(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウエーハの表面に格子状に形成された複数のストリートによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたウエーハを前記ストリートに沿ってレーザー加工するレーザー加工方法であって、
前記ウエーハの裏面を保持するウエーハ保持工程と、
前記ウエーハの表面に水溶性の樹脂を供給する供給工程と、
前記水溶性の樹脂にキセノンフラッシュランプから光を照射して、前記水溶性の樹脂を乾燥させて、前記ウエーハの表面に保護膜を形成する保護膜形成工程と、
前記ストリートに沿って、前記保護膜を介して前記ウエーハにレーザー光を照射するレーザー照射工程と、
前記レーザー照射工程の後、前記ウエーハを洗浄する洗浄工程と、
を有し、
前記ウエーハは、前記デバイスの表面から突出したバンプを備え、
前記保護膜形成工程では、ライン形状の前記キセノンフラッシュランプから光を照射しつつ前記ウエーハを周方向に回転するレーザー加工方法。
【請求項２】
前記光は、パルス光である請求項１に記載のレーザー加工方法。
【請求項３】
前記パルス光の発光周波数は、３〜１００Ｈｚ（ヘルツ）で照射され、１パルスあたりのエネルギーが１０〜１０００Ｊ（ジュール）である請求項２に記載のレーザー加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レーザー光線を照射してウエーハを複数のデバイスに分割するレーザー加工方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、デバイスの製造においては、ウエーハの表面に格子状に配列された複数のストリート（分割予定ライン）によって複数のチップ領域を区画し、これらのチップ領域にＩＣ（Integrated Circuit）、ＬＳＩ（Large Scale Integration）等のデバイスを形成している。これらのデバイスの分割には、ウエーハのストリートに沿ってレーザー光線を照射してウエーハ表面に溝を形成するレーザー加工が利用されている。
【０００３】
この種のレーザー加工では、レーザー光線が照射された際にデブリと呼ばれる微細な粉塵が発生・飛散してデバイスの表面に堆積し、デバイスの品質を低下させる。このため、ウエーハの表面に保護膜を予め塗布してからレーザー加工を施し、保護膜上に付着したデブリを保護膜とともに洗浄して除去する加工方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。この種の加工方法では、保護膜を構成する液状樹脂をウエーハの表面に供給した後、このウエーハを周方向に回転させて樹脂を乾燥し、所定の保護膜を形成している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００６−１４０３１１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、保護膜が形成されたウエーハの表面にレーザーを照射すると、ウエーハの表面近傍ではウエーハを構成する元素のプラズマが励起される。プラズマが励起されると、保護膜がプラズマに曝されるため、保護膜の厚みが薄い場合には、ウエーハがプラズマエッチングされることにより、ウエーハがダメージを受けるおそれがある。このため、保護膜の厚みをプラズマに耐えうる厚みに形成することが好ましい。
【０００６】
しかしながら、従来のウエーハを周方向に回転させることによる乾燥では、保護膜を所定の厚みに形成するまでに長時間を要し生産性が悪い。また、従来の方法では、保護膜の内部まで十分に乾燥させることが難しい。特に、デバイスの表面にバンプ（金属電極）を設けたウエーハの場合には、保護膜をバンプの上部まで被覆する十分な厚みに形成する必要があるため、保護膜の厚みが必然的に厚くなり乾燥に要する時間が長くかかる。
【０００７】
本発明は、このような点に鑑みてなされたものであり、保護膜を形成する樹脂を効率的に乾燥させることができるレーザー加工方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明は、ウエーハの表面に格子状に形成された複数のストリートによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたウエーハを前記ストリートに沿ってレーザー加工するレーザー加工方法であって、前記ウエーハの裏面を保持するウエーハ保持工程と、前記ウエーハの表面に水溶性の樹脂を供給する供給工程と、前記水溶性の樹脂にキセノンフラッシュランプから光を照射して、前記水溶性の樹脂を乾燥させて、前記ウエーハの表面に保護膜を形成する保護膜形成工程と、前記ストリートに沿って、前記保護膜を介して前記ウエーハにレーザー光を照射するレーザー照射工程と、前記レーザー照射工程の後、前記ウエーハを洗浄する洗浄工程と、を有し、前記ウエーハは、前記デバイスの表面から突出したバンプを備え、前記保護膜形成工程では、ライン形状の前記キセノンフラッシュランプから光を照射しつつ前記ウエーハを周方向に回転する。
【０００９】
上記構成において、光は、パルス光であることが好ましい。また、パルス光の発光周波数は、３〜１００Ｈｚで照射され、１パルスあたりのエネルギーが１０〜１０００Ｊ（ジュール）であることが好ましい。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、ウエーハの表面に供給された樹脂を効率的に乾燥してレーザー加工に耐えうる十分な厚みを有する保護膜を形成することができ、レーザー加工によるウエーハの損傷を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】図１は、本実施形態に係るレーザー加工方法の加工対象であるウエーハの斜視図である。
【図２】図２は、図１に示されたウエーハの要部の側面図である。
【図３】図３は、本実施形態に係るレーザー加工方法に用いられるレーザー加工装置の構成例を示す図である。
【図４】図４は、レーザー加工装置の保護膜形成兼洗浄部の構成例を示す斜視図である。
【図５】図５は、本実施形態に係るレーザー加工方法の手順を示すフローチャートである。
【図６】図６は、水溶性の樹脂の供給工程を説明する工程図である。
【図７】図７は、供給された樹脂を乾燥させて保護膜を形成する保護膜形成工程を説明する工程図である。
【図８】図８は、保護膜が形成されたウエーハの要部の断面図である。
【図９】図９は、レーザー照射工程を説明する工程図である。
【図１０】図１０は、ウエーハを洗浄する洗浄工程を説明する工程図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
本発明の実施形態に係るレーザー加工方法を説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換又は変更を行うことができる。
【００１３】
図１は、本実施形態に係るレーザー加工方法の加工対象であるウエーハの斜視図であり、図２は、図１に示されたウエーハの要部の側面図である。ウエーハ（被加工物）Ｗは、図１に示すように、円板状の基板ＷＳを有する半導体ウエーハや光デバイスウエーハである。また、ウエーハＷの基板ＷＳは、例えば、シリコン、サファイア、ガリウムなどを用いて形成されている。ウエーハＷは、図１及び図２に示すように、基板ＷＳ（ウエーハＷ）の表面に複数のストリート（加工予定ライン）Ｌが格子状に形成されているとともに、複数のストリートＬによって区画された各領域にそれぞれデバイスＤが形成されている。また、ウエーハＷのデバイスＤは、該デバイスＤの表面からそれぞれ突出して形成された複数のバンプＢＰ（電極）を備える。これらのバンプＢＰは、例えば、金（Ａｕ）もしくは白金（Ｐｔ）などの貴金属、またはＳｎ−Ｃｕ等の合金により形成されている。なお、各デバイスＤに形成されたバンプＢＰの数、位置、及び、大きさは、図１に示すものに限るものではなく、デバイスＤの表面に露出して配置されていれば、バンプＢＰの数、位置及び大きさを適宜に変更することができる。
【００１４】
図３は、本実施形態に係るレーザー加工方法に用いられるレーザー加工装置の構成例を示す図である。なお、レーザー加工装置１は、図３に示す構成例に限定されるものではない。レーザー加工装置１は、ウエーハＷの表面に水溶性の保護膜を形成するとともに、ウエーハＷのストリートＬに沿ってレーザー光線を照射してレーザー加工溝を形成する（レーザー加工という）。そして、レーザー加工後に、ウエーハＷの表面から保護膜を除去する。
【００１５】
レーザー加工装置１は、図３に示すように、チャックテーブル１０と、レーザー光線照射部２０と、を備えている。レーザー加工装置１は、更に、レーザー加工前後のウエーハＷを収容するカセット３０が載置されるカセットエレベータ（図示せず）と、レーザー加工前後のウエーハＷを一時的に載置する仮置き部４０と、レーザー加工前のウエーハＷに保護膜を形成し、かつ、レーザー加工後のウエーハＷから保護膜を除去する保護膜形成兼洗浄部５０とを備えている。更に、レーザー加工装置１は、チャックテーブル１０とレーザー光線照射部２０とをＸ軸方向に相対移動させる図示しないＸ軸移動手段と、チャックテーブル１０とレーザー光線照射部２０とをＹ軸方向に相対移動させる図示しないＹ軸移動手段と、チャックテーブル１０とレーザー光線照射部２０とをＺ軸方向に相対移動させる図示しないＺ軸移動手段とを備えている。
【００１６】
チャックテーブル１０は、保護膜が形成されたウエーハＷにレーザー加工を施す際に該ウエーハＷを保持する。チャックテーブル１０は、表面を構成する部分がポーラスセラミック等から形成された円盤形状であり、図示しない真空吸引経路を介して図示しない真空吸引源と接続され、表面に載置されたウエーハＷを吸引することで該ウエーハＷを保持する。チャックテーブル１０は、Ｘ軸移動手段により、カセット３０近傍の搬出入領域ＴＲとレーザー光線照射部２０近傍の加工領域ＰＲとに亘ってＸ軸方向に移動自在に設けられ、かつＹ軸移動手段によりＹ軸方向に移動自在に設けられている。
【００１７】
レーザー光線照射部２０は、装置本体２に設けられた加工領域ＰＲに設けられ、かつチャックテーブル１０に保持されたウエーハＷの表面にレーザー光線を照射して、レーザー加工溝を形成するものである。レーザー光線は、ウエーハＷに対して吸収性を有する波長のレーザー光線である。レーザー光線照射部２０は、チャックテーブル１０に保持されたウエーハＷに対して、Ｚ軸移動手段によりＺ軸方向に移動自在に設けられている。レーザー光線照射部２０は、レーザー光線を発振する発振器２１と、この発振器２１により発振されたレーザー光線を集光する集光器２２とを備えている。発振器２１は、ウエーハＷの種類、加工形態などに応じて、発振するレーザー光線の周波数が適宜調整される。発振器２１として、例えば、ＹＡＧレーザー発振器やＹＶＯレーザー発振器などを用いることができる。集光器２２は、発振器２１により発振されたレーザー光線の進行方向を変更する全反射ミラーやレーザー光線を集光する集光レンズなどを含んで構成される。
【００１８】
カセット３０は、粘着テープＴを介して環状フレームＦに貼着されたウエーハＷを複数枚収容するものである。カセットエレベータは、レーザー加工装置１の装置本体２にＺ軸方向に昇降自在に設けられている。
【００１９】
仮置き部４０は、カセット３０からレーザー加工前のウエーハＷを一枚取り出すとともに、レーザー加工後のウエーハＷをカセット３０内に収容する。仮置き部４０は、レーザー加工前のウエーハＷをカセット３０から取り出すとともにレーザー加工後のウエーハＷをカセット３０内に挿入する搬出入手段４１と、レーザー加工前後のウエーハＷを一時的に載置する一対のレール４２とを含んで構成されている。
【００２０】
保護膜形成兼洗浄部５０は、一対のレール４２上のレーザー加工前のウエーハＷが第１の搬送手段６１により搬送されてきて、このレーザー加工前のウエーハＷに保護膜を形成するものである。また、保護膜形成兼洗浄部５０は、レーザー加工後のウエーハＷが第２の搬送手段６２により搬送されてきて、このレーザー加工後のウエーハＷの保護膜を除去するものである。これら第１及び第２の搬送手段６１，６２は、それぞれ、例えば、ウエーハＷの表面を吸着して持ち上げることが可能に構成されており、ウエーハＷを持ち上げて所望の位置に搬送する。
【００２１】
保護膜形成兼洗浄部５０は、図４に示すように、レーザー加工前後のウエーハＷを保持するスピンナテーブル５１と、このスピンナテーブル５１をＺ軸方向（図３参照）と平行な軸心回りに回転する電動モータ５２と、スピンナテーブル５１の周囲に配置される水受け部５３とを備える。スピンナテーブル５１は、円板状に形成されて表面（上面）の中央部にポーラスセラミック等から形成された吸着チャック５１ａを備え、この吸着チャック５１ａが図示しない吸引手段に連通されている。これにより、スピンナテーブル５１は、吸着チャック５１ａに載置されたウエーハＷを吸引することで該ウエーハＷを保持する。
【００２２】
電動モータ５２は、その駆動軸５２ａの上端にスピンナテーブル５１を連結し、このスピンナテーブル５１を回転自在に支持する。水受け部５３は、円筒状の外側壁５３ａ及び内側壁５３ｂと、これら外側壁５３ａ及び内側壁５３ｂを連結する底壁５３ｃを備えて環状に形成されている。水受け部５３は、ウエーハＷの表面に保護膜を形成する際に該表面に供給される液状樹脂や、表面の保護膜を洗浄、除去する際に該表面に供給される洗浄水などの余剰量を受けるものである。底壁５３ｃには、排液口５３ｃ１が設けられ、この排液口５３ｃ１にドレンホース５３ｄが接続されている。
【００２３】
また、保護膜形成兼洗浄部５０は、スピンナテーブル５１上に保持されたウエーハＷに保護膜を構成する水溶性の液状樹脂を供給する樹脂液供給ノズル５５と、スピンナテーブル５１上のレーザー加工後のウエーハＷに洗浄水を供給する洗浄水ノズル５７とを備えている。各ノズル５５，５７は、それぞれ、ノズル開口がスピンナテーブル５１の中央上方に位置する作動位置と、スピンナテーブル５１から外れた退避位置とに移動自在に構成される樹脂液供給ノズル５５は、図示は省略するが、液状樹脂供給源に接続されており、水溶性の液状樹脂をウエーハＷの表面に供給することができる。液状樹脂としては、ＰＶＡ（ポリビニルアルコール）、ＰＥＧ（ポリエチレングリコール）やＰＶＰ（ポリビニルピロリドン）などの水溶性の樹脂材が用いられる。これらの液状樹脂は、乾燥により固化してウエーハＷの表面に該表面を保護する保護膜を形成する。また、洗浄水ノズル５７は、図示を省略した洗浄水（例えば純水）供給源に接続されている。
【００２４】
また、保護膜形成兼洗浄部５０は、スピンナテーブル５１に対向して配置され、このスピンナテーブル５１上のウエーハＷに供給された液状樹脂を乾燥させるための乾燥光源部５４を備える。この乾燥光源部５４は、光源本体５４ａと、この光源本体５４ａを支持する支持部５４ｂとを備え、この支持部５４ｂは、例えば、上記した第２の搬送手段６２と干渉しない範囲で、光源本体５４ａをスピンナテーブル５１の上方に位置する作動位置と、スピンナテーブル５１から外れた退避位置とに移動自在に支持する。
【００２５】
光源本体５４ａは、例えば、円形板の周縁から下方に周壁が延びる形状を呈し、内部に作動ランプとしてのキセノンフラッシュランプ５８（図６参照）が設けられている。光源本体５４ａは、水受け部５３の外径とほぼ同じ外径を有する大きさに形成され、内部に配置されるキセノンフラッシュランプ５８は、スピンナテーブル５１全体を照射領域に含むように配置されている。キセノンフラッシュランプ５８は、例えば、波長が２００ｎｍ〜１０００ｎｍのパルス光を発光する光源であり、該パルス光を発振する不図示の発振器を備える。本実施形態では、キセノンフラッシュランプ５８は、発光周波数が３〜１００Ｈｚのパルス光を照射し、このパルス光の１パルスあたりのエネルギーは１０〜１０００Ｊ（ジュール）である。
【００２６】
ところで、ウエーハＷの表面を被覆する保護膜は、液状樹脂を乾燥させることで形成される。保護膜は、そもそもレーザー加工時に生じるデブリがウエーハＷの表面に付着することを防止するものであるが、レーザー加工時に励起されたプラズマに保護膜が曝され、ウエーハがプラズマエッチングされることにより、ウエーハがダメージを受けるおそれがある。このため、保護膜の厚みをプラズマに耐えうる厚みに形成することが望まれている。しかしながら、従来のウエーハＷを周方向に回転させることのみによる乾燥では、保護膜を所定の厚みに形成するまでに長時間を要し生産性が悪い。特に、デバイスＤの表面にバンプＢＰを設けたウエーハＷの場合には、保護膜をバンプＢＰの上部まで被覆する十分な厚みに形成する必要があるため、保護膜の厚みが必然的に厚くなり乾燥に要する時間が長くかかる。
【００２７】
本実施形態に係るレーザー加工方法では、ウエーハＷの表面に供給された液状樹脂を効率的に乾燥して、レーザー加工に耐えうる十分な厚みの保護膜を短時間で形成する点に特徴を有している。次に、レーザー加工方法について説明する。
【００２８】
図５は、本実施形態に係るレーザー加工方法の手順を示すフローチャートである。まず、加工手順としては、未加工のウエーハＷの裏面をスピンナテーブル５１に保持する（ステップＳ１：ウエーハ保持工程）。具体的には、レーザー加工装置１のカセット３０に収容されたレーザー加工前のウエーハＷを、搬出入手段４１を用いてカセット３０から一枚取り出し、このウエーハＷを一対のレール４２上に載置する。この一対のレール４２上に載置されたウエーハＷは、第１の搬送手段６１により、保護膜形成兼洗浄部５０のスピンナテーブル５１に搬送される。スピンナテーブル５１では、吸着チャック５１ａに載置されたウエーハＷを吸引することで該ウエーハＷが保持される。
【００２９】
次に、ウエーハＷの表面に液状樹脂を供給する（ステップＳ２：供給工程）。具体的には、図６に示すように、樹脂液供給ノズル５５をウエーハＷの上方に配置し、スピンナテーブル５１を所定の回転数で回転させた状態で、樹脂液供給ノズル５５から水溶性の液状樹脂（例えば、ＰＶＡ（ポリビニルアルコール））７０をウエーハＷに供給する。この場合、樹脂液供給ノズル５５の供給口は、スピンナテーブル５１の回転軸上に位置することが好ましい。これによれば、供給された液状樹脂７０は、スピンナテーブル５１の回転に伴う遠心力により、ウエーハＷの中心から径方向外側に広がるため、ウエーハＷ上の液状樹脂を均一な厚みに調整できる。
【００３０】
次に、ウエーハＷの表面に液状樹脂を乾燥させて保護膜を形成する（ステップＳ３）。具体的には、図７に示すように、キセノンフラッシュランプ５８が配置された乾燥光源部５４の光源本体５４ａを、ウエーハＷが保持されたスピンナテーブル５１の上方に位置させ、この状態でキセノンフラッシュランプ５８を点灯する。本実施形態では、キセノンフラッシュランプ５８は、１０〜１５０パルス／秒のパルス光を照射し、このパルス光は、１パルスあたりのエネルギーは１０〜１５Ｊ（ジュール）となるように設定される。これにより、ウエーハＷ上の液状樹脂は、キセノンフラッシュランプ５８のパルス光の照射により乾燥（固化）し、図８に示すように、ウエーハＷの表面には、所望の膜厚ｈ（例えば、２０μｍ）の保護膜Ｐが形成される。
【００３１】
次に、レーザー加工を行う（ステップＳ４：レーザー線照射工程）。この場合、乾燥光源部５４の光源本体５４ａを、ウエーハＷが保持されたスピンナテーブル５１の上方から退避させるとともに、第２の搬送手段６２によって、ウエーハＷが保護膜形成兼洗浄部５０のスピンナテーブル５１の上からチャックテーブル１０の上に搬送される。チャックテーブル１０では、表面に載置されたウエーハＷは、吸引されることで保持される。そして、レーザー光線照射部２０は、集光器２２からウエーハＷの保護膜Ｐを通して所定のストリートＬに向けてレーザー光線を照射する。ここで、レーザー光線を照射しつつ、チャックテーブル１０を、Ｘ軸移動手段またはＹ軸移動手段により、Ｘ軸方向またはＹ軸方向に所定の送り速度（例えば、１００ｍｍ／秒）で移動させる。これにより、図９に示すように、所定のストリートＬに沿って、アブレーション加工によりレーザー加工溝１００が形成される。この場合、ウエーハＷの表面には、所望の膜厚ｈの保護膜Ｐが形成されているため、レーザー加工によるウエーハＷの損傷（ダメージ）を抑えることができる。
【００３２】
次に、保護膜を洗浄により除去する（ステップＳ５：洗浄工程）。この場合、第２の搬送手段６２によって、レーザー加工後のウエーハＷは、チャックテーブル１０の上から再び、保護膜形成兼洗浄部５０のスピンナテーブル５１の上に搬送される。そして、スピンナテーブル５１の吸着チャック５１ａに保持される。図１０に示すように、洗浄水ノズル５７をウエーハＷの上方に配置し、スピンナテーブル５１を所定の回転数で回転させた状態で、洗浄水ノズル５７から洗浄水７２をウエーハＷに供給する。保護膜Ｐ（図８）は、水溶性の液状樹脂を乾燥させて形成されているため、この保護膜Ｐに向けて洗浄水７２を供給することにより、保護膜Ｐは洗浄水７２に溶解してウエーハＷの表面から除去される。この場合、レーザー加工によって生じたデブリは、保護膜Ｐとともに、ウエーハＷの表面から除去される。最後に、レーザー加工溝１００に沿って、デバイスＤを分割して（ステップＳ６）、処理を終了する。
【００３３】
本実施形態によれば、ウエーハＷの表面に格子状に形成された複数のストリートＬによって区画された複数の領域にデバイスＤが形成されたウエーハＷをストリートＬに沿ってレーザー加工するレーザー加工方法であって、ウエーハＷの裏面を保持するウエーハ保持工程（ステップＳ１）と、ウエーハの表面に水溶性の液状樹脂７０を供給する供給工程（ステップＳ２）と、水溶性の液状樹脂７０にキセノンフラッシュランプ５８から光を照射して、水溶性の液状樹脂を乾燥させて、ウエーハＷ上に保護膜Ｐを形成する保護膜形成工程（ステップＳ３）と、ストリートＬに沿って、保護膜Ｐを介してウエーハＷにレーザー光を照射するレーザー照射工程（ステップＳ４）と、レーザー照射工程の後、ウエーハＷを洗浄する洗浄工程（ステップＳ５）と、を有するため、キセノンフラッシュランプ５８のパルス光の照射によりウエーハＷの表面の液状樹脂７０を効率的に乾燥してレーザー加工に耐えうる十分な膜厚ｈを有する保護膜Ｐを形成することができ、レーザー加工によるウエーハＷ及び粘着テープＴの損傷を抑制することができる。
【００３４】
一例としては、発明者の実験などによれば、上記したキセノンフラッシュランプ５８を用いて、液状樹脂の乾燥（固化）を行った場合、上記した所望の膜厚ｈの保護膜Ｐを２〜３分で形成することができた。これに対して、ウエーハＷを周方向に回転させることのみによる乾燥（固化）では、上記した所望の膜厚ｈの保護膜Ｐを形成するのに３０分要していたことから、所望の膜厚ｈの保護膜Ｐを従来よりも短い時間で効率的に形成することができる。
【００３５】
また、発明者が他の光源として、ハロゲンランプヒータ（ピーク波長：９００ｎｍ〜１６００ｎｍ）や、石英ヒーター（ピーク波長：１５００ｎｍ〜５６００ｎｍ）を用いたが、この場合には、所望の膜厚ｈの保護膜Ｐの内部まで乾燥させるためには出力を大きくして照射する必要があり、発熱量の増大によって保護膜Ｐが損傷するとともに、ウエーハＷと環状フレームＦとを保持する粘着テープＴが溶融する結果となり、所望の膜厚ｈの保護膜Ｐを短い時間で効率的に形成することはできなかった。
【００３６】
また、本実施形態によれば、キセノンフラッシュランプ５８は、１０〜１５０パルス／秒のパルス光を照射し、このパルス光の１パルスあたりのエネルギーは１０〜１５Ｊ（ジュール）としたため、所望の膜厚の保護膜を短時間で形成することができる。
【００３７】
以上、本発明の一実施形態を説明したが、本実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。本実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。本実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。
【００３８】
本実施形態では、キセノンフラッシュランプ５８は、ウエーハＷの表面全面を同時に照射できるように配置しているが、ウエーハＷの表面全体を照射できるのであれば、例えば、直線状のキセノンフラッシュランプをウエーハＷの中心から径方向に延在するライン形状とする。この場合、ライン形状のキセノンフラッシュランプからパルス光を照射しつつウエーハＷを周方向に回転させることで、ウエーハＷの全面にパルス光を照射することができる。この場合、キセノンフラッシュランプを小型化して低コスト化することができる。
【００３９】
また、本実施形態では、ウエーハＷとして、デバイスＤにバンプＢＰを設けたものを用いて説明したが、バンプＢＰを設けていないウエーハＷについても本発明を適用することが可能である。
【符号の説明】
【００４０】
１  レーザー加工装置
１０  チャックテーブル
２０  レーザー光線照射部
２１  発振器
２２  集光器
３０  カセット
４０  仮置き部
５０  保護膜形成兼洗浄部
５１  スピンナテーブル
５１ａ  吸着チャック
５３  水受け部
５４  乾燥光源部
５４ａ  光源本体
５５  樹脂液供給ノズル
５７  洗浄水ノズル
５８  キセノンフラッシュランプ
６１  第１の搬送手段
６２  第２の搬送手段
７０  液状樹脂
７２  洗浄水
１００  レーザー加工溝
ＢＰ  バンプ
Ｄ  デバイス
Ｆ  環状フレーム
Ｌ  ストリート
Ｐ  保護膜
Ｔ  粘着テープ
Ｗ  ウエーハ
ＷＳ  基板
ｈ  膜厚
【図１】
0006563728.tif 000002
【図２】
0006563728.tif 000003
【図３】
0006563728.tif 000004
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
0006563728.tif 000009
【図９】
0006563728.tif 000010
【図１０】
0006563728.tif 000011