(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電素子を搭載可能な回路付サスペンション基板であって、
金属支持基板と、
前記圧電素子に電気的に接続可能な端子を有し、前記金属支持基板の上に間隔を隔てて配置される導体層と、
前記導体層を支持するように前記金属支持基板と前記導体層との間に配置される第１絶縁層と、
前記端子を露出するように前記第１絶縁層および前記導体層の上に配置される第２絶縁層と
を備え、
前記第１絶縁層は、
前記金属支持基板の厚み方向に見て前記端子を含む第１部分と、
前記厚み方向に見て前記第１部分と異なる位置に配置される第２部分と
を備え、
前記第１部分の厚みは、前記第２部分の厚みよりも薄いことを特徴とする、回路付サスペンション基板。
【請求項２】
前記第１部分の面積は、前記厚み方向に見て、前記端子の面積よりも大きいことを特徴とする、請求項１に記載の回路付サスペンション基板。
【請求項３】
前記第２絶縁層は、
前記第１部分の上に配置される第３部分と、
前記第２部分の上に配置される第４部分と
を備え、
前記第３部分の厚みは、前記第４部分の厚みと同じであることを特徴とする、請求項２に記載の回路付サスペンション基板。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか一項に記載の回路付サスペンション基板の製造方法であって、
前記金属支持基板の上に、前記第１絶縁層を形成する工程と、
前記第１絶縁層の上に前記導体層を形成する工程と、
前記端子を露出するように前記第１絶縁層および前記導体層の上に前記第２絶縁層を形成する工程と
を含み、
均一な厚みで塗布された感光性樹脂のワニスを階調露光することにより、前記第１絶縁層に、前記第１部分と前記２部分とを形成することを特徴とする、回路付サスペンション基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路付サスペンション基板、および、回路付サスペンション基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ハードディスクドライブに実装される回路付サスペンション基板として、磁気ヘッドを有するスライダが搭載可能な回路付サスペンション基板が知られている。
【０００３】
このような回路付サスペンション基板として、例えば、磁気ヘッドの位置および角度を精細に調節するために、圧電素子が搭載された回路付サスペンション基板が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１５−１２５７９３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記した特許文献１に記載されるような回路付サスペンション基板において、圧電素子をより確実に回路付サスペンション基板に接合することが検討される。
【０００６】
本発明の目的は、圧電素子を端子に確実に接合することができる回路付サスペンション基板、および、回路付サスペンション基板の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために、本発明［１］は、圧電素子を搭載可能な回路付サスペンション基板であって、金属支持基板と、前記圧電素子に電気的に接続可能な端子を有し、前記金属支持基板の上に間隔を隔てて配置される導体層と、前記導体層を支持するように前記金属支持基板と前記導体層との間に配置される第１絶縁層と、前記端子を露出するように前記第１絶縁層および前記導体層の上に配置される第２絶縁層とを備え、前記第１絶縁層が、前記金属支持基板の厚み方向に見て前記端子を含む第１部分と、前記厚み方向に見て前記第１部分と異なる位置に配置される第２部分とを備え、前記第１部分の厚みが、前記第２部分の厚みよりも薄い、回路付サスペンション基板を含んでいる。
【０００８】
このような構成によれば、第１絶縁層において、圧電素子に電気的に接続可能な端子が形成される第１部分を、そのほかの部分（第２部分）よりも薄く形成することにより、厚み方向における圧電素子と金属支持基板との距離を調整することができる。
【０００９】
また、第１絶縁層を薄く形成することにより、端子と圧電素子との間隔を確保することができ、端子と圧電素子との間に十分に接合剤を充填することができる。
【００１０】
その結果、圧電素子を、端子に確実に接合することができる。
【００１１】
本発明［２］は、前記第１部分の面積が、前記厚み方向に見て、前記端子の面積よりも大きい、上記［１］の回路付サスペンション基板を含んでいる。
【００１２】
このような構成によれば、第１部分の上において、圧電素子を確実に端子に接合することができる。
【００１３】
本発明［３］は、前記第２絶縁層が、前記第１部分の上に配置される第３部分と、前記第２部分の上に配置される第４部分とを備え、前記第３部分の厚みが、前記第４部分の厚みと同じである、上記［２］の回路付サスペンション基板を含んでいる。
【００１４】
このような構成によれば、第３部分の厚みにより、簡易な構成で、端子と圧電素子との間隔を確保することができる。
【００１５】
本発明［４］は、上記［１］〜［３］のいずれか１つの回路付サスペンション基板の製造方法であって、前記金属支持基板の上に、前記第１絶縁層を形成する工程と、前記第１絶縁層の上に前記導体層を形成する工程と、前記端子を露出するように前記第１絶縁層および前記導体層の上に前記第２絶縁層を形成する工程とを含み、均一な厚みで塗布された感光性樹脂のワニスを階調露光することにより、前記第１絶縁層に、前記第１部分と前記２部分とを形成する、回路付サスペンション基板の製造方法を含んでいる。
【００１６】
このような方法によれば、第１絶縁層を形成する工程を利用して、別途工程を増やすことなく、効率よく第１部分の厚みを調整することができる。
【発明の効果】
【００１７】
本発明の回路付サスペンション基板によれば、圧電素子を、端子により確実に接合することができる。
【００１８】
本発明の回路付サスペンション基板の製造方法によれば、上記の回路付サスペンション基板を効率よく製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】図１は、本発明の第１実施形態の回路付サスペンション基板を示す平面図である。
【図２】図２は、図１に示す回路付サスペンション基板のＡ−Ａ断面図である。
【図３】図３Ａ〜図３Ｅは、第１実施形態の回路付サスペンション基板の製造方法であって、図３Ａは、金属支持基板を用意する工程、図３Ｂは、金属支持基板の上に感光性樹脂の皮膜を形成し、階調露光する工程、図３Ｃは、階調露光した皮膜を現像し、ベース絶縁層を形成する工程、図３Ｄは、ベース絶縁層の上に導体パターンを形成する工程、図３Ｅは、カバー絶縁層を形成する工程を示す。
【図４】図４は、本発明の第２実施形態の回路付サスペンション基板を示す平面図である。
【図５】図５は、図４に示す回路付サスペンション基板のＡ−Ａ断面図である。
【図６】図６Ａ〜図６Ｄは、第２実施形態の回路付サスペンション基板の製造方法であって、図６Ａは、金属支持基板を用意する工程、図６Ｂは、金属支持基板の上に、ベース絶縁層を形成する工程、図６Ｃは、ベース絶縁層の上に第１導体パターンを形成する工程、図６Ｄは、金属支持基板、ベース絶縁層および第１導体パターンの上に感光性樹脂の皮膜を形成し、階調露光する工程を示す。
【図７】図７Ｅ〜図７Ｇは、図６Ｄに続いて、第２実施形態の回路付サスペンション基板の製造方法であって、図７Ｅは、階調露光した皮膜を現像し、中間絶縁層を形成する工程、図７Ｆは、中間絶縁層の上に第２導体パターンを形成する工程、図７Ｇは、カバー絶縁層を形成する工程を示す。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
（第１実施形態）
図１〜図３Ｅを参照して、第１実施形態の回路付サスペンション基板１について説明する。
【００２１】
回路付サスペンション基板１は、図１に示すように、紙面上下方向に延びる平帯形状に形成されている。図１に仮想線で示すように、スライダ３０および圧電素子３１を搭載可能である。
【００２２】
なお、以下の説明において、後述する磁気ヘッド接続端子１３が配置される側が、回路付サスペンション基板１の先側であり、後述する外部接続端子１４が配置される側が、回路付サスペンション基板１の後側である。また、先側と後側とを結ぶ方向（先後方向）、および、後述する金属支持基板２の厚み方向の両方と直交する方向が、回路付サスペンション基板１の幅方向である。
【００２３】
回路付サスペンション基板１は、図１および図２に示すように、金属支持基板２と、第１絶縁層の一例としてのベース絶縁層３と、導体層の一例としての導体パターン４と、第２絶縁層の一例としてのカバー絶縁層５とを備える。なお、図１では、導体パターン４の構成をより明確に示すために、カバー絶縁層５を省略している。
【００２４】
金属支持基板２は、枠部７と、支持部８と、配線部９とを一体的に備えている。
【００２５】
枠部７は、金属支持基板２の先端部に配置されている。枠部７は、後端部が絞られた平面視略矩形の枠形状を有している。
【００２６】
支持部８は、枠部７の内側に配置されている。支持部８は、平面視略矩形の平板形状に形成されている。支持部８の先端部は、枠部７の先側の内周縁に連続する。支持部８の後端部は、枠部７の後側の内周縁に対して間隔を隔てる。支持部８の幅方向端部は、枠部７の幅方向の内周縁に対して間隔を隔てる。すなわち、支持部８と枠部７との間には、先側に向かって開放される平面視略Ｕ字形状の開口１０が形成されている。
【００２７】
配線部９は、枠部７の後端部から連続して後方へ延びる。配線部９は、平帯形状に形成されている。
【００２８】
ベース絶縁層３は、金属支持基板２の上に配置されている。ベース絶縁層３は、先後方向に延びる平帯形状に形成されている。ベース絶縁層３には、開口１１と、複数（２つ）の凹部１２が形成されている。
【００２９】
開口１１は、ベース絶縁層３の先端部において、幅方向中央部に配置されている。開口１１は、平面視略矩形状に形成されている。開口１１は、ベース絶縁層３を厚み方向に貫通している。開口１１は、金属支持基板２の支持部８を露出する。開口１１の後側周縁部は、支持部８の後端縁よりも後方に配置されている。開口１１の後側周縁部は、支持部８の後端縁に対して間隔を隔てている。
【００３０】
複数の凹部１２は、開口１１の後側に配置されている。複数の凹部１２は、幅方向において、互いに間隔を隔てて並列配置されている。凹部１２は、平面視において、すなわち、金属支持基板２の厚み方向に見て、略矩形状に形成されている。凹部１２は、ベース絶縁層３の上面から金属支持基板２に向かって凹んでいる。凹部１２が形成されている部分が、ベース絶縁層３の第１部分３Ａである。また、凹部１２が形成されている部分以外の部分が、ベース絶縁層３の第２部分３Ｂである。すなわち、第２部分３Ｂは、平面視において、第１部分３Ａと異なる位置に配置されている。ベース絶縁層３において、第１部分３Ａの厚みは、第２部分３Ｂの厚みよりも薄い。
【００３１】
導体パターン４は、ベース絶縁層３の上面に形成されている。すなわち、導体パターン４は、金属支持基板２の上に間隔を隔てて配置され、ベース絶縁層３によって支持されている。言い換えると、ベース絶縁層３は、金属支持基板２と導体パターン４との間に配置されている。導体パターン４は、複数（８つ）の磁気ヘッド接続端子１３、複数（８つ）の外部接続端子１４、複数（８つ）の第１配線１５、複数（２つ）の端子の一例としての圧電素子接続端子１６、複数（２つ）の電源端子１７、複数（２つ）の第２配線１８、および、複数（２つ）のグランド端子１９を備えている。
【００３２】
複数の磁気ヘッド接続端子１３は、ベース絶縁層３の開口１１の先側に配置されている。複数の磁気ヘッド接続端子１３は、互いに間隔を隔てて、幅方向に並列配置されている。磁気ヘッド接続端子１３は、平面視略矩形状（角ランド形状）に形成されている。
【００３３】
複数の外部接続端子１４は、配線部９の上のベース絶縁層３の後端部に配置されている。複数の外部接続端子１４は、互いに間隔を隔てて、幅方向に並列配置されている。外部接続端子１４は、平面視略矩形状（角ランド形状）を有している。なお、外部接続端子１４は、外部制御基板（図示せず）などに接続されるものであり、外部制御基板（図示せず）の構成に応じて、その形状や配置、接合方法を任意に選択することができる。
【００３４】
複数の第１配線１５は、枠部７および配線部９にわたって、互いに間隔を隔てて配置されている。第１配線１５は、対応する磁気ヘッド接続端子１３の先端部から、開口１１の幅方向外側を通って、対応する外部接続端子１４に連続する。
【００３５】
圧電素子接続端子１６は、平面視において、凹部１２の内側に配置されている。圧電素子接続端子１６は、第１部分３Ａの上面に形成されている。圧電素子接続端子１６は、平面視略矩形状（角ランド形状）に形成されている。平面視において、圧電素子接続端子１６の面積は、第１部分３Ａの面積よりも小さい。すなわち、圧電素子接続端子１６は、平面視において、第１部分３Ａに含まれる。
【００３６】
複数の電源端子１７は、配線部９の上のベース絶縁層３の後端部において、すべての外部接続端子１４よりも幅方向内方に配置されている。複数の電源端子１７は、幅方向において、互いに間隔を隔てて並列配置されている。電源端子１７は、平面視略矩形状（角ランド形状）に形成されている。なお、電源端子１７は、外部の配線回路基板（図示せず）などに接続されるものであり、外部の配線回路基板（図示せず）の構成に応じて、その形状や配置、接合方法を任意に選択することができる。
【００３７】
複数の第２配線１８は、枠部７および配線部９にわたって、互いに間隔を隔てて配置されている。第２配線１８は、対応する圧電素子接続端子１６と電源端子１７とに連続する。
【００３８】
複数のグランド端子１９は、金属支持基板２の支持部８の後端部に配置されている。複数のグランド端子１９は、幅方向において、互いに間隔を隔てて並列配置されている。グランド端子１９は、平面視略矩形状（角ランド形状）に形成されている。グランド端子１９は、支持部８の上面に接触している。グランド端子１９は、支持部８に電気的に接続されている。
【００３９】
カバー絶縁層５は、ベース絶縁層３および導体パターン４の上に配置されている。カバー絶縁層５は、磁気ヘッド接続端子１３、外部接続端子１４、圧電素子接続端子１６および電源端子１７を露出し、第１配線１５および第２配線１８を被覆する。カバー絶縁層５は、均一な厚みで形成されている。すなわち、カバー絶縁層５において、ベース絶縁層３の第１部分３Ａの上に配置される部分（第３部分５Ａ）の厚みと、ベース絶縁層３の第２部分３Ｂの上に配置される部分（第４部分５Ｂ）の厚みとは、同じである。
【００４０】
次いで、図３Ａ〜図３Ｅを参照して、回路付サスペンション基板１の製造方法について説明する。
【００４１】
回路付サスペンション基板１を製造するには、図３Ａに示すように、まず、金属支持基板２を用意する。
【００４２】
金属支持基板２を形成する材料としては、例えば、ステンレス、４２アロイ、アルミニウム、銅−ベリリウム、りん青銅などの金属材料が挙げられ、好ましくは、ステンレスが挙げられる。
【００４３】
金属支持基板２の厚みは、例えば、１５μｍ以上であり、例えば、５０μｍ以下、好ましくは、３０μｍ以下である。
【００４４】
次いで、図３Ｂに示すように、金属支持基板２の上面に、感光性樹脂のワニスを均一な厚みで塗布し、乾燥する。これにより、金属支持基板２の上面に、均一な厚みを有する感光性樹脂の皮膜Ｆ１を形成する。
【００４５】
感光性樹脂としては、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、アクリル樹脂、ポリエーテルニトリル樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂などの合成樹脂が挙げられる。好ましくは、ポリイミド樹脂が挙げられる。
【００４６】
次いで、フォトマスクＭ１を皮膜Ｆ１の上側に配置し、フォトマスクＭ１を介して、皮膜Ｆ１を階調露光する。
【００４７】
フォトマスクＭ１は、遮光部分Ｍ１１、全透過部分Ｍ１２および半透過部分Ｍ１３からなる階調パターンを備えている。
【００４８】
遮光部分Ｍ１１は、ベース絶縁層３を形成しない部分に対向される。遮光部分Ｍ１１は、皮膜Ｆ１への光を遮光する。
【００４９】
全透過部分Ｍ１２は、ベース絶縁層３の第２部分３Ｂを形成する部分に対向される。全透過部分Ｍ１２は、皮膜Ｆ１への光を透過する。
【００５０】
半透過部分Ｍ１３は、ベース絶縁層３の第１部分３Ａを形成する部分に対向される。半透過部分Ｍ１３は、皮膜Ｆ１への光を、全透過部分Ｍ１２を透過する光よりも低い強度に減衰させつつ透過する。
【００５１】
次いで、皮膜Ｆ１を現像する。
【００５２】
すると、皮膜Ｆ１のうち、遮光部分Ｍ１１に対向した部分は、現像液によって溶解され、除去される。また、皮膜Ｆ１のうち、全透過部分Ｍ１２に対向した部分は、現像液によって溶解されず、残存する。また、皮膜Ｆ１のうち、半透過部分Ｍ１３に対向した部分は、現像液によって部分的に溶解され、全透過部分Ｍ１２に対向した部分よりも薄い厚みで残存する。
【００５３】
その後、必要に応じて、皮膜Ｆ１を加熱硬化する。
【００５４】
これにより、図３Ｃに示すように、金属支持基板２の上面に、ベース絶縁層３が、上記したように、第１部分３Ａと第２部分３Ｂとを有するパターンで形成される。
【００５５】
ベース絶縁層３の第１部分３Ａの厚みＬ１は、例えば、１μｍ以上、好ましくは、３μｍ以上であり、例えば、１５μｍ以下、好ましくは、１０μｍ以下である。
【００５６】
ベース絶縁層３の第２部分３Ｂの厚みＬ２は、例えば、３μｍ以上、好ましくは、５μｍ以上であり、例えば、３５μｍ以下、好ましくは、１５μｍ以下である。
【００５７】
第１部分３Ａの厚みＬ１は、第２部分３Ｂの厚みＬ２を１００％としたときに、例えば、１０％以上、好ましくは、３０％以上であり、例えば、９５％以下、好ましくは、８０％以下である。
【００５８】
次いで、図３Ｄに示すように、ベース絶縁層３の上面に、導体パターン４を、アディティブ法またはサブトラクティブ法などにより形成する。
【００５９】
導体パターン４を形成する材料は、例えば、銅、ニッケル、金、はんだ、またはそれらの合金などの導体材料などが挙げられ、好ましくは、銅が挙げられる。
【００６０】
導体パターン４の厚みは、例えば、３μｍ以上、好ましくは、５μｍ以上、例えば、５０μｍ以下、好ましくは、２０μｍ以下である。
【００６１】
第１配線１５および第２配線１８の幅は、例えば、５μｍ以上、好ましくは、８μｍ以上、例えば、２００μｍ以下、好ましくは、１００μｍ以下である。
【００６２】
また、第１配線１５間の幅方向間隔は、例えば、５μｍ以上、好ましくは、８μｍ以上、例えば、１０００μｍ以下、好ましくは、１００μｍ以下である。
【００６３】
また、第１配線１５と第２配線１８との間の幅方向間隔は、例えば、５μｍ以上、好ましくは、８μｍ以上、例えば、１０００μｍ以下、好ましくは、１００μｍ以下である。
【００６４】
また、磁気ヘッド接続端子１３の幅は、例えば、１５μｍ以上、好ましくは、２０μｍ以上、例えば、１０００μｍ以下、好ましくは、８００μｍ以下である。
【００６５】
また、磁気ヘッド接続端子１３間の間隔は、例えば、１５μｍ以上、好ましくは、２０μｍ以上、例えば、１０００μｍ以下、好ましくは、８００μｍ以下である。
【００６６】
また、外部接続端子１４の幅は、例えば、１５μｍ以上、好ましくは、２０μｍ以上、例えば、１０００μｍ以下、好ましくは、８００μｍ以下である。
【００６７】
また、外部接続端子１４の間隔は、例えば、１５μｍ以上、好ましくは、２０μｍ以上、例えば、１０００μｍ以下、好ましくは、８００μｍ以下である。
【００６８】
また、外部接続端子１４と電源端子１７との間隔は、例えば、５μｍ以上、好ましくは、８μｍ以上、例えば、１０００μｍ以下、好ましくは、１００μｍ以下である。
【００６９】
また、圧電素子接続端子１６の幅は、例えば、１５μｍ以上、好ましくは、２０μｍ以上、例えば、１０００μｍ以下、好ましくは、８００μｍ以下である。
【００７０】
また、圧電素子接続端子１６間の間隔は、例えば、１５μｍ以上、好ましくは、２０μｍ以上、例えば、１０００μｍ以下、好ましくは、８００μｍ以下である。
【００７１】
また、グランド端子１９の幅は、例えば、１５μｍ以上、好ましくは、２０μｍ以上、例えば、１０００μｍ以下、好ましくは、８００μｍ以下である。
【００７２】
また、グランド端子１９間の間隔は、例えば、１５μｍ以上、好ましくは、２０μｍ以上、例えば、１０００μｍ以下、好ましくは、８００μｍ以下である。
【００７３】
次いで、導体パターン４を被覆するように、ベース絶縁層３の上に、感光性樹脂のワニスを塗布し、乾燥させた後、露光および現像して、加熱硬化する。なお、このときには、階調露光しない。すなわち、遮光部分と全透過部分とのみからなるパターンを有するフォトマスクを用いて、カバー絶縁層５を形成しない部分に遮光部分を対向させ、カバー絶縁層５を形成する部分に全透過部分を対向させて、露光する。
【００７４】
これにより、図３Ｅに示すように、カバー絶縁層５が、上記したパターンで形成される。
【００７５】
カバー絶縁層５を形成する材料としては、上記したベース絶縁層３と同様の感光性樹脂が挙げられる。
【００７６】
カバー絶縁層５の厚みは、例えば、１μｍ以上、例えば、４０μｍ以下、好ましくは、１０μｍ以下である。
【００７７】
その後、金属支持基板２を上記した外形形状に加工する。このとき、図２に示すように、開口１０が形成される。
【００７８】
金属支持基板２を加工するには、例えば、ドライエッチング（例えば、プラズマエッチング）やウェットエッチング（例えば、化学エッチング）などのエッチング法、例えば、ドリル穿孔、例えば、レーザ加工などの方法が用いられる。好ましくは、エッチング法により加工する。
【００７９】
これにより、回路付サスペンション基板１が完成する。
【００８０】
次いで、図１および図２を参照して、回路付サスペンション基板１に対するスライダ３０および圧電素子３１の実装について説明する。
【００８１】
スライダ３０は、図１に示すように、接着剤等により、金属支持基板２の支持部８に固定される。スライダ３０は、先端部において、図示しない磁気ヘッドを有している。磁気ヘッド接続端子１３は、スライダ３０の図示しない磁気ヘッドの端子に、はんだなどの接合剤を介して接合され、互いに電気的に接続される。
【００８２】
圧電素子３１は、図１および図２に示すように、先後方向に延びる平面視略矩形状に形成されている。圧電素子３１の先端部は、銀ペーストや低融点はんだなどの接合剤３２を介して、グランド端子１９に接合される。圧電素子３１の後端部は、銀ペーストや低融点はんだなどの接合剤３２を介して、圧電素子接続端子１６に接合される。圧電素子３１は、電源端子１７および第２配線１８を介して電力が供給され、その電圧が制御されることによって、先後方向に伸縮する。圧電素子３１が伸縮することにより、スライダ３０の位置を微調整することができる。
【００８３】
この回路付サスペンション基板１によれば、図２に示すように、ベース絶縁層３において、圧電素子接続端子１６が形成される第１部分３Ａを、そのほかの部分（第２部分３Ｂ）よりも薄く形成することにより、厚み方向における圧電素子３１と金属支持基板２との距離を調整することができる。
【００８４】
ここで、厚み方向における圧電素子３１と金属支持基板２との距離を調整する場合、カバー絶縁層５を薄く形成することも検討される。しかし、カバー絶縁層５を薄く形成し、その薄く形成した部分の上に圧電素子３１を載置すると、圧電素子接続端子１６と圧電素子３１との間隔が狭くなり、接合剤３２の量を確保することが困難になるおそれがある。
【００８５】
この点、この回路付サスペンション基板１によれば、ベース絶縁層３を薄く形成している。
【００８６】
そのため、カバー絶縁層５を薄く形成する場合と比べて、圧電素子接続端子１６と圧電素子３１との間隔を確保することができ、圧電素子接続端子１６と圧電素子３１との間に十分に接合剤３２を充填することができる。
【００８７】
その結果、圧電素子３１を、圧電素子接続端子１６に確実に接合することができる。
【００８８】
また、この回路付サスペンション基板１によれば、図１に示すように、第１部分３Ａの面積が、厚み方向に見て、圧電素子接続端子１６の面積よりも大きい。
【００８９】
そのため、第１部分３Ａの上において、圧電素子３１を確実に圧電素子接続端子１６に接合することができる。
【００９０】
また、この回路付サスペンション基板１によれば、図２に示すように、カバー絶縁層５において、ベース絶縁層３の第１部分３Ａの上に配置される第３部分５Ａの厚みは、ベース絶縁層３の第２部分３Ｂの上に配置される第４部分５Ｂの厚みと同じである。
【００９１】
そのため、ベース絶縁層３において、圧電素子接続端子１６が形成される第１部分３Ａを薄く形成して、厚み方向における圧電素子３１と金属支持基板２との距離を調整することができながら、第３部分５Ａの厚みにより、簡易な構成で、圧電素子接続端子１６と圧電素子３１との間隔を確保することができる。
【００９２】
その結果、圧電素子３１を、圧電素子接続端子１６に、より確実に接合することができる。
【００９３】
また、この回路付サスペンション基板１の製造方法によれば、図３Ｂおよび図３Ｃに示すように、均一な厚みで塗布された感光性樹脂のワニスを階調露光することにより、ベース絶縁層３に、第１部分３Ａと第２部分３Ｂとを形成する。
【００９４】
そのため、ベース絶縁層３を形成する工程を利用して、別途工程を増やすことなく、効率よく第１部分３Ａの厚みを調整することができる。
（第２実施形態）
次いで、図４〜図７Ｇを参照して、第２実施形態の回路付サスペンション基板４０について説明する。なお、第２実施形態において、上記した第１実施形態と同様の部材には同様の符号を付し、その説明を省略する。
【００９５】
上記した第１実施形態では、ベース絶縁層３に、厚みが薄い第１部分３Ａを形成し、第１部分３Ａの上に圧電素子接続端子１６を形成している。
【００９６】
対して、第２実施形態では、図６Ｄおよび図７Ｅに示すように、中間絶縁層４１に、厚みが薄い第１部分４１Ａを形成し、第１部分の上に圧電素子接続端子１６を形成する。
【００９７】
第２実施形態の回路付サスペンション基板４０は、図４および図５に示すように、第１実施形態の導体パターン４の代わりに、第１導体パターン４Ａと、導体層の一例としての第２導体パターン４Ｂとを備える。回路付サスペンション基板４０は、第１絶縁層の一例としての中間絶縁層４１を備える。すなわち、第２実施形態の回路付サスペンション基板４０は、金属支持基板２、ベース絶縁層３、第１導体パターン４Ａ、中間絶縁層４１、第２導体パターン４Ｂおよびカバー絶縁層５を備える。なお、図４では、第１導体パターン４Ａおよび第２導体パターン４Ｂの構成をより明確に示すために、中間絶縁層４１およびカバー絶縁層５を省略している。
【００９８】
第１導体パターン４Ａは、ベース絶縁層３の上面に形成されている。第１導体パターン４Ａは、複数（７つ）の磁気ヘッド接続端子１３Ａと、複数（７つ）の外部接続端子１４Ａと、複数（７つ）の第１配線１５Ａとを備えている。
【００９９】
複数の磁気ヘッド接続端子１３Ａは、第１実施形態の磁気ヘッド接続端子１３と同様に、互いに間隔を隔てて、幅方向に並列配置されている。
【０１００】
複数の外部接続端子１４Ａは、第１実施形態の外部接続端子１４と同様に、互いに間隔を隔てて、幅方向に並列配置されている。
【０１０１】
複数の第１配線１５Ａは、第１実施形態の第１配線１５と同様に、互いに間隔を隔てて配置され、対応する磁気ヘッド接続端子１３Ａの先端部から、開口１１の幅方向外側を通って、対応する外部接続端子１４Ａに連続している。
【０１０２】
第２導体パターン４Ｂは、ベース絶縁層３の上面、および、中間絶縁層４１の上面に形成されている。第２導体パターン４Ｂは、１つの磁気ヘッド接続端子１３Ｂと、１つの外部接続端子１４Ｂと、１つの第１配線１５Ｂと、上記した圧電素子接続端子１６、電源端子１７、第２配線１８およびグランド端子１９を備えている。なお、圧電素子接続端子１６、電源端子１７、第２配線１８およびグランド端子１９は、中間絶縁層４１の上に形成されている以外は、第１実施形態と同じである。
【０１０３】
磁気ヘッド接続端子１３Ｂは、ベース絶縁層３の上面に形成されている。磁気ヘッド接続端子１３Ｂは、複数の磁気ヘッド接続端子１３Ａに対して、幅方向に間隔を隔てて配置されている。
【０１０４】
外部接続端子１４Ｂは、ベース絶縁層３の上面に形成されている。外部接続端子１４Ｂは、複数の外部接続端子１４Ａに対して、幅方向に間隔を隔てて配置されている。
【０１０５】
第１配線１５Ｂは、磁気ヘッド接続端子１３Ｂの先端部から、開口１１の幅方向外側を通って、外部接続端子１４Ｂに連続している。第１配線１５Ｂは、磁気ヘッド接続端子１３Ｂの先側において、第１導体パターン４Ａの第１配線１５Ａと交差している。第１配線１５Ｂは、少なくとも、第１導体パターン４Ａの第１配線１５Ａと交差する部分において、中間絶縁層４１の上面に形成され、それ以外の部分において、ベース絶縁層３の上面に形成されている。第１配線１５Ｂは、第１導体パターン４Ａの第１配線１５Ａと交差する部分以外の部分において、複数の第１配線１５Ａに対して、幅方向に間隔を隔てて配置されている。
【０１０６】
中間絶縁層４１は、少なくとも、第１導体パターン４Ａの第１配線１５Ａと、第２導体パターン４Ｂの第１配線１５Ｂとが交差する部分と、圧電素子接続端子１６、電源端子１７、第２配線１８およびグランド端子１９の下とに設けられている。なお、圧電素子接続端子１６、電源端子１７、第２配線１８およびグランド端子１９の下には、ベース絶縁層３が設けられておらず、中間絶縁層４１は、金属支持基板２の上面に直接形成されている。中間絶縁層４１は、第１導体パターン４Ａの第１配線１５Ａと、第２導体パターン４Ｂの第１配線１５Ｂとが交差する部分において、第２導体パターン４Ｂとベース絶縁層３との間に配置されている。中間絶縁層４１は、第１導体パターン４Ａの第１配線１５Ａと、第２導体パターン４Ｂの第１配線１５Ｂとが交差する部分において、第１導体パターン４Ａの第１配線１５Ａを被覆している。
【０１０７】
カバー絶縁層５は、ベース絶縁層３、中間絶縁層４１、第１導体パターン４Ａの第１配線１５Ａ（中間絶縁層４１に覆われていない部分）、第２導体パターン４Ｂの第１配線１５Ｂ、および、第２配線１８の上面に形成されている。すなわち、カバー絶縁層５は、中間絶縁層４１および第２導体パターン４Ｂ上に配置されている。カバー絶縁層５は、第１導体パターン４Ａの第１配線１５Ａ（中間絶縁層４１に覆われていない部分）、および、第２導体パターン４Ｂの第１配線１５Ｂを被覆する。なお、磁気ヘッド接続端子１３Ａ、１３Ｂ、外部接続端子１４Ａ、１４Ｂ、圧電素子接続端子１６、および、電源端子１７は、カバー絶縁層５から露出される。
【０１０８】
そして、第２実施形態では、中間絶縁層４１に、複数の凹部４２が形成されている。
【０１０９】
凹部４２は、第１実施形態の凹部１２と同じ位置に配置され、第１実施形態の凹部１２と同じ形状に形成されている。凹部４２は、中間絶縁層４１の上面から金属支持基板２に向かって凹んでいる。凹部４２が形成されている部分が、中間絶縁層４１の第１部分４１Ａである。また、凹部４２が形成されている部分以外の部分が、中間絶縁層４１の第２部分４１Ｂである。すなわち、第２部分４１Ｂは、平面視において、第１部分４１Ａと異なる位置に配置されている。中間絶縁層４１において、第１部分４１Ａの厚みは、第２部分４１Ｂの厚みよりも薄い。
【０１１０】
次いで、図６Ａ〜図７Ｇを参照して、回路付サスペンション基板４０の製造方法について説明する。
【０１１１】
回路付サスペンション基板４０を製造するには、図６Ａに示すように、まず、第１実施形態と同様の金属支持基板２を用意する。
【０１１２】
次いで、金属支持基板２の上に、感光性樹脂のワニスを塗布し、乾燥させた後、露光および現像して、加熱硬化する。なお、第２実施形態では、このとき、階調露光しない。すなわち、遮光部分と全透過部分とのみからなるパターンを有するフォトマスクを用いて、ベース絶縁層３を形成しない部分に遮光部分を対向させ、ベース絶縁層３を形成する部分に全透過部分を対向させて、露光する。
【０１１３】
これにより、図６Ｂに示すように、ベース絶縁層３が、上記したパターンで形成される。
【０１１４】
次いで、図６Ｃに示すように、ベース絶縁層３の上面に、第１導体パターン４Ａを、アディティブ法またはサブトラクティブ法などにより形成する。
【０１１５】
次いで、図６Ｄに示すように、金属支持基板２、ベース絶縁層３および第１導体パターン４Ａの上面に、感光性樹脂のワニスを均一な厚みで塗布し、乾燥する。これにより、金属支持基板２の上面に、均一な厚みを有する感光性樹脂の皮膜Ｆ２を形成する。
【０１１６】
次いで、フォトマスクＭ２を皮膜Ｆ２の上側に配置し、フォトマスクＭ２を介して、皮膜Ｆ２を階調露光する。フォトマスクＭ２は、遮光部分Ｍ２１、全透過部分Ｍ２２および半透過部分Ｍ２３からなる階調パターンを備えている。
【０１１７】
遮光部分Ｍ２１は、中間絶縁層４１を形成しない部分に対向される。全透過部分Ｍ２２は、中間絶縁層４１の第２部分４１Ｂを形成する部分に対向される。半透過部分Ｍ２３は、中間絶縁層４１の第１部分４１Ａを形成する部分に対向される。
【０１１８】
次いで、皮膜Ｆ２を現像し、その後、必要に応じて、皮膜Ｆ２を加熱硬化する。
【０１１９】
これにより、図７Ｅに示すように、金属支持基板２、ベース絶縁層３および第１導体パターン４Ａの上面に、中間絶縁層４１が上記したパターンで形成される。
【０１２０】
中間絶縁層４１の第１部分４１Ａの厚みＬ１１は、例えば、１μｍ以上、好ましくは、３μｍ以上であり、例えば、１５μｍ以下、好ましくは、１０μｍ以下である。
【０１２１】
中間絶縁層４１の第２部分４１Ｂの厚みＬ１２は、例えば、３μｍ以上、好ましくは、５μｍ以上であり、例えば、３５μｍ以下、好ましくは、１５μｍ以下である。
【０１２２】
第１部分４１Ａの厚みＬ１１は、第２部分４１Ｂの厚みＬ１２を１００％としたときに、例えば、１０％以上、好ましくは、３０％以上であり、例えば、９５％以下、好ましくは、８０％以下である。
【０１２３】
次いで、図７Ｆに示すように、ベース絶縁層３の上面、および、中間絶縁層４１の上面に、第２導体パターン４Ｂを、アディティブ法またはサブトラクティブ法などにより形成する。
【０１２４】
次いで、第１導体パターン４Ａおよび第２導体パターン４Ｂを被覆するように、ベース絶縁層３および中間絶縁層４１の上に、感光性樹脂のワニスを塗布し、乾燥させた後、露光および現像して、加熱硬化する。なお、このときには、階調露光しない。すなわち、遮光部分と全透過部分とのみからなるパターンを有するフォトマスクを用いて、カバー絶縁層５を形成しない部分に遮光部分を対向させ、カバー絶縁層５を形成する部分に全透過部分を対向させて、露光する。
【０１２５】
これにより、図７Ｇに示すように、カバー絶縁層５が、上記したパターンで形成される。
【０１２６】
その後、金属支持基板２を上記した外形形状に加工する。
【０１２７】
これにより、図５に示すように、回路付サスペンション基板４０が完成する。
【０１２８】
第２実施形態においても、第１実施形態と同様の作用効果を得ることができる。
（その他の実施形態）
なお、上記した第２実施形態では、圧電素子接続端子１６と重なる部分において、中間絶縁層４１と金属支持基板２との間に、ベース絶縁層３を設けることもできる。
【符号の説明】
【０１２９】
１      回路付サスペンション基板
２      金属支持基板
３      ベース絶縁層
３Ａ    第１部分
３Ｂ    第２部分
４      導体パターン
４Ｂ    第２導体パターン
５      カバー絶縁層
５Ａ    第３部分
５Ｂ    第４部分
１６    圧電素子接続端子
３１    圧電素子
４０    回路付サスペンション基板
４１    中間絶縁層
４１Ａ  第１部分
４１Ｂ  第２部分
【図１】
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【図２】
0006533153.tif 000003
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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