(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１偏光状態を有する第１ビームを第２偏光状態を有する第２ビームに変換するよう構成される第１光学素子と、
前記第２ビームの全反射を提供し、前記第２ビームを第３偏光状態を有する第３ビームに変換するよう構成される第２光学素子と、を備え、
前記第１偏光状態、前記第２偏光状態、および前記第３偏光状態が互いに異なり、
前記第１偏光状態が直線偏光状態であり、
前記第２偏光状態が楕円偏光状態であり、
前記第３偏光状態が円偏光状態であることを特徴とする光学システム。
【請求項２】
前記第１光学素子が色収差補正波長板であることを特徴とする請求項１に記載の光学システム。
【請求項３】
前記第１光学素子が複屈折波長板を備えることを特徴とする請求項１に記載の光学システム。
【請求項４】
前記第２光学素子が反射面を備えることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の光学システム。
【請求項５】
前記第２光学素子が全反射ミラーであることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の光学システム。
【請求項６】
第１偏光状態を有する第１ビームを提供するよう構成される照明システムと、
光学システムであって、
前記第１ビームを第２偏光状態を有する第２ビームに変換するよう構成される第１光学素子と、
前記第２ビームの全反射を提供し、前記第２ビームを第３偏光状態を有する第３ビームに変換するよう構成される第２光学素子と、を備え、
前記第１偏光状態、前記第２偏光状態、および前記第３偏光状態が互いに異なる光学システムと、
を備え、
前記第１偏光状態が直線偏光状態であり、
前記第２偏光状態が楕円偏光状態であり、
前記第３偏光状態が円偏光状態であることを特徴とするアライメントシステム。
【請求項７】
前記第１光学素子が複屈折波長板を備えることを特徴とする請求項６に記載のアライメントシステム。
【請求項８】
前記第２光学素子が反射面を備えることを特徴とする請求項６または７に記載のアライメントシステム。
【請求項９】
パターニングデバイスのパターンを照明するよう構成される照明システムと、
基板のターゲット部分に前記パターンの像を投影するよう構成される投影システムと、
アライメントシステムであって、
第１偏光状態を有する第１ビームを第２偏光状態を有する第２ビームに変換するよう構成される第１光学素子と、
前記第２ビームの全反射を提供し、前記第２ビームを第３偏光状態を有する第３ビームに変換するよう構成される第２光学素子と、を備え、
前記第１偏光状態、前記第２偏光状態、および前記第３偏光状態が互いに異なるアライメントシステムと、
を備え、
前記第１偏光状態が直線偏光状態であり、
前記第２偏光状態が楕円偏光状態であり、
前記第３偏光状態が円偏光状態であることを特徴とするリソグラフィ装置。
【請求項１０】
前記第１光学素子が複屈折波長板を備えることを特徴とする請求項９に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１１】
前記第２光学素子が反射面を備えることを特徴とする請求項９または１０に記載のリソグラフィ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
（関連出願の相互参照）
この出願は、２０１５年７月３１日に出願された米国仮特許出願第６２／１９９，５６７号の利益を主張し、その全体が参照により本明細書に援用される。
【０００２】
（発明の分野）
本開示は、例えばリソグラフィ装置に用いられるアライメントシステムに関する。
【背景技術】
【０００３】
リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板のターゲット部分に転写する機械である。リソグラフィ装置は例えば集積回路（ＩＣ）の製造に用いられる。その状況では、マスクまたはレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを使用して、ＩＣの個々のレイヤに対応する回路パターンを作成することができ、このパターンは、放射感応性材料（レジスト）の層を有する基板（例えばシリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば一つまたは複数のダイの一部を含む）に結像することができる。一般に、単一の基板は、連続して露光される隣接するターゲット部分のネットワークを含む。既知のリソグラフィ装置は、ターゲット部分にパターン全体を一度に露光することで各ターゲット部分が照射されるいわゆるステッパと、所与の方向（「走査」方向）に放射ビームによりパターンを走査する一方、この方向と平行にまたは逆平行に基板を同期して走査することで各ターゲット部分が照射されるいわゆるスキャナとを含む。パターンを基板上にインプリントすることで、パターニングデバイスから基板にパターンを転写することも可能である。別のリソグラフィシステムは、干渉リソグラフィシステムである。干渉リソグラフィシステムでは、パターニングデバイスは存在せず、光ビームが２つのビームに分けられ、反射システムを用いて２つのビームが基板のターゲット部分で干渉する。干渉は、基板のターゲット部分にラインを形成させる。
【０００４】
リソグラフィ工程の巻に、異なる処理ステップは異なる層を基板上に連続して形成することを要求する。したがって、基板に形成された前のパターンに対して高い精度で基板を位置づける必要がある。一般的に、回折格子を備えるアライメントマークが位置合わせされるべき基板上に設置され、第２のオブジェクトを参照して位置づけられる。リソグラフィ装置は、アライメントマークの位置を検出して、マスクからの正確な露光を確保するようアライメントマークを用いて基板を調整するために、アライメントシステムを用いることができる。
【０００５】
アライメントシステムは通常、アライメント測定の間にアライメントマークを照明するために用いられるそれ自身の照明システムを有する。照明されたアライメントマークから回折した放射が検出され、アライメントマークの位置を決定するために用いられる。照明されたアライメントマークから回折した回折信号の精度および特性は、アライメントマークを照明するのに用いられる放射ビームの偏光状態に依存する。この依存状態は、放射ビームの偏光状態に関連するアライメントマークの回折効率に起因する。
【０００６】
放射ビームは、直線偏光状態、円偏光状態、または楕円偏光状態をとる可能性がある。各偏光状態は、２つの直交偏光状態により特徴付けることができる。例えば、直線偏光状態は、水平および垂直偏光状態により特徴付けることができ、円偏光は、右回りおよび左回り偏光状態により特徴付けることができる。垂直線または水平線から成る水平または垂直偏光の放射ビームをアライメントマークのために用いることができる。偏光は、垂直線または水平線に対して平行または垂直となり得る。円偏光放射ビームは、水平および垂直方向の両方の線または格子を有する、または未知の方向の格子を有するアライメントマークに役立つ。円偏光放射ビームは、互いに位相が＋９０°または−９０°ずれた同じ振幅の２つの垂直偏光成分と見なすことができ、その成分の回転に基づいて右回りおよび左回り偏光状態と特徴付けることができる。２つの円偏光状態の一方または両方をアライメント測定のために用いることができる。
【０００７】
アライメント測定用の円偏光放射ビームを提供するために、いくつかの現行のアライメントシステムは、例えば４分の１波長板を用いて、照明システムからの直線偏光放射ビームを円偏光放射ビームに変換している。これらの円偏光放射ビームは、その後、フォールドミラーを用いてアライメントマーク上に導かれる。いくつかのアライメントシステムでは、フォールドミラーは金属層を含む。このようなフォールドミラーを使用することの不都合な点は、アライメントマーク上に導かれる間に、少なくとも一部の放射ビームがフォールドミラーにより吸収されることである。このような吸収による放射の損失は、例えば、アライメントマークの回折効率の低下およびアライメントマークから回折する回折信号強度の低下をもたらす可能性がある。別の不都合な点は、放射ビームの少なくとも一部の吸収のために、工程の間にフォールドミラーが加熱することである。このようなフォールドミラーの加熱は、例えば、アライメントマークから反射する放射ビームの波面エラーを引き起こす可能性があり、これはアライメントシステムの不正確なアライメント測定をもたらす可能性がある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
したがって、アライメントシステムにおけるアライメント測定の精度を向上する必要がある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
ある実施形態によれば、光学システムは、第１および第２光学素子を含む。第１光学素子は、第１偏光状態を有する第１ビームを第２偏光状態を有する第２ビームに変換するよう構成される。第２光学素子は、第２ビームの全反射を提供し、第２ビームを第３偏光状態を有する第３ビームに変換するよう構成される。第１、第２、および第３偏光状態は互いに異なる。
【００１０】
別の実施形態では、アライメントシステムは、照明システムおよび光学システムを含む。照明システムは、第１偏光状態を有する第１ビームを提供するよう構成される。光学システムは、第１および第２光学素子を含む。第１光学素子は、第１ビームを第２偏光状態を有する第２ビームに変換するよう構成される。第２光学素子は、第２ビームの全反射を提供し、第２ビームを第３偏光状態を有する第３ビームに変換するよう構成される。第１、第２、および第３偏光状態は互いに異なる。
【００１１】
さらに別の実施形態では、リソグラフィ装置は、照明システム、投影システムおよびアライメントシステムを含む。照明システムは、パターニングデバイスのパターンを照明するよう構成され、投影システムは、基板のターゲット部分にパターンの像を投影するよう構成される。アライメントシステムは、第１および第２光学素子を含む。第１光学素子は、第１偏光状態を有する第１ビームを第２偏光状態を有する第２ビームに変換するよう構成される。第２光学素子は、第２ビームの全反射を提供し、第２ビームを第３偏光状態を有する第３ビームに変換するよう構成される。第１、第２、および第３偏光状態は、互いに異なる。
【００１２】
本発明のさらなる特徴および利点は、本発明の様々な実施の形態の構造および作用とともに、添付の図面を参照して以下で詳細に説明される。本発明は、本書で説明される特定の実施形態に限定されないことに注意する。このような実施形態は、例証目的で本書に提示されているに過ぎない。本書に含まれる教示に基づけば、さらなる実施形態は関連分野の当業者にとって明らかであろう。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
本書に包含され明細書の一部をなす添付の図面は本発明を例証し、詳細な説明とともに本発明の原理を説明し、関連分野の当業者が本発明を実施し使用できるようにする役割を有する。
【００１４】
【図１Ａ】本発明の実施形態に係る反射型リソグラフィ装置を模式的に示す図である。
【００１５】
【図１Ｂ】本発明の実施形態に係る透過型リソグラフィ装置を模式的に示す図である。
【００１６】
【図２】本発明の実施形態に係る反射型リソグラフィ装置をより詳細に模式的に示す図である。
【００１７】
【図３】本発明の実施形態に係るリソグラフィセルを模式的に示す図である。
【００１８】
【図４】本発明の実施形態に係るアライメントシステムを模式的に示す図である。
【００１９】
【図５】本発明の実施形態に係るアライメントシステムの光学システムを模式的に示す図である。
【００２０】
【図６】本発明の実施形態に係る、波長板を伝播する放射ビームの偏光状態を模式的に示す図である。
【００２１】
【図７】本発明の実施形態に係る、放射ビームの偏光状態を模式的に示す図である。
【００２２】
本発明の特徴および利点は、同様の参照符号が全文書を通して対応する要素を特定する図面とともに以下で述べられる詳細な説明からより明らかになるだろう。一般に、図面において同様の参照符号は、同一の、機能的に類似の、および／または構造が類似の要素を表している。要素が最初に現れる図面は、対応する参照番号の左端の数字で表される。他に特に規定がなければ、本開示を通じて提供される図面は、縮尺どおりの図と解釈するべきではない。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
本明細書は本発明の特徴を組み入れた一つまたは複数の実施形態を開示する。開示された実施形態は本発明の例示に過ぎない。本発明の範囲は開示された実施形態には限定されない。本発明は添付の請求項により定義される。
【００２４】
説明される実施形態、および「一実施形態」、「実施形態」、「例示的な実施形態」等への明細書内での言及は、説明する実施形態が特定の特徴、構造または特性を備えてもよいが、必ずしもあらゆる実施形態がその特定の特徴、構造または特性を備える必要はないことを示している。また、このような表現は同一の実施形態を必ずしも指し示すものではない。さらに、実施形態とともに特定の特徴、構造または特性が記載される場合、明示的に記載されているか否かに関わらず、そのような特徴、構造または特性を他の実施形態とともに実現することは当業者の知識内であると理解されたい。
【００２５】
この種の実施形態をより詳細に説明する前に、本発明の実施形態を実装可能である例示的な環境を提示することが有益である。
【００２６】
（例示的な反射型および透過型リソグラフィシステム）
図１Ａおよび図１Ｂは、本発明の実施形態を実装することのできる、リソグラフィ装置１００およびリソグラフィ装置１００’をそれぞれ模式的に示す図である。リソグラフィ装置１００およびリソグラフィ装置１００’はそれぞれ以下の、放射ビームＢ（例えば深紫外放射または極端紫外放射）を調整する照明システム（イルミネータ）ＩＬと、パターニングデバイス（例えばマスク、レチクル、または動的パターニングデバイス）ＭＡを支持するよう構成されるとともに、パターニングデバイスを正確に位置決めするよう構成された第１ポジショナＰＭに接続されている支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴと、基板（例えば、レジストでコーティングされたウェーハ）Ｗを保持するよう構成されるとともに、基板を正確に位置決めするよう構成された第２ポジショナＰＷに接続されている基板テーブル（例えばウェーハテーブル）ＷＴと、を備える。リソグラフィ装置１００およびリソグラフィ装置１００’は、パターニングデバイスＭＡにより放射ビームＢに付与されたパターンを基板Ｗの（例えば一つまたは複数のダイを含む）ターゲット部分Ｃに投影するように構成された投影システムＰＳも備える。リソグラフィ装置１００では、パターニングデバイスＭＡおよび投影システムＰＳが反射型である。リソグラフィ装置１００’では、パターニングデバイスＭＡおよび投影システムＰＳが透過型である。
【００２７】
照明システムＩＬは、放射ビームＢの向きや形状を変え、または放射ビームＢを統制するために、屈折光学素子、反射光学素子、反射屈折光学素子、磁気的光学素子、電磁気的光学素子、静電的光学素子、あるいは他の種類の光学素子などの各種の光学素子、またはこれらの組み合わせを含み得る。
【００２８】
支持構造ＭＴは、基準フレームに対するパターニングデバイスＭＡの姿勢、リソグラフィ装置１００および１００’の少なくとも１つの設計、およびパターニングデバイスＭＡが真空環境で保持されるか否か等のその他の条件に応じた方式でパターニングデバイスＭＡを保持する。支持構造ＭＴは、機械的固定、真空固定、静電固定、またはパターニングデバイスＭＡを保持するその他の固定技術を用いてもよい。支持構造ＭＴは、例えばフレームまたはテーブルであってもよく、これらは固定されていてもよいし必要に応じて移動可能であってもよい。センサを用いることにより、支持構造ＭＴは、例えば投影システムＰＳに対して所望の位置にパターニングデバイスＭＡを位置決めすることを保証してもよい。
【００２９】
「パターニングデバイス」ＭＡなる用語は、基板Ｗのターゲット部分Ｃにパターンを生成するために放射ビームＢの断面にパターンを与えるのに使用される何らかのデバイスを指すものと広義に解釈される。放射ビームＢに付与されたパターンは、集積回路を形成するためにターゲット部分Ｃに生成されるデバイスにおける特定の機能層に対応する。
【００３０】
パターニングデバイスＭＡは、（図１Ｂのリソグラフィ装置１００’のような）透過型であってもよいし、（図１Ａのリソグラフィ装置１００のような）反射型であってもよい。パターニングデバイスＭＡには例えばマスク、プログラム可能ミラーアレイ、及びプログラム可能ＬＣＤパネルが含まれる。マスクはリソグラフィにおいて周知であり、バイナリマスク、レベンソン型位相シフトマスク、減衰型位相シフトマスク、さらには多様なハイブリッド型マスクなどのマスク種類が含まれる。プログラム可能ミラーアレイは例えば、微小ミラーのマトリックス配列で構成される。各微小ミラーは、入射する放射ビームを異なる複数の方向に反射するよう個別的に傾斜可能である。小ミラーのマトリックスにより反射された放射ビームには、傾斜されたミラーによってパターンが付与されている。
【００３１】
「投影システム」なる用語は、使用されている露光放射に適切な、または基板Ｗ上の浸液の使用や真空の使用などのその他の因子に適切な、屈折光学素子、反射光学素子、反射屈折光学素子、磁気的光学素子、電磁気的光学素子、静電的光学素子、またはこれらの組み合わせを含む何らかの投影システムを包含することができる。過剰な放射または電子を他の気体が吸収するので、ＥＵＶまたは電子ビーム放射のために真空環境を使用してもよい。したがって、真空壁および真空ポンプの助けを借りて、ビーム経路の全体に真空環境が与えられてもよい。
【００３２】
リソグラフィ装置１００および／またはリソグラフィ装置１００’は２つ以上（２つの場合にはデュアルステージと呼ばれる）の基板テーブルＷＴ（及び／または２つ以上のマスクテーブル）を備えてもよい。このような多重ステージ型の装置においては、追加の基板テーブルＷＴが並行して使用されるか、あるいは１以上のテーブルで露光が行われている間に１以上の他の基板テーブルＷＴで準備工程が実行されるようにしてもよい。ある状況では、追加のテーブルは基板テーブルＷＴでなくてもよい。
【００３３】
図１Ａおよび図１Ｂを参照すると、イルミネータＩＬは放射源ＳＯから放射ビームを受け取る。例えば光源ＳＯがエキシマレーザである場合には、光源ＳＯとリソグラフィ装置１００、１００’とは別個の物理的実体であってもよい。この場合、光源ＳＯはリソグラフィ装置１００、１００’の一部を構成しているとはみなされなく、放射ビームＢは光源ＳＯからビーム搬送システムＢＤ（図１Ｂ）を介してイルミネータＩＬへと到達する。ビーム搬送システムＢＤは例えば適当な方向変更用ミラー及び／またはビームエキスパンダを含む。あるいは例えば光源ＳＯが水銀ランプである場合には、光源ＳＯはリソグラフィ装置１００、１００’に一体に構成されていてもよい。光源ＳＯとイルミネータＩＬとは、またビーム搬送システムＢＤが必要とされる場合にはこれも合わせて、放射システムと総称されることがある。
【００３４】
イルミネータＩＬは放射ビームの角強度分布を調整するアジャスタＡＤ（図１Ｂ）を備えてもよい。一般には、イルミネータの瞳面における照度分布の少なくとも外径及び／または内径の値（通常それぞれ「σｏｕｔｅｒ」、「σｉｎｎｅｒ」と呼ばれる）が調整される。加えてイルミネータＩＬは、インテグレータＩＮ及びコンデンサＣＯなどの他の要素（図１Ｂ）を備えてもよい。イルミネータＩＬはビーム断面における所望の均一性及び照度分布を得るべく放射ビームＢを調整するために用いられる。
【００３５】
図１Ａを参照すると、放射ビームＢは、支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴに保持されているパターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡに入射して、当該パターニングデバイスによりパターンが付与される。リソグラフィ装置１００では、放射ビームＢはパターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡから反射される。パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡから反射された後に、放射ビームＢは投影システムＰＳを通過する。投影システムＰＳはビームＢを基板Ｗのターゲット部分Ｃに合焦させる。第２ポジショナＰＷと位置センサＩＦ２（例えば、干渉計、リニアエンコーダ、静電容量センサなど）の助けにより、基板テーブルＷＴは、（例えば、放射ビームＢの経路に異なる複数のターゲット部分Ｃをそれぞれ位置決めするように）正確に移動される。同様に、第１ポジショナＰＭおよび別の位置センサＩＦ１を使用して、放射ビームＢの経路に対してパターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを正確に位置決めすることができる。マスクアライメントマークＭ１、Ｍ２および基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使用して、パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡおよび基板Ｗを位置合わせすることができる。
【００３６】
図１Ｂを参照すると、支持構造（例えばマスクテーブルＭＴ）に保持されるパターニングデバイス（例えばマスクＭＡ）に放射ビームＢが入射し、パターニングデバイスによってパターンが付与される。マスクＭＡの通過後、放射ビームＢは投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳが基板Ｗのターゲット部分Ｃにビームを合焦させる。投影システムは、照明システムの瞳ＩＰＵと共役の瞳ＰＰＵを有する。放射の一部は、照明システムの瞳ＩＰＵにおける強度分布から生じ、マスクパターンにおいて回折の影響を受けることなくマスクパターンを横切り、照明システムの瞳ＩＰＵにおいて強度分布の像を作り出す。
【００３７】
第２ポジショナＰＷと位置センサＩＦ（例えば、干渉計、リニアエンコーダ、静電容量センサなど）の助けにより、（例えば放射ビームＢの経路に異なるターゲット部分Ｃを位置決めするように）基板テーブルＷＴを正確に移動させることができる。同様に、（例えばマスクライブラリからのマスク交換後または走査の間に）第１ポジショナＰＭと別の位置センサ（図１Ｂに図示せず）により、放射ビームＢの経路に対してマスクＭＡを正確に位置決めすることができる。
【００３８】
一般に、マスクテーブルＭＴの移動は、ロングストロークモジュール（粗い位置決め用）及びショートストロークモジュール（精細な位置決め用）により実現される。これらモジュールは、第１ポジショナＰＭの一部を構成する。同様に、基板テーブルＷＴの移動は、第２ポジショナＰＷの一部を構成するロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールにより実現される。ステッパの場合には（スキャナとは異なり）、マスクテーブルＭＴはショートストロークモジュールにのみ接続されていてもよいし、マスクテーブルＭＴは固定されていてもよい。マスクＭＡと基板Ｗとは、マスクアライメントマークＭ１、Ｍ２、及び基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使用して位置合わせされる。（図示されるように）基板アライメントマークは専用のターゲット部分を占有しているが、基板アライメントマークはターゲット部分間の領域に配置されていてもよい（スクライブラインアライメントマークとして公知である）。同様に、マスクＭＡに複数のダイがある場合には、マスクアライメントマークがダイ間に配置されてもよい。
【００３９】
マスクテーブルＭＴおよびパターニングデバイスＭＡは、真空チャンバ内に位置することができる。真空内ロボットＩＶＲを用いて、マスクなどのパターニングデバイスを真空チャンバ内および外に移動することができる。あるいは、マスクテーブルＭＴおよびパターニングデバイスＭＡは、真空チャンバの外側にあり、真空内ロボットＩＶＲと似た様々な輸送作業のために真空外ロボットを用いることができる。真空中および真空外ロボットは、中継ステーションの固定されたキネマティックマウントへの任意のペイロード（例えばマスク）のスムーズな輸送ために較正される必要がある。
【００４０】
リソグラフィ装置１００、１００’は以下のモードのうち少なくとも一つで使用することができる。
【００４１】
１．ステップモードにおいては、放射ビームＢに付与されたパターンの全体が１回の照射で一つのターゲット部分Ｃに投影される間、支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴ及び基板テーブルＷＴは実質的に静止状態とされる（すなわち１回の静的な露光）。そして基板テーブルＷＴがＸ方向及び／またはＹ方向に移動されて、異なるターゲット部分Ｃが露光される。
【００４２】
２．スキャンモードにおいては、放射ビームに付与されたパターンがターゲット部分Ｃに投影される間、支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴ及び基板テーブルＷＴは同期して走査される（すなわち１回の動的な露光）。支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度及び方向は、投影システムＰＳの拡大（縮小）特性及び像反転特性により定められる。
【００４３】
３．別のモードにおいては、放射ビームに付与されたパターンがターゲット部分Ｃに投影される間、支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴはプログラム可能パターニングデバイスを保持して実質的に静止状態とされ、基板テーブルＷＴは移動または走査される。パルス放射源ＳＯが用いられ、プログラム可能パターニングデバイスは走査中に基板テーブルＷＴが移動するたびに、または連続するパルスとパルスの間に必要に応じて更新される。この動作モードは、プログラム可能ミラーアレイなどのプログラム可能パターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに適用可能である。
【００４４】
上記のモードを組み合わせて動作させてもよいし、モードに変更を加えて動作させてもよく、さらに全く別のモードを用いてもよい。
【００４５】
さらなる実施形態では、リソグラフィ装置１００は、極端紫外（ＥＵＶ）放射源を含む。極端紫外放射源は、ＥＵＶリソグラフィのためにＥＵＶ放射ビームを発生させるよう構成される。一般に、ＥＵＶ放射源は、放射システム内に構成され、対応する照明システムは、ＥＵＶ放射源のＥＵＶ放射ビームを調整するよう構成される。
【００４６】
図２は、リソグラフィ装置１００をより詳細に示す。ＥＵＶリソグラフィ装置１００は、放射コレクタ装置ＳＯ、照明システムＩＬ、および投影システムＰＳを含む。放射コレクタ装置ＳＯは、放射コレクタ装置ＳＯの密閉構造２２０内で真空環境を維持できるように構成および配置される。ＥＵＶ放射放出プラズマ２１０は、放電プラズマ源により形成される。ＥＵＶ放射は、例えばＸｅガス、Ｌｉ蒸気、またはＳｎ蒸気等の気体または蒸気により生成される。この気体または蒸気中に高温プラズマ２１０が形成されて、ＥＵＶ領域の電磁放射スペクトルの放射が発せられる。この高温プラズマ２１０は、例えば放電により少なくとも部分的にイオン化されたプラズマを生成することにより形成される。効率的に放射を生成するためには、Ｘｅ、Ｌｉ、Ｓｎ蒸気またはその他の適する気体または蒸気の例えば１０Ｐａの分圧が必要である。一実施形態では、励起されたスズ（Ｓｎ）のプラズマがＥＵＶ放射を生成するために提供される。
【００４７】
高温プラズマ２１０により放出された放射は、ソースチャンバ２１１からオプションのガスバリアまたは汚染物質トラップ２３０（ある場合には、汚染物質バリアまたはフォイルトラップとも称される）を通じてコレクタチャンバ２１２へと向かう。ガスバリアまたは汚染物質トラップ２３０は、ソースチャンバ２１１の開口またはその後方に配置されている。汚染物質トラップ２３０は、チャネル構造を含んでもよい。汚染物質トラップ２３０は、ガスバリアまたはガスバリアとチャネル構造の組み合わせを含んでもよい。本明細書に示す汚染物質トラップまたは汚染物質バリア２３０は、少なくとも技術的に知られたチャネル構造を含む。
【００４８】
コレクタチャンバ２１２は、放射コレクタＣＯを含む。放射コレクタＣＯは、いわゆる斜入射型コレクタであってよい。放射コレクタＣＯは、放射コレクタ上流側２５１および放射コレクタ下流側２５２を有する。放射コレクタＣＯを通過した放射は、格子スペクトルフィルタ２４０で反射され、コレクタチャンバ４８の開口に位置する仮想点源ＩＦに集束する。仮想点源ＩＦは、一般的に中間焦点と称され、放射源コレクタ装置は、中間焦点ＩＦが密閉構造２２０の開口２１９またはその近くに位置するように配置される。仮想点源ＩＦは、放射放出プラズマ２１０の像である。格子スペクトルフィルタ２４０は、特に赤外線（ＩＲ）放射を抑制するために用いられる。
【００４９】
その後、放射は照明システムＩＬを横切る。照明システムＩＬは、パターニングデバイスＭＡにおける所望の放射強度均一性とともに、パターニングデバイスＭＡにおける所望の放射ビーム２２１の角度分布を提供するよう配置されるファセットフィールドミラーデバイス２２２およびファセット瞳ミラーデバイス２２４を含む。支持構造ＭＴにより保持されたパターニングデバイスＭＡにおける放射ビーム２２１の反射により、パターンが付与されたビーム２２６が形成され、パターンが付与されたビーム２２６は、投影システムＰＳによって、反射素子２２８，２３０を介してウェハステージまたは基板テーブルＷＴにより保持された基板Ｗ上に結像される。
【００５０】
通常、図示されているよりも多くの素子が照明光学ユニットＩＬおよび投影システムＰＳに存在してよい。格子スペクトルフィルタ２４０は、リソグラフィ装置のタイプに応じてオプション的に存在してよい。さらに、図示されるよりも多くのミラーが存在してよい。例えば、図２に示すよりも多くの、１つ乃至６つの追加の反射素子が投影システムＰＳに存在してもよい。
【００５１】
図２に示すように、コレクタ光学システムＣＯは、コレクタ（またはコレクタミラー）のほんの一例として、斜入射リフレクタ２５３，２５４および２５５を伴う入れ子状のコレクタとして図示されている。斜入射リフレクタ２５３，２５４および２５５は、光軸Ｏの周りに軸対称に配置されており、このタイプのコレクタ光学システムＣＯは、ＤＰＰ源と称される放電プラズマ源と組み合わせて好適に用いられる。
【００５２】
（例示的なリソグラフィセル）
図３に示すリソグラフィセル３００は、たまにリソセルまたはクラスタとも称される。リソグラフィ装置１００または１００’は、リソグラフィセル３００の一部を形成してよい。リソグラフィセル３００は、基板上での露光前および露光後プロセスを実行するための装置も含んでよい。従来、これらは、レジスト層を堆積させるスピンコート装置ＳＣ、露光されたレジストを現像する現像装置ＤＥ、冷却プレートＣＨ、およびベークプレートＢＫを含む。基板ハンドラまたはロボットＲＯは、基板を入力／出力ポートＩ／Ｏ１，Ｉ／Ｏ２から取り出し、異なるプロセス装置間で基板を移動させ、リソグラフィ装置のローディングベイＬＢに基板を運ぶ。これらの装置（しばしば集合的にトラックと称される）は、トラック制御ユニットＴＣＵの制御下にあり、ＴＣＵ自体は監視制御システムＳＣＳにより制御され、ＳＣＳはリソグラフィ制御ユニットＬＡＣＵを介してリソグラフィ装置も制御する。したがって、異なる装置がスループットおよびプロセス効率を最大化させるように動作しうる。
【００５３】
（実施形態に係るアライメントシステム）
図４は、実施形態に係るリソグラフィ装置１００または１００’の一部として実装可能なアライメントシステム４００の断面図を模式的に示す。この実施形態の例では、アライメントシステム４００は、パターニングデバイス（例えばパターニングデバイスＭＡ）に対して基板（例えば基板Ｗ）を整列させるよう構成される。アライメントシステム４００はさらに、基板上のアライメントマークの位置を検出し、アライメントマークの検出位置を用いてリソグラフィ装置１００または１００’のパターニングデバイスまたは他の構成要素に対して基板を整列させるよう構成される。そのような基板のアライメントにより、確実に基板上に１つ以上のパターンの露光を正確に行うことができる。
【００５４】
実施形態によれば、アライメントシステム４００は、照明システム４１２、光学システム４１４、対物システム４１７、像回転干渉計４２６、検出器４２８、および信号解析器４３０を含む。照明システム４１２は、直線偏光状態などの第１偏光状態を有する電磁狭帯域放射ビーム４１３を提供するよう構成される。実施例では、狭帯域放射ビーム４１３は、約５００ｎｍから約９００ｎｍの間の波長のスペクトルの範囲内であってよい。別の実施例では、狭帯域放射ビーム４１３は、約５００ｎｍから約９００ｎｍの間の波長のスペクトルの範囲内に離散的な狭通過帯域を備える。さらに別の実施例では、放射ビーム４１３は、例えば、照明システム４１２中のレーザ光源などの、単色光源により提供される単色であってもよい。しかし、多色放射ビーム４１３を提供するようにＬＥＤなどの多色光源が照明システム４１２に用いられてもよい。
【００５５】
本実施形態によれば、光学システム４１４は、第１偏光状態を有する放射ビーム４１３を受け取り、それを円偏光状態などの第２偏光状態を有する放射ビーム４１５に変換するよう構成される。この実施形態の例では、光学システムは、図４に示すように、現行のアライメントシステムに対して上述の問題を生じることなく、放射ビーム４１５を基板４２０上に方向づけるよう構成される。すなわち、光学システム４１４は、実質的にその一部を吸収することなく、且つ光学システム４１４の構成要素を実質的に加熱することなく、放射ビーム４１５を方向づけるよう構成される。
【００５６】
基板４２０は、方向４２４に沿って移動可能なステージ４２２上に設置される。放射ビーム４１５は、基板４２０上に位置するアライメントマーク４１８を照明するよう構成される。アライメントマーク４１８は、この実施形態の例では、放射感受性フィルムでコーティングされる。別の例では、アライメントマーク４１８は、１８０度の対称性を有してよい。すなわち、アライメントマーク４１８をアライメントマーク４１８の面と垂直な対称軸まわりに１８０度回転したときに、回転されたアライメントマーク４１８は、回転されていないアライメントマーク４１８と実質的に全く一致する。
【００５７】
実施形態によれば、図４に示すように、対物システム４１７は、回折放射ビーム４１９を像回転干渉計４２６に向かわせるよう構成される。対物システム４１７は、回折放射ビーム４１９を方向づけるのに適した適切な数の光学素子を備えてよい。例示的な実施形態では、回折放射ビーム４１９は、アライメントマーク４１８から回折する放射ビーム４１５の少なくとも一部であってよい。図４では、回折放射ビーム４１９が光学システム４１４の外側を通るように図示されているが、本開示はそのように限定するものではないことを留意すべきである。光学システム４１４は、回折放射ビーム４１９に対して実質的に透明であってよく、回折放射ビーム４１９の特性を実質的に変えることなく、回折放射ビーム４１９が光学システム４１４を通過することを可能とする。対物システム４１７は放射ビーム４１９を像回転干渉計４２６に向かわせるよう図示されているが、本開示はそのように限定するものではないことをさらに留意すべきである。アライメントマーク４１８から回折信号を検出する類似の結果を得るために、他の光学的配置が用いられてよいことは当業者にとって明らかである。
【００５８】
さらなる実施形態では、像回転干渉計４２６は、任意の適切な一連の光学素子、例えば、受光した回折放射ビーム４１９に基づいて２つのアライメントマーク４１８の像を形成するよう構成されるプリズムの組み合わせを備えてよい。良質の像が形成される必要はないが、アライメントマーク４１８の特徴は解像されなければならないことを理解すべきである。像回転干渉計４２６はさらに、２つの像の一方を２つの像の他方に対して１８０度回転させ、回転像と非回転像とを干渉法によって再結合するよう構成されてよい。
【００５９】
検出器４２８は、アライメントシステム４００のアライメント軸４２１がアライメントマーク４１８の対称中心（図示せず）を通過するときに、再結合された像を受け取り、再結合された像の結果として干渉を検出するよう構成される。例示的な実施形態によれば、このような干渉は、１８０度の対称性を有するアライメントマーク４１８と、建設的または破壊的に干渉する再結合された像に起因するものである。検出された干渉に基づいて、検出器４２８はさらに、アライメントマーク４１８の対称中心の位置を決定して、その結果として基板４２０の位置を検出するよう構成されてよい。一例によれば、アライメント軸４２１は、基板４２０と垂直で且つ像回転干渉計４２６の中心を通る光ビームと一直線になってよい。
【００６０】
さらなる実施形態では、信号解析器４３０は、決定された対称中心の情報を含む信号４２９を受信するよう構成される。信号解析器４３０はさらに、ステージ４２２の位置を決定し、ステージ４２２の位置をアライメントマーク４１８の対称中心の位置と関連づけるよう構成される。したがって、アライメントマーク４１８の位置およびその結果として基板４２０の位置は、ステージ４２２を参照して正確に知ることができる。あるいは、信号解析器４３０は、アライメントマーク４１８の対称中心をアライメントシステム４００または任意の他の基準要素を参照してしることができるように、アライメントシステム４００または任意の他の基準要素の位置を決定するよう構成されてもよい。
【００６１】
（実施形態に係る光学システム）
図５は、実施形態に係る光学システム５１４の断面図を模式的に示す。光学システム５１４は、図４に示す光学システム４１４の例示的な実施形態を表す。放射ビーム５１３および５１５は、図４を参照して上述した放射ビーム４１３および４１５と同様である。
【００６２】
この実施形態の例では、光学システム５１４は、波長板５４０および光学素子５４２を備える。波長板５４０は、複屈折材料を有する１つ以上の波長板を備える。複屈折材料は例えば石英、マグネシウム、サファイアなどであるがこれらに限定されない。例えば、波長板５４０は、一組の石英波長板およびフッ化マグネシウム波長板または一組の石英波長板およびサファイア波長板を含んでよい。これらの波長板５４０を構成する波長板の組または波長板の任意の他の組み合わせは、互いに接着されてもよいし、互いに空隙を有して取り付けられてもよいし、互いに光学的に接触してもよいし、互いに光学的に結合されてもよい。
【００６３】
波長板５４０は、波長板５４０の向きおよび波長板５４０を構成する複屈折材料の種類に基づいて、波長板５４０を通過する放射ビーム（例えば放射ビーム５１３）に対して、所望の色収差補正または高次波長補正を提供するよう構成される。波長板５４０はさらに、第１偏光状態を有する放射ビームを第２偏光状態を有する放射ビームに変換するよう構成される。例えば、図５に示すように、波長板５４０は、第１偏光状態を有する入力放射ビーム５１３を受光し、放射ビーム５１３を第２偏光状態を有する入力放射ビーム５４４に変換するよう構成される。図６に示すように、第１偏光状態は、直線偏光状態であってよく、第２偏光状態は、楕円偏光状態であってよい。波長板５４０の複屈折材料の複屈折特性は、この第１偏光状態と第２偏光状態との間の変換に役立つ。複屈折材料は通常、それを通過する光の方向によって決まる屈折率値を有する。このような材料を伝播する偏光は、異なる伝播方向および偏光方向に対して異なる屈折率値を経験する。このような現象減少は、複屈折とも称される。しかしながら、複屈折材料の光軸に沿って伝播する偏光は、その偏光方向にかかわらず１つだけの屈折率値に直面する可能性がある。
【００６４】
図６は、波長板５４０通過後に放射ビーム５１３の放射ビーム５４４への変換を模式的に示す。この実施形態の例では、図６に示すように、放射ビーム５１３は、Ｘ軸に沿って信号する電界成分Ｅｘを有するＺ軸に沿って伝播する直線偏光した電磁波を備える。波長板５４０の複屈折効果に起因して、直線偏光した放射ビーム５１３は、波長板５４０を通って進むときに、２つの直線偏光した直交成分、例えば、波長板５４０の通常軸（例えばＸ軸）に沿って方向づけられた電界成分（Ｅｘ）と、波長板５４０の異常軸（例えばＹ軸）に沿って方向づけられた電界成分（Ｅｙ）、に変換される。これらの成分のそれぞれの移動速度は、複屈折効果に起因して波長板５４０内で互いに対して異なる。波長板５４０を通って進むときのこの２つの直交成分間の速度差は、それらの間の相対位相シフトをもたらす可能性があり、結果として第１位相値φ１および放射ビーム５１３の第１偏光状態と異なる第２偏光状態を有する放射ビーム５４４をもたらす可能性がある。図６に示すように、放射ビーム５４４が約±９０°より大きいまたはそれ未満の第１位相値φ１を有し、且つ放射ビーム５４４がＺ軸に沿って伝播しながら、放射ビーム５４４の電界成分ＥｘおよびＥｙが完全な波の周期の間にＸＹ平面上で楕円６５０を描くとき、放射ビーム５４４は楕円偏光状態を有する。放射ビーム５４４は完全偏光していると見なすことができる。
【００６５】
波長板５４０によりもたらされる楕円率および位相シフトは、放射ビーム５１３の入射面（例えばＸＺ平面）に対する波長板５４０の方向によって決まる。一例では、直線偏光した放射ビーム５１３を楕円偏光放射ビーム５４４に変換するために、波長板５４０の光軸６５２は、ＸＺ平面に対して角度θで方向づけられる。角度θは、約４５°より大きいまたはそれ未満である。位相シフトは、波長板５４０の厚さおよびその内部の屈折率値の変動によっても決まる。これらのパラメータ間の関係の適切な選択により、楕円偏光状態の楕円の大きさおよび方向を制御することができる。
【００６６】
図５に戻り、実施形態では、光学素子５４２は、放射ビーム５４４の伝播方向に対して角度αで方向づけされ、波長板５４０から放射ビーム５４４を受光するように構成される。実施形態によれば、光学素子５４２はさらに、放射ビーム５４４の全反射を提供するよう構成される。このような放射ビーム５４４の全反射は、光学素子５４２による放射ビーム５４４の吸収を防止するまたは最小限にし、従って、光学素子５４２の加熱を防ぐまたは最小限にするのに役立つ。全反射は、放射ビーム５４４の直交成分に位相シフトをもたらし、その結果、第２位相値φ２および第１および第２偏光状態と異なる第３偏光状態を有する出力放射ビーム５１５を生じさせる。第３偏光状態は、（図７に示すように）円偏光状態であってよい。放射ビーム５１５が約±９０°に等しい第２位相値φ２を有し、且つ放射ビーム５１５がＺ軸方向に伝播しながら、放射ビーム５１５の電界成分Ｅｘ，Ｅｙが完全な波の周期の間に円７５４を描くとき、放射ビーム５１５は、右回りまたは左回り円偏光状態を有する（図７参照）。
【００６７】
実施形態によれば、光学素子５４２は、反射面を有する素子（例えば全反射フォールドミラー）であってよく、ガラス材料（例えばＳＣＨＯＴＴにより製造されたＳＦ２ガラス）から成ってよい。放射ビーム５４４によりもたらされる位相シフトは、光学素子５４２の屈折率値および／または放射ビーム５４４に対する光学素子５４２の方向（角度α）によって決まる。波長板５４０に関する複屈折材料および厚さおよび方向の選択は、放射ビーム５１５の所望の偏光状態を得るために、この光学素子５４２の屈折率値に基づいてなされる。一例によれば、１．６３５の屈折率値を有し、全反射フォールドミラーとして機能する光学素子５４２に対して、放射ビーム５１５の所望の円偏光状態を達成するために、波長板５４０は、一組の複屈折材料の波長板（例えば約６６４．８μｍの厚さを有する石英波長板と約５３１．５μｍの厚さを有するフッ化マグネシウムの波長板）を有するよう設計されてよく、放射ビーム５４４に対して約１３０．９°の位相シフト値をもたらすように約６４．５°、約１１５．５°、約２４４．５°、または２９５．５°の角度θで方向づけられてよい。波長板５４０に関する波長板の複屈折材料の一例がここで述べられているが、本開示はそのように限定するものではないことを留意すべきである。放射ビーム５１５の所望の円偏光状態を達成するために、同一または異なる屈折率および方向の光学素子５４２に対する波長板５４０に関して、他の複屈折材料の波長板または複屈折材料の波長板の組み合わせが選択されてよい。
【００６８】
本明細書ではＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用を例として説明しているが、リソグラフィ装置は他の用途にも適用することが可能であるものと理解されたい。他の用途としては、集積光学システム、磁区メモリ用案内パターンおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどがある。当業者であればこれらの他の適用に際して、本明細書における「ウェーハ」あるいは「ダイ」という用語がそれぞれ「基板」あるいは「ターゲット部分」という、より一般的な用語と同義であるとみなされると理解することができるであろう。基板は露光前または露光後においてトラック（典型的にはレジスト層を基板に塗布し、露光後のレジストを現像する装置）、メトロロジツール、及び／またはインスペクションツールにより処理されてもよい。適用可能であれば、本明細書の開示はこれらのまたは他の基板処理装置にも適用され得る。また、基板は例えば多層ＩＣを製造するために複数回処理されてもよく、その場合には本明細書における基板という用語は既に処理されている多数の処理層を含む基板をも意味する。
【００６９】
以上では光学リソグラフィとの関連で本発明の実施形態の使用に特に言及しているが、本発明は、インプリントリソグラフィなどの他の用途においても使用可能であり、状況が許せば、光学リソグラフィに限定されないことが理解される。インプリントリソグラフィでは、パターニングデバイスのトポグラフィによって、基板上に生成されるパターンが画定される。パターニングデバイスのトポグラフィを基板に供給されたレジストの層に押しつけ、その後に電磁放射、熱、圧力またはその組合せにより、レジストを硬化する。パターニングデバイスをレジストから離し、レジストを硬化した後にパターンを残す。
【００７０】
本明細書の表現または専門用語は、説明を目的としており限定のためではなく、本明細書の専門用語または表現は、本明細書の教示を考慮して当業者によって解釈されるべきものであることを理解されたい。
【００７１】
本明細書に記載の実施例において、「レンズ」「レンズ素子」なる用語は文脈が許す限り、屈折光学素子、反射光学素子、磁気的光学素子、電磁的光学素子、および静電的光学素子を含むさまざまな種類の光学素子のいずれかまたは任意の組み合わせを示してもよい。
【００７２】
さらに、本明細書における「放射」及び「ビーム」なる用語は、（例えば３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ、または１２６ｎｍの波長λを有する）紫外（ＵＶ）放射、（例えば５乃至２０ｎｍの範囲に含まれる波長（例えば１３．５ｎｍ）を有するか、５ｎｍ未満で作動する硬Ｘ線）極紫外（ＥＵＶまたは軟Ｘ線）放射を含むあらゆる電磁放射、及びイオンビームまたは電子ビーム等の粒子ビームを含む。一般に、約４００乃至約７００ｎｍの間の波長を有する放射は可視放射と見なされ、約７８０乃至３０００ｎｍ（またはそれ以上）の間の波長を有する放射は赤外放射とみなされる。ＵＶとはおよそ１００乃至４００ｎｍの波長を有する放射をいう。リソグラフィにおいては「ＵＶ」なる用語も水銀放電ランプにより生成される波長に用いられる。４３６ｎｍのＧ線、４０５ｎｍのＨ線、３６５ｎｍのＩ線である。真空ＵＶ（ＶＵＶ、つまり気体に吸収されるＵＶ）とはおよそ１００乃至２００ｎｍの波長を有する放射をいう。深紫外（ＤＵＶ）とは一般に１２６ｎｍから４２８ｎｍの波長を有する放射をいう。一実施形態においては、エキシマレーザが、リソグラフィ装置で使用されるＤＵＶ放射を生成可能である。なお、例えば５乃至２０ｎｍの波長を有する放射とは、５乃至２０ｎｍの範囲の少なくとも一部のある波長域を有する放射を言うものと理解されたい。
【００７３】
本明細書で用いられる「基板」という用語は一般に、次の材料層が上に追加される材料を言い表す。実施形態では、基板自体がパターニングされてもよく、その上に追加される材料もパターニングされてもよく、又はパターニングされずに保たれてもよい。
【００７４】
本明細書で用いられる「実質的に接触する」という用語は一般に、通常はミスアライメントの許容差の結果である互いのわずかな離間のみで互いに物理的に接触する要素又は構造を言い表す。本明細書で用いられる１つ以上の特定の特徴、構造又は特性（例えば、「垂直に位置合わせされ」、「実質的に接触する」など）は説明目的のためだけに用いられ、本明細書に記載の構造の実際の実施には、本開示の精神及び範囲から逸脱することなくミスアライメントの許容差が含まれてもよいことを理解されたい。
【００７５】
本明細書で用いられる「光学的に結合される」という用語は一般に、一方の結合素子が光をもう一方の結像素子に直接的または間接的に与えるよう構成されていることを指す。
【００７６】
本明細書で用いられる「光学材料」という用語は一般に、光または光エネルギーがその中でまたはそれを通って伝播することを可能とする材料を指す。
【００７７】
本発明の特定の実施形態について上述したが、本発明は説明したもの以外の態様で実施されてもよいことを理解されたい。上記説明は本発明を限定することを意図していない。
【００７８】
発明の概要および要約の部分ではなく、詳細な説明の部分が特許請求の範囲を解釈するために用いられることを意図されていることを理解すべきである。発明の概要および要約の部分は、発明者によって考案された本発明の実施形態のうち一つまたは複数について述べているが、全ての例示的な実施形態について述べている訳ではない。したがって、本発明および添付の特許請求の範囲をいかなる方法によっても限定する意図はない。
【００７９】
特定の機能および関係の実現を例証する機能的な構成要素の助けを用いて本発明を上記で説明してきた。これらの機能的な構成要素の境界は、説明の便宜上、適宜定義されている。それらの特別な機能および関係が適切に実行される限り、別の境界も定義することができる。
【００８０】
特定の実施形態についての上記説明は本発明の一般的性質を完全に公開しており、したがって、当分野の能力に含まれる知識を適用することによって、過度の実験をすることなく、および本発明の一般概念から逸脱することなく、種々の応用に対してそのような特定の実施形態を直ちに修正しおよび／または適応させることができる。したがって、そのような適応および修正は、本書に提示された教示および助言に基づき、開示された実施形態の意義および等価物の範囲内であると意図されている。
【００８１】
本発明の広さおよび範囲は、上述した例示的な実施形態のいずれによっても限定されるべきではなく、以下の特許請求の範囲およびそれらの等価物にしたがってのみ規定されるべきである。
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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