(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持体、該支持体上に形成された電荷発生層、および該電荷発生層上に形成された電荷輸送層を有する電子写真感光体において、
該電荷発生層が、少なくともＮ−メチルホルムアミド、Ｎ−プロピルホルムアミド、およびＮ−ビニルホルムアミドのいずれか一つのアミド化合物を含有するガリウムフタロシアニン結晶を含有し、かつ
該電荷輸送層が、下記式（１）で示される化合物を含有し、
該電荷発生層における、該ガリウムフタロシアニン結晶に含まれる該アミド化合物の含有量が、該ガリウムフタロシアニン結晶中のガリウムフタロシアニンの含有量に対して、０．１質量％以上３．０質量％以下であることを特徴とする電子写真感光体：
【化１】
0006512866.tif 000029
〔式（１）中、Ｒ１及びＸ１は、各々独立して、水素原子、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基、置換もしくは無置換の複素環基、または、Ｒ１とＸ１とが互いに結合して含窒素複素環を形成するのに必要な原子団を表し、Ａｒ１は、置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基、または置換もしくは無置換の複素環基を表す。〕。
【請求項２】
前記電荷輸送層が結着樹脂を含有し、
前記式（１）で示される化合物の含有量が、前記結着樹脂の含有量に対して、０．１質量％以上５質量％以下である請求項１に記載の電子写真感光体。
【請求項３】
前記式（１）で示される化合物が、下記式（２）〜（４）で示されるいずれかの化合物である請求項１または２に記載の電子写真感光体：
【化２】
0006512866.tif 000030
【化３】
0006512866.tif 000031
【化４】
0006512866.tif 000032
〔式（２）〜（４）中、Ｒ２ａ、Ｒ２ｂ、Ｒ３〜Ｒ５は、各々独立して、置換もしくは無置換のアルキル基を表し、Ａｒ２〜Ａｒ５は、各々独立して、置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基、または置換もしくは無置換の複素環基を表し、Ｘ２ａ、Ｘ２ｂ、Ｘ３〜Ｘ６は、各々独立して、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基、または置換もしくは無置換の複素環基を表す。前記アルキル基の総炭素数は１以上２０以下であり、前記芳香族炭化水素基の総炭素数は６以上２０以下であり、前記複素環基の総炭素数は４以上２０以下である。〕。
【請求項４】
前記式（２）において、Ｘ２ａおよびＸ２ｂが、各々独立して、置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基であり、前記芳香族炭化水素基の総炭素数は６以上２０以下である請求項３に記載の電子写真感光体。
【請求項５】
前記式（３）において、Ｘ３が下記式（５）である請求項３に記載の電子写真感光体：
【化５】
0006512866.tif 000033
〔式（５）中、Ａｒ６は置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基を表し、Ａｒ３及びＡｒ４と同一でも異なっていてもよい。前記芳香族炭化水素基の総炭素数は６以上２０以下である。〕。
【請求項６】
前記式（４）において、Ｘ４〜Ｘ６が、各々独立して、置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基であり、前記芳香族炭化水素基の総炭素数は６以上２０以下である請求項３に記載の電子写真感光体。
【請求項７】
前記電荷発生層における、前記ガリウムフタロシアニン結晶に含まれる前記アミド化合物の含有量が、前記ガリウムフタロシアニン結晶中のガリウムフタロシアニンの含有量に対して０．１質量％以上１．９質量％以下である請求項１〜６のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
【請求項８】
前記アミド化合物が、Ｎ−メチルホルムアミドである請求項１〜７のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
【請求項９】
前記ガリウムフタロシアニン結晶が、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶またはクロロガリウムフタロシアニン結晶である請求項１〜８のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれか１項に記載の電子写真感光体と、帯電手段、現像手段、およびクリーニング手段からなる群より選択される少なくとも１つの手段とを一体に支持し、電子写真装置本体に着脱自在であるプロセスカートリッジ。
【請求項１１】
請求項１〜９のいずれか１項に記載の電子写真感光体、ならびに、帯電手段、露光手段、現像手段および転写手段を有する電子写真装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子写真感光体、電子写真感光体を有するプロセスカートリッジおよび電子写真装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、電子写真感光体は、電荷発生機能と電荷輸送機能とをそれぞれ電荷発生層および電荷輸送層に分担させた機能分離型の積層感光体が一般的である。
【０００３】
電荷発生機能を有する電荷発生材料としては、像露光手段としてよく用いられている半導体レーザーの発振波長が６５０〜８２０ｎｍと長波長であるため、これらの長波長の光に高い感度を有する電荷発生材料の開発が進められている。
【０００４】
フタロシアニン顔料は、こうした長波長領域の光に高い感度を有するため、電荷発生物質として用いられている。その中でも特にオキシチタニウムフタロシアニンやガリウムフタロシアニンは、長波長領域の光に対して優れた感度特性を有しており、これまでに様々な結晶形や改良製法が報告されている。
【０００５】
特許文献１には、極性有機溶剤を含有するヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶が開示されている。この特許文献１では、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドなどの極性有機溶剤を変換溶剤として使用することにより、変換溶剤分子が結晶内に取り込まれ、優れた感度特性を有する結晶が得られている。
【０００６】
一方、電荷輸送機能を分担する電荷輸送層としては、電荷輸送機能と共に、電荷輸送層が最表面層である場合、放電劣化の少ないことが求められている。そのため、放電によって生じるオゾンや窒素酸化物等のガスに対する耐ガス性向上を目的として、樹脂や添加剤の開発が進められている。
【０００７】
特許文献２〜４には、電荷輸送層に特定構造のアミン化合物を含有させることによって、耐ガス性を向上させる旨の記載がある。
【０００８】
特許文献５〜７には、電荷発生層に特定構造の電荷発生物質を含有させ、電荷輸送層に特定構造の電荷輸送性物質と特定構造のアミン化合物を含有させることによって、耐ガス性を向上させる旨の記載がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開平７−３３１１０７号公報
【特許文献２】特開平０３−１７２８５２号公報
【特許文献３】特開２００４−２５８２５３号公報
【特許文献４】特開２０１０−２１０８０２号公報
【特許文献５】特開平１０−２８２６９６号公報
【特許文献６】特開２００２−３１１６０７号公報
【特許文献７】特開２００２−３３３７３１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
近年のさらなる高画質化、高耐久化の観点から、様々な環境下において長期の繰り返し使用を行っても、ゴースト現象を抑制することが求められている。様々な環境の中でも、ゴースト現象が特に発生しやすいのは低温低湿環境である。また、長期の繰り返し使用のなかでも、高印字率の画像を連続でプリントした後において、ゴースト現象が発生しやすい場合がある。
【００１１】
しかしながら、上記の特許文献１〜７に記載の発明では、低温低湿環境下で高印字率の画像を連続でプリントした後という厳しい条件下において、ゴースト現象を抑制する効果が十分ではなかった。
【００１２】
本発明の目的は、低温低湿環境下におけるゴースト現象による画像劣化が抑制された電子写真感光体、ならびに、上記電子写真感光体を有するプロセスカートリッジおよび電子写真装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明は、支持体、該支持体上に形成された電荷発生層、および該電荷発生層上に形成された電荷輸送層を有する電子写真感光体において、該電荷発生層が、少なくともＮ−メチルホルムアミド、Ｎ−プロピルホルムアミド、およびＮ−ビニルホルムアミドのいずれか一つのアミド化合物を含有するガリウムフタロシアニン結晶を含有し、かつ該電荷輸送層が、下記式（１）で示される化合物を含有し、該電荷発生層における、該ガリウムフタロシアニン結晶に含まれる該アミド化合物の含有量が、該ガリウムフタロシアニン結晶中のガリウムフタロシアニンの含有量に対して、０．１質量％以上３．０質量％以下であることを特徴とする電子写真感光体である：
【００１４】
【化１】
0006512866.tif 000002
【００１５】
〔式（１）中、Ｒ１及びＸ１は、各々独立して、水素原子、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基、置換もしくは無置換の複素環基、または、Ｒ１とＸ１とが互いに結合して含窒素複素環を形成するのに必要な原子団を表し、Ａｒ１は、置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基、または置換もしくは無置換の複素環基を表す。〕。
【００１６】
また、本発明は、電子写真装置本体に着脱自在であるプロセスカートリッジであって、上記電子写真感光体と、帯電手段、現像手段、およびクリーニング手段からなる群より選ばれる少なくとも１つの手段と、を有し、かつ、該電子写真感光体と、該帯電手段、該現像手段、および該クリーニング手段からなる群より選択される少なくとも１つの手段とは、一体に支持されていることを特徴とするプロセスカートリッジである。
【００１７】
また、本発明は、上記電子写真感光体、ならびに、帯電手段、像露光手段、現像手段、および転写手段を有することを特徴とする電子写真装置である。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、低温低湿環境下におけるゴースト現象による画像劣化を抑制された電子写真感光体、ならびに、該電子写真感光体を有するプロセスカートリッジおよび電子写真装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明の電子写真感光体を有するプロセスカートリッジを備えた電子写真装置の概略構成の一例を示す図である。
【図２】実施例１−１で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折図である。
【図３】実施例１−５で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折図である。
【図４】実施例１−６で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折図である。
【図５】実施例１−８で得られたクロロガリウムフタロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折図である。
【図６】実施例１−１で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶のＮＭＲスペクトルである。
【図７】比較例１−１で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶のＮＭＲスペクトルである。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
＜電子写真感光体＞
本発明の電子写真感光体は、上記のとおり、支持体、ならびに、該支持体上に形成された電荷発生層および電荷輸送層を有する。
【００２１】
そして、該電荷発生層は、Ｎ−メチルホルムアミド、Ｎ−プロピルホルムアミドおよびＮ−ビニルホルムアミドからなる群から選ばれる少なくとも一つのアミド化合物を含有するガリウムフタロシアニン結晶を含有する。
【００２２】
さらに、該電荷輸送層が、下記式（１）で示される化合物を含有する。
【００２３】
【化２】
0006512866.tif 000003
【００２４】
式（１）中、Ｒ１及びＸ１は、各々独立して、水素原子、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基、置換もしくは無置換の複素環基、または、Ｒ１とＸ１とが互いに結合して含窒素複素環を形成するのに必要な原子団を表す。また、Ａｒ１は、置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基、または置換もしくは無置換の複素環基を表す。
【００２５】
本発明の電子写真感光体が、ゴースト現象の発生の抑制効果が優れる理由について、本発明者らは、以下のように推察している。
【００２６】
本発明の電子写真感光体は、電荷発生層に、Ｎ−メチルホルムアミド、Ｎ−プロピルホルムアミド、およびＮ−ビニルホルムアミドからなる群から選ばれる少なくとも一つのアミド化合物を含有し、電荷輸送層に上記式（１）で示される化合物を含有する。電荷発生層に前記ガリウムフタロシアニン結晶を含み、電荷輸送層に前記アミド化合物を含有することで、電荷発生層から電荷輸送層へのフォトキャリアの流れが向上し、電荷発生層でのフォトキャリアの滞留を抑制すると本発明者らは考えている。そのため、低温低湿環境下で使用しても、フォトキャリアの滞留が原因で発生するゴースト現象を抑制することができると考えている。
【００２７】
上記式（１）で示される化合物の中でも、下記式（２）〜（４）で示されるいずれかの化合物であることが、更にゴースト現象による画像劣化を抑制できるため、好ましい。
【００２８】
【化３】
0006512866.tif 000004
【００２９】
【化４】
0006512866.tif 000005
【００３０】
【化５】
0006512866.tif 000006
【００３１】
式（２）〜（４）中、Ｒ２ａ、Ｒ２ｂ、Ｒ３〜Ｒ５は、各々独立して、置換もしくは無置換のアルキル基を表す。Ａｒ２〜Ａｒ５は、各々独立して、置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基、または置換もしくは無置換の複素環基を表す。Ｘ２ａ、Ｘ２ｂ、Ｘ３〜Ｘ６は、各々独立して、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基、または置換もしくは無置換の複素環基を表す。前記アルキル基の総炭素数は１以上２０以下であり、前記芳香族炭化水素基の総炭素数は６以上２０以下であり、前記複素環基の総炭素数は４以上２０以下である。
【００３２】
上記式（２）で示される化合物の中でも、Ｘ２ａおよびＸ２ｂが、各々独立して、置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基であり、前記芳香族炭化水素基の総炭素数は６以上２０以下であることが、ゴースト現象による画像劣化を抑制できるため、好ましい。また、Ｘ２ａとＸ２ｂとが同一の構造であることが、ゴースト現象による画像劣化を抑制できるため、好ましい。また、Ｒ２ａとＲ２ｂとが、同一の構造であることが、ゴースト現象による画像劣化を抑制できるため、好ましい。
【００３３】
上記式（３）で示される化合物の中でも、Ｘ３が下記式（５）であることが、更にゴースト現象による画像劣化を抑制できるため、好ましい。
【００３４】
【化６】
0006512866.tif 000007
【００３５】
〔式（５）中、Ａｒ６は置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基を表し、Ａｒ３及びＡｒ４と同一でも異なっていてもよい。前記芳香族炭化水素基の総炭素数は６以上２０以下である。〕
【００３６】
上記式（４）で示される化合物の中でも、Ｘ４〜Ｘ６が置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基であり、前記芳香族炭化水素基の総炭素数は６以上２０以下であることが、更にゴースト現象による画像劣化を抑制できるため、好ましい。
【００３７】
上記式（１）〜（４）中のＲ１、Ｒ２ａ、Ｒ２ｂ、Ｒ３〜Ｒ５のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ヘキシル基、デカニル基などが挙げられる。また、アルキル基は、シクロアルキル基またはヘテロシクロアルキル基であってもよい。シクロアルキル基としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などが挙げられる。ヘテロシクロアルキル基としては、上記シクロヘキシル基の少なくとも１つの炭素原子が酸素原子、硫黄原子、窒素原子などで置換されたものが挙げられる。置換基としては、アルキル基、アリール基、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ハロゲン基等が挙げられる。これらの置換基は更に別の置換基を有してもよい。
【００３８】
上記式（１）〜（４）中のＡｒ１〜Ａｒ５の芳香族炭化水素基としては、フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、アントニル基、ピレニル基などが挙げられる。また、Ａｒ１〜Ａｒ５は、芳香族炭化水素基の芳香環内の炭素原子が酸素原子、硫黄原子、窒素原子などで置換された複素環基であってもよい。置換基としては、アルキル基、アリール基、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ハロゲン基等が挙げられる。これらの置換基は更に別の置換基を有してもよい。なお、アルキル基としては、炭素数１〜４のアルキル基であることが好ましい。アリール基としては、フェニル基、ナフチル基であることが好ましい。
【００３９】
上記式（１）〜（４）中のＸ１、Ｘ２ａ、Ｘ２ｂ、Ｘ３〜Ｘ６のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ヘキシル基、デカニル基などが挙げられる。また、アルキル基は、シクロアルキル基またはヘテロシクロアルキル基であってもよい。シクロアルキル基としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などが挙げられる。ヘテロシクロアルキル基としては、上記シクロヘキシル基の少なくとも１つの炭素原子が酸素原子、硫黄原子、窒素原子などで置換されたものが挙げられる。
【００４０】
上記式（１）〜（４）中のＸ１、Ｘ２ａ、Ｘ２ｂ、Ｘ３〜Ｘ６、Ｒ１の芳香族炭化水素基としては、フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、アントニル基、ピレニル基などが挙げられる。また、Ｘ１、Ｘ２ａ、Ｘ２ｂ、Ｘ３〜Ｘ６、Ｒ１は、芳香族炭化水素基の芳香環内の炭素原子が酸素原子、硫黄原子、窒素原子などで置換された複素環基であってもよい。置換基としては、アルキル基、アリール基、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ハロゲン基等が挙げられる。これらの置換基は更に別の置換基を有してもよい。なお、アルキル基としては、炭素数１〜４のアルキル基であることが好ましい。アリール基としては、フェニル基、ナフチル基であることが好ましい。
【００４１】
前記のアルキル基、前記芳香族炭化水素基、または前記複素環基の総炭素数とは、構成される炭素原子の総数のことを指す。置換基を有する場合は、骨格の炭素原子の数に加えて置換基の炭素原子の数を足す。例えば、メチル基が置換したフェニル基の総炭素数は７である。
【００４２】
上記式（１）で示される化合物の具体例（例示化合物（１）〜（９２））を以下に示す。
【００４３】
【化７】
0006512866.tif 000008
【００４４】
【化８】
0006512866.tif 000009
【００４５】
【化９】
0006512866.tif 000010
【００４６】
【化１０】
0006512866.tif 000011
【００４７】
【化１１】
0006512866.tif 000012
【００４８】
【化１２】
0006512866.tif 000013
【００４９】
【化１３】
0006512866.tif 000014
【００５０】
【化１４】
0006512866.tif 000015
【００５１】
【化１５】
0006512866.tif 000016
【００５２】
【化１６】
0006512866.tif 000017
【００５３】
【化１７】
0006512866.tif 000018
【００５４】
【化１８】
0006512866.tif 000019
【００５５】
【化１９】
0006512866.tif 000020
【００５６】
【化２０】
0006512866.tif 000021
【００５７】
【化２１】
0006512866.tif 000022
【００５８】
【化２２】
0006512866.tif 000023
【００５９】
【化２３】
0006512866.tif 000024
【００６０】
【化２４】
0006512866.tif 000025
【００６１】
参考に、上記例示化合物（１２）、（６９）および（８９）をそれぞれ式（２）〜（４）で表わしたものを以下に示す。
【００６２】
【表１】
0006512866.tif 000026
【００６３】
本発明にかかる電荷輸送層に含まれる上記式（１）で示される化合物は複数用いてもよい。電荷輸送層中における式（１）で示される化合物の含有量は、電荷輸送層に含まれる結着樹脂に対して０．０１質量％以上２０質量％以下であることが好ましく、０．１質量％以上５質量％以下であることがより好ましい。なお、式（１）で示される化合物が複数用いられる場合、上記の電荷輸送層における式（１）で示される化合物の含有量は、式（１）で示される化合物の含有量の総和を意味する。
【００６４】
ガリウムフタロシアニン結晶に含まれる前記アミド化合物の含有量は、前記ガリウムフタロシアニン結晶中のガリウムフタロシアニンの含有量に対して、０．１質量％以上３．０質量％以下であることが好ましい。また、０．１質量％以上１．９質量％以下であることがより好ましい。アミド化合物の含有量が上記範囲内であることによって、更にゴースト現象による画像劣化を抑制できる。
【００６５】
本発明にかかるガリウムフタロシアニン結晶に含まれるＮ−メチルホルムアミド、Ｎ−プロピルホルムアミド、Ｎ−ビニルホルムアミドのアミド化合物は複数用いてもよい。なお、アミド化合物が複数用いられる場合、前記アミド化合物の含有量は、アミド化合物の含有量の総和を意味する。
【００６６】
また、ゴースト現象による画像劣化の抑制の観点から、本発明にかかるアミド化合物は、Ｎ−メチルホルムアミドであることが好ましい。これは、Ｎ−メチルホルムアミドが、ガリウムフタロシアニンとの相溶性が高いため、結晶内に取り込まれやすく、また、特に分極しやすい特性を有するため、ゴースト現象の原因となる電荷の滞留状態を更に改善することができるためであると考えられる。
【００６７】
本発明にかかるガリウムフタロシアニン結晶の中でも、優れた感度を有するヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶（ガリウム原子が軸配位子としてヒドロキシ基を有するもの）、クロロガリウムフタロシアニン結晶（ガリウム原子が軸配位子として塩素原子を有するもの）、ブロモガリウムフタロシアニン結晶（ガリウム原子が軸配位子として臭素原子を有するもの）、ヨードガリウムフタロシアニン結晶（ガリウム原子が軸配位子としてヨウ素原子を有するもの）が、好ましい。その中でもヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶、クロロガリウムフタロシアニン結晶がより好ましい。
【００６８】
さらに、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶の場合、ＣｕＫα線のＸ線回折におけるブラッグ角２θにおいて７．４°±０．３°および２８．３°±０．３°にピークを有するヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶であることが高感度の点で特に好ましい。
【００６９】
また、クロロガリウムフタロシアニン結晶の場合、ＣｕＫα線のＸ線回折におけるブラッグ角２θ±０．２°において７．４°、１６．６°、２５．５°および２８．３°にピークを有するクロロガリウムフタロシアニン結晶であることが高感度の点で特に好ましい。
【００７０】
Ｎ−メチルホルムアミド、Ｎ−プロピルホルムアミド、およびＮ−ビニルホルムアミドといったアミド化合物を結晶内に含有するガリウムフタロシアニン結晶の製造方法について説明する。
【００７１】
本発明にかかるアミド化合物を結晶内に含有するガリウムフタロシアニン結晶は、ガリウムフタロシアニンを湿式ミリング処理により結晶変換する工程において、前記アミド化合物を含んだ溶剤を用いてミリング処理することにより得られる。
【００７２】
ミリング処理に用いるヒドロキシガリウムフタロシアニンは、アシッドペースティング法により得られたヒドロキシガリウムフタロシアニンであることが好ましい。
【００７３】
ミリング処理に用いるクロロガリウムフタロシアニンは、前記アシッドペースティング法により得られたヒドロキシガリウムフタロシアニンと塩酸水溶液を混合して得られるクロロガリウムフタロシアニンであることが好ましい。
【００７４】
ここで行うミリング処理とは、例えば、ガラスビーズ、スチールビーズ、アルミナボールなどの分散剤とともにサンドミル、ボールミルなどのミリング装置を用いて行う処理である。ミリング時間は、３０〜３０００時間程度が好ましい。特に好ましい方法は、１０〜１００時間おきにサンプルをとり、ＮＭＲ測定によりガリウムフタロシアニン結晶中の前記アミド化合物の含有量を確認することである。ミリング処理で用いる分散剤の量は、質量基準でガリウムフタロシアニンの１０〜５０倍が好ましい。
【００７５】
前記有機化合物の使用量は、質量基準でガリウムフタロシアニン結晶の５〜３０倍が好ましい。
【００７６】
本発明において、ガリウムフタロシアニン結晶が前記アミド化合物を結晶内に含有しているかどうかについて、得られたガリウムフタロシアニン結晶をＮＭＲ測定することにより決定した。
【００７７】
本発明において、電子写真感光体に含有されるガリウムフタロシアニン結晶のＸ線回折およびＮＭＲの測定は、次の条件で行ったものである。
【００７８】
［粉末Ｘ線回折測定］
使用測定機：理学電気（株）製、Ｘ線回折装置ＲＩＮＴ−ＴＴＲＩＩ
Ｘ線管球：Ｃｕ
管電圧：５０ＫＶ
管電流：３００ｍＡ
スキャン方法：２θ／θスキャン
スキャン速度：４．０°／ｍｉｎ
サンプリング間隔：０．０２°
スタート角度（２θ）：５．０°
ストップ角度（２θ）：４０．０°
アタッチメント：標準試料ホルダー
フィルター：不使用
インシデントモノクロ：使用
カウンターモノクロメーター：不使用
発散スリット：開放
発散縦制限スリット：１０．００ｍｍ
散乱スリット：開放
受光スリット：開放
平板モノクロメーター：使用
カウンター：シンチレーションカウンター。
【００７９】
［ＮＭＲ測定（１Ｈ−ＮＭＲ測定）］
使用測定器：ＢＲＵＫＥＲ製、ＡＶＡＮＣＥＩＩＩ  ５００
測定核種：１Ｈ
溶媒：重硫酸（Ｄ２ＳＯ４）
積算回数：２０００。
【００８０】
本発明の電子写真感光体の感光層は、電荷発生層と電荷輸送層とを積層した積層型感光層である。また、電荷発生層と電荷輸送層の積層関係は電荷発生層が下層である。
【００８１】
〔支持体〕
本発明に用いられる支持体は、導電性を有するもの（導電性支持体）であればよい。具体的には、アルミニウムやステンレスなどの金属や合金、あるいは導電層を設けた金属、合金、プラスチックおよび紙などが挙げられ、形状としては円筒状またはフィルム状などが挙げられる。
【００８２】
〔下引き層〕
本発明において、支持体と感光層の間には、バリア機能と接着機能を持つ下引き層（中間層とも呼ばれる。）を設けることもできる。
【００８３】
下引き層の構成材料としては、ポリビニルアルコール、ポリエチレンオキシド、エチルセルロース、メチルセルロース、カゼイン、ポリアミド、にかわおよびゼラチンなどの結着樹脂が用いられる。これらは、適当な溶剤に溶解させて支持体上に塗布される。また、抵抗制御剤として金属酸化物を添加することもある。
【００８４】
下引き層の膜厚は０．３〜５．０μｍであることが好ましい。
【００８５】
〔導電層〕
さらに、支持体と下引き層との間に、支持体のムラや欠陥の被覆、干渉縞防止を目的とした導電層を設けてもよい。
【００８６】
導電層は、カーボンブラック、金属粒子および金属酸化物などの導電性粒子を、結着樹脂中に分散して形成することができる。
【００８７】
導電層の膜厚は５〜４０μｍであることが好ましく、特には１０〜３０μｍであることが好ましい。
【００８８】
〔電荷発生層〕
電荷発生層を形成する場合、まず、本発明に係るガリウムフタロシアニン結晶を結着樹脂とともに溶剤に分散させ、電荷発生層用塗布液を調製する。そして、この電荷発生層用塗布液の塗膜を形成し、得られた塗膜を乾燥させることによって電荷発生層を形成することができる。
【００８９】
電荷発生層の膜厚は、０．０５〜１μｍであることが好ましく、０．１〜０．３μｍであることがより好ましい。
【００９０】
電荷発生層における前記アミド化合物を含有したガリウムフタロシアニン結晶の含有量は、電荷発生層の全質量に対して４０質量％以上８５質量％以下であることが好ましく、６０質量％以上８０質量％以下であることがより好ましい。
【００９１】
電荷発生層に用いる結着樹脂としては、例えば、ポリエステル、アクリル樹脂、ポリカーボネート、ポリビニルブチラール、ポリスチレン、ポリビニルアセテート、ポリサルホン、アクリロニトリル共重合体およびポリビニルベンザールなどの樹脂が挙げられる。これらの中でも、該ガリウムフタロシアニン結晶を分散させる樹脂としては、ポリビニルブチラール、ポリビニルベンザールが好ましい。
【００９２】
〔電荷輸送層〕
電荷輸送層は、前記式（１）で示される化合物、電荷輸送物質（電荷輸送材料）及び結着樹脂を溶剤中に溶解させた電荷輸送層用塗布液を塗布して塗膜を形成し、得られた塗膜を乾燥させることによって形成することができる。また、電荷輸送層に、トナーの転写効率を上げるための離型剤、汚れなどを防止するための指紋付着防止剤、削れを防止するためのフィラー、および電子写真感光体表面の潤滑性を上げるための滑剤などをてんかしてもよい。
【００９３】
電荷輸送層の膜厚は、５〜４０μｍであることが好ましく、１０〜２５μｍであることがより好ましい。
【００９４】
電荷輸送層における前記式（１）で示される化合物の含有量は、電荷輸送層の全質量に対して０．０１質量％以上４０質量％以下であることが好ましく、０．１質量％以上１０質量％以下であることがより好ましい。
【００９５】
電荷輸送物質の含有量は、電荷輸送層の全質量に対して２０〜８０質量％であることが好ましく、特には３０〜６０質量％であることが好ましい。
【００９６】
電荷輸送物質としては、各種のトリアリールアミン化合物、ヒドラゾン化合物、スチルベン化合物、ピラゾリン化合物、オキサゾール化合物、チアゾール化合物およびトリアリルメタン化合物などが挙げられる。これらの中でも電荷輸送物質としては、トリアリールアミン化合物が好ましい。電荷輸送物質の１種または２種以上の組合せを用いることができる。
【００９７】
電荷輸送層に用いる結着樹脂としては、例えば、ポリエステル、アクリル樹脂、フェノキシ樹脂、ポリカーボネート、ポリサルホン、ポリアリレート、およびアクリロニトリル共重合体などの樹脂が挙げられる。これらの中でも、ポリカーボネート、ポリアリレートが好ましい。これらの樹脂の１種または２種以上の組合せを用いることができる。
【００９８】
電荷輸送物質の含有量は、電荷輸送層の全質量に対して２０〜８０質量％であることが好ましく、特には３０〜６０質量％であることが好ましい。
【００９９】
電荷輸送物質としては、各種のトリアリールアミン化合物、ヒドラゾン化合物、スチルベン化合物、ピラゾリン化合物、オキサゾール化合物、チアゾール化合物およびトリアリルメタン化合物などが挙げられる。これらの中でも電荷輸送物質としては、トリアリールアミン化合物が好ましい。
【０１００】
各層の塗布方法としては、浸漬塗布法（ディッピング法）、スプレーコーティング法、スピンナーコーティング法、ビードコーティング法、ブレードコーティング法およびビームコーティング法などの塗布方法を用いることができる。
【０１０１】
＜プロセスカートリッジおよび電子写真装置＞
図１は、本発明の電子写真感光体を有するプロセスカートリッジを備えた電子写真装置の概略構成の一例を示す図である。
【０１０２】
図１において、円筒状（ドラム状）の電子写真感光体１は、軸２を中心に矢印方向に所定の周速度（プロセススピード）をもって回転駆動される。
【０１０３】
電子写真感光体１の表面は、回転過程において、帯電手段３により、正または負の所定電位に帯電される。次いで、帯電された電子写真感光体１の表面には、像露光手段（不図示）から像露光光４が照射され、目的の画像情報に対応した静電潜像が形成されていく。像露光光４は、例えば、スリット露光やレーザービーム走査露光などの像露光手段から出力される、目的の画像情報の時系列電気デジタル画像信号に対応して強度変調された光である。
【０１０４】
電子写真感光体１の表面に形成された静電潜像は、現像手段５内に収容されたトナーで現像（正規現像または反転現像）され、電子写真感光体１の表面にはトナー像が形成される。電子写真感光体１の表面に形成されたトナー像は、転写手段６により、転写材７に転写されていく。このとき、転写手段６には、バイアス電源（不図示）からトナーの保有電荷とは逆極性のバイアス電圧が印加される。また、転写材７が紙である場合、転写材７は給紙部（不図示）から取り出されて、電子写真感光体１と転写手段６との間に電子写真感光体１の回転と同期して給送される。
【０１０５】
電子写真感光体１からトナー像が転写された転写材７は、電子写真感光体１の表面から分離されて、像定着手段８へ搬送されて、トナー像の定着処理を受けることにより、画像形成物（プリント、コピー）として電子写真装置の外へプリントアウトされる。
【０１０６】
転写材７にトナー像を転写した後の電子写真感光体１の表面は、クリーニング手段９により、トナー（転写残りトナー）などの付着物の除去を受けて清浄される。近年、クリーナレスシステムも開発され、転写残りトナーを直接、現像器などで除去することもできる。さらに、電子写真感光体１の表面は、前露光手段（不図示）からの前露光光１０により除電処理された後、繰り返し画像形成に使用される。なお、帯電手段３が帯電ローラーなどを用いた接触帯電手段である場合は、前露光手段は必ずしも必要ではない。
【０１０７】
本発明においては、上述の電子写真感光体１、帯電手段３、現像手段５およびクリーニング手段９などの構成要素のうち、複数の構成要素を容器に納めて一体に支持してプロセスカートリッジを形成する。そして、このプロセスカートリッジを電子写真装置本体に対して着脱自在に構成することができる。例えば、電子写真感光体１と、帯電手段３、現像手段５およびクリーニング手段９から選択される少なくとも１つとを一体に支持してカートリッジ化する。そして、電子写真装置本体のレールなどの案内手段１２を用いて電子写真装置本体に着脱自在なプロセスカートリッジ１１とすることができる。
【０１０８】
像露光光４は、電子写真装置が複写機やプリンターである場合には、原稿からの反射光や透過光であってもよい。または、センサーで原稿を読み取り、信号化し、この信号に従って行われるレーザービームの走査、ＬＥＤアレイの駆動もしくは液晶シャッターアレイの駆動などにより放射される光であってもよい。
【０１０９】
本発明の電子写真感光体１は、レーザービームプリンター、ＣＲＴプリンター、ＬＥＤプリンター、ＦＡＸ、液晶プリンターおよびレーザー製版などの電子写真応用分野にも幅広く適用することができる。
【実施例】
【０１１０】
以下に、具体的な実施例を挙げて本発明をさらに詳細に説明する。ただし、本発明は、これらに限定されるものではない。なお、実施例および比較例の電子写真感光体の各層の膜厚は、渦電流式膜厚計（Ｆｉｓｃｈｅｒｓｃｏｐｅ、フィッシャーインスツルメント社製）で求め、または、単位面積当たりの質量から比重換算で求めた。また、以下に記載の「部」は、「質量部」を意味し、「％」は「質量％」を意味する。
【０１１１】
＜ガリウムフタロシアニン顔料の合成＞
〔合成例１−１〕
窒素フローの雰囲気下、フタロニトリル５．４６部およびα−クロロナフタレン４５部を反応釜に投入した後、加熱し、温度３０℃まで昇温させた後、この温度を維持した。次に、この温度（３０℃）で三塩化ガリウム３．７５部を投入した。投入時の混合液の水分値は１５０ｐｐｍであった。その後、温度２００℃まで昇温させた。次に、窒素フローの雰囲気下、温度２００℃で４．５時間反応させた後、冷却し、温度１５０℃に達したときに生成物を濾過した。得られた濾過物をＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミドを用いて温度１４０℃で２時間分散洗浄した後、濾過した。得られた濾過物をメタノールで洗浄した後、乾燥させ、クロロガリウムフタロシアニン顔料を４．６５部（収率７１％）得た。
【０１１２】
〔合成例１−２〕
合成例１−１で得られたクロロガリウムフタロシアニン顔料４．６５部を、温度１０℃で濃硫酸１３９．５部に溶解させ、攪拌下、氷水６２０部中に滴下して再析出させて、フィルタープレスを用いて濾過した。得られたウエットケーキ（濾過物）を２％アンモニア水で分散洗浄した後、フィルタープレスを用いて濾過した。次いで、得られたウエットケーキ（濾過物）をイオン交換水で分散洗浄した後、フィルタープレスを用いた濾過を３回繰り返し、その後、固形分２３％の含水ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料を得た。
【０１１３】
〔合成例１−３〕
合成例１−２で得られた含水ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料１０部と、濃度３５質量％で温度２３℃の塩酸水溶液２００部を混合して、室温下でマグネチックスターラーで９０分間撹拌した。塩酸水溶液を混合した量は、ヒドロキシガリウムフタロシアニン１ｍｏｌに対して、塩酸は１１８ｍｏｌであった。撹拌後、この分散溶液を氷水で冷却された１０００部のイオン交換水に滴下して、マグネチックスターラーでさらに３０分撹拌した。そして、得られた分散液を減圧濾過した。このときにフィルターとして、Ｎｏ．５Ｃ（アドバンテック社製）を用いた。その後、温度２３℃のイオン交換水で分散洗浄を４回行った。このようにしてクロロガリウムフタロシアニン顔料９部を得た。このクロロガリウムフタロシアニン顔料は、ＣｕＫα特性Ｘ線回折におけるブラッグ角２θの７．１°、１６．６°、２５．７°、２７．４°および２８．３°にピークを有する結晶形の結晶であった。
【０１１４】
＜実施例１−１〜１−８、および、比較例１−１〜１−４＞
〔実施例１−１〕
合成例１−２で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料０．５部、および、Ｎ−メチルホルムアミド９．５部を、直径０．８ｍｍのガラスビーズ１５部とともにボールミルでミリング処理を室温（２３℃）下、６００時間行った。この際、容器は規格びん（製品コード：ＰＳ−６、柏洋硝子製）を用い、容器が１分間に６０回転する条件で行った。こうして得られた分散液にテトラヒドロフランを３０部添加した後、濾過器によって濾過し、さらに濾過器に残った濾取物をテトラヒドロフランで十分に洗浄した。そして、洗浄された濾取物を真空乾燥させて、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を０．４５部得た。得られた結晶の粉末Ｘ線回折図を図２に示す。
【０１１５】
また、ＮＭＲ測定により、得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内に、プロトン比率から換算し、Ｎ−メチルホルムアミドが、結晶中のヒドロキシガリウムフタロシアニンに対して０．９質量％含有されていることが確認された。Ｎ−メチルホルムアミドはテトラヒドロフランに相溶することから、Ｎ−メチルホルムアミドは結晶内に存在することが分かる。得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶のＮＭＲスペクトルを図６に示す。
【０１１６】
〔実施例１−２〕
実施例１−１において、ミリング処理時間を６００時間から２０００時間に代えた以外は、実施例１−１と同様に処理し、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を得た。得られた結晶の粉末Ｘ線回折図は、図２と同様であった。
【０１１７】
また、ＮＭＲ測定により、得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内に、プロトン比率から換算し、Ｎ−メチルホルムアミドが、結晶中のヒドロキシガリウムフタロシアニンに対して０．６質量％含有されていることが確認された。
【０１１８】
〔実施例１−３〕
実施例１−１において、ミリング処理時間を６００時間から１００時間に代えた以外は、実施例１−１と同様に処理し、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を得た。得られた結晶の粉末Ｘ線回折図は、図２と同様であった。
【０１１９】
また、ＮＭＲ測定により、得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内に、プロトン比率から換算し、Ｎ−メチルホルムアミドが、結晶中のヒドロキシガリウムフタロシアニンに対して２．１質量％含有されていることが確認された。
【０１２０】
〔実施例１−４〕
実施例１−１において、ミリング処理時間を６００時間から２００時間に代えた以外は、実施例１−１と同様に処理し、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を得た。得られた結晶の粉末Ｘ線回折図は、図２と同様であった。
【０１２１】
また、ＮＭＲ測定により、得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内に、プロトン比率から換算し、Ｎ−メチルホルムアミドが、結晶中のヒドロキシガリウムフタロシアニンに対して１．７質量％含有されていることが確認された。
【０１２２】
〔実施例１−５〕
実施例１−１において、Ｎ−メチルホルムアミド９．５部をＮ−ビニルホルムアミド９．５部に、ミリング処理時間を６００時間から２００時間に代えた以外は、実施例１−１と同様に処理し、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を得た。得られた結晶の粉末Ｘ線回折図を図３に示す。
【０１２３】
また、ＮＭＲ測定により、得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内に、プロトン比率から換算し、Ｎ−ビニルホルムアミドが、結晶中のヒドロキシガリウムフタロシアニンに対して１．８質量％含有されていることが確認された。
【０１２４】
〔実施例１−６〕
実施例１−１において、Ｎ−メチルホルムアミド９．５部をＮ−ｎ−プロピルホルムアミド９．５部に、ミリング処理時間を６００時間から２００時間に代えた以外は、実施例１−１と同様に処理し、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を得た。得られた結晶の粉末Ｘ線回折図を図４に示す。
【０１２５】
また、ＮＭＲ測定により、得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内に、プロトン比率から換算し、Ｎ−ｎ−プロピルホルムアミドが、結晶中のヒドロキシガリウムフタロシアニンに対して２．４質量％含有されていることが確認された。
【０１２６】
〔実施例１−７〕
実施例１−６において、ミリング処理時間を２００時間から１０００時間に代えた以外は、実施例１−６と同様に処理し、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を得た。得られた結晶の粉末Ｘ線回折図は、図４と同様であった。  
【０１２７】
また、ＮＭＲ測定により、得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内に、プロトン比率から換算し、Ｎ−ｎ−プロピルホルムアミドが、結晶中のヒドロキシガリウムフタロシアニンに対して１．４質量％含有されていることが確認された。
【０１２８】
〔実施例１−８〕
実施例１−１において、合成例１−２で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料０．５部を合成例１−３で得られたクロロガリウムフタロシアニン顔料０．５部に代え、ミリング処理時間を６００時間から２００時間に代えた以外は、実施例１−１と同様に処理し、クロロガリウムフタロシアニン結晶を０．４６部得た。得られた結晶の粉末Ｘ線回折図を図５に示す。
【０１２９】
また、ＮＭＲ測定により、得られたクロロガリウムフタロシアニン結晶内に、プロトン比率から換算し、Ｎ−メチルホルムアミドが、結晶中のクロロガリウムフタロシアニンに対して０．４質量％含有されていることが確認された。
【０１３０】
〔比較例１−１〕
実施例１−１において、合成例１−２で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料０．５部、Ｎ−メチルホルムアミド９．５部、直径０．８ｍｍのガラスビーズ１５部に代えて、合成例１−２で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料１．２５部、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド９．５部、直径５ｍｍのガラスビーズ２５部を用い、ミリング処理時間を４８時間とした以外は、実施例１−１と同様に処理し、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を１．１４部得た。
【０１３１】
また、ＮＭＲ測定により、得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内に、プロトン比率から換算し、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドが、結晶中のヒドロキシガリウムフタロシアニンに対して２．１質量％含有されていることが確認された。得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶のＮＭＲスペクトルを図７に示す。
【０１３２】
〔比較例１−２〕
実施例１−１において、Ｎ−メチルホルムアミド９．５部をＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド９．５部に、ミリング処理時間を６００時間から１００時間に代えた以外は、実施例１−１と同様に処理し、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を０．４３部得た。
【０１３３】
また、ＮＭＲ測定により、得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内に、プロトン比率から換算し、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドが、結晶中のヒドロキシガリウムフタロシアニンに対して２．１質量％含有されていることが確認された。
【０１３４】
〔比較例１−３〕
比較例１−２において、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド９．５部をジメチルスルホキシド９．５部に代えた以外は、比較例１−２と同様に処理し、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を得た。
【０１３５】
また、ＮＭＲ測定により、得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内に、プロトン比率から換算し、ジメチルスルホキシドが、結晶中のヒドロキシガリウムフタロシアニンに対して２．４質量％含有されていることが確認された。
【０１３６】
〔比較例１−４〕
比較例１−２において、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド９．５部をＮ−メチル−２−ピロリドン９．５部に代えた以外は、比較例１−２と同様に処理し、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を得た。
【０１３７】
また、ＮＭＲ測定により、得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内に、プロトン比率から換算し、Ｎ−メチル−２−ピロリドンが、結晶中のヒドロキシガリウムフタロシアニンに対して２．９質量％含有されていることが確認された。
【０１３８】
＜実施例２−１〜２−２６、および、比較例２−１〜２−４＞
〔実施例２−１〕
酸化スズで被覆した硫酸バリウム粒子（商品名：パストランＰＣ１、三井金属鉱業（株）製）６０部、酸化チタン粒子（商品名：ＴＩＴＡＮＩＸ  ＪＲ、テイカ（株）製）１５部、レゾール型フェノール樹脂（商品名：フェノライト  Ｊ−３２５、ＤＩＣ（株）製、固形分７０質量％）４３部、シリコーンオイル（商品名：ＳＨ２８ＰＡ、東レ・ダウコーニング（株）製）０．０１５部、シリコーン樹脂（商品名：トスパール１２０、モメンティブ・パフォーマンス・マテリアル（株）製）３．６部、２−メトキシ−１−プロパノール５０部、メタノール５０部からなる溶液を２０時間、ボールミルで分散処理することによって、導電層用塗布液を調製した。
【０１３９】
この導電層用塗布液を、支持体としてのアルミニウムシリンダー上に浸漬塗布し、得られた塗膜を３０分間１４０℃で乾燥させることによって、膜厚が１５μｍの導電層を形成した。
【０１４０】
次に、共重合ナイロン樹脂（商品名：アミランＣＭ８０００、東レ（株）製）１０部およびメトキシメチル化６ナイロン樹脂（商品名：トレジンＥＦ−３０Ｔ、ナガセケムテックス（株）製）３０部を、メタノール４００部／ｎ−ブタノール２００部の混合溶剤に溶解させることによって、下引き層用塗布液を調製した。
【０１４１】
この下引き層用塗布液を導電層上に浸漬塗布し、得られた塗膜を乾燥させることによって、膜厚が０．７μｍの下引き層を形成した。
【０１４２】
次に、実施例１−１で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶（電荷発生物質）１０部、ポリビニルブチラール（商品名：エスレックＢＸ−１、積水化学工業（株）製）５部、および、シクロヘキサノン２５０部を、直径１ｍｍのガラスビーズを用いたサンドミルに入れ、６時間分散処理し、これに酢酸エチル２５０部を加えて希釈することによって、電荷発生層用塗布液を調製した。
【０１４３】
この電荷発生層用塗布液を下引き層上に浸漬塗布し、得られた塗膜を１０分間１００℃で乾燥させることによって、膜厚が０．２２μｍの電荷発生層を形成した。
【０１４４】
次に、下記式（ＣＴＭ−１）で示される化合物（電荷輸送物質）２８部、下記式（ＣＴＭ−２）で示される化合物（電荷輸送物質）４部、例示化合物（１）１部、ポリカーボネート（商品名：ユーピロンＺ２００、三菱エンジニアリングプラスチックス（株）製）４０部を、モノクロロベンゼン２００部／ジメトキシメタン５０部の混合溶媒に溶解させることによって、電荷輸送層用塗布液を調製した。
【０１４５】
【化２５】
0006512866.tif 000027
【０１４６】
この電荷輸送層用塗布液を電荷発生層上に浸漬塗布し、得られた塗膜を１時間１２５℃で乾燥させることによって、膜厚が２３μｍの電荷輸送層を形成した。
【０１４７】
このようにして、円筒状（ドラム状）の実施例２−１の電子写真感光体を作製した。
【０１４８】
〔実施例２−２〕
実施例２−１において、電荷発生層用塗布液を調製する際の実施例１−１で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を実施例１−２で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶に変更した。また、電荷輸送層用塗布液を調製する際の例示化合物（１）を例示化合物（１２）に変更した。これらの変更以外は、実施例２−１と同様にして実施例２−２の電子写真感光体を作製した。
【０１４９】
〔実施例２−３〕
実施例２−１において、電荷発生層用塗布液を調製する際の実施例１−１で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を実施例１−３で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶に変更した。また、電荷輸送層用塗布液を調製する際の例示化合物（１）を例示化合物（７）に変更した。これらの変更以外は、実施例２−１と同様にして実施例２−３の電子写真感光体を作製した。
【０１５０】
〔実施例２−４〕
実施例２−１において、電荷発生層用塗布液を調製する際の実施例１−１で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を実施例１−４で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶に変更した。また、電荷輸送層用塗布液を調製する際の例示化合物（１）を例示化合物（５）に変更した。これらの変更以外は、実施例２−１と同様にして実施例２−４の電子写真感光体を作製した。
【０１５１】
〔実施例２−５〕
実施例２−１において、電荷発生層用塗布液を調製する際の実施例１−１で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を実施例１−５で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶に変更した。また、電荷輸送層用塗布液を調製する際の例示化合物（１）を例示化合物（１３）に変更した。これらの変更以外は、実施例２−１と同様にして実施例２−５の電子写真感光体を作製した。
【０１５２】
〔実施例２−６〕
実施例２−１において、電荷発生層用塗布液を調製する際の実施例１−１で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を実施例１−６で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶に変更した。また、電荷輸送層用塗布液を調製する際の例示化合物（１）を例示化合物（１４）に変更した。これらの変更以外は、実施例２−１と同様にして実施例２−６の電子写真感光体を作製した。
【０１５３】
〔実施例２−７〕
実施例２−１において、電荷発生層用塗布液を調製する際の実施例１−１で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を実施例１−２で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶に変更した。また、電荷輸送層用塗布液を調製する際の例示化合物（１）を例示化合物（６）に変更した。これらの変更以外は、実施例２−１と同様にして実施例２−７の電子写真感光体を作製した。
【０１５４】
〔実施例２−８〕
実施例２−１において、電荷輸送層用塗布液を調製する際の例示化合物（１）を例示化合物（１５）に変更した以外は、実施例２−１と同様にして実施例２−８の電子写真感光体を作製した。
【０１５５】
〔実施例２−９〕
実施例２−１において、電荷発生層用塗布液を調製する際の実施例１−１で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を実施例１−８で得られたクロロガリウムフタロシアニン結晶に変更した。また、電荷輸送層用塗布液を調製する際の例示化合物（１）を例示化合物（１６）に変更した。これらの変更以外は、実施例２−１と同様にして実施例２−９の電子写真感光体を作製した。
【０１５６】
〔実施例２−１０〕
実施例２−１において、電荷輸送層用塗布液を調製する際の例示化合物（１）を例示化合物（２２）に変更した以外は、実施例２−１と同様にして実施例２−１０の電子写真感光体を作製した。
【０１５７】
〔実施例２−１１〕
実施例２−１において、電荷輸送層用塗布液を調製する際の例示化合物（１）を例示化合物（２３）に変更した以外は、実施例２−１と同様にして実施例２−１１の電子写真感光体を作製した。
【０１５８】
〔実施例２−１２〕
実施例２−１において、電荷輸送層用塗布液を調製する際の例示化合物（１）を例示化合物（４１）に変更した以外は、実施例２−１と同様にして実施例２−１２の電子写真感光体を作製した。
【０１５９】
〔実施例２−１３〕
実施例２−１において、電荷輸送層用塗布液を調製する際の例示化合物（１）を例示化合物（４２）に変更した以外は、実施例２−１と同様にして実施例２−１３の電子写真感光体を作製した。
【０１６０】
〔実施例２−１４〕
実施例２−１において、電荷輸送層用塗布液を調製する際の例示化合物（１）を例示化合物（４５）に変更した以外は、実施例２−１と同様にして実施例２−１４の電子写真感光体を作製した。
【０１６１】
〔実施例２−１５〕
実施例２−１において、電荷輸送層用塗布液を調製する際の例示化合物（１）を例示化合物（４０）に変更した以外は、実施例２−１と同様にして実施例２−１５の電子写真感光体を作製した。
【０１６２】
〔実施例２−１６〕
実施例２−１において、電荷発生層用塗布液を調製する際の実施例１−１で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を実施例１−８で得られたクロロガリウムフタロシアニン結晶に変更した。また、電荷輸送層用塗布液を調製する際の例示化合物（１）を例示化合物（４９）に変更した。これらの変更以外は、実施例２−１と同様にして実施例２−１６の電子写真感光体を作製した。
【０１６３】
〔実施例２−１７〕
実施例２−１において、電荷輸送層用塗布液を調製する際の例示化合物（１）を例示化合物（５０）に変更した以外は、実施例２−１と同様にして実施例２−１７の電子写真感光体を作製した。
【０１６４】
〔実施例２−１８〕
実施例２−１において、電荷輸送層用塗布液を調製する際の例示化合物（１）を例示化合物（６７）に変更した以外は、実施例２−１と同様にして実施例２−１８の電子写真感光体を作製した。
【０１６５】
〔実施例２−１９〕
実施例２−１において、電荷輸送層用塗布液を調製する際の例示化合物（１）を例示化合物（５６）に変更した以外は、実施例２−１と同様にして実施例２−１９の電子写真感光体を作製した。
【０１６６】
〔実施例２−２０〕
実施例２−１において、電荷輸送層用塗布液を調製する際の例示化合物（１）を例示化合物（５５）に変更した以外は、実施例２−１と同様にして実施例２−２０の電子写真感光体を作製した。
【０１６７】
〔実施例２−２１〕
実施例２−１において、電荷輸送層用塗布液を調製する際の例示化合物（１）を例示化合物（５２）に変更した以外は、実施例２−１と同様にして実施例２−２１の電子写真感光体を作製した。
【０１６８】
〔実施例２−２２〕
実施例２−１において、電荷輸送層用塗布液を調製する際の例示化合物（１）を例示化合物（２６）に変更した以外は、実施例２−１と同様にして実施例２−２２の電子写真感光体を作製した。
【０１６９】
〔実施例２−２３〕
実施例２−１において、電荷輸送層用塗布液を調製する際の例示化合物（１）を例示化合物（３４）に変更した以外は、実施例２−１と同様にして実施例２−２３の電子写真感光体を作製した。
【０１７０】
〔実施例２−２４〕
実施例２−１において、電荷輸送層用塗布液を調製する際の例示化合物（１）を例示化合物（８９）に変更した以外は、実施例２−１と同様にして実施例２−２４の電子写真感光体を作製した。
【０１７１】
〔実施例２−２５〕
実施例２−１において、電荷輸送層用塗布液を調製する際の例示化合物（１）を例示化合物（９２）に変更した以外は、実施例２−１と同様にして実施例２−２５の電子写真感光体を作製した。
【０１７２】
〔実施例２−２６〕
実施例２−１において、電荷輸送層用塗布液を調製する際の（ＣＴＭ−２）で示される化合物（電荷輸送物質）４部を例示化合物（１２）４部に変更し、例示化合物（１）を加えなかった。これらの変更以外は、実施例２−１と同様にして実施例２−２６の電子写真感光体を作製した。
【０１７３】
〔比較例２−１〕
実施例２−１において、電荷発生層用塗布液を調製する際の実施例１−１で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を比較例１−１で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶に変更した。また、電荷輸送層用塗布液を調製する際の例示化合物（１）を加えなかった。これらの変更以外は、実施例２−１と同様にして比較例２−１の電子写真感光体を作製した。
【０１７４】
〔比較例２−２〕
実施例２−１において、電荷発生層用塗布液を調製する際の実施例１−１で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を比較例１−２で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶に変更した。また、電荷輸送層用塗布液を調製する際の例示化合物（１）を加えなかった。これらの変更以外は、実施例２−１と同様にして比較例２−２の電子写真感光体を作製した。
【０１７５】
〔比較例２−３〕
実施例２−１において、電荷発生層用塗布液を調製する際の実施例１−１で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を比較例１−３で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶に変更した。また、電荷輸送層用塗布液を調製する際の例示化合物（１）を加えなかった。これらの変更以外は、実施例２−１と同様にして比較例２−３の電子写真感光体を作製した。
【０１７６】
〔比較例２−４〕
実施例２−１において、電荷発生層用塗布液を調製する際の実施例１−１で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を比較例１−４で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶に変更した。また、電荷輸送層用塗布液を調製する際の例示化合物（１）を加えなかった。これらの変更以外は、実施例２−１と同様にして比較例２−４の電子写真感光体を作製した。
【０１７７】
〔実施例２−１〜２−２６および比較例２−１〜２−４の評価〕
実施例２−１〜２−２６および比較例２−１〜２−４の電子写真感光体について、繰り返し使用後の出力画像におけるゴースト現象の評価を行った。
【０１７８】
評価用の電子写真装置としては、日本ヒューレットパッカード（株）製のレーザービームプリンター（商品名：Ｃｏｌｏｒ  Ｌａｓｅｒ  Ｊｅｔ  Ｍ４５１ｄｎ）を、以下に示す改造を施して用いた。まず、帯電条件と像露光量は可変で作動するようにした。また、シアン色用のプロセスカートリッジに上記作製した電子写真感光体を装着してシアン色用のプロセスカートリッジのステーションに取り付けた。また、他の色（マゼンタ、イエロー、ブラック）用のプロセスカートリッジをプリンター本体に装着せずとも作動するようにした。
【０１７９】
まず、温度２３℃／湿度５５％ＲＨの常温常湿環境下で、実施例２−１の電子写真感光体の暗部電位が−５００Ｖ、明部電位が−８０Ｖになるように帯電条件と像露光量を調整した。電子写真感光体の表面電位の測定は、次のとおりとした。まず、プロセスカートリッジを改造し、現像位置に電位プローブ（商品名：ｍｏｄｅｌ６０００Ｂ−８、トレック・ジャパン（株）製）を装着する。その後、円筒状の電子写真感光体の中央部の電位を表面電位計（商品名：ｍｏｄｅｌ３４４、トレック・ジャパン（株）製）を使用して、測定した。
【０１８０】
その後、電子写真感光体を評価用の電子写真装置とともに１５℃／１０％ＲＨの低温低湿環境下で３日間放置した後、ゴースト画像評価を行った。同条件（低温低湿環境）下で１０００枚の繰り返し通紙試験を行い、繰り返し通紙試験終了直後および繰り返し通紙試験終了後１５時間経過時でのゴースト画像の評価を行った。
【０１８１】
なお、繰り返し通紙試験は、印字率２０％のＥ文字画像をＡ４サイズの普通紙にシアン単色で印字する条件で行った。評価結果を表２に示す。
【０１８２】
また、ゴースト画像評価の方法は、以下の通りである。
【０１８３】
ゴースト画像評価は、１枚目にベタ白画像を出力し、その後ゴーストチャートを４種各１枚の計４枚出力する。次に、ベタ黒画像を１枚出力した後に再度ゴーストチャートを４種各１枚の計４枚出力する。この順番で画像出力を行い、計８枚のゴースト画像で評価した。ゴーストチャートは、まず、出力画像書き出し（紙上端１０ｍｍ）位置から３０ｍｍの範囲をベタ白背景に２５ｍｍ四方のベタ黒の正方形を等間隔、かつ、平行に４つ並べる。そして、出力画像書き出し位置から３０ｍｍ以降は下記（１）〜（４）のハーフトーンの印字パターンのものをそれぞれ用いた。
【０１８４】
すなわち、４種類のゴーストチャートとは、出力画像書き出し位置から３０ｍｍ以降のハーフトーンパターンのみ異なるチャートで、ハーフトーンは以下の４種類である。
（１）横＊１ドット、１スペースの印字（レーザー露光）パターン。
（２）横＊２ドット、２スペースの印字（レーザー露光）パターン。
（３）横＊２ドット、３スペースの印字（レーザー露光）パターン。
（４）桂馬パターンの印字（レーザー露光）パターン。（将棋の桂馬の動きのように６マスに２ドット印字するパターン）
＊：「横」とは、レーザースキャナーの走査方向（出力された用紙では水平方向）を指す。
【０１８５】
ゴースト画像のランク分けは以下のように行った。なお、ランク４、５、６は、本発明の効果が十分に得られていないと判断した。
ランク１：いずれのゴーストチャートでもゴーストは見えない。
ランク２：特定のゴーストチャートでゴーストがうっすら見える。
ランク３：いずれのゴーストチャートでもゴーストがうっすら見える。
ランク４：特定のゴーストチャートでゴーストが見える。
ランク５：いずれのゴーストチャートでもゴーストが見える。
ランク６：特定のゴーストチャートでゴーストがはっきり見える。
【０１８６】
【表２】
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【符号の説明】
【０１８７】
１  電子写真感光体
２  軸
３  帯電手段
４  像露光光
５  現像手段
６  転写手段
７  転写材
８  像定着手段
９  クリーニング手段
１０  前露光光
１１  プロセスカートリッジ
１２  案内手段
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
0006512866.tif 000039
【図７】
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