(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、前記基板上の多層コーティングと、前記多層コーティング上のキャッピング層と、を含み、
前記キャッピング層が、ターゲット材料付着に対する高い耐性を有する材料を含む最も外側の層と、前記最も外側の層と前記多層コーティングとの間に位置決めされた多層構造物と、を含み、
前記多層構造物が、複数の二重層を含み、
前記二重層のそれぞれが、水素拡散及びブリスタリングに対して耐性のある材料を含むスペーサ層と、イオン浸透に対して耐性のある材料を含むアブソーバ層と、を含み、
前記スペーサ層は、Ｓｉ３Ｎ４、ＺｒＮ、ＹＮ、ＳｉＮ、ＮｂＮ、ＴｉＮ、ＢＮ、ＳｉＣ、Ｂ４Ｃ、Ｃ、ＺｒＣ、ＺｒＢ２、ＮｂＢ２、ＹＢ６、及びＳｉＢ６からなる群から選択される、
前記アブソーバ層は、ＺｒＯ２、ＴｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５、Ｎｂ２Ｏ５、Ｙ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３、チタン−アルミニウム−オキシナイトライド（ＴｉＡｌＯＮ）、Ｍｏ、Ｗ、Ｚｒ及びＭｏ２Ｃからなる群から選択される、
多層ミラー。
【請求項２】
前記最も外側の層が、第１の酸化物材料又は第１の窒化物材料を含む、請求項１に記載の多層ミラー。
【請求項３】
前記第１の酸化物材料が、ＺｒＯ２、ＴｉＯ２及びＮｂ２Ｏ５を含む材料のグループのうちの１つを含む、請求項２に記載の多層ミラー。
【請求項４】
前記第１の窒化物材料が、ＺｒＮ及びＹＮを含む材料のグループのうちの１つを含む、請求項２に記載の多層ミラー。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
関連出願の相互参照
[0001]  本出願は、２０１４年２月７日に出願されたヨーロッパ特許出願第１４１５４２６５．４号の利益を主張し、参照により全体が本明細書に組み込まれる。
【０００２】
[0002]  本発明は、汚染及び摩耗を受けやすい環境で動作するように設計された光学素子に関する。このような環境の一例は、ターゲット材料の放電又はレーザアブレーションにより創出されたプラズマから極端紫外（「ＥＵＶ」）放射を生成するための装置の真空チャンバである。本出願では、この光学素子は、例えば、半導体フォトリソグラフィのために真空チャンバの外側で使用するための放射を収集し誘導するために使用される。
【背景技術】
【０００３】
[0003]  極端紫外放射、例えば、５０ｎｍ辺り又はそれ未満の波長を有し、約１３．５ｎｍ辺りの波長の放射を含む電磁放射（時には軟Ｘ線ともいう）は、シリコンウェーハなどの基板内に極端に小さいフィーチャを生成するためにフォトリソグラフィプロセスにおいて使用することができる。
【０００４】
[0004]  ＥＵＶ放射を生成するための方法は、ターゲット材料を液体状態からプラズマ状態に変換することを含む。ターゲット材料は、好ましくは、ＥＵＶ範囲内の１つ以上の輝線を有する少なくとも１つの元素、例えば、キセノン、リチウム、又はスズを含む。しばしばレーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）と呼ばれる、このような方法の１つでは、レーザビームを使用して、必要なライン放出元素を有するターゲット材料を照射することによって必要なプラズマを生成することができる。
【０００５】
[0005]  ＬＰＰ技法の１つは、ターゲット材料小滴の流れを生成することと、その小滴の少なくとも一部をレーザ放射パルスで照射することを伴う。より理論的な言い方では、ＬＰＰ源は、キセノン（Ｘｅ）、スズ（Ｓｎ）、又はリチウム（Ｌｉ）などの少なくとも１つのＥＵＶ放出元素を有するターゲット材料内にレーザエネルギを蓄積させ、数十ｅＶの電子温度を有する高電離プラズマを創出することによってＥＵＶ放射を生成する。
【０００６】
[0006]  これらのイオンの脱励起及び再結合中に生成されたエネルギ放射はすべての方向にプラズマから放出される。１つの一般的な配置では、この放射を収集し、誘導し、配置によっては中間位置に集束させるように近垂直入射ミラー（しばしば「コレクタミラー」又は単純に「コレクタ」と呼ばれる）が位置決めされる。収集された放射は次に、中間位置から１組のスキャナ光学機器に、そして最終的にウェーハにリレーすることができる。
【０００７】
[0007]  スペクトルのＥＵＶ部分では、一般に、コレクタに反射光学機器を使用することが必要と見なされる。関係する波長では、コレクタは多層ミラー（「ＭＬＭ」）として有利に実現される。その名前が暗示するように、このＭＬＭは一般に、土台又は基板上に材料の交互の層で構成される。
【０００８】
[0008]  この光学素子は、ＥＵＶ放射を収集し再誘導するためにプラズマとともに真空チャンバ内に配置しなければならない。チャンバ内の環境は光学素子にとって不利なものであり、従って、例えば、その反射率を劣化させることにより、その耐用寿命を制限している。その環境内の光学素子は、ターゲット材料の高エネルギイオン又は粒子に曝される可能性がある。ターゲット材料の粒子は光学素子の暴露面を汚染する可能性がある。また、ターゲット材料の粒子はＭＬＭ表面の物理的損傷及び局部加熱を引き起こす可能性もある。ターゲット材料は、光学素子表面の少なくとも１つの層を構成する材料、例えば、モリブデン及びシリコンと特に反応しやすい可能性がある。反応しにくいターゲット材料、例えば、スズ、インジウム、又はキセノンの場合でも、温度安定性、イオン注入、及び拡散の問題に対処する必要がある可能性がある。また、ＭＬＭコーティングのブリスタリングも回避しなければならない。
【０００９】
[0009]  このような苛酷な条件にもかかわらず光学素子の寿命を増すために使用できる技法が存在する。例えば、光学素子の表面を保護するために光学素子上にキャッピング層を配置することができる。キャッピング層をより反射性の高いものにするために、複数の層を間隔を開けて配置し、反射すべき放射の波長で反射率を高めることもできる。
【００１０】
[0010]  しかし、このような多層キャッピング層は、それ自体、水素拡散及びブリスタリングなどのメカニズムにより損傷しがちである。いくつかのシステムでは、デブリ緩和のために０．５〜３ｍｂａｒの範囲内の圧力のＨ２ガスが真空チャンバ内で使用される。真空圧でガスがない場合、プラズマから射出されたターゲット材料デブリからコレクタを十分に保護することは、不可能ではない場合でも困難なものになるであろう。水素は、約１３．５ｎｍの波長を有するＥＵＶ放射に対して比較的透過的であり、従って、約１３．５ｎｍでより高い吸収作用を発揮するＨｅ、Ａｒ、又はその他のガスなどのその他の候補ガスより好ましい。
【００１１】
[0011]  Ｈ２ガスは、プラズマによって創出されたターゲット材料のエネルギデブリ（イオン、原子、及びクラスタ）を減速するために真空チャンバ内に導入される。デブリはガス分子との衝突によって減速される。このために、デブリ軌道の逆になる可能性もあるＨ２ガスの流れが使用される。これは、コレクタのオプティカルコーティング上のターゲット材料の付着、注入、及びスパッタリングの損傷を低減する働きをする。この方法を使用すると、プラズマ箇所とコレクタ表面との間の距離にわたりこれらの圧力で行われる多くのガス衝突により数ｋｅＶのエネルギを有するエネルギ粒子を数十ｅＶに減速することが可能であると考えられる。
【００１２】
[0012]  Ｈ２ガスを真空チャンバ内に導入するもう１つの理由は、コレクタ表面の清掃を容易にすることである。プラズマによって生成されたＥＵＶ放射は、Ｈ２分子を解離することによって水素ラジカルを創出する。次に水素ラジカルは、コレクタ表面上のターゲット材料付着物からコレクタ表面を清掃するのに役立つ。例えば、ターゲット材料としてのスズの場合、水素ラジカルは、ポンプで汲み出すことができる揮発性のガス状スタンナン（ＳｎＨ４）の形成に至るコレクタ表面上の反応に関与する。この化学的経路を効率的なものにするために、むしろＳｎに付加してＳｎＨ４を形成するために水素ラジカルが使用可能になるようにコレクタ表面上に低いＨ再結合率（元通りＨ２分子を形成するため）が存在することが好ましい。一般に、窒化物、炭化物、ホウ化物、及び酸化物のような非金属化合物からなる表面は、純粋金属からなる表面と比べると、より低いＨ再結合率を有する。
【００１３】
[0013]  しかし、Ｈ２ガスの使用は、コーティング上の軽い水素原子及び分子の両方によってコレクタに塗布されたコーティングに対して負の影響を及ぼす可能性がある。水素原子は非常に小さいので、多層ミラーとして構成されたコレクタ内部深くに複数の層を容易に拡散できるものと考えられる。水素は、イオン減速が不十分である場合に注入することができ、コレクタキャップ及びそのキャップの下の多層ミラーの層内に拡散することもできる。これらの現象は最も外側の層に最も激しく影響する。
【００１４】
[0014]  原子状水素が多層ミラーの本体に侵入すると、その水素はＳｉに固着するか、層境界及び境界面に捕獲されるか、或いはその両方になる可能性がある。これらの影響の規模はこれらの領域における水素の投与量及び濃度に依存する。水素濃度が特定のしきい値より高い場合、ガス状水素化合物の泡を形成し、Ｈ２分子に再結合するか又はおそらくＳｉＨ４も形成するかのいずれかになる可能性がある。これは典型的にキャップ層の下に又は最も外側のＳｉ層内に最も激しく発生する。気泡が形成され始めると、その気泡は追加の水素の存在下で成長する確率が高い。このような泡が形成された場合、その内部ガス圧が泡の上の層を変形させることになる。その後、その層は破裂し、その結果、ガスを解放し、典型的に数十ｎｍのサイズでコーティング上にブリスタを形成する可能性がある。
【００１５】
[0015]  ブリスタのあるコーティングはいくつかの問題を発生する。そのコーティングは、表面積が大きくなり、酸化及びその他の汚染物質によって並びにターゲット材料の付着によって劣化しがちになる。吸収作用がより高くなるので、これは一般にＥＵＶ反射率の低減をもたらす。また、ブリスタのあるコーティングは粗さが大きくなるのでより多くの光を散乱させ、その結果、その下の損傷していない層が依然としてＥＵＶ光の反射に貢献している場合であり、ターゲット材料付着物が清掃によって除去された場合でも、ＥＵＶ反射率が大幅に低減される。
【００１６】
[0016]  これらの影響に加えて、水素摂取及び浸透も金属層の脆化をもたらし、その結果、層の劣化を引き起こす可能性がある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１７】
[0017]  従って、同時にブリスタリングに対して耐性のあるキャッピング層を備えながら多層キャッピング層を使用することによるＥＵＶ反射率の増強に関する利点を活用する必要がある。
【００１８】
[0018]  以下の説明では、１つ以上の実施形態について基本的な理解を提供するために、これらの実施形態の簡略な要約を提示する。この要約は、企図されているすべての実施形態に関する広範な概要ではなく、すべての実施形態の主要な又は重大な要素を識別するためのものではなく、任意又はすべての実施形態の範囲について制限を設定するためのものでもない。その唯一の目的は、後で提示されるより詳細な説明に対する前置きとして、１つ以上の実施形態のいくつかの概念を簡略な形で提示することである。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
[0019]  一態様により、基板と、基板上の多層コーティングと、多層コーティング上のキャッピング層と、を含む多層ミラーが提供され、キャッピング層は、ターゲット材料付着に対する高い耐性を有する材料を含む最も外側の層と、最も外側の層と基板との間に位置決めされた多層構造物と、を含み、多層構造物は、複数の二重層を含み、二重層のそれぞれは、水素拡散及びブリスタリングに対して耐性のある材料を含むスペーサ層と、イオン浸透に対して耐性のある材料を含むアブソーバ層と、を含む。
【００２０】
[0020]  最も外側の層は、ＺｒＮ、Ｓｉ３Ｎ４、ＹＮ、ＺｒＯ２、Ｎｂ２Ｏ５、及びＴｉＯ２など、ターゲット材料付着に対する高い耐性、入射イオンに関する良好なエネルギ低減、及び低い二次電子歩留まりを有する窒化物又は酸化物にすることができる。スペーサ層は、好ましくは、窒化物、炭化物、及びホウ化物など、水素拡散及びブリスタ耐性のある材料から作られる。アブソーバ層は、好ましくは、入射イオンの浸透を低減できる適切な酸化物層、窒化物層、又は金属層から作られる。窒化物層用の適切な材料としてはＳｉ３Ｎ４及びＹＮを含む。炭化物層及びホウ化物層用の適切な材料としてはＢ４Ｃ、Ｃ、ＺｒＣ、及びＹＢ６を含む。酸化物層用の適切な材料としてはＺｒＯ２、ＴｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５、及びＮｂ２Ｏ５を含む。金属層用の適切な材料としてはＭｏ２Ｃ、Ｍｏ、及びＷを含む。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】[0021]本発明の一態様によるレーザ生成プラズマＥＵＶ放射源システムに関する全体的な広い概念について一定の縮尺ではない概略図を示している。
【図２】[0022]多層キャッピング層を有するＥＵＶ光学素子の断面について一定の縮尺ではない概略図を示している。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
[0023]  次に、図面に関連して様々な実施形態について説明するが、図面全体を通して同様の要素を指すために同様の参照番号を使用する。以下の説明では、説明のために、１つ以上の実施形態について徹底的な理解を促進するために多数の特定の詳細が明記されている。しかし、いくつかの又はすべての事例では、以下に記載されている特定の設計詳細を採用せずに以下に記載されているいずれかの実施形態を実践できることは明白である可能性がある。その他の事例では、１つ以上の実施形態の説明を容易にするために周知の構造及び装置がブロック図形式で示されている。
【００２３】
[0024]  最初に図１に関連して説明すると、本発明の一実施形態の一態様により、模範的なＥＵＶ放射源、例えば、レーザ生成プラズマＥＵＶ放射源２０の概略図が示されている。図示の通り、ＥＵＶ放射源２０はパルス又は連続レーザ発生源２２を含むことができ、このレーザ発生源は、例えば、１０．６μｍで放射を生成するパルスガス放電ＣＯ２レーザ発生源にすることができる。パルスガス放電ＣＯ２レーザ発生源は、高電力及び高いパルス繰り返し率で動作するＤＣ又はＲＦ励起を有することができる。
【００２４】
[0025]  ＥＵＶ放射源２０は、液体小滴又は連続液体流の形でターゲット材料を届けるためのターゲットデリバリシステム２４も含む。その他の材料も使用できるが、ターゲット材料はスズ又はスズ化合物で構成することができる。ターゲット材料デリバリシステム２４は、チャンバ２６の内部の照射領域２８までターゲット材料を導入し、その領域でターゲット材料を照射してプラズマを生成することができる。いくつかの場合には、照射領域２８に向かって又はそこから離れてターゲット材料を操縦できるようにするためにターゲット材料上に電荷が配置される。本明細書で使用するように、照射領域は、ターゲット材料照射が行われる可能性のある領域であり、いかなる照射も実際に行われていない時でも照射領域である。
【００２５】
[0026]  図１について続けると、放射源２０は１つ以上の光学素子も含むことができる。以下の考察ではコレクタ３０がこのような光学素子の一例として使用されているが、この考察はその他の光学素子にも適用される。コレクタ３０は、例えば、ＭＬＭ、即ち、熱誘起層間拡散を効果的に阻止するために追加の薄いバリア層、例えば、Ｂ４Ｃ、ＺｒＣ、Ｓｉ３Ｎ４、又はＣがそれぞれの境界面に付着しているモリブデン／シリコン（Ｍｏ／Ｓｉ）多層でコーティングされた炭化ケイ素（ＳｉＣ）基板として実現された垂直入射レフレクタにすることができる。アルミニウム（Ａｌ）又はシリコン（Ｓｉ）などのその他の基板材料も使用することができる。コレクタ３０は、レーザ放射が通過して照射領域２８に到達できるようにするためのアパーチャを備えた長球面の形にすることができる。コレクタ３０は、例えば、照射領域２８にある第１の焦点と、いわゆる中間点４０にある第２の焦点（中間焦点４０とも呼ばれる）とを有する楕円の形にすることができ、その場合、ＥＵＶ放射は、ＥＵＶ放射源２０から出力し、例えば、シリコンウェーハ加工物５２を既知の方法で処理するためにその放射を使用する集積回路リソグラフィツール５０に入力することができる。次に、シリコンウェーハ加工物５２は、集積回路デバイスを得るために既知の方法で追加的に処理される。
【００２６】
[0027]  上記のように、コレクタ３０などの光学素子の設計における技術的難題の１つはその寿命を延ばすことである。コレクタ３０の寿命を延ばすための１つの方法は、最も外側のキャップ層を使用することにより、それを損傷から保護することを伴う。キャップ層システム自体は、有利なことに、（例えば、１３．５ｎｍの波長で）コレクタミラーコーティングの強化されたＥＵＶ反射率を提供するために複数の交互のスペーサ層及びアブソーバ層で構成された多層システムである。コレクタ３０の主要（Ｍｏ／Ｓｉ）コーティングの多層と同様に、多層状キャップ層システムもコレクタ３０の半径の関数として入射角に整合させた二重層間隔を備えた段階的設計を有するものでなければならない。
【００２７】
[0028]  多層キャップを有するＭＬＭコレクタ３０の一例は図２に示されており、これはこのようなコレクタの一部分における断面である。そこに示されているように、コレクタ３０は基板１００を含む。多層コーティング１１０は基板３０の上に配置される。多層コーティング１１０は、既知の方式で、例えば、モリブデン及びシリコンなどの材料の交互の層で構成される。多層コーティング１１０の上には、最も外側の層１３０と一連の繰り返し二重層１４０で構成されたキャッピング層１２０が配置される。二重層１４０のそれぞれは、好ましくは、スペーサ層１５０とアブソーバ層１６０とを含む。図２は５つの二重層を有する配置を示しているが、当業者であれば、その他の数の二重層を使用できることを容易に認識するであろう。
【００２８】
[0029]  多層キャップの目的は、関心のある波長、例えば、１３．５ｎｍでコレクタ３０の全体的な反射率を過度に減少させずにコレクタ３０を保護することである。しかし、多層キャップ内の層のためにブリスタリング及び水素拡散に耐える材料を選択することが好ましい。例えば、窒化ジルコニウム／シリコン（ＺｒＮ／Ｓｉ）二重層又はタングステン／シリコン（Ｗ／Ｓｉ）二重層など、シリコンを含む多層状キャップ二重層はブリスタリングしがちである可能性がある。これは、層境界におけるダングリングボンドが層の大部分における水素と反応するというＳｉ層内の水素反応によるものである。この反応は、シリコン層内部にＳｉＨ４（シラン）及び水素ブリスタを形成する可能性がある。モリブデン／イットリウム（Ｍｏ／Ｙ）などのその他の二重層組合せは、水素拡散に対する効果的なバリアを提供しない可能性がある。
【００２９】
[0030]  従って、ターゲット材料（例えば、スズ）付着、水素イオン浸透、水素拡散、及び水素又は酸素誘起ブリスタリングからコレクタ３０のコーティングを保護するキャップ層システムを提供することは有利である。
【００３０】
[0031]  適切な窒化物、炭化物、及びホウ化物（四窒化三ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）、窒化ジルコニウム（ＺｒＮ）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、炭素（Ｃ）、窒化イットリウム（ＹＮ）、六ホウ化イットリウム（ＹＢ６）、炭化ジルコニウム（ＺｒＣ）、六ホウ化ケイ素（ＳｉＢ６）、及び炭化ホウ素（Ｂ４Ｃ）など）の形でキャップ多層システムのスペーサ層用の材料を選択することにより、多層コーティング内への水素拡散が低減され、スペーサ層内の水素との反応が低減され、水素誘起ブリスタの形成に対する耐性が得られる。適切な酸化物層、窒化物層、又は金属層（五酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）、二酸化チタン（ＴｉＯ２）、二酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）、五酸化ニオブ（Ｎｂ２Ｏ５）、酸化イットリウム（Ｙ２Ｏ３）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、チタン−アルミニウム−オキシナイトライド（ＴｉＡｌＯＮ）、ＺｒＮ、窒化ケイ素（ＳｉＮ）、窒化チタン（ＴｉＮ）、Ｍｏ、Ｗ、及びＺｒなど）の形でアブソーバ層としての材料を選択することにより、スズ付着に対する一番上の層の保護が増加し、水素浸透及びターゲット材料浸透に対する保護並びに部分的に水素拡散に対する保護が増加する。
【００３１】
[0032]  もう一度、図２を参照すると、キャップ１２０の一番上の層１３０は、好ましくは、ターゲット材料付着に対する高い耐性を有する窒化物又は酸化物である。事実上、これらは、好ましくは、スタンナンの高い形成率を可能にするために原子状水素について低い再結合率を有する材料である。これらは、典型的に、約１０−４〜約１０−３の範囲内の水素再結合係数を有する材料になるであろう。実際上、これは、Ｈ２に再結合する前にＨがＳｎと反応できるので、この好ましい材料が良好なスズ清浄率を発揮することを意味する。一例として、金属ステンレス鋼は２．２×１０−３という再結合係数を有する。キャップ１２０の一番上の層１３０用の好ましい材料も、好ましくは、入射イオンに関する良好なエネルギ低減及び低い二次電子歩留まりを発揮する。低い再結合係数、入射イオンに関する良好なエネルギ低減、及び低い二次電子歩留まりを有する材料の例としては、ＺｒＮ、ＴｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５、及びＺｒＯ２を含む。
【００３２】
[0033]  スペーサ層は、好ましくは、窒化物及び炭化物などの水素拡散及びブリスタ耐性のある材料から作られる。スペーサ層は、好ましくは、無定形に成長して、水素拡散について効率的なバリアとして作用する。いくつかの材料は薄い層内で微晶質成長を発揮する。このような材料の場合、水素は結晶質層内の粒界に沿ってより容易に拡散することができ、従って、無定形に成長した層及び低い欠陥密度を有する層は水素バリアとして好ましい。炭化物、ホウ化物、及び窒化物は良好な水素拡散バリア層として認められている。一般に、セラミックスはＨ拡散のための良好なバリアと見なされる。また、スペーサ層は、好ましくは、水素との反応に関して比較的不活性の材料で作られる。例えば、ＳｉＣ（炭化ケイ素）はＳｉとＣとのすべての結合が飽和しており、従って、あまりブリスタリングしがちではない。窒化イットリウム（ＹＮ）は、微晶質成長を示す純粋イットリウムと比べると、水素拡散に関してより良好なバリア層である。
【００３３】
[0034]  アブソーバ層は、好ましくは、入射イオンの浸透を低減できる適切な酸化物層又は金属層から作られる。換言すれば、アブソーバ層用の材料は、好ましくは、水素イオンに衝撃を与えるために比較的高い阻止能を有する。これは、比較的大きく好ましい阻止断面積を意味する。約１００ｅＶエネルギのエネルギを有する水素イオンが数ナノメートル以上、材料に浸透できないはずであることが好ましい。ＺｒＯ２はこのような材料の一例である。金属についてはモリブデンが好ましい材料であり、適用例によっては、Ｍｏとほとんど同じＥＵＶ反射率を有するが、より良好な成長特性とＨ拡散に関するより良好な特性を有するので、炭化モリブデン（Ｍｏ２Ｃ）が「金属」材料として好ましい。
【００３４】
[0035]  これらの特性の他に、キャップ層内の層材料は１３．５ｎｍの波長でＥＵＶ放射に対して良好な透過性を有していなければならない。
【００３５】
[0036]  窒化物層用の適切な材料としてはＳｉ３Ｎ４、ＺｒＮ、ＹＮ、ＳｉＮ、ＮｂＮ、ＴｉＮ、及びＢＮを含む。
【００３６】
[0037]  炭化物層用の適切な材料としてはＳｉＣ、Ｂ４Ｃ、Ｃ、及びＺｒＣを含む。
【００３７】
[0038]  ホウ化物層用の適切な材料としてはＺｒＢ２、ＮｂＢ２、ＹＢ６、及びＳｉＢ６を含む。
【００３８】
[0039]  酸化物層用の適切な材料としてはＺｒＯ２、ＴｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５、Ｎｂ２Ｏ５、Ｙ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３、及びチタン−アルミニウム−オキシナイトライド（ＴｉＡｌＯＮ）を含む。
【００３９】
[0040]  金属層用の適切な材料としてはＭｏ、Ｗ、及びＭｏ２Ｃを含む。
【００４０】
[0041]  アブソーバ／スペーサ二重層用の材料について現在好ましい組合せとしては、アブソーバ用の材料としてのＭｏと、スペーサ用の材料としてのＳｉ３Ｎ４、ＹＮ、Ｂ４Ｃ、ＺｒＣ、Ｃ、又はＹＢ６；アブソーバ用の材料としてのＷと、スペーサ用の材料としてのＳｉ３Ｎ４、ＹＮ、Ｂ４Ｃ、ＺｒＣ、Ｃ、又はＹＢ６；アブソーバ用の材料としてのＺｒＯ２と、スペーサ用の材料としてのＳｉ３Ｎ４、ＹＮ、Ｂ４Ｃ、ＺｒＣ、Ｃ、又はＹＢ６；アブソーバ用の材料としてのＮｂ２Ｏ５と、スペーサ用の材料としてのＳｉ３Ｎ４、ＹＮ、Ｂ４Ｃ、ＺｒＣ、Ｃ、又はＹＢ６；アブソーバ用の材料としてのＴｉＯ２と、スペーサ用の材料としてのＳｉ３Ｎ４、ＹＮ、Ｂ４Ｃ、ＺｒＣ、Ｃ、又はＹＢ６；及びアブソーバ用の材料としてのＭｏ２Ｃと、スペーサ用の材料としてのＳｉ３Ｎ４、ＹＮ、Ｂ４Ｃ、ＺｒＣ、Ｃ、又はＹＢ６を含む。
【００４１】
[0042]  上記の説明は１つ以上の実施形態の例を含む。当然のことながら、上述の諸実施形態を記述するためにコンポーネント又は方法について考えられるすべての組合せを記述することは不可能であるが、当業者であれば、様々な実施形態について更に多くの組合せ及び順列が可能であることを認識できるであろう。従って、記載されている諸実施形態は、特許請求の範囲の精神及び範囲内に該当するこのようなすべての改変、変更、及び変形を包含するためのものである。更に、「含む（ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ）」という用語は使用される時に請求項内で過渡的な単語として解釈されるので、「含む（ｉｎｃｌｕｄｅ）」という用語が詳細な説明又は特許請求の範囲のいずれかで使用されている範囲内で、このような用語は「含む（ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ）」という用語と同様に包括的なものである。更に、記載されている諸態様及び／又は諸実施形態の要素は単数形で記述又は請求することができるが、単数形への制限が明示的に指定されない限り、複数形も企図されている。追加的に、いずれかの態様及び／又は実施形態の全部又は一部分は、他の指定がない限り、任意のその他の態様及び／又は実施形態の全部又は一部分とともに使用することができる。
【図１】
0006527154.tif 000002
【図２】
0006527154.tif 000003