(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子放射によるパターンの書き込みに関するデータを生成する方法において、
−  Ｓ１）基板上に形成すべきパターン（１）を提供するステップと、
−  Ｓ２）前記形成すべきパターン（１）から、１つの外側エンベロープを備えるワークパターン（２）を形成するステップと、
−  Ｓ３）前記ワークパターン（２）を、それぞれが１つの外側エンベロープを有する複数の基本アウトラインを備える一組の基本アウトライン（３）に分解し、各基本アウトライン（３）のための一組の照射条件を規定するステップと、
−  Ｓ４）前記形成すべきパターン（１）を、前記複数の基本アウトライン（３）のための複数の照射条件を表すシミュレーションパターン（４）と比較し、前記形成すべきパターン（１）を表すシミュレーションパターン（４）を、前記形成すべきパターン（１）を表さないシミュレーションパターン（４）から区別するステップと、
を連続的に備え、
前記シミュレーションパターン（４）が、前記形成すべきパターン（１）を表していない場合、前記方法は、
−  Ｓ７）前記形成すべきパターン（１）の外側エンベロープの少なくとも一部分と、前記シミュレーションパターン（４）の外側エンベロープの対応部分との間における、少なくとも１つのシフトベクトルを決定するステップと、
−  Ｓ８）前記ワークパターン（２）の外側エンベロープの少なくとも一部分または前記形成すべきパターン（１）の外側エンベロープの少なくとも一部分を、少なくとも前記対応するシフトベクトルから決定された、変位ベクトルに従って変位させ、新しいワークパターン（２）を形成するステップと、
−  ステップＳ３）およびＳ４）の新たな反復を実行するステップと、
を備えることを特徴とする方法。
【請求項２】
前記分解（Ｓ３）において、最初の前記一組の基本アウトライン（３）は、２つの隣接する基本アウトライン（３）間における重複を避けるように構成されている、ことを特徴とする請求項１に記載の生成方法。
【請求項３】
前記分解ステップ（Ｓ３）において、前記基本アウトライン（３）の一部の位置は、前回の反復の前記基本アウトライン（３）の一部により占められる位置と同一である、請求項１または請求項２に記載の生成方法。
【請求項４】
前記分解ステップ（Ｓ３）において、前記基本アウトライン（３）の一部の形状および表面は、前回の反復の基本アウトライン（３）の一部の形状および表面と同一である、請求項１から３のいずれかに記載の生成方法。
【請求項５】
前記一組の基本アウトライン（３）を形成する基本アウトライン（３）の数の、前回の反復の分解ステップにおける前記一組の基本アウトライン（３）を形成する基本アウトライン（３）の数に対する比率は、０．８〜１．２の範囲内である、請求項１から４のいずれかに記載の生成方法。
【請求項６】
前記比較（Ｓ６）の後に、前記ワークパターン（２）を修正して、前記形成すべきパターン（１）の形状に近づける、請求項１から５のいずれかに記載の生成方法。
【請求項７】
電子放射により基板上にパターンを書き込む方法であって、
−  請求項１から請求項５のいずれかの生成方法を使用するステップと、
−  最後の反復の照射条件を、電子銃制御回路に送信するステップと、
を備えることを特徴とする方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子放射からのインソレーション（insolation）によるパターンの製造に関するデータを生成する方法、および電子放射からのインソレーションによりパターンを製造する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
集積回路の分野において、電子銃書き込みシステムが、現在、小さな寸法を有するパターンを規定するために用いられている。
【０００３】
そのような書き込みシステムにおいて、荷電粒子が、一般に樹脂と呼ばれる層の表面に発射される。電子放射は、樹脂層の一部の反応を生じさせ、異なる物理化学特性を有する２つの材料を規定する。このような特性差は、後続の現像ステップにて用いられ、このステップは１つまたは複数のパターンの形成を可能にする。
【０００４】
適用されるインソレーション条件は、異なるパターンの形状および位置の規定を可能にする。しかし、反応層を形成する材料を、異なる物理化学特性を有する別の材料に変換させるためには、十分な量の電子が、それらのエネルギーを層に送られるべきである。ここで、実際には、不可避な電子散乱現象（入射ビームの回折、樹脂および隣接する材料内の異なる散乱メカニズム、電子の一部が樹脂から出ること、および出てきた電子の一部が、外部要素に反射した後または基板から後方散乱した後に樹脂に戻ること）が存在する。このような散乱現象のために、樹脂に送り込まれるエネルギーは、入射電子ビームの形状に単純に依存しない。よって、インソレーションおよび現像条件に関して賢明な選択を行い、形成されるパターンが予想されるものに可能な限り一致するようにする必要がある。
【０００５】
ラスタースキャンおよびベクタースキャンと呼ばれる実施形態において、電子ビームは、反応層に対して変位し、最終的なパターンを形成する１つまたは複数のパターンを規定する。可変形状ビームと呼ばれる別の実施形態において、ビームは、所望のパターンを規定するように配置された１つまたは複数の開口を通して発射される。従来、各パターンの異なる部分は、複数の電子銃ショットの使用から得られる。
【０００６】
形成すべきパターンの形状は、複数の基本アウトラインに分解される。異なる基本アウトラインを、次いで分析し、電子ビームによるインソレーションの条件を規定する。これにより、初期パターンは、関連する基本アウトラインを表す複数の電子銃ショットに分解される。
【０００７】
電子ビームの形状を完全に修正すること、または反応層内の電子散乱を制御することは容易でないため、パターンに存在する全ての形状を直接形成することは可能でない。実際には、電子放射を生成する機器は、小さな一組の可能なショットを有し、かつ制限されたサイズを有する。
【０００８】
特に隣接パターン間の近接効果は、通常、得られるパターンと、最初に望まれるパターンとの間の顕著な形状差として表される。最終パターンと要求されるものとの間の忠実性を増加させるために、異なる対策が開発されている。
【０００９】
米国特許第ＵＳ６，１０７，２０７号の文献において、パターンエッジに印加される線量は増加され、これは、露出時間の著しい増加として表される。この場合、基本アウトラインにより規定される形状は、形成すべきパターンの形状と一致している。
【００１０】
仏国特許第ＦＲ２９５９０２６号の文献は、印加された電子放射のエネルギーおよび印加領域の複合的な最適化の方法を提供する。形成すべきパターンは、単位要素に分解され、ショット変調が、各単位要素について計算される。放射線量が、所望のパターンの形状に忠実な最終パターンを規定することを可能にするように、側方ストリップを加えることにより、単位要素の形状が修正される。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
パターンの形成に関連するデータを生成する方法を提供する必要性があると考えられ、この方法は、所望のパターンと、電子ビームによりインソレーションした後に得られるパターンとの間の形状差を減少させる。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
この必要性は、方法であって、
−  Ｓ１）基板上に形成すべきパターンを提供するステップと、
−  Ｓ２）形成すべきパターンから、１つの外側エンベロープを含むワークパターンを形成するステップと、
−  Ｓ３）ワークパターンを、それぞれが１つの外側エンベロープを有する複数の基本アウトラインを含む一組の基本アウトラインに分解し、各基本アウトラインのための一組のインソレーション条件を規定するステップと、
−  Ｓ４）形成すべきパターンを、基本アウトラインのための複数組のインソレーション条件を表すシミュレーションパターンと比較し、形成すべきパターンを表すシミュレーションパターンを、形成すべきパターンを表さないシミュレーションパターンから区別するステップと、
を備え、
シミュレーションパターンが、形成すべきパターンを表していない場合、
−  Ｓ７）形成すべきパターンの外側エンベロープの少なくとも一部分と、シミュレーションパターンの外側エンベロープの対応部分との間における、少なくとも１つのシフトベクトルを決定するステップと、
−  Ｓ８）ワークパターンの外側エンベロープの少なくとも一部分または形成すべきパターンの外側エンベロープの少なくとも一部分を、少なくとも対応するシフトベクトルから決定された、変位ベクトルに従って変位させ、新しいワークパターンを形成するステップと、
−  ステップＳ３）およびＳ４）の新たな反復を実行するステップと、
を備える方法によって満たされる可能性が高い。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
本発明の上記および他の特徴ならびに利点は、添付の図面に示される、以下の本発明の特定の実施形態の非限定の説明からより明らかとなるであろう。
【図１】所望のパターンを形成する方法の異なるステップのフローチャートを示す図である。
【図２】異なる方法ステップにおける、形成すべきパターンと、ワークパターンと、基本アウトラインと、シミュレーションされたパターンとを模式的に示す図である。
【図３】異なる方法ステップにおける、形成すべきパターンと、ワークパターンと、基本アウトラインと、シミュレーションされたパターンとを模式的に示す図である。
【図４】異なる方法ステップにおける、形成すべきパターンと、ワークパターンと、基本アウトラインと、シミュレーションされたパターンとを模式的に示す図である。
【図５】異なる方法ステップにおける、形成すべきパターンと、ワークパターンと、基本アウトラインと、シミュレーションされたパターンとを模式的に示す図である。
【図６】異なる方法ステップにおける、形成すべきパターンと、ワークパターンと、基本アウトラインと、シミュレーションされたパターンとを模式的に示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
図１および図２に示すように、形成すべきパターン１が、基板上に形成されるべく提供される。ステップＳ１において、第１のパターン１が提供され、このパターンは、ユーザが望むパターン、すなわち形成すべきパターン１に対応する。形成すべきパターン１は、形状、すなわち関連する面における構成と、領域（表面積）とにより規定される。これら２つの特徴は、パターンの外郭、すなわちパターン１を規定する外側エンベロープにより同時に表される。これらの成分は、パターンを特徴付け、かつ互いに区別することを可能にする。形成すべきパターン１は、四角形、長方形、円形、または自由な形状などの、任意の形状を有してもよい。形成すべきパターンは、１つまたは複数の穴を有してもよい。
【００１５】
形成すべきパターン１は、外側エンベロープにより規定され、外側エンベロープは、連続し、かつ閉じている。形成すべきパターン１は、よって、単一のパターンである。形成すべきパターン１は、互いに異なる一組の基本パターンによっては規定されない。形成すべきパターン１は、例えば、ゲート電極、その中にソースおよびドレイン電極が規定されるアクティブ領域、電気接点または他の任意の集積回路要素を表してもよい。方法を、他の用途に用いることも可能である。
【００１６】
基板は、任意の種類のもので、導電性または絶縁性であってもよい。基板は、半導体基板または後にフォトリソグラフィマスクとして用いられる半透明基板であってもよい。基板は、電子放射と反応するように構成される反応層、例えば樹脂、を備える。
【００１７】
第２のステップＳ２において、形成すべきパターン１を用いて、ワークパターン２が形成される。好適には、ワークパターン２は、形成すべきパターン１に正確に対応する。しかし、形成すべきパターン１をわずかに修正して、ワークパターン２を形成することも考えられる。例えば、特定の形状が、樹脂および／または電子ビームの技術的キャパシティよりも小さな寸法を有するため、特定の形状を除去する。このようなワークパターン２の簡素化（形成すべきパターン１に対する）は、計算時間の減少を可能にする。
【００１８】
ステップＳ３において、ワークパターン２は、一組の基本アウトライン３に分解される。例として、ワークパターン２は、３つの基本アウトライン３ａ、３ｂ、および３ｃに分解される。
【００１９】
図２に示される分解ステップＳ３において、ワークパターン２は、標準化されたサイズを好適に有する複数の基本アウトライン３に分解される。好適には、基本パターンは、メモリを節約するパターンおよび／または分解ステップの期間を短縮することが可能なパターンである。好ましくは、基本アウトライン３は、簡素な形状を有する。特定の実施形態において、基本アウトラインは、最大で４つの側部を有する凸多面体である。例えば、基本アウトライン３は、四角形または長方形である。基本アウトライン３の形状は、電子放射を生成する機器の技術的キャパシティにより課されてもよい。しかし、代替実施形態において、基本アウトライン３は、曲線輪郭を有してもよい。好適には、異なる基本アウトラインの形状は、アクセス可能なアウトラインを規定する制限された数のインソレーション条件を有する電子リソグラフィ機器により規定される。各基本アウトラインには、線量が割り当てられ、この線量は、１つまたは複数のショットを含んでもよい。
【００２０】
基本アウトライン３は、好適には、より簡素な形状を有し、その後、それらの形状を、電子放射の１回または複数回の露出に関する特徴に置き換えることを容易にする。各基本アウトライン３は、その形状（その表面積の値を含む）、すなわち、その外側エンベロープにより規定される。各基本アウトライン３は、また、その位置によっても規定される。図２に示される例において、形成すべきパターン１は、異なる寸法および異なる位置を有する矩形として示される、３つの基本アウトラインに分解される。
【００２１】
基本アウトライン３は、好適には、パターンの最終形状を非常に大きく修正する空の領域、すなわち非照射領域の存在を避けるために、互いに隣接して配置される。基本アウトライン３は、好適には、互いに隣接して配置され、２つの隣接する基本アウトライン３の重複を避ける。
【００２２】
異なる基本アウトライン３の関連性は、ワークパターン２を形成し、これは、形成すべきパターン１であるか、または形成すべきパターン１に非常に近いパターンである。
【００２３】
分解ステップＳ３において、基本アウトライン３は、ワークパターン２の外側エンベロープの形状を可能な限り忠実にコピーするように構成されている。異なる基本アウトライン３の外側エンベロープは、電子放射により形成される最終パターンの形状を規定する。電子リソグラフィパターンの良好な規定のために、重要なパラメータは、パターン表面積であることが見出されている。しかし、パターン形状に関して行われる作業は、パターン線量に関して行われる作業により完成される。達成すべきパターンの形状に対しより大きなウェートをおくことにで、従来技術と比べて、所望のパターンとより一致するパターンを形成することが可能である。
【００２４】
電子放射を印加する機器のユーザは、分解において生成される基本アウトライン３の最大数などの制約を課してもよい。基本アウトラインにより占められる最小および／または最大表面積、あるいは基本アウトラインを規定する電子ショットの最大数を決定することも可能である。これら制約の全ては、形成すべきパターン１に近い照射パターンの形成を複雑にする。例えば、基本パターンの最大寸法を、１μｍよりも小さくすることを課すことも可能である。
【００２５】
各基本アウトライン３は、例えば、ショット間で異なり得る線量および位置を有する、１つまたは複数の電子ショットにより表される。換言すれば、基本アウトライン３は、複数組のインソレーション条件の形態で集められる電子インソレーション条件によりモデル化される。換言すれば、基本アウトライン、よってパターンを形成するために、複数のショットが実行される。これらの異なるショットは、基本アウトラインを規定するのに必要な線量を表す。
【００２６】
ユーザは、ビーム重複、可変ビーム幅、異なる加速電圧を有する異なる手法、または、基本アウトラインに可能な限り近い一組のインソレーション条件を有することが知られている他の手法を使用してもよい。実際に、電子照射機器は、加速電圧と露出時間とを同時に変化させることは可能としない。機器は、μＣ／ｃｍ２で測定される、異なる線量を提供するように好適に構成されている。
【００２７】
特定の実施形態において、ワークパターン２の形状寸法分解ステップＳ３は、基本アウトライン３の電子放射分配の対策からは切り離される。上に示したように、形成すべきパターン１は、ワークパターン２に変換され、ワークパターン２は、複数の基本パターン３に分解される。同時に、形成すべきパターン１と、好適には形成すべきパターンの群とを備えるワークスペースは、複数の基準領域に分割される。密度値が、各基準領域と関連付けられる。密度値は、例えば、パターンが占める表面積の、基準領域の表面積に対する比率を示す。一度異なる密度値が計算されると、基準領域内に含まれるアウトラインを可能な限り忠実に再現するために、各基準領域に印加される線量を計算することが可能である。好適には、先に計算された密度は、電子散乱モデルの長距離密度により畳み込まれる（ポイントスプレッド関数とも呼ばれる）。
【００２８】
電子放射線量を、各基準領域に関連付ける対策は、例えば長距離対策による、異なる技術によって、または文献”積分方程式近似解決法による近接効果補正計算（Proximity effect correction calculations by the integral equation approximate solution method）”Ｊ．Ｍ．パブコビッチ、真空科学および技術のジャーナル、Ｂ４（１）、１９８６年１・２月（J.M. Pavkovich J. Vac. Sci. Technol. B 4(1) Jan/Feb 1986）に説明される対策を用いて達成してもよい。これにより、形成すべきパターン１を表す、第１の組のインソレーション条件を簡素に形成することが可能である。
【００２９】
次いで、形成すべきパターン１の形状寸法分析にて規定される基本アウトライン３と、基準領域と関連する第１の組のインソレーション条件とを関係付けて、各基本アウトライン３と関連する一組のインソレーション条件を形成することが好適である。
【００３０】
特に好適な実施形態において、各基本アウトライン３の面積は、基準領域の面積よりも小さくして、電子照射線量の補正を制限する。これは特に、方法の集合を容易にする。
【００３１】
特に好適には、２つの隣接する基本アウトラインの間、および／または２つの隣接する基準領域間の線量差は、方法の集合を容易にするために、３０％よりも小さくする。
【００３２】
基本アウトライン３を一組のインソレーション条件としてモデル化する条件は、基本アウトラインの形状が、可能な限り保たれるように選択される。しかし、上述したように、基本アウトラインを表すように構成された電子は、一部がエンベロープの外に散乱する。
【００３３】
シミュレーションパターン４のシミュレーションのステップＳ４が実行される。このシミュレーションステップの間、異なる基本アウトライン３と関連付けられる異なる複数組のインソレーション条件を用いて、シミュレーションパターン４の形状、すなわち、電子照射後に得られるべきパターンを決定する。シミュレーションパターンの決定は、異なる基本パターン３を形成するのに適用されるインソレーション条件を考慮に入れる。シミュレーションパターンの決定は、隣接する基本アウトライン向けの樹脂の挙動を変える、基本パターンの外の電子放射の一部の散乱も考慮に入れる。
【００３４】
図３に見られるように、初期モデル（ワークパターン）と、シミュレーション後に得られる、実施加工物、例えば角の丸み付けも考慮に入れたものとの間には、差がある。パターン４ａ、４ｂおよび４ｃは、それぞれ、異なる基本アウトライン間の散乱現象を考慮に入れないシミュレーションの場合の、パターン３ａ、３ｂおよび３ｃのシミュレーションのパターンを示す。
【００３５】
シミュレーションパターン４は、電子放射の相互作用の、物体、特に後方散乱電子（フォギング）の長距離反射との物理効果を考慮に入れる。シミュレーションパターンの規定は、電子照射および／または方法の後続のステップによる、他の劣化現象を考慮に入れてもよい。例えば、形成すべきパターンを、エッチングマスクとして用いて、エッチングされたパターンが所望のものにより忠実となるようにする場合、シミュレーションは、エッチング加工物を考慮に入れてもよい。例えば、シミュレーションは、特に散乱のために起こる二重の照射を考慮に入れてもよい。
【００３６】
例として、およそ１０ｎｍの寸法を有するパターンのために、およそ１０μｍの電子散乱がある。シミュレーションパターン４は、基本アウトラインと関連するインソレーション条件に、部分的に依存する。シミュレーションパターン４は、隣接する基本アウトラインのインソレーション条件も考慮に入れて、図４に示されるような電子散乱も考慮に入れる。
【００３７】
ステップＳ４にて、シミュレーションパターン４は、ユーザが所望する形成すべきパターン１と比較される。比較ステップＳ４は、形成すべきパターン１を表すシミュレーションパターン４を、形成すべきパターン１を表さないシミュレーションパターンから区別することを可能にする。シミュレーションパターン４が、形成すべきパターンを表す場合、関連するワークパターン２および一組の基本アウトライン３についても、同じことが当てはまる。
【００３８】
好適には、この比較において、シミュレーションパターン４の形状を、形成すべきパターン１の形状と特に比較して、例えば、シミュレーションパターン４が形成すべきパターン１のアウトライン内にあるか、または逆に、シミュレーションパターン４は、形成すべきパターン１の縁を越えるかを認識する。
【００３９】
比較ステップＳ４において、１つまたは複数の基準が計算され、ステップＳ５にてしきい値と比較される。
【００４０】
照射パターン４の形状と、形成すべきパターン１の形状との差が計算される。異なる手法を用いて、基準を計算してもよく、基準は、次いでしきい値と比較される。比較基準は、２つのパターンの間における表面積の差を考慮に入れてもよく、この差は、パターン間の差に関する第１の情報を提供する。基準は、２つのパターン間に存在する最大距離を考慮に入れてもよい。
【００４１】
シミュレーションパターン４と、形成すべきパターン１とを比較するために、異なる手法が可能である。差を表す領域は、しきい値と比較される。１つまたは複数の基準領域をとることも可能であり、ここでは、形成すべきパターン１とシミュレーションパターン４とを隔てる距離を用いて、しきい値と比較される基準が規定される。これらの異なる手法を、組み合わせてもよい。
【００４２】
差を表す基準は、しきい値と比較される。基準がしきい値よりも低い場合（ステップＳ５の出力ＹＥＳ）、シミュレーションパターン４および基本アウトライン３は、形成すべきパターン４を表す。ステップＳ６において、使用されるワークパターンに関する複数組のインソレーション条件を、処理装置に送ってもよい。処理装置は、電子銃を制御する装置でもよく、この装置は、パターン１を基板に形成することを可能にする。処理装置は、情報を保存する装置としてもよく、この装置は、電子銃制御装置に送られる。
【００４３】
基準が、しきい値よりも大きい場合（Ｓ５の出力ＮＯ）、シミュレーションパターン４は、形成すべきパターン１を十分に表しておらず、よって、基本アウトライン３は、成功裏に完成したとはみなされない。新たなワークパターン２の規定による、新たな反復が実行される。
【００４４】
図４に示される例において、条件中の複数の照射領域の重複があり、これは、基本アウトライン３と、分離して取られる一組のインソレーション条件とにより予想されるものに対して、シミュレーションパターン４の形状の著しい修正をもたらす。図４の場合、このような二重照射効果は、初期のパターン１の形状を越えて、照射パターン４の延長として表される。パターン３ａおよび３ｃの縁における著しいシフト、またはくぼんだ角部の充填もある。
【００４５】
シミュレーションパターン４は、形成すべきパターン１の縁を越える１つまたは複数の部位を有してもよい。また、シミュレーションパターンの形状に、形成すべきパターン１に関する凹みを設けた、１つまたは複数の部位があってもよい。
【００４６】
比較する２つのパターンが異なっているため、少なくとも１つのシフトベクトルＶＳが、ステップＳ７にて決定される。シフトベクトルＶＳは、形成すべきパターン１の外側エンベロープの少なくとも一部分と、シミュレーションパターン４の外側エンベロープの対応部分との間のシフトに対応する。シミュレーションパターン４の外側エンベロープは、複数の基準領域に分解され、基準領域は、輪郭の各点またはこの輪郭の大きい方の部分としてもよい。
【００４７】
各基準領域のために、シフトベクトルＶＳが決定され、これは、シミュレーションパターン４の基準領域と、形成すべきパターン１の対応する基準領域との間に存在する差を表す。異なるシフトベクトルＶＳは、２つのパターン間の差の方向および振幅を表す。異なるシフトベクトルＶＳは、表面間および可能ならば同じ表面の異なる部分間のシフトの分布を、図４に示すように表す。
【００４８】
基準領域は、好適には、それが位置する表面の中央を含む。実際には、多くの場合、多面体の縁の丸み付けがあり、完全に規定された縁を得るためにインソレーション条件の最適化を行うのは、計算時間の点で高価である。アウトラインの有効部分は、側部の中央に主に位置するため、その角部よりもその側部の中央に関して、形成すべきパターンの良好な再現を支持することが好適である。特定の実施形態において、方法は、１つまたは複数の特権領域において寸法が守られることを確保するように構成されている。この場合、方法は、他の領域、例えば、守られない直角では差を受け入れる。
【００４９】
図５に示される第１の実施形態において、新たなワークパターン２を、ステップＳ７にて、形成すべきパターン１またはワークパターン２から形成する。前回の反復のワークパターン２の代わりに、形成すべきパターン１から再び開始することが好ましく、これは、小さな寸法を有する特徴は、モデル化ステップの間に消滅した可能性があるためである。形成すべきパターン１の使用は、関連するワークパターン２に向けてより容易に集合することを可能にする。以下の例において、再作業されたパターンが、形成すべきパターン１である。
【００５０】
形成すべきパターン１の基準領域は、少なくともシフトベクトルから規定される、変位ベクトルＶＤによって変位される。好適には、シフトベクトルＶＳおよび変位ベクトルＶＤは、同一直線上にある。より好適には、シフトベクトルＶＳおよび変位ベクトルＶＤは、同じ意味を有する。変位ベクトルＶＤは、シミュレーションパターン４と、形成すべきパターン１との間で測定された差が、次の反復の間に減少するようにして、シフトベクトルＶＳから形成される。好適な実施形態において、変位ベクトルは、複数のシフトベクトル、好ましくは隣接するシフトベクトルから決定される。
【００５１】
シミュレーションパターン４が、形成すべきパターン１の内側にある場合、計算機は、ワークパターン２が、形成すべきパターン１により近くなるために、１つまたは複数の増加した寸法を有すべく決定する。外側エンベロープは、変位され、これは、新たなワークパターン２を形成し、これは、シフトベクトルＶＳに起因するシフトに関する情報を考慮に入れる。
【００５２】
図５に示す例において、形成すべきパターン１の異なる側部に、異なる処理がなされる。特定の側部は、複数の片に切断され、個別に処理される。その起こり得る結果として、初期の直線の側部が、はざまの設けられた側部に変換される場合がある。他の側部は、複数の基準領域を有するが、処理は、側部が平面状のままとなるように構成されている。他の構成において、１つの基準領域を側部に配置して、側部全体の変位を規定してもよい。
【００５３】
よって、各反復に対し、形成すべきパターン１から好適に開始し、一組の変位ベクトルＶＤに従い形成すべきパターン１の外側エンベロープの少なくとも一部分を変位させることにより、新たなワークパターン２が形成される。ワークパターン２は、分解ステップに提出されるパターンであり、ワークパターンの形状は、前回の反復にて評価された近接効果を考慮に入れるために、形成すべきパターン１の形状とは著しく異なってもよい。ワークパターン２は、その輪郭により記述され、その形状は、好適には、特に近接効果によって行われる劣化を予期すべきである。
【００５４】
ワークパターン２を形成する、形成すべきパターン１の外側エンベロープの特定の変位条件は、任意の適合されたアルゴリズムにより達成されてもよい。例えば、特定の変位条件は、ＰＩＤすなわちＰｒｏｐｏｒｔｉｏｎａｌ−Ｉｎｔｅｇｒａｌ−Ｄｅｒｉｖａｔｉｖｅコントローラとして実施してもよい。別の補正タイプを用いることも可能である。
【００５５】
好適な実施形態において、形成すべきパターン１の変換は、ワークパターン２の側部と、形成すべきパターン１の側部との間の平行を維持するように構成されている。
【００５６】
各反復に関して、ワークパターン２は、前回の反復で検出された条件に従い生成される。ワークパターン２は、各反復にて変化するため、分解条件も変化する。各反復に関し、一組の基本アウトライン３は修正される。図５の例において、最初の組の３つの基本アウトラインが、一組の７つの基本アウトライン３ａ〜３ｇ（図５）に変換される。
【００５７】
特定の実施形態において、一組の基本アウトライン３への分解は、前回の反復の一組の基本アウトライン３に存在する条件を考慮に入れる。例として、方法は、インソレーション条件にもたらされる変化が修正されすぎないように、基本アウトラインの数の変化が４０％よりも低くなるように構成されてもよい。この条件は、方法の集合を容易にする。
【００５８】
ワークパターン２の新しい分解ステップＳ３は、新たな一組の基本アウトライン３の規定をもたらす。この新たな一組の基本アウトライン３は、好適には、変化していない基本アウトライン３と、空間的に変位されているが形状は変化していない基本アウトラインと、形状が変化した基本アウトラインとを含む。また、前回の組から消滅した基本アウトライン３および／または新たな基本アウトライン３を作成させることも可能である。
【００５９】
図５に示される特定の例において、ワークパターン２は、前回の反復のワークパターン２と比べて、変位ベクトルＶＤにより修正されている。概略的なエンベロープの形状は、変化しているため、分解ステップの条件は変化している。パターン３ａの概略的な形状は、通常、変化しない。最初の長方形のパターンは、その寸法のうちの１つが修正されている。しかし、パターン３ｂは、２つの異なるパターン３ｂおよび３ｄに分解されており、前回の反復のパターン３ａおよび３ｂ間の内縁の丸み付けの延長を制限するために行われたレベル差を考慮に入れている。
【００６０】
同様に、パターン３ｃは、４つのパターン３ｃ、３ｅ、３ｆ、および３ｇに分解されている。パターン３ｅおよび３ｆは、最初のパターン３ｃの外側の角の丸み付け効果を制限することを可能にする。
【００６１】
新たな一組の基本アウトライン３を形成するため、新たなワークパターン２をモデル化する新たな一組の条件の関連付けがある。
【００６２】
前回と同様に、一組のインソレーション条件を用いて、図６に示すように、シミュレーションパターン４を形成する。シミュレーションパターン４は、次いで、しきい値と比較され、基本アウトラインが、成功裏に完成されたか否かが決定される。ワークパターン２の修正が、その外側エンベロープの形状に対して行われ、前回の反復で認められた差を補償する。示された例において、前回の反復の間に検出された著しい差は、ほとんど補正されている。凹んだ角の丸み付けは、それがシミュレーションパターンの厚さの顕著な変化を誘発することなく、基本アウトライン３ｄの高さに対して基本アウトライン３ｂの高さを減少させることにより除去されている。
【００６３】
これにより、２つの連続する反復の間、基本アウトライン３の少なくとも一部分は、前回の反復の情報を考慮に入れて修正され、修正は、ワークパターンの外側エンベロープに対して連続的に行われて、形成すべきパターン１に近くなり、これは、方法の集合を容易にする。
【００６４】
ここで再び、新たな反復の終わりに、形成すべきパターン１との差が、しきい値よりも低い場合、シミュレーションパターン４は、形成すべきパターン１に近いとみなされ、インソレーション条件を用いて、照射されるべき層上の最終的なパターン１を形成してもよい。
【００６５】
これらの方法ステップは、シミュレーションパターン４と形成すべきパターン１との間の差がしきい値よりも大きい限り繰り返される。
【００６６】
一度しきい値に達すると、ワークパターン２に関する情報は、基本アウトライン３に関する情報、および／または照射条件に関する情報が、処理装置に送られる。次に、処理装置を用いて、基板上に形成すべきパターン１を形成する。
【００６７】
方法は、任意の適合された計算機によって実施してもよい。コンピュータに読み出されるように構成された、メモリに記録された複数組の命令から、方法を実行することが可能である。
【００６８】
特定の実施形態において、ステップＳ３の間に適用される分解条件は、電子放射を生成する機器により適用される分解条件とは異なる。
【００６９】
この場合、シミュレーションパターン４と、形成すべきパターン１との間の比較は、しきい値よりも低い。ワークパターン２および結果としての基本アウトラインは、形成すべきパターン１を表している。しかし、新たな分解が行われる。
【００７０】
この新たな分解において、ワークパターン２は、検証されているワークパターンと同一または実質的に同一である。ワークパターン２は、新たな分解条件により分解され、これは、新たな一組の基本アウトラインを規定してもよい。分解条件が異なっており、その結果は、前回得られたものよりも関連性が低い可能性がある。この新たな分解条件により、新たな一組のインソレーション条件を、新たな一組の基本パターンと関連付けてもよい。この情報は、例えば樹脂を照明することにより、形成すべきパターン１を形成する電子放射を生成する機器に送られてもよい。
【００７１】
この実施形態は、電磁放射生成装置により適用される分解条件が、基本パターン形状の選択に関して非常に限定されるため、特に好適である。この場合、より実際的な条件が、反復ループにて適用され、これは、ワークパターン２を、最小時間内で形成することを可能にする。次いで、一度ワークパターンが形成されると、ワークパターンは、より厳しい分解条件を適用することによりわずかに劣化され得る。２つの異なる分解条件の使用は、これらの差が、基本的に形状寸法パターン切削制約によるものである場合、特に好適である。この場合、反復部分の間に、ワークパターンに対して行われる修正は、最終結果に対してほとんどまたは全く影響がない。ワークパターン２の最終形状は、形成すべきパターン１をなお表している。ワークパターンの最終切削のみが、最終パターンの形状に対する弱い影響により変化する。これは特に、計算時間の節約を可能にする。
【００７２】
好適には、２つの分解条件は、基本パターンの大きさが実質的に等しくなる、すなわち、表面変化が、５０％よりも低くなるようにして構成される。また実質的に、２つの分解条件は、アウトラインの一般形状が維持されるようにして構成される。
【００７３】
もう１つの実施形態において、反復の数は、最大のしきい値に限定してもよい。これにより、方法が、関連するワークパターンを得ることを可能にする条件を提供できない場合、最大しきい値が到達された際に、方法は停止される。例えば、形成すべきパターンの形状が、方法を集合させることを可能としない場合、最大しきい値の使用は、方法の長期間にわたる実行を回避することを可能にする。
【００７４】
先の実施形態と組み合わせてもよい特定の実施形態において、印加されるべき電子線量を決定するアルゴリズムは、短距離成分と、複数の中距離および長距離成分とを有する物体内の電子散乱のモデルを使用する。これらの散乱モデルパラメータのいくつかを用いて、基本アウトラインまたは基準領域の特性を規定することが好適である。
【００７５】
短距離成分が、Ａと呼ばれる標準偏差を有する電子のガウス分布によりモデル化される場合、形成すべきパターン１の寸法は、標準偏差よりも大きいことを確かめることが好適である。複数の異なるパターンが形成される場合、各形成すべきパターン１を分析すべきである。
【００７６】
より好適には、なお、変位ベクトルは、各反復に関するガウス分布の標準偏差の半分以上の基準を有するように選択されることを規定することが可能である。このような予防策は、集合を容易にすることを可能にする。
【００７７】
特定のケースでは、中距離または長距離成分を提供する散乱モデルは、数Ｎによるものであり、それぞれ、Ｘが１〜Ｎに変化し成分の順番を表すＢｘと呼ばれるガウス曲線により表される。ランク１の成分は、短距離成分に最も近い成分である。分解条件は、基本パターンの寸法が、ランク１の成分の標準偏差よりも、５分の１の大きさしかないように選択されることを確かめることが好適である（ランク１の中距離成分）。このような予防策も、集合を容易にすることを可能にする。
【００７８】
特に好適には、基本アウトライン３の数は、方法の集合を容易にするために、２つの連続する反復の間で３０％を超えて修正されないようにする。
【００７９】
特に好適には、基本パターン３のそれぞれの表面積は、方法の集合を容易にするために、２つの連続する反復の間で、３０％を超えて修正されないようにする。
【００８０】
異なる基本パターン３を用いて、１つまたは複数の電子放射を有するインソレーション条件が規定されるため、２つの反復の間の中間アウトライン３の特性の変更を制限することが、特に好適である。複数のパラメータを大きく修正することは、形成すべきパターン１と方法により提供されるパターンとの間の差の大きな増加を引き起こす可能性がある。基本アウトライン３の最初の特性を維持することは、パターンの形成のためのデータ生成方法の逸脱のリスクを減少させることを可能にする。
【００８１】
特に好適な実施形態において、特定の領域が複数回照射されることを避けるために、基本アウトライン３は重複しない。このような予防策は、少なくとも、樹脂の同じ部位の強力な二重の照射により、書き込み加工物を減少させることを可能にする。
【００８２】
特定の実施形態において、基本パターンに割り当てられる線量は、１度だけ計算され、その結果は、複数の組の連続する基本アウトラインのため、または全ての組の基本アウトラインのために使用してもよい。代わりの実施形態において、各基本パターンに割り当てられる線量は、その都度計算されて、各反復にて行われる変化を考慮に入れる。
【００８３】
従来技術の方法と比べて、この方法は、複雑な形状を有するパターンのための補正解決策を提供することを可能にする。方法において、分解は後に実行され、これは、望まれる場合、一組の基本アウトラインの一貫性、つまりパターン間に重複がないことを確実にすることを可能にする。このような一貫性は、より忠実なシミュレーションパターンレンダリングおよびより良い分解品質を、例えば基本アウトラインの数を制限することにより提供する。
【００８４】
例として、米国特許第６，１０７，２０７号の文献に係る方法と比べて、例示された方法は、ショットの数を減少することを可能にし、これは、インソレーション速度を増加させる。
【００８５】
仏国特許第２９５９０２６号の文献に係る方法と比べて、例示される方法は、異なる反復にて基本アウトラインに行われる異なる修正により導入される近接効果を考慮に入れることを可能にする。
【００８６】
方法は、複雑なパターンが形成される変換のために、特に好適である。実際に、分解ステップは、シミュレーションステップおよび形成すべきパターンと比較して差を規定するステップと関連付けられる。反復プロセスは、異なる基本パターンに行われる補正アクションに起因する不完全さを、全ての放射された線量の間に存在する近接効果を考慮に入れて補正することを可能にする。比較として、従来技術では、分解は、方法の最初に１度限り行われる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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