(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
電力スイッチ回路であって、
第１のトランジスタであり、前記第１のトランジスタの第１のソース／ドレイン端子は、第１の供給電圧を受け取り、前記第１のトランジスタの第２のソース／ドレイン端子は、ノードｚと接続されており、前記第１のトランジスタのゲート端子は、第２の供給電圧を受け取り、前記第１のトランジスタのボディ端子は、前記ノードｚと接続されており、前記ノードｚは出力端子であり、出力信号が、前記ノードｚから出力される、第１のトランジスタと、
第２のトランジスタであり、前記第２のトランジスタの第１のソース／ドレイン端子は、前記第２の供給電圧を受け取り、前記第２のトランジスタの第２のソース／ドレイン端子は、前記ノードｚと接続されており、前記第２のトランジスタのゲート端子は、前記第１の供給電圧を受け取り、前記第２のトランジスタのボディ端子は、前記ノードｚと接続されている、第２のトランジスタと、
バイアス電圧と前記ノードｚとの間に接続されている電流源と
を備え、
前記第１の供給電圧が前記第２の供給電圧よりも低い場合、前記第１の供給電圧が前記出力信号として選択され、前記第１の供給電圧が前記第２の供給電圧よりも高い場合、前記第２の供給電圧が前記出力信号として選択され、前記第１の供給電圧が前記第２の供給電圧に等しい場合、前記電流源により提供される電流が前記出力端子を充電し、前記バイアス電圧が前記出力信号として選択される、電力スイッチ回路。
【請求項２】
前記バイアス電圧は前記第１の供給電圧に等しく、または、前記バイアス電圧は前記第２の供給電圧に等しく、前記第１のトランジスタおよび前記第２のトランジスタはｎ型トランジスタであり、前記電流源は弱電流源である、請求項１に記載の電力スイッチ回路。
【請求項３】
電力スイッチ回路であって、
第１のトランジスタであり、前記第１のトランジスタの第１のソース／ドレイン端子は、第１の供給電圧を受け取り、前記第１のトランジスタの第２のソース／ドレイン端子は、ノードｚと接続されており、前記第１のトランジスタのゲート端子は、第２の供給電圧を受け取り、前記第１のトランジスタのボディ端子は、前記ノードｚと接続されており、出力信号が、前記ノードｚから出力される、第１のトランジスタと、
第２のトランジスタであり、前記第２のトランジスタの第１のソース／ドレイン端子は、前記第２の供給電圧を受け取り、前記第２のトランジスタの第２のソース／ドレイン端子は、前記ノードｚと接続されており、前記第２のトランジスタのゲート端子は、前記第１の供給電圧を受け取り、前記第２のトランジスタのボディ端子は、前記ノードｚと接続されており、前記第１の供給電圧が前記第２の供給電圧よりも低い場合、前記第１の供給電圧が前記出力信号として選択され、前記第１の供給電圧が前記第２の供給電圧よりも高い場合、前記第２の供給電圧が前記出力信号として選択される第２のトランジスタと、
第３のトランジスタであり、前記第３のトランジスタの第１のソース／ドレイン端子は、バイアス電圧を受け取り、前記第３のトランジスタの第２のソース／ドレイン端子は、前記ノードｚと接続されており、前記第３のトランジスタのゲート端子は、シフト信号を受信し、前記第３のトランジスタのボディ端子は、前記ノードｚと接続されている、第３のトランジスタと、
前記第１の供給電圧および前記第２の供給電圧を受け取り、出力電圧を生成する自動選択回路であり、前記第１の供給電圧が前記第２の供給電圧よりも低い場合、前記第１の供給電圧が前記出力電圧として選択され、前記第１の供給電圧が前記第２の供給電圧よりも高い場合、前記第２の供給電圧が前記出力電圧として選択される、自動選択回路と、
制御信号および前記自動選択回路の前記出力電圧に従って、前記制御信号を前記シフト信号に変換するためのレベルシフタと
を備える、電力スイッチ回路。
【請求項４】
前記バイアス電圧は前記第１の供給電圧に等しく、または、前記バイアス電圧は前記第２の供給電圧に等しく、前記第１のトランジスタ、前記第２のトランジスタおよび前記第３のトランジスタはｎ型トランジスタである、請求項３に記載の電力スイッチ回路。
【請求項５】
前記自動選択回路は、
第４のトランジスタであって、前記第４のトランジスタの第１のソース／ドレイン端子は、前記第１の供給電圧を受け取り、前記第４のトランジスタの第２のソース／ドレイン端子は、前記出力電圧を生成し、前記第４のトランジスタのゲート端子は、前記第２の供給電圧を受け取り、前記第４のトランジスタのボディ端子は、前記第４のトランジスタの前記第２のソース／ドレイン端子と接続されている、第４のトランジスタと、
第５のトランジスタであって、前記第５のトランジスタの第１のソース／ドレイン端子は、前記第２の供給電圧を受け取り、前記第５のトランジスタの第２のソース／ドレイン端子およびボディ端子は、前記第４のトランジスタの前記第２のソース／ドレイン端子と接続されており、前記第５のトランジスタのゲート端子は、前記第１の供給電圧を受け取る、第５のトランジスタと
を備える、請求項３に記載の電力スイッチ回路。
【請求項６】
第４のトランジスタであって、前記第４のトランジスタの第１のソース／ドレイン端子およびボディ端子は、前記第１の供給電圧を受け取り、前記第４のトランジスタの第２のソース／ドレイン端子は、ノードａと接続されており、前記第４のトランジスタのゲート端子は、前記第２の供給電圧を受け取る、第４のトランジスタと、
第５のトランジスタであって、前記第５のトランジスタの第１のソース／ドレイン端子およびボディ端子は、前記第２の供給電圧を受け取り、前記第５のトランジスタの第２のソース／ドレイン端子は、ノードｂと接続されており、前記第５のトランジスタのゲート端子は、前記第１の供給電圧を受け取る、第５のトランジスタと、
電圧源と前記ノードａとの間に接続されている第１の電流源と、
前記電圧源と前記ノードｂとの間に接続されている第２の電流源と、
ＡＮＤゲートであって、前記ＡＮＤゲートの２つの入力端子はそれぞれ前記ノードａおよび前記ノードｂと接続されており、前記ＡＮＤゲートの出力端子は前記制御信号を生成する、ＡＮＤゲートと
をさらに備える、請求項３に記載の電力スイッチ回路。
【請求項７】
電力スイッチ回路であって、
第１のトランジスタであり、前記第１のトランジスタの第１のソース／ドレイン端子は、第１の供給電圧を受け取り、前記第１のトランジスタの第２のソース／ドレイン端子は、ノードｗと接続されており、前記第１のトランジスタのゲート端子は、第１のシフト信号を受信し、出力信号が、前記ノードｗから出力される、第１のトランジスタと、
第２のトランジスタであり、前記第２のトランジスタの第１のソース／ドレイン端子は、第２の供給電圧を受け取り、前記第２のトランジスタの第２のソース／ドレイン端子は、前記ノードｗと接続されており、前記第２のトランジスタのゲート端子は、第２のシフト信号を受信する、第２のトランジスタと、
前記第１の供給電圧および前記第２の供給電圧を受け取り、出力電圧を生成する第１の自動選択回路であり、前記第１の供給電圧が前記第２の供給電圧よりも低い場合、前記第１の供給電圧が前記出力電圧として選択され、前記第１の供給電圧が前記第２の供給電圧よりも高い場合、前記第２の供給電圧が前記出力電圧として選択される、第１の自動選択回路と、
第１の制御信号および前記第１の自動選択回路の前記出力電圧に従って、前記第１の制御信号を前記第１のシフト信号に変換するための第１のレベルシフタと、
第２の制御信号および前記第１の自動選択回路の前記出力電圧に従って、前記第２の制御信号を前記第２のシフト信号に変換するための第２のレベルシフタと、
第３のトランジスタであって、前記第３のトランジスタの第１のソース／ドレイン端子は、バイアス電圧を受け取り、前記第３のトランジスタの第２のソース／ドレイン端子は、前記ノードｗと接続されており、前記第３のトランジスタのゲート端子は、第３のシフト信号を受信する、第３のトランジスタと、
第３の制御信号および前記出力電圧に従って、前記第３の制御信号を前記第３のシフト信号に変換するための第３のレベルシフタと、
を備え、
前記第１の制御信号および前記第２の制御信号が第１の論理レベル状態にあるとき、前記第３の制御信号が第２の論理レベル状態にある、
電力スイッチ回路。
【請求項８】
前記バイアス電圧は前記第１の供給電圧に等しく、または、前記バイアス電圧は前記第２の供給電圧に等しい、
請求項７に記載の電力スイッチ回路。
【請求項９】
第４のトランジスタであって、前記第４のトランジスタの第１のソース／ドレイン端子およびボディ端子は、前記第１の供給電圧を受け取り、前記第４のトランジスタの第２のソース／ドレイン端子は、ノードｃと接続されており、前記第４のトランジスタのゲート端子は、前記第２の供給電圧を受け取る、第４のトランジスタと、
第５のトランジスタであって、前記第５のトランジスタの第１のソース／ドレイン端子およびボディ端子は、前記第２の供給電圧を受け取り、前記第５のトランジスタの第２のソース／ドレイン端子は、ノードｄと接続されており、前記第５のトランジスタのゲート端子は、前記第１の供給電圧を受け取る、第５のトランジスタと、
電圧源と前記ノードｃとの間に接続されている第１の電流源と、
前記電圧源および前記ノードｄの間に接続されている第２の電流源と、
ＡＮＤゲートであって、前記ＡＮＤゲートの２つの入力端子はそれぞれ前記ノードｃおよび前記ノードｄと接続されており、前記ＡＮＤゲートの出力端子は前記第３の制御信号を生成する、ＡＮＤゲートと、
をさらに備える、
請求項７に記載の電力スイッチ回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は電力スイッチ回路に関し、より詳細には、不揮発性メモリのための電力スイッチ回路に関する。
【背景技術】
【０００２】
周知であるように、不揮発性メモリは、電力の供給が遮断された後も、継続的にデータを保持することが可能である。それゆえ、不揮発性メモリは、様々な電子製品に広く使用されている。一般的に、不揮発性メモリは、不揮発性セルアレイを含む。メモリアレイは、複数の不揮発性セルから構成される。加えて、各不揮発性セルは、フローティングゲートトランジスタを有する。
【０００３】
図１は、不揮発性メモリの構造を概略的に示している。図１に示すように、不揮発性メモリは、不揮発性セルアレイ１１０と、電力スイッチ回路１２０とを備える。電力スイッチ回路１２０は、不揮発性セルアレイ１１０と接続されている。電力スイッチ回路１２０は、複数の供給電圧を受け取る。加えて、電力スイッチ回路１２０は、複数の異なる動作モードにおいて適切な供給電圧（すなわち、出力信号Ｖｓ）を不揮発性セルアレイ１１０に提供する。
【０００４】
たとえば、電力スイッチ回路１２０は、第１の供給電圧および第２の供給電圧を受け取る。消去モードにおいて、電力スイッチ回路１２０は、第１の供給電圧を不揮発性セルアレイ１１０に提供する。プログラムモードにおいて、電力スイッチ回路１２０は、第２の供給電圧を不揮発性セルアレイ１１０に提供する。さらに、米国特許第８，２５８，８５３号明細書が、電力スイッチ回路を開示している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】米国特許第８，２５８，８５３号明細書
【発明の概要】
【０００６】
本発明の一実施形態は、電力スイッチ回路を提供する。電力スイッチ回路は、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、電流源とを含む。第１のトランジスタの第１のソース／ドレイン端子は、第１の供給電圧を受け取る。第１のトランジスタの第２のソース／ドレイン端子は、ノードｚと接続されている。第１のトランジスタのゲート端子は、第２の供給電圧を受け取る。第１のトランジスタのボディ端子は、ノードｚと接続されている。出力信号が、ノードｚから出力される。第２のトランジスタの第１のソース／ドレイン端子は、第２の供給電圧を受け取る。第２のトランジスタの第２のソース／ドレイン端子は、ノードｚと接続されている。第２のトランジスタのゲート端子は、第１の供給電圧を受け取る。第２のトランジスタのボディ端子は、ノードｚと接続されている。電流源は、バイアス電圧とノードｚとの間に接続されている。第１の供給電圧が第２の供給電圧よりも低い場合、第１の供給電圧が出力信号として選択される。第１の供給電圧が第２の供給電圧よりも高い場合、第２の供給電圧が出力信号として選択される。第１の供給電圧が第２の供給電圧に等しい場合、バイアス電圧が出力信号として選択される。
【０００７】
本発明の別の実施形態は、電力スイッチ回路を提供する。電力スイッチ回路は、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、第３のトランジスタと、自動選択回路と、レベルシフタとを含む。第１のトランジスタの第１のソース／ドレイン端子は、第１の供給電圧を受け取る。第１のトランジスタの第２のソース／ドレイン端子は、ノードｚと接続されている。第１のトランジスタのゲート端子は、第２の供給電圧を受け取る。第１のトランジスタのボディ端子は、ノードｚと接続されている。出力信号が、ノードｚから出力される。第２のトランジスタの第１のソース／ドレイン端子は、第２の供給電圧を受け取る。第２のトランジスタの第２のソース／ドレイン端子は、ノードｚと接続されている。第２のトランジスタのゲート端子は、第１の供給電圧を受け取る。第２のトランジスタのボディ端子は、ノードｚと接続されている。第３のトランジスタの第１のソース／ドレイン端子は、バイアス電圧を受け取る。第３のトランジスタの第２のソース／ドレイン端子は、ノードｚと接続されている。第３のトランジスタのゲート端子は、シフト信号を受信する。第３のトランジスタのボディ端子は、ノードｚと接続されている。自動選択回路は、第１の供給電圧および第２の供給電圧を受け取り、出力電圧を生成する。第１の供給電圧が第２の供給電圧よりも低い場合、第１の供給電圧が出力電圧として選択される。第１の供給電圧が第２の供給電圧よりも高い場合、第２の供給電圧が出力電圧として選択される。レベルシフタは、制御信号および出力電圧に従って、制御信号をシフト信号に変換するために使用される。
【０００８】
本発明のさらなる実施形態は、電力スイッチ回路を提供する。電力スイッチ回路は、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、第１の自動選択回路と、第１のレベルシフタと、第２のレベルシフタとを含む。第１のトランジスタの第１のソース／ドレイン端子は、第１の供給電圧を受け取る。第１のトランジスタの第２のソース／ドレイン端子は、ノードｗと接続されている。第１のトランジスタのゲート端子は、第１のシフト信号を受信する。出力信号が、ノードｗから出力される。第２のトランジスタの第１のソース／ドレイン端子は、第２の供給電圧を受け取る。第２のトランジスタの第２のソース／ドレイン端子は、ノードｗと接続されている。第２のトランジスタのゲート端子は、第２のシフト信号を受信する。第１の自動選択回路は、第１の供給電圧および第２の供給電圧を受け取り、出力電圧を生成する。第１の供給電圧が第２の供給電圧よりも低い場合、第１の供給電圧が出力電圧として選択される。第１の供給電圧が第２の供給電圧よりも高い場合、第２の供給電圧が出力電圧として選択される。第１のレベルシフタは、第１の制御信号および出力電圧に従って、第１の制御信号を第１のシフト信号に変換するために使用される。第２のレベルシフタは、第２の制御信号および出力電圧に従って、第２の制御信号を第２のシフト信号に変換するために使用される。
【０００９】
添付の図面とともに取り上げられるときに本発明の実施形態の以下の詳細な説明を読めば、本発明の多数の目的、特徴および利点が容易に諒解されよう。しかしながら、本明細書において利用されている図面は説明を目的としたものであり、限定として考えられるべきではない。
【００１０】
本発明の上記の目的および利点は、当業者には、以下の詳細な説明および添付の図面を検討した後に、より容易に諒解されるようになるであろう。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】（従来技術）不揮発性メモリの構造を概略的に示す図である。
【００１２】
【図２Ａ】自動選択回路の概略回路図である。
【００１３】
【図２Ｂ】図２Ａの自動選択回路の関連信号の電圧レベルを示す真理値表の図である。
【００１４】
【図３Ａ】本発明の第１の実施形態による電力スイッチ回路を示す概略回路図であるる。
【００１５】
【図３Ｂ】図３Ａの電力スイッチ回路の関連信号の電圧レベルを示す真理値表の図である。
【００１６】
【図４】本発明の第２の実施形態による電力スイッチ回路を示す概略回路図である。
【００１７】
【図５Ａ】本発明の第３の実施形態による電力スイッチ回路を示す概略回路図である。
【００１８】
【図５Ｂ】図５Ａの電力スイッチ回路の関連信号の電圧レベルを示す真理値表の図である。
【００１９】
【図６Ａ】本発明の第４の実施形態による電力スイッチ回路を示す概略回路図である。
【００２０】
【図６Ｂ】図６Ａの電力スイッチ回路の関連信号の電圧レベルを示す真理値表の図である。
【００２１】
【図７】本発明の第５の実施形態による電力スイッチ回路を示す概略回路図である。
【００２２】
【図８】本発明の第６の実施形態による電力スイッチ回路を示す概略回路図である。
【００２３】
【図９】本発明の第７の実施形態による電力スイッチ回路を示す概略回路図である。
【００２４】
【図１０】本発明の第８の実施形態による電力スイッチ回路を示す概略回路図である。
【００２５】
【図１１】本発明の第９の実施形態による電力スイッチ回路を示す概略回路図である。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
図２Ａは、自動選択回路の概略回路図である。図２Ａに示すように、自動選択回路１０は、２つのｎ型トランジスタｍａおよびｍｂを備える。トランジスタｍａの第１のソース／ドレイン端子は、ノードｘと接続されている。トランジスタｍａの第２のソース／ドレイン端子は、ノードｚと接続されている。トランジスタｍａのゲート端子は、ノードｙと接続されている。トランジスタｍａのボディ端子は、ノードｚと接続されている。トランジスタｍｂの第１のソース／ドレイン端子は、ノードｙと接続されている。トランジスタｍｂの第２のソース／ドレイン端子は、ノードｚと接続されている。トランジスタｍｂのゲート端子は、ノードｘと接続されている。トランジスタｍｂのボディ端子は、ノードｚと接続されている。ノードｘおよびノードｙは、自動選択回路１０の２つの入力端子である。その上、ノードｘおよびノードｙは、それぞれ供給電圧Ｖｐ１およびＶｐ２を受け取る。ノードｚは、自動選択回路１０の出力端子である。２つの供給電圧Ｖｐ１およびＶｐ２のうちの一方が、出力信号Ｖｓとして選択され、ノードｚから出力される。
【００２７】
一実施形態において、供給電圧Ｖｐ１およびＶｐ２の高さは、０Ｖ以下である。２つの供給電圧Ｖｐ１とＶｐ２との間で、より低い供給電圧が、自動選択回路１０によって出力信号Ｖｓとして自動的に選択される。別の実施形態において、供給電圧Ｖｐ１およびＶｐ２の大きさは、０Ｖよりも高い。同様に、２つの供給電圧Ｖｐ１とＶｐ２との間で、より低い供給電圧が、自動選択回路１０によって出力信号Ｖｓとして自動的に選択される。
【００２８】
図２Ｂは、図２Ａの自動選択回路の関連信号の電圧レベルを示す真理値表である。供給電圧Ｖｐ１が０Ｖであり、供給電圧Ｖｐ２が−４Ｖである場合、トランジスタｍｂがオンにされ、トランジスタｍａがオフにされる。供給電圧Ｖｐ２がより低い高さ（すなわち、−４Ｖ）を有するため、供給電圧Ｖｐ２が出力信号Ｖｓとして選択される。供給電圧Ｖｐ１が−６Ｖであり、供給電圧Ｖｐ２が−４Ｖである場合、トランジスタｍａがオンにされ、トランジスタｍｂがオフにされる。供給電圧Ｖｐ１がより低い高さ（すなわち、−６Ｖ）を有するため、供給電圧Ｖｐ１が出力信号Ｖｓとして選択される。
【００２９】
上記で言及したように、より低い供給電圧が、自動選択回路１０によって出力信号Ｖｓとして自動的に選択される。さらに、出力信号Ｖｓのより低い高さが、トランジスタｍａおよびｍｂのボディ端子電圧として使用される。このようにして、トランジスタｍａおよびｍｂのボディ効果をなくすことができる。
【００３０】
その上、供給電圧Ｖｐ１およびＶｐ２の高さが同一であるか、または、２つの供給電圧のうちの一方が提供されない場合、出力信号Ｖｓは０Ｖ、または、フローティング状態になり得る。この状況下で、出力信号Ｖｓの高さは、供給電圧からＶｔｎを減算した結果に等しく、ここで、Ｖｔｎはトランジスタｍａおよびｍｂの閾値電圧である。
【００３１】
図２Ｂを参照されたい。供給電圧Ｖｐ１およびＶｐ２の両方が０Ｖである場合、出力信号Ｖｓの高さは０−Ｖｔｎに等しい。供給電圧Ｖｐ１が０Ｖであり、供給電圧Ｖｐ２が提供されない（すなわち、ノードｙ２がフローティング状態にある）場合、出力信号Ｖｓの高さは、０−Ｖｔｎに等しい。
【００３２】
図３Ａは、本発明の第１の実施形態による電力スイッチ回路を示す概略回路図である。図３Ａに示すように、電力スイッチ回路３００は、２つの自動選択回路３１０、３２０と、レベルシフタ３３０と、ｎ型トランジスタｍｃとを備える。自動選択回路３１０の回路要素および自動選択回路３２０の回路要素は、図２Ａの自動選択回路の回路要素と同一である。
【００３３】
自動選択回路３１０は、２つの供給電圧Ｖｐ１およびＶｐ２を受け取る。加えて、より低い供給電圧が、自動選択回路３１０によって出力信号Ｖｓとして自動的に選択される。同じく、自動選択回路３２０は、２つの供給電圧Ｖｐ１およびＶｐ２を受け取る。加えて、より低い供給電圧が、自動選択回路３２０によって出力信号Ｖｘとして自動的に選択される。出力電圧Ｖｘは、レベルシフタ３３０の電圧源として使用される。
【００３４】
レベルシフタ３３０は、制御信号ＥＮ＿ｍｃを受信する。電圧源Ｖｘおよび制御信号ＥＮ＿ｍｃに従って、レベルシフタ３３０は、制御信号ＥＮ＿ｍｃをシフトダウンしてシフト信号Ｓｃにすることが可能である。たとえば、制御信号ＥＮ＿ｍｃがハイ論理レベル状態（たとえば、３．３Ｖ）にある場合、レベルシフタ３３０からのシフト信号Ｓｃの電圧レベルは、３．３Ｖに維持される。一方で、制御信号ＥＮ＿ｍｃがロー論理レベル状態（たとえば、０Ｖ）にある場合、レベルシフタ３３０からのシフト信号Ｓｃの電圧レベルは、電圧源Ｖｘの電圧レベルにシフトされる。
【００３５】
一実施形態において、供給電圧Ｖｐ１およびＶｐ２の高さが異なるとき、制御信号ＥＮ＿ｍｃはロー論理レベル状態にあり、供給電圧Ｖｐ１およびＶｐ２の高さが同一であるとき、制御信号ＥＮ＿ｍｃはハイ論理レベル状態にあり、供給電圧Ｖｐ１およびＶｐ２のうちの一方がフローティング状態にあるとき、制御信号ＥＮ＿ｍｃはハイ論理レベル状態にある。
【００３６】
トランジスタｍｃの第１のソース／ドレイン端子は、バイアス電圧Ｖｂｉａｓと接続されている。トランジスタｍｃの第２のソース／ドレイン端子およびボディ端子は、電力スイッチ回路３００の出力端子（すなわち、ノードｚ）と接続されている。トランジスタｍｃのゲート端子は、シフト信号Ｓｃを受信する。一実施形態において、バイアス電圧Ｖｂｉａｓは、供給電圧Ｖｐ１およびＶｐ２のうちの一方である。
【００３７】
図３Ｂは、図３Ａの電力スイッチ回路の関連信号の電圧レベルを示す真理値表である。供給電圧Ｖｐ１が０Ｖであり、供給電圧Ｖｐ２が−４Ｖである場合、制御信号ＥＮ＿ｍｃはロー論理レベル状態（Ｌｏ＝０Ｖ）にあり、シフト信号Ｓｃの電圧レベルは−４Ｖである。その間、トランジスタｍｃはオフにされる。トランジスタｍｂがオンにされ、トランジスタｍａがオフにされるため、より低い高さ（すなわち、−４Ｖ）を有する供給電圧Ｖｐ２が出力信号Ｖｓとして選択される。
【００３８】
供給電圧Ｖｐ１が−６Ｖであり、供給電圧Ｖｐ２が−４Ｖである場合、制御信号ＥＮ＿ｍｃはロー論理レベル状態（Ｌｏ＝０Ｖ）にあり、シフト信号Ｓｃの電圧レベルは−６Ｖである。その間、トランジスタｍｃはオフにされる。トランジスタｍａがオンにされ、トランジスタｍｂがオフにされるため、より低い高さ（すなわち、−６Ｖ）を有する供給電圧Ｖｐ１が出力信号Ｖｓとして選択される。
【００３９】
供給電圧Ｖｐ１およびＶｐ２が同一である場合、トランジスタｍａおよびｍｂの両方がオフにされる。制御信号ＥＮ＿ｍｃはハイ論理レベル状態（Ｈｉ＝３．３Ｖ）にあり、シフト信号Ｓｃの電圧レベルは３．３Ｖであるため、トランジスタｍｃはオンにされる。この状況下では、バイアス電圧Ｖｂｉａｓが出力信号Ｖｓとして選択される。
【００４０】
供給電圧Ｖｐ２がフローティング状態にある場合、トランジスタｍａおよびｍｂの両方がオフにされる。制御信号ＥＮ＿ｍｃはハイ論理レベル状態（Ｈｉ＝３．３Ｖ）にあり、シフト信号Ｓｃの電圧レベルは３．３Ｖであるため、トランジスタｍｃはオンにされる。この状況下では、バイアス電圧Ｖｂｉａｓが出力信号Ｖｓとして選択される。その上、バイアス電圧Ｖｂｉａｓは、２つの供給電圧Ｖｐ１およびＶｐ２のうちの一方に等しい。
【００４１】
上記の説明から、この実施形態の電力スイッチ回路３００は、より低い供給電圧を出力信号Ｖｓとして選択し、供給電圧Ｖｐ１が供給電圧Ｖｐ２に等しいときに出力信号Ｖｓがフローティング状態になるのを防止することが可能である。
【００４２】
図４は、本発明の第２の実施形態による電力スイッチ回路を示す概略回路図である。図３Ａの電力スイッチ回路３００と比較して、電力スイッチ回路４００は、制御信号ＥＮ＿ｍｃを生成するための制御回路４１０をさらに備える。
【００４３】
図４に示すように、制御回路４１０は、トランジスタｍｄ、ｍｅと、電流源４１４、４１６と、ＡＮＤゲート４１２とを備える。電流源４１４は、電圧源Ｖｄｄとノードａとの間に接続されている。トランジスタｍｄの第１のソース／ドレイン端子およびボディ端子は、供給電圧Ｖｐ１を受け取る。トランジスタｍｄの第２のソース／ドレイン端子は、ノードａと接続されている。トランジスタｍｄのゲート端子は、供給電圧Ｖｐ２を受け取る。電流源４１６は、電圧源Ｖｄｄとノードｂとの間に接続されている。トランジスタｍｅの第１のソース／ドレイン端子およびボディ端子は、供給電圧Ｖｐ２を受け取る。トランジスタｍｅの第２のソース／ドレイン端子は、ノードｂと接続されている。トランジスタｍｅのゲート端子は、供給電圧Ｖｐ１を受け取る。ＡＮＤゲート４１２の２つの入力端子は、それぞれノードａおよびｂと接続されている。ＡＮＤゲート４１２の出力端子は、制御信号ＥＮ＿ｍｃを生成する。一実施形態において、電圧源Ｖｄｄの電圧は３．３Ｖであり、バイアス電圧Ｖｂｉａｓは２つの供給電圧Ｖｐ１およびＶｐ２のうちの一方に等しい。
【００４４】
供給電圧Ｖｐ１およびＶｐ２の高さが異なる場合、トランジスタｍｄおよびｍｅのうちの一方がオンにされ、トランジスタｍｄおよびｍｅのうちの他方がオフにされる。たとえば、供給電圧Ｖｐ１が０Ｖであり、供給電圧Ｖｐ２が−４Ｖである場合、トランジスタｍｅがオンにされ、トランジスタｍｄがオフにされる。それゆえ、ノードａはハイ論理レベル状態になり、ノードｂはロー論理レベル状態になり、ＡＮＤゲート４１２からの制御信号ＥＮ＿ｍｃはロー論理レベル状態になる。
【００４５】
供給電圧Ｖｐ１およびＶｐ２が同一である場合、トランジスタｍｄおよびｍｅの両方がオフにされる。たとえば、供給電圧Ｖｐ１が０Ｖであり、供給電圧Ｖｐ２が０Ｖである場合、トランジスタｍｄおよびｍｅの両方がオフにされる。それゆえ、ノードａおよびノードｂはハイ論理レベル状態になり、ＡＮＤゲート４１２からの制御信号ＥＮ＿ｍｃはハイ論理レベル状態になる。
【００４６】
供給電圧Ｖｐ１およびＶｐ２のうちの一方がフローティング状態にある場合、トランジスタｍｄおよびｍｅの両方がオフにされる。それゆえ、ＡＮＤゲート４１２からの制御信号ＥＮ＿ｍｃはハイ論理レベル状態になる。
【００４７】
電力スイッチ回路４００の真理値表は図３Ｂのものと同様であり、ここで重複して記載することはしない。上記の説明から、この実施形態の電力スイッチ回路４００は、より低い供給電圧を出力信号Ｖｓとして選択し、供給電圧Ｖｐ１が供給電圧Ｖｐ２に等しいときに出力信号Ｖｓがフローティング状態になるのを防止することが可能である。
【００４８】
図５Ａは、本発明の第３の実施形態による電力スイッチ回路を示す概略回路図である。図５Ａに示すように、電力スイッチ回路５００は、自動選択回路３１０と、弱電流源５１０とを備える。自動選択回路３１０の回路要素は、図２Ａの自動選択回路の回路要素と同一である。弱電流源５１０はバイアス電圧Ｖｂｉａｓと自動選択回路３１０の出力端子（またはノードｚ）との間に接続されている。同様に、この実施形態の電力スイッチ回路５００は、供給電圧Ｖｐ１が供給電圧Ｖｐ２に等しいときに出力信号Ｖｓがフローティング状態になるのを防止することが可能である。
【００４９】
図５Ｂは、図５Ａの電力スイッチ回路の関連信号の電圧レベルを示す真理値表である。供給電圧Ｖｐ１が０Ｖであり、供給電圧Ｖｐ２が−４Ｖである場合、トランジスタｍｂがオンにされ、トランジスタｍａがオフにされる。それゆえ、より低い高さ（すなわち、−４Ｖ）を有する供給電圧Ｖｐ２が、出力信号Ｖｓとして選択される。
【００５０】
供給電圧Ｖｐ１が−６Ｖであり、供給電圧Ｖｐ２が−４Ｖである場合、トランジスタｍａがオンにされ、トランジスタｍｂがオフにされる。それゆえ、より低い高さ（すなわち、−６Ｖ）を有する供給電圧Ｖｐ１が、出力信号Ｖｓとして選択される。
【００５１】
供給電圧Ｖｐ１およびＶｐ２の高さが同一であるか、または、２つの供給電圧のうちの一方が提供されない場合、トランジスタｍａおよびｍｂの両方がオフにされる。その間、弱電流源５１０によって提供される弱電流が、ノードｚを充電する。それゆえ、ノードｚの電圧はバイアス電圧Ｖｂｉａｓに維持され、ノードｚはフローティング状態にならない。その上、バイアス電圧Ｖｂｉａｓは、２つの供給電圧Ｖｐ１およびＶｐ２のうちの一方に等しい。
【００５２】
上記の説明から、この実施形態の電力スイッチ回路５００は、より低い供給電圧を出力信号Ｖｓとして選択し、供給電圧Ｖｐ１が供給電圧Ｖｐ２に等しいときに出力信号Ｖｓがフローティング状態になるのを防止することが可能である。
【００５３】
図６Ａは、本発明の第４の実施形態による電力スイッチ回路を示す概略回路図である。図６Ａに示すように、電力スイッチ回路６００は、２つのｎ型トランジスタｍ１、ｍ２と、２つのレベルシフタ６２０、６３０と、自動選択回路６４０とを備える。電力スイッチ回路６００は２つの制御信号ＥＮ＿ｍ１およびＥＮ＿ｍ２を受信し、選択的に供給電圧Ｖｐ１または供給電圧Ｖｐ２を出力信号Ｖｓとして提供する。ハイ論理レベル状態における制御信号ＥＮ＿ｍ１およびＥＮ＿ｍ２の電圧レベルは３．３Ｖである。ロー論理レベル状態における制御信号ＥＮ＿ｍ１およびＥＮ＿ｍ２の電圧レベルは０Ｖである。
【００５４】
自動選択回路６４０は、２つの供給電圧Ｖｐ１およびＶｐ２を受け取る。加えて、より低い供給電圧が、自動選択回路６４０によって出力信号Ｖｘとして自動的に選択される。出力電圧Ｖｘは、レベルシフタ６２０および６３０の電圧源として使用される。自動選択回路６４０の回路要素は、図２Ａの自動選択回路の回路要素と同一である。
【００５５】
レベルシフタ６２０は、制御信号ＥＮ＿ｍ１を受信する。電圧源Ｖｘおよび制御信号ＥＮ＿ｍ１に従って、レベルシフタ６２０は、制御信号ＥＮ＿ｍ１をシフトダウンしてシフト信号Ｓ１にすることが可能である。たとえば、制御信号ＥＮ＿ｍ１がハイ論理レベル状態（たとえば、３．３Ｖ）にある場合、レベルシフタ６２０からのシフト信号Ｓ１の電圧レベルは、３．３Ｖに維持される。一方で、制御信号ＥＮ＿ｍ１がロー論理レベル状態（たとえば、０Ｖ）にある場合、レベルシフタ６２０からのシフト信号Ｓ１の電圧レベルは、電圧源Ｖｘの電圧レベルにシフトされる。
【００５６】
レベルシフタ６３０は、制御信号ＥＮ＿ｍ２を受信する。電圧源Ｖｘおよび制御信号ＥＮ＿ｍ２に従って、レベルシフタ６３０は、制御信号ＥＮ＿ｍ２をシフトダウンしてシフト信号Ｓ２にすることが可能である。たとえば、制御信号ＥＮ＿ｍ２がハイ論理レベル状態（たとえば、３．３Ｖ）にある場合、レベルシフタ６３０からのシフト信号Ｓ２の電圧レベルは、３．３Ｖに維持される。一方で、制御信号ＥＮ＿ｍ２がロー論理レベル状態（たとえば、０Ｖ）にある場合、レベルシフタ６３０からのシフト信号Ｓ２の電圧レベルは、電圧源Ｖｘの電圧レベルにシフトされる。
【００５７】
トランジスタｍ１の第１のソース／ドレイン端子は、供給電圧Ｖｐ１を受け取る。トランジスタｍ１の第２のソース／ドレイン端子は、ノードｗと接続されている。トランジスタｍ１のゲート端子は、シフト信号Ｓ１を受信する。トランジスタｍ２の第１のソース／ドレイン端子は、供給電圧Ｖｐ２を受け取る。トランジスタｍ２の第２のソース／ドレイン端子は、ノードｗと接続されている。トランジスタｍ２のゲート端子は、シフト信号Ｓ２を受信する。出力信号Ｖｓが、ノードｗから出力される。本発明の一実施形態において、ｍ１およびｍ２の両方のボディ端子は、電圧源Ｖｘに接続されている。
【００５８】
この実施形態において、供給電圧Ｖｐ１およびＶｐ２の高さは、０Ｖ以下である。図６Ｂは、図６Ａの電力スイッチ回路の関連信号の電圧レベルを示す真理値表である。供給電圧Ｖｐ１の高さが供給電圧Ｖｐ２の大きさよりも低い場合、供給電圧Ｖｐ１が、自動選択回路６４０によって自動的に出力電圧Ｖｘとして選択される。たとえば、供給電圧Ｖｐ１が−４Ｖであり、供給電圧Ｖｐ２が０Ｖである場合、自動選択回路６４０からの出力電圧Ｖｘは−４Ｖである。その上、消去モードのような、不揮発性セルアレイの複数の異なる動作モードに従って、制御信号ＥＮ＿ｍ１はハイ論理レベル状態（Ｈｉ＝３．３Ｖ）にあり、制御信号ＥＮ＿ｍ２はロー論理レベル状態（Ｌｏ＝０Ｖ）にあり、シフト信号Ｓ１は３．３Ｖであり、シフト信号Ｓ２は−４Ｖにある。それゆえ、トランジスタｍ１はオンにされ、トランジスタｍ２はオフにされる。この状況下では、供給電圧Ｖｐ１が、電力スイッチ回路６００によって出力信号Ｖｓとして選択される。すなわち、出力信号Ｖｓは−４Ｖに等しい。
【００５９】
他方、不揮発性セルアレイが読み出しモードのような別のモードにおいて操作される場合、制御信号ＥＮ＿ｍ１はロー論理レベル状態（Ｌｏ＝０Ｖ）にあり、制御信号ＥＮ＿ｍ２はハイ論理レベル状態（Ｈｉ＝３．３Ｖ）にあり、シフト信号Ｓ１は−４Ｖであり、シフト信号Ｓ２は３．３Ｖである。それゆえ、トランジスタｍ１はオフにされ、トランジスタｍ２はオンにされる。この状況下では、供給電圧Ｖｐ２が、電力スイッチ回路６００によって出力信号Ｖｓとして選択される。すなわち、出力信号Ｖｓは０Ｖに等しい。
【００６０】
供給電圧Ｖｐ１の高さが供給電圧Ｖｐ２の高さよりも高い場合、供給電圧Ｖｐ２が、自動選択回路６４０によって自動的に出力電圧Ｖｘとして選択される。いくつかの応用形態において、Ｖｐ１およびＶｐ２のうちの一方は内部ポンピング回路によって提供され、他方は外部から強制印加され、たとえば、供給電圧Ｖｐ１は−４Ｖであり、供給電圧Ｖｐ２は−６Ｖであり、自動選択回路６４０からの出力電圧Ｖｘは−６Ｖである。その上、制御信号ＥＮ＿ｍ１がハイ論理レベル状態（Ｈｉ＝３．３Ｖ）にあり、制御信号ＥＮ＿ｍ２がロー論理レベル状態（Ｌｏ＝０Ｖ）にある場合、シフト信号Ｓ１は３．３Ｖであり、シフト信号Ｓ２は−６Ｖである。それゆえ、トランジスタｍ１はオンにされ、トランジスタｍ２はオフにされる。この状況下では、供給電圧Ｖｐ１が、電力スイッチ回路６００によって出力信号Ｖｓとして選択される。すなわち、出力信号Ｖｓは−４Ｖに等しい。
【００６１】
他方、制御信号ＥＮ＿ｍ１がロー論理レベル状態（Ｌｏ＝０Ｖ）にあり、制御信号ＥＮ＿ｍ２がハイ論理レベル状態（Ｈｉ＝３．３Ｖ）にある場合、シフト信号Ｓ１は−６Ｖであり、シフト信号Ｓ２は３．３Ｖである。それゆえ、トランジスタｍ１はオフにされ、トランジスタｍ２はオンにされる。この状況下では、供給電圧Ｖｐ２が、電力スイッチ回路６００によって出力信号Ｖｓとして選択される。すなわち、出力信号Ｖｓは−６Ｖに等しい。
【００６２】
図７は、本発明の第５の実施形態による電力スイッチ回路を示す概略回路図である。図７に示すように、電力スイッチ回路６５０は、ｎ型トランジスタｍ１と、レベルシフタ６５２と、自動選択回路６５４とを備える。電力スイッチ回路６５０は制御信号ＥＮ＿ｍ１を受信し、選択的に供給電圧Ｖｐ１を出力信号Ｖｓとして提供する。ハイ論理レベル状態における制御信号ＥＮ＿ｍ１の電圧レベルは３．３Ｖである。ロー論理レベル状態における制御信号ＥＮ＿ｍ１の電圧レベルは０Ｖである。
【００６３】
この実施形態において、自動選択回路６５４は供給電圧Ｖｐ１および出力信号Ｖｓを受け取る。その上、供給電圧Ｖｐ１および出力信号Ｖｓのうちの、より低い一方が、自動選択回路６５４によってトランジスタｍ１のボディ端子に送信され、トランジスタｍ１のボディ電圧Ｖｘとして使用される。さらに、自動選択回路６５４の出力電圧Ｖｘは、レベルシフタ６５２の電圧源として使用される。自動選択回路６５４の回路要素は、図２Ａの自動選択回路の回路要素と同一である。
【００６４】
この実施形態において、自動選択回路６５４は供給電圧Ｖｐ１および出力信号Ｖｓを受け取る。その上、供給電圧Ｖｐ１および出力信号Ｖｓのうちの、より低い一方が、自動選択回路６５４によってトランジスタｍ１のボディ端子に送信され、トランジスタｍ１のボディ電圧Ｖｘとして使用される。それゆえ、トランジスタｍ１のボディ効果をなくすことができる。
【００６５】
図８は、本発明の第６の実施形態による電力スイッチ回路を示す概略回路図である。図６Ａの電力スイッチ回路６００と比較して、この実施形態の電力スイッチ回路７００は、２つの自動選択回路７１０および７２０をさらに備える。自動選択回路７１０の回路要素および自動選択回路７２０の回路要素は、図２Ａの自動選択回路の回路要素と同一である。これ以降、自動選択回路７１０および７２０の動作のみを記載する。
【００６６】
この実施形態において、自動選択回路７１０は供給電圧Ｖｐ１および出力信号Ｖｓを受け取る。その上、供給電圧Ｖｐ１および出力信号Ｖｓのうちの、より低い一方が、自動選択回路７１０によってトランジスタｍ１のボディ端子に送信され、トランジスタｍ１のボディ電圧Ｖｍ１ｂとして使用される。自動選択回路７２０は供給電圧Ｖｐ２および出力信号Ｖｓを受け取る。その上、供給電圧Ｖｐ２および出力信号Ｖｓのうちの、より低い一方が、自動選択回路７２０によってトランジスタｍ２のボディ端子に送信され、トランジスタｍ２のボディ電圧Ｖｍ２ｂとして使用される。それゆえ、トランジスタｍ１およびｍ２のボディ効果をなくすことができる。
【００６７】
電力スイッチ回路７００の真理値表は図６Ｂのものと同様であり、ここで重複して記載することはしない。
【００６８】
図９は、本発明の第７の実施形態による電力スイッチ回路を示す概略回路図である。図８の電力スイッチ回路７００と比較して、この実施形態の電力スイッチ回路８００は、ｎ型トランジスタｍ３とレベルシフタ８１０とをさらに備える。この実施形態の電力スイッチ回路８００は、制御信号ＥＮ＿ｍ１およびＥＮ＿ｍ２が両方ともロー論理レベル状態にあるときにノードｗがフローティング状態になるのを防止するために使用される。
【００６９】
レベルシフタ８１０は、制御信号ＥＮ＿ｍ３を受信する。電圧源Ｖｘに従って、レベルシフタ８１０は、制御信号ＥＮ＿ｍ３をシフトダウンしてシフト信号Ｓ３にすることが可能である。たとえば、制御信号ＥＮ＿ｍ３がハイ論理レベル状態（たとえば、３．３Ｖ）にある場合、レベルシフタ８１０からのシフト信号Ｓ３の電圧レベルは、３．３Ｖに維持される。一方で、制御信号ＥＮ＿ｍ３がロー論理レベル状態（たとえば、０Ｖ）にある場合、レベルシフタ８１０からのシフト信号Ｓ３の電圧レベルは、電圧源Ｖｘの電圧レベルにシフトされる。
【００７０】
トランジスタｍ３の第１のソース／ドレイン端子は、バイアス電圧Ｖｂｉａｓと接続されている。トランジスタｍ３の第２のソース／ドレイン端子は、ノードｗと接続されている。トランジスタｍ３のゲート端子は、シフト信号Ｓ３を受信する。トランジスタｍ３のボディ端子は、自動選択回路６４０から出力電圧Ｖｘを受け取る。
【００７１】
制御信号ＥＮ＿ｍ１およびＥＮ＿ｍ２がロー論理レベル状態にあるとき、制御信号ＥＮ＿ｍ３はハイ論理レベル状態にある。それゆえ、制御信号ＥＮ＿ｍ１およびＥＮ＿ｍ２が両方ともロー論理レベル状態にあり、トランジスタｍ１およびｍ２が両方ともオフにされているとき、トランジスタｍ３はシフト信号Ｓ３に応答してオンにされる。この状況下では、ノードｗの電圧はバイアス電圧Ｖｂｉａｓに維持され、ノードｗはフローティング状態にならない。その上、バイアス電圧Ｖｂｉａｓは、２つの供給電圧Ｖｐ１およびＶｐ２のうちの一方に等しい。
【００７２】
図１０は、本発明の第８の実施形態による電力スイッチ回路を示す概略回路図である。図９の電力スイッチ回路８００と比較して、この実施形態の電力スイッチ回路９００は、制御信号ＥＮ＿ｍ３を生成するための制御回路９１０をさらに備える。
【００７３】
図１０に示すように、制御回路９１０は、トランジスタｍ４、ｍ５と、電流源９１４、９１６と、ＡＮＤゲート９１２とを備える。電流源９１４は、電圧源Ｖｄｄとノードｃとの間に接続されている。トランジスタｍ４の第１のソース／ドレイン端子およびボディ端子は、供給電圧Ｖｐ１を受け取る。トランジスタｍ４の第２のソース／ドレイン端子は、ノードｃと接続されている。トランジスタｍ４のゲート端子は、供給電圧Ｖｐ２を受け取る。電流源９１６は、電圧源Ｖｄｄとノードｄとの間に接続されている。トランジスタｍ５の第１のソース／ドレイン端子およびボディ端子は、供給電圧Ｖｐ２を受け取る。トランジスタｍ５の第２のソース／ドレイン端子は、ノードｄと接続されている。トランジスタｍ５のゲート端子は、供給電圧Ｖｐ１を受け取る。ＡＮＤゲート９１２の２つの入力端子は、それぞれノードｃおよびｄと接続されている。ＡＮＤゲート９１２の出力端子は、制御信号ＥＮ＿ｍ３を生成する。一実施形態において、電圧源Ｖｄｄの電圧は３．３Ｖである。
【００７４】
供給電圧Ｖｐ１およびＶｐ２が同一であり、制御信号ＥＮ＿ｍ１およびＥＮ＿ｍ２が両方ともロー論理レベル状態にある場合、トランジスタｍ１およびｍ２の両方がオフにされる。たとえば、供給電圧Ｖｐ１が０Ｖであり、供給電圧Ｖｐ２が０Ｖである場合、トランジスタｍ４およびｍ５の両方がオフにされる。それゆえ、ノードｃおよびノードｄはハイ論理レベル状態になり、ＡＮＤゲート９１２からの制御信号ＥＮ＿ｍ３はハイ論理レベル状態になる。
【００７５】
制御信号ＥＮ＿ｍ３がハイ論理レベル状態にあるとき、トランジスタｍ３はシフト信号Ｓ３に応答してオンにされる。この状況下では、ノードｗの電圧はバイアス電圧Ｖｂｉａｓに維持され、ノードｗはフローティング状態にならない。その上、バイアス電圧Ｖｂｉａｓは、２つの供給電圧Ｖｐ１およびＶｐ２のうちの一方に等しい。
【００７６】
図１１は、本発明の第９の実施形態による電力スイッチ回路を示す概略回路図である。図８の電力スイッチ回路７００と比較して、この実施形態の電力スイッチ回路９５０は、弱電流源９５２をさらに備える。この実施形態の電力スイッチ回路９５０は、制御信号ＥＮ＿ｍ１およびＥＮ＿ｍ２が両方ともロー論理レベル状態にあるときにノードｗがフローティング状態になるのを防止するために使用される。
【００７７】
弱電流源９５２は、バイアス電圧Ｖｂｉａｓとノードｗとの間に接続されている。制御信号ＥＮ＿ｍ１およびＥＮ＿ｍ２が両方ともロー論理レベル状態にあり、トランジスタｍ１およびｍ２がオフにされているとき、弱電流源９５２によって提供される弱電流がノードｗを充電する。それゆえ、ノードｗの電圧はバイアス電圧Ｖｂｉａｓに維持され、ノードｗはフローティング状態にならない。その上、バイアス電圧Ｖｂｉａｓは、２つの供給電圧Ｖｐ１およびＶｐ２のうちの一方に等しい。
【００７８】
上記の説明から、本発明は、電力スイッチ回路を提供する。第１の実施形態、第２の実施形態および第３の実施形態において、電力スイッチ回路は、低い供給電圧を出力信号として自動的に選択し、出力信号がフローティング状態になるのを防止することが可能である。第４の実施形態、第５の実施形態、第６の実施形態、第７の実施形態および第８の実施形態において、電力スイッチ回路は、制御信号に従って１つの供給電圧を出力信号として選択し、出力信号がフローティング状態になるのを防止することが可能である。
【００７９】
さらに、本発明の教示を保持しながら、多数の修正および変更を行うことができることを、当業者は容易に観察するであろう。たとえば、自動選択回路７１０、および、自動選択回路７２０の回路要素は、第６の実施形態、第７の実施形態および第８の実施形態のうちの１つにおいては使用されない。
【００８０】
本発明は、現在最も実際的で好ましい実施形態であると考えられるものに関連して説明されているが、本発明は開示されている実施形態に限定される必要はないことは理解されたい。逆に、すべてのそのような修正および同様の構造を包含するように最も広い解釈に一致すべき添付の請求項の趣旨および範囲内に含まれる様々な修正および同様の構成をカバーすることが意図されている。
【図１】
0006566975.tif 000002
【図２Ａ】
0006566975.tif 000003
【図２Ｂ】
0006566975.tif 000004
【図３Ａ】
0006566975.tif 000005
【図３Ｂ】
0006566975.tif 000006
【図４】
0006566975.tif 000007
【図５Ａ】
0006566975.tif 000008
【図５Ｂ】
0006566975.tif 000009
【図６Ａ】
0006566975.tif 000010
【図６Ｂ】
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【図７】
0006566975.tif 000012
【図８】
0006566975.tif 000013
【図９】
0006566975.tif 000014
【図１０】
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【図１１】
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