(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
樹脂基材と、セラミック被膜とからなる透光板であって、
前記樹脂基材の前記セラミック被膜との界面における弾性率は、前記セラミック被膜の弾性率の０．５〜０．７倍であり、前記セラミック被膜の弾性率は５．０〜７．０ＧＰａであることを特徴とする透光板。
【請求項２】
前記樹脂基材は、下地材と、前記セラミック被膜と接するハードコート層とからなることを特徴とする請求項１に記載の透光板。
【請求項３】
前記セラミック被膜は、Ｓｉ、ＯとＣとからなる非晶質体であることを特徴とする請求項１または２に記載の透光板。
【請求項４】
前記樹脂基材の前記セラミック被膜との界面における弾性率は、３．０〜３．５ＧＰａであることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の透光板。
【請求項５】
前記セラミック被膜のナノインデンタによる硬度は、１．５〜２．５ＧＰａであることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の透光板。
【請求項６】
ターゲットにＳｉＣを用いＰＶＤ法により樹脂基材上にセラミック被膜を形成したのち大気開放することを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の透光板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は透光板および透光板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、耐久性の必要なディスプレイ用のパネル、自動車用のガラスなどでは、耐傷性に優れた無機ガラスが広く使われてきた。近年、軽量化、割れにくさの観点で、樹脂のパネルが注目されている。樹脂のパネルを適用するに当たり、様々な発明が検討されている。
【０００３】
特許文献１には、 軽量、安全であり、フレキシブルディスプレイに好適な樹脂成形体、特に非常に落球衝撃強度にすぐれた樹脂成形体として、光硬化性組成物を光硬化して得られる樹脂成形体であって、ガラス転移温度が１００〜２００℃、ＪＩＳ Ｋ ５６００−５−４：１９９９における表面硬度がＨ〜４Ｈ、樹脂成形体に対して、落球試験機を用い、直径３２ｍｍの円筒形台上に置いた該樹脂成形体の表面中央部に、重さ１３０ｇの鋼球を落下させた場合に、下記式（α）を満足する樹脂成形体が提案されている。
Ｙ≧４０Ｘ  ・・・（α）
Ｘ：樹脂成形体の厚さ（ｍｍ）
Ｙ：鋼球を落下させても割れない高さの最大値（ｃｍ）
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１５−６３６５５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、前記記載された発明は、光硬化性樹脂を最表層とするものであって、使用できる用途は、ディスプレイ、タッチパネルなど主に屋内使用に限定され、砂の飛散、摩擦など過酷な屋外使用で十分に使用に耐えうるものではない。
【０００６】
本発明は、前記課題を鑑み、自動車用のガラスなど過酷な屋外での使用に耐えうる耐傷性、強度を備えた透光板およびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
前記課題を解決するための本発明の透光板の解決手段は、樹脂基材と、セラミック被膜とからなる透光板であって、前記樹脂基材の前記セラミック被膜との界面における弾性率は、前記セラミック被膜の弾性率の０．５〜０．７倍である。
本発明の透光板は、セラミック被膜の弾性率に対し、樹脂基材のセラミック被膜との界面における弾性率が０．５倍以上であるので、外部から押されセラミック被膜に変形が加わっても、セラミック被膜とともに樹脂基材側も追随して変形しやすくなる。このため、外部から押された箇所の周辺が広く分散して変形することができるので、セラミック被膜に局所的な力が加わらず、セラミック被膜のはがれ、傷を防止でき、耐傷性を高めることができる。
本発明の透光板は、セラミック被膜の弾性率に対し、樹脂基材のセラミック被膜との界面における弾性率が０．７倍以下であるので、樹脂基材はセラミック被膜側から受ける衝撃を吸収するクッションとして機能することができる。このため、強化する効果を大きくすることができる。
【０００８】
さらに、本発明の透光板は、以下の態様であることが好ましい。
【０００９】
（１）前記樹脂基材は、下地材と、前記セラミック被膜と接するハードコート層とからなる。
【００１０】
本発明の透光板は、樹脂基材が、下地材と、前記セラミック被膜と接するハードコート層とからなるので、樹脂基材のセラミック被膜との界面における弾性率は、ハードコート層の弾性率となる。このため下地材の弾性率は、セラミック被膜の耐傷性に直接的に影響を及ぼしにくくなり、下地材の選択の自由度を高めることができる。このため、強度、靭性を有する樹脂材料を下地材として使用することができる。
【００１１】
（２）前記セラミック被膜は、Ｓｉ、ＯとＣとからなる非晶質体である。
【００１２】
本発明の透光板のセラミック被膜がＳｉ、ＯとＣとからなる非晶質体であるので、透明なセラミック被膜が得られるうえに、Ｓｉの結合に関してＳｉ−ＯとＳｉ−Ｃとの比率を適宜調整することによって、弾性率を制御することができる。
【００１３】
（３）前記セラミック被膜の弾性率は５．０〜７．０ＧＰａである。
【００１４】
本発明の透光板のセラミック被膜の弾性率が５．０ＧＰａ以上であるので、外部からかかる変形に対し、十分な抗力を備え、表面の沈み込み量が少なく、擦り傷の発生原因となる摩擦が同時に発生しても、耐傷性を高めることができる。
本発明の透光板のセラミック被膜の弾性率が７．０ＧＰａ以下であるので、適度に靭性を有し、外部から押されセラミック被膜に変形が生じても、変形に追随することができセラミック被膜にクラックが入りにくくすることができる。
【００１５】
（４）前記樹脂基材の前記セラミック被膜との界面における弾性率は、３．０〜３．５ＧＰａである。
【００１６】
本発明の透光板の樹脂基材のセラミック被膜との界面における弾性率が３．０〜３．５ＧＰａの範囲であるので、Ｓｉ、ＯとＣとからなる非晶質体のセラミック被膜とを組み合わせることにより耐傷性に優れた透光板を得ることができる。
【００１７】
（５）前記セラミック被膜のナノインデンタによる硬度は、１．５〜２．５ＧＰａである。
【００１８】
本発明の透光板のセラミック被膜のナノインデンタによる硬度が１．５〜２．５ＧＰａの範囲であるので、樹脂基材との組み合わせにより、耐傷性に優れた透光板を提供することができる。
【００１９】
前記課題を解決するための本発明の透光板の製造方法は、ターゲットにＳｉＣを用いＰＶＤ法により前記樹脂基材上にセラミック被膜を形成したのち大気開放する。
【００２０】
本発明の透光板の製造方法は、ターゲットにＳｉＣを用いたＰＶＤ法により、セラミック被膜を形成するので、ＰＶＤ装置の出力により、Ｓｉ−Ｃ結合、Ｓｉ−Ｏ結合の比率を変えることができる。
本発明の透光板の製造方法によれば、ＰＶＤ法において、Ｓｉ−Ｃ結合を形成する臨界出力の近傍でスパッタ装置の出力を適宜調整することによりＳｉ−Ｃ結合、Ｓｉ−Ｏ結合の比率を適宜調整してセラミック被膜を形成することができる。Ｓｉ−Ｃ結合の生成の有無は、ＸＰＳ法で確認することができ、それぞれ使用する装置条件にあった出力を設定し、製膜することにより得ることができる。
本発明の透光板の製造方法では、ＰＶＤ法においてＳｉ−Ｃ結合を形成する臨界出力近傍で、スパッタ装置の出力を調整し製膜している。このため、セラミック被膜は、互いに結合しあう炭素が網状の骨格を形成し、その間にＳｉ原子が散在する構造を形成すると考えられる。なお、網状の炭素の骨格はダイヤモンドライクカーボンと同様の構造であると考えられる。
本発明の透光板の製造方法は、ＳｉＣのターゲットを用い、前記透光性の樹脂基材にＳｉ−Ｃ結合を形成する臨界出力近傍の出力で前記セラミック被膜をＰＶＤ法で形成したのち、大気開放し酸素を結合させる。
このように形成するので、Ｓｉ−Ｃ結合、Ｓｉ−Ｏ結合の両方を備えたセラミック被膜を得ることができると考えられる。Ｓｉ−Ｃ結合、Ｓｉ−Ｏ結合の比率に応じて、セラミック被膜の弾性率が変わり、Ｓｉ−Ｃ結合が多いほどセラミック被膜の弾性率を高くすることができると考えられる。
【発明の効果】
【００２１】
本発明の透光板によれば、セラミック被膜の弾性率に対し、樹脂基材のセラミック被膜との界面における弾性率が０．５倍以上であるので、外部から押されセラミック被膜に変形が加わっても、セラミック被膜とともに樹脂基材側も追随して変形しやすくなる。このため、外部から押された箇所の周辺が広く分散して変形することができるので、セラミック被膜に局所的な力が加わらず、セラミック被膜のはがれ、傷を防止でき、耐傷性を高めることができる。
本発明の透光板によれば、セラミック被膜の弾性率に対し、樹脂基材のセラミック被膜との界面における弾性率が０．７倍以下であるので、樹脂基材はセラミック被膜側から受ける衝撃を吸収するクッションとして機能することができる。このため、強化する効果を大きくすることができる。
【００２２】
本発明の透光板の製造方法によれば、ターゲットにＳｉＣを用いたＰＶＤ法により、セラミック被膜を形成するので、ＰＶＤ装置の出力により、Ｓｉ−Ｃ結合、Ｓｉ−Ｏ結合の比率を変えることができる。
本発明の透光板の製造方法によれば、ＰＶＤ法において、Ｓｉ−Ｃ結合を形成する臨界出力の近傍でスパッタ装置の出力を適宜調整することによりＳｉ−Ｃ結合、Ｓｉ−Ｏ結合の比率を適宜調整してセラミック被膜を形成することができる。Ｓｉ−Ｃ結合の生成の有無は、ＸＰＳ法で確認することができ、それぞれ使用する装置条件にあった出力を設定し、製膜することにより得ることができる。
本発明の透光板の製造方法では、ＰＶＤ法においてＳｉ−Ｃ結合を形成する臨界出力近傍で、スパッタ装置の出力を調整し製膜している。このため、セラミック被膜は、互いに結合しあう炭素が網状の骨格を形成し、その間にＳｉ原子が散在する構造を形成すると考えられる。なお、網状の炭素の骨格はダイヤモンドライクカーボンと同様の構造であると考えられる。
本発明のセラミック被膜は、ＳｉＣのターゲットを用い、前記透光性の樹脂基材にＳｉ−Ｃ結合を形成する臨界出力近傍の出力で前記セラミック被膜をＰＶＤ法で形成したのち、大気開放し酸素を結合させる。
このように形成するので、Ｓｉ−Ｃ結合、Ｓｉ−Ｏ結合の両方を備えたセラミック被膜を得ることができると考えられる。Ｓｉ−Ｃ結合、Ｓｉ−Ｏ結合の比率に応じて、セラミック被膜の弾性率が変わり、Ｓｉ−Ｃ結合が多いほどセラミック被膜の弾性率を高くすることができると考えられる。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
＜透光板＞
本発明の透光板について、以下説明する。
本発明の透光板は、樹脂基材と、セラミック被膜とからなる透光板であって、前記樹脂基材の前記セラミック被膜との界面における弾性率は、前記セラミック被膜の弾性率の０．５〜０．７倍である。
本発明の透光板は、セラミック被膜の弾性率に対し、樹脂基材のセラミック被膜との界面における弾性率が０．５倍以上であるので、外部から押されセラミック被膜に変形が加わっても、セラミック被膜とともに樹脂基材側も追随して変形しやすくなる。このため、外部から押された箇所の周辺が広く分散して変形することができるので、セラミック被膜に局所的な力が加わらず、セラミック被膜のはがれ、傷を防止でき、耐傷性を高めることができる。
本発明の透光板は、セラミック被膜の弾性率に対し、樹脂基材のセラミック被膜との界面における弾性率が０．７倍以下であるので、樹脂基材はセラミック被膜側から受ける衝撃を吸収するクッションとして機能することができる。このため、強化する効果を大きくすることができる。
【００２４】
さらに、本発明の透光板は、以下の態様であることが好ましい。
【００２５】
（１）前記樹脂基材は、下地材と、前記セラミック被膜と接するハードコート層とからなる。
【００２６】
本発明の透光板は、樹脂基材が、下地材と、前記セラミック被膜と接するハードコート層とからなるので、樹脂基材のセラミック被膜との界面における弾性率は、ハードコート層の弾性率となる。このため下地材の弾性率は、セラミック被膜の耐傷性に直接的に影響を及ぼしにくくなり、下地材の選択の自由度を高めることができる。このため、強度、靭性を有する樹脂材料を下地材として使用することができる。
【００２７】
（２）前記セラミック被膜は、Ｓｉ、ＯとＣとからなる非晶質体である。
【００２８】
本発明の透光板のセラミック被膜がＳｉ、ＯとＣとからなる非晶質体であるので、透明なセラミック被膜が得られるうえに、Ｓｉの結合に関してＳｉ―ＯとＳｉ―Ｃとの比率を適宜調整することによって、弾性率を制御することができる。
【００２９】
（３）前記セラミック被膜の弾性率は５．０〜７．０ＧＰａである。
【００３０】
本発明の透光板のセラミック被膜の弾性率が５．０ＧＰａ以上であるので、外部からかかる変形に対し、十分な抗力を備え、表面の沈み込み量が少なく、擦り傷の発生原因となる摩擦が同時に発生しても、耐傷性を高めることができる。
本発明の透光板のセラミック被膜の弾性率が７．０ＧＰａ以下であるので、適度に靭性を有し、外部から押されセラミック被膜に変形が生じても、変形に追随することができセラミック被膜にクラックが入りにくくすることができる。
【００３１】
（４）前記樹脂基材の前記セラミック被膜との界面における弾性率は、３．０〜３．５ＧＰａである。
【００３２】
本発明の透光板の樹脂基材のセラミック被膜との界面における弾性率が３．０〜３．５ＧＰａの範囲であるので、Ｓｉ、ＯとＣとからなる非晶質体のセラミック被膜とを組み合わせることにより耐傷性に優れた透光板を得ることができる。
【００３３】
（５）前記セラミック被膜のナノインデンタによる硬度は、１．５〜２．５ＧＰａである。
【００３４】
本発明の透光板のセラミック被膜のナノインデンタによる硬度が１．５〜２．５ＧＰａの範囲であるので、樹脂基材との組み合わせにより、耐傷性に優れた透光板を提供することができる。
【００３５】
＜透光板の製造方法＞
本発明の透光板の製造方法について、以下説明する。
本発明の透光板の製造方法は、ターゲットにＳｉＣを用いＰＶＤ法により樹脂基材上にセラミック被膜を形成したのち大気開放する。
【００３６】
本発明の透光板の製造方法は、ターゲットにＳｉＣを用いたＰＶＤ法により、セラミック被膜を形成するので、ＰＶＤ装置の出力により、Ｓｉ−Ｃ結合、Ｓｉ−Ｏ結合の比率を変えることができる。
本発明の透光板の製造方法によれば、ＰＶＤ法において、Ｓｉ−Ｃ結合を形成する臨界出力の近傍でスパッタ装置の出力を適宜調整することによりＳｉ−Ｃ結合、Ｓｉ−Ｏ結合の比率を適宜調整してセラミック被膜を形成することができる。Ｓｉ−Ｃ結合の生成の有無は、ＸＰＳ法で確認することができ、それぞれ使用する装置条件にあった出力を設定し、製膜することにより得ることができる。
本発明の透光板の製造方法では、ＰＶＤ法においてＳｉ−Ｃ結合を形成する臨界出力近傍で、スパッタ装置の出力を調整し製膜している。このため、セラミック被膜は、互いに結合しあう炭素が網状の骨格を形成し、その間にＳｉ原子が散在する構造を形成すると考えられる。なお、網状の炭素の骨格はダイヤモンドライクカーボンと同様の構造であると考えられる。
本発明の透光板の製造方法では、ＳｉＣのターゲットを用い、前記透光性の樹脂基材にＳｉ−Ｃ結合を形成する臨界出力近傍の出力で前記セラミック被膜をＰＶＤ法で形成したのち、大気開放し酸素を結合させる。
このように形成するので、Ｓｉ−Ｃ結合、Ｓｉ−Ｏ結合の両方を備えたセラミック被膜を得ることができると考えられる。Ｓｉ−Ｃ結合、Ｓｉ−Ｏ結合の比率に応じて、セラミック被膜の弾性率が変わり、Ｓｉ−Ｃ結合が多いほどセラミック被膜の弾性率を高くすることができると考えられる。
【００３７】
次に、本発明の透光板の製造方法で使用するＰＶＤ法について、詳しく説明する。
ＰＶＤ法では、原料を蒸発させる蒸発系のＰＶＤ法と、固体表面から原子をたたき出すスパッタ系のＰＶＤ法とある。セラミックを材料に用いる場合、原料の沸点が高いのでスパッタ系が用いられる。スパッタ系では、高エネルギーの原子あるいは分子をターゲットに衝突させ、飛び出した原子を基材に沈積させる。ターゲットから飛び出した原子は、高エネルギーで基材に沈着するので、基材表面で互いに結合し、セラミック被膜を形成する。
一般にＰＶＤ法ではＳｉとＣはそれぞれ高いエネルギーを持っているので基材上でＳｉとＣが結合し、ＳｉＣのセラミック被膜が形成される。
本発明の透光板を得るためには例えば、ＳｉＣのターゲットを用いているＰＶＤ法を適用することができる。このように製造することによりターゲットから放出される粒子はＳｉとＣのみであり、基材にそれぞれ原子が沈着する。このとき、基材にＳｉ−Ｃ結合を形成する臨界出力より小さな出力に調整し、セラミック被膜を形成する。出力の調整の方法は特に限定されない。
スパッタ装置には、２極・３極・４極・ＲＦ・マグネトロン・対向ターゲット・ミラートロン・ＥＣＲ・ＰＥＭＳ・イオンビーム・デュアルイオンビームなど、様々な方式がある。一般にスパッタ装置では原子に大きなエネルギーが与えられ、基材上でＳｉ−Ｃの結合を形成する。
本発明の透光板は、ＰＶＤ法において、Ｓｉ−Ｃ結合を形成する臨界出力の近傍でスパッタ装置の出力を適宜調整し、セラミック被膜を形成する。Ｓｉ−Ｃ結合の生成の有無は、ＸＰＳ法で確認することができ、それぞれ使用する装置条件にあった出力を設定し、製膜することにより得ることができる。
本発明の透光板では、ＰＶＤ法においてＳｉ−Ｃ結合を形成する臨界出力の近傍でスパッタ装置の出力を調整し製膜している。このため、セラミック被膜にはＳｉ−Ｃ結合の比率を適宜調整可能で互いに結合しあう炭素が網状の骨格を形成し、その間にＳｉ原子が散在する構造を形成すると考えられる。なお、網状の炭素の骨格はダイヤモンドライクカーボンと同様の構造であると考えられる。また、一部のＳｉがＣと結合するように調整可能である。
本発明の透光板の製造方法では、ＳｉＣのターゲットを用い、前記透光性の樹脂基材にＳｉ−Ｃ結合を形成する臨界出力の近傍で前記セラミック被膜をＰＶＤ法で形成したのち、大気開放し酸素を結合させる。
本発明の透光板の製造方法によれば、透光性の樹脂基材にセラミック被膜を形成し、セラミック被膜は、ＳｉＣをターゲットとしている。ターゲットであるＳｉＣを構成する炭素およびケイ素は１４属元素であり、４つの価電子を有しているので４つの共有結合により網状の骨格を形成することができ、強固なセラミック被膜を形成することができる。
炭素どうしが単結合で結合すると、結晶の場合ダイヤモンドとなり、非晶質体の場合ダイヤモンドライクカーボンとなる。いずれも強固な素材である。
一方、ケイ素は、炭素ほど互いに強固に結合できず、ケイ素の結晶は一部の結合が切断され、自由電子ができることによって金属光沢を有しているのでケイ素の被膜は光透過性に劣っている。しかしながら、大気開放によってケイ素の結合間に、酸素を導入することによって光透過性を確保することができる。酸素はケイ素との結合力が強く、ケイ素原子の間に介在し、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉの結合を形成することによって、強固で、無色透明なセラミック被膜を得ることができる。
【００３８】
本発明の透光板における樹脂基材は、単一の素材であっても良いし、ハードコート層と下地材とからなる積層体であっても良い。ハードコート層を有する場合には、接着性の向上の為、ハードコート層と下地材との間にプライマーを有していても良い。
単一の素材である場合には、樹脂基材としては、例えばポリカーボネート、ポリメタクリル酸メチル、塩化ビニル、などが利用できる。また、ハードコート層と下地材とからなる積層体である場合、下地材は、同様に例えばポリカーボネート、ポリメタクリル酸メチル、塩化ビニル、などが利用できる。
本発明の透光板において、樹脂基材を構成するハードコート層は下地材よりも弾性率の高い素材であれば良く、例えば、光硬化性樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ＰＴＦＥ樹脂およびそれらの誘導体などが挙げられる。また下地材と、ハードコート層との組み合わせは、ハードコート層が下地材よりも弾性率が高ければ特に限定されず、どのような組み合わせでも利用することができる。
本発明の樹脂基材およびセラミック被膜の弾性率、硬度は、ナノインデンタを用いて測定する。なお、測定条件は、
押し込み深さ：４０００ｎｍ
圧子      ：バーコビッチ圧子
ポアソン比：０．２５
の条件にて測定することができる。
また、セラミック被膜の測定は、樹脂基材上にセラミック被膜が形成された状態、樹脂基材のセラミック被膜との界面の弾性率の測定は、樹脂基材が、単一の素材であるか、ハードコート層と下地材との積層体であるかにかかわらず、直接、セラミック被膜を形成する前の樹脂基材を測定することによって得ることができる。また、セラミック被膜が形成された透光板の場合には、セラミック被膜を除去した樹脂基材の表面を測定して得ることができる。
【実施例】
【００３９】
ポリカーボネートの板にハードコート層を形成した。
厚さはそれぞれ、ポリカーボネートは、３ｍｍ、ハードコート層は、４．６μｍであった。
ハードコート層は、ポリシロキサン系の前駆体を用い、熱処理によりシリコーン樹脂を形成させた。
【００４０】
こうして得られた樹脂基材の表面に、ＳｉＣをターゲットとしたＰＶＤ法で、セラミック被膜を形成した。
神鋼精機製スパッタ装置ＳＲＶ−４３００を用いて基材にＳｉＣのスパッタリングを行った。スパッタの電源は高周波電源を用いた。サンプル／ターゲット間距離は１００ｍｍであった。
【００４１】
実施例、比較例では、ＰＶＤ装置の出力を変えて製膜を行った。それぞれの詳細な処理条件は表１のとおりである。
また、セラミック被膜の厚さ、セラミック被膜のＸＰＳ法による検出元素、ケイ素関連の結合の比率を分析した。（表１）
実施例および比較例の下地材、ハードコート層、セラミック被膜の弾性率、硬度は、ナノインデンタを使用して測定した。実施例および比較例では樹脂基材がハードコート層と、下地材とからなるので、ハードコート層の弾性率が、樹脂基材のセラミック被膜との界面の弾性率となる。耐傷性の評価を、ヘイズ値を測定することにより測定した。（表２）
【表１】
0006530642.tif 000002
【表２】
0006530642.tif 000003
【００４２】
また、耐傷性の評価は、ヘイズ値の測定により行った。アルミナの砥粒を有する車輪をサンプル表面で移動させ、移動の後に残される傷の痕跡による光の拡散透過で評価するという測定を行ってデータを得ることができる。装置条件は下記のとおりである。なお測定はＪＩＳ  Ｋ  ７１３６：２０００に準じて行う。
【００４３】
＜ヘイズ値＞
光計測器
ヘイズメータ：日本電色工業製  NDH４０００（Ａ光源を使用）
光スポット径：７ｍｍ
磨耗試験
磨耗試験機    ：taber社Model5135
サンプル回転数：１０００回
回転速度      ：７２ｒｐｍ
荷重          ：５００ｇ
摩耗輪        ：ＣＳ−１０Ｆ
【００４４】
＜ＸＰＳ＞
Ｘ線電子分光装置を用い、各セラミック被膜の珪素に関連する結合の存在比を解析した。また、実施例１のセラミック被膜に対しては、セラミック被膜の深さ方向の構成比を確認した。
なお、分析装置の条件等は下記のとおりである。
分析装置：アルバック・ファイ社製  QuanteraＩＩ
X線源：Al-Kα
X線源の印加電圧、電流…15 kV、1.5 A
イオン銃のガス種：Ar
表面クリーニング条件：500V, 7mA, 1.0 min
測定エネルギー範囲：wide…0〜1100 eV
narrow…C：278〜298 eV, Si：94〜114 eV
【００４５】
実施例の樹脂基材のセラミック被膜との界面における弾性率は、ハードコート層の弾性率であり、３．４６ＧＰａであった。また、実施例のセラミック被膜の弾性率は、６．５１ＧＰａであった。
実施例の樹脂基材のセラミック被膜との界面における弾性率は、セラミック被膜の弾性率の０．５３倍である。これに対し、比較例の樹脂基材のセラミック被膜との界面における弾性率は、セラミック被膜の弾性率の０．４１倍である。すなわち、実施例の透光板は、比較例の透光板と比較し、セラミック被膜に対し樹脂基材の弾性率が大きく、０．５〜０．７倍の範囲にある。
【００４６】
また、実施例のセラミック被膜のナノインデンタによる硬度は２．００ＧＰａであった。
このため、透光板の外部からの変形に対し、樹脂基材が外部から押された箇所の周辺が広く分散して変形することができるので、セラミック被膜に局所的な力が加わらず、セラミック被膜のはがれ、傷を防止でき、耐傷性を高めることができたと考えられる。
【００４７】
また、実施例のセラミック被膜と、比較例のセラミック被膜とを比較すると、ＰＶＤの出力が大きくなると同時に、弾性率、硬度が大きくなっている。これはＰＶＤの出力が大きくなることによって、Ｓｉ−Ｃ結合を形成する臨界出力を越え、強固なＳｉ−Ｃ結合の比率が増えているためであると推定される。このため、ＳｉＣのターゲットを用いることによって、Ｓｉ−Ｃ結合、Ｓｉ−Ｏ結合の比率を変えることができ、セラミック被膜の弾性率を自在に調整することができる。結果として、セラミック被膜のはがれ、傷を防止でき、耐傷性を高めることができる。