(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
その材質が、Ｓｉ系合金であり、
上記Ｓｉ系合金が、５０質量％以上９５質量％以下のＳｉを含み、残部が導電性の金属Ｘ及び不可避的不純物であり、
上記合金が、Ｓｉ単相と、上記Ｓｉと上記金属Ｘとを含有するシリサイド相とを有しており、
密度が２．０Ｍｇ／ｍ３以上６．０Ｍｇ／ｍ３以下であり、
かつ上記金属Ｘの単相を有する導電フィラー用粉末。
【請求項２】
上記金属Ｘが、Ｂ、Ｎａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｃａ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ及びＡｕからなる群から選択された１種又は２種以上である請求項１に記載の粉末。
【請求項３】
上記金属ＸがＡｌであり、このＡｌの含有率が０．１質量％以上３０質量％以下である請求項２に記載の粉末。
【請求項４】
上記Ａｌが、単相で又はＳｉに固溶して存在する請求項３に記載の粉末。
【請求項５】
上記合金が金属Ｙをさらに含んでおり、上記金属ＹがＳｎ、Ｉｎ、Ｚｎ、Ｂｉ、Ｇａ及びＰｂからなる群から選択された１種又は２種以上である請求項１から４のいずれかに記載の粉末。
【請求項６】
その累積５０体積％粒子径（Ｄ５０）が１μｍ以上６０μｍ以下である請求項１から５のいずれかに記載の粉末。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、導電性樹脂、導電性プラスチック、導電性ペースト、電子機器、電子部品等に用いられる導電フィラーに適した粉末に関する。
【背景技術】
【０００２】
導電性物質に含有されるフィラーに、金、銀、白金及び銅のような貴金属の粉末が用いられている。他の金属の表面に貴金属がコーティングされた粉末も、導電フィラーとして用いられている。貴金属の電気抵抗は小さいので、この貴金属を含むフィラーは導電性に優れる。貴金属を含む粒子の凝集により、粒子同士の大きな接触面積が得られるので、この観点からも貴金属はフィラーの導電性に寄与する。貴金属はさらに、熱伝導性にも優れる。
【０００３】
貴金属は、高価である。従って、貴金属を含む導電性物質は、高コストである。しかも、貴金属は高比重である。従って、貴金属を含む導電性物質は、重い。コスト低減及び軽量化の観点から、貴金属以外の元素を含む合金の検討が、種々なされている。
【０００４】
特開２００４−４７４０４公報には、シリコン化合物からなる粒子の表面に、炭素がコーティングされた導電フィラー用合金が開示されている。この粒子では、シリコン微結晶がシリコン化合物に分散している。
【０００５】
特開２００６−５４０６１公報には、Ａｇからなる粒子の表面に、Ｓｉ又はＳｉ系化合物がコーティングされた導電フィラー用合金が開示されている。
【０００６】
特開２００８−２６２９１６公報には、銀と、０．０１−１０質量％のＳｉとを含有する導電フィラー用合金が開示されている。この合金では、銀粒子の表面に、ＳｉＯ２のゲルがコーティングされている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００４−４７４０４公報
【特許文献２】特開２００６−５４０６１公報
【特許文献３】特開２００８−２６２９１６公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
近年、電子機器の高性能化及び用途拡大が進んでいる。導電性物質には、低コスト化及び軽量化の要請がある。
【０００９】
本発明の目的は、導電性に優れ、低コストで得られ、かつ軽量である導電フィラー用粉末の提供にある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明に係る導電フィラー用粉末の材質は、Ｓｉ系合金である。このＳｉ系合金は、５０質量％以上９５質量％以下のＳｉを含む。このＳｉ系合金の残部は、導電性の金属Ｘと不可避的不純物である。この合金は、Ｓｉ単相と、Ｓｉと金属Ｘとを含有するシリサイド相とを有する。この粉末の密度は、２．０Ｍｇ／ｍ３以上６．０Ｍｇ／ｍ３以下である。
【００１１】
好ましくは、この合金は、金属Ｘの単相をさらに含む。
【００１２】
好ましくは、金属Ｘは、Ｂ、Ｎａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｃａ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ及びＡｕからなる群から選択された１種又は２種以上である。
【００１３】
好ましくは、金属ＸはＡｌである。このＡｌの含有率は、好ましくは、０．１質量％以上３０質量％以下である。好ましくは、Ａｌは、単相で又はＳｉに固溶して存在する。
【００１４】
好ましくは、合金は、金属Ｙをさらに含む。この金属Ｙは、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｚｎ、Ｂｉ、Ｇａ及びＰｂからなる群から選択された１種又は２種以上をさらに含む。
【００１５】
好ましくは、粉末の累積５０体積％粒子径（Ｄ５０）は、１μｍ以上６０μｍ以下である。
【発明の効果】
【００１６】
本発明に係る導電フィラー用粉末は、材質がＳｉ系合金であるため、低コストで得られうる。この粉末は、貴金属がコーティングされて得られる粉末に比べ、製造に手間がかからず、しかもコーティング層の剥離の問題も生じない。この粉末は低密度でもある。この粉末では、シリサイドが導電性に寄与する。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】図１は、本発明の一実施形態に係る粉末に含まれる粒子の一部が示された断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、適宜図面が参照されつつ、好ましい実施形態に基づいて本発明が詳細に説明される。
【００１９】
本発明に係る導電フィラー用粉末は、多数の粒子の集合である。図１に、この粒子１の断面が拡大されて示されている。この粒子１の材質は、Ｓｉ系合金である。このＳｉ系合金は、Ｓｉと金属Ｘとを含んでいる。金属Ｘは、導電性である。金属Ｘの電気伝導度は、１００ＡＶ−１ｍ−１以上である。
【００２０】
好ましくは、合金は、
（１）Ｓｉ
（２）金属Ｘ
及び
（３）不可避的不純物
のみを含む。
【００２１】
この合金は、Ｓｉ単相２と、シリサイド相３とを有している。このシリサイド相３は、Ｓｉと金属Ｘとを含有する。このシリサイド相３は、Ｓｉと金属Ｘとの化合物を含む。このシリサイド相３において、金属ＸはＳｉに固溶しうる。このシリサイド相３は、金属Ｘの単相を含みうる。
【００２２】
Ｓｉは、電気伝導度の低い金属である。一方、金属Ｘを含むシリサイドは、電気伝導度を高める。このシリサイド相を含む導電フィラー用粉末は、導電性に優れる。特に、金属Ｘの単相又は金属ＸがＳｉに固溶した相を有する粉末は、導電性に優れる。この粉末を含む物体（例えば電子機器）は、導電性に優れる。
【００２３】
従来の導電フィラー粉末には、前述の通り、金、銀、白金及び銅のような貴金属が用いられている。金の密度は１９．３２Ｍｇ／ｍ３であり、銀の密度は１０．５０Ｍｇ／ｍ３であり、白金の密度は２１．４５Ｍｇ／ｍ３であり、銅の密度は８．９６０Ｍｇ／ｍ３である。一方、Ｓｉの密度は２．３２９Ｍｇ／ｍ３である。Ｓｉの密度は、金属の中では小さい。Ｓｉを含む導電フィラー用粉末は、軽量である。この粉末を含む物体（例えば電子機器）は、軽量である。
【００２４】
Ｓｉは、貴金属に比べて低価格である。Ｓｉを含む導電フィラー用粉末は、この粉末を含む物体（例えば電子機器）の低コストを達成する。さらにこの粉末は、コーティングの手間がなく製造されうる。
【００２５】
導電性の観点から、合金における金属Ｘの比率は１質量％以上が好ましく、３質量％以上がより好ましく、５質量％以上が特に好ましい。合金が十分なＳｉを含有しうるとの観点から、金属Ｘの比率は５０質量％以下が好ましい。
【００２６】
軽量及び低コストの観点から、合金におけるＳｉの比率は５０質量％以上が好ましく、６５質量％以上がより好ましく、７５質量％以上が特に好ましい。合金が十分な金属Ｘを含有しうるとの観点から、Ｓｉの比率は９５質量％以下が好ましい。
【００２７】
導電フィラー用粉末を含む物体（例えば電子機器）の軽量の観点から、この粉末の密度は６．０Ｍｇ／ｍ３以下が好ましく、５．５Ｍｇ／ｍ３以下がより好ましく、５．０Ｍｇ／ｍ３以下が特に好ましい。密度は、２．０Ｍｇ／ｍ３以上が好ましく、２．５Ｍｇ／ｍ３以上がより好ましく、３．０Ｍｇ／ｍ３以上が特に好ましい。
【００２８】
密度は、島津製作所社の乾式自動密度計「アキュピック  II  １３４０シリーズ」により測定される。この装置の容器に粉末が投入され、ヘリウムガス充填される。定容積膨張法に基づき、粉末の密度が検出される。１０回の測定の平均値が算出される。
【００２９】
金属Ｘの具体例として、Ｂ、Ｎａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｃａ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ及びＡｕが挙げられる。粉末が、２種以上の金属Ｘを含んでもよい。これらの金属Ｘは、粉末の熱伝導性にも寄与しうる。合金における金属Ｘの含有率は、５質量％以上５０質量％以下が好ましい。
【００３０】
導電性及び低コストの観点から、特に好ましい金属Ｘは、Ａｌである。Ａｌは、シリサイド相において単相で存在しうる。Ａｌはさらに、シリサイド相においてＳｉに固溶しうる。このＡｌは、導電性に寄与する。合金におけるＡｌの含有率は、０．１質量％以上３０質量％以下が好ましい。
【００３１】
合金が、軟質な金属Ｙを含んでもよい。この場合、好ましくは、合金は、
（１）Ｓｉ
（２）金属Ｘ
（３）金属Ｙ
及び
（４）不可避的不純物
のみを含む。
【００３２】
粉末の電気伝導度は、粒子内部のバルク抵抗と、粒子同士の接触抵抗に、主として支配される。軟質な金属Ｙを含む合金は、粒子同士の密着性を高める。この金属Ｙにより、接触抵抗が低減される。
【００３３】
合金における金属Ｙの含有量は、１質量％以上５質量％以下が好ましい。
【００３４】
金属Ｙの具体例として、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｚｎ、Ｂｉ、Ｇａ及びＰｂが挙げられる。粉末が、２種以上の金属Ｙを含んでもよい。
【００３５】
金属Ｙは、Ｓｉとの融点差が大きく、かつ、相互の溶解がほとんど無いため、Ｓｉ−金属Ｙ合金でアトマイズをおこなうと、Ｓｉと金属Ｙとを含有するシリサイド相が現れにくくなり、Ｓｉ単体と金属Ｙの単体が析出し易くなる。Ｓｉ単体の電気伝導度は非常に小さく、さらにＳｉ−金属Ｙ合金中におけるＳｉ単体が占める割合は多いため、Ｓｉ−金属Ｙ合金は導電フィラー粉末としては適さない。
【００３６】
導電フィラー粉末の累積５０体積％粒子径（Ｄ５０）は、６０μｍ以下が好ましい。粒子径（Ｄ５０）が６０μｍ以下である粉末を含む樹脂組成物では、この粉末がマトリクス中に均一に分散する。粒子径（Ｄ５０）が６０μｍ以下である粉末を含む塗料は、電子機器や電子部品の狭い部位に塗布されやすい。これらの観点から、粒子径（Ｄ５０）は５０μｍ以下がより好ましく、４０μｍ以下が特に好ましい。粉末の凝集は、均一な混合を阻害する。凝集が抑制されるとの観点から、累積５０体積％粒子径（Ｄ５０）は１μｍ以上が好ましく、１０μｍ以上がより好ましく、３５μｍ以上が特に好ましい。
【００３７】
累積５０体積％粒子径（Ｄ５０）は、粉体の全体積を１００％として累積カーブを求めたとき、その累積カーブが５０％となる点の粒子径である。粒子径（Ｄ５０）は、日機装社のレーザー回折・散乱式粒子径分布測定装置「マイクロトラックＭＴ３０００」により測定される。この装置のセル内に、粉末が純水と共に流し込まれ、粒子の光散乱情報に基づいて、粒子径（Ｄ５０）が検出される。１０回の測定の平均値が算出される。
【００３８】
導電フィラー粉末は、アトマイズ工程を含む液体急冷プロセスによって製造されうる。このプロセスにより、容易かつ安価に粉末が製造されうる。好ましいアトマイズとして、水アトマイズ法、ガスアトマイズ法、ディスクアトマイズ法及びプラズマアトマイズ法が例示される。ガスアトマイズ法及びディスクアトマイズ法が、特に好ましい。
【００３９】
ガスアトマイズ法では、底部に細孔を有する石英坩堝の中に、原料が投入される。この原料が、アルゴンガス雰囲気中で、高周波誘導炉によって加熱され、溶融する。アルゴンガス雰囲気において、細孔から流出する原料に、アルゴンガスが噴射される。原料は急冷されて凝固し、粉末が得られる。噴射圧の調整により、凝固速度がコントロールされうる。噴射圧が大きいほど、凝固速度は大きい。凝固速度のコントロールにより、所望の粒度分布を有する粉末が得られうる。凝固速度が速いほど、粒度分布の幅は小さい。
【００４０】
ディスクアトマイズ法では、底部に細孔を有する石英坩堝の中に、原料が投入される。この原料が、アルゴンガス雰囲気中で、高周波誘導炉によって加熱され、溶融する。アルゴンガス雰囲気において、細孔から流出する原料が、高速で回転するディスクの上に落とされる。回転速度は、４００００ｒｐｍから６００００ｒｐｍである。ディスクによって原料は急冷され、凝固して、粉末が得られる。この粉末にミリングが施されてもよい。  
【００４１】
メルトスピニング法によって製造した鱗片状又は薄箔状の材料が、メカニカルアロイング法で粉砕されることで、粉末が製造されてもよい。
【実施例】
【００４２】
以下、実施例によって本発明の効果が明らかにされるが、この実施例の記載に基づいて本発明が限定的に解釈されるべきではない。
【００４３】
表１−４に示される実施例１−３７及び比較例１−３６の粉末を得た。各粉末の成分の、表に記載されていない残部は、不可避的不純物である。
【００４４】
各粉末の電気伝導度を測定した。まず、篩を用いて径が４５μｍを超える粒子を粉末から除去した。この粉末を、直径が２５ｍｍであり高さが１０ｍｍである円柱状のサンプルホルダー（東陽テクニカ社の粉体インピーダンス測定用四端子サンプルホルダー）に充填した。この粉末に、上下から４Ｎｍの荷重をかけた。この粉末の上側に電流のプラス端子及び電圧のプラス端子を取り付けた。この粉末の下側に電流のマイナス端子及び電圧のマイナス端子を取り付けた。いわゆる四端子法により、電流を流して電圧を測定した。この結果が、下記の表１−４に示されている。
【００４５】
【表１】
0006546384.tif 000002
【００４６】
【表２】
0006546384.tif 000003
【００４７】
【表３】
0006546384.tif 000004
【００４８】
【表４】
0006546384.tif 000005
【００４９】
表１−４における製造プロセスの詳細は、下記の通りである。
Ｇ．Ａ．：ガスアトマイズ法
Ｄ．Ａ．：ディスクアトマイズ法
Ｍ．Ｓ．：メルトスピニング法
【００５０】
表１−２に示される通り、各実施例の粉末の合金は、５０質量％以上９５質量％以下のＳｉを含んでいる。この合金は、導電性を示す金属シリサイド相と、密度の小さいＳｉ相の、２相を有する。この粉末の密度は、２．０Ｍｇ／ｍ３から６．０Ｍｇ／ｍ３である。表１−２では、各粉末が、Ａ−Ｅの格付けで評価されている。この評価の基準は、以下の通りである。以下に示す、密度、電気伝導度、粒子径（Ｄ５０）を同時に満たす場合に、当該格付けが適用される。
格付けＡ
密度：２．０Ｍｇ／ｍ３以上６Ｍｇ／ｍ３以下
電気伝導度：１０ＡＶ−１ｍ−１以上
粒子径（Ｄ５０）：１０μｍ以上６０μｍ以下
格付けＢ
密度：２．０Ｍｇ／ｍ３以上６Ｍｇ／ｍ３以下
電気伝導度：８ＡＶ−１ｍ−１以上１０ＡＶ−１ｍ−１以下
粒子径（Ｄ５０）：１０μｍ以上６０μｍ以下
格付けＣ
密度：２．０Ｍｇ／ｍ３以上６Ｍｇ／ｍ３以下
電気伝導度：５ＡＶＡＶ−１ｍ−１以上８ＡＶ−１ｍ−１以下
粒子径（Ｄ５０）：１０μｍ以上６０μｍ以下
又は
密度：２．０Ｍｇ／ｍ３以上６Ｍｇ／ｍ３以下
電気伝導度：１０ＡＶ−１ｍ−１以上
粒子径（Ｄ５０）：１０μｍ以下又は６０μｍ以上
格付けＤ
密度：２．０Ｍｇ／ｍ３以上６Ｍｇ／ｍ３以下
電気伝導度：５ＡＶ−１ｍ−１以上１０ＡＶ−１ｍ−１以下
粒子径（Ｄ５０）：１０μｍ以下又は６０μｍ以上
又は
密度：２．０Ｍｇ／ｍ３以上６Ｍｇ／ｍ３以下
電気伝導度：５ＡＶ−１ｍ−１以下
粒子径（Ｄ５０）：１０μｍ以上６０μｍ以下
格付けＥ
密度：２．０Ｍｇ／ｍ３以上６Ｍｇ／ｍ３以下
電気伝導度：５ＡＶ−１ｍ−１以下
粒子径（Ｄ５０）：１０μｍ以下又は６０μｍ以上
【００５１】
表３−４に示された各比較例の粉末の格付けは、Ｆである。この粉末は、Ｓｉ量、金属Ｘの有無、及び密度のいずれかが、本発明の要件を満たしていない。
【００５２】
例えば、実施例３４に係る粉末は、組成が５０Ｓｉ−２０Ｃｒ−２０Ｔｉ−１０Ａｌであり、密度は４．１３Ｍｇ／ｍ３である。また、電気伝導度は８５０ＡＶ−１ｍ−１であり、粒子径（Ｄ５０）は３５μｍである。この粉末は、本実施例で最も好ましい特性を示している。
【００５３】
例えば、比較例１３に係る粉末の電気伝導度は、７４０ＡＶ−１ｍ−１である。この粉末は優れた導電性を示し、かつ、Ｓｉ量が５０質量％であるが、密度が８．６２Ｍｇ／ｍ３であるため、本発明の要件を満たさない。
【００５４】
以上の評価結果から、本発明の優位性は明かである。
【産業上の利用可能性】
【００５５】
本発明に係る粉末は、導電性樹脂、導電性プラスチック、導電性ペースト、電子機器、電子部品等に用いられ得る。
【図１】
0006546384.tif 000006