(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つの発光素子を有する光源部を備える光源装置において、
前記光源部の高電位側に設けられた第１抵抗と、
前記光源部の低電位側に設けられた第２抵抗と、
前記第２抵抗で生ずる電圧降下が零である場合に、前記光源部に印加される電源電圧から前記第１抵抗で生ずる電圧降下を減じて得られる電圧を、前記光源部に設けられた個々の前記発光素子で生ずる電圧降下で除する演算を行って、地絡が生じた箇所を検出する地絡検出部と
を備えることを特徴とする光源装置。
【請求項２】
前記地絡検出部で地絡が検出された場合に、前記光源部への電源供給を停止させる電源制御部を備えることを特徴とする請求項１記載の光源装置。
【請求項３】
互いに並列接続され、前記第１抵抗、前記光源部、及び前記第２抵抗を有する回路を複数備えており、
前記地絡検出部は、前記回路の各々について地絡が生じた箇所を検出する
ことを特徴とする請求項１又は請求項２記載の光源装置。
【請求項４】
前記光源部の低電位側に設けられ、前記第２抵抗と前記光源部を駆動する駆動素子とを備える駆動部を備えることを特徴とする請求項１記載の光源装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光源装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
レーザダイオード（ＬＤ）や発光ダイオード（ＬＥＤ）等の発光素子は、小型、低消費電力、長寿命等の特徴を有することから、様々な用途に広く用いられている。例えば、レーザダイオードは、ファイバレーザの励起光源に用いられており、発光ダイオードは、車両のヘッドライト等の各種照明装置に用いられている。このような発光素子は、必要となる光量に応じて、単独で或いは複数が直列接続されて使用される。
【０００３】
上記の発光素子を備える光源装置において、地絡が生ずると発光素子が常時点灯した状態となり、不要な光が光源装置から出力され続ける事態が生ずる。このような事態を防止するために、光源装置には地絡を検出するための地絡検出回路が設けられることが多い。例えば、以下の特許文献１には、ＬＥＤの低電位側にシャント抵抗を設けて地絡を検出する地絡検出回路が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１４−１５４４４８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、上記の特許文献１に開示された地絡検出回路は、地絡の発生の有無を検出することができるものの、地絡が発生した箇所を検出することはできない。高出力が要求される光源装置（例えば、ファイバレーザの励起光源）では、光源装置に設けられる発光素子の数が増加する傾向にあり、例えば地絡が生じた場合の対策を行う上で、地絡が生じた箇所を検出することは今後重要になると考えられる。
【０００６】
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、地絡が生じた箇所を検出することが可能な光源装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明の光源装置は、少なくとも１つの発光素子（Ｌ）を有する光源部（１１）を備える光源装置（１、２）において、前記光源部の高電位側に設けられた第１抵抗（１２）と、前記光源部の低電位側に設けられた第２抵抗（２２）と、前記第１抵抗で生ずる電圧降下と前記第２抵抗で生ずる電圧降下とに基づいて地絡が生じた箇所を検出する地絡検出部（１４）とを備えることを特徴としている。
また、本発明の光源装置は、前記地絡検出部が、前記第２抵抗で生ずる電圧降下が零である場合に、前記光源部に印加される電源電圧から前記第１抵抗で生ずる電圧降下を減じて得られる電圧を、前記光源部に設けられた個々の前記発光素子で生ずる電圧降下で除する演算を行って、地絡が生じた箇所を検出することを特徴としている。
また、本発明の光源装置は、前記地絡検出部で地絡が検出された場合に、前記光源部への電源供給を停止させる電源制御部（１５）を備えることを特徴としている。
また、本発明の光源装置は、互いに並列接続され、前記第１抵抗、前記光源部、及び前記第２抵抗を有する回路（Ｃ１〜Ｃ３）を複数備えており、前記地絡検出部が、前記回路の各々について地絡が生じた箇所を検出することを特徴としている。
また、本発明の光源装置は、前記光源部の低電位側に設けられ、前記第２抵抗と前記光源部を駆動する駆動素子（２１）とを備える駆動部（１３）を備えることを特徴としている。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、光源部の高電位側に第１抵抗を設けるとともに光源部の低電位側に第２抵抗を設け、第１抵抗で生ずる電圧降下と第２抵抗で生ずる電圧降下とに基づいて地絡が生じた箇所を検出するようにしている。このため、地絡が生じたか否かを判断できるだけではなく、地絡が生じた箇所を検出することが可能であるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の第１実施形態による光源装置の要部構成を示すブロック図である。
【図２】本発明の第１実施形態において地絡が生じた状態例を示す図である。
【図３】本発明の第１実施形態による光源装置が備える発光素子の電流電圧特性の一例を示す図である。
【図４】本発明の第２実施形態による光源装置の要部構成を示すブロック図である。
【図５】本発明の実施形態による光源装置を備えるファイバレーザ装置の要部構成を示すブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、図面を参照して本発明の実施形態による光源装置について詳細に説明する。
【００１１】
〔第１実施形態〕
図１は、本発明の第１実施形態による光源装置の要部構成を示すブロック図である。図１に示す通り、本実施形態の光源装置１は、光源部１１、シャント抵抗１２（第１抵抗）、駆動部１３、地絡検出部１４、及び電源制御部１５を備えており、所定の波長の光（例えば、可視光、赤外光、或いは紫外光）を出力する。また、本実施形態の光源装置１は、光源部１１等で生ずる地絡の検出が可能である。この光源装置１は、電源部ＰＳから電源線ＰＬを介して供給される電力によって動作する。
【００１２】
光源部１１は、直列接続された複数の発光素子Ｌを備える。発光素子Ｌは、例えばＬＤ（Laser Diode：レーザダイオード）、ＬＥＤ（Light Emitting Diode：発光ダイオード）等の固体光源である。発光素子Ｌの数は、必要となる光量に応じて設定される。本実施形態では、理解を容易にするために２０個の発光素子Ｌが光源部１１に設けられているとする。尚、光源部１１は、発光素子Ｌを１つのみ備えるものであっても良い。
【００１３】
シャント抵抗１２は、光源部１１の高電位側に設けられた抵抗であり、光源部１１に流れる電流（正確には、電源線ＰＬから光源部１１に流れ込む電流）を検出するために設けられる。具体的に、シャント抵抗１２は、一端が光源部１１に接続されるとともに他端が電源線ＰＬに接続されている。このシャント抵抗１２の検出信号（電流の検出結果を示す信号）Ｄ１は、地絡検出部１４に出力される。尚、上記検出信号Ｄ１は、シャント抵抗１２に流れる電流に応じて生ずるシャント抵抗１２の電圧降下を示す信号でもある。
【００１４】
ここで、シャント抵抗１２の抵抗値が大きいと電力損失が大きくなる（発熱が大きくなる）ことから、シャント抵抗１２の抵抗値は小さい方が望ましい。但し、シャント抵抗１２の抵抗値が小さすぎると、シャント抵抗１２で生ずる電圧降下が小さくなり、検出誤差が生じやすくなる。このため、シャント抵抗１２の抵抗値は、電力損失と検出誤差とを考慮して設定される。例えば、シャント抵抗１２の抵抗値は、０．１［Ω］程度に設定される。
【００１５】
駆動部１３は、ＦＥＴ（Field Effect Transistor：電界効果トランジスタ）２１（駆動素子）、シャント抵抗２２（第２抵抗）、及びＦＥＴ駆動回路２３を備えており、光源部１１の低電位側に設けられて光源部１１に流れる電流を制御する。具体的に、駆動部１３は、光源部１１とグランドＧとの間に設けられており、一定の電流が光源部１１に流れるように制御する。
【００１６】
ＦＥＴ２１は、光源部１１とシャント抵抗２２との間に設けられており、ＦＥＴ駆動回路２３から出力される駆動信号ＤＳによって駆動される電流制御素子である。このＦＥＴ２１は、例えばドレイン端子が光源部１１に接続され、ソース端子がシャント抵抗２２に接続され、ゲート端子がＦＥＴ駆動回路２３に接続される。尚、ＦＥＴ２１に代えてバイポーラトランジスタを用いることも可能である。
【００１７】
シャント抵抗２２は、光源部１１の低電位側に設けられた抵抗であり、光源部１１に流れる電流（正確には、光源部１１からグランドＧに流れ出す電流）を検出するために設けられる。具体的に、シャント抵抗２２は、一端がＦＥＴ２１に接続されるとともに他端がグランドＧに接続されている。このシャント抵抗２２の検出信号（電流の検出結果を示す信号）Ｄ２は、地絡検出部１４及びＦＥＴ駆動回路２３に出力される。尚、上記検出信号Ｄ２は、シャント抵抗２２に流れる電流に応じて生ずるシャント抵抗２２の電圧降下を示す信号でもある。
【００１８】
ここで、シャント抵抗２２の抵抗値は、シャント抵抗１２と同様に、電力損失と検出誤差とを考慮して設定される。シャント抵抗２２の抵抗値は、シャント抵抗１２の抵抗値と同じであっても良く、異なっていても良い。例えば、シャント抵抗２２の抵抗値は、シャント抵抗１２の抵抗値と同じ０．１［Ω］程度に設定される。
【００１９】
ＦＥＴ駆動回路２３は、シャント抵抗２２から出力される検出信号Ｄ２に基づいて、ＦＥＴ２１を駆動する。具体的に、ＦＥＴ駆動回路２３は、検出信号Ｄ２に基づいて光源部１１に流れる電流を一定とする駆動信号ＤＳを生成してＦＥＴ２１を駆動する。ＦＥＴ駆動回路２３によるＦＥＴ２１の駆動方法としては、例えばＦＥＴ２１に流れる電流をアナログ的に制御して一定にする駆動方法が用いられる。尚、ＦＥＴ駆動回路２３によるＦＥＴ２１の駆動方法としては、上記の駆動方法に限られることはなく、任意の駆動方法を用いることが可能である。
【００２０】
地絡検出部１４は、シャント抵抗１２から出力される検出信号Ｄ１及びシャント抵抗２２から出力される検出信号Ｄ２に基づいて地絡が生じたか否かを判断し、地絡が生じたと判断した場合に地絡が生じた箇所を検出する。例えば、地絡検出部１４は、シャント抵抗２２から出力される検出信号Ｄ２が零であるにも拘わらず、シャント抵抗１２から出力される検出信号Ｄ１が非零である場合には、シャント抵抗２２には電流が流れておらず、シャント抵抗１２とシャント抵抗２２との間においてグランドＧへ電流が流れたと判断できるため、地絡が生じたと判断できる。
【００２１】
尚、地絡検出部１４には、シャント抵抗１２，２２の抵抗値が予め格納されており、上記の検出信号Ｄ１，Ｄ２は電流の検出結果を示す信号である。このため、地絡検出部１４では、検出信号Ｄ１とシャント抵抗１２の抵抗値とを乗算することによってシャント抵抗１２で生ずる電圧降下が求められ、検出信号Ｄ２とシャント抵抗２２の抵抗値とを乗算することによってシャント抵抗２２で生ずる電圧降下が求められる。このため、地絡検出部１４は、シャント抵抗１２で生ずる電圧降下及びシャント抵抗２２で生ずる電圧降下に基づいて地絡が生じたか否かを判断するようにしても良い。
【００２２】
また、地絡検出部１４は、シャント抵抗１２で生ずる電圧降下とシャント抵抗２２で生ずる電圧降下とに基づいて地絡が生じた箇所を検出する。具体的に、地絡検出部１４は、シャント抵抗２２で生ずる電圧降下が零であって、シャント抵抗１２で生ずる電圧降下が非零である場合に、光源部１１に印加される電源電圧からシャント抵抗１２で生ずる電圧降下を減じて得られる電圧を、光源部１１に設けられた個々の発光素子Ｌで生ずる電圧降下で除する演算を行って、地絡が生じた箇所を検出する。
【００２３】
図２は、本発明の第１実施形態において地絡が生じた状態例を示す図である。尚、図２においては、図１に示すブロックと同じブロックには同一の符号を付してある。また、図２に示す例では、光源部１１に設けられた２０個の発光素子Ｌのうち、高電位側から２つ目の発光素子Ｌと３つ目の発光素子Ｌとの接続箇所Ｚで地絡が生じたとしている。このような地絡が生ずると、図２に示す通り、電流は図中の白抜き矢印で示す経路Ｐを経て流れる。つまり、シャント抵抗１２及び接続箇所Ｚよりも高電位側の２個の発光素子Ｌには電流が流れるが、接続箇所Ｚよりも低電位側の１８個の発光素子Ｌには電流が流れない。
【００２４】
図３は、本発明の第１実施形態による光源装置が備える発光素子の電流電圧特性の一例を示す図である。尚、図３では、発光素子Ｌの一種であるＬＤの電流電圧特性を示しており、横軸に電流をとり、縦軸に電圧をとってある。図３に示す通り、発光素子Ｌは、流れる電流がある値（図２中の電流Ｉｔ）よりも大きければ、電流が変化しても電圧（電圧降下）は殆ど変化しない特性を有する。このため、図３に示す通り、発光素子Ｌの電圧降下の基準値Ｖ０を設定することができる。
【００２５】
図２に示す通り、電源部ＰＳの出力電圧（電源電圧）をＶｄｄとし、シャント抵抗１２で生ずる電圧降下をＶ１とし、光源部１１で生ずる電圧降下をＶ２とする。図２に示す地絡が生じている場合には、電源電圧Ｖｄｄは、シャント抵抗１２と光源部１１とによって分圧されることになる。このため、光源部１１で生ずる電圧降下Ｖ２は、以下の（１）式で求められる。
Ｖ２＝Ｖｄｄ−Ｖ１  …（１）
【００２６】
図３を用いて説明した通り、光源部１１に設けられる発光素子Ｌは、電流が変化しても電圧（電圧降下）が殆ど変化しないことから、発光素子Ｌで生じている電圧降下は、上記の基準値Ｖ０とみなすことができる。このため、光源部１１に設けられた２０個の発光素子Ｌのうち、電流が流れている発光素子Ｌの数Ｑは、以下の（２）式から求めることができる。
Ｑ＝Ｖ２／Ｖ０  …（２）
【００２７】
このように、地絡検出部１４は、電源電圧Ｖｄｄからシャント抵抗１２で生ずる電圧降下Ｖ１を減ずることで、光源部１１で生ずる電圧降下Ｖ２を求めている（上記（１）式）。そして、地絡検出部１４は、得られた電圧降下Ｖ２を光源部１１に設けられた個々の発光素子Ｌで生ずる電圧降下（基準値Ｖ０）で除する演算（上記（２）式）を行うことで、地絡箇所までの発光素子Ｌの数Ｑを求めている。このようにして、地絡検出部１４は、地絡が生じた箇所を検出している。
【００２８】
電源制御部１５は、地絡が生じたと地絡検出部１４で判断された場合（地絡が検出された場合）に、光源部１１への電源供給を停止させる制御を行う。具体的に、電源制御部１５は、地絡が生じたと地絡検出部１４で判断された場合には、電源部ＰＳに対して電源供給停止信号Ｓ１を出力することで、光源部１１への電源供給を停止させる。このような制御を行うのは、地絡が生ずることによって発光素子Ｌが常時点灯した状態になり、不要な光が光源装置１から出力され続ける事態を防止するためである。
【００２９】
次に、上記構成における光源装置１の動作について簡単に説明する。ＦＥＴ駆動回路２３によるＦＥＴ２１の駆動が開始されると、電源部ＰＳから電源線ＰＬに供給された電流が、シャント抵抗１２、光源部１１、ＦＥＴ２１、及びシャント抵抗２２を順に流れた後にグランドＧに流れ込む。駆動部１３では、光源部１１に流れる電流が所望の値となるように、ＦＥＴ２１がＦＥＴ駆動回路２３によって駆動される。
【００３０】
地絡が生じていない正常状態では、電源部ＰＳから電源線ＰＬに供給された電流が、シャント抵抗１２、光源部１１、ＦＥＴ２１、及びシャント抵抗２２を順に流れる。このため、シャント抵抗１２から出力される検出信号Ｄ１（或いは、シャント抵抗１２の電圧降下）、及びシャント抵抗２２から出力される検出信号Ｄ２（或いは、シャント抵抗２２の電圧降下）は零にはならない。このため、地絡検出部１４においては、地絡が生じていないと判断される。
【００３１】
これに対し、地絡が生じた異常状態では、電源部ＰＳから電源線ＰＬに供給された電流は、シャント抵抗１２及び光源部１１の一部の発光素子Ｌに流れるものの、ＦＥＴ２１及びシャント抵抗２２には流れない（図２参照）このため、シャント抵抗２２から出力される検出信号Ｄ２が零であるにも拘わらず、シャント抵抗１２から出力される検出信号Ｄ１が非零となる。このため、地絡検出部１４においては、地絡が生じたと判断される。
【００３２】
地絡が生じたと判断されると、地絡検出部１４では、前述した（１），（２）式に示す演算が行われ、地絡箇所までの発光素子Ｌの数Ｑが求められる。例えば、電源電圧Ｖｄｄが４０［Ｖ］であり、光源部１１に流れる電流（通常時電流）が１０［Ａ］であり、発光素子Ｌの電圧降下の基準値Ｖ０が１．７［Ｖ］である場合を考える。この場合において、シャント抵抗１２で生ずる電圧降下Ｖ１が３４．９［Ｖ］であり、シャント抵抗２２で生ずる電圧降下が０［Ｖ］であったとすると、光源部１１で生ずる電圧降下Ｖ２は、前述した（１）式から、Ｖ２＝５．１［Ｖ］（＝４０［Ｖ］−４．９［Ｖ］）と求められる。また、地絡箇所までの発光素子Ｌの数Ｑは、前述した（２）式から、３（＝５．１［Ｖ］／１．７［Ｖ］）と求められる。従って、上記の場合には、高電位側から３つ目の発光素子Ｌと４つ目の発光素子Ｌとので地絡が生じたと検出される。
【００３３】
このようにして、地絡検出部１４では、地絡が生じた箇所が検出される。また、地絡が生じたと判断されると、地絡が生じた旨を示す信号が、地絡検出部１４から電源制御部１５に出力される。すると、電源制御部１５から電源部ＰＳに対して電源供給停止信号Ｓ１が出力され、電源部ＰＳから電源線ＰＬへの電源供給が停止される。これにより、光源部１１への電源供給が停止され、不要な光が光源装置１から出力され続ける事態が防止される。
【００３４】
以上の通り、本実施形態では、光源部１１の高電位側にシャント抵抗１２を設けるとともに、光源部１１の低電位側にシャント抵抗２２を設け、これらシャント抵抗１２，２２で電圧降下に基づいて地絡が生じた箇所を地絡検出部１４で検出するようにしている。このため、地絡が生じたか否かを判断できるだけではなく、地絡が生じた箇所を検出することが可能である。
【００３５】
〔第２実施形態〕
図４は、本発明の第２実施形態による光源装置の要部構成を示すブロック図である。尚、図４においては、図１，２に示すブロックに相当するブロックには同一の符号を付してある。図４に示す通り、本実施形態の光源装置２は、光源部１１、シャント抵抗１２、及び駆動部１３を有し、電源線ＰＬとグランドＧとの間に並列接続された複数の回路Ｃ１〜Ｃ３を備える。このような光源装置２は、光量を増大して高出力化を図ったものである。尚、図４に示す光源装置２は、電源線ＰＬとグランドＧとの間に３つの回路Ｃ１〜Ｃ３を備えているが、電源線ＰＬとグランドＧとの間に設けられる回路の数は必要となる光量に応じて設定される。
【００３６】
図４に示す回路Ｃ１〜Ｃ３の各々に設けられたシャント抵抗１２からは、回路Ｃ１〜Ｃ３の各々に流れる電流の検出結果を示す信号である検出信号Ｄ１がそれぞれ出力される。また、図４に示す回路Ｃ１〜Ｃ３の各々に設けられた駆動部１３の内部に設けられたシャント抵抗２２（図４においては図示省略）からは、回路Ｃ１〜Ｃ３の各々に流れる電流の検出結果を示す信号である検出信号Ｄ２がそれぞれ出力される。これら、検出信号Ｄ１，Ｄ２は地絡検出部１４に入力される。
【００３７】
地絡検出部１４は、これらの検出信号Ｄ１，Ｄ２を用いて回路Ｃ１〜Ｃ３の各々について、地絡が生じたか否かを個別に判断する。また、地絡検出部１４は、地絡が生じたと判断した場合には、回路Ｃ１〜Ｃ３のうちの地絡が生じたと判断した回路について地絡が生じた箇所を検出する。尚、回路Ｃ１〜Ｃ３の各々について、地絡が生じたか否かの判断方法、及び地絡が生じた箇所の検出方法は、第１実施形態と同様である。
【００３８】
回路Ｃ１〜Ｃ３の何れかで地絡が生じたと地絡検出部１４で判断された場合には、地絡が生じた旨を示す信号が、地絡検出部１４から電源制御部１５に出力される。これにより、電源制御部１５から電源部ＰＳに対して電源供給停止信号Ｓ１が出力されて、電源部ＰＳから電源線ＰＬへの電源供給が停止される。このように、本実施形態では、光源装置２に設けられた回路Ｃ１〜Ｃ３の何れかで地絡が生ずると、回路Ｃ１〜Ｃ３に設けられた全ての光源部１１への電源供給が停止される。
【００３９】
以上の通り、本実施形態では、複数設けられた光源部１１の各々の高電位側にシャント抵抗１２を設けるとともに、複数設けられた光源部１１の各々の低電位側にシャント抵抗２２を設け、これらシャント抵抗１２，２２で電圧降下に基づいて地絡が生じた箇所を地絡検出部１４で検出するようにしている。このため、何れの光源部１１で地絡が生じたか否かを判断できるだけではなく、地絡が生じたと判断された光源部１１内において地絡が生じた箇所を検出することが可能である。
【００４０】
〔ファイバレーザ装置〕
図５は、本発明の実施形態による光源装置を備えるファイバレーザ装置の要部構成を示すブロック図である。図５に示す通り、ファイバレーザ装置ＦＬは、増幅媒体として機能する光ファイバＦ１、伝送媒体として機能する光ファイバＦ２、光源装置３１、光パワーモニタ装置３２、及び制御装置３３を備えており、制御装置３３の制御の下で光ファイバＦ２の出力端Ｘから出力光Ｌ１を出力する。
【００４１】
増幅媒体として機能する光ファイバＦ１は、活性元素が添加されたコアと、コアを取り囲むクラッドとを備えるシングルクラッドファイバである。この光ファイバＦ１は、光源装置３１から供給される励起光によって励起された活性元素により、光ファイバＦ１のコアを伝播する光を増幅するものである。この光ファイバＦ１には、コアの屈折率を周期的に変化させたファイバブラッググレーティングＧ１，Ｇ２が形成されている。このため、光ファイバＦ１のコアを伝播する光は、これら２つのファイバブラッググレーティングＧ１，Ｇ２による反射が繰り返されつつ増幅される。
【００４２】
伝送媒体として機能する光ファイバＦ２は、コアと、コアを取り囲むクラッドとを備えるシングルクラッドファイバである。尚、光ファイバＦ２のコアは、光ファイバＦ１のコアのように活性元素は添加されていない。この光ファイバＦ２は、一端が出力光Ｌ１の出力端Ｘとされており、他端が光パワーモニタ装置３２内において光ファイバＦ１と融着接続されている。
【００４３】
光源装置３１は、図１に示す第１実施形態の光源装置１、或いは図４に示す第２実施形態の光源装置２であり、制御装置３３の制御の下で光ファイバＦ１に対して励起光を供給する。光パワーモニタ装置３２は、光ファイバＦ２の出力端Ｘから出力される出力光Ｌ１のパワー、及び出力端Ｘを介して入力される反射光Ｌ２（例えば、ワークの加工中にワークの加工面で生じた反射光のうち、出力端Ｘを介して入力される反射光）のパワーをモニタする。
【００４４】
制御装置３３は、光パワーモニタ装置３２でモニタされる出力光Ｌ１及び反射光Ｌ２のパワーを参照しつつ、出力端Ｘから出力される出力光Ｌ１のパワーが一定となるように光源装置３１を制御する。また、制御装置３３は、光パワーモニタ装置３２でモニタされる反射光Ｌ２のパワーが、予め規定された閾値を超えた場合には、ファイバレーザ装置ＦＬを保護するために、光源装置３１の発光を停止させる制御を行う。
【００４５】
このようなファイバレーザ装置ＦＬにおいて、光源装置３１では、シャント抵抗１２，２２（図１，図４参照）から出力される検出信号Ｄ１，Ｄ２用いて地絡が生じたか否かが判断される。地絡が生じたと判断された場合には、地絡が生じた箇所が検出されるとともに、光源装置３１に設けられた光源部１１への電源供給が停止されて光源装置３１の発光が停止される。
【００４６】
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に制限されることなく、本発明の範囲内で自由に変更が可能である。例えば、上述した実施形態では、シャント抵抗２２が駆動部１３内に設けられている例について説明したが、シャント抵抗２２は、光源部１１とグランドＧとの間に設けられていれば良く、必ずしも駆動部１３内に設けられている必要はない。
【００４７】
また、光源部１１の実装形態は、１つの発光素子Ｌのみを備える発光モジュール（シングルチップの発光モジュール）が複数直列に接続されてなる形態であっても良く、複数の発光素子Ｌが１つのパッケージ内に収められたマルチチップの発光モジュールを備える形態であっても良い。つまり、光源部１１の実装形態は、特定の形態に制限されることはなく、任意の形態とすることができる。また、光源装置１，２は、ファイバレーザ装置ＦＬ以外に、各種照明装置に適用することが可能である。
【符号の説明】
【００４８】
１，２…光源装置、１１…光源部、１２…シャント抵抗、１３…駆動部、１４…地絡検出部、１５…電源制御部、２１…ＦＥＴ、２２…シャント抵抗、Ｃ１〜Ｃ３…回路、Ｌ…発光素子
【図１】
0006546766.tif 000002
【図２】
0006546766.tif 000003
【図３】
0006546766.tif 000004
【図４】
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【図５】
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