(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ロータをポンプベース部に設けられたステータに対して回転駆動するモータと、
前記ポンプベース部を加熱する加熱部と、
前記ポンプベース部の温度を検出するベース温度検出部と、
前記ロータの温度に相当する物理量である温度相当量を検出するロータ温度検出部と、
前記ロータ温度検出部の検出値が所定目標値範囲内となるように、前記加熱部による前記ポンプベース部の加熱を制御する加熱制御部とを備える真空ポンプの、監視装置であって、
前記ベース温度検出部により経時的に検出された複数の温度に基づいて、前記ポンプベース部の温度が所定温度以下となるメンテナンス時期を推定する推定部と、
推定された前記メンテナンス時期に基づくメンテナンス情報を出力する出力部とを備える、監視装置。
【請求項２】
請求項１に記載の監視装置において、
前記真空ポンプは、前記ロータの回転数を検出する回転数検出部と、前記モータのモータ電流値を検出する電流検出部とを有し、
前記回転数の時間変化および前記モータ電流値に基づいて前記真空ポンプがガス流入状態か否かを判定する判定部を備え、
前記推定部は、前記判定部によりガス流入状態と判定されているときに前記ベース温度検出部により検出された温度に基づいて推定を行う、監視装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の監視装置において、
前記ベース温度検出部により経時的に検出された複数の温度に関して、温度とその検出時刻とから成るデータセットのそれぞれをデータ記憶領域に記憶する記憶部を備え、
前記推定部は、前記記憶部に記憶された複数の前記データセットに基づいて推定を行う、監視装置。
【請求項４】
請求項３に記載の監視装置において、
前記記憶部に記憶される前記データセットに対して、前記検出時刻がより新しいデータセットにより大きな重み付けを行うデータ処理部を備え、
前記推定部は、前記データ処理部により前記重み付けされたデータセットに基づいて推定を行う、監視装置。
【請求項５】
請求項４に記載の監視装置において、
前記データ処理部は、前記記憶部に記憶された複数のデータセットの数を減少させる平均化処理を行うと共に、前記平均化処理により生じる前記データ記憶領域の空き領域に新たなデータセットを記憶させる、監視装置。
【請求項６】
ロータをポンプベース部に設けられたステータに対して回転駆動するモータと、
前記ポンプベース部を加熱する加熱部と、
前記ポンプベース部の温度を検出するベース温度検出部と、
前記ロータの温度に相当する物理量である温度相当量を検出するロータ温度検出部と、
請求項１から請求項５までのいずれか一項に記載の監視装置と、を備える真空ポンプ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、監視装置および真空ポンプに関する。
【背景技術】
【０００２】
ターボ分子ポンプは種々の半導体製造装置の排気ポンプとして使用されるが、エッチングプロセス等において排気を行うと、反応生成物がポンプ内部に堆積する。特に、ポンプ下流側のガス流路に堆積しやすく、ロータとステータとの隙間が堆積物によって埋められてしまうほど反応生成物が堆積すると種々の不具合が生じる。例えば、ロータがステータに固着してロータ回転が不可能となったり、ロータ翼がステータ側に接触して破損したりする。このような反応堆積物に対して、特許文献１に記載の発明では、モータ電流値の経時的な変化に基づいてポンプ内の堆積を予測する方法が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】国際公開第２０１３／１６１３９９号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１に記載の発明では、モータ電流値の変化に基づいて堆積物の予測をしているので、予めガス種が分かっていないと不正確で長期の予測は困難である。例えば、エッチングガスの希釈ガスとしてアルゴンガスを流す場合に対して、キセノンガスの混合比を増して流した場合、熱伝導率が低くロータ温度が上昇しやすい。そのため、混合比を増やした場合には、ロータクリープ寿命を配慮してガス流量を減らさざるを得ない。一方、ガス種が異なってもガス流量が同じならばモータ電流値は大きく変化しないことから、ガス流量を減らした分だけモータ電流値も小さくなることになる。このような現象は、希釈ガスに関してだけでなくエッチングガスについても言えることであり、エッチングガスを軽い塩素系から重い臭素系に変更した場合も同様である。そのため、ロータクリープ寿命を配慮した場合、予めガス種情報がないと堆積予測が難しい。
【０００５】
さらに、モータ電流値は真空ポンプの運転状態に敏感に応答するので、特許文献１の発明のようにモータ電流値に基づいて生成物堆積を予測する方法では、予測精度が低下するという問題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の好ましい実施形態による監視装置は、ロータをポンプベース部に設けられたステータに対して回転駆動するモータと、前記ポンプベース部を加熱する加熱部と、前記ポンプベース部の温度を検出するベース温度検出部と、前記ロータの温度に相当する物理量である温度相当量を検出するロータ温度検出部と、前記ロータ温度検出部の検出値が所定目標値範囲内となるように、前記加熱部による前記ポンプベース部の加熱を制御する加熱制御部とを備える真空ポンプの、監視装置であって、前記ベース温度検出部により経時的に検出された複数の温度に基づいて、前記ポンプベース部の温度が所定温度以下となるメンテナンス時期を推定する推定部と、推定された前記メンテナンス時期に基づくメンテナンス情報を出力する出力部とを備える。
さらに好ましい実施形態では、前記真空ポンプは、前記ロータの回転数を検出する回転数検出部と、前記モータのモータ電流値を検出する電流検出部とを有し、前記回転数の時間変化および前記モータ電流値に基づいて前記真空ポンプがガス流入状態か否かを判定する判定部を備え、前記推定部は、前記判定部によりガス流入状態と判定されているときに前記ベース温度検出部により検出された温度に基づいて推定を行う。
さらに好ましい実施形態では、前記ベース温度検出部により経時的に検出された複数の温度に関して、温度とその検出時刻とから成るデータセットのそれぞれをデータ記憶領域に記憶する記憶部を備え、前記推定部は、前記記憶部に記憶された複数の前記データセットに基づいて推定を行う。
さらに好ましい実施形態では、前記記憶部に記憶される前記データセットに対して、前記検出時刻がより新しいデータセットにより大きな重み付けを行うデータ処理部を備え、
前記推定部は、前記データ処理部により前記重み付けされたデータセットに基づいて推定を行う。
さらに好ましい実施形態では、前記データ処理部は、前記記憶部に記憶された複数のデータセットの数を減少させる平均化処理を行うと共に、前記平均化処理により生じる前記データ記憶領域の空き領域に新たなデータセットを記憶させる。
本発明の好ましい実施形態による真空ポンプは、ロータをポンプベース部に設けられたステータに対して回転駆動するモータと、前記ポンプベース部を加熱する加熱部と、前記ポンプベース部の温度を検出するベース温度検出部と、前記ロータの温度に相当する物理量である温度相当量を検出するロータ温度検出部と、上記のいずれか一項に記載の監視装置と、を備える。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、メンテナンス時期の推定精度の向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】図１は、ポンプシステムの概略構成を示すブロック図である。
【図２】図２は、ポンプ本体の一例を示す断面図である。
【図３】図３は、ロータ温度Ｔｒおよびベース温度Ｔｂの短時間における推移の一例を示す図である。
【図４】図４は、ロータ温度Ｔｒおよびベース温度Ｔｂの長時間における推移の一例を示す図である。
【図５】図５は、半導体製造装置に装着された真空ポンプの短期的な稼働状態の一例を示す図である。
【図６】図６は、半導体製造装置に装着された真空ポンプの長期的な稼働状態の一例を示す図である。
【図７】図７は、メンテナンス時期を推定する処理の一例を示すフローチャートである。
【図８】図８は、近似曲線Ｌ１１，Ｌ１２，Ｌ１３を示す図である。
【図９】図９は、間引き処理を説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、図を参照して本発明を実施するための形態について説明する。
−第１の実施の形態−
図１は本発明の一実施の形態を説明する図であり、ポンプ本体１、コントロールユニット２および監視装置１００を備えるポンプシステムの概略構成を示すブロック図である。また、図２はポンプ本体１の一例を示す断面図である。本実施の形態における真空ポンプは磁気軸受式のターボ分子ポンプであって、図２はポンプ本体１の概略構成を示す断面図である。なお、本実施形態は、ターボ分子ポンプに限らず他の真空ポンプにも適用することができる。
【００１０】
図２に示すように、ポンプ本体１は、回転翼４１と固定翼３１とで構成されるターボポンプ段と、円筒部４２とステータ３２とで構成されるネジ溝ポンプ段とを有している。ネジ溝ポンプ段においては、ステータ３２または円筒部４２にネジ溝が形成されている。回転翼４１および円筒部４２はポンプロータ４ａに形成されている。ポンプロータ４ａはシャフト４ｂに締結されている。ポンプロータ４ａとシャフト４ｂとによって回転体ユニット４が構成される。
【００１１】
軸方向に配置された複数段の回転翼４１に対して、複数段の固定翼３１が交互に配置されている。各固定翼３１は、スペーサリング３３を介してベース３上に載置される。ポンプケーシング３０をベース３にボルト固定すると、積層されたスペーサリング３３がベース３とポンプケーシング３０の係止部３０ａとの間に挟持され、固定翼３１が位置決めされる。
【００１２】
シャフト４ｂは、ベース３に設けられた磁気軸受３４，３５，３６によって非接触支持される。詳細な図示は省略したが、各磁気軸受３４〜３６は電磁石と変位センサとを備えている。変位センサによりシャフト４ｂの浮上位置が検出される。シャフト４ｂ、すなわち回転体ユニット４の回転数（１秒当たりの回転数）は、回転センサ４３によって検出される。
【００１３】
ベース３には、ステータ３２を温度調整するためのヒータ５および冷却装置７が設けられている。図１に示す例では、冷却装置７として、冷媒が流通する流路が形成された冷却ブロックが設けられている。図示していないが、冷却装置７の冷媒流路には冷媒流入のオンオフを制御する電磁弁が設けられている。ベース３にはベース温度センサ６が設けられている。なお、図１に示す例では、ベース温度センサ６をベース３に設けているがステータ３２に設けるようにしても良い。
【００１４】
また、ポンプロータ４ａの温度はロータ温度センサ８によって検出される。上述したようにポンプロータ４ａは磁気浮上されて高速回転するので、ロータ温度センサ８には非接触式の温度センサが用いられる。例えば、特開２００６−１９４０９４号公報に記載のような、強磁性体ターゲットの透磁率がキュリー温度前後において大きく変化することを利用した非接触式の温度センサが用いられる。ロータ温度センサ８はインダクタンス式センサであって、ポンプロータ４ａに設けられたターゲット９の透磁率の変化をインダクタンスの変化として検出する。ターゲット９は強磁性体で形成されている。なお、ロータ温度センサ８に対向するターゲット９はシャフト４ｂの位置に設けても良い。
【００１５】
図１に示すように、コントロールユニット２は、モータ制御部２０、軸受制御部２１、温度制御部２２、取得部２３、通信部２４、計時部２５、入力部２６および電流検出部２７を備えている。モータ１０はモータ制御部２０により制御され、電流検出部２７においてモータ電流値Ｉが検出される。磁気軸受３４〜３６は軸受制御部２１によって制御される。
【００１６】
温度制御部２２は、ロータ温度センサ８により検出されたロータ温度Ｔｒと、入力部２６に入力された所定温度Ｔ１とに基づいて、ヒータ５による加熱および冷却装置７による冷却を制御する。所定温度Ｔ１は、ロータ温度調整時のロータ温度の目標温度である。具体的には、ヒータ５のオンオフ制御、および冷却装置７の冷媒流入のオンオフ制御が行われる。なお、本実施の形態ではヒータ５と冷却装置７とを用いて温調を行うようにしたが、ヒータ５のオンオフのみで温調を行っても良い。
【００１７】
取得部２３は、ベース温度センサ６により検出されたベース温度Ｔｂを、計時部２５の時刻情報に基づく所定のタイミングで取得する。取得部２３は、ベース温度Ｔｂとサンプリング時刻ｔとをデータのセット（Ｔｂ，ｔ）として取得する。以下では、このセット（Ｔｂ，ｔ）をベース温度データセットと呼ぶことにする。コントロールユニット２に設けられた通信部２４からは、上述したベース温度データセット（Ｔｂ，ｔ）、モータ電流値Ｉ、回転センサ４３によって検出された回転数、真空ポンプの状態ステータス等が出力される。ここでは、状態ステータスとしてモータ運転状態（停止、加速、減速、定格回転）を考える。
【００１８】
監視装置１００は、ベース温度データセット（Ｔｂ，ｔ）に基づいて堆積物を除去するためのメンテナンス時期を報知するものである。監視装置１００は、通信部１０１、データ処理部１０２、記憶部１０３、表示部１０４、推定部１０５、入力部１０７、出力部１０８を備える。通信部１０１には、コントロールユニット２の通信部２４から、ベース温度データセット（Ｔｂ，ｔ）、モータ電流値Ｉ、回転数、モータ運転状態（停止、加速、減速、定格回転）等が入力される。
【００１９】
データ処理部１０２は、入力されるデータに対して選択処理を行う選択部１０２ａと、記憶部１０３に記憶されたデータに対して圧縮処理を行う圧縮部１０２ｂとを備えている。選択部１０２ａは、モータ電流値Ｉおよび回転数の時間変化に基づいて、ポンプ本体１がガス流入状態か否かを判定する。そして、選択部１０２ａは、判定結果に基づいて、逐次検出されるベース温度データセット（Ｔｂ，ｔ）からガス流入状態におけるベース温度データセット（Ｔｂ，ｔ）を選択する。
【００２０】
選択されたベース温度データセット（Ｔｂ，ｔ）は記憶部１０３に記憶される。なお、記憶部１０３におけるベース温度データセット（Ｔｂ，ｔ）に対する記憶容量は限りがあるので、新たに選択されたベース温度データセット（Ｔｂ，ｔ）を記憶するために、圧縮部１０２ｂにより、既に記憶されているベース温度データセット（Ｔｂ，ｔ）の間引き処理が行われる。間引き処理の詳細は後述する。
【００２１】
推定部１０５は、選択部１０２ａによって選択されたベース温度データセット（Ｔｂ，ｔ）に基づいて、ベース温度Ｔｂが閾値である所定温度Ｔ２に達するまでの時期、すなわち、堆積物の除去が必要なメンテナンス時期を推定する。表示部１０４には、メンテナンス時期に関する警報が表示される。また、メンテナンス警報情報が出力部１０８から出力される。稼働可能時間を推定するための所定温度Ｔ２は、入力部１０７から入力される。
【００２２】
なお、所定温度Ｔ１，Ｔ２の入力方法としては、例えば、オペレータが入力部２６，１０７に設けられた操作部を操作して手動で入力する構成とされる。また、上位のコントローラからの指令によって所定温度Ｔ１，Ｔ２を設定する構成であっても良い。なお、特に外部より設定されない場合は、Ｔ１，Ｔ２として予め記憶している標準的な値を適用する。
【００２３】
（温調動作の説明）
次に、温度制御部２２による温調動作の一例を説明する。前述したように、エッチングプロセス等において排気を行った場合、生成物がポンプ内部に堆積しやすい。特に、ポンプ下流側のステータ３２、円筒部４２やベース３のガス流路に堆積しやすく、ステータ３２および円筒部４２への堆積が増大するとステータ３２と円筒部４２との隙間が堆積物によって狭まり、ステータ３２と円筒部４２とが接触したり固着したりすることがある。そのため、ヒータ５および冷却装置７を設けてベース部分の温度を高温に制御し、ステータ３２、円筒部４２やベース３のガス流路への生成物の堆積を抑制するようにしている。この温度調整動作については後述する。
【００２４】
ターボ分子ポンプのポンプロータ４ａには一般的にアルミ材が用いられるので、ポンプロータ４ａの温度（ロータ温度Ｔｒ）には、クリープ歪みに関するアルミ材特有の許容温度がある。ターボ分子ポンプにおいてはポンプロータ４ａが高速回転されるので、高速回転状態においてはポンプロータ４ａに高い遠心力が作用して高引張応力状態となる。そのような高引張応力状態においてポンプロータ４ａの温度が許容温度（例えば、１２０℃）以上になると、永久歪みが増加するクリープ変形の速度が無視できなくなる。
【００２５】
許容温度以上で運転し続けると、ポンプロータ４ａのクリープ歪みが増加してポンプロータ４ａの各部の径寸法が増大し、円筒部４２とステータ３２との隙間や回転翼４１と固定翼３１との隙間が狭まり、それらが接触する可能性がある。このようなポンプロータ４ａのクリープ歪みを考慮すると、許容温度以下で運転するのが好ましい。一方で、生成物の堆積を抑えて堆積物除去のメンテナンス間隔をより長期化するためには、温調によってベース温度Ｔｂをより高く保持するのが好ましい。
【００２６】
本実施の形態では、ロータ温度センサ８で検出されたロータ温度Ｔｒが所定温度または所定温度範囲となるようにヒータ５および冷却装置７を制御することで、クリープ歪みによるポンプロータ４ａの寿命の長寿命化を優先した適正温度に保ちつつ、生成物堆積に対するメンテナンス時間の長期化を図るようにしている。
【００２７】
図３は、ロータ温度Ｔｒが所定温度Ｔ１となるようにベース部の加熱および冷却（すなわち温調）を行った場合の、ロータ温度Ｔｒおよびベース温度Ｔｂの短時間における推移の一例を示す図である。ここで短時間とは、数分から数時間の時間範囲を言う。
【００２８】
図３（ａ）はロータ温度Ｔｒの推移を示す図である。上述したように、所定温度Ｔ１は、ベース部の温調を行う際のロータ温度Ｔｒの制御目標温度である。図３（ｂ）の曲線Ｌ２１，Ｌ２２，Ｌ２３はベース温度Ｔｂの推移を示している。曲線Ｌ２１，Ｌ２２，Ｌ２３は排気するガス種が異なる。符号λ１，λ２，λ３はガスの熱伝導率を表しており、λ１＞λ２＞λ３の大小関係にある。
【００２９】
ポンプロータ４ａはガス中を高速回転して排気するためガスとの摩擦で発熱する。一方で、ポンプロータ４ａから固定翼、ステータへ放熱される熱量はガスの熱伝導率に依存し、ガスの熱伝導率が大きいほど放熱量も大きくなる。その結果、ガスの熱伝導率が小さい場合の方がポンプロータ４ａからの放熱量が小さく、ロータ温度Ｔｒは高くなる。すなわち、同一のガス流量、同一のベース温度Ｔｂに対して、ガスの熱伝導率が小さい場合ほどロータ温度Ｔｒが高くなる。
【００３０】
本実施の形態では、ロータ温度Ｔｒが所定温度Ｔ１となるようにベース部の加熱および冷却を制御しているので、ガスの熱伝導率が小さい場合ほどベース温度Ｔｂが低くなる。図３（ｂ）に示す例ではλ１＞λ２＞λ３なので、ベース温度Ｔｂは熱伝導率λ３の曲線Ｌ２３が最も低く、曲線Ｌ２２、Ｌ２１の順にロータ温度Ｔｒが高くなる。
【００３１】
所定温度Ｔ１が図２の入力部２６に入力されると、入力部２６から温度制御部２２に所定温度Ｔ１が入力される。温度制御部２２は、所定温度Ｔ１が入力されると、ヒータ５および冷却装置７のオンオフ制御を行うための目標上限温度ＴＵ（＝Ｔ１＋ΔＴ）および目標下限温度ＴＬ（＝Ｔ１−ΔＴ）を、所定温度Ｔ１の上下に設定する。そして、入力された所定温度Ｔ１およびロータ温度Ｔｒに基づいて、ロータ温度Ｔｒが所定温度Ｔ１となるようにヒータ５および冷却装置７のオンオフを制御する。
【００３２】
図３（ａ）の時刻ｔ１においてロータ温度Ｔｒが目標下限温度ＴＬを上向きに越えたならば、温度制御部２２はオン状態であったヒータ５をオフして加熱を停止する。ヒータ５によるベース部分の加熱を停止すると、ベース部（ステータ３２）からポンプロータ４ａへの熱移動量が小さくなって、ロータ温度Ｔｒの上昇率が小さくなる。その後、時刻ｔ２においてロータ温度Ｔｒが目標上限温度ＴＵを上向きに越えたならば、温度制御部２２は冷却装置７をオンしてベース部の冷却を開始する。冷却によりステータ３２の温度が低下すると、ポンプロータ４ａからステータ３２へ熱が移動し、冷却開始からしばらくするとロータ温度Ｔｒが低下し始める。
【００３３】
ロータ温度Ｔｒが低下し、時刻ｔ３においてロータ温度Ｔｒが目標上限温度ＴＵを下向きに越えたならば、温度制御部２２は冷却装置７をオフする。その結果、円筒部４２からステータ３２への熱移動が減少し、ロータ温度Ｔｒの低下率が徐々に小さくなる。その後、時刻ｔ４においてロータ温度Ｔｒが目標下限温度ＴＬを下向きに越えたならば、温度制御部２２はヒータ５をオンしてベース部の加熱を再開する。ヒータ加熱によりステータ３２の温度が上昇するとステータ３２から円筒部４２へ熱が移動し、ロータ温度Ｔｒが上昇し始める。このように、ベース部の加熱、冷却によりベース３およびステータ３２の温度が上昇、低下すると、それにつれてポンプロータ４ａの温度（ロータ温度Ｔｒ）も上昇、低下する。
【００３４】
図４は、ロータ温度Ｔｒが所定温度Ｔ１となるようにベース部の加熱および冷却を行った場合のロータ温度Ｔｒおよびベース温度Ｔｂの長時間における推移の一例を示す図である。ここでの長時間とは、数か月から数年の期間を指す。ヒータ５および冷却装置７によりベース部の温調を行うことで生成物堆積は抑制されるが、それでも徐々に堆積が進む。
【００３５】
ポンプ内に生成物が堆積してガス流路が狭くなるにつれて、タービン翼部の圧力が上昇してくる。タービン翼部の圧力が上昇すると、ロータ回転数を定格回転数に維持するのに必要なモータ電流が増加するとともに、ガス排気に伴う発熱が増加する。その結果、ロータ温度が上昇傾向となる。生成物堆積によりロータ温度Ｔｒが上昇傾向になると、ロータ温度Ｔｒが所定温度Ｔ１となるように温調を行っているのでベース部の加熱量が減少する。すなわち、生成物堆積の増加に伴ってベース温度Ｔｂが低下する。
【００３６】
図４に示す例では、時刻ｔ１１にポンプを使用開始してからしばらくの間は、生成物の堆積量がロータ温度Ｔｒに影響を及ぼすほどの量でないため、ベース温度Ｔｂはほぼ一定に保たれている。しかし、堆積量がある程度増加した時刻ｔ１２以後は、ロータ温度Ｔｒの上昇を抑えるためにベース加熱量が減少し、ベース温度が低下し始める。そして、時刻ｔ１３には、曲線Ｌ２３で示すベース温度Ｔｂが所定温度Ｔ２に達し、さらに時刻ｔ１４には運転可能下限温度Ｔminに達する。
【００３７】
図３，４において、Ｔmaxはターボ分子ポンプの運転可能上限温度であって、ロータ温度Ｔｒが運転可能上限温度Ｔmaxを越えるとポンプロータ４ａのクリープ歪みが無視できなくなり寿命低下への影響が大きくなる。そのため、所定温度Ｔ１は、ロータ温度Ｔｒが運転可能上限温度Ｔmaxを越えないようにＴＵ＜Ｔmaxのように設定される。ロータ温度Ｔｒが運転可能上限温度Ｔmax以下であれば、クリープ歪みの影響が小さく、ポンプロータ４ａのクリープ寿命を所定値以上に保持することができる。
【００３８】
しかしながら、所定温度Ｔ１を過度に低く設定すると、温調時のベース温度Ｔｂが所定温度Ｔ２以下となってしまい、生成物の堆積量が増加してメンテナンス間隔が短くなってしまう。そのため、曲線Ｌ２１，Ｌ２２，Ｌ２３のガスを使用することを想定した場合には、所定温度Ｔ１は、図４（ｂ）に示すように、ベース温度Ｔｂの曲線Ｌ２１，Ｌ２２，Ｌ２３がポンプ稼働初期状態において所定温度Ｔ２よりも高温位置となるように設定するのが好ましい。
【００３９】
図３，４に示す例では、所定温度Ｔ１を設定する際の下限値である温度Ｔａは、曲線Ｌ２３のガスまでを想定した場合の値を示した。温度Ｔａは、排気の可能性がある複数のガス種の内、熱伝導率が最も低いガス種のガス流量を定めて、ロータ温度Ｔｒが温度Ｔａとなったときの曲線Ｌ２３（ベース温度Ｔｂ）の位置が所定温度Ｔ２よりも高温側となるように設定されている。このように、温度Ｔａは、ポンプ稼働初期時のベース温度Ｔｂが所定温度Ｔ２を下回らないようにするための、ロータ温度Ｔｒの下限値である。
【００４０】
所定温度Ｔ１の下限値は、ベース温度Ｔｂが所定温度Ｔ２を下回らないためのロータ温度Ｔｒの下限温度であり、図３（ａ）は所定温度Ｔ１を下限値に設定した場合を示す。一方、図３（ａ）の曲線Ｌ１’は、所定温度Ｔ１を上限値に設定した場合を示す。この場合、ロータ温度Ｔｒは運転可能上限温度Ｔmax以下に制御される。すなわち、所定温度Ｔ１は図３（ａ）の符号Ａで示す範囲に設定される。曲線Ｌ１の温度変化幅を２ΔＴ１とした場合、温度範囲ＡはＴａ＋ΔＴ１≦Ｔ１≦Ｔmax−ΔＴ１となる。
【００４１】
なお、予め想定したガス種よりも熱伝導率が低いガス種が排気される場合、あるいは、ガス種に関係なく標準的な所定温度Ｔ１に設定したとしても、結果的に初期状態からベース部温度が所定温度Ｔ２を下回ることがあり得るが、そのような場合には、改めて所定温度Ｔ１の値を下げる設定変更を行えば良い。
【００４２】
所定温度Ｔ１の設定方法としては、例えば、ロータ寿命を最優先とする値Ｔ１＝Ｔａ＋ΔＴ１が所定温度Ｔ１の初期値として予め設定されていて、Ｔａ＋ΔＴ１≦Ｔ１≦Ｔmax−ΔＴ１の範囲の所望の値をユーザが入力部２６から入力できる構成としても良い。ユーザは、ロータ寿命とメンテナンス期間とのどちらにどの程度のウェイトを付与するかに応じて所定温度Ｔ１を設定することができる。つまり、ロータ寿命とメンテナンス期間に対して適切なトレードオフをかけることができる。また、所定温度Ｔ２についても予め初期値が設定されていて、ユーザが所望の値を入力部１０７から入力できるような構成とする。この場合の所定温度Ｔ２の初期値としては、例えば、従来のベース温度に対して目標温度を設定して温調を行う場合の目標温度と同程度の温度が設定される。
【００４３】
また、所定温度Ｔ２として、生成物の昇華温度またはその近傍温度を用いても良い。ベース温度Ｔｂが所定温度Ｔ２を下回ると、生成物の堆積速度が急速に速まる。運転可能下限温度Ｔminとしては、一例として、生成物の堆積が著しくなって円筒部４２とステータ３２との接触等の可能性が高くなるベース温度がある。ただし、そのようなベース温度を厳密に決定するのは難しく、プロセスの状況やポンプ状況によって大きく影響される。そのため、目安として、所定温度Ｔ２に対して、温度幅Ｂが１０℃程度以下となるように設定される。もちろん、実際のプロセス条件で実験やシミュレーションを行って所定温度Ｔ２や運転可能下限温度Ｔminを決定しても構わない。
【００４４】
上述した図３，４では、プロセス中にける温度変化、すなわちポンプにガスが流入している状態での温度変化を例に説明した。しかし、実際に半導体製造装置に装着した状態においては、プロセスガスを排気する期間、ガス流入が無い期間、ポンプを停止する期間などが、長期間に亘って繰り返される。
【００４５】
図５，６は、半導体製造装置に装着された真空ポンプの稼働状態の一例を示す図である。図５は短期的（一週間程度）な状況を示したものであり、図６は数ヶ月に亘る長期的な状況を示したものである。図５，６のいずれにおいても、（ａ）はロータ回転数、（ｂ）はモータ電流値Ｉ、（ｃ）はロータ温度Ｔｒ、（ｄ）はベース温度Ｔｂを示す。なお、図５（ａ）のロータ回転数には、運転状態（静止、定格、減速、加速）も合わせて示した。
【００４６】
図５に示すように、プロセスガス排気はロータ回転数が定格回転時に行われる。モータ電流値Ｉのグラフにおいて、符号Ｃで示す部分ではモータ電流値Ｉが低下しているが、これは、プロセスと次のプロセスとの間ではガス流入が停止されるため、モータ負荷が減少しモータ電流値Ｉも低下する。また、符号Ｅで示す部分は、運転状態が加速から定格回転へと切り替わる点であり、このときもモータ電流値Ｉが大きく低下する。そのため、ロータ回転数がほぼ定格回転数となる定格回転状態であって、かつ、モータ電流値ＩがＩ≧Ｉthを満たす場合が、プロセスガス排気時すなわちポンプにガスが流入している状態であると判断することができる。
【００４７】
長期のトレンドを示す図６では、符号Ｆで示す期間は図５（ａ）の「静止」と示す期間に対応しており、その期間Ｆにおいてはモータ電流値Ｉ，ロータ温度Ｔｒおよびベース温度Ｔｂが大きく低下している。また、時刻ｔ１２以後は、ベース温度Ｔｂが徐々に低下している。これは、図４（ｂ）の時刻ｔ１２以後の曲線Ｌ２３で示すベース温度Ｔｂの変化に対応しており、時刻ｔ１３において所定温度Ｔ２に達し、時刻ｔ１３以後は所定温度Ｔ２を下回っている。
【００４８】
なお、実行される一連のプロセスに図４（ｂ）の曲線Ｌ２１〜Ｌ２３に対応する３つのプロセスが含まれる場合、実行されているプロセスに応じて検出されるベース温度Ｔｂは曲線Ｌ２１〜Ｌ２３に挟まれる温度範囲のいずれかの温度となる。
【００４９】
（メンテナンス時期の推定）
本実施の形態では、ベース温度Ｔｂが所定温度Ｔ２に到達する時刻ｔ１３を堆積物除去のメンテナンス時期とみなし、このメンテナンス時期を演算により推定する。例えば、時刻ｔ２０の時点においては、時刻ｔ２０までに検出された複数のベース温度Ｔｂに基づいて、時刻ｔ２０以後のベース温度Ｔｂの変化を予測し、Ｔｂ＝Ｔ２となる時刻を推定する。
【００５０】
図７は、監視装置１００で行われるメンテナンス時期を推定する処理の一例を示すフローチャートである。ステップＳ１０からステップＳ３０までは真空ポンプがプロセスガス排気か否かを判定するための処理である。
【００５１】
半導体装置におけるプロセス処理は、プロセスチャンバ内の圧力が安定した状態で行われる。プロセスチャンバ内へのプロセスガス流入は、真空ポンプが定格回転状態となった後に行われる。ガス流入開始に伴ってモータ負荷が増加するので、ガス流入開始直後は回転数が一旦低下し、その後、回転数が上昇して定格回転数に落ち着く。また、図５に示したように、プロセスガス排気中のモータ電流値Ｉは閾値Ｉthよりも大きくなっている。
【００５２】
そのため、プロセスガス排気中か否かは、状態ステータスが定格回転、回転数Ｎの時間変化ΔＮが所定の閾値ΔＮth以下、モータ電流値ＩがＩ≧Ｉthという、３つの条件が満足されるか否かで判定できる。閾値Ｉthおよび閾値ΔＮthは、プロセスガス排気中か否かを判定するための条件であり、予め設定されている。所定の閾値ΔＮthとしては、例えば、ΔＮth＝１００［rpm/min］のように設定される。
【００５３】
（ステップＳ１０）
ステップＳ１０では、真空ポンプの回転状態に関する状態ステータスが定格回転か否かを判定する。この状態ステータスは、コントロールユニット２から入力される。
【００５４】
（ステップＳ２０）
ステップＳ２０では、回転センサ４３により検出されたロータ回転数に関して、回転数Ｎの時間変化ΔＮが所定の閾値ΔＮth以下か否かを判定する。
【００５５】
（ステップＳ３０）
ステップＳ３０では、電流検出部２７で検出されたモータ電流値ＩがＩ≧Ｉthか否かを判定する。
【００５６】
（ステップＳ４０）
ステップＳ１０，Ｓ２０，Ｓ３０の全てにおいてｙｅｓと判定されると、ステップＳ４０においてデータセットＤｎ(ｔｎ，Ｔｂｎ)が取得され。取得されたデータセットＤｎ(ｔｎ，Ｔｂｎ)は、記憶部１０３に記憶される。一方、ステップＳ１０，Ｓ２０，Ｓ３０のいずれかでｎｏと判定されると、ステップＳ１０へ戻る。
【００５７】
データセットＤｎ(ｔｎ，Ｔｂｎ)は、ベース温度Ｔｂとその温度が検出された時刻ｔとで構成される。なお、データセットＤｎ(ｔｎ，Ｔｂｎ)の初期値Ｄ０(ｔ０，Ｔｂ０)は、図４，５のポンプ稼働開始時に取得されるデータセットである。記憶部１０３には、データセットのデータ記憶領域として、初期値Ｄ０(ｔ０，Ｔｂ０)と、それ以外のデータセットＤｎ(ｔｎ，Ｔｂｎ)の１０００データとを記憶する１００１データ分のデータ記憶領域が確保されている。
【００５８】
（ステップＳ５０）
ステップＳ５０では、初期値Ｄ０(ｔ０，Ｔｂ０)を除くデータ取得数が１０００となったか否かを判定し、データ取得数ｎが１０００未満の場合にはステップＳ１０へ戻り、データ取得数ｎが１０００になったならばステップＳ６０へ進む。
【００５９】
（ステップＳ６０）
ステップＳ６０では、記憶部１０３に記憶されているデータセットＤ０(ｔ０，Ｔｂ０)，Ｄ1(ｔ１，Ｔｂ１)〜Ｄ1000(ｔ1000，Ｔｂ1000)に基づいて、ベース温度Ｔｂの変化を予測する近似式を推定部１０５において算出する。ここでは、近似式として１次式、２次式および３次式の３種類について算出するが、これらに限定されるものではない。１次式、２次式および３次式の基本式を次式（１）〜（３）のように設定し、最小二乗法を適用した演算処理で各係数値を求める。
Ｔｂ＝ｂ1・ｔ＋ａ1                          …（１）
Ｔｂ＝ｃ2・ｔ２＋ｂ2・ｔ＋ａ2                …（２）
Ｔｂ＝ｄ3・ｔ３＋ｃ3・ｔ２＋ｂ3・ｔ＋ａ3      …（３）
【００６０】
（ステップＳ７０）
ステップＳ７０では、ステップＳ６０で算出された近似式を用いて、ベース温度Ｔｂが所定温度Ｔ２となる時刻ｔ１３を求める外挿演算処理を行う。すなわち、近似式で表されるベース温度曲線が所定温度Ｔ２のラインと交差する点を、例えば２分法を適用して求める。図６に示すように、演算が行われる現在の時刻をｔ２０とすると、ベース温度Ｔｂが所定温度Ｔ２となるまでの稼働可能時間はｔ１３−ｔ２０となる。
【００６１】
（ステップＳ８０）
ステップＳ８０では、上述した稼働可能時間を、メンテナンスの時期を示すメンテナンス情報として表示部１０４に表示すると共に、そのメンテナンス情報を出力部１０８から稼働可能時間の情報を出力する。なお、稼働可能時間を表示および出力する代わりに、時刻ｔ２１，ｔ２２，ｔ２３をメンテナンス情報として表示および出力するようにしても良い。表示部１０４の表示例としては、例えば、後述する図８に示すような近似曲線Ｌ１１〜Ｌ１３と、時刻ｔ２１〜ｔ２３および所定温度Ｔ２などを表示する。
【００６２】
（ステップＳ９０）
次いで、ステップＳ９０では記憶部１０３に記憶されている１０００組のデータセットＤ1(ｔ１，Ｔｂ１)〜Ｄ1000(ｔ1000，Ｔｂ1000)を５００組に間引く間引き処理が、圧縮部１０２ｂにおいて実行される。この間引き処理により、記憶部１０３に記憶されているデータセットは初期値Ｄ０(ｔ０，Ｔｂ０)を除いて５００組となり、５００組分の空き領域がデータ記憶領域に生じる。間引き処理の詳細は後述する。
【００６３】
ステップＳ９０の間引き処理が完了すると、間引き処理により生じた空き領域に新たな５００組のデータセットを蓄積するためにステップ１０へ戻る。このように、１００１組のデータセットが揃う毎に近似式演算が行われ、ベース温度Ｔｂが所定温度Ｔ２となる時刻ｔ１３が算出される。
【００６４】
（近似曲線）
図８は、ベース温度曲線Ｌと、ベース温度Ｔｂを時刻ｔ１２までのデータセットに基づいて１次式、２次式および３次式で推定した場合の近似曲線Ｌ１１，Ｌ１２，Ｌ１３とを模式的に示したものである。ベース温度曲線Ｌはサンプリングされたベース温度Ｔｂ（離散値）を連続曲線で表示したものであり、図８に示す例では、ベース温度曲線Ｌは時刻ｔ１３において所定温度Ｔ２のラインと交差している。
【００６５】
一方、近似曲線Ｌ１１，Ｌ１２，Ｌ１３は、時刻ｔ２０において、時刻ｔ２０以前のベース温度データセットに基づいて算出されたベース温度Ｔｂの近似曲線である。近似曲線Ｌ１１，Ｌ１２，Ｌ１３は、所定温度Ｔ２のラインと点Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３でそれぞれ交差している。
【００６６】
例えば、近似曲線Ｌ１１を用いてベース温度ＴｂがＴ２となる時刻を推定すると時刻ｔ２１となる。そのため、現時点（時刻ｔ２０）からの稼働可能時間は（ｔ２１−ｔ２０）となる。同様に、近似曲線Ｌ１２を用いた場合には時刻ｔ２２に所定温度Ｔ２に達するので、稼働可能時間は（ｔ２２−ｔ２０）と推定され、近似曲線Ｌ１３を用いた場合には時刻ｔ２３に所定温度Ｔ２に達し、稼働可能時間は（ｔ２３−ｔ２０）と推定される。
【００６７】
なお、過去よりも現在側に重み付けするように、現在値（時刻ｔ２０のデータセット）近傍を通過する条件を付け加えても良い。また、初期値Ｄ０(ｔ０，Ｔｂ０)と現在値Ｄ(ｔ２０，Ｔｂt20)とを通る直線で近似して、記憶容量の低減および演算処理の軽減を図るようにしても良い。この場合の近似式は、次式（４）のように表される。ただし、ｂ＝（Ｔｂt20−Ｔｂ０）／（ｔ２０−ｔ０）、ａ＝Ｔｂ０である。
Ｔｂ＝ｂ・（ｔ−ｔ０）＋ａ                  …（４）
【００６８】
（間引き処理）
間引き処理の一例を説明する。通信部１０１には、コントロールユニット２の通信部２４から、データセットＤｎ(ｔｎ，Ｔｂｎ)が所定サンプリング間隔Δｔで入力される。このデータセットＤｎ(ｔｎ，Ｔｂｎ)には、プロセスガス排気中でないものも含まれているが、ここでは説明を簡単にするために、サンプリングされたデータセットＤｎ(ｔｎ，Ｔｂｎ)は全てプロセスガス排気中のものであるとする。
【００６９】
最初に、初期値Ｄ０(ｔ０，Ｔｂ０)および１０００組のデータセットＤ１(Δｔ，Ｔｂ１)、Ｄ２(２Δｔ，Ｔｂ２)、Ｄ３(３Δｔ，Ｔｂ３)、Ｄ４(４Δｔ，Ｔｂ４)、・・・、Ｄ999(999Δｔ，Ｔｂ999)、Ｄ1000(1000Δｔ，Ｔｂ1000)が記憶部１０３に蓄積される。この内、１０００組のデータセットＤ１(Δｔ，Ｔｂ１)〜Ｄ1000(1000Δｔ，Ｔｂ1000)を間引いて、５００組のデータセットＤ１((3/2)Δｔ，(Ｔｂ１＋Ｔｂ２)/２)、Ｄ２((7/2)Δｔ，(Ｔｂ３＋Ｔｂ４)/２)、・・・、Ｄ499((1995/2)Δｔ，(Ｔｂ997＋Ｔｂ998)/２)、Ｄ500((1999/2)Δｔ，(Ｔｂ999＋Ｔｂ1000)/２)を生成する。
【００７０】
なお、ここでは、前後２つのデータセットに対してベース温度Ｔｂの平均値を求め、その平均値を前後２つのデータセットの中間時刻におけるベース温度とすることで、間引き処理を行った。ただし、この間引き処理は一例であって、種々の間引き処理が可能である。例えば、ここではサンプリング間隔Δｔを一定としたケースを説明したが、サンプリング間隔が一定でなくても良い。
【００７１】
上述した１００１組のデータセットを用いて近似式を算出した後に、新たな５００組のデータセットが記憶部１０３に蓄積される。そのため、新たな５００組のデータセットの１番目のもののサンプリング時刻は、上述した１０００組目のデータセットＤ1000(1000Δｔ，Ｔｂ1000)のサンプリング時刻＝1000Δｔから近似式演算に要する時間を経た後にサンプリングされたデータセットとなる。ここでは、近似式演算に要する時間を省略し、新たな５００組のデータセットの１番目のサンプリング時刻は1000Δｔ＋Δｔ＝1001Δｔであるとして説明する。すなわち、新たな５００組のデータセットＤ1001(1001Δｔ，Ｔｂ1001)、Ｄ1002(1002Δｔ，Ｔｂ1002)、・・・、Ｄ1500(1500Δｔ，Ｔｂ1500)が記憶部１０３に蓄積される。
【００７２】
その結果、記憶部１０３には、初期値Ｄ０(ｔ０，Ｔｂ０)と１０００組のデータセットが蓄積されたことになる。そして、この１００１組のデータセットを用いて、ステップＳ６０の近似式の算出が行われる。そして、ステップＳ９０の間引き処理では、上述した１０００組のデータセットＤ１((3/2)Δｔ，(Ｔｂ１＋Ｔｂ２)/２)、Ｄ２((7/2)Δｔ，(Ｔｂ３＋Ｔｂ４)/２)、・・・、Ｄ499((1995/2)Δｔ，(Ｔｂ997＋Ｔｂ998)/２)、Ｄ500((1999/2)Δｔ，(Ｔｂ999＋Ｔｂ1000)/２)、Ｄ1001(1001Δｔ，Ｔｂ1001)、Ｄ1002(1002Δｔ，Ｔｂ1002)、・・・、Ｄ1500(1500Δｔ，Ｔｂ1500)に対して、間引き処理が行われる。
【００７３】
図９は、間引き処理を説明する図である。図９では、記憶部１０３のデータ記憶領域に、２１組のデータセット、すなわち初期値Ｄ０(ｔ０，Ｔｂ０)および２０組のデータセットＤｎ(ｔｎ，Ｔｂｎ)が記憶可能である場合を例に図示した。図９において、黒丸がデータセットを表しており、横軸はサンプリング時刻を表している。また、黒丸の下に表示した数字は、データセットＤｎ(ｔｎ，Ｔｂｎ)の内の何組目かを示すものである。図９では、図示下側から上側に向かって順に、１回目の近似式算出用のデータセットから４回目の近似式算出用のデータセットまでが記載されている。
【００７４】
１回目の近似式演算では、Δｔ間隔でサンプリングされた初期値Ｄ０(ｔ０，Ｔｂ０)を含む２１のデータセットを用いて近似式が算出される。そして、初期値Ｄ０(ｔ０，Ｔｂ０)を除く２０個のデータセットに対して間引き処理が行われる。その結果、２１個のデータセットは１１個のデータセットとなり、記憶部１０３には１０データセット分の空き領域が生じる。この空いたデータ記憶領域に１０個のデータセットが新たに蓄積される。
【００７５】
２回目の近似式演算では、初期値Ｄ０(ｔ０，Ｔｂ０)と間引き処理により生成された１０個のデータセットと新たに蓄積された１０個のデータセットとに基づいて、近似式が算出される。その後、初期値Ｄ０(ｔ０，Ｔｂ０)を除く２０個のデータセットに対して間引き処理が行われ、記憶部１０３のデータ記憶領域に１０データセット分の空き領域が確保される。この空き領域に、新たな１０個のデータセットが蓄積される。さらに、図９の３回目および４回目も、２回目と同様の処理が行われる
【００７６】
（Ａ）以上説明したように、本実施の形態においては、真空ポンプは、ベース３に設けられた固定翼３１およびステータ３２と、固定翼３１およびステータ３２に対して回転駆動されるポンプロータ４ａと、ベース３を加熱する加熱部としてのヒータ５と、ベース３の温度を検出するベース温度検出部としてのベース温度センサ６と、ポンプロータ４ａの温度に相当する物理量である温度相当量としての透磁率変化量を検出するロータ温度センサ８と、ロータ温度センサ８の検出値が所定目標値範囲内となるようにヒータ５によるベース３の加熱を制御する加熱制御部としての温度制御部２２とを備える。この真空ポンプの監視装置１００は、経時的に検出された複数のベース温度Ｔｂに基づいて、ベース温度Ｔｂが所定温度Ｔ２に達する時期（図８の時刻ｔ２１，ｔ２２，ｔ２３）を推定する推定部１０５と、推定された時期に基づくメンテナンス情報（例えば、時刻ｔ２１や稼働可能時間ｔ２１−ｔ２０）を出力する表示部１０４や出力部１０８とを備える。
【００７７】
このように、実際に計測されたベース温度Ｔｂに基づいて、ベース温度Ｔｂが所定温度Ｔ２に達する時期（時刻ｔ２１〜ｔ２３）を推定しているので、いずれのプロセスが行われているかには関係なく、メンテナンスが必要な時期を精度良く推定することができる。例えば、曲線Ｌ２１のプロセスが行われている場合には、曲線Ｌ２１に示すようにベース温度Ｔｂは変化し、その後、曲線Ｌ２３のプロセスに変更されると、ベース温度Ｔｂは曲線Ｌ２３へ向かって変化するようになる。曲線Ｌ２３は曲線Ｌ２１よりもベース温度Ｔｂが低めになるので、推定されるメンテナンス時期も前倒しされ、稼働可能時間も短くなる。
【００７８】
一方、特許文献１の場合のようにモータ電流値の初期値からの変化で堆積を予測する方法の場合、プロセスが変更されてもガス流量に変化がなければモータ電流値もほぼ変化しない。そのため、推定されるメンテナンス時期はプロセス変更前後でほぼ変化しないことになり、たとえプロセス中のデータのみを検出できて条件が良かったとしても、実際のメンテナンス時期よりも長めに推定されてしまうことになる。
【００７９】
また、本実施の形態では、図３，４に示すようにロータ温度センサ８の検出値（ロータ温度Ｔｒ）が所定目標値範囲内となるように制御されるので、ロータクリープ寿命の予測が容易に可能である。さらに、ロータ温度Ｔｒを最適な上限温度近傍とすることが可能となり、それに応じてベース温度Ｔｂを可能な限り高温とすることができるので、堆積に対する稼働可能時間を長くすることができる。
【００８０】
（Ｂ）さらに、データ処理部１０２の選択部１０２ａは、回転数の時間変化ΔＮおよびモータ電流値Ｉに基づいて真空ポンプがガス流入状態か否かを判定し、ガス流入状態にサンプリングされたベース温度データセットを記憶部１０３に記憶させる。推定部１０５は、記憶部１０３に記憶されているデータセット、すなわちガス流入状態と判定されているときにサンプリングされたベース温度データセットに基づいて、ポンプベース温度が閾値に達する時期を推定するようにしても良い。
【００８１】
このように、同一条件のポンプ排気状態において取得されたベース温度Ｔｂに基づいて近似演算を行うことで、演算精度をより向上させることができる。また、堆積物によるベース温度Ｔｂの低下への影響は、真空ポンプにガスが流れていない状態よりも流れている状態の方が顕著に表れる。そのため、ガスが流れているときにサンプリングされたベース温度Ｔｂを用いることで、堆積物の影響をより正確に把握することができる。
【００８２】
（Ｃ）また、ポンプベース温度とそのサンプリング時刻とから成るベース温度データセットＤ０〜Ｄ1000を記憶部１０３に記憶し、その記憶したベース温度データセットＤ０〜Ｄ1000に基づいて、ベース温度Ｔｂが閾値（所定温度Ｔ２）に達する時期を推定する構成において、データ処理部１０２は、サンプリング時刻がより新しいベース温度データセットにより大きな重み付けを行う処理を行う。そして、推定部１０５は、前記重み付けされたベース温度データセットに基づいて推定を行うようにしても良い。
【００８３】
ところで、ベース温度Ｔｂの低下は堆積物の量が大きくなるほど大きくなるが、堆積物の量に比例するわけでなく、一般的に、堆積物の量が大きくなるに従って低下の度合いも大きくなる。そのため、現在よりも将来のベース温度の変化を推定する場合、長期間にわたって取得されたベース温度データを等しい重み付けで用いるよりは、現在に近い時刻にサンプリングされたベース温度をより重視して近似計算を行う方が、推定精度が高くなる。そのため、サンプリング時刻がより新しいベース温度データセットにより大きな重み付けを行う処理を行うことで、ベース温度の推定精度の向上を図ることができる。
【００８４】
例えば、図９に示したような間引き処理を行うと、記憶部１０３に記憶されたベース温度データセットは、間引き処理を繰り返すたびに遠い過去に取得されたベース温度データセットの数が減少して行くのが分かる。そして、記憶部１０３に記憶されている複数のベース温度データセットの内のほぼ半分が、直近に取得されたベース温度データセットになっている。すなわち、図９に示すような間引き処理を行うことにより、サンプリング時刻がより新しいベース温度データセットにより大きな重み付けが行われたことになる。
【００８５】
また、上述のような間引き処理を行うことで、近似精度を高めつつデータ記憶容量を低く抑えることができる。
【００８６】
上記では、種々の実施の形態および変形例を説明したが、本発明はこれらの内容に限定されるものではない。例えば、上述した実施形態では監視装置１００を個別設けたが、監視装置１００をコントロールユニット２に設けても良い。また、監視装置１００の機能の内、一部機能のみをコントローラユニット２に設けても良い。本発明の技術的思想の範囲内で考えられるその他の態様も本発明の範囲内に含まれる。
【符号の説明】
【００８７】
１…ポンプ本体、２…コントロールユニット、５…ヒータ、６…ベース温度センサ、７…冷却装置、８…ロータ温度センサ、１０…モータ、２２…温度制御部、２３…取得部、２４…通信部、２７…電流検出部、４３…回転センサ、１００…監視装置、１０１…通信部、１０２…データ処理部、１０２ａ…選択部、１０２ｂ…圧縮部、１０３…記憶部、１０４…表示部、１０５…推定部、１０８…出力部
【図１】
0006583122.tif 000002
【図２】
0006583122.tif 000003
【図３】
0006583122.tif 000004
【図４】
0006583122.tif 000005
【図５】
0006583122.tif 000006
【図６】
0006583122.tif 000007
【図７】
0006583122.tif 000008
【図８】
0006583122.tif 000009
【図９】
0006583122.tif 000010