(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
光ビームを反射させる反射面（１９）と、前記反射面の向き又は形状を変化させる第１の圧電素子（１４，３３）と、を有する反射部（３）と、
絶縁膜（４６）が積層された基板（４５）と、前記絶縁膜に重なった状態で前記基板の上面に配された多層構造の第２の圧電素子（４７，４９）とを有し、前記第２の圧電素子の屈曲変形により前記基板を変位させることで、前記反射部の向きを変化させる駆動部（９）と、を備え、
前記第２の圧電素子は、下部電極（４７ｃ）と、前記下部電極に積層された圧電性を有する膜（４７ｂ）と、前記圧電性を有する膜に積層された上部電極（４７ａ）とを有し、
前記第１の圧電素子に繋がる配線（２１）は、前記基板における前記第２の圧電素子及び前記絶縁膜の下方に配されていること、
を特徴とする光走査装置（１）。
【請求項２】
請求項１に記載の光走査装置において、
前記配線は、前記基板の前記上面に不純物拡散を行うことで形成されたものであること、
を特徴とする光走査装置。
【請求項３】
請求項１に記載の光走査装置において、
前記配線は、前記基板の前記上面に設けられた溝部に金属を配することで形成されたものであること、
を特徴とする光走査装置。
【請求項４】
請求項１から請求項３のうちのいずれか１項に記載の光走査装置において、
前記第１の圧電素子として、第１の方向に延びる第１の軸（２０）を中心に前記反射面の傾きを変化させるＡ圧電素子（３３）と、前記反射面の形状を変化させ、前記反射面の焦点を調整するＢ圧電素子（１４）とが設けられており、
前記配線は、前記Ａ圧電素子と前記Ｂ圧電素子とのうちの双方又は一方に繋がっており、
前記駆動部は、前記第１の方向に交差する第２の方向に延びる第２の軸（１８）を中心に前記反射部の傾きを変化させること、
を特徴とする光走査装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光ビームを走査する光走査装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
光ビームを反射するミラー部の向きを水平方向に変化させる圧電素子と、垂直方向に変化させる圧電素子とにより、２次元に光ビームを走査する光走査装置が知られている（例えば、特許文献１）。
【０００３】
また、圧電素子によりミラー部の反射面の形状を変化させることで、反射された光ビームの焦点を調整することが知られている（例えば、特許文献２）。このような圧電素子により、特許文献１に記載の光走査装置のミラー部の反射面の形状を変化させることで、光ビームを３次元に走査することが可能となる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−４０２４０号公報
【特許文献２】特開２００７−１２１９４４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上述した方法で３次元の走査を行う場合、３種類の圧電素子（ミラー部の向きを水平方向に変化させる圧電素子と、垂直方向に変化させる圧電素子と、焦点を調整する圧電素子）が必要となり、光走査装置が大型化してしまう。
【０００６】
本願発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、光走査装置の小型化を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題に鑑みてなされた本発明の光走査装置（１）は、光ビームを反射させる反射面（１９）と、反射面の向き又は形状を変化させる第１の圧電素子（１４，３３）と、を有する反射部（３）と、基板（４５）と、基板の上面に配された第２の圧電素子（４７，４９）とを有し、第２の圧電素子の屈曲変形により基板を変位させることで、反射部の向きを変化させる駆動部（９）と、を備え、第１の圧電素子に繋がる配線（２１）は、基板における第２の圧電素子の下方に配されていること、を特徴とする。
【０００８】
このような構成によれば、第１の圧電素子に繋がる配線は、第２の圧電素子に覆われた状態で駆動部を構成する基板に配されるため、基板の面積を低減することができる。したがって、光走査装置を小型化することができる。
【０００９】
また、本発明の光走査装置（１）は、光ビームを反射させる反射面（１９）と、反射面の向き又は形状を変化させる第１の圧電素子（１４，３３）と、を有する反射部（３）と、基板（４５）と、基板に配された第２の圧電素子（４７，４９）とを有し、第２の圧電素子の屈曲変形により基板を変位させることで、反射部の向きを変化させる駆動部（９）と、第１の圧電素子に繋がっており、少なくともその一部が基板に配されている配線（２２，４１）と、を備える。
【００１０】
そして、配線は、下部配線（２２ｃ，４１ｃ）と、下部配線の上に配された絶縁層（２２ｂ，２２ｄ，４１ｂ）と、絶縁層の上に配された上部配線（２２ａ，４１ａ）とから構成されている。
【００１１】
このような構成によれば、第１の圧電素子に繋がる配線は、絶縁層を挟んで下部配線と上部配線が積層された構造となっており、これらの上部配線及び下部配線を並べて配置する場合に比べ、配線の配置領域の面積を低減することができる。したがって、配線が配された駆動部の基板等の面積を低減することができ、光走査装置を小型化することができる。
【００１２】
また、本発明の光走査装置（１）は、光ビームを反射させる反射面（１９）と、反射面の向き又は形状を変化させる第１の圧電素子（１４，３３）と、を有する反射部（３）と、基板（４５）と、基板の上面に配された第２の圧電素子（４７，４９）とを有し、第２の圧電素子の屈曲変形により基板を変位させることで、反射部の向きを変化させる駆動部（９）と、を備え、第１の圧電素子に繋がる配線（２３）は、第２の圧電素子の上に配されている。
【００１３】
このような構成によれば、第１の圧電素子に繋がる配線は、第２の圧電素子の上に配されるため、駆動部を構成する基板の面積を低減することができる。したがって、光走査装置を小型化することができる。
【００１４】
なお、この欄及び特許請求の範囲に記載した括弧内の符号は、一つの態様として後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものであって、本発明の技術的範囲を限定するものでは無い。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】第１実施形態の光走査装置１の構成を示す平面図である。
【図２】図１のI−I断面における断面図である。
【図３】図１のII−II断面における断面図である。
【図４】第２実施形態の光走査装置１の構成を示す平面図である。
【図５】図４のIII−III断面における断面図である。
【図６】図４のIV−IV断面における断面図である。
【図７】第３実施形態の光走査装置１の構成を示す平面図である。
【図８】図７のV−V断面における断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明の実施形態について図面を用いて説明する。なお、本発明の実施の形態は、下記の実施形態に何ら限定されることはなく、本発明の技術的範囲に属する限り種々の形態を採りうる。
【００１７】
［第１実施形態］
［構成の説明］
第１実施形態の光走査装置１は、反射部３と、支持部５と、一対の第１の駆動部９とを備えている（図１〜図３参照）。
【００１８】
反射部３は、さらに、外周部１０と、内周部１１と、一対の反射部内梁部材１２と、第２の駆動部１３とを備えている。
外周部１０は矩形の枠であり、その枠内に、円板状の内周部１１及び第２の駆動部１３が配置されている。
【００１９】
内周部１１は、その表面全体を覆った状態で第３の駆動部１４が配されている。第３の駆動部１４は、内周部１１の上に積層された圧電素子として構成されており、上部電極１７、厚さ３μｍのＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛）膜１６、及び下部電極１５からなる多層構造を有する。上部電極１７及び下部電極１５は、それぞれ、厚さ０．２μｍのＰｔ膜と厚さ０．１μｍのＴｉ膜とを積層した膜である（図２参照）。なお、ＰＺＴ膜１６に替えて、圧電性を有する他の物質により構成される膜を設けても良い。
【００２０】
第３の駆動部１４は、配線２１により、支持部５に形成された端子２４に電気的に接続されている。配線２１は、上側の反射部内梁部材１２、上側の第２の駆動部１３を構成する基板３１、後述する接続部９Ａ、及び、右側の第１の駆動部９を構成する基板４５の上を通り、端子２４に至る。なお、ここでの上下左右は、図１における上下左右を意味し、光走査装置１を使用する状態での上下左右とは必ずしも一致しない。
【００２１】
第３の駆動部１４の上に、光ビームを反射させる反射面１９が配されている。反射面１９は、厚さ２μｍのアルミニウム薄膜である。内周部１１の裏面には、縁に沿ってリブが設けられており、リブの内側は外周部１０と比べて板厚が小さい。
【００２２】
一対の反射部内梁部材１２は、内周部１１の両端において、内周部１１と外周部１０とを曲げ振動可能に接続する。反射部内梁部材１２は棒状の部材である。反射部内梁部材１２は、内周部１１の中心を通り、上下方向に延びるＡ軸２０上に配置されている。反射部内梁部材１２は、外周部１０に比べて板厚が小さい。
【００２３】
第２の駆動部１３は、屈曲変形が可能な４つの駆動部材２６〜２９から構成される。駆動部材２６〜２９は同様の構造を有する。駆動部材２６は、外周部１０における左上部分と、上側の反射部内梁部材１２における左側とを接続する。駆動部材２７は、外周部１０における右上部分と、上側の反射部内梁部材１２における右側とを接続する。駆動部材２８は、外周部１０における右下部分と、下側の反射部内梁部材１２における右側とを接続する。駆動部材２９は、外周部１０における左下部分と、下側の反射部内梁部材１２における左側とを接続する。
【００２４】
駆動部材２６〜２９は、それぞれ、図２に示すように、板状の基板３１と、その上に形成された圧電素子３３とから構成される。圧電素子３３は、第３の駆動部１４と同様、上部電極３５、ＰＺＴ膜３７、及び下部電極３９からなる多層構造を有する。
【００２５】
駆動部材２６〜２９は、配線４０により端子４３に電気的に接続されている。端子４３は支持部５上に形成されており、配線４０は、後述する接続部９Ａ、及び、基板４５の上を通り、端子４３に至る。第２の駆動部１３は、外周部１０に比べて板厚が小さい。
【００２６】
支持部５は、矩形の枠であり、その枠内に、反射部３、及び一対の第１の駆動部９が配置されている。
一対の第１の駆動部９は、反射部３の左右にそれぞれ１つずつ設けられている。２つの第１の駆動部９は同様の構造を有する。第１の駆動部９は、その下端９Ｃにおいて支持部５に接続するとともに、その上端９Ｄの側において、反射部３に接続している。さらに詳しくは、第１の駆動部９は、その上端９Ｄの側において、反射部３の方向に張り出す接続部９Ａを備えており、その接続部９Ａの先端を、反射部３における上端３Ａに接続させている。
【００２７】
第１の駆動部９は、基板４５と、その上に形成された２枚の圧電素子４７，４９とを備えている。圧電素子４７，４９は、それぞれ、第１の駆動部９の下端９Ｃ側から、上端９Ｄ側まで達している。圧電素子４７，４９の層構成は圧電素子３３と同様である。圧電素子４７，４９の間には一定幅の隙間が存在する。基板４５は、圧電素子４７，４９の間において、それらの長手方向に沿ったスリット（基板４５が切り欠かれた部分）５１を有する。無論、スリット５１を有しない構成としても良い。
【００２８】
第１の駆動部９は、圧電素子４７，４９の屈曲動作により、屈曲変形可能である。第１の駆動部９のうち、変形部（圧電素子４７，４９が設けられており、屈曲方向に直交する方向での幅が十分小さい部分）９Ｂが屈曲変形する。その屈曲の方向は、第１の駆動部９のうち、上端９Ｄ側の部分が、図１の紙面の正面側に移動する方向である。圧電素子４７，４９は、それぞれ、配線５３により、端子５５に電気的に接続されている。配線５３及び端子５５は、ともに支持部５上に形成されている。
【００２９】
右側の第１の駆動部９における反射部３側には、圧電素子４７の長手方向に沿って、第２の駆動部１３に繋がる配線４０と、第３の駆動部１４に繋がる配線２１が配されている。また、左側の第１の駆動部９における反射部３側には、圧電素子４７の長手方向に沿って、第２の駆動部１３に繋がる配線４０が配されている。
【００３０】
配線２１は、上側の反射部内梁部材１２、上側の第２の駆動部１３を構成する基板３１、接続部９Ａ、及び、右側の第１の駆動部９を構成する基板４５の上を通り、端子２４に至る。配線２１は、第１，第２配線２１ａ，２１ｂから構成されており、これらの配線は、これらの部位における配線２１の配置領域に並んで配される（図２，図３参照）。
【００３１】
第１配線２１ａは、第３の駆動部１４における上部電極１７に繋がっており、第２配線２１ｂは、下部電極１５に繋がっている。また、第１，第２配線２１ａ，２１ｂは、非圧電性の導体により構成されている。
【００３２】
また、配線２１のうち、第１の駆動部９に配された部分は、圧電素子４７に覆われた状態で配される（換言すれば、配線２１は、右側の第１の駆動部９における内側に位置する圧電素子４７の下を通って端子２４に至る）。
【００３３】
すなわち、基板４５における圧電素子４７の配置領域では、第１配線２１ａ、及び、第２配線２１ｂを覆った状態で絶縁膜４６が積層されている。そして、絶縁膜４６の上に、圧電素子４７が積層されている（図３参照）。第１配線２１ａ及び第２配線２１ｂは、絶縁膜４６により、圧電素子４７の下部電極４７ｃと絶縁された状態になる。なお、絶縁膜４６は、例えば、ＳｉＯ2により構成されていても良い。
【００３４】
また、左右の第１の駆動部９に配され、第２の駆動部１３に繋がる配線４０も、配線２１と同様の構成を有している。すなわち、配線４０は、第２の駆動部１３を構成する圧電素子３３の上部電極３５に繋がる第１配線４０ａと、下部電極３９に繋がる第２配線４０ｂとから構成されており、第１，第２配線４０ａ，４０ｂは、配線４０の配置領域に並んで配される。また、この第１，第２配線４０ａ，４０ｂは、配線２１と同様、非圧電性の導体により構成されており、基板４５に配された部分は絶縁膜４６に覆われた状態となっている。
【００３５】
［製造方法について］
第１実施形態の光走査装置１は、以下の方法で製造することができる。まず、Ｓｉからなる厚さ３５０μｍの支持層、ＳｉＯ２からなる厚さ２μｍの中間酸化膜、及びＳｉからなる厚さ１０μｍの活性層を積層したＳＯＩウエハを用意する。
【００３６】
次に、配線２１，４０を形成する。具体的には、例えば、ＳＯＩウエハの表面における第１，第２配線の配置領域に不純物拡散を行うことで、配線２１，４０を形成しても良い。こうすることにより、製造プロセスを簡易的にすることができる。
【００３７】
また、例えば、エッチングによりＳＯＩウエハの表面における第１，第２配線の配置領域に溝部を形成した後、これらの溝部に金属膜を製膜することで、配線２１，４０を形成しても良い。こうすることにより、不純物拡散により配線２１，４０を形成する場合に比べ、抵抗を低くすることができる。
【００３８】
次に、右側の第１の駆動部９を構成する基板４５（配線２１が配される基板４５）の表面に、絶縁膜４６を製膜する。
次に、第１〜第３の駆動部９，１３，１４における圧電素子を構成する下部電極とＰＺＴ膜を、ＳＯＩウエハの片面に順次製膜し、所定の形状にエッチングする。なお、右側の第１の駆動部９を構成する下部電極とＰＺＴ膜は、絶縁膜４６の上に製膜される。また、これらの薄膜が形成されたＳＯＩウエハの面を、表面（又は上面）とも記載する。
【００３９】
次に、上部電極１７及び第１配線２１ａ、上部電極３５及び第１配線４０ａが、下部電極１５，３９と接触しないよう、図示しない絶縁膜を製膜し、これを所定の形状にエッチングする。
【００４０】
次に、第１〜第３の駆動部９，１３，１４における圧電素子を構成する上部電極を製膜し、所定の形状にエッチングする。これにより、第１〜第３の駆動部９，１３，１４における圧電素子と、配線５３と、端子２４，４３，５５が形成される。
【００４１】
次に、第３の駆動部１４を構成する圧電素子の上に、反射面１９を製膜する。
次に、このＳＯＩウエハを選択的にエッチングすることで、支持部５と、基板３１，４５と、接続部９Ａと、外周部１０と、反射部内梁部材１２と、内周部１１とを含む一体の部材を形成する。
【００４２】
このとき、図２に示すように、支持部５、内周部１１の一部、及び外周部１０は、支持層２０１、中間酸化膜２０３、及び活性層２０５を有する。一方、基板３１，４５と、反射部内梁部材１２と、内周部１１の一部は、活性層２０５からなる。
【００４３】
［動作について］
図１に基づき、光走査装置１の動作について説明する。一対の端子５５に、それぞれ第１駆動信号源１０１を接続し、６０Ｈｚの駆動信号Ｓ１を印加する。駆動信号Ｓ１により、第１の駆動部９における圧電素子４７，４９が屈曲し、接続部９Ａが、図１の紙面の正面に向かって移動する。反射部３の上端３Ａは第１の駆動部９の接続部９Ａに接続しているので、第１の駆動部９の上述した屈曲により、反射部３の上端３Ａは、図１における紙面における正面に向かって変位する。
【００４４】
その結果、反射部３が、Ａ軸２０に直交するＢ軸１８を中心軸とする曲げ振動を行う。この振動は非共振振動である。
また、一対の端子４３のうちの一方に、第２駆動信号源１０３を直接接続すると共に、他方の端子４３に、位相反転回路１０５を介して第２駆動信号源１０３を接続する。この結果、一対の端子４３のうちの一方には、３０ｋＨｚの駆動信号Ｓ２が印加され、他方の端子４３には、駆動信号Ｓ２とは逆位相の駆動信号Ｓ３が印加される。
【００４５】
駆動信号Ｓ２，Ｓ３により、第２の駆動部１３は、駆動部材２６，２９の左右方向の中央が上方に移動し、且つ、駆動部材２７，２８の左右方向の中央が下方に移動した状態と、駆動部材２６，２９の左右方向の中央が下方に移動し、且つ、駆動部材２７，２８の左右方向の中央が上方に移動した状態とに、交互に変位する。これにより、内周部１１に、反射部内梁部材１２（Ａ軸２０）を中心軸とする曲げ振動を行わせる。この振動は共振振動である。
【００４６】
さらに、焦点制御回路１０６からの駆動信号Ｓ４が端子２４に印可され、駆動信号Ｓ４により、第３の駆動部１４が屈曲変形し、これに伴い反射面１９も屈曲変形する。これにより、反射面１９から反射された光ビームの焦点が調整される。
【００４７】
このように、反射部３の内周部１１に設けられた反射面１９は、Ａ軸２０及びＢ軸１８のそれぞれについて揺動可能であると共に、その焦点を調整可能である。このため、反射面１９で反射した光ビームを３次元に走査できる。
【００４８】
［第２実施形態］
［構成の説明］
第２実施形態の光走査装置１は、第１実施形態の光走査装置１と同様の構成を有しているが、第２の駆動部１３に繋がる配線４１や、第３の駆動部１４に繋がる配線２２の配置位置や構成等が異なっている（図４〜図６参照）。
【００４９】
第１実施形態と同様、配線２２は、上側の反射部内梁部材１２、上側の第２の駆動部１３を構成する基板３１、接続部９Ａ、及び、右側の第１の駆動部９を構成する基板４５の上を通り、端子２４に至る。
【００５０】
配線２２は、圧電素子４７が設けられている基板４５に配された下部配線２２ｃと、下部配線２２ｃの上に配された絶縁層２２ｂ，２２ｄと、絶縁層２２ｂ，２２ｄの上に配された上部配線２２ａとからなる多層構造となっている。下部配線２２ｃは第３の駆動部１４における下部電極１５に、上部配線２２ａは第３の駆動部１４における上部電極１７に繋がっている（図５，図６参照）。
【００５１】
ここで、上述したように、第１〜第３の駆動部を構成する圧電素子は、厚さ０．２μｍのＰｔ膜と厚さ０．１μｍのＴｉ膜とを積層して形成された下部電極及び上部電極と、ＰＺＴ膜とからなる多層構造となっている。
【００５２】
これに対し、配線２２における下部配線２２ｃ及び上部配線２２ａは、圧電素子の下部電極及び上部電極と同じ構成となっており、厚さ０．２μｍのＰｔ膜と厚さ０．１μｍのＴｉ膜とを積層して形成されている。
【００５３】
また、配線２２における絶縁層２２ｂ，２２ｄのうち、変形部９Ｂ以外の部位に配された絶縁層２２ｄは、圧電素子のＰＺＴ膜と同じ構成となっており、厚さ３μｍのＰＺＴの膜により構成されている。一方、変形部９Ｂに位置する絶縁層２２ｂは、ＰＺＴから圧電性を除去することで得られた物質により構成されており、厚さが３μｍとなっている。具体的には、絶縁層２２ｂは、例えば、レーザーアニールによりＰＺＴから鉛を除去して得られた物質により構成されていても良い。具体的には、該物質とは、ペロブスカイト相ではない非圧電性の絶縁膜（一例として、Ｐｂ2Ｔｉ2Ｏ7とＰｂ2Ｚｒ2Ｏ7の混合物）であっても良い。
【００５４】
一方、第２の駆動部１３に繋がる配線４１は、第１実施形態と同様、左右の第１の駆動部９に配されており、接続部９Ａ、及び、基板４５の上を通り、端子４３に至る。配線４１も、配線２２と同様の構成を有している。すなわち、配線４１は、配線２２と同様の下部配線４１ｃ、絶縁層４１ｂ、及び上部配線４１ａからなる多層構造を有している（図５参照）。そして、配線４１のうち、変形部９Ｂ以外の部位に配された部分の絶縁層４１ｂはＰＺＴ膜として構成されており、変形部９Ｂに配された部分の絶縁層４１ｂは、ＰＺＴから圧電性を除去することで得られた物質により構成されている。具体的には、該物質とは、ペロブスカイト相ではない非圧電性の絶縁膜（一例として、Ｐｂ2Ｔｉ2Ｏ7とＰｂ2Ｚｒ2Ｏ7の混合物）であっても良い。
【００５５】
［製造方法について］
第２実施形態の光走査装置１は、以下の方法で製造することができる。まず、第１実施形態と同様のＳＯＩウエハを用意する。
【００５６】
次に、第１〜第３の駆動部９，１３，１４における圧電素子を構成する下部電極とＰＺＴ膜を、ＳＯＩウエハの片面に順次製膜し、所定の形状にエッチングする。次に、これらの圧電素子を構成する上部電極を製膜し、所定の形状にエッチングする。
【００５７】
これらのエッチングで、配線２２，４１，５３と、端子２４，４３，５５も形成するが、配線２２，４１を形成する際には、上部電極の形成前に、ＰＺＴ膜のうち、変形部９Ｂに配される部分に対してレーザーアニールを行う。これにより、当該部分から鉛を除去し、当該部分を、ペロブスカイト相ではない非圧電性の絶縁膜（一例として、Ｐｂ2Ｔｉ2Ｏ7とＰｂ2Ｚｒ2Ｏ7の混合物）とする。
【００５８】
次に、第３の駆動部１４を構成する圧電素子の上に、反射面１９を製膜する。
次に、このＳＯＩウエハを選択的にエッチングすることで、支持部５と、基板３１，４５と、接続部９Ａと、外周部１０と、反射部内梁部材１２と、内周部１１とを含む一体の部材を形成する。
【００５９】
このとき、第１実施形態と同様、支持部５、内周部１１の一部、及び外周部１０は、支持層２０１、中間酸化膜２０３、及び活性層２０５を有する。一方、基板３１，４５と、反射部内梁部材１２と、内周部１１の一部は、活性層２０５からなる。
【００６０】
［動作について］
第２実施形態の光走査装置１もまた、第１実施形態と同様、端子５５に６０Ｈｚの駆動信号Ｓ１が印可されると共に、一対の端子４３の各々に３０ｋＨｚの駆動信号Ｓ２，Ｓ３が印加され、さらに、端子２４には、駆動信号Ｓ４が印可される（図４参照）。
【００６１】
このため、第１実施形態と同様、反射部３がＢ軸１８を中心軸とする曲げ振動を行うと共に、内周部１１がＡ軸２０を中心軸とする曲げ振動を行い、さらに、第３の駆動部１４が屈曲変形し、反射面１９から反射された光ビームの焦点が調整される。このため、反射面１９で反射した光ビームを３次元に走査できる。
【００６２】
［第３実施形態］
［構成の説明］
第３実施形態の光走査装置１は、第１実施形態の光走査装置１と同様の構成を有しているが、第３の駆動部１４に繋がる配線２３の配置位置等が異なっている（図７，図８参照）。
【００６３】
第１実施形態と同様、配線２３は、上側の反射部内梁部材１２、上側の第２の駆動部１３を構成する基板３１、接続部９Ａ、及び、右側の第１の駆動部９を構成する基板４５の上を通り、端子２４に至る。なお、ここでの上下左右は、図７における上下左右を意味し、光走査装置１を使用する状態での上下左右とは必ずしも一致しない。
【００６４】
また、配線２３は、第１実施形態と同様、第１，第２配線から構成されており、これらの配線は、配線２３の配置領域に並んで配される。第１配線は、第３の駆動部１４における上部電極１７に繋がっており、第２配線は、下部電極１５に繋がっている。第１，第２配線は、非圧電性の導体により構成されている。
【００６５】
そして、配線２３のうち、第１の駆動部９に配された部分は、圧電素子４７の上に配される（換言すれば、配線２３は、右側の第１の駆動部９における内側に位置する圧電素子４７の上を通って端子２４に至る）。
【００６６】
すなわち、右側の第１の駆動部９における内側の圧電素子４７の上部電極４７ａの上には、絶縁膜４７ｄが形成されており、絶縁膜４７ｄの上に、配線２３を構成する第１，第２配線２３ａ，２３ｂが配される（図８参照）。換言すれば、第１配線２３ａ及び第２配線２３ｂは、絶縁膜４７ｄにより、圧電素子４７の上部電極４７ａと絶縁された状態になる。なお、絶縁膜４７ｄは、例えば、ＳｉＯ2により構成されていても良い。
【００６７】
一方、配線４２は、第１実施形態と同様に配置されている。また、配線４２は、配線２３と同様、第１，第２配線４２ａ，４２ｂから構成されており、これらは、配線４２の配置領域に並んで配される。第１配線４２ａは、第２の駆動部１３の圧電素子３３における上部電極３５に繋がっており、第２配線４２ｂは、下部電極３９に繋がっている。第１，第２配線４２ａ，４２ｂは、非圧電性の導体により構成されている。
【００６８】
［製造方法について］
第３実施形態の光走査装置１は、以下の方法で製造することができる。まず、第１実施形態と同様のＳＯＩウエハを用意する。
【００６９】
次に、第１〜第３の駆動部９，１３，１４における圧電素子を構成する下部電極とＰＺＴ膜を、ＳＯＩウエハの片面に順次製膜し、所定の形状にエッチングする。
次に、第１〜第３の駆動部９，１３，１４における圧電素子を構成する上部電極を製膜し、所定の形状にエッチングする。これにより、第１〜第３の駆動部９，１３，１４における圧電素子と、配線５３と、端子２４，４３，５５が形成される。
【００７０】
次に、右側の第１の駆動部９の圧電素子４７を覆う絶縁膜４７ｄを形成する。
次に、配線２３，４２を形成する。具体的には、例えば、第１，第２配線の配置領域に金属膜を形成することで、配線２３，４２を形成しても良い。なお、配線２３は、右側の第１の駆動部９の圧電素子４７を覆う絶縁膜４７ｄの上に形成される。
【００７１】
次に、第３の駆動部１４を構成する圧電素子の上に、反射面１９を製膜する。
次に、このＳＯＩウエハを選択的にエッチングすることで、支持部５と、基板３１，４５と、接続部９Ａと、外周部１０と、反射部内梁部材１２と、内周部１１とを含む一体の部材を形成する。
【００７２】
このとき、第１実施形態と同様、支持部５、内周部１１の一部、及び外周部１０は、支持層２０１、中間酸化膜２０３、及び活性層２０５を有する。一方、基板３１，４５と、反射部内梁部材１２と、内周部１１の一部は、活性層２０５からなる。
【００７３】
［効果］
第１実施形態の光走査装置１によれば、第３の駆動部１４に繋がる配線２１は、右側の第１の駆動部９における圧電素子４７に覆われた状態で基板４５に配されるため、第１の駆動部９を構成する基板４５の面積を低減することができる。したがって、３次元での光ビームの走査が可能な光走査装置１を小型化することができる。
【００７４】
また、第２実施形態の光走査装置１によれば、第２，第３の駆動部１３，１４に繋がる配線２２，４１は、絶縁層を挟んで下部配線と上部配線が積層された構造となっている。このため、これらの上部配線及び下部配線を並べて配置する場合に比べ、配線２２，４１の配置領域の面積を低減することができる。したがって、３次元での光ビームの走査が可能な光走査装置１を小型化することができる。
【００７５】
また、第３実施形態の光走査装置１によれば、第３の駆動部１４に繋がる配線２３は、右側の第１の駆動部９における圧電素子４７の上に配されるため、第１の駆動部９を構成する基板４５の面積を低減することができる。したがって、３次元での光ビームの走査が可能な光走査装置１を小型化することができる。
【００７６】
さらに、第１〜第３実施形態の光走査装置１によれば、第１の駆動部９の変形部９Ｂにおける圧電素子４７が配された部分の幅が狭くなり、変形部９Ｂが屈曲し易くなる。これにより、反射部３の上端３Ａを大きく変位させることが可能となり、Ｂ軸１８を中心とした走査角度を大きくすることができる。
【００７７】
［他の実施形態］
（１）第１実施形態では、第２，第３の駆動部１３，１４に繋がる配線２１，４０の双方が、第１，第２配線を並べた構成となっており、第３実施形態では、第２，第３の駆動部１３，１４に繋がる配線２３，４２の双方が、第１，第２配線を並べた構成となっている。しかしながら、第２の駆動部１３に繋がる配線４０，４２については、第２実施形態における配線４１と同じ構成としても良い。
【００７８】
また、第１，第３実施形態において、左右両側に配された配線４０，４２は、圧電素子４７に隣接して配されている。しかしながら、第１実施形態において、配線４０は、配線２１と同様、圧電素子４７に覆われた状態で配されていても良い。また、第３実施形態において、配線４２は、配線２３と同様、圧電素子４７の上に配されていても良い。
【００７９】
このような場合であっても、同様の効果を得ることができる。
（２）また、第２実施形態において、第２，第３の駆動部１３，１４に繋がる配線２２，４１は、下部配線，絶縁層，上部配線からなる多層構造となっており、これらの配線のうち、第１の駆動部９における変形部９Ｂに位置する部分の絶縁層は、非圧電性の物質により構成されている。
【００８０】
しかしながら、これに限らず、配線２２，４１の全ての区間における絶縁層を、非圧電性の物質により構成しても良いし、変形部９Ｂに位置する配線のうちの一部の区間の絶縁層を、非圧電性の物質により構成しても良い。また、配線２２，４１の全ての区間における絶縁層を、圧電性の物質（例えば、ＰＺＴ）により構成してもよい。このような場合であっても、同様の効果を得ることができる。
【００８１】
また、第２実施形態では、配線２２，４１の双方が、第１の駆動部９における変形部９Ｂに位置する部分の絶縁層が非圧電性となっている。しかしながら、配線２２，４１の一方についてのみ、変形部９Ｂに位置する部分の絶縁層を非圧電性としても良い。このような場合であっても、同様の効果を得ることができる。
【００８２】
（３）また、第１〜第３実施形態や、他の実施形態（１），（２）の光走査装置１は、反射部３には第２，第３の駆動部１３，１４が設けられているが、これらの駆動部のうちの一方のみを設ける構成としても良い。このような場合であっても、同様の効果を得ることができる。
【００８３】
［特許請求の範囲との対応］
上記実施形態の説明で用いた用語と、特許請求の範囲の記載に用いた用語との対応を示す。
【００８４】
第３の駆動部１４及び圧電素子３３が第１の圧電素子の一例に、第３の駆動部１４がＢ圧電素子の一例に、圧電素子３３がＡ圧電素子の一例に、圧電素子４７，４９が第２の圧電素子の一例に、第１の駆動部９が駆動部の一例に、Ａ軸２０が第１の軸の一例に、Ｂ軸１８が第２の軸の一例に相当する。
【符号の説明】
【００８５】
１…光走査装置、３…反射部、５…支持部、７…梁部材、９…第１の駆動部、１２…反射部内梁部材、１３…第２の駆動部、１４…第３の駆動部、１５…下部電極、１６…ＰＺＴ膜、１７…上部電極、１８…Ｂ軸、１９…反射面、２０…Ａ軸、２１…配線、２２…配線、２３…配線、２４…端子、３３…圧電素子、３５…上部電極、３７…ＰＺＴ膜、３９…下部電極、４０…配線、４１…配線、４２…配線、４７…圧電素子、４９…圧電素子。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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