(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理室と、
前記処理室に設けられる電極部と、
前記電極部に第１の高周波電力を印加することにより、前記処理室内でプラズマを発生させる高周波電源部と、を備え、
前記電極部に処理対象物を載置して、前記処理対象物の表面をエッチングするプラズマ処理装置であって、
さらに、
前記プラズマ処理装置を用いて、第１の標準試料に対して予め実行されたプラズマ処理により取得された、前記第１の高周波電力と第１のエッチング速度との関係を示す第１のデータベース、前記プラズマ処理装置と同じ構造を備え、較正の基準となる基準プラズマ処理装置を用いて、前記第１の標準試料と同じ組成を含む第２の標準試料に対して予め実行されたプラズマ処理により取得された、第２の高周波電力と第２のエッチング速度との関係を示す第２のデータベース、および、プロセスレシピ、を保持する記憶部と、
前記プロセスレシピで指定された高周波電力であるレシピ指定電力を読み出し、前記第２のデータベースから、前記レシピ指定電力と同じ前記第２の高周波電力における前記第２のエッチング速度である基準装置換算速度を算出するとともに、前記第１のデータベースから、前記基準装置換算速度と同じ前記第１のエッチング速度における前記第１の高周波電力である補正電力を算出する演算部と、
前記プロセスレシピで指定された前記レシピ指定電力を、前記演算部で算出された前記補正電力に補正する制御部と、
を備える、プラズマ処理装置。
【請求項２】
前記プロセスレシピの補正を行うか否かを選択する補正選択部を備える、請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項３】
前記演算部では、さらに、前記レシピ指定電力と前記補正電力との差を算出し、
前記差が、予め設定された閾値よりも大きい場合、
前記演算部は、前記制御部にエラーを通知する、請求項１または２に記載のプラズマ処理装置。
【請求項４】
処理室と、
前記処理室に設けられる電極部と、
前記電極部に第１の高周波電力を印加することにより、前記処理室内でプラズマを発生させる高周波電源部と、
プロセスレシピを保持する記憶部と、
を備えるプラズマ処理装置を用いて、前記電極部に載置された処理対象物の表面をエッチングするプラズマ処理方法であって、
前記記憶部が、さらに、前記プラズマ処理装置を用いて、第１の標準試料に対して予め実行されたプラズマ処理により取得された、前記第１の高周波電力と第１のエッチング速度との関係を示す第１のデータベースと、前記プラズマ処理装置と同じ構造を備え、較正の基準となる基準プラズマ処理装置を用いて、前記第１の標準試料と同じ組成を含む第２の標準試料に対して予め実行されたプラズマ処理により取得された、第２の高周波電力と第２のエッチング速度との関係を示す第２のデータベースと、を保持しており、
前記プロセスレシピで指定された高周波電力であるレシピ指定電力を読み出し、前記第２のデータベースから、前記レシピ指定電力と同じ前記第２の高周波電力における前記第２のエッチング速度である基準装置換算速度を算出するとともに、前記第１のデータベースから、前記基準装置換算速度と同じ前記第１のエッチング速度における前記第１の高周波電力である補正電力を算出する演算工程と、
前記プロセスレシピで指定された前記レシピ指定電力を、前記演算工程で算出された前記補正電力に補正する補正工程と、
を備える、プラズマ処理方法。
【請求項５】
前記演算工程の前に、前記プロセスレシピの補正を行うか否かを選択する補正選択工程を備える、請求項４に記載のプラズマ処理方法。
【請求項６】
前記演算工程の後、前記レシピ指定電力と前記補正電力との差を算出し、前記差が、予め設定された閾値よりも大きいか否かを判定する判定工程を備える、請求項４または５に記載のプラズマ処理方法。
【請求項７】
前記処理対象物が、電子部品が実装された回路基板である、請求項４〜６のいずれか一項に記載のプラズマ処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、処理対象物の表面をプラズマによってエッチングする装置および方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子部品や回路基板を製造する様々な工程において、処理室内でプラズマを発生させて、処理対象物の表面をエッチングするプラズマ処理装置が用いられている。生産性を向上させるため、プラズマ処理を行う１つの工程で、複数のプラズマ処理装置（一般機）を並行して稼働させる場合もある。しかし、同じ構造を有する複数の一般機を同じ条件で稼働させても、そのエッチング速度が互いに異なる場合がある。
【０００３】
そのため、特許文献１は、プラズマの強度とプラズマプロセスにおける全ての制御パラメータとの関係を、一般機と、一般機と同じ構造を備え、較正の基準となるプラズマ処理装置（基準装置）との間で比較し、基準装置に基づいて、一般機のプラズマ処理実行中に処理条件を較正することを教示している。特許文献２は、プラズマ状態を把握できるデータを基準装置を用いて取得し、較正すべきパラメータを特定した後、特定されたパラメータに対応する一般機のパラメータを較正することを教示している。これにより、較正するパラメータが少なくなるため、較正に要する時間が短縮される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００２−２７０５８１号公報
【特許文献２】特開２００９−２９５６５８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、上記の方法では、基準装置と一般機との間および複数の一般機間において、エッチング速度が異なる場合がある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一局面は、処理室と、前記処理室に設けられる電極部と、前記電極部に第１の高周波電力を印加することにより、前記処理室内でプラズマを発生させる高周波電源部と、を備え、前記電極部に処理対象物を載置して、前記処理対象物の表面をエッチングするプラズマ処理装置であって、さらに、前記プラズマ処理装置を用いて、第１の標準試料に対して予め実行されたプラズマ処理により取得された、前記第１の高周波電力と第１のエッチング速度との関係を示す第１のデータベース、前記プラズマ処理装置と同じ構造を備え、較正の基準となる基準プラズマ処理装置を用いて、前記第１の標準試料と同じ組成を含む第２の標準試料に対して予め実行されたプラズマ処理により取得された、第２の高周波電力と第２のエッチング速度との関係を示す第２のデータベース、および、プロセスレシピ、を保持する記憶部と、前記プロセスレシピで指定された高周波電力であるレシピ指定電力を読み出し、前記第２のデータベースから、前記レシピ指定電力と同じ前記第２の高周波電力における前記第２のエッチング速度である基準装置換算速度を算出するとともに、前記第１のデータベースから、前記基準装置換算速度と同じ前記第１のエッチング速度における前記第１の高周波電力である補正電力を算出する演算部と、前記プロセスレシピで指定された前記レシピ指定電力を、前記演算部で算出された前記補正電力に補正する制御部と、を備える、プラズマ処理装置に関する。
【０００７】
本発明の他の一局面は、処理室と、前記処理室に設けられる電極部と、前記電極部に第１の高周波電力を印加することにより、前記処理室内でプラズマを発生させる高周波電源部と、プロセスレシピを保持する記憶部と、を備えるプラズマ処理装置を用いて、前記電極部に載置された処理対象物の表面をエッチングするプラズマ処理方法であって、前記記憶部が、さらに、前記プラズマ処理装置を用いて、第１の標準試料に対して予め実行されたプラズマ処理により取得された、前記第１の高周波電力と第１のエッチング速度との関係を示す第１のデータベースと、前記プラズマ処理装置と同じ構造を備え、較正の基準となる基準プラズマ処理装置を用いて、前記第１の標準試料と同じ組成を含む第２の標準試料に対して予め実行されたプラズマ処理により取得された、第２の高周波電力と第２のエッチング速度との関係を示す第２のデータベースと、を保持しており、前記プロセスレシピで指定された高周波電力であるレシピ指定電力を読み出し、前記第２のデータベースから、前記レシピ指定電力と同じ前記第２の高周波電力における前記第２のエッチング速度である基準装置換算速度を算出するとともに、前記第１のデータベースから、前記基準装置換算速度と同じ前記第１のエッチング速度における前記第１の高周波電力である補正電力を算出する演算工程と、前記プロセスレシピで指定された前記レシピ指定電力を、前記演算工程で算出された前記補正電力に補正する補正工程と、を備える、プラズマ処理方法に関する。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、非常に簡便な方法により、基準装置と一般機との間および複数の一般機間におけるエッチング速度のばらつきが抑制される。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の実施形態に係るプラズマ処理装置の概略構造を断面で示す概念図である。
【図２】本発明の実施形態に係るプラズマ処理の工程を説明するフローチャートである。
【図３】本発明の実施形態に係る第１のデータベースが保持する情報を概念的に示すグラフである。
【図４】本発明の実施形態に係る第２のデータベースが保持する情報を概念的に示すグラフである。
【図５】本発明の他の実施形態に係るプラズマ処理の工程を説明するフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
（プラズマ処理装置）
プラズマ処理装置は、処理室と、処理室に設けられ、処理対象物が載置される電極部と、電極部に第１の高周波電力を印加する高周波電源部と、を備える。処理室にプラズマ発生用ガスを供給し、電極部に第１の高周波電力を印加すると、処理室内にプラズマが発生する。発生したプラズマにより、電極部に載置された処理対象物の表面はエッチングされる。
【００１１】
処理対象物のエッチングの深さは、エッチング速度および処理時間により決定される。エッチング速度は、電極部に印加される高周波電力（第１の高周波電力）、プラズマ発生用ガスの種類や濃度、処理室内の圧力等の様々なパラメータにより制御される。そのため、特許文献１および２では、一般機に配備された各種測定機器を用いて上記パラメータに関する多数のデータを取得して、一般機において実行されているプラズマ処理の状態を把握している。そして、一般機における各種データを、較正の基準となるプラズマ処理装置（基準装置）の対応するデータに基づいてリアルタイムで補正することにより、一般機で実行中のプラズマ処理の状態を基準装置に近付けている。しかし、このように一般機の各パラメータを補正する場合であっても、プラズマ処理装置（一般機および基準装置を含む）間でエッチング速度にばらつきが生じ、エッチングの深さに差が生じる。プラズマ処理装置間でエッチング速度にばらつきが生じるのは、エッチング速度が、上記以外のパラメータ、例えば、各プラズマ処理装置の構成部品の組み付け状態の違いや、設計公差内でのわずかな寸法の違い、あるいは、プラズマ処理の履歴の違いによる処理室内の構成部品の磨耗の程度の差など、各プラズマ処理装置に固有のパラメータの影響を受けるためだと考えられる。
【００１２】
そこで、本実施形態では、一般機を用いてあらかじめ取得された、所定の条件における第１のエッチング速度、および、基準装置を用いてあらかじめ取得された、一般機と同じ条件における第２のエッチング速度に基づいて、一般機のプラズマ処理条件を補正する。第１のエッチング速度および第２のエッチング速度は、所定の条件下、一般機および基準装置により実際に処理されたエッチングの深さおよび高周波電力の印加時間から算出される。つまり、第１および第２のエッチング速度は、実測値に基づいて算出されている。よって、第１および第２のエッチング速度には、特許文献１または２で用いられたようなプラズマ処理状態に関する各種パラメータに加えて、各プラズマ処理装置に固有のパラメータが反映されている。このように、プラズマ処理条件の補正に、エッチング速度の実測値を用いることで、従来のプラズマ処理状態に関する各種パラメータを用いた補正では解消することが困難であった、各プラズマ処理装置に固有のパラメータに起因するばらつきを解消することができる。そのため、基準装置と一般機との間、一般機が複数ある場合にはさらに各一般機の間におけるエッチング速度のばらつきが抑制される。よって、一般機が複数ある場合であっても、いずれの一般機も、基準装置と同等のプラズマ処理を行うことができる。
【００１３】
さらに、一般機のプラズマ処理条件の補正は、一般機の電極部に印加される第１の高周波電力に対してのみ行われる。プラズマ発生用ガスの種類や濃度、処理室内の圧力等のパラメータが同じ条件である場合、エッチング速度は、電極部に印加される高周波電力に大きく依存する。そこで、エッチング速度に影響を与える他の条件を変えずに、第１の高周波電力のみを補正する。これにより、生産現場における工程管理が非常に容易となる。
【００１４】
以下、図１を参照しながら、本発明の実施形態に係るプラズマ処理装置１００を説明する。図１は、本発明の実施形態に係るプラズマ処理装置の概略構造を断面で示す概念図である。
【００１５】
処理室１０３ａは、水平なベース部１０１と、蓋部１０２とにより構成される真空チャンバ１０３を密閉状態にすることにより形成される。蓋部１０２は、昇降手段（図示せず）によって昇降自在に配設されている。蓋部１０２が下降して、ベース部１０１の上面に当接することにより、真空チャンバ１０３は密閉状態になる。このとき、蓋部１０２とベース部１０１との間にはシール部材１０４が介在しており、これによって、処理室１０３ａの密閉状態が担保される。処理室１０３ａでは、処理対象物１０９がプラズマ処理される。ベース部１０１には開口部１０１ａが設けられており、開口部１０１ａを塞ぐように、絶縁部材１０６を介して電極部１０５が嵌め込まれている。電極部１０５の上面は、絶縁層１０７で覆われている。絶縁層１０７の上面には、処理対象物１０９を位置決めするためのガイド部材１０８が配置されている。
【００１６】
ベース部１０１の開口部１０１ａの周縁には、貫通孔１０１ｂが形成されている。貫通孔１０１ｂには、管路１１１が挿入されており、管路１１１には、ベントバルブ１１２、ガス供給バルブ１１３、真空バルブ１１４および真空計１１５が接続されている。ガス供給バルブ１１３および真空バルブ１１４には、さらにガス供給部１１６および真空ポンプ１１７がそれぞれ接続されている。真空バルブ１１４を開くとともに真空ポンプ１１７を稼働させることにより、処理室１０３ａ内のガスが排出されて、減圧状態になる。処理室１０３ａ内の真空度は真空計１１５によって測定される。一方、ガス供給バルブ１１３を開けると、プラズマ発生用ガスが、ガス供給部１１６から処理室１０３ａ内に供給される。ガス供給部１１６は流量調整機能を内蔵しており、処理室１０３ａ内に供給されるプラズマ発生用ガスの流量が調整される。ベントバルブ１１２を開けると、処理室１０３ａ内に大気が供給される。
【００１７】
電極部１０５には、整合器１１８を介して高周波電源部１１９が電気的に接続されている。一方、蓋部１０２は接地部１１０に接地されている。処理室１０３ａ内にプラズマ発生用ガスを供給するとともに高周波電源部１１９を稼働させると、電極部１０５と蓋部１０２との間に高周波電圧が印加される。これにより、処理室１０３ａ内にはプラズマが発生する。整合器１１８は、プラズマを発生させるプラズマ放電回路（図示せず）と高周波電源部１１９とのインピーダンスを整合させる。ベントバルブ１１２、ガス供給バルブ１１３、真空バルブ１１４、真空計１１５、ガス供給部１１６、真空ポンプ１１７、高周波電源部１１９は、制御部１２０により制御される。
【００１８】
さらに、制御部１２０には、入力部１２１、補正選択部１２２、記憶部１２３、演算部１２４、表示部１２５が接続される。入力部１２１には、プロセスレシピと、第１および第２のデータベースを作成するための各データとが入力される。補正選択部１２２は、例えば、切り替えスイッチを備えている。作業者はこのスイッチを切り替えて、プロセスレシピの補正を行うか否かを選択することができる。補正選択部１２２は、上記のような機械的なスイッチに限らない。例えば、入力部１２１にプロセスレシピの補正を行うか否かを入力することで、補正選択部１２２を操作してもよい。
【００１９】
入力部１２１に入力されたデータベースを作成するための各データは、第１または第２のデータベースとして記憶部１２３に格納される。入力部１２１に入力されたプロセスレシピもまた、記憶部１２３に格納される。補正選択部１２２において、プロセスレシピを補正することが選択されている場合、演算部１２４は、各データベースに基づき、プロセスレシピで指定された高周波電力（レシピ指定電力Ｐ０）を補正する演算を行い、補正された第１の高周波電力（補正電力Ｐ１）を算出し、制御部１２０に結果を伝達する。制御部１２０は、プロセスレシピで指定されたレシピ指定電力Ｐ０を補正電力Ｐ１に補正し、補正されたプロセスレシピに従ってプラズマ処理を開始するよう、上記各部に指示する。表示部１２５は、入力されたプロセスレシピ、第１および第２のデータベース、演算部１２４から制御部１２０にエラーが通知されたことを示すエラーメッセージ等を表示する。制御部１２０、入力部１２１、記憶部１２３および演算部１２４の具体的な機能については、後述する。
【００２０】
［第１実施形態］
以下、図２〜図４を用いて、第１実施形態に係るプラズマ処理工程を説明する。図２は、本実施形態に係るプラズマ処理の工程を説明するフローチャートである。図３は、第１のデータベースが保持する情報を概念的に示すグラフである。図４は、第２のデータベースが保持する情報を概念的に示すグラフである。
【００２１】
（プラズマ処理方法）
まず、入力部１２１に、あらかじめ一般機および基準装置を用いて取得された、所定の高周波電力により発生させたプラズマによるエッチング速度を、当該高周波電力とともに入力しておく。例えば、入力部１２１に、一般機の電極部に印加された高周波電力およびそのときのエッチング速度を１セットとして、複数セット、入力しておく。同様に、基準装置の電極部に印加された高周波電力およびそのときのエッチング速度を１セットとして、複数セット、入力しておく。入力されたデータは、それぞれ第１のデータベースおよび第２のデータベースを作成するために、記憶部１２３に格納される（データ格納工程）。データ格納工程は、後述する入力工程（ステップ１）の前に行われてもよいし、後であってもよい。
【００２２】
記憶部１２３には、入力されたデータに基づき、例えば、図３に示すような情報を保持する第１のデータベースが保持される。図３のグラフは、横軸が第１の高周波電力を示し、縦軸が第１のエッチング速度を示している。図３では、４パターンの高周波電力Ｐ１を一般機の電極部に印加したときのエッチングの深さと印加時間とから算出されたエッチング速度Ｒ１が、プロットされている。データの数は４パターンに限らない。また、データベースは入力部１２１から入力されたデータのみで構成されていてもよいし、入力部１２１から入力されたデータを補間するデータを含んでもよい。入力されたデータの補間は、例えば、入力されたデータの近似直線や近似曲線を引いて行われる。このようにして、一般機を用いて実測された高周波電力Ｐ１とそのときのエッチング速度Ｒ１との関係が、第１データベースとして記憶部１２３に保持される。
【００２３】
さらに、記憶部１２３には、一般機と同じ構造を備える基準装置における第２の高周波電力Ｐ２と第２のエッチング速度Ｒ２との関係が、例えば図４に示すような情報を保持する第２のデータベースとして保持される。第２のデータベースは、一般機と同じ構造を備える基準装置を用いたこと以外は、第１のデータベース場合と同様にして得られる。
【００２４】
各データベースを作成するためのデータは、あらかじめ、基準装置および一般機を用いて、同じ物質をエッチングの対象として、所定のデータベース作成用の処理条件でプラズマ処理を行うことにより取得される。データベースの作成は、少なくとも１つの所定の処理条件によるプラズマ処理の結果に基づいて行われる。補正の精度を高めるためには、高周波電力の異なる複数の処理条件によるプラズマ処理の結果を用いて、データベースが作成されることが望ましい。
【００２５】
データを取得する際のエッチングの対象となる物質は、実際の一般機によるプラズマ処理に供される処理対象物に含まれることが望ましく、プラズマによってエッチングされる対象の物質（エッチング対象物）と同じ組成を有する物質であることが望ましい。すなわち、処理対象物と、一般機のデータを取得する際の試料（第１の標準試料）と、基準装置のデータを取得する際の試料（第２の標準試料）とは、エッチング対象物として、いずれも同じ組成を有する物質を含んでいることが望ましい。第１の標準試料および第２の標準試料は、エッチング対象物のみで形成されていてもよいし、エッチング対象物と、当該プラズマ処理条件ではエッチングされない他の物質と、を含んでいてもよい。また、第１の標準試料および第２の標準試料は、処理対象物と同じ構造を有していてもよい。
【００２６】
処理対象物としては、特に限定されず、例えば、電子機器の製造に用いられる基板、基板上に回路が形成された回路基板、回路基板に電子部品が実装された実装基板、半導体基板等が挙げられる。エッチング対象物も特に限定されず、例えば、基板、基板上に形成された絶縁膜、基板上のレジスト、回路を構成するための金属材料、半導体材料等が挙げられる。プラズマ発生用ガスは、エッチング対象物に応じて、適宜選択される。例えば、金をエッチングする場合にはアルゴンガス、レジスト等の有機物をエッチングする場合には酸素ガス、ＳｉＯ２等の絶縁膜をエッチングする場合にはＣＦ４等のフッ化炭素含有ガスを用いることができる。
【００２７】
エッチング速度は、高周波電力の印加時間とエッチングの深さとから算出される。エッチングの深さは、標準試料を電極部に載置し、処理室にエッチング対象物に適切なプラズマ発生用ガスを供給した後、所定の高周波電力を所定時間印加することによりエッチング処理された標準試料から測定される。
【００２８】
印加時間は、測定できる程度のエッチング深さが得られる限り、特に限定されない。印加時間は、実際に一般機で行われる印加時間（以下、処理時間）と同じであってもよいし、処理時間より長くてもよい。ここでは、電極部に印加された印加高周波電力とエッチング速度との関係が分かればよいため、実際の処理時間あるいはエッチング深さにかかわらず、データを採取する際の印加時間を決定することができる。例えば、一般機によって行われる工程がクリーニング工程である場合、処理時間は数秒〜数百秒であり、エッチング深さはナノオーダーレベルの場合もある。ナノオーダーレベルのエッチング深さを測定するのは、非常に困難である。しかし、各データベースを作成するためのデータの取得では、例えば、エッチング深さの測定が容易となるレベル（例えば、ミクロンオーダー）にまで達する程度に、印加時間を長くすることができる。よって、エッチング速度がより正確に算出されるため、プラズマ処理装置間のエッチング速度のばらつきが抑制され易くなる。
【００２９】
さらに、上記のとおり、データを取得する際に使用する標準試料は、少なくともエッチング対象物を含んでいればよい。そのため、実際の一般機の処理対象物が、複雑な構造（例えば、実装基板）を有しており、エッチング対象物のエッチング深さの測定が困難な場合であっても、エッチング速度をより正確に算出することができる。つまり、予め各データベースを作成しておく本実施形態は、実際のプラズマ処理時間が短い（例えば、数秒〜数百秒）場合や、処理対象物が複雑な構造を有している場合に、特に有用である。具体的には、実装基板のクリーニング工程において、本実施形態のプラズマ処理装置１００あるいはプラズマ処理方法は好ましく用いられる。
【００３０】
（１）入力工程
入力工程では、プロセスレシピが入力部１２１に入力される（ステップ１）。プロセスレシピでは、処理時間、プラズマ発生用ガスの供給量、一般機の電極部に印加するべきレシピ指定電力Ｐ０、処理室１０３ａ内の圧力等のプラズマ処理を行うための条件が指定されている。
【００３１】
（２）補正選択工程
次に、補正選択部１２２において、プロセスレシピの補正を行うか否かを選択する（ステップ２）。  
【００３２】
プロセスレシピを補正しないと選択した場合、制御部１２０は、入力されたプロセスレシピに従ってプラズマ処理を開始するよう、プロセス処理装置１００の各部（例えば、ベントバルブ１１２、ガス供給バルブ１１３、真空バルブ１１４、真空計１１５、ガス供給部１１６、真空ポンプ１１７、高周波電源部１１９等）に指示する（ステップ９９）。
【００３３】
（３）演算工程
一方、プロセスレシピの補正を行うことを選択した場合、制御部１２０は、記憶部１２３から第２のデータベースを呼び出して、プロセスレシピで指定されたレシピ指定電力Ｐ０に相当する第２の高周波電力Ｐ２を読み出す（ステップ３）。続いて、第２のデータベースから、第２の高周波電力Ｐ２に対応する第２のエッチング速度（基準装置換算速度Ｒ２）を算出する（ステップ４。図４参照）。次に、制御部１２０は、記憶部１２３から第１のデータベースを呼び出して、ステップ４で算出された基準装置換算速度Ｒ２に相当する第１のエッチング速度Ｒ１に対応する第１の高周波電力（補正電力Ｐ１）を算出する（ステップ５。図３参照）。
【００３４】
（４）補正工程
制御部１２０は、プロセスレシピで指定されたレシピ指定電力Ｐ０を、ステップ５で算出された第１の補正電力Ｐ１に補正し、補正されたプロセスレシピに従ってプラズマ処理を開始するよう、プラズマ処理装置の上記各部に指示する（ステップ６）。
【００３５】
［第２実施形態］
以下、図５を用いて、第２実施形態に係るプラズマ処理の工程を説明する。図５は、本実施形態に係るプラズマ処理の工程を説明するフローチャートである。本実施形態は、演算部１２４において、ステップ３で読み出された第２の高周波電力Ｐ２（すなわち、レシピ指定電力Ｐ０）と、ステップ５で読み出された補正電力Ｐ１との差が算出され、この差が、予め設定された閾値よりも大きいか否か判定される（ステップ７：判定工程）こと以外、第１実施形態と同様である。
【００３６】
（５）判定工程
判定工程は、ステップ５の後、ステップ６の前に行えばよい。図５に示すように、補正電力Ｐ１とレシピ指定電力Ｐ０との差が閾値よりも大きい場合、演算部１２４から制御部１２０にエラーが通知される（ステップ９９９）。エラーが通知されると、制御部１２０は、第１および／または第２データベースに誤りがある可能性があると判断し、この旨を表示部１２５に表示し、作業者に報知する。
【００３７】
一方、補正電力Ｐ１とレシピ指定電力Ｐ０との差が閾値以下である場合、制御部１２０は、プロセスレシピで指定されたレシピ指定電力Ｐ０を、ステップ５で算出された補正電力Ｐ１に補正し、補正されたプロセスレシピに従ってプラズマ処理を開始するよう、プラズマ処理装置の上記各部に指示する（ステップ６：補正工程）。閾値は、例えば、補正を行わない場合の基準装置と一般機との、同じ高周波電力におけるエッチング速度の差に基づいて設定される。
【産業上の利用可能性】
【００３８】
本発明のプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法によれば、基準装置と一般機との間および複数の一般機間におけるエッチング速度のばらつきが抑制されるため、特に電子部品や回路基板を製造する種々の工程に好適に用いられる。
【符号の説明】
【００３９】
１００：プラズマ処理装置、１０１：ベース部、１０１ａ：開口部、１０１ｂ：貫通孔、１０２：蓋部、１０３：真空チャンバ、１０３ａ：処理室、１０４：シール部材、１０５：電極部、１０６：絶縁部材、１０７：絶縁層、１０８：ガイド部材、１０９：処理対象物、１１０：接地部、１１１：管路、１１２：ベントバルブ、１１３：ガス供給バルブ、１１４：真空バルブ、１１５：真空計、１１６：ガス供給部、１１７：真空ポンプ、１１８：整合器、１１９：高周波電源部、１２０：制御部、１２１：入力部、１２２：補正選択部、１２３：記憶部、１２４：演算部、１２５：表示部
【図１】
0006604595.tif 000002
【図２】
0006604595.tif 000003
【図３】
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【図４】
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【図５】
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