(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明基材と、該透明基材の一方の面に画定された凹凸構造領域に位置する凹凸構造と、前記透明基材の他方の面に位置する導電層と、を備え、
前記他方の面において、少なくとも前記透明基材を介して前記凹凸構造領域と対向する凹凸構造領域裏面には前記導電層が位置しており、該凹凸構造領域裏面に位置する前記導電層は光透過性を具備し、
前記凹凸構造領域裏面を除く部位に位置する前記導電層の厚みは、前記凹凸構造領域裏面に位置する前記導電層の厚みよりも大きいことを特徴とするインプリント用のモールド。
【請求項２】
前記凹凸構造領域裏面を除く部位に位置する前記導電層は、多層構造を有することを特徴とする請求項１に記載のインプリント用のモールド。
【請求項３】
透明基材と、該透明基材の一方の面に画定された凹凸構造領域に位置する凹凸構造と、前記透明基材の他方の面に位置する導電層と、を備え、
前記他方の面において、少なくとも前記透明基材を介して前記凹凸構造領域と対向する凹凸構造領域裏面には前記導電層が位置しており、該凹凸構造領域裏面に位置する前記導電層は光透過性を具備し、
前記凹凸構造領域裏面を除く部位に位置する前記導電層は、多層構造を有することを特徴とするインプリント用のモールド。
【請求項４】
透明基板と、該透明基板の一方の面にモールドの凹凸構造を形成するための凹凸構造領域を有し、前記透明基板の他方の面に導電層を備え、
前記他方の面において、少なくとも前記透明基板を介して前記凹凸構造領域と対向する凹凸構造領域裏面には前記導電層を備え、該凹凸構造領域裏面に位置する前記導電層は光透過性を具備し、
前記凹凸構造領域裏面を除く部位に位置する前記導電層の厚みは、前記凹凸構造領域裏面に位置する前記導電層の厚みよりも大きいことを特徴とするモールド製造用の基板。
【請求項５】
前記凹凸構造領域裏面を除く部位に位置する前記導電層は、多層構造を有することを特徴とする請求項４に記載のモールド製造用の基板。
【請求項６】
透明基板と、該透明基板の一方の面にモールドの凹凸構造を形成するための凹凸構造領域を有し、前記透明基板の他方の面に導電層を備え、
前記他方の面において、少なくとも前記透明基板を介して前記凹凸構造領域と対向する凹凸構造領域裏面には前記導電層を備え、該凹凸構造領域裏面に位置する前記導電層は光透過性を具備し、
前記凹凸構造領域裏面を除く部位に位置する前記導電層は、多層構造を有することを特徴とするモールド製造用の基板。
【請求項７】
前記凹凸構造領域にハードマスク材料層を備えることを特徴とする請求項４乃至請求項６のいずれかに記載のモールド製造用の基板。
【請求項８】
転写基板に被成形樹脂を供給する樹脂供給工程と、
請求項１乃至請求項３のいずれかに記載のインプリント用のモールドの前記凹凸構造と前記転写基板を近接させて、前記モールドと前記転写基板との間に前記被成形樹脂を展開して被成形樹脂層を形成する接触工程と、
前記被成形樹脂層を硬化させて前記凹凸構造が転写された転写樹脂層とする硬化工程と、
前記モールドの前記導電層を接地させた状態で、前記転写樹脂層と前記モールドを引き離して、前記転写樹脂層であるパターン構造体を前記転写基板上に位置させた状態とする離型工程と、を有することを特徴とするインプリント方法。
【請求項９】
前記離型工程では、静電気除去装置を用いて前記モールドの除電を行うことを特徴とする請求項８に記載のインプリント方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インプリントに使用するモールドと、このモールドの製造に使用する基板、このモールドを用いたインプリント方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、フォトリソグラフィ技術に代わる微細なパターン形成技術として、インプリント方法を用いたパターン形成技術が注目されている。インプリント方法は、微細な凹凸構造を備えた型部材（モールド）を用い、凹凸構造を被成形樹脂に転写することで微細構造を等倍転写するパターン形成技術である。例えば、被成形樹脂として光硬化性樹脂を用いたインプリント方法では、転写基板の表面に光硬化性樹脂の液滴を供給し、所望の凹凸構造を有するモールドと転写基板とを所定の距離まで近接させて凹凸構造内に光硬化性樹脂を充填し、この状態でモールド側から光を照射して光硬化性樹脂を硬化させて樹脂層とし、その後、モールドを樹脂層から引き離すことにより、モールドが備える凹凸が反転した凹凸構造（凹凸パターン）を有するパターン構造体を形成する。
【０００３】
このようなインプリント方法では、モールドと樹脂層を引き離す際に静電気が発生してモールドに帯電が生じる。モールドが置かれている雰囲気中には、インプリントに関与することを目的としていない異物、例えば、インクジェット方式で供給された液滴がミストとして漂い乾燥した固形物、スピンコート方法で供給された樹脂の飛沫がミストとして漂い乾燥した固形物、インクジェットヘッド等のインプリント装置を構成する部材から生じる微粒子、インプリント装置内に存在する塵等が存在することがあり、帯電したモールドに雰囲気中の異物等が付着し易くなるという問題があった。このようにモールドに異物等が付着した状態でインプリントを行うと、パターン構造体の欠陥が生じ、さらに、モールドの破損等を生じるおそれがあった。これに対応するために、例えば、モールドの凹凸構造を備えた面に導電層を設け、この導電層をモールド保持具を介して接地して、モールドの除電を行うこと（特許文献１）が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００９−２４１３７２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、モールドの凹凸構造を備えた面にスパッタリング等で導電層を設けた場合、導電層の表面粗さが大きいことにより、モールドの凹凸構造の寸法精度、表面均一性が低下するという問題があった。また、導電層に内部応力が生じることにより、モールドの微細な凹凸構造に破損が生じることがあるという問題があった。さらに、モールドの微細な凹凸構造を備えた面に対する洗浄処理において、導電層の耐性が低く、剥がれが生じ易いという問題があった。
本発明は、上述のような実状に鑑みてなされたものであり、インプリントにおける帯電が抑制され、モールドの破損等を防止して、インプリントを安定して行うことができるモールドと、このようなモールドの製造に使用する基板と、このようなモールドを用いたインプリント方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
このような目的を達成するために、本発明のインプリント用のモールドは、透明基材と、該透明基材の一方の面に画定された凹凸構造領域に位置する凹凸構造と、前記透明基材の他方の面に位置する導電層と、を備え、前記他方の面において、少なくとも前記透明基材を介して前記凹凸構造領域と対向する凹凸構造領域裏面には前記導電層が位置しており、該凹凸構造領域裏面に位置する前記導電層は光透過性を具備し、前記凹凸構造領域裏面を除く部位に位置する前記導電層の厚みは、前記凹凸構造領域裏面に位置する前記導電層の厚みよりも大きいような構成とした。
【０００７】
本発明の他の態様として、前記凹凸構造領域裏面を除く部位に位置する前記導電層は、多層構造を有するような構成とした。
本発明のインプリント用のモールドは、透明基材と、該透明基材の一方の面に画定された凹凸構造領域に位置する凹凸構造と、前記透明基材の他方の面に位置する導電層と、を備え、前記他方の面において、少なくとも前記透明基材を介して前記凹凸構造領域と対向する凹凸構造領域裏面には前記導電層が位置しており、該凹凸構造領域裏面に位置する前記導電層は光透過性を具備し、前記凹凸構造領域裏面を除く部位に位置する前記導電層は、多層構造を有するような構成とした。
【０００８】
本発明のモールド製造用の基板は、透明基板と、該透明基板の一方の面にモールドの凹凸構造を形成するための凹凸構造領域を有し、前記透明基板の他方の面に導電層を備え、前記他方の面において、少なくとも前記透明基板を介して前記凹凸構造領域と対向する凹凸構造領域裏面に前記導電層を備え、該凹凸構造領域裏面に位置する前記導電層は光透過性を具備し、前記凹凸構造領域裏面を除く部位に位置する前記導電層の厚みは、前凹凸構造領域裏面に位置する前記導電層の厚みよりも大きいような構成とした。
【０００９】
本発明の他の態様として、前記凹凸構造領域裏面を除く部位に位置する前記導電層は、多層構造を有するような構成とした。
本発明のモールド製造用の基板は、透明基板と、該透明基板の一方の面にモールドの凹凸構造を形成するための凹凸構造領域を有し、前記透明基板の他方の面に導電層を備え、前記他方の面において、少なくとも前記透明基板を介して前記凹凸構造領域と対向する凹凸構造領域裏面に前記導電層を備え、該凹凸構造領域裏面に位置する前記導電層は光透過性を具備し、前記凹凸構造領域裏面を除く部位に位置する前記導電層は、多層構造を有するような構成とした。
本発明の他の態様として、前記凹凸構造領域にハードマスク材料層を備えるような構成とした。
【００１０】
本発明のインプリント方法は、転写基板に被成形樹脂を供給する樹脂供給工程と、上述のいずれかのインプリント用のモールドの前記凹凸構造と前記転写基板を近接させて、前記モールドと前記転写基板との間に前記被成形樹脂を展開して被成形樹脂層を形成する接触工程と、前記被成形樹脂層を硬化させて前記凹凸構造が転写された転写樹脂層とする硬化工程と、前記モールドの前記導電層を接地させた状態で、前記転写樹脂層と前記モールドを引き離して、前記転写樹脂層であるパターン構造体を前記転写基板上に位置させた状態とする離型工程と、を有するような構成とした。
本発明の他の態様として、前記離型工程では、前記静電気除去装置を用いて前記モールドの除電を行うような構成とした。
【発明の効果】
【００１１】
本発明のインプリント用のモールドは、インプリントにおける帯電が導電層により抑制され、モールドの破損等が防止され、また、モールドの洗浄処理における導電層の剥がれを防止され、これにより、インプリントを安定して行うことができる。
本発明のモールド製造用の基板は、インプリントにおける帯電を抑制することができるモールドを簡便に製造することができる。
本発明のインプリント方法は、使用するモールドの帯電が抑制され、高精細なパターン構造体の形成を安定して行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】図１は、本発明のインプリント用のモールドの一実施形態を示す平面図である。
【図２】図２は、図１に示されるインプリント用のモールドのＩ−Ｉ線における概略断面図である。
【図３】図３は、図１に示されるインプリント用のモールドにおける吸着保持領域を説明するための図である。
【図４】図４は、図２に示されるインプリント用のモールドの吸着保持の状態を説明するための図である。
【図５】図５は、本発明のインプリント用のモールドの他の実施形態を示す平面図である。
【図６】図６は、図５に示されるインプリント用のモールドのII−II線における概略断面図である。
【図７】図７は、本発明のインプリント用のモールドの他の実施形態を示す平面図である。
【図８】図８は、図７に示されるインプリント用のモールドのIII−III線における概略断面図である。
【図９】図９は、本発明のインプリント用のモールドの他の実施形態を示す平面図である。
【図１０】図１０は、図９に示されるインプリント用のモールドのIV−IV線における概略断面図である。
【図１１】図１１は、本発明のインプリント用のモールドの他の実施形態を示す図２相当の概略断面図である。
【図１２】図１２は、本発明のインプリント用のモールドの他の実施形態を示す図２相当の概略断面図である。
【図１３】図１３は、本発明のインプリント用のモールドの他の実施形態を示す図２相当の概略断面図である。
【図１４】図１４は、透明基材上に電荷が存在する場合の透明基材の電位を説明するための図である。
【図１５】図１５は、透明基材上に電荷が存在する場合の透明基材における電位の分布を示す図である。
【図１６】図１６は、本発明のモールド製造用の基板の一実施形態を示す平面図である。
【図１７】図１７は、図１６に示されるモールド製造用の基板のＶ−Ｖ線における概略断面図である。
【図１８】図１８は、本発明のモールド製造用の基板の他の実施形態を示す平面図である。
【図１９】図１９は、図１８に示されるモールド製造用の基板のVI−VI線における概略断面図である。
【図２０】図２０は、本発明のモールド製造用の基板の他の実施形態を示す図１７相当の概略断面図である。
【図２１】図２１は、本発明のモールド製造用の基板の他の実施形態を示す図１７相当の概略断面図である。
【図２２】図２２は、本発明のモールド製造用の基板の他の実施形態を示す図１７相当の概略断面図である。
【図２３】図２３は、本発明のモールド製造用の基板の他の実施形態を示す図１７相当の概略断面図である。
【図２４】図２４は、本発明のインプリント方法の一実施形態を説明するための工程図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。
尚、図面は模式的または概念的なものであり、各部材の寸法、部材間の大きさの比等は、必ずしも現実のものと同一とは限らず、また、同じ部材等を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比が異なって表される場合もある。
【００１４】
［インプリント用のモールド］
図１は、本発明のインプリント用のモールドの一実施形態を示す平面図であり、図２は図１に示されるインプリント用のモールドのＩ−Ｉ線における概略断面図である。図１および図２において、本発明のモールド１１は、透明基材１２と、この透明基材１２の一方の面１２ａに画定された凹凸構造領域Ａに位置する凹凸構造１４と、透明基材１２の他方の面１２ｂに位置する導電層１６と、を備えている。図示例では、導電層１６は、透明基材１２を介して凹凸構造領域Ａと対向する凹凸構造領域裏面Ｂを含む透明基材１２の面１２ｂに位置しており、この面１２ｂの周縁部１２ｂ′から所望の幅で面１２ｂが露出している。
【００１５】
モールド１１を構成する透明基材１２は、インプリント時に被成形樹脂層を硬化させるための照射光を透過可能な基材であり、材料としては、例えば、石英ガラス、珪酸系ガラス、フッ化カルシウム、フッ化マグネシウム、アクリルガラス等、あるいは、これらの任意の積層材を用いることができる。透明基材１２の厚みは、材料強度、凹凸構造１４の深さ、取り扱い適性等を考慮して設定することができ、例えば、３００μｍ〜１０ｍｍ程度の範囲で適宜設定することができる。また、透明基材１２の面１２ａ，１２ｂの平面視形状は、図示例では正方形であるが、特に制限はなく適宜設定することができる。
ここで、透明とは、波長３６５ｎｍの光透過率が７０％以上であることを意味する。透明基材１２は、上記の光透過率が９０％以上であることが特に好ましい。
モールド１１を構成する凹凸構造１４は、モールド１１を用いたインプリントにおいて形成するパターン構造体の形状、寸法等に応じて適宜設定することができる。
【００１６】
モールド１１を構成する導電層１６は、導電性と、インプリント時に被成形樹脂層を硬化させるための照射光が透過可能な光透過性を具備するものであり、その材質は、例えば、酸化インジウムスズ、クロム系、珪素系、モリブデン系の金属酸化物（例えば、酸化クロム、酸化モリブデン等）、あるいは金属窒化物等を挙げることができる。この導電層１６は、透明基材１２の面１２ｂに上記のような材質の薄膜を真空成膜法等により形成し、この薄膜上に所望のレジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクとして、透明基材１２の周縁部１２ｂ′から所望の幅で面１２ｂが露出するように薄膜をエッチングして形成することができる。導電層１６の厚みは、導電性と光透過性等を考慮して設定することができ、例えば、１〜１５ｎｍ程度の範囲で適宜設定することができる。また、導電層１６は、被成形樹脂層を硬化させるための照射光で解像しない寸法の網目構造であってもよい。
【００１７】
ここで、導電性とは、表面抵抗が１０5Ω／□未満であることを意味し、導電層１６の表面抵抗が１０3Ω／□未満であることが特に好ましい。また、光透過性とは、波長３６５ｎｍの光透過率が３５％以上であることを意味し、導電層１６の光透過率が５０％以上であることが特に好ましい。
図１、図２に示されるように、透明基材１２の面１２ｂの周縁部１２ｂ′に導電層１６が存在せず、周縁部１２ｂ′が露出することにより、モールド１１の搬送時等における導電層１６の剥がれによる発塵が防止される。すなわち、モールド１１の搬送においては、透明基材１２の面１２ｂの周縁部１２ｂ′が接触するように搬送治具に載置される場合がある。この場合には、周縁部１２ｂ′に導電層１６が存在すると、モールド１１の搬送時の振動等により、搬送治具に接触している導電層１６に衝撃が加わり、剥がれが生じるおそれがある。導電層１６が存在せず、周縁部１２ｂ′が露出する幅は、例えば、０．１〜５ｍｍ程度の範囲で適宜設定することができる。
【００１８】
このような本発明のインプリント用のモールド１１は、例えば、図３に一点鎖線で示す環状の吸着保持領域１８を、透明基材１２の面１２ｂの導電層１６上に設定することができる。この吸着保持領域１８は、透明基材１２の面１２ｂの凹凸構造領域裏面Ｂの外側に位置している。そして、図４に示すように、真空吸着保持装置２０１が吸着保持領域１８に当接して導電層１６を真空吸着することにより、インプリント用のモールド１１が真空吸着保持装置２０１に保持される。尚、図示例では、真空吸着保持装置２０１が備える真空吸着用の部材は省略している。
このように真空吸着保持装置２０１に保持された状態でインプリントに供されるモールド１１は、被成形樹脂層が硬化された転写樹脂層との引き離しにおいて静電気が発生して帯電することになる。モールド１１の透明基材１２の材質が、上記のように石英ガラス、珪酸系ガラス、フッ化カルシウム、フッ化マグネシウム、アクリルガラス等の絶縁体である場合、誘電分極によって、透明基材１２の面１２ａにおける電荷と面１２ｂにおける電荷は異なるものとなる。そして、面１２ｂには導電層１６が位置しており、この導電層１６を図示しない導通手段、例えば、真空吸着保持装置２０１に設けられた図示しない導通手段を介して接地することにより、面１２ｂにおける電荷が減少し、これによりモールド１１の帯電量が減少する。通常、モールドの帯電量は、転写樹脂層との引き離し直後が最も高くなるが、本発明のモールド１１では、転写樹脂層との引き離し直後の帯電を抑制することができ、これにより、異物等が付着し易い状態が現出することを抑制することができる。
【００１９】
図５は、本発明のインプリント用のモールドの他の実施形態を示す平面図であり、図６は図５に示されるインプリント用のモールドのII−II線における概略断面図である。図５および図６において、本発明のモールド２１は、透明基材２２の他方の面２２ｂに位置する導電層２６の平面視形状が、凹凸構造領域裏面Ｂを含む円形である点を除いて、上述の図１、図２に示すインプリント用のモールド１１と同様である。このため、透明基材２２の説明、導電層２６の材質の説明は省略する。
このモールド２１では、平面視形状が円形の導電層２６は、図５に一点鎖線で示す環状の吸着保持領域２８を凹凸構造領域裏面Ｂの外側に設定することができる。そして、上述の真空吸着保持装置２０１は、吸着保持領域２８に当接して導電層２６を真空吸着することにより、モールド２１を保持することができる。したがって、例えば、真空吸着保持装置２０１に設けられた図示しない導通手段を介して導電層２６を接地することができる。
【００２０】
図７は、本発明のインプリント用のモールドの他の実施形態を示す平面図であり、図８は図７に示されるインプリント用のモールドのIII−III線における概略断面図である。図７および図８において、本発明のモールド３１は、透明基材３２の他方の面３２ｂに位置する導電層３６が、凹凸構造領域裏面Ｂを含む円形状の領域に位置する導電層３６ｃと、当該円形状を囲む領域に位置する導電層３６ｐからなり、導電層３６ｐの厚みは導電層３６ｃの厚みよりも大きいものである。このモールド３１の透明基材３２は、上述の図１、図２に示すインプリント用のモールド１１の透明基材１２と同様であり、説明は省略する。
このモールド３１では、凹凸構造領域裏面Ｂを含む円形状の領域に位置する導電層３６ｃは、表面抵抗が１０5Ω／□未満である導電性を具備するとともに、波長３６５ｎｍの光透過率が３５％以上である光透過性を具備するものである。一方、導電層３６ｐは、表面抵抗が１０5Ω／□未満である導電性を具備するが、光透過性は導電層３６ｃよりも劣るものであってよく、さらに、上記の光透過性を具備しないものであってもよい。この導電層３６ｃとその周囲に連続して位置する導電層３６ｐからなる導電層３６の材質は、上述の図１、図２に示すインプリント用のモールド１１における導電層１６と同様とすることができる。また、導電層３６ｐは、導電層３６ｃと同じ材質に他の材質を積層した多層構造、例えば、透明基材３２側から順にクロム／ニッケルが積層された２層構造、クロム／ニッケル／金が積層された３層構造であってもよい。この場合、導電層３６ｐは表面抵抗が１０3Ω／□未満であるような導電性を具備するものであってよい。
【００２１】
導電層３６ｃの厚みは、上記の導電性、光透過性を具備するように適宜設定することができる。また、導電層３６ｃは、被成形樹脂層を硬化させるための照射光で解像しない寸法の網目構造であってもよい。
このようなモールド３１では、図７に一点鎖線で示す環状の吸着保持領域３８を導電層３６ｐに設定することができ、この吸着保持領域３８は凹凸構造領域裏面Ｂの外側に位置する。そして、上述の真空吸着保持装置２０１は、吸着保持領域３８に当接して導電層３６ｐを真空吸着することにより、モールド３１を保持することができる。したがって、例えば、真空吸着保持装置２０１に設けられた図示しない導通手段を介して導電層３６を接地することができる。
図９は、本発明のインプリント用のモールドの他の実施形態を示す平面図であり、図１０は図９に示されるインプリント用のモールドのIV−IV線における概略断面図である。図９および図１０において、本発明のモールド４１は、透明基材４２の他方の面４２ｂに位置する導電層４６の中央部に、透明基材４２の面４２ｂが円形状で露出し、この導電層４６が凹凸構造領域裏面Ｂの外側に位置するものである。このモールド４１の透明基材４２は、上述の図１、図２に示すインプリント用のモールド１１の透明基材１２と同様であり、説明は省略する。
【００２２】
このモールド４１では、凹凸構造領域裏面Ｂの外側に位置する導電層４６は、表面抵抗が１０5Ω／□未満、好ましくは１０3Ω／□未満である導電性を具備するものである。このような導電層４６の材質は、上述の図１、図２に示すインプリント用のモールド１１における導電層１６と同様とすることができ、また、クロム、ニッケ、金、銀、アルミニウム等の表面抵抗が１０Ω／□未満であるような優れた導電性を有し、光透過性が低い材質であってもよい。導電層４６の厚みは、上記の導電性を具備するように適宜設定することができる。
このようなモールド４１では、図９に一点鎖線で示す環状の吸着保持領域４８を、導電層４６上に設定することができる。そして、上述の真空吸着保持装置２０１は、この吸着保持領域４８に当接して導電層４６を真空吸着することにより、モールド４１を保持することができる。したがって、例えば、真空吸着保持装置２０１に設けられた図示しない導通手段を介して導電層４６を接地することができる。
【００２３】
図１１は、本発明のインプリント用のモールドの他の実施形態を示す図２相当の概略断面図である。図１１において、本発明のモールド５１は、透明基材５２の面５２ｂに位置する導電層５６に加えて、透明基板５２の側面５２ｃに導電層５６′を備える点を除いて、上述の図１、図２に示すインプリント用のモールド１１と同様である。このため、透明基材５２の説明、導電層５６の材質の説明は省略する。
このモールド５１において、透明基材５２の側面５２ｃに位置する導電層５６′は、表面抵抗が１０5Ω／□未満、好ましくは１０3Ω／□未満である導電性を具備するものである。このような導電層５６′の材質は、上述の図１、図２に示すインプリント用のモールド１１における導電層１６と同様とすることができ、また、クロム、ニッケル、金、銀、アルミニウム等の表面抵抗が１０Ω／□未満であるような優れた導電性を有し、光透過性が低い材質であってもよい。導電層５６′の厚みは、上記の導電性を具備するように適宜設定することができる。この導電層５６′は、図示のように、透明基材５２の面５２ｂの周縁部５２ｂ′に存在しないことが好ましい。これにより、モールド５１の搬送時等における導電層５６′の剥がれが抑制される。
【００２４】
このように透明基材５２の側面５２ｃにも導電層５６′を備えることにより、例えば、上述の真空吸着保持装置２０１によりモールド５１を保持した状態で、真空吸着保持装置２０１に設けられた図示しない導通手段と導電層５６、導電層５６′を接続した場合、この導通手段を介して導電層５６とともに導通層５６′も接地することができ、モールド５１の帯電量がより迅速に減少する。
また、図１２は、本発明のインプリント用のモールドの他の実施形態を示す図２相当の概略断面図である。図１２において、本発明のモールド６１は、透明基材６２の面６２ｂに位置する導電層６６に加えて、面６２ａの凹凸構造領域Ａの外側にも導電層６６″を備える点を除いて、上述の図１、図２に示すインプリント用のモールド１１と同様である。このため、透明基材６２の説明、導電層６６の材質の説明は省略する。
このモールド６１において、透明基材６２の面６２ａに位置する導電層６６″は、表面抵抗が１０5Ω／□未満、好ましくは１０3Ω／□未満である導電性を具備するものである。このような導電層６６″の材質は、上述の図１、図２に示すインプリント用のモールド１１における導電層１６と同様とすることができ、また、クロム、ニッケル、金、銀、アルミニウム等の表面抵抗が１０Ω／□未満であるような優れた導電性を有し、光透過性が低い材質であってもよい。導電層６６″の厚みは、上記の導電性を具備するように適宜設定することができる。
【００２５】
このように透明基材６２の面６２ａの凹凸構造領域Ａの外側にも導電層６６″を備えることにより、例えば、上述の真空吸着保持装置２０１によりモールド６１を保持した状態で、真空吸着保持装置２０１に設けられた図示しない導通手段と導電層６６、導電層６６″を接続した場合、この導通手段を介して導電層６６とともに導通層６６″も接地することができ、モールド６１の帯電量がより迅速に減少する。
また、透明基材は、平坦な表面を有する凸構造部を備えた、いわゆるメサ構造であってもよい。図１３は、このようなインプリント用のモールドの実施形態を示す図２相当の概略断面図である。図１３において、本発明のモールド７１は、透明基材７２が面７２ａに凸構造部７３を備えている。そして、透明基材７２の一方の面である凸構造部７３の表面７３ａに画定された凹凸構造領域Ａに位置する凹凸構造７４と、透明基材７２の他方の面７２ｂに位置する導電層７６と、を備えている。このように透明基材がメサ構造である場合の導電層は、図示の導電層７６に限定されるものではなく、例えば、上述の導電層２６，３６，４６，５６，５６′，６６，６６″のような態様であってよい。尚、上述の導電層６６″を有するモールドの場合、導電層６６″は、図１３における凸構造部７３の周囲の面７２ａに位置することが好ましい。
【００２６】
上述のような本発明のインプリント用のモールドは、転写樹脂層との引き離しにおいて発生した静電気により帯電しても、導電層を介して電荷を逃がすことができ、モールドの帯電量が減少し、インプリントにおけるモールドの帯電が抑制されて、モールドの破損等が防止される。また、モールドの凹凸構造を備えた面と反対側の面に導電層が位置しているので、モールドの凹凸構造を備えた面の洗浄処理における導電層の剥がれを防止することができる。これにより、インプリントを安定して行うことができる。
ここで、図１４に示すように、透明基材８２の一方の面８２ａに、電荷が線状Ｌに連続して分布している場合を考える。この場合、線要素ｄｓに、密度λの電荷があるとすると、図示の点Ｐと線要素との距離がｒのとき、点Ｐでの電位Ｖは下記の式（１）で表される。尚、この場合、透明基材８２の他方の面８２ｂには導電層が存在しないものとする。
Ｖ＝（１／４πε）∫（λ／ｒ）ｄｓ          …    （１）
【００２７】
線要素の長さを２６ｍｍとし、面８２ａからの厚さ方向で０ｍｍ（面８２ａ上であり、図１４に鎖線で示す）、３ｍｍ（図１４に一点鎖線で示す）、６．３５ｍｍ（面８２ｂ上であり、図１４に二点鎖線で示す）の位置であって線要素の長手方向に沿った位置における電位の分布を式（１）から求めると、図１５のようになる。図１５において、位置「０ｍｍ」は、長さ２６ｍｍの線要素の中央部の直下の位置を示しており、面８２ａからの厚さ方向で０ｍｍ、３ｍｍ、６．３５ｍｍの位置における電荷の分布を、それぞれ鎖線、一点鎖線、二点鎖線で示している。この図１５に示されるように、面８２ａからの厚さ方向で０ｍｍ、３ｍｍ、６．３５ｍｍのいずれの位置においても、電荷の分布の電位は線要素の中央部に相当する部位で最も高くなる。したがって、面８２ｂに導電層を設け、この導電層が接地されることにより、透明基板８２に帯電する電荷を減少させることが可能である。さらに、面８２ａに存在する電荷の直下である面８２ｂに導電層が存在し、この導電層が接地されることにより、電荷の減少がより効率的になされると考えられる。
【００２８】
上述の実施形態は例示であり、本発明のインプリント用のモールドは、このような実施形態に限定されるものではない。
上述の本発明のインプリント用のモールドは、後述する本発明のモールド製造用の基板を使用して製造することができる。また、例えば、モールド１１の例では、透明基材１２の面１２ａに凹凸構造１４を形成した後、面１２ｂの所望の位置に導電層１６を形成することにより製造することができる。
【００２９】
［モールド製造用の基板］
図１６は、本発明のモールド製造用の基板の一実施形態を示す平面図であり、図１７は図１６に示されるモールド製造用の基板のＶ−Ｖ線における概略断面図である。図１６および図１７において、本発明のモールド製造用の基板１１１は、透明基板１１２と、この透明基板１１２の一方の面１１２ａに、モールドの凹凸構造を形成するための凹凸構造領域Ａを有し、透明基板１１２の他方の面１１２ｂに導電層１１６を備えている。また、透明基板１１２の一方の面１１２ａには、ハードマスク材料層１１５を備えている。図示例では、導電層１１６は、透明基板１１２を介して凹凸構造領域Ａと対向する凹凸構造領域裏面Ｂを含む透明基板１１２の面１１２ｂに位置しており、この面１１２ｂの周縁部１１２ｂ′から所望の幅で面１１２ｂが露出している。これにより、モールド製造用の基板１１１の搬送時等における導電層１１６の剥がれが抑制される。
透明基板１１２は、製造したモールドを使用するインプリント時において、被成形樹脂層を硬化させるための照射光を透過可能な基材であり、例えば、石英ガラス、珪酸系ガラス、フッ化カルシウム、フッ化マグネシウム、アクリルガラス等、あるいは、これらの任意の積層材を用いることができる。透明基板１１２の厚みは、材料強度、凹凸構造領域Ａに形成する凹凸構造の深さ、取り扱い適性等を考慮して設定することができ、例えば、３００μｍ〜１０ｍｍ程度の範囲で適宜設定することができる。また、透明基板１１２の面１１２ａ，１１２ｂの平面視形状は、図示例では正方形であるが、特に制限はなく適宜設定することができる。
【００３０】
ここで、透明とは、波長３６５ｎｍの光透過率が７０％以上であることを意味する。透明基板１１２は、上記の光透過率が９０％以上であることが特に好ましい。
透明基板１１２の一方の面１１２ａに位置するハードマスク材料層１１５は、透明基板１１２をエッチングする際のエッチングマスクとなるハードマスクを形成するための材料層であり、例えば、クロム、チタン、ニッケル、モリブデン、タンタル、タングステン、酸化クロム、窒化クロム、酸化ケイ素、窒化ケイ素、窒化チタン等の材質を挙げることができる。このようなハードマスク材料層１１５は、スパッタリング法等の公知の真空成膜法により形成することができ、厚みは１〜１５ｎｍの範囲で適宜設定することができる。
導電層１１６は、導電性を具備するとともに、製造したモールドを使用するインプリント時において、被成形樹脂層を硬化させるための照射光が透過可能な光透過性を具備するものであり、例えば、酸化インジウムスズ、クロム系、珪素系、モリブデン系の金属酸化物（例えば、酸化クロム、酸化モリブデン等）、あるいは金属窒化物等の薄膜とすることができる。この導電層１１６は、透明基板１１２の面１１２ｂに上記のような薄膜を真空成膜法等により形成し、その後、薄膜上に所望のレジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクとして、透明基板１１２の周縁部１１２ｂ′から所望の幅で面１１２ｂが露出するように薄膜をエッチングして形成することができる。導電層１１６の厚みは、導電性と光透過性等を考慮して設定することができ、例えば、１〜１５ｎｍ程度の範囲で適宜設定することができる。また、導電層１１６は、被成形樹脂層を硬化させるための照射光で解像しない寸法の網目構造であってもよい。
【００３１】
ここで、導電性とは、表面抵抗が１０5Ω／□未満であることを意味し、導電層１１６の表面抵抗が１０3Ω／□未満であることが特に好ましい。また、光透過性とは、波長３６５ｎｍの光透過率が３５％以上であることを意味し、導電層１１６の光透過率が５０％以上であることが特に好ましい。
図１８は、本発明のモールド製造用の基板の他の実施形態を示す平面図であり、図１９は図１８に示されるモールド製造用の基板のVI−VI線における概略断面図である。図１８および図１９において、本発明のモールド製造用の基板１２１は、透明基板１２２の他方の面１２２ｂに位置する導電層１２６の平面視形状が、凹凸構造領域裏面Ｂを含む円形である点を除いて、上述の図１６、図１７に示すモールド製造用の基板１１１と同様である。このため、透明基板１２２、ハードマスク材料層１２５の説明、導電層１２６の材質の説明は省略する。
このモールド製造用の基板１２１の導電層１２６の平面視形状は、製造したモールドにおいて凹凸構造領域裏面Ｂの外側に位置する導電層１２６が上述の真空吸着保持装置２０１により真空吸着され保持できるように設定されている。
【００３２】
図２０は、本発明のモールド製造用の基板の他の実施形態を示す図１７相当の概略断面図である。図２０において、本発明のモールド製造用の基板１３１は、透明基板１３２の他方の面１３２ｂに位置する導電層１３６が、凹凸構造領域裏面Ｂを含む領域に位置する導電層１３６ｃと、当該領域を囲む領域に位置する導電層１３６ｐからなり、導電層１３６ｐの厚みは導電層１３６ｃの厚みよりも大きいものである。このモールド製造用の基板１３１の透明基板１３２は、上述の図１６、図１７に示すモールド製造用の基板１１１の透明基板１１２と同様であり、説明は省略する。
このモールド製造用の基板１３１では、凹凸構造領域裏面Ｂを含む領域に位置する導電層１３６ｃは、表面抵抗が１０5Ω／□未満である導電性を具備するとともに、波長３６５ｎｍの光透過率が３５％以上である光透過性を具備するものである。一方、導電層１３６ｐは、表面抵抗が１０5Ω／□未満である導電性を具備するが、光透過性は導電層１３６ｃよりも劣るものであってよく、さらに、上記の光透過性を具備しないものであってもよい。この導電層１３６ｃとその周囲に連続して位置する導電層１３６ｐからなる導電層１３６の材質は、上述の図１６、図１７に示すモールド製造用の基板１１１における導電層１１６と同様とすることができる。したがって、導電層１３６ｐは表面抵抗が１０3Ω／□未満であるような導電性を具備するものであってよい。また、導電層１３６ｃの厚みは、上記の導電性、光透過性を具備するように適宜設定することができる。さらに、導電層１３６ｃは、製造したモールドを使用するインプリントにおいて被成形樹脂層を硬化させるために用いる照射光で解像しない寸法の網目構造であってもよい。
【００３３】
このようなモールド製造用の基板１３１では、製造したモールドを、導電層１３６ｐが上述の真空吸着保持装置２０１により真空吸着されることにより保持できるように、導電層１３６が配設されている。
図２１は、本発明のモールド製造用の基板の他の実施形態を示す図１７相当の概略断面図である。図２１において、本発明のモールド製造用の基板１４１は、透明基板１４２の他方の面１４２ｂに位置する導電層１４６の中央部に、透明基板１４２の面１４２ｂが円形状で露出し、この導電層１４６が凹凸構造領域裏面Ｂの外側に位置するものである。このモールド製造用の基板１４１の透明基板１４２は、上述の図１６、図１７に示すインモールド製造用の基板１１１の透明基板１１２と同様であり、説明は省略する。
このモールド製造用の基板１４１では、凹凸構造領域裏面Ｂの外側に位置する導電層１４６は、表面抵抗が１０5Ω／□未満、好ましくは１０3Ω／□未満である導電性を具備するものである。このような導電層１４６の材質は、上述の図１６、図１７に示すモールド製造用の基板１１１における導電層１１６と同様とすることができ、また、クロム、ニッケル、金、銀、アルミニウム等の表面抵抗が１０Ω／□未満であるような優れた導電性を有し、光透過性が低い材質であってもよい。導電層１４６の厚みは、上記の導電性を具備するように適宜設定することができる。
【００３４】
このようなモールド製造用の基板１４１では、製造したモールドを、導電層１４６が上述の真空吸着保持装置２０１により真空吸着されることにより保持できるように、導電層１４６の寸法が設定されている。
図２２は、本発明のモールド製造用の基板の他の実施形態を示す図１７相当の概略断面図である。図２２において、本発明のモールド製造用の基板１５１は、透明基板１５２の面１５２ｂに位置する導電層１５６に加えて、透明基板１５２の側面１５２ｃに導電層１５６′を備える点を除いて、上述の図１６、図１７に示すインプリント用のモールド１１１と同様である。このため、透明基板１５２、ハードマスク材料層１５５の説明、導電層１５６の材質の説明は省略する。
【００３５】
このモールド製造用の基板１５１において、透明基板１５２の側面１５２ｃに位置する導電層１５６′は、表面抵抗が１０5Ω／□未満、好ましくは１０3Ω／□未満である導電性を具備するものである。このような導電層１５６′の材質は、上述の図１６、図１７に示すモールド製造用の基板１１１における導電層１１６と同様とすることができ、また、クロム、ニッケル、金、銀、アルミニウム等の表面抵抗が１０Ω／□未満であるような優れた導電性を有し、光透過性が低い材質であってもよい。導電層１５６′の厚みは、上記の導電性を具備するように適宜設定することができる。この導電層１５６′は、図示のように、透明基材１５２の面１５２ｂの周縁部１５２ｂ′に存在しないことが好ましい。これにより、モールド製造用の基板１５１の搬送時等における導電層１５６′の剥がれが抑制される。
上述のような本発明のモールド製造用の基板を使用することにより、インプリントにおける帯電を抑制することができるモールドを簡便に製造することができる。
【００３６】
上述の実施形態は例示であり、本発明のモールド製造用の基板は、このような実施形態に限定されるものではない。例えば、ハードマスク材料層を備えていないものであってもよい。
また、透明基板は、平坦な表面を有する凸構造部を備えた、いわゆるメサ構造であってもよい。図２３は、このようなモールド製造用の基板の実施形態を示す図１７相当の概略断面図である。図２３において、本発明のモールド製造用の基板１６１は、透明基板１６２が面１６２ａに凸構造部１６３を備えている。そして、透明基板１６２の一方の面である凸構造部１６３の表面１６３ａに、モールドの凹凸構造を形成するための凹凸構造領域Ａを有し、面１６２ａ、表面１６３ａを被覆するようにハードマスク材料層１６５を有している。また、透明基板１６２の他方の面１６２ｂの凹凸構造領域裏面Ｂに導電層１６６を備えている。このように透明基板がメサ構造である場合の導電層は、図示の導電層１６６に限定されるものではなく、例えば、上述の導電層１２６，１３６，１４６，１５６，１５６′のような態様であってよい。また、ハードマスク材料層１６５は、凸構造部１６３の表面１６３ａのみを被覆するように存在するものであってもよい。
【００３７】
［インプリント方法］
本発明のインプリント方法について、上述の本発明のモールド１１を用いた場合を例として、図２４に示される工程を参照して説明する。
本発明のインプリント方法では、樹脂供給工程において、インプリント用の転写基板２１１上の所望の領域に、被成形樹脂の液滴２２１を供給する（図２４（Ａ））。
本発明のインプリント方法に使用する転写基板２１１は適宜選択することができ、例えば、石英やソーダライムガラス、ホウ珪酸ガラス等のガラス、シリコンやガリウム砒素、窒化ガリウム等の半導体、ポリカーボネート、ポリプロピレン、ポリエチレン等の樹脂基板、金属基板、あるいは、これらの材料の任意の組み合わせからなる複合材料基板であってよい。また、例えば、半導体やディスプレイ等に用いられる微細配線や、フォトニック結晶構造、光導波路、ホログラフィのような光学的構造等の所望のパターン構造物が形成されたものであってもよい。図示例では、転写基板２１１は、基部２１２と、この基部２１２の一方の面の中央に位置し、平坦な表面２１３ａを有する凸構造部２１３を備えた、いわゆるメサ構造である。このような転写基板２１１は、凸構造部２１３の表面２１３ａにハードマスク材料層を備えていてもよい。
【００３８】
被成形樹脂は、例えば、被成形樹脂の液滴２２１をインクジェットヘッドから吐出して供給する場合には、インクジェットヘッドからの吐出が可能な流動性を有するものであればよく、光硬化性樹脂、熱硬化性樹脂等を挙げることができる。光硬化性樹脂としては、例えば、主剤、開始剤、架橋剤により構成され、また、必要に応じて、モールドとの付着を抑制するための離型剤や、転写基板２１１との密着性を向上させるための密着剤を含有しているものであってよい。本実施形態では、被成形樹脂は光硬化性樹脂とする。
凸構造部２１３に表面２１３ａに供給する被成形樹脂の液滴２２１の個数、隣接する液滴の距離は、個々の液滴の滴下量、必要とされる被成形樹脂の総量、転写基板２１１に対する被成形樹脂の濡れ性、後工程である接触工程におけるモールド１１と転写基板２１１との間隙等から適宜設定することができる。
次に、接触工程において、モールド１１と転写基板２１１との間に被成形樹脂の液滴２２１を展開して被成形樹脂層２２２を形成する（図２４（Ｂ））。モールド１１は、透明基材１２の面１２ｂに位置する導電層１６を、真空吸着保持装置２０１によって真空吸着することにより保持されている。このように保持されたモールド１１の凹凸構造領域裏面Ｂには、真空吸着保持装置２０１の保持部材は存在しない。
【００３９】
次いで、硬化工程において、モールド１１側から光照射を行い、被成形樹脂層２２２を硬化させて、モールド１１の凹凸構造１４が転写された転写樹脂層２２３とする（図２４（Ｃ））。この硬化工程では、転写基板２１１が光透過性の材料からなる場合、転写基板２１１側から光照射を行ってもよく、また、転写基板２１１とモールド１１の両側から光照射を行ってもよい。
尚、被成形樹脂が熱硬化性樹脂である場合には、被成形樹脂層２２２に対して加熱処理を施すことにより硬化させることができる。
【００４０】
次に、離型工程において、モールド１１の導電層１６を接地させた状態で、転写樹脂層２２３とモールド１１を引き離して、転写樹脂層２２３であるパターン構造体２３１を転写基板２１１上に位置させた状態とする（図２４（Ｄ））。モールド１１の導電層１６は、例えば、真空吸着保持装置２０１に設けられた図示しない導通手段を介して接地させることができる。モールド１１は、転写樹脂層２２３との引き離しにおいて発生する静電気により帯電し、モールド１１の透明基材１２の材質が、石英ガラス等の絶縁体である場合、誘電分極によって、例えば、透明基材１２の面１２ａ側が正電荷、面１２ｂ側が負電荷となるような電荷の偏りが生じる。しかし、上記のようにモールド１１の導電層１６が接地されているので、面１２ｂ側の負電荷が減少し、これによりモールド１１の帯電量が減少する。したがって、モールド１１に雰囲気中の異物等が付着することが抑制され、パターン構造体の欠陥やモールドの破損等を防止することができる。このようなモールドの帯電の状況は、モールドを構成する透明基材の材質、転写樹脂層を構成する樹脂の種類、厚み、および、転写基板の材質等によって変化するものであるが、本発明により帯電量の軽減効果が奏されることには変わりはない。
【００４１】
また、本発明のインプリント方法では、離型工程において、図示しない静電気除去装置を用いてモールド１１の除電を行ってもよい。静電気除去装置による除電は、例えば、モールド１１の透明基材１２の面１２ａ側に生じる電荷（上記の例では、正電荷）と反対の極性のイオンを放電極から発生し、このイオンをクーロン力で移動させてモールド１１の凹凸構造１４を有する面１２ａに供給することにより行うことができる。
【００４２】
静電気除去装置を使用したモールドの除電では、モールドと転写樹脂層との間隙が小さい段階では、効果的な除電が困難である。このため、静電気除去装置を使用したモールドの除電のみでは、転写樹脂層との引き離し直後の、帯電量が最も高く、異物等が付着し易い状態が現出することの抑制に限界がある。これに対して、本発明のインプリント方法では、導電層１６を備えるモールド１１を使用するので、モールド１１が帯電した直後から、モールド１１の除電が行われる。したがって、転写樹脂層との引き離し直後の、帯電量が最も高く、異物等が付着し易い状態が現出することを抑制することができる。そして、離型工程において、静電気除去装置を用いたモールド１１の除電を併用することにより、モールド１１が備える導電層１６が発現する除電効果とともに、より急速にモールド１１の除電を行うことができる。
上述のインプリント方法の実施形態は例示であり、本発明はこれに限定されるものではない。
【実施例】
【００４３】
次に、より具体的な実施例を示して本発明を更に詳細に説明する。
［実施例１］
厚み０．６２５ｍｍの合成石英基板（１５２ｍｍ×１５２ｍｍ）を透明基板として準備した。
上記の透明基板の一方の面に、反応性スパッタリング法によりクロム薄膜（厚み５ｎｍ）を成膜して、導電層とした。但し、透明基材の周縁部から幅５ｍｍの範囲では、導電層が存在しないものとした。これにより、モールド製造用の基板を得た。
この導電層の表面抵抗は１０4Ω／□であり、良好な導電性を具備していることを確認した。尚、表面抵抗の測定は、抵抗率測定装置（三菱化学（株）製  ロレスターＧＰＭＣＰ−Ｔ６１０）を用いて行った。
また、導電層の波長３６５ｎｍの光透過率は９５％であり、良好な光透過性を具備していることを確認した。尚、光透過率の測定は、光透過率計（大塚電子（株）製  ＭＣＰＤ−６８００）を用いて行った。
【００４４】
次いで、上記の透明基板の反対側の面に市販の感光性レジストを塗布し、この感光性レジストを電子線描画により露光、現像して、ピッチ３２ｎｍ、パターン幅３２ｎｍのライン／スペース形状のレジストパターンを形成した。このレジストパターンをマスクとし、透明基材をドライエッチングして、深さ６０ｎｍの凹部を形成して凹凸構造とした。このような凹凸構造が形成された凹凸構造領域は３０ｍｍ×３０ｍｍの大きさであり、透明基板の中央に位置するものであった。
これにより、図１、図２に示されるようなインプリント用のモールドを得た。
【００４５】
［実施例２］
感光性レジストを電子線描画により露光、現像して形成したライン／スペース形状のレジストパターンのピッチを６４ｎｍ、パターン幅を６４ｎｍとした他は、実施例１と同様にして、図１、図２に示されるようなインプリント用のモールドを得た。
【００４６】
［実施例３］
導電層の中央部に、透明基板が直径５５ｍｍの円形状で露出するように、クロム薄膜からなる導電層を形成した他は、実施例１と同様にして、図９、図１０に示されるようなインプリント用のモールドを得た。このモールドは、凹凸構造が形成された凹凸構造領域の裏面に導電層が存在しないものであった。
【００４７】
［実施例４］
導電層の中央部に、透明基板が直径５５ｍｍの円形状で露出するように、クロム薄膜からなる導電層を形成した他は、実施例２と同様にして、図９、図１０に示されるようなインプリント用のモールドを得た。このモールドは、凹凸構造が形成された凹凸構造領域の裏面に導電層が存在しないものであった。
【００４８】
［比較例１］
導電層を形成しない他は、実施例１と同様にして、インプリント用のモールドを得た。
［比較例２］
導電層を形成しない他は、実施例２と同様にして、インプリント用のモールドを得た。
【００４９】
＜モールドの評価＞
上記のモールド（実施例１〜４、比較例１〜２）を用いてインプリント方法でパターン構造体を形成した。
すなわち、転写基板をインプリント装置の基板ステージに載置し、転写基板上に光硬化性の被成形樹脂の液滴を供給した（図２４（Ａ）参照）。
【００５０】
次いで、被成形樹脂の液滴にモールドを押し当て被成形樹脂層を形成し（図２４（Ｂ）参照）、この状態でインプリント装置の照明光学系から平行光（ピーク波長が３６５ｎｍの紫外線）をモールド側に５００ｍＪ／ｃｍ2の条件で照射した。これにより、被成形樹脂層を硬化させて転写樹脂層とした（図２４（Ｃ）参照）。インプリント装置の真空吸着保持装置によるモールドの保持では、実施例１〜２のモールドについては、図３に一点鎖線で示される環状の吸着保持領域１８で導電層を真空吸着した。また、実施例３〜４のモールドについては、図９に一点鎖線で示される環状の吸着保持領域４８で導電層を真空吸着した。一方、比較例１〜２のモールドについては、透明基材の凹凸構造が形成されている面と反対側の面を、実施例１〜４のモールドと同様の真空吸着保持装置を用いて真空吸着して保持した。但し、真空吸着保持装置には外部への接地用の配線が設けられており、実施例１〜４のモールドでは、導電層を接地された状態とした。
その後、転写樹脂層からモールドを引き離し、モールドの凹凸構造を有する面の表面電位をトレックジャパン（株）製  表面電位計ＭＯＤＥＬ３４１Ｂを用いて計測した。この計測は、転写樹脂層とモールドとの離型が完了した直後と、４０秒経過後に実施し、その結果を下記の表１に示した。
【００５１】
【表１】
0006597186.tif 000002
【００５２】
表１に示されるように、実施例１〜４のモールドは、転写樹脂層との離型が完了した直後の表面電位が、比較例１〜２のモールドよりも格段に低く、このことから実施例１〜４が備える導電層の除電効果が確認された。
また、実施例１〜２のモールドと、実施例３〜４のモールドとを対比すると、モールドの凹凸構造が形成された凹凸構造領域の裏面に導電層が存在することにより、導電層の除電効果がより顕著となることが確認された。
【産業上の利用可能性】
【００５３】
インプリント技術を用いた種々の微細加工、微細パターン形成等に利用可能である。
【符号の説明】
【００５４】
１１，２１，３１，４１，５１，６１，７１…インプリント用のモールド
１２，２２，３２，４２，５２，６２，７２…透明基材
１２ａ，２２ａ，３２ａ，４２ａ，５２ａ，６２ａ，７３ａ…透明基材の一方の面
１２ｂ，２２ｂ，３２ｂ，４２ｂ，５２ｂ，６２ｂ，７２ｂ…透明基材の他方の面
１４，２４，３４，４４，５４，６４，７４…凹凸構造
１６，２６，３６，３６ｃ，３６ｐ，４６，５６，５６′，６６，６６″…導電層
１１１，１２１，１３１，１４１，１５１，１６１…モールド製造用の基板
１１２，１２２，１３２，１４２，１５２，１６２…透明基板
１１２ａ，１２２ａ，１３２ａ，１４２ａ，１５２ａ，１６３ａ…透明基板の一方の面
１１２ｂ，１２２ｂ，１３２ｂ，１４２ｂ，１５２ｂ，１６２ｂ…透明基板の他方の面
１１５，１２５，１３５，１４５，１５５，１６５…ハードマスク材料層
１１６，１２６，１３６，１４６，１５６，１６６…導電層
２１１…転写基材
２２１…被形成樹脂
２２２…被形成樹脂層
２２３…転写樹脂層
２３１…パターン構造体
Ａ…凹凸構造領域
Ｂ…凹凸構造領域裏面
【図１】
0006597186.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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