(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
フロントエンドアーキテクチャであって、
３Ｇモード及び４Ｇモードの一方又は双方をサポートするべく構成された第１電力増幅器を有して移相回路を含む第１増幅経路と、
３Ｇモード及び４Ｇモードの一方又は双方をサポートするべく構成された第２電力増幅器を有する第２増幅経路と、
共通入力部において２Ｇ信号を受信して前記２Ｇ信号を、前記第１電力増幅器及び前記第２電力増幅器が前記２Ｇ信号の対応部分を増幅するように前記第１増幅経路及び前記第２増幅経路へと分割するべく構成された分割器と、
前記第１電力増幅器及び前記第２電力増幅器からの対応増幅２Ｇ信号を共通出力経路へと結合して結合２Ｇ信号を与えるべく構成された結合器と、
前記結合２Ｇ信号のための所望のインピーダンスを与えるべく前記共通出力経路に沿って実装されたインピーダンス変換器と
を含むフロントエンドアーキテクチャ。
【請求項２】
前記分割器は、
前記共通入力部と前記第１増幅経路との間にある第１スイッチと、
前記共通入力部と前記第２増幅経路との間にある第２スイッチと
を含む請求項１のフロントエンドアーキテクチャ。
【請求項３】
前記分割器は、前記第１スイッチ及び前記第２スイッチのそれぞれが、前記共通入力部において前記２Ｇ信号を受信して前記第１増幅経路及び前記第２増幅経路へと分割する場合に閉となるように構成される請求項２のフロントエンドアーキテクチャ。
【請求項４】
前記移相回路は前記第１電力増幅器の入力側に存在する請求項１のフロントエンドアーキテクチャ。
【請求項５】
前記移相回路は、
インダクタンスと、
前記インダクタンスの各端をアースに結合するキャパシタンスと
を含む請求項４のフロントエンドアーキテクチャ。
【請求項６】
前記第１増幅経路及び前記第２増幅経路はそれぞれ、出力整合ネットワークをさらに含む請求項１のフロントエンドアーキテクチャ。
【請求項７】
各出力整合ネットワークは、
インダクタンスと、
前記インダクタンスの出力側をアースに結合するキャパシタンスと
を含む請求項６のフロントエンドアーキテクチャ。
【請求項８】
前記結合器は、前記第１電力増幅器及び前記第２電力増幅器の出力側にあるバンド選択スイッチの一部である請求項１のフロントエンドアーキテクチャ。
【請求項９】
前記バンド選択スイッチは、前記第１増幅経路及び前記第２増幅経路のそれぞれに接続された極を含む請求項８のフロントエンドアーキテクチャ。
【請求項１０】
対応する増幅経路に接続された極は、３Ｇ／４Ｇ動作用の既存の極である請求項９のフロントエンドアーキテクチャ。
【請求項１１】
前記バンド選択スイッチは、前記インピーダンス変換器に接続されたスローをさらに含む請求項９のフロントエンドアーキテクチャ。
【請求項１２】
前記バンド選択スイッチは、対応する増幅経路に関連付けられた各極を、前記インピーダンス変換器に関連付けられたスローに接続するべく構成される請求項１１のフロントエンドアーキテクチャ。
【請求項１３】
前記インピーダンス変換器は、
直列に接続された第１インダクタンス及び第２インダクタンスと、
前記第１インダクタンス及び第２インダクタンス間のノードをアースへと結合する第１キャパシタンスと、
前記第２インダクタンスの出力側をアースへと結合する第２キャパシタンスと
を含む請求項１のフロントエンドアーキテクチャ。
【請求項１４】
前記第１増幅経路及び前記第２増幅経路はそれぞれ、バンドＢ８、Ｂ２６、Ｂ２０又はＢ２７を含む低バンド及びバンドＢ１７、Ｂ１３、Ｂ２８、Ｂ１２又はＢ２８Ｂ／Ｂ２９を含む超低バンドの３Ｇ／４Ｇ信号を増幅するべく構成される請求項１のフロントエンドアーキテクチャ。
【請求項１５】
フロントエンドモジュールであって、
複数のコンポーネントを受容するべく構成されたパッケージ基板と、
前記パッケージ基板上に搭載された電力増幅器ダイであって、３Ｇモード及び４Ｇモードのいずれか又は双方をサポートするべく構成された第１電力増幅器を有して移相回路を含む第１増幅経路、並びに３Ｇモード及び４Ｇモードのいずれか又は双方をサポートするべく構成された第２電力増幅器を有する第２増幅経路を含む電力増幅器ダイと、
共通入力部において２Ｇ信号を受信して前記２Ｇ信号を、前記第１電力増幅器及び前記第２電力増幅器が前記２Ｇ信号の対応部分を増幅するように前記第１増幅経路及び前記第２増幅経路へと分割するべく構成された分割器と、
前記第１増幅経路及び前記第２増幅経路からの対応増幅２Ｇ信号を共通出力経路へと結合して結合２Ｇ信号を与えるべく構成されたバンド選択スイッチと、
前記結合２Ｇ信号のための所望のインピーダンスを与えるべく前記共通出力経路に沿って実装されたインピーダンス変換器と
を含むフロントエンドモジュール。
【請求項１６】
前記電力増幅器ダイには、前記２Ｇ信号を増幅する専用２Ｇ増幅経路が実質的に存在しない請求項１５のフロントエンドモジュール。
【請求項１７】
無線装置であって、
送受信器と、
前記送受信器と通信するフロントエンドアーキテクチャであって、３Ｇモード及び４Ｇモードの一方又は双方をサポートするべく構成された第１電力増幅器を有して移相回路を含む第１増幅経路、並びに３Ｇモード及び４Ｇモードの一方又は双方をサポートするべく構成された第２電力増幅器を有する第２増幅経路を含むフロントエンドアーキテクチャと、
前記フロントエンドアーキテクチャと通信するアンテナと
を含み、
前記フロントエンドアーキテクチャは、共通入力部において２Ｇ信号を受信して前記２Ｇ信号を、前記第１電力増幅器及び前記第２電力増幅器が前記２Ｇ信号の対応部分を増幅するように前記第１増幅経路及び前記第２増幅経路に分割するべく構成された分割器をさらに含み、
前記フロントエンドアーキテクチャは、前記第１増幅経路及び前記第２増幅経路からの対応増幅２Ｇ信号を共通出力経路へと結合して結合２Ｇ信号を与えるべく構成された結合器をさらに含み、
前記フロントエンドアーキテクチャは、前記結合２Ｇ信号のための所望のインピーダンスを与えるべく前記共通出力経路に沿って実装されたインピーダンス変換器をさらに含み、
前記アンテナは少なくとも前記結合２Ｇ信号の送信を容易にするべく構成される無線装置。
【請求項１８】
前記無線装置は携帯電話機である請求項１７の無線装置。
【請求項１９】
前記携帯電話機は、２Ｇ能力を有する３Ｇ／４Ｇ装置である請求項１８の無線装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、３Ｇ／４Ｇ経路結合を使用した２Ｇ増幅に関する。
【０００２】
関連出願の相互参照
本願は、「３Ｇ／４Ｇ線形経路結合を使用した２Ｇ増幅の回路及び方法」との名称の２０１４年８月１７日出願の米国仮出願第６２／０３８，３２２号、及び「モード又は周波数により分離された入力と互換性のある電力増幅器インタフェイス」との名称の２０１４年８月１７日出願の米国仮出願第６２／０３８，３２３号の優先権を主張する。それぞれの開示は全体がここに明示的に参照として組み入れられる。
【背景技術】
【０００３】
多くの無線装置は、現行の電気通信規格及び一以上の旧式規格をサポートするべく構成される。例えば、多くの３Ｇ／４Ｇ装置は、２Ｇ携帯電話規格をサポートするべく構成される。
【発明の概要】
【０００４】
いくつかの実装によれば、本開示は、それぞれが３Ｇ／４Ｇ信号を増幅するべく構成された第１増幅経路及び第２増幅経路を含むフロントエンドアーキテクチャに関する。第１増幅経路は移相回路を含む。フロントエンドアーキテクチャは、２Ｇ信号を受信して当該２Ｇ信号を第１及び第２増幅経路へと分割するべく構成された分割器と、第１及び第２増幅経路からの増幅された２Ｇ信号を共通出力経路へと結合するべく構成された結合器とをさらに含む。フロントエンドアーキテクチャは、結合された２Ｇ信号に対して所望のインピーダンスを与えるべく共通出力経路に沿って実装されたインピーダンス変換器をさらに含む。
【０００５】
いくつかの実施形態において、分割器は、共通入力と第１増幅経路との間の第１スイッチと、当該共通入力と第２増幅経路との間の第２スイッチとを含み得る。第１及び第２スイッチは、２Ｇ信号が受信されて第１及び第２増幅経路に分割される場合に閉とすることができる。
【０００６】
いくつかの実施形態において、第１及び第２増幅経路は電力増幅器（ＰＡ）を含み得る。移相回路は、ＰＡの入力側に存在させることができる。移相回路は、インダクタンス、及び当該インダクタンスの各端をアースに結合するキャパシタンスを含み得る。
【０００７】
いくつかの実施形態において、第１及び第２増幅経路はそれぞれ、出力整合ネットワーク（ＯＭＮ）を含み得る。いくつかの実施形態において、双方のＯＭＮは、集積受動装置（ＩＰＤ）として実装することができる。いくつかの実施形態において、各ＯＭＮは、インダクタンス、及び当該インダクタンスの出力側をアースに結合するキャパシタンスを含み得る。
【０００８】
いくつかの実施形態において、結合器は、第１及び第２増幅経路のＰＡの出力側にあるバンド選択スイッチの一部とすることができる。バンド選択スイッチは、第１及び第２増幅経路それぞれに接続された極を含み得る。対応する増幅経路に接続された極は、３Ｇ／４Ｇ動作用の既存の極とすることができる。バンド選択スイッチは、インピーダンス変換器に接続されたスロー（ｔｈｒｏｗ）をさらに含むことができる。バンド選択スイッチは、対応する増幅経路に関連付けられた各極を、インピーダンス変換器に関連付けられたスローに接続するべく構成することができる。
【０００９】
いくつかの実施形態において、インピーダンス変換器は、直列接続された第１インダクタンス及び第２インダクタンスと、当該第１及び第２インダクタンス間のノードをアースに結合する第１キャパシタンスと、当該第２インダクタンスの出力側をアースに結合する第２キャパシタンスとを含み得る。
【００１０】
いくつかの実施形態において、第１及び第２増幅経路は、低バンド（ＬＢ）及び超低バンド（ＶＬＢ）３Ｇ／４Ｇ信号それぞれを増幅するべく構成することができる。２Ｇ信号は、例えば８２０ＭＨｚ〜９２０ＭＨｚの範囲にある周波数を有することができる。２Ｇ信号は、例えばＧＳＭ（登録商標）８５０バンド又はＥＧＳＭ９００バンドにある信号を含み得る。
【００１１】
いくつかの教示において、本開示は２Ｇ信号を増幅する方法に関する。方法は、２Ｇ信号を分割して第１増幅経路及び第２増幅経路それぞれに分割信号をもたらすことを含む。第１及び第２増幅経路それぞれは、３Ｇ／４Ｇ信号を増幅するべく構成される。方法は、第１増幅経路において分割信号を移相することと、第１及び第２増幅経路それぞれにおいて分割信号を増幅することとをさらに含む。方法は、第１及び第２増幅経路からの増幅信号を結合して結合信号をもたらすことと、当該結合信号に対して所望のインピーダンス変換を与えることとをさらに含む。
【００１２】
いくつかの実施形態において、増幅することは、第１及び第２増幅経路それぞれにおいて供給電圧を電力増幅器（ＰＡ）に与えることを含み得る。いくつかの実施形態において、方法は、増幅された２Ｇ信号の飽和電力レベル（Ｐｓａｔ）を増加させるべく供給電圧を調整することをさらに含むことができる。調整することは、供給電圧を増加させることを含み得る。
【００１３】
一定数の実装において、本開示は、複数のコンポーネントを受容するべく構成されたパッケージ基板と、当該パッケージ基板上に搭載された電力増幅器（ＰＡ）ダイとを含むフロントエンドモジュール（ＦＥＭ）に関する。ＰＡダイは、それぞれが３Ｇ／４Ｇ信号を増幅するべく構成された第１増幅経路及び第２増幅経路を含む。第１増幅経路は移相回路を含む。ＦＥＭは、２Ｇ信号を受信して当該２Ｇ信号を第１及び第２増幅経路に分割するべく構成された分割器と、第１及び第２増幅経路からの増幅された２Ｇ信号を共通出力経路に結合するべく構成されたバンド選択スイッチとをさらに含む。ＦＥＭは、結合された２Ｇ信号に対して所望のインピーダンスを与えるべく共通出力経路に沿って実装されたインピーダンス変換器をさらに含む。
【００１４】
いくつかの実施形態において、ＰＡダイ又はＦＥＭには、２Ｇ信号を増幅する２Ｇ増幅経路が実質的に存在しないようにすることができる。いくつかの実施形態において、ＦＥＭには、２Ｇ増幅経路に関連付けられた２Ｇ整合ネットワークが実質的に存在しないようにすることができる。
【００１５】
いくつかの教示によれば、本開示は、無線周波数（ＲＦ）信号を生成するべく構成された送受信器と、当該送受信器と通信するフロントエンドアーキテクチャとを含む無線装置に関する。フロントエンドアーキテクチャは、３Ｇ／４Ｇ信号を処理するべく構成され、かつ、それぞれが３Ｇ／４Ｇ信号を増幅するべく構成された第１増幅経路及び第２増幅経路を含む。第１増幅経路は移相回路を含む。フロントエンドアーキテクチャは、２Ｇ信号を受信して当該２Ｇ信号を第１及び第２増幅経路へと分割するべく構成された分割器と、第１及び第２増幅経路からの増幅された２Ｇ信号を共通出力経路へと結合するべく構成された結合器とをさらに含む。フロントエンドアーキテクチャは、結合された２Ｇ信号に対して所望のインピーダンスを与えるべく共通出力経路に沿って実装されたインピーダンス変換器をさらに含む。無線装置は、フロントエンドアーキテクチャと通信して増幅２Ｇ信号の送信を容易にするべく構成されたアンテナをさらに含む。
【００１６】
いくつかの実施形態において、無線装置は、携帯電話とすることができる。いくつかの実施形態において、携帯電話は、２Ｇ能力を有する３Ｇ／４Ｇ装置とすることができる。いくつかの実施形態において、携帯電話は、ＧＳＭ８５０バンド又はＥＧＳＭ９００バンドにおいて動作可能とすることができる。
【００１７】
本開示を要約する目的で、本発明の所定の側面、利点及び新規な特徴がここに記載されている。理解すべきことだが、本発明の任意の特定実施形態に従って必ずしもすべての利点が達成されるわけではない。すなわち、本発明は、ここに開示される一つの利点又は一群の利点を達成又は最適化する態様で具体化及び実施することができるのであって、ここに教示又は示唆される他の利点も達成する必要はない。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】一以上の２Ｇ増幅経路に順応することができる３Ｇ／４Ｇフロントエンドアーキテクチャを描く。
【図２】３Ｇ／４Ｇアーキテクチャの複数部分であるコンポーネントを利用することができる２Ｇ経路の一例を示す。
【図３】図２の例において利用することができる結合器の一例を示す。
【図４】３Ｇ／４Ｇアーキテクチャの複数部分であるコンポーネントを利用することができる２Ｇ経路の他例を示す。
【図５Ａ】図４の３Ｇ／４Ｇアーキテクチャの具体例を示す。
【図５Ｂ】図５Ａの例の代替設計を示す。
【図６】図５Ａ及び５Ｂの例においてインピーダンス変換器として実装することができる代表的な回路を示す。
【図７】図７Ａ及び７Ｂは、図５及び６のインピーダンス変換器の使用によって得る又は経験することができる性能の例を示す。
【図８】一構成にある図２の例に対する電力増幅利得プロットを出力電力の関数として示す。
【図９】他構成にある図２の例に対する電力増幅利得プロットを出力電力の関数として示す。
【図１０】さらなる他構成にある図２の例に対する電力増幅利得プロットを出力電力の関数として示す。
【図１１】一構成にある図５Ａの例に対する電力増幅利得プロットを出力電力の関数として示す。
【図１２】他構成にある図５Ａの例に対する電力増幅利得プロットを出力電力の関数として示す。
【図１３】３Ｇ／４Ｇ電力増幅器（ＰＡ）エンジンにおいて２Ｇ信号を処理するべく実装することができるプロセスを示す。
【図１４】いくつかの実施形態において、ここに記載されるすべての３Ｇ／４Ｇアーキテクチャのいくつかが、パッケージ化されたモジュールとして実装できることを示す。
【図１５】ここに記載される一以上の有利な特徴を有する代表的な無線装置を描く。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
見出しがここに与えられていたとしても、それは便宜上のものであって、必ずしも特許請求の範囲に係る発明の範囲又は意味に影響を与えるものではない。
【００２０】
マルチモード・マルチバンド（ＭＭＭＢ）携帯電話装置のフロントエンドにおける、ＧＭＳＫ／８ＰＳＫ送信無線周波数（ＲＦ）経路のような２Ｇ構成をサポートするべく、効率要件及び標的出力電力要件に対処する専用の電力増幅器（ＰＡ）ＲＦブロックが従来より必要とされている。低バンド（ＬＢ）２Ｇ（例えば低バンドＧＳＭ８５０及びＥＧＳＭ９００）は特に難易度が高い。携帯電話アンテナにおいて典型的に３３ｄＢｍの出力電力を必要とする一方、典型的な線形３Ｇ／４Ｇ電力増幅器（ＰＡ）のピーク電力が２７ｄＢｍに近いからである。またも留意されることだが、アクティブダイ面積、出力整合及び接続性のような設計因子が、かかるフロントエンドの面積及び／又はコストに実質的に影響し得る。
【００２１】
いくつかのアプリケーションにおいて、２Ｇのサポートは、コスト及び／又はサイズにある程度の影響を与える専用の２ＧのＰＡ及び無線周波数（ＲＦ）経路の使用を介して達成することができる。例えば、２ＧのＰＡのトランジスタに関連付けられる全体サイズは、３ＧのＰＡのトランジスタのサイズの２倍を超え得る。
【００２２】
他のアプリケーションにおいては、３Ｇ／４Ｇ線形経路の電気的な規模調整を利用することができる。しかしながら、かかる技術は典型的に、有損失ＤＣ−ＤＣ変換器供給電圧及び／又は負荷インピーダンススイッチングの調整を伴う。これは、劣ったＤＣ消費性能、並びに３Ｇ／４Ｇ線形経路の効率及び／又は線形性への悪影響をもたらし得る。
【００２３】
図１は、いくつかの実装において、本開示が、一以上の２Ｇ増幅経路１０４に順応することができる３Ｇ／４Ｇフロントエンドアーキテクチャ１００に関することを示す。かかるアーキテクチャは、例えばＭＭＭＢ機能を与えるべく複数の３Ｇ／４Ｇ増幅経路１０２を含み得る。
【００２４】
いくつかの実施形態において、かつ、ここに記載されるように、図１の２Ｇ増幅経路（複数可）１０４は、３Ｇ／４Ｇ性能（例えば線形性及び効率）を目的として設計され、最適化され、及び適切なサイズにされた既存の３Ｇ／４Ｇ線形送信経路及びＰＡ段を利用するべく構成することができる。かかる２Ｇ増幅経路（複数可）の様々な非制限的な例が、ここに詳述される。
【００２５】
図２は、３Ｇ／４Ｇアーキテクチャ１００の複数部分であるコンポーネントを利用することができる２Ｇ経路１０４の例を示す。図２の例において、ＰＡ１１６（ＰＡ１）及び出力整合ネットワーク１１８（ＯＭＮ１）を含む第１経路が３Ｇ／４Ｇ経路である。同様に、ＰＡ１２２（ＰＡ２）及び出力整合ネットワーク１２４（ＯＭＮ２）を含む第２経路も３Ｇ／４Ｇ経路である。ここでの様々な例において、かかる第１及び第２の３Ｇ／４Ｇ経路は、低バンド（ＬＢ）及び超低バンド（ＶＬＢ）経路の代表的な文脈で説明される。しかしながら、理解されることだが、本開示の一以上の特徴は、他の周波数バンドに関連付けられた経路（複数可）によって実装することもできる。
【００２６】
図２の例において、２Ｇ経路１０４は、２Ｇ信号（例えば低バンドＧＳＭ８５０又はＥＧＳＭ９００）を受信するべく構成された入力１１０を含み得る。かかる信号は分割器１１２によって、ＰＡ１に関連付けられた第１経路とＰＡ２に関連付けられた第２経路とに分割することができる。第１経路は、ＰＡ１の前に移相回路１１４を含むように、かつ、ＰＡ１の後に出力整合ネットワークＯＭＮ１を含むように示される。第２経路は、ＰＡ２の後に出力整合ネットワークＯＭＮ２を含むように示される。２つの経路は、増幅された２Ｇ信号のための出力１２８をもたらすべく、ウィルキンソン結合器１２０によって結合されるように示される。
【００２７】
図３は、図２のウィルキンソン結合器１２０の例を示す。第１及び第２ノード１３０、１３２はそれぞれ、図２のＯＭＮ１及びＯＭＮ２の出力に接続することができる。かかる２つのノード（１３０、１３２）は、抵抗Ｒ１を介して抵抗結合されるように示される。第１ノード１３０はキャパシタンスＣ１を介してアースに結合されるように示され、第２ノード１３２はキャパシタンスＣ２を介してアースに結合されるように示される。互いに直列でありかつ集合的にはＲ１に並列であるインダクタンスＬ１及びＬ２は、第１及び第２ノード１３０、１３２を結合する結果、出力１２８がＬ１及びＬ２間のノードに存在するように示される。出力ノード１２８は、キャパシタンスＣ３を介してアースに結合されるように示される。
【００２８】
留意されることだが、図２の例において、分割器１１２（例えば一以上のスイッチ）は、与えられた２Ｇ信号が第１経路のみへ、第２経路のみへ、又は第１及び第２経路双方へ引き回されるように構成することができる。かかる引き回しのオプションにより、かつ、第１及び第２経路が３Ｇ／４ＧのＬＢ及びＶＬＢ経路であるとの代表的な文脈において、表１は、２Ｇ信号（８２４ＭＨｚ又は９１５ＭＨｚ）が増幅される場合に図２及び３の構成に対して（ウィルキンソン結合器あり又はなしで）得られ又は予測され得る飽和電力レベル（Ｐｓａｔ）性能の例を列挙する。
【表１】
0006498563.tif 000002
【００２９】
表１を参照して以下の観測を行うことができる。「ＶＬＢのみ」の場合は、シミュレーションベンチにおいて、低負荷線ゆえに「ＬＢのみ」の場合よりも高いＰｓａｔを示した。無損失ウィルキンソン結合器（図３における１２０）は、理想的な抵抗器、インダクタ及びキャパシタ（Ｒ１＝１００オーム、Ｃ１＝Ｃ２＝２．６ｐＦ、Ｌ１＝Ｌ２＝１３ｎＨ、Ｃ３＝５．１ｐＦ）によってモデル化された。したがって、いくつかの実施形態において、ウィルキンソン結合器を利用する前述の設計は、少なくとも４つのＳＭＴコンポーネント、高電力定格を有する一つの抵抗器、及び（例えば入力２Ｇ信号を分割する目的の）２つの余分なスイッチアームを含み得る。
【００３０】
図４は、３Ｇ／４Ｇアーキテクチャ１００の複数部分であるコンポーネントを利用することができる２Ｇ経路１０４の例を示す。図４の例において、既存の後段ＰＡバンド選択スイッチに追加の共有スローを実装して、２つの低バンド３Ｇ／４Ｇ増幅器を同時に当該後段ＰＡバンド選択スイッチの共通出力極に接続することができる。かかる出力極から、インピーダンス変換ネットワークが、２つのＰＡの出力を最適に結合するべく与えられるので、２Ｇの低バンドに関連付けられるのが典型的な大きな出力電力仕様まで到達することができる。さらに、後段ＰＡバンド選択スイッチは、前述の結合器ネットワークを、他の３Ｇ／４Ｇ最適化ＰＡ及び関連経路から有効に隔離することができる。したがって、様々な３Ｇ／４Ｇ動作の性能への影響は、ほとんど又は全く存在しない。
【００３１】
図４の例を参照すると、ＰＡ１５６（ＰＡ１）及び出力整合ネットワーク１５８（ＯＭＮ１）を含む第１経路が３Ｇ／４Ｇ経路である。同様に、ＰＡ１６２（ＰＡ２）及び出力整合ネットワーク１６４（ＯＭＮ２）を含む第２経路も３Ｇ／４Ｇ経路である。ここでの様々な例において、かかる第１及び第２の３Ｇ／４Ｇ経路は、低バンド（ＬＢ）及び超低バンド（ＶＬＢ）経路の代表的な文脈で説明される。しかしながら、理解されることだが、本開示の一以上の特徴は、他の周波数バンドに関連付けられた経路（複数可）によって実装することもできる。
【００３２】
図４の例において、２Ｇ経路１０４は、２Ｇ信号（例えば低バンドＧＳＭ８５０又はＥＧＳＭ９００）を受信するべく構成された入力１５０を含み得る。かかる信号は、分割器１５２によって、ＰＡ１に関連付けられた第１経路とＰＡ２に関連付けられた第２経路とに分割することができる。第１経路は、ＰＡ１の前に移相回路１５４を含むように、かつ、ＰＡ１の後に出力整合ネットワークＯＭＮ１を含むように示される。第２経路は、ＰＡ２の後に出力整合ネットワークＯＭＮ２を含むように示される。２つの経路は結合器１６０によって結合されるように示され、結合経路は、増幅された２Ｇ信号のための出力１６８をもたらすべく構成されたインピーダンス変換器１６６を含むように示される。
【００３３】
図５Ａは、図４の３Ｇ／４Ｇアーキテクチャ１００具体例を示す。図５Ａにおいて、図４の分割器１５２、移相回路１５４、ＯＭＮ１５８、１６４、及び結合器１６０は一般に、同じ参照番号で示される。
【００３４】
図５Ａは、いくつかの実施形態において、分割器１５２が、共通入力１５０に接続された第１及び第２スイッチＳ１、Ｓ２を含み得ることを示す。第１スイッチＳ１は、移相回路１５４及び第１ＰＡ１５６（ＰＡ１）と直列となるように示される。第２スイッチＳ２は、第２ＰＡ１６２（ＰＡ２）と直列となるように示される。したがって、第１及び第２スイッチＳ１、Ｓ２の動作により、入力２Ｇ信号を第１ＰＡ（ＰＡ１）のみに（例えばＳ１閉、Ｓ２開）、第２ＰＡのみに（例えばＳ１開、Ｓ２閉）、又は第１及び第２ＰＡ（ＰＡ１及びＰＡ２）双方に（例えばＳ１閉、Ｓ２閉）引き回すことができる。図５Ａに示される例では、Ｓ１及びＳ２は双方とも閉である。したがって、入力２Ｇ信号は、第１及び第２ＰＡ（ＰＡ１及びＰＡ２）双方へと引き回される。
【００３５】
図５Ａは、いくつかの実施形態において、移相回路１５４がインダクタンスＬ１を含み得ることを示す。Ｌ１の各端は、キャパシタンス（Ｃ１又はＣ１’）を介してアースに結合される。第１及び第２ＰＡ（ＰＡ１及びＰＡ２）がＬＢ及びＶＬＢのＰＡでありかつ２Ｇ信号が低バンド信号（例えば８２４ＭＨｚ又は９１５ＭＨｚ）である文脈において、Ｌ１、Ｃ１及びＣ１’の代表的な値は以下のようにすることができる。すなわち、Ｌ１＝７．９ｎＨ、Ｃ１＝Ｃ１’＝２．１ｐＦである。かかる代表的な移相回路１５４の構成により、低バンド２Ｇ信号のための、近似的に６０度の移相を得ることができる。理解されることだが、移相回路１５４は、異なる量の移相を与えるべく及び／又は異なる周波数信号に順応するべく構成することができる。
【００３６】
図５Ａは、いくつかの実施形態において、第１及び第２ＰＡ（ＰＡ１及びＰＡ２）それぞれが一以上の段を含み得ることを示す。例えば、各ＰＡはドライバ段及び出力段を含み得る。かかる構成において、図５Ａの各ＰＡには、ドライバ段用の供給電圧ＶＣＣ１及び出力段用の供給電圧ＶＣＣ２を与えることができる。
【００３７】
図５Ａは、いくつかの実施形態において、ＯＭＮ１５８、１６４双方が集積受動装置（ＩＰＤ）１９２として実装できることを示す。かかるＩＰＤはまた、他の３Ｇ／４ＧのＰＡに対する整合ネットワークも含み得る。
【００３８】
図５Ａは、いくつかの実施形態において、移相回路１５４、ＰＡ（ＰＡ１、ＰＡ２）、及びＯＭＮ１５８、１６４を有するＩＰＤ１９２が、機能的にＰＡブロック１９０とみなし得ることを示す。かかる機能ブロックは、一以上のダイに実装することができる。例えば、ＩＰＤ１９２と複数のＰＡを有するダイとを積層して、側方のフットプリントサイズを低減することができる。他例では、図５ＡのＩＰＤ１９２とバンド選択スイッチ１９４とを積層することもできる。わかることだが、一定数の異なる構成も実装することができる。
【００３９】
図５Ａは、いくつかの実施形態において、図４の結合器１６０がバンド選択スイッチ１９４に実装できることを示す。例えば、第１及び第２経路用のＯＭＮ１５８、１６４の出力は、３Ｇ／４Ｇ動作用のバンド選択スイッチ１９４に既に存在し又は存在しないそれぞれの極に接続されるように示される。バンド選択スイッチ１９４における様々なスローは、それぞれの共用器１９８に接続されるように示される。追加のスロー１９６をバンド選択スイッチ１９４に与えることができるので、かかるスローは、ここに記載されるようにインピーダンス変換器１６６に接続することができる。したがって、バンド選択スイッチ１９４は、第１のＯＭＮ１５８の出力とスロー１９６との間の、及び第１のＯＭＮ１６４の出力とスロー１９６との間の接続を形成するべく動作することができるので、インピーダンス変換器１６６及び出力１６８を含む結合経路が得られる。
【００４０】
図５Ａの例において、共用器１９８は、例えばバンドＢ８、Ｂ２６、Ｂ２０、Ｂ１７、Ｂ２７、Ｂ１３、Ｂ２８、Ｂ１２及びＢ２８Ｂ／Ｂ２９のようなチャネルを含むように描かれる。理解されることだが、数が多い若しくは少ないバンド及び／又は他のバンドを実装し、バンド選択スイッチ１９４を介して切り替えることができる。
【００４１】
図５Ｂは、図５Ａの例の代替設計を示す。具体的には、図５Ｂの例は、図５Ａの結合器とは異なる結合器１６０を含むように示される。説明を目的として、図５Ｂの分割器１５２、ＰＡブロック１９０及び共用器１９８は、図５Ａのものと同様とすることができる。
【００４２】
図５Ｂの例においては図５Ａの例と同様に、第１及び第２経路のためのＯＭＮ１５８、１６４の出力は、３Ｇ／４Ｇ動作用のバンド選択スイッチ１９４に既に存在し又は存在しないそれぞれの極に接続されるように示される。しかしながら、図５Ｂのバンド選択スイッチ１９４には、かかる２つの極に接続され得る２つのスロー１９３ａ、１９３ｂが存在する。スロー１９３ａは第１整合ネットワーク１９５ａの入力に接続されるように示され、スロー１９３ｂは第２整合ネットワーク１９５ｂの入力に接続されるように示される。第１及び第２整合ネットワーク１９５ａ、１９５ｂの出力は、共通ノード１９７に接続されるように示される。したがって、図５Ｂの例における結合器は、ＯＭＮ１５８、１６４と共通ノード１９７との間に前述の経路を含み得る。
【００４３】
図５Ｂにおいて、インピーダンス変換器１６６が、共通ノード１９７と出力１６８との間に実装されるように示される。かかるインピーダンス変換器は、図５Ａの代表的な２５オーム／５０オーム変換器と同じであっても同じでなくてもよい。
【００４４】
図６は、図５Ａ及び５Ｂのインピーダンス変換器１６６として実装することができる代表的な回路を示す。かかる回路は、図５Ａのバンド選択スイッチ１９４の共通スロー１９６と出力１６８との間に、及び図５Ｂの共通ノード１９７と出力１６８との間に直列に接続されたインダクタンスＬ４及びＬ５を含み得る。インピーダンス変換器回路１６６は、Ｌ４及びＬ５間のノードをアースに結合するキャパシタンスＣ４と、出力ノード１２８をアースに結合するキャパシタンスＣ５とをさらに含むように示される。
【００４５】
図５Ａにおいて、インピーダンス変換器１６６は、（共通ノード（１９６）側における）２５オームから（出力（１６８）側における）５０オームへの変換を与えるように描かれる。かかる代表的な文脈において、図６におけるＬ４、Ｌ５、Ｃ４及びＣ５の値は以下のようにすることができる。理想的状態において、Ｌ４は近似的に３．７４ｎＨとし、Ｌ５は近似的に７．９１ｎＨとし、Ｃ４は近似的に６．３３ｐＦとし、及びＣ５は近似的に２．９９ｐＦとすることができる。Ｑ値が約４０であるＳＭＴインダクタ及びキャパシタに実装される場合、Ｌ４は近似的に３．６ｎＨとし、Ｌ５は近似的に７．７ｎＨとし、Ｃ４は近似的に６．２ｐＦとし、及びＣ５は近似的に３ｐＦとすることができる。インピーダンス変換器１６６の、かかる代表的な構成は、ここに記載されるように処理される低バンド２Ｇ信号に対する出力電力を高めることができる。理解されることだが、インピーダンス変換器１６６は、異なる変換を与えるべく及び／又は異なる周波数信号に順応するべく構成することができる。
【００４６】
理解されることだが、図４〜６のインピーダンス変換器１６６は、異なるインピーダンス変換を達成するべく、例えば、送信線、集中素子応答変換、及び様々な巻線関係の結合コイルに基づく変換器を含む一定数の他の技術を使用して実装することができる。２つのＰＡ経路間の、必要な又は所望の位相及び振幅関係を、例えば、一方又は他方の入力における移相及び振幅調整の適用を介して、又は出力損失回避を目的とする他方に対する当該段の組み合わせを介して達成することができる。いくつかのアプリケーションにおいて、位相及び振幅調整のネットワークは、ある程度の損失ペナルティを伴うが、ＰＡ（複数可）の出力側にも実装することができる。
【００４７】
図７Ａ及び７Ｂは、前述のＳＭＴ実装（例えばＱ＝４０による）を伴う図５及び６のインピーダンス変換器１６６を使用して得ること又は予測することができる性能の例を示す。図７Ａは、Ｓ１１パラメータ（反射係数）のプロットを周波数の関数として示し、ブロードバンド特性を実証する。図７Ｂは、挿入損失のプロットを周波数の関数として示し、約０．３ｄＢという合理的な挿入損失を実証する。
【００４８】
図８〜１２は、電力増幅利得のプロットを、ここに記載の様々な代表的な構成に対する出力電力の関数として示す。具体的には、図８は、ＯＭＮ（１２４）の後にＶＬＢ経路のみを有する図２の例に対応し、図９は、ＯＭＮ（１１８）の後にＬＢ経路のみ（移相なし）を有する図２の例に対応し、図１０は、ウィルキンソン結合器（１２０）の後にＶＬＢ及びＬＢ（２９０度の移相）を有する図２の例に対応し、図１１は、ＶＣＣ（例えば図５ＡにおけるＶＣＣ２）が３．４Ｖの、インピーダンス変換器（１６６）（０．３ｄＢ損失あり）の後にＶＬＢ及びＬＢ（６０度の移相）を有する図５Ａの例に対応し、図１２は、ＶＣＣが３．８Ｖまで増加した、インピーダンス変換器（１６６）（０．３ｄＢ損失あり）の後にＶＬＢ及びＬＢ（６０度の移相）を有する図５Ａの例に対応する。かかるプロットから、飽和電力レベル（Ｐｓａｔ）を求めることができる。表２は、図８〜１２に示されるプロットに対する、かかるＰｓａｔ値の要約を含む。留意されることだが、表２の最初の４行は表１と同じである。またも留意されることだが、説明を目的として、図５Ａの代表的な構成は、ここにおいて、（ＰＡ１及びＰＡ２に関連付けられた）第１及び第２経路双方がアクティブである場合の負荷共有構成として言及されることがある。
【表２】
0006498563.tif 000003
【００４９】
表２の性能の要約に基づくと、図５Ａの負荷共有構成が、図２の無損失ウィルキンソン結合器の例により得られた性能レベルに類似する良好な性能を与えることがわかる。一定数のＳＭＴコンポーネント及び高電力定格抵抗器が（かかるコンポーネントを収容する余分なスペースも）必要とされる可能性が高い図２のウィルキンソン結合器の例とは対照的に、図５Ａの負荷共有構成は、かなり少ない数の余分なコンポーネントによって実装することができる。したがって、図５Ａの負荷共有構成により、コスト及びスペースの有利な節約を得ることができる。
【００５０】
留意されることだが、本開示の一以上の特徴によれば有利なことに、とりわけ、既存の経路の有効な組み合わせを介して一以上の専用２Ｇ電力増幅器及び関連ＲＦ経路をなくすことができる。ここに記載されるように、かかる既存の経路は、その最適性能を線形３Ｇ／４Ｇモードにおいて、当初設計のとおりに維持することができる。
【００５１】
またも留意されることだが、様々な例が３Ｇ／４ＧのＰＡ、経路等の文脈においてここに記載される一方、理解されることだが、かかるＰＡ、経路等は、３Ｇ動作用に、４Ｇ動作用に、又はこれらの任意の組み合わせ用に構成することができる。またも理解されることだが、本開示の一以上の特徴は、過去に使用され、現在使用され、将来に画定かつ使用され、又はこれらが任意に組み合わせられる他の世代の携帯電話規格を伴う構成にも適用することができる。
【００５２】
またも留意されることだが、図１２及び表２を参照して記載される例では、電源ＶＣＣの変化が２Ｇ信号の増幅性能に影響し得ることがわかる。いくつかの状況では、かかるＶＣＣの調整は、３Ｇ／４Ｇの効率／線形性の性能に悪影響を及ぼし得る。かかる状況であっても、性能のトレードオフが許容可能となり得る。特に、２Ｇ信号をここに記載されるように処理することにより、３Ｇ／４Ｇの経路のための面積及びコストへの影響を最小限にすることができる。
【００５３】
またも留意されることだが、様々な例が３Ｇ／４Ｇアーキテクチャにおける２つの並列増幅経路の文脈でここに記載される一方、本開示の一以上の特徴は他のアプリケーションに実装することもできる。例えば、バックオフ効率の利点を目的として異なる位相調整及び振幅バランスが適用されるドハティ技術のような多重ＰＡ結合線形化方法が、本開示の一以上の特徴を利用することができる。
【００５４】
またも留意されることだが、様々な例が２つの増幅経路の文脈で記載される一方、本開示の一以上の特徴は、２つを超える増幅経路を伴うシステムに実装することもできる。例えば、本開示の一以上の特徴は、電力結合の利点を、３つ以上のＰＡ経路を使用した結合ＰＡのかなり高い電力レベルまで拡張するべく利用することができる。
【００５５】
図１３は、３Ｇ／４ＧのＰＡエンジンにおいてプロセス２Ｇ信号を処理するべく実装することができるプロセス３００を示す。ブロック３０２では、２Ｇ信号を３Ｇ／４Ｇ電力増幅器（ＰＡ）の入力に与えることができる。ブロック３０４では、２Ｇ信号を第１及び第２経路へと分割することができる。ブロック３０６では、第１経路における２Ｇ信号に移相を導入することができる。ブロック３０８では、第１及び第２経路それぞれにおいて２Ｇ信号を増幅することができる。ブロック３１０では、増幅された２Ｇ信号のそれぞれをインピーダンス整合させることができる。ブロック３１２では、第１及び第２経路からの増幅された２Ｇ信号を結合することができる。ブロック３１４では、結合された２Ｇ信号に対してインピーダンス変換を行うことができる。ブロック３１６では、インピーダンス変換された２Ｇ信号を送信のためにアンテナへと引き回すことができる。
【００５６】
いくつかの実施形態において、ここに記載されるように３Ｇ４Ｇ経路の組み合せを使用して２Ｇ増幅に関連付けられた一以上の特徴は、モード又は周波数ごとに分離された入力に適合するインタフェイスを有するＰＡシステムに実装することができる。かかるＰＡシステムに関する追加的な詳細は、２０１４年８月１７出願の「モード又は周波数ごとに分離された入力に適合する電力増幅器インタフェイス」との名称の米国仮出願第６２／０３８，３２３号、及びその対応米国出願である「モード又は周波数ごとに分離された入力に適合する電力増幅器インタフェイス」との名称の出願に記載されている。これらはそれぞれ、全体が参照として明示的に組み入れられ、本願の明細書の一部とみなされる。
【００５７】
図１４は、いくつかの実施形態において、ここに記載される３Ｇ／４Ｇアーキテクチャすべてのうちのいくつかが、パッケージモジュールとして実装することができることを示す。例えば、フロントエンドモジュール（ＦＥＭ）３５０は、複数のコンポーネントを受容するべく構成されたパッケージ基板３５２を含み得る。かかるコンポーネントは、例えば、３Ｇ／４ＧＭＭＭＢ動作を容易にする複数の増幅経路を有するＰＡダイ３５４を含む。かかるダイに２ＧのＰＡが伝統的に実装される状況では、ここに開示される技術の一以上を利用することにより、かかる２ＧのＰＡのいくつか又はすべてをなくすことができるとともに２Ｇ機能を達成することができる。したがって、かかるＰＡダイのサイズ及びコストを低減することができる。２ＧのＰＡが伝統的に別個のダイに実装される状況でも、かかるダイは、同様の理由により、サイズ低減し又はなくすことができる。したがって、モジュールのサイズ及びコストを低減することができる。さらに留意されることだが、２Ｇインピーダンス整合及び／又はフィルタリング機能を容易にするべく伝統的にパッケージ基板３５２に搭載される一以上のコンポーネントも低減し又はなくすことができるので、モジュールのサイズ及びコストが低減される。
【００５８】
代表的なＦＥＭ３５０は、バンド選択スイッチ３５８をさらに含むように示される。ここに記載されるように、かかるスイッチは、２以上の増幅経路に引き回された２Ｇ信号のための結合機能を与えるべく構成することができる。
【００５９】
代表的なＦＥＭ３５０は、インピーダンス変換器３６０をさらに含むように示される。ここに記載されるように、かかる変換器は、３Ｇ／４Ｇエンジンを介して処理された２Ｇ信号の送信のための出力電力を改善するべく構成することができる。
【００６０】
代表的なＦＥＭ３５０は、フィルタ及び共用器３６２のアセンブリをさらに含むように示される。かかるフィルタ及び共用器は、３Ｇ／４Ｇエンジンを通じて処理される２Ｇ信号と同様に、３Ｇ／４Ｇ信号のためのフィルタリング及び共用機能を与えることもできる。
【００６１】
代表的なＦＥＭ３５０は、アンテナスイッチ３６４をさらに含むように示される。かかるスイッチは、送信されている２Ｇ信号のみならず、様々な３Ｇ／４Ｇ信号も引き回すべく構成することができる。
【００６２】
いくつかの実装において、ここに記載の一以上の特徴を有する装置及び／又は回路は、無線装置のようなＲＦ装置に含ませることができる。かかる装置及び／又は回路は、ここに記載されるようにモジュラー形態で又はいくつかの組み合せで無線装置に直接実装することができる。いくつかの実施形態において、かかる無線装置は、例えば、携帯電話、スマートフォン、電話機能あり又はなしのハンドヘルド無線装置、無線タブレット等を含み得る。
【００６３】
図１５は、ここに記載の一以上の有利な特徴を有する代表的な無線装置４００を描く。ここに記載される一以上の特徴を有するモジュールの文脈において、かかるモジュールは一般に、点線枠３５０により描くことができ、かつ、ＦＥＭ包含共用器（ＦＥＭｉＤ）のようなフロントエンドモジュール（ＦＥＭ）として実装することができる。
【００６４】
複数のＰＡ３７０は、増幅かつ送信されるＲＦ信号を生成し及び受信信号を処理するべく構成かつ動作することができる送受信器４１０から、それぞれのＲＦ信号を受信することができる。送受信器４１０は、ユーザに適したデータ及び／又は音声信号と送受信器４１０に適したＲＦ信号との間の変換を与えるべく構成されたベースバンドサブシステム４０８と相互作用をするように示される。送受信器４１０はまた、無線装置の動作のための電力を管理するべく構成された電力管理コンポーネント４０６に接続されるように示される。かかる電力管理により、ベースバンドサブシステム４０８及びモジュール３５０の動作を制御することもできる。
【００６５】
ベースバンドサブシステム４０８は、ユーザへ与えられ及びユーザから受信される音声及び／又はデータの様々な入力及び出力を容易にするユーザインタフェイス４０２に接続されるように示される。ベースバンドサブシステム４０８は、無線装置の動作を容易にし及び／又はユーザのための情報の格納を与えるように、データ及び／又は命令を格納するべく構成されたメモリ４０４にも接続することができる。
【００６６】
代表的な無線装置４００において、ＰＡ３７０の出力は（それぞれの整合回路３７２を介して）整合され、バンド選択スイッチ３５８、それぞれの共用器３６２及びアンテナスイッチ３６４を通ってアンテナ４１６へと引き回されるように示される。いくつかの実施形態において、各共用器３６２により送信及び受信の動作を、共通アンテナ（例えば４１６）を使用して同時に行えるようにすることができる。図１５において、受信信号は、例えば低ノイズ増幅器（ＬＮＡ）を含み得る「Ｒｘ」経路（図示せず）へと引き回されるように示される。
【００６７】
代表的な無線装置４００では、ここに記載される２Ｇ信号の処理を容易にするべく、ＰＡ（複数可）３７０の入力（複数可）において一以上の移相回路１５４を実装することができる。さらに、バンド選択スイッチ３５８は、ここに記載される２以上の増幅経路のための結合機能を与えるべく構成することができる。さらに、ここに記載される２Ｇ信号の処理を容易にするべく、バンド選択スイッチ３５８からの結合経路においてインピーダンス変換器１６６を実装することができる。いくつかの実施形態において、かかるインピーダンス変換器は、アンテナ４１６を介した送信を許容するべくアンテナスイッチ３６４へと直接引き回すことができる。
【００６８】
一定数の他の無線装置構成が、ここに記載の一以上の特徴を利用することができる。例えば、無線装置はマルチバンド装置とする必要はない。他例において、無線装置は、ダイバーシティアンテナのような追加のアンテナと、Ｗｉ−Ｆｉ（登録商標）、Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ（登録商標）及びＧＰＳのような追加の接続特徴部とを含み得る。
【００６９】
発明の詳細な説明及び特許請求の範囲全体にわたり、文脈上そうでないことが要求されない限り、用語「含む」等は、排他的又は網羅的な意味とは対照的に包括的な意味に、すなわち「含むがそれに限られない」との意味に解釈されるべきである。ここで一般に使用される用語「結合」又は「組み合わせ」は、直接接続され又は一以上の中間要素を介して接続され得る２以上の要素を言及する。加えて、用語「ここ」、「上」、「下」及びその類義語は、本願において使用される場合、本願全体を言及し、本願の任意の特定部分を言及するわけではない。文脈により許容される場合、上記発明の詳細な説明における単数形又は複数形を使用する用語はそれぞれ、複数又は単数をも含み得る。２以上の項目の列挙を参照する用語「又は」又は「若しくは」は、当該用語の以下の解釈、すなわち当該列挙の任意の項目、当該列挙のすべての項目、及び当該列挙の用語の任意の組み合わせをすべて包含する。
【００７０】
本発明の実施形態の上記詳細な説明は、網羅的なもの又は上述の正確な形態に本発明を制限するものを意図しない。本発明の具体的な実施形態及び例が例示を目的として上述される一方、当業者であればわかるように、本発明の範囲内において様々な均等修正例も可能である。例えば、プロセス又はブロックが所与の順序で提示されるが、代替実施形態は、異なる順序でのステップを有するルーチンを行い又はブロックを有するシステムを用いることができ、かつ、いくつかのプロセス又はブロックを削除、移動、追加、細分、結合及び／又は修正することができる。これらのプロセス又はブロックはそれぞれ、様々な異なる態様で実装することができる。プロセス又はブロックが、時には直列的に行われるように示されているが、これらのプロセス又はブロックは、その代わりに、並列的に行うことも又は異なる時点で行うこともできる。
【００７１】
ここに与えられる本発明の教示は、必ずしも上述のシステムに限られない他のシステムにも適用することができる。上述の様々な実施形態の要素及び作用は、さらなる実施形態を与えるべく組み合わせることができる。
【００７２】
本発明のいくつかの実施形態が記載されてきたが、これらの実施形態は、例により提示されたものであって、本開示の範囲を制限することを意図するものではない。実際のところ、ここに記載の新規な方法及びシステムは、様々な他の形態で具体化することができ、さらには、ここに記載の方法及びシステムの形態において、本開示の趣旨から逸脱することなく様々な省略、置換及び変更を行うこともできる。添付の特許請求の範囲及びその均等物は、本開示の範囲及び要旨に収まるかかる形態又は修正をカバーすることが意図される。
【図１】
0006498563.tif 000004
【図２】
0006498563.tif 000005
【図３】
0006498563.tif 000006
【図４】
0006498563.tif 000007
【図５Ａ】
0006498563.tif 000008
【図５Ｂ】
0006498563.tif 000009
【図６】
0006498563.tif 000010
【図７】
0006498563.tif 000011
【図８】
0006498563.tif 000012
【図９】
0006498563.tif 000013
【図１０】
0006498563.tif 000014
【図１１】
0006498563.tif 000015
【図１２】
0006498563.tif 000016
【図１３】
0006498563.tif 000017
【図１４】
0006498563.tif 000018
【図１５】
0006498563.tif 000019