(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に配された発光素子と、
前記基板上に配された受光素子と、
前記基板上に配され、前記発光素子および前記受光素子の間に位置する遮光部材と、を備え、
前記遮光部材は、前記発光素子に対向するとともに前記発光素子の光が入射する第１面および前記第１面に対向するとともに上端に向かうにつれて前記発光素子側に傾斜した第２面を含む透光性の凸状部材と、前記第２面に配された金属層と、を有している、受発光素子モジュール。
【請求項２】
前記受発光素子モジュールを上面視したときに、
前記遮光部材と前記発光素子との距離は、前記遮光部材と前記受光素子との距離よりも短い、請求項１に記載の受発光素子モジュール。
【請求項３】
前記発光素子は、前記基板上に配された第１の複数の半導体層を有しており、
前記凸状部材は、前記基板上に配された第２の複数の半導体層であり、
前記第１の複数の半導体層は、前記第２の複数の半導体層と同一の層構成を有している、請求項１または２に記載の受発光素子モジュール。
【請求項４】
前記凸状部材は、前記基板上に配された複数の半導体層であり、
前記複数の半導体層は、一導電型の第１半導体層と、前記第１半導体層上に積層された他導電型の第２半導体層とを有しており、
前記金属層は、前記第１半導体層に接続した第１電極と、前記第２半導体層に接続した第２電極とを有している、請求項１〜３のいずれかに記載の受発光素子モジュール。
【請求項５】
前記発光素子は、活性層を有しており、
前記凸状部材の第２面の上端は、前記発光素子の活性層の上面以上に上方に位置している、請求項１〜４のいずれかに記載の受発光素子モジュール。
【請求項６】
前記遮光部材は、前記遮光部材と前記発光素子との距離が前記遮光部材と前記受光素子との距離よりも短くなる位置に配されている、請求項１〜５のいずれかに記載の受発光素子モジュール。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれかに記載の受発光素子モジュールと、
前記受発光素子モジュールに接続され、前記受発光素子モジュールを制御する制御用回路と、を有するセンサ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、受発光素子モジュールおよびセンサ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、発光素子から被照射物へ光を照射して被照射物での反射光を受光素子で受光することによって、被照射物の特性を検出するセンサ装置が提案されている。
【０００３】
このようなセンサ装置として、例えば特許文献１には、基板上に発光素子および受光素子をそれぞれ実装したセンサ装置が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平４―１１３４８９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
従来のセンサ装置では、発光素子と受光素子との間に仕切りがないため、発光素子の光が受光素子に直接入射することがある。すなわち、受光素子が意図しない光を受光するため、検出精度が低下するおそれがあった。
【０００６】
本発明は、このような事情に鑑みて案出されたものであり、検出精度を向上させる受発光素子モジュールを提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一実施形態にかかる受発光素子モジュールは、基板と、前記基板上に配された発光素子と、前記基板上に配された受光素子と、前記基板上に配され、前記発光素子および前記受光素子の間に位置する遮光部材と、を備え、前記遮光部材は、前記発光素子に対向するとともに前記発光素子の光が入射する第１面および前記第１面に対向するとともに上端に向かうにつれて前記発光素子側に傾斜した第２面を含む透光性の凸状部材と、前記第２面に配された金属層と、を有している。
【発明の効果】
【０００８】
本発明の一実施形態にかかる受発光素子モジュールによれば、検出精度を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の一実施形態にかかる受発光素子モジュールの斜視図である。
【図２】図１に示した受発光素子モジュールの断面図である。
【図３】図２に示した受発光素子モジュールの断面の一部の拡大図である。
【図４】図２に示した受発光素子モジュールの断面の一部の拡大図である。
【図５】本発明の他の実施形態にかかる受発光素子モジュールの断面の一部の拡大図である。
【図６】図５に示した受発光素子モジュールの断面の一部の拡大図である。
【図７】図５に示した受発光素子モジュールの断面の一部の拡大図である。
【図８】図１に示した受発光素子モジュールを備えたセンサ装置の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下に、本発明にかかる受発光素子モジュールおよびセンサ装置について、図面を参照しつつ説明する。なお、本実施形態にかかる受発光素子モジュールは、いずれの方向が上方または下方とされてもよいが、以下の説明では、便宜的に直交座標系（Ｘ，Ｙ，Ｚ）を定義し、Ｚ軸方向の正側を上方とする。
【００１１】
＜受発光素子モジュール＞
（第１の実施形態）
受発光素子モジュール１は、図１、２に示すように、配線基板２と、配線基板２上に配された発光素子３および受光素子４とを有している。受発光素子モジュール１は、発光素子３から被照射物に光を照射し、被照射物での反射光を受光素子４で受光することによって、被照射物の表面状態などをセンシングすることができる。よって、受発光素子モジュール１は、例えばコピー機またはプリンタなどの画像形成装置に組み込まれて、トナーやメディアなどの被照射物の位置情報、距離情報または濃度情報などを検出することができる。
【００１２】
なお、図１、２は、受発光素子モジュール１を模式的に示している。図２は、図１に示した受発光素子モジュール１をＡＡ´線（図１の破線）に沿って上下方向に切断した時の断面を示している。
【００１３】
配線基板２は、発光素子３および受光素子４が実装されるものである。そして、配線基板２は、外部装置に電気的に接続されて、例えば発光素子３および受光素子４に電圧を印加する。
【００１４】
配線基板２は、例えば矩形状に形成される。配線基板２は、例えば樹脂基板またはセラミック基板を使用することができる。本実施形態にかかる配線基板２は、樹脂基板である。なお、本明細書中において、樹脂基板とは、配線基板２中の絶縁材料が樹脂材料からなる基板を指す。また、セラミック基板とは、配線基板２中の絶縁材料がセラミックス材料からなる基板を指す。
【００１５】
配線基板２は、従来周知の方法によって形成することができる。
【００１６】
発光素子３および受光素子４は、図２に示すように、同一の基板５上に形成されている。そして、基板５が配線基板２に実装されることによって、ひいては発光素子３および受光素子４が配線基板２に一体的に実装される。なお、基板５の実装は、例えばワイヤボンディング実装などである。
【００１７】
基板５は、一導電型の半導体材料からなる。本実施形態にかかる基板５は、例えばｎ型のシリコン（Ｓｉ）基板を使用している。すなわち、基板５は、シリコン（Ｓｉ）基板にｎ型の不純物をドーピングしている。シリコン（Ｓｉ）基板に対するｎ型の不純物は、例えばリン（Ｐ）または窒素（Ｎ）などが挙げられる。
【００１８】
基板５は、例えば、シリコン（Ｓｉ）のインゴットをウェハ状にスライスして、ウェハに不純物をドーピングすることによって形成することができる。
【００１９】
なお、本明細書内で説明する実施形態にかかる受発光素子モジュール１において、一導電型をｎ型とする。しかしながら、本発明において、一導電型はｎ型に限られず、一導電型をｐ型としても構わない。また、一導電型をｎ型としたとき他導電型はｐ型であり、一導電型をｐ型としたとき他導電型はｎ型である。したがって、本明細書内で説明する実施形態にかかる受発光素子モジュール１において、他導電型はｐ型である。
【００２０】
発光素子３は、図３に示すように、基板５の上面に配された複数の半導体層６と、複数の電極７とを有している。その結果、複数の電極７を介して複数の半導体層６に電圧を印加することによって、発光素子３を発光させることができる。
【００２１】
なお、図３は、図２に示した受発光素子モジュール１の発光素子３の断面を拡大して示している。
【００２２】
複数の半導体層６は、バッファ層６１、一導電型のコンタクト層６２、一導電型のクラッド層６３、活性層６４、他導電型のクラッド層６５および他導電型のコンタクト層６６を有している。
【００２３】
また、複数の電極７は、第１電極７１と第２電極７２を有している。そして、第１電極７１は一導電型コンタクト層６２に接続しており、第２電極７２は他導電型のコンタクト層６６に接続している。なお、図３に示すように、複数の半導体層６の表面には、複数の電極７との接続箇所を除いて、絶縁層８が配されている。
【００２４】
バッファ層６１は、基板５の上面に積層されている。バッファ層６１は、基板５と発光素子３との界面において、両者の格子定数の差を緩衝するものである。その結果、複数の半導体層６全体の格子欠陥または結晶欠陥を少なくすることができる。バッファ層６１は、例えば、ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）で形成される。
【００２５】
一導電型のコンタクト層６２は、バッファ層６１の上面に積層されている。一導電型のコンタクト層６２は、上面に形成される第１電極７１との接触抵抗を低減するものである。一導電型のコンタクト層６２は、例えばガリウムヒ素（ＧａＡｓ）にｎ型の不純物をドーピングして形成される。ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）に対するｎ型の不純物としては、シリコン（Ｓｉ）またはセレン（Ｓｅ）などが挙げられる。
【００２６】
一導電型のクラッド層６３は、一導電型のコンタクト層６２の上面に積層されている。一導電型のクラッド層６３は、活性層６４に正孔を閉じ込める機能を有している。一導電型クラッド層６３は、例えばアルミニウムガリウムヒ素（ＡｌＧａＡｓ）にｎ型の不純物をドーピングして形成される。アルミニウムガリウムヒ素（ＡｌＧａＡｓ）に対するｎ型の不純物は、例えばシリコン（Ｓｉ）またはセレン（Ｓｅ）などが挙げられる。
【００２７】
活性層６４は、一導電型のクラッド層６３に積層されている。活性層６４は、電子や正孔が集中して、両者が再結合することによって、発光するものである。活性層６４は、例えば、アルミニウムガリウムヒ素（ＡｌＧａＡｓ）で形成される。
【００２８】
他導電型のクラッド層６５は、活性層６４の上面に積層されている。他導電型のクラッド層６５は、活性層６４に電子を閉じ込める機能を有している。他導電型のクラッド層６５は、例えばアルミニウムガリウムヒ素（ＡｌＧａＡｓ）にｐ型の不純物をドーピングして形成される。アルミニウムガリウムヒ素（ＡｌＧａＡｓ）に対するｐ型の不純物は、例えば亜鉛（Ｚｎ）またはマグネシウム（Ｍｇ）などが挙げられる。
【００２９】
他導電型のコンタクト層６６は、他導電型のクラッド層６５の上面に積層されている。他導電型のコンタクト層６６は、上面に形成される第２電極７２との接触抵抗を低減するものである。他導電型のコンタクト層６６は、例えばアルミニウムガリウムヒ素（ＡｌＧａＡｓ）にｐ型の不純物をドーピングして形成される。なお、ｐ型コンタクト層６６は、電極との接触抵抗を低減するために、ｐ型クラッド層６５よりもキャリア密度が高く設定されている。
【００３０】
複数の電極７は、例えば金（Ａｕ）またはアルミニウム（Ａｌ）などの材料で形成される。絶縁層８は、例えば窒化ケイ素（ＳｉＮ）または二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）などの材料で形成される。
【００３１】
発光素子３は、以下の方法によって形成することができる。まず、複数の半導体層６を、例えばＭＯＣＶＤ（Metal Organic Chemical Vapor Deposition）法を利用して、基板５の上面に順次エピタキシャル成長させることによって形成する。次いで、絶縁層８を、例えばＰ−ＣＶＤ（Plasma Chemical Vapor Deposition）法を利用して、複数の半導体層６の表面に形成する。次いで、複数の電極７を、例えば蒸着法、スパッタ法またはめっき法などを利用して、複数の半導体層６の一部の半導体層上に形成する。以上の方法によって、発光素子３を形成することができる。
【００３２】
受光素子４は、図２に示すように、基板５の上面のうち発光素子３から離れた領域において、他導電型の半導体領域４１を設けることによって形成されている。すなわち、一導電型の基板５に対して他導電型の半導体領域４１を形成することによってｐｎ接合を形成し、発光素子４を構成している。他導電型の半導体領域４１は、基板５にｐ型の不純物をドーピングすることによって形成することができる。本実施形態にかかる基板５はＳｉ基板であることから、ｐ型の不純物としては、例えばホウ素（Ｂ）、亜鉛（Ｚｎ）またはマグネシウム（Ｍｇ）などが挙げられる。
【００３３】
ここで、本発明にかかる受発光素子モジュール１は、図２、４に示すように、基板５上の発光素子３および受光素子４の間に配された、発光素子３から受光素子４に入射する光を遮る遮光部材９をさらに有している。その結果、発光素子３の光が受光素子４に直接入射する可能性を低減することができる。よって、受発光素子モジュール１およびセンサ装置の検出精度を向上させることができる。
【００３４】
また、遮光部材９は、図２、４に示すように、発光素子３に対向する第１面９０および第１面９０に対向するとともに上端に向かうにつれて発光素子３側に傾斜した第２面９１を含む透光性の凸状部材９２と、凸状部材９２の第２面９１に配されて発光素子３の光を反射する金属層９３とを有している。その結果、発光素子３から受光素子４に向かって出射された光は、第１面９０から遮光部材９に入射して第２面９１に配された金属層９３によって下方に反射される。したがって、発光素子３から受光素子４に向かって出射された光が、上方に反射された後に被照射物を介して受光素子４に入射する可能性を低減することができる。よって、受発光素子モジュール１およびセンサ装置の検出精度を向上させることができる。
【００３５】
なお、図４は、図２に示した受発光素子モジュール１の発光素子３および遮光部材９の断面を示している。
【００３６】
凸状部材９２は、金属層９３を支えるものである。凸状部材９２は、例えば、透光性を有する樹脂材料または半導体材料などで形成される。また、凸状部材９２は、複数の樹脂層または複数の半導体層が積層されて形成されてもよい。本実施形態にかかる凸状部材９２は、単一の樹脂材料で形成される。具体的には、凸状部材９２は、例えばポリイミド樹脂またはエポキシ樹脂、あるいはレジスト用の樹脂材料などで形成される。
【００３７】
凸状部材９２は、従来周知の方法によって形成することができる。金属層９３は、例えば蒸着法、スパッタ法またはめっき法などの方法によって形成することができる。
【００３８】
遮光部材９は、図２に示すように、遮光部材９と発光素子３との距離が、遮光部材９と受光素子４との距離よりも短くなる位置に配されていてもよい。その結果、発光素子３の
近傍に遮光部材９が位置しているため、発光素子３から出射する光の広がりが小さいうちに、発光素子３から受光素子４に向かって出射する光を遮光部材９で反射させることができる。したがって、遮光部材９を小型化することができ、受発光素子モジュール１を小型化させることができる。
【００３９】
なお、遮光部材９の発光素子３側の縁から発光素子３の遮光部材９側の縁までの距離は、例えば０．１ｍｍ以上０．４ｍｍ以下に設定される。また、遮光部材９の受光素子４側の縁から受光素子４の遮光部材９側の縁までの距離は、例えば０．５ｍｍ以上０．８ｍｍ以下に設定される。
【００４０】
凸状部材９２は、例えば、柱状に形成される。凸状部材９２の第２面９１の上端は、発光素子３の活性層６４の上面以上に上方に位置していてもよい。そして、金属層９３の上端は、発光素子３の活性層６４の上面以上に上方に位置していてもよい。その結果、発光素子３の光が、遮光部材９の上方を超えて受光素子４に直接入射する可能性を低減することができる。
【００４１】
なお、凸状部材９２の厚みは、例えば６μｍ以上７μｍ以下である。発光素子３の活性層６４の上面までの厚みは、例えば５．５μｍ以上６．５μｍ以下に設定される。また、本実施形態にかかる受発光素子モジュール１の金属層９３は、凸状部材９２の第２面９１から上端面にわたって配されている。なお、活性層６４の上面までの厚みが６μｍ以上の場合でも、凸状部材９２の厚みは活性層６４の上面までの厚みよりも大きく設定される。
【００４２】
凸状部材９２の第２面９１の側端は、発光素子３の活性層６４の側面よりも平面方向に外側に位置していてもよい。そして、金属層９３の側端は、発光素子３の活性層６４の側面よりも平面方向に外側に位置していてもよい。その結果、発光素子３の光が、遮光部材９の側方を迂回して発光素子４に直接入射する可能性を低減することができる。
【００４３】
凸状部材９２の発光素子３に対向する面には、絶縁層８が形成されていてもよい。そして、絶縁層８の屈折率は、発光素子３および凸状部材９２の間の雰囲気の屈折率よりも高くてもよい。その結果、絶縁層８を介して遮光部材９２に光が入射する際、上向きに入射する光がある場合でも、上向きに入射する光を下方に向かうように屈折させることができる。そのため、金属層９３によって遮光部材９２に入射した光を下方に反射させやすくすることができる。
【００４４】
凸状部材９２の屈折率は、凸状部材９２の表面に配された絶縁層８の屈折率より大きくてもよい。その結果、遮光部材９２に上向きに入射する光がある場合でも、上向きに入射する光を絶縁層８および凸状部材９２によって、下方に向かうように２回屈折させることができる。そのため、金属層９３によって遮光部材９２に入射した光を下方に反射させやすくすることができる。
【００４５】
本実施形態にかかる凸状部材９２の第１面９０は、上端に向かって受光素子４側に傾斜していてもよい。凸状部材９２の第２面９１の傾きは、凸状部材９２の第１面９０の傾きよりも小さくてもよい。その結果、発光素子３から第１面９０に光が入射するときに、第１面９０で光が上方に反射される可能性を低減することができる。
【００４６】
受発光素子モジュール１は、図１、２に示すように、遮光体１０と、レンズ部材１１をさらに有している。遮光体１０は、例えば、受光素子４が外部から意図しない光（迷光）を受光しないように、迷光を遮断する機能を有している。また、レンズ部材１１は、発光素子３からの光を被照射物に誘導したり、被照射物での反射光を受光素子４に誘導したりする機能を有している。
【００４７】
具体的には、遮光体１０は、発光素子３および受光素子４を取り囲んだ枠状の壁部１２と、壁部１２の内面に設けられて壁部１２で囲んだ領域を覆うように配された蓋部１３とを有している。すなわち、壁部１２の内面と蓋部１３の下面とに囲まれる領域に、発光素子３および受光素子４が収容されている。また、発光素子３の光が通過する複数の光通過部１４を有している。なお、本実施形態にかかる光通過部１４は、複数の穴によって形成されている。
【００４８】
また、遮光体１０は、複数の光通過部１４の間に配されて、蓋部１３の下面から基板５の上面のうち発光素子３および受光素子４の間の領域に向かって伸びた遮光壁２４を、さらに有していてもよい。遮光壁２４は、遮光部材９とともに発光素子３の光が受光素子４に直接入射する可能性を低減することができる。
【００４９】
また、遮光壁２４の下端は、遮光部材９の金属層９３の上端よりも下方に位置していてもよい。その結果、発光素子３の光が受光素子４に直接入射する可能性を低減することができる。
【００５０】
遮光体１０は、例えば、ポリプロピレン樹脂（ＰＰ）、ポリスチレン樹脂（ＰＳ）、塩化ビニル樹脂（ＰＶＣ）、ポリエチレンテレフタレート樹脂（ＰＥＴ）、アクリロニトリル／ブタジエン／スチレン樹脂（ＡＢＳ）などの汎用プラスチック、ポリアミド樹脂（ＰＡ）、ポリカーボネイト樹脂（ＰＣ）などのエンジニアリングプラスチック、液晶ポリマ
ーなどのスーパーエンジニアリングプラスチック、およびアルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）などの金属材料で形成される。遮光体１０は、例えば射出成形などにより形成される。
【００５１】
また、レンズ部材１１は、光が通過するレンズ部１５と、レンズ部１５を支持する支持部１６とを有している。そして、レンズ部材１１は、支持部１６を介して、遮光体１０の壁部１２の内面と蓋部１３の上面とに囲まれる領域にはめ込まれている。
【００５２】
レンズ部材１１は、透光性の材料で形成される。レンズ部材１１は、例えばシリコーン樹脂、ウレタン樹脂ならびにエポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂、またはポリカーボネイト樹脂ならびにアクリル樹脂などの熱可塑性樹脂などのプラスチック、あるいはサファイアおよび無機ガラスなどで形成される。レンズ部材１１は、例えば射出成形などにより形成される。
【００５３】
レンズ部１５は、発光素子３の出射光および被照射物での反射光を集光し誘導する機能を有する。レンズ部１５は、発光素子３の出射光を集光する第１レンズ１７と、被照射物からの反射光を集光する第２レンズ１８とを有している。本実施形態にかかる第１レンズ１７および第２レンズ１８のそれぞれは、例えば凸レンズ、球面レンズまたは非球面レンズなどである。
【００５４】
支持部１６は、レンズ部１５を保持する機能を有する。支持部１６は、例えば板状に形成される。支持部１６は、レンズ部１５と一体的に形成されることによってレンズ部１５を保持してもよいし、支持部１６にレンズ部１５の第１レンズ１７および第２レンズ１８がはめ込まれることによってレンズ部１５を保持してもよい。
【００５５】
（第２の実施形態）
次に、第２の実施形態にかかる受発光素子モジュール１について、図５〜図７を用いて説明する。図５は、第２の実施形態にかかる受発光素子モジュール１の発光素子３および遮光部材９の断面を示している。図６は、図５の第２の実施形態にかかる受発光素子モジ
ュール１の遮光部材９の断面を拡大して示している。図７は、図５の第２の実施形態にかかる受発光素子モジュール１の発光素子３の断面を拡大して示している。
【００５６】
第２の実施形態にかかる受発光素子モジュール１は、第１の実施形態にかかる受発光素子モジュール１とは、発光素子３および遮光部材９の構成が異なっている。
【００５７】
具体的には、図５、図６に示すように、第２の実施形態にかかる凸状部材９２は、基板５上に配された複数の半導体層１９（第２の複数の半導体層１９）を有している。そして、発光素子３が有する複数の半導体層６（第１の複数の半導体層６）は、第２の複数の半導体層１９と同一の層構成を有している。その結果、凸状部材９２を、発光素子３と同一工程によって形成することが可能になり、受発光素子モジュール１の生産効率を向上させることができる。
【００５８】
なお、本明細書では、発光素子３が有する複数の半導体層６と凸状部材９２である複数の半導体層１９とを区別するために、前者を「第１の複数の半導体層６」と表現し、後者を「第２の複数の半導体層１９」と表現することがある。
【００５９】
凸状部材９２の第２の複数の半導体層１９は、図６に示すように、一導電型の第１半導体層２０と、一導電型の第１半導体層２０に積層された他導電型の第２半導体層２１とを有していてもよい。そして、金属層９３は、第１半導体層２０に接続した第３電極９４と、第２半導体層２１に接続した第４電極９５とを有していてもよい。その結果、凸状部材９２内においてｐｎ接合が形成されるため、凸状部材９２内に入射した光を電流に変換することができる。したがって、受光素子４に迷光として入射されることを低減することができる。
【００６０】
第２の複数の半導体層１９において、第１半導体層２０が、第２半導体層２１の上面に積層されていてもよい。その結果、一導電型の第１半導体層２０と一導電型の半導体材料からなる基板５との間に他導電型の第２半導体層２１が存在するため、第１半導体層２０と基板５とが導通する可能性を低減することができる。したがって、例えば凸状部材９２で光から変換された電流が受光素子４の電極から取り出される可能性を低減することができる。
【００６１】
発光素子３の第１の複数の半導体層６において、図７に示すように、一導電型のコンタクト層６２の下面に配された他導電型の第３半導体層２２を有していてもよい。言い換えれば、第１の複数の半導体層６は、バッファ層６１と一導電型のコンタクト層６２との間に介在した、他導電型の第３半導体層２２を有していてもよい。その結果、一導電型のコンタクト層６２と一導電型の半導体材料からなる基板５との間に他導電型の第２半導体層２１が存在するため、コンタクト層６２と基板５とが導通する可能性を低減することができる。
【００６２】
なお、第２の実施形態の受発光素子モジュール１において、第１の複数の半導体層６と第２の複数の半導体層１９の層構成は同一としている。
【００６３】
第２の複数の半導体層１９において、第１半導体層２０と第２半導体層２１との境界面は、発光素子３の活性層６４よりも下方に位置していてもよい。その結果、第１半導体層２０と第２半導体層２１との境界面に発光素子３から直接入射する光以外には、遮光部材９の金属層９３から下方に反射してくる光も吸収することができる。
【００６４】
なお、本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良などが可能である。
【００６５】
上述した実施形態では、発光素子３および受光素子４が１つの基板５上に一体的に形成されているものについて説明したが、発光素子３および受光素子４は、それぞれ個別に形成された素子が配線基板２上にそれぞれ実装されていても構わない。
【００６６】
また、上述した実施形態では、発光素子３、受光素子４および遮光部材９を１つずつ備えているものについて説明したが、複数の発光素子３、複数の受光素子４および複数の遮光部材９を備えていても構わない。またこの場合には、複数の発光素子３は一列に配列されており、複数の受光素子４および遮光部材９は、複数の発光素子３に沿って配列されていても構わない。
【００６７】
また、上述した実施形態では、第２の複数の半導体層１９が第１半導体層２０と第２半導体層２１とを有することによって凸状部材９２内にｐｎ接合を形成しているものを説明したが、凸状部材９２の直下に第２の受光素子を配置して凸状部材９２の直下にｐｎ接合を形成してもよい。
【００６８】
また、各実施形態に記載した受発光素子モジュール１の各構成部材の態様は、本発明の技術思想を逸脱しない範囲で他の実施形態の受発光素子モジュール１に適用することができる。
【００６９】
＜センサ装置＞
次に、受発光素子モジュール１を備えたセンサ装置１００について説明する。図８に示すように、本実施形態のセンサ装置１００は、受発光素子モジュール１と、受発光素子モジュール１に電気的に接続された制御用回路１０１とを有している。制御用回路１０１は、受発光素子モジュール１を制御するものである。制御用回路１０１は、例えば、発光素子３を駆動させるための駆動回路、受光素子４からの電流を処理する演算回路または外部装置と通信するための通信回路などを含んでいる。なお、図８に示す破線の矢印は、発光素子３から出る光の経路を例示している。
【符号の説明】
【００７０】
１    ・・・受発光素子モジュール
２    ・・・配線基板
３    ・・・発光素子
４    ・・・受光素子
５    ・・・基板
６    ・・・複数の半導体層
７    ・・・複数の電極
８    ・・・絶縁層
９    ・・・遮光部材
９０  ・・・第１面
９１  ・・・第２面
９２  ・・・凸状部材
９３  ・・・金属層
９４  ・・・第３電極
９５  ・・・第４電極
１０  ・・・遮光体
１１  ・・・レンズ部材
１２  ・・・壁部
１３  ・・・蓋部
１４  ・・・光通過部
１５  ・・・レンズ部
１６  ・・・支持部
１７  ・・・第１レンズ
１８  ・・・第２レンズ
１９  ・・・第２の複数の半導体層
２０  ・・・第１半導体層
２１  ・・・第２半導体層
２２  ・・・第３半導体層
２４  ・・・遮光壁
１００・・・センサ装置
１０１・・・制御用回路
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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