(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
コイルの一部となる配線と、前記配線上に形成された絶縁層とを有する構造体を複数積層した積層体と、
前記積層体を厚さ方向に貫通する第１貫通孔と、
前記積層体の表面に露出された前記配線の表面を被覆する絶縁膜と、を有し、
前記絶縁膜は、前記第１貫通孔の内壁面に露出された前記配線の端面を被覆するとともに、前記第１貫通孔の内壁面に露出された前記絶縁層の端面を露出するように形成されており、
前記第１貫通孔内には、磁性体を含有する絶縁性樹脂が充填されており、
上下に隣接する前記構造体の前記配線同士が直列に接続されて螺旋状の前記コイルが形成されていることを特徴とするインダクタ。
【請求項２】
上下に隣接する前記配線同士は貫通電極を介して電気的に接続され、
前記絶縁膜は、前記第１貫通孔の内壁面に露出された前記貫通電極の端面を被覆していることを特徴とする請求項１に記載のインダクタ。
【請求項３】
前記貫通電極の端面と、該貫通電極の直下に形成された前記配線の端面とは、前記第１貫通孔の内壁面から積層方向に連続して露出し、
前記絶縁膜は、前記第１貫通孔の内壁面から連続して露出する、前記貫通電極の端面及び前記配線の端面を連続して被覆していることを特徴とする請求項２に記載のインダクタ。
【請求項４】
前記絶縁膜は、前記積層体の外壁面に露出された前記貫通電極の端面を被覆するように形成されていることを特徴とする請求項２又は３に記載のインダクタ。
【請求項５】
前記絶縁膜は、前記積層体の外壁面に露出された前記配線の端面を被覆するように形成されていることを特徴とする請求項１〜４の何れか一項に記載のインダクタ。
【請求項６】
前記絶縁膜は、電着樹脂からなることを特徴とする請求項１〜５の何れか一項に記載のインダクタ。
【請求項７】
複数の前記構造体は接着層を介して積層され、
前記積層体の表面に露出された前記絶縁層及び前記接着層は、前記絶縁膜から露出されていることを特徴とする請求項１〜６の何れか一項に記載のインダクタ。
【請求項８】
前記積層体は、
第１配線と、
前記第１配線の上面の一部を露出する第２貫通孔を有し、前記第１配線の上面に積層された第１絶縁層と、
前記第２貫通孔と連通する第３貫通孔を有し、前記第１絶縁層の上面に積層された第１接着層と、
前記第３貫通孔と連通する第４貫通孔を有し、前記第１接着層の上面に積層された第２配線と、
前記第４貫通孔と連通する第５貫通孔を有し、前記第２配線の上面に積層された第２絶縁層と、
前記第２貫通孔と、前記第３貫通孔と、前記第４貫通孔と、前記第５貫通孔とを充填する第１貫通電極と、を有し、
前記第１配線と前記第２配線とが前記第１貫通電極を介して直列に接続され、
前記第５貫通孔は、前記第４貫通孔よりも平面形状が大きく形成されていることを特徴とする請求項１〜７のいずれか一項に記載のインダクタ。
【請求項９】
前記第２貫通孔は、前記第３貫通孔よりも平面形状が大きく形成され、
前記第１接着層は、前記第２配線の側面の一部を被覆するとともに、前記第２貫通孔の内側面を被覆し、
前記第３貫通孔の一部は、前記第２貫通孔内に形成されていることを特徴とする請求項８に記載のインダクタ。
【請求項１０】
前記積層体は、
前記第１配線を厚さ方向に貫通する第６貫通孔と、
前記第１絶縁層を厚さ方向に貫通して前記第６貫通孔と連通するとともに、前記第６貫通孔よりも平面形状が大きく形成された第７貫通孔と、
前記第６貫通孔と連通する第８貫通孔を有し、前記第１配線の下面に積層された第２接着層と、
前記第８貫通孔と連通する第９貫通孔を有し、前記第２接着層の下面に積層された第３絶縁層と、
前記第３絶縁層の下面に積層され当該積層体の最下層に形成された第３配線と、
前記第８貫通孔及び前記第９貫通孔に露出する前記第３配線の上面に形成され、前記第６貫通孔と、前記第７貫通孔と、前記第８貫通孔と、前記第９貫通孔とを充填する第２貫通電極と、を有し、
前記絶縁膜は、前記第３配線の下面及び側面を被覆し、
前記第３配線と前記第１配線とが前記第２貫通電極を介して直列に接続されていることを特徴とする請求項８又は９に記載のインダクタ。
【請求項１１】
前記コイルの端部には接続部が設けられ、
前記接続部は、前記絶縁膜から露出し、
前記絶縁性樹脂は、前記接続部を除いて前記積層体及び前記絶縁膜を被覆し、
前記絶縁性樹脂を被覆するように形成され、前記接続部と電気的に接続された電極を有することを特徴とする請求項１〜１０の何れか一項に記載のインダクタ。
【請求項１２】
金属層と、前記金属層上に形成された絶縁層とを有する構造体を複数個準備する工程と、
上下に隣接する前記構造体の前記金属層同士を直列に接続しながら、複数の前記構造体を順次積層して積層体を形成する工程と、
前記積層体を成形して、複数の前記金属層をコイルの一部を構成する形状の配線に加工し、複数の前記配線同士が直列に接続された螺旋状の前記コイルを形成するとともに、前記積層体を厚さ方向に貫通する貫通孔を形成する工程と、
電着法により、前記貫通孔の内壁面に露出された前記配線の端面を被覆する絶縁膜を形成する工程と、を有することを特徴とするインダクタの製造方法。
【請求項１３】
前記積層体を形成する工程では、上下に隣接する前記金属層同士を貫通電極を介して電気的に接続し、
前記絶縁膜を形成する工程では、前記積層体の表面に露出された前記貫通電極の表面を被覆するように前記絶縁膜を形成することを特徴とする請求項１２に記載のインダクタの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インダクタ及びインダクタの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、ゲーム機や携帯電話機等の電子機器の小型化が加速化しており、これに伴って、このような電子機器に搭載されるインダクタ等の各種素子に対しても小型化の要求が高まっている。このような電子機器に搭載されるインダクタとしては、例えば、巻き線コイルを用いたものが知られている。巻き線コイルを用いたインダクタは、例えば、電子機器の電源回路等に用いられている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００３−１６８６１０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、巻き線コイルを用いたインダクタの小型化の限界は、平面形状が１．６ｍｍ×１．６ｍｍ程度であると考えられている。これは、巻き線の太さに限界があるため、これ以上に小型化しようとすると、インダクタの総面積に対する巻き線の体積の割合が減少し、インダクタンスを大きくすることができないためである。このため、小型化が容易に実現可能なインダクタの開発が望まれている。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の一観点によれば、コイルの一部となる配線と、前記配線上に形成された絶縁層とを有する構造体を複数積層した積層体と、前記積層体を厚さ方向に貫通する第１貫通孔と、前記積層体の表面に露出された前記配線の表面を被覆する絶縁膜と、を有し、前記絶縁膜は、前記第１貫通孔の内壁面に露出された前記配線の端面を被覆するとともに、前記第１貫通孔の内壁面に露出された前記絶縁層の端面を露出するように形成されており、前記第１貫通孔内には、磁性体を含有する絶縁性樹脂が充填されており、上下に隣接する前記構造体の前記配線同士が直列に接続されて螺旋状の前記コイルが形成されている。
【発明の効果】
【０００６】
本発明の一観点によれば、小型化することができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】第１実施形態のコイル基板を示す概略平面図。
【図２】第１実施形態のコイル基板の一部を拡大した拡大平面図。
【図３】第１実施形態のコイル基板を示す概略断面図。
【図４】第１実施形態のコイル基板を示す概略断面図。
【図５】第１実施形態の積層体の分解斜視図。
【図６】第１実施形態の積層体の分解斜視図。
【図７】第１実施形態の配線を示す概略斜視図。
【図８】（ａ）は、個片化後のコイル基板を示す概略断面図、（ｂ）は、第１実施形態のインダクタを示す概略断面図。
【図９】第１実施形態のコイル基板の製造方法を示す概略平面図。
【図１０】（ａ）は、第１実施形態のコイル基板の製造方法を示す概略断面図（図１０（ｂ）における１０ａ−１０ａ断面図）、（ｂ）は、第１実施形態のコイル基板の製造方法を示す概略平面図。
【図１１】（ａ）は、第１実施形態のコイル基板の製造方法を示す概略断面図（図１０（ｂ）における１０ａ−１０ａ断面図）、（ｂ）は、第１実施形態のコイル基板の製造方法を示す概略断面図（図１１（ｃ）における１１ｂ−１１ｂ断面図）、（ｃ）は、第１実施形態のコイル基板の製造方法を示す概略平面図。
【図１２】（ａ）は、第１実施形態のコイル基板の製造方法を示す概略断面図（図１２（ｃ）における１２ａ−１２ａ断面図）、（ｂ）は、第１実施形態のコイル基板の製造方法を示す概略断面図（図１２（ｃ））における１２ｂ−１２ｂ断面図、（ｃ）は、第１実施形態のコイル基板の製造方法を示す概略平面図。
【図１３】（ａ）〜（ｃ）は、第１実施形態のコイル基板の製造方法を示す概略断面図。
【図１４】（ａ）、（ｂ）は、第１実施形態のコイル基板の製造方法を示す概略断面図。
【図１５】（ａ）は、第１実施形態のコイル基板の製造方法を示す概略断面図（図１５（ｂ）における１５ａ−１５ａ断面図）、（ｂ）は、第１実施形態のコイル基板の製造方法を示す概略平面図。
【図１６】（ａ）〜（ｃ）は、第１実施形態のコイル基板の製造方法を示す概略断面図。
【図１７】（ａ）は、第１実施形態のコイル基板の製造方法を示す概略断面図（図１７（ｂ）における１７ａ−１７ａ断面図）、（ｂ）は、第１実施形態のコイル基板の製造方法を示す概略平面図。
【図１８】（ａ）、（ｂ）は、第１実施形態のコイル基板の製造方法を示す概略断面図。
【図１９】（ａ）は、第１実施形態のコイル基板の製造方法を示す概略断面図（図１９（ｂ）における１９ａ−１９ａ断面図）、（ｂ）は、第１実施形態のコイル基板の製造方法を示す概略平面図。
【図２０】（ａ）、（ｂ）は、第１実施形態のコイル基板の製造方法を示す概略断面図。
【図２１】（ａ）は、第１実施形態のコイル基板の製造方法を示す概略断面図（図２１（ｂ）における２１ａ−２１ａ断面図）、（ｂ）は、第１実施形態のコイル基板の製造方法を示す概略平面図。
【図２２】（ａ）、（ｂ）は、第１実施形態のコイル基板の製造方法を示す概略断面図。
【図２３】（ａ）は、第１実施形態のコイル基板の製造方法を示す概略断面図（図２３（ｃ）における２３ａ−２３ａ断面図）、（ｂ）は、第１実施形態のコイル基板の製造方法を示す概略断面図（図２３（ｃ）における２３ｂ−２３ｂ断面図）、（ｃ）は、第１実施形態のコイル基板の製造方法を示す概略平面図。
【図２４】（ａ）、（ｂ）は、第１実施形態のコイル基板の製造方法を示す概略断面図。
【図２５】（ａ）、（ｂ）は、第１実施形態のコイル基板の製造方法を示す概略断面図。
【図２６】（ａ）、（ｂ）は、第１実施形態のコイル基板の製造方法を示す概略平面図。
【図２７】成形前の金属層を示す概略斜視図。
【図２８】（ａ）は、第１実施形態のコイル基板の製造方法を示す概略断面図（図２８（ｂ）における２８ａ−２８ａ断面図）、（ｂ）は、第１実施形態のコイル基板の製造方法を示す概略平面図。
【図２９】第１実施形態のコイル基板の製造方法を示す概略平面図。
【図３０】（ａ）は、第１実施形態のコイル基板の製造方法を示す概略断面図（図２９における３０ａ−３０ａ断面図）、（ｂ）は、第１実施形態のインダクタの製造方法を示す概略断面図。
【図３１】（ａ），（ｂ）は、第１実施形態のインダクタの製造方法を示す概略断面図。
【図３２】変形例のインダクタを示す概略断面図。
【図３３】変形例のインダクタを示す概略断面図。
【図３４】第２実施形態のインダクタを示す概略断面図。
【図３５】（ａ）〜（ｃ）は、第２実施形態のインダクタの製造方法を示す概略断面図。
【図３６】（ａ），（ｂ）は、第２実施形態のインダクタの製造方法を示す概略断面図。
【図３７】（ａ），（ｂ）は、第２実施形態のインダクタの製造方法を示す概略断面図。
【図３８】第２実施形態のインダクタの製造方法を示す概略断面図。
【図３９】第３実施形態のインダクタを示す概略断面図。
【図４０】（ａ）は、第３実施形態のインダクタの製造方法を示す概略断面図（図４０（ｃ）における４０ａ−４０ａ断面図）、（ｂ）は、第３実施形態のインダクタの製造方法を示す概略断面図（図４０（ｃ）における４０ｂ−４０ｂ断面図）、（ｃ）は、第３実施形態のインダクタの製造方法を示す概略平面図。
【図４１】（ａ）は、第３実施形態のインダクタの製造方法を示す概略断面図、（ｂ）は、第３実施形態のインダクタの製造方法を示す概略断面図（図４１（ｃ）における４１ｂ−４１ｂ断面図）、（ｃ）は、第３実施形態のインダクタの製造方法を示す概略平面図。
【図４２】（ａ）〜（ｄ）は、第３実施形態のインダクタの製造方法を示す概略断面図。
【図４３】（ａ），（ｂ）は、第３実施形態のインダクタの製造方法を示す概略断面図。
【図４４】（ａ），（ｂ）は、第３実施形態のインダクタの製造方法を示す概略断面図。
【図４５】（ａ），（ｂ）は、第３実施形態のインダクタの製造方法を示す概略断面図。
【図４６】変形例のインダクタを示す概略断面図。
【図４７】変形例のインダクタを示す概略断面図。
【図４８】第４実施形態のインダクタを示す概略断面図（図４９における４８−４８断面図）。
【図４９】第４実施形態のインダクタの積層体を示す概略平面図。
【図５０】（ａ），（ｂ）は、第４実施形態のインダクタの製造方法を示す概略断面図。
【図５１】（ａ）は、第４実施形態のインダクタの製造方法を示す概略平面図、（ｂ）は、第４実施形態のインダクタの製造方法を示す概略断面図。
【図５２】変形例のインダクタを示す概略断面図。
【図５３】変形例のインダクタを示す概略断面図。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、添付図面を参照して各実施形態を説明する。なお、添付図面は、特徴を分かりやすくするために便宜上特徴となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率などが実際と同じであるとは限らない。また、断面図では、各部材の断面構造を分かりやすくするために、一部の部材のハッチングを梨地模様に代えて示し、一部の部材のハッチングを省略している。
【０００９】
（第１実施形態）
以下、図１〜図３１に従って第１実施形態を説明する。
まず、コイル基板１０の構造について説明する。
【００１０】
図１に示すように、コイル基板１０は、例えば、平面視略矩形状に形成されている。コイル基板１０は、複数の個別領域Ａ１が設けられたブロック１１と、ブロック１１よりも外側に突出して形成された外枠１３とを有している。ブロック１１は、例えば、平面視略矩形状に形成されている。ブロック１１には、複数の個別領域Ａ１がマトリクス状（ここでは、２×６）に設けられている。ここで、個別領域Ａ１は、最終的に破線に沿って切断されて個片化され、各々個別の単位コイル基板（コイル基板）２０となる領域である。すなわち、ブロック１１は、個々のコイル基板２０となる個別領域Ａ１を複数有する領域である。
【００１１】
なお、複数の個別領域Ａ１は、図１に示すように所定の間隔を介して配列されてもよいし、互いに接するように配列されてもよい。また、図１に示した例では、ブロック１１は、１２個の個別領域Ａ１を有するが、個別領域Ａ１の数は特に制限されない。
【００１２】
ブロック１１は、複数のコイル基板２０を連結する連結部１２を有している。連結部１２は、複数のコイル基板２０を囲むように形成されている。連結部１２は、複数のコイル基板２０を支持している。
【００１３】
外枠１３は、例えば、コイル基板１０の両端領域に形成されている。外枠１３は、例えば、ブロック１１の短辺から外側に張り出すように形成されている。この外枠１３には、複数のスプロケットホール１３Ｘが形成されている。複数のスプロケットホール１３Ｘは、例えば、コイル基板１０の短手方向（図中の上下方向）に沿って略一定間隔で連続的に形成されている。各スプロケットホール１３Ｘの平面形状は、例えば、平面視略矩形状に形成されている。なお、コイル基板１０のうち個別領域Ａ１以外の部分（つまり、連結部１２及び外枠１３）は、個片化の際に廃棄される部分である。
【００１４】
次に、図２〜図７に従って、個々のコイル基板２０の構造について説明する。
図２に示すように、各個別領域Ａ１に設けられたコイル基板２０は、例えば、平面視略長方形状に形成されている。本例のコイル基板２０の平面形状は、長方形の角部が面取りされるように形成され、さらに長方形の短辺から外側（図中下側及び図中上側）に突出する突出部２１，２２が形成されている。コイル基板２０の平面形状は、図２に示した形状に限定されず、任意の形状とすることができる。また、コイル基板２０の平面形状は、任意の大きさとすることができる。例えば、コイル基板２０の平面形状は、当該コイル基板２０を用いて図８（ｂ）に示すインダクタ９０を製造した際に、そのインダクタ９０の平面形状が１．６ｍｍ×０．８ｍｍ程度の略矩形状となる程度の大きさとすることができる。コイル基板２０の厚さは、例えば、０．５ｍｍ程度とすることができる。
【００１５】
また、コイル基板２０の平面視略中央部には、貫通孔２０Ｘが形成されている。貫通孔２０Ｘは、コイル基板２０を厚さ方向に貫通するように形成されている。貫通孔２０Ｘの平面形状は、任意の形状及び任意の大きさとすることができる。例えば、貫通孔２０Ｘの平面形状は、略楕円形状又は略長円形状とすることができる。
【００１６】
コイル基板２０と連結部１２との間には、当該コイル基板２０を画定する開口部２０Ｙが形成されている。開口部２０Ｙは、コイル基板１０を厚さ方向に貫通するように形成されている。
【００１７】
図３及び図４に示すように、コイル基板２０は、大略すると、基板３０と、基板３０の下面３０Ａに積層された構造体４１と、基板３０の上面３０Ｂに積層された構造体４２〜４７とを含む積層体２３を有し、その積層体２３の表面を被覆する絶縁膜２５を有している。
【００１８】
積層体２３の平面形状は、コイル基板２０の平面形状と同様の形状に形成されている。例えば、積層体２３の平面形状は、絶縁膜２５の分だけコイル基板２０の平面形状よりも一回り小さく形成されている。また、積層体２３の平面視略中央部には、当該積層体２３を厚さ方向に貫通する貫通孔２３Ｘが形成されている。貫通孔２３Ｘの平面形状は、例えば、貫通孔２０Ｘの平面形状と同様に、略楕円形状又は略長円形状とすることができる。
【００１９】
積層体２３では、基板３０の上面３０Ｂに、接着層７１を介して構造体４２が積層され、構造体４２上に、接着層７２を介して構造体４３が積層され、構造体４３上に、接着層７３を介して構造体４４が積層されている。また、積層体２３では、構造体４４上に、接着層７４を介して構造体４５が積層され、構造体４５上に、接着層７５を介して構造体４６が積層され、構造体４６上に、接着層７６を介して構造体４７が積層されている。
【００２０】
ここで、接着層７１〜７６としては、例えば、エポキシ系接着剤等の絶縁性樹脂製の耐熱性接着剤を用いることができる。接着層７１〜７６の厚さは、例えば、１２〜３５μｍ程度とすることができる。
【００２１】
図４に示すように、構造体４１は、絶縁層５１と、配線６１と、接続部６１Ａと、金属層６１Ｄとを有し、構造体４２は、絶縁層５２と、配線６２と、金属層６２Ｄとを有し、構造体４３は、絶縁層５３と、配線６３と、金属層６３Ｄとを有している。構造体４４は、絶縁層５４と、配線６４と、金属層６４Ｄとを有し、構造体４５は、絶縁層５５と、配線６５と、金属層６５Ｄとを有している。構造体４６は、絶縁層５６と、配線６６と、金属層６６Ｄとを有し、構造体４７は、絶縁層５７と、配線６７と、接続部６７Ａと、金属層６７Ｄとを有している。
【００２２】
ここで、絶縁層５１〜５７の材料としては、例えば、エポキシ系樹脂等を主成分とする絶縁性樹脂を用いることができる。絶縁層５１〜５７の材料としては、例えば、熱硬化性樹脂を主成分とする絶縁性樹脂を用いることができる。絶縁層５１〜５７は、例えば、シリカやアルミナ等のフィラーを含有していてもよい。なお、絶縁層５１〜５７の熱膨張係数は、例えば、５０〜１２０ｐｐｍ／℃程度とすることができる。絶縁層５１〜５７の厚さは、例えば、１２〜２０μｍ程度とすることができる。
【００２３】
また、最下層の配線６１、接続部６１Ａ及び金属層６１Ｄの材料としては、例えば、基板３０よりも絶縁膜２５との密着性が高い金属材料であることが好ましい。例えば、配線６１、接続部６１Ａ及び金属層６１Ｄの材料としては、銅（Ｃｕ）や銅合金を用いることができる。また、配線６２〜６７、接続部６７Ａ及び金属層６２Ｄ〜６７Ｄの材料としては、例えば、銅や銅合金を用いることができる。配線６１〜６７、接続部６１Ａ，６７Ａ及び金属層６１Ｄ〜６７Ｄの厚さは、例えば、１２〜３５μｍ程度とすることができる。
【００２４】
基板３０としては、例えば、シート状の絶縁基板を用いることができる。基板３０の材料としては、例えば、当該基板３０の熱膨張係数が絶縁層５１〜５７の熱膨張係数よりも低くなるように調整された絶縁性樹脂であることが好ましい。例えば、基板３０の熱膨張係数は、１０〜２５ｐｐｍ／℃程度に設定されている。また、基板３０の材料としては、例えば、耐熱性に優れた材料であることが好ましい。さらに、基板３０の材料としては、絶縁層５１〜５７よりも弾性率の高い材料であることが好ましい。このような基板３０としては、例えば、ポリイミド（ＰＩ）フィルムやポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）フィルム等の樹脂フィルムを用いることができる。基板３０としては、熱膨張係数の低いポリイミドフィルムを好適に用いることができる。基板３０の厚さは、例えば、絶縁層５１〜５７よりも厚く設定されている。例えば、基板３０の厚さは、１２〜５０μｍ程度とすることができる。このような基板３０は、絶縁層５１〜５７よりも高い剛性を持つ。
【００２５】
基板３０には、当該基板３０を厚さ方向に貫通する貫通孔３０Ｘが形成されている。貫通孔３０Ｘの平面形状は、任意の形状及び任意の大きさとすることができる。例えば、貫通孔３０Ｘの平面形状は、直径が２００〜３００μｍ程度の円形状とすることができる。
【００２６】
次に、構造体４１の構造について説明する。
絶縁層５１は、基板３０の下面３０Ａに積層されている。絶縁層５１には、当該絶縁層５１を厚さ方向に貫通する貫通孔５１Ｘが形成されている。貫通孔５１Ｘは、基板３０の貫通孔３０Ｘと連通するように形成されている。すなわち、貫通孔５１Ｘは、貫通孔３０Ｘと平面視で重複する位置に形成されている。貫通孔５１Ｘの平面形状は、任意の形状及び任意の大きさとすることができる。例えば、貫通孔５１Ｘの平面形状は、貫通孔３０Ｘと同様に、直径が２００〜３００μｍ程度の円形状とすることができる。
【００２７】
連通する貫通孔３０Ｘ，５１Ｘ内の一部には、ビア配線Ｖ１が形成されている。本例のビア配線Ｖ１は、貫通孔５１Ｘを充填するとともに、貫通孔３０Ｘの一部に形成されている。本例のビア配線Ｖ１は、配線６１の上面から貫通孔３０Ｘの厚さ方向の中途位置まで形成されている。このため、貫通孔３０Ｘの上側の内側面は、ビア配線Ｖ１から露出されている。ビア配線Ｖ１は、配線６１と電気的に接続されている。ビア配線Ｖ１の平面形状は、任意の形状及び任意の大きさとすることができる。例えば、ビア配線Ｖ１の平面形状は、貫通孔３０Ｘ，５１Ｘと同様に、直径が２００〜３００μｍ程度の円形状とすることができる。
【００２８】
配線６１、接続部６１Ａ及び金属層６１Ｄは、絶縁層５１の下面に積層されている。これら配線６１、接続部６１Ａ及び金属層６１Ｄは、積層体２３の最下層に形成されている。配線６１の幅は、例えば、１００〜２００μｍ程度とすることができる。配線６１は、コイルの一部となる配線であり、コイルの１層目の配線（約１巻）である。なお、以下の説明では、コイルの一部となる配線における渦巻きに沿う方向を長手方向、その長手方向と平面視で直交する幅方向を短手方向とする。
【００２９】
図５に示すように、配線６１の平面形状は、略楕円形状に形成されている。但し、配線６１には、所要箇所に当該配線６１の短手方向（幅方向）及び厚さ方向を貫通する溝部６１Ｙが形成されており、配線６１は非環状に形成されている。
【００３０】
接続部６１Ａは、配線６１の一端部に形成されている。接続部６１Ａは、コイル基板２０の突出部２１（図２参照）に対応する位置に形成されている。接続部６１Ａは、配線６１と一体に形成されている。換言すると、接続部６１Ａは、配線６１の一部である。図４に示すように、接続部６１Ａは、連結部１２（図３参照）に形成された金属層８１と電気的に接続されている。金属層８１は、例えば、めっき給電用の給電ラインである。なお、接続部６１Ａは、コイル基板２０が個片化されたときに、その個片化後のコイル基板２０の側面２０Ａ（図８（ａ）参照）から露出する。この露出した接続部６１Ａにはインダクタの電極が接続される。
【００３１】
金属層６１Ｄは、配線６１と離間して形成されている。具体的には、金属層６１Ｄと配線６１との間には溝部６１Ｚが形成されている。すなわち、金属層６１Ｄは、溝部６１Ｚによって配線６１と電気的に絶縁されている。金属層６１Ｄは、例えば、構造体４１に形成された金属層（配線６１、接続部６１Ａ及び金属層６１Ｄ）の形状と、他の構造体に形成された金属層（例えば、構造体４７に形成された配線６７、接続部６７Ａ及び金属層６７Ｄ）の形状との差を小さくするために設けられたダミーパターンである。金属層６１Ｄは、コイル基板２０の突出部２２（図２参照）に対応する位置に形成されている。具体的には、金属層６１Ｄは、最上層の構造体４７に形成された接続部６７Ａと平面視で重複する位置に設けられている。なお、金属層６１Ｄは、コイル基板２０が個片化されたときに、他の配線や金属層と電気的に接続されずに、電気的に孤立（フローティング）した状態となる。
【００３２】
次に、基板３０の上面３０Ｂに積層された構造体の構造について説明する。
基板３０の上面３０Ｂには、接着層７１が積層されている。接着層７１は、ビア配線Ｖ１から露出する貫通孔３０Ｘの内側面を被覆するように形成されている。すなわち、接着層７１は、基板３０の上面３０Ｂに形成されるとともに、貫通孔３０Ｘ内に形成されている。接着層７１には、当該接着層７１を厚さ方向に貫通してビア配線Ｖ１の上面の一部を露出する貫通孔７１Ｘが形成されている。貫通孔７１Ｘは、接着層７１の上面から貫通孔３０Ｘ内に形成された接着層７１の下面までを貫通するように形成されている。すなわち、貫通孔７１Ｘは、貫通孔３０Ｘの一部と連通するように形成され、さらに当該貫通孔７１Ｘの一部が貫通孔３０Ｘ内に形成されている。ここで、貫通孔７１Ｘの平面形状は、任意の形状及び任意の大きさとすることができる。但し、貫通孔７１Ｘの平面形状は、貫通孔３０Ｘの平面形状よりも小さく形成されている。例えば、貫通孔７１Ｘの平面形状は、貫通孔７１Ｘと同様に、直径が１４０〜１８０μｍ程度の円形状とすることができる。
【００３３】
構造体４２は、接着層７１を介して、基板３０の上面３０Ｂに積層されている。配線６２及び金属層６２Ｄは、接着層７１上に積層されている。図５に示すように、配線６２は、平面視略コ字状に形成されている。配線６２は、コイルの一部となる配線であり、コイルの２層目の配線（１巻の約３／４）である。
【００３４】
配線６２には、当該配線６２を厚さ方向に貫通して、接着層７１の貫通孔７１Ｘと連通する貫通孔６２Ｘが形成されている。貫通孔６２Ｘの平面形状は、任意の形状及び任意の大きさとすることができる。但し、貫通孔６２Ｘの平面形状は、貫通孔３０Ｘの平面形状よりも小さく形成されている。例えば、貫通孔６２Ｘの平面形状は、直径が１４０〜１８０μｍ程度の円形状とすることができる。
【００３５】
金属層６２Ｄは、例えば、金属層６１Ｄと同様のダミーパターンである。金属層６２Ｄの一部は、溝部６２Ｙによって配線６２と離間して形成されている。この金属層６２Ｄは、配線６１の一部と平面視で重複する位置に形成されている。また、金属層６２Ｄの一部は、溝部６２Ｚによって配線６２と離間して形成されている。この金属層６２Ｄは、接続部６１Ａ及び接続部６７Ａ（図６参照）と平面視で重複する位置に形成されている。
【００３６】
図４に示すように、配線６２及び金属層６２Ｄの側面の一部は、接着層７１によって被覆されている。例えば、本例の接着層７１は、図５に示した溝部６２Ｙ，６２Ｚを充填するように形成されている。
【００３７】
絶縁層５２は、配線６２及び金属層６２Ｄの上面を被覆するように、接着層７１上に積層されている。絶縁層５２には、当該絶縁層５２を厚さ方向に貫通して、貫通孔６２Ｘ，７１Ｘと連通する貫通孔５２Ｘが形成されている。貫通孔５２Ｘは、貫通孔６２Ｘの周囲に位置する配線６２の上面を露出するように形成されている。すなわち、貫通孔５２Ｘの平面形状は、貫通孔６２Ｘ，７１Ｘの平面形状よりも大きく形成されている。例えば、貫通孔５２Ｘの平面形状は、直径が２００〜３００μｍ程度の円形状とすることができる。
【００３８】
連通する貫通孔５２Ｘ，６２Ｘ，７１Ｘ内には、ビア配線Ｖ２が形成されている。ビア配線Ｖ２は、例えば、貫通孔７１Ｘから露出するビア配線Ｖ１上に形成され、貫通孔５２Ｘ，６２Ｘ，７１Ｘを全て充填するように形成されている。このため、ビア配線Ｖ２は、断面視略Ｔ字状に形成されている。ビア配線Ｖ２は、貫通孔６２Ｘの内側面を構成する配線６２と接続されるとともに、貫通孔６２Ｘの周囲に位置する配線６２の上面と接続されている。そして、２層目の配線６２は、ビア配線Ｖ１，Ｖ２からなる貫通電極を介して、１層目の配線６１と直列に接続されている。ここで、ビア配線Ｖ１，Ｖ２からなる貫通電極は、絶縁層５１と、基板３０と、接着層７１と、配線６２と、絶縁層５２とを貫通して形成されている。
【００３９】
また、絶縁層５２には、当該絶縁層５２を厚さ方向に貫通して、配線６２の上面の一部を露出する貫通孔５２Ｙが形成されている。貫通孔５２Ｙの平面形状は、任意の形状及び任意の大きさとすることができる。例えば、貫通孔５２Ｙの平面形状は、直径が２００〜３００μｍ程度の円形状とすることができる。
【００４０】
絶縁層５２上には接着層７２が積層され、接着層７２上には構造体４３が積層されている。配線６３及び金属層６３Ｄは、接着層７２上に積層されている。
図５に示すように、配線６３は、平面視略楕円形状に形成されている。但し、配線６３には、所要箇所に当該配線６３の短手方向（幅方向）及び厚さ方向を貫通する溝部６３Ｙが形成されており、配線６３は非環状に形成されている。配線６３は、コイルの一部となる配線であり、コイルの３層目の配線（約１巻）である。
【００４１】
金属層６３Ｄは、例えば、金属層６１Ｄと同様のダミーパターンである。金属層６３Ｄは、例えば、溝部６３Ｚによって配線６３と離間して形成されている。金属層６３Ｄは、例えば、接続部６１Ａ又は接続部６７Ａ（図６参照）と平面視で重複する位置に形成されている。
【００４２】
図４に示すように、接着層７２は、その一部が貫通孔５２Ｙ内に形成され、貫通孔５２Ｙの内側面を被覆するように形成されている。また、接着層７２は、配線６３及び金属層６３Ｄの側面の一部を被覆するように形成されている。接着層７２は、例えば、図５に示した溝部６３Ｙ，６３Ｚを充填するように形成されている。
【００４３】
接着層７２には、当該接着層７２を厚さ方向に貫通して配線６２の上面の一部を露出する貫通孔７２Ｘが形成されている。貫通孔７２Ｘは、接着層７２の上面から貫通孔５２Ｙ内に形成された接着層７２の下面まで貫通するように形成されている。すなわち、貫通孔７２Ｘは、その一部が貫通孔５２Ｙ内に形成されている。
【００４４】
配線６３には、当該配線６３を厚さ方向に貫通して、貫通孔７２Ｘと連通する貫通孔６３Ｘが形成されている。ここで、貫通孔６３Ｘ，７２Ｘの平面形状は、任意の形状及び任意の大きさとすることができる。但し、貫通孔６３Ｘ，７２Ｘの平面形状は、貫通孔５２Ｙの平面形状よりも小さく形成されている。例えば、貫通孔６３Ｘ，７２Ｘの平面形状は、直径が１４０〜１８０μｍ程度の円形状とすることができる。
【００４５】
絶縁層５３は、配線６３及び金属層６３Ｄの上面を被覆するように、接着層７２上に積層されている。絶縁層５３には、当該絶縁層５３を厚さ方向に貫通して、貫通孔６３Ｘ，７２Ｘと連通する貫通孔５３Ｘが形成されている。貫通孔５３Ｘは、貫通孔６３Ｘの周囲に位置する配線６３の上面を露出するように形成されている。すなわち、貫通孔５３Ｘの平面形状は、貫通孔６３Ｘ，７２Ｘの平面形状よりも大きく形成されている。例えば、貫通孔５３Ｘの平面形状は、直径が２００〜３００μｍ程度の円形状とすることができる。
【００４６】
連通する貫通孔５３Ｘ，６３Ｘ，７２Ｘ内には、ビア配線Ｖ３が形成されている。ビア配線Ｖ３は、例えば、貫通孔７２Ｘから露出する配線６２上に形成され、貫通孔５３Ｘ，６３Ｘ，７２Ｘを全て充填するように形成されている。このため、ビア配線Ｖ３は、断面視略Ｔ字状に形成されている。ビア配線Ｖ３は、貫通孔６３Ｘの内側面を構成する配線６３と接続されるとともに、貫通孔６３Ｘの周囲に位置する配線６３の上面と接続されている。そして、３層目の配線６３は、ビア配線Ｖ３を介して、２層目の配線６２と直列に接続されている。ここで、ビア配線Ｖ３は、上下に隣接する構造体４２，４３のうち下側の構造体４２の絶縁層５２と、接着層７２と、上側の構造体４３の配線６３及び絶縁層５３とを貫通して形成されている。
【００４７】
図５に示すように、絶縁層５３には、当該絶縁層５３を厚さ方向に貫通して、配線６３の上面の一部を露出する貫通孔５３Ｙが形成されている。貫通孔５３Ｙの平面形状は、任意の形状及び任意の大きさとすることができる。例えば、貫通孔５３Ｙの平面形状は、直径が２００〜３００μｍ程度の円形状とすることができる。
【００４８】
絶縁層５３上には接着層７３が積層され、接着層７３上には構造体４４が積層されている。配線６４及び金属層６４Ｄは、接着層７３上に積層されている。絶縁層５４は、配線６４及び金属層６４Ｄの上面を被覆するように、接着層７３上に積層されている。なお、構造体４４は、構造体４２と同一の構造であり、例えば、構造体４２を絶縁層５２の上面の法線を軸に１８０度回転させた構造に相当する構造を有している。
【００４９】
配線６４は、平面視略コ字状に形成されている。配線６４は、コイルの一部となる配線であり、コイルの４層目の配線（１巻の約３／４）である。金属層６４Ｄは、例えば、金属層６１Ｄと同様のダミーパターンである。金属層６４Ｄは、例えば、溝部６４Ｙ又は溝部６４Ｚによって配線６４と離間して形成されている。
【００５０】
接着層７３は、接着層７２と同様に、貫通孔５３Ｙの内側面を被覆するように形成されている。接着層７３は、例えば、配線６４及び金属層６４Ｄの側面の一部を被覆するように形成され、溝部６４Ｙ，６４Ｚを充填するように形成されている。接着層７３には、当該接着層７３を厚さ方向に貫通して配線６３の上面の一部を露出する貫通孔７３Ｘが形成されている。貫通孔７３Ｘは、貫通孔５３Ｙと平面視で重なる位置に形成され、その一部が貫通孔５３Ｙ内に形成されている。
【００５１】
配線６４には、当該配線６４を厚さ方向に貫通して、貫通孔７３Ｘと連通する貫通孔６４Ｘが形成されている。貫通孔６４Ｘ，７３Ｘの平面形状は、貫通孔５３Ｙの平面形状よりも小さく形成されている。
【００５２】
絶縁層５４には、当該絶縁層５４を厚さ方向に貫通して、貫通孔６４Ｘ，７３Ｘと連通する貫通孔５４Ｘが形成されている。貫通孔５４Ｘの平面形状は、貫通孔６４Ｘ，７３Ｘの平面形状よりも大きく形成されている。また、絶縁層５４には、当該絶縁層５４を厚さ方向に貫通して、配線６４の上面の一部を露出する貫通孔５４Ｙが形成されている。
【００５３】
連通する貫通孔５４Ｘ，６４Ｘ，７３Ｘ内には、ビア配線Ｖ４（図７参照）が形成されている。ビア配線Ｖ４は、例えば、貫通孔７３Ｘから露出する配線６３上に形成され、貫通孔５４Ｘ，６４Ｘ，７３Ｘを全て充填するように形成されている。このため、ビア配線Ｖ４は、上下に隣接する構造体４３，４４のうち下側の構造体４３の絶縁層５３と、接着層７３と、上側の構造体４４の配線６４及び絶縁層５４とを貫通して形成されている。そして、４層目の配線６４は、ビア配線Ｖ４を介して、３層目の配線６３と直列に接続されている。
【００５４】
図４に示すように、絶縁層５４上には接着層７４が積層され、接着層７４上には構造体４５が積層されている。配線６５及び金属層６５Ｄは、接着層７４上に積層されている。絶縁層５５は、配線６５及び金属層６５Ｄの上面を被覆するように接着層７４上に積層されている。なお、図５及び図６に示すように、構造体４５は、構造体４３と同一の構造であり、構造体４３を絶縁層５３の上面の法線を軸に１８０度回転させた構造に相当する構造を有している。
【００５５】
図６に示すように、配線６５は、平面視略楕円形状に形成されている。但し、配線６５には、所要箇所に当該配線６５の短手方向及び厚さ方向を貫通する溝部６５Ｙが形成されており、配線６５は非環状に形成されている。配線６５は、コイルの一部となる配線であり、コイルの５層目の配線（約１巻）である。金属層６５Ｄは、例えば、金属層６１Ｄ（図５参照）と同様のダミーパターンであり、溝部６５Ｚによって配線６５と離間して形成されている。
【００５６】
接着層７４は、接着層７２（図４参照）と同様に、貫通孔５４Ｙの内側面を被覆するように形成されている。接着層７４は、例えば、配線６５及び金属層６５Ｄの側面の一部を被覆するように形成され、溝部６５Ｙ，６５Ｚを充填するように形成されている。接着層７４には、当該接着層７４を厚さ方向に貫通して配線６４（図５参照）の上面の一部を露出する貫通孔７４Ｘが形成されている。貫通孔７４Ｘは、貫通孔５４Ｙと平面視で重なる位置に形成され、その一部が貫通孔５４Ｙ内に形成されている。
【００５７】
配線６５には、当該配線６５を厚さ方向に貫通して、貫通孔７４Ｘと連通する貫通孔６５Ｘが形成されている。貫通孔６５Ｘ，７４Ｘの平面形状は、貫通孔５４Ｙの平面形状よりも小さく形成されている。
【００５８】
絶縁層５５には、当該絶縁層５５を厚さ方向に貫通して、貫通孔６５Ｘ，７４Ｘと連通する貫通孔５５Ｘが形成されている。貫通孔５５Ｘの平面形状は、貫通孔６５Ｘ，７４Ｘの平面形状よりも大きく形成されている。また、絶縁層５５には、当該絶縁層５５を厚さ方向に貫通して、配線６５の上面の一部を露出する貫通孔５５Ｙが形成されている。
【００５９】
連通する貫通孔５５Ｘ，６５Ｘ，７４Ｘ内には、ビア配線Ｖ５（図７参照）が形成されている。ビア配線Ｖ５は、例えば、貫通孔７４Ｘから露出する配線６４（図５参照）上に形成され、貫通孔５５Ｘ，６５Ｘ，７４Ｘを全て充填するように形成されている。このため、ビア配線Ｖ５は、上下に隣接する構造体４４，４５のうち下側の構造体４４の絶縁層５４と、接着層７４と、上側の構造体４５の配線６５及び絶縁層５５とを貫通して形成されている。そして、５層目の配線６５は、ビア配線Ｖ５を介して、４層目の配線６４と直列に接続されている。
【００６０】
絶縁層５５上には接着層７５が積層され、接着層７５上には構造体４６が積層されている。配線６６及び金属層６６Ｄは、接着層７５上に積層されている。絶縁層５６は、配線６６及び金属層６６Ｄの上面を被覆するように接着層７５上に積層されている。なお、構造体４６は、構造体４２（図５参照）と同一の構造である。
【００６１】
図６に示すように、配線６６は、平面視略コ字状に形成されている。配線６６は、コイルの一部となる配線であり、コイルの６層目の配線（１巻の約３／４）である。金属層６６Ｄは、例えば、金属層６１Ｄ（図５参照）と同様のダミーパターンである。金属層６６Ｄは、例えば、溝部６６Ｙ又は溝部６６Ｚによって配線６６と離間して形成されている。
【００６２】
図４に示すように、接着層７５は、貫通孔５５Ｙの内側面を被覆するように形成されている。接着層７５は、例えば、配線６６及び金属層６６Ｄの側面の一部を被覆するように形成され、溝部６６Ｙ，６６Ｚ（図６参照）を充填するように形成されている。接着層７５には、当該接着層７５を厚さ方向に貫通して配線６５の上面の一部を露出する貫通孔７５Ｘが形成されている。貫通孔７５Ｘは、貫通孔５５Ｙと平面視で重なる位置に形成され、その一部が貫通孔５５Ｙ内に形成されている。
【００６３】
配線６６には、当該配線６６を厚さ方向に貫通して、貫通孔７５Ｘと連通する貫通孔６６Ｘが形成されている。貫通孔６６Ｘ，７５Ｘの平面形状は、貫通孔５５Ｙの平面形状よりも小さく形成されている。
【００６４】
絶縁層５６には、当該絶縁層５６を厚さ方向に貫通して、貫通孔６６Ｘ，７５Ｘと連通する貫通孔５６Ｘが形成されている。貫通孔５６Ｘの平面形状は、貫通孔６６Ｘ，７５Ｘの平面形状よりも大きく形成されている。また、絶縁層５６には、当該絶縁層５６を厚さ方向に貫通して、配線６６の上面の一部を露出する貫通孔５６Ｙが形成されている。
【００６５】
連通する貫通孔５６Ｘ，６６Ｘ，７５Ｘ内には、ビア配線Ｖ６が形成されている。ビア配線Ｖ６は、例えば、貫通孔７５Ｘから露出する配線６５上に形成され、貫通孔５６Ｘ，６６Ｘ，７５Ｘを全て充填するように形成されている。このため、ビア配線Ｖ６は、上下に隣接する構造体４５，４６のうち下側の構造体４５の絶縁層５５と、接着層７５と、上側の構造体４６の配線６６及び絶縁層５６とを貫通して形成されている。そして、６層目の配線６６は、ビア配線Ｖ６を介して、５層目の配線６５と直列に接続されている。
【００６６】
絶縁層５６上には接着層７６が積層され、接着層７６上には構造体４７が積層されている。配線６７、接続部６７Ａ及び金属層６７Ｄは、接着層７６上に積層されている。絶縁層５７は、配線６７、接続部６７Ａ及び金属層６７Ｄの上面を被覆するように接着層７６上に積層されている。
【００６７】
図６に示すように、配線６７の平面形状は、略楕円形状に形成されている。但し、配線６７には、所要箇所に当該配線６７の短手方向（幅方向）及び厚さ方向を貫通する溝部６７Ｙが形成されており、配線６７は非環状に形成されている。配線６７は、コイルの一部となる配線であり、コイルの７層目の配線（約１巻）である。
【００６８】
接続部６７Ａは、配線６７の一端部に形成されている。接続部６７Ａは、コイル基板２０の突出部２２（図２参照）に対応する位置に形成されている。接続部６７Ａは、配線６７と一体に形成されている。換言すると、接続部６７Ａは、配線６７の一部である。なお、接続部６７Ａは、コイル基板２０が個片化されたときに、その個片化後のコイル基板２０の側面２０Ｂ（図８（ａ）参照）から露出する。この露出した接続部６７Ａにはインダクタの電極が接続される。また、金属層６７Ｄは、例えば、金属層６１Ｄ（図５参照）と同様のダミーパターンであり、溝部６７Ｚによって配線６７と離間して形成されている。
【００６９】
図４に示すように、接着層７６は、貫通孔５６Ｙの内側面を被覆するように形成されている。接着層７６は、例えば、配線６７、接続部６７Ａ及び金属層６７Ｄの側面の一部を被覆するように形成され、溝部６７Ｙ，６７Ｚ（図６参照）を充填するように形成されている。接着層７６には、当該接着層７６を厚さ方向に貫通して配線６６の上面の一部を露出する貫通孔７６Ｘが形成されている。貫通孔７６Ｘは、貫通孔５６Ｙと平面視で重なる位置に形成され、その一部が貫通孔５６Ｙ内に形成されている。
【００７０】
配線６７には、当該配線６７を厚さ方向に貫通して、貫通孔７６Ｘと連通する貫通孔６７Ｘが形成されている。貫通孔６７Ｘ，７６Ｘの平面形状は、貫通孔５６Ｙの平面形状よりも小さく形成されている。
【００７１】
絶縁層５７には、当該絶縁層５７を厚さ方向に貫通して、貫通孔６７Ｘ，７６Ｘと連通する貫通孔５７Ｘが形成されている。貫通孔５７Ｘの平面形状は、貫通孔６７Ｘ，７６Ｘの平面形状よりも大きく形成されている。
【００７２】
連通する貫通孔５７Ｘ，６７Ｘ，７６Ｘ内には、ビア配線Ｖ７が形成されている。ビア配線Ｖ７は、例えば、貫通孔７６Ｘから露出する配線６６上に形成され、貫通孔５７Ｘ，６７Ｘ，７６Ｘを全て充填するように形成されている。そして、７層目の配線６７は、ビア配線Ｖ７を介して、６層目の配線６６と直列に接続されている。ここで、ビア配線Ｖ７は、上下に隣接する構造体４６，４７のうち下側の構造体４６の絶縁層５６と、接着層７６と、上側の構造体４７の配線６７及び絶縁層５７とを貫通して形成されている。
【００７３】
また、図６に示すように、絶縁層５７には、当該絶縁層５７を厚さ方向に貫通して、配線６７の上面の一部を露出する貫通孔５７Ｙが形成されている。この貫通孔５７Ｙには、ビア配線Ｖ８（図７参照）が充填されている。配線６７は、ビア配線Ｖ８と電気的に接続されている。
【００７４】
なお、貫通孔６４Ｘ〜６７Ｘ，７３Ｘ〜７６Ｘの平面形状は、任意の形状及び任意の大きさとすることができる。例えば、貫通孔６４Ｘ〜６７Ｘ，７３Ｘ〜７６Ｘの平面形状は、直径が１４０〜１８０μｍ程度の円形状とすることができる。これら貫通孔６４Ｘ〜６７Ｘ，７３Ｘ〜７６Ｘの平面形状よりも大きい貫通孔５４Ｘ〜５７Ｘ，５４Ｙ〜５７Ｙの平面形状は、例えば、直径が２００〜３００μｍ程度とすることができる。また、図７に示したビア配線Ｖ１〜Ｖ８の材料としては、例えば、銅や銅合金を用いることができる。
【００７５】
このように、コイル基板２０では、図７に示すように、上下に隣接する配線６１〜６７同士をビア配線Ｖ１〜Ｖ８を介して直列に接続し、接続部６１Ａから接続部６７Ａに至る螺旋状のコイルを形成している。すなわち、螺旋状のコイルは、その一端部に接続部６１Ａが設けられ、他端部に接続部６７Ａが設けられている。
【００７６】
図２に示すように、以上説明した積層体２３の平面視略中央部には、当該積層体２３を厚さ方向に貫通する貫通孔２３Ｘが形成されている。図３及び図４に示すように、貫通孔２３Ｘの内壁面には、配線６１〜６７の側面が露出されている。
【００７７】
絶縁膜２５は、積層体２３の表面全面を被覆するように形成されている。具体的には、図４に示すように、絶縁膜２５は、積層体２３の外壁面（側壁）、最下層の配線６１の下面及び側面、最上層の絶縁層５７の上面、ビア配線Ｖ７の上面、ビア配線Ｖ８（図７参照）の上面、及び貫通孔２３Ｘの内壁面を連続的に被覆するように形成されている。この絶縁膜２５により、貫通孔２３Ｘの内壁面に露出された配線６１〜６７の側面が被覆されている。絶縁膜２５により、溝部６１Ｙ，６１Ｚに露出する配線６１の側面が被覆されている。また、例えば、図２に示すように、積層体２３の上面及び下面を被覆する絶縁膜２５は、少なくとも、接続部６７Ａと平面視で重複する位置まで積層体２３を被覆するとともに、金属層６７Ｄと平面視で重複する位置まで積層体２３を被覆するように形成されている。なお、本例の絶縁膜２５は、連結部１２の一部を被覆するように形成されている。但し、連結部１２の大部分及び外枠１３の全面は、絶縁膜２５から露出されている。なお、図２では、絶縁層５７の図示を省略し、積層体２３上の絶縁膜２５の図示を省略している。
【００７８】
ここで、絶縁膜２５の材料としては、例えば、エポキシ系樹脂やアクリル系樹脂などの絶縁性樹脂を用いることができる。絶縁膜２５は、例えば、シリカやアルミナ等のフィラーを含有していてもよい。絶縁膜２５の厚さは、例えば、１０〜５０μｍ程度とすることができる。
【００７９】
以上説明したコイル基板２０は、隣接するコイル基板２０と連結部１２を介して連結されている。以下に、連結部１２の構造について簡単に説明する。
図３に示すように、連結部１２を構成する基板３０の下面３０Ａには、絶縁層５１と、金属層８１とが順次積層されている。また、連結部１２を構成する基板３０の上面３０Ｂには、接着層７１、金属層８２、絶縁層５２、接着層７２、金属層８３、絶縁層５３、接着層７３、金属層８４、絶縁層５４、接着層７４、金属層８５、絶縁層５５、接着層７５、金属層８６、絶縁層５６、接着層７６、金属層８７、及び絶縁層５７が順に積層されている。図４に示すように、金属層８１は金属層６１Ｄ及び接続部６１Ａと電気的に接続され、金属層８２は金属層６２Ｄと電気的に接続され、金属層８３は金属層６３Ｄと電気的に接続され、金属層８４は金属層６４Ｄと電気的に接続されている。また、金属層８５は金属層６５Ｄと電気的に接続され、金属層８６は金属層６６Ｄと電気的に接続され、金属層８７は金属層６７Ｄ及び接続部６７Ａと電気的に接続されている。なお、金属層８１〜８７の材料としては、例えば、銅や銅合金を用いることができる。
【００８０】
図２に示すように、連結部１２には、所要箇所に認識マーク１２Ｘが形成されている。認識マーク１２Ｘは、連結部１２を厚さ方向に貫通するように形成されている。認識マーク１２Ｘは、例えば、アライメントマークとして利用される。認識マーク１２Ｘの平面形状は、任意の形状及び任意の大きさとすることができる。例えば、認識マーク１２Ｘの平面形状は、略円形状とすることができる。
【００８１】
次に、外枠１３の構造について簡単に説明する。
図３に示すように、外枠１３は、基板３０のみによって構成されている。外枠１３は、例えば、基板３０の両端領域に形成されている。例えば、外枠１３は、個別領域Ａ１及び連結部１２を構成する基板３０が連結部１２よりも外側に延在して形成されている。すなわち、基板３０のみが連結部１２よりも外側に張り出すように形成されている。そして、外枠１３を構成する基板３０に、上述したスプロケットホール１３Ｘが形成されている。すなわち、スプロケットホール１３Ｘは、基板３０を厚さ方向に貫通するように形成されている。
【００８２】
図８（ａ）には、図４に破線で示した切断位置で絶縁膜２５、基板３０、絶縁層５１〜５７、金属層６１Ｄ〜６７Ｄ等が切断されて個片化された後のコイル基板２０が示されている。個片化後のコイル基板２０では、一方の側面２０Ａに接続部６１Ａが露出され、側面２０Ａと対向する側面２０Ｂに接続部６７Ａが露出されている。なお、この個片化後のコイル基板２０は、天地逆の状態で用いることができ、又は任意の角度で配置することができる。
【００８３】
次に、図８（ｂ）に従って、コイル基板２０を有するインダクタ９０の構造について説明する。
インダクタ９０は、コイル基板２０を封止樹脂９１で封止し、電極９２，９３を形成したチップインダクタである。インダクタ９０の平面形状は、例えば、１．６ｍｍ×０．８ｍｍ程度の略矩形状とすることができる。インダクタ９０の厚さは、例えば、１．０ｍｍ程度とすることができる。インダクタ９０は、例えば、小型の電子機器の電圧変換回路等に用いることができる。
【００８４】
封止樹脂９１は、コイル基板２０の側面２０Ａ及び側面２０Ｂを除く部分を封止している。すなわち、封止樹脂９１は、接続部６１Ａ，６７Ａが露出する側面２０Ａ，２０Ｂを除いてコイル基板２０（積層体２３及び絶縁膜２５）を全体的に被覆するように形成されている。例えば、封止樹脂９１は、絶縁膜２５の上面及び下面を被覆し、貫通孔２３Ｘの内壁面を被覆する絶縁膜２５の側面を被覆するように形成されている。すなわち、封止樹脂９１は、貫通孔２０Ｘ内にも形成されている。本例の封止樹脂９１は、貫通孔２０Ｘの内壁面全面を被覆するように貫通孔２０Ｘ内に充填されている。封止樹脂９１の材料としては、例えば、フェライトや金属磁性粉末等の磁性体のフィラーを含有する絶縁性樹脂（例えば、エポキシ系樹脂）を用いることができる。金属磁性粉末の材料としては、例えば、鉄や鉄系合金を用いることができる。なお、磁性体は、インダクタ９０のインダクタンスを大きくする機能を有している。
【００８５】
ここで、インダクタ９０では、コイル基板２０の略中央部に貫通孔２０Ｘが形成されており、その貫通孔２０Ｘも磁性体を含有する絶縁性樹脂で充填されている。これにより、貫通孔２０Ｘを形成しない場合に比べて、コイル基板２０の周囲のより多くの部分を、磁性体を含有する封止樹脂９１で封止することができる。このため、インダクタ９０のインダクタンスを向上させることができる。
【００８６】
なお、貫通孔２０Ｘ内に、フェライト等の磁性体のコアを配置し、コアを含めてコイル基板２０を封止するように封止樹脂９１を形成してもよい。このとき、コアの形状は、例えば、円柱状や直方体状とすることができる。
【００８７】
電極９２は、封止樹脂９１の外側に形成され、接続部６１Ａの一部と接続されている。電極９２は、コイル基板２０の側面２０Ａと、その側面２０Ａ側に形成された封止樹脂９１の側面と、封止樹脂９１の上面及び下面の一部とを連続的に被覆するように形成されている。電極９２の内壁面は、コイル基板２０の側面２０Ａから露出する接続部６１Ａの側面と接している。これにより、電極９２と接続部６１Ａとは電気的に接続されている。
【００８８】
電極９３は、封止樹脂９１の外側に形成され、接続部６７Ａの一部と接続されている。電極９３は、コイル基板２０の側面２０Ｂと、その側面２０Ｂ側に形成された封止樹脂９１の側面と、封止樹脂９１の上面及び下面の一部とを連続的に被覆するように形成されている。電極９３の内壁面は、コイル基板２０の側面２０Ｂから露出する接続部６７Ａの側面と接している。これにより、電極９３と接続部６７Ａとは電気的に接続されている。
【００８９】
電極９２，９３の材料としては、例えば、銅や銅合金を用いることができる。また、電極９２，９３は、複数の金属層を積層した構造としてもよい。
なお、電極９２，９３は、ダミーパターンである金属層６１Ｄ〜６７Ｄとも接続されている。但し、金属層６１Ｄ〜６７Ｄは、配線６１〜６７及び他の金属層と電気的に接続されておらず、電気的に孤立している。このため、金属層６１Ｄ〜６７Ｄ及び電極９２，９３に起因して配線６１〜６７等が短絡することはない。
【００９０】
次に、コイル基板１０の製造方法について説明する。
まず、図９に示す工程では、基板１００を用意する。基板１００は、ブロック１１と外枠１３とを有する基板３０が複数個連設された構造を有している。各ブロック１１には、複数の個別領域Ａ１が設けられ、それら複数の個別領域Ａ１を囲むように連結部１２が設けられている。また、外枠１３は、基板１００の短手方向又は各基板３０の長手方向（つまり、図中上下方向）の両端領域に設けられている。この外枠１３には、基板３０を厚さ方向に貫通するスプロケットホール１３Ｘが、基板１００の長手方向（つまり、図中左右方向）に沿って略一定間隔で連続的に形成されている。スプロケットホール１３Ｘは、例えば、プレス加工法やレーザ加工法を用いて形成することができる。なお、スプロケットホール１３Ｘは、コイル基板１０を製造する過程で基板１００が各種製造装置等に装着された際に、モータ等により駆動されるスプロケットのピンと噛み合って、基板１００をピッチ送りするための貫通孔（つまり、搬送用の貫通孔）である。このため、隣接するスプロケットホール１３Ｘの間隔は、製造過程で基板１００が装着される製造装置に対応して設定される。
【００９１】
基板１００としては、リール状（テープ状）の可撓性を有する絶縁樹脂フィルムを用いることができる。基板１００の幅（スプロケットホール１３Ｘの配列方向と平面視で直交する方向の長さ）は、基板１００が装着される製造装置に対応するように決定される。例えば、基板１００の幅は、４０〜９０ｍｍ程度とすることができる。また、基板１００の長手方向の長さは、任意に決定することができる。図９に示した例では、各基板３０に設ける個別領域Ａ１を６行２列としたが、各基板３０を長くして個別領域Ａ１を例えば数１００列程度とすることもできる。なお、切断位置Ａ２は、後工程でリール状の基板１００を切断してシート状とするための切断位置である。
【００９２】
以下では、便宜上、１つの基板３０の１つの個別領域Ａ１（図９において一点鎖線枠で示した領域）に着目して説明を行う。
次に、図１０（ａ）及び図１０（ｂ）に示す工程では、外枠１３を除く領域（つまり、ブロック１１）に位置する基板３０の下面３０Ａに、半硬化状態の絶縁層５１を積層する。絶縁層５１は、例えば、ブロック１１に位置する基板３０の下面３０Ａ全面を被覆するように形成される。例えば、絶縁層５１の材料としてフィルム状の絶縁性樹脂を用いる場合には、基板３０の下面３０Ａにフィルム状の絶縁性樹脂をラミネートする。但し、この工程では、フィルム状の絶縁性樹脂の熱硬化は行わず、Ｂ−ステージ状態（半硬化状態）にしておく。なお、絶縁層５１を真空雰囲気中でラミネートすることにより、絶縁層５１中へのボイドの巻き込みを抑制することができる。一方、絶縁層５１の材料として液状又はペースト状の絶縁性樹脂を用いる場合には、基板３０の下面３０Ａに液状又はペースト状の絶縁性樹脂を、例えば、印刷法やスピンコート法により塗布する。その後、塗布した液状又はペースト状の絶縁性樹脂をプリベークしてＢ−ステージ状態にする。
【００９３】
続いて、各個別領域Ａ１の基板３０に貫通孔３０Ｘを形成するとともに、各個別領域Ａ１の絶縁層５１に、貫通孔３０Ｘと連通する貫通孔５１Ｘを形成する。これら貫通孔３０Ｘ，５１Ｘは、例えば、プレス加工法やレーザ加工法により形成することができる。なお、本工程において、上述したスプロケットホール１３Ｘを形成するようにしてもよい。すなわち、貫通孔３０Ｘ，５１Ｘとスプロケットホール１３Ｘとを同一の工程で形成するようにしてもよい。
【００９４】
次いで、図１１（ａ）に示す工程では、半硬化状態の絶縁層５１の下面に、金属箔１６１を積層する。金属箔１６１は、例えば、絶縁層５１の下面全面を被覆するように形成される。例えば、半硬化状態の絶縁層５１の下面に、金属箔１６１を熱圧着によりラミネートする。その後、半硬化状態の絶縁層５１を１５０℃程度の温度雰囲気でキュア（熱硬化処理）を行うことにより硬化させる。このとき、絶縁層５１の硬化に伴って、絶縁層５１の上面に基板３０が接着されるとともに、絶縁層５１の下面に金属箔１６１が接着される。すなわち、本工程における絶縁層５１は、基板３０と金属箔１６１とを接着する接着剤として機能する。なお、金属箔１６１は、後工程でパターニングされて配線６１及び接続部６１Ａ等となる部位であり、例えば、銅箔を用いることができる。
【００９５】
次いで、貫通孔５１Ｘの底部に露出する金属箔１６１上にビア配線Ｖ１を形成する。本工程では、ビア配線Ｖ１は、貫通孔５１Ｘ内を充填するとともに、貫通孔３０Ｘ内の一部に形成される。ビア配線Ｖ１は、例えば、金属箔１６１を給電層に利用する電解めっき法により、貫通孔３０Ｘ，５１Ｘ内にめっき膜を析出させることで形成することができる。また、ビア配線Ｖ１は、貫通孔５１Ｘの底部に露出する金属箔１６１上に銅等の金属ペーストを充填して形成するようにしてもよい。
【００９６】
次に、金属箔１６１をパターニングし、図１１（ｂ）及び図１１（ｃ）に示すように、各個別領域Ａ１に位置する絶縁層５１の下面に、金属層６１Ｅを形成し、金属層６１Ｅの一端部に接続部６１Ａを形成するとともに、ダミーパターンである金属層６１Ｄを形成する。これにより、基板３０の下面３０Ａに、絶縁層５１、金属層６１Ｅ及び接続部６１Ａを有する構造体４１が積層される。本工程で形成される金属層６１Ｅは、例えば、図７に示した配線６１（つまり、螺旋状のコイルの一部を構成する形状の配線６１）よりも平面形状が大きく形成されている。そして、この金属層６１Ｅは、最終的に型抜き等により成形されて、コイルの一部となる１層目の配線６１（約１巻）となる部位である。また、本工程では、図１１（ｃ）に示すように、連結部１２に位置する絶縁層５１の下面に、接続部６１Ａ及び金属層６１Ｄと接続される金属層８１を形成する。換言すると、本工程では、図１１（ａ）に示した金属箔１６１をパターニングして、開口部２０１Ｙ及び溝部６１Ｙ，６１Ｚを形成する。溝部６１Ｙは、後工程でコイル基板を成形する際に、コイルを構成する渦巻き形状を形成しやすくするために設けるものである。なお、本工程で形成された金属層８１は、後工程において電解めっきにおける給電層として使用するものである。後工程において電解めっきを行わない場合には金属層８１の形成を省略してもよい。また、図１１（ｃ）では、開口部２０１Ｙ及び溝部６１Ｙ，６１Ｚから露出する絶縁層５１を梨地模様で示している。
【００９７】
金属箔１６１のパターニングは、例えば、サブトラクティブ法などの各種配線形成方法を用いて行うことができる。例えば、金属箔１６１の下面に感光性のレジストを塗布し、所定の領域を露光及び現像してレジストに開口部を形成し、開口部内に露出する金属箔１６１をエッチングで除去することでパターニングできる。なお、金属層６１Ｅ、接続部６１Ａ、金属層６１Ｄ及び金属層８１は一体に形成されている。
【００９８】
次に、図１２に示す工程では、まず、基板１００と同様の構造を有する支持フィルム１０２を準備する。すなわち、図１２（ａ）及び図１２（ｃ）に示すように、複数の個別領域Ａ１が設けられたブロック１１と、そのブロック１１の外側に張り出すように形成された外枠１３とを有する支持フィルム１０２を準備する。支持フィルム１０２としては、例えば、リール状（テープ状）の可撓性を有する絶縁樹脂フィルムを用いることができる。支持フィルム１０２としては、例えば、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）、ポリイミドフィルムやポリエチレンナフタレートフィルムを用いることができる。支持フィルム１０２の厚さは、例えば、１２〜５０μｍ程度とすることができる。
【００９９】
続いて、図９〜図１１（ａ）に示した工程と同様に、支持フィルム１０２の下面１０２Ａに、絶縁層５２と金属層６２Ｅとを有する構造体４２を積層する。具体的には、外枠１３に位置する支持フィルム１０２にスプロケットホール１０２Ｘを形成した後、外枠１３を除く支持フィルム１０２の下面１０２Ａに半硬化状態の絶縁層５２を積層する。次いで、図１２（ｂ）に示すように、プレス加工法やレーザ加工法により、支持フィルム１０２及び絶縁層５２を厚さ方向に貫通する貫通孔５２Ｘ，５２Ｙを形成する。その後、半硬化状態の絶縁層５２の下面に金属箔を積層し、その金属箔をサブトラクティブ法等によりパターニングする。これにより、図１２（ｂ）及び図１２（ｃ）に示すように、各個別領域Ａ１に位置する絶縁層５２の下面に、金属層６２Ｅを形成するとともに、ダミーパターンである金属層６２Ｄを形成する。また、図１２（ｃ）に示すように、連結部１２に位置する絶縁層５２の下面に、一部の金属層６２Ｄに接続する金属層８２を形成する。換言すると、本工程では、絶縁層５２の下面に積層した金属箔をパターニングして、開口部２０２Ｙ及び溝部６２Ｙ，６２Ｚを形成する。ここで、本工程で形成される金属層６２Ｅは、例えば、図７に示した配線６２よりも平面形状が大きく形成されている。この金属層６２Ｅは、最終的に成形（型抜き等）されて、コイルの一部となる２層目の配線６２（１巻の約３／４）となる部位である。この金属層６２Ｅと金属層８２とは開口部２０２Ｙ及び溝部６２Ｚによって分離されて形成されている。また、溝部６２Ｙは、後工程でコイル基板を成形する際に、コイルを構成する渦巻き形状を形成しやすくするために設けるものである。なお、図１２（ｃ）では、開口部２０２Ｙ及び溝部６２Ｙ，６２Ｚから露出する絶縁層５２を梨地模様で示している。
【０１００】
また、スプロケットホール１０２Ｘは、スプロケットホール１３Ｘと同様に、コイル基板１０を製造する過程で支持フィルム１０２が各種製造装置等に装着された際に、モータ等により駆動されるスプロケットのピンと噛み合って、支持フィルム１０２をピッチ送りするための貫通孔（つまり、搬送用の貫通孔）である。
【０１０１】
次に、図１３及び図１４に示す工程について説明する。なお、図１３及び図１４は、図１２（ｃ）の１２ｂ−１２ｂ線位置に対応する断面図である。
まず、図１３（ａ）に示す工程では、絶縁層５２の下面に、金属層６２Ｄ，６２Ｅ，８２の表面（下面及び側面）全面を被覆する半硬化状態の接着層７１を積層する。接着層７１は、例えば、溝部６２Ｙ，６２Ｚ及び開口部２０２Ｙ（図１２（ａ）参照）を充填するように形成される。例えば、接着層７１の材料としてフィルム状の絶縁性樹脂を用いる場合には、絶縁層５２の下面にフィルム状の絶縁性樹脂を熱圧着によりラミネートする。この熱圧着は、例えば、真空雰囲気下において、フィルム状の絶縁性樹脂を所定の圧力（例えば、０．５〜０．６ＭＰａ程度）で押圧することにより行うことができる。但し、この工程では、フィルム状の絶縁性樹脂の熱硬化は行わず、Ｂ−ステージ状態（半硬化状態）にしておく。また、接着層７１の材料として液状又はペースト状の絶縁性樹脂を用いる場合には、絶縁層５２の下面に液状又はペースト状の絶縁性樹脂を、例えば、印刷法やスピンコート法により塗布する。その後、塗布した液状又はペースト状の絶縁性樹脂をプリベークしてＢ−ステージ状態にする。なお、接着層７１の材料としては、例えば、流動性の高い絶縁性樹脂を用いることが好ましい。このように流動性の高い絶縁性樹脂を用いることにより、溝部６２Ｙ，６２Ｚ及び開口部２０２Ｙを好適に充填することができる。
【０１０２】
次に、図１３（ｂ）に示す工程では、貫通孔５２Ｘから露出された金属層６２Ｅに貫通孔６２Ｘを形成するとともに、接着層７１に、貫通孔６２Ｘと連通する貫通孔７１Ｘを形成する。これら貫通孔６２Ｘ，７１Ｘは、貫通孔５２Ｘよりも平面形状が小さく形成される。本例では、貫通孔６２Ｘ，７１Ｘの直径は、貫通孔５２Ｘの直径よりも小さく形成される。これにより、貫通孔６２Ｘの周囲に位置する金属層６２Ｅの上面が貫通孔５２Ｘから露出される。なお、貫通孔６２Ｘ，７１Ｘは、例えば、プレス加工法やレーザ加工法により形成することができる。
【０１０３】
貫通孔５２Ｘ，６２Ｘ，７１Ｘは、図１３（ｃ）に示すように、基板３０の上面３０Ｂに構造体４２が積層されたときに、貫通孔３０Ｘと平面視で重複する位置に形成される。また、貫通孔５２Ｙの底部には、金属層６２Ｅの上面が露出されている。
【０１０４】
続いて、図１３（ｃ）に示す工程では、図１３（ｂ）に示した構造体（つまり、支持フィルム１０２の下面１０２Ａに構造体４２と接着層７１が順に積層された構造体）を、基板３０の下面３０Ａに構造体４１が積層された構造体の上方に配置する。このとき、図１３（ｂ）に示した構造体は、接着層７１が基板３０の上面３０Ｂと対向するように、構造体４２及び接着層７１を下側に向けた状態で配置される。
【０１０５】
次いで、図１４（ａ）に示す工程では、基板３０の上面３０Ｂに接着層７１を介して構造体４２を積層する。すなわち、基板３０と構造体４２とを接着層７１を介して対向配置し、構造体４１及び支持フィルム１０２が外側に配置されるように、構造体４２を基板３０の上面３０Ｂに積層する。例えば、図１３（ｃ）に示した２つの構造体を、真空プレス等により上下両面から加熱・加圧（ホットプレス）する。すると、半硬化状態の接着層７１は、金属層６２Ｅの下面と基板３０の上面３０Ｂとによってそれぞれ押圧されて平面方向に広がる。このとき、接着層７１の材料として流動性の高い絶縁性樹脂を用いる場合には、平面方向に広がった接着層７１が貫通孔７１Ｘ内に漏れだし、平面方向に広がった接着層７１によって貫通孔７１Ｘが閉塞されるおそれがある。この場合には、貫通孔３０Ｘから露出するビア配線Ｖ１の上面全面が接着層７１によって被覆されてしまうため、後工程においてビア配線Ｖ１と接続されるビア配線Ｖ２を形成することができなくなる。これに対し、本例では、基板３０の貫通孔３０Ｘを、接着層７１の貫通孔７１Ｘよりも大径に形成するようにした。これにより、貫通孔３０Ｘの周囲の接着層７１にかかる圧力が小さくなるため、貫通孔７１Ｘ内への接着層７１の漏れだしを好適に抑制することができる。換言すると、ホットプレスにおいて、貫通孔７１Ｘの平面形状が小さくなることを好適に抑制することができる。また、本工程により、接着層７１の一部が貫通孔３０Ｘ内に広がり、その広がった接着層７１によって、ビア配線Ｖ１から露出される貫通孔３０Ｘの内側面が被覆される。これにより、貫通孔７１Ｘの一部が、ビア配線Ｖ１から露出される貫通孔３０Ｘ内に形成される。なお、上述したホットプレスでは、例えば、絶縁層５２の下面に接着層７１をラミネートする際の圧力と同程度、もしくは接着層７１をラミネートする際の圧力よりも小さい圧力（例えば、０．２〜０．６ＭＰａ程度）により、図１３（ｃ）に示した２つの構造体が上下両面から押圧される。
【０１０６】
その後、接着層７１を硬化させる。このとき、貫通孔７１Ｘと、貫通孔６２Ｘと、貫通孔５２Ｘとが連通する。このため、貫通孔７１Ｘの底部には、ビア配線Ｖ１の上面の一部が露出される。
【０１０７】
なお、図１２、図１３及び図１４（ａ）に示した工程において、接着層７１を介して構造体４２を基板３０の上面３０Ｂに積層した後に、貫通孔６２Ｘ，７１Ｘを形成するようにしてもよい。
【０１０８】
次に、図１４（ｂ）に示す工程では、図１４（ａ）に示した支持フィルム１０２を絶縁層５２から除去（剥離）する。例えば、絶縁層５２から支持フィルム１０２を機械的に剥離する。
【０１０９】
続いて、貫通孔７１Ｘの底部に露出するビア配線Ｖ１上に、貫通孔７１Ｘ，６２Ｘ，５２Ｘを充填するビア配線Ｖ２を形成する。このとき、貫通孔５２Ｘが貫通孔７１Ｘ，６２Ｘよりも大径に形成されているため、金属層６２Ｅの上面の一部にもビア配線Ｖ２が形成される。これにより、ビア配線Ｖ２は、貫通孔６２Ｘの内側面を構成する金属層６２Ｅと接続されるとともに、貫通孔６２Ｘの周囲に位置する金属層６２Ｅの上面と接続される。そして、ビア配線Ｖ１，Ｖ２を介して、金属層６１Ｅと金属層６２Ｅとが直列に接続される。なお、本工程では、例えば、ビア配線Ｖ２は、その上面が絶縁層５２の上面と略面一になるように形成される。ビア配線Ｖ２は、例えば、金属層８１及び金属層６１Ｅを給電層に利用する電解めっき法や金属ペーストの充填等の方法により形成することができる。このとき、貫通孔５２Ｙにめっき膜等が形成されないように、貫通孔５２Ｙから露出する金属層６２Ｅをマスクしてビア配線Ｖ２の形成が行われる。
【０１１０】
以上説明した製造工程により、基板３０の下面３０Ａに構造体４１が積層され、基板３０の上面３０Ｂに構造体４２が積層された積層体において、金属層６１Ｅと、ビア配線Ｖ１，Ｖ２と、金属層６２Ｅとが直列に接続される。この直列に接続された導体部分は、最終的に成形されて約１巻きと３／４のコイルとなる。
【０１１１】
次に、図１５に示す工程では、支持フィルム１０３の下面１０３Ａに、絶縁層５３及び金属層６３Ｅを有する構造体４３と、接着層７２とが順に積層された構造体を積層する。本工程は、図１２（ａ）〜図１３（ｂ）に示した工程と同様に行うことができる。具体的には、本工程と図１２（ａ）〜図１３（ｂ）に示した工程とは、貫通孔の位置や金属箔をパターニングした後の金属層（配線）の形状が異なるだけである。このため、本工程における製造方法の説明を割愛し、図１５に示した構造体の構造について説明する。なお、支持フィルム１０３及び後工程で使用する支持フィルム１０４〜１０７の形状、厚さ及び材料等は、図１２に示した支持フィルム１０２と同様である。各支持フィルム１０３〜１０７の外枠１３に形成されるスプロケットホール１０３Ｘ〜１０７Ｘについても、支持フィルム１０２のスプロケットホール１０２Ｘと同様の機能を有する。
【０１１２】
図１５（ａ）に示す構造体では、支持フィルム１０３及び絶縁層５３を厚さ方向に貫通する貫通孔５３Ｘ，５３Ｙが形成され、金属層６３Ｅ及び接着層７２を厚さ方向に貫通して貫通孔５３Ｘと連通する貫通孔６３Ｘ，７２Ｘが形成されている。貫通孔５３Ｘは、貫通孔６３Ｘ，７２Ｘよりも大径に形成されている。これにより、貫通孔６３Ｘの周囲に位置する金属層６３Ｅの上面が貫通孔５３Ｘから露出される。また、図１５（ｂ）に示すように、絶縁層５３の下面には、金属層６３Ｅと、金属層６３Ｄと、金属層８３とが形成されている。金属層６３Ｅと金属層６３Ｄ，８３とは開口部２０３Ｙ及び溝部６３Ｚによって分離されて形成されている。また、金属層６３Ｅには、後工程でコイル基板を成形する際に、コイルを構成する渦巻き形状を形成しやすくするための溝部６３Ｙが形成されている。本工程で形成される金属層６３Ｅは、例えば、図７に示した配線６３よりも平面形状が大きく形成されている。そして、この金属層６３Ｅは、最終的に成形（型抜き等）されて、コイルの一部となる３層目の配線６３（約１巻）となる部位である。また、図１５（ａ）に示すように、接着層７２は、金属層６３Ｅの下面及び側面を被覆するように、且つ開口部２０３Ｙ、溝部６３Ｙ及び溝部６３Ｚ（図１５（ｂ）参照）を充填するように、絶縁層５３の下面に形成されている。なお、図１５（ｂ）では、接着層７２の図示を省略し、開口部２０３Ｙ及び溝部６３Ｙ，６３Ｚから露出する絶縁層５３を梨地模様で示している。
【０１１３】
次に、図１６（ａ）〜図１６（ｃ）に示す工程について説明する。なお、図１６（ａ）〜図１６（ｃ）は、図１５（ｂ）の１５ａ−１５ａ線位置に対応する断面図である。
まず、図１６（ａ）に示す工程では、図１４（ａ）に示した工程と同様に、構造体４２の絶縁層５２上に、接着層７２を介して構造体４３及び支持フィルム１０３を積層する。すなわち、構造体４２と構造体４３とを接着層７２を介して対向配置し、構造体４１及び支持フィルム１０３が外側に配置されるように、構造体４３を構造体４２上に積層する。このとき、絶縁層５２の貫通孔５２Ｙを、接着層７２の貫通孔７２Ｘよりも大径に形成したため、接着層７１と同様に、貫通孔７２Ｘ内への接着層７２の漏れだしを好適に抑制することができる。また、貫通孔５２Ｙの内側面が接着層７２によって被覆され、その接着層７２の貫通孔７２Ｘの一部が貫通孔５２Ｙ内に形成される。さらに、貫通孔７２Ｘと、貫通孔６３Ｘと、貫通孔５３Ｘとが連通し、貫通孔７２Ｘの底部に金属層６２Ｅが露出される。
【０１１４】
次に、図１６（ｂ）に示す工程では、図１６（ａ）に示した支持フィルム１０３を絶縁層５３から剥離する。例えば、絶縁層５３から支持フィルム１０３を機械的に剥離する。
続いて、図１６（ｃ）に示す工程では、図１４（ｂ）に示した工程と同様に、貫通孔７２Ｘ，６３Ｘ，５３Ｘを充填するビア配線Ｖ３を形成する。ビア配線Ｖ３は、貫通孔６３Ｘの内側面を構成する金属層６３Ｅと接続され、貫通孔６３Ｘの周囲に位置する金属層６３Ｅの上面と接続されるとともに、貫通孔７２Ｘから露出する金属層６２Ｅの上面と接続される。これにより、金属層６２Ｅと金属層６３Ｅとがビア配線Ｖ３を介して直列に接続される。本工程では、例えば、ビア配線Ｖ３は、その上面が絶縁層５３の上面と略面一になるように形成される。ビア配線Ｖ３は、例えば、金属層８１及び金属層６１Ｅを給電層に利用する電解めっき法や金属ペーストの充填等の方法により形成することができる。
【０１１５】
以上説明した製造工程により、構造体４１と、基板３０と、構造体４２と、構造体４３とが積層された積層体において、金属層６１Ｅ，６２Ｅ，６３Ｅが、ビア配線Ｖ１〜Ｖ３を介して直列に接続される。この直列に接続された導体部分は、最終的に成形されて約２巻きと３／４のコイルとなる。
【０１１６】
なお、図１５、図１６（ａ）及び図１６（ｂ）に示した工程において、接着層７２を介して構造体４３を構造体４２上に積層した後に、貫通孔６３Ｘ，７２Ｘを形成するようにしてもよい。
【０１１７】
次に、図１７に示す工程では、支持フィルム１０４の下面１０４Ａに、絶縁層５４と金属層６４Ｅとを有する構造体４４を積層する。本工程は、図１２（ａ）〜図１３（ｂ）に示した工程と同様に行うことができるため、製造方法の説明を割愛し、図１７に示した構造体の構造について説明する。
【０１１８】
図１７（ａ）に示す構造体では、支持フィルム１０４及び絶縁層５４を厚さ方向に貫通する貫通孔５４Ｘ，５４Ｙが形成され、金属層６４Ｅ及び接着層７３を厚さ方向に貫通して貫通孔５４Ｘと連通する貫通孔６４Ｘ，７３Ｘが形成されている。貫通孔５４Ｘは、貫通孔６４Ｘ，７３Ｘよりも大径に形成されている。これにより、貫通孔６４Ｘの周囲に位置する金属層６４Ｅの上面が貫通孔５４Ｘから露出される。また、絶縁層５４の下面には、金属層６４Ｅと、金属層６４Ｄと、金属層８４とが形成されている。図１７（ｂ）に示すように、金属層６４Ｅと金属層６４Ｄ，８４とは開口部２０４Ｙ及び溝部６４Ｚによって分離されて形成されている。また、金属層６４Ｅには、後工程でコイル基板を成形する際に、コイルを構成する渦巻き形状を形成しやすくするための溝部６４Ｙが形成されている。本工程で形成される金属層６４Ｅは、例えば、図７に示した配線６４よりも平面形状が大きく形成されている。そして、この金属層６４Ｅは、最終的に成形（型抜き等）されて、コイルの一部となる４層目の配線６４（１巻の約３／４）となる部位である。また、図１７（ａ）に示すように、接着層７３は、金属層６４Ｅの下面及び側面を被覆するように、且つ開口部２０４Ｙ（図１７（ｂ）参照）及び溝部６４Ｙ，６４Ｚを充填するように、絶縁層５４の下面に形成されている。なお、図１７（ｂ）では、接着層７３の図示を省略し、開口部２０４Ｙ及び溝部６４Ｙ，６４Ｚから露出する絶縁層５４を梨地模様で示している。
【０１１９】
次に、図１８（ａ）及び図１８（ｂ）に示す工程について説明する。なお、図１８（ａ）及び図１８（ｂ）は、図１７（ｂ）の１７ａ−１７ａ線位置に対応する断面図である。
まず、図１８（ａ）に示す工程では、図１４（ａ）に示した工程と同様に、構造体４３の絶縁層５３上に、接着層７３を介して構造体４４及び支持フィルム１０４を積層する。すなわち、構造体４３と構造体４４とを接着層７３を介して対向配置し、構造体４１及び支持フィルム１０４が外側に配置されるように、構造体４４を構造体４３上に積層する。このとき、絶縁層５３の貫通孔５３Ｙを、接着層７３の貫通孔７３Ｘよりも大径に形成したため、接着層７１と同様に、貫通孔７３Ｘ内への接着層７３の漏れだしを好適に抑制することができる。また、貫通孔５３Ｙの内側面が接着層７３によって被覆され、その接着層７３の貫通孔７３Ｘの一部が貫通孔５３Ｙ内に形成される。さらに、貫通孔７３Ｘと、貫通孔６４Ｘと、貫通孔５４Ｘとが連通し、貫通孔７３Ｘの底部に金属層６３Ｅが露出される。次いで、支持フィルム１０４を絶縁層５４から剥離する。
【０１２０】
続いて、図１８（ｂ）に示す工程では、図１４（ｂ）に示した工程と同様に、貫通孔７３Ｘ，６４Ｘ，５４Ｘを充填するビア配線Ｖ４を形成する。ビア配線Ｖ４は、貫通孔６４Ｘの内側面を構成する金属層６４Ｅと接続され、貫通孔６４Ｘの周囲に位置する金属層６４Ｅの上面と接続されるとともに、貫通孔７３Ｘから露出する金属層６３Ｅの上面と接続される。これにより、金属層６３Ｅと金属層６４Ｅとがビア配線Ｖ４を介して直列に接続される。本工程では、例えば、ビア配線Ｖ４は、その上面が絶縁層５４の上面と略面一になるように形成される。ビア配線Ｖ４は、例えば、金属層８１及び金属層６１Ｅを給電層に利用する電解めっき法や金属ペーストの充填等の方法により形成することができる。
【０１２１】
以上説明した製造工程により、構造体４１と、基板３０と、構造体４２〜４４とが積層された積層体において、金属層６１Ｅ，６２Ｅ，６３Ｅ，６４Ｅが、ビア配線Ｖ１〜Ｖ４を介して直列に接続される。この直列に接続された導体部分は、最終的に成形されて約３巻きのコイルとなる。
【０１２２】
なお、図１７及び図１８（ａ）に示した工程において、接着層７３を介して構造体４４を構造体４３上に積層した後に、貫通孔６４Ｘ，７３Ｘを形成するようにしてもよい。
次に、図１９に示す工程では、支持フィルム１０５の下面１０５Ａに、絶縁層５５と金属層６５Ｅとを有する構造体４５を積層する。本工程は、図１２（ａ）〜図１３（ｂ）に示した工程と同様に行うことができるため、製造方法の説明を割愛し、図１９に示した構造体の構造について説明する。
【０１２３】
図１９（ａ）に示す構造体では、支持フィルム１０５及び絶縁層５５を厚さ方向に貫通する貫通孔５５Ｘ，５５Ｙが形成され、金属層６５Ｅ及び接着層７４を厚さ方向に貫通して貫通孔５５Ｘと連通する貫通孔６５Ｘ，７４Ｘが形成されている。貫通孔５５Ｘは、貫通孔６５Ｘ，７４Ｘよりも大径に形成されている。これにより、貫通孔６５Ｘの周囲に位置する金属層６５Ｅの上面が貫通孔５５Ｘから露出される。また、図１９（ｂ）に示すように、絶縁層５５の下面には、金属層６５Ｅと、金属層６５Ｄと、金属層８５とが形成されている。金属層６５Ｅと金属層６５Ｄ，８５とは開口部２０５Ｙ及び溝部６５Ｚによって分離されて形成されている。また、金属層６５Ｅには、後工程でコイル基板を成形する際に、コイルを構成する渦巻き形状を形成しやすくするための溝部６５Ｙが形成されている。本工程で形成される金属層６５Ｅは、例えば、図７に示した配線６５よりも平面形状が大きく形成されている。そして、この金属層６５Ｅは、最終的に成形（型抜き等）されて、コイルの一部となる５層目の配線６５（約１巻）となる部位である。また、図１９（ａ）に示すように、接着層７４は、金属層６５Ｅの下面及び側面を被覆するように、且つ開口部２０５Ｙ、溝部６５Ｙ及び溝部６５Ｚ（図１９（ｂ）参照）を充填するように、絶縁層５５の下面に形成されている。なお、図１９（ｂ）では、接着層７４の図示を省略し、開口部２０５Ｙ及び溝部６５Ｙ，６５Ｚから露出する絶縁層５５を梨地模様で示している。
【０１２４】
次に、図２０（ａ）及び図２０（ｂ）に示す工程について説明する。なお、図２０（ａ）及び図２０（ｂ）は、図１９（ｂ）の１９ａ−１９ａ線位置に対応する断面図である。
まず、図２０（ａ）に示す工程では、図１４（ａ）に示した工程と同様に、構造体４４の絶縁層５４上に、接着層７４を介して構造体４５及び支持フィルム１０５を積層する。すなわち、構造体４４と構造体４５とを接着層７４を介して対向配置し、構造体４１及び支持フィルム１０５が外側に配置されるように、構造体４５を構造体４４上に積層する。このとき、絶縁層５４の貫通孔５４Ｙを、接着層７４の貫通孔７４Ｘよりも大径に形成したため、接着層７１と同様に、貫通孔７４Ｘ内への接着層７４の漏れだしを好適に抑制することができる。また、貫通孔５４Ｙの内側面が接着層７４によって被覆され、その接着層７４の貫通孔７４Ｘの一部が貫通孔５４Ｙ内に形成される。さらに、貫通孔７４Ｘと、貫通孔６５Ｘと、貫通孔５５Ｘとが連通し、貫通孔７４Ｘの底部に金属層６４Ｅが露出される。次いで、支持フィルム１０５を絶縁層５５から剥離する。
【０１２５】
続いて、図２０（ｂ）に示す工程では、図１４（ｂ）に示した工程と同様に、貫通孔７４Ｘ，６５Ｘ，５５Ｘを充填するビア配線Ｖ５を形成する。ビア配線Ｖ５は、貫通孔６５Ｘの内側面を構成する金属層６５Ｅと接続され、貫通孔６５Ｘの周囲に位置する金属層６５Ｅの上面と接続されるとともに、貫通孔７４Ｘから露出する金属層６４Ｅの上面と接続される。これにより、金属層６４Ｅと金属層６５Ｅとがビア配線Ｖ５を介して直列に接続される。本工程では、例えば、ビア配線Ｖ５は、その上面が絶縁層５５の上面と略面一になるように形成される。ビア配線Ｖ５は、例えば、金属層８１及び金属層６１Ｅを給電層に利用する電解めっき法や金属ペーストの充填等の方法により形成することができる。
【０１２６】
以上説明した製造工程により、構造体４１と、基板３０と、構造体４２〜４５とが積層された積層体において、金属層６１Ｅ，６２Ｅ，６３Ｅ，６４Ｅ，６５Ｅが、ビア配線Ｖ１〜Ｖ５を介して直列に接続される。この直列に接続された導体部分は、最終的に成形されて約４巻きのコイルとなる。
【０１２７】
なお、図１９及び図２０（ａ）に示した工程において、接着層７４を介して構造体４５を構造体４４上に積層した後に、貫通孔６５Ｘ，７４Ｘを形成するようにしてもよい。
次に、図２１に示す工程では、支持フィルム１０６の下面１０６Ａに、絶縁層５６と金属層６６Ｅとを有する構造体４６を積層する。本工程は、図１２（ａ）〜図１３（ｂ）に示した工程と同様に行うことができるため、製造方法の説明を割愛し、図２１に示した構造体の構造について説明する。
【０１２８】
図２１（ａ）に示す構造体では、支持フィルム１０６及び絶縁層５６を厚さ方向に貫通する貫通孔５６Ｘ，５６Ｙが形成され、金属層６６Ｅ及び接着層７５を厚さ方向に貫通して貫通孔５６Ｘと連通する貫通孔６６Ｘ，７５Ｘが形成されている。貫通孔５６Ｘは、貫通孔６６Ｘ，７５Ｘよりも大径に形成されている。これにより、貫通孔６６Ｘの周囲に位置する金属層６６Ｅの上面が貫通孔５６Ｘから露出される。また、図２１（ｂ）に示すように、絶縁層５６の下面には、金属層６６Ｅと、金属層６６Ｄと、金属層８６とが形成されている。金属層６６Ｅと金属層６６Ｄ，８６とは開口部２０６Ｙ及び溝部６６Ｚによって分離されて形成されている。また、金属層６６Ｅには、後工程でコイル基板を成形する際に、コイルを構成する渦巻き形状を形成しやすくするための溝部６６Ｙが形成されている。本工程で形成される金属層６６Ｅは、例えば、図７に示した配線６６よりも平面形状が大きく形成されている。そして、この金属層６６Ｅは、最終的に成形（型抜き等）されて、コイルの一部となる６層目の配線６６（１巻の約３／４）となる部位である。また、図２１（ａ）に示すように、接着層７５は、金属層６６Ｅの下面及び側面を被覆するように、且つ開口部２０６Ｙ（図２１（ｂ）参照）及び溝部６６Ｙ，６６Ｚを充填するように、絶縁層５６の下面に形成されている。なお、図２１（ｂ）では、接着層７５の図示を省略し、開口部２０６Ｙ及び溝部６６Ｙ，６６Ｚから露出する絶縁層５６を梨地模様で示している。
【０１２９】
次に、図２２（ａ）及び図２２（ｂ）に示す工程について説明する。なお、図２２（ａ）及び図２２（ｂ）は、図２１（ｂ）の２１ａ−２１ａ線位置に対応する断面図である。
まず、図２２（ａ）に示す工程では、図１４（ａ）に示した工程と同様に、構造体４５の絶縁層５５上に、接着層７５を介して構造体４６及び支持フィルム１０６を積層する。すなわち、構造体４５と構造体４６とを接着層７５を介して対向配置し、構造体４１及び支持フィルム１０６が外側に配置されるように、構造体４６を構造体４５上に積層する。このとき、絶縁層５５の貫通孔５５Ｙを、接着層７５の貫通孔７５Ｘよりも大径に形成したため、接着層７１と同様に、貫通孔７５Ｘ内への接着層７５の漏れだしを好適に抑制することができる。また、貫通孔５５Ｙの内側面が接着層７５によって被覆され、その接着層７５の貫通孔７５Ｘの一部が貫通孔５５Ｙ内に形成される。さらに、貫通孔７５Ｘと、貫通孔６６Ｘと、貫通孔５６Ｘとが連通し、貫通孔７５Ｘの底部に金属層６５Ｅが露出される。次いで、支持フィルム１０６を絶縁層５６から剥離する。
【０１３０】
続いて、図２２（ｂ）に示す工程では、図１４（ｂ）に示した工程と同様に、貫通孔７５Ｘ，６６Ｘ，５６Ｘを充填するビア配線Ｖ６を形成する。ビア配線Ｖ６は、貫通孔６６Ｘの内側面を構成する金属層６６Ｅと接続され、貫通孔６６Ｘの周囲に位置する金属層６６Ｅの上面と接続されるとともに、貫通孔７５Ｘから露出する金属層６５Ｅの上面と接続される。これにより、金属層６５Ｅと金属層６６Ｅとがビア配線Ｖ６を介して直列に接続される。本工程では、例えば、ビア配線Ｖ６は、その上面が絶縁層５６の上面と略面一になるように形成される。ビア配線Ｖ６は、例えば、金属層８１及び金属層６１Ｅを給電層に利用する電解めっき法や金属ペーストの充填等の方法により形成することができる。
【０１３１】
以上説明した製造工程により、構造体４１と、基板３０と、構造体４２〜４６とが積層された積層体において、金属層６１Ｅ，６２Ｅ，６３Ｅ，６４Ｅ，６５Ｅ，６６Ｅが、ビア配線Ｖ１〜Ｖ６を介して直列に接続される。この直列に接続された導体部分は、最終的に成形されて約４巻きと３／４のコイルとなる。
【０１３２】
なお、図２１及び図２２（ａ）に示した工程において、接着層７５を介して構造体４６を構造体４５上に積層した後に、貫通孔６６Ｘ，７５Ｘを形成するようにしてもよい。
次に、図２３に示す工程では、支持フィルム１０７の下面１０７Ａに、絶縁層５７と金属層６７Ｅとを有する構造体４７を積層する。本工程は、図１２（ａ）〜図１３（ｂ）に示した工程と同様に行うことができるため、製造方法の説明を割愛し、図２３に示した構造体の構造について説明する。
【０１３３】
図２３（ｂ）に示す構造体では、支持フィルム１０７及び絶縁層５７を厚さ方向に貫通する貫通孔５７Ｘ，５７Ｙが形成され、金属層６７Ｅ及び接着層７６を厚さ方向に貫通して貫通孔５７Ｘと連通する貫通孔６７Ｘ，７６Ｘが形成されている。貫通孔５７Ｘは、貫通孔６７Ｘ，７６Ｘよりも大径に形成されている。これにより、貫通孔６７Ｘの周囲に位置する金属層６７Ｅの上面が貫通孔５７Ｘから露出される。また、図２３（ｃ）に示すように、絶縁層５７の下面には、金属層６７Ｅと、接続部６７Ａと、金属層６７Ｄと、金属層８７とが形成されている。金属層６７Ｅと金属層６７Ｄ，８７とは開口部２０７Ｙ及び溝部６７Ｚによって分離されて形成されている。また、金属層６７Ｅには、後工程でコイル基板を成形する際に、コイルを構成する渦巻き形状を形成しやすくするための溝部６７Ｙが形成されている。本工程で形成される金属層６７Ｅは、例えば、図７に示した配線６７よりも平面形状が大きく形成されている。そして、この金属層６７Ｅは、最終的に成形（型抜き等）されて、コイルの一部となる７層目の配線６７（約１巻）となる部位である。また、図２３（ａ）及び図２３（ｂ）に示すように、接着層７６は、金属層６７Ｅの下面及び側面を被覆するように、且つ開口部２０７Ｙ及び溝部６７Ｙ，６７Ｚを充填するように、絶縁層５７の下面に形成されている。なお、図２３（ｃ）では、接着層７６の図示を省略し、開口部２０７Ｙ及び溝部６７Ｙ，６７Ｚから露出する絶縁層５７を梨地模様で示している。
【０１３４】
次に、図２４及び図２５に示す工程について説明する。なお、図２４及び図２５（ａ）は、図２３（ｃ）の２３ａ−２３ａ線位置に対応する断面図であり、図２５（ｂ）は、図２３（ｃ）の２３ｂ−２３ｂ線位置に対応する断面図である。
【０１３５】
まず、図２４（ａ）に示す工程では、図１４（ａ）に示した工程と同様に、構造体４６の絶縁層５６上に、接着層７６を介して構造体４７及び支持フィルム１０７を積層する。すなわち、構造体４６と構造体４７とを接着層７６を介して対向配置し、構造体４１及び支持フィルム１０７が外側に配置されるように、構造体４７を構造体４６上に積層する。このとき、絶縁層５６の貫通孔５６Ｙを、接着層７６の貫通孔７６Ｘよりも大径に形成したため、接着層７１と同様に、貫通孔７６Ｘ内への接着層７６の漏れだしを好適に抑制することができる。また、貫通孔５６Ｙの内側面が接着層７６によって被覆され、その接着層７６の貫通孔７６Ｘの一部が貫通孔５６Ｙ内に形成される。さらに、貫通孔７６Ｘと、貫通孔６７Ｘと、貫通孔５７Ｘとが連通し、貫通孔７６Ｘの底部に金属層６６Ｅが露出される。次いで、図２４（ｂ）に示す工程では、図２４（ａ）に示した支持フィルム１０７を絶縁層５７から剥離する。
【０１３６】
続いて、図２５（ａ）及び図２５（ｂ）に示す工程では、図１４（ｂ）に示した工程と同様に、貫通孔７６Ｘ，６７Ｘ，５７Ｘを充填するビア配線Ｖ７を形成する。ビア配線Ｖ７は、貫通孔６７Ｘの内側面を構成する金属層６７Ｅと接続され、貫通孔６７Ｘの周囲に位置する金属層６７Ｅの上面と接続されるとともに、貫通孔７６Ｘから露出する金属層６６Ｅの上面と接続される。これにより、金属層６６Ｅと金属層６７Ｅとがビア配線Ｖ７を介して直列に接続される。また、図２５（ｂ）に示すように、貫通孔５７Ｙを充填するビア配線Ｖ８を形成する。これにより、金属層６７Ｅがビア配線Ｖ８と電気的に接続される。なお、本工程では、例えば、ビア配線Ｖ７，Ｖ８は、その上面が絶縁層５７の上面と略面一になるように形成される。ビア配線Ｖ７，Ｖ８は、例えば、金属層８１及び金属層６１Ｅを給電層に利用する電解めっき法や金属ペーストの充填等の方法により形成することができる。
【０１３７】
以上説明した製造工程により、構造体４１と、基板３０と、構造体４２〜４７とが積層された積層体において、金属層６１Ｅ，６２Ｅ，６３Ｅ，６４Ｅ，６５Ｅ，６６Ｅ，６７Ｅが、ビア配線Ｖ１〜Ｖ７を介して直列に接続される。この直列に接続された導体部分は、最終的に成形されて約５巻きと１／２のコイルとなる。
【０１３８】
なお、図２３及び図２４に示した工程において、接着層７６を介して構造体４７を構造体４６上に積層した後に、貫通孔６７Ｘ，７６Ｘを形成するようにしてもよい。
以上の製造工程により、各個別領域Ａ１に、基板３０の下面３０Ａに構造体４１が積層され、基板３０の上面３０Ｂに複数の構造体４２〜４７が順に積層された積層体２３を製造することができる。
【０１３９】
次に、図２６（ａ）に示す工程では、図２５に示した構造体を、図９に示した切断位置Ａ２に沿って切断して個片化し、個々のシート状のコイル基板１０を得る。図２６（ａ）の例では、コイル基板１０には、１２個の個別領域Ａ１が形成されている。なお、図２６（ａ）に示した工程を実施せずに、図２５に示した工程が終了したリール状の基板１００を、そのまま製品として出荷してもよい。
【０１４０】
次に、図２６（ｂ）〜図２８に示す工程では、コイル基板１０を型抜き等により成形して不要部分を除去し、各層に形成された金属層６１Ｅ〜６７Ｅを螺旋状のコイルの一部を構成する形状の配線６１〜６７に加工する。ここで、図２６（ｂ）は、コイル基板１０を成形する前の金属層６７Ｅ及び接着層７６を例示する平面図である。なお、図２６（ｂ）では、絶縁層５７の図示を省略し、開口部２０７Ｙ及び溝部６７Ｙ，６７Ｚから露出する接着層７６を梨地模様で示している。図２７は、コイル基板１０を成形する前の各層に形成された金属層６１Ｅ〜６７Ｅの形状を模式的に例示する斜視図である。図２６（ｂ）及び図２７に示したコイル基板１０を、例えば金型を用いたプレス加工法等により成形し、図２８（ａ）及び図２８（ｂ）に示した形状とする。具体的には、図２６（ｂ）及び図２７に示したコイル基板１０の不要部分、つまり開口部２０Ｙに対応する位置の基板３０、絶縁層５１〜５７、金属層６１Ｅ〜６７Ｅ及び接着層７１〜７６（図２５（ｂ）参照）をプレス加工により打ち抜いて除去する。さらに、コイル基板１０の不要部分、つまり図２６（ｂ）及び図２７に破線で示した領域と平面視で重複する位置の基板３０、絶縁層５１〜５７、金属層６１Ｅ〜６７Ｅ、及び接着層７１〜７６をプレス加工により打ち抜いて除去する。これにより、図２８（ｂ）に示すように、ブロック１１の所要箇所に開口部２０Ｙが形成され、積層体２３の外形が略長方形状に成形される。さらに、積層体２３の略中央部に貫通孔２３Ｘが形成される。これらにより、各層に形成された金属層６１Ｅ〜６７Ｅが成形されて、図２８（ａ）に示すように、それぞれ配線６１〜６７となる。これら配線６１〜６７は、ビア配線Ｖ１〜Ｖ７を介して直列に接続され、約５巻きと１／２の螺旋状のコイルとなる。また、貫通孔２３Ｘの形成により、その貫通孔２３Ｘの内壁面から配線６１〜６７の各々の一部が露出される。ここでは図示を省略するが、開口部２０Ｙの形成により、積層体２３の外壁面（側壁）からも配線６１〜６７の各々の一部が露出される（図３参照）。なお、このように成形された積層体２３は各個別領域Ａ１に形成され、隣接する積層体２３同士は連結部１２を介して相互に連結されている。
【０１４１】
本工程において、各構造体４１〜４７に形成された成形前の金属層（金属層６１Ｅ〜６７Ｅや金属層６１Ｄ〜６７Ｄ）がほとんど同じ形状に形成されている。すなわち、各構造体４１〜４７にダミーパターンである金属層６１Ｄ〜６７Ｄを設けることにより、各構造体４１〜４７に形成された金属層の形状差を小さくしている。これにより、プレス加工時に上記形状差に起因して積層体２３が変形することを抑制することができる。
【０１４２】
なお、コイル基板１０の成形（つまり、開口部２０Ｙ及び貫通孔２３Ｘの形成）を、金型を用いたプレス加工法に代えて、レーザ加工法等により行うようにしてもよい。また、本工程において、開口部２０Ｙ及び貫通孔２３Ｘの形成と併せて、図２８（ｂ）に示すように、連結部１２の所要箇所に、当該連結部１２を厚さ方向に貫通する認識マーク１２Ｘを形成するようにしてもよい。この認識マーク１２Ｘは、例えば、金型を用いたプレス加工法やレーザ加工法により形成することができる。
【０１４３】
次に、図２９及び図３０（ａ）に示す工程では、貫通孔２３Ｘの内壁面を含む積層体２３の表面全面を被覆する絶縁膜２５を形成する。すなわち、各個別領域Ａ１に形成された積層体２３の外壁面（側壁）、最下層の配線６１の下面及び側面、最上層の絶縁層５７の上面、ビア配線Ｖ７，Ｖ８の上面、及び貫通孔２３Ｘの内壁面を連続的に被覆する絶縁膜２５を形成する。積層体２３の外壁面や貫通孔２３Ｘの内壁面には各配線６１〜６７の端面が露出しているため、インダクタ９０（図８（ｂ）参照）を製造した際に、各配線６１〜６７が封止樹脂９１に含有される場合がある導電体（磁性体のフィラー等）と短絡するおそれがある。これに対し、本例では、積層体２３の表面を被覆する絶縁膜２５を形成するため、封止樹脂９１に含有される場合がある導電体との短絡を抑制することができる。
【０１４４】
なお、絶縁膜２５は、例えば、スピンコート法やスプレーコート法により形成することができる。また、絶縁膜２５として、電着レジストを用いるようにしてもよい。この場合には、電着塗布法により、積層体２３の外壁面や貫通孔２３Ｘの内壁面に露出する各配線６１〜６７の端面のみに電着レジスト（絶縁膜２５）が被着される。
【０１４５】
以上の製造工程により、各個別領域Ａ１にコイル基板２０が製造され、複数のコイル基板２０が設けられたコイル基板１０が製造される。
次に、インダクタ９０の製造方法について説明する。
【０１４６】
まず、図３０（ｂ）に示す工程では、各個別領域Ａ１に形成されたコイル基板２０全体を封止する封止樹脂９１を形成する。すなわち、各個別領域Ａ１全体に封止樹脂９１を形成する。これにより、コイル基板２０の貫通孔２０Ｘが封止樹脂９１によって充填され、コイル基板２０の外壁面（側壁）、コイル基板２０の上面（絶縁膜２５の上面）及びコイル基板２０の下面（絶縁膜２５の下面）が封止樹脂９１によって被覆される。封止樹脂９１を充填する方法としては、例えば、トランスファーモールド法、コンプレッションモールド法、インジェクションモールド法を用いることができる。
【０１４７】
次に、図３０（ｂ）に示した構造体を破線で示した切断位置に沿って切断する、つまり、コイル基板１０を個別領域Ａ１毎に切断する。これにより、連結部１２及び外枠１３が除去され、封止樹脂９１によって封止されたコイル基板２０が個片化され、図３１（ａ）に示す構造体が複数個得られる。このとき、コイル基板２０の一方の側面２０Ａには接続部６１Ａが露出され、コイル基板２０の他方の側面２０Ｂには接続部６７Ａが露出される。
【０１４８】
なお、図３０（ｂ）及び図３１（ａ）に示した工程では、各個別領域Ａ１に形成されたコイル基板２０を封止する封止樹脂９１を形成した後に、コイル基板２０を個片化するようにした。これに限らず、例えば、コイル基板２０を個片化した後に、各コイル基板２０の側面２０Ａ，２０Ｂを除く部分を封止するように封止樹脂９１を形成するようにしてもよい。
【０１４９】
続いて、図３１（ｂ）に示す工程では、コイル基板２０の側面２０Ａ、封止樹脂９１の一方の側面、上面及び下面の一部を連続的に被覆する電極９２を形成する。また、コイル基板２０の側面２０Ｂ、封止樹脂９１の他方の側面、上面及び下面の一部を連続的に被覆する電極９３を形成する。電極９２の内壁面は、コイル基板２０の側面２０Ａから露出する接続部６１Ａの側面と接する。これにより、接続部６１Ａ及びその接続部６１Ａと一体に形成された配線６１は、電極９２と電気的に接続される。また、電極９３の内壁面は、コイル基板２０の側面２０Ｂから露出する接続部６７Ａの側面と接する。これにより、接続部６７Ａ及びその接続部６７Ａと一体に形成された配線６７は、電極９３と電気的に接続される。
【０１５０】
以上の製造工程により、図８（ｂ）に示したインダクタ９０を製造することができる。
以上説明した本実施形態によれば、以下の効果を奏することができる。
（１）螺旋状のコイルの一部となる配線６１〜６７と、絶縁層５１〜５７とを有する構造体４１〜４７を積層し、上下に隣接する配線６１〜６７同士をビア配線Ｖ１〜Ｖ７を介して直列に接続して、１本の螺旋状のコイルを作製するようにした。これにより、構造体の積層数を調整することで、平面形状を変更することなく任意の巻き数のコイルを作製することができる。このため、従来のサイズ（例えば、平面形状が１．６ｍｍ×１．６ｍｍ）よりも小さいサイズ（例えば、平面形状が１．６ｍｍ×０．８ｍｍ）のコイルを容易に作製することができる。
【０１５１】
（２）また、構造体の積層数を増加させることにより、平面形状を変更することなくコイルの巻き数（ターン数）を増加させることができる。このため、小型でインダクタンスの大きいコイルを容易に作製することができる。
【０１５２】
（３）各構造体４２〜４７において、配線６２〜６７にそれぞれ設けられた貫通孔６２Ｘ〜６７Ｘよりも平面形状の大きい貫通孔５２Ｘ〜５７Ｘを絶縁層５２〜５７にそれぞれ形成するようにした。さらに、貫通孔６２Ｘ，５２Ｘを充填するビア配線Ｖ２、貫通孔６３Ｘ，５３Ｘを充填するビア配線Ｖ３、貫通孔６４Ｘ，５４Ｘを充填するビア配線Ｖ４、貫通孔６５Ｘ，５５Ｘを充填するビア配線Ｖ５、貫通孔６６Ｘ，５６Ｘを充填するビア配線Ｖ６、貫通孔６７Ｘ，５７Ｘを充填するビア配線Ｖ７を形成するようにした。これらにより、ビア配線Ｖ２〜Ｖ７を、貫通孔６２Ｘ〜６７Ｘの内側面と併せて、貫通孔６２Ｘ〜６７Ｘの周囲に位置し、貫通孔５２Ｘ〜５７Ｘから露出する配線６２〜６７の上面にそれぞれ接続させることができる。このため、例えば、貫通孔５２Ｘ〜５７Ｘの平面形状を貫通孔６２Ｘ〜６７Ｘと同じ大きさに形成した場合に比べて、ビア配線Ｖ２〜Ｖ７と配線６２〜６７との接触面積を増大させることができる。この結果、ビア配線Ｖ２〜Ｖ７と配線６２〜６７との間の接続信頼性を向上させることができる。ひいては、上下に隣接する配線６２〜６７同士の接続信頼性を向上させることができる。
【０１５３】
（４）例えば、支持フィルム１０３の下面１０３Ａ上に、貫通孔６３Ｘを有する金属層６３Ｅと絶縁層５３とを有する構造体４３と、貫通孔６３Ｘと連通する貫通孔７２Ｘを有する接着層７２とが順に積層された構造体を準備する。また、貫通孔６３Ｘ，７２Ｘよりも平面形状の大きい貫通孔５２Ｙを構造体４２の絶縁層５２に形成する。そして、構造体４２上に接着層７２を介して、支持フィルム１０３上に積層された構造体４３を対向配置し、支持フィルム１０３が外側になるように積層するようにした。このとき、貫通孔５２Ｙが、接着層７２の貫通孔７２Ｘの平面形状よりも大きく形成されているため、貫通孔７２Ｘ内への接着層７２の漏れだしを好適に抑制することができる。したがって、構造体４２上に接着層７２を介して構造体４３を積層する際に、それら構造体４２，４３及び接着層７２に高い圧力をかけた場合であっても、又は接着層７２の材料として流動性の高い材料を用いた場合であっても、貫通孔７２Ｘの平面形状が小さくなることを好適に抑制することができる。なお、その他の構造体４４〜４７の積層時にも同様のことが言える。
【０１５４】
（５）上下に隣接する配線６２〜６７を電気的に接続する貫通電極（ビア配線Ｖ２〜Ｖ８）を、上下に隣接する構造体のうち下側の構造体に含まれる絶縁層と、上側の構造体に含まれる配線及び絶縁層とを貫通して形成するようにした。このため、構造体４２〜４７に含まれる絶縁層５２〜５７には、当該絶縁層５２〜５７を厚さ方向に貫通する貫通電極（ビア配線Ｖ２〜Ｖ８）が２箇所に形成される。例えば、絶縁層５２にはビア配線Ｖ２，Ｖ３が形成され、絶縁層５３にはビア配線Ｖ３，Ｖ４が形成され、絶縁層５４にはビア配線Ｖ４，Ｖ５が形成され、絶縁層５５にはビア配線Ｖ５，Ｖ６が形成され、絶縁層５６にはビア配線Ｖ６，Ｖ７が形成され、絶縁層５７にはビア配線Ｖ７，Ｖ８が形成される。これにより、絶縁層５２〜５７中においてはビア配線Ｖ２〜Ｖ８が支持体となって剛性を保つため、インダクタ９０全体のねじれ等を抑制することができる。
【０１５５】
（６）積層体２３の中に、構造体４１〜４７が有する絶縁層５１〜５７よりも熱膨張係数の低い基板３０を設けるようにした。これにより、コイル基板２０に温度変化が生じた際に、基板３０の熱変形（熱収縮又は熱膨脹）を小さくできるため、各層に形成された配線６１〜６７の位置の変位を抑制できる。すなわち、コイル基板２０に温度変化が生じた場合であっても、配線６１〜６７から構成されるコイル（コイル基板２０）の位置が設計値からずれることを好適に抑制することができる。換言すると、配線６１〜６７から構成されるコイルの位置精度を向上させることができる。
【０１５６】
（７）基板３０の剛性を絶縁層５１〜５７よりも高くした。例えば、基板３０を絶縁層５１〜５７よりも厚く形成した。このように基板３０に高い剛性を持たせることにより、コイル基板２０全体の熱変形を抑制することができる。
【０１５７】
（８）基板３０の上下両面に構造体４１〜４７を積層して積層体２３を形成し、その積層体２３の最下層に配線６１を露出するようにした。このとき、配線６１（例えば、銅層）は、基板３０（例えば、ポリイミドフィルム）よりも絶縁膜２５との密着性が高い。このため、積層体２３の最下層に基板３０を露出させる場合に比べて、積層体２３と絶縁膜２５との密着性を向上させることができる。また、積層体２３の最下層に基板３０を露出させた場合には、その基板３０と絶縁膜２５との密着性が低いため、絶縁膜２５を形成する前に基板３０の下面に対して絶縁膜２５との密着性を高めるための表面処理（例えば、プラズマ処理）を施す必要がある。これに対し、本例では、配線６１と絶縁膜２５との密着性が高いため、上述したような表面処理を施す必要がない。
【０１５８】
（９）コイル基板１０では、積層体２３を構成する基板３０の一部を外枠１３として利用し、その外枠１３にスプロケットホール１３Ｘを形成するようにした。これにより、積層体２３を構成する部材以外の追加の部材を設けることなく、基板３０のスプロケットホール１３Ｘを利用してコイル基板１０の搬送を容易に行うことができる。
【０１５９】
（１０）ところで、コイルの一部を構成する形状の配線を予め各構造体に形成し、その各構造体を積層する方法も考えられる。すなわち、本例で言えば、貫通孔２３Ｘが形成された状態の配線６１〜６７を対応する構造体４１〜４７に形成し、その各構造体４１〜４７を基板３０の上下両面に積層して積層体２３を形成する方法も考えられる。しかし、この方法では、各配線が平面方向（例えば、左右）にずれて平面視で完全に重複するようには積層できない。その後、積層体に貫通孔等を形成すると、位置ずれした配線の一部が除去されるおそれがある。このような問題は、例えば、予め各構造体に形成する配線を細くすることで解決することができる。しかし、この場合には、コイルの直流抵抗が増加するという新たな問題が生じる。
【０１６０】
これに対し、本実施形態の製造方法では、螺旋状のコイルを構成する形状の配線６１〜６７よりも平面形状の大きい金属層６１Ｅ〜６７Ｅを予め各構造体４１〜４７に形成するようにした。そして、各構造体４１〜４７を基板３０の上下両面に積層して積層体２３を形成し、この積層体２３を厚さ方向に成形して、各金属層６１Ｅ〜６７Ｅを螺旋状のコイルの一部を構成する形状の配線６１〜６７に同時に加工するようにした。このため、各配線６１〜６７が平面方向にずれることなく、平面視で重複するように高精度に積層された配線６１〜６７から螺旋状のコイルを形成することができる。この結果、配線６１〜６７から構成されるコイルの直流抵抗を小さくすることができる。すなわち、各配線６１〜６７の平面方向への位置ずれを考慮する必要がないため、各配線６１〜６７の幅を太くすることが可能となり、コイルの直流抵抗を小さくすることができる。
【０１６１】
（１１）基板１００及び支持フィルム１０２〜１０７としてリール状（テープ状）の可撓性を有する絶縁樹脂フィルムを用いるようにした。これにより、コイル基板１０をリールトゥリールで製造することができる。このため、大量生産によるコイル基板１０の低コスト化を実現することができる。
【０１６２】
（１２）１つの構造体４１〜４７（１層）に形成する配線６１〜６７をコイルの１巻き以下とするようにした。このため、１つの構造体４１〜４７（１層）に形成する配線の幅を太くすることが可能となる。すなわち、配線６１〜６７の幅方向の断面積を増やすことが可能となり、インダクタの性能に直結する巻き線抵抗を低減することができる。
【０１６３】
（１３）各構造体４１〜４７にダミーパターンである金属層６１Ｄ〜６７Ｄを設けるようにした。これにより、各構造体４１〜４７に形成された金属層の形状差を小さくすることができる。このため、上述した形状差に起因して、上記金属層を被覆する絶縁層５１〜５７に凹凸が生じることを好適に抑制できる。
【０１６４】
（１４）連結部１２に位置する基板３０の上下両面に金属層８１〜８７を積層するようにした。これにより、コイル基板１０全体の機械的強度を高めることができる。
（第１実施形態の変形例）
なお、上記第１実施形態は、これを適宜変更した以下の態様にて実施することもできる。
【０１６５】
・上記第１実施形態の製造工程における開口部２０１Ｙ〜２０７Ｙの形成を省略してもよい。この場合には、例えば、金属箔１６１等をパターニングする工程（例えば、図１１（ｂ）に示した工程）において、絶縁層５１の下面全面を被覆する金属箔１６１に溝部６１Ｙ，６１Ｚのみを形成する。すなわち、この場合には、溝部６１Ｙ，６１Ｚ以外の金属箔１６１を残し、溝部６１Ｙ，６１Ｚ以外の絶縁層５１の下面を被覆する金属層を形成する。なお、他の層についても同様である。例えば、絶縁層５２の下面に、溝部６２Ｙ，６２Ｚ以外の絶縁層５２の下面を被覆する金属層を形成する。
【０１６６】
・上記第１実施形態及び上記変形例における認識マーク１２Ｘと同様の認識マークを外枠１３に形成するようにしてもよい。すなわち、外枠１３に、位置決め（位置合わせ）のための貫通孔を形成するようにしてもよい。この場合において、外枠１３に認識マーク及びスプロケットホール１３Ｘの両方を形成するようにしてもよいし、外枠１３に認識マークのみを形成するようにしてもよい。
【０１６７】
・上記第１実施形態では、絶縁層５１の貫通孔５１Ｘと基板３０の貫通孔３０Ｘの一部とにビア配線Ｖ１を形成した後に、基板３０の上面３０Ｂに接着層７１を介して構造体４２を積層し、ビア配線Ｖ１上に貫通孔７１Ｘ，６２Ｘ，５２Ｘを充填するビア配線Ｖ２を形成するようにした。これに限らず、ビア配線Ｖ１の形成を省略し、基板３０の上面３０Ｂに接着層７１を介して構造体４２を積層した後に、貫通孔５１Ｘ，３０Ｘ，７１Ｘ，６２Ｘ，５２Ｘを充填するビア配線Ｖ２を形成するようにしてもよい。
【０１６８】
・上記第１実施形態及び上記各変形例では、絶縁層５２〜５６の貫通孔５２Ｙ〜５６Ｙを、直上の接着層７２〜７６の貫通孔７２Ｘ〜７６Ｘの平面形状よりも大きく形成するようにした。これに限らず、例えば図３２に示すように、貫通孔５２Ｙ〜５６Ｙ（図３２では、貫通孔５２Ｙ，５５Ｙ，５６Ｙのみを図示）を、直上の接着層７２〜７６の貫通孔７２Ｘ〜７６Ｘ（図３２では、貫通孔７２Ｘ，７５Ｘ，７６Ｘ）の平面形状と略同じ大きさに形成するようにしてもよい。このような構造であっても、上記実施形態の（１）〜（３），（５）〜（１４）の効果と同様の効果を奏することができる。
【０１６９】
・上記第１実施形態及び上記各変形例では、基板３０の貫通孔３０Ｘ及び絶縁層５１の貫通孔５１Ｘを、基板３０上に積層される接着層７１の貫通孔７１Ｘの平面形状よりも大きく形成するようにした。これに限らず、例えば図３２に示すように、貫通孔３０Ｘ，５１Ｘを、貫通孔７１Ｘの平面形状と略同じ大きさに形成するようにしてもよい。この場合には、ビア配線Ｖ１を、貫通孔５１Ｘ，３０Ｘを充填するように形成してもよい。また、ビア配線Ｖ１の形成を省略し、ビア配線Ｖ２を、貫通孔５１Ｘ，３０Ｘ，７１Ｘ，６２Ｘ，５２Ｘを充填するように形成してもよい。
【０１７０】
・上記第１実施形態及び上記各変形例における基板３０の上下両面に積層する構造体の数は特に制限されない。例えば、基板３０の下面３０Ａに２つ以上の構造体を積層するようにしてもよいし、基板３０の上面３０Ｂに１〜５つ、又は７つ以上の構造体を積層するようにしてもよい。また、基板３０が積層体２３の厚さ方向の中心付近に配置されるように、基板３０の下面３０Ａに積層する構造体の数と、基板３０の上面３０Ｂに積層する構造体の数とを設定するようにしてもよい。
【０１７１】
・上記第１実施形態及び上記各変形例における基板３０を省略してもよい。
例えば図３３に示したインダクタ９０Ａの積層体２３Ａでは、構造体４１の絶縁層５１上に接着層７１を介して、構造体４２が積層される。この場合には、配線６１と配線６２とは、貫通孔７１Ｘ，６２Ｘ，５２Ｘを充填するビア配線Ｖ２により電気的に接続される。このように基板３０を省略することにより、配線６１，６２間の層間距離を短くすることができるため、インダクタ９０Ａのインダクタンスを向上させることができる。また、基板３０を省略したことにより、インダクタ９０Ａ全体を薄型化することができる。
【０１７２】
（第２実施形態）
次に、図３４〜図３８に従って第２実施形態を説明する。
図３４に示したインダクタ９０Ｂの積層体２３Ｂでは、図８（ｂ）に示したインダクタ９０から構造体４１（絶縁層５１及び配線６１）と基板３０とビア配線Ｖ１とが省略され、接着層７１上に構造体４２が積層される。積層体２３Ｂでは、接着層７１の下面が積層体２３Ｂの最表面（ここでは、最下面）になる。この場合には、例えば、貫通孔７１Ｘ，６２Ｘ，５２Ｘにビア配線Ｖ２が充填され、そのビア配線Ｖ２の下端面が接着層７１から露出される。そして、ビア配線Ｖ２の下端面及び接着層７１の下面を被覆するように絶縁膜２５が形成される。なお、積層体２３Ｂでは、配線６２が最下層の配線となるため、配線６２の一端部には接続部６１Ａと同様の接続部６２Ａが形成される。
【０１７３】
次に、インダクタ９０Ｂの製造方法の一例について説明する。
まず、図３５（ａ）に示す工程では、図１２に示した工程と同様に、支持フィルム１０２の下面１０２Ａに、貫通孔５２Ｘ，５２Ｙを有する絶縁層５２と、金属層６２Ｄ，６２Ｅ，８２及び接続部６２Ａを有する金属箔とを順に積層した構造体を準備する。続いて、接着層７１を、金属層６２Ｄ，６２Ｅ，８２の下方に配置する。
【０１７４】
次に、図３５（ｂ）に示す工程では、図１３（ａ）に示した工程と同様に、絶縁層５２の下面に、金属層６２Ｄ，６２Ｅ，８２及び接続部６２Ａの表面全面を被覆する半硬化状態の接着層７１を積層する。続いて、図１３（ｂ）に示した工程と同様に、貫通孔５２Ｘから露出された金属層６２Ｅに貫通孔６２Ｘを形成するとともに、接着層７１に、貫通孔６２Ｘと連通する貫通孔７１Ｘを形成する。
【０１７５】
次いで、図３５（ｃ）に示す工程では、支持基板１１０の上面１１０Ａに接着層７１を介して構造体４２を積層する。例えば、図３５（ｂ）に示した構造体と支持基板１１０とを、真空プレス等により上下両面から加熱・加圧する。その後、接着層７１を硬化させる。これにより、接着層７１が支持基板１１０と接着されるとともに、接着層７１が構造体４２と接着される。このとき、貫通孔７１Ｘの底部には、支持基板１１０の上面１１０Ａの一部が露出される。なお、支持基板１１０としては、例えば、金属板や金属箔を用いることができる。また、支持基板１１０としては、ポリイミドフィルム、ＰＰＳ（ポリフェニレンサルファド）フィルムなどの樹脂フィルムやガラス板等のテープ状基板を用いることもできる。本実施形態では、支持基板１１０として銅板を用いる。また、支持基板１１０は、例えば、配線６２よりも厚く形成され、絶縁層５２よりも厚く形成されている。このような支持基板１１０によって製造途中の構造体の機械的強度を十分に確保することができる。このため、基板３０を省略した場合であっても、製造途中における構造体のハンドリング性が低下することを好適に抑制することができる。
【０１７６】
次に、図３６（ａ）に示す工程では、貫通孔７１Ｘの底部に露出する支持基板１１０の上面１１０Ａ上に、貫通孔７１Ｘ，６２Ｘ，５２Ｘを充填するビア配線Ｖ２を形成する。ビア配線Ｖ２は、例えば、電解めっき法により形成することができる。例えば、支持基板１１０（ここでは、銅板）を給電層とする電解めっき法により、貫通孔７１Ｘの底部に露出する支持基板１１０上に第１導電層（例えば、Ｎｉ層）を形成する。続いて、支持基板１１０を給電層とする電解めっき法により、第１導電層上に第２導電層（例えば、Ｃｕ層）を形成する。これにより、２層構造のビア配線Ｖ２が形成される。第１導電層の材料としては、後工程で支持基板１１０をエッチング除去する際にエッチングストッパ層となることが可能な材料であることが好ましい。このように、本例の支持基板１１０は、製造過程における支持体として機能するとともに、電解めっき法における給電層としても機能する。なお、ビア配線Ｖ２は、金属ペーストの充填等の他の方法により形成することもできる。
【０１７７】
続いて、図３６（ｂ）に示す工程では、図１５〜図２５に示した工程と同様に、支持基板１１０の上面１１０Ａに積層された構造体４２上に、構造体４３〜４７を積層する。以上の製造工程により、各個別領域Ａ１における支持基板１１０の上面１１０Ａ上に、複数の構造体４２〜４７が順に積層された積層体２３Ｂを製造することができる。なお、本工程において、ビア配線Ｖ３〜Ｖ７を電解めっき法により形成する場合には、支持基板１１０及びビア配線Ｖ２を給電層として利用することができる。
【０１７８】
次いで、図３７（ａ）に示す工程では、図２６〜図２８に示した工程と同様に、各層に形成された金属層６２Ｅ〜６７Ｅ（図３６（ｂ）参照）を型抜き等により成形し、螺旋状のコイルの一部を構成する形状の配線６２〜６７に加工する。本工程では、高い剛性を持つ支持基板１１０上に積層体２３Ｂが積層された状態で金属層６２Ｅ〜６７Ｅの成形が実施されるため、その成形時における配線６２〜６７の位置の変位を抑制できる。これにより、配線６２〜６７の位置精度を向上させることができ、それら配線６２〜６７から構成されるコイルの位置精度を向上させることができる。
【０１７９】
次に、仮基板として用いた支持基板１１０を除去する。例えば、支持基板１１０として銅板を用いる場合には、塩化第二鉄水溶液、塩化第二銅水溶液、過硫酸アンモニウム水溶液等を用いたウェットエッチングにより、ビア配線Ｖ２（具体的には、Ｎｉ層である第１導電層）及び接着層７１に対して選択的にエッチングして除去する。このとき、ビア配線Ｖ２内の第１導電層（Ｎｉ層）及び接着層７１が、支持基板１１０をエッチングする際のエッチングストッパ層として機能する。なお、支持基板１１０としてＰＩフィルム等を用いる場合や剥離層を設けている場合には、支持基板１１０を積層体２３Ｂから機械的に剥離するようにしてもよい。本工程により、図３７（ｂ）に示すように、ビア配線Ｖ２の下端面及び接着層７１の下面が外部に露出される。
【０１８０】
また、本工程により、製造過程における構造体の機械的強度を確保するために比較的厚く形成された支持基板１１０を積層体２３Ｂから除去できる。このため、製造過程における構造体の機械的強度を確保するために、積層体２３Ｂの各部材を厚く形成する必要がない。したがって、積層体２３Ｂ全体の薄型化を図ることができる。
【０１８１】
続いて、図３８に示す工程では、貫通孔２３Ｘの内壁面を含む積層体２３Ｂの表面全面を被覆する絶縁膜２５を形成する。これにより、各個別領域Ａ１にコイル基板２０が製造される。その後、図３０（ｂ）〜図３１（ｂ）に示した工程と同様の工程を実施することにより、図３４に示したインダクタ９０Ｂを製造することができる。
【０１８２】
このように構造体４１（絶縁層５１及び配線６１）と基板３０とビア配線Ｖ１とを省略することにより、インダクタ９０Ｂのインダクタンスを向上させることができる。
（第３実施形態）
次に、図３９〜図４５に従って第３実施形態を説明する。
【０１８３】
図３９に示したインダクタ９０Ｃの積層体２３Ｃでは、図８（ｂ）に示したインダクタ９０から基板３０が省略され、構造体４１の絶縁層５１上に接着層７１を介して、構造体４２が積層されている。詳述すると、最下層の配線６１の上面に、貫通孔５１Ｘを有する絶縁層５１が積層され、その絶縁層５１の上面に接着層７１が積層されている。このとき、接着層７１は、その一部が貫通孔５１Ｘ内に形成され、貫通孔５１Ｘの内側面を被覆するように形成されている。また、接着層７１は、配線６２及び金属層６２Ｄの側面の一部を被覆するように形成されている。接着層７１には、当該接着層７１を厚さ方向に貫通して配線６１の上面の一部を露出する貫通孔７１Ｘが形成されている。貫通孔７１Ｘは、接着層７１の上面から貫通孔５１Ｘ内に形成された接着層７１の下面まで貫通するように形成されている。すなわち、貫通孔７１Ｘは、その一部が貫通孔５１Ｘ内に形成されている。換言すると、貫通孔５１Ｘの平面形状は、貫通孔７１Ｘの平面形状よりも大きく形成されている。
【０１８４】
接着層７１の上面には、貫通孔７１Ｘと連通する貫通孔６２Ｘを有する配線６２が積層されている。配線６２の上面及び接着層７１の上面には絶縁層５２が積層されている。絶縁層５２には、当該絶縁層５２を厚さ方向に貫通して、貫通孔６２Ｘ，７１Ｘと連通する貫通孔５２Ｘが形成されている。貫通孔５２Ｘは、貫通孔６２Ｘの周囲に位置する配線６２の上面を露出するように形成されている。すなわち、貫通孔５２Ｘの平面形状は、貫通孔６２Ｘ，７１Ｘの平面形状よりも大きく形成されている。
【０１８５】
連通する貫通孔５２Ｘ，６２Ｘ，７１Ｘ内には、ビア配線Ｖ２が形成されている。ビア配線Ｖ２は、貫通孔７１Ｘから露出する配線６１上に形成され、貫通孔５２Ｘ，６２Ｘ，７１Ｘを全て充填するように形成されている。そして、配線６１と配線６２とが、ビア配線Ｖ２を介して直列に接続されている。
【０１８６】
また、本例のコイル基板２０では、図８（ｂ）に示した積層体２３の表面全面を被覆する絶縁膜２５の代わりに、積層体２３Ｃの表面の一部のみを被覆する絶縁膜２５Ｃが形成されている。具体的には、絶縁膜２５Ｃは、積層体２３Ｃの表面に露出された導電体の表面（露出部）を被覆するように形成されている。より具体的には、絶縁膜２５Ｃは、貫通孔２３Ｘの内壁面に露出された配線６２〜６７の側面と、積層体２３Ｃの外壁面に露出された配線６２〜６７の側面と、最下層の配線６１の側面及び下面と、最上層のビア配線Ｖ７，Ｖ８（図３９では、ビア配線Ｖ７のみを図示）の上面とを被覆するように形成されている。各配線６１〜６７及び各ビア配線Ｖ７，Ｖ８を被覆する絶縁膜２５Ｃは互いに分離されて形成されている。例えば、配線６１の側面及び下面を被覆する絶縁膜２５Ｃと、貫通孔２３Ｘの内壁面に露出された配線６２の側面を被覆する絶縁膜２５Ｃとは互いに分離されて形成されている。このような絶縁膜２５Ｃは、例えば、電着法（電着塗布法）により形成された電着樹脂からなる。電着樹脂の材料としては、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂やイミド系樹脂等の絶縁性樹脂を用いることができる。なお、配線６１〜６７及びビア配線Ｖ７，Ｖ８の周囲に形成された絶縁層５１〜５７及び接着層７１〜７６等の一部を被覆するように絶縁膜２５Ｃを形成してもよい。
【０１８７】
但し、積層体２３Ｃの側面２０Ａ，２０Ｂに露出された接続部６１Ａ，６７Ａの表面は、絶縁膜２５Ｃから露出されている（つまり、絶縁膜２５Ｃに被覆されていない）。
封止樹脂９１は、接続部６１Ａ，６７Ａが露出する側面２０Ａ，２０Ｂを除いてコイル基板２０（積層体２３Ｃ及び絶縁膜２５Ｃ）を全体的に被覆するように形成されている。例えば、封止樹脂９１は、各絶縁膜２５Ｃの隙間を充填するように形成されている。換言すると、封止樹脂９１は、絶縁層５１〜５７及び接着層７１〜７６の表面の一部を直接被覆するように形成されている。これにより、磁性体のフィラーを含有する封止樹脂９１（例えば貫通孔２３Ｘ内における封止樹脂９１）の体積を増加させることができるため、インダクタ９０Ｃのインダクタンスを向上させることができる。また、基板３０を省略したことにより、インダクタ９０Ｃ全体を薄型化することができる。
【０１８８】
本実施形態において、貫通孔２３Ｘは第１貫通孔の一例、貫通孔５２Ｙは第２貫通孔の一例、貫通孔７２Ｘは第３貫通孔の一例、貫通孔６３Ｘは第４貫通孔の一例、貫通孔５３Ｘは第５貫通孔の一例、貫通孔６２Ｘは第６貫通孔の一例、貫通孔５２Ｘは第７貫通孔の一例、貫通孔７１Ｘは第８貫通孔の一例、貫通孔５１Ｘは第９貫通孔の一例である。配線６２は第１配線の一例、配線６３は第２配線の一例、配線６１は第３配線の一例、絶縁層５２は第１絶縁層の一例、絶縁層５３は第２絶縁層の一例、絶縁層５１は第３絶縁層の一例である。接着層７２は第１接着層の一例、接着層７１は第２接着層の一例、ビア配線Ｖ２〜Ｖ７は貫通電極の一例、ビア配線Ｖ３は第１貫通電極の一例、ビア配線Ｖ２は第２貫通電極の一例である。
【０１８９】
次に、インダクタ９０Ｃの製造方法の一例について説明する。
まず、図４０（ａ）〜図４０（ｃ）に示す工程では、図９に示した基板１００と同様の構造を有する支持フィルム１０１を準備する。すなわち、図４０（ａ）及び図４０（ｃ）に示すように、複数の個別領域Ａ１が設けられたブロック１１と、そのブロック１１の外側に張り出すように形成された外枠１３とを有する支持フィルム１０１を準備する。支持フィルム１０１としては、例えば、リール状の可撓性を有する絶縁樹脂フィルムを用いることができる。支持フィルム１０１としては、例えば、ポリフェニレンサルファイド、ポリイミドフィルムやポリエチレンナフタレートフィルムを用いることができる。支持フィルム１０１の厚さは、例えば、１２〜５０μｍ程度とすることができる。
【０１９０】
次に、図１０に示した工程と同様に、外枠１３を除く領域（つまり、ブロック１１）に位置する支持フィルム１０１の下面１０１Ａに、半硬化状態の絶縁層５１を積層する。続いて、図４０（ａ）及び図４０（ｂ）に示すように、プレス加工法やレーザ加工法により、支持フィルム１０１及び絶縁層５１を厚さ方向に貫通する貫通孔５１Ｘを形成する。なお、本工程と同時、もしくは絶縁層５１を積層する前に、外枠１３に位置する支持フィルム１０１にスプロケットホール１０１Ｘを形成する。
【０１９１】
次いで、図４１（ａ）に示す工程では、半硬化状態の絶縁層５１の下面に、金属箔１６１を積層する。金属箔１６１は、例えば、絶縁層５１の下面全面を被覆するように形成される。例えば、半硬化状態の絶縁層５１の下面に、金属箔１６１を熱圧着によりラミネートする。その後、半硬化状態の絶縁層５１を１５０℃程度の温度雰囲気でキュアを行うことにより硬化させる。
【０１９２】
次に、図１１（ｂ）及び図１１（ｃ）に示した工程と同様に、金属箔１６１をサブトラクティブ法等によりパターニングする。具体的には、図４１（ｂ）及び図４１（ｃ）に示すように、各個別領域Ａ１に位置する絶縁層５１の下面に、金属層６１Ｅを形成し、金属層６１Ｅの一端部に接続部６１Ａを形成するとともに、ダミーパターンである金属層６１Ｄを形成する。これにより、支持フィルム１０１の下面１０１Ａに、絶縁層５１、金属層６１Ｅ及び接続部６１Ａを有する構造体４１が積層される。また、本工程では、図４１（ｃ）に示すように、連結部１２に位置する絶縁層５１の下面に、接続部６１Ａ及び金属層６１Ｄと接続される金属層８１を形成する。換言すると、本工程では、図４１（ａ）に示した金属箔１６１をパターニングして、開口部２０１Ｙ及び溝部６１Ｙ，６１Ｚを形成する。なお、図４１（ｃ）では、開口部２０１Ｙ及び溝部６１Ｙ，６１Ｚから露出する絶縁層５１を梨地模様で示している。
【０１９３】
続いて、図４２（ａ）に示す工程では、図４１（ｂ）に示した支持フィルム１０１を絶縁層５１から除去する。例えば、絶縁層５１から支持フィルム１０１を機械的に剥離する。
【０１９４】
次いで、図４２（ｂ）に示す工程では、図１２に示した工程と同様に、支持フィルム１０２の下面１０２Ａに、貫通孔５２Ｘ，５２Ｙを有する絶縁層５２と、金属層６２Ｄ，６２Ｅ，８２を有する金属箔とを順に積層した構造体を準備する。続いて、図１３（ａ）に示した工程と同様に、絶縁層５２の下面に、金属層６２Ｄ，６２Ｅ，８２の表面全面を被覆する半硬化状態の接着層７１を積層する。
【０１９５】
次に、図４２（ｃ）に示す工程では、図１３（ｂ）に示した工程と同様に、貫通孔５２Ｘから露出された金属層６２Ｅに貫通孔６２Ｘを形成するとともに、接着層７１に、貫通孔６２Ｘと連通する貫通孔７１Ｘを形成する。その後、貫通孔６２Ｘ，７１Ｘが形成された構造体を、接着層７１を下側に向けた状態で、図４２（ａ）に示した構造体４１の上方に配置する。これにより、接着層７１の下面と絶縁層５１の上面とが対向配置される。
【０１９６】
続いて、図４２（ｄ）に示す工程では、絶縁層５１の上面に接着層７１を介して構造体４２を積層する。すなわち、構造体４１と構造体４２とを接着層７１を介して対向配置し、支持フィルム１０２が外側に配置されるように、構造体４２を絶縁層５１の上面に積層する。例えば、図４２（ｃ）に示した２つの構造体を、真空プレス等により上下両面から加熱・加圧する。すると、半硬化状態の接着層７１は、金属層６２Ｅの下面と絶縁層５１の上面とによってそれぞれ押圧されて平面方向に広がる。これにより、接着層７１の一部が貫通孔５１Ｘ内に広がり、その広がった接着層７１によって、貫通孔５１Ｘの内側面が被覆される。このため、貫通孔７１Ｘの一部が貫通孔５１Ｘ内に形成される。
【０１９７】
次いで、接着層７１を硬化させる。このとき、貫通孔７１Ｘと、貫通孔６２Ｘと、貫通孔５２Ｘとが連通する。このため、貫通孔７１Ｘの底部には、金属層６１Ｅの上面の一部が露出される。その後、支持フィルム１０２を絶縁層５２から除去する。
【０１９８】
次に、図４３（ａ）に示す工程では、貫通孔７１Ｘの底部に露出する金属層６１Ｅの上面に、貫通孔７１Ｘ，６２Ｘ，５２Ｘを充填するビア配線Ｖ２を形成する。これにより、ビア配線Ｖ２を介して、金属層６１Ｅと金属層６２Ｅとが直列に接続される。ビア配線Ｖ２は、例えば、金属層８１及び金属層６１Ｅを給電層に利用する電解めっき法や金属ペーストの充填等の方法により形成することができる。
【０１９９】
以上説明した製造工程により、構造体４１と構造体４２とが積層された積層体において、金属層６１Ｅと、ビア配線Ｖ２と、金属層６２Ｅとが直列に接続される。
続いて、図４３（ｂ）に示す工程では、図１５〜図２５に示した工程と同様に、構造体４２上に、構造体４３〜４７を積層する。以上の製造工程により、各個別領域Ａ１に、複数の構造体４１〜４７が順に積層された積層体２３Ｃを製造することができる。
【０２００】
次いで、図４４（ａ）及び図４４（ｂ）に示す工程では、図２６〜図２８に示した工程と同様に、各層に形成された金属層６１Ｅ〜６７Ｅ（図４３（ｂ）参照）を型抜き等により成形し、螺旋状のコイルの一部を構成する形状の配線６１〜６７に加工する。図４４（ａ）に示すように、本工程により、積層体２３Ｃの略中央部に貫通孔２３Ｘが形成される。この貫通孔２３Ｘの形成により、その貫通孔２３Ｘの内壁面から配線６１〜６７の各々の一部が露出される。また、図４４（ｂ）に示すように、各個別領域Ａ１の所要箇所に開口部２０Ｙが形成され、積層体２３Ｃの外形が略長方形状に成形される。この開口部２０Ｙの形成により、積層体２３Ｃの外壁面（側壁）からも配線６１〜６７の各々の一部が露出される。なお、図４４（ｂ）は、図４１（ｃ）における４４ｂ−４４ｂ線に対応する位置におけるコイル基板の断面図を示している。
【０２０１】
続いて、図４５（ａ）及び図４５（ｂ）に示す工程では、電着法により、積層体２３Ｃの表面に露出された配線６１〜６７及びビア配線Ｖ７，Ｖ８の表面を被覆する絶縁膜２５Ｃを形成する。具体的には、貫通孔２３Ｘの内壁面に露出された配線６２〜６７の端面と、積層体２３Ｃの外壁面に露出された配線６２〜６７の端面と、配線６１の下面及び側面と、ビア配線Ｖ７，Ｖ８の上面とを被覆する絶縁膜２５Ｃを形成する。このとき、絶縁膜２５Ｃを電着法により形成したため、絶縁膜２５Ｃの厚さを容易に制御できる。これにより、絶縁膜２５Ｃをできる限り薄く形成することができる。さらに、電着法を用いることにより、配線６１〜６７及びビア配線Ｖ７，Ｖ８に対して選択的に絶縁膜２５Ｃを精度良く被膜させることができる。これにより、絶縁膜２５Ｃの形成領域を必要最小限とすることができ、絶縁膜２５Ｃ中にボイドが発生することを好適に抑制することができる。なお、図４５（ｂ）は、図４１（ｃ）における４４ｂ−４４ｂ線に対応する位置におけるコイル基板の断面図を示している。
【０２０２】
その後、図３０（ｂ）〜図３１（ｂ）に示した工程と同様の工程を実施することにより、図３９に示したインダクタ９０Ｃを製造することができる。このとき、絶縁膜２５Ｃが薄く形成されているため、封止樹脂９１を配線６１〜６７に近接させて形成することができるとともに、封止樹脂９１の体積を増加させることができる。これにより、インダクタ９０Ｃのインダクタンスを向上させることができる。
【０２０３】
（第３実施形態の変形例）
・上記第３実施形態のインダクタ９０Ｃでは、図３３に示したインダクタ９０Ａの絶縁膜２５を絶縁膜２５Ｃに変更したが、その他のインダクタ９０，９０Ｂについても同様に変形することができる。
【０２０４】
例えば図４６に示すように、図８（ｂ）に示したインダクタ９０の絶縁膜２５を、積層体２３の表面に露出された配線６１〜６７及びビア配線Ｖ７等の導電体の表面を被覆する絶縁膜２５Ｃに変更してもよい。
【０２０５】
また、図４７に示すように、図３４に示したインダクタ９０Ｂの絶縁膜２５を、積層体２３Ｂの表面に露出された配線６２〜６７及びビア配線Ｖ２，Ｖ７等の導電体の表面を被覆する絶縁膜２５Ｃに変更してもよい。このときの絶縁膜２５Ｃは、ビア配線Ｖ２の下面を被覆するように形成される。
【０２０６】
なお、図示は省略するが、図３２に示したインダクタ９０についても同様に、絶縁膜２５を絶縁膜２５Ｃに変更してもよい。
（第４実施形態）
次に、図４８〜図５１に従って第４実施形態を説明する。
【０２０７】
図４８及び図４９に示した積層体２３Ｄでは、貫通孔２３Ｘの内壁面に、ビア配線Ｖ２〜Ｖ７（図４８では、ビア配線Ｖ２，Ｖ３，Ｖ６，Ｖ７のみ図示）の一部が露出されている。図４９に示すように、本例の積層体２３Ｄでは、例えば、図２に示した積層体２３よりも貫通孔２３Ｘの平面形状が大きく形成されている。図４９に示した例では、貫通孔２３Ｘによって、平面視略円形状に形成されたビア配線Ｖ２〜Ｖ８の略１／４円に相当する部分が切り欠かれている。すなわち、貫通孔２３Ｘによって、ビア配線Ｖ２〜Ｖ８の一部が積層方向に切断されている。これにより、ビア配線Ｖ２〜Ｖ８の切断面が貫通孔２３Ｘの内壁面に露出されている。例えば図４８に示すように、絶縁層５１，５２と配線６２と接着層７１とを厚さ方向に貫通するビア配線Ｖ２の切断面（端面）が貫通孔２３Ｘの内壁面に露出されている。具体的には、配線６１の上面から接着層７２の下面までのビア配線Ｖ２の切断面（端面）が貫通孔２３Ｘの内壁面に露出されている。換言すると、貫通孔５１Ｘ，５２Ｘ，６２Ｘ，７１Ｘは、貫通孔２３Ｘに連通して形成されている。また、貫通孔２３Ｘの内壁面に露出されたビア配線Ｖ２の直下には、配線６１が設けられている。すなわち、貫通孔２３Ｘの内壁面には、ビア配線Ｖ２の端面と、そのビア配線Ｖ２の直下に形成された配線６１の端面とが積層方向に連続して露出されている。なお、その他のビア配線Ｖ３〜Ｖ８及び配線６２〜６７も同様に、ビア配線Ｖ２及び配線６１と同様の態様で、貫通孔２３Ｘの内壁面に露出されている。
【０２０８】
本例のコイル基板２０では、積層体２３Ｄの表面に露出された導電体の表面を被覆する絶縁膜２５Ｄが形成されている。絶縁膜２５Ｄは、貫通孔２３Ｘの内壁面に露出された配線６２〜６７の端面及びビア配線Ｖ２〜Ｖ８の端面と、積層体２３Ｄの外壁面に露出された配線６２〜６７の端面と、最下層の配線６１の下面及び側面と、最上層のビア配線Ｖ７，Ｖ８（図４８では、ビア配線Ｖ７のみ図示）を被覆するように形成されている。各配線６１〜６７及び各ビア配線Ｖ２〜Ｖ８を被覆する絶縁膜２５Ｄは互いに分離されて形成されている。但し、一部の絶縁膜２５Ｄは、貫通孔２３Ｘの内壁面に連続して露出された配線６１〜６７及びビア配線Ｖ２〜Ｖ８を連続して被覆するように形成されている。なお、絶縁膜２５Ｄは、例えば、電着法により形成された電着樹脂からなる。
【０２０９】
積層体２３Ｄを有するインダクタ９０Ｄでは、貫通孔２３Ｘの平面形状を大きく形成することができるため、貫通孔２３Ｘ内に形成される封止樹脂９１の体積を増加させることができる。これにより、磁性体のフィラーを含有する封止樹脂９１の体積が増加するため、インダクタ９０Ｄのインダクタンスを向上させることができる。
【０２１０】
次に、インダクタ９０Ｄの製造方法の一例について説明する。
まず、図５０（ａ）に示す工程では、図４０（ａ）〜図４３（ｂ）に示した工程と同様に、複数の構造体４１〜４７が順に積層された積層体２３Ｄを製造する。
【０２１１】
次いで、図５０（ｂ）に示す工程では、図２６〜図２８に示した工程と同様に、各層に形成された金属層６１Ｅ〜６７Ｅ（図５０（ａ）参照）を型抜き等により成形し、螺旋状のコイルの一部を構成する形状の配線６１〜６７に加工する。本工程では、積層体２３Ｄの略中央部であって、ビア配線Ｖ２〜Ｖ８（図５０（ｂ）では、ビア配線Ｖ２，Ｖ３，Ｖ６，Ｖ７のみ図示）の一部と平面視で重なる位置に貫通孔２３Ｘが形成される。この貫通孔２３Ｘの形成により、その貫通孔２３Ｘの内壁面から配線６１〜６７及びビア配線Ｖ２〜Ｖ８の各々の一部が露出される。すなわち、貫通孔２３Ｘによりビア配線Ｖ２〜Ｖ８の一部が積層方向に切断され、それらビア配線Ｖ２〜Ｖ８の切断面が貫通孔２３Ｘの内壁面から露出される。また、図５１（ａ）に示すように、本工程では、各個別領域Ａ１の所要箇所に開口部２０Ｙが形成され、積層体２３Ｄの外形が略長方形状に成形される。この開口部２０Ｙの形成により、積層体２３Ｄの外壁面から配線６１〜６７（図５１（ａ）では、配線６７のみ図示）の各々の一部が露出される。
【０２１２】
続いて、図５１（ｂ）に示す工程では、電着法により、積層体２３Ｄの表面に露出された導電体の表面を被覆する絶縁膜２５Ｄを形成する。具体的には、貫通孔２３Ｘの内壁面に露出された配線６２〜６７及びビア配線Ｖ２〜Ｖ８の端面と、積層体２３Ｄの外壁面に露出された配線６２〜６７の端面と、配線６１の下面及び側面と、ビア配線Ｖ７，Ｖ８（図５１（ｂ）では、ビア配線Ｖ７のみ図示）の上面とを被覆する絶縁膜２５Ｄを形成する。このとき、絶縁膜２５Ｄを電着法により形成したため、絶縁膜２５Ｄの厚さを容易に制御できる。さらに、電着法を採用したことにより、絶縁膜２５Ｄの形成領域が広がっても、絶縁膜２５Ｄ中にボイドが発生することを好適に抑制することができる。なお、図５１（ｂ）は、図５１（ａ）における５１ｂ−５１ｂ線に対応する位置におけるコイル基板の断面図を示している。
【０２１３】
その後、図３０（ｂ）〜図３１（ｂ）に示した工程と同様の工程を実施することにより、図４８に示したインダクタ９０Ｄを製造することができる。
（第４実施形態の変形例）
・上記第４実施形態のインダクタ９０Ｄでは、図３９に示したインダクタ９０Ｃの貫通孔２３Ｘの平面形状を大きく形成してビア配線Ｖ２〜Ｖ８の一部を貫通孔２３Ｘの内壁面に露出するようにしたが、その他のインダクタ９０，９０Ｂについても同様に変形することができる。
【０２１４】
例えば図５２に示すように、図４６に示したインダクタ９０におけるビア配線Ｖ１〜Ｖ８（図５２では、ビア配線Ｖ１〜Ｖ３，Ｖ６，Ｖ７のみ図示）の一部を貫通孔２３Ｘの内壁面に露出させるようにしてもよい。
【０２１５】
また、図５３に示すように、図４７に示したインダクタ９０Ｂにおけるビア配線Ｖ２〜Ｖ８（図５３では、ビア配線Ｖ２，Ｖ３，Ｖ６，Ｖ７のみ図示）の一部を貫通孔２３Ｘの内壁面に露出させるようにしてもよい。
【０２１６】
・図４８、図５２及び図５３に示したインダクタ９０Ｄ，９０，９０Ｂにおいて、開口部２０Ｙを、ビア配線Ｖ１〜Ｖ８の一部と平面視で重なる位置に形成するようにしてもよい。すなわち、図４８、図５２及び図５３に示したインダクタ９０Ｄ，９０，９０Ｂにおいて、積層体２３Ｄ，２３，２３Ｂの外壁面にビア配線Ｖ１〜Ｖ７の断面（端面）を露出するようにしてもよい。これにより、インダクタ９０Ｄ，９０，９０Ｂの小型化に貢献することができる。
【０２１７】
・図４８、図５２及び図５３に示したインダクタ９０Ｄ，９０，９０Ｂにおける絶縁膜２５Ｄを、積層体２３Ｄ，２３，２３Ｂの表面全面を被覆する絶縁膜２５に変更してもよい。
【０２１８】
（他の実施形態）
なお、上記各実施形態は、これを適宜変更した以下の態様にて実施することもできる。
・上記各実施形態及び上記各変形例における金属層８１〜８７の形成を省略してもよい。
【０２１９】
・上記各実施形態及び上記各変形例における金属層６１Ｄ〜６７Ｄ（ダミーパターン）の形成を省略してもよい。
・上記第１及び第２実施形態における絶縁膜２５及び上記第４実施形態における絶縁膜２５Ｄを省略してもよい。例えば、封止樹脂９１が磁性体を含有しない場合には、コイル基板２０を被覆する絶縁膜２５が不要となるため、その絶縁膜２５を省略してもよい。なお、この場合には、封止樹脂９１が短絡の原因となる磁性体を含有していないため、コイル基板２０上に直接、封止樹脂９１を形成することができる。
【０２２０】
・上記第１実施形態における絶縁層５１を省略してもよい。この場合には、基板３０と配線６１との密着性を向上させるために、基板３０の下面３０Ａに対してプラズマ処理等の表面処理を施すことが好ましい。なお、この場合であっても、配線６１と配線６２との間の絶縁は基板３０によって十分に確保することが可能である。
【０２２１】
・上記各実施形態及び上記各変形例において、１つの構造体４１〜４７に形成する配線の巻き数は任意に組み合わせることができる。上記実施形態のように、約１巻きの配線と約３／４巻きの配線を組み合わせてもよいし、約１巻きの配線と約１／２巻きの配線を組み合わせてもよい。約３／４巻きの配線を用いた場合には、４種類のパターン（上記実施形態の例では、配線６２，６３，６４，６５）の配線が必要となる一方で、約１／２巻きの配線を用いる場合には、２種類のパターンの配線のみで構成することができる。
【符号の説明】
【０２２２】
１０  コイル基板
１１  ブロック
１２  連結部
１３  外枠
１３Ｘ  スプロケットホール
２０  コイル基板
２０Ｘ  貫通孔
２３，２３Ａ〜２３Ｄ  積層体
２３Ｘ  貫通孔
２５，２５Ｃ，２５Ｄ  絶縁膜
３０  基板
４１〜４７  構造体
５１〜５７  絶縁層
５２Ｘ〜５７Ｘ，５２Ｙ〜５６Ｙ  貫通孔
６１〜６７  配線
６１Ａ，６７Ａ  接続部
６１Ｙ，６１Ｚ  溝部
６１Ｅ〜６７Ｅ  金属層
６２Ｘ〜６７Ｘ  貫通孔
７１〜７６  接着層
７２Ｘ〜７６Ｘ  貫通孔
９０，９０Ａ〜９０Ｄ  インダクタ
９１  封止樹脂
９２，９３  電極
１０１〜１０７  支持フィルム
Ｖ１〜Ｖ８  ビア配線
Ａ１  個別領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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【図４１】
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【図４２】
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【図４３】
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【図４４】
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【図４５】
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【図４６】
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【図４７】
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【図４８】
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【図４９】
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【図５０】
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【図５１】
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【図５２】
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【図５３】
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