(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の主面と、前記第１の主面と対向する第２の主面とを有し、前記第１の主面が凹部を有する基板本体と、
前記基板本体の前記第１の主面の前記凹部内に設けられた第１の電極ランドと、
前記基板本体の前記第１の主面上において、前記凹部外に設けられており、前記第１の電極ランドと異なる電位に接続される第２の電極ランドと、
を備え、前記基板本体の前記第１の主面と前記第２の主面とを結ぶ方向において、前記第１の電極ランドと前記第２の電極ランドとが重なり合っていない、基板。
【請求項２】
前記基板本体が複数の基板層を有する多層基板からなる、請求項１に記載の基板。
【請求項３】
前記凹部が、前記基板の外周縁よりも内側に設けられており、前記凹部と前記外周縁との間に、凹部ではない領域が設けられている、請求項１または２に記載の基板。
【請求項４】
前記第１の電極ランドの面積が、前記第２の電極ランドの面積よりも小さい、請求項１〜３のいずれか１項に記載の基板。
【請求項５】
前記基板本体がセラミックスからなる、請求項１〜４のいずれか１項に記載の基板。
【請求項６】
前記基板本体の前記凹部が設けられている領域において、前記第１の主面から前記第２の主面に貫通している第１のスルーホールが設けられており、該第１のスルーホール内に、前記基板本体の焼成時における収縮率よりも前記焼成時における収縮率が大きい材料が内部に配置されており、あるいは前記第１のスルーホールの内部が空洞とされている、請求項５に記載の基板。
【請求項７】
前記基板本体の前記第１の主面から前記第２の主面に向かって前記凹部外の領域において貫通している第２のスルーホールが設けられており、前記第２のスルーホール内に、前記基板本体の焼成時における収縮率よりも前記焼成時における収縮率が小さい材料が配置されている、請求項５または６に記載の基板。
【請求項８】
前記基板本体の前記第１の主面側から平面視した場合、同一直線上に少なくとも１つの前記第１の電極ランドと、少なくとも２個の前記第２の電極ランドとが位置しており、前記同一直線上において、少なくとも１つの前記第１の電極ランドの両側に、それぞれ、少なくとも１つの前記第２の電極ランドが位置している、請求項１〜７のいずれか１項に記載の基板。
【請求項９】
前記同一直線上に沿う方向を長さ方向、前記長さ方向と直交し、かつ前記第１及び第２の電極ランドの厚み方向と直交する方向を幅方向としたときに、前記第１の電極ランドの幅方向の寸法が、前記第２の電極ランドの幅方向の寸法以下とされている、請求項８に記載の基板。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれか１項に記載の基板と、
前記基板本体の前記第１の主面に搭載されており、前記第１の電極ランド及び前記第２の電極ランドに接合されている金属バンプを有する、弾性波素子と、
を備える、弾性波装置。
【請求項１１】
前記弾性波素子が、前記金属バンプが設けられている接合面を有し、
前記第１の電極ランドの外周と、前記第１の電極ランドの外周を前記弾性波素子の前記接合面に投影した部分とを結ぶ空間の体積と、
前記第２の電極ランドの外周と、前記第２の電極ランドの外周を前記弾性波素子の前記接合面に投影した部分とを結ぶ空間の体積とが等しい、請求項１０に記載の弾性波装置。
【請求項１２】
請求項１〜９のいずれか１項に記載の基板の製造方法であって、
前記第１の主面及び前記第２の主面を有し、前記第１の主面に前記凹部が設けられている前記基板本体を用意する工程と、
前記基板本体の前記第１の主面に、前記第１の電極ランド及び前記第２の電極ランドを形成する工程と、
を備える、基板の製造方法。
【請求項１３】
請求項６に記載の基板の製造方法であって、
前記第１の主面及び前記第２の主面を有し、前記第１の主面に前記凹部が設けられている前記基板本体を用意する工程と、
前記基板本体の前記第１の主面に前記第１の電極ランド及び前記第２の電極ランドを形成する工程と、
を備え、
前記基板本体を用意する工程が、
対向し合う一対の主面を有し、未焼成のセラミックスからなるセラミックプレートを用意する工程と、
前記セラミックプレートに、対向し合う前記一対の主面間を貫通する第１のスルーホールを形成する工程と、
前記セラミックプレートを焼成する工程と、
を有する、基板の製造方法。
【請求項１４】
前記セラミックプレートにおいて、前記凹部が形成される領域外の領域において、対向し合う前記一対の主面間を貫通する第２のスルーホールを形成する工程と、
前記第２のスルーホールに、前記セラミックスの焼成に際してのセラミックスの収縮率よりも収縮率が小さい材料を配置する工程と、
をさらに備える、請求項１３に記載の基板の製造方法。
【請求項１５】
請求項７に記載の基板の製造方法であって、
前記第１の主面及び前記第２の主面を有し、前記第１の主面に前記凹部が設けられている前記基板本体を用意する工程と、
前記基板本体の前記第１の主面に、前記第１の電極ランド及び前記第２の電極ランドを形成する工程と、
を備え、
前記基板本体を用意する工程が、
対向し合う一対の主面を有し、未焼成のセラミックスからなるセラミックプレートを用意する工程と、
前記セラミックプレートに、対向し合う前記一対の主面間を貫通する第２のスルーホールを形成する工程と、
前記第２のスルーホールに、前記セラミックスの焼成に際してのセラミックスの収縮率よりも収縮率が小さい材料を配置する工程と、
前記セラミックプレートを焼成する工程と、
を備える、基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数の電極ランドが主面上に設けられている基板及びその製造方法並びに弾性波装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、バンプにより電子部品素子をパッケージ構成用の基板に接合した構造が広く用いられている。例えば下記の特許文献１では、パッケージ用の基板のダイアタッチ面に、信号側端子用の電極ランドと、接地端子用の電極ランドとが設けられている。信号側端子用の電極ランド及び接地端子用の電極ランドには、それぞれ、弾性表面波素子に設けられたバンプが接合される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１２−１８６６３３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、特許文献１に記載の基板では、信号側端子用の電極ランドと、接地端子用の電極ランドとの間において寄生容量が生じるおそれがあった。この寄生容量により、例えば弾性表面波フィルタの場合には、フィルタ特性に影響が現れる。寄生容量を小さくするには、電極ランド間の距離を大きくすることが考えられる。【０００５】
しかしながら、電極ランド間の距離を大きくすると、弾性表面波装置全体が大きくなる。【０００６】
他方、電極ランドの面積を小さくすることも考えられる。しかしながら、電極ランドの面積を全て小さくすると、バンプによる接合強度が低下するおそれがあった。【０００７】
本発明の目的は、電極ランド間の寄生容量を小さくすることができ、しかも小型化を図り得る、基板、該基板の製造方法並びに該基板を有する弾性波装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明のある広い局面によれば、第１の主面と、前記第１の主面と対向する第２の主面とを有し、前記第１の主面が凹部を有する基板本体と、前記基板本体の前記第１の主面の前記凹部内に設けられた第１の電極ランドと、前記基板本体の前記第１の主面上において、前記凹部外に設けられており、前記第１の電極ランドと異なる電位に接続される第２の電極ランドと、を備える、基板が提供される。【０００９】
本発明に係る基板のある特定の局面では、前記基板本体が複数の基板層を有する多層基板からなる。この場合には、多層基板内に様々な回路や素子を容易に構成することができる。【００１０】
本発明に係る基板の他の特定の局面によれば、前記凹部が、前記基板の外周縁よりも内側に設けられており、前記凹部と前記外周縁との間に、凹部ではない領域が設けられている。この場合には、凹部ではない領域が基板本体の第１の主面において外側に設けられるため、バンプによる第２の電極ランドと電子部品素子との接合強度を十分な大きさとすることができる。【００１１】
本発明に係る基板の別の特定の局面では、前記第１の電極ランドの面積が、前記第２の電極ランドの面積よりも小さい。この場合には、第１の電極ランドと、第２の電極ランドとの間の寄生容量をより一層小さくすることができる。【００１２】
本発明に係る基板の別の特定の局面では、前記基板本体がセラミックスからなる。この場合には、基板本体の加工性を高めることができる。【００１３】
本発明に係る基板の他の特定の局面では、前記基板本体の前記凹部が設けられている領域において、前記第１の主面から前記第２の主面に貫通している第１のスルーホールが設けられており、該第１のスルーホール内に、前記基板本体の焼成時における収縮率よりも前記焼成時における収縮率が大きい材料が内部に配置されており、あるいは前記第１のスルーホールの内部が空洞とされている。この場合には、セラミックスの焼成に際しての収縮率の差により、上記凹部を容易にかつ確実に形成することができる。【００１４】
本発明に係る基板の別の特定の局面では、前記基板本体の前記第１の主面から前記第２の主面に向かって前記凹部外の領域において貫通している第２のスルーホールが設けられており、前記第２のスルーホール内に、前記基板本体の焼成時における収縮率よりも前記焼成時における収縮率が小さい材料が配置されている。この場合には、第２のスルーホール内の収縮率が小さい材料の存在により、第２のスルーホールが設けられている部分における基板本体の厚みを相対的に厚くすることができる。【００１５】
本発明に係る基板の他の特定の局面では、前記基板本体の前記第１の主面側から平面視した場合、同一直線上に少なくとも１つの前記第１の電極ランドと、少なくとも２個の前記第２の電極ランドとが位置しており、前記同一直線上において、少なくとも１つの前記第１の電極ランドの両側に、それぞれ、少なくとも１つの前記第２の電極ランドが位置している。この場合には、少なくとも１つの第１の電極ランドの両側における寄生容量を小さくすることができる。【００１６】
本発明に係る基板の別の特定の局面では、前記同一直線上に沿う方向を長さ方向、前記長さ方向と直交し、かつ前記第１及び第２の電極ランドの厚み方向と直交する方向を幅方向としたときに、前記第１の電極ランドの幅方向の寸法が、前記第２の電極ランドの幅方向の寸法以下とされている。この場合には、寄生容量の影響をより一層小さくすることができる。【００１７】
本発明に係る弾性波装置は、本発明に従って構成されている基板と、前記基板本体の前記第１の主面に搭載されており、前記第１の電極ランド及び前記第２の電極ランドに接合されている金属バンプを有する、弾性波素子と、を備える。【００１８】
本発明に係る弾性波装置のある特定の局面では、前記弾性波素子が、前記金属バンプが設けられている接合面を有し、前記第１の電極ランドの外周と、前記第１の電極ランドの外周を前記弾性波素子の前記接合面に投影した部分とを結ぶ空間の体積と、前記第２の電極ランドの外周と、前記第２の電極ランドの外周を前記弾性波素子の前記接合面に投影した部分とを結ぶ空間の体積とが等しい。【００１９】
本発明に係る基板の製造方法は、本発明に従って構成された基板を製造する方法である。本発明に係る基板の製造方法は、前記第１の主面及び前記第２の主面を有し、前記第１の主面に前記凹部が設けられている前記基板本体を用意する工程と、前記基板本体の前記第１の主面に、前記第１の電極ランド及び前記第２の電極ランドを形成する工程と、を備える。【００２０】
本発明に係る基板の製造方法のある特定の局面では、前記基板本体を用意する工程が、対向し合う一対の主面を有し、未焼成のセラミックスからなるセラミックプレートを用意する工程と、前記セラミックプレートに、対向し合う前記一対の主面間を貫通する第１のスルーホールを形成する工程と、前記セラミックプレートを焼成する工程と、を有する。この場合には、焼成により、凹部を容易に形成することができる。【００２１】
本発明に係る基板の製造方法の別の特定の局面では、前記セラミックプレートにおいて、前記凹部が形成される領域外の領域において、対向し合う前記一対の主面間を貫通する第２のスルーホールを形成する工程と、前記第２のスルーホールに、前記セラミックスの焼成に際してのセラミックスの収縮率よりも収縮率が小さい材料を配置する工程と、がさらに備えられている。この場合には、凹部外の相対的に厚みの厚い領域を焼成により容易に形成することができる。【００２２】
本発明に係る基板の製造方法の別の特定の局面では、前記基板本体を用意する工程が、対向し合う一対の主面を有し、未焼成のセラミックスからなるセラミックプレートを用意する工程と、前記セラミックプレートに、対向し合う前記一対の主面間を貫通する第２のスルーホールを形成する工程と、前記第２のスルーホールに、前記セラミックスの焼成に際してのセラミックスの収縮率よりも収縮率が小さい材料を配置する工程と、前記セラミックプレートを焼成する工程とを備える。この場合には、基板本体において、焼成によって、凹部外の厚みの厚い領域を容易に形成することができる。
【発明の効果】
【００２３】
本発明に係る基板では、第１の電極ランドと、第２の電極ランドとの間において、基板本体の第１の主面に沿う沿面距離を長くすることができる。従って、基板の大型化を招くことなく、寄生容量を小さくすることができる。よって、基板の小型化も図り得る。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】図１（ａ）及び図１（ｂ）は、本発明の第１の実施形態に係る基板に弾性表面波素子が実装されている弾性表面波装置の正面断面図及び平面図である。
【図２】図２は、第１の実施形態で用いられている弾性表面波素子の電極構造を示す略図的底面図である。
【図３】図３は、第１の実施形態で用いられている基板の平面図である。
【図４】図４は、実験例で用いた基板上の第１及び第２の電極ランドもしくは電極ランド上の位置と、電極高さとの関係を示す図である。
【図５】図５は、第１の実施形態の実験例で用意した弾性表面波フィルタのアイソレーション特性を示す図である。
【図６】図６は、図５に示した一点鎖線Ｄの部分の拡大図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。
【００２６】
なお、本明細書に記載の各実施形態は、例示的なものであり、異なる実施形態間において、構成の部分的な置換または組み合わせが可能であることを指摘しておく。
【００２７】
図１（ａ）及び図１（ｂ）は、本発明の第１の実施形態に係る弾性表面波装置の正面断面図及び平面図である。弾性表面波装置１は、本発明の実施形態としての基板２を有する。基板２は、絶縁性材料からなる基板本体２Ａを有する。絶縁性材料としては、好ましくは、アルミナなどのセラミックスが用いられる。弾性表面波装置１では、基板２上に、弾性表面波素子３が搭載されている。
【００２８】
基板本体２Ａは、第１の主面２ａと、第２の主面２ｂとを有する。第１の主面２ａと、第２の主面２ｂとは対向し合っている。
【００２９】
第１の主面２ａに、第１の主面２ａに向かって開いた凹部２ｃが設けられている。従って、凹部２ｃでは、基板２の厚みが相対的に薄くされている。凹部２ｃは、基板２の第１の主面２ａにおいて、外周縁よりも内側の領域に設けられている。そのため、凹部２ｃの外側に、凹部外の領域２ｄが矩形枠状の形状を有するように設けられている。凹部外の領域２ｄの厚みは、凹部２ｃが設けられている部分に比べて相対的に厚くされている。
【００３０】
なお、凹部外の領域２ｄは、矩形枠状以外の枠状の形状を有していてもよい。
【００３１】
このような凹部２ｃを有する基板２は、凹部２ｃが設けられる部分に、第１のスルーホール２ｅを設けることにより形成されている。すなわち、基板２の製造に際しては、未焼成のセラミックプレートとして、平坦なセラミックグリーンシート積層体を用意する。次に、第１のスルーホール２ｅに相当する貫通孔を、パンチング等により形成する。しかる後、未焼成のセラミックグリーンシート積層体を焼成する。それによって、上記基板本体２Ａを得ることができる。
【００３２】
第１のスルーホール２ｅが設けられている部分の周囲は、焼成に際して収縮しやすくなる。そのため、第１のスルーホール２ｅが設けられている部分の周囲は、相対的に厚みが薄くなる。すなわち、凹部２ｃを容易に形成することができる。
【００３３】
なお、凹部外の領域２ｄにおいて、厚みを十分に厚くするために、一点鎖線で示す第２のスルーホール２ｆを設けてもよい。この場合には、第２のスルーホール２ｆは、第１の主面２ａから第２の主面２ｂに向かって貫通しているが、内部に低収縮率材料４が充填されている。低収縮率材料４は、基板２を得るための焼成工程において、基板２を構成しているセラミックスの焼成時の収縮率よりも、収縮率が小さい材料からなる。このような低収縮率材料４としては、金属などを用いることができる。従って、未焼成のセラミックグリーンシート積層体を用意した後に、凹部外の領域２ｄを形成する部分に第２のスルーホール２ｆを形成し、かつ上記低収縮率材料４を充填しておく。それによって、焼成後に、相対的に厚みが厚い、すなわち凹部外の領域２ｄを容易に形成することができる。
【００３４】
なお、上記一点鎖線で示した第２のスルーホール２ｆに低収縮率材料４を充填した構造と、上記第１のスルーホール２ｅを設けた構造のうち少なくとも一方のみを用いてもよく、双方を用いてもよい。
【００３５】
また、第１のスルーホール２ｅは、空洞とされておらずともよい。例えば、上記セラミックスの焼成時における収縮率が焼成時のセラミックスの収縮率よりも大きい高収縮率材料を充填しておいてもよい。その場合においても、第１のスルーホール２ｅの周囲の厚みを相対的に薄くすることができる。
【００３６】
図１（ａ）に示すように、基板本体２Ａの第１の主面２ａ上には、凹部２ｃに設けられた複数の第１の電極ランド５ａ，５ｂと、凹部外の領域２ｄに設けられた第２の電極ランド６ａ，６ｂとが設けられている。第１の電極ランド５ａ，５ｂ及び第２の電極ランド６ａ，６ｂは、適宜の金属もしくは合金からなる。本実施形態では、タングステン、ニッケル、金の層からなる。
【００３７】
第１の電極ランド５ａ，５ｂと、第２の電極ランド６ａ，６ｂとは異なる電位に接続される。
【００３８】
より詳細には、図３に平面図で示すように、基板２の第１の主面２ａ上には、複数の第１の電極ランド５ａ〜５ｃ及び複数の第２の電極ランド６ａ〜６ｄが設けられている。図１（ａ）は、図３のＡ−Ａ線に沿う断面に相当する部分が示されている。いま、この一点鎖線Ａ−Ａに沿う方向をＸ方向、Ｘ方向と直交する方向であって、基板２の第１の主面２ａと平行な方向をＹ方向とする。Ｙ方向において、第１の電極ランド５ａと対をなすように第１の電極ランド５ｃが設けられている。また、第２の電極ランド６ａ，６ｂと、Ｙ方向において対をなすように、第２の電極ランド６ｃ，６ｄが設けられている。そして、第１の電極ランド５ｂはＹ方向に延ばされており、矩形の形状を有している。よって、基板２上においては、Ｙ方向中心を通り、Ｘ方向に延びる中心線に対して、一方側の電極ランド構成と、他方側の電極ランド構成とが対称とされている。
【００３９】
また、図３において、凹部２ｃの外周縁を一点鎖線で示すこととする。凹部２ｃが設けられている部分においては、第１のスルーホール２ｅが複数設けられている。それによって、基板２の厚みが相対的に薄くされている。他方、凹部外の領域２ｄでは、第２の電極ランド６ａ〜６ｄにおいて、第２のスルーホール２ｆが設けられており、第２のスルーホール２ｆには、前述した低収縮率材料４が充填されている。
【００４０】
第１の電極ランド５ａ〜５ｃ及び第２の電極ランド６ａ〜６ｄには、金属バンプを介して弾性表面波素子３（図１（ａ）参照）が搭載される。
【００４１】
図１（ａ）に示す弾性表面波素子３は、圧電基板７を有する。圧電基板７は、ＬｉＴａＯ３やＬｉＮｂＯ３などの圧電単結晶からなる。圧電基板７は、圧電セラミックスからなっていてもよい。
【００４２】
圧電基板７は、第１の主面７ａと、第１の主面７ａと対向している第２の主面７ｂとを有する。第２の主面７ｂが、基板２の第１の主面２ａと対向している。すなわち、弾性表面波素子３は、第２の主面７ｂ側から基板２上に搭載されている。図２は、第２の主面７ｂに設けられている電極構造を示す略図的底面図である。
【００４３】
ＩＤＴ電極８を含む機能電極が、破線で囲む領域に設けられている。この機能電極に電気的に接続されるように、信号側端子９ａ〜９ｄと、接地電位に接続される接地側端子１０ａ〜１０ｄとが設けられている。
【００４４】
図１（ａ）では、上記信号側端子９ａ，９ｃ及び接地側端子１０ａ，１０ｃが設けられている部分に相当する断面が示されている。すなわち、図２のＢ−Ｂ線に沿う断面に相当する部分が示されている。
【００４５】
図１（ａ）に示すように、第１の電極ランド５ａ，５ｂは、第１の金属バンプ１１ａ，１１ｂにより、接地側端子１０ａ，１０ｃにそれぞれ接合されている。また、第２の電極ランド６ａ，６ｂは、第２の金属バンプ１２ａ，１２ｂにより、信号側端子９ａ，９ｃにそれぞれ接合されている。
【００４６】
上記第１の金属バンプ１１ａ，１１ｂ及び第２の金属バンプ１２ａ，１２ｂは、適宜の金属からなる。本実施形態では、特に限定されるわけではないが、Ａｕバンプが用いられている。
【００４７】
他方、弾性表面波素子３に設けられている信号側端子９ａ〜９ｄ及び接地側端子１０ａ〜１０ｄは、適宜の金属もしくは合金からなる。本実施形態では、金属材料としてタングステン、ニッケル、金の層が用いられている。
【００４８】
上記第１の金属バンプ１１ａ，１１ｂ及び第２の金属バンプ１２ａ，１２ｂを、予め、弾性表面波素子３側に設けておく。接合に際しては、第１の金属バンプ１１ａ，１１ｂ及び第２の金属バンプ１２ａ，１２ｂを、第１の電極ランド５ａ，５ｂ及び第２の電極ランド６ａ，６ｂに押しつけつつ、超音波を加え、接合する。本実施形態では、凹部２ｃが設けられているため、第１の電極ランド５ａ及び５ｂの高さに比べて、第２の電極ランド６ａ，６ｂの高さが高くなっている。そのため、上記接合に際しての加圧により、第２の金属バンプ１２ａ，１２ｂが、図示のように、第１の金属バンプ１１ａ，１１ｂよりも高い圧力を受けて押し潰され、それによって側方に広がる。従って、図１（ｂ）に破線で金属バンプの接合後の平面形状を模式的に示すように、第１の金属バンプ１１ａ，１１ｂの接合後の平面積は、第２の金属バンプ１２ａ，１２ｂの接合後の平面積よりも小さくなっている。そのため、第１の電極ランド５ａ，５ｂの面積が、第２の電極ランド６ａ，６ｂの面積よりも小さいが、第１の電極ランド５ａ，５ｂを、十分な接合強度で、第１の金属バンプ１１ａ，１１ｂにより接合することができる。
【００４９】
加えて、第１の電極ランド５ａの高さと、第２の電極ランド６ａの高さとが異なっているため、第１の電極ランド５ａと第２の電極ランド６ａとの間の基板２の沿面距離は、隣り合う電極ランドが同じ高さ位置の平面上にある場合に比べて長くなる。従って、第１の電極ランド５ａと、第２の電極ランド６ａとは、異なる電位に接続されるが、両者の間の寄生容量を小さくすることができる。よって、弾性表面波装置１において、例えば共振特性やフィルタ特性などの劣化が生じ難い。
【００５０】
なお、本実施形態では、凹部２ｃが基板２の外周縁よりも内側に設けられている。そのため、凹部２ｃと基板２の外周縁との間に、凹部ではない前述した矩形枠状の領域２ｄが設けられている。このように、第２の電極ランド６ａ〜６ｄが外側に設けられている構成では、第２の電極ランド６ａ〜６ｄにバンプの接合圧力が大きく加わるため、基板２の外周縁領域における電子部品素子との接合強度を効果的に高めることができる。
【００５１】
また、好ましくは、第１の電極ランド５ａの面積は、第２の電極ランド６ａの面積よりも小さいことが望ましい。それによって、第１の電極ランド５ａと、第２の電極ランド６ａとの間の寄生容量をより一層小さくすることができる。
【００５２】
また、本実施形態では、少なくとも１つの第１の電極ランド５ａ，５ｂと、少なくとも２個の第２の電極ランド６ａ，６ｂとが同一直線上に位置している。そして、この同一直線上において、少なくとも１つの第１の電極ランド５ａ，５ｂの両側に、それぞれ、少なくとも１つの第２の電極ランド６ａ，６ｂが位置している。従って、第１の電極ランド５ａと第２の電極ランド６ａとの間の寄生容量及び第１の電極ランド５ｂと第２の電極ランド６ｂとの間の寄生容量を十分に小さくすることができる。言い換えれば、上記同一直線上において、少なくとも１つの第１の電極ランド５ａ，５ｂが配置されている部分の両側で寄生容量を小さくすることができる。
【００５３】
上記同一直線上に沿う方向を長さ方向とし、該長さ方向と直交し、かつ第１及び第２の電極ランド５ａ，５ｂ，６ａ，６ｂの厚み方向と直交する方向を幅方向とする。好ましくは、第１の電極ランド５ａ，５ｂの幅方向寸法は、第２の電極ランド６ａ，６ｂの幅方向寸法以下とすることが望ましい。それによって、第１の電極ランド５ａと第２の電極ランド６ａとの間の寄生容量及び第１の電極ランド５ｂと第２の電極ランド６ｂとの間の寄生容量をより一層小さくすることができる。これは、第１の電極ランド５ａ，５ｂと、第２の電極ランド６ａ，６ｂとの間の対向している電極端縁部分の長さを小さくすることができることによる。
【００５４】
さらに、好ましくは、第２のスルーホールの数が、第１のスルーホールの数よりも多いことが望ましい。その場合には、基板本体において、凹部外の相対的に厚みの厚い領域を確実に形成することができる。
【００５５】
また、好ましくは、凹部２ｃにおける第１の電極ランドと第１のスルーホールとの間の距離よりも、凹部外の領域２ｄにおける第２の電極ランドと第２のスルーホールとの間の距離が短いことが望ましい。その場合には凹部外の相対的に厚みの厚い領域を確実に形成するとすることができる。
【００５６】
さらに、第１及び第２のスルーホールが複数設けられている場合、以下の関係を満足することが望ましい。すなわち、第２の電極ランドと第２のスルーホールとの間の距離が、平均距離以下である第２のスルーホールの数が、第１の電極ランドと第１のスルーホールとの間の距離が平均距離以下である第１のスルーホールの数よりも多いことが望ましい。その場合には、寄生容量をより一層効果的に低めることができる。
【００５７】
なお、上記圧電基板７の第２の主面７ｂが、バンプの接合面である。好ましくは、第１及び第２の電極ランドが、等量のバンプにより電子部品素子に接合されることが望ましい。その場合には、製造工程におけるバンプ供給工程を簡略化することができる。この場合、第２の電極ランドの外周と、第２の電極ランドの外周を圧電基板７の第２の主面７ｂに投影した部分とを結ぶ空間の体積と、第１の電極ランドの外周と、第１の電極ランドの外周を圧電基板７の第２の主面７ｂに投影した部分とを結ぶ空間の体積とがほぼ等しいことが望ましい。その場合には、バンプが配置される空間の体積が一定となるため、第１の電極ランドと第２の電極ランドとの間に高低差があったとしても、バンプの側方への過剰なはみ出しが生じ難い。
【００５８】
また、好ましくは、第１の電極ランドの面積をＳ１、第２の電極ランドの面積をＳ２、第１の電極ランドから圧電基板７の第２の主面７ｂまでの距離をＬ１、第２の電極ランドから圧電基板７の第２の主面７ｂまでの距離をＬ２としたとき、Ｓ１／Ｓ２≧Ｌ２／Ｌ１とすることが望ましい。その場合には、金属バンプが設けられる空間の体積が一定となるため、第１の電極ランドと第２の電極ランドに高低差があったとしても、バンプの側方への過剰なはみ出しが生じ難い。
【００５９】
図４は、上記基板２上の第１及び第２の電極ランドもしくは電極ランド上の位置と、電極高さとの関係を示す図である。この電極高さとは、各電極ランドの上面の高さを示す。いずれの電極ランドも膜厚は７．５μｍとした。従って、図４における電極高さ０μｍとは、基板２の凹部２ｃの内底面の高さ位置である。第１の電極ランド５ａと第１の電極ランド５ｃの高さが異なるのは、電極の厚みばらつきによる。
【００６０】
また、第１の電極ランド５ｂの高さ位置として、図３にＸ印で示す位置５ｂ１及び位置５ｂ２の高さ位置を示した。この位置５ｂ１及び５ｂ２の高さは、実際には、図１（ａ）と異なり、第１の電極ランド５ａの高さよりも高くなっている。
【００６１】
第２の電極ランド６ａ〜６ｄの高さ位置は、図４に示すように、８μｍ以上と長くなっている。
【００６２】
本実施形態では、Ａｕバンプの直径は、接合前で直径８０μｍとした。また、第２の電極ランドの寸法は２４０×２４０μｍとし、第１の電極ランドの大きさは２４０×２１５μｍとした。
【００６３】
デュプレクサを構成するように、機能電極として、複数のＩＤＴ電極及び反射器等を形成した。このようにして形成したデュプレクサにおけるアイソレーション特性を図５に実線で示す。破線は、比較例の結果を示す。比較例としては、基板が凹部を有せず、全ての電極ランドが同じ高さ位置にあることを除いては、上記実施形態と同様にしてデュプレクサを作製した。
【００６４】
図５において、Ｔｘが送信帯域を、Ｒｘが受信帯域を示す。図５、及び図５の一点鎖線Ｄで囲まれた部分を拡大して示す図６から明らかなように、上記実施形態によれば、比較例に比べ、受信帯域におけるアイソレーション特性を大きく改善し得ることがわかる。これは、上述した寄生容量が小さくなったためと考えられる。
【００６５】
上記実施形態では、デュプレクサに応用した例を示したが、本発明はデュプレクサに限らず、様々な弾性波装置に適用することができる。また、本発明に係る基板は、弾性波装置に限らず、金属バンプにより基板に電子部品素子が接合される様々な電子部品に広く適用することができる。
【符号の説明】
【００６６】
１…弾性表面波装置
２…基板
２Ａ…基板本体
２ａ，２ｂ…第１，第２の主面
２ｃ…凹部
２ｄ…凹部外の領域
２ｅ，２ｆ…第１，第２のスルーホール
３…弾性表面波素子
４…低収縮率材料
５ａ〜５ｃ…第１の電極ランド
６ａ〜６ｄ…第２の電極ランド
５ｂ１，５ｂ２…位置
７…圧電基板
７ａ，７ｂ…第１，第２の主面
８…ＩＤＴ電極
９ａ〜９ｄ…信号側端子
１０ａ〜１０ｄ…接地側端子
１１ａ，１１ｂ…第１の金属バンプ
１２ａ，１２ｂ…第２の金属バンプ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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