(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にチップが電気的に接続され、これらチップと基板との間を中空として全体が樹脂封止される中空パッケージの製造方法において、
上記チップ上に第１ダムを形成し、かつこの第１ダムに対向する上記基板上の位置に第２ダムを形成するダム形成工程と、
上記第１ダムと第２ダムが向かい合う状態で、上記チップを上記基板にフリップチップ接続するフリップチップ接続工程と、
上記チップ−基板間に封止樹脂を塗布し、この封止樹脂が上記第１ダムと第２ダムの両方の端面により堰き止められる状態で樹脂硬化させる樹脂封止工程と、を設けたことを特徴とする中空パッケージの製造方法。
【請求項２】
上記チップが上記基板にフリップチップ接続されたとき、向き合う上記第１ダムの端面と第２ダムの端面との間に僅かな隙間ができるように、上記第１ダムと第２ダムの合計の高さを設定したことを特徴とする請求項１記載の中空パッケージの製造方法。
【請求項３】
基板上にチップが電気的に接続され、これらチップと基板との間を中空として全体が樹脂封止される中空パッケージにおいて、
上記チップ上に形成された第１ダムと、この第１ダムに対向するように上記基板上に形成された第２ダムを備え、
これらの第１ダムと第２ダムが向かい合う状態で、上記チップが上記基板にフリップチップ接続されており、
上記チップ−基板間に塗布された封止樹脂は、上記第１ダムと第２ダムの両方の端面間まで流入した状態で封止されていることを特徴とする中空パッケージ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は中空パッケージ及びその製造方法、特に樹脂封止により回路チップ部の中空構造を確保する中空パッケージ及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、ＳＡＷ（Surface Acoustic Wave）フィルタ、高周波集積回路（ＲＦ−ＩＣ）やＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）素子等のパッケージでは、その素子のアクティブ面でのメカニカルな動作を確保するため、或いは素子面を保護するために、セラミックパッケージの気密封止構造が採用される。
【０００３】
また、樹脂を用いて封止する場合には、一般的なアンダーフィル樹脂を使うと、アクティブ面に樹脂が触れ特性変動を起ことがあるため、図５の例のような特殊な封止工法によりパッケージを製作することが行われる。
【０００４】
図５に、特許文献１等で提案されている従来の電子部品パッケージの構造が示されており、１は基板、２はチップ、３は基板側電極、４はチップ側電極、５はバンプ、６はシート状樹脂である。この例では、図５（Ａ）に示されるように、基板側電極３とチップ側電極４をバンプ５により接続し、減圧下でチップ２の上から基板１までをシート状樹脂６で覆い、大気圧に戻して加熱・硬化すると、シート状樹脂６が基板１とチップ２との隙間に流入し、図５（Ｂ）に示されるように、樹脂６０によって全体が封止される。この結果、基板１とチップ２のアクティブ面との間に、中空空間８が形成される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１５−１３０４１３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、従来の中空パッケージにおいては、上述のように、高価なセラミックパッケージを使用して中空構造にする工法や、図５の例のように、減圧下でシート状樹脂６をチップ２の上から被せ、封止樹脂６０を形成するという特殊な工法となるため、製造コストが高くなるという問題があった。
【０００７】
本発明は上記問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、一般的な封止工法を用い、かつ低コストで中空空間が形成されたパッケージを製作することができる中空パッケージ及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するために、請求項１の発明は、基板上にチップが電気的に接続され、これらチップと基板との間を中空として全体が樹脂封止される中空パッケージの製造方法において、上記チップ上に第１ダムを形成し、かつこの第１ダムに対向する上記基板上の位置に第２ダムを形成するダム形成工程と、上記第１ダムと第２ダムが向かい合う状態で、上記チップを上記基板にフリップチップ接続するフリップチップ接続工程と、上記チップ−基板間に封止樹脂を塗布し、この封止樹脂が上記第１ダムと第２ダムの両方の端面により堰き止められる状態で樹脂硬化させる樹脂封止工程と、を設けたことを特徴とする。
請求項２の発明は、上記チップが上記基板にフリップチップ接続されたとき、向き合う上記第１ダムの端面と第２ダムの端面との間に僅かな隙間ができるように、上記第１ダムと第２ダムの合計の高さを設定したことを特徴とする。
【０００９】
請求項３の発明は、基板上にチップが電気的に接続され、これらチップと基板との間を中空として全体が樹脂封止される中空パッケージにおいて、上記チップ上に形成された第１ダムと、この第１ダムに対向するように上記基板上に形成された第２ダムを備え、これらの第１ダムと第２ダムが向かい合う状態で、上記チップが上記基板にフリップチップ接続されており、上記チップ−基板間に塗布された封止樹脂は、上記第１ダムと第２ダムの両方の端面間まで流入した状態で封止されていることを特徴とする。
【００１０】
上記の構成によれば、第１ダムと第２ダムが向かい合うようにして回路チップが基板にフリップチップ接続（バンプ接続）され、この状態で、チップと基板の間に封止樹脂が塗布される。このとき、封止樹脂は、第１ダムと第２ダムの両方の端面で堰き止められ、この状態で樹脂封止される。即ち、チップが基板にフリップチップ接続されたとき、第１ダムと第２ダムとの間に、僅かな隙間ができる状態とすれば、封止樹脂は、各ダムのエッジの表面張力によりダム間を越えることはなく、その後の硬化工程により樹脂が硬化されることにより、チップと基板との間に中空空間が形成される。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、封止樹脂を用いた一般的な封止工法によりパッケージの封止ができ、特殊な工法を用いないので、封止が容易となり、かつ低コストで中空パッケージを製作することができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の実施例の中空パッケージの製造方法で用いられるチップと基板の構成を示し、図（Ａ）はチップの斜視図、図（Ｂ）は基板の斜視図である。
【図２】図１のチップを基板にフリップチップ接続したときの状態を示す側面図である。
【図３】実施例の中空パッケージの製造方法における封止樹脂の塗布工程を示す斜視図である。
【図４】実施例において封止樹脂を塗布したときの状態を示す拡大図である。
【図５】従来の中空パッケージの製造方法を示し、図（Ａ）はシート状樹脂を配置したときの図、図（Ｂ）は減圧下で加熱し樹脂封止したときの図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
図１（Ａ）に、実施例の中空パッケージの製造方法で製作される例えばＳＡＷフィルタ等の回路チップが示され、図１（Ｂ）に基板が示されており、図１（Ａ）のチップ１０において、１３はバンプ電極、１４は第１ダムであり、図１（Ｂ）の基板１１において、１５は電極、１６は第２ダムである。
【００１４】
実施例の製造方法では、ダム形成工程、フリップチップ接続工程、樹脂封止工程が行われ、まずダム形成工程において、上記チップ１０の第１ダム１４が、例えばポリイミドを用いてアクティブ領域を囲むように枠状（例えば四角枠状）に形成され、他方の基板１１の第２ダム１６は、例えばソルダーレジストを用いて、第１ダム１４に対向する位置に枠状（四角枠状）に形成される。
【００１５】
ここで、上記のダム１４，１６は、樹脂等の絶縁性材料ではなく、導電性の材料を用いて形成してもよく、また僅かな突起のようなものでもよく、例えば第１ダム１４又は第２ダム１６の一方を配線パターンと同様の線状のパターンとしてもよい。また、この枠状の第１ダム１４又は第２ダム１６は、途中の複数箇所で切れているもの、或いは多数の点状体を枠状に並べたもの等でもよく、それらの隙間が隙間部分の表面張力により樹脂を堰き止める間隔となっていれば、どのような形状のものでも適用することができる。
【００１６】
次のフリップチップ接続工程では、図２に示されるように、第１ダム１４と第２ダム１６が向かい合う状態として、チップ１０のバンプ電極１３と基板１１の電極１５がフリップチップ接続される。また、このとき、第１ダム１４と第２ダム１６との間に、僅かな隙間Ｓが開く状態となることが好ましい。即ち、第１ダム１４の高さと第２ダム１６の高さの合計がフリップチップ接続されたときの基板１１とチップ１０の間の間隔（バンプ電極１３と電極１５の合計の長さ）よりも小さくなるように設定することで、僅かな隙間Ｓを持って第１ダム１４と第２ダム１６とが向かい合うようにし、これによって、確実なフリップチップ接続と、後述の樹脂封止が良好に行われるようにしている。
【００１７】
上記フリップチップ接続工程の後、樹脂封止が行われるが、この樹脂封止工程では、図３に示されるように、チップ１０の外周を一周するようにディスペンサ２０を移動させ、チップ基板間に封止樹脂２１が塗布される。この封止樹脂２１としては、比較的チクソ性の高い樹脂を用いることが好ましく、またこの塗布の際は、窒素（Ｎ２）置換雰囲気で作業することが望ましい。
【００１８】
図４には、上記封止樹脂２１の塗布状態が示されており、封止樹脂２１は第１ダム１４と第２ダム１６まで到達するが、第１ダム１４と第２ダム１６の両方のエッジ（端面）の表面張力により堰き止められる。そして、この塗布後は、熱硬化を段階的に行うステップキュアにて封止樹脂２１を硬化させることにより、中空空間２２を形成しかつ第１ダム１４と第２ダム１６が向かい合う間際まで封止樹脂２１が流入した状態で樹脂封止したパッケージが作製される。
【００１９】
なお、上記樹脂封止では、第１ダム１４と第２ダム１６の先端を角型（直角）のエッジとすることが好ましく、これによりエッジの表面張力、そして樹脂の堰き止め効果を高めることができる。
【００２０】
以上のように、実施例によれば、封止樹脂２１が第１ダム１４及び第２ダム１６で確実に堰き止められるので、チップ１０のアクティブ面に樹脂が触れて特性変動等を起こすこともなく、良好な中空空間２２が形成される。
また、封止樹脂を用いた一般的な封止工法により中空パッケージの封止が容易にでき、中空パッケージを低コストで製作することが可能となる。
【００２１】
上記実施例では、第１ダム１４及び第２ダム１６をバンプ電極１３及び電極１５の内側に設けたが、これらのダム１４，１６をバンプ電極１３及び電極１５の外側に配置する構成を採用することも可能である。また、１つのパッケージを制作する場合を説明したが、集合基板に複数のチップを搭載し、この集合基板上でフリップチップ接続及び樹脂封止を行うことで、複数のパッケージを同時に製作することができる。
【符号の説明】
【００２２】
１，１１…基板、        ２，１０…チップ、
３，４…電極、          ５…バンプ、
６…シート状樹脂、      ８，２２…中空空間、
１３…バンプ電極（チップ側）、
１５…電極（基板側）、
１４…第１ダム、        １６…第２ダム、
２１…封止樹脂。
【図１】
0006566846.tif 000002
【図２】
0006566846.tif 000003
【図３】
0006566846.tif 000004
【図４】
0006566846.tif 000005
【図５】
0006566846.tif 000006