前記基板を保持する第２保持部と、
前記第１保持部に保持された前記モールドの傾きを計測する第１計測部と、
前記第２保持部に保持された前記基板の傾きを計測する第２計測部と、
を更に有し、
前記制御部は、前記第１計測部及び前記第２計測部の計測結果に基づいて、前記モールドと前記基板上のインプリント材とを接触させる前の状態における前記モールドと前記基板との間の相対的な傾きが低減されるように、前記傾斜部を制御することを特徴とする請求項１乃至７のうちいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項９】
基板上のインプリント材にモールドを用いてパターンを形成するインプリント方法であって、
前記モールドと前記基板上のインプリント材とが接触している状態において、前記モールドで反射された光と前記基板で反射された光との干渉パターンを検出する工程と、
前記干渉パターンに基づいて、前記状態における前記モールドと前記基板との間の相対的な傾きが低減されるように、前記モールドと前記基板とを相対的に傾斜させる工程と、
を有し、
前記モールドと前記基板とを相対的に傾斜させる工程では、前記干渉パターンから前記モールドのパターンが存在する領域の端を検出することによって、前記領域における前記干渉パターンの相対的な位置を特定し、前記干渉パターンの相対的な位置に基づいて前記モールドと前記基板とを相対的に傾斜させることを特徴とするインプリント方法。
【請求項１０】
請求項１乃至８のうちいずれか１項に記載のインプリント装置を用いてパターンを基板に形成する工程と、
前記工程で前記パターンを形成された前記基板を処理する工程と、
を含むことを特徴とする物品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インプリント装置、インプリント方法及び物品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
インプリント技術は、モールドに形成されたパターンを基板上のインプリント材に転写する技術であり、半導体デバイスや磁気記憶媒体を製造するリソグラフィ技術の１つとして注目されている。インプリント技術を用いたインプリント装置は、モールドと基板上のインプリント材（例えば、光硬化性の樹脂）とを接触させた状態でインプリント材を硬化させる。そして、基板とモールドとの間隔を広げて基板上の硬化したインプリント材からモールドを引き離すことで、基板上にインプリント材のパターンを形成する。
【０００３】
インプリント装置では、パターンの凹部へのインプリント材の充填を促進するために、モールドのパターン面を基板に対して凸形状に変形（湾曲）させて、モールドを基板上のインプリント材に接触させる技術が知られている。モールドのパターン面の中心から外周に向かってモールドとインプリント材とを接触させることで、パターンの凹部にインプリント材が充填しやすくなり、気泡が残存することを低減することができる。
【０００４】
また、インプリント装置では、基板上に形成されたパターンが後工程のエッチング処理による影響を受けないように、インプリント材を硬化させる際のインプリント材の厚さ（残膜厚）を一定にすることが重要である。従って、モールドのパターン面と基板とを平行に維持した状態でモールドとインプリント材とを接触させる必要があり、それに関連する技術が提案されている（特許文献１参照）。特許文献１には、モールドや基板の３次元的な平坦度を取得し、かかる平坦度に基づいて、モールドとインプリント材とを接触させる際の基板の姿勢を制御する技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００７−２９９９９４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、従来技術では、モールドと基板上のインプリント材とを接触させたときに発生する力（押印力）によってモールドや基板が変形することが考慮されていない。従って、モールドや基板の３次元的な平坦度に基づいて基板の姿勢を制御しただけでは、モールドと基板上のインプリント材とを実際に接触させた際に、モールドと基板との間の平行度にずれが生じてしまう。
【０００７】
本発明は、このような従来技術の課題に鑑みてなされ、モールドとインプリント材とを接触させた状態におけるモールドと基板との間の相対的な傾きを低減するのに有利なインプリント装置を提供することを例示的目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するために、本発明の一側面としてのインプリント装置は、基板上のインプリント材にモールドを用いてパターンを形成するインプリント装置であって、前記モールドと前記基板とを相対的に傾斜させる傾斜部と、前記モールドで反射された光と前記基板で反射された光との干渉パターンを検出する検出部と、前記モールドと前記基板上のインプリント材とが接触している状態において前記検出部によって検出された干渉パターンに基づいて、前記状態における前記モールドと前記基板との間の相対的な傾きが低減されるように、前記傾斜部を制御する制御部と、を有し、前記制御部は、前記干渉パターンから前記モールドのパターンが存在する領域の端を検出することによって、前記領域における前記干渉パターンの相対的な位置を特定し、前記干渉パターンの相対的な位置に基づいて前記モールドと前記基板とを相対的に傾斜させることを特徴とする。
【０００９】
本発明の更なる目的又はその他の側面は、以下、添付図面を参照して説明される好ましい実施形態によって明らかにされるであろう。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、例えば、モールドとインプリント材とを接触させた状態におけるモールドと基板との間の相対的な傾きを低減するのに有利なインプリント装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の第１の実施形態におけるインプリント装置の構成を示す概略図である。
【図２】図１に示すインプリント装置の形状補正部の構成の一例を示す図である。
【図３】モールドのパターン面を基板に対して凸形状に変形させた状態を示す図である。
【図４】図１に示すインプリント装置の検出部の構成の一例を示す図である。
【図５】押印処理における干渉パターンの変化を説明するための図である。
【図６】干渉縞が生じる現象を説明するための図である。
【図７】モールドと基板とが相対的に傾いた状態でモールドのパターン面と基板上の樹脂とが接触する場合を説明するための図である。
【図８】本発明の第２の実施形態におけるインプリント装置の構成を示す概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施の形態について説明する。なお、各図において、同一の部材については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。
【００１３】
＜第１の実施形態＞
図１は、本発明の第１の実施形態におけるインプリント装置１００の構成を示す概略図である。インプリント装置１００は、基板上のインプリント材にモールドを用いてパターンを形成するリソグラフィ装置である。インプリント装置１００は、モールドと基板上のインプリント材とを接触させた状態でインプリント材を硬化させ、硬化したインプリント材からモールドを引き離すことで基板上にパターンを形成するインプリント処理を行う。本実施形態では、インプリント材として紫外線を照射することで硬化する紫外線硬化性の樹脂を用いる場合について説明するが、インプリント材は、熱可塑性又は熱硬化性の樹脂であってもよい。
【００１４】
インプリント装置１００は、基板Ｗを保持する基板チャック１と、基板チャック１を支持して移動する基板ステージ２と、パターンＰが形成されたモールドＭを保持するモールドチャック３と、モールドチャック３を支持して移動するモールドステージ４とを有する。また、インプリント装置１００は、アライメントスコープ５と、ディスペンサ８と、ミラー９と、紫外線を放射する光源１０と、検出部１１と、制御部１２とを有する。本実施形態において、基板ステージ２やモールドステージ４は、モールドＭと基板Ｗとを相対的に傾斜させる傾斜部として機能する。
【００１５】
アライメントスコープ５は、モールドステージ４に固定され、基板Ｗに形成されたアライメントマーク（基板側マーク）６とモールドＭに形成されたアライメントマーク（モールド側マーク）７とを検出する。基板側マーク６及びモールド側マーク７の検出方法としては、例えば、２つのマークの相対的な位置を反映したモアレ縞（干渉縞）を検出する方法を用いることができる。また、基板側マーク６及びモールド側マーク７のそれぞれの像を検出して２つのマークの相対的な位置を求めてもよい。
【００１６】
ディスペンサ８は、基板上に樹脂Ｒを供給する樹脂供給部として機能する。但し、インプリント装置１００とは異なる外部の装置で樹脂Ｒを供給した基板Ｗをインプリント装置１００に搬入する場合には、インプリント装置１００は、ディスペンサ８を有していなくてもよい。
【００１７】
ミラー９は、ダイクロイックミラーを含み、光源１０からの紫外線を反射し、検出部１１からの光（検出光）を透過する特性を有する。光源１０からの紫外線をミラー９で反射し、モールドＭを介して基板上の樹脂Ｒに照射して樹脂Ｒを硬化させる。ミラー９の特性は逆でもよく、光源１０からの紫外線を透過し、検出部１１からの光や、基板Ｗから検出部１１へ向かう光を反射する特性であってもよい。この場合、図１に示すインプリント装置１００における光源１０と検出部１１の配置は入れ替わることになる。
【００１８】
検出部１１は、紫外線とは異なる波長の光（例えば、可視光線）を用いて、モールドＭのパターンＰや基板Ｗのショット領域を検出（観察）する。具体的には、検出部１１は、モールドＭで反射された光と基板Ｗで反射された光との干渉パターンを検出する。検出部１１からの光は、ミラー９、モールドステージ４及びモールドチャック３を透過して、基板Ｗのショット領域を照明する。基板Ｗのショット領域を照明する光は、モールドＭのパターン面及び基板Ｗの表面で反射され、モールドＭからの反射光と基板Ｗからの反射光との干渉光によって形成される干渉パターンとして検出部１１で検出される。検出部１１で検出される干渉パターンによって、モールドＭと基板上の樹脂Ｒとの接触状態を観察することができる。
【００１９】
制御部１２は、ＣＰＵ１２ａやメモリ１２ｂを含み、インプリント装置１００の全体、即ち、インプリント装置１００の各部を制御してインプリント処理を行う。例えば、制御部１２は、アライメントスコープ５による基板側マーク６及びモールド側マーク７の検出結果に基づいて、モールドＭと基板Ｗとの相対的な位置（位置ずれ）を求める。そして、制御部１２は、モールドＭと基板Ｗとの相対的な位置に基づいて、モールドＭと基板Ｗとの位置ずれが補正されるように、基板ステージ２やモールドステージ４を移動させる。モールドＭと基板Ｗとの位置ずれは、シフト成分、倍率成分、回転成分などを含む。更に、制御部１２は、図２に示すように、モールドＭの周囲に配置された形状補正部２１を用いて、基板Ｗのショット領域の形状に応じてモールドＭのパターンＰ（パターン面）の形状を補正することも可能である。また、本実施形態において、制御部１２は、検出部１１によって検出された干渉パターンに基づいて、モールドＭと基板Ｗとの間の相対的な傾きが低減されるように、傾斜部として機能する基板ステージ２やモールドステージ４を制御する。
【００２０】
形状補正部２１は、本実施形態では、モールドＭに対して、パターン面ＰＰに平行な方向に力を与えてモールドＭ（パターン面ＰＰ）を変形させることで、パターン面ＰＰの形状を補正する。例えば、形状補正部２１は、図２に示すように、モールドＭの側面に接触する接触部２１ａと、モールドＭの側面に向かう方向及びモールドＭの側面から遠ざかる方向に接触部２１ａを駆動するアクチュエータ２１ｂとを含む。接触部２１ａは、モールドＭの側面を吸着する吸着機構を有していてもよい。また、形状補正部２１は、モールドＭや基板Ｗに熱を与える加熱機構を有し、モールドＭの温度を制御することでパターン面ＰＰを変形させてもよいし、基板Ｗの温度を制御することでショット領域を変形させてもよい。
【００２１】
図３は、基板Ｗに対してモールドＭのパターン面ＰＰを凸形状に変形（湾曲）させた状態を示す図である。モールドＭのパターン面ＰＰを変形させる方法としては、モールドＭを保持するモールドチャック３からモールドＭに圧力を加える方法がある。モールドＭとモールドチャック３との間には閉じた空間が形成され、かかる空間の圧力（気圧）を調整する圧力調整部がモールドチャック３に配置されている。
【００２２】
本実施形態では、図３に示すように、モールドＭのパターン面ＰＰを凸形状に変形させた状態で、モールドＭ、詳細には、モールドＭのパターン面ＰＰの一部と基板上の樹脂Ｒとを接触させる。そして、モールドＭのパターン面ＰＰの一部を樹脂Ｒに接触させた後、パターン面ＰＰを徐々に平面に戻す（即ち、湾曲を解消する）ことでパターン面ＰＰと樹脂Ｒとの接触面積を広げて、パターン面ＰＰの全面に樹脂Ｒを接触させる。モールドＭのパターン面ＰＰを凸形状に変形させた状態でモールドＭと樹脂Ｒとを接触させることで、モールドＭと樹脂Ｒとの間のガスをモールドＭの周囲に押し出すことができる。従って、モールドＭのパターンＰの凹部における気泡の残存を抑制し、基板上に転写されるパターンの欠陥を減少させることができる。
【００２３】
図４は、検出部１１の構成の一例を示す図である。図４では、モールドチャック３、モールドステージ４及びミラー９の図示を省略している。検出部１１は、モールドＭのパターンＰが転写されるショット領域の全面、或いは、その一部を検出するスコープで構成されている。検出部１１は、光源４１と、ビームスプリッタ４２と、レンズ４３と、レンズ４４と、撮像素子４５とを含む。
【００２４】
光源４１は、モールドＭや基板Ｗを照明するための可視線光を放射する。光源４１からの光は、ビームスプリッタ４２で反射され、レンズ４３を介して、基板Ｗを照明する。基板Ｗで反射された光は、レンズ４３、ビームスプリッタ４２及びレンズ４４を介して、撮像素子４５で検出される。
【００２５】
撮像素子４５（の撮像面）は、基板上の樹脂Ｒに接触したモールドＭのパターン面ＰＰ及び基板Ｗの表面に対して、光学的に共役な面に配置されている。また、モールドＭのパターン面ＰＰ及び基板Ｗの表面を撮像素子４５（の撮像面）に結像するように、レンズ４３及び４４が構成されている。
【００２６】
本実施形態では、光源４１からの光を可視線光としているが、これに限定されるものではない。検出部１１は、モールドＭ（のパターン面ＰＰ）と基板上の樹脂Ｒとの接触状態を観察するために、干渉パターンを検出する。干渉パターンを検出する観点においては、波長範囲の狭い光（単色光）を用いるとよい。但し、光源４１からの光を波長範囲の狭い光に固定すると、モールドＭや基板Ｗでの干渉条件によって、干渉パターンが検出されなくなることがあるため、波長を変更できるようにするとよい。波長範囲の広い光（広帯域の光）であっても、撮像素子４５で検出可能な干渉パターンが形成されるのであれば、波長範囲の広い光を用いてもよい。
【００２７】
具体的には、互いに異なる波長の光を放射する複数のＬＥＤで光源４１を構成し、モールドＭや基板Ｗでの干渉条件に応じて最適なＬＥＤを選択することで、光源４１から放射される光の波長を決定することができる。また、波長範囲の広い光を放射するランプ及び互いに異なる波長の光を切り出す複数の波長フィルタで光源４１を構成し、モールドＭや基板Ｗでの干渉条件に応じて最適な波長フィルタに切り替えることで、光源４１から放射される光の波長を決定してもよい。
【００２８】
図５（ａ）乃至図５（ｆ）を参照して、モールドＭのパターン面ＰＰを凸形状に変形させた状態でモールドＭと基板上の樹脂Ｒとを接触させる押印処理における干渉パターンの変化について説明する。図５（ａ）、図５（ｃ）及び図５（ｅ）は、検出部１１で検出される干渉パターン（即ち、撮像素子４５で撮像される画像）を示している。また、図５（ｂ）、図５（ｄ）及び図５（ｆ）は、モールドＭ（パターン面ＰＰ）及び基板Ｗの断面を示している。
【００２９】
図５（ａ）は、押印処理の初期に検出部１１で検出される干渉パターンを示している。押印処理の初期では、凸形状に変形させたモールドＭのパターン面ＰＰの一部（頂点）が基板上の樹脂Ｒと接触する。この際、検出部１１で検出される干渉パターンには、モールドＭのパターン面ＰＰと樹脂Ｒとが接触した領域（中心の塗りつぶされた領域）と、その周囲に光の干渉による干渉縞とが現れる。図５（ｂ）は、図５（ａ）に示すような干渉パターンが検出されるときのモールドＭ及び基板Ｗの断面を示している。
【００３０】
モールドＭのパターン面ＰＰの一部を樹脂Ｒに接触させた後、パターン面ＰＰを平面に戻し始めると、図５（ｄ）に示すように、パターン面ＰＰと樹脂Ｒとの接触面積が広がる。図５（ｃ）は、モールドＭ及び基板Ｗが図５（ｄ）に示す状態であるときに検出部１１で検出される干渉パターンを示している。図５（ｃ）を参照するに、モールドＭのパターン面ＰＰと基板上の樹脂Ｒとの接触面積がパターン面ＰＰの中心から周辺部に向けて均等に（同心円状に）広がっていることがわかる。
【００３１】
更に、モールドＭのパターン面ＰＰを徐々に平面に戻すと、図５（ｆ）に示すように、パターン面ＰＰと樹脂Ｒとの接触面積が更に広がる。図５（ｅ）は、モールドＭ及び基板Ｗが図５（ｆ）に示す状態であるときに検出部１１で検出される干渉パターンを示している。
【００３２】
図５（ｃ）及び図５（ｅ）を参照するに、モールドＭのパターン面ＰＰと基板上の樹脂Ｒとの接触面積の広がりに応じて、パターン面ＰＰと樹脂Ｒとが接触した領域の周囲に現れる干渉縞も広がっていく。干渉縞は、モールドＭのパターン面ＰＰで反射された光と基板Ｗの表面で反射された光との干渉によって生じる。従って、最終的には、モールドＭのパターン面ＰＰの全面が基板上の樹脂Ｒと接触するため、干渉縞は生じなくなる。これは、モールドＭのパターン面ＰＰの全面と基板上の樹脂Ｒとが接触すると、パターン面ＰＰと樹脂Ｒとの屈折率の差が殆どなくなり、パターン面ＰＰの表面で光が反射しなくなるからである。
【００３３】
図６を参照して、モールドＭのパターン面ＰＰと基板上の樹脂Ｒとの接触領域の周囲に光の干渉による干渉縞が生じる現象について説明する。モールドＭのパターン面ＰＰを凸形状に変形させた状態でモールドＭと基板上の樹脂Ｒとを接触させると、モールドＭ及び基板Ｗを照明する光は、モールドＭのパターン面ＰＰや基板Ｗの表面で反射する。上述したように、モールドＭのパターン面ＰＰで反射された光と基板Ｗの表面で反射された光との干渉によって、干渉縞が生じる。図６に示すように、モールドＭ及び基板Ｗの中心から周辺にかけてのそれぞれの位置での間隔をｄ、光源４１（検出部１１）からの光の波長をλ、モールドＭと基板Ｗとの間の媒質の屈折率をｎとすると、干渉縞が生じる条件は、以下の式で表される。
【００３４】
【数１】
0006478635.tif 000002
【００３５】
モールドＭのパターン面ＰＰと基板上の樹脂Ｒとの接触領域では、パターン面ＰＰと基板Ｗとの間に樹脂Ｒが挟まれている。上述したように、モールドＭのパターン面ＰＰと樹脂Ｒとの屈折率の差は殆どないため、パターン面ＰＰで光が反射しなくなる。従って、モールドＭのパターン面ＰＰと基板上の樹脂Ｒとの接触領域では、干渉縞が生じなくなる。そして、モールドＭのパターン面ＰＰと基板上の樹脂Ｒとの接触領域には、数本の明暗を同心円状に繰り返すニュートンリングに近い干渉縞が生じる。
【００３６】
図７（ａ）及び図７（ｂ）を参照して、モールドＭと基板Ｗとが相対的に傾いた状態でモールドＭのパターン面ＰＰと基板上の樹脂Ｒとが接触する場合について説明する。図７（ｂ）に示すように、基板Ｗに対してモールドＭが傾いた状態でモールドＭのパターン面ＰＰと基板上の樹脂Ｒとが接触すると、検出部１１では、図７（ａ）に示すような干渉パターンが検出される。図７（ａ）を参照するに、モールドＭのパターン面ＰＰの中心に対して、干渉パターン（の中心）がずれて生じていることがわかる。検出部１１は、干渉パターン（モールドＭのパターン面ＰＰと基板上の樹脂Ｒとの接触領域やその周囲の干渉縞）と同時に、基板Ｗのショット領域を囲むスクライブラインやモールドＭのパターンＰが存在する領域（パターン面ＰＰ）の端も検出することができる。
【００３７】
本実施形態では、制御部１２は、モールドＭのパターン面ＰＰと基板上の樹脂Ｒとが接触している状態において検出部１１で検出される干渉パターンからモールドＭと基板Ｗとの間の相対的な傾き（傾きの値）を求める。具体的には、制御部１２は、モールドＭのパターンＰが存在する領域（パターン面ＰＰ）における干渉パターンの位置に基づいて、モールドＭと基板Ｗとの間の相対的な傾きの値を求めることができる。この際、制御部１２は、モールドＭのパターンＰが存在する領域における干渉パターンの位置と、モールドＭと基板Ｗとの間の相対的な傾きとの関係を示す情報（テーブルなど）を参照して、モールドＭと基板Ｗとの間の相対的な傾きの値を求める。ここで、モールドＭのパターンＰが存在する領域における干渉パターンの位置とは、例えば、モールドＭのパターンＰが存在する領域の中心と干渉パターンとの中心との間の距離である。また、モールドＭのパターンＰが存在する領域における干渉パターンの位置とは、干渉パターンの中心又は干渉パターンにおける最外周の干渉縞とモールドＭのパターンＰが存在する領域の端との間の距離であってもよい。
【００３８】
そして、制御部１２は、干渉パターンから求めたモールドＭと基板Ｗとの間の相対的な傾きが低減（補正）されるように、傾斜部として機能する基板ステージ２やモールドステージ４を制御して、モールドＭ（パターン面ＰＰ）と基板Ｗとを平行にする。この際、モールドＭと基板Ｗとの間の相対的な傾きの補正は、基板ステージ２又はモールドステージ４のみで行ってもよいし、基板ステージ２及びモールドステージ４の両方で行ってもよい。
【００３９】
このように、制御部１２は、モールドＭのパターンＰが存在する領域における干渉パターンの位置に基づいて、基板ステージ２やモールドステージ４を制御する。例えば、制御部１２は、モールドＭのパターンＰが存在する領域の中心と干渉パターンの中心との間の距離が低減されるように、基板ステージ２やモールドステージ４を制御する。数値的には、制御部１２は、モールドＭと基板Ｗとの間の相対的な傾きが５マイクロラジアン以下になるように、基板ステージ２やモールドステージ４を制御する。
【００４０】
また、制御部１２は、モールドＭのパターン面ＰＰと基板上の樹脂Ｒとが接触している状態において基板ステージ２やモールドステージ４によって傾斜させたモールドＭと基板Ｗとの間の相対的な傾き量を示す情報をメモリ１２ｂなどの記憶部に記憶させる。そして、このような情報がメモリ１２ｂに記憶されている場合には、制御部１２は、メモリ１２ｂに記憶されている情報に基づいて、基板ステージ２やモールドステージ４を制御する。これにより、検出部１１によって干渉パターンを検出しなくても、モールドＭと基板Ｗとの間の相対的な傾きを補正して、モールドＭ（パターン面ＰＰ）と基板Ｗとを平行にすることができる。
【００４１】
基板ステージ２やモールドステージ４によって傾斜させたモールドＭと基板Ｗとの間の相対的な傾き量を示す情報は、ロットの先頭の基板にインプリント処理を行ったときに取得してもよいし、テスト基板などにインプリント処理を行ったときに取得してもよい。なお、基板ステージ２やモールドステージ４によって傾斜させたモールドＭと基板Ｗとの間の相対的な傾き量を示す情報を取得する際には、検出部１１によって干渉パターンを検出する必要がある。
【００４２】
また、モールドＭと基板Ｗとの間の相対的な傾きは、例えば、モールドＭのパターン面ＰＰと基板上の樹脂Ｒとを接触させたときに発生する力（押印力）によって生じる。この場合、モールドＭと基板Ｗとの間の相対的な傾きは、基板Ｗのショット領域ごとに異なる。従って、基板ステージ２やモールドステージ４によって傾斜させたモールドＭと基板Ｗとの間の相対的な傾き量を示す情報は、基板Ｗのショット領域ごとに、メモリ１２ｂに記憶させるとよい。
【００４３】
インプリント装置１００におけるインプリント処理について説明する。インプリント処理は、供給処理と、押印処理と、硬化処理と、離型処理とを含む。供給処理では、ディスペンサ８から基板上に樹脂Ｒの液滴を吐出することで基板Ｗに樹脂Ｒを供給する。押印処理では、モールドＭを基板側に凸形状に変形させた状態でモールドＭのパターン面ＰＰと基板上の樹脂Ｒとを接触させる。そして、モールドＭのパターン面ＰＰの一部を樹脂Ｒに接触させた後、パターン面ＰＰを徐々に平面に戻して、パターン面ＰＰの全面に樹脂Ｒを接触させる。この際、検出部１１によって干渉パターンを検出し、かかる干渉パターンに基づいて、モールドＭと基板Ｗとの間の相対的な傾きが低減されるように、基板ステージ２やモールドステージ４を制御する。そして、基板ステージ２やモールドステージ４によって傾斜させたモールドＭと基板Ｗとの間の相対的な傾き量を示す情報をメモリ１２ｂに記憶させる。なお、かかる情報がメモリ１２ｂに記憶されている場合には、干渉パターンを検出する必要はなく、メモリ１２ｂに記憶されている情報に基づいて、基板ステージ２やモールドステージ４を制御してもよい。硬化工程では、モールドＭと基板上の樹脂Ｒとを接触させた状態で光源１０からの紫外線を樹脂Ｒに照射して、樹脂Ｒを硬化させる。離型処理では、基板上の硬化した樹脂ＲからモールドＭを引き離す。
【００４４】
このように、インプリント装置１００は、モールドＭ（パターン面ＰＰ）と基板上の樹脂Ｒとを接触させた際に生じる干渉パターンに基づいて、モールドＭと基板Ｗとの間の相対的な傾きを制御している。これにより、インプリント装置１００では、モールドＭと樹脂Ｒとを接触させた状態におけるモールドＭと基板Ｗとの間の相対的な傾きを低減し、モールドＭと基板Ｗとを平行にすることができる。従って、インプリント装置１００は、基板上の樹脂Ｒを硬化させる際の樹脂Ｒの厚さ（残膜厚）を一定にしながら、モールドＭのパターンＰを高精度に基板上に転写することができる。
【００４５】
＜第２の実施形態＞
図８は、本発明の第２の実施形態におけるインプリント装置１００Ａの構成を示す概略図である。インプリント装置１００Ａは、インプリント装置１００の構成に加えて、第１計測部８１と、第２計測部８２とを有する。第１計測部８１は、モールドチャック３及びモールドステージ４（第１保持部）に保持されたモールドＭの傾き（３次元的な平坦度）を計測する。第２計測部８２は、基板チャック１及び基板ステージ２（第２保持部）に保持された基板Ｗの傾き（３次元的な平坦度）を計測する。
【００４６】
インプリント装置１００Ａでは、インプリント処理を行う前に、第２計測部８２の下で、基板ステージ２をＸ方向及びＹ方向に移動させることで基板チャック１に保持された基板Ｗを走査し、第２計測部８２で基板Ｗの傾きを計測する。第２計測部８２で計測された基板Ｗの傾きは、メモリ１２ｂに記憶される。
【００４７】
次いで、基板ステージ２をＸ方向及びＹ方向に移動させてモールドチャック３に保持されたモールドＭと第１計測部８１とを対向させる。そして、基板ステージ２をＸ方向及びＹ方向に移動させることでモールドチャック３に保持されたモールドＭを走査し、第１計測部８１でモールドＭの傾きを計測する。第１計測部８１で計測されたモールドＭの傾きは、メモリ１２ｂに記憶される。第１計測部８１で計測されたモールドＭの傾きは、モールドチャック３からモールドＭを回収するまで、メモリ１２ｂに記憶させる。また、モールドＭの傾きの計測は、モールドＭを交換した際に、一度だけ行えばよい。
【００４８】
そして、制御部１２は、メモリ１２ｂに記憶されたモールドＭの傾きや基板Ｗの傾きに基づいて、傾斜部として機能する基板ステージ２やモールドステージ４を制御して、モールドＭ（パターン面ＰＰ）と基板Ｗとを平行にする。具体的には、制御部１２は、第１計測部８１及び第２計測部８２の計測結果に基づいて、モールドＭと基板上の樹脂Ｒとを接触させる前の状態におけるモールドＭと基板Ｗとの間の相対的な傾きが低減されるように、基板ステージ２やモールドステージ４を制御する。これにより、モールドＭに固有の傾きや基板Ｗに固有の傾きに起因するモールドＭと基板Ｗとの間の相対的な傾きを、インプリント処理を行う前に補正することができる。従って、モールドＭと基板上の樹脂Ｒとを接触させた状態において、基板ステージ２やモールドステージ４によって傾斜させるモールドＭと基板Ｗとの間の相対的な傾き量を低減することができる。また、モールドＭと基板上の樹脂Ｒとを接触させた状態においてモールドＭと基板Ｗとを平行にするために要する時間を低減することができる。ここで、モールドＭに固有の傾きとは、モールドＭのそのものの傾きだけではなく、モールドチャック３やモールドステージ４に保持されることで生じるモールドＭの傾きも含む。同様に、基板Ｗに固有の傾きとは、基板Ｗのそのものの傾きだけではなく、基板チャック１や基板ステージ２に保持されることで生じる基板Ｗの傾きも含む。
【００４９】
インプリント装置１００Ａにおけるインプリント処理は、インプリント装置１００におけるインプリント処理と同様であるため、ここでの詳細な説明は省略する。
【００５０】
＜第３の実施形態＞
物品としてのデバイス（半導体デバイス、磁気記憶媒体、液晶表示素子等）の製造方法について説明する。かかる製造方法は、インプリント装置１００又は１００Ａを用いてパターンを基板（ウエハ、ガラスプレート、フィルム状基板等）に形成する工程を含む。かかる製造方法は、パターンを形成された基板を処理する工程を更に含む。当該処理ステップは、当該パターンの残膜を除去するステップを含みうる。また、当該パターンをマスクとして基板をエッチングするステップなどの周知の他のステップを含みうる。本実施形態における物品の製造方法は、従来に比べて、物品の性能、品質、生産性及び生産コストの少なくとも１つにおいて有利である。
【００５１】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。
【符号の説明】
【００５２】
１００：インプリント装置    １：基板チャック    ２：基板ステージ    ３：モールドチャック    ４：モールドステージ    １１：検出部    １２：制御部    Ｍ：モールド    Ｗ：基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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