(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半絶縁性化合物半導体を含む半絶縁性化合物半導体基板であって、
前記半絶縁性化合物半導体基板は、面方位が（１００）である主面において、前記主面の中心から＜１１０＞方向の等価な４方向に沿って０．１ｍｍ間隔で測定した比抵抗の標準偏差／平均値、および前記主面の中心から＜１００＞方向の等価な４方向に沿って０．１ｍｍ間隔で測定した比抵抗の標準偏差／平均値が、それぞれ０．０７以上０．１以下である、半絶縁性化合物半導体基板。
【請求項２】
前記半絶縁性化合物半導体基板は、直径が１００ｍｍ以上である円盤状の形状を有する、請求項１に記載の半絶縁性化合物半導体基板。
【請求項３】
前記半絶縁性化合物半導体は、インジウム燐またはガリウムヒ素である、請求項１または請求項２に記載の半絶縁性化合物半導体基板。
【請求項４】
前記半絶縁性化合物半導体は、鉄ドープインジウム燐またはカーボンドープガリウムヒ素である、請求項１または請求項２に記載の半絶縁性化合物半導体基板。
【請求項５】
半絶縁性化合物半導体を含む半絶縁性化合物半導体単結晶であって、
前記半絶縁性化合物半導体単結晶は、面方位が（１００）である断面において、前記断面の中心から＜１１０＞方向の等価な４方向に沿って０．１ｍｍ間隔で測定した比抵抗の標準偏差／平均値、および前記断面の中心から＜１００＞方向の等価な４方向に沿って０．１ｍｍ間隔で測定した比抵抗の標準偏差／平均値が、それぞれ０．０７以上０．１以下である、半絶縁性化合物半導体単結晶。
【請求項６】
前記半絶縁性化合物半導体単結晶は、前記断面の最小幅が１００ｍｍ以上である、請求項５に記載の半絶縁性化合物半導体単結晶。
【請求項７】
前記半絶縁性化合物半導体は、インジウム燐またはガリウムヒ素である、請求項５または請求項６に記載の半絶縁性化合物半導体単結晶。
【請求項８】
前記半絶縁性化合物半導体は、鉄ドープインジウム燐またはカーボンドープガリウムヒ素である、請求項５または請求項６に記載の半絶縁性化合物半導体単結晶。 
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半絶縁性化合物半導体基板および半絶縁性化合物半導体単結晶に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より無線通信、光通信などの技術分野において、送受信、信号処理などを担うデバイスの材料として半絶縁性化合物半導体基板が汎用されている。たとえば、特開平０２−１０７５９８号公報（特許文献１）、特開平１０−２９１９００号公報（特許文献２）、特開平０２−１９２５００号公報（特許文献３）、非特許文献１、非特許文献２などにおいて、この種のデバイスの品質および歩留の向上を目的に、上記基板の面内における電気特性のバラツキを抑える技術が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平０２−１０７５９８号公報
【特許文献２】特開平１０−２９１９００号公報
【特許文献３】特開平０２−１９２５００号公報
【非特許文献】
【０００４】
【非特許文献１】K.  Hashio  et  al.,  "Six-inch-Diameter  Semi-Insulating  GaAs  Crystal  Grown  by  the  Vertical  Boat  Method,"  Inst.  Phys.  Conf.  Ser.  No  162:  Chapter  10.,  523-528(1998）
【非特許文献２】S.  Kuma  et  al.,  "Usefulness  of  light  scattering  tomography  for  GaAs  industry,"  Inst.  Phys.  Conf.  Ser.  No  135:  Chapter  4.,  117-126(1993）
【発明の概要】
【０００５】
本開示の一態様に係る半絶縁性化合物半導体基板は、半絶縁性化合物半導体を含む半絶縁性化合物半導体基板であって、上記半絶縁性化合物半導体基板は、面方位が（１００）である主面において、上記主面の中心から＜１１０＞方向の等価な４方向に沿って０．１ｍｍ間隔で測定した比抵抗の標準偏差／平均値、および上記主面の中心から＜１００＞方向の等価な４方向に沿って０．１ｍｍ間隔で測定した比抵抗の標準偏差／平均値が、それぞれ０．１以下である。
【０００６】
本開示の一態様に係る半絶縁性化合物半導体単結晶は、半絶縁性化合物半導体を含む半絶縁性化合物半導体単結晶であって、上記半絶縁性化合物半導体単結晶は、面方位が（１００）である断面において、上記断面の中心から＜１１０＞方向の等価な４方向に沿って０．１ｍｍ間隔で測定した比抵抗の標準偏差／平均値、および上記断面の中心から＜１００＞方向の等価な４方向に沿って０．１ｍｍ間隔で測定した比抵抗の標準偏差／平均値が、それぞれ０．１以下である。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】図１は、本実施形態に係る半絶縁性化合物半導体基板について、面方位が（１００）である主面上に、その中心から＜１１０＞方向の等価な４方向およびその中心から＜１００＞方向の等価な４方向を表した模式図である。
【図２】図２は、本実施形態に係る半絶縁性化合物半導体単結晶を製造するための結晶成長用ルツボと、このルツボを囲む筒とを表した模式図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
［本開示が解決しようとする課題］
半絶縁性化合物半導体基板では、デバイスの性能向上に直結する構造の微細化および複雑化に資するため、表面のミクロな平坦性をさらに向上することが求められている。基板表面の平坦性は研磨工程で決まるが、研磨条件だけでなく基板の特性にも影響を受ける。具体的には、基板面内の比抵抗のミクロ分布が均一であることが重要である。このミクロ分布の不均一性が、研磨時の基板面内のミクロな領域での反応速度の変動につながり、もって基板面内のミクロな平坦性に影響を及ぼすからである。これに応えるには、たとえば上記基板を構成する単結晶が所定の面において、すべての結晶方位で比抵抗が均一であり、かつ、同じ結晶方位においても場所によって比抵抗のバラツキがないことが必要となる。しかしながら、特許文献１〜３および非特許文献１、２では、特定の結晶方位の比抵抗について述べるにとどまり、すべての結晶方位で比抵抗が均一となるかどうかなどについて検討されていない。したがって、未だ基板全面において比抵抗のミクロ分布が均一な半絶縁性化合物半導体基板を実現することには至っておらず、その開発が切望されている。
【０００９】
以上の点に鑑み、本開示は、高いミクロ平坦性をもつ半絶縁性化合物半導体基板および半絶縁性化合物半導体単結晶を提供することを目的とする。
［本開示の効果］
上記によれば、高いミクロ平坦性をもつ半絶縁性化合物半導体基板を提供することができる。
［本願発明の実施形態の説明］
本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意検討を重ね、本開示に到達した。具体的には、半絶縁性化合物半導体の単結晶および基板の（１００）面において、結晶欠陥である転位の密度（以下、「転位密度」とも記す）は、［０１０］を含む等価な４方向の方が、［０１−１］を含む等価な４方向よりも高いことに着目した。転位密度がより高い（すなわち結晶欠陥が多い）ほど、比抵抗のミクロ分布の不均一性もより大きくなることが知られる。本発明者らは、［０１０］を含む等価な４方向（所謂＜１００＞方向）における転位密度を、［０１−１］を含む等価な４方向（所謂＜１１０＞方向）の転位密度と同程度にまで低減する結晶成長方法に関する知見を得た。転位密度が低減することより、単結晶および基板の面内における比抵抗のミクロ分布の均一性も改善する。これにより、上記（１００）面全体の比抵抗のミクロ分布が均一となる半絶縁性化合物半導体基板および半絶縁性化合物半導体単結晶を見出した。
【００１０】
最初に本発明の実施態様を列記して説明する。
［１］本開示の一態様に係る半絶縁性化合物半導体基板は、半絶縁性化合物半導体を含み、上記半絶縁性化合物半導体基板は、面方位が（１００）である主面において、上記主面の中心から＜１１０＞方向の等価な４方向に沿って０．１ｍｍ間隔で測定した比抵抗の標準偏差／平均値、および上記主面の中心から＜１００＞方向の等価な４方向に沿って０．１ｍｍ間隔で測定した比抵抗の標準偏差／平均値が、それぞれ０．１以下である。このような構成により半絶縁性化合物半導体基板は、面方位が（１００）である主面全体において比抵抗のミクロ分布が均一となり、ミクロな平坦性の高い研磨表面を得ることができる。
【００１１】
［２］上記半絶縁性化合物半導体基板には、直径が１００ｍｍ以上である円盤状の形状を有するものを適用することができる。
【００１２】
［３］上記半絶縁性化合物半導体には、インジウム燐またはガリウムヒ素を適用することができる。
【００１３】
［４］上記半絶縁性化合物半導体には、鉄ドープインジウム燐またはカーボンドープガリウムヒ素を適用することができる。
【００１４】
［５］本開示の一態様に係る半絶縁性化合物半導体単結晶は、絶縁性化合物半導体を含み、上記半絶縁性化合物半導体単結晶は、面方位が（１００）である断面において、上記断面の中心から＜１１０＞方向の等価な４方向に沿って０．１ｍｍ間隔で測定した比抵抗の標準偏差／平均値、および上記断面の中心から＜１００＞方向の等価な４方向に沿って０．１ｍｍ間隔で測定した比抵抗の標準偏差／平均値が、それぞれ０．１以下である。このような構成により半絶縁性化合物半導体単結晶は、面方位が（１００）である断面全体において比抵抗のミクロ分布が均一となり、ミクロな平坦性の高い研磨表面を得ることができる。
【００１５】
［６］上記半絶縁性化合物半導体単結晶には、上記断面の最小幅が１００ｍｍ以上であるものを適用することができる。
【００１６】
［７］上記半絶縁性化合物半導体には、インジウム燐またはガリウムヒ素を適用することができる。
【００１７】
［８］上記半絶縁性化合物半導体には、鉄ドープインジウム燐またはカーボンドープガリウムヒ素を適用することができる。
【００１８】
［本願発明の実施形態の詳細］
以下、本発明の実施形態（以下「本実施形態」とも記す）についてさらに詳細に説明するが、本実施形態はこれらに限定されるものではない。以下では図面を参照しながら説明するが、本明細書および図面において同一または対応する要素に同一の符号を付すものとし、それらについて同じ説明は繰り返さない。
【００１９】
本明細書において「Ａ〜Ｂ」という形式の表記は、範囲の上限下限（すなわちＡ以上Ｂ以下）を意味し、Ａにおいて単位の記載がなく、Ｂにおいてのみ単位が記載されている場合、Ａの単位とＢの単位とは同じである。さらに、本明細書において化合物などを化学式で表す場合、原子比を特に限定しないときは従来公知のあらゆる原子比を含むものとし、必ずしも化学量論的範囲のもののみに限定されるべきではない。
【００２０】
≪半絶縁性化合物半導体基板≫
本実施形態に係る半絶縁性化合物半導体基板は、半絶縁性化合物半導体を含む。上記半絶縁性化合物半導体基板は、面方位が（１００）である主面において、主面の中心から＜１１０＞方向の等価な４方向に沿って０．１ｍｍ間隔で測定した比抵抗の標準偏差／平均値、および主面の中心から＜１００＞方向の等価な４方向に沿って０．１ｍｍ間隔で測定した比抵抗の標準偏差／平均値が、それぞれ０．１以下である。これにより半絶縁性化合物半導体基板は、面方位が（１００）である主面全体において比抵抗のミクロ分布が均一となり、ミクロな平坦性の高い研磨表面を得ることができる。
【００２１】
本明細書において「半絶縁性化合物半導体」とは、比抵抗が１ＭΩｃｍ以上の高抵抗を示す化合物半導体をいう。半絶縁性化合物半導体の具体例として、たとえば半絶縁性ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）、半絶縁性インジウム燐（ＩｎＰ）などを挙げることができる。
【００２２】
図１に示すように、本実施形態に係る半絶縁性化合物半導体基板１は、主面の面方位が（１００）である。すなわち半絶縁性化合物半導体基板１は、半絶縁性化合物半導体単結晶から、その（１００）面を主面として切り出されることにより得られる。
【００２３】
＜比抵抗の標準偏差／平均値＞
半絶縁性化合物半導体基板１は、主面の中心から＜１１０＞方向の等価な４方向に沿って０．１ｍｍ間隔で測定した比抵抗の標準偏差／平均値（以下、後述する実施例において「比抵抗偏差」とも記す）が、０．１以下である。半絶縁性化合物半導体基板１において、主面の中心から＜１１０＞方向の等価な４方向とは、主面の中心から［０１−１］を含む等価な４方向を意味する。この［０１−１］を含む等価な４方向とは、［０１−１］、［０−１−１］、［０−１１］および［０１１］をいう。図１において「主面の中心から＜１１０＞方向の等価な４方向」は、「＜」の印を付した放射状の線により模式的に示されている。なお、結晶方位を表記する際に表わす「−」は本来、数字の頭上に表わされるもので「バー」と読まれる。たとえば、［０１−１］は、「ゼロ・イチ・イチ・バー」と読まれる。
【００２４】
さらに、半絶縁性化合物半導体基板１は、主面の中心から＜１００＞方向の等価な４方向に沿って０．１ｍｍ間隔で測定した比抵抗の標準偏差／平均値も、０．１以下である。半絶縁性化合物半導体基板１において、主面の中心から＜１００＞方向の等価な４方向とは、主面の中心から［０１０］を含む等価な４方向を意味する。この［０１０］を含む等価な４方向とは、［０１０］、［００−１］、［０−１０］および［００１］をいう。図１において「主面の中心から＜１００＞方向の等価な４方向」は、「≪」の印を付した放射状の線により模式的に示されている。
【００２５】
ここで「主面の中心」とは、図１に示すように半絶縁性化合物半導体基板１の主面を円であると仮定した場合に、その円の中心を指す。さらに、ＯＦはオリエンテーションフラットを意味し、ＩＦはインデックスフラットを意味する。半絶縁性化合物半導体基板１において（１００）面を主面とした場合、ＯＦは［０−１−１］方向に設けられ、ＩＦは［０−１１］方向に設けられるのが一般的である。このＯＦとＩＦとの位置関係により、半絶縁性化合物半導体基板１を構成している単結晶の結晶方位が明らかにされる。さらに基板の表面および裏面を判別することができる。
【００２６】
半絶縁性化合物半導体基板１において、主面の中心から＜１１０＞方向の等価な４方向に沿って０．１ｍｍ間隔で測定した比抵抗の標準偏差／平均値が明らかとなり、その値が所定値以下であることにより、主面の中心から＜１１０＞方向の等価な４方向における比抵抗のミクロ分布が均一であると定義することができる。同様に、主面の中心から＜１００＞方向の等価な４方向に沿って０．１ｍｍ間隔で測定した比抵抗の標準偏差／平均値が明らかとなり、その値が所定値以下であることにより、主面の中心から＜１００＞方向の等価な４方向における比抵抗のミクロ分布が均一であると定義することができる。
【００２７】
この比抵抗の標準偏差／平均値の値が大きい程、これらの方向における比抵抗のミクロ分布が不均一であることを意味する。したがって、上述した方向（主面の中心から＜１１０＞方向の等価な４方向および＜１００＞方向の等価な４方向）における比抵抗の標準偏差／平均値が共に０．１以下という小さな値であることにより、半絶縁性化合物半導体基板１は、上述した結晶方位（＜１１０＞方向の等価な４方向および＜１００＞方向の等価な４方向）における比抵抗のミクロ分布が均一であるといえる。
【００２８】
主面の中心から＜１１０＞方向の等価な４方向に沿って０．１ｍｍ間隔で測定した比抵抗の標準偏差／平均値は、０．０８以下であることが好ましい。主面の中心から＜１００＞方向の等価な４方向に沿って０．１ｍｍ間隔で測定した比抵抗の標準偏差／平均値は、０．０９以下であることが好ましい。これらの比抵抗の標準偏差／平均値は、０であることが最も望ましい。
【００２９】
主面の中心から＜１１０＞方向の等価な４方向に沿って０．１ｍｍ間隔で測定した比抵抗の標準偏差／平均値は、主面上に形成した直径７０μｍの電極を用いた３端子ガードリング法により特定することができる。具体的には、主面の中心から＜１１０＞方向の等価な４方向に対し、各方向に沿って０．１ｍｍ間隔で直径７０μｍの電極を形成し、３端子ガードリング法により比抵抗を測定する。この０．１ｍｍ間隔の比抵抗の測定値から、その平均値および標準偏差を算出することができる。
【００３０】
主面の中心から＜１００＞方向の等価な４方向に沿って０．１ｍｍ間隔で測定した比抵抗の標準偏差／平均値も、主面の中心から＜１００＞方向の等価な４方向に沿って０．１ｍｍ間隔で測定した比抵抗の標準偏差／平均値の測定方法と同じ方法により求めることができる。
【００３１】
＜転位密度＞
半絶縁性化合物半導体基板１において、主面の中心から＜１１０＞方向の等価な４方向に沿って０．１ｍｍ間隔で測定した比抵抗の標準偏差／平均値、および主面の中心から＜１００＞方向の等価な４方向に沿って０．１ｍｍ間隔で測定した比抵抗の標準偏差／平均値は、共に０．１以下である。この理由の一つは、主面の中心から＜１００＞方向の等価な４方向における転位密度が、主面の中心から＜１１０＞方向の等価な４方向の転位密度と同程度にまで低減したことに基づく。
【００３２】
転位密度は、半絶縁性化合物半導体基板１の主面をエッチング液などによりエッチングし、エッチピット密度を測定することにより求めることができる。エッチピット密度は、学術的には転位密度と同義ではないが、本技術分野において転位密度と等価なものとして捉えられている。
【００３３】
エッチピット密度は、半絶縁性化合物半導体基板１の主面を顕微鏡により１００倍に拡大し、その１ｍｍ□視野内のエッチピット数をカウントすることにより求めることができる。半絶縁性化合物半導体基板１の直径が１５０ｍｍ未満である場合、エッチピット密度は、主面の中心から＜１１０＞方向の等価な４方向に対し、各方向に沿って５ｍｍ間隔でエッチピット数をカウントし、これらの数の平均値として求めることができる。さらに主面の中心から＜１００＞方向の等価な４方向に対しても、各方向に沿って５ｍｍ間隔でエッチピット数をカウントすることにより、これらの数の平均値として求めることができる。
【００３４】
エッチピット密度を測定するに際し、半絶縁性化合物半導体基板１がインジウム燐である場合には、エッチング液としてヒューバーエッチャントを用いる。半絶縁性化合物半導体基板１がガリウムヒ素である場合には、エッチング液として溶融水酸化カリウムを用いる。さらに、半絶縁性化合物半導体基板１が鉄ドープインジウム燐である場合にも、エッチング液としてヒューバーエッチャントを用いる。半絶縁性化合物半導体基板１がカーボンドープガリウムヒ素である場合にも、エッチング液として溶融水酸化カリウムを用いる。
【００３５】
半絶縁性化合物半導体基板１の直径が１５０ｍｍ以上である場合、エッチピット密度は、エッチピット数を観察する間隔を１０ｍｍとすることを除いて、上述した方法と同じ方法により求めることができる。
【００３６】
＜形状＞
半絶縁性化合物半導体基板には、直径が１００ｍｍ以上である円盤状の形状を有するものを適用することができる。さらに、直径が１５０ｍｍ以上である円盤状の形状を有するものを適用することができる。これにより、直径が１００ｍｍ以上となる大型の半絶縁性化合物半導体基板であっても、主面全体における比抵抗のミクロ分布を均一とし、ミクロな平坦性の高い研磨表面を得ることができる。なお、半絶縁性化合物半導体基板の直径の上限は３００ｍｍとなる。
【００３７】
ここで本明細書において、「直径が１００ｍｍ」の半絶縁性化合物半導体基板には、４インチの半絶縁性化合物半導体基板を含むものとする。同様に、「直径が１５０ｍｍ」の半絶縁性化合物半導体基板には、６インチの半絶縁性化合物半導体基板を含むものとする。「直径が３００ｍｍ」の半絶縁性化合物半導体基板には、１２インチの半絶縁性化合物半導体基板を含むものとする。
【００３８】
＜材料＞
半絶縁性化合物半導体には、インジウム燐またはガリウムヒ素を適用することができる。さらに半絶縁性化合物半導体には、鉄ドープインジウム燐またはカーボンドープガリウムヒ素を適用することができる。これにより、インジウム燐またはガリウムヒ素が材料の半絶縁性化合物半導体基板であっても、主面全体における比抵抗のミクロ分布を均一とし、ミクロな平坦性の高い研磨表面を得ることができる。さらに、鉄ドープインジウム燐またはカーボンドープガリウムヒ素が材料の半絶縁性化合物半導体基板であっても、主面全体における比抵抗のミクロ分布を均一とし、ミクロな平坦性の高い研磨表面を得ることができる。
【００３９】
＜作用＞
以上より、本実施形態に係る半絶縁性化合物半導体基板は、面方位が（１００）である主面全体において比抵抗のミクロ分布が均一となり、ミクロな平坦性の高い研磨表面を得ることができる。もって、高品質な半絶縁性化合物半導体基板を提供することが可能となる。
【００４０】
≪半絶縁性化合物半導体単結晶≫
本実施形態に係る半絶縁性化合物半導体単結晶は、半絶縁性化合物半導体を含む。上記半絶縁性化合物半導体単結晶は、面方位が（１００）である断面において、この断面の中心から＜１１０＞方向の等価な４方向に沿って０．１ｍｍ間隔で測定した比抵抗の標準偏差／平均値、および上記断面の中心から＜１００＞方向の等価な４方向に沿って０．１ｍｍ間隔で測定した比抵抗の標準偏差／平均値が、それぞれ０．１以下である。これにより半絶縁性化合物半導体単結晶は、面方位が（１００）である断面全体において比抵抗のミクロ分布が均一となり、ミクロな平坦性の高い研磨表面を得ることができる。
【００４１】
半絶縁性化合物半導体単結晶には、上記断面の最小幅が１００ｍｍ以上であるものを適用することができる。さらに、上記断面の最小幅が１５０ｍｍ以上であるものを適用することができる。半絶縁性化合物単結晶には、インジウム燐またはガリウムヒ素を適用することができる。さらに半絶縁性化合物単結晶には、鉄ドープインジウム燐またはカーボンドープガリウムヒ素を適用することができる。
【００４２】
本実施形態に係る半絶縁性化合物半導体単結晶は、その（１００）面が主面として切り出されることにより、上述した半絶縁性化合物半導体基板として用いることができる。したがって、半絶縁性化合物半導体単結晶の特性および該特性の測定方法などは、上述した半絶縁性化合物半導体基板と同じとなるため、以降の説明を省略する。本明細書において、半絶縁性化合物半導体単結晶の「面方位が（１００）である断面」には、上記単結晶の（１００）面である表面を含むものとする。さらに半絶縁性化合物半導体単結晶における「断面の中心」とは、上記単結晶の（１００）面が主面として切り出される基板において、その主面の中心となる点を指す。
【００４３】
≪半絶縁性化合物半導体単結晶の製造方法≫
本発明者らは、上述したように半絶縁性化合物半導体単結晶の（１００）面において、［０１０］を含む等価な４方向（所謂＜１００＞方向）の転位密度を低減する結晶成長方法に関する知見を得た。具体的には、転位が結晶成長中の熱応力によって発生するという事象に注目し、結晶内の径方向の温度差が小さくなるように制御した温度分布の条件下で結晶成長を促すことにより、熱応力を低減して転位の発生を抑えることを着想した。
【００４４】
しかしながら、結晶成長中に結晶内の径方向の温度差を小さくすると、成長界面の形状が平坦化することにより、安定した結晶成長が困難となる。すなわち、結晶内の径方向の温度差を小さくして結晶成長を促した場合、結晶中にリネージおよび双晶が発生し易くなって、単結晶成長が阻害され易くなる。
【００４５】
これに対し本発明者らは、結晶の成長方位が（１００）である場合、上記結晶中のリネージおよび双晶が、単結晶の（１００）面に対して［０１−１］を含む等価な４方向（所謂＜１１０＞方向）で発生することを突き止めた。これにより、リネージおよび双晶が発生する＜１１０＞方向に対し、結晶内の径方向の温度差を維持する一方、転位が主に発生する＜１００＞方向に対し、結晶内の径方向の温度差を抑制する温度分布の条件下で結晶成長を促す結晶成長方法（本実施形態に係る半絶縁性化合物半導体単結晶の製造方法）に到達した。
【００４６】
本実施形態に係る半絶縁性化合物半導体単結晶の製造方法では、図２に示すように第１筒材料３１と、この第１筒材料３１よりも断熱性が高い材質からなる第２筒材料３２とを周方向に４５度ずつ交互に並べることにより形成した円筒状の筒３を用い、この筒３に結晶成長用ルツボ２を収容して結晶成長を促す。この方法では、結晶の成長方位が（１００）である場合、結晶成長用ルツボ２において成長する単結晶１０の＜１００＞方向（［０１０］を含む等価な４方向）に、筒３の第２筒材料３２を配置する。これにより、＜１００＞方向に対して結晶内の径方向の温度差を抑制し、もって転位の発生を抑えることができる。
【００４７】
その一方で、結晶成長用ルツボ２において成長する単結晶１０の＜１１０＞方向（［０１−１］を含む等価な４方向）には、筒３の第１筒材料３１が配置される。これにより、結晶内の径方向の温度差が維持されることによって、リネージおよび双晶の発生を抑制することができる。図２中、「ＳＣ」は種結晶を指す。
【００４８】
本実施形態に係る半絶縁性化合物半導体単結晶の製造方法において、上記単結晶１０を結晶成長させる温度および速度については、従来公知の方法に倣い、かつ結晶成長させる材料に応じて決定することができる。
【００４９】
さらに結晶成長に用いる筒３についても、従来公知の方法により製造することができる。筒３を構成する第１筒材料３１の材質として、たとえばカーボンが挙げられる。この中で、第１筒材料３１の材質としてはカーボンが好ましい。筒３を構成する第２筒材料３２の材質として、たとえば窒化硼素（ＢＮ）、窒化ケイ素（Ｓｉ3Ｎ4）、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）などが挙げられる。この中で、第２筒材料３２の材質としては窒化硼素（ＢＮ）、窒化ケイ素（Ｓｉ3Ｎ4）が好ましい。筒３を形成する第１筒材料３１と第２筒材料３２とは、同一の大きさおよび形状を有することが好ましい。
【００５０】
以上から、本実施形態に係る半絶縁性化合物半導体単結晶の製造方法により、半絶縁性化合物半導体を含み、面方位が（１００）である断面において、断面の中心から＜１１０＞方向の等価な４方向に沿って０．１ｍｍ間隔で測定した比抵抗の標準偏差／平均値、および断面の中心から＜１００＞方向の等価な４方向に沿って０．１ｍｍ間隔で測定した比抵抗の標準偏差／平均値が、それぞれ０．１以下である半絶縁性化合物半導体単結晶を製造することができる。さらに、この単結晶から、その（１００）面を主面として切り出すことにより、上述した半絶縁性化合物半導体基板を製造することができる。
【実施例】
【００５１】
以下、実施例を挙げて本発明をより詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。【００５２】
≪実施例１≫
＜半絶縁性化合物半導体単結晶の製造＞
（実施例１−１）
本実施例では、直径１００ｍｍの鉄ドープインジウム燐単結晶を垂直ブリッジマン法により成長させた。単結晶の成長方向に対して垂直となる面を（１００）とした。この単結晶の成長は、従来公知の成長用ルツボを、同一形状、大きさである第１筒材料と第２筒材料とが周方向に４５度ずつ交互に並べられて形成された筒に収容して行なった。単結晶の成長条件は、常法とした。筒は、第１筒材料としてカーボンを用い、第２筒材料として窒化硼素（ＢＮ）を用いた。さらに、筒に結晶成長用ルツボを収容する際には、成長する単結晶の（１００）面の中心から＜１００＞方向の等価な４方向に、第２筒材料が配置されるようにした。同様に、成長する単結晶の（１００）面の中心から＜１１０＞方向の等価な４方向には、第１筒材料が配置されるようにした。これにより実施例１−１の鉄ドープインジウム燐単結晶を製造した。【００５３】
（実施例１−２）
本実施例では、筒を形成する第２筒材料として窒化ケイ素（Ｓｉ3Ｎ4）を用いることを除いて、実施例１−１の製造方法と同じ方法により、実施例１−２の鉄ドープインジウム燐単結晶を製造した。【００５４】
（実施例１−３）
本実施例では、筒を形成する第２筒材料として窒化ケイ素（Ｓｉ3Ｎ4）を用いること、および鉄ドープインジウム燐単結晶の直径を１５０ｍｍとすることを除いて、実施例１−１の製造方法と同じ方法により、実施例１−３の鉄ドープインジウム燐単結晶を製造した。【００５５】
（比較例１−１）
本比較例では、上述した筒を用いないこととし、これを除いて実施例１−１の製造方法と同じ方法により、比較例１−１の鉄ドープインジウム燐単結晶を製造した。【００５６】
（比較例１−２）
本比較例では、上述した筒を用いず、かつ鉄ドープインジウム燐単結晶の直径を１５０ｍｍとすることとし、これらを除いて実施例１−１の製造方法と同じ方法により、比較例１−２の鉄ドープインジウム燐単結晶を製造した。【００５７】
＜転位密度および比抵抗偏差の評価＞
次に、実施例１−１〜実施例１−３および比較例１−１〜比較例１−２の鉄ドープインジウム燐単結晶に対し、それぞれ成長方向に対して垂直となる面である（１００）面を主面とする基板を切り出し、実施例１−１〜実施例１−３および比較例１−１〜比較例１−２の鉄ドープインジウム燐基板を準備した。これらの鉄ドープインジウム燐基板に対し、上述した測定方法により転位密度および比抵抗偏差の評価を行った。【００５８】
＜表面平坦度の評価＞
さらに、実施例１−１〜実施例１−３および比較例１−１〜比較例１−２の鉄ドープインジウム燐基板に対し、主面である（１００）面の表面平坦度を測定して評価した。その測定方法は、以下のとおりとした。すなわち、各実施例および比較例の鉄ドープインジウム燐基板の主面をミラー加工した。この加工後の主面の全面をエッジから３ｍｍを除去した上で、１サイトあたり１０ｍｍ□の大きさに分割し、この各サイトに対して、それぞれ平坦度測定機（商品名：「ウルトラソート６２２０」、コーニング・トロペル社製）を用いてＬＴＶ（Local  Thickness  Variation）測定を行なった。さらに、ＬＴＶ測定から得られた測定値のうちの最大値を、その主面の表面平坦度（単位はμｍ）として求めた。【００５９】
実施例１−１〜実施例１−３および比較例１−１〜比較例１−２の鉄ドープインジウム燐基板について、その直径、その製造に用いた筒の種別、＜１００＞方向の等価な４方向および＜１１０＞方向の等価な４方向における転位密度および比抵抗偏差の測定結果、ならびに表面平坦度の測定結果を表１に示す。表１において、筒の種別として「Ｔｙｐｅ１」は、第１筒材料としてカーボンを用い、第２筒材料として窒化硼素（ＢＮ）を用いた筒であり、「Ｔｙｐｅ２」は、第１筒材料としてカーボンを用い、第２筒材料として窒化ケイ素（Ｓｉ3Ｎ4）を用いた筒である。【００６０】
【表１】
0006512369.tif 000002
【００６１】
＜考察＞
表１によれば、実施例１−１〜実施例１−３の鉄ドープインジウム燐基板は、比抵抗偏差が＜１００＞方向の等価な４方向および＜１１０＞方向の等価な４方向においていずれも０．１以下であり、面方位が（１００）である主面全体におおいて比抵抗のミクロ分布の均一性に優れていた。表面平坦度も１．５μｍ以下であり、主面の平坦性にも優れていることが分かった。特に、実施例１−１〜実施例１−３の鉄ドープインジウム燐基板は、比較例１−１〜比較例１−２に比し、＜１００＞方向の等価な４方向における転位密度が低減していた。これにより、＜１００＞方向の等価な４方向における比抵抗偏差が低減し、かつ表面平坦度も改善したと考えられる。【００６２】
≪実施例２≫
＜半絶縁性化合物半導体単結晶の製造＞
（実施例２−１）
本実施例では、直径１００ｍｍのカーボンドープガリウムヒ素単結晶を垂直ブリッジマン法により成長させた。単結晶の成長方向に対して垂直となる面を（１００）とした。この単結晶の成長は、従来公知の成長用ルツボを、同一形状、大きさである第１筒材料と第２筒材料とが４５度ずつ交互に並べられて形成された筒に収容して行なった。単結晶の成長条件は、常法とした。筒は、第１筒材料としてカーボンを用い、第２筒材料として窒化ケイ素（Ｓｉ3Ｎ4）を用いた。さらに、筒に結晶成長用ルツボを収容する際には、成長する単結晶の（１００）面の中心から＜１００＞方向の等価な４方向に、第２筒材料が配置されるようにした。同様に、成長する単結晶の（１００）面の中心から＜１１０＞方向の等価な４方向には、第１筒材料が配置されるようにした。これにより実施例２−１のカーボンドープガリウムヒ素単結晶を製造した。【００６３】
（実施例２−２）
本実施例では、カーボンドープガリウムヒ素単結晶の直径を１５０ｍｍとすることを除いて、実施例２−１の製造方法と同じ方法により、実施例２−２のカーボンドープガリウムヒ素単結晶を製造した。【００６４】
（比較例２−１）
本比較例では、上述した筒を用いないこととし、これを除いて実施例２−１の製造方法と同じ方法により、比較例２−１のカーボンドープガリウムヒ素単結晶を製造した。【００６５】
（比較例２−２）
本比較例では、上述した筒を用いず、かつカーボンドープガリウムヒ素単結晶の直径を１５０ｍｍとすることとし、これらを除いて実施例２−１の製造方法と同じ方法により、比較例２−２のカーボンドープガリウムヒ素単結晶を製造した。【００６６】
＜転位密度および比抵抗偏差の評価＞
次に、実施例２−１〜実施例２−２および比較例２−１〜比較例２−２のカーボンドープガリウムヒ素単結晶に対し、それぞれ成長方向に対して垂直となる面である（１００）面を主面とする基板を切り出し、実施例２−１〜実施例２−２および比較例２−１〜比較例２−２のカーボンドープガリウムヒ素基板を準備した。これらのカーボンドープガリウムヒ素基板に対し、上述した測定方法により転位密度および比抵抗偏差の評価を行った。【００６７】
＜表面平坦度の評価＞
さらに、実施例２−１〜実施例２−２および比較例２−１〜比較例２−２のカーボンドープガリウムヒ素基板に対し、主面である（１００）面の表面平坦度を測定して評価した。その測定方法は、上記≪実施例１≫において鉄ドープインジウム燐基板を対象に行なった表面平坦度の測定方法と同じとした。【００６８】
実施例２−１〜実施例２−２および比較例２−１〜比較例２−２のカーボンドープガリウムヒ素基板について、その直径、その製造に用いた筒の種別、＜１００＞方向の等価な４方向および＜１１０＞方向の等価な４方向における転位密度および比抵抗偏差の測定結果、ならびに表面平坦度の測定結果を表２に示す。表２において、筒の種別としての「Ｔｙｐｅ２」は、第１筒材料としてカーボンを用い、第２筒材料として窒化ケイ素（Ｓｉ3Ｎ4）を用いた筒である。【００６９】
【表２】
0006512369.tif 000003
【００７０】
＜考察＞
表２によれば、実施例２−１〜実施例２−２のカーボンドープガリウムヒ素基板は、比抵抗偏差が＜１００＞方向の等価な４方向および＜１１０＞方向の等価な４方向においていずれも０．１以下であり、面方位が（１００）である主面全体において比抵抗のミクロ分布の均一性に優れていた。表面平坦度も０．５μｍまたは０．６μｍであり、主面の平坦性にも優れていることが分かった。特に、実施例２−１〜実施例２−２のカーボンドープガリウムヒ素基板は、比較例２−１〜比較例２−２に比し、＜１００＞方向の等価な４方向における転位密度が低減していた。これにより＜１００＞方向の等価な４方向における比抵抗偏差が低減し、かつ表面平坦度も改善したと考えられる。【００７１】
以上のように本発明の実施の形態および実施例について説明を行なったが、上述の各実施の形態および実施例の構成を適宜組み合わせることも当初から予定している。【００７２】
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって、制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した実施の形態ではなく請求の範囲によって示され、請求の範囲と均等の意味、および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【符号の説明】
【００７３】
１  半絶縁性化合物半導体基板、１０  単結晶、２  結晶成長用ルツボ、３  筒、３１  第１筒材料、３２  第２筒材料、ＳＣ  種結晶。
【要約】
半絶縁性化合物半導体基板は、半絶縁性化合物半導体を含み、前記半絶縁性化合物半導体基板は、面方位が（１００）である主面において、前記主面の中心から＜１１０＞方向の等価な４方向に沿って０．１ｍｍ間隔で測定した比抵抗の標準偏差／平均値、および前記主面の中心から＜１００＞方向の等価な４方向に沿って０．１ｍｍ間隔で測定した比抵抗の標準偏差／平均値が、それぞれ０．１以下である。【図１】
0006512369.tif 000004
【図２】
0006512369.tif 000005