(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下のいずれかのケイ素およびジルコニウム含有前駆体を含むジルコニウム含有膜形成組成物；
（トリメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（メチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＴＭＳ−Ｃｐ）（ＮＨＭｅ）３）；
（トリメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（ジエチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＴＭＳ−Ｃｐ）（ＮＥｔ２）３）；
（トリメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（エチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＴＭＳ−Ｃｐ）（ＮＨＥｔ）３）；
（トリメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（エチルメチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＴＭＳ−Ｃｐ）（ＮＥｔＭｅ）３）；
（トリメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（ジｎ−プロピルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＴＭＳ−Ｃｐ）（ＮｎＰｒ２）３）；
（トリメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（ｎ−プロピルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＴＭＳ−Ｃｐ）（ＮＨｎＰｒ）３）；
（トリメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（ジイソプロピルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＴＭＳ−Ｃｐ）（ＮｉＰｒ２）３）；
（トリメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（イソプロピルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＴＭＳ−Ｃｐ）（ＮＨｉＰｒ）３）；
（トリメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（ジｎ−ブチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＴＭＳ−Ｃｐ）（ＮｎＢｕ２）３）；
（トリメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（ｎ−ブチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＴＭＳ−Ｃｐ）（ＮＨｎＢｕ）３）；
（トリメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（ジイソブチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＴＭＳ−Ｃｐ）（ＮｉＢｕ２）３）；
（トリメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（イソブチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＴＭＳ−Ｃｐ）（ＮＨｉＢｕ）３）；
（トリメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（ジｓｅｃ−ブチルアミノ）ジルコニ
ウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＴＭＳ−Ｃｐ）（ＮｓＢｕ２）３）；
（トリメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（ｓｅｃ−ブチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＴＭＳ−Ｃｐ）（ＮＨｓＢｕ）３）；
（トリメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（ジｔ−ブチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＴＭＳ−Ｃｐ）（ＮｔＢｕ２）３）；
（トリメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（ｔ−ブチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＴＭＳ−Ｃｐ）（ＮＨｔＢｕ）３）；
（ジメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（ジメチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＤＭＳ−Ｃｐ）（ＮＭｅ２）３）；
（ジメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（メチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＤＭＳ−Ｃｐ）（ＮＨＭｅ）３）；
（ジメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（ジエチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＤＭＳ−Ｃｐ）（ＮＥｔ２）３）；
（ジメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（エチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＤＭＳ−Ｃｐ）（ＮＨＥｔ）３）；
（ジメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（エチルメチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＤＭＳ−Ｃｐ）（ＮＥｔＭｅ）３）；
（ジメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（ジｎ−プロピルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＤＭＳ−Ｃｐ）（ＮｎＰｒ２）３）；
（ジメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（ｎ−プロピルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＤＭＳ−Ｃｐ）（ＮＨｎＰｒ）３）；
（ジメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（ジイソプロピルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＤＭＳ−Ｃｐ）（ＮｉＰｒ２）３）；
（ジメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（イソプロピルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＤＭＳ−Ｃｐ）（ＮＨｉＰｒ）３）；
（ジメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（ジｎ−ブチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＤＭＳ−Ｃｐ）（ＮｎＢｕ２）３）；
（ジメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（ｎ−ブチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＤＭＳ−Ｃｐ）（ＮＨｎＢｕ）３）；
（ジメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（ジイソブチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＤＭＳ−Ｃｐ）（ＮｉＢｕ２）３）；
（ジメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（イソブチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＤＭＳ−Ｃｐ）（ＮＨｉＢｕ）３）；
（ジメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（ジｓｅｃ−ブチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＤＭＳ−Ｃｐ）（ＮｓＢｕ２）３）；
（ジメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（ｓｅｃ−ブチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＤＭＳ−Ｃｐ）（ＮＨｓＢｕ）３）；
（ジメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（ジｔ−ブチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＤＭＳ−Ｃｐ）（ＮｔＢｕ２）３）；
（ジメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（ｔ−ブチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＤＭＳ−Ｃｐ）（ＮＨｔＢｕ）３）；
（トリフルオロシリル）シクロペンタジエニルトリス（ジメチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（Ｆ３Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮＭｅ２）３）；
（トリフルオロシリル）シクロペンタジエニルトリス（メチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（Ｆ３Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮＨＭｅ）３）；
（トリフルオロシリル）シクロペンタジエニルトリス（ジエチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（Ｆ３Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮＥｔ２）３）；
（トリフルオロシリル）シクロペンタジエニルトリス（エチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（Ｆ３Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮＨＥｔ）３）；
（トリフルオロシリル）シクロペンタジエニルトリス（エチルメチルアミノ）ジルコニウ
ム（ＩＶ）（Ｚｒ（Ｆ３Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮＥｔＭｅ）３）；
（トリフルオロシリル）シクロペンタジエニルトリス（ジｎ−プロピルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（Ｆ３Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮｎＰｒ２）３）；
（トリフルオロシリル）シクロペンタジエニルトリス（ｎ−プロピルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（Ｆ３Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮＨｎＰｒ）３）；
（トリフルオロシリル）シクロペンタジエニルトリス（ジイソプロピルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（Ｆ３Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮｉＰｒ２）３）；
（トリフルオロシリル）シクロペンタジエニルトリス（イソプロピルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（Ｆ３Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮＨｉＰｒ）３）；
（トリフルオロシリル）シクロペンタジエニルトリス（ジｎ−ブチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（Ｆ３Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮｎＢｕ２）３）；
（トリフルオロシリル）シクロペンタジエニルトリス（ｎ−ブチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（Ｆ３Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮＨｎＢｕ）３）；
（トリフルオロシリル）シクロペンタジエニルトリス（ジイソブチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（Ｆ３Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮｉＢｕ２）３）；
（トリフルオロシリル）シクロペンタジエニルトリス（イソブチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（Ｆ３Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮＨｉＢｕ）３）；
（トリフルオロシリル）シクロペンタジエニルトリス（ジｓｅｃ−ブチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（Ｆ３Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮｓＢｕ２）３）；
（トリフルオロシリル）シクロペンタジエニルトリス（ｓｅｃ−ブチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（Ｆ３Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮＨｓＢｕ）３）；
（トリフルオロシリル）シクロペンタジエニルトリス（ジｔ−ブチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（Ｆ３Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮｔＢｕ２）３）；
（トリフルオロシリル）シクロペンタジエニルトリス（ｔ−ブチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（Ｆ３Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮＨｔＢｕ）３）；
（ジフルオロシリル）シクロペンタジエニルトリス（ジメチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（Ｆ２ＨＳｉ−Ｃｐ）（ＮＭｅ２）３）；
（ジフルオロシリル）シクロペンタジエニルトリス（メチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（Ｆ２ＨＳｉ−Ｃｐ）（ＮＨＭｅ）３）；
（ジフルオロシリル）シクロペンタジエニルトリス（ジエチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（Ｆ２ＨＳｉ−Ｃｐ）（ＮＥｔ２）３）；
（ジフルオロシリル）シクロペンタジエニルトリス（エチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（Ｆ２ＨＳｉ−Ｃｐ）（ＮＨＥｔ）３）；
（ジフルオロシリル）シクロペンタジエニルトリス（エチルメチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（Ｆ２ＨＳｉ−Ｃｐ）（ＮＥｔＭｅ）３）；
（ジフルオロシリル）シクロペンタジエニルトリス（ジｎ−プロピルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（Ｆ２ＨＳｉ−Ｃｐ）（ＮｎＰｒ２）３）；
（ジフルオロシリル）シクロペンタジエニルトリス（ｎ−プロピルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（Ｆ２ＨＳｉ−Ｃｐ）（ＮＨｎＰｒ）３）；
（ジフルオロシリル）シクロペンタジエニルトリス（ジイソプロピルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（Ｆ２ＨＳｉ−Ｃｐ）（ＮｉＰｒ２）３）；
（ジフルオロシリル）シクロペンタジエニルトリス（イソプロピルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（Ｆ２ＨＳｉ−Ｃｐ）（ＮＨｉＰｒ）３）；
（ジフルオロシリル）シクロペンタジエニルトリス（ジｎ−ブチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（Ｆ２ＨＳｉ−Ｃｐ）（ＮｎＢｕ２）３）；
（ジフルオロシリル）シクロペンタジエニルトリス（ｎ−ブチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（Ｆ２ＨＳｉ−Ｃｐ）（ＮＨｎＢｕ）３）；
（ジフルオロシリル）シクロペンタジエニルトリス（ジイソブチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（Ｆ２ＨＳｉ−Ｃｐ）（ＮｉＢｕ２）３）；
（ジフルオロシリル）シクロペンタジエニルトリス（イソブチルアミノ）ジルコニウム（
ＩＶ）（Ｚｒ（Ｆ２ＨＳｉ−Ｃｐ）（ＮＨｉＢｕ）３）；
（ジフルオロシリル）シクロペンタジエニルトリス（ジｓｅｃ−ブチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（Ｆ２ＨＳｉ−Ｃｐ）（ＮｓＢｕ２）３）；
（ジフルオロシリル）シクロペンタジエニルトリス（ｓｅｃ−ブチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（Ｆ２ＨＳｉ−Ｃｐ）（ＮＨｓＢｕ）３）；
（ジフルオロシリル）シクロペンタジエニルトリス（ジｔ−ブチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（Ｆ２ＨＳｉ−Ｃｐ）（ＮｔＢｕ２）３）；
（ジフルオロシリル）シクロペンタジエニルトリス（ｔ−ブチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（Ｆ２ＨＳｉ−Ｃｐ）（ＮＨｔＢｕ）３）；
（モノフルオロシリル）シクロペンタジエニルトリス（ジメチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＦＨ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮＭｅ２）３）；
（モノフルオロシリル）シクロペンタジエニルトリス（メチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＦＨ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮＨＭｅ）３）；
（モノフルオロシリル）シクロペンタジエニルトリス（ジエチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＦＨ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮＥｔ２）３）；
（モノフルオロシリル）シクロペンタジエニルトリス（エチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＦＨ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮＨＥｔ）３）；
（モノフルオロシリル）シクロペンタジエニルトリス（エチルメチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＦＨ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮＥｔＭｅ）３）；
（モノフルオロシリル）シクロペンタジエニルトリス（ジｎ−プロピルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＦＨ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮｎＰｒ２）３）；
（モノフルオロシリル）シクロペンタジエニルトリス（ｎ−プロピルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＦＨ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮＨｎＰｒ）３）；
（モノフルオロシリル）シクロペンタジエニルトリス（ジイソプロピルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＦＨ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮｉＰｒ２）３）；
（モノフルオロシリル）シクロペンタジエニルトリス（イソプロピルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＦＨ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮＨｉＰｒ）３）；
（モノフルオロシリル）シクロペンタジエニルトリス（ジｎ−ブチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＦＨ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮｎＢｕ２）３）；
（モノフルオロシリル）シクロペンタジエニルトリス（ｎ−ブチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＦＨ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮＨｎＢｕ）３）；
（モノフルオロシリル）シクロペンタジエニルトリス（ジイソブチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＦＨ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮｉＢｕ２）３）；
（モノフルオロシリル）シクロペンタジエニルトリス（イソブチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＦＨ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮＨｉＢｕ）３）；
（モノフルオロシリル）シクロペンタジエニルトリス（ジｓｅｃ−ブチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＦＨ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮｓＢｕ２）３）；
（モノフルオロシリル）シクロペンタジエニルトリス（ｓｅｃ−ブチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＦＨ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮＨｓＢｕ）３）；
（モノフルオロシリル）シクロペンタジエニルトリス（ジｔ−ブチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＦＨ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮｔＢｕ２）３）；
（モノフルオロシリル）シクロペンタジエニルトリス（ｔ−ブチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＦＨ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮＨｔＢｕ）３）；
（フルオロジメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（ジメチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＦＭｅ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮＭｅ２）３）；
（フルオロジメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（メチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＦＭｅ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮＨＭｅ）３）；
（フルオロジメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（ジエチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＦＭｅ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮＥｔ２）３）；
（フルオロジメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（エチルアミノ）ジルコニウム
（ＩＶ）（Ｚｒ（ＦＭｅ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮＨＥｔ）３）；
（フルオロジメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（エチルメチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＦＭｅ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮＥｔＭｅ）３）；
（フルオロジメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（ジｎ−プロピルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＦＭｅ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮｎＰｒ２）３）；
（フルオロジメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（ｎ−プロピルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＦＭｅ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮＨｎＰｒ）３）；
（フルオロジメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（ジイソプロピルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＦＭｅ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮｉＰｒ２）３）；
（フルオロジメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（イソプロピルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＦＭｅ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮＨｉＰｒ）３）；
（フルオロジメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（ジｎ−ブチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＦＭｅ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮｎＢｕ２）３）；
（フルオロジメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（ｎ−ブチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＦＭｅ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮＨｎＢｕ）３）；
（フルオロジメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（ジイソブチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＦＭｅ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮｉＢｕ２）３）；
（フルオロジメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（イソブチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＦＭｅ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮＨｉＢｕ）３）；
（フルオロジメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（ジｓｅｃ−ブチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＦＭｅ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮｓＢｕ２）３）；
（フルオロジメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（ｓｅｃ−ブチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＦＭｅ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮＨｓＢｕ）３）；
（フルオロジメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（ジｔ−ブチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＦＭｅ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮｔＢｕ２）３）；
（フルオロジメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（ｔ−ブチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＦＭｅ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮＨｔＢｕ）３）；
（トリス（トリフルオロメチル）シリル）シクロペンタジエニルトリス（ジメチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（（ＣＦ３）３Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮＭｅ２）３）；
（トリス（トリフルオロメチル）シリル）シクロペンタジエニルトリス（メチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（（ＣＦ３）３Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮＨＭｅ）３）；
（トリス（トリフルオロメチル）シリル）シクロペンタジエニルトリス（ジエチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（（ＣＦ３）３Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮＥｔ２）３）；
（トリス（トリフルオロメチル）シリル）シクロペンタジエニルトリス（エチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（（ＣＦ３）３Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮＨＥｔ）３）；
（トリス（トリフルオロメチル）シリル）シクロペンタジエニルトリス（エチルメチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（（ＣＦ３）３Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮＥｔＭｅ）３）；
（トリス（トリフルオロメチル）シリル）シクロペンタジエニルトリス（ジｎ−プロピルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（（ＣＦ３）３Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮｎＰｒ２）３）；（トリス（トリフルオロメチル）シリル）シクロペンタジエニルトリス（ｎ−プロピルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（（ＣＦ３）３Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮＨｎＰｒ）３）；
（トリス（トリフルオロメチル）シリル）シクロペンタジエニルトリス（ジイソプロピルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（（ＣＦ３）３Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮｉＰｒ２）３）；（トリス（トリフルオロメチル）シリル）シクロペンタジエニルトリス（イソプロピルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（（ＣＦ３）３Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮＨｉＰｒ）３）；
（トリス（トリフルオロメチル）シリル）シクロペンタジエニルトリス（ジｎ−ブチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（（ＣＦ３）３Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮｎＢｕ２）３）；
（トリス（トリフルオロメチル）シリル）シクロペンタジエニルトリス（ｎ−ブチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（（ＣＦ３）３Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮＨｎＢｕ）３）；
（トリス（トリフルオロメチル）シリル）シクロペンタジエニルトリス（ジイソブチルア
ミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（（ＣＦ３）３Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮｉＢｕ２）３）；
（トリス（トリフルオロメチル）シリル）シクロペンタジエニルトリス（イソブチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（（ＣＦ３）３Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮＨｉＢｕ）３）；
（トリス（トリフルオロメチル）シリル）シクロペンタジエニルトリス（ジｓｅｃ−ブチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（（ＣＦ３）３Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮｓＢｕ２）３）；
（トリス（トリフルオロメチル）シリル）シクロペンタジエニルトリス（ｓｅｃ−ブチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（（ＣＦ３）３Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮＨｓＢｕ）３）；（トリス（トリフルオロメチル）シリル）シクロペンタジエニルトリス（ジｔ−ブチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（（ＣＦ３）３Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮｔＢｕ２）３）；
（トリス（トリフルオロメチル）シリル）シクロペンタジエニルトリス（ｔ−ブチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（（ＣＦ３）３Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮＨｔＢｕ）３）；
（ビス（トリフルオロメチル）シリル）シクロペンタジエニルトリス（ジメチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（（ＣＦ３）２ＨＳｉ−Ｃｐ）（ＮＭｅ２）３）；
（ビス（トリフルオロメチル）シリル）シクロペンタジエニルトリス（メチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（（ＣＦ３）２ＨＳｉ−Ｃｐ）（ＮＨＭｅ）３）；
（ビス（トリフルオロメチル）シリル）シクロペンタジエニルトリス（ジエチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（（ＣＦ３）２ＨＳｉ−Ｃｐ）（ＮＥｔ２）３）；
（ビス（トリフルオロメチル）シリル）シクロペンタジエニルトリス（エチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（（ＣＦ３）２ＨＳｉ−Ｃｐ）（ＮＨＥｔ）３）；
（ビス（トリフルオロメチル）シリル）シクロペンタジエニルトリス（エチルメチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（（ＣＦ３）２ＨＳｉ−Ｃｐ）（ＮＥｔＭｅ）３）；
（ビス（トリフルオロメチル）シリル）シクロペンタジエニルトリス（ジｎ−プロピルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（（ＣＦ３）２ＨＳｉ−Ｃｐ）（ＮｎＰｒ２）３）；（ビス（トリフルオロメチル）シリル）シクロペンタジエニルトリス（ｎ−プロピルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（（ＣＦ３）２ＨＳｉ−Ｃｐ）（ＮＨｎＰｒ）３）；
（ビス（トリフルオロメチル）シリル）シクロペンタジエニルトリス（ジイソプロピルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（（ＣＦ３）２ＨＳｉ−Ｃｐ）（ＮｉＰｒ２）３）；（ビス（トリフルオロメチル）シリル）シクロペンタジエニルトリス（イソプロピルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（（ＣＦ３）２ＨＳｉ−Ｃｐ）（ＮＨｉＰｒ）３）；
（ビス（トリフルオロメチル）シリル）シクロペンタジエニルトリス（ジｎ−ブチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（（ＣＦ３）２ＨＳｉ−Ｃｐ）（ＮｎＢｕ２）３）；
（ビス（トリフルオロメチル）シリル）シクロペンタジエニルトリス（ｎ−ブチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（（ＣＦ３）２ＨＳｉ−Ｃｐ）（ＮＨｎＢｕ）３）；
（ビス（トリフルオロメチル）シリル）シクロペンタジエニルトリス（ジイソブチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（（ＣＦ３）２ＨＳｉ−Ｃｐ）（ＮｉＢｕ２）３）；
（ビス（トリフルオロメチル）シリル）シクロペンタジエニルトリス（イソブチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（（ＣＦ３）２ＨＳｉ−Ｃｐ）（ＮＨｉＢｕ）３）；
（ビス（トリフルオロメチル）シリル）シクロペンタジエニルトリス（ジｓｅｃ−ブチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（（ＣＦ３）２ＨＳｉ−Ｃｐ）（ＮｓＢｕ２）３）；
（ビス（トリフルオロメチル）シリル）シクロペンタジエニルトリス（ｓｅｃ−ブチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（（ＣＦ３）２ＨＳｉ−Ｃｐ）（ＮＨｓＢｕ）３）；（ビス（トリフルオロメチル）シリル）シクロペンタジエニルトリス（ジｔ−ブチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（（ＣＦ３）２ＨＳｉ−Ｃｐ）（ＮｔＢｕ２）３）；
（ビス（トリフルオロメチル）シリル）シクロペンタジエニルトリス（ｔ−ブチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（（ＣＦ３）２ＨＳｉ−Ｃｐ）（ＮＨｔＢｕ）３）；
（（トリフルオロメチル）ジメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（ジメチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（（ＣＦ３）Ｍｅ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮＭｅ２）３）；
（（トリフルオロメチル）ジメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（メチルアミノ
）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（（ＣＦ３）Ｍｅ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮＨＭｅ）３）；
（（トリフルオロメチル）ジメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（ジエチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（（ＣＦ３）Ｍｅ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮＥｔ２）３）；
（（トリフルオロメチル）ジメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（エチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（（ＣＦ３）Ｍｅ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮＨＥｔ）３）；
（（トリフルオロメチル）ジメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（エチルメチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（（ＣＦ３）Ｍｅ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮＥｔＭｅ）３）；
（（トリフルオロメチル）ジメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（ジｎ−プロピルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（（ＣＦ３）Ｍｅ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮｎＰｒ２）３）；
（（トリフルオロメチル）ジメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（ｎ−プロピルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（（ＣＦ３）Ｍｅ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮＨｎＰｒ）３）；
（（トリフルオロメチル）ジメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（ジイソプロピルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（（ＣＦ３）Ｍｅ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮｉＰｒ２）３）；
（（トリフルオロメチル）ジメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（イソプロピルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（（ＣＦ３）Ｍｅ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮＨｉＰｒ）３）；
（（トリフルオロメチル）ジメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（ジｎ−ブチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（（ＣＦ３）Ｍｅ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮｎＢｕ２）３）；
（（トリフルオロメチル）ジメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（ｎ−ブチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（（ＣＦ３）Ｍｅ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮＨｎＢｕ）３）；
（（トリフルオロメチル）ジメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（ジイソブチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（（ＣＦ３）Ｍｅ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮｉＢｕ２）３）；
（（トリフルオロメチル）ジメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（イソブチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（（ＣＦ３）Ｍｅ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮＨｉＢｕ）３）；
（（トリフルオロメチル）ジメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（ジｓｅｃ−ブチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（（ＣＦ３）Ｍｅ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮｓＢｕ２）３）；
（（トリフルオロメチル）ジメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（ｓｅｃ−ブチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（（ＣＦ３）Ｍｅ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮＨｓＢｕ）３）；
（（トリフルオロメチル）ジメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（ジｔ−ブチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（（ＣＦ３）Ｍｅ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮｔＢｕ２）３）；
および（（トリフルオロメチル）ジメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（ｔ−ブチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（（ＣＦ３）Ｍｅ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮＨｔＢｕ）３）。
【請求項２】
式ＩＩ：
【化３】
0006492178.tif 000006
（式中、各Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、およびＲ１０は、Ｈ；Ｃ１−Ｃ５直鎖、分岐もしくは環式アルキル基；または、Ｃ１−Ｃ５直鎖、分岐もしくは環式フルオロアルキル基から独立して選択される）
を有するケイ素およびジルコニウム含有前駆体を含むジルコニウム含有膜形成組成物。
【請求項３】
前記前駆体が、（トリメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（メトキシ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＴＭＳ−Ｃｐ）（ＯＭｅ）３）；
（トリメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（エトキシ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＴＭＳ−Ｃｐ）（ＯＥｔ）３）；
（トリメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（ｎ−プロポキシ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＴＭＳ−Ｃｐ）（ＯｎＰｒ）３）；
（トリメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（イソプロポキシ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＴＭＳ−Ｃｐ）（ＯｉＰｒ）３）；
（トリメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（ｔ−ブトキシ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＴＭＳ−Ｃｐ）（ＯｔＢｕ）３）；
（トリメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（ｓｅｃ−ブトキシ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＴＭＳ−Ｃｐ）（ＯｓＢｕ）３）；
（トリメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（ｎ−ブトキシ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＴＭＳ−Ｃｐ）（ＯｎＢｕ）３）；
（トリメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（イソブトキシ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＴＭＳ−Ｃｐ）（ＯｉＢｕ）３）；
（ジメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（メトキシ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＤＭＳ−Ｃｐ）（ＯＭｅ）３）；
（ジメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（エトキシ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＤＭＳ−Ｃｐ）（ＯＥｔ）３）；
（ジメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（ｎ−プロポキシ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＤＭＳ−Ｃｐ）（ＯｎＰｒ）３）；
（ジメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（イソプロポキシ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＤＭＳ−Ｃｐ）（ＯｉＰｒ）３）；
（ジメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（ｔ−ブトキシ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＤＭＳ−Ｃｐ）（ＯｔＢｕ）３）；
（ジメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（ｓｅｃ−ブトキシ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＤＭＳ−Ｃｐ）（ＯｓＢｕ）３）；
（ジメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（ｎ−ブトキシ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＤＭＳ−Ｃｐ）（ＯｎＢｕ）３）；
（ジメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（イソブトキシ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＤＭＳ−Ｃｐ）（ＯｉＢｕ）３）；
（トリフルオロシリル）シクロペンタジエニルトリス（メトキシ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（Ｆ３Ｓｉ−Ｃｐ）（ＯＭｅ）３）；
（トリフルオロシリル）シクロペンタジエニルトリス（エトキシ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（Ｆ３Ｓｉ−Ｃｐ）（ＯＥｔ）３）；
（トリフルオロシリル）シクロペンタジエニルトリス（ｎ−プロポキシ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（Ｆ３Ｓｉ−Ｃｐ）（ＯｎＰｒ）３）；
（トリフルオロシリル）シクロペンタジエニルトリス（イソプロポキシ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（Ｆ３Ｓｉ−Ｃｐ）（ＯｉＰｒ）３）；
（トリフルオロシリル）シクロペンタジエニルトリス（ｔ−ブトキシ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（Ｆ３Ｓｉ−Ｃｐ）（ＯｔＢｕ）３）；
（トリフルオロシリル）シクロペンタジエニルトリス（ｓｅｃ−ブトキシ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（Ｆ３Ｓｉ−Ｃｐ）（ＯｓＢｕ）３）；
（トリフルオロシリル）シクロペンタジエニルトリス（ｎ−ブトキシ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（Ｆ３Ｓｉ−Ｃｐ）（ＯｎＢｕ）３）；
（トリフルオロシリル）シクロペンタジエニルトリス（イソブトキシ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（Ｆ３Ｓｉ−Ｃｐ）（ＯｉＢｕ）３）；
（ジフルオロシリル）シクロペンタジエニルトリス（メトキシ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（Ｆ２ＨＳｉ−Ｃｐ）（ＯＭｅ）３）；
（ジフルオロシリル）シクロペンタジエニルトリス（エトキシ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（Ｆ２ＨＳｉ−Ｃｐ）（ＯＥｔ）３）；
（ジフルオロシリル）シクロペンタジエニルトリス（ｎ−プロポキシ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（Ｆ２ＨＳｉ−Ｃｐ）（ＯｎＰｒ）３）；
（ジフルオロシリル）シクロペンタジエニルトリス（イソプロポキシ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（Ｆ２ＨＳｉ−Ｃｐ）（ＯｉＰｒ）３）；
（ジフルオロシリル）シクロペンタジエニルトリス（ｔ−ブトキシ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（Ｆ２ＨＳｉ−Ｃｐ）（ＯｔＢｕ）３）；
（ジフルオロシリル）シクロペンタジエニルトリス（ｓｅｃ−ブトキシ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（Ｆ２ＨＳｉ−Ｃｐ）（ＯｓＢｕ）３）；
（ジフルオロシリル）シクロペンタジエニルトリス（ｎ−ブトキシ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（Ｆ２ＨＳｉ−Ｃｐ）（ＯｎＢｕ）３）；
（ジフルオロシリル）シクロペンタジエニルトリス（イソブトキシ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（Ｆ２ＨＳｉ−Ｃｐ）（ＯｉＢｕ）３）；
（モノフルオロシリル）シクロペンタジエニルトリス（メトキシ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＦＨ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＯＭｅ）３）；
（モノフルオロシリル）シクロペンタジエニルトリス（エトキシ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＦＨ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＯＥｔ）３）；
（モノフルオロシリル）シクロペンタジエニルトリス（ｎ−プロポキシ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＦＨ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＯｎＰｒ）３）；
（モノフルオロシリル）シクロペンタジエニルトリス（イソプロポキシ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＦＨ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＯｉＰｒ）３）；
（モノフルオロシリル）シクロペンタジエニルトリス（ｔ−ブトキシ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＦＨ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＯｔＢｕ）３）；
（モノフルオロシリル）シクロペンタジエニルトリス（ｓｅｃ−ブトキシ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＦＨ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＯｓＢｕ）３）；
（モノフルオロシリル）シクロペンタジエニルトリス（ｎ−ブトキシ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＦＨ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＯｎＢｕ）３）；
（モノフルオロシリル）シクロペンタジエニルトリス（イソブトキシ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＦＨ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＯｉＢｕ）３）；
（フルオロジメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（メトキシ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＦＭｅ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＯＭｅ）３）；
（フルオロジメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（エトキシ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＦＭｅ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＯＥｔ）３）；
（フルオロジメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（ｎ−プロポキシ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＦＭｅ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＯｎＰｒ）３）；
（フルオロジメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（イソプロポキシ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＦＭｅ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＯｉＰｒ）３）；
（フルオロジメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（ｔ−ブトキシ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＦＭｅ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＯｔＢｕ）３）；
（フルオロジメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（ｓｅｃ−ブトキシ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＦＭｅ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＯｓＢｕ）３）；
（フルオロジメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（ｎ−ブトキシ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＦＭｅ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＯｎＢｕ）３）；
（フルオロジメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（イソブトキシ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＦＭｅ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＯｉＢｕ）３）；
（トリス（トリフルオロメチル）シリル）シクロペンタジエニルトリス（メトキシ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（（ＣＦ３）３Ｓｉ−Ｃｐ）（ＯＭｅ）３）；
（トリス（トリフルオロメチル）シリル）シクロペンタジエニルトリス（エトキシ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（（ＣＦ３）３Ｓｉ−Ｃｐ）（ＯＥｔ）３）；
（トリス（トリフルオロメチル）シリル）シクロペンタジエニルトリス（ｎ−プロポキシ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（（ＣＦ３）３Ｓｉ−Ｃｐ）（ＯｎＰｒ）３）；
（トリス（トリフルオロメチル）シリル）シクロペンタジエニルトリス（イソプロポキシ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（（ＣＦ３）３Ｓｉ−Ｃｐ）（ＯｉＰｒ）３）；
（トリス（トリフルオロメチル）シリル）シクロペンタジエニルトリス（ｔ−ブトキシ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（（ＣＦ３）３Ｓｉ−Ｃｐ）（ＯｔＢｕ）３）；
（トリス（トリフルオロメチル）シリル）シクロペンタジエニルトリス（ｓｅｃ−ブトキシ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（（ＣＦ３）３Ｓｉ−Ｃｐ）（ＯｓＢｕ）３）；
（トリス（トリフルオロメチル）シリル）シクロペンタジエニルトリス（ｎ−ブトキシ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（（ＣＦ３）３Ｓｉ−Ｃｐ）（ＯｎＢｕ）３）；
（トリス（トリフルオロメチル）シリル）シクロペンタジエニルトリス（イソブトキシ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（（ＣＦ３）３Ｓｉ−Ｃｐ）（ＯｉＢｕ）３）；
（ビス（トリフルオロメチル）シリル）シクロペンタジエニルトリス（メトキシ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（（ＣＦ３）２ＨＳｉ−Ｃｐ）（ＯＭｅ）３）；
（ビス（トリフルオロメチル）シリル）シクロペンタジエニルトリス（エトキシ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（（ＣＦ３）２ＨＳｉ−Ｃｐ）（ＯＥｔ）３）；
（ビス（トリフルオロメチル）シリル）シクロペンタジエニルトリス（ｎ−プロポキシ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（（ＣＦ３）２ＨＳｉ−Ｃｐ）（ＯｎＰｒ）３）；
（ビス（トリフルオロメチル）シリル）シクロペンタジエニルトリス（イソプロポキシ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（（ＣＦ３）２ＨＳｉ−Ｃｐ）（ＯｉＰｒ）３）；
（ビス（トリフルオロメチル）シリル）シクロペンタジエニルトリス（ｔ−ブトキシ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（（ＣＦ３）２ＨＳｉ−Ｃｐ）（ＯｔＢｕ）３）；
（ビス（トリフルオロメチル）シリル）シクロペンタジエニルトリス（ｓｅｃ−ブトキシ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（（ＣＦ３）２ＨＳｉ−Ｃｐ）（ＯｓＢｕ）３）；
（ビス（トリフルオロメチル）シリル）シクロペンタジエニルトリス（ｎ−ブトキシ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（（ＣＦ３）２ＨＳｉ−Ｃｐ）（ＯｎＢｕ）３）；
（ビス（トリフルオロメチル）シリル）シクロペンタジエニルトリス（イソブトキシ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（（ＣＦ３）２ＨＳｉ−Ｃｐ）（ＯｉＢｕ）３）；
（（トリフルオロメチル）ジメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（メトキシ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（（ＣＦ３）Ｍｅ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＯＭｅ）３）；
（（トリフルオロメチル）ジメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（エトキシ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（（ＣＦ３）Ｍｅ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＯＥｔ）３）；
（（トリフルオロメチル）ジメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（ｎ−プロポキシ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（（ＣＦ３）Ｍｅ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＯｎＰｒ）３）；
（（トリフルオロメチル）ジメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（イソプロポキシ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（（ＣＦ３）Ｍｅ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＯｉＰｒ）３）；
（（トリフルオロメチル）ジメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（ｔ−ブトキシ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（（ＣＦ３）Ｍｅ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＯｔＢｕ）３）；
（（トリフルオロメチル）ジメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（ｓｅｃ−ブトキシ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（（ＣＦ３）Ｍｅ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＯｓＢｕ）３）；（（トリフルオロメチル）ジメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（ｎ−ブトキシ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（（ＣＦ３）Ｍｅ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＯｎＢｕ）３）；
および（（トリフルオロメチル）ジメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（イソブトキシ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（（ＣＦ３）Ｍｅ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＯｉＢｕ）３）からなる群から選択される、請求項２に記載のジルコニウム含有膜形成組成物。
【請求項４】
前記前駆体が、（トリメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（イソ−プロポキシ）ジルコニウム（ＩＶ）［Ｚｒ（ＴＭＳ−Ｃｐ）（ＯｉＰｒ）３］である、請求項３に記載のジルコニウム含有膜形成組成物。
【請求項５】
前記組成物が、９５％ｗ／ｗ〜１００％ｗ／ｗの前記前駆体を含む、請求項１〜４のいずれか一項に記載のジルコニウム含有膜形成組成物。
【請求項６】
前記組成物が、０．０％ｗ／ｗ〜５．０％ｗ／ｗの不純物を含む、請求項１〜５のいずれか一項に記載のジルコニウム含有膜形成組成物。
【請求項７】
前記不純物が、アルコール；アルキルアミン；ジアルキルアミン；アルキルイミン；シクロペンタジエン；ジシクロペンタジエン；アルキルゲルマン；ＴＨＦ；エーテル；ペンタン；シクロヘキサン；ヘプタン；ベンゼン；トルエン；塩化金属化合物；リチウム、ナトリウムもしくはカリウムアルキルアミド；リチウム、ナトリウムもしくはカリウムアルコキシ；および／または、リチウム、ナトリウムもしくはカリウムシクロペンタジエニルを含む、請求項６に記載のジルコニウム含有膜形成組成物。
【請求項８】
前記組成物が、０ｐｐｂｗ〜１ｐｐｍｗの金属不純物を含む、請求項１〜７のいずれか一項に記載のジルコニウム含有膜形成組成物。
【請求項９】
前記金属不純物が、アルミニウム（Ａｌ）、砒素（Ａｓ）、バリウム（Ｂａ）、ベリリウム（Ｂｅ）、ビスマス（Ｂｉ）、カドミウム（Ｃｄ）、カルシウム（Ｃａ）、クロム（Ｃｒ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、ガリウム（Ｇａ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、ハフニウム（Ｈｆ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、インジウム（Ｉｎ）、鉄（Ｆｅ）、鉛（Ｐｂ）、リチウム（Ｌｉ）、マグネシウム（Ｍｇ）、マンガン（Ｍｎ）、タングステン（Ｗ）、ニッケル（Ｎｉ）、カリウム（Ｋ）、ナトリウム（Ｎａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、トリウム（Ｔｈ）、スズ（Ｓｎ）、チタン（Ｔｉ）、ウラニウム（Ｕ）、および／または亜鉛（Ｚｎ）を含む、請求項８に記載のジルコニウム含有膜形成組成物。
【請求項１０】
ジルコニウム含有膜を基板上に堆積するプロセスであって、請求項１〜９のいずれか一項に記載のジルコニウム含有膜形成組成物の蒸気を基板が中に入れられた反応器に導入するステップと、ケイ素およびジルコニウム含有前駆体の少なくとも一部を前記基板上に堆積するステップとを含むプロセス。
【請求項１１】
少なくとも１種の反応体を前記反応器に導入するステップをさらに含み、前記反応体が、Ｈ２、Ｈ２ＣＯ、Ｎ２Ｈ４、ＮＨ３、ＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６、Ｓｉ３Ｈ８、ＳｉＨ２Ｍ
ｅ２、ＳｉＨ２Ｅｔ２、Ｎ（ＳｉＨ３）３、これらの水素ラジカル、およびこれらの混合物からなる群から選択される、請求項１０に記載のプロセス。
【請求項１２】
少なくとも１種の反応体を前記反応器に導入するステップをさらに含み、前記反応体が、Ｏ２、Ｏ３、Ｈ２Ｏ、Ｈ２Ｏ２、ＮＯ、Ｎ２Ｏ、ＮＯ２、これらの酸素ラジカル、およびこれらの混合物からなる群から選択される、請求項１０に記載のプロセス。
【発明の詳細な説明】
【背景技術】
【０００１】
（関連出願の相互参照）
本出願は、本明細書においてその全体がすべての目的のために参照により援用されている、２０１４年１２月２３日に出願の米国特許出願公開第１４／５８０，３５２号明細書の利益を主張する。
【０００２】
ケイ素およびジルコニウム含有前駆体を含むジルコニウム含有膜形成組成物が開示されている。また、本開示の組成物を合成する方法、および本開示の組成物を用いて、蒸着プロセスでジルコニウム含有膜を基板上に堆積する方法も開示されている。
【技術分野】
【０００３】
ダイナミックランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）などの半導体素子の小型化に伴い、誘電率が高い新規の材料が求められている。実際に、小さい表面積を有するコンデンサで十分な静電容量を達成するために、誘電率がより高いコンデンサが必要とされている。高ｋ誘電体のうち、誘電率がＳｉＯ２またはＡｌ２Ｏ３よりも高いために、ＨｆＯ２またはＺｒＯ２などの第４族系の材料がきわめて有望である。しかしながら、これらの誘電率は結晶形態によって様々である（Ｔｈｉｎ  Ｓｏｌｉｄ  Ｆｉｌｍｓ  ４８６（２００５）１２５−１２８）。
【０００４】
厚いＺｒＯ２層は、不安定な結晶相を有すると共に漏れ電流が高い傾向にある（Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｐｈｙｓｉｃｓ  Ｒｅｖｉｅｗｓ（２０１２）ｖｅｒｓｉｏｎ  １４−９−２０１２）。これらの欠点を防ぐために、ＺｒＯ２の２つの層の間にＡｌ２Ｏ３の薄い層を導入して、いわゆるＺＡＺコンデンサを形成することで、結晶相を安定化させ、漏れ電流を低減することが行われている（Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｐｈｙｓｉｃｓ  Ｌｅｔｔｅｒｓ  ９３，０３３５１１（２００８）；Ｊ．Ｖａｃ．Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈｎｏ．Ａ  ４（６），１９８６；Ｍｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ  Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ  ８６（２００９）１７８９−１７９５）。
【０００５】
ｋ値が最も高い相であるＺｒＯ２層の立方晶相／正方結晶相はまた、少量のケイ素またはゲルマニウムをＺｒＯ２にドープすることにより安定化が行われている（ケイ素については米国特許公報２０１３／０２０８４０３Ａ１号明細書、およびゲルマニウムについてはＪｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｐｈｙｓｉｃｓ，２００９，１０６，０２４１０７；Ｍｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ  Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ，２００９，８６，１６２６；Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｐｈｙｓｉｃｓ  Ｌｅｔｔｅｒｓ，２０１１，９９，１２１９０９）。
【０００６】
以下のものなどの、シクロペンタジエニルリガンドを含有する第４族アルキルアミド前駆体が開発されている（国際公開第２００７／１４１０５９号パンフレット（Ｄｕｓｓａｒｒａｔ  ｅｔ  ａｌ．）；Ｎｉｉｎｉｓｔｏ  ｅｔ  ａｌ．，Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ  Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ（２００８），１８（４３），５２４３−５２４７）。これらの前駆体は、テトラキスアルキルアミド前駆体と比して高い熱安定性を示す。
【０００７】
【化１】
0006492178.tif 000002
【０００８】
（式中、Ｒ１＝Ｈ、ＭｅまたはＥｔ；Ｒ２およびＲ３＝Ｃ１−Ｃ４アルキル基）。
【０００９】
これらの化合物と同様に、シリルシクロペンタジエニルリガンドを含む第４族前駆体が以下に示す文献に記載されている。
【００１０】
【化２】
0006492178.tif 000003
【００１１】
（式中、Ｒ＝Ｃｌ、ＮＭｅ２、ＯＳｉＭｅ３、ＣＨ２ＳｉＭｅ３、Ｃ６Ｈ５およびＣＨ２Ｐｈ）（Ｔｉメトキシ化合物についてはＪｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｏｒｇａｎｏｍｅｔａｌｌｉｃ  Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，２００４，６８９，１５０３、Ｔｉアルキルアミノ化合物については特開２００５／１７１２９１号公報（東ソー株式会社）、Ｚｒ化合物については韓国特許出願番号第２００８／０１０１０４０号明細書（ＵＰ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｃｏ．Ｌｔｄ．）およびＪｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｏｒｇａｎｏｍｅｔａｌｌｉｃ  Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，１９９７，５４７，２８７）。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
高温で厚さおよび組成が制御される気相薄膜堆積に好適である、液体または低融点（＜５０℃）で、熱安定が高く、粘度が低いジルコニウム前駆体分子の開発に対する必要性が残っている。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
以下の式を有するケイ素およびジルコニウム含有前駆体を含むジルコニウム含有膜形成組成物が開示されている。
【００１４】
【化３】
0006492178.tif 000004
【００１５】
式中、各Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９およびＲ１０は、Ｈ；Ｃ１−Ｃ５直鎖、分岐もしくは環式アルキル基；または、Ｃ１−Ｃ５直鎖、分岐もしくは環式フルオロアルキル基から独立して選択される。Ｒ１、Ｒ２およびＲ３は同等であっても異なっていてもよい。Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６およびＲ７は同等であっても異なっていてもよい。各Ｒ８およびＲ９は同等であっても異なっていてもよい。各Ｒ１０は同等であっても異なっていてもよい。本開示のジルコニウム含有膜形成組成物は、以下の態様の１種または複数種をさらに含んでいてもよい。
【００１６】
・Ｒ１およびＲ２およびＲ３は、独立して、Ｈ、Ｆ、ＣＦ３、Ｍｅ、Ｅｔ、ｎＰｒ、ｉＰｒ、ｎＢｕ、ｉＢｕ、ｓＢｕまたはｔＢｕであり；
・Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６およびＲ７は、独立して、Ｈ、Ｆ、ＣＦ３、Ｍｅ、Ｅｔ、ｎＰｒ、ｉＰｒ、ｎＢｕ、ｉＢｕ、ｓＢｕまたはｔＢｕであり；
・Ｒ８およびＲ９は、独立して、Ｈ、Ｍｅ、Ｅｔ、ｎＰｒ、ｉＰｒ、ｎＢｕ、ｉＢｕ、ｓＢｕまたはｔＢｕであり；
・Ｒ１０は、Ｍｅ、Ｅｔ、ｎＰｒ、ｉＰｒ、ｎＢｕ、ｉＢｕ、ｓＢｕ、またはｔＢｕであり；
【００１７】
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（トリメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（ジメチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＴＭＳ−Ｃｐ）（ＮＭｅ２）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（トリメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（メチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＴＭＳ−Ｃｐ）（ＮＨＭｅ）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（トリメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（ジエチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＴＭＳ−Ｃｐ）（ＮＥｔ２）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（トリメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（エチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＴＭＳ−Ｃｐ）（ＮＨＥｔ）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（トリメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（エチルメチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＴＭＳ−Ｃｐ）（ＮＥｔＭｅ）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（トリメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（ジｎ−プロピルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＴＭＳ−Ｃｐ）（ＮｎＰｒ２）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（トリメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（ｎ−プロピルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＴＭＳ−Ｃｐ）（ＮＨｎＰｒ）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（トリメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（ジイソプロピルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＴＭＳ−Ｃｐ）（ＮｉＰｒ２）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（トリメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（イソプロピルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＴＭＳ−Ｃｐ）（ＮＨｉＰｒ）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（トリメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（ジｎ−ブチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＴＭＳ−Ｃｐ）（ＮｎＢｕ２）３）であり；
【００１８】
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（トリメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（ｎ−ブチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＴＭＳ−Ｃｐ）（ＮＨｎＢｕ）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（トリメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（ジイソブチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＴＭＳ−Ｃｐ）（ＮｉＢｕ２）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（トリメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（イソブチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＴＭＳ−Ｃｐ）（ＮＨｉＢｕ）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（トリメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（ジｓｅｃ−ブチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＴＭＳ−Ｃｐ）（ＮｓＢｕ２）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（トリメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（ｓｅｃ−ブチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＴＭＳ−Ｃｐ）（ＮＨｓＢｕ）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（トリメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（ジｔ−ブチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＴＭＳ−Ｃｐ）（ＮｔＢｕ２）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（トリメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（ｔ−ブチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＴＭＳ−Ｃｐ）（ＮＨｔＢｕ）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（トリメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（メトキシ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＴＭＳ−Ｃｐ）（ＯＭｅ）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（トリメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（エトキシ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＴＭＳ−Ｃｐ）（ＯＥｔ）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（トリメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（ｎ−プロポキシ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＴＭＳ−Ｃｐ）（ＯｎＰｒ）３）であり；
【００１９】
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（トリメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（イソ−プロポキシ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＴＭＳ−Ｃｐ）（ＯｉＰｒ）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（トリメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（ｔ−ブトキシ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＴＭＳ−Ｃｐ）（ＯｔＢｕ）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（トリメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（ｓｅｃ−ブトキシ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＴＭＳ−Ｃｐ）（ＯｓＢｕ）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（トリメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（ｎ−ブトキシ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＴＭＳ−Ｃｐ）（ＯｎＢｕ）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（トリメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（イソブトキシ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＴＭＳ−Ｃｐ）（ＯｉＢｕ）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（ジメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（ジメチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＤＭＳ−Ｃｐ）（ＮＭｅ２）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（ジメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（メチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＤＭＳ−Ｃｐ）（ＮＨＭｅ）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（ジメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（ジエチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＤＭＳ−Ｃｐ）（ＮＥｔ２）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（ジメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（エチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＤＭＳ−Ｃｐ）（ＮＨＥｔ）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（ジメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（エチルメチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＤＭＳ−Ｃｐ）（ＮＥｔＭｅ）３）であり；
【００２０】
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（ジメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（ジｎ−プロピルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＤＭＳ−Ｃｐ）（ＮｎＰｒ２）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（ジメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（ｎ−プロピルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＤＭＳ−Ｃｐ）（ＮＨｎＰｒ）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（ジメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（ジイソプロピルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＤＭＳ−Ｃｐ）（ＮｉＰｒ２）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（ジメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（イソプロピルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＤＭＳ−Ｃｐ）（ＮＨｉＰｒ）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（ジメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（ジｎ−ブチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＤＭＳ−Ｃｐ）（ＮｎＢｕ２）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（ジメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（ｎ−ブチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＤＭＳ−Ｃｐ）（ＮＨｎＢｕ）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（ジメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（ジイソブチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＤＭＳ−Ｃｐ）（ＮｉＢｕ２）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（ジメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（イソブチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＤＭＳ−Ｃｐ）（ＮＨｉＢｕ）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（ジメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（ジｓｅｃ−ブチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＤＭＳ−Ｃｐ）（ＮｓＢｕ２）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（ジメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（ｓｅｃ−ブチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＤＭＳ−Ｃｐ）（ＮＨｓＢｕ）３）であり；
【００２１】
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（ジメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（ジｔ−ブチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＤＭＳ−Ｃｐ）（ＮｔＢｕ２）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（ジメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（ｔ−ブチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＤＭＳ−Ｃｐ）（ＮＨｔＢｕ）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（ジメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（メトキシ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＤＭＳ−Ｃｐ）（ＯＭｅ）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（ジメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（エトキシ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＤＭＳ−Ｃｐ）（ＯＥｔ）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（ジメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（ｎ−プロポキシ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＤＭＳ−Ｃｐ）（ＯｎＰｒ）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（ジメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（イソプロポキシ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＤＭＳ−Ｃｐ）（ＯｉＰｒ）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（ジメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（ｔ−ブトキシ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＤＭＳ−Ｃｐ）（ＯｔＢｕ）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（ジメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（ｓｅｃ−ブトキシ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＤＭＳ−Ｃｐ）（ＯｓＢｕ）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（ジメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（ｎ−ブトキシ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＤＭＳ−Ｃｐ）（ＯｎＢｕ）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（ジメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（イソブトキシ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＤＭＳ−Ｃｐ）（ＯｉＢｕ）３）であり；
【００２２】
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（トリフルオロシリル）シクロペンタジエニルトリス（ジメチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（Ｆ３Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮＭｅ２）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（トリフルオロシリル）シクロペンタジエニルトリス（メチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（Ｆ３Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮＨＭｅ）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（トリフルオロシリル）シクロペンタジエニルトリス（ジエチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（Ｆ３Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮＥｔ２）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（トリフルオロシリル）シクロペンタジエニルトリス（エチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（Ｆ３Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮＨＥｔ）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（トリフルオロシリル）シクロペンタジエニルトリス（エチルメチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（Ｆ３Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮＥｔＭｅ）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（トリフルオロシリル）シクロペンタジエニルトリス（ジｎ−プロピルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（Ｆ３Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮｎＰｒ２）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（トリフルオロシリル）シクロペンタジエニルトリス（ｎ−プロピルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（Ｆ３Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮＨｎＰｒ）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（トリフルオロシリル）シクロペンタジエニルトリス（ジイソプロピルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（Ｆ３Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮｉＰｒ２）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（トリフルオロシリル）シクロペンタジエニルトリス（イソプロピルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（Ｆ３Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮＨｉＰｒ）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（トリフルオロシリル）シクロペンタジエニルトリス（ジｎ−ブチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（Ｆ３Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮｎＢｕ２）３）であり；
【００２３】
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（トリフルオロシリル）シクロペンタジエニルトリス（ｎ−ブチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（Ｆ３Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮＨｎＢｕ）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（トリフルオロシリル）シクロペンタジエニルトリス（ジイソブチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（Ｆ３Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮｉＢｕ２）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（トリフルオロシリル）シクロペンタジエニルトリス（イソブチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（Ｆ３Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮＨｉＢｕ）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（トリフルオロシリル）シクロペンタジエニルトリス（ジｓｅｃ−ブチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（Ｆ３Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮｓＢｕ２）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（トリフルオロシリル）シクロペンタジエニルトリス（ｓｅｃ−ブチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（Ｆ３Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮＨｓＢｕ）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（トリフルオロシリル）シクロペンタジエニルトリス（ジｔ−ブチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（Ｆ３Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮｔＢｕ２）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（トリフルオロシリル）シクロペンタジエニルトリス（ｔ−ブチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（Ｆ３Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮＨｔＢｕ）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（トリフルオロシリル）シクロペンタジエニルトリス（メトキシ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（Ｆ３Ｓｉ−Ｃｐ）（ＯＭｅ）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（トリフルオロシリル）シクロペンタジエニルトリス（エトキシ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（Ｆ３Ｓｉ−Ｃｐ）（ＯＥｔ）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（トリフルオロシリル）シクロペンタジエニルトリス（ｎ−プロポキシ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（Ｆ３Ｓｉ−Ｃｐ）（ＯｎＰｒ）３）であり；
【００２４】
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（トリフルオロシリル）シクロペンタジエニルトリス（イソプロポキシ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（Ｆ３Ｓｉ−Ｃｐ）（ＯｉＰｒ）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（トリフルオロシリル）シクロペンタジエニルトリス（ｔ−ブトキシ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（Ｆ３Ｓｉ−Ｃｐ）（ＯｔＢｕ）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（トリフルオロシリル）シクロペンタジエニルトリス（ｓｅｃ−ブトキシ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（Ｆ３Ｓｉ−Ｃｐ）（ＯｓＢｕ）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（トリフルオロシリル）シクロペンタジエニルトリス（ｎ−ブトキシ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（Ｆ３Ｓｉ−Ｃｐ）（ＯｎＢｕ）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（トリフルオロシリル）シクロペンタジエニルトリス（イソブトキシ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（Ｆ３Ｓｉ−Ｃｐ）（ＯｉＢｕ）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（ジフルオロシリル）シクロペンタジエニルトリス（ジメチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（Ｆ２ＨＳｉ−Ｃｐ）（ＮＭｅ２）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（ジフルオロシリル）シクロペンタジエニルトリス（メチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（Ｆ２ＨＳｉ−Ｃｐ）（ＮＨＭｅ）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（ジフルオロシリル）シクロペンタジエニルトリス（ジエチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（Ｆ２ＨＳｉ−Ｃｐ）（ＮＥｔ２）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（ジフルオロシリル）シクロペンタジエニルトリス（エチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（Ｆ２ＨＳｉ−Ｃｐ）（ＮＨＥｔ）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（ジフルオロシリル）シクロペンタジエニルトリス（エチルメチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（Ｆ２ＨＳｉ−Ｃｐ）（ＮＥｔＭｅ）３）であり；
【００２５】
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（ジフルオロシリル）シクロペンタジエニルトリス（ジｎ−プロピルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（Ｆ２ＨＳｉ−Ｃｐ）（ＮｎＰｒ２）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（ジフルオロシリル）シクロペンタジエニルトリス（ｎ−プロピルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（Ｆ２ＨＳｉ−Ｃｐ）（ＮＨｎＰｒ）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（ジフルオロシリル）シクロペンタジエニルトリス（ジイソプロピルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（Ｆ２ＨＳｉ−Ｃｐ）（ＮｉＰｒ２）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（ジフルオロシリル）シクロペンタジエニルトリス（イソプロピルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（Ｆ２ＨＳｉ−Ｃｐ）（ＮＨｉＰｒ）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（ジフルオロシリル）シクロペンタジエニルトリス（ジｎ−ブチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（Ｆ２ＨＳｉ−Ｃｐ）（ＮｎＢｕ２）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（ジフルオロシリル）シクロペンタジエニルトリス（ｎ−ブチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（Ｆ２ＨＳｉ−Ｃｐ）（ＮＨｎＢｕ）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（ジフルオロシリル）シクロペンタジエニルトリス（ジイソブチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（Ｆ２ＨＳｉ−Ｃｐ）（ＮｉＢｕ２）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（ジフルオロシリル）シクロペンタジエニルトリス（イソブチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（Ｆ２ＨＳｉ−Ｃｐ）（ＮＨｉＢｕ）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（ジフルオロシリル）シクロペンタジエニルトリス（ジｓｅｃ−ブチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（Ｆ２ＨＳｉ−Ｃｐ）（ＮｓＢｕ２）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（ジフルオロシリル）シクロペンタジエニルトリス（ｓｅｃ−ブチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（Ｆ２ＨＳｉ−Ｃｐ）（ＮＨｓＢｕ）３）であり；
【００２６】
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（ジフルオロシリル）シクロペンタジエニルトリス（ジｔ−ブチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（Ｆ２ＨＳｉ−Ｃｐ）（ＮｔＢｕ２）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（ジフルオロシリル）シクロペンタジエニルトリス（ｔ−ブチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（Ｆ２ＨＳｉ−Ｃｐ）（ＮＨｔＢｕ）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（ジフルオロシリル）シクロペンタジエニルトリス（メトキシ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（Ｆ２ＨＳｉ−Ｃｐ）（ＯＭｅ）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（ジフルオロシリル）シクロペンタジエニルトリス（エトキシ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（Ｆ２ＨＳｉ−Ｃｐ）（ＯＥｔ）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（ジフルオロシリル）シクロペンタジエニルトリス（ｎ−プロポキシ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（Ｆ２ＨＳｉ−Ｃｐ）（ＯｎＰｒ）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（ジフルオロシリル）シクロペンタジエニルトリス（イソプロポキシ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（Ｆ２ＨＳｉ−Ｃｐ）（ＯｉＰｒ）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（ジフルオロシリル）シクロペンタジエニルトリス（ｔ−ブトキシ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（Ｆ２ＨＳｉ−Ｃｐ）（ＯｔＢｕ）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（ジフルオロシリル）シクロペンタジエニルトリス（ｓｅｃ−ブトキシ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（Ｆ２ＨＳｉ−Ｃｐ）（ＯｓＢｕ）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（ジフルオロシリル）シクロペンタジエニルトリス（ｎ−ブトキシ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（Ｆ２ＨＳｉ−Ｃｐ）（ＯｎＢｕ）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（ジフルオロシリル）シクロペンタジエニルトリス（イソブトキシ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（Ｆ２ＨＳｉ−Ｃｐ）（ＯｉＢｕ）３）であり；
【００２７】
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（モノフルオロシリル）シクロペンタジエニルトリス（ジメチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＦＨ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮＭｅ２）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（モノフルオロシリル）シクロペンタジエニルトリス（メチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＦＨ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮＨＭｅ）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（モノフルオロシリル）シクロペンタジエニルトリス（ジエチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＦＨ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮＥｔ２）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（モノフルオロシリル）シクロペンタジエニルトリス（エチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＦＨ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮＨＥｔ）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（モノフルオロシリル）シクロペンタジエニルトリス（エチルメチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＦＨ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮＥｔＭｅ）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（モノフルオロシリル）シクロペンタジエニルトリス（ジｎ−プロピルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＦＨ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮｎＰｒ２）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（モノフルオロシリル）シクロペンタジエニルトリス（ｎ−プロピルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＦＨ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮＨｎＰｒ）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（モノフルオロシリル）シクロペンタジエニルトリス（ジイソプロピルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＦＨ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮｉＰｒ２）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（モノフルオロシリル）シクロペンタジエニルトリス（イソプロピルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＦＨ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮＨｉＰｒ）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（モノフルオロシリル）シクロペンタジエニルトリス（ジｎ−ブチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＦＨ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮｎＢｕ２）３）であり；
【００２８】
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（モノフルオロシリル）シクロペンタジエニルトリス（ｎ−ブチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＦＨ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮＨｎＢｕ）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（モノフルオロシリル）シクロペンタジエニルトリス（ジイソブチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＦＨ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮｉＢｕ２）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（モノフルオロシリル）シクロペンタジエニルトリス（イソブチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＦＨ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮＨｉＢｕ）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（モノフルオロシリル）シクロペンタジエニルトリス（ジｓｅｃ−ブチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＦＨ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮｓＢｕ２）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（モノフルオロシリル）シクロペンタジエニルトリス（ｓｅｃ−ブチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＦＨ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮＨｓＢｕ）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（モノフルオロシリル）シクロペンタジエニルトリス（ジｔ−ブチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＦＨ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮｔＢｕ２）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（モノフルオロシリル）シクロペンタジエニルトリス（ｔ−ブチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＦＨ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮＨｔＢｕ）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（モノフルオロシリル）シクロペンタジエニルトリス（メトキシ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＦＨ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＯＭｅ）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（モノフルオロシリル）シクロペンタジエニルトリス（エトキシ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＦＨ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＯＥｔ）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（モノフルオロシリル）シクロペンタジエニルトリス（ｎ−プロポキシ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＦＨ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＯｎＰｒ）３）であり；
【００２９】
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（モノフルオロシリル）シクロペンタジエニルトリス（イソプロポキシ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＦＨ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＯｉＰｒ）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（モノフルオロシリル）シクロペンタジエニルトリス（ｔ−ブトキシ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＦＨ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＯｔＢｕ）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（モノフルオロシリル）シクロペンタジエニルトリス（ｓｅｃ−ブトキシ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＦＨ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＯｓＢｕ）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（モノフルオロシリル）シクロペンタジエニルトリス（ｎ−ブトキシ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＦＨ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＯｎＢｕ）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（モノフルオロシリル）シクロペンタジエニルトリス（イソブトキシ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＦＨ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＯｉＢｕ）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（フルオロジメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（ジメチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＦＭｅ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮＭｅ２）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（フルオロジメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（メチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＦＭｅ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮＨＭｅ）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（フルオロジメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（ジエチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＦＭｅ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮＥｔ２）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（フルオロジメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（エチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＦＭｅ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮＨＥｔ）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（フルオロジメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（エチルメチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＦＭｅ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮＥｔＭｅ）３）であり；
【００３０】
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（フルオロジメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（ジｎ−プロピルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＦＭｅ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮｎＰｒ２）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（フルオロジメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（ｎ−プロピルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＦＭｅ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮＨｎＰｒ）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（フルオロジメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（ジイソプロピルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＦＭｅ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮｉＰｒ２）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（フルオロジメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（イソプロピルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＦＭｅ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮＨｉＰｒ）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（フルオロジメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（ジｎ−ブチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＦＭｅ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮｎＢｕ２）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（フルオロジメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（ｎ−ブチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＦＭｅ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮＨｎＢｕ）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（フルオロジメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（ジイソブチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＦＭｅ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮｉＢｕ２）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（フルオロジメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（イソブチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＦＭｅ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮＨｉＢｕ）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（フルオロジメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（ジｓｅｃ−ブチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＦＭｅ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮｓＢｕ２）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（フルオロジメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（ｓｅｃ−ブチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＦＭｅ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮＨｓＢｕ）３）であり；
【００３１】
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（フルオロジメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（ジｔ−ブチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＦＭｅ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮｔＢｕ２）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（フルオロジメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（ｔ−ブチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＦＭｅ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮＨｔＢｕ）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（フルオロジメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（メトキシ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＦＭｅ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＯＭｅ）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（フルオロジメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（エトキシ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＦＭｅ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＯＥｔ）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（フルオロジメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（ｎ−プロポキシ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＦＭｅ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＯｎＰｒ）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（フルオロジメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（イソプロポキシ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＦＭｅ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＯｉＰｒ）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（フルオロジメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（ｔ−ブトキシ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＦＭｅ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＯｔＢｕ）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（フルオロジメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（ｓｅｃ−ブトキシ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＦＭｅ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＯｓＢｕ）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（フルオロジメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（ｎ−ブトキシ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＦＭｅ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＯｎＢｕ）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（フルオロジメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（イソブトキシ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＦＭｅ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＯｉＢｕ）３）であり；
【００３２】
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（トリス（トリフルオロメチル）シリル）シクロペンタジエニルトリス（ジメチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（（ＣＦ３）３Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮＭｅ２）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（トリス（トリフルオロメチル）シリル）シクロペンタジエニルトリス（メチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（（ＣＦ３）３Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮＨＭｅ）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（トリス（トリフルオロメチル）シリル）シクロペンタジエニルトリス（ジエチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（（ＣＦ３）３Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮＥｔ２）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（トリス（トリフルオロメチル）シリル）シクロペンタジエニルトリス（エチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（（ＣＦ３）３Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮＨＥｔ）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（トリス（トリフルオロメチル）シリル）シクロペンタジエニルトリス（エチルメチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（（ＣＦ３）３Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮＥｔＭｅ）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（トリス（トリフルオロメチル）シリル）シクロペンタジエニルトリス（ジｎ−プロピルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（（ＣＦ３）３Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮｎＰｒ２）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（トリス（トリフルオロメチル）シリル）シクロペンタジエニルトリス（ｎ−プロピルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（（ＣＦ３）３Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮＨｎＰｒ）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（トリス（トリフルオロメチル）シリル）シクロペンタジエニルトリス（ジイソプロピルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（（ＣＦ３）３Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮｉＰｒ２）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（トリス（トリフルオロメチル）シリル）シクロペンタジエニルトリス（イソプロピルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（（ＣＦ３）３Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮＨｉＰｒ）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（トリス（トリフルオロメチル）シリル）シクロペンタジエニルトリス（ジｎ−ブチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（（ＣＦ３）３Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮｎＢｕ２）３）であり；
【００３３】
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（トリス（トリフルオロメチル）シリル）シクロペンタジエニルトリス（ｎ−ブチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（（ＣＦ３）３Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮＨｎＢｕ）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（トリス（トリフルオロメチル）シリル）シクロペンタジエニルトリス（ジイソブチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（（ＣＦ３）３Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮｉＢｕ２）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（トリス（トリフルオロメチル）シリル）シクロペンタジエニルトリス（イソブチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（（ＣＦ３）３Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮＨｉＢｕ）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（トリス（トリフルオロメチル）シリル）シクロペンタジエニルトリス（ジｓｅｃ−ブチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（（ＣＦ３）３Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮｓＢｕ２）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（トリス（トリフルオロメチル）シリル）シクロペンタジエニルトリス（ｓｅｃ−ブチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（（ＣＦ３）３Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮＨｓＢｕ）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（トリス（トリフルオロメチル）シリル）シクロペンタジエニルトリス（ジｔ−ブチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（（ＣＦ３）３Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮｔＢｕ２）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（トリス（トリフルオロメチル）シリル）シクロペンタジエニルトリス（ｔ−ブチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（（ＣＦ３）３Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮＨｔＢｕ）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（トリス（トリフルオロメチル）シリル）シクロペンタジエニルトリス（メトキシ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（（ＣＦ３）３Ｓｉ−Ｃｐ）（ＯＭｅ）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（トリス（トリフルオロメチル）シリル）シクロペンタジエニルトリス（エトキシ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（（ＣＦ３）３Ｓｉ−Ｃｐ）（ＯＥｔ）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（トリス（トリフルオロメチル）シリル）シクロペンタジエニルトリス（ｎ−プロポキシ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（（ＣＦ３）３Ｓｉ−Ｃｐ）（ＯｎＰｒ）３）であり；
【００３４】
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（トリス（トリフルオロメチル）シリル）シクロペンタジエニルトリス（イソプロポキシ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（（ＣＦ３）３Ｓｉ−Ｃｐ）（ＯｉＰｒ）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（トリス（トリフルオロメチル）シリル）シクロペンタジエニルトリス（ｔ−ブトキシ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（（ＣＦ３）３Ｓｉ−Ｃｐ）（ＯｔＢｕ）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（トリス（トリフルオロメチル）シリル）シクロペンタジエニルトリス（ｓｅｃ−ブトキシ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（（ＣＦ３）３Ｓｉ−Ｃｐ）（ＯｓＢｕ）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（トリス（トリフルオロメチル）シリル）シクロペンタジエニルトリス（ｎ−ブトキシ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（（ＣＦ３）３Ｓｉ−Ｃｐ）（ＯｎＢｕ）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（トリス（トリフルオロメチル）シリル）シクロペンタジエニルトリス（イソブトキシ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（（ＣＦ３）３Ｓｉ−Ｃｐ）（ＯｉＢｕ）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（ビス（トリフルオロメチル）シリル）シクロペンタジエニルトリス（ジメチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（（ＣＦ３）２ＨＳｉ−Ｃｐ）（ＮＭｅ２）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（ビス（トリフルオロメチル）シリル）シクロペンタジエニルトリス（メチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（（ＣＦ３）２ＨＳｉ−Ｃｐ）（ＮＨＭｅ）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（ビス（トリフルオロメチル）シリル）シクロペンタジエニルトリス（ジエチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（（ＣＦ３）２ＨＳｉ−Ｃｐ）（ＮＥｔ２）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（ビス（トリフルオロメチル）シリル）シクロペンタジエニルトリス（エチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（（ＣＦ３）２ＨＳｉ−Ｃｐ）（ＮＨＥｔ）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（ビス（トリフルオロメチル）シリル）シクロペンタジエニルトリス（エチルメチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（（ＣＦ３）２ＨＳｉ−Ｃｐ）（ＮＥｔＭｅ）３）であり；
【００３５】
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（ビス（トリフルオロメチル）シリル）シクロペンタジエニルトリス（ジｎ−プロピルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（（ＣＦ３）２ＨＳｉ−Ｃｐ）（ＮｎＰｒ２）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（ビス（トリフルオロメチル）シリル）シクロペンタジエニルトリス（ｎ−プロピルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（（ＣＦ３）２ＨＳｉ−Ｃｐ）（ＮＨｎＰｒ）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（ビス（トリフルオロメチル）シリル）シクロペンタジエニルトリス（ジイソプロピルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（（ＣＦ３）２ＨＳｉ−Ｃｐ）（ＮｉＰｒ２）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（ビス（トリフルオロメチル）シリル）シクロペンタジエニルトリス（イソプロピルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（（ＣＦ３）２ＨＳｉ−Ｃｐ）（ＮＨｉＰｒ）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（ビス（トリフルオロメチル）シリル）シクロペンタジエニルトリス（ジｎ−ブチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（（ＣＦ３）２ＨＳｉ−Ｃｐ）（ＮｎＢｕ２）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（ビス（トリフルオロメチル）シリル）シクロペンタジエニルトリス（ｎ−ブチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（（ＣＦ３）２ＨＳｉ−Ｃｐ）（ＮＨｎＢｕ）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（ビス（トリフルオロメチル）シリル）シクロペンタジエニルトリス（ジイソブチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（（ＣＦ３）２ＨＳｉ−Ｃｐ）（ＮｉＢｕ２）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（ビス（トリフルオロメチル）シリル）シクロペンタジエニルトリス（イソブチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（（ＣＦ３）２ＨＳｉ−Ｃｐ）（ＮＨｉＢｕ）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（ビス（トリフルオロメチル）シリル）シクロペンタジエニルトリス（ジｓｅｃ−ブチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（（ＣＦ３）２ＨＳｉ−Ｃｐ）（ＮｓＢｕ２）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（ビス（トリフルオロメチル）シリル）シクロペンタジエニルトリス（ｓｅｃ−ブチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（（ＣＦ３）２ＨＳｉ−Ｃｐ）（ＮＨｓＢｕ）３）であり；
【００３６】
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（ビス（トリフルオロメチル）シリル）シクロペンタジエニルトリス（ジｔ−ブチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（（ＣＦ３）２ＨＳｉ−Ｃｐ）（ＮｔＢｕ２）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（ビス（トリフルオロメチル）シリル）シクロペンタジエニルトリス（ｔ−ブチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（（ＣＦ３）２ＨＳｉ−Ｃｐ）（ＮＨｔＢｕ）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（ビス（トリフルオロメチル）シリル）シクロペンタジエニルトリス（メトキシ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（（ＣＦ３）２ＨＳｉ−Ｃｐ）（ＯＭｅ）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（ビス（トリフルオロメチル）シリル）シクロペンタジエニルトリス（エトキシ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（（ＣＦ３）２ＨＳｉ−Ｃｐ）（ＯＥｔ）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（ビス（トリフルオロメチル）シリル）シクロペンタジエニルトリス（ｎ−プロポキシ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（（ＣＦ３）２ＨＳｉ−Ｃｐ）（ＯｎＰｒ）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（ビス（トリフルオロメチル）シリル）シクロペンタジエニルトリス（イソプロポキシ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（（ＣＦ３）２ＨＳｉ−Ｃｐ）（ＯｉＰｒ）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（ビス（トリフルオロメチル）シリル）シクロペンタジエニルトリス（ｔ−ブトキシ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（（ＣＦ３）２ＨＳｉ−Ｃｐ）（ＯｔＢｕ）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（ビス（トリフルオロメチル）シリル）シクロペンタジエニルトリス（ｓｅｃ−ブトキシ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（（ＣＦ３）２ＨＳｉ−Ｃｐ）（ＯｓＢｕ）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（ビス（トリフルオロメチル）シリル）シクロペンタジエニルトリス（ｎ−ブトキシ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（（ＣＦ３）２ＨＳｉ−Ｃｐ）（ＯｎＢｕ）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（ビス（トリフルオロメチル）シリル）シクロペンタジエニルトリス（イソブトキシ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（（ＣＦ３）２ＨＳｉ−Ｃｐ）（ＯｉＢｕ）３）であり；
【００３７】
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（（トリフルオロメチル）ジメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（ジメチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（（ＣＦ３）Ｍｅ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮＭｅ２）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（（トリフルオロメチル）ジメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（メチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（（ＣＦ３）Ｍｅ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮＨＭｅ）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（（トリフルオロメチル）ジメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（ジエチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（（ＣＦ３）Ｍｅ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮＥｔ２）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（（トリフルオロメチル）ジメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（エチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（（ＣＦ３）Ｍｅ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮＨＥｔ）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（（トリフルオロメチル）ジメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（エチルメチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（（ＣＦ３）Ｍｅ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮＥｔＭｅ）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（（トリフルオロメチル）ジメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（ジｎ−プロピルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（（ＣＦ３）Ｍｅ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮｎＰｒ２）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（（トリフルオロメチル）ジメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（ｎ−プロピルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（（ＣＦ３）Ｍｅ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮＨｎＰｒ）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（（トリフルオロメチル）ジメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（ジイソプロピルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（（ＣＦ３）Ｍｅ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮｉＰｒ２）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（（トリフルオロメチル）ジメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（イソプロピルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（（ＣＦ３）Ｍｅ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮＨｉＰｒ）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（（トリフルオロメチル）ジメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（ジｎ−ブチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（（ＣＦ３）Ｍｅ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮｎＢｕ２）３）であり；
【００３８】
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（（トリフルオロメチル）ジメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（ｎ−ブチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（（ＣＦ３）Ｍｅ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮＨｎＢｕ）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（（トリフルオロメチル）ジメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（ジイソブチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（（ＣＦ３）Ｍｅ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮｉＢｕ２）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（（トリフルオロメチル）ジメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（イソブチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（（ＣＦ３）Ｍｅ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮＨｉＢｕ）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（（トリフルオロメチル）ジメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（ジｓｅｃ−ブチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（（ＣＦ３）Ｍｅ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮｓＢｕ２）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（（トリフルオロメチル）ジメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（ｓｅｃ−ブチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（（ＣＦ３）Ｍｅ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮＨｓＢｕ）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（（トリフルオロメチル）ジメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（ジｔ−ブチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（（ＣＦ３）Ｍｅ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮｔＢｕ２）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（（トリフルオロメチル）ジメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（ｔ−ブチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（（ＣＦ３）Ｍｅ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮＨｔＢｕ）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（（トリフルオロメチル）ジメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（メトキシ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（（ＣＦ３）Ｍｅ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＯＭｅ）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（（トリフルオロメチル）ジメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（エトキシ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（（ＣＦ３）Ｍｅ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＯＥｔ）３）であり；
【００３９】
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（（トリフルオロメチル）ジメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（ｎ−プロポキシ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（（ＣＦ３）Ｍｅ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＯｎＰｒ）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（（トリフルオロメチル）ジメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（イソプロポキシ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（（ＣＦ３）Ｍｅ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＯｉＰｒ）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（（トリフルオロメチル）ジメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（ｔ−ブトキシ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（（ＣＦ３）Ｍｅ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＯｔＢｕ）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（（トリフルオロメチル）ジメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（ｓｅｃ−ブトキシ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（（ＣＦ３）Ｍｅ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＯｓＢｕ）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（（トリフルオロメチル）ジメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（ｎ−ブトキシ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（（ＣＦ３）Ｍｅ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＯｎＢｕ）３）であり；
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は（（トリフルオロメチル）ジメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（イソブトキシ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（（ＣＦ３）Ｍｅ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＯｉＢｕ）３）であり；
【００４０】
・ジルコニウム含有膜形成組成物は、およそ９５％ｗ／ｗ〜およそ１００％ｗ／ｗの前駆体を含み；
・ジルコニウム含有膜形成組成物は、およそ９８％ｗ／ｗ〜およそ１００％ｗ／ｗの前駆体を含み；
・ジルコニウム含有膜形成組成物は、およそ９９％ｗ／ｗ〜およそ１００％ｗ／ｗの前駆体を含み；
・ジルコニウム含有膜形成組成物は、およそ５％ｗ／ｗ〜およそ５０％ｗ／ｗの前駆体を含み；
・ジルコニウム含有膜形成組成物は、およそ０．０％ｗ／ｗ〜およそ５．０％ｗ／ｗの不純物を含み；
・ジルコニウム含有膜形成組成物は、およそ０．０％ｗ／ｗ〜およそ２．０％ｗ／ｗの不純物を含み；
・ジルコニウム含有膜形成組成物は、およそ０．０％ｗ／ｗ〜およそ１．０％ｗ／ｗの不純物を含み；
【００４１】
・不純物は、ＺｒＣｐ（ＯＲ１０）３；Ｚｒ（ＯＲ１０）４；ＺｒＣｐ（ＮＲ２）３（ここで、各Ｒは独立して、Ｈ、Ｃ１−Ｃ５直鎖、分岐もしくは環式アルキル基、または、Ｃ１−Ｃ５直鎖、分岐もしくは環式フルオロアルキル基である）；Ｚｒ（ＮＲ２）４（ここで、各Ｒは独立して、Ｈ、Ｃ１−Ｃ５直鎖、分岐もしくは環式アルキル基、または、Ｃ１−Ｃ５直鎖、分岐もしくは環式フルオロアルキル基である）；アルコール；アルキルアミン；ジアルキルアミン；アルキルイミン；シクロペンタジエン；ジシクロペンタジエン；（シリル）シクロペンタジエン；アルキルシラン；ＴＨＦ；エーテル；ペンタン；シクロヘキサン；ヘプタン；ベンゼン；トルエン；塩化金属化合物；リチウム、ナトリウムもしくはカリウムアルキルアミノ；リチウム、ナトリウムもしくはカリウムアルコキシ；および、リチウム、ナトリウムもしくはカリウムシクロペンタジエニルを含み；
【００４２】
・ジルコニウム含有膜形成組成物は、およそ０．０％ｗ／ｗ〜およそ２．０％ｗ／ｗのＺｒＣｐ（ＯＲ１０）３不純物を含み；
・ジルコニウム含有膜形成組成物は、およそ０．０％ｗ／ｗ〜およそ２．０％ｗ／ｗのＺｒ（ＯＲ１０）４不純物を含み；
・ジルコニウム含有膜形成組成物は、およそ０．０％ｗ／ｗ〜およそ２．０％ｗ／ｗのＺｒＣｐ（ＮＲ２）３不純物（ここで、各Ｒは独立して、Ｈ、Ｃ１−Ｃ５直鎖、分岐もしくは環式アルキル基、または、Ｃ１−Ｃ５直鎖、分岐もしくは環式フルオロアルキル基である）を含み；
・ジルコニウム含有膜形成組成物は、およそ０．０％ｗ／ｗ〜およそ２．０％ｗ／ｗのＺｒ（ＮＲ２）４不純物（ここで、各Ｒは独立して、Ｈ、Ｃ１−Ｃ５直鎖、分岐もしくは環式アルキル基、または、Ｃ１−Ｃ５直鎖、分岐もしくは環式フルオロアルキル基である）を含み；
・ジルコニウム含有膜形成組成物は、およそ０．０％ｗ／ｗ〜およそ２．０％ｗ／ｗのアルコール不純物を含み；
・ジルコニウム含有膜形成組成物は、およそ０．０％ｗ／ｗ〜およそ２．０％ｗ／ｗのアルキルアミン不純物を含み；
・ジルコニウム含有膜形成組成物は、およそ０．０％ｗ／ｗ〜およそ２．０％ｗ／ｗのアルキルイミン不純物を含み；
・ジルコニウム含有膜形成組成物は、およそ０．０％ｗ／ｗ〜およそ２．０％ｗ／ｗのシクロペンタジエン不純物を含み；
・ジルコニウム含有膜形成組成物は、およそ０．０％ｗ／ｗ〜およそ２．０％ｗ／ｗのジシクロペンタジエン不純物を含み；
・ジルコニウム含有膜形成組成物は、およそ０．０％ｗ／ｗ〜およそ２．０％ｗ／ｗの（シリル）シクロペンタジエン不純物を含み；
【００４３】
・ジルコニウム含有膜形成組成物は、およそ０．０％ｗ／ｗ〜およそ２．０％ｗ／ｗのアルキルシラン不純物を含み；
・ジルコニウム含有膜形成組成物は、およそ０．０％ｗ／ｗ〜およそ２．０％ｗ／ｗのＴＨＦ不純物を含み；
・ジルコニウム含有膜形成組成物は、およそ０．０％ｗ／ｗ〜およそ２．０％ｗ／ｗのエーテル不純物を含み；
・ジルコニウム含有膜形成組成物は、およそ０．０％ｗ／ｗ〜およそ２．０％ｗ／ｗのペンタン不純物を含み；
・ジルコニウム含有膜形成組成物は、およそ０．０％ｗ／ｗ〜およそ２．０％ｗ／ｗのシクロヘキサン不純物を含み；
・ジルコニウム含有膜形成組成物は、およそ０．０％ｗ／ｗ〜およそ２．０％ｗ／ｗのヘプタン不純物を含み；
・ジルコニウム含有膜形成組成物は、およそ０．０％ｗ／ｗ〜およそ２．０％ｗ／ｗのベンゼン不純物を含み；
・ジルコニウム含有膜形成組成物は、およそ０．０％ｗ／ｗ〜およそ２．０％ｗ／ｗのトルエン不純物を含み；
・ジルコニウム含有膜形成組成物は、およそ０．０％ｗ／ｗ〜およそ２．０％ｗ／ｗの塩化金属化合物不純物を含み；
・ジルコニウム含有膜形成組成物は、およそ０．０％ｗ／ｗ〜およそ２．０％ｗ／ｗのリチウム、ナトリウムもしくはカリウムアルキルアミノ不純物を含み；
・ジルコニウム含有膜形成組成物は、およそ０．０％ｗ／ｗ〜およそ２．０％ｗ／ｗのリチウム、ナトリウムもしくはカリウムアルコキシ不純物を含み；
・ジルコニウム含有膜形成組成物は、およそ０．０％ｗ／ｗ〜およそ２．０％ｗ／ｗのリチウム、ナトリウムもしくはカリウムシクロペンタジエニル不純物を含み；
・ジルコニウム含有膜形成組成物は、およそ０ｐｐｂｗ〜およそ１ｐｐｍｗの金属不純物を含み；
・ジルコニウム含有膜形成組成物は、およそ０ｐｐｂｗ〜およそ５００ｐｐｂｗの金属不純物を含み；
【００４４】
・金属不純物は、アルミニウム（Ａｌ）、砒素（Ａｓ）、バリウム（Ｂａ）、ベリリウム（Ｂｅ）、ビスマス（Ｂｉ）、カドミウム（Ｃｄ）、カルシウム（Ｃａ）、クロム（Ｃｒ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、ガリウム（Ｇａ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、ハフニウム（Ｈｆ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、インジウム（Ｉｎ）、鉄（Ｆｅ）、鉛（Ｐｂ）、リチウム（Ｌｉ）、マグネシウム（Ｍｇ）、マンガン（Ｍｎ）、タングステン（Ｗ）、ニッケル（Ｎｉ）、カリウム（Ｋ）、ナトリウム（Ｎａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、トリウム（Ｔｈ）、スズ（Ｓｎ）、チタン（Ｔｉ）、ウラニウム（Ｕ）および亜鉛（Ｚｎ）を含み；
【００４５】
・ジルコニウム含有膜形成組成物は、およそ０ｐｐｂｗ〜およそ５００ｐｐｂｗのＡｌ不純物を含み；
・ジルコニウム含有膜形成組成物は、およそ０ｐｐｂｗ〜およそ５００ｐｐｂｗのＡｓ不純物を含み；
・ジルコニウム含有膜形成組成物は、およそ０ｐｐｂｗ〜およそ５００ｐｐｂｗのＢａ不純物を含み；
・ジルコニウム含有膜形成組成物は、およそ０ｐｐｂｗ〜およそ５００ｐｐｂｗのＢｅ不純物を含み；
・ジルコニウム含有膜形成組成物は、およそ０ｐｐｂｗ〜およそ５００ｐｐｂｗのＢｉ不純物を含み；
・ジルコニウム含有膜形成組成物は、およそ０ｐｐｂｗ〜およそ５００ｐｐｂｗのＣｄ不純物を含み；
・ジルコニウム含有膜形成組成物は、およそ０ｐｐｂｗ〜およそ５００ｐｐｂｗのＣａ不純物を含み；
・ジルコニウム含有膜形成組成物は、およそ０ｐｐｂｗ〜およそ５００ｐｐｂｗのＣｒ不純物を含み；
・ジルコニウム含有膜形成組成物は、およそ０ｐｐｂｗ〜およそ５００ｐｐｂｗのＣｏ不純物を含み；
・ジルコニウム含有膜形成組成物は、およそ０ｐｐｂｗ〜およそ５００ｐｐｂｗのＣｕ不純物を含み；
【００４６】
・ジルコニウム含有膜形成組成物は、およそ０ｐｐｂｗ〜およそ５００ｐｐｂｗのＧａ不純物を含み；
・ジルコニウム含有膜形成組成物は、およそ０ｐｐｂｗ〜およそ５００ｐｐｂｗのＧｅ不純物を含み；
・ジルコニウム含有膜形成組成物は、およそ０ｐｐｂｗ〜およそ５００ｐｐｂｗのＨｆ不純物を含み；
・ジルコニウム含有膜形成組成物は、およそ０ｐｐｂｗ〜およそ５００ｐｐｂｗのＺｒ不純物を含み；
・ジルコニウム含有膜形成組成物は、およそ０ｐｐｂｗ〜およそ５００ｐｐｂｗのＩｎ不純物を含み；
・ジルコニウム含有膜形成組成物は、およそ０ｐｐｂｗ〜およそ５００ｐｐｂｗのＦｅ不純物を含み；
・ジルコニウム含有膜形成組成物は、およそ０ｐｐｂｗ〜およそ５００ｐｐｂｗのＰｂ不純物を含み；
・ジルコニウム含有膜形成組成物は、およそ０ｐｐｂｗ〜およそ５００ｐｐｂｗのＬｉ不純物を含み；
・ジルコニウム含有膜形成組成物は、およそ０ｐｐｂｗ〜およそ５００ｐｐｂｗのＭｇ不純物を含み；
・ジルコニウム含有膜形成組成物は、およそ０ｐｐｂｗ〜およそ５００ｐｐｂｗのＭｎ不純物を含み；
【００４７】
・ジルコニウム含有膜形成組成物は、およそ０ｐｐｂｗ〜およそ５００ｐｐｂｗのＷ不純物を含み；
・ジルコニウム含有膜形成組成物は、およそ０ｐｐｂｗ〜およそ５００ｐｐｂｗのＮｉ不純物を含み；
・ジルコニウム含有膜形成組成物は、およそ０ｐｐｂｗ〜およそ５００ｐｐｂｗのＫ不純物を含み；
・ジルコニウム含有膜形成組成物は、およそ０ｐｐｂｗ〜およそ５００ｐｐｂｗのＮａ不純物を含み；
・ジルコニウム含有膜形成組成物は、およそ０ｐｐｂｗ〜およそ５００ｐｐｂｗのＳｒ不純物を含み；
・ジルコニウム含有膜形成組成物は、およそ０ｐｐｂｗ〜およそ５００ｐｐｂｗのＴｈ不純物を含み；
・ジルコニウム含有膜形成組成物は、およそ０ｐｐｂｗ〜およそ５００ｐｐｂｗのＳｎ不純物を含み；
・ジルコニウム含有膜形成組成物は、およそ０ｐｐｂｗ〜およそ５００ｐｐｂｗのＴｉ不純物を含み；
・ジルコニウム含有膜形成組成物は、およそ０ｐｐｂｗ〜およそ５００ｐｐｂｗのＵ不純物を含み；および
・ジルコニウム含有膜形成組成物は、およそ０ｐｐｂｗ〜およそ５００ｐｐｂｗのＺｎ不純物を含む。
【００４８】
また、入口流路および出口流路を有すると共に、上記に開示されているジルコニウム含有膜形成組成物のいずれかを含有するキャニスタを備えるジルコニウム含有膜形成組成物送出デバイスが開示されている。本開示のデバイスは以下の態様の１つまたは複数を含み得る。
・ジルコニウム含有膜形成組成物は、１０ｐｐｍｗ未満の金属汚染物の合計濃度を有し；
・入口流路の端部はジルコニウム含有膜形成組成物の表面より上方に位置されており、かつ出口流路の端部はジルコニウム含有膜形成組成物の表面より下方に位置されており；
・入口流路の端部はジルコニウム含有膜形成組成物の表面より下方に位置されており、かつ出口流路の端部はジルコニウム含有膜形成組成物の表面より上方に位置されており；ならびに
・さらに、ダイヤフラムバルブを入口および出口に備える。
【００４９】
また、ジルコニウム含有膜を基板上に堆積させるプロセスが開示されている。上記に開示されているジルコニウム含有膜形成組成物は、基板が中に入れられた反応器に導入される。前駆体の少なくとも一部が基板上に堆積してジルコニウム含有膜が形成される。本開示のプロセスは、以下の態様の１種または複数種をさらに含み得る。
・反応体を反応器に導入；
・反応体をプラズマ処理；
・反応体を遠隔プラズマ処理；
・反応体をプラズマ処理せず；
・反応体は、Ｈ２、Ｈ２ＣＯ、Ｎ２Ｈ４、ＮＨ３、ＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６、Ｓｉ３Ｈ８、ＳｉＨ２Ｍｅ２、ＳｉＨ２Ｅｔ２、Ｎ（ＳｉＨ３）３、これらの水素ラジカルおよびこれらの混合物からなる群から選択され；
・反応体はＨ２であり；
・反応体はＮＨ３であり；
・反応体は、Ｏ２、Ｏ３、Ｈ２Ｏ、Ｈ２Ｏ２、ＮＯ、Ｎ２Ｏ、ＮＯ２、これらの酸素ラジカルおよびこれらの混合物からなる群から選択され；
・反応体は、Ｏ３、１Δｇ一重項酸素、１Σｇ＋一重項酸素、３Σｇ−三重項酸素またはこれらの組み合わせであり；
・反応体はＨ２Ｏであり；
・反応体は被プラズマ処理Ｏ２であり；
・反応体はＯ３であり；
・反応体はジルコニウム含有前駆体であり；
・ジルコニウム含有前駆体は、ＺｒＣｐ（ＮＭｅ２）３、Ｚｒ（ＭｅＣｐ）（ＮＭｅ２）３、Ｚｒ（ＥｔＣｐ）（ＮＭｅ２）３、Ｚｒ（ｉＰｒＣｐ）（ＮＭｅ２）３、Ｚｒ（ｔＢｕＣｐ）（ＮＭｅ２）３、Ｚｒ（Ｃｐ）（ＮＭｅＥｔ）３からなる群から選択され；
・ジルコニウム含有前駆体はＺｒＣｐ（ＮＭｅ２）３であり；
・反応器に導入する前にジルコニウム含有膜形成組成物およびジルコニウム含有前駆体を混合して混合物を形成；
・ジルコニウム含有膜形成組成物および反応体を反応器に同時に導入；
・反応器を化学蒸着用に構成；
・反応器をプラズマ促進化学蒸着用に構成；
・ジルコニウム含有膜形成組成物および反応体を順次にチャンバに導入；
・反応器を原子層堆積用に構成；
・反応器をプラズマ促進原子層堆積用に構成；
・反応器を空間原子層堆積用に構成；
・ジルコニウム含有膜は純粋なジルコニウム薄膜であり；
・純粋なジルコニウム膜は、およそ９５原子％〜およそ１００原子％のＺｒ濃度を有し；
・ジルコニウム含有膜はジルコニウムシリサイド（ＺｒｋＳｉｌ（式中、ｋおよびｌの各々は１以上６以下の範囲である整数である））であり；
・ジルコニウムシリサイドはＺｒＳｉ２であり；
・ジルコニウム含有膜は酸化ジルコニウム（ＺｒｍＯｎ（式中、ｍおよびｎの各々は１以上６以下の範囲である整数である））であり；
・酸化ジルコニウムはＺｒＯ２であり；
・ジルコニウム含有膜はケイ素−ドープ酸化ジルコニウム（ＺｒｏＳｉｐＯｑ）（式中、ｏおよびｐの各々は０以上１以下の範囲である少数であり、ならびにｑは１以上６以下の範囲である整数である）であり；
・ケイ素−ドープ酸化ジルコニウムはＺｒ（０．９９〜０．５）Ｓｉ（０．５〜０．０１）Ｏ２であり；
・ジルコニウム含有膜は窒化ジルコニウム（ＺｒｑＮｒ（式中、ｑおよびｒの各々は１以上６以下の範囲である整数である））であり；ならびに
・窒化ジルコニウムはＺｒＮである。
【００５０】
注記および命名
一定の略語、符号および用語が以下の説明および特許請求の範囲を通して用いられており、以下が含まれる。
【００５１】
本明細書において用いられるところ、不定冠詞「ａ」または「ａｎ」は１つまたは複数を意味する。
【００５２】
本明細書において用いられるところ、「およそ」または「約」または「ｃａ．」（ラテン語「約（ｃｉｒｃａ）」に由来）という用語は、記載されている値の±１０％を意味する。
【００５３】
本明細書において用いられるところ、「独立して」という用語は、Ｒ基に関する記載の文脈において用いられる場合、対象であるＲ基は、同一または異なる下付文字または上付文字を有する他のＲ基に対して独立して選択されるのみならず、同一のＲ基のいずれかの追加の種に対しても独立して選択されることを示すと理解されるべきである。例えば、式Ｚｒ（ＴＭＳＣｐ）（ＮＲ１Ｒ２）３において、３個のＲ１基は、必ずではないが、相互にまたはＲ２に対して同等であり得る。
【００５４】
本明細書において用いられるところ、「アルキル基」という用語は、排他的に炭素および水素原子を含有する飽和官能基を指す。さらに、「アルキル基」という用語は、直鎖、分岐または環式アルキル基を指す。直鎖アルキル基の例としては、特に限定されないが、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基等が挙げられる。分岐アルキル基の例としては、特に限定されないが、ｔ−ブチルが挙げられる。環式アルキル基の例としては、特に限定されないが、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等が挙げられる。
【００５５】
本明細書において用いられるところ、略記「Ｍｅ」はメチル基を指し；略記「Ｅｔ」はエチル基を指し；略記「Ｐｒ」はプロピル基を指し；略記「ｎＰｒ」は「ノルマル」または直鎖プロピル基を指し；略記「ｉＰｒ」はイソプロピル基を指し；略記「Ｂｕ」はブチル基を指し；略記「ｎＢｕ」は「ノルマル」または直鎖ブチル基を指し；略記「ｔＢｕ」は１，１−ジメチルエチルとしても知られているｔ−ブチル基を指し；略記「ｓＢｕ」は１−メチルプロピルとしても知られているｓｅｃ−ブチル基を指し；略記「ｉＢｕ」は２−メチルプロピルとしても知られているイソ−ブチル基を指し；略記「アミル」はアミルまたはペンチル基を指し；略記「ｔＡｍｙｌ」は１，１−ジメチルプロピルとしても知られているｔ−アミル基を指し；略記「Ｃｐ」はシクロペンタジエニルを指し；略記「Ｃｐ＊」はペンタメチルシクロペンタジエニルを指し；略記「ｏｐ」は（非環式）ペンタジエニルを指し；略記「ＴＭＳＣｐ」はリガンド（トリメチルシリル）シクロペンタジエニル［Ｍｅ３ＳｉＣｐ］を指し；略記「ＴＭＳＣｐＨ」は分子（トリメチルシリル）シクロペンタジエン［Ｍｅ３ＳｉＣｐＨ］を指し；および、略記「ＤＭＳＣｐ」はリガンド（ジメチルシリル）シクロペンタジエニル［Ｍｅ２ＳｉＨＣｐ］を指す。
【００５６】
酸化ジルコニウムなどの堆積される膜または層は、その適切な化学量論（すなわちＺｒＯ２）に言及することなく、明細書および特許請求の範囲全体にわたって列挙されていることに注意されたい。これらの層は、純粋な（Ｚｒ）層、カーバイド（ＺｒｏＣｐ）層、窒化物（ＺｒｋＮｌ）層、酸化物（ＺｒｎＯｍ）層、または、これらの混合物（式中、ｋ、ｌ、ｍ、ｎ、ｏおよびｐは１以上６以下の範囲である）を含み得る。例えば、酸化ジルコニウムは、ＺｒｋＯｌ（式中、ｋおよびｌは各々０．５〜５の範囲である）である。より好ましくは、酸化ジルコニウムはＺｒＯ２である。酸化物層は、異なる二元系または四元系酸化物層の混合物であり得る。例えば、酸化物層は、ＢａＺｒＯｘ、ＨｆＺｒＯｘ、ＺｒＹＯｘ、ＺｒＡｌＯｘ、ＺｒＥｒＯｘ、ＺｒＬａＯｘ、ＺｒＤｙＯｘ（式中、ｘは１〜６の範囲である）であり得る。酸化物層は、例えばＺｒＯ２／Ａｌ２Ｏ３ナノールアミネート（ｎａｎｏｌａｍｉｎａｔｅｓ）などの異なる酸化物層のスタックであり得る。言及されている層はいずれも、ケイ素酸化物層、ＳｉｎＯｍ（式中、ｎは０．５〜１．５の範囲であり、かつｍは１．５〜３．５の範囲である）をも含み得る。より好ましくは、酸化ケイ素層はＳｉＯ２またはＳｉＯ３である。酸化ケイ素層は、Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，  Ｉｎｃ．製のＢｌａｃｋ  ＤｉａｍｏｎｄＩＩもしくはＩＩＩ材料などの有機系または酸化ケイ素系低ｋ誘電体材料などの、酸化ケイ素系誘電体材料であり得る。あるいは、いずれかの参照されているケイ素含有層は純粋なケイ素であり得る。いずれかのケイ素含有層はまた、Ｂ、Ｃ、Ｐ、Ａｓおよび／またはＧｅなどのドーパントを含んでいてもよい。
【００５７】
元素周期律表に係る元素の標準的な略語が本明細書において用いられている。元素がこれらの略語（例えば、Ｍｎはマンガンを指し、Ｓｉはケイ素を指し、Ｃは炭素を指す等）により称され得ることが理解されるべきである。
【００５８】
本発明の性質および目的のさらなる理解のため、以下の発明を実施するための形態を添付の図面と併せて参照すべきである。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】図１は、本明細書に開示のジルコニウム含有膜形成組成物送出デバイスの一実施形態の側面図である。
【図２】図２は、本明細書に開示のジルコニウム含有膜形成組成物送出デバイスの第２の実施形態の側面図である。
【図３】図３は、Ｚｒ（ＴＭＳＣｐ）（ＮＭｅ２）３の１ＨＮＭＲスペクトルである。
【図４】図４は、Ｚｒ（ＤＭＳＣｐ）（ＮＭｅ２）３の１ＨＮＭＲスペクトルである。
【図５】図５は、Ｚｒ（ＴＭＳＣｐ）（ＯｉＰｒ）３の１ＨＮＭＲスペクトルである。
【図６】図６は、Ｚｒ（ＴＭＳＣｐ）（ＮＭｅ２）３の温度上昇に伴う重量損失割合（ＴＧＡ）または示差温度（ＤＴＡ）を実証する熱重量分析（ＴＧＡ）／示差熱分析（ＤＴＡ）グラフである。
【図７】図７は、Ｚｒ（ＤＭＳＣｐ）（ＮＭｅ２）３の温度上昇に伴う重量損失割合（ＴＧＡ）または示差温度（ＤＴＡ）を実証するＴＧＡ／ＤＴＡグラフである。
【図８】図８は、Ｚｒ（ＴＭＳＣｐ）（ＯｉＰｒ）３の温度上昇に伴う重量損失割合（ＴＧＡ）または示差温度（ＤＴＡ）を実証するＴＧＡ／ＤＴＡグラフである。
【図９】図９は、前駆体Ｚｒ（ＴＭＳＣｐ）（ＮＭｅ２）３を用いた場合における、温度に応じた酸化ジルコニウム薄膜のＡＬＤ成長速度のグラフである。
【図１０】図１０は、前駆体Ｚｒ（ＴＭＳＣｐ）（ＮＭｅ２）３を用いた場合における、前駆体の導入時間に応じた酸化ジルコニウム薄膜のＡＬＤ成長速度のグラフである。
【図１１】図１１は、前駆体Ｚｒ（ＴＭＳＣｐ）（ＮＭｅ２）３を用いた場合における、３００℃で生成される膜のＸ線光電子分光（ＸＰＳ）分析のグラフである。
【図１２】図１２は、前駆体Ｚｒ（ＴＭＳＣｐ）（ＮＭｅ２）３を用いた場合における、３７５℃で生成される膜のＸＰＳ分析のグラフである。
【図１３】図１３は、３２５℃で前駆体Ｚｒ（ＴＭＳＣｐ）（ＮＭｅ２）３を用いた場合における、１：１０のアスペクト比パターンを有するウェハに堆積した膜の走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真である。
【図１４】図１４は、３２５℃で前駆体Ｚｒ（ＴＭＳＣｐ）（ＮＭｅ２）３を用いた場合における、１：４０のアスペクト比パターンを有するウェハに堆積した膜のＳＥＭ写真である。
【発明を実施するための形態】
【００６０】
以下の式を有するケイ素およびジルコニウム含有前駆体を含むジルコニウム含有膜形成組成物が開示されている。
【００６１】
【化４】
0006492178.tif 000005
【００６２】
式中、各Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９およびＲ１０は、Ｈ；Ｃ１−Ｃ５直鎖、分岐もしくは環式アルキル基；または、Ｃ１−Ｃ５直鎖、分岐もしくは環式フルオロアルキル基から独立して選択される。Ｒ１、Ｒ２およびＲ３は同等であっても異なっていてもよい。Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６およびＲ７は同等であっても異なっていてもよい。各Ｒ８およびＲ９は同等であっても異なっていてもよい。各Ｒ１０は同等であっても異なっていてもよい。
【００６３】
小さなアルキル基ではケイ素およびジルコニウム含有前駆体の揮発度が高くなると共に融点が低くなり得るため、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６およびＲ７はＨまたはＭｅであることが好ましい。小さなアルキル基ではケイ素およびジルコニウム含有前駆体の揮発度が高くなると共に融点が低くなり得るため、Ｒ８およびＲ９は、Ｈ、ＭｅまたはＥｔであることが好ましい。小さなアルキル基（Ｍｅ、Ｅｔ）ではケイ素およびジルコニウム含有前駆体の揮発度が高くなり得ると共に、大きなアルキル基（ｉＰｒ、ｔＢｕ）ではケイ素およびジルコニウム含有前駆体の融点が低くなり得るため、Ｒ１０は、Ｍｅ、Ｅｔ、ｉＰｒまたはｔＢｕであることが好ましい。
【００６４】
例示的な式Ｉのケイ素およびジルコニウム含有前駆体としては、これらに限定されないが、Ｚｒ（ＴＭＳ−Ｃｐ）（ＮＭｅ２）３、Ｚｒ（ＴＭＳ−Ｃｐ）（ＮＨＭｅ）３、Ｚｒ（ＴＭＳ−Ｃｐ）（ＮＥｔ２）３、Ｚｒ（ＴＭＳ−Ｃｐ）（ＮＨＥｔ）３、Ｚｒ（ＴＭＳ−Ｃｐ）（ＮＥｔＭｅ）３）、Ｚｒ（ＴＭＳ−Ｃｐ）（ＮｎＰｒ２）３、Ｚｒ（ＴＭＳ−Ｃｐ）（ＮＨｎＰｒ）３、Ｚｒ（ＴＭＳ−Ｃｐ）（ＮｉＰｒ２）３、Ｚｒ（ＴＭＳ−Ｃｐ）（ＮＨｉＰｒ）３、Ｚｒ（ＴＭＳ−Ｃｐ）（ＮｎＢｕ２）３）、Ｚｒ（ＴＭＳ−Ｃｐ）（ＮＨｎＢｕ）３、Ｚｒ（ＴＭＳ−Ｃｐ）（ＮｉＢｕ２）３、Ｚｒ（ＴＭＳ−Ｃｐ）（ＮＨｉＢｕ）３、Ｚｒ（ＴＭＳ−Ｃｐ）（ＮｓＢｕ２）３、Ｚｒ（ＴＭＳ−Ｃｐ）（ＮＨｓＢｕ）３、Ｚｒ（ＴＭＳ−Ｃｐ）（ＮｔＢｕ２）３、Ｚｒ（ＴＭＳ−Ｃｐ）（ＮＨｔＢｕ）３、Ｚｒ（ＤＭＳ−Ｃｐ）（ＮＭｅ２）３、Ｚｒ（ＤＭＳ−Ｃｐ）（ＮＨＭｅ）３、Ｚｒ（ＤＭＳ−Ｃｐ）（ＮＥｔ２）３、Ｚｒ（ＤＭＳ−Ｃｐ）（ＮＨＥｔ）３、Ｚｒ（ＤＭＳ−Ｃｐ）（ＮＥｔＭｅ）３、Ｚｒ（ＤＭＳ−Ｃｐ）（ＮｎＰｒ２）３、Ｚｒ（ＤＭＳ−Ｃｐ）（ＮＨｎＰｒ）３、Ｚｒ（ＤＭＳ−Ｃｐ）（ＮｉＰｒ２）３、Ｚｒ（ＤＭＳ−Ｃｐ）（ＮＨｉＰｒ）３、Ｚｒ（ＤＭＳ−Ｃｐ）（ＮｎＢｕ２）３、Ｚｒ（ＤＭＳ−Ｃｐ）（ＮＨｎＢｕ）３、Ｚｒ（ＤＭＳ−Ｃｐ）（ＮｉＢｕ２）３、Ｚｒ（ＤＭＳ−Ｃｐ）（ＮＨｉＢｕ）３、Ｚｒ（ＤＭＳ−Ｃｐ）（ＮｓＢｕ２）３、Ｚｒ（ＤＭＳ−Ｃｐ）（ＮＨｓＢｕ）３、Ｚｒ（ＤＭＳ−Ｃｐ）（ＮｔＢｕ２）３、Ｚｒ（ＤＭＳ−Ｃｐ）（ＮＨｔＢｕ）３、Ｚｒ（Ｆ３Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮＭｅ２）３、Ｚｒ（Ｆ３Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮＨＭｅ）３、Ｚｒ（Ｆ３Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮＥｔ２）３、Ｚｒ（Ｆ３Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮＨＥｔ）３、Ｚｒ（Ｆ３Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮＥｔＭｅ）３、Ｚｒ（Ｆ３Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮｎＰｒ２）３、Ｚｒ（Ｆ３Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮＨｎＰｒ）３、Ｚｒ（Ｆ３Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮｉＰｒ２）３、Ｚｒ（Ｆ３Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮＨｉＰｒ）３、Ｚｒ（Ｆ３Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮｎＢｕ２）３、Ｚｒ（Ｆ３Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮＨｎＢｕ）３、Ｚｒ（Ｆ３Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮｉＢｕ２）３、Ｚｒ（Ｆ３Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮＨｉＢｕ）３、Ｚｒ（Ｆ３Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮｓＢｕ２）３、Ｚｒ（Ｆ３Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮＨｓＢｕ）３、Ｚｒ（Ｆ３Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮｔＢｕ２）３、Ｚｒ（Ｆ３Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮＨｔＢｕ）３、Ｚｒ（Ｆ２ＨＳｉ−Ｃｐ）（ＮＭｅ２）３、Ｚｒ（Ｆ２ＨＳｉ−Ｃｐ）（ＮＨＭｅ）３、Ｚｒ（Ｆ２ＨＳｉ−Ｃｐ）（ＮＥｔ２）３、Ｚｒ（Ｆ２ＨＳｉ−Ｃｐ）（ＮＨＥｔ）３、Ｚｒ（Ｆ２ＨＳｉ−Ｃｐ）（ＮＥｔＭｅ）３、Ｚｒ（Ｆ２ＨＳｉ−Ｃｐ）（ＮｎＰｒ２）３、Ｚｒ（Ｆ２ＨＳｉ−Ｃｐ）（ＮＨｎＰｒ）３、Ｚｒ（Ｆ２ＨＳｉ−Ｃｐ）（ＮｉＰｒ２）３、Ｚｒ（Ｆ２ＨＳｉ−Ｃｐ）（ＮＨｉＰｒ）３、Ｚｒ（Ｆ２ＨＳｉ−Ｃｐ）（ＮｎＢｕ２）３、Ｚｒ（Ｆ２ＨＳｉ−Ｃｐ）（ＮＨｎＢｕ）３、Ｚｒ（Ｆ２ＨＳｉ−Ｃｐ）（ＮｉＢｕ２）３、Ｚｒ（Ｆ２ＨＳｉ−Ｃｐ）（ＮＨｉＢｕ）３、Ｚｒ（Ｆ２ＨＳｉ−Ｃｐ）（ＮｓＢｕ２）３、Ｚｒ（Ｆ２ＨＳｉ−Ｃｐ）（ＮＨｓＢｕ）３、Ｚｒ（Ｆ２ＨＳｉ−Ｃｐ）（ＮｔＢｕ２）３、Ｚｒ（Ｆ２ＨＳｉ−Ｃｐ）（ＮＨｔＢｕ）３、Ｚｒ（ＦＨ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮＭｅ２）３、Ｚｒ（ＦＨ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮＨＭｅ）３、Ｚｒ（ＦＨ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮＥｔ２）３、Ｚｒ（ＦＨ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮＨＥｔ）３、Ｚｒ（ＦＨ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮＥｔＭｅ）３、Ｚｒ（ＦＨ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮｎＰｒ２）３、Ｚｒ（ＦＨ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮＨｎＰｒ）３、Ｚｒ（ＦＨ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮｉＰｒ２）３、Ｚｒ（ＦＨ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮＨｉＰｒ）３、Ｚｒ（ＦＨ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮｎＢｕ２）３、Ｚｒ（ＦＨ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮＨｎＢｕ）３、Ｚｒ（ＦＨ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮｉＢｕ２）３、Ｚｒ（ＦＨ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮＨｉＢｕ）３、Ｚｒ（ＦＨ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮｓＢｕ２）３、Ｚｒ（ＦＨ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮＨｓＢｕ）３、Ｚｒ（ＦＨ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮｔＢｕ２）３、Ｚｒ（ＦＨ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮＨｔＢｕ）３、Ｚｒ（ＦＭｅ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮＭｅ２）３、Ｚｒ（ＦＭｅ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮＨＭｅ）３、Ｚｒ（ＦＭｅ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮＥｔ２）３、Ｚｒ（ＦＭｅ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮＨＥｔ）３、Ｚｒ（ＦＭｅ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮＥｔＭｅ）３、Ｚｒ（ＦＭｅ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮｎＰｒ２）３、Ｚｒ（ＦＭｅ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮＨｎＰｒ）３、Ｚｒ（ＦＭｅ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮｉＰｒ２）３、Ｚｒ（ＦＭｅ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮＨｉＰｒ）３、Ｚｒ（ＦＭｅ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮｎＢｕ２）３、Ｚｒ（ＦＭｅ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮＨｎＢｕ）３、Ｚｒ（ＦＭｅ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮｉＢｕ２）３、Ｚｒ（ＦＭｅ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮＨｉＢｕ）３、Ｚｒ（ＦＭｅ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮｓＢｕ２）３、Ｚｒ（ＦＭｅ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮＨｓＢｕ）３、Ｚｒ（ＦＭｅ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮｔＢｕ２）３、Ｚｒ（ＦＭｅ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮＨｔＢｕ）３、Ｚｒ（（ＣＦ３）３Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮＭｅ２）３、Ｚｒ（（ＣＦ３）３Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮＨＭｅ）３、Ｚｒ（（ＣＦ３）３Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮＥｔ２）３、Ｚｒ（（ＣＦ３）３Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮＨＥｔ）３、Ｚｒ（（ＣＦ３）３Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮＥｔＭｅ）３、Ｚｒ（（ＣＦ３）３Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮｎＰｒ２）３、Ｚｒ（（ＣＦ３）３Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮＨｎＰｒ）３、Ｚｒ（（ＣＦ３）３Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮｉＰｒ２）３、Ｚｒ（（ＣＦ３）３Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮＨｉＰｒ）３、Ｚｒ（（ＣＦ３）３Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮｎＢｕ２）３、Ｚｒ（（ＣＦ３）３Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮＨｎＢｕ）３、Ｚｒ（（ＣＦ３）３Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮｉＢｕ２）３、Ｚｒ（（ＣＦ３）３Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮＨｉＢｕ）３、Ｚｒ（（ＣＦ３）３Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮｓＢｕ２）３、Ｚｒ（（ＣＦ３）３Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮＨｓＢｕ）３、Ｚｒ（（ＣＦ３）３Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮｔＢｕ２）３、Ｚｒ（（ＣＦ３）３Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮＨｔＢｕ）３、Ｚｒ（（ＣＦ３）２ＨＳｉ−Ｃｐ）（ＮＭｅ）３、Ｚｒ（（ＣＦ３）２ＨＳｉ−Ｃｐ）（ＮＨＭｅ）３、Ｚｒ（（ＣＦ３）２ＨＳｉ−Ｃｐ）（ＮＥｔ２）３、Ｚｒ（（ＣＦ３）２ＨＳｉ−Ｃｐ）（ＮＨＥｔ）３、Ｚｒ（（ＣＦ３）２ＨＳｉ−Ｃｐ）（ＮＥｔＭｅ）３、Ｚｒ（（ＣＦ３）２ＨＳｉ−Ｃｐ）（ＮｎＰｒ２）３、Ｚｒ（（ＣＦ３）２ＨＳｉ−Ｃｐ）（ＮＨｎＰｒ）３、Ｚｒ（（ＣＦ３）２ＨＳｉ−Ｃｐ）（ＮｉＰｒ２）３、Ｚｒ（（ＣＦ３）２ＨＳｉ−Ｃｐ）（ＮＨｉＰｒ）３、Ｚｒ（（ＣＦ３）２ＨＳｉ−Ｃｐ）（ＮｎＢｕ２）３、Ｚｒ（（ＣＦ３）２ＨＳｉ−Ｃｐ）（ＮＨｎＢｕ）３、Ｚｒ（（ＣＦ３）２ＨＳｉ−Ｃｐ）（ＮｉＢｕ２）３、Ｚｒ（（ＣＦ３）２ＨＳｉ−Ｃｐ）（ＮＨｉＢｕ）３、Ｚｒ（（ＣＦ３）２ＨＳｉ−Ｃｐ）（ＮｓＢｕ２）３、Ｚｒ（（ＣＦ３）２ＨＳｉ−Ｃｐ）（ＮＨｓＢｕ）３、Ｚｒ（（ＣＦ３）２ＨＳｉ−Ｃｐ）（ＮｔＢｕ２）３、Ｚｒ（（ＣＦ３）２ＨＳｉ−Ｃｐ）（ＮＨｔＢｕ）３、Ｚｒ（（ＣＦ３）Ｍｅ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮＭｅ２）３、Ｚｒ（（ＣＦ３）Ｍｅ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮＨＭｅ）３、Ｚｒ（（ＣＦ３）Ｍｅ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮＥｔ２）３、Ｚｒ（（ＣＦ３）Ｍｅ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮＨＥｔ）３、Ｚｒ（（ＣＦ３）Ｍｅ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮＥｔＭｅ）３、Ｚｒ（（ＣＦ３）Ｍｅ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮｎＰｒ２）３、Ｚｒ（（ＣＦ３）Ｍｅ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮＨｎＰｒ）３、Ｚｒ（（ＣＦ３）Ｍｅ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮｉＰｒ２）３、Ｚｒ
（（ＣＦ３）Ｍｅ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮＨｉＰｒ）３、Ｚｒ（（ＣＦ３）Ｍｅ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮｎＢｕ２）３、Ｚｒ（（ＣＦ３）Ｍｅ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮＨｎＢｕ）３、Ｚｒ（（ＣＦ３）Ｍｅ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮｉＢｕ２）３、Ｚｒ（（ＣＦ３）Ｍｅ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮＨｉＢｕ）３、Ｚｒ（（ＣＦ３）Ｍｅ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮｓＢｕ２）３、Ｚｒ（（ＣＦ３）Ｍｅ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮＨｓＢｕ）３、Ｚｒ（（ＣＦ３）Ｍｅ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮｔＢｕ２）３またはＺｒ（（ＣＦ３）Ｍｅ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＮＨｔＢｕ）３が挙げられる。
【００６５】
例示的な式ＩＩのケイ素およびジルコニウム含有前駆体としては、これらに限定されないが、Ｚｒ（ＴＭＳ−Ｃｐ）（ＯＭｅ）３、Ｚｒ（ＴＭＳ−Ｃｐ）（ＯＥｔ）３、Ｚｒ（ＴＭＳ−Ｃｐ）（ＯｎＰｒ）３、Ｚｒ（ＴＭＳ−Ｃｐ）（ＯｉＰｒ）３、Ｚｒ（ＴＭＳ−Ｃｐ）（ＯｔＢｕ）３、Ｚｒ（ＴＭＳ−Ｃｐ）（ＯｓＢｕ）３、Ｚｒ（ＴＭＳ−Ｃｐ）（ＯｎＢｕ）３、Ｚｒ（ＴＭＳ−Ｃｐ）（ＯｉＢｕ）３、Ｚｒ（ＤＭＳ−Ｃｐ）（ＯＭｅ）３、Ｚｒ（ＤＭＳ−Ｃｐ）（ＯＥｔ）３、Ｚｒ（ＤＭＳ−Ｃｐ）（ＯｎＰｒ）３、Ｚｒ（ＤＭＳ−Ｃｐ）（ＯｉＰｒ）３、Ｚｒ（ＤＭＳ−Ｃｐ）（ＯｔＢｕ）３、Ｚｒ（ＤＭＳ−Ｃｐ）（ＯｓＢｕ）３、Ｚｒ（ＤＭＳ−Ｃｐ）（ＯｎＢｕ）３、Ｚｒ（ＤＭＳ−Ｃｐ）（ＯｉＢｕ）３、Ｚｒ（Ｆ３Ｓｉ−Ｃｐ）（ＯＭｅ）３、Ｚｒ（Ｆ３Ｓｉ−Ｃｐ）（ＯＥｔ）３、Ｚｒ（Ｆ３Ｓｉ−Ｃｐ）（ＯｎＰｒ）３、Ｚｒ（Ｆ３Ｓｉ−Ｃｐ）（ＯｉＰｒ）３、Ｚｒ（Ｆ３Ｓｉ−Ｃｐ）（ＯｔＢｕ）３、Ｚｒ（Ｆ３Ｓｉ−Ｃｐ）（ＯｓＢｕ）３、Ｚｒ（Ｆ３Ｓｉ−Ｃｐ）（ＯｎＢｕ）３、Ｚｒ（Ｆ３Ｓｉ−Ｃｐ）（ＯｉＢｕ）３、Ｚｒ（Ｆ２ＨＳｉ−Ｃｐ）（ＯＭｅ）３、Ｚｒ（Ｆ２ＨＳｉ−Ｃｐ）（ＯＥｔ）３、Ｚｒ（Ｆ２ＨＳｉ−Ｃｐ）（ＯｎＰｒ）３、Ｚｒ（Ｆ２ＨＳｉ−Ｃｐ）（ＯｉＰｒ）３、Ｚｒ（Ｆ２ＨＳｉ−Ｃｐ）（ＯｔＢｕ）３、Ｚｒ（Ｆ２ＨＳｉ−Ｃｐ）（ＯｓＢｕ）３、Ｚｒ（Ｆ２ＨＳｉ−Ｃｐ）（ＯｎＢｕ）３、Ｚｒ（Ｆ２ＨＳｉ−Ｃｐ）（ＯｉＢｕ）３、Ｚｒ（ＦＨ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＯＭｅ）３、Ｚｒ（ＦＨ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＯＥｔ）３、Ｚｒ（ＦＨ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＯｎＰｒ）３、Ｚｒ（ＦＨ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＯｉＰｒ）３、Ｚｒ（ＦＨ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＯｔＢｕ）３、Ｚｒ（ＦＨ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＯｓＢｕ）３、Ｚｒ（ＦＨ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＯｎＢｕ）３、Ｚｒ（ＦＨ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＯｉＢｕ）３、Ｚｒ（ＦＭｅ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＯＭｅ）３、Ｚｒ（ＦＭｅ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＯＥｔ）３、Ｚｒ（ＦＭｅ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＯｎＰｒ）３、Ｚｒ（ＦＭｅ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＯｉＰｒ）３、Ｚｒ（ＦＭｅ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＯｔＢｕ）３、Ｚｒ（ＦＭｅ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＯｓＢｕ）３、Ｚｒ（ＦＭｅ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＯｎＢｕ）３、Ｚｒ（ＦＭｅ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＯｉＢｕ）３、Ｚｒ（（ＣＦ３）３Ｓｉ−Ｃｐ）（ＯＭｅ）３、Ｚｒ（（ＣＦ３）３Ｓｉ−Ｃｐ）（ＯＥｔ）３、Ｚｒ（（ＣＦ３）３Ｓｉ−Ｃｐ）（ＯｎＰｒ）３、Ｚｒ（（ＣＦ３）３Ｓｉ−Ｃｐ）（ＯｉＰｒ）３、Ｚｒ（（ＣＦ３）３Ｓｉ−Ｃｐ）（ＯｔＢｕ）３、Ｚｒ（（ＣＦ３）３Ｓｉ−Ｃｐ）（ＯｓＢｕ）３、Ｚｒ（（ＣＦ３）３Ｓｉ−Ｃｐ）（ＯｎＢｕ）３、Ｚｒ（（ＣＦ３）３Ｓｉ−Ｃｐ）（ＯｉＢｕ）３、Ｚｒ（（ＣＦ３）２ＨＳｉ−Ｃｐ）（ＯＭｅ）３、Ｚｒ（（ＣＦ３）２ＨＳｉ−Ｃｐ）（ＯＥｔ）３、Ｚｒ（（ＣＦ３）２ＨＳｉ−Ｃｐ）（ＯｎＰｒ）３、Ｚｒ（（ＣＦ３）２ＨＳｉ−Ｃｐ）（ＯｉＰｒ）３、Ｚｒ（（ＣＦ３）２ＨＳｉ−Ｃｐ）（ＯｔＢｕ）３、Ｚｒ（（ＣＦ３）２ＨＳｉ−Ｃｐ）（ＯｓＢｕ）３、Ｚｒ（（ＣＦ３）２ＨＳｉ−Ｃｐ）（ＯｎＢｕ）３、Ｚｒ（（ＣＦ３）２ＨＳｉ−Ｃｐ）（ＯｉＢｕ）３、Ｚｒ（（ＣＦ３）Ｍｅ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＯＭｅ）３、Ｚｒ（（ＣＦ３）Ｍｅ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＯＥｔ）３、Ｚｒ（（ＣＦ３）Ｍｅ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＯｎＰｒ）３、Ｚｒ（（ＣＦ３）Ｍｅ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＯｉＰｒ）３、Ｚｒ（（ＣＦ３）Ｍｅ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＯｔＢｕ）３、Ｚｒ（（ＣＦ３）Ｍｅ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＯｓＢｕ）３、Ｚｒ（（ＣＦ３）Ｍｅ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＯｎＢｕ）３、またはＺｒ（（ＣＦ３）Ｍｅ２Ｓｉ−Ｃｐ）（ＯｉＢｕ）３が挙げられる。
【００６６】
好ましくは、ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は、大気熱重量分析における気化の結果、最終的に残る残渣が少量であることから、（トリメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（ジメチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）である（実施例１を参照のこと）。残渣の量が少ないことを実証する、実施例３における（トリメチルシリル）シクロペンタジエニルトリ（イソプロポキシ）ジルコニウム（ＩＶ）に係るＴＧＡの結果もまた蒸着への適用に有望である。
【００６７】
本開示のジルコニウム含有膜形成組成物は、対応するテトラキス（アミノ）ジルコニウム（ＩＶ）または対応するテトラキス（アルコキシ）ジルコニウム（ＩＶ）と、対応する（シリル）シクロペンタジエンとを、トルエン、ＴＨＦまたはエーテルなどの好適な溶剤中で反応させることにより合成され得る。（シリル）シクロペンタジエンは、典型的には、Ｃａｔａｌ  Ｌｅｔｔ（２０１１）１４１：１６２５−１６３４に記載の手法に従って調製される。あるいは、本開示の（シリル）シクロペンタジエニル−トリス（アルコキシ）ジルコニウム含有膜形成組成物は、トルエン、ＴＨＦまたはエーテルなどの好適な溶剤中における、３当量の対応するアルコールによる、対応する（シリル）シクロペンタジエニル−トリス（アミノ）ジルコニウム含有化合物のアルコーリシスにより合成され得る。しかしながら、本合成プロセスにおいてアルコールが過剰量である場合には、Ｚｒ（ＮＲ２）４またはＺｒ（ＯＲ）４などの未反応の反応体、およびシクロペンタジエニルトリス（アルコキシ）ジルコニウムまたはシクロペンタジエニルトリス（アミノ）ジルコニウムといった無置換のシクロペンタジエニル反応生成物などの不要な反応副生成物がもたらされてしまう場合がある。さらなる詳細を含む例示的な合成方法が以下の実施例において提供されている。
【００６８】
本開示のジルコニウム含有膜形成組成物の純度は、およそ９５％ｗ／ｗ〜およそ１００％ｗ／ｗの範囲、好ましくは９８％ｗ／ｗ超、より好ましくは９９％ｗ／ｗ超である。純度は、Ｈ  ＮＭＲまたはガスもしくは液体クロマトグラフィーにより質量分光測定で測定され得ることを当業者は認識するであろう。本開示のジルコニウム含有膜形成組成物は、以下の不純物のいずれかを含有し得る：ＺｒＣｐ（ＯＲ１０）３；Ｚｒ（ＯＲ１０）４；ＺｒＣｐ（ＮＲ２）３（ここで、各Ｒは独立して、Ｈ、Ｃ１−Ｃ５直鎖、分岐もしくは環式アルキル基、または、Ｃ１−Ｃ５直鎖、分岐もしくは環式フルオロアルキル基である）；Ｚｒ（ＮＲ２）４（ここで、各Ｒは独立して、Ｈ、Ｃ１−Ｃ５直鎖、分岐もしくは環式アルキル基、または、Ｃ１−Ｃ５直鎖、分岐もしくは環式フルオロアルキル基である）；シクロペンタジエン；（シリル）シクロペンタジエン；ジシクロペンタジエン；アルキルシラン；ｔ−ブチルアミンなどのアルキルアミン；ジメチルアミンなどのジアルキルアミン；アルキルイミン；イソプロピルアルコールまたはｔ−ブチルアルコールなどのアルコール；ＴＨＦ；エーテル；ペンタン；シクロヘキサン；ヘプタン；トルエン；ベンゼン；塩化金属化合物；リチウム、ナトリウムもしくはカリウムアルコキシ；リチウム、ナトリウムもしくはカリウムアルキルアミノ；または、リチウム、カリウムもしくはナトリウムシクロペンタジエニル。これらの不純物の総量は、５％ｗ／ｗ未満、好ましくは２％ｗ／ｗ未満、より好ましくは１％ｗ／ｗ未満である。組成物は、再結晶化、昇華、蒸留、および／または、４Ａ分子ふるいなどの好適な吸着媒にガスもしくは液体を通過させることにより精製し得る。
【００６９】
本開示のジルコニウム含有膜形成組成物の精製はまた、０ｐｐｂｗ（十億分率重量）〜１ｐｐｍｗ（百万分率重量）レベル、好ましくは０〜５００ｐｐｂｗで金属不純物をもたらし得る。これらの金属不純物としては、これらに限定されないが、アルミニウム（Ａｌ）、砒素（Ａｓ）、バリウム（Ｂａ）、ベリリウム（Ｂｅ）、ビスマス（Ｂｉ）、カドミウム（Ｃｄ）、カルシウム（Ｃａ）、クロム（Ｃｒ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、ガリウム（Ｇａ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、ハフニウム（Ｈｆ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、インジウム（Ｉｎ）、鉄（Ｆｅ）、鉛（Ｐｂ）、リチウム（Ｌｉ）、マグネシウム（Ｍｇ）、マンガン（Ｍｎ）、タングステン（Ｗ）、ニッケル（Ｎｉ）、カリウム（Ｋ）、ナトリウム（Ｎａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、トリウム（Ｔｈ）、スズ（Ｓｎ）、チタン（Ｔｉ）、ウラニウム（Ｕ）、バナジウム（Ｖ）および亜鉛（Ｚｎ）が挙げられる。
【００７０】
ジルコニウム含有膜形成組成物は、本開示のジルコニウム含有膜形成組成物送出デバイスによって半導体処理ツールに送り出され得る。図１および図２は、本開示の送出デバイス１の２種の非限定的な実施形態を示す。
【００７１】
図１はジルコニウム含有膜形成組成物送出デバイス１の一実施形態の側面図である。図１において、本開示のジルコニウム含有膜形成組成物１０は、入口流路３０および出口流路４０の２つの流路を有する容器２０中に含まれている。前駆体の技術分野における当業者は、容器２０、入口流路３０および出口流路４０は、高温および高圧下でのガス形態のジルコニウム含有膜形成組成物１０の漏出が防止されるよう製造されていることを認識するであろう。
【００７２】
送出デバイス１は、密閉されていると共に、材料のわずかな量の漏れも許容しないバルブ３５／４５を備えている必要がある。好適なバルブ３５／４５としては、スプリングロード型または手動式（ｔｉｅｄ）ダイヤフラムバルブが挙げられる。バルブ３５／４５は、流量制限オリフィス（ＲＦＯ）をさらに備えていてもよい。送出デバイス１は、ガスマニホルド（図示せず）に接続されていてもよく、また、筐体（図示せず）中にあってもよい。ガスマニホルドは、残存するＺｒ含有膜形成組成物が反応しないように、送出デバイス１を交換する際に空気に露出され得る配管における安全な排気およびパージが可能であるべきである。筐体は、材料の放出または反応が生じた場合における火災を防ぐためにセンサーおよび防火能を備えていてもよい。ガスマニホルドはまた、遮断弁、真空発生装置を備えていてもよく、少なくともパージガスの導入が可能であってもよい。
【００７３】
送出デバイス１は、上記に開示されているガスキャビネットなどの半導体処理ツールの他の構成要素にバルブ３５および４５を介して流体が流過可能に接続されている。容器２０、入口流路３０、バルブ３５、出口流路４０およびバルブ４５は３１６Ｌ  ＥＰまたは３０４ステンレス鋼製であることが好ましい。しかしながら、他の非反応性材料もまた本明細書における教示において使用し得ること、およびいずれかの腐食性のジルコニウム含有膜形成組成物１０では、ＨａｓｔｅｌｌｏｙまたはＩｎｃｏｎｅｌなどのより耐食性の材料を使用することが要求され得ることを当業者は認識するであろう。
【００７４】
図１において、入口流路３０の端部３１はジルコニウム含有膜形成組成物１０の表面より上方に位置されており、一方で、出口流路４０の端部４１はジルコニウム含有膜形成組成物１０の表面より下方に位置されている。本実施形態において、ジルコニウム含有膜形成組成物１０は液体形態であることが好ましい。特にこれらに限定されないが、窒素、アルゴン、ヘリウムおよびこれらの混合物を含む不活性ガスを入口流路３０に導入し得る。不活性ガスによって、液体ジルコニウム含有膜形成組成物１０が出口流路４０を通じて半導体処理ツール（図示せず）における構成要素に強制的に移動するよう、送出デバイス２０が加圧される。半導体処理ツールは、修復されるべきウェハが配置され、気相中で処理が行われるチャンバに蒸気を送出するために、ヘリウム、アルゴン、窒素もしくはこれらの混合物などのキャリアガスの使用を伴ってまたは伴わずに、液体ジルコニウム含有膜形成組成物１０を蒸気に気化させる気化器を備えていてもよい。あるいは、液体ジルコニウム含有膜形成組成物１０は、ジェットまたはエアロゾルとしてウェハの表面に直接送出されてもよい。
【００７５】
図２は、ジルコニウム含有膜形成組成物送出デバイス１の第２の実施形態の側面図である。図２において、入口流路３０の端部３１はジルコニウム含有膜形成組成物１０の表面より下方に位置されており、一方で出口流路４０の端部４１はジルコニウム含有膜形成組成物１０の表面よりも上方に位置されている。また、図２は、ジルコニウム含有膜形成組成物１０の温度を上昇させ得る任意選択の加熱素子２５を含む。本実施形態において、ジルコニウム含有膜形成組成物１０は固体または液体形態であり得る。特にこれらに限定されないが、窒素、アルゴン、ヘリウムおよびこれらの混合物を含む不活性ガスが入口流路３０に導入される。不活性ガスはジルコニウム含有膜形成組成物１０に通気され、不活性ガスと気化されたジルコニウム含有膜形成組成物１０との混合物を出口流路４０、半導体処理ツールにおける構成要素に運ぶ。
【００７６】
図１および図２は共にバルブ３５および４５を含む。バルブ３５および４５は、それぞれ流路３０および４０を通る流れを許容する開または閉位置に位置され得ることを当業者は認識するであろう。ジルコニウム含有膜形成組成物１０が蒸気形態である場合、または、固体／液体相の上方に十分な蒸気圧が存在する場合には、図１もしくは図２中の送出デバイス１のいずれか、または、存在するいずれかの固体もしくは液体の表面の上方に終端を有する単一の流路を備えるよりシンプルな送出デバイスを使用し得る。この場合、ジルコニウム含有膜形成組成物１０は、単にバルブ４５を開けることにより蒸気形態で流路４０を介して送出される。送出デバイス１は、例えば任意選択の加熱素子２５を使用することにより、ジルコニウム含有膜形成組成物１０を蒸気形態で送出するための十分な蒸気圧を達成する好適な温度で維持されてもよい。
【００７７】
図１および図２においてジルコニウム含有膜形成組成物送出デバイス１に係る２種の実施形態が開示されているが、本明細書における開示を逸脱することなく、入口流路３０および出口流路４０は共にジルコニウム含有膜形成組成物１０の表面１１の上方または下方に位置していてもよいことを当業者は認識するであろう。さらに、入口流路３０は充填ポートであってもよい。最後に、本明細書における教示を逸脱することなく、本開示のジルコニウム含有膜形成組成物は、国際公開第２００６／０５９１８７号パンフレット（Ｊｕｒｃｉｋ  ｅｔ  ａｌ．）に開示されているアンプルなどの他の送出デバイスを用いて半導体処理ツールに送出されてもよいことを当業者は認識するであろう。
【００７８】
また、蒸着プロセスを用いて基板上にジルコニウム含有層を形成する方法が開示されている。この方法は、半導体、光起電力、ＬＣＤ−ＴＦＴまたはフラットパネル型デバイスの製造に有用であり得る。本開示のジルコニウム含有膜形成組成物は、当業者に公知である任意の堆積方法を用いてジルコニウム含有薄膜を堆積するために用いられ得る。
【００７９】
好適な堆積方法の例としては、特に限定されないが、化学蒸着（ＣＶＤ）または原子層堆積（ＡＬＤ）が挙げられる。例示的なＣＶＤ法としては、熱ＣＶＤ、プラズマ促進ＣＶＤ（ＰＥＣＶＤ）、パルスＣＶＤ（ＰＣＶＤ）、低圧ＣＶＤ（ＬＰＣＶＤ）、準常圧ＣＶＤ（ＳＡＣＶＤ）、大気圧ＣＶＤ（ＡＰＣＶＤ）、熱線ＣＶＤ（ＨＷＣＶＤ、熱線が堆積プロセスのためのエネルギー源とされる触媒ＣＶＤとしても知られている）、ラジカル取り込み型ＣＶＤ（ｒａｄｉｃａｌｓ  ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ  ＣＶＤ）およびこれらの組み合わせが挙げられる。例示的なＡＬＤ方法としては、熱ＡＬＤ、プラズマ促進ＡＬＤ（ＰＥＡＬＤ）、空間分離ＡＬＤ、熱線ＡＬＤ（ＨＷＡＬＤ）、ラジカル取り込み型ＡＬＤ（ｒａｄｉｃａｌｓ  ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ  ＡＬＤ）およびこれらの組み合わせが挙げられる。超臨界流体堆積法もまた用いられ得る。堆積法は、好適なステップカバレッジおよび膜厚制御を達成するためにＡＬＤ、ＰＥ−ＡＬＤまたは空間ＡＬＤであることが好ましい。
【００８０】
ＺｒＯ２の立方晶／正方結晶相が、異なるＺｒＯ２結晶形態（立方晶、正方結晶、アモルファス、単斜晶、斜方晶、およびこれらの組み合わせが利用可能な結晶相である）のうち誘電率がもっとも高いものである。Ｓｉなどのイオン半径が小さい４価のドーパントのドープレベル（３〜１２％）が、正方晶ジルコニア相の安定化に最も効率的であると実験的に報告されている。正方晶ＺｒＯ２構造においてＺｒ原子がＳｉによって置き換えることで、Ｓｉ−Ｏ結合が、ＳｉＯ２におけるものと同様の長さに短くなる。従って、ＺｒＯ２は、酸化物の「親和的」な局所的環境に容易に組み込まれるＳｉに対する優れたホストである（Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．１０６，０２４１０７，２００９）。Ｓｉは４価であり、従って、Ｏ空格子点を導入することなく格子中のＺｒを置き換えることが利点である。実施例４において示されている予備的なＲ＆Ｄテスト結果では、Ｚｒ（Ｍｅ３ＳｉＣｐ）（ＮＭｅ２）３を用いた堆積で不純物による汚染をほとんど伴うことなく２０原子％未満のＳｉがもたらされていることが示されており、これは、酸化ジルコニウム膜の所望の結晶相を堆積可能とするためにこれらの前駆体が有望であることを実証するものである。
【００８１】
本出願人らは、Ｚｒ単独またはＺｒおよびＳｉの両方をジルコニウム含有層において堆積させ得るよう、蒸着プロセス条件を制御し得ると考えている。例えば、いくらかの寄生ＣＶＤが示されるようなＡＬＤパラメータの調節は、有限量のＳｉをＺｒＯ２層に堆積させるのに有用であり得る。あるいは、ＺｒＯ２膜中のケイ素含有量は、本開示のジルコニウム含有膜形成組成物を用いる（Ｚｒ、Ｓｉ）Ｏ２膜の堆積および他のジルコニウム含有前駆体を用いるＺｒＯ２の堆積を変更することによって制御し得る。例えば、ＺｒＣｐ（ＮＭｅ２）３、Ｚｒ（ＭｅＣｐ）（ＮＭｅ２）３またはＺｒ（ＥｔＣｐ）（ＮＭｅ２）３は、純粋なＺｒＯ２膜を得るためのＺｒ含有前駆体とされ得る。換言すると、ジルコニウム含有膜形成組成物を用いるｘサブサイクルの（Ｚｒ、Ｓｉ）Ｏ２堆積と、ＺｒＣｐ（ＮＭｅ２）３などのジルコニウム含有前駆体と用いるｙサブサイクルの純粋なＺｒＯ２堆積とを交互に行い得る。ｘサブサイクルの（Ｚｒ、Ｓｉ）Ｏ２とｙサブサイクルの純粋なＺｒＯ２とから構成されるスーパーサイクルを繰り返して所望の厚さの（Ｚｒ、Ｓｉ）Ｏ２膜を達成し得、ここで、ｘおよびｙは１以上２０以下の範囲である整数である。ＺｒおよびＳｉ含有量は、ｘおよびｙを調節することにより制御し得る。
【００８２】
あるいは、ＺｒＯ２膜中のケイ素含有量は、本開示のジルコニウム含有膜形成組成物およびジルコニウム含有前駆体の両方を含有する混合物を用いて（Ｚｒ、Ｓｉ）Ｏ２膜を堆積させることにより制御し得る。例えば、ＺｒＣｐ（ＮＭｅ２）３、Ｚｒ（ＭｅＣｐ）（ＮＭｅ２）３、Ｚｒ（ＥｔＣｐ）（ＮＭｅ２）３、Ｚｒ（ｉＰｒＣｐ）（ＮＭｅ２）３またはＺｒ（ｔＢｕＣｐ）（ＮＭｅ２）３はＺｒ含有前駆体とされ得る。ＺｒおよびＳｉ含有量は、混合物中のジルコニウム含有膜形成組成物とジルコニウム含有前駆体との比率を調節することにより制御し得る。
【００８３】
本開示のジルコニウム含有膜形成組成物は、そのままの形態で、または、エチルベンゼン、キシレン、メシチレン、デカンもしくはドデカンなどの好適な溶剤とのブレンドで供給され得る。本開示の組成物は溶剤中に様々な濃度で存在し得る。
【００８４】
そのままもしくはブレンドしたジルコニウム含有膜形成組成物は、チューブおよび／またはフローメータなどの従来の手段により蒸気形態で反応器に導入される。蒸気形態の組成物は、そのまま、もしくは、ブレンドした組成物を直接気化、蒸留、ダイレクトリキッドインジェクションなどの従来の気化ステップを介して気化することにより、または、通気により、または、国際公開第２００９／０８７６０９号パンフレット（Ｘｕ  ｅｔ  ａｌ．）に開示されているものなどの昇華器を用いることにより生成し得る。そのままもしくはブレンドした組成物を液体状態で気化器に供給してもよく、その中で、反応器に導入される前に気化される。あるいは、そのままもしくはブレンドした組成物は、キャリアガスを組成物を含有する容器中に通すことにより、または、キャリアガスを組成物中に通気させることにより気化してもよい。キャリアガスとしては、特に限定されないが、Ａｒ、Ｈｅ、Ｎ２、およびこれらの混合物が挙げられ得る。キャリアガスを通気させることで、そのままもしくはブレンドした組成物中に存在する溶解酸素も除去し得る。次いで、キャリアガスおよび組成物が反応器に蒸気として導入される。
【００８５】
必要に応じて、開示の組成物の容器を、組成物が液体相であるが十分な蒸気圧を有することとなる温度に加熱してもよい。この容器は、例えば、およそ０℃〜およそ１５０℃の範囲内の温度で維持されればよい。当業者は、容器の温度を公知の様式で調節して気化される組成物の量を制御し得ることを認識している。
【００８６】
反応器は、特に限定されないが、パラレルプレートタイプ反応器、コールドウォールタイプ反応器、ホットウォールタイプ反応器、シングル−ウェハ反応器、マルチ−ウェハ反応器（すなわち、バッチ反応器）、または、前駆体を反応させて層を形成するのに好適な条件下における他のタイプの堆積システムなどの堆積法が中で行われる任意の筐体またはデバイス中のチャンバであり得る。
【００８７】
一般に、反応器は、薄膜が上に堆積されることとなる基板を含有する。基板は一般に、プロセスが実施される材料と定義される。基板は、半導体、光起電力、フラットパネルまたはＬＣＤ−ＴＦＴデバイスの製造において用いられる任意の好適な基板であり得る。好適な基板の例としては、ケイ素、シリカ、ガラスまたはＧａＡｓウェハなどのウェハが挙げられる。ウェハは、以前の製造ステップで堆積された異なる材料の１つまたは複数の層を有していてもよい。例えば、ウェハは、ケイ素層（結晶性、アモルファス、多孔性等）、酸化ケイ素層、窒化ケイ素層、ケイ素酸化窒化物層、炭素ドープ酸化ケイ素（ＳｉＣＯＨ）層、または、これらの組み合わせを含んでいてもよい。追加して、これらのウェハは、銅層、タングステン層または貴金属層（例えば、白金、パラジウムロジウムまたは金）を含んでいてもよい。ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）ポリ（スチレンスルホネート）［ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ］などのプラスチック層もまた用いられ得る。これらの層は平坦であってもパターン化されていてもよい。
【００８８】
本開示のプロセスでは、ウェハ上に直接、または、ウェハの最上部における１つもしくは２つ以上の層（基板からのパターン化層である場合）上に直接Ｚｒ含有層を堆積し得る。基板は、パターン化されてアスペクト比が高いビアまたはトレンチを含んでいてもよい。例えば、およそ２０：１〜およそ１００：１の範囲のアスペクト比を有する貫通ケイ素ビア（ＴＳＶ）に、ＺｒＯ２などのコンフォーマルなＺｒ含有膜を任意のＡＬＤ技術を用いて堆積し得る。さらに、本明細書において用いられている「膜」または「層」という用語は、表面上に積層されているか分布されているいくらかの材料の厚みを指し、この表面はトレンチまたはラインであり得ることを当業者は認識するであろう。明細書および特許請求の範囲の全体を通して、ウェハおよびその上のいずれかの付随する層は基板と称される。例えば、ＺｒＯ２膜をスズ基板上に堆積し得る。その後の処理において、スズ層をＺｒＯ２層上に堆積して、ＤＲＡＭコンデンサとして用いられるスズ／ＺｒＯ２／スズスタックを形成し得る。
【００８９】
反応器中の温度および圧力は蒸着に好適な条件で保持される。換言すると、気化された組成物をチャンバ中に導入した後は、チャンバ中の条件は、前駆体の少なくとも一部が基板上に堆積してジルコニウム含有膜を形成するようなものとされる。例えば、反応器中の圧力は、堆積パラメータに係る要求に応じて、約１Ｐａ〜約１０５Ｐａ、より好ましくは約２５Ｐａ〜約１０３Ｐａで保持され得る。同様に、反応器中の温度は、約１００℃〜約５００℃、好ましくは約１５０℃〜約４００℃に保持され得る。「前駆体の少なくとも一部を堆積する」とは、本開示のＺｒ含有膜形成組成物中の前駆体のいくらかまたはすべてが、単独でまたは反応体による補助を伴って、基板と反応するかまたは基板に付着することを意味することを当業者は認識するであろう。
【００９０】
反応器の温度は、基板ホルダの温度を制御することにより、または、反応器の壁の温度を制御することにより制御し得る。基板の加熱に用いられるデバイスは技術分野において公知である。反応器の壁は、所望の膜を、十分な成長速度、ならびに所望の物理的状態および組成で得るために十分な温度に加熱される。反応器の壁を加熱し得る非限定的で例示的な温度範囲はおよそ１００℃〜およそ５００℃を含む。プラズマ堆積プロセスを利用する場合、堆積温度はおよそ１５０℃〜およそ４００℃の範囲であり得る。あるいは、熱プロセスを行う場合、堆積温度はおよそ２００℃〜およそ５００℃の範囲であり得る。
【００９１】
本開示の前駆体に追加して、反応体もまた反応器に導入され得る。反応体は、Ｏ２、Ｏ３、Ｈ２Ｏ、Ｈ２Ｏ２、ＮＯ、Ｎ２Ｏ、ＮＯ２などの酸化性ガス、Ｏ・またはＯＨ・などの酸素含有ラジカル、ＮＯ、ＮＯ２、カルボン酸、ギ酸、酢酸、プロピオン酸およびこれらの混合物であり得る。Ｏ２は、１Δｇ一重項酸素、１Σｇ＋一重項酸素、従来の３Σｇ−三重項酸素、または、これらの組み合わせを含み得る。より高エネルギー状態のＯ２は、伊藤らによって特開２０１２／０８７０２５号公報に開示されているものなどの電気放電、光増感剤の照射を用いて、または、Ｖｅｌａｓｑｕｅｚ−Ｇａｒｃｉａ  ｅｔ  ａｌ．（Ｊ  Ｍｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍｓ  Ｖｏｌ．１６，Ｎｏ．６，Ｄｅｃｅｍｂｅｒ  ２００７）によって開示されているものなどのＭＥＭＳチップにより生成され得る。本出願人らは、一重項酸素と三重項酸素および／またはオゾンとの混合物が、高エネルギー状態のＯ２の寿命が短いために下位の基板に損傷を与えることがなく、好適な反応性をもたらし得ると考えている。あるいは、酸化性ガスは、Ｏ２、Ｏ３、Ｈ２Ｏ、Ｈ２Ｏ２、Ｏ・またはＯＨ・などのその酸素含有ラジカル、およびこれらの混合物からなる群から選択される。
【００９２】
あるいは、反応体は、Ｈ２、Ｈ２ＣＯ、ＮＨ３、ＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６、Ｓｉ３Ｈ８、（ＣＨ３）２ＳｉＨ２、（Ｃ２Ｈ５）２ＳｉＨ２、（ＣＨ３）ＳｉＨ３、（Ｃ２Ｈ５）ＳｉＨ３、フェニルシラン、Ｎ２Ｈ４、Ｎ（ＳｉＨ３）３、Ｎ（ＣＨ３）Ｈ２、Ｎ（Ｃ２Ｈ５）Ｈ２、Ｎ（ＣＨ３）２Ｈ、Ｎ（Ｃ２Ｈ５）２Ｈ、Ｎ（ＣＨ３）３、Ｎ（Ｃ２Ｈ５）３、（ＳｉＭｅ３）２ＮＨ、（ＣＨ３）ＨＮＮＨ２、（ＣＨ３）２ＮＮＨ２、フェニルヒドラジン、Ｎ含有分子、Ｂ２Ｈ６、９−ボラビシクロ［３，３，１］ノナン、ジヒドロベンゼンフラン、ピラゾリン、トリメチルアルミニウム、ジメチル亜鉛、ジエチル亜鉛、これらのラジカル種、およびこれらの混合物などの還元ガスであり得る。好ましくは、還元ガスは、Ｈ２、ＮＨ３、ＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６、Ｓｉ３Ｈ８、ＳｉＨ２Ｍｅ２、ＳｉＨ２Ｅｔ２、Ｎ（ＳｉＨ３）３、これらの水素ラジカル、または、これらの混合物である。
【００９３】
反応体は、反応体をそのラジカル形態に分解するためにプラズマで処理し得る。Ｎ２もまた、プラズマで処理した場合に還元ガスとして利用し得る。例えば、プラズマは、約５０Ｗ〜約５００Ｗ、好ましくは約１００Ｗ〜約４００Ｗの範囲の電力で発生し得る。プラズマは、反応器自体の中で発生しても、その中に存在していてもよい。あるいは、プラズマは、一般に、反応器から離れた場所、例えば、離して位置されたプラズマシステムにおいて発生され得る。このようなプラズマ処理に好適な方法および装置を当業者は認識するであろう。
【００９４】
例えば反応体は、反応チャンバ内でプラズマを発生するダイレクトプラズマ反応器に導入されて、反応チャンバ中において被プラズマ処理反応体をもたらしてもよい。例示的なダイレクトプラズマ反応器としては、Ｔｒｉｏｎ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓにより生産されるＴｉｔａｎ（商標）ＰＥＣＶＤ  Ｓｙｓｔｅｍが挙げられる。反応体はプラズマ処理に先行して反応チャンバ内に導入され保持され得る。あるいは、プラズマ処理は反応体の導入と同時に行っても良い。ｉｎ−ｓｉｔｕプラズマは典型的には、シャワーヘッドと基板ホルダとの間に発生される１３．５６ＭＨｚ  ＲＦ融合結合プラズマである。基板またはシャワーヘッドは、陽イオン衝撃が生じるかどうかに応じて電源に接続された電極であり得る。ｉｎ−ｓｉｔｕプラズマ発生器において典型的に印加される電力はおよそ３０Ｗ〜およそ１０００Ｗである。好ましくは、およそ３０Ｗ〜およそ６００Ｗの電力が本開示の方法において用いられる。より好ましくは、電力は、およそ１００Ｗ〜およそ５００Ｗの範囲である。ｉｎ−ｓｉｔｕプラズマを用いる反応体の電離は、典型的には、同一の電力入力に係る遠隔プラズマ源を用いて達成されるものよりも少なく、従って、反応体電離においては、プラズマによって容易に損傷を受ける基板上へのジルコニウム含有膜の堆積に有益であり得る遠隔プラズマシステムほど効率的ではない。
【００９５】
あるいは、被プラズマ処理反応体は反応チャンバの外では生成されてもよい。ＭＫＳ  Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ製のＡＳＴＲＯＮｉ（登録商標）反応性ガス発生器を用いて反応チャンバに流す前に反応体を処理してもよい。２．４５ＧＨｚ、７ｋＷプラズマ電力、およびおよそ０．５Ｔｏｒｒ〜およそ１０Ｔｏｒｒの範囲の圧力で操作することで、反応体Ｏ２を２つのＯ・ラジカルに分解し得る。好ましくは、遠隔プラズマを約１ｋＷ〜約１０ｋＷ、より好ましくは約２．５ｋＷ〜約７．５ｋＷの範囲の電力で発生し得る。
【００９６】
チャンバ中の蒸着条件によって、本開示の前駆体と反応体とを反応させて、基板上にジルコニウム含有膜を形成させる。いくつかの実施形態において、本出願人らは、反応体をプラズマ処理することで、本開示の前駆体との反応に必要とされるエネルギーを有する反応体が得られ得ると考えている。
【００９７】
どのようなタイプの膜の堆積が所望されるかに応じて、追加の前駆体化合物を反応器に導入しても良い。追加の前駆体を用いることで同一の（すなわち、Ｚｒ）または追加の元素をジルコニウム含有膜に提供し得る。追加の元素としては、ハフニウム、ニオビウム、タンタル、ランタノイド（イッテルビウム、エルビウム、ジスプロシウム、ガドリニウム、プラセオジム、セリウム、ランタン、イットリウム）、ゲルマニウム、ケイ素、チタン、マンガン、コバルト、ニッケル、ルテニウム、ビスマス、鉛、マグネシウム、アルミニウム、または、これらの混合物が挙げられ得る。追加の前駆体が利用される場合、基板上に堆積されて得られる膜は、ジルコニウムを少なくとも１種の追加の元素との組み合わせで含有していてもよい。
【００９８】
ジルコニウム含有膜形成組成物および反応体は、同時に（化学蒸着）、順次に（原子層堆積）、または、異なるこれらの組み合わせで反応器に導入され得る。反応器は、組成物の導入と、反応体の導入との間に不活性ガスでパージし得る。あるいは、反応体および組成物を一緒に混合して、反応体／組成物混合物を形成し、次いで、混合物形態で反応器に導入してもよい。他の例は、反応体を連続的に導入し、およびジルコニウム含有膜形成組成物をパルスで導入するものである（パルス化学蒸着）。
【００９９】
気化した組成物および反応体は、順次または同時にパルス（例えばパルスＣＶＤ）で反応器に導入され得る。組成物の各パルスは、約０．０１秒間〜約１０秒間、あるいは約０．３秒間〜約３秒間、あるいは約０．５秒間〜約２秒間範囲の時間継続され得る。他の実施形態においては、反応体もまた、反応器にパルスで導入され得る。このような実施形態において、各ガスのパルスは、約０．０１秒間〜約１０秒間、あるいは約０．３秒間〜約３秒間、あるいは約０．５秒間〜約２秒間の範囲の時間継続され得る。他の代替例においては、下方で複数枚のウェハを保持するサセプタが回転しているシャワーヘッドから、気化した組成物および１種または複数種の反応体を同時に噴霧してもよい（空間ＡＬＤ）。
【０１００】
特定のプロセスパラメータに応じて、堆積は様々な長さの時間をかけて行われ得る。一般に、堆積は、必要な特性を有する膜を形成するために所望されるか、または、必要とされる長さの時間で継続が許容され得る。典型的な薄膜厚は、特定の堆積プロセスに応じて数オングストローム〜数百ミクロンで様々であり得る。堆積プロセスはまた、所望される膜厚を達成するために必要とされる多くの回数で行われ得る。
【０１０１】
第１の非限定的で例示的なＣＶＤタイププロセスにおいて、本開示のジルコニウム含有膜形成組成物の気相および反応体は、同時に反応器に導入される。これら２つが反応して、得られるジルコニウム含有薄膜が形成される。この例示的なＣＶＤプロセスにおける反応体がプラズマで処理される場合、例示的なＣＶＤプロセスは例示的なＰＥＣＶＤプロセスとなる。反応体は、チャンバへ導入する前またはその後にプラズマで処理し得る。
【０１０２】
第１の非限定的で例示的なＡＬＤタイププロセスにおいては、本開示のジルコニウム含有膜形成組成物の気相を反応器に導入し、その中で、好適な基板と接触させる。次いで、反応器をパージおよび／または排気することにより、過剰量の組成物を反応器から除去してもよい。反応体（例えば、Ｈ２）を反応器に導入し、その中で、物理−または化学−吸着前駆体と自己制御式に反応させる。過剰量の反応体はすべて、反応器をパージおよび／または排気することにより、反応器から除去する。所望の膜がジルコニウム膜である場合には、この２ステッププロセスにより所望の膜厚を達成し得るか、または、この２ステッププロセスを必要な厚さを有する膜が得られるまで繰り返し得る。
【０１０３】
あるいは、所望の膜がジルコニウムおよび第２の元素を含有する場合、上記の２ステッププロセスに続いて、追加の前駆体化合物の蒸気を反応器に導入してもよい。追加の前駆体化合物は、堆積されているジルコニウム膜の性質に基づいて選択されることとなる。反応器に導入した後、追加の前駆体化合物は基板と接触する。過剰量の前駆体化合物は、反応器をパージおよび／または排気することにより、反応器から除去する。再度、反応体を反応器に導入して、物理−または化学−吸着前駆体化合物と反応させ得る。過剰量の反応体ガスは、反応器をパージおよび／または排気することにより、反応器から除去する。所望の膜厚が達成されたら、プロセスを終了し得る。しかしながら、より厚い膜が所望される場合、４ステッププロセス全体を繰り返してもよい。ジルコニウム含有膜形成組成物の供給量を変更することにより、追加の前駆体化合物および反応体、所望の組成物および厚さの膜を堆積することが可能である。
【０１０４】
この例示的なＡＬＤプロセスにおける反応体をプラズマで処理する場合、例示的なＡＬＤプロセスは例示的なＰＥＡＬＤプロセスとなる。反応体は、チャンバへ導入する前またはその後にプラズマで処理し得る。
【０１０５】
第２の非限定的で例示的なＡＬＤタイププロセスにおいては、例えば（トリメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（ジメチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）といった本開示のＺｒ含有膜形成組成物の１種の気相を反応器に導入し、その中でスズ基板と接触させる。次いで、反応器をパージおよび／または排気することにより、過剰量のＺｒ含有膜形成組成物を反応器から除去してもよい。反応体（例えば、Ｏ３）を反応器に導入し、その中で、物理−または化学−吸着前駆体と自己制御式に反応させて、ＺｒＯ２または（Ｚｒ、Ｓｉ）Ｏ２膜を形成する。過剰量の反応体はすべて、反応器をパージおよび／または排気することにより、反応器から除去する。これらの２つのステップを、ＺｒＯ２または（Ｚｒ、Ｓｉ）Ｏ２膜が所望の厚さとなるまで繰り返してもよい。次いで、スズ層をＺｒＯ２または（Ｚｒ、Ｓｉ）Ｏ２層の上に堆積し得る。得られるスズ／ＺｒＯ２／スズまたはスズ／（Ｚｒ、Ｓｉ）Ｏ２／スズスタックは、ＤＲＡＭコンデンサにおいて用いられ得る。
【０１０６】
第３の非限定的で例示的なＡＬＤタイププロセスにおいては、例えば（トリメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（ジメチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）といった本開示のＺｒ含有膜形成組成物の１種の気相を第１のステップにおいて反応器に導入し、その中で、スズ基板と接触させる。次いで、反応器をパージおよび／または排気することにより、過剰量のＺｒ含有膜形成組成物を反応器から除去してもよい。反応体（例えば、Ｏ３）を反応器に導入し、その中で、化学−または物理−吸着前駆体と自己制御式に反応させて、（Ｚｒ、Ｓｉ）Ｏ２膜を形成する。過剰量の反応体はすべて、反応器をパージおよび／または排気することにより、反応器から除去する。これらの２つのステップをサブサイクルとみなし、ｘ回繰り返すことで所望の厚さの（Ｚｒ、Ｓｉ）Ｏ２膜を達成してもよい。
【０１０７】
第２のステップにおいては、例えば（メチル）シクロペンタジエニルトリス（ジメチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）または（エチル）シクロペンタジエニルトリス（ジメチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）といったＺｒ含有前駆体の気相を同じ反応器に導入する。次いで、反応器をパージおよび／または排気することにより、過剰量のＺｒ含有前駆体を反応器から除去してもよい。反応体（例えば、Ｏ３）を反応器に導入し、その中で、化学−または物理−吸着Ｚｒ含有前駆体と自己制御式に反応させて、ＺｒＯ２膜を形成する。過剰量の反応体はすべて、反応器をパージおよび／または排気することにより、反応器から除去する。これらの２つのステップをサブサイクルとみなし、ｙ回繰り返すことで所望の厚さの純粋なＺｒＯ２膜を達成してもよい。ｘサブサイクルの（Ｚｒ、Ｓｉ）Ｏ２とｙサブサイクルのＺｒＯ２とから構成されるスーパーサイクルを繰り返して、所望の厚さの（Ｚｒ、Ｓｉ）Ｏ２膜を達成し得る。ＺｒおよびＳｉ含有量は、ｘおよびｙのサイクル数（ｘおよびｙは独立して、１〜２０の範囲であり得る）を調節することにより制御し得る。次いで、スズ層をＺｒＯ２または（Ｚｒ、Ｓｉ）Ｏ２層の上に堆積し得る。得られるスズ／ＺｒＯ２／スズまたはスズ／（Ｚｒ、Ｓｉ）Ｏ２／スズスタックはＤＲＡＭコンデンサにおいて用いられ得る。
【０１０８】
第４の非限定的で例示的なＡＬＤタイププロセスにおいては、例えば（トリメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（ジメチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）といった本開示のＺｒ含有膜形成組成物と、例えば（イソプロピル）シクロペンタジエニルトリス（ジメチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）または（ｔ‐ブチル）シクロペンタジエニルトリス（ジメチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）といったＺｒ含有前駆体を含有する混合物の気相を反応器に導入し、その中で、例えばスズ、ＮｂＮ、Ｒｕ、ＴｉＯ２、ＭｏＯ２またはＭｏＯ３といった基板と接触させる。次いで、反応器をパージおよび／または排気することにより、過剰量の混合物を反応器から除去してもよい。反応体（例えば、Ｏ３）を反応器に導入し、その中で、化学−または物理−吸着前駆体と自己制御式に反応させて、（Ｚｒ、Ｓｉ）Ｏ２膜を形成する。過剰量の反応体はすべて、反応器をパージおよび／または排気することにより、反応器から除去する。これらの２つのステップを、（Ｚｒ、Ｓｉ）Ｏ２膜が所望の厚さとなるまで繰り返してもよい。ＺｒおよびＳｉ含有量は、混合物中のジルコニウム含有膜形成組成物とジルコニウム含有前駆体との比率を調節することにより制御し得る。スズ層を（Ｚｒ、Ｓｉ）Ｏ２層の上に堆積し得る。得られるスズ／ＺｒＯ２／スズまたはスズ／（Ｚｒ、Ｓｉ）Ｏ２／スズスタックは、ＤＲＡＭコンデンサにおいて用いられ得る。
【０１０９】
上記において考察されているプロセスにより得られるジルコニウム含有膜は、純粋なジルコニウム、ジルコニウムシリサイド（ＺｒｋＳｉｌ）、酸化ジルコニウム（ＺｒｍＯｎ）、ケイ素−ドープ酸化ジルコニウム（ＺｒｏＳｉｐＯｑ）、窒化ジルコニウム（ＺｒｒＮｓ）、またはケイ素−ドープ窒化ジルコニウム（ＺｒｔＳｉｕＮｖ）を含み得、ここで、ｋ、ｌ、ｍ、ｎ、ｏ、ｐ、ｑ、ｒ、ｓ、ｔ、ｕおよびｖは、１以上６以下の範囲である整数である。適切な開示されているＺｒ含有膜形成組成物、任意選択の前駆体化合物および反応体種を公正に選択することで、所望の膜組成を達成し得ることを当業者は認識するであろう。
【０１１０】
所望の膜厚を達成した後、熱アニーリング、炉アニーリング、急速熱アニーリング、ＵＶまたはｅ−ビーム硬化および／またはプラズマガス露出などのさらなる処理に膜を供し得る。当業者は、これらの追加の処理ステップを行うために利用されるシステムおよび方法を認識している。例えば、ジルコニウム含有膜は、およそ２００℃〜およそ１０００℃の範囲の温度に、およそ０．１秒間〜およそ７２００秒間の範囲の時間をかけて、不活性雰囲気下、Ｈ含有雰囲気下、Ｎ含有雰囲気下、Ｏ含有雰囲気下またはこれらの組み合わせにおいて、露出し得る。温度４００℃、３６００秒間、Ｈ含有雰囲気またはＯ含有雰囲気下であることがもっとも好ましい。得られる膜は含有される不純物が少なく、従って、密度が向上しており、結果として、漏れ電流が向上し得る。アニーリングステップは、堆積プロセスを行ったものと同じ反応チャンバ中で行ってもよい。あるいは、基板を反応チャンバから取り出し、アニーリング／フラッシュアニーリングプロセスを別の装置において実施してもよい。上記の後処理方法はいずれも（熱アニーリングは特に）、ジルコニウム含有膜の炭素および窒素汚染の低減に効果的であることが見出された。これにより、膜の抵抗率も向上する傾向にある。
【実施例】
【０１１１】
以下の実施例は、本明細書における開示と併せて、実施した実験を例示するものである。これらの実施例は、すべて包括的であることは意図されておらず、本明細書に記載の開示の範囲を限定することも意図されていない。
【０１１２】
実施例１：（トリメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（ジメチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）の合成［Ｚｒ（ＴＭＳ−Ｃｐ）（ＮＭｅ２）３］
Ｚｒ（ＮＭｅ２）４（６６．９ｇ、０．２５ｍｏｌ）のｃａ．３００ｍＬのトルエン中の溶液に、室温で、新たに蒸留したＴＭＳＣｐＨ（３４．１ｇ、０．２５ｍｏｌ）を滴下した。混合物を一晩撹拌した。次いで、溶剤を減圧下で除去して、明るい黄色の液体を得た。次いで、材料を１３０℃、１８０ｍＴｏｒｒで蒸留により精製して、６８．９ｇ（７６％）の純粋な黄色の液体を得た。ＮＭＲ１Ｈスペクトルを図３に示す。ＮＭＲ１Ｈ（δ，ｐｐｍ，Ｃ６Ｄ６）：６．２８（ｍ，４Ｈ），２．９４（ｓ，１８Ｈ），０．２７（ｓ，９Ｈ）。
【０１１３】
油は、窒素を２００ｍＬ／分流す雰囲気において１０℃／分の昇温速度で計測するＴＧＡ分析の最中に、３．６％の残渣塊を残した。これらの結果は、温度上昇に伴う重量損失割合（ＴＧＡ）および示差温度（ＤＴＡ）を示すＴＧＡ／ＤＴＡグラフである図６に示されている。
【０１１４】
実施例２：（ジメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（ジメチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）の合成［Ｚｒ（ＤＭＳ−Ｃｐ）（ＮＭｅ２）３］
Ｚｒ（ＮＭｅ２）４（１．２３ｇ、４．６ｍｍｏｌ）のｃａ．２０ｍＬのトルエン中の溶液に、室温で、新たに蒸留したＤＭＳＣｐ（０．７３ｇ、４．６ｍｍｏｌ）を滴下した。混合物を一晩撹拌した。次いで、溶剤を減圧下で除去して、明るい黄色の液体を得た。次いで、材料を１２０℃、１４ｍＴｏｒｒで蒸留により精製して、０．６３ｇ（４０％）の純粋な黄色の液体を得た。ＮＭＲ１Ｈスペクトルを図４に示す。ＮＭＲ１Ｈ（δ，ｐｐｍ，Ｃ６Ｄ６）：６．２６〜６．２９（ｍ，４Ｈ），４．６５（ｍ，１Ｈ），２．９４（ｓ，１８Ｈ），０．２７（ｄ，６Ｈ）。
【０１１５】
油は、窒素を２００ｍＬ／分流す雰囲気において１０℃／分の昇温速度で計測するＴＧＡ分析の最中に、２７％の残渣塊を残した。これらの結果は、温度上昇に伴う重量損失割合（ＴＧＡ）および示差温度（ＤＴＡ）を示すＴＧＡ／ＤＴＡグラフである図７に示されている。
【０１１６】
実施例３：（トリメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（イソプロポキシ）ジルコニウム（ＩＶ）の合成［Ｚｒ（ＴＭＳ−Ｃｐ）（ＯｉＰｒ）３］
Ｚｒ（ＴＭＳＣｐ）（ＮＭｅ２）３（２．００ｇ、５．５ｍｍｏｌ）のｃａ．２０ｍＬのＴＨＦ中の溶液に、０℃で、無水イソプロパノール（１．００ｇ、１６．６ｍｍｏｌ）を滴下した。混合物を室温で一晩撹拌した。次いで、溶剤を減圧下で除去して、黄色の油を得た。次いで、材料を１００℃で蒸留により精製して、１．２８ｇ（５７％）の純粋な薄い黄色の油を得た。ＮＭＲ１Ｈスペクトルを図５に示す。ＮＭＲ１Ｈ（δ，ｐｐｍ，Ｃ６Ｄ６）：６．５９（ｔ，２Ｈ），６．４２（ｔ，２Ｈ），４．２４（ｍ，３Ｈ），１．１６（ｄ，１８Ｈ），０．３６（ｓ，９Ｈ）。
【０１１７】
油は、窒素を２００ｍＬ／分流す雰囲気において１０℃／分の昇温速度で計測するＴＧＡ分析の最中に、２．５％の残渣塊を残した。これらの結果は、温度上昇に伴う重量損失割合（ＴＧＡ）および示差温度（ＤＴＡ）を示すＴＧＡ／ＤＴＡグラフである図８に示されている。
【０１１８】
実施例４：（トリメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（ジメチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＴＭＳ−Ｃｐ）（ＮＭｅ２）３）のＡＬＤ
６０℃に加熱した容器において酸化性反応体としてのＯ３中に入れた、実施例１において調製した（トリメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（ジメチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）を用いて、ＡＬＤテストを行った。典型的なＡＬＤ条件を、約０．５Ｔｏｒｒに固定した反応器圧力と共に用いた。完全表面飽和および反応を伴うＡＬＤ挙動を、２００〜４５０℃の温度範囲内においてケイ素ウェハ上で評価した。図９は、温度に応じた、（トリメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（ジメチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）を用いるＡＬＤモードにおけるＺｒＯの成長速度を示す。成長速度は、２００℃〜３７５℃（前駆体が熱分解しない最大ＡＬＤ温度）で０．５６〜０．７Å／サイクルであると評価された。図１０は、３００℃および３７５℃における前駆体の導入時間に応じた、（トリメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（ジメチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）を用いるＡＬＤモードにおけるＺｒＯの成長速度を示す。３７５℃以下で観察された前駆体導入時間による安定した成長速度を伴う完全な飽和により、この前駆体における格段の熱安定性が実証されている。
【０１１９】
図１１および図１２は、それぞれ３００℃および３７５℃で生成された膜のＸ線光電子分光（ＸＰＳ）分析を示す。図１３は、（トリメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（ジメチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）を３２５℃で用いて、１：１０のアスペクト比パターンを有するウェハにおいて堆積された膜の走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を示し、１００％ステップカバレッジ性能を示す。図１４もまた、（トリメチルシリル）シクロペンタジエニルトリス（ジメチルアミノ）ジルコニウム（ＩＶ）を３２５℃で用いて、１：４０のアスペクト比パターンを有するウェハにおいて堆積された膜のＳＥＭを示し、８５％ステップカバレッジ性能を示す。
【０１２０】
本発明の性質を説明するために本明細書において記載および例示されている詳細、材料、ステップおよび部品の配置における多くの追加的な変更が、添付の特許請求の範囲に表記されている本発明の原理および範囲内で当業者によってなされ得ることが理解されるであろう。それ故、本発明は、上記の実施例および／または添付の図面中の特定の実施形態に限定されることは意図されていない。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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