(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ヤング率が６００ＭＰａ以上の基材フィルムと、該基材フィルムの一方の面に設けられ、ウレタン含有硬化物から形成されるとともに、ｔａｎδのピーク温度が６０℃以下である緩衝層とを備えるバックグラインドテープ用基材であって、
前記ウレタン含有硬化物が、ウレタンアクリレートオリゴマーと、エネルギー線重合性モノマーとを含有する樹脂組成物を硬化させたものであり、前記エネルギー線重合性モノマーが、芳香族構造を有する（メタ）アクリレートを含む、バックグラインドテープ用基材。
【請求項２】
前記芳香族構造を有する（メタ）アクリレートは、アリール基と水酸基とを有する、請求項１に記載のバックグラインドテープ用基材。
【請求項３】
前記エネルギー線重合性モノマーが、芳香族構造を有する（メタ）アクリレートと、脂環式構造を有する（メタ）アクリレートを含む、請求項１又は２に記載のバックグラインドテープ用基材。
【請求項４】
前記脂環式構造を有する（メタ）アクリレートは、多環の脂環式構造を有する、請求項３に記載のバックグラインドテープ用基材。
【請求項５】
前記芳香族構造を有する（メタ）アクリレートは、前記脂環式構造を有する（メタ）アクリレートに対して質量比で、０．１〜２．０である、請求項３又は４に記載のバックグラインドテープ用基材。
【請求項６】
前記ｔａｎδのピーク値が０．７以上である、請求項１〜５のいずれか１項に記載のバックグラインドテープ用基材。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１項に記載されるバックグラインドテープ用基材と、前記基材フィルムの緩衝層が設けられた一方の面とは反対側の面に設けられる粘着剤層とを備えるバックグラインドテープ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウエハの裏面を研削する際に、回路を保護するためにウエハ表面に貼付されるバックグラインドテープ及びその基材に関し、特に、先ダイシング法で用いられるバックグラインドテープ及びその基材に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体ウエハは、表面に回路が形成された後、ウエハ厚さを調整するためにウエハ裏面側に研削加工が施されるのが一般的である。ウエハ裏面が研削加工される際には、ウエハ表面に、回路を保護するためのバックグラインドテープと呼ばれる粘着シートが貼付される。
また、近年、ウエハ表面側からダイシングにより溝入れが行われた後、溝に到達するまでウエハ裏面側が研削され、それにより、ウエハがチップに個別化される先ダイシング法と呼ばれる方法により半導体チップが製造されることがある（例えば、特許文献１参照）。先ダイシング法では、極薄の半導体チップを得ることが可能になるが、チップが脆弱となりやすく、ウエハがチップに個別化される際、半導体チップの四隅等に欠けが発生し、また、チップが微小移動してチップの整列性が乱れる、いわゆるカーフシフトの問題もある。【０００３】
従来、先ダイシング用のバックグラインドテープとしては、剛性基材と、該剛性基材の一方の面に設けられた緩衝層と、該剛性基材の他方の面に設けられた粘着剤層とから構成されるものが知られている。このバックグラインドテープでは、剛性基材のヤング率を１０００ＭＰａ以上とするとともに、緩衝層のｔａｎδ最大値を０．５以上とすることにより、分割後のチップ整列性を良好にするとともに、個別化された半導体チップに発生する欠け等を低減させている（例えば、特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平６−８５０５５号公報
【特許文献２】特開２００５−３４３９９７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、バックグラインドテープが貼付されたウエハは、通常、緩衝層側がポーラステーブルに接するように配置された上で、負圧によりポーラステーブルに固定されて研削されるのが一般的である。
しかしながら、特許文献２のように、剛性の高い基材を有するバックグラインドテープを使用すると、半導体ウエハは、研削時にばたつき等が生じて、そのエッジに微小な欠けが生じ、ウエハ割れが発生することがある。この研削時に発生するウエハエッジの欠けは、特許文献２のようにｔａｎδの最大値を大きくしただけでは十分に防ぐことができないことがある。【０００６】
本発明は上記問題点に鑑みてなされたものであり、本発明の課題は、バックグラインドテープが剛性の高い基材を有する場合であっても、ウエハ研削時に、ウエハエッジ部に微小な欠けが発生することを抑制することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者らは、上記課題を解決すべく鋭意検討を重ねた結果、バックグラインドテープに剛性の高い基材を使用した場合において、研削時に生じるウエハ欠けを防止するには、緩衝層のｔａｎδのピーク温度を低温にすることが必要であることを見出し、以下の本発明を完成させた。
すなわち、本発明は、以下の（１）〜（３）を提供するものである。
（１）ヤング率が６００ＭＰａ以上の基材フィルムと、該基材フィルムの一方の面に設けられ、ウレタン含有硬化物から形成されるとともに、ｔａｎδのピーク温度が６０℃以下である緩衝層とを備えるバックグラインドテープ用基材。
（２）前記ウレタン含有硬化物が、ウレタンアクリレートオリゴマーと、エネルギー線重合性モノマーとを含有する樹脂組成物を硬化させたものであり、前記エネルギー線重合性モノマーが、芳香族構造を有する（メタ）アクリレートを含む上記（１）に記載のバックグラインドテープ用基材。
（３）上記（１）又は（２）に記載されるバックグラインドテープ用基材と、前記基材フィルムの緩衝層が設けられた一方の面とは反対側の面に設けられる粘着剤層とを備えるバックグラインドテープ。
【発明の効果】
【０００８】
本発明では、バックグラインドテープに剛性の高い基材を使用した場合であっても、ウエハ研削時に、ウエハエッジ部に微小な欠けが発生することを抑制することができる。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本発明について実施形態を用いてさらに詳細に説明する。
なお、本明細書において、「（メタ）アクリロイル」は、「アクリロイル」又は「メタクリロイル」の一方もしくは双方を意味する用語として使用する。また、「（メタ）アクリレート」は、「アクリレート」又は「メタクリレート」の一方もしくは双方を意味する用語として使用する。
【００１０】
本発明のバックグラインドテープ用基材は、基材フィルムと、該基材フィルムの一方の面に設けられる緩衝層とを備えるものである。
また、本発明のバックグラインドテープは、前記バックグラインドテープ用基材と、前記基材フィルムの緩衝層が設けられた一方の面とは反対側の面に、粘着剤層が積層されてなるものである。本発明のバックグラインドテープは、粘着剤層を介して半導体ウエハの表面に貼付され、半導体ウエハの裏面が研削される際に、半導体ウエハの表面に設けられた回路等を保護するものである。
以下、本発明のバックグラインドテープ用基材及びバックグラインドテープの各部材についてより詳細に説明する。
【００１１】
［基材フィルム］
本発明の基材フィルムは、ヤング率が６００ＭＰａ以上となるものである。本発明では、基材フィルムのヤング率が６００ＭＰａ未満となると基材の剛性が低くなり、基材によるウエハの支持性能が低下する。したがって、例えば先ダイシング法を行う際には研削時にウエハがチップに個別化されるが、その際、チップの位置ずれが起こり、チップの整列性に問題が生じることがある。また、先ダイシング法を行わない場合にも、基材フィルムのヤング率が６００ＭＰａ以上であることで、ウエハ中の残留応力に起因したウエハの反りを抑制することができるという利点がある。
基材フィルムのヤング率は、好ましくは６００〜３００００ＭＰａ、より好ましくは１０００〜１００００ＭＰａである。ヤング率をこれら上限値以下とすることで、バックグラインドテープを剥離する際、ウエハやチップに作用される応力を少なくすることができる。また、ヤング率を１０００ＭＰａ以上とすることで、基材フィルムの支持性能が向上し、先ダイシング法に使用した場合には、チップの位置ずれをより低減させることができる。
【００１２】
上記基材フィルムとしては、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリアミド、ポリアセタール、ポリカーボネート、変性ポリフェニレンオキシド、ポリフェニレンスルフィド、ポリスルホン、全芳香族ポリエステル、ポリエーテルケトン、ポリイミド、ポリプロピレン等からなる樹脂フィルムが挙げられるが、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリブチレンテレフタレート等のポリエステルフィルムが好ましく、特にポリエチレンテレフタレートフィルムが好ましい。基材フィルムは、無延伸、一軸延伸、二軸延伸のいずれでもよい。また、基材フィルムは、上記材料等が適宜選択されて単層構造とされてもよいが、複数層からなるものでもよい。
基材フィルムの厚さは、例えば１０〜１５０μｍ、好ましくは２５〜１３０μｍである。本発明では、厚さをこのような範囲とすることで基材フィルムの支持性能をより良好にすることができる。
【００１３】
［緩衝層］
本発明の緩衝層は、ウレタン含有硬化物から形成されるとともに、ｔａｎδのピーク温度が６０℃以下となるものである。
バックグラインドテープが貼付されたウエハは、後述するように、通常、負圧によりポーラステーブルに固定されるが、その際、バックグラインドテープの最外層に配置される緩衝層は、ポーラステーブルに接する層となる。本発明の緩衝層は、ウレタン含有硬化物から形成されることで、比較的剛性が低くなりポーラステーブルに追従しやすいため、剛性が高い本発明の基材フィルムが直接固定されるよりも、より強固にポーラステーブルに固定可能である。
また、本発明のバックグラインドテープを介して、ポーラステーブルに固定された半導体ウエハに対し研削を開始すると、徐々に半導体ウエハは昇温する。ここで、本発明のように緩衝層のｔａｎδのピーク温度が６０℃以下であると、研削開始後、比較的早期に緩衝層のポーラステーブルへの追従性が発現し、残留応力の発生を抑制できると推察され、ウエハエッジの欠けが抑制される。特に、本発明のように剛性の高い支持フィルムを用いた場合、昇温時のポーラステーブルへの追従性が悪くなる傾向にあるが、ｔａｎδのピーク温度が６０℃以下の緩衝層を設けることで、追従性を良好にすることができる。
【００１４】
ｔａｎδのピーク温度は、緩衝層のポーラステーブルへの追従性をより良好にし、ウエハエッジの欠けを低減させるために、５７℃以下とすることが好ましく、４５℃以下とすることがより好ましい。また、ｔａｎδのピーク温度は、通常２０℃以上、好ましくは３０℃以上である。
また、本発明では、上記ｔａｎδのピーク値は０．５以上であることが好ましい。ピーク値が０．５以上となることで、緩衝層によって衝撃を吸収しやすくなるので、ウエハエッジの欠けや、先ダイシング法において個別化されたチップに生じる欠けが抑制されやすくなる。また、ウエハエッジの欠け等をより抑制できる観点からは、上記ｔａｎδのピーク値は０．７以上がより好ましく、０．８５以上が特に好ましい。
また、ｔａｎδのピーク値は、特に限定されないが、通常１．５以下、好ましくは１．１５以下である。
なお、ｔａｎδとは、損失正接とよばれ、損失弾性率／貯蔵弾性率で定義される。具体的には、後述する測定方法により動的粘弾性測定装置を用いて測定されるものである。
また、緩衝層の厚さは、例えば５〜１００μｍ、好ましくは１５〜８０μｍである。
【００１５】
本発明の緩衝層を形成するウレタン含有硬化物は、エネルギー線硬化型樹脂組成物、又は熱硬化型樹脂組成物等の樹脂組成物を硬化したものであり、好ましくはエネルギー線硬化型樹脂組成物が使用される。また、エネルギー線硬化型樹脂組成物は、エネルギー線重合性のウレタンアクリレートオリゴマーを主剤としたものが好ましく用いられる。
【００１６】
上記ウレタンアクリレートオリゴマーは、（メタ）アクリロイル基を有し、ウレタン結合を有する化合物であって、例えば、ポリオール化合物と、多価イソシアナート化合物を反応させて得られる末端イソシアナートウレタンプレポリマーに、ヒドロキシル基を有する（メタ）アクリレートなどを反応させて得られるものである。
本発明のウレタンアクリレートオリゴマーは、上記ポリオール化合物がポリエーテルポリール又はポリエステルポリオールであるポリエーテル系ウレタンアクリレートオリゴマー又はポリエステル系ウレタンアクリレートオリゴマーが好ましく、ポリエーテル系ウレタンアクリレートオリゴマーがより好ましい。
上記の多価イソシアナート化合物としては、２，４−トリレンジイソシアナート、２，６−トリレンジイソシアナート、１，３−キシリレンジイソシアナート、１，４−キシリレンジイソシアナート、ジフェニルメタン４，４−ジイソシアナートなどが挙げられる。また、ヒドロキシル基を有する（メタ）アクリレートとしては、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコール（メタ）アクリレートなどが挙げられる。
このようなウレタンアクリレートオリゴマーは、分子内にエネルギー線重合性の二重結合を有し、紫外線等のエネルギー線照射により重合硬化し、被膜を形成する。
【００１７】
本発明で好ましく用いられるウレタンアクリレートオリゴマーの重量平均分子量は、好ましくは１０００〜５００００、さらに好ましくは２０００〜３００００の範囲にある。重量平均分子量をこのような範囲とすることで、ｔａｎδのピーク温度を６０℃以下にしやすく、また、緩衝層の弾性率や成膜性を適切にすることができる。
なお、本明細書において重量平均分子量とは、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法により測定した標準ポリスチレン換算値である。
上記のウレタンアクリレートオリゴマーは一種単独で、または二種以上を組み合わせて用いることができる。
【００１８】
緩衝層を形成するための樹脂組成物は、エネルギー線重合性モノマーをさらに含有することが好ましい。樹脂組成物は、ウレタンアクリレートオリゴマーを含有するのみでは、成膜が困難な場合が多いが、エネルギー線重合性モノマーで希釈されることで成膜性が良好になりやすい。エネルギー線重合性モノマーとしては、分子内にエネルギー線重合性の二重結合を有し、比較的嵩高い基を有するモノマーが挙げられる。
そのようなエネルギー線重合性モノマーは、具体的には、イソボルニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンテニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンテニルオキシ（メタ）アクリレート、ジシクロペンタニル（メタ）アクリレート、アダマンタン（メタ）アクリレートなど、ビシクロ環、トリシクロ環等の多環の脂環式構造を有する（メタ）アクリレート；シクロヘキシル（メタ）アクリレートなどの単環の脂環式構造を有する（メタ）アクリレート；ベンジル（メタ）アクリレート、フェニルヒドロキシプロピル（メタ）アクリレートなどの芳香族構造を有する（メタ）アクリレート；テトラヒドロフルフリル（メタ）アクリレート、モルホリン（メタ）アクリレートなどの複素環式構造を有する（メタ）アクリレート；又はＮ−ビニルピロリドン、Ｎ−ビニルカプロラクタム等の複素環式構造を有する（メタ）アクリレート以外のビニルモノマーなどが挙げられるが、これらの中では、各種（メタ）アクリレートが好ましい。また、エネルギー線重合性モノマーは、上記に限定されず、例えば、多官能（メタ）アクリレート等を使用してもよい。
【００１９】
エネルギー線重合性モノマーは、ウレタンアクリレートオリゴマー１００質量部に対して、好ましくは１０〜５００質量部、より好ましくは３０〜２００質量部、特に好ましくは５０〜１８０質量部の割合で用いられる。エネルギー線重合性モノマーの配合量を上記範囲とすることで、緩衝層の成膜性を良好にしつつ、ｔａｎδのピーク温度を６０℃以下としやすくなる。
上記エネルギー線重合性モノマーは１種単独で、又は２種以上を組み合わせて使用してもよい。例えば、上記樹脂組成物には、芳香族構造を有する（メタ）アクリレートを配合することが好ましい。また、芳香族構造を有する（メタ）アクリレートと他のエネルギー線重合性モノマーを併用してもよい。例えば、芳香族構造を有する（メタ）アクリレートと共に用いる他のエネルギー線重合性モノマーとしては、脂環式構造を有する（メタ）アクリレートを用いるとよい。その場合、芳香族構造を有する（メタ）アクリレートは、脂環式構造を有する（メタ）アクリレートに対して質量比で、好ましくは０．１〜２．０の割合で、より好ましくは０．２〜１．５、特に好ましくは０．３〜０．８の割合で配合される。
このように、芳香族構造を有する（メタ）アクリレートを使用すると、緩衝層の弾性率を適切な値にしつつ、ｔａｎδのピーク温度を低温にしやすくなる。
なお、芳香族構造を有する（メタ）アクリレートとしては、例えばフェニルヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート等で例示される、フェニル基等のアリール基と水酸基とを有する（メタ）アクリレートが好ましく使用される。
【００２０】
また、脂環式構造を有する（メタ）アクリレートとしては、多環の脂環式構造を有する（メタ）アクリレートが好ましく、その好適な例としては、上記で例示した中ではイソボルニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンタニル（メタ）アクリレートが挙げられる。
また、エネルギー線重合性モノマーを、多環の脂環式構造を有する（メタ）アクリレートのみから構成してもよい。
【００２１】
本発明のウレタン含有硬化物を、エネルギー線硬化型樹脂組成物から形成する場合、該組成物には、光重合開始剤を配合してもよい。光重合開始剤を配合することで、光照射による重合硬化時間ならびに光照射量を少なくすることができる。
光重合開始剤としては、ベンゾイン化合物、アセトフェノン化合物、アシルフォスフィンオキサイド化合物、チタノセン化合物、チオキサントン化合物、パーオキサイド化合物等の光開始剤、アミンやキノン等の光増感剤などが挙げられ、具体的には、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンジルジフェニルサルファイド、テトラメチルチウラムモノサルファイド、アゾビスイソブチロニトリル、ジベンジル、ジアセチル、β−クロールアンスラキノン、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニル−プロパン−１−オンなどが例示できる。
光重合開始剤の使用量は、ウレタンアクリレートオリゴマーとエネルギー線重合性モノマーの合計１００質量部に対して、好ましくは０．０５〜１５質量部、さらに好ましくは０．１〜１０質量部、特に好ましくは０．３〜７質量部である。
【００２２】
緩衝層のｔａｎδのピーク温度は、ウレタンアクリレートオリゴマーの種類や分子量、エネルギー線重合性モノマーの配合量や種類によって適宜変更可能である。
例えば、ウレタンアクリレートオリゴマーとして、ポリエーテル系を選択すると、ポリエステル系を選択する場合に比べて、ｔａｎδのピーク温度を低温にしやすくなる。また、ウレタンアクリレートオリゴマーの分子量を大きくすることで、ウレタン含有硬化物の架橋密度を小さくして、ｔａｎδのピーク温度を低温にしやすくなる。
また、ウレタンアクリレートオリゴマーに対するエネルギー線重合性モノマーの質量割合を高くすることで、緩衝層のｔａｎδのピーク温度を低温にしやすくなる。また、全エネルギー線重合性モノマーにおける、脂環式構造を有する（メタ）アクリレートの含有割合を少なくすることで、緩衝層のｔａｎδのピーク温度を低温にしやすくなる。
本発明では、このように各成分の配合量、種類、分子量を適宜調整することによりｔａｎδの値を６０℃以下にすることができる。
【００２３】
本発明の緩衝層は、基材フィルムに上記樹脂組成物を塗布し、これを硬化させることで形成することができる。樹脂組成物の硬化は、エネルギー線硬化型樹脂組成物の場合には、紫外線等のエネルギー線を照射することで行うことができる。また、樹脂組成物の塗布は、特に限定されないが、公知の希釈液に希釈して、また希釈液で希釈せずに塗布してもよいし、キャスティングや押し出しによって行ってもよい。
【００２４】
［粘着剤層］
粘着剤層を形成する粘着剤は、特に限定されず、従来、バックグラインドテープに用いられてきた種々の粘着剤を使用できる。具体的には、ゴム系、アクリル系、シリコーン系、ポリビニルエーテル系等の粘着剤が用いられる。また、エネルギー線硬化型や加熱発泡型、水膨潤型の粘着剤も用いることができるが、紫外線等のエネルギー線で硬化するエネルギー線硬化型粘着剤が好ましく用いられる。
粘着剤層１２の厚さは、保護するウエハの形状、表面状態および研磨方法等の条件により適宜決められるが、好ましくは５〜５００μｍであり、より好ましくは１０〜３００μｍである。
なお、粘着剤層は、さらに剥離フィルムが貼り合わされて剥離フィルムにより保護されていてもよい。剥離フィルムは、特に限定されず、フィルムや紙等のシートに、剥離剤で剥離処理したものを使用することができる。
【００２５】
［バックグラインドテープの使用方法］
本発明に係るバックグラインドテープは、好ましくは先ダイシング法によりチップに分割される半導体ウエハに貼付され、例えばウエハ表面の保護およびウエハの一時的な固定手段として用いられる。なお、先ダイシング法とは、半導体回路が形成されたウエハ表面に、ウエハ厚よりも浅い溝を形成し、その後、該半導体ウエハの裏面を研削することでウエハの厚さを薄くし、それにより、ウエハを個々のチップに分割する半導体チップの製造方法である。ただし、本発明のバックグラインドテープは、先ダイシング法に限らず、ウエハ裏面を研削する際に、ウエハ表面に貼付して使用することができるものである。
【００２６】
本発明に係るバックグラインドテープは、先ダイシング法に使用される場合、より具体的には、以下の工程を備える半導体チップの製造方法に用いられる。
第１工程：複数の回路を区画するウエハの切断位置に沿って、ダイシング加工により所定の深さの溝をウエハ表面に形成する工程
第２工程：回路が形成されるウエハ表面全体を覆うように、本発明のバックグラインドテープをウエハ表面に粘着剤層を介して接着する工程
第３工程：ポーラステーブルに緩衝層側が接するようにして、バックグラインドテープが接着されたウエハをポーラステーブル上に配置する工程
第４工程：ポーラステーブル上に配置したウエハを負圧によって固定した状態で、ウエハの裏面側を研削して、個々のチップに分割する工程
第５工程：分割された個々のチップをピックアップする工程
【００２７】
なお、上記第５工程では、一般的に、チップの研削面（裏面）にピックアップ用シートを貼付し、ピックアップが可能なように位置及び方向合わせを行ってピックアップ用シートをリングフレームに固定し、次いで、バックグラインドテープを剥離した後、各チップのピックアップを行う。ここで、粘着剤層がエネルギー線硬化型粘着剤等の硬化型粘着剤層で形成される場合には、バックグラインドテープを剥離する前、通常はピックアップ用シートを貼付する前に、エネルギー線照射等により粘着剤層を硬化させ接着力を低下させることが好ましい。
【００２８】
以上のように、本発明では、フィルム基材の剛性を高くしつつも、ウエハ研削時に、ウエハエッジ部に微小な欠けが発生することを抑制することができる。また、本発明では、フィルム基材の剛性が高いことから、先ダイシングに使用した場合に、ウエハ個片化後におけるチップの整列性を良好にできる。
【実施例】
【００２９】
以下、実施例に基づき本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの例によって制限されるものではない。【００３０】
本発明における評価方法、及び各物性の測定方法は、以下のとおりである。
（１）ヤング率
基材フィルムについて、引張試験器を用いて引張試験を行い、得られた引張強度と伸びのチャートから算出した。サンプルフィルムを幅１５ｍｍ×長さ１５０ｍｍに切り取り、延伸される部分の長さが１００ｍｍとなるように引張試験器（株式会社オリエンテック社製、テンシロン）にセットした。この際、基材フィルムの流れ方向と引張りの方向が一致するようにした。その後、試験スピード２００ｍｍ／分、チャートスピード１０００ｍｍ／分で測定を行なった。得られた測定値の原点における傾きからヤング率を算出した。
（２）ｔａｎδ
動的粘弾性装置により１１Ｈｚの引張応力で測定した。具体的には、実施例及び比較例の緩衝層を積層して厚さ２００μｍとした積層体を、５×１５ｍｍのサイズに裁断して測定用サンプルを得た。このサンプルについて、初期温度を−１０℃、昇温速度３℃／ｍｉｎで１５０℃まで昇温させ、動的弾性率測定装置［ＴＡインスツルメント社製、機種名「ＤＭＡ  Ｑ８００」］により、周波数１１Ｈｚにてｔａｎδを測定し、ｔａｎδが最大値を示す温度を読み取った。
（３）重量平均分子量
ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法により、標準ポリスチレン換算の重量平均分子量Ｍｗを測定した。
ウレタンアクリレートオリゴマーについては、以下の条件で測定を行った。
測定装置：東ソー株式会社製、「ＨＬＣ−８２２０ＧＰＣ」
カラム：東ソー株式会社製、「ＴＳＫＧｅｌ  Ｇ１０００Ｈ」、「ＴＳＫＧｅｌ  Ｇ２０００Ｈ」
展開溶媒：テトラヒドロフラン
送液速度：０．３５ｍＬ／分、カラム温度：４０℃、検出器：示差屈折率計
また、粘着剤層に用いたアクリル系共重合体については、以下の条件で測定を行った。
測定装置：東ソー株式会社製、「ＨＬＣ−８１２０ＧＰＣ」
カラム：東ソー株式会社製、「ＴＳＫ ｇｕａｒｄ ｃｏｌｕｍｎ ＨＸＬ−Ｈ」、「ＴＳＫ Ｇｅｌ ＧＭＨＸＬ」（２本）、「ＴＳＫ Ｇｅｌ Ｇ２０００ ＨＸＬ」
展開溶媒：テトラヒドロフラン
送液速度：１.０ｍＬ／分      カラム温度：４０℃      検出器：示差屈折率計
（４）エッジ欠け評価
株式会社ディスコ製ＤＦＤ６３６１を用いて、半導体ウエハ（８インチ）に先ダイシングを行った。具体的には、ウエハ表面に最終的に得られるチップのサイズが１ｍｍ×１ｍｍとなるように、回路面側から溝を形成した。リンテック株式会社製ＲＡＤ−３５１０Ｆ／１２を用いて、剥離フィルムを剥がしたバックグラインドテープを溝を形成したウエハ表面に貼付し、そのウエハ裏面をグラインダー（株式会社ディスコ製ＤＧＰ８７６０）にて厚さ３０μｍまで研削（ドライポリッシュ）した。その後、研削したウエハのエッジ部分をデジタル顕微鏡で観察し、エッジ欠け数をカウントした。なお、１０μｍ以上の大きさのもののみを欠けとしてカウントした。エッジ欠け数が５０個以下の場合をＡ、エッジ欠け数が５０個よりも多い場合をＢと評価した。【００３１】
実施例１
［バックグラインドテープ用基材の作製］
ポリエステル系ウレタンアクリレートオリゴマー（重量平均分子量：１０，０００）４０質量部、フェニルヒドロキシプロピルアクリレート２０質量部、イソボルニルアクリレート４０質量部、及び光重合開始剤（ＢＡＳＦ社製、イルガキュア１１７３）０．５質量部の混合物からなる緩衝層用樹脂組成物を作製した。この緩衝層用樹脂組成物を、ポリエチレンテレフタレートからなる基材フィルム（厚さ５０μｍ、ヤング率２５００ＭＰａ）に、硬化後の厚さが５０μｍになるように塗布し、紫外線照射（２３０ｍＷ／ｃｍ２、５００ｍＪ／ｃｍ２）により硬化させ、基材フィルムの一方の面にウレタン含有硬化物からなる緩衝層を形成したバックグラインドテープ用基材を得た。【００３２】
［バックグラインドテープの作製］
まず、モノマーとしてブチルアクリレート５２質量％、メチルメタクリレート２０質量％、２−ヒドロキシルエチルアクリレート２８質量％を含むアクリル系共重合体（重量平均分子量：５００，０００）に、２−メタクリロイルオキシエチルイソシアナート（ＭＯＩ）（アクリル系共重合体の官能基であるヒドロキシル基１００当量に対して８０当量）を反応させて得たエネルギー線硬化型アクリル共重合体１００質量部と、架橋剤としてのトリメチロールプロパントリレンジイソシアネート付加物０．５質量部とを含有し、かつトルエンで濃度３０質量％に希釈されてなる粘着剤組成物を作製した。次に、この粘着剤組成物を剥離フィルム（リンテック株式会社製、ＳＰ−ＰＥＴ３８１０３１）上に乾燥後の厚さが２０μｍとなるように塗布し、１００℃で１分間乾燥し、粘着剤層を形成した後に、その粘着剤層をバックグラインドテープ用基材の基材フィルム側に貼合し、剥離フィルム付きのバックグラインドテープを得た。【００３３】
参考例１
緩衝層用樹脂組成物として、ポリエーテル系ウレタンアクリレートオリゴマー（重量平均分子量：５，５００）５５質量部、ジシクロペンタニルアクリレート４５質量部、及び光重合開始剤（ＢＡＳＦ社製、イルガキュア２９５９）５質量部の混合物を用いた以外は、実施例１と同様に実施した。
【００３４】
比較例１
緩衝層用樹脂組成物として、ポリカーボネート系ウレタンアクリレート（重量平均分子量：４，１００）５０質量部、ジシクロペンタニルアクリレート５０質量部、及び光重合開始剤（ＢＡＳＦ社製、イルガキュアＴＰＯ）１質量部の混合物を用いた以外は、実施例１と同様に実施した。【００３５】
比較例２
緩衝層を設けなかった点を除いて実施例１と同様に実施した。【００３６】
実施例、参考例及び比較例のｔａｎδのピーク温度、ピーク値の測定結果、及びエッジ欠け評価の試験結果を表１に示す。
【表１】
0006573282.tif 000002
【００３７】
以上のように、各実施例では、基材フィルムに剛性の高いものを使用したにもかかわらず、ｔａｎδのピーク温度を６０℃以下とすることで、研削時のウエハエッジの欠けを低減することができた。一方で、ｔａｎδのピーク温度が６０℃より高い比較例１や、緩衝層を設けなかった比較例２では、研削時のウエハエッジの欠けを十分に防止することができなかった。