(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を支持する支持表面および反対側の第２の表面を有する誘電体ディスクであり、少なくとも１つのチャッキング電極がその中に配された誘電体ディスクと、
前記誘電体ディスクの下方に配された高周波（ＲＦ）バイアス板と、
前記高周波（ＲＦ）バイアス板の下方に配され、前記誘電体ディスクを加熱するための複数のランプと、
前記複数のランプの下方に配され、前記複数のランプによって生み出された熱を吸収するための金属板と、
前記誘電体ディスクを前記高周波（ＲＦ）バイアス板に対して離隔された関係で支持するように前記誘電体ディスクの前記第２の表面にその第１の端部が結合され、前記誘電体ディスクから離れる方向へ延びて前記高周波（ＲＦ）バイアス板および前記金属板を貫くシャフトと、
前記シャフトに結合され、前記シャフトおよび前記誘電体ディスクを、前記高周波（ＲＦ）バイアス板、前記複数のランプおよび前記金属板に対して回転させるための回転アセンブリと
を備える静電チャック。
【請求項２】
バイポーラ静電チャックである、請求項１に記載の静電チャック。
【請求項３】
前記高周波（ＲＦ）バイアス板、前記複数のランプおよび前記金属板を含むハウジング
をさらに備える、請求項１に記載の静電チャック。
【請求項４】
前記金属板の外径と前記ハウジングの内面との間に配された隙間
をさらに含み、前記隙間が、前記複数のランプからの熱を前記金属板が吸収したときに前記金属板の熱膨張によって前記金属板の前記外径が前記ハウジングの前記内面と接触するようにサイズ設定される、
請求項３に記載の静電チャック。
【請求項５】
前記高周波（ＲＦ）バイアス板が前記誘電体ディスクと前記複数のランプの間に配された、請求項１に記載の静電チャック。
【請求項６】
前記高周波（ＲＦ）バイアス板が、前記複数のランプから放出された熱が前記誘電体ディスクを加熱することを可能にするための複数の開口を含む、請求項５に記載の静電チャック。
【請求項７】
前記複数のランプがハロゲンランプを含む、請求項１から６のいずれかに記載の静電チャック。
【請求項８】
前記複数のランプが、ランプの内側アレイと、独立に制御可能なランプの外側アレイとを含む、請求項１から６のいずれかに記載の静電チャック。
【請求項９】
前記回転アセンブリが磁気回転アセンブリである、請求項１から６のいずれかに記載の静電チャック。
【請求項１０】
前記磁気回転アセンブリが、前記シャフトの前記第１の端部とは反対側の第２の端部の近くの前記シャフトの下部に取り付けられた内側磁石と、前記内側磁石の周りに配され、前記内側磁石の回転を駆動するための外側磁石とを含む、請求項９に記載の静電チャック。
【請求項１１】
前記シャフトの周りに配された軸受アセンブリ
をさらに備える、請求項１から６のいずれかに記載の静電チャック。
【請求項１２】
前記軸受アセンブリを通して電力を送って、前記少なくとも１つのチャッキング電極に電力を供給することができるように、前記軸受アセンブリが、前記チャッキング電極に電気的に結合された、請求項１１に記載の静電チャック。
【請求項１３】
前記少なくとも１つのチャッキング電極に結合された導体の周りに配されたインダクタフィルタであり、前記少なくとも１つのチャッキング電極とのＲＦ干渉を最小限に抑えるためのインダクタフィルタ
をさらに備える、請求項１から６のいずれかに記載の静電チャック。
【請求項１４】
前記誘電体ディスクの前記支持表面を貫いて移動可能に配された複数のリフトピンを含むリフトピンアセンブリ
をさらに備える、請求項１から６のいずれかに記載の静電チャック。
【請求項１５】
前記複数のリフトピンのうちの少なくとも１本のリフトピンが、前記誘電体ディスクの温度を測定するための高温計を含む、請求項１４に記載の静電チャック。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示の実施形態は一般に、マイクロエレクトロニックデバイス（ｍｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ  ｄｅｖｉｃｅ）製造プロセスにおいて基板を保持する目的に使用される静電チャック（ｅｌｅｃｔｒｏｓｔａｔｉｃ  ｃｈｕｃｋ）に関する。
【背景技術】
【０００２】
一部のデバイス（例えばＳＴＴ−ＲＡＭ）を基板上に形成する際には、物理的気相堆積（ＰＶＤ）チャンバなどの堆積チャンバ内において複数の薄膜層を堆積させる必要がある。いくつかの実施形態では、良好な膜均一性を得るために、堆積プロセス中に基板を回転させる必要がある。一部の層の堆積ではさらに基板を加熱することが必要となる。さらに、堆積プロセスでは高真空圧力（ｈｉｇｈ  ｖａｃｕｕｍ  ｐｒｅｓｓｕｒｅ）が必要である。堆積プロセスの間、基板を基板支持体上に静電的に保持するため、静電チャックがしばしば使用される。従来、静電チャックは、１つまたは複数の電極がその中に配されたセラミックの本体を備える。典型的な静電チャックは、基板移送を容易にするために垂直方向に上下に移動するだけである。しかしながら、このような移動の制限が、オフアクシス堆積（ｏｆｆ−ａｘｉｓ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）のためにこれらの従来の静電チャックを使用することを妨げることに本発明の発明者は気付いた。これは、従来の静電チャックを使用すると、基板上での堆積が不均一になるためである。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
したがって、本発明の発明者は、改良された回転可能な加熱された（以後、被加熱）静電チャックの実施形態を提供した。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本明細書では、回転可能な被加熱静電チャックの実施形態が提供される。いくつかの実施形態では、静電チャックが、基板を支持する支持表面および反対側の第２の表面を有する誘電体ディスクであり、少なくとも１つのチャッキング電極がその中に配された誘電体ディスクと、誘電体ディスクの下方に配された高周波（ＲＦ）バイアス板と、ＲＦバイアス板の下方に配され、誘電体ディスクを加熱するための複数のランプと、前記複数のランプの下方に配され、前記複数のランプによって生み出された熱を吸収するための金属板と、誘電体ディスクをＲＦバイアス板に対して離隔された関係で支持するように誘電体ディスクの第２の表面にその第１の端部が結合され、誘電体ディスクから離れる方向へ延びてＲＦバイアス板および金属板を貫くシャフトと、シャフトに結合され、シャフトおよび誘電体ディスクを、ＲＦバイアス板、複数のランプおよび金属板に対して回転させるための回転アセンブリとを含む。
いくつかの実施形態では、静電チャックが、基板を支持する支持表面および反対側の第２の表面を有する誘電体ディスクであり、少なくとも１つのチャッキング電極がその中に配された誘電体ディスクと、誘電体ディスクの下方に配された高周波（ＲＦ）バイアス板と、前記少なくとも１つのチャッキング電極に結合された導体の周りに配されたインダクタフィルタ（ｉｎｄｕｃｔｏｒ  ｆｉｌｔｅｒ）であり、前記少なくとも１つのチャッキング電極とのＲＦ干渉を最小限に抑えるためのインダクタフィルタと、ＲＦバイアス板の下方に配され、誘電体ディスクを加熱するための複数のランプと、前記複数のランプの下方に配され、前記複数のランプによって生み出された熱を吸収するための金属板と、誘電体ディスクをＲＦバイアス板に対して離隔された関係で支持するように誘電体ディスクの第２の表面にその第１の端部が結合され、誘電体ディスクから離れる方向へ延びてＲＦバイアス板および金属板を貫くシャフトと、シャフトに結合された磁気回転アセンブリであり、シャフトおよび誘電体ディスクを、ＲＦバイアス板、複数のランプおよび金属板に対して回転させるための磁気回転アセンブリとを含み、磁気回転アセンブリが、シャフトの第１の端部とは反対側の第２の端部の近くのシャフトの下部に取り付けられた内側磁石と、内側磁石の周りに配され、内側磁石の回転を駆動するための外側磁石とを含む。
【０００５】
いくつかの実施形態では、静電チャックが、基板を支持する支持表面および反対側の第２の表面を有する誘電体ディスクであり、少なくとも１つのチャッキング電極がその中に配された誘電体ディスクと、誘電体ディスクの下方に配された高周波（ＲＦ）バイアス板と、ＲＦバイアス板の下方に配され、誘電体ディスクを加熱するための複数のランプと、前記複数のランプの下方に配され、前記複数のランプによって生み出された熱を吸収するための金属板と、ＲＦバイアス板、複数のランプおよび金属板を含むハウジングと、金属板の外径とハウジングの内面との間に配された隙間であり、複数のランプからの熱を金属板が吸収したときに金属板の熱膨張によって金属板の外径がハウジングの内面と接触するようにサイズ設定される隙間と、誘電体ディスクをＲＦバイアス板に対して離隔された関係で支持するように誘電体ディスクの第２の表面にその第１の端部が結合され、誘電体ディスクから離れる方向へ延びてＲＦバイアス板および金属板を貫くシャフトと、シャフトに結合された磁気回転アセンブリであり、シャフトおよび誘電体ディスクを、ＲＦバイアス板、複数のランプおよび金属板に対して回転させるための磁気回転アセンブリとを含む。
本開示の他の追加の実施形態については以下で説明される。
【０００６】
上に概要を示し、以下でより詳細に論じる本開示の実施形態は、添付図面に示された本開示の例示的な実施形態を参照することによって理解することができる。しかしながら、添付図面は本開示の典型的な実施形態だけを示したものであり、したがって添付図面を本開示の範囲を限定するものと考えるべきではないことに留意すべきである。等しく有効な別の実施形態を本開示が受け入れる可能性があるためである。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】本開示のいくつかの実施形態に基づく静電チャックとともに使用するのに適したプロセスチャンバを示す図である。
【図２】本開示のいくつかの実施形態に基づく静電チャックの断面図である。
【図３】本開示のいくつかの実施形態に基づく静電チャックの上部の断面図である。
【図４】本開示のいくつかの実施形態に基づく高周波（ＲＦ）バイアス板および基板加熱装置の上面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
理解を容易にするため、可能な場合には、上記の図に共通する同一の要素を示すのに同一の参照符号を使用した。これらの図は原寸に比例して示されておらず、分かりやすくするために簡略化されていることがある。特段の言及なしに、１つの実施形態の要素および特徴が他の実施形態に有益に組み込まれ得ることが企図される。
本明細書では、回転可能な被加熱静電チャックの実施形態が提供される。有利には、本発明の静電チャックを急速に加熱および冷却することができ（同時に、静電チャック上に配された基板を急速に加熱および冷却することができ）、それによって、基板処理におけるプロセス柔軟性（ｐｒｏｃｅｓｓ  ｆｌｅｘｉｂｉｌｉｔｙ）およびスループットの増大をもたらすことができる。有利には、本発明の静電チャックの実施形態はさらに、処理中の基板と静電チャックとの熱膨張の差に起因する摩擦の結果として生じる基板に対する損傷を低減し、または排除することができる。
図１は、本開示のいくつかの実施形態に基づくプラズマ処理チャンバの略断面図である。いくつかの実施形態では、このプラズマ処理チャンバが物理的気相堆積（ＰＶＤ）処理チャンバである。しかしながら、他のタイプの処理チャンバが本明細書に記載された本発明の静電チャックの実施形態を使用すること、または、本明細書に記載された本発明の静電チャックの実施形態とともに使用するために、他のタイプの処理チャンバを変更することもできる。
【０００９】
チャンバ１００は、基板処理の間、チャンバ内部容積（ｉｎｔｅｒｉｏｒ  ｖｏｌｕｍｅ）１２０内を大気圧よりも低い圧力に維持するように適当に適合された真空チャンバである。チャンバ１００は、チャンバ内部容積１２０の上半分に位置する処理容積１１９を囲うリッド（ｌｉｄ）１０４によってふたがされたチャンバ本体１０６を含む。チャンバ１００はさらに、さまざまなチャンバ構成要素に外接して、そのような構成要素とイオン化されたプロセス材料との間の不必要な反応を防ぐ、１つまたは複数のシールド１０５を含むことができる。チャンバ本体１０６およびリッド１０４は、アルミニウムなどの金属で作ることができる。大地１１５への結合を介してチャンバ本体１０６を接地することができる。
例えば半導体ウエハなどの基板Ｓまたは静電的に保持することができる他の基板を支持および保持するために、チャンバ内部容積１２０内に基板支持体１２４が配される。基板支持体１２４は一般に、静電チャック１５０（図２〜４に関して後により詳細に説明する）と、静電チャック１５０を支持する中空の支持シャフト１１２とを備えることができる。中空支持シャフト１１２は、例えばプロセスガス、流体、冷却材、電力などを静電チャック１５０に供給する導管を提供する。
【００１０】
いくつかの実施形態では、中空支持シャフト１１２がリフト機構（ｌｉｆｔ  ｍｅｃｈａｎｉｓｍ）１１３に結合され、リフト機構１１３は、より上方の処理位置（図１に示されている）と、より下方の移送位置（図示せず）との間の静電チャック１５０の垂直移動を提供する。中空支持シャフト１１２の周りにはベローズ（ｂｅｌｌｏｗｓ）アセンブリ１１０が配され、ベローズアセンブリ１１０は、静電チャック１５０とチャンバ１００の底面１２６との間に結合されて、フレキシブルシール（ｆｌｅｘｉｂｌｅ  ｓｅａｌ）を提供する。このフレキシブルシールは、静電チャック１５０の垂直運動を可能にし、同時にチャンバ１００内からの真空の損失を防ぐ。ベローズアセンブリ１１０はさらに、底面１２６と接触してチャンバ真空の損失を防ぐのに役立つＯリング１６５または他の適当なシーリング要素と接触した下部ベローズフランジ（ｆｌａｎｇｅ）１６４を含む。
中空支持シャフト１１２は、流体源１４２、ガス供給源１４１、チャッキング電力供給源１４０およびＲＦ源（例えばＲＦプラズマ電力供給源１７０およびＲＦバイアス電力供給源１１７）を静電チャック１５０に結合する導管を提供する。いくつかの実施形態では、ＲＦプラズマ電力供給源１７０およびＲＦバイアス電力供給源１１７が、対応するそれぞれのＲＦ整合ネットワーク（ＲＦ整合ネットワーク１１６だけが示されている）を介して静電チャックに結合される。
【００１１】
基板リフト１３０は、第２のリフト機構１３２に結合されたシャフト１１１に接続されたプラットホーム１０８上に装着されたリフトピン１０９を含むことができ、第２のリフト機構１３２は、基板リフト１３０を上げ下げして、基板「Ｓ」を静電チャック１５０上に置くこと、または基板「Ｓ」を静電チャック１５０から取り外すことができるようにする。静電チャック１５０は、リフトピン１０９を受け取る貫通穴（後述）を含む。基板リフト１３０と底面１２６の間にはベローズアセンブリ１３１が結合されて、基板リフト１３０が垂直運動している間チャンバ真空を維持するフレキシブルシールを提供する。
【００１２】
チャンバ１００は、真空システム１１４に結合され、真空システム１１４と流体連通する。真空システム１１４は、チャンバ１００を排気する目的に使用される絞り弁（ｔｈｒｏｔｔｌｅ  ｖａｌｖｅ）（図示せず）および真空ポンプ（図示せず）を含む。この絞り弁および／または真空ポンプを調整することによってチャンバ１００の内側の圧力を調整することができる。チャンバ１００はさらに、プロセスガス供給源１１８に結合され、プロセスガス供給源１１８と流体連通する。プロセスガス供給源１１８は、チャンバ１００内に配された基板を処理するために、１種または数種のプロセスガスをチャンバ１００に供給することができる。
【００１３】
動作について説明すると、例えば、チャンバ内部容積１２０内でプラズマ１０２を生成して、１つまたは複数のプロセスを実行することができる。プラズマ１０２は、プラズマ電源（例えばＲＦプラズマ電力供給源１７０）からの電力を、チャンバ内部容積１２０の近くのまたはチャンバ内部容積１２０内の１つまたは複数の電極を介してプロセスガスに結合してプロセスガスに点火し、プラズマ１０２を生成することによって生成することができる。いくつかの実施形態ではさらに、プラズマ中のイオンを基板Ｓに向かって引きつけるために、バイアス電力供給源（例えばＲＦバイアス電力供給源１１７）から、静電チャック１５０内に配された１つまたは複数の電極（後述）に、容量結合されたバイアス板（後述）を介してバイアス電力が供給される。
いくつかの実施形態では、例えばチャンバ１００がＰＶＤチャンバである場合に、基板Ｓ上に堆積させるソース材料（ｓｏｕｒｃｅ  ｍａｔｅｒｉａｌ）を含むターゲット１６６が、チャンバ内部容積１２０内の基板の上方に配される。ターゲット１６６は、誘電体アイソレータ（ｉｓｏｌａｔｏｒ）を介して、チャンバ１００の接地された導電性部分、例えばアルミニウムアダプタによって支持することができる。他の実施形態では、チャンバ１００が、複数のターゲットを、同じチャンバを使用して異なる材料の層を堆積させる多カソード配置で含むことができる。
【００１４】
制御可能なＤＣ電源１６８をチャンバ１００に結合して、負電圧または負バイアスをターゲット１６６に印加することができる。基板Ｓ上に負のＤＣバイアスを誘導するため、ＲＦバイアス電力供給源１１７を基板支持体１２４に結合することができる。これに加えて、いくつかの実施形態では、処理中の基板Ｓ上に負のＤＣセルフバイアスが生じる。いくつかの実施形態では、基板Ｓ上における堆積速度の半径方向分布の制御を容易にするため、チャンバ１００にＲＦプラズマ電力供給源１７０が結合されて、ターゲット１６６にＲＦ電力を印加する。動作させると、チャンバ１００内で生成されたプラズマ１０２中のイオンが、ターゲット１６６中のソース材料と反応する。この反応によって、ターゲット１６６はソース材料の原子を追い出し、それらの原子は次いで基板Ｓに向かって導かれ、材料を堆積させる。
【００１５】
図２は、本開示の実施形態に基づく静電チャック（チャック２００）の断面図を示す。チャック２００は、ディスク２０２と、ディスク２０２の底から延びるシャフト２０４と、ディスク２０２、シャフト２０４およびチャック２００の全ての構成要素（後述）を囲うハウジング２０６とを含む。
ディスク２０２は、誘電体材料、例えばセラミック材料、例えば窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、窒化ホウ素や、酸化チタンがドープされたアルミナなどでできている。ディスク２０２は、ディスク２０２の上面の近くに配された１つまたは複数のチャッキング電極２０８を含む。この１つまたは複数のチャッキング電極２０８は、モリブデン、チタンなどの適当な導電性材料から製作される。この１つまたは複数のチャッキング電極２０８は、処理の間、基板をディスクの上面に十分に固定する任意の構成で配置することができる。例えば、この１つまたは複数のチャッキング電極２０８は、単一電極（ｓｉｎｇｌｅ  ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）静電チャック、バイポーラ（ｂｉｐｏｌａｒ）静電チャックなどを提供するように配置することができる。
【００１６】
前述のとおり、ディスク２０２はさらに、１つまたは複数のＲＦバイアス電極２１０を含むことができる。ディスク２０２上に配された基板に向かってプラズマ中のイオンを引きつけるため、この１つまたは複数のＲＦバイアス電極２１０はＲＦ電力に容量結合される。ディスク２０２の下方に配されたＲＦバイアス板２１２を介してＲＦバイアス電極２１０に電力が送達される。ＲＦバイアス板２１２は、外部ＲＦ電源（例えばＲＦバイアス電力供給源１１７）から電力を受け取る。ＲＦバイアス板２１２は、ＲＦバイアス電極２１０に容量結合され、それによって、導体を通した直接の電気結合を除去する。したがって、ディスク２０２が回転している間にＲＦバイアス電極２１０に電力を送達することができる。
【００１７】
ディスク２０２の加熱を容易にするため、およびディスク２０２上に基板が配されているときに基板の加熱を容易にするために、チャック２００は、ＲＦバイアス板２１２の下に配された、複数のランプ２１４を含むランプハウジング２１６を含む。ランプハウジング２１６は、これらの複数のランプ２１４の熱に耐えることができる材料でできている。例えば、ランプハウジング２１６は、セラミック材料で作ることができる。これらの複数のランプ２１４は、ディスク２０２を加熱するのに十分な熱を放射によって放出することができる任意のタイプのランプを含む。例えば、これらの複数のランプ２１４はハロゲンランプを含むことができる。これらの複数のランプ２１４によって生み出された熱がディスク２０２に到達することを可能にするため、ＲＦバイアス板２１２は、これらの複数のランプ２１４の位置に対応する位置にスロット（ｓｌｏｔ）を含む。これについては図４により詳細に示されている。
【００１８】
回転中のチャック２００の剛性（ｒｉｇｉｄｉｔｙ）を高めるため、チャック２００はさらに、ディスク２０２の近く（例えばディスク２０２から約３インチ以内）に位置する軸受２１８を含むことができる。軸受２１８は例えばクロスローラ軸受（ｃｒｏｓｓ  ｒｏｌｌｅｒ  ｂｅａｒｉｎｇ）などを含むことができる。軸受２１８を膨張させ、最終的に軸受２１８を動かないようにさせうる熱を軸受から離れる方向へ伝導するため、ランプハウジング２１６の下には金属板２２０が配される。金属板２２０は、例えばアルミニウムなどのプロセス適合性の（ｐｒｏｃｅｓｓ  ｃｏｍｐａｔｉｂｌｅ）金属または金属合金で作ることができる。金属板２２０は、金属板２２０の外縁とハウジング２０６の内面の間に隙間が配されるようなサイズを有する。チャック２００の動作中、複数のランプ２１４によって生み出された熱が金属板２２０を加熱し、それによって、金属板２２０は、金属板２２０の外径または外縁がハウジング２０６の内面と接触するように膨張する。ハウジング２０６の内面と接触すると、金属板２２０は、伝導によって熱をハウジング２０６にすぐに伝達する。熱伝達流体（例えば冷却材）を流してハウジング２０６を冷却するため、ハウジング２０６内に流体チャネル（後述）を配することができる。
【００１９】
チャック２００はさらに、ディスク２０２を回転させる磁気駆動アセンブリ２２２を含む。磁気駆動アセンブリ２２２は、内側磁石２２２Ａおよび外側磁石２２２Ｂを含む。内側磁石２２２Ａはシャフト２０４に取り付けられ、またはシャフト２０４に固定される。いくつかの実施形態では、内側磁石２２２Ａが、シャフト２０４のディスク２０２とは反対側の端部の近くのシャフト２０４の下部に取り付けられる。外側磁石２２２Ｂは、ハウジング２０６の外側の内側磁石２２２Ａの近くに配される。適当な機構、例えばベルトドライブまたはモータによって外側磁石２２２Ｂを駆動して、内側磁石２２２Ａならびにシャフト２０４およびディスク２０２を駆動することができる。内側磁石２２２Ａはハウジング２０６内に配されるため、内側磁石２２２Ａは真空圧力下にあり、外側磁石２２２Ｂはハウジング２０６の外側に配されるため、外側磁石２２２Ｂは大気圧下にある。しかしながら、その代わりに、内側磁石２２２Ａと外側磁石２２２Ｂの両方をハウジング２０６内に配することもできる。このようにして、磁気駆動アセンブリ２２２は、ディスク２０２およびシャフト２０４を、プロセスチャンバおよび静止したまま動かないチャック２００の残りの構成要素（例えばハウジング２０６、ランプハウジング２１６、金属板２２０、ＲＦバイアス板２１２など）に対して回転させる。あるいは、磁気駆動アセンブリ２２２は、他の構成を使用して、ディスク２０２およびシャフト２０４を回転させることもできる。例えば、いくつかの実施形態では、内側磁石２２２Ａおよび外側磁石２２２Ｂがそれぞれ、回転子および固定子として機能することができ、固定子には、回転子を電磁的に駆動するために導体が巻き付けられる。
【００２０】
チャック２００はさらに、シャフト２０４のディスク２０２とは反対側の端部に位置する軸受アセンブリ２２４を含む。軸受アセンブリ２２４はシャフト２０４を支持し、シャフト２０４の回転を容易にする。これに加えて、本発明の発明者は、軸受アセンブリ２２４を通してチャッキング電極２０８に電力を送って、チャック２００を回転させている間のチャッキング電極２０８への電力の供給を容易にする、改良された方策を提供した。ＤＣ電源２２６からハウジング２０６内の接続を通して電力が引かれ、軸受アセンブリ２２４に送られる。軸受アセンブリ２２４を通って電流が流れ、この電流は続いて、シャフト２０４の内部に配されたチャッキング電力線２２８を介してチャッキング電極２０８に送られる。チャッキング電力供給源（例えばＤＣ電源２２６）との干渉を回避するため、軸受アセンブリを、ハウジング２０６の内部に結合された絶縁体２３０に結合することができる。
【００２１】
図３のチャック２００の断面図を参照すると、複数のランプ２１４は、セラミック板などの誘電体板３０２内に配された複数の導体３０４から電力を受け取る。導体３０４は、ＤＣ電源２２６または他の電力供給源（図示せず）から、ヒータ電力線（例えば導体）３２０を介して電力を受け取ることができる。いくつかの実施形態では、導体３０４を保護し、導体３０４とチャック２００の他の導電性要素との間の故意でない接触を防ぐため、誘電体板３０２の上に誘電体層３０６を配してもよい。導体３０４を対応するそれぞれのランプ２１４に結合することを容易にするため、誘電体層３０６内に開口が提供される。いくつかの実施形態では、図４に示されているように、複数のランプを、複数のゾーンに、例えばランプの内側アレイとランプの独立に制御可能な外側アレイとに分割してもよい。
【００２２】
上で説明したとおり、複数のランプ２１４を起動させると、熱が生み出され、ディスク２０２が加熱される。この熱は、ディスク２０２に向かってだけではなくあらゆる方向へ放出されるため、この熱を吸収するために、ランプハウジング２１６の下方に金属板２２０が配される。この吸収過程中に金属板２２０は膨張し、金属板２２０の外縁とハウジング２０６の間の隙間３１６に延入し始める。ハウジング２０６と接触すると、金属板２２０はハウジング２０６に熱を伝達する。ハウジング２０６を冷えた状態に保つため、ハウジング２０６内に複数の流体チャネル３０８が形成される。適当な冷却材（例えば水、プロピレングリコールなど）を流体チャネル３０８に流して、ハウジング２０６を冷却することができる。
【００２３】
ＲＦバイアス板２１２は、その電力を、ＲＦバイアス電力供給源１１７または他の電力供給源（図示せず）から、ＲＦ電力線（例えば導体）３１０を介して受け取ることができる。それらのＲＦ波とチャッキング電力供給源との干渉を防ぐため、チャック２００はインダクタフィルタ３１２を含む。インダクタフィルタ３１２は、チャッキング電力線２２８を取り囲んで、ＲＦ波をフィルタリングによって除去する。
ディスク２０２上での基板の配置および除去を容易にするため、チャック２００はさらに、基板を上げ下げして基板をディスク２０２から外しまたは基板をディスク２０２上に置くための複数のリフトピン３１４を含むリフトピンアセンブリを含むことができる。いくつかの実施形態では、これらの複数のリフトピン３１４のうちの少なくとも１本のリフトピン３１４が、ディスク２０２の温度を測定するための高温計（ｐｙｒｏｍｅｔｅｒ）を含んでもよい。高温計によるディスク２０２の温度の監視を容易にするため、ディスク２０２のリフトピン３１４とは反対側に配された領域が非常に高い放射率（ｅｍｉｓｓｉｖｉｔｙ）を有するように、その領域を処理することができる。
いくつかの実施形態では、シャフト２０４がさらに導管３１８を含み、導管３１８は、処理中にディスク２０２上に基板が配されたときに基板の裏側に裏側ガスを、ディスク２０２を通して供給する。導管３１８は、図１に関して上で説明したガス供給源１４１に流体結合することができる。
【００２４】
図４は、本開示のいくつかの実施形態に基づくＲＦバイアス板および基板加熱装置の上面図を示す。図４は、複数のランプ２１４の位置に対応する複数の開口４０４を含むＲＦバイアス板２１２を示す。上で説明したとおり、複数の開口４０４は、複数のランプ２１４によって生み出された熱がディスク２０２を加熱することを可能にする。ＲＦバイアス板２１２およびランプハウジング２１６はさらに、シャフト２０４がその中を通り抜けることを可能にする中心穴４０２と、複数のリフトピン３１４がその中を通り抜けることを可能にする複数の穴４０６とを含む。特定の構成で配置されたスロットとして示されているが、開口の形状および数ならびにランプの形状および数は、ディスク２０２上の熱プロファイルが所望のものになるように変更することができる。
【００２５】
以上の説明は本開示の実施形態を対象としているが、本開示の基本的な範囲を逸脱することなく本開示の他の追加の実施形態を考案することができる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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