(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
被加熱物を収容するための加熱庫と、
上記加熱庫内に供給されるマイクロ波を発生する高周波発生装置と、
上記高周波発生装置からのマイクロ波を上記加熱庫内に導く導波管と、
上記導波管内の壁面の温度を検出する温度センサと、
上記高周波発生装置を制御する制御部と、
上記高周波発生装置からのマイクロ波を上記加熱庫内に供給する加熱運転時に、上記温度センサにより検出された上記導波管内の壁面の温度に基づいて、上記高周波発生装置のマイクロ波の放射状態を判定する放射状態判定部と
を備え、
上記高周波発生装置のマイクロ波を放射するアンテナは、上記導波管内に突出しており、
上記導波管の上記加熱庫と反対の側に、上記高周波発生装置の上記アンテナから放射されるマイクロ波を短絡するためのバックウォールが設けられ、
上記温度センサは、上記導波管内の壁面のうちの上記高周波発生装置の上記アンテナに対向する位置から上記加熱庫と反対の側に設けられていることを特徴とする加熱調理器。
【請求項２】
請求項１に記載の加熱調理器において、
上記導波管内の壁面のうちの上記高周波発生装置の上記アンテナに対向する位置から上記加熱庫と反対の側に温度ヒューズを設けていることを特徴とする加熱調理器。
【請求項３】
請求項１または２に記載の加熱調理器において、
上記放射状態判定部は、上記加熱運転時に、上記導波管内の壁面の温度が上昇するときの温度変化の傾きが予め設定された閾値以上になったとき、上記導波管内で放電が発生する予兆があると判定することを特徴とする加熱調理器。
【請求項４】
請求項３に記載の加熱調理器において、
上記制御部は、上記加熱運転時に上記放射状態判定部が上記導波管内で放電が発生する予兆があると判定すると、上記高周波発生装置のマイクロ波出力を停止することを特徴とする加熱調理器。
【請求項５】
請求項１から４までのいずれか１つに記載の加熱調理器において、
上記温度センサは、上記導波管内の上記高周波発生装置のマイクロ波を放射するアンテナに対向する壁面の温度を検出することを特徴とする加熱調理器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、加熱調理器に関し、詳しくは、マイクロ波により被加熱物を加熱する加熱調理器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、加熱調理器としては、加熱庫に供給するマイクロ波を発生するマグネトロンと、マグネトロンで発生したマイクロ波を加熱庫内に導く導波管と、マグネトロンの温度上昇を検出する温度センサを備えたものがある(例えば、特開２００３−１１５３７５号公報(特許文献１)参照)。
【０００３】
上記加熱調理器では、温度センサにより検出されたマグネトロンの温度上昇に基づいて、マグネトロンの出力を制御して、マグネトロンの温度上昇を抑えることにより故障を防止している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００３−１１５３７５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記加熱調理器では、マグネトロンの発振時に加熱庫内の異常負荷(例えば金属製のトレイ)によって、マイクロ波電力の分布が乱れて導波管内の壁面温度が急激に上昇し、マグネトロンのアンテナと導波管内の壁面との間で放電が発生するという問題がある。このような導波管内での放電によって、導波管やマグネトロンが損傷して、故障したり信頼性が低下したりする。
【０００６】
上記従来の加熱調理器において、温度センサにより検出されるマグネトロンの温度は、導波管内の放電発生時にほとんど上昇しないため、マグネトロンの温度放電の発生を予測したり検出したりすることはできない。
【０００７】
そこで、この発明の課題は、マイクロ波を加熱庫内に供給する加熱運転時に導波管内での放電発生の兆候を事前に検出できる加熱調理器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するため、この発明の加熱調理器は、
被加熱物を収容するための加熱庫と、
上記加熱庫内に供給されるマイクロ波を発生する高周波発生装置と、
上記高周波発生装置からのマイクロ波を上記加熱庫内に導く導波管と、
上記導波管内の壁面の温度を検出する温度センサと、
上記高周波発生装置を制御する制御部と、
上記高周波発生装置からのマイクロ波を上記加熱庫内に供給する加熱運転時に、上記温度センサにより検出された上記導波管内の壁面の温度に基づいて、上記高周波発生装置のマイクロ波の放射状態を判定する放射状態判定部と
を備え、
上記高周波発生装置のマイクロ波を放射するアンテナは、上記導波管内に突出しており、
上記導波管の上記加熱庫と反対の側に、上記高周波発生装置の上記アンテナから放射されるマイクロ波を短絡するためのバックウォールが設けられ、
上記温度センサは、上記導波管内の壁面のうちの上記高周波発生装置の上記アンテナに対向する位置から上記加熱庫と反対の側に設けられていることを特徴とする。
また、一実施形態の加熱調理器では、
上記導波管内の壁面のうちの上記高周波発生装置の上記アンテナに対向する位置から上記加熱庫と反対の側に温度ヒューズを設けている。
【０００９】
また、一実施形態の加熱調理器では、
上記放射状態判定部は、上記加熱運転時に、上記導波管内の壁面の温度が上昇するときの温度変化の傾きが予め設定された閾値以上になったとき、上記導波管内で放電が発生する予兆があると判定する。
【００１０】
また、一実施形態の加熱調理器では、
上記制御部は、上記加熱運転時に上記放射状態判定部が上記導波管内で放電が発生する予兆があると判定すると、上記高周波発生装置のマイクロ波出力を停止する。
【００１１】
また、一実施形態の加熱調理器では、
上記温度センサは、上記導波管内の上記高周波発生装置のマイクロ波を放射するアンテナに対向する壁面の温度を検出する。
【００１２】
【００１３】
【００１４】
また、一実施形態の加熱調理器では、
上記温度センサは、上記導波管内の上記高周波発生装置のマイクロ波を放射するアンテナに対向する壁面の温度、または、上記導波管内のバックウォールの温度の一方を検出すると共に、
上記加熱運転時に、上記導波管内の上記高周波発生装置のマイクロ波を放射するアンテナに対向する壁面の温度、または、上記導波管内のバックウォールの温度の他方が予め設定された上限温度以上になると、上記高周波発生装置のマイクロ波出力を停止させる温度ヒューズを備えた。
【発明の効果】
【００１５】
以上より明らかなように、この発明によれば、高周波発生装置からのマイクロ波を加熱庫内に供給する加熱運転時に、温度センサにより検出された導波管内の壁面の温度に基づいて、放射状態判定部により高周波発生装置のマイクロ波の放射状態を判定することによって、導波管内での放電発生の兆候を事前に検出できる加熱調理器を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】図１はこの発明の第１実施形態の加熱調理器の正面図である。
【図２】図２は上記加熱調理器の縦断面図である。
【図３】図３は上記加熱調理器の導波管の一部を含む要部の断面模式図である。
【図４】図４は上記加熱調理器の概略構成を示す模式図である。
【図５】図５は上記加熱調理器の導波管内の壁面の異常温度上昇時の各部の温度を示す図である。
【図６】図６はこの発明の第２実施形態の加熱調理器の導波管の一部を含む要部の断面模式図である。
【図７】図７はこの発明の第３実施形態の加熱調理器の導波管の一部を含む要部の断面模式図である。
【図８】図８はこの発明の第４実施形態の加熱調理器の導波管の一部を含む要部の断面模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、この発明の加熱調理器を図示の実施の形態により詳細に説明する。
【００１８】
〔第１実施形態〕
図１はこの発明の第１実施形態の加熱調理器の正面図を示している。
【００１９】
この第１実施形態の加熱調理器は、図１に示すように、直方体形状の本体ケーシング１と、本体ケーシング１内に設けられた加熱庫２(図２に示す)と、本体ケーシング１の前面側に回動自在に取り付けられた扉３とを備えている。
【００２０】
上記扉３は、左側の辺を中心に回動し、加熱庫２の開口を開閉する。この扉３の右部にはハンドル４が取り付けられている。また、扉３の略中央部には耐熱ガラス５が配置されており、ユーザーは耐熱ガラス５を通して加熱庫２内の状態を視認することができる。また、扉３の後面には、耐熱ガラス５を取り囲むように耐熱樹脂製のパッキン(図示せず)が固着されている。この扉３を閉じると、パッキンが加熱庫２の開口の周縁部に強く密着して、扉３と加熱庫２の開口の周縁部との間を密閉する。
【００２１】
上記本体ケーシング１の前面の右側には操作パネル６を設けている。この操作パネル６は、上側に液晶表示部７を有している。また、操作パネル６の下側に電源スイッチ８を設けている。
【００２２】
また、上記本体ケーシング１の前面の左側に排気口９を設けると共に、本体ケーシング１の前面の扉３の下側に３つの吸気口１０を設けている。
【００２３】
図２は上記加熱調理器の縦断面図を示しており、加熱庫２の中央を通る垂直平面に沿った正面視断面である。なお、図２において、５１,５２は、排気ファンである。
【００２４】
図２に示すように、加熱庫２の底部に底トレイ１１により覆われたアンテナ収容凹部１２を設けている。このアンテナ収容凹部１２内に回転アンテナ１３を回転可能に配置している。
【００２５】
また、本体ケーシング１内かつ加熱庫２の正面視右側方に、高周波発生装置の一例としてのマグネトロン２０を配置している。このマグネトロン２０の下側から加熱庫２の底部の中央開口２２に連なる導波管２１を設けている。そして、マグネトロン２０の下側のマイクロ波を放射するアンテナ２０ａは、導波管２１内に突出している。この導波管２１の正面視における右端を覆うようにバックウォール２１ａを設けている。このバックウォール２１ａは、マグネトロン２０のアンテナ２０ａから放射されるマイクロ波を短絡するための短絡板である。
【００２６】
上記導波管２１は、図示しないが上面視において、マグネトロン２０側から加熱庫２の底部の中央開口２２側に向かって延在し、マイクロ波が伝搬する方向が長手方向の略長方形状をしている。また、導波管２１の断面は、矩形状をしており、その底部２１ｂはマグネトロン２０側から加熱庫２の底部の中央開口２２側に向かって上下方向の深さが徐々に浅くなっている。この導波管２１の底部２１ｂには、マグネトロン２０と加熱庫２の底部の中央開口２２との間の中間位置よりも中央開口２２側に半球面状のスタブ２１ｃを突設している。
【００２７】
また、本体ケーシング１内かつアンテナ収容凹部１２下側に回転アンテナ駆動用モータ３０を配置している。この回転アンテナ駆動用モータ３０は、駆動機構３１を介して、導波管２１の底部２１ｂを貫通する回転軸３２を回転駆動する。そして、この回転軸３２を回転アンテナ１３の軸部３３に連結している。上記回転軸３２および回転アンテナ１３の軸部３３は、セラミックまたはテフロン(登録商標)などからなる。
【００２８】
上記回転アンテナ駆動用モータ３０にＤＣモータを用いることによって、電源周波数の変動を大きい航空機用の加熱調理器の場合、回転アンテナ１３の回転ムラがなくなると共に、回転数制御が可能になる。
【００２９】
また、図３は上記加熱調理器の導波管２１の一部を含む要部の断面模式図を示している。
【００３０】
図３に示すように、導波管２１内のマグネトロン２０のマイクロ波を放射するアンテナ２０ａに対向する壁面の温度を検出するための温度センサ４０を、導波管２１の底部２１ｂに配置している。この温度センサ４０は、取付金具４１により導波管２１の底部２１ｂの下面に接するように固定されている。
【００３１】
図４は上記加熱調理器の概略構成を示す模式図を示している。図４において、図２,図３と同一の構成部には同一参照番号を付している。
【００３２】
この加熱調理器は、図４に示すように、温度センサ４０からの検出信号を受けて、マグネトロン２０などを制御する制御装置６０と、制御装置６０からの制御信号に基づいてマグネトロン２０に高電圧を印加する高圧回路７０とを備えている。
【００３３】
上記制御装置６０は、マイクロコンピュータおよび入出力回路などからなり、マグネトロン２０からのマイクロ波を加熱庫２内に供給する加熱運転時に、温度センサ４０により検出された導波管２１内の壁面の温度に基づいて、マグネトロン２０のマイクロ波の放射状態を判定する放射状態判定部６０ａと、放射状態判定部６０ａの判定結果に基づいてマグネトロン２０を制御する制御部の一例としてのマグネトロン制御部６０ｂを有する。
【００３４】
本発明者は、加熱庫２内に金属製ラック(図示せず)を配置して導波管２１内で放電が発生するような状態で、マグネトロン２０からのマイクロ波を加熱庫２内に供給する加熱運転を開始したときの各部の温度変化を測定する実験を行った。
【００３５】
そのときの加熱調理器の導波管２１内の壁面の異常温度上昇時の各部の温度変化を図５に示している。図５において、横軸は時間[ｓｅｃ]を表し、縦軸は温度[℃]を表す。ここで、加熱庫２内に金属ラック(図示せず)を配置した状態で、マグネトロン２０からのマイクロ波を加熱庫２内に供給する加熱運転を開始したときの各部の温度変化を以下の曲線で図５に示す。
一点鎖線：マグネトロン２０のアノードの温度
太い実線：導波管２１内の第１壁面の温度(マグネトロン２０のアンテナ２０ａに対向する壁面の温度)
細い実線：導波管２１内の第２壁面の温度(バックウォール２１ａ)の温度
点線    ：スタブ２１ｃの温度
【００３６】
図５に示すように、導波管２１内の第１壁面(マグネトロン２０のアンテナ２０ａに対向する壁面)と、導波管２１内の第２壁面(バックウォール２１ａ)で、放電が発生する直前に壁面温度が急激に上昇していることが分かった。
【００３７】
例えば、加熱庫２内に金属製のトレイを配置した状態(不整合負荷)で、マグネトロン制御部６０ｂにより制御されたマグネトロン２０(高周波発生装置)からのマイクロ波を加熱庫２内に供給する加熱運転を開始すると、導波管２１内のマイクロ波電力の分布が乱れて、導波管２１内において電力密度が高くなった壁面の温度が急減に上昇する。このとき、温度センサ４０により検出された導波管２１内の上記第１壁面や上記第２壁面の温度に基づいて、マグネトロン２０のマイクロ波の放射状態を放射状態判定部６０ａよって判定する。そうして、導波管２１内の壁面の急激な温度上昇に基づいて、導波管２１内のマイクロ波の放射状態が異常であるか否かを判定して、マイクロ波出力を停止させることが可能になる。
【００３８】
このように、マイクロ波を加熱庫２内に供給する加熱運転時に導波管２１内での放電発生の兆候を事前に検出できる加熱調理器を実現することができる。
【００３９】
なお、導波管２１内の壁面の温度が所定の判定温度以上になったときに、マグネトロン２０のマイクロ波の放射状態に異常があると判定してもよいし、導波管２１内の壁面の温度上昇の傾きが所定の閾値以上になったときに、マグネトロン２０のマイクロ波の放射状態に異常があると判定してもよい。
【００４０】
また、マイクロ波による加熱運転時に、導波管２１内の壁面の温度が上昇するときの温度変化の傾きが予め設定された閾値以上になったとき、放射状態判定部６０ａが導波管２１内で放電が発生する予兆があると判定することによって、導波管２１内の壁面の温度の急減な上昇から放電発生の予兆を速やかにかつ確実に判定できる。
【００４１】
また、マイクロ波による加熱運転時に放射状態判定部６０ａが導波管２１内で放電が発生する予兆があると判定すると、マグネトロン制御部６０ｂにより高周波発生装置２０のマイクロ波出力を停止するので、導波管２１内の壁面の温度の急減な上昇を速やかに判定して、導波管２１内に放電が発生する前に高周波発生装置２０を確実に停止することができる。
【００４２】
また、導波管２１内のマグネトロン２０のマイクロ波を放射するアンテナ２０ａに対向する壁面は、異常負荷などにより導波管２１内のマイクロ波の電力分布が乱れて、電力密度が高くなって温度上昇が顕著になる箇所であるので、マグネトロン２０のマイクロ波の放射状態の異常を正確に判定することができる。
【００４３】
なお、マイクロ波による加熱運転の開始時から、放射状態判定部６０ａよって導波管２１内のマイクロ波の放射状態が異常であると判定するまでの経過時間に応じて、エラー情報を表示や音声などによりユーザーに知らせるようにしてもよい。例えば、運転開始からすぐに放射状態判定部６０ａが異常と判定する場合は、加熱庫２内に金属製のトレイが収容されている可能性が高いので、その旨を通知したり、運転開始後、しばらく時間が経過してから放射状態判定部６０ａが異常と判定する場合は、被加熱物が少量または大量であるかまたは水分をあまり含まないものまたは加熱庫２内が空である可能性が高いので、その旨を通知したりする。
【００４４】
このように、この発明は、ユーザーが加熱庫２内に不整合負荷となるようなものを入れて放電が生じる可能性のある家庭用電子レンジや業務用電子レンジなどの加熱調理器に対して、導波管２１内での放電を未然に防ぐことができ、安全性および信頼性の面で極めて有効である。特に、航空機用の加熱調理器においては、放電の発生を確実に防止できることにより、飛行中の安全性を大幅に向上できる。
【００４５】
〔第２実施形態〕
図６はこの発明の第２実施形態の加熱調理器の導波管２１の一部を含む要部の断面模式図を示している。この第２実施形態の加熱調理器は、温度センサ４０の取付位置を除いて第１実施形態の加熱調理器と同一の構成をしており、同一構成部には同一参照番号を付している。
【００４６】
この第２実施形態の加熱調理器では、図６に示すように、温度センサ４０を導波管２１のバックウォール２１ａの外壁面に取り付けている。これにより、温度センサ４０は、導波管２１内のバックウォール２１ａの温度を検出する。
【００４７】
上記構成の加熱調理器によれば、導波管２１内のバックウォール２１ａの温度は、異常負荷などにより導波管２１内のマイクロ波の電力分布が乱れて、電力密度が高くなって温度上昇が顕著になる箇所であるので、マグネトロン２０のマイクロ波の放射状態の異常を正確に判定することができる。
【００４８】
また、この第２実施形態の加熱調理器は、第１実施形態の加熱調理器と同様の効果を有する。
【００４９】
〔第３実施形態〕
図７はこの発明の第３実施形態の加熱調理器の導波管２１の一部を含む要部の断面模式図を示している。この第３実施形態の加熱調理器は、温度ヒューズ５０を除いて第１実施形態の加熱調理器と同一の構成をしており、同一構成部には同一参照番号を付している。
【００５０】
この第３実施形態の加熱調理器では、図７に示すように、温度ヒューズ５０を導波管２１のバックウォール２１ａの外壁面に取り付けている。これにより、導波管２１内のバックウォール２１ａの温度が予め設定された上限温度以上になると、温度ヒューズ５０が動作してマグネトロン２０のマイクロ波出力を停止させる。
【００５１】
上記導波管２１内のマグネトロン２０のマイクロ波を放射するアンテナ２０ａに対向する壁面および導波管２１内のバックウォール２１ａは、異常負荷などにより導波管２１内のマイクロ波の電力分布が乱れて、電力密度が高くなって温度上昇が顕著になる箇所である。
【００５２】
したがって、上記構成の加熱調理器によれば、マイクロ波による加熱運転時に、導波管２１内のマグネトロン２０のマイクロ波を放射するアンテナ２０ａに対向する壁面の温度を温度センサ４０により検出することで、マグネトロン２０のマイクロ波の放射状態の異常を正確に判定することができる。
【００５３】
さらに、マイクロ波による加熱運転時に、温度センサ４０により検出された導波管２１内の壁面の温度上昇によりマグネトロン２０のマイクロ波出力を停止できない場合でも、導波管２１内のバックウォール２１ａの温度が予め設定された上限温度以上になると、温度ヒューズ５０が動作して高圧回路７０(図４に示す)への電源供給を遮断し、マグネトロン２０のマイクロ波出力を停止させる。
【００５４】
したがって、マグネトロン２０や導波管２１の破損を確実に防ぐことができ、信頼性を向上できる。
【００５５】
〔第４実施形態〕
図８はこの発明の第４実施形態の加熱調理器の導波管２１の一部を含む要部の断面模式図を示している。この第４実施形態の加熱調理器は、温度センサ４０の取付位置と温度ヒューズ５０の取付位置を除いて第３実施形態の加熱調理器と同一の構成をしており、同一構成部には同一参照番号を付している。
【００５６】
この第３実施形態の加熱調理器では、図８に示すように、温度ヒューズ５０を導波管２１の導波管２１内のマグネトロン２０のマイクロ波を放射するアンテナ２０ａに対向する壁面の外側に取り付けている。これにより、導波管２１内のアンテナ２０ａに対向する壁面の温度が予め設定された上限温度以上になると、温度ヒューズ５０が動作してマグネトロン２０のマイクロ波出力を停止させる。
【００５７】
上記導波管２１内のマグネトロン２０のマイクロ波を放射するアンテナ２０ａに対向する壁面および導波管２１内のバックウォール２１ａは、異常負荷などにより導波管２１内のマイクロ波の電力分布が乱れて、電力密度が高くなって温度上昇が顕著になる箇所である。
【００５８】
したがって、上記構成の加熱調理器によれば、マイクロ波による加熱運転時に、導波管２１内のバックウォール２１ａの壁面の温度を温度センサ４０により検出することで、マグネトロン２０のマイクロ波の放射状態の異常を正確に判定することができる。
【００５９】
さらに、マイクロ波による加熱運転時に、温度センサ４０により検出された導波管２１内の壁面の温度上昇によりマグネトロン２０のマイクロ波出力を停止できない場合でも、導波管２１内のアンテナ２０ａに対向する壁面が予め設定された上限温度以上になると、温度ヒューズ５０が動作して高圧回路７０(図４に示す)への電源供給を遮断し、マグネトロン２０のマイクロ波出力を停止させる。
【００６０】
したがって、マグネトロン２０や導波管２１の破損を確実に防ぐことができ、信頼性を向上できる。
【００６１】
上記第１〜第４実施形態では、高周波発生装置としてマグネトロン２０を備えた加熱調理器について説明したが、高周波発生装置はこれに限らず、他の構成の高周波発生装置を備えた加熱調理器にこの発明を適用してもよい。
【００６２】
また、上記第１〜第４実施形態では、導波管２１内の高周波発生装置２０のマイクロ波を放射するアンテナ２０ａに対向する壁面の温度、または、導波管２１内のバックウォール２１ａの温度の一方を検出する温度センサ４０を１つ備えた加熱調理器について説明したが、導波管２１内の上記高周波発生装置２０のマイクロ波を放射するアンテナ２０ａに対向する壁面の温度、または、導波管２１内のバックウォール２１ａの温度の両方を夫々検出する温度センサ４０を２つ備えた加熱調理器でもよい。
【００６３】
また、この発明の加熱調理器は、不整合負荷(金属製のトレイなど)がある加熱庫内にマイクロ波を供給して、導波管内のマイクロ波電力の分布が乱れたときに、導波管内の壁面のうち温度上昇が急激に変化する壁面の温度を検出する温度センサを２つ備えたものであればよい。
【００６４】
この発明の具体的な実施の形態について説明したが、この発明は上記第１〜第４実施形態に限定されるものではなく、この発明の範囲内で種々変更して実施することができる。例えば、上記第１〜第４実施形態で記載した内容を適宜組み合わせたものを、この発明の一実施形態としてもよい。
【００６５】
この発明および実施形態をまとめると、次のようになる。
【００６６】
この発明の加熱調理器は、
被加熱物を収容するための加熱庫２と、
上記加熱庫２内に供給されるマイクロ波を発生する高周波発生装置２０と、
上記高周波発生装置２０からのマイクロ波を上記加熱庫２内に導く導波管２１と、
上記導波管２１内の壁面の温度を検出する温度センサ４０と、
上記高周波発生装置２０を制御する制御部６０ｂと、
上記高周波発生装置２０からのマイクロ波を上記加熱庫２内に供給する加熱運転時に、上記温度センサ４０により検出された上記導波管２１内の壁面の温度に基づいて、上記高周波発生装置２０のマイクロ波の放射状態を判定する放射状態判定部６０ａと
を備えたことを特徴とする。
【００６７】
上記構成によれば、例えば、加熱庫２内に金属製のトレイを配置した状態で、制御部６０ｂにより制御された高周波発生装置２０からのマイクロ波を加熱庫２内に供給する加熱運転を開始すると、導波管２１内のマイクロ波電力の分布が乱れて、導波管２１内において電力密度が高くなった壁面の温度が急減に上昇する。このとき、温度センサ４０により検出された導波管２１内の壁面の温度に基づいて、高周波発生装置２０のマイクロ波の放射状態を放射状態判定部６０ａによって判定する。したがって、マイクロ波を加熱庫２内に供給する加熱運転時に導波管２１内での放電発生の兆候を事前に検出できる。そうして、導波管２１内の壁面の急激な温度上昇に基づいて、導波管２１内のマイクロ波の放射状態が異常であるか否かを判別して、マイクロ波出力を停止させることが可能になる。
【００６８】
ここで、上記放射状態判定部６０ａは、導波管２１内の壁面の温度が所定の判定温度以上になったときに、高周波発生装置２０のマイクロ波の放射状態に異常があると判定してもよいし、導波管２１内の壁面の温度上昇の傾きが所定の閾値以上になったときに、高周波発生装置２０のマイクロ波の放射状態に異常があると判定してもよい。
【００６９】
また、一実施形態の加熱調理器では、
上記放射状態判定部６０ａは、上記加熱運転時に、上記導波管２１内の壁面の温度が上昇するときの温度変化の傾きが予め設定された閾値以上になったとき、上記導波管２１内で放電が発生する予兆があると判定する。
【００７０】
上記実施形態によれば、上記加熱運転時に、導波管２１内の壁面の温度が上昇するときの温度変化の傾きが予め設定された閾値以上になったとき、放射状態判定部６０ａが導波管２１内で放電が発生する予兆があると判定することによって、導波管２１内の壁面の温度の急減な上昇から放電発生の予兆を速やかにかつ確実に判定できる。
【００７１】
また、一実施形態の加熱調理器では、
上記制御部６０ｂは、上記加熱運転時に上記放射状態判定部６０ａが上記導波管２１内で放電が発生する予兆があると判定すると、上記高周波発生装置２０のマイクロ波出力を停止する。
【００７２】
上記実施形態によれば、加熱運転時に放射状態判定部６０ａが導波管２１内で放電が発生する予兆があると判定すると、制御部６０ｂにより高周波発生装置２０のマイクロ波出力を停止するので、導波管２１内の壁面の温度の急減な上昇を速やかに判定して、導波管２１内に放電が発生する前に高周波発生装置２０を確実に停止することができる。
【００７３】
また、一実施形態の加熱調理器では、
上記温度センサ４０は、上記導波管２１内の上記高周波発生装置２０のマイクロ波を放射するアンテナ２０ａに対向する壁面の温度を検出する。
【００７４】
上記実施形態によれば、導波管２１内の高周波発生装置２０のマイクロ波を放射するアンテナ２０ａに対向する壁面は、異常負荷などにより導波管２１内のマイクロ波電力の分布が乱れて、電力密度が高くなって温度上昇が顕著になる箇所であるので、高周波発生装置２０のマイクロ波の放射状態の異常を正確に判定することができる。
【００７５】
また、一実施形態の加熱調理器では、
上記温度センサ４０は、上記導波管２１内のバックウォール２１ａの温度を検出する。
【００７６】
ここで、バックウォール２１ａとは、導波管２１の一端を塞ぐように設けられた短絡板であって、高周波発生装置２０から放射されたマイクロ波を短絡する。
【００７７】
上記実施形態によれば、導波管２１内のバックウォール２１ａの温度は、異常負荷などにより導波管２１内のマイクロ波電力の分布が乱れて、電力密度が高くなって温度上昇が顕著になる箇所であるので、高周波発生装置２０のマイクロ波の放射状態の異常を正確に判定することができる。
【００７８】
また、一実施形態の加熱調理器では、
上記温度センサ４０は、上記導波管２１内の上記高周波発生装置２０のマイクロ波を放射するアンテナ２０ａに対向する壁面の温度、または、上記導波管２１内のバックウォール２１ａの温度の一方を検出すると共に、
上記加熱運転時に、上記導波管２１内の上記高周波発生装置２０のマイクロ波を放射するアンテナ２０ａに対向する壁面の温度、または、上記導波管２１内のバックウォール２１ａの温度の他方が予め設定された上限温度以上になると、上記高周波発生装置２０のマイクロ波出力を停止させる温度ヒューズ５０を備えた。
【００７９】
上記導波管２１内の高周波発生装置２０のマイクロ波を放射するアンテナ２０ａに対向する壁面および導波管２１内のバックウォール２１ａは、異常負荷などにより導波管２１内のマイクロ波電力の分布が乱れて、電力密度が高くなって温度上昇が顕著になる箇所である。したがって、導波管２１内の高周波発生装置２０のマイクロ波を放射するアンテナ２０ａに対向する壁面の温度、または、導波管２１内のバックウォール２１ａの温度の一方を温度センサ４０により検出することで、高周波発生装置２０のマイクロ波の放射状態の異常を正確に判定することができる。
【００８０】
さらに、加熱運転時に、温度センサ４０により検出された導波管２１内の壁面の温度上昇により高周波発生装置２０のマイクロ波出力を停止できない場合でも、導波管２１内の高周波発生装置２０のマイクロ波を放射するアンテナ２０ａに対向する壁面の温度、または、導波管２１内のバックウォール２１ａの温度の他方が予め設定された上限温度以上になると、高周波発生装置２０のマイクロ波出力を温度ヒューズ５０により停止させることが可能になる。したがって、温度センサと温度ヒューズを用いた２重の安全対策により高周波発生装置２０や導波管２１の破損を確実に防ぐことができ、信頼性を向上できる。
【符号の説明】
【００８１】
１…本体ケーシング
２…加熱庫
３…扉
４…ハンドル
５…耐熱ガラス
６…操作パネル
７…液晶表示部
８…電源スイッチ
９…排気口
１０…吸気口
１１…底トレイ
１２…アンテナ収容凹部
１３…回転アンテナ
２０…マグネトロン(高周波発生装置)
２０ａ…アンテナ
２１…導波管
２１ａ…バックウォール
２１ｂ…底部
２１ｃ…スタブ
２２…中央開口
３０…回転アンテナ駆動用モータ
３１…駆動機構
３２…回転軸
３３…軸部
４０…温度センサ
５０…温度ヒューズ
６０…制御装置
６０ａ…放射状態判定部
６０ｂ…マグネトロン制御部(制御部)
７０…高圧回路
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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