(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
光学素子（１０９；２０９）と、
前記光学素子（１０９；２０９）を支持する支持構造（１０８）であり、少なくとも１自由度で前記光学素子（１０９；２０９）の位置及び／又は向きを能動的に設定する位置決めデバイス（１１１）を含む支持構造（１０８）と
を備えた光学モジュールであって、前記支持構造（１０８）は、第１接触部（１１３．２；２１３．２；３１３．２）を有する少なくとも１つの接触ユニット（１１３．１；２１３．１；３１３．１）を有する選択的に活性化可能な接触デバイス（１１３；２１３；３１３）を含み、
前記第１接触部（１１３．２；２１３．２；３１３．２）は、前記接触デバイス（１１３；２１３；３１３）の活性化状態で、前記光学素子（１０９；２０９）に接触力を及ぼすために該光学素子（１０９；２０９）の第２接触部（１０９．４；２０９．４）に接触し、
前記第１接触部（１１３．２；２１３．２；３１３．２）は、前記接触デバイス（１１３；２１３；３１３）の非活性化状態で、前記第２接触部（１０９．４；２０９．４）から離され、
前記接触デバイス（１１３；２１３；３１３）は、前記活性化状態で、前記光学素子（１０９；２０９）及び／又は前記接触ユニット（３１３．１）に作動力を及ぼすよう設計され、該作動力によって、前記第１接触部（１１３．２；２１３．２；３１３．２）及び前記第２接触部（１０９．４；２０９．４）は、相互に接触させられ、且つ、
前記光学素子（２０９）は、前記位置決めデバイス（１１１）によって設定されたその位置及び／又は向きに関して実質的に固定の要素として構成され、前記接触ユニット（３１３．１）は、前記作動力によって移動させられ、前記接触ユニット（３１３．１）は、前記接触デバイス（３１３）の前記活性化状態及び前記非活性化状態それぞれで、安定状態をとる双安定ユニットとして構成される光学モジュール。
【請求項２】
請求項１に記載の光学モジュールにおいて、
前記接触ユニット（３１３．１）がエネルギー供給なしで前記安定状態を維持する光学モジュール。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の光学モジュールにおいて、
前記第１接触部（１１３．２；２１３．２；３１３．２）は、第１接触面（１１３．３；２１３．３；３１３．３）を有し、前記第２接触部（１０９．４；２１９．４）は、第２接触面（１０９．５；２０９．５）を有し、
前記第１接触面（１１３．３；２１３．３；３１３．３）及び前記第２接触面（１０９．５；２０９．５）は、前記位置決めデバイス（１１１）によって設定された少なくとも１つの位置及び／又は向きで、前記接触デバイス（１１３；２１３；３１３）の前記活性化状態で少なくとも１つの確動ロック方向に確動ロック接続を形成するよう相補的に構造化される、光学モジュール。
【請求項４】
請求項３に記載の光学モジュールにおいて、
前記第１接触面（１１３．３；２１３．３；３１３．３）及び前記第２接触面（１０９．５；２０９．５）は、前記位置決めデバイス（１１１）によって設定された複数の別個の位置及び／又は向きで、前記接触デバイス（１１３；２１３；３１３）の前記活性化状態で少なくとも１つの確動ロック方向に確動ロック接続を形成するよう相補的に構造化され、且つ／又は、
２つの前記接触面（２１３．３、２０９．５；３１３．３、２０９．５）の一方は、少なくとも１つの凹部（２１３．７，２１３．８）を有し、２つの前記接触面（２１３．３、２０９．５；３１３．３、２０９．５）の他方は、前記接触デバイス（１１３；２１３；３１３）の前記活性化状態で前記少なくとも１つの凹部（２１３．７、２１３．８）に係合するために該少なくとも１つの凹部（２１３．７、２１３．８）に対して相補的に構造化された少なくとも１つの凸部（２０９．６、２０９．７）を有し、且つ／又は、
２つの前記接触面（２１３．３、２０９．５；３１３．３、２０９．５）の少なくとも一方は、該接触面（２１３．３、２０９．５；３１３．３、２０９．５）に対する面法線を含む断面で少なくとも部分状に多角形の断面輪郭を有する光学モジュール。
【請求項５】
請求項３又は４に記載の光学モジュールにおいて、
２つの前記接触部（２１３．２、２０９．４；３１３．２、２０９．４）の一方は、構造化後に硬化可能な構造化可能材料を少なくとも部分状に含む構造化可能接触部として構成され、
２つの前記接触部（２１３．２、２０９．４；３１３．２、２０９．４）の他方は、前記構造化可能接触部の規定の構造化に十分な剛性を少なくとも部分状に有する構造化接触部として構成され、且つ
前記構造化可能接触部（２１３．２；３１３．２）は、その構造化可能状態で、相補的に構造化された前記第１接触面及び前記第２接触面（２１３．３、２０９．５；３１３．３、２０９．５）を作製するために前記構造化接触部（２０９．４）によって構造化されて、この構造化後に硬化される光学モジュール。
【請求項６】
請求項５に記載の光学モジュールにおいて、
前記硬化可能な構造化可能材料は、その構造化可能状態でゲル状又は蝋状の粘稠度を有し、且つ／又は、
前記硬化可能な構造化可能材料は、その構造化可能状態で、重力に起因した加速度の少なくとも１００％に相当する加速度の影響後に、前記構造化接触部（１０９．４；２０９．４）に対して少なくとも８０％の寸法忠実性を得るのに十分な寸法安定性を有し、且つ／又は、
前記硬化可能な構造化可能材料は、フォトレジスト材料、多成分接着剤、紫外線硬化性の多成分接着剤、粉体塗装材料、及び熱硬化性の粉体塗装材料からなる材料群からの少なくとも１つの材料を含む光学モジュール。
【請求項７】
光学素子（１０９；２０９）と、
前記光学素子（１０９；２０９）を支持する支持構造（１０８）であり、少なくとも１自由度で前記光学素子（１０９；２０９）の位置及び／又は向きを能動的に設定する位置決めデバイス（１１１）を含む支持構造（１０８）と
を備えた光学モジュールであって、前記支持構造（１０８）は、第１接触部（１１３．２；２１３．２；３１３．２）を有する少なくとも１つの接触ユニット（１１３．１；２１３．１；３１３．１）を有する選択的に活性化可能な接触デバイス（１１３；２１３；３１３）を含み、
前記第１接触部（１１３．２；２１３．２；３１３．２）は、前記接触デバイス（１１３；２１３；３１３）の活性化状態で、前記光学素子（１０９；２０９）に接触力を及ぼすために該光学素子（１０９；２０９）の第２接触部（１０９．４；２０９．４）に接触し、
前記第１接触部（１１３．２；２１３．２；３１３．２）は、前記接触デバイス（１１３；２１３；３１３）の非活性化状態で、前記第２接触部（１０９．４；２０９．４）から離され、
前記第１接触部（１１３．２）は、第１接触面（１１３．３）を有し、前記第２接触部（１０９．４）は、第２接触面（１０９．５）を有し、
前記第１接触面（１１３．３）及び前記第２接触面（１０９．５）は、前記位置決めデバイス（１１１）によって設定された少なくとも１つの位置及び／又は向きで、前記接触デバイス（１１３）の前記活性化状態で少なくとも１つの摩擦ロック方向に摩擦ロック接続を形成するよう構成され、
２つの前記接触面（１１３．３、１０９．５）の少なくとも一方は、少なくとも部分状に平面状に構成され、
２つの前記接触面（１１３．３、１０９．５）の少なくとも一方は、少なくとも部分状に曲面状に構成される光学モジュール。
【請求項８】
請求項７に記載の光学モジュールにおいて、
前記接触デバイス（１１３）は、該接触デバイス（１１３）の前記活性化状態で、前記摩擦ロック方向に、設定可能な摩擦力が前記位置決めデバイス（１１１）の位置決め力に対する調整抵抗として働くよう構成される光学モジュール。
【請求項９】
請求項８に記載の光学モジュールにおいて、
前記調整抵抗は、前記位置決めデバイス（１１１）の前記位置決め力が、前記調整抵抗に対して２つの前記接触面（１１３．３、１０９．５）間を摩擦相対運動させて前記少なくとも１自由度で前記光学素子（１０９）の設定を行うのに十分であるように、前記接触デバイス（１１３）の前記活性化状態の設定状態で低減され、且つ／又は、
前記調整抵抗は、前記位置決めデバイス（１１１）の最大位置決め力が前記調整抵抗に対して前記少なくとも１自由度での前記光学素子（１０９；２０９）の設定を行うのに十分ではなくなるように、前記設定状態に対する前記接触デバイス（１１３；２１３；３１３）の前記活性化状態の固定状態で増加させられる、光学モジュール。
【請求項１０】
光学素子（１０９；２０９）と、
前記光学素子（１０９；２０９）を支持する支持構造（１０８）であり、少なくとも１自由度で前記光学素子（１０９；２０９）の位置及び／又は向きを能動的に設定する位置決めデバイス（１１１）を含む支持構造（１０８）と
を備えた光学モジュールであって、前記支持構造（１０８）は、第１接触部（１１３．２；２１３．２；３１３．２）を有する少なくとも１つの接触ユニット（１１３．１；２１３．１；３１３．１）を有する選択的に活性化可能な接触デバイス（１１３；２１３；３１３）を含み、
前記第１接触部（１１３．２；２１３．２；３１３．２）は、前記接触デバイス（１１３；２１３；３１３）の活性化状態で、前記光学素子（１０９；２０９）に接触力を及ぼすために該光学素子（１０９；２０９）の第２接触部（１０９．４；２０９．４）に接触し、
前記第１接触部（１１３．２；２１３．２；３１３．２）は、前記接触デバイス（１１３；２１３；３１３）の非活性化状態で、前記第２接触部（１０９．４；２０９．４）から離され、
前記光学素子（１０９；２０９）は、少なくとも１つの第１共鳴振動数を有し、前記接触ユニット（１１３．１；２１３．１；３１３．１）は、前記少なくとも１つの第１共鳴振動数の範囲で振動減衰効果を有する少なくとも１つの減衰部（１１３．６；２１３．６；３１３．６）を有し、且つ／又は
前記光学素子（１０９；２０９）は、支持デバイスによって前記支持構造上で支持され、前記光学素子（１０９；２０９）及び前記支持デバイスを備えた構成体は、少なくとも１つの第２共鳴振動数を有し、前記接触ユニット（１１３．１；２１３．１；３１３．１）は、前記少なくとも１つの第２共鳴振動数の範囲で振動減衰効果を有する少なくとも１つの減衰部（１１３．６；２１３．６；３１３．６）を有する光学モジュール。
【請求項１１】
請求項１０に記載の光学モジュールにおいて、
前記第１共鳴振動数は、１Ｈｚ〜２，０００Ｈｚ、５０Ｈｚ〜１，５００Ｈｚ、及び、２００Ｈｚ〜１，０００Ｈｚのうちの一つであり、
前記第２共鳴振動数は、１Ｈｚ〜２，０００Ｈｚ、５０Ｈｚ〜１，５００Ｈｚ、及び、２００Ｈｚ〜１，０００Ｈｚのうちの一つである光学モジュール。
【請求項１２】
光学素子（１０９；２０９）と、
前記光学素子（１０９；２０９）を支持する支持構造（１０８）であり、少なくとも１自由度で前記光学素子（１０９；２０９）の位置及び／又は向きを能動的に設定する位置決めデバイス（１１１）を含む支持構造（１０８）と
を備えた光学モジュールであって、前記支持構造（１０８）は、第１接触部（１１３．２；２１３．２；３１３．２）を有する少なくとも１つの接触ユニット（１１３．１；２１３．１；３１３．１）を有する選択的に活性化可能な接触デバイス（１１３；２１３；３１３）を含み、
前記第１接触部（１１３．２；２１３．２；３１３．２）は、前記接触デバイス（１１３；２１３；３１３）の活性化状態で、前記光学素子（１０９；２０９）に接触力を及ぼすために該光学素子（１０９；２０９）の第２接触部（１０９．４；２０９．４）に接触し、
前記第１接触部（１１３．２；２１３．２；３１３．２）は、前記接触デバイス（１１３；２１３；３１３）の非活性化状態で、前記第２接触部（１０９．４；２０９．４）から離され、
前記光学素子（１０９；２０９）は、突起（１０９．３）を有する素子本体（１０９．２）を含み、
前記素子本体（１０９．２）は、光学有効面（１０９．１）を有し、且つ
前記突起（１０９．３）は、前記素子本体（１０９．２）のうち前記光学有効面（１０９．１）に面しない側に配置され、
前記第２接触部（１０９．４；２０９．４）は、前記素子本体（１０９．２）に面する前記突起（１０９．３）の端に配置される光学モジュール。
【請求項１３】
請求項１２に記載の光学モジュールにおいて、
前記接触デバイス（１１３；２１３；３１３）は、該接触デバイス（１１３；２１３；３１３）の前記活性化状態で、作動力を前記第２接触部（１０９．４；２０９．４）に及ぼす効果を有する作動ユニット（１１３．４；２１３．４；３１３．４）を含み、前記作動力によって、前記第１接触部（１１３．２；２１３．２；３１３．２）及び前記第２接触部（１０９．４；２０９．４）は、相互に接触させられる、光学モジュール。
【請求項１４】
請求項１３に記載の光学モジュールにおいて、
前記第１接触部（１１３．２；２１３．２；３１３．２）及び前記第２接触部（１０９．４；２０９．４）は、相互に接触保持され、且つ／又は、
前記作動ユニット（１１３．４；２１３．４；３１３．４）は、静電動作原理に従って動作し、且つ／又は、
前記位置決めデバイス（１１１）は、前記位置決め力を前記第２接触部（１０９．４；２０９．４）に及ぼし、且つ／又は、
前記位置決めデバイス（１１１）は、静電動作原理に従って動作する光学モジュール。
【請求項１５】
光学素子（１０９；２０９）と、
前記光学素子（１０９；２０９）を支持する支持構造（１０８）であり、少なくとも１自由度で前記光学素子（１０９；２０９）の位置及び／又は向きを能動的に設定する位置決めデバイス（１１１）を含む支持構造（１０８）と
を備えた光学モジュールであって、前記支持構造（１０８）は、第１接触部（１１３．２；２１３．２；３１３．２）を有する少なくとも１つの接触ユニット（１１３．１；２１３．１；３１３．１）を有する選択的に活性化可能な接触デバイス（１１３；２１３；３１３）を含み、
前記第１接触部（１１３．２；２１３．２；３１３．２）は、前記接触デバイス（１１３；２１３；３１３）の活性化状態で、前記光学素子（１０９；２０９）に接触力を及ぼすために該光学素子（１０９；２０９）の第２接触部（１０９．４；２０９．４）に接触し、
前記第１接触部（１１３．２；２１３．２；３１３．２）は、前記接触デバイス（１１３；２１３；３１３）の非活性化状態で、前記第２接触部（１０９．４；２０９．４）から離され、
前記接触デバイス（１１３；２１３；３１３）の非活性化後の前記第１接触部（１１３．２；２１３．２；３１３．３）と前記第２接触部（１０９．４；２０９．４）との間の接触の解除を第１解除力によって少なくとも支援するよう構成された、能動解除デバイス（１１１）が設けられる光学モジュール。
【請求項１６】
請求項１５に記載の光学モジュールにおいて、
前記光学素子（１０９；２０９）は、支持デバイス（１１０）によって前記支持構造（１０８）上で支持され、前記支持デバイスは、前記接触デバイス（１１３；２１３；３１３）が、前記第１接触部（１１３．２；２１３．２；３１３．３）と前記第２接触部（１０９．４；２０９．４）との間の接触の解除を少なくとも支援する第２解除力を前記光学素子（１０９；２０９）に及ぼすように、前記接触デバイス（１１３；２１３；３１３）の前記活性化状態で弾性変形し、且つ／又は、
前記接触ユニット（３１３．１）は、前記接触デバイス（３１３）の前記活性化状態で、前記第１接触部（１１３．２）と前記第２接触部（２０９．４）との間の接触の解除を少なくとも支援する第３解除力を前記第１接触部（３１３．２）に及ぼすように弾性変形する解除部（３１８）を有し、且つ／又は、
前記解除デバイスは前記光学素子（１０９；２０９）及び／又は前記接触ユニット（１１３．１；２１３．１；３１３．１）に振動エネルギーを導入するよう設計される光学モジュール。
【請求項１７】
光学素子（１０９；２０９）と、
前記光学素子（１０９；２０９）を支持する支持構造（１０８）であり、少なくとも１自由度で前記光学素子（１０９；２０９）の位置及び／又は向きを能動的に設定する位置決めデバイス（１１１）を含む支持構造（１０８）と
を備えた光学モジュールであって、前記支持構造（１０８）は、第１接触部（１１３．２；２１３．２；３１３．２）を有する少なくとも１つの接触ユニット（１１３．１；２１３．１；３１３．１）を有する選択的に活性化可能な接触デバイス（１１３；２１３；３１３）を含み、
前記第１接触部（１１３．２；２１３．２；３１３．２）は、前記接触デバイス（１１３；２１３；３１３）の活性化状態で、前記光学素子（１０９；２０９）に接触力を及ぼすために該光学素子（１０９；２０９）の第２接触部（１０９．４；２０９．４）に接触し、
前記第１接触部（１１３．２；２１３．２；３１３．２）は、前記接触デバイス（１１３；２１３；３１３）の非活性化状態で、前記第２接触部（１０９．４；２０９．４）から離され、
前記光学素子（１０９；２０９）は、光学有効面（１０９．１）を有するファセット素子であり、
前記光学有効面（１０９．１）は、０．０５ｍｍ２〜２．０ｍｍ２の面積を有し、且つ／又は
１０，０００個〜１，０００，０００個のファセット素子（１０９；２０９）が設けられる光学モジュール。
【請求項１８】
請求項１７に記載の光学モジュールにおいて、
前記光学素子（１０９；２０９）は、ファセットミラー素子であり、且つ／又は、
前記光学有効面（１０９．１）は、０．１５ｍｍ２〜０．５ｍｍ２の面積、及び、０．２ｍｍ２〜０．３ｍｍ２の面積のうちの一つを有し、且つ／又は
５０，０００個〜６００，０００個、及び、２００，０００個〜５００，０００個のうちの一つのファセット素子（１０９；２０９）が設けられる光学モジュール。
【請求項１９】
第１光学素子群（１０６）を有する照明デバイス（１０２）と、
投影パターンを含むマスク（１０４．１）を収容するマスクデバイス（１０４）と、
第２光学素子群（１０７）を有する投影デバイス（１０３）と、
基板（１０５．１）を収容する基板デバイス（１０５）と
を備え、前記照明デバイス（１０２）は、ＵＶ域及びＥＵＶ域のうちの一つの光で前記投影パターンを照明するよう設計され、
前記投影デバイス（１０３）は、前記投影パターンを前記基板（１０５．１）に投影するよう設計された、マイクロリソグラフィ用の光学結像デバイスであって、
前記照明デバイス（１０２）及び／又は前記投影デバイス（１０３）は、請求項１〜１８のいずれか１項に記載の光学モジュール（１０６．１；２０６．１；３０６．１）を備えることを特徴とする光学結像デバイス。
【請求項２０】
光学素子を支持する方法であって、
前記光学素子（１０９；２０９）を支持構造（１０８）によって支持し、
前記光学素子（１０９；２０９）の位置及び／又は向きを少なくとも１自由度で設定する方法において、
選択的に活性化可能な接触デバイス（１１３；２１３；３１３）の第１接触部（１１３．２；２１３．２；３１３．２）を、前記接触デバイス（１１３；２１３；３１３）の活性化状態で、前記光学素子（１０９；２０９）に接触力を及ぼすために前記光学素子（１０９；２０９）の第２接触部（１０９．４；２０９．４）と接触させ、且つ
前記第１接触部（１１３．２；２１３．２；３１３．２）を、前記接触デバイス（１１３；２１３；３１３）の非活性化状態で前記第２接触部（１０９．４；２０９．４）から離し、
前記光学素子（２０９）は、前記位置決めデバイス（１１１）によって設定されたその位置及び／又は向きに関して実質的に固定であり、前記接触ユニット（３１３．１）は、前記作動力によって移動させられ、前記接触ユニット（３１３．１）は、前記接触デバイス（３１３）の前記活性化状態及び前記非活性化状態それぞれで、安定状態をとる双安定ユニットであることを特徴とする方法。
【請求項２１】
マイクロリソグラフィ用の光学結像法であって、
照明デバイス（１０２）が、ＥＵＶ域の光で投影パターンを照明し、
投影デバイス（１０３）が、前記投影パターンを基板（１０５．１）に投影する光学結像法において、
前記照明デバイス（１０２）及び／又は前記投影デバイス（１０３）の光学素子（１０９；２０９）を、請求項２０に記載の方法を用いて支持する光学結像法。
【請求項２２】
請求項１〜１８のいずれか１項に記載の光学モジュールの接触部を構造化する方法であって、
２つの接触部（２１３．２、２０９．４；３１３．２、２０９．４）の一方を、構造化後に硬化可能な構造化可能材料を少なくとも部分状に含む構造化可能接触部として構成し、
２つの接触部（２１３．２、２０９．４；３１３．２、２０９．４）の他方を、前記構造化可能接触部の規定の構造化に十分な剛性を少なくとも部分状に有する構造化接触部として構成し、且つ
前記構造化可能接触部（２１３．２；３１３．２）を、その構造化可能な状態で、相補的に構造化された第１接触面及び第２接触面（２１３．３、２０９．５；３１３．３、２０９．５）を作製するために前記構造化接触部（２０９．４）によって構造化し、この構造化後に硬化する方法。
【請求項２３】
請求項２２に記載の方法において、
前記硬化可能な構造化可能材料は、その構造化可能状態でゲル状又は蝋状の粘稠度を有し、且つ／又は
前記硬化可能な構造化可能材料は、その構造化可能状態で、重力に起因した加速度の少なくとも１００％、少なくとも１２５％、及び、実質的に１５０％のうちの一つに相当する加速度の影響後に、前記構造化接触部（２０９．４）に対して少なくとも８０％、少なくとも９０％、及び、実質的に１００％のうちの一つの寸法忠実性を得るのに十分な寸法安定性を有し、且つ／又は
前記硬化可能な構造化可能材料は、フォトレジスト材料、多成分接着剤、紫外線硬化性の多成分接着剤、粉体塗装材料、及び、熱硬化性の粉体塗装材料からなる材料群からの少なくとも１つの材料を含む方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光学モジュール、光学結像デバイス、光学素子を支持する方法、光学結像法、及び光学モジュールの接触部を構造化する方法に関する。本発明は、任意の所望の光学デバイス及び光学結像法に関連して適用され得る。特に、本発明は、超小型電子回路の製造に用いられるマイクロリソグラフィに関連して用いられ得る。
【背景技術】
【０００２】
特にマイクロリソグラフィの分野では、最高の精度で構成されたコンポーネントを用いることに加えて、特に、結像デバイスの光学モジュールの、例えばレンズ素子、ミラー、又は回折格子等の光学素子を有するモジュールの、また同じく使用するマスク及び基板の位置及び幾何学的形状を、動作中に所定の所望の値に従ってできる限り正確に設定するか、又はこのようなコンポーネントを所定の位置又は幾何学的形状で安定させることで、対応して高い結像品質を達成するようにする必要がある。
【０００３】
マイクロリソグラフィの分野において、精度要件は、数ナノメーター未満程度の（of the order of magnitude of）微視的範囲にある。このような要件は、特に、製造すべき超小型電子回路の小型化を促進するために、超小型電子回路の製造に用いる光学系の分解能を高めることが常に必要とされる結果として生じるものである。
【０００４】
分解能が高くなり、概してそれに伴って使用光の波長が減少すると、コンポーネントの位置決め及び向きの精度に関する要件は当然ながら増加する。特にＵＶ域（例えば、１９３ｎｍの範囲）の、但し特に５ｎｍ〜２０ｎｍの（通常は１３ｎｍの領域の）作動波長を有するいわゆる極ＵＶ域（ＥＵＶ）のリソグラフィで用いられる短い作動波長の場合、これは当然ながら、関与するコンポーネントの位置決め及び／又は向きの精度に関する厳しい要件に従う努力に影響する。
【０００５】
しかしながら、光学系の上記安定化に関連して、系内で生じるか又は系外から導入される振動エネルギーに対処することが特に問題となる。この問題の解決に用いられることが多い１つの手法は、個々の又は複数の使用システムコンポーネントの、特に使用光学素子の位置及び／又は向きに能動的に影響を及ぼすことで、当該コンポーネントを所定の位置及び／又は所定の向きに保持するようにすることにある。
【０００６】
参照によりその開示を本明細書に援用する特許文献１（Holderer他）は、ＥＵＶシステムのファセットミラーのファセット素子の規定の位置決め及び向きに関連して、上記ファセット素子を個別に調整し、続いて対応の固定力を用いてそれらを調整状態で保持することを開示している。
【０００７】
ファセット素子のキャリアに対して振動エネルギーが導入される結果としてのファセット素子の位置ずれは、この場合は対応した大きさの固定力を用いて防止できるが、問題なのは、導入された振動エネルギーによってキャリア自体が変形し得ることで、ファセット素子がビーム経路内の所望の位置及び／又は向きからずれ得ることである。
【０００８】
さらに、結像系の個別の又は複数の光学素子の位置及び／又は向きに能動的に影響を及ぼすことは、光学系の柔軟性を高めるために望まれる場合が多い。この点で、再びＥＵＶシステムの場合、特に照明デバイスでは、柔軟な瞳形成のために、多数の可動の（通常は傾斜可能な）マイクロミラー又はファセット素子を有するファセットミラーを用いることが望ましく、その場合、それらの各位置及び／又は向きが当然ながら高精度で設定及び保持されなければならない。
【０００９】
特にこのようなＥＵＶシステムの場合、多数のファセット素子の位置及び／又は向きの正確な設定を、上記ファセット素子の非常に小さな寸法と共に実現することが特別な課題である。この点で、このようなＥＵＶシステムのファセットミラーの場合、ファセット素子の数は、通常は数十万個程度であり、一方で個々のファセット素子の光学有効面の直径は、通常は数百マイクロメートル程度である。
【００１０】
数十万個のマイクロミラーを備えた同様のマイクロミラーアレイは、例えば特許文献２（Cho他）から既知であり、その開示を参照により本明細書に援用する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】独国特許第１０２  ０５  ４２５号明細書
【特許文献２】米国特許第６，９０６，８４５号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
したがって、本発明は、上記欠点を有しないか又は少なくとも上記欠点が少なく、特に光学素子の確実な位置決め及び／又は向きを単純な方法で確保する、光学素子を備えた光学モジュール、光学結像デバイス、光学素子を支持する方法、光学結像法、及び光学モジュールの接触部を構造化する方法を提供するという目的に基づく。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明は、光学素子に接触力を及ぼすためにその接触部と選択的に接触させることができる接触部を備えた、選択的に活性化可能な接触デバイスを設ければ、能動的に設定可能な光学素子の、特に最小のファセット素子の支持の改善、したがって各設定における光学素子の位置決め及び／向きの改善が、極めて小さな空間で単純に達成されるという見識に基づく。接触デバイスの活性状態、したがって接触又は接触力は、光学素子の位置及び／又は向きの新たな調整（例えば補正の過程で実行される）が必要となるか又は光学モジュールの動作が終わるまで維持されることが好ましい。
【００１４】
光学素子に選択的に及ぼされるこの接触力は、光学素子をそれぞれ設定された位置及び／又は向きで保持することを可能にする。この場合、光学素子は、接触デバイスによって実質的に堅固に固定され得る。しかしながら、少なくとも１つの減衰部（光学素子及び／又は接触デバイスの領域に位置する）の対応の振動減衰構成によって、光学素子に導入された振動の目標通りの減衰を達成すること、又はこのような振動の導入を低減する、場合によっては完全に回避することさえも同様に可能である。
【００１５】
接触デバイスの接触部と光学素子の接触部との間に接触をもたらすために、接触デバイス又は光学素子（又は両方）の接触部を作動又は移動させることができる。この場合、作動力は、任意の所望の動作原理に従って任意の所望の方法で発生させることができる。好ましくは、特に省スペースな構成を達成するために、作動力を非接触式で発生させる。
【００１６】
したがって、第１態様によれば、本発明は、光学素子と、光学素子を支持する支持構造であり、少なくとも１自由度で光学素子の位置及び／又は向きを能動的に設定する位置決めデバイスを含む支持構造とを備えた光学モジュール、特にファセットミラーに関する。支持構造は、第１接触部を有する少なくとも１つの接触ユニットを有する選択的に活性化可能な接触デバイスを含み、第１接触部は、接触デバイスの活性化状態で、光学素子に接触力を及ぼすために光学素子の第２接触部に接触し、第１接触部は、接触デバイスの非活性化状態で、第２接触部から離される。
【００１７】
さらに別の態様によれば、本発明は、第１光学素子群を有する照明デバイスと、投影パターンを含むマスクを収容するマスクデバイスと、第２光学素子群を有する投影デバイスと、基板を収容する基板デバイスとを備えた、特にマイクロリソグラフィ用の光学結像デバイスであって、照明デバイスが、特にＥＵＶ域の光で投影パターンを照明するよう設計され、投影デバイスが、投影パターンを基板に投影するよう設計された光学結像デバイスに関する。照明デバイス及び／又は投影デバイスは、本発明による光学モジュールを備える。
【００１８】
さらに別の態様によれば、本発明は、光学素子、特にファセットミラーのファセット素子を支持する方法であって、光学素子を支持構造によって支持し、光学素子の位置及び／又は向きを少なくとも１自由度で設定する方法に関する。選択的に活性化可能な接触デバイスの第１接触部を、接触デバイスの活性化状態で、光学素子に接触力を及ぼすために光学素子の第２接触部と接触させる一方で、第１接触部を、接触デバイスの非活性化状態で第２接触部から離す。
【００１９】
さらに別の態様によれば、本発明は、特にマイクロリソグラフィ用の光学結像法であって、照明デバイスが、特にＥＵＶ域の光で投影パターンを照明し、投影デバイスが、投影パターンを基板に投影する光学結像法に関する。照明デバイス及び／又は投影デバイスの光学素子、特にファセットミラーのファセット素子を、本発明による方法を用いて支持する。
【００２０】
さらに別の態様によれば、本発明は、本発明による光学モジュールの接触部を構造化する方法であって、２つの接触部の一方、特に第１接触部を、構造化後に硬化可能な構造化可能材料を少なくとも部分状に（section-wise）含む構造化可能接触部として構成し、２つの接触部の他方、特に第２接触部を、構造化可能接触部の規定の構造化に十分な剛性を少なくとも部分状に有する構造化接触部として構成する方法に関する。構造化可能接触部を、その構造化可能状態で、相補的な構造の第１接触面及び第２接触面を作製するために構造化接触部によって構造化し、この構造化後に硬化する。
【００２１】
本発明のさらに他の好ましい構成は、従属請求項及び添付図面を参照した以下の好適な実施形態の説明から明らかとなる。開示された特徴の任意の組み合わせが、特許請求の範囲での言及に関係なく、本発明の主題に属する。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本発明による光学素子を支持する方法の好適な実施形態が適用される本発明による光学モジュールの好適な実施形態を備えた、本発明による光学結像デバイスの好適な実施形態の概略図である。
【図２】図１からの本発明による光学モジュールの概略上面図である。
【図３】第１動作状態の図２からの（図２からの線ＩＩＩ−ＩＩＩに沿った）光学モジュールの好適な変形形態の一部の概略断面図である。
【図４】第２動作状態の図３からの（図２からの線ＩＩＩ−ＩＩＩに沿った）光学モジュールの一部の概略断面図である。
【図５】第３動作状態の図３からの（図２からの線ＩＩＩ−ＩＩＩに沿った）光学モジュールの一部の概略断面図である。
【図６】第１動作状態の図２からの（図２からの線ＩＩＩ−ＩＩＩに沿った）光学モジュールのさらに別の好適な変形形態の一部の概略断面図である。
【図７】図６からの細部ＶＩＩの概略図である。
【図８】第２動作状態の図６からの光学モジュールの一部の概略断面図である
【図９】第３動作状態の図６からの光学モジュールの一部の概略断面図である。
【図１０】第１動作状態の図２からの（図２からの線ＩＩＩ−ＩＩＩに沿った）光学モジュールのさらに別の好適な変形形態の一部の概略断面図である。
【図１１】第２動作状態の図１０からの光学モジュールの一部の概略断面図である。
【図１２】第３動作状態の図１０からの光学モジュールの一部の概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
第１実施形態
本発明による光学結像デバイス１０１の第１実施形態を、図１〜図５を参照して以下で説明する。以下の説明の理解を簡単にするために、ｚ方向が重力の方向と一致する直交ｘｙｚ座標系を添付図面に導入した。しかしながら、言うまでもなく、このｘｙｚ座標系の又は空間における光学結像デバイスのコンポーネントの任意の他の向きも、本発明の他の変形形態で選択することができる。
【００２４】
図１は、超小型電子回路の作製に用いられるマイクロリソグラフィデバイス１０１の形態の光学結像デバイスの、一定の縮尺でない概略図である。結像デバイス１０１は、照明デバイス１０２と、結像プロセスにおいて、マスクデバイス１０４のマスク１０４．１に形成された投影パターンの像を基板デバイス１０５の基板１０５．１に投影するよう設計された光学投影デバイス１０３とを備える。この目的で、照明デバイス１０２は、マスク１０４．１を照明光ビーム（より詳細には図示せず）で照明する。続いて、投影デバイス０１３が、マスク１０４．１から来る投影光ビーム（図１に線１０１．１で示す）を受け取り、マスク１０４．１の投影パターンの像を基板１０５．１、例えばいわゆるウェーハ等に投影する。
【００２５】
照明デバイス１０２は、本発明による光学モジュール１０６．１を特に含む光学素子系１０６（図１には非常に概略的にしか示さない）を備える。以下でより詳細に説明するように、光学モジュール１０６．１はファセットミラーとして構成される。光学投影デバイス１０３は、複数の光学モジュール１０７．１を含むさらに別の光学素子系１０７を備える。ここで、光学系１０６及び１０７の光学モジュールは、結像デバイス１０１の折り返し光軸１０１．１に沿って配置される。
【００２６】
図示の例では、結像デバイス１０１は、５ｎｍ〜２０ｎｍの波長の、より正確には約１３ｎｍの波長のＥＵＶ域の光で動作する。結果として、照明デバイス１０２及び投影デバイス１０３の光学素子は、専ら反射光学素子として構成される。しかしながら、言うまでもなく、任意の所望のタイプの光学素子（例えば、屈折、反射、又は回折光学素子）を、他の波長で動作する本発明の他の変形形態において個別に又は任意の所望の組み合わせで用いることができる。さらに、投影デバイス１０３は、本発明によるさらに別の光学モジュールも、例えばさらに別のファセットミラーの形態で備えることができる。
【００２７】
図２〜図５から推論され得るように、ファセットミラー１０６．１は、ファセット素子の形態の複数の光学素子１０９（図３にはそのうちの１つのみを示す）を支持する支持構造１０８を備える。図２は、明確化のために９００個のファセット素子１０９のみを示す。しかしながら、実際には、ファセットミラー１０６．１は約４００，０００個のファセット素子１０９を備えており、但し言うまでもなく、本発明の他の変形形態において、それ以外の数の（任意の）光学素子を対応の支持構造で支持することもできる。
【００２８】
ファセットデバイスにおいて、光の均質化を最大限に達成するために好ましくはできる限り多くのファセット素子が設けられることに、留意すべきである。したがって、特にファセットデバイスでは、好ましくは１０，０００個〜１，０００，０００個、好ましくは５０，０００個〜６００，０００個、より好ましくは２００，０００個〜５００，０００個のファセット素子が設けられる。
【００２９】
図示の例では、ファセット素子１０９は、最小限の放射パワー損失を達成するために０．０５ｍｍ〜０．０２ｍｍ未満の狭い隙間が間に残るよう正四角形マトリクス状に配置される。しかしながら、言うまでもなく、結像デバイスの光学的要件に応じて支持構造１０８によって支持された光学素子の任意の他の配置も、本発明の他の変形形態で実現することができる。
【００３０】
図２〜図５から推論され得るように、ファセット素子１０９は、反射面、したがって光学有効面１０９．１を有する。反射面１０９．１は、ファセット素子１０９のファセット本体１０９．２の表側に形成され、当該表側は、支持構造１０８に面しておらず照明光ビームに面している。
【００３１】
ファセット素子１０９の光学有効面１０９．１の表面積は、好ましくは０．０５ｍｍ２〜２．０ｍｍ２、より好ましくは０．１５ｍｍ２〜０．５ｍｍ２である。本例では、光学有効面１０９．１の表面積は、０．２ｍｍ２〜０．３ｍｍ２、すなわち０．２５ｍｍ２である。
【００３２】
ファセット本体１０９．２の背面（反射面１０９．１に面していない）には、円柱状の結合要素１０９．３の形態の突起が設けられ、これによってファセット素子１０９が接続デバイス１１０を介して支持構造１０８に接続される。本例では、接続デバイス１１０は、一方では結合要素１０９．３に接続され他方では支持構造１０８に接続された弾性の膜要素又は板ばね要素として構成される。
【００３３】
支持構造１０８は、少なくとも１自由度でファセット素子１０９の位置及び／又は向きを能動的に設定するための位置決めデバイス１１１（図３には非常に概略的にしか示さない）を備える。該当の設定は、ファセット素子１０９毎に個別に行うことができる。しかしながら、同様に、本発明の他の変形形態において、任意に形成されたファセット素子１０９の群（ファセットミラー１０６．１の全てのファセット素子１０９を最大で含む）を、当然ながら合同で設定することもできる。
【００３４】
位置決めデバイス１１１によって、６空間自由度の全てを最大で含む所望の自由度数を設定することが可能である。しかしながら、装置の簡略化のために、結像デバイス１０１の結像誤差若しくは結像品質に無視できないほどの影響を及ぼすか、又は結像誤差若しくは結像品質に対する影響をビーム経路の他の場所でより簡単に補償できないような自由度のみを、考慮に入れることが好ましい。
【００３５】
本例では、位置決めデバイス１１１によって、ｙ軸に関するファセット素子１０９の回転自由度、したがってすなわちｙ軸に関するファセット素子１０９の傾斜を設定することが特に可能である。これは、ＥＵＶ域での結像デバイスの本例において、例えば瞳変動又はいわゆる設定変更のために照明デバイス１０２で用いることができる。
【００３６】
位置決めデバイス１１１は、この目的で、所望の１つ又は複数の自由度でのファセット素子１０９の設定を達成するために、ｙ軸に関する作動力ＦＳ又は対応の位置決めモーメントＭＳをファセット素子１０９に及ぼすよう設計される。
【００３７】
本例では、これは、静電動作原理に従って非接触式で行われる。この目的で、例として、位置決め電極１１１．１を支持構造１０８に設けることができ、これらの電極は、位置決めデバイス１１１に接続された制御デバイス１１２による制御下で、ファセット素子１０９の領域において、ファセット素子１０９に対する位置決め力ＦＳ又は位置決めモーメントＭＳを発生させるために対応の電場を形成する。
【００３８】
しかしながら、言うまでもなく、本発明の他の変形形態において、非接触式で若しくは代替的に接触式で動作するか、又はファセット素子１０９に機械的に接続された位置決めデバイスを用いて、位置決め力ＦＳ又は位置決めモーメントＭＳを任意の所望の他の方法で発生させることもできる。
【００３９】
支持構造１０８は、接触ユニット１１３．１を有する選択的に活性化可能な接触デバイス１１３をさらに備え、接触ユニット１１３．１は、活性化状態ではファセット素子１０９に接触力ＦＫを及ぼすよう設計され、一方で非活性化状態ではファセット素子１０９にこのような接触力ＦＫを及ぼさないか、又はファセット素子１０９とそのような機械的相互作用をしない。
【００４０】
この目的で、接触ユニット１１３．１は、接触デバイス１１３の活性化状態でファセット素子１０９の第２接触部１０９．４に接触する第１接触部１１３．２を備え、接触力ＦＫが２つの接触対偶１１３．２と１０９．４との間に作用するようにする（実質的にそれらの接触面に対して垂直に。図４及び図５を参照）。
【００４１】
図３から推論され得るように、第2接触部１０９．４は、結合要素１０９．３の自由端（ファセット本体１０９．２に面しない）に配置される。第２接触部１０９．４は、第１接触部１１３．２の第１接触面１１３．３と第２接触部１０９．４の第２接触面１０９．５との間に（第１接触面１１３．３に対して垂直な）最小隙間幅Ｓｍｉｎを有する狭い隙間１１４が形成されるように、接触デバイス１１３の非活性化状態（図３に示す）で第１接触部１１３．２に隣接して配置される。
【００４２】
接触デバイス１１３の非活性化状態では、隙間１１４又は最小隙間幅Ｓｍｉｎは、位置決めデバイス１１１が第１接触面１１３．３と第２接触面１０９．５との間の著しい接触（又はそこから生じる著しい抵抗）を伴わずにファセット素子１０９を調整できるのに少なくとも十分な大きさである。
【００４３】
本例では、最小隙間幅Ｓｍｉｎは１０μｍである。しかしながら、言うまでもなく、本発明の他の変形形態において、異なる最小隙間幅Ｓｍｉｎを選択することもできる。好ましくは、最小隙間幅Ｓｍｉｎは、０．１μｍ〜１０，０００μｍ、好ましくは１μｍ〜１，０００μｍ、より好ましくは２μｍ〜１００μｍである。
【００４４】
接触デバイス１１３が制御デバイス１１２による制御下で活性化された場合、接触デバイス１１３は、ｚ軸に沿ってファセット素子１０９に作動力ＦＢ（図３を参照）を及ぼすことで、第１接触面１１３．３及び第２接触面１０９．５が接触力ＦＫ（ファセット素子１０９の２つの異なる設定について図４及び図５に示し、図３に破線輪郭１１５で示す）下で相互に突き当たるまで、本例では接触デバイス１１０を弾性変形させてファセット素子１０９を（実質的に固定の）接触ユニット１１３．１に向けて移動させる。
【００４５】
接触デバイス１１３は、ここでも静電動作原理に従って動作することにより、本例では作動デバイス１１３．４によって非接触式で作動力ＦＢを及ぼす。この目的で、例として、作動デバイス１１３．４の作動電極１１３．５を支持構造１０８に設けることができ、これらの電極は、接触デバイス１１３に接続された制御デバイス１１２による制御下で、ファセット素子１０９の領域において対応の電場を形成することで、ファセット素子１０９に対する作動力ＦＢ又は第１接触部１１３．２と第２接触部１０９．４との間の接触力ＦＫを発生させるようにする。
【００４６】
しかしながら、言うまでもなく、作動力ＦＢ又は接触力ＦＫは、本発明の他の変形形態において、非接触式で若しくは接触式で動作するか又はファセット素子１０９に機械的に接続されたデバイスによって、任意の他の所望の方法で発生させることもできる。
【００４７】
本例では、第１接触面１１３．３が実質的に平面として構成される一方で、第２接触面１０９．５は、少なくとも単曲面（singularly curved surface）として構成され、その１つの主曲率軸（principal curvature axis）は、ｙ軸と実質的に平行に（すなわち、設定され得る回転自由度の軸と実質的に平行に）延びる。
【００４８】
ファセット素子１０９がｘ軸に関する回転自由度で設定されるようになっていない場合、第２接触面１０９．５は単曲面、すなわち実質的に円柱面であり得る。接触デバイス１１３の活性化状態では、２つの接触対偶１１３．２、１０９．４の剛性（及び当然ながら接触力ＦＫの大きさ）に応じて面積が変わる線状接触区域が、このとき存在する。
【００４９】
しかしながら、ｘ軸に関する回転自由度でのファセット素子１０９の設定が可能であるような場合も、第２接触面１０９．５は二重曲面（doubly curved）、すなわち実質的に楕円面又は球面である。接触デバイス１１３の活性化状態では、２つの接触対偶１１３．２、１０９．４の剛性（及び当然ながら接触力ＦＫの大きさ）に応じて面積が変わる点状接触区域が、このとき存在する。
【００５０】
第１接触部１１３．２と第２接触部１０９．４との間の接触には、まず、原理上はファセット素子１０９から支持構造１０８への付加的な放熱がこれによって達成され得るという利点がある。この場合、線状接触区域には、点状接触区域よりも空間的広がりが大きいことにより、ファセット素子１０９から支持構造１０８への伝熱の改善を可能にして、この場合もファセット素子１０９から支持構造１０８への高い放熱性を達成できるという利点がある。
【００５１】
さらに、接触デバイス１１３の活性化状態では、第１接触面１１３．３と平行な少なくとも１つの摩擦ロック方向に（すなわち、本例ではｘ平面と平行な、特にｘ軸と平行な方向に）摩擦ロック接続が達成され、その結果として、ファセット素子１０９は、ファセット素子１０９に導入された振動の影響下でも、振動エネルギーが特定の閾値を超えない限りは、位置決めデバイス１１１によって設定されたファセット素子１０９の各位置及び／又は向きにおいてその位置に保持される。上記閾値は、接触区域における目下の接触力ＦＫ及び摩擦状態によって決まる目下の静摩擦力ＦＨＲ、特に接触対偶１１３．２、１０９．４間の摩擦係数によって規定される。
【００５２】
ファセット素子１０９は、振動エネルギーから得られると共に摩擦ロック方向と平行なファセット素子１０９に対する転位効果を有する力が、上記静摩擦力（及び場合によってはさらに作用し得る位置決めデバイス１１１の保持力）を超えた場合にのみずれる。したがって、結果として、本発明は、第１に、位置決めデバイス１１１の保持力を減らすことを可能にする。
【００５３】
第２に、２つの接触対偶１１３．２、１０９．４間の接触と、ファセット素子１０９の各設定で得られるその固定とにより、この設定を安定させる目的で、位置決めデバイス１１１が振動影響を補償する閉ループ制御によって制御されるようにする必要がない。したがって、動作中に起こる振動が高帯域である場合でも、対応して高い制御帯域を有する閉ループは不要である。むしろ、制御デバイス１１２による接触デバイス１１３の単純な活性化又は非活性化は、ファセット素子１０９の設定の実行後又はファセット素子１０９の新たな設定前で十分である。この場合、著しく小さな帯域しか接触デバイス１１３の駆動に必要ない。
【００５４】
本例では、第２接触面１０９．５の各主曲率をファセット素子１０９の（位置決めデバイス１１１が発生させた）位置決め運動に適合させて、隙間１１４又は最小隙間幅Ｓｍｉｎが各設定で実質的に不変であるようにすることが好ましい。したがって、ファセット素子１０９は、接触デバイス１１３を活性化すると、第１接触面１１３．３及び第２接触面１０９．５が接触力ＦＫ下で相互に突き当たるまで各設定で同じ距離だけ接触ユニット１１３．１の方へ移動する。
【００５５】
しかしながら、言うまでもなく、接触デバイス１１３の活性化時にファセット素子１０９の移動が結像品質に及ぼす望ましくない影響を最小化するために、第２接触面１０９．５の各主曲率は、本発明の他の変形形態において、隙間１１４又は最小隙間幅Ｓｍｉｎがファセット素子１０９の中立位置（図３に示し、図４及び図５に破線輪郭１１６、１１７でそれぞれ示す）からのずれの増加に伴って変わるように構成することもできる。この点で、例えば、隙間１１４又は最小隙間幅Ｓｍｉｎがファセット素子１０９の中立位置（図３に示す）からのずれの増加に伴って少なくとも部分状に減少するようにすることができる。同様に、付加的又は代替的に、ずれの増加に伴って少なくとも部分状に増加するようにしてもよい。
【００５６】
この時点で言及しておくが、本例で選択された、２つの接触対偶１１３．２、１０９．４間の接触区域を専ら摩擦ロック接続させる構成には、ファセット素子１０９の中立位置からの任意の所望の設定又はずれを、ファセット素子１０９の固定効果を大きく変えることなく行うことができるという利点がある。
【００５７】
本例ではさらに、接触デバイス１１３の活性化状態で制御デバイス１１２が接触力ＦＫを変えることができ、摩擦ロック方向で、設定可能な静摩擦力ＦＨＲ又は（静摩擦力ＦＨＲが克服されたら）設定可能な摺動摩擦力ＦＧＲが位置決めデバイスの位置決め力ＦＳに対する調整抵抗Ｗとして働くようになっている。
【００５８】
これにより、位置決めデバイス１１１の位置決め力ＦＳが、調整抵抗Ｗに対して２つの接触面１１３．３、１０９．５間を摩擦相対運動させてファセット素子１０９の設定を行うのに十分であるように、接触デバイス１１３の活性化状態の設定状態で調整抵抗を低減させることが可能である。
【００５９】
接触デバイス１１３の活性化状態の固定状態では、位置決めデバイス１１１の最大位置決め力ＦＳｍａｘが調整抵抗Ｗに対するファセット素子１０９の設定を行うのに十分ではなくなるように、調整抵抗Ｗを制御デバイス１１２によって設定状態に対して増加させることができる。
【００６０】
本例では、ファセット素子１０９はさらに、約６００Ｈｚの範囲にある少なくとも１つの第１共鳴振動数を有する。接触ユニット１１３．１に関しては、これは減衰部１１３．６を有し、減衰部１１３．６は、第１共鳴振動数の範囲で振動減衰効果を有することで、ファセット素子のまさにこの臨界共鳴範囲内での結像品質に対する振動の影響を最小化するようにする。
【００６１】
さらに、ファセット素子１０９及び接続デバイス１１０を備えた構成体は、約７５０Ｈｚの少なくとも１つの第２共鳴振動数を有する。減衰部１１３．６は、上記第２共鳴振動数の範囲でも振動減衰効果を有することで、ファセット素子１０９及び接続デバイス１１０を備えた構成体のこの臨界共鳴範囲内でも結像品質に対する振動の影響を最小化するように構成される。
【００６２】
しかしながら、言うまでもなく、ファセット素子１０９は、本発明の他の変形形態において、好ましくは１Ｈｚ〜２，０００Ｈｚ、好ましくは５０Ｈｚ〜１，５００Ｈｚ、より好ましくは２００Ｈｚ〜１，０００Ｈｚの１つ又は複数の他の第１共鳴振動数及び／又は１つ又は複数の他の第２共鳴振動数を有することもできる。
【００６３】
本例では、位置決めデバイス１１１はさらに、接触デバイス１１３の非活性化後の第１接触部１１３．２と第２接触部１０９．４との間の接触の解除を第１解除力ＦＬ１によって支援する能動解除デバイスとして動作することができるよう構成される。本例では、これは、変動する、場合によってはさらに交互に変わる位置決め力ＦＳを位置決めデバイス１１１が発生させることによって、すなわち振動エネルギーがこうしてファセット素子１０９に既定の様式で導入されることによって起こる。
【００６４】
上記第１解除力ＦＬ１は、第２解除力ＦＬ２、すなわち変形した接続デバイス１１０からの解除復元力（releasing restoring force）を支持し、第１接触部１１３．２と第２接触部１０９．４との間の拘束表面力（例えば、ファンデルワールス力）を解放又は克服するのに役立つ。
【００６５】
ここでは言うまでもなく、本発明の他の変形形態において、付加的又は代替的に、接触デバイス１１３の非活性化後に何らかの他の方法で解除プロセスを支援するようにすることもできる。この点で、対応の解除力を発生させる対応の解除デバイスを、接触ユニット１１３．１の領域に設けてもよい。同様に、付加的又は代替的に、作動デバイス１１３．４が対応の解除力を発生させてもよい。
【００６６】
すでに述べたように、図４及び図５は、ファセット素子１０９の２つの異なる設定、例えばファセット素子１０９の中立位置（図４の輪郭１１６及び図５の輪郭１１７を参照）からの２つの正反対のずれに関する、接触デバイス１１３の活性化状態を示す。言うまでもなく、本例では、ファセット素子１０９の特に微妙な設定が可能となるように、位置決めデバイス１１１の設定分解能に応じて、所望の数の中間状態をこれらの極限位置間で実現することができる。
【００６７】
第２実施形態
本発明による光学モジュール２０６．１のさらに別の好適な実施形態を、図１、図２、及び図６〜図９を参照して以下で説明する。光学モジュール２０６．１は、結像デバイス１０１における光学モジュール１０６．１の代わりに用いることができる。その基本的な構成及び機能に関しては、光学モジュール２０６．１は、図３〜図５からの光学モジュールに対応するので、相違点のみをここでは述べる。特に、同一のコンポーネントには同一の参照符号を付け、一方で同じタイプのコンポーネントには値１００を足した参照符号を付ける。以下で別段の指示がない限り、上記コンポーネントの特徴、機能、及び利点に関して第１実施形態に関連した上記説明を参照する。
【００６８】
図３〜図５からの実施形態と本質的に異なる点は、接触デバイス２１３の構成にあり、本例では、第１接触部２１３．２の第１接触面２１３．３及び第２接触部２０９．４の第２接触面２０９．５が相補的に構造化されて、図８及び図９に示す別個の設定の場合に接触デバイス２１３の活性化状態でこれらが少なくとも１つの確動ロック（positively locking）方向（本例では、ｘ軸と平行な方向）に確動ロック接続を形成するようになっている。
【００６９】
この目的で、第１接触面２１３．３は、各設定で（接触デバイス２１３の活性化状態で）第２接触面２０９．５の相補的な構成の凸部２０９．６及び２０９．７それぞれが係合する２つの対応の凹部２１３．７及び２１３．８を有する。
【００７０】
本例では、活性化状態で確動ロック接続をもたらす相補的な構成は、各接触面（本例ではｘｚ平面）に対する面法線を含む断面で接触面２１３．３及び２０９．５の相互に対応して相補的な多角形断面輪郭によって達成される。
【００７１】
しかしながら、言うまでもなく、本発明の他の変形形態において、接触面２１３．３及び２０９．５が所望の確動ロック方向で確動ロック接続を達成するために活性化状態で相互に係合するように各設定で相互に対して相補的に構成される限り、これらの接触面の任意の他の断面輪郭を設けることもできる。
【００７２】
さらに、２つの接触面２１３．３及び２０９．５の相補的構造化の結果として、比較的大きな面積を有する接触区域が得られる。これには、第１実施形態に対して、ファセット素子２０９から支持構造１０８への伝熱のさらなる向上が得られ、この場合もファセット素子２０９から支持構造１０８への高い放熱性を達成できるという利点がある。
【００７３】
２つの接触面２１３．３及び２０９．５の相補的構造化は、本例では、第１接触部２１３．２が構造化可能接触部として構成されることによって達成される。この目的で、減衰部２１３．６のうちファセット素子２０９に面した側に位置する領域２１３．９において、第１接触部２１３．２は、構造化後に硬化可能な構造化可能材料から形成される。これに対して、第２接触部２０９．４は、構造化可能な第１接触部２１３．２の規定の構造化に十分な剛性を有する構造化接触部として構成される。
【００７４】
第１接触部２１３．２の構造化を達成するために、最初に位置決めデバイス１１１がファセット素子２０９を第１設定にしてから接触デバイス２１３が活性化され、図８に示す配置が得られるまでファセット素子２０９がその第２接触部２０９．４を構造化可能な第１接触部２１３．２に押し込められることによって、構造化可能な第１接触部２１３．２は、構造化第２接触部２０９．４によってその構造化可能状態で構造化される。
【００７５】
その後、接触デバイス２１３が非活性化され、ファセット素子２０９が位置決めデバイス１１１によって第２設定にされてから、接触デバイス２１３が改めて活性化されて、図９に示す配置が得られるまでファセット素子２０９がその第２接触部２０９．４を構造化可能な第１接触部２１３．２に押し込められる。
【００７６】
その後、所望の確動ロック方向で上記確動ロック接続を達成できるのに十分な剛性を有する図６〜図９に示す構造化された第１接触面２１３．３を得るために、第１接触部２１３．２の構造化可能領域２１３．９が硬化される。
【００７７】
このように構造化された第１接触部２１３．２がこのプロセス中にその構造化を十分に維持することを確実にするために、構造化可能領域２１３．９の硬化性材料は、その構造化可能状態でゲル状又は蝋状の粘稠度を有する。
【００７８】
この場合、本例の構造化可能領域２１３．９の硬化性材料は、その構造化可能状態で、重力に起因した加速度の少なくとも１００％、好ましくは少なくとも１２５％、より好ましくは実質的に１５０％に相当する加速度の影響後に、構造化接触部に対して少なくとも８０％、好ましくは少なくとも９０％、より好ましくは実質的に１００％の寸法忠実性を得るのに十分な寸法安定性を有する。
【００７９】
好ましくは、硬化性材料の寸法安定性は、材料の最終硬化までの取り扱い中に生じ得る全ての加速度下で、上記材料が所望のその後の確動ロック接続に十分な構造化第２接触部２０９．４に対する寸法忠実性を維持するよう選択される。
【００８０】
用いられる構造化可能な硬化性材料は、フォトレジスト材料、特に紫外線硬化性の多成分接着剤、及び特に熱硬化性の粉体塗装材料からなる材料群からの少なくとも１つの材料であることが好ましい。用いられるフォトレジスト材料は、原理上、マイクロシステム工学で、特に半導体リソグラフィで用いられるような任意の所望のフォトレジストであり得る。
【００８１】
しかしながら、言うまでもなく、２つの接触面２１３．３及び２０９．５の相補的構造化は、本発明の他の変形形態において何らかの他の方法で実行することもできる。この点で、例として、２つの接触面２１３．３及び２０９．５の役割を交換することができ、したがってすなわち、第１接触部２１３．２が構造化接触部を形成し得る一方で、第２接触部２０９．４が構造化可能接触部として構成される。同様に、当然ながら、これら２つの変形形態の混合形態を設けることもでき、その場合、各接触部が部分的に構造化可能接触部として、また部分的に構造化接触部として構成される。
【００８２】
同様に言うまでもなく、２つの接触面２１３．３及び２０９．５の相補的構造化を、本発明の他の変形形態において、任意の所望の一次成形法及び／又は材料除去法及び／又は材料塗布法による別個の成形製造及び／又は再加工によって、それぞれ個別に行うこともできる。
【００８３】
本例では、結像デバイス１０１の動作中に、ファセット素子２０９は図８及び図９に示す２つの設定を有する。これにより、例えばオン／オフ機能を達成することが可能であり、ファセット素子２０９は、例えば図８からの設定で入射光を目下の結像プロセスで使用光として用いられ得るように伝達し、一方で図９からの設定では入射光が使用ビーム経路から除去される。光損失が回避される本発明の他の変形形態では、異なる使用領域へのずれのみを達成することも可能である。
【００８４】
さらに、言うまでもなく、本発明の他の変形形態において３つ以上の別個の設定を設けることもできる。この場合、当然ながら、２つの接触面２１３．３及び２０９．５において（接触デバイス２１３の活性化状態で）確動ロック式に相互に対応して係合する対応の数の部分が設けられる。
【００８５】
第３実施形態
本発明による光学モジュール３０６．１のさらに別の好適な実施形態を、図１、図２、及び図１０〜図１２を参照して以下で説明する。光学モジュール３０６．１は、結像デバイス１０１における光学モジュール１０６．１の代わりに用いることができる。その基本的な構成及び機能に関しては、光学モジュール３０６．１は、図６〜図９からの光学モジュールに対応するので、相違点のみをここでは述べる。特に、同一のコンポーネントには同一の参照符号を付け、一方で同じタイプのコンポーネントには値１００を足した参照符号を付ける。以下で別段の指示がない限り、上記コンポーネントの特徴、機能、及び利点に関して第２実施形態に関連した上記説明を参照する。
【００８６】
図６〜図９からの実施形態と本質的に異なる点は、この場合も接触デバイス３１３の構成にある。この点で、本例では、接触デバイス３１３の接触ユニット３１３．１に、実際には同様に第１接触部３１３．２の第１接触面３１３．３が設けられ、これは、第２実施形態の場合と同一の様式で、第２接触部２０９．４の第２接触面２０９．５に対して相補的に構造化されて、図１１及び図１２に示す２つの別個の設定の場合に接触デバイス３１３の活性化状態でこれらが少なくとも１つの確動ロック方向（本例では、ｘ軸と平行な方向）に確動ロック接続を形成するようになっている。この点で、第２実施形態に関する上記説明を明確に参照されたい。
【００８７】
しかしながら、本例では、ファセット素子２０９は、（位置決めデバイス１１１によって設定された）各設定で実質的に固定である要素として構成される。これに対して、（制御デバイス１１２によって）接触デバイス３１３が活性化されると、作動デバイス３１３．４がｚ軸に沿って接触ユニット３１３．１に作動力ＦＢ（図１０を参照）を及ぼすことで、第１接触面３１３．３及び第２接触面３０９．５が接触力ＦＫ（ファセット素子２０９の２つの異なる設定について図１１及び図１２に示す）下で相互に突き当たるまで、本例では接触ユニット３１３．１のキャリア３１３．１を弾性変形させて接触ユニット３１３．１を（実質的に固定の）ファセット素子２０９に向けて移動させる。
【００８８】
本例では、キャリア３１３．１０は、接触デバイス３１３の活性化状態（図１１及び図１２を参照）及び接触デバイス３１３の非活性化状態（図１０を参照）における（位置決めデバイス１１１による）各設定で安定状態をとるよう構成され、この安定状態から、上記キャリアを、対応の作動力ＦＢが加わることによってのみ移動させることができる。この目的で、キャリア３１３．１０は、弧状の又は鍋状の断面輪郭を有する双安定弾性要素として（例えば、膜状又は板ばね状要素として）構成される。
【００８９】
本例では、接触デバイス３１３は、この場合も静電動作原理に従って動作することにより、この場合も作動デバイス３１３．４によって非接触式で作動力ＦＢを及ぼす。同様に、付加的又は代替的に、接触ユニット３１３．１又は弾性キャリア３１３．１０に直接機械的に接続されて動作する作動機構を設けることも当然ながら可能である。例として、対応のアクチュエーター（例えば、ピエゾアクチュエーター）が、接触ユニット３１３．１と支持構造１０８との間にある弾性キャリア３１３．１０の領域に作用することで、弾性キャリア３１３．１０の２つの安定した端位置間を切り替える対応の曲げモーメントを弾性キャリア３１３．１０に導入するようにすることができる。
【００９０】
この双安定構成には、弾性キャリア３１３．１０の２つの端位置間を切り替えるためだけにエネルギーを付与すればよく、他の全ての時点でエネルギーの付与が必要ないという利点がある。これは、擾乱熱エネルギー及び再度放散させなければならない熱エネルギーの結像デバイス１０１への導入に関して有利である。
【００９１】
言うまでもなく、適切な場合には接続デバイス１１０の対応の構成によって他の２つの実施形態でもこのような双安定構成を実現することができる。
【００９２】
同様に、第３実施形態において、図１０に破線輪郭３１８で示したように、単純な膜状又は板ばね状要素としてのキャリアの従来構成を設けることも当然ながら可能である。この場合、接触力ＦＫを達成するために、対応の作動力ＦＢを活性化状態で常に加えなければならない。この場合、キャリア３１８は、第１接触面３１３．３と第２接触面２０９．５との間の接触の解除を少なくとも支援する解除力を及ぼす。
【００９３】
代替的に、活性化状態での第１接触面３１３．３と第２接触面２０９．５との間の接触がキャリアの対応の機械的プレストレスによって常に（すなわち、エネルギー供給なしで）達成される一方で、非活性化状態では、キャリアをさらに弾性変形させて第１接触面３１３．３と第２接触面２０９．５との間の接触を解除するために対応の作動力ＦＢを加えなければならない構成を、当然ながら設けることも可能である。
【００９４】
本発明は、専らファセットミラーに基づいて説明してきた。しかしながら、言うまでもなく、本発明を任意の他の光学モジュール及び／又は光学素子に関連して用いることもできる。
【００９５】
さらに、本発明は、専らマイクロリソグラフィの分野からの例に基づいて説明してきた。しかしながら、言うまでもなく、本発明を任意の他の光学用途、特に他の波長での結像法に関連して用いることもできる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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