(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに対向する関係にある収集電極のペアであって、前記ペアのうちの一方は複数のセグメントに分割されているアノードであり、前記ペアのうちの他方はカソードである、収集電極のペアと、
前記収集電極の間に配置される半導体と、
前記分割された複数のセグメントに隣接して配置されるステアリング電極と、
前記ステアリング電極の少なくとも一部の上に絶縁層を介して設けられかつ前記半導体の中でｐ型ドーピング特性を有するドープ領域と、
を有し、前記ステアリング電極に外的に印加される電位は、前記ドープ領域が負に帯電させられるとともに、前記ドープ領域と逆の極性を有するように設定される、装置。
【請求項２】
前記ステアリング電極は、前記複数のセグメントに分割されているアノードに隣接して配置される複数の電極である、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記ドープ領域は、所定のドーピング材料の複数のドーピング原子を含む、請求項１又は２に記載の装置。
【請求項４】
互いに対向する関係にある収集電極のペアであって、前記ペアのうちの一方は複数のセグメントに分割されているアノードであり、前記ペアのうちの他方はカソードである、収集電極のペアと、
前記収集電極の間に配置される半導体と、
前記収集電極のペアのうちの前記一方に隣接して配置されるステアリング電極と、
前記ステアリング電極の少なくとも一部の上に絶縁層を介して設けられかつ前記半導体の中でｐ型ドーピング特性を有するドープ領域と、
を有し、前記一方の収集電極及び前記ステアリング電極に外的に印加される電位は、実質的に同じであるように及び前記ドープ領域が負に帯電させられるように設定される、装置。
【請求項５】
正孔及び電子を生成する半導体素子と、
前記半導体素子の第１表面に形成されるカソードと、
前記第１表面と対向する位置にある前記半導体素子の第２表面に形成される分割された複数のアノードと、
前記分割された複数のアノードに隣接して配置される少なくとも１つのステアリング電極と、
前記ステアリング電極の少なくとも一部の上に絶縁層を介して設けられかつ前記半導体素子の中でｐ型ドーピング特性をもたらす複数のドーピング原子を含むドープ領域と、
を有し、前記ステアリング電極に外的に印加される電位は、前記ドープ領域が負に帯電させられるとともに、前記ドープ領域と逆の極性を有するように設定される、放射ディテクタ。
【請求項６】
前記分割された複数のアノード及び前記ステアリング電極に外的に印加される電位は、実質的に同じである、請求項５に記載の放射ディテクタ。
【請求項７】
互いに対向する関係で収集電極のペアを設けるステップであって、前記ペアのうちの一方は複数のセグメントに分割されているアノードであり、前記ペアのうちの他方はカソードである、ステップと、
前記収集電極の間に半導体を配置するステップと、
前記分割された複数のセグメントに隣接してステアリング電極を配置するステップと、
前記ステアリング電極の少なくとも一部の上に絶縁層を介して設けられかつ前記半導体の中でｐ型ドーピング特性を有するドープ領域を形成するステップと、
前記ステアリング電極に外的に印加される電位を、前記ドープ領域が負に帯電させられるとともに、前記ドープ領域と逆の極性を有するように設定するステップと、
を有する方法。
【請求項８】
スキャニングイオンビームによりドーピング原子を注入するステップ、又は
ステアリング電極の領域のみがカバーされるように、前記半導体に事前に付加されたマスクを介する蒸着により、前記ドーピング原子を注入するステップ
を更に含む請求項７に記載の方法。
【請求項９】
互いに対向する関係で収集電極のペアを設けるステップであって、前記ペアのうちの一方は複数のセグメントに分割されているアノードであり、前記ペアのうちの他方はカソードである、ステップと、
前記収集電極の間に半導体を配置するステップと、
前記収集電極のペアのうちの前記一方に隣接してステアリング電極を配置するステップと、
前記ステアリング電極の少なくとも一部の上に絶縁層を介して設けられかつ前記半導体の中でｐ型ドーピング特性を有するドープ領域を形成するステップと、
前記ステアリング電極に外的に印加される電位を、前記ドープ領域が負に帯電させられるとともに、前記ドープ領域と逆の極性を有するように設定するステップと、
を有する方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本願は一般にX線フォトン計数ディテクタ等に関連する。本願はコンピュータ断層撮影(CT)に対する特定の応用例の観点から説明されるが、様々なエネルギを有する検出されたフォトンをエネルギ分解することが好ましい他の分野にも関連する。
【背景技術】
【０００２】
コンピュータ断層撮影(CT)システムは、検査領域を横断する多エネルギイオン化フォトン(poly-energetic  ionizing  photons)を放出する放射源を含む。そのようなシステムは放射検知ディテクタも含み、放射検知ディテクタは検査領域に対して放射源とは反対側に設けられ、検査領域を横断してくるフォトン又は光子を検出する。ディテクタは、検出されるフォトン各々について電流や電圧のような電気信号を生成する。さらにディテクタは検出したフォトンを電気信号に基づいてエネルギ分解する電子回路も含む。
【０００３】
ダイレクトコンバージョンフォトン計数ディテクタは、高電圧が印加される2つの電極の間に半導体材料のブロックを含む。入射フォトンは多数の電子/正孔対を生成する。「正孔」は「ホール」と言及されてもよい。電荷は強い電場の中で分離され、すなわち、電子はアノードの方に流れ(最終的には、分割アノード(segmented  anode)まで移動し)、正孔はカソードの方に流れる(最終的には、分割カソードanode)まで移動する)。例えば、ディテクタは、X線フォトン、ガンマ線フォトン又は光フォトンに反応することが可能である。ディテクタは、例えば、X線フォトンの計数に特化したCdTe又はCZTを含むことが可能である。フォトンは、例えば、カソードを介して入射されることが可能であり、電子は分割された(即ち、ピクセル化された)アノードにより収集されることが可能である。一般に、電荷の数は元々のフォトンエネルギに比例する。「電荷」又は「チャージ」は文脈に応じて「荷電粒子」等と言及されてもよい。吸収されるフォトンを純粋に検出することに加えて、元々のフォトンエネルギを判定するために、収集される電荷の合計を測定することが可能である。
【０００４】
電荷の移動の際に、容量結合に起因して何れかの電極に電流が生じる。電荷qを有しかつダイレクトコンバータを介する軌跡ベクトルr(t)を有する荷電キャリアによりピクセルjで生成される電流パルスIj(t)は、次式により解析的に算出される：
【０００５】
【数１】
0006563810.tif 000002
ここで、▽φj(ベクトルr(t))は、荷電粒子の位置ベクトルr(t)におけるj番目の電極(又はピクセル)についてのウェイトポテンシャル(weighting  potential)の勾配を表し(ウェイトフィールド(weighting  field)とも言及される)、ドット・ベクトルr(t)(ベクトルr(t)の上に「・」を付したもの)は荷電粒子の速度ベクトル(ベクトルr(t)の時間微分)を表す。「ピクセル」は「画素」等と言及されてもよい。「ポテンシャル」は文脈上「電位」等と言及されてもよい。簡単に言えば、電極に生じる電流が多いほど、対応する電極のウェイトポテンシャル勾配は大きくなって荷電粒子は速く移動する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】米国特許第５８２１５３９号明細書
【特許文献２】国際公開第２０１０／０７３１８９号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
計数パフォーマンスを高速化するには、パルスの生成をできるだけ短時間に行う必要がある。通常、信号生成電極サイズの小型化が目標とされるが、その理由は、サイズが小さいほど、電極周辺のウェイトポテンシャルの閉じ込めを可能にし、すなわち、ウェイトポテンシャルの勾配を局所的に強めることができるからである。実際には、四角形や6角形のピクセルアレイが選択され、小型ピクセル効果(small  pixel  effect)として知られる効果に起因して、各々のピクセルは鋭いパルスを生成する。
【０００８】
従って、パルスの大部分は、移動する電荷がピクセル電極に入る直前に誘発され、連続層電極(continuous  layer  electrode)の場合と比較して極めて鋭いパルスをもたらす結果となる。しかしながら、電荷共有(charge  sharing)として知られる主な劣化の影響を受け入れることなく、ピクセル周期を小さくすることはできず、その理由は、ピクセルサイズが小さくなると、電荷雲(charge  cloud)が隣接ピクセルにより部分的に集められてピクセル各々でカウント値を生成する確率が増えてしまうからである。パルスがフォトンエネルギ測定に使用される場合、電荷の一部分のみが各々のピクセルにより収集されて元々のエネルギ情報が失われてしまう現象が起こる。
【０００９】
ステアリング電極(steering  electrode)の技術思想により更なるパルスの先鋭化も可能である。この技術思想では、ピクセルピッチ(ピクセル間の間隔)は維持されるが、収集ピクセル電極のサイズが更に小型化され、更に優れた拘束ウェイトポテンシャルをもたらす。収集電極は所謂ステアリング電極により包囲され、収集ピクセル電極の間の隙間を可能な限り満たす。ステアリング電極により電荷が収集されることを避けるため、ステアリング電極は、通常、電荷と同じ極性の電位に設定される。適切な電位差により、半導体内部の電場が歪められ、電荷が収集電極の方に事実上案内されるようにする。この考え方は1つだけでなく複数の交互に配置されるステアリング電極(staggered  steering  electrodes)を利用することにより更に改善できる。
【００１０】
一つの側面における実施の形態の課題は、フォトン等の計数性能を向上させることである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
一実施形態による装置は、
互いに対向する関係にある収集電極のペアと、
前記収集電極の間に配置される半導体と、
前記収集電極のペアのうちの何れかに隣接して配置されるステアリング電極と、
前記ステアリング電極の少なくとも一部の上に設けられかつ前記半導体の中にある空間的に変調されるドーピング特性と、
を有する装置である。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】ステアリング電極を備えた半導体ディテクタの一例を示す図。
【図２】図1の半導体ディテクタのうちのアノード平面板の側を示す図。
【図３】分離層により半導体結晶から隔てられかつ上側に空間ドープ領域を有するステアリング電極の一例を示す図。
【図４】分離層により半導体結晶から隔てられかつ上側に空間ドープ領域を有するステアリング電極の一例において、カソードとアノードとの間にバイアス電圧が印加された様子を示す図。
【図５】フォトン計数半導体デバイスにおいて電荷雲を誘導するためのフローチャートを示す図。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
＜実施形態の概要＞
本願による実施形態は上記及び他の課題に対処する。
【００１４】
一実施形態による装置は、互いに対向する関係にある収集電極のペアと、前記収集電極の間に配置される半導体と、前記収集電極のペアのうちの何れかに隣接して配置されるステアリング電極とを有する。更に、空間的に変調されるドーピング特性部が、前記ステアリング電極の少なくとも一部の上に設けられかつ前記半導体の中に設けられる。
【００１５】
別の実施形態による放射ディテクタは、正孔及び電子を生成する半導体素子と、前記半導体素子の第１表面に形成されるカソードと、前記第１表面と対向する位置にある前記半導体素子の第２表面に形成される分割された複数のアノードとを有する。放射ディテクタは、更に、前記分割された複数のアノードに隣接して配置される少なくとも１つのステアリング電極と、前記ステアリング電極の少なくとも一部の上に設けられかつ前記半導体素子の中にある複数のドーピング原子とを有する。
【００１６】
別の実施形態による方法は、互いに対向する関係で収集電極のペアを設けるステップと、前記収集電極の間に半導体を配置するステップと、前記収集電極のペアのうちの何れかに隣接してステアリング電極を配置するステップと、複数のドーピング原子を含む空間的に変調されたドーピング特性部が絶縁領域の上に設けられかつ半導体の中に設けられるように、前記ステアリング電極の少なくとも一部の直上に絶縁領域を形成するステップとを有する。
【００１７】
以下の詳細な説明を参照して理解することにより本発明の更に異なる形態も当業者に認められるであろう。
【００１８】
＜図面＞
本発明は様々な構成要素及び構成要素の結合並びに様々なステップ及びステップの結合による形態をとってよい。図面は好ましい実施形態を説明するためにしか意図されておらず、本発明を限定するように解釈されてはならない。
【００１９】
図1はステアリング電極を備えた半導体ディテクタの一例を示す。
【００２０】
図2は図1の半導体ディテクタのうちのアノード平面板の側を示す。
【００２１】
図3は分離層により半導体結晶から隔てられかつ上側に空間ドープ領域を有するステアリング電極の一例を示す。
【００２２】
図4は、分離層により半導体結晶から隔てられかつ上側に空間ドープ領域を有するステアリング電極の一例において、カソードとアノードとの間にバイアス電圧が印加された様子を示す。
【００２３】
図5はフォトン計数半導体デバイスにおいて電荷雲を誘導するためのフローチャートを示す。
【００２４】
＜実施形態の詳細な説明＞
ステアリング電極に関する本願による技術思想では、収集電極とステアリング電極との間に電圧が印加されることを必要とし、この電圧は、ステアリング電極及び/又は収集電極によるオフセット電流を注入させる。一方、互いに近接した電極に2種類の異なる電圧が印加される必要があるという要請は、例えば、電極同士を互いに電気的に絶縁するだけでなく、結合基板(bonding  substrate)に相対的に高い電圧(例えば、50-200V)を提供する等の観点から技術的に複雑さを増やすかもしれない。
【００２５】
ステアリング電極に相対的に高い電圧をかけることは、ディテクタ結晶の中で空間的に変調されたドーピング特性を活用することにより、回避できる。ドーピングは本質的にはステアリング電極の表面上で行われ、ステアリング電極は収集電極と同じ又は類似するポテンシャルに設定される。室温において、ドーピング原子はその種類に応じてホール又は電子を解放し、結晶構造内にイオンが留まったままにする。「解放する(release)」は「自由にする」等と言及されてもよい。外的な電場が存在する場合、解放された電荷(荷電粒子)は外部電極により取り出されて収集され、残存するイオンがバックグランドチャージ(background  charge)を形成し、そのバックグランドチャージが電場を変化させる。結果的に生じる電場が、ステアリング電極に相対的に高い電圧を印加した場合と同様に変化するように、イオン化されるドーピング原子の位置及び種類が選択される。
【００２６】
ステアリング電極の形態は図1及び図2に示される。図1において、ディテクタは本質的には半導体材料1のスライスから形成される。半導体結晶1は高抵抗で高インピーダンスの半導体材料によるスラブ又はウェハである。「スラブ」は「厚板」、「平板」、「基板」等と言及されてもよい。好ましくは、半導体結晶1は高抵抗のCdZnTeによるスラブから形成され、室温で処理されてディテクタとして製造されることが可能である。代替的に、半導体結晶1はCdTe、HgI2、PbI等から形成されてもよいし、或いは、高い抵抗を有しかつディテクタとして製造することが可能な他の半導体材料から形成されてもよい。当然に、事実上任意の半導体材料が本発明に使用されてよいことを当業者は認めるであろう。
【００２７】
目下の例において、フォトンが入射する「上位」表面にカソード2を有する形態は、一例として選択されている。反対側の表面は収集アノードピクセル3によりセグメント化され、収集アノード電極3は、拘束ウェイト電位(confined  weighting  potential)4により特徴付けられ、典型的には少なくとも1つのステアリング電極5aにより包囲される。「セグメント化」は「分割」、「区分」、「区分け」等と言及されてもよい。収集アノードピクセル3は図2に示されているようにしばしば円形であり、典型的には、ステアリング電極5a(図3及び図4)を含む領域5と比較して小さな領域を占める。
【００２８】
ステアリング電極5aは様々な技術を利用して半導体結晶1の上又は中に形成されてよい。好ましくは、電極は金の薄膜であり、これはCdZnTeディテクタの製造に一般的に使用されており、半導体結晶1の表面に電気化学的に堆積される。代替的に、プラチナ、ロジウム及びその他の金属を含む他の導電性材料が、電極を形成するために結晶表面に電気化学的に堆積又は析出されてもよい。他の導体が電極に使用されてもよいことを当業者は認めるであろう。電気化学的な堆積に対する代替例として、電極材料は、蒸着、スパッタリング又は合金表面化等により結晶上に堆積されてもよい。電極は、導電性材料の化学蒸着堆積(CVD)やイオンビーム堆積等のような他の技術により形成されてもよい。電極は、メサ型、トレンチ型及び埋め込み型等の形態を含む様々な形態で形成されてもよい。
【００２９】
通常のステアリング電極では、ステアリング電極5aは、典型的には(「7」により示される)接地されるアノードピクセル3に対して、負の電位に設定される。その形態の場合、電場のライン又は電気力線6は、図4に示されるようにアノードピクセル3で実質的に終端されるように、変形する。言い換えれば、(電場のラインの経路にほぼ従う)電子は、負に帯電したステアリング電極5aにより反発され、かつ、(カソード2及びステアリング電極5aに対して)相対的に正に帯電したアノードピクセル3に引き付けられる。
【００３０】
そこで、ステアリング電極5a上の負の電荷を、ステアリング電極5a上の領域5dにおける負の電荷により置き換える一方、ステアリング電極5aを、アノードピクセル3と非常に類似するほとんど中性の電位に設定することが可能である。これは、図3に示されるように、ステアリング電極上にドーピング原子を導入することにより実現できる。これを実現するために、当業者により予想されるいくつもの技術が存在し、例えば、ステアリング電極の領域のみがドーピング材料で被覆されるように設けられるマスクにドーパント材料を蒸着し、半導体を継続的に加熱し、ドーピング材料の局所的な深さ方向の拡散を行うことが考えられる。他の方法は、スキャニングするイオンビームを利用してドーパントを注入することである。(上記の方法を第1、第2の方法とした場合に第3の方法として位置付けられる)更に別の方法は、ステアリング電極の領域のみがカバーされるように基礎となる結晶に取り付けられたマスクを介して適切にドーピングされる半導体材料の蒸着を行うことである。
【００３１】
本願の開示による一実施形態では、p型のドーピングが使用される。すなわち、アクセプタ原子が使用され、アクセプタ原子はそれぞれホールを解放し、結晶母材の中に負に帯電したイオンをとどめる。
【００３２】
図3及び図4では、ドーピングの特性が実現されていることが仮定されており、カソード2及びアノードピクセル3の間に電圧が印加されると速やかに、自立的なイオン化プロセスが進む(ステアリング電極5aはアノードピクセル3と同じ電位に設定されるものとする)。ドープされた領域の特定の部分に電場が存在する限り、フリーホールは電場によりその領域から取り除かれ、負に帯電した領域が残るようになる(このプロセスは半導体内の空乏化又は消耗(depletion)として言及される)。「フリーホール」は「拘束されていないホール」、「自由なホール」等と言及されてもよい。イオンのバックグランドチャージが、元々の電場を相殺する分極電場を生成するほど十分に大きくない限り、空乏はドープ領域の中で「成長(grow)」する。
【００３３】
本願の開示内容による一実施形態は2つの静的な例に区別されてもよい。第1の例では、ドープ領域が部分的に負に帯電させられ(5c)、その結果の分極電場が、ドープ領域内の一部分5dにおいて、外部から印加される電場を相殺し、これらの領域が電場から自由になる(すなわち、空乏化されない)。この場合、電場のラインは、その領域5dを横切らず、周辺に沿って曲がる。適切なドーピング濃度により、従来方式でステアリング電極5aを帯電させることにより生成される電場と同様な電場を生成することが可能になり、すなわち、電場は、事実上、電極3で終端するように曲がる。この例は、放射の状況下でさえ、静的平衡状態と考えることが可能であり、バルク結晶から接近してくる電子は領域5dの周辺に誘導されるが、それらは空乏領域の負に帯電したイオンに起因して捕捉されはしない。一方、放射により生じるホールの濃度はアノード近辺では無視できる程度であることに加えて、電極により注入される無視できる程度のホールしか存在しないと仮定することが可能である。
【００３４】
第2の例では、ドープ領域が完全に空乏化される。その場合、電場のラインは、その定義により、電場のラインがステアリング電極で終端するように領域5cを横切ることが可能になる。ステアリング電極による電子の収集を避けるため、ドープ領域5cが使用されない「従来の」方法と同様に、ステアリング電極に負の電圧が印加される。しかしながら、ドープ領域が電場のラインを曲げることに既に寄与しているので、電場のライン全てをアノード3の方に曲げる際に、ステアリング電極5aとアノード3との間に小さな電位が存在すれば十分である。
【００３５】
なお、帯電領域5cは、ステアリング電極5aが接地電位に設定される場合でさえ、ステアリング電極5aに正の電荷を容量的に生じさせることに留意を要する。これは、平板キャパシタにより生成される電場に匹敵するダイポールのような古典的な静電気学により考察することが可能である。「外部」に関し、キャパシタの電場は、外的に印加される電場とは反対方向を向く。一方、「内部」に関し、キャパシタの電場は、空乏領域5cと電極5aとの間の領域において、電場が強められるように方向付けられる。従って、結晶バルク内部への正孔の侵入を回避するため、ステアリング電極5aの上に絶縁層(又は絶縁体)5bを配置することが推奨される。当然に、絶縁層5bは選択的である。あるいは、侵入してしまった正孔を、イオン化されたドーピング原子により捕捉し、それらの原子を電気的に中性化してもよい。これは時間依存性の分極効果を引き起こす可能性があり、システムの安定性等の観点からは利点ではない。
【００３６】
図5には、フォトン計数半導体装置における電荷雲誘導のためのフローチャートが示されている。ステップ510において、収集電極のペアが、互いに対向する位置関係で設けられる。ステップ520において、収集電極のペアの間に半導体が配置される。ステップ530において、収集電極のペアのうちの一方に隣接するように、ステアリング電極が配置される。ステップ540において、半導体内に複数のドーピング原子を含めることにより、空間的に変調されるドーピング特性(空間変調ドーピングプロファイル)が生じる。そして、最初の反復に関するプロセスは終了する。
【００３７】
上記の複数の実施形態は個別的に使用されてもよいし或いは組み合わせて使用されてもよいことが認められるべきである。
【００３８】
応用可能な分野は、荷物検査、非破壊的な検査、医療用ディジタル(蛍光)透視法、マンモグラフィ、X線等を含むことに加えて、それ以外の工業的及び医学的な分野を含む。応用可能な分野は、更に、高速計測用に設計される全種類のフォトン計数ディテクタ(約1eVないし数MeVに及ぶ光線ないしガンマ線の範囲内のエネルギに対するディテクタ)を含み、例えばスペクトラルX線(Spectral  X-ray)又はスペクトラルCT等のような医療画像診断用途、例えば品質評価のアプリケーションのような工業的用途、例えば手荷物スキャニングのような国土安全保障のような用途、天文学の用途等に使用するディテクタや、その他の科学技術のためのディテクタを含む。
【００３９】
本発明の原理は、例えば、液体イオンディテクタや気体イオンディテクタ等のような他のタイプのディテクタにも適用可能である。上記のタイプの半導体放射ディテクタ、イオンディテクタとして知られる放射ディテクタのクラスのうちの一例に過ぎない。そのようなディテクタでは、適切な放射相互作用材料(radiation  interaction  material)で放射が吸収されて移動可能な電荷を生成し、電荷が電極により集められ、これにより、電気的な出力信号を生成する。半導体材料に加えて、放射相互作用材料は、固体絶縁体(非常に広いバンドギャップを有する半導体と考えられてもよい)、液体又は気体であってもよい。そのような液体及び気体イオン化ディテクタにおいて、好ましくは、ドーパント原子は電場を形成するために固定されるべきであることに留意を要する。
【００４０】
液体及び気体イオン化ディテクタ(イオン化ゲージ(ionization  gauges)として言及されてもよい)は、長期間にわたって市販されているものを利用することができ、核の技術分野で広く使用されている。そのようなディテクタは、原理的には、液体又は気体を包含する基板と2つの電極(カソード及びアノード)とを有する。ガスで吸収されるガンマ線又はX線は電子及び正孔を生成し、電子及び正孔は、バイアス電圧が印加されていれば、それぞれアノード及びカソードの方に誘導される。従って、概念的には半導体放射ディテクタと類似しているが、主な相違は、正の電荷が正孔ではなく正のイオンによって運ばれることである。
【００４１】
本願により説明される方法は、例えば物理メモリのようなコンピュータ読み取り可能記憶媒体にエンコードされる又は組み込まれる1つ以上のコンピュータ可読命令を実行する1つ以上のプロセッサにより実現されてもよく、コンピュータ可読命令は、1つ以上のプロセッサに様々な処理及び/又は他の機能を実行させる。1つ以上のプロセッサは、信号や搬送波のような一時的な媒体により搬送される命令を実行することも可能である。
【００４２】
本発明の理解を促すために、様々な構成要素が説明され図示されてきたが、電子的/電気的な構成要素を統合することが可能であることに起因して、2つ以上の構成要素は、それら2つ以上の構成要素の機能/特徴を有する1つの構成要素に組み入れられることが可能であることが、認められるべきである。
【００４３】
ある事項が互いに異なる従属請求項で引用されているという事実だけでは、それらの事項の組み合わせが有利に使用できないことを示すことにはならない。特許請求の範囲に何らかの参照符号が存在したとしても、それらは特許請求の範囲を限定するように解釈されるべきではない。
【００４４】
以上、本発明は好適な実施形態を参照しながら説明されてきた。上記の説明を参照して理解することにより、変形例や代替例も当業者に認められるであろう。添付の特許請求の範囲及びその均等の範囲に属する限り、本発明はそのような変形例や代替例の全てを包含するように意図される。
【図１】
0006563810.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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