(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
並列接続された複数のスイッチング素子（２２ａ，２２ｂ）を制御する制御装置（３０，３１ａ，３１ｂ，３２ａ，３２ｂ）であって、
前記スイッチング素子の温度をそれぞれ取得する温度取得手段（２３ａ，２３ｂ）と、
前記温度取得手段が取得した前記温度どうしを比較し、その比較結果に基づいて前記スイッチング素子の開閉タイミングを変更する変更手段と、を備え、
前記変更手段は、前記スイッチング素子の信号入力端子と並列接続された可変容量コンデンサ（２７ａ，２７ｂ）を備え、前記可変容量コンデンサの容量を変更することにより、相対的に温度が高いスイッチング素子のオンタイミングを相対的に遅くし、それにより前記相対的に温度が高いスイッチング素子の通電時間を相対的に短くすることを特徴とする、制御装置。
【請求項２】
前記相対的に温度が高いスイッチング素子の温度が、予め定められた閾値を越えている場合は、前記相対的に温度が高いスイッチング素子の通電期間をさら短くする、又は前記相対的に温度が高いスイッチング素子には通電を行わないことを特徴とする、請求項１に記載の制御装置。
【請求項３】
前記変更手段は、
前記スイッチング素子の信号入力端子と直列接続された抵抗（２８ａ，２８ｂ）を備え、
前記抵抗の抵抗値を変更することにより、前記スイッチング素子の開閉タイミングを変更することを特徴とする、請求項１又は２に記載の制御装置。
【請求項４】
前記スイッチング素子のいずれかを駆動する、複数の駆動装置（３１ａ，３１ｂ，３２ａ，３２ｂ）を備え、
前記駆動装置が、それぞれ、前記温度取得手段と、前記変更手段と、各駆動装置間で共通する制御信号を取得する信号取得手段と、を備えており、
前記変更手段は、取得した前記制御信号に基づいて、前記開閉タイミングを決定することを特徴とする、請求項１〜３のいずれか１項に記載の制御装置。
【請求項５】
前記駆動装置（３２ａ，３２ｂ）は、その駆動装置により駆動されるスイッチング素子と共通の基板に実装されることにより、モジュール化されていることを特徴とする、請求項４に記載の制御装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、スイッチング素子の制御装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、並列に接続された複数のスイッチング素子を同時に駆動する制御が行われている。このとき、スイッチング素子には個体差が生じている場合があり、その個体差により、同じ電流を流したとしても発熱量の差が生ずる場合がある。また、スイッチング素子どうしで劣化の進行度合いが異なり、劣化の進んだスイッチング素子への通電により、さらなる発熱が生ずる場合がある。
【０００３】
この点、並列接続されたスイッチング素子の負荷の均等化を目的としたものとして、特許文献１に記載の駆動装置がある。特許文献１に記載の駆動装置では、並列接続されたスイッチング素子の電流値を検出し、その電流値に基づいてスイッチング素子をオン状態からオフ状態に切り替えるまでの時間を短くしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００２−３６９４９８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
スイッチング素子を駆動するうえで、そのオン状態とオフ状態とを切り替える時間間隔は一般的には短い。短い時間間隔でオン状態とオフ状態とが繰り返される状況では、検出される電流値は安定せず、ゆえに、スイッチング素子に流れる電流を正確に検出することは困難である。
【０００６】
また、スイッチング素子の発熱のばらつきを許容し、発熱が過剰とならないよう電流値の上限値を設定して制御を行うことも考えられる。この場合には、スイッチング素子の過剰な発熱は抑制することができるものの、電流値の上限値を最も発熱しやすいスイッチング素子に合わせて設定する必要が生じる。すなわち、スイッチング素子に流す電流値の上限値を、より低くする必要が生じる。
【０００７】
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、その主たる目的は、スイッチング素子に流す電流値の上限値を維持しつつ、スイッチング素子の発熱のばらつきを抑制することができる制御装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、並列接続された複数のスイッチング素子を制御する制御装置であって、前記スイッチング素子の温度をそれぞれ取得する温度取得手段と、前記温度取得手段が取得した前記温度どうしを比較し、その比較結果に基づいて前記スイッチング素子の開閉タイミングを変更する変更手段と、を備えることを特徴とする。
【０００９】
上記構成では、並列接続されたスイッチング素子それぞれの温度変化に基づいて、その開閉タイミングを変更している。そのため、例えば発熱量が大きくなっているスイッチング素子の開閉タイミングを変更することで、それ以上の発熱を抑制することができる。加えて、相対的に発熱量の大きいスイッチング素子の発熱を抑制することで、スイッチング素子に流す電流値の上限値を、相対的に発熱量の大きいスイッチング素子に合わせたものとする必要がなくなる。ゆえに、電流値の上限値をより高く設定することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】電力変換装置の全体構成図である。
【図２】第１実施形態におけるスイッチングユニットの回路図である。
【図３】第１モジュール及び第２モジュールの概略構成図である。
【図４】第２実施形態におけるスイッチングユニットの回路図である。
【図５】第３実施形態におけるスイッチングユニットの回路図である。
【図６】第４実施形態におけるスイッチングユニットの回路図である。
【図７】第５実施形態におけるスイッチングユニットの回路図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、各実施形態を図面に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、図中、同一符号を付しており、同一符号の部分についてはその説明を援用する。
【００１２】
＜第１実施形態＞
図１は、本実施形態に係る制御装置により制御される電力変換装置の全体構成図である。図示されるモータ１０は、動力分割装置を介して駆動輪や内燃機関に機械的に連結されている。モータ１０、インバータ１１およびコンバータ１２を介してバッテリ１３およびコンデンサ１４に接続されている。
【００１３】
インバータ１１は、高電位側のスイッチングユニット２０ａおよび低電位側のスイッチングユニット２０ｂの直列接続体が、３つ並列接続されて構成されている。そして、これら各スイッチングユニット２０ａ，２０ｂの接続点が、モータ１０の各相にそれぞれ接続されている。一方、コンバータ１２は、高電位側のスイッチングユニット２０ａおよび低電位側のスイッチングユニット２０ｂの直列接続体と、これに並列接続されるコンデンサ１５と、高電位側のスイッチングユニット２０ａと低電位側のスイッチングユニット２０ｂの接続点と、バッテリ１３とを接続するインダクタ１６とを備えている。
【００１４】
続いて、図２によりスイッチングユニット２０（２０ａ，２０ｂ）の回路構成を示し、図３により、スイッチングユニット２０（２０ａ，２０ｂ）に含まれる第１モジュール２１ａ及び第２モジュール２１ｂの概略構成について説明する。
【００１５】
スイッチングユニット２０は、高電位側のスイッチングユニット２０ａ及び低電位側のスイッチングユニット２０ｂで共通の構成となっている。スイッチングユニット２０は、複数の素子等が実装される基板である第１モジュール２１ａ及び第２モジュール２１ｂを含んで構成されており、第１モジュール２１ａには第１スイッチング素子２２ａ実装されており、第２モジュール２１ｂには第２スイッチング素子２２ｂが実装されている。第１スイッチング素子２２ａ及び第２スイッチング素子２２ｂは、それぞれ、ＩＧＢＴ（Ｉｎｓｕｌａｔｅｄ  Ｇａｔｅ  Ｂｉｐｏｌａｒ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：絶縁バイポーラトランジスタ）である。
【００１６】
加えて、第１モジュール２１ａには、第１スイッチング素子２２ａの発熱に伴う第１モジュール２１ａの温度変化を検出する、第１感温ダイオード２３ａが実装されており、第２モジュール２１ｂには、第２スイッチング素子２２ｂの発熱に伴う第２モジュール２１ｂの温度変化を検出する、第２感温ダイオード２３ｂが実装されている。第１感温ダイオード２３ａ及び第２感温ダイオード２３ｂは、一定の電流が流れた際に、生ずる電圧降下が温度に依存する性質を利用したものであり、その電圧を検出することにより温度を測定する。
【００１７】
図３を参照すると、第１スイッチング素子２２ａのコレクタは、第１モジュール２１ａのコレクタ側端子２４ａに接続されており、第２スイッチング素子２２ｂのコレクタは、第２モジュール２１ｂのコレクタ側端子２４ｂに接続されている。同様に、第１スイッチング素子２２ａのエミッタは、第１モジュール２１ａのエミッタ側端子２５ａに接続されており、第２スイッチング素子２２ｂのエミッタは、第２モジュール２１ｂのエミッタ側端子２５ｂに接続されている。コレクタ側端子２４ａ，２４ｂどうし、エミッタ側端子２５ａ，２５ｂどうしが接続されることにより、コレクタどうしが第１モジュール２１ａ及び第２モジュール２１ｂの外部において接続されることとなり、エミッタどうしが第１モジュール２１ａ及び第２モジュール２１ｂの外部において接続されることとなる。すなわち、第１スイッチング素子２２ａと第２スイッチング素子２２ｂとは並列接続されている。
【００１８】
なお、高電位側のスイッチングユニット２０ａでは、第１スイッチング素子２２ａ及び第２スイッチング素子２２ｂのコレクタは共に高圧側配線に接続され、エミッタは共にモータ１０に接続されることとなる。一方、低電位側のスイッチングユニット２０ｂでは、第１スイッチング素子２２ａ及び第２スイッチング素子２２ｂのコレクタは共にモータ１０に接続され、エミッタは共に低圧側配線に接続されることとなる。
【００１９】
制御回路であるドライブＩＣ３０と第１スイッチング素子２２ａのゲート（信号入力端子）とは、第１ゲート抵抗２６ａを介して接続されており、そのドライブＩＣ３０と第２スイッチング素子２２ｂのゲート（信号入力端子）とは、第２ゲート抵抗２６ｂを介して接続されている。このドライブＩＣ３０は、第１モジュール２１ａ及び第２モジュール２１ｂが実装される基板５０に実装されており、基板５０に設けられた配線を介して第１モジュール２１ａ及び第２モジュール２１ｂと接続されている。
【００２０】
ドライブＩＣ３０へは、上位の制御装置であるＥＣＵ４０から、スイッチングユニット２０のオン時刻及びオフ時刻を指示する制御信号が入力される。制御信号に含まれるオン時刻及びオフ時刻は、第１スイッチング素子２２ａ及び第２スイッチング素子２２ｂの制御を行ううえで、その制御の基準となる基準タイミングである。このとき、ドライブＩＣ３０は信号取得手段として機能する。
【００２１】
ドライブＩＣ３０は、第１感温ダイオード２３ａ及び第２感温ダイオード２３ｂの電圧降下量を取得することにより、第１モジュール２１ａ及び第２モジュール２１ｂの温度を求める。このとき、電圧降下量と温度とが対応付けられたマップがメモリに記憶されており、取得した電圧降下量とマップとを用いて温度を求める。第１モジュール２１ａの温度及び第２モジュール２１ｂの温度がそれぞれ求まれば、それらを比較し、その比較結果である温度差を算出する。なお、ドライブＩＣ３０と第１感温ダイオード２３ａ及び第２感温ダイオード２３ｂとが協働して、温度取得手段として機能する。
【００２２】
ドライブＩＣ３０は、ＥＣＵ４０から入力された制御信号と、算出された温度差とにより、駆動信号を生成する。このとき、温度差とオンタイミングの差とが対応付けられたマップがメモリに記憶されており、そのマップからオンタイミングの差を取得して駆動信号を生成する。
【００２３】
このとき、相対的に温度が高いスイッチング素子２２ａ，２２ｂのオンタイミングが、相対的に温度が低いスイッチング素子２２ａ，２２ｂのオンタイミングよりも遅くなるようにする。具体的には、相対的に温度が高いスイッチング素子２２ａ，２２ｂのオンタイミングを、基準タイミングから遅くすることにより通電期間を短くする。もしくは、相対的に温度の低いスイッチング素子２２ａ，２２ｂのオンタイミングを基準タイミングから早くすることにより、通電期間を短くする。または、相対的に温度が高いスイッチング素子２２ａ，２２ｂのオンタイミングを基準タイミングから遅くしつつ、相対的に温度の低いスイッチング素子２２ａ，２２ｂのオンタイミングを基準タイミングから早くする。すなわち、いずれのスイッチング素子２２ａ，２２ｂにおいてもオフタイミングを一定としておき、オンタイミングを変更することにより通電時間を変更する。なお、このとき、ドライブＩＣ３０は変更手段として機能する。
【００２４】
上記構成により、本実施形態に係る制御装置は、以下の効果を奏する。
【００２５】
・並列接続された第１スイッチング素子２２ａと第２スイッチング素子２２ｂの温度差に基づいて、相対的に温度の高いスイッチング素子２２ａ，２２ｂの通電期間を相対的に短くしている。そのため、相対的に発熱量が大きくなっているスイッチング素子２２ａ，２２ｂのそれ以上の発熱を抑制することができる。
【００２６】
・相対的に発熱量の大きいスイッチング素子２２ａ，２２ｂの通電期間を相対的に短くしている。そため、相対的に発熱量の大きいスイッチング素子２２ａ，２２ｂの発熱を抑制することができる。ゆえに、スイッチング素子２２ａ，２２ｂに流す電流値の上限値を、相対的に発熱量の大きいスイッチング素子２２ａ，２２ｂに合わせたものとする必要がなく、電流値の上限値をより高く設定することができる。
【００２７】
＜第２実施形態＞
本実施形態に係る電力変換回路の全体構成は第１実施形態と共通しており、スイッチングユニット２０（２０ａ，２０ｂ）の構成が第１実施形態と異なっている。
【００２８】
図４は、本実施形態に係るスイッチングユニット２０（２０ａ，２０ｂ）の回路図である。
【００２９】
第１スイッチング素子２２ａのゲートには、第１ゲート抵抗２６ａが直列接続されるとともに第１可変容量コンデンサ２７ａが並列接続されている。同様に、第２スイッチング素子２２ｂのゲートには、第２ゲート抵抗２６ｂが直列接続されるとともに第２可変容量コンデンサ２７ｂが並列接続されている。すなわち、第１スイッチング素子２２ａのゲートに対して、第１ゲート抵抗２６ａと第１可変容量コンデンサ２７ａとによりＲＣ回路を構成しており、第２スイッチング素子２２ｂのゲートについて、第２ゲート抵抗２６ｂと第２可変容量コンデンサ２７ｂとによりＲＣ回路を構成している。
【００３０】
ドライブＩＣ３０は、ＥＣＵ４０から制御信号を受信し、第１スイッチング素子２２ａ及び第２スイッチング素子２２ｂに共通の駆動信号を送信する。このとき、第１可変容量コンデンサ２７ａの容量と第２可変容量コンデンサ２７ｂの容量とが異なれば、容量が大きいほうの可変容量コンデンサ２７ａ，２７ｂが接続されたスイッチング素子２２ａ，２２ｂのオンタイミングが、遅延することになる。
【００３１】
そのため、ドライブＩＣ３０は、第１感温ダイオード２３ａの電圧降下量及び第２感温ダイオード２３ｂの電圧降下量に基づいて取得した、第１モジュール２１ａの温度と第２モジュール２１ｂの温度とを比較する。そして、その比較結果である温度差に基づいて、温度の高いほうのモジュール２１ａ，２１ｂに接続された可変容量コンデンサ２７ａ，２７ｂの容量を、相対的に大きくする。この場合、温度差と容量とをマップ化してドライブＩＣ３０のメモリに記憶しておき、得られた温度差に基づいてメモリから容量を読み出して、可変容量コンデンサ２７ａ，２７ｂに対して容量を変更する制御を行うものとすればよい。
【００３２】
なお、可変容量コンデンサ２７ａ，２７ｂを設けるものとしているが、容量の異なるコンデンサとスイッチとの直列接続体を複数並列にそれぞれ接続し、そのスイッチを切り替えることにより、ゲートと並列に接続される容量を変更する構成を採用してもよい。
【００３３】
上記構成により、本実施形態に係る制御装置は第１実施形態に係る制御装置が奏する効果に加えて、以下の効果を奏する。
【００３４】
・ゲートに印加される電圧の時間あたりの上昇量を、ＲＣ回路の容量を変更することにより遅延させている。そのため、それぞれのスイッチング素子２２ａ，２２ｂに対して、共通の駆動信号を送信しても、そのＲＣ回路によりスイッチング素子２２ａ，２２ｂのオンタイミングは変更される。ゆえに、複数のスイッチング素子に送信する駆動信号を共通のものとすることができ、駆動信号の生成処理に起因する負荷を抑制することができる。
【００３５】
＜第３実施形態＞
本実施形態に係る電力変換回路の全体構成は第１実施形態と共通しており、スイッチングユニット２０（２０ａ，２０ｂ）の構成が第１実施形態と異なっている。
【００３６】
図５は、本実施形態に係るスイッチングユニット２０（２０ａ，２０ｂ）の回路図である。
【００３７】
第１スイッチング素子２２ａのゲートには、第１可変抵抗２８ａが直列接続されるとともに第１コンデンサ２９ａが並列接続されている。同様に、第２スイッチング素子２２ｂのゲートには、第２可変抵抗２８ｂが直列接続されるとともに第２コンデンサ２９ｂが並列接続されている。すなわち、第１スイッチング素子２２ａのゲートに対して、第１可変抵抗２８ａと第１コンデンサ２９ａとによりＲＣ回路を構成しており、第２スイッチング素子２２ｂのゲートについて、第２可変抵抗２８ｂと第２コンデンサ２９ｂとによりＲＣ回路を構成している。
【００３８】
ドライブＩＣ３０は、ＥＣＵ４０から制御信号を受信し、第１スイッチング素子２２ａ及び第２スイッチング素子２２ｂに共通の駆動信号を送信する。このとき、第１可変抵抗２８ａの抵抗値と第２可変抵抗２８ｂの抵抗値とが異なれば、抵抗値が大きいほうの可変抵抗２８ａ，２８ｂが接続されたスイッチング素子２２ａ，２２ｂのオンタイミングが、遅延することになる。
【００３９】
そのため、ドライブＩＣ３０は、第１感温ダイオード２３ａの電圧降下量及び第２感温ダイオード２３ｂの電圧降下量に基づいて取得した、第１モジュール２１ａの温度と第２モジュール２１ｂの温度とを比較する。そして、その比較結果である温度差に基づいて、温度の高いほうのモジュール２１ａ，２１ｂに接続された可変抵抗２８ａ，２８ｂの抵抗値を、相対的に大きくする。この場合、温度差と抵抗値とをマップ化してドライブＩＣ３０のメモリに記憶しておき、得られた温度差に基づいてメモリから抵抗値を読み出して、可変抵抗２８ａ，２８ｂに対して抵抗値を変更する制御を行うものとすればよい。
【００４０】
なお、可変抵抗２８ａ，２８ｂを設けるものとしているが、抵抗値の異なる抵抗とスイッチとの直列接続体を複数並列にそれぞれ接続し、そのスイッチを切り替えることにより、ゲートと直列に接続される抵抗の抵抗値を変更する構成を採用してもよい。
【００４１】
上記構成により、本実施形態に係る制御装置は、第２実施形態に係る制御装置が奏する効果に準ずる効果を奏する。
【００４２】
＜第４実施形態＞
本実施形態に係る電力変換回路の全体構成は第１実施形態と共通しており、スイッチングユニット２０（２０ａ，２０ｂ）の構成が第１実施形態と異なっている。
【００４３】
図６は、本実施形態に係るスイッチングユニット２０の回路図である。
【００４４】
第１スイッチング素子２２ａを駆動する第１ドライブＩＣ３１ａと、第２スイッチング素子２２ｂを駆動する第２ドライブＩＣ３１ｂとを備えている。第１ドライブＩＣ３１ａ及び第２ドライブＩＣ３１ｂには、共に、ＥＣＵ４０から共通の制御信号が入力されるとともに、第１感温ダイオード２３ａ及び第２感温ダイオード２３ｂから電圧降下量が入力される。
【００４５】
第１ドライブＩＣ３１ａ及び第２ドライブＩＣ３１ｂは、入力された制御信号、及び、電圧降下量に基づいて算出される温度差に基づき、それぞれ、第１スイッチング素子２２ａ、第２スイッチング素子２２ｂへ駆動信号を送信する。なお、この駆動信号の生成処理は第１実施形態に準ずるものであるため、その説明を省略する。
【００４６】
上記構成により、本実施形態に係る制御装置は第１実施形態に係る制御装置が奏する効果に加えて、以下の効果を奏する。
【００４７】
・ＥＣＵ４０は、共通の駆動信号を駆動装置へ送信するのみでよく、スイッチング素子２２ａ，２２ｂの開閉タイミングを制御する機能を備える必要がない。またドライブＩＣ３１ａ，３１ｂは、受信した制御信号のオンタイミングを変更する制御を行えばよいため、オンタイミングとオフタイミングとを含む駆動信号を改めて生成する演算を行う必要がない。ゆえに、演算の負荷を分散させることができる。
【００４８】
＜第５実施形態＞
本実施形態に係る電力変換回路の全体構成は第１実施形態と共通しており、スイッチングユニット２０（２０ａ，２０ｂ）の構成が第１実施形態と異なっている。
【００４９】
図７は、本実施形態に係るスイッチングユニット２０（２０ａ，２０ｂ）の回路図である。
【００５０】
第１スイッチング素子２２ａを駆動する第１ドライブＩＣ３２ａと、第２スイッチング素子２２ｂを駆動する第２ドライブＩＣ３２ｂとを備えている。同様に、第１ドライブＩＣ３２ａは、第１モジュール２１ａに、第１スイッチング素子２２ａ及び第１感温ダイオード２３ａとともに実装されている。第２ドライブＩＣ３２ｂは、第２モジュール２１ｂに、第２スイッチング素子２２ｂ及び第２感温ダイオード２３ｂとともに実装されている。
【００５１】
第１ドライブＩＣ３２ａには、ＥＣＵ４０からの制御信号及び第１感温ダイオード２３ａの電圧降下量が入力され、第２ドライブＩＣ３２ｂには、ＥＣＵ４０からの制御信号及び第２感温ダイオード２３ｂの電圧降下量が入力される。このとき、ＥＣＵ４０から入力される制御信号は、第１ドライブＩＣ３２ａと第２ドライブＩＣ３２ｂとで共通するものである。
【００５２】
また、第１ドライブＩＣ３２ａが第１感温ダイオード２３ａの電圧降下量に基づいて第１モジュール２１ａの温度を取得し、第２ドライブＩＣ３２ｂが第２感温ダイオード２３ｂの電圧降下量に基づいて第２モジュール２１ｂの温度を取得し、互いに取得した温度のやり取りを行う。すなわち、第１ドライブＩＣ３２ａには、第２ドライブＩＣ３２ｂから第２モジュール２１ｂの温度が入力され、第２ドライブＩＣ３２ｂには、第１ドライブＩＣ３２ａから第１モジュール２１ａの温度が入力される。
【００５３】
第１ドライブＩＣ３２ａ及び第２ドライブＩＣ３２ｂは、入力された制御信号及び温度に基づき、それぞれ、第１スイッチング素子２２ａ、第２スイッチング素子２２ｂへ駆動信号を送信する。なお、この駆動信号の生成処理は第１実施形態に準ずるものであるため、その説明を省略する。
【００５４】
上記構成により、本実施形態に係る制御装置は、第４実施形態に係る制御装置が奏する効果に準ずる効果を奏する。
【００５５】
＜変形例＞
・上記実施形態では、駆動装置によりモータ１０へ電力を供給するための電力変換装置を駆動するものとしたが、用途はこれに限られず、スイッチング素子を備える装置に対して同様に適用することができる。
【００５６】
・上記実施形態では、スイッチング素子２２ａ，２２ｂとしてＩＧＢＴを例示しているが、これに限られず、その他の種々のスイッチング素子に対して同様に適用可能である。
【００５７】
・上記各実施形態において、スイッチング素子２２ａ，２２ｂを２つ並列に設けたものを示しているが、３つ以上並列に設けたものについても同様の制御が可能である。
【００５８】
・上記実施形態では、温度計測手段として感温ダイオードを用いているが、これに限られず、その他の種々の温度計測手段を採用することが可能である。
【００５９】
・上記実施形態において、第１スイッチング素子２２ａと第２スイッチング素子２２ｂとが、異なるモジュール２１ａ，２１ｂに設けられるものとしているが、共通のモジュールに設けられていてもよい。この場合には、感温ダイオード２３ａ，２３ｂは、それぞれに対応するスイッチング素子２２ａ，２２ｂの温度差を検出できるように設けられるものとすればよい。
【００６０】
・第１実施形態において、ドライブＩＣ３０が、オンタイミングが変更された駆動信号を第１スイッチング素子２２ａ及び第２スイッチング素子２２ｂへそれぞれ送信している。この点、第１スイッチング素子２２ａ及び第２スイッチング素子２２ｂのゲートへ印加する電圧を変更することにより、オンタイミングを変更してもよい。スイッチング素子２２ａ，２２ｂでは、ゲートに電圧が印加された際に、その電圧は徐々に上昇し、電圧が閾値を越えれば、スイッチング素子２２ａ，２２ｂはオンとなる。そのため、ゲートへ印加する電圧を相対的に高くすれば、電圧は相対的に早く閾値へ到達する。そこで、相対的に温度の高いスイッチング素子２２ａ，２２ｂのゲートへ印加する電圧を、相対的に低くし、オンタイミングを遅らせるものとすればよい。なお、この制御は、ゲート抵抗２６ａ，２６ｂを可変抵抗とし、その電圧降下量を異ならせることで実現してもよい。
【００６１】
・上記第２実施形態と上記第３実施形態とを組み合わせて用い、スイッチング素子２２ａ，２２ｂのゲートに接続されたコンデンサの容量及び抵抗の値を共に可変としてもよい。
【００６２】
・上記実施形態では、温度差によりしているが、温度が予め定められた閾値を越え、温度が過剰であると判断できる場合では、そのスイッチング素子の通電期間をさら短くする、若しくは、そのスイッチング素子には通電を行わないものとする制御を行ってもよい。
【００６３】
・第４実施形態において、感温ダイオード２３ａ，２３ｂの電圧降下量を、共に第１ドライブＩＣ３１ａ及び第２ドライブＩＣ３１ｂに入力するものとしている。しかしながら、第５実施形態のごとく、第１ドライブＩＣ３１ａに第１感温ダイオード２３ａの電圧降下量を入力し、第２ドライブＩＣ３１ｂに第２感温ダイオード２３ｂの電圧降下量を入力し、第１ドライブＩＣ３１ａと第２ドライブＩＣ３１ｂとの間で取得された温度のやり取りを行うものとしてもよい。逆に、第５実施形態において、感温ダイオード２３ａ，２３ｂの電圧降下量を、共に第１ドライブＩＣ３２ａ及び第２ドライブＩＣ３２ｂに入力するものとしてもよい。
【符号の説明】
【００６４】
２２ａ…第１スイッチング素子、２２ｂ…第２スイッチング素子、２３ａ…第１感温ダイオード、２３ｂ…第２感温ダイオード、３０…ドライブＩＣ、３１ａ…第１ドライブＩＣ、３１ｂ…第２ドライブＩＣ、３２ａ…第１ドライブＩＣ、３２ｂ…第２ドライブＩＣ。
【図１】
0006492630.tif 000002
【図２】
0006492630.tif 000003
【図３】
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【図４】
0006492630.tif 000005
【図５】
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【図６】
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【図７】
0006492630.tif 000008