(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板と、前記絶縁基板上に設けられ、複数の単位画素それぞれで輝度が制御されて発光する自発光素子層とを有する回路層が配置され、
前記回路層は、画像表示を行う表示領域と、前記表示領域よりも外側の額縁領域とを備え、
前記絶縁基板は、前記額縁領域よりも外側において前記回路層の裏側に折り返して配置される外部領域を備え、
前記自発光素子層は、有機層と、前記有機層の下層に設けられる下部電極と、前記有機層の上層に設けられる上部電極とを備え、
前記上部電極は、前記表示領域から前記外部領域に延びて形成され、前記外部領域に給電部と電気的に接続されるコンタクト部を複数有し、
複数の前記コンタクト部は、導電部材を介して互いに電気的に接続されることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記絶縁基板は、前記外部領域を複数有し、
前記導電部材は、折り返された前記複数の外部領域を互いに貼り付け、かつ、前記複数のコンタクト部を互いに電気的に接続する導電テープであることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記外部領域は切れ目を有し、
折り返された前記外部領域が、前記外部領域のうち前記切れ目により分離される部分により挟み込まれ、前記外部領域の折り返し状態が保持されることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項４】
前記絶縁基板は、可撓性を有するフィルムであることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、画像表示をする表示領域と、表示領域の外側の額縁領域とを備える表示装置を構成する基板として、折り曲げ可能な基板が知られている。特許文献１には、基板の４辺を折り曲げることにより、狭額縁化を図る技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１２−１２８００６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
表示装置の額縁領域には、外部の電源からフレキシブル配線基板等を介して表示領域に電力を供給するためのコンタクト部が設けられる場合がある。このコンタクト部の面積が大きいほど低抵抗化の観点より好ましいが、コンタクト部の面積を大きくするとそれに伴い額縁領域を広くする必要が生じてしまう。
【０００５】
本発明は、コンタクト部の低抵抗化を図ると共に、狭額縁化を実現可能な表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一態様の表示装置は、絶縁基板と、前記絶縁基板上に設けられ、複数の単位画素それぞれで輝度が制御されて発光する自発光素子層とを有する回路層が配置され、前記回路層は、画像表示を行う表示領域と、前記表示領域よりも外側の額縁領域とを備え、前記絶縁基板は、前記額縁領域よりも外側において前記回路層の裏側に折り返して配置される外部領域を備え、前記自発光素子層は、有機層と、前記有機層の下層に設けられる下部電極と、前記有機層の上層に設けられる上部電極とを備え、前記上部電極は、前記表示領域から前記外部領域に延びて形成され、前記外部領域に給電部と電気的に接続されるコンタクト部を有することを特徴とする。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】第１実施形態に係る表示装置を示す平面図である。
【図２】第１実施形態に係る表示装置のポリイミドフィルムを展開した状態を示す展開平面図である。
【図３】第１実施形態に係る表示装置を模式的に示す模式断面図であって、図２のＡ−Ａ断面図である。
【図４】第１実施形態に係る表示装置を裏側から見た図であって、ポリイミドフィルムの折り返し工程について説明する図である。
【図５】第１実施形態に係る表示装置を裏側から見た図であって、ポリイミドフィルムの折り返し工程について説明する図である。
【図６】第２実施形態に係る表示装置のポリイミドフィルムを展開した状態を示す展開平面図である。
【図７】第２実施形態におけるポリイミドフィルムの折り返し曲げ工程について説明する図である。
【図８】第３実施形態に係る表示装置のポリイミドフィルムを展開した状態を示す展開平面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下に、本発明の第１〜第３実施形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。
【０００９】
まず、図１〜図３を参照して、第１実施形態に係る表示装置について説明する。図１は、第１実施形態に係る表示装置を示す平面図である。図２は、第１実施形態に係る表示装置のポリイミドフィルムを展開した状態を示す展開平面図である。図３は、第１実施形態に係る表示装置を模式的に示す模式断面図であって、図２のＡ−Ａ断面図である。
【００１０】
図１に示すように、表示装置１００は、画像表示をする表示領域Ｍと、表示領域Ｍの外側の額縁領域Ｎとを有する。表示領域Ｍには複数の単位画素がマトリクス状に配置されている。
【００１１】
表示装置１００は、可撓性を有し、折り曲げ可能な絶縁基板としてのポリイミドフィルム１１上に複数の層が積層される構造を有する。また、図２に示すように、ポリイミドフィルム１１は、展開した状態において、額縁領域Ｎよりもさらに外側に外部領域Ｏを有する構成となっている。
【００１２】
第１実施形態においては、外部領域Ｏとして、表示領域Ｍの左右側にそれぞれ設けられる外部領域Ｏ１、Ｏ２、表示領域Ｍの上側に設けられる外部領域Ｏ３、表示領域Ｍの下側に設けられる外部領域Ｏ４を有する構成とした。外部領域Ｏ４には、ドライバＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）５１、及び不図示のフレキシブル配線基板（ＦＰＣ、Ｆｌｅｘｉｂｌｅ  Ｐｒｉｎｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔｓ）等が電気的に接続される端子５２が実装されている。
【００１３】
図３に示すように、表示装置１００は、薄膜トランジスタ等を備えるＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）基板１０と、ＴＦＴ基板１０に対向して設けられる対向基板２０とを有する。対向基板２０は、ＴＦＴ基板１０の縁に沿って形成されるシール部材３０と、シール部材３０に囲まれる領域に充填される充填材４０とを介して、ＴＦＴ基板１０に対して貼り付けられている。
【００１４】
ＴＦＴ基板１０は、上述したポリイミドフィルム１１と、絶縁膜１２と、自発光素子層１３と、自発光素子層１３を封止する封止膜１５とを有する。
【００１５】
自発光素子層１３は、画素を構成する複数の単位画素それぞれで輝度が制御されて発光する層である。自発光素子層１３は、少なくとも表示領域Ｍに設けられ、有機ＥＬ（Ｅｒｅｃｔｒｏ  Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）層１３ａと、有機ＥＬ層１３ａの下層に設けられる下部電極としてのアノード電極１３ｂと、有機ＥＬ層の上層に設けられる上部電極としてのカソード電極１３ｃとを含む層である。なお、第１実施形態においては、上部電極をカソード電極とし、下部電極をアノード電極としたが、これに限られるものではなく、上部電極をアノード電極として、下部電極をカソード電極としてもよい。
【００１６】
有機ＥＬ層１３ａのうちアノード電極１３ｂを覆う領域が発光領域となり、バンク層１７によってカソード電極１３ｃと離間される領域が非発光領域となる。有機ＥＬ層１３ａは、陰極側から陽極側に向けて順に、電子輸送層、発光層、ホール輸送層を積層配置して構成される。アノード電極１３ｂとカソード電極１３ｃに直流電圧が印加されると、カソード電極１３ｃから注入されたホールがホール輸送層を経由し、一方、アノード電極１３ｂから注入された電子が電子輸送層を経由して、それぞれ有機ＥＬ層１３ａに到達し、電子とホールが再結合する。このような電子とホールの再結合により、有機ＥＬ層１３ａは、所定の波長の発光を行う。
【００１７】
また、表示装置１００においては、図３に示すように、カソード電極１３ｃは、ポリイミドフィルム１１の外部領域Ｏまで延びて形成される。カソード電極１３ｃは、封止膜１５によって被覆されているが、外部領域Ｏ４において封止膜１５に被覆されず露出したコンタクト部Ｃ（Ｃ１〜Ｃ４）を有する。コンタクト部Ｃは、外部に設けられる給電部に電気的に接続されて、表示領域Ｍに電力を供給する役割を担うものである。
【００１８】
第１実施形態においては、図２に示すように、ポリイミドフィルム１１のうち、外部領域Ｏ１にコンタクト部Ｃ１を設け、外部領域Ｏ２にコンタクト部Ｃ２を設け、外部領域Ｏ３にコンタクト部Ｃ３、Ｃ４を設ける構成とした。第１実施形態においては、外部領域Ｏ１、Ｏ２に設けられるコンタクト部Ｃ１、Ｃ２を介して表示領域Ｍへの給電を行う。
【００１９】
一方、図３に示すように、対向基板２０は、ガラス基板２１と、ガラス基板２１の下層に設けられるカラーフィルタ２３と、カラーフィルタ２３の周辺に設けられるブラックマトリクス２５とを有する。なお、第１実施形態においては、ガラス基板２１を用いる構成について説明するが、これに限られるものではなく、可撓性を有するフィルム等を用いてもよい。
【００２０】
カラーフィルタ２３は、表示領域Ｍに配置される単位画素毎に区分されて設けられ、特定の波長の光を吸収し、他の波長の光を透過する。カラーフィルタ２３としては、例えば赤Ｒ、緑Ｇ、青Ｂの着色がされたものを用いるとよい。ブラックマトリクス２５は、各色のカラーフィルタ２３を囲むようにマトリクス状に形成され、自発光素子層１３からの光を遮光する。
【００２１】
次に、図４、図５を参照して、ポリイミドフィルム１１の折り返しについて説明する。第１実施形態においては、外部領域ＯをＴＦＴ基板１０の裏側に折り返す構成を採用することにより狭額縁化を図っている。図４及び図５は、第１実施形態に係る表示装置を裏側から見た図であって、ポリイミドフィルムの折り返し工程について説明する図である。図４（ａ）は、ポリイミドフィルムを展開した表示装置１００を裏側から見た図である。すなわち、図４（ａ）は、図２に示す表示装置１００を裏側から見た図である。図４、図５中の破線は、コンタクト部を透視したものを示す。
【００２２】
まず、外部領域Ｏ１及び外部領域Ｏ２をＴＦＴ基板１０の裏側に折り返し、図４（ｂ）に示す状態にする。図４（ｂ）の状態において、コンタクト部Ｃ１、Ｃ２は、表示領域Ｍの表示面側と反対側を向いた状態となる。さらに、外部領域Ｏ３をＴＦＴ基板１０の裏側に折り返して図４（ｃ）に示す状態にする。図４（ｃ）に示す状態において、コンタクト部Ｃ３、Ｃ４は、表示領域Ｍの表示面側とは反対側を向いた状態となる。
【００２３】
次に、外部領域Ｏ３に設けられ、互いに隣り合うコンタクト部Ｃ３とコンタクト部Ｃ４を、導電テープを用いて電気的に接続する。導電テープとしては両面テープを用いるとよい。なお、第１実施形態においては導電テープを用いたが、これに限られるものではなく、通電可能でかつ接着可能なものであればよく、例えば導電性の接着剤を用いてもよい。
【００２４】
さらに、コンタクト部Ｃ２とコンタクト部Ｃ４とが重なり合い、コンタクト部Ｃ１とコンタクト部Ｃ３とが重なり合うように、外部領域Ｏ４をＴＦＴ基板１０の裏側に折り返す。折り返された外部領域Ｏ４は、両面テープである導電テープ６０（図５（ａ）参照）により外部領域Ｏ３に貼り付けられる。両面テープにより、外部領域Ｏ３と外部領域Ｏ４が固定されるため、外部領域Ｏ１〜Ｏ４を折り返した状態が保持される（図５（ｂ）参照）。
【００２５】
また、コンタクト部Ｃ１〜Ｃ４は、抵抗の小さな導電テープ６０で互いに電気的に接続されることとなり、電位が略同じ（共通電位）状態となる。そのため、金属等を介してコンタクト部を電気的に接続する場合と比較して、低抵抗化を図ることができる。その結果、電圧降下によって生じる輝度傾斜を抑制することができる。
【００２６】
以上説明したように、第１実施形態においては、カソード電極１３ｃのコンタクト部Ｃ１〜Ｃ４を額縁領域Ｎよりも外側（対向基板２０に対向する領域以外の領域）に配置する構成を採用したため、コンタクト部Ｃ１〜Ｃ４を額縁領域Ｎに配置する構成と比較して、狭額縁化を図ることができる。また、額縁領域Ｎの幅に関わらず、カソード電極１３ｃのコンタクト部Ｃ１〜Ｃ４の面積を大きくとることができるため、低抵抗化を図ることができる。
【００２７】
なお、外部領域Ｏの形状については、図に示すものに限られるものではない。例えば、外部領域Ｏ１、Ｏ２のうちコンタクト部Ｃ１、Ｃ２が配置される部分以外の領域については取り除いた形状にしても構わない。また、ポリイミドフィルム１１を折り曲げやすくするように適宜スリットや切り欠きを形成してもよい。
【００２８】
また、カソード電極同士を通電するために、図３に示すように信号配線層としてアルミ配線１９を設けてもよい。厚みのあるアルミ配線１９を通じて通電することで、低抵抗化を図ることができる。なお、アルミの腐食等を抑制するため、アルミ配線１９にＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）層を被覆してもよい。
【００２９】
次に、図６、図７を参照して、第２実施形態に係る表示装置２００について説明する。図６は、第２実施形態に係る表示装置のポリイミドフィルムを展開した状態を示す展開平面図である。図７は、ポリイミドフィルムの折り返し工程について説明する図である。なお、第２実施形態において、第１実施形態と同様の構成については同じ符号を用いてその説明は省略する。図７（ｃ）、図７（ｄ）中の破線は、コンタクト部を透視したものを示す。
【００３０】
図６に示すように、表示装置２００は、第１実施形態に係る表示装置１００と同様に、表示領域Ｍと、表示領域Ｍの外側の額縁領域Ｎとを有する。また、第２実施形態のポリイミドフィルム１１は、額縁領域Ｎよりもさらに外側に外部領域Ｏを有する。外部領域Ｏは、表示領域Ｍの左右側にそれぞれ設けられる外部領域Ｏ１、Ｏ２、表示領域Ｍの上側に設けられる外部領域Ｏ３、表示領域Ｍの下側に設けられる外部領域Ｏ４を有する。
【００３１】
また、ポリイミドフィルム１１の外部領域Ｏ１には、切れ目Ｌ１、Ｌ２が設けられ、外部領域Ｏ２には、切れ目Ｌ３、Ｌ４が設けられる。また、外部領域Ｏ１と外部領域Ｏ４の境目には、切れ目Ｌ５が設けられ、外部領域Ｏ２と外部領域Ｏ４の境目には切れ目Ｌ６が設けられる。また、外部領域Ｏ１と外部領域Ｏ３の境目には切れ目Ｌ７が設けられ、外部領域Ｏ２と外部領域Ｏ３との境目には切れ目Ｌ８が設けられる。
【００３２】
図７（ａ）〜図７（ｄ）を参照して、第２実施形態のポリイミドフィルム１１の折り返しについて説明する。
【００３３】
まず、外部領域Ｏ１及び外部領域Ｏ２をＴＦＴ基板１０の裏面側に折り返す。その状態を図７（ａ）に示す。図７（ｂ）は、図７（ａ）に示す表示装置２００を裏側から見た図である。図７（ｃ）、図７（ｄ）も同様に、表示装置を裏側から見た図である。
【００３４】
次に、図７（ｃ）に示すように、外部領域Ｏ４をＴＦＴ基板１０の裏側に折り返す。この際に、外部領域Ｏ１のうち切れ目Ｌ２により形成される切れ目端部Ｅ１を外部領域Ｏ１と外部領域Ｏ４のうち切れ目Ｌ５により分離される部分で挟み込む。同様に、外部領域Ｏ２のうち切れ目Ｌ４により形成される切れ目端部Ｅ２を外部領域Ｏ２と外部領域Ｏ４のうち切れ目Ｌ６により分離される部分で挟み込む。これにより、外部領域Ｏ４の折り返し状態が保持される。
【００３５】
さらに、図７（ｄ）に示すように、外部領域Ｏ３をＴＦＴ基板１０の裏側に折り返す。この際に、外部領域Ｏ１のうち切れ目Ｌ１により形成される切れ目端部Ｅ３を外部領域Ｏ１と外部領域Ｏ３のうち切れ目Ｌ７により分離される部分で挟み込む。同様に、外部領域Ｏ２のうち切れ目Ｌ３により形成される切れ目端部Ｅ４を外部領域Ｏ２と外部領域Ｏ３のうち切れ目Ｌ８により分離される部分で挟み込む。これにより、外部領域Ｏ３の折り返し状態が保持される。
【００３６】
以上説明したように、第２実施形態の構成においては、両面テープや接着剤等を用いることなく、外部領域ＯがＴＦＴ基板１０の裏側に折り返された状態が保持される。なお、第２実施形態においても、外部領域Ｏを折り返した状態でコンタクト部Ｃ１とコンタクト部Ｃ２が電気的に接続されるように、導電テープ等を貼り付けてもよい。ただし、第２実施形態においては、上述のようにポリイミドフィルム１１に複数の切れ目を形成することで外部領域Ｏの折り返し状態が保持されるような構成としたので、導電テープとして両面テープを用いる必要はない。
【００３７】
なお、ポリイミドフィルム１１への切れ目については、第２実施形態で示したものに限られるものではなく、折り返したポリイミドフィルム１１をテープ等を用いることなく、折り返し状態を保持するように形成されるものであればよく、その数、大きさ、位置は適宜選択してよい。
【００３８】
次に、図８を参照して、第３実施形態に係る表示装置３００について説明する。図８は、第３実施形態に係る表示装置のポリイミドフィルムを展開した状態を示す展開平面図である。第３実施形態においては、ポリイミドフィルム１１の形状を除いて、他の構成については第１実施形態で説明したものと同様である。また、第３実施形態においては、ポリイミドフィルム１１の折り返し方、コンタクト部Ｃの接続方法は、第１実施形態で説明した方法と同じであるため、その説明は省略する。
【００３９】
図８に示すように、表示装置３００は、画像を表示する表示領域Ｍと、表示領域Ｍの外側の額縁領域Ｎとを有する。また、ポリイミドフィルム１１は、額縁領域Ｎよりもさらに外側に外部領域Ｏを有する。外部領域Ｏは、表示領域Ｍの左右側にそれぞれ設けられる外部領域Ｏ１、Ｏ２、表示領域Ｍの上側に設けられる外部領域Ｏ３１、Ｏ３２、表示領域Ｍの下側に設けられる外部領域Ｏ４を有する。
【００４０】
第３実施形態のポリイミドフィルム１１には、切り欠きＤ１が形成されることにより、外部領域Ｏ１と外部領域Ｏ４は離間する構成となっている。同様に、切り欠きＤ２が形成されることにより、外部領域Ｏ２と外部領域Ｏ４は離間する構成となっている。また、切り欠きＤ３が形成されることにより、外部領域Ｏ３１と外部領域Ｏ３２は離間する構成となっている。また、外部領域Ｏ１にはコンタクト部Ｃ１が設けられ、外部領域Ｏ２にはコンタクト部Ｃ２が設けられ、外部領域Ｏ３１にはコンタクト部Ｃ３が設けられ、外部領域Ｏ３２にはコンタクト部Ｃ４が設けられる。また、外部領域Ｏ４には、ドライバＩＣ５１、及びフレキシブル配線基板等に電気的に接続される端子５２が実装されている。
【００４１】
第３実施形態に係る表示装置においては、第１実施形態に係る表示装置と比較して、ポリイミドフィルム１１の面積を少なくすることができるため、第１実施形態で説明した効果を得られることに加えて、さらなる装置の小型化、薄型化を図ることができる。
【００４２】
ここで、第３実施形態のポリイミドフィルム１１においては、図８に示すように、外部領域Ｏ３１の幅ｗ１と切り欠きＤ１の幅ｗ３を同じ幅とした。同様に、外部領域Ｏ３２の幅ｗ２と切り欠きＤ２の幅ｗ４を同じ幅とした。また、外部領域Ｏ４の幅ｗ５と切り欠きＤ３の幅ｗ６を同じ幅とした。このような構成を採用することにより、各外部領域が折り返された状態において、外部領域Ｏ３１は切り欠きＤ１に嵌り、外部領域Ｏ３２は切り欠きＤ２に嵌り、外部領域Ｏ４は切り欠きＤ３に嵌ることとなる。そのため、外部領域が互いに重なり合う部分が減るため、無駄な領域を削減でき、装置の薄型化を図ることができる。なお、幅ｗ１＝幅ｗ３、幅ｗ２＝幅ｗ４、幅ｗ５＝幅ｗ６に限られるものではなく、幅ｗ１≦幅ｗ３、幅ｗ２≦幅ｗ４、幅ｗ５≦幅ｗ６を満たせば、上記のように、ポリイミドフィルム１１の無駄な領域を削減し、装置の薄型化を期待できる。また、外部領域Ｏ３１、Ｏ３２、Ｏ４は、折り返された状態で、周辺領域Ｎの外側にはみ出さない寸法（長さ）であることが好ましい。
【００４３】
なお、上記第１〜第３実施形態のポリイミドフィルムが本発明の絶縁基板に対応する構成であり、ＴＦＴ基板が本発明の回路層に対応する構成であり、有機ＥＬ層が有機層に対応する構成であり、導電テープが導電部材に対応する構成である。
【符号の説明】
【００４４】
１０  ＴＦＴ基板、１１  ポリイミドフィルム、１３  自発光素子層、１３ａ  有機ＥＬ層、１３ｂ  アノード電極、１３ｃ  カソード電極、１５  封止膜、１７  バンク層、２０  対向基板、２１  ガラス基板、２３  カラーフィルタ、２５  ブラックマトリクス、３０  シール部材、４０  充填材、５１  ＩＣドライバ、５２  端子、１００，２００，３００  表示装置、Ｍ  表示領域、Ｎ  額縁領域、Ｏ１〜Ｏ４  外部領域、Ｃ１〜Ｃ４  コンタクト部、Ｌ１〜Ｌ１０  切れ目、Ｅ１〜Ｅ４  切れ目端部、Ｄ１〜Ｄ３  切り欠き。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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