(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミック誘電体に固溶した添加物の固溶状態または分散状態を観察するためのセラミック誘電体の観察方法であって、
前記セラミック誘電体の観察対象面を露出させるステップと、
走査型電子顕微鏡を用いて前記観察対象面にその侵入長が１０［ｎｍ］以下となる条件にて電子線を照射することで前記観察対象面における電気抵抗の表面分布を可視化させた帯電像を得ることにより、前記観察対象面を観察するステップとを備える、セラミック誘電体の観察方法。
【請求項２】
前記観察対象面に前記電子線を照射させる際の加速電圧が、２００［Ｖ］以上７００［Ｖ］以下である、請求項１に記載のセラミック誘電体の観察方法。
【請求項３】
前記観察対象面の算術平均粗さＲａが、５０［ｎｍ］以下である、請求項１または２に記載のセラミック誘電体の観察方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、セラミック誘電体の観察方法に関し、特に、セラミック誘電体に固溶した添加物の固溶状態または分散状態を電子顕微鏡を用いて観察するためのセラミック誘電体の観察方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、積層セラミックコンデンサに用いられるセラミック誘電体の材料設計においては、希土類元素（たとえば、Ｄｙ，Ｇｄ，Ｙ，Ｌａ，Ｈｏ等）に代表される添加物をセラミック誘電体に固溶させることが基本となっている。この種の添加物をセラミック誘電体に固溶させることにより、酸素空孔の移動が抑制されたり、セラミック誘電体の抵抗変化が起こってセラミック粒界への局所的な電界集中が抑制されたりすることになるため、積層セラミックコンデンサの信頼性を飛躍的に向上させることができる。
【０００３】
そのため、積層セラミックコンデンサに用いられるセラミック誘電体の材料設計に際しては、添加物の固溶状態や分散状態が重要な設計指標となっており、これらを電子顕微鏡を用いて観察することが行なわれている。
【０００４】
たとえば、特開２０１０−２４０８６号公報（特許文献１）においては、電子顕微鏡の一種である透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ：Transmission Electron Microscope）を用いてセラミック誘電体を観察したり、これに加えてＴＥＭに付設されたエネルギー分散型Ｘ線分析（ＥＤＸ：Energy Dispersive X-ray Spectroscopy）装置を用いてセラミック誘電体を観察したりすることにより、セラミック誘電体における添加物の固溶状態および分散状態等の確認が行なわれている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１０−２４０８６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、ＴＥＭを用いてセラミック誘電体における添加物の固溶状態や分散状態の確認を行なうためには、十分な量の電子線が試料を透過することとなるように相当程度に試料を薄片化する必要があり、その薄片化に多大な労力と時間とを要する問題があった。そのため、より簡便にセラミック誘電体における添加物の固溶状態や分散状態を観察することができる観察方法の開発が求められている。
【０００７】
したがって、本発明は、上述した問題を解決すべくなされたものであり、セラミック誘電体における添加物の固溶状態や分散状態を簡便に観察することができる新規なセラミック誘電体の観察方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者は、電子顕微鏡の一種である走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ：Scanning Electron Microscope）を用いて所定条件下で試料を観察することにより、試料の観察対象面における電気抵抗の表面分布が可視化できるとの知見を得、これに基づき、セラミック誘電体における添加物の固溶状態や分散状態をＳＥＭを用いて観察することができることに着想し、本発明を完成させるに至った。
【０００９】
すなわち、本発明に基づくセラミック誘電体の観察方法は、セラミック誘電体に固溶した添加物の固溶状態または分散状態を観察するための方法であって、上記セラミック誘電体の観察対象面を露出させるステップと、走査型電子顕微鏡を用いて上記観察対象面にその侵入長が１０［ｎｍ］以下となる条件にて電子線を照射することで上記観察対象面における電気抵抗の表面分布を可視化させた帯電像を得ることにより、上記観察対象面を観察するステップとを備えている。
【００１０】
上記本発明に基づくセラミック誘電体の観察方法にあっては、上記観察対象面に上記電子線を照射させる際の加速電圧が、２００［Ｖ］以上７００［Ｖ］以下であることが好ましい。
【００１１】
上記本発明に基づくセラミック誘電体の観察方法にあっては、上記観察対象面の算術平均粗さＲａが、５０［ｎｍ］以下であることが好ましい。
【００１２】
ここで、上記本発明に基づくセラミック誘電体の観察方法において用いられる走査型電子顕微鏡は、観察に際して試料を薄片化させる必要がないものである。そのため、上記本発明に基づくセラミック誘電体の観察方法は、透過型電子顕微鏡を用いる従来の観察方法よりも、格段に容易に添加物の固溶状態や分散状態を観察することができるものである。
【発明の効果】
【００１３】
したがって、本発明によれば、セラミック誘電体における添加物の固溶状態や分散状態を簡便に観察することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】一般的な積層セラミックコンデンサの斜視図および断面図である。
【図２】本発明の実施の形態におけるセラミック誘電体の観察方法を示すフロー図である。
【図３】図２に示すセラミック誘電体の観察対象面の準備ステップを段階的に示す模式図である。
【図４】ＳＥＭを用いた場合の加速電圧の違いに基づく試料表面における一次電子の挙動の相違ならびに観察エリアの相違を示す図である。
【図５】比較例および実施例に係るセラミック誘電体の観察方法で得られたコントラスト像ならびにＴＥＭにて得られた希土類元素の元素マッピング画像である。
【図６】第２検証試験の結果を示す表である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明の実施の形態について、図を参照して詳細に説明する。なお、以下に示す実施の形態においては、同一のまたは共通する部分について図中同一の符号を付し、その説明は繰り返さない。
【００１６】
まず、本発明の実施の形態におけるセラミック誘電体の観察方法を説明するに先立って、一般的な積層セラミックコンデンサの構造について説明する。図１（Ａ）は、一般的な積層セラミックコンデンサの斜視図であり、図１（Ｂ）は、図１（Ａ）中に示すＩＢ−ＩＢ線に沿った断面図である。
【００１７】
図１（Ａ）および図１（Ｂ）に示すように、積層セラミックコンデンサ１０は、全体として略直方体形状を有しており、素体１１と、一対の外部電極１４とを備えている。素体１１は、直方体形状を有しており、厚み方向Ｔに沿って交互に積層されたセラミック誘電体層１２および内部電極層１３を含んでいる。一対の外部電極１４は、厚み方向Ｔと直交する長さ方向Ｌおよび幅方向Ｗのうちの長さ方向Ｌにおける素体１１の両端部に位置している。
【００１８】
セラミック誘電体層１２は、たとえばＢａＴｉＯ３、ＣａＴｉＯ３、ＳｒＴｉＯ３、ＣａＺｒＯ３等を主成分とするセラミックス材料にて形成されており、当該セラミック誘電体層１２には、添加物としての希土類元素（たとえば、Ｄｙ，Ｇｄ，Ｙ，Ｌａ，Ｈｏ等）が固溶している。また、セラミック誘電体層１２は、添加物としてのＭｎ化合物、Ｍｇ化合物、Ｓｉ化合物、Ｃｏ化合物、Ｎｉ化合物、Ｖ化合物等を含んでいてもよい。
【００１９】
内部電極層１３は、たとえばＮｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｄ合金、Ａｕ等に代表される金属材料にて形成されている。
【００２０】
外部電極１４は、たとえば焼結金属層とめっき層の積層膜にて構成される。焼結金属層は、たとえばＣｕ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｄ合金、Ａｕ等のペーストを焼き付けることで形成される。めっき層は、たとえばＮｉめっき層とこれを覆うＳｎめっき層とによって構成される。めっき層は、これに代えてＣｕめっき層やＡｕめっき層であってもよい。また、外部電極１４は、めっき層のみによって構成されていてもよい。さらには、外部電極１４として、導電性樹脂ペーストを利用することも可能である。
【００２１】
ここで、素体１１は、セラミック誘電体層１２となるセラミックシート（いわゆるグリーンシート）の表面に内部電極層１３となる導電ペーストが印刷された素材シートを複数準備し、これら複数の素材シートを積層して圧着および焼成することによって製作され、一対の外部電極１４は、上述した工程を経て製作された素体１１の両端部の外表面を覆うように形成される。
【００２２】
図１（Ｂ）に示すように、厚み方向Ｔに沿ってセラミック誘電体層１２を挟んで隣り合う一対の内部電極層１３のうちの一方は、積層セラミックコンデンサ１０の内部において一対の外部電極１４のうちの一方に電気的に接続されており、厚み方向Ｔに沿ってセラミック誘電体層１２を挟んで隣り合う一対の内部電極層１３のうちの他方は、積層セラミックコンデンサ１０の内部において一対の外部電極１４のうちの他方に電気的に接続されている。これにより、一対の外部電極１４間には、複数のコンデンサ要素が電気的に並列に接続された状態とされている。
【００２３】
図２は、本発明の実施の形態におけるセラミック誘電体の観察方法を示すフロー図であり、図３（Ａ）および図３（Ｂ）は、図２に示すセラミック誘電体の観察対象面の準備ステップを段階的に示す模式図である。以下、これら図２および図３を参照して、本実施の形態におけるセラミック誘電体の観察方法について説明する。
【００２４】
図２に示すように、本実施の形態におけるセラミック誘電体の観察方法においては、ステップＳＴ１において、セラミック誘電体の観察対象面が準備された後、ステップＳＴ２において、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いてセラミック誘電体の観察対象面が観察される。
【００２５】
セラミック誘電体の観察対象面を準備するステップＳＴ１においては、まず、封止樹脂による試料の封止が行なわれ（ステップＳＴ１１）、次に、試料の研磨が行なわれる（ステップＳＴ１２）。
【００２６】
試料としては、上述した如くの一般的な積層セラミックコンデンサはもとより、添加物を含むセラミック誘電体を具備した各種の物体（特に電子部品）が対象となる。以下の説明においては、上述した如くの一般的な積層セラミックコンデンサを試料とした場合を説明する。
【００２７】
図３（Ａ）に示すように、封止樹脂による試料の封止を行なうステップＳＴ１１においては、試料としての積層セラミックコンデンサ１０が内部に埋設されるように、当該積層セラミックコンデンサ１０が封止樹脂１００によって封止される。封止樹脂１００の材質や形状は、特に問われない。
【００２８】
図３（Ｂ）に示すように、試料の研磨を行なうステップＳＴ１２においては、封止樹脂１００ごと試料としての積層セラミックコンデンサ１０が研磨される。当該研磨は、観察すべき積層セラミックコンデンサ１０の断面が観察対象面Ｓとして露出するまで行われる。研磨に際しては、各種の研磨装置を利用することができるが、好ましくは研磨砥粒の大きさを順に下げること等によって観察対象面Ｓとなる研磨面の表面粗さを小さくすることが好ましい。ここで、研磨後の観察対象面Ｓの表面粗さは、その算術平均粗さＲａが１００［μｍ］以下であることが好ましく、５０［μｍ］以下であることがさらに好ましい。
【００２９】
以上により、試料としての積層セラミックコンデンサ１０の観察対象面Ｓが露出した状態のワークが得られることになり、これによりセラミック誘電体の観察対象面の準備（ＳＴ１）が完了することになる。
【００３０】
図２を参照して、ＳＥＭを用いてセラミック誘電体の観察対象面を観察するステップＳＴ２においては、上述したステップＳＴ１を経ることで準備したワークがＳＥＭのステージ上にセットされる。
【００３１】
次に、ＳＥＭに設けられた電子銃からワークの観察対象面Ｓに向けて一次電子としての電子線が照射される。これに伴い、観察対象面Ｓからは二次電子が放出されることになり、ＳＥＭに設けられた検出器を用いて当該二次電子の検出が行なわれる。ここで、照射する電子線の加速電圧は、好ましくは２００［Ｖ］以上７００［Ｖ］以下とされる。
【００３２】
これにより、ＳＥＭにおいては、観察対象面Ｓにおける電気抵抗の表面分布が可視化された帯電像が得られることになり、当該帯電像を観察することで添加物の固溶状態や分散状態が確認できることになる。ここで、得られる帯電像においては、電気抵抗の表面分布がコントラストの相違によって表現されることになり、観察対象面Ｓのうちの表面の電気抵抗が高い部分がより濃い色にて表われ、観察対象面Ｓのうちの表面の電気抵抗が低い部分がより淡い色にて表われる。したがって、添加物が含まれる部分がより濃い色にて表現されることになり、これに基づいて添加物の固溶状態や分散状態が把握可能になる。
【００３３】
以上において説明した本実施の形態におけるセラミック誘電体の観察方法においては、上述したように観察に際して試料を薄片化させる必要がないものであるため、本実施の形態におけるセラミック誘電体の観察方法を採用することにより、ＴＥＭを用いる従来の観察方法よりも、格段に容易に添加物の固溶状態や分散状態を観察することができる。
【００３４】
ここで、前述したＳＥＭを用いてセラミック誘電体の観察対象面を観察するステップＳＴ２において、観察対象面Ｓにおける電気抵抗の表面分布を帯電像として可視化するためには、ＳＥＭの設定条件として、一次電子としての電子線の観察対象面Ｓに対する侵入長が１０［ｎｍ］以下となるように設定することを要する。以下、その理由についての考察を示す。
【００３５】
図４（Ａ）および図４（Ｂ）は、それぞれＳＥＭを用いた場合の加速電圧の違いに基づく試料表面における一次電子の挙動の相違ならびに観察エリアの相違を示す図である。
【００３６】
図４（Ａ）に示すように、観察対象面Ｓに照射された一次電子の侵入長は、当該一次電子の加速電圧に依存しており、加速電圧が小さくなるにつれてその侵入長は短くなる。すなわち、図を参照して、シミュレーションによる解析結果によれば、加速電圧が５［ｋＶ］である場合には、一次電子の侵入長は、４５０［ｎｍ］以上となるのに対し、加速電圧が１［ｋＶ］である場合には、一次電子の侵入長は、５０［ｎｍ］程度に抑制される。
【００３７】
そのため、図４（Ｂ）に示すように、加速電圧が５［ｋＶ］である場合には、ある一点に照射された一次電子に起因して観察対象面Ｓから放出される二次電子として、図中に示す領域Ｒ１の如くの非常に広い範囲において発生した二次電子が含まれ得ることになる反面、加速電圧が１［ｋＶ］である場合には、ある一点に照射された一次電子に起因して観察対象面Ｓから放出される二次電子として、図中に示す領域Ｒ２の如くの非常に狭い範囲において発生した二次電子のみが含まれ得ることになる。
【００３８】
したがって、照射する電子線の加速電圧を十分に低く抑えることにより、観察対象面Ｓの表層部分のみの情報（すなわち、試料表面の電気抵抗の大きさ）を取得することが可能になり、これにより、上述した本実施の形態におけるセラミック誘電体の観察方法を採用することで添加物の固溶状態や分散状態が把握可能になったものと推察される。
【００３９】
ここで、実際に、照射する電子線の加速電圧を種々変更した場合に、当該加速電圧が２００［Ｖ］以上７００［Ｖ］以下の範囲内において、添加物の固溶状態や分散状態の把握を良好に行なうことができる帯電像が得られることが本発明者によって確認されており（後述する検証試験１，２参照）、その場合の一次電子としての電子線の侵入長が１０［ｎｍ］以下であることも、シミュレーションによって確認が行われている。なお、電子線の侵入長が１０［ｎｍ］以下であるＳＥＭの設定条件は、ＳＥＭを用いた通常の物体観察で設定される１［ｋＶ］以上５［ｋＶ］程度の設定条件における電子線の侵入長よりも非常に小さいものであり、その意味において特異な設定条件と言える。
【００４０】
＜検証試験１＞
検証試験１においては、上述した本発明の実施の形態におけるセラミック誘電体の観察方法を採用して、実際に積層セラミックコンデンサに具備されたセラミック誘電体層の観察を行ない、当該観察に基づいた観察結果が妥当なものであるか否かの検証を行なった。
【００４１】
ここで、試料としては、ＢａＴｉＯ３を主成分とするセラミック粉末に添加物としての希土類元素（Ｄｙ，Ｇｄ，Ｙ，Ｌａ，Ｈｏ）を固溶させた材料組成のセラミック誘電体を具備した積層セラミックコンデンサを用いた。当該積層セラミックコンデンサのサイズは、長さ方向Ｌにおける寸法が１．６［ｍｍ］であり、幅方向Ｗおよび厚み方向Ｔにおける寸法がそれぞれ０．８［ｍｍ］であり、当該積層セラミックコンデンサの容量は、１０［μＦ］である。なお、厚み方向Ｔにおいて一対の内部電極層によって挟まれた個々のセラミック誘電体層の厚みは、設計値で１．１［μｍ］であり、その積層数は３５０層である。また、内部電極層は、Ｎｉからなり、その厚みは、設計値で１．０［μｍ］である。
【００４２】
まず、上記積層セラミックコンデンサを封止樹脂によって封止し、その後、研磨を行なった。研磨加工においては、積層セラミックコンデンサの幅方向Ｗにおける中央位置でのＬ−Ｔ断面が露出するまで研磨を行なった。ここで、研磨加工は、段階的に行なうこととした。
【００４３】
最初に実施した粗研磨では、＃２００、＃５００、＃１０００の研磨台紙にて室温の水を研磨面に供給しながら湿式研磨を行なった。なお、＃２００、＃５００、＃１０００は、それぞれＪＩＳ Ｒ ６０１０の粒度を示している。
【００４４】
上記粗研磨の後に実施した最終の仕上げ研磨においては、ウレタンスポンジからなる研磨台紙にダイヤモンド砥粒を研磨剤として散布し、これを用いて研磨を行なった。なお、ダイヤモンド砥粒としては、当初は粒径が３［μｍ］のものを使用し、最終仕上げにおいては粒径が１［μｍ］のものを使用した。なお、ここでは、仕上げにダイヤモンド砥粒を使用したが、コロイダルシリカを使用してもよい。
【００４５】
以上の研磨加工が完了した後、積層セラミックコンデンサの露出した観察対象面の表面粗さを原子間力顕微鏡（ＡＦＭ：Atomic Force Microscope）にて測定したところ、その算術平均粗さＲａが１０［ｎｍ］となっていることが確認された。
【００４６】
次に、上述した研磨加工が完了した後のワークをＳＥＭのステージにセットし、観察対象面としての積層セラミックコンデンサの露出したＬ−Ｔ断面の中央部（図１において符号ＣＰで表わした部分）に電子線を照射して観察を行なった。その際、照射する電子線の加速電圧は、１００［Ｖ］〜１．５［ｋＶ］の範囲とした。
【００４７】
加速電圧が１００［Ｖ］の状態においては、コントラスト像が浮かび上がったものの、明瞭なコントラスト像は得られなかった。しかしながら、加速電圧を上げていく過程において、２００［Ｖ］に達した時点で明瞭なコントラスト像が得られ、この明瞭なコントラスト像は、加速電圧を７００［Ｖ］に挙げるまでの間にわたって常時得られた。加速電圧が７００［Ｖ］を超えると、次第に明瞭であったコントラスト像が不明瞭なものへと変化し、最終的には、像自体が消失した。
【００４８】
ここで、図５（Ａ）は、比較例に係るセラミック誘電体の観察方法で得られたコントラスト像であり、図５（Ｂ）は、実施例に係るセラミック誘電体の観察方法で得られたコントラスト像である。図５（Ａ）に示す比較例に係るセラミック誘電体の観察方法で得られたコントラスト像は、本検証試験において加速電圧を５［ｋＶ］に設定した際に得られたものであり、図５（Ｂ）に示す実施例に係るセラミック誘電体の観察方法で得られたコントラスト像は、本検証試験において加速電圧を３００［Ｖ］に設定した際に得られたものである。
【００４９】
これら図５（Ａ）および図５（Ｂ）の比較から、実施例に係るセラミック誘電体の観察方法で得られたコントラスト像は、セラミック誘電体層に含まれるセラミック粒界を明瞭に区別できるものであることが理解できる。加えて、当該実施例に係るセラミック誘電体の観察方法で得られたコントラスト像においては、セラミック誘電体層中に明瞭なコントラスト（すなわち色の濃淡）が現われていることが理解できる。
【００５０】
つづいて、当該ワークをＳＥＭから取外し、これをさらに薄片化してＴＥＭによって分析することにより、上記実施例に係るセラミック誘電体の観察方法で得られたコントラスト像の濃淡が、添加物の固溶状態や分散状態に起因したものであるか否かの検証を行なった。
【００５１】
図５（Ｃ）は、ＴＥＭにて得られた希土類元素の元素マッピング画像である。当該元素マッピング画像においては、添加物としての希土類元素が存在している部分が白色にて示され、当該希土類元素が存在していない部分が黒色にて示されるように画像処理を行なった後の画像である。なお、図５（Ｃ）に示した画像の観察対象位置および縮尺と、図５（Ｂ）に示したコントラスト像の観察対象位置および縮尺は、おおよそ合致している。
【００５２】
上記図５（Ｂ）および図５（Ｃ）の比較から、実施例に係るセラミック誘電体の観察方法で得られたコントラスト像の濃淡のうちの色の濃い部分と、元素マッピング画像の白色の部分とがほぼ一致していることが理解でき、実施例に係るセラミック誘電体の観察方法で得られたコントラスト像の濃淡のうちの色の淡い部分と、元素マッピング画像の黒色の部分とがほぼ一致していることが理解できる。
【００５３】
そのため、当該結果より、実施例に係るセラミック誘電体の観察方法で得られたコントラスト像の濃淡が、添加物の固溶状態や分散状態に起因したものであることが確認された。したがって、上述した実施の形態におけるセラミック誘電体の観察方法を用いることにより、添加物の固溶状態や分散状態が簡便に観察できることが確認された。
【００５４】
＜検証試験２＞
検証試験２においては、より明瞭なコントラスト像を得るための条件として、観察対象面の表面粗さがどのように影響しているかについて検証を行なった。なお、本検証試験においては、上述した検証試験１において使用した積層セラミックコンデンサと同様の仕様の積層セラミックコンデンサを３個準備し、その研磨条件を変更することで観察対象面の表面粗さが異なる３つのワークを準備した。
【００５５】
検証例１に係るワークでは、上述した検証試験１と同様の研磨条件にて研磨を行なった。当該検証例１に係るワークの観察対象面の表面粗さをＡＦＭにて測定したところ、その算術平均粗さＲａは、１０［ｎｍ］であった。
【００５６】
検証例２に係るワークでは、上述した検証試験１において説明した研磨条件のうち、粒径が３［μｍ］のダイヤモンド砥粒を用いた仕上げ研磨までを行ない、粒径が１［μｍ］のダイヤモンド砥粒を用いた仕上げ研磨の実施を省略した。当該検証例２に係るワークの観察対象面の表面粗さをＡＦＭにて測定したところ、その算術平均粗さＲａは、５０［ｎｍ］であった。
【００５７】
検証例３に係るワークでは、上述した検証試験１において説明した研磨条件のうち、粗研磨のみを行ない、ダイヤモンド砥粒を用いた仕上げ研磨の実施を省略した。当該検証例３に係るワークの観察対象面の表面粗さをＡＦＭにて測定したところ、その算術平均粗さＲａは、１００［ｎｍ］であった。
【００５８】
本検証試験においては、これら検証例１ないし３に係るワークをそれぞれＳＥＭのステージにセットし、観察対象面としての積層セラミックコンデンサの露出したＬ−Ｔ断面の中央部（図１において符号ＣＰで表わした部分）に電子線を照射して観察を行なった。その際、照射する電子線の加速電圧は、１００［Ｖ］〜１０００［Ｖ］の範囲とした。
【００５９】
図６は、本検証試験の結果を示す表である。図６に示す表においては、十分に明瞭なコントラス像が得られた条件を「良」として表記し、ある程度明瞭なコントラス像が得られた条件を「可」として表記し、明瞭なコントラスト像が得られなかった条件を「不可」として表記している。
【００６０】
図６に示すように、検証例１，２においては、照射する電子線の加速電圧が２００［Ｖ］以上７００［Ｖ］以下の範囲で十分に明瞭なコントラス像が得られ、検証例３においては、照射する電子線の加速電圧が２００［Ｖ］以上７００［Ｖ］以下の範囲である程度明瞭なコントラス像が得られた。
【００６１】
以上の結果より、明瞭なコントラスト像（すなわち帯電像）を得るためには、観察対象面の表面粗さがより小さいことが好ましく、その表面粗さが算術平均粗さＲａで５０［ｎｍ］以下である場合に、特に良好な帯電像が得られることが確認された。したがって、上述した実施の形態におけるセラミック誘電体の観察方法を用いて添加物の固溶状態や分散状態を観察する場合には、観察に先立ってより精緻な観察対象面の研磨処理を行なうことが好適であると言える。
【００６２】
上述した本発明の実施の形態においては、積層セラミックコンデンサに具備された、添加物を含むセラミック誘電体層の観察に本発明を適用した場合を例示して説明を行なったが、本発明に基づくセラミック誘電体の観察方法は、添加物を含むセラミック誘電体を具備した物体であればどのような物体の観察にも適用できるものである。
【００６３】
このように、今回開示した上記実施の形態はすべての点で例示であって、制限的なものではない。本発明の技術的範囲は特許請求の範囲によって画定され、また特許請求の範囲の記載と均等の意味および範囲内でのすべての変更を含むものである。
【符号の説明】
【００６４】
１０  積層セラミックコンデンサ、１１  素体、１２  セラミック誘電体層、１３  内部電極層、１４  外部電極、１００  封止樹脂、Ｓ  観察対象面。
【図１】
0006604011.tif 000002
【図２】
0006604011.tif 000003
【図３】
0006604011.tif 000004
【図４】
0006604011.tif 000005
【図５】
0006604011.tif 000006
【図６】
0006604011.tif 000007