(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
フィルム基材と透明導電性酸化物を含有する透明電極層とを含む透明電極付き基板にあって、
抵抗調整層および下地層が、この順で、上記透明電極層から上記フィルム基材に向かって配置されるとともに、上記透明電極層、上記抵抗調整層、および上記下地層は接触しており、
上記下地層は、インジウムを主成分とする酸化物を含有する、結晶質な誘電体である、透明電極付き基板。
【請求項２】
上記抵抗調整層は、インジウムを主成分とする酸化物を含有する、請求項１に記載の透明電極付き基板。
【請求項３】
上記抵抗調整層は、１ｎｍ以上３ｎｍ未満の層厚である、請求項１または２に記載の透明電極付き基板。
【請求項４】
上記下地層が、２ｎｍ以上５ｎｍ以下の層厚である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の透明電極付き基板。
【請求項５】
上記下地層、上記抵抗調整層、および上記透明電極層の層厚の合計が、１８ｎｍ以上４５ｎｍ以下であり、
上記透明電極層が、インジウムを主成分とする酸化物を含有する、請求項１〜４のいずれか１項に記載の透明電極付き基板。
【請求項６】
上記透明電極層、上記抵抗調整層、および上記下地層において、含有酸素濃度の最も高い層は上記下地層である、請求項１〜５のいずれか１項に記載の透明電極付き基板。
【請求項７】
上記フィルム基材は、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリシクロオレフィンのいずれかで形成されており、
上記フィルム基材の両面のうちの少なくとも一方面には、コーティング層が形成される、請求項１〜６のいずれか１項に記載の透明電極付き基板。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか１項に記載の透明電極付き基板の製造方法にあって、
上記下地層および上記透明電極層は、共に反応性ガスとして酸素ガスを用いてマグネトロンスパッタリング法で製膜し、かつ、上記下地層での上記酸素ガス量は、上記透明電極層での上記酸素ガス量より１．５倍以上である、透明電極付き基板の製造方法。
【請求項９】
上記下地層のスパッタ製膜では、直流電源または交流電源のいずれかの電源が使用され、上記電源の放電電圧が、−３５０Ｖ以上−１００Ｖ以下である、請求項８に記載の透明電極付き基板の製造方法。
【請求項１０】
上記透明電極層の形成条件では、製膜雰囲気の酸素分圧が、上記透明電極層の結晶化速度を最速とするための条件である、請求項８または９に記載の透明電極付き基板の製造方法。
【請求項１１】
上記下地層および上記透明電極層は、ロール・トゥ・ロール法で製膜される、請求項８〜１０のいずれか１項に記載の透明電極付き基板の製造方法。
【請求項１２】
上記透明電極層を上記マグネトロンスパッタリング法で製膜する場合の雰囲気は、四重極質量分析計で測定した場合のｍ（質量）／ｚ（電荷）＝１８の成分の分圧が２．８×１０−４Ｐａ以下であり、かつ、ｍ／ｚ＝２８の成分の分圧が７．０×１０−４Ｐａ以下である、請求項８〜１１のいずれか１項に記載の透明電極付き基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、透明電極付き基板およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
透明電極付き基板は、タッチパネル若しくはディスプレイ等の表示デバイス、ＬＥＤ等の発光デバイス、または、太陽電池等の受光デバイスに用いられる。そして、この透明電極付き基板では、シート抵抗として表される電気特性の制御が重要である。
【０００３】
特に、透明電極層を熱処理（アニール）することで結晶化促進させて低抵抗化する技術は重要であり、従来の研究開発は結晶化促進を追及し、低抵抗率を達成するものが大勢であった。例えば、特許文献１には、酸化セリウムを下地層として形成し、これにより、透明電極層を低抵抗化する技術が記載されている。また、特許文献２には、透明電極層を多層構造にすることで、低抵抗化に要する結晶化促進技術が記載されている。さらに、特許文献３には、基板上に誘電性層と導電性層とを積層させることで、電気特性および物理的耐久性を改善する技術が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平７−１７８８６３号公報
【特許文献２】特開２０１２−１１４０７０号公報
【特許文献３】特表平３−５０４９００号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところが、最近、アニール前に、透明電極付き基板を常温常圧環境下で長期間保管した場合、非晶質な透明電極層が熱力学的に安定な結晶質に転移し、それに起因したシート抵抗の変化が問題になっている。それは、このような結晶化が生じてしまうと、アニールによる結晶化後の透明電極付き基板のシート抵抗が、所望の値に調整できないという問題である。この問題は、透明電極層等の層厚変更によって解決することも可能だが、そうしてしまうと、シート抵抗以外の他の特性（例えば光学特性）が劣化してしまう。
【０００６】
本発明は、上記の問題点を解決するためになされたものである。そして、その目的は、熱処理による結晶化促進と常温結晶化抑制とを達成しつつ、シート抵抗を制御する透明電極付き基板等を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
フィルム基材と透明導電性酸化物を含有する透明電極層とを含む透明電極付き基板にあって、抵抗調整層および下地層が、この順で、上記透明電極層から上記フィルム基材に向かって配置されるとともに、上記透明電極層、上記抵抗調整層、および上記下地層が接触しており、上記下地層は、インジウムを主成分とする酸化物を含有する、結晶質な誘電体である。
【０００８】
なお、このような透明電極付き基板を製造する場合に、上記下地層および上記透明電極層は、共に反応性ガスとして酸素ガスを用いてマグネトロンスパッタリング法で製膜し、かつ、上記下地層での上記酸素ガス量は、上記透明電極層での上記酸素ガス量より１．５倍以上である、透明電極付き基板の製造方法も、本発明である。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、熱処理による結晶化促進と常温結晶化抑制とを達成しつつ、シート抵抗を制御する透明電極付き基板となる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】は、透明電極付き基板の断面図である。
【図２】は、透明電極付き基板の断面図である。
【図３】は、透明導電性酸化物層の一般的な性質の関係を示す説明図である。
【図４】は、透明電極層の深さと、その深さに存在する低抵抗粒子の平均粒径とを示す参考グラフである。
【図５】は、実施例１に対するＸ線光電子分光の結果を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
本発明の一実施形態について説明する。また、図面における種々部材の寸法は、便宜上、見やすいように調整されている。
【００１２】
＜透明電極付き基板＞
図１は、透明電極付き基板１０を示す断面図である。この透明電極付き基板１０は、透明フィルム基材１６、下地層１１、抵抗調整層１２、および透明電極層１７、を含む。詳説すると、透明フィルム基材１６上に、下地層１１が製膜され、この下地層１１上に、抵抗調整層１２が製膜され、さらに、この抵抗調整層１２上に、透明電極層１７が製膜される。なお、透明電極層１７、抵抗調整層１２、および下地層１１は、互いに接触している。
【００１３】
＜透明フィルム基材＞
透明フィルム基材１６は、透明電極付き基板１０の土台となる材料（基礎となる材料：基材）で、例えばフィルム状である。そして、透明フィルム基材１６は、少なくとも可視光領域で、無色透明であれば、特に限定されない。
【００１４】
また、透明フィルム基材１６の厚みも、特に限定されないが、１０μｍ以上４００μｍ以下であれば好ましく、２０μｍ以上２００μｍ以下であればより好ましい。この範囲内であれば、透明フィルム基材１６、ひいては透明電極付き基板１０は、十分な耐久性を確保するとともに、適度な柔軟性を有する。
【００１５】
その上、この厚みの範囲内の透明フィルム基材１６であれば、ロール・トゥ・ロール方式で、下地層１１、抵抗調整層１２、および透明電極層１７等を製膜させられ、その結果、透明電極付き基板１０が高い生産性で製造される。なお、透明フィルム基材１６としては、二軸延伸により分子を配向させることで、ヤング率等の機械的特性または耐熱性を向上させたものが好ましい。
【００１６】
また、一般に、延伸フィルムは、延伸による歪が分子鎖に残留するため、加熱された場合に熱収縮する性質を有している。そのため、このような熱収縮の低減を図るべく、延伸の条件調整または延伸後の加熱によって応力（歪）を緩和させ、熱収縮率を０．２％程度、または、それ以下に低減させるとともに、熱収縮開始温度を高めた二軸延伸フィルム（低熱収縮フィルム）が知られている。そこで、透明電極付き基板１０の製造工程における透明フィルム基材１６の熱収縮による不具合を抑止する観点から、このような低熱収縮フィルムが透明フィルム基材１６として用いられると好ましい。
【００１７】
なお、透明フィルム基材１６の材料は、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリブチレンテレフテレート（ＰＢＴ）、または、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル樹脂が挙げられるだけでなく、シクロオレフィン系樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリイミド樹脂、または、セルロース系樹脂等も挙げられる。中でも、安価で透明性に優れる観点から、ポリエステル系樹脂が好ましく、ポリエチレンテレフタレートがより好ましく用いられる。
【００１８】
また、透明フィルム基材１６の片面（表面または裏面）または両面に、例えば、光学調整層、反射防止層、ぎらつき防止層、易接着層、応力緩衝層、ハードコート層、易滑層、帯電防止層、結晶化促進層、結晶化速度調整層、または、コーティング層等の機能性層１４が製膜されてもよい（図２参照）。
【００１９】
例えば、ハードコート層の場合、透明フィルム基材１６に適度な耐久性と柔軟性とを持たせるためには、そのハードコート層の厚みは、１μｍ以上１０μｍ以下であれば好ましく、３μｍ以上８μｍ以下であればより好ましく、５μｍ以上８μｍ以下であればより一層好ましい。なお、ハードコート層の材料としては、特に制限されず、ウレタン系樹脂、アクリル系樹脂、またはシリコーン系樹脂等が挙げられ、それら材料から適切に選択されたものが塗布・硬化させられる。
【００２０】
＜下地層＞  
次に、透明電極層１７の下地となる下地層１１について説明する。下地層１１は、透明電極層１７の下地になるもので、酸化インジウムを主成分として含有する結晶質な誘電体で形成される。なお、本明細書において、ある物質を「主成分とする」とは、当該物質の含有量が５１重量％以上、好ましくは７０重量％以上、より好ましくは９０重量％以上であることを意味する。
【００２１】
また、下地層１１の層厚は、２ｎｍ以上５ｎｍ以下であると好ましい。なぜなら、下地層１１には、透明フィルム基材１６からの炭素原子若しくは窒素原子等の透明電極層１７の結晶化阻害成分の拡散抑制、透明電極層１７をスパッタリングで形成するときのプラズマからの透明フィルム基材１６の保護、または、透明電極層１７形成時の表面自由エネルギー制御等の役割があり、これらの役割を満たすためには上記層厚範囲が好ましいためである。
【００２２】
酸化インジウムについて説明する。酸化インジウム（インジウムを主成分とする酸化物）が下地層１１に主成分として含まれることは、かかる下地層１１の表面自由エネルギーを透明電極層１７の形成に最適な値に制御する点から好ましい。また、酸化インジウムは、水蒸気等の化学的な要因だけでなくプラズマ等の物理的な要因に対してフィルムを保護するバリア特性の観点からも好ましいし、透明電極層１７の結晶化阻害となり得る炭素または窒素原子を含まないことからも好ましい。
【００２３】
さらには、酸化インジウムは、酸化珪素等の公知の下地層材料と比べて、透明電極層１７の常温結晶化を抑制する。これは、酸化インジウムが、透明電極層１７を結晶化させる場合の活性化エネルギーの制御に効果が有ることに起因すると考えられる。
【００２４】
特に、インジウムを主成分とする酸化物から成る無機化合物を用いたスパッタリング法により下地層１１が形成される場合は、例えば、酸素との結合が強い珪素を用いたスパッタリング法により下地層が形成される場合に比べて、有用である。
【００２５】
なぜなら、珪素は、インジウムに比べて強く酸素と結合するため、スパッタリング製膜において、容易に酸素過飽和な膜（層）となりやすく、それに起因して、その酸素過飽和な層の上に形成された透明電極層１７では、結晶化が過剰に促進され、常温結晶化が進行する虞がある。しかしながら、酸化インジウムの場合、そのような虞が無い。また、下地層１１との格子マッチングの観点からも、酸化インジウムは好ましい。
【００２６】
以上を踏まえると、下地層１１は、酸化珪素を実質的に含有しないことが好ましい。なお、「実質的に含有しない」とは、当該物質の含有量が１重量％未満、好ましくは０．１重量％未満、特に好ましくは０重量％であることを意味する。
【００２７】
結晶質について説明する。「結晶質」とは、結晶粒等の結晶状態を確認できるもののうち、透過電子顕微鏡（ＴＥＭ）を用いた格子像の観測により、原子配列の秩序を含有することが確認できるものを意味する。詳説すると、５ｎｍ程度の距離で原子配列の秩序を含有するものは、結晶質といえる。なお、ＴＥＭ観測の前に、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）の電流像測定モードで、１ミクロン四方の形状測定を行い、形状から結晶粒の存在を確認した後に、かかるＴＥＭ観測を行った。
【００２８】
一方で、結晶粒等の結晶状態を確認できないものは「非晶質」である。また、結晶粒等の結晶状態を確認できるものであっても、原子配列の秩序を含有しないものは非晶質とする。透明電極層１７の結晶質および非晶質についても同様である。なお、ＴＥＭを用いた断面観察では、画像のコントラストによって結晶質と非晶質とを区別する。
【００２９】
そして、下地層１１は、熱処理（アニール）による結晶化工程前において結晶質である。このようになっていると、上記したように、下地層１１の表面自由エネルギーまたはバリア特性を制御する。また、下地層１１上に、抵抗調整層１２、さらにその層の上に透明電極層１７がスパッタリング製膜される場合に、結晶質の下地層１１であると、抵抗調整層１２を介していても、その抵抗調整層１２と透明電極層１７との界面付近に、透明電極層１７の結晶核を形成させられる。そして、この結晶核は、アニールにおける結晶化を促進させる。
【００３０】
誘電体について説明する。下地層１１は、実質誘電体であることが好ましい。「実質誘電体」であるとは、下地層１１のみの電気特性を測定した場合に導電性を示さないことを意味し、「導電性を示さない状態」とは、抵抗率で１×１０２Ωｃｍ以上であることを意味する。
【００３１】
そして、下地層が、誘電体ではなく導電体であると、下地層中の自由電子と透明電極層の自由電子との相互移動が起こり、それによる電子−格子間相互作用により結晶化が促進されることがある。そして、このようなことが起きると、常温結晶化が進行する虞があり好ましくない。
【００３２】
＜抵抗調整層＞  
次に、抵抗調整層１２について説明する。抵抗調整層１２は、アニールによる結晶化工程前において非晶質な層であり、透明電極付き基板１０のシート抵抗を調整する役目を果たす。特にシート抵抗を上げる（すなわち抵抗率を上げる）ことを目的として、抵抗調整層１２は、下地層１１と透明電極層１７との間に挿入される。
【００３３】
一般的に、シート抵抗に関連する透明導電性酸化物は、図３に示されるような性質を有する。つまり、シート抵抗は、透明導電性酸化物の層厚が厚いほど、低くなる。そのため、一定以上のシート抵抗を維持するためには、層厚を薄くしなくてはならない。例えば、２．２×１０−４Ωｃｍの抵抗率を有する透明導電性酸化物において、１５０Ω／□のシート抵抗が必要な場合には、１４．６ｎｍとすることが必要である。
【００３４】
このように、透明導電性酸化物が１５ｎｍ以下の層厚になる場合、結晶化に必要な活性化エネルギーが高くなり、その結果、アニールでの結晶化時間が長くなりやすい。さらに、一般的に、層厚の薄い透明導電性酸化物は、湿熱耐久性等の耐久性が低下しやすい。このような性質に対して、透明導電性酸化物の層厚を薄くすることなく、シート抵抗を上げるべく、抵抗調整層１２が設けられている。
【００３５】
抵抗調整層１２の組成は、酸化インジウムを主成分とすると好ましく、より好ましい組成は、抵抗調整層１２と接する透明電極層１７と同じ組成である。これにより、透明電極層１７とのマッチングが良くなるので、導電性・耐久性に優れる透明電極付き基板１０が製造される。
【００３６】
また、抵抗調整層１２の層厚は１ｎｍ以上３ｎｍ未満であると好ましい。この層厚範囲の上限以上の場合、厚みの高厚化に伴って、抵抗調整層および透明電極層１７が常温にて結晶化し易くなってしまう一方、この層厚範囲の下限未満の場合、薄すぎて、抵抗調整層が透明電極層１７の抵抗を調整する機能を発揮できない。その上、下地層・抵抗調整層・透明電極層の層厚の合計が薄くなることから、抵抗調整層および透明電極層のアニールによる結晶化が長時間になってしまう。
【００３７】
しかしながら、この層厚範囲であれば、かかるような不具合を抑えられる。その結果、透明電極付き基板１０のシート抵抗が適切に調整されながら、下地層１１の役割である結晶化の制御も可能となる。
【００３８】
＜透明電極層＞
次に、透明電極層１７について説明する。透明電極層１７は、アニールによる結晶化工程前において非晶質で、透明導電性酸化物を主成分として含む層である。そして、透明導電性酸化物が、例えば酸化インジウムの場合、その酸化インジウムの含有量は、８７．５重量％以上９９．０重量％以下であると好ましく、９０重量％以上９５重量％以下であるとより好ましい。
【００３９】
また、透明電極層１７は、層中にキャリア密度を持たせて導電性を付与するためのドープ不純物を含有する。このようなドープ不純物としては、酸化錫、酸化亜鉛、酸化チタン、または、酸化タングステンが挙げられる。例えば、ドープ不純物が酸化スズである場合、透明電極層１７は酸化インジウム・スズ（ＩＴＯ）を含んでいるとよく、ドープ不純物が酸化亜鉛である場合、透明電極層１７は酸化インジウム・亜鉛（ＩＺＯ）を含んでいるとよい。
【００４０】
なお、透明電極層１７中のドープ不純物の含有量は、４．５重量％以上１２．５重量％以下であることが好ましく、５重量％以上１０重量％以下であるとより好ましい。このようなドープ不純物の範囲であれば、透明電極層１７のキャリア密度は、４×１０２０ｃｍ−３以上９×１０２０ｃｍ−３以下という好適な範囲、６×１０２０ｃｍ−３以上８×１０２０ｃｍ−３以下というより好適な範囲になる。
【００４１】
そして、このようなキャリア密度の範囲であれば、アニール後の結晶質な透明電極層１７の抵抗率は、３．５×１０−４Ωｃｍ以下といった低抵抗となり、さらに、透明電極層１７の表面抵抗が、１７０Ω／□以下、好ましくは１５０Ω／□以下にもなる。そして、このように低抵抗な透明電極層１７は、静電容量方式タッチパネルの応答速度向上、有機ＥＬ照明の面内輝度の均一性向上、または、各種光学デバイスの省消費電力化等に寄与する。
【００４２】
透明電極層１７は、多層であっても単層であっても構わない。また、透明電極層１７の層厚は、低抵抗かつ高透過率とする観点から、１５ｎｍ以上３０ｎｍ以下が好ましく、１７ｎｍ以上２７ｎｍ以下がより好ましく、２０ｎｍ以上２５ｎｍ以下がより一層好ましい。
【００４３】
また、透明電極層１７と抵抗調整層１２と下地層１１との層厚の合計は、５０ｎｍ未満であると好ましく、１８ｎｍ以上４５ｎｍ以下であるとより好ましく、２０ｎｍ以上３０ｎｍ以下であるとより一層好ましい。なぜなら、このような層厚の範囲であれば、アニールでの透明電極層１７および抵抗調整層１２の結晶化を短時間で確実に完了させられるためである。
【００４４】
このように結晶化時間が短縮する理由は、明確にはわからないが、層厚が厚なっていると、スパッタリングにおけるプラズマプロセス（輻射熱）の影響によって、各層が結晶化しやすい構造に変位すると推定する。なお、一般的には層厚が厚くなると、シート抵抗は低下していくが、抵抗調整層１２があることによって、透明電極付き基板１０のシート抵抗の低下は抑制される。
【００４５】
また、アニールによる結晶化後、透明電極層１７は、結晶化度８０％以上であると好ましく、９０％以上であるとより好ましい。このような結晶化度の範囲であれば、透明電極層１７による光吸収を小さくできるとともに、環境変化等による抵抗値の変化を抑制する。なお、結晶化度は、顕微鏡観察時において観察視野内で結晶粒が占める面積の割合から求められる。
【００４６】
また、アニールによる透明電極層１７の均一な結晶化および常温での透明電極層１７の結晶化抑制のために、透明電極層１７は低抵抗粒子を有していることが好ましい。低抵抗粒子とは、上記した、結晶質の下地層１１が存在することで、抵抗調整層１２と透明電極層１７との界面付近に生じる結晶核のことである。そして、この低抵抗粒子は、透明電極層１７に含有される透明導電性酸化物の粒子であるとよい。
【００４７】
低抵抗粒子は、透明電極層１７の層厚方向に形成され、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）の電流像測定モードで、透明電極層１７を観察した場合に、低抵抗粒子の径が透明電極層１７の層内部で最大値を示すことが好ましい。「透明電極層の層内部」とは、透明電極層１７の層厚方向の最表面および最底面以外の箇所を意味する。
【００４８】
図４は、低抵抗粒子の径が透明電極層１７の層内部で最大値を示すこと説明する参考図で、透明電極層１７の層厚方向の低抵抗粒子の平均粒径のプロファイルを示している。横軸は、透明電極層１７の深さであり、横軸最小点が透明電極層１７の最表面、横軸最大点が透明電極層１７と抵抗調整層１２との界面直上である、透明電極層１７の最底面を示す。
【００４９】
縦軸は、低抵抗粒子の平均粒径である。平均粒径は、透明電極層１７に対して導電性カンチレバーで一定のバイアスをかけ、測定面に流れる電流を電流像として取得し、その電流像を画像解析することで取得される。そして、透明電極層１７を、最表面から最低面まで順にエッチングしながら測定を行うことにより、層厚方向の低抵抗粒子の平均粒径のプロファイルが求められる
【００５０】
そして、図４のように、透明電極層１７の層内部、特に中央部分で、結晶粒径が最大値を示すような場合、大径の低抵抗粒子が層厚方向の中央に分布していることになり、アニールにおいて、層厚方向の中心から徐々に最表面および最底面に向かって結晶化していく。これによって、透明電極層１７が均一に結晶化していく。
【００５１】
その上、抵抗調整層１２と透明電極層１７との界面付近で、大径の低抵抗粒子が存在していると、結晶成長が大幅に促進されてしまう虞があり、常温結晶化が進行することもあり得るが、図４のような場合、このような虞が低減される。
【００５２】
＜透明電極付き基板の用途＞
以上のように製造された透明電極付き基板１０は、例えば、タッチパネル、ディスプレイ、またはデジタルサイネージのような表示デバイスの透明電極として用いられるが、特にタッチパネル用の透明電極として好適に用いられる。中でも、透明電極層１１が低抵抗であることから、静電容量方式タッチパネル用途に好ましく用いられる。
【００５３】
ところで、タッチパネルの形成においては、透明電極付き基板１０上に、導電性インクまたは導電性ペーストが塗布・加熱処理され、そのような導電性部材が引き廻し回路用配線としての集電極となる。なお、この加熱処理は特に限定されず、オーブンまたはＩＲヒータ等による加熱処理が挙げられる。また、加熱処理の温度または時間は、導電性部材が透明電極層１１に付着する温度または時間を考慮して適宜に設定される。オーブンによる加熱であれば１２０℃以上１５０℃以下の範囲で３０分以上６０分以下の範囲、ＩＲヒータによる加熱であれば１５０℃程度で５分程度の例が挙げられる。
【００５４】
なお、引き回し回路用配線の形成方法は、導電性インクまたは導電性ペーストの塗布・加熱処理に限定されず、例えば、ドライコーティング法またはフォトリソグラフィ法によって形成されてもよい。特に、フォトリソグラフィ法によって引き廻し回路用配線が形成された場合、その配線は、比較的容易に細線化される。
【００５５】
＜透明電極付き基板の製造方法＞
透明電極付き基板の製造方法について説明する。まず、透明フィルム基材１６を準備する [基材準備工程]。なお、透明フィルム基材１６は、透明フィルム基材１６単体であってもよいし、機能層１４を積層させた透明フィルム基材１６であってもよい（図２参照）。
【００５６】
＜製膜工程＞
透明フィルム基材１６上の層、すなわち、下地層１１、抵抗調整層１２、および、透明電極層１７は、生産性の観点から、スパッタリング法による製膜（スパッタ製膜）、特にマグネトロンスパッタリング法によって、形成されると好ましい。スパッタ製膜では、製膜室内に、アルゴンまたは窒素等の不活性ガス、および、酸素ガスを含むキャリアガスが導入されながら行われる。
【００５７】
この導入ガスは、アルゴンと酸素との混合ガスであると好ましい。なお、アルゴンと酸素とは、所定の混合比に予め調整されていてもよいし、それぞれのガスが流量制御装置（マスフローコントローラ）により流量を制御された後に混合されてもよい。また、混合ガスには、各層の機能が損なわない限りにおいて、その他のガスが含まれていてもよい。
【００５８】
また、製膜室内の圧力（全圧）は、０．１０Ｐａ以上１．００Ｐａ以下であると好ましく、０．１５Ｐａ以上０．８０Ｐａ以下であるとより好ましい。
【００５９】
スパッタ製膜での基板温度は、透明フィルム基材１６の耐熱性範囲であればよく、６０℃以下であれば好ましく、−２０℃以上４０℃以下であればより好ましい。このような基板温度であれば、透明フィルム基材１６からの水分または有機物質（例えばオリゴマー成分）の揮発等が起こり難くなり、酸化インジウムの結晶化が起こりやすくなる。
【００６０】
その上、後のアニールによる結晶化工程において、非晶質である透明電極層１７が結晶化された後、すなわち結晶化された透明電極層（結晶質透明電極層）１７が形成された場合、結晶内の欠陥生成を抑制することが可能のため、その透明電極層１７の抵抗率の上昇が抑制される。
【００６１】
また、基板温度が上記の温度範囲であれば、透明電極層１７の透過率の低下、または、透明フィルム基材１６の脆化が抑制される。その上、製膜工程における透明フィルム基材１６が大幅な寸法変化を起こさない。
【００６２】
また、製膜工程では、巻取式スパッタリング装置を用いたロール・トゥ・ロール法により、下地層１１、抵抗調整層１２、および透明電極層１７の製膜が行われと好ましい。このロール・トゥ・ロール法により製膜が行われることで、非晶質の透明電極層１７を最表面に積層した透明フィルム基材１６の長尺シートのロール状巻回体が得られる。なお、巻取式スパッタリング装置を用いて、下地層１１、抵抗調整層１２、および透明電極層１７は、連続して製膜されると好ましい。
【００６３】
以降、各層のスパッタ製膜に関して説明する。
【００６４】
（下地層の製膜）
従来、スパッタリング法で、特に酸化インジウムまたは酸化亜鉛を誘電体とすることは、化学量論数、酸素欠損の生成等の観点から容易ではなかった。そこで、以下のように形成することで、光学的・電気的な影響を比較的少なくし、下地層は導電性を発現させることなく、結晶質な下地層１１の製膜に成功した。
【００６５】
具体的には、マグネトロンスパッタリング法でのマグネットの強度を、７００ガウス以上１３００ガウス以下の範囲に設定した。この範囲であれば、極端なエロージョンによるスパッタターゲットの利用効率低下が抑制され、かつ良質な下地層１１が形成された。これは、磁場強度が大きくなることで、放電電圧が下げられることに起因する。そして、これによって、下地層１１の形成が、透明フィルム基材１６に対して低ダメージで製膜された。
【００６６】
なお、スパッタリングに用いる電源には制限が無く、直流電源または交流電源等が、ターゲット材料にあわせて選択される。一方、放電電圧は、スパッタ装置または使用電源の種類に依るが、−３５０Ｖ以上−１００Ｖ以下程度であると、良好な透明導電性酸化物層を形成するためには好ましく、−３００Ｖ以上−１８０Ｖ以下程度がより好ましい。
【００６７】
また、下地層１１は、透明フィルム基材１６、または図２に示されるような有機化合物を含むコーティング層１４の上に形成されることもある。そのため、下地層１１よりも下層、ひいては透明電極付き基板１０に対するダメージを低減させるように、かかる下地層１１が製膜されると好ましい。このような低ダメージ製膜は、上記のような強磁場カソードによる低電圧製膜の他に、入力される電力密度を上げない等の手法が有る。
【００６８】
また、下地層１１を形成する場合には、スパッタチャンバー内に導入する酸素量が重要である。なぜなら、通常の透明導電性酸化インジウムを形成する場合に導入する酸素量（いわゆるボトム酸素量）よりも１．５倍以上多い酸素を導入しながら製膜することで、上述の誘電体の下地層１１が形成されるためである。そのため、酸素分圧は、例えば、１．０×１０−２Ｐａ以上４．０×１０−１Ｐａ以下であると好ましく、１．５×１０−２Ｐａ以上２．０×１０−１Ｐａ以下であるとより好ましい。
【００６９】
このように、過剰の酸素供給下でスパッタ製膜が行われることにより、酸素欠損等による導電性キャリアが生成していたとしても、それを導電させないためのキャリア密度の低下、または、結晶粒界のバリア高による極端な移動度の低下が生じるために、誘電体の酸化インジウムが形成されると考えられる。
【００７０】
なお、誘電体の下地層１１の製膜に要する酸素導入量は、好ましくは、ボトム酸素量の３倍以上８倍以下である。なぜなら、多すぎる酸素量は、製膜速度の低下、または、大過剰な酸素により発生する酸素プラズマによる薄膜へのダメージを引き起こす虞があるためである。
【００７１】
（抵抗調整層の製膜）
抵抗調整層１２の形成方法は、下地層１１同様に、マグネトロンスパッタリング法だと好ましい。また、マグネトロンスパッタリング法において良質な抵抗調整層１２の形成には、マグネットの強度および放電電圧は、下地層１１の製膜条件と同じであれば好ましい。また、抵抗調整層１２も下地層１１同様に、低ダメージ製膜であるとよいので、スパッタチャンバー内に導入する酸素量は、下地層１１の製膜条件範囲と同じ程度であれば好ましい。例えば、酸素分圧は、例えば、５．５×１０−２Ｐａ以上２．０×１０−１Ｐａ以下であると好ましく、８．０×１０−２Ｐａ以上１．０×１０−１Ｐａ以下であるとより好ましい。
【００７２】
ただし、抵抗調整層１２は、下地層１１と異なり、非晶質であり、かつ導電性を必要とする。そのため、チャンバー全体の圧力調整が重要となり、抵抗調整層１２を製膜する場合のスパッタチャンバー全体の圧力（全圧）は、下地層１１を製膜する場合の全圧よりも２倍以上高いと好ましい。このようになっていれば、酸素分圧の上昇を抑制させながら、プラズマ雰囲気中の酸素原子・酸素プラズマの数を増やせるようになり、適度な導電性を付与されるだけでなく、非晶質となる。
【００７３】
（透明電極層の製膜）
透明電極層１７の形成方法は、下地層１１および抵抗調整層１２同様に、マグネトロンスパッタリング法だと好ましい。
【００７４】
ただし、透明電極層１７を形成する場合の酸素分圧は、非晶質にすべく、下地層１１および抵抗調整層１２の酸素分圧に比べて低い値、例えば、１．０×１０−３Ｐａ以上５．０×１０−２Ｐａ以下であると好ましく、３．０×１０−３Ｐａ以上４．０×１０−２Ｐａ以下であるとより好ましい。そして、このような酸素供給量が少ない状態であれば、製膜後の非晶質膜中に、酸素欠損が多く存在し、導電性キャリアがより多く生じる。
【００７５】
なお、スパッタリングによる透明電極層１７の形成は、１回の製膜で所望の層厚の全厚を形成してもよいが、複数回の積層により形成したほうが、生産処理速度または透明フィルム基材１６への熱履歴の観点から好ましい。複数回製膜を行う場合には、以下の２つの手法により結晶性を制御すると好ましい。
【００７６】
１つ目の製法では、同じ組成のターゲットを用いて、各層毎の製膜条件を変える。この方法において、例えば下地層１１上に透明電極層１７を製膜する場合、スパッタ装置の入力電力が高めに設定されていると、透明電極層１７における結晶核形成を促せる。逆に、スパッタ装置の入力電圧が低めに設定されていると、結晶化のために要する活性化エネルギーを高められる。
【００７７】
さらに、透明電極層１７の最表面層を製膜する場合、スパッタ装置における入力電力または反応性ガス（酸素等）の分圧が調整されることで、透明電極層１７に含まれるドーパントの透明電極層１７の表面への偏析が抑制され、透明電極層１７中で均一な結晶化が実現する。
【００７８】
２つ目の製法では、透明電極層１７を構成する酸化材料またはドーパントの組成・濃度を順次変更して形成する方法である。この製法の場合、透明電極層１７中のスムーズな電子輸送の観点から、ドーパントの材料は同一であると好ましく、また、ドーパントの濃度の変化は、層厚方向のみに生じさせると好ましい。
【００７９】
なお、透明電極層１７をスパッタリング製膜する場合、真空装置内の雰囲気は、四重極質量分析計で測定したｍ（質量）／ｚ（電荷）＝１８の成分の分圧が２．８×１０−４Ｐａ以下であり、かつ、ｍ／ｚ＝２８の成分の分圧が７．０×１０−４Ｐａ以下であると好ましい。
【００８０】
ｍ／ｚ＝１８の成分は主に水であり、ｍ／ｚ＝２８の成分は主に有機物由来の成分または窒素である。これらの分圧が、上記の関係を満たしていれば、透明電極層１７中に結晶化阻害物質の混入が抑制される。
【００８１】
そして、このような雰囲気にするには、スパッタ装置内または装置投入前のフィルムロールの脱ガス処理を行う方法が一般的であり、例えば加温することで水分除去する。これらに加えて、透明電極層１７の下層に下地層１１が形成されることで、透明電極層１７を形成する場合における透明フィルム基材１６からの上記成分拡散が抑制され、製膜後の拡散も抑制される。
【００８２】
＜結晶化工程＞
以上の工程を経ることで、透明電極付き基板１０が製造される。この透明電極付き基板１０は、ユーザの任意のタイミングで、アニール等によって結晶化させられる。この結晶化工程を経ると、抵抗調整層１２および透明電極層１７が結晶化することに起因して、低抵抗の透明電極層１７が得られる。
【００８３】
詳説すると、非晶質の透明電極層１７を形成された透明電極付き基板１０は、１２０℃以上１７０℃以下の温度でアニールされることによって結晶化する。この結晶化工程において、酸素が透明電極層１７の層中に十分に取り込まれて、結晶化時間が短縮するためには、アニールは大気中等の酸素含有雰囲気下で行われると好ましい。真空中または不活性ガス雰囲気下でも結晶化は進行するが、低酸素濃度雰囲気下では、酸素雰囲気下に比べて結晶化に長時間を要する傾向があるためである。
【００８４】
また、透明電極付き基板１０が、長尺シートのロール状巻回体として、結晶化させられる場合、巻回体のままで結晶化が行われてもよいし、ロール・トゥ・ロールでフィルムが搬送されながら結晶化が行われてもよい。また、透明電極付き基板１０であるフィルムが所定サイズに切り出されて結晶化が行われてもよい。
【００８５】
なお、巻回体のまま結晶化が行われる場合、透明電極層１７形成後の透明フィルム基材１６を、そのまま常温・常圧環境に置くか、加熱室等で養生（静置）すればよい。ロール・トゥ・ロールで結晶化が行われる場合、透明フィルム基材１６が搬送されながら加熱炉内に導入されて加熱が行われた後、再びロール状に巻回される。なお、室温で結晶化が行われる場合も、透明電極層１７を酸素と接触させて結晶化を促進させる等の目的で、ロール・トゥ・ロール法が採用されてもよい。
【００８６】
＜発明の構成＞
発明に関しては、以下のように表現できる。
【００８７】
透明フィルム基材１６と透明導電性酸化物を含有する透明電極層１７とを含む透明電極付き基板１０では、抵抗調整層１２および下地層１１が、この順で、透明電極層１７から透明フィルム基材１６に向かって配置される。さらに、透明電極層１７、抵抗調整層１２、および下地層１１が接触する。そして、下地層１１は、インジウムを主成分とする酸化物を含有する、結晶質な誘電体である。
【００８８】
また、透明電極付き基板１０では、抵抗調整層１２は、インジウムを主成分とする酸化物を含有すると好ましいし、１ｎｍ以上３ｎｍ未満の層厚であると好ましい。
【００８９】
また、透明電極付き基板１０では、下地層１１が、２ｎｍ以上５ｎｍ以下の層厚であると好ましい。
【００９０】
また、透明電極付き基板１０では、下地層１１、抵抗調整層１２、および透明電極層１７の層厚の合計が、１８ｎｍ以上４５ｎｍ以下であり、透明電極層１７が、インジウムを主成分とする酸化物を含有すると好ましい。
【００９１】
また、透明電極付き基板１０では、透明電極層１７、抵抗調整層１２、および下地層１１において、含有酸素濃度の最も高い層は下地層１１であると好ましい。
【００９２】
また、透明電極付き基板１０では、透明フィルム基材１６は、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリシクロオレフィンのいずれかで形成されており、透明フィルム基材１６の両面のうちの少なくとも一方面には、コーティング層１４が形成されると好ましい。
【００９３】
なお、以上のような透明電極付き基板１０の製造方法、すなわち、下地層１１および透明電極層１７は、共に反応性ガスとして酸素ガスを用いてマグネトロンスパッタリング法で製膜し、かつ、下地層１１での酸素ガス量は、透明電極層１７での酸素ガス量より１．５倍以上であると好ましい。
【００９４】
また、透明電極付き基板１０の製造方法では、下地層１１のスパッタ製膜では、直流電源または交流電源のいずれかの電源が使用され、その電源の放電電圧が、−３５０Ｖ以上−１００Ｖ以下であると好ましい。
【００９５】
また、透明電極付き基板１０の製造方法では、透明電極層１７の形成条件では、製膜雰囲気の酸素分圧が、透明電極層１７の結晶化速度を最速とするための条件であると好ましい。
【００９６】
また、透明電極付き基板１０の製造方法では、下地層１１および透明電極層１７は、ロール・トゥ・ロール法で製膜されると好ましい。
【００９７】
また、透明電極付き基板１０の製造方法では、透明電極層１７をマグネトロンスパッタリング法で製膜する場合の雰囲気は、四重極質量分析計で測定した場合のｍ（質量）／ｚ（電荷）＝１８の成分の分圧が２．８×１０−４Ｐａ以下であり、かつ、ｍ／ｚ＝２８の成分の分圧が７．０×１０−４Ｐａ以下であると好ましい。
【実施例】
【００９８】
以下本発明を実施例により具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例により限定されるものではない（下記表１参照）。
【００９９】
＜層厚測定＞
下地層、抵抗調整層、および、透明電極層の層厚は、透明電極付き基板の断面を、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）観察により求めた値を使用した。
【０１００】
＜抵抗測定＞
透明電極層のシート抵抗は、低抵抗率計ロレスタＧＰ（ＭＣＰ‐Ｔ７１０、三菱化学社製）を用いた四探針圧接測定により測定した。また、下地層の抵抗率は、別途下地層のみの製膜を行い、その下地層に対する表面抵抗の測定の結果から、抵抗率を算出した。
【０１０１】
＜下地層の評価＞
別途下地層のみの製膜を行い、表面の抵抗測定の結果から抵抗率を算出した。また、ＳＩＩ社製ＮａｎｏＮａｖｉ  ＩＩの原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）を用いて、１ミクロン四方の形状測定を行い、形状から結晶粒の存在を確認し、さらに、層厚測定同様のＴＥＭを用いた格子像観察から、５ｎｍ以上の短距離の秩序を確認した。
【０１０２】
なお、下地層の評価では、透明電極層をエッチング除去したものを評価してもよい。透明電極層と下地層とが異なる材料の場合、エッチングすることで下地層の表面から物性を評価することが容易である。また、下地層と透明電極層とが同じ材料の場合、両者の界面で結晶性が異なる点を考慮すると、エッチング速度を測定することで、下地層の表面をあらわにし、物性を評価できる。
【０１０３】
＜結晶化工程および結晶性評価＞
透明電極付き基板１０に対して、１５０℃で１時間、アニールを行った。そして、アニール後の透明電極層の結晶性の確認には、層厚測定同様のＴＥＭを使用した。その結果、透明電極層１７が完全に結晶かされていることが確認された（結晶化度１００％）。
【０１０４】
＜常温結晶化および結晶性評価＞
アニールされていない透明電極付き基板１０を、２５℃・５０％ＲＨの環境において１週間放置し、その１週間後の透明電極層のシート抵抗を測定することで評価した。シート抵抗が低下していることと結晶化が進んでいることとを等価とした。
【０１０５】
［◆実施例１］
下地層、抵抗調整層、透明電極層の製膜では、酸化インジウム・スズ（酸化スズ含量１０重量％）をターゲットとして用いた。なお、表１におけるターゲット材料の表記では、ｎＩＴＯ（ｎ＝１，５，７，１０）とし、“ｎ”は、酸化スズをｎ重量％含有する酸化インジウムであることを意味する。また、全実施例および全比較例での製膜における基板温度は２０℃にして、酸素とアルゴンとの混合ガスを装置内に導入しながら製膜した。
【０１０６】
下地層の製膜では、アルゴンおよび酸素を１００：１００の比率で供給し、酸素分圧０．１００Ｐａ、製膜室内全圧力０．２０Ｐａ、パワー密度２．０ｋＷにし、層厚は３．０ｎｍとした。なお、下地層の抵抗率は１６０Ωｃｍであった。
【０１０７】
抵抗調整層の製膜では、アルゴンおよび酸素を１００：２２の比率で供給し、酸素分圧０．０９０Ｐａ、製膜室内全圧力０．５０Ｐａ、パワー密度１．５ｋＷにし、層厚は２．２ｎｍとした。
【０１０８】
透明電極層の製膜では、アルゴンおよび酸素を１００：５の比率で供給し、酸素分圧０．０２４Ｐａ、製膜室内全圧力０．５０Ｐａ、パワー密度１２．０ｋＷにし、層厚は２２．０ｎｍとした。その結果、下地層、抵抗調整層、および透明電極層の層厚の合計値は、２７．２ｎｍとなった。
【０１０９】
なお、シート抵抗は、製膜後（Ｒ０）は３９２Ω／□、アニール後（Ｒ１）は１１９Ω／□、常温結晶化後（Ｒ２）は３７８Ω／□であった。その結果、製膜後（Ｒ０）と常温結晶化後（Ｒ２）とのシート抵抗の差異は１４Ω／□となった。
【０１１０】
［◆実施例２］
下地層、抵抗調整層、透明電極層のターゲットは、酸化インジウム・スズ（酸化スズ含量７重量％）を使用した。
【０１１１】
下地層の製膜では、アルゴンおよび酸素を１００：１２０の比率で供給し、酸素分圧０．１０９Ｐａ、製膜室内全圧力０．２０Ｐａ、パワー密度２．０ｋＷにし、層厚は３．０ｎｍとした。なお、下地層の抵抗率は２１０Ωｃｍであった。
【０１１２】
抵抗調整層の製膜では、アルゴンおよび酸素を１００：２１の比率で供給し、酸素分圧０．０８７Ｐａ、製膜室内全圧力０．５０Ｐａ、パワー密度１．５ｋＷにし、層厚は２．２ｎｍとした。
【０１１３】
透明電極層の製膜では、アルゴンおよび酸素を１００：５の比率で供給し、酸素分圧０．０２４Ｐａ、製膜室内全圧力０．５０Ｐａ、パワー密度１２．０ｋＷにし、層厚は２２．０ｎｍとした。その結果、下地層、抵抗調整層、および透明電極層の層厚の合計値は、２７．２ｎｍとなった。
【０１１４】
なお、シート抵抗は、製膜後（Ｒ０）は４２０Ω／□、アニール後（Ｒ１）は１４７Ω／□、常温結晶化後（Ｒ２）は３９９Ω／□であった。その結果、製膜後（Ｒ０）と常温結晶化後（Ｒ２）とのシート抵抗の差異は２１Ω／□となった。
【０１１５】
［◆実施例３］
下地層、抵抗調整層、透明電極層のターゲットは、酸化インジウム・スズ（酸化スズ含量１０重量％）を使用した。
【０１１６】
下地層の製膜では、アルゴンおよび酸素を１００：１００の比率で供給し、酸素分圧０．１００Ｐａ、製膜室内全圧力０．２０Ｐａ、パワー密度２．０ｋＷにし、層厚は３．０ｎｍとした。なお、下地層の抵抗率は１６０Ωｃｍであった。
【０１１７】
抵抗調整層の製膜では、アルゴンおよび酸素を１００：１６の比率で供給し、酸素分圧０．０６９Ｐａ、製膜室内全圧力０．５０Ｐａ、パワー密度１．５ｋＷにし、層厚は２．２ｎｍとした。
【０１１８】
透明電極層の製膜では、アルゴンおよび酸素を１００：５の比率で供給し、酸素分圧０．０２４Ｐａ、製膜室内全圧力０．５０Ｐａ、パワー密度１２．０ｋＷにし、層厚は２２．０ｎｍとした。その結果、下地層、抵抗調整層、および透明電極層の層厚の合計値は、２７．２ｎｍとなった。
【０１１９】
なお、シート抵抗は、製膜後（Ｒ０）は３３６Ω／□、アニール後（Ｒ１）は１０２Ω／□、常温結晶化後（Ｒ２）は３２４Ω／□であった。その結果、製膜後（Ｒ０）と常温結晶化後（Ｒ２）とのシート抵抗の差異は１２Ω／□となった。
【０１２０】
［◆実施例４］
下地層、抵抗調整層、透明電極層のターゲットは、酸化インジウム・スズ（酸化スズ含量１０重量％）を使用した。
【０１２１】
下地層の製膜では、アルゴンおよび酸素を１００：１００の比率で供給し、酸素分圧０．１００Ｐａ、製膜室内全圧力０．２０Ｐａ、パワー密度２．０ｋＷにし、層厚は３．０ｎｍとした。なお、下地層の抵抗率は１６０Ωｃｍであった。
【０１２２】
抵抗調整層の製膜では、アルゴンおよび酸素を１００：２２の比率で供給し、酸素分圧０．０９０Ｐａ、製膜室内全圧力０．５０Ｐａ、パワー密度１．０ｋＷにし、層厚は１．６ｎｍとした。
【０１２３】
透明電極層の製膜では、アルゴンおよび酸素を１００：５の比率で供給し、酸素分圧０．０２４Ｐａ、製膜室内全圧力０．５０Ｐａ、パワー密度１２．０ｋＷにし、層厚は２２．０ｎｍとした。その結果、下地層、抵抗調整層、および透明電極層の層厚の合計値は、２６．６ｎｍとなった。
【０１２４】
なお、シート抵抗は、製膜後（Ｒ０）は３６４Ω／□、アニール後（Ｒ１）は１１１Ω／□、常温結晶化後（Ｒ２）は３５１Ω／□であった。その結果、製膜後（Ｒ０）と常温結晶化後（Ｒ２）とのシート抵抗の差異は１３Ω／□となった。
【０１２５】
［◆実施例５］
下地層、抵抗調整層、透明電極層のターゲットは、酸化インジウム・スズ（酸化スズ含量５重量％）を使用した。
【０１２６】
下地層の製膜では、アルゴンおよび酸素を１００：１５０の比率で供給し、酸素分圧０．１２０Ｐａ、製膜室内全圧力０．２０Ｐａ、パワー密度２．０ｋＷにし、層厚は３．０ｎｍとした。なお、下地層の抵抗率は３００Ωｃｍであった。
【０１２７】
抵抗調整層の製膜では、アルゴンおよび酸素を１００：２０の比率で供給し、酸素分圧０．０８３Ｐａ、製膜室内全圧力０．５０Ｐａ、パワー密度１．５ｋＷにし、層厚は２．２ｎｍとした。
【０１２８】
透明電極層の製膜では、アルゴンおよび酸素を１００：５の比率で供給し、酸素分圧０．０２４Ｐａ、製膜室内全圧力０．５０Ｐａ、パワー密度１２．０ｋＷにし、層厚は２２．０ｎｍとした。その結果、下地層、抵抗調整層、および透明電極層の層厚の合計値は、２７．２ｎｍとなった。
【０１２９】
なお、シート抵抗は、製膜後（Ｒ０）は４９０Ω／□、アニール後（Ｒ１）は１５０Ω／□、常温結晶化後（Ｒ２）は４６９Ω／□であった。その結果、製膜後（Ｒ０）と常温結晶化後（Ｒ２）とのシート抵抗の差異は２１Ω／□となった。
【０１３０】
［◆実施例６］
下地層、抵抗調整層、透明電極層のターゲットは、酸化インジウム・スズ（酸化スズ含量１０重量％）を使用した。
【０１３１】
この実施例６では、下地層と透明フィルム基材との間に、コーティング層を形成した。コーティング層は、以下のように製膜した。
【０１３２】
まず、アクリル樹脂（商品名：ダイヤナールＢＲ−１０２、三菱レイヨン製）をメチルセロソルブに溶解し、固形分濃度は３０重量％とした。そして、この樹脂溶液に、酸化ジルコニウム（商品名：ジルコニア粒子ＴＺ−３Ｙ−Ｅ、東ソー製）を、アクリル樹脂に対して１重量％添加して十分に撹拌することで、中屈折率制御層塗布液を作成した。この樹脂溶液をバーコート法により、３マイクロメートル（μｍ）の厚みに塗布し、１２５℃で１５分間乾燥させることで、１マイクロメートル厚の樹脂層（コーティング層）を形成した。なお、このコーティング層の屈折率は１．５３であった。
【０１３３】
下地層の製膜では、アルゴンおよび酸素を１００：１００の比率で供給し、酸素分圧０．１００Ｐａ、製膜室内全圧力０．２０Ｐａ、パワー密度２．０ｋＷにし、層厚は３．０ｎｍとした。なお、下地層の抵抗率は１６０Ωｃｍであった。
【０１３４】
抵抗調整層の製膜では、アルゴンおよび酸素を１００：２２の比率で供給し、酸素分圧０．０９０Ｐａ、製膜室内全圧力０．５０Ｐａ、パワー密度１．５ｋＷにし、層厚は２．２ｎｍとした。
【０１３５】
透明電極層の製膜では、アルゴンおよび酸素を１００：５の比率で供給し、酸素分圧０．０２４Ｐａ、製膜室内全圧力０．５０Ｐａ、パワー密度１２．０ｋＷにし、層厚は２２．０ｎｍとした。その結果、下地層、抵抗調整層、および透明電極層の層厚の合計値は、２７．２ｎｍとなった。
【０１３６】
なお、シート抵抗は、製膜後（Ｒ０）は３８５Ω／□、アニール後（Ｒ１）は１２６Ω／□、常温結晶化後（Ｒ２）は３７１Ω／□であった。その結果、製膜後（Ｒ０）と常温結晶化後（Ｒ２）とのシート抵抗の差異は１４Ω／□となった。
【０１３７】
［◆実施例７］
透明電極層は２層構造で、上層側のターゲットは、酸化スズ含量１重量％、下層側のターゲットは、酸化スズ含量１０重量％の酸化インジウム・スズのターゲットを使用した。抵抗調整層は、酸化スズ含量１０重量％の酸化インジウム・スズ、下地層は酸化スズ含量５重量％の酸化インジウム・スズのターゲットを使用した
【０１３８】
下地層の製膜では、アルゴンおよび酸素を１００：１００の比率で供給し、酸素分圧０．１００Ｐａ、製膜室内全圧力０．２０Ｐａ、パワー密度２．０ｋＷにし、層厚は３．０ｎｍとした。なお、下地層の抵抗率は３００Ωｃｍであった。
【０１３９】
抵抗調整層の製膜では、アルゴンおよび酸素を１００：２２の比率で供給し、酸素分圧０．０９０Ｐａ、製膜室内全圧力０．５０Ｐａ、パワー密度１．５ｋＷにし、層厚は２．２ｎｍとした。
【０１４０】
透明電極層（下層）の製膜では、アルゴンおよび酸素を１００：２０の比率で供給し、酸素分圧０．０８３Ｐａ、製膜室内全圧力０．５０Ｐａ、パワー密度１１．０ｋＷにし、層厚は１９．０ｎｍとした。また、透明電極層（上層）の製膜では、アルゴンおよび酸素を１００：５の比率で供給し、酸素分圧０．０２４Ｐａ、製膜室内全圧力０．５０Ｐａ、パワー密度２．０ｋＷにし、層厚は３．０ｎｍとした。その結果、下地層、抵抗調整層、および透明電極層の層厚の合計値は、２７．２ｎｍとなった。
【０１４１】
なお、シート抵抗は、製膜後（Ｒ０）は４４８Ω／□、アニール後（Ｒ１）は１５５Ω／□、常温結晶化後（Ｒ２）は４２７Ω／□であった。その結果、製膜後（Ｒ０）と常温結晶化後（Ｒ２）とのシート抵抗の差異は２１Ω／□となった。
【０１４２】
［◇比較例１］
この比較例１では、抵抗調整層の製膜において、パワー密度３．０ｋＷとし、層厚を４．１ｎｍと高厚にする以外は、実施例１と同様の製膜を行った（なお、下地層、抵抗調整層、および透明電極層の層厚の合計値は、２９．１ｎｍとなった）。
【０１４３】
なお、シート抵抗は、製膜後（Ｒ０）は４０３Ω／□、アニール後（Ｒ１）は１２１Ω／□、常温結晶化後（Ｒ２）は１４５Ω／□となり、製膜後（Ｒ０）と常温結晶化後（Ｒ２）とのシート抵抗の差異は２５８Ω／□となった。
【０１４４】
［◇比較例２］
この比較例２では、抵抗調整層の製膜において、パワー密度０．５ｋＷとし、層厚を０．７ｎｍと低厚にする以外は、実施例１と同様の製膜を行った（なお、下地層、抵抗調整層、および透明電極層の層厚の合計値は、２５．７ｎｍとなった）。
【０１４５】
なお、シート抵抗は、製膜後（Ｒ０）は３６０Ω／□、アニール後（Ｒ１）は８０Ω／□、常温結晶化後（Ｒ２）は２６５Ω／□となり、製膜後（Ｒ０）と常温結晶化後（Ｒ２）とのシート抵抗の差異は９５Ω／□となった。
【０１４６】
［◇比較例３］
この比較例３では、下地層の製膜において、酸化珪素のターゲットに対して、アルゴンおよび酸素を１００：１００の比率で供給し、酸素分圧０．１５０Ｐａ、製膜室内全圧力０．３０Ｐａ、パワー密度７．０ｋＷにし、３．０ｎｍの層厚にした以外、実施例１と同様の製膜を行った（なお、下地層、抵抗調整層、および透明電極層の層厚の合計値は、２７．２ｎｍとなった）。
【０１４７】
なお、下地層の抵抗率は４０００Ωｃｍとなった。また、シート抵抗は、製膜後（Ｒ０）は４４８Ω／□、アニール後（Ｒ１）は１１９Ω／□、常温結晶化後（Ｒ２）は１６８Ω／□となり、製膜後（Ｒ０）と常温結晶化後（Ｒ２）とのシート抵抗の差異は２８０Ω／□となった。
【０１４８】
［◇比較例４］
この比較例４では、実施例１同様に、酸化インジウム・スズ（酸化スズ含量１０重量％）をターゲットとして用いるものの、下地層を製膜しなかった。
【０１４９】
抵抗調整層の製膜では、アルゴンおよび酸素を１００：２２の比率で供給し、酸素分圧０．０９０Ｐａ、製膜室内全圧力０．５０Ｐａ、パワー密度２．０ｋＷにし、層厚は３．０ｎｍとした。
【０１５０】
透明電極層の製膜では、アルゴンおよび酸素を１００：５の比率で供給し、酸素分圧０．０２４Ｐａ、製膜室内全圧力０．５０Ｐａ、パワー密度１２．０ｋＷにし、層厚は２４．０ｎｍとした。その結果、抵抗調整層、および透明電極層の層厚の合計値は、２７．０ｎｍとなった。
【０１５１】
なお、シート抵抗は、製膜後（Ｒ０）は３６０Ω／□、アニール後（Ｒ１）は２８０Ω／□、常温結晶化後（Ｒ２）は３２４Ω／□であった。その結果、製膜後（Ｒ０）と常温結晶化後（Ｒ２）とのシート抵抗の差異は３６Ω／□となった。
【０１５２】
［◇比較例５］
この比較例５では、実施例１同様に、酸化インジウム・スズ（酸化スズ含量１０重量％）をターゲットとして用いるものの、抵抗調整層を製膜しなかった。
【０１５３】
下地層の製膜では、アルゴンおよび酸素を１００：１００の比率で供給し、酸素分圧０．１００Ｐａ、製膜室内全圧力０．２０Ｐａ、パワー密度２．０ｋＷにし、層厚は３．０ｎｍとした。なお、下地層の抵抗率は１６０Ωｃｍであった。
【０１５４】
透明電極層の製膜では、アルゴンおよび酸素を１００：５の比率で供給し、酸素分圧０．０２４Ｐａ、製膜室内全圧力０．５０Ｐａ、パワー密度１２．０ｋＷにし、層厚は２４．０ｎｍとした。その結果、下地層および透明電極層の層厚の合計値は、２７．０ｎｍとなった。
【０１５５】
なお、シート抵抗は、製膜後（Ｒ０）は２５７Ω／□、アニール後（Ｒ１）は７８Ω／□、常温結晶化後（Ｒ２）は２４８Ω／□であった。その結果、製膜後（Ｒ０）と常温結晶化後（Ｒ２）とのシート抵抗の差異は９Ω／□となった。
【０１５６】
【表１】
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【０１５７】
［■表１の総評］
全実施例と比較例５とを比較すると、抵抗調整層が存在することで、結晶化工程を経た透明電極付き基板のシート抵抗が過度に低くなることなく、所望の値（１００Ω／□以上２００Ω／□以下）を担保することがわかる。すなわち、抵抗調整層の効果が確認できた。
【０１５８】
また、比較例２のように、抵抗調整層が１．０ｎｍ未満のように薄いと、シート抵抗が１００Ω／□以上にならず、さらに、常温にて結晶化が進むことがわかる（製膜後（Ｒ０）と常温結晶化後（Ｒ２）とのシート抵抗の差異が２５Ω／□以下の正の数値にならない）。
【０１５９】
逆に、比較例１のように、抵抗調整層が３．０ｎｍ以上のように厚いと、シート抵抗が１００Ω／□以上になるものの、常温にて結晶化が進むことがわかる。また、比較例３のように、下地層が酸化珪素を含有していると、比較例１同様に、シート抵抗が１００Ω／□以上になるものの、常温にて結晶化が進むこともわかる。
【０１６０】
また、比較例４のように、下地層が無いと、アニールによる結晶化工程を経ても、結晶化が十分に進行せず、低抵抗化しない（シート抵抗が２００Ω／□を超える）。
【０１６１】
一方で、全実施例では、下地層、抵抗調整層、および透明電極層の層厚合計が２７ｎｍ前後（２６．５ｎｍ以上２７．５ｎｍ以下）において、アニール後のシート抵抗は、所望の値（１００Ω／□以上２００Ω／□以下）になるだけでなく、常温での結晶化も抑制されている（Ｒ０−Ｒ２が２５Ω／□以下の正の数値になる）。
【０１６２】
なお、実施例１に対してＸ線光電子分光の層厚測定をしたところ、図５のような結果が得られた。この結果によると、下地層の酸素濃度が最も高くなっており、抵抗調整層は下地層から透明電極層に向かってほぼ連続的に酸素量が減衰する。これは、抵抗調整層の形成時の運動エネルギー等により、下地層からの原子拡散を受けた結果と考えられる。
【符号の説明】
【０１６３】
１０        透明電極付き基板
１１        下地層
１２        抵抗調整層
１４        機能性層
１６        透明フィルム基材［フィルム基材］
１７        透明電極層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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