(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体装置用のリードフレームであって、
半導体素子が搭載されるダイパッドと、
前記ダイパッド周囲に設けられ、それぞれ端子部と前記端子部から内側に延びるインナーリードとを含む複数のリード部と、
前記インナーリードの先端側に設けられたリード接続部とを備え、
前記リード接続部の表面に、前記リード接続部の長さ方向に沿って間隔を空けて複数の凹部が形成され、
前記リード接続部のうち互いに隣接する前記凹部同士の間に、厚肉部が形成され、
前記凹部は、前記リード接続部の幅方向中央部に形成されており、前記凹部の幅方向両側には、薄肉化されていない領域が形成されていることを特徴とするリードフレーム。
【請求項２】
前記リード接続部は、前記ダイパッドを取り囲む接続リングであることを特徴とする請求項１記載のリードフレーム。
【請求項３】
前記複数の凹部は、前記リード接続部の長さ方向に沿って等間隔に配置されていることを特徴とする請求項１又は２記載のリードフレーム。
【請求項４】
前記厚肉部は複数設けられ、複数の前記厚肉部のうち、一部の厚肉部が他の厚肉部よりも大きいことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項記載のリードフレーム。
【請求項５】
前記リード接続部は、少なくとも１つの前記インナーリードによって支持されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項記載のリードフレーム。
【請求項６】
前記リード接続部と前記ダイパッドとを連結する連結バーが設けられ、前記ダイパッドは前記連結バーによって支持されていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項記載のリードフレーム。
【請求項７】
各リード部の前記端子部は、それぞれ外部端子を有し、前記外部端子は、隣り合う前記リード部間で内側および外側に位置するよう平面から見て交互に千鳥状に配置されていることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項記載のリードフレーム。
【請求項８】
前記インナーリードは前記端子部よりも厚さが薄いことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項記載のリードフレーム。
【請求項９】
半導体装置であって、
ダイパッドと、
前記ダイパッド周囲に設けられ、それぞれ端子部と前記端子部から内側に延びるインナーリードとを含む複数のリード部と、
前記ダイパッド上に搭載された半導体素子と、
前記半導体素子と各リード部の前記インナーリードとを電気的に接続する接続部材と、  前記ダイパッドと、前記複数のリード部と、前記半導体素子と、前記接続部材とを封止する封止樹脂とを備え、
前記封止樹脂の裏面のうち、前記リード部と前記ダイパッドとの間に樹脂凹部が形成され、
前記樹脂凹部内において、前記封止樹脂の一部からなる複数の突起部が裏面側に突出していることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
前記ダイパッドと前記リード部との間に複数の厚肉部が配置され、前記複数の厚肉部は、前記ダイパッドおよび前記リード部から分離されるとともに、互いに間隔を空けて配置されていることを特徴とする請求項９記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記半導体素子と前記厚肉部とが接続部材によって接続されていることを特徴とする請求項１０記載の半導体装置。
【請求項１２】
前記厚肉部は複数設けられ、前記複数の厚肉部のうち、一部の厚肉部が他の厚肉部よりも大きく、前記一部の厚肉部に複数の接続部材が接続されていることを特徴とする請求項１０又は１１記載の半導体装置。
【請求項１３】
半導体素子が搭載されるダイパッドと、前記ダイパッド周囲に設けられ、それぞれ端子部と前記端子部から内側に延びるインナーリードとを含む複数のリード部と、前記インナーリードの先端側に設けられ、前記インナーリードの先端側に設けられたリード接続部とを備えた、リードフレームの製造方法において、
金属基板を準備する工程と、
前記金属基板をエッチング加工することにより、前記金属基板に前記ダイパッド、前記リード部、および前記リード接続部を形成する工程とを備え、
前記リード接続部の表面に、前記リード接続部の長さ方向に沿って間隔を空けて複数の凹部が形成され、
前記リード接続部のうち互いに隣接する前記凹部同士の間に、厚肉部が形成され、
前記凹部は、前記リード接続部の幅方向中央部に形成されており、前記凹部の幅方向両側には、薄肉化されていない領域が形成されていることを特徴とするリードフレームの製造方法。
【請求項１４】
半導体装置の製造方法において、
請求項１乃至８のいずれか一項記載のリードフレームを準備する工程と、
前記リードフレームの前記ダイパッド上に前記半導体素子を搭載する工程と、
前記半導体素子と各リード部の前記インナーリードとを接続部材により電気的に接続する工程と、
前記ダイパッドと、前記複数のリード部と、前記半導体素子と、前記接続部材とを封止樹脂により封止する工程と、
前記リードフレームの裏面側から前記リード接続部の少なくとも一部を除去する工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、リードフレームおよびその製造方法、ならびに半導体装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、基板に実装される半導体装置の小型化および薄型化が要求されてきている。このような要求に対応すべく、従来、リードフレームを用い、その搭載面に搭載した半導体素子を封止樹脂によって封止するとともに、裏面側にリードの一部分を露出させて構成された、いわゆるＱＦＮ（Quad Flat Non-lead）タイプの半導体装置が種々提案されている。
【０００３】
しかしながら、従来一般的な構造からなるＱＦＮの場合、端子数が増加するにしたがってパッケージが大きくなるため、実装信頼性を確保することが難しくなるという課題があった。これに対して、多ピン化されたＱＦＮを実現するための技術として、外部端子を２列に配列したパッケージの開発が進められている（例えば特許文献１）。このようなパッケージは、ＤＲ−ＱＦＮ（Dual Row QFN）パッケージともよばれている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００６−１９７６７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
近年、ＤＲ−ＱＦＮパッケージを生産するにあたり、チップサイズを変更することなく、リード部の数（ピン数）を増やすことが求められてきている。これに対して、従来、ピン数を増やすために、パッケージサイズを大きくする手法がとられてきた。しかしながら、パッケージを電子機器へ搭載する上での制約があるため、パッケージサイズを大きくすることには限界がある。また、パッケージサイズが大きくなることに伴い、インナーリードの長さが長くなるため、インナーリードに変形が生じやすくなるという問題もある。
【０００６】
本発明はこのような点を考慮してなされたものであり、インナーリードの変形を防止するとともに、外部と接続される端子部の数（ピン数）を増やすことが可能な、リードフレームおよびその製造方法、ならびに半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、半導体装置用のリードフレームであって、半導体素子が搭載されるダイパッドと、前記ダイパッド周囲に設けられ、それぞれ端子部と前記端子部から内側に延びるインナーリードとを含む複数のリード部と、前記インナーリードの先端側に設けられたリード接続部とを備え、前記リード接続部の表面に、前記リード接続部の長さ方向に沿って間隔を空けて複数の凹部が形成され、前記リード接続部のうち互いに隣接する前記凹部同士の間に、厚肉部が形成されていることを特徴とするリードフレームである。
【０００８】
本発明は、前記リード接続部は、前記ダイパッドを取り囲む接続リングであることを特徴とするリードフレームである。
【０００９】
本発明は、前記複数の凹部は、前記リード接続部の長さ方向に沿って等間隔に配置されていることを特徴とするリードフレームである。
【００１０】
本発明は、前記厚肉部は複数設けられ、複数の前記厚肉部のうち、一部の厚肉部が他の厚肉部よりも大きいことを特徴とするリードフレームである。
【００１１】
本発明は、前記リード接続部は、少なくとも１つの前記インナーリードによって支持されていることを特徴とするリードフレームである。
【００１２】
本発明は、前記リード接続部と前記ダイパッドとを連結する連結バーが設けられ、前記ダイパッドは前記連結バーによって支持されていることを特徴とするリードフレームである。
【００１３】
本発明は、各リード部の前記端子部は、それぞれ外部端子を有し、前記外部端子は、隣り合う前記リード部間で内側および外側に位置するよう平面から見て交互に千鳥状に配置されていることを特徴とするリードフレームである。
【００１４】
本発明は、前記インナーリードは前記端子部よりも厚さが薄いことを特徴とするリードフレームである。
【００１５】
本発明は、半導体装置であって、ダイパッドと、前記ダイパッド周囲に設けられ、それぞれ端子部と前記端子部から内側に延びるインナーリードとを含む複数のリード部と、前記ダイパッド上に搭載された半導体素子と、前記半導体素子と各リード部の前記インナーリードとを電気的に接続する接続部材と、前記ダイパッドと、前記複数のリード部と、前記半導体素子と、前記接続部材とを封止する封止樹脂とを備え、前記封止樹脂の裏面のうち、前記リード部と前記ダイパッドとの間に樹脂凹部が形成されていることを特徴とする半導体装置である。
【００１６】
本発明は、前記ダイパッドと前記リード部との間に複数の厚肉部が配置され、前記複数の厚肉部は、前記ダイパッドおよび前記リード部から分離されるとともに、互いに間隔を空けて配置されていることを特徴とする半導体装置である。
【００１７】
本発明は、前記半導体素子と前記厚肉部とが接続部材によって接続されていることを特徴とする半導体装置である。
【００１８】
本発明は、前記厚肉部は複数設けられ、前記複数の厚肉部のうち、一部の厚肉部が他の厚肉部よりも大きく、前記一部の厚肉部に複数の接続部材が接続されていることを特徴とする半導体装置である。
【００１９】
本発明は、半導体素子が搭載されるダイパッドと、前記ダイパッド周囲に設けられ、それぞれ端子部と前記端子部から内側に延びるインナーリードとを含む複数のリード部と、前記インナーリードの先端側に設けられ、前記インナーリードの先端側に設けられたリード接続部とを備えた、リードフレームの製造方法において、金属基板を準備する工程と、前記金属基板をエッチング加工することにより、前記金属基板に前記ダイパッド、前記リード部、および前記リード接続部を形成する工程とを備え、前記リード接続部の表面に、前記リード接続部の長さ方向に沿って間隔を空けて複数の凹部が形成され、前記リード接続部のうち互いに隣接する前記凹部同士の間に、厚肉部が形成されていることを特徴とするリードフレームの製造方法である。
【００２０】
本発明は、半導体装置の製造方法において、前記リードフレームを準備する工程と、前記リードフレームの前記ダイパッド上に前記半導体素子を搭載する工程と、前記半導体素子と各リード部の前記インナーリードとを接続部材により電気的に接続する工程と、前記ダイパッドと、前記複数のリード部と、前記半導体素子と、前記接続部材とを封止樹脂により封止する工程と、前記リードフレームの裏面側から前記リード接続部の少なくとも一部を除去する工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法である。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、インナーリードの変形を防止するとともに、外部と接続される端子部の数（ピン数）を増やすことができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】図１は、本発明の第１の実施の形態によるリードフレームを示す平面図。
【図２】図２（ａ）は、本発明の第１の実施の形態によるリードフレームを示す断面図（図１のIIA−IIA線断面図）、図２（ｂ）は、本発明の第１の実施の形態によるリードフレームを示す断面図（図１のIIB−IIB線断面図）。
【図３】図３は、本発明の第１の実施の形態による半導体装置を示す平面図。
【図４】図４は、本発明の第１の実施の形態による半導体装置を示す断面図（図３のIV−IV線断面図）。
【図５】図５（ａ）−（ｆ）は、本発明の第１の実施の形態によるリードフレームの製造方法を示す断面図。
【図６】図６（ａ）−（ｇ）は、本発明の第１の実施の形態による半導体装置の製造方法を示す断面図。
【図７】図７は、本発明の第２の実施の形態による半導体装置を示す平面図。
【図８】図８は、本発明の第２の実施の形態の変形例による半導体装置を示す平面図。
【図９】図９は、本発明の第３の実施の形態によるリードフレームを示す平面図。
【図１０】図１０は、本発明の第３の実施の形態による半導体装置を示す平面図。
【図１１】図１１は、本発明の第３の実施の形態の変形例による半導体装置を示す平面図。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
（第１の実施の形態）
以下、本発明の第１の実施の形態について、図１乃至図６を参照して説明する。なお、以下の各図において、同一部分には同一の符号を付しており、一部詳細な説明を省略する場合がある。
【００２４】
リードフレームの構成
まず、図１および図２（ａ）（ｂ）により、本実施の形態によるリードフレームの概略について説明する。図１および図２（ａ）（ｂ）は、本実施の形態によるリードフレームを示す図である。
【００２５】
図１および図２（ａ）（ｂ）に示すように、リードフレーム１０は、半導体素子２１（後述）を搭載するダイパッド１１と、ダイパッド１１周囲に設けられ、半導体素子２１と外部回路（図示せず）とを接続する複数の細長いリード部１２Ａ、１２Ｂと、ダイパッド１１とリード部１２Ａ、１２Ｂとの間に設けられた接続リング（リード接続部）１４とを備えている。
【００２６】
このリードフレーム１０は、それぞれ半導体装置２０（後述）に対応する領域である、複数の単位リードフレーム１０ａを含んでいる。なお、単位リードフレーム１０ａは、図１において仮想線の内側に位置する領域である。これら複数の単位リードフレーム１０ａは、支持リード（支持部材）１３を介して互いに連結されている。この支持リード１３は、ダイパッド１１とリード部１２Ａ、１２Ｂとを支持するものであり、Ｘ方向、およびＸ方向に垂直なＹ方向に沿ってそれぞれ延びている。
【００２７】
ダイパッド１１は、平面略矩形状であり、その４辺はＸ方向又はＹ方向のいずれかに沿って延びている。またダイパッド１１は、複数（８本）の連結バー１９によって接続リング１４に支持されている。一方、ダイパッド１１の四隅には吊りリードが設けられていないので、ダイパッド１１の四隅近傍にもリード部１２Ａ、１２Ｂを配置することができる。このため、ダイパッド１１が吊りリードを介して支持される場合と比較して、リード部１２Ａ、１２Ｂの本数を増やすことができる。
【００２８】
次に、リード部１２Ａ、１２Ｂの構成について更に説明する。
【００２９】
図１および図２（ａ）（ｂ）に示すように、各リード部１２Ａ、１２Ｂは、それぞれインナーリード５１と、接続リード５２と、端子部（第１端子部）５３とを有している。このうちインナーリード５１は、端子部５３から内側（ダイパッド１１側）に延びており、その先端において接続リング１４に連結されている。この場合、インナーリード５１は、平面から見て支持リード１３に対して垂直又は傾斜して延びている。また、インナーリード５１の先端部表面には内部端子１５Ａが形成されている。この内部端子１５Ａは、後述するようにボンディングワイヤ２２を介して半導体素子２１に電気的に接続される領域となっている。このため、内部端子１５Ａ上には、ボンディングワイヤ２２との密着性を向上させるめっき部２５が設けられている。
【００３０】
各リード部１２Ａ、１２Ｂの接続リード５２は、端子部５３よりも外側（支持リード１３側）に位置しており、その基端部は支持リード１３に連結されている。この接続リード５２は、当該接続リード５２が連結される支持リード１３に対して垂直に延びている。
【００３１】
また、図２（ａ）（ｂ）に示すように、リード部１２Ａ、１２Ｂのインナーリード５１および接続リード５２は、それぞれ裏面側（半導体素子２１を搭載する面の反対側）からハーフエッチングにより薄肉に形成されている。他方、端子部５３は、ハーフエッチングされることなく、ダイパッド１１および支持リード１３と同一の厚みを有している。このように、インナーリード５１および接続リード５２の厚さが端子部５３の厚さよりも薄いことにより、幅の狭いリード部１２Ａ、１２Ｂを精度良く形成することができ、小型でピン数の多い半導体装置２０を得ることができる。なお、ハーフエッチングとは、被エッチング材料をその厚み方向に途中までエッチングすることをいう。
【００３２】
各リード部１２Ａ、１２Ｂの端子部５３の裏面には、それぞれ外部の実装基板（図示せず）に電気的に接続される外部端子１７Ａ、１７Ｂが形成されている。各外部端子１７Ａ、１７Ｂは、半導体装置２０（後述）の製造後に、それぞれ半導体装置２０から外方に露出するようになっている。
【００３３】
この場合、複数のリード部１２Ａ、１２Ｂの外部端子１７Ａ、１７Ｂは、隣り合うリード部１２Ａ、１２Ｂ間で内側および外側に位置するよう、平面から見て交互に千鳥状に配置されている。すなわち、ダイパッド１１の周囲において、相対的に内側（ダイパッド１１側）に位置する外部端子（内側外部端子）１７Ａをもつリード部１２Ａと、相対的に外側（支持リード１３側）に位置する外部端子（外側外部端子）１７Ｂをもつリード部１２Ｂとが、全周にわたり交互に配置されている。これにより、リード部１２Ａと１２Ｂとを近接して設けた場合でも、外部端子１７Ａと１７Ｂとが接触する不具合が防止される。この場合、外部端子１７Ａおよび外部端子１７Ｂは、全て同一の平面形状を有している。
【００３４】
図１に示すように、複数の外部端子１７Ａは、平面から見ていずれもダイパッド１１の一辺に対して平行な直線に沿って配列されている。また、複数の外部端子１７Ｂは、平面から見ていずれもダイパッド１１の一辺に対して平行な直線上に配列されている。すなわち、複数の外部端子１７Ａ、１７Ｂは、Ｘ方向又はＹ方向のいずれかに対して平行な直線に沿って、２列に配列されている。
【００３５】
なお、隣接するリード部１２Ａ、１２Ｂ同士は、半導体装置２０（後述）の製造後に互いに電気的に絶縁される形状となっている。また、各リード部１２Ａ、１２Ｂは、半導体装置２０の製造後にダイパッド１１とも電気的に絶縁される形状となっている。
【００３６】
この場合、互いに隣接するリード部１２Ａ、１２Ｂ間の間隔は、９０μｍ〜１５０μｍ（９０μｍ以上１５０μｍ以下をいう。以下同様）とすることが好ましい。このように、リード部１２Ａ、１２Ｂ間の間隔を９０μｍ以上とすることにより、互いに隣接するリード部１２Ａ、１２Ｂ間の貫通部分をエッチングにより確実に形成することができる。また、上記間隔を１５０μｍ以下とすることにより、各半導体装置２０の外部端子１７Ａ、１７Ｂの数（ピン数）を一定数以上確保することができる。具体的には、外部端子１７Ａ、１７Ｂの数（ピン数）は、例えば８０ピン〜２５０ピンとすることができる。
【００３７】
次に、接続リング１４および連結バー１９の構成について説明する。
【００３８】
図１および図２（ａ）に示すように、接続リング１４は、リード部１２Ａ、１２Ｂのインナーリード５１の先端側に設けられており、ダイパッド１１を取り囲むように配置されている。この接続リング１４は、全体として略矩形形状を有しており、その各辺はＸ方向又はＹ方向に沿って延びている。このように、接続リング１４を各インナーリード５１の先端側に連結したことにより、接続リング１４のみによってインナーリード５１の変形を防止することができる。
【００３９】
接続リング１４の外側周縁部（支持リード１３側周縁部）には、リード部１２Ａ、１２Ｂのインナーリード５１が連結されている。この場合、接続リング１４は、全てのインナーリード５１に連結されて支持されているが、これに限らず、一部のインナーリード５１のみに連結されて支持されていても良い。
【００４０】
接続リング１４の表面には、接続リング１４の長手方向に沿って間隔を空けて複数の凹部１４ｃが形成されている。この凹部１４ｃは、ハーフエッチングにより形成されたものであり、厚み方向に貫通することなく一定の深さを持っている。また、凹部１４ｃは、接続リング１４の幅方向略中央部に形成されており、凹部１４ｃの幅方向両側には、ハーフエッチングされていない領域が形成されている。各凹部１４ｃは、各インナーリード５１の先端近傍に、それぞれ形成されている。
【００４１】
この場合、凹部１４ｃの断面（接続リング１４の長手方向に垂直な断面）は、略凹字形状又は略Ｕ字形状となっている。また、凹部１４ｃの平面形状は矩形形状であるが、これに限らず、円形状、楕円形状、多角形形状等としても良い。なお、本実施の形態において、凹部１４ｃは、接続リング１４の四隅を含む全周にわたって設けられているが、これに限らず、例えば接続リング１４の四隅を除く全周に設けられていても良い。また、凹部１４ｃは、接続リング１４の長手方向に沿って規則的（等間隔）に形成されているが、これに限らず、不規則な間隔を空けて形成されていても良い。
【００４２】
接続リング１４のうち、互いに隣接する凹部１４ｃ同士の間には、それぞれ厚肉部２８が形成されている。各厚肉部２８は、互いに隣接するインナーリード５１の先端同士の間に形成されている。厚肉部２８は、ハーフエッチングされておらず、ダイパッド１１および支持リード１３と同一の厚みを有している。すなわち凹部１４ｃと厚肉部２８とは、接続リング１４の長さ方向に沿って交互に配置されている。
【００４３】
なお、本実施の形態において、凹部１４ｃは、全てのインナーリード５１の先端近傍に設けられているが、これに限らず、一部のインナーリード５１の先端近傍のみに設けられていても良い。
【００４４】
このように凹部１４ｃを設けたことにより、接続リング１４の体積が減らされるので、後述するように、接続リング１４をエッチングにより除去しやすくなっている。
【００４５】
一方、各連結バー１９は、接続リング１４とダイパッド１１とを互いに連結するものであり、Ｘ方向又はＹ方向のいずれかに対して平行な直線に沿って延びている。この場合、連結バー１９は８本設けられており、接続リング１４の４辺全てに２本ずつ連結バー１９が連結されている。なお、連結バー１９は、ハーフエッチングされることなく、ダイパッド１１および支持リード１３と同一の厚みを有している。このように連結バー１９を設けたことにより、吊りリードを用いることなく、接続リング１４によってダイパッド１１を支持することが可能となる。また、連結バー１９は、部分的にハーフエッチングされていてもよい。これによって、封止樹脂２３との密着性を向上させることができる。このハーフエッチング部は、その平面形状が、連結バー１９の長手方向に沿って線状に形成してもよいし、丸いディンプル形状で形成してもよい。この際、連結バー１９とそれに接続されるダイパッド１１、あるいはリード部１２Ａ、１２Ｂとの間に変形が発生しないよう、連結バー１９と接続リング１４の凹部１４ｃとは、互いに連結せず、離れていることが好ましい。なお、連結バー１９はダイパッド１１の四隅に連結されていても良い。
【００４６】
以上説明したリードフレーム１０は、全体として銅、銅合金、４２合金（Ｎｉ４２％のＦｅ合金）等の金属から構成されている。また、リードフレーム１０の厚みは、製造する半導体装置２０の構成にもよるが、８０μｍ〜２５０μｍとすることができる。
【００４７】
なお、図１において、リード部１２Ａ、１２Ｂは、ダイパッド１１の４辺全てに沿って配置されているが、これに限られるものではなく、例えばダイパッド１１の対向する２辺のみに沿って配置されていても良い。この場合、接続リング１４は、当該２辺に沿って配置されたリード部１２Ａ、１２Ｂのみによって支持されても良い。
【００４８】
半導体装置の構成
次に、図３および図４により、本実施の形態による半導体装置について説明する。図３および図４は、本実施の形態による半導体装置（ＤＲ−ＱＦＮ（Dual Row QFN）タイプ）を示す図である。
【００４９】
図３および図４に示すように、半導体装置（半導体パッケージ）２０は、ダイパッド１１と、ダイパッド１１の周囲に配置された複数のリード部１２Ａ、１２Ｂと、ダイパッド１１上に搭載された半導体素子２１と、リード部１２Ａ、１２Ｂと半導体素子２１とを電気的に接続する複数のボンディングワイヤ（接続部材）２２とを備えている。また、ダイパッド１１、リード部１２Ａ、１２Ｂ、半導体素子２１およびボンディングワイヤ２２は、封止樹脂２３によって樹脂封止されている。
【００５０】
このうちダイパッド１１およびリード部１２Ａ、１２Ｂは、上述したリードフレーム１０から作製されたものである。このダイパッド１１およびリード部１２Ａ、１２Ｂの構成は、単位リードフレーム１０ａに含まれない領域を除き、上述した図１および図２（ａ）（ｂ）に示すものと略同様であり、ここでは詳細な説明を省略する。
【００５１】
一方、上述した接続リング１４は、封止樹脂２３によって樹脂封止された後、裏面側からエッチングにより除去されている。また、連結バー１９は、リード部１２Ａ、１２Ｂから分離されてダイパッド１１のみに連結されている。
【００５２】
このように、接続リング１４が除去されたことに伴い、封止樹脂２３の裏面のうち、リード部１２Ａ、１２Ｂとダイパッド１１との間の領域に、樹脂凹部２７が形成されている。この樹脂凹部２７は、接続リング１４の形状に概ね対応しており、平面矩形形状（環形状）を有している。この樹脂凹部２７内において、封止樹脂２３の一部からなる複数の突起部２７ａが裏面側に突出している（図４参照）。この突起部２７ａは、それぞれ上述した接続リング１４の凹部１４ｃに対応する形状を有している。突起部２７ａは、樹脂凹部２７の長手方向に沿って互いに間隔を空けて配置されている。なお、樹脂凹部２７には、封止樹脂２３と同じあるいは別の種類の絶縁性樹脂が充填されていても良い。
【００５３】
一方、半導体素子２１としては、従来一般に用いられている各種半導体素子を使用することが可能であり、特に限定されないが、例えば集積回路、大規模集積回路、トランジスタ、サイリスタ、ダイオード等を用いることができる。この半導体素子２１は、各々ボンディングワイヤ２２が取り付けられる複数の電極２１ａを有している。また、半導体素子２１は、例えばダイボンディングペースト等の接着剤２４により、ダイパッド１１の表面に固定されている。
【００５４】
各ボンディングワイヤ２２は、例えば金、銅等の導電性の良い材料からなっている。各ボンディングワイヤ２２は、それぞれその一端が半導体素子２１の電極２１ａに接続されるとともに、その他端が各リード部１２Ａ、１２Ｂの内部端子１５Ａにそれぞれ接続されている。なお、内部端子１５Ａには、ボンディングワイヤ２２と密着性を向上させるめっき部２５がそれぞれ設けられている。
【００５５】
封止樹脂２３としては、シリコーン樹脂やエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂、あるいはＰＰＳ樹脂等の熱可塑性樹脂を用いることができる。封止樹脂２３全体の厚みは、５００μｍ〜１０００μｍ程度とすることができる。なお、図３において、ダイパッド１１およびリード部１２Ａ、１２Ｂよりも表面側に位置する封止樹脂２３の表示を省略している。
【００５６】
なお、半導体装置２０の一辺は、例えば８ｍｍ〜１６ｍｍとしても良い。
【００５７】
リードフレームの製造方法
次に、図１および図２（ａ）（ｂ）に示すリードフレーム１０の製造方法について、図５（ａ）−（ｆ）を用いて説明する。なお、図５（ａ）−（ｆ）は、リードフレーム１０の製造方法を示す断面図（図２（ａ）に対応する図）である。
【００５８】
まず図５（ａ）に示すように、平板状の金属基板３１を準備する。この金属基板３１としては、銅、銅合金、４２合金（Ｎｉ４２％のＦｅ合金）等の金属からなる基板を使用することができる。なお金属基板３１は、その両面に対して脱脂等を行い、洗浄処理を施したものを使用することが好ましい。
【００５９】
次に、金属基板３１の表裏全体にそれぞれ感光性レジスト３２ａ、３３ａを塗布し、これを乾燥する（図５（ｂ））。なお感光性レジスト３２ａ、３３ａとしては、従来公知のものを使用することができる。
【００６０】
続いて、この金属基板３１に対してフォトマスクを介して露光し、現像することにより、所望の開口部３２ｂ、３３ｂを有するエッチング用レジスト層３２、３３を形成する（図５（ｃ））。
【００６１】
次に、エッチング用レジスト層３２、３３を耐腐蝕膜として金属基板３１に腐蝕液でエッチングを施す（図５（ｄ））。これにより、ダイパッド１１、複数のリード部１２Ａ、１２Ｂ、接続リング１４および連結バー１９の外形が形成される。腐蝕液は、使用する金属基板３１の材質に応じて適宜選択することができ、例えば、金属基板３１として銅合金を用いる場合、通常、塩化第二鉄水溶液を使用し、金属基板３１の両面からスプレーエッチングにて行うことができる。
【００６２】
その後、エッチング用レジスト層３２、３３を剥離して除去する（図５（ｅ））。
【００６３】
なお、上記においては、金属基板３１の両面側からスプレーエッチングを行う場合を例にとって説明したが、これに限られるものではない。例えば、金属基板３１の片面ずつ２段階のスプレーエッチングを行っても良い。具体的には、まず所定のパターンをもつエッチング用レジスト層３２、３３を形成し（図５（ｃ）参照）、その後、金属基板３１の裏面側に耐エッチング性のある封止層（図示せず）を設け、この状態で金属基板３１の表面側のみエッチングを実施する。次いで、当該裏面側の封止層を剥離し、金属基板３１の表面側に封止層（図示せず）を設ける。このとき、表面側の封止層は、エッチング加工された金属基板３１の表面側の凹部内にも進入する。続いて、金属基板３１の露出した裏面のみをエッチングし、その後表面側の封止層を剥離することにより、ダイパッド１１および複数のリード部１２Ａ、１２Ｂの外形が形成される。このように金属基板３１の片面ずつスプレーエッチングを行うことにより、リード部１２Ａ、１２Ｂの変形を回避しやすいという効果が得られる。
【００６４】
次に、ボンディングワイヤ２２と各内部端子１５Ａとの密着性を向上させるため、各内部端子１５Ａにそれぞれメッキ処理を施し、めっき部２５を形成する（図５（ｆ））。この場合、選択されるメッキ種は、ボンディングワイヤ２２との密着性を確保できればその種類は問わないが、たとえばＡｇやＡｕなどの単層めっきでもよいし、Ｎｉ／ＰｄやＮｉ／Ｐｄ／Ａｕがこの順に積層される複層めっきでもよい。また、めっき部２５は、リード部１２Ａ、１２Ｂのうちボンディングワイヤ２２との接続部のみに施してもよいし、リードフレーム１０の全面に施してもよい。
【００６５】
このようにして、図１および図２（ａ）（ｂ）に示すリードフレーム１０が得られる。
【００６６】
半導体装置の製造方法
次に、図３および図４に示す半導体装置２０の製造方法について、図６（ａ）−（ｇ）を用いて説明する。図６（ａ）−（ｇ）は、半導体装置２０の製造方法を示す断面図（図４に対応する図）である。
【００６７】
まず、例えば図５（ａ）−（ｆ）に示す方法（上述）により、リードフレーム１０を得る（図６（ａ））。
【００６８】
次に、リードフレーム１０のダイパッド１１上に、半導体素子２１を搭載する。この場合、例えばダイボンディングペースト等の接着剤２４を用いて、半導体素子２１をダイパッド１１上に載置して固定する（ダイアタッチ工程）（図６（ｂ））。
【００６９】
次に、半導体素子２１の各電極２１ａと、各リード部１２Ａ、１２Ｂのめっき部２５（内部端子１５Ａ）とを、それぞれボンディングワイヤ（接続部材）２２によって互いに電気的に接続する（ワイヤボンディング工程）（図６（ｃ））。
【００７０】
このとき、リードフレーム１０をワイヤボンディング装置のヒートブロック３６上に載置する。次いで、ヒートブロック３６により、各リード部１２Ａ、１２Ｂのインナーリード５１をその裏面側から加熱する。これとともに、ワイヤボンディング装置のキャピラリー（図示せず）を介して超音波を印加しながら、半導体素子２１の各電極２１ａと、各リード部１２Ａ、１２Ｂのめっき部２５とを、それぞれボンディングワイヤ２２を用いて電気的に接続する。
【００７１】
次に、リードフレーム１０に対して熱硬化性樹脂または熱可塑性樹脂を射出成形またはトランスファ成形することにより、封止樹脂２３を形成する（図６（ｄ））。このようにして、ダイパッド１１、複数のリード部１２Ａ、１２Ｂ、半導体素子２１、およびボンディングワイヤ２２を樹脂封止する。
【００７２】
続いて、リードフレーム１０および封止樹脂２３の裏面に、所定の開口部３４ａを有するエッチング用レジスト層３４を設ける（図６（ｅ））。
【００７３】
この間、まずリードフレーム１０および封止樹脂２３の裏面全体にそれぞれ感光性レジストを塗布する。続いて、当該感光性レジストをフォトマスクを介して露光し、現像することにより、所望の開口部３４ａを有するエッチング用レジスト層３４が形成される。なお、エッチング用レジスト層３４としては、例えば公知のドライフィルムレジストを用いることができる。
【００７４】
この場合、エッチング用レジスト層３４は、開口部３４ａを除くリードフレーム１０および封止樹脂２３の裏面全体を覆っている。また、開口部３４ａは、接続リング１４の位置にほぼ対応し、平面から見て略矩形の帯形状を有しており、開口部３４ａからは接続リング１４の裏面（金属部分）が露出している。
【００７５】
次に、エッチング用レジスト層３４を耐腐蝕膜としてリードフレーム１０に腐蝕液でエッチングを施す（図６（ｆ））。このとき、開口部３４ａから進入した腐蝕液が、接続リング１４の全体を溶解して除去する。この際、リード部１２Ａ、１２Ｂの一部または連結バー１９の一部が、接続リング１４とともに除去されても良い。この場合、接続リング１４の表面に、互いに間隔を空けて複数の凹部１４ｃが設けられているので、開口部３４ａから進入した腐蝕液がリード部１２Ａ、１２Ｂを必要以上に溶解することがなく、接続リング１４を適切に除去することができる。接続リング１４が除去されることにより、接続リング１４に対応する位置に樹脂凹部２７が形成される。また、樹脂凹部２７内であって各凹部１４ｃに対応する位置に、それぞれ突起部２７ａが形成される。
【００７６】
このようにして、接続リング１４が取り除かれ、各リード部１２Ａ、１２Ｂ同士が分離されるとともに、各連結バー１９と各リード部１２Ａ、１２Ｂとが分離される。なお、腐蝕液は、上記と同様（図５（ｄ）参照）、例えば塩化第二鉄水溶液を使用することができる。
【００７７】
次いで、エッチング用レジスト層３４を剥離して除去する。その後、各半導体素子２１間のリードフレーム１０および封止樹脂２３をダイシングすることにより、リードフレーム１０を各単位リードフレーム１０ａ（図１参照）毎に分離する。この際、例えばダイヤモンド砥石からなるブレード（図示せず）を回転させながら、各単位リードフレーム１０ａ間のリードフレーム１０および封止樹脂２３を切断しても良い。なお、エッチング用レジスト層３４を除去した後、樹脂凹部２７に封止樹脂２３と同じあるいは別の種類の絶縁性樹脂を充填する工程が設けられていても良い。
【００７８】
このようにして、図３および図４に示す半導体装置２０が得られる（図６（ｇ））。
【００７９】
このように本実施の形態によれば、各リード部１２Ａ、１２Ｂのインナーリード５１の先端側に、ダイパッド１１を取り囲むように接続リング１４が設けられている。このため、リードフレーム１０をエッチングにより作製する際（図５（ａ）−（ｆ））、各インナーリード５１の先端を接続リング１４に固定しておくことができるので、インナーリード５１の変形を防止することができる。また、インナーリード５１の変形が防止されるので、その幅を細くしたり本数を増やしたりすることができ、この結果、半導体装置２０の高密度化を図ることができる。
【００８０】
また、本実施の形態によれば、接続リング１４に沿って凹部１４ｃを一定間隔でドット状に設け、各凹部１４ｃの間に厚肉部２８を形成したことにより、接続リング１４をエッチングにより除去する際、腐蝕液の進入と溶解とを適宜調整することができる。さらに、接続リング１４をエッチングにより除去する際、各凹部１４ｃの近傍に位置するインナーリード５１の先端形状を、略均一に形成することができる。
【００８１】
なお、本実施の形態においては、接続リング１４の全体がエッチングにより除去される場合を例にとって説明したが、これに限られるものではない。例えば、接続リング１４の一部のみをエッチングにより除去し、接続リング１４のうち除去されなかった部分を半導体装置２０内に残すようにしても良い。
【００８２】
また、上記実施の形態では、外部端子１７Ａ、１７Ｂが、隣り合うリード部１２Ａ、１２Ｂ間で内側および外側に位置するよう平面から見て交互に千鳥状に２列に配置されている場合を例にとって説明した。しかしながら、これに限らず、ダイパッド１１の各辺に沿う外部端子の全てが一直線上に並んでいても良い（ＱＦＮタイプ）。あるいは、ダイパッド１１の各辺に沿うリード部１２Ａ、１２Ｂの外部端子１７Ａ、１７Ｂが３列以上に配置されていても良い。
【００８３】
（第２の実施の形態）
次に、図７を参照して本発明の第２の実施の形態について説明する。図７は本発明の第２の実施の形態による半導体装置を示す平面図である。図７に示す第２の実施の形態は、厚肉部２８を半導体装置２０Ａの内部に残した点が異なるものであり、他の構成は上述した第１の実施の形態と略同一である。図７において、第１の実施の形態と同一部分には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。
【００８４】
図７に示す半導体装置２０Ａは、図１および図２（ａ）（ｂ）に示すリードフレーム１０から作製されたものであり、厚肉部２８は、完全に除去されることなく残されて、それぞれ端子部（第２端子部）を構成している。この厚肉部２８は、ダイパッド１１の周囲４辺（図７においてＸ方向又はＹ方向に平行な４辺）の全てに沿って、互いに間隔を空けて配列されている。各厚肉部２８は、ダイパッド１１とリード部１２Ａ、１２Ｂとの間に等間隔に配置されている。
【００８５】
この場合、リードフレーム１０の接続リング１４のうち各凹部１４ｃの周辺に位置する部分は、封止樹脂２３によって樹脂封止された後、裏面側からエッチングにより除去されている。一方、各厚肉部２８は、ダイパッド１１、リード部１２Ａ、１２Ｂおよび他の厚肉部２８から分離されており、これらの部材から電気的に独立して端子部を構成している。この厚肉部２８は、ハーフエッチングされておらず、ダイパッド１１と同一の厚みを有している。さらに厚肉部２８の裏面には、外部の実装基板（図示せず）に電気的に接続される外部端子１７Ｃが形成されている。また、厚肉部２８の表面には、ボンディングワイヤ２２と密着性を向上させるめっき部２５が設けられている。厚肉部２８の表面（めっき部２５）には、それぞれボンディングワイヤ２２が接続されている。
【００８６】
また、接続リング１４のうち厚肉部２８を除く部分が除去されたことに伴い、封止樹脂２３の裏面のうち、リード部１２Ａ、１２Ｂとダイパッド１１との間の領域に、樹脂凹部２７が形成されている。樹脂凹部２７内であって、互いに隣接する厚肉部２８同士の間には、それぞれ凹部１４ｃに対応する突起部２７ａが形成されている。
【００８７】
本実施の形態によれば、半導体装置２０Ａを作製する際、接続リング１４の一部が除去され、接続リング１４のうち除去されない部分がそれぞれ個別に分離されて厚肉部２８（端子部）が形成される。このように、多数の厚肉部２８が形成されていることにより、外部の実装基板と接続される端子部の数（ピン数）を増やすことができ、半導体装置２０の更なる高密度化を実現することができる。
【００８８】
図７において、半導体装置２０Ａ内に残された厚肉部２８は、必ずしも外部端子（端子部）として用いなくてもよい。例えば、半導体装置２０Ａ内に残された厚肉部２８は、半導体装置２０Ａに衝撃が加わった際にダイパッド１１周辺の変形を防止する役割を果たしても良い。あるいは、厚肉部２８は、半導体装置２０Ａの裏面に露出する金属部分を増やすことにより、半導体装置２０Ａの放熱性を向上させる役割を果たしても良い。
【００８９】
なお、本実施の形態によるリードフレーム１０の製造方法は、第１の実施の形態によるリードフレーム１０の製造方法（図５（ａ）−（ｆ））と略同様である。
【００９０】
また、本実施の形態による半導体装置２０Ａを作製する場合、リードフレーム１０の裏面側から接続リング１４の一部をエッチング除去する際（図６（ｆ）参照）、各凹部１４ｃおよびその周囲に対応する領域に、エッチング用レジスト層３４の開口部３４ａをドット条に設けておく。そして当該開口部３４ａから進入した腐蝕液により、接続リング１４のうち各凹部１４ｃの周辺領域を選択的に溶解して除去する。
【００９１】
この場合、接続リング１４の表面に凹部１４ｃが設けられているので、開口部３４ａから進入した腐蝕液が、厚肉部２８や外周リード部１２Ａ、１２Ｂを必要以上に溶解することなく、接続リング１４のうち各凹部１４ｃの周辺領域のみを適切に除去することができる。このようにして、接続リング１４のうち、互いに隣接する２つの凹部１４ｃ同士の間に、それぞれ厚肉部２８が残存する。このほか、本実施の形態による半導体装置２０Ａの製造方法は、第１の実施の形態による半導体装置２０の製造方法（図６（ａ）−（ｇ））と略同様である。
【００９２】
図８は、本実施の形態の変形例による半導体装置２０Ｂを示している。この半導体装置２０Ｂにおいて、複数の厚肉部（端子部）２８、２８Ａのうち、一部の厚肉部２８Ａが他の厚肉部２８よりも大きく（面積が広く）なっている。この厚肉部２８Ａは、細長い平面矩形形状を有し、ダイパッド１１の辺に沿って延びている。また、大きい厚肉部２８Ａには、複数のボンディングワイヤ２２が接続されている。
【００９３】
本実施の形態において、一部の厚肉部２８Ａを他の厚肉部２８よりも大きく形成し、この厚肉部２８に複数のボンディングワイヤ２２を接続することにより、この大きい厚肉部２８Ａを、例えば電気信号の調節のためのバスバーやグランド（ＧＮＤ）端子として用いることができる。これにより、端子数の増加に伴う発熱を低減し、より信頼性の高い半導体装置２０Ｂを得ることができる。
【００９４】
（第３の実施の形態）
次に、図９および図１０を参照して本発明の第３の実施の形態について説明する。図９および図１０は本発明の第３の実施の形態を示す図である。図９および図１０に示す第３の実施の形態は、主として、接続リング１４に代えて接続バー（リード接続部）６４を設けた点が異なるものであり、他の構成は上述した第１の実施の形態および第２の実施の形態と略同一である。図９および図１０において、第１の実施の形態および第２の実施の形態と同一部分には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。
【００９５】
図９に示すリードフレーム１０Ｃにおいて、ダイパッド１１と、Ｙ方向に沿って配列された（Ｙ方向に延びる支持リード１３に連結された）複数のリード部１２Ａ、１２Ｂとの間に、接続バー６４が配置されている。一方、ダイパッド１１と、Ｘ方向に沿って配列された（Ｘ方向に延びる支持リード１３に連結された）複数のリード部１２Ａ、１２Ｂとの間には、接続バー６４が配置されていない。
【００９６】
各接続バー６４は、Ｙ方向に沿って配列されたリード部１２Ａ、１２Ｂのインナーリード５１の先端側に設けられている。図９において、接続バー６４は、１つの単位リードフレーム１０ａあたり２本設けられており、それぞれＹ方向に平行に延びている。しかしながら、これに限らず、接続バー６４は１つの単位リードフレーム１０ａあたり１本又は３本以上設けられていても良い。また、接続バー６４の形状は、直線状に限らず、略円弧等の曲線状、略Ｖ字形状、略Ｌ字形状、略Ｕ字形状等としても良い。
【００９７】
各接続バー６４の外側周縁部（支持リード１３側周縁部）には、リード部１２Ａ、１２Ｂのインナーリード５１が連結されている。また、各接続バー６４から内側（ダイパッド１１側）に向けて連結バー１９が延出している。この場合、各接続バー６４は、Ｙ方向に沿って配列されたリード部１２Ａ、１２Ｂの全てに連結されているが、これに限らず、Ｙ方向に沿って配列されたリード部１２Ａ、１２Ｂの一部のみに連結されていても良い。
【００９８】
接続バー６４の表面には、接続バー６４の長手方向に沿って間隔を空けて複数の凹部６４ｃが形成されている。この凹部６４ｃは、ハーフエッチングにより形成されたものであり、厚み方向に貫通することなく一定の深さを持っている。また、凹部６４ｃは、接続バー６４の幅方向略中央部に形成されており、凹部６４ｃの幅方向両側には、ハーフエッチングされていない領域が形成されている。各凹部６４ｃは、各インナーリード５１の先端近傍に、それぞれ形成されている。
【００９９】
互いに隣接する凹部６４ｃ同士の間には、厚肉部６６が形成されている。各厚肉部６６は、互いに隣接するインナーリード５１の先端同士の間に形成されている。厚肉部６６は、ハーフエッチングされておらず、ダイパッド１１および支持リード１３と同一の厚みを有している。すなわち凹部６４ｃと厚肉部６６とは、接続バー６４の長さ方向に沿って交互に配置されている。
【０１００】
このほか、凹部６４ｃおよび厚肉部６６の構成は、図１および図２に示す凹部１４ｃおよび厚肉部２８の構成とそれぞれ略同一である。
【０１０１】
ダイパッド１１は、各接続バー６４に複数本（２本）ずつ連結された連結バー１９によって支持されている。この連結バー１９は、Ｘ方向に延びるとともに、その裏面側からハーフエッチングにより薄肉化されている。
【０１０２】
図１０に示す半導体装置２０Ｃは、図９に示すリードフレーム１０Ｃを用いて作製されたものである。この半導体装置２０Ｃにおいて、接続バー６４が除去されており、これに伴い、封止樹脂２３の裏面のうち、ダイパッド１１と、Ｙ方向に沿って配列されたリード部１２Ａ、１２Ｂとの間の領域に、樹脂凹部６７が形成されている。この樹脂凹部６７は１つの半導体装置２０Ｃあたり２本設けられており、それぞれ接続バー６４の形状に概ね対応してダイパッド１１の辺に平行に一直線状に延びている。樹脂凹部６７内では、封止樹脂２３の一部からなる複数の突起部６７ａが裏面側に突出している。この突起部６７ａは、それぞれ上述した接続バー６４の凹部６４ｃに対応する形状を有している。なお、樹脂凹部６７には、封止樹脂２３と同じあるいは別の種類の絶縁性樹脂が充填されていても良い。
【０１０３】
本実施の形態によれば、ダイパッド１１と、Ｘ方向に沿って配列されたリード部１２Ａ、１２Ｂとの間には、接続バー６４が配置されていない。このため、接続バー６４が配置されていない方向（すなわちＹ方向）にダイパッド１１を延ばすことにより、その面積を広げることが可能となる。この場合、ダイパッド１１に大型の半導体素子２１や複数の半導体素子２１を搭載することが容易となる。
【０１０４】
なお、本実施の形態によるリードフレーム１０Ｃの製造方法および半導体装置２０Ｃの製造方法は、第１の実施の形態によるリードフレーム１０の製造方法（図５（ａ）−（ｆ））および半導体装置２０の製造方法（図６（ａ）−（ｇ））と略同様である。
【０１０５】
図１１に示す半導体装置２０Ｄは、本実施の形態の変形例を示している。この半導体装置２０Ｄは、図９に示すリードフレーム１０Ｃから作製されたものであり、厚肉部６６は、完全に除去されることなく、半導体装置２０Ｄの内部に残されて端子部を構成している。この厚肉部６６は、ダイパッド１１の周囲４辺（図１１においてＸ方向又はＹ方向に平行な４辺）の全てに沿って、互いに間隔を空けて配列されている。各厚肉部６６は、ダイパッド１１とリード部１２Ａ、１２Ｂとの間に等間隔に配置されている。互いに隣接する厚肉部６６同士の間には、それぞれ凹部６４ｃに対応する突起部６７ａが形成されている。
【０１０６】
この場合、リードフレーム１０Ｃの接続バー６４のうち、各凹部６４ｃの周辺領域は、封止樹脂２３によって樹脂封止された後、裏面側からエッチングにより除去されている。一方、各厚肉部６６は、ダイパッド１１、リード部１２Ａ、１２Ｂおよび他の厚肉部６６から分離されており、これらの部材から電気的に独立して端子部を構成している。厚肉部６６は、ハーフエッチングされておらず、ダイパッド１１と同一の厚みを有している。さらに厚肉部６６の裏面には、外部の実装基板（図示せず）に電気的に接続される外部端子１７Ｃが形成されている。また、厚肉部６６の表面には、それぞれボンディングワイヤ２２が接続されている。
【０１０７】
このほか、図１１に示す半導体装置２０Ｄの構成は、図７に示す半導体装置２０Ａの構成と略同様である。
【符号の説明】
【０１０８】
１０、１０Ａ、１０Ｃ  リードフレーム
１１        ダイパッド
１２Ａ、１２Ｂ  リード部
１３        支持リード（支持部材）
１４        接続リング（リード接続部）
１４ｃ      凹部
１５Ａ      内部端子
１７Ａ−１７Ｃ  外部端子
１９        連結バー
２０、２０Ａ−２０Ｄ  半導体装置
２１        半導体素子
２２        ボンディングワイヤ（接続部材）
２３        封止樹脂
２４        接着剤
２５        めっき部
２７        樹脂凹部
２８        厚肉部
５１        インナーリード
５２        接続リード
５３        端子部
６４        接続バー（リード接続部）
【図１】
0006573157.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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