(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ミリ波帯のＲＦチップに接続する高周波モジュールであって、
複数の基板と、
前記複数の基板に設けられた導体層である配線部と、
前記配線部に接続した導体層であるランドと、
前記複数の基板の間に設けられ、前記ランドを介して接続され、信号を伝達する伝達部と、
前記ランドおよび前記配線部の周囲に設けられるグラウンド導体と、
前記ランドおよび前記配線部と前記グラウンド導体の間に設けられ、前記ランドおよび前記配線部と前記グラウンド導体の間を隔離する隔離部と、
前記隔離部の一部に設けられ、前記ランドと前記グラウンド導体を短絡する連結部と、
を有し、
前記複数の基板のうち第１基板は、複数の層を有し、
前記連結部は、前記第１基板の表層に設けられる、
高周波モジュール。
【請求項２】
ミリ波帯のＲＦチップに接続する高周波モジュールであって、
複数の基板と、
前記複数の基板に設けられた導体層である配線部と、
前記配線部に接続した導体層であるランドと、
前記複数の基板の間に設けられ、前記ランドを介して接続され、信号を伝達する伝達部と、
前記ランドおよび前記配線部の周囲に設けられるグラウンド導体と、
前記ランドおよび前記配線部と前記グラウンド導体の間に設けられ、前記ランドおよび前記配線部と前記グラウンド導体の間を隔離する隔離部と、
前記隔離部の一部に設けられ、前記ランドと前記グラウンド導体を短絡する連結部と、
を有し、
前記ランドの中心と前記ランドと前記配線部の接続部分とを結ぶ直線と、前記中心と前記連結部を結ぶ直線とのなす角は、前記信号の周波数帯に応じて異なる、
高周波モジュール。
【請求項３】
ミリ波帯のＲＦチップに接続する高周波モジュールであって、
複数の基板と、
前記複数の基板に設けられた導体層である配線部と、
前記配線部に接続した導体層であるランドと、
前記複数の基板の間に設けられ、前記ランドを介して接続され、信号を伝達する伝達部と、
前記ランドおよび前記配線部の周囲に設けられるグラウンド導体と、
前記ランドおよび前記配線部と前記グラウンド導体の間に設けられ、前記ランドおよび前記配線部と前記グラウンド導体の間を隔離する隔離部と、
前記隔離部の一部に設けられ、前記ランドと前記グラウンド導体を短絡する連結部と、
を有し、
前記隔離部は、前記連結部に沿って、前記ランドの中心から半径方向の外側へ延在する、
高周波モジュール。
【請求項４】
ミリ波帯のＲＦチップに接続する高周波モジュールであって、
複数の基板と、
前記複数の基板に設けられた導体層である配線部と、
前記配線部に接続した導体層であるランドと、
前記複数の基板の間に設けられ、前記ランドを介して接続され、信号を伝達する伝達部と、
前記ランドおよび前記配線部の周囲に設けられるグラウンド導体と、
前記ランドおよび前記配線部と前記グラウンド導体の間に設けられ、前記ランドおよび前記配線部と前記グラウンド導体の間を隔離する隔離部と、
前記隔離部の一部に設けられ、前記ランドと前記グラウンド導体を短絡する連結部と、
を有し、
前記連結部は、前記隔離部の複数個所に設けられ、前記ランドと前記グラウンド導体を短絡する、
高周波モジュール。
【請求項５】
前記連結部は、前記ランドの中心と前記配線部の延長線上に、設けられる、
請求項１から４のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、ミリ波帯のＲＦ（Radio Frequency）チップと接続し、高周波数帯の信号を伝達する高周波モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ミリ波帯などの高周波数帯の信号を伝達する高周波モジュールとして、ＢＧＡ（Ｂａｌｌ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）パッケージなどを用いるモジュールが利用されている。高周波数帯の信号を伝達するモジュールでは、信号の通過特性の劣化を抑えるために、インピーダンスの整合を図る必要がある。
【０００３】
例えば、特許文献１には、複数の回路層の間を接続するビアと、ビアに接続する信号線との間の整合を図るために、配線の幅や長さを変えた整合回路を信号線の一部に設けた構成が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００１−３０８５４７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上述した特許文献１の従来技術では、整合回路を信号線の一部に設ける必要があるため、回路規模の拡大に対処する必要がある。
【０００６】
本開示は、回路規模を大きくすることなく、簡易な構成でインピーダンスの整合を図ることができる高周波モジュールを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本開示の高周波モジュールは、ミリ波帯のＲＦチップに接続する高周波モジュールであって、複数の基板と、前記複数の基板に設けられた導体層である配線部と、前記配線部に接続した導体層であるランドと、前記複数の基板の間に設けられ、前記ランドを介して接続され、信号を伝達する伝達部と、前記ランドおよび前記配線部の周囲に設けられるグラウンド導体と、前記ランドおよび前記配線部と前記グラウンド導体の間に設けられ、前記ランドおよび前記配線部と前記グラウンド導体の間を隔離する隔離部と、前記隔離部の一部に設けられ、前記ランドと前記グラウンド導体を短絡する連結部と、を有する。
【発明の効果】
【０００８】
本開示によれば、回路規模を大きくすることなく、簡易な構成でインピーダンスの整合を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】ＢＧＡパッケージを用いた高周波モジュールの一般的な構成を示す概略断面図
【図２】一般的な高周波モジュールの構成の一例を示す概略断面図
【図３】一般的な高周波モジュールにおける要部構成を示す拡大図
【図４】一般的な高周波モジュールのランドにおける信号の反射特性を示すスミスチャート
【図５】一般的な高周波モジュールのランドにおける信号の通過特性を示す図
【図６】一般的な高周波モジュールのランドにおける信号の反射特性を示す図
【図７】本開示の実施の形態にかかる高周波モジュールの構成の一例を示す概略断面図
【図８】本開示の実施の形態にかかる高周波モジュールにおける要部構成を示す拡大図
【図９】本開示の実施の形態にかかる高周波モジュールのランドにおける信号の反射特性を示すスミスチャート
【図１０】本開示の実施の形態にかかる高周波モジュールのランドにおける信号の通過特性を示す図
【図１１】本開示の実施の形態にかかる高周波モジュールのランドにおける信号の反射特性を示す図
【図１２】一般的な高周波モジュールにおける信号の伝達の様子を示すイメージ図
【図１３】本開示の実施の形態にかかる高周波モジュールにおける信号の伝達の様子を示すイメージ図
【図１４】本実施の形態のバリエーション１にかかる高周波モジュールにおける要部構成を示す拡大図
【図１５】本実施の形態のバリエーション２にかかる高周波モジュールにおける要部構成を示す拡大図
【図１６】本実施の形態のバリエーション３にかかる高周波モジュールにおける要部構成を示す拡大図
【図１７】配線部を伝達する電流とグラウンド導体を流れる電流の様子を示す図
【図１８】図８、図１４、図１５に示す構成における電流の経路を示す図
【図１９】本開示の実施の形態における連結部を設ける位置のバリエーションを示す図
【発明を実施するための形態】
【００１０】
まず、本開示におけるＢＧＡ（Ｂａｌｌ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）パッケージを用いた高周波モジュールの一般的な構成とその問題点について図面を参照して説明する。
【００１１】
図１は、ＢＧＡパッケージを用いた高周波モジュール１の一般的な構成を示す概略断面図である。図１に示す高周波モジュール１は、ＢＧＡパッケージ１１およびプリント回路基板１２を有し、ミリ波帯のＲＦチップ１０に接続する。
【００１２】
ＢＧＡパッケージ１１は、一方の面でＲＦチップ１０と接続する。ＢＧＡパッケージ１１は、他方の面に信号伝達用ボール１１１およびグラウンド用ボール１１２を有し、信号伝達用ボール１１１を介してプリント回路基板１２に接続する。信号伝達用ボール１１１は、ＢＧＡパッケージ１１とプリント回路基板１２との間で信号を伝達する伝達部である。グラウンド用ボール１１２は、信号伝達用ボール１１１に隣り合って設けられ、電位ゼロを有する。
【００１３】
次に、高周波モジュール１の構成についてより詳細に説明する。図２は、一般的な高周波モジュール１の構成の一例を示す概略断面図である。
【００１４】
図２に示すように、配線部１１３は、ＢＧＡパッケージ１１の両面に複数形成され、信号を伝達する配線である。ランド１１４は、ＢＧＡパッケージ１１の両面のうち、ＲＦチップ２（図１参照）と接続しない方の面に、配線部１１３と接続するように形成される。配線部１１３およびランド１１４は、表面に設けられる導体の層である。
【００１５】
グラウンド導体１１５は、配線部１１３およびランド１１４の周囲に設けられる導体の層であり、グラウンド用ボール１１２と接続することによって、電位ゼロを有する。また、隔離部１１６は、ランド１１４とグラウンド導体１１５の間を隔離するように設けられる平面上の切り欠き部である。
【００１６】
信号伝達用ボール１１１およびグラウンド用ボール１１２は、ランド１１４が形成された位置に配置される。信号伝達用ボール１１１およびグラウンド用ボール１１２は、半田が塗布されることによって形成され、表面張力により略球形を為す。信号伝達用ボール１１１、配線部１１３、および、ランド１１４の配置については後述する。
【００１７】
プリント回路基板１２は、配線部１２１、ビア１２２、ランド１２３、グラウンド導体１２４、隔離部１２５を有し、複数の層から構成される。配線部１２１は、導体の層からなり、プリント回路基板１２の表層１２ａ、内層１２ｂ、および、裏層１２ｃに複数設けられる回路の配線である。ビア１２２は、プリント回路基板１２の複数の層の間で信号を伝達する伝達部である。
【００１８】
ランド１２３は、信号伝達用ボール１１１とプリント回路基板１２の表層１２ａの接続部分に設けられる。ランド１２３は、配線部１２１と同様の導体の層であり、配線部１２１と接続する。
【００１９】
また、ランド１２３は、ビア１２２と配線部１２１との間に設けられる。ビア１２２は、ランド１２３を介して配線部１２１と接続する。
【００２０】
グラウンド導体１２４は、配線部１２１およびランド１２３の周囲に設けられる導体の層であり、電位ゼロを有する。隔離部１２５は、配線部１２１およびランド１２３とグラウンド導体１２４の間に、配線部１２１およびランド１２３とグラウンド導体１２４の間を隔離するように設けられる平面上の切り欠き部である。
【００２１】
ここで、信号伝達用ボール１１１、配線部１１３、および、ランド１１４の構成について説明する。図３は、一般的な高周波モジュール１における要部構成を示す拡大図である。図３は、図２における矢印Ｘの領域を矢印Ｙの方向から見た拡大図である。
【００２２】
図３において、信号伝達用ボール１１１は、ランド１１４を介して配線部１１３に接続する。グラウンド導体１１５は、配線部１１３およびランド１１４の周囲に設けられる導体の層であり、グラウンド用ボール１１２（図２参照）と接続することによって、電位ゼロを有する。また、隔離部１１６は、配線部１１３およびランド１１４とグラウンド導体１１５の間に、配線部１１３およびランド１１４とグラウンド導体１１５の間を隔離するように設けられる平面上の切り欠き部である。
【００２３】
図１および２に示すような一般的なＢＧＡパッケージを用いた高周波モジュール１では、通常、電位がゼロとなるグラウンド導体１１５が配線部１１３およびランド１１４の外側に形成される。
【００２４】
図３に示す信号伝達用ボール１１１、配線部１１３、および、ランド１１４の構成の場合、ランド１１４の容量によってインピーダンスが不連続になり、整合を図ることが困難である。以下では、インピーダンス整合について説明する。
【００２５】
図４は、一般的な高周波モジュール１のランド１１４における信号の反射特性を示すスミスチャートである。図４では、ランド１１４におけるＳパラメータＳ１１およびＳ２２の０Ｈｚから１００ＧＨｚまでの変化の軌跡を示している。
【００２６】
ランド１１４の容量性により、Ｓ１１およびＳ２２の軌跡は、矢印Ｚの方向、つまり、時計回りで下に動く。そして、Ｓ１１およびＳ２２の軌跡は、高周波になるに従って、スミスチャートの中心から離れる。つまり、高周波になるに従って、インピーダンスの不連続が顕著になる。次に、具体的なランド１１４における信号の通過特性および反射特性について説明する。
【００２７】
図５は、一般的な高周波モジュール１のランド１１４における信号の通過特性を示す図である。図６は、一般的な高周波モジュール１のランド１１４における信号の反射特性を示す図である。
【００２８】
図５の横軸は、信号の周波数を示し、縦軸は、ランド１１４を通過する信号の大きさを相対利得で示す。図５の縦軸の値が大きいほど、信号の通過特性が良好であることを示している。また、図６の横軸は、信号の周波数を示し、縦軸は、ランド１１４にて反射する信号の大きさを相対利得で示す。図５の縦軸の値が大きいほど、信号の反射が大きいことを示している。
【００２９】
図３の構成の場合、図５に示すように、ランド１１４を通過する大きさがミリ波帯（３０ＧＨｚ以上の周波数帯）において小さくなる。そして、図６に示すように、ミリ波帯の信号がランド１１４において大きく反射する。つまり、図５および図６に示すように、ランド１１４の容量によるインピーダンスの不連続の影響により、ミリ波帯の信号の通過特性が劣化する。
【００３０】
例えば、特許文献１では、ランドの容量によるインピーダンスの不連続を抑えるために、配線部とランドとの間に、配線の幅や長さを変えた整合回路を設けている。しかしながら、特許文献１の整合回路は、配線の幅や長さの精度によってインピーダンスにバラつきが生じ、インピーダンスの不連続を十分に抑えることが困難である。
【００３１】
本開示では、ランドの構成に着目した。
【００３２】
（実施の形態）
以下、本開示の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、以下に説明する各実施の形態は一例であり、本開示はこれらの実施の形態により限定されるものではない。
【００３３】
本開示の実施の形態にかかる高周波モジュールの構成について、図７を用いて説明する。
【００３４】
図７は、本開示の実施の形態にかかる高周波モジュール２の構成の一例を示す概略断面図である。図７に示す高周波モジュール２は、ＢＧＡパッケージ２１およびプリント回路基板２２を有する。なお、図７において、図２と共通する構成には、図２と同一の符号を付しその詳しい説明を省略する。図７に示す高周波モジュール２は、ランド２１４が、図２のランド１１４と異なり、連結部２１７が図２に追加された構成である。また、図７には図示されていないが、本実施の形態にかかる高周波モジュール２は、隔離部２１６が、図２および３に示す隔離部１１６と異なっている。以下、ランド２１４、隔離部２１６、および、連結部２１７について、図８を用いて説明する。
【００３５】
図８は、本開示の実施の形態にかかる高周波モジュール２における要部構成を示す拡大図である。図８は、図７における矢印Ｘ’の領域を矢印Ｙ’の方向から見た拡大図である。
【００３６】
図８において、信号伝達用ボール１１１は、ＢＧＡパッケージ２１（図７参照）とプリント回路基板２２（図７参照）との間で信号を伝達する伝達部であり、ランド２１４を介して配線部１１３に接続する。グラウンド導体１１５は、配線部１１３およびランド２１４の周囲に形成される導体の層であり、グラウンド用ボール１１２（図７参照）と接続することによって、電位ゼロを有する。また、隔離部２１６は、配線部１１３およびランド２１４とグラウンド導体１１５の間に、配線部１１３およびランド２１４とグラウンド導体１１５の間を隔離するように設けられる平面上の切り欠き部である。
【００３７】
ランド２１４は、円形の導体の層であり、点Ｐにおいて配線部１１３と接続する。
【００３８】
連結部２１７は、ランド２１４において、中心Ｑを挟み点Ｐと反対側、つまり、中心Ｑと配線部１１３の延長戦上に設けられる。連結部２１７は、ランド２１４とグラウンド導体１１５を連結し、ランド２１４の一部分を短絡させる。
【００３９】
図８に示す構成により、本実施の形態にかかる高周波モジュール２は、インピーダンスの整合を図ることができる。以下、本実施の形態にかかる高周波モジュール２の特性について説明する。
【００４０】
図９は、本開示の実施の形態にかかる高周波モジュール２のランド２１４における信号の反射特性を示すスミスチャートである。図９では、図４と同様に、ランド２１４におけるＳパラメータＳ１１およびＳ２２の０Ｈｚから１００ＧＨｚまでの変化の軌跡を示している。
【００４１】
ランド２１４は、一部分が短絡されているので、Ｓ１１およびＳ２２の軌跡は、スミスチャートの水平線の左の端から始まる。そして、ランド２１４の容量性により、Ｓ１１およびＳ２２は、矢印Ｚ’の方向、つまり、時計回りで下に動く。Ｓ１１およびＳ２２の軌跡は、高周波になるに従って、スミスチャートの中心へと近づく。つまり、高周波になるに従って、インピーダンスの不連続が解消され、整合を図ることができる。次に、具体的なランド２１４における信号の通過特性および反射特性について説明する。
【００４２】
図１０は、本開示の実施の形態にかかる高周波モジュール２のランド２１４における信号の通過特性を示す図である。図１１は、本開示の実施の形態にかかる高周波モジュール２のランド２１４における信号の反射特性を示す図である。
【００４３】
図１０の横軸は、信号の周波数を示し、縦軸は、ランド２１４を通過する信号の大きさを相対利得で示す。図１０の縦軸の値が大きいほど、信号の通過特性が良好であることを示している。また、図１１の横軸は、信号の周波数を示し、縦軸は、ランド２１４にて反射する信号の大きさを相対利得で示す。図１１の縦軸の値が大きいほど、信号の反射が大きいことを示している。
【００４４】
図８の構成の場合、図１０に示すように、ランド２１４を通過する信号の大きさがミリ波帯において大きくすることができる。そして、図１１に示すように、ランド２１４において反射する信号の大きさがミリ波帯において小さくすることができる。
【００４５】
つまり、図８の構成の場合、連結部２１７がランド２１４とグラウンド導体１１５を連結し、ランド２１４の一部分を短絡させることにより、インピーダンスの整合をとることができる。インピーダンスの整合をとった結果、図１０および図１１に示すように、ミリ波帯の信号の反射を抑え、通過特性を向上させることができる。
【００４６】
次に、本実施の形態にかかる高周波モジュール２における信号の伝達の様子について、図２に示した一般的な高周波モジュール１における信号の伝達の様子と比較して説明する。
【００４７】
図１２は、一般的な高周波モジュール１における信号の伝達の様子を示すイメージ図である。図１３は、本開示の実施の形態にかかる高周波モジュール２における信号の伝達の様子を示すイメージ図である。図１２および図１３は、ミリ波帯の信号が伝達した場合の信号の強度が強い位置を明暗で示している。図１２および図１３において、明るい領域ほど、信号の強度がより強い箇所を示している。
【００４８】
図１２の領域Ｐ１に示すように、一般的な高周波モジュール１では、ミリ波帯の信号が信号伝達用ボール１１１に接続するランド１１４から基板の外に放射されている。そして、領域Ｐ２に示すように、プリント回路基板１２へ伝達される信号の強度が小さくなってしまう。
【００４９】
一方で、図１３の領域Ｐ３に示すように、本実施の形態にかかる高周波モジュール２では、ミリ波帯の信号は、信号伝達用ボール１１１に接続するランド２１４から基板の外に放射されない。これは、ランド２１４が連結部２１７を介してグラウンド導体１１５に接続され、短絡されているため、領域Ｐ３の位置において電位がゼロになることに起因する。そして、基板の外への放射が無いため、領域Ｐ４に示すように、プリント回路基板２２へ伝達される信号の強度が大きくすることができる。
【００５０】
以上、説明したように、本実施の形態によれば、ランド２１４の一部が連結部２１７を介してグラウンド導体１１５に接続することによって短絡されるので、信号の通過特性を良好に保つことができ、インピーダンスの整合を図ることができる。
【００５１】
（実施の形態の他の構成）
上記で説明した本実施の形態では、図８に示す構成、つまり、ランド２１４において、中心Ｑを挟み点Ｐと反対側に連結部２１７が設けられる構成とした。本実施の形態では、図８に示す構成以外に別の構成をとることもできる。以下では、図８に示す構成以外の別の構成について説明する。
【００５２】
（バリエーション１）
本実施の形態のバリエーション１では、ランド２１４に設けられる連結部２１７の位置が図８に示す構成とは異なる。
【００５３】
図１４は、本実施の形態のバリエーション１にかかる高周波モジュール２における要部構成を示す拡大図である。図１４に示すように、連結部２１７は、中心Ｑと点Ｐを結ぶ直線に対して角度θをなす方向に設けられる。
【００５４】
（バリエーション２）
本実施の形態のバリエーション２では、連結部２１７の外側に設けられる隔離部２１６の形状が図８に示す構成とは異なる。
【００５５】
図１５は、本実施の形態のバリエーション２にかかる高周波モジュール２における要部構成を示す拡大図である。図１５に示すように、隔離部２１６は、連結部２１７の外側において、中心Ｑと点Ｐを結ぶ直線と略平行に中心Ｑから離れる方向に延在して設けられる。
【００５６】
（バリエーション３）
本実施の形態のバリエーション３では、ランド２１４に設けられる連結部２１７の位置と連結部２１７の個数が図８に示す構成とは異なる。
【００５７】
図１６は、本実施の形態のバリエーション３にかかる高周波モジュール２における要部構成を示す拡大図である。図１６に示すように、連結部２１７は、中心Ｑと点Ｐを結ぶ直線に対して角度θ１、θ２をなす方向にそれぞれ設けられる。
【００５８】
次に、図８、図１４，図１５の構成の違いについて説明する。
【００５９】
上記で説明したように、一般的な高周波モジュール１では、配線部１１３の外側には、隔離部１１６によって隔離された位置にグラウンド導体１１５が設けられる。この構成において、配線部１１３を伝達する高周波の電流と逆向きの電流がグラウンド導体１１５に流れる。
【００６０】
図１７は、配線部１１３を伝達する電流とグラウンド導体１１５を流れる電流の様子を示す図である。図１７に示すように、配線部１１３を伝達する電流ｄ１の位相とグラウンド導体１１５を流れる電流ｄ２の位相は、電流ｄ１およびｄ２に垂直な方向において逆の位相となる。本実施の形態にかかる高周波モジュール２においても同様である。
【００６１】
一方で、本実施の形態では、ランド２１４にグラウンド導体１１５と接続する連結部２１７を設けることにより、グラウンド導体１１５に流れる電流の経路は、連結部２１７を介して信号伝達用ボール１１１につながる。この場合、グラウンド導体１１５に流れる電流と配線部１１３からランド２１４へ流れる電流は、信号伝達用ボール１１１において位相が一致する。
【００６２】
本実施の形態では、図８、図１４、図１５に示すようなバリエーションを用いて、グラウンド導体１１５に流れる電流の経路の長さを、電流の周波数に合わせて調整することによって、インピーダンスの整合をより効果的に図ることができる。
【００６３】
図１８は、図８、図１４、図１５に示す構成における電流の経路を示す図である。図１８（ａ）〜（ｃ）は、それぞれ、図１５、図８、図１４に示す構成における電流の経路を示している。
【００６４】
図１８（ａ）に示すように、配線部１１３を流れる電流ｄ１が信号伝達用ボール１１１に到達する点Ｔ１における電流ｄ１の位相（図１８（ａ）では０°）は、点Ｔ１を通り電流ｄ１に垂直な直線とグラウンド導体１１５を流れる電流ｄ２と交わる点Ｔ２における電流ｄ２の位相（図１８（ａ）では１８０°）と逆の位相となる。一方で、電流ｄ２の経路は、連結部２１７を介して信号伝達用ボール１１１に点Ｔ３でつながる。この構成において、点Ｔ３における電流ｄ２の位相（図１８（ａ）では０°）は、信号伝達用ボール１１１において、点Ｔ１における電流ｄ１の位相と一致する。図１８（ｂ）、図１８（ｃ）においても同様である。
【００６５】
つまり、本実施の形態において、電流ｄ２の点Ｔ２から点Ｔ３までの経路長は、流れる電流の約１／２波長となる。
【００６６】
図１８（ａ）〜（ｃ）に示すように、電流ｄ２の点Ｔ２から点Ｔ３までの経路長は、図１８（ａ）、図１８（ｂ）、図１８（ｃ）の順に小さくなる。つまり、電流の周波数が比較的低い場合には、図１８（ａ）に対応する図１５の構成をとってもよい。また、電流の周波数が比較的高い場合には、図１８（ｃ）に対応する図１４の構成をとってもよい。この場合、図１４の構成において、中心Ｑと点Ｐを結ぶ直線に対する連結部２１７のなす角度θは、電流の周波数に基づいて設定されてもよい。
【００６７】
上記で説明したように、ランド２１４、隔離部２１６、および、連結部２１７の形状および位置は、電流の周波数に基づいて調節されてもよい。本実施の形態は、電流の周波数に基づいて調節することによって、より効果的にインピーダンスの整合を図ることができる。
【００６８】
なお、本実施の形態において、ランド２１４、隔離部２１６、および、連結部２１７の形状および位置は、電流の周波数に基づいて調節することは、必須ではない。本実施の形態では、ランド２１４の一部が連結部２１７を介してグラウンド導体１１５に接続することによって短絡される構成によって、信号の通過特性を良好に保つことができ、インピーダンスの整合を図ることができる。
【００６９】
なお、上記で説明した実施の形態では、図７に示すように、ＢＧＡパッケージ２１における信号伝達用ボール１１１と接続するランド２１４に連結部２１７を設ける構成としたが、本開示は、これに限定されない。
【００７０】
図１９は、本開示の実施の形態における連結部２１７を設ける位置のバリエーションを示す図である。図１９（ａ）は、連結部２１７をプリント回路基板２２の表層１２ａにおいてビア１２２と接続するランド１２３に設ける場合である。図１９（ｂ）は、連結部２１７をプリント回路基板２２の内層１２ｂにおいてビア１２２と接続するランド１２３に設ける場合である。図１９（ｃ）は、連結部２１７をプリント回路基板２２の表層１２ａにおいてビア１２２と接続するランド１２３、および、内層１２ｂにおいてビア１２２と接続するランド１２３に設ける場合である。図１９（ｄ）は、連結部２１７をＢＧＡパッケージ２１における信号伝達用ボール１１１と接続するランド２１４、および、プリント回路基板２２の表層１２ａにおいて信号伝達用ボール１１１と接続するランド１２３の両方に設ける場合である。
【００７１】
図１９（ａ）〜（ｄ）に示す構成によっても、ランドの一部が連結部を介してグラウンド導体に接続することによって短絡されるので、信号の通過特性を良好に保つことができ、インピーダンスの整合を図ることができる。
【産業上の利用可能性】
【００７２】
本開示にかかる高周波モジュールは、ミリ波帯のＲＦチップと接続するモジュールに用いるのに好適である。
【符号の説明】
【００７３】
１、２  高周波モジュール
１０  ＲＦチップ
１１、２１  ＢＧＡパッケージ
１２、２２  プリント回路基板
１２ａ  表層
１２ｂ  内層
１２ｃ  裏層
１１１  信号伝達用ボール
１１２  グラウンド用ボール
１１３、１２１  配線部
１１４、１２３、２１４  ランド
１１５、１２４  グラウンド導体
１１６、１２５、２１６  隔離部
１２２  ビア
２１７  連結部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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