(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子音響部品であって、
圧電基板（ＰＳＵ）と、
前記圧電基板（ＰＳＵ）上に配設された第１の電子音響トランスデューサと、
前記圧電基板（ＰＳＵ）上に配設された第２の電子音響トランスデューサと、を有し、当該第２の電子音響トランスデューサは、
１つの第１のバスバー（ＢＢ）および１つの第２のバスバー（ＢＢ）と、
複数の電極フィンガ（ＥＦ）であって、各々の電極フィンガ（ＥＦ）が、縦方向（Ｘ）に沿って延伸し、横方向（Ｙ）で互いに隣接して配設された、複数のサブトラック（ＳＴ１．．．ＳＴＮ）に分割された、複数の電極フィンガ（ＥＦ）と、
を備え、
各々の電極フィンガ（ＥＦ）は、前記第１および第２のバスバー（ＢＢ）のいずれか１つに接続されており、
前記サブトラック（ＳＴ）の少なくとも第１のサブトラックは、複数の電極フィンガ（ＥＦ）の複数のセグメントを備え、かつ複数の電極フィンガ（ＥＦ）の複数のセグメントを有する１つの付随するサブトラック（ＳＴ）を有し、
前記第１のサブトラック（ＳＴ１）の複数の電極フィンガ（ＥＦ）の複数のセグメントは、前記付随するサブトラック（ＳＴ）の複数の電極フィンガ（ＥＦ）の複数のセグメントに対して相対的に、前記第１の電子音響トランスデューサとの音響結合が減少するように、縦方向（Ｘ）に沿ってλ／２の距離でずれており、
前記λは音響波長である、
ことを特徴とする電子音響部品。
【請求項２】
前記バスバー（ＢＢ）および前記電極フィンガ（ＥＦ）は、ＬｉＴａＯ３，ＬｉＴａＮｂＯ３，および／または石英を含む１つの圧電基板（ＰＳＵ）上に配設されていることを特徴とする、請求項１に記載の電子音響部品。
【請求項３】
前記バスバー（ＢＢ）および前記電極フィンガ（ＥＦ）は、１つのＬＴ４２圧電基板（ＰＳＵ）上に配設されていることを特徴とする、請求項１または２に記載の電子音響部品。
【請求項４】
前記第２の電子音響トランスデューサは、リーキー波モードの利用のために構成されていることを特徴とする、請求項１乃至３に記載の電子音響部品。
【請求項５】
前記第１のサブトラック（ＳＴ１）の複数の電極フィンガ（ＥＦ）の複数のセグメントは、前記付随するサブトラック（ＳＴ）の複数の電極フィンガ（ＥＦ）の複数のセグメントに対して、相対的に傾けられていることを特徴とする、請求項１乃至４のいずれか１項に記載の電子音響部品。
【請求項６】
２，３，４，５，６，７，８，９，または１０個のサブトラックを備えることを特徴とする、請求項１乃至５のいずれか１項に記載の電子音響部品。
【請求項７】
前記複数の電極フィンガ（ＥＦ）は、前記第１および第２のバスバー（ＢＢ）に対して、相対的に傾けられていることを特徴とする、請求項１乃至４及び６のいずれか１項に記載の電子音響部品。
【請求項８】
前記電極フィンガ（ＥＦ）の一方の端部の他方の端部に対する、前記縦方向（Ｘ）に沿ったずれがλとなっていることを特徴とする、請求項７に記載の電子音響部品。
【請求項９】
各々のサブトラック（ＳＴ）が、当該サブトラックに付随した、λ／２のずれた距離を有するサブトラックを含むことを特徴とする、請求項１乃至８のいずれか１項に記載の電子音響部品。
【請求項１０】
隣接するサブトラック（ＳＴ）の間の距離Ｄは、４λ≦Ｄ≦６λであることを特徴とする、請求項１乃至９のいずれか１項に記載の電子音響部品。
【請求項１１】
前記第１の電子音響トランスデューサは、前記第２の電子音響トランスデューサの隣に縦方向（Ｘ）側で離間して配設されていることを特徴とする、請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の電子音響部品。
【請求項１２】
前記第１のサブトラック（ＳＴ１）を出発する音響波が縦方向（Ｘ）で当該第１のサブトラックに付随するサブトラック（ＳＴ）を出発する音響波と打ち消し合うように干渉することを特徴とする、請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の電子音響部品。
【請求項１３】
前記第１のサブトラック（ＳＴ１）、および当該第１のサブトラック（ＳＴ１）と当該第１のサブトラックに付随するサブトラックと（ＳＴ）の間の中間部の、異なるメタライジング比ηが、１つの導波構造を確立することを特徴とすることを特徴とする、請求項１乃至１２のいずれか１項に記載の電子音響部品。
【請求項１４】
前記圧電基板（ＰＳＵ）上に配設された第３および第４の電子音響トランスデューサ（ＴＤ）をさらに備え、前記第１、第２、第３、および第４の電子音響トランスデューサ（ＴＤ）は、２×２の行列配置に配設されていることを特徴とする、請求項１乃至１３のいずれか１項に記載の電子音響部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子音響トランスデューサを備える、たとえばＲＦフィルタ部品のような電子音響部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子音響トランスデューサは、たとえばモバイル通信装置のＲＦフィルタ部品に用いることができる。電子音響トランスデューサを備えるＲＦフィルタは、音響波で動作する。電磁波と比較して音響波の速度が遅いので、空間的なサイズは極小化される。このようなフィルタを備える電子音響部品は、ＳＡＷ（ＳＡＷ＝Surface Acoustic Wave），ＧＢＡＷ（ＧＢＡＷ＝Guided Bulk Acoustic Wave），またはＢＡＷ（ＢＡＷ＝Bulk Acoustic Wave）で動作するものであってよい。ＳＡＷ，ＧＢＡＷ，またはＢＡＷで動作するトランスデューサは、既に高い集積密度に達しているが、しかしながら、これらの部品はますます多くの機能を提供するようになっているコンシューマ製品に用いられるので、さらなるサイズ低減がますます重要となっている。
【０００３】
増加した集積密度を有する部品の１つの問題は、近接して配設されたトランスデューサ間の相互作用である。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
したがって、本発明の目的は、さらなる小型化を可能とする電子音響トランスデューサを提供することであり、そして電子音響トランスデューサを備える電子音響部品を提供することである。
【０００５】
１つの電子音響トランスデューサは、１つの第１および第２のバスバーを備える。このトランスデューサは、さらに複数の電極フィンガおよび２つ以上の複数のサブトラックを備える。従来のトランスデューサのように、各々の電極フィンガは、これら２つのバスバーの１つに電気的に接続されている。各々のサブトラックは、縦方向に沿って延伸しており、そして全てのサブトラックは、横方向に互いに隣接して配設されている。少なくとも１つの第１のサブトラックは、上記の電極フィンガ（複数）のセグメント（複数）を含んでおり、そして上記の複数のサブトラックに含まれる、１つの付随したサブトラックを有しており、ここでこの付随したサブトラックも、電極フィンガ（複数）のセグメント（複数）を含んでいる。この第１のサブトラックの電極フィンガのセグメントは、これに付随したサブトラックの電極フィンガのセグメントに対して相対的に、縦方向に沿って距離Ｓ＝λ／２ずれている。ここでλは、上記の電極フィンガのパターンによって励起され得る音響波の音響波長である。
【０００６】
リーキー波を利用するＳＡＷトランスデューサのようなトランスデューサは、境界条件を満足するために、ＳＡＷまたはＢＡＷのような音響波を放射する必要がある。このような放射された波は、上記のトランスデューサを出て縦方向に進む。この縦方向は、トランスデューサにおいて励起される波の従来の伝播方向である。この縦方向に沿ってこのトランスデューサの隣に他の１つのトランスデューサが配設されていると、これらの放射された波は、このさらなるトランスデューサに進入し、これらのトランスデューサ間の不要な音響カップリングを生じ得る。このカップリングは音響特性の劣化の原因となり、そしてこのようなトランスデューサを有するフィルタの信号品質は、特に阻止帯域において、極めて劣化する。たとえば、第１のトランスデューサから放射されたＢＡＷは、圧電基板の底面で反射されて、第１のトランスデューサと同じ基板の面上に配設されている第２のトランスデューサに進入し得る。
【０００７】
上述のトランスデューサは、他の１つのトランスデューサにおいては望ましくない波を放射し得る、１つの第１のサブトラックを有する。しかしながら、このトランスデューサはさらに１つのこれに付随したサブトラックを有し、このサブトラックも同様に、望ましくない波を放出し得る。この波は、そのずれ距離Ｓ＝λ／２により、上記の第１のサブトラックから放射された波に対し相対的に１８０°の位相ずれを有する。この第１のサブトラックの波およびこの第１のサブトラックに付随したサブトラックの波が共に同時に到着する所ではどこでも、実質的な打消しが得られ、そして隣接するトランスデューサ間の望ましくない音響カップリングが除去される。
【０００８】
しかしながら、異なるサブトラックの電極フィンガのそれぞれのセグメントを電気的に接続している導体パターン（複数）が回折を生じ得るので、上記のトランスデューサを用いたＲＦフィルタの挿入損失は増大し得る。
【０００９】
しかしながら、このトランスデューサが適切に設計されていれば、良い効果が悪い効果を上回り、そして改善されたＲＦフィルタ部品を可能とする改善されたトランスデューサが得られる。
【００１０】
少なくとも１つのサブトラック、すなわち上記の第１のサブトラックが上述のような付随したサブトラックを有している限り、本発明による電子音響トランスデューサのサブトラックの数は制限されない。しかしながら、複数のサブトラックが存在し、ここで各々のサブトラックがそれぞれの付随したサブトラックを備えることも可能である。たとえば、サブトラックの数Ｎが偶数である場合、Ｎ／２個のサブトラックのペアが存在し、各々のペアはそれぞれ付随するサブトラックの効果を相殺する。１つのサブトラックとその付随するサブトラックは、互いに直接隣接して配設されていてよい。しかしながらこのサブトラックとこれに付随するサブトラックとの間に、１つ以上の他のサブトラックが配設されていることが可能である。たとえば、約半数のサブトラックが、１つのサブトラックとその付随するサブトラックとの間に配設されることが可能である。さらに詳細には、Ｎがサブトラックの数である場合、Ｎ／２−１個のサブトラックが各々のサブトラックとこれらに対応する付随するサブトラックとの間に配設されてよい。
【００１１】
従来のトランスデューサと同様に、バスバー（複数）および電極フィンガ（複数）、およびこれらのそれぞれのセグメント（複数）は、圧電材料上に配設されており、この圧電材料は単結晶基板であってよい。この圧電材料は、ＬｉＴａＯ3（タンタル酸リチウム），ＬｉＮｂＯ3（ニオブ酸リチウム），および／または石英を含んでよい。
【００１２】
本トランスデューサで利用される音響波は、レイリー波，リーキー波，ＳＨ波（Sheer Horizontal waves；横方向剪断波），および他の従来使用されている波であってよい。
【００１３】
本発明のアイデアは、材料パラメータに依存せずに、放射された波の悪い効果を低減することである。この結果本発明のアイデアは、いかなる従来のトランスデューサにも適用することができる。この結果、波の伝播方向を規定する、従来知られているオイラー角を用いることができる。
【００１４】
特にＬＴ４２の圧電基板は、上記のバスバーおよび電極フィンガを担持するのに適している。ＬＴ４２基板は、４２ＲＹカットのＬｉＮｂＯ3基板である。
【００１５】
こうして上記のトランスデューサは、リーキーモードの利用に特化されることが可能となる。こうして、このトランスデューサが動作している場合にリーキーモードが励起される。
【００１６】
各々の電極フィンガは、上記の２つのバスバーの１つに電気的に接続されており、これより１つの電位に接続される。異なるバスバーに接続されている、隣接している電極フィンガが、圧電効果によってＲＦ信号を音響波に変換するために、あるいはこの逆の変換を行うために使用される。しかしながらこの電極フィンガは、縦方向に沿って、それぞれ付随して対応するサブトラックに対応してずれていてよいセグメント（複数）を有している。
【００１７】
この結果、斜めの導体セグメント（複数）が１つのフィンガのそれぞれのセグメント（複数）を電気的に接続してよく、ここでこれらのセグメントは、異なるサブトラックに属しているが、ただし隣接したサブトラックに属している。これらの斜めの導体セグメントは、こうして縦方向に対し１つの角度で斜めの方向に向いており、この方向はこの縦方向に沿った相対的なずれに依存し、そして隣接するサブトラック間の横方向に沿った距離に依存している。
【００１８】
上記の斜めのフィンガセグメント（複数）は、上記のサブトラックにおける電極フィンガのフィンガセグメント（複数）と同じ材質を含んでよい。しかしながら、上記の斜めのフィンガセグメント（複数）の密度および／または上記の斜めのフィンガセグメントのメタライジング比ηは、これらに対応する、上記のサブトラック（複数）におけるフィンガセグメント（複数）の値から変更されていてよい。
【００１９】
サブトラックの数は、２，３，４，５，６，７，８，９，または１０であってよい。しかしながら、偶数個のサブトラックが好ましい。
【００２０】
さらに、サブトラックの数は、１００，１，０００，１，０００，０００，本質的には無限大まで増加することができ、これに応じてそれぞれのサブトラックの幅が減少し、一方隣接するサブトラックのずれもまた低減される。こうして隣接するサブトラック間の距離もまた低減される。Ｎ→無限大への移行が達成されると、トランスデューサの電子音響的に活性な領域が電子音響的に活性な斜めの電極フィンガによって覆われた１つのトランスデューサが得られる。
【００２１】
この結果、斜めのフィンガセグメント（複数）が、無限大の数の直接隣接したサブトラックを、これに対応する無限小の幅で確立することが可能である。
【００２２】
これらの電極フィンガの一方の端部の、これらの電極フィンガの他方の端部に対する縦方向に沿った相対的なずれが、λとなることが可能である。
【００２３】
全ずれ量λを用いて、Ｎ／２個の複数のサブトラックおよびこれらのサブトラックに対応して付随する、相対的な位相ずれがλ／２のサブトラックを容易に得ることができる。
【００２４】
各々のサブトラックが、ずれ距離Ｓ＝λ／２を有する付随するサブトラックを有することが可能である。
【００２５】
隣接するサブトラック間で上記の横方向に沿った距離Ｄが、４λまたは６λに等しく、あるいは４λ〜６λの値であることが可能である。とりわけ、サブトラックの数が２であり、そしてこれら２つのサブトラック、第１のサブトラックおよびその付随するサブトラックが、距離Ｄ、４λ≦Ｄ≦６λの距離で分離されていてよい。
【００２６】
上記のトランスデューサを、もう１つのトランスデューサの隣に配設することが可能である。このもう１つのトランスデューサは、上述したように縦方向で隣接して構築されていてよい。
【００２７】
しかしながら、第１のトランスデューサが、１つのサブトラックとその付随するサブトラックとの間で９０°の位相ずれを有し、もう１つのトランスデューサが同様に、１つのサブトラックとその付随するサブトラックとの間で９０°の位相ずれを有して配設され、第１のトランスデューサの位相ずれともう１つのトランスデューサの位相ずれとが加算されて１８０°となり、相殺する干渉を生じることも可能である。
【００２８】
さらに、上記の第１のサブトラックを出発する音響波が縦方向でこの第１のサブトラックに付随するサブトラックを出発する音響波と打ち消し合うように干渉することが可能でありまた望ましく、特にもう１つの電子音響フィルタ素子が配設されている位置で打ち消し合うように干渉することが望ましい。
【００２９】
上記の第１のサブトラック、およびこの第１のサブトラックとこの付随するサブトラックとの間の中間部の、異なるメタライジング比ηが、１つの導波構造を確立することが可能である。さらにこのような導波構造は、異なる質量負荷によって得ることができる。この異なる質量負荷は、異なる密度の電極材料によって、あるいはサブトラック（複数）またはこれらのサブトラック間の帯状部分におけるさらなる材料の堆積によって得ることができる。
【００３０】
音響波の速度は、上記の圧電材料の表面における金属の質量負荷に依存し、他に基板材料のヤング率のようなパラメータに依存する。音響波の速度が変化する界面で、回折効果が生じる。このような界面は、１つのサブトラックとこれに隣接するサブトラックとの間の界面、あるいは１つのサブトラックと隣接するサブトラックとの間の、斜めの電極フィンガセグメント（複数）を有する帯状部分である。この結果回折効果は、特にバンドパスフィルタの通過帯域において、挿入損失を悪化させるが、横方向への音響波の放出が低減された導波構造を得ることができる。さらに、ピストンモードのような望ましい音響モードを得ることが可能であり、あるいはピストンモードの純度の程度を向上することができる。
【００３１】
トランスデューサを有する１つの電子音響部品が、１つ以上のトランスデューサを備えることが可能である。  特に、１つの電子音響部品は、２つのトランスデューサを備えてよく、この内少なくとも１つのトランスデューサは、上述のトランスデューサである。上述のようなトランスデューサと、このトランスデューサに隣接して配設された従来のトランスデューサとを、特に縦方向に配設したものを用いて、これらのトランスデューサ間の音響カップリングを極小とすることができる。
【００３２】
さらに、この部品がさらに２つのトランスデューサを備え、ここで４つのトランスデューサが、２×２の行列配置に配設されることが可能である。これらのトランスデューサの内の２つ、特に横方向に隣り合って配設されたものは、上述したタイプのものである。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
本発明によるトランスデューサの動作原理と、それに限定するものでない実施形態が以下の概略図に示される。
【図１】Ｎ個のサブトラックを有する１つのトランスデューサ、およびこのトランスデューサの向きに対する縦方向Xと横方向Yの関係を示す。
【図２】２つのサブトラックをゆする１つの実施形態を示す。
【図３】斜めの電極フィンガ（複数）によって実現されている、実質的に無限大の数（Ｎ＝無限大）のサブトラックを有する１つの実施形態を示す。
【図４】１つの導波構造のアイデアを示す。
【図５】４個のトランスデューサを有する１つのＲＦフィルタへの応用を示す。
【図６】改善されたトランスデューサによって得られる帯域外阻止性能の改善を示す。
【図７】改善されたトランスデューサのさらなる有益な態様を示す。
【図８】改善されたトランスデューサのさらなる有益な態様を示す。
【００３４】
図１は、２つのバスバーＢＢを備える１つのトランスデューサＴＤを示す。複数の電極フィンガＥＦは、各々の電極フィンガＥＦがこれら２つのバスバーＢＢの１つに正確に接続されるように、接続されている。このトランスデューサは、Ｎ個の複数のサブトラックを備える。これらのサブトラックは、このトランスデューサの電子音響的に活性な領域である。各々のサブトラックは、上記のバスバーＢＢに対して垂直な電極フィンガ（複数）のセグメント（複数）を有する。それぞれのサブトラックの対応する電極フィンガのセグメント（複数）は、隣接するサブトラックのそれぞれ対応するセグメント（複数）と、斜めの導体パターンによって電気的に接続されている。隣接する電極フィンガは、異なるバスバーに接続されており、これらのバスバーに印加されたＲＦ信号を音響波に変換し、あるいはこの逆の変換を行う。主に音響波の速度および隣接する電極フィンガ間の距離が、このトランスデューサの共振周波数および反共振周波数を決定する。これらの電極フィンガで励起された音響波は、縦方向Ｘに沿って伝播する。サブトラック（複数）ＳＴは、こうして縦方向Ｘに沿って延伸する帯状部分（複数）を形成し、これら隣接するサブトラック（複数）の帯状部分（複数）は横方向Ｙで隣接して次々に配設されている。これらのサブトラックの少なくとも１つでは、第１のサブトラックおよびその付随するサブトラックの縦方向Ｘに沿ったずれはλ／２となっている。この第１のサブトラックから放出された音響波（ここではＳＴ2）、およびその付随するサブトラックから放出された音響波（ここではＳＴN）は、縦方向Ｘに沿った位置で打ち消し合うように干渉する。この、縦方向Ｘに沿った位置にもう１つのトランスデューサが配設されてよい。数Ｎには基本的に制限がない。Ｎが増加し、無限大となると、図３に示すような結果となる。
【００３５】
図２は、２つのサブトラックＳＴ1およびＳＴ2を有する１つのトランスデューサＴＤを示す。この結果サブトラックの総数Ｎは２となる。縦方向Ｘに沿った、これら２つのサブトラックの間のずれは、λ／２となる。横方向Ｙに沿った、これら２つのサブトラック間の距離は、Ｄで示されている。
【００３６】
図３は、数学的にＮ→∞に移行することにより、得られる１つのトランスデューサＴＤを示し、このトランスデューサは、上記のバスバーの延伸方向に対して９０°以外の角度を有する斜めの電極フィンガを配設することによって得られる。  縦方向Ｘに沿った、各々のフィンガの２つのフィンガ端部間のずれＳは、好ましくはλである。
【００３７】
図４は、音響トラックの異なる部分で質量負荷を変化することによって導波構造を形成するアイデアを示す。ここではサブトラックの数はＮ＝２であり、そしてこれら２つのサブトラック間の領域のメタライジング比ηは、これら２つのサブトラックにおけるメタライジング比ηに対して、これら２つのサブトラック間で横方向Ｙに沿った波の速度が増加するように選択されている。さらに、スタブ状のフィンガが、それぞれのバスバーに接続されてよく、こうして導波構造がさらに形成される。この音響波は、ギャップ領域、すなわち１つの極性の１つの電極フィンガをこれに対応する反対の極性の電極パターンから分離する領域において、最大の値を取り得る。
【００３８】
図５は、１つの圧電基板ＰＳＵのレイアウトの１つのアイデアを示し、ここでは上記のＴＤのアイデアによるトランスデューサ（複数）が配設されている。各々のトランスデューサは、第１のサブトラックＳＴ1および第２のサブトラックＳＴ2を備え、これらは縦方向にそって基本的に距離λ／２ずれている。これら２つのトランスデューサの右側に隣接して、縦方向に沿った位置で、さらなるトランスデューサ（複数）が配設されており、これらはその左側のトランスデューサ（複数）と電気的に接続されている。いずれの場合でも、右側のトランスデューサ（複数）は、左側のトランスデューサ（複数）と音響的にカップリングされているが、ただし左側のトランスデューサの分割されたトラックの特性のために、音響カップリングの悪い影響は大幅に低減されている。
【００３９】
圧電基板ＰＳＵは、グラウンドＧＮＤと接続するため、あるいは信号ＳＩＧの接続のためのさらなるコンタクトパッドを備えてよい。
【００４０】
以上により、本発明によるアイデアを用いて、隣接するトランスデューサ間の距離を最小にすることができ、一方上記の音響カップリングの悪い影響が低減されている。
【００４１】
図６は、上述のようなトランスデューサを備える１つのデュプレクサの、周波数に依存した挿入損失（行列要素Ｓ２１）を示す。比較のため、従来のデュプレクサの挿入損失も示されている。本発明による改善されたデュプレクサは、回折効果により、通過帯域において０．３ｄＢ大きな挿入損失を有しているが、これに対応する阻止帯域における従来のデュプレクサ（特性曲線ＩＬ１）のスパイクが本デュプレクサ（特性曲線ＩＬ２）では低減または除去されている。
【００４２】
図６は、バンドＶ用の１つのフィルタおよびバンドＶＩＩＩ用の１つのフィルタに対する特性曲線を示す。
【００４３】
同様な改善が図７に示されており、ここで特性曲線ＩＬ３は、従来のバンドＶ用のフィルタの挿入損失を示し、これに対し特性曲線ＩＬ４は、本発明による、斜めの電極フィンガを有する改善されたトランスデューサを備える、たとえば無限大の数のサブトラックを有するバンドパスフィルタの挿入損失を示す。
【００４４】
図８は、通過帯域の下の周波数における本発明による改善を示し、ここで特性曲線ＩＬ５は従来のバンドパスフィルタの挿入損失を示し、これに対して特性曲線ＩＬ６は、本発明による、斜めの電極フィンガを有する改善された、バンドＶＩＩＩ用のフィルタの挿入損失を示す。
【００４５】
本発明のアイデアは、上記の図示された実施形態あるいはトランスデューサあるいは部品に限定されない。反射器，ダミーフィンガ，スプリットフィンガ電極，等のさらなる電極パターンを備えるトランスデューサおよび／または部品も本発明に含まれる。
【符号の説明】
【００４６】
ＢＢ    ：  バスバー
Ｄ      ：  隣接するサブトラック間のこれらの横方向の距離。
ＥＦ    ：  電極フィンガ
ＧＮＤ  ：  グラウンド接続部
ＩＬ１，  ．．．，ＩＬ６  ：  挿入損失（行列要素Ｓ21）
ＰＳＵ  ：  圧電基板
Ｓ      ：  縦方向に沿ったずれ
ＳＩＧ  ：  信号接続部
ＳＴ1，  ．．．，ＳＴN  ：  サブトラック
ＴＤ    ：  トランスデューサ
Ｖ      ：  音響波速度
Ｘ      ：  縦方向
Ｙ      ：  横方向
η      ：  メタライジング比
λ      ：  音響波波長
【図１】
0006571695.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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