(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
多層バリスタデバイス（１００）を製造するための方法であって、
前記多層バリスタデバイス（１００）用の、複数の内部電極（３）を備えた基体（１）を準備するステップと、
前記基体（１）に１つの銅電極層（４）用の出発材料を、当該出発材料が少なくとも１つの内部電極（３）と直接結合するように設けるステップと、
前記銅電極層（４）を形成するために、前記出発材料を１つの保護ガス雰囲気下で熱処理するステップと、
前記多層バリスタデバイス（１００）を完成するステップと、
を備え、
前記基体（１）は複数のバリスタ層を備え、
前記バリスタ層は、主に酸化亜鉛から成っており、
前記バリスタ層の材料は、ビスマスおよび／またはアンチモンでドーピングされており、
前記基体（１）が前記熱処理の際に前記保護ガスに曝露され、前記基体（１）は１つのガラスを含む表面パッシベーション部（２）を備え、
前記表面パッシベーション部は、前記出発材料の前記熱処理の際に、前記保護ガスの前記基体（１）への拡散に対する拡散バリヤとして機能し、
前記出発材料の前記熱処理は、４００℃〜６００℃の温度で行われる、ことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記出発材料は、銅を含有するペーストであり、前記熱処理によって脱炭され、あるいは前記基体（１）内で焼成されることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記出発材料は５７０℃より低い温度で熱処理されることを特徴とする、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記出発材料は４００℃より高い温度で熱処理されることを特徴とする、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
前記保護ガスは窒素または希ガスを含むことを特徴とする、請求項１乃至４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
前記保護ガス雰囲気は、３００ｐｐｍ未満の酸素成分を含むことを特徴とする、請求項１乃至５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
前記熱処理の後に前記銅電極層（４）上に、当該銅電極層（４）と共に前記多層バリスタデバイス（１００）の１つの外部電極（１０）を形成するために、少なくとももう１つの電極層（５）が堆積されることを特徴とする、請求項１乃至６のいずれか１項に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、多層バリスタデバイスを製造するための方法に関する。さらに本発明は多層バリスタデバイスに関する。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００２】
本発明が解決すべき課題は、改善された多層バリスタデバイス、特に安価な多層バリスタデバイスを提供することであり、またこの多層バリスタデバイスを製造するための方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００３】
この課題は、請求項１に記載の特徴を有するデバイスおよび請求項９に記載の特徴を有する方法によって解決される。有利な構成および派生例は従属請求項に示されている。
【０００４】
本発明が提示する方法は、多層バリスタデバイス用の基体を準備するステップを備え、このステップではこの基体は複数の内部電極を備えている。これらの内部電極は、好ましくはこの基体の内部に重なり合って配設されている。さらにこれらの内部電極は適宜電気的に互いに分離されている。
【０００５】
さらにこれらの内部電極は、好ましくは、これらが少なくとも部分的に重なるように、重なり合って配設されて形成されており、ここで隣接する内部電極は、この基体の対向する端面からアクセス可能である。これらの端面は、好ましくはこの基体の側面となっている。さらにこの基体は、上記の内部電極（複数）の間に配設されたバリスタ層（複数）を備える。これらのバリスタ層は、目的に合わせて電気的に絶縁性であるか、あるいは半導電性である。これらのバリスタ層は、好ましくは酸化亜鉛、具体的には多結晶酸化亜鉛を含む。好ましくはこれらのバリスタ層は、少なくとも９０％が酸化亜鉛から成っている。これらのバリスタ層の材料は、ビスマスおよび／またはアンチモンまたは他の添加物あるいはドーピング物質でドーピングされていてよい。
【０００６】
本発明による方法は、上記の基体に１つの銅電極層用の出発材料を設け、この出発材料が少なくとも１つの内部電極と直に接続されるようにするステップを備える。好ましくはこの基体は、上記の端面の領域のみに上記の出発材料が設けられる。好ましくはこの出発材料はこの基体の対向する２つの端面で、すべてこの基体の１つの端面からアクセス可能な内部電極と直接機械的に接続されるように、これらの内部電極と結合される。
【０００７】
さらに本発明による方法は、銅電極層を形成するために、上記の出発材料を保護ガス雰囲気下で熱的に処理するステップを備える。この目的のため、上記の出発材料は銅を含む。さらにこの出発材料は、たとえば炭素または炭素化合物を含有してよい。換言すればこの出発材料は、上記の保護ガスに曝露される。この保護ガス雰囲気は、特に、銅電極層に対しこの銅の酸化を防ぐため、すなわちこの銅電極層を酸化から保護するために設けられている。このような酸化は、多層バリスタデバイスの動作における望ましい電気的特性に悪影響を与えるかまたはこれを損ない得る。これは上記の出発材料および／または上記の基板の材料が保護ガス雰囲気無しに曝露されると、酸素がこの出発材料および／またはこの基体の材料と反応するからである。
【０００８】
特に酸素はバリスタ層において、亜鉛や酸素のような個々の成分の不均化をもたらし、これによってこの多層バリスタデバイスの電気的特性、とりわけ半導体特性が悪化され得る。さらに、この酸化により、たとえば銅電極層の内部電極への電気的接続が損なわれ得る。
【０００９】
本発明による方法は、さらにこの多層バリスタデバイスを完成するステップを備える。
【００１０】
ここで提示する方法によって、とりわけ安価な多層バリスタデバイスを有利に製造することができる。上記の銅電極層は、好ましくはこの多層バリスタデバイスの外部電極の一部である。銅を使用することによって、他の電極材料、たとえば銀，パラジウム，白金，または金に比べて、この外部電極は極めて安価に製造することができる。
【００１１】
本発明による方法の１つの好ましい実施形態においては、上記の熱的処理の際に、上記の出発材料の他に、上記の基体も同様に上記の保護ガスに曝露される。
【００１２】
１つの好ましい実施形態においては、上記の基体は、表面パッシベーション部を備え、この表面パッシベーション部は、上記の出発材料の熱処理の際に、この基体の中への上記の保護ガスの拡散に対する拡散バリヤとして機能する。この表面パッシベーション部は、好ましくはガラスから成り、またはガラスを含む。この表面パッシベーション部は、好ましくは１つのパッシベーション層である。この表面パッシベーション部を設けることにより、上記の基体の中への上記の保護ガスの拡散の他に、多層バリスタデバイスの製造の際に、この基体が曝露され得るほかの物質、たとえば腐食性の物質による、この基体の拡散または腐食を低減することができる。
【００１３】
本発明による方法の１つの好ましい実施形態においては、上記の銅電極層用の出発材料は、銅を含有するペーストである。この銅を含有するペーストは、好ましくは炭素添加物を含む。この銅を含有するペーストは、上記の熱処理によって脱炭され、具体的には基体内部で焼成される。「脱炭」とは、熱処理によって炭素が出発材料から取り除かれることを意味する。
【００１４】
この熱処理上記の銅を含有するペーストあるいはこの基体内部での焼成によって、上記の銅電極層が好適に形成される。
【００１５】
１つの好ましい実施形態においては、上記の基体には１つのシルクスクリーン印刷処理を用いて、上記の銅電極層の出発材料が設けられる。上記の出発材料の脱炭および／または焼成により、上記の基体においてまたは上記の基体へ、上記の内部電極と上記の洞電極層との間に電気的接続が形成される。
【００１６】
上記の出発材料は、４００℃〜６００℃の温度で熱処理されてよい。
【００１７】
本発明による方法の１つの好ましい実施形態においては、上記の出発材料は、５７０℃より低い温度で熱処理される。この実施形態により具体的には、上記の保護ガスがこの熱処理の際に熱拡散によって上記の表面パッシベーションを貫通して拡散して到達し得ることを防ぐことができ、またこうして上記の多層バリスタデバイスの電気的特性が損なわれ、あるいは悪影響を受けることを防ぐことができる。
【００１８】
本発明による方法の１つの好ましい実施形態においては、上記の出発材料は、４００℃より高い温度で熱処理される。この実施形態によって、上記の出発材料を脱炭または焼成するための充分な温度が用いられることが保証され得る。
【００１９】
本発明による方法の１つの好ましい実施形態においては、上記の保護ガスは窒素を含むかまたは希ガスを含む。好ましくはこの保護ガスの少なくとも主な部分は、窒素または希ガスから成っている。この実施形態により、目的に合わせて保護ガス用の不活性ガスを提供することができ、これによって上記の銅電極層用の出発材料の反応、たとえば酸化を防ぐことができる。
【００２０】
本発明による方法の１つの好ましい実施形態においては、上記の保護ガス雰囲気は、３００ｐｐｍ未満（「ｐｐｍ」は英語で"parts per million"、独語で"Teile pro Million"）の酸素成分を含む。この実施形態によって、上記の熱処理の際の上記の銅電極層用の出発材料の顕著な酸化を有利に防ぐことができる。
【００２１】
本発明による方法の１つの好ましい実施形態においては、上記の熱処理の後に上記の銅電極層上に、この銅電極層と共に上記の多層バリスタデバイスの外部電極を形成するために、少なくとももう１つの電極層が堆積される。
【００２２】
１つの好ましい実施形態においては、この少なくとももう１つの電極層は電気めっき処理を用いて堆積される。
【００２３】
ここで好ましくは、少なくとも２つのさらなる電極層が上記の銅電極層上に、この銅電極層と共に上記の外部電極を形成するために堆積される。
【００２４】
１つの好ましい実施形態においては、この銅電極層上にさらなる電極層として、１つのニッケル層または１つのニッケルを含有する層が堆積される。このさらなる電極層は、好ましくは、このさらなる電極層上にたとえば外側に追加されて堆積される電極層の材料が、上記の銅電極層へ拡散することを有利に防ぐように形成される。換言すればこのさらなる電極層は、たとえば本発明による多層バリスタデバイスの動作時に、上記の堆積された外側の電極層の材料に対する拡散バリヤとして機能する。
【００２５】
１つの好ましい実施形態においては、このさらなる電極層上に、外側電極層として１つの錫層が堆積される。この実施形態により、本発明による多層バリスタデバイスは有利にはんだ可能および／または表面実装可能に実現し得る。
【００２６】
本発明は、さらに多層バリスタデバイスを提供する。本発明による多層バリスタデバイスは、１つの銅電極層を有する１つの領域を備える１つの外部電極を備え、ここでこの銅電極層は、この多層バリスタデバイスの複数の内部電極と直接電気的に導通して結合されている。この銅電極層は、０．１原子％未満の酸素を含む。上記の銅電極層を設けることによって、この多層バリスタデバイスの外部電極および／またはこの多層バリスタデバイスはとりわけ安価に構成することができる。
【００２７】
本発明による多層バリスタデバイスは、好ましくは上述の方法を用いて製造することが可能であり、あるいは製造される。特に、本発明による多層バリスタデバイス用に開示されたすべての特徴は、上記の本発明による方法についても得られるものであり、逆もまた同様である。
【００２８】
本発明による多層バリスタデバイスは、１つの好ましい実施形態においては、１つの表面パッシベーション部を備え、この表面パッシベーション部は、上記の銅電極層が上記の内部電極（複数）と直接電気的に導通して結合されている１つの領域で途切れている。このような構成により、これらの内部電極の上記の銅電極層との電気的結合が可能となる。
【００２９】
１つの好ましい実施形態においては、本発明による多層バリスタデバイスのバリスタ電圧と、上記の銅電極層が銀電極層に置き換えられている１つの比較デバイスのバリスタ電圧との差は、約１０％であるかまたはこれより小さくなっている。この実施形態によって、本発明による多層バリスタデバイスは、特定のアプリケーションに適した電気的特性あるいはバリスタ特性に関して、その製造が銀の使用により顕著に高価となるこの比較デバイスと同様に良好な特性となるように有利に実現することができる。
【００３０】
１つの好ましい実施形態においては、本発明による多層バリスタデバイスのバリスタ電流と上記の比較デバイスのバリスタ電流の差は、他の条件が同じ場合、約２０％であるかまたはこれより小さい。この実施形態によって、本発明による多層バリスタデバイスは、特定のアプリケーションに適した電気的特性あるいはバリスタ特性に関して、この比較デバイスと同様に良好な特性となるように有利に実現することができる。
【００３１】
この差の％値は、たとえばこれらのバリスタ電圧あるいはバリスタ電流のそれぞれの上記の値より大きい値であり得る。
【００３２】
１つの好ましい実施形態においては、上記の外部電極は、たとえば１つのニッケル層を含む１つの領域を備える。この領域のおかげで、この外部電極の１つの外側領域の材料がこのニッケル層を貫通してこの領域内部に拡散することを有利に防ぐことができる。換言すれば、この領域はこの外側領域の材料に対する拡散バリヤとして用いられる。
【００３３】
１つの好ましい実施形態においては、上記の外部電極は、たとえば１つの錫層を含む１つの外側領域を備える。この実施形態によって、本発明による多層バリスタデバイスは、特にこの錫層を用いてこの多層バリスタデバイスのアプリケーションの１つの回路基板またはさらなる電子部品とはんだ付け可能に電気的に結合することができる。
【００３４】
１つの好ましい実施形態においては、本発明による多層バリスタデバイスは表面実装可能に形成されている。この実施形態によって、本発明による多層バリスタデバイスは、また省スペースでもあり、たとえば１つの回路基板上に配設および／または搭載することができる。
【００３５】
１つの好ましい実施形態においては、本発明による多層バリスタデバイスは、この多層バリスタデバイスの１つのアプリケーションに適した信頼性試験、たとえば静電放電に対する信頼性試験の条件下で、上記のバリスタ電圧の変化が１０％より小さくなるように形成されている。この信頼性試験はＥＳＤ試験（「ＥＳＤ］は英語で"electrostatic discharge"、独語で"elektrostatische Entladung"）であってよい。この信頼性試験は、好ましくはこの多層バリスタデバイスを短い電圧パルスを用いて印加するステップすなわちパルス電圧負荷を含んでよい。
【００３６】
本発明のさらなる利点，有利な実施形態，および有用性が、以下に説明する、図に関連した実施例で示される。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】本発明による１つの多層バリスタデバイスの少なくとも一部の斜視図の概略図を示す。
【図２】上記の本発明による多層バリスタデバイスの少なくとも一部の概略的な上面図または側面図を示す。
【図３】上記の本発明による多層バリスタデバイスと１つの比較デバイスの電気的パラメータの表を示す。
【図４】上記の本発明による多層バリスタデバイスと１つの比較デバイスの電圧−電流特性曲線を示す。
【図５】上記の本発明による多層バリスタデバイスと１つの比較デバイスのＥＳＤ試験の結果を示す。
【図６Ａ】上記の比較デバイスのリーク電流の長期間の振る舞いを示す。
【図６Ｂ】上記の本発明による多層バリスタデバイスのリーク電流の長期間の振る舞いを示す。
【００３８】
これらの図中で同じ要素、同様な要素、および同等に機能する要素には、同じ参照符号が付されている。これらの図、およびこれらの図に示された要素相互の大きさの関係は、縮尺通りとはなっていない。むしろ個々の要素は、より見易いように、および／またはより理解しやすいように、誇張して大きく図示されている場合がある。
【００３９】
図１は、見易くするため、本発明による１つの多層バリスタデバイス１００を部分的にき切欠いて示したものである。この多層バリスタデバイスは、好ましくは、たとえば半導体デバイス部品および／または集積回路の、短時間の過電圧（典型的には８ｋＶまで）に対する過電圧保護に用いられる。このような過電圧は、たとえば摩擦帯電（Reibungselektrizitaet）によって生成され得る。
【００４０】
多層バリスタデバイス１００は、基体１を備える。この基体１は、好ましくはバリスタ層（複数）９を備える。これらのバリスタ層は、好ましくは主に酸化亜鉛、具体的には多結晶酸化亜鉛から成る。これらのバリスタ層９は、好ましくはビスマスおよび／またはアンチモンの添加物を含み、および／またはこれらの材料でドーピングされている。ここで個々のバリスタ素子は、好ましくは結晶質の酸化亜鉛結晶粒から成っている。ここで上述の添加物あるいはドーピング材は、好ましくはこの結晶粒界での大きな電気抵抗あるいは大きな阻止層を生成するためのものである。これらのバリスタ層９は、好ましくは焼結されている。
【００４１】
この基体１は、さらに１つの端面７とこの端面７の反対側にある端面８を備える。
【００４２】
この基体１は、さらに内部電極（複数）３を備える。これらの内部電極３は、基体１の内部に配設されている。これらの内部電極３は、好ましくは、これらが電気的に互いに分離され、かつ重なるように、重なり合って配設されて形成されており、ここで隣接する内部電極は、対向する端面７，８にそれぞれ配置されている。
【００４３】
これらの内部電極３は、それぞれの配設されている端面７，８からアクセス可能である。多層バリスタデバイス１００の動作においてその活性な領域を形成するために、隣接する内部電極は、好ましくは少なくとも部分的に重なっている。これらの内部電極３の間には、バリスタ層９が配設されている。
【００４４】
多層バリスタデバイス１００は、さらに１つの銅電極層４を備える。この銅電極層４は、上記の端面７で、この端面７からアクセス可能な内部電極３と直接に、機械的かつ電気的に導通して結合している。さらにこの銅電極層４は、好ましくは０．１原子％未満の酸素を含む。
【００４５】
基体１には、好ましくはシルクスクリーン印刷処理によってこの銅電極層４用の出発物質が設けられる。この銅電極層４用の出発物質は、好ましくは銅を含有するペーストであり、このペーストは銅の他にさらに炭素および溶剤を含有してよい。この銅を含有するペーストは、この出発材料の熱処理の際に脱炭され、具体的には上記の基体１で焼成される。さらにこの熱処理によって、溶剤またはその残留物が蒸発される。
【００４６】
基体１は、好ましくは４００℃〜５７０℃の温度で熱処理される。
【００４７】
銅電極層４は、好ましくはこの銅電極層４用の出発材料の熱処理によって形成される。この熱処理は、保護ガス雰囲気の条件下で実施される。この保護ガスは、好ましくは窒素または希ガスであり、または少なくともこれらの物質の１つを主成分として含んでいる。好ましくはこの保護ガス雰囲気は、３００ｐｐｍ未満の酸素成分を含む。
【００４８】
基体１には１つの表面パッシベーション部２が設けられ、あるいはコーティングされている。この表面パッシベーション部２は、特に基体１あるいはバリスタ層９および内部電極３を腐食性物質に対し保護するために設けられている。この腐食性物質は、たとえばこの多層バリスタデバイスの製造の際の電気めっき処理でこの基体１に作用する。この表面パッシベーション部２は、好ましくは同様に、上記の銅電極層４用の出発材料の脱炭あるいは焼成の際に、この基体１への保護ガスの拡散の拡散バリヤとして機能する。この表面パッシベーション部２は、好ましくは、上記の銅電極層４が直接上記の内部電極（複数）３と電気的に導通して結合している領域においては途切れている。この表面パッシベーション部２は、好ましくは、１μｍ〜２μｍの層厚を有するパッシベーション層である。この表面パッシベーション部２は、好ましくは、ガラスから成っており、またはガラスを含む。
【００４９】
図１では、銅電極層４上に、少なくとも部分的にさらなる電極層５が配設され、または堆積されている。
【００５０】
図１では、このさらなる電極層５上に、少なくとも部分的に外側の電極層６が配設され、または堆積されている。この外側の電極層６は、好ましくは錫を含み、または錫から成っている。
【００５１】
上記のさらなる電極層５は、好ましくはバリヤ層である。このさらなる電極層５は、好ましくはニッケルを含み、またはニッケルから成っている。
【００５２】
このさらなる電極層５は、好ましくは、この電極層が、基体１および／または銅電極層４を、この基体１への錫の拡散を防ぐように形成されている。錫もしくは電解錫めっき用に用いられる溶液は、これに多層バリスタデバイスが、その製造の際すなわち電界めっきの作業時に曝露されるものであり、一般的に極めて腐食性および／または拡散性であり、このためバリスタ層９を損傷し得る。
【００５３】
単に見易さのために、上記のさらなる電極層５および上記の外側電極層６は、上記の銅電極層４を完全に覆っていない。このさらなる電極層５および外側の電極層６は、好ましくは電気分解処理を用いて電解作用で堆積される。
【００５４】
上記の銅電極層４，さらなる電極層５，および外側電極層６は、好ましくは多層バリスタデバイス１００の１つの外部電極１０を形成する。
【００５５】
顕わに示されていないが、基体１には、端面７と同様に、その端面８に適宜同様にもう１つの外部電極１０が設けられている。
【００５６】
上記の銅電極層４は、この外部電極１０の１つの、具体的には内側の領域に延在していてよい。
【００５７】
上記のさらなる電極層は、この外部電極１０の１つの、具体的には中央の領域に延在していてよい。
【００５８】
上記の外側の電極層は、この外部電極１０の１つの外側の領域に延在していてよい。
【００５９】
図２は、本発明による多層バリスタデバイス１００の概略的な上面図または側面図を示す。銅電極４がこの多層バリスタデバイス１００の端面７および８に配設されていることが分る。
【００６０】
図３は、１つの銅電極層（Ｃｕ）を有する本発明による多層バリスタ、およびこの銅電極層が１つの銀電極層（Ａｇ）に交換されている１つの比較デバイスの電気的パラメータの表を示す。バリスタ電圧ＵVは、１ミリアンペア（ｍＡ）の電流がこのバリスタを通って流れる場合に、このバリスタで降下する電圧である。本発明による多層バリスタデバイスでは、このバリスタ電圧は１０３．１Ｖとなっている。比較デバイスでは、このバリスタ電圧は９９．８７Ｖとなっている。このバリスタ電流あるいはバリスタリーク電流ＩSは、このデバイスに印加される所定の電圧でのものであり、このデバイスを通って流れる。ここに示す値から、たとえばこの比較デバイスのバリスタ電圧およびバリスタ電流は、本発明による多層バリスタデバイスのそれぞれの値から１０％以内の差となっていることが分る。銀電極層あるいは銅電極層の静電容量値もまた示されている。
【００６１】
図４は、本発明による多層バリスタデバイスと１つの比較デバイスの電圧−電流特性曲線を示す。これらの特性曲線での違いは、僅かに異なるバリスタ電圧によって生じるものであり、あるいは、一方は銅電極層を焼成したものであり、かつもう一方は銀電極層（比較デバイス）の焼成したものであることによる結果生じる違いによるものである。
【００６２】
図５は、本発明による多層バリスタデバイス、および上記のように銅電極層が銀電極層に交換された１つの比較デバイスのＥＳＤ試験の結果を示す。このＥＳＤ試験では、特に過電圧のシミュレーションが行われる。
【００６３】
このＥＳＤ試験では、ここでは８キロボルト（ｋＶ）の１０個の電圧パルスが、本発明による多層デバイスへの電気的接続によって印加されている。このＥＳＤ試験の電気的接続は、ここでは１５０ピコファラド（ｐＦ）の静電容量および３３０オームの電気抵抗を有する。本発明による多層バリスタデバイス（Ｃｕ）のバリスタ電圧の変化が、初期値と比較してシミュレーションの後でも１０％未満となっていること、同様にこれに対し比較デバイス（Ａｇ）のバリスタ電圧はむしろ５％より顕著に小さな変化となっていることが図５の線図から分る。特に本発明による多層デバイスのアプリケーションでは、ここに示すこのＥＳＤ試験によるバリスタ電圧の変化は充分満足すべき結果となっている。図５において「＋」および「−」は、正あるいは負の電流方向を意味する。
【００６４】
図６Ａおよび６Ｂは、安定性試験の結果を示す。この安定性試験では、比較デバイス（図６Ａ）および本発明による多層バリスタデバイス（図６Ｂ）のバリスタ電流がの長期安定性の試験が行われた。この試験は、特にそれぞれのデバイスの寿命についての知見が得られる。ここでこれらのデバイスは１２５℃で、１０００時間以上８８Ｖの電圧が負荷された。これらの２つのデバイスのバリスタ電流は、最初時間と共に減少し、その後漸近的に一定の特性に移行することが分る。
【００６５】
本発明は上記の実施例を参照した説明によって限定されない。むしろ本発明は、特に請求項中の特徴の組み合わせそれぞれが含むいかなる新規な特徴、並びにいかなる新規な特徴の組み合わせをも、たとえその特徴またはその組み合わせがそれ自体として請求項または実施例に明示されていなくとも、含むものである。
【符号の説明】
【００６６】
１  ：  基体
２  ：  表面パッシベーション部
３  ：  内部電極
４  ：  銅電極層
５  ：  さらなる電極層
６  ：  外側の電極層
７，８  ：  端面
９  ：  バリスタ層
１０  ：  外部電極
１００  ：  多層バリスタデバイス
【図１】
0006603214.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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