(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１主面及び第２主面を有するセラミック基板と、
前記セラミック基板に埋設され、前記第１主面上に配置された被加工物を加熱する発熱体と、
を備えたセラミックヒータにおいて、
前記発熱体は、当該発熱体と電気的に接続される一対の主端子部間に通電されることによって発熱する抵抗発熱体であって、
前記発熱体は、前記一対の主端子部間を繋ぐ電気経路の間に接続された複数の副端子部によって抵抗値をそれぞれ有する複数の部分抵抗に区分されており、
更に、前記一対の主端子部と複数の前記副端子部とからなる端子部のうち少なくとも一対の前記端子部間に、前記部分抵抗と電気的に並列に補助抵抗が接続され、
複数の前記副端子部は前記補助抵抗が接続されていない副端子部を含み、
前記発熱体及び前記補助抵抗を前記第１主面側から見た場合に、
前記補助抵抗が接続される部分抵抗が形成される領域の面積よりも前記補助抵抗が形成される領域の面積の方が大きく設定されていることを特徴とするセラミックヒータ。
【請求項２】
前記補助抵抗は、固定抵抗又は可変抵抗であることを特徴とする請求項１に記載のセラミックヒータ。
【請求項３】
前記発熱体を前記第１主面側から見た場合に、
前記発熱体は、環状に配置されるとともに、複数の前記副端子部によって前記発熱体の周方向に沿って複数の前記部分抵抗に区分されていることを特徴とする請求項１又は２に記載のセラミックヒータ。
【請求項４】
複数の前記発熱体を電気的に並列に接続した全発熱体を備えることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載のセラミックヒータ。
【請求項５】
前記セラミック基板は、複数のセラミック層からなるとともに、前記全発熱体は前記セラミック層の同じ表面に形成されており、
複数の前記発熱体同士を電気的に接続する接続部は、前記表面とは異なる前記セラミック層の表面に形成されていることを特徴とする請求項４に記載のセラミックヒータ。
【請求項６】
前記セラミック基板は、複数のセラミック層からなるとともに、前記全発熱体は前記セラミック層の同じ表面に形成されており、
複数の前記発熱体同士を電気的に接続する接続部は、前記表面と同じ表面に形成されていることを特徴とする請求項４に記載のセラミックヒータ。
【請求項７】
前記補助抵抗は、固定抵抗であり、
更に、前記固定抵抗が接続回路をオンオフするスイッチを備えることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載のセラミックヒータ。
【請求項８】
第１主面及び第２主面を有するセラミック基板と、
前記セラミック基板に埋設され、前記第１主面上に配置された被加工物を加熱する発熱体と、
を備え、
前記発熱体は、当該発熱体と電気的に接続される一対の主端子部間に通電されることによって発熱する抵抗発熱体であり、
前記発熱体は、前記一対の主端子部間を繋ぐ電気経路の間に接続された複数の副端子部によって抵抗値をそれぞれ有する複数の部分抵抗に区分されており、
更に、前記一対の主端子部と複数の前記副端子部とからなる端子部のうち少なくとも一対の前記端子部間に、前記部分抵抗と電気的に並列に補助抵抗が接続され、
複数の前記副端子部は前記補助抵抗が接続されていない副端子部を含む、
セラミックヒータ、
を備えた静電チャックであって、
前記セラミック基板に埋設された、前記被加工物を吸着する吸着用電極を備えるとともに、前記セラミック基板の第２主面上に、金属ベースを備え、
前記金属ベースにおいて、前記第２主面側と反対側に前記補助抵抗を収容する収容部を備えたことを特徴とする静電チャック。
【請求項９】
第１主面及び第２主面を有するセラミック基板と、
前記セラミック基板に埋設され、前記第１主面上に配置された被加工物を加熱する発熱体と、
を備え、
前記発熱体は、当該発熱体と電気的に接続される一対の主端子部間に通電されることによって発熱する抵抗発熱体であり、
前記発熱体は、前記一対の主端子部間を繋ぐ電気経路の間に接続された複数の副端子部によって抵抗値をそれぞれ有する複数の部分抵抗に区分されており、
更に、前記一対の主端子部と複数の前記副端子部とからなる端子部のうち少なくとも一対の前記端子部間に、前記部分抵抗と電気的に並列に補助抵抗が接続され、
複数の前記副端子部は前記補助抵抗が接続されていない副端子部を含む、
セラミックヒータ、
を備えた静電チャックであって、
前記セラミック基板に埋設された、前記被加工物を吸着する吸着用電極を備えるとともに、前記セラミック基板の第２主面上に、金属ベースを備え、
前記金属ベースに、前記セラミック基板を冷却可能な冷却部を有するとともに、
前記冷却部より前記第２主面側と反対側に前記補助抵抗を備えたことを特徴とする静電チャック。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば半導体ウェハ等の被加工物を加熱できるセラミックヒータと、そのセラミックヒータを備えた静電チャックに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、半導体製造装置では、半導体ウェハ（例えばシリコンウェハ）に対して、ドライエッチング（例えばプラズマエッチング）等の処理が行われている。このドライエッチングの精度を高めるためには、半導体ウェハを確実に固定しておく必要があるので、半導体ウェハを固定する固定手段として、静電引力によって半導体ウェハを固定する静電チャックが提案されている。
【０００３】
具体的には、静電チャックでは、例えば、セラミック基板の内部に吸着用電極を有しており、吸着用電極に電圧を印加させた際に生じる静電引力を用いて、半導体ウェハをセラミック基板の上面（第１主面：吸着面）に吸着させるようになっている。この静電チャックは、セラミック基板の下面（第２主面：接合面）に金属ベースを接合することによって構成されている。
【０００４】
更に、吸着面に吸着された半導体ウェハの温度を調節（加熱または冷却）する機能を有する静電チャックも知られている。例えば、セラミック基板内に発熱体（例えば線状の発熱パターン）を配置し、この発熱体によってセラミック基板を加熱することにより、吸着面上の半導体ウェハを加熱する技術も知られている。また、金属ベースに冷却用流体を流す冷却路を設け、この冷却用流体によって、セラミック基板を冷却する技術も知られている。
【０００５】
また、近年では、静電チャックの加熱を精密に行うために、セラミック基板を複数の加熱ゾーンに区分したセラミックヒータも開発されている。具体的には、各加熱ゾーン毎に各加熱ゾーンを独立して加熱することができる発熱体（部分発熱体）を配置して、セラミック基板の温度調節機能を向上させた多ゾーンヒータ付きセラミックヒータも提案されている（特許文献１、２参照）。
【０００６】
この多ゾーンヒータ付きセラミックヒータとしては、例えば図１１（ａ）に示すように、環状の加熱ゾーン（円周ゾーン）Ｐ１が同心状に配置されたものなどが知られている。なお、円周ゾーンＰ１内では、発熱体Ｐ２は例えば円形に配置されており、その両端は２本の端子Ｐ３に接続されている。
【０００７】
また、この種の発熱体Ｐ２は、例えば、発熱体材料であるヒータペーストを、セラミック基板を構成する材料である例えばセラミックシートの表面に印刷（ヒータ印刷）することによって形成されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００２−９３６７７号公報
【特許文献２】特開２００５−１６６３５４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、上述のようにヒータ印刷によって発熱体Ｐ２を形成する場合には、印刷厚みのバラツキによって、図１１（ｂ）に示すように、発熱体Ｐ２に厚みが異なる箇所（例えば厚みが薄い箇所Ｐ４等）が生じ、例えば厚みの薄い箇所Ｐ４の抵抗（抵抗値ｒ）が他の箇所の抵抗（抵抗値Ｒ）より大きくなる（ｒ＞Ｒ）という問題があった。
【００１０】
つまり、例えば円周ゾーンＰ１を備えた多ゾーンヒータ付きセラミックヒータにおいては、両端子Ｐ３間の発熱体Ｐ２を流れる電流（Ｉ）は一定となるので、発熱体Ｐ２に部分的に抵抗（抵抗値）が大きな箇所があると、その箇所の発熱量が多くなってしまう。詳しくは、発熱量は抵抗に比例するので（単位時間の発熱量（Ｑ）＝抵抗×電流２）、その抵抗が大きな箇所では他の箇所より多く発熱して温度が高くなってしまう。その結果、セラミックヒータの平面方向における温度分布（面内温度）が不均一になるという問題があった。
【００１１】
また、これとは別に、セラミックヒータ（従って静電チャック）の面内温度の均一化だけでなく、セラミックヒータ等の平面方向において、部分的な温度調節をより積極的に行いたいという要求もある。
【００１２】
本発明は、前記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、セラミックヒータの平面方向における温度分布の均一化又は特定位置の温度を変化させる等のように、平面方向において部分的に温度調節が可能なセラミックヒータ及び静電チャックを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
（１）本発明の第１態様のセラミックヒータは、第１主面及び第２主面を有するセラミック基板と、前記セラミック基板に埋設され、前記第１主面上に配置された被加工物を加熱する発熱体と、を備えたセラミックヒータにおいて、前記発熱体は、当該発熱体と電気的に接続される一対の主端子部間に通電されることによって発熱する抵抗発熱体であって、前記発熱体は、前記一対の主端子部間を繋ぐ電気経路の間に接続された１又は複数の副端子部によって抵抗値をそれぞれ有する複数の部分抵抗に区分されており、更に、前記一対の主端子部と１又は複数の前記副端子部とからなる端子部のうち少なくとも一対の前記端子部間に、前記部分抵抗と電気的に並列に補助抵抗が接続されている。
【００１４】
本第１態様では、抵抗発熱体である発熱体は、主端子部間を繋ぐ電気経路の間に接続された中間の副端子部によって複数の部分抵抗に区分されており、更に、主端子部と副端子部とからなる端子部のうち少なくとも一対の端子部間に、部分抵抗と電気的に並列に補助抵抗が接続されている。
【００１５】
従って、例えば各部分抵抗の抵抗値が異なる場合でも、部分抵抗と並列に配置された補助抵抗の抵抗値を調節することにより（即ち適切な抵抗値の補助抵抗を用いることにより）、各部分抵抗における単位面積当たりの発熱量を調節することができる（例えば発熱量を均一化することができる）。
【００１６】
例えば、発熱体が所定の領域（例えば個別ゾーン）毎に部分抵抗に区分されている場合に、ある個別ゾーンにおける発熱体の厚みが薄いときには、当該個別ゾーンの部分抵抗の抵抗値が他の個別ゾーンの部分抵抗の抵抗値より大きくなる。その結果、抵抗値の大きな部分抵抗の発熱量が多くなって、当該個別ゾーンの温度が周囲よりも高くなることがある（即ちセラミックヒータの面内温度が不均一になることがある）。
【００１７】
このような場合でも、本第１態様では、補助抵抗を用いることにより、その補助抵抗が接続された部分抵抗の発熱量を低減して、当該部分抵抗（従ってその加熱ゾーン）の過度の温度上昇を抑制することにより、セラミックヒータの面内温度を容易に均一化することができる。
【００１８】
また、各種の補助抵抗（例えば可変抵抗）を用いたり、補助抵抗の接続状態を調節する（例えばスイッチで接続状態を切り替える）ことなどにより、セラミックヒータの面内温度の均一化だけでなく、各部分抵抗が配置された領域の温度を調節すること（他の領域との温度の差をつけること）もできる。
【００１９】
例えば各部分抵抗の抵抗値が同じである場合に、特定の部分抵抗に並列に補助抵抗を接続することにより、その特定の部分抵抗の発熱量を低下させることができる。
従って、本第１態様では、セラミックヒータの表面の任意の位置の温度を調節することができるので、被加工物に各種の加工を行う際に、その加工性が向上するという利点がある。
【００２０】
なお、第１主面及び第２主面とは、セラミック基板の厚み方向における一方の表面及び（その反対側の）他方の表面を示している。
また、主端子部は、発熱体の両端に電気的に接続されて発熱体に電力を供給する端子部であり、副端子部は、主端子部間の電気経路（即ち発熱体）の間に配置される端子部である。端子部は、主端子部や副端子部の総称であり、発熱体に対して電気的に接続される例えば端子金具やセラミック基板内の導電部分等の導電部分である。
【００２１】
更に、部分抵抗とは、抵抗発熱体のうち端子部で区分された抵抗発熱体の一部であり、その抵抗値は抵抗発熱体の全抵抗の一部を構成している。また、補助抵抗とは、所定の抵抗値を有する抵抗である。
【００２２】
なお、セラミックヒータは、セラミック基板（セラミックからなる又はセラミックを主成分とする基板）の内部に少なくとも発熱体を備えたヒータであり、本第１態様では、発熱体に加え、上述した各構成を備えている。
【００２３】
（２）本発明の第２態様のセラミックヒータでは、前記補助抵抗は、固定抵抗又は可変抵抗である。
補助抵抗としては、固定抵抗又は可変抵抗を採用できることを例示している。
【００２４】
（３）本発明の第３態様のセラミックヒータでは、前記発熱体を前記第１主面側から見た場合に、前記発熱体は、環状に配置されるとともに、１又は複数の前記副端子部によって前記発熱体の周方向に沿って複数の前記部分抵抗に区分されている。
【００２５】
本第３態様では、発熱体は環状であり、副端子部によって複数の部分抵抗に区分されていることを例示している。
（４）本発明の第４態様のセラミックヒータでは、前記発熱体及び前記補助抵抗を前記第１主面側から見た場合に、前記補助抵抗が接続される部分抵抗が形成される領域の面積よりも前記補助抵抗が形成される領域の面積の方が大きく設定されている。
【００２６】
補助抵抗が接続されている場合には、補助抵抗に通電することによって（通常）補助抵抗が発熱するので、補助抵抗が配置された領域の温度が上昇し易い。それに対して、本第４態様では、平面視で、補助抵抗が形成されている領域は、補助抵抗が接続される部分抵抗が形成される領域の面積よりも大きいので、補助抵抗の温度が上昇しても（その補助抵抗に接続されている）部分抵抗が形成された領域の温度が上昇しにくい。これにより、セラミックヒータの面内温度の均一化を一層好適に行うことができる。
【００２７】
（５）本発明の第５態様のセラミックヒータでは、複数の前記発熱体を電気的に並列に接続した全発熱体を備える。
本第５態様では、複数の発熱体を電気的に並列に接続して全発熱体としているので、例えば部分発熱体を直列に接続した場合に比べて、全発熱体の抵抗値を低減することができる。
【００２８】
（６）本発明の第６態様のセラミックヒータでは、前記セラミック基板は、複数のセラミック層からなるとともに、前記全発熱体は前記セラミック層の同じ表面に形成されており、複数の前記発熱体同士を電気的に接続する接続部は、前記表面とは異なる前記セラミック層の表面に形成されている。
【００２９】
本第６態様では、複数の発熱体（例えば後述するＡ，Ｂ部分発熱体）同士を電気的に接続する構成を例示しており、このように異なるセラミック層の表面に接続部を設けることにより、設計の自由度が向上するという利点がある。
【００３０】
（７）本発明の第７態様のセラミックヒータでは、前記セラミック基板は、複数のセラミック層からなるとともに、前記全発熱体は前記セラミック層の同じ表面に形成されており、複数の前記発熱体同士を電気的に接続する接続部は、前記表面と同じ表面に形成されている。
【００３１】
本第７態様では、複数の発熱体（例えば後述する発熱パターン）同士を電気的に接続する構成を例示しており、このように同じセラミック層の表面に接続部を設けることにより、全発熱体の形成が容易であるという利点がある。
【００３２】
（８）本発明の第８態様のセラミックヒータでは、前記補助抵抗は、固定抵抗であり、更に、前記固定抵抗が接続回路をオンオフするスイッチを備える。
本第８態様では、スイッチによって補助抵抗の接続状態を自由に設定できるので、補助抵抗の接続状態に伴う各部分抵抗の発熱状態を容易に調節することができる。よって、面内温度の均一化が可能であるとともに、各部分抵抗が形成された領域の温度を容易に調節できる（例えば他の領域と温度を違えることができる）という利点がある。
【００３３】
（９）本発明の第９態様の静電チャックは、前記第１〜第８態様のいずれかに記載のセラミックヒータを備えた静電チャックであって、前記セラミック基板に埋設された、前記被加工物を吸着する吸着用電極を備えるとともに、前記セラミック基板の第２主面上に、金属ベースを備えている。
【００３４】
本第９態様では、上述したセラミックヒータを備えた静電チャックを例示している。
（１０）本発明の第１０態様の静電チャックは、前記金属ベースにおいて、前記第２主面側と反対側に前記補助抵抗を収容する収容部を備えている。
【００３５】
本第１０態様では、金属ベースのセラミックヒータと反対側に補助抵抗を収容する収容部を設けるので、静電チャックを使用する際に、補助抵抗が邪魔になりにくい（例えば補助抵抗に接触して破損や脱落等が生じにくい）という利点がある。
【００３６】
（１１）本発明の第１１態様の静電チャックは、前記金属ベースに、前記セラミック基板を冷却可能な冷却部を有するとともに、前記冷却部より前記第２主面側と反対側に前記補助抵抗を備えている。
【００３７】
補助抵抗に通電する場合には、通常、補助抵抗が発熱するが、本第１１態様では、補助抵抗は冷却部よりセラミックヒータとは反対側に配置されているので、補助抵抗の温度上昇は冷却部によって緩和される（即ち補助抵抗の温度がセラミックヒータ側に伝達されにくい）。これによって、セラミックヒータの面内温度をより一層均一化できる。
【００３８】
＜以下に、本発明の各構成について説明する＞
・静電チャック、セラミックヒータ（セラミック基板）、金属ベースの外形形状としては、平面視で、円形を採用できる。
【００３９】
・発熱体としては、線状の発熱パターンが、平面視で、中心部や外周部の全面にわたって配置された構成を採用できる。例えば発熱パターンが、環状、Ｕ字状、蛇行状に配置されたものを採用できる。
【００４０】
・発熱体（その部分発熱体）、吸着用電極を構成する導体の材料としては特に限定されないが、例えば下記材料を使用できる。
例えば、セラミック基板がいわゆる高温焼成セラミック（例えばアルミナ等）からなる場合には、導体中の金属粉末として、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、マンガン（Ｍｎ）等やそれらの合金が選択可能である。セラミック基板がいわゆる低温焼成セラミック（例えばガラスセラミック等）からなる場合には、導体中の金属粉末として、銅（Ｃｕ）または銀（Ａｇ）等やそれらの合金が選択可能である。また、セラミック基板が高誘電率セラミック（例えばチタン酸バリウム等）からなる場合には、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、パラジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）等やそれらの合金が選択可能である。
【００４１】
なお、各発熱体、吸着用電極は、金属粉末を含む導体ペーストを用い、従来周知の手法、例えば印刷法等により塗布された後、焼成することで形成される。
・セラミック基板としては、複数のセラミック層を積層して形成すると、内部に各種の構造を容易に形成できるので好適である。なお、静電チャックに用いられるセラミック基板は、電気絶縁性を有するセラミック絶縁板である。
【００４２】
・セラミック基板（複数のセラミック層からなる場合には、各セラミック層）を構成する材料としては、アルミナ、イットリア（酸化イットリウム）、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、炭化珪素、窒化珪素などといった高温焼成セラミックを主成分とする焼結体などが挙げられる。また、用途に応じて、ホウケイ酸系ガラスやホウケイ酸鉛系ガラスにアルミナ等の無機セラミックフィラーを添加したガラスセラミックのような低温焼成セラミックを主成分とする焼結体を選択してもよいし、チタン酸バリウム、チタン酸鉛、チタン酸ストロンチウムなどの誘電体セラミックを主成分とする焼結体を選択してもよい。
【００４３】
・金属ベースの材料として、銅、アルミニウム、鉄、チタンなどを挙げることができる。また、接着剤層にてセラミック基板と接合する場合には、その接着剤の材料として、セラミック基板と金属ベースとを接合させる力が大きい材料であることが好ましく、例えばインジウムなどの金属材料や、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリアミド樹脂などの樹脂材料を選択することができる。しかし、セラミック基板の熱膨張係数と金属ベースの熱膨張係数との差が大きいため、接着剤は、緩衝材としての機能を有する弾性変形可能な樹脂材料からなることが特に好ましい。
【００４４】
・冷却部としては、冷却用の流体を流す例えば平面視で環状等の流路を採用できる。なお、各冷却部に流す流体としては、フッ素系不活性流体を挙げることができる。
・セラミックヒータを製造する場合には、セラミック基板と発熱体とを同時焼成する方法を採用できる。また、補助抵抗を取り付ける際には、一対の端子部間に通電することによって発熱体を発熱させる第１工程と、第１工程で測定される発熱体の各部分抵抗の温度に応じて、各部分抵抗を区分する端子部間に補助抵抗を並列に接続する第２工程と、を有する方法を採用できる。
【００４５】
・なお、静電チャック又はセラミックヒータの制御方法としては、下記の構成（ａ）、（ｂ）を採用できる。
（ａ）セラミックヒータは、各部分抵抗を区分する端子部間のうち、１又は複数の箇所に部分抵抗と並列に可変抵抗が接続されており、可変抵抗の抵抗値を制御することにより、可変抵抗が接続された部分抵抗の温度を調節する。
【００４６】
（ｂ）セラミックヒータは、各部分抵抗を区分する端子部間のうち、１又は複数の箇所に部分抵抗と並列に固定抵抗が接続されており、更に、固定抵抗が接続されている回路をオンオフするスイッチを備えるとともに、スイッチのオンオフを制御することにより、固定抵抗が接続された前記部分抵抗の温度を調節する。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】実施例１の静電チャックを一部破断して模式的に示す斜視図である。
【図２】（ａ）は実施例１の静電チャックを厚み方向に破断し部分発熱体を直線状に配置して模式的に示す断面図、（ｂ）は部分発熱体及びその端子部等を模式的に示す説明図である。
【図３】（ａ）は実施例１のセラミックヒータの加熱ゾーンや個別ゾーンを示す平面図、（ｂ）はその加熱ゾーンや個別ゾーンにおける部分発熱体等の配置を示す平面図である。
【図４】（ａ）は実施例２のセラミックヒータの部分発熱体を直線状に配置して示す平面図、（ｂ）は実施例３のセラミックヒータの部分発熱体を直線状に配置して示す平面図である。
【図５】（ａ）は実施例４のセラミックヒータの部分発熱体を直線状に配置して示す平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ断面図、（ｃ）は（ａ）のＢ−Ｂ断面図である。
【図６】実施例５のセラミックヒータの部分発熱体及びその端子部等を直線状に配置して模式的に示す説明図である。
【図７】実施例６のセラミックヒータの部分発熱体及びその端子部等を直線状に配置して模式的に示す説明図である。
【図８】（ａ）は実施例７の静電チャックを厚み方向に破断し部分発熱体を直線状に配置して模式的に示す断面図、（ｂ）は各部分抵抗により加熱される領域を模式的に示す平面図、（ｃ）は補助抵抗により加熱される領域を模式的に示す平面図である。
【図９】実施例８の静電チャックを厚み方向に破断し部分発熱体を直線状に配置して模式的に示すとともに、補助抵抗の位置を示す断面図である。
【図１０】（ａ）は実施例９のセラミックヒータを示す斜視図、（ｂ）はセラミックヒータを厚み方向に破断し部分発熱体を直線状に配置して模式的に示す断面図である。
【図１１】従来技術を示し、（ａ）はセラミックヒータの平面図、（ｂ）はセラミックヒータの発熱パターンの状態を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００４８】
以下に、本発明を実施するための形態（実施例）について説明する。
【実施例１】
【００４９】
ここでは、例えば半導体ウェハを吸着保持できる静電チャックを例に挙げる。
ａ）まず、本実施例１の静電チャックの基本構造について説明する。
図１に示す様に、本実施例１の静電チャック１は、図１の上側にて被加工物である半導体ウェハ３を吸着する装置であり、セラミックヒータ５と金属ベース（クーリングプレート）７とが積層されて接合されたものである。
【００５０】
なお、セラミックヒータ５の図１の上方の面（上面：吸着面）が第１主面Ａであり、下面が第２主面Ｂである。また、金属ベース７の上面が第３主面Ｃであり、下面が第４主面Ｄである。
【００５１】
このうち、セラミックヒータ５は、円盤形状であり、後述する吸着用電極９及び発熱体１１を備えたセラミック基板１３から構成されている。
金属ベース７は、セラミックヒータ５より大径の円盤形状であり、セラミックヒータ５と同軸に接合されている。この金属ベース７には、セラミック基板１３（従って半導体ウェハ３）を冷却するために、冷却用流体が流される冷却部（冷却路）１５が設けられている。なお、冷却用流体としては、例えばフッ化液又は純水等の冷却用液体などを用いることができる。
【００５２】
また、静電チャック１には、リフトピン（図示せず）が挿入されるリフトピン孔１７が、静電チャック１を厚み方向に貫くように、複数箇所に設けられている。このリフトピン孔１７は、半導体ウェハ３を冷却するために第１主面Ａ側に供給される冷却用ガスの流路（冷却用ガス孔）としても用いられる。なお、冷却用ガスとしては、例えばヘリウムガスや窒素ガス等の不活性ガスなどを用いることができる。
【００５３】
ｂ）次に、静電チャック１の各構成について詳細に説明する。
なお、図２では、説明の簡易化のために、平面視で環状（円形）に配置された発熱体１１を直線状に配置して示しており、また、発熱体１１に接続される端子部２１の数も簡略化して７個で表現しているが、それに限定されるものではない。
【００５４】
＜セラミックヒータ５＞
図２（ａ）に模式的に示すように、セラミックヒータ５（従ってセラミック基板１３）は、例えばインジウムからなる接合層２３により、金属ベース７に接合されている。
【００５５】
このセラミック基板１３は、複数のセラミック層（図示せず）が積層されたものであり、アルミナを主成分とするアルミナ質焼結体である。なお、アルミナ質焼結体は、絶縁体（誘電体）である。
【００５６】
セラミック基板１３の内部には、図２（ａ）の上方より、吸着用電極９、発熱体１１が配置されている。吸着用電極９は、電圧を印加する周知の端子（図示せず）に電気的に接続されている。また、発熱体１１は、ビアや内部導電層（図示せず）からなる内部導電部２５を介して、端子部２１（詳しくは後述する主端子部２７及び副端子部２９からなる端子部２１）に電気的に接続されている。
【００５７】
＜金属ベース７＞
金属ベース７は、アルミニウム又はアルミニウム合金からなる金属製である。金属ベース７には、前記リフトピン孔１７以外に、後述する端子金具３１等が配置される貫通孔である内部孔３３が複数形成されている。
【００５８】
つまり、金属ベース７内には、主端子部２７及び副端子部２９毎に各端子金具３１等が配置されており、この各端子金具３１等を収容するように、金属ベース７を厚み方向に貫通する内部孔３３が形成されている。なお、内部孔３３には、端子金具３１の外周を囲むように、電気絶縁性を有する絶縁筒３５が配置されている。
【００５９】
＜吸着用電極９＞
吸着用電極９は、例えば平面形状が円形の電極から構成されている。この吸着用電極９とは、静電チャック１を使用する場合には、直流高電圧が印加され、これにより、半導体ウェハ３を吸着する静電引力（吸着力）を発生させ、この吸着力を用いて半導体ウェハ３を吸着して固定するものである。なお、吸着用電極９については、これ以外に、周知の各種の構成（単極性や双極性の電極など）を採用できる。なお、吸着用電極９は、例えばＷ等の導電材料からなる。
【００６０】
＜発熱体１１＞
発熱体１１は、電圧が印加されて電流が流れると発熱する金属材料（Ｗ等）からなる抵抗発熱体である。
【００６１】
この発熱体１１は、図３に示すように、平面視（図２（ａ）の上側から見た場合）で、同心状に配置された第１〜第４加熱ゾーン４１、４３、４５、４７の各加熱ゾーン４９（図３（ａ）参照）内に、それぞれ同心状に配置された第１〜第４部分発熱体５１、５３、５５、５７（図３（ｂ）参照）により構成されている。
【００６２】
以下、詳細に説明する。
図３（ａ）に示すように、セラミック基板１３には、自身の平面方向（例えば第１主面Ａ上）における各領域をそれぞれ加熱（従って温度調節）できるように、平面視で、複数の加熱ゾーン４９が設定されている。
【００６３】
具体的には、セラミック基板１３に設けられた加熱ゾーン４９は、軸中心を含む円形の第１加熱ゾーン４１と、第１加熱ゾーン４１の外周側を帯状に囲む環状（円形）の第２加熱ゾーン４３と、第２加熱ゾーン４３の外周側を帯状に囲む環状（円形）の第３加熱ゾーン４５と、第３加熱ゾーン４５の外周側を帯状に囲む環状（円形）の第４加熱ゾーン４７とから構成されており、それらは同心状に配置されている。
【００６４】
また、第２加熱ゾーン４３は、同じ中心角（等ピッチ）となるように、３つの個別ゾーン５９に区分され、第３加熱ゾーン４５は、等ピッチで、３つの個別ゾーン５９に区分されて、第４加熱ゾーン４７は、等ピッチで、６つの個別ゾーン５９に区分されている。
【００６５】
各個別ゾーン５９は加熱される領域を区分する最小単位であり、その形状は、湾曲した所定幅の円弧状の領域となっている。なお、第１加熱ゾーン４１自体は、単一の個別ゾーン５９となっている。
【００６６】
そして、図３（ｂ）に示すように、第１〜第４加熱ゾーン４１〜４７には、発熱体１１として、それぞれ１本の発熱パターンからなる第１〜第４部分発熱体５１〜５７が配置されている。なお、図３（ｂ）では実線で各部分発熱体５１〜５７を示している。
【００６７】
第１〜第４部分発熱体５１〜５７は、長尺（所定幅の線状）の発熱パターンからなり、各加熱ゾーン４９の形状に合わせて、平面視で円形の形状である（但し１箇所が切り欠かかれた形状である）。
【００６８】
＜端子部２１の配置＞
図３（ｂ）に示すように、第１部分発熱体５１には、その円形の両端（開口端）に、第１部分発熱体５１に電気的に接続される一対の主端子部２７（Ｓ１ａ、Ｓ１ｂ）が設けられている。なお、一対の主端子部２７は、近接して設けられている（以下第２〜第４部分発熱体５３〜５７も同様である）。
【００６９】
第２部分発熱体５３には、その円形の両端に、第２部分発熱体５３に電気的に接続される一対の主端子部２７（Ｓ２ａ、Ｓ２ｂ）が設けられている。
この第２部分発熱体５３には、両端の主端子部２７の間を３つの部分抵抗５３ａ、５３ｂ、５３ｃに等分割するように、即ち同じ抵抗値（目標値）を有する部分抵抗５３ａ〜５３ｃとなるように、２箇所に副端子部２９（ｆ２ａ、ｆ２ｂ）が設けられている。
【００７０】
詳しくは、近接する一対の主端子部２７の間の位置と２箇所の副端子部２９の位置とが、等ピッチ（１２０°）となるように、主端子部２７と副端子部２９とが配置されている。
【００７１】
このように、第２部分発熱体５３は、複数の副端子部２９によって、第２部分発熱体５３の周方向に沿って複数の部分抵抗５３ａ〜５３ｃに区分されている（第３、第４部分発熱体５５、５７も同様である）。
【００７２】
第３部分発熱体５５には、その円形の両端において、第３部分発熱体５５に電気的に接続される一対の主端子部２７（Ｓ３ａ、Ｓ３ｂ）が設けられている。
この第３部分発熱体５５には、第２部分発熱体５３と同様に、両端の主端子部２７の間を３つの部分抵抗５５ａ、５５ｂ、５５ｃに等割するように、すなわち同じ抵抗値（目標値）を有する部分抵抗５５ａ〜５５ｃとなるように、２箇所に副端子部２９（ｆ３ａ、ｆ３ｂ）が設けられている。
【００７３】
第４部分発熱体５７には、その円形の両端において、第４部分発熱体５７に電気的に接続される一対の主端子部２７（Ｓ４ａ、Ｓ４ｂ）が設けられている。
この第４部分発熱体５７には、両端の主端子部２７の間を６つの部分抵抗５７ａ、５７ｂ、５７ｃ、５７ｄ、５７ｅ、５７ｆに分割するように、５箇所に副端子部２９（ｆ４ａ、ｆ４ｂ、ｆ４ｃ、ｆ４ｄ、ｆ４ｅ）が設けられている。ここでは、簡単なモデルとして、発熱エリアが等しく、同じ抵抗値（目標値）を有する部分抵抗５７ａ〜５７ｆとなるように、第４部分発熱体５７を分割した。
【００７４】
詳しくは、近接する一対の主端子部２７の間の位置と５箇所の副端子部２９の位置とが、等ピッチ（６０°）となるように、主端子部２７と副端子部２９とが配置されている。
このように、第２〜第４部分発熱体５３〜５７は、それぞれ、複数の副端子部２９によって、第２〜第４部分発熱体５３〜５７の周方向に沿って複数の部分抵抗５３ａ〜５３ｃ、５５ａ〜５５ｃ、５７ａ〜５７ｆに区分されている。
【００７５】
＜端子部２１の構成＞
ここでは、各端子部２１の構成について、第４部分発熱体５７を例に挙げて説明する。
前記図２（ａ）に示すように、各端子部２１は、セラミック基板１３の内部の内部導電部２５と、内部孔３３の底面（図２（ａ）の上方の表面）に形成されて内部導電部２５に接続されたメタライズ層６１と、メタライズ層６１上に形成された接続金具（図示せず）と、接続金具に接続される端子金具３１とを備えている。
【００７６】
このうち、一対の主端子部２７（Ｓ４ａ、Ｓ４ｂ）の各端子金具３１（３１ａ、３１ｇ）には、リード金具６３（６３ａ、６３ｇ）が接続され、このリード金具６３を介して第４部分発熱体５７に電力が供給される。
【００７７】
また、５箇所の副端子部２９（ｆ４ａ〜ｆ４ｅ）の各端子金具３１（３１ｂ、３１ｃ、３１ｄ、３１ｅ、３１ｆ）のうち、所定の一対の副端子部ｆ４ｃ、ｆ４ｄの各端子金具３１ｄ、３１ｅには、それぞれリード金具６３ｄ、６３ｅが接続され、この一対のリード金具６３ｄ、６３ｅ間に、後述する補助抵抗６５が接続されている。なお、副端子部２９のうち、補助抵抗６５が接続されない箇所には、端子金具３１が配置されていなくともよい。
【００７８】
つまり、第４部分発熱体５７を構成する６個の部分抵抗５７ａ〜５７ｆのうち、１箇所の部分抵抗（例えば図２（ｂ）の左側から４番目の第４部分抵抗５７ｄ）の抵抗値が他の部分抵抗より大きい場合、その第４部分抵抗５７ｄと並列に（即ち一対の副端子部ｆ４ｃ、ｆ４ｄに）補助抵抗６５が接続される。この補助抵抗６５は、金属ベース７の裏側（冷却部１５より外側（第４主面Ｄ側））に配置されている。
【００７９】
＜補助抵抗６５＞
ここでは、第４部分発熱体５７を例に挙げて説明する。
図２（ｂ）に示すように、補助抵抗６５は、所定の部分抵抗の抵抗値（例えば第４部分抵抗５７ｄの抵抗値Ｒ１）が、他の部分抵抗５７ａ〜５７ｃ、５７ｅ、５７ｆの抵抗値Ｒより顕著に大きい場合、例えば所定の誤差の範囲を上回るような大きな抵抗値を有する場合に、第４部分抵抗５７ｄと他の部分抵抗５７ａ〜５７ｃ、５７ｅ、５７ｆにおける発熱量を均一化するために、第４部分抵抗５７ｄと並列に接続されるものである。
【００８０】
なお、１つの部分発熱体における各部分抵抗間の抵抗値の誤差は、目標値に対して例えば５％以内であるが、実際にはそれ以上のばらつきがあることがあるので、本実施例１ではその対策として、固定抵抗である補助抵抗６５を、抵抗値の大きな部分抵抗（例えば例えば第４部分抵抗５７ｄ）に並列に接続している。
【００８１】
このように、補助抵抗６５を第４部分抵抗５７ｄに並列に接続することによって、第４部分発熱体５７に流れる電流（Ｉ）は、第４部分抵抗５７ｄの抵抗値Ｒ１と補助抵抗６５の抵抗値Ｒ２とに応じて分配されるので、第４部分抵抗５７ｄには第１電流（Ｉ１）が流れ、補助抵抗６５には第２電流（Ｉ２）が流れる。
【００８２】
従って、このように補助抵抗６５を例えば第４部分抵抗５７ｄに並列に接続することによって、第４部分抵抗５７ｄにおける発熱量が（補助抵抗６５を接続しない場合に比べて）低下して、他の部分抵抗５７ａ〜５７ｃ、５７ｅ、５７ｆにおける発熱量と同程度になる。
【００８３】
ここで、第４部分抵抗５７ｄと他の部分抵抗５７ａ〜５７ｃ、５７ｅ、５７ｆとにおける発熱量を同程度にするためには、補助抵抗６５の抵抗値Ｒ２をどのような値とするかが重要になるので、以下では、補助抵抗６５の抵抗値Ｒ２の設定方法を説明する。
【００８４】
まず、補助抵抗６５を接続する前に、例えば第４部分発熱体５７の各部分抵抗５７ａ〜５７ｆの抵抗値Ｒを測定する。具体的には、各部分抵抗５７ａ〜５７ｆの両端に位置する端子部（主端子部２７及び副端子部２９）を用いた４端子測定法によって、各部分抵抗５７ａ〜５７ｆの抵抗値Ｒを測定する。
【００８５】
また、補助抵抗６５を接続する前に、例えば第４部分発熱体５７の一対の主端子部２７間に所定の電圧（例えば１００Ｖ）を印加し、そのときに第４部分発熱体５７に流れる電流（Ｉ）を測定する。
【００８６】
さらに、各部分抵抗５７ａ〜５７ｆにおける発熱量Ｑ（即ち単位時間当たりの目標とする発熱量）は、Ｑ＝Ｉ２×Ｒの演算により求めることができる。
また、仮に補助抵抗６５を接続して各部分抵抗５７ａ〜５７ｆにおける発熱量を同じとした場合に、第４部分抵抗５７ｄに流れる電流をＩ１とすると、第４部分抵抗５７ｄにおける発熱量Ｑ（即ち目標とする発熱量に調節された発熱量）は、Ｑ＝Ｉ１２×Ｒ１となる。よって、各部分抵抗５７ａ〜５７ｆに流れる電流Ｉと抵抗Ｒ、及び第４部分抵抗５７ｄに流れる電流Ｉ１と抵抗値Ｒ１の関係は、Ｉ２×Ｒ＝Ｉ１２×Ｒ１となる。
【００８７】
さらに、電流、電圧、抵抗には、電流の関係として、Ｉ＝Ｉ１＋Ｉ２、また第４部分抵抗５７ｄの電圧をＥ１とすると、電圧の関係として、Ｅ１＝Ｒ１×Ｉ１＝Ｒ２×Ｉ２のような関係がある。
【００８８】
従って、Ｒ２＝Ｒ１×√Ｒ／（√Ｒ１−√Ｒ）の演算によって、補助抵抗６５の抵抗値Ｒ２を求めることができる。
＜その他＞
なお、図示しないが、静電チャック１の吸着用電極９、発熱体１１には、それぞれを作動させるために電源回路が接続されており、それらの動作は、マイコンを含む電子制御装置によって制御される。
【００８９】
つまり、電子制御装置により、吸着用電極９の動作を制御（印加電圧などの制御）できる。また、全ての部分発熱体５１〜５７の動作をそれぞれ独立して制御できる。
なお、静電チャック１を冷却する場合には、冷却部１５に冷却用流体を流すことによって、セラミックヒータ５（従って半導体ウェハ３）を冷却することができる。
【００９０】
ｃ）次に、本実施例１の静電チャック１の製造方法について、簡単に説明する。
(1)セラミック基板１３の原料として、主成分であるＡｌ２Ｏ３：９２重量％、ＭｇＯ：１重量％、ＣａＯ：１重量％、ＳｉＯ２：６重量％の各粉末を混合して、ボールミルで、５０〜８０時間湿式粉砕した後、脱水乾燥する。
【００９１】
(2)次に、この粉末に溶剤等を加え、ボールミルで混合して、スラリーとする。
(3)次に、このスラリーを、減圧脱泡後平板状に流し出して徐冷し、溶剤を発散させて、（各セラミック層に対応する）各アルミナグリーンシートを形成する。
【００９２】
そして、各アルミナグリーンシートに対して、リフトピン孔１７などとなる空間、更にはビアとなるスルーホールを、必要箇所に開ける。
(4)また、前記アルミナグリーンシート用の原料粉末中にタングステン粉末を混ぜて、スラリー状にして、メタライズインクとする。
【００９３】
(5)そして、吸着用電極９、発熱体１１、内部導電層を形成するために、前記メタライズインクを用いて、それぞれの電極や発熱体の形成箇所に対応した（セラミック基板１３用の）アルミナグリーンシート上に、通常のスクリーン印刷法により、各パターンを印刷する。なお、ビアを形成するために、スルーホールに対して、メタライズインクを充填する。
【００９４】
(6)次に、各アルミナグリーンシートを、リフトピン孔１７等の必要な空間が形成されるように位置合わせして、熱圧着し、（セラミック基板１３の）積層シートを形成する。
(7)次に、熱圧着した各積層シートを、それぞれ所定の形状（即ち円板形状）にカットする。
【００９５】
(8)次に、カットした各積層シートを、還元雰囲気にて、１４００〜１６００℃の範囲（例えば、１５５０℃）にて５時間焼成（本焼成）し、各アルミナ質焼結体を作製する。
(9)そして、焼成後に、各アルミナ焼結体に対して、例えば第１主面Ａ側の加工など必要な加工を行って、セラミック基板１３を作製する。
【００９６】
(10)次に、セラミック基板１３に応じて、メタライズ層６１や接続金具を設ける。
(11)これとは別に、金属ベース７を製造する。具体的には、金属板に対して切削加工等を行うことにより、内部孔３３等を備えた金属ベース７を形成する。なお、内部孔３３には絶縁筒３５を配置する。
【００９７】
(12)次に、金属ベース７とセラミック基板１３とを接合して一体化する。
（13）次に、金属ベース７の各端子部２１に対応した内部孔３３の接続金具に、端子金具３１を接続する。
【００９８】
(14)次に、各部分発熱体５１〜５７の（端子部２１に対応した）各端子金具３１を利用して、上述した方法で、全ての各部分発熱体５１〜５７における各部分抵抗の抵抗値を測定する。
【００９９】
(15)この測定によって、特定の部分抵抗（例えば第４部分抵抗）の抵抗値が他の部分抵抗体の抵抗値より顕著に大きい場合（例えば許容範囲を上回った場合）には、当該抵抗値の大きな部分抵抗の両端の端子部２１の端子金具３１（詳しくはリード金具６３）間に、所定の抵抗値を有する補助抵抗６５を接続する。なお、補助抵抗６５の抵抗値は、上述した方法によって設定することができる。
【０１００】
これによって、本実施例１の静電チャック１が完成する。
ｄ）次に、本実施例１の効果について説明する。
本実施例１の静電チャック１おいて、そのセラミックヒータ５では、抵抗発熱体である発熱体１１（詳しくは各部分発熱体５１〜５７）は、主端子部２７間を繋ぐ電気経路（即ち発熱体１１自身）の間に接続された中間の副端子部２９によって複数の部分抵抗５３ａ〜５３ｃ、５５ａ〜５５ｃ、５７ａ〜５７ｆに区分されている。更に、主端子部２７と副端子部２９とからなる端子部２１のうち少なくとも一対の端子部２１間において、所定（他より抵抗値の大きな）の部分抵抗（例えば第４部分抵抗５７ｄ）と電気的に並列に補助抵抗６５が接続されている。
【０１０１】
従って、例えば各部分抵抗５３ａ〜５３ｃ、５５ａ〜５５ｃ、５７ａ〜５７ｆの抵抗値が異なる場合でも、所定の部分抵抗と並列に配置された補助抵抗６５の抵抗値を調節することにより（即ち適切な抵抗値の補助抵抗６５を用いることにより）、所定の部分抵抗における発熱量を低減して、各部分抵抗５３ａ〜５３ｃ、５５ａ〜５５ｃ、５７ａ〜５７ｆにおける単位面積当たりの発熱量を均一化することができる。
【０１０２】
このように、本実施例１では、補助抵抗６５を用いることにより、セラミックヒータ５の面内温度を容易に均一化することができる。
また、補助抵抗６５に通電する場合には、通常、補助抵抗６５が発熱するが、本実施例１では、補助抵抗６５は冷却部１５よりセラミックヒータ５とは反対側（第４主面Ｄ側）であって、冷却部１５の真下に配置されているので、冷却部１５によって補助抵抗６５の温度がセラミックヒータ５の温度に与える緩和（抑制）できる。これによって、セラミックヒータ５の面内温度をより一層均一化することができる。
【実施例２】
【０１０３】
次に、実施例２について説明するが、前記実施例１と同様な箇所の説明は省略する。
本実施例２では、部分発熱体の形状等が異なるので主として異なる点を説明する。
なお、図４（ａ）は、平面視における部分発熱体７１を示すが、説明の簡易化のために、部分発熱体７１を（実際の円形の配置ではなく）直線状に伸ばした状態で示している（以下の他の実施例も同様）。
【０１０４】
図４（ａ）に示すように、本実施例２の静電チャック（従ってセラミックヒータ）では、部分発熱体（例えば実施例１の最外周の第４部分発熱体）７１は、１本の発熱パターンからなり、その発熱パターンは、各端子部７３、７５の間の部分抵抗７７に対応した個別ゾーン毎に蛇行する形状を有している。
【０１０５】
詳しくは、部分発熱体７１は、その両端に一対の主端子部７３（７３ａ、７３ｂ）を備えるとともに、一対の主端子部７３ａ、７３ｂの間に、等間隔に５箇所に副端子部７５（７５ａ、７５ｂ、７５ｃ、７５ｄ、７５ｅ）を備えている。
【０１０６】
そして、各端子部７３、７５の間（即ち隣り合う主端子部７３と副端子部７５との間や、隣り合う副端子部７５同士の間）の発熱パターンは、蛇行するように形成されている。
なお、本実施例２においても、実施例１と同様に、抵抗値の大きな（例えば副端子部７５ｃ、７５ｄ間の）部分抵抗７７には、補助抵抗（図示せず）が並列に接続されている。
【０１０７】
本実施例２は、前記実施例１と同様な効果を奏するとともに、発熱パターンが蛇行しているので、広い面積をより均一に加熱できるという利点がある。
【実施例３】
【０１０８】
次に、実施例３について説明するが、前記実施例２と同様な箇所の説明は省略する。
本実施例３では、部分発熱体の形状等が異なるので主として異なる点を説明する。
図４（ｂ）に示すように、本実施例３の静電チャック（従ってセラミックヒータ）では、部分発熱体（例えば実施例１の最外周の第４部分発熱体）８１は、図４（ｂ）の左右方向（長手方向）に沿って平行に配置された５本の発熱パターン８３を備えており、その発熱パターン８３が複数箇所で電気的に一体に接続されている。
【０１０９】
詳しくは、部分発熱体８１は、その両端に一対の主端子部８５（８５ａ、８５ｂ）を備えるとともに、一対の主端子部８５ａ、８５ｂの間に、ほぼ等間隔に５箇所に副端子部８７（８７ａ、８７ｂ、８７ｃ、８７ｄ、８７ｅ）を備えている。
【０１１０】
また、一対の主端子部８５には、図４（ｂ）の上下方向（短手方向）に延びる幅パターン８９（８９ａ、８９ｇ）が接続されている。同様に、各副端子部８７には、短手方向に幅パターン８９（８９ｂ、８９ｃ、８９ｄ、８９ｅ、８９ｆ）が接続されている。
【０１１１】
これらの幅パターン８９は、全ての発熱パターン８３と交差（直交）するように延びて、全ての発熱パターン８３と電気的に接続されている。
ここでは、幅パターン８９で区分された発熱パターン８３の各部分（即ち個別ゾーン毎の発熱部分）が発熱するので（言い換えれば幅パターン８９は発熱を目的としていないので）、幅パターン８９の幅は、発熱パターン８３の幅よりも大きく設定されている。なお、部分発熱体８１の厚みは均一（目標値）である。従って、単位面積当たり（平面視）では、幅パターン８９の抵抗値は、発熱パターン８３の抵抗値よりも小さい。
【０１１２】
なお、本実施例３においても、実施例１と同様に、各端子部８５、８７間の部分抵抗９１のうち、抵抗値の大きな例えば副端子部８７ｃ、８７ｄの間の部分抵抗９１には、補助抵抗（図示せず）が並列に接続されている。
【０１１３】
本実施例３は、前記実施例２と同様な効果を奏する。また、隣り合う幅パターン８９の間に複数の発熱パターン８３が接続されて部分抵抗９１が形成される構成であるので、隣り合う端子部８５、８７間の部分抵抗９１の抵抗値を小さくすることができる。従って、実施例２に比べて、部分発熱体８１全体の抵抗値を小さくすることができるという利点がある。
【０１１４】
なお、本実施例３の部分発熱体８１は、複数の発熱体（ここでは発熱パターン８３）が電気的に並列に接続された全発熱体（請求項５）に相当し、幅パターン８９が接続部（請求項７）に相当する。
【実施例４】
【０１１５】
次に、実施例４について説明するが、前記実施例２と同様な箇所の説明は省略する。
本実施例４では、部分発熱体の形状等が異なるので主として異なる点を説明する。
図５（ａ）に示すように、本実施例４の静電チャック（従ってセラミックヒータ）では、部分発熱体（例えば実施例１の最外周の第４部分発熱体）１０１は、実施例２の部分発熱体が平行に配置された形状を有している。
【０１１６】
つまり、部分発熱体１０１は、実施例２の部分発熱体のように蛇行するＡ部分発熱体１０３とＢ部分発熱体１０５とが平行に配置されるとともに、電気的に並列に接続されたものである。
【０１１７】
このＡ部分発熱体１０３とＢ部分発熱体１０５は、それぞれの長手方向の両側に、実施例２の主端子部と同様に、一対のＡ主端子部１０７ａ、１０７ｂと一対のＢ主端子部１０９ａ、１０９ｂとを備えている。そして、対応する（同図上下方向の）各Ａ主端子部１０７ａ、１０７ｂと各Ｂ主端子部１０９ａ、１０９ｂとは、それぞれ接続部１１１ａ、１１１ｂにより電気的に接続されて１対の主端子部１１３ａ、１１３ｂを構成している。
【０１１８】
また、Ａ部分発熱体１０３とＢ部分発熱体１０５は、実施例２の副端子部と同様に、Ａ部分発熱体１０３とＢ部分発熱体１０５とをそれぞれ等分割するように、各５箇所にＡ副端子部１１５ａ、１１５ｂ、１１５ｃ、１１５ｄ、１１５ｅとＢ副端子部１１７ａ、１１７ｂ、１１７ｃ、１１７ｄ、１１７ｅとを備えている。そして、対応する（同図上下方向の）各Ａ副端子部１１５ａ〜１１５ｅと各Ｂ副端子部１１７ａ〜１１７ｅとは、それぞれ各接続部１１９ａ、１１９ｂ、１１９ｃ、１１９ｄ、１１９ｅにより電気的に接続されて５対の副端子部１２１ａ、１２１ｂ、１２１ｃ、１２１ｄ、１２１ｅを構成している。
【０１１９】
詳しくは、図５（ｂ）に示すように、例えば主端子部１１３ａでは、Ａ主端子部１０７ａとＢ主端子部１０９ａは、Ａ部分発熱体１０３とは異なる層に形成されたビア１２３及び内部導電層１２５からなる接続部１１１ａにより電気的に接続されている。
【０１２０】
また、図５（ｃ）に示すように、例えば副端子部１２１ａでは、Ａ副端子部１１５ａとＢ副端子部１１７ａは、Ａ部分発熱体１０３とは異なる層に形成されたビア１２７及び内部導電層１２９からなる接続部１１９ａにより電気的に接続されている。
【０１２１】
なお、本実施例４の部分発熱体１０１は、複数の発熱体（ここではＡ部分発熱体１０３とＢ部分発熱体１０５）が電気的に並列に接続された全発熱体（請求項５）に相当する。
【実施例５】
【０１２２】
次に、実施例５について説明するが、前記実施例１と同様な箇所の説明は省略する。
本実施例１では、補助抵抗として固定抵抗ではなく可変抵抗を使用している点などが異なるので、主として異なる点を説明する。
【０１２３】
図６に示すように、本実施例５の静電チャック（従ってセラミックヒータ）では、部分発熱体（例えば実施例１の最外周の第４部分発熱体）１３１は、実施例１と同様に、その両端に電源と接続される主端子部１３３（１３３ａ、１３３ｂ）を備えている。また、主端子部１３３間を等分割するように５箇所に副端子部１３５（１３５ａ、１３５ｂ、１３５ｃ、１３５ｄ、１３５ｅ）を備えている。
【０１２４】
特に本実施例５では、主端子部１３３及び副端子部１３５からなる端子部１３７のうち、隣り合う端子部１３７間に各部分抵抗１３９（１３９ａ、１３９ｂ、１３９ｃ、１３９ｄ、１３９ｅ、１３９ｆ）と電気的に並列となるように、各補助抵抗１４１（１４１ａ、１４１ｂ、１４１ｃ、１４１ｄ、１４１ｅ、１４１ｆ）として可変抵抗が接続されている。
【０１２５】
従って、例えばある部分抵抗（例えば第３部分抵抗１３９ｃ）の抵抗値が他の部分抵抗１３９ａ、１３９ｂ、１３９ｄ〜１３９ｆの抵抗値より大きい場合には、第３部分抵抗１３９ｃに接続された第３補助抵抗１４１ｃの可変抵抗を調節することにより、例えば実施例１の補助抵抗のような抵抗値とすることができる。
【０１２６】
なお、この場合には、他の部分抵抗１３９ａ、１３９ｂ、１３９ｄ〜１３９ｆに接続された補助抵抗１４１ａ、１４１ｂ、１４１ｄ〜１４１ｆの抵抗値は変更しない（即ち電気絶縁状態を維持する）。
【０１２７】
本第実施例５では、実施例１と同様な効果を奏するとともに、各部分抵抗１３９にそれぞれ（可変抵抗である）補助抵抗１４１が接続されているので、各部分抵抗１３９の抵抗値に応じて、容易に補助抵抗１４１の抵抗値を設定できるという利点がある。
【０１２８】
また、補助抵抗１４１の抵抗値を自由に設定できるので、各部分抵抗１３９の発熱状態を容易に調節することができる。よって、面内温度の均一化が可能であるとともに、各部分抵抗１３９に応じた個別ゾーンの温度を容易に調節できる（例えば他の個別ゾーンと温度を違えることができる）という利点がある。
【０１２９】
つまり、セラミックヒータの各部分抵抗１３９を区分する端子部１３７間のうち、１又は複数の箇所に部分抵抗１３９と並列に可変抵抗である補助抵抗１４１が接続して、補助抵抗１４１の抵抗値を制御することにより、補助抵抗１４１が接続された部分抵抗１３９の温度（従ってその個別ゾーンの温度）を容易に調節することができる。
【実施例６】
【０１３０】
次に、実施例６について説明するが、前記実施例１と同様な箇所の説明は省略する。
本実施例１では、各端子部間に固定抵抗である補助抵抗を配置するとともに、各端子部の補助抵抗に到る回路をオンオフするスイッチを配置した点などが異なるので、主として異なる点を説明する。
【０１３１】
図７に示すように、本実施例６の静電チャック（従ってセラミックヒータ）では、部分発熱体（例えば実施例１の最外周の第４部分発熱体）１５１は、実施例１と同様に、その両端に電源と接続される主端子部１５３（１５３ａ、１５３ｂ）を備えている。また、主端子部１５３間を等分割するように５箇所に副端子部１５５（１５５ａ、１５５ｂ、１５５ｃ、１５５ｄ、１５５ｅ）を備えている。
【０１３２】
特に本実施例６では、主端子部１５３及び副端子部１５５からなる端子部１５７のうち、隣り合う端子部１５７間に各部分抵抗１５９（１３９ａ、１３９ｂ、１３９ｃ、１３９ｄ、１３９ｅ、１３９ｆ）と電気的に並列となるように、各補助抵抗１６１（１６１ａ、１６１ｂ、１６１ｃ、１６１ｄ、１６１ｅ、１６１ｆ）として固定抵抗が接続されている。
【０１３３】
なお、各補助抵抗１６１の抵抗値としては、同一の値を採用できる。
更に、本実施例６では、各端子部１５７には、各部分抵抗１５９と（それに接続された）各補助抵抗１６１との間の電気的接続をオン（接続）又はオフ（遮断）するスイッチ１６３（１６３ａ、１６３ｂ、１６３ｃ、１６３ｄ、１６３ｅ、１６３ｆ、１６３ｇ）が接続されている。つまり、各端子部１５７と各補助抵抗１６１とを接続する回路にスイッチ１６３が設けられている。
【０１３４】
なお、このスイッチ１６３は、セラミックヒータ内ではなく、例えば静電チャックの第４主面側に配置することができる。
従って、このスイッチ１６３をオンオフすることにより、特定の部分抵抗１５９のみに補助抵抗１６１を並列に接続することができる。
【０１３５】
例えばある部分抵抗（例えば第３部分抵抗１５９ｃ）の抵抗値が他の部分抵抗１５９ａ、１５９ｂ、１５９ｄ〜１５９ｆの抵抗値より大きい場合には、第３部分抵抗１５９ｃに並列に第３補助抵抗１６１ｃを接続するように、副端子部１５５ｂ、１５５ｃのスイッチ１６３ｃ、１６３ｄをオンとし、他のスイッチ１６３ａ、１６３ｂ、１６３ｅ〜１６３ｇをオフする。これにより、例えば実施例１と同様に補助抵抗が接続された構成とすることができる。
【０１３６】
本第実施例６では、実施例１と同様な効果を奏するとともに、各スイッチ１６３をオンオフすることにより、任意の部分抵抗１５９にそれぞれ補助抵抗１６１を接続することができる。
【０１３７】
つまり、補助抵抗１６１の接続状態を自由に設定できるので、補助抵抗１６１の接続状態に伴う各部分抵抗１５９の発熱状態を容易に調節することができる。よって、面内温度の均一化が可能であるとともに、各部分抵抗１６９に応じた個別ゾーンの温度を容易に調節できる（例えば他の個別ゾーンと温度を違えることができる）という利点がある。
【０１３８】
すなわち、セラミックヒータの各部分抵抗１６９を区分する端子部１５７間のうち、１又は複数の箇所に部分抵抗１６９と並列に固定抵抗である補助抵抗１６１を接続し、且つ、補助抵抗１６１が接続されている回路をオンオフするスイッチ１６３を備え、スイッチ１６３のオンオフを制御することにより、補助抵抗１６１が接続された部分抵抗１６９の温度を調節することができる。
【実施例７】
【０１３９】
次に、実施例７について説明するが、前記実施例１と同様な箇所の説明は省略する。
図８（ａ）に示すように、本実施例７の静電チャック１７１は、実施例１と同様に、セラミックヒータ１７３と金属ベース１７５とが積層されている。
【０１４０】
本実施例７の静電チャック１７１では、最外周の部分発熱体（例えば実施例１の最外周の第４部分発熱体）１７７は、実施例１と同様に、主端子部及び（主端子部間を等分割する）副端子部からなる複数の端子部１７９を備えている。
【０１４１】
また、端子部１７９間の部分抵抗１８１のうち、他の部分抵抗より抵抗値の大きな部分抵抗（例えば部分抵抗１８１ａ）には、電気的に並列に固定抵抗である補助抵抗１８３が接続されている。
【０１４２】
この補助抵抗１８３は、金属ベース１７５が接合されたセラミック基板１７３の内部において、部分抵抗１８１ａの配置されている個別ゾーン１９３（図８（ｂ）の斜線部分）ではなく、部分発熱体１７７が配置されている外周部分の全部の個別ゾーン１９５（図８（ｃ）の斜線部分）にわたって、平面視で円形に配置されている。
【０１４３】
本第実施例７では、実施例１と同様な効果を奏するとともに、補助抵抗１８３が外周部分の全部の個別ゾーン１９５にわたって配置されているので、補助抵抗１８３が発熱する場合でも、対応する部分抵抗１８１ａの温度が過度に上昇し難い。つまり、補助抵抗１８３が発熱しても、容易に面内温度を均一化できるという利点がある。
【０１４４】
なお、補助抵抗１８３を、外周部分の全部の個別ゾーンではなく、２個又は３個等の複数の個別ゾーンにわたって形成してもよい。
【実施例８】
【０１４５】
次に、実施例８について説明するが、前記実施例１と同様な箇所の説明は省略する。
図９に示すように、本実施例８の静電チャック２０１は、実施例１とは、補助抵抗２０３を取り付ける位置が異なっている。
【０１４６】
詳しくは、金属ベース２０５の第４主面Ｄ側に凹状の収容部２０７を設け、その内部に補助抵抗２０３や端子金具２０９に接続する導電部２１１を配置する。
本実施例８では、実施例１の効果を奏するとともに、補助抵抗２０３が、金属ベース２０５の外側（第４主面Ｄ側）に露出しないので、作業等の際に補助抵抗２０３に接触しにくく、よって、補助抵抗２０３が破損や脱落することを抑制できるという利点がある。
【実施例９】
【０１４７】
次に、実施例９について説明するが、前記実施例１と同様な箇所の説明は省略する。
本実施例９は静電チャックではなく、セラミックヒータである。
図１０（ａ）に示すように、本実施例９のセラミックヒータ２２１は、円盤形状であり、図１０（ｂ）に示すように、（実施例１と同様な材料からなる）セラミック基板２２３の内部に、実施例１と同様な（平面視で）同心状に配置された複数（例えば４個）の部分発熱体２２５からなる発熱体２２７に配置されている。
【０１４８】
また、各部分発熱体２２５には、実施例１と同様に、電源に接続される（部分発熱体２２５の両端の）一対の主端子部２２９（２２９ａ、２２９ｂ）と、主端子部２２９間に等間隔に配置された例えば５個の副端子部２３１（２３１ａ、２３１ｂ、２３１ｃ、２３１ｄ、２３１ｅ）とが接続されている。
【０１４９】
更に、実施例１と同様に、隣り合う端子部２３３（主端子部２２９及び副端子部２３１の総称）間の部分抵抗２３５のうち、所定の部分抵抗２３５（他の部分抵抗より抵抗値の大きな例えば第４部分抵抗２３５ｄ）には、電気的に並列に補助抵抗２３７が接続されている。
【０１５０】
本実施例９においても、実施例１と同様に、セラミックヒータ２２１の面内温度を容易に均一化することができる。
なお、本実施例９の構成のうち、発熱体、端子部、補助抵抗、端子部と補助抵抗を接続する回路の構成（加熱を行うための電気的な構成）等を、上述した実施例２〜７における発熱体、端子部、補助抵抗（固定抵抗や可変抵抗）、スイッチ、端子部と補助抵抗を接続する回路の構成等に置き換えてもよい。
【０１５１】
例えば、本実施例９に、実施例５の可変抵抗を用いた回路構成又は実施例６のスイッチを用いた回路構成を採用した場合には、セラミックヒータの平面方向における温度の均一化以外に、所定の領域（個別ゾーン）の温度を他の領域とは異なる温度に調節することができる。
【０１５２】
尚、本発明は前記実施例などになんら限定されるものではなく、本発明を逸脱しない範囲において種々の態様で実施しうることはいうまでもない。
（１）例えば、前記各実施例の静電チャックでは、金属ベースに冷却部を設けた例に挙げたが、冷却部を有しない金属ベースを用いてもよい。
【０１５３】
（２）また、前記各実施例の静電チャックでは、セラミックヒータに金属ベースを接合した静電チャックについて述べたが、本発明は、金属ベースを接合しない静電チャックにも適用できる。
【０１５４】
この場合には、金属ベース、接続層、絶縁筒を省略できるとともに、端子金具の軸方向における寸法を短くすることもできる。
（３）なお、各実施例の構成を、適宜他の実施例の構成と組み合わせてもよい。
【符号の説明】
【０１５５】
１、２０１…静電チャック
３…半導体ウェハ
５、２２１…セラミックヒータ
７、２０５…金属ベース
９…吸着用電極
１１、２２７…発熱体
１３、２２３…セラミック基板
１５…冷却部
２１、１３７、１５７、１７９、２３３…端子部
２７、７３、８５、１１３ａ、１１３ｂ、１３３、１５３、２２９…主端子部
２９、７５、８７、１２１ａ、１２１ｂ、１２１ｃ、１２１ｄ、１２１ｅ、１３５、１５５、２３１…副端子部
５１、５３、５５、５７、７１、８１、１０１、１３１、１５１、１７７、２２５…部分発熱体  
５３ａ、５３ｂ、５３ｃ、５５ａ、５５ｂ、５５ｃ、５７ａ、５７ｂ、５７ｃ、５７ｄ、５７ｅ、５７ｆ、７７、９１、１３９、１５９、１８１、２３５…部分抵抗
６５、１４１、１６１、１８３、２０３、２３７…補助抵抗
１１１ａ、１１１ｂ、１１９ａ、１１９ｂ、１１９ｃ、１１９ｄ、１１９ｅ…接続部
１６３…スイッチ
２０７…収容部
Ａ…第１主面
Ｂ…第２主面
Ｃ…第３主面
Ｄ…第４主面
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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