(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記式（Ｉ）で表される化合物（成分Ａ）、下記式（ＩＩ）で表される化合物（成分Ｂ）、下記式（ＩＩＩ）で表される化合物（成分Ｃ）、下記式（ＩＶ）で表される化合物（成分Ｄ）、芳香族アルコール（成分Ｅ）、及び水（成分Ｆ）を含有し、
成分Ｅの質量と成分Ｃ及び成分Ｄの合計の質量との比（成分Ｅ／（成分Ｃ＋成分Ｄ））が、０．１８以上０．４５以下である、フラックス用洗浄剤組成物。
【化１】
0006598671.tif 000006
上記式（Ｉ）において、Ｒ1は水素原子、メチル基、エチル基及びアミノエチル基から選ばれる少なくとも１種であり、Ｒ2は水素原子、ヒドロキシエチル基、ヒドロキシプロピル基、メチル基及びエチル基から選ばれる少なくとも１種であり、Ｒ3はヒドロキシエチル基及びヒドロキシプロピル基から選ばれる少なくとも１種である。
Ｒ4-Ｏ-（ＣＨ2ＣＨ2Ｏ）n-Ｈ      （ＩＩ）
上記式（ＩＩ）において、Ｒ4は炭素数４以上７以下の炭化水素基を示し、ｎは付加モル数であって１以上５以下の整数である。
Ｒ5-Ｏ-（ＣＨ2ＣＨ2Ｏ）m-Ｈ      （ＩＩＩ）
上記式（ＩＩＩ）において、Ｒ5は炭素数８以上１２以下の炭化水素基を示し、ｍは平均付加モル数であって４以上８以下の数である。
Ｒ6ＯＣＨ2−ＣＨ（ＯＨ）-ＣＨ2ＯＨ      （ＩＶ）
上記式（ＩＶ）において、Ｒ6は炭素数６以上１１以下の炭化水素基を示す。
【請求項２】
成分Ｅが、ベンジルアルコールである、請求項１記載の洗浄剤組成物。
【請求項３】
フラックス残渣を有する被洗浄物を請求項１又は２に記載の洗浄剤組成物で洗浄する工程を有する、フラックス残渣の洗浄方法。
【請求項４】
被洗浄物が、半田付け電子部品の製造中間物である、請求項３に記載の洗浄方法。
【請求項５】
半導体チップ、チップ型コンデンサ、及び回路基板から選ばれる少なくとも１つの部品を、フラックスを使用した半田付けにより回路基板上に搭載する工程、並びに前記部品等を接続するための半田バンプを回路基板上に形成する工程から選ばれる少なくとも１つの工程と、前記部品が搭載された回路基板及び前記半田バンプが形成された回路基板から選ばれる少なくとも１つを請求項３又は４に記載のフラックス残渣の洗浄方法により洗浄する工程とを含む、電子部品の製造方法。
【請求項６】
請求項１又は２に記載の洗浄剤組成物の、電子部品の製造への使用。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、フラックス用洗浄剤組成物、フラックス残渣の洗浄方法及び電子部品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、プリント配線板やセラミック基板への電子部品の実装に関しては、低消費電力、高速処理といった観点から、部品が小型化し、半田フラックスの洗浄においては洗浄すべき隙間が狭くなってきている。また、環境安全面から鉛フリー半田が用いられるようになってきており、これに伴いロジン系フラックスが用いられている。
【０００３】
特許文献１には、有機溶剤、炭素数４〜１２のアルキル基又はアルケニル基を有するグリセリルエーテル５〜３０重量％、及び水５重量％以上を含有してなる金属部品、電子部品、半導体部品および液晶表示パネル等の精密部品用の含水系洗浄剤組成物が開示されている。
【０００４】
特許文献２には、（Ａ）グリセリルエーテルを０．２５〜１５．０重量％、（Ｂ）ＨＬＢが１２．０〜１８．０である非イオン界面活性剤を１．０〜６０．０重量％、（Ｃ）炭化水素を１．０〜１０．０重量％、（Ｄ）グリコールエーテルを１．０〜２０．０重量％、及び（Ｅ）水を含有してなり、かつ該成分（Ｂ）の非イオン界面活性剤が次の式：Ｒ−Ｘ−（ＥＯ）ｍ（ＰＯ）ｎ−Ｈで示され、かつ、該成分（Ｂ）と該成分（Ａ）との重量比（成分（Ｂ）／成分（Ａ））が４／１〜８／１であり、洗浄剤組成物が均一で、安全性が高く、狭いギャップにおける各種汚れの洗浄性、繰り返し洗浄性及びすすぎ性に優れ、洗浄時とすすぎ時において耐泡立ち性の良い硬質表面用洗浄剤組成物が開示されている。
【０００５】
特許文献３には、ベンジルアルコールからなる半田付け電子部品のフラックス洗浄剤が開示されている。
【０００６】
特許文献４には、全体量に対して、グリコール化合物の含有量が１重量％未満の場合には、ベンジルアルコールの含有量を７０〜９９．９重量％の範囲およびアミノアルコールの含有量を０．１〜３０重量％の範囲とし、グリコール化合物の含有量が１〜４０重量％の場合には、ベンジルアルコールの含有量を１５〜９９重量％の範囲およびアミノアルコールの含有量を０．１〜３０重量％の範囲とすることを特徴とする半田フラックス除去用洗浄剤が開示されている。
【０００７】
特許文献５には、（Ａ）ベンジルアルコール５０〜７０重量％、（Ｂ）ある特定の水溶性グリコールエーテル２０〜４０重量％、（Ｃ）ＨＬＢが１２〜１８であるノニオン界面活性剤１〜２０重量％、（Ｄ）水５〜２０重量％、（Ｅ）アルカノールアミン、アルカリ塩類、有機酸、消泡剤、増粘剤からなる群より選ばれた少なくとも１種を残重量％含有し、上記（Ａ）〜（Ｅ）成分を配合して全体を１００重量％としてなることを特徴とする工業用洗浄剤組成物が開示されている。
【０００８】
特許文献６には、炭素数１〜１８の炭化水素基を有するグリセリルエーテルを含有する、精密部品用又はその組立加工工程に使用される冶工具類用洗浄剤組成物が開示されている。
【０００９】
特許文献７には、ある特定のポリオキシアルキレンジアルキルエーテル、ある特定のポリオキシアルキレンモノアルキルエーテル及びアミン系化合物を含有し、２５℃での動粘度が５ｍｍ2／ｓ以下の電子部品、精密部品またはその組立加工工程に使用される治工具類の固体表面に存在する油脂、機械油、切削油、グリース、液晶、ロジン系フラックス等の汚れ除去に好適に使用しうる洗浄剤組成物が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開２００４−２６８８号公報
【特許文献２】特開２０１０−１５５９０４号公報
【特許文献３】特開平４−３４０００号公報
【特許文献４】国際公開第２００５／０２１７００公報
【特許文献５】特開２０００−８０８０号公報
【特許文献６】特開平６−３４６０９２号公報
【特許文献７】特開平１０−１６８４８８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
近年、半導体パッケージ基板の小型化によって、半田バンプの微小化や接続する部品との隙間が狭くなってきている。そして、半田バンプの微小化や接続する部品との隙間が狭くなることで、上記特許文献に開示されている洗浄剤組成物では、フラックス残渣洗浄性が十分であるとは言えなくなっている。
【００１２】
そこで、本開示は、フラックス残渣の洗浄に好適なフラックス用洗浄剤組成物、それを用いた洗浄方法及び電子部品の洗浄方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本開示は、下記式（Ｉ）で表される化合物（成分Ａ）、下記式（ＩＩ）で表される化合物（成分Ｂ）、下記式（ＩＩＩ）で表される化合物（成分Ｃ）、下記式（ＩＶ）で表される化合物（成分Ｄ）、芳香族アルコール（成分Ｅ）、及び水（成分Ｆ）を含有し、成分Ｅの質量と成分Ｃ及び成分Ｄの合計の質量との比（成分Ｅ／（成分Ｃ＋成分Ｄ））が、０．１８以上０．４５以下である、フラックス用洗浄剤組成物に関する。
【００１４】
【化１】
0006598671.tif 000002
上記式（Ｉ）において、Ｒ1は水素原子、メチル基、エチル基及びアミノエチル基から選ばれる少なくとも１種であり、Ｒ2は水素原子、ヒドロキシエチル基、ヒドロキシプロピル基、メチル基及びエチル基から選ばれる少なくとも１種であり、Ｒ3はヒドロキシエチル基及びヒドロキシプロピル基から選ばれる少なくとも１種である。
【００１５】
Ｒ4-Ｏ-（ＣＨ2ＣＨ2Ｏ）n-Ｈ      （ＩＩ）
上記式（ＩＩ）において、Ｒ4は炭素数４以上７以下の炭化水素基を示し、ｎは付加モル数であって１以上５以下の整数である。
【００１６】
Ｒ5-Ｏ-（ＣＨ2ＣＨ2Ｏ）m-Ｈ      （ＩＩＩ）
上記式（ＩＩＩ）において、Ｒ5は炭素数８以上１２以下の炭化水素基を示し、ｍは平均付加モル数であって４以上８以下の数である。
【００１７】
Ｒ6ＯＣＨ2−ＣＨ（ＯＨ）-ＣＨ2ＯＨ      （ＩＶ）
上記式（ＩＶ）において、Ｒ6は炭素数６以上１１以下の炭化水素基を示す。
【００１８】
本開示は、フラックス残渣を有する被洗浄物を本開示に係る洗浄剤組成物で洗浄する工程を有する、フラックス残渣の洗浄方法に関する。
【００１９】
本開示は、半導体チップ、チップ型コンデンサ、及び回路基板から選ばれる少なくとも１つの部品を、フラックスを使用した半田付けにより回路基板上に搭載する工程、並びに前記部品等を接続するための半田バンプを回路基板上に形成する工程から選ばれる少なくとも１つの工程と、前記部品が搭載された回路基板及び前記半田バンプが形成された回路基板から選ばれる少なくとも１つを本開示に係るフラックス残渣の洗浄方法により洗浄する工程とを含む電子部品の製造方法に関する。
【発明の効果】
【００２０】
本開示によれば、フラックス残渣の洗浄性が優れるフラックス用洗浄剤組成物を提供できる。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
本開示は、特定のアミン（成分Ａ）、特定のグリコールエーテル（成分Ｂ）、特定のポリオキシエチレンアルキルエーテル（成分Ｃ）、特定のグリセリルエーテル（成分Ｄ）及び芳香族アルコール（成分Ｅ）を含有する洗浄剤組成物において、成分Ｅの質量と成分Ｃ及び成分Ｄの合計質量との比を規定することにより、従来よりもフラックス残渣の洗浄性が向上するという知見に基づく。
【００２２】
すなわち、本開示は、前記式（Ｉ）で表される化合物（成分Ａ）、前記式（ＩＩ）で表される化合物（成分Ｂ）、前記式（ＩＩＩ）で表される化合物（成分Ｃ）、前記式（ＩＶ）で表される化合物（成分Ｄ）、芳香族アルコール（成分Ｅ）、及び水（成分Ｆ）を含有し、成分Ｅの質量と成分Ｃ及び成分Ｄの合計の質量との比（成分Ｅ／（成分Ｃ＋成分Ｄ））が、０．１８以上０．４５以下である、フラックス用洗浄剤組成物（以下、「本開示に係る洗浄剤組成物」ともいう）に関する。本開示によれば、フラックス残渣の洗浄性が優れるフラックス用洗浄剤組成物が得られうる。さらに、本開示によれば、安定性及び水によるすすぎ性が良好で、半田金属への腐食等の影響を抑制できるフラックス用洗浄剤組成物が得られうる。
【００２３】
本開示に係る洗浄剤組成物における効果の作用メカニズムの詳細は不明な部分があるが、以下のように推定される。すなわち、本開示に係る洗浄剤組成物では、前記成分Ａ及び成分Ｂの存在下で、成分Ｃ、成分Ｄ及び成分Ｅが特定の質量比で含有されているために、洗浄剤組成物中で成分Ｃ、成分Ｄ及び成分Ｅが配向して存在し、フラックスの溶解性は高いが水に溶けにくい成分Ｅを洗浄剤組成物中に均一に分散させることができ、その結果、フラックス残渣に対する洗浄性が向上すると推測される。さらに、上記のような配向が起こることにより、半田表面を腐食する要因と考えられるアミン成分（成分Ａ）が必要以上に半田と接触するのを抑制できるため、半田バンプ表面に腐食等の影響を起こさないと推測される。但し、本開示はこのメカニズムに限定して解釈されなくてもよい。
【００２４】
さらに、近年、半田バンプの微小化や接続する部品との隙間が狭くなることに伴い、印刷性、溶融性、洗浄性を維持しつつ、ボイドの発生を抑制可能な高機能なフラックス（例えば、高活性フラックス）が使用されているが、本開示に係る洗浄剤組成物は、このような高機能なフラックスの残渣に対しても好適に用いられうる。
【００２５】
本開示において「フラックス」とは、電極や配線等の金属と半田金属との接続を妨げる酸化物を取り除き、前記接続を促進するために用いられる、半田付けに使用されるロジン又はロジン誘導体を含有するロジン系フラックスやロジンを含まない水溶性フラックス等をいい、本開示において「半田付け」はリフロー方式及びフロー方式の半田付けを含む。本開示において「半田フラックス」とは、半田とフラックスとの混合物をいう。本開示において「フラックス残渣」とは、フラックスを用いて半田バンプを形成した後の基板、及び／又はフラックスを用いて半田付けをした後の基板等に残存するフラックス由来の残渣をいう。例えば、回路基板上に他の部品（例えば、半導体チップ、チップ型コンデンサ、他の回路基板等）が積層して搭載されると前記回路基板と前記他の部品との間に空間（隙間）が形成される。前記搭載のために使用されるフラックスは、リフロー等により半田付けされた後に、フラックス残渣としてこの隙間にも残存しうる。本開示において「フラックス用洗浄剤組成物」とは、フラックス又は半田フラックスを用いて半田バンプを形成及び／又は半田付けした後のフラックス残渣を洗浄するための洗浄剤組成物をいう。本開示に係る洗浄剤組成物による洗浄性の顕著な効果発現の点から、半田は鉛（Ｐｂ）フリー半田であることが好ましい。
【００２６】
［成分Ａ］
本開示に係る洗浄剤組成物における成分Ａは、下記式（Ｉ）で表される化合物である。
【００２７】
【化２】
0006598671.tif 000003
【００２８】
上記式（Ｉ）において、Ｒ1は水素原子、メチル基、エチル基及びアミノエチル基から選ばれる少なくとも１種であり、Ｒ2は水素原子、ヒドロキシエチル基、ヒドロキシプロピル基、メチル基及びエチル基から選ばれる少なくとも１種であり、Ｒ3はヒドロキシエチル基及びヒドロキシプロピル基から選ばれる少なくとも１種である。
【００２９】
成分Ａとしては、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン等のアルカノールアミン、並びにこれらのアルキル化物及びアミノアルキル化物等が挙げられる。成分Ａの具体例としては、洗浄性向上の観点から、モノエタノールアミン、モノイソプロパノールアミン、Ｎ−メチルモノエタノールアミン、Ｎ−メチルモノイソプロパノールアミン、Ｎ−エチルモノエタノールアミン、Ｎ−エチルモノイソプロパノールアミン、ジエタノールアミン、ジイソプロパノールアミン、Ｎ−ジメチルモノエタノールアミン、Ｎ−ジメチルモノイソプロパノールアミン、Ｎ−メチルジエタノールアミン、Ｎ−メチルジイソプロパノールアミン、Ｎ−ジエチルモノエタノールアミン、Ｎ−ジエチルモノイソプロパノールアミン、Ｎ−エチルジエタノールアミン、Ｎ−エチルジイソプロパノールアミン、Ｎ−（β−アミノエチル）モノエタノールアミン、Ｎ−（β−アミノエチル）モノイソプロパノールアミン、Ｎ−（β−アミノエチル）ジエタノールアミン、Ｎ−（β−アミノエチル）ジイソプロパノールアミンから選ばれる少なくとも１種が好ましく、モノエタノールアミン、モノイソプロパノールアミン、ジエタノールアミン、Ｎ−メチルモノエタノールアミン、Ｎ−ジメチルモノエタノールアミン、Ｎ−エチルモノエタノールアミン及びＮ−（β−アミノエチル）モノエタノールアミンから選ばれる少なくとも１種がより好ましく、Ｎ−メチルモノエタノールアミン及びＮ−ジメチルモノエタノールアミンから選ばれる少なくとも１種がさらに好ましい。
【００３０】
本開示に係る洗浄剤組成物中の成分Ａの含有量は、洗浄性向上の観点から、０．２質量％以上が好ましく、０．３質量％以上がより好ましく、０．４質量％以上がさらに好ましく、０．５質量％以上がよりさらに好ましく、そして、洗浄性向上及び半田金属の腐食抑制の観点から、１０質量％以下が好ましく、８質量％以下がより好ましく、５質量％以下がさらに好ましく、３質量％以下がよりさらに好ましい。
【００３１】
［成分Ｂ］
本開示に係る洗浄剤組成物における成分Ｂは、下記式（ＩＩ）で表される化合物である。
【００３２】
Ｒ4-Ｏ-（ＣＨ2ＣＨ2Ｏ）n-Ｈ      （ＩＩ）
【００３３】
上記式（ＩＩ）において、Ｒ4は、炭素数４以上７以下の炭化水素基を示し、洗浄性向上及び安定性向上の観点から、炭素数４以上６以下の炭化水素基が好ましく、４以上６以下のアルキル基がより好ましい。ｎは付加モル数を示し、１以上５以下の整数であり、洗浄性向上及び安定性向上の観点から、１以上４以下の整数が好ましく、２以上３以下の整数がより好ましい。
【００３４】
成分Ｂとしては、例えば、炭素数４以上７以下の炭化水素基を有する、エチレングリコールモノアルキルエーテル、ジエチレングリコールモノアルキルエーテル、トリエチレングリコールモノアルキルエーテル、テトラエチレングリコールモノアルキルエーテル、ペンタエチレングリコールモノアルキルエーテル、エチレングリコールモノフェニルエーテル、ジエチレングリコールモノフェニルエーテル、トリエチレングリコールモノフェニルエーテル、テトラエチレングリコールモノフェニルエーテル、ペンタエチレングリコールモノフェニルエーテル、エチレングリコールモノベンジルエーテル、ジエチレングリコールモノベンジルエーテル、トリエチレングリコールモノベンジルエーテル、テトラエチレングリコールモノベンジルエーテル及びペンタエチレングリコールモノベンジルエーテル等が挙げられる。成分Ｂとしては、洗浄性向上、洗浄剤組成物の粘度低下及び安定性向上の観点から、エチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、トリエチレングリコールモノブチルエーテル、モノエチレングリコールモノヘキシルエーテル、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル、エチレングリコールモノフェニルエーテル、ジエチレングリコールモノフェニルエーテル、エチレングリコールモノベンジルエーテル及びジエチレングリコールモノベンジルエーテルから選ばれる少なくとも１種が好ましく、エチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、トリエチレングリコールモノブチルエーテル、モノエチレングリコールモノヘキシルエーテル及びジエチレングリコールモノヘキシルエーテルから選ばれる少なくとも１種がより好ましく、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、トリエチレングリコールモノブチルエーテル及びジエチレングリコールモノヘキシルエーテルから選ばれる少なくとも１種がさらに好ましく、すすぎ性の観点から、ジエチレングリコールモノブチルエーテルがよりさらに好ましい。
【００３５】
本開示に係る洗浄剤組成物中の成分Ｂの含有量は、洗浄性向上、すすぎ性向上、洗浄剤組成物の粘度低下、安定性向上、半田金属の腐食抑制の観点から、１０質量％以上が好ましく、１２質量％以上がより好ましく、１５質量％以上がさらに好ましく、２０質量％以上がよりさらに好ましい。前記成分Ｂの含有量は、洗浄剤組成物の粘度を下げる観点から、２５質量％以上がよりさらに好ましい。前記成分Ｂの含有量は、洗浄性向上、洗浄剤組成物の粘度低下及び安定性向上の観点から、４５質量％以下が好ましく、４０質量％以下がより好ましく、３５質量％以下がさらに好ましい。
【００３６】
［成分Ｃ］
本開示に係る洗浄剤組成物における成分Ｃは、下記式（ＩＩＩ）で表される化合物である。
【００３７】
Ｒ5-Ｏ-（ＣＨ2ＣＨ2Ｏ）m-Ｈ      （ＩＩＩ）
【００３８】
上記式（ＩＩＩ）において、Ｒ5は炭素数８以上１２以下の炭化水素基を示し、洗浄性向上及び安定性向上の観点から、炭素数８以上１０以下の炭化水素基が好ましく、８以上１０以下のアルキル基がより好ましい。ｍは平均付加モル数を示し、４以上８以下の数であり、洗浄性向上及び安定性向上の観点から、５以上７以下の数が好ましく、５以上６以下の数がより好ましい。
【００３９】
成分Ｃとしては、前記式（ＩＩＩ）で表される炭素数８以上１２以下の炭化水素基を有し、エチレンオキサイドの平均付加モル数（ｍ）が４以上８以下である、ポリオキシエチレンアルキルエーテル、ポリオキシエチレンアルケニルエーテル及びポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル等が挙げられ、洗浄性向上の観点から、ポリオキシエチレンアルキルエーテルが好ましい。Ｒ5の炭化水素基の炭素数は、洗浄性向上、洗浄剤組成物の粘度低下及び安定性向上の観点から、１０以下が好ましい。成分Ｃの具体例としては、例えば、ポリオキシエチレン２-エチルヘキシルエーテル、ポリオキシエチレンオクチルエーテル、ポリオキシエチレンノニルエーテル、ポリオキシエチレンデシルエーテル、ポリオキシエチレン２−プロピルヘプチルエーテル、ポリオキシエチレン４−メチルプロピルヘキシルエーテル、ポリオキシエチレン５−メチルプロピルヘキシルエーテル、及びポリオキシエチレンドデシルエーテルから選ばれる少なくとも１種が挙げられ、洗浄剤組成物の粘度低下及び安定性向上の観点から、ポリオキシエチレン２-エチルヘキシルエーテルが好ましい。
【００４０】
本開示に係る洗浄剤組成物中の成分Ｃの含有量は、洗浄性向上、すすぎ性向上、洗浄剤組成物の粘度低下及び安定性向上の観点から、１０質量％以上が好ましく、１５質量％以上がより好ましく、２０質量％以上さらに好ましく、そして、すすぎ性向上、洗浄剤組成物の粘度低下及び安定性向上の観点から、５０質量％以下が好ましく、４０質量％以下がより好ましく、３０質量％以下がさらに好ましい。
【００４１】
［成分Ｄ］
本開示に係る洗浄剤組成物における成分Ｄは、下記式（ＩＶ）で表される化合物である。本開示によれば、成分Ｄを用いることで、フラックス残渣に対して優れた洗浄性が得られるという利点がある。
【００４２】
Ｒ6ＯＣＨ2−ＣＨ（ＯＨ）-ＣＨ2ＯＨ      （ＩＶ）
【００４３】
上記式（ＩＶ）において、Ｒ6は炭素数６以上１１以下の炭化水素基を示し、洗浄性向上及び安定性向上の観点から、炭素数８以上１０以下の炭化水素基が好ましく、８以上１０以下のアルキル基がより好ましい。
【００４４】
成分Ｄとしては、前記式（ＩＶ）で表される炭素数６以上１１以下の炭化水素基を有するグリセリルエーテルであって、安定性向上の観点から、アルキルグリセリルエーテルが好ましい。洗浄性向上及び安定性向上の観点から、Ｒ6は、炭素数６以上１１以下の直鎖若しくは分岐鎖を有するアルキル基又はアルケニル基が好ましく、炭素数６以上１０以下のアルキル基がより好ましく、炭素数８のアルキル基がさらに好ましい。Ｒ6としては、例えばｎ−ヘキシル基、イソヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、２−エチルヘキシル基、ｎ−ノニル基、ｎ-デシル基等の炭素数６以上１１以下のアルキル基が挙げられ、洗浄性向上及び安定性向上の観点から、２―エチルヘキシル基、及びｎ−デシル基から選ばれる少なくとも１つが好ましく、２―エチルヘキシル基がより好ましい。成分Ｄの具体例としては、例えば、ヘキシルグリセリルエーテル、オクチルグリセリルエーテル、２−エチルヘキシルグリセリルエーテル、ノニルグリセリルエーテル、デシルグリセリルエーテル、及びウンデシルグリセリルエーテルから選ばれる少なくとも１つが挙げられる。
【００４５】
本開示に係る洗浄剤組成物中の成分Ｄの含有量は、洗浄性向上、すすぎ性向上及び安定性向上の観点から、０．５質量％以上が好ましく、１質量％以上がより好ましく、１．５質量％以上がさらに好ましく、２質量％以上がよりさらに好ましく、そして、同様の観点から、１５質量％以下が好ましく、１３質量％以下がより好ましく、１０質量％以下がさらに好ましく、７質量％以下がよりさらに好ましい。
【００４６】
［成分Ｅ］
本開示に係る洗浄剤組成物は、洗浄性向上の観点から、芳香族アルコール（成分Ｅ）を含有する。
【００４７】
成分Ｅとしては、芳香環及び水酸基を有する化合物であればよく、洗浄性向上の観点から、成分Ｅの芳香族アルコールの炭素数は、７以上が好ましく、１０以下が好ましく、９以下がより好ましい。成分Ｅの具体例としては、ベンジルアルコール、フェネチルアルコール、４−メチルベンジルアルコール、４−エチルベンジルアルコール、２−フェニル−１−プロパノール、及び２−フェニル−２−プロパノールから選ばれる少なくとも１種が挙げられ、洗浄性向上の観点から、ベンジルアルコール、フェネチルアルコール及び４−エチルベンジルアルコールから選ばれる少なくとも１種が好ましく、ベンジルアルコールがより好ましい。
【００４８】
本開示に係る洗浄剤組成物中の成分Ｅの含有量は、洗浄性向上の観点から、高含有量であることが好ましいが、安定性、洗浄性向上及びすすぎ性向上の観点から、１質量％以上が好ましく、２質量％以上がより好ましく、３質量％以上がさらに好ましく、５質量％以上がよりさらに好ましく、そして、同様の観点から、２５質量％以下が好ましく、２０質量％以下がより好ましく、１５質量％以下がさらに好ましい。
【００４９】
［成分Ｅと成分Ｃ及びＤとの質量比］
本開示において、成分Ｅの質量と成分Ｃ及び成分Ｄの合計の質量との比（成分Ｅ／（成分Ｃ＋成分Ｄ））は、洗浄性向上、すすぎ性向上及び安定性向上の観点から、０．１８以上であって、０．２以上が好ましく、０．２５以上がより好ましく、そして、０．４５以下であって、０．４以下が好ましく、０．３５以下がより好ましい。
【００５０】
［成分Ｃと成分Ｄとの質量比］
成分Ｃの質量と成分Ｄの質量との比（成分Ｃ／成分Ｄ）は、すすぎ性向上及び安定性向上の観点から、５以上が好ましく、６以上がより好ましく、７以上がさらに好ましく、そして、同様の観点から、１０以下が好ましく、９．５以下がより好ましく、９以下がさらに好ましい。
【００５１】
［成分Ｆ］
本開示に係る洗浄剤組成物における成分Ｆは、水である。水としては、イオン交換水、ＲＯ水、蒸留水、純水、超純水等が使用され得る。本開示に係る洗浄剤組成物中の成分Ｆの含有量は、洗浄性向上及び安定性向上の観点から、１０質量％以上が好ましく、１５質量％以上がより好ましく、２０質量％以上がさらに好ましく、そして、同様の観点から、６０質量％以下が好ましく、５０質量％以下がより好ましく、４０質量％以下がさらに好ましく、３０質量％以下がよりさらに好ましい。
【００５２】
［洗浄剤組成物のその他の成分］
本開示に係る洗浄剤組成物は、必要に応じてその他の成分を含有することができる。本開示に係る洗浄剤組成物中のその他の成分の含有量は、０質量％以上２．０質量％以下が好ましく、０質量％以上１．５質量％以下がより好ましく、０質量％以上１．３質量％以下がさらに好ましく、０質量％以上１．０質量％以下がさらにより好ましい。
【００５３】
本開示に係る洗浄剤組成物におけるその他の成分としては、発泡性抑制の観点から、例えば、炭素数１０〜１８の炭化水素（成分Ｇ）が挙げられる。成分Ｇとしては、同様の観点から、例えば、ドデセン及びテトラデセンから選ばれる少なくとも１種が挙げられる。本開示に係る洗浄剤組成物中の成分Ｇの含有量は、発泡性抑制の観点から、０．５質量％以上が好ましく、０．８質量％以上がより好ましく、そして、１．５質量％以下が好ましく、１．３質量％以下がより好ましく、１．０質量％以下がさらにより好ましい。
【００５４】
さらに、本開示に係る洗浄剤組成物は、本開示の効果を損なわない範囲で、必要に応じて、通常洗浄剤に用いられる、ヒドロキシエチルアミノ酢酸、ヒドロキシエチルイミノ２酢酸、エチレンジアミンテトラ酢酸等のアミノカルボン酸塩等のキレート力を持つ化合物、防腐剤、防錆剤、殺菌剤、抗菌剤、シリコーン系消泡剤、酸化防止剤、ヤシ脂肪酸メチルや酢酸ベンジル等のエステルあるいはアルコール類等を適宜含有することができる。
【００５５】
［洗浄剤組成物の製造方法］
本開示に係る洗浄剤組成物は、前記成分Ａ〜Ｆ及び必要に応じてその他の成分を公知の方法で配合することによって製造できる。したがって、本開示は、少なくとも前記成分Ａ〜Ｆを配合する工程を含む、洗浄剤組成物の製造方法に関する。本開示において「配合する」とは、成分Ａ〜Ｆ及び必要に応じてその他の成分を同時に又は任意の順に混合することを含む。本開示に係る洗浄剤組成物の製造方法において、各成分の配合量は、上述した本開示に係る洗浄剤組成物中の各成分の含有量と同じとすることができる。本開示において「洗浄剤組成物中の各成分の含有量」とは、洗浄時、すなわち、洗浄剤組成物を洗浄に使用する時点での前記各成分の含有量をいう。本開示に係る洗浄剤組成物は、添加作業、貯蔵及び輸送の観点から、濃縮液として製造及び保管し、使用時に成分Ａ〜成分Ｅが上述した含有量（すなわち、洗浄時の含有量）になるよう水（成分Ｆ）で希釈して用いることができる。
【００５６】
［洗浄剤組成物のｐＨ］
本開示に係る洗浄剤組成物のｐＨは、フラックス残渣に対する洗浄力を向上させる点から、ｐＨ８以上ｐＨ１４以下が好ましい。ｐＨは、必要により、硝酸、硫酸等の無機酸、オキシカルボン酸、多価カルボン酸、アミノポリカルボン酸、アミノ酸等の有機酸、及びそれらの金属塩やアンモニウム塩、アンモニア、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、アミン等の成分Ａ以外の塩基性物質を適宜、所望量で配合することで調整することができる。
【００５７】
［被洗浄物］
本開示に係る洗浄剤組成物は、フラックス残渣を有する被洗浄物の洗浄に使用される。フラックス残渣を有する被洗浄物としては、例えば、リフローされた半田を有する被洗浄物が挙げられる。被洗浄物の具体例としては、例えば、電子部品及びその製造中間物が挙げられ、具体的には、半田付け電子部品及びその製造中間物が挙げられ、より具体的には、部品が半田で半田付けされた電子部品及びその製造中間物、部品が半田を介して接続されている電子部品及びその製造中間物、半田付けされた部品の隙間にフラックス残渣を含む電子部品及びその製造中間物、半田を介して接続されている部品の隙間にフラックス残渣を含む電子部品及びその製造中間物等が挙げられる。前記製造中間物は、半導体パッケージや半導体装置を含む電子部品の製造工程における中間製造物であって、例えば、フラックスを使用した半田付けにより、半導体チップ、チップ型コンデンサ、及び回路基板から選ばれる少なくとも１つの部品が搭載された回路基板、及び／又は、前記部品を半田接続するための半田バンプが形成された回路基板を含む。被洗浄物における隙間とは、例えば、回路基板とその回路基板に半田付けされて搭載された部品（半導体チップ、チップ型コンデンサ、回路基板等）との間に形成される空間であって、その高さ（部品間の距離）が、例えば、５〜５００μｍ、１０〜２５０μｍ、或いは２０〜１００μｍの空間をいう。隙間の幅及び奥行きは、搭載される部品や回路基板上の電極（ランド）の大きさや間隔に依存する。
【００５８】
［フラックス残渣の洗浄方法］
本開示は、フラックス残渣を有する被洗浄物を本開示に係る洗浄剤組成物に接触させることを含む、フラックス残渣の洗浄方法に関する（以下、本開示に係る洗浄方法ともいう）。本開示に係る洗浄方法は、フラックス残渣を有する被洗浄物を本開示に係る洗浄剤組成物で洗浄する工程を有する。被洗浄物に本開示に係る洗浄剤組成物を接触させる方法、又は、被洗浄物を本開示に係る洗浄剤組成物で洗浄する方法としては、例えば、超音波洗浄装置の浴槽内で接触させる方法、洗浄剤組成物をスプレー状に射出して接触させる方法（シャワー方式）等が挙げられる。本開示に係る洗浄剤組成物は、希釈することなくそのまま洗浄に使用できる。本開示の洗浄方法は、洗浄剤組成物に被洗浄物を接触させた後、水でリンスし、乾燥する工程を含むことが好ましい。本開示の洗浄方法であれば、半田付けした部品の隙間に残存するフラックス残渣を効率よく洗浄できる。本開示の洗浄方法による洗浄性及び狭い隙間への浸透性の顕著な効果発現の点から、半田は鉛（Ｐｂ）フリー半田であることが好ましい。さらに、同様の観点から、本開示に係る洗浄方法は、国際特許公報２００６／０２５２２４公報、特公平６−７５７９６号公報、特開２０１４−１４４４７３号公報、特開２００４−２３０４２６号公報、特開２０１３−１８８７６１号公報、特開２０１３−１７３１８４号公報等に記載されているフラックスを用いて半田接続した電子部品に対して使用することが好ましい。本開示の洗浄方法は、本開示に係る洗浄剤組成物の洗浄力が発揮されやすい点から、本開示に係る洗浄剤組成物と被洗浄物との接触時に超音波を照射することが好ましく、その超音波は比較的強いものであることがより好ましい。前記超音波の周波数としては、同様の観点から、２６〜７２Ｈｚ、８０〜１５００Ｗが好ましく、３６〜７２Ｈｚ、８０〜１５００Ｗがより好ましい。
【００５９】
［電子部品の製造方法］
本開示の電子部品の製造方法は、半導体チップ、チップ型コンデンサ、及び回路基板から選ばれる少なくとも１つの部品を、フラックスを使用した半田付により回路基板上に搭載する工程、並びに前記部品等を接続するための半田バンプを回路基板上に形成する工程から選ばれる少なくとも１つの工程と、前記部品が搭載された回路基板及び前記半田バンプが形成された回路基板から選ばれる少なくとも１つを本開示の洗浄方法により洗浄する工程とを含む。フラックスを使用した半田付けは、例えば、鉛フリー半田で行われるものであり、リフロー方式でもよく、フロー方式でもよい。電子部品は、半導体チップが未搭載の半導体パッケージ、半導体チップが搭載された半導体パッケージ、及び、半導体装置を含む。本開示の電子部品の製造方法は、本開示の洗浄方法を行うことにより、半田付けされた部品の隙間や半田バンプの周辺等に残存するフラックス残渣が低減され、フラックス残渣が残留することに起因する電極間でのショートや接着不良が抑制されるから、信頼性の高い電子部品の製造が可能になる。さらに、本開示の洗浄方法を行うことにより、半田付けされた部品の隙間等に残存するフラックス残渣の洗浄が容易になることから、洗浄時間が短縮化でき、電子部品の製造効率を向上できる。
【００６０】
［キット］
本開示は、本開示に係る洗浄方法及び／又は本開示に係る電子部品の製造方法に使用するためのキットであって、本開示に係る洗浄剤組成物を構成する前記成分Ａ〜Ｆのうちの少なくとも１成分が他の成分と混合されない状態で保管されている、キットに関する。
【００６１】
本開示に係るキットとしては、例えば、前記成分Ａを含有する溶液（第１液）と、成分Ｂ〜Ｆを含有する溶液（第２液）とが、相互に混合されていない状態で保存されており、これらが使用時に混合されるキット（２液型洗浄剤組成物）が挙げられる。前記第１液及び第２液には、各々必要に応じて任意成分が含まれていても良い。該任意成分としては、例えば、増粘剤、分散剤、防錆剤、塩基性物質、界面活性剤、高分子化合物、可溶化剤、酸化防止剤、防腐剤、消泡剤、抗菌剤等が挙げられる。
【００６２】
本開示はさらに以下の洗浄剤組成物、洗浄方法、製造方法に関する。
【００６３】
＜１＞
下記式（Ｉ）で表される化合物（成分Ａ）、下記式（ＩＩ）で表される化合物（成分Ｂ）、下記式（ＩＩＩ）で表される化合物（成分Ｃ）、下記式（ＩＶ）で表される化合物（成分Ｄ）、芳香族アルコール（成分Ｅ）、及び水（成分Ｆ）を含有し、
成分Ｅの質量と成分Ｃ及び成分Ｄの合計の質量との比（成分Ｅ／（成分Ｃ＋成分Ｄ））が、０．１８以上０．４５以下である、フラックス用洗浄剤組成物。
【化３】
0006598671.tif 000004
上記式（Ｉ）において、Ｒ1は水素原子、メチル基、エチル基及びアミノエチル基から選ばれる少なくとも１種であり、Ｒ2は水素原子、ヒドロキシエチル基、ヒドロキシプロピル基、メチル基及びエチル基から選ばれる少なくとも１種であり、Ｒ3はヒドロキシエチル基及びヒドロキシプロピル基から選ばれる少なくとも１種である。
Ｒ4-Ｏ-（ＣＨ2ＣＨ2Ｏ）n-Ｈ      （ＩＩ）
上記式（ＩＩ）において、Ｒ4は炭素数４以上７以下の炭化水素基を示し、ｎは付加モル数であって１以上５以下の整数である。
Ｒ5-Ｏ-（ＣＨ2ＣＨ2Ｏ）m-Ｈ      （ＩＩＩ）
上記式（ＩＩＩ）において、Ｒ5は炭素数８以上１２以下の炭化水素基を示し、ｍは平均付加モル数であって４以上８以下の数である。
Ｒ6ＯＣＨ2−ＣＨ（ＯＨ）-ＣＨ2ＯＨ      （ＩＶ）
上記式（ＩＶ）において、Ｒ6は炭素数６以上１１以下の炭化水素基を示す。
【００６４】
＜２＞  成分Ａとしては、モノエタノールアミン、モノイソプロパノールアミン、Ｎ−メチルモノエタノールアミン、Ｎ−メチルモノイソプロパノールアミン、Ｎ−エチルモノエタノールアミン、Ｎ−エチルモノイソプロパノールアミン、ジエタノールアミン、ジイソプロパノールアミン、Ｎ−ジメチルモノエタノールアミン、Ｎ−ジメチルモノイソプロパノールアミン、Ｎ−メチルジエタノールアミン、Ｎ−メチルジイソプロパノールアミン、Ｎ−ジエチルモノエタノールアミン、Ｎ−ジエチルモノイソプロパノールアミン、Ｎ−エチルジエタノールアミン、Ｎ−エチルジイソプロパノールアミン、Ｎ−（β−アミノエチル）モノエタノールアミン、Ｎ−（β−アミノエチル）モノイソプロパノールアミン、Ｎ−（β−アミノエチル）ジエタノールアミン、Ｎ−（β−アミノエチル）ジイソプロパノールアミンから選ばれる少なくとも１種が好ましく、モノエタノールアミン、モノイソプロパノールアミン、ジエタノールアミン、Ｎ−メチルモノエタノールアミン、Ｎ−ジメチルモノエタノールアミン、Ｎ−エチルモノエタノールアミン及びＮ−（β−アミノエチル）モノエタノールアミンから選ばれる少なくとも１種がより好ましく、Ｎ−メチルモノエタノールアミン及びＮ−ジメチルモノエタノールアミンから選ばれる少なくとも１種がさらに好ましい、＜１＞に記載のフラックス用洗浄剤組成物。
＜３＞  成分Ａの含有量は、０．２質量％以上が好ましく、０．３質量％以上がより好ましく、０．４質量％以上がさらに好ましく、０．５質量％以上がよりさらに好ましい、＜１＞又は＜２＞に記載のフラックス用洗浄剤組成物。
＜４＞  成分Ａの含有量は、１０質量％以下が好ましく、８質量％以下がより好ましく、５質量％以下がさらに好ましく、３質量％以下がよりさらに好ましい、＜１＞から＜３＞のいずれかに記載のフラックス用洗浄剤組成物。
＜５＞  上記式（ＩＩ）において、Ｒ4は、炭素数４以上６以下の炭化水素基が好ましく、４以上６以下のアルキル基がより好ましい、＜１＞から＜４＞のいずれかに記載のフラックス用洗浄剤組成物。
＜６＞  上記式（ＩＩ）において、ｎは、１以上４以下の数が好ましく、２以上３以下の数がより好ましい、＜１＞から＜５＞のいずれかに記載のフラックス用洗浄剤組成物。
＜７＞  成分Ｂとしては、エチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、トリエチレングリコールモノブチルエーテル、モノエチレングリコールモノヘキシルエーテル、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル、エチレングリコールモノフェニルエーテル、ジエチレングリコールモノフェニルエーテル、エチレングリコールモノベンジルエーテル及びジエチレングリコールモノベンジルエーテルから選ばれる少なくとも１種が好ましく、エチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、トリエチレングリコールモノブチルエーテル、モノエチレングリコールモノヘキシルエーテル及びジエチレングリコールモノヘキシルエーテルから選ばれる少なくとも１種がより好ましく、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、トリエチレングリコールモノブチルエーテル及びジエチレングリコールモノヘキシルエーテルから選ばれる少なくとも１種がより好ましい、＜１＞から＜６＞のいずれかに記載のフラックス用洗浄剤組成物。
＜８＞  成分Ｂの含有量は、１０質量％以上が好ましく、１２質量％以上がより好ましく、１５質量％以上がさらに好ましく、２０質量％以上がよりさらに好ましく、２５質量％以上がよりさらに好ましい、＜１＞から＜７＞のいずれかに記載のフラックス用洗浄剤組成物。
＜９＞  成分Ｂの含有量は、４５質量％以下が好ましく、４０質量％以下がより好ましく、３５質量％以下がさらに好ましい、＜１＞から＜８＞のいずれかに記載のフラックス用洗浄剤組成物。
＜１０＞  式（ＩＩＩ）において、Ｒ5は炭素数８以上１２以下の炭化水素基を示し、炭素数８以上１０以下の炭化水素基が好ましく、８以上１０以下のアルキル基がより好ましい、＜１＞から＜９＞のいずれかに記載のフラックス用洗浄剤組成物。
＜１１＞  式（ＩＩＩ）において、ｍは、５以上７以下の数が好ましく、５以上６以下の数がより好ましい、＜１＞から＜１０＞のいずれかに記載のフラックス用洗浄剤組成物。
＜１２＞  式（ＩＩＩ）において、Ｒ5の炭化水素基の炭素数は、１０以下が好ましい、＜１＞から＜１１＞のいずれかに記載のフラックス用洗浄剤組成物。
＜１３＞  成分Ｃとしては、ポリオキシエチレン２-エチルヘキシルエーテル、ポリオキシエチレンオクチルエーテル、ポリオキシエチレンノニルエーテル、ポリオキシエチレンデシルエーテル、ポリオキシエチレン２−プロピルヘプチルエーテル、ポリオキシエチレン４−メチルプロピルヘキシルエーテル、ポリオキシエチレン５−メチルプロピルヘキシルエーテル、及びポリオキシエチレンドデシルエーテルから選ばれる少なくとも１種である、＜１＞から＜１２＞のいずれかに記載のフラックス用洗浄剤組成物。
＜１４＞  成分Ｃの含有量は、１０質量％以上が好ましく、１５質量％以上がより好ましく、２０質量％以上さらに好ましい、＜１＞から＜１３＞のいずれかに記載のフラックス用洗浄剤組成物。
＜１５＞  成分Ｃの含有量は、５０質量％以下が好ましく、４０質量％以下がより好ましく、３０質量％以下がさらに好ましい、＜１＞から＜１４＞のいずれかに記載のフラックス用洗浄剤組成物。
＜１６＞  式（ＩＶ）において、Ｒ6は、炭素数８以上１０以下の炭化水素基が好ましく、８以上１０以下のアルキル基がより好ましい、＜１＞から＜１５＞のいずれかに記載のフラックス用洗浄剤組成物。
＜１７＞  式（ＩＶ）において、Ｒ6は炭素数６以上１１以下の直鎖若しくは分岐鎖を有するアルキル基又はアルケニル基が好ましく、炭素数６以上１０以下のアルキル基がより好ましく、炭素数８のアルキル基がさらに好ましい、＜１＞から＜１６＞のいずれかに記載のフラックス用洗浄剤組成物。
＜１８＞  成分Ｄは、ヘキシルグリセリルエーテル、オクチルグリセリルエーテル、２−エチルヘキシルグリセリルエーテル、ノニルグリセリルエーテル、デシルグリセリルエーテル、及びウンデシルグリセリルエーテルから選ばれる少なくとも１種である、＜１＞から＜１７＞のいずれかに記載のフラックス用洗浄剤組成物。
＜１９＞  成分Ｄの含有量は、０．５質量％以上が好ましく、１質量％以上がより好ましく、１．５質量％以上がさらに好ましく、２質量％以上がよりさらに好ましい、＜１＞から＜１８＞のいずれかに記載のフラックス用洗浄剤組成物。
＜２０＞  成分Ｄの含有量は、１５質量％以下が好ましく、１３質量％以下がより好ましく、１０質量％以下がさらに好ましく、７質量％以下がよりさらに好ましい、＜１＞から＜１９＞のいずれかに記載のフラックス用洗浄剤組成物。
＜２１＞  成分Ｅの芳香族アルコールの炭素数は、７以上が好ましく、１０以下が好ましく、９以下がより好ましい、＜１＞から＜２０＞のいずれかに記載のフラックス用洗浄剤組成物。
＜２２＞  成分Ｅは、ベンジルアルコール、フェネチルアルコール、４−メチルベンジルアルコール、４−エチルベンジルアルコール、２−フェニル−１−プロパノール、及び２−フェニル−２−プロパノールから選ばれる少なくとも１種であり、ベンジルアルコール、フェネチルアルコール及び４−エチルベンジルアルコールから選ばれる少なくとも１種が好ましく、ベンジルアルコールがより好ましい、＜１＞から＜２１＞のいずれかに記載のフラックス用洗浄剤組成物。
＜２３＞  成分Ｅの含有量は、１質量％以上が好ましく、２質量％以上がより好ましく、３質量％以上がさらに好ましく、５質量％以上がよりさらに好ましい、＜１＞から＜２２＞のいずれかに記載のフラックス用洗浄剤組成物。
＜２４＞  成分Ｅの含有量は、２５質量％以下が好ましく、２０質量％以下がより好ましく、１５質量％以下がさらに好ましい、＜１＞から＜２３＞のいずれかに記載のフラックス用洗浄剤組成物。
＜２５＞  成分Ｅの質量と成分Ｃ及び成分Ｄの合計質量との比［成分Ｅ／（成分Ｃ＋成分Ｄ）]は、０．２以上が好ましく、０．２５以上がより好ましい、＜１＞から＜２４＞のいずれかに記載のフラックス用洗浄剤組成物。
＜２６＞  成分Ｅの質量と成分Ｃ及び成分Ｄの合計質量との比［成分Ｅ／（成分Ｃ＋成分Ｄ）］は、０．４以下が好ましく、０．３５以下がより好ましい、＜１＞から＜２５＞のいずれかに記載のフラックス用洗浄剤組成物。
＜２７＞  成分Ｃの質量と成分Ｄの質量との比（成分Ｃ／成分Ｄ）は、５以上が好ましく、６以上がより好ましく、７以上がさらに好ましい、＜１＞から＜２６＞のいずれかに記載のフラックス用洗浄剤組成物。
＜２８＞  成分Ｃの質量と成分Ｄの質量との比（成分Ｃ／成分Ｄ）は、１０以下が好ましく、９．５以下がより好ましく、９以下がさらに好ましい、＜１＞から＜２７＞のいずれかに記載のフラックス用洗浄剤組成物。
＜２９＞  成分Ｆの含有量は、１０質量％以上が好ましく、１５質量％以上がより好ましく、２０質量％以上がさらに好ましい、＜１＞から＜２８＞のいずれかに記載のフラックス用洗浄剤組成物。
＜３０＞  成分Ｆの含有量は、６０質量％以下が好ましく、５０質量％以下がより好ましく、４０質量％以下がさらに好ましく、３０質量％以下がよりさらに好ましい、＜１＞から＜２９＞のいずれかに記載のフラックス用洗浄剤組成物。
＜３１＞  本開示に係る洗浄剤組成物は、炭素数１０〜１８の不飽和結合を有する又は有さない炭化水素（成分Ｇ）をさらに含有する、＜１＞から＜３０＞のいずれかに記載のフラックス用洗浄剤組成物。
＜３２＞  成分Ｇは、ドデセン及びテトラデセンから選ばれる少なくとも１種である、＜１＞から＜３１＞のいずれかに記載のフラックス用洗浄剤組成物。
＜３３＞  成分Ｇの含有量は、０．５質量％以上が好ましく、０．８質量％以上がより好ましい、＜１＞から＜３２＞のいずれかに記載のフラックス用洗浄剤組成物。
＜３４＞  成分Ｇの含有量は、１．５質量％以下が好ましく、１．３質量％以下がより好ましく、１．０質量％以下がさらにより好ましい、＜１＞から＜３３＞のいずれかに記載のフラックス用洗浄剤組成物。
＜３５＞  ｐＨは、８以上１４以下である、＜１＞から＜３４＞のいずれかに記載のフラックス用洗浄剤組成物。
＜３６＞  フラックス残渣を有する被洗浄物を、＜１＞から＜３５＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物で洗浄する工程を有する、フラックス残渣の洗浄方法。
＜３７＞  被洗浄物が、半田付け電子部品の製造中間物である、＜３６＞に記載のフラックス残渣の洗浄方法。
＜３８＞  半導体チップ、チップ型コンデンサ、及び回路基板から選ばれる少なくとも１つの部品を、フラックスを使用した半田付けにより回路基板上に搭載する工程、並びに前記部品等を接続するための半田バンプを回路基板上に形成する工程から選ばれる少なくとも１つの工程と、前記部品が搭載された回路基板及び前記半田バンプが形成された回路基板から選ばれる少なくとも１つを、＜３６＞又は＜３７＞に記載のフラックス残渣の洗浄方法により洗浄する工程を含む、電子部品の製造方法。
＜３９＞  ＜１＞から＜３５＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物の、電子部品の製造への使用。
＜４０＞  ＜１＞から＜３５＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物を構成する前記成分Ａ〜Ｆのうちの少なくとも１成分が他の成分と混合されない状態で保管されている、キット。
【実施例】
【００６５】
以下に、実施例により本開示を具体的に説明するが、本開示はこれらの実施例によって何ら限定されるものではない。
【００６６】
１．洗浄剤組成物の調製（実施例１〜４、比較例１〜１３）
１００ｍＬガラスビーカーに、下記表１に記載の組成となるように各成分を配合し、下記条件で混合することにより、実施例１〜４及び比較例１〜１３の洗浄剤組成物を調製した。表１中の各成分の数値は、断りのない限り、調製した洗浄剤組成物における含有量（質量％）を示す。
・液温度：２５℃
・攪拌機：マグネチックスターラー（５０ｍｍ回転子）
・回転数：３００ｒｐｍ
・攪拌時間：１０分
【００６７】
洗浄剤組成物の成分として下記のものを使用する。
・Ｎ−メチルエタノールアミン（成分Ａ）（日本乳化剤株式会社製、アミノアルコール  ＭＭＡ）
・トリエタノールアミン（非成分Ａ）（株式会社日本触媒製）
・ジエチレングリコールモノブチルエーテル（成分Ｂ）（日本乳化剤株式会社製、ブチルジグリコール）
・ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル（成分Ｂ）（日本乳化剤株式会社製、ヘキシルジグリコール）
・エチレングリコールモノイソプロピルエーテル（非成分Ｂ）（日本乳化剤株式会社製、イソプロピルグリコール）
・ジエチレングリコールモノイソプロピルエーテル（非成分Ｂ）（日本乳化剤株式会社製、イソプロピルジグリコール）
・ポリオキシエチレン２−エチルヘキシルエーテル（成分Ｃ）（青木油脂工業株式会社製、ブラウノン  ＥＨ−６、エチレンオキサイド平均付加モル数６）
・ベンジルアルコール（成分Ｅ）（ランクセス株式会社製）
・１−ドデセン（成分Ｇ）（出光興産株式会社製、リニアレン１２）
・水（成分Ｆ）（オルガノ株式会社製純水装置Ｇ−１０ＤＳＴＳＥＴで製造した１μＳ/ｃｍ以下の純水）
・２−エチルヘキシルグリセリルエーテル（成分Ｄ）（下記製造方法にて製造）
２−エチルヘキサノール１３０ｇ及び三フッ化ホウ素エーテル錯体２．８４ｇを、撹拌しながら０℃まで冷却する。温度を０℃に保ちながら、エピクロロヒドリン１３８．８ｇを１時間で滴下する。滴下終了後、減圧下（１３〜２６Ｐａ）、１００℃で余剰のアルコールを留去する。この反応混合物を５０℃まで冷却し、５０℃を保ちながら４８％水酸化ナトリウム水溶液１２５ｇを１時間で滴下し、３時間撹拌した後、２００ｍＬの水を加え、分層させる。水層を除いた後、更に１００ｍＬの水で２回洗浄して、２０８ｇの粗２−エチルヘキシルグリシジルエーテルを得る。この粗２−エチルヘキシルグリシジルエーテル２０８ｇ、水１０４．８ｇ、ラウリン酸５．８２ｇ及び水酸化カリウム１８．５ｇをオートクレーブに入れ、１４０℃で５時間撹拌する。減圧下（６．６７ｋＰａ）、１００℃で脱水後、ラウリン酸９．７ｇ及び水酸化カリウム２．７２ｇを加え、１６０℃で１５時間反応し、その後減圧蒸留（５３〜６７Ｐａ，１２０〜１２３℃）により精製し、１１０．２ｇの２−エチルヘキシルグリセリルエーテルを得る。
【００６８】
２．洗浄剤組成物の評価
調製した実施例１〜４及び比較例１〜１３の洗浄剤組成物を用いて洗浄性、安定性、すすぎ性、及び半田金属への影響について試験を行い、評価した。
【００６９】
［洗浄性試験］
以下の条件でテスト基板を洗浄する洗浄性試験を行った。
【００７０】
＜テスト基板＞
銅配線プリント基板（１０ｍｍ×１５ｍｍ）上に、スクリーン版を用いて下記フラックスを塗布する。その後、マイクロボール（千住金属工業株式会社製：Ｍ７０５φ０．３ｍｍ）を１０個搭載し、窒素雰囲気下２５０℃でリフローすることでテスト基板を作製する。
[フラックスの組成]
酸変性超淡色ロジン（荒川化学株式会社製、パインクリスタル  ＫＥ−６０４）２５質量％、完全水添ロジン（イーストマンケミカル社製、Ｆｏｒａｌ  ＡＸ−Ｅ）１０質量％、ターピネオール（日本テルペン化学株式会社製、ターピネオールＣ）１０質量％、ヘキシルジグリコール（日本乳化剤株式会社製）３０質量％、ジブロモブテンジオール（東京化成工業株式会社製、ｔｒａｎｓ−２，３−ジブロモ−２−ブテン−１，４−ジオール）２．５質量％、ダイマー酸（Ａｒｉｚｏｎａ Ｃｈｅｍｉｃａｌ社製、ＵＮＩＤＹＭＥ１４）１０質量％、グルタル酸（東京化成工業株式会社製）２．５質量％、硬化ヒマシ油（豊国製油株式会社製）４質量％、ヘキサメチレンヒドロキシステアリン酸アミド（日本化成株式会社製、スリパックスＺＨＨ）２質量％、パルミチン酸デキストリン（千葉製粉株式会社製、レオパールＴＬ２）２質量％、ヒンダードフェノール系酸化防止剤（ＢＡＳＦ社製、イルガノックス２４５）２質量％
[フラックスの製造方法]
溶剤のターピネオールとヘキシルジグリコールとを混合した後、残りの他の成分を添加して溶解することにより、前記組成のフラックスを得た。
【００７１】
＜洗浄方法＞
洗浄は、以下の手順にて行った。まず、洗浄槽、第１リンス槽、第２リンス槽を以下の条件で準備する。洗浄槽は、５０ｍｍ回転子を一つ入れた５０ｍＬガラスビーカーに各洗浄剤組成物を５０ｇ添加し、温浴に入れて、回転数１００ｒｐｍにて攪拌しながら６０℃に加温することにより得た。第１リンス槽及び第２リンス槽は、５０ｍｍ回転子を一つ入れた１００ｍＬガラスビーカーを二つ用意し、それぞれに純水１００ｇを添加し、温浴に入れて、回転数１００ｒｐｍで攪拌しながら４０℃に加温することにより得た。
次に、テスト基板をピンセットで保持して、前記洗浄槽へ挿入し、回転数１００ｒｐｍで撹拌しながら３分間浸漬する。次に、テスト基板をピンセットで保持して第１リンス槽に挿入し、回転数１００ｒｐｍで攪拌しながら３分間浸漬する。さらに、テスト基板をピンセットで保持して第２リンス槽に挿入し、回転数１００ｒｐｍで攪拌しながら３分間浸漬する。最後に、テスト基板を窒素パージし乾燥する。
【００７２】
＜洗浄性の評価＞
洗浄後、テスト基板を光学顕微鏡ＶＨＸ-２０００（株式会社キーエンス製）で観察し、半田バンプ周辺に残存するフラックス残渣の有無を目視確認し、下記の判定基準で洗浄性を評価する。その結果を下記表１に示す。
[評価基準]
Ａ：洗浄残りが０個
Ｂ：洗浄残りが１個
Ｃ：洗浄残りが２個以上
【００７３】
＜安定性の評価＞
洗浄剤組成物を調製後、温度２５℃にて５分間静置した後の液の状態（相分離状態）を目視観察し、下記の評価基準で安定性を評価する。その結果を表１に示す。
[評価基準]
○：透明
△：白濁
×：分離
【００７４】
＜すすぎ性の評価＞
すすぎ性の評価は、下記の手順で行った。評価の結果を表１に示す。
（１）すすぎ性の評価に用いる洗浄槽及びテスト基板を、上記洗浄性の評価に用いた洗浄槽及びテスト基板と同様にして準備し、洗浄槽にテスト基板（以下、基板という）を１０分間浸漬する。
（２）その後、２０秒かけて前記基板をゆっくり引き上げ、５００ｍＬガラスビーカーに純水５００ｇを入れ４０℃に加温した第１リンス槽に無攪拌で２分間浸漬する。
（３）前記第１リンス槽から２０秒かけて前記基板をゆっくり引き上げ、５００ｍＬガラスビーカーに純水５００ｇを入れ４０℃に加温した第２リンス槽に無攪拌で２分間浸漬する。
（４）前記第２リンス槽から２０秒かけて前記基板をゆっくり引き上げ、５００ｍＬガラスビーカーに純水５００ｇを入れ４０℃に加温した抽出槽に浸漬し、超音波（３８ｋＨｚ、４００Ｗ）で１０分間基板を処理し、基板表面に付着した洗浄剤組成物の成分を抽出する。
（５）次に前記第１及び第２リンス槽中の水、並びに前記抽出槽中の抽出水の有機物濃度を全有機炭素計（ＴＯＣ）により測定し、下記式にしたがって、第１リンス槽における油分除去率を算出する。
第１リンス槽における油分除去率（％）
＝（第１リンス槽中の有機物重量）÷（第１リンス槽中の有機物重量
＋第２リンス槽中の有機物重量＋抽出槽中の有機物重量）×１００
【００７５】
＜半田金属への影響評価＞
洗浄性の評価を行った後のテスト基板上の半田金属を光学顕微鏡ＶＨＸ-２０００（株式会社キーエンス製）及び卓上顕微鏡  Ｍｉｎｉｓｃｏｐｅ  ＴＭ３０３０ （株式会社日立ハイテクノロジーズ製）を用いて目視観察し、下記の評価基準で半田金属への影響を評価する。その評価結果を表１に示す。
[評価基準]
×：腐食等による半田金属への影響あり
○：半田金属への影響なし
【００７６】
【表１】
0006598671.tif 000005
【００７７】
上記表１に示すとおり、実施例１〜４の洗浄剤組成物は、成分Ａ〜Ｅの少なくとも１つを含まない比較例１〜３、６〜１３に比べて、洗浄性、安定性及びすすぎ性に優れ、かつ、半田金属への影響が抑制されていた。さらに、実施例１〜４の洗浄剤組成物は、成分Ｅ／（成分Ｃ＋成分Ｄ）が０．１８〜０．４５ではない比較例４〜５の洗浄剤組成物に比べて、洗浄性、安定性及びすすぎ性に優れていた。
【産業上の利用可能性】
【００７８】
本開示を用いることにより、フラックス残渣の洗浄が良好に行えることから、例えば、電子部品の製造プロセスにおけるフラックス残渣の洗浄工程の短縮化及び製造される電子部品の性能・信頼性の向上が可能となり、半導体装置の生産性を向上できる。