(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面及び裏面のうちの前記表面に、主パターン領域と周辺領域とが隣り合う状態で形成されるインプリント用マスターモールドであって、
前記主パターン領域を有する主部と、前記周辺領域を有する周辺部と、を備え、
前記主パターン領域には、凹凸形状が形成されており、
前記周辺領域には、第１領域と第２領域とが形成され、前記第１領域が前記主パターン領域に隣接しており、
前記周辺部のうちの前記周辺領域の前記第１領域が形成される部分の裏面から表面までの高さが、前記主部の裏面からその主パターン領域の凹凸形状の凸部の表面までの主パターン凸部高さよりも小さく、前記主部の裏面からその主パターン領域の凹凸形状の凹部の表面までの主パターン凹部高さよりも大きく、
前記主パターン領域の凹凸形状はラインアンドスペースパターンにて形成され、
前記周辺領域の前記第１領域と前記第２領域とは、それぞれライン状に延び、交互に複数並んで形成され、
前記周辺領域の前記第１領域及び前記第２領域のピッチは、前記主パターン領域の凹凸形状のピッチよりも大きくなっており、
前記周辺領域の前記第２領域には、ラインアンドスペースパターンにて形成されたサブ凹凸形状が形成され、当該サブ凹凸形状の凹部と凸部とは、前記第２領域に平行に延びている、
ことを特徴とするインプリント用マスターモールド。
【請求項２】
前記主パターン領域の凹凸形状の凹部と凸部とが並ぶ方向と、前記周辺領域の前記第１領域と前記第２領域とが並ぶ方向とが、互いに同一である、ことを特徴とする請求項１に記載のインプリント用マスターモールド。
【請求項３】
前記サブ凹凸形状のピッチは、前記主パターン領域の凹凸形状のピッチと同一であり、且つ前記サブ凹凸形状の凸部の表面の高さ位置と、前記主パターン領域の凹凸形状の凸部の表面の高さ位置とは、互いに同一であり、前記サブ凹凸形状の凹部の表面の高さ位置と、前記主パターン領域の凹凸形状の凹部の表面の高さ位置とは、互いに同一である、
ことを特徴とする請求項１又は２に記載のインプリント用マスターモールド。
【請求項４】
前記周辺部のうちの、前記主パターン凸部高さよりも小さく前記主パターン凹部高さよりも大きい高さを有する前記第１領域が形成される部分の裏面から表面までの高さをＨａとし、
前記主パターン凸部高さをＨｂとし、
前記主パターン凹部高さをＨｃとしたとき、
Ｈａは、０．５×（Ｈｂ＋Ｈｃ）±０．２５×（Ｈｂ−Ｈｃ）の範囲内に設定される、ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載のインプリント用マスターモールド。
【請求項５】
基材層と、金属層とを含み、前記金属層に前記主パターン領域と前記周辺領域とが形成されている、
ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載のインプリント用マスターモールド。
【請求項６】
インプリント用マスターモールドの製造方法であって、
主部形成用領域と周辺部形成用領域とが隣り合う状態で規定される材料層にマスク材料層を積層する第１積層工程と、
前記材料層の前記主部形成用領域上に位置するマスク材料層に、複数の第１溝部と複数の第１ランド部とを有する前段第１マスクを形成し、前記材料層の前記周辺部形成用領域上に位置するマスク材料層に、当該周辺部形成用領域の一部又は全部を覆う第２ランド部を有する前段第２マスクを形成する第１マスク形成工程と、
前記前段第１マスク及び前記前段第２マスクをマスクとして用いて、前記材料層をエッチングし、前記材料層の前記主部形成用領域に凹凸形状を形成し、前記周辺部形成用領域には、その一部又は全部に平坦な領域を形成する第１エッチング工程と、
前記材料層の前記主部形成用領域及び前記周辺部形成用領域上にマスク材料層を積層する第２積層工程と、
前記第２積層工程にて前記主部形成用領域上に積層されたマスク材料層に、前記主部形成用領域の全体を覆う後段第１マスクを形成し、前記周辺部形成用領域上に積層されたマスク材料層には、前記第１エッチング工程にて形成された前記平坦な領域上に形成される第３溝部を有する後段第２マスクを形成する第２マスク形成工程と、
前記後段第１マスク及び前記後段第２マスクをマスクとして用いて、前記材料層をエッチングし、前記材料層の裏面から前記周辺部形成用領域の前記平坦な領域の表面までの高さを、前記材料層の裏面から前記主部形成用領域の凹凸形状の凸部の表面までの高さよりも小さく、前記材料層の裏面から前記主部形成用領域の凹凸形状の凹部の表面までの高さよりも大きくする、第２エッチング工程と、を備え、
前記第１マスク形成工程において、前記前段第１マスクは、前記第１溝部と前記第１ランド部とが交互に複数並ぶラインアンドスペースパターンにて形成され、前記前段第２マスクは、複数の第２溝部と複数の第２ランド部とを有し、前記第２ランド部が前記前段第１マスクに隣接し、前記第２溝部と前記第２ランド部とが交互に複数並ぶラインアンドスペースパターンにて形成され、且つ、前記第２溝部及び前記第２ランド部のピッチは、前記第１溝部及び前記第１ランド部のピッチよりも大きく設定され、さらに、前記前段第２マスクの前記第２溝部には、当該第２溝部に平行に延びるサブランド部が、所定の間隔を空けて複数並んで形成され、
前記第１エッチング工程において、前記材料層の前記主部形成用領域に凹凸形状が形成され、前記周辺部形成用領域には、複数の前記第２ランド部に応じて形成される複数の前記平坦な領域と、複数の前記第２溝部に応じて形成される複数の溝領域とが形成され、
前記第２マスク形成工程において、前記後段第２マスクの前記第３溝部は、前記周辺部形成用領域における前記平坦な領域上の各々に形成され、複数の前記溝領域の各々は、前記後段第２マスクによって覆われる、
ことを特徴とするインプリント用マスターモールドの製造方法。
【請求項７】
前記第１マスク形成工程において、前記前段第１マスクは、前記第１溝部と前記第１ランド部とが並ぶ方向と、前記第２溝部と前記第２ランド部とが並ぶ方向とが、互いに同一であるように形成される、
ことを特徴とする、請求項６に記載のインプリント用マスターモールドの製造方法。
【請求項８】
前記所定の間隔と前記サブランド部の幅とを加算したピッチが、前記前段第１マスクの前記第１溝部及び前記第１ランド部のピッチと同一であり、且つ前記サブランド部の表面の高さ位置と、前記第１ランド部の表面の高さ位置とは、互いに同一であり、前記第２溝部の表面の高さ位置と、前記第１溝部の表面の高さ位置とは、互いに同一である、
ことを特徴とする請求項６又は７に記載のインプリント用マスターモールドの製造方法。
【請求項９】
前記材料層は、単一の基材からなるか、又は、基材に積層された金属層でなる、
ことを特徴とする請求項６乃至８のいずれかに記載のインプリント用マスターモールドの製造方法。
【請求項１０】
表面及び裏面のうちの前記表面に、主パターン領域と周辺領域とが隣り合う状態で形成されており、全体として可撓性を有するインプリント用フィルムモールドであって、
前記主パターン領域を有する主部と、前記周辺領域を有する周辺部と、を備え、
前記主パターン領域には、凹凸形状が形成されており、
前記周辺領域に、第１領域と第２領域とが形成され、前記第１領域が前記主パターン領域に隣接しており、
前記周辺部のうちの前記周辺領域の前記第１領域が形成される部分の裏面から表面までの高さが、前記主部の裏面からその主パターン領域の凹凸形状の凸部の表面までの主パターン凸部高さよりも小さく、前記主部の裏面からその主パターン領域の凹凸形状の凹部の表面までの主パターン凹部高さよりも大きく、
前記主パターン領域の凹凸形状は、ラインアンドスペースパターンにて形成され、
前記周辺領域の前記第１領域と前記第２領域とは、それぞれライン状に延び、交互に複数並んで形成され、
前記周辺領域の前記第１領域及び前記第２領域のピッチは、前記主パターン領域の凹凸形状のピッチよりも大きくなっており、
前記周辺領域の前記第２領域には、ラインアンドスペースパターンにて形成されたサブ凹凸形状が形成され、当該サブ凹凸形状の凹部と凸部とは、前記第２領域に平行に延びている、
ことを特徴とするインプリント用フィルムモールド。
【請求項１１】
前記主パターン領域の凹凸形状の凹部と凸部とが並ぶ方向と、前記周辺領域の前記第１領域と前記第２領域とが並ぶ方向とが、互いに同一である、ことを特徴とする請求項１０に記載のインプリント用フィルムモールド。
【請求項１２】
前記サブ凹凸形状のピッチは、前記主パターン領域の凹凸形状のピッチと同一であり、且つ前記サブ凹凸形状の凸部の表面の高さ位置と、前記主パターン領域の凹凸形状の凸部の表面の高さ位置とは、互いに同一であり、前記サブ凹凸形状の凹部の表面の高さ位置と、前記主パターン領域の凹凸形状の凹部の表面の高さ位置とは、互いに同一である、
ことを特徴とする請求項１０又は１１に記載のインプリント用フィルムモールド。
【請求項１３】
前記周辺部のうちの、前記主パターン凸部高さよりも小さく前記主パターン凹部高さよりも大きい高さを有する前記第１領域が形成される部分の裏面から表面までの高さをＨａ’とし、
前記主パターン凸部高さをＨｂ’とし、
前記主パターン凹部高さをＨｃ’としたとき、
Ｈａ’は、０．５×（Ｈｂ’＋Ｈｃ’）±０．２５×（Ｈｂ’−Ｈｃ’）の範囲内に設定される、
ことを特徴とする請求項１０乃至１２のいずれかに記載のインプリント用フィルムモールド。
【請求項１４】
インプリント用フィルムモールドの製造方法であって、
請求項１乃至５のいずれか一項に記載のインプリント用マスターモールドを準備する準備工程と、
前記インプリント用マスターモールドの前記主パターン領域及び前記周辺領域を、インプリントフィルム用モールドを形成するための被成形材料に接触させる接触工程と、
前記インプリント用マスターモールドに接触させた前記被成形材料を硬化させることにより前記主パターン領域および前記周辺領域に対応するパターンが転写された転写層とする硬化工程と、
前記転写層と前記インプリント用マスターモールドとを引き離す離型工程と、を備えることを特徴とするインプリント用フィルムモールドの製造方法。
【請求項１５】
ワイヤーグリッド偏光子の製造方法であって、
請求項１０乃至１３のいずれか一項に記載のインプリント用フィルムモールドを準備する準備工程と、
前記インプリント用フィルムモールドの前記主パターン領域及び前記周辺領域を、前記主パターン領域及び前記周辺領域が設けられた面とは反対側の面からローラーで加圧することにより、一の面にワイヤーグリッド材料層を備える透明基板の前記ワイヤーグリッド材料層上に位置するエッチングレジスト層に接触させる接触工程と、
前記インプリント用フィルムモールドに接触させた前記エッチングレジスト層を硬化させることにより前記主パターン領域及び前記周辺領域に対応するパターンが転写されたレジストパターン層とする硬化工程と、
前記レジストパターン層と前記インプリント用フィルムモールドとを引き離す離型工程と、
前記レジストパターン層をエッチングマスクとして前記ワイヤーグリッド材料層をエッチングするか、又は、前記レジストパターン層をエッチングマスクとして前記ワイヤーグリッド材料層と前記レジストパターン層との間に位置するマスク層をエッチングすることにより形成されるマスクをエッチングマスクとして前記ワイヤーグリッド材料層をエッチングすることにより、ワイヤーグリッドを形成するエッチング工程と、を備える
ことを特徴とするワイヤーグリッド偏光子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インプリント用マスターモールド及びその製造方法、インプリント用フィルムモールド及びその製造方法、並びにワイヤーグリッド偏光子の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、フォトリソグラフィ技術に代わるパターン形成技術として、インプリント方法を用いたパターン形成技術が注目されている。インプリント方法は、例えば微細な凹凸形状が形成されたパターン領域を有するインプリント用モールド（以下、モールドと呼ぶ。）を用い、前記凹凸形状を被成形材料に転写することで微細な凹凸形状を等倍転写するパターン形成技術である。
【０００３】
例えば、被成形材料として光硬化性の樹脂組成物を用いたインプリント方法は、以下のように行われる。まず、転写基板の表面に光硬化性樹脂組成物の液滴を供給する。次に、所望の凹凸形状が形成されたパターン領域を有するモールドと光硬化性樹脂組成物とを所定の距離まで近接させる又は接触させることにより前記凹凸形状内に光硬化性樹脂組成物を充填する。この状態でモールド側から光を照射して光硬化性樹脂組成物を硬化させることにより樹脂層を形成する。その後、モールドと樹脂層とを引き離すことにより、モールドのパターン領域における凹凸形状が反転した凹凸形状を有するパターン構造体を形成する。また、その後、このようなパターン構造体をエッチングレジストとして転写基板をエッチング加工する場合もある。
【０００４】
インプリント用のモールドとしては、石英等からなる可撓性を具備しないモールド（特許文献１参照）と、樹脂製フィルム等からなる可撓性を具備するモールドとが、従来から知られている（特許文献２参照）。
【０００５】
可撓性を具備しないモールドを使用するインプリントでは、モールドから引き離された樹脂層における残膜厚みを均一とするために、モールドと転写基板との平行が維持されることが要求される。しかし、このような可撓性を具備しないモールドは、面積が拡大すると、樹脂層との引き離しの際に大きな剥離応力が作用するため、パターンに欠陥を生じさせないような離型が難しくなる。このため、可撓性を具備しないインプリント用のモールドは、極端に大面積化することが困難であり、大型のパターン構造体の形成に関しては不向きといえる。
【０００６】
一方、可撓性を具備するモールド（以下、フィルムモールドと呼ぶ。）を使用する場合には、ローラーインプリントを行うことができる。このローラーインプリントは、可撓性を有する基材に微細な凹凸形状を含むパターン領域を形成することによりフィルムモールドを作製し、このフィルムモールドの裏面（凹凸形状が形成されていない面）からローラーでフィルムモールドを加圧することにより、例えばエッチングレジスト等の樹脂組成物に対してフィルムモールドを接触させ、接触後に樹脂組成物を硬化させ、その後、樹脂組成物が硬化した樹脂層とフィルムモールドとの離型を行う手法である。このようなローラーインプリントを採用する場合、離型の際にフィルムモールドと転写基板との平行を必ずしも維持しなくてもよいため、可撓性のないモールドを用いたインプリント方法に比べて大面積化が容易である。
【０００７】
このようなインプリント用モールドを使用したインプリント方法は、近年、種々の製品の製造に採用されることが期待されている。例えば、インプリント方法により製造可能な製品として、ワイヤーグリッド偏光子を挙げることができる。
【０００８】
ワイヤーグリッド偏光子は、複数の微細な金属細線を平行に備えており、光配向処理等に使用されている（特許文献３）。例えば、特許文献４においては、金属細線を一方向に揃えるようにして複数のワイヤーグリッド偏光子を保持枠体内に配置することにより偏光素子ユニットを構成し、この偏光素子ユニットに紫外線を照射し、出射された直線偏光を硬化性樹脂組成物に照射することにより異方性を持たせて光配向処理を施すことが開示されている。このようなワイヤーグリッド偏光子は、光配向処理の他にも、例えば、ディスプレイの輝度を向上する部材等、種々の用途に使用可能である。ワイヤーグリッド偏光子は、大面積であることが要求される場合があり、大面積のワイヤーグリッド偏光子を製造する場合には、フィルムモールドを用いるローラーインプリントが適している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２０１３−１６１８９３号公報
【特許文献２】特開２０１１−１８３７８２号公報
【特許文献３】特開２００９−２６５２９０号公報
【特許文献４】特開２０１２−２０３２９４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
ところで、上述のようなローラーインプリントで使用される従来のフィルムモールドは、可撓性を有する。これにより、従来のフィルムモールドは、柔軟性が確保され、ローラーによって加圧された際に容易に撓むことが可能となっている。
【００１１】
しかしながら、本件発明者は、従来のフィルムモールドは、その柔軟性によって、傾きやうねり等の変形が生じ易く、このような変形が生じた場合に、フィルムモールドに接触される樹脂組成物において膜厚が局所的に薄くなった欠陥領域が生じ易くなることを知見した。
【００１２】
詳しくは、フィルムモールドにおいて、パターン領域の凹凸形状の外周部分が平坦な面に形成されており、この平坦な面の高さと、パターン領域の高さとの差が大きい場合に、前記凹凸形状と前記平坦な面との境界又はその近傍が大きく変形し易い。このような大きい変形が生じた場合に、前記平坦な面においては、樹脂組成物と接触する部分と、樹脂組成物と接触しない部分とが生じ、樹脂組成物に接触しない部分とフィルムモールドとの間に空隙が生じ、この空隙の影響によって、樹脂組成物において欠陥領域が生じる場合があることを知見した。
【００１３】
このような欠陥領域は、以下の現象により生じているものと推認される。
【００１４】
まず、モールドと樹脂組成物とを接触させる際には、モールドにおける凹凸形状の凸部が樹脂組成物から抵抗を受ける。これにより、凹凸形状では、凹部に樹脂組成物を至らせるまでの時間がかかる一方で、凹凸形状の外周部分に位置する平坦な面では、何ら抵抗がないので樹脂組成物に接触するまでの時間がかからない。この時間差により、当該平坦な面が、凹凸形状との境界又はその近傍を起点に樹脂組成物側に傾く或いはうねる。そして、モールドの平坦な面における傾斜やうねりが生じた部分における樹脂組成物と接触しない部分と樹脂組成物との間に空隙が生じた場合に、この空隙に向けて樹脂組成物が流れ込む。これにより、樹脂組成物の膜厚が不均一になる。その結果、樹脂組成物において、膜厚が局所的に薄くなった欠陥領域が生じると推認される。
【００１５】
上記のような欠陥領域が生じた場合、樹脂組成物に欠陥が生じるだけでなく、その後に形成される形成物にも欠陥が生じ得る。例えば、上記樹脂組成物がマスクを形成するためのエッチングレジスト（以下、レジストと呼ぶ。）であり、このレジストに上記のような欠陥領域が生じた場合には、レジストをエッチングした後の形成物にも欠陥が生じ得る。具体的には例えば、ローラーインプリントによるワイヤーグリッド偏光子の製造の際に上記のような欠陥領域が生じた場合には、エッチング後に形成されるワイヤーグリッド偏光子にも欠陥が生じ得て、その品質が劣化する虞がある。
【００１６】
本発明は、上記実情を考慮してなされたものであって、その目的は、インプリントされる被成形材料に欠陥領域が生じることを防止することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
本発明は、表面及び裏面のうちの前記表面に、主パターン領域と周辺領域とが隣り合う状態で形成されるインプリント用マスターモールドであって、前記主パターン領域を有する主部と、前記周辺領域を有する周辺部と、を備え、前記主パターン領域には、凹凸形状が形成されており、前記周辺部の一部又は全部の裏面から表面までの高さは、前記主部の裏面からその主パターン領域の凹凸形状の凸部の表面までの主パターン凸部高さよりも小さく、前記主部の裏面からその主パターン領域の凹凸形状の凹部の表面までの主パターン凹部高さよりも大きい、ことを特徴とする。
【００１８】
前記インプリント用マスターモールドにおいて、前記周辺領域には、第１領域と第２領域とが形成されてもよい。前記第１領域が前記主パターン領域に隣接しており、前記周辺部のうちの前記周辺領域の前記第１領域が形成される部分の裏面から表面までの高さが、前記主パターン凸部高さよりも小さく、前記主パターン凹部高さよりも大きくてもよい。
【００１９】
また、前記インプリント用マスターモールドにおいて、前記主パターン領域の凹凸形状はラインアンドスペースパターンにて形成され、前記周辺領域の前記第１領域と前記第２領域とは、それぞれライン状に延び、交互に複数並んで形成されていてもよい。
【００２０】
また、前記インプリント用マスターモールドにおいて、前記主パターン領域の凹凸形状の凹部と凸部とが並ぶ方向と、前記周辺領域の前記第１領域と前記第２領域とが並ぶ方向とが、互いに同一であり、前記周辺領域の前記第１領域及び前記第２領域のピッチは、前記主パターン領域の凹凸形状のピッチよりも大きくなっていてもよい。
【００２１】
また、前記インプリント用マスターモールドにおいて、前記周辺領域の前記第２領域には、ラインアンドスペースパターンにて形成されたサブ凹凸形状が形成されてもよい。当該サブ凹凸形状の凹部と凸部とは、前記第２領域に平行に延びており、前記サブ凹凸形状のピッチは、前記主パターン領域の凹凸形状のピッチと同一であってもよい。前記サブ凹凸形状の凸部の表面の高さ位置と、前記主パターン領域の凹凸形状の凸部の表面の高さ位置とは、互いに同一であり、前記サブ凹凸形状の凹部の表面の高さ位置と、前記主パターン領域の凹凸形状の凹部の表面の高さ位置とは、互いに同一であってもよい。
【００２２】
また、前記インプリント用マスターモールドにおいて、前記周辺部のうちの、前記主パターン凸部高さよりも小さく前記主パターン凹部高さよりも大きい高さを有する部分の裏面から表面までの高さをＨａとし、前記主パターン凸部高さをＨｂとし、前記主パターン凹部高さをＨｃとしたとき、Ｈａは、０．５×（Ｈｂ＋Ｈｃ）±０．２５×（Ｈｂ−Ｈｃ）の範囲内に設定される、ことが好ましい。
【００２３】
また、前記インプリント用マスターモールドは、基材層と、金属層とを含み、前記金属層に前記主パターン領域と前記周辺領域とが形成されていてもよい。
【００２４】
また、本発明は、インプリント用マスターモールドの製造方法であって、主部形成用領域と周辺部形成用領域とが隣り合う状態で規定される材料層にマスク材料層を積層する第１積層工程と、前記材料層の前記主部形成用領域上に位置するマスク材料層に、複数の第１溝部と複数の第１ランド部とを有する前段第１マスクを形成し、前記材料層の前記周辺部形成用領域上に位置するマスク材料層に、当該周辺部形成用領域の一部又は全部を覆う第２ランド部を有する前段第２マスクを形成する第１マスク形成工程と、前記前段第１マスク及び前記前段第２マスクをマスクとして用いて、前記材料層をエッチングし、前記材料層の前記主部形成用領域に凹凸形状を形成し、前記周辺部形成用領域には、その一部又は全部に平坦な領域を形成する第１エッチング工程と、前記材料層の前記主部形成用領域及び前記周辺部形成用領域上にマスク材料層を積層する第２積層工程と、前記第２積層工程にて前記主部形成用領域上に積層されたマスク材料層に、前記主部形成用領域の全体を覆う後段第１マスクを形成し、前記周辺部形成用領域上に積層されたマスク材料層には、前記第１エッチング工程にて形成された前記平坦な領域上に形成される第３溝部を有する後段第２マスクを形成する第２マスク形成工程と、前記後段第１マスク及び前記後段第２マスクをマスクとして用いて、前記材料層をエッチングし、前記材料層の裏面から前記周辺部形成用領域の前記平坦な領域の表面までの高さを、前記材料層の裏面から前記主部形成用領域の凹凸形状の凸部の表面までの高さよりも小さく、前記材料層の裏面から前記主部形成用領域の凹凸形状の凹部の表面までの高さよりも大きくする、第２エッチング工程と、を備える、ことを特徴とする。
【００２５】
前記第１マスク形成工程において、前記前段第１マスクは、前記第１溝部と前記第１ランド部とが交互に複数並ぶラインアンドスペースパターンにて形成され、前記前段第２マスクは、複数の第２溝部と複数の第２ランド部とを有し、前記第２ランド部が前記前段第１マスクに隣接し、前記第２溝部と前記第２ランド部とが交互に複数並ぶラインアンドスペースパターンにて形成され、且つ前記第１溝部と前記第１ランド部とが並ぶ方向と、前記第２溝部と前記第２ランド部とが並ぶ方向とが、互いに同一であって、前記第２溝部及び前記第２ランド部のピッチは、前記第１溝部及び前記第１ランド部のピッチよりも大きく設定されてもよい。また、前記第１エッチング工程において、前記材料層の前記主部形成用領域に凹凸形状が形成され、前記周辺部形成用領域には、複数の前記第２ランド部に応じて形成される複数の前記平坦な領域と、複数の前記第２溝部に応じて形成される複数の溝領域とが形成されてもよい。また、前記第２マスク形成工程において、前記後段第２マスクの前記第３溝部は、前記周辺部形成用領域における前記平坦な領域上の各々に形成され、複数の前記溝領域の各々は、前記後段第２マスクによって覆われてもよい。
【００２６】
また、前記第１マスク形成工程において、前記前段第２マスクの前記第２溝部には、当該第２溝部に平行に延びるサブランド部が、所定の間隔を空けて複数並んで形成され、前記所定の間隔と前記サブランド部の幅とを加算したピッチが、前記前段第１マスクの前記第１溝部及び前記第１ランド部のピッチと同一であり、且つ前記サブランド部の表面の高さ位置と、前記第１ランド部の表面の高さ位置とは、互いに同一であり、前記第２溝部の表面の高さ位置と、前記第１溝部の表面の高さ位置とは、互いに同一であってもよい。
【００２７】
また、インプリント用マスターモールドの製造方法において、前記前記材料層は、単一の基材からなるようにしてもよいし、基材に積層された金属層でなるようにしてもよい。
【００２８】
また、本発明は、表面及び裏面のうちの前記表面に、主パターン領域と周辺領域とが隣り合う状態で形成されており、全体として可撓性を有するインプリント用フィルムモールドであって、前記主パターン領域を有する主部と、前記周辺領域を有する周辺部と、を備え、前記主パターン領域には、凹凸形状が形成されており、前記周辺部の一部又は全部の裏面から表面までの高さは、前記主部の裏面からその主パターン領域の凹凸形状の凸部の表面までの主パターン凸部高さよりも小さく、前記主部の裏面からその主パターン領域の凹凸形状の凹部の表面までの主パターン凹部高さよりも大きい、ことを特徴とする。
【００２９】
前記インプリント用フィルムモールドにおいては、前記周辺領域に、第１領域と第２領域とが形成されてもよい。前記第１領域が前記主パターン領域に隣接しており、前記周辺部のうちの前記周辺領域の前記第１領域が形成される部分の裏面から表面までの高さが、前記主パターン凸部高さよりも小さく、前記主パターン凹部高さよりも大きくてもよい。
【００３０】
また、前記インプリント用フィルムモールドにおいては、前記主パターン領域の凹凸形状は、ラインアンドスペースパターンにて形成され、前記周辺領域の前記第１領域と前記第２領域とは、それぞれライン状に延び、交互に複数並んで形成されていてもよい。
【００３１】
また、前記インプリント用フィルムモールドにおいては、前記主パターン領域の凹凸形状の凹部と凸部とが並ぶ方向と、前記周辺領域の前記第１領域と前記第２領域とが並ぶ方向とが、互いに同一であり、前記周辺領域の前記第１領域及び前記第２領域のピッチは、前記主パターン領域の凹凸形状のピッチよりも大きくなっていてもよい。
【００３２】
また、前記インプリント用フィルムモールドにおいては、前記周辺領域の前記第２領域には、ラインアンドスペースパターンにて形成されたサブ凹凸形状が形成されてもよい。当該サブ凹凸形状の凹部と凸部とは、前記第２領域に平行に延びており、前記サブ凹凸形状のピッチは、前記主パターン領域の凹凸形状のピッチと同一であってもよい。前記サブ凹凸形状の凸部の表面の高さ位置と、前記主パターン領域の凹凸形状の凸部の表面の高さ位置とは、互いに同一であり、前記サブ凹凸形状の凹部の表面の高さ位置と、前記主パターン領域の凹凸形状の凹部の表面の高さ位置とは、互いに同一であってもよい。
【００３３】
また、前記インプリント用フィルムモールドにおいては、前記周辺部のうちの、前記主パターン凸部高さよりも小さく前記主パターン凹部高さよりも大きい高さを有する部分の裏面から表面までの高さをＨａ’とし、前記主パターン凸部高さをＨｂ’とし、前記主パターン凹部高さをＨｃ’としたとき、Ｈａ’は、０．５×（Ｈｂ’＋Ｈｃ’）±０．２５×（Ｈｂ’−Ｈｃ’）の範囲内に設定される、ことが好ましい。
【００３４】
また、本発明は、インプリント用フィルムモールドの製造方法であって、前記のインプリント用マスターモールドを準備する準備工程と、前記インプリント用マスターモールドの前記主パターン領域及び前記周辺領域を、インプリントフィルム用モールドを形成するための被成形材料に接触させる接触工程と、前記インプリント用マスターモールドに接触させた前記被成形材料を硬化させることにより前記主パターン領域および前記周辺領域に対応するパターンが転写された転写層とする硬化工程と、前記転写層と前記インプリント用マスターモールドとを引き離す離型工程と、を備えることを特徴とする。
【００３５】
また、本発明は、ワイヤーグリッド偏光子の製造方法であって、前記のインプリント用フィルムモールドを準備する準備工程と、前記インプリント用フィルムモールドの前記主パターン領域及び前記周辺領域を、前記主パターン領域及び前記周辺領域が設けられた面とは反対側の面からローラーで加圧することにより、一の面にワイヤーグリッド材料層を備える透明基板の前記ワイヤーグリッド材料層上に位置するエッチングレジスト層に接触させる接触工程と、前記インプリント用フィルムモールドに接触させた前記エッチングレジスト層を硬化させることにより前記主パターン領域及び前記周辺領域に対応するパターンが転写されたレジストパターン層とする硬化工程と、前記レジストパターン層と前記インプリント用フィルムモールドとを引き離す離型工程と、前記レジストパターン層をエッチングマスクとして前記ワイヤーグリッド材料層をエッチングするか、又は、前記レジストパターン層をエッチングマスクとして前記ワイヤーグリッド材料層と前記レジストパターン層との間に位置するマスク層をエッチングすることにより形成されるマスクをエッチングマスクとして前記ワイヤーグリッド材料層をエッチングすることにより、ワイヤーグリッドを形成するエッチング工程と、を備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【００３６】
本発明によれば、インプリントされる被成形材料に欠陥領域が生じることを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】本発明の一実施の形態にかかるインプリント用マスターモールドの平面図である。
【図２】図１のＩＩ−ＩＩ線に沿う断面図である。
【図３Ａ】図１のインプリント用マスターモールドの製造方法を説明する工程図である。
【図３Ｂ】図１のインプリント用マスターモールドの製造方法を説明する工程図である。
【図４】本発明の一実施の形態にかかるインプリント用フィルムモールドの平面図である。
【図５】図４のＶ−Ｖ線に沿う断面図である。
【図６】図１のインプリント用マスターモールドを使用して製造される図４のインプリント用フィルムモールドの製造方法を説明する工程図である。
【図７】図４のインプリント用フィルムモールドを使用して製造されるワイヤーグリッド偏光子の製造方法の工程図である。
【図８Ａ】図４のインプリント用フィルムモールドを使用して製造されるワイヤーグリッド偏光子の製造方法の工程図である。
【図８Ｂ】図４のインプリント用フィルムモールドを使用して製造されるワイヤーグリッド偏光子の製造方法の工程図である。
【図９】従来のインプリント用フィルムモールドによって欠陥領域が生じる様子を説明する図である。
【図１０】本発明の一実施の形態の効果を説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【００３８】
以下、図面を参照しながら本発明の一実施の形態について説明する。図面は例示であり、説明のために特徴部を誇張することがあり、実物とは異なる場合がある。なお、以下の各図において、同一部分には同一の符号を付している。
【００３９】
また、本明細書において用いる、形状や幾何学的条件並びにそれらの程度を特定する、例えば、「平行」、「直交」、「同一」等の用語や長さや角度の値等については、厳密な意味に縛られることなく、同様の機能を期待し得る程度の範囲を含めて解釈することとする。
【００４０】
（インプリント用マスターモールド）
図１は、本発明の一実施の形態にかかるインプリント用マスターモールド１１（以下、マスターモールド１１と呼ぶ。）の平面図である。図２は、図１のＩＩ−ＩＩ線に沿う断面図である。マスターモールド１１は、シート状に形成され、表面及び裏面を有する。このうちの表面に、主パターン領域１２と周辺領域１３とが隣り合う状態で形成されている。マスターモールド１１は、所謂、母型であり、可撓性を有するインプリント用フィルムモールドを製造するために用いられる。主パターン領域１２と周辺領域１３は、インプリント用フィルムモールドを製造する際に、これを形成するための被成形材料に接触する領域である。
【００４１】
図１の例においては、ドットを付して示した矩形の領域が主パターン領域１２を示し、主パターン領域１２の周囲を囲んだ矩形枠状の領域が、周辺領域１３を示している。本実施の形態では、一例として、主パターン領域１２及び周辺領域１３の輪郭が共に矩形に形成されているが、これらは他の形状に形成されていてもよい。
【００４２】
図１及び図２おいて、符号２２は、マスターモールド１１のうちの主パターン領域１２を有する部分である主部を示している。符号２３は、マスターモールド１１のうちの周辺領域１３を有する部分である周辺部を示している。図示の例では、主部２２及び周辺部２３は、同一の材料から一体に形成されている。
【００４３】
本実施の形態では、マスターモールド１１が、二層構造であって、基材層１１Ａと金属層１１Ｂとから構成される。したがって、主部２２及び周辺部２３の各々が、基材層１１Ａの一部と金属層１１Ｂの一部とから構成される。このうち、主部２２を構成する金属層１１Ｂの表面に、主パターン領域１２が形成され、周辺部２３を構成する金属層１１Ｂの表面に、周辺領域１３が形成されている。基材層１１Ａとしては、石英等が用いられ得る。金属層１１Ｂとしては、アルミニウム、金、銀、銅、白金、珪素化モリブデン、酸化チタン等の金属が用いられ得る。なお、図示例のマスターモールド１１は、二層構造であるが、マスターモールド１１は、３層以上の多層構造であってもよいし、単層構造であってもよい。単層構造である場合、例えば、石英等の基板上に、主パターン領域１２と周辺領域１３とが形成されてもよい。
【００４４】
図２に示すように、主パターン領域１２には、凹凸形状３２が形成されており、本実施の形態において、この凹凸形状３２は、ラインアンドスペースパターンにて形成されている。一方、周辺領域１３には、複数の第１領域３３Ａと、この第１領域３３Ａとは形状の異なる複数の第２領域３３Ｂとが形成されており、本実施の形態においては、第１領域３３Ａと第２領域３３Ｂとが、それぞれライン状に延び、交互に複数並んで形成されている。
【００４５】
詳しくは、主パターン領域１２には、幅Ｗ１を有し矢印Ａ（図１参照）で示される方向にライン状に延びる凹部３２Ａと、幅Ｗ２を有し矢印Ａで示される方向にライン状に延びる凸部３２Ｂとで構成される凹凸のペアを矢印Ｂで示される方向に配列して構成された凹凸形状３２が形成されている。一方、周辺領域１３には、幅Ｗ３を有し矢印Ａで示される方向にライン状に延びる第１領域３３Ａと、幅Ｗ４を有し矢印Ａで示される方向にライン状に延びる第２領域３３Ｂとで構成されるペアを矢印Ｂで示される方向に配列して構成されたパターンが形成されている。図２から明らかなように、本実施の形態では、主パターン領域１２の凹凸形状３２の凹部３２Ａと凸部３２Ｂとが並ぶ方向と、周辺領域１３の第１領域３３Ａと第２領域３３Ｂとが並ぶ方向とが、同一となっている。また、第１領域３３Ａは、矢印Ｂ方向で主パターン領域１２の両側に隣接するようになっている（図中では、一方側のみが示されている）。
【００４６】
図示の例では、主パターン領域１２の全域に、凹凸形状３２が形成され、主パターン領域１２には、凹部３２Ａと凸部３２Ｂとで構成される凹凸のペアが複数含まれている。各凹部３２Ａ及び各凸部３２Ｂは、主パターン領域１２の矢印Ａ方向における両端に跨がって延びている。一方、周辺領域１３の全域においても、第１領域３３Ａと第２領域３３Ｂとで構成されるパターンが形成されている。
【００４７】
本実施の形態においては、周辺領域１３の第１領域３３Ａ及び第２領域３３ＢのピッチＰ２が、主パターン領域１２の凹凸形状３２のピッチＰ１よりも大きくなっている。なお、主パターン領域１２の凹凸形状３２のピッチＰ１は、「Ｗ１＋Ｗ２」で表され、周辺領域１３の第１領域３３Ａ及び第２領域３３ＢのピッチＰ２は、「Ｗ３＋Ｗ４」で表される。
【００４８】
ピッチＰ２は、主パターン領域１２の凹凸形状３２のピッチＰ１の１０倍〜１００倍であることが好ましく、より好ましくは、１０倍〜２０倍である。ピッチＰ２は、ピッチＰ１の１０倍未満（ピッチＰ１よりも小さい場合、ピッチＰ１と等倍の場合も含む）でもよいが、この場合、第１領域３３Ａ及び第２領域３３Ｂと凹凸形状３２との境界が視覚的に認識し難くなる。ピッチＰ２を、ピッチＰ１の１０倍以上とすれば、周辺領域１３と主パターン領域１２との境界が視覚的に認識し易くなるため、取り扱い性が向上する。そのため、ピッチＰ２は、ピッチＰ１の１０倍以上が好ましい。
【００４９】
一方、ピッチＰ２は、ピッチＰ１の１００倍よりも大きくてもよいが、この場合、マスターモールド１１によって製造されるインプリント用フィルムモールドにおいて、第１領域３３Ａの幅及び第２領域３３Ｂの幅が大きくなり過ぎて、変形が生じ易くなる虞がある。そのため、ピッチＰ２は、ピッチＰ１の１００倍以下が好ましい。また、変形を極力抑制することを重視するのであれば、ピッチＰ２は、ピッチＰ１の２０倍以下であることがより好ましい。
【００５０】
周辺領域１３について詳述すると、本実施の形態では、第２領域３３Ｂに、ラインアンドスペースパターンにて形成されたサブ凹凸形状３３１が形成され、当該サブ凹凸形状３３１の凹部３３１Ａと凸部３３１Ｂとは、第２領域３３Ｂに平行に延びている。サブ凹凸形状３３１のピッチは、主パターン領域１２の凹凸形状３２のピッチと同一である。すなわち、サブ凹凸形状３３１は、幅Ｗ１を有し矢印Ａで示される方向にライン状に延びる凹部３３１Ａと、幅Ｗ２を有し矢印Ａで示される方向にライン状に延びる凸部３３１Ｂとで構成される凹凸のペアを矢印Ｂ方向に配列して構成されている。また、図２に示すように、サブ凹凸形状３３１の凸部３３１Ｂの表面の高さ位置と、主パターン領域１３の凹凸形状３２の凸部３２Ｂの表面の高さ位置とは、互いに同一である。また、サブ凹凸形状３３１の凹部３３１Ａの表面の高さ位置と、主パターン領域１３の凹凸形状３２の凹部３２Ａの表面の高さ位置とは、互いに同一である。なお、第２領域３３Ｂは、単なる溝等であっても構わない。
【００５１】
以下では、マスターモールド１１における主部２２と周辺部２３との高さの関係について説明する。図２には、周辺部２３のうちの周辺領域１３の第１領域３３Ａが形成される部分の裏面から表面までの高さＨａが示されている。本実施の形態においては、この高さＨａが、主部２２の裏面からその主パターン領域１２の凹凸形状３２の凸部３２Ｂの表面までの主パターン凸部高さＨｂよりも小さく、主部２２の裏面からその主パターン領域１２の凹凸形状３２の凹部３２Ａの表面までの主パターン凹部高さＨｃよりも大きくなっている。
【００５２】
この高さＨａは、０．５×（Ｈｂ＋Ｈｃ）±０．２５×（Ｈｂ−Ｈｃ）の範囲内に設定されることが好ましい。とりわけ、高さＨａは、０．５×（Ｈｂ＋Ｈｃ）であることが好ましい。本件発明者は、高さＨａが、０．５×（Ｈｂ＋Ｈｃ）±０．２５×（Ｈｂ−Ｈｃ）である場合に、マスターモールド１１によって製造されるインプリント用フィルムモールドを被成形材料に接触させた際に当該被成形材料に欠陥領域が生じ難くなることを知見し、上述の範囲を好ましい範囲として規定している。なお、図示の例では、第１領域３３Ａの端部に凸部が形成されているが、この凸部は、製造工程に起因して残存している。図示の例では、この凸部が形成される部分が主パターン凸部高さＨｂと同等の高さとなっているが、上述の高さＨａは、このような凸部を除外した部分の高さのことを意味する。なお、このような凸部は削除してもよい。
【００５３】
以上に説明したマスターモールド１１においては、主パターン領域１２及び周辺領域１３が共に、インプリント用フィルムモールドの製造の際に、当該インプリント用フィルムモールドを形成するための被成形材料に接触されるようになっており、被成形材料にパターンを転写するようになっている。このうち、主パターン領域１２の凹凸形状３２が、「主パターン」として機能し、周辺領域１３が、「ダミーパターン」として機能するようになっている。本実施の形態でいうマスターモールド１１の「主パターン」とは、インプリント用フィルムモールドにおける「主パターン」を作製する目的で、被成形材料にパターンを転写する部分のことを意味する。一方で、マスターモールド１１の「ダミーパターン」とは、インプリント用フィルムモールドにおける「ダミーパターン」を作製する目的で、被成形材料にパターンを転写する部分を意味する。
【００５４】
（インプリント用マスターモールドの製造方法）
次に、上述のマスターモールド１１の製造方法について図３Ａ及び図３Ｂを用いて説明する。図３Ａ及び図３Ｂは、図１のマスターモールド１１の製造方法を説明する工程図である。図３Ａ及び図３Ｂには、マスターモールド１１を形成するための加工前の基材層１１Ａや金属層１１Ｂ等が概略的な断面で部分的に示されている。
【００５５】
＜準備工程・第１積層工程＞
上述のマスターモールド１１を製造する際には、まず、図３Ａ（Ａ）に示すように、加工前の基材層１１Ａ上に材料層に対応する加工前の金属層１１Ｂが積層された積層体が準備される。積層体においては、金属層１１Ｂに、上述した主部２２（主パターン領域１２）を形成するための主部形成用領域１２’と、周辺部２３（周辺領域１３）を形成するための周辺部形成用領域１３’とが隣り合う状態で規定されている。このような積層体を準備した後、第１積層工程が行われる。当該工程においては、図示のように、積層体の金属層１１Ｂの主部形成用領域１２’及び周辺部形成用領域１３’上に、例えばクロムでなるハードマスク層４１とエッチングレジスト層４２とからなるマスク材料層４０が積層される。
【００５６】
＜第１マスク形成工程＞
次に、図３Ａ（Ｂ）〜（Ｄ）に示す第１マスク形成工程が行われる。当該工程では、最終的に、図３Ａ（Ｄ）に示すように、金属層１１Ｂの主部形成用領域１２’上に位置するマスク材料層４０に、複数の第１溝部５１と複数の第１ランド部５２とを有する前段第１マスク５０が形成される。また、金属層１１Ｂの周辺部形成用領域１３’上に位置するマスク材料層４０に、当該周辺部形成用領域１３’の一部を覆う第２ランド部６２を有する前段第２マスク６０が形成される。
【００５７】
詳しくは、前段第１マスク５０は、第１溝部５１と第１ランド部５２とが交互に複数並ぶラインアンドスペースパターンにて形成されている。一方、前段第２マスク６０は、複数の第２溝部６１と複数の第２ランド部６２とを有し、第２ランド部６２が前段第１マスク５０に隣接し、第２溝部６１と第２ランド部６２とが交互に複数並ぶラインアンドスペースパターンにて形成されている。
【００５８】
より詳しくは、第１溝部５１と第１ランド部５２とが並ぶ方向と、第２溝部６１と第２ランド部６２とが並ぶ方向とは、互いに同一であって、第２溝部６１及び第２ランド部６２のピッチは、第１溝５１部及び第１ランド部５２のピッチよりも大きく設定されている。なお、第１溝部５１及び第１ランド部５２のピッチは、図２に示した凹凸形状３２のピッチＰ１と同一であり、第２溝部６１及び第２ランド部６２のピッチは、第１領域３３Ａ及び第２領域３３ＢのピッチＰ２と同一である。
【００５９】
また、本実施の形態では、第２溝部６１に、当該第２溝部６１に平行に延びるサブランド部６４が、所定の間隔を空けて複数並んで形成されている。所定の間隔とサブランド部６４の幅とを加算したピッチは、第１溝部５１と第１ランド部５２とのピッチと同一である。したがって、前記所定の間隔とサブランド部６４の幅とを加算したピッチは、凹凸形状３２のピッチＰ１と同一である。また、サブランド部６４の表面の高さ位置と、第１ランド部５２の表面の高さ位置とは、互いに同一である。また、第２溝部６１の表面の高さ位置と、第１溝部５１の表面の高さ位置とは、互いに同一である。
【００６０】
このような前段第１マスク５０及び前段第２マスク６０は、本実施の形態においては、詳しくは、以下のように形成されている。すなわち、まず、図３Ａ（Ｂ）に示すように、マスク材料層４０のエッチングレジスト層４２に、第１溝部５１と第１ランド部５２と同一ピッチの溝部とランド部とがラインアンドスペースパターンにて形成される。このパターンは、例えば、電子線描画等で形成される。また、このパターンは、主部形成用領域１２’上の全体に形成され、周辺部形成用領域１３’上では部分的に形成される。続いて、図３Ａ（Ｃ）に示すように、パターンが形成されたエッチングレジスト層４２をマスクとして、ハードマスク層４１がエッチングされる。続いて、エッチングレジスト層４２が剥離される。これにより、前段第１マスク５０及び前段第２マスク６０が形成される。なお、本実施の形態では、マスク材料層４０が二層で構成されるため、上述のように複数の工程が必要となるが、単層のマスク材料層である場合には、エッチング工程を省略することが可能である。
【００６１】
＜第１エッチング工程＞
次に、図３Ａ（Ｅ）に示すように、上述の前段第１マスク５０及び前段第２マスク６０をマスクとして用いて、金属層１１Ｂがエッチングされる。そして、図３Ａ（Ｆ）に示すように、前段第１マスク５０及び前段第２マスク６０が剥離される。これにより、金属層１１Ｂの主部形成用領域１２’が、マスターモールド１１の凹凸形状３２を有する主パターン領域１２として形成される。また、周辺部形成用領域１３’には、複数の第２ランド部６２に応じて形成される複数の平坦な領域３３Ａ’と、複数の第２溝部６１に応じて形成される複数の溝領域３３Ｂ’と、が形成される。ここで、平坦な領域３３Ａ’は、マスターモールド１１の周辺領域１３における第１領域３３Ａに対応する領域であり、溝領域３３Ｂ’は、マスターモールド１１の周辺領域１３における第２領域３３Ｂに対応する領域である。本実施の形態では、前段第２マスク６０の第２溝部６１に、サブランド部６４が形成されていることで、上述の溝領域３３Ｂ’内に、所定の間隔を空けて凸部が並んで形成される。これにより、結果的に、マスターモールド１１の第２領域３３Ｂに、サブ凹凸形状３３１が形成される。
【００６２】
＜第２積層工程＞
次に、図３Ｂ（Ｇ）に示すように、金属層１１Ｂの主部形成用領域１２’及び周辺部形成用領域１３’上に、再び、ハードマスク層４１とエッチングレジスト層４２とからなるマスク材料層４０が積層される。なお、この例では、図３Ｂ（Ｇ）に示すマスク材料層４０を２層としているが、マスク材料層４０は１層でもよい。マスク材料層４０が１層の場合は、金属層１１Ｂ上に電子線レジストを直接形成すればよい。
【００６３】
＜第２マスク形成工程＞
次に、図３Ｂ（Ｈ）〜（Ｊ）に示す第２マスク形成工程が行われる。当該工程では、最終的に、図３Ｂ（Ｊ）に示すように、主部形成用領域１２’上に積層されたマスク材料層４０に、主部形成用領域１２’の全体を覆う後段第１マスク５５が形成される。また、周辺部形成用領域１３’上に積層されたマスク材料層４０には、上述の第１エッチング工程にて形成された平坦な領域３３Ａ’上の各々に形成される第３溝部６６を有する後段第２マスク６５が形成される。詳しくは、この後段第２マスク６５は、複数の溝領域３３Ｂ’の各々及びその内部のサブ凹凸形状３３１を覆う。
【００６４】
このような後段第１マスク５５及び後段第２マスク６５の形成方法は、上述した前段第１マスク５０及び前段第２マスク６０と同様のため説明を簡略化するが、エッチングレジスト層４２からなるマスクの形成、ハードマスク層４１のエッチング、エッチングレジスト層４２の剥離の順で行われる。
【００６５】
＜第２エッチング工程＞
次に、図３Ｂ（Ｋ）に示すように、上述の後段第１マスク５５及び後段第２マスク６５をマスクとして用いて、金属層１１Ｂがエッチングされる。これにより、金属層１１Ｂの裏面から周辺部形成用領域１３’の平坦な領域３３Ａ’の表面までの高さが、金属層１１Ｂの裏面から主部形成用領域１２’（主パターン領域１２）の凹凸形状３２の凸部３２Ｂの表面までの高さよりも小さくされ、金属層１１Ｂの裏面から主部形成用領域１２’（主パターン領域１２）の凹凸形状３２の凹部３２Ａの表面までの高さよりも大きくされる。これにより、周辺部形成用領域１３’の平坦な領域３３Ａ’が、マスターモールド１１の第１領域３３Ａとして形成される。
【００６６】
＜仕上げ工程＞
そして、図３Ｂ（Ｌ）に示すように、第２エッチング工程後には、上述の後段第１マスク５５及び後段第２マスク６５が剥離される。これにより、マスターモールド１１が製造される。なお、この例では、周辺部形成用領域１３’の平坦な領域３３Ａ’がエッチングされる際に、その端部に、後段第１マスク５５及び後段第２マスク６５の端縁が載ることにより、平坦な領域３３Ａ’の端縁には、凸部が残り、結果的に第１領域３３Ａの端部に凸部（図２も参照）が形成されるが、このような凸部は削除されてもよい。また、このような凸部は、微小な大きさのため、削除しない場合でも、インプリント時に与える影響は小さい。
【００６７】
以上に説明したマスターモールド１１は、インプリントされる樹脂組成物等の被成形材料に欠陥領域が生じることを防止することができるインプリント用フィルムモールドを製造することができる。以下、マスターモールド１１によって製造されるインプリントフィルム用モールド及びその製造方法について詳述する。
【００６８】
（インプリント用フィルムモールド）
まず、インプリントフィルム用モールドの構成について説明する。図４は、本発明の一実施の形態にかかるインプリント用フィルムモールド７１（以下、フィルムモールド７１と呼ぶ。）の平面図である。図５は、図４のＶ−Ｖ線に沿う断面図である。フィルムモールド７１は、シート状に形成され、表面及び裏面を有する。このうちの表面に、主パターン領域７２と周辺領域７３とが隣り合う状態で形成されている。フィルムモールド７１は全体として可撓性を有し、ローラー転写方式のインプリント、すなわちローラーインプリントに使用される。主パターン領域７２と周辺領域７３は、ローラーインプリントの際に、被成形材料に接触する領域である。
【００６９】
フィルムモールド７１は、マスターモールド１１を使用して製造されることにより、マスターモールド１１に形成されたパターン（主パターン領域１２及び周辺領域１３のパターン）が転写された形状を有している。すなわち、図４の例においては、ドットを付して示した矩形の領域は、マスターモールド１１の主パターン領域１２が転写されたフィルムモールド７１の主パターン領域７２を示している。また、主パターン領域７２の周囲を囲んだ矩形枠状の領域が、マスターモールド１１の周辺領域１３が転写されたフィルムモールド７１の周辺領域７３を示している。本実施の形態では、一例として、主パターン領域７２及び周辺領域７３の輪郭が共に矩形に形成されているが、これらは他の形状に形成されていてもよい。
【００７０】
また、図４及び図５おいて、符号８２は、フィルムモールド７１のうちの主パターン領域７２を有する部分である主部を示している。符号８３は、フィルムモールド７１のうちの周辺領域７３を有する部分である周辺部を示している。図示の例では、主部８２及び周辺部８３は、同一の材料から一体に形成されている。
【００７１】
フィルムモールド７１は、単層構造で形成されていてもよいし、多層構造で形成されていてもよい。例えば、フィルムモールド７１は、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）等の樹脂組成物から形成されたシート状の基材と、基材の一方の面上に積層され主パターン領域７２と周辺領域７３とを形成する樹脂層と、で構成されていてもよい。
【００７２】
図５に示すように、主パターン領域７２には、凹凸形状９２が形成されており、本実施の形態において、この凹凸形状９２は、ラインアンドスペースパターンにて形成されている。この凹凸形状９２は、マスターモールド１１の凹凸形状３２が転写されることにより形成されている。一方、周辺領域７３には、複数の第１領域９３Ａと、この第１領域９３Ａとは形状の異なる複数の第２領域９３Ｂとが形成されており、本実施の形態においては、第１領域９３Ａと第２領域９３Ｂとが、それぞれライン状に延び、交互に複数並んで形成されている。これら第１領域９３Ａ及び第２領域９３Ｂは、マスターモールド１１の周辺領域１３における第１領域３３Ａ及び第２領域３３Ｂが転写されることにより形成されている。
【００７３】
したがって、フィルムモールド７１において、主パターン領域７２には、幅Ｗ２を有し矢印Ａ（図４参照）で示される方向にライン状に延びる凹部９２Ａと、幅Ｗ１を有し矢印Ａで示される方向にライン状に延びる凸部９２Ｂとで構成される凹凸のペアを矢印Ｂで示される方向に配列して構成された凹凸形状９２が形成されている。なお、ここで説明した幅Ｗ１及び幅Ｗ２は、図２に示した幅Ｗ１及び幅Ｗ２と同一の値である。一方、周辺領域７３には、幅Ｗ３を有し矢印Ａで示される方向にライン状に延びる第１領域９３Ａと、幅Ｗ４を有し矢印Ａで示される方向にライン状に延びる第２領域９３Ｂとで構成されるペアを矢印Ｂで示される方向に配列して構成されたパターンが形成されている。なお、ここで説明した幅Ｗ３及び幅Ｗ４は、図２に示した幅Ｗ３及び幅Ｗ４と同一の値である。
【００７４】
また、主パターン領域７２の凹凸形状９２の凹部９２Ａと凸部９２Ｂとが並ぶ方向と、周辺領域７３の第１領域９３Ａと第２領域９３Ｂとが並ぶ方向とは、同一となっている。また、第１領域９３Ａは、矢印Ｂ方向で主パターン領域７２の両側に隣接するようになっている（図中では、一方側のみが示されている）。また、主パターン領域７２の全域に、凹凸形状９２が形成され、主パターン領域７２には、凹部９２Ａと凸部９２Ｂとで構成される凹凸のペアが複数含まれている。各凹部９２Ａ及び各凸部９２Ｂは、主パターン領域７２の矢印Ａ方向における両端に跨がって延びている。一方、周辺領域７３の全域においても、第１領域９３Ａと第２領域９３Ｂとで構成されるパターンが形成されている。さらに、周辺領域７３の第１領域９３Ａ及び第２領域９３ＢのピッチＰ２は、主パターン領域７２の凹凸形状９２のピッチＰ１よりも大きくなっている。
【００７５】
マスターモールド１１の場合と同様に、ピッチＰ２は、主パターン領域７２の凹凸形状９２のピッチＰ１の１０倍〜１００倍であることが好ましく、より好ましくは、１０倍〜２０倍である。ピッチＰ２は、ピッチＰ１の１０倍未満（ピッチＰ１よりも小さい場合、ピッチＰ１と等倍の場合も含む）でもよいが、この場合、第１領域９３Ａ及び第２領域９３Ｂと凹凸形状９２との境界が視覚的に認識し難くなる。ピッチＰ２を、ピッチＰ１の１０倍以上とすれば、周辺領域７３と主パターン領域７２との境界が視覚的に認識し易くなるため、取り扱い性が向上する。そのため、ピッチＰ２は、ピッチＰ１の１０倍以上が好ましい。
【００７６】
一方、ピッチＰ２は、ピッチＰ１の１００倍よりも大きくてもよいが、この場合、フィルムモールド７１において、第１領域９３Ａの幅及び第２領域９３Ｂの幅が大きくなり過ぎて、変形が生じ易くなる虞がある。そのため、ピッチＰ２は、ピッチＰ１の１００倍以下が好ましい。また、変形を極力抑制することを重視するのであれば、ピッチＰ２は、ピッチＰ１の２０倍以下であることがより好ましい。
【００７７】
周辺領域７３について詳述すると、本実施の形態では、第２領域９３Ｂに、ラインアンドスペースパターンにて形成されたサブ凹凸形状９３１が形成されている。このサブ凹凸形状９３１は、マスターモールド１１のサブ凹凸形状３３１が転写されることにより形成されている。当該サブ凹凸形状９３１の凹部９３１Ａと凸部９３１Ｂとは、第２領域９３Ｂに平行に延びている。サブ凹凸形状９３１のピッチは、主パターン領域７２の凹凸形状９２のピッチと同一である。すなわち、サブ凹凸形状９３１は、幅Ｗ２を有し矢印Ａで示される方向にライン状に延びる凹部９３１Ａと、幅Ｗ１を有し矢印Ａで示される方向にライン状に延びる凸部９３１Ｂとで構成される凹凸のペアを矢印Ｂ方向に配列して構成されている。また、サブ凹凸形状９３１の凸部９３１Ｂの表面の高さ位置と、主パターン領域７３の凹凸形状９２の凸部９２Ｂの表面の高さ位置とは、互いに同一である。また、サブ凹凸形状９３１の凹部９３１Ａの表面の高さ位置と、主パターン領域７３の凹凸形状９２の凹部９２Ａの表面の高さ位置とは、互いに同一である。
【００７８】
また、図５には、周辺部８３のうちの周辺領域７３の第１領域９３Ａが形成される部分の裏面から表面までの高さＨａ’が示されている。本実施の形態においては、この高さＨａ’が、主部８２の裏面からその主パターン領域７２の凹凸形状９２の凸部９２Ｂの表面までの主パターン凸部高さＨｂ’よりも小さく、主部８２の裏面からその主パターン領域７２の凹凸形状９２の凹部９２Ａの表面までの主パターン凹部高さＨｃ’よりも大きくなっている。
【００７９】
マスターモールド１１の場合と同様に、この高さＨａ’は、０．５×（Ｈｂ’＋Ｈｃ’）±０．２５×（Ｈｂ’−Ｈｃ’）の範囲内に設定されることが好ましい。とりわけ、高さＨａ’は、０．５×（Ｈｂ’＋Ｈｃ’）であることが好ましい。本件発明者は、高さＨａ’が、０．５×（Ｈｂ＋Ｈｃ）±０．２５×（Ｈｂ−Ｈｃ）である場合に、当該フィルムモールド７１を被成形材料に接触させた際に当該被成形材料に欠陥領域が生じ難くなることを知見し、上述の範囲を好ましい範囲として規定している。
【００８０】
以上に説明したフィルムモールド７１においては、主パターン領域７２及び周辺領域７３が共に、インプリントの際に、被成形材料に接触されるようになっており、被成形材料にパターンを転写するようになっている。このうち、主パターン領域７２の凹凸形状９２が、「主パターン」として機能し、周辺領域７３が、「ダミーパターン」として機能するようになっている。本実施の形態でいうフィルムモールド７１の「主パターン」とは、被成形材料に特定の機能を有するパターンを作製する目的又は被成形材料を積層した転写基板に特定の機能を有するパターンを作製するための下地部分（レジストパターン層等）を当該被成形材料に作製する目的で、被成形材料にパターンを転写する部分のことを意味する。一方で、フィルムモールド７１の「ダミーパターン」とは、上述のような目的を有することなく、被成形材料にパターンを転写する部分を意味する。
【００８１】
なお、ローラーインプリントを行う際に、フィルムモールド７１を接触させる被成形材料として光硬化性樹脂組成物が用いられる場合には、フィルムモールド７１として、光、例えば紫外線等を透過可能な光透過性を有する材料が選択されることが好ましい。なお、上述の光透過性とは、波長２００〜４００ｎｍにおける光透過率が５０％以上、好ましくは７０％以上であることを意味する。光透過率の測定は、日本分光（株）製Ｖ−６５０を用いて行うことができる。なお、ローラーインプリントにおいて被成形材料として熱硬化性樹脂組成物を用いる場合もある。この場合には、光透過性は特に要求されない。
【００８２】
（インプリントフィルム用モールドの製造方法）
次に、上述のフィルムモールド７１の製造方法について図６を用いて説明する。図６は、図４のフィルムモールド７１の製造方法を説明する工程図である。図６には、マスターモールド１１及びフィルムモールド７１を形成するための被成形材料１００等が概略的な断面で部分的に示されている。
【００８３】
＜準備工程＞
上述のフィルムモールド７１を製造する際には、まず、図６（Ａ）に示すように、図１及び図２で示したマスターモールド１１と、被成形材料１００と、が準備される。被成形材料１００は、図示省略する基板に積層され、マスターモールド１１の主パターン領域１２及び周辺領域１３と対向する状態に配置される。被成形材料１００としては、例えば、光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂等が用いられ得る。また、被成形材料１００としては、後述の硬化工程後に、可撓性が生じる材料が用いられる。
【００８４】
＜接触工程＞
次に、接触工程では、図６（Ｂ）に示すように、マスターモールド１１の主パターン領域１２及び周辺領域１３が、被成形材料１００に接触される。
【００８５】
＜硬化工程＞
次に、硬化工程が行われ、当該工程では、被成形材料１００を硬化させることにより、被成形材料１００が、主パターン領域１２及び周辺領域１３に対応するパターン、すなわち、主パターン領域７２及び周辺領域７３が転写された転写層となる。被成形材料１００が、光硬化性樹脂である場合には、紫外線等が照射されることで被成形材料１００が硬化され、熱硬化性樹脂である場合には、熱が付与されて被成形材料１００が硬化される。
【００８６】
＜離型工程＞
次に、離型工程が行われ、当該工程においては、図６（Ｃ）に示すように、上述の転写層とマスターモールド１１とが引き離される。これにより、フィルムモールド７１が製造される。
【００８７】
以上に説明したフィルムモールド７１は、表面及び裏面のうちの表面に、主パターン領域７２と周辺領域７３とが隣り合う状態で形成されており、全体として可撓性を有する。このフィルムモールド７１は、主パターン領域７２を有する主部８２と、周辺領域７３を有する周辺部８３と、を備え、主パターン領域７２には、凹凸形状９２が形成されている。そして、周辺部８３の一部（第１領域９３Ａ）の裏面から表面までの高さＨａ’は、主部８２の裏面からその主パターン領域７２の凹凸形状の凸部９２Ｂの表面までの主パターン凸部高さＨｂ’よりも小さく、主部８２の裏面からその主パターン領域７２の凹凸形状９２の凹部９２Ａの表面までの主パターン凹部高さＨｃ’よりも大きい。
【００８８】
このような構成によれば、図１０に示すように、主パターン領域７２と周辺領域７３とが樹脂組成物等の被成形材料に接触された際に、周辺領域７３の第１領域９３Ａと被成形材料との間に、空隙が生じ難くなることにより、空隙に向けて樹脂組成物が流れ込む現象が生じる難くなる。これにより、被成形材料の膜厚が、全体的に、初期膜厚の状態に維持され易くなる。これにより、フィルムモールド７１によってインプリントされる被成形材料に欠陥領域が生じることを防止することができる。
【００８９】
一方、図９には、比較例として、従来のフィルムモールドが樹脂組成物等の被成形材料に接触された様子が示されている。図９（Ａ）に示すように、従来のフィルムモールドでは、当該モールドの平坦な面における傾斜やうねりが生じた場合に、傾斜やうねりが生じた部分における被成形材料と接触しない部分と被成形材料との間に空隙Ｓが生じ易い。このような空隙Ｓが生じた場合に、矢印に示すように、この空隙Ｓに向けて被成形材料が流れ込むことにより、図９（Ｂ）に示すように、被成形材料の膜厚が不均一になる虞がある。
【００９０】
このような本実施の形態にかかるフィルムモールド７１は、接近・離間で行われる通常のインプリントで用いられても、ローラーインプリントで用いられても有益であるが、ローラーインプリントで用いられる場合に特に有益である。
【００９１】
（ワイヤーグリッド偏光子の製造方法）
次に、フィルムモールド７１を具体的に使用した一例として、ワイヤーグリッド偏光子を製造する製造方法について図７、図８Ａ及び図８Ｂを用いて説明する。図７、図８Ａ及び図８Ｂは、ワイヤーグリッド偏光子の製造方法の工程図であり、このうち、図８Ａ及び図８Ｂには、フィルムモールド７１及び、ワイヤーグリッド偏光子を形成するための各種部材が概略的な断面で部分的に示されている。
【００９２】
＜準備工程＞
この製造方法では、まず、図４及び図５のフィルムモールド７１が準備される。また、図７（Ａ）及び図８Ａ（Ａ）に示す透明基板２０２を準備する。この透明基板２０２では、その一方の面２０２ａにワイヤーグリッド材料層２０３が設けられ、このワイヤーグリッド材料層２０３上に、例えばクロムでなるハードマスク層２０４Ａが積層され、ハードマスク層２０４Ａ上にエッチングレジスト層２０４Ｂが積層されている。
【００９３】
ここで使用する透明基板２０２は、適宜選択することができ、例えば、石英ガラス、合成石英、フッ化マグネシウム等のリジッド材、あるいは、透明樹脂フィルム、光学用樹脂板等の可撓性を有する透明なフレキシブル材等が、用いられ得る。なお、ここで透明とは、波長２００〜８００ｎｍにおける光線透過率が５０％以上、好ましくは７０％以上であることを意味する。光線透過率の測定は、日本分光（株）製 Ｖ−６５０を用いて行うことができる。
【００９４】
また、ワイヤーグリッド材料層２０３の材質としては、例えば、アルミニウム、金、銀、銅、白金、珪素化モリブデン、酸化チタン等の金属、金属化合物等の導電性材料、誘電性材料を挙げることができ、これらのいずれかを単独で、あるいは、組み合わせで使用することができる。このようなワイヤーグリッド材料層２０３の厚みは、１０〜５００ｎｍの範囲で適宜設定することができる。また、ワイヤーグリッド材料層２０３は、真空成膜法等により所望の厚みに形成することができる。
【００９５】
また、ハードマスク層２０４Ａは、上述したようにクロム等でなるものであるが、その他の材料でもよい。また、エッチングレジスト層２０４Ｂは、ワイヤーグリッド材料層２０３のエッチングにおいてエッチング耐性を発現するものであり、従来のエッチングレジスト材料の中から、ワイヤーグリッド材料層２０３の材質等に応じて適宜選択することができる。エッチングレジスト層２０４Ｂの形成は、スピンコート法、ディスペンスコート法、ディップコート法、スプレーコート法、インクジェット法等の公知の塗布手段を用いて行うことができる。このエッチングレジスト層２０４Ｂの厚みは、使用するフィルムモールド７１の主パターン領域７２の凹凸形状９２の凸部９２Ｂの高さ、これらの間の深さ、および、形成するレジストパターンに生じる残膜（凸パターン間に位置する部位）の厚みの許容範囲等を考慮して設定できる。
【００９６】
＜接触工程＞
次に、接触工程にて、フィルムモールド７１の主パターン領域７２及び周辺領域７３が形成されていない他の面からローラー２７１でフィルムモールド７１を加圧することにより、フィルムモールド７１の主パターン領域７２及び周辺領域７３をエッチングレジスト層２０４Ｂに接触させる（図７（Ｂ）及び図８Ａ（Ｂ））。
【００９７】
図７（Ｂ）に示すように、ローラー２７１の加圧によるフィルムモールド７１の主パターン領域７２及び周辺領域７３とエッチングレジスト層２０４Ｂとの接触では、透明基板２０２を矢印ａ方向に搬送するとともに、ローラー２７１を矢印ｂ方向に回転することにより、フィルムモールド７１とエッチングレジスト層２０４Ｂとを同じ速度で移動させ、両者間にズレを生じないようにする。そして、この接触工程では、フィルムモールド７１の主パターン領域７２及び周辺領域７３の各凹凸形状において凹部及び凸部がライン状に延びる矢印Ａ（図４等参照）で示す方向に沿って、フィルムモールド７１をエッチングレジスト層２０４Ｂに接触させる。
【００９８】
また、ローラー２７１による加圧は、フィルムモールド７１の主パターン領域７２及び周辺領域７３の各凹凸形状をエッチングレジスト層２０４Ｂに完全に埋め込むことができる範囲で適宜設定することができる。したがって、例えば、透明基板２０２を搬送するステージ（図示せず）からローラー２７１までの間隔を所望の値に固定し、ステージとローラー２７１との間を透明基板２０２とフィルムモールド７１が通過することにより、フィルムモールド７１の主パターン領域７２及び周辺領域７３の凹凸がエッチングレジスト層２０４Ｂに完全に埋め込まれる場合には、ローラー２７１を透明基板２０２方向に付勢することにより加圧する必要はない。
【００９９】
＜硬化工程＞
次に、フィルムモールド７１と接触されたエッチングレジスト層２０４Ｂを硬化させることにより、フィルムモールド７１の主パターン領域７２及び周辺領域７３の各凹凸形状に対応するパターンが転写されたレジストパターン層２０５とする。図７（Ｂ）に示される例では、フィルムモールド７１と接触された直後に、フィルムモールド７１を介して光照射装置２８１から光を照射することにより、エッチングレジスト層２０４Ｂを硬化させているが、フィルムモールド７１とエッチングレジスト層２０４Ｂとの接触が完了した後に、エッチングレジスト層２０４Ｂを硬化させてもよい。
【０１００】
＜離型工程＞
次に、レジストパターン層２０５とフィルムモールド７１とを引き離すことにより、レジストパターン層２０５をワイヤーグリッド材料層２０３上に位置させた状態とする（図８Ａ（Ｃ））。このレジストパターン層２０５は、フィルムモールド７１の主パターン領域７２の凹凸形状９２が反転した第１パターン部２０６と、周辺領域７３の第１領域９３Ａ及び第２領域９３Ｂが反転した第２パターン部２０７と、を有する。第１パターン部２０６は、ライン状に延びる凸パターン２０６Ｌを複数配列した形状となっている。また、第２パターン部２０７は、周辺領域７３の第２領域９３Ｂのサブ凹凸形状９３１が接触した位置に、ライン状に延びる凸パターン２０７Ｌを複数配列した形状となっている。
【０１０１】
レジストパターン層２０５とフィルムモールド７１の引き離しの方向は、上述の接触工程と同様に、フィルムモールド７１の主パターン領域７２及び周辺領域７３の各凹凸形状の凹部及び凸部のライン方向とする。これにより、形成されたレジストパターン層２０５は、パターン部２０６，２０７の変形、損傷によるパターン欠陥の発生を防止することできる。なお、レジストパターン層２０５とフィルムモールド７１の引き離しは、エッチングレジスト層２０４Ｂに対するフィルムモールド７１の接触と、エッチングレジスト層２０４Ｂの硬化によるレジストパターン層２０５の形成が完了した後に行うことができる。また、エッチングレジスト層２０４Ｂに対するフィルムモールド７１の接触が完了する前であっても、接触後のエッチングレジスト層２０４Ｂを硬化することにより形成したレジストパターン層２０５からフィルムモールド７１を適宜引き離してもよい。
【０１０２】
＜第１エッチング工程及び剥離工程＞
次に、本実施の形態では、図８Ｂ（Ｄ）に示すように、上述のように形成されたレジストパターン層２０５をマスクとしてハードマスク層２０４Ａがエッチングされる。そして、レジストパターン層２０５が剥離される。これにより、図８Ｂ（Ｅ）に示すようにエッチングマスク２０８が形成される。
【０１０３】
＜第２エッチング工程＞
次に、図８Ｂ（Ｆ）に示すように、上述のように形成されたエッチングマスク２０８をマスクとしてワイヤーグリッド材料層２０３がエッチングされる。そして、図８Ｂ（Ｇ）に示すように、エッチングマスク２０８が剥離される。これにより、フィルムモールド７１の主パターン領域７２の凹凸形状９２に対応するメイン開口部２１５Ｌで構成されたワイヤーグリッド２１５と、周辺領域７３の第２領域９３Ｂのサブ凹凸形状９３１に対応するダミー用開口部２１６Ｌで構成されたダミーワイヤーグリッド２１６と、が形成されたワイヤーグリッド偏光子２０１が製造される。
【０１０４】
以上に説明した製造方法では、本実施の形態にかかるフィルムモールド７１が使用されることにより、フィルムモールド７１とエッチングレジスト層２０４Ｂとが接触された際に、エッチングレジスト層２０４Ｂに欠陥領域が生じることを防止することができる。このため、エッチング後に製造されるワイヤーグリッド偏光子２０１においても欠陥が生じることを防止でき、ワイヤーグリッド偏光子２０１の品質を向上させることができる。
【０１０５】
また、本実施の形態にかかるフィルムモールド７１が使用されることにより、ワイヤーグリッド偏光子２０１では、メイン開口部２１５Ｌで構成されたワイヤーグリッド２１５の外周側に、ライン形状のダミー用開口部２１６Ｌがスペースを介して複数配列されて構成されたダミーワイヤーグリッド２１６が形成される。そして、ワイヤーグリッド２１５におけるメイン開口部２１５Ｌのライン方向と、このダミーワイヤーグリッド２１６におけるダミー用開口部２１６Ｌのライン方向とが互いに同一となり、ワイヤーグリッド２１５のピッチと、ダミーワイヤーグリッド２１６のピッチとが互いに同一となる。
【０１０６】
このようなワイヤーグリッド偏光子２０１では、ワイヤーグリッド２１５と、ダミーワイヤーグリッド２１６との間に物性、特に偏光特性の差が生じることを抑制できるため、ワイヤーグリッド偏光子２０１において部分的に物性に差が生じることを抑制することができる。これにより、このワイヤーグリッド偏光子２０１では、本来、ワイヤーグリッド２１５を透過すべき光が、偶発的にダミーワイヤーグリッド２１６を透過した場合であっても、ダミーワイヤーグリッド２１６の偏光特性が、ワイヤーグリッド２１５の偏光特性と同様であるので不所望な光が出射されることが抑制される。したがって、本実施の形態にかかるフィルムモールド７１を使用してワイヤーグリッド偏光子を製造すれば、ワイヤーグリッドが形成されていない領域に光が入射されたとしても、不所望な状態で光が出射されることを防止することができる有益なワイヤーグリッド偏光子を提供することができる。
【符号の説明】
【０１０７】
１１  インプリント用マスターモールド
１１Ａ  基材層
１１Ｂ  金属層
１２  主パターン領域
１２’  主部形成用領域
１３  周辺領域
１３’  周辺部形成用領域
２２  主部
２３  周辺部
３２  凹凸形状
３２Ａ  凹部
３２Ｂ  凸部
３３Ａ  第１領域
３３Ａ’  平坦な領域
３３Ｂ  第２領域
３３Ｂ’  溝領域
３３１  サブ凹凸形状
３３１Ａ  凹部
３３１Ｂ  凸部
４０  マスク材料層
４１  ハードマスク層
４２  エッチングレジスト層
５０  前段第１マスク
５１  第１溝部
５２  第１ランド部
５５  後段第１マスク
６０  前段第２マスク
６１  第２溝部
６２  第２ランド部
６４  サブランド部
６５  後段第２マスク
７１  インプリント用フィルムモールド
７２  主パターン領域
７３  周辺領域
８２  主部
８３  周辺部
９２  凹凸形状
９２Ａ  凹部
９２Ｂ  凸部
９３Ａ  第１領域
９３Ｂ  第２領域
９３１  サブ凹凸形状
２０１  ワイヤーグリッド偏光子
２０３  ワイヤーグリッド材料層
２０４Ｂ  エッチングレジスト層
２０５  レジストパターン層
２０８  エッチングマスク
２１５  ワイヤーグリッド
２１６  ダミーワイヤーグリッド
２７１  ローラー
２８１  光照射装置
【図１】
0006583713.tif 000002
【図２】
0006583713.tif 000003
【図３Ａ】
0006583713.tif 000004
【図３Ｂ】
0006583713.tif 000005
【図４】
0006583713.tif 000006
【図５】
0006583713.tif 000007
【図６】
0006583713.tif 000008
【図７】
0006583713.tif 000009
【図８Ａ】
0006583713.tif 000010
【図８Ｂ】
0006583713.tif 000011
【図９】
0006583713.tif 000012
【図１０】
0006583713.tif 000013