(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
１つの面を備えるとともに、光透過性を有する基材と、
前記基材の前記１つの面に位置するとともに、光透過性を有する下地層と、
前記下地層のうち、前記基材に接する面とは反対側の面に位置する第１の酸窒化銅層と、
前記第１の酸窒化銅層のうち、前記下地層に接する面とは反対側の面に位置する銅層と、
前記銅層のうち、前記第１の酸窒化銅層に接する面とは反対側の面に位置する第２の酸窒化銅層と、を備え、
前記下地層と前記第１の酸窒化銅層との界面における密着強度が、８．０Ｎ／１５ｍｍ以上である
タッチパネル用導電性積層体。
【請求項２】
１つの面を備えるとともに、光透過性を有する基材と、
前記基材の前記１つの面に位置するとともに、光透過性を有する下地層と、
前記下地層のうち、前記基材に接する面とは反対側の面に位置する第１の酸窒化銅層と、
前記第１の酸窒化銅層のうち、前記下地層に接する面とは反対側の面に位置する銅層と、
前記銅層のうち、前記第１の酸窒化銅層に接する面とは反対側の面に位置する第２の酸窒化銅層と、を備え、
前記下地層のうち、前記第１の酸窒化銅層に接する面における表面粗さＲａが、３ｎｍ以上２０ｎｍ以下である
タッチパネル用導電性積層体。
【請求項３】
第１の面と、前記第１の面とは反対側の第２の面とを備える基材と、
前記第１の面、および、前記第２の面に別々に位置するとともに、光透過性を有する下地層と、
前記下地層のうち、前記基材に接する面とは反対側の面に位置する第１の酸窒化銅層と、
前記第１の酸窒化銅層のうち、前記下地層に接する面とは反対側の面に位置する銅層と、
前記銅層のうち、前記第１の酸窒化銅層に接する面とは反対側の面に位置する第２の酸窒化銅層と、を備え、
前記下地層と前記第１の酸窒化銅層との界面における密着強度が、８．０Ｎ／１５ｍｍ以上である
タッチパネル用導電性積層体。
【請求項４】
第１の面と、前記第１の面とは反対側の第２の面とを備える基材と、
前記第１の面、および、前記第２の面に別々に位置するとともに、光透過性を有する下地層と、
前記下地層のうち、前記基材に接する面とは反対側の面に位置する第１の酸窒化銅層と、
前記第１の酸窒化銅層のうち、前記下地層に接する面とは反対側の面に位置する銅層と、
前記銅層のうち、前記第１の酸窒化銅層に接する面とは反対側の面に位置する第２の酸窒化銅層と、を備え、
前記下地層のうち、前記第１の酸窒化銅層に接する面における表面粗さＲａが、３ｎｍ以上２０ｎｍ以下である
タッチパネル用導電性積層体。
【請求項５】
前記下地層は、紫外線硬化性多官能アクリレート、紫外線硬化性単官能アクリレート、紫外線硬化性のアクリル基を含むアクリルポリマー、および、前記第２の酸窒化銅層のうち前記銅層とは反対側の面における密着性を低くするためのアンチブロッキング剤を含み、
前記下地層は、前記基材において前記下地層の接する面に形成された複数の凹部を埋める
請求項１から４のいずれか一項に記載のタッチパネル用導電性積層体。
【請求項６】
前記銅層の厚さは、２００ｎｍ以上５００ｎｍ以下であり、
前記第１の酸窒化銅層の厚さは、３０ｎｍ以上５０ｎｍ以下であり、かつ、前記銅層の厚さにおける２５％以下の値である
請求項１から５のいずれか一項に記載のタッチパネル用導電性積層体。
【請求項７】
前記第２の酸窒化銅層において、ＸＹＺ表色系における三刺激値のうちのＹの値であって、前記第２の酸窒化銅層が形成された時点での前記Ｙの値が２０％以下である
請求項１から６のいずれか一項に記載のタッチパネル用導電性積層体。
【請求項８】
前記第１の酸窒化銅層および前記第２の酸窒化銅層の少なくとも一方は、４原子％以上１９原子％以下の割合で酸素原子を含む
請求項１から７のいずれか一項に記載のタッチパネル用導電性積層体。
【請求項９】
前記第１の酸窒化銅層、前記銅層、および、前記第２の酸窒化銅層から構成される積層体における表面抵抗率が、０．１３Ω／□以下である
請求項６に記載のタッチパネル用導電性積層体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、タッチパネルを構成するタッチセンサ用電極を形成するために用いられる導電性積層体、および、タッチパネル用導電性積層体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
タッチパネルの備えるタッチセンサは、複数の電極を備えている。複数の電極の形成材料には、各電極の抵抗値を低くする目的で、銅などの金属が用いられている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１１−２８６９９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、金属を形成材料とする電極は、電極の表面にて光を反射するため、透明導電性酸化物を形成材料とする電極よりも抵抗値は低い一方で、タッチパネルの使用者に視認されやすい。そこで、金属を形成材料とする複数の電極を備えるタッチパネルにおいて、各電極を視認されにくくすることが求められている。【０００５】
本発明は、タッチパネル用導電性積層体を用いて形成された電極を視認されにくくすることのできるタッチパネル用導電性積層体、および、タッチパネル用導電性積層体の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するためのタッチパネル用導電性積層体は、１つの面を備えるとともに、光透過性を有する基材と、前記基材の前記１つの面に位置するとともに、光透過性を有する下地層と、前記下地層のうち、前記基材に接する面とは反対側の面に位置する第１の酸窒化銅層と、前記第１の酸窒化銅層のうち、前記下地層に接する面とは反対側の面に位置する銅層と、前記銅層のうち、前記第１の酸窒化銅層に接する面とは反対側の面に位置する第２の酸窒化銅層と、を備える。【０００７】
上記課題を解決するためのタッチパネル用導電性積層体の製造方法は、基材における少なくとも１つの面に下地層を形成する工程と、前記下地層のうち、前記基材に接する面とは反対側の面に、スパッタ法を用いて第１の酸窒化銅層を形成する工程と、前記第１の酸窒化銅層のうち、前記下地層に接する面とは反対側の面に、スパッタ法を用いて銅層を形成する工程と、前記銅層のうち、前記第１の酸窒化銅層に接する面とは反対側の面に、スパッタ法を用いて第２の酸窒化銅層を形成する工程と、を備える。【０００８】
上記構成によれば、銅層が、銅層よりも反射率の低い２つの酸窒化銅層で挟まれている。これにより、タッチパネル用導電性積層体を用いて形成された複数の電極では、２つの酸窒化銅層において光の反射が抑えられるため、第１の面と対向する方向から電極が視認されにくくなり、かつ、基材を介して電極が視認されにくくなる。【０００９】
上記課題を解決するためのタッチパネル用導電性積層体は、第１の面と、前記第１の面とは反対側の第２の面とを備える基材と、前記第１の面、および、前記第２の面に別々に位置するとともに、光透過性を有する下地層と、前記下地層のうち、前記基材に接する面とは反対側の面に位置する第１の酸窒化銅層と、前記第１の酸窒化銅層のうち、前記下地層に接する面とは反対側の面に位置する銅層と、前記銅層のうち、前記第１の酸窒化銅層に接する面とは反対側の面に位置する第２の酸窒化銅層と、を備える。【００１０】
上記構成によれば、銅層が、銅層よりも反射率の低い２つの酸窒化銅層で挟まれている。これにより、タッチパネル用導電性積層体を用いて形成された複数の電極では、２つの酸窒化銅層において光の反射が抑えられるため、第１の面と対向する方向から電極が視認されにくく、また、第２の面と対向する方向からも電極が視認されにくくなる。【００１１】
上記タッチパネル用導電性積層体において、前記下地層は、紫外線硬化性多官能アクリレート、紫外線硬化性単官能アクリレート、紫外線硬化性のアクリル基を含むアクリルポリマー、および、前記第２の酸窒化銅層のうち前記銅層とは反対側の面における密着性を低くするためのアンチブロッキング剤を含み、前記下地層は、前記基材において前記下地層の接する面に形成された複数の凹部を埋めることが好ましい。【００１２】
上記構成によれば、下地層がアンチブロッキング剤を含むため、タッチパネル用導電性積層体が巻き取られたり、積み重ねられたりしたときに、第２の酸窒化銅層が、第２の酸窒化銅層の上に積まれた層に密着することが抑えられる。また、下地層は、基材の凹部を埋め、かつ、基材の上に層状に形成されているため、下地層における第１の酸窒化銅層と接する面の平坦性が高まる。ひいては、タッチパネル用導電性積層体の各層における平坦性が高まる。【００１３】
上記タッチパネル用導電性積層体において、前記銅層の厚さは、２００ｎｍ以上５００ｎｍ以下であり、前記第１の酸窒化銅層の厚さは、３０ｎｍ以上５０ｎｍ以下であり、かつ、前記銅層の厚さにおける２５％以下の値であることが好ましい。【００１４】
上記構成によれば、第１の酸窒化銅層の厚さが、３０ｎｍ以上５０ｎｍ以下であるため、第１の酸窒化銅層は、基材と銅層との間の密着性を高める上で十分な厚さを有している。しかも、第１の酸窒化銅層の厚さが銅層の厚さの２５％以下の値であるため、基材と銅層との間の密着性を保ちつつも、タッチパネル用導電性積層体の全体における厚さと、タッチパネル用導電性積層体における銅の使用量とが、過剰に大きくなることが抑えられる。【００１５】
上記タッチパネル用導電性積層体では、前記第２の酸窒化銅層において、ＸＹＺ表色系における三刺激値のうちのＹの値であって、前記第２の酸窒化銅層が形成された時点での前記Ｙの値が２０％以下であることが好ましい。【００１６】
上記構成によれば、第２の酸窒化銅層において、ＸＹＺ表色系のうち、明るさの指標であるＹの値が２０％以下である。そのため、タッチパネル用導電性積層体を用いて形成された複数の電極では、第２の酸窒化銅層と対向する方向から電極が視認されにくくなる。また、第２の酸窒化銅層が形成されたときのＹの値が２０％以下であるため、第２の酸窒化銅層が視認される程度にＹの値が大きくなりにくい。【００１７】
上記タッチパネル用導電性積層体において、前記第１の酸窒化銅層および前記第２の酸窒化銅層の少なくとも一方は、４原子％以上１９原子％以下の割合で酸素原子を含むことが好ましい。【００１８】
上記構成によれば、第１の酸窒化銅層および第２の酸窒化銅層のうち、４原子％以上１９原子％以下の割合で酸素原子を含む層において、光学特性の変化に対する耐久性を高めることができる。【００１９】
上記タッチパネル用導電性積層体において、前記下地層と前記第１の酸窒化銅層との界面における密着強度が、８．０Ｎ／１５ｍｍ以上であることが好ましい。
上記構成によれば、タッチパネル用導電性積層体がパターニングされるとき、パターニングによって形成される電極の一部が、下地層から剥がれにくくなり、ひいては、電極における断線を抑えることができる。【００２０】
上記タッチパネル用導電性積層体において、前記第１の酸窒化銅層、前記銅層、および、前記第２の酸窒化銅層から構成される積層体における表面抵抗率が、０．１３Ω／□以下であることが好ましい。【００２１】
上記構成によれば、タッチパネル用導電性積層体を用いて形成された電極の抵抗値を、タッチセンサの応答速度に対する影響が無視できる程度に小さい抵抗値とすることができる。【００２２】
上記タッチパネル用導電性積層体において、前記下地層のうち、前記第１の酸窒化銅層に接する面における表面粗さＲａが、３ｎｍ以上２０ｎｍ以下であることが好ましい。【００２３】
上記構成によれば、表面粗さＲａが３ｎｍ以上であるため、下地層、第１の酸窒化銅層、銅層、および、第２の酸窒化銅層から構成される積層体が、アンチブロッキング性をより得やすくなる。また、表面粗さＲａが２０ｎｍ以下であるため、上述した積層体を用いて形成された電極での光の散乱が、タッチパネルの使用者によって視認される程度に大きくなることが抑えられる。
【発明の効果】
【００２４】
本発明によれば、タッチパネル用導電性積層体を用いて形成された電極を視認されにくくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】本発明のタッチパネル用導電性積層体を具体化した１つの実施形態においてタッチパネル用導電性積層体の一例における断面構造を模式的に示す断面図である。
【図２】タッチパネル用導電性積層体の一例における断面構造を模式的に示す断面図である。
【図３】タッチパネル用導電性積層体の製造方法のうち、下地層を形成する工程を説明するための工程図である。
【図４】基材と下地層との一部を拡大して示す部分拡大断面図である。
【図５】タッチパネル用導電性積層体の製造方法のうち、下側酸窒化銅層を形成する工程を説明するための工程図である。
【図６】タッチパネル用導電性積層体の製造方法のうち、銅層を形成する工程を説明するための工程図である。
【図７】タッチパネル用導電性積層体の作用を説明するための作用図である。
【図８】タッチパネル用導電性積層体の作用を説明するための作用図である。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
図１から図８を参照してタッチパネル用導電性積層体、および、タッチパネル用導電性積層体の製造方法の１つの実施形態を説明する。以下では、タッチパネル用導電性積層体の構成、タッチパネル用導電性積層体の製造方法、タッチパネル用導電性積層体の作用、および、実施例を順番に説明する。
【００２７】
［タッチパネル用導電性積層体の構成］
図１および図２を参照してタッチパネル用導電性積層体の構成を説明する。なお、図１に示されるタッチパネル用導電性積層体の断面構造は、タッチパネル用導電性積層体の１つの例における断面構造であり、図２に示されるタッチパネル用導電性積層体の断面構造は、タッチパネル用導電性積層体の他の１つの例における断面構造である。
【００２８】
図１が示すように、タッチパネル用導電性積層体１０は、基材１１、下地層１２、下側酸窒化銅層１３、銅層１４、および、上側酸窒化銅層１５を備えている。下地層１２、下側酸窒化銅層１３、銅層１４、および、上側酸窒化銅層１５が、第１の積層体１６を構成している。
【００２９】
基材１１は、光透過性を有し、１つの面である第１の面１１ａを備え、下地層１２は、基材１１の第１の面１１ａに形成されている。下側酸窒化銅層１３は、下地層１２のうち、基材１１に接する面とは反対側の面に形成され、銅層１４は、下側酸窒化銅層１３のうち、下地層１２に接する面とは反対側の面に形成されている。上側酸窒化銅層１５は、銅層１４のうち、下側酸窒化銅層１３に接する面とは反対側の面に形成されている。
【００３０】
すなわち、下地層１２は、基材１１の第１の面１１ａに位置し、下側酸窒化銅層１３は、下地層１２のうち、基材１１に接する面とは反対側の面に位置し、銅層１４は、下側酸窒化銅層１３のうち、下地層１２に接する面とは反対側の面に位置している。上側酸窒化銅層１５は、銅層１４のうち、下側酸窒化銅層１３に接する面とは反対側の面に位置している。
【００３１】
基材１１は、光透過性を有した樹脂から形成されていることが好ましく、基材１１の形成材料は、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリアミド、および、ポリイミドなどであればよい。基材１１の厚さは、例えば数十μｍから数百μｍである。
【００３２】
下地層１２は、基材１１と下側酸窒化銅層１３との両方に対して密着性を有する層であり、下側酸窒化銅層１３が基材１１から剥がれることを抑える層である。下地層１２は、光透過性を有し、また、複数の樹脂材料から構成される塗液から形成された層であることが好ましい。下地層１２の厚さは、例えば数μｍである。
【００３３】
下地層１２を形成するための塗液は、紫外線硬化性多官能アクリレート、紫外線硬化性単官能アクリレート、アクリルポリマー、および、アンチブロッキング剤を含む。言い換えれば、下地層１２は、紫外線硬化性多官能アクリレート、紫外線硬化性単官能アクリレート、アクリルポリマー、および、アンチブロッキング剤を含む。このうち、紫外線硬化性多官能アクリレートは、下地層１２の形状を定める機能を有し、紫外線硬化性単官能アクリレートは、紫外線による硬化反応に反応性を有する希釈剤である。
【００３４】
アクリルポリマーは、基材１１と下側酸窒化銅層１３とに対して密着性を有し、アクリルポリマーは、紫外線硬化性のアクリル基と、密着性に寄与する官能基とを有している。アンチブロッキング剤は、上側酸窒化銅層１５のうち、銅層１４に接する面とは反対側の面における密着性を低くする。アンチブロッキング剤は、例えば、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、および、シリカなどで形成される粒子であることが好ましく、粒子の粒径は、数百ｎｍ程度であることが好ましい。下地層１２の厚さが例えば１μｍであれば、粒子の粒径は、１００ｎｍ以上５００ｎｍ以下であることが好ましい。
【００３５】
下地層１２を形成するための塗液、ひいては下地層１２がアンチブロッキング剤を含むため、上側酸窒化銅層１５のうち、銅層１４に接する面とは反対側の面が、アンチブロッキング剤である粒子の形状に追従した凹凸を有する。それゆえに、タッチパネル用導電性積層体１０が巻き取られたり、積み重ねられたりしたときに、上側酸窒化銅層１５と、上側酸窒化銅層１５の上に積まれた層である基材１１との接触点が減る。
【００３６】
結果として、上側酸窒化銅層１５が、上側酸窒化銅層１５の上に積まれた基材１１に貼り着いてしまうこと、すなわちブロッキングが抑えられるとともに、上側酸窒化銅層１５と比べて軟質な基材１１の表面が、上側酸窒化銅層１５によって傷付けられることが抑えられる。
【００３７】
下地層１２と下側酸窒化銅層１３との界面における密着強度は、８．０Ｎ／１５ｍｍ以上であることが好ましい。下地層１２と下側酸窒化銅層１３との界面における密着強度は、ＪＩＳ  Ｋ  ６８５４−３に準拠する方法によって測定された値である。
【００３８】
密着強度が８．０Ｎ／１５ｍｍ以上であれば、タッチパネル用導電性積層体１０がパターニングされるとき、パターニングによって形成される電極の一部が、下地層１２から剥がれにくくなり、ひいては、電極における断線を抑えることができる。
【００３９】
下地層１２のうち、下側酸窒化銅層１３に接する面が表面であり、表面における表面粗さＲａは、３ｎｍ以上２０ｎｍ以下であることが好ましく、５ｎｍ以上１０ｎｍ以下であることがより好ましい。下地層１２の表面粗さＲａは、ＪＩＳ  Ｂ  ０６０１に準拠する方法によって測定された値である。
【００４０】
下地層１２の表面における表面粗さＲａが３ｎｍ以上であることによって、表面粗さＲａが３ｎｍよりも小さい構成と比べて、第１の積層体１６が、アンチブロッキング性を得やすくなる。なお、アンチブロッキング性は、上側酸窒化銅層１５と、上側酸窒化銅層１５の上に積まれた基材１１との間におけるブロッキングを抑える特性である。
【００４１】
また、下地層１２の表面における表面粗さＲａが２０ｎｍ以下であることによって、第１の積層体１６におけるヘイズの値が、第１の積層体１６から形成された電極での光の散乱がタッチパネルの使用者によって視認される程度に大きくなることが抑えられる。さらにまた、下地層１２の表面における表面粗さＲａが２０ｎｍ以下であることによって、下地層１２の表面に形成された下側酸窒化銅層１３に、ピンホールやクラックが生じることが抑えられる。
【００４２】
このように、第１の積層体１６がアンチブロッキング性を有し、かつ、第１の積層体１６でのヘイズの値が大きくなることを抑える上では、下地層１２の表面における表面粗さＲａが、３ｎｍ以上２０ｎｍ以下であることが好ましい。
【００４３】
なお、下地層１２がアンチブロッキング剤を含む構成では、下地層１２の表面における表面粗さＲａは、下地層１２におけるアンチブロッキング剤の分散の度合いによって制御することができる。下地層１２の中で、アンチブロッキング剤が均一に分散していると、下地層１２の表面における平滑性が高まる。一方で、下地層１２の中で、アンチブロッキング剤が過度に凝集していると、上側酸窒化銅層１５では、凝集したアンチブロッキング剤に重なる部分が、他の部分よりも突き出た突出部分として視認されてしまう。
【００４４】
そのため、下地層１２の表面における表面粗さＲａの値が、３ｎｍ以上２０ｎｍ以下の範囲に含まれるためには、視認される大きさを有した突出部分が上側酸窒化銅層１５に形成されない程度に、アンチブロッキング剤が、下地層１２の中で凝集していることが好ましい。
【００４５】
下地層１２の表面における硬度はＨＢ以上であることが好ましく、Ｈ以上であることがより好ましい。なお、下地層１２の硬度は、ＪＩＳ  Ｋ  ５６００−５−４に準拠する鉛筆法に基づき測定される引っかき硬度である。
【００４６】
下地層１２における硬化の度合いが小さいほど、下地層１２の表面における硬度が低くなるため、下地層１２の表面に傷が生じやすくなる。これにより、下地層１２の表面に位置する下側酸窒化銅層１３、銅層１４、および、上側酸窒化銅層１５にも、下地層１２が有する傷に追従した窪みなどが形成されやすくなる。下側酸窒化銅層１３、銅層１４、および、上側酸窒化銅層１５の積層体から電極が形成されるとき、こうした窪みが、電極に断線を生じさせる場合がある。
【００４７】
また、下地層１２の表面における硬度が低くなるほど、下地層１２に外部から作用した応力によって、下地層１２が変形する度合いが大きくなる。そして、下地層１２が変形する度合いが大きくなり過ぎると、下地層１２の表面に形成された下側酸窒化銅層１３が、下地層１２の変形に追従できず、結果として、下側酸窒化銅層１３にひびが生じたり、下側酸窒化銅層１３が下地層１２から剥がれたりする場合がある。
【００４８】
この点で、下地層１２の表面における鉛筆硬度がＨＢ以上であれば、電極における断線、下側酸窒化銅層１３に生じるひび、および、下側酸窒化銅層１３の剥がれを抑えることができる。
【００４９】
下側酸窒化銅層１３は、酸窒化銅（ＣｕＮＯ）から形成される層である。
ここで、窒化銅層は、形成初期、すなわち形成されてからの経過時間が短い間において、酸窒化銅層に比べて化学的に不安定であり、空気中の酸素と反応しやすい。これにより、窒化銅層の組成は、形成初期の間に変わりやすく、ひいては、窒化銅層の光学特性も形成初期の間に変わりやすい。このように、窒化銅層では、形成されたときにおける光学特性と、短い時間が経過した後の光学特性とが大きく異なるため、窒化銅層の光学特性を求められる光学特性とすることが難しい。
これに対して、酸窒化銅層は、窒化銅層と比べて、酸素を含む分だけ形成初期における組成の変化、および、光学特性の変化が抑えられる。
【００５０】
下側酸窒化銅層１３では、ＪＩＳ  Ｚ  ８７２２に準拠するＸＹＺ表色系の三刺激値のうち、Ｙの値の初期値、すなわち、下側酸窒化銅層１３の形成された時点におけるＹの値は、２０％以下であることが好ましい。なお、三刺激値におけるＹの値は、明るさの指標であり、Ｙの値が大きいほど明るいことを示す。また、下側酸窒化銅層１３の厚さは、３０ｎｍ以上５０ｎｍ以下であり、かつ、銅層１４の厚さにおける２５％以下の値であることが好ましい。
【００５１】
下側酸窒化銅層１３の厚さが、３０ｎｍ以上５０ｎｍ以下であるため、下側酸窒化銅層１３は、下地層１２の形成された基材１１と銅層１４との間の密着性を高める上で十分な厚さを有している。しかも、下側酸窒化銅層１３の厚さが銅層１４の厚さの２５％以下の値であるため、基材１１と銅層１４との間の密着性を保ちつつも、タッチパネル用導電性積層体１０の全体における厚さと、タッチパネル用導電性積層体１０における銅の使用量とが過剰に大きくなることが抑えられる。
【００５２】
下側酸窒化銅層１３は、４原子％以上１９原子％以下の割合で酸素原子を含むことが好ましく、４原子％以上１２原子％以下の割合で酸素原子を含むことがより好ましい。こうした下側酸窒化銅層１３によれば、下側酸窒化銅層１３における組成が変わりにくい程度に下側酸窒化銅層１３に酸素原子が含まれているため、下側酸窒化銅層１３における光学特性の変化に対する耐久性、すなわち光学特性の経時的な安定性を高めることができる。
【００５３】
下側酸窒化銅層１３における光学特性の変化は、タッチパネル用導電性積層体１０を用いて形成した電極を有するタッチパネルがディスプレイの表面として適用された場合に、ディスプレイの表面における反射色の変化として表れる。そのため、下側酸窒化銅層１３における光学特性の経時的な安定性が高まれば、複数のディスプレイにおいて、反射色を含む色調のばらつきが抑えられ、ひいては、ディスプレイが有する工業製品としての商品価値が高まる。
【００５４】
なお、下側酸窒化銅層１３における光学特性は、下側酸窒化銅層１３における光学的な特徴を定める複数のパラメータによって特定され、複数のパラメータは、上述したＸＹＺ表色系の三刺激値におけるＹの値、Ｌａｂ表色系におけるＬ＊の値、ａ＊の値、および、ｂ＊の値によって構成される。このうち、Ｌａｂ表色系におけるＬ＊の値は明度指数、すなわち明度の指標であり、ａ＊の値およびｂ＊の値の各々は知覚色度指数、すなわち、色相および彩度の指標である。
【００５５】
下側酸窒化銅層１３における光学特性の初期値のうち、Ｙの初期値は、上述したように２０％以下であることが好ましい。また、Ｌ＊の初期値は、５５以下であることが好ましい。ａ＊の初期値およびｂ＊の初期値は、負の値であることが好ましく、ａ＊の初期値およびｂ＊の初期値は負の値であって、かつ、絶対値が５以上２０以下であることがより好ましい。
【００５６】
下側酸窒化銅層１３が含む酸素原子の割合が、４原子％以上１９原子％以下であれば、下側酸窒化銅層１３の光学特性の初期値が、上述した好ましい範囲に含まれる。
【００５７】
また、第二塩化鉄液をエッチャントとして用いたとき、下側酸窒化銅層１３が含む酸素原子の量が小さいほど下側酸窒化銅層１３のエッチング速度が低くなり、これにより、下側酸窒化銅層１３のエッチング速度と、銅層１４のエッチング速度との差が大きくなる。言い換えれば、下側酸窒化銅層１３が含む酸素原子の量が大きいほど下側酸窒化銅層１３のエッチング速度が高くなり、これにより、下側酸窒化銅層１３のエッチング速度と、銅層１４のエッチング速度との差が小さくなる。
【００５８】
そして、下側酸窒化銅層１３のエッチング速度と、銅層１４のエッチング速度との差が小さいほど、下側酸窒化銅層１３と銅層１４とをエッチングして電極を形成するとき、下側酸窒化銅層１３における線幅と、銅層１４における線幅とに差が生じることが抑えられる。これにより、電極において断線が生じることが抑えられる。
【００５９】
そのため、下側酸窒化銅層１３と銅層１４とを含む積層体において、ウェットエッチングによる加工性を高める上では、下側酸窒化銅層１３は、１２原子％以上４２原子％以下の割合で酸素原子を含むことが好ましく、１９原子％以上４２原子％以下の割合で酸素原子を含むことがより好ましい。
銅層１４は、銅（Ｃｕ）から形成される層であり、銅層１４の厚さは、２００ｎｍ以上５００ｎｍ以下であることが好ましい。
【００６０】
上側酸窒化銅層１５は、酸窒化銅（ＣｕＮＯ）から形成される層である。上側酸窒化銅層１５では、上述したＸＹＺ表色系の三刺激値のうち、Ｙの値の初期値、すなわち、上側酸窒化銅層１５の形成された時点におけるＹの値は、２０％以下であることが好ましい。また、上側酸窒化銅層１５において、Ｌ＊の初期値は、５５以下であることが好ましい。ａ＊の初期値およびｂ＊の初期値は負の値であることが好ましく、ａ＊の初期値およびｂ＊の初期値は負の値であって、かつ、絶対値が５以上２０以下であることがより好ましい。また、上側酸窒化銅層１５の厚さは、３０ｎｍ以上５０ｎｍ以下であることが好ましい。
【００６１】
上側酸窒化銅層１５においても、上述した下側酸窒化銅層１３と同様、上側酸窒化銅層１５における光学特性の変化に対する耐久性を高める上では、４原子％以上１９原子％以下の割合で酸素原子を含むことが好ましく、４原子％以上１２原子％以下の割合で酸素原子を含むことがより好ましい。
【００６２】
また、上側酸窒化銅層１５を含む積層体において、ウェットエッチングによる加工性を高める上では、上側酸窒化銅層１５は、１２原子％以上４２原子％以下の割合で酸素原子を含むことが好ましく、１９原子％以上４２原子％以下の割合で酸素原子を含むことがより好ましい。
【００６３】
こうしたタッチパネル用導電性積層体１０では、銅層１４が下側酸窒化銅層１３と上側酸窒化銅層１５とに挟まれているため、２つの酸窒化銅層を有しない構成と比べて、銅層１４が酸化されにくい。
【００６４】
第１の積層体１６において、下側酸窒化銅層１３、銅層１４、および、上側酸窒化銅層１５から構成される積層体の表面抵抗率は、０．１３Ω／□以下であることが好ましい。タッチパネル用導電性積層体１０を構成する層のうち、下側酸窒化銅層１３および上側酸窒化銅層１５は、銅層１４よりも抵抗値の高い化合物から形成される層ではある。ただし、酸窒化銅層によれば、第１の積層体１６において、上述した積層体における表面抵抗値が、タッチパネルの備える電極として許容されない程度にまで上昇することを抑えることが可能である。
【００６５】
そして、タッチパネル用導電性積層体１０が、こうした抵抗値の高い化合物層を有しても、第１の積層体１６が含む上述した積層体の表面抵抗率が０．１３Ω／□以下であれば、以下の効果を得ることができる。すなわち、タッチパネル用導電性積層体１０を用いて形成された電極の抵抗値を、タッチセンサの応答速度に対する影響が無視できる程度に小さい抵抗値とすることができる。
【００６６】
図２が示すように、基材１１のうち、第１の面１１ａとは反対側の面が第２の面１１ｂであり、第２の面１１ｂには、第２の積層体２０が位置していてもよい。第２の積層体２０は、基材１１に対する位置が異なる一方で、層が積み重なる方向においては第１の積層体１６と同じ層構造を有している。すなわち、第２の積層体２０は、下地層２１、下側酸窒化銅層２２、銅層２３、および、上側酸窒化銅層２４から構成されている。
なお、下側酸窒化銅層１３，２２が第１の酸窒化銅層の一例であり、上側酸窒化銅層１５，２４が第２の酸窒化銅層の一例である。
【００６７】
［タッチパネル用導電性積層体の製造方法］
図３から図６を参照してタッチパネル用導電性積層体の製造方法を説明する。なお、図４では、基材１１の第１の面１１ａにおける一部について説明する便宜上から、基材１１と下地層１２との一部が拡大して示されている。また、基材１１の第２の面１１ｂに対して第２の積層体２０を形成する工程は、積層体が形成される面が異なる以外は、第１の面１１ａに対して第１の積層体１６を形成する工程と同じである。そのため、以下では、第１の積層体１６を形成する工程を説明し、第２の積層体２０を形成する工程の説明を省略する。
【００６８】
図３が示すように、タッチパネル用導電性積層体１０が形成されるときには、まず、基材１１の第１の面１１ａに下地層１２が形成される。下地層１２が形成される工程では、上述した複数の樹脂材料を含む塗液を用いて、基材１１の第１の面１１ａに塗膜が形成される。そして、塗膜が硬化されることによって、下地層１２が形成される。
【００６９】
図４が示すように、下地層１２は、基材１１の第１の面１１ａに形成された複数の凹部１１ｃを埋め、かつ、第１の面１１ａの上に層状に形成される。そのため、下地層１２における下側酸窒化銅層１３と接する面の平坦性が高まる。ひいては、タッチパネル用導電性積層体１０の各層における平坦性が高まる。
【００７０】
なお、基材１１の第１の面１１ａに形成された凹部１１ｃの深さは、上述した下地層１２における表面粗さＲａに比べて大幅に大きい。そのため、下地層１２によれば、こうした凹部１１ｃを埋めることによって平坦性を高めつつ、下地層１２の表面における表面粗さＲａを上述した範囲とすることができる。
【００７１】
図５が示すように、下側酸窒化銅層１３が形成される工程では、下地層１２のうち、基材１１に接する面とは反対側の面に、スパッタ法を用いて下側酸窒化銅層１３が形成される。
【００７２】
下側酸窒化銅層１３は、例えば、窒素ガスと酸素ガスとを含む雰囲気にて銅ターゲットがスパッタされることによって形成される。ターゲットのスパッタが行われる雰囲気に供給される窒素ガスの流量が例えば４００ｓｃｃｍであるとき、酸素ガスの流量は、１０ｓｃｃｍ以上１００ｓｃｃｍ以下であることが好ましく、１０ｓｃｃｍ以上４０ｓｃｃｍ以下がより好ましく、２０ｓｃｃｍであることがさらに好ましい。
【００７３】
図６が示すように、銅層１４が形成される工程では、下側酸窒化銅層１３のうち、下地層１２に接する面とは反対側の面に、スパッタ法を用いて銅層１４が形成される。
【００７４】
そして、銅層１４のうち、下側酸窒化銅層１３に接する面とは反対側の面に、スパッタ法を用いて上側酸窒化銅層１５が形成される。これにより、タッチパネル用導電性積層体１０が製造される。
【００７５】
なお、上側酸窒化銅層１５も、下側酸窒化銅層１３と同様、例えば、窒素ガスと酸素ガスとを含む雰囲気にて銅ターゲットがスパッタされることによって形成される。ターゲットのスパッタが行われる雰囲気に供給される窒素ガスの流量が例えば４００ｓｃｃｍであるとき、酸素ガスの流量は、１０ｓｃｃｍ以上１００ｓｃｃｍ以下であることが好ましく、１０ｓｃｃｍ以上４０ｓｃｃｍ以下であることがより好ましく、２０ｓｃｃｍであることがさらに好ましい。
【００７６】
タッチパネル用導電性積層体１０では、下側酸窒化銅層１３、銅層１４、および、上側酸窒化銅層１５の全てがスパッタ法を用いて形成される。そのため、下側酸窒化銅層１３と銅層１４から形成された電極に対して、めっき法などの湿式の処理を用いて光の反射を抑える層を形成する工程を省くことができる。しかも、下側酸窒化銅層１３と上側酸窒化銅層１５との両方がスパッタ法を用いて形成されるため、例えば、下側酸窒化銅層１３がスパッタ法を用いて形成される一方で、上側酸窒化銅層がめっき法で形成される場合と比べて、下側酸窒化銅層１３と上側酸窒化銅層１５との色味の差を小さくすることができる。
【００７７】
また、下側酸窒化銅層１３、銅層１４、および、上側酸窒化銅層１５のいずれかが異なる気相法、例えば蒸着法を用いて形成される場合と比べて、複数の層を形成するための環境の変化、例えば、真空度の変化や温度の変化が抑えられやすい。それゆえに、タッチパネル用導電性積層体１０の製造装置の構成をより簡単にすることができる。
【００７８】
［タッチパネル用導電性積層体の作用］
図７および図８を参照してタッチパネル用導電性積層体の作用を説明する。なお、図７および図８の各々では、第１の積層体１６のうち、下側酸窒化銅層１３、銅層１４、および、上側酸窒化銅層１５がエッチングされることによって、下地層１２の上に複数の電極が形成された状態が示されている。
【００７９】
図７が示すように、下地層１２のうち、基材１１に接する面とは反対側の面には、複数の電極３１が形成されている。各電極３１は、下側酸窒化銅層１３、銅層１４、および、上側酸窒化銅層１５を備え、基材１１の第１の面１１ａにおいて、１つの方向に沿って延びている。電極３１の線幅は、例えば数μｍから数十μｍ程度である。
【００８０】
複数の電極３１が第１の面１１ａと対向する方向から視認されるとき、光源ＬＳの射出した光の一部は、電極３１の備える上側酸窒化銅層１５に入射し、上側酸窒化銅層１５に入射した光の少なくとも一部が、観察者ＯＢに向けて上側酸窒化銅層１５から射出される。
【００８１】
ここで、上側酸窒化銅層１５における光の反射率は、銅層１４における光の反射率よりも低いため、銅層１４が電極３１の最表層である構成と比べて、上側酸窒化銅層１５から観察者ＯＢに向けて射出される光の量が小さくなる。すなわち、上側酸窒化銅層１５は、銅層１４のような金属光沢を有さず、かつ、褐色や黒色であって、明度の低い色を有する層として視認される。
【００８２】
そして、上述したように、電極３１は、数μｍから数十μｍ程度の非常に小さい線幅を有するため、結果として、電極３１は、第１の面１１ａと対向する方向から観察者ＯＢによって視認されにくくなる。
【００８３】
また、上側酸窒化銅層１５におけるＹの値は、上側酸窒化銅層１５が形成された時点において２０％以下であるため、上側酸窒化銅層１５が形成された時点からの時間の経過が短い時点では、上側酸窒化銅層１５の明度が、観察者ＯＢに視認されない程度に小さい。
【００８４】
上側酸窒化銅層１５の明度は、上側酸窒化銅層１５の経時的な劣化に伴い高くなる傾向を有する。しかしながら、上側酸窒化銅層１５が形成された時点においてＹの値が２０％以下であるため、上側酸窒化銅層１５が形成された時点からの時間の経過が長い時点であっても、上側酸窒化銅層１５の明度が、観察者ＯＢに視認される程度に大きくなりにくい。言い換えれば、上側酸窒化銅層１５が形成された時点でのＹの値がより大きい構成と比べて、上側酸窒化銅層１５の明度が、観察者ＯＢに視認される程度に大きくなるまでにかかる時間が長くなる。
【００８５】
図８が示すように、複数の電極３１が第２の面１１ｂと対向する方向から視認されるとき、すなわち、複数の電極３１が基材１１を介して視認されるとき、複数の電極３１が第１の面１１ａと対向する方向から視認されるときと同様の理由から、観察者ＯＢによって電極３１が視認されにくくなる。つまり、下側酸窒化銅層１３は、上述したように、下地層１２と銅層１４との間における密着層としての機能と、複数の電極３１を視認されにくくする機能とを併せ持つ。
【００８６】
なお、基材１１における第２の面１１ｂに形成された複数の電極においても、上述した第１の面１１ａに形成された複数の電極３１と同等の効果を得ることができる。
【００８７】
［実施例］
［実施例１］
厚さが１００μｍであるポリエチレンテレフタレートシートを基材として準備し、基材の第１の面に、塗液を用いて１．２μｍの厚さを有する下地層を形成した。そして、下地層の上に、スパッタ法を用いて下側酸窒化銅層を形成し、下側酸窒化銅層の上に、スパッタ法を用いて銅層を形成した。さらに、銅層の上に、スパッタ法を用いて上側酸窒化銅層を形成して、実施例１のタッチパネル用導電性積層体を得た。なお、上側酸窒化銅層の形成は、以下の条件で行った。
【００８８】
・ＭＦ帯高周波電源        ６．０ｋＷ
・アルゴンガス流量        １００ｓｃｃｍ
・酸素ガス流量            １０ｓｃｃｍ
・窒素ガス流量            ４００ｓｃｃｍ
【００８９】
［実施例２］
上側酸窒化銅層を形成するときの条件を以下のように変更した以外は、実施例１と同じ方法によって実施例２のタッチパネル用導電性積層体を得た。
・ＭＦ帯高周波電源        ６．０ｋＷ
・アルゴンガス流量        １００ｓｃｃｍ
・酸素ガス流量            １００ｓｃｃｍ
・窒素ガス流量            ４００ｓｃｃｍ
【００９０】
［加速試験］
実施例１のタッチパネル用導電性積層体と、実施例２のタッチパネル用導電性積層体とに対して、以下の条件で加速試験を行った。
【００９１】
［試験条件１］
温度が９０℃であり、かつ、相対湿度が２％から３％であって、加湿をしていない試験環境中に、実施例１，２のタッチパネル用導電性積層体を１２０時間、２４０時間、および、５００時間にわたって静置した。
【００９２】
［試験条件２］
温度が６０℃であり、かつ、相対湿度が９０％である試験環境中に、実施例１，２のタッチパネル用導電性積層体を１２０時間、２４０時間、および、５００時間にわたって静置した。
【００９３】
［測定結果］
実施例１，２のタッチパネル用導電性積層体について、上側酸窒化銅層が形成された時点における上側酸窒化銅層のＹの値、Ｌ＊の値、ａ＊の値、および、ｂ＊の値をそれぞれ測定した。また、加速試験が行われた実施例１，２のタッチパネル用導電性積層体であって、各経過時間にわたって加速試験を行ったタッチパネル用導電性積層体について、上側酸窒化銅層のＹの値、Ｌ＊の値、ａ＊の値、および、ｂ＊の値をそれぞれ測定した。
【００９４】
なお、Ｙの値は、ＪＩＳ  Ｚ  ８７２２に準拠する測定方法を用いて測定した。また、Ｌ＊の値、ａ＊の値、および、ｂ＊の値は、ＪＩＳ  Ｚ  ８７８１−４に準拠する測定方法を用いて測定した。各測定結果は、以下の表１に示すような値であった。
【００９５】
【表１】
0006607918.tif 000002
【００９６】
表１が示すように、実施例１では、上側酸窒化銅層が形成された時点における上側酸窒化銅層のＹの値、すなわち、Ｙの初期値が１８．９％であり、２０％以下であることが認められた。また、実施例１では、Ｌ＊の初期値が５０．６であり、ａ＊の初期値が−１５．０であり、ｂ＊の初期値が−４．５であることが認められた。
【００９７】
実施例２では、Ｙの初期値が１８．５％であり、２０％以下であることが認められた。また、実施例２では、Ｌ＊の初期値が５０．２であり、ａ＊の初期値が−９．２であり、ｂ＊の初期値が−１０．０であることが認められた。
【００９８】
そして、実施例１の上側酸窒化銅層では、実施例２の上側酸窒化銅層と比べて、加速試験後において、Ｙの値、Ｌ＊の値、ａ＊の値、および、ｂ＊の値の各々における初期値からの変化量が小さいことが認められた。
【００９９】
［実施例３］
厚さが１００μｍであるポリエチレンテレフタレートシートを基材として準備し、基材の第１の面に、塗液を用いて１．２μｍの厚さを有する下地層を形成した。そして、下地層の上に、スパッタ法を用いて３８ｎｍの厚さを有する下側酸窒化銅層を形成し、下側酸窒化銅層の上に、スパッタ法を用いて５００ｎｍの厚さを有する銅層を形成した。さらに、銅層の上に、スパッタ法を用いて３８ｎｍの厚さを有する上側酸窒化銅層を形成して、実施例３のタッチパネル用導電性積層体を得た。なお、上側酸窒化銅層および下側酸窒化銅層の形成は、以下の条件で行った。実施例３において、上側酸窒化銅層および下側酸窒化銅層の各々の成膜速度は、４４ｎｍ・ｍ／ｍｉｎであることが認められた。
【０１００】
・ＭＦ帯高周波電源        ９．３ｋＷ
・アルゴンガス流量        １００ｓｃｃｍ
・酸素ガス流量            ８０ｓｃｃｍ
・窒素ガス流量            ４００ｓｃｃｍ
【０１０１】
［実施例４］
上側酸窒化銅層および下側酸窒化銅層を形成するときの条件のうち、酸素ガスの流量を以下のように変更した以外は、実施例３と同じ方法によって実施例４のタッチパネル用導電性積層体を得た。実施例４において、上側酸窒化銅層および下側酸窒化銅層の各々の成膜速度は、実施例３における成膜速度と同じであることが認められた。
・酸素ガス流量            ４０ｓｃｃｍ
【０１０２】
［実施例５］
上側酸窒化銅層および下側酸窒化銅層を形成するときの条件のうち、酸素ガスの流量を以下のように変更した以外は、実施例３と同じ方法によって実施例５のタッチパネル用導電性積層体を得た。なお、実施例５において、上側酸窒化銅層および下側酸窒化銅層の各々の成膜速度は、実施例３における成膜速度と同じであることが認められた。
・酸素ガス流量            ２０ｓｃｃｍ
【０１０３】
［実施例６］
上側酸窒化銅層および下側酸窒化銅層を形成するときの条件のうち、酸素ガスの流量を以下のように変更した以外は、実施例３と同じ方法によって実施例６のタッチパネル用導電性積層体を得た。実施例６において、上側酸窒化銅層および下側酸窒化銅層の各々の成膜速度は、実施例３における成膜速度と同じであることが認められた。
・酸素ガス流量            １０ｓｃｃｍ
【０１０４】
［実施例７］
上側酸窒化銅層および下側酸窒化銅層を形成するときの条件のうち、ＭＦ帯高周波電源のパワーを以下のように変更した以外は、実施例５と同じ方法によって実施例７のタッチパネル用導電性積層体を得た。なお、実施例７における上側酸窒化銅層および下側酸窒化銅層の各々の成膜速度は、３０ｎｍ・ｍ／ｍｉｎであることが認められた。
・ＭＦ帯高周波電源        ６．０ｋＷ
【０１０５】
［実施例８］
上側酸窒化銅層および下側酸窒化銅層を形成するときの条件のうち、酸素ガスの流量と、窒素ガスの流量とを以下のように変更した以外は、実施例３と同じ方法によって実施例８のタッチパネル用導電性積層体を得た。なお、実施例８における上側酸窒化銅層および下側酸窒化銅層の各々の成膜速度は、実施例３における成膜速度と同じであることが認められた。
・酸素ガス流量            ２０ｓｃｃｍ
・窒素ガス流量            ２００ｓｃｃｍ
【０１０６】
［比較例１］
上側酸窒化銅層および下側酸窒化銅層の各々を形成するときの条件のうち、酸素ガスの流量を以下のように変更した以外は、実施例３と同じ方法によって、上側窒化銅層および下側窒化銅層を有する比較例１のタッチパネル用導電性積層体を得た。なお、比較例１における上側窒化銅層および下側窒化銅層の各々の成膜速度は、実施例３における成膜速度と同じであることが認められた。
・酸素ガス流量              ０ｓｃｃｍ
【０１０７】
［光学特性の測定結果］
実施例３から８のタッチパネル用導電性積層体について、上側酸窒化銅層が形成された時点における上側酸窒化銅層のＹの値、Ｌ＊の値、ａ＊の値、および、ｂ＊の値をそれぞれ測定した。また、比較例１のタッチパネル用導電性積層体について、上側窒化銅層が形成された時点における上側窒化銅層のＹの値、Ｌ＊の値、ａ＊の値、および、ｂ＊の値をそれぞれ測定した。なお、Ｙの値、Ｌ＊の値、ａ＊の値、および、ｂ＊の値は、それぞれ、実施例１，２と同じ方法によって測定した。各測定結果は、以下の表２に示すような値であった。
【０１０８】
【表２】
0006607918.tif 000003
【０１０９】
表２が示すように、実施例３では、上側酸窒化銅層におけるＹの初期値が１５．７％であり、２０％以下であることが認められた。また、実施例３では、Ｌ＊の初期値が４６．５であり、ａ＊の初期値が５．８であり、ｂ＊の初期値が−２０．２であることが認められた。
【０１１０】
実施例４では、上側酸窒化銅層におけるＹの初期値が１６．６％であり、２０％以下であることが認められた。また、実施例４では、Ｌ＊の初期値が４７．８であり、ａ＊の初期値が−１４．４であり、ｂ＊の初期値が−１２．４であることが認められた。
【０１１１】
実施例５では、上側酸窒化銅層におけるＹの初期値が１７．９％であり、２０％以下であることが認められた。また、実施例５では、Ｌ＊の初期値が４９．４であり、ａ＊の初期値が−１５．１であり、ｂ＊の初期値が−９．０であることが認められた。
【０１１２】
実施例６では、上側酸窒化銅層におけるＹの初期値が１８．７％であり、２０％以下であることが認められた。また、実施例６では、Ｌ＊の初期値が５０．３であり、ａ＊の初期値が−１０．５であり、ｂ＊の初期値が−８．３であることが認められた。
【０１１３】
実施例７では、上側酸窒化銅層におけるＹの初期値が１７．０％であり、２０％以下であることが認められた。また、実施例７では、Ｌ＊の初期値が４８．３であり、ａ＊の初期値が−１５．８であり、ｂ＊の初期値が−１０．７であることが認められた。
【０１１４】
実施例８では、上側酸窒化銅層におけるＹの初期値が１９．１％であり、２０％以下であることが認められた。また、実施例８では、Ｌ＊の初期値が５０．８であり、ａ＊の初期値が−１３．３であり、ｂ＊の初期値が−７．０であることが認められた。
【０１１５】
比較例１では、上側窒化銅層におけるＹの初期値が２３．５％であり、２０％よりも大きいことが認められた。また、比較例１では、Ｌ＊の初期値が５５．６であり、ａ＊の初期値が−０．８であり、ｂ＊の初期値が−３．７であることが認められた。
【０１１６】
［光学特性における初期値の評価］
上述したように、実施例３から８の各々における上側酸窒化銅層では、Ｙの初期値が２０％以下である一方で、比較例１の上側窒化銅層では、Ｙの初期値が２０％を超えることが認められた。このように、酸窒化銅層によれば、窒化銅層に比べて、成膜初期におけるＹの値が小さくなるため、酸窒化銅層は窒化銅層よりも明度の低い色を有する点で好ましいことが認められた。
【０１１７】
なお、実施例３の上側酸窒化銅層は、ｂ＊の絶対値が２０を超える値であり、他の上側酸窒化銅層と比べて彩度が高く、他の上側酸窒化銅層よりも強い色みを有するため、観察者によって視認されやすい。それゆえに、実施例４から実施例８の各々における上側酸窒化銅層は、実施例の中でもより好ましい光学特性を有することが認められた。
【０１１８】
［組成分析の結果］
実施例３から８の各々における上側酸窒化銅層、および、比較例１の上側窒化銅層について、表面における組成分析を行った。オージェ分光分析装置（ＳＡＭ−６８０、アルバック・ファイ（株）製）を用いて、上側酸窒化銅層、あるいは、上側窒化銅層の組成を測定した。
【０１１９】
オージェ分光分析装置において、アルゴンイオン銃の加速電圧を１ｋＶに設定し、入射角を４５°に設定し、試料におけるアルゴンイオンの入射する範囲を１ｍｍ四方に設定して、１分間にわたって試料の表面をエッチングしたときの組成を測定した。なお、入射角は、アルゴンイオンの入射方向と試料の法線方向とが形成する角度であり、アルゴンイオン銃によるエッチングレートは、ＳｉＯ２に換算して７ｎｍ／ｍｉｎである。また、オージェ分光分析装置において、電子銃の加速電圧を１０ｋＶに設定し、電流量を１０ｎＡに設定した。
【０１２０】
実施例３から８、および、比較例１において、窒素原子（Ｎ）、酸素原子（Ｏ）、および、銅原子（Ｃｕ）の各々における原子％、および、２つの原子間での相対比は、以下の表３に示すような値であった。なお、相対比のうち、銅原子に対する窒素原子の比（Ｎ／Ｃｕ）の百分率が第１相対比であり、銅原子に対する酸素原子の比（Ｏ／Ｃｕ）の百分率が第２相対比であり、酸素原子に対する窒素原子の比（Ｎ／Ｏ）の百分率が第３相対比である。
【０１２１】
【表３】
0006607918.tif 000004
【０１２２】
表３が示すように、実施例３の上側酸窒化銅層において、窒素原子が１原子％であり、酸素原子が４２原子％であり、銅原子が５７原子％であることが認められた。また、実施例３の上側酸窒化銅層において、第１相対比が１％であり、第２相対比が７３％であり、第３相対比が２％であることが認められた。
【０１２３】
実施例４の上側酸窒化銅層において、窒素原子が９原子％であり、酸素原子が１９原子％であり、銅原子が７２原子％であることが認められた。また、実施例４の上側酸窒化銅層において、第１相対比が１２％であり、第２相対比が２６％であり、第３相対比が４７％であることが認められた。
【０１２４】
実施例５の上側酸窒化銅層において、窒素原子が１３原子％であり、酸素原子が１２原子％であり、銅原子が７５原子％であることが認められた。また、実施例５の上側酸窒化銅層において、第１相対比が１７％であり、第２相対比が１６％であり、第３相対比が１０８％であることが認められた。
【０１２５】
実施例６の上側酸窒化銅層において、窒素原子が１０原子％であり、酸素原子が４原子％であり、銅原子が８６原子％であることが認められた。また、実施例６の上側酸窒化銅層において、第１相対比が１１％であり、第２相対比が５％であり、第３相対比が２３３％であることが認められた。
【０１２６】
実施例７の上側酸窒化銅層において、窒素原子が６原子％であり、酸素原子が３１原子％であり、銅原子が６３原子％であることが認められた。また、実施例７の上側酸窒化銅層において、第１相対比が９％であり、第２相対比が４９％であり、第３相対比が１９％であることが認められた。
【０１２７】
実施例８の上側酸窒化銅層において、窒素原子が１２原子％であり、酸素原子が１２原子％であり、銅原子が７６原子％であることが認められた。また、実施例８の上側酸窒化銅層において、第１相対比が１６％であり、第２相対比が１５％であり、第３相対比が１０３％であることが認められた。
【０１２８】
比較例１の上側窒化銅層において、窒素原子が５原子％であり、酸素原子が０原子％であり、銅原子が９５原子％であることが認められた。また、比較例１の上側窒化銅層において、第１相対比が６％であり、第２相対比が０％であることが認められた。
【０１２９】
［特性の評価］
実施例３から８のタッチパネル用導電性積層体、および、比較例１のタッチパネル用導電性積層体について、初期安定性、耐久性、および、加工性を評価した。
【０１３０】
このうち、初期安定性は、上側酸窒化銅層あるいは上側窒化銅層が形成されたときから５日間の間での、上側酸窒化銅層あるいは上側窒化銅層における光学特性の安定性である。なお、光学特性は、上述したＹの値、Ｌ＊の値、ａ＊の値、および、ｂ＊の値を含む。
【０１３１】
初期安定性は、実施例３から８のタッチパネル用導電性積層体、および、比較例１のタッチパネル用導電性積層体を常温かつ常圧の雰囲気に５日間にわたって静置したときに、上側酸窒化銅層あるいは上側窒化銅層における光学特性が、初期値からどの程度変化するかによって評価した。
【０１３２】
耐久性は、上側酸窒化銅層あるいは上側窒化銅層における光学特性の耐久性であり、上述した初期安定性を評価する期間が過ぎて以降での上側酸窒化銅層あるいは上側窒化銅層における光学特性の安定性である。耐久性を評価するときには、まず、実施例３から８のタッチパネル用導電性積層体、および、比較例１のタッチパネル用導電性積層体を常温かつ常圧の雰囲気に５日間にわたって静置した。
【０１３３】
そして、実施例３から８のタッチパネル用導電性積層体、および、比較例１のタッチパネル用導電性積層体に対して、上述した試験条件１にて５００時間にわたって加速試験を行った。耐久性は、上側酸窒化銅層あるいは上側窒化銅層において、加速試験後の光学特性が、加速試験前の光学特性に対してどの程度変化しているかによって評価した。
【０１３４】
加工性は、タッチパネル用導電性積層体をエッチングしたときの加工性である。加工性は、実施例３から８のタッチパネル用導電性積層体、および、比較例１のタッチパネル用導電性積層体を塩化第二鉄液でエッチングしたときに得られる電極の形状によって評価した。
【０１３５】
初期安定性、耐久性、および、加工性の各々の評価結果は、以下の表４に示す通りであった。なお、初期安定性では、安定性が高いタッチパネル用導電性積層体の評価を「○」とし、安定性が低いタッチパネル用導電性積層体の評価を「×」とした。耐久性では、耐久性が最も高いタッチパネル用導電性積層体の評価を「○」とし、次に耐久性が高いタッチパネル用導電性積層体の評価を「△」とし、耐久性が低いタッチパネル用導電性積層体の評価を「×」とし、さらに耐久性が低いタッチパネル用導電性積層体の評価を「××」とした。加工性では、加工性が最も高いタッチパネル用導電性積層体の評価を「◎」とし、次に加工性が高いタッチパネル用導電性積層体の評価を「○」とし、その次に加工性が高いタッチパネル用導電性積層体の評価を「△」とし、加工性が低いタッチパネル用導電性積層体の評価を「×」とした。
【０１３６】
【表４】
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【０１３７】
表４が示すように、実施例３から実施例８の各々における上側酸窒化銅層は初期安定性が高い一方で、比較例１の上側窒化銅層は初期安定性が低いことが認められた。すなわち、酸窒化銅層は、窒化銅層に比べて、酸窒化銅層が形成された直後において、光学特性の急激な変化が起こりにくく、それゆえに、タッチパネル用導電性積層体を用いて形成した電極において、所望とする光学特性を満たすことがより容易である。
なお、初期安定性を評価する試験の期間が、３日間あるいは４日間であっても、試験の期間が５日間であるときと同じ傾向が、発明者らによって認められている。
【０１３８】
実施例３の上側酸窒化銅層では、加速試験前の光学特性と、加速試験後の光学特性との差が、上述した実施例２と同程度であることが認められた。また、実施例４から８の上側酸窒化銅層、および、比較例１の上側窒化銅層では、加速試験前の光学特性と、加速試験後の光学特性との差が、実施例３よりも小さいことが認められた。
【０１３９】
実施例３から８の各々におけるタッチパネル用導電性積層体は、比較例１のタッチパネル用導電性積層体よりも加工性が高いことが認められた。また、実施例の中でも、実施例３，４，７の各々におけるタッチパネル用導電性積層体が最も加工性が高く、実施例５，８の各々におけるタッチパネル用導電性積層体が次に加工性が高いことが認められた。
【０１４０】
具体的には、比較例１では、銅層のエッチング速度に対して、窒化銅層のエッチング速度が小さいために、窒化銅層において所望とする線幅を満たそうとすると、銅層における線幅が小さくなり、複数の電極の一部において、断線を招きやすい程度に線幅が小さくなることが認められた。
【０１４１】
これに対して、実施例３から８では、銅層のエッチング速度と酸窒化銅層のエッチング速度との差が、銅層のエッチング速度と窒化銅層のエッチング速度との差よりも小さいために、各層における線幅の差が小さく、また、複数の電極において断線が認められなかった。なお、実施例３から８の中でも、実施例３，４，７では、各層における線幅の差がほとんど認められなかった。
【０１４２】
［上側酸窒化銅層における組成と特性との関係］
表２、表３、および、表４から明らかなように、酸窒化銅層を備えるタッチパネル用導電性積層体は、窒化銅層に比べて、Ｙの初期値を低く抑えられること、成膜後の初期において光学特性を安定に保つことができること、および、加工性がよいことの３つの点で優れていることが認められた。
【０１４３】
また、酸窒化銅層の中でも、４原子％以上１９原子％以下の酸素原子を含む酸窒化銅層によれば、光学特性の変化に対する耐久性が高まることが認められた。そして、酸窒化銅層の中でも、１２原子％以上４２原子％以下の酸素原子を含む酸窒化銅層によれば、ウェットエッチングによる加工性が高まり、１９原子％以上４２原子％以下の酸素原子を含む酸窒化銅層によれば、ウェットエッチングによる加工性がより高まることが認められた。
【０１４４】
さらには、１２原子％の酸素原子を含む酸窒化銅層であれば、光学特性における初期値、耐久性、および、加工性の全てにおいて、好ましい特性を有することが認められた。
【０１４５】
一方で、第１相対比が１１％以上１７％以下である酸窒化銅層によれば、光学特性の変化に対する耐久性が高まることが認められた。言い換えれば、窒素原子と銅原子との相対比が１１％以上１７％以下である状態において酸素を含むことによって、酸窒化銅層における光学特性の変化に対する耐久性が高まることが認められた。
【０１４６】
［密着強度］
実施例４から７の各々について、下地層と下側酸窒化銅層との界面における密着強度を測定した。密着強度の測定は、ＪＩＳ  Ｋ  ６８５４−３に準拠する方法を用いて行った。なお、実施例４から７の各々において密着強度を測定するときには、タッチパネル用導電性積層体の厚さを大きくする目的で、上側酸窒化銅層を取り除いた後、銅層の上に、１５μｍの厚さを有する銅層を形成した。そして、各実施例において、試験片の幅を１５ｍｍに設定し、引張速度を５０ｍｍ／分に設定した。
【０１４７】
実施例４の密着強度は８．０Ｎ／１５ｍｍであり、実施例５の密着強度は８．４Ｎ／１５ｍｍであり、実施例６の密着強度は８．３Ｎ／１５ｍｍであり、実施例７の密着強度は８．２Ｎ／１５ｍｍであることが認められた。このように、実施例における密着強度は、８．０Ｎ／１５ｍｍ以上であることが認められた。
【０１４８】
なお、こうした密着強度を有するタッチパネル用導電性積層体によれば、タッチパネル用導電性積層体のエッチングによって電極が形成されるとき、電極における断線が抑えられることも認められている。また、実施例４から７の各々では、密着強度を測定する試験において、下地層と下側酸窒化銅層との界面における界面破壊が認められた。
【０１４９】
［表面抵抗率］
実施例３から７の各々、および、比較例１について、タッチパネル用導電性積層体が備える積層体の表面抵抗率を測定した。すなわち、実施例３から７の各々では、下側酸窒化銅層、銅層、および、上側酸窒化銅層がこの順に積層された積層体の表面抵抗率を測定し、比較例１では、下側窒化銅層、銅層、および、上側窒化銅層がこの順に積層された積層体の表面抵抗率を測定した。各積層体の表面抵抗率は、ＪＩＳ  Ｋ  ７１９４に準拠する方法を用いて測定した。なお、表面抵抗率の測定には、抵抗率計（（株）三菱化学アナリテック製、ロレスタＧＰ）を用いた。
【０１５０】
実施例３の表面抵抗率は０．１３Ω／□であり、実施例４の表面抵抗率は０．１３Ω／□であり、実施例５の表面抵抗率は０．１３Ω／□であり、実施例６の表面抵抗率は０．１２Ω／□であり、実施例７の表面抵抗率は０．１３Ω／□であり、実施例８の表面抵抗率は０．１３Ω／□であることが認められた。また、比較例１の表面抵抗率は０．１２Ω／□であることが認められた。このように、実施例における表面抵抗率は、０．１３Ω／□以下であることが認められた。
【０１５１】
なお、こうした表面抵抗率を有するタッチパネル用導電性積層体によれば、タッチパネル用導電性積層体を用いて形成された電極の抵抗値を、タッチセンサの応答速度に対する影響が無視できる程度に小さい抵抗値とすることができることも認められている。
【０１５２】
以上説明したように、タッチパネル用導電性積層体、および、タッチパネル用導電性積層体の製造方法における１つの実施形態によれば、以下に列挙する効果を得ることができる。
【０１５３】
（１）銅層１４が、銅層１４よりも反射率の低い２つの酸窒化銅層で挟まれているため、タッチパネル用導電性積層体１０を用いて形成された複数の電極３１では、第１の面１１ａと対向する方向から電極３１が視認されにくくなり、かつ、基材１１を介して電極３１が視認されにくくなる。
【０１５４】
（２）第２の積層体２０を用いて形成された複数の電極では、下側酸窒化銅層２２、および、上側酸窒化銅層２４において、光の反射が抑えられる。そのため、第２の面１１ｂにおける複数の電極では、第２の面１１ｂと対向する方向から電極が視認されにくくなり、かつ、基材１１を介して電極が視認されにくくなる。
【０１５５】
（３）下地層がアンチブロッキング剤を含むため、タッチパネル用導電性積層体１０が巻き取られたり、積み重ねられたりしたときに、上側酸窒化銅層が、上側酸窒化銅層の上に積まれた層に密着することが抑えられる。また、下地層は、基材１１の凹部１１ｃを埋め、かつ、基材１１上に層状に形成されているため、下地層における下側酸窒化銅層と接する面の平坦性が高まる。ひいては、タッチパネル用導電性積層体１０の各層における平坦性が高まる。
【０１５６】
（４）下側酸窒化銅層の厚さが、３０ｎｍ以上５０ｎｍ以下であるため、下側酸窒化銅層は、下地層の形成された基材１１と銅層との間の密着性を高める上で十分な厚さを有している。しかも、下側酸窒化銅層の厚さが銅層の厚さの２５％以下の値であるため、基材１１と銅層との間の密着性を保ちつつも、タッチパネル用導電性積層体１０の全体における厚さと、タッチパネル用導電性積層体１０における銅の使用量とが過剰に大きくなることが抑えられる。
【０１５７】
（５）上側酸窒化銅層において、ＸＹＺ表色系のうち、明るさの指標であるＹの値が２０％以下である。そのため、タッチパネル用導電性積層体１０を用いて形成された複数の電極では、上側酸窒化銅層と対向する方向から、電極が視認されにくくなる。また、上側酸窒化銅層が形成されたときのＹの値が２０％以下であるため、上側酸窒化銅層が視認される程度にＹの値が大きくなりにくい。
【０１５８】
（６）下側酸窒化銅層および上側酸窒化銅層が、４原子％以上１９原子％以下の割合で酸素原子を含むことによって、光学特性の変化に対する耐久性を高めることができる。
【０１５９】
（７）下地層と下側酸窒化銅層との界面における密着強度が８．０Ｎ／１５ｍｍ以上であれば、パターニングによって形成される電極の一部が下地層から剥がれにくくなり、ひいては、電極における断線を抑えることができる。
【０１６０】
（８）タッチパネル用導電性積層体１０の表面抵抗率が０．１３Ω／□以下であれば、電極の抵抗値をタッチセンサの応答速度に対する影響が無視できる程度に小さい抵抗値とすることができる。
（９）下地層の表面における表面粗さＲａが３ｎｍ以上であれば、積層体が、アンチブロッキング性をより得やすくなる。
【０１６１】
（１０）下地層の表面における表面粗さＲａが２０ｎｍ以下であれば、積層体を用いて形成された電極での光の散乱が、タッチパネルの使用者によって視認される程度に大きくなることが抑えられる。
【０１６２】
なお、上述した実施形態は、以下のように適宜変更して実施することもできる。
・下地層の表面における表面粗さＲａは３ｎｍよりも小さくてもよく、２０ｎｍよりも大きくてもよい。こうした構成であっても、基材と下側酸窒化銅層との間に下地層が位置する以上は、基材における下側酸窒化銅層が位置する面に形成された凹部によって、下地層のアンチブロッキング性を高める程度の表面粗さと比べて、大幅に大きい段差がタッチパネル用導電性積層体の各層に形成されることは抑えられる。
【０１６３】
・タッチパネル用導電性積層体の表面抵抗率は０．１３Ω／□よりも大きくてもよく、タッチパネル用導電性積層体を用いて形成された電極に求められる抵抗値、ひいては、タッチパネルに求められる検出精度が得られる範囲であればよい。
【０１６４】
・下地層と下側酸窒化銅層との界面における密着強度は、８．０Ｎ／１５ｍｍよりも小さくてもよく、タッチパネル用導電性積層体に対する加工によって、下側酸窒化銅層が下地層から剥がれない範囲であればよい。
【０１６５】
・上側酸窒化銅層および下側酸窒化銅層の少なくとも一方において、酸素原子が４原子％未満の割合で含まれてもよく、また、酸素原子が１９原子％を超える割合で含まれてもよい。こうした構成であっても、タッチパネル用導電性積層体が、上側酸窒化銅層および下側酸窒化銅層を備える以上は、電極が基材１１を介して視認されにくくなる。
【０１６６】
・下側酸窒化銅層におけるＹの初期値は、２０％以下に限られない。下側酸窒化銅層におけるＹの初期値が２０％を越えるとしても、下側酸窒化銅層が形成されている以上は、電極が基材１１を介して視認されにくくなる。
【０１６７】
・上側酸窒化銅層におけるＹの初期値は、２０％以下に限られない。上側酸窒化銅層におけるＹの初期値が２０％を越えるとしても、上側酸窒化銅層が形成されている以上は、電極の形成された面と対向する方向から電極が視認されにくくなる。
【０１６８】
・銅層の厚さは、２００ｎｍよりも小さくてもよいし、５００ｎｍよりも大きくてもよい。要は、銅層は、タッチパネル用導電性積層体１０を用いて電極が形成されたときに、電極として必要な導電性を満たすだけの厚さを有していればよい。
【０１６９】
・下側酸窒化銅層の厚さは、３０ｎｍよりも小さくてもよいし、５０ｎｍよりも大きくてもよい。また、下側酸窒化銅層の厚さは、銅層の厚さにおける２５％よりも大きい値であってもよい。要は、下側酸窒化銅層は、下地層の形成された基材と銅層との両方に対して密着性を発現することが可能な厚さを有していれば、下側酸窒化銅層の厚さは、上述した実施形態に記載した範囲に限定されない。
【０１７０】
・下地層を形成するための塗液は、塗液を用いて形成された下地層が、基材１１と下側酸窒化銅層とに対する密着性を有していれば、紫外線硬化性多官能アクリレート、紫外線硬化性単官能アクリレート、アクリルポリマー、および、アンチブロッキング剤の少なくとも１つを含んでいなくてもよい。
あるいは、下地層は、基材１１と下側酸窒化銅層とに対する密着性を有していれば、熱可塑性樹脂や熱硬化性樹脂などから形成されてもよい。
【０１７１】
・電極３１の線幅は、数十μｍ以上であってもよい。こうした構成であっても、電極３１が下側酸窒化銅層と上側酸窒化銅層とを備える以上は、電極３１が金属層のみから形成される構成と比べて、電極３１が視認されにくくなる。
・下側酸窒化銅層、銅層、および、上側酸窒化銅層は、スパッタ法以外の方法、例えば、蒸着法やＣＶＤ法などの気相成長法を用いて形成されてもよい。
【符号の説明】
【０１７２】
１０…タッチパネル用導電性積層体、１１…基材、１１ａ…第１の面、１１ｂ…第２の面、１１ｃ…凹部、１２，２１…下地層、１３，２２…下側酸窒化銅層、１４，２３…銅層、１５，２４…上側酸窒化銅層、１６…第１の積層体、２０…第２の積層体、３１…電極。
【図１】
0006607918.tif 000006
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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