(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ディスプレイの光放射領域にピクセルのアレイを有するフレキシブルディスプレイであって、
フレキシブル基板と、
前記フレキシブル基板上のピクセルアレイに対応する薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）のアレイと、
前記ＴＦＴのゲート電極に結合された複数の第１金属線と、
前記ＴＦＴのソース／ドレーン電極に結合された複数の第２金属線と、
を備え、
前記第１金属線と前記第２金属線の少なくとも１つは、直線軸に沿って延びるよう配置され且つ前記直線軸とは平行にならないパターンで形づくられる屈曲可能な伸縮性の金属線を少なくとも部分的に含み、
前記伸縮性の金属線は、第１及び第２の接点で互いに電気的にショートされる第１及び第２の金属配線によって形成され、前記第１及び第２の金属配線は、前記第１及び第２の接点の間の第１の領域でオーバーラップし、前記第１及び第２の接点の間の第２の領域でオーバーラップしないことを特徴とする、フレキシブルディスプレイ。
【請求項２】
前記パターンは、蛇行状波パターン、正弦波パターン、及び矩形波パターンからなるグループから選択される少なくとも１つを含む、請求項１に記載のフレキシブルディスプレイ。
【請求項３】
前記ピクセルは、有機発光ダイオードを含む、請求項１に記載のフレキシブルディスプレイ。
【請求項４】
前記フレキシブル基板と前記ＴＦＴとの間にバッファ層を更に備える、請求項１に記載のフレキシブルディスプレイ。
【請求項５】
前記バッファ層の上に活性半導体層と、前記活性半導体層の上にゲート絶縁物と、を更に備え、前記ゲート電極は前記ゲート絶縁物の上に配置された、請求項４に記載のフレキシブルディスプレイ。
【請求項６】
前記活性半導体層は、アモルファスシリコン、低温多結晶シリコン、及び金属酸化物からなる群から選択される材料を含む、請求項５に記載のフレキシブルディスプレイ。
【請求項７】
前記バッファ層は、シリコン酸化物のサブレーヤとシリコン窒化物のサブレーヤと、を含み、前記シリコン窒化物は、前記ＴＦＴの間に線条を含む、請求項４に記載のフレキシブルディスプレイ。
【請求項８】
前記バッファ層は、シリコン酸化物のサブレーヤと、シリコン窒化物のサブレーヤと、を含み、
前記シリコン窒化物は、前記ＴＦＴのアレイにおける少なくとも１つのＴＦＴの下に形成された第１の部分と、前記少なくとも１つのＴＦＴの下に形成されない第２の部分とを含み、前記第１の部分は前記第２の部分より厚い、請求項４に記載のフレキシブルディスプレイ。
【請求項９】
前記ＴＦＴの前記ゲート電極と、前記ＴＦＴの前記ソース／ドレーン電極との間に層間絶縁膜（ＩＬＤ）を更に備える、請求項１に記載のフレキシブルディスプレイ。
【請求項１０】
前記ＩＬＤは、シリコン酸化物のサブレーヤと、シリコン窒化物のサブレーヤと、を含み、前記シリコン窒化物は、前記ＴＦＴの間に線条パターンを含む、請求項９に記載のフレキシブルディスプレイ。
【請求項１１】
前記ＩＬＤ層は、前記ＴＦＴのアレイにおける少なくとも幾つかのＴＦＴでオーバーラップし、且つ前記ＴＦＴのアレイにおける少なくとも幾つかのＴＦＴの間には存在しない、請求項９に記載のフレキシブルディスプレイ。
【請求項１２】
前記ＴＦＴの前記ソース／ドレーン電極の上に配置された不活性化層を更に備える、請求項１に記載のフレキシブルディスプレイ。
【請求項１３】
前記不活性化層は、柔軟な有機材料を含む、請求項１２に記載のフレキシブルディスプレイ。
【請求項１４】
前記フレキシブル基板は、ポリイミドを含む、請求項１に記載のフレキシブルディスプレイ。
【請求項１５】
前記第１の領域においてオーバーラップする前記第１の金属配線は、前記ゲート電極を形成する第１の金属層から形成され、前記第１の領域においてオーバーラップする前記第２の金属配線は、ドレーン電極及び前記ソース／ドレーン電極を形成する第２の金属層から形成される、請求項１に記載のフレキシブルディスプレイ。
【請求項１６】
前記第１の領域においてオーバーラップする、前記第１の金属配線及び前記第２の金属配線は、前記ＴＦＴの間で電気的にショートされている構造である、請求項１５に記載のフレキシブルディスプレイ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
［関連出願の相互参照］
この特許協力条約特許出願は、２０１３年３月１５日に出願の「Ｆｌｅｘｉｂｌｅ  Ｄｉｓｐｌａｙ」と題する米国非仮出願番号第１３／８３７，３１１号の優先権を主張する。そして、それは、２０１２年１１月１６日に出願の「Ｆｌｅｘｉｂｌｅ  Ｄｉｓｐｌａｙ」と題する米国の仮特許出願番号６１／７２７，４７３の優先権を主張する。それぞれの内容は、その全体が本明細書に参考として組み込まれる。
【０００２】
本明細書に述べる実施形態は、通常、コンピューティング装置のためのフレキシブルディスプレイに関し、より具体的には、破断又は亀裂なしで、ディスプレイ可撓線として曲がり得る金属配線を有するフレキシブルディスプレイの実装に関するものである。
【背景技術】
【０００３】
フレキシブルディスプレイを製造するために、有機発光層、有機不活性化層、及びフレキシブル基板としての高分子基板、などの有機材料を使用する多くのディスプレイ部品が開発されている。しかし、有機材料の電気伝導率は金属配線ほど高くないので、ディスプレイの金属配線を有機材料に置き換えることは難しい。金属配線の破断歪み限界は約１％であるため、ディスプレイパネルが曲げられると、金属配線は破損するか又は切断する可能性がある。シリコン窒化物をまだ用いている他の部品があるが、これも亀裂が入る可能性がある。したがって、屈曲可能な又は柔軟なディスプレイ部品を有することが望ましい。
【発明の概要】
【０００４】
本明細書に述べる実施形態は、概して、電子機器のためのディスプレイに関するものである。ディスプレイは、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）ディスプレイであってもよい。ディスプレイは、ピクセル又はサブピクセルのアレイを支持するフレキシブル基板と、各ピクセル又はサブピクセルを駆動する薄膜トランジスタとを含む。ディスプレイは、一つ以上の軸のまわりに柔軟であってもよい。例えば、ディスプレイは円筒を形成するように巻いてもよいし、非平面形状に曲げてもよい。そのような柔軟性を提供することによって、ディスプレイの可搬性と特定の動作を強化することができる。
【０００５】
一実施形態において、ピクセル又はサブピクセルのアレイを有するフレキシブルディスプレイが提示される。ディスプレイは、フレキシブル基板及び基板上のピクセル又はサブピクセルのアレイに対応する薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を含む。ディスプレイは、更に、ＴＦＴのゲート電極に結合された第１の複数の金属配線と、ＴＦＴのソース電極及びドレーン電極に結合された第２の複数の金属配線とを含む。第１の複数の金属配線と第２の複数の金属配線の少なくとも一方は、ＴＦＴ領域における非伸縮性部分と、ＴＦＴ領域外における伸縮性部分と、を含む。
【０００６】
別の実施形態において、ピクセル又はサブピクセルのアレイを有するフレキシブルディスプレイが提示される。ディスプレイは、フレキシブル基板と、その上のバッファ層とを含む。ディスプレイは、更に、基板上のピクセル又はサブピクセルのアレイに対応する薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）のアレイを含む。ディスプレイは、ＴＦＴのゲート電極に結合された第１の複数の金属配線と、ＴＦＴのソース電極及びドレーン電極に結合された第２の複数の金属配線とを更に含む。ディスプレイは、また、ＴＦＴ及びピクセルの外に集積回路（ＩＣ）ボードと、ＴＦＴとＩＣ基板との間に接続された複数の金属配線と、を含む。複数の金属配線は、ＴＦＴのゲート電極に関する第１の金属とＴＦＴのソース電極及びドレーン電極に関する第２の金属との少なくとも一方で形成される。複数の金属配線は、バッファ層の上に配置されている。ＴＦＴ領域外のバッファ層は、線条を有するように構成されている。
【０００７】
更なる実施形態及び特徴は、一部は以下の説明に記載されており、一部は本明細書の吟味により当業者にとって明らかになるか、又は、本明細書に記載の実施形態の実施によって知ることができる。特定の実施形態の性質及び利点の更なる理解は、明細書及び図面の残りの部分を参照することによって認識することができ、それは、本明細書の開示の一部を形成する。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】ディスプレイの実例のピクセル単体を表す。
【図２】金属配線に引張り応力を及ぼしているフレキシブルディスプレイの一例を示す。
【図３】一連のゲート線に重畳するデータ線を概して表す。
【図４】ディスプレイデバイスに関する一連の薄膜トランジスター（ＴＦＴ）を表す。
【図５】ディスプレイの曲げによるひずみを許容し得る蛇行するデータ線を有するフレキシブルディスプレイを例示する。
【図６】その長さに沿って正弦波に類似する金属配線を表す。
【図７】本明細書に記載の実施形態に係る、金属配線に関する２つの可能な冗長デザインを例示する。
【図８】多数のＴＦＴとともに、ディスプレイの実例のゲート／制御線及びデータ線を表す。
【図９】ディスプレイピクセルのＴＦＴの一部分の横断面と、ＴＦＴと関連付けられた金属配線とを概して表す。
【図１０】図９のバッファ層の簡略図を示す。
【図１１】図９のバッファ層の代替の実施形態の簡略図を示す。
【図１２】図１０に示されるバッファ層を生成することができるマスキング及び灰化動作の一例を表す。
【図１３】図１０に示されるバッファ層を生成することができるマスキング及び灰化動作の一例を表す。
【図１４】予想される亀裂間隔でバッファ層のシリコン窒化物で形成された細溝を有する、バッファ層の代替の実施形態を示す。
【図１５】亀裂なしに曲げたり屈曲したりすることができる領域を形成するためにシリコン窒化物が薄くなったバッファ層の代替の実施形態を表す。
【図１６】はフレキシブルディスプレイでの使用に適したＩＬＤを表し、そこで細溝がＩＬＤのシリコン窒化物部分に形成されている。
【図１７】は代替のＩＬＤであり、そこでは、シリコン窒化物はゲート金属の論理出力の上から除去されているが、内部ゲート金属の領域では保持されている。
【図１８】フレキシブルディスプレイでの使用に適したＩＬＤの更に別の実施形態である。
【図１９Ａ】第１の実施形態において伸縮可能な金属配線に関する蛇行パターンの一例を示す。
【図１９Ｂ】第２の実施形態において伸縮可能な金属配線に関する正弦波パターンの一例を示す。
【図１９Ｃ】第３の実施形態において伸縮可能な金属配線に関する正弦波パターンの一例を示す。
【図１９Ｄ】第４実施形態において伸縮可能な金属配線に関する蛇行するパターンの一対を示す。
【図１９Ｅ】第５の実施形態において伸縮可能な金属配線に関する正弦波パターンの一対を示す。
【図１９Ｆ】第６の実施形態において伸縮可能な金属配線に関する矩形波パターンの一対を示す。
【図１９Ｇ】本明細書に開示した実施形態に係る、図１９Ｄの２つの金属配線の間の第１の重畳領域の横断面図を例示する。
【図１９Ｈ】本明細書に開示した実施形態に係る、図１９Ｄの２つの金属配線の間の第２の重畳領域の横断面図を例示する。
【図２０Ａ】本明細書に開示した実施形態に係る、フレキシブルディスプレイの上面図を例示する。
【図２０Ｂ】本明細書に開示した第１の実施形態に係る、集積回路（ＩＣ）基板とＴＦＴとの間に接続された金属配線に重畳する均一なバッファ又は層間絶縁膜（ＩＬＤ）を含む領域の上面図を例示する。
【図２０Ｃ】本明細書に開示した第２の実施形態に係る、集積回路（ＩＣ）基板とＴＦＴとの間に接続された金属配線に重畳する線条のあるバッファ又はＩＬＤパターンを含む領域の上面図を例示する。
【図２０Ｄ】本明細書に開示した第３の実施形態に係る、集積回路（ＩＣ）基板とＴＦＴとの間に接続された金属配線からオフセットした線条のあるバッファ又はＩＬＤパターンを含む領域の上面図を例示する。
【図２１Ａ】本明細書に開示した実施形態に係る、図２０Ａの横断面図を例示する。
【図２１Ｂ】本明細書に開示した実施形態に係る、図２０Ｂの横断面図を例示する。
【図２１Ｃ】本明細書に開示した実施形態に係る、図２０Ｃの横断面図を例示する。
【図２１Ｄ】本明細書に開示した実施形態に係る、図２０Ｄの横断面図を例示する。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
本明細書に述べる実施形態は、概して、電子機器のためのディスプレイに関するものである。ディスプレイは、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）ディスプレイであってもよい。ディスプレイは、ピクセル又はサブピクセルのアレイを支持するフレキシブル基板と、各ピクセル又はサブピクセルを駆動する薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）とを含む。ディスプレイは、一つ以上の軸のまわりに柔軟であってもよい。例えば、ディスプレイは円筒を形成するように巻いてもよいし、非平面形状に曲げてもよい。そのような柔軟性を提供することによって、ディスプレイの可搬性及び特定の動作を強化することができる。
【００１０】
ディスプレイは、ＴＦＴの外で柔軟であってもよい。例えば、ディスプレイは、伸縮可能なゲート線及び／又はデータ線をＴＦＴの外の領域で含むことができる。ディスプレイは、フレキシブル基板と、ＴＦＴ及びピクセル又はサブピクセルとの間にバッファ層を含むこともできる。バッファ層は、亀裂に対して耐性を示すように構成することができる。ディスプレイは、ＴＦＴの、ゲート電極に関する第１の金属層とソース／ドレーン電極に関する第２の金属層との間に層間絶縁膜（ＩＬＤ）を含むこともできる。ＩＬＤも、亀裂に対して耐性を示すように構成することもできる。バッファとＩＬＤ層は共に、シリコン酸化物のサブレーヤ及びシリコン窒化物のサブレーヤを含むことができる。曲げられたときシリコン窒化物は、より亀裂を受けやすいので、一実施形態では細溝をシリコン窒化物に含んでもよい。
【００１１】
ディスプレイは、その境界の近くで柔軟な領域を含んでもよい。通常、ディスプレイはピクセル領域又は有効領域の外に集積回路（ＩＣ）領域を含む。ＩＣとＴＦＴとの間に接続された金属配線が多数存在し得る。これらの金属配線は、ゲート金属層又はソース／ドレーン金属層のいずれか、即ち、第１の金属層又は第２の金属層で形成してもよい。これらの金属配線は、伸縮可能に構成することができる。金属配線は、金属配線とフレキシブル基板との間のバッファ層を有するフレキシブル基板によって支持されて形成される。バッファ層は、亀裂に対して耐性を示す線条のある模様をつけてもよい。
【００１２】
ディスプレイは多数の個々のピクセルを含むことができ、各ピクセルは、一組のサブピクセルから形成することができる。例えば、図１はディスプレイのピクセル単体を表示する。ピクセルは、３つのサブピクセル、即ち、赤、緑、及び青のサブピクセルを含む。
【００１３】
いくつかの実施形態において、ピクセル及びそのサブピクセルは有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）材料から形成することができる。他の実施形態では、ピクセル及びサブピクセルを形成するために、別の柔軟な材料を使ってもよい。
【００１４】
概していえば、フレキシブルディスプレイの実例は、高分子基板、基板の上の有機発光層（例えば、ＯＬＥＤ層）、及び発光層を封入するか又はそれを覆う有機不活性化層から構成することができる。基板は、あらゆる好適な材料から形成してもよい。高分子はほんの一例にすぎない。より具体的な例として、基板はポリイミドから形成してもよい。これらに追加された層がフレキシブルディスプレイの実例に存在してもよいことを理解されたい。同様に、本明細書に記載の層は、それら自体、多重の層で構成することができる。フレキシブルディスプレイの実例の部分断面の一例を以下で、図９に関して、更に詳細に説明する。
【００１５】
通常、フレキシブルディスプレイ１００は、図１に示されるように、サブピクセル１０２Ａ〜１０２Ｃを支持するフレキシブル基板を含む。金属配線１０４は、種々のサブピクセル１０２Ａ〜１０２Ｃ、更にはピクセルを接続してもよい。そのような線は、例えば、当業者に知られたゲート線及び／又はデータ線で有り得る。これらは、ほんの２つの例にすぎない。金属信号線は、他の情報及び／又は信号を伝えてもよい。
【００１６】
従来の金属信号線又は配線は直線であり、フレキシブルディスプレイが曲げられると、亀裂又は破断をおこしやすい可能性がある。即ち、曲げ動作は金属配線にひずみを与え、亀裂又は破断に至る可能性がある。したがって、本明細書に開示された特定の実施形態は、図１に示すように、蛇行する金属配線を使用する。これらの蛇行する配線は、自らをフレキシブルディスプレイへの使用に適するようにするいくつかの特性を有することができる。例えば、フレキシブルディスプレイが曲げられるか、巻かれるか、又は別の方法で変形すると、蛇行する金属配線は、破断するよりもむしろ、その円形部分に沿って伸びることができる。金属配線に引張り応力を及ぼしているフレキシブルディスプレイの一例を図２に示す。図に示すように、金属配線１０４は矢印２０２で示される方向に伸びることができ、及び／又は、ディスプレイを曲げることによって及ぼされる応力に応じて変形することができる。また、図２に示されるものは、より大きなディスプレイの中のピクセル単体であることを理解されたい。
【００１７】
概して、図１及び図２に示される蛇行する金属配線は、半円の組み合わせの反復するパターンから構成される。蛇行する金属配線の上下の端は、通常、ディスプレイの曲げ動作に応じて伸縮又は変形する部分である。即ち、蛇行する金属配線は、伸ばされ、曲げられ等されると、半円形の部分がより長くなって、いくらか部分的に楕円形になるように伸長する。これは、図２の金属配線を図１と比較することによって、認識することができる。
【００１８】
図１及び図２に示される金属配線は、通常、各半円形の区間の内側の部分で、外側の部分及び／又は半円形の区間との間の接続部よりも大きなひずみを感知する。
【００１９】
金属配線に関する別のデザイン及び／又は形状を代替の実施形態で使うことができることを理解されたい。同様に、金属配線はいろいろな材料から形成することができる。１つの例として、配線は金から形成してもよい。更に他の材料の実例としては、銅、銀及び他の導電性金属が挙げられる。金属配線は、比較的可塑性の金属から形成してもよいし、しなくてもよい。金から形成される蛇行する金属配線を有する実施形態において、配線に及ぼされる最大のひずみはおよそ０．５％であってもよく、金の破断歪み限界（例えば１％）より低い。
【００２０】
サブピクセル１０２Ａ〜１０２Ｃは、ＯＬＥＤサブピクセルとして形成してもよい。ＯＬＥＤサブピクセルは、通常、アノード、一つ以上の有機物層、及びカソードを含む。対応するＯＬＥＤは、底面発光型又は上面発光型のいずれかであってもよい。底面発光型のＯＬＥＤでは、光はアノード側から抽出される。これに対して、上面発光型では、光はカソード側から抽出される。カソードは光学的に透明であるのに対して、アノードは光を反射する。この上面発光型ＯＬＥＤは、通常、底面発光型ＯＬＥＤより大きなＯＬＥＤ開口部を使用可能にする。
【００２１】
蛇行する金属配線１０４は、図１及び図２で示すように、上面発光型ＯＬＥＤのピクセル領域に重畳することにここで言及しなければならない。金属配線がＯＬＥＤ放射層の下にあって、したがって光の放射を妨げないので、蛇行する金属配線は、通常、上面発光型ＯＬＥＤデバイスの口径比に影響を及ぼさない。しかし、底面発光型ＯＬＥＤに関しては、蛇行する金属配線はピクセル領域（図示せず）に重畳しない。
【００２２】
当業者であれば、フレキシブルディスプレイが、蛇行する網目形の金属配線又は他の網目形の金属配線を含んでもよいことを理解されたい。上面発光型ＯＬＥＤ表示装置に関しては、能動部品が、蛇行する金属配線の網目に重畳する可能性がある。
【００２３】
図３は、一連のデータ線３０２に重畳するゲート線を概して表す。図に示すように、ゲート線３０４は、その長さの第１の部分３０４Ａに関しては直線でもよく、続いてその長さの第２の部分３０４Ｂに関しては蛇行してもよい。そのような構成では、直線上のデータ線を有するパネルの部分は曲がらないのに対して、蛇行する配線を有する部分は曲がることができることが意図されている。たとえゲート（又は他の）配線のすべてが直線であるとしても、いくつかの実施形態ではディスプレイの曲げを許してもよいことを理解されたい。「曲げ稜線」と名称がついた線は、フレキシブルディスプレイをその線に沿って曲げることのできる１つの可能な線を例示している。曲げ稜線の場所は任意で、説明の目的のために使用されることを理解されたい。ディスプレイは、多くの別の地点で、又は、名称のついていない多くの別の線に沿って、曲げることができる。同様に、ディスプレイは複雑な曲線に沿って、又は、複数の寸法で曲がることができる。いくつかの実施形態は、ディスプレイの折りたたみを許すことさえできる。
【００２４】
データ線３０２は、放射制御線などの、フレキシブルディスプレイに関する別の制御信号線に重畳してもよい。通常、データとゲート線の重畳領域３０６において、ディスプレイの平坦な部分と屈曲可能な部分とで等しい容量性負荷を有することは有用であり得る。したがって、図３で外形寸法３０８によって示されるゲート金属スペースは、図３において外形寸法３０６によって示される、データ金属３０２の最小幅より広くなければならない。即ち、外形寸法３０８は外形寸法３０６より大きくなければならない。両者が等しいならば、側壁容量は、ディスプレイの屈曲／伸縮部で、データ線及び／又はゲート線に更なる負荷を提供する可能性がある。いくつかの実施形態に、データ金属配線は、最小限のデータ金属幅ａを生成するために、各側でおよそ０．５マイクロメートルだけ薄くなる可能性がある。そのようなマージンは、ディスプレイが曲げられるか、別の方法で伸縮するか否かを問わず、オーバーラップ容量が同じままであることを確保することができる。
【００２５】
図４は、ディスプレイデバイスに関する一連の薄膜トランジスター（ＴＦＴ）を表す。各ＴＦＴ４０２は、通常、ゲート／制御線３０４とデータ線３０２の交差点にある。ドレーン及びソース４０４は、データ線３０２と同じ金属層の中にある。通常、各ＴＦＴは、ピクセル単体（図示せず）を操作する。通常、屈曲可能な及び非屈曲可能な領域を有するディスプレイの場合、各ＴＦＴ４０２は、他のＴＦＴと同程度にゲート／制御線３０４に重畳しなければならない。即ち、非屈曲可能な領域（図４の左側に示されるような）におけるゲート／制御線とＴＦＴとの間の重畳は、ディスプレイの屈曲可能な部分（図４の右側に示されるような）の２者間の重畳と同じでなければならない。配線が直線状か、蛇行するか、又はそうでないかどうかにかかわらず、重畳は、通常、すべてのＴＦＴ及びゲート／制御線に関して等しくすることができる。このように、対象となっているディスプレイの部分に関係なく、ＴＦＴによる容量性線負荷は一定にすることができる。
【００２６】
図５は、ディスプレイの曲げによるひずみを許容し得る蛇行データ線５０２を有するフレキシブルディスプレイ５００を例示する。このフレキシブルディスプレイにおいて、ゲート線５０４は実質的に直線でもよい。曲げ稜線は、ゲート線５０４に実質的に平行である。図４の実施形態と同様に、ＴＦＴといろいろな金属配線との間の容量性線負荷は、ディスプレイの可撓性部分と非可撓性部分の双方に位置するＴＦＴに関して等しくなければならない。図５で示すように、これは蛇行する金属配線の比較的直線の部分にＴＦＴを重畳させることにより、実現することができる。この例では、蛇行する金属データ線は、比較的直線の稜線と接続部を有し、稜線部と接続部との間に丸い移行部を有する。各ＴＦＴは、稜線部の上に位置する。稜線部が基本的に直線であるので、図５の蛇行するデータ線に関する線負荷は、ＴＦＴと直線状のデータ線間の線負荷と同一であるか、又はほとんど同一である。図５に示される蛇行する線の構成（例えば、半円形の稜線部の代わりに平坦であるか直線状の稜線部を有する）を、本明細書に記載の、図４の実施形態などの別の実施形態に関して使用することができることを理解されたい。
【００２７】
前述したように、いくつかの実施形態は、非直線形状を有しているが蛇行はしていない金属信号線を使用することができる。例えば、図６は、その長さに沿った正弦波に類似する金属配線６００を示す。そのような構成は、例えば、金属配線のために指定されるか、それに費やされるディスプレイの面積を減らすことができる。そのような構成は、高画素密度及び／又は複数の制御線、データ線又はゲート線のいずれかを有する用途の中でもとりわけ、高密度ＯＬＥＤで使用することができる。正弦波形の金属配線の正確な高さと振幅は、パネルの電気的特性値、その使用目的及び動作パラメーター、などに応じて異なる可能性がある。したがって、そのような寸法は、用途に依存し経験的に決定される可能性があるので、正確な寸法は本明細書に記載されていない。
【００２８】
更に別の選択肢として、前述の図で示すように、単体の金属配線の代わりに、複数の金属配線を使用することができる。フレキシブルディスプレイの任意の金属配線を冗長化することができることを理解されたい。更に、そのようなディスプレイは、通常、金属配線を通すことのできる複数の層を有するので、第１及び第２の（例えば、通常と冗長の）金属配線を異なる金属層に配置することができる。図７は２つの可能な冗長デザインを例示する。
【００２９】
図７に示される第１のデザイン７００Ａは、一対の正弦波形の金属配線７０２及び７０４を使用する。２つの金属配線は特定の点７０６でのみ重畳する。基本的に、第１及び第２金属配線は、第２の金属配線の上部が第１の金属配線の下部に線状にそろうように、お互いにおよそ１８０度位相がずれている。これは、図７の第１の冗長性デザイン７００Ａの「曲げ稜線」と記される線に沿って認識することができる。２つの配線との間のオフセットは、所望に応じて小さくするか又は大きくすることができることを理解されたい。
【００３０】
他の例として、第１及び第２の金属配線は、それらの長さの全部又は一部に沿って、図７で示すように、特に冗長性デザイン７００Ｂにおいて、お互いに重畳することができる。２つの配線７０２及び７０４を重畳することによって、たとえ他方が破断するか、亀裂が入るか、又は別の方法で中断されるとしても、一方は動作し続けることができる。
【００３１】
図８は、多数のＴＦＴとともに、ディスプレイの実例のゲート／制御線及びデータ線を表す。また、ドレーン／ソース４０４を含む各ＴＦＴ４０２は、通常、ピクセル単体に相当する。ゲート／制御線８０４は、行方向にすべてのＴＦＴを接続するのに対して、データ線８０２は、列方向にすべてのＴＦＴを接続する。先の実施形態と同様に、図８の略図は、非屈曲可能な部分（例えば、ゲート／制御線が直線状である部分）と屈曲可能な部分（例えば、ゲート／制御線が蛇行する部分）を有するディスプレイを例示することを意図している。ディスプレイは、実施形態に応じて、完全に屈曲可能で非屈曲可能な部分を有しない場合があり、図８（例えば、蛇行するマルチ配線パターンをディスプレイの全体にわたって使用することができる）の例示された特性を更に組み込むことができることを理解されたい。同様に、データとゲート／制御の配線は、蛇行するか、正弦波形であるか、又は、応力を受けて曲がるように作られた異なる形状を有することができる。
【００３２】
図８に図示されるように、重畳及びオフセットの冗長化された金属配線が同じディスプレイで使用されてもよい。図８は、ゲート／制御配線の上部のセットに沿った蛇行する金属配線のオフセット対と下部のゲート／制御配線に沿った金属配線の重畳対を示す。この冗長性は、応力を受けて破断又は破壊をよりしやすい可能性がある領域又は区間、又は、そのような冗長性を保持するのに十分なスペースを有する領域、などのディスプレイの特定の部分だけで使用することができることも理解されたい。
【００３３】
フレキシブルディスプレイのスタックアップの実例を次に説明する。図９は、ディスプレイピクセルのＴＦＴの一部分の横断面と、ＴＦＴと関連付けられた金属配線とを概して表す。横断面が図４の矢印Ａ−Ａに沿ってとられる。通常、ＴＦＴ自体は、曲がらない（代替の実施形態では曲がることができるが）。むしろ、ディスプレイは、「曲げ領域」（図９に関して）と名付けられた線に沿ってその右側に曲がる。ＴＦＴ自体は、通常、図９の曲げ領域線の左にあるのに対して、以前説明した金属配線を含むＴＦＴ間領域は右にある。
【００３４】
説明として、いろいろな層に関するラベルを次に述べる。基板９０２はポリイミド（ＰＩ）で形成することができる。それは、その上にフレキシブルディスプレイを形成することができる好適な基板の１例である。別の実施形態は、異なる基板を使用してもよい。バッファ層９０４は、基板（例えば、ＰＩ）とゲート金属９１０／ゲート絶縁物９０８との間の基層である。バッファ層は、シリコン窒化物とシリコン酸化物の一方又は両方から形成することができる。層９０６は、ＴＦＴの活性半導体層である。半導体は、アモルファスシリコン、低温多結晶シリコン又は金属酸化物で形成してもよい。ゲート絶縁物（ＧＩ）層９０８は、シリコン酸化物で形成してもよい。ＧＩの上はゲート層であり、それはまた金属である。層間絶縁膜（ＩＬＤ）は、部分的にゲート９１０を囲んで、部分的にＧＩ層９０８の上にある。この層間絶縁膜は、シリコン窒化物とシリコン酸化物の一方又は両方から形成することができる。（任意のシリコン酸化物及び／又はシリコン窒化物はどの層にも好適で有り得ることを理解されたい。）ソース／ドレーン金属９１８は、活性層９０６に接続する。「ＰＡＳ」によって表示される不活性化層９１４は、ソース／ドレーン金属９１８の上に形成されて、シリコン窒化物から製造してもよい。図９の上で示される「ＰＡＤ」は、例えば、パネル及び／又はドライバ集積回路とフレックス回路との間のボンディング部位などの導体パッドである。
【００３５】
いくつかの実施形態では、カプセル化層は、ＴＦＴ構造の上に位置する。
【００３６】
図９のバッファ層９０４の簡略図の実例が図１０に示されている。バッファ層９０４は第１の層９０４Ｂを含んでもよく、それはシリコン酸化物などで形成してもよい。バッファ層９０４は第２の層９０４Ａを含んでもよく、それはシリコン窒化物などで形成してもよい。特に、図１０〜図１３における破線は、図９において「曲げ領域」と名付けられた破線と同じである。通常、図９又は類似した構造で使用されるとき、シリコン酸化膜は、失敗することなく、窒化珪素より確実に曲がることができる。第２の層９０４Ａは、いくつかの細溝９０６を有してもよい。通常、所定の層のシリコン窒化物の亀裂間の間隔は、層の厚さの関数である。したがって、ディスプレイが曲がるときに、亀裂が入ることを防ぐために、バッファ層のシリコン窒化物部分に特殊なパターンを形成することは有用であり得る。
【００３７】
異なる実施形態によっては、バッファ層９０４におけるシリコン窒化物（例えば、ＳｉＮｘ）及びシリコン酸化物（例えば、ＳｉＯ）の堆積順序を変えることができる。したがって、図１０〜図１３は、シリコン酸化物が最初に堆積し、続いて、シリコン窒化物が堆積すると想定している。対照的に、図１４〜図１５は、シリコン窒化物が最初に堆積し、続いて、シリコン窒化物が堆積すると想定している。
【００３８】
図１０を続けて、バッファ層で亀裂の生成を防ぐために、かなり規則的な間隔でバッファ層（又は別の層）のシリコン窒化物に細溝を生成することは有用であり得る。亀裂の間隔を層の厚さの関数として決定することができるので、予想される亀裂又は破損を形成するであろう間隔と同じ間隔で、層に細溝をつけることができる。図１０は、そのような間隔で形成されたこれらの細溝を有するバッファ層９０４を表す。
【００３９】
別の選択肢として、シリコン窒化物は、細溝をつける代わりに、薄くすることができる。薄くなった層は、亀裂が入るよりも、伸縮するか、曲がりやすい可能性がある。したがって、破線の右側の曲げ領域で、図１１で示すように、ＳｉＮｘ層９０４Ｃを薄くすることにより、ディスプレイの性能を強化することができる。特に、ステップパターンを生成するように、一つ以上の薄くなる領域を形成することができる。薄くなった領域は、図１１に示されるよりも、大きくても小さくてもよい。いくつかの実施形態では、ＳｉＮｘは薄くなる領域を画定することができて、続いてより厚い領域まで増加し、次に別の薄くなる領域を画定することができる。そのような薄くなる領域は、予想される亀裂間隔で形成することができる。
【００４０】
図１２及び図１３は、図１０に示されるバッファ層を生成することができるマスキング及び灰化動作の一例を表す。まず最初に、ハーフトーンフォトレジスト（「ＰＲ」とラベルをつけられる）マスク１２０２を、バッファ層９０４のＳｉＮｘ層の全体にわたって付着することができる。紫外線露光は、フォトレジスト及びＳｉＮｘ層を灰化することができる。ここでは、３つの異なる露光を使うことができる。１００％の紫外線露光は、フォトレジスト及びシリコン窒化物層を完全に灰化して細溝を形成するために使用することができる。３０％の紫外線露光は、フォトレジストを除去するが、シリコン窒化物層をいずれも除去しないために使用することができる。更に、０％の紫外線暴露は、フォトレジストを保持することができ、それによって活性層９０６を保護する。そのような灰化の後に残っているものを図１３に示す。ＴＦＴ及び金属配線構造を形成するとき、このフォトレジストは更なるマスキング動作を通して付着することができる。
【００４１】
図１４及び図１５は、概して、フレキシブルディスプレイに関して使用されるバッファ層の実例を表す。図１０及び図１１に示されるバッファ層とは異なり、これらの層では、シリコン酸化物がシリコン窒化物を覆っている。また、バッファのシリコン酸化物及びシリコン窒化物を、ポリイミド基板の上に形成することができる。
【００４２】
予想される亀裂の間隔で、バッファ層９０４のシリコン窒化物１４０２Ｂに細溝を形成することができるという点で、図１４は図１０と類似している。しかし、ここでは、前記シリコン酸化物１４０２Ａは、そのような細溝を部分的に、又は、完全に埋めてもよい。前記の細溝又は溝を欠いているマスキング動作と比較すると、シリコン窒化物層を形成するために余分のマスクが必要でありえる。
【００４３】
図１５は、対照的に、図１１と類似している。再び、シリコン窒化物１５０２Ｂは、亀裂なしに曲げたり屈曲したりすることができる領域を形成するために薄くなっている。また、シリコン酸化物はこの薄くなった領域を覆うことができる。図１５は、層全体に沿っておよそ均一な厚さを有するようなシリコン酸化物層１５０２Ａを示すが、いくつかの実施形態では、シリコン酸化物は、薄くなったシリコン窒化物をそれが覆う所で、より厚くなることができる。このように、バッファ層は均一な、滑らかな上部の面を有することができる。シリコン酸化物は、曲げ又は屈曲動作の間、亀裂をより受けにくいので、特定の実施形態では、必要に応じて厚くすることができる。
【００４４】
図１６〜図１８を次に説明する。これらの図は、図９に概して示される層間誘電（ＩＬＤ）層の種々の実施形態を示す。横断面が図４の矢印Ｂ−Ｂに沿ってとられる。図から分かるように、ＩＬＤ９１２は通常、バッファ９０４及び／又はゲート絶縁体層９０８と不活性化層９１４との間にある。図に示される能動素子９０６は、図９に示されるソース／ドレーン金属の一部分である。ゲート金属は、ゲート絶縁物９０８とＩＬＤ９１２との間にあり、図１６〜図１８において、活性層９０６より上に示されていないことに注意すべきである。また、ソース／ドレーン金属は、ＩＬＤ９１２と不活性化層９１４との間にあり、図１６〜図１８において、活性層９０６より上に示されていない。
【００４５】
ＩＬＤ層１６０２は、通常シリコン酸化物１６０２Ａのサブレーヤ及びシリコン窒化物１６０２Ｂのサブレーヤから形成する。したがって、ＩＬＤのシリコン窒化物部分は、ディスプレイの曲げの間、やはり亀裂を受けやすい可能性もある。よって、図１６に示されるように、ＩＬＤのシリコン窒化物部分に細溝を形成してもよい。更に図１６に示されるように、シリコン窒化物は、やはり、ゲート金属の論理出力部分を概して覆う。更に、ＩＬＤ１６０２より上の不活性化層がそうする可能性があるように、シリコン酸化物はシリコン窒化物中の細溝を少なくとも部分的に埋める可能性がある。
【００４６】
図１７は、図１６と代替の実施形態である。ここで、ＩＬＤ１６０２のシリコン窒化物１６０２Ｂは、ゲート金属の論理出力の上から除去されているが、内部ゲート金属の領域では保持されている。
【００４７】
図１８は、フレキシブルディスプレイでの使用に適したＩＬＤの更に別の実施形態である。この実施形態では、ＩＬＤ１７０２はディスプレイの曲げ領域から、完全に除去されている。即ち、ＩＬＤのシリコン酸化物１７０２Ａ及びシリコン窒化物１７０２Ｂの層は、まったくゲート金属の論理出力領域を覆わない。
【００４８】
図１９Ａ〜図１９Ｃは、代替の実施形態として、図１の蛇行部分１０４のパターンの実例を示す。図１９Ａで示すように、伸縮可能な金属配線は、蛇行するパターンを有してもよい。特定の実施形態において、図１９Ａで示す半径「ｒ」は約５μｍであってもよい一方で、図１９Ａで示す配線幅「ｗ」は約４μｍであってもよい。半径「ｒ」は約６μｍまで増加してもよい一方で、配線幅は約８μｍまで増加してもよい。１つの実施形態に関して寸法の実例があることを理解されたい。寸法は実施形態によって異なってもよく、その結果、それは例であり、制限又は必要条件ではないものと考えなければならない。
【００４９】
図１９Ｂで示すように、伸縮可能な金属配線は、正弦波パターンを有してもよい。特定の実施形態において、図１９Ｂで示す半径「ｒ」は約８μｍであってもよい一方で、図１９Ｂで示す配線幅「ｗ」は約４μｍであってもよい。半径は約２０μｍまで増加してもよい一方で、配線幅は約８μｍまで増加してもよい。
【００５０】
図１９Ｃで示すように、伸縮可能な金属配線は、矩形のパターンを有してもよい。配線幅「ｗ」及び半径「ｒ」は図１９Ｃで示すように定められる。配線幅及び半径は、正弦波パターンと類似してもよい。当業者であれば、金属配線を伸縮可能にする限り、パターンは異なってもよいことを理解するであろう。
【００５１】
図１９Ｄ〜図１９Ｆは、代替の実施形態として、図７の冗長性デザイン７００Ａのパターンの実例を示す。図に示すように、２つの金属配線は、第１の金属配線１９０６と第２の金属配線１９０８との間の第１の重畳領域及び第２の重畳領域１９０４に関して、交互に配置されている。第１及び第２の重畳領域１９０２と１９０４は、破線の中に示されている。第１の金属配線１９０２は、ゲート線又はゲート電極と同じである第１の金属層から形成する。第２の金属配線１９０４は、データ線又はソース／ドレーン電極と同じである第２の金属層から形成する。配線幅及び半径は、図１９Ａ〜図１９Ｃで示す冗長性のない単体の金属配線パターンより大きくてもよい。
【００５２】
寸法の例を以下に示す。配線幅及び配線半径の定義は、該当する単体の金属配線と同じままである。図１９Ｄに示す冗長性の蛇行パターンの場合には、配線幅は４μｍでもよく、半径は１０μｍでもよい。配線幅が８μｍであるならば、半径は１５μｍでもよい。また、これらは、異なる実施形態で異なってもよい寸法の実例であり、この文書を通して、すべての寸法、公差、測定値などに関してもあてはまる。
【００５３】
図１９Ｅで示す冗長性の正弦波パターンの場合、配線幅は４μｍでもよく、半径は１５μｍでもよい。配線幅が８μｍであるならば、半径は３０μｍでもよい。また、冗長性の矩形パターンは、冗長性の正弦波パターンに類似した配線幅及び半径を有してもよい。
【００５４】
図１９Ｇ〜１９Ｈは、本発明開示の実施形態に係る、２つの金属配線の間の第１及び第２の重畳領域の横断面図を例示する。第１の重畳領域１９０２は、データ線又はゲート線（図７で示す重畳領域７０６などの）のいずれか直線部分に接続してもよい。図１９Ｇで示すように、第１の金属又はゲートは、不活性化層とゲート絶縁物で画定されるスルーホール（ビア）１９１２によって、導電層１９１０を通って、第２の金属又はソース／ドレーン電極に接続される。導電層１９１０は、インジウムスズ酸化物などの透明導電体で形成してもよい。導電層は、第２の金属配線１９０８の上にある不活性化層９１４の上に、更に配置される。第１の金属は、ゲート線３０４に結合されるのに対して、第２の金属は、データ線３０２に結合される。
【００５５】
あるいは、導電層１９１０（図示せず）を除いてもよい。２つの金属配線が冗長な金属配線を有するために接続されるように、第２の金属配線はスルーホールで第１の金属配線の上にあってもよい。一方の金属配線が破断しても、他方の金属配線はなお接続されている。
【００５６】
次に図１９Ｈを参照して、第１の金属配線１９０６及び第２の金属配線１９０８は、第２の重畳領域１９０４で、互いに接続しない。それらは、ＩＬＤ９１２によって隔てられている。
【００５７】
図２０Ａは、本発明開示の実施形態に係るフレキシブルディスプレイの上面図を示す。図に示すように、フレキシブルディスプレイ２０００は、ピクセル領域１０２及びＴＦＴ、ゲート線３０４、並びにデータ線３０２を含むディスプレイ領域２０２０を含む。更に、フレキシブルディスプレイは、ディスプレイ領域の左右の側に集積ゲートドライバ２００８と、ディスプレイ領域の上に集積回路（ＩＣ）２００６とを含む。集積ゲートドライバは、活性層９０６と同時に製造してもよい。集積ドライバ２００８及びＩＣ２００６は、ディスプレイ領域２０２０の外側にある。フレキシブルディスプレイは、ＩＣ２００６とディスプレイ領域２０２０との間に接続された金属配線２００２を更に含む。
【００５８】
図２０Ｂ〜図２０Ｄは、本発明開示の実施形態に係る、金属配線に重畳したシリコン窒化物サブレーヤの上面図を示す。シリコン窒化物サブレーヤは、バッファ層又はＩＬＤのいずれかに含まれてもよい。金属配線２００２は、図２０Ａに示すように、ＩＣ２００６とディスプレイ領域２０２０との間で接続されている。図２０Ｂは、シリコン窒化物サブレーヤ２００４Ａが、一様に、金属配線２００２を横切っていることを示す。図２０Ｃは、シリコン窒化物が線条のあるパターン２００４Ｂを有し、線条のあるパターン２００４Ｂは、金属配線２００２に重畳することを示す。図２０Ｄは、シリコン窒化物サブレーヤが線条のあるパターン２００４Ｃを更に有してもよいことを示し、それは金属配線２００２に重畳することから、金属配線２００２の間のスペースを埋めることへ移行してもよい。
【００５９】
図２１Ａ〜図２１Ｄは、本発明開示の実施形態に係る、ディスプレイの横断面図の実例を例示する。図２１Ａは、図２０Ｂに示すようなバッファ層９０４及びＩＬＤ層９１２に関して、均一なパターンによるシリコン窒化物サブレーヤ９０４Ａ及び９１２Ａに関する横断面図を示す。図に示すように、バッファ層とＩＬＤの双方のシリコン窒化物サブレーヤは、上面図２０Ｂが示すように、共に、いかなる線条のあるパターンをも有しない。当業者であれば、バッファ層９０４のシリコン窒化物サブレーヤ９０４Ａは、シリコン酸化物サブレーヤ９０４Ｂと位置を交換してもよいことを認識するであろう。即ち、シリコン酸化物サブレーヤ９０４Ｂは、シリコン窒化物サブレーヤ９０４Ａの上にあってもよい。同様に、ＩＬＤ層９１２のシリコン窒化物サブレーヤ９１２Ａは、シリコン酸化物サブレーヤ９１２Ｂと位置を交換してもよい。
【００６０】
図２１Ｂは、本発明開示の実施形態に係るディスプレイの横断面図を示す。図に示すように、バッファ層９０４のシリコン窒化物サブレーヤ２０１４Ｂは、図２０Ｃに示すように線条のあるパターンを有する。シリコン酸化物サブレーヤ２０１４Ｂは、いくつかの実施形態において均一である。線条のあるパターン２０１４Ｂは、第１の金属（例えばゲート金属）の金属配線２００２に重畳する。この実施形態では、図２１Ａに示すように、ＩＬＤ９１２は、ＴＦＴ４０２又はディスプレイ領域２０２０を越えたこの領域で除かれる。再び、シリコン窒化物サブレーヤ２０１４Ｂは、シリコン酸化物サブレーヤ２０１４Ａと位置を交換してもよい。ディスプレイは、代替の実施形態の図２１Ｂのような均一なシリコン窒化物サブレーヤを含むＩＬＤ層を含んでもよいと更に認められる。ＩＬＤは、別の実施形態のバッファ層のシリコン窒化物サブレーヤ２０１４Ｂのような線条のあるパターンを更に含んでもよい。
【００６１】
図２１Ｃは、本発明開示の実施形態に係るディスプレイの横断面図を示す。図に示すように、ＩＬＤ層９１２のシリコン窒化物サブレーヤは、図２０Ｄに示すような線条のあるパターンを有する。ＩＬＤ層の線条のあるシリコン窒化物パターン２０１２Ｂは、金属配線２００２の間のスペースを埋める。しかし、図２０Ｃに示すように、線条のあるパターンを有するシリコン窒化物サブレーヤ２０１４Ｂは、第１の金属（例えばゲート金属）の金属配線２００２と通常はなお重畳する。
【００６２】
図２１Ｄは、本発明開示の実施形態に係るディスプレイの横断面図を示す。図に示すように、ＩＬＤ層は、図２０Ｃに示すように線条のあるパターン２００４Ｂを有する線条のあるシリコン窒化物サブレーヤ２０１２Ｃを含む。線条のあるシリコン窒化物サブレーヤ２０１２Ｃは、金属配線２００２に重畳するのに対して、線条のあるシリコン窒化物サブレーヤ２０１４Ｂは、金属配線２００２からオフセットされていて、２つの金属配線２００２の間にある。バッファ層９０４のシリコン酸化物サブレーヤ２０１４Ａ及びＩＬＤ層９１２のシリコン酸化物サブレーヤ２０１２Ａは、図２０Ａに示すように均一なパターン２００４Ａに関して均一である。
【００６３】
当業者であれば、金属配線２００２を冗長な金属配線で形成してもよいことを理解するであろう。その金属配線は、図７及び図１９Ａ〜図１９Ｆで示されるように、重畳するか、交互配置されており、蛇行状波、正弦波、矩形波などの異なる形状を有するようなものである。金属配線２００２は、ゲート金属又はドレーン／ソース金属の少なくとも一方、又は両者で形成してもよい。当業者であれば、バッファ層及びＩＬＤ層におけるシリコン窒化物サブレーヤの組合せ並びに金属配線は、引伸し又は曲げから生じた応力又はひずみを受けて生じる亀裂又は断線に耐えるように変化することができることを理解するであろう。
【００６４】
一実施形態によれば、ピクセル又はサブピクセルのアレイを有するフレキシブルディスプレイが以下に提示される。このフレキシブルディスプレイは、フレキシブル基板と、基板の上のピクセル又はサブピクセルのアレイに対応する薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）のアレイと、ＴＦＴのゲート電極に結合される第１の複数の金属配線と、ＴＦＴのソース電極及びドレーン電極に結合される第２の複数の金属配線と、を含む。そして第１の複数の金属配線及び第２の複数の金属配線の少なくとも一方は、ＴＦＴ領域における非伸縮性部分と、ＴＦＴ領域外の伸縮性部分と、を含む。
【００６５】
別の実施形態によれば、伸縮性部分は、屈曲可能に構成されたパターンで形づくられた金属配線を含む。
【００６６】
別の実施形態によれば、パターンは蛇行状波、正弦波、及び矩形波、の少なくとも１つを含む。
【００６７】
別の実施形態によれば、ピクセル又はサブピクセルは、有機発光ダイオードを含む。
【００６８】
別の実施形態によれば、フレキシブルディスプレイは基板とＴＦＴとの間にバッファ層を含む。
【００６９】
別の実施形態によれば、フレキシブルディスプレイは、バッファ層の上に活性半導体層と、活性層の上にゲート絶縁物とを含み、ゲート電極は、ゲート絶縁物の上に配置される。
【００７０】
別の実施形態によれば、活性半導体層は、アモルファスシリコン、低温多結晶シリコン、及び金属酸化物からなる群から選択される材料を含む。
【００７１】
別の実施形態によれば、バッファ層はシリコン酸化物のサブレーヤ及びシリコン窒化物のサブレーヤを含み、シリコン窒化物は屈曲可能な領域に線条を含む。
【００７２】
別の実施形態によれば、バッファ層はシリコン酸化物のサブレーヤ及びシリコン窒化物のサブレーヤを含み、シリコン窒化物は、ＴＦＴ領域に、ＴＦＴ領域外の屈曲可能な領域よりも厚い部分を含む。
【００７３】
別の実施形態によれば、フレキシブルディスプレイはＴＦＴのゲート電極とＴＦＴのソース／ドレーンとの間に層間絶縁膜（ＩＬＤ）を含む。
【００７４】
別の実施形態によれば、ＩＬＤはシリコン酸化物のサブレーヤ及びシリコン窒化物のサブレーヤを含み、シリコン窒化物は、ＴＦＴ領域外の屈曲可能な領域において、線条のあるパターンを含む。
【００７５】
別の実施形態によれば、ＩＬＤ層はＴＦＴ領域において存在し、ＴＦＴ領域外では存在しない。
【００７６】
別の実施形態によれば、フレキシブルディスプレイは、ＴＦＴのソース電極及びドレーン電極の上に配置された不活性化層を含む。
【００７７】
別の実施形態によれば、不活性化層は柔軟な有機材料を含む。
【００７８】
別の実施形態によれば、フレキシブル基板はポリイミドを含む。
【００７９】
第１の複数の金属配線及び第２の複数の金属配線の少なくとも一つの伸縮性部分は、冗長系としての第２の伸縮性部分に重畳するか、又は交互配置される第１の伸縮性部分を更に含む。
【００８０】
別の実施形態によれば、第１の伸縮性部分はゲート電極及びゲート線に関する第１の金属から形成し、第２の伸縮性部分はドレーン及びソース並びにデータ線に関する第２の金属から形成する。
【００８１】
別の実施形態によれば、第１の伸縮性部分及び第２の伸縮性部分は、ＴＦＴ領域外の少なくとも１つの場所で接続される。
【００８２】
一実施形態によれば、ピクセル又はサブピクセルのアレイを有するフレキシブルディスプレイが以下に提示される。このフレキシブルディスプレイは、フレキシブル基板と、フレキシブル基板の上のバッファ層と、基板の上のピクセル又はサブピクセルのアレイに対応する薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）のアレイと、ＴＦＴのゲート電極に結合される第１の複数の金属配線と、ＴＦＴのソース電極及びドレーン電極に結合される第２の複数の金属配線と、ＴＦＴ及びピクセルの外の集積回路（ＩＣ）基板と、ＴＦＴとＩＣ基板との間に接続された複数の金属配線であって、ＴＦＴのゲート電極に関する第１の金属及びＴＦＴのソース電極に関する第２の金属の少なくとも一方で形成される、複数の金属配線と、ＴＦＴのドレーン電極と、から構成される。ここで、複数の金属配線は、バッファ層の上に配置されており、ＴＦＴ領域外のバッファ層は、条線パターンを有するように構成されている。
【００８３】
別の実施形態によれば、複数の金属配線は、伸縮可能に構成されている。
【００８４】
別の実施形態によれば、第１の複数の金属配線及び第２の複数の金属配線の少なくとも一方は、ＴＦＴ領域における非伸縮性部分と、ＴＦＴ領域外における伸縮性部分と、を含む。
【００８５】
別の実施形態によれば、伸縮性部分は、屈曲可能に構成されたパターンで形づくられた金属配線を含む。
【００８６】
別の実施形態によれば、パターンは蛇行状波、正弦波、及び矩形波、の少なくとも１つを含む。
【００８７】
別の実施形態によれば、ピクセル又はサブピクセルは、有機発光ダイオードを含む。
【００８８】
別の実施形態によれば、フレキシブルディスプレイは基板とＴＦＴとの間にバッファ層を含む。
【００８９】
別の実施形態によれば、バッファ層はシリコン酸化物のサブレーヤ及びシリコン窒化物のサブレーヤを含み、シリコン窒化物は屈曲可能な領域に線条を含む。
【００９０】
別の実施形態によれば、バッファ層はシリコン酸化物のサブレーヤ及びシリコン窒化物のサブレーヤを含み、シリコン窒化物は、ＴＦＴ領域に、ＴＦＴ領域外の屈曲可能な領域よりも厚い部分を含む。
【００９１】
別の実施形態によれば、フレキシブルディスプレイはＴＦＴのゲート電極とＴＦＴのソース／ドレーンとの間に層間絶縁膜（ＩＬＤ）を含む。
【００９２】
別の実施形態によれば、ＩＬＤはシリコン酸化物のサブレーヤ及びシリコン窒化物のサブレーヤを含み、シリコン窒化物は、ＴＦＴ領域外の屈曲可能な領域において、線条のあるパターンを含む。
【００９３】
別の実施形態によれば、ＩＬＤ層はＴＦＴ領域において存在し、ＴＦＴ領域外では存在しない。
【００９４】
別の実施形態によれば、フレキシブルディスプレイは、ＴＦＴのソース電極及びドレーン電極の上に配置された不活性化層を含む。
【００９５】
別の実施形態によれば、不活性化層は柔軟な有機材料を含む。
【００９６】
別の実施形態によれば、フレキシブル基板はポリイミドを含む。
【００９７】
第１の複数の金属配線及び第２の複数の金属配線の少なくとも一方の伸縮性部分は、冗長系としての第２の伸縮性部分に重畳するか、又は交互配置される第１の伸縮性部分を更に含む。
【００９８】
別の実施形態によれば、第１の伸縮性部分はゲート電極及びゲート線に関する第１の金属から形成し、第２の伸縮性部分はドレーン及ソース並びにデータ線に関する第２の金属から形成する。
【００９９】
別の実施形態によれば、第１の伸縮性部分及び第２の伸縮性部分は、ＴＦＴ領域外の少なくとも１つの場所で接続される。
【０１００】
実施形態が特定の構造と製造工程に関して説明されたが、本発明の開示を読むと、そのような実施形態に変型がなされてもよいことは当業者にとって明らかである。そのような変型と変更点は、この書類に完全に包含される。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９Ａ】
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【図１９Ｂ】
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【図１９Ｃ】
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【図１９Ｄ】
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【図１９Ｅ】
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【図１９Ｆ】
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【図１９Ｇ】
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【図１９Ｈ】
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【図２０Ａ】
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【図２０Ｂ】
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【図２０Ｃ】
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【図２０Ｄ】
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【図２１Ａ】
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【図２１Ｂ】
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【図２１Ｃ】
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【図２１Ｄ】
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