(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記式（１−ｂ）で表される金属錯体。
【化１】
0006603661.tif 000138
［式中、
Ｍは、イリジウム原子を表す。
ｎ１は、１、２または３を表す。ｎ２は、０、１または２を表す。ｎ１＋ｎ２は３である。
Ｅ２およびＥ３は窒素原子を表し、Ｅ４は炭素原子を表す。Ｒ２およびＲ３は、存在しても存在しなくてもよい。
Ｒ２およびＲ３は、それぞれ独立に、アリール基を表し、該基は置換基としてアルキル基、シクロアルキル基またはアリール基を有していてもよい。Ｒ２およびＲ３が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
環Ｂは、トリアゾール環を表す。
Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６およびＲ７は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基またはハロゲン原子を表し、これらの基は置換基としてアルキル基、シクロアルキル基またはアリール基を有していてもよい。Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６およびＲ７が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。Ｒ４とＲ５が結合して、それぞれが結合する炭素原子とともに環を形成していてもよく、Ｒ５とＲ６が結合して、それぞれが結合する炭素原子とともに環を形成していてもよく、Ｒ６とＲ７が結合して、それぞれが結合する炭素原子とともに環を形成していてもよい。
Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ１１およびＲ１２は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基またはハロゲン原子を表し、これらの基は置換基としてアルキル基、シクロアルキル基またはアリール基を有していてもよい。Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ１１およびＲ１２が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。Ｒ８とＲ９が結合して、それぞれが結合する炭素原子とともに環を形成していてもよく、Ｒ９とＲ１０が結合して、それぞれが結合する炭素原子とともに環を形成していてもよく、Ｒ１０とＲ１１が結合して、それぞれが結合する炭素原子とともに環を形成していてもよく、Ｒ１１とＲ１２が結合して、それぞれが結合する炭素原子とともに環を形成していてもよい。
Ａ１−Ｇ１−Ａ２は、下記式のいずれかで表されるアニオン性の２座配位子を表す。
【化２】
0006603661.tif 000139
但し、下記式で表される化合物を除く。］
【化３】
0006603661.tif 000140
【請求項２】
下記式（１−ｃ）で表される、請求項１に記載の金属錯体。
【化４】
0006603661.tif 000141
［式中、Ｍ、ｎ１、ｎ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ１１、Ｒ１２およびＡ１−Ｇ１−Ａ２は前記と同じ意味を表す。］
【請求項３】
下記式（１−ｄ）で表される、請求項１に記載の金属錯体。
【化５】
0006603661.tif 000142
［式中、Ｍ、ｎ１、ｎ２、Ｒ２、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ１１、Ｒ１２およびＡ１−Ｇ１−Ａ２は前記と同じ意味を表す。］
【請求項４】
下記式（１−ｅ）で表される、請求項２に記載の金属錯体。
【化６】
0006603661.tif 000143
［式中、
Ｍ、ｎ１、ｎ２、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ１１、Ｒ１２およびＡ１−Ｇ１−Ａ２は、前記と同じ意味を表す。
Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１５、Ｒ１６およびＲ１７は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基またはアリール基を表し、これらの基は置換基としてアルキル基、シクロアルキル基またはアリール基を有していてもよい。Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１５、Ｒ１６およびＲ１７が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。Ｒ１３とＲ１４が結合して、それぞれが結合する炭素原子とともに環を形成していてもよく、Ｒ１４とＲ１５が結合して、それぞれが結合する炭素原子とともに環を形成していてもよく、Ｒ１５とＲ１６が結合して、それぞれが結合する炭素原子とともに環を形成していてもよく、Ｒ１６とＲ１７が結合して、それぞれが結合する炭素原子とともに環を形成していてもよい。］
【請求項５】
前記Ｒ５、Ｒ６、Ｒ１０およびＲ１５からなる群から選ばれる少なくとも１つが、下記式（Ｄ−Ａ１）で表される基である、請求項４に記載の金属錯体。
【化７】
0006603661.tif 000144
［式中、
Ｒｐ１およびＲｐ２は、それぞれ独立に、アルキル基またはシクロアルキル基を表す。Ｒｐ１およびＲｐ２が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。また、複数存在するＲｐ１から選ばれる少なくとも１つは炭素数４以上のアルキル基である。
ｎｐ１は、１〜５の整数を表し、ｎｐ２は０〜３の整数を表す。複数存在するｎｐ１は、同一でも異なっていてもよい。］
【請求項６】
前記Ｒ９およびＲ１１が、アルキル基またはアリール基である、請求項１〜５のいずれか一項に記載の金属錯体。
【請求項７】
前記ｎ１が３である、請求項１〜６のいずれか一項に記載の金属錯体。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか一項に記載の金属錯体と、
ホスト材料とを含有する組成物。
【請求項９】
前記ホスト材料が、下記式（Ｈ−１）で表される化合物である、請求項８に記載の組成物。
【化８】
0006603661.tif 000145
［式中、
ＡｒＨ１およびＡｒＨ２は、それぞれ独立に、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
ｎＨ１およびｎＨ２は、それぞれ独立に、０または１を表す。ｎＨ１が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。複数存在するｎＨ２は、同一でも異なっていてもよい。
ｎＨ３は、０以上の整数を表す。
ＬＨ１は、アリーレン基、２価の複素環基、または、−［Ｃ（ＲＨ１１）２］ｎＨ１１−で表される基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。ＬＨ１が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
ｎＨ１１は、１以上１０以下の整数を表す。ＲＨ１１は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲＨ１１は、同一でも異なっていてもよく、互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子とともに環を形成していてもよい。
ＬＨ２は、−Ｎ（−ＬＨ２１−ＲＨ２１）−で表される基を表す。ＬＨ２が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
ＬＨ２１は、単結合、アリーレン基または２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。ＲＨ２１は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］
【請求項１０】
前記ホスト材料が、下記式（Ｙ）で表される構成単位を含む高分子化合物である、請求項８に記載の組成物。
【化９】
0006603661.tif 000146
［式（Ｙ）中、ＡｒＹ１は、アリーレン基、２価の複素環基、または、少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］
【請求項１１】
請求項１〜７のいずれか一項に記載の金属錯体と、
正孔輸送材料、正孔注入材料、電子輸送材料、電子注入材料、発光材料、酸化防止剤および溶媒からなる群より選ばれる少なくとも１種の材料とを含有する組成物。
【請求項１２】
請求項１〜７のいずれか一項に記載の金属錯体を用いて得られる発光素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、金属錯体、該金属錯体を含有する組成物および該金属錯体を用いて得られる発光素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
発光素子の発光層に用いる発光材料として、三重項励起状態からの発光を示す燐光発光性化合物等が検討されている。例えば、特許文献１には、下記式で表される金属錯体Ａが記載されている。特許文献２には、下記式で表される金属錯体Ｂおよび金属錯体Ｃが記載されている。これらの金属錯体は、配位子がフェニルトリアゾール構造を有する金属錯体である。【０００３】
【化１】
0006603661.tif 000002
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】米国特許出願公開第２０１４／０１５１６５９号
【特許文献２】特開２０１３−１４７５５１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記の金属錯体は発光の安定性が十分でなかった。【０００６】
そこで、本発明は、発光の安定性に優れる金属錯体を提供することを目的とする。本発明はまた、該金属錯体を含有する組成物および該金属錯体を用いて得られる発光素子を提供することを目的とする。【０００７】
ここで、「発光の安定性に優れる金属錯体」とは、一定の励起条件にて金属錯体を連続的に励起させた場合に、金属錯体の三重項励起状態からの発光輝度が低下しにくいことを意味する。金属錯体を励起させる方法は、光励起、電流励起のいずれであってもよい。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
［１］下記式（１）で表される金属錯体。
【化２】
0006603661.tif 000003
［式中、
Ｍは、イリジウム原子または白金原子を表す。
ｎ１は、１、２または３を表す。ｎ２は、０、１または２を表す。Ｍがイリジウム原子の場合、ｎ１＋ｎ２は３であり、Ｍが白金原子の場合、ｎ１＋ｎ２は２である。
Ｅ２、Ｅ３およびＥ４は、それぞれ独立に、窒素原子または炭素原子を表す。Ｅ２、Ｅ３およびＥ４が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。Ｅ２およびＥ３が窒素原子の場合、Ｒ２およびＲ３は、存在しても存在しなくてもよい。但し、Ｅ２、Ｅ３およびＥ４からなる群から選ばれる２つは窒素原子であり、残りの１つは炭素原子である。
Ｒ１は、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ１が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
Ｒ２およびＲ３は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基またはハロゲン原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ２およびＲ３が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
環Ｂは、トリアゾール環を表す。
環Ａは、芳香族炭化水素環または芳香族複素環を表し、これらの環は置換基を有していてもよい。
Ａ1−Ｇ1−Ａ2は、アニオン性の２座配位子を表す。Ａ1およびＡ2は、それぞれ独立に、炭素原子、酸素原子または窒素原子を表し、これらの原子は環を構成する原子であってもよい。Ｇ1は、単結合、または、Ａ1およびＡ2とともに２座配位子を構成する原子団を表す。Ａ1−Ｇ1−Ａ2が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。］
［２］下記式（１−ａ）で表される、［１］に記載の金属錯体。
【化３】
0006603661.tif 000004
［式中、
Ｍ、ｎ１、ｎ２、Ｅ２、Ｅ３、Ｅ４、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、環ＢおよびＡ1−Ｇ1−Ａ2は、前記と同じ意味を表す。
Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６およびＲ７は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基またはハロゲン原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６およびＲ７が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。Ｒ４とＲ５が結合して、それぞれが結合する炭素原子とともに環を形成していてもよく、Ｒ５とＲ６が結合して、それぞれが結合する炭素原子とともに環を形成していてもよく、Ｒ６とＲ７が結合して、それぞれが結合する炭素原子とともに環を形成していてもよい。]
［３］下記式（１−ｂ）で表される、［２］に記載の金属錯体。
【化４】
0006603661.tif 000005
［式中、
Ｍ、ｎ１、ｎ２、Ｅ２、Ｅ３、Ｅ４、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、環ＢおよびＡ1−Ｇ1−Ａ2は、前記と同じ意味を表す。
Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ１１およびＲ１２は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基またはハロゲン原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ１１およびＲ１２が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。Ｒ８とＲ９が結合して、それぞれが結合する炭素原子とともに環を形成していてもよく、Ｒ９とＲ１０が結合して、それぞれが結合する炭素原子とともに環を形成していてもよく、Ｒ１０とＲ１１が結合して、それぞれが結合する炭素原子とともに環を形成していてもよく、Ｒ１１とＲ１２が結合して、それぞれが結合する炭素原子とともに環を形成していてもよい。］
［４］下記式（１−ｃ）で表される、［３］に記載の金属錯体。
【化５】
0006603661.tif 000006
［式中、Ｍ、ｎ１、ｎ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ１１、Ｒ１２およびＡ1−Ｇ1−Ａ2は前記と同じ意味を表す。］
［５］下記式（１−ｄ）で表される、［３］に記載の金属錯体。
【化６】
0006603661.tif 000007
［式中、Ｍ、ｎ１、ｎ２、Ｒ２、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ１１、Ｒ１２およびＡ1−Ｇ1−Ａ2は、前記と同じ意味を表す。］
［６］下記式（１−ｅ）で表される、［４］に記載の金属錯体。
【化７】
0006603661.tif 000008
［式中、
Ｍ、ｎ１、ｎ２、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ１１、Ｒ１２およびＡ1−Ｇ1−Ａ2は、前記と同じ意味を表す。
Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１５、Ｒ１６およびＲ１７は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基またはハロゲン原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１５、Ｒ１６およびＲ１７が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。Ｒ１３とＲ１４が結合して、それぞれが結合する炭素原子とともに環を形成していてもよく、Ｒ１４とＲ１５が結合して、それぞれが結合する炭素原子とともに環を形成していてもよく、Ｒ１５とＲ１６が結合して、それぞれが結合する炭素原子とともに環を形成していてもよく、Ｒ１６とＲ１７が結合して、それぞれが結合する炭素原子とともに環を形成していてもよい。］
［７］前記Ｒ９およびＲ１１が、アルキル基またはアリール基である、［３］〜［６］のいずれかに記載の金属錯体。
［８］前記Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ１０およびＲ１５からなる群から選ばれる少なくとも１つが、デンドロンである、［１］〜［６］のいずれか一項に記載の金属錯体。
［９］前記Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ１０およびＲ１５からなる群から選ばれる少なくとも１つが、下記式（Ｄ−Ａ）または（Ｄ−Ｂ）で表される基である、［８］に記載の金属錯体。
【化８】
0006603661.tif 000009
［式中、
ｍDA1、ｍDA2およびｍDA3は、それぞれ独立に、０以上の整数を表す。
ＧDAは、芳香族炭化水素基または複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
ＡｒDA1、ＡｒDA2およびＡｒDA3は、それぞれ独立に、アリーレン基または２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。ＡｒDA1、ＡｒDA2およびＡｒDA3が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
ＴDAは、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＴDAは、同一でも異なっていてもよい。］
【化９】
0006603661.tif 000010
［式中、
ｍDA1、ｍDA2、ｍDA3、ｍDA4、ｍDA5、ｍDA6およびｍDA7は、それぞれ独立に、０以上の整数を表す。
ＧDAは、芳香族炭化水素基または複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＧDAは、同一でも異なっていてもよい。
ＡｒDA1、ＡｒDA2、ＡｒDA3、ＡｒDA4、ＡｒDA5、ＡｒDA6およびＡｒDA7は、それぞれ独立に、アリーレン基または２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。ＡｒDA1、ＡｒDA2、ＡｒDA3、ＡｒDA4、ＡｒDA5、ＡｒDA6およびＡｒDA7が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
ＴDAは、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＴDAは、同一でも異なっていてもよい。］
［１０］前記式（Ｄ−Ａ）で表される基が、下記式（Ｄ−Ａ１）、（Ｄ−Ａ２）または（Ｄ−Ａ３）で表される基である、［９］に記載の金属錯体。
【化１０】
0006603661.tif 000011
［式中、
Ｒp1、Ｒp2およびＲp3は、それぞれ独立に、アルキル基、シクロアルキル基またはハロゲン原子を表す。Ｒp1およびＲp2が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。また、複数存在するＲp1から選ばれる少なくとも１つは炭素数４以上のアルキル基である。
ｎｐ１は、１〜５の整数を表し、ｎｐ２は０〜３の整数を表し、ｎｐ３は０または１を表す。複数存在するｎｐ１は、同一でも異なっていてもよい。］
［１１］前記式（Ｄ−Ａ）で表される基が、前記式（Ｄ−Ａ１）で表される基である、［１０］に記載の金属錯体。
［１２］前記Ｍがイリジウム原子である、［１］〜［１１］のいずれかに記載の金属錯体。
［１３］前記ｎ１が３である、［１２］に記載の金属錯体。
［１４］［１］〜［１３］のいずれかに記載の金属錯体と、
下記式（Ｈ−１）で表される化合物とを含有する組成物。
【化１１】
0006603661.tif 000012
［式中、
ＡｒＨ１およびＡｒＨ２は、それぞれ独立に、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
ｎＨ１およびｎＨ２は、それぞれ独立に、０または１を表す。ｎＨ１が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。複数存在するｎＨ２は、同一でも異なっていてもよい。
ｎＨ３は、０以上の整数を表す。
ＬＨ１は、アリーレン基、２価の複素環基、または、−［Ｃ（ＲＨ１１）２］ｎＨ１１−で表される基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。ＬＨ１が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
ｎＨ１１は、１以上１０以下の整数を表す。ＲＨ１１は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲＨ１１は、同一でも異なっていてもよく、互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子とともに環を形成していてもよい。
ＬＨ２は、−Ｎ（−ＬＨ２１−ＲＨ２１）−で表される基を表す。ＬＨ２が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
ＬＨ２１は、単結合、アリーレン基または２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。ＲＨ２１は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］
［１５］［１］〜［１３］のいずれかに記載の金属錯体と、
下記式（Ｙ）で表される構成単位を含む高分子化合物とを含有する組成物。
【化１２】
0006603661.tif 000013
［式（Ｙ）中、ＡｒY1は、アリーレン基、２価の複素環基、または、少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］
［１６］［１］〜［１３］のいずれかに記載の金属錯体と、
正孔輸送材料、正孔注入材料、電子輸送材料、電子注入材料、発光材料、酸化防止剤および溶媒からなる群より選ばれる少なくとも１種の材料とを含有する組成物。
［１７］［１］〜［１３］のいずれかに記載の金属錯体を用いて得られる発光素子。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、発光の安定性に優れる金属錯体を提供することができる。また、本発明によれば、該金属錯体を含有する組成物および該金属錯体を用いて得られる発光素子を提供することができる。本発明の金属錯体は、発光の安定性に優れるため、該金属錯体を用いて得られる発光素子は輝度寿命に優れるものとなる。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。
【００１１】
＜共通する用語の説明＞
本明細書で共通して用いられる用語は、特記しない限り、以下の意味である。
【００１２】
Meはメチル基、Etはエチル基、Buはブチル基、i-Prはイソプロピル基、t-Buはtert-ブチル基を表す。
【００１３】
水素原子は、重水素原子であっても、軽水素原子であってもよい。
【００１４】
金属錯体を表す式中、中心金属との結合を表す実線は、共有結合または配位結合を意味する。
【００１５】
「高分子化合物」とは、分子量分布を有し、ポリスチレン換算の数平均分子量が１×103〜１×108である重合体を意味する。
【００１６】
高分子化合物は、ブロック共重合体、ランダム共重合体、交互共重合体、グラフト共重合体のいずれであってもよいし、その他の態様であってもよい。
【００１７】
高分子化合物の末端基は、重合活性基がそのまま残っていると、高分子化合物を発光素子の作製に用いた場合に発光特性または輝度寿命が低下する可能性があるので、好ましくは安定な基である。この末端基としては、好ましくは主鎖と共役結合している基であり、例えば、炭素−炭素結合を介してアリール基または１価の複素環基と結合している基が挙げられる。
【００１８】
「低分子化合物」とは、分子量分布を有さず、分子量が１×104以下の化合物を意味する。
【００１９】
「構成単位」とは、高分子化合物中に１個以上存在する単位を意味する。
【００２０】
「アルキル基」は、直鎖および分岐のいずれでもよい。直鎖のアルキル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常１〜50であり、好ましくは３〜30であり、より好ましくは４〜20である。分岐のアルキル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３〜50であり、好ましくは３〜30であり、より好ましくは４〜20である。
アルキル基は、置換基を有していてもよく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、イソアミル基、2-エチルブチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、2-エチルヘキシル基、3-プロピルヘプチル基、デシル基、3,7-ジメチルオクチル基、2-エチルオクチル基、2-ヘキシルデシル基、ドデシル基、および、これらの基における水素原子が、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、フッ素原子等で置換された基が挙げられ、例えば、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、パーフルオロブチル基、パーフルオロヘキシル基、パーフルオロオクチル基、3-フェニルプロピル基、3-(4-メチルフェニル）プロピル基、3-(3,5-ジ-ヘキシルフェニル)プロピル基、6-エチルオキシヘキシル基が挙げられる。
「シクロアルキル基」の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３〜50であり、好ましくは３〜30であり、より好ましくは４〜20である。
シクロアルキル基は、置換基を有していてもよく、例えば、シクロヘキシル基、シクロヘキシルメチル基、シクロヘキシルエチル基が挙げられる。
【００２１】
「アリール基」は、芳香族炭化水素から環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子１個を除いた残りの原子団を意味する。アリール基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常６〜60であり、好ましくは６〜20であり、より好ましくは６〜10である。
アリール基は、置換基を有していてもよく、例えば、フェニル基、1-ナフチル基、2-ナフチル基、1-アントラセニル基、2-アントラセニル基、9-アントラセニル基、1-ピレニル基、2-ピレニル基、4-ピレニル基、2-フルオレニル基、3-フルオレニル基、4-フルオレニル基、2-フェニルフェニル基、3-フェニルフェニル基、4-フェニルフェニル基、および、これらの基における水素原子が、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、フッ素原子等で置換された基が挙げられる。
【００２２】
「アルコキシ基」は、直鎖および分岐のいずれでもよい。直鎖のアルコキシ基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常１〜40であり、好ましくは４〜10である。分岐のアルコキシ基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３〜40であり、好ましくは４〜10である。
アルコキシ基は、置換基を有していてもよく、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、イソプロピルオキシ基、ブチルオキシ基、イソブチルオキシ基、tert-ブチルオキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、2-エチルヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、3,7-ジメチルオクチルオキシ基、ラウリルオキシ基、および、これらの基における水素原子が、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、フッ素原子等で置換された基が挙げられる。
「シクロアルコキシ基」の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３〜40であり、好ましくは４〜10である。
シクロアルコキシ基は、置換基を有していてもよく、例えば、シクロヘキシルオキシ基が挙げられる。
【００２３】
「アリールオキシ基」の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常６〜60であり、好ましくは７〜48である。
アリールオキシ基は、置換基を有していてもよく、例えば、フェノキシ基、1-ナフチルオキシ基、2-ナフチルオキシ基、1-アントラセニルオキシ基、9-アントラセニルオキシ基、1-ピレニルオキシ基、および、これらの基における水素原子が、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、フッ素原子等で置換された基が挙げられる。
【００２４】
「ｐ価の複素環基」（ｐは、１以上の整数を表す。）とは、複素環式化合物から、環を構成する炭素原子またはヘテロ原子に直接結合している水素原子のうちｐ個の水素原子を除いた残りの原子団を意味する。ｐ価の複素環基の中でも、芳香族複素環式化合物から、環を構成する炭素原子またはヘテロ原子に直接結合している水素原子のうちｐ個の水素原子を除いた残りの原子団である「ｐ価の芳香族複素環基」が好ましい。
「芳香族複素環式化合物」は、オキサジアゾール、チアジアゾール、チアゾール、オキサゾール、チオフェン、ピロール、ホスホール、フラン、ピリジン、ピラジン、ピリミジン、トリアジン、ピリダジン、キノリン、イソキノリン、カルバゾール、ジベンゾホスホール等の複素環自体が芳香族性を示す化合物、および、フェノキサジン、フェノチアジン、ジベンゾボロール、ジベンゾシロール、ベンゾピラン等の複素環自体は芳香族性を示さなくとも、複素環に芳香環が縮環されている化合物を意味する。
【００２５】
１価の複素環基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常、２〜60であり、好ましくは４〜20である。
１価の複素環基は、置換基を有していてもよく、例えば、チエニル基、ピロリル基、フリル基、ピリジル基、ピペリジニル基、キノリニル基、イソキノリニル基、ピリミジニル基、トリアジニル基、および、これらの基における水素原子が、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基等で置換された基が挙げられる。
【００２６】
「ハロゲン原子」とは、フッ素原子、塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子を示す。
【００２７】
「アミノ基」は、置換基を有していてもよく、置換アミノ基が好ましい。アミノ基が有する置換基としては、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基または１価の複素環基が好ましい。
置換アミノ基としては、例えば、ジアルキルアミノ基、ジシクロアルキルアミノ基およびジアリールアミノ基が挙げられる。
アミノ基としては、例えば、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジフェニルアミノ基、ビス(4-メチルフェニル)アミノ基、ビス(4-tert-ブチルフェニル)アミノ基、ビス(3,5-ジ-tert-ブチルフェニル)アミノ基が挙げられる。
【００２８】
「アルケニル基」は、直鎖および分岐のいずれでもよい。直鎖のアルケニル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常２〜30であり、好ましくは３〜20である。分岐のアルケニル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３〜30であり、好ましくは４〜20である。
「シクロアルケニル基」の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３〜30であり、好ましくは４〜20である。
アルケニル基およびシクロアルケニル基は、置換基を有していてもよく、例えば、ビニル基、1-プロペニル基、2-プロペニル基、2-ブテニル基、3-ブテニル基、3-ペンテニル基、4-ペンテニル基、1-ヘキセニル基、5-ヘキセニル基、7-オクテニル基、および、これらの基が置換基を有する基が挙げられる。
【００２９】
「アルキニル基」は、直鎖および分岐のいずれでもよい。アルキニル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子を含めないで、通常２〜20であり、好ましくは３〜20である。分岐のアルキニル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子を含めないで、通常４〜30であり、好ましくは４〜20である。
「シクロアルキニル基」の炭素原子数は、置換基の炭素原子を含めないで、通常４〜30であり、好ましくは４〜20である。
アルキニル基およびシクロアルキニル基は、置換基を有していてもよく、例えば、エチニル基、1-プロピニル基、2-プロピニル基、2-ブチニル基、3-ブチニル基、3-ペンチニル基、4-ペンチニル基、1-ヘキシニル基、5-ヘキシニル基、および、これらの基が置換基を有する基が挙げられる。
【００３０】
「アリーレン基」は、芳香族炭化水素から環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子２個を除いた残りの原子団を意味する。アリーレン基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常、６〜60であり、好ましくは６〜30であり、より好ましくは６〜18である。
アリーレン基は、置換基を有していてもよく、例えば、フェニレン基、ナフタレンジイル基、アントラセンジイル基、フェナントレンジイル基、ジヒドロフェナントレンジイル基、ナフタセンジイル基、フルオレンジイル基、ピレンジイル基、ペリレンジイル基、クリセンジイル基、および、これらの基が置換基を有する基が挙げられ、好ましくは、式(A-1)〜式(A-20)で表される基である。アリーレン基は、これらの基が複数結合した基を含む。
【００３１】
【化１３】
0006603661.tif 000014
【００３２】
【化１４】
0006603661.tif 000015
【００３３】
【化１５】
0006603661.tif 000016
【００３４】
【化１６】
0006603661.tif 000017
［式中、ＲおよびＲaは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基または１価の複素環基を表す。複数存在するＲおよびＲaは、各々、同一でも異なっていてもよく、Ｒa同士は互いに結合して、それぞれが結合する原子と共に環を形成していてもよい。］
【００３５】
２価の複素環基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常、２〜60であり、好ましくは、３〜20であり、より好ましくは、４〜15である。
２価の複素環基は、置換基を有していてもよく、例えば、ピリジン、ジアザベンゼン、トリアジン、アザナフタレン、ジアザナフタレン、カルバゾール、ジベンゾフラン、ジベンゾチオフェン、ジベンゾシロール、フェノキサジン、フェノチアジン、アクリジン、ジヒドロアクリジン、フラン、チオフェン、アゾール、ジアゾール、トリアゾールから、環を構成する炭素原子またはヘテロ原子に直接結合している水素原子のうち２個の水素原子を除いた２価の基が挙げられ、好ましくは、式(AA-1)〜式(AA-34)で表される基である。２価の複素環基は、これらの基が複数結合した基を含む。
【００３６】
【化１７】
0006603661.tif 000018
【００３７】
【化１８】
0006603661.tif 000019
【００３８】
【化１９】
0006603661.tif 000020
【００３９】
【化２０】
0006603661.tif 000021
【００４０】
【化２１】
0006603661.tif 000022
【００４１】
【化２２】
0006603661.tif 000023
【００４２】
【化２３】
0006603661.tif 000024
［式中、ＲおよびＲaは、前記と同じ意味を表す。］
【００４３】
「架橋基」とは、加熱処理、紫外線照射処理、ラジカル反応等に供することにより、新たな結合を生成することが可能な基であり、好ましくは、式(B-1)-(B-17)のいずれかで表される基である。これらの基は、置換基を有していてもよい。
【００４４】
【化２４】
0006603661.tif 000025
【００４５】
「置換基」とは、ハロゲン原子、シアノ基、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリールオキシ基、アミノ基、置換アミノ基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基またはシクロアルキニル基を表す。置換基は架橋基であってもよい。
【００４６】
「デンドロン」とは、原子または環を分岐点とする規則的な樹枝状分岐構造(即ち、デンドリマー構造)を有する基を意味する。デンドロンを有する化合物(以下、「デンドリマー」と言う。)としては、例えば、国際公開第02/067343号、特開2003-231692号公報、国際公開第2003/079736号、国際公開第2006/097717号等の文献に記載の構造が挙げられる。
【００４７】
デンドロンとしては、好ましくは、式(D-A)または(D-B)で表される基である。
【００４８】
ｍDA1、ｍDA2、ｍDA3、ｍDA4、ｍDA5、ｍDA6およびｍDA7は、通常10以下の整数であり、好ましくは５以下の整数であり、より好ましくは０または１である。ｍDA1、ｍDA2、ｍDA3、ｍDA4、ｍDA5、ｍDA6およびｍDA7は、同一の整数であることが好ましい。
【００４９】
ＧDAは、好ましくは式(GDA-11)〜(GDA-15)で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
【００５０】
【化２５】
0006603661.tif 000026
［式中、
＊は、式(D-A)におけるＡｒDA1、式(D-B)におけるＡｒDA1、式(D-B)におけるＡｒDA2、または、式(D-B)におけるＡｒDA3との結合を表す。
＊＊は、式(D-A)におけるＡｒDA2、式(D-B)におけるＡｒDA2、式(D-B)におけるＡｒDA4、または、式(D-B)におけるＡｒDA6との結合を表す。
＊＊＊は、式(D-A)におけるＡｒDA3、式(D-B)におけるＡ
3、式(D-B)におけるＡｒDA5、または、式(D-B)におけるＡｒDA7との結合を表す。
ＲDAは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は更に置換基を有していてもよい。ＲDAが複数ある場合、それらは同一でも異なっていてもよい。］
【００５１】
ＲDAは、好ましくは水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基またはシクロアルコキシ基であり、より好ましくは水素原子、アルキル基またはシクロアルキル基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
【００５２】
ＡｒDA1、ＡｒDA2、ＡｒDA3、ＡｒDA4、ＡｒDA5、ＡｒDA6およびＡｒDA7は、好ましくは式(ArDA-1)〜(ArDA-3)で表される基である。
【００５３】
【化２６】
0006603661.tif 000027
［式中、
ＲDAは前記と同じ意味を表す。
ＲDBは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。ＲDBが複数ある場合、それらは同一でも異なっていてもよい。］
【００５４】
ＲDBは、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基、アリール基または１価の複素環基であり、より好ましくはアリール基または１価の複素環基であり、更に好ましくはアリール基である。
【００５５】
ＴDAは、好ましくは式(TDA-1)〜(TDA-3)で表される基である。
【００５６】
【化２７】
0006603661.tif 000028
［式中、ＲDAおよびＲDBは前記と同じ意味を表す。］
【００５７】
式（TDA-1）〜(TDA-3)で表される基において、複数あるＲDAおよびＲDBの少なくとも１つが、炭素原子数４以上のアルキル基または炭素原子数４以上のシクロアルキル基であることが好ましく、複数あるＲDAの少なくとも１つが、炭素原子数４以上のアルキル基または炭素原子数４以上のシクロアルキル基であることが好ましい。
【００５８】
式(D-A)で表される基は、好ましくは式(D-A1)〜(D-A3)で表される基である。
【００５９】
式(D-B)で表される基は、好ましくは式(D-B1)〜(D-B3)で表される基である。
【００６０】
【化２８】
0006603661.tif 000029
［式中、
Ｒp1、Ｒp2およびＲp3は、それぞれ独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基またはハロゲン原子を表す。Ｒp1およびＲp2が複数ある場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
ｎｐ１は０〜５の整数を表し、ｎｐ２は０〜３の整数を表し、ｎｐ３は０または１を表す。ｎｐ１およびｎｐ２が複数ある場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。］
【００６１】
ｎｐ１は、好ましくは０または１であり、より好ましくは１である。ｎｐ２は、好ましくは０または１であり、より好ましくは０である。ｎｐ３は好ましくは０である。
【００６２】
Ｒp1、Ｒp2およびＲp3は、好ましくはアルキル基またはシクロアルキル基である。
【００６３】
＜金属錯体＞
次に、本発明の金属錯体について説明する。本発明の金属錯体は、式（１）で表される金属錯体である。
【００６４】
式（１）で表される金属錯体は、Ｍ（イリジウム原子または白金原子）と、添え字ｎ1でその数を規定されている配位子と、添え字ｎ２でその数を規定されている配位子とから構成されている。
【００６５】
式（１）中、Ｍは、イリジウム原子であることが好ましい。
【００６６】
式（１）中、ｎ1は、Ｍがイリジウム原子である場合、２または３であることが好ましく、３であることがより好ましい。
式（１）中、ｎ1は、Ｍが白金原子である場合、２であることが好ましい。
【００６７】
式（１）中、Ｅ２、Ｅ３およびＥ４の組み合わせは、Ｅ２およびＥ３が窒素原子でありＥ４が炭素原子である組み合わせ、または、Ｅ２およびＥ４が窒素原子でありＥ３が炭素原子である組み合わせが好ましく、Ｅ２およびＥ３が窒素原子でありＥ４が炭素原子である組み合わせがより好ましい。
【００６８】
式（１）中、Ｒ１は、本発明の金属錯体の合成が容易であるため、アリール基であることが好ましい。
【００６９】
式（１）中、Ｒ１で表されるアリール基または１価の複素環基としては、例えば、式（Ｌ−１）〜（Ｌ−１９）で表される基が挙げられ、式（Ｌ−１）〜（Ｌ−１６）で表される基であることが好ましく、式（Ｌ−１）〜（Ｌ−１０）で表される基であることがより好ましく、式（Ｌ−１）〜（Ｌ−５）で表される基であることが更に好ましく、式（Ｌ−１）で表される基であることが特に好ましい。
【００７０】
【化２９】
0006603661.tif 000030
【００７１】
【化３０】
0006603661.tif 000031
【００７２】
【化３１】
0006603661.tif 000032
【００７３】
【化３２】
0006603661.tif 000033
【００７４】
【化３３】
0006603661.tif 000034
［式中、
ＲＬ４は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲL４は、同一でも異なっていてもよく、隣接するＲL４同士は互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子とともに環を形成していてもよい。
ＲＬ５は、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲL５は、同一でも異なっていてもよく、互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子とともに環を形成していてもよい。］
【００７５】
式（Ｌ−１）〜（Ｌ−１９）中、ＲＬ４は、水素原子、アルキル基またはシクロアルキル基であることが好ましい。ＲＬ４で表されるアルキル基またはシクロアルキル基としては、式（ＩＩ−０１）〜（ＩＩ−０１０）で表される基から選ばれる基であることが好ましい。
【００７６】
【化３４】
0006603661.tif 000035
【００７７】
式（Ｌ−１）〜（Ｌ−１９）中、複数存在するＲＬ４のうち少なくとも２つは、
アルキル基、シクロアルキル基、アリール基または１価の複素環基であることが好ましく、アルキル基、シクロアルキル基またはアリール基であることがより好ましく、アルキル基またはシクロアルキル基であることが更に好ましく、式（ＩＩ−０１）〜（ＩＩ−０１０）で表される基から選ばれる基であることが特に好ましい。
【００７８】
式（Ｌ−１）〜（Ｌ−１９）中、ＲＬ５は、アルキル基またはシクロアルキル基であることが好ましく、式（ＩＩ−０１）〜式（ＩＩ−０１０）で表される基から選ばれる基であることがより好ましい。
【００７９】
式（１）中、Ｅ２が窒素原子であり、且つ、Ｒ２が存在する場合、Ｒ２は、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基または１価の複素環基であることが好ましく、アリール基であることがより好ましい。
【００８０】
式（１）中、Ｅ３が窒素原子であり、且つ、Ｒ３が存在する場合、Ｒ３は、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基または１価の複素環基であることが好ましく、アリール基であることがより好ましい。
【００８１】
式（１）中、環Ａは、５員もしくは６員の芳香族炭化水素環、または、５員もしくは６員の芳香族複素環であることが好ましく、５員もしくは６員の芳香族炭化水素環であることがより好ましく、６員の芳香族炭化水素環であることが更に好ましい。
【００８２】
式（１）中、環Ａとしては、例えば、ベンゼン環、ナフタレン環、フルオレン環、インデン環、フェナントレン環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環、カルバゾール環、ピリジン環、ジアザベンゼン環、トリアジン環、ピロール環、フラン環またはチオフェン環が挙げられ、ベンゼン環、インデン環、フルオレン環、フェナントレン環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環、カルバゾール環、ピリジン環、ジアザベンゼン環またはトリアジン環であることが好ましく、ベンゼン環、フルオレン環、フェナントレン環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環、カルバゾール環、ピリジン環、ジアザベンゼン環またはトリアジン環であることがより好ましく、ベンゼン環、フルオレン環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環、カルバゾール環、ピリジン環またはピリミジン環であることが更に好ましく、ベンゼン環、ピリジン環またはピリミジン環であることが特に好ましく、ベンゼン環であることがとりわけ好ましい。
【００８３】
式（１）中、環Ａで表される芳香族炭化水素環または芳香族複素環は、本発明の金属錯体の発光の安定性がより優れるので、少なくとも１つの置換基を有していることが好ましい。環Ａが有していてもよい置換基は、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基またはハロゲン原子であることが好ましく、アルキル基、シクロアルキル基またはアリール基であることがより好ましく、アリール基であることが更に好ましい。
【００８４】
式（１）中、Ａ1−Ｇ1−Ａ2で表されるアニオン性の２座配位子としては、例えば、下記で表される配位子が挙げられる。
【００８５】
【化３５】
0006603661.tif 000036
【００８６】
【化３６】
0006603661.tif 000037
［式中、＊は、イリジウム原子または白金原子と結合する部位を表す。］
【００８７】
式（１）中、Ａ1−Ｇ1−Ａ2で表されるアニオン性の２座配位子は、下記で表される配位子であってもよい。
【００８８】
【化３７】
0006603661.tif 000038
［式中、
＊は、イリジウム原子または白金原子と結合する部位を表す。
ＲL1は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基またはハロゲン原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲL1は、同一でも異なっていてもよい。
ＲL2は、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基またはハロゲン原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
ＲL３は、アルキル基、シクロアルキル基またはハロゲン原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］
【００８９】
式（１）で表される金属錯体は、その立体構造の観点から、複数の光学異性体および構造異性体を有する場合がある。そのため、式（１）で表される金属錯体は、複数の光学異性体および構造異性体の混合物として製造される場合がある。式（１）で表される金属錯体が、複数の光学異性体および構造異性体の混合物として製造される場合、アキラルなシリカゲルを充填したカラム（ＯＤＳ）を固定相とした高速液体クロマトグラフィー分析において、式（１）で表される金属錯体の単一成分の面積百分率が９０％以上であることが好ましく、９５％以上であることがより好ましく、９８％以上であることが更に好ましく、９９．５％以上であることが取り分け好ましい。
【００９０】
式（１）で表される金属錯体は、発光の安定性がより優れるので、式（１−ａ）で表される金属錯体であることが好ましい。
【００９１】
式（１−ａ）中、Ｒ４およびＲ７は、本発明の金属錯体の合成が容易になるため、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基またはハロゲン原子であることが好ましく、水素原子、アルキル基またはアリール基であることがより好ましく、水素原子であることが更に好ましい。
【００９２】
式（１−ａ）中、Ｒ５およびＲ６は、本発明の金属錯体の合成が容易になるため、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基またはハロゲン原子であることが好ましく、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基またはアリール基であることがより好ましく、水素原子またはアリール基であることが更に好ましく、Ｒ５およびＲ６の少なくとも一方がアリール基であることが特に好ましい。
【００９３】
式（１−ａ）で表される金属錯体は、発光の安定性がより優れるので、式（１−ｂ）で表される金属錯体であることが好ましい。
【００９４】
式（１−ｂ）中、Ｒ８およびＲ１２は、本発明の金属錯体の合成が容易になるため、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基または１価の複素環基であることが好ましく、水素原子、アルキル基またはアリール基であることがより好ましく、水素原子またはアルキル基であることが更に好ましく、水素原子であることが特に好ましい。
【００９５】
式（１−ｂ）中、Ｒ９およびＲ１１は、本発明の金属錯体の溶媒に対する溶解性および成膜性が優れるので、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基または１価の複素環基であることが好ましく、水素原子、アルキル基またはアリール基であることがより好ましく、アルキル基またはアリール基であることが更に好ましく、アルキル基であることが特に好ましい。
【００９６】
式（１−ｂ）中、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ11およびＲ１２は、本発明の金属錯体の発光の安定性がより優れるので、Ｒ９とＲ１１とが同一の原子または基であることがより好ましく、Ｒ８とＲ１２とが同一の原子または基であり、かつＲ９とＲ１１とが同一の原子または基であることがより好ましい。
【００９７】
式（１−ｂ）中、Ｒ１０は、本発明の金属錯体の溶媒に対する溶解性および成膜性が優れるので、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基または１価の複素環基であることが好ましく、水素原子、アルキル基またはアリール基であることがより好ましく、水素原子またはアルキル基であることが更に好ましく、水素原子であることが特に好ましい。
【００９８】
式（１−ｂ）で表される金属錯体は、発光の安定性がより優れるので、式（１−ｃ）で表される金属錯体または式（１−ｄ）で表される金属錯体であることが好ましく、式（１−ｃ）で表される金属錯体であることがより好ましい。式（１−ｃ）で表される金属錯体は、発光の安定性が更に優れるので、式（１−ｅ）で表される金属錯体であることが好ましい。
【００９９】
式（１−ｅ）中、Ｒ１３およびＲ１７は、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基または１価の複素環基であることが好ましく、アルキル基またはアリール基であることがより好ましく、アルキル基であることが更に好ましい。
【０１００】
式（１−ｅ）中、Ｒ１４、Ｒ１５およびＲ１６は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基または１価の複素環基であることが好ましく、水素原子、アルキル基またはアリール基であることがより好ましい。
【０１０１】
式（１）、式（１−ａ）、式（１−ｂ）、式（１−ｃ）、式（１−ｄ）、式（１−ｅ）中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ１０およびＲ１５からなる群から選ばれる少なくとも１つは、本発明の金属錯体の発光の安定性がより優れるので、アリール基または１価の複素環基であることが好ましく、アリール基であることがより好ましい。アリール基および１価の複素環基は、デンドロンであることが好ましく、式（Ｄ−Ａ）または（Ｄ−Ｂ）で表される基であることがより好ましく、式（Ｄ−Ａ）で表される基であることが更に好ましく、式（Ｄ−Ａ１）、（Ｄ−Ａ２）または（Ｄ−Ａ３）で表される基であることが特に好ましく、式（Ｄ−Ａ１）で表される基であることがとりわけ好ましい。
【０１０２】
式（１）で表される金属錯体としては、例えば、式（Ｉｒ−１）〜（Ｉｒ−１８）および式（Ｐｔ−１）〜（Ｐｔ−３）で表される金属錯体が挙げられ、式（Ｉｒ−１）〜（Ｉｒ−１２）または式（Ｐｔ−１）で表される金属錯体であることが好ましく、式（Ｉｒ−１）〜（Ｉｒ−８）で表される金属錯体であることがより好ましく、式（Ｉｒ−１）〜（Ｉｒ−４）で表される金属錯体であることが更に好ましい。
【０１０３】
【化３８】
0006603661.tif 000039
【０１０４】
【化３９】
0006603661.tif 000040
【０１０５】
【化４０】
0006603661.tif 000041
【０１０６】
【化４１】
0006603661.tif 000042
【０１０７】
【化４２】
0006603661.tif 000043
【０１０８】
【化４３】
0006603661.tif 000044
【０１０９】
【化４４】
0006603661.tif 000045
【０１１０】
【化４５】
0006603661.tif 000046
［式中、
Ｒ１、ＲL１およびＲL２は、前記と同様の意味を表す。
ＲL６は、アルキル基またはシクロアルキル基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲL６は、同一でも異なっていてもよい。
ＲＬ７は、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基またはハロゲン原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。ＲＬ７が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。]
【０１１１】
式（Ｉｒ−１）〜（Ｉｒ−１８）および式（Ｐｔ−１）〜（Ｐｔ−３）中、ＲＬ６は、アルキル基またはシクロアルキル基であることが好ましく、式（ＩＩ−０１）〜式（ＩＩ−０１０）で表される基から選ばれる基であることがより好ましく、式（ＩＩ−０１）〜式（ＩＩ−０４）、式（ＩＩ−０９）または式（ＩＩ−０１０）で表される基であることが更に好ましい。
【０１１２】
式（Ｉｒ−１）〜（Ｉｒ−１８）および式（Ｐｔ−１）〜（Ｐｔ−３）中、ＲＬ７は、アルキル基、アリール基または１価の複素環基であることが好ましく、式（ＩＩ−０１）〜式（ＩＩ−０１０）で表される基から選ばれる基、式（ＩＩＩ−０１）〜式（ＩＩＩ−０９）で表される基から選ばれる基、または、式（Ｄ−Ａ）で表される基であることがより好ましい。
【０１１３】
【化４６】
0006603661.tif 000047
【０１１４】
式（１）で表される金属錯体としては、例えば、式（Ｉｒ−１００）〜式（Ｉｒ−１２４）および式（Ｐｔ−１００）〜（Ｐｔ−１０３）で表される金属錯体が挙げられる。
【０１１５】
【化４７】
0006603661.tif 000048
【０１１６】
【化４８】
0006603661.tif 000049
【０１１７】
【化４９】
0006603661.tif 000050
【０１１８】
【化５０】
0006603661.tif 000051
【０１１９】
【化５１】
0006603661.tif 000052
【０１２０】
【化５２】
0006603661.tif 000053
【０１２１】
【化５３】
0006603661.tif 000054
【０１２２】
【化５４】
0006603661.tif 000055
【０１２３】
【化５５】
0006603661.tif 000056
【０１２４】
【化５６】
0006603661.tif 000057
【０１２５】
【化５７】
0006603661.tif 000058
【０１２６】
式（１）で表される金属錯体には、複数の幾何異性体が考えられ、いずれの幾何異性体であってもよいが、本発明の金属錯体を用いて得られる発光素子の輝度寿命が優れるので、facial体が、本発明の金属錯体全体に対して、80モル％以上含まれることが好ましく、90モル％以上含まれることがより好ましく、99モル％以上含まれることが更に好ましく、100モル％であることが特に好ましい。
【０１２７】
本発明の発光素子には、本発明の金属錯体を１種単独で用いても、２種以上を併用してもよい。
【０１２８】
＜金属錯体の製造方法＞
本発明の金属錯体は、例えば、配位子となる化合物と金属化合物とを反応させる方法により製造することができる。必要に応じて、金属錯体の配位子の官能基変換反応を行ってもよい。
【０１２９】
式（１）で表される金属錯体は、例えば、式（Ｍ−１）で表される化合物と、イリジウム化合物もしくはその水和物、または、白金化合物もしくはその水和物とを反応させる工程Ａ、および、式（Ｍ−２)で表される金属錯体と、式（Ｍ−１）で表される化合物またはＡ1−Ｇ1−Ａ2で表される配位子の前駆体とを反応させる工程Ｂ、を含む方法により製造することができる。
【０１３０】
【化５８】
0006603661.tif 000059
［式中、
Ｍ、ｎ１、ｎ２、Ｅ２、Ｅ３、Ｅ４、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、環Ａ、環ＢおよびＡ1−Ｇ1−Ａ2は、前記と同じ意味を表す。
ｎ３は、１または２を表す。Ｍがイリジウム原子の場合、ｎ３は２であり、Ｍが白金原子の場合、ｎ３は１である。］
【０１３１】
工程Ａにおいて、イリジウム化合物としては、例えば、塩化イリジウム、クロロ（シクロオクタジエン）イリジウム（Ｉ）ダイマーが挙げられる。イリジウム化合物の水和物としては、例えば、塩化イリジウム・三水和物が挙げられる。
工程Ａにおいて、白金化合物としては、例えば、塩化白金酸カリウムが挙げられる。
【０１３２】
工程Ａおよび工程Ｂは、通常、溶媒中で行う。溶媒としては、メタノール、エタノール、プロパノール、エチレングリコール、グリセリン、２-メトキシエタノール、２-エトキシエタノール等のアルコール系溶媒；ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、ジオキサン、シクロペンチルメチルエーテル、ジグライム等のエーテル系溶媒；塩化メチレン、クロロホルム等のハロゲン系溶媒；アセトニトリル、ベンゾニトリル等のニトリル系溶媒；ヘキサン、デカリン、トルエン、キシレン、メシチレン等の炭化水素系溶媒；Ｎ，Ｎ-ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ-ジメチルアセトアミド等のアミド系溶媒；アセトン、ジメチルスルホキシド、水等が挙げられる。
【０１３３】
工程Ａおよび工程Ｂにおいて、反応時間は、通常、３０分間〜２００時間であり、反応温度は、通常、反応系に存在する溶媒の融点から沸点の間である。
【０１３４】
工程Ａにおいて、式（Ｍ−１）で表される化合物は、イリジウム化合物もしくはその水和物１モル、または、白金化合物もしくはその水和物１モルに対して、通常、２〜２０モルである。
【０１３５】
工程Ｂにおいて、式（Ｍ−１)で表される化合物またはＡ1−Ｇ1−Ａ2で表される配位子の前駆体の量は、式（Ｍ−２）で表される金属錯体１モルに対して、通常、１〜１００モルである。
【０１３６】
工程Ｂにおいて、反応は、トリフルオロメタンスルホン酸銀等の銀化合物の存在下で行うことが好ましい。銀化合物を用いる場合、その量は、式（Ｍ−２）で表される金属錯体１モルに対して、通常、２〜２０モルである。
【０１３７】
式（Ｍ−１）で表される化合物の実施形態の１つである式（Ｍ−３）で表される化合物は、例えば、式（Ｍ−４）で表される化合物と、式（２）で表される化合物とを、Suzuki反応、Kumada反応、Stille反応等のカップリング反応させる工程により合成することができる。
【０１３８】
【化５９】
0006603661.tif 000060
［式中、
Ｒ１、環Ｂおよび環Ａは、前記と同じ意味を表す。
Ｒ１８、Ｒ１９、Ｒ２０、Ｒ２１およびＲ２２は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基またはハロゲン原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。ただし、Ｒ１９、Ｒ２０およびＲ２１の少なくとも１つは、Ｚ1で表される基である。
Ｒ２３、Ｒ２４、Ｒ２５、Ｒ２６およびＲ２７は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基、ハロゲン原子、−Ｂ(ＯＲW1)2で表される基、アルキルスルホニルオキシ基、シクロアルキルスルホニルオキシ基またはアリールスルホニルオキシ基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。ただし、Ｒ２４、Ｒ２５およびＲ２６の少なくとも１つは、−Ｂ(ＯＲW1)2で表される基、アルキルスルホニルオキシ基、シクロアルキルスルホニルオキシ基、アリールスルホニルオキシ基、塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子である。
Ｚ1は、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ｗ1は、−Ｂ(ＯＲW1)2で表される基、−ＭｇＸＷ１で表される基、アルキルスルホニルオキシ基、シクロアルキルスルホニルオキシ基、アリールスルホニルオキシ基、塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
ＸＷ１は、塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子を表す。
ＲW1は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基またはアミノ基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲW1は、同一でも異なっていてもよく、互いに結合して、それぞれが結合する酸素原子とともに環構造を形成していてもよい。］
【０１３９】
−Ｂ(ＯＲW1)2で表される基としては、例えば、下記式（Ｗ−１）−（Ｗ−１０）で表される基が挙げられる。
【０１４０】
【化６０】
0006603661.tif 000061
【０１４１】
Ｗ1で表されるアルキルスルホニルオキシ基としては、メタンスルホニルオキシ基、エタンスルホニルオキシ基、トリフルオロメタンスルホニルオキシ基等が挙げられる。
Ｗ1で表されるアリールスルホニルオキシ基としては、p-トルエンスルホニルオキシ基等が挙げられる。
【０１４２】
Ｗ1は、式（２）で表される化合物と式（Ｍ−４）で表される化合物とのカップリング反応が容易に進行するので、好ましくは、−Ｂ(ＯＲW1)2で表される基、トリフルオロメタンスルホニルオキシ基、臭素原子またはヨウ素原子であり、より好ましくは、臭素原子または式（Ｗ−７）で表される基である。
【０１４３】
Ｒ２４、Ｒ２５およびＲ２６で表されるアルキルスルホニルオキシ基、シクロアルキルスルホニルオキシ基およびアリールスルホニルオキシ基の例は、それぞれ、Ｗ1で表されるアルキルスルホニルオキシ基、シクロアルキルスルホニルオキシ基およびアリールスルホニルオキシ基の例と同じである。
【０１４４】
Ｒ２４、Ｒ２５およびＲ２６は、好ましくは、臭素原子、ヨウ素原子または式（Ｗ−７）で表される基である。
【０１４５】
Ｚ１は、好ましくは、アルキル基またはアリール基であり、より好ましくは、前記の式（ＩＩ−０１）〜式（ＩＩ−０１０）で表される基から選ばれる基、前記の式（ＩＩＩ−０１）〜式（ＩＩＩ−０８）で表される基から選ばれる基、または、前記式（Ｄ−Ａ）で表される基である。
【０１４６】
この反応は、通常、溶媒中で行う。溶媒、反応時間および反応温度は、工程Ａおよび工程Ｂについて説明したものと同じである。
【０１４７】
この反応において、式（２）で表される化合物の量は、式（Ｍ−４）で表される化合物１モルに対して、通常、０．０５〜２０モルである。
【０１４８】
式（２）で表される化合物は、例えば、国際公開第２００２／０６７３４３号、特開２００３−２３１６９２号公報、国際公開第２００３／０７９７３６号、国際公開第２００６／０９７７１７号等の文献に記載の方法に従って合成することができる。
【０１４９】
式（Ｍ−４）で表される化合物の実施形態の１つである式（Ｍ−５）で表される化合物は、例えば、式（Ｍ−７）で表されるベンゾイルイミド酸エステル化合物と、式（Ｍ−６）で表されるアリールヒドラジン化合物とを縮合させる方法で合成することができる。
【０１５０】
【化６１】
0006603661.tif 000062
［式中、
Ｒ１、Ｒ２３、Ｒ２４、Ｒ２５、Ｒ２６およびＲ２７は、前記と同じ意味を表す。
Ｒ２８は、アルキル基を表し、このアルキル基は置換基を有していてもよい。］
【０１５１】
この反応は、通常、溶媒中で行う。溶媒、反応時間および反応温度は、工程Ａおよび工程Ｂについて説明したものと同じである。必要に応じて、塩基を併用してもよい。
【０１５２】
この反応において、式（Ｍ−６）で表される化合物の量は、式（Ｍ−７）で表される化合物１モルに対して、通常、０．０５〜２０モルである。
【０１５３】
式（Ｍ−６）で表される化合物は、例えば、特開２０１３−１４７５５１号公報、「Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  ｔｈｅ  Ａｍｅｒｉｃａｎ  Ｃｈｅｍｃａｌ  Ｓｏｃｉｅｔｙ，Ｖｏｌ．１３１，ｐ１６６８１（２００９）」等の文献に記載の方法に従って合成することができる。式（Ｍ−６）で表される化合物は、塩酸塩等の塩であってもよい。
【０１５４】
式（Ｍ−７）で表される化合物は、例えば、「Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ  Ｌｅｔｔｅｒｓ，Ｎｏ．３，ｐ３２５（１９６８）」、「Ｂｉｏｏｒｇａｎｉｃ  ＆  Ｍｅｄｉｃｉｎａｌ  Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，１２，ｐ２０１３（２００４）」、「Ｅｕｒｏｐｉａｎ  Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，ｐ３１９７（２０１１）」等の文献に記載の方法に従って合成することができる。
【０１５５】
式（１）で表される金属錯体の実施形態の１つである式（３）で表される金属錯体は、例えば、式（２）で表される化合物と、式（４）で表される金属錯体（式（１）で表される金属錯体の実施形態の１つである。）とをカップリング反応させることにより製造することができる。このカップリング反応は、式（Ｍ−３）で表される化合物について説明したものと同じである。
【０１５６】
【化６２】
0006603661.tif 000063
［式中、
Ｍ、ｎ1、ｎ２、Ｒ１、環Ｂ、Ｚ１、Ｗ1およびＡ1−Ｇ1−Ａ2は、前記と同じ意味を表す。
Ｒ２９、Ｒ３０、Ｒ３１、Ｒ３２、Ｒ３３、Ｒ３４、Ｒ３５、Ｒ３６およびＲ３７は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基、ハロゲン原子、−Ｂ(ＯＲW1)2で表される基、アルキルスルホニルオキシ基、シクロアルキルスルホニルオキシ基またはアリールスルホニルオキシ基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。ＲW1は前記と同じ意味を表す。ただし、Ｒ３０、Ｒ３１、Ｒ３４、Ｒ３５およびＲ３６の少なくとも１つは、−Ｂ(ＯＲW1)2で表される基、アルキルスルホニルオキシ基、シクロアルキルスルホニルオキシ基、アリールスルホニルオキシ基、塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子である。
Ｒ３８、Ｒ３９、Ｒ４０、Ｒ４１およびＲ４２は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基またはハロゲン原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。ただし、Ｒ３８、Ｒ３９、Ｒ４０、Ｒ４１およびＲ４２の少なくとも１つは、Ｚ１で表される基である。］
【０１５７】
式（４）で表される金属錯体の実施形態の１つである式（４−ａ）または式（４−ｂ）で表される金属錯体は、例えば、式（５）で表される金属錯体から合成することができる。
【０１５８】
【化６３】
0006603661.tif 000064
［式中、Ｍ、ｎ1、ｎ２、Ｒ１、環Ｂ、Ｒ２９、Ｒ３１、Ｒ３２、Ｒ３３、Ｒ３４、Ｒ３５、Ｒ３６およびＲ３７およびＡ1−Ｇ1−Ａ2は、前記と同じ意味を表す。］
【０１５９】
より詳細には、式（４ａ）で表される金属錯体は、例えば、式（５）で表される金属錯体と、Ｎ−ブロモスクシンイミドとを、有機溶媒中で反応させる工程Ｃにより合成することができる。
【０１６０】
工程Ｃにおいて、Ｎ−ブロモスクシンイミドの量は、式（５）で表される化合物１モルに対して、通常、１〜５０モルである。
【０１６１】
より詳細には、式（４ｂ）で表される金属錯体は、例えば、式（４ａ）で表される金属錯体と、ビス（ピナコラート）ジボロンとを、有機溶媒中で反応させる工程Ｄにより合成することができる。
【０１６２】
工程Ｄにおいて、ビス（ピナコラート）ジボロンの量は、式（４ａ）で表される化合物１モルに対して、通常、１〜５０モルである。
【０１６３】
工程Ｃおよび工程Ｄは、通常、溶媒中で行う。溶媒、反応時間および反応温度は、工程Ａおよび工程Ｂについて説明したものと同じである。
【０１６４】
本発明の金属錯体の製造方法で用いる上記のカップリング反応において、反応を促進するために、パラジウム触媒等の触媒を用いてもよい。パラジウム触媒としては、酢酸パラジウム、ビス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(II)ジクロリド、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(0)、[1,1'-ビス(ジフェニルホスフィノ)フェロセン]ジクロロパラジウム(II)、トリス(ジベンジリデンアセトン)二パラジウム(0)等が挙げられる。
【０１６５】
パラジウム触媒は、トリフェニルホスフィン、トリ(o-トリル)ホスフィン、トリ(tert-ブチル)ホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン、1,1'-ビス(ジフェニルホスフィノ)フェロセン等のリン化合物と併用してもよい。
【０１６６】
カップリング反応においてパラジウム触媒を用いる場合、その量は、例えば、式（Ｍ−４）、式（４）、式（４−ａ）または式（４−ｂ）で表される化合物１モルに対して、通常、有効量であり、好ましくは、パラジウム元素換算で0.00001〜10モルである。
【０１６７】
カップリング反応において、必要に応じて、塩基を併用する。
【０１６８】
＜金属錯体の製造方法＞で説明した各反応において用いられる化合物、触媒および溶媒は、各々、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。
【０１６９】
＜組成物＞
本発明の組成物は、正孔輸送材料、正孔注入材料、電子輸送材料、電子注入材料、発光材料（本発明の金属錯体とは異なる。）、酸化防止剤および溶媒からなる群から選ばれる少なくとも１種の材料と、本発明の金属錯体とを含有する。
【０１７０】
本発明の組成物において、本発明の金属錯体は、１種単独で含有されていても、２種以上含有されていてもよい。
【０１７１】
［ホスト材料］
本発明の金属錯体は、正孔注入性、正孔輸送性、電子注入性および電子輸送性からなる群から選ばれる少なくとも１つの機能を有するホスト材料との組成物とすることにより、本発明の金属錯体を用いて得られる発光素子の発光効率が優れたものとなる。本発明の組成物において、ホスト材料は、１種単独で含有されていても、２種以上含有されていてもよい。
【０１７２】
本発明の金属錯体とホスト材料とを含有する組成物において、本発明の金属錯体の含有量は、本発明の金属錯体とホスト材料との合計を100重量部とした場合、通常、0.05〜80重量部であり、好ましくは0.1〜50重量部であり、より好ましくは0.5〜40重量部である。
【０１７３】
ホスト材料の有する最低励起三重項状態(Ｔ1)は、本発明の組成物を用いて得られる発光素子の発光効率が優れるので、本発明の金属錯体の有するＴ1と同等のエネルギー準位、または、より高いエネルギー準位であることが好ましい。
【０１７４】
ホスト材料としては、本発明の組成物を用いて得られる発光素子を溶液塗布プロセスで作製できるので、本発明の金属錯体を溶解することが可能な溶媒に対して溶解性を示すものであることが好ましい。
【０１７５】
ホスト材料は、低分子化合物と高分子化合物とに分類される。
【０１７６】
ホスト材料として好ましい低分子化合物（以下、「低分子ホスト」と言う。）に関して説明する。
【０１７７】
［低分子ホスト］
低分子ホストは、好ましくは、式（Ｈ−１）で表される化合物である。
【０１７８】
ＡｒＨ１およびＡｒＨ２は、フェニル基、フルオレニル基、スピロビフルオレニル基、ピリジル基、ピリミジニル基、トリアジニル基、キノリニル基、イソキノリニル基、チエニル基、ベンゾチエニル基、ジベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾフリル基、ジベンゾフリル基、ピロリル基、インドリル基、アザインドリル基、カルバゾリル基、アザカルバゾリル基、ジアザカルバゾリル基、フェノキサジニル基またはフェノチアジニル基であることが好ましく、フェニル基、スピロビフルオレニル基、ピリジル基、ピリミジニル基、トリアジニル基、ジベンゾチエニル基、ジベンゾフリル基、カルバゾリル基またはアザカルバゾリル基であることがより好ましく、フェニル基、ピリジル基、カルバゾリル基またはアザカルバゾリル基であることが更に好ましく、上記式（ＴＤＡ−１）または（ＴＤＡ−３）で表される基であることが特に好ましく、上記式（ＴＤＡ−３）で表される基であることがとりわけ好ましく、これらの基は置換基を有していてもよい。
【０１７９】
ＡｒＨ１およびＡｒＨ２が有していてもよい置換基としては、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基または１価の複素環基が好ましく、アルキル基、シクロアルコキシ基、アルコキシ基またはシクロアルコキシ基がより好ましく、アルキル基またはシクロアルコキシ基が更に好ましく、これらの基は更に置換基を有していてもよい。
【０１８０】
ｎＨ１は、好ましくは１である。ｎＨ２は、好ましくは０である。
【０１８１】
ｎＨ３は、通常、０以上１０以下の整数であり、好ましくは０以上５以下の整数であり、更に好ましくは１以上３以下の整数であり、特に好ましくは１である。
【０１８２】
ｎＨ１１は、好ましくは１以上５以下の整数であり、より好ましく１以上３以下の整数であり、更に好ましく１である。
【０１８３】
ＲＨ１１は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基または１価の複素環基であることが好ましく、水素原子、アルキル基またはシクロアルキル基であることがより好ましく、水素原子またはアルキル基であることが更に好ましく、これらの基は置換基を有していてもよい。
【０１８４】
ＬＨ１は、アリーレン基または２価の複素環基であることが好ましい。
【０１８５】
ＬＨ１は、式（Ａ−１）〜（Ａ−３）、式（Ａ−８）〜（Ａ−１０）、式（ＡＡ−１）〜（ＡＡ−６）、式（ＡＡ−１０）〜（ＡＡ−２１）または式（ＡＡ−２４）〜（ＡＡ−３４）で表される基であることが好ましく、式（Ａ−１）、式（Ａ−２）、式（Ａ−８）、式（Ａ−９）、式（ＡＡ−１）〜（ＡＡ−４）、式（ＡＡ−１０）〜（ＡＡ−１５）または式（ＡＡ−２９）〜（ＡＡ−３４）で表される基であることがより好ましく、式（Ａ−１）、式（Ａ−２）、式（Ａ−８）、式（Ａ−９）、式（ＡＡ−２）、式（ＡＡ−４）、式（ＡＡ−１０）〜（ＡＡ−１５）で表される基であることが更に好ましく、式（Ａ−１）、式（Ａ−２）、式（Ａ−８）、式（ＡＡ−２）、式（ＡＡ−４）、式（ＡＡ−１０）、式（ＡＡ−１２）または式（ＡＡ−１４）で表される基であることが特に好ましく、式（Ａ−１）、式（Ａ−２）、式（ＡＡ−２）、式（ＡＡ−４）または式（ＡＡ−１４）で表される基であることがとりわけ好ましい。
【０１８６】
ＬＨ１が有していてもよい置換基としては、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基または１価の複素環基が好ましく、アルキル基、アルコキシ基、アリール基または１価の複素環基がより好ましく、アルキル基、アリール基または１価の複素環基が更に好ましく、これらの基は更に置換基を有していてもよい。
【０１８７】
ＬＨ２１は、単結合またはアリーレン基であることが好ましく、単結合であることがより好ましく、このアリーレン基は置換基を有していてもよい。
【０１８８】
ＬＨ２１で表されるアリーレン基または２価の複素環基の定義および例は、ＬＨ１で表されるアリーレン基または２価の複素環基の定義および例と同様である。
【０１８９】
ＲＨ２１は、アリール基または１価の複素環基であることが好ましく、これらの基は置換基を有していてもよい。
【０１９０】
ＲＨ２１で表されるアリール基および１価の複素環基の定義および例は、ＡｒＨ１およびＡｒＨ２で表されるアリール基および１価の複素環基の定義および例と同様である。
【０１９１】
ＲＨ２１が有していてもよい置換基の定義および例は、ＡｒＨ１およびＡｒＨ２が有していてもよい置換基の定義および例と同様である。
【０１９２】
式（Ｈ−１）で表される化合物は、式（Ｈ−２）で表される化合物であることが好ましい。
【０１９３】
【化６４】
0006603661.tif 000065
［式中、ＡｒＨ１、ＡｒＨ２、ｎＨ３およびＬＨ１は、前記と同じ意味を表す。］
【０１９４】
式（Ｈ−１）で表される化合物としては、下記式（Ｈ−１０１）〜（Ｈ−１１８）で表される化合物が例示される。
【０１９５】
【化６５】
0006603661.tif 000066
【０１９６】
【化６６】
0006603661.tif 000067
【０１９７】
【化６７】
0006603661.tif 000068
【０１９８】
【化６８】
0006603661.tif 000069
【０１９９】
ホスト材料に用いられる高分子化合物としては、例えば、後述の正孔輸送材料である高分子化合物、後述の電子輸送材料である高分子化合物が挙げられる。
【０２００】
［高分子ホスト］
ホスト材料として好ましい高分子化合物（以下、「高分子ホスト」と言う。）に関して説明する。
【０２０１】
高分子ホストは、好ましくは、式(Ｙ)で表される構成単位を含む高分子化合物である。
【０２０２】
ＡｒY1で表されるアリーレン基は、より好ましくは、式(A-1)、式(A-2)、式(A-6)-(A-10)、式(A-19)または式(A-20)で表される基であり、更に好ましくは、式(A-1)、式(A-2)、式(A-7)、式(A-9)または式(A-19)で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
【０２０３】
ＡｒY1で表される２価の複素環基は、より好ましくは、式(AA-1)-(AA-4)、式(AA-10)-(AA-15)、式(AA-18)-(AA-21)、式(AA-33)または式(AA-34)で表される基であり、更に好ましくは、式(AA-4)、式(AA-10)、式(AA-12)、式(AA-14)または式(AA-33)で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
【０２０４】
ＡｒY1で表される少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基における、アリーレン基および２価の複素環基のより好ましい範囲、更に好ましい範囲は、それぞれ、前述のＡｒY1で表されるアリーレン基および２価の複素環基のより好ましい範囲、更に好ましい範囲と同様である。
【０２０５】
「少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基」としては、例えば、下記式で表される基が挙げられ、これらは置換基を有していてもよい。
【０２０６】
【化６９】
0006603661.tif 000070
［式中、ＲXXは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］
【０２０７】
ＲXXは、好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基またはアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
【０２０８】
ＡｒY1で表される基が有してもよい置換基は、好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基またはアリール基であり、これらの基は更に置換基を有していてもよい。
【０２０９】
式(Ｙ)で表される構成単位としては、例えば、式(Y-1)-(Y-10)で表される構成単位が挙げられ、高分子ホストと本発明の金属錯体との組成物を用いた発光素子の輝度寿命の観点からは、好ましくは式(Y-1)-(Y-3)で表される構成単位であり、電子輸送性の観点からは、好ましくは式(Y-4)-(Y-7)で表される構成単位であり、正孔輸送性の観点からは、好ましくは式(Y-8)-(Y-10)で表される構成単位である。
【０２１０】
【化７０】
0006603661.tif 000071
［式中、ＲY1は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲY1は、同一でも異なっていてもよく、隣接するＲY1同士は互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子と共に環を形成していてもよい。］
【０２１１】
ＲY1は、好ましくは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基またはアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
【０２１２】
式(Y-1)で表される構成単位は、好ましくは、式(Y-1')で表される構成単位である。
【０２１３】
【化７１】
0006603661.tif 000072
［式中、ＲY11は、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲY11は、同一でも異なっていてもよい。］
【０２１４】
ＲY11は、好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基またはアリール基であり、より好ましくは、アルキル基またはシクロアルキル基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
【０２１５】
【化７２】
0006603661.tif 000073
［式中、ＲY1は前記と同じ意味を表す。ＸY1は、−Ｃ(ＲY2)2−、−Ｃ(ＲY2)＝Ｃ(ＲY2)−またはＣ(ＲY2)2−Ｃ(ＲY2)2−で表される基を表す。ＲY2は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲY2は、同一でも異なっていてもよく、ＲY2同士は互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子と共に環を形成していてもよい。］
【０２１６】
ＲY2は、好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基または１価の複素環基であり、より好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基またはアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
【０２１７】
ＸY1において、−Ｃ(ＲY2)2−で表される基中の２個のＲY2の組み合わせは、好ましくは両方がアルキル基もしくはシクロアルキル基、両方がアリール基、両方が１価の複素環基、または、一方がアルキル基もしくはシクロアルキル基で他方がアリール基若しくは１価の複素環基であり、より好ましくは一方がアルキル基もしくはシクロアルキル基で他方がアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。２個存在するＲY2は互いに結合して、それぞれが結合する原子と共に環を形成していてもよく、ＲY2が環を形成する場合、−Ｃ(ＲY2)2−で表される基としては、好ましくは式(Y-A1)-(Y-A5)で表される基であり、より好ましくは式(Y-A4)で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
【０２１８】
【化７３】
0006603661.tif 000074
【０２１９】
ＸY1において、−Ｃ(ＲY2)＝Ｃ(ＲY2)−で表される基中の２個のＲY2の組み合わせは、好ましくは両方がアルキル基もしくはシクロアルキル基、または、一方がアルキル基もしくはシクロアルキル基で他方がアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
【０２２０】
ＸY1において、−Ｃ(ＲY2)2−Ｃ(ＲY2)2−で表される基中の４個のＲY2は、好ましくは置換基を有していてもよいアルキル基またはシクロアルキル基である。複数あるＲY2は互いに結合して、それぞれが結合する原子と共に環を形成していてもよく、ＲY2が環を形成する場合、−Ｃ(ＲY2)2−Ｃ(ＲY2)2−で表される基は、好ましくは式(Y-B1)-(Y-B5)で表される基であり、より好ましくは式(Y-B3)で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
【０２２１】
【化７４】
0006603661.tif 000075
［式中、ＲY2は前記と同じ意味を表す。］
【０２２２】
式(Y-2)で表される構成単位は、式(Y-2')で表される構成単位であることが好ましい。
【０２２３】
【化７５】
0006603661.tif 000076
［式中、ＲY11およびＸY1は前記と同じ意味を表す。］
【０２２４】
【化７６】
0006603661.tif 000077
［式中、ＲY1およびＸY1は前記と同じ意味を表す。］
【０２２５】
式(Y-3)で表される構成単位は、式(Y-3')で表される構成単位であることが好ましい。
【０２２６】
【化７７】
0006603661.tif 000078
［式中、ＲY11およびＸY1は前記と同じ意味を表す。］
【０２２７】
【化７８】
0006603661.tif 000079
【０２２８】
【化７９】
0006603661.tif 000080
［式中、ＲY1は前記と同じ意味を表す。ＲY3は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］
【０２２９】
ＲY3は、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基または１価の複素環基であり、より好ましくはアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
【０２３０】
式(Y-4)で表される構成単位は、式(Y-4')で表される構成単位であることが好ましく、式(Y-6)で表される構成単位は、式(Y-6')で表される構成単位であることが好ましい。
【０２３１】
【化８０】
0006603661.tif 000081
［式中、ＲY11およびＲY3は前記と同じ意味を表す。］
【０２３２】
【化８１】
0006603661.tif 000082
［式中、ＲY1は前記を同じ意味を表す。ＲY4は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］
【０２３３】
ＲY4は、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基または１価の複素環基であり、より好ましくはアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
【０２３４】
式(Ｙ)で表される構成単位としては、例えば、式(Y-101)-(Y-121)で表されるアリーレン基からなる構成単位、式(Y-201)-(Y-206)で表される２価の複素環基からなる構成単位、式(Y-301)-(Y-304)で表される少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基からなる構成単位が挙げられる。
【０２３５】
【化８２】
0006603661.tif 000083
【０２３６】
【化８３】
0006603661.tif 000084
【０２３７】
【化８４】
0006603661.tif 000085
【０２３８】
【化８５】
0006603661.tif 000086
【０２３９】
【化８６】
0006603661.tif 000087
【０２４０】
【化８７】
0006603661.tif 000088
【０２４１】
【化８８】
0006603661.tif 000089
【０２４２】
【化８９】
0006603661.tif 000090
【０２４３】
【化９０】
0006603661.tif 000091
【０２４４】
式(Ｙ)で表される構成単位であって、ＡｒY1がアリーレン基である構成単位は、高分子ホストと本発明の金属錯体との組成物を用いた発光素子の輝度寿命が優れるので、高分子化合物に含まれる構成単位の合計量に対して、好ましくは0.5〜80モル％であり、より好ましくは30〜60モル％である。
【０２４５】
式(Ｙ)で表される構成単位であって、ＡｒY1が２価の複素環基、または、少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基である構成単位は、高分子ホストと本発明の金属錯体との組成物を用いた発光素子の電荷輸送性が優れるので、高分子化合物に含まれる構成単位の合計量に対して、好ましくは0.5〜30モル％であり、より好ましくは３〜20モル％である。
【０２４６】
式(Ｙ)で表される構成単位は、高分子ホスト中に、１種のみ含まれていてもよく、２種以上含まれていてもよい。
【０２４７】
高分子ホストは、正孔輸送性が優れるので、更に、下記式(Ｘ)で表される構成単位を含むことが好ましい。
【０２４８】
【化９１】
0006603661.tif 000092
［式中、ａX1およびａX2は、それぞれ独立に、０以上の整数を表す。ＡｒX1およびＡｒX3は、それぞれ独立に、アリーレン基または２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。ＡｒX2およびＡｒX4は、それぞれ独立に、アリーレン基、２価の複素環基、または、少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。ＲX1、ＲX2およびＲX3は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］
【０２４９】
ａX1は、高分子ホストと本発明の金属錯体との組成物を用いた発光素子の輝度寿命が優れるので、好ましくは２以下であり、より好ましくは１である。
【０２５０】
ａX2は、高分子ホストと本発明の金属錯体との組成物を用いた発光素子の輝度寿命が優れるので、好ましくは２以下であり、より好ましくは０である。
【０２５１】
ＲX1、ＲX2およびＲX3は、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基、アリール基または１価の複素環基であり、より好ましくはアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
【０２５２】
ＡｒX1およびＡｒX3で表されるアリーレン基は、より好ましくは式(A-1)または式(A-9)で表される基であり、更に好ましくは式(A-1)で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
【０２５３】
ＡｒX1およびＡｒX3で表される２価の複素環基は、より好ましくは式(AA-1)、式(AA-2)または式(AA-7)-(AA-26)で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
【０２５４】
ＡｒX1およびＡｒX3は、好ましくは置換基を有していてもよいアリーレン基である。
【０２５５】
ＡｒX2およびＡｒX4で表されるアリーレン基としては、より好ましくは式(A-1)、式(A-6)、式(A-7)、式(A-9)-(A-11)または式(A-19)で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
【０２５６】
ＡｒX2およびＡｒX4で表される２価の複素環基のより好ましい範囲は、ＡｒX1およびＡｒX3で表される２価の複素環基のより好ましい範囲と同じである。
【０２５７】
ＡｒX2およびＡｒX4で表される少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基における、アリーレン基および２価の複素環基のより好ましい範囲、更に好ましい範囲は、それぞれ、ＡｒX1およびＡｒX3で表されるアリーレン基および２価の複素環基のより好ましい範囲、更に好ましい範囲と同様である。
【０２５８】
ＡｒX2およびＡｒX4で表される少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基としては、式(Ｙ)のＡｒY1で表される少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基と同様のものが挙げられる。
【０２５９】
ＡｒX2およびＡｒX4は、好ましくは置換基を有していてもよいアリーレン基である。
【０２６０】
ＡｒX1〜ＡｒX4およびＲX1〜ＲX3で表される基が有してもよい置換基としては、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基またはアリール基であり、これらの基は更に置換基を有していてもよい。
【０２６１】
式(Ｘ)で表される構成単位は、好ましくは式(X-1)-(X-7)で表される構成単位であり、より好ましくは式(X-1)-(X-6)で表される構成単位であり、更に好ましくは式(X-3)-(X-6)で表される構成単位である。
【０２６２】
【化９２】
0006603661.tif 000093
【０２６３】
【化９３】
0006603661.tif 000094
【０２６４】
【化９４】
0006603661.tif 000095
【０２６５】
【化９５】
0006603661.tif 000096
［式中、ＲX4およびＲX5は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、ハロゲン原子、１価の複素環基またはシアノ基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲX4は、同一でも異なっていてもよい。複数存在するＲX5は、同一でも異なっていてもよく、隣接するＲX5同士は互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子と共に環を形成していてもよい。］
【０２６６】
式(Ｘ)で表される構成単位は、正孔輸送性が優れるので、高分子ホストに含まれる構成単位の合計量に対して、好ましくは0.1〜50モル％であり、より好ましくは１〜40モル％であり、更に好ましくは５〜30モル％である。
【０２６７】
式(Ｘ)で表される構成単位としては、例えば、式(X1-1)-(X1-11)で表される構成単位が挙げられ、好ましくは式(X1-3)-(X1-10)で表される構成単位である。
【０２６８】
【化９６】
0006603661.tif 000097
【０２６９】
【化９７】
0006603661.tif 000098
【０２７０】
【化９８】
0006603661.tif 000099
【０２７１】
【化９９】
0006603661.tif 000100
【０２７２】
【化１００】
0006603661.tif 000101
【０２７３】
高分子ホストにおいて、式(Ｘ)で表される構成単位は、１種のみ含まれていても、２種以上含まれていてもよい。
【０２７４】
高分子ホストとしては、例えば、表１の高分子化合物(P-1)〜(P-6)が挙げられる。ここで、「その他」の構成単位とは、式(Ｙ)で表される構成単位、式(Ｘ)で表される構成単位以外の構成単位を意味する。
【０２７５】
【表１】
0006603661.tif 000102
［表中、ｐ、ｑ、ｒ、ｓおよびｔは、各構成単位のモル比率を示す。ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ＋ｔ＝100であり、かつ、100≧ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ≧70である。その他の構成単位とは、式(Ｙ)で表される構成単位、式(Ｘ)で表される構成単位以外の構成単位を意味する。］
【０２７６】
高分子ホストは、ブロック共重合体、ランダム共重合体、交互共重合体、グラフト共重合体のいずれであってもよいし、その他の態様であってもよいが、複数種の原料モノマーを共重合してなる共重合体であることが好ましい。
【０２７７】
＜高分子ホストの製造方法＞
高分子ホストは、ケミカルレビュー(Chem. Rev.)，第109巻，897-1091頁(2009年)等に記載の公知の重合方法を用いて製造することができ、Suzuki反応、Yamamoto反応、Buchwald反応、Stille反応、Negishi反応およびKumada反応等の遷移金属触媒を用いるカップリング反応により重合させる方法が例示される。
【０２７８】
前記重合方法において、単量体を仕込む方法としては、単量体全量を反応系に一括して仕込む方法、単量体の一部を仕込んで反応させた後、残りの単量体を一括、連続または分割して仕込む方法、単量体を連続または分割して仕込む方法等が挙げられる。
【０２７９】
遷移金属触媒としては、パラジウム触媒、ニッケル触媒等が挙げられる。
【０２８０】
重合反応の後処理は、公知の方法、例えば、分液により水溶性不純物を除去する方法、メタノール等の低級アルコールに重合反応後の反応液を加えて、析出させた沈殿を濾過した後、乾燥させる方法等を単独または組み合わせて行う。高分子ホストの純度が低い場合、例えば、再結晶、再沈殿、ソックスレー抽出器による連続抽出、カラムクロマトグラフィー等の通常の方法にて精製することができる。
【０２８１】
本発明の金属錯体および溶媒を含有する組成物（以下、「インク」と言う。）は、インクジェットプリント法、ノズルプリント法等の印刷法を用いた発光素子の作製に好適である。
【０２８２】
インクの粘度は、印刷法の種類によって調整すればよいが、インクジェットプリント法等の溶液が吐出装置を経由する印刷法に適用する場合には、吐出時の目づまりと飛行曲がりが起こりづらいので、好ましくは25℃において１〜20mPa・sである。
【０２８３】
インクに含まれる溶媒は、好ましくは、インク中の固形分を溶解または均一に分散できる溶媒である。溶媒としては、例えば、1,2-ジクロロエタン、1,1,2-トリクロロエタン、クロロベンゼン、o-ジクロロベンゼン等の塩素系溶媒；THF、ジオキサン、アニソール、4-メチルアニソール等のエーテル系溶媒；トルエン、キシレン、メシチレン、エチルベンゼン、n-ヘキシルベンゼン、シクロヘキシルベンゼン等の芳香族炭化水素系溶媒；シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、n-ペンタン、n-ヘキサン、n-へプタン、n-オクタン、n-ノナン、n-デカン、n-ドデカン、ビシクロヘキシル等の脂肪族炭化水素系溶媒；アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、アセトフェノン等のケトン系溶媒；酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート、安息香酸メチル、酢酸フェニル等のエステル系溶媒；エチレングリコール、グリセリン、1,2-ヘキサンジオール等の多価アルコール系溶媒；イソプロピルアルコール、シクロヘキサノール等のアルコール系溶媒；ジメチルスルホキシド等のスルホキシド系溶媒；N-メチル-2-ピロリドン、N,N-ジメチルホルムアミド等のアミド系溶媒が挙げられる。溶媒は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。
【０２８４】
インクにおいて、溶媒の配合量は、本発明の金属錯体100重量部に対して、通常、1000〜100000重量部であり、好ましくは2000〜20000重量部である。
【０２８５】
［正孔輸送材料］
正孔輸送材料は、低分子化合物と高分子化合物とに分類され、好ましくは高分子化合物であり、より好ましくは架橋基を有する高分子化合物である。
【０２８６】
高分子化合物としては、例えば、ポリビニルカルバゾールおよびその誘導体；側鎖または主鎖に芳香族アミン構造を有するポリアリーレンおよびその誘導体が挙げられる。高分子化合物は、電子受容性部位が結合された化合物でもよい。電子受容性部位としては、例えば、フラーレン、テトラフルオロテトラシアノキノジメタン、テトラシアノエチレン、トリニトロフルオレノン等が挙げられ、好ましくはフラーレンである。
【０２８７】
本発明の組成物において、正孔輸送材料の配合量は、本発明の金属錯体100重量部に対して、通常、１〜400重量部であり、好ましくは５〜150重量部である。
【０２８８】
正孔輸送材料は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。
【０２８９】
［電子輸送材料］
電子輸送材料は、低分子化合物と高分子化合物とに分類される。電子輸送材料は、架橋基を有していてもよい。
【０２９０】
低分子化合物としては、例えば、8-ヒドロキシキノリンを配位子とする金属錯体、オキサジアゾール、アントラキノジメタン、ベンゾキノン、ナフトキノン、アントラキノン、テトラシアノアントラキノジメタン、フルオレノン、ジフェニルジシアノエチレンおよびジフェノキノン、並びに、これらの誘導体が挙げられる。
【０２９１】
高分子化合物としては、例えば、ポリフェニレン、ポリフルオレン、および、これらの誘導体が挙げられる。高分子化合物は、金属でドープされていてもよい。
【０２９２】
本発明の組成物において、電子輸送材料の配合量は、本発明の金属錯体100重量部に対して、通常、１〜400重量部であり、好ましくは５〜150重量部である。
【０２９３】
電子輸送材料は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。
【０２９４】
［正孔注入材料および電子注入材料］
正孔注入材料および電子注入材料は、各々、低分子化合物と高分子化合物とに分類される。正孔注入材料および電子注入材料は、架橋基を有していてもよい。
【０２９５】
低分子化合物としては、例えば、銅フタロシアニン等の金属フタロシアニン；カーボン；モリブデン、タングステン等の金属酸化物；フッ化リチウム、フッ化ナトリウム、フッ化セシウム、フッ化カリウム等の金属フッ化物が挙げられる。
【０２９６】
高分子化合物としては、例えば、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロール、ポリフェニレンビニレン、ポリチエニレンビニレン、ポリキノリンおよびポリキノキサリン、並びに、これらの誘導体；芳香族アミン構造を主鎖または側鎖に含む重合体等の導電性高分子が挙げられる。
【０２９７】
本発明の組成物において、正孔注入材料および電子注入材料の配合量は、各々、本発明の金属錯体100重量部に対して、通常、１〜400重量部であり、好ましくは５〜150重量部である。
【０２９８】
正孔注入材料および電子注入材料は、各々、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。
【０２９９】
［イオンドープ］
正孔注入材料または電子注入材料が導電性高分子を含む場合、導電性高分子の電気伝導度は、好ましくは、１×10-5S/cm〜１×103S/cmである。導電性高分子の電気伝導度をかかる範囲とするために、導電性高分子に適量のイオンをドープすることができる。
【０３００】
ドープするイオンの種類は、正孔注入材料であればアニオン、電子注入材料であればカチオンである。アニオンとしては、例えば、ポリスチレンスルホン酸イオン、アルキルベンゼンスルホン酸イオン、樟脳スルホン酸イオンが挙げられる。カチオンとしては、例えば、リチウムイオン、ナトリウムイオン、カリウムイオン、テトラブチルアンモニウムイオンが挙げられる。
【０３０１】
ドープするイオンは、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。
【０３０２】
［発光材料］
発光材料（本発明の金属錯体とは異なる。）は、低分子化合物と高分子化合物とに分類される。発光材料は、架橋基を有していてもよい。
【０３０３】
低分子化合物としては、例えば、ナフタレンおよびその誘導体、アントラセンおよびその誘導体、ペリレンおよびその誘導体、並びに、イリジウム、白金またはユーロピウムを中心金属とする三重項発光錯体が挙げられる。
【０３０４】
高分子化合物としては、例えば、フェニレン基、ナフタレンジイル基、フルオレンジイル基、フェナントレンジイル基、ジヒドロフェナントレンジイル基、式（Ｘ）で表される基、カルバゾールジイル基、フェノキサジンジイル基、フェノチアジンジイル基、アントラセンジイル基、ピレンジイル基等を含む高分子化合物が挙げられる。
【０３０５】
発光材料は、好ましくは、三重項発光錯体および高分子化合物を含む。
【０３０６】
三重項発光錯体としては、例えば、以下に示す金属錯体が挙げられる。
【０３０７】
【化１０１】
0006603661.tif 000103
【０３０８】
【化１０２】
0006603661.tif 000104
【０３０９】
【化１０３】
0006603661.tif 000105
【０３１０】
【化１０４】
0006603661.tif 000106
【０３１１】
本発明の組成物において、発光材料の含有量は、本発明の金属錯体100重量部に対して、通常、0.1〜400重量部である。
【０３１２】
［酸化防止剤］
酸化防止剤は、本発明の金属錯体と同じ溶媒に可溶であり、発光および電荷輸送を阻害しない化合物であればよく、例えば、フェノール系酸化防止剤、リン系酸化防止剤が挙げられる。
【０３１３】
本発明の組成物において、酸化防止剤の配合量は、本発明の金属錯体100重量部に対して、通常、0.001〜10重量部である。
【０３１４】
酸化防止剤は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。
【０３１５】
＜膜＞
膜は、本発明の金属錯体を含有する。
【０３１６】
膜には、本発明の金属錯体を架橋により溶媒に対して不溶化させた、不溶化膜も含まれる。不溶化膜は、本発明の金属錯体を加熱、光照射等の外部刺激により架橋させて得られる膜である。不溶化膜は、溶媒に実質的に不溶であるので、発光素子の積層化に好適に使用することができる。
【０３１７】
膜を架橋させるための加熱の温度は、通常、25〜300℃であり、外部量子効率が優れるので、好ましくは50〜250℃であり、より好ましくは150〜200℃である。
【０３１８】
膜を架橋させるための光照射に用いられる光の種類は、例えば、紫外光、近紫外光、可視光である。
【０３１９】
膜は、発光素子における発光層として好適である。
【０３２０】
膜は、インクを用いて、例えば、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイヤーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェット印刷法、キャピラリ−コート法、ノズルコート法により作製することができる。
【０３２１】
膜の厚さは、通常、１ｎｍ〜10μｍである。
【０３２２】
＜発光素子＞
本発明の発光素子は、本発明の金属錯体を用いて得られる発光素子である。該発光素子は、本発明の金属錯体が架橋基を有する場合、例えば、本発明の金属錯体を含む発光素子、本発明の金属錯体が分子内、分子間、または、それらの両方で架橋した発光素子であり、本発明の金属錯体が架橋基を有しない場合、例えば、本発明の金属錯体を含む発光素子である。
本発明の発光素子の構成としては、例えば、陽極および陰極からなる電極と、該電極間に設けられた本発明の金属錯体を用いて得られる層とを有する。
【０３２３】
［層構成］
本発明の金属錯体を用いて得られる層は、通常、発光層、正孔輸送層、正孔注入層、電子輸送層、電子注入層の１種以上の層であり、好ましくは、発光層である。これらの層は、各々、発光材料、正孔輸送材料、正孔注入材料、電子輸送材料、電子注入材料を含む。これらの層は、各々、発光材料、正孔輸送材料、正孔注入材料、電子輸送材料、電子注入材料を、上述した溶媒に溶解させ、インクを調製して用い、上述した膜の作製と同じ方法を用いて形成することができる。
【０３２４】
発光素子は、陽極と陰極の間に発光層を有する。本発明の発光素子は、正孔注入性および正孔輸送性の観点からは、陽極と発光層との間に、正孔注入層および正孔輸送層の少なくとも１層を有することが好ましく、電子注入性および電子輸送性の観点からは、陰極と発光層の間に、電子注入層および電子輸送層の少なくとも１層を有することが好ましい。
【０３２５】
正孔輸送層、電子輸送層、発光層、正孔注入層および電子注入層の材料としては、本発明の金属錯体の他、各々、上述した正孔輸送材料、電子輸送材料、発光材料、正孔注入材料および電子注入材料等が挙げられる。
【０３２６】
正孔輸送層の材料、電子輸送層の材料および発光層の材料は、発光素子の作製において、各々、正孔輸送層、電子輸送層および発光層に隣接する層の形成時に使用される溶媒に溶解する場合、該溶媒に該材料が溶解することを回避するために、該材料が架橋基を有することが好ましい。架橋基を有する材料を用いて各層を形成した後、該架橋基を架橋させることにより、該層を不溶化させることができる。
【０３２７】
本発明の発光素子において、発光層、正孔輸送層、電子輸送層、正孔注入層、電子注入層等の各層の形成方法としては、低分子化合物を用いる場合、例えば、粉末からの真空蒸着法、溶液または溶融状態からの成膜による方法が挙げられ、高分子化合物を用いる場合、例えば、溶液または溶融状態からの成膜による方法が挙げられる。
【０３２８】
積層する層の順番、数および厚さは、外部量子効率および輝度寿命を勘案して調整する。
【０３２９】
［基板/電極］
発光素子における基板は、電極を形成することができ、かつ、有機層を形成する際に化学的に変化しない基板であればよく、例えば、ガラス、プラスチック、シリコン等の材料からなる基板である。不透明な基板の場合には、基板から最も遠くにある電極が透明または半透明であることが好ましい。
【０３３０】
陽極の材料としては、例えば、導電性の金属酸化物、半透明の金属が挙げられ、好ましくは、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ；インジウム・スズ・オキサイド(ITO)、インジウム・亜鉛・オキサイド等の導電性化合物；銀とパラジウムと銅との複合体(APC)；NESA、金、白金、銀、銅である。
【０３３１】
陰極の材料としては、例えば、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、アルミニウム、亜鉛、インジウム等の金属；それらのうち２種以上の合金；それらのうち１種以上と、銀、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン、錫のうち１種以上との合金；並びに、グラファイトおよびグラファイト層間化合物が挙げられる。合金としては、例えば、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金、インジウム−銀合金、リチウム−アルミニウム合金、リチウム−マグネシウム合金、リチウム−インジウム合金、カルシウム−アルミニウム合金が挙げられる。
陽極および陰極は、各々、２層以上の積層構造としてもよい。
【０３３２】
［用途］
発光素子を用いて面状の発光を得るためには、面状の陽極と陰極が重なり合うように配置すればよい。パターン状の発光を得るためには、面状の発光素子の表面にパターン状の窓を設けたマスクを設置する方法、非発光部にしたい層を極端に厚く形成し実質的に非発光とする方法、陽極もしくは陰極、または、両方の電極をパターン状に形成する方法がある。これらのいずれかの方法でパターンを形成し、いくつかの電極を独立にON/OFFできるように配置することにより、数字、文字等を表示できるセグメントタイプの表示装置が得られる。ドットマトリックス表示装置とするためには、陽極と陰極を共にストライプ状に形成して直交するように配置すればよい。複数の種類の発光色の異なる高分子化合物を塗り分ける方法、カラーフィルターまたは蛍光変換フィルターを用いる方法により、部分カラー表示、マルチカラー表示が可能となる。ドットマトリックス表示装置は、パッシブ駆動も可能であるし、TFT等と組み合わせてアクティブ駆動も可能である。これらの表示装置は、コンピュータ、テレビ、携帯端末等のディスプレイに用いることができる。面状の発光素子は、液晶表示装置のバックライト用の面状光源、または、面状の照明用光源として好適に用いることができる。フレキシブルな基板を用いれば、曲面状の光源および表示装置としても使用できる。
【実施例】
【０３３３】
以下、実施例によって本発明を更に詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。【０３３４】
実施例において、高分子化合物のポリスチレン換算の数平均分子量(Mn)およびポリスチレン換算の重量平均分子量(Mw)は、サイズエクスクルージョンクロマトグラフィー(SEC)（島津製作所製、商品名：LC-10Avp）により求めた。なお、SECの測定条件は、次のとおりである。【０３３５】
［測定条件］
測定する高分子化合物を約0.05重量％の濃度でTHFに溶解させ、SECに10μＬ注入した。SECの移動相としてTHFを用い、2.0mL/分の流量で流した。カラムとして、PLgel MIXED-B（ポリマーラボラトリーズ製）を用いた。検出器にはUV-VIS検出器（島津製作所製、商品名：SPD-10Avp）を用いた。【０３３６】
液体クロマトグラフ質量分析(LC-MS)は、下記の方法で行った。
測定試料を約２mg/mLの濃度になるようにクロロホルムまたはTHFに溶解させ、LC-MS（アジレントテクノロジー製、商品名：1100LCMSD）に約１μＬ注入した。LC-MSの移動相には、アセトニトリルおよびTHFの比率を変化させながら用い、0.2mL/分の流量で流した。カラムは、L-column 2 ODS（３μｍ）（化学物質評価研究機構製、内径：2.1mm、長さ：100mm、粒径３μｍ）を用いた。【０３３７】
ＮＭＲの測定は、下記の方法で行った。
５〜１０mgの測定試料を約０．５ｍＬの重クロロホルム（ＣＤＣｌ３−ｄ１）、重ジクロロメタン（ＣＤ２Ｃｌ２−ｄ２）、重テトラヒドロフラン（ＴＨＦ−ｄ８）または重アセトン（（ＣＤ３）２ＣＯ−ｄ６）に溶解させ、ＮＭＲ装置（Ａｇｉｌｅｎｔ製、商品名：ＩＮＯＶＡ３００またはＭＥＲＣＵＲＹ  ３００）を用いて測定した。【０３３８】
化合物の純度の指標として、高速液体クロマトグラフィー(HPLC)面積百分率の値を用いた。この値は、特に記載がない限り、HPLC（島津製作所製、商品名：LC-20A）での254nmにおける値とする。この際、測定する化合物は、0.01〜0.2重量％の濃度になるようにTHFまたはクロロホルムに溶解させ、HPLCに、濃度に応じて１〜10μＬ注入した。HPLCの移動相には、アセトニトリルおよびTHFを用い、１mL/分の流速で、アセトニトリル/THF＝100/０〜０/100（容積比）のグラジエント分析で流した。カラムは、Kaseisorb LC ODS 2000（東京化成工業製）または同等の性能を有するODSカラムを用いた。検出器には、フォトダイオードアレイ検出器（島津製作所製、商品名：SPD-M20A）を用いた。【０３３９】
ＴＬＣ−ＭＳの測定は、下記の方法で行った。
測定試料を、トルエン、テトラヒドロフランまたはクロロホルムに溶解させ、ＤＡＲＴ用ＴＬＣプレート（テクノアプリケーションズ社製  ＹＳＫ５−１００）上に塗布し、ＴＬＣ−ＭＳ（日本電子（ＪＥＯＬ  Ｌｔｄ．）社製、商品名  ＪＭＳ−Ｔ１００ＴＤ（Ｔｈｅ  ＡｃｃｕＴＯＦ  ＴＬＣ））を用いて測定した。測定時のヘリウムガス温度は、２００〜４００℃の範囲で調整した。【０３４０】
＜発光安定性の評価＞【０３４１】
［発光安定性の評価装置］
発光安定性の評価装置は、後述する測定試料のガラス基板側から励起光を照射し、測定試料に含まれる有機層を発光させた。励起光源には、浜松フォトニクス社製のＬｉｇｈｔｎｉｎｇｃｕｒｅ  ＬＣ−Ｌ１Ｖ３（波長３６５ｎｍ）を用いた。測定試料からの発光の測定には、発光輝度測定装置である株式会社トプコン製のＢＭ−９を用いた。発光輝度測定装置の測光入射口には、短波長不透過フィルターを設置して、波長４００ｎｍ以下の光が測光されないようにした。【０３４２】
［励起光源の励起光強度の調整］
発光安定性の評価では、後述する各測定試料からの発光のフォトン数が同数となるように、励起光源の励起光強度を調整した。【０３４３】
各測定試料からの発光のフォトン数が同数となる条件を算出するために、式（１１）、式（１２）、式（１３−１）、式（１３−２）、式（１４）、式（１５）、式（１６）および式（１７）を用いた。【０３４４】
第一に、測定試料からの発光のフォトン数を、式（１１）から算出した。ここで、発光スペクトル強度を表すＩｎｔＰＬ（λ）は、後述する測定試料に含まれる有機層を石英基板上に形成した試料を用いて、日本分光社製のＦＰ−６５００を用いて測定した。【０３４５】
0006603661.tif 000107
式（１１）
（ここで、
ＮＰＬは、発光のフォトン数［個］を表す。
λは、波長［ｎｍ］を表す。
ＩｎｔＰＬ（λ）は、発光スペクトル強度［Ｗ］を表す。）【０３４６】
第二に、式（１１）から算出された発光のフォトン数を表すＮＰＬを、式（１２）に書き換えた。【０３４７】
0006603661.tif 000108
式（１２）
（ここで、
ＮＰＬは、前記と同じ意味を表す。
Ｋｉｎｔは、比例係数を表す。
ｎｎｒｍ−ＰＬは、規格化フォトン数を表す。）【０３４８】
式（１２）において規格化フォトン数を表すｎｎｒｍ−ＰＬは、式（１３−１）から算出した。【０３４９】
0006603661.tif 000109
式（１３−１）
（ここで、
λおよびｎｎｒｍ−ＰＬは、前記と同じ意味を表す。
Ｉｎｔｎｒｍ−ＰＬ（λ）は、規格化発光スペクトルを表す。）【０３５０】
式（１３−１）において規格化発光スペクトルを表すＩｎｔｎｒｍ−ＰＬ（λ）は、式（１３−２）から算出した。【０３５１】
0006603661.tif 000110
式（１３−２）
（ここで、λ、Ｉｎｔｎｒｍ−ＰＬ（λ）およびＩｎｔＰＬ（λ）は、前記と同じ意味を表す。）【０３５２】
第三に、規格化発光スペクトルを表すＩｎｔｎｒｍ−ＰＬ（λ）を用いて、規格化輝度を式（１４）から算出した。【０３５３】
0006603661.tif 000111
式（１４）
（ここで、
λおよびＩｎｔｎｒｍ−ＰＬ（λ）は、前記と同じ意味を表す。）
ｌｎｒｍは、規格化輝度を表す。
Ｌｆ（λ）は、視感度スペクトルを表す。）【０３５４】
第四に、規格化輝度を表すｌｎｒｍを用いて、発光輝度を式（１５）から算出した。【０３５５】
0006603661.tif 000112
式（１５）
（ここで、
ＬＰＬは、発光輝度［ｃｄ／ｍ２］を表す。
λ、ＩｎｔＰＬ（λ）、Ｌｆ（λ）、Ｋｉｎｔ、Ｉｎｔｎｒｍ−ＰＬ（λ）およびｌｎｒｍは、前記と同じ意味を表す。）【０３５６】
第五に、式（１２）と式（１５）とを用いて、発光のフォトン数が同数の条件を、式（１６）から算出した。この式（１６）を用いることで、各測定試料からの発光のフォトン数が同数となる条件を満たす、各測定試料の発光輝度を算出することができる。【０３５７】
0006603661.tif 000113
発光のフォトン数が一定の条件
（ここで、ＮＰＬ、Ｋｉｎｔおよびｎｎｒｍ−ＰＬは、前記と同じ意味を表す。）
0006603661.tif 000114
式（１６）
（ここで、
Ｌｅｑｖは、発光輝度［ｃｄ／ｍ２］を表す。
ｌｎｒｍ、ｎｎｒｍ−ＰＬおよびＫｉｎｔは、前記と同じ意味を表す。）【０３５８】
例えば、試料Ａを輝度ＬＡで発光させる場合、発光のフォトン数が試料Ａと同数になるような試料Ｂの発光輝度は、試料Ａおよび試料Ｂの規格化フォトン数と規格化輝度とを用いた式（１７）から算出することができる。【０３５９】
0006603661.tif 000115
式（１７）
（ここで、
ＬＡは、試料Ａの発光輝度［ｃｄ／ｍ２］を表す。
ＬＢは、試料Ｂの発光輝度［ｃｄ／ｍ２］を表す。
ｎＡｎｒｍ−ＰＬは、試料Ａの規格化フォトン数を表す。
ｎＢｎｒｍ−ＰＬは、試料Ｂの規格化フォトン数を表す。
ｌＡｎｒｍは、試料Ａの規格化輝度を表す。
ｌＢｎｒｍは、試料Ｂの規格化輝度を表す。）【０３６０】
＜比較例１＞  金属錯体ＭＭ１の合成【０３６１】
【化１０５】
0006603661.tif 000116
【０３６２】
金属錯体ＭＭ１は、米国特許出願公開第２０１４／０１５１６５９号明細書に記載の方法に従って合成した。【０３６３】
＜比較例２＞  金属錯体ＭＭ２の合成【０３６４】
【化１０６】
0006603661.tif 000117
【０３６５】
金属錯体ＭＭ２は、特開２０１３−１４７５５１号公報に記載の方法に従って合成した。【０３６６】
＜比較例３＞  金属錯体ＭＭ３の合成【０３６７】
【化１０７】
0006603661.tif 000118
【０３６８】
金属錯体ＭＭ３は、特開２０１３−１４７５５１号公報に記載の方法に従って合成した。【０３６９】
＜実施例１＞  金属錯体ＭＣ１の合成【０３７０】
【化１０８】
0006603661.tif 000119
【０３７１】
反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、化合物ＭＣ１−ａ（３３．７ｇ）およびジクロロメタン（４００ｍＬ）を加え、反応容器を氷浴に設置して冷却した。その後、そこへ、２５重量％アンモニア水溶液（４０．８ｇ）を加え、反応容器を氷浴で冷却しながら１時間撹拌した。その後、そこへ、イオン交換水（２００ｍＬ）およびジクロロメタン（１５０ｍＬ）を加え、有機層を抽出した。得られた有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、ヘプタン（４００ｍＬ）を加えて、ジクロロメタンを減圧濃縮することにより、白色固体を含む溶液を得た。得られた白色固体を含む溶液をろ過した後、得られた白色固体を減圧乾燥することにより、化合物ＭＣ１−ｂ（２７．８ｇ、収率９３％）を白色固体として得た。化合物ＭＣ１−ｂのＨＰＬＣ面積百分率値は９９．３％であった。この作業を繰り返し行うことで、化合物ＭＣ１−ｂの必要量を得た。【０３７２】
ＴＬＣ／ＭＳ（ＤＡＲＴ，ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝１５０［Ｍ＋Ｈ］＋【０３７３】
反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、化合物ＭＣ１−ｂ（３４．３ｇ）およびジクロロメタン（１．３８Ｌ）を加えた。その後、そこへ、トリエチルオキソニウムテトラフルオロボレートのジクロロメタン溶液（１ｍｏｌ／Ｌ、２７６ｍＬ）を加え、室温で３４時間攪拌した。その後、そこへ、炭酸水素ナトリウム水溶液（１ｍｏｌ／Ｌ、３５２ｍＬ）を加え、室温で３０分攪拌した。得られた反応溶液の有機層を抽出した後、得られた有機層を飽和食塩水（３００ｍＬ）で洗浄し、有機層を得た。得られた有機層にヘプタン（２００ｍＬ）を加えた後、ジクロロメタンを減圧濃縮することにより、白色固体を含む溶液を得た。得られた白色固体を含む溶液をろ過した後、得られたろ液を濃縮することにより、化合物ＭＣ１−ｃ（３３．６ｇ、収率８２％）を黄色油状物として得た。化合物ＭＣ１−ｃのＨＰＬＣ面積百分率値は９８．０％であった。【０３７４】
ＴＬＣ／ＭＳ（ＤＡＲＴ，ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝１７８［Ｍ＋Ｈ］＋【０３７５】
反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、化合物ＭＣ１−ｃ（３３．５ｇ）、塩化ベンゾイル（２６．６ｇ）およびクロロホルム（５７０ｍＬ）を加え、次いで、トリエチルアミン（２６．４ｍＬ）を加え、室温で６６時間攪拌した。得られた反応溶液を減圧濃縮し、得られた残渣に、イオン交換水（２１０ｍＬ）およびクロロホルム（２１０ｍＬ）を加え、有機層を抽出した。得られた有機層を飽和食塩水（１５０ｍＬ）で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、減圧濃縮することにより、化合物ＭＣ１−ｄ（５４．２ｇ、収率８８％）を橙色油状物として得た。化合物ＭＣ１−ｄのＨＰＬＣ面積百分率値は８６．０％であった。【０３７６】
ＴＬＣ／ＭＳ（ＤＡＲＴ，ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝２８２［Ｍ＋Ｈ］＋【０３７７】
１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３−ｄ１）：δ（ｐｐｍ）＝８．０１−７．９８（ｍ，２Ｈ），７．５６−７．５１（ｍ，１Ｈ），７．４６−７．４１（ｍ，２Ｈ），７．１９（ｓ，２Ｈ），７．０３（ｓ，１Ｈ），４．４８−４．４１（ｍ，２Ｈ），２．２３（ｓ，６Ｈ），１．４８（ｔ，３Ｈ）．【０３７８】
反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、化合物ＭＣ１−ｅ（５５．８ｇ）およびトルエン（９２５ｍＬ）を加え、反応容器を氷浴に設置して冷却した。その後、そこへ、水酸化ナトリウム水溶液（１ｍｏｌ／Ｌ、２２２ｍＬ）を加え、反応容器を氷浴で冷却しながら３０分間撹拌した。得られた反応溶液の有機層を抽出し、有機層であるトルエン溶液を得た。
別途用意した反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、化合物ＭＣ１−ｄ（５２．０ｇ）およびクロロホルム（９２５ｍＬ）を加え、反応容器を氷浴に設置して冷却した。その後、そこへ、上記で得られたトルエン溶液を加えた。その後、反応容器を氷浴で冷却しながら７時間攪拌し、次いで、室温で１００時間攪拌した。得られた反応溶液にイオン交換水（５００ｍＬ）を加え、有機層を抽出し、得られた有機層を減圧濃縮した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（クロロホルムおよびヘキサンの混合溶媒）で精製した後、クロロホルムおよびヘプタンの混合溶媒を用いて再結晶した。その後、５０℃で減圧乾燥することにより、化合物ＭＣ１−ｆ（１７．６ｇ、収率２２％）を白色固体として得た。化合物ＭＣ１−ｆのＨＰＬＣ面積百分率値は９９．５％以上であった。この作業を繰り返し行うことで、化合物ＭＣ１−ｆの必要量を得た。【０３７９】
ＴＬＣ／ＭＳ（ＤＡＲＴ，ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝４３２［Ｍ＋Ｈ］＋【０３８０】
１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ、ＣＤ２Ｃｌ２−ｄ２）：δ（ｐｐｍ）＝７．８４（ｓ，２Ｈ），７．５６−７．５４（ｍ，２Ｈ），７．４３−７．３２（ｍ，５Ｈ），７．０９（ｓ，１Ｈ），２．４０（ｓ，６Ｈ），１．９９（ｓ，６Ｈ）．【０３８１】
反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、化合物ＭＣ１−ｆ（１７．３ｇ）、シクロペンチルメチルエーテル（２４０ｍＬ）および［１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］パラジウム（ＩＩ）ジクロリド（９８ｍｇ）を加え、５０℃に昇温した。その後、そこへ、ヘキシルマグネシウムブロミドのジエチルエーテル溶液（２ｍｏｌ／Ｌ、４０ｍＬ）を加えた後、５０℃で２時間攪拌した。その後、そこへ、塩酸水溶液（１ｍｏｌ／Ｌ、８０ｍＬ）を加え、有機層を抽出した。得られた有機層をイオン交換水（１００ｍＬ）で２回洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた後、ろ過し、得られたろ液を減圧濃縮することにより油状物を得た。得れらた油状物に、トルエンおよび活性炭を加え、５０℃で３０分間攪拌した。その後、シリカゲルおよびセライトを敷いたろ過器でろ過し、得られたろ液を減圧濃縮することにより固体を得た。得られた固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサンおよび酢酸エチルの混合溶媒）で精製した後、メタノールを用いて再結晶した。その後、５０℃で減圧乾燥させることにより、化合物ＭＣ１−ｇ（１２．１ｇ、収率６９％）を白色固体として得た。化合物ＭＣ１−ｇのＨＰＬＣ面積百分率値は９９．５％以上であった。【０３８２】
ＴＬＣ／ＭＳ（ＤＡＲＴ，ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝４３８［Ｍ＋Ｈ］＋【０３８３】
１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ、ＣＤ２Ｃｌ２−ｄ２）δ（ｐｐｍ）＝７．９２（ｓ，２Ｈ），７．６５−７．６２（ｍ，２Ｈ），７．４８−７．３５（ｍ，３Ｈ），７．１５（ｓ，１Ｈ），７．０９（ｓ，２Ｈ），２．７０（ｔ，２Ｈ），２．４６（ｓ，６Ｈ），２．０３(ｓ，６Ｈ)，１．７７−１．６７（ｍ，２Ｈ），１．４６−１．３６（ｍ，６Ｈ），１．００−０．９５（ｍ，３Ｈ）．【０３８４】
＜１−６＞金属錯体ＭＣ１の合成【０３８５】
反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、塩化イリジウムｎ水和物（２．５０ｇ）、化合物ＭＣ１−ｇ（６．４３ｇ）、イオン交換水（２８ｍＬ）および２−エトキシエタノール（１１２ｍＬ）を加え、加熱還流下で２５時間攪拌した。その後、そこへ、トルエンを加え、イオン交換水で洗浄した。得られた洗浄液の有機層を抽出し、得られた有機層を減圧濃縮することにより固体を得た。得られた固体を、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（トルエンおよびメタノールの混合溶媒）で精製することにより固体（４．８２ｇ）を得た。
別途用意した反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、上記で得られた固体（４．８１ｇ）、トリフルオロメタンスルホン酸銀（１．４３ｇ）、化合物ＭＣ１−ｇ（４．８１ｇ）およびトリデカン（１．１ｍＬ）を加え、１５０℃で１５時間加熱攪拌した。その後、そこへ、トルエンを加え、シリカゲルおよびセライトを敷いたろ過器でろ過し、得られたろ液をイオン交換水で洗浄し、有機層を得た。得られた有機層を減圧濃縮することにより固体を得た。得られた固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサンおよびトルエンの混合溶媒）で精製した後、酢酸エチルおよびエタノールの混合溶媒を用いて再結晶した。その後、５０℃で減圧乾燥することにより、金属錯体ＭＣ１（２．３２ｇ、収率３５％）を黄色固体として得た。金属錯体ＭＣ１のＨＰＬＣ面積百分率値は９９．５％以上であった。【０３８６】
ＬＣ−ＭＳ（ＡＰＣＩ，ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝１５０２．８［Ｍ＋Ｈ］＋【０３８７】
１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ、ＣＤ２Ｃｌ２−ｄ２）δ（ｐｐｍ）＝７．９６（ｓ，６Ｈ），７．０７（ｓ，６Ｈ），６．９１（ｓ，３Ｈ），６．６０（ｔ，３Ｈ），６．５１（ｔ，３Ｈ），６．４１（ｄ，３Ｈ），６．２９（ｄ，３Ｈ），２．７０(ｔ，６Ｈ)，２．０９（ｓ，１８Ｈ），１．８５（ｓ，９Ｈ），１．７６−１．６７（ｍ，６Ｈ），１．６０（ｓ，９Ｈ），１．４４−１．３５（ｍ，１８Ｈ），１．００−０．９５（ｍ，９Ｈ）．【０３８８】
＜実施例２＞  金属錯体ＭＣ２の合成【０３８９】
【化１０９】
0006603661.tif 000120
【０３９０】
反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、化合物ＭＣ１−ｆ（２．００ｇ）、化合物ＭＣ２−ａ（０．６２ｇ）、ビス［トリ（２−メトキシフェニル）ホスフィン］パラジウム（ＩＩ）ジクロリド（４１．０ｍｇ）、トルエン（２０．０ｇ）および２０重量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（８．１７ｇ）を加え、加熱還流下で４時間撹拌した。その後、そこへ、トルエンを加え、有機層を抽出した。得られた有機層をイオン交換水で洗浄し、有機層を得た。得られた有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥させた後、ろ過し、得られたろ液を減圧濃縮することにより固体を得た。得られた固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(ヘキサンおよびクロロホルムの混合溶媒)で精製した後、ヘプタンを用いて再結晶した。その後、５０℃で減圧乾燥させることにより、化合物ＭＣ２−ｂ（１．２９ｇ、収率６６％）を白色固体として得た。化合物ＭＣ２−ｂのＨＰＬＣ面積百分率値は９９．５％以上であった。この作業を繰り返し行うことで、化合物ＭＣ２−ｂの必要量を得た。【０３９１】
１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ、ＣＤ２Ｃｌ２−ｄ２）δ（ｐｐｍ）＝７．９３（ｓ，２Ｈ），７．７５−７．６８（ｍ，４Ｈ），７．５８−７．５２（ｍ，４Ｈ），７．５０−７．３８（ｍ，４Ｈ），７．１６（ｓ，１Ｈ），２．４７（ｓ，６Ｈ），２．１４（ｓ，６Ｈ）．【０３９２】
反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、塩化イリジウムｎ水和物（０．２７ｇ）、化合物ＭＣ２−ｂ（０．６８ｇ）、イオン交換水（５．３５ｇ）、２−エトキシエタノール（１６．０ｇ）および１，４−ジオキサン（８．００ｇ）を加え、加熱還流下で２８時間攪拌した。その後、そこへ、酢酸エチルを加え、イオン交換水で洗浄し、有機層を得た。得られた有機層を減圧濃縮することにより固体（０．８１ｇ）を得た。
別途用意した反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、上記で得られた固体（０．８１ｇ）、トリフルオロメタンスルホン酸銀（０．２９ｇ）、化合物ＭＣ２−ｂ（０．６４５）、ジグライム（０．８１ｇ）および２，６−ルチジン（０．２０ｇ）を加え、１５０℃で２２時間加熱攪拌した。その後、そこへ、トルエンを加え、シリカゲルおよびセライトを敷いたろ過器でろ過し、得られたろ液をイオン交換水で洗浄し、有機層を得た。得られた有機層を減圧濃縮することにより固体を得た。得られた固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサンおよびトルエンの混合溶媒）で精製した後、トルエンおよびヘプタンの混合溶媒を用いて再結晶した。その後、５０℃で減圧乾燥することにより、金属錯体ＭＣ２（０．１７ｇ、収率１６％）を黄色固体として得た。金属錯体ＭＣ２のＨＰＬＣ面積百分率値は９９．５％以上であった。【０３９３】
ＬＣ−ＭＳ（ＡＰＣＩ，ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝１４７８．６［Ｍ＋Ｈ］＋【０３９４】
１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ、ＣＤ２Ｃｌ２−ｄ２）δ（ｐｐｍ）＝８．０２（ｓ，６Ｈ），７．７５（ｄ，６Ｈ），６．６６−６．４４（ｍ，１５Ｈ），６．９７（ｓ，３Ｈ），６．６８−６．４４（ｍ，１２Ｈ），２．１４（ｓ，１８Ｈ），１．９８（ｓ，９Ｈ），１．７４（ｓ，９Ｈ）．【０３９５】
＜実施例３＞  金属錯体ＭＣ３の合成【０３９６】
【化１１０】
0006603661.tif 000121
【０３９７】
反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、金属錯体ＭＣ１（０．５０ｇ）、ジクロロメタン（２５ｍＬ）およびＮ−ブロモスクシンイミド（２０３ｍｇ）を加え、室温で２７．５時間攪拌した。その後、そこへ、１０重量％の亜硫酸ナトリウム水溶液（４．２０ｇ）を加え、次いで、イオン交換水（８．４０ｍL）を加え、室温で３０分間攪拌した。得られた反応溶液から有機層を抽出し、得られた有機層を、シリカゲルを敷いたろ過器でろ過した。得られたろ液にメタノールを加えることで沈殿を析出させた。得られた沈殿をろ過した後、５０℃で真空乾燥することにより、金属錯体ＭＣ１ＴＢＲ（０．５５ｇ、収率９５％）を黄色固体として得た。金属錯体ＭＣ１ＴＢＲのＨＰＬＣ面積百分率値は９９．５％以上であった。【０３９８】
ＬＣ−ＭＳ（ＡＰＣＩ，ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝１７３６．５［Ｍ＋Ｈ］＋【０３９９】
１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ、ＣＤ２Ｃｌ２−ｄ２）δ（ｐｐｍ）＝７．９４（ｓ，６Ｈ），７．７１（ｄ，６Ｈ），６．９４（ｓ，３Ｈ），６．７３−６．７０（ｍ，３Ｈ），６．２９（ｄ，３Ｈ），６．２５（ｄ，３Ｈ），２．７２（ｔ，６Ｈ），２．１０（ｓ，１８Ｈ），１．８４（ｓ，９Ｈ），１．７７−１．６７（ｍ，６Ｈ），１．５７（ｓ，９Ｈ），１．４５−１．３４（ｍ，１８Ｈ），０．９９−０．９４（ｍ，９Ｈ）．【０４００】
反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、金属錯体ＭＣ１ＴＢＲ（０．５０ｇ）、化合物ＭＣ３−ａ（０．４４ｇ）、トルエン（３０ｍＬ）、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）（７．９ｍｇ）および２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２’，６’−ジメトキシビフェニル（８．５ｍｇ）を加え、８０℃に昇温した。その後、そこへ、２０重量％のテトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（４．２ｍＬ）を加え、加熱還流下で６時間攪拌した。その後、そこへ、トルエンを加え、有機層を抽出した。得られた有機層をイオン交換水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた後、シリカゲルおよびセライトを敷いたろ過器でろ過し、得られたろ液を減圧濃縮することで固体を得た。得られた固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサンおよびトルエンの混合溶媒）で精製することにより、金属錯体ＭＣ３（０．５４ｇ、収率７４％）を黄色固体として得た。金属錯体ＭＣ３のＨＰＬＣ面積百分率値は９９．５％以上であった。【０４０１】
ＬＣ−ＭＳ（ＡＰＣＩ，ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝２５２３．５［Ｍ＋Ｈ］＋【０４０２】
１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ、ＣＤ２Ｃｌ２−ｄ２）δ（ｐｐｍ）＝８．０５（ｓ（ｂｒ），６Ｈ），７．７０−７．５０（ｍ，２７Ｈ），７．３８（ｓ（ｂｒ），６Ｈ），７．１３−７．０１（ｍ，９Ｈ），６．９５（ｓ，３Ｈ），６．８２（ｓ（ｂｒ），３Ｈ），６．６５（ｓ（ｂｒ），３H），２．２５（ｔ，６Ｈ），２．１１（ｓ，１８Ｈ），２．０２（ｓ，９H）１．７１−１．６４（ｍ，９Ｈ），１．４８−１．２０（ｍ，７８Ｈ），０．９６−０．８６（ｍ，９Ｈ）．【０４０３】
＜実施例４＞  金属錯体ＭＣ４の合成【０４０４】
【化１１１】
0006603661.tif 000122
【０４０５】
反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、化合物ＭＣ４−ａ（１３．１ｇ）およびｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル（１１０ｍＬ）を加え、反応容器を氷浴に設置して冷却した。その後、そこへ、水酸化ナトリウム水溶液（１ｍｏｌ／Ｌ、１２５ｍＬ）を加え、反応容器を氷浴で冷却しながら３０分間撹拌した。得られた反応溶液の有機層を抽出し、有機層であるｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル溶液を得た。
別途用意した反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、化合物ＭＣ１−ｄ（１１．０ｇ）およびクロロホルム（２２０ｍＬ）を加え、反応容器を氷浴に設置して冷却した。その後、そこへ、上記で得られたｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル溶液を加えた。その後、反応容器を氷浴で冷却しながら７時間攪拌し、次いで、室温で１１０時間攪拌した。得られた反応溶液にイオン交換水（３３０ｍＬ）を加え、有機層を抽出し、得られた有機層を減圧濃縮した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（クロロホルムおよびヘキサンの混合溶媒）で精製した後、クロロホルムおよびヘプタンの混合溶媒を用いて再結晶した。その後、５０℃で減圧乾燥することにより、化合物ＭＣ４−ｂ（１０．２ｇ、収率５５％）を白色固体として得た。化合物ＭＣ４−ｂのＨＰＬＣ面積百分率値は９９．５％以上であった。【０４０６】
ＬＣ−ＭＳ（ＥＳＩ，ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝４８８．２［Ｍ＋Ｈ］＋【０４０７】
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤ２Ｃｌ２，３００ＭＨｚ）：δ（ｐｐｍ）＝７．９２（ｓ，２Ｈ），７．６６−７．６２（ｍ，２Ｈ），７．５２(ｓ，２Ｈ)，７．５２−７．３６（ｍ，３Ｈ），７．１６（ｓ，１Ｈ），２．５７−２．４６（ｍ，８Ｈ），１．２０（ｄ，６Ｈ），０．９７（ｄ，６Ｈ）．【０４０８】
反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、化合物ＭＣ４−ｂ（１０．２ｇ）、化合物ＭＣ２−ａ（２．８ｇ）、ビス［トリ（２−メトキシフェニル）ホスフィン］パラジウム（ＩＩ）ジクロリド（９２．１ｍｇ）、トルエン（１０２ｍＬ）および２０重量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（３６．９ｇ）を加え、加熱還流下で４時間撹拌した。その後、そこへ、トルエンを加え、有機層を抽出した。得られた有機層をイオン交換水で洗浄し、有機層を得た。得られた有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥させた後、シリカゲル（１０ｇ）を加えてろ過し、得られたろ液を減圧濃縮することにより固体を得た。得られた固体をヘプタンおよびクロロホルムの混合溶媒を用いて再結晶した。その後、５０℃で減圧乾燥させることにより、化合物ＭＣ４−ｃ（８．５５ｇ、収率８４％）を白色固体として得た。化合物ＭＣ４−ｃのＨＰＬＣ面積百分率値は９９．５％以上であった。【０４０９】
ＬＣ−ＭＳ（ＥＳＩ，ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝４８６．３［Ｍ＋Ｈ］＋【０４１０】
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤ２Ｃｌ２，３００ＭＨｚ）：δ（ｐｐｍ）＝７．９６（ｓ，２Ｈ），７．７５（ｔ，４Ｈ），７．６０−７．５５(ｍ，４Ｈ)，７．５１−７．４１（ｍ，４Ｈ），７．１７（ｓ，１Ｈ），２．６３−２．５８（ｍ，２Ｈ），２．４７（ｄ，６Ｈ），１．２７（ｄ，６Ｈ），１．０５（ｄ，６Ｈ）．【０４１１】
反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、塩化イリジウムｎ水和物（１．９６ｇ）、化合物ＭＣ４−ｃ（５．６１ｇ）、イオン交換水（２０ｍＬ）およびジグライム（８０ｍＬ）を加え、１５０℃で１８時間加熱攪拌した。その後、そこへ、トルエンを加え、イオン交換水で洗浄し、有機層を得た。得られた有機層を減圧濃縮することにより固体を得た。得られた固体をシリカゲルクロマトグラフィー（トルエンおよびメタノールの混合溶媒）で精製した。その後、５０℃で減圧乾燥することにより、固体（５．１６ｇ）を得た。
別途用意した反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、上記で得られた固体（４．５ｇ）、トリフルオロメタンスルホン酸銀（１．９３ｇ）、化合物ＭＣ４−ｃ（２．７８ｇ）、ジグライム（４．５ｍＬ）、デカン（４．５ｍＬ）および２，６−ルチジン（１．１ｍＬ）を加え、１６０℃で３１時間加熱攪拌した。その後、そこへ、ジクロロメタンを加え、セライトを敷いたろ過器でろ過し、得られたろ液をイオン交換水で洗浄し、有機層を得た。得られた有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥させた後、シリカゲル（１８．６ｇ）を加えてろ過し、得られたろ液を減圧濃縮することにより固体を得た。得られた固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（シクロヘキサンおよびジクロロメタンの混合溶媒）で精製した後、トルエンおよびアセトニトリルの混合溶媒を用いて再結晶した。その後、５０℃で減圧乾燥することにより、金属錯体ＭＣ４（１．９ｇ、収率２４％）を黄色固体として得た。金属錯体ＭＣ４のＨＰＬＣ面積百分率値は９８．９％であった。【０４１２】
ＬＣ−ＭＳ（ＡＰＣＩ，ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝１６４６．８［Ｍ＋Ｈ］＋【０４１３】
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤ２Ｃｌ２，３００ＭＨｚ）：δ（ｐｐｍ）＝９．１２−７．１０（ｍ，２７Ｈ），７．００（ｓ，３Ｈ），６．７２(ｔ，３Ｈ)，６．６２−６．３３（ｍ，９Ｈ），２．７４−１．６７（ｍ，２４Ｈ），１．２５（ｄ，９Ｈ），１．１５−１．００（ｍ，１８Ｈ），０．８４（ｄ，９Ｈ）．【０４１４】
＜実施例５＞  金属錯体ＭＣ５の合成【０４１５】
【化１１２】
0006603661.tif 000123
【０４１６】
反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、金属錯体ＭＣ４（０．７０ｇ）、ジクロロメタン（３５ｍＬ）およびＮ−ブロモスクシンイミド（８２５ｍｇ）を加え、室温で４０時間攪拌した。その後、そこへ、１０重量％の亜硫酸ナトリウム水溶液（７．７ｇ）を加え、次いで、イオン交換水（１５ｍL）を加え、室温で３０分間攪拌した。得られた反応溶液から有機層を抽出し、得られた有機層を、シリカゲルを敷いたろ過器でろ過した。得られたろ液にエタノールを加えることで沈殿を析出させた。得られた沈殿をろ過した後、５０℃で真空乾燥することにより、金属錯体ＭＣ４ＴＢＲ（０．７３ｇ、収率９１％）を黄色固体として得た。金属錯体ＭＣ４ＴＢＲのＨＰＬＣ面積百分率値は９６％であった。この作業を繰り返し行うことで、化合物ＭＣ４ＴＢＲの必要量を得た。【０４１７】
ＬＣ−ＭＳ（ＡＰＣＩ，ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝１８８０．５［Ｍ＋Ｈ］＋【０４１８】
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤ２Ｃｌ２，３００ＭＨｚ）：δ（ｐｐｍ）＝８．２５−７．８３（ｍ，６Ｈ），７．７６（ｄ，６Ｈ），７．７６−７．４６（ｍ，１５Ｈ)，７．０４（ｓ，３Ｈ），６．８３（ｄ，３Ｈ），６．５０（ｓ，３Ｈ），６．３１（ｄ，３Ｈ），２．３３−１．８５（ｍ，２４Ｈ），１．２５（ｄ，９Ｈ），１．１２−１．０７（ｍ，１８Ｈ），０．８４（ｄ，９Ｈ）．【０４１９】
反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、金属錯体ＭＣ４ＴＢＲ（０．６０ｇ）、化合物ＭＣ５−ａ（０．５２ｇ）、トルエン（１８ｍＬ）およびビス（ジ−ｔｅｒｔ−ブチル（４−ジメチルアミノフェニル）ホスフィン）ジクロロパラジウム（ＩＩ）（６．８ｍｇ）を加え、９０℃に昇温した。その後、そこへ、２０重量％のテトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（９．１ｍＬ）を加え、加熱還流下で１９時間攪拌した。その後、そこへ、トルエンを加え、有機層を抽出した。得られた有機層をイオン交換水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた後、シリカゲルを敷いたろ過器でろ過し、得られたろ液を減圧濃縮することで固体を得た。得られた固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（シクロヘキサンおよびジクロロメタンの混合溶媒）で精製した後、トルエンおよびアセトニトリルの混合溶媒を用いて再結晶した。その後、５０℃で減圧乾燥することにより、金属錯体ＭＣ５（０．３０ｇ、収率４７％）を黄色固体として得た。金属錯体ＭＣ５のＨＰＬＣ面積百分率値は９７．５％であった。【０４２０】
ＬＣ−ＭＳ（ＡＰＣＩ，ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝２００１．１［Ｍ＋Ｈ］＋【０４２１】
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤ２Ｃｌ２，３００ＭＨｚ）：δ（ｐｐｍ）＝７．７０−７．４０（ｍ，２７Ｈ），７．０４（ｓ，３Ｈ），６．７８（ｓ，９Ｈ），６．５６−６．５２（ｍ，３Ｈ)，６．２１（ｓ，３Ｈ），２．４３−１．８８（ｍ，４２Ｈ），１．７５（ｓ，９Ｈ），１．２３（ｄ，９Ｈ），１．０７−１．０１（ｍ，１８Ｈ），０．８５（ｄ，９Ｈ）．【０４２２】
＜実施例６＞  金属錯体ＭＣ６の合成【０４２３】
【化１１３】
0006603661.tif 000124
【０４２４】
反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、金属錯体ＭＣ４ＴＢＲ（０．３１ｇ）、化合物ＭＣ３−ａ（０．３１ｇ）、トルエン（９．３ｍＬ）およびビス（ジ−ｔｅｒｔ−ブチル（４−ジメチルアミノフェニル）ホスフィン）ジクロロパラジウム（ＩＩ）（３．５ｍｇ）を加え、９０℃に昇温した。その後、そこへ、２０重量％のテトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（２．７ｍＬ）を加え、加熱還流下で５時間攪拌した。その後、そこへ、トルエンを加え、有機層を抽出した。得られた有機層をイオン交換水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた後、シリカゲルを敷いたろ過器でろ過し、得られたろ液を減圧濃縮することで固体を得た。得られた固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（シクロヘキサンおよびジクロロメタンの混合溶媒）で精製した後、ジクロロメタンおよびヘキサンの混合溶媒を用いて再結晶した。その後、５０℃で減圧乾燥することにより、金属錯体ＭＣ６（０．２６ｇ、収率６０％）を黄色固体として得た。金属錯体ＭＣ６のＨＰＬＣ面積百分率値は９９．５％以上であった。【０４２５】
ＬＣ−ＭＳ（ＡＰＣＩ，ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝２６６７．５［Ｍ＋Ｈ］＋【０４２６】
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤ２Ｃｌ２，３００ＭＨｚ）：δ（ｐｐｍ）＝８．４０−７．３２（ｍ，６０Ｈ），７．１５（ｄ，３Ｈ），７．０５−７．０３（ｍ，６Ｈ），６．７６（ｓ，３Ｈ），２．５４−２．５０（ｍ，３Ｈ），２．１８−２．１３（ｍ，１８Ｈ），１．３８（ｓ，５４Ｈ），１．３１−１．１３（ｍ，３０Ｈ），０．９０（ｄ，９Ｈ）.【０４２７】
＜実施例７＞  金属錯体ＭＣ７の合成【０４２８】
【化１１４】
0006603661.tif 000125
【０４２９】
反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、化合物ＭＣ７−ａ（１００ｇ）、炭酸カリウム（１１０ｇ）およびＮ，Ｎ’−ジメチルホルムアミド（５００ｍＬ）を加え、９０℃に昇温した。その後、そこへ、化合物ＭＣ７−ｂ（１０９ｇ）を含むＮ，Ｎ’−ジメチルホルムアミド（１００ｍＬ）溶液を加え、１００℃で１時間攪拌した。その後、室温まで冷却し、イオン交換水およびクロロホルムを加え、有機層を抽出した。得られた有機層をイオン交換水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた後、シリカゲルを敷いたろ過器でろ過し、得られたろ液を減圧濃縮することで油状物を得た。得られた油状物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘプタンおよび酢酸エチルの混合溶媒）で精製した後、４５℃で減圧乾燥することにより、化合物ＭＣ７−ｃ（１１７ｇ、収率９４％）を無色油状物として得た。化合物ＭＣ７−ｃのＨＰＬＣ面積百分率値は９９．５％以上であった。この作業を繰り返し行うことで、化合物ＭＣ７−ｃの必要量を得た。【０４３０】
ＴＬＣ／ＭＳ（ＤＡＲＴ，ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝２８１．９［Ｍ＋Ｈ］＋【０４３１】
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤ２Ｃｌ２，３００ＭＨｚ）：δ（ｐｐｍ）＝３．９４（ｄ，２Ｈ），２．３２−２．２３（ｍ，１Ｈ），０．９５（ｄ，６Ｈ）.【０４３２】
反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、化合物ＭＣ７−ｃ（１２７ｇ）、化合物ＭＣ７−ｄ（８８．９ｇ）、エタノール（３８０ｍＬ）、トルエン（１１４０ｍＬ）およびテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（１５．６ｇ）を加え、５５℃に昇温した。その後、そこへ、炭酸ナトリウム水溶液（２ｍｏｌ／Ｌ，４５０ｍＬ）を加え、７０℃で２９時間攪拌した。その後、そこへ、トルエンを加え、有機層を抽出した。得られた有機層をイオン交換水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた後、得られ溶液を減圧濃縮することで油状物を得た。得られた油状物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（トルエンおよび酢酸エチルの混合溶媒）で複数回精製した後、４５℃で減圧乾燥することにより、化合物ＭＣ７−ｅ（６３．２ｇ、収率３９％）を無色油状物として得た。化合物ＭＣ７−ｅのＨＰＬＣ面積百分率値は９９．５％以上であった。【０４３３】
ＴＬＣ／ＭＳ（ＤＡＲＴ，ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝３５６．１［Ｍ＋Ｈ］＋【０４３４】
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤ２Ｃｌ２，３００ＭＨｚ）：δ（ｐｐｍ）＝７．８３−７．８２（ｍ，１Ｈ），７．７６−７．７４（ｍ，１Ｈ），７．６３−７．５３（ｍ，４Ｈ），７．５６−７．４６（ｍ，２Ｈ），７．４２−７．３９（ｍ，１Ｈ），４．０３（ｄ，２Ｈ），２．３８−２．２８（ｍ，１Ｈ），０．８８（ｄ，６Ｈ）.【０４３５】
反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、化合物ＭＣ７−ｅ（２５．０ｇ）、化合物ＭＣ７−ｆ（１１．６ｇ）、エタノール（７５ｍＬ）、トルエン（２２５ｍＬ）およびテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（２．４３ｇ）を加え、８０℃に昇温した。その後、そこへ、炭酸ナトリウム水溶液（２ｍｏｌ／Ｌ，７０ｍＬ）を加え、８０℃で１６時間攪拌した。その後、そこへ、トルエンを加え、有機層を抽出した。得られた有機層をイオン交換水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた後、得られ溶液を減圧濃縮することで油状物を得た。得られた油状物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘプタンおよび酢酸エチルの混合溶媒）で精製した後、４５℃で減圧乾燥することにより、化合物ＭＣ７−ｇ（２６．５ｇ、収率９９％）を無色油状物として得た。化合物ＭＣ７−ｇのＨＰＬＣ面積百分率値は９９．５％以上であった。【０４３６】
ＴＬＣ／ＭＳ（ＤＡＲＴ，ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝３８２．２［Ｍ＋Ｈ］＋【０４３７】
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤ２Ｃｌ２，３００ＭＨｚ）：δ（ｐｐｍ）＝７．８８−７．８７（ｍ，１Ｈ），７．８２−７．８０（ｍ，２Ｈ），７．７５−７．７２（ｍ，１Ｈ），７．６７−７．５６（ｍ，４Ｈ），７．４９−７．４５（ｍ，２Ｈ），７．４１−７．３７（ｍ，１Ｈ），７．０５−７．０４（ｍ，１Ｈ），４．０６（ｄ，２Ｈ），２．４２−２．３８（ｍ，７Ｈ），０．８８（ｄ，６Ｈ）.【０４３８】
反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、塩化イリジウムｎ水和物（１．４３ｇ）、化合物ＭＣ７−ｇ（３．２０ｇ）、イオン交換水（１１ｍＬ）およびジグライム（３５ｍＬ）を加え、１４０℃で１８時間加熱攪拌した。その後、そこへ、トルエンを加え、イオン交換水で洗浄し、有機層を得た。得られた有機層を減圧濃縮することにより固体を得た。得られた固体をｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテルおよびヘプタンの混合溶媒を用いて再結晶することで、固体（２．５ｇ）を得た。
別途用意した反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、上記で得られた固体（１．０ｇ）、トリフルオロメタンスルホン酸銀（０．５８ｇ）、化合物ＭＣ７−ｇ（１．１６ｇ）および２，６−ルチジン（０．９ｍＬ）を加え、１６０℃で１２時間加熱攪拌した。その後、そこへ、ジクロロメタンを加え、セライトを敷いたろ過器でろ過し、得られたろ液をアセトニトリルに加えたところ、沈殿が生じた。得られた沈殿をろ過することで固体を得た。得られた固体をジクロロメタンに溶解させシリカゲルを加えてろ過した。得られたろ液を減圧濃縮し、カラムクロマトグラフィー（トルエン）で精製した後、トルエンおよびメタノールの混合溶媒を用いて再結晶した。その後、５０℃で減圧乾燥することにより、金属錯体ＭＣ７（２７０ｍｇ、収率２０％）を黄色固体として得た。金属錯体ＭＣ７のＨＰＬＣ面積百分率値は８８％であった。【０４３９】
ＬＣ−ＭＳ（ＡＰＣＩ，ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝１３３４．６［Ｍ＋Ｈ］＋【０４４０】
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤ２Ｃｌ２，３００ＭＨｚ）：δ（ｐｐｍ）＝７．７５（ｄ，３Ｈ），７．６７−７．６４（ｍ，６Ｈ），７．４９（ｔ，６Ｈ），７．３９−７．３４（ｍ，３Ｈ），７．１２−７．０８（ｍ，３Ｈ），６．９６（ｓ，３Ｈ），６．８６−６．８３（ｍ，３Ｈ），６．５０（ｓ，６Ｈ），４．５３−４．４６（ｍ，３Ｈ），４．１４−４．００（ｍ，３Ｈ），２．４５−２．３２（ｍ，３Ｈ），２．２３−２．１８（ｍ，１８Ｈ），１．０８（ｄ，９Ｈ），０．９１（ｄ，９Ｈ）.
＜実施例８＞  金属錯体ＭＣ８の合成【０４４１】
【化１１５】
0006603661.tif 000126
【０４４２】
反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、化合物ＭＣ７−ｅ（２５．０ｇ）、化合物ＭＣ８−ａ（１８．０ｇ）、エタノール（７５ｍＬ）、トルエン（２２５ｍＬ）およびテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（２．４３ｇ）を加え、８０℃に昇温した。その後、そこへ、炭酸ナトリウム水溶液（２ｍｏｌ／Ｌ，７０ｍＬ）を加え、８０℃で４８時間攪拌した。その後、室温まで冷却し、トルエンを加え、有機層を抽出した。得られた有機層をイオン交換水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた後、得られ溶液を減圧濃縮することで油状物を得た。得られた油状物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（トルエンおよび酢酸エチルの混合溶媒）で複数回精製した後、４５℃で減圧乾燥することにより、化合物ＭＣ８−ｂ（２４．２ｇ、収率９０％）を黄色油状物として得た。化合物ＭＣ８−ｂのＨＰＬＣ面積百分率値は９９．５％以上であった。【０４４３】
ＴＬＣ／ＭＳ（ＤＡＲＴ，ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝３８３．２［Ｍ＋Ｈ］＋【０４４４】
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤ２Ｃｌ２，３００ＭＨｚ）：δ（ｐｐｍ）＝１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，３００ＭＨｚ）：δ（ｐｐｍ）＝７．８７（ｓ，１Ｈ），７．７８−７．７２（ｍ，３Ｈ），７．６６−７．５９（ｍ，４Ｈ），７．５０−７．４６（ｍ，２Ｈ），７．４２−７．３８（ｍ，１Ｈ），４．０９（ｄ，２Ｈ），２．６０（ｍ，６Ｈ），２．４２−２．３３（ｍ，１Ｈ），０．８９（ｄ，６Ｈ）.【０４４５】
反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、塩化イリジウムｎ水和物（１．４３ｇ）、化合物ＭＣ８−ｂ（３．２１ｇ）、イオン交換水（１１ｍＬ）およびジグライム（３５ｍＬ）を加え、加熱還流下で１８時間加熱攪拌した。その後、そこへ、ジクロロメタンを加え、飽和食塩水で洗浄し、有機層を得た。得られた有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥し、得られたろ液を減圧濃縮することにより油状物を得た。得られた油状物にヘキサンを加えることで沈殿を析出させた。得られた沈殿をろ過し、シクロペンチルメチルエーテルで洗浄した後、５０℃で減圧乾燥することにより固体（３．０ｇ）を得た。
別途用意した反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、上記で得られた固体（１．５ｇ）、トリフルオロメタンスルホン酸銀（０．５８ｇ）、化合物ＭＣ８−ｂ（０．８７ｇ）および２，６−ルチジン（０．９ｍＬ）を加え、１６０℃で１２時間加熱攪拌した。その後、そこへ、１ｖｏｌ％のメタノールを含むジクロロメタンを加え、次いで、シリカゲルを加え、セライトを敷いたろ過器でろ過し、得られたろ液を減圧濃縮することで固体を得た。得られた固体をカラムクロマトグラフィー（トルエンおよびメタノールの混合溶媒）で精製した後、トルエンおよびアセトニトリルの混合溶媒を用いて再結晶した。その後、５０℃で減圧乾燥することにより、金属錯体ＭＣ８（１３０ｍｇ、収率１３％）を黄色固体として得た。金属錯体ＭＣ８のＨＰＬＣ面積百分率値は９８．６％であった。【０４４６】
ＬＣ−ＭＳ（ＡＰＣＩ，ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝１３３７．６［Ｍ＋Ｈ］＋【０４４７】
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤ２Ｃｌ２，３００ＭＨｚ）：δ（ｐｐｍ）＝７．７７（ｄ，３Ｈ），７．６６−７．６３（ｍ，６Ｈ），７．５０（ｔ，６Ｈ），７．４０−７．３５（ｍ，３Ｈ），７．１４−７．１０（ｍ，３Ｈ），６．８０（ｄ，３Ｈ），６．７２−６．４８（ｍ，６Ｈ），４．５７−４．５０（ｍ，３Ｈ），４．２１−４．１３（ｍ，３Ｈ），２．４５−２．３１（ｍ，２１Ｈ），１．０９（ｄ，９Ｈ），０．９２（ｄ，９Ｈ）.【０４４８】
＜実施例９＞  金属錯体ＭＣ９の合成【０４４９】
【化１１６】
0006603661.tif 000127
【０４５０】
反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、化合物ＭＣ４−ｂ（１７．０ｇ）、シクロペンチルメチルエーテル（１５０ｍＬ）および［１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］パラジウム（ＩＩ）ジクロリド（１７２ｍｇ）を加え、５０℃に昇温した。その後、そこへ、ヘキシルマグネシウムブロミドのジエチルエーテル溶液（２ｍｏｌ／Ｌ、３５ｍＬ）を加えた後、５０℃で５時間攪拌した。その後、そこへ、塩酸水溶液（１ｍｏｌ／Ｌ、３５ｍＬ）を加え、有機層を抽出した。得られた有機層をイオン交換水（８５ｍＬ）で２回洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた後、ろ過し、得られたろ液を減圧濃縮することにより油状物を得た。得れらた油状物に、トルエンおよびシリカゲルを加え、室温で３０分間攪拌した。その後、セライトを敷いたろ過器でろ過し、得られたろ液を減圧濃縮することにより固体を得た。得られた固体をアセトニトリルを用いて再結晶した。その後、５０℃で減圧乾燥させることにより、化合物ＭＣ９−ａ（１３．７ｇ、収率８０％）を白色固体として得た。化合物ＭＣ９−ａのＨＰＬＣ面積百分率値は９９．５％以上であった。【０４５１】
ＴＬＣ／ＭＳ（ＤＡＲＴ，ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝４９４［Ｍ＋Ｈ］＋【０４５２】
１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ、ＣＤ２Ｃｌ２−ｄ２）δ（ｐｐｍ）＝７．９２（ｓ，２Ｈ），７．６７−７．６３（ｍ，２Ｈ），７．４６−７．３３（ｍ，３Ｈ），７．１８（ｓ，２Ｈ），７．１４（ｓ，１Ｈ），２．７６（ｔ，２Ｈ），２．５７−２．４６（ｍ，８Ｈ），１．７７−１．７０ (ｍ，２Ｈ)，１．４８−１．４２（ｍ，６Ｈ），１．２１−１．１９（ｍ，６Ｈ），０．９８−０．９６（ｍ，９Ｈ）．【０４５３】
反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、塩化イリジウムｎ水和物（２．９６ｇ）、化合物ＭＣ９−ａ（８．６５ｇ）、イオン交換水（３０ｍＬ）およびジグライム（７４ｍＬ）を加え、加熱還流下で１８時間攪拌した。その後、室温まで冷却し、トルエンを加え、イオン交換水で洗浄した。得られた洗浄液の有機層を抽出し、得られた有機層を減圧濃縮することにより固体を得た。得られた固体を、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（トルエンおよびエタノールの混合溶媒）で精製することにより固体（７．５１ｇ）を得た。
別途用意した反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、上記で得られた固体（７．４０ｇ）、トリフルオロメタンスルホン酸銀（３．１９ｇ）、化合物ＭＣ９−ａ（４．５９ｇ）、２，６−ルチジン（１．６６ｇ）およびデカン（１５ｍＬ）を加え、１５０℃で２０時間加熱攪拌した。その後、室温まで冷却し、トルエンを加え、シリカゲルおよびセライトを敷いたろ過器でろ過し、得られたろ液をイオン交換水で洗浄し、有機層を得た。得られた有機層を減圧濃縮することにより固体を得た。得られた固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ジクロロメタンよびシクロヘキサンの混合溶媒）で精製した後、トルエンおよびメタノールの混合溶媒を用いて再結晶した。その後、５０℃で減圧乾燥することにより、金属錯体ＭＣ９（１．４７ｇ、収率１４％）を黄色固体として得た。金属錯体ＭＣ９のＨＰＬＣ面積百分率値は９９．４％であった。【０４５４】
ＬＣ−ＭＳ（ＡＰＣＩ，ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝１６７１．０［Ｍ＋Ｈ］＋【０４５５】
１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ、ＣＤ２Ｃｌ２−ｄ２）δ（ｐｐｍ）＝８．０３（ｂｒ，６Ｈ），７．１７（ｓ，６Ｈ），６．９６（ｓ，３Ｈ），６．６６（ｔ，３Ｈ），６．５１−６．４１（ｍ，６Ｈ），６．３２（ｄ，３Ｈ），２．７６(ｔ，６Ｈ)，２．２３−１．９２（ｍ，２１Ｈ），１．７６−１．６９（ｍ，６Ｈ），１．５８（ｓ，３Ｈ），１．５３−１．４２（ｍ，１８Ｈ），１．１６（ｄ，９Ｈ），１．０１−０．９６（ｍ，２７Ｈ），０．７３（ｄ，９Ｈ）．【０４５６】
＜実施例１０＞  金属錯体ＭＣ１０の合成【０４５７】
【化１１７】
0006603661.tif 000128
【０４５８】
反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、金属錯体ＭＣ９（１．３６ｇ）、ジクロロメタン（６８ｍＬ）およびＮ−ブロモスクシンイミド（１．２３ｇ）を加え、室温で３２時間攪拌した。その後、そこへ、１０重量％の亜硫酸ナトリウム水溶液（８．７１ｇ）を加え、次いで、イオン交換水（７０ｍL）を加え、室温で３０分間攪拌した。得られた反応溶液から有機層を抽出し、得られた有機層を、シリカゲルを敷いたろ過器でろ過した。得られたろ液を減圧濃縮することにより固体を得た。得られた固体をトルエンに溶解させた後、メタノールを加えることで沈殿を析出させた。得られた沈殿をろ過した後、５０℃で真空乾燥することにより、金属錯体ＭＣ９ＴＢＲ（１．４７ｇ、収率９５％）を黄色固体として得た。金属錯体ＭＣ９ＴＢＲのＨＰＬＣ面積百分率値は９９．５％以上であった。【０４５９】
ＬＣ−ＭＳ（ＡＰＣＩ，ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝１９０３．７［Ｍ＋Ｈ］＋【０４６０】
１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ、ＣＤ２Ｃｌ２−ｄ２）δ（ｐｐｍ）＝８．００（ｂｒ，６Ｈ），７．２０（ｓ，６Ｈ），６．９９（ｓ，３Ｈ），６．６７（ｄ，３Ｈ），６．３６（ｄ，３Ｈ），６．２５（ｄ，３Ｈ），２．７８(ｔ，６Ｈ)，２．０６−１．６９（ｍ，３０Ｈ），１．４６−１．４１（ｍ，１８Ｈ），１．１６（ｄ，９Ｈ），１．０３−０．９４（ｍ，２７Ｈ），０．７４（ｄ，９Ｈ）．【０４６１】
反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、金属錯体ＭＣ９ＴＢＲ（１．３０ｇ）、化合物ＭＣ１０−ａ（０．４４ｇ）、トルエン（６５ｍＬ）および（ジ−ｔｅｒｔ−ブチル（４−ジメチルアミノフェニル）ホスフィン）ジクロロパラジウム（ＩＩ）（１６ｍｇ）を加え、８０℃に昇温した。その後、そこへ、２０重量％のテトラブチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（２３ｍＬ）を加え、加熱還流下で３６時間攪拌した。その後、室温まで冷却し、トルエンを加え、有機層を抽出した。得られた有機層をイオン交換水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた後、シリカゲルおよびセライトを敷いたろ過器でろ過し、得られたろ液を減圧濃縮することで固体を得た。得られた固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ジクロロメタンおよびシクロヘキサンの混合溶媒）で精製した後、酢酸エチルおよびアセトニトリルの混合溶媒を用いて再結晶した。その後、５０℃で減圧乾燥することにより、金属錯体ＭＣ１０（０．９３ｇ、収率７２％）を黄色固体として得た。金属錯体ＭＣ１０のＨＰＬＣ面積百分率値は９９．５％以上であった。【０４６２】
ＬＣ−ＭＳ（ＡＰＣＩ，ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝２０６７．３［Ｍ＋Ｈ］＋【０４６３】
１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ、ＣＤ２Ｃｌ２−ｄ２）δ（ｐｐｍ）＝８．０４（ｂｒ，６Ｈ），７．３０−７．２６（ｍ，１２Ｈ），７．０６−６．９８（ｍ，１２Ｈ），６．７０（ｓ，３Ｈ），６．５４（ｄ，３Ｈ），２．８２（ｔ，６Ｈ），２．３２−１．７８（ｍ，２７Ｈ）,１．５９−１．４２（ｍ，２１Ｈ），１．３４（ｓ，２７Ｈ），１．２０（ｄ，９Ｈ），１．１０（ｄ，９Ｈ），１．０４−０．９８（ｍ，１８Ｈ），０．７３（ｄ，９Ｈ）．【０４６４】
＜実施例１１＞  金属錯体ＭＣ１１の合成【０４６５】
【化１１８】
0006603661.tif 000129
【０４６６】
反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、化合物ＭＣ１１−ａ（１４０ｇ）および濃塩酸（１．２６Ｌ）を加え、反応容器を氷浴に設置して冷却した。その後、そこへ、亜硝酸ナトリウム（５０ｇ）を加え、反応容器を氷浴で冷却しながら３０分間撹拌した。その後、そこへ、塩化スズ（ＩＩ）（４００ｇ）を加えた後、室温で１８時間撹拌した。その後、得られた反応液を減圧濃縮し、得られた残渣をヘキサンおよびジエチルエーテルの混合溶媒により洗浄することにより、固体を得た。得られた固体にｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテルおよび１０％水酸化ナトリウム水溶液を加え、有機層を抽出した。得られた有機層をイオン交換水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムを加えて乾燥させた後、減圧濃縮することにより、化合物ＭＣ１１−ｂ（１２５ｇ、収率８３％）を白色固体として得た。【０４６７】
反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、化合物ＭＣ１−ｃ（８０ｇ）、３−ブロモ塩化ベンゾイル（１００ｇ）およびクロロホルムを加え、次いで、トリエチルアミン（９４ｍＬ）を加え、室温で１６時間攪拌した。得られた反応溶液を減圧濃縮し、得られた残渣に、ヘプタンを加え、白色固体を含む溶液を得た。得られた白色固体を含む溶液をろ過した後、得られたろ液を濃縮することにより、化合物ＭＣ１１−ｃ（９０ｇ、収率５５％）を得た。【０４６８】
反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、化合物ＭＣ１１−ｃ（９０ｇ）、化合物ＭＣ１１−ｂ（５６ｇ）、トリエチルアミン（１００ｍＬ）および四塩化炭素を加え、５０℃で３日間攪拌した。得られた反応混合物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（酢酸エチルおよびヘキサンの混合溶媒）で精製することにより、化合物ＭＣ１１−ｄ（４５ｇ、収率３２％）を白色固体として得た。化合物ＭＣ１１−ｄのＨＰＬＣ面積百分率値は９４．８％であった。この作業を繰り返し行うことで、化合物ＭＣ１１−ｄの必要量を得た。【０４６９】
反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、化合物ＭＣ１１−ｄ（６０ｇ）、化合物ＭＣ３−ａ（５５ｇ）、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）（９８０ｍｇ）、２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２’，６’−ジメトキシビフェニル（４４０ｍｇ）、トルエンおよび４０重量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（１５６ｇ）を加え、加熱還流下で１８時間撹拌した。その後、室温まで冷却し、有機層を抽出し、得られた有機層を減圧濃縮することで固体を得た。得られた固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(ヘキサンおよび酢酸エチルの混合溶媒)で精製した後、トルエンおよびアセトニトリルの混合溶媒を用いて再結晶した。その後、５０℃で減圧乾燥させることにより、化合物ＭＣ１１−ｅ（８５ｇ、収率９７％）を白色固体として得た。化合物ＭＣ１１−ｅのＨＰＬＣ面積百分率値は９９．５％以上であった。【０４７０】
ＬＣ−ＭＳ（ＥＳＩ，ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝８２６．５［Ｍ＋Ｈ］＋【０４７１】
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤ２Ｃｌ２，３００ＭＨｚ）：δ（ｐｐｍ）＝８．００（ｔ，１Ｈ），７．９６（ｓ，２Ｈ），７．８７−７．８２（ｍ，３Ｈ），７．６８−７．４６（ｍ，１８Ｈ），７．１７（ｓ，１Ｈ），２．７１−２．６２（ｍ，２Ｈ），２．４７（ｓ，６Ｈ），１．４２（ｓ，１８Ｈ），１．２９（ｄ，６Ｈ），１．０７（ｓ，６Ｈ）．【０４７２】
反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、塩化イリジウムｎ水和物（６．３８ｇ）、化合物ＭＣ１１−ｅ（３１．１ｇ）、イオン交換水（５１ｍＬ）およびジグライム（１５１ｍＬ）を加え、加熱還流下で３６時間攪拌した。その後、そこへ、トルエンを加え、イオン交換水で洗浄した。得られた洗浄液の有機層を抽出し、得られた有機層を減圧濃縮することにより固体を得た。得られた固体を、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（トルエンおよびエタノールの混合溶媒）で精製することにより固体（２８．５ｇ）を得た。
別途用意した反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、上記で得られた固体（０．６０ｇ）、アセチルアセトン（０．９６ｇ）、炭酸ナトリウム（０．３４ｇ）および２−エトキシエタノール（１８ｍＬ）を加え、１２０℃で２時間攪拌することで沈殿を析出させた。得られた沈殿をろ過し、２−エトキシエタノール（３０ｍＬ）、イオン交換水（３０ｍＬ）およびメタノール（３０ｍＬ）の順で洗浄することにより固体を得た。得られた固体をジクロロメタン（５ｍＬ）に溶解させた後、シリカゲル（３ｇ）を敷いたろ過器でろ過し、得られたろ液を減圧濃縮することにより固体を得た。得られた固体を、酢酸エチルを用いて再結晶した後、さらにトルエンおよびアセトニトリルの混合溶媒を用いて再結晶した。その後、５０℃で減圧乾燥させることにより、金属錯体ＭＣ１１（０．４０ｇ、収率６５％）を黄色固体として得た。金属錯体ＭＣ１１のＨＰＬＣ面積百分率値は９７．９％であった。【０４７３】
ＬＣ−ＭＳ（ＥＳＩ，ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝１９８０．０［Ｍ＋Ｋ］＋【０４７４】
１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ、ＣＤ２Ｃｌ２−ｄ２）δ（ｐｐｍ）＝７．７８（ｄ，４Ｈ），７．６９−７．６５（ｍ，１０Ｈ），７．５３−７．５０（ｍ，１８Ｈ），７．３６−７．３０（ｍ，１２Ｈ），７．０７−７．０４（ｍ，４Ｈ），４．７１（ｓ，１Ｈ），３．１５−３．０６（ｍ，２Ｈ），２．８６−２．７７（ｍ，２Ｈ），２．２５（ｓ，１２Ｈ），１．４６−１．２６（ｍ，６６Ｈ）．【０４７５】
＜実施例１２＞  金属錯体ＭＣ１２、ＭＣ１３およびＭＣ１４の合成【０４７６】
【化１１９】
0006603661.tif 000130
【０４７７】
反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、化合物ＭＣ１２−ａ（９０．０ｇ）およびジクロロメタン（９００ｍＬ）を加えた。その後、そこへ、トリエチルオキソニウムテトラフルオロボレートのジクロロメタン溶液（１ｍｏｌ／Ｌ、５２５ｍＬ）を加え、室温で３８時間攪拌した。その後、そこへ、炭酸水素ナトリウム水溶液（１ｍｏｌ／Ｌ、５２５ｍＬ）を加え、室温で３０分攪拌した。得られた反応溶液の有機層を抽出した後、得られた有機層をイオン交換水で洗浄し、有機層を得た。得られた有機層にヘプタン（２００ｍＬ）を加えた後、ジクロロメタンを減圧濃縮することにより、白色固体を含む溶液を得た。得られた白色固体を含む溶液をろ過した後、得られたろ液を濃縮することにより、化合物ＭＣ１２−ｂ（７４．２ｇ、収率６５％）を黄色油状物として得た。化合物ＭＣ１２−ｂのＨＰＬＣ面積百分率値は９８．６％であった。【０４７８】
ＴＬＣ／ＭＳ（ＤＡＲＴ，ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝２２８［Ｍ＋Ｈ］＋【０４７９】
反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、化合物ＭＣ１２−ｂ（３３．５ｇ）、塩化ベンゾイル（５２．４ｇ）およびクロロホルム（７３０ｍＬ）を加え、次いで、トリエチルアミン（５２．０ｍＬ）を加え、室温で６６時間攪拌した。得られた反応溶液を減圧濃縮し、得られた残渣に、シクロペンチルメチルエーテル（６００ｍＬ）を加え、ろ過し、ろ液を得た。得られたろ液を減圧濃縮し、得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（クロロホルム）で精製することにより、化合物ＭＣ１２−ｃ（８８．０ｇ、収率７８％）を黄色油状物として得た。化合物ＭＣ１２−ｃのＨＰＬＣ面積百分率値は９１．３％であった。【０４８０】
ＴＬＣ／ＭＳ（ＤＡＲＴ，ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝３３２［Ｍ＋Ｈ］＋【０４８１】
反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、化合物ＭＣ４−ａ（５６．８ｇ）およびｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル（５７０ｍＬ）を加え、氷浴を用いて反応容器を０℃〜１０℃の範囲なるように冷却した。その後、そこへ、水酸化ナトリウム水溶液（１ｍｏｌ／Ｌ、５５０ｍＬ）を加え、氷浴を用いて反応容器を０℃〜１０℃の範囲となるよう冷却しながら３０分間撹拌した。得られた反応溶液の有機層を抽出し、有機層であるｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテルを得た。
別途用意した反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、化合物ＭＣ１２−ｃ（６０．０ｇ）およびクロロホルム（１．２０Ｌ）を加え、反応容器を氷浴に設置して冷却した。その後、そこへ、上記で得られたｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル溶液を加えた。その後、反応容器を氷浴で冷却しながら６時間攪拌し、次いで、室温で１００時間攪拌し、次いで、加熱還流下で２００時間攪拌した後、室温まで冷却した。得られた反応溶液にイオン交換水（５００ｍＬ）を加え、有機層を抽出し、得られた有機層を減圧濃縮した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（トルエン）で精製した後、ヘプタンを用いて再結晶した。その後、５０℃で減圧乾燥することにより、化合物ＭＣ１２−ｄ（５８．５ｇ、収率６６％）を白色固体として得た。化合物ＭＣ１２−ｄのＨＰＬＣ面積百分率値は９９．５％以上であった。【０４８２】
ＬＣ−ＭＳ（ＥＳＩ，ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝５３８．１［Ｍ＋Ｈ］＋【０４８３】
１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ、ＣＤ２Ｃｌ２−ｄ２）：δ（ｐｐｍ）＝８．０６−８．０４（ｍ，１Ｈ），７．８２−７．７９（ｍ，１Ｈ），７．６８−７．６２(ｍ，２Ｈ)，７．５３−７．３６（ｍ，７Ｈ），２．６３−２．４９（ｍ，２Ｈ），１．２２（ｄ，６Ｈ），１．００（ｄ，６Ｈ）．【０４８４】
反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、化合物ＭＣ１２−ｄ（３０．０ｇ）、シクロペンチルメチルエーテル（１．２０Ｌ）および［１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］パラジウム（ＩＩ）ジクロリド（２３０ｍｇ）を加え、４０℃に昇温した。その後、そこへ、ヘキシルマグネシウムブロミドのジエチルエーテル溶液（２ｍｏｌ／Ｌ、３３．４ｍＬ）を加えた後、４０℃で３時間攪拌した。その後、そこへ、塩酸水溶液（１ｍｏｌ／Ｌ、８０ｍＬ）を加え、有機層を抽出した。得られた有機層をイオン交換水（３００ｍＬ）で３回洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた後、シリカゲル（３０ｇ）を加えてろ過し、得られたろ液を減圧濃縮することにより油状物を得た。得れらた油状物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサンおよび酢酸エチルの混合溶媒）で精製することにより、化合物ＭＣ１２−ｅ（２８．５ｇ、収率７９％）を無色油状物として得た。化合物ＭＣ１２−ｅのＨＰＬＣ面積百分率値は８４％であった。【０４８５】
ＬＣ−ＭＳ（ＥＳＩ，ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝５４４．２［Ｍ＋Ｈ］＋【０４８６】
反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、化合物ＭＣ１２−ｅ（２３．０ｇ）、化合物ＭＣ２−ａ（５．２０ｇ）、トルエン（４６０ｍＬ）および（ジ−ｔｅｒｔ−ブチル（４−ジメチルアミノフェニル）ホスフィン）ジクロロパラジウム（ＩＩ）（２５１ｍｇ）を加え、８０℃に昇温した。その後、そこへ、１０重量％のテトラブチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（２７６ｍＬ）を加え、加熱還流下で３２時間攪拌した。その後、室温まで冷却し、トルエンを加え、有機層を抽出した。得られた有機層をイオン交換水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた後、シリカゲルおよびセライトを敷いたろ過器でろ過し、得られたろ液を減圧濃縮することで油状物を得た。得られた油状物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサンおよび酢酸エチルの混合溶媒）で精製した後、アセトニトリルを用いて再結晶した。その後、５０℃で減圧乾燥することにより、化合物ＭＣ１２−ｆ（１５．２ｇ、収率７９％）を白色固体として得た。化合物ＭＣ１２−ｆのＨＰＬＣ面積百分率値は９９．５％以上であった。【０４８７】
ＬＣ−ＭＳ（ＡＰＣＩ，ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝５４２．４［Ｍ＋Ｈ］＋【０４８８】
１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ、ＣＤ２Ｃｌ２−ｄ２）δ（ｐｐｍ）＝７．９６−７．９３（ｍ，１Ｈ），７．６３−７．５３（ｍ，３Ｈ），７．４５−７．２７(ｍ，１０Ｈ)，７．１４（ｓ，２Ｈ），２．７５（ｔ，２Ｈ），２．４６−２．３３（ｍ，２Ｈ），１．７８−１．６８（ｍ，２Ｈ），１．４８−１．３８（ｍ，６Ｈ），１．１２（ｄ，６Ｈ），１．０１−０．９４（ｍ，９Ｈ）．【０４８９】
反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、塩化イリジウムｎ水和物（３．１４ｇ）、化合物ＭＣ１２−ｆ（１０．０ｇ）、イオン交換水（２５ｍＬ）およびジグライム（７８ｍＬ）を加え、１３０℃で４２時間攪拌した後、室温まで冷却した。その後、そこへ、トルエンを加え、イオン交換水で洗浄し、有機層を得た。得られた有機層を減圧濃縮することにより固体を得た。得られた固体を、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（トルエンおよびエタノールの混合溶媒）で精製することにより固体（１０．０ｇ）を得た。
別途用意した反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、上記で得られた固体（１０．０ｇ）、トリフルオロメタンスルホン酸銀（２．９４ｇ）およびアセトニトリル（２５０ｍＬ）を加え、加熱還流下で２時間攪拌した。その後、室温まで冷却し、セライトを敷いたろ過器を用いてろ過し、得られたろ液を減圧濃縮することにより油状物を得た。得られた油状物をアルミナカラムクロマトグラフィー（アセトニトリル）で精製した後、室温でアルゴンガスを用いて乾燥することにより、固体（９．９４ｇ）を得た。
別途用意した反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、上記で得られた固体（９．０ｇ）、化合物ＭＣ１２−ｆ（４．５４ｇ）、２，６−ルチジン（３．５ｍＬ）およびペンタデカン（４．５ｍＬ）を加え、１９０℃で７０時間攪拌した。その後、室温まで冷却し、ジクロロメタン（１３０ｍＬ）を加え、反応混合物をジクロロメタンに溶解させた。その後、そこへ、２−プロパノール（３０ｍＬ）を加え、ジクロロメタンを減圧濃縮すると沈殿が生じた。得られた沈殿をろ過し、ろ液を得た。得られたろ液を減圧濃縮することで油状物を得た。得られた油状物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（トルエンおよびヘキサンの混合溶媒）で精製した後、さらに逆相カラムクロマトグラフィー（アセトニトリルおよび酢酸エチルの混合溶媒）で複数回精製することにより、金属錯体ＭＣ１２、金属錯体ＭＣ１３および金属錯体ＭＣ１４がそれぞれ分離された状態で得た。
得られた金属錯体ＭＣ１２をさらに、アセトニトリルを用いて再結晶し、５０℃で減圧乾燥することにより黄色固体（７０ｍｇ、収率０．６％）として得た。金属錯体ＭＣ１２のＨＰＬＣ面積百分率値は９９．５％以上であった。得られた金属錯体ＭＣ１３をさらに、ジクロロメタン、アセトニトリルおよびメタノールの混合溶媒を用いて再結晶し、５０℃で減圧乾燥することにより、黄色固体（１２０ｍｇ、収率１．１％）として得た。金属錯体ＭＣ１３のＨＰＬＣ面積百分率値は９９．５％以上であった。得られた金属錯体ＭＣ１４をさらに、ジクロロメタンおよびアセトニトリルの混合溶媒を用いて再結晶し、５０℃で減圧乾燥することにより黄色固体（２３０ｍｇ、収率２．１％）として得た。金属錯体ＭＣ１４のＨＰＬＣ面積百分率値は９８．７％であった。【０４９０】
金属錯体ＭＣ１２
ＬＣ−ＭＳ（ＡＰＣＩ，ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝１８１５．０［Ｍ＋Ｈ］＋【０４９１】
１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ、ＣＤ２Ｃｌ２−ｄ２）δ（ｐｐｍ）＝９．１９−９．１６（ｍ，３Ｈ），７．３９−７．２６（ｍ，９Ｈ），６．９７−６．８８（ｍ，１５Ｈ），６．７２（ｔ，３Ｈ），６．６１（ｔ，３Ｈ），６．５２（ｄ，３Ｈ），６．４４−６．３５（ｍ，６Ｈ），６．２２(ｄ，３Ｈ)，２．５４（ｔ，６Ｈ），１．８９−１．８３（ｍ，３Ｈ），１．６０−１．５０（ｍ，６Ｈ），１．４３−１．３４（ｍ，３Ｈ），１．３０−１．２４（ｍ，１８Ｈ），０．８６−０．７２（ｍ，２７Ｈ），０．５５（ｄ，９Ｈ），０．４７（ｄ，１８Ｈ）．【０４９２】
金属錯体ＭＣ１３
ＬＣ−ＭＳ（ＥＳＩ，ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝１８５２．９［Ｍ＋Ｋ］＋【０４９３】
１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ、ＣＤ２Ｃｌ２−ｄ２）δ（ｐｐｍ）＝７．９６（ｄ，１Ｈ），７．４６（ｔ，１Ｈ），７．３７（ｄ，１Ｈ），７．２９−６．３６（ｍ，４１Ｈ）６．２２（ｄ，１Ｈ），２．６２（ｔ，２Ｈ），２．５３（ｔ，２Ｈ），２．４８−２．３１（ｍ，４Ｈ），２．２１−２．０６（ｍ，１Ｈ），１．９０−１．７４（ｍ，１Ｈ），１．６７−１．５７（ｍ，２Ｈ），１．３７−１．１５（ｍ，２７Ｈ），１．０４（ｄ，３Ｈ），０．９６−０．９１（ｍ，６Ｈ），０．８７−０．７３（ｍ，１５Ｈ），０．６５−０．５１（ｍ，１２Ｈ），０．３５（ｄ，３Ｈ），０．２６（ｄ，３Ｈ）．【０４９４】
金属錯体ＭＣ１４
ＬＣ−ＭＳ（ＥＳＩ，ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝１８５２．９［Ｍ＋Ｋ］＋【０４９５】
１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ、ＣＤ２Ｃｌ２−ｄ２）δ（ｐｐｍ）＝７．４７−７．３３（ｍ，４Ｈ），７．２８−７．１８（ｍ，４Ｈ），７．１１−６．７８（２５Ｈ），６．６７−６．５１（ｍ，９Ｈ），６．３１（ｄ，１Ｈ），６．２１（ｄ，２Ｈ），２．６３−２．５０（ｍ，３Ｈ），２．４３−２．３７（ｍ，４Ｈ），２．３０−２．１９（ｍ，１Ｈ），２．１８−２．０６（ｍ，１Ｈ），２．０５−１．９７（ｍ，１Ｈ），１．６５−１．５３（ｍ，２Ｈ），１．４２−１．１５（ｍ，２７Ｈ），１．０５−１．０１（ｍ，３Ｈ），０．９７−０．９３（ｍ，３Ｈ），０．８７−０．７６（ｍ，１８Ｈ），０．７２−０．６４（ｍ，９Ｈ），０．６２−０．５６（ｍ，６Ｈ），０．４３（ｄ，３Ｈ）．【０４９６】
＜合成例１＞  単量体ＣＭ１の合成【０４９７】
【化１２０】
0006603661.tif 000131
【０４９８】
単量体ＣＭ１は、特開２０１０―１８９６３０号公報に記載の方法に従って合成した。【０４９９】
＜合成例２＞  単量体ＣＭ２の合成【０５００】
【化１２１】
0006603661.tif 000132
【０５０１】
単量体ＣＭ２は、国際公開第２０１５／００８８５１号に記載の方法に従って合成した。【０５０２】
＜合成例３＞  高分子化合物Ｐ１の合成
反応容器内の気体を窒素ガス雰囲気とした後、化合物ＣＭ１（１．２８ｇ）、化合物ＣＭ２（２．１８ｇ）およびトルエン（５５ｍｌ）を加え、８０℃に加熱した。その後、そこへ、ビス［トリス（２−メトキシフェニル）ホスフィン］パラジウムジクロリド（２．３４ｍｇ）および２０重量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（９．１ｇ）を加え、アルゴンガス還流下で４時間攪拌した。その後、そこへ、２−イソプロピルフェニルボロン酸（０．０６３０ｇ）、ビス［トリス（２−メトキシフェニル）ホスフィン］パラジウムジクロリド（２．１７ｍｇ）および２０重量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（９．１ｇ）を加え、アルゴンガス還流下で１５．５時間攪拌した。その後、そこへ、Ｎ，Ｎ−ジエチルジチオカルバミド酸ナトリウム三水和物（０．７２ｇ）をイオン交換水（１４ｍｌ）に溶解させた溶液を加え、８５℃で５時間攪拌した。得られた有機層を冷却した後、３．６重量％塩酸で２回、２．５重量％アンモニア水で２回、イオン交換水で５回、順次洗浄した。得られた有機層をメタノールに滴下したところ沈殿が生じた。得られた沈殿をろ過し、乾燥させることにより、固体を得た。得られた固体をトルエンに溶解させ、予めトルエンを通液したシリカゲルカラムおよびアルミナカラムに通液した。得られた溶液をメタノールに滴下することで沈殿を生じさせ、ろ取、乾燥させることにより、高分子化合物Ｐ１（２．２７９ｇ）を得た。高分子化合物Ｐ１のポリスチレン換算の数平均分子量（Ｍｎ）および重量平均分子量（Ｍｗ）は、Ｍｎ＝７．４×１０４、Ｍｗ＝２．３×１０５であった。【０５０３】
高分子化合物Ｐ１は、仕込み原料から求めた理論値では、それぞれの単量体から誘導される構成単位が、下記表２に示されるモル比で構成されてなる共重合体である。【０５０４】
【表２】
0006603661.tif 000133
【０５０５】
＜実施測定例１＞発光安定性の測定【０５０６】
金属錯体ＭＣ１と、式（Ｈ−１１３）で表される化合物（以下、「化合物Ｈ−１１３」ともいう。）（Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ社製、ＬＴ−Ｎ４０１３）とを、２．０重量％の濃度で溶解させたトルエン溶液（金属錯体ＭＣ１：化合物Ｈ−１１３＝２５重量％：７５重量％）を調製した。【０５０７】
【化１２２】
0006603661.tif 000134
【０５０８】
ガラス基板上に、上記で得られたトルエン溶液をスピンコート法により７５ｎｍの厚さで成膜し、窒素ガス雰囲気下（酸素濃度１０ｐｐｍ以下、水分濃度１０ｐｐｍ以下）において、１３０℃、１０分間加熱させることにより有機層を形成した。【０５０９】
有機層を形成した基板を蒸着機内において、１．０×１０-4Ｐａ以下にまで減圧した後、アルミニウムを約８０ｎｍ蒸着した。蒸着後、窒素ガス雰囲気下（酸素濃度１０ｐｐｍ以下、水分濃度１０ｐｐｍ以下）において、ガラス基板を用いて封止することにより、測定試料ＦＬ−１を作製した。【０５１０】
測定試料ＦＬ−１の発光輝度が２１３０ｃｄ／ｍ２となるように励起光源の励起光強度を調整した。なお、測定試料ＦＬ−１から観測された発光の発光スペクトルピークは４６２ｎｍであり、色度ＣＩＥ（ｘ，ｙ）は、（０．１５０，０．２２４）であり、金属錯体ＭＣ１に由来する発光であった。
その後、調整した励起光強度を一定に保ったまま測定試料ＦＬ−１を連続的に発光させ、発光輝度が測定開始時の発光輝度に対して８５％になるまでの時間（以下、「ＬＴ８５」という）を測定した。結果を表３に示す。【０５１１】
＜実施測定例２＞発光安定性の測定
実施測定例１における金属錯体ＭＣ１に代えて、金属錯体ＭＣ２を用いた以外は、実施測定例１と同様にして、測定試料ＦＬ−２を作製し、発光安定性を測定した。【０５１２】
上記式（１７）に従って、測定試料ＦＬ−１の発光のフォトン数と同数になる測定試料ＦＬ−２の発光輝度を算出すると、２２９０ｃｄ／ｍ２であった。【０５１３】
測定試料ＦＬ−２の発光輝度が２２９０ｃｄ／ｍ２となるように励起光源の励起光強度を調整した。なお、測定試料ＦＬ−２から観測された発光の発光スペクトルピークは４６６ｎｍであり、色度ＣＩＥ（ｘ，ｙ）は、（０．１５４，０．２５１）であり、金属錯体ＭＣ２に由来する発光であった。
その後、調整した励起光強度を一定に保ったまま測定試料ＦＬ−２を連続的に発光させ、ＬＴ８５を測定した。結果を表３に示す。【０５１４】
＜実施測定例３＞発光安定性の測定
実施測定例１における金属錯体ＭＣ１に代えて、金属錯体ＭＣ３を用いた以外は、実施測定例１と同様にして、測定試料ＦＬ−３を作製し、発光安定性を測定した。【０５１５】
上記式（１７）に従って、測定試料ＦＬ−１の発光のフォトン数と同数になる測定試料ＦＬ−３の発光輝度を算出すると、２５７０ｃｄ／ｍ２であった。【０５１６】
測定試料ＦＬ−３の発光輝度が２５７０ｃｄ／ｍ２となるように励起光源の励起光強度を調整した。なお、測定試料ＦＬ−３から観測された発光の発光スペクトルピークは４７３ｎｍであり、色度ＣＩＥ（ｘ，ｙ）は、（０．１５０，０．３１５）であり、金属錯体ＭＣ３に由来する発光であった。
その後、調整した励起光強度を一定に保ったまま測定試料ＦＬ−３を連続的に発光させ、ＬＴ８５を測定した。結果を表３に示す。【０５１７】
＜実施測定例４＞発光安定性の測定
実施測定例１における金属錯体ＭＣ１に代えて、金属錯体ＭＣ４を用いた以外は、実施測定例１と同様にして、測定試料ＦＬ−４を作製し、発光安定性を測定した。【０５１８】
上記式（１７）に従って、測定試料ＦＬ−１の発光のフォトン数と同数になる測定試料ＦＬ−４の発光輝度を算出すると、２０１０ｃｄ／ｍ２であった。【０５１９】
測定試料ＦＬ−４の発光輝度が２０１０ｃｄ／ｍ２となるように励起光源の励起光強度を調整した。なお、測定試料ＦＬ−４から観測された発光の発光スペクトルピークは４５５ｎｍであり、色度ＣＩＥ（ｘ，ｙ）は、（０．１４９，０．２０４）であり、金属錯体ＭＣ４に由来する発光であった。
その後、調整した励起光強度を一定に保ったまま測定試料ＦＬ−４を連続的に発光させ、ＬＴ８５を測定した。結果を表３に示す。【０５２０】
＜実施測定例５＞発光安定性の測定
実施測定例１における金属錯体ＭＣ１に代えて、金属錯体ＭＣ５を用いた以外は、実施測定例１と同様にして、測定試料ＦＬ−５を作製し、発光安定性を測定した。【０５２１】
上記式（１７）に従って、測定試料ＦＬ−１の発光のフォトン数と同数になる測定試料ＦＬ−５の発光輝度を算出すると、２２８０ｃｄ／ｍ２であった。【０５２２】
測定試料ＦＬ−５の発光輝度が２２８０ｃｄ／ｍ２となるように励起光源の励起光強度を調整した。なお、測定試料ＦＬ−５から観測された発光の発光スペクトルピークは４６４ｎｍであり、色度ＣＩＥ（ｘ，ｙ）は、（０．１５０，０．２５３）であり、金属錯体ＭＣ５に由来する発光であった。
その後、調整した励起光強度を一定に保ったまま測定試料ＦＬ−５を連続的に発光させ、ＬＴ８５を測定した。結果を表３に示す。【０５２３】
＜実施測定例６＞発光安定性の測定
実施測定例１における金属錯体ＭＣ１に代えて、金属錯体ＭＣ６を用いた以外は、実施測定例１と同様にして、測定試料ＦＬ−６を作製し、発光安定性を測定した。【０５２４】
上記式（１７）に従って、測定試料ＦＬ−１の発光のフォトン数と同数になる測定試料ＦＬ−６の発光輝度を算出すると、２４６０ｃｄ／ｍ２であった。【０５２５】
測定試料ＦＬ−６の発光輝度が２４６０ｃｄ／ｍ２となるように励起光源の励起光強度を調整した。なお、測定試料ＦＬ−６から観測された発光の発光スペクトルピークは４７２ｎｍであり、色度ＣＩＥ（ｘ，ｙ）は、（０．１４７，０．２９６）であり、金属錯体ＭＣ６に由来する発光であった。
その後、調整した励起光強度を一定に保ったまま測定試料ＦＬ−６を連続的に発光させ、ＬＴ８５を測定した。結果を表３に示す。【０５２６】
＜実施測定例７＞発光安定性の測定
実施測定例１における金属錯体ＭＣ１に代えて、金属錯体ＭＣ７を用いた以外は、実施測定例１と同様にして、測定試料ＦＬ−７を作製し、発光安定性を測定した。【０５２７】
上記式（１７）に従って、測定試料ＦＬ−１の発光のフォトン数と同数になる測定試料ＦＬ−７の発光輝度を算出すると、２５６０ｃｄ／ｍ２であった。【０５２８】
測定試料ＦＬ−７の発光輝度が２５６０ｃｄ／ｍ２となるように励起光源の励起光強度を調整した。なお、測定試料ＦＬ−７から観測された発光の発光スペクトルピークは４７４ｎｍであり、色度ＣＩＥ（ｘ，ｙ）は、（０．１５０，０．３１５）であり、金属錯体ＭＣ７に由来する発光であった。
その後、調整した励起光強度を一定に保ったまま測定試料ＦＬ−７を連続的に発光させ、ＬＴ８５を測定した。結果を表３に示す。【０５２９】
＜実施測定例８＞発光安定性の測定
実施測定例１における金属錯体ＭＣ１に代えて、金属錯体ＭＣ８を用いた以外は、実施測定例１と同様にして、測定試料ＦＬ−８を作製し、発光安定性を測定した。【０５３０】
上記式（１７）に従って、測定試料ＦＬ−１の発光のフォトン数と同数になる測定試料ＦＬ−８の発光輝度を算出すると、２４８０ｃｄ／ｍ２であった。【０５３１】
測定試料ＦＬ−８の発光輝度が２４８０ｃｄ／ｍ２となるように励起光源の励起光強度を調整した。なお、測定試料ＦＬ−８から観測された発光の発光スペクトルピークは４７２ｎｍであり、色度ＣＩＥ（ｘ，ｙ）は、（０．１５０，０．３００）であり、金属錯体ＭＣ８に由来する発光であった。
その後、調整した励起光強度を一定に保ったまま測定試料ＦＬ−８を連続的に発光させ、ＬＴ８５を測定した。結果を表３に示す。【０５３２】
＜実施測定例９＞発光安定性の測定
実施測定例１における金属錯体ＭＣ１に代えて、金属錯体ＭＣ９を用いた以外は、実施測定例１と同様にして、測定試料ＦＬ−９を作製し、発光安定性を測定した。【０５３３】
上記式（１７）に従って、測定試料ＦＬ−１の発光のフォトン数と同数になる測定試料ＦＬ−９の発光輝度を算出すると、１８９０ｃｄ／ｍ２であった。【０５３４】
測定試料ＦＬ−９の発光輝度が１８９０ｃｄ／ｍ２となるように励起光源の励起光強度を調整した。なお、測定試料ＦＬ−９から観測された発光の発光スペクトルピークは４５４ｎｍであり、色度ＣＩＥ（ｘ，ｙ）は、（０．１４９，０．１９０）であり、金属錯体ＭＣ９に由来する発光であった。
その後、調整した励起光強度を一定に保ったまま測定試料ＦＬ−９を連続的に発光させ、ＬＴ８５を測定した。結果を表３に示す。【０５３５】
＜実施測定例１０＞発光安定性の測定
実施測定例１における金属錯体ＭＣ１に代えて、金属錯体ＭＣ１０を用いた以外は、実施測定例１と同様にして、測定試料ＦＬ−１０を作製し、発光安定性を測定した。【０５３６】
上記式（１７）に従って、測定試料ＦＬ−１の発光のフォトン数と同数になる測定試料ＦＬ−１０の発光輝度を算出すると、２５３０ｃｄ／ｍ２であった。【０５３７】
測定試料ＦＬ−１０の発光輝度が２５３０ｃｄ／ｍ２となるように励起光源の励起光強度を調整した。なお、測定試料ＦＬ−１０から観測された発光の発光スペクトルピークは４７３ｎｍであり、色度ＣＩＥ（ｘ，ｙ）は、（０．１４９，０．３０９）であり、金属錯体ＭＣ１０に由来する発光であった。
その後、調整した励起光強度を一定に保ったまま測定試料ＦＬ−１０を連続的に発光させ、ＬＴ８５を測定した。結果を表３に示す。【０５３８】
＜実施測定例１１＞発光安定性の測定
実施測定例１における金属錯体ＭＣ１に代えて、金属錯体ＭＣ１２を用いた以外は、実施測定例１と同様にして、測定試料ＦＬ−１１を作製し、発光安定性を測定した。【０５３９】
上記式（１７）に従って、測定試料ＦＬ−１の発光のフォトン数と同数になる測定試料ＦＬ−１１の発光輝度を算出すると、１９５０ｃｄ／ｍ２であった。【０５４０】
測定試料ＦＬ−１１の発光輝度が１９５０ｃｄ／ｍ２となるように励起光源の励起光強度を調整した。なお、測定試料ＦＬ−１１から観測された発光の発光スペクトルピークは４５５ｎｍであり、色度ＣＩＥ（ｘ，ｙ）は、（０．１５７，０．１９９）であり、金属錯体ＭＣ１２に由来する発光であった。
その後、調整した励起光強度を一定に保ったまま測定試料ＦＬ−１１を連続的に発光させ、ＬＴ８５を測定した。結果を表３に示す。【０５４１】
＜実施測定例１２＞発光安定性の測定
実施測定例１における金属錯体ＭＣ１に代えて、金属錯体ＭＣ１３を用いた以外は、実施測定例１と同様にして、測定試料ＦＬ−１２を作製し、発光安定性を測定した。【０５４２】
上記式（１７）に従って、測定試料ＦＬ−１の発光のフォトン数と同数になる測定試料ＦＬ−１２の発光輝度を算出すると、１８７０ｃｄ／ｍ２であった。【０５４３】
測定試料ＦＬ−１２の発光輝度が１８７０ｃｄ／ｍ２となるように励起光源の励起光強度を調整した。なお、測定試料ＦＬ−１２から観測された発光の発光スペクトルピークは４５６ｎｍであり、色度ＣＩＥ（ｘ，ｙ）は、（０．１４８，０．１９２）であり、金属錯体ＭＣ１３に由来する発光であった。
その後、調整した励起光強度を一定に保ったまま測定試料ＦＬ−１２を連続的に発光させ、ＬＴ８５を測定した。結果を表３に示す。【０５４４】
＜実施測定例１３＞発光安定性の測定
実施測定例１における金属錯体ＭＣ１に代えて、金属錯体ＭＣ１４を用いた以外は、実施測定例１と同様にして、測定試料ＦＬ−１３を作製し、発光安定性を測定した。【０５４５】
上記式（１７）に従って、測定試料ＦＬ−１の発光のフォトン数と同数になる測定試料ＦＬ−１３の発光輝度を算出すると、１９１０ｃｄ／ｍ２であった。【０５４６】
測定試料ＦＬ−１３の発光輝度が１９１０ｃｄ／ｍ２となるように励起光源の励起光強度を調整した。なお、測定試料ＦＬ−１３から観測された発光の発光スペクトルピークは４５５ｎｍであり、色度ＣＩＥ（ｘ，ｙ）は、（０．１４８，０．１９６）であり、金属錯体ＭＣ１４に由来する発光であった。
その後、調整した励起光強度を一定に保ったまま測定試料ＦＬ−１３を連続的に発光させ、ＬＴ８５を測定した。結果を表３に示す。【０５４７】
＜比較測定例１＞発光安定性の測定
実施測定例１における金属錯体ＭＣ１に代えて、金属錯体ＭＭ１を用いた以外は、実施測定例１と同様にして、測定試料CＦＬ−１を作製し、発光安定性を測定した。【０５４８】
上記式（１７）に従って、測定試料ＦＬ−１の発光のフォトン数と同数になる測定試料ＣＦＬ−１の発光輝度を算出すると、１９８０ｃｄ／ｍ２であった。【０５４９】
測定試料ＣＦＬ−１の発光輝度が１９８０ｃｄ／ｍ２となるように励起光源の励起光強度を調整した。なお、測定試料ＣＦＬ−１から観測された発光の発光スペクトルピークは４６１ｎｍであり、色度ＣＩＥ（ｘ，ｙ）は、（０．１４６，０．２０３）であり、金属錯体ＭＭ１に由来する発光であった。
その後、調整した励起光強度を一定に保ったまま測定試料ＣＦＬ−１を連続的に発光させ、ＬＴ８５を測定した。結果を表３に示す。【０５５０】
＜比較測定例２＞発光安定性の測定
実施測定例１における金属錯体ＭＣ１に代えて、金属錯体ＭＭ２を用いた以外は、実施測定例１と同様にして、測定試料ＣＦＬ−２を作製し、発光安定性を測定した。【０５５１】
上記式（１７）に従って、測定試料ＦＬ−１の発光のフォトン数と同数になる測定試料ＣＦＬ−２の発光輝度を算出すると、２４９０ｃｄ／ｍ２であった。【０５５２】
測定試料ＣＦＬ−２の発光輝度が２４９０ｃｄ／ｍ２となるように励起光源の励起光強度を調整した。なお、測定試料ＣＦＬ−２から観測された発光の発光スペクトルピークは４７４ｎｍであり、色度ＣＩＥ（ｘ，ｙ）は、（０．１４９，０．２９９）であり、金属錯体ＭＭ２に由来する発光であった。
その後、調整した励起光強度を一定に保ったまま測定試料ＣＦＬ−２を連続的に発光させ、ＬＴ８５を測定した。結果を表３に示す。【０５５３】
＜比較測定例３＞発光安定性の測定
実施測定例１における金属錯体ＭＣ１に代えて、金属錯体ＭＭ３を用いた以外は、実施測定例１と同様にして、測定試料ＣＦＬ−３を作製し、発光安定性を測定した。【０５５４】
上記式（１７）に従って、測定試料ＦＬ−１の発光のフォトン数と同数になる測定試料ＣＦＬ−３の発光輝度を算出すると、２０７０ｃｄ／ｍ２であった。【０５５５】
測定試料ＣＦＬ−３の発光輝度が２０７０ｃｄ／ｍ２となるように励起光源の励起光強度を調整した。なお、測定試料ＣＦＬ−３から観測された発光の発光スペクトルピークは４５５ｎｍであり、色度ＣＩＥ（ｘ，ｙ）は、（０．１５３，０．２１４）であり、金属錯体ＭＭ３に由来する発光であった。
その後、調整した励起光強度を一定に保ったまま測定試料ＣＦＬ−３を連続的に発光させ、ＬＴ８５を測定した。結果を表３に示す。【０５５６】
＜実施測定例１４＞発光安定性の測定
実施測定例１における金属錯体ＭＣ１に代えて、金属錯体ＭＣ１１を用いた以外は、実施測定例１と同様にして、測定試料ＦＬ−１４を作製し、発光安定性を測定した。【０５５７】
測定試料ＦＬ−１４の発光輝度が４３０ｃｄ／ｍ２となるように励起光源の励起光強度を調整した。なお、測定試料ＦＬ−１４から観測された発光の発光スペクトルピークは４８０ｎｍであり、色度ＣＩＥ（ｘ，ｙ）は、（０．１６４，０．３００）であり、金属錯体ＭＣ１１に由来する発光であった。
その後、調整した励起光強度を一定に保ったまま測定試料ＦＬ−１４を連続的に発光させ、ＬＴ８５を測定した。結果を表４に示す。【０５５８】
＜比較測定例４＞発光安定性の測定
実施測定例１における金属錯体ＭＣ１に代えて、金属錯体ＭＭ３を用いた以外は、実施測定例１と同様にして、測定試料ＣＦＬ−４を作製し、発光安定性を測定した。【０５５９】
上記式（１７）に従って、測定試料ＦＬ−１４の発光のフォトン数と同数になる測定試料ＣＦＬ−４の発光輝度を算出すると、４３０ｃｄ／ｍ２であった。【０５６０】
測定試料ＣＦＬ−４の発光輝度が４３０ｃｄ／ｍ２となるように励起光源の励起光強度を調整した。なお、測定試料ＣＦＬ−４から観測された発光の発光スペクトルピークは４５５ｎｍであり、色度ＣＩＥ（ｘ，ｙ）は、（０．１５３，０．２１４）であり、金属錯体ＭＭ３に由来する発光であった。
その後、調整した励起光強度を一定に保ったまま測定試料ＣＦＬ−４を連続的に発光させ、ＬＴ８５を測定した。結果を表４に示す。【０５６１】
＜実施測定例１５＞発光安定性の測定
実施測定例１における金属錯体ＭＣ１および化合物Ｈ−１１３に代えて、金属錯体ＭＣ６および高分子化合物Ｐ１を用いた以外は、実施測定例１と同様にして、測定試料ＦＬ−１５を作製し、発光安定性を測定した。【０５６２】
測定試料ＦＬ−１５の発光輝度が２４６０ｃｄ／ｍ２となるように励起光源の励起光強度を調整した。なお、測定試料ＦＬ−１５から観測された発光の発光スペクトルピークは４７２ｎｍであり、色度ＣＩＥ（ｘ，ｙ）は、（０．１４３，０．２６５）であり、金属錯体ＭＣ６に由来する発光であった。
その後、調整した励起光強度を一定に保ったまま測定試料ＦＬ−１５を連続的に発光させ、ＬＴ８５を測定した。結果を表５に示す。【０５６３】
＜比較測定例５＞発光安定性の測定
実施測定例１における金属錯体ＭＣ１および化合物Ｈ−１１３に代えて、金属錯体ＭＭ２および高分子化合物Ｐ１を用いた以外は、実施測定例１と同様にして、測定試料ＣＦＬ−５を作製し、発光安定性を測定した。【０５６４】
上記式（１７）に従って、測定試料ＦＬ−１５の発光のフォトン数と同数になる測定試料ＣＦＬ−５の発光輝度を算出すると、２４９０ｃｄ／ｍ２であった。【０５６５】
測定試料ＣＦＬ−５の発光輝度が２４９０ｃｄ／ｍ２となるように励起光源の励起光強度を調整した。なお、測定試料ＣＦＬ−５から観測された発光の発光スペクトルピークは４７４ｎｍであり、色度ＣＩＥ（ｘ，ｙ）は、（０．１４７，０．２７１）であり、金属錯体ＭＭ２に由来する発光であった。
その後、調整した励起光強度を一定に保ったまま測定試料ＣＦＬ−５を連続的に発光させ、ＬＴ８５を測定した。結果を表５に示す。【０５６６】
【表３】
0006603661.tif 000135
【０５６７】
【表４】
0006603661.tif 000136
【０５６８】
【表５】
0006603661.tif 000137
【０５６９】
これらの結果から、本発明の金属錯体（金属錯体ＭＣ１、金属錯体ＭＣ２、金属錯体ＭＣ３、金属錯体ＭＣ４、金属錯体ＭＣ５、金属錯体ＭＣ６、金属錯体ＭＣ７、金属錯体ＭＣ８、金属錯体ＭＣ９、金属錯体ＭＣ１０、金属錯体ＭＣ１１、金属錯体ＭＣ１２、金属錯体ＭＣ１３および金属錯体ＭＣ１４）は、金属錯体ＭＭ１、金属錯体ＭＭ２および金属錯体ＭＭ３と比較して、発光の安定性に優れることがわかる。
【産業上の利用可能性】
【０５７０】
本発明によれば、発光の安定性に優れる金属錯体を提供することができる。また、本発明によれば、該金属錯体を含有する組成物および該金属錯体を用いて得られる発光素子を提供することができる。本発明の金属錯体は、発光の安定性に優れるため、該金属錯体を用いて得られる発光素子は輝度寿命に優れるものとなる。