(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ａｌ2Ｏ3相とＴｉＣ相とを含むＡｌ2Ｏ3−ＴｉＣ系薄膜磁気ヘッド用基板であって、
前記Ａｌ2Ｏ3相のｃ軸の格子定数が１２．９９２Å以上１２．９９８Å以下であり、かつ、前記ＴｉＣ相の格子定数が４．３１７Å以上４．３２５Å以下である、Ａｌ2Ｏ3−ＴｉＣ系薄膜磁気ヘッド用基板。
【請求項２】
前記ＴｉＣ相の格子定数が４．３１８Å以上４．３２５Å以下である、請求項１に記載のＡｌ2Ｏ3−ＴｉＣ系薄膜磁気ヘッド用基板。
【請求項３】
前記Ａｌ2Ｏ3相のｃ軸の格子定数が１２．９９２Å以上１２．９９５Å以下であり、かつ、前記ＴｉＣ相の格子定数が４．３２０Å以上４．３２５Å以下である、請求項１に記載のＡｌ2Ｏ3−ＴｉＣ系薄膜磁気ヘッド用基板。
【請求項４】
請求項１から３のいずれかに記載のＡｌ2Ｏ3−ＴｉＣ系薄膜磁気ヘッド用基板を用いた磁気ヘッドスライダ。
【請求項５】
請求項４に記載の磁気ヘッドスライダを備えたハードディスクドライブ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ハードディスクドライブ装置の磁気ヘッドスライダに用いられる薄膜磁気ヘッド用基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
映像の高精細化などにつれマルチメディアデータの情報量は近年ますます増加しており、これを記録するための情報記録装置の容量も大きくすることが求められている。ハードディスクドライブ装置は、パーソナルコンピュータのデータ格納装置や、テレビジョンに接続される録画機器などとして用いられる情報記録装置であり、その容量をより大きくし、装置を小型化することが求められている。
【０００３】
図１（ａ）は、一般的なハードディスクドライブ装置（以下、ＨＤＤと呼ぶことがある）が備える薄膜磁気ヘッドスライダアセンブリ１０と、磁気記録媒体としてのディスク（プラッタ）１３とを模式的に示している。図１（ａ）に示すように、ジンバル１４により保持されたスライダ１０Ａは、基部１１および基部１１の一方の端部に設けられた読み込み素子および書き込み素子１２（以下、単に素子１２（transducer）と呼ぶことがある）から構成されている。ジンバル１４によって保持されるユニットをヘッドスライダ、あるいは単にスライダと呼ぶことがある。
【０００４】
素子１２のうち、書き込み素子は、磁性材料から形成されている。リングの内部にコイルが巻かれており、記録信号をコイルに与えることによって書き込み素子に磁界が発生し、ディスク１３にデータを書き込む。一方、再生ヘッドである読み込み素子は、磁場の変化を電気抵抗の変化に変換する磁気抵抗効果素子（ＭＲ、あるいはＧＭＲ）やトンネル磁気抵抗効果素子ＴＭＲ（Tunneling Magneto Resistive）などであり、ディスク１３に記録されている磁気を読み取って電気信号に変換する。
【０００５】
また、素子１２を保持する基板１１は、従来、Ａｌ2Ｏ3−ＴｉＣ系のセラミックス焼結体から形成されることが多かった。これは、熱特性、機械特性、および加工性の点で、Ａｌ2Ｏ3−ＴｉＣ（以下ＡｌＴｉＣと略す）がバランス良く優れているためである。
【０００６】
ところで、ＨＤＤの記憶容量を増大させるためには、ディスク１３における記録密度を向上させることが求められる。現在、ＨＤＤの記録密度は７５０Ｇｂｉｔ/平方インチ程度にまで達している。このような高記録密度での書き込み／読み取り動作を精度よく実現するには、動作中における素子１２とディスク１３との間隙が小さいことが好ましい。現在、この間隙は１０ｎｍ以下にまで小さくなっている。
【０００７】
ハードディスクドライブ装置の小型化や大容量化にともない、薄膜磁気ヘッドがディスクから浮上する高さも低くなり、薄膜磁気ヘッドのスライダのエアベアリングサーフェイス（ＡＢＳ）１１ａの面粗さも、さらに高品位のものが要求されるようになってきている。なお、ＡＢＳ１１ａは、スライダにおけるディスク１３と対面する側の基部１１の表面であり、ディスク１３の回転によって生じた空気流によってディスク面から適切な距離だけ安定的に浮上するようにその形状が工夫されている（図１（ｂ）参照）。
【０００８】
ＡＢＳを所望の形状とするために、基部１１は、ナノレベルで正確に加工できる性質が求められている。通常、基部１１はラッピング工程（ラップ機を用いた研磨工程）などを経て平面に加工された後、上記のような空気流を適切に利用できるような形状に、イオンミリング法やイオンビームエッチング法などのドライエッチング法などを用いて加工される。上記のラッピング工程後の状態において、基部１１の加工面は極めて平滑な平面であることが好ましい。
【０００９】
動作中におけるディスク１３と素子１２との間隙は、基部１１の平滑性以外の要因によっても変化し得る。以下、このような要因の例について説明する。
【００１０】
図２（ａ）および（ｂ）に示すように、薄膜磁気ヘッド（スライダ）２０は、例えば、ＡｌＴｉＣ基板（基部）２１、Ａｌ2Ｏ3膜２２、素子２３、およびＡｌ2Ｏ3膜２４を積層して形成される。Ａｌ2Ｏ3膜２２、２４は、典型的には、アモルファスのアルミナである。薄膜磁気ヘッド２０を作製する際、ＡＢＳとなる面２５（厚さｔを有する基板２１を、図２（ｂ）右下に示すように棒状体２１’に切り出したときの切り出し面に対応）は、まず研磨によって平坦になるように仕上げられる。ＡＢＳとなる面２５（以下、ＡＢＳ形成面と呼ぶ）は、ＡｌＴｉＣ基板２１と、Ａｌ2Ｏ3膜２２、２４と、素子２３とを含む積層体の断面に対応する。
【００１１】
ＡＢＳ形成面２５において、ＡｌＴｉＣ基板２１とＡｌ2Ｏ3膜２２、２４と素子２３とが露出しているため、ＡＢＳ形成面２５を研磨する際に、これらの要素における硬度の違いが問題となる。ＡｌＴｉＣ基板２１のＡｌ2Ｏ3相およびＴｉＣ相のビッカース硬度Ｈｖはそれぞれ２０００以上であり、アモルファスＡｌ2Ｏ3膜２２、２４および素子２３（金属）のビッカース硬度Ｈｖは７００〜９００および１００〜３００である。
【００１２】
このため、ＡＢＳ形成面２５においてもっとも広い面積を占め、ＡＢＳの主要構成部となるＡｌＴｉＣ基板２１（特にＴｉＣ相）の表面の研磨量が最適となるようにＡＢＳ形成面２５を研磨すると、ＴｉＣ相より硬度の低いＡｌ2Ｏ3膜２２、２４および素子２３が研磨されすぎてしまう。その結果、平坦であるべきＡＢＳ形成面２５において、Ａｌ2Ｏ3膜２２および２４の部分は、ＡｌＴｉＣ基板２１の部分に比べて一段低くなり、素子２３の部分はそれよりさらに低くなってしまう。
【００１３】
一般に、この段差はポールチップリセッション（以下、「ＰＴＲ」と略す）と呼ばれる。ＰＴＲの発生によって、素子と磁気記録媒体との間には余分な空隙が形成されることになる。このため、ハードディスクドライブの記録密度の向上や大容量化の妨げとなる。
【００１４】
上記のように、ＨＤＤの記録密度を高めるためには、動作中におけるスライダとディスクとの間の距離を、できるだけ精密に制御することが求められる。例えば、特許文献１には、焼結体として作製されるＡｌＴｉＣ基板の組織を適切に形成することによって、機械的な加工特性を向上させる技術が記載されている。このような加工特性に優れたＡｌＴｉＣ基板を用いれば、高い形状精度を有する磁気ヘッドを作製することができるので、ディスクに対する磁気ヘッドの浮上量を高い精度で制御することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１５】
【特許文献１】国際公開第２００８／０５６７１０号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
ＡｌＴｉＣ基板から形成されるスライダ基部の片側の面には、ＡＢＳの形状に加工するためのイオンビームエッチングやＲＩＥ（反応性イオンエッチング）等のドライエッチングが施される。このドライエッチング工程において、エッチング速度の異なる相が存在すると、ドライエッチング後の面粗度が大幅に低下するという問題が生じる場合がある。例えば、ＡｌＴｉＣ基板に含まれるＡｌ2Ｏ3相とＴｉＣ相とのエッチング量は揃えることができたとしても、第３相として例えばＡｌ2ＴｉＯ5相（チタン酸アルミ相）が生成されている場合、そのエッチング量が揃わずにドライエッチング後の面粗度が大幅に低下してしまう場合があった。
【００１７】
また、スライダのサイズが小さい場合、素子を構成するコイルに電流が流れたとき、単位体積あたりに発生する熱量が大きくなってしまうという問題がある。この場合、読み込み素子や書き込み素子が熱による膨張を起こし、磁気記録媒体側へ飛び出してしまう。上記のように、動作時における素子とディスクとの間隔はわずかに１０ｎｍ程度に設定されているので、熱膨張した素子が、磁気記録媒体と接触してしまうおそれがある。
【００１８】
この問題は、ＴＰＴＲ（Thermal Pole Tip Recession）と呼ばれ、ＡｌＴｉＣ基板部分の熱膨張率と、素子を構成する金属部分の熱膨張率との差によって生じるものであり、結果的に動作中において素子が想定以上にディスク側に近づいてしまう。このＴＰＴＲは、スライダ基板の熱伝導率が小さく素子から熱が逃げにくいほど生じ易い。ＴＰＴＲによって素子が磁気記録媒体に接触して破損した場合にはハードディスクドライブ装置が機能しなくなってしまうという重大な故障をもたらす。
【００１９】
また、素子が磁気記録媒体と接触しない場合であっても、素子の熱膨張により、磁気記録媒体と素子との間隔が変化してしまう。たとえば、素子が数ナノメートル膨張すると、磁気記録媒体と素子との間隔は１０％以上変化する。このため、書き込み特性および読み込み特性が大きく変化し、磁気記録媒体へ書き込まれる信号や磁気記録媒体から読み込まれる信号に誤りが生じる可能性がある。
【００２０】
また、ドライエッチングによって形成されたＡＢＳにおいても平滑性は重要である。ラッピング工程後の平面を形状加工して得られるＡＢＳの表面粗さのばらつきを小さくするためには、ＡｌＴｉＣ基板中に含まれる微小な気孔（マイクロポア）を低減することが好ましい。基板中の微小な気孔を低減するための技術は、特許文献１に記載されている。特許文献１には、ＡｌＴｉＣ基板のＴｉＣの格子定数が基板全体で比較的均一な場合に、微小な気孔が低減されることが記載されている。
【００２１】
このように、薄膜磁気ヘッド用のＡｌＴｉＣ基板については様々な特性が要求されるが、特に、ＴＰＴＲによる素子の突出による不具合の発生を抑制するという課題もあった。また、基板中に発生するマイクロポアを抑制してさらに平滑で凹凸ばらつきの小さい表面を有するＡＢＳを得るという課題があった。ＡＢＳの表面粗さのばらつきが少ない場合、動作時のヘッド浮上量を安定して小さいものとすることができるので、ＨＤＤの記録密度を向上させることが可能になる。
【００２２】
本発明は、上記課題を鑑みてなされたものであり、ＴＰＴＲによる不具合の発生を抑制し、かつ、マイクロポアの発生が抑制されたＡＢＳの平滑性に優れたＡｌＴｉＣ系の薄膜磁気ヘッド用基板およびこれを用いたスライダやＨＤＤを提供することをその目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２３】
本発明のある実施形態によるＡｌ2Ｏ3−ＴｉＣ系薄膜磁気ヘッド用基板は、Ａｌ2Ｏ3相とＴｉＣ相とを含み、前記Ａｌ2Ｏ3相のｃ軸の格子定数が１２．９９２Å（１．２９９２ｎｍ）以上１２．９９８Å（１．２９９８ｎｍ）以下であり、かつ、前記ＴｉＣ相の格子定数が４．３１７Å（０．４３１７ｎｍ）以上４．３２５Å（０．４３２５ｎｍ）以下である。１Å＝０．１ｎｍである。
【００２４】
ある実施形態において、前記ＴｉＣ相の格子定数が４．３１８Å（０．４３１８ｎｍ）以上４．３２５Å（０．４３２５ｎｍ）以下である。
【００２５】
ある実施形態において、前記Ａｌ2Ｏ3相のｃ軸の格子定数が１２．９９２Å（１．２９９２ｎｍ）以上１２．９９５Å（１．２９９５ｎｍ）以下であり、かつ、前記ＴｉＣ相の格子定数が４．３２０Å（０．４３２０ｎｍ）以上４．３２５Å（０．４３２５ｎｍ）以下である。
【００２６】
本発明のある実施形態による磁気ヘッドスライダは、上記のいずれかのＡｌ2Ｏ3−ＴｉＣ系薄膜磁気ヘッド用基板を用いて構成されている。
【００２７】
本発明のある実施形態によるハードディスクドライブ装置は、上記の磁気ヘッドスライダを備えている。
【発明の効果】
【００２８】
本発明によれば、熱伝導性が高く、また、マイクロポアの発生を抑制して平滑なＡＢＳを有する薄膜磁気ヘッド用基板が得られる。このような基板を用いて作製された磁気ヘッドスライダは、ディスクからの浮上量がより精度よく制御され、また、使用時におけるＴＰＴＲによる不具合の発生を防止することができる。したがって、ＨＤＤの小型化・大容量化に貢献することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】（ａ）、（ｂ）は、磁気ヘッドを示す側面図および斜視図である。
【図２】（ａ）、（ｂ）は、他の形態の磁気ヘッドを示す図である。
【図３】（ａ）はアルミナの結晶構造を示す斜視図であり、（ｂ）はαアルミナのリファレンスデータ（領域Ａ：原料として用いる粉末状態、領域Ｂ：ＡｌＴｉＣ焼結後の状態におけるＡｌ2Ｏ3相）のそれぞれにおける格子定数（ａ軸およびｃ軸）を示すグラフである。
【図４】Ａｌ2Ｏ3相のｃ軸の格子定数とＴｉＣ相の格子定数とが異なる実施例および比較例の分布を示す図である。
【図５】本発明の実施形態によるハードディスクドライブ装置の構成を示す模式的な斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
以下、図面を参照しながら本発明の実施形態を説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００３１】
本発明の実施形態による薄膜磁気ヘッド用基板は、Ａｌ2Ｏ3相とＴｉＣ相とを含むＡｌ2Ｏ3−ＴｉＣ系の基板（以下、ＡｌＴｉＣ基板という）である。本実施形態のＡｌＴｉＣ基板において、典型的には、Ａｌ2Ｏ3相がマトリクス相を形成しており、このＡｌ2Ｏ3マトリクス相中にＴｉＣ相が分散された組織が形成されている。
【００３２】
ここで、Ａｌ2Ｏ3相は、Ａｌ2Ｏ3結晶およびＡｌ2Ｏ3結晶を構成する元素の一部が他の元素で置換された結晶からなる相である。また、ＴｉＣ相は、ＴｉＣ結晶およびＴｉＣ結晶を構成する元素の一部が他の元素で置換された結晶からなる相である。
【００３３】
なお、Ａｌ2Ｏ3相とＴｉＣ相とは、例えば、光学顕微鏡やＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）による観察などから容易に識別することができる。このように識別されたＡｌ2Ｏ3相およびＴｉＣ相において、Ａｌ2Ｏ3相の格子定数およびＴｉＣ相の格子定数は、後述するように、Ｘ線回折を用いて求められる。
【００３４】
ここで、本実施形態の薄膜磁気ヘッド用基板では、Ａｌ2Ｏ3相のｃ軸の格子定数が１２．９９２Å以上１２．９９８Å以下に設定されている。なお、Ａｌ2Ｏ3（酸化アルミニウム（ＩＩＩ））は、一般にアルミナ（αアルミナ）と称されることがある。本明細書においても、Ａｌ2Ｏ3をアルミナと称することがある。
【００３５】
なお、本明細書において、アルミナ相およびＴｉＣ相の格子定数は、ＡｌＴｉＣ基板中で完全に一様ではなく、測定場所によってわずかに差があっても良いが、この場合、基板の異なる場所を数点以上測定した平均の値を、そのＡｌＴｉＣ基板における格子定数と見なしてよい。
【００３６】
ここでアルミナ相の格子定数について説明する。アルミナ結晶は三方晶系の結晶構造を有しているが、図３（ａ）に示すように、擬似的に六方晶に近似しており、a軸とc軸にて格子定数を示すことができる。図３（ｂ）に示すように、コランダム構造を有するαアルミナでは、ａ軸の格子定数が４．７５４Åであり、ｃ軸の格子定数が１２．９８２Åであることが知られている。
【００３７】
ただし、図３（ｂ）の領域Ａとして示すように、ＡｌＴｉＣ基板を作製するためのアルミナの原料粉末において、格子定数はａ軸およびｃ軸のそれぞれにおいて、より大きいものとなる。これは、鉱石からアルミナ原料粉末を製造する工程において、Ｎａ、Ｍｇ、ＣａなどのＡｌおよびＯ以外の不純物の元素が残存することによって生じる現象であると考えられる。これらの原子半径はいずれもＡｌの原子半径よりも大きいために、上記の不純物の元素で置換されるほど、結晶格子は大きくなる傾向がある。
【００３８】
また、後述するが、焼結助剤としてのＭｇＯやＹ2Ｏ3などを原料の粉末状態のアルミナおよびＴｉＣに添加して焼結工程を行うことによって、焼結性を高めてＡｌＴｉＣ基板を作製する場合がある。このように焼結助剤を添加すると、焼結工程において、Ａｌ原子の一部と他の元素が置換される。その結果、作製されたＡｌＴｉＣ基板において、図３（ｂ）の領域Ｂとして示すように、ＡｌＴｉＣ基板におけるＡｌ2Ｏ3相の格子定数がａ軸およびｃ軸のそれぞれにおいてさらに大きくなることがある。
【００３９】
以上に説明したように、ＡｌＴｉＣ基板におけるＡｌ2Ｏ3相の格子定数は、製造工程中の種々の要因で変動し得る。そこで、本発明者は、従来検討されていなかったＡｌ2Ｏ3相のｃ軸の格子定数に着目し、磁気ヘッドスライダとして用いる場合のＡｌＴｉＣ基板において、Ａｌ2Ｏ3相のｃ軸の格子定数がＡＢＳの形成やＴＰＴＲの抑制にどのように影響するかについて鋭意実験および検討を行った。また、ＴｉＣ相の格子定数にも着目し、Ａｌ2Ｏ3相のｃ軸の格子定数との組み合わせで、ＡＢＳの形成やＴＰＴＲの抑制にどのように影響するかについて鋭意実験および検討を行った。
【００４０】
その結果、上記のように、Ａｌ2Ｏ3相のｃ軸の格子定数を１２．９９２Å以上１２．９９８Å以下の範囲に設定するとともに、ＴｉＣ相の格子定数を４．３１７Å以上４．３２５Å以下にした場合において、焼結後のＡｌＴｉＣ基板中に発生するマイクロポアが抑制され、より平滑なＡＢＳを形成できることがわかった。また、上記のようにＡｌ2Ｏ3相のｃ軸の格子定数およびＴｉＣ相の格子定数が設定されていれば、ＴＰＴＲによる不具合の発生をより確実に防止し得ることがわかった。ここで、ＴｉＣ結晶はＮａＣｌ型の結晶（立方晶系）であり、結晶中での各方位における格子定数が同じ値（すなわちａ軸の格子定数として表される値）を取る。本明細書において、ＴｉＣ相の格子定数は上記の値を指す。
【００４１】
ＡｌＴｉＣ基板におけるＴｉＣ相の格子定数が４．３１７Å〜４．３２５Åの範囲であるような場合、マイクロポアの個数を低減できるが、これは、ＴｉＣ相においてＯやＮなどを含まないＴｉＣ結晶に近い組織構造が形成されている場合に比べて、ＴｉＯｘやＴｉＮなどを添加すると上記のような範囲にＴｉＣ相の格子定数は低下するが、このとき、添加したＴｉＯｘなどにより焼結性が格段に向上し、その結果、緻密な焼結体が形成されてマイクロポアの発生が防止されたものと考えられる。なお、ＯやＮは、添加物からだけでなく、焼結雰囲気からＴｉＣ相のＣの一部と置換する形で供給されてもよく、この場合にも、焼結性を向上させることができる。
【００４２】
ただし、添加物や焼結雰囲気によって取り込まれるＯやＮの量が多すぎ、焼結後におけるＴｉＣ相の格子定数が４．３１７Åを下回るような場合にもマイクロポアはかえって生じ易くなることがわかった。これは、ＴｉＣ相がＯやＮを取り込む際に、置換されたＣが例えばＣＯガスとして焼結工程中に排出され、この量が多い時にはガスが焼結体に残存し、これによって、マイクロポアが形成されるからであると考えられる。
【００４３】
このため、ＡｌＴｉＣ基板におけるＴｉＣ相中のＯやＮの含有量が一定の範囲内にあり、焼結後のＴｉＣ相の格子定数が４．３１７Å〜４．３２５Åの範囲となるような場合にマイクロポアの発生が低減される。マイクロポアが少ない場合、イオンビームエッチングやイオンミリング等のドライエッチングプロセスによってＡｌＴｉＣ基板の表面にＡＢＳを形成した後にも、表面粗さのばらつきが少ない状態が維持されるので、使用時にパーティクルポケット（パーティクルが挟まる隙間）に異物が巻き込まれて、ＨＤＤがクラッシュする恐れが少なくなる。
【００４４】
マイクロポアを低減するという観点からは、ＴｉＣ相の格子定数が、４．３１７Å以上４．３２５Å以下であることが好ましく、４．３１８Å以上４．３２５Å以下であることがより好ましく、４．３２０Å以上４．３２５Å以下であることがさらに好ましい。
【００４５】
また、Ａｌ2Ｏ3相のｃ軸の格子定数が１２．９９２Å以上１２．９９８Å以下の範囲に設定され、かつ、ＴｉＣ相の格子定数が４．３１７Å以上４．３２５Å以下に設定されている場合において、熱伝導率は例えば２０Ｗ／（ｍ・Ｋ）〜２６Ｗ／（ｍ・Ｋ）程度であり、比較的高いものであることが確認された。
【００４６】
この場合、書き込みまたは読み込み動作中に発生した熱が、比較的容易にＡｌＴｉＣ基板を介して外部に放出されるため、ＴＰＴＲによって動作時に熱膨張した素子がディスクに近接しすぎることがなく、ディスクとの接触により磁気ヘッドが破損することが防止される。一般に、素子を構成する金属としては、Ｆｅ、Ｃｏ、ＮｉまたはＦｅ−Ｐｔ材などが主に使われており、いずれの熱膨張係数もＡｌＴｉＣ基板の２〜３倍と比較的大きい。このため、動作中の熱によって素子の膨張が生じ易いが、Ａｌ2Ｏ3相のｃ軸の格子定数およびＴｉＣ相の格子定数が上記範囲にあるようなＡｌＴｉＣ基板を用いることによって、スライダの放熱特性を向上させることができ、ＴＰＴＲによる不具合の発生を効果的に抑制することができる。
【００４７】
特に、Ａｌ2Ｏ3相のｃ軸の格子定数が１２．９９２Å以上１２．９９５Å以下であり、かつ、ＴｉＣ相の格子定数が４．３２０Å以上４．３２５Å以下である場合、熱伝導率が２３Ｗ／（ｍ・Ｋ）〜２６Ｗ／（ｍ・Ｋ）となり、動作時に素子から熱が逃げやすくなるので、ＴＰＴＲによる不具合の発生を効果的に抑制できることがわかった。
【００４８】
なお、マイクロポアの発生個数を調べたところ、ＴｉＣ相の格子定数が上記のように４．３１７Å以上４．３２５Å以下の範囲内にある場合においては、Ａｌ2Ｏ3相のｃ軸の格子定数が上記範囲より小さい１２．９９１Å（かつ、ＴｉＣ相の格子定数が、４．３１７Åおよび４．３２５Å）であるときにも０個／９００μｍ2であり、また、上記範囲よりも大きい１２．９９９Å（かつ、ＴｉＣ相の格子定数が４．３２２Å）のときにも０個／９００μｍ2であることが本発明者によって確認された。したがって、ＴｉＣ相の格子定数が４．３１７Å以上４．３２５Å以下であるときには、Ａｌ2Ｏ3相のｃ軸の格子定数は、１２．９９１Å以上１２．９９９Å以下のより広い範囲において、マイクロポアの発生が効果的に抑制され得ることがわかった。
【００４９】
また、Ａｌ2Ｏ3相のｃ軸の格子定数が比較的大きい場合、切断加工性が向上するので生産性を高めることができる。これは、ＡｌおよびＯ以外の元素の含有量が比較的多いＡｌＴｉＣ基板の焼結体が作製され、アルミナ相に歪みが生じることで、クラックが進展しやすくなり、その結果、切断加工が促進されるためであると考えられる。本発明者の実験によれば、Ａｌ2Ｏ3相のｃ軸の格子定数が１２．９９２Å以上であれば、１２．９９２Å未満の場合に比べて切断加工性が向上することがわかった。従って、例えば、Ａｌ2Ｏ3相のｃ軸の格子定数を１２．９９２Å以上１２．９９８Å以下にするとともに、ＴｉＣ相の格子定数を４．３１７Å以上４．３２５Å以下にすれば、生産性を向上させながら、マイクロポアの発生を抑制することが可能になる。
【００５０】
なお、切断加工性とは、ＡｌＴｉＣ基板を切断してロウバーやチップにするときの切断加工の容易性を示している。また、切断加工性は、例えば、切断時における抵抗値が所定値に達するまでに切断可能な切断本数によって評価することができる。切断本数が高いほど、生産性が高いことを意味する。
【００５１】
上記のように、本実施形態の薄膜磁気ヘッド用基板では、ＡｌＴｉＣ基板におけるＴｉＣ相の格子定数が、４．３１７Å以上４．３２５Å以下に設定される。ここで、ＴｉＣ相は、ＴｉＣ0.5〜ＴｉＣ1.0までの組成比を有していて良い。Ｔｉに対するＣの量が少ないほど、形成されるＴｉＣ相の格子定数は低下する傾向にある。また、ＴｉＣ相のＣの一部をＯ（酸素）および／またはＮ（窒素）と置換することによって格子定数は低くなる。なお、化学量論比に近いＴｉＣの組成比を有する原料粉末（現実的に入手可能であるＴｉＣの原料粉末であり、Ｔｉに対するＣの原子比率が０．９５程度のもの）における格子定数は４．３２７Å〜４．３３０Å程度である。
【００５２】
ＡｌＴｉＣ基板におけるＴｉＣ相の格子定数を４．３１７Å以上４．３２５Å以下に設定するためには、例えば、Ｔｉに対するＣの原子比率が１．０未満のもので、所定範囲の原子比率を有するものを原料粉末として選択すればよい。あるいは、添加物として用いられるＴｉＯ2（またはＴｉＯｘ（ｘは０．５以上１未満）、Ｔｉ2Ｏ3、Ｔｉ3Ｏ5など）や、ＴｉＮの量を調節することによっても、ＴｉＣ相の格子定数を適切な範囲に設定することができる。さらに、焼結雰囲気中の酸素分圧や窒素分圧を適切に調節することによってもＴｉＣ相の格子定数を調節することができる。
【００５３】
ここで、上記の４．３１７Å以上４．３２５Å以下という範囲は、化学量論比に近いＴｉＣ相における格子定数（４．３２７Å〜４．３３０Å程度）に比較的近い範囲である。ＡｌＴｉＣ基板においてこのような範囲にＴｉＣ相の格子定数を設定するためには、例えば、Ｔｉに対するＣの原子比率が比較的大きいＴｉＣ原料粉末を用いてもよく、具体的には、ＴｉＣ0.85〜ＴｉＣ0.95程度の原料粉末を用いても良い。また、上記のＴｉＯ2系やＴｉＮなどの添加物の量を少なめにすればよい（例えば、ＴｉＣ粉末と添加物との合計質量１００％に対して添加物が２．８〜１４質量％程度）。また、原料粉末の混合、粉砕、乾燥や造粒時における、水や空気などからの酸素の取り込み量を低減する方法や、焼結の際の雰囲気中のＮ2分圧やＯ2分圧を１３ｋＰａ〜９０ｋＰａの範囲として、窒素量、酸素量を低減する方法を用いても良い。
【００５４】
なお、熱伝導率および切断加工性は、焼結体におけるＡｌ2Ｏ3相とＴｉＣ相との比率を所定の範囲内にすることによっても、制御することができる。具体的には、Ａｌ2Ｏ3相の比率を比較的小さくすることで、熱伝導率をより低くすることができる。また、ＴｉＣ相の比率を比較的大きくすることで切断加工性は向上する。
【００５５】
本実施形態において、ＴＰＴＲを効果的に防止しつつ切断加工性を向上させるためには、焼結後におけるアルミナ相とＴｉＣ相との比率が適切な範囲にあればよく、このために、焼結用混合粉末の段階で、ＴｉＣ相を形成するために用いられる原料粉末（例えば、ＴｉＣ粉末およびＴｉＯ2粉末）の総量が、全体の２５〜５０質量％であり、アルミナ相を形成するために用いられる原料粉末（例えば、アルミナ粉末）が残部であるような質量比が好ましく、ＴｉＣ相を形成するために用いられる原料粉末の総量が全体の３０〜５０質量％であることがさらに好ましい。
【００５６】
また、得られたＡｌＴｉＣ基板にＡＢＳを形成するためにイオンミリングやイオンビームエッチング等のドライエッチングが施されるが、上記のようにＡｌ2Ｏ3相のｃ軸の格子定数が１２．９９２Å以上１２．９９８Å以下であり、ＴｉＣ相の格子定数が４．３１７Å以上４．３２５Å以下である場合には、エッチング速度の異なる相が生成されにくく、ドライエッチング後の面粗度の低下が防がれることが確認できた。
【００５７】
以下、本発明の実施形態によるＡｌＴｉＣ基板の製造方法を説明する。
【００５８】
まず、原料粉末としてのアルミナの粉末と、ＴｉＣの粉末と、ＴｉＯ2の粉末とを準備する。各原料粉末は、ボールミルなどを用いて、所望の平均粒子径を持つように粉砕される。アルミナの粉末、ＴｉＣの粉末、およびＴｉＯ2の粉末のそれぞれの平均粒子径は、例えば、０．２〜０．６μｍ、０．０２〜１．０μｍ、０．０２〜０．２μｍである。なお、本明細書において、「平均粒子径」は、レーザー回折法により求められる、ｄ５０平均粒子径（累積５０％のメジアン径）を意味する。
【００５９】
また、粉末ごとに別個に粉砕工程を行うことなく、混合と粉砕を同時に行なってもよい。混合・粉砕工程は、ボールミルの他、振動ミル、コロイドミル、アトライター、高速ミキサー等を用いて行うことができる。
【００６０】
ここで、焼結後のＴｉＣ相の格子定数を大きくするためには、ＴｉＣの原料粉末における酸素の取り込み量を低減することが好ましいが、混合・粉砕工程においては、使用するミルの回転数が高いほど、また、粉砕時間が長いほど、ＴｉＣ粉末の粉砕が進行して表面酸化が進む。したがって、ＴｉＣ原料粉末に含まれる酸素量を低減するためには、ミルの回転数が高くなりすぎないようにし、また、粉砕時間を長くし過ぎないことが好ましい。これにより、ＴｉＣ原料粉末の表面酸化により導入される酸素量を低減することができ、焼結中にＴｉＣ結晶格子に固溶する酸素を少なくして、焼結後のＴｉＣ相における格子定数の低下を防ぐことができる。
【００６１】
アルミナ粉末の平均粒子径を０．２μｍ〜０．６μｍにする理由は、０．２μｍ未満では成形性が低下し、焼結工程が適切に行えない可能性があるからである。また、０．６μｍを超えると、焼結体の緻密化が十分にならずに、強度が不足するおそれがあるからである。
【００６２】
また、ＴｉＣ粉末の平均粒子径を０．０２μｍ〜１．０μｍにする理由は、０．０２μｍ未満では成形性が低下しやすく焼結工程が適切に行えない可能性があり、１．０μｍを超えると焼結性が低下して、緻密な焼結体が得られなくなるおそれがあるからである。
【００６３】
次に、各粉末を所定の割合で混合し、例えば湿式粉砕を行うことでスラリーを形成し、これを乾燥することによって焼結用混合粉末を得ることができる。ここで、焼結用混合粉末において、Ａｌ2Ｏ3粉末とＴｉＣ粉末とＴｉＯ2粉末との合計質量を１００質量％とし
たとき、Ａｌ2Ｏ3粉末の質量％は、例えば５０質量％以上７５質量％以下である。また、ＴｉＣ粉末とＴｉＯ2粉末との合計質量％は、例えば、２５質量％以上５０質量％以下で
ある。また、ＴｉＣ粉末とＴｉＯ2粉末との合計質量を１００質量部としたとき、ＴｉＣ
粉末の質量比は、例えば、９０質量部以上９７．２質量部以下であり、ＴｉＯ2粉末の質
量比は、例えば、２．８質量部以上１０質量部以下である。
【００６４】
なお、上記のＴｉＣ粉末およびＴｉＯ2粉末以外に、焼結後にＴｉＣ相を形成するための粉末材料（例えば、ＴｉＮ粉末）を用いる場合には、ＴｉＣ相を形成するための粉末材料の合計質量が、上記のＡｌ2Ｏ3粉末との合計である１００質量％に対して、２５質量％以上５０質量％以下の範囲にあってよい。
【００６５】
また、上記の混合工程において、焼結助剤として用いられるＭｇＯやＹ2Ｏ3などを添加しても良い。これらの焼結助剤の量は、焼結後におけるアルミナ相のｃ軸の格子定数に影響し得るが、本実施形態では、焼結助剤以外を１００質量％とした場合に、例えば、５００ｐｐｍ〜１０００ｐｐｍであってもよく、５００ｐｐｍ〜７００ｐｐｍであってもよい。
【００６６】
次に、スプレイドライヤ、圧縮造粒機、押し出し造粒機等を用いて、上記の焼結用混合粉末を顆粒にする。そして、得られた顆粒状の焼結用混合粉末を金型でプレス成形して、成形体（圧粉体）を得る。なお、上記の顆粒状の焼結用混合粉末を乾式加圧成形法や冷間等方静水圧成形法によって成形することで成形体を作製してもよい。
【００６７】
このようにして作製された成形体を、例えば、ホットプレス焼結するか、非酸化雰囲気中での常圧焼結または雰囲気加圧焼結を行うことで、焼結体としてのＡｌＴｉＣ基板を得ることができる。また、これらの工程に熱間静水圧プレス（ＨＩＰ）処理をさらに加えてもよい。
【００６８】
なお、ホットプレス装置を用いる場合には、例えば、アルゴン、ヘリウム、ネオン、窒素、真空等の雰囲気中で、１４００℃以上１８００℃以下の温度にて加圧焼結を行えばよい。焼結温度を１４００℃以上１８００℃以下に設定する理由は、１４００℃未満では十分に焼結できないおそれがあり、また、１８００℃を超えるとアルミナ結晶およびＴｉＣの結晶の粒成長が顕著になって、加工後の面粗さを低くできなくなる上に、機械的特性が大きく下がるおそれがあるからである。
【００６９】
この焼結工程において、焼結後に形成されるＴｉＣ相の格子定数が４．３１７Å以上４．３２５Å以下の範囲となるようにするために、焼結の際の雰囲気中のＮ2分圧やＯ2分圧を１３ｋＰａ〜９０ｋＰａの範囲として、焼結体に取り込まれる窒素量、酸素量を低減してもよい。
【００７０】
加圧焼結を行えば、緻密な焼結体を作製し、強度が良好なＡｌＴｉＣ基板を得ることができる。なお、上記のように加圧焼結工程を行った後に、熱間等方加圧焼結（ＨＩＰ）をさらに行なってもよい。例えば、ｌ５０ＭＰａ以上２００ＭＰａ以下の圧力を加え、１３５０℃以上１７００℃以下の温度で熱間等方加圧焼結を行なうことで、抗折強度を７００ＭＰａ以上にすることができる。特に、マイクロポアを減らすために、温度１５００℃以上１７００℃以下で熱間等方加圧焼結（ＨＩＰ）を行なってもよい。
【００７１】
得られたＡｌＴｉＣ基板の基板面に対して、公知の薄膜堆積プロセスによって複数の素子や、絶縁膜（例えばＡｌ2Ｏ3膜）を形成する。さらに、図２（ｂ）に示すように、素子２３が形成されたＡｌＴｉＣ基板２１をダイシングソーなどを用いて棒状（ロウバー）に切断した後、切断面（素子２３形成面に対して垂直な側面）をラッピングすることによって厚さを調節するとともに平滑な面を形成する。さらに、イオンミリング法などによって、平滑化された面において空気流に適合するＡＢＳを形成し、最後にチップに切断することによってスライダを作製することができる。
【００７２】
なお、ＡＢＳは、イオンミリング法や反応性イオンエッチング法などのドライエッチング工程において加工条件を適宜選択することで、所望の形状に形成され得る。例えば、ＡＢＳの平均粗さＲａ（本明細書においては、ＪＩＳ規格番号ＪＩＳ  Ｂ  ０６０１:１９４４、ＪＩＳ  Ｂ  ００３１：１９９４にて定義されている算術平均粗さＲａを意味する）を２５ｎｍ以下にするためには、イオンミリング法において、加速電圧を６００Ｖに設定し、Ａｒイオンを用いて１８ｎｍ／分のミリングレートで７５〜１２５分間加工すればよく、反応性イオンエッチング法においては、ＡｒガスおよびＣＦ4ガスをそれぞれ流量３．４Ｘ１０-2Ｐａ・ｍ3／ｓおよび１．７Ｘ１０-2Ｐａ・ｍ3／ｓとして混合ガスの圧力が０．４Ｐａとなる条件で加工を行えばよい。
【００７３】
以下、本発明の実施例および比較例を説明する。
【００７４】
下記の表１は、本発明の実施例の試料Ｎｏ．１〜１６および比較例の試料Ｎｏ．１０１〜１１１として、原料粉末としてのアルミナ粉末、ＴｉＣ粉末、ＴｉＯ2粉末の組成比（いずれも質量％）および焼結助剤としてのＭｇＯ粉末の量（アルミナ粉末、ＴｉＣ粉末、ＴｉＯ2粉末の合計質量を１００質量部としたときの外部質量部）が異なる試料を示す。
【００７５】
また、各試料について、焼結体における格子定数（アルミナ相のｃ軸の格子定数およびＴｉＣ相の格子定数）を示す。さらに、評価項目として、熱伝導率（Ｗ／（ｍ・Ｋ））、マイクロポア発生個数（個）、および切断加工性（本数）を示す。ここで、熱伝導率が２０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上となる場合をＴＰＴＲ特性が良好なスライダとして扱う。また、マイクロポアの個数／９００μｍ2が１個以下の場合に、マイクロポアが抑制されたＡｌＴｉＣ基板が得られたものとして扱う。また、切断時の切断抵抗が０．４ｋＷ以下で３０本切断できた試料を切断加工性（生産性）に優れたスライダとして扱うこととした。３０本切断以前に切断抵抗が０．４ｋＷに達した試料については、その時点で切断できた本数を表１に示している。なお、３０本というのはダイシングソーなどを用いて切断する際の、標準的なドレス（目直し）間隔である。切断本数が３０本に満たない場合、比較的高い頻度でドレッシングを行うことが必要となり、生産速度を十分に向上させることが困難になる。
【００７６】
【表１】
0006563709.tif 000002
【００７７】
本実施例Ｎｏ．１〜Ｎｏ．１６および比較例Ｎｏ．１０１〜１１１において、アルミナ原料粉末としては、コランダム型のαアルミナに近いものが利用されており、そのｃ軸の格子定数が１２．９８３Åであった。このような格子定数を有するアルミナ原料粉末は、不純物としてのＮａ、Ｍｇ、Ｃａなどを１０〜８００ｐｐｍ程度含むものであってよい。ただし、表１に示すように焼結助剤として添加するＭｇＯの添加量に応じて、焼結体（ＡｌＴｉＣ基板）におけるアルミナ相のｃ軸の格子定数は変化する。
【００７８】
なお、各種組成の試料における格子定数は、次の方法で測定した。即ち、各試料より３０ｍｍ×３０ｍｍ×１ｍｍ程度の大きさの試験片を１０枚切り出し、切り出した各試料にＣｕターゲットのＫ特性Ｘ線を管電圧４５ｋＶ、管電流４０ｍＡで照射し、回折角２θ＝２０°〜８０°の範囲で、ステップサイズ０．０１７°、スキャンスピード０．４２°／ｓｅｃでスキャンして得られたＸ線回折パターンをＰＡＮａｌｙｔｉｃａｌ社製Ｘ’Ｐｅｒｔ  Ｈｉｇｈ  Ｓｃｏｒｅ  Ｐｌｕｓのリートベルト解析プログラムを用いることにより、Ａｌ2Ｏ3相およびＴｉＣ相の格子定数を求める。必要に応じて、得られたＸ線回折パターンに対して、Ｋα分離、バックグラウンド除去、スムージングなどのデータ処理を施しても良い。この手法により、切り出したそれぞれの試験片の任意の１０箇所で測定を行ない、１０枚×１０箇所の平均値を算出して各試料の格子定数値とした。
【００７９】
また、マイクロポアの個数は、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）により撮影された９００μｍ2（３０μｍ×３０μｍ）の像の中に、φ０．２μｍ以上のサイズの空隙部が存在する場合、その数をカウントし、マイクロポアの個数とした。
【００８０】
図４は、各試料についてのアルミナ相のｃ軸の格子定数とＴｉＣ相の格子定数との分布を示している。なお、図４において、横軸はアルミナ相のｃ軸の格子定数であり、縦軸はＴｉＣ相の格子定数である。
【００８１】
表１および図４からわかるように、アルミナ相のｃ軸の格子定数が１２．９９２Å以上１２．９９８Å以下の範囲内にあり、かつ、ＴｉＣ相のｃ軸の格子定数が４．３１７Å以上４．３２５Å以下の範囲内にある試料Ｎｏ．１〜Ｎｏ．１６の実施例においては、熱伝導率が比較的高く、また、マイクロポアの発生も好適に抑制されていることが確認された。これにより、ＴＰＴＲによる不具合の発生が効果的に防止され、また、平滑なＡＢＳを形成することができる。さらに、実施例では、切断加工性も優れており、生産性を向上させることが可能であることが確認された。
【００８２】
また、表１には示していないが、試料Ｎｏ．１〜Ｎｏ．１６では、焼結体においてアルミナ相およびＴｉＣ相以外のエッチング速度の異なる相（第３の相）が生成されておらず、ＡＢＳ形成のためのドライエッチング後にも面粗度の低下が防止されることが確認できた。
【００８３】
また、特に、ＴｉＣ相の格子定数が４．３１８Å以上４．３２５Å以下の範囲内にある場合、マイクロポアの個数が０個／９００μｍ2でありＡＢＳの平滑性を高めるのに好適であることがわかった。
【００８４】
また、特に、Ａｌ2Ｏ3相のｃ軸の格子定数が１２．９９２Å以上１２．９９５Å以下であり、かつ、前記ＴｉＣ相の格子定数が４．３２０Å以上４．３２５Å以下である場合には、熱伝導性を高めるのに好適であることがわかった。
【００８５】
以上、本発明の実施形態による薄膜磁気ヘッド用基板について説明したが、上記の磁気ヘッド用基板を用いて作製された磁気ヘッドスライダを利用して、公知の方法によってハードディスクドライブ装置を作製することができる。
【００８６】
図５に示すように、本発明の実施形態によるハードディスクドライブ装置１００は、例えば、上記に説明した構成を有する磁気ヘッドスライダ２と、磁気ディスク（プラッタ）４と、磁気ディスク４を回転させるモータ６と、磁気ディスク４に対する磁気ヘッドスライダ２の位置決めや磁気ヘッドスライダ２による書き込み／読み出し動作などを制御する制御装置８などを備える。制御装置８は、外部からの読み書き信号に応じて、ヘッドスライダ２をプラッタ４上の特定の位置に移動させるように構成されていてよい。このハードディスクドライブ装置において、書き込み／読み出し動作中における高記録密度での記録を実現することができる。
【産業上の利用可能性】
【００８７】
本発明の実施形態によるＡｌ2Ｏ3−ＴｉＣ系薄膜磁気ヘッド用基板は、高記録密度を実現するハードディスクドライブにおいて好適に用いられる。
【符号の説明】
【００８８】
２  磁気ヘッドスライダ
４  プラッタ
６  モータ
８  制御装置
１０  薄膜磁気ヘッドスライダアセンブリ
１１  基板
１２、２３  素子
１３  ディスク
１４  ジンバル
２０  薄膜磁気ヘッドスライダ
２１  ＡｌＴｉＣ基板
２２、２４  Ａｌ2Ｏ3膜
２５  ＡＢＳ形成面
１００  ハードディスクドライブ装置
【図１】
0006563709.tif 000003
【図２】
0006563709.tif 000004
【図３】
0006563709.tif 000005
【図４】
0006563709.tif 000006
【図５】
0006563709.tif 000007