(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電粒子が樹脂に分散含有されてなる導電性インクを用いて回路が形成された基板と、金属からなる端子部を具備し、前記基板の前記回路が形成された面に搭載された電子部品とを有し、前記端子部が、接着剤を介さずに前記回路の接続部に接着、接続されている電子部品実装体の製造方法であって、
前記回路を構成する配線を、その幅が前記端子部の幅よりも狭くなるように前記基板上に形成する工程と、
前記電子部品を前記端子部が前記接続部に対向するように前記基板上に搭載する工程と、
前記電子部品を加圧することで前記配線のうち前記接続部のみを幅広として該接続部を前記端子部の全領域と密着させる工程とを有する、電子部品実装体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路が形成された基板に電子部品が搭載されてなる電子部品実装体に関し、特に、電子部品の端子部と回路とを接着剤を介さずに接着、接続する技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、配線が形成されてなる配線基板上に、接着剤を用いずに電子部品を実装する方法として、電子部品の端子部の配線との接続部分を溶融させてこれらを溶着し、その後、封止剤を用いて電子部品を固定する技術が用いられている（例えば、特許文献１参照）。その場合、電子部品の端子部と配線とを溶着させるための加熱温度は、１５０〜３００℃程度、好ましくは２００〜２６０℃程度とされている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特許第４１１４４８３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上述したような技術においては、電子部品の端子部と配線とを溶着させるために高温が加えられるため、電子部品や基板に大きな負荷がかかってしまうという問題がある。
【０００５】
本発明は、上述したような従来の技術が有する問題点に鑑みてなされたものであって、
回路が形成された基板に電子部品が搭載されてなる電子部品実装体において、電子部品や基板に高温による負荷をかけることなく、電子部品の端子部と回路とを接着剤を介さずに接着、接続することができる電子部品実装体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するために本発明は、
導電粒子が樹脂に分散含有されてなる導電性インクを用いて回路が形成された基板と、金属からなる端子部を具備し、前記基板の前記回路が形成された面に搭載された電子部品とを有し、前記端子部が、接着剤を介さずに前記回路の接続部に接着、接続されている電子部品実装体の製造方法であって、
前記回路を構成する配線を、その幅が前記端子部の幅よりも狭くなるように前記基板上に形成する工程と、
前記電子部品を前記端子部が前記接続部に対向するように前記基板上に搭載する工程と、
前記電子部品を加圧することで前記配線のうち前記接続部のみを幅広として該接続部を前記端子部の全領域と密着させる工程とを有する。
【０００７】
上記のように構成された本発明においては、電子部品の端子部が接続される回路が、導電粒子が樹脂に分散含有されてなる導電性インクを用いて基板上に形成されていることにより、基板上に電子部品を搭載して１４０〜１５０℃程度の低温にて圧力を加えるだけで導電性インクが溶融し、電子部品の端子部と回路とが接着剤を介さずに接着、接続されることとなる。それにより、電子部品や基板に高温による負荷をかけることなく、電子部品の端子部と回路とを接着剤を介さずに接着、接続することができる。
【０００８】
また、回路を構成する配線の幅が端子部の幅よりも狭く形成されていれば、電子部品が封止剤で封止される場合に、基板と電子部品との間に封止剤が入り込みやすくなることで、空気溜まりが発生しにくくなって電子部品と基板との密着性が高まり、かつ、そのような構成において、配線の幅が、端子部と接着される領域のみが幅広となって端子部の全領域と密着していることで、電子部品と配線との導電性が高まることとなる。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、電子部品の端子部が接続される回路が、導電粒子が樹脂に分散含有されてなる導電性インクを用いて基板上に形成されていることで、基板上に電子部品を搭載して比較的低温にて電子部品の端子部と回路とが接着剤を介さずに接着、接続されることとなるため、回路が形成された基板に電子部品が搭載されてなる電子部品実装体において、電子部品や基板に高温による負荷をかけることなく、電子部品の端子部と回路とを接着剤を介さずに接着、接続することができる。
【００１０】
また、回路を構成する配線の幅が端子部の幅よりも狭く形成されている構成においては、電子部品が封止剤で封止される場合に、基板と電子部品との間に封止剤が入り込みやすくなることで、空気溜まりが発生しにくくなって電子部品と基板との密着性を高めることができ、かつ、そのような構成において、配線の幅が、端子部と接着される領域のみが幅広となって端子部の全領域と密着していることで、電子部品と配線との導電性を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の電子部品実装体の実施の一形態を示す図であり、（ａ）は上面図、（ｂ）は（ａ）に示したＡ−Ａ’断面図、（ｃ）はＩＣチップの裏面の構成を示す図、（ｄ）はＩＣチップ及び封止剤を取り除いた状態の基板の構成を示す図である。
【図２】図１に示したインレットの製造方法を説明するための図である。
【図３】図１に示したインレットにおいてＩＣチップが搭載される前の基板の状態を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下に、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
【００１３】
図１は、本発明の電子部品実装体の実施の一形態を示す図であり、（ａ）は上面図、（ｂ）は（ａ）に示したＡ−Ａ’断面図、（ｃ）はＩＣチップ１０の裏面の構成を示す図、（ｄ）はＩＣチップ１０及び封止剤３０を取り除いた状態の基板２０の構成を示す図である。
【００１４】
本形態は図１に示すように、基板２０上に電子部品であるＩＣチップ１０が搭載されて構成されたインレット１である。
【００１５】
基板２０は、例えば１００μｍのＰＥＴフィルム等からなり、その一方の面に、コイル状のアンテナ回路２１が形成されている。アンテナ回路２１は、導電粒子が樹脂に分散含有されてなる導電性インクを用いて形成されており、その一部が交差しているが、その交差部は絶縁層（不図示）によって短絡が回避されている。導電性インクとしては、例えば、導電粒子として粒子径１〜２０μｍ程度の銀粒子が７５ｗｔ％、バインダー樹脂としてエポキシ樹脂が５ｗｔ％、溶剤として、イソホロン５ｗｔ％、γ−ブチロラクトン５ｗｔ％、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート１０ｗｔ％からなるものが２０ｗｔ％、から構成することが考えられるが、各材料は上記に限らず公知のいかなるものでも構わない。例えば、導電粒子は金、銅、アルミニウム、カーボンでもよいし、それらを混合使用したものでもよい。また、バインダー樹脂はフェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、メラミン樹脂またはウレア樹脂等であってもよい。溶剤も公知の溶剤を適宜選定することができる。アンテナ回路２１は、コイル状の両端に配線２２ａ，２２ｂを有しており、２つの配線２２ａ，２２ｂは、その端部が、ＩＣチップ１０が接続される接続部２３ａ，２３ｂとなっている。そして、配線２２ａ，２２ｂの幅は、接続部２３ａ，２３ｂの幅Ｗ2のみが他の領域の幅Ｗ1よりも幅広となっている。
【００１６】
ＩＣチップ１０は、その裏面に、配線２２ａ，２２ｂを介してアンテナ回路２１に接続されるための端子部１１ａ，１１ｂを有しており、端子部１１ａ，１１ｂの幅Ｗ0が、接続部２３ａ，２３ｂの幅Ｗ2と同一となっている。このように構成されたＩＣチップ１０が、端子部１１ａ，１１ｂが接続部２３ａ，２３ｂと対向するように基板２０上に搭載されることで、接続部２３ａ，２３ｂが端子部１１ａ，１１ｂの全領域と密着し、ＩＣチップ１０が、配線２２ａ，２２ｂを介してアンテナ回路２１に接続されている。また、ＩＣチップ１０は、封止剤３０で封止されている。封止剤３０は、ＩＣチップ１０と、アンテナ回路２１のうちＩＣチップ１０の周囲の部分を覆うように塗布されている。封止剤３０としては、エポキシ樹脂としてビスフェノールＡ型エポキシ樹脂８％、硬化剤としてフェノールノボラック樹脂６％、充填剤として球状シリカ８６％からなるものを用いることが考えられる。ただし、封止剤の成分は上記構成に限るものではなく、その他公知の材料を使用することができる。エポキシ樹脂としてはビスフェノールＦ型エポキシ樹脂やフェノールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂等でもよく、硬化剤として脂肪族ポリアミンや芳香族ポリアミン、イソシアネート化合物等を用いてもよい。また、充填剤としてタルクやアルミナ、ポリエチレンパウダー等、一般の封止用樹脂組成物に含まれるものを使用することができる。
【００１７】
以下に、上記のように構成されたインレット１の製造方法について説明する。
【００１８】
図２は、図１に示したインレット１の製造方法を説明するための図である。図３は、図１に示したインレット１においてＩＣチップ１０が搭載される前の基板２０の状態を示す図である。
【００１９】
図１に示したインレット１を製造する場合は、まず、基板２０上に、導電性インクを用いてアンテナ回路２１を形成する（図２（ａ））。この際、図３に示すように、配線２２ａ，２２ｂの幅は、接続部２３ａ，２３ｂも含めて一定な幅Ｗ1となっている。例えば、配線２２ａ，２２ｂは、幅４０μｍ、厚さ５μｍで形成される。
【００２０】
次に、配線２２ａ，２２ｂのＩＣチップ１０との接続部２３ａ，２３ｂにＩＣチップ１０の端子部１１ａ，１１ｂが対向するようにＩＣチップ１０を基板２０上に搭載する（図２（ｂ））。ＩＣチップ１０の端子部１１ａ，１１ｂは、例えば、６０μｍの幅と、１７μｍの厚さを有している。
【００２１】
次に、１４０〜１５０℃に加熱しながらＩＣチップ１０を加圧していく（図２（ｃ））。すると、導電性インクが溶融して接続部２３ａ，２３ｂが加圧によって押し広げられ、その幅が、ＩＣチップ１０の端子部１１ａ，１１ｂと同一の６０μｍとなり、また、その厚さが１μｍとなる。これにより、ＩＣチップ１０を加圧する前においては、配線２２ａ，２２ｂの幅が、接続部２３ａ，２３ｂも含めてＩＣチップ１０の端子部１１ａ，１１ｂの幅よりも狭かったものの、加圧後においては、配線２２ａ，２２ｂのうち接続部２３ａ，２３ｂのみの幅がＩＣチップ１０の端子部１１ａ，１１ｂの幅と同一となる。そして、溶融した導電性インクがその後硬化することで、端子部１１ａ，１１ｂと接続部２３ａ，２３ｂとが接着され、ＩＣチップ１０が配線２２ａ，２２ｂを介してアンテナ回路２１と接続されることとなる。その際、接続部２３ａ，２３ｂの幅がＩＣチップ１０の端子部１１ａ，１１ｂの幅と同一となっていることで、配線２２ａ，２２ｂが、接続部２３ａ，２３ｂにおいて端子部１１ａ，１１ｂの全領域と密着することとなり、ＩＣチップ１０と配線２２ａ，２２ｂとの導電性を高めることができる。
【００２２】
その後、ＩＣチップ１０と、アンテナ回路２１のうちＩＣチップ１０の周囲の部分を覆うように封止剤３０を塗布し、ＩＣチップ１０を封止剤３０で封止する（図２（ｄ））。この際、配線２２ａ，２２ｂのうち接続部２３ａ，２３ｂの幅が、ＩＣチップ１０が加圧されることで押し広げられてＩＣチップ１０の端子部１１ａ，１１ｂの幅と同一となっているが、配線２２ａ，２２ｂの他の領域については、端子部１１ａ，１１ｂの幅よりも狭く形成されているため、この領域において、基板２０とＩＣチップ１０との間に封止剤３０が入り込みやすくなることで、空気溜まりが発生しにくくなり、ＩＣチップ１０と基板２０との密着性を高めることができる。
【００２３】
上述したように本形態においては、配線２２ａ，２２ｂを具備するアンテナ回路２１が、導電粒子が樹脂に分散含有されてなる導電性インクを用いて基板２０上に形成されていることで、基板２０上にＩＣチップ１０を搭載し、上述したように１４０〜１５０℃程度の比較的低温にてＩＣチップ１０と配線２２ａ,２２ｂとが接着剤を介さずに接着、接続されることとなるため、ＩＣチップ１０や基板２０に高温による負荷をかけることなく、ＩＣチップ１０の端子部１１ａ，１１ｂとアンテナ回路２１とを接着剤を介さずに接着、接続することができる。
【００２４】
なお、本形態においては、基板２０に形成された回路として、コイル状のアンテナ回路２１を例に挙げて説明したが、本発明における電子部品実装体にて基板２０に形成される回路としては、これに限らず、ダイポール状のアンテナ回路や、アンテナ回路以外であっても、配線に接続されたパターンからなる回路や、それにチップ部品が接続されたもの等であってもよい。また、基板２０に搭載される電子部品としても、ＩＣチップ１０に限らない。
【符号の説明】
【００２５】
１    電子部品実装体
１０    ＩＣチップ
１１ａ，１１ｂ    端子部
２０    基板
２１    アンテナ回路
２２ａ，２２ｂ    配線
２３ａ，２３ｂ    接続部
３０    封止剤
【図１】
0006533139.tif 000002
【図２】
0006533139.tif 000003
【図３】
0006533139.tif 000004