(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
５０℃〜１００℃での平均熱膨張係数α５０／１００が２．７０ｐｐｍ／℃〜３．２０ｐｐｍ／℃であり、
２００℃〜３００℃での平均熱膨張係数α２００／３００が３．４５ｐｐｍ／℃〜３．９５ｐｐｍ／℃であり、
２００℃〜３００℃の平均熱膨張係数α２００／３００を５０℃〜１００℃の平均熱膨張係数α５０／１００で除した値α２００／３００／α５０／１００が、１．２０〜１．３０であり、
酸化物基準のモル百分率表示で、下記の組成であり、
ＳｉＯ２  ：５０％〜７０％、
Ａｌ２Ｏ３  ：６％〜１６％、
Ｂ２Ｏ３  ：０％〜１５％、
ＭｇＯ  ：０％〜１５％、
ＣａＯ  ：０％〜１３％、
ＳｒＯ  ：０％〜１１％、
ＢａＯ  ：０％〜９．５％
アルカリ金属酸化物の含有量が酸化物基準のモル百分率表示で０％〜０．１％であり、
０．０１７７×（ＳｉＯ２の含有量）−０．０１７３×（Ａｌ２Ｏ３の含有量）＋０．０３７７×（Ｂ２Ｏ３の含有量）＋０．０７７１×（ＭｇＯの含有量）＋０．１５４３×（ＣａＯの含有量）＋０．１８０８×（ＳｒＯの含有量）＋０．２０８２×（ＢａＯの含有量）＋０．０３４４×（１２．３＋ｌｏｇ１０６０−ｌｏｇ１０η）が２．７０〜３．００、
０．０１８１×（ＳｉＯ２の含有量）＋０．０００４×（Ａｌ２Ｏ３の含有量）＋０．０３８７×（Ｂ２Ｏ３の含有量）＋０．０９１３×（ＭｇＯの含有量）＋０．１６２１×（ＣａＯの含有量）＋０．１９００×（ＳｒＯの含有量）＋０．２１８０×（ＢａＯの含有量）＋０．０３９１×（１２．３＋ｌｏｇ１０６０−ｌｏｇ１０η）が３．１３〜３．４３、
０．０１７７×（ＳｉＯ２の含有量）＋０．０１９５×（Ａｌ２Ｏ３の含有量）＋０．０３２３×（Ｂ２Ｏ３の含有量）＋０．１０１５×（ＭｇＯの含有量）＋０．１６８６×（ＣａＯの含有量）＋０．１９９０×（ＳｒＯの含有量）＋０．２１７９×（ＢａＯの含有量）＋０．０３１２×（１２．３＋ｌｏｇ１０６０−ｌｏｇ１０η）が３．４５〜３．９５、および
０．０１１１×（ＳｉＯ２の含有量）＋０．０２５０×（Ａｌ２Ｏ３の含有量）＋０．００７８×（Ｂ２Ｏ３の含有量）＋０．０１４４×（ＭｇＯの含有量）＋０．００５３×（ＣａＯの含有量）＋０．００５２×（ＳｒＯの含有量）＋０．００１３×（ＢａＯの含有量）−０．００４１×（１２．３＋ｌｏｇ１０６０−ｌｏｇ１０η）が１．２０〜１．３０
を満たすガラス基板。
（ここで、ＳｉＯ２の含有量、Ａｌ２Ｏ３の含有量、Ｂ２Ｏ３の含有量、ＭｇＯの含有量、ＣａＯの含有量、およびＳｒＯの含有量は、得られたガラスに含有される酸化物基準のモル百分率表示で表した含有量、ηは仮想粘度（単位：ｄ・Ｐａ・ｓ）である。）
【請求項２】
２００℃〜３００℃での平均熱膨張係数α２００／３００が３．５５ｐｐｍ／℃〜３．８５ｐｐｍ／℃である請求項１に記載のガラス基板。
【請求項３】
酸化物基準のモル百分率表示で、ＣａＯ、ＳｒＯ、およびＢａＯの合計含有量が７％以上、かつ（Ａｌ２Ｏ３の含有量）≧（ＭｇＯの含有量）であり、失透粘性が１０３．８ｄ・Ｐａ・ｓ以上である請求項１または２に記載のガラス基板。
【請求項４】
１００℃〜２００℃での平均熱膨張係数α１００／２００が３．１３ｐｐｍ／℃〜３．６３ｐｐｍ／℃である、請求項１〜３のいずれか一項に記載のガラス基板。
【請求項５】
酸化物基準の質量百万分率表示で、Ｆｅ２Ｏ３の含有量が２００ｐｐｍ以下である請求項１〜４のいずれか一項に記載のガラス基板。
【請求項６】
ヤング率が８０ＧＰａ以上である請求項１〜５のいずれか一項に記載のガラス基板。
【請求項７】
厚さが１．０ｍｍ以下である請求項１〜６のいずれか一項に記載のガラス基板。
【請求項８】
面積が０．０３ｍ２以上である請求項１〜７のいずれか一項に記載のガラス基板。
【請求項９】
ガラス基板に含まれる０．５μｍ以上１ｍｍ以下の欠点の密度が、１個／ｃｍ２以下である請求項１〜８のいずれか一項に記載のガラス基板。
【請求項１０】
仮想粘度が１０１１．０ｄ・Ｐａ・ｓ〜１０１４．１ｄ・Ｐａ・ｓである請求項１〜９のいずれか一項に記載のガラス基板。
【請求項１１】
２５℃、５質量％のフッ酸水溶液に対する重量減少量が０．０５（ｍｇ／ｃｍ２）／分以上、０．２０（ｍｇ／ｃｍ２）／分以下である請求項１〜１０のいずれか一項に記載のガラス基板。
【請求項１２】
光弾性定数が３１ｎｍ／（ＭＰａ・ｃｍ）以下である請求項１〜１１のいずれか一項に記載のガラス基板。
【請求項１３】
請求項１〜１２のいずれか一項に記載のガラス基板と、シリコン基板とが積層された積層基板。
【請求項１４】
請求項１〜１２のいずれか一項に記載のガラス基板とシリコン基板とが積層され、
前記ガラス基板の５０℃〜１００℃の平均熱膨張係数α５０／１００と、前記シリコン基板の５０℃〜１００℃の平均熱膨張係数αＳｉ５０／１００との差Δα５０／１００（＝α５０／１００−αＳｉ５０／１００）が、−０．２５ｐｐｍ／℃〜０．２５ｐｐｍ／℃であり、
前記ガラス基板の２００℃〜３００℃の平均熱膨張係数α２００／３００と、前記シリコン基板の２００℃〜３００℃の平均熱膨張係数αＳｉ２００／３００との差Δα２００／３００（＝α２００／３００−αＳｉ２００／３００）が、−０．２５ｐｐｍ／℃〜０．２５ｐｐｍ／℃であり、
Δα２００／３００−Δα５０／１００が−０．１６ｐｐｍ／℃〜０．１６ｐｐｍ／℃であり、
前記ガラス基板のアルカリ金属酸化物の含有量が酸化物基準のモル百分率表示で０％〜０．１％である積層基板。
【請求項１５】
前記ガラス基板の１００℃〜２００℃の平均熱膨張係数α１００／２００と、前記シリコン基板の１００℃〜２００℃の平均熱膨張係数αＳｉ１００／２００との差Δα１００／２００（＝α１００／２００−αＳｉ１００／２００）が、−０．２５ｐｐｍ／℃〜０．２５ｐｐｍ／℃である請求項１４に記載の積層基板。
【請求項１６】
ガラス原料を加熱して溶融ガラスを得る溶解工程と、
前記溶融ガラスから泡を除く清澄工程と、
前記溶融ガラスを板状にしてガラスリボンを得る成形工程と、
前記ガラスリボンを室温状態まで徐冷する徐冷工程と、を含み、
酸化物基準のモル百分率表示で、得られるガラス基板の組成が下記の組成であり、
ＳｉＯ２  ：５０％〜７０％、
Ａｌ２Ｏ３  ：６％〜１６％、
Ｂ２Ｏ３  ：０％〜１５％、
ＭｇＯ  ：０％〜１５％、
ＣａＯ  ：０％〜１３％、
ＳｒＯ  ：０％〜１１％、
ＢａＯ  ：０％〜９．５％
アルカリ金属酸化物の含有量が酸化物基準のモル百分率表示で０％〜０．１％、
前記得られるガラス基板の組成と、前記徐冷工程における前記ガラスリボンの粘度が１０１３ｄ・Ｐａ・ｓとなる温度から１０１４．５ｄ・Ｐａ・ｓとなる温度になるまでの平均冷却速度Ｒ（単位：℃／分）とが、次の条件（１）、条件（２）、条件（３）、および条件（４）を満たすガラス基板の製造方法。
条件（１）：
０．０１７７×（ＳｉＯ２の含有量）−０．０１７３×（Ａｌ２Ｏ３の含有量）＋０．０３７７×（Ｂ２Ｏ３の含有量）＋０．０７７１×（ＭｇＯの含有量）＋０．１５４３×（ＣａＯの含有量）＋０．１８０８×（ＳｒＯの含有量）＋０．２０８２×（ＢａＯの含有量）＋０．０３４４×ｌｏｇ１０Ｒが２．７０〜３．００
条件（２）：
０．０１８１×（ＳｉＯ２の含有量）＋０．０００４×（Ａｌ２Ｏ３の含有量）＋０．０３８７×（Ｂ２Ｏ３の含有量）＋０．０９１３×（ＭｇＯの含有量）＋０．１６２１×（ＣａＯの含有量）＋０．１９００×（ＳｒＯの含有量）＋０．２１８０×（ＢａＯの含有量）＋０．０３９１×ｌｏｇ１０Ｒが３．１３〜３．４３
条件（３）：
０．０１７７×（ＳｉＯ２の含有量）＋０．０１９５×（Ａｌ２Ｏ３の含有量）＋０．０３２３×（Ｂ２Ｏ３の含有量）＋０．１０１５×（ＭｇＯの含有量）＋０．１６８６×（ＣａＯの含有量）＋０．１９９０×（ＳｒＯの含有量）＋０．２１７９×（ＢａＯの含有量）＋０．０３１２×ｌｏｇ１０Ｒが３．４５〜３．９５
条件（４）：
０．０１１１×（ＳｉＯ２の含有量）＋０．０２５０×（Ａｌ２Ｏ３の含有量）＋０．００７８×（Ｂ２Ｏ３の含有量）＋０．０１４４×（ＭｇＯの含有量）＋０．００５３×（ＣａＯの含有量）＋０．００５２×（ＳｒＯの含有量）＋０．００１３×（ＢａＯの含有量）−０．００４１×ｌｏｇ１０Ｒが１．２０〜１．３０
（ここで、ＳｉＯ２の含有量、Ａｌ２Ｏ３の含有量、Ｂ２Ｏ３の含有量、ＭｇＯの含有量、ＣａＯの含有量、ＳｒＯの含有量、およびＢａＯの含有量は、得られたガラスに含有される酸化物基準のモル百分率表示で表した含有量である。）
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ガラス基板、積層基板、およびガラス基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
チップサイズパッケージ（ＣＳＰ）等のイメージセンサは、シリコン基板上にガラス基板を貼り付けて保護する方式が知られており、熱膨張による伸び率をガラスと接合されるシリコン基板の熱膨張による伸び率に近づけたシリコン台座用ガラスが提案されている（例えば、特許文献１参照）。【０００３】
また、これまでの半導体組立工程では、ウェハ状態のシリコン基板とガラス基板とをそれぞれ切断した後に、シリコン基板とガラス基板とを貼り合わせて、ダイボンディング、ワイヤーボンディング、およびモールディングなどの一連の組立工程を行っている。近年、原寸のウェハ状態でシリコン基板とガラス基板とを貼り合わせて組立工程を行った後に切断を行うウェハレベルパッケージ技術が次世代ＣＳＰ技術として脚光を浴びている。【０００４】
シリコン基板とガラス基板とを貼り合わせるには、熱処理工程を必要とする。熱処理工程では、例えば、２００℃〜４００℃の温度でシリコン基板とガラス基板を貼り合わせた積層基板を室温まで降温させる。このとき、シリコン基板とガラス基板の熱膨張係数に差があると、熱膨張係数の違いによりシリコン基板に大きな残留歪（残留変形）が発生する原因となる。【０００５】
ウェハレベルパッケージ技術では、ウェハ状態でシリコン基板とガラス基板を貼り合わせるため、従来では問題にならなかったような熱膨張係数の差でも、シリコン基板に残留歪が発生しやすい。また、熱処理工程では、アルカリイオンがガラス基板からシリコン基板に拡散しないことが求められる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】日本国特許第３１５３７１０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
特許文献１には、ガラスの熱膨張による伸び率α１と、ガラスと接合されるシリコン基材の熱膨張による伸び率α２との比率α１／α２が０．８〜１．２の範囲の値であることを特徴とするシリコン台座用ガラスが提案されている。しかし、特許文献１で開示されている実施例のガラスでは、シリコン基板との熱膨張係数の一致性は不十分であり、ウェハレベルパッケージ技術ではシリコン基板に残留歪が発生しやすい。【０００８】
そこで、本発明は、シリコン基板とガラス基板を貼り合わせる熱処理工程において、アルカリイオンがシリコン基板に拡散しにくく、シリコン基板に発生する残留歪が小さいガラス基板およびガラス基板の製造方法を提供する。または、本発明は、当該ガラス基板を用いた積層基板を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明のガラス基板は、５０℃〜１００℃での平均熱膨張係数α５０／１００が２．７０ｐｐｍ／℃〜３．２０ｐｐｍ／℃であり、
２００℃〜３００℃での平均熱膨張係数α２００／３００が３．４５ｐｐｍ／℃〜３．９５ｐｐｍ／℃であり、
２００℃〜３００℃の平均熱膨張係数α２００／３００を５０℃〜１００℃の平均熱膨張係数α５０／１００で除した値α２００／３００／α５０／１００が、１．２０〜１．３０であり、
アルカリ金属酸化物の含有量が酸化物基準のモル百分率表示で０％〜０．１％であることを特徴とする。【００１０】
本発明の積層基板は、上記のガラス基板と、シリコン基板とが積層されたことを特徴とする。
また本発明の積層基板は、ガラス基板とシリコン基板とが積層され、前記ガラス基板の５０℃〜１００℃の平均熱膨張係数α５０／１００と、前記シリコン基板の５０℃〜１００℃の平均熱膨張係数αＳｉ５０／１００との差Δα５０／１００（＝α５０／１００−αＳｉ５０／１００）が、−０．２５ｐｐｍ／℃〜０．２５ｐｐｍ／℃であり、
前記ガラス基板の２００℃〜３００℃の平均熱膨張係数α２００／３００と、前記シリコン基板の２００℃〜３００℃の平均熱膨張係数αＳｉ２００／３００との差Δα２００／３００（＝α２００／３００−αＳｉ２００／３００）が、−０．２５ｐｐｍ／℃〜０．２５ｐｐｍ／℃であり、
前記Δα２００／３００−前記Δα５０／１００が、−０．１６ｐｐｍ／℃〜０．１６ｐｐｍ／℃であり、
前記ガラス基板のアルカリ金属酸化物の含有量が酸化物基準のモル百分率表示で０％〜０．１％であることを特徴とする。【００１１】
本発明のガラス基板の製造方法は、
ガラス原料を加熱して溶融ガラスを得る溶解工程と、
前記溶融ガラスから泡を除く清澄工程と、
前記溶融ガラスを板状にしてガラスリボンを得る成形工程と、
前記ガラスリボンを室温状態まで徐冷する徐冷工程と、を含み、
酸化物基準のモル百分率表示で、得られるガラス基板の組成が下記の組成であり、
ＳｉＯ２  ：５０％〜７５％、
Ａｌ２Ｏ３  ：６％〜１６％、
Ｂ２Ｏ３    ：０％〜１５％、
ＭｇＯ    ：０％〜１５％、
ＣａＯ    ：０％〜１３％、
ＳｒＯ    ：０％〜１１％、
ＢａＯ    ：０％〜９．５％、
アルカリ金属酸化物の含有量が酸化物基準のモル百分率表示で０％〜０．１％、
前記得られるガラス基板の組成と、前記徐冷工程における前記ガラスリボンの粘度が１０１３ｄ・Ｐａ・ｓとなる温度から１０１４．５ｄ・Ｐａ・ｓとなる温度になるまでの平均冷却速度Ｒ（単位：℃／分）とが、次の条件（１）、条件（２）、条件（３）、および条件（４）を満たすガラス基板の製造方法。
条件（１）：
０．０１７７×（ＳｉＯ２の含有量）−０．０１７３×（Ａｌ２Ｏ３の含有量）＋０．０３７７×（Ｂ２Ｏ３の含有量）＋０．０７７１×（ＭｇＯの含有量）＋０．１５４３×（ＣａＯの含有量）＋０．１８０８×（ＳｒＯの含有量）＋０．２０８２×（ＢａＯの含有量）＋０．０３４４×ｌｏｇ１０Ｒが２．７０〜３．２０
条件（２）：
０．０１８１×（ＳｉＯ２の含有量）＋０．０００４×（Ａｌ２Ｏ３の含有量）＋０．０３８７×（Ｂ２Ｏ３の含有量）＋０．０９１３×（ＭｇＯの含有量）＋０．１６２１×（ＣａＯの含有量）＋０．１９００×（ＳｒＯの含有量）＋０．２１８０×（ＢａＯの含有量）＋０．０３９１×ｌｏｇ１０Ｒが３．１３〜３．６３
条件（３）：
０．０１７７×（ＳｉＯ２の含有量）＋０．０１９５×（Ａｌ２Ｏ３の含有量）＋０．０３２３×（Ｂ２Ｏ３の含有量）＋０．１０１５×（ＭｇＯの含有量）＋０．１６８６×（ＣａＯの含有量）＋０．１９９０×（ＳｒＯの含有量）＋０．２１７９×（ＢａＯの含有量）＋０．０３１２×ｌｏｇ１０Ｒが３．４５〜３．９５
条件（４）：
０．０１１１×（ＳｉＯ２の含有量）＋０．０２５０×（Ａｌ２Ｏ３の含有量）＋０．００７８×（Ｂ２Ｏ３の含有量）＋０．０１４４×（ＭｇＯの含有量）＋０．００５３×（ＣａＯの含有量）＋０．００５２×（ＳｒＯの含有量）＋０．００１３×（ＢａＯの含有量）−０．００４１×ｌｏｇ１０Ｒが１．２０〜１．３０
ここで、ＳｉＯ２の含有量、Ａｌ２Ｏ３の含有量、Ｂ２Ｏ３の含有量、ＭｇＯの含有量、ＣａＯの含有量、ＳｒＯの含有量、およびＢａＯの含有量は、得られたガラスに含有される酸化物基準のモル百分率表示で表した含有量である。
なお、本明細書において、特に明記しない限りは、ガラス基板およびその製造方法における各成分の含有量は酸化物基準のモル百分率で表す。
【発明の効果】
【００１２】
本発明は、シリコン基板とガラス基板を貼り合わせる熱処理工程において、アルカリイオンがシリコン基板に拡散しにくく、シリコン基板に発生する残留歪が小さいガラス基板およびガラス基板の製造方法が提供できる。または、本発明は、当該ガラス基板を用いた積層基板が提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】図１（Ａ），（Ｂ）は、シリコン基板と貼り合わせる本発明の一実施形態に係るガラス基板を表し、図１（Ａ）は貼り合わせ前の断面図、図１（Ｂ）は貼り合わせ後の断面図である。
【図２】図２は、アルカリ金属酸化物の含有量の影響を表すＳＩＭＳ測定結果を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明の一実施形態について説明する。
図１（Ａ），図１（Ｂ）は、シリコン基板と貼り合わせる本発明の一実施形態に係るガラス基板を表す。図１（Ａ）に表される本発明により得られるガラス基板Ｇ１は、シリコン基板１０と、樹脂２０を間に挟み、例えば、２００℃〜４００℃の温度で貼り合わされ、図１（Ｂ）に表される積層基板３０が得られる。シリコン基板１０として、例えば、原寸のウェハが用いられる。樹脂２０は、２００℃〜４００℃の温度に耐えられるものであれば何でもよい。
【００１５】
本発明の一実施形態のガラス基板は、シリコン基板との熱膨張係数の差が小さいため、シリコン基板と貼り合わせる熱処理工程やその後の熱処理工程において、熱膨張係数の差に起因する残留歪の発生を抑制することができる。そのため、ウェハレベルパッケージによる素子の小型化が有効なＭＥＭＳ、ＣＭＯＳ、ＣＩＳ等のイメージセンサ用のガラス基板として好適である。
【００１６】
また、プロジェクション用途のディスプレイデバイス用のカバーガラス、例えばＬＣＯＳ（Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｉｓｔｙａｌ  ＯＮ  Ｓｉｌｉｃｏｎ）のカバーガラスとして好適である。例えばＬＣＯＳやイメージセンサでは、シリコン基板上に電子回路を形成した後、接着材として樹脂やガラスフリットを用いて、シリコン基板にカバーガラスが接着される。シリコン基板とカバーガラスの熱膨張係数が一致または極めて近ければ、デバイス製造時や使用時に温度が変化した際に接着界面に生じる応力が低減される。これにより、光弾性変形に起因する色ムラの低減や、長期信頼性の向上が期待できる。
【００１７】
さらに、ガラスインターポーザ（ＧＩＰ）の穴開け基板や、半導体バックグラインド用のサポートガラスとして好適である。本発明の一実施形態のガラス基板は、シリコン基板と貼り合わせて使うガラス基板用途であれば好適に使用できる。
【００１８】
本発明の一実施形態のガラス基板は、５０℃〜１００℃での平均熱膨張係数α５０／１００が、２．７０ｐｐｍ／℃〜３．２０ｐｐｍ／℃である。α５０／１００は２．８０ｐｐｍ／℃以上が好ましく、２．９０ｐｐｍ／℃以上がより好ましく、２．９１ｐｐｍ／℃以上がさらに好ましく、２．９２ｐｐｍ／℃以上が特に好ましい。また、α５０／１００は、３．１０ｐｐｍ／℃以下が好ましく、３．００ｐｐｍ／℃以下がより好ましく、２．９６ｐｐｍ／℃以下がさらに好ましく、２．９４ｐｐｍ／℃以下が特に好ましい。
【００１９】
α５０／１００が上記範囲であれば、シリコン基板との熱膨張係数の差が小さいため、プロセスマージンは確保しつつ、シリコン基板とガラス基板を貼り合わせる熱処理工程で、シリコン基板に発生する残留歪を小さくすることができる。
【００２０】
ここで、５０℃〜１００℃の平均熱膨張係数α５０／１００とは、ＪＩＳ  Ｒ３１０２（１９９５年）で規定されている方法で測定した、熱膨張係数を測定する温度範囲が５０℃〜１００℃である平均熱膨張係数である。
【００２１】
上記した数値範囲を示す「〜」とは、その前後に記載された数値を下限値および上限値として含む意味で使用され、特段の定めがない限り、以下本明細書において「〜」は、同様の意味をもって使用される。
【００２２】
本発明の一実施形態のガラス基板は、２００℃〜３００℃での平均熱膨張係数α２００／３００が３．４５ｐｐｍ／℃〜３．９５ｐｐｍ／℃である。α２００／３００は３．５５ｐｐｍ／℃以上が好ましく、３．６５ｐｐｍ／℃以上がより好ましく、３．６６ｐｐｍ／℃以上が特に好ましく、３．６８ｐｐｍ／℃以上が最も好ましい。またα２００／３００は３．８５ｐｐｍ／℃以下が好ましく、３．７５ｐｐｍ／℃以下がより好ましく、３．７３ｐｐｍ／℃以下が特に好ましく、３．７１ｐｐｍ／℃以下が最も好ましい。
【００２３】
α２００／３００が上記範囲であれば、本発明の一実施形態のガラス基板をシリコン基板と貼り合わせる際のプロセスマージンは確保しつつ、シリコン基板との熱膨張係数の差が小さいため、シリコン基板との熱膨張係数差に起因する残留歪の発生などの不良を有意に抑制することができる。
【００２４】
また、α２００／３００が３．５５ｐｐｍ／℃〜３．８５ｐｐｍ／℃であれば、シリコン基板との熱膨張係数の差が十分に小さくなるため、熱膨張係数の差に起因する不良をより抑制することができる。
【００２５】
ここで、２００℃〜３００℃の平均熱膨張係数α２００／３００とは、ＪＩＳ  Ｒ３１０２（１９９５年）で規定されている方法で測定した、熱膨張係数を測定する温度範囲が２００℃〜３００℃である平均熱膨張係数である。
【００２６】
本発明の一実施形態のガラス基板は、２００℃〜３００℃での平均熱膨張係数α２００／３００を５０℃〜１００℃での平均熱膨張係数α５０／１００で除した値α２００／３００／α５０／１００が１．２０〜１．３０である。α２００／３００／α５０／１００が１．２０〜１．３０であれば、シリコン基板との熱膨張係数の差が小さいため、シリコン基板とガラス基板を貼り合わせる熱処理工程で、シリコン基板に発生する残留歪が小さい。α２００／３００／α５０／１００は、１．２４〜１．２７が好ましい。
【００２７】
本発明の一実施形態のガラス基板は、アルカリ金属酸化物の含有量が０％〜０．１％である。ここで、アルカリ金属酸化物は、Ｌｉ２Ｏ、Ｎａ２Ｏ、Ｋ２Ｏなどである。アルカリ金属酸化物の含有量が０．１％以下であれば、シリコン基板とガラス基板を貼り合わせる熱処理工程において、アルカリイオンがシリコン基板に拡散しにくい。アルカリ金属酸化物の含有量は、０．０５％以下がより好ましく、０．０２％以下がさらに好ましく、実質的に含まないことが特に好ましい。ここで、アルカリ金属酸化物を実質的に含まないとは、アルカリ金属酸化物を全く含まないこと、またはアルカリ金属酸化物を製造上不可避的に混入した不純物として含んでいてもよいことを意味する。
【００２８】
本発明の一実施形態のガラス基板は、下記の組成であることが好ましい。
ＳｉＯ２  ：５０％〜７５％、
Ａｌ２Ｏ３  ：６％〜１６％、
Ｂ２Ｏ３    ：０％〜１５％、
ＭｇＯ    ：０％〜１５％、
ＣａＯ    ：０％〜１３％、
ＳｒＯ    ：０％〜１１％、
ＢａＯ    ：０％〜９．５％
【００２９】
ＳｉＯ２はガラスの骨格を形成する成分である。ＳｉＯ２の含有量が５０％以上であれば、耐熱性、化学的耐久性、耐候性が良好となる。ＳｉＯ２の含有量が７５％以下であれば、ガラス溶解時の粘性が高くなり過ぎずに溶融性が良好となる。ＳｉＯ２の含有量は、６０％以上が好ましく、６４％以上がより好ましい。またＳｉＯ２の含有量は、７０％以下が好ましく、６８％以下がより好ましい。
【００３０】
Ａｌ２Ｏ３の含有量が６％以上であれば、耐候性、耐熱性、化学的耐久性が良好となり、ヤング率が高くなる。Ａｌ２Ｏ３の含有量が１６％以下であれば、ガラス溶解時の粘性が高くなり過ぎずに溶融性が良好となり、失透しにくくなる。Ａｌ２Ｏ３の含有量は、８％以上が好ましく、１１％以上がより好ましい。またＡｌ２Ｏ３の含有量は１４％以下が好ましい。
【００３１】
Ｂ２Ｏ３は必須成分ではないが、含有することによりガラス溶解時の粘性が高くなり過ぎずに溶融性が良好となり、失透しにくくなる。Ｂ２Ｏ３の含有量が１５％以下であれば、ガラス転移温度を高くすることができ、ヤング率が高くなる。Ｂ２Ｏ３の含有量は、３％以上がより好ましい。また、Ｂ２Ｏ３の含有量は、１２％以下が好ましく、６％以下がより好ましい。
【００３２】
ＭｇＯは必須成分ではないが、含有することによりガラス溶解時の粘性が高くなり過ぎずに溶融性が良好となり、耐候性が向上し、ヤング率が高くなる。ＭｇＯの含有量が、１５％以下であれば、失透しにくくなる。ＭｇＯの含有量は、４％以上が好ましく、６％以上がより好ましい。また、ＭｇＯの含有量は、１０％以下が好ましく、９．５％以下がより好ましく、９％以下がさらに好ましい。
【００３３】
ＣａＯは必須成分ではないが、含有することによりガラス溶解時の粘性が高くなり過ぎずに溶融性が良好となり、耐候性が向上する。ＣａＯの含有量が１３％以下であれば、失透しにくくなる。ＣａＯの含有量は、４％以上が好ましい。また、ＣａＯの含有量は、１０％以下が好ましく、８％以下がより好ましい。
【００３４】
ＳｒＯは必須成分ではないが、含有することによりガラス溶解時の粘性が高くなり過ぎずに溶融性が良好となり、耐候性が向上する。ＳｒＯの含有量が１１％以下であれば、失透しにくくなる。ＳｒＯの含有量は、０．５％以上が好ましい。また、ＳｒＯの含有量は、８％以下が好ましく、３％以下がより好ましい。
【００３５】
ＢａＯは必須成分ではないが、含有することによりガラス溶解時の粘性が高くなり過ぎずに溶融性が良好となり、耐候性が向上する。ＢａＯの含有量が９．５％以下であれば、失透しにくくなる。ＢａＯの含有量は、３％以下が好ましく、２％以下がより好ましい。
【００３６】
本発明の一実施形態のガラス基板は、ＣａＯ、ＳｒＯ、およびＢａＯの合計含有量が、７％以上が好ましい。ＣａＯ、ＳｒＯ、およびＢａＯの合計含有量が７％以上であれば、失透しにくくなる。ＣａＯ、ＳｒＯ、およびＢａＯの合計含有量は７．５％以上がより好ましく、８．０％以上がさらに好ましい。
【００３７】
本発明の一実施形態のガラス基板は、（Ａｌ２Ｏ３の含有量）≧（ＭｇＯ）の含有量が好ましい。（Ａｌ２Ｏ３の含有量）≧（ＭｇＯの含有量）であれば、ガラス基板の平均熱膨張係数をシリコン基板の平均熱膨張係数に合わせやすく、シリコン基板とガラス基板を貼り合わせる熱処理工程で、シリコン基板に発生する残留歪が小さい。
【００３８】
本発明の一実施形態のガラス基板は、失透粘性（ηＴＬ）が、１０３．８ｄ・Ｐａ・ｓ以上が好ましい。失透粘性が１０３．８ｄ・Ｐａ・ｓ以上であれば、安定して成形をすることができる。失透粘性は１０４．０ｄ・Ｐａ・ｓ以上がより好ましく、１０４．２ｄ・Ｐａ・ｓ以上がさらに好ましい。
【００３９】
本発明の一実施形態のガラス基板は、ＣＭＯＳセンサーのカバーガラスとして用いる場合に可視光を吸収しにくくするためには、酸化物基準の質量百万分率表示で、Ｆｅ２Ｏ３の含有量が、２００ｐｐｍ以下が好ましい。Ｆｅ２Ｏ３の含有量は、１５０ｐｐｍ以下がより好ましく、１００ｐｐｍ以下がさらに好ましく、５０ｐｐｍ以下が特に好ましい。
【００４０】
本発明の一実施形態のガラス基板は、熱伝導率を高くし、溶融性を良好とするためには、酸化物基準の質量百万分率表示で、Ｆｅ２Ｏ３を、２００ｐｐｍを超えて１０００ｐｐｍ以下含有することが好ましい。Ｆｅ２Ｏ３の含有量が２００ｐｐｍを超えていれば、ガラス基板の熱伝導率を高くし、溶融性を良好とすることができる。Ｆｅ２Ｏ３の含有量が１０００ｐｐｍ以下であれば、可視光の吸収が強くなり過ぎない。
【００４１】
Ｆｅ２Ｏ３の含有量は３００ｐｐｍ以上がより好ましく、４００ｐｐｍ以上がさらに好ましく、５００ｐｐｍ以上が特に好ましい。Ｆｅ２Ｏ３の含有量は８００ｐｐｍ以下がより好ましく、７００ｐｐｍ以下がさらに好ましく、６００ｐｐｍ以下が特に好ましい。
【００４２】
本発明の一実施形態のガラス基板は、清澄剤として、例えば、ＳｎＯ２、ＳＯ３、Ｃｌ、およびＦなどを含有させてもよい。
【００４３】
本発明の一実施形態のガラス基板は、耐候性、溶解性、失透性、紫外線遮蔽、赤外線遮蔽、紫外線透過、赤外線透過等の改善のために、例えば、ＺｎＯ、Ｌｉ２Ｏ、ＷＯ３、Ｎｂ２Ｏ５、Ｖ２Ｏ５、Ｂｉ２Ｏ３、ＭｏＯ３、Ｐ２Ｏ５、Ｇａ２Ｏ３、Ｉ２Ｏ５、Ｉｎ２Ｏ５、Ｇｅ２Ｏ５等を含有させてもよい。
【００４４】
本発明の一実施形態のガラス基板は、ガラスの化学的耐久性向上のため、ガラス中にＺｒＯ２、Ｙ２Ｏ３、Ｌａ２Ｏ３、ＴｉＯ２、ＳｎＯ２を合量で２％以下含有させてもよく、好ましくは１％以下、より好ましくは０．５％以下で含有させる。これらのうちＹ２Ｏ３、Ｌａ２Ｏ３およびＴｉＯ２は、ガラスのヤング率向上にも寄与する。
【００４５】
本発明の一実施形態のガラス基板は、環境負荷を考慮すると、Ａｓ２Ｏ３、Ｓｂ２Ｏ３を実質的に含有しないことが好ましい。また、安定してフロート成形することを考慮すると、ＺｎＯを実質的に含有しないことが好ましい。
【００４６】
本発明の一実施形態のガラス基板は、１００℃〜２００℃での平均熱膨張係数α１００／２００は３．１３ｐｐｍ／℃〜３．６３ｐｐｍ／℃が好ましく、３．２３ｐｐｍ／℃〜３．５３ｐｐｍ／℃がより好ましい。α１００／２００が上記範囲であれば、シリコン基板との熱膨張係数の差が小さいため、プロセスマージンは確保しつつ、シリコン基板とガラス基板を貼り合わせる熱処理工程で、シリコン基板に発生する残留歪を小さくすることができる。
【００４７】
α１００／２００は３．３３ｐｐｍ／℃以上がさらに好ましく、３．３４ｐｐｍ／℃以上が特に好ましく、３．３５ｐｐｍ／℃以上が最も好ましい。また、α１００／２００は３．４３ｐｐｍ／℃以下がさらに好ましく、３．４１ｐｐｍ／℃以下が特に好ましく、３．３８ｐｐｍ／℃以下が最も好ましい。
【００４８】
ここで、１００℃〜２００℃の平均熱膨張係数α１００／２００とは、ＪＩＳ  Ｒ３１０２（１９９５年）で規定されている方法で測定した、熱膨張係数を測定する温度範囲が１００℃〜２００℃である平均熱膨張係数である。
【００４９】
本発明の一実施形態のガラス基板は、ヤング率が、８０ＧＰａ以上が好ましい。ヤング率が８０ＧＰａ以上であれば、ガラス基板を製造する際の徐冷工程において発生するガラス基板の反りや割れを抑制することができる。また、シリコン基板や周辺部材等との接触による破損を抑制することができる。ヤング率は８１ＧＰａ以上がより好ましく、８２ＧＰａ以上がさらに好ましく、８４ＧＰａ以上が特に好ましい。
【００５０】
また、ヤング率は、１００ＧＰａ以下が好ましい。ヤング率が１００ＧＰａ以下であれば、ガラスが脆くなる事を抑制し、ガラス基板の切削、ダイシング時の欠けを抑えることができる。ヤング率は９０ＧＰａ以下がより好ましく、８７ＧＰａ以下がさらに好ましい。
【００５１】
本発明の一実施形態のガラス基板は、厚さが、１．０ｍｍ以下が好ましい。厚さが１．０ｍｍ以下であれば、イメージセンサを小型にすることができる。厚さは、０．８ｍｍ以下がより好ましく、０．７ｍｍ以下がさらに好ましく、０．５ｍｍ以下が特に好ましい。
【００５２】
また、厚さは、０．１ｍｍ以上が好ましい。厚さが０．１ｍｍ以上であれば、シリコン基板や周辺部材等との接触による破損を抑制することができる。また、ガラス基板の自重たわみを抑えることができる。厚さは、０．２ｍｍ以上がより好ましく、０．３ｍｍ以上がさらに好ましい。
【００５３】
本発明の一実施形態のガラス基板は、面積が、０．０３ｍ２以上が好ましい。面積が０．０３ｍ２以上であれば、大面積のシリコン基板を用いることができ、一枚の積層基板から多数のイメージセンサを製造することができる。面積は０．０４ｍ２以上がより好ましく、０．０５ｍ２以上がさらに好ましい。
【００５４】
また、本発明の一実施形態のガラス基板は、α２００／３００が３．４５ｐｐｍ／℃〜３．９５ｐｐｍ／℃であり、α２００／３００／α５０／１００が、１．２０〜１．３０であるため、面積が０．０３ｍ２以上であってもシリコン基板とガラス基板を貼り合わせる熱処理工程で、シリコン基板に発生する残留歪が小さい。面積は、０．１ｍ２以下が好ましい。面積が０．１ｍ２以下であればガラス基板の取り扱いが容易になり、シリコン基板や周辺部材等との接触による破損を抑制することができる。面積は、０．０８ｍ２以下がより好ましく、０．０６ｍ２以下がさらに好ましい。
【００５５】
本発明の一実施形態のガラス基板は、密度が２．６０ｇ／ｃｍ３以下が好ましい。密度が２．６０ｇ／ｃｍ３以下であれば、ガラス基板が軽量である。また、ガラス基板の自重によるたわみを低減する事ができる。密度は２．５５ｇ／ｃｍ３以下がより好ましく、２．５０ｇ／ｃｍ３以下がさらに好ましい。
【００５６】
また、密度は、２．２０ｇ／ｃｍ３以上が好ましい。密度が２．２０ｇ／ｃｍ３以上であれば、ガラスのビッカース硬度が高くなり、ガラス表面に傷をつき難くすることができる。密度は２．３０ｇ／ｃｍ３以上がより好ましく、２．４０ｇ／ｃｍ３以上がさらに好ましく、２．４５ｇ／ｃｍ３以上が特に好ましい。
【００５７】
本発明の一実施形態のガラス基板は、ガラス基板に含まれる欠点の密度が１個／ｃｍ２以下が好ましい。ガラス基板に含まれる欠点とは、ガラス基板の表面や内部に存在する泡、キズ、白金等の金属異物、および未溶融原料などであり、大きさが１ｍｍ以下、０．５μｍ以上のものを指す。欠点が１ｍｍより大きければ、目視で容易に判別でき、欠点を有する基板の除外は容易である。欠点が０．５μｍより小さければ、欠点が十分に小さいため、ＣＭＯＳセンサーやＬＣＯＳのカバーガラスとして適用した場合でも素子の特性に影響を及ぼす恐れが無い。
【００５８】
従来の半導体組立工程では、ガラス基板を切断した後に組立工程を行っていたため、ガラス基板に欠点があった場合、組立工程の初期で欠点がある基板を除外できた。一方でウェハレベルパッケージでは、組立工程の最後に積層基板の個片化を行うため、ガラス基板に欠点があった場合、欠点があるガラス基板を除外できるのは組立工程の最後となる。このようにウェハレベルパッケージでは、ガラス基板の欠点の密度が増加した場合のコスト増加が大きくなるため、高品質の欠点管理が求められる。欠点の密度は０．１個／ｃｍ２以下がより好ましく、０．０１個／ｃｍ２以下がさらに好ましい。
【００５９】
本発明の一実施形態のガラス基板の形状は、円形であっても楕円形であっても矩形であっても何でもよい。貼り合わせるシリコン基板の形に合わせるために、ガラス基板の端にノッチがあってもよいし、ガラス基板が円形の場合、ガラス基板の外周の一部が直線であってもよい。
【００６０】
本発明の一実施形態のガラス基板は、ガラス転移点（Ｔｇとも記す）が、７００℃以上が好ましい。Ｔｇが７００℃以上であれば、熱処理工程でガラス基板の寸法変化を少なく抑えることができる。Ｔｇは７２０℃以上がより好ましく、７４０℃以上がさらに好ましい。
【００６１】
本発明の一実施形態のガラス基板は、仮想粘度が、１０１１．０ｄ・Ｐａ・ｓ〜１０１４．１ｄ・Ｐａ・ｓが好ましい。ガラス基板の仮想粘度を１０１１．０ｄ・Ｐａ・ｓ〜１０１４．１ｄ・Ｐａ・ｓとするためには、ガラス基板の成形後の冷却速度を、１℃／分〜１２００℃／分相当とする必要がある。仮想粘度が１０１１．０ｄ・Ｐａ・ｓ〜１０１４．１ｄ・Ｐａ・ｓであれば、ガラス基板の平均熱膨張係数をシリコン基板の平均熱膨張係数に近くなり、シリコン基板とガラス基板を貼り合わせる熱処理工程で、シリコン基板に発生する残留歪が小さい。ガラス基板の仮想粘度は１０１２．１ｄ・Ｐａ・ｓ〜１０１３．１ｄ・Ｐａ・ｓ（冷却速度１０℃／分〜１００℃／分相当）が好ましい。
【００６２】
ガラスの仮想粘度（η）は下記（式４）（Ｇ．Ｗ．Ｓｃｈｅｒｅｒ，Ｒｅｌａｘａｔｉｏｎ  ｉｎ  Ｇｌａｓｓ  ａｎｄ  Ｃｏｍｐｏｓｉｔｅｓ，Ｗｉｌｅｙ，Ｎｅｗ  Ｙｏｒｋ（１９８６），ｐ．１５９）にて算出することができる。
【００６３】
【数１】
0006604337.tif 000002
【００６４】
ここで、ηの単位はｄ・Ｐａ・ｓ、ｑは想定冷却速度で単位は℃／ｓである。
想定冷却速度ｑは、次の方法によりガラス基板から求められる。厚さ１ｍｍ以下の一枚のガラス基板から複数のガラス板小片を切り出す。たとえばガラス板小片として１センチメートル角の小片を切り出す。切り出した複数のガラス板小片を、それぞれ、様々な冷却速度Ｖにて熱処理、冷却し、それぞれのガラス板個片の物性値を測定する。冷却開始温度は冷却速度の影響を受けない十分高い温度が好ましい。典型的にはＴｇ＋５０℃〜＋１５０℃程度が好ましい。
【００６５】
測定を実施する物性値は、特に制限はないが、密度や、密度と密接な関係にある物性値（例えば屈折率）などが好ましい。ｘ軸に冷却速度（ｌｏｇ１０Ｖ）をとって、ｙ軸にそれぞれの熱処理を施したガラス板個片の物性値をとり検量線Ａを作成する。熱処理を実施していないガラス板個片の物性値から、作成した検量線Ａにより、そのガラス基板の想定冷却速度ｑが求められる。
【００６６】
本発明の一実施形態のガラス基板は、粘度が１０２ｄ・Ｐａ・ｓとなる温度（Ｔ２とも記す）が、１８００℃以下が好ましい。Ｔ２は、１７５０℃以下がより好ましく、１７００℃以下がさらに好ましく、１６５０℃以下が特に好ましい。
【００６７】
本発明の一実施形態のガラス基板は、粘度が１０４ｄ・Ｐａ・ｓとなる温度（Ｔ４とも記す）が、１３５０℃以下が好ましい。Ｔ４は、１３００℃以下がより好ましく、１２７５℃以下がさらに好ましく、１２５０℃以下が特に好ましい。なお、他の物性確保の容易性を考慮すると、Ｔ４は１１００℃以上である。
【００６８】
本発明の一実施形態のガラス基板は、ガラス失透温度が、１３２５℃以下が好ましい。１３００℃以下がより好ましく、１２７５℃以下がさらに好ましく、１２５０℃以下が特に好ましい。ガラス失透温度とは、白金製の皿に粉砕されたガラス粒子を入れ、一定温度に制御された電気炉中で１７時間熱処理を行い、熱処理後の光学顕微鏡観察によって、ガラスの内部に結晶が析出する最高温度と結晶が析出しない最低温度との平均値である。
【００６９】
本発明の一実施形態のガラス基板は、
０．０１７７×（ＳｉＯ２の含有量）−０．０１７３×（Ａｌ２Ｏ３の含有量）＋０．０３７７×（Ｂ２Ｏ３の含有量）＋０．０７７１×（ＭｇＯの含有量）＋０．１５４３×（ＣａＯの含有量）＋０．１８０８×（ＳｒＯの含有量）＋０．２０８２×（ＢａＯの含有量）＋０．０３４４×（１２．３＋ｌｏｇ１０６０−ｌｏｇ１０η）が２．７０〜３．２０、
０．０１８１×（ＳｉＯ２の含有量）＋０．０００４×（Ａｌ２Ｏ３の含有量）＋０．０３８７×（Ｂ２Ｏ３の含有量）＋０．０９１３×（ＭｇＯの含有量）＋０．１６２１×（ＣａＯの含有量）＋０．１９００×（ＳｒＯの含有量）＋０．２１８０×（ＢａＯの含有量）＋０．０３９１×（１２．３＋ｌｏｇ１０６０−ｌｏｇ１０η）が３．１３〜３．６３、
０．０１７７×（ＳｉＯ２の含有量）＋０．０１９５×（Ａｌ２Ｏ３の含有量）＋０．０３２３×（Ｂ２Ｏ３の含有量）＋０．１０１５×（ＭｇＯの含有量）＋０．１６８６×（ＣａＯの含有量）＋０．１９９０×（ＳｒＯの含有量）＋０．２１７９×（ＢａＯの含有量）＋０．０３１２×（１２．３＋ｌｏｇ１０６０−ｌｏｇ１０η）が３．４５〜３．９５、および
０．０１１１×（ＳｉＯ２の含有量）＋０．０２５０×（Ａｌ２Ｏ３の含有量）＋０．００７８×（Ｂ２Ｏ３の含有量）＋０．０１４４×（ＭｇＯの含有量）＋０．００５３×（ＣａＯの含有量）＋０．００５２×（ＳｒＯの含有量）＋０．００１３×（ＢａＯの含有量）−０．００４１×（１２．３＋ｌｏｇ１０６０−ｌｏｇ１０η）が１．２０〜１．３０を満たすことが好ましい。
【００７０】
ここで、ＳｉＯ２の含有量、Ａｌ２Ｏ３の含有量、Ｂ２Ｏ３の含有量、ＭｇＯの含有量、ＣａＯの含有量、ＳｒＯの含有量、およびＢａＯの含有量は、得られたガラスに含有される各成分の含有量、ηは仮想粘度（単位：ｄ・Ｐａ・ｓ）である。
【００７１】
これらを満たせば、プロセスマージンは確保しつつ、シリコン基板とガラス基板を貼り合わせる熱処理工程で、シリコン基板に発生する残留歪を小さくしやすい。
【００７２】
０．０１７７×（ＳｉＯ２の含有量）−０．０１７３×（Ａｌ２Ｏ３の含有量）＋０．０３７７×（Ｂ２Ｏ３の含有量）＋０．０７７１×（ＭｇＯの含有量）＋０．１５４３×（ＣａＯの含有量）＋０．１８０８×（ＳｒＯの含有量）＋０．２０８２×（ＢａＯの含有量）＋０．０３４４×（１２．３＋ｌｏｇ１０６０−ｌｏｇ１０η）は、２．８０以上がより好ましく、２．９０以上がさらに好ましく、２．９１以上が特に好ましく、２．９２以上が最も好ましい。
【００７３】
また、０．０１７７×（ＳｉＯ２の含有量）−０．０１７３×（Ａｌ２Ｏ３の含有量）＋０．０３７７×（Ｂ２Ｏ３の含有量）＋０．０７７１×（ＭｇＯの含有量）＋０．１５４３×（ＣａＯの含有量）＋０．１８０８×（ＳｒＯの含有量）＋０．２０８２×（ＢａＯの含有量）＋０．０３４４×（１２．３＋ｌｏｇ１０６０−ｌｏｇ１０η）は、３．１０以下がより好ましく、３．００以下がさらに好ましく、２．９６以下が特に好ましく、２．９４以下が最も好ましい。
【００７４】
０．０１８１×（ＳｉＯ２の含有量）＋０．０００４×（Ａｌ２Ｏ３の含有量）＋０．０３８７×（Ｂ２Ｏ３の含有量）＋０．０９１３×（ＭｇＯの含有量）＋０．１６２１×（ＣａＯの含有量）＋０．１９００×（ＳｒＯの含有量）＋０．２１８０×（ＢａＯの含有量）＋０．０３９１×（１２．３＋ｌｏｇ１０６０−ｌｏｇ１０η）は、３．２３以上がより好ましく、３．３３以上がさらに好ましく、３．３４以上が特に好ましく、３．３５以上が最も好ましい。
【００７５】
また、０．０１８１×（ＳｉＯ２の含有量）＋０．０００４×（Ａｌ２Ｏ３の含有量）＋０．０３８７×（Ｂ２Ｏ３の含有量）＋０．０９１３×（ＭｇＯの含有量）＋０．１６２１×（ＣａＯの含有量）＋０．１９００×（ＳｒＯの含有量）＋０．２１８０×（ＢａＯの含有量）＋０．０３９１×（１２．３＋ｌｏｇ１０６０−ｌｏｇ１０η）は、３．５３以下がより好ましく、３．４３以下がさらに好ましく、３．４１以下が特に好ましく、３．３８以下が最も好ましい。
【００７６】
０．０１７７×（ＳｉＯ２の含有量）＋０．０１９５×（Ａｌ２Ｏ３の含有量）＋０．０３２３×（Ｂ２Ｏ３の含有量）＋０．１０１５×（ＭｇＯの含有量）＋０．１６８６×（ＣａＯの含有量）＋０．１９９０×（ＳｒＯの含有量）＋０．２１７９×（ＢａＯの含有量）＋０．０３１２×（１２．３＋ｌｏｇ１０６０−ｌｏｇ１０η）は、３．５５以上がより好ましく、３．６５以上がさらに好ましく、３．６６以上が特に好ましく、３．６８以上が最も好ましい。
【００７７】
また、０．０１７７×（ＳｉＯ２の含有量）＋０．０１９５×（Ａｌ２Ｏ３の含有量）＋０．０３２３×（Ｂ２Ｏ３の含有量）＋０．１０１５×（ＭｇＯの含有量）＋０．１６８６×（ＣａＯの含有量）＋０．１９９０×（ＳｒＯの含有量）＋０．２１７９×（ＢａＯの含有量）＋０．０３１２×（１２．３＋ｌｏｇ１０６０−ｌｏｇ１０η）は、３．８５以下がより好ましく、３．７３以下がさらに好ましく、３．６５以下が特に好ましく、３．７１以下が最も好ましい。
【００７８】
さらに、０．０１１１×（ＳｉＯ２の含有量）＋０．０２５０×（Ａｌ２Ｏ３の含有量）＋０．００７８×（Ｂ２Ｏ３の含有量）＋０．０１４４×（ＭｇＯの含有量）＋０．００５３×（ＣａＯの含有量）＋０．００５２×（ＳｒＯの含有量）＋０．００１３×（ＢａＯの含有量）−０．００４１×（１２．３＋ｌｏｇ１０６０−ｌｏｇ１０η）は、１．２４以上がより好ましい。
【００７９】
また、０．０１１１×（ＳｉＯ２の含有量）＋０．０２５０×（Ａｌ２Ｏ３の含有量）＋０．００７８×（Ｂ２Ｏ３の含有量）＋０．０１４４×（ＭｇＯの含有量）＋０．００５３×（ＣａＯの含有量）＋０．００５２×（ＳｒＯの含有量）＋０．００１３×（ＢａＯの含有量）−０．００４１×（１２．３＋ｌｏｇ１０６０−ｌｏｇ１０η）は、１．２７以下がより好ましい。
【００８０】
本発明の一実施形態のガラス基板は、フッ酸水溶液（ＨＦ）に対する重量減少量（以下、ＨＦ重量減少量とも記す）が０．０５（ｍｇ／ｃｍ２）／分以上、０．２０（ｍｇ／ｃｍ２）／分以下が好ましい。ここで、ＨＦ重量減少量とは、ガラス基板を２５℃、５質量％フッ酸水溶液に浸漬した際の、単位面積および単位時間当たりの減少量（（ｍｇ／ｃｍ２）／分）である。
【００８１】
本発明の一実施形態のガラス基板は、シリコン基板と貼り合わせた後、そのままデバイスの一部として組み込まれる場合がある。例えば、ガラス基板は、カバーガラスとしてデバイスの中に組み込まれる。このような場合、デバイスを小型化するために、ガラス基板をスリミングすることが好ましい。そのため、本発明の一実施形態のガラス基板は、スリミングレートが高い方が好ましい。ガラス基板のスリミングレートの指標として、ＨＦ重量減少量を用いることができる。
【００８２】
ＨＦ重量減少量が０．０５（ｍｇ／ｃｍ２）／分以上であれば、スリミング工程の生産性が良好になり好ましい。ＨＦ重量減少量が０．２０（ｍｇ／ｃｍ２）／分以下であれば、スリミング工程でガラス基板に生じる、エッチング深さが不均一となってガラス基板表面の平滑性が損なわれるなどの不良を防止できるため好ましい。
【００８３】
ＨＦ重量減少量は、０．０７（ｍｇ／ｃｍ２）／分以上がより好ましく、０．０９（ｍｇ／ｃｍ２）／分以上がさらに好ましく、０．１１（ｍｇ／ｃｍ２）／分以上が特に好ましい。また、ＨＦ重量減少量は、０．１８（ｍｇ／ｃｍ２）／分以下がより好ましく、０．１６（ｍｇ／ｃｍ２）／分以下がさらに好ましく、０．１４（ｍｇ／ｃｍ２）／分以下が特に好ましい。
【００８４】
また、本発明の一実施形態のガラス基板は、プロジェクション用途のディスプレイデバイス、例えばＬＣＯＳのカバーガラスとして適用できる。このような場合に、ガラス基板の光弾性定数が高いと、デバイスのパッケージング工程やデバイス使用時に発生する応力によってガラス基板が複屈折性を有してしまう。その結果、デバイスに入射した光に色変化が生じ、色ムラなどの画質不良が生じる恐れがある。
【００８５】
このような画質不良を防ぐため、本発明の一実施形態のガラス基板は、光弾性定数が３１ｎｍ／（ＭＰａ・ｃｍ）以下が好ましく、３０．５ｎｍ／（ＭＰａ・ｃｍ）以下がより好ましく、３０ｎｍ／（ＭＰａ・ｃｍ）以下がさらに好ましく、２９．５ｎｍ／（ＭＰａ・ｃｍ）以下が特に好ましい。
【００８６】
また、本発明の一実施形態のガラス基板のα線放出量は、０．５Ｃ／ｃｍ２・ｈ以下が好ましく、０．３Ｃ／ｃｍ２・ｈ以下がより好ましく、０．１Ｃ／ｃｍ２・ｈ以下が特に好ましく、０．０５Ｃ／ｃｍ２・ｈ以下が最も好ましい。なお、単位のＣはカウント数の意味である。
【００８７】
例えば、本発明の一実施形態のガラス基板をイメージセンサなどの素子のカバーガラスに適用する。この場合、ガラス基板から発生するα線がイメージセンサなどの素子に入射すると、α線のエネルギーによって正孔−電子対が誘起され、これが原因となって瞬間的に画像に輝点や白点が生じるソフトエラーが起こるおそれがある。そこで、α線放出量の少ないガラス基板を用いることで、このような不具合を防止しやすくなる。なお、ガラス基板の原料として、放射性同位元素の含有量が少なく、α線放出量の少ない高純度原料を使用すれば、α線放出量を低減することができる。また、ガラスの溶融・清澄工程において、放射性同位元素がガラス製造設備の炉材などから溶融ガラス中に混入しないようにすれば、α線放出量を効果的に低減することができる。また、「α線放出量」は、ガスフロー比例計数管測定装置等で測定することができる。
【００８８】
シリコン基板の５０℃〜１００℃の平均熱膨張係数αＳｉ５０／１００は、２．９１ｐｐｍ／℃〜２．９７ｐｐｍ／℃が好ましい。αＳｉ５０／１００が２．９１ｐｐｍ／℃〜２．９７ｐｐｍ／℃であれば、本発明のガラス基板との貼り合わせが容易となる。αＳｉ５０／１００は２．９２ｐｐｍ／℃以上がより好ましく、２．９３ｐｐｍ／℃以上がさらに好ましい。また、αＳｉ５０／１００は２．９４ｐｐｍ／℃以下であることがより好ましい。
【００８９】
シリコン基板の１００℃〜２００℃の平均熱膨張係数αＳｉ１００／２００は３．３４ｐｐｍ／℃〜３．４０ｐｐｍ／℃が好ましい。αＳｉ１００／２００が３．３４ｐｐｍ／℃〜３．４０ｐｐｍ／℃であれば、本発明のガラス基板との貼り合わせが容易となる。αＳｉ１００／２００は３．３６ｐｐｍ／℃以上がより好ましく、３．３７ｐｐｍ／℃以上がさらに好ましい。また、αＳｉ１００／２００は３．３８ｐｐｍ／℃以下であることがより好ましい。
【００９０】
シリコン基板の２００℃〜３００℃での平均熱膨張係数αＳｉ２００／３００は３．６６ｐｐｍ／℃〜３．７２ｐｐｍ／℃が好ましい。αＳｉ２００／３００が３．６６ｐｐｍ／℃〜３．７２ｐｐｍ／℃でれば、本発明のガラス基板との貼り合わせが容易となる。αＳｉ２００／３００は３．６８ｐｐｍ／℃以上がより好ましく、３．６９ｐｐｍ／℃以上がさらに好ましい。また、αＳｉ２００／３００は３．７０ｐｐｍ／℃以下であることがより好ましい。
【００９１】
本発明の一実施形態の積層基板は、上記ガラス基板と、シリコン基板とが積層されて形成される。シリコン基板とガラス基板との熱膨張係数の差が小さいため、シリコン基板とガラス基板を貼り合わせる熱処理工程で、シリコン基板に発生する残留歪が小さい。また、積層基板は、例えば樹脂を間に挟んで、ガラス基板とシリコン基板を貼り合わせることで得られる。
【００９２】
このとき、樹脂の厚さや樹脂の熱膨張係数、貼り合わせ時の熱処理温度などが積層基板全体の反りに影響し得る。本発明の一実施形態の積層基板は、上述したような本発明の一実施形態のガラス基板のように熱膨張係数をコントロールすることで積層基板全体の反りを低減できるため、樹脂の厚さや樹脂の熱膨張係数、貼り合わせ時の熱処理温度などのプロセスマージンを広げることができる。本発明の一実施形態の積層基板には、上述した本発明の一実施形態のガラス基板を適用できる。
【００９３】
本発明の一実施形態の積層基板は、ガラス基板とシリコン基板とが積層されて形成され、ガラス基板の５０℃〜１００℃の平均熱膨張係数α５０／１００と、シリコン基板の５０℃〜１００℃の平均熱膨張係数αＳｉ５０／１００との差Δα５０／１００（＝α５０／１００−αＳｉ５０／１００）が、−０．２５ｐｐｍ／℃〜０．２５ｐｐｍ／℃である。
【００９４】
また、ガラス基板の２００℃〜３００℃の平均熱膨張係数α２００／３００と、シリコン基板の２００℃〜３００℃の平均熱膨張係数αＳｉ２００／３００との差Δα２００／３００（＝α２００／３００−αＳｉ２００／３００）が、−０．２５ｐｐｍ／℃〜０．２５ｐｐｍ／℃である。シリコン基板とガラス基板との熱膨張係数の差が小さいため、シリコン基板とガラス基板を貼り合わせる熱処理工程で、シリコン基板に発生する残留歪が小さい。
【００９５】
Δα５０／１００は、−０．１５ｐｐｍ／℃以上がより好ましく、−０．１０ｐｐｍ／℃以上がさらに好ましく、−０．０５ｐｐｍ／℃以上が特に好ましく、−０．０３ｐｐｍ／℃以上が最も好ましい。Δα５０／１００は、０．１５ｐｐｍ／℃以下がより好ましく、０．１０ｐｐｍ／℃以下がさらに好ましく、０．０５ｐｐｍ／℃以下が特に好ましく、０．０３ｐｐｍ／℃以下が最も好ましい。
【００９６】
Δα２００／３００は、−０．１５ｐｐｍ／℃以上がより好ましく、−０．１０ｐｐｍ／℃以上がさらに好ましく、−０．０５ｐｐｍ／℃以上が特に好ましく、−０．０３ｐｐｍ／℃以上が最も好ましい。Δα２００／３００は、０．１５ｐｐｍ／℃以下がより好ましく、０．１０ｐｐｍ／℃以下がさらに好ましく、０．０５ｐｐｍ／℃以下が特に好ましく、０．０３ｐｐｍ／℃以下が最も好ましい。
【００９７】
本発明の一実施形態の積層基板は、ガラス基板の１００℃〜２００℃の平均熱膨張係数α１００／２００と、シリコン基板の１００℃〜２００℃の平均熱膨張係数αＳｉ１００／２００との差Δα１００／２００（＝α１００／２００−αＳｉ１００／２００）が、−０．２５ｐｐｍ／℃〜０．２５ｐｐｍ／℃が好ましい。Δα１００／２００が−０．２５ｐｐｍ／℃〜０．２５ｐｐｍ／℃であれば、シリコン基板とガラス基板との熱膨張係数の差が小さいため、シリコン基板とガラス基板を貼り合わせる熱処理工程で、シリコン基板に発生する残留歪が小さい。
【００９８】
Δα１００／２００は、−０．１５ｐｐｍ／℃以上がより好ましく、−０．１０ｐｐｍ／℃以上がさらに好ましく、−０．０５ｐｐｍ／℃以上が特に好ましく、−０．０３ｐｐｍ／℃以上が最も好ましい。Δα１００／２００は、０．１５ｐｐｍ／℃以下がより好ましく、０．１０ｐｐｍ／℃以下がさらに好ましく、０．０５ｐｐｍ／℃以下が特に好ましく、０．０３ｐｐｍ／℃以下が最も好ましい。
【００９９】
本発明の一実施形態の積層基板は、Δα２００／３００とΔα５０／１００の差（Δα２００／３００−Δα５０／１００）が、−０．１６ｐｐｍ／℃〜０．１６ｐｐｍ／℃である。Δα２００／３００−Δα５０／１００が−０．１６ｐｐｍ／℃〜０．１６ｐｐｍ／℃であると、シリコン基板との熱膨張係数の差が小さいため、シリコン基板とガラス基板を貼り合わせる熱処理工程で、シリコン基板に発生する残留歪が小さい。Δα２００／３００−Δα５０／１００は−０．１２ｐｐｍ／℃以上が好ましく、−０．０８ｐｐｍ／℃以上がより好ましい。また、Δα５０／１００−Δα２００／３００は０．１２ｐｐｍ／℃以下が好ましく、０．０８ｐｐｍ／℃以下がより好ましい。
【０１００】
次に、本発明の一実施形態のガラス基板の製造方法について説明する。
本発明の一実施形態のガラス基板を製造する場合、ガラス原料を加熱して溶融ガラスを得る溶解工程、溶融ガラスから泡を除く清澄工程、溶融ガラスを板状にしてガラスリボンを得る成形工程、およびガラスリボンを室温状態まで徐冷する徐冷工程を経る。
【０１０１】
溶解工程は、得られるガラス板の組成となるように原料を調製し、原料を溶解炉に連続的に投入し、好ましくは１４５０℃〜１６５０℃程度に加熱して溶融ガラスを得る。
【０１０２】
原料には酸化物、炭酸塩、硝酸塩、水酸化物、塩化物などのハロゲン化物なども使用できる。溶解や清澄工程で溶融ガラスが白金と接触する工程がある場合、微小な白金粒子が溶融ガラス中に溶出し、得られるガラス板中に異物として混入してしまう場合があるが、硝酸塩原料の使用はこの白金異物の溶出を防止する効果がある。
【０１０３】
硝酸塩としては、硝酸ストロンチウム、硝酸バリウム、硝酸マグネシウム、硝酸カルシウムなどを使用できる。硝酸ストロンチウムを使用することがより好ましい。原料粒度も溶け残りが生じない程度の数百ミクロンの大きな粒径の原料から、原料搬送時の飛散が生じない、二次粒子として凝集しない程度の数ミクロン程度の小さな粒径の原料まで適宜使用できる。造粒体の使用も可能である。原料の飛散を防ぐために原料含水量も適宜調整可能である。β−ＯＨ、Ｆｅの酸化還元度またはレドックス［Ｆｅ２＋／（Ｆｅ２＋＋Ｆｅ３＋）］などの溶解条件も適宜調整、使用できる。
【０１０４】
次に、清澄工程は、上記溶解工程で得られた溶融ガラスから泡を除く工程である。清澄工程としては、減圧による脱泡法を適用してもよい。また、本発明におけるガラス基板は、清澄剤としてＳＯ３やＳｎＯ２を用いることができる。ＳＯ３源としては、Ａｌ、Ｍｇ、Ｃａ、ＳｒおよびＢａから選ばれる少なくとも１種の元素の硫酸塩が好ましく、アルカリ土類金属の硫酸塩がより好ましく、中でも、ＣａＳＯ４・２Ｈ２Ｏ、ＳｒＳＯ４、およびＢａＳＯ４が、泡を大きくする作用が著しく、特に好ましい。
【０１０５】
減圧による脱泡法における清澄剤としてはＣｌやＦなどのハロゲンを使用するのが好ましい。Ｃｌ源としては、Ａｌ、Ｍｇ、Ｃａ、ＳｒおよびＢａから選ばれる少なくとも１種の元素の塩化物が好ましく、アルカリ土類金属の塩化物がより好ましく、中でも、ＳｒＣｌ２・６Ｈ２Ｏ、およびＢａＣｌ２・２Ｈ２Ｏが、泡を大きくする作用が著しく、かつ潮解性が小さいため、特に好ましい。Ｆ源としては、Ａｌ、Ｍｇ、Ｃａ、ＳｒおよびＢａから選ばれた少なくとも１種の元素のフッ化物が好ましく、アルカリ土類金属のフッ化物がより好ましく、中でも、ＣａＦ２がガラス原料の溶解性を大きくする作用が著しく、より好ましい。
【０１０６】
次に、成形工程は、上記清澄工程で泡を除いた溶融ガラスを板状にしてガラスリボンを得る工程である。成形工程としては、溶融ガラスを溶融金属上に流して板状にしてガラスリボンを得るフロート法が適用される。
【０１０７】
次に、徐冷工程は、上記成形工程で得られたガラスリボンを室温状態まで徐冷する工程である。徐冷工程としては、ガラスリボンを、粘度が１０１３ｄ・Ｐａ・ｓとなる温度から１０１４．５ｄ・Ｐａ・ｓとなる温度になるまでの平均冷却速度がＲとなるように室温状態まで徐冷する。徐冷したガラスリボンを切断後、ガラス基板を得る。
【０１０８】
本発明の一実施形態のガラス基板の製造方法では、得られるガラス基板の組成は、酸化物基準のモル百分率表示で、下記の組成である。
ＳｉＯ２    ：５０％〜７５％、
Ａｌ２Ｏ３  ：６％〜１６％、
Ｂ２Ｏ３    ：０％〜１５％、
ＭｇＯ    ：０％〜１５％、
ＣａＯ    ：０％〜１３％、
ＳｒＯ    ：０％〜１１％、
ＢａＯ    ：０％〜９．５％
アルカリ金属酸化物の含有量が０％〜０．１％以下。
【０１０９】
また、本発明の一実施形態のガラス基板の製造方法では、得られるガラス基板の組成と、徐冷工程におけるガラスリボンの粘度が１０１３ｄ・Ｐａ・ｓとなる温度から１０１４．５ｄ・Ｐａ・ｓとなる温度になるまでの平均冷却速度Ｒ（単位：℃／分）とが、次の条件（１）〜条件（４）を満たす。
【０１１０】
条件（１）：
０．０１７７×（ＳｉＯ２の含有量）−０．０１７３×（Ａｌ２Ｏ３の含有量）＋０．０３７７×（Ｂ２Ｏ３の含有量）＋０．０７７１×（ＭｇＯの含有量）＋０．１５４３×（ＣａＯの含有量）＋０．１８０８×（ＳｒＯの含有量）＋０．２０８２×（ＢａＯの含有量）＋０．０３４４×ｌｏｇ１０Ｒが２．７０〜３．２０
【０１１１】
条件（２）：
０．０１８１×（ＳｉＯ２の含有量）＋０．０００４×（Ａｌ２Ｏ３の含有量）＋０．０３８７×（Ｂ２Ｏ３の含有量）＋０．０９１３×（ＭｇＯの含有量）＋０．１６２１×（ＣａＯの含有量）＋０．１９００×（ＳｒＯの含有量）＋０．２１８０×（ＢａＯの含有量）＋０．０３９１×ｌｏｇ１０Ｒが３．１３〜３．６３
【０１１２】
条件（３）：
０．０１７７×（ＳｉＯ２の含有量）＋０．０１９５×（Ａｌ２Ｏ３の含有量）＋０．０３２３×（Ｂ２Ｏ３の含有量）＋０．１０１５×（ＭｇＯの含有量）＋０．１６８６×（ＣａＯの含有量）＋０．１９９０×（ＳｒＯの含有量）＋０．２１７９×（ＢａＯの含有量）＋０．０３１２×ｌｏｇ１０Ｒが３．４５〜３．９５
【０１１３】
条件（４）
０．０１１１×（ＳｉＯ２の含有量）＋０．０２５０×（Ａｌ２Ｏ３の含有量）＋０．００７８×（Ｂ２Ｏ３の含有量）＋０．０１４４×（ＭｇＯの含有量）＋０．００５３×（ＣａＯの含有量）＋０．００５２×（ＳｒＯの含有量）＋０．００１３×（ＢａＯの含有量）−０．００４１×ｌｏｇ１０Ｒが１．２０〜１．３０
【０１１４】
好ましくは、次の条件（１）〜条件（４）を満たす。
条件（１）：
０．０１７７×（ＳｉＯ２の含有量）−０．０１７３×（Ａｌ２Ｏ３の含有量）＋０．０３７７×（Ｂ２Ｏ３の含有量）＋０．０７７１×（ＭｇＯの含有量）＋０．１５４３×（ＣａＯの含有量）＋０．１８０８×（ＳｒＯの含有量）＋０．２０８２×（ＢａＯの含有量）＋０．０３４４×ｌｏｇ１０Ｒが２．８０〜３．１０
【０１１５】
条件（２）：
０．０１８１×（ＳｉＯ２の含有量）＋０．０００４×（Ａｌ２Ｏ３の含有量）＋０．０３８７×（Ｂ２Ｏ３の含有量）＋０．０９１３×（ＭｇＯの含有量）＋０．１６２１×（ＣａＯの含有量）＋０．１９００×（ＳｒＯの含有量）＋０．２１８０×（ＢａＯの含有量）＋０．０３９１×ｌｏｇ１０Ｒが３．２３〜３．５３
【０１１６】
条件（３）：
０．０１７７×（ＳｉＯ２の含有量）＋０．０１９５×（Ａｌ２Ｏ３の含有量）＋０．０３２３×（Ｂ２Ｏ３の含有量）＋０．１０１５×（ＭｇＯの含有量）＋０．１６８６×（ＣａＯの含有量）＋０．１９９０×（ＳｒＯの含有量）＋０．２１７９×（ＢａＯの含有量）＋０．０３１２×ｌｏｇ１０Ｒが３．５５〜３．８５
条件（４）
０．０１１１×（ＳｉＯ２の含有量）＋０．０２５０×（Ａｌ２Ｏ３の含有量）＋０．００７８×（Ｂ２Ｏ３の含有量）＋０．０１４４×（ＭｇＯの含有量）＋０．００５３×（ＣａＯの含有量）＋０．００５２×（ＳｒＯの含有量）＋０．００１３×（ＢａＯの含有量）−０．００４１×ｌｏｇ１０Ｒが１．２４〜１．２７
【０１１７】
ここで、ＳｉＯ２の含有量、Ａｌ２Ｏ３の含有量、Ｂ２Ｏ３の含有量、ＭｇＯの含有量、ＣａＯの含有量、ＳｒＯの含有量、およびＢａＯの含有量は、得られたガラスに含有される各成分の含有量である。条件（１）〜条件（４）を満たすことで、熱処理工程でシリコン基板に発生する残留歪を小さくすることができるガラス基板を製造することができる。
【０１１８】
以上説明した本実施形態のガラス基板にあっては、アルカリ金属酸化物の含有量が０．１％以下であるため、シリコン基板とガラス基板を貼り合わせる熱処理工程において、アルカリイオンがシリコン基板に拡散しにくい。また、５０℃〜１００℃での平均熱膨張係数α５０／１００が２．７０ｐｐｍ／℃〜３．２０ｐｐｍ／℃であり、２００℃〜３００℃での平均熱膨張係数α２００／３００が３．４５ｐｐｍ／℃〜３．９５ｐｐｍ／℃であり、２００℃〜３００℃の平均熱膨張係数α２００／３００を５０℃〜１００℃の平均熱膨張係数α５０／１００で除した値α２００／３００／α５０／１００が、１．２０〜１．３０であるため、シリコン基板との熱膨張係数の差が小さく、シリコン基板に発生する残留歪が小さい。
【０１１９】
本発明は上記実施形態に限定されない。本発明の目的を達成できる範囲での変形や改良等は本発明に含まれる。
【０１２０】
例えば、本発明の一実施形態のガラス基板を製造する場合、成形工程で、フュージョン法やプレス成形法などを適用して溶融ガラスを板状にしてもよい。
【０１２１】
また、本発明の一実施形態のガラス基板を製造する場合、白金坩堝を用いてもよい。白金坩堝を用いた場合、溶解工程は、得られるガラス基板の組成となるように原料を調製し、原料を入れた白金坩堝を電気炉に投入し、好ましくは１４５０℃〜１６５０℃程度に加熱して白金スターラーを挿入し１時間〜３時間撹拌し溶融ガラスを得る。
【０１２２】
成形工程は、溶融ガラスを例えばカーボン板状に流し出し板状にする。徐冷工程は、板状のガラスを室温状態まで徐冷し、切断後、ガラス基板を得る。
【０１２３】
また、切断して得られたガラス基板を、例えばＴｇ＋５０℃程度となるように加熱した後、室温状態まで徐冷してもよい。このようにすることで、仮想粘度ηを調節することができる。
なお、本実施形態には、以下の態様も含まれる。
【０１２４】
（付記１）
５０℃〜１００℃での平均熱膨張係数α５０／１００が２．８０ｐｐｍ／℃〜３．１０ｐｐｍ／℃であり、
２００℃〜３００℃での平均熱膨張係数α２００／３００が３．５５ｐｐｍ／℃〜３．８５ｐｐｍ／℃であり、
２００℃〜３００℃の平均熱膨張係数α２００／３００を５０℃〜１００℃の平均熱膨張係数α５０／１００で除した値α２００／３００／α５０／１００が、１．２０〜１．３０であり、
アルカリ金属酸化物の含有量が酸化物基準のモル百分率表示で０％〜０．１％であるガラス基板。
【０１２５】
（付記２）
酸化物基準のモル百分率表示で、下記の組成である付記１に記載のガラス基板。
ＳｉＯ２    ：５０％〜７５％、
Ａｌ２Ｏ３  ：６％〜１６％、
Ｂ２Ｏ３    ：０％〜１５％、
ＭｇＯ    ：０％〜１５％、
ＣａＯ    ：０％〜１３％、
ＳｒＯ    ：０％〜１１％、
ＢａＯ    ：０％〜９．５％
【０１２６】
（付記３）
酸化物基準のモル百分率表示で、ＣａＯ、ＳｒＯ、およびＢａＯの合計含有量が７％以上、かつ（Ａｌ２Ｏ３の含有量）≧（ＭｇＯの含有量）であり、失透粘性が１０３．８ｄ・Ｐａ・ｓ以上である付記１または２に記載のガラス基板。
【０１２７】
（付記４）
１００℃〜２００℃での平均熱膨張係数α１００／２００が３．２３ｐｐｍ／℃〜３．５３ｐｐｍ／℃である、付記１〜３のいずれか一に記載のガラス基板。
【０１２８】
（付記５）
酸化物基準の質量百万分率表示で、Ｆｅ２Ｏ３の含有量が２００ｐｐｍ以下である付記１〜４のいずれか一に記載のガラス基板。
【０１２９】
（付記６）
ヤング率が８０ＧＰａ以上である付記１〜５のいずれか一に記載のガラス基板。
【０１３０】
（付記７）
厚さが１．０ｍｍ以下である付記１〜６のいずれか一に記載のガラス基板。
【０１３１】
（付記８）
面積が０．０３ｍ２以上である付記１〜７のいずれか一に記載のガラス基板。
【０１３２】
（付記９）
仮想粘度が１０１１．０〜１０１４．１ｄ・Ｐａ・ｓである付記１〜８のいずれか一に記載のガラス基板。
【０１３３】
（付記１０）
０．０１７７×（ＳｉＯ２の含有量）−０．０１７３×（Ａｌ２Ｏ３の含有量）＋０．０３７７×（Ｂ２Ｏ３の含有量）＋０．０７７１×（ＭｇＯの含有量）＋０．１５４３×（ＣａＯの含有量）＋０．１８０８×（ＳｒＯの含有量）＋０．２０８２×（ＢａＯの含有量）＋０．０３４４×（１２．３＋ｌｏｇ１０６０−ｌｏｇ１０η）が２．８０〜３．１０、
０．０１８１×（ＳｉＯ２の含有量）＋０．０００４×（Ａｌ２Ｏ３の含有量）＋０．０３８７×（Ｂ２Ｏ３の含有量）＋０．０９１３×（ＭｇＯの含有量）＋０．１６２１×（ＣａＯの含有量）＋０．１９００×（ＳｒＯの含有量）＋０．２１８０×（ＢａＯの含有量）＋０．０３９１×（１２．３＋ｌｏｇ１０６０−ｌｏｇ１０η）が３．２３〜３．５３、
０．０１７７×（ＳｉＯ２の含有量）＋０．０１９５×（Ａｌ２Ｏ３の含有量）＋０．０３２３×（Ｂ２Ｏ３の含有量）＋０．１０１５×（ＭｇＯの含有量）＋０．１６８６×（ＣａＯの含有量）＋０．１９９０×（ＳｒＯの含有量）＋０．２１７９×（ＢａＯの含有量）＋０．０３１２×（１２．３＋ｌｏｇ１０６０−ｌｏｇ１０η）が３．５５〜３．８５、および、
０．０１１１×（ＳｉＯ２の含有量）＋０．０２５０×（Ａｌ２Ｏ３の含有量）＋０．００７８×（Ｂ２Ｏ３の含有量）＋０．０１４４×（ＭｇＯの含有量）＋０．００５３×（ＣａＯの含有量）＋０．００５２×（ＳｒＯの含有量）＋０．００１３×（ＢａＯの含有量）−０．００４１×（１２．３＋ｌｏｇ１０６０−ｌｏｇ１０η）が１．２４〜１．２７
を満たす付記１〜１０のいずれか一に記載のガラス基板。
ここで、ＳｉＯ２の含有量、Ａｌ２Ｏ３の含有量、Ｂ２Ｏ３の含有量、ＭｇＯの含有量、ＣａＯの含有量、およびＳｒＯの含有量は、得られたガラスに含有される酸化物基準のモル百分率表示で表した含有量、ηは仮想粘度（単位：ｄ・Ｐａ・ｓ）である。
【０１３４】
（付記１１）
付記１〜１０のいずれか一に記載のガラス基板と、シリコン基板とが積層された積層基板。
【０１３５】
（付記１２）
ガラス基板とシリコン基板とが積層され、前記ガラス基板の５０℃〜１００℃の平均熱膨張係数α５０／１００と、前記シリコン基板の５０℃〜１００℃の平均熱膨張係数αＳｉ５０／１００との差Δα５０／１００（＝α５０／１００−αＳｉ５０／１００）が、−０．１５ｐｐｍ／℃〜０．１５ｐｐｍ／℃であり、
前記ガラス基板の２００℃〜３００℃の平均熱膨張係数α２００／３００と、前記シリコン基板の２００℃〜３００℃の平均熱膨張係数αＳｉ２００／３００との差Δα２００／３００（＝α２００／３００−αＳｉ２００／３００）が、−０．１５ｐｐｍ／℃〜０．１５ｐｐｍ／℃であり、
Δα２００／３００−Δα５０／１００が−０．１２ｐｐｍ／℃〜０．１２ｐｐｍ／℃であり、
前記ガラス基板のアルカリ金属酸化物の含有量が酸化物基準のモル百分率表示で０％〜０．１％である積層基板。
【０１３６】
（付記１３）
前記ガラス基板の１００℃〜２００℃の平均熱膨張係数α１００／２００と、前記シリコン基板の１００℃〜２００℃の平均熱膨張係数αＳｉ１００／２００との差Δα１００／２００（＝α１００／２００−αＳｉ１００／２００）が、−０．１５ｐｐｍ／℃〜０．１５ｐｐｍ／℃である付記１２に記載の積層基板。
【０１３７】
（付記１４）
ガラス原料を加熱して溶融ガラスを得る溶解工程と、
前記溶融ガラスから泡を除く清澄工程と、
前記溶融ガラスを板状にしてガラスリボンを得る成形工程と、
前記ガラスリボンを室温状態まで徐冷する徐冷工程と、を含み、
酸化物基準のモル百分率表示で、得られるガラス基板の組成が下記の組成であり、
ＳｉＯ２    ：５０％〜７５％、
Ａｌ２Ｏ３  ：６％〜１６％、
Ｂ２Ｏ３    ：０％〜１５％、
ＭｇＯ    ：０％〜１５％、
ＣａＯ    ：０％〜１３％、
ＳｒＯ    ：０％〜１１％、
ＢａＯ    ：０％〜９．５％、
アルカリ金属酸化物の含有量が酸化物基準のモル百分率表示で０％〜０．１％、
前記得られるガラス基板の組成と、前記徐冷工程における前記ガラスリボンの粘度が１０１３ｄ・Ｐａ・ｓとなる温度から１０１４．５ｄ・Ｐａ・ｓとなる温度になるまでの平均冷却速度Ｒ（単位：℃／分）とが、次の条件（１）、条件（２）、条件（３）、および条件（４）を満たすガラス基板の製造方法。
条件（１）：
０．０１７７×（ＳｉＯ２の含有量）−０．０１７３×（Ａｌ２Ｏ３の含有量）＋０．０３７７×（Ｂ２Ｏ３の含有量）＋０．０７７１×（ＭｇＯの含有量）＋０．１５４３×（ＣａＯの含有量）＋０．１８０８×（ＳｒＯの含有量）＋０．２０８２×（ＢａＯの含有量）＋０．０３４４×ｌｏｇ１０Ｒが２．８０〜３．１０
条件（２）：
０．０１８１×（ＳｉＯ２の含有量）＋０．０００４×（Ａｌ２Ｏ３の含有量）＋０．０３８７×（Ｂ２Ｏ３の含有量）＋０．０９１３×（ＭｇＯの含有量）＋０．１６２１×（ＣａＯの含有量）＋０．１９００×（ＳｒＯの含有量）＋０．２１８０×（ＢａＯの含有量）＋０．０３９１×ｌｏｇ１０Ｒが３．２３〜３．５３
条件（３）：
０．０１７７×（ＳｉＯ２の含有量）＋０．０１９５×（Ａｌ２Ｏ３の含有量）＋０．０３２３×（Ｂ２Ｏ３の含有量）＋０．１０１５×（ＭｇＯの含有量）＋０．１６８６×（ＣａＯの含有量）＋０．１９９０×（ＳｒＯの含有量）＋０．２１７９×（ＢａＯの含有量）＋０．０３１２×ｌｏｇ１０Ｒが３．５５〜３．８５
条件（４）：
０．０１１１×（ＳｉＯ２の含有量）＋０．０２５０×（Ａｌ２Ｏ３の含有量）＋０．００７８×（Ｂ２Ｏ３の含有量）＋０．０１４４×（ＭｇＯの含有量）＋０．００５３×（ＣａＯの含有量）＋０．００５２×（ＳｒＯの含有量）＋０．００１３×（ＢａＯの含有量）−０．００４１×ｌｏｇ１０Ｒが１．２４〜１．２７
【０１３８】
ここで、ＳｉＯ２の含有量、Ａｌ２Ｏ３の含有量、Ｂ２Ｏ３の含有量、ＭｇＯの含有量、ＣａＯの含有量、ＳｒＯの含有量、およびＢａＯの含有量は、得られたガラスに含有される各成分の含有量である。
【０１３９】
付記に記載したガラス基板、ガラス基板の製造方法で得られるガラス基板、およびガラス基板を用いた積層基板は、ガラス基板とシリコン基板との熱膨張係数の差が十分に小さいため、熱膨張係数の差に起因する不良をより抑制することができる。
【実施例】
【０１４０】
以下、実施例をあげて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらの例に限定されない。【０１４１】
表１〜７に示すガラス組成となるように珪砂等の各種のガラス原料を調合し、該目標組成の原料１００％に対し、酸化物基準の質量百分率表示で、硫酸塩をＳＯ３換算で０．１％〜１％、Ｆを０．１６％、Ｃｌを１％添加し、白金坩堝を用いて１５５０℃〜１６５０℃の温度で３時間加熱し溶融した。溶融にあたっては、白金スターラーを挿入し１時間攪拌しガラスの均質化を行った。次いで溶融ガラスを流し出し、板状に成形後、板状のガラスをＴｇ＋５０℃程度の温度の電気炉に入れ、冷却速度Ｒ（℃／分）で電気炉を降温させ、ガラスが室温になるまで冷却した。【０１４２】
得られたガラスの密度（単位：ｇ／ｃｍ３）、平均熱膨張係数（単位：ｐｐｍ／℃）、ガラス転移点Ｔｇ（単位：℃）、ヤング率（単位：ＧＰａ）、Ｔ２（単位：℃）、Ｔ４（単位：℃）、失透温度（単位：℃）、失透粘性ｌｏｇ１０ηＴＬ（単位：ｄＰａ・ｓｅｃ）、および仮想粘度ｌｏｇ１０η（単位：ｄＰａ・ｓｅｃ）を測定し、表１〜７に示した。また、表１〜７に示した（１）〜（４）は、
（１）：０．０１７７×（ＳｉＯ２の含有量）−０．０１７３×（Ａｌ２Ｏ３の含有量）＋０．０３７７×（Ｂ２Ｏ３の含有量）＋０．０７７１×（ＭｇＯの含有量）＋０．１５４３×（ＣａＯの含有量）＋０．１８０８×（ＳｒＯの含有量）＋０．２０８２×（ＢａＯの含有量）＋０．０３４４×（１２．３＋ｌｏｇ１０６０−ｌｏｇ１０η）
（２）：０．０１８１×（ＳｉＯ２の含有量）＋０．０００４×（Ａｌ２Ｏ３の含有量）＋０．０３８７×（Ｂ２Ｏ３の含有量）＋０．０９１３×（ＭｇＯの含有量）＋０．１６２１×（ＣａＯの含有量）＋０．１９００×（ＳｒＯの含有量）＋０．２１８０×（ＢａＯの含有量）＋０．０３９１×（１２．３＋ｌｏｇ１０６０−ｌｏｇ１０η）
（３）：０．０１７７×（ＳｉＯ２の含有量）＋０．０１９５×（Ａｌ２Ｏ３の含有量）＋０．０３２３×（Ｂ２Ｏ３の含有量）＋０．１０１５×（ＭｇＯの含有量）＋０．１６８６×（ＣａＯの含有量）＋０．１９９０×（ＳｒＯの含有量）＋０．２１７９×（ＢａＯの含有量）＋０．０３１２×（１２．３＋ｌｏｇ１０６０−ｌｏｇ１０η）
（４）
０．０１１１×（ＳｉＯ２の含有量）＋０．０２５０×（Ａｌ２Ｏ３の含有量）＋０．００７８×（Ｂ２Ｏ３の含有量）＋０．０１４４×（ＭｇＯの含有量）＋０．００５３×（ＣａＯの含有量）＋０．００５２×（ＳｒＯの含有量）＋０．００１３×（ＢａＯの含有量）−０．００４１×（１２．３＋ｌｏｇ１０６０−ｌｏｇ１０η）である。【０１４３】
なお、表中のかっこ書きした値は、計算により求めたものである。ガラス中のＦｅ２Ｏ３残存量は酸化物基準の質量百万分率表示で５０ｐｐｍ〜２００ｐｐｍ、ＳＯ３残存量は酸化物基準の質量百万分率表示で１０ｐｐｍ〜１００ｐｐｍであった。以下に各物性の測定方法を示す。【０１４４】
（平均熱膨張係数）
ＪＩＳ  Ｒ３１０２（１９９５年）に規定されている方法に従い、示差熱膨張計（ＴＭＡ）を用いて測定した。α５０／１００は測定温度範囲が５０℃〜１００℃、α１００／２００は１００℃〜２００℃、およびα２００／３００は２００℃〜３００℃である。【０１４５】
（シリコン基板との平均熱膨張係数の差）
シリコン基板（信越化学工業製）の平均熱膨張係数αＳｉ５０／１００、αＳｉ１００／２００、およびαＳｉ２００／３００を測定し、それぞれのガラス基板の平均熱膨張係数との差Δα５０／１００、Δα１００／２００、Δα２００／３００を求めた。ここで、
Δα５０／１００＝α５０／１００−αＳｉ５０／１００
Δα１００／２００＝α１００／２００−αＳｉ１００／２００
Δα２００／３００＝α２００／３００−αＳｉ２００／３００
である。シリコン基板の平均熱膨張係数αＳｉ５０／１００は２．９４ｐｐｍ／℃、αＳｉ１００／２００は３．３７ｐｐｍ／℃、αＳｉ２００／３００は３．６９ｐｐｍ／℃であった。【０１４６】
（ガラス転移点Ｔｇ）
ＪＩＳ  Ｒ３１０３−３（２００１年）に規定されている方法に従い、ＴＭＡを用いて測定した。【０１４７】
（密度）
泡を含まない約２０ｇのガラス塊をアルキメデス法によって測定した。【０１４８】
（ヤング率）
厚さ０．５ｍｍ〜１０ｍｍのガラスについて、超音波パルス法により測定した。【０１４９】
（Ｔ２）
回転粘度計を用いて粘度を測定し、１０２ｄ・Ｐａ・ｓとなるときの温度Ｔ２（℃）を測定した。【０１５０】
（Ｔ４）
回転粘度計を用いて粘度を測定し、１０４ｄ・Ｐａ・ｓとなるときの温度Ｔ４（℃）を測定した。【０１５１】
（ガラス失透温度）
ガラス失透温度は、白金製皿に粉砕されたガラス粒子を入れ、一定温度に制御された電気炉中で１７時間熱処理を行い、熱処理後の光学顕微鏡観察によって、ガラスの内部に結晶が析出する最高温度と結晶が析出しない最低温度との平均値である。【０１５２】
（失透粘性）
溶融ガラスの高温（１０００℃〜１６００℃）における回転粘度計を用いたガラス粘度の測定結果から、フルチャーの式の係数を求め、該係数を用いたフルチャーの式により、ガラス失透温度におけるガラス粘度を求めた。【０１５３】
（ＨＦ重量減少量）
ＨＦ重量減少量は、次の様にして測定した。上述のようにして得られたガラス板を切断し、両面を鏡面研磨して、４０ｍｍ四方、厚さ１ｍｍのガラスサンプルを得た。このガラスサンプルを洗浄後、乾燥させ、重量を測定した。次いで、ガラスサンプルを２５℃に保持した５質量％フッ酸に２０分間浸漬し、洗浄、乾燥させ、浸漬後の重量を測定し、浸漬前からの重量減少量を算出した。浸漬中に薬液を撹拌するとエッチング速度が変動するため、撹拌は実施しなかった。サンプル寸法から表面積を算出し、重量減少量を表面積で割ったのち、さらに浸漬時間で割ることで、単位面積および単位時間当たりの重量減少量（ＨＦ重量減少量）を求めた。【０１５４】
（光弾性定数）
円板圧縮法（「円板圧縮法による化学強化用ガラスの光弾性定数の測定」、横田良助、窯業協会誌、８７［１０］、１９７９年、ｐ．５１９−５２２）により測定した。【０１５５】
【表１】
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【０１５６】
【表２】
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【０１５７】
【表３】
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【０１５８】
【表４】
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【０１５９】
【表５】
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【０１６０】
【表６】
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【０１６１】
【表７】
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【０１６２】
例１〜６０、６６〜８７は実施例であり、例６１〜６５は比較例である。
実施例である例１〜６０、６６〜８７の本発明のガラス基板は、アルカリ金属酸化物の含有量が０．１％以下であるため、シリコン基板とガラス基板を貼り合わせる熱処理工程において、アルカリイオンがシリコン基板に拡散しない。また、５０℃〜１００℃での平均熱膨張係数α５０／１００が２．７０ｐｐｍ／℃〜３．２０ｐｐｍ／℃であり、２００℃〜３００℃での平均熱膨張係数α２００／３００が３．４５ｐｐｍ／℃〜３．９５ｐｐｍ／℃であり、α２００／３００をα５０／１００で除した値α２００／３００／α５０／１００が、１．２０〜１．３０であるため、シリコン基板とガラス基板を貼り合わせる熱処理工程において、シリコン基板に発生する残留歪が小さくなりやすい。【０１６３】
比較例である例６１〜６５のガラス基板は、α５０／１００、α２００／３００、または、α２００／３００／α５０／１００のいずれか一以上の範囲が本願発明の一実施形態のガラス基板に関する範囲を逸脱する。または、例６１〜６５のガラス基板は、Δα５０／１００、Δα２００／３００、または、Δα２００／３００−Δα５０／１００のいずれか一以上の範囲が本願発明の一実施形態のガラス基板に関する範囲を逸脱する。または、例６１〜６５のガラス基板は、得られるガラス基板の組成、（１）〜（４）のいずれか一以上の範囲が本願発明の一実施形態のガラス基板に関する範囲を逸脱する。そのため、シリコン基板とガラス基板を貼り合わせる熱処理工程において、シリコン基板に発生する残留歪が大きくなりやすい。【０１６４】
次に、図２に、例８８のガラス基板および例８９のガラス基板それぞれについて、シリコン基板を接触させて熱処理をさせた際の、シリコン基板へのアルカリ金属酸化物の拡散量を、二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ）で測定を行った結果を示す。例８８のガラス基板はアルカリ金属酸化物（Ｎａ２Ｏ）の含有量が０．１％以下であり、例８９のガラス基板はアルカリ金属酸化物の含有量が０．１％よりも多い。なお、図２中に、参照用に未処理のシリコン基板のＳＩＭＳ測定結果も示す。【０１６５】
ＳＩＭＳ測定には、アルバック・ファイ社のＡＤＥＰＴ１０１０を用いた。ＳＩＭＳ分析の一次イオンにはＣｓイオンを用いた。二次イオン種としては、２８Ｓｉ＋と２３Ｎａ＋の測定を行った。ガラス基板と接触させたシリコン基板の熱処理は、室温から２００℃まで１０分で昇温し、２００℃で１時間保持した後、室温まで１０分で冷却を行った。例８８、８９の組成を表８に示す。【０１６６】
【表８】
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【０１６７】
例８８は例６にアルカリ金属酸化物であるＮａ２Ｏを０．０３％外割で添加したものであり、実施例である。例８９は例６１にアルカリ金属酸化物であるＮａ２Ｏを０．３２％外割で添加したものであり、比較例である。図２の横軸は、シリコン基板の内、ガラス基板と接触していた側の表面からの深さを示しており、縦軸は、一秒間における２３Ｎａ＋の検出数を２８Ｓｉ＋で除した値を示している。【０１６８】
図２から、アルカリ金属酸化物の含有量が０．１％よりも多い例８９のガラス基板と接触していたシリコン基板からは、表層から１００ｎｍ付近までＮａイオンが拡散していることが分かる。なお、参照用のシリコン基板の測定結果は、例８８のプロットとほぼ重なっている。アルカリイオンは電荷を有する為、シリコン基板中でキャリアとして働き、半導体特性を変化させてしまう。それに対して、アルカリ金属酸化物の含有量が０．１％以下である例８８のガラス基板と接触していたシリコン基板は、未処理のシリコン基板と同様にＮａイオンは検出されず、ガラス基板からシリコン基板へのＮａイオンの拡散が生じていないことを示している。
【産業上の利用可能性】
【０１６９】
本発明に係るガラス基板は、シリコン基板との熱膨張係数の差が小さいため、シリコン基板と貼り合わせる熱処理工程やその後の熱処理工程において、熱膨張係数の差に起因する残留歪の発生を抑制することができる。そのため、ウェハレベルパッケージによる素子の小型化が有効なＭＥＭＳ、ＣＭＯＳ、ＣＩＳ等のイメージセンサ用のガラス基板として好適である。【０１７０】
また、プロジェクション用途のディスプレイデバイス用のカバーガラス、例えばＬＣＯＳ（Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｉｓｔｙａｌ  ＯＮ  Ｓｉｌｉｃｏｎ）のカバーガラスとして好適である。例えばＬＣＯＳやイメージセンサでは、シリコン基板上に電子回路を形成した後、接着材として樹脂やガラスフリットを用いて、シリコン基板にカバーガラスが接着される。発明に係るガラス基板はシリコン基板とカバーガラスの熱膨張係数の差が小さいので、デバイス製造時や使用時に温度が変化した際に接着界面に生じる応力が低減される。これにより、光弾性変形に起因する色ムラの低減や、長期信頼性の向上が期待できる。【０１７１】
さらに、本発明に係るガラス基板は、ガラスインターポーザ（ＧＩＰ）の穴開け基板や、半導体バックグラインド用のサポートガラスとして好適である。また、本発明のガラス基板は、シリコン基板と貼り合わせて使うガラス基板用途であれば好適に使用できる。【０１７２】
本発明を特定の態様を用いて詳細に説明したが、本発明の意図と範囲を離れることなく様々な変更および変形が可能であることは、当業者にとって明らかである。なお本出願は、２０１５年２月６日付で出願された日本特許出願（特願２０１５−０２２７１９）、および２０１５年１２月１０日付で出願された日本特許出願（特願２０１５−２４１３０３）に基づいており、その全体が引用により援用される。
【符号の説明】
【０１７３】
１０    シリコン基板
２０    樹脂
３０    積層基板
Ｇ１    ガラス基板
【図１】
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【図２】
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