(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
貫通孔を有するコア層と、
前記コア層の第１面に配設され、前記貫通孔に対応する第１開口部を有し、フィラーを含まない第１絶縁層と、
前記貫通孔及び前記第１開口部の内部に配設される貫通電極と、
前記第１絶縁層の前記コア層に配設される面とは反対の第１面及び前記貫通電極の端面に直接接続される第１配線層と、
前記コア層の第２面に配設され、前記貫通孔に対応する第２開口部を有する第２絶縁層と、
前記第２絶縁層の前記コア層に配設される面とは反対の第２面に積層され、前記第２開口部を介して前記貫通電極に接続される第２配線層と
を含み、
前記第１絶縁層の第１面及び前記貫通電極の端面は、研磨された面であり、平坦化されており、
前記貫通電極は、前記貫通孔、前記第１開口部、及び前記第２開口部の内部に配設されており、
前記第１配線層は、前記第２配線層よりも微細化された配線層である、配線基板。
【請求項２】
前記第２配線層は、前記第１配線層よりも厚い、請求項１記載の配線基板。
【請求項３】
前記第２絶縁層は、フィラーを含まない、請求項１又は２記載の配線基板。
【請求項４】
前記第２絶縁層の厚さは、前記第１絶縁層の厚さよりも厚い、請求項１乃至３のいずれか一項記載の配線基板。
【請求項５】
前記第２配線層に積層される、絶縁層をさらに含む、請求項１乃至４のいずれか一項記載の配線基板。
【請求項６】
前記第１絶縁層は、樹脂のみによって構成される、請求項１乃至５のいずれか一項記載の配線基板。
【請求項７】
前記コア層は、ガラス布基材をエポキシ樹脂に含浸させた基材である、請求項１乃至５のいずれか一項記載の配線基板。
【請求項８】
コア層の第１面に、フィラーを含まない第１絶縁層を形成する工程と、
前記コア層の第２面に第２絶縁層を形成する工程と、
前記コア層、前記第１絶縁層、及び前記第２絶縁層を厚さ方向に貫通する貫通孔、第１開口部、及び第２開口部を形成する工程と、
前記貫通孔、前記第１開口部、及び前記第２開口部の内部に貫通電極を形成する工程と、
前記第１絶縁層の前記コア層側の面とは反対の第１面に第１めっき層を形成する工程と、
前記第１めっき層を研磨して除去し、さらに前記第１絶縁層の第１面を研磨することにより、前記第１絶縁層の第１面及び前記貫通電極の端面を研磨することにより平坦化する工程と、
前記第１面及び前記貫通電極の端面に直接接続される第１配線層を形成する工程と
前記第２絶縁層の前記コア層に配設される面とは反対の第２面に、前記第２開口部を介して前記貫通電極に接続される第２配線層を形成する工程と
を含み、
前記第１配線層は、前記第２配線層よりも微細化された配線層である、配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板、及び、配線基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、コア層と、前記コア層の一面側に積層された第１絶縁層及び該第１絶縁層上に積層された第２絶縁層と、前記コア層の他面側に積層された第３絶縁層及び該第３絶縁層上に積層されたソルダーレジスト層と、を有し、前記第１絶縁層及び前記第２絶縁層は各々複数の絶縁層を備える配線基板がある。前記第１絶縁層間には第１配線層が形成され、前記第１絶縁層の前記第２絶縁層が積層された面には第２配線層が形成され、前記第１絶縁層及び前記第３絶縁層は熱硬化性樹脂からなり、前記第２絶縁層及び前記ソルダーレジスト層は感光性樹脂からなり、前記第１絶縁層には第１ビア配線が埋設され、前記第２絶縁層には第２ビア配線が埋設されている。前記第１絶縁層の最上層に埋設された第１ビア配線の一方の端面は、前記第２絶縁層が積層された面から露出し、前記第２配線層と直接接合されており、前記第１絶縁層の前記第２絶縁層が積層された面は研磨された面である。前記第２配線層は、前記第１配線層よりも配線密度が高く形成されている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１４−２２５６３２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、特許文献１の配線基板は、第１配線層と第１ビア配線が内部に形成された第１絶縁層の上に、第２配線層が形成されている。
【０００５】
このため、特許文献１の配線基板の薄型化を図ることは困難である。
【０００６】
そこで、薄型化を図った配線基板、及び、配線基板の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の実施の形態の配線基板は、貫通孔を有するコア層と、前記コア層の第１面に配設され、前記貫通孔に対応する第１開口部を有し、フィラーを含まない第１絶縁層と、前記貫通孔及び前記第１開口部の内部に配設される貫通電極と、前記第１絶縁層の前記コア層に配設される面とは反対の第１面及び前記貫通電極の端面に直接接続される第１配線層と、前記コア層の第２面に配設され、前記貫通孔に対応する第２開口部を有する第２絶縁層と、前記第２絶縁層の前記コア層に配設される面とは反対の第２面に積層され、前記第２開口部を介して前記貫通電極に接続される第２配線層とを含み、前記第１絶縁層の第１面及び前記貫通電極の端面は、研磨された面であり、平坦化されており、前記貫通電極は、前記貫通孔、前記第１開口部、及び前記第２開口部の内部に配設されており、前記第１配線層は、前記第２配線層よりも微細化された配線層である。
【発明の効果】
【０００８】
薄型化を図った配線基板、及び、配線基板の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】実施の形態の配線基板１００を示す断面図である。
【図２】配線基板１００の製造工程を示す図である。
【図３】配線基板１００の製造工程を示す図である。
【図４】配線基板１００の製造工程を示す図である。
【図５】配線基板１００の製造工程を示す図である。
【図６】配線基板１００の製造工程を示す図である。
【図７】配線基板１００の製造工程を示す図である。
【図８】配線基板１００の製造工程を示す図である。
【図９】実施の形態の変形例による製造工程を示す図である。
【図１０】実施の形態の変形例による配線基板２００の断面構造を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明の配線基板、及び、配線基板の製造方法を適用した実施の形態について説明する。
【００１１】
＜実施の形態＞
図１は、実施の形態の配線基板１００を示す断面図である。
【００１２】
配線基板１００は、コア基板１１０、絶縁層１２０Ａ、１２０Ｂ、貫通電極１３０、配線層１４０Ａ１、１４０Ａ２、１４０Ｂ、絶縁層１５１、１５２、１５３、ビア１６１、１６３、配線層１６２、１６４、ビア１７１、１７３、配線層１７２、１７４、配線層１８１、１８２、及びソルダーレジスト層１９０を含む。
【００１３】
図１には、コア基板１１０の上側に絶縁層１２０Ａ、配線層１４０Ａ１、１４０Ａ２、絶縁層１５１、１５２、１５３、ビア１６１、１６３、配線層１６２、１６４、ビア１７１、１７３、配線層１７２、１７４、配線層１８１、１８２が配設される状態を示す。また、コア基板１１０の下側に絶縁層１２０Ｂ、配線層１４０Ｂ、及びソルダーレジスト層１９０が配設される状態を示す。しかしながら、上下関係は説明の便宜上の位置関係に過ぎず、配線基板１００は天地逆の状態で用いることができ、又は任意の角度で配置することができる。
【００１４】
同様に、以下では図面中において上側にある面を上面、下側にある面を下面と称すが、上面と下面は説明の便宜上の名称であり、普遍的に上面、下面になるものではない。図１に示す配線基板１００を天地逆にすれば、上面が下面になり、下面が上面になる。
【００１５】
また、以下では、各構成要素の厚さとは、各層の厚さであり、図面における上下方向の長さを表す。
【００１６】
また、配線基板１００は、一例として、図１における上面側に、ＩＣ(Integrated Circuit)チップが実装され、下面側はＢＧＡ(Ball Grid Array)に実装される側である。
【００１７】
コア基板１１０は、例えば、ガラス布基材をエポキシ樹脂に含浸させた基材の両面に絶縁層１２０Ａ、１２０Ｂを配設したものである。コア基板１１０には、貫通電極１３０が形成されている。コア基板１１０の厚さは、例えば、０．２ｍｍである。
【００１８】
絶縁層１２０Ａ、１２０Ｂは、フィラーを含まず、樹脂のみによって構成されるプライマー層であり、それぞれコア基板１１０の両面に貼り付けられている。絶縁層１２０Ａ、１２０Ｂの厚さは、例えば、３μｍである。絶縁層１２０Ａ、１２０Ｂは、それぞれ、第１絶縁層、第２絶縁層の一例である。
【００１９】
絶縁層１２０Ａ、１２０Ｂとしては、例えば、多官能型エポキシ樹脂、エポキシ樹脂硬化剤、フェノール性水酸基含有ポリブタジエン変性ポリアミド樹脂を含むプライマー層用の樹脂組成物で形成することができる。絶縁層１２０Ａ、１２０Ｂは、めっきプロセス用のプライマーである。なお、フェノール性水酸基含有ポリブタジエン変性ポリアミド樹脂は、次の化学式（ｉ）、（ii）、及び（iii）で表される構造単位を有する。
【００２０】
【化１】
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【００２１】
また、絶縁層１２０Ａは、上面が研磨処理によって平坦化されている。絶縁層１２０Ａの上面を平坦化するのは、絶縁層１２０Ａの上面に直接的に、微細な配線層１４０Ａ１、１４０Ａ２を形成するためである。なお、平坦化されているとは、微細な配線層１４０Ａ１、１４０Ａ２を形成するのに十分な平坦性を有することをいう。また、微細とは、例えば、配線層１４０Ａ１、１４０Ａ２のような配線層の線幅が５μｍ以下であることをいう。
【００２２】
ここで、コア基板１１０は、ガラス布基材を含むため、表面の平坦性が低い。従来、コア基板の上に微細な配線層を形成するには、ある程度厚さのある絶縁層を形成して表面の平坦性を確保し、平坦な表面に形成される微細な配線層と、コアの貫通電極との間の電気的な接続を確保するために、絶縁層の内部にビアを形成していた。また、絶縁層は、一般に、剛性を確保する観点から、シリカ（ＳｉＯ２）等のフィラーを含有する。
【００２３】
このような構成を有するため、従来の配線基板は、薄型化が困難であった。コア基板の上面側の絶縁層にある程度の厚さが必要であったためである。
【００２４】
これに対して、絶縁層１２０Ａは、フィラーを含有しない樹脂層であり、上面を研磨してあるため、上面に微細な配線層１４０Ａ１、１４０Ａ２を形成することができる。このような構成により、実施の形態の配線基板１００は、薄型化を図る。
【００２５】
なお、絶縁層１２０Ｂについては研磨は行わない。また、絶縁層１２０Ｂについては、フィラーを含んでいてもよい。
【００２６】
貫通電極１３０は、コア基板１１０を厚さ方向に貫通する貫通孔の内部に形成されるスルーホールである。貫通電極１３０は、コア基板１１０に形成した貫通孔の内壁に、例えばめっき処理によって銅めっき膜を形成したり、貫通孔内に銅めっきを充填して作製される。貫通電極１３０の上下端には、それぞれ、配線層１４０Ａ１、１４０Ｂが接続される。
【００２７】
配線層１４０Ａ１、１４０Ａ２は、絶縁層１２０Ａの上面に配設される。配線層１４０Ａ１、１４０Ａ２は、ＦＬ(Fine Layer)１層であり、配線層１４０Ｂよりも薄く、微細加工によって形成される。図１に示す断面では、配線層１４０Ａ１は貫通電極１３０に接続されており、配線層１４０Ａ２は貫通電極１３０に接続されていない。配線層１４０Ａ１、１４０Ａ２は、第１配線層の一例である。
【００２８】
配線層１４０Ａ１、１４０Ａ２は、平面視で所定のパターンの配線が形成されている。配線層１４０Ａ１、１４０Ａ２は、例えば、絶縁層１２０Ａの上面に、めっき処理よって形成される。
【００２９】
配線層１４０Ｂは、絶縁層１２０Ｂの下面に配設される。配線層１４０Ｂは、配線層１４０Ａ１、１４０Ａ２と同様にめっき処理によって形成されるが、配線層１４０Ａ１、１４０Ａ２よりも厚く、配線層１４０Ａ１、１４０Ａ２のような微細化は行われていない。
【００３０】
配線層１４０Ｂの下面のソルダーレジスト層１９０から表出する部分は、ＢＧＡ等に接続されるパッドとして機能する。配線層１４０Ｂは、例えば、電源層、グランド層、又は信号層として用いられる。配線層１４０Ｂは、第２配線層の一例である。
【００３１】
絶縁層１５１、１５２、１５３は、絶縁層１２０Ａの上面側において、配線層１４０Ａ１、１４０Ａ２、ビア１６１、１６３、配線層１６２、１６４、ビア１７１、１７３、配線層１７２、１７４、及び配線層１８１、１８２の層間を絶縁するために設けられている。
【００３２】
絶縁層１５１、１５２、１５３は、エポキシ樹脂又はポリイミド樹脂で形成されたフィルム状の絶縁層であり、ビルドアップ基板に含まれる絶縁層の一例である。なお、絶縁層１５１、１５２、１５３の厚さは、例えば、３層の合計で２０μｍ〜３０μｍ程度である。
【００３３】
ビア１６１、１６３は、それぞれ、下端が配線層１４０Ａ１、１４０Ａ２に接続され、上端が配線層１６２、１６４に接続される。ビア１６１、１６３は、絶縁層１５１の内部に形成される。
【００３４】
配線層１６２、１６４は、それぞれ、ビア１６１、１６３の上端に接続される。配線層１６２、１６４は、絶縁層１５２の内部に形成される。配線層１６２、１６４は、ＦＬ２層である。
【００３５】
ビア１７１、１７３は、それぞれ、下端が配線層１６２に接続され、上端が配線層１７２、１７４に接続される。ビア１７１、１７３は、絶縁層１５２の内部に形成される。
【００３６】
配線層１７２、１７４は、それぞれ、ビア１７１、１７３の上端に接続される。配線層１７２、１７４は、絶縁層１５３の内部に形成される。
【００３７】
配線層１８１、１８２は、それぞれ、配線層１７２、１７４の上面に接続される。配線層１８１、１８２は、配線層１７２、１７４とともに、ＦＬ３層を構築する。
【００３８】
配線層１８１、１８２は、下端が絶縁層１５３の内部に形成され、上端が絶縁層１５３から表出する。配線層１８１、１８２は、例えば、ＩＣチップ等を実装する際のパッドとして用いられる。
【００３９】
なお、一例として、ＦＬ１層としての配線層１４０Ａ１、１４０Ａ２の厚さは２μｍ、ＦＬ２層としての配線層１６２、１６４の厚さは２μｍ、ＦＬ３層としての配線層１７２、１７４と配線層１８１、１８２を合わせた厚さは、１０μｍである。
【００４０】
ソルダーレジスト層１９０は、絶縁層１２０Ｂの下面と、配線層１４０Ｂの側面及び上面の端部とを覆うように形成される。ソルダーレジスト層１９０は、例えば、フェノール系樹脂やポリイミド系樹脂等を主成分とする感光性の絶縁性樹脂を用いることができる。ソルダーレジスト層１９０は、シリカ（ＳｉＯ２）等のフィラーを含有してもよい。
【００４１】
なお、ソルダーレジスト層１９０の厚さは、絶縁層１５１、１５２、１５３を合わせた厚さと略等しい。また、絶縁層１５１、１５２、１５３には、フェノール系樹脂やポリイミド系樹脂等を主成分とする感光性の絶縁樹脂を用いてもよい。
【００４２】
次に、図２乃至図８を用いて、配線基板１００の製造方法について説明する。
【００４３】
図２乃至図８は、配線基板１００の製造工程を示す図である。
【００４４】
まず、図２（Ａ）に示すように、コア基板１１０Ａの両面に絶縁層１２０Ａ１、１２０Ｂ１を貼り付けた構造物を準備する。コア基板１１０Ａは、コア基板１１０に貫通孔を形成する前のものである。絶縁層１２０Ａ１は、絶縁層１２０Ａに貫通電極１３０を通すための開口を形成するとともに、上面を研磨する前のものである。絶縁層１２０Ｂ１は、絶縁層１２０Ｂに貫通電極１３０を通すための開口を形成する前のものである。
【００４５】
絶縁層１２０Ａ１、１２０Ｂ１は、例えば、上述した有機材料製の半硬化状態のものを熱プレス処理でコア基板１１０の表面に形成すればよい。
【００４６】
次に、図２（Ａ）の構造体にドリル加工を行い、図２（Ｂ）に示すようにコア基板１１０と絶縁層１２０Ａ２、１２０Ｂに、貫通孔１１１と開口１２１Ａ、１２１Ｂを形成する。貫通孔１１１と開口１２１Ａ、１２１Ｂの内径は、後に形成する貫通電極１３０の外形に等しい。この工程により、コア基板１１０Ａはコア基板１１０になり、絶縁層１２０Ａ１、１２０Ｂ１は、絶縁層１２０Ａ２、１２０Ｂになる。絶縁層１２０Ａ２は、絶縁層１２０Ａのように上面を研磨する前のものである。
【００４７】
なお、貫通孔１１１と開口１２１Ａ、１２１Ｂの形成は、ドリル加工の代わりにレーザ加工を行ってもよい。また、開口１２１Ａと開口１２１Ｂとは、互いの内径が異なるようにテーパ形状を有する貫通孔でもよい。
【００４８】
次に、図２（Ｃ）に示すように、シード層１３１を形成する。シード層１３１は、無電解めっき処理によって銅製の薄膜を形成することによって作製することができる。
【００４９】
次に、シード層１３１に給電を行いながら電解めっき処理を行い、図２（Ｄ）に示すように、貫通電極１３０を形成する。貫通電極１３０は、貫通孔１１１の内周面のシード層１３１と一体化する。ここでは、一例として、貫通電極１３０は銅めっき製である。
【００５０】
次に、図２（Ｄ）に示す構造体の上面側と下面側に電解めっき処理を行うことにより、図３（Ａ）に示すように、めっき層１４１Ａ、１４１Ｂを形成する。ここでは、めっき層１４１Ａ、１４１Ｂは、一例として、銅めっき製である。めっき層１４１Ａ、１４１Ｂは、絶縁層１２０Ａ２の上面と絶縁層１２０Ｂの下面のシード層１３１と一体化する。なお、めっき層１４１Ａ、１４１Ｂの厚さは、配線層１４０Ｂの厚さに等しい。また、図２（Ｄ）に示す工程は、次に説明する図３（Ａ）に示す工程と同時に進行させてもよい。
【００５１】
次に、図３（Ａ）に示す構造体の上面側と下面側にレジスト層５０Ａ、５０Ｂを形成し、図３（Ｂ）に示す構造体を得る。レジスト層５０Ａ、５０Ｂは、ＦＬ１層用のレジストであり、感光性樹脂を用いればよい。
【００５２】
次に、レジスト層５０Ｂのうち、最終的に配線層１４０Ｂを作成する部分の下面にある部分のみが残るようにパターニングを行い、図３（Ｃ）の構造体を得る。レジスト層５０Ｂのパターニングは、フォトリソグラフィー工程で行えばよい。この工程により、図３（Ｂ）に示すレジスト層５０Ｂは、レジスト層５１Ｂになる。
【００５３】
次に、レジスト層５１Ｂを利用してめっき層１４１Ｂをエッチングし、図４（Ａ）に示すように、配線層１４０Ｂを形成する。めっき層１４１Ｂのエッチングは、例えば、剥離液を用いて剥離処理で行えばよい。
【００５４】
次に、レジスト層５０Ａ、５１Ｂを除去し、図４（Ｂ）に示す構造体を得る。レジスト層５０Ａ、５１Ｂの除去は、例えば、剥離液を用いた剥離処理によって行えばよい。
【００５５】
次に、図４（Ｂ）に示す構造体の上面を平坦化することにより、めっき層１４１Ａを除去するとともに、絶縁層１２０Ａ２の上面を研磨することにより、図４（Ｃ）に示す構造体を得る。この工程により、絶縁層１２０Ａ２は、絶縁層１２０Ａになる。
【００５６】
めっき層１４１Ａと絶縁層１２０Ａ２の研磨は、例えば、ＣＭＰ(Chemical Mechanical Polishing)によって行えばよい。例えば、絶縁層１２０Ａ２の厚さが３μｍである場合には、１μｍほど研磨によって除去し、２μｍの絶縁層１２０Ａを作製すればよい。２μｍほどの厚さがあれば、絶縁層１２０Ａでコア基板１１０の上面の凹凸を吸収することができ、絶縁層１２０Ａの上面は、微細な配線層１４０Ａ１、１４０Ａ２を形成するのに適した平坦性を有するようになる。
【００５７】
次に、図４（Ｃ）に示す構造体の上面に、シード層１４２Ａを形成することにより、図５（Ａ）の構造体を作製する。シード層１４２Ａは、後に配線層１４０Ａを形成するために作製するものであり、無電解めっき処理によって銅製の薄膜を形成ればよい。
【００５８】
次に、図５（Ａ）に示すシード層１４２Ａの上面に、図５（Ｂ）に示すようにレジスト層６０Ａを作製する。レジスト層６０Ａは、スピンコートで感光性のある液レジストを塗布することによって作製すればよい。
【００５９】
次に、図５（Ｂ）に示すレジスト層６０Ａのうち、後に配線層１４０Ａ１と１４０Ａ２との境界になる部分を残すように、エッチング処理を行うことにより、図５（Ｃ）に示す構造体を作製する。このエッチング処理により、図５（Ｂ）に示すレジスト層６０Ａは、図５（Ｃ）ではレジスト層６１Ａになる。
【００６０】
なお、レジスト層６０Ａは、例えば、剥離液を用いた剥離処理で除去すればよい。
【００６１】
次に、図５（Ｃ）に示すシード層１４２Ａの上面に、電解めっき処理によってめっき層を形成することにより、図６（Ａ）に示すように、絶縁層１２０Ａの上面にめっき層１４３Ａを形成する。このとき、めっき層１４３Ａの厚さは、レジスト層６１Ａによって形成される段差が、後に形成する配線層１４０Ａ１と１４０Ａ２の厚さに相当するように形成すればよい。
【００６２】
次に、図６（Ａ）に示すレジスト層６１Ａを除去することにより、図６（Ｂ）に示す構造体を作製する。レジスト層６１Ａは、剥離液を用いた剥離処理によって除去すればよい。
【００６３】
次に、図６（Ｂ）に示すめっき層１４３Ａに対して、例えば、逆スパッタリング法を行うことにより、図６（Ｃ）に示すように、配線層１４０Ａ１、１４０Ａ２を作製する。逆スパッタリング法では、めっき層１４３Ａをシード層１４２Ａ（図５（Ｃ）参照）の厚さ分だけ除去する。
【００６４】
これにより、めっき層１４３Ａのうち、レジスト層６１Ａ（図６（Ａ）参照）の下にあるシード層１４２Ａを除去するとともに、残りの部分で配線層１４０Ａ１、１４０Ａ２を作製することができる。なお、逆スパッタリング法の代わりに、剥離液を用いてめっき層１４３Ａを除去してもよい。
【００６５】
次に、図６（Ｃ）に示す構造体の上面に、図７（Ａ）に示すように、絶縁層１５１Ａを形成する。絶縁層１５１Ａは、後に絶縁層１５１になるものである。絶縁層１５１Ａは、例えば、真空ラミネータで樹脂フィルムを加熱・加圧して積層することで形成する。樹脂フィルムとしては、例えば、エポキシ、又はポリイミド等の樹脂製のフィルムを用いることができる。
【００６６】
次に、絶縁層１５１Ａ（図７（Ａ）参照）に、図７（Ｂ）に示すように、ビアホール１５１Ｂを形成する。ビアホール１５１Ｂは、例えば、レーザ加工によって形成すればよい。この工程により、絶縁層１５１Ａは、絶縁層１５１になる。
【００６７】
次に、図７（Ｂ）に示す構造体の上に、図７（Ｃ）に示すように、ビア１６１、１６３と配線層１６２、１６４を形成する。ビア１６１、１６３と配線層１６２、１６４は、絶縁層１５１の上面及びビアホール１５１Ｂの内面に無電解めっき層を形成してから、電解めっき処理を行うことによって形成すればよい。
【００６８】
次に、図７（Ｃ）に示す構造体に対して、絶縁層１５２を形成し、次に、ビア１７１、１７３と配線層１７２、１７４を形成し、さらに次に、絶縁層１５３を形成し、さらにその次に、配線層１８１、１８２を形成することにより、図８（Ａ）に示す構造体を作製する。
【００６９】
絶縁層１５２は、絶縁層１５１と同様に真空ラミネータで樹脂フィルムを加熱・加圧して積層することで作製すればよい。
【００７０】
ビア１７１、１７３と配線層１７２、１７４は、絶縁層１５１の上にビア１６１、１６３と配線層１６２、１６４を作製したときと同様に、無電解めっき処理と電解めっき処理を行うことによって作製すればよい。
【００７１】
絶縁層１５３は、絶縁層１５１及び１５２と同様に真空ラミネータで樹脂フィルムを加熱・加圧して積層することで作製すればよい。
【００７２】
最後に、図８（Ａ）に示す構造体の下面に、ソルダーレジスト層１９０を形成する。ソルダーレジスト層１９０は、真空ラミネータで樹脂フィルムを加熱・加圧して積層することで形成する。樹脂フィルムとしては、例えば、エポキシ、又はポリイミド等の樹脂製のフィルムを用いることができる。
【００７３】
以上により、配線基板１００が完成する。
【００７４】
実施の形態の配線基板１００は、コア基板１１０の上面に、表面を平坦化した絶縁層１２０Ａを形成し、絶縁層１２０Ａの上に、微細な配線層１４０Ａ１、１４０Ａ２を形成している。また、さらに、絶縁層１５１、１５２、１５３、ビア１６１、１６３、配線層１６２、１６４、ビア１７１、１７３、配線層１７２、１７４、配線層１８１、１８２を形成している。配線層１６２、１６４、配線層１７２、１７４は、配線層１４０Ａ１、１４０Ａ２と同様に、微細化した配線である。
【００７５】
従って、コア基板１１０の上側の構造を薄くすることができ、薄型化した配線基板１００を提供することができる。
【００７６】
シリコン基板等を用いて作製するインターポーザは、半導体製造技術によって薄型化が容易であるが、コア基板１１０、絶縁層１５１、１５２、１５３のような有機基板材料を用いると、従来は薄型化が困難であった。
【００７７】
これに対して、実施の形態では、コア基板１１０の上に直接的に、研磨処理によって表面が平坦化された絶縁層１２０Ａを設け、絶縁層１２０Ａの上に、絶縁層１２０Ａ、配線層１４０Ａ１、１４０Ａ２、絶縁層１５１、１５２、１５３、ビア１６１、１６３、配線層１６２、１６４、ビア１７１、１７３、配線層１７２、１７４、配線層１８１、１８２を形成している。
【００７８】
従って、有機基板材料を用いつつ、薄型化を図った配線基板１００を提供することができる。配線基板１００は、有機基板材料を用いているため、シリコン基板等を用いるインターポーザに比べると、遥かに低コストで提供することができる。
【００７９】
ＩＣチップのような半導体素子を実装する場合には、素子搭載面を上として配線基板１００を見た場合、断面視で凹状に反っている方が半導体素子を実装しやすいことが知られている。
【００８０】
実施の形態の配線基板１００では、配線基板１００の上側の絶縁層（絶縁層１２０Ａ、１５１、１５２、１５３）に比べて、配線基板１００の下側の絶縁層（１２０Ｂ、ソルダーレジスト層１９０）の方が厚く形成されているため、上側の絶縁層と下側の絶縁層とがともにフィラーを含まない樹脂製である場合には、下側の絶縁層の熱膨張率を大きくすることができる。
【００８１】
下側の絶縁層の熱膨張率を大きくすれば、配線基板１００を素子搭載面を上として断面視で凹状に反らせることができるため、半導体素子の実装性が向上する。
【００８２】
なお、以上では、貫通電極１３０と、配線層１４０Ｂとを別々の工程で作製する形態について説明したが、図９に示すように、貫通電極１３０と配線層１４０Ｂを同時に形成してもよい。
【００８３】
図９は、実施の形態の変形例による製造工程を示す図である。図９に示す製造工程は、図２（Ｄ）で貫通電極１３０を形成する際に、絶縁層１２０Ｂの下面に予め形成したレジスト層を利用して、配線層１４０Ｂを同時に形成し、レジストを除去した段階を示す図である。このような製造方法では、絶縁層１２０Ａの上面には、配線層１４０Ｂと厚さの等しいめっき層１４４Ａが形成される。
【００８４】
めっき層１４４Ａは、図４（Ｂ）から図４（Ｃ）に示すように、めっき層１４１Ａと同様に研磨によって除去し、さらに、絶縁層１２０Ａ２の上面を研磨して平坦化すればよい（図４（Ｃ）参照）。
【００８５】
また、配線基板１００は、図１０に示すように変形してもよい。
【００８６】
図１０は、実施の形態の変形例による配線基板２００の断面構造を示す図である。
【００８７】
配線基板２００は、図１に示す配線基板１００の絶縁層１２０Ｂの下面側の構造を変更したものである。絶縁層１２０Ｂの下面側には、配線層２４０Ｂ、絶縁層２１０、ビア２４１、配線層２４２、ソルダーレジスト２９０が形成されている。絶縁層２１０は、エポキシ系の樹脂を含む熱硬化性樹脂で構成され、ガラスクロスを含んでいてもよい。
【００８８】
すなわち、配線基板２００では、絶縁層１２０Ｂの下面側に、２層の配線層が形成されている。また、配線基板２００では、絶縁層１２０Ｂの下面側に絶縁層２１０を熱圧着させて配設することにより、全体の剛性を強化している。例えば、配線基板１００の上面側の剛性が下面側の剛性よりも低くて反りが生じるような場合には、絶縁層２１０を用いることにより、反りを抑制することができる。
【００８９】
このような構成の配線基板２００は、図１に示す配線基板１００よりも少し厚くなるが、従来の配線基板に比べれば薄型化されており、また、有機基板材料を用いているため、シリコン基板等を用いるインターポーザに比べると、遥かに低コストで提供することができる。
【００９０】
以上、本発明の例示的な実施の形態の配線基板、及び、配線基板の製造方法について説明したが、本発明は、具体的に開示された実施の形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲から逸脱することなく、種々の変形や変更が可能である。
【符号の説明】
【００９１】
１００  配線基板
１１０  コア基板
１２０Ａ、１２０Ｂ  絶縁層
１３０  貫通電極
１４０Ａ１、１４０Ａ２、１４０Ｂ  配線層
１５１、１５２、１５３  絶縁層
１６１、１６３  ビア
１６２、１６４  配線層
１７１、１７３  ビア
１７２、１７４  配線層
１８１、１８２  配線層
１９０  ソルダーレジスト層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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