(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
光の透過方向に配置された２つの偏光子と、該２つの偏光子の間に配置された材料組成の異なる２種類のファラデー回転子と、該２種類のファラデー回転子に磁界を印加する磁石とを具備し、所定の使用波長範囲で使用される光アイソレータであって、
前記使用波長範囲が、１５００ｎｍ以上１６００ｎｍ以下であり、
前記２種類のファラデー回転子は、第１の材料からなる第１のファラデー回転子と該第１のファラデー回転子よりも回転角度が小さく、第２の材料からなる第２のファラデー回転子で構成され、前記第１のファラデー回転子と前記第２のファラデー回転子の回転方向は反対であり、
前記第１の材料と前記第２の材料のそれぞれからなる前記使用波長範囲の中間波長での４５ｄｅｇ回転子の比較において、前記第１の材料からなる４５ｄｅｇ回転子の前記使用波長範囲での回転角度の波長依存性は、前記第２の材料からなる４５ｄｅｇ回転子の前記使用波長範囲での回転角度の波長依存性よりも小さく、
前記第１のファラデー回転子と前記第２のファラデー回転子の前記回転角度の波長依存性の差の絶対値が、前記第１の材料からなる４５ｄｅｇ回転子の前記回転角度の波長依存性の絶対値よりも小さいものであり、
前記第１の材料が、ビスマス置換希土類鉄ガーネットであり、
前記第２の材料が、（ＣｅＲ）３（ＦｅＭ）５Ｏ１２で表され、ＲはＹ、Ｌａ、Ｎｄ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｈｏ、Ｙｂ、Ｌｕから選択され、ＭはＡｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎから選択されるものであることを特徴とする光アイソレータ。
【請求項２】
前記使用波長範囲の中間波長における、前記第１のファラデー回転子の回転角度と前記第２のファラデー回転子の回転角度との和が、４５±０．５ｄｅｇの範囲内であることを特徴とする請求項１に記載の光アイソレータ。
【請求項３】
前記第１のファラデー回転子と前記第２のファラデー回転子との前記回転角度の波長依存性の差の絶対値が、０．０３ｄｅｇ／ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の光アイソレータ。
【請求項４】
光の透過方向に配置された２つの偏光子と、該２つの偏光子の間に配置された材料組成の異なる２種類のファラデー回転子と、該２種類のファラデー回転子に磁界を印加する磁石とを具備し、所定の使用波長範囲で使用される光アイソレータの製造方法であって、
前記使用波長範囲が、１５００ｎｍ以上１６００ｎｍ以下であり、
前記材料組成の異なる２種類のファラデー回転子を、第１の材料からなる第１のファラデー回転子と第２の材料からなる第２のファラデー回転子としたときに、前記第１のファラデー回転子の第１の材料として、前記２種類の材料から、前記使用波長範囲の中間波長での４５ｄｅｇ回転子の前記使用波長範囲での回転角度の波長依存性が小さい方の材料を選択する工程と、
前記第１のファラデー回転子の厚さを前記第１の材料からなる前記４５ｄｅｇ回転子の厚さよりも厚くし、前記第２のファラデー回転子の厚さを前記第２の材料からなる前記４５ｄｅｇ回転子の厚さよりも薄くし、前記第１のファラデー回転子と前記第２のファラデー回転子の回転方向を反対とすることにより、前記使用波長範囲の中間波長における、前記第１のファラデー回転子の回転角度と前記第２のファラデー回転子の回転角度との和を４５±０．５ｄｅｇの範囲内となるようにし、かつ、前記第１のファラデー回転子と前記第２のファラデー回転子の前記回転角度の波長依存性の差の絶対値が、前記第１の材料からなる４５ｄｅｇ回転子の前記回転角度の波長依存性の絶対値よりも小さくなるように調整する工程とを、有し、
前記第１の材料を、ビスマス置換希土類鉄ガーネットとし、
前記第２の材料を、（ＣｅＲ）３（ＦｅＭ）５Ｏ１２で表され、ＲはＹ、Ｌａ、Ｎｄ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｈｏ、Ｙｂ、Ｌｕから選択され、ＭはＡｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎから選択されるものとすることを特徴とする光アイソレータの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光通信や光計測で用いられる、ファイバ端やレンズ端からの反射光を光源となるレーザへ戻さないようにする為の光学部品である光アイソレータとその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
光通信や光計測において、光源となる半導体レーザから出た光が、伝送路途中に設けられた部材表面からの反射によって半導体レーザに戻ってくると、レーザ発振が不安定になってしまう。このような反射戻り光を遮断する為に、偏光面を非相反で回転させるファラデー回転子を用いた光アイソレータが使用される。
【０００３】
近年、光通信で使用される半導体レーザモジュールにおいては、発振波長に自由度をもたせるためにチューナブルレーザが用いられることが増えてきている。
【０００４】
しかしながら、光アイソレータに用いられるファラデー回転子の回転角度は光の波長によって変化するため、通常の光アイソレータでは波長可変のチューナブルレーザに対応することが困難であった。
【０００５】
一方、ファラデー回転子の回転角度は温度によっても変化することから、チューナブルレーザが用いられる半導体レーザモジュールでは、光アイソレータを温度調節器（ペルチエ素子）上に配置することによって、その光アイソレータの波長安定性を高めている。
【０００６】
また、光アイソレータ自体も、比較的広い波長範囲で逆方向挿入損失（アイソレーション）を３０ｄＢ以上と高くすることができるようにするため、図５に示すように、偏光子（２１、２２、２３）を３枚用いて各々の間にそれぞれファラデー回転子（１７、１８）を配置する１．５構成の光アイソレータ２００や、図４に示すように、２枚の偏光子（１１、１２）と１つのファラデー回転子１６を備える１段構成の光アイソレータ１００を並べた２段構成の光アイソレータが用いられてきた。尚、光アイソレータ２００には磁石１４が、光アイソレータ１００には、磁石１３がそれぞれ設けられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開昭５５−１３８７１１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
前述のように、波長可変のチューナブルレーザとともに使用される光アイソレータでは、温度調節器を用いたり、１．５構成や２段構成にしたりすることによって対応しているが、温度調節器を用いることは小型化や省電力化の要求に反するものであり、また、１．５構成や２段構成の光アイソレータは高価な偏光子を多く使用し、長さも長くなることから、低コスト化や光学的な観点から不利となっている。
【０００９】
また、光アイソレータの波長依存性を小さくするための手法として、特許文献１には、複数のファラデー回転子を組み合わせることによって、回転角度の総和を温度や波長によらず一定にすることが示されている。
【００１０】
しかしながら、特許文献１に示されているＹ３Ｆｅ５Ｏ１２とＹ３−ｘＢｉｘＦｅ５Ｏ１２の組み合わせでは、１１５０ｎｍ程度の短波長には適用可能であるが、光通信で用いられる１３１０ｎｍや１５５０ｎｍの波長で適用する場合にはファラデー回転子の厚みが非常に大きくなってしまう。また、これらの材料は、製造方法がＦＺ（フローティングゾーン）法やフラックス法に制限されるため、工業生産に不向きで高価である。
【００１１】
さらに、特許文献１には、Ｙ３−ｘＢｉｘＦｅ５Ｏ１２のＢｉ含有量を調整することで、波長依存性を調節する手法が示されているが、この手法は、他の材料組成には適用できない上に、Ｂｉ含有量の異なる複数の材料を準備して設計しなければならないため製造過程が煩雑である。
【００１２】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであって、低コストで光学的に有利な１段構成で、かつ、工業生産上有利な材料を用いて、１００ｎｍ程度の広い波長範囲において高い逆方向挿入損失を得ることができる光アイソレータを提供することを目的とする。また、本発明はそのような特徴を有する光アイソレータの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記目的を達成するために、本発明は、光の透過方向に配置された２つの偏光子と、該２つの偏光子の間に配置された材料組成の異なる２種類のファラデー回転子と、該２種類のファラデー回転子に磁界を印加する磁石とを具備し、所定の使用波長範囲で使用される光アイソレータであって、
前記２種類のファラデー回転子は、第１の材料からなる第１のファラデー回転子と該第１のファラデー回転子よりも回転角度が小さく、第２の材料からなる第２のファラデー回転子で構成され、前記第１のファラデー回転子と前記第２のファラデー回転子の回転方向は反対であり、
前記第１の材料と前記第２の材料のそれぞれからなる前記使用波長範囲の中間波長での４５ｄｅｇ回転子の比較において、前記第１の材料からなる４５ｄｅｇ回転子の前記使用波長範囲での回転角度の波長依存性は、前記第２の材料からなる４５ｄｅｇ回転子の前記使用波長範囲での回転角度の波長依存性よりも小さく、
前記第１のファラデー回転子と前記第２のファラデー回転子の前記回転角度の波長依存性の差の絶対値が、前記第１の材料からなる４５ｄｅｇ回転子の前記回転角度の波長依存性の絶対値よりも小さいものであることを特徴とする光アイソレータを提供する。
【００１４】
このように、２種類のファラデー回転子の回転方向を反対として、回転角度の波長依存性を相殺させて、回転角度の波長依存性が小さい第１の材料からなる第１のファラデー回転子の回転角度の波長依存性をさらに低減することで、１００ｎｍ程度の広い波長範囲において高い逆方向挿入損失を実現することが可能になる。また、２種類のファラデー回転子の選択にあたって、厳しい制約を受けずに、工業生産に有利な材料の中から選択することが可能になる。
【００１５】
このとき、前記使用波長範囲の中間波長における、前記第１のファラデー回転子の回転角度と前記第２のファラデー回転子の回転角度との和が、４５±０．５ｄｅｇの範囲内であることが好ましい。
【００１６】
このように、中間波長における回転角度の和が、４５±０．５ｄｅｇの範囲内であれば、該中間波長での逆方向挿入損失を使用波長範囲でのほぼ最大値とすることが可能となり、広い波長範囲で高い逆方向挿入損失を達成することができる。
【００１７】
このとき、前記第１のファラデー回転子と前記第２のファラデー回転子との前記回転角度の波長依存性の差の絶対値が、０．０３ｄｅｇ／ｎｍ以下であることが好ましい。
【００１８】
このように、波長依存性の差の絶対値が、０．０３ｄｅｇ／ｎｍ以下であれば、約１００ｎｍに及ぶ広い波長範囲で、３０ｄＢ以上の高い逆方向挿入損失を実現することができる。
【００１９】
このとき、前記使用波長範囲が、１５００ｎｍ以上１６００ｎｍ以下であることが好ましい。
【００２０】
このような使用波長範囲の光アイソレータであれば、光通信に好適に用いることができる。
【００２１】
このとき、前記第２の材料が、（ＣｅＲ）３（ＦｅＭ）５Ｏ１２で表され、ＲはＹ、Ｌａ、Ｎｄ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｈｏ、Ｙｂ、Ｌｕから選択され、ＭはＡｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎから選択されるものであることが好ましい。
【００２２】
このような（ＣｅＲ）３（ＦｅＭ）５Ｏ１２で表される材料は、１２５０ｎｍから１６５０ｎｍの波長域においてファラデー回転角度の波長依存性が比較的大きく、第１のファラデー回転子の波長依存性を相殺するのに好適である。また、（ＣｅＲ）３（ＦｅＭ）５Ｏ１２で表される材料は、前記波長域において、単位長さ（厚さ）あたりのファラデー回転角度が大きいので、第２のファラデー回転子の厚みを薄くすることもできる。
【００２３】
さらに、上記目的を達成するために、本発明では、光の透過方向に配置された２つの偏光子と、該２つの偏光子の間に配置された材料組成の異なる２種類のファラデー回転子と、該２種類のファラデー回転子に磁界を印加する磁石とを具備し、所定の使用波長範囲で使用される光アイソレータの製造方法であって、
前記材料組成の異なる２種類のファラデー回転子を、第１の材料からなる第１のファラデー回転子と第２の材料からなる第２のファラデー回転子としたときに、前記第１のファラデー回転子の第１の材料として、前記２種類の材料から、前記使用波長範囲の中間波長での４５ｄｅｇ回転子の前記使用波長範囲での回転角度の波長依存性が小さい方の材料を選択する工程と、
前記第１のファラデー回転子の厚さを前記第１の材料からなる前記４５ｄｅｇ回転子の厚さよりも厚くし、前記第２のファラデー回転子の厚さを前記第２の材料からなる前記４５ｄｅｇ回転子の厚さよりも薄くし、前記第１のファラデー回転子と前記第２のファラデー回転子の回転方向を反対とすることにより、前記使用波長範囲の中間波長における、前記第１のファラデー回転子の回転角度と前記第２のファラデー回転子の回転角度との和を４５±０．５ｄｅｇの範囲内となるようにし、かつ、前記第１のファラデー回転子と前記第２のファラデー回転子の前記回転角度の波長依存性の差の絶対値が、前記第１の材料からなる４５ｄｅｇ回転子の前記回転角度の波長依存性の絶対値よりも小さくなるように調整する工程とを、有することを特徴とする光アイソレータの製造方法を提供する。
【００２４】
このような光アイソレータの製造方法により、１００ｎｍ程度の広い波長範囲において高い逆方向挿入損失を実現する光アイソレータを製造することができる。また、２種類のファラデー回転子を選択する際に、工業生産に有利な材料の中から選択することが可能になる。
【発明の効果】
【００２５】
以上のように、本発明の光アイソレータによれば、２枚の偏光子を用いた１段型光アイソレータでありながら、１００ｎｍ程度の広い波長範囲において高い逆方向挿入損失を実現することが可能となる。また、ファラデー回転子を、工業生産に有利な材料から選択することができ、広い波長範囲において高い逆方向挿入損失をもつ光アイソレータを低コスト化できる。さらに、本発明の光アイソレータの製造方法によれば、広い波長範囲において高い逆方向挿入損失を有する光アイソレータを容易に実用化することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】本発明の光アイソレータの概略図である。
【図２】本発明の別の光アイソレータの概略図である。
【図３】本発明の光アイソレータの製造方法の工程を示すフロー図である。
【図４】１段構成の光アイソレータの概略図である。
【図５】１．５段構成の光アイソレータの概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
以下、本発明について、実施態様の一例として、図を参照しながら詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
【００２８】
まず、本発明の光アイソレータの構成について、図１及び図２を参照して以下で説明する。
【００２９】
図１は本発明の光アイソレータ１０を示す概略図である。本発明の光アイソレータ１０は、光の透過方向に配置された２つの偏光子（１、２）、その間に配置された材料組成の異なる２種類のファラデー回転子（６、７）、及び磁界を印加するための磁石３から構成される。このような１段構成の光アイソレータとすることによって、低コストで作製することができ、かつ、光アイソレータの長さも短くすることができるため光学的に有利となる。
【００３０】
ここで、２種類のファラデー回転子は、第１の材料からなる第１のファラデー回転子（６又は７）と該第１のファラデー回転子よりも回転角度が小さく、第２の材料からなる第２のファラデー回転子（７又は６）で構成され、第１のファラデー回転子６の回転角度の大きさが、第２のファラデー回転子７の回転角度より大きい。第１のファラデー回転子６と第２のファラデー回転子７の回転方向は反対である。
【００３１】
本発明の光アイソレータでは、第１の材料と第２の材料のそれぞれからなる使用波長範囲の中間波長での４５ｄｅｇ回転子の比較において、第１の材料からなる４５ｄｅｇ回転子の使用波長範囲での回転角度の波長依存性は、第２の材料からなる４５ｄｅｇ回転子の使用波長範囲での回転角度の波長依存性よりも小さい。換言すると、使用波長範囲の中間波長での４５ｄｅｇ回転子の使用波長範囲での波長依存性は、第１の材料からなる４５ｄｅｇ回転子よりも、第２の材料からなる４５ｄｅｇ回転子の方が大きい。
【００３２】
ここで、使用波長範囲とは本発明の光アイソレータが実際に使用され得る波長範囲のことを指すが、設計上の想定波長範囲を指す場合もある。例えば、１５００ｎｍから１６００ｎｍの波長範囲で使用されることを想定した場合、この範囲が使用波長範囲となる。また、中間波長とは実質的にこの波長範囲の中心値の波長のことである。波長範囲が１５００ｎｍから１６００ｎｍであるので、中間波長は１５５０ｎｍとなる。但し、中間波長は厳密に使用波長範囲の中心値の波長でなくともよく、中心値の波長±１０ｎｍ程度の範囲に入っていればよい。
【００３３】
さらに、使用波長範囲の中間波長での４５ｄｅｇ回転子とは、この場合、波長１５５０ｎｍで回転角度が４５ｄｅｇとなるように厚みを調整した回転子のことをいう。そして、この回転子の使用波長範囲での回転角度の波長依存性とは、１５００ｎｍから１６００ｎｍにおける単位波長あたりの回転角度の変化率、すなわち、回転角度の変化量をΔθ、波長の変化量をΔλとしたときに、Δθ／Δλ［ｄｅｇ／ｎｍ］で表される値である。尚、使用波長範囲の中間波長での４５ｄｅｇ回転子のことを、以下では単に４５ｄｅｇ回転子と言うことがある。
【００３４】
さらに、本発明の光アイソレータにおいては、第１のファラデー回転子６と第２のファラデー回転子７の使用波長範囲での回転角度の波長依存性の差の絶対値は、第１の材料からなる使用波長範囲の中間波長の光での４５ｄｅｇ回転子の回転角度の波長依存性のよりも小さい。この特徴により、第２のファラデー回転子の回転角度の波長依存性が大きく、結果的に２種類のファラデー回転子による回転角度の波長依存性が、１種類のファラデー回転子による第１の材料からなる４５ｄｅｇ回転子の波長依存性よりも大きくなってしまう場合が除外される。
【００３５】
ここで、一般にファラデー回転子による回転角度は、波長の短い側で大きく、波長の長い側で小さくなるため、回転角度の波長依存性の符号は負となる。従って、第１のファラデー回転子と第２のファラデー回転子の回転方向が同じであれば、２つのファラデー回転子による回転角度の波長依存性は、２つの負の数値の和となり、その絶対値は個別の絶対値より大きくなってしまうため、光アイソレータの回転角度の波長依存性は改善しない。しかしながら、本発明の光アイソレータでは、第１のファラデー回転子と第２のファラデー回転子の回転方向が反対であるため、２種類のファラデー回転子による回転角度の波長依存性を相殺して小さくできる。
【００３６】
以上のような構成にすることで、１種類のファラデー回転子のみを用いた場合よりも光アイソレータとしての波長依存性を小さくすることができるため、広い波長範囲に適用することが可能となる。尚、本発明の光アイソレータは、基本的に２５℃での使用を想定して構成されているが、これには限定されずに、任意の温度での使用に合わせた構成とすることができる。
【００３７】
また、使用波長範囲の中間波長における、第１のファラデー回転子６の回転角度と第２のファラデー回転子７の回転角度との和は、４５±０．５ｄｅｇの範囲内であることが好ましく、４５ｄｅｇであることがさらに好ましい。使用波長範囲の中間付近の波長の光に対して逆方向挿入損失の値が最大となるようにすることにより、広い波長範囲において高い逆方向挿入損失を示す光アイソレータが得られる。
【００３８】
また、このとき、第１のファラデー回転子６と第２のファラデー回転子７の使用波長範囲での回転角度の波長依存性の差の絶対値は、０．０３０ｄｅｇ／ｎｍ以下であることが好ましく、０．０１０ｄｅｇ／ｎｍ以下であることがさらに好ましい。このようにすれば、約１００ｎｍに及ぶ波長範囲で３０ｄＢ以上の高い逆方向挿入損失を実現することが可能となる。
【００３９】
また、本発明の光アイソレータにおいては、使用波長範囲を１５００ｎｍ以上、１６００ｎｍ以下とすることができる。このような使用波長範囲であれば、光通信用の光アイソレータとして特に好適である。
【００４０】
本発明の光アイソレータに用いられるファラデー回転子の材料は、上記条件を満たす限りにおいて制限はなく、種々の材料から選択することができるが、第１のファラデー回転子６の材料としては、光通信で使用される１２５０ｎｍから１６５０ｎｍ波長域において透過率が高く、ファラデー回転係数が大きなビスマス置換希土類鉄ガーネットを用いることが好ましい。このような材料を用いれば、透過損失を小さくすることができ、ファラデー回転子の厚みも薄くすることが可能である。
【００４１】
また、第２のファラデー回転子７の材料としては、１２５０ｎｍから１６５０ｎｍの波長域においてファラデー回転角度の波長依存性が大きな（ＣｅＲ）３（ＦｅＭ）５Ｏ１２を用いることが好ましい。また、（ＣｅＲ）３（ＦｅＭ）５Ｏ１２は、上記波長域において単位長さあたりのファラデー回転角度が大きいため、ファラデー回転子の厚みを薄くすることもできる。ここで、ＲはＹ、Ｌａ、Ｎｄ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｈｏ、Ｙｂ、Ｌｕから選択され、ＭはＡｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎから選択されるものであることが好ましい。
【００４２】
本発明の光アイソレータに用いられる偏光子や磁石にも制限はなく、設計に応じて、材料や形状を決定すればよい。磁石３はファラデー回転子に磁界を印加するために用いられるが、所定のファラデー回転角度を得るには所定の磁気飽和させる必要があり、小型化のためには磁力の大きなものが有利である。
【００４３】
本発明の光アイソレータにおいて、第１のファラデー回転子６によるファラデー回転の方向と第２のファラデー回転子７によるファラデー回転の方向は逆方向（反対方向）となる。
【００４４】
２種類のファラデー回転子に対して同一方向の磁界を印加したときに、ファラデー回転の方向が同一となる場合は、ラジアル配向磁石を用いれば、各ファラデー回転子に逆方向の磁界を印加することができるため、ファラデー回転の方向を逆方向とすることができる。図１には、このことを示した。図１では第１のファラデー回転子６と第２のファラデー回転子７には逆方向の磁界が印加され、その結果、各ファラデー回転子の回転の方向は反対になる。
【００４５】
また、（ＧｄＨｏ）１．８Ｂｉ１．２Ｆｅ４．８Ｇａ０．２Ｏ１２のような材料の場合、Ｇａの組成比を増やすことにより、ファラデー回転の方向を逆方向にすることができるため、２種類のファラデー回転子に対して同一方向の磁界を印加してもよい。さらに、Ｇａの代わりにＡｌを用いた場合も同様の効果が期待でき、ＧａとＡｌの両方を同時に用いてもよい。このようなファラデー回転子を用いた光アイソレータ２０を、図２に示した。図２に示す本発明の光アイソレータ２０は、２枚の偏光子１、２、磁石４、第１のファラデー回転子８（又は９）、及び第２のファラデー回転子９（又は８）を具備している。図２に示すように、磁界の印加方向は、各ファラデー回転子で同じであるが、各ファラデー回転子の回転の方向は反対になる。
【００４６】
次に、本発明の光アイソレータの製造方法について、主に図１を参照して以下に説明する。
【００４７】
本発明の光アイソレータの製造方法は、光の透過方向に配置された２つの偏光子（１、２）と、その２つの偏光子の間に配置された材料組成の異なる２種類のファラデー回転子（６、７）と、その２種類のファラデー回転子に磁界を印加する磁石３とを具備し、所定の使用波長範囲で使用される光アイソレータの製造方法であり、以下の工程を有している。すなわち、本発明の光アイソレータの製造方法は、材料組成の異なる２種類のファラデー回転子を、第１の材料からなる第１のファラデー回転子６と第２の材料からなる第２のファラデー回転子７としたときに、第１のファラデー回転子６の第１の材料として、２種類の材料から、使用波長範囲の中間波長での４５ｄｅｇ回転子の使用波長範囲での回転角度の波長依存性が小さい方の材料を選択する工程と、第１のファラデー回転子６の厚さを第１の材料からなる４５ｄｅｇ回転子の厚さよりも厚くし、第２のファラデー回転子７の厚さを第２の材料からなる４５ｄｅｇ回転子の厚さよりも薄くし、第１のファラデー回転子６と第２のファラデー回転子７の回転方向を反対とすることにより、使用波長範囲の中間波長における、第１のファラデー回転子６の回転角度と第２のファラデー回転子７の回転角度との和を４５±０．５ｄｅｇの範囲内となるようにし、かつ、第１のファラデー回転子６と第２のファラデー回転子７の回転角度の波長依存性の差の絶対値が、第１の材料からなる４５ｄｅｇ回転子の回転角度の波長依存性の絶対値よりも小さくなるように調整する工程とを、有している。上記の本発明の光アイソレータの製造方法の工程フローを図３に示す。
【００４８】
本発明の光アイソレータの製造方法では、まず、２種類の材料から第１のファラデー回転子６の材料として、使用波長範囲の中間波長での４５ｄｅｇ回転子の回転角度の波長依存性が小さい方の材料を選択する（図３のＡ工程）。
【００４９】
例えば、使用波長範囲が１５００ｎｍから１６００ｎｍの場合では、その中間波長である１５５０ｎｍで回転角度が４５ｄｅｇとなるような２種類のファラデー回転子の材料について、１５００ｎｍから１６００ｎｍでの波長依存性を比較し、波長依存性が小さな方を第１のファラデー回転子６の材料（第１の材料）、波長依存性が大きな方を第２のファラデー回転子７の材料（第２の材料）とする。
【００５０】
次に、図３のＢ工程において、第１のファラデー回転子６の厚みを、波長１５５０ｎｍで回転角度が４５ｄｅｇとなるときよりも厚くなるようにする。一方、第２のファラデー回転子７の厚みは、波長１５５０ｎｍで回転角度が４５ｄｅｇとなるときよりも薄くなるようにする。このようにすることで、第１のファラデー回転子６による回転角度は４５ｄｅｇより大きくなり、第２のファラデー回転子７による回転角度は４５ｄｅｇより小さくなる。
【００５１】
このように、ファラデー回転子の厚みを調整すれば、厚みの増大に伴って第１のファラデー回転子６の回転角度は大きくなり、一方、厚みの減少に伴って第２のファラデー回転子７の回転角度は小さくなる。ここで、第１のファラデー回転子６の回転方向と第２のファラデー回転子７の回転方向が逆にすることで、２つのファラデー回転子の回転角度の和を調節することができる。
【００５２】
本発明の光アイソレータの製造方法では、第１のファラデー回転子６と第２のファラデー回転子７の回転方向が逆であり、回転角度の波長依存性が相殺しあうので、２つのファラデー回転子の回転角度の波長依存性の差の絶対値を、第１のファラデー回転子６単独で使用した場合の回転角度の波長依存性の絶対値よりも小さくすることが可能となる。
【００５３】
上記Ｂ工程において、波長１５５０ｎｍの光に対して２つのファラデー回転子の回転角度の和が４５±０．５ｄｅｇの範囲内となるようにすれば、１５００ｎｍから１６００ｎｍの使用波長範囲において、特に波長依存性を小さくすることができる。
【００５４】
さらに、上記Ｂ工程において、第１のファラデー回転子と第２のファラデー回転子の回転角度の波長依存性の差の絶対値が、第１の材料からなる４５ｄｅｇ回転子の回転角度の波長依存性の絶対値よりも小さくなるように、材料やファラデー回転子の厚さを調整（選択）する。
【００５５】
このような光アイソレータの製造方法を適用することで、材料の組成を調整することなく、ファラデー回転子の厚みのみを調節することで、波長依存性の小さな光アイソレータを製造することが可能となる。すなわち、波長依存性の小さな光アイソレータを容易に実用化することが可能となる。尚、本発明の光アイソレータ製造方法では、基本的に２５℃での使用を想定しているが、これには限定されずに、任意の温度において適用することができる。
【実施例】
【００５６】
以下、実施例及び比較例を示して本発明をより具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００５７】
（実施例１）
第１のファラデー回転子６の材料（第１の材料）として、（ＧｄＨｏ）１．８Ｂｉ１．２Ｆｅ４．８Ｇａ０．２Ｏ１２（ａとする）結晶を、第２のファラデー回転子７の材料（第２の材料）として、Ｃｅ０．２５Ｙ２．７５Ｆｅ４．９Ａｌ０．１Ｏ１２（ｃとする）結晶を選択した。
【００５８】
ａ結晶およびｃ結晶を、波長１５５０ｎｍの光での４５ｄｅｇ回転子としたときの１５００ｎｍから１６００ｎｍまでの回転角度とその波長範囲での回転角度の波長依存性を表１に示す。ここから、ａ結晶の波長依存性（−０．０７ｄｅｇ／ｎｍ）よりもｃ結晶の波長依存性（−０．１１ｄｅｇ／ｎｍ）の方が大きいことがわかる。尚、ｂ、ｄ、及びｅ結晶については、後述する。また、表１に示した波長依存性は、いずれも２５℃での波長依存性である。
【００５９】
【表１】
0006571498.tif 000002
【００６０】
ａ結晶およびｃ結晶について、研磨加工を行って、複数の厚みの異なるファラデー回転子を作製した。また、光が透過する面には、対空気の反射防止（ＡＲ）コーティングを施した。
【００６１】
ここで、ａ結晶のファラデー回転子およびｃ結晶のファラデー回転子について、各厚みにおける１５００ｎｍから１６００ｎｍまでの回転角度とその波長依存性を表２に示す。尚、ｂ、ｄ、及びｅ結晶のファラデー回転子については、後述する。また、表２に示した波長依存性は、いずれも２５℃での波長依存性である。
【００６２】
【表２】
0006571498.tif 000003
【００６３】
次に、ａ結晶のファラデー回転子によるファラデー回転とｃ結晶のファラデー回転子によるファラデー回転が逆方向のとき、波長１５５０ｎｍの光に対してファラデー回転角度の和が４５ｄｅｇになるようにａ結晶およびｃ結晶の厚みを選択した。このとき、ａ結晶のファラデー回転子の回転角度の方が、ｃ結晶のファラデー回転子の回転角度よりも大きくなっている。
【００６４】
ａ結晶のファラデー回転子とｃ結晶のファラデー回転子を組み合わせたときの１５００ｎｍから１６００ｎｍまでの、回転角度、波長依存性および波長依存性の差（ａ−ｃ）を表３に示す。尚、表３に示した波長依存性は、いずれも２５℃での波長依存性である。
【００６５】
【表３】
0006571498.tif 000004
【００６６】
２つのファラデー回転子の外周には、ＳｍＣｏ製のラジアル配向磁石３を配置し、ａ結晶のファラデー回転子とｃ結晶のファラデー回転子には逆方向の磁界が印加されるようにした。さらに、ファラデー回転子の両端には偏光子（１、２）を配置し、筐体に入れ、実施例１の光アイソレータ１０を作製した。
【００６７】
作製した各光アイソレータ１０について、ＪＩＳ  Ｃ  ５９３３：２０１２に基づいて１５００ｎｍから１６００ｎｍの各波長のレーザ光に対する逆方向挿入損失（アイソレーション）を測定した。その結果を表４に示す。尚、表４の実施例１についての部分の最上欄は、ｃ結晶が無い（厚みが０）場合であり、参考値である。また、表４に示した逆方向挿入損失はいずれも２５℃でのものである。
【００６８】
【表４】
0006571498.tif 000005
【００６９】
この結果から実施例１の光アイソレータ１０は、ファラデー回転子としてａ結晶を単独で用いた場合よりも、広い波長範囲で３０ｄＢ以上の高い逆方向挿入損失を実現できることが分かった。特に、波長依存性の差の絶対値が、０．０３ｄｅｇ／ｎｍ以下の場合では、ほぼ１００ｎｍの広い波長範囲で、３０ｄＢ以上の逆方向挿入損失を達成できた。
【００７０】
（実施例２）
第１のファラデー回転子６の材料として、（ＧｄＨｏ）１．８Ｂｉ１．２Ｆｅ４．８Ｇａ０．２Ｏ１２（前述のａ）結晶を、第２のファラデー回転子７の材料として、Ｃｅ０．１５Ｙ２．８５Ｆｅ４．８Ｇａ０．２Ｏ１２（ｄとする）結晶を選択した。
【００７１】
ｄ結晶を波長１５５０ｎｍの光での４５ｄｅｇ回転子としたときの１５００ｎｍから１６００ｎｍまでの回転角度とその波長依存性を表１に示す。ここから、ａ結晶の波長依存性よりもｄ結晶の波長依存性の方が大きいことがわかる。
【００７２】
ａ結晶およびｄ結晶について、研磨加工を行って、複数の厚みの異なるファラデー回転子を作製した。また、光が透過する面には、対空気の反射防止（ＡＲ）コーティングを施した。
【００７３】
ここで、ｄ結晶のファラデー回転子について、各厚みにおける１５００ｎｍから１６００ｎｍまでの回転角度とその波長依存性を表２に示す。
【００７４】
次に、ａ結晶のファラデー回転子によるファラデー回転とｄ結晶のファラデー回転子によるファラデー回転が逆方向のとき、波長１５５０ｎｍの光に対してファラデー回転角度の和が４５ｄｅｇになるようにａ結晶およびｄ結晶の厚みを選択した。このとき、ａ結晶のファラデー回転子の回転角度の方がｄ結晶のファラデー回転子の回転角度よりも大きくなっている。
【００７５】
ａ結晶のファラデー回転子とｄ結晶のファラデー回転子を組み合わせたときの１５００ｎｍから１６００ｎｍまでの回転角度、波長依存性および波長依存性の差（ａ−ｄ）を表３に示す。
【００７６】
２つのファラデー回転子の外周には、ＳｍＣｏ製のラジアル配向磁石３を配置し、ａ結晶のファラデー回転子とｄ結晶のファラデー回転子には逆方向の磁界が印加されるようにした。さらに、ファラデー回転子の両端には偏光子（１、２）を配置し、筐体に入れ、実施例２の光アイソレータ１０を作製した。
【００７７】
作製した各光アイソレータ１０について、ＪＩＳ  Ｃ  ５９３３：２０１２に基づいて１５００ｎｍから１６００ｎｍの各波長のレーザ光に対する逆方向挿入損失を測定した。その結果を表４に示す。尚、表４の実施例２についての部分の最上欄は、ｄ結晶が無い（厚みが０）場合であり、参考値である。
【００７８】
この結果から実施例２の光アイソレータ１０は、ファラデー回転子としてａ結晶を単独で用いた場合よりも、広い波長範囲で３０ｄＢ以上の高い逆方向挿入損失を実現できることが分かった。特に、波長依存性の差の絶対値が、０．０３ｄｅｇ／ｎｍ以下の場合では、ほぼ１００ｎｍの広い波長範囲で、３０ｄＢ以上の逆方向挿入損失を達成できた。
【００７９】
（実施例３）
第１のファラデー回転子６の材料として、（ＧｄＨｏ）１．８Ｂｉ１．２Ｆｅ４．８Ｇａ０．２Ｏ１２（前述のａ）結晶を、第２のファラデー回転子７の材料として、Ｃｅ０．１Ｙ２．９Ｆｅ４．８Ｇａ０．２Ｏ１２（ｅとする）結晶を選択した。
【００８０】
ｅ結晶を波長１５５０ｎｍの光での４５ｄｅｇ回転子としたときの１５００ｎｍから１６００ｎｍまでの回転角度とその波長依存性を表１に示す。ここから、ａ結晶の波長依存性よりもｅ結晶の波長依存性の方が大きいことがわかる。
【００８１】
ａ結晶およびｅ結晶について、研磨加工を行って、複数の厚みの異なるファラデー回転子を作製した。また、光が透過する面には、対空気の反射防止（ＡＲ）コーティングを施した。
【００８２】
ここで、ｅ結晶について、各厚みにおける１５００ｎｍから１６００ｎｍまでの回転角度とその波長依存性を表２に示す。
【００８３】
次に、ａ結晶のファラデー回転子のファラデー回転とｅ結晶のファラデー回転子のファラデー回転が逆方向のとき、波長１５５０ｎｍの光に対してファラデー回転角度の和が４５ｄｅｇになるようにａ結晶およびｅ結晶の厚みを選択した。このとき、ａ結晶のファラデー回転子の回転角度の方がｅ結晶のファラデー回転子の回転角度よりも大きくなっている。
【００８４】
ａ結晶のファラデー回転子とｅ結晶のファラデー回転子を組み合わせたときの１５００ｎｍから１６００ｎｍまでの回転角度、波長依存性および波長依存性の差（ａ−ｅ）を表３に示す。
【００８５】
２つのファラデー回転子の外周には、ＳｍＣｏ製のラジアル配向磁石３を配置し、ａ結晶のファラデー回転子とｅ結晶のファラデー回転子には逆方向の磁界が印加されるようにした。さらに、ファラデー回転子の両端には偏光子（１、２）を配置し、筐体に入れ、実施例３の光アイソレータ１０を作製した。
【００８６】
作製した各光アイソレータ１０について、ＪＩＳ  Ｃ  ５９３３：２０１２に基づいて１５００ｎｍから１６００ｎｍの各波長のレーザ光に対する逆方向挿入損失を測定した。その結果を表４に示す。尚、表４の実施例３についての部分の最上欄は、ｅ結晶が無い（厚みが０）場合であり、参考値である。また、最下欄は、波長依存性の差（０．０７）の絶対値が、第１の材料（ａ結晶）の４５ｄｅｇ回転子の波長依存性（−０．０７）の絶対値より小さくなっていないので、これも参考値である。
【００８７】
この結果から実施例３の光アイソレータ１０は、ファラデー回転子としてａ結晶を単独で用いた場合よりも、広い波長範囲で３０ｄＢ以上の高い逆方向挿入損失を実現できることが分かった。特に、波長依存性の差の絶対値が、０．０３ｄｅｇ／ｎｍ以下の場合では、ほぼ１００ｎｍの広い波長範囲で、３０ｄＢ以上の逆方向挿入損失を達成できた。
【００８８】
（実施例４）
第１のファラデー回転子６の材料として、（ＴｂＥｕ）２Ｂｉ１Ｆｅ４．８Ｇａ０．２Ｏ１２（ｂとする）結晶を、第２のファラデー回転子７の材料として、Ｃｅ０．２５Ｙ２．７５Ｆｅ４．９Ａｌ０．１Ｏ１２（前述のｃ）結晶を選択した。
【００８９】
ｂ結晶を波長１５５０ｎｍの光での４５ｄｅｇ回転子としたときの１５００ｎｍから１６００ｎｍまでの回転角度とその波長依存性を表１に示す。ここから、ｂ結晶の波長依存性よりもｃ結晶の波長依存性の方が大きいことがわかる。
【００９０】
ｂ結晶およびｃ結晶について、研磨加工を行って、複数の厚みの異なるファラデー回転子を作製した。また、光が透過する面には、対空気の反射防止（ＡＲ）コーティングを施した。
【００９１】
ここで、ｂ結晶のファラデー回転子について、各厚みにおける１５００ｎｍから１６００ｎｍまでの回転角度とその波長依存性を表２に示す。
【００９２】
次に、ｂ結晶のファラデー回転子のファラデー回転とｃ結晶のファラデー回転子のファラデー回転が逆方向のとき、波長１５５０ｎｍの光に対してファラデー回転角度の和が４５ｄｅｇになるようにｂ結晶およびｃ結晶の厚みを選択した。このとき、ｂ結晶のファラデー回転子の回転角度の方がｃ結晶のファラデー回転子の回転角度よりも大きくなっている。
【００９３】
ｂ結晶のファラデー回転子とｃ結晶のファラデー回転子を組み合わせたときの１５００ｎｍから１６００ｎｍまでの回転角度、波長依存性および波長依存性の差（ｂ−ｃ）を表３に示す。
【００９４】
２つのファラデー回転子の外周には、ＳｍＣｏ製のラジアル配向磁石３を配置し、ｂ結晶のファラデー回転子とｃ結晶のファラデー回転子には逆方向の磁界が印加されるようにした。さらに、ファラデー回転子の両端には偏光子（１、２）を配置し、筐体に入れ、実施例４の光アイソレータ１０を作製した。
【００９５】
作製した各光アイソレータ１０について、ＪＩＳ  Ｃ  ５９３３：２０１２に基づいて１５００ｎｍから１６００ｎｍの各波長のレーザ光に対する逆方向挿入損失を測定した。その結果を表４に示す。尚、表４の実施例４についての部分の最上欄は、ｃ結晶が無い（厚みが０）場合であり、参考値である。
【００９６】
この結果から実施例４の光アイソレータ１０は、ファラデー回転子としてｂ結晶を単独で用いた場合よりも、広い波長範囲で３０ｄＢ以上の高い逆方向挿入損失を実現できることが分かった。特に、波長依存性の差の絶対値が、０．０３ｄｅｇ／ｎｍ以下の場合では、ほぼ１００ｎｍの広い波長範囲で、３０ｄＢ以上の逆方向挿入損失を達成できた。
【００９７】
（実施例５）
第１のファラデー回転子の材料６として、（ＴｂＥｕ）２Ｂｉ１Ｆｅ４．８Ｇａ０．２Ｏ１２（前述のｂ）結晶を、第２のファラデー回転子７の材料として、Ｃｅ０．１５Ｙ２．８５Ｆｅ４．８Ｇａ０．２Ｏ１２（前述のｄ）結晶を選択した。
【００９８】
ｂ結晶およびｄ結晶を波長１５５０ｎｍの光での４５ｄｅｇ回転子としたときの１５００ｎｍから１６００ｎｍまでの回転角度とその波長依存性は表１に示した通りである。ここから、ｂ結晶の波長依存性よりもｄ結晶の波長依存性の方が大きいことがわかる。
【００９９】
ｂ結晶およびｄ結晶について、研磨加工を行って、複数の厚みの異なるファラデー回転子を作製した。また、光が透過する面には、対空気の反射防止（ＡＲ）コーティングを施した。
【０１００】
ここで、ｂ結晶のファラデー回転子およびｄ結晶のファラデー回転子についての、各厚みにおける１５００ｎｍから１６００ｎｍまでの回転角度とその波長依存性は表２に示した通りである。
【０１０１】
次に、ｂ結晶のファラデー回転子のファラデー回転とｄ結晶のファラデー回転子のファラデー回転が逆方向のとき、波長１５５０ｎｍの光に対してファラデー回転角度の和が４５ｄｅｇになるようにｂ結晶およびｄ結晶の厚みを選択した。このとき、ｂ結晶のファラデー回転子の回転角度の方がｄ結晶のファラデー回転子の回転角度よりも大きくなっている。
【０１０２】
ｂ結晶のファラデー回転子とｄ結晶のファラデー回転子を組み合わせたときの１５００ｎｍから１６００ｎｍまでの回転角度、波長依存性および波長依存性の差（ｂ−ｄ）を表３に示す。
【０１０３】
２つのファラデー回転子の外周には、ＳｍＣｏ製のラジアル配向磁石３を配置し、ｂ結晶のファラデー回転子とｄ結晶のファラデー回転子には逆方向の磁界が印加されるようにした。さらに、ファラデー回転子の両端には偏光子（１、２）を配置し、筐体に入れ、実施例５の光アイソレータ１０を作製した。
【０１０４】
作製した各光アイソレータ１０について、ＪＩＳ  Ｃ  ５９３３：２０１２に基づいて１５００ｎｍから１６００ｎｍの各波長のレーザ光に対する逆方向挿入損失を測定した。その結果を表４に示す。尚、表４の実施例５についての部分の最上欄は、ｄ結晶が無い（厚みが０）場合であり、参考値である。
【０１０５】
この結果から実施例５の光アイソレータ１０は、ファラデー回転子としてｂ結晶を単独で用いた場合よりも、広い波長範囲で３０ｄＢ以上の高い逆方向挿入損失を実現できることが分かった。特に、波長依存性の差の絶対値が、０．０３ｄｅｇ／ｎｍ以下の場合では、いずれの場合も１００ｎｍの広い波長範囲で、３０ｄＢ以上の逆方向挿入損失を達成できた。
【０１０６】
（実施例６）
第１のファラデー回転子６の材料として、（ＴｂＥｕ）２Ｂｉ１Ｆｅ４．８Ｇａ０．２Ｏ１２（前述のｂ）結晶を、第２のファラデー回転子７の材料として、Ｃｅ０．１Ｙ２．９Ｆｅ４．８Ｇａ０．２Ｏ１２（前述のｅ）結晶を選択した。
【０１０７】
ｂ結晶およびｅ結晶を波長１５５０ｎｍの光での４５ｄｅｇ回転子としたときの１５００ｎｍから１６００ｎｍまでの回転角度とその波長依存性は表１に示した通りである。ここから、ｂ結晶の波長依存性よりもｅ結晶の波長依存性の方が大きいことがわかる。
【０１０８】
ｂ結晶およびｅ結晶について、研磨加工を行って複数の厚みの異なるファラデー回転子を作製した。また、光が透過する面には、対空気の反射防止（ＡＲ）コーティングを施した。
【０１０９】
ここで、ｂ結晶のファラデー回転子およびｅ結晶のファラデー回転子についての、各厚みにおける１５００ｎｍから１６００ｎｍまでの回転角度とその波長依存性は表２に示した通りである。
【０１１０】
次に、ｂ結晶のファラデー回転子のファラデー回転とｅ結晶のファラデー回転子のファラデー回転が逆方向のとき、波長１５５０ｎｍの光に対してファラデー回転角度の和が４５ｄｅｇになるようにｂ結晶およびｅ結晶の厚みを選択した。このとき、ｂ結晶のファラデー回転子の回転角度の方がｅ結晶のファラデー回転子の回転角度よりも大きくなっている。
【０１１１】
ｂ結晶のファラデー回転子とｅ結晶のファラデー回転子を組み合わせたときの１５００ｎｍから１６００ｎｍまでの回転角度、波長依存性および波長依存性の差（ｂ−ｅ）を表３に示す。
【０１１２】
２つのファラデー回転子の外周には、ＳｍＣｏ製のラジアル配向磁石３を配置し、ｂ結晶のファラデー回転子とｅ結晶のファラデー回転子には逆方向の磁界が印加されるようにした。さらに、ファラデー回転子の両端には偏光子（１、２）を配置し、筐体に入れ、実施例６の光アイソレータ１０を作製した。
【０１１３】
作製した各光アイソレータ１０について、ＪＩＳ  Ｃ  ５９３３：２０１２に基づいて１５００ｎｍから１６００ｎｍの各波長のレーザ光に対する逆方向挿入損失を測定した。その結果を表４に示す。尚、表４の実施例６についての部分の最上欄は、ｅ結晶が無い（厚みが０）場合であり、参考値である。また、下から２つの欄は、波長依存性の差（０．０７、０．１１）の絶対値が、第１の材料（ｂ結晶）の４５ｄｅｇ回転子の波長依存性（−０．０６）の絶対値より小さくなっていないので、これも参考値である。
【０１１４】
この結果から実施例６の光アイソレータ１０は、ファラデー回転子としてｂ結晶を単独で用いた場合よりも、広い波長範囲で３０ｄＢ以上の高い逆方向挿入損失を実現できることが分かった。特に、波長依存性の差の絶対値が、０．０３ｄｅｇ／ｎｍ以下の場合では、特に広い波長範囲で、３０ｄＢ以上の逆方向挿入損失を達成できた。
【０１１５】
（比較例１）
ファラデー回転子の材料として、（ＧｄＨｏ）１．８Ｂｉ１．２Ｆｅ４．８Ｇａ０．２Ｏ１２（前述のａ）結晶を選択し、波長１５５０ｎｍの光に対して２５℃でファラデー回転角度が４５ｄｅｇになるように研磨加工を行った（長さ０．４１ｍｍ）。また、光が透過する面には、対空気の反射防止（ＡＲ）コーティングを施した。
【０１１６】
次に、ファラデー回転子の外周にＳｍＣｏ製の円筒磁石を配置した。さらに、ファラデー回転子の両端には偏光子を配置し、２５℃で逆方向挿入損失が最大となるように相対角度を調整した。これらは筐体に入れられ、比較例１の光アイソレータとした。
【０１１７】
作製した光アイソレータについて、ＪＩＳ  Ｃ  ５９３３：２０１２に基づいて１５００ｎｍから１６００ｎｍの各波長のレーザ光に対する逆方向挿入損失を測定した。その値は、１５００ｎｍで２４．２ｄＢ、１５５０ｎｍで４５．０ｄＢ、１６００ｎｍで２３．４ｄＢとなった。逆方向挿入損失が３０ｄＢ以上となったのは、１５２５〜１５７５ｎｍの範囲のみであった。
【０１１８】
（比較例２）
ファラデー回転子の材料として、（ＴｂＥｕ）２Ｂｉ１Ｆｅ４．８Ｇａ０．２Ｏ１２（前述のｂ）結晶を選択し、波長１５５０ｎｍの光に対して２５℃でファラデー回転角度が４５ｄｅｇになるように研磨加工を行った（長さ０．５４ｍｍ）。また、光が透過する面には、対空気の反射防止（ＡＲ）コーティングを施した。
【０１１９】
次に、ファラデー回転子の外周にＳｍＣｏ製の円筒磁石を配置した。さらに、ファラデー回転子の両端には偏光子を配置し、２５℃で逆方向挿入損失が最大となるように相対角度を調整した。これらは筐体に入れられ、比較例２の光アイソレータとした。
【０１２０】
作製した光アイソレータについて、比較例１と同様に１５００ｎｍから１６００ｎｍの各波長のレーザ光に対する逆方向挿入損失を測定した。その値は、１５００ｎｍで２５．３ｄＢ、１５５０ｎｍで４５．０ｄＢ、１６００ｎｍで２７．１ｄＢとなった。逆方向挿入損失が３０ｄＢ以上となったのは、１５２０〜１５８０ｎｍの範囲のみであった。
【０１２１】
このように、１つのファラデー回転子のみからなる、比較例１−２の光アイソレータでは、比較的狭い波長範囲でしか、３０ｄＢ以上の逆方向挿入損失を実現できなかった。これに対して、本発明の光アイソレータでは広い波長範囲で３０ｄＢ以上の逆方向挿入損失を実現することができた。
【０１２２】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
【符号の説明】
【０１２３】
１…偏光子、  ２…偏光子、  ３…磁石、  ４…磁石、                            
６…第１の（又は第２の）ファラデー回転子、                                    
７…第２の（又は第１の）ファラデー回転子、                                    
８…第１の（又は第２の）ファラデー回転子、
９…第２の（又は第１の）ファラデー回転子、  １０…本発明の光アイソレータ、    
１１…偏光子、  １２…偏光子、  １３…磁石、  １４…磁石、                    
１６…ファラデー回転子、  １７…ファラデー回転子、  １８…ファラデー回転子、  
２０…本発明の別の光アイソレータ、  ２１…偏光子、  ２２…偏光子、            
２３…偏光子、  １００…従来の光アイソレータ、                                
２００…従来の別の光アイソレータ。
【図１】
0006571498.tif 000006
【図２】
0006571498.tif 000007
【図３】
0006571498.tif 000008
【図４】
0006571498.tif 000009
【図５】
0006571498.tif 000010