(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理基板の第１主面の周縁部においてシリコン含有表面を露出させる工程と、
露出させた前記シリコン含有表面に、炭素及びフッ素を含有する気体とシリコンとを化学反応させる表面処理を行い、前記シリコン含有表面のレジスト材料に対する接触角を向上する工程と、
前記表面処理後、前記被処理基板の前記第１主面上に前記レジスト材料を供給する工程と、
前記レジスト材料にテンプレートパターンを転写する工程と、
を備える基板処理方法。
【請求項２】
前記接触角を向上する工程は、前記被処理基板の前記第１主面の周縁部と、前記第１主面に連なる側面と、について前記表面処理を行う請求項１に記載の基板処理方法。
【請求項３】
前記接触角を向上する工程は、前記被処理基板の前記第１主面の周縁部と、前記第１主面に連なる側面と、前記被処理基板の前記第１主面とは反対側の第２主面の周縁部と、について前記表面処理を行う請求項２に記載の基板処理方法。
【請求項４】
前記シリコン含有表面を露出させる工程と、前記接触角を向上する工程とは、同一のチャンバ内で行われる請求項１乃至３のいずれか一項に記載の基板処理方法。
【請求項５】
前記表面処理は、前記シリコン含有表面にＳｉＯＣＦｎまたはＳｉＣＦｎ（ｎは１以上の整数）の膜を形成する請求項１乃至４のいずれか一項に記載の基板処理方法。
【請求項６】
前記ＳｉＯＣＦｎまたはＳｉＣＦｎ膜を形成する工程では、炭素およびフッ素を含有するＣＦ系ガスをプラズマ励起または熱励起させるか、あるいは炭素およびフッ素を含有するＣＦ系溶剤をベーパ化させて、シリコンと化学反応を生じさせることにより、前記ＳｉＯＣＦｎまたは前記ＳｉＣＦ膜を形成する請求項５に記載の基板処理方法。
【請求項７】
前記ＳｉＯＣＦｎまたはＳｉＣＦｎ膜を形成する工程では、前記被処理基板の前記第１主面の周縁部よりも内周側を遮蔽する遮蔽部材を前記被処理基板の前記第１主面上に配置した状態で、前記ＣＦ系ガスまたは前記ＣＦ系溶剤を用いて、前記遮蔽部材で覆われていない前記周縁部に前記ＳｉＯＣＦｎまたはＳｉＣＦｎの膜を形成する請求項６に記載の基板処理方法。
【請求項８】
前記被処理基板の前記第１主面上に所定の膜を形成する工程と、
前記被処理基板の前記第１主面の周縁部においてシリコン含有表面を露出させる工程では、前記被処理基板上の前記所定の膜を除去する工程を備える請求項１乃至７のいずれか一項記載の基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、基板処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
微細パターンを形成する手法として、インプリント法が注目されている。インプリント法では、凹凸パターンが形成されたインプリント用テンプレートを、下地基板上に塗布したレジストに接触させる。レジストが硬化した後、テンプレートをレジストから離型することにより、下地基板上にレジストパターンが形成される。そして、レジストパターンをマスクとして下地基板を加工することで、下地基板に微細パターンが形成される。
【０００３】
インプリント法では、テンプレートをウエハ上で移動させながら、ウエハ上にレジストパターンを形成する処理を繰り返すことを想定している。歩留まりを向上させるには、ウエハのエッジ近くまでレジストパターンを形成するのが望ましい。ところが、インプリント法では、テンプレートをレジストに押しつけるため、レジストの一部がテンプレートの外側に染み出してしまう。この染み出しによりテンプレートパターン内へのレジストは未充填となり、インプリント不良になるばかりではなく、場合によっては、ウエハのエッジ付近では、染み出したレジストがウエハの外周面に付着するなどして、外周面を通過してウエハの裏面側にまでレジストが付着するおそれがある。
【０００４】
ウエハの外周面や裏面側に付着したレジストは、通常のレジストの除去工程では除去されないため、ウエハの汚染の原因となる。例えば、ウエハの外周面にレジストが付着すると、ウエハを搬送するロボットアームにレジストが転写され、このロボットアームが別のウエハを把持した際に、このウエハにレジストが再転写されるおそれがある。また、ウエハの裏面側にレジストが付着すると、ウエハを載置するサセプタにレジストが付着したり、ウエハがサセプタの水平面に対して傾いて載置されるなどの不具合が生じるおそれがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００８−２７７７４８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の実施形態は、ウエハなどの被処理基板の周縁部が汚染されないようにした基板処理方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本実施形態では、被処理基板の第１主面の周縁部においてシリコン含有表面を露出させる工程と、
シリコン含有表面に表面処理を行い、シリコン含有表面のレジスト材料に対する接触角を向上する工程と、
表面処理後、被処理基板上にレジスト材料を供給する工程と、
レジスト材料にテンプレートパターンを転写する工程と、
を備える基板処理方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】第１の実施形態によるインプリント工程の処理手順の一例を示すフローチャート。
【図２Ａ】インプリント工程により形成される微細パターンの工程断面図。
【図２Ｂ】インプリント工程により形成される微細パターンの工程断面図。
【図２Ｃ】インプリント工程により形成される微細パターンの工程断面図。
【図２Ｄ】インプリント工程により形成される微細パターンの工程断面図。
【図２Ｅ】インプリント工程により形成される微細パターンの工程断面図。
【図２Ｆ】インプリント工程により形成される微細パターンの工程断面図。
【図３】図２のステップＳ１の表面改質処理を行う基板処理装置の概略構成を示すブロック図。
【図４】ＣＦ系ガスの熱励起を説明する図。
【図５】第２表面処理部による処理を行った後のウエハの模式的な断面図。
【図６Ａ】第２の実施形態の表面改質処理を示す工程断面図。
【図６Ｂ】図６Ａに続く工程断面図。
【図６Ｃ】図６Ｂに続く工程断面図。
【図７】第３の実施形態におけるウエハの周縁部の表面改質方法を示す図。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、図面を参照しながら、本発明の実施形態を説明する。以下に説明する各実施形態は、ウエハ上にインプリント工程により微細パターンを形成するものである。インプリント工程では、微細パターンが形成されたテンプレートをウエハの一主面上で移動させながら、テンプレートをウエハの一主面上のレジストに押しつけてレジストパターンを形成する処理を繰り返す。ウエハのエッジ付近でテンプレートをレジストに押しつけると、レジストがウエハの外周面や裏面側に染み出すおそれがある。そこで、本実施形態は、インプリント工程の中に、ウエハの周縁部の表面を改質する処理を設けて、レジストがウエハの外周面や裏面側に染み出さないようにしている。ここで、周縁部とは、例えば、３００ｍｍウエハの場合、ウエハのエッジ（外周面）から内周側に１．５ｍｍの範囲である。なお、周縁部の範囲は、任意に設定して構わない。
【００１０】
（第１の実施形態）
図１は第１の実施形態によるインプリント工程の処理手順の一例を示すフローチャート、図２Ａ〜図２Ｆはインプリント工程により形成される微細パターンの工程断面図である。
【００１１】
まず、ウエハの周縁部の表面を改質する処理を行う（ステップＳ１）。この処理では、後に詳述するように、ウエハの周縁部の表面にＳｉＯＣＦｎまたはＳｉＣＦｎの膜（ｎは１、２または３）を形成する。この膜は、撥水性（疎水性）および撥油性を備えており、レジストをはじく性質を有する。よって、ウエハの周縁部にこの膜が形成された後は、ウエハの周縁部の近くで、テンプレートをレジストに押しつけて、レジストがウエハの周縁部の方向に押し出されても、レジストは周縁部内に入り込まなくなる。よって、ウエハの外周面や裏面側にレジストが付着しなくなり、ウエハの汚染を防止できる。
【００１２】
上述したステップＳ１の処理が終了すると、本来のインプリントの工程が開始される。なお、インプリントを行う前の複数のウエハについて、ステップＳ１の処理を連続的に行って、周縁部の表面改質処理済みの複数のウエハを収納部に収納しておき、この収納部から一枚ずつウエハを取り出して、後述するステップＳ２以降の処理を行ってもよい。このように、ステップＳ１の処理を複数のウエハに対してまとめて行うことで、インプリント工程のスループットを向上できる。
【００１３】
図２Ａの例では、シリコン基板からなるウエハ（図２では不図示）の上に、シリコン酸化膜２、アモルファスシリコン層３、カーボン層４およびレジスト膜５を順に積層しているが、積層する膜の種類は任意である。図２Ａの例の場合、ウエハ１の上にシリコン酸化膜２、アモルファスシリコン層３およびカーボン層４を形成した後に、ステップＳ１の処理を行うことになる。
【００１４】
ステップＳ１の処理が終了すると、ウエハの一主面上にレジスト５を液滴上に塗布形成する（ステップＳ２）。このレジストは、ＵＶ（Ultra Violet）光によって硬化する光硬化型のレジストである。
【００１５】
次に、テンプレート６をウエハ１の一主面上で位置決めして、テンプレート６をウエハ１の一主面上のレジスト５に押しつける（ステップＳ３）。これにより、レジスト５がテンプレート６の凹凸パターンの形状に合わせて流動し、凹凸パターンの凹部の内部にレジスト５の一部が入り込む。また、上述したステップＳ１でウエハ１の周縁部の表面を改質しているため、レジスト５はウエハ１の周縁部の外側に流動しにくく、周縁部内部に留まる。この状態で、テンプレート６の上方からＵＶ光を照射して、レジスト５を硬化させる。
【００１６】
レジスト５が硬化した後に、テンプレート６をレジスト５から引き離すと、テンプレート６の凹凸パターンが転写されたレジストパターン５ａが形成される（ステップＳ４、図２Ａ）。以上により、１ショット分のインプリントが完了する。
【００１７】
次に、１枚分のウエハ１における全ショットが終了したか否かを判定し（ステップＳ５）、まだ終了していなければ、ステップＳ２に戻って、ウエハ１上でテンプレート６の位置をずらしながら、各ショットのインプリントを繰り返す。
【００１８】
ステップＳ５で、全ショットが終了したと判定されると、レジストパターン５ａの凹部に、反転パターン材料７を塗布する（ステップＳ６、図２Ｂ）。反転パターン材料７は、シリコン酸化膜を材料とするＳＯＧ（Spin On Glass）膜７である。ここでは、ウエハ１を回転させながら反転パターン材料７を塗布して、スピンコートにより、レジストパターン５ａの凹部に反転パターン材料７を充填する。
【００１９】
次に、酸素プラズマによるＲＩＥ等により、ウエハ１の表面に露出しているレジストパターン５ａ、カーボン層４、アモルファスシリコン層３を順に除去する（ステップＳ７、図２Ｃ〜図２Ｆ）。その後、図示は省略するが、アモルファスシリコン層３をマスクにシリコン酸化膜２を加工し、さらにシリコン酸化膜２の加工溝に銅配線を埋め込み形成する。このとき、ウエハ１の周縁部には半導体回路配線となる銅配線が形成されず、周縁部の内側において半導体回路配線となる銅配線が形成される。
【００２０】
図３は図２のステップＳ１の表面改質処理を行う基板処理装置１０の概略構成を示すブロック図である。図３の基板処理装置は、インプリント工程を行う際に、シリコンを母材とするウエハ１の表面改質処理を行うことを想定しているが、インプリント工程以外の半導体製造工程にも適用可能である。すなわち、図３の基板処理装置は、ウエハ１の周縁部の表面を改質して、ウエハ１の外周面や裏面側にレジスト等の付着を防止する必要がある任意の半導体プロセス工程に適用可能である。
【００２１】
図３の基板処理装置は、ウエハ１を回転させる回転台１１と、第１表面処理部１２と、第２表面処理部１３とを備えている。
【００２２】
第１表面処理部１２は、ウエハ１の周縁部において、ウエハ１の母材であるシリコンを露出させる処理を行う。第１表面処理部１２は、ウエハ１の一主面（第１主面）上に何らかの膜が成膜されている場合には、ウエハ１の一主面の周縁部に付着された膜を除去して、シリコンを露出させる。より具体的には、第１表面処理部１２は、成膜された膜の種類に応じて、化学機械研磨やウェットエッチング、洗浄などを行って、ウエハ１の周縁部でシリコンを露出させる。なおウエハ１の周縁部上に形成された積層膜構造のいずれかの表面がシリコンを含有する場合には、必ずしも第１表面処理部１２により積層膜構造のすべてを除去してウエハ１の母材表面を露出させる必要はない。この場合、ウエハ１の周縁部上のシリコン含有膜を露出し、シリコン含有膜に対して第２表面処理部１３による表面処理を適用し、レジストの染み出しを防止することができる。以降の実施形態においても同様である。
【００２３】
第２表面処理部１３は、ウエハ１の周縁部に露出されたシリコンに対して、炭素およびフッ素を含有するＣＦ系ガスを供給してプラズマ励起または熱励起させるか、あるいは、ＣＦ系溶剤をベーパ化させる。これにより、ウエハ１の周縁部に露出されたシリコンがＣＦ４と化学反応を起こし、ＳｉＯＣＦｎまたはＳｉＣＦｎ（ｎは１、２または３）の膜が生成される。
【００２４】
図４はＣＦ系ガスの熱励起を説明する図である。図４の例では、ウエハ１の周縁部の近くにガス収納部１４が配置されている。このガス収納部１４は、ＣＦ４等のＣＦ系ガスの流入口１４ａと、ガス収納部１４内にレーザ光ｂ１を照射する石英製の窓１４ｂと、レーザ光ｂ１により熱励起したガスを流出する流出口１４ｃとを有する。流入口１４ａからガス収納部１４に収納されたＣＦ系ガスに所定波長のレーザ光ｂ１を照射すると、ＣＦ系ガスは熱励起されてイオン化する。イオン化したガスは流出口１４ｃから放出されてウエハ１の周縁部に露出されたシリコンと化学反応を起こし、ＳｉＯＣＦｎまたはＳｉＣＦｎ膜を形成する。
【００２５】
第１表面処理部１２と第２表面処理部１３による表面処理は、同一のチャンバ内で、所定の温度（例えば、１５０〜７００℃）で行うことができる。よって、第１表面処理部１２の処理によって、ウエハ１の表面に水分が吸着したとしても、第２表面処理部１３を行う前に、吸着した水分を脱離させることができる。よって、第２表面処理部１３の処理によって、ウエハ１の外周面の表面にＳｉＯＣＦｎまたはＳｉＣＦｎの層を安定して形成することができる。
【００２６】
図５は第２表面処理部１３による処理を行った後のウエハ１の模式的な断面図である。図５の例では、第２表面処理部１３の処理によって、ウエハ１の周縁部にＳｉＣＦ３膜１５が形成されている。ＳｉＣＦ３膜１５を含めてＳｉＯＣＦｎおよびＳｉＣＦｎ膜（ｎ＝１、２または３）は、撥水性および撥油性を有するため、第２表面処理部１３の処理を行うことで、ウエハ１の周縁部にレジストが付着しにくくなる。
【００２７】
上述したように、第１表面処理部１２と第２表面処理部１３の各処理は、１５０〜７００℃の温度で行うことができるため、第１表面処理部１２の処理で水を用いたとしても、その水を加熱脱水することができ、残存した水が第２表面処理部１３の処理に悪影響を与えるおそれはなくなる。あるいは、第１表面処理部１２と第２表面処理部１３の間に、ウエハ１の表面に吸着した水分を積極的に脱離させるための脱水高温熱処理を行ってもよい。
【００２８】
このように、第１の実施形態では、インプリント工程でテンプレート６をウエハ１上のレジストに押しつける処理を行う前に、ウエハ１の周縁部にＳｉＯＣＦｎまたはＳｉＣＦｎの膜を形成する処理を行うため、ウエハ１の周縁部付近で、テンプレート６をウエハ１上のレジストに押しつけたとしても、レジストがウエハ１の周縁部に入り込むことを防止できる。これにより、インプリント工程で、レジストがウエハ１の外周面や裏面に付着する不具合を防止できる。
【００２９】
（第２の実施形態）
第２の実施形態は、第１の実施形態とは異なる手法により、ウエハ１の周縁部の表面を改質するものである。
【００３０】
第２の実施形態は、図１のステップＳ１の処理内容が第１の実施形態とは異なっている。図６Ａ〜図６Ｄは第２の実施形態の表面改質処理を示す工程断面図である。まず、図６Ａに示すように、気相成長装置を用いて、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）により、ウエハ１の一主面（第１主面１ａ）の全体にシリコン酸化膜２１を形成する。
【００３１】
次に、図６Ｂに示すように、ウエハ１を裏返して、すなわちシリコン酸化膜２１を下にして回転台１１に載置し、ウエハ１を回転させながら、ウエハ１の第１主面１ａとは反対側の第２主面１ｂ上から、第２主面１ｂに液状のフッ酸（ＨＦ）を滴下する。これにより、フッ酸の一部は、ウエハ１の外周面を通って、第１主面１ａにも回り込む。よって、ウエハ１の第１主面１ａの周縁部に形成されていたシリコン酸化膜２１は除去される。
【００３２】
次に、図６Ｃに示すように、ウエハ１の第１主面１ａに対して、プラズマ励起または熱励起されたＣＦ系ガスを供給するか、あるいは、ＣＦ系溶剤をベーパ化させて供給する。これにより、ウエハ１の第１主面１ａの周縁部に、第１の実施形態と同様に、ＳｉＯＣＦｎまたはＳｉＯＣＦｎ（ｎは１、２または３）の膜２２が形成される。このとき、ウエハ１の周縁部よりも内周側に、シリコン酸化膜２１の薄膜が残存するように調整する。この調整は、ＣＦ系ガスの供給量や供給時間を制御することで、比較的容易に行うことができる。
【００３３】
このように、第２の実施形態では、半導体プロセスの洗浄工程で汎用的に用いられているフッ酸を用いてウエハ１の周縁部のシリコンを露出させ、その後にＣＦ系ガスやＣＦ系溶剤を用いて周縁部の表面改質を行うことができる。
【００３４】
（第３の実施形態）
第３の実施形態は、遮蔽板を用意して、ウエハ１の周縁部の表面改質を行うものである。
【００３５】
図７は第３の実施形態におけるウエハ１の周縁部の表面改質方法を示す図である。第３の実施形態では、第１表面処理部１２の処理は、第１または第２の実施形態と同様に行う。第２表面処理部１３の処理が第１および第２の実施形態とは異なっている。
【００３６】
第３の実施形態の第２表面処理部１３は、ウエハ１の外径寸法よりも若干小さい径の遮蔽板２３を使用する。この遮蔽板２３はウエハ１の一主面に近接配置される。このとき、遮蔽板２３の中心位置とウエハ１の中心位置とを位置合わせする必要がある。遮蔽板２３の外形寸法は、ウエハ１の周縁部の内径と同じである。よって、ウエハ１と遮蔽板２３を両者の中心位置を合わせた状態で上下に配置した場合には、ウエハ１の周縁部だけが重ならない状態となる。よって、ウエハ１の一主面の上方側から、ＣＦ系ガスを供給したり、ＣＦ系溶剤をベーパ化させて供給すると、ウエハ１の周縁部分だけに、上述したＳｉＯＣＦｎまたはＳｉＣＦｎの膜を形成することができる。
【００３７】
例えば、第１の実施形態の場合、第２表面処理部１３による処理をウエハ１の周縁部だけで行う位置制御を行う必要があったが、第３の実施形態の場合は、ウエハ１の周縁部以外は遮蔽板２３で覆われているため、上述した位置制御は不要となる。
【００３８】
なお、第１表面処理部１２による処理を図７の遮蔽板２３を使用して行ってもよい。遮蔽板２３を使用する場合は、遮蔽板２３の上方からエッチング液や洗浄液等をウエハ１の第１主面１ａに滴下して、ウエハ１の周縁部のみの洗浄やエッチングを行えばよい。
【００３９】
このように、第３の実施形態では、遮蔽板２３を用意することで、ウエハ１の周縁部のみを表面改質するための位置決め制御が容易になる。
【００４０】
上述した第１〜第３の実施形態によるウエハ１の周縁部の表面改質処理は、ウエハ１の周縁部の全体に対して行ってもよいし、ウエハ１の周縁部の一部のみに対して行ってもよい。ウエハ１の周縁部の全体に対して表面改質処理を行う場合は、ウエハ１を回転させながら上述した第１および第２表面処理部１３の処理を行えばよい。また、ウエハ１の周縁部の一部のみに対して表面改質処理を行う場合は、ウエハ１を静止した状態で行えばよい。また表面改質処理は、改質処理対象となる表面、たとえばシリコン含有表面のレジスト膜との接触角を向上させるような処理であればよく、必ずしもＣＦ系ガスを供給する処理でなくともよい。
【実施例】
【００４１】
（第１実施例）
３００ｍｍウエハ１の周縁部（ウエハ１の外周面から内周側１．５mmの範囲）のみについて、研磨と洗浄により、ウエハ１の母材であるシリコンを露出させた。続いて、ウエハ１の周縁部の一部分に設置された金属性のガス収納部１４にＣＦ４ガスを導入した。その後、レーザ光をガス収納部１４の上部の石英製窓から照射し、ＣＦ４を加熱励起にてイオン化した。これにより、ウエハ１の周縁部に露出されたシリコンと化学反応を起こし、ＳｉＣＦｎ（ｎ＝１，２，３）からなる撥水撥油表面層が形成された。得られた撥水撥油表面層に対するレジストの接触角を測定したところ、６５ｄｅｇであった。これにより、レジストをはじく表面改質が行われたことが確認できた。
【００４２】
（第２実施例）
３００ｍｍウエハ１の周縁部（ウエハ１の外周面から内周側１．５mmの範囲）のみについて、ウェットエッチングにより、ウエハ１の母材であるシリコンを露出させた。続いて、ウエハ１の周縁部の一部分に設置された金属性のガス収納部１４にＣＦ４ガスを導入した。その後、レーザ光をガス収納部１４上部の石英製窓から照射し、ＣＦ４を加熱励起にてイオン化した。これにより、ウエハ１の周縁部に露出されたシリコンと化学反応を起こし、ＳｉＣＦｎ（ｎ＝１，２，３）からなる撥水撥油表面層が形成された。得られた撥水撥油表面層に対するレジストの接触角を測定したところ、６５ｄｅｇであった。
【００４３】
（第３実施例）
３００ｍｍウエハ１の周縁部（ウエハ１の外周面から内周側１．５mmの範囲）のみについて、ウェットエッチングにより、ウエハ１の母材であるシリコンを露出させた。続いて、ウエハ１の周縁部の一部分に設置された金属性のガス収納部１４にＣＦ４ガスを導入した。その後、レーザ光をガス収納部１４上部の石英製窓から照射し、加熱励起にてウエハ１の周縁部を３００℃に昇温および脱水させた。次に、ＣＦ４を同レーザ光にてイオン化した。これにより、ウエハ１の周縁部に露出されたシリコンと化学反応を起こし、ＳｉＣＦｎ（ｎ＝１，２，３）からなる撥水撥油表面層が形成された。得られた撥水撥油表面層に対するレジストの接触角を測定したところ、７０ｄｅｇであった。
【００４４】
（第４実施例）
３００ｍｍウエハ１の周縁部（ウエハ１の外周面から内周側１．５mmの範囲）のみについて、ウェットエッチングにより、ウエハ１の母材であるシリコンを露出させた。続いて、ウエハ１の周縁部の一部分に設置された金属性のガス収納部１４にレーザ光をガス収納部１４上部の石英製窓から照射し、加熱励起にてウエハ１の周縁部を３００℃に昇温および脱水させた。次に、ガス収納部１４にＣＦ溶媒を導入して、上記レーザ光にてＣＦ溶媒をベーパ化（気化）させた。これにより、ウエハ１の周縁部に露出されたシリコンと化学反応を起こし、ＳｉＣＦｎ（ｎ＝１，２，３）からなる撥水撥油表面層が形成された。得られた撥水撥油表面層に対するレジストの接触角を測定したところ、７０ｄｅｇであった。
【００４５】
（第５実施例）
３００ｍｍウエハ１の周縁部（ウエハ１の外周面から内周側１．５mmの範囲）のみについて、ウェットエッチングにより、ウエハ１の母材であるシリコンを露出させた。続いて、ウエハ１の周縁部を除く素子形成領域に対向させて、遮蔽板２３をウエハ１から０．０３ｍｍの間隔で設置した。次に、大気圧プラズマにより、ＣＦ４ガスをイオン化した。これにより、ウエハ１の周縁部に露出されたシリコンと化学反応を起こし、ＳｉＣＦｎ（ｎ＝１，２，３）からなる撥水撥油表面層が形成された。得られた撥水撥油表面層に対するレジストの接触角を測定したところ、７０ｄｅｇであった。
【００４６】
（第６実施例）
３００ｍｍウエハ１の周縁部（ウエハ１の外周面から内周側１．５mmの範囲）のみについて、ウェットエッチングにより、ウエハ１の母材であるシリコンを露出させた。続いて、ウエハ１の周縁部を除く素子形成領域に対向させて、遮蔽板２３をウエハ１から０．０３ｍｍの間隔で設置した。次に、ウエハ１を３００℃にて加熱脱水させた後、大気圧プラズマにより、ＣＦ４ガスをイオン化した。これにより、ウエハ１の周縁部に露出されたシリコンと化学反応を起こし、ＳｉＣＦｎ（ｎ＝１，２，３）からなる撥水撥油表面層が形成された。得られた撥水撥油表面層に対するレジストの接触角を測定したところ、７０ｄｅｇであった。
【００４７】
（第１比較例）
３００ｍｍウエハ１の全面に、ＳｉＣＦｎ（ｎ＝１、２または３）の撥水撥油表面層を形成すると、インプリント時にレジストはウエハ１上に吸着されず、レジストパターン５ａも形成できなかった。
【００４８】
（第２比較例）
レジスト露光（ＥＢＲ：Edge Bead Removal）により３００ｍｍウエハ１の周縁部（ウエハ１の外周面から内周側１．５mmの範囲）のみについて、ウェットエッチングによりウエハ１の母材であるシリコンを露出させた。続いて、ウエハ１の周縁部にレーザ光を照射し、次にＣＦ４をレーザ光熱励起にてイオン化した。これにより、ウエハ１の周縁部に露出されたシリコンと化学反応を起こし、ＳｉＣＦｎ（ｎ＝１，２，３）からなる撥水撥油表面層が形成された。得られた撥水撥油表面層に対するレジストの接触角を測定したところ、５０ｄｅｇであった。レーザ光熱励起で発生した熱のデバイス領域への伝達、及びデバイス面に塗布されたレジスト残が原因で歩留まりが悪化した。
【００４９】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００５０】
１  ウエハ、２  シリコン酸化膜、３  アモルファスシリコン層、４  カーボン層、５  レジスト膜、６  テンプレート、７  ＳＯＧ膜、１１  回転台、１２  第１表面処理部、１３  第２表面処理部、１４  ガス収納部、１５  ＳｉＣＦ３膜、２１  シリコン酸化膜、２２  ＳＩＯＣＦｎ膜またはＳｉＣＦｎ膜
【図１】
0006507061.tif 000002
【図２Ａ】
0006507061.tif 000003
【図２Ｂ】
0006507061.tif 000004
【図２Ｃ】
0006507061.tif 000005
【図２Ｄ】
0006507061.tif 000006
【図２Ｅ】
0006507061.tif 000007
【図２Ｆ】
0006507061.tif 000008
【図３】
0006507061.tif 000009
【図４】
0006507061.tif 000010
【図５】
0006507061.tif 000011
【図６Ａ】
0006507061.tif 000012
【図６Ｂ】
0006507061.tif 000013
【図６Ｃ】
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【図７】
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