(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
電極パッドに接触させるプローブ針において、
プローブ針本体部と、
前記プローブ針本体部と接続されており、前記電極パッドに接触する先端部分と、
を有し、
前記先端部分は、複数の金属微粒子により形成されており、
前記先端部分において、前記プローブ針本体部と接続される接続部の近傍は、前記電極パッドと接触する接触端の近傍よりも、前記金属微粒子同士の接合強度が強いことを特徴とするプローブ針。
【請求項２】
前記金属微粒子同士の接合強度は、前記接触端から前記接続部にいくにしたがって強くなることを特徴とする請求項１に記載のプローブ針。
【請求項３】
前記先端部分において、前記プローブ針本体部と接続される接続部から前記電極パッドと接触する接触端までは、同じ幅で形成されていることを特徴とする請求項１または２に記載のプローブ針。
【請求項４】
前記先端部分は、複数の第１の金属微粒子と複数の第２の金属微粒子を含み、
前記第１の金属微粒子と前記第２の金属微粒子とは、組成、または、組成比が異なるものであることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載のプローブ針。
【請求項５】
前記第１の金属微粒子と前記第２の金属微粒子とは、粒径が異なることを特徴とする請求項４に記載のプローブ針。
【請求項６】
前記電極パッドに前記先端部分を接触させることにより、前記先端部分を形成している金属微粒子が剥がれることを特徴とする請求項１から５のいずれかに記載のプローブ針。
【請求項７】
請求項１から６のいずれかに記載のプローブ針を複数有することを特徴とするプローブカード。
【請求項８】
電極パッドに接触させるプローブ針の製造方法において、
プローブ針を形成する型に、プローブ針本体部と前記プローブ針の先端部分を形成する複数の金属微粒子とを入れる工程と、
前記金属微粒子を加熱し焼結することにより、前記プローブ針本体部と接続される先端部分を形成する工程と、
を有することを特徴とするプローブ針の製造方法。
【請求項９】
前記先端部分は、前記プローブ針本体部と接続部において接続されているものであって、
前記先端部分を形成する工程は、前記先端部分において前記電極パッドと接触する接触端よりも、前記接続部が高い温度で焼結が行われることを特徴とする請求項８に記載のプローブ針の製造方法。
【請求項１０】
プローブ針本体部と、前記プローブ針本体部と接続されている先端部分と、を有し、前記先端部分は、複数の金属微粒子を焼結することにより形成されており、前記先端部分は電極パッドに接触させることにより、前記先端部分における金属微粒子が一部剥がれた場合には、
プローブ針を形成する型に、前記先端部分における金属微粒子が一部剥がれたプローブ針と前記先端部分を形成する金属微粒子とを入れる工程と、
前記金属微粒子を加熱し焼結することにより、前記一部剥がれた部分を補い新たな先端部分を形成する工程と、
を有することを特徴とするプローブ針の再生方法。
【請求項１１】
前記新たな先端部分は、前記電極パッドと接触端で接触させるものであって、
前記新たな先端部分を形成する工程は、前記先端部分において前記プローブ針本体部と接続されている接続部よりも、前記新たな先端部分が低い温度で焼結が行われることを特徴とする請求項１０に記載のプローブ針の再生方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プローブ針、プローブカード、プローブ針の製造方法及びプローブ針の再生方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の多くは、シリコンウェハの表面に半導体回路が形成されたものにより形成されている。半導体装置を製造する際には、シリコンウェハの表面に半導体回路を二次元的に形成した後、シリコンウエハの表面に形成されている半導体回路の試験が、プローブカード等を介して行われる。
【０００３】
シリコンウエハの表面に形成されている半導体回路の試験を行う際には、シリコンウェハの表面に形成されている電極パッドに、プローブカード等におけるプローブ針を接触させて、電極パッドとプローブ針とを電気的に接続させた状態で行う。具体的には、プローブ針と半導体回路に接続されている電極パッドとを電気的に接続し、プローブ針を介し半導体回路に電気信号を入力することにより行う。
【０００４】
一般的には、電極パッドはアルミニウム（Ａｌ）等により形成されており、電極パッドにプローブ針を接触させる際には、電極パッドの表面に自然形成された酸化膜をプローブ針の先端で削りとり、アルミニウムの金属表面を露出させる。このようにアルミニウムの金属表面が露出している電極パッドにプローブ針を接触させ、電気的に接続されてシリコンウェハの表面に形成されている半導体回路の試験が行われる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００１−１６５９５５号公報
【特許文献２】特開平１０−２２７８１１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、電極パットの表面に形成されている酸化膜をプローブ針により削りとる際に、削りとられた酸化膜の一部がプローブ針の先端に付着する場合がある。酸化膜は絶縁性が高いため、プローブ針の先端に酸化膜が付着したままの状態で、電極パッドに接触させた場合、電極パッドとプローブ針との電気的な接触が不良となり、半導体回路において正確な試験を行うことができない場合がある。
【０００７】
このため、プローブ針を所定の期間使用する度等に、プローブ針の針先研磨（クリーニング）を行うことにより、プローブ針の先端に付着している酸化膜を除去し、電極パッドとプローブ針との電気的な接触を安定的に保つことが行われている。
【０００８】
しかしながら、プローブ針の針先研磨を行っている間は、半導体回路の検査を行うことができないため、検査装置の稼働率が低下し、半導体回路における検査のスループットが低下してしまう。また、所定の期間が経過する前であっても、酸化膜がプローブ針の先端に付着している場合には、半導体回路の正確な試験を行うことができない。
【０００９】
このため、プローブ針の針先研磨を行うことなく、電極パッドとプローブ針との電気的な接触を安定的に保つことのできるプローブ針が求められている。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本実施の形態の一観点によれば、電極パッドに接触させるプローブ針において、プローブ針本体部と、前記プローブ針本体部と接続されており、前記電極パッドに接触する先端部分と、を有し、前記先端部分は、複数の金属微粒子により形成されており、前記先端部分において、前記プローブ針本体部と接続される接続部の近傍は、前記電極パッドと接触する接触端の近傍よりも、前記金属微粒子同士の接合強度が強いことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
開示のプローブ針によれば、針先研磨を行うことなく、電極パッドとプローブ針との電気的な接触を安定的に保つことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】第１の実施の形態におけるプローブ針の構造図
【図２】第１の実施の形態におけるプローブ針の説明図（１）
【図３】第１の実施の形態におけるプローブ針の製造方法のフローチャート
【図４】第１の実施の形態におけるプローブカードの構造図
【図５】第１の実施の形態におけるプローブカードの説明図
【図６】第１の実施の形態におけるプローブ針の説明図（２）
【図７】第２の実施の形態におけるプローブ針の構造図
【図８】第３の実施の形態におけるプローブ針の再生方法の説明図（１）
【図９】第３の実施の形態におけるプローブ針の再生方法の説明図（２）
【図１０】第３の実施の形態におけるプローブ針の再生方法のフローチャート
【発明を実施するための形態】
【００１３】
実施するための形態について、以下に説明する。尚、同じ部材等については、同一の符号を付して説明を省略する。
【００１４】
〔第１の実施の形態〕
（プローブ針）
第１の実施の形態におけるプローブ針について説明する。本実施の形態におけるプローブ針は、図１に示されるように、プローブ針本体部１１と先端部分２０により形成されており、先端部分２０は、金属微粒子２１を焼結したものにより形成されている。尚、図１（ａ）は、本実施の形態におけるプローブ針１０の構造図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）において一点鎖線１Ａで囲まれた部分の拡大図であり、図１（ｃ）は、プローブ針１０の先端部分２０の底面図である。
【００１５】
本実施の形態におけるプローブ針１０は、プローブ針本体部１１において屈曲部１２を有しており、屈曲部１２からプローブ針１０の先端である先端部分２０の接触端２０ａまでの長さＬ１は、２５０μｍ〜６００μｍとなるように形成されている。また、先端部分２０の長さ、即ち、プローブ針本体部１１との接続部２０ｂから先端部分２０の接触端２０ａまでの長さＬ２は、１００μｍ〜３００μｍとなるように形成されている。また、プローブ針１０の先端部分２０における接触端２０ａの幅Ｗは約１５μｍとなるように形成されている。尚、本実施の形態においては、プローブ針１０の先端部分２０においては、接触端２０ａから接続部２０ｂまで同じ幅となるように形成されている。
【００１６】
プローブ針１０の先端部分２０は、複数の金属微粒子２１を焼結することにより形成されており、この金属微粒子２１は、例えば、Ｗ（タングステン）にＲｅ（レニウム）を添加した金属材料により形成されている。尚、本実施の形態においては、先端部分２０の接触端２０ａの近傍よりも、プローブ針本体部１１との接続部２０ｂの近傍の方が、金属微粒子２１同士の接合強度が強くなっている。
【００１７】
上述したように、本実施の形態におけるプローブ針１０は、先端部分２０が金属微粒子２１を焼結することにより形成されている。よって、図２に示すように、電極パッド１２０の表面にプローブ針１０の先端部分２０の接触端２０ａを接触させて、電極パッド１２０の表面に形成されている酸化膜を削りとる際に、プローブ針１０の先端部分２０における金属微粒子２１も一部剥がれる。このようにプローブ針１０の先端部分２０の接触端２０ａにおける金属微粒子２１が一部剥がれることにより、プローブ針１０の先端部分２０の接触端２０ａには新たな金属微粒子２１が露出する。このように、プローブ針１０の先端部分２０の接触端２０ａにおいて新たな金属微粒子２１が露出するため、電極パッド１２０とプローブ針１０との電気的な接触が安定的に保たれる。よって、プローブ針１０の先端部分２０に酸化膜が付着することはなく、プローブ針の針先研磨を行わなくとも、半導体回路の正確な試験を行うことができ、半導体回路の試験におけるスループットを向上させることができる。また、本実施の形態においては、プローブ針１０の先端部分２０が接触端２０ａから接続部２０ｂまで同じ幅となるように形成されているため、接触端２０ａにおける金属微粒子２１が一部剥がれて先端部分２０が短くなっても、電極パッド１２０と接触する接触端２０ａの幅が太くなることなく変わらないため、プローブ針１０と電極パッド１２０との位置合わせ精度の許容量が減少するのを抑制することができる。尚、図２（ａ）は、本実施の形態におけるプローブ針１０の先端部分２０における金属微粒子２１がとれていく様子を示す図であり、図２（ｂ）は、図２（ａ）の拡大図である。
【００１８】
（プローブ針の製造方法）
次に、プローブ針の製造方法について図３に基づき説明する。
【００１９】
最初に、ステップ１０２（Ｓ１０２）に示すように、プローブ針本体部１１を作製する。プローブ針本体部１１は、ＷにＲｅを添加した合金により形成される。
【００２０】
次に、ステップ１０４（Ｓ１０４）に示すように、プローブ針１０を形成するための不図示の型に、プローブ針本体部１１とともに、先端部分２０を形成するための複数の金属微粒子２１を入れる。この際、用いられる金属微粒子２１は、ＷにＲｅを添加した金属材料により形成されており、金属微粒子２１の粒径は、０．０５μｍ以上、１μｍ以下である。
【００２１】
次に、ステップ１０６（Ｓ１０６）に示すように、金属微粒子２１を焼結することにより、プローブ針１０の先端部分２０を形成する。この際、先端部分２０の接触端２０ａの近傍では１０００℃〜１２００℃、接続部２０ｂの近傍では１８００℃から２２００℃となるように、先端部分２０の接触端２０ａから接続部２０ｂに向けて温度勾配が生じるように加熱し、金属微粒子２１を焼結させる。先端部分２０の接触端２０ａの近傍よりも接続部２０ｂの近傍における焼結温度を高くするのは、先端部分２０において、接触端２０ａよりも接続部２０ｂの近傍におけるプローブ針本体部１１との接合強度を高めるためである。焼結温度が高いと、金属微粒子２１間の接合強度を強くすることができる。従って、本実施の形態におけるプローブ針１０においては、先端部分２０の接触端２０ａから接続部２０ｂにいくにしたがって金属微粒子２１同士の接合強度が強くなり、先端部分２０の接触端２０ａの近傍よりも、プローブ針本体部１１との接続部２０ｂの近傍の方が、金属微粒子２１同士の接合強度を強くすることができる。このように、先端部分２０の接触端２０ａの近傍よりも、プローブ針本体部１１との接続部２０ｂの近傍の方を、金属微粒子２１同士の接合強度を強くすることにより、接触端２０ａから接続部２０ｂまでが同じ幅であっても、先端部分２０の接触端２０ａより金属微粒子２１が徐々に剥がれていく。プローブ針１０をこのように形成するための焼結方法としては、レーザ光の強度を変化させて照射することにより加熱する方法が挙げられる。具体的には、先端部分２０の接触端２０ａの近傍よりも、接続部２０ｂの近傍に照射されるレーザ光の強度を高くすることにより、先端部分２０の接触端２０ａから接続部２０ｂに向かって温度が徐々に高くなる温度勾配を生じさせて焼結する。
【００２２】
次に、ステップ１０８（Ｓ１０８）に示すように、プローブ針１０を形成するための型からプローブ針１０をはずす。これにより、焼結された金属微粒子２１により形成された先端部分２０を有するプローブ針１０を作製することができる。
【００２３】
上記においては、プローブ針１０の先端部分２０が、ＷにＲｅを添加した金属微粒子により形成されている場合について説明したが、プローブ針１０の先端部分２０は、他の材料により形成してもよい。
【００２４】
具体的には、プローブ針１０の先端部分２０は、Ｐｄ（パラジウム）にＣｕ（銅）及びＡｇ（銀）を添加した金属材料の金属微粒子２１を用いて形成してもよい。この際、先端部分２０の接触端２０ａの近傍では４５０℃〜５５０℃、接続部２０ｂの近傍では７００℃から９００℃となるように温度勾配を生じさせて加熱し焼結することにより、先端部分２０を形成する。
【００２５】
また、プローブ針１０の先端部分２０は、Ｐｔ（白金）を含む金属材料の金属微粒子２１を用いて形成してもよい。この際、先端部分２０の接触端２０ａの近傍では５００℃〜７００℃、接続部２０ｂの近傍では８００℃から１０００℃となるように温度勾配を生じさせて加熱し焼結することにより、先端部分２０を形成する。
【００２６】
また、プローブ針１０の先端部分２０は、Ｒｈ（ロジウム）を含む金属材料の金属微粒子２１を用いて形成してもよい。この際、先端部分２０の接触端２０ａの近傍では５５０℃〜７５０℃、接続部２０ｂの近傍では１０００℃から１２００℃となるように温度勾配を生じさせて加熱し焼結することにより、先端部分２０を形成する。
【００２７】
また、プローブ針１０の先端部分２０は、Ｉｒ（イリジウム）を含む金属材料の金属微粒子２１を用いて形成してもよい。この際、先端部分２０の接触端２０ａの近傍では７００℃〜９００℃、接続部２０ｂの近傍では１１００℃から１３００℃となるように温度勾配を生じさせて加熱し焼結することにより、先端部分２０を形成する。
【００２８】
（プローブカード）
次に、本実施の形態におけるプローブカードについて図４に基づき説明する。図４に示されるように、本実施の形態におけるプローブカード１００には、複数のプローブ針１０が設けられている。本実施の形態においては、シリコンウェハ１１０の表面に形成された電極パッド１２０に、各々の電極パッド１２０に対応するプローブカード１００のプローブ針１０の先端を接触させて、シリコンウェハ１１０に形成されている半導体回路の試験を行う。シリコンウェハ１１０に形成されている電極パッド１２０に各々のプローブ針１０が接触している状態の上面の様子を図５に示す。
【００２９】
また、本実施の形態においては、図６に示すように、プローブ針１０の先端部分２０の接触端２０ａの近傍の側面を研磨することにより、容易に金属微粒子２１を剥がすことができるため、先端部分２０の接触端２０ａを容易に尖らせることができる。図６（ａ）は、本実施の形態におけるプローブ針１０において、研磨により先端部分２０の接触端２０ａを尖らせた状態を示すものであり、図６（ｂ）は、図６（ａ）において一点鎖線６Ａで囲まれた部分の拡大図である。
【００３０】
〔第２の実施の形態〕
次に、第２の実施の形態について説明する。本実施の形態におけるプローブ針は、プローブ針の先端部分が、２種類以上の異なる材料の金属微粒子を焼結することにより形成されている。具体的には、図７に示すように、プローブ針２１０の先端部分２２０は、複数の第１の金属微粒子２２１と複数の第２の金属微粒子２２２とを焼結することにより形成されている。尚、図７（ａ）は、本実施の形態におけるプローブ針２１０の構造図であり、図７（ｂ）は、図７（ａ）において一点鎖線７Ａで囲まれた部分の拡大図である。
【００３１】
本実施の形態においては、第１の金属微粒子２２１と第２の金属微粒子２２２とは、Ｗに添加されるＲｅの組成比が異なっており、また、第１の金属微粒子２２１と第２の金属微粒子２２２の大きさも異なっている。例えば、第１の金属微粒子２２１の粒径は約０．５μｍであり、第２の金属微粒子２２２の粒径は約０．１μｍである。尚、本実施の形態におけるプローブ針２１０においても、第１の実施の形態と同様に、先端部分２２０はプローブ針本体部１１に接続されている。
【００３２】
このように、粒径の異なる第１の金属微粒子２２１と第２の金属微粒子２２２によりプローブ針２１０の先端部分２２０を形成した場合、粒径の大きな第１の金属微粒子２２１の隙間に粒径の小さな第２の金属微粒子２２２が入り込む。これにより、図７（ｂ）に示されるように、プローブ針２１０の先端部分２２０では、第１の金属微粒子２２１により形成される層と第２の金属微粒子２２２により形成される層とが交互に形成される。本実施の形態においては、第１の金属微粒子２２１と第２の金属微粒子２２２との接合強度が、同じもの同士よりも、異なるもの同士の方が弱くなるように、材料の組み合わせがなされている。これにより、第１の金属微粒子２２１により形成される層または第２の金属微粒子２２２により形成される層ごとに剥がれやすくなるため、プローブ針２１０の先端部分２２０における剥離効果を一層高めることができる。
【００３３】
上記においては、組成比及び粒径の異なる２種類の金属微粒子によりプローブ針２１０の先端部分２２０が形成されている場合について説明したが、本実施の形態は、組成比及び粒径の異なる３種類以上の金属微粒子により先端部分２２０が形成されていてもよい。
【００３４】
尚、上記以外の内容については、第１の実施の形態と同様である。
【００３５】
〔第３の実施の形態〕
次に、第３の実施の形態について説明する。第１の実施の形態におけるプローブ針１０は使用することにより、先端部分２０における金属微粒子２１が剥がれて、先端部分２０の長さが短くなる。本実施の形態は、このように、金属微粒子２１が剥がれたプローブ針において、剥がれた分の金属微粒子２１を補い、プローブ針１０の先端部分２０を再生するプローブ針の再生方法である。
【００３６】
具体的には、図１に示されるプローブ針１０を使用することにより、プローブ針１０の先端部分２０が接触端２０ａより剥がれ、図８に示すように、先端部分２０の長さが短くなる。本実施の形態においては、このように短くなった先端部分２０に、図９に示すように、新たな先端部分２０ｃを接合することにより、最初の先端部分２０における長さと同じ長さになるように再生することができる。尚、図８（ａ）は、先端部分２０の長さが短くなったプローブ針１０の構造図であり、図８（ｂ）は、図８（ａ）において一点鎖線８Ａで囲まれた部分の拡大図である。図９（ａ）は、本実施の形態において、先端部分２０が再生されたプローブ針１０の構造図であり、図９（ｂ）は、図９（ａ）において一点鎖線９Ａで囲まれた部分の拡大図である。
【００３７】
図１０に基づき、本実施の形態について説明する。
【００３８】
最初に、ステップ２０２（Ｓ２０２）に示すように、プローブ針１０を形成する型に、先端部分２０が短くなったプローブ針１０とともに、先端部分２０ｃを形成するための複数の金属微粒子２１を入れる。この際、用いられる金属微粒子２１は、削れた先端部分２０を形成している金属微粒子２１と同じものであり、例えば、ＷにＲｅを添加した金属材料により形成されている。
【００３９】
次に、ステップ２０４（Ｓ２０４）に示すように、金属微粒子２１を焼結することにより、先端部分２０ｃを形成してプローブ針１０の削れた先端部分２０に接合する。この焼結における温度は、１０００℃〜１２００℃である。
【００４０】
次に、ステップ２０６（Ｓ２０６）に示すように、プローブ針１０を形成する型より焼結されたプローブ針１０をはずす。これにより、焼結された金属微粒子２１により形成された先端部分２０を有するプローブ針１０を作製することができる。
【００４１】
以上の工程により、プローブ針１０の削れた先端部分２０に、新たな金属微粒子２１により形成された先端部分２０ｃを接合し、プローブ針１０の先端部分２０の長さを当初と同じ長さに再生することができる。
【００４２】
以上、実施の形態について詳述したが、特定の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された範囲内において、種々の変形及び変更が可能である。
【００４３】
上記の説明に関し、更に以下の付記を開示する。
（付記１）
電極パッドに接触させるプローブ針において、
プローブ針本体部と、
前記プローブ針本体部と接続されており、前記電極パッドに接触する先端部分と、
を有し、
前記先端部分は、複数の金属微粒子により形成されており、
前記先端部分において、前記プローブ針本体部と接続される接続部の近傍は、前記電極パッドと接触する接触端の近傍よりも、前記金属微粒子同士の接合強度が強いことを特徴とするプローブ針。
（付記２）
電極パッドに接触させるプローブ針において、
プローブ針本体部と、
前記プローブ針本体部と接続されており、前記電極パッドに接触する先端部分と、
を有し、
前記先端部分は、複数の金属微粒子を焼結することにより形成されていることを特徴とするプローブ針。
（付記３）
前記先端部分において、前記プローブ針本体部と接続される接続部から前記電極パッドと接触する接触端までは、同じ幅で形成されていることを特徴とする付記１または２に記載のプローブ針。
（付記４）
前記先端部分は、複数の第１の金属微粒子と複数の第２の金属微粒子を含み、
前記第１の金属微粒子と前記第２の金属微粒子とは、組成、または、組成比が異なるものであることを特徴とする付記１から３のいずれかに記載のプローブ針。
（付記５）
前記第１の金属微粒子と前記第２の金属微粒子とは、粒径が異なることを特徴とする付記４に記載のプローブ針。
（付記６）
前記電極パッドに前記先端部分を接触させることにより、前記先端部分を形成している金属微粒子が剥がれることを特徴とする付記１から５のいずれかに記載のプローブ針。
（付記７）
付記１から６のいずれかに記載のプローブ針を複数有することを特徴とするプローブカード。
（付記８）
電極パッドに接触させるプローブ針の製造方法において、
プローブ針を形成する型に、プローブ針本体部と前記プローブ針の先端部分を形成する複数の金属微粒子とを入れる工程と、
前記金属微粒子を加熱し焼結することにより、前記プローブ針本体部と接続される先端部分を形成する工程と、
を有することを特徴とするプローブ針の製造方法。
（付記９）
前記先端部分は、前記プローブ針本体部と接続部において接続されているものであって、
前記先端部分を形成する工程は、前記先端部分において前記電極パッドと接触する接触端よりも、前記接続部が高い温度で焼結が行われることを特徴とする付記８に記載のプローブ針の製造方法。
（付記１０）
プローブ針本体部と、前記プローブ針本体部と接続されている先端部分と、を有し、前記先端部分は、複数の金属微粒子を焼結することにより形成されており、前記先端部分は電極パッドに接触させることにより、前記先端部分における金属微粒子が一部剥がれた場合には、
プローブ針を形成する型に、前記先端部分における金属微粒子が一部剥がれたプローブ針と前記先端部分を形成する金属微粒子とを入れる工程と、
前記金属微粒子を加熱し焼結することにより、前記一部剥がれた部分を補い新たな先端部分を形成する工程と、
を有することを特徴とするプローブ針の再生方法。
【符号の説明】
【００４４】
１０        プローブ針
１１        プローブ針本体部
１２        屈曲部
２０        先端部分
２０ａ      接触端
２０ｂ      接続部
２１        金属微粒子
１２０      電極パッド
【図１】
0006451206.tif 000002
【図２】
0006451206.tif 000003
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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