(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
高硬度透明結晶質ガラスであり、その成分は質量百分率でＳｉＯ２  ５５．０−７０．０％；Ａｌ２Ｏ３  １５．０−２０．０％；ＭｇＯ  ０−１０．０％；Ｐ２Ｏ５  ０．５−２．０％；Ｎａ２Ｏ  ０−２．０％；ＺｎＯ  ０−１２．５％を含み、ＭｇＯ或いはＺｎＯのいずれか一方を必ず含有し、結晶化したガラス中にはスピネル結晶体の微結晶を含み、Ａｓ２０３は含まない、前記ガラスのモース硬さ＞７で、かつ、可視光が１ｍｍ透過する率は８０％より大きい。
【請求項２】
請求項１記述の高硬度透明結晶質ガラスであり、更にＺｒＯ２  ０−１０．０％；ＴｉＯ２  ０−７．０％；Ｓｂ２Ｏ３  ０−１．５％；ＣｅＯ２  ０−０．５％；Ｋ２Ｏ  ０−２．０％；Ｙ２Ｏ３  ０−２．０％；Ｌａ２Ｏ３  ０−１．０％を含む。
【請求項３】
請求項１或いは２のいずれかに記述の高硬度透明結晶質ガラスであり、ＭｇＯ  ４−１０．０％又はＺｎＯ  ４−１２．５％の少なくとも一方を含む。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項に記述の高硬度透明結晶質ガラスであり、更にＳｂ２Ｏ３  ０．５−１．５％；ＣｅＯ２  ０．５％のいずれか一方を含む。
【請求項５】
請求項１記述の高硬度透明結晶質ガラスの調製方法であり、当該方法は以下の手順を含む：
（ａ）原料配合
質量比に基づいて原料を計量して、ミキサーに投入して、混合の後、前駆体ガラス原料とする；
（ｂ）製錬
上記前駆体ガラス原料を製錬炉に投入して、高温状態で溶融、清澄を経て、上記前駆体ガラス原料を高温ガラス原液に溶解し、同時に高温ガラス原液の気泡と異物を除去する；
（ｃ）成形及びアニーリング
溶融済みの上記高温ガラス原液を一定の出湯温度において、粗くアニーリングを行う；
（ｄ）熱処理
上述のように粗くアニーリングされたガラスを高温炉に入れて、熱処理し、熱処理完了後はガラスにおいてスピネル結晶体の微結晶を生成し、本発明の高硬度結晶質ガラスを得る。
【請求項６】
請求項５記述の高硬度透明結晶質ガラスの調製方法であり、手順（ａ）記述の原料は、ＭｇＯ、Ｎａ２Ｏ、Ｋ２Ｏは炭酸塩或いは硝酸塩或いは硫酸塩の形にて導入され、その他の成分は、酸化物の形で導入される。
【請求項７】
請求項５記述の高硬度透明結晶質ガラスの調製方法であり、手順（ｂ）記述の溶解は、温度は１５５０−１６００℃で、時間は４−８ｈで行われ；記述の清澄は、温度は１６００−１６５０℃で、時間は４−１０ｈで行われる。
【請求項８】
請求項５記述の高硬度透明結晶質ガラスの調製方法であり、手順（ｃ）記述の出湯温度は、１５００−１６００℃であり；記述の成形は、熱せられた金型において冷却成形、或いはフロート法、または型押し法によって成形する。
【請求項９】
請求項８記述の高硬度透明結晶質ガラスの調製方法であり、記述の熱せられた金型は、成形過程において金型温度を１００−２００℃に保たれ；記述の冷却は、高温ガラス液を金型に入れるとき、予熱された金型に対してエア・ブロー冷却する。
【請求項１０】
請求項５記述の高硬度透明結晶質ガラスの調製方法であり、手順（ｄ）記述の熱処理には、結晶核析出と微結晶成長の二つの段階を含む；記述の結晶核析出の段階に必要な温度は６５０−８００℃で、保持時間は１−４ｈである；記述の微結晶成長の段階に必要な温度は８５０−１０００℃で、保持時間は０．５−４ｈである。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高硬度透明結晶質ガラス及びその調製方法に関する。本発明は、ガラスセラミックス技術分野に属する。
【背景技術】
【０００２】
アップル製品をマークとするタッチ時代の到来により、静電容量方式タッチスクリーンは、その安定的な性能、触感良好等の長所によって、携帯電話、タブレット、タッチスクリーンノートブック等の端末製品においてファーストチョイスとなった。どんなタッチ技術でも、カバープレートは必要不可欠な保護部品であり、ガラスカバープレートは、その高透過性、強い擦り防止等特性によって、カバープレートの主流となっている。
【０００３】
目下、市場における高珪酸アルミニュームカバープレートのガラスのモース硬さは通常６で、当該硬さのガラス素子が携帯電話、タブレット、タッチスクリーンノートブックに装着されるが、砂やホコリには二酸化ケイ素（ＳｉＯ２、モース硬さ７Ｈ）が含まれており、それがスマートフォンのカバープレートガラスに摩擦されると、すり傷や細かい損傷が起き、装置の寿命を短縮させるだけではなく、修理コストを上昇させてしまう。
【０００４】
ガラスカバープレートの硬さを上げるため、一部の業者はサファイアガラスに着目し始めた。サファイアガラスのモース硬さは９Ｈである。カバープレート材料のモース硬さが７Ｈより大きいので、砂による摩耗に耐えられる。サファイアの耐衝撃はガラスより強いが、サファイアガラスの価格は高珪酸アルミニュームガラスに比べて、約１０倍高く、消費エネルギーも約１００倍を超える。１ｍｍのサファイアの可視光透過率は８０％で、透過率は比較的低い。これらのことは電池の寿命を短縮させ、また割れやすい等の欠点をもたらす。
【０００５】
結晶質ガラスは、ガラスの熱処理過程において、ガラスの結晶化を制御することによって得られる、大量の微結晶を含有する固体の多相材料であり、ガラスの高い透明度と、セラミックスの良好な機械性能等のメリットを兼ねる。よって、ガラスの硬さを上げるための効果的な方法がもたらされる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
発明が解決しようとする課題は、高硬度透明結晶質ガラスを提供する。
本発明は更に、上記高硬度透明結晶質ガラスの調製方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明は、質量百分率で組成がＳｉＯ２  ５５．０−７０．０％；Ａｌ２Ｏ３  １５．０−２０．０％；ＭｇＯ  ０−１０．０％；ＺｎＯ  ０−１２．５％で、且つ、ＭｇＯ或いはＺｎＯのいずれか一方を含み、結晶化したガラス中にはスピネル結晶体の微結晶を含む、高硬度透明結晶質ガラスを提供する。
【０００８】
更に、前記高硬度透明結晶質ガラスは、ＺｒＯ２  ０−１０．０％；Ｐ２Ｏ５  ０−２．０％；ＴｉＯ２  ０−７．０％；Ｓｂ２Ｏ３  ０−１．５％；ＣｅＯ２  ０−０．５％；Ｎａ２Ｏ  ０−２．０％；Ｋ２Ｏ  ０−２．０％；Ｙ２Ｏ３  ０−２．０％；Ｌａ２Ｏ３  ０−１．０％をも含む。
更に、ＭｇＯ  ４−１０．０％又はＺｎＯ  ４−１２．５％の少なくとも一方を含む。
更に、記述のガラスのモース硬さ＞７で、かつ、可視光が１ｍｍ透過する率は８０％より大きい。
【０００９】
高硬度透明結晶質ガラスの調製方法であって、当該方法には以下の手順を含む：
（ａ）原料配合
質量比に基づいて原料を計量して、ミキサーに投入して、混合の後、前駆体ガラス原料とする；
（ｂ）製錬
上記前駆体ガラス原料を製錬炉に投入して、高温状態で溶融、清澄を経て、上記前駆体ガラス原料を高温ガラス原液に溶解し、同時に高温ガラス原液の気泡と異物を除去する；
（ｃ）成形及びアニーリング
溶融済みの上記高温ガラス原液を一定の出湯温度において、粗くアニーリングを行う；
（ｄ）熱処理
上述のように粗くアニーリングされたガラスを高温炉に入れて、熱処理し、熱処理完了後はガラスにおいてスピネル結晶体の微結晶を生成し、本発明の高硬度結晶質ガラスを得る。
【００１０】
更に、手順（ａ）記述の原料は、ＭｇＯ、Ｎａ２Ｏ、Ｋ２Ｏは炭酸塩或いは硝酸塩或いは硫酸塩の形にて導入され、その他の成分は、酸化物の形で導入される。
更に、手順（ｂ）記述の溶解は、温度は１５５０−１６００℃で、時間は４−８ｈで行われ；記述の清澄は、温度は１６００−１６５０℃で、時間は４−１０ｈで行われる。
更に、手順（ｃ）記述の出湯温度は、１５００−１６００℃であり；記述の成形は、熱せられた金型において冷却成形、或いはフロート法、または型押し法によって成形する。
更に、記述の熱せられた金型は、成形過程において金型温度を１００−２００℃に保たれ；記述の冷却は、高温ガラス液を金型に入れるとき、予熱された金型に対してエア・ブロー冷却する。
更に、手順（ｄ）記述の熱処理には、結晶核析出と微結晶成長の二つの段階を含む；記述の結晶核析出の段階に必要な温度は６５０−８００℃で、保持時間は１−４ｈである；記述の微結晶成長の段階に必要な温度は８５０−１０００℃で、保持時間は０．５−４ｈである。
【発明の効果】
【００１１】
本発明では、以下の観点から有利である：適切な前駆体ガラスを使って熱処理を行い、ガラス基材から結晶化して微結晶を析出し、高硬度透明結晶質ガラスを調製する。本発明の調製過程は簡単で、コストは低く、大規模生産に適する。本発明の高硬度透明結晶質ガラスのモース硬さは７より大きく、１ｍｍのガラスの可視光透過率は８０％より大きく、ガラスの高い透明度と、セラミックスの高硬度を含む、物理的・化学的性質を兼ねて有する。本発明の結晶質ガラスは高い機械強度、高い熱安定性、良好な化学安定性をもち、耐磨耗性が良く、電気絶縁性が良く、比較的に良好な可視光性能及び光化学加工性等の特徴を有する。そのうえ、普通の光学ガラスにおける傷つきやすいという問題を克服した。従って、携帯電話の保護パネル、光学機器と通信設備の防護ガラス、磁気ディスク基板、液晶ディスプレイパネル或いはその他光電子部品の防護ガラス等に用いられる。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
本発明の高硬度透明結晶質ガラスは、ＺｎＯ（ＭｇＯ）−Ａｌ２Ｏ３−ＳｉＯ２系を使う。熔融過程を通じて前駆体ガラスを調製し、前駆体ガラスはアニーリングと熱処理を経て、高硬度結晶質ガラスを調製する。
【００１３】
ＳｉＯ２とＡｌ２Ｏ３、及びＭｇＯ或いはＺｎＯは、本発明のガラスを構成する主要成分であり、ＭｇＯ（或いはＺｎＯ）−Ａｌ２Ｏ３−ＳｉＯ２状態図に基づき、本発明において、ＳｉＯ２の含有量は５５．０−７０．０％、Ａｌ２Ｏ３の含有量は１５．０−２０．０％、ＭｇＯの含有量は０−１０．０％、ＺｎＯの含有量は０−１２．５％である。本発明のガラスはＭｇＯとＺｎＯのいずれか一つを必ず含有する。ＭｇＯとＺｎＯの含有量がこの範囲を超えた場合は、ガラスにはその他の結晶体が現れ、ガラスの透明度を下げてしまい、要求を満たさなくなる。上記成分の含有量の範囲においては、ガラスにマグネシアアルミナ尖晶石、或いは亜鉛アルミナ尖晶石微結晶の少なくともいずれか一方を形成する。好ましくは、ＭｇＯの含有量は４−１０．０％で、ＺｎＯの含有量は４−１２．５％である。
【００１４】
ＺｒＯ２、Ｐ２Ｏ５、およびＴｉＯ２はガラスの結晶体の核化剤であり、通常さまざまな核化剤を用いることによって、結晶核の数量が多くなり、結晶化後、結晶体のサイズが小さくて均一になり、透過率が均一になる。ＺｒＯ２は溶解温度が高いため、含有量は通常１０．０％を超えない；Ｐ２Ｏ５は含有量が多すぎると相分離現象が起きるため、通常２．０％を超えない；ＴｉＯ２は主要核化剤であり、その含有量は通常７．０％を超えない。ＴｉＯ２の含有量が多すぎると、核形成により形成されたチタン酸塩の硬さが低くなり、ガラスの硬さに影響を与える。
【００１５】
Ｓｂ２Ｏ３とＣｅＯ２は清澄剤であり、両者は同時に使わない。Ｓｂ２Ｏ３の含有量は１．５％を超えない。多すぎると清澄作用にならなくなる。ＣｅＯ２の含有量は０．５％を超えない。多すぎるとガラスの可視光透過率が低下してしまう。
【００１６】
Ｎａ２ＯとＫ２Ｏは溶解補助剤であり、溶解温度と清澄温度を下げる。但しＮａ２Ｏ、Ｋ２Ｏの含有量はどちらも２％を超えてはならない。多すぎるとガラスの硬さが低下してしまう。
【００１７】
Ｙ２Ｏ３とＬａ２Ｏ３は別途追加する添加剤であり、ガラスの硬さを低下させない前提で、ガラス溶解温度を少し下げることができる。但しその量は多すぎてはならない。Ｙ２Ｏ３の含有量は２．０％を超えてはならず、Ｌａ２Ｏ３の含有量は１．０％を超えてはならない。
【００１８】
本発明の調製方法は以下の手順を含む：
（ａ）原料配合
前駆体ガラスの質量組成に基づいて、ＭｇＯ、Ｎａ２Ｏ、Ｋ２Ｏを炭酸塩、硝酸塩或いは硫酸塩の形で導入し、その他の成分を酸化物の形で導入する。質量比によって、原料を計量して、ミキサーに投入して、混合の後前駆体ガラス原料を得る；
（ｂ）製錬
上記前駆体ガラス原料を製錬炉に投入して、高温状態で溶融、清澄を経て、前駆体ガラス原料を高温ガラス原液に溶解し、同時に高温ガラス原液の気泡と異物を除去する；
（ｃ）成形及びアニーリング
熔融済みの高温ガラス原液を一定の出湯温度で、熱せられた金型において冷却成形するか、或いはフロート法や、型押し法によって成形し、成形されたガラスをマッフル炉において粗くアニーリングを行う；
（ｄ）熱処理
上述のように粗くアニーリングされたガラスを高温炉またはマッフル炉に投入して熱処理し、熱処理終了後はガラスにおいて、スピネル結晶体の微結晶を生成し、本発明の高硬度結晶質ガラスを得る。
【００１９】
上記手順（ａ）のミキサー７ではＶ型ミキサーを使うことができる。上記手順（ｂ）においては高温で溶解し、その温度は１５５０−１６００℃、時間は４−８ｈとする；高温で清澄し、その温度は１６００−１６５０℃、時間は４−１０ｈとする；記述の製錬炉には電気炉或いはるつぼ炉を使う。上記手順（ｃ）の熱せられた金型の出湯温度は１５００−１６００℃である；熱せられた金型は、成形過程において、金型温度を１００−２００℃に保たれる；冷却は、高温ガラス液を金型に投入するとき、予熱された金型に対してエア・ブロー冷却を行う；上記手順（ｄ）の熱処理過程には、結晶核析出と微結晶成長の二つの段階を含む。結晶核析出段階に必要な温度は６５０−８００℃で、保持時間は１−４ｈである；微結晶成長段階に必要な温度は８５０−１０００℃で、保持時間は０．５−４ｈである。
【００２０】
本発明は前駆ガラスになるものを熱処理し、ガラス基材から結晶化して微結晶を析出させる方法で、高硬度の結晶質ガラスを調製し、そのモース硬さは７より大きく、強いては７．５以上になる。１ｍｍのガラスの可視光透過率は８０％より大きい。本発明で調製する高硬度結晶質ガラスは高硬度、高い機械強度、高い熱安定性、良好な化学安定性をもち、耐磨耗性が良く、電気絶縁性が良く、透明性を有し、及び光化学加工が可能な特徴を有し、携帯電話保護パネル、光学機器と通信設備の防護ガラス、磁気ディスク基板、液晶ディスプレイパネル等に用いることができる。
【実施例】
【００２１】
実施例１：
先ず、質量比に基づいて６２％のＳｉＯ２、１８％のＡｌ２Ｏ３、１０％のＭｇＯ、５％のＴｉＯ２、３％のＺｒＯ２、０．５％のＰ２Ｏ５と、１．５％の清澄剤Ｓｂ２Ｏ３を計量して、それら全部をＶ型ミキサーに投入して十分混合して、前駆体ガラス原料とする。
次に配合済みの前駆体ガラス原料を電気炉内に投入して、１６００℃の温度で８時間溶解し、１６５０℃の温度で１０時間清澄し、それから熔融済みのガラス液を１６００℃で出湯して、金型によって成形する；金型温度は２００℃で、成形時にはエア・ブロー冷却を行い、調製で得られたガラスを６８０℃のマッフル炉で粗くアニーリングする。
調製で得たガラスを高温炉内で熱処理する。当該熱処理過程には、結晶核析出と微結晶成長の二つの段階を含む。そのうち、結晶核析出の段階においては、マッフル炉内の温度を７５０℃に保持し、２ｈ維持してガラスにできるだけ多くの結晶核を生成させ、続いてマッフル炉内の温度を９５０℃程度まで上昇させて、微結晶成長段階に入り、２ｈ維持すると、最終的にガラスにおいて、均一のマグネシアアルミナ尖晶石微結晶が形成され、モース硬さ８の高硬度結晶質ガラスが得られ、１ｍｍの結晶質ガラスに対する可視光透過率は８０％以上となる。
【００２２】
実施例２：
先ず、質量比に基づいて６０％のＳｉＯ２、２０％のＡｌ２Ｏ３、８％のＭｇＯ、１％のＫ２Ｏ、１％のＮａ２Ｏ、５％のＴｉＯ２、３％のＺｒＯ２、０．５％のＰ２Ｏ５と、１．５％の清澄剤Ｓｂ２Ｏ３を計量して、それら全部をミキサーに投入して十分混合して、前駆体ガラス原料とする。
次に配合済みの前駆体ガラス原料を電気炉内に投入して、１６００℃の温度で４時間溶解し、１６５０℃の温度で４時間清澄し、それから熔融済みのガラス液を１５５０℃で出湯して、フロート法による成形でガラスを製造して、６８０℃のマッフル炉で粗くアニーリングを行う。
調製で得たガラスを高温炉内で熱処理する。当該熱処理過程には、結晶核析出と微結晶成長の二つの段階を含む。そのうち、結晶核析出の段階においては、マッフル炉内の温度を７００℃に保持し、４ｈ維持してガラスにできるだけ多くの結晶核を生成させ、続いてマッフル炉内の温度を９００℃程度まで上昇させて、微結晶成長段階に入り、３ｈ維持すると、最終的にガラスにおいて、均一のマグネシアアルミナ尖晶石微結晶が形成され、モース硬さ８の高硬度結晶質ガラスが得られ、１ｍｍの結晶質ガラスの可視光透過率は８０％以上となる。
【００２３】
実施例３：
先ず、質量比に基づいて、５５％のＳｉＯ２、２０％のＡｌ２Ｏ３、１０％のＭｇＯ、２％のＫ２Ｏ、７％のＴｉＯ２、５．５％のＺｒＯ２と、０．５％の清澄剤Ｓｂ２Ｏ３を計量して、それら全部をミキサーに投入して十分混合して、前駆体ガラス原料とする。
次に配合済みの前駆体ガラス原料を電気炉内に投入して、１５５０℃の温度で８時間溶解し、１６５０℃の温度で８時間清澄し、それから熔融済みのガラス液を１５５０℃で出湯して、圧縮法による成形によってガラスを製造して、６８０℃のマッフル炉で粗くアニーリングを行う。
調製で得たガラスを高温炉内で熱処理する。当該熱処理過程には、結晶核析出と微結晶成長の二つの段階を含む。そのうち、結晶核析出の段階においては、マッフル炉内の温度を７００℃に保持し、４ｈ維持してガラスにできるだけ多くの結晶核を生成させ、続いてマッフル炉内の温度を９００℃ぐらいまで上昇して、微結晶成長段階に入り、４ｈ維持すると、最終的にガラスにおいて、均一のマグネシアアルミナ尖晶石微結晶が形成され、モース硬さ８の高硬度結晶質ガラスが得られ、１ｍｍの結晶質ガラスの可視光透過率は８０％以上となる。
【００２４】
実施例４：
先ず、質量比に基づいて、６５％のＳｉＯ２、１５％のＡｌ２Ｏ３、１０％のＭｇＯ、２％のＮａ２Ｏ、５％のＴｉＯ２、１％のＺｒＯ２、０．５％のＰ２Ｏ５と、１．５％の清澄剤Ｓｂ２Ｏ３を計量して、それら全部をミキサーに投入して十分混合して、前駆体ガラス原料とする。
その他の試験条件と手順は、実施例３と同一である。すなわち、ガラスにおいて、均一のマグネシアアルミナ尖晶石微結晶が形成され、モース硬さ８の高硬度結晶質ガラスが得られ、１ｍｍの結晶質ガラスの可視光透過率は８０％以上となる。
【００２５】
実施例５：
先ず、質量比に基づいて、６２％のＳｉＯ２、２０％のＡｌ２Ｏ３、４％のＭｇＯ、４％のＺｎＯ、１％のＫ２Ｏ、１％のＮａ２Ｏ、５％のＴｉＯ２、１％のＺｒＯ２、０．５％のＰ２Ｏ５と、１．５％のＳｂ２Ｏ３を計量して、それら全部をミキサーに投入して十分混合して、前駆体ガラス原料とする。
その他の試験条件と手順は、実施例３と同一である。すなわち、ガラスにおいて、均一のマグネシアアルミナ尖晶石微結晶が形成され、モース硬さ８の高硬度結晶質ガラスが得られ、１ｍｍの結晶質ガラスの可視光透過率は８０％以上となる。  
【００２６】
実施例６：
先ず、質量比に基づいて、６５．０％のＳｉＯ２、１６．０％のＡｌ２Ｏ３、１２．５％のＺｎＯ、６．０％のＺｒＯ２と、０．５％のＳｂ２Ｏ３を計量して、それら全部をミキサーに投入して十分混合して、前駆体ガラス原料とする。
次に配合済みの前駆体ガラス原料を電気炉内に投入して、１６００℃の温度で８時間溶解し、１６５０℃の温度で８時間清澄し、それから熔融済みのガラス液を１６００℃で出湯して、温度２００℃の金型にエア・ブロー冷却し、金型を介して形成され、得られたガラスは、６８０℃のマッフル炉で粗くアニーリングされる。
調製で得たガラスを高温炉内で熱処理する。当該熱処理過程には、結晶核析出と結晶質成長の二つの段階を含む。そのうち、結晶核析出の段階においては、マッフル炉内の温度を８００℃に保持し、４ｈ維持してガラスにできるだけ多くの結晶核を生成させ、続いてマッフル炉内の温度を１０００℃程度まで上昇させて、結晶質成長段階に入り、３ｈ継続し、最終的にガラスにおいて、均一のマグネシアアルミナ尖晶石微結晶が形成され、モース硬さ８．０の高硬度結晶質ガラスが得られ、１ｍｍの結晶質ガラスの可視光透過率は８５％以上となる。
【００２７】
実施例７：
先ず、質量比に基づいて、６０．５％のＳｉＯ２、１６％のＡｌ２Ｏ３、１２．５％のＺｎＯ、２．０％のＹ２Ｏ３、１．０％のＬａ２Ｏ３、１．０％のＮａ２Ｏ、０．５％のＫ２Ｏ、６．０％のＺｒＯ２と、０．５％のＣｅＯ２を計量して、それら全部をミキサーに投入して十分混合して、前駆体ガラス原料とする。
次に配合済みの前駆体ガラス原料を電気炉内に投入して、１６００℃の温度で８時間溶解し、１６００℃の温度で８時間清澄し、それから熔融済みのガラス液を１６００℃で出湯して、金型によって成形する；温度２００℃の金型で、成形時にエア・ブロー冷却して、ガラスを製造して、６８０℃のマッフル炉で粗くアニーリングを行う。
調製で得たガラスを高温炉内で熱処理する。当該熱処理過程には、結晶核析出と微結晶成長の二つの段階を含む。そのうち、結晶核析出の段階においては、マッフル炉内の温度を７５０℃に保持し、２ｈ維持してガラスにできるだけ多くの結晶核を生成させ、続いてマッフル炉内の温度を９５０℃程度まで上昇させて、微結晶成長段階に入り、１ｈ維持すると、最終的にガラスにおいて、均一のマグネシアアルミナ尖晶石結晶質が形成され、モース硬さ７．５の高硬度結晶質ガラスが得られ、１ｍｍの結晶質のガラス可視光透過率は８０％以上となる。
【００２８】
実施例８：
先ず、質量比に基づいて、６０％のＳｉＯ２、１７．５％のＡｌ２Ｏ３、１２．５％のＺｎＯ、２％のＹ２Ｏ３、１％のＬａ２Ｏ３、０．３％のＮａ２Ｏ、０．２％のＫ２Ｏ、６．０％のＺｒＯ２と、０．５％のＣｅＯ２を計量して、それら全部をミキサーに投入して十分混合して、前駆体ガラス原料とする。
次に配合済みの前駆体ガラス原料を電気炉内に投入して、１６００℃の温度で８時間溶解し、１６５０℃の温度で８時間清澄し、それから熔融済みのガラス液を１５５０℃で出湯して、温度１００℃の金型にエア・ブロー冷却し、金型を介して形成され、得られたガラスは、６８０℃のマッフル炉で粗くアニーリングされる。
調製で得たガラスを高温炉内で熱処理する。当該熱処理過程には、結晶核析出と結晶質成長の二つの段階を含む。そのうち、結晶核析出の段階においては、マッフル炉内の温度を８５０℃に保持し、２ｈ維持してガラスにできるだけ多くの結晶核を生成させ、続いてマッフル炉内の温度を９５０℃程度まで上昇させて、微結晶成長段階に入り、０．５ｈ維持すると、最終的にガラスにおいて、均一のマグネシアアルミナ尖晶石結晶質が形成され、モース硬さ７．５の高硬度結晶質ガラスが得られ、１ｍｍの結晶質ガラスの可視光透過率は８０％以上となる。
【００２９】
実施例９：
先ず、質量比に基づいて、６２％のＳｉＯ２、１６％のＡｌ２Ｏ３、１２．３％のＺｎＯ、２％のＹ２Ｏ３、１％のＬａ２Ｏ３、０．１％のＮａ２Ｏ、０．１％のＫ２Ｏ、６．０％のＺｒＯ２と、０．５％のＣｅＯ２を計量して、それら全部をミキサーに投入して十分混合して、前駆体ガラス原料とする。
その他の試験条件と手順は、実施例８と同一である。すなわち、ガラスにおいて、均一のマグネシアアルミナ尖晶石結晶質が形成され、モース硬さ８の高硬度結晶質ガラスが得られ、１ｍｍの結晶質ガラスの可視光透過率は８０％以上となる。