(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材フィルムに粘着剤組成物からなる粘着剤層を積層してなるダイシングテープであって、
前記粘着剤組成物が（メタ）アクリル酸エステル共重合体１００質量部と、光重合性化合物５〜２５０質量部、硬化剤０．１〜２０質量部と光重合開始剤０．１〜２０質量部を含み、
前記（メタ）アクリル酸エステル共重合体が、メチル（メタ）アクリレート単位を３５〜８５質量％、２−エチルへキシル（メタ）アクリレート単位を１０〜６０質量％、カルボキシル基を有する単量体単位を０．５〜１０質量％、ヒドロキシル基を有する単量体単位を０．０５〜５質量％含有し、
前記光重合性化合物が重量平均分子量４，０００〜８，０００、且つ不飽和二重結合官能基数が１０〜１５のウレタンアクリレートオリゴマーであり、
前記粘着剤層の厚みが３〜７μｍであることを特徴とするダイシングテープ。
【請求項２】
前記硬化剤が多官能イソシアネート硬化剤又は多官能エポキシ硬化剤であることを特徴とする請求項１に記載のダイシングテープ。
【請求項３】
前記ダイシングテープのＪＩＳ  Ｚ  ０２３７に準拠して測定したシリコンウエハの鏡面に対する粘着力が５．０Ｎ／２０ｍｍ以上であることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のダイシングテープ。
【請求項４】
（ａ）半導体ウエハ又は基板とリングフレームとにダイシングテープを貼り付ける貼付工程と、
（ｂ）前記半導体ウエハ又は基板をダイシングして半導体チップ又は半導体部品にするダイシング工程と、
（ｃ）前記ダイシングテープに活性光線を照射する光照射工程と、
（ｄ）前記半導体チップ又は半導体部品同士の間隔を広げるため、前記ダイシングテープを引き伸ばすエキスパンド工程と、
（ｅ）前記ダイシングテープから半導体チップ又は半導体部品をピックアップするピックアップ工程
を含み、
前記ダイシングテープは、請求項１〜請求項３の何れか１つに記載のダイシングテープである、電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品の製造工程で使用されるダイシングテープに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体ウエハ又は基板は、ダイシングテープを貼合してから、素子小片への切断（ダイシング）、ダイシングテープの延伸（エキスパンディング）、ダイシングテープからの素子小片の剥離（ピックアップ）などの各工程へ配される。これらの工程で使用されるダイシングテープには、ダイシング工程では切断された素子小片（チップ）に対して充分な粘着力を有しながら、ピックアップ工程時には糊残りのない程度に粘着力が減少していることが望まれる。【０００３】
ダイシングテープとして、紫外線および／又は電子線などの活性光線に対し透過性を有する基材フィルム上に紫外線等により重合硬化反応をする粘着剤層を塗布したものがある。このダイシングテープでは、ダイシング工程後に紫外線等を粘着剤層に照射し、粘着剤層を重合硬化させて粘着力を低下させた後、切断されたチップをピックアップする方法がとられる。【０００４】
このようなダイシングテープとしては、特許文献１および特許文献２には、基材フィルム面に例えば活性光線によって三次元網状化しうる、分子内に光重合性不飽和二重結合を有する化合物（多官能性オリゴマー）を含有してなる粘着剤を塗布したダイシングテープが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００６−０４９５０９号公報
【特許文献２】特開２００７−２４６６３３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
近年、電子部品の小型化、薄型化に伴い、半導体ウエハ又は基板のダイシング工程において、チップ飛びやチッピング（チップの欠け）が発生しやすくなり、歩留まり低下の要因となる場合があった。【０００７】
そこで、本発明は、小型、薄型の電子部品においても、ダイシング工程でのチップ飛び及びチッピングを抑制でき、ピックアップが容易にでき、糊残りが生じ難いダイシングテープを提供することを主な目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明によれば、基材フィルムに粘着剤組成物からなる粘着剤層を積層してなるダイシングテープであって、前記粘着剤組成物が（メタ）アクリル酸エステル共重合体１００質量部と、光重合性化合物５〜２５０質量部、硬化剤０．１〜２０質量部と光重合開始剤０．１〜２０質量部を含み、前記（メタ）アクリル酸エステル共重合体が、メチル（メタ）アクリレート単位を３５〜８５質量％、２−エチルへキシル（メタ）アクリレート単位を１０〜６０質量％、カルボキシル基を有する単量体単位を０．５〜１０質量％、ヒドロキシル基を有する単量体単位を０．０５〜５質量％含有し、前記光重合性化合物が重量平均分子量４，０００〜８，０００、且つ不飽和二重結合官能基数が１０〜１５のウレタンアクリレートオリゴマーであり、前記粘着剤層の厚みが３〜７μｍであることを特徴とするダイシングテープが提供される。【０００９】
一般に、粘着剤層の厚さを小さくすると、チッピングは発生しにくくなるが、粘着力が小さくなってチップ飛びが発生しやすくなる。また、チップ飛びの発生を抑制させるために粘着剤の組成を調整すると、チッピングが発生しやすくなったり、ピックアップ性が悪くなったり、糊残りが発生しやすくなるという問題が発生しやすい。このため、従来、チッピング、チップ飛び、及び糊残りを効果的に抑制しつつ、ピックアップ性を良好にすることは極めて困難であった。【００１０】
本発明者は、これらの全てにおいて優れたダイシングテープを得るべく鋭意検討を行った結果、特定組成の粘着剤を用いて厚さ３〜７μｍの粘着剤層を形成した場合に、チッピング、チップ飛び、及び糊残りを効果的に抑制しつつ、ピックアップ性を良好にすることが可能であることを見出し、本発明の完成に到った。【００１１】
好ましくは、前記硬化剤が多官能イソシアネート硬化剤又は多官能エポキシ硬化剤であることを特徴とする。
好ましくは、前記ダイシングテープのＪＩＳＺ０２３７に準拠して測定したシリコンウエハの鏡面に対する粘着力が５．０Ｎ／２０ｍｍ以上であることを特徴とする。
本発明の別の観点によれば、（ａ）半導体ウエハ又は基板とリングフレームとにダイシングテープを貼り付ける貼付工程と、（ｂ）前記半導体ウエハ又は基板をダイシングして半導体チップ又は半導体部品にするダイシング工程と、（ｃ）前記ダイシングテープに活性光線を照射する光照射工程と、（ｄ）前記半導体チップ又は半導体部品同士の間隔を広げるため、前記ダイシングテープを引き伸ばすエキスパンド工程と、（ｅ）前記ダイシングテープから半導体チップ又は半導体部品をピックアップするピックアップ工程を含み、前記ダイシングテープは、上記記載のダイシングテープである、電子部品の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【００１２】
本発明により、小型、薄型の電子部品においても、ダイシング工程でのチップ飛び及びチッピングを抑制でき、ピックアップが容易にでき、糊残りが生じ難いダイシングテープが提供される。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明を実施するための好適な形態について説明する。なお、以下に説明する実施形態は、本発明の代表的な実施形態の一例を示したものであり、これにより本発明の範囲が狭く解釈されることはない。
【００１４】
＜粘着剤組成物＞
本発明のダイシングテープの粘着剤層の形成に用いる粘着剤組成物は（メタ）アクリル酸エステル共重合体１００質量部と、光重合性化合物５〜２５０質量部、硬化剤０．１〜２０質量部と光重合開始剤０．１〜２０質量部を含むものである。
【００１５】
（（メタ）アクリル酸エステル共重合体）
（メタ）アクリル酸エステル共重合体は、メチル（メタ）アクリレート単位を３５〜８５質量％（好ましくは４５〜７５質量％、さらに好ましくは５０〜７０質量％、さらに好ましくは５５〜６５質量％）、２−エチルへキシル（メタ）アクリレート単位を１０〜６０質量％（好ましくは２０〜５０質量％、さらに好ましくは２５〜４５質量％、さらに好ましくは３０〜４０質量％）、カルボキシル基を有する単量体単位を０．５〜１０質量％（好ましくは２〜７質量％、さらに好ましくは３〜６質量％、さらに好ましくは４〜５質量％）、ヒドロキシル基を有する単量体単位を０．０５〜５質量％（好ましくは０．１〜３質量％、さらに好ましくは０．２〜２質量％、さらに好ましくは０．３〜１質量％、さらに好ましくは０．４〜０．７質量％）含有する。（メタ）アクリル酸エステル共重合体がこのような単量体単位で構成されていることによって、粘着剤層の厚さが３〜７μｍという比較的小さいにも関わらず、粘着力が十分に高いダイシングテープを得ることが可能になる。なお、ダイシングテープの粘着力は、ＪＩＳ  Ｚ  ０２３７に準拠して測定したシリコンウエハの鏡面に対する粘着力が５．０Ｎ／２０ｍｍ以上にすることが好ましい。
【００１６】
カルボキシル基を有する単量体としては、例えば（メタ）アクリル酸、クロトン酸、マレイン酸、イタコン酸、フマール酸、アクリルアミドＮ−グリコール酸、及びケイ皮酸等が挙げられ、（メタ）アクリル酸が好ましい。
【００１７】
ヒドロキシル基を有する官能基含有単量体としては、例えば２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、及び２−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレートがあり、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレートが好ましい。
【００１８】
（光重合性化合物）
光重合性化合物の配合量は、（メタ）アクリル酸エステル共重合体１００質量部に対して５〜２５０質量部であり、４０〜２００質量部が好ましい。光重合性化合物の配合量を少なくすると、紫外線などの活性光線の照射後のダイシングテープの剥離性が低下し、半導体チップのピックアップ不良を生じやすくなる。一方、光重合性化合物の配合量を多くすると、光照射工程により粘着力が低下しすぎてしまい、ピックアップ工程でチップばらけが生じてしまい、生産性低下の要因となる。
【００１９】
本発明において利用可能な光重合性化合物は、重量平均分子量４，０００〜８，０００、且つ不飽和二重結合官能基数が１０〜１５のウレタンアクリレートオリゴマーである。重量平均分子量が小さいと粘着剤が柔軟になるためチッピングを生じやすくなり、重量平均分子量が大きいと被着体への密着性が低下し、チップ飛びを生じやすくなる。不飽和二重結合官能基数が少ないと紫外線等の光照射後の粘着剤の硬化性が低下し、ピックアップ不良を生じやすくなり、不飽和二重結合官能基数が多いと紫外線等の光照射後の粘着剤の硬化が過剰となり、チップばらけを生じる。また、ウレタンアクリレートオリゴマーを用いた場合、基材フィルムとの密着性と柔軟性に優れるため、ピックアップ時に糊残りし難いという利点がある。
【００２０】
ウレタンアクリレートオリゴマーは、ポリエステル型又はポリエーテル型などのポリオール化合物と多価イソシアネート化合物とを反応させて得られる末端イソシアネートウレタンプレポリマーに、ヒドロキシ基を有する（メタ）アクリレートを反応させて得られる。
【００２１】
ポリオール化合物には、例えば、エチレングリコール、プロピレングリコール、ブタンジオール、ヘキサンジオール、ネオペンチルグリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、ペンタンジオール、グリセリン、トリメチロールプロパン、トリメチロールエタン、ペンタエリスリトールなどなどが用いられる。多価イソシアネート化合物には、例えば、２,４−トリレンジイソシアネート、２,６−トリレンジイソシアネート、１,３−キシレンジイソシアネート、１,４−キシレンジイソシアネート、ジフェニルメタン４,４−ジイソシアネート、トリメチルヘキサメチレンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネートなどが用いられる。また、ヒドロキシ基を有する（メタ）アクリレートには、例えば、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコール（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、グリシドールジ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレートなどが用いられる。
【００２２】
（硬化剤）
硬化剤を配合量は、（メタ）アクリル酸エステル共重合体１００質量部に対して、０．１質量部以上２０質量部以下であり、１質量部以上１０質量部以下であることが好ましい。硬化剤の配合量を少なくすると、糊残りを生じやすくなる。一方、硬化剤の配合量を多くすると粘着力の不足やチップばらけを生じてしまい、生産性低下の要因となる。
【００２３】
硬化剤としては、多官能イソシアネート硬化剤、多官能エポキシ硬化剤、アジリン化合物、メラミン化合物等があり、好ましくは、多官能イソシアネート硬化剤、多官能エポキシ硬化剤がよい。上記の硬化剤の少なくとも一部として多官能エポキシ硬化剤または多官能イソシアネート硬化剤を使用することにより、選択的にカルボキシル基を有する官能基含有単量体を反応させて消滅させることが可能であり、硬化後のカルボキシル基を有する官能基含有単量体量を調節することが可能である。
【００２４】
多官能イソシアネート硬化剤としては、例えば芳香族ポリイソシアネート硬化剤、脂肪族ポリイソシアネート硬化剤、脂環族ポリイソシアネート硬化剤がある。
【００２５】
芳香族ポリイソシアネートは特に限定されず、例えば１，３−フェニレンジイソシアネート、４，４'−ジフェニルジイソシアネート、１，４−フェニレンジイソシアネート、４，４'−ジフェニルメタンジイソシアネート、２，４−トリレンジイソシアネート、２，６−トリレンジイソシアネート、４，４'−トルイジンジイソシアネート、２，４，６−トリイソシアネートトルエン、１，３，５−トリイソシアネートベンゼン、ジアニシジンジイソシアネート、４，４'−ジフェニルエーテルジイソシアネート、４，４'，４"−トリフェニルメタントリイソシアネート、ω，ω'−ジイソシアネート−１，３−ジメチルベンゼン、ω，ω'−ジイソシアネート−１，４−ジメチルベンゼン、ω，ω'−ジイソシアネート−１，４−ジエチルベンゼン、１，４−テトラメチルキシリレンジイソシアネート、及び１，３−テトラメチルキシリレンジイソシアネート等が挙げられる。
【００２６】
脂肪族ポリイソシアネートは特に限定されず、例えばトリメチレンジイソシアネート、テトラメチレンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、ペンタメチレンジイソシアネート、１，２−プロピレンジイソシアネート、２，３−ブチレンジイソシアネート、１，３−ブチレンジイソシアネート、ドデカメチレンジイソシアネート、及び２，４，４−トリメチルヘキサメチレンジイソシアネート等が挙げられる。
【００２７】
脂環族ポリイソシアネートは特に限定されず、例えば３−イソシアネートメチル−３，５，５−トリメチルシクロヘキシルイソシアネート、１，３−シクロペンタンジイソシアネート、１，３−シクロヘキサンジイソシアネート、１，４−シクロヘキサンジイソシアネート、メチル−２，４−シクロヘキサンジイソシアネート、メチル−２，６−シクロヘキサンジイソシアネート、４，４'−メチレンビス（シクロヘキシルイソシアネート）、１，４−ビス（イソシアネートメチル）シクロヘキサン、及び１，４−ビス（イソシアネートメチル）シクロヘキサンがある。
【００２８】
ポリイソシアネートのうち、１，３−フェニレンジイソシアネート、４，４'−ジフェニルジイソシアネート、１，４−フェニレンジイソシアネート、４，４'−ジフェニルメタンジイソシアネート、２，４−トリレンジイソシアネート、２，６−トリレンジイソシアネート、４，４'−トルイジンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネートが好適に用いられる。
【００２９】
多官能エポキシ硬化剤は、主にエポキシ基を２個以上、第３級窒素原子を１個以上有する化合物をいい、Ｎ・Ｎ−グリシジルアニリン、Ｎ・Ｎ−グリシジルトルイジン、ｍ−Ｎ・Ｎ−グリシジルアミノフェニルグリシジルエーテル、ｐ−Ｎ・Ｎ−グリシジルアミノフェニルグリシジルエーテル、トリグリシジルイソシアヌレート、Ｎ・Ｎ・Ｎ'・Ｎ'−テトラグリシジルジアミノジフェニルメタン、Ｎ・Ｎ・Ｎ'・Ｎ'−テトラグリシジル−ｍ−キシリレンジアミン、Ｎ・Ｎ・Ｎ'・Ｎ'・Ｎ''−ペンタグリシジルジエチレントリアミンなどが挙げられる。
【００３０】
（光重合開始剤）
光重合開始剤の配合量は、（メタ）アクリル酸エステル重合体１００質量部に対して０．１質量部以上２０質量部以下であり、１質量部以上１０質量部以下が好ましい。配合量が少な過ぎると、光照射後のダイシングテープからの剥離性が低下し、半導体チップのピックアップ不良を生じやすくなる。一方、配合量が多過ぎると、光重合開始剤が粘着剤表面へブリードアウトし、汚染の原因となる。
【００３１】
光重合開始剤としては、ベンゾイン、ベンゾインアルキルエーテル類、アセトフェノン類、アントラキノン類、チオキサントン類、ケタール類、ベンゾフェノン類またはキサントン類などが用いられる。
【００３２】
ベンゾインとしては、例えばベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインプロピルエーテルなどがある。
アセトフェノン類としては、例えばベンゾインアルキルエーテル類、アセトフェノン、２，２−ジメトキシ−２−アセトフェノン、２，２―ジエトキシ−２−アセトフェノン、１，１−ジクロロアセトフェノンなどがある。
アントラキノン類としては、２−メチルアントラキノン、２−エチルアントラキノン、２−ターシャリブチルアントラキノン、１−クロロアントラキノンなどがある。
チオキサントン類としては、例えば２，４−ジメチルチオキサントン、２，４−ジイソプロピルチオキサントン、２−クロロチオキサントン、２，４−ジイソプロピルチオキサントンなどがある。
ケタール類としては、例えばアセトフェノンジメチルケータル、ベンジルジメチルメタール、ベンジルジフエニルサルフアイド、テトラメチルチウラムモノサルフアイド、アゾビスイソブチロニトリル、ジベンジル、ジアセチル、β−クロールアンスラキノンなどがある。
【００３３】
光重合開始剤には、必要に応じて従来公知の光重合促進剤を１種または２種以上を組合せて併用してもよい。光重合促進剤には、安息香酸系や第三級アミンなどを用いることができる。第三級アミンとしては、トリエチルアミン、テトラエチルペンタアミン、ジメチルアミノエーテルなどが挙げられる。
【００３４】
（粘着付与樹脂）
粘着剤組成物には、粘着付与樹脂を配合してもよい。粘着付与樹脂としては、テルペンフェノール樹脂を完全又は部分水添されたテルペンフェノール樹脂である。
【００３５】
テルペンフェノール樹脂は、例えば、テルペン化合物１モルとフェノール類０．１〜５０を反応させて製造することが出来る。
【００３６】
テルペン化合物としては、ミルセン、アロオシメン、オシメン、α−ピネン、β−ピネン、ジペンテン、リモネン、α−フェランドレン、α−テルピネン、γ−テルピネン、テルピノレン、１，８−シネオール、１，４−シネオール、α−テルピネオール、β−テルピネオール、γ−テルピネオール、カンフェン、トリシクレン、サビネン、パラメンタジエン類、カレン類等が挙げられる。これらの化合物の中で、α−ピネン、β−ピネン、リモネン、ミルセン、アロオシメン、α−テルピネンが本発明では特に好ましく用いられる。
【００３７】
フェノール類としては、フェノール、クレゾール、キシレノール、カテコール、レゾルシン、ヒドロキノン、ビスフェノールＡ等が挙げられるが、これらに限定はされない。
【００３８】
テルペンフェノール樹脂のフェノール類の比率は、２５〜５０モル％程度であるが、これらに限定はされない。
【００３９】
完全又は部分水添されたテルペンフェノール樹脂の水酸基価は、５０〜２５０が好ましい。水酸基価が５０未満の場合は、イソシアネート系硬化剤との反応が十分ではなく、粘着剤表面へブリードアウトし、汚染の原因となり、２５０より多いと粘度が上昇し、（メタ）アクリル酸エステル共重合体等との混合ムラが生じ、ピックアップ特性が安定しないためである。
【００４０】
水添する方法としては、特に限定されるものではなく、例えば、パラジウム、ルテニウム、ロジウムなどの貴金属またはそれらを活性炭素、活性アルミナ、珪藻土などの坦体上に担持したものを触媒として使用して行う方法が挙げられ、水添率は、臭素価測定、ヨウ素価測定等により測定することができる。
【００４１】
完全又は部分水添されたテルペンフェノール樹脂の水添率は、３０モル％以上であることが好ましく、より好ましくは７０モル％以上である。３０モル％未満の場合、活性光線の照射による光重合性化合物の反応阻害により粘着力が十分低下せず、ピックアップ性が低下するためである。
【００４２】
完全又は部分水添されたテルペンフェノール樹脂の配合比は、（メタ）アクリル酸エステル共重合体１００質量部に対して０．５質量部以上１００質量部以下が好ましく、１．０質量部以上５０質量部以下がより好ましい。完全又は部分水添されたテルペンフェノール樹脂が０．５質量部以上であれば、粘着力が低すぎないので、ダイシング時に半導体チップの保持性が維持され、１００質量部以下であれば、ピックアップ不良の発生を抑制することができる。
【００４３】
（添加剤等）
粘着剤組成物には、例えば、軟化剤、老化防止剤、充填剤、導電剤、紫外線吸収剤、及び光安定剤等の各種添加剤を添加してもよい。
【００４４】
粘着剤層の厚みは、３〜７μｍであり、好ましくは、４〜６μｍである。粘着剤層が厚過ぎるとチッピングが発生しやすくなる。また、粘着剤層が薄過ぎると粘着力が低くなり過ぎ、ダイシング時のチップ保持性が低下しチップ飛びが発生する場合や、リングフレームとシートとの間で剥離が生じる場合がある。
【００４５】
（基材フィルム）
基材フィルムの材料としては、例えば、ポリ塩化ビニル、ポリエチレンテレフタレート、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸−アクリル酸エステルフィルム、エチレン−エチルアクリレート共重合体、ポリエチレン、ポリプロピレン、プロピレン系共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体、および、エチレン−（メタ）アクリル酸共重合体やエチレン−（メタ）アクリル酸−（メタ）アクリル酸エステル共重合体等を金属イオンで架橋したアイオノマ樹脂などが挙げられる。基材フィルムは、これら樹脂の混合物又は共重合体であってよく、これら樹脂からなるフィルムやシートの積層体であってもよい。
【００４６】
基材フィルムの素材はアイオノマ樹脂を用いることが好ましい。アイオノマ樹脂の中でも、エチレン単位、メタアクリル酸単位、及び（メタ）アクリル酸アルキルエステル単位を有する共重合体をＮａ＋、Ｋ＋、Ｚｎ２＋等の金属イオンで架橋したアイオノマ樹脂を用いると、切削屑抑制効果が顕著であり、好適に用いられる。
【００４７】
基材フィルムは、上記材料からなる単層あるいは多層のフィルムあるいはシートであってよく、異なる材料からなるフィルム等を積層したものであってもよい。基材フィルムの厚さは５０〜２００μｍ、好ましくは７０〜１５０μｍである。
【００４８】
基材フィルムには、帯電防止処理を施すことが好ましい。帯電防止処理としては、基材フィルムに帯電防止剤を配合する処理、基材フィルム表面に帯電防止剤を塗布する処理、コロナ放電による処理がある。
【００４９】
帯電防止剤としては、例えば四級アミン塩単量体などを用いることができる。四級アミン塩単量体としては、例えばジメチルアミノエチル（メタ）アクリレート四級塩化物、ジエチルアミノエチル（メタ）アクリレート四級塩化物、メチルエチルアミノエチル（メタ）アクリレート四級塩化物、ｐ−ジメチルアミノスチレン四級塩化物、およびｐ−ジエチルアミノスチレン四級塩化物が挙げられる。このうち、ジメチルアミノエチルメタクリレート四級塩化物が好ましい。
【００５０】
滑り剤及び帯電防止剤の使用方法は特に限定されないが、例えば基材フィルムの片面に粘着剤を塗布し、その裏面に滑り剤及び／又は帯電防止剤を塗布してもよく、滑り剤及び／又は帯電防止剤を基材フィルムの樹脂に練り込んでシート化しても良い。
【００５１】
基材フィルムの片面に粘着剤を積層し、他方の面は平均表面粗さ（Ｒａ）が０．３〜１．５μｍのエンボス面とすることが可能である。エキスパンド装置の機械テーブル側にエンボス面を設置することにより、ダイシング後のエキスパンド工程で基材フィルムを容易に拡張することができる。
【００５２】
（滑り剤）
ダイシング後のエキスパンド性を向上させるために、基材フィルムの粘着剤非接触面に滑り剤を施したり、基材フィルムに滑り剤を練り込むことができる。
【００５３】
滑り剤は、ダイシングテープとエキスパンド装置の摩擦係数を低下させる物質であれば特に限定されず、例えばシリコーン樹脂や（変性）シリコーン油等のシリコーン化合物、フッ素樹脂、六方晶ボロンナイトライド、カーボンブラック、及び二硫化モリブデン等が挙げられる。これらの摩擦低減剤は複数の成分を混合してもよい。電子部品の製造はクリーンルームで行われるため、シリコーン化合物又はフッ素樹脂を用いることが好ましい。シリコーン化合物の中でも特にシリコーンマクロモノマ単位を有する共重合体は帯電防止層との相溶性が良く、帯電防止性とエキスパンド性のバランスが図れるため、好適に用いられる。
【００５４】
本発明に係る電子部品の製造方法の具体的な工程を順に説明する。
【００５５】
（１）貼付工程
まず、貼付工程において、ダイシングテープを半導体ウエハ又は基板とリングフレームに貼り付ける。半導体ウエハは、シリコンウエハおよびガリウムナイトライドウエハ、炭化ケイ素ウエハ、サファイアウエハなどの従来汎用のウエハであってよい。基板は樹脂でチップを封止したパッケージ基板、ＬＥＤパッケージ基板、セラミック基板などの汎用の基板であってよい。
【００５６】
（２）ダイシング工程
ダイシング工程では、半導体ウエハ又は基板をダイシングして半導体チップ又は半導体部品にする。
【００５７】
（３）光照射工程
光照射工程では、前記ダイシングテープに紫外線や電子線等の活性光線を照射する。活性光線は、基材フィルム側から照射することが好ましい。紫外線の光源としては、低圧水銀灯、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、メタルハライドランプを用いることができる。また、紫外線に替えて電子線を用いてもよく、電子線の光源としてはα線、β線、γ線を用いることができる。
【００５８】
光照射により粘着剤層は三次元網状化して硬化し、粘着剤層の粘着力が低下する。この際、上述したように、本発明に係るダイシングテープは加温しても半導体ウエハ又は基板に過度に密着することがないため、紫外線等の照射により十分な接着力の低下が得られる。
【００５９】
（４）エキスパンド・ピックアップ工程
エキスパンド・ピックアップ工程では、半導体チップ又は半導体部品同士の間隔を広げるためダイシングテープを引き伸ばし、チップ又は部品をニードルピン等で突き上げる。その後、チップ又は部品を真空コレットまたはエアピンセット等で吸着し、ダイシングテープの粘着剤層から剥離してピックアップする。この際、本発明に係るダイシングテープでは紫外線等の照射により十分な接着力の低下が得られているため、チップ又は部品と粘着剤層との間の剥離が容易となり、良好なピックアップ性が得られ、糊残りなどの不良が生じることもない。
【００６０】
＜ダイシングテープの製造＞
基材フィルム上に粘着剤層を形成してダイシングテープとする方法としては、例えばグラビアコーター、コンマコーター、バーコーター、ナイフコーター又はロールコーターといったコーターで基材フィルム上に粘着剤を直接塗布する方法や、剥離フィルムに粘着剤を塗布／乾燥後に基材フィルムに貼り合わせる方法がある。凸板印刷、凹板印刷、平板印刷、フレキソ印刷、オフセット印刷、又はスクリーン印刷等で基材フィルム上に粘着剤を印刷してよい。
【００６１】
本発明のダイシングテープは、電子部品の製造工程である、ダイシング工程、バックグラインド工程において、ワークと呼ばれる電子部品集合体の貼着用に好適に用いられる。
【実施例】
【００６２】
実施例・比較例に係る粘着剤組成物及びダイシングテープを次の処方で製造した。主な配合と、各実験例の結果を表１〜表３に示す。【００６３】
表１〜表３中の組成についての数値は、質量部を表す。光重合性化合物、硬化剤、光重合開始剤についての数値は、（メタ）アクリル酸エステル共重合体を１００部としたときの質量部を表す。基材フィルム、光重合性化合物、硬化剤、光重合開始剤の詳細は、以下の通りである。【００６４】
なお重量平均分子量はゲルパーミエーションクロマトグラフィー法（ＧＰＣ）によりポリスチレン換算の重量平均分子量として測定した値である。具体的には、以下の通りである。
装置：ＧＰＣ−８０２０  ＳＥＣ  システム（東ソー社製）
カラム：ＴＳＫ  Ｇｕａｒｄ  ＨＺ−Ｌ  ＋  ＨＺＭ−Ｎ  ６．０×１５０ｍｍ×３
流量：０．５ｍｌ／ｍｉｎ
検出器：ＲＩ−８０２０
濃度：０．２ｗｔ／Ｖｏｌ％
注入量：２０μＬ
カラム温度：４０℃
システム温度：４０℃
溶媒：ＴＨＦ
検量線： 標準ポリスチレン（ＰＬ社製）を用いて作成し、重量平均分子量（Ｍｗ）はポリスチレン換算値で表した。【００６５】
＜基材フィルム＞
・樹脂フィルムＡ：厚み８０μｍのアイオノマ樹脂製フィルム、エチレン−メタアクリル酸−アクリル酸２−メチルプロピル共重合体のＺｎ塩を主体。ＭＦＲ  ２．８ｇ／１０ｍｉｎ（ＪＩＳ  Ｋ７２１０法、２１０℃）、三井・デュポンポリケミカル株式会社製（市販品）。【００６６】
＜光重合性化合物＞
・光重合性化合物Ａ：ヘキサメチレンジイソシアネートのイソシアネートにジペタエリスリトールペンタアクリレートを主成分とする水酸基含有アクリレートを反応させたものであり、重量平均分子量が７，５００であり、且つ不飽和二重結合官能基数が１０であるウレタンアクリレートオリゴマー（合成品）。
・光重合性化合物Ｂ：光重合性化合物Ａと同様の製法で合成した重量平均分子量４，２００、不飽和二重結合官能基数１０のウレタンアクリレートオリゴマー（合成品）
・光重合性化合物Ｃ：光重合性化合物Ａと同様の製法で合成した重量平均分子量２，１００、不飽和二重結合官能基数１０のウレタンアクリレートオリゴマー（合成品）
・光重合性化合物Ｄ：光重合性化合物Ａと同様の製法で合成した重量平均分子量１０，３００、不飽和二重結合官能基数１０のウレタンアクリレートオリゴマー（合成品）
・光重合性化合物Ｅ：イソホロンジイソシアネートの三量体のイソシアネートにジペタエリスリトールペンタアクリレートを主成分とする水酸基含有アクリレートを反応させたものであり、重量平均分子量が４，９００であり、且つ不飽和二重結合官能基数が１５であるウレタンアクリレートオリゴマー（合成品）。
なお、光重合製化合物は特開昭６１−４２５２９号公報等に記載の公知の方法により調製した。【００６７】
＜硬化剤＞
・硬化剤Ａ：２，４−トリレンジイソシアネートのトリメチロールプロパンアダクト体（市販品）
・硬化剤Ｂ：ヘキサメチレンジイソシアネートのトリメチロールプロパンアダクト体（市販品）
・硬化剤Ｃ：Ｎ，Ｎ，Ｎ'，Ｎ'−テトラグリシジル−ｍ−キシリレンジアミン（市販品）【００６８】
＜光重合開始剤＞
・光重合開始剤Ａ：１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン（市販品）
・光重合開始剤Ｂ：ベンジルジメチルケタール（市販品）【００６９】
【表１】
0006604972.tif 000002
【００７０】
【表２】
0006604972.tif 000003
【００７１】
【表３】
0006604972.tif 000004
【００７２】
（１）粘着力
ＪＩＳ  Ｚ  ０２３７；２００９に準拠して、引張試験機（エー・アンド・デイ社製、ＲＴＧ−１２１０）を用い、シリコンウエハの鏡面に貼付して２０分経過後におけるダイシングテープの２３℃、相対湿度５０％での１８０°引きはがし法による粘着力を測定した。引張速度は３００ｍｍ／ｍｉｎ、ダイシングテープのサイズは２５０ｍｍ×２０ｍｍとした。なお、シリコンウエハの鏡面はＪＩＳ  Ｈ  ０６１４により、製造されたものを用いた。【００７３】
（２）チップ保持性、ピックアップ性及びチッピングの評価
得られたダイシングテープをダミーの回路パターンを形成した直径８インチ×厚み０．１５ｍｍのシリコンウエハとリングフレームに貼り合わせた。貼り合わせて２０分後に高圧水銀灯で紫外線を１５０ｍＪ／ｃｍ２照射した後、ダイシング、ピックアップの各工程を行った。【００７４】
ダイシング工程の条件は以下の通りとした。
ダイシング装置：ＤＩＳＣＯ社製ＤＡＤ３４１
ダイシングブレード：ＤＩＳＣＯ社製ＮＢＣ−ＺＨ２０５Ｏ−２７ＨＥＥＥ
ダイシングブレード形状：外径５５．５６ｍｍ、刃幅３５μｍ、内径１９．０５ｍｍ
ダイシングブレード回転数：４０、０００ｒｐｍ
ダイシングブレード送り速度：１００ｍｍ／秒
ダイシングサイズ：１．０ｍｍ角
ダイシングテープへの切り込み量：３０μｍ
切削水温度：２５℃
切削水量：１．０リットル／分【００７５】
ピックアップ工程の条件は以下の通りとした。
ピックアップ装置：キヤノンマシナリー社製ＣＡＰ−３００ＩＩ
エキスパンド量：８ｍｍ
ニードルピン形状：７０μｍＲ
ニードルピン数：１本
ニードルピン突き上げ高さ：０．３ｍｍ【００７６】
ダイシング工程およびピックアップ工程において、以下の評価を行った。【００７７】
（２−１）チップ保持性
チップ保持性は、ダイシング工程後において、半導体チップがダイシングテープに保持されている半導体チップの残存率に基づき、以下の基準により評価した。
◎（優）  ：チップ飛びが５％未満
○（良）  ：チップ飛びが５％以上１０％未満
×（不可）：チップ飛びが１０％以上【００７８】
（２−２）ピックアップ性
ピックアップ性は、ピックアップ工程において、半導体チップがピックアップできた率に基づき、以下の基準により評価した。
◎（優）：チップのピックアップ成功率が９５％以上
○（良）：チップのピックアップ成功率が８０％以上９５％未満
×（不可）：チップのピックアップ成功率が８０％未満 【００７９】
（２−３）チッピング
チッピングは、ピックアップしたチップを無作為に５０個選択し、チップの裏面の４辺を５００倍の顕微鏡にて観察し、中心方向に最大の欠けの大きさについて以下の基準により評価した。
◎（優）  ：欠けの大きさが２５μｍ未満
○（良）  ：欠けの大きさが２５μｍ以上５０μｍ未満
×（不可）：欠けの大きさが５０μｍ以上【００８０】
（３）汚染性
ダイシングテープをシリコンウエハの鏡面に貼り付けて、２０分後に高圧水銀灯で紫外線を１５０ｍＪ／ｃｍ２照射した後、ダイシングテープを剥離した。シリコンウエハの鏡面（貼り付け面）上に残留した０．２８μｍ以上の粒子数をパーティクルカウンターにて測定した。
◎（優）  ：パーティクルが５００個以下
○（良）  ：パーティクルが５０１個以上２０００個未満。
×（不可）：パーティクルが２０００個以上。【００８１】
（４）チップばらけ
チップばらけは、ピックアップ工程において、ピックアップしようとした半導体チップの隣接する半導体チップがピン突き上げの衝撃によりばらけてしまった率に基づき、以下の基準により評価した。
◎（優）：チップばらけが１％未満
○（良）：チップばらけが１％以上３％未満
×（不可）：チップばらけが３％以上 【００８２】
（考察）
表１〜表３の実施例・比較例に示すように、特定組成の粘着剤を用いて厚さ３〜７μｍの粘着剤層を形成した全ての実施例では、総合判定が○又は◎となった。一方、粘着剤の組成又は粘着剤層の厚さが規定外である全ての比較例では、総合判定が×となった。これらの結果により、本発明のダイシングテープを用いれば、チッピング、チップ飛び、及び糊残りを効果的に抑制しつつ、ピックアップ性を良好にすることができることが実証された。【００８３】
より詳細に分析すると、以下の通りである。
比較例１では、メチル（メタ）アクリレート単位が少なすぎたために、汚染性が悪化した。
比較例２では、メチル（メタ）アクリレート単位が多すぎたために、チップ保持性が悪化し、且つチップばらけが生じやすくなった。
比較例３では、カルボキシル基を有する単量体単位が少なすぎたために、チップ保持性が悪化した。
比較例４では、カルボキシル基を有する単量体単位が多すぎたために、ピックアップ性及び汚染性が悪化した。
比較例５では、ヒドロキシル基を有する単量体単位が少なすぎたために、汚染性が悪化した。
比較例６では、ヒドロキシル基を有する単量体単位が多すぎたために、チップばらけが生じやすくなった。
比較例７では、光重合性化合物が少なすぎたために、チップ保持性及びピックアップ性が悪化した。
比較例８では、光重合性化合物が多すぎたために、汚染性が悪化し、且つチップばらけが生じやすくなった。
比較例９では、光重合性化合物の重量平均分子量が小さすぎたために、チッピングが生じやすくなった。
比較例１０では、光重合性化合物の重量平均分子量が大きすぎたために、チップ保持性が悪化した。
比較例１１では、硬化剤が少なすぎたために、汚染性が悪化した。
比較例１２では、硬化剤が多すぎたために、チップ保持性及び汚染性が悪化し、且つチップばらけが生じやすくなった。
比較例１３では、光重合開始剤が少なすぎたために、ピックアップ性が悪化した。
比較例１４では、光重合開始剤が多すぎたために、汚染性が悪化し、且つチップばらけが生じやすくなった。
比較例１５では、粘着剤層が薄すぎたために、チップ保持性が悪化し、且つチップばらけが生じやすくなった。
比較例１６では、粘着剤層が厚すぎたために、チッピングが生じやすくなり、且つピックアップ性が悪化した。