(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の表面に格子状に形成されたストリートによって複数の領域が区画され、この区画された領域に複数のデバイスが形成されたウエーハを個々のデバイスに分割するデバイスの製造方法であって、
表面に複数のデバイスが形成された領域に対応する裏面側の領域を研削し凹部を形成することにより外周部にリング状補強部を形成するリング状補強部形成工程と、
前記凹部にイオンを注入するイオン注入工程と、
前記ウエーハの裏面側に各デバイスに対応する裏面電極を形成する裏面電極形成工程と、
前記ウエーハの表面または裏面に支持基板を貼り付ける支持基板貼着工程と、
前記支持基板が貼り付けられた前記ウエーハを保持して、前記ウエーハの表面または裏面にストリートに対応する開口を有するエッチングマスクを形成するエッチングマスク形成工程と、
前記エッチングマスクを介して、前記ストリートに沿ってプラズマエッチングして前記ウエーハを個々のデバイスに分割するプラズマエッチング工程と、
前記裏面電極に対して前記ストリートに沿って微粒子を吹きつけるブラスト処理により、前記裏面電極のうち前記ストリートに対応する部分を除去する金属膜除去工程と、
を含むデバイスの製造方法。
【請求項２】
前記支持基板貼着工程において、前記ウエーハの裏面に前記支持基板を貼り付ける場合、前記凹部に支持基板を貼り付ける、請求項１に記載のデバイスの製造方法。
【請求項３】
前記支持基板貼着工程において、前記リング状補強部を除去した後に前記支持基板を貼り付ける、請求項１に記載のデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマエッチングによりウエーハを分割して個々のデバイスを製造するデバイスの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
パワーＭＯＳＦＥＴ等のパワーデバイスにおいては、デバイスが形成された所定厚さの基板の裏面に金属電極を形成する場合がある。金属電極は、通常、減圧環境下でスパッタリング等によってチタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）等を成膜することによって形成される。
【０００３】
ウエーハは、裏面研削によって所定厚さに形成された後に成膜チャンバに搬送されて裏面に金属電極が形成されるが、当該所定厚さは１００μｍ以下程度であるため、搬送中に破損しやすい。そこで、デバイスが形成された領域に対応するウエーハの裏面側を研削し、ウエーハの外周部にリング状補強部を形成することにより、搬送時におけるウエーハの強度を保っている。
【０００４】
リング状補強部を有するウエーハは、リング状補強部の内側を円形に切削してその外周側のリング状補強部を除去した後、切削ブレードによる切削又はレーザ光の照射によって分割され個片化される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１３−１４１０３３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、切削ブレードによるウエーハの分割では、デバイスが機械的なダメージを受け、また、レーザ光の照射による分割では、デバイスが熱等によるダメージを受けてしまう。
【０００７】
本発明は、このような問題にかんがみなされたもので、リング状補強部が形成されたウエーハについて、搬送時の破損を抑制し搬送を容易化するとともに、ダメージを抑制して分割できるようにすることを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、基板の表面に格子状に形成されたストリートによって複数の領域が区画され、この区画された領域に複数のデバイスが形成されたウエーハを個々のデバイスに分割するデバイスの製造方法であって、表面に複数のデバイスが形成された領域に対応する裏面側の領域を研削し凹部を形成することにより外周部にリング状補強部を形成するリング状補強部形成工程と、前記凹部にイオンを注入するイオン注入工程と、前記ウエーハの裏面側に各デバイスに対応する裏面電極を形成する裏面電極形成工程と、前記ウエーハの表面または裏面に支持基板を貼り付ける支持基板貼着工程と、前記支持基板が貼り付けられた前記ウエーハを保持して、前記ウエーハの表面または裏面にストリートに対応する開口を有するエッチングマスクを形成するエッチングマスク形成工程と、前記エッチングマスクを介して、前記ストリートに沿ってプラズマエッチングして前記ウエーハを個々のデバイスに分割するプラズマエッチング工程と、前記裏面電極に対して前記ストリートに沿って微粒子を吹きつけるブラスト処理により、前記裏面電極のうち前記ストリートに対応する部分を除去する金属膜除去工程と、を含む。
【０００９】
上記デバイスの製造方法では、前記支持基板貼着工程において、前記ウエーハの裏面に前記支持基板を貼り付ける場合は、前記凹部に支持基板を貼り付けることが好ましい。また、前記支持基板貼着工程において、前記リング状補強部を除去した後に前記支持基板を貼り付けてもよい。
【発明の効果】
【００１０】
本発明に係るデバイスの製造方法では、ウエーハにリング状補強部を形成して搬送するので、搬送時の破損を抑制できる。例えば、裏面電極を形成するため、裏面電極を形成する工程へ、または裏面電極を形成する工程からのウエーハの搬送時は、ウエーハの強度が高く保たれており、搬送時にウエーハが破損するのを抑制することができる。
また、イオン注入のため搬送する場合も同様である。
さらに、プラズマエッチングにより個片化するので、デバイスへのダメージを抑制した分割ができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の第１実施形態を示す工程図である。
【図２】デバイスの例を示す模式図である。
【図３】デバイスの別の例を示す模式図である。
【図４】ウエーハの例を示す斜視図である。
【図５】ウエーハの例を示す拡大断面図である。
【図６】リング状補強部形成工程の例を示す斜視図である。
【図７】減圧成膜装置の例を示す断面図である。
【図８】プラズマエッチング装置の例を示す断面図である。
【図９】エッチング工程終了後のウエーハを示す拡大断面図である。
【図１０】ストリートにＴＥＧが形成されたウエーハの例を示す拡大断面図である。
【図１１】ＴＥＧの両側にエッチング側溝を形成したウエーハを示す拡大断面図である。
【図１２】ＴＥＧの両側にエッチング側溝を形成したウエーハのＴＥＧを除去する状態を示す拡大断面図である。
【図１３】ＴＥＧが除去されたストリートをプラズマエッチングしてエッチング溝を形成する状態を示す拡大断面図である。
【図１４】本発明の第２実施形態を示す工程図である。
【図１５】本発明の第３実施形態を示す工程図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
１  第１実施形態
（ａ）デバイス形成工程
図１（ａ）に示すシリコン等からなる基板１０を準備し、その表面１０ａにデバイスを形成していく。図１(ａ)には示されていないが、デバイス（デバイスの一部を含む）は、基板１０の表面１０ａにフォトリソグラフィー等によるパターン形成工程、成膜工程、イオン注入工程、アニール工程等を経て形成される。各デバイスとしては、例えば図２に示すパワーＭＯＳＦＥＴ１０１や、図３に示すＩＧＢＴ１０２等があり、表裏面に電極を備えるデバイスを含む。本工程では、デバイスのＰ型領域、Ｎ型領域となる領域へのイオン注入・アニール、デバイス表面側に表面側電極を形成するためのメッキ、エッチング等が行われ、ゲート端子となる部分には、酸化膜１０４及び金属膜１０３が形成される。図２に示すパワーＭＯＳＦＥＴ１０１の酸化膜１０４の間にはソース電極１０５が形成され、裏面側には裏面電極１０６が形成される。一方、図３に示すＩＧＢＴ１０２のエミッタ端子となる部分にはエミッタ電極１０７が形成され、裏面側には裏面電極１０８が形成される。また、ＩＧＢＴ１０２のゲート端子となる部分には酸化膜１０９とゲート電極１０９ａとが積層される。
【００１３】
例えば図４に示すように、このようなデバイスＤが多数形成されたウエーハＷは、基板１０の表面１０ａにストリートＳが格子状に形成され、ストリートＳによって複数の領域が区画され、この区画された領域に複数のデバイスＤが形成されて構成されている。デバイスＤが形成された領域をデバイス領域Ｗ１、その周囲のリング状の領域を外周余剰領域Ｗ２と称する。
【００１４】
（ｂ）絶縁膜成膜・電極形成工程
図１（ｂ）に示すように、基板１０の表面１０ａの上に絶縁膜１１を形成し、各デバイスの上方に、各デバイスに対応する表面電極１２を形成する。絶縁膜１１は、図５に示すように、例えばＬｏｗ−ｋ膜１１ａ、１１ｂとパッシベーション膜１１ｃとから構成され、Ｌｏｗ−ｋ膜１１ａ、１１ｂ及びパッシベーション膜１１ｃを部分的に厚さ方向にエッチングし、エッチングにより除去した部分に、図１（ｂ）に示した表面電極１２が埋め込まれる。Ｌｏｗ−ｋ膜１１ａ、１１ｂは、例えばＳｉＯＦやフロロカーボン（ＣｘＦｙ）により形成される。また、パッシベーション１１ｃは、例えばシリコン窒化（ＳｉＮ）膜やＳｉＯ２膜により形成される。なお、図５においては、デバイスＤの上方に形成される表面電極１２及び表面電極１２とデバイスＤとを導通させる金属配線の図示を省略している。
【００１５】
図５に示すウエーハＷにおけるＬｏｗ−ｋ膜１１ａ、１１ｂは、ストリートＳの上方には形成されていない。したがって、ストリートＳの上方にはパッシベーション膜１１ｃのみが被覆されている。ストリートＳの上方にＬｏｗ−ｋ膜１１ａ、１１ｂが存在しないため、パッシベーション膜１１ｃのうちストリートＳの上方に位置する部分には凹部１１０ｃが形成されている。また、Ｌｏｗ-ｋ膜１１ｂの側面１１０ｂは、Ｌｏｗ-ｋ膜１１ａの側面１１０ａよりもデバイスＤから離れた位置に形成されている。すなわち、Ｌｏｗ-ｋ膜１１ａの側方にはＬｏｗ-ｋ膜１１ｂによる壁が形成されている。
ただし、図５に示す積層構成には限定されない。Ｌｏｗ−ｋ膜がストリート上にも連続して積層されている構成でもよい。
【００１６】
（ｃ）リング状補強部形成工程
次に、図６に示すように、ウエーハＷの表面側に保護部材１を貼着し、保護テープ１側を研削装置２のチャックテーブル２０において保持し、ウエーハＷの裏面Ｗｂが露出した状態とする。チャックテーブル２０の上方には、研削手段２１を備えている。研削手段２１は、回転軸２２と、回転軸２２の下端に装着されたホイール２３と、ホイール２３の下面に固着された砥石２４とから構成される。
【００１７】
研削装置２においては、チャックテーブル２０が回転すると共に、回転軸２２が回転しながら研削手段２１が下降することにより、回転する砥石２４がウエーハＷの裏面Ｗｂに接触して研削が行われる。このとき砥石２４は、ウエーハＷの表面Ｗａに形成されたデバイス領域Ｗ１（図４参照）の裏側に接触させ、その外周側は研削しないようにする。そして、デバイス領域Ｗ１の裏側が所望量研削されると、研削を終了する。こうして、裏面Ｗｂのうちデバイス領域Ｗ１に相当する領域のみを研削することにより、裏面Ｗｂに凹部Ｗ３が形成され、凹部Ｗ３の周囲の外周部には、研削前と同様の厚さを有するリング状補強部Ｗ４が残存する。例えば、リング状補強部Ｗ４の幅は２〜３ｍｍ程度あればよい。また、リング状補強部Ｗ４の厚さは数百μｍあることが望ましい。一方、デバイス領域Ｗ１の厚さは３０−１００μｍ程度にまで薄くすることができる。リング状補強部Ｗ４は、デバイス領域Ｗ１よりも厚く形成されているため、ウエーハＷ全体の強度が低下するのを防ぐことができる。なお、具体的な研削条件としては、例えば特許第５６１３７９２号公報に記載されたものを採用することができる。
【００１８】
（ｄ）イオン注入・裏面電極形成工程
次に、凹部Ｗ３に図２に示すデバイス１０１を形成する場合は、ヒ素（Ａｓ）やアンチモン（Ｓｂ）のイオンを注入し、図３に示すデバイス１０２を形成する場合は、ホウ素（Ｂ）のイオンを注入するとともに、アニールを行って基板１０の導電率を高め、その後、図１（ｄ）に示すように、イオンを注入した凹部Ｗ３の底面Ｗ５の一面に、銅などの金属からなる裏面電極１３を形成する。裏面電極１３は、例えば図７に示す減圧成膜装置３を用いて形成することができる。この減圧成膜装置３においては、チャンバ３１の内部に静電式にてウエーハＷを保持する保持部３２を備えており、その上方の対向する位置には、金属からなるスパッタ源３４が励磁部材３３に支持された状態で配設されている。このスパッタ源３４には、高周波電源３５が連結されている。また、チャンバ３１の一方の側部には、スパッタガスを導入する導入口３６が設けられ、もう一方の側部には減圧源に連通する減圧口３７が設けられている。
【００１９】
保護部材１側が保持部３２において静電チャック（ＥＳＣ）にて吸着保持されることにより、ウエーハＷの裏面がスパッタ源３４に対向して保持される。そして、励磁部材３３によって磁化されたスパッタ源３４に高周波電源３５から１３．５６ＭＨｚ程度の高周波電力を印加し、減圧口３７からチャンバ３１の内部を１０−２Ｐａ〜１０−４Ｐａ程度に減圧して減圧環境にするとともに、導入口３６からアルゴンガスを導入してプラズマを発生させると、プラズマ中のアルゴンイオンがスパッタ源３４に衝突して金属粒子がはじき出されてウエーハＷの凹部Ｗ３の底面Ｗ５に堆積し、図１（ｄ）に示すように、裏面電極１３が形成される。この裏面電極１３は、Ｔｉ（５０ｎｍ）／ＮｉＷ（５００ｎｍ）／Ａｕ（５０ｎｍ）の順に積層された積層膜であってよい。この場合は、スパッタチャンバー中にそれぞれのターゲットを設置し、成膜しない材料のターゲットはシャッターでプラズマを遮蔽して行う。例えば、Ｔｉターゲットをスパッタする際には、シャッター等でＮｉＷおよびＡｕをプラズマから遮蔽する。なお、リング状補強部Ｗ４にマスキングを施した場合は、凹部Ｗ３の底面Ｗ５にのみ裏面電極１３が形成される。本工程は、デバイス領域Ｗ１の裏側が研削により薄くなった状態で行われるが、ウエーハＷにはリング状補強部Ｗ４が形成されているため、ウエーハＷの取り扱いが容易となる。
【００２０】
（ｅ）支持基板貼着工程
次に、図１（ｅ）に示すように、裏面電極１３が形成されたウエーハＷの凹部Ｗ３に支持基板１４を接着剤を用いて貼り付ける。この支持基板１４は、凹部Ｗ３の内径よりも若干小さい外径を有し、凹部Ｗ３に嵌まるようにする。また、支持基板１４は、少なくとも裏面電極１３とリング状補強部Ｗ４との段差分の厚さを有する。このように、支持基板１４を凹部Ｗ３に貼り付けることにより、後の工程においてウエーハＷを安定的に支持することができる。
【００２１】
（ｆ）エッチングマスク形成工程
支持基板貼着工程の後、レジスト材料を、絶縁膜１１及び表面電極１２を覆うように全面に塗布し、例えば、後のプラズマエッチング工程においてプラズマを遮蔽する部分に対応した形状のマスクを介して露光し、露光した部分を除去することにより、図１（ｆ）に示すように、ストリートＳに対応する開口１５ａを有するエッチングマスク１５を形成する。
【００２２】
エッチングマスク１５としては、例えば、フェノールノボラック系のレジストを用いることができる。また、カーボン系のレジストを用いてもよい。レジストに対するエッチング対象膜のエッチング選択比を向上させるために多層レジストを用いてもよい。マスクを形成する場合には、水銀ランプのi線（λ＝３６５ｎｍ）、ｈ線（λ＝４０５ｎｍ）、ｇ線（λ＝４３６ｎｍ）で露光してもよいし、ＬＥＤ光源を用いて露光してもよい。
【００２３】
（ｇ）プラズマエッチング工程
次に、例えば図８に示すプラズマエッチング装置９を用いて、図１（ｇ）に示すように、エッチングマスク１５を介してストリートＳに沿ってプラズマエッチングしてエッチング溝１６を形成し、ウエーハＷを個々のデバイスＤに分割する。
【００２４】
プラズマエッチング装置９は、ウエーハＷを保持する静電チャック（ＥＳＣ）９０と、ガスを噴出するガス噴出ヘッド９１と、静電チャック（ＥＳＣ）９０及びガス噴出ヘッド９１を内部に収容したチャンバ９２とを備えている。
【００２５】
静電チャック（ＥＳＣ）９０は、支持部材９００によって下方から支持されている。静電チャック（ＥＳＣ）９０の内部には電極９０１が配設されており、この電極９０１は、整合器９４ａ及びバイアス高周波電源９５ａに接続されている。
【００２６】
ガス噴出ヘッド９１の内部には、ガス拡散空間９１０が設けられており、ガス拡散空間９１０の上部にはガス導入口９１１が連通し、ガス拡散空間９１０の下部にはガス吐出口９１２が連通している。ガス吐出口９１２の下端は、保持テーブル９０側に向けて開口している。
【００２７】
ガス導入口９１１には、ガス配管９１３を介してガス供給部９３が接続されている。ガス供給部９３は、エッチングガスと希ガスとをそれぞれ蓄えている。
【００２８】
ガス噴出ヘッド９１には、整合器９４を介して高周波電源９５が接続されている。高周波電源９５から整合器９４を介してガス噴出ヘッド９１に高周波電力を供給することにより、ガス吐出口９１２から吐出されたガスをプラズマ化することができる。
【００２９】
チャンバ９２の下部には排気管９６が接続されており、この排気管９６には排気装置９７が接続されている。この排気装置９７を作動させることにより、チャンバ９２の内部を所定の真空度まで減圧することができる。
【００３０】
チャンバ９２の側部には、ウエーハＷの搬入出を行うための搬入出口９２０と、この搬入出口９２０を開閉するゲートバルブ９２１とが設けられている。
【００３１】
プラズマエッチング装置９は、制御部９８を備えており、制御部９８による制御の下で、各ガスの吐出量や時間、高周波電力等の条件がコントロールされる。
【００３２】
本工程では、ゲートバルブ９２１を開け、搬入出口９２０からウエーハＷを搬入し、ウエーハＷに貼着された保護部材１側を保持テーブル９０において静電保持する。そして、排気装置９７によってチャンバ９２内を排気し、チャンバ９２内の圧力を、例えば０．１０〜０．１５Ｐａとするとともに、ガス供給部９３に蓄えられたエッチングガスを、ガス配管９１３及びガス導入口９１１を介してガス吐出部９１２から噴出させる。
【００３３】
チャンバ９２内にエッチングガスを導入するとともに、保持テーブル９０の温度を、例えばテープＴからガスが発生しない温度である７０℃以下とし、高周波電源９５からガス噴出ヘッド９１に高周波電力（例えばＲＦ高周波数：１３．５６ＭＨｚ（平行平板型）、ＲＦ出力：１ｋＷ）を印加することにより、ガス噴出ヘッド９１と保持テーブル９０との間に高周波電界を生じさせ、エッチングガスをプラズマ化させる。また、エッチング対象が直径３００ｍｍのウエーハである場合は、バイアス高周波電源９５ａからバイアス電力（例えば２ＭＨｚ、５００Ｗ）を静電チャック（ＥＳＣ）に印加する。
【００３４】
ＳｉＯＦ、フロロカーボン等からなるＬｏｗ−ｋ膜１１ａ，１１ｂや、ＳｉＯ２、ＳｉＮ等からなるパッシベーション膜１１ｃからなる絶縁膜１１をエッチングするときには、エッチングガスとして、ハロゲン元素を含むガスや塩基性ガス、これらの混合ガス、またはＣｘＦｙ系ガス若しくはＣｘＨｙＦｚ系ガスを用いるとよい。また、プラズマ生成支援ガスとして、Ａｒ、Ｈｅ等の希ガスを用いてもよい。エッチング対象が直径３００ｍｍのウエーハである場合は、例えば、高周波電力の出力を３ｋＷ、高周波電力の周波数を１３．５６ＭＨｚ、バイアス電力の出力を３００Ｗ、バイアス電力の周波数を２ＭＨｚとするとよい。Ｈｅ等の希ガスは、エッチングガスのプラズマ化をアシストするため、エッチングガスのプラズマ化が促進される。なお、チャンバ９２への希ガスの導入は、エッチングガスの導入前に行ってもよい。
【００３５】
一方、絶縁膜１１のエッチング後、シリコンからなる基板１０をエッチングするときは、エッチングガスとして、例えばＳＦ６、ＣＦ４、Ｃ２Ｆ６、Ｃ２Ｆ４等のフッ素系ガスを用いるとよい。基板１０のエッチングは、以下の条件Ａ，Ｂによるエッチング−堆積を交互に繰り返すことにより、条件Ａではエッチングが進行し、条件Ｂではエッチング溝１６の側壁に保護膜が形成され、高速かつ高アスペクト比でのエッチングが可能となる。基板１０が直径３００ｍｍのシリコン基板である場合の条件Ａ及びＢは以下のとおりである。
（条件Ａ）
エッチングガス：      ＳＦ６ガス
プラズマ支援ガス：    Ａｒガス
エッチングガス供給量：１５００ｃｃ／分
プラズマ支援ガス供給量：１０００ｃｃ／分
高周波電力の出力：    ３ｋＷ
バイアス電力の出力：  ５００Ｗ
（条件Ｂ）
エッチングガス：      Ｃ４Ｆ８ガス
プラズマ支援ガス：    Ａｒガス
エッチングガス供給量：１０００ｃｃ／分
プラズマ支援ガス供給量：  ５００ｃｃ／分
高周波電力の出力：    ３ｋＷ
バイアス電力の出力：  ０Ｗ
ここで、処理圧力を１０Ｐａとし、条件Ａを０．６秒間、条件Ｂを０．４秒間、交互に繰り返して基板１０をエッチングする。
【００３６】
こうしてウエーハＷが分割された後、アッシング等によりエッチングマスク１５を除去する。図９に示すように、本工程において形成されたエッチング溝１６は、パッシベーション膜１１ｃのみを貫通する幅に形成され、エッチング溝１６の側方にはパッシベーション膜１１ｃが残存する。したがって、エッチング溝１６の側壁には、パッシベーション膜１１ｃが壁状に残存したパッシベーション壁１１０ｄが形成され、このパッシベーション壁１１０ｄは、水分などの侵入からデバイスＤを守る役割を果たす。また、図９に示したような積層構造に限られず、それぞれの絶縁膜の端面がエッチング溝１６に露出する構造であってもよい。
【００３７】
本工程では、デバイス領域Ｗ１とリング状補強部Ｗ４との境界部分についても円形にエッチングし、裏面電極１３を残してデバイス領域Ｗ１とリング状補強部Ｗ４とを分離してもよい。また、前述の支持基板貼着工程は、本工程の後に実施してもよい。なお、銅などの金属により構成される裏面電極１３は、本工程ではエッチングされない。
【００３８】
なお、図４に示したストリートＳに、図１０に示すように、テストエレメントグループ（ＴＥＧ）５０などの金属が形成されている場合であっても、ＴＥＧ５０がストリートの幅方向全域に形成されていなければ、プラズマエッチングによって開口１６を形成することができる。このとき開口１６を形成するには、一例として、プラズマエッチングによりＬｏｗ−ｋ膜を含む絶縁膜１１を除去し、図１（ｇ）に示したように表面１０ａを一部露出させた後、回転する切削ブレードをストリートＳに形成されたＴＥＧ５０に切り込ませてＴＥＧ５０を切削して除去してよい。さらに、図１１に示すように、基板１０のストリートＳにおいてＴＥＧ５０が形成されていない領域を表面１０ａから切削ブレード４１の切り込み深さよりも深い深さＤ(例えば、基板１０の表面１０ａから５〜１０μｍ程度)だけエッチングしてストリートＳのＴＥＧ５０の両側にそれぞれ加工（エッチング）側溝５１を形成してから、図１２に示すように切削ブレード４１をＴＥＧ５０に切り込ませて切削してＴＥＧ５０を除去してもよい。このようにすれば、切削ブレード４１が基板１０に切り込んだ場合でも、発生するクラックがストリートＳを越えてデバイスＤ領域に到達して生じることを抑制することができる。ＴＥＧ５０を切削ブレード４１で除去した後、図１３に示すようにプラズマエッチングしてエッチング溝５２を形成することにより、ウエーハＷを個片化することができる。なお、切削ブレード４１に代えてレーザー光照射によりＴＥＧ５０を除去してもよい。後述する第２実施形態にも同様に適用してよい。
【００３９】
（ｈ）貼り替え工程
次に、図１（ｈ）に示すように、ウエーハＷの絶縁膜１１及び表面電極１２が形成された側の面に保護部材１７を貼着するとともに、凹部Ｗ３から支持基板１４を剥離し、裏面電極１３を露出させる。また、保護部材１７の外周部にはリング状のフレーム１８を貼着する。
【００４０】
（ｉ）金属膜除去工程
次に、保護部材１７が貼着されたウエーハＷの裏面電極１３に対し、微粒子をストリートＳに沿って吹きつけるブラスト処理により、図１（ｉ）に示すように、裏面電極１３のうち、ストリートＳに対応する部分、すなわちストリートＳの裏面側を部分的に除去する。なお、微粒子は、デバイスにダメージを与えないように樹脂性の微粒子を用いてよい。また、吹きつけた後に気化するもの（例えば、ドライアイス）を用いてよい。また、微粒子の吹きつけではなく、ウエーハＷを面方向に平行な方向にエキスパンドすることにより、ストリートＳに沿って裏面電極１３を引きちぎってもよい。このようにして裏面電極１３のうちストリートＳに対応する部分を除去することにより、個々のチップＣに分割される。また、リング状補強部Ｗ４がデバイス領域Ｗ１から分離される。
【００４１】
なお、この後にチップＣをピックアップするために、裏面電極１３側にテープを貼着する。また、テープの外周部にはフレーム１８が貼着される。一方、支持基板１７は各チップＣから剥離される。
【００４２】
このように、プラズマエッチングによって個々のチップＣが形成されるため、個々のチップＣは、切削ブレードによる切削時の機械的ダメージや、レーザ光による加工時の熱的ダメージを受けない。よって、チップＣを構成するデバイスの品質を向上させることができる。
【００４３】
また、裏面電極形成のために図７に示した減圧成膜装置３にウエーハＷが搬送されるときには、ウエーハＷにリング状補強部Ｗ４が形成されているため、ウエーハＷの強度が高く、破損しにくい。
【００４４】
２  第２実施形態
第２実施形態では、以下の４工程（ａ）−（ｄ）は、図１４（ａ）−（ｄ）に示すように、第１実施形態と同様に実施される。
（ａ）デバイス形成工程
（ｂ）絶縁膜成膜・電極形成工程
（ｃ）リング状補強部形成工程
（ｄ）イオン注入・裏面電極形成工程
【００４５】
（ｅ）リング状補強部除去工程
次に、図１４（ｅ）に示すように、裏面電極１３側にテープ１７ａを貼着し、テープ１７ａの外周部にリング状のフレーム１９を貼着する。そして、例えば切削装置のチャックテーブル４０にテープ１７ａ側を保持し、チャックテーブル４０を回転させながらリング状補強部Ｗ４の内側に切削ブレード（不図示）を切り込ませることにより、デバイス領域Ｗ１（図４参照）とリング状補強部Ｗ４とを分離し、リング状補強部Ｗ４を除去する。
【００４６】
（ｆ）支持基板貼着工程
次に、図１４（ｆ）に示すように、裏面電極１３からテープ１７ａを剥離し、裏面電極１３に支持基板１４ａを貼着する。このようにして、裏面電極１３が形成されリング状補強部Ｗ４が除去されたウエーハＷが支持基板１４ａによって支持される。
【００４７】
（ｇ）エッチングマスク形成工程
次に、図１４（ｇ）に示すように、支持基板１４ａによって支持されたウエーハＷの絶縁膜１１及び表面電極１２の上に、エッチングマスク１５ｂを形成する。エッチングマスク１５ｂの形成方法は、第１実施形態と同様であり、ストリートＳに沿って開口１５ｃを形成する。
【００４８】
また、開口１５ｃを形成した後、エッチングマスク１５ｂを介して絶縁膜１１をエッチングする。エッチング条件は、第１実施形態のプラズマエッチング工程における絶縁膜１１のエッチング時と同様である。エッチングマスク１５ｂを介して絶縁膜１１をエッチングすることにより、基板１０のうちストリートＳの部分が露出する。
【００４９】
（ｈ）プラズマエッチング工程
次に、エッチングマスク１５ｂを介してストリートＳに沿って基板１０をプラズマエッチングする。エッチング条件は、第１実施形態のプラズマエッチング工程における基板１０のエッチング時と同様である。ストリートＳに沿って基板１０をエッチングすることにより、図１４（ｈ）に示すように、エッチング溝１６が形成され、裏面電極１３が露出する。
【００５０】
（ｉ）貼り替え工程
プラズマエッチング工程終了後、図１４（ｉ）に示すように、絶縁膜１１及び表面電極１２に保護部材１７を貼着し、保護部材１７の外周部にリング状のフレーム１８を貼着する。また、裏面電極１３から支持基板１４ａを剥離する。このようにして、裏面電極１３が露出した状態とする。
【００５１】
（ｊ）金属膜除去工程
次に、裏面電極１３のうちストリートＳに対応する部分を除去する。具体的な除去方法は、第１実施形態と同様である。このようにして裏面電極１３のうちストリートＳに対応する部分を除去することにより、個々のチップＣに分割される。
【００５２】
３  第３実施形態
第３実施形態では、以下の４工程は、図１５（ａ）−（ｄ）に示すように、第１実施形態及び第２実施形態と同様に実施される。
（ａ）デバイス形成工程
（ｂ）絶縁膜成膜・電極形成工程
（ｃ）リング状補強部形成工程
（ｄ）イオン注入・裏面電極形成工程
【００５３】
（ｅ）支持基板貼着・リング状補強部除去工程
図１５（ｅ）に示すように、絶縁膜１１及び表面電極１２に支持基板１４ａを貼着し、裏面電極１３が露出した状態とする。そして、リング状補強部Ｗ４の内側を切削ブレードによって切削し、リング状補強部Ｗ４を除去する。
【００５４】
（ｆ）エッチングマスク形成工程
次に、図１５（ｆ）に示すように、裏面電極１３の上にレジストを形成し、ストリートＳに対応する部分を除去することにより、エッチングマスク１５ｄを形成する。エッチングマスク１５ｄの形成方法は、第１実施形態及び第２実施形態と同様であり、ストリートＳに沿って開口１５ｅを形成する。例えば、アルゴンプラズマを用いて裏面電極となる金属膜を逆スパッタして金属膜を除去してよい。
このときの３００ｍｍウエーハを用いた場合の条件としては、図８の上部電極（ガス噴出ヘッド８１）にＲＦ周波数１３．５６ＭＨｚ、２ｋＷの高周波電力を印加し、下部電極（静電チャック９０）に２ＭＨｚ、５００Ｗのバイアス電力を印加し、チャンバ９２内圧力を１Ｐａ、Ａｒガスを１００ｓｃｃｍ供給して、逆スパッタする。
【００５５】
また、開口１５ｅを形成した後、エッチングマスク１５ｄを介して絶縁膜１１をエッチングする。エッチング条件は、第１実施形態及び第２実施形態のプラズマエッチング工程における絶縁膜１１のエッチング時と同様である。エッチングマスク１５ｂを介して絶縁膜１１をエッチングすることにより、基板１０のうちストリートＳの部分が露出する。
【００５６】
なお、開口１５ｅの形成は、レーザ加工によって行うこともできる。すなわち、ストリートＳに沿って、エッチングマスク１５ｄに対して吸収性を有する波長のレーザ光を照射してアブレーション加工することにより、その部分のレジストを除去して開口１５ｅを形成することもできる。また、裏面電極１３を構成する金属に対して吸収性を有する波長のレーザ光を用いると、ストリートＳに沿って裏面電極１３を除去することもできる。
【００５７】
エッチングマスク１５ｂとして、薄膜や水溶性の保護膜を使用することもできる。この場合も、エッチングやレーザ加工によって開口１５ｅを形成する。水溶性の保護膜としては、例えば株式会社ディスコが提供する「ＨｏｇｏＭａｘ」シリーズがある。エッチングマスク１５ｂとして水溶性の保護膜を使用すると、プラズマエッチング後に、洗浄液を供給することによりエッチングマスクを除去することができ、効率的である。
【００５８】
（ｇ）プラズマエッチング工程
次に、エッチングマスク１５ｄを介して、ウエーハＷの裏面側からストリートＳに沿って基板１０をプラズマエッチングする。エッチング条件は、第１実施形態及び第２実施形態のプラズマエッチング工程における基板１０のエッチング時と同様である。ストリートＳに沿って基板１０をエッチングすることにより、図１１（ｇ）に示すように、エッチング溝１６ａが形成され、個々のチップＣに分割される。
【００５９】
（ｈ）貼り替え工程
次に、図１１（ｈ）に示すように、裏面電極１３を保護部材１７を貼着し、保護部材１７の外周部にリング状のフレーム１８を貼着する。また、絶縁膜１１及び表面電極１２から支持基板１４ａを剥離する。このようにして、絶縁膜１１及び表面電極１２が露出すると、その後、各チップＣがピックアップされる。
【符号の説明】
【００６０】
Ｗ：ウエーハ
Ｗ１：デバイス領域  Ｄ：デバイス  Ｓ：ストリート
Ｗ２：外周余剰領域  Ｗ３：凹部  Ｗ４：リング状補強部  Ｗ５：底面
Ｃ：チップ
１：保護部材
１０：基板  １０ａ：表面
１０１：パワーＭＯＳＦＥＴ  １０２：ＩＧＢＴ  １０３：金属膜  １０４：酸化膜
１０５：ソース電極  １０６：裏面電極  １０７：エミッタ電極  １０８：裏面電極
１０９：酸化膜  １０９ａ：ゲート電極
１１：絶縁膜  １１ａ、１１ｂ：Ｌｏｗ−ｋ膜  １１ｃ：パッシベーション膜
１１０ａ、１１０ｂ：側面  １１０ｃ：凹部  １１０ｄ：パッシベーション壁
１２：表面電極  １３：裏面電極  １４，１４ａ：支持基板
１５，１５ｂ，１５ｄ：エッチングマスク  １５ａ，１５ｃ，１５ｅ：開口
１６：エッチング溝  １７：保護部材  １７ａ：テープ  １８，１９：フレーム
２：研削装置
２０：チャックテーブル  ２１：研削手段  ２２：回転軸  ２３：ホイール  ２４：砥石
３：減圧成膜装置
３１：チャンバ  ３２：保持部  ３３：励磁部材  ３４：スパッタ源  ３５：高周波電源
３６：導入口  ３７：減圧口
４０：チャックテーブル
５０：ＴＥＧ  ５１：エッチング側溝  ５２：エッチング溝
９：プラズマエッチング装置
９０：静電チャック（ＥＳＣ）  ９００：保持テーブル  ９０１：電極
９１：ガス噴出ヘッド  ９１０：ガス拡散空間  ９１１：ガス導入口
９１２：ガス吐出口  ９１３：ガス配管  
９２：チャンバ  ９２０：搬入出口  ９２１：ゲートバルブ
９３：ガス供給部  ９４：整合器  ９５：高周波電源  ９６：排気管
９７：排気装置  ９８：制御部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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