(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のストリップ線路が内層に配線されている第１の基板と、第２のストリップ線路が内層に配線されている第２の基板と、前記第１の基板と前記第２の基板との間に挿入されている第３の基板とを含む多層基板と、
一端が前記第１のストリップ線路と接続され、他端が前記第２のストリップ線路と接続されるように、前記多層基板の内部に設けられている第１の柱状導体と、前記第１の基板における２つの平面のうち、前記第３の基板が配置される側の平面と反対側の平面に形成されているグラウンド面と一端が接続され、前記第２の基板における２つの平面のうち、前記第３の基板が配置される側の平面と反対側の平面に形成されているグラウンド面と他端が接続されるように、前記多層基板を貫通している１つ以上の第２の柱状導体とを有し、前記第１の柱状導体が内導体として作用し、前記第２の柱状導体が外導体として作用する同軸線路とを備え、
前記第１及び第２のストリップ線路のそれぞれは、共振器として作用するオープンスタブが接続され、かつ、容量性整合素子として作用する整合用の導体が接続されていることを特徴とする高周波フィルタ。
【請求項２】
前記同軸線路における前記第１の柱状導体が構成する線路である結合線路は、伝送を阻止する信号の周波数帯域である阻止帯域の中心周波数で９０度以下の電気長を有しており、
前記第１及び第２のストリップ線路のそれぞれと接続されている前記オープンスタブは、前記阻止帯域の中心周波数で９０度の電気長を有するように調整されていることを特徴とする請求項１記載の高周波フィルタ。
【請求項３】
前記第１の柱状導体の直径と、前記第１の柱状導体と前記第２の柱状導体との間隔とによって、前記結合線路の特性インピーダンスが調整されていることを特徴とする請求項２記載の高周波フィルタ。
【請求項４】
前記第１のストリップ線路がアンテナ素子と電気的に接続されていることを特徴とする請求項１記載の高周波フィルタ。
【請求項５】
前記第１のストリップ線路と接続されるオープンスタブと、前記第１のストリップ線路と接続される整合用の導体とは、前記第１の基板及び前記第３の基板の中の、いずれか１つの同じ基板内に形成され、
前記第２のストリップ線路と接続されるオープンスタブと、前記第２のストリップ線路と接続される整合用の導体とは、前記第２の基板及び前記第３の基板の中の、いずれか１つの同じ基板内に形成されていることを特徴とする請求項１記載の高周波フィルタ。
【請求項６】
前記第１のストリップ線路と接続されるオープンスタブと、前記第１のストリップ線路と接続される整合用の導体とは、前記第１の基板及び前記第３の基板の中で、互いに異なる基板内に形成され、
前記第２のストリップ線路と接続されるオープンスタブと、前記第２のストリップ線路と接続される整合用の導体とは、前記第２の基板及び前記第３の基板の中で、互いに異なる基板内に形成されていることを特徴とする請求項１記載の高周波フィルタ。
【請求項７】
前記オープンスタブは、前記多層基板に含まれている前記第１から第３の基板の中で、表面及び裏面にグラウンド面が形成されている基板内に形成されていることを特徴とする請求項１記載の高周波フィルタ。
【請求項８】
前記第１の柱状導体は、前記第３の基板の中で、共振器として作用するオープンスタブが１つ以上接続され、かつ、容量性整合素子として作用する整合用の導体が１つ以上接続されていることを特徴とする請求項１記載の高周波フィルタ。
【請求項９】
前記第１の柱状導体と接続されるオープンスタブが１つであり、
前記第１のストリップ線路と接続されるオープンスタブと、前記第１の柱状導体と接続されるオープンスタブとの間隔、及び、前記第２のストリップ線路と接続されるオープンスタブと、前記第１の柱状導体と接続されるオープンスタブとの間隔のそれぞれは、伝送を阻止する信号の周波数帯域である阻止帯域の中心周波数で９０度以下の電気長であることを特徴とする請求項８記載の高周波フィルタ。
【請求項１０】
前記第１の柱状導体と接続されるオープンスタブが複数であり、
前記第１の柱状導体と接続される複数のオープンスタブの中で、前記第１のストリップ線路と接続されるオープンスタブ側に配置されるオープンスタブと、前記第１のストリップ線路と接続されるオープンスタブとの間隔、前記第１の柱状導体と接続される複数のオープンスタブの中で、前記第２のストリップ線路と接続されるオープンスタブ側に配置されるオープンスタブと、前記第２のストリップ線路と接続されるオープンスタブとの間隔、及び、前記第１の柱状導体と接続される複数のオープンスタブの間隔のそれぞれは、伝送を阻止する信号の周波数帯域である阻止帯域の中心周波数で９０度以下の電気長であることを特徴とする請求項８記載の高周波フィルタ。
【請求項１１】
前記第２の柱状導体が前記第１の柱状導体を取り囲むように、前記第１の柱状導体と前記第２の柱状導体とが同心円状に配置されており、
前記第１の柱状導体と接続されるオープンスタブは、前記第１の柱状導体と前記第２の柱状導体との間に配置されていることを特徴とする請求項８記載の高周波フィルタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、共振器として作用するオープンスタブと、容量性整合素子として作用する整合用の導体とを有する高周波フィルタに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
マイクロ波帯又はミリ波帯などで用いられる高周波フィルタは、例えば、衛星通信システムにおける移動体に搭載される薄型アンテナに用いられることがある。
以下の非特許文献１に開示されている高周波フィルタは、伝送を阻止する信号の周波数帯域である阻止帯域を形成するために、同一平面上に配置されている複数の共振器を備えている。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００３】
【非特許文献１】“Ｍｉｃｒｏ  Ｓｔｒｉｐ  Ｆｉｌｔｅｒｓ  ｆｏｒ  ＲＦ／Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ  Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ”  Ｐ１８４
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
従来の高周波フィルタは、阻止帯域を形成するために、複数の共振器を同一平面上に配置する必要がある。そのため、複数の共振器を同一平面上に配置する領域を確保する必要があるという課題があった。【０００５】
この発明は上記のような課題を解決するためになされたもので、複数の共振器を同一平面上に配置することなく、阻止帯域を形成することができる高周波フィルタを得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
この発明に係る高周波フィルタは、第１のストリップ線路が内層に配線されている第１の基板と、第２のストリップ線路が内層に配線されている第２の基板と、第１の基板と第２の基板との間に挿入されている第３の基板とを含む多層基板と、一端が第１のストリップ線路と接続され、他端が第２のストリップ線路と接続されるように、多層基板の内部に設けられている第１の柱状導体と、第１の基板における２つの平面のうち、第３の基板が配置される側の平面と反対側の平面に形成されているグラウンド面と一端が接続され、第２の基板における２つの平面のうち、第３の基板が配置される側の平面と反対側の平面に形成されているグラウンド面と他端が接続されるように、多層基板を貫通している１つ以上の第２の柱状導体とを有し、第１の柱状導体が内導体として作用し、第２の柱状導体が外導体として作用する同軸線路とを備え、第１及び第２のストリップ線路のそれぞれは、共振器として作用するオープンスタブが接続され、かつ、容量性整合素子として作用する整合用の導体が接続されているようにしたものである。
【発明の効果】
【０００７】
この発明によれば、一端が第１のストリップ線路と接続され、他端が第２のストリップ線路と接続されるように、多層基板の内部に設けられている第１の柱状導体と、第１の基板における２つの平面のうち、第３の基板が配置される側の平面と反対側の平面に形成されているグラウンド面と一端が接続され、第２の基板における２つの平面のうち、第３の基板が配置される側の平面と反対側の平面に形成されているグラウンド面と他端が接続されるように、多層基板を貫通している１つ以上の第２の柱状導体とを有し、第１の柱状導体が内導体として作用し、第２の柱状導体が外導体として作用する同軸線路を備え、第１及び第２のストリップ線路のそれぞれは、共振器として作用するオープンスタブが接続され、かつ、容量性整合素子として作用する整合用の導体が接続されているように、高周波フィルタを構成した。したがって、この発明に係る高周波フィルタは、複数の共振器を同一平面上に配置することなく、阻止帯域を形成することができる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】実施の形態１に係る高周波フィルタを示す斜視図である。
【図２】図１の高周波フィルタの要部を矢印（１）が示す方向から見た側面図である。
【図３】図１の高周波フィルタの要部を矢印（２）が示す方向から見た平面図である。
【図４】図１に示す高周波フィルタの等価回路を示す説明図である。
【図５】非特許文献１に開示されている高周波フィルタを示す構成図である。
【図６】図５の高周波フィルタの等価回路を示す説明図である。
【図７】図７Ａは、図２に示す高周波フィルタの詳細寸法を示す説明図、図７Ｂは、図２に示す高周波フィルタにおける第１の基板１１付近の詳細寸法を示す説明図、図７Ｃは、図２に示す高周波フィルタにおける第２の基板１４付近の詳細寸法を示す説明図である。
【図８】図８Ａは、図３に示す高周波フィルタの詳細寸法を示す説明図、図８Ｂは、図３に示す高周波フィルタにおける第１のストリップ線路２１ａ、オープンスタブ５１ａ及び整合用の導体５２ａの詳細寸法を示す説明図、図８Ｃは、図３に示す高周波フィルタにおける第２のストリップ線路２１ｂ、オープンスタブ５１ｂ及び整合用の導体５２ｂの詳細寸法を示す説明図である。
【図９】高周波フィルタにおける反射特性及び通過特性の電磁界解析結果を示す説明図である。
【図１０】発明の実施の形態１に係る他の高周波フィルタの要部を示す側面図である。
【図１１】実施の形態１に係る他の高周波フィルタの要部を示す平面図である。
【図１２】実施の形態２に係る高周波フィルタの要部を示す側面図である。
【図１３】実施の形態３に係る高周波フィルタを示す斜視図である。
【図１４】図１３の高周波フィルタの要部を矢印（１）が示す方向から見た側面図である。
【図１５】図１３の高周波フィルタにおけるオープンスタブ１１１及び整合用の導体１１２を矢印（２）が示す方向から見た平面図である。
【図１６】図１３に示す高周波フィルタの等価回路を示す説明図である。
【図１７】第１の柱状導体３１に補償線路が追加されている高周波フィルタの等価回路を示す説明図である。
【図１８】図１３に示す高周波フィルタにおける反射特性及び通過特性の電磁界解析結果と、結合線路１３１が垂直給電部を構成している高周波フィルタ（図１７を参照）における反射特性及び通過特性の電磁界解析結果とを示す説明図である。
【図１９】共振器７２ａ，７２ｂ，１２１の特性インピーダンス等を示す説明図である。
【図２０】特性インピーダンス調整用の線路がストリップ線路に接続されている共振器を示す説明図である。
【図２１】特性インピーダンス調整用の線路がストリップ線路に接続されている共振器を示す説明図である。
【図２２】結合線路７１に含まれている線路７１ａ，７１ｂのそれぞれとπ型回路との対応関係を示す説明図である。
【図２３】実施の形態３に係る他の高周波フィルタを示す斜視図である。
【図２４】図２３の高周波フィルタの要部を矢印（１）が示す方向から見た側面図である。
【図２５】実施の形態３に係る他の高周波フィルタを示す斜視図である。
【図２６】実施の形態４に係る高周波フィルタを示す斜視図である。
【図２７】図２６の高周波フィルタの要部を矢印（１）が示す方向から見た側面図である。
【図２８】第１の柱状導体３１と第２の柱状導体４１との間に配置されているオープンスタブ１１１の一例を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、この発明をより詳細に説明するために、この発明を実施するための形態について、添付の図面に従って説明する。
【００１０】
実施の形態１．
図１は、実施の形態１に係る高周波フィルタを示す斜視図である。
図２は、図１の高周波フィルタの要部を矢印（１）が示す方向から見た側面図である。
図３は、図１の高周波フィルタの要部を矢印（２）が示す方向から見た平面図である。
矢印（１）が示す方向は、高周波フィルタの座標系における＋ｙ方向である。
矢印（２）が示す方向は、高周波フィルタの座標系における−ｚ方向である。
図１から図３において、多層基板１は、第１の基板１１と第２の基板１４と第３の基板１７とを含んでいる多層構造の誘電体基板である。
【００１１】
第１の基板１１の表面には、グラウンド面１２が形成され、第１の基板１１の裏面には、グラウンド面１３が形成されている。第１の基板１１の表面は、第１の基板１１における２つの平面のうち、第３の基板１７が配置される側の平面と反対側の平面であり、第１の基板１１の裏面は、第３の基板１７が配置される側の平面である。
第１の基板１１の内層には、第１のストリップ線路２１ａが配線されている。
第２の基板１４の表面には、グラウンド面１５が形成され、第２の基板１４の裏面には、グラウンド面１６が形成されている。第２の基板１４の表面は、第２の基板１４における２つの平面のうち、第３の基板１７が配置される側の平面であり、第２の基板１４の裏面は、第３の基板１７が配置される側の平面と反対側の平面である。
また、第２の基板１４の内層には、第２のストリップ線路２１ｂが配線されている。
第３の基板１７は、第１の基板１１と第２の基板１４との間に挿入されている基板である。
【００１２】
同軸線路３０は、内導体と外導体を備える線路である。
第１の柱状導体３１は、柱状導体３１ａ，３１ｂ，３１ｃが一直線上に配置されて、柱状導体３１ａ，３１ｂ，３１ｃが電気的に接続されている同軸線路３０の内導体である。
柱状導体３１ａは、第１の基板１１の内部に設けられており、一端が接続部材３２ａを介して第１のストリップ線路２１ａと電気的に接続されている。
柱状導体３１ｂは、第３の基板１７の内部に設けられており、一端が接続部材３３ａを介して柱状導体３１ａの他端と電気的に接続されている。
柱状導体３１ｃは、第２の基板１４の内部に設けられており、一端が接続部材３３ｂを介して柱状導体３１ｂの他端と電気的に接続され、他端が接続部材３２ｂを介して第２のストリップ線路２１ｂと電気的に接続されている。
グラウンド面１３には孔３４ａが施されており、孔３４ａの内部に接続部材３３ａが形成されている。
グラウンド面１５には孔３４ｂが施されており、孔３４ｂの内部に接続部材３３ｂが形成されている。
【００１３】
第２の柱状導体４１は、一端がグラウンド面１２と接続され、他端がグラウンド面１６と接続されるように、多層基板１を貫通している外導体である。
第２の柱状導体４１は、柱状導体４１ａ，４１ｂ，４１ｃが一直線上に配置されて、柱状導体４１ａ，４１ｂ，４１ｃが電気的に接続されている。
柱状導体４１ａは、第１の基板１１の内部に設けられており、一端がグラウンド面１２と接続されている。
柱状導体４１ｂは、第３の基板１７の内部に設けられており、一端が柱状導体４１ａと電気的に接続されている。
柱状導体４１ｃは、第２の基板１４の内部に設けられており、一端が柱状導体４１ｂの他端と電気的に接続され、他端がグラウンド面１６と接続されている。
【００１４】
図面の簡単化のため記載を省略しているが、柱状導体４１ａと柱状導体４１ｂを電気的に接続する接続部材があってもよい。また、柱状導体４１ｂと柱状導体４１ｃを電気的に接続する接続部材があってもよい。
ランド４２は、柱状導体４１ａ，４１ｃを取り付ける部材である。
図１では、内導体である第１の柱状導体３１を取り囲むように、５つの外導体である第２の柱状導体４１が配置されている例を示しているが、１つ以上の外導体が配置されていればよい。
なお、内導体である第１の柱状導体３１と、外導体である第２の柱状導体４１との間隔は、図３に示すように、ｄである。
【００１５】
オープンスタブ５１ａは、第１の基板１１の内部に形成されており、接続部材３２ａを介して第１のストリップ線路２１ａと電気的に接続されている。オープンスタブ５１ａは、共振器として作用する。
オープンスタブ５１ｂは、第２の基板１４の内部に形成されており、接続部材３２ｂを介して第２のストリップ線路２１ｂと電気的に接続されている。オープンスタブ５１ｂは、共振器として作用する。
オープンスタブ５１ａは、表面及び裏面にグラウンド面１２，１３が形成されている第１の基板１１内に形成されており、オープンスタブ５１ｂは、表面及び裏面にグラウンド面１５，１６が形成されている第２の基板１４内に形成されている。
このため、オープンスタブ５１ａ，５１ｂは、図２の±ｚ方向（紙面上下方向）には電気的に遮蔽されている状態で配置されている。
【００１６】
整合用の導体５２ａは、第１の基板１１の内部に形成されており、接続部材３２ａと第１のストリップ線路２１ａとの間に電気的に接続されている。整合用の導体５２ａは、第１のストリップ線路２１ａの線路幅及びオープンスタブ５１ａの線路幅よりも広い辺を有する導体であり、容量性整合素子として作用する。
整合用の導体５２ｂは、第２の基板１４の内部に形成されており、接続部材３２ｂと第２のストリップ線路２１ｂとの間に電気的に接続されている。整合用の導体５２ｂは、第２のストリップ線路２１ｂの線路幅及びオープンスタブ５１ｂの線路幅よりも広い辺を有する導体であり、容量性整合素子として作用する。
【００１７】
アンテナ素子６１は、高周波フィルタにおける第１のストリップ線路２１ａと電気的に接続されており、電磁波を送受信する。
高周波回路６２は、高周波フィルタにおける第２のストリップ線路２１ｂと電気的に接続されており、例えば、高周波フィルタが入出力する信号を増幅するアンプを実装している。
【００１８】
図４は、図１に示す高周波フィルタの等価回路を示す説明図である。
図４において、結合線路７１は、同軸線路３０における第１の柱状導体３１が構成する線路であり、この線路と対応して設けられるグランドは、第２の柱状導体４１が相当する。
結合線路７１の電気長は、第１の柱状導体３１の電気長に相当し、伝送を阻止する信号の周波数帯域である阻止帯域の中心周波数で９０度以下の電気長である。
結合線路７１の特性インピーダンスは、第１の柱状導体３１の直径と、第１の柱状導体３１と第２の柱状導体４１との間隔ｄによって決定される。
柱状導体３１ａ，３１ｃの電気長は、柱状導体３１ｂの電気長と比べて、極めて短いため、第１の柱状導体３１の直径は、概ね柱状導体３１ｂの直径と等しい。
【００１９】
共振器７２ａは、オープンスタブ５１ａに相当し、阻止帯域の中心周波数で９０度の電気長を有するように調整されている。
共振器７２ｂは、オープンスタブ５１ｂに相当し、阻止帯域の中心周波数で９０度の電気長を有するように調整されている。
容量性整合素子７３ａは、整合用の導体５２ａに相当し、容量性整合素子７３ｂは、整合用の導体５２ｂに相当する。
【００２０】
次に動作について説明する。
非特許文献１に開示されている高周波フィルタは、阻止帯域を形成するために、同一平面上に配置されている複数の共振器を備えている。
複数の共振器のそれぞれは、阻止帯域の中心周波数で９０度の電気長を有するオープンスタブに相当する。
【００２１】
図５は、非特許文献１に開示されている高周波フィルタを示す構成図である。
図６は、図５の高周波フィルタの等価回路を示す説明図である。
ただし、図６では、結合線路が１つで、共振器が２つである例を示している。
結合線路８１は、図５の高周波フィルタにおける結合線路に相当し、所望の阻止帯域の中心周波数で９０度の電気長を有するように調整されている。所望の阻止帯域は、伝送を阻止する信号の周波数帯域である。
共振器８２ａ，８２ｂは、図５の高周波フィルタにおける共振器に相当し、所望の阻止帯域の中心周波数で９０度の電気長を有するように調整されている。
結合線路８１及び共振器８２ａ，８２ｂのそれぞれが、所望の阻止帯域の中心周波数で９０度の電気長を有し、かつ、所望の特性インピーダンスを有するように調整されていれば、所望の阻止帯域を有する高周波フィルタを得ることができる。所望の特性インピーダンスは、例えば、高周波フィルタの設計者が設計した特性インピーダンスである。
所望の阻止帯域を有する高周波フィルタを構成する結合線路８１のパラメータ値及び共振器８２ａ，８２ｂのパラメータ値を決定する方法は、非特許文献１に開示されている。
結合線路８１のパラメータ値及び共振器８２ａ，８２ｂのパラメータ値としては、特性インピーダンスなどがある。
【００２２】
この実施の形態１の高周波フィルタと、非特許文献１に開示されている高周波フィルタとを比較すると、共振器７２ａ，７２ｂと共振器８２ａ，８２ｂが、阻止帯域の中心周波数で９０度の電気長を有している点で共通している。
この実施の形態１の高周波フィルタは、結合線路７１の電気長が、阻止帯域の中心周波数で９０度以下の電気長を有しているのに対して、非特許文献１に開示されている高周波フィルタは、結合線路８１の電気長が、阻止帯域の中心周波数で９０度の電気長を有している点で相違している。
また、この実施の形態１の高周波フィルタは、容量性整合素子７３ａ，７３ｂを備えているが、非特許文献１に開示されている高周波フィルタは、容量性整合素子を備えていない点で相違している。
【００２３】
この実施の形態１の高周波フィルタにおいて、等価回路は、容量性整合素子７３ａ，７３ｂと、結合線路７１と、共振器７２ａ，７２ｂとで表される。
【００２４】
共振器７２ａ，７２ｂの特性インピーダンスは、非特許文献１に開示されている方法で決定された共振器８２ａ，８２ｂの特性インピーダンスと、例えば同じ特性インピーダンスに設定される。
また、容量性整合素子７３ａ，７３ｂが結合された結合線路７１の特性インピーダンスと、非特許文献１に開示されている方法で決定された結合線路８１の特性インピーダンスとは、異なることがある。例えば、結合線路７１の特性インピーダンスは、容量性整合素子７３ａ，７３ｂと結合線路７１で構成される回路のＰｏｒｔ（１）からＰｏｒｔ（２）への通過特性及び各ポートでの反射特性が、結合線路８１のみで構成される回路のＰｏｒｔ（１）からＰｏｒｔ（２）への通過特性及び各ポートでの反射特性と概ね等しくなるように調整されることがある。
結合線路７１自体の特性インピーダンスは、第１の柱状導体３１の直径と、第１の柱状導体３１と第２の柱状導体４１との間隔ｄによって決定される。
【００２５】
ここで、図７Ａは、図２に示す高周波フィルタの詳細寸法を示す説明図である。
図７Ｂは、図２に示す高周波フィルタにおける第１の基板１１付近の詳細寸法を示し、図７Ｃは、図２に示す高周波フィルタにおける第２の基板１４付近の詳細寸法を示す説明図である。
図８Ａは、図３に示す高周波フィルタの詳細寸法を示す説明図である。
図８Ｂは、図３に示す高周波フィルタにおける第１のストリップ線路２１ａ、オープンスタブ５１ａ及び整合用の導体５２ａの詳細寸法を示し、図８Ｃは、図３に示す高周波フィルタにおける第２のストリップ線路２１ｂ、オープンスタブ５１ｂ及び整合用の導体５２ｂの詳細寸法を示す説明図である。
【００２６】
高周波フィルタの詳細寸法が図７及び図８で表されている寸法であるとき、阻止帯域の中心周波数Ｆｃが１９．４５ＧＨｚ、中心周波数Ｆｃで電気長が８０度である結合線路７１の特性インピーダンスが７０Ωであるとする。
また、中心周波数Ｆｃで電気長が９０度である共振器７２ａ，７２ｂの特性インピーダンスが５２Ω、中心周波数Ｆｃで電気長が５度である容量性整合素子７３ａ，７３ｂの特性インピーダンスが１５Ωであるとする。
多層基板１として、誘電率が３．６２、誘電正接が０．００２の基板を用いるとする。
【００２７】
寸法、電気長及び特性インピーダンスが上記の値であるとき、高周波フィルタにおける反射特性及び通過特性の電磁界解析を行うと、反射特性及び通過特性の電磁界解析結果は、図９のようになる。
図９は、高周波フィルタにおける反射特性及び通過特性の電磁界解析結果を示す説明図である。
図９において、横軸は周波数、縦軸は信号レベルを示している。
図９に示す通過特性Ｓ２１が示すように、阻止帯域１７．５〜２１．２ＧＨｚにおける阻止量は、−２７．９ｄＢ以下となり、２７．５〜３１．０ＧＨｚＧＨｚにおける通過損失は、−０．２６ｄＢ以内となる。
−２７．９ｄＢ以下の阻止量及び−０．２６ｄＢ以内の通過損失は、Ｋａ（Ｋｕｒｚ  Ａｂｏｖｅ）帯における帯域阻止フィルタの特性を満足している。
【００２８】
以上で明らかなように、この実施の形態１によれば、一端が第１のストリップ線路２１ａと接続され、他端が第２のストリップ線路２１ｂと接続されるように、多層基板１の内部に設けられている第１の柱状導体３１と、一端がグラウンド面１２と接続され、他端がグラウンド面１６と接続されるように、多層基板１を貫通している１つ以上の第２の柱状導体４１とを有し、第１の柱状導体３１が内導体として作用し、第２の柱状導体４１が外導体として作用する同軸線路３０を備え、第１のストリップ線路２１ａ及び第２のストリップ線路２１ｂのそれぞれは、共振器７２ａ，７２ｂとして作用するオープンスタブ５１ａ，５１ｂが接続され、かつ、容量性整合素子７３ａ，７３ｂとして作用する整合用の導体５２ａ，５２ｂが接続されているように、高周波フィルタを構成した。したがって、高周波フィルタは、複数の共振器を同一平面上に配置することなく、阻止帯域を形成することができる。
これにより、非特許文献１に開示されている高周波フィルタよりも、実装する際の占有面積が小さい高周波フィルタが得られる。
【００２９】
この実施の形態１では、オープンスタブ５１ａと整合用の導体５２ａが、共に第１の基板１１内の同一平面上に形成されており、オープンスタブ５１ｂと整合用の導体５２ｂが、共に第２の基板１４内の同一平面上に形成されている例を示している。
しかし、これは一例に過ぎず、オープンスタブ５１ａと整合用の導体５２ａが、第１の基板１１内で、互いに異なる平面上に形成され、オープンスタブ５１ｂと整合用の導体５２ｂが、第２の基板１４内で、互いに異なる平面上に形成されていてもよい。
また、オープンスタブ５１ａと整合用の導体５２ａが、共に第３の基板１７内に形成され、オープンスタブ５１ｂと整合用の導体５２ｂが、共に第３の基板１７内に形成されていてもよい。
さらに、図１０に示すように、オープンスタブ５１ａと整合用の導体５２ａが、互いに異なる基板内に形成され、オープンスタブ５１ｂと整合用の導体５２ｂが、互いに異なる基板内に形成されていてもよい。
図１０は、実施の形態１に係る他の高周波フィルタの要部を示す側面図である。
図１０の例では、オープンスタブ５１ａが第１の基板１１内に形成されているが、整合用の導体５２ａは第３の基板１７内に形成されている。また、オープンスタブ５１ｂが第２の基板１４内に形成されているが、整合用の導体５２ｂは第３の基板１７内に形成されている。
なお、オープンスタブ５１ａが第３の基板１７内に形成されて、整合用の導体５２ａが第１の基板１１内に形成されていてもよいし、オープンスタブ５１ｂが第３の基板１７内に形成されて、整合用の導体５２ｂが第２の基板１４内に形成されていてもよい。
【００３０】
この実施の形態１の高周波フィルタでは、第１のストリップ線路２１ａ及び第２のストリップ線路２１ｂに接続される回路に対して、電気的な干渉を及ぼさないようにする目的で、図１１に示すように、第１のストリップ線路２１ａ及び第２のストリップ線路２１ｂの周囲に、柱状導体９０を装荷するようにしてもよい。また、オープンスタブ５１ａ，５１ｂの周囲にも、柱状導体９０を装荷するようにしてもよい。
例えば、柱状導体９０の一端はグラウンド面１２と接続され、柱状導体９０の他端はグラウンド面１６と接続されているものとする。第２のストリップ線路２１ｂに接続される回路としては、例えば、高周波回路６２が挙げられる。
図１１は、実施の形態１に係る他の高周波フィルタの要部を示す平面図である。
図１１の例では、図面の簡単化のため、第２の柱状導体４１及びランド４２の記載を省略している。
【００３１】
この実施の形態１では、オープンスタブ５１ａ，５１ｂのそれぞれがＬ字形に折り曲げられている例を示しているが、オープンスタブ５１ａ，５１ｂのそれぞれは、直線状のオープンスタブであってもよい。
この実施の形態１では、オープンスタブ５１ａは、表面及び裏面にグラウンド面１２，１３が形成されている第１の基板１１内に形成されており、オープンスタブ５１ｂは、表面及び裏面にグラウンド面１５，１６が形成されている第２の基板１４内に形成されている。
このため、オープンスタブ５１ａ，５１ｂは、図２の±ｚ方向（紙面上下方向）には電気的に遮蔽されている状態で配置されている。
これにより、オープンスタブ５１ａ，５１ｂが、例えば、グラウンド面１２の＋ｚ方向（紙面上方向）あるいはグラウンド面１６の−ｚ方向（紙面下方向）に配置される図示せぬ回路に対して、電気的な干渉を及ぼさないようにすることができる。また、オープンスタブ５１ａ，５１ｂの特性インピーダンスが、グラウンド面１２の＋ｚ方向（紙面上方向）等に配置される回路等の影響を受け難くなるため、オープンスタブ５１ａ，５１ｂの特性インピーダンスの設定が容易になる。
【００３２】
この実施の形態１では、オープンスタブ５１ａとオープンスタブ５１ｂとの間隔については特に述べていないが、オープンスタブ５１ａとオープンスタブ５１ｂとの間隔は、阻止帯域の中心周波数Ｆｃで９０度以下の電気長であってもよい。
この実施の形態１では、容量性整合素子７３ａ，７３ｂとして作用する整合用の導体５２ａ，５２ｂの電気長を変えることで、高周波フィルタのフィルタ特性を調整することができるため、オープンスタブ５１ａとオープンスタブ５１ｂとの間隔が、阻止帯域の中心周波数Ｆｃで９０度以下の電気長であっても、所望の阻止帯域を形成することができる。
【００３３】
実施の形態２．
上記実施の形態１では、アンテナ素子６１が、高周波フィルタの外部に設けられている例を示したが、図１２に示すように、アンテナ素子１０１が、高周波フィルタの内部に設けられていてもよい。
【００３４】
図１２は、実施の形態２に係る高周波フィルタの要部を示す側面図である。
図１２において、図２と同一符号は同一又は相当部分を示すので説明を省略する。
アンテナ素子１０１は、第１の基板１１内に設けられて、第１のストリップ線路２１ａと電気的に接続されており、電磁波を送受信する励振素子である。
図１２では、１つのアンテナ素子１０１が第１のストリップ線路２１ａと接続されているが、複数のアンテナ素子１０１が第１のストリップ線路２１ａと接続されていてもよい。
複数のアンテナ素子１０１がアレイ配列される場合、複数のアンテナ素子１０１の間にフィルタ等を収めることで、複数のアンテナ素子１０１の間隔を狭めるようにしてもよい。複数のアンテナ素子１０１の間隔を狭めることで、複数のアンテナ素子１０１の間隔が広いことが原因で発生するグレーティングローブなどを抑圧することができる。
図１２の例では、アンテナ素子１０１の＋ｚ方向（紙面上方向）に、非励振素子１０２が配置されているが、非励振素子１０２が配置されることは必須ではない。
【００３５】
高周波回路６２は、第２のストリップ線路２１ｂとＢＧＡ（Ｂａｌｌ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）１０３を介して電気的に接続されている。ＢＧＡ１０３は、半田ボールが格子状に並べられている電極を有するパッケージ基板である。
この実施の形態２では、第２のストリップ線路２１ｂがグラウンド面１６と同一の平面に配置されており、第１の柱状導体３１における柱状導体３１ｃは、グラウンド面１６に配置されている第２のストリップ線路２１ｂまで延びている。
配線１０４は、第３の基板１７の空きスペースに設けられている制御配線又は電源配線などの配線である。
【００３６】
図１２に示すように、アンテナ素子１０１が、高周波フィルタの内部に設けられている場合でも、上記実施の形態１と同様に、複数の共振器を同一平面上に配置することなく、阻止帯域を形成することができる。
【００３７】
実施の形態２の高周波フィルタでも、実施の形態１の高周波フィルタと同様に、第１のストリップ線路２１ａ及び第２のストリップ線路２１ｂの周囲に、柱状導体９０を装荷するようにしてもよい。また、オープンスタブ５１ａ，５１ｂの周囲にも、柱状導体９０を装荷するようにしてもよい。
【００３８】
実施の形態３．
実施の形態３では、第３の基板１７の中で、共振器として作用するオープンスタブ１１１と、容量性整合素子として作用する整合用の導体１１２とが、第１の柱状導体３１に接続されている高周波フィルタについて説明する。
【００３９】
図１３は、実施の形態３に係る高周波フィルタを示す斜視図である。
図１４は、図１３の高周波フィルタの要部を矢印（１）が示す方向から見た側面図である。
図１５は、図１３の高周波フィルタにおけるオープンスタブ１１１及び整合用の導体１１２を矢印（２）が示す方向から見た平面図である。
図１３から図１５において、図１から図３と同一符号は同一又は相当部分を示すので説明を省略する。
オープンスタブ１１１は、第３の基板１７の内部に形成されており、整合用の導体１１２を介して第１の柱状導体３１の柱状導体３１ｂと電気的に接続されている。オープンスタブ１１１は、共振器として作用する。
図１３に示す高周波フィルタでは、オープンスタブ１１１が整合用の導体１１２を介して柱状導体３１ｂと電気的に接続されている。しかし、これは一例に過ぎず、オープンスタブ１１１が柱状導体３１ｂと直接接続されているものであってもよい。
整合用の導体１１２は、第３の基板１７の内部に形成されており、柱状導体３１ｂとオープンスタブ１１１との間に電気的に接続されている。整合用の導体１１２は、容量性整合素子として作用する。
整合用の導体１１２における平面の形状は、図１５に示すように、正方形である。しかし、これは一例に過ぎず、例えば、長方形であってもよい。また、整合用の導体１１２における平面の大きさは、所望の阻止帯域に応じて決定される。
【００４０】
図１６は、図１３に示す高周波フィルタの等価回路を示す説明図である。図１６において、図４と同一符号は同一又は相当部分を示すので説明を省略する。
共振器１２１は、オープンスタブ１１１に相当し、阻止帯域の中心周波数Ｆｃで９０度の電気長を有するように調整されている。
容量性整合素子１２２は、整合用の導体１１２に相当する。
図１６では、共振器１２１及び容量性整合素子１２２が、結合線路７１の途中に接続されている旨を示すため、結合線路７１が、線路７１ａと線路７１ｂとに分かれているように描いているが、実際には、結合線路７１は、１つの線路である。
線路７１ａの電気長及び線路７１ｂの電気長は、阻止帯域の中心周波数Ｆｃで９０度以下の電気長である。
【００４１】
実施の形態１における図１に示す高周波フィルタは、Ｋａ帯の帯域阻止フィルタである。
図１に示す高周波フィルタでは、垂直給電部に相当する第１の柱状導体３１（＝結合線路７１）の電気長が、阻止帯域の中心周波数Ｆｃで９０度以下の電気長であるものを示している。
図１に示す高周波フィルタの構成でも、第１の柱状導体３１の電気長を長くすれば、ミリ波帯の帯域阻止フィルタを作成することが可能である。
図１に示す高周波フィルタの構成で、ミリ波帯の帯域阻止フィルタを作成する場合、第１の柱状導体３１の電気長が、阻止帯域の中心周波数Ｆｃで９０度よりも大きな電気長となる。
【００４２】
第１の柱状導体３１の電気長が、阻止帯域の中心周波数Ｆｃで９０度よりも大きな電気長となる場合、オープンスタブ５１ａとオープンスタブ５１ｂとの間隔が、阻止帯域の中心周波数Ｆｃで９０度よりも大きな電気長となる。
オープンスタブ５１ａとオープンスタブ５１ｂとの間隔が、９０度以下の電気長であれば、整合用の導体５２ａ，５２ｂの電気長を変えることで、高周波フィルタのフィルタ特性を調整することができるため、所望の阻止帯域を形成することができる。
しかし、オープンスタブ５１ａとオープンスタブ５１ｂとの間隔が、９０度よりも大きな電気長である場合、整合用の導体５２ａ，５２ｂの電気長を変えるだけでは、所望の阻止帯域を形成することが困難である。
したがって、オープンスタブ５１ａとオープンスタブ５１ｂとの間隔が、９０度よりも大きな電気長である場合でも、所望の阻止帯域を形成できるようにするには、当該間隔を、２７０度の電気長となるように広げる必要がある。
オープンスタブ５１ａとオープンスタブ５１ｂとの間隔が、２７０度の電気長であれば、９０度の電気長の場合と同様に、所望の阻止帯域を形成することができる。
整合用の導体５２ａ，５２ｂの電気長を変えることで、高周波フィルタのフィルタ特性を調整できるため、オープンスタブ５１ａとオープンスタブ５１ｂとの間隔が、２７０度以下の電気長であっても、２７０度に近い電気長であれば、所望の阻止帯域を形成することができる。
【００４３】
オープンスタブ５１ａとオープンスタブ５１ｂとの間隔が、阻止帯域の中心周波数Ｆｃで２７０度以下の電気長となるようにする方法として、第１の柱状導体３１の電気長を補償する線路を垂直給電部に追加する方法がある。
【００４４】
図１７は、第１の柱状導体３１に補償線路が追加されている高周波フィルタの等価回路を示す説明図である。
図１７において、図４と同一符号は同一又は相当部分を示すので説明を省略する。
結合線路１３１は、同軸線路３０における第１の柱状導体３１が構成する線路であり、結合線路１３１と対応して設けられるグランドは、第２の柱状導体４１が相当する。
結合線路１３１の電気長は、第１の柱状導体３１の電気長に相当し、阻止帯域の中心周波数Ｆｃで２７０度以下の電気長である。
補償線路１３２は、一端がＰｏｒｔ（１）と接続され、他端が結合線路７１の一端と接続されている線路である。
補償線路１３３は、一端が結合線路７１の他端と接続され、他端がＰｏｒｔ（２）と接続されている線路である。
【００４５】
結合線路７１及び補償線路１３２，１３３を含む結合線路１３１は、垂直給電部に相当する。
例えば、垂直給電部の物理的な長さが２ｍｍであるとすれば、垂直給電部の電気長が１５０度になるため、例えば、電気長が２７０度の結合線路１３１を得るには、垂直給電部の物理的な長さが３．６ｍｍである必要がある。
電気長が９０度の結合線路７１は、物理的な長さが１．２ｍｍであるため、補償線路１３２，１３３の物理的な長さは、１．２ｍｍである。
結合線路７１の物理的な長さと比べて結合線路１３１の物理的な長さが３倍になるため、高周波フィルタの大型化を招くとともに、特性が狭帯域化するデメリットを生じる。
【００４６】
実施の形態３における図１３に示す高周波フィルタでは、補償線路１３２，１３３を結合線路７１に追加することなく、ミリ波帯における帯域阻止フィルタの特性が得られるように、オープンスタブ１１１及び整合用の導体１１２を、第１の柱状導体３１に接続している。
オープンスタブ１１１及び整合用の導体１１２を、第１の柱状導体３１に接続することで、図１に示す高周波フィルタよりも共振器の段数が増えるため、ミリ波帯における帯域阻止フィルタの特性を満足する高周波フィルタを作成することが可能になる。図１に示す高周波フィルタにおける共振器の段数は、２段であり、図１３に示す高周波フィルタにおける共振器の段数は、３段である。
【００４７】
オープンスタブ１１１は、オープンスタブ５１ａとの間隔が９０度以下の電気長となり、オープンスタブ５１ｂとの間隔が９０度以下の電気長となるように、第１の柱状導体３１に接続されている。
容量性整合素子７３ａ，７３ｂ，１２２として作用する整合用の導体５２ａ，５２ｂ，１１２の電気長を変えることで、高周波フィルタのフィルタ特性を調整することができる。したがって、オープンスタブ５１ａとオープンスタブ１１１との間隔及びオープンスタブ１１１とオープンスタブ５１ｂとの間隔のそれぞれが、阻止帯域の中心周波数Ｆｃで９０度以下の電気長であっても、所望の阻止帯域を形成することができる。
【００４８】
仮に、オープンスタブ５１ａとオープンスタブ１１１との間隔が９０度の電気長であって、オープンスタブ１１１とオープンスタブ５１ｂとの間隔が９０度の電気長であっても、垂直給電部の電気長は、１８０度であり、垂直給電部の物理的な長さは、２．４ｍｍである。
したがって、オープンスタブ１１１及び整合用の導体１１２が、第１の柱状導体３１に接続されている垂直給電部は、結合線路１３１によって構成されている垂直給電部よりも、小型化することができるとともに、遮断帯域の広帯域化することができる。
【００４９】
図１８は、図１３に示す高周波フィルタにおける反射特性及び通過特性の電磁界解析結果と、結合線路１３１が垂直給電部を構成している高周波フィルタ（図１７を参照）における反射特性及び通過特性の電磁界解析結果とを示す説明図である。
図１８において、横軸は周波数、縦軸は信号レベルを示している。
図１８より、図１３に示す高周波フィルタ及び結合線路１３１が垂直給電部を構成している高周波フィルタのいずれもが、ミリ波帯における帯域阻止フィルタの特性を満足していることが分かる。
また、図１８より、図１３に示す高周波フィルタは、結合線路１３１が垂直給電部を構成している高周波フィルタと比べて、通過特性の広帯域化が図られていることが分かる。
【００５０】
ここで、共振器７２ａ，７２ｂ，１２１の特性インピーダンスについて説明する。
例えば、オープンスタブ５１ａとオープンスタブ１１１との間隔が９０度の電気長であって、オープンスタブ１１１とオープンスタブ５１ｂとの間隔が９０度の電気長であるとする。
また、共振器７２ａ，７２ｂ，１２１が９０度の電気長であり、伝送を阻止する信号の周波数が３２ＧＨｚであるとする。
このとき、図に１９に示すように、共振器７２ａ，７２ｂの特性インピーダンスＺは、１３２．４Ωとなり、共振器１２１の特性インピーダンスＺは、７９Ωとなる。
図１９は、共振器７２ａ，７２ｂ，１２１の特性インピーダンス等を示す説明図である。
図１９では、説明の簡単化のため、容量性整合素子７３ａ，７３ｂ，１２２を省略している。
【００５１】
共振器７２ａ，７２ｂ，１２１が、例えば、ストリップ線路によって形成される場合、一般的には、実現可能な特性インピーダンスＺの最大値は、６０Ω程度であることが知られている。ここでは、実現可能な特性インピーダンスＺの最大値は、６０Ωであるとする。
したがって、共振器７２ａ，７２ｂ，１２１のそれぞれは、１つのストリップ線路だけでは形成することができない。
１つのストリップ線路だけで共振器を形成できない場合、図２０及び図２１に示すように、共振器を形成するための１つのストリップ線路に、特性インピーダンス調整用の線路（以下、「調整用線路」と称する）を直列に接続することで、共振器を形成することができる。
【００５２】
図２０及び図２１は、特性インピーダンス調整用の線路がストリップ線路に接続されている共振器を示す説明図である。
図２０では、特性インピーダンスＺが１３２．４Ωの共振器を形成する例を示している。
図２０では、特性インピーダンスがＺ６０Ωで、電気長が９０度のストリップ線路に対して、特性インピーダンスＺが１５Ωで、電気長が１０度の調整用線路を接続することで、特性インピーダンスＺが１３２．４Ωで、電気長が９０度の共振器と同等の電気特性を得ている。
【００５３】
図２１では、特性インピーダンスＺが７９Ωの共振器を形成する例を示している。
図２１では、特性インピーダンスがＺ６０Ωで、電気長が９０度のストリップ線路に対して、特性インピーダンスＺが１７Ωで、電気長が５度の調整用線路を接続することで、特性インピーダンスＺが７９Ωで、電気長が９０度の共振器と同等の電気特性を得ている。
【００５４】
図１９に示す結合線路７１に含まれている線路７１ａ，７１ｂのそれぞれは、図２２に示すように、π型回路に変換することが可能である。
図２２は、結合線路７１に含まれている線路７１ａ，７１ｂのそれぞれとπ型回路との対応関係を示す説明図である。
図２２において、線路１４１は、電気長がθａで、特性インピーダンスがＺａの線路である。
線路１４２は、一端が線路１４１の一端と接続されて、他端がグランドと接続されており、電気長がθｂで、特性インピーダンスがＺｂの線路である。
線路１４３は、一端が線路１４１の他端と接続されて、他端がグランドと接続されており、電気長がθｂで、特性インピーダンスがＺｂの線路である。
【００５５】
ここで、線路７１ａ，７１ｂの特性インピーダンスがＺｉ、線路７１ａ，７１ｂの電気長が９０度であるとする。
この場合、以下の式（１）に示すＦ行列の等価性により、特性インピーダンスＺｉは、以下の式（２）のように表される。
また、特性インピーダンスＺｂは、以下の式（３）のように表される。ｊは、虚数単位である。
0006563164.tif 000002
Ｚｉ＝Ｚａ×ｓｉｎθａ    （２）
Ｚｂ＝Ｚａ×ｔａｎθａ×ｔａｎθｂ                （３）
よって、結合線路７１に含まれている線路７１ａ，７１ｂのそれぞれは、π型回路によって形成するようにしてもよい。
【００５６】
以上の実施の形態３は、第３の基板１７の中で、共振器１２１として作用するオープンスタブ１１１と、容量性整合素子１２２として作用する整合用の導体１１２とが、第１の柱状導体３１と接続されているように、高周波フィルタを構成した。したがって、電気長が２７０度の結合線路１３１を用いることなく、ミリ波帯における帯域阻止フィルタの特性を満足する高周波フィルタを得ることができる。
また、高周波フィルタは、複数の共振器を同一平面上に配置することなく、阻止帯域を形成することができる。
【００５７】
図１３に示す高周波フィルタでは、１つの整合用の導体１１２が第１の柱状導体３１と接続されている。
しかし、これは一例に過ぎず、図２３及び図２４に示すように、１つの整合用の導体１１２の他に、１つ以上の整合用の導体１１３が、第１の柱状導体３１と接続されていてもよい。
図２３は、実施の形態３に係る他の高周波フィルタを示す斜視図である。
図２４は、図２３の高周波フィルタの要部を矢印（１）が示す方向から見た側面図である。
図２３及び図２４の例では、２つの整合用の導体１１３が、第１の柱状導体３１と接続されていている。
整合用の導体１１３の電気長を変えることでも、高周波フィルタのフィルタ特性を調整できるため、整合用の導体１１３を第１の柱状導体３１に接続することで、フィルタ特性の調整可能な範囲が広がる。
【００５８】
実施の形態３の高周波フィルタでは、オープンスタブ５１ａ，５１ｂ，１１１の形状が、線路の途中で１回折れているＬ字形状であるものを示している。
しかし、これは一例に過ぎず、オープンスタブ５１ａ，５１ｂ，１１１の形状は、どのような形状であってもよく、例えば、図２５に示すように、線路の途中で２回折れている形状であってもよい。また、オープンスタブ５１ａ，５１ｂ，１１１の形状は、線路の途中で３回以上折れている形状であってもよいし、直線状の形状であってもよいし、曲線状の形状であってもよい。
図２５は、実施の形態３に係る他の高周波フィルタを示す斜視図である。
【００５９】
実施の形態３の高周波フィルタでも、実施の形態１の高周波フィルタと同様に、第１のストリップ線路２１ａ及び第２のストリップ線路２１ｂの周囲に、柱状導体９０を装荷するようにしてもよい。また、オープンスタブ５１ａ，５１ｂの周囲にも、柱状導体９０を装荷するようにしてもよい。
【００６０】
実施の形態４．
実施の形態３では、１つのオープンスタブ１１１と、１つの整合用の導体１１２とが、第１の柱状導体３１と接続されている高周波フィルタを示している。
実施の形態４では、複数のオープンスタブ１１１と、複数の整合用の導体１１２とが、第１の柱状導体３１と接続されている高周波フィルタについて説明する。
【００６１】
図２６は、実施の形態４に係る高周波フィルタを示す斜視図である。
図２７は、図２６の高周波フィルタの要部を矢印（１）が示す方向から見た側面図である。
図２６及び図２７において、図１、図２、図１３及び図１４と同一符号は同一又は相当部分を示すので説明を省略する。
図２６及び図２７に示す高周波フィルタでは、２つオープンスタブ１１１と、２つの整合用の導体１１２とが、第１の柱状導体３１と接続されている。
図２６及び図２７では、２つオープンスタブ１１１を区別するため、＋ｚ側のオープンスタブ１１１をオープンスタブ１１１ａと表記し、−ｚ側のオープンスタブ１１１をオープンスタブ１１１ｂと表記している。
また、２つの整合用の導体１１２を区別するため、＋ｚ側の整合用の導体１１２を整合用の導体１１２ａと表記し、−ｚ側の整合用の導体１１２を整合用の導体１１２ｂと表記している。
【００６２】
図２６及び図２７に示す高周波フィルタでは、２つオープンスタブ１１１と、２つの整合用の導体１１２とが、第１の柱状導体３１と接続されている。しかし、これに限るものではなく、３つ以上のオープンスタブ１１１と、３つ以上の整合用の導体１１２とが、第１の柱状導体３１と接続されている高周波フィルタであってもよい。
【００６３】
オープンスタブ５１ａとオープンスタブ１１１ａとの間隔は、阻止帯域の中心周波数Ｆｃで９０度以下の電気長である。
オープンスタブ１１１ａとオープンスタブ１１１ｂとの間隔は、阻止帯域の中心周波数Ｆｃで９０度以下の電気長である。
オープンスタブ１１１ｂとオープンスタブ５１ｂとの間隔は、阻止帯域の中心周波数Ｆｃで９０度以下の電気長である。
３つ以上のオープンスタブ１１１と、３つ以上の整合用の導体１１２とが、第１の柱状導体３１と接続される場合、３つ以上のオープンスタブ１１１の間の間隔は、それぞれ阻止帯域の中心周波数Ｆｃで９０度以下の電気長である。
【００６４】
オープンスタブ１１１ａ，１１１ｂ及び整合用の導体１１２ａ，１１２ｂを、第１の柱状導体３１に接続することで、図１及び図１３に示す高周波フィルタよりも共振器の段数が増えるため、ミリ波帯における帯域阻止フィルタの特性を満足する高周波フィルタを作成することが容易になる。図１に示す高周波フィルタにおける共振器の段数は、２段であり、図１３に示す高周波フィルタにおける共振器の段数は、３段であり、図２６に示す高周波フィルタにおける共振器の段数は、４段である。
【００６５】
実施の形態４の高周波フィルタでも、実施の形態１の高周波フィルタと同様に、第１のストリップ線路２１ａ及び第２のストリップ線路２１ｂの周囲に、柱状導体９０を装荷するようにしてもよい。また、オープンスタブ５１ａ，５１ｂの周囲にも、柱状導体９０を装荷するようにしてもよい。
【００６６】
実施の形態５．
実施の形態１〜４の高周波フィルタは、第１の柱状導体３１を取り囲むように、複数の第２の柱状導体４１が配置されている同軸線路を備えている。
実施の形態５では、複数の第２の柱状導体４１が第１の柱状導体３１を取り囲むように、第１の柱状導体３１と第２の柱状導体４１とが同心円状に配置されている高周波フィルタについて説明する。
【００６７】
実施の形態５の高周波フィルタでは、オープンスタブ１１１が、図２８に示すように、第１の柱状導体３１の柱状導体３１ｂと、第２の柱状導体４１の柱状導体４１ｂとの間に配置されている。
図２８は、第１の柱状導体３１と第２の柱状導体４１との間に配置されているオープンスタブ１１１の一例を示す説明図である。
図２８に示すオープンスタブ１１１の形状は、ループ形状である。
ループ形状のオープンスタブ１１１が、第１の柱状導体３１と第２の柱状導体４１との間に配置されている高周波フィルタは、例えば、直線形状のオープンスタブが接続されている高周波フィルタよりも、小型化を実現することができる。
【００６８】
実施の形態５の高周波フィルタでも、実施の形態１の高周波フィルタと同様に、第１のストリップ線路２１ａ及び第２のストリップ線路２１ｂの周囲に、柱状導体９０を装荷するようにしてもよい。また、オープンスタブ５１ａ，５１ｂの周囲にも、柱状導体９０を装荷するようにしてもよい。
【００６９】
なお、本願発明はその発明の範囲内において、各実施の形態の自由な組み合わせ、あるいは各実施の形態の任意の構成要素の変形、もしくは各実施の形態において任意の構成要素の省略が可能である。
【産業上の利用可能性】
【００７０】
この発明は、共振器として作用するオープンスタブと、容量性整合素子として作用する整合用の導体とを有する高周波フィルタに適している。
【符号の説明】
【００７１】
１  多層基板、１１  第１の基板、１２，１３  グラウンド面、１４  第２の基板、１５，１６  グラウンド面、１７  第３の基板、２１ａ  第１のストリップ線路、２１ｂ  第２のストリップ線路、３０  同軸線路、３１  第１の柱状導体、３１ａ，３１ｂ，３１ｃ  柱状導体、３２ａ，３２ｂ，３３ａ，３３ｂ  接続部材、３４ａ，３４ｂ  孔、４１  第２の柱状導体、４１ａ，４１ｂ，４１ｃ  柱状導体、４２  ランド、５１ａ，５１ｂ  オープンスタブ、５２ａ，５２ｂ  整合用の導体、６１  アンテナ素子、６２  高周波回路、７１  結合線路、７１ａ  線路、７１ｂ  線路、７２ａ，７２ｂ  共振器、７３ａ，７３ｂ  容量性整合素子、８１  結合線路、８２ａ，８２ｂ  共振器、９０  柱状導体、１０１  アンテナ素子、１０２  非励振素子、１０３  ＢＧＡ、１０４  配線、１１１，１１１ａ，１１１ｂ  オープンスタブ、１１２，１１２ａ，１１２ｂ，１１３  整合用の導体、１２１  共振器、１２２  容量性整合素子、１３１  結合線路、１３２，１３３  補償線路。
【要約】
一端が第１のストリップ線路（２１ａ）と接続され、他端が第２のストリップ線路（２１ｂ）と接続されるように、多層基板（１）の内部に設けられている第１の柱状導体（３１）と、一端がグラウンド面（１２）と接続され、他端がグラウンド面（１６）と接続されるように、多層基板（１）を貫通している１つ以上の第２の柱状導体（４１）とを有し、第１の柱状導体（３１）が内導体として作用し、第２の柱状導体（４１）が外導体として作用する同軸線路（３０）を備え、第１のストリップ線路（２１ａ）及び第２のストリップ線路（２１ｂ）のそれぞれは、共振器（７２ａ），（７２ｂ）として作用するオープンスタブ（５１ａ），（５１ｂ）が接続され、かつ、容量性整合素子（７３ａ），（７３ｂ）として作用する整合用の導体（５２ａ），（５２ｂ）が接続されている。【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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