(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材上に機能性材料を含むライン状液体を形成し、前記ライン状液体を乾燥させる際に、該ライン状液体の縁に前記機能性材料を選択的に堆積させて、該機能性材料を含むパターンを形成するパターン形成方法であって、
前記基材は凹凸を有しており、インクジェットヘッドを用いて前記基材の凹凸上に形成され、接触角が形成される前記ライン状液体の形成幅Ｄ［μｍ］を、前記基材の凹凸の１周期長さＰ［μｍ］に対して、Ｄ≧Ｐの関係を満たすように調整することを特徴とするパターン形成方法。
【請求項２】
前記基材の凹凸形状は、連続した凹凸パターンにより構成されていることを特徴とする請求項１記載のパターン形成方法。
【請求項３】
前記ライン状液体を乾燥させる際に、吸引による乾燥を行うことを特徴とする請求項１又は２記載のパターン形成方法。
【請求項４】
凹凸を有する基材上に、請求項１〜３の何れかに記載のパターン形成方法により前記機能性材料として導電性材料を用いて形成されたパターンを含む透明導電膜を製造することを特徴とする凹凸透明導電膜の製造方法。
【請求項５】
請求項４記載の凹凸透明導電膜の製造方法によって製造された凹凸透明導電膜を備えたことを特徴とする太陽電池モジュールの製造方法。
【請求項６】
請求項４記載の凹凸透明導電膜の製造方法によって製造された凹凸透明導電膜を備えたことを特徴とする光取り出し素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パターン形成方法、凹凸透明導電膜、太陽電池モジュール及び光取り出し素子に関し、詳しくは、凹凸を有する基材上に機能性材料のパターンを形成するパターン形成方法、凹凸透明導電膜、太陽電池モジュール及び光取り出し素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば太陽電池では、入射した光に対する光閉じ込め効果を得るために、凹凸を有し且つ透明な電極が求められている。
【０００３】
特許文献１には、スパッタリングによりＩＴＯ（Indium Tin Oxide）からなる透明導電膜を形成した後、これを水素含有ガスの還元雰囲気に晒すことによって表面に凹凸を形成する技術が開示されている。
【０００４】
特許文献２には、スパッタリングに際して、基材上にＺｎＯを主成分とする母材を設けておくことにより、結晶粒の集合体からなる透明導電膜を成膜する技術が開示されており、成膜された透明導電膜の表面には、結晶粒に由来する凹凸が形成されるとしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１３−５１０８３号公報
【特許文献２】特開２０１２−１６０６６１号公報
【特許文献３】特開２０１４−１２０３５３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、特許文献１、２の技術は、工程が複雑になり易い等により生産性が悪く、コスト高の要因になる。
【０００７】
また、これら従来技術は、平坦な基材上に、凹凸を有する透明導電膜を形成するものであり、凹凸を有する基材上に、透明導電膜を形成するものではない。これら従来技術のようなスパッタリングや、フォトリソグラフィーを用いる場合は、透明導電膜を安定に成膜させる観点で、基材が平坦であることが要求され、凹凸を有する基材上に透明導電膜を形成するのは困難である。
【０００８】
これに対して、本発明者は、インクジェット法を用いて、凹凸を有する基材上に、透明導電膜を形成することについて検討した。
【０００９】
インクジェット法を用いれば、種々の導電性材料をインクに含有させて基材上に付与し、電極膜を形成することができる。また、導電性材料自体の透明性が低い場合でも、微細なパターンを描画することによって、透明性を改善することができる。
【００１０】
しかし、凹凸を有する基材に対して微細なパターンを描画しようとすると、凹凸中の斜面に付与されたインクが、重力等の影響で、所望の位置とは異なる位置に流動し易く、例えば凹部に偏ってしまう等により、パターニング精度が得られにくくなる。このような流動を抑制するためにインク粘度を高く設定しようとすると、インク吐出ノズルからの吐出安定性が低下してしまい、結局パターニング精度が得られにくくなる。
【００１１】
本出願人は、これまでに、基材に対してインクジェットヘッドを相対移動させながら、該インクジェットヘッドから基材上に機能性材料を含む複数のインク滴を吐出して、複数の前記インク滴を基材上で合一させてライン状液体を形成し、形成された前記ライン状液体を乾燥させる際に、該ライン状液体の縁に前記機能性材料を選択的に堆積させて、該機能性材料を含むパターンを形成するパターン形成方法を開示している（特許文献３）が、かかる技術は、凹凸を有する基材に対して微細なパターンを高精度に形成する観点で、改善の余地があった。
【００１２】
そこで本発明の課題は、インクジェット法を用いて、凹凸を有する基材に対して、微細なパターンを高精度に形成できるパターン形成方法、凹凸透明導電膜、太陽電池モジュール及び光取り出し素子を提供することにある。
【００１３】
また本発明の他の課題は、以下の記載によって明らかとなる。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記課題は、以下の各発明によって解決される。
【００１５】
１．
基材上に機能性材料を含むライン状液体を形成し、前記ライン状液体を乾燥させる際に、該ライン状液体の縁に前記機能性材料を選択的に堆積させて、該機能性材料を含むパターンを形成するパターン形成方法であって、
前記基材は凹凸を有しており、インクジェットヘッドを用いて前記基材の凹凸上に形成され、接触角が形成される前記ライン状液体の形成幅Ｄ［μｍ］を、前記基材の凹凸の１周期長さＰ［μｍ］に対して、Ｄ≧Ｐの関係を満たすように調整することを特徴とするパターン形成方法。
【００１６】
２．
前記基材の凹凸形状は、連続した凹凸パターンにより構成されていることを特徴とする前記１記載のパターン形成方法。
【００１７】
３．
前記ライン状液体を乾燥させる際に、吸引による乾燥を行うことを特徴とする前記１又は２記載のパターン形成方法。
【００１８】
４．
凹凸を有する基材上に、前記１〜３の何れかに記載のパターン形成方法により前記機能性材料として導電性材料を用いて形成されたパターンを含む透明導電膜を製造することを特徴とする凹凸透明導電膜の製造方法。
【００１９】
５．
前記４記載の凹凸透明導電膜の製造方法によって製造された凹凸透明導電膜を備えたことを特徴とする太陽電池モジュールの製造方法。
【００２０】
６．
前記４記載の凹凸透明導電膜の製造方法によって製造された凹凸透明導電膜を備えたことを特徴とする光取り出し素子の製造方法。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、インクジェット法を用いて、凹凸を有する基材に対して、微細なパターンを高精度に形成できるパターン形成方法、凹凸透明導電膜、太陽電池モジュール及び光取り出し素子を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本発明のパターン形成方法の第１態様を概念的に説明する要部斜視図
【図２】基材の凹凸により生じるライン状液体の流動を概念的に説明する図
【図３】基材の凹凸面上におけるコーヒーステイン現象の発現を概念的に説明する図
【図４】本発明のパターン形成方法の第１態様により形成されるパターンの一例を概念的に説明する要部斜視図
【図５】本発明の第２態様を概念的に説明する要部斜視図
【図６】本発明の第３態様を概念的に説明する要部斜視図
【図７】本発明の第４態様を概念的に説明する要部斜視図
【図８】本発明の第５態様を概念的に説明する要部斜視図
【図９】本発明の第６態様を概念的に説明する要部斜視図
【図１０】本発明の第７態様を概念的に説明する要部斜視図
【図１１】基材の凹凸面の構成例を説明する図
【図１２】基材の凹凸面の構成例を説明する図
【図１３】基材の凹凸面の構成例を説明する図
【図１４】基材の凹凸面の構成例を説明する図
【図１５】基材の凹凸面の構成例を説明する図
【図１６】基材の凹凸面の構成例を説明する図
【図１７】凹凸透明導電膜の例を概念的に説明する平面図
【図１８】凹凸透明導電膜を含む素子の構成例を説明する図
【図１９】凹凸を有する基材上に形成された平行線パターンの一例を示す要部斜視図
【発明を実施するための形態】
【００２３】
本発明のパターン形成方法は、基材上に機能性材料を含むライン状液体を形成し、前記ライン状液体を乾燥させる際に、該ライン状液体の縁に前記機能性材料を選択的に堆積させて、該機能性材料を含むパターンを形成するパターン形成方法であって、前記基材は凹凸を有しており、インクジェットヘッドを用いて形成する前記ライン状液体の形成幅Ｄ［μｍ］を、前記基材の凹凸の１周期長さＰ［μｍ］に対して、Ｄ≧Ｐの関係を満たすように調整することを一つの特徴とする。これにより、インクジェット法を用いて、凹凸を有する基材に対して、微細なパターンを高精度に形成できる効果が得られる。
【００２４】
以下に、図面を参照して本発明を実施するための形態について更に詳しく説明する。
【００２５】
図１は、本発明のパターン形成方法の一例を概念的に説明する要部斜視図である。
【００２６】
まず、基材１の凹凸面１１上に、機能性材料を含むライン状液体２を形成する。
【００２７】
ライン状液体２は、不図示のインクジェットヘッドを基材１に対して相対移動させながら、該インクジェットヘッドから基材１上に機能性材料を含む複数の液滴を吐出して、これら複数の液滴を基材１上で合一させることによって形成することができる。２１はライン状液体２の長さ方向に沿う一方の縁であり、２２は他方の縁である。
【００２８】
本発明では、ライン状液体２を形成するに際して、ライン状液体２の形成幅Ｄ［μｍ］を、基材の凹凸の１周期長さＰ［μｍ］に対して、Ｄ≧Ｐの関係を満たすように調整する。
【００２９】
ここで、「ライン状液体２の形成幅Ｄ［μｍ］」とは、ライン状液体２の長さ方向と直交する方向における該ライン状液体２の幅であり、また、ライン状液体２の一方の縁２１と他方の縁２２とを結ぶ最短の長さということもでき、例えば顕微鏡観察等により測定することができる。ライン状液体２の形成幅Ｄ［μｍ］は、インクジェットヘッドの液滴吐出条件等の設定により適宜調整することができる。例えば、インクジェットヘッドのノズルから基材１上に着弾させる液滴の液滴数や１液滴あたりの容量を調整することによって、ライン状液体２の形成幅Ｄ［μｍ］を調整できる。また、例えば、１本のライン状液体２を形成するために使用するノズル数を調整することによって、ライン状液体２の形成幅Ｄ［μｍ］を調整できる。
【００３０】
また、「基材１の凹凸の１周期長さＰ［μｍ］」とは、例えば、基材１の凹凸の頂部から次の頂部に至るまでの長さ［μｍ］、あるいは基材１の凹凸の谷底部から次の谷底部に至るまでの長さ［μｍ］であり、図示の例のように、基材１の凹凸面１１が、連続した凹凸パターンにより構成された凹凸形状を有する場合は、繰り返し単位となる凹凸パターンの該繰り返し方向に沿う長さ［μｍ］をいう。
【００３１】
図２は、基材１の凹凸により生じるライン状液体の流動を概念的に説明する図であり、断面は、ライン状液体の長さ方向に対して直交する面で切断した様子を示している。図２（ａ）は本発明に対応し、図２（ｂ）は比較例に対応する。
【００３２】
図２（ａ）に示すように、本発明では、ライン状液体２の形成幅Ｄ［μｍ］を、基材の凹凸の１周期長さＰ［μｍ］に対して、Ｄ≧Ｐの関係を満たすように調整することにより、ライン状液体２の張力を好適に維持でき、流動を防止して、所望の位置にライン状液体２が保持され易くなる。即ちライン状液体２の付与範囲を、所望の範囲に精度よく画定し、保持することができる。
【００３３】
これに対して、ライン状液体２の形成幅Ｄ［μｍ］が、基材の凹凸の１周期長さＰ［μｍ］に対して、Ｄ≧Ｐの関係を満たさない場合は、図２（ｂ）の比較例に示すように、例えば、基材１の凹凸面１１中の斜面に付与されたライン状液体２が、重力や乾燥時の液体内部の対流等の影響で、所望の位置（図中、破線で示した）とは異なる位置に流動し易く、凹部に偏ってしまう等により、パターニング精度が得られにくくなる。このような流動を抑制するためにインク粘度を高く設定しようとすると、インク吐出ノズルからの吐出安定性が低下してしまい、結局パターニング精度が得られにくくなる。
【００３４】
以上のように、本発明では、基材１の凹凸のスケールに対して比較的大きい形成幅でライン状液体２を形成することで、該凹凸による影響を軽減して、ライン状液体２の付与範囲を、所望の範囲に精度よく画定し、保持することができる。そして、液体の乾燥時において、比較的大きい形成幅で形成されたライン状液体２は、最終的に微細なパターンになる。これは、凹凸を有する基材１上に形成されたライン状液体２を乾燥させる際に、コーヒーステイン現象を生起させることにより実現できる。これについて、図３を参照して説明する。
【００３５】
図３は、基材１の凹凸面１１上におけるコーヒーステイン現象の発現を概念的に説明する図である。断面は、ライン状液体２の形成方向（長さ方向）と直交する面で切断した様子を示している。
【００３６】
図３（ａ）に示すように、基材１の凹凸面１１上に、機能性材料を含むライン状液体２が付与される。
【００３７】
次いで、図３（ｂ）に示すように、ライン状液体２を蒸発させ、乾燥させる際に、コーヒーステイン現象を利用して、ライン状液体２の縁２１、２２に機能性材料を選択的に堆積させる。コーヒーステイン現象は、ライン状液体２を乾燥させる際の条件設定により生起させることができる。
【００３８】
即ち、基材１上において、ライン状液体２の乾燥は中央部２３と比べ縁２１、２２において速く、乾燥の進行と共に固形分濃度が飽和濃度に達し、ライン状液体２の縁２１、２２に固形分の局所的な析出が起こる。この析出した固形分によりライン状液体２の縁が固定化された状態となり、それ以降の乾燥に伴うライン状液体２の幅方向の収縮が抑制される。ライン状液体２中の液体は、縁２１、２２で蒸発により失った分の液体を補う様に中央部２３から縁２１、２２に向かう対流を形成する。この対流により、更なる固形分が縁２１、２２に運ばれ、該縁２１、２２に堆積する。この対流は、乾燥に伴うライン状液体２の接触線の固定化と、ライン状液体２の中央部２３と縁２１、２２の蒸発量の差に起因するため、固形分濃度、ライン状液体２と基材１の接触角、ライン状液体２の量、基材１の加熱温度、ライン状液体２の配置密度、または温度、湿度、気圧などの環境因子等の条件に影響され得る。そのため、これらの１又は２以上の条件を、ライン状液体の縁に機能性材料を選択的に堆積させる対流状態が好適に形成されるように選択することも好ましいことである。
【００３９】
上述したように、乾燥時のライン状液体２中には対流が生じるが、Ｄ≧Ｐの関係を満たすことにより、このような対流の存在下においてもライン状液体２の確定された付与範囲が保持される。その結果、ライン状液体２の縁２１、２２が安定に固定化され、コーヒーステイン現象を、基材１の凹凸面１１上において安定に生起できる。
【００４０】
これにより、図３（ｃ）及び図４に示すように、凹凸を有する基材１上に、機能性材料を含む細線からなる微細な平行線パターン３が形成される。平行線パターン３は、１組２本の互いに平行な細線（以下、線分ともいう）３１、３２により構成されている。
【００４１】
平行線パターン３を構成する細線３１、３２は、ライン状液体２の形成幅Ｄに対して、十分微細なものになる。更に、上述したように、ライン状液体２の形成幅Ｄ［μｍ］が、基材の凹凸の１周期長さＰ［μｍ］に対して、Ｄ≧Ｐの関係を満たすことにより、ライン状液体２の付与範囲を、所望の範囲に精度よく画定し、保持することができる。これにより、凹凸を有する基材上においてコーヒーステイン現象を安定に生起できるため、ライン状液体２の縁２１、２２に形成される平行線パターン３を、高精度に形成できる。
【００４２】
特にライン状液体２を乾燥させる際に、例えばファン等の吸引装置を用いて、吸引による乾燥を行うことが好ましい。乾燥時において、凹凸面１１中の谷底部の周囲には、ライン状液体２から揮発した溶媒が滞留し易いが、吸引による乾燥を行うことで、揮発溶媒の滞留を好適に防止することができ、コーヒーステイン現象を凹凸面１１上において更に安定に生起することができる。
【００４３】
ライン状液体２の形成幅Ｄ［μｍ］と、基材の凹凸の１周期長さＰ［μｍ］とは、Ｄ≧Ｐの関係を満たすものであれば限定されない。基材の凹凸の１周期長さＰ［μｍ］は、例えば、１０μｍ〜４００μｍの範囲であることが好ましく、１０μｍ〜３００μｍの範囲であることが更に好ましい。
【００４４】
以上、図１の例を参照して、ライン状液体２の形成幅Ｄ［μｍ］が、基材の凹凸の１周期長さＰ［μｍ］に対して、Ｄ≧Ｐの関係を満たすことについて示したが、例えば第２態様を説明する図５（ａ）に示すように、Ｄ≧２Ｐの関係を満たすものであってもよい。このような場合においても、図５（ｂ）に示すように、ライン状液体２の縁２１、２２に対応する位置に、コーヒーステイン現象により平行線パターン３を安定に高精度に形成することができる。
【００４５】
更に、図示しないが、Ｄ≧３Ｐ、Ｄ≧４Ｐ、更にはＤ≧５Ｐのように、基材の凹凸の１周期長さＰ［μｍ］に対して、ライン状液体２の形成幅Ｄ［μｍ］を大きく設定することも好ましいことである。ライン状液体２の形成幅Ｄ［μｍ］の上限は格別限定されず、用途に合わせて適宜設定することができる。
【００４６】
図６（ａ）、（ｂ）は、本発明に係る第３態様を説明する図であり、図６（ａ）に示すように、ライン状液体２の一方の縁２１が谷底部側の位置に配置され、他方の縁２２が頂部側の位置に配置されてもよい。このような場合においても、Ｄ≧Ｐの関係を満たすことにより、図６（ｂ）に示すように、ライン状液体２の縁２１、２２に対応する位置に、コーヒーステイン現象により平行線パターン３を安定に高精度に形成することができる。
【００４７】
また、図示しないが、ライン状液体２の縁２１、２２の両方が谷底部側の位置に配置されてもよい。
【００４８】
図７（ａ）、（ｂ）は、本発明に係る第４態様を説明する図であり、図７（ａ）に示すように、基材１が、凹凸の１周期長さがＰａ［μｍ］である領域と、凹凸の１周期長さがＰｂ［μｍ］である領域とを有していてもよい。この場合、凹凸の１周期長さがＰａ［μｍ］である領域に対しては、Ｄａ≧Ｐａの関係を満たすようにライン状液体２の形成幅Ｄａ［μｍ］を設定し、凹凸の１周期長さがＰｂ［μｍ］である領域に対しては、Ｄｂ≧Ｐｂの関係を満たすようにライン状液体２の形成幅Ｄｂ［μｍ］を設定することができる。このような場合においても、Ｄ≧Ｐの関係を満たすことにより、図７（ｂ）に示すように、ライン状液体２の縁２１、２２に対応する位置に、コーヒーステイン現象により平行線パターン３を安定に高精度に形成することができる。
【００４９】
基材１が、凹凸の１周期長さＰ［μｍ］が互いに異なる３以上の領域を有する場合においても、各領域の凹凸の１周期長さＰ［μｍ］に対して、Ｄ≧Ｐの関係を満たすようにライン状液体２の形成幅Ｄ［μｍ］を設定することができる。
【００５０】
更に、基材１の凹凸の１周期長さＰ［μｍ］が、凹凸面１１上の領域ごとに異なる場合、凹凸の１周期長さＰ［μｍ］の最大値Ｐｍａｘ［μｍ］に対して、Ｄ≧Ｐｍａｘの関係を満たすようにライン状液体２の形成幅Ｄ［μｍ］を設定することもできる。これにより、ライン状液体２の形成幅Ｄ［μｍ］を、領域ごとに設定変更する必要がなくなる。
【００５１】
図８（ａ）、（ｂ）は、本発明に係る第５態様を説明する図であり、図８（ａ）に示すように、一方向に伸びるように形成された凸部に対して、該凸部の形成方向に対して交差する方向に沿うようにライン状液体２を形成してもよい。このような場合においても、Ｄ≧Ｐの関係を満たすことにより、図８（ｂ）に示すように、ライン状液体２の縁２１、２２に対応する位置に、コーヒーステイン現象により平行線パターン３を安定に高精度に形成することができる。
【００５２】
図９（ａ）〜（ｄ）は、本発明に係る第６態様を説明する図である。本態様は、凹凸を有する基材１上に平行線パターン３を複数形成する場合に、これら平行線パターン３を互いに交差するように形成するものである。
【００５３】
先ず、図９（ａ）に示すように、凹凸を有する基材１上に、Ｄ≧Ｐの関係を満たすように、第１の方向に沿う第１のライン状液体２を形成する。ここでは、第１の方向は、凸部の形成方向に対応する。かかる第１のライン状液体２を乾燥させる際にコーヒーステイン現象を生起させることによって、図９（ｂ）に示すように、第１の方向に沿う第１の平行線パターン３を形成することができる。
【００５４】
次いで、図９（ｃ）に示すように、凹凸を有する基材１上に、Ｄ≧Ｐの関係を満たすように、第２の方向に沿う第２のライン状液体２を形成する。ここでは、第２の方向は、凸部の形成方向に対して交差する方向に対応する。第２のライン状液体２は、先に形成された第１の平行線パターン３と交差するように形成されている。かかる第２のライン状液体２を乾燥させる際にコーヒーステイン現象を生起させることによって、図９（ｄ）に示すように、第２の方向に沿う第２の平行線パターン３を形成することができる。
【００５５】
このようにして、凹凸を有する基材１上に、互いに交差する平行線パターン３を安定に高精度に形成することができる。
【００５６】
以上の説明では、基材１の凹凸面１１が、例えばシリンドリカルレンズ等のような一方向に伸びた断面半円状の凸部を並列に設けることによって形成される場合について示したが、これに限定されるものではない。
【００５７】
図１０（ａ）、（ｂ）は、本発明に係る第７態様を説明する図であり、図１０（ａ）は、基材１の凹凸面１１が、例えば三角プリズム等のような一方向に伸びた断面三角形状の凸部を並列に設けられてなる場合について示す。このような凹凸を有する基材１に対しても、Ｄ≧Ｐの関係を満たすようにライン状液体２を形成し、これを乾燥させる際にコーヒーステイン現象を生起させることによって、図１０（ｂ）に示すように、平行線パターン３を安定に高精度に形成することができる。
【００５８】
また、図１１に示すように、基材１の凹凸面１１の頂部側に平坦な面を有してもよい。また、図示しないが、基材１の凹凸面１１を構成する谷底部側に平坦な面を有してもよい。このような凹凸を有する基材１に対しても、Ｄ≧Ｐの関係を満たすようにライン状液体２を形成し、これを乾燥させる際にコーヒーステイン現象を生起させることによって、平行線パターン３を安定に高精度に形成することができる。
【００５９】
以上の説明では、凹凸面１１が、一方向に伸びるように形成された凸部を複数並設して構成される場合について説明したが、これに限定されるものではない。
【００６０】
図１２〜図１６は、基材１の凹凸面１１の形状のバリエーションを示すものであって、いずれも、（ａ）は凹凸面１１を平面視した様子を示し、（ｂ）は該（ａ）におけるｂ−ｂ線断面の様子を示している。
【００６１】
例えば図１２（ａ）、（ｂ）に示すように、基材１の凹凸面１１は、半球を２次元的に配置した構成を有してもよい。
【００６２】
また、例えば図１３（ａ）、（ｂ）に示すように、基材１の凹凸面１１は、円錐を２次元的に配置した構成を有してもよい。
【００６３】
また、例えば図１４（ａ）、（ｂ）に示すように、基材１の凹凸面１１は、円錐台を２次元的に配置した構成を有してもよい。
【００６４】
また、例えば図１５（ａ）、（ｂ）に示すように、基材１の凹凸面１１は、角錐（ここでは四角錐）を２次元的に配置した構成を有してもよい。
【００６５】
また、例えば図１６（ａ）、（ｂ）に示すように、基材１の凹凸面１１は、角錐台（ここでは四角錐台）を２次元的に配置した構成を有してもよい。
【００６６】
以上のような凹凸面１１に対しても、Ｄ≧Ｐの関係を満たすようにライン状液体２を形成し、これを乾燥させる際にコーヒーステイン現象を生起させることによって、平行線パターン３を安定に高精度に形成することができる。
【００６７】
次に、本発明に係る凹凸透明導電膜について説明する。
【００６８】
凹凸透明導電膜は、凹凸を有する基材上に形成された平行線パターンを含んで構成される。ここで、平行線パターンは、機能性材料として導電性材料を含む。より好ましい態様において、凹凸透明導電膜は、凹凸を有する基材上に形成された複数の平行線パターンの集合体として構成される。
【００６９】
図１７は、凹凸透明導電膜の例を説明する図であり、凹凸を有する基材１を平面視した様子を示している。
【００７０】
図１７（ａ）の例において、凹凸透明導電膜４は、平面視して同一方向に形成された複数の平行線パターン３の集合体として構成されている。凹凸透明導電膜４は、複数の平行線パターン３を、平面視してストライプ状に配置して構成されている。
【００７１】
図１７（ｂ）の例において、凹凸透明導電膜４は、平面視して第１の方向に形成された複数の第１の平行線パターン３と、第１の平行線パターン３と交差するように、平面視して第２の方向に形成された複数の第２の平行線パターン３との集合体として構成されている。凹凸透明導電膜４は、複数の平行線パターン３を、平面視して格子状に配置して構成されている。
【００７２】
凹凸透明導電膜４は、凹凸を有する基材１上に、本発明のパターン形成方法により形成されたパターンを含む透明導電膜を備えてなり、かかる凹凸透明導電膜４は、透明性に優れると共に、高精度に形成された前記パターンに由来して、導電性に優れる効果を奏する。
【００７３】
凹凸透明導電膜の用途は、格別限定されないが、例えば太陽電池モジュール等における光閉じ込め素子を構成したり、光取り出し素子を構成したりすることができる。
【００７４】
図１８を参照して、凹凸透明導電膜を含む素子の構成例を説明する。
【００７５】
まず、図１８（ａ）は、太陽電池モジュールの一例の概略構成を説明する図である。
【００７６】
ここでは、太陽電池モジュールは、凹凸透明導電膜４と裏面電極５との間に発電層６を備えている。発電層６の表面は凹凸面１１により構成されており、該凹凸面１１上に、凹凸透明導電膜４が形成されている。
【００７７】
発電層６は、光を受光して電力（電気）に変換する光電変換層であれば格別限定されず、積層体として構成することができ、例えば、Ｐ層及びＮ層を含んで、又は、Ｐ層、Ｉ層及びＮ層をこの順で含んで、構成することができる。
【００７８】
太陽電池モジュールの外部から凹凸透明導電膜４を介して発電層６に光が入射すると、励起子（電子、正孔）が生じ、電子はＮ層側に、正孔はＰ層側に集まるため、凹凸透明導電膜４と裏面電極５との間に電位差が生じる。したがって、透明導電膜４と裏面電極５を介して、上記の電位差に相当する電流を取り出すことができる。即ち、透明導電膜４と裏面電極５は、発電層６にて発生した電力を取り出すための電極であり、一方は正極に対応し、他方は負極に対応している。裏面電極１１は、例えばアルミニウム等の金属などで構成することができる。
【００７９】
上記の構成による作用について更に詳しく説明すると、太陽電池モジュールの外部から凹凸透明導電膜４を介して発電層６に入射して、その一部が発電層６にて吸収され、電気に変換されるが、残りは発電層６で吸収しきれずに該発電層６を透過する。発電層６を透過した光は、裏面電極５で反射されて発電層６側に戻され、再利用が図られる。再利用されなかった光は、凹凸透明導電膜４があることで、その多くが凹凸透明導電膜４の凹凸面で反射され、再び発電層６側に向かう光となる。この光は、発電層６への２回目の入射によって吸収され、発電に用いられる。以降、発電層６に入射して吸収しきれなかった光については、凹凸透明導電膜４と裏面電極５との間で反射を繰り返すことにより、その多くが発電層６にて吸収される。このようにして、凹凸透明導電膜４を光閉じ込め層として機能させて、入射した光に対する光閉じ込め効果を奏する光閉じ込め素子を構成することができる。
【００８０】
このような光閉じ込め素子を有する太陽電池モジュールを製造する際には、例えば、裏面電極５と発電層６の積層体を、凹凸を有する基材１とし、該基材１の凹凸面１１（発電層６の表面）に対して、上述した本発明の方法によって、凹凸透明導電膜４を形成することができる。あるいは、例えば、発電層６を、凹凸を有する基材１とし、該基材１の凹凸面１１（発電層６の表面）に対して、上述した本発明の方法によって、凹凸透明導電膜４を形成し、その後、発電層６の凹凸透明導電膜４が形成された面と反対側の面に、裏面電極５を形成することにより、太陽電池モジュールを製造してもよい。凹凸透明導電膜４の表面には、保護層などの他の層が更に積層されてもよい。
【００８１】
また、凹凸透明導電膜により、光取り出し素子を構成することもできる。図１８（ｂ）は、光取り出し素子の一例の概略構成を説明する図である。
【００８２】
ここでは、光取り出し素子は、凹凸透明導電膜４と裏面電極７との間に発光層８を備えている。発光層８の表面は凹凸面１１により構成されており、該凹凸面１１上に、凹凸透明導電膜４が形成されている。
【００８３】
発光層８は、電力（電気）を光に変換する機能を有し、例えば有機ＥＬ発光層を含んで構成することができる。
【００８４】
凹凸透明導電膜４と裏面電極７との間に電位を印加することにより、発光層８を発光させることができる。
【００８５】
発光層８での発光により生じた光は、凹凸透明導電膜４に入射され、該凹凸透明導電膜４が有する凹凸により分散され、外部に取り出される。このようにして、凹凸透明導電膜４を光取り出し層として機能させて、光取り出し効果に優れた光取り出し素子を構成することができる。
【００８６】
このような光取り出し素子を製造する際には、例えば、裏面電極７と発光層８の積層体を、凹凸を有する基材１とし、該基材１の凹凸面１１（発光層８の表面）に対して、上述した本発明の方法によって、凹凸透明導電膜４を形成することができる。あるいは、例えば、発光層８を、凹凸を有する基材１とし、該基材１の凹凸面１１（発電層６の表面）に対して、上述した本発明の方法によって、凹凸透明導電膜４を形成し、その後、発光層８の凹凸透明導電膜４が形成された面と反対側の面に、裏面電極７を形成することにより、光取り出し素子を製造してもよい。凹凸透明導電膜４の表面には、保護層などの他の層が更に積層されてもよい。
【００８７】
ライン状液体を形成するためにインクジェットヘッドから基材に吐出される液体に含有される機能性材料は、格別限定されず、基材に所望の機能を付与するための材料であればよい。例えば、基材に導電性パターンを形成する場合、機能性材料として導電性材料を用いることができ、また、基材に絶縁性パターンを形成する場合には、機能性材料として絶縁性材料を用いることができる。
【００８８】
機能性材料としては、例えば、導電性材料、絶縁性材料、半導体材料、光学フィルター材料、誘電体材料等や、あるいは適宜処理を施すことによってこれらの材料に変化させることができる材料（前駆体ともいう）を好適に用いることができる。また、機能性材料として、導電性材料または導電性材料前駆体を用いることは特に好ましいことである。
【００８９】
導電性材料としては、例えば、導電性微粒子、導電性ポリマー等を好ましく例示できる。
【００９０】
導電性微粒子としては、格別限定されないが、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｚｎ、Ｃｏ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｗ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｇａ、Ｉｎ等の微粒子を好ましく例示でき、中でも、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕのような金属微粒子を用いると、電気抵抗が低く、かつ腐食に強い回路パターンを形成することができるので、より好ましい。コスト及び安定性の観点から、Ａｇを含む金属微粒子が最も好ましい。これらの金属微粒子の平均粒子径は、好ましくは１〜１００ｎｍの範囲、より好ましくは３〜５０ｎｍの範囲とされる。
【００９１】
また、導電性微粒子として、カーボン微粒子を用いることも好ましい。カーボン微粒子としては、グラファイト微粒子、カーボンナノチューブ、フラーレン等を好ましく例示できる。
【００９２】
導電性ポリマーとしては、格別限定されないが、π共役系導電性高分子を好ましく挙げることができる。
【００９３】
π共役系導電性高分子としては、特に限定されず、ポリチオフェン類、ポリピロール類、ポリインドール類、ポリカルバゾール類、ポリアニリン類、ポリアセチレン類、ポリフラン類、ポリパラフェニレン類、ポリパラフェニレンビニレン類、ポリパラフェニレンサルファイド類、ポリアズレン類、ポリイソチアナフテン類、ポリチアジル類等の鎖状導電性ポリマーを利用することができる。中でも、高い導電性が得られる点で、ポリチオフェン類やポリアニリン類が好ましい。ポリエチレンジオキシチオフェンであることが最も好ましい。
【００９４】
導電性ポリマーは、より好ましくは、上述したπ共役系導電性高分子とポリアニオンとを含んで成ることである。こうした導電性ポリマーは、π共役系導電性高分子を形成する前駆体モノマーを、適切な酸化剤と酸化触媒と、ポリアニオンの存在下で化学酸化重合することによって容易に製造できる。
【００９５】
ポリアニオンは、置換若しくは未置換のポリアルキレン、置換若しくは未置換のポリアルケニレン、置換若しくは未置換のポリイミド、置換若しくは未置換のポリアミド、置換若しくは未置換のポリエステル及びこれらの共重合体であって、アニオン基を有する構成単位とアニオン基を有さない構成単位とからなるものである。
【００９６】
このポリアニオンは、π共役系導電性高分子を溶媒に可溶化させる可溶化高分子である。また、ポリアニオンのアニオン基は、π共役系導電性高分子に対するドーパントとして機能して、π共役系導電性高分子の導電性と耐熱性を向上させる。
【００９７】
ポリアニオンのアニオン基としては、π共役系導電性高分子への化学酸化ドープが起こりうる官能基であればよいが、中でも、製造の容易さ及び安定性の観点からは、一置換硫酸エステル基、一置換リン酸エステル基、リン酸基、カルボキシ基、スルホ基等が好ましい。さらに、官能基のπ共役系導電性高分子へのドープ効果の観点より、スルホ基、一置換硫酸エステル基、カルボキシ基がより好ましい。
【００９８】
ポリアニオンの具体例としては、ポリビニルスルホン酸、ポリスチレンスルホン酸、ポリアリルスルホン酸、ポリアクリル酸エチルスルホン酸、ポリアクリル酸ブチルスルホン酸、ポリ−２−アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、ポリイソプレンスルホン酸、ポリビニルカルボン酸、ポリスチレンカルボン酸、ポリアリルカルボン酸、ポリアクリルカルボン酸、ポリメタクリルカルボン酸、ポリ−２−アクリルアミド−２−メチルプロパンカルボン酸、ポリイソプレンカルボン酸、ポリアクリル酸等が挙げられる。これらの単独重合体であってもよいし、２種以上の共重合体であってもよい。
【００９９】
また、化合物内にＦ（フッ素原子）を有するポリアニオンであってもよい。具体的には、パーフルオロスルホン酸基を含有するナフィオン（Ｄｕｐｏｎｔ社製）、カルボン酸基を含有するパーフルオロ型ビニルエーテルからなるフレミオン（旭硝子社製）等を挙げることができる。
【０１００】
これらのうち、スルホン酸を有する化合物であると、インクジェット印刷方式を用いた際にインク射出安定性が特に良好であり、かつ高い導電性が得られることから、より好ましい。
【０１０１】
さらに、これらの中でも、ポリスチレンスルホン酸、ポリイソプレンスルホン酸、ポリアクリル酸エチルスルホン酸、ポリアクリル酸ブチルスルホン酸が好ましい。これらのポリアニオンは、導電性に優れるという効果を奏する。
【０１０２】
ポリアニオンの重合度は、モノマー単位が１０〜１０００００個の範囲であることが好ましく、溶媒溶解性及び導電性の点からは、５０〜１００００個の範囲がより好ましい。
【０１０３】
導電性ポリマーは市販の材料も好ましく利用できる。例えば、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）とポリスチレンスルホン酸からなる導電性ポリマー（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳと略す）が、Ｈ．Ｃ．Ｓｔａｒｃｋ社からＣＬＥＶＩＯＳシリーズとして、Ａｌｄｒｉｃｈ社からＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ４８３０９５、５６０５９８として、Ｎａｇａｓｅ  Ｃｈｅｍｔｅｘ社からＤｅｎａｔｒｏｎシリーズとして市販されている。また、ポリアニリンが、日産化学社からＯＲＭＥＣＯＮシリーズとして市販されている。
【０１０４】
ライン状液体を形成する際に用いる、機能性材料を含有させる液体としては、水や、有機溶剤等の１種又は２種以上を組み合わせて用いることができる。
【０１０５】
有機溶剤は、格別限定されないが、例えば、１，２−ヘキサンジオール、２−メチル−２，４−ペンタンジオール、１，３−ブタンジオール、１，４−ブタンジオール、プロピレングリコールなどのアルコール類、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテルなどのエーテル類等を例示できる。
【０１０６】
また、機能性材料を含有させる液体には、界面活性剤など種々の添加剤を含有させてもよい。
【０１０７】
界面活性剤を用いることで、例えば、インクジェット法などの液滴吐出法を用いてライン状液体を形成するような場合などに、表面張力等を調整して吐出の安定化を図ること等が可能になる。界面活性剤としては、格別限定されないが、シリコン系界面活性剤等を用いることができる。シリコン系界面活性剤とはジメチルポリシロキサンの側鎖または末端をポリエーテル変性したものであり、例えば、信越化学工業製のＫＦ−３５１Ａ、ＫＦ−６４２やビッグケミー製のＢＹＫ３４７、ＢＹＫ３４８などが市販されている。界面活性剤の添加量は、ライン状液体２を形成する液体の全量に対して、１重量％以下であることが好ましい。
【０１０８】
液滴吐出装置から基材に吐出される液体における機能性材料の濃度範囲は、０．０１［ｗｔ％］以上０．５［ｗｔ％］以下の範囲に調整されることが好ましい。これにより、細線３１、３２の形成を更に安定化できる。
【０１０９】
基材は、凹凸を有する基材であれば、格別限定されないが、例えば、ガラス、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレン、ポリプロピレン、アクリル、ポリエステル、ポリアミド等のプラスチック（熱可塑性樹脂ともいう）、銅、ニッケル、アルミ、鉄等や、あるいは合金からなる金属、セラミックなどを挙げることができ、これらは単独で用いてもよいし、貼り合せた状態で用いてもよい。中でも、プラスチックが好ましく、ポリエチレンテレフタレートや、ポリエチレン、ポリプロピレンのようなポリオレフィンなどが好適である。特に光閉じ込め素子や光取り出し素子のような光学素子を構成する観点で、基材は凹凸を有し且つ透明であることが好ましい。基材の凹凸面を構成する表層を、例えばポリエステル、アクリル、シクロオレフィン等の熱可塑性樹脂により構成することは特に好ましい。
【０１１０】
図１９は、凹凸を有する基材上に形成された平行線パターンの一例を示す要部斜視図であり、断面は、平行線パターン３の形成方向に対して直交する方向で切断した縦断面に対応する。
【０１１１】
１本のライン状液体から生成される平行線パターン３の１組２本の細線（線分）３１、３２は、必ずしも互いに完全に独立した島状である必要はない。図示したように、２本の線分３１、３２は、該線分３１、３２間に亘って、該線分３１、３２の高さよりも低い高さで形成された薄膜部３０によって接続された連続体として形成されることも好ましいことである。
【０１１２】
平行線パターン３の線分３１、３２の線幅Ｗ１、Ｗ２は、各々１０μｍ以下であることが好ましい。１０μｍ以下であれば、通常視認できないレベルとなるので、透明性を向上する観点からより好ましい。各線分３１、３２の安定性も考慮すると、各線分３１、３２の線幅Ｗ１、Ｗ２は、各々２μｍ以上１０μｍ以下の範囲であることが好ましい。
【０１１３】
なお、線分３１、３２の幅Ｗ１、Ｗ２とは、基材１表面からの線分３１、３２の高さＨ１、Ｈ２の半分の高さにおける線分３１、３２の幅と定義される。
【０１１４】
平行線パターン３を構成する線分３１、３２の線幅Ｗ１、Ｗ２は、上述した通り極めて細いものであるため、断面積を確保して低抵抗化を図る観点で、基材１表面からの線分３１、３２の高さＨ１、Ｈ２は高い方が望ましい。具体的には、線分３１、３２の高さＨ１、Ｈ２は、５０ｎｍ以上５μｍ以下の範囲であることが好ましい。
【０１１５】
更に、平行線パターン３の安定性を向上する観点から、Ｈ１／Ｗ１比、Ｈ２／Ｗ２比は、各々０．０１以上１以下の範囲であることが好ましい。
【０１１６】
また、平行線パターン３の細線化を更に向上する観点から、線分３１、３２間において機能性材料の厚みが最薄となる最薄部分の高さＺ、具体的には薄膜部３０の最薄部分の高さＺが１０ｎｍ以下の範囲であることが好ましい。最も好ましいのは、透明性と安定性のバランスの両立を図るために、０＜Ｚ≦１０ｎｍの範囲で、薄膜部３０を備えることである。
【０１１７】
更に、平行線パターン３の更なる細線化向上のために、Ｈ１／Ｚ比、Ｈ２／Ｚ比は、各々５以上であることが好ましく、１０以上であることがより好ましく、２０以上であることが特に好ましい。
【０１１８】
本発明において、線分３１、３２の配置間隔Ｉの範囲は、格別限定されず、ライン状液体の形成幅に対応して適宜設定することができる。具体的には、配置間隔Ｉを、例えば、５０μｍ以上、１００μｍ以上、２００μｍ以上、３００μｍ以上、４００μｍ以上、更には５００μｍ以上という大きい値に設定することも好ましい。透明導電膜等を形成する場合などにおいては、配置間隔Ｉは、例えば、１００μｍ以上〜１０００μｍ以下の範囲とすることが好ましく、１００μｍ以上〜５００μｍ以下の範囲とすることが更に好ましい。
【０１１９】
なお、線分３１、３２の配置間隔Ｉとは、線分３１、３２の各最大突出部間の直線距離とする。
【０１２０】
更にまた、線分３１と線分３２とに同様の形状（同程度の断面積）を付与することが好ましく、具体的には、線分３１と線分３２の高さＨ１とＨ２とを実質的に等しい値とすることが好ましい。これと同様に、線分３１と線分３２の線幅Ｗ１とＷ２とについても実質的に等しい値とすることが好ましい。
【０１２１】
線分３１、３２は、必ずしも平行である必要性はなく、少なくとも線分方向のある長さＬに亘って、線分３１、３２が結合していなければ良い。好ましくは、少なくとも線分方向のある長さＬに亘って、線分３１、３２が実質的に平行であることである。
【０１２２】
線分３１、３２の線分方向の長さＬは、線分３１、３２の配置間隔Ｉの５倍以上であることが好ましく、１０倍以上であることがより好ましい。長さＬ及び配置間隔Ｉは、パターン（ライン状液体）２の形成長さ及び形成幅に対応して設定することができる。
【０１２３】
ライン状液体の形成始点と終点（線分方向のある長さＬに亘った始点と終点）に対応する位置では、線分３１、３２が接続し、連続体として形成されてもよい。
【０１２４】
また、線分３１、３２は、その線幅Ｗ１、Ｗ２がほぼ等しく、且つ、線幅Ｗ１、Ｗ２が２本線間距離（配置間隔Ｉ）に比して、十分に細いものであることが好ましい。
【０１２５】
更に、１本のライン状液体から生成されるパターン３を構成する線分３１と線分３２とは、同時に形成されたものであることが好ましい。
【０１２６】
平行線パターン３は、各線分３１、３２が、下記（ア）〜（ウ）の条件を全て満たすことが特に好ましい。これにより、パターンが視認されにくくなり、透明性を向上できると共に、線分が安定化され、特に機能性材料が導電性材料である場合には、パターンの抵抗値を低下できる効果に優れる。
【０１２７】
（ア）各線分３１、３２の高さをＨ１、Ｈ２とし、該各線分間における最薄部分の高さをＺとしたときに、５≦Ｈ１／Ｚ、且つ５≦Ｈ２／Ｚであること。
（イ）各線分３１、３２の幅をＷ１、Ｗ２としたときに、Ｗ１≦１０μｍ、且つＷ２≦１０μｍであること。
（ウ）各線分３１、３２の高さをＨ１、Ｈ２としたときに、５０ｎｍ＜Ｈ１＜５μｍ、且つ５０ｎｍ＜Ｈ２＜５μｍであること。
【０１２８】
本発明により形成されたパターンには、必要に応じて焼成やメッキ等の後処理が施されることも好ましいことである。機能性材料として導電性材料を含む場合、後処理は、パターンの導電性を向上する処理であることが好ましい。
【０１２９】
以上の説明において、一つの態様について説明された構成は、他の態様に適宜適用することができる。
【実施例】
【０１３０】
以下に、本発明の実施例について説明するが、本発明はかかる実施例により限定されない。
【０１３１】
（実施例１）
＜インクの調製＞
インク（機能性材料を含む液体）として、以下の組成のものを調製した。
・銀ナノ粒子（平均粒子径：２０ｎｍ）：０．０５４ｗｔ％
・界面活性剤（ビッグケミー社製「ＢＹＫ３４８」）：０．０５ｗｔ％
・ジエチレングリコールモノブチルエーテル（略称：ＤＥＧＢＥ）（分散媒）：２０ｗｔ％
・水（分散媒）：残量
【０１３２】
＜パターン形成＞
一方向に伸びた断面半円状の凸部を並列に設けることによって形成され凹凸面を有する基材（凹凸面の材質：ポリエステル樹脂）を５０℃に保持し、その凹凸表面に対してインクジェットヘッド（コニカミノルタ社製「ＫＭ５１２Ｌ」；標準液滴量４２ｐｌ）を走査させて上記インクを吐出し、凹凸表面上に複数のライン状液体を形成した。
【０１３３】
ここで、各々のライン状液体の形成条件は、図１に示した例において、基材１の凹凸の１周期長さＰ＝５０［μｍ］に対して、ライン状液体２の形成幅Ｄ＝５５［μｍ］となるように設定した。
【０１３４】
これらのライン状液体２を乾燥させる際に、コーヒーステイン現象により、各々のライン状液体２の縁に機能性材料（ここでは導電性材料として銀ナノ粒子）を選択的に堆積させて、該導電性材料を含む１組２本の細線３１、３２からなる平行線パターン３を形成した。
【０１３５】
得られた各々の平行線パターン３は、図４に示したように、所望の位置に精度良く形成された。また、平行線パターン３を構成する細線３１、３２は、導電性材料がライン状液体２の縁２１、２２に対応する位置に十分に集合された状態で形成された。
【０１３６】
（実施例２）
実施例１において、各々のライン状液体の形成条件を、図５（ａ）に示した例において、基材１の凹凸の１周期長さＰ＝５０［μｍ］に対して、ライン状液体２の形成幅Ｄ＝１００［μｍ］となるように設定したこと以外は、実施例１と同様にして平行線パターン３を形成した。
【０１３７】
得られた各々の平行線パターン３は、図５（ｂ）に示したように、所望の位置に精度良く形成された。また、平行線パターン３を構成する細線３１、３２は、導電性材料がライン状液体２の縁２１、２２に対応する位置に十分に集合された状態で形成された。
【０１３８】
（実施例３）
実施例１において、各々のライン状液体の形成条件を、図６（ａ）に示した例において、基材１の凹凸の１周期長さＰ＝５０［μｍ］に対して、ライン状液体２の形成幅Ｄ＝７５［μｍ］となるように設定したこと以外は、実施例１と同様にして平行線パターン３を形成した。
【０１３９】
得られた各々の平行線パターン３は、図６（ｂ）に示したように、所望の位置に精度良く形成された。また、平行線パターン３を構成する細線３１、３２は、導電性材料がライン状液体２の縁２１、２２に対応する位置に十分に集合された状態で形成された。
【０１４０】
（実施例４）
実施例１において、基材として、図１０（ａ）に示したような、一方向に伸びた断面三角形状の凸部を並列に設けることによって形成された凹凸面を有する基材１を用い、図１０（ａ）に示した例において、基材１の凹凸の１周期長さＰ＝５０［μｍ］に対して、ライン状液体２の形成幅Ｄ＝５５［μｍ］となるように設定したこと以外は、実施例１と同様にして平行線パターン３を形成した。
【０１４１】
得られた各々の平行線パターン３は、図１０（ｂ）に示したように、所望の位置に精度良く形成された。また、平行線パターン３を構成する細線３１、３２は、導電性材料がライン状液体２の縁２１、２２に対応する位置に十分に集合された状態で形成された。
【０１４２】
（実施例５）
実施例１において、基材として、図７（ａ）に示したような、凹凸の１周期長さがＰａ＝５０［μｍ］である領域と、凹凸の１周期長さがＰｂ＝１００［μｍ］である領域とを有する凹凸面を有する基材１を用い、凹凸の１周期長さがＰａ［μｍ］である領域に対しては、Ｄａ≧Ｐａの関係を満たすようにライン状液体２の形成幅Ｄａ＝５５［μｍ］を設定し、凹凸の１周期長さがＰｂ［μｍ］である領域に対しては、Ｄｂ≧Ｐｂの関係を満たすようにライン状液体２の形成幅Ｄｂ＝１１０［μｍ］を設定したこと以外は、実施例１と同様にして平行線パターン３を形成した。
【０１４３】
得られた各々の平行線パターン３は、図１０（ｂ）に示したように、所望の位置に精度良く形成された。また、平行線パターン３を構成する細線３１、３２は、導電性材料がライン状液体２の縁２１、２２に対応する位置に十分に集合された状態で形成された。
【０１４４】
（実施例６）
図９に示した例と同様にして、凹凸を有する基材１上に、互いに交差する平行線パターン３を形成した。具体的には、実施例１のパターン形成と同様にして凹凸を有する基材１上に複数の平行線パターン３（第１の平行線パターン３）を形成した後、基材１を９０°回転させて、先に形成された複数の平行線パターン３と交差するように、実施例１のパターン形成と同様にして更なる複数の平行線パターン３（第２の平行線パターン３）を形成した。
【０１４５】
得られた各々の平行線パターン３は、図９（ｄ）に示したように、所望の位置に精度良く形成された。また、平行線パターン３を構成する細線３１、３２は、導電性材料がライン状液体２の縁２１、２２に対応する位置に十分に集合された状態で形成された。何れの方向に形成された平行線パターン３も、安定に高精度に形成された。
【０１４６】
（比較例１）
実施例１において、各々のライン状液体の形成条件を、基材１の凹凸の１周期長さＰ＝５０［μｍ］に対して、ライン状液体２の形成幅Ｄ＝４０［μｍ］となるように設定した。
【０１４７】
これらのライン状液体２を乾燥させる際に、コーヒーステイン現象により、各々のライン状液体２の縁に導電性材料を選択的に堆積させようとしたが、ライン状液体２の縁２１、２２が安定に固定化されなかった。その結果、乾燥後に得られたパターンは、導電性材料が所望の位置に集合しておらず、分散された状態であった。
【符号の説明】
【０１４８】
１：基材
１１：凹凸面
２：ライン状液体
２１、２２：縁
３：平行線パターン
３１、３２：細線（線分）
４：透明導電膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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