(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
入射光を光電変換することによって光信号を生成する複数の光電変換部と、
各々が前記複数の光電変換部の各々に対応して設けられ、各々が前記光信号に基づく信号を、走査されることによって順次出力する複数の列回路と、
前記複数の列回路の各々から走査によって出力される前記光信号に基づく信号が順次入力されるとともに、前記光信号に基づく信号を順次出力する出力回路と、
電流を消費する電流消費回路とを有する光電変換装置であって、
前記複数の列回路の各々が前記光信号に基づく信号を出力する第１の状態における、前記複数の列回路の各々の単位時間当たりの電流消費量の和は、前記複数の列回路の各々が前記光信号に基づく信号を出力していない第２の状態における、前記複数の列回路の各々の単位時間当たりの電流消費量の和に比して多く、
前記出力回路が前記光信号に基づく信号を出力する第３の状態の前記出力回路の単位時間当たりの電流消費量は、前記出力回路が前記光信号に基づく信号を出力していない第４の状態の前記出力回路の単位時間当たりの電流消費量に比して多く、
第１の期間に、前記複数の列回路の各々は前記第１の状態であり、前記出力回路は前記第４の状態であり、
第２の期間に、前記複数の列回路の各々は前記第２の状態であり、前記出力回路は前記第４の状態であり、
第３の期間に、前記複数の列回路の各々は前記第２の状態であり、前記出力回路は前記第３の状態であり、
前記第１の期間の前記複数の列回路と前記出力回路との単位時間当たりの電流消費量の和は、前記第２の期間の前記複数の列回路と前記出力回路との単位時間当たりの電流消費量の和よりも多く、
前記電流消費回路は、前記第１の期間における前記電流消費量の和と、前記第２の期間における前記電流消費量の和との差を低減するように、電流を消費し、
前記電流消費回路はさらに、前記第３の期間における前記複数の列回路と前記出力回路との単位時間当たりの電流消費量の和と、前記第２の期間における前記電流消費量の和との差を低減するように、電流を消費することを特徴とする光電変換装置。
【請求項２】
前記電流消費回路の電流消費量が、前記第２の期間、前記第１の期間、前記第３の期間の順に大きいことを特徴とする請求項１に記載の光電変換装置。
【請求項３】
入射光を光電変換することによって光信号を生成する複数の光電変換部と、
各々が前記複数の光電変換部の各々に対応して設けられ、各々が前記光信号に基づく信号を、走査されることによって順次出力する複数の列回路と、
前記複数の列回路の各々から走査によって出力される前記光信号に基づく信号が順次入力されるとともに、前記光信号に基づく信号を順次出力する出力回路と、
電流を消費する電流消費回路とを有する光電変換装置であって、
前記複数の列回路の各々が前記光信号に基づく信号を出力する第１の状態における、前記複数の列回路の各々の単位時間当たりの電流消費量の和は、前記複数の列回路の各々が前記光信号に基づく信号を出力していない第２の状態における、前記複数の列回路の各々の単位時間当たりの電流消費量の和に比して多く、
前記出力回路が前記光信号に基づく信号を出力する第３の状態の前記出力回路の単位時間当たりの電流消費量は、前記出力回路が前記光信号に基づく信号を出力していない第４の状態の前記出力回路の単位時間当たりの電流消費量に比して多く、
第１の期間に、前記複数の列回路の各々は前記第１の状態であり、前記出力回路は前記第４の状態であり、
第２の期間に、前記複数の列回路の各々は前記第２の状態であり、前記出力回路は前記第４の状態であり、
第３の期間に、前記複数の列回路の各々は前記第２の状態であり、前記出力回路は前記第３の状態であり、
前記第１の期間の前記複数の列回路と前記出力回路との単位時間当たりの電流消費量の和は、前記第２の期間の前記複数の列回路と前記出力回路との単位時間当たりの電流消費量の和よりも多く、
前記電流消費回路は、前記第１の期間における前記電流消費量の和と、前記第２の期間における前記電流消費量の和との差を低減するように、電流を消費し、
前記電流消費回路は、前記第２の期間において電流を消費する動作を行い、前記第１の期間には非動作であることを特徴とする光電変換装置
【請求項４】
前記第１の期間は前記第２の期間の直後の期間であり、
前記電流消費回路は、前記第２の期間の開始時には非動作であり、その後、前記第２の期間の内に電流を消費する動作を開始することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項５】
前記第２の期間に、前記複数の光電変換部の各々が前記光信号を生成することを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項６】
前記光電変換装置は走査回路をさらに有し、
前記走査回路が前記複数の列回路の各々を走査することによって、前記複数の列回路の各々から前記出力回路に、前記光信号に基づく信号が順次出力されることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項７】
前記複数の光電変換部と、前記複数の列回路と、前記出力回路と、前記電流消費回路とを有する半導体基板を複数有することを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項８】
対象物の画像を読み取る画像読取装置であって、
前記対象物に光を照射する発光部と、
請求項１〜７のいずれか１項に記載の光電変換装置と、
シートから反射した光を前記光電変換装置に導く縮小光学系と、
を備えることを特徴とする画像読取装置。
【請求項９】
請求項８に記載の画像読取装置と、
前記画像読取装置が出力する信号を用いて画像を形成する画像形成部と、
を備えることを特徴とする画像形成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光電変換装置、画像読取装置、画像形成装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
入射光を光電変換する光電変換装置が知られている。
【０００３】
この光電変換装置の一例として、特許文献１には、光信号を出力する複数の光電変換部と、複数の光電変換部の各々にそれぞれが対応して設けられ、増幅トランジスタを有する複数の列回路とを有する撮像装置が記載されている。特許文献１に記載の撮像装置はさらに、光信号に基づいた信号を出力する出力回路を有する。撮像装置では、出力期間に備え列回路が動作して電流を消費する状態（第１の状態）と、出力回路が光信号に基づいた信号を出力する為に電流を消費する状態（第２の状態）とがある。特許文献１に記載の撮像装置は、第１の状態と第２の状態との間の電流消費量の差を低減するように電流を消費する電流消費回路をさらに有する。特許文献１によれば、電流消費回路を有することによって、第１の状態と第２の状態との変化によって生じる電流供給線の電位の変動を抑制でき、光信号に含まれるノイズを低減できるとされる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１４−７５６２０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１に開示された撮像装置では、上記の第１の状態と第２の状態の電流消費量を揃えている。しかし、特許文献１には複数の列回路と出力回路とが共に待機状態である待機期間を考慮していない。さらに言えば、出力回路と、複数の列回路とが共に待機している待機期間と、上記の第１の状態である期間との電流消費量の差についても検討がなされていない。
【０００６】
複数の列回路と出力回路とが共に待機している待機期間と、上記の第１の状態である期間との電流消費量に差があることによって電流供給線の電位に変動が生じる。この電流供給線の電位の変動は、光信号のＳ／Ｎ比を低下させる。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は上記の課題を鑑みて為されたものであって、一の態様は、入射光を光電変換することによって光信号を生成する複数の光電変換部と、各々が前記複数の光電変換部の各々に対応して設けられ、各々が前記光信号に基づく信号を、走査されることによって順次出力する複数の列回路と、前記複数の列回路の各々から走査によって出力される前記光信号に基づく信号が順次入力されるとともに、前記光信号に基づく信号を順次出力する出力回路と、電流を消費する電流消費回路とを有する光電変換装置であって、前記複数の列回路の各々が前記光信号に基づく信号を出力する第１の状態における、前記複数の列回路の各々の単位時間当たりの電流消費量の和は、前記複数の列回路の各々が前記光信号に基づく信号を出力していない第２の状態における、前記複数の列回路の各々の単位時間当たりの電流消費量の和に比して多く、前記出力回路が前記光信号に基づく信号を出力する第３の状態の前記出力回路の単位時間当たりの電流消費量は、前記出力回路が前記光信号に基づく信号を出力していない第４の状態の前記出力回路の単位時間当たりの電流消費量に比して多く、第１の期間に、前記複数の列回路の各々は前記第１の状態であり、前記出力回路は前記第４の状態であり、第２の期間に、前記複数の列回路の各々は前記第２の状態であり、前記出力回路は前記第４の状態であり、第３の期間に、前記複数の列回路の各々は前記第２の状態であり、前記出力回路は前記第３の状態であり、前記第１の期間の前記複数の列回路と前記出力回路との単位時間当たりの電流消費量の和は、前記第２の期間の前記複数の列回路と前記出力回路との単位時間当たりの電流消費量の和よりも多く、前記電流消費回路は、前記第１の期間における前記電流消費量の和と、前記第２の期間における前記電流消費量の和との差を低減するように、電流を消費し、前記電流消費回路はさらに、前記第３の期間における前記複数の列回路と前記出力回路との単位時間当たりの電流消費量の和と、前記第２の期間における前記電流消費量の和との差を低減するように、電流を消費することを特徴とする光電変換装置である。
【発明の効果】
【０００８】
本発明により、電流供給線の電位の変動をさらに抑制することができる。これにより、光信号のＳ／Ｎ比を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】光電変換装置の構成の一例を示した図
【図２】光電変換装置の構成の一例を示した図
【図３】画素の構成の一例を示した図
【図４】光電変換装置の動作の一例を示した図
【図５】光電変換装置の動作の一例を示した図
【図６】光電変換装置の動作の一例を示した図
【図７】電流消費回路の構成の一例の図
【図８】電流消費回路の構成の一例の図
【図９】光電変換装置の構成の一例の図
【図１０】光電変換装置の動作の一例を示した図
【図１１】光電変換装置の動作の一例を示した図
【図１２】光電変換装置の動作の一例を示した図
【図１３】画像読取装置の構成の一例を示した図
【図１４】画像形成装置の構成の一例を示した図
【図１５】画像形成装置の制御に一例を示した図
【発明を実施するための形態】
【００１０】
（実施例１）
以下、図面を参照しながら本実施例に関わる光電変換装置について説明する。
【００１１】
図１は、本実施例の光電変換装置の模式図である。
【００１２】
本実施例の光電変換装置は、実装基板１０６上に実装されたチップ１００、１０１を有する光電変換装置である。また、本実施例の光電変換装置は、チップ１００、チップ１０１が別々の半導体基板に形成された、マルチチップの光電変換装置である。
【００１３】
図１では、チップ１００とチップ１０１とが互いに有する同一の機能を有する部材については、チップ１００が有する部材には枝番として１を付しており、チップ１０１が有する部材には枝番として２を付している。
【００１４】
チップ１００、１０１はそれぞれ、パッド２００、２１０、２２０、２３０、２４０、２５０、２６０、２７０を有する。
【００１５】
パッド２００はシフトレジスタの走査データを入力するパッド（端子）である。パッド２１０はチップを選択する為の信号を入力するパッド（端子）である。パッド２２０はチップ動作に係わるスタート信号を入力するパッド（端子）である。パッド２３０はクロック信号を入力するパッド（端子）である。パッド２４０はシフトレジスタのＥＮＤ信号を出力するパッド（端子）である。パッド２５０はセンサ信号を出力するパッド（端子）である。パッド２６０は電源電圧を入力するパッド（端子）である。パッド２７０は電流消費回路に係わるスタート信号を入力するパッド（端子）である。
【００１６】
チップ１００、１０１の各々は画素１１０〜１１ｎを有する。また、チップ１００、１０１の各々は電流消費回路１８０を有する。
【００１７】
２００はチップ１００では非使用である。パッド２００−２はパッド２４０−１から出力される信号が与えられ、パッド２７０はパッド２４０−２から出力される信号が与えられる。
【００１８】
パッド２１０はチップ１０１では非使用である。ここでいうパッドの非使用とは、パルス信号ではなく固定電圧がパッドに与えられる状態を指す。パッド２００−１、パッド２１０−２には接地電圧が与えられている。チップ１００、１０１には電源電圧ＶＤＤに基づく電流を供給する共通の電流供給線７００が電気的に接続されている。これにより、共通の電源電圧ＶＤＤがチップ１００、１０１に与えられている。
【００１９】
チップ１００、１０１はそれぞれ電流消費回路１８０を有している。
【００２０】
図２はチップ１００、１０１の回路ブロック構成を示した図である。
【００２１】
チップ１００、１０１の各々は、スイッチ１２０〜１２ｎ、スイッチ５２０〜５２ｎを有する。さらにチップ１００、１０１の各々はシフトレジスタ１３０−１〜１３ｎ−１、出力アンプ１４０を有する。さらに、チップ１００、１０１の各々は制御部１６０、チップ選択回路１７０を有する。
【００２２】
電流消費回路１８０は制御部１６０から与えられる信号ＩＣＣＯＮに基づいて動作する。
【００２３】
電流消費回路１８０には電源電圧ＶＤＤが与えられている。
【００２４】
尚、この電流消費回路１８０の電源電圧ＶＤＤはパッド２６０を介して与えられる構成であっても、パッド２６０以外の別のパッドから与えられる構成であっても良い。つまり、チップ１００の外部に設けられた、電源電圧ＶＤＤを供給する電源に対し、電流消費回路１８０と、後述する列回路１５０、１５１と出力回路とが共通に電気的に接続されている形態であれば良い。このような形態の一例として、電流消費回路１８０と列回路１５０、１５１と出力回路とが共通の電流供給線７００に電気的に接続されている形態がある。
【００２５】
チップ１００では、パッド２１０に与えられる信号ＳＥＬが制御部１６０、チップ選択回路１７０にそれぞれ与えられる。
【００２６】
チップ選択回路１７０には制御部１６０から信号ＡＳＥＬが与えられる。信号ＡＳＥＬは、信号ＳＥＬに基づいて制御部１６０が生成する信号である。
【００２７】
チップ選択回路１７０は、パッド２００に入力される信号ＳＩ、またはパッド２１０に入力される信号ＳＥＬのいずれかと、制御部１６０から与えられる信号ＡＳＥＬがＨｉｇｈレベル（以下、Ｈレベルと表記する）となった時に動作する。
【００２８】
また、パッド２２０に与えられるトリガ信号ＴＲ、パッド２３０に与えられるクロック信号ＣＬＫはそれぞれ制御部１６０に与えられる。画素１１０〜１１ｎは制御部１６０から信号ＲＯＭが与えられる。信号ＲＯＭは、画素１１０〜１１ｎに供給される信号（後述）をまとめて示している。
【００２９】
シフトレジスタ１３０〜１３ｎは制御部１６０から信号ＳＲＩＮが与えられる。
【００３０】
シフトレジスタ１３０〜１３ｎはそれぞれ制御部１６０から与えられる信号ＳＲＩＮに基づいて生成した信号ＳＷ１〜ＳＷｎを、スイッチ１２０〜１２ｎ、５２０〜５２ｎにそれぞれ出力し、スイッチ１２０〜１２ｎ、５２０〜５２ｎを順次駆動する。
【００３１】
これにより、画素１１０〜１１ｎの信号から、順次出力アンプ１４０に出力される。画素１１０〜１１ｎの各々は、後述する図３のように、列回路１５０、１５１を備えている。出力アンプ１４０は、複数の光電変換部の各々に対応して設けられた複数の列回路の各々から、信号が順次出力される出力回路である。
【００３２】
出力アンプ１４０は差動アンプを有している。
【００３３】
出力アンプ１４０には制御部１６０から信号ＡＭＰが与えられる。
【００３４】
出力アンプ１４０はパッド２５０に信号を出力し、パッド２５０から出力アンプ１４０の出力した信号ＶＯＵＴが出力される。
【００３５】
シフトレジスタ１３ｎは、信号ＳＲＥＮＤを制御部１６０とパッド２４０にそれぞれ出力する。チップ１００のパッド２４０−１から出力された信号ＳＲＥＮＤ−１は、チップ１０１のパッド２００−２に与えられる。チップ選択回路１７０−２は、グラウンドレベルの信号がパッド２１０−２から予め与えられている。パッド２００−２にＨレベルの信号ＳＲＥＮＤ−１が与えられると、チップ１０１のシフトレジスタ１３０〜１３ｎが順次信号ＳＷ１〜ＳＷｎを生成してスイッチ１２０〜１２ｎ、５２０〜５２ｎを順次駆動する。このように、チップ１００の画素１１０−１〜１１ｎ−１の各々の光信号に基づく信号を出力アンプ１４０−１が出力した後、チップ１０１の画素１１０−２〜１１ｎ−２の各々の光信号に基づく信号を出力アンプ１４０−２が出力する。
【００３６】
本実施例の電流消費回路１８０は、画素１１０〜１１ｎ、信号読み出し部、制御部１６０とは別回路として設けられている。
【００３７】
図３は本実施例の画素１１０の構成を示した図である。画素１１１〜１１ｎの構成は、画素１１０の構成と同じである。
【００３８】
画素１１０は、光電変換素子２８０と、ＭＯＳトランジスタ２８１、２８２、２８３、２８４、２８６、２８７、２８８、２８９と、容量素子２８５、２９０、２９１を有する。信号ＲＯＭは、信号ＰＴＳ、信号ＰＴＮ、信号ＰＣＭ、信号ＰＲＥＳと、バイアス信号ＢＰ、バイアス信号ＢＮを含む。バイアス信号ＢＮにより、ＭＯＳトランジスタ２８３は電流源として動作し、ＭＯＳトランジスタ２８２とともに列回路（ソースフォロワ回路）１５０を構成する。また、バイアス信号ＢＰにより、ＭＯＳトランジスタ２８６は電流源として動作し、ＭＯＳトランジスタ２８７とともに列回路（ソースフォロワ回路）１５１を構成する。電圧ＶＲＥＳは光電変換素子２８０のリセット電圧である。
【００３９】
次に、図４を参照しながら、チップ１００、１０１の動作について説明する。
【００４０】
時刻ｔ１にトリガ信号ＴＲがＨレベルとなる。これにより、チップ１００、１０１の制御部１６０はそれぞれ、信号ＲＯＭ−１、ＲＯＭ−２をチップ１００、１０１の画素１１０〜１１ｎに与え、入射光に基づく光電変換信号を出力するための準備動作を行わせる。その後、トリガ信号ＴＲをＬｏｗレベル（以下、Ｌレベルと表記する）とする。また、信号ＲＯＭ−１、ＲＯＭ−２がＨレベルとなることにより、チップ１００、１０１のそれぞれが有する列回路１５０、１５１が信号を読み出す動作を行う。
【００４１】
本実施例の第１の期間とはブランキング期間を指す。即ち、列回路１５０、１５１が動作を行い、出力アンプ１４０−１が非動作である期間が本実施例の第１の期間である。尚、列回路１５０、１５１が動作を行う状態（光信号に基づく信号を出力する状態）が第１の状態である。また、列回路１５０、１５１が非動作の状態が第２の状態である。また、出力アンプ１４０が動作を行う状態（列回路１５０、１５１から出力された光信号に基づく信号を出力アンプ１４０が出力する状態）が第３の状態である。また、出力アンプ１４０が非動作の状態が第４の状態である。
【００４２】
時刻ｔ２に、信号ＳＥＬ−１がＨレベルとなる。これによりシフトレジスタ１３０−１、１３１−１、１３ｎ−１にＨレベルの信号が与えられる。
【００４３】
また、時刻ｔ２に信号ＡＭＰ−１がＨレベルとなる。これにより、出力アンプ１４０−１が動作状態となる。また、制御部１６０−１はクロック信号ＣＬＫと同期した信号ＳＲＩＮ−１の生成を開始する。時刻ｔ１から時刻ｔ２に達するよりも前までの期間をブランキング期間と呼ぶ。
【００４４】
時刻ｔ３に、シフトレジスタ１３０−１は信号ＳＲＩＮ−１に基づいて信号ＳＷ−１をＨレベルとする。これにより、画素１１０−１が生成した信号が出力アンプ１４０−１を介してパッド２５０−１を介してチップ外部に出力される。
【００４５】
以降、信号ＳＲＩＮ−１に基づいて、シフトレジスタ１３１−１〜１３ｎ−１が信号ＳＷ２−１〜ＳＷｎ−１を順次Ｈレベルとする。これにより、出力アンプ１４０−１から画素１１１−１〜１１ｎ−１の信号がパッド２５０−１を介してチップ１００の外部に順次出力される。
【００４６】
時刻ｔ３から時刻ｔ４に達するまでの期間を、出力期間１と呼ぶ。
【００４７】
出力期間１はチップ１００が信号ＶＯＵＴを出力する期間である。
【００４８】
時刻ｔ４に、シフトレジスタ１３ｎ−１は信号ＳＲＥＮＤ−１をＨレベルとする。これにより、チップ１０１の制御部１６０−２は信号ＡＭＰ−２をＨレベルとし、出力アンプ１４０−２を動作状態とする。また、制御部１６０−２は、クロック信号ＣＬＫと同期した信号ＳＲＩＮ−２の生成を開始する。先のチップ１００での動作と同様、チップ１０１においても、シフトレジスタ１３０−２、１３１−２、１３ｎ−２が信号ＡＭＰ−２に基づいて信号ＳＷ１−２、ＳＷ２−２、ＳＷ３−２をそれぞれ時刻ｔ５以降にＨレベルとする。これにより、出力アンプ１４０−２から、画素１１０−２、１１１−２、１１ｎ−２の信号がパッド２５０−２を介してチップ外部に順次出力される。
【００４９】
時刻ｔ５から時刻ｔ６までの期間を出力期間２と呼ぶ。出力期間２はチップ１０１が信号ＶＯＵＴを出力する期間である。
【００５０】
本実施例の第３の期間とは出力期間１、出力期間２を合わせた期間である。すなわち、第３の期間は、列回路１５０、１５１が非動作であって、出力アンプ１４０が動作する期間である。尚、第２の期間は後述する。
【００５１】
時刻ｔ６に、シフトレジスタ１３ｎ−２は信号ＳＲＥＮＤ−２をＨレベルとする。
【００５２】
パッド２７０にＨレベルの信号ＳＲＥＮＤ−２が与えられると、信号ＩＣＣＯＮ−１、ＩＣＣＯＮ−２がそれぞれＨレベルになる。
【００５３】
これにより、チップ１００、１０１のそれぞれが有する電流消費回路１８０が動作を行う。次のブランキング期間、即ち列回路１５０、１５１が動作する時刻ｔ７に信号ＩＣＣＯＮ−１、ＩＣＣＯＮ−２をＬレベルとし、電流消費回路１８０を非動作状態とする。すなわち、電流消費回路１８０は、時刻ｔ６から時刻ｔ７までの期間、動作する。
【００５４】
本実施例の第２の期間とは待機期間である。すなわち、第２の期間は、列回路１５０、１５１、出力アンプ１４０の全てが非動作である期間である。電流消費回路１８０は第２の期間に動作し、第１の状態、第２の状態においては、電流消費回路１８０は非動作である。待機期間である第２の期間の直後に、第１の期間であるブランキング期間が開始される。
【００５５】
以下、本実施例の電流消費回路１８０の動作についてさらに説明する。
【００５６】
図４には、列回路１５０、１５１と出力アンプ１４０の電流消費量と、列回路１５０、１５１と出力アンプ１４０に共通して接続された電流供給線７００の電位を示した。尚、本明細書の電流消費量は、特に断りのない限り、単位時間当たりの電流消費量を表す。
【００５７】
電流消費回路１８０を有さない光電変換装置の列回路１５０、１５１及び出力アンプ１４０の電流消費量と電源電圧ＶＤＤを斜線で示している。待機期間は列回路１５０、１５１、出力アンプ１４０は非動作である。よって、待機期間の列回路１５０、１５１、出力アンプ１４０の電流消費量は、ブランキング期間に比して少ない。
【００５８】
待機期間からブランキング期間に移行する時に、列回路１５０、１５１の電流消費量は増加する。この電流消費量の変動に伴って、電源電圧ＶＤＤに基づいて電流を供給する電流供給線７００の電位に変動が生じる。
【００５９】
電流供給線７００の電位に変動が生じている間に列回路１５０、１５１が信号を読み出すことにより、電流供給線７００の電位の変動によるノイズが当該信号に重畳される。従って、その後の出力アンプ１４０が出力する信号に、電流供給線７００の電位の変動によるノイズが含まれる。従って、電流供給線７００の電位の変動は、出力アンプ１４０が出力する信号の精度の低下を生じさせる。
【００６０】
以下、電流供給線７００の電位の変動による出力信号の精度の低下について、画素１１０〜１１ｎの動作を説明しながら、さらに説明する。
【００６１】
図５は、画素１１０〜１１ｎと電流供給線７００のブランキング期間中の動作を説明したタイミングチャートである。図５に示した各信号は、図３に示した各信号に対応している。また、図３に示した時刻ｔ２、ｔ３、ｔ４、ｔ５、ｔ６、ｔ７のそれぞれは、図５に示した各時刻に対応している。
【００６２】
図３の時刻ｔ１の後の時刻ｔ１ａにおいて、信号ＰＲＥＳがＨレベルとなることによりＭＯＳトランジスタ２８１がオンする。これにより、光電変換素子２８０が電圧ＶＲＥＳにリセットされる。
【００６３】
また、時刻ｔ１ａに信号ＰＣＭがＨレベルとなる。これにより、容量素子２８５はＭＯＳトランジスタ２８２の出力のサンプリングを行う。
【００６４】
その後、時刻ｔ１ｂで信号ＰＲＥＳがＬレベルとなることにより、ＭＯＳトランジスタ２８１がオフする。この時、光電変換素子２８０にリセットノイズが保持される。
【００６５】
尚、信号ＰＣＭは時刻ｔ１ｂにおいてもＨレベルのままである為、容量素子２８５は、該リセットノイズに応じたノイズ信号をサンプリングする。その後、信号ＰＣＭがＬレベルとなり、ＭＯＳトランジスタ２８４がオフすることによって、該ノイズ信号が容量素子２８５に保持される。
【００６６】
その後の出力期間である時刻ｔ３から時刻ｔ６までの期間、信号ＰＴＮ、ＰＣＭ、ＰＴＳ、ＰＲＥＳは全てＬレベルである。この出力期間では、時刻ｔ１ａよりも前のフレームにおいて、容量素子２９０が保持した光信号と、容量素子２９１が保持したノイズ信号とが出力される。
【００６７】
一方、この出力期間において、光電変換素子２８０では光電流が発生し、光電流による信号にリセットノイズが重畳された光信号が光電変換素子２８０に保持される。
【００６８】
時刻ｔ７ａに、信号ＰＴＮがＨレベルとなる。これにより、容量素子２８５が保持していたノイズ信号を、容量素子２９１が保持する。
【００６９】
時刻ｔ７ｂに、信号ＰＣＭと信号ＰＴＳがＨレベルとなる。信号ＰＣＭおよび信号ＰＴＳがＨレベルとなることにより、ＭＯＳトランジスタ２８２が出力する光信号が容量素子２９０に出力される。信号ＰＴＳがＬレベルとなると、容量素子２９０は光信号を保持する。
【００７０】
その後の動作は、時刻ｔ１ａ以降の動作と同じであるため、説明を省略する。
【００７１】
電流消費回路１８０は、時刻ｔ６から時刻ｔ７の期間、動作する。時刻ｔ７のブランキング期間の開始時には、ＭＯＳトランジスタ２８２が出力するノイズ信号を容量素子２８５が保持した状態となっている。また、光電変換素子２８０が光信号を保持した状態となっている。
【００７２】
まず、本実施例の光電変換装置が電流消費回路１８０を有しない場合について説明する。上述したように、電流供給線７００の電位の変動は、出力信号の精度の低下を生じさせる。この出力信号の精度の低下は、光信号とノイズ信号との差を得るようにしても改善できない場合がある。つまり、信号ＰＴＮをＨレベルとする時刻ｔ７ａと信号ＰＴＳをＨレベルとするｔ７ｂで電流供給線７００の電位が異なる場合、容量素子２９１のノイズ信号と容量素子２９０の光信号のそれぞれが受ける、電流供給線７００の電位の変動による信号変動量が異なる。従って、光信号からノイズ信号を差し引いても、電流供給線７００の電位の変動によるノイズを差し引くことができない。
【００７３】
一方、本実施例では、待機期間とブランキング期間の列回路１５０、１５１及び出力アンプ１４０の電流消費量の差を低減するように、電流消費回路１８０が時刻ｔ６から時刻ｔ７の期間である待機期間に電流を消費している。
【００７４】
これにより本実施例の光電変換装置は、待機期間とブランキング期間との間で生じていた、列回路１５０、１５１、出力アンプ１４０の電流消費量の変動を低減する。これにより、電流供給線７００の電位の変動を低減することができる。従って、出力アンプ１４０が出力する出力信号に、電流供給線７００の電位変動に起因するノイズが含まれにくくすることができる。また本実施例の光電変換装置は、光信号とノイズ信号とのそれぞれが受ける、電流供給線７００の電位の変動による信号変動量の差もまた、生じにくくすることができる。従って、光信号からノイズ信号を差し引いた信号には、電流供給線７００の電位の変動によるノイズが含まれにくい。
【００７５】
尚、本実施例の光電変換装置の電流消費回路１８０の電流消費量の好ましい形態は、待機期間とブランキング期間の電流消費量を一致させるように電流を消費する形態である。
【００７６】
図６は、本実施例の電流消費回路１８０の一例の等価回路を示した図である。
【００７７】
電流消費回路１８０は、ＭＯＳトランジスタ３００、３０５、３１０、３２０、３３０、３４０、３５０、３６０、３７０、３８０、３９０、４００、４１０と、抵抗素子３１５を有する。さらに電流消費回路１８０は、電流消費制御部５００を有する。電流消費制御部５００には、信号ＩＣＣＯＮ−１が制御部１６０から与えられる。
【００７８】
電流消費制御部５００は、制御部１６０からＨレベルの信号ＩＣＣＯＮ−１が与えられると、ＭＯＳトランジスタ３１０、３８０、３９０、４００、４１０のそれぞれのオンオフを各々が制御する信号ＭＯＤＥ１、ＭＯＤＥ２、ＭＯＤＥ３、ＭＯＤＥ４、ＭＯＤＥ５を出力する。
【００７９】
以下、図６の電流消費回路１８０の電流消費量について説明する。まずＭＯＳトランジスタのドレイン電流を表す式を次に示す。
【００８０】
以下、図３（ａ）の電流消費回路１８０の電流消費量について説明する。まずＭＯＳトランジスタのドレイン電流を表す式を次に示す。
【００８１】
【数１】
0006562745.tif 000002
【００８２】
ここで、ＶｇｓはＭＯＳトランジスタのゲートソース間の電圧、ＶｔｈはＭＯＳトランジスタの閾値電圧である。また、βは次式の通りである。
【００８３】
【数２】
0006562745.tif 000003
【００８４】
ここで、μ０はキャリアの移動度、ＣｏｘはＭＯＳトランジスタの単位面積当たりのゲート容量、ＷはＭＯＳトランジスタのゲート幅、ＬはＭＯＳトランジスタのゲート長である。
【００８５】
図３（ａ）においてＭＯＳトランジスタ３００のゲートソース間電圧をＶｇｓ１、ＭＯＳトランジスタ３０５のゲートソース間電圧をＶｇｓ２、抵抗素子３１５の抵抗値をＲとする。ＭＯＳトランジスタ３０５のドレイン電流Ｉｄは、（Ｖｇｓ１−Ｖｇｓ２）／Ｒと表される。また、ＭＯＳトランジスタ３２０とＭＯＳトランジスタ３３０のゲート幅とゲート長が等しいとすると、ＭＯＳトランジスタ３００のドレイン電流も同様に（Ｖｇｓ１−Ｖｇｓ２）／Ｒとなる。ここで、（１）式からＶｇｓ１、Ｖｇｓ２を消去すると、
【００８６】
【数３】
0006562745.tif 000004
【００８７】
となる。ただし、β１はＭＯＳトランジスタ３００のβであり、β２はＭＯＳトランジスタ３０５のβである。（３）式より、ＭＯＳトランジスタ３００、３０５のゲート幅、ゲート長と抵抗素子３１５の抵抗値により、ＭＯＳトランジスタ３００、３０５のドレイン電流Ｉｄが決まる。ＭＯＳトランジスタ３１０がオフ、ＭＯＳトランジスタ３８０、３９０、４００、４１０がオンであるとする。ＭＯＳトランジスタ３４０、３５０、３６０、３７０のゲート幅とゲート長がＭＯＳトランジスタ３２０、３３０と等しいとすると、電流消費回路１８０の電流消費量はおよそ６×Ｉｄとなる。一方、ＭＯＳトランジスタ３１０をオンとすると、ＭＯＳトランジスタ３００、３０５のゲート電位がグラウンド電位に低下する。これにより、電流消費回路１８０の電流消費量はおよそゼロとなる。
【００８８】
従って、待機期間では、ＭＯＳトランジスタ３１０をオフとし、ＭＯＳトランジスタ３８０、３９０、４００、４１０を必要な電流消費量に応じてオンとする。
【００８９】
そして、待機期間以外ではＭＯＳトランジスタ３１０をオンとし、ＭＯＳトランジスタ３８０、３９０、４００、４１０を必要な電流消費量に応じてオンとする。
【００９０】
これにより、待機期間からブランキング期間へ移行する際の列回路１５０、１５１及び出力アンプ１４０の電流消費量の変動を低減することができ、電流供給線７００の電圧の変動を抑えることが出来るので、出力信号のＳ／Ｎ比を改善する事ができる。
【００９１】
本実施例の電流消費回路１８０では、ＭＯＳトランジスタ３８０、３９０、４００、４１０の内、オンとするトランジスタ数を変えることで、電流消費回路１８０の電流消費量を可変とすることができる。
【００９２】
このオンとするトランジスタ数は、チップ１００、１０１の外部から電流消費制御部５００に予め電流消費設定データを入力しておけば良い。
【００９３】
尚、チップ１００、１０１の外部から電流消費設定データを入力する場合、例えば図１のトリガ信号ＴＲが与えられるパッド２２０に電流消費設定データを入力するようにすればよい。
【００９４】
これにより、パッド数を増加させることなく、電流消費回路１８０の電流消費量を設定することが可能となる。
【００９５】
尚、電流消費回路１８０は、画素１１０〜１１ｎが配置された画素アレイの外部に設けることが好ましい。電流消費回路１８０が画素アレイ内に設けられている場合には、電流消費回路１８０が待機期間中に電流を消費することによって、光電変換素子２８０で生じる暗電流が増える。また、電流消費回路１８０が待機期間中に電流を消費することによって生じる発光が光電変換素子２８０に入射することがある。電流消費回路１８０を画素１１０〜１１ｎから遠ざけるように、画素アレイの外部に設けることによって、暗電流および発光によって光電変換素子２８０が受ける影響を低減することができる。
【００９６】
尚、本実施例では走査回路の一例としてシフトレジスタを用いる形態を示したが、本実施例はこの形態に限定されるものではない。例えば、他の形態として走査回路がデコーダであっても良い。
【００９７】
このように、本実施例の光電変換装置は電流消費回路１８０を有する。この電流消費回路１８０は、待機期間における列回路１５０、１５１、出力アンプ１４０の電流消費量の和と、ブランキング期間における列回路１５０、１５１、出力アンプ１４０の電流消費量の和との差を低減するように電流を消費する。これにより、待機期間とブランキング期間との間で生じていた電流消費量の差による電流供給線７００の電位変動を低減することができる。よって、電流供給線７００の電位変動に起因するノイズが、出力信号に含まれにくくすることができる。
【００９８】
また、本実施例では１つの光電変換部に対して１つの列回路が対応して配置されている構成を例に説明した。他の例として、複数の光電変換部に対して１つの列回路が対応して配置されていても良い。また、１つの光電変換部に対して複数の列回路が対応して配置されていても良い。このような配置もまた、複数の光電変換部の各々に、複数の列回路の各々が配置された形態に含まれる。
【００９９】
（実施例２）
本実施例では、実施例１で説明した電流消費回路１８０とは異なる回路を備える電流消費回路１８０を説明する。
【０１００】
図７は、本実施例の電流消費回路１８０の等価回路を示した図である。
【０１０１】
図７の電流消費回路１８０は、抵抗素子４３０、ＭＯＳトランジスタ４４０、４５０、４５５およびオペアンプ４２０を有する。
【０１０２】
信号ＩＣＣＯＮは、ＭＯＳトランジスタ４５５のオンオフ制御を行う信号ＩＣＣＯＮａとバイアス信号ＩＣＣＯＮｂからなる。
【０１０３】
バイアス信号ＩＣＣＯＮｂの電位がＶＲＥＦ、抵抗素子４３０の抵抗値がＲ、ＭＯＳトランジスタ４４０とＭＯＳトランジスタ４５０のゲート幅とゲート長が等しいとする。
【０１０４】
ＭＯＳトランジスタ４５５がオンの場合の電流消費回路１８０の電流消費量は、およそ（２×ＶＲＥＦ）／Ｒとなる。一方、ＭＯＳトランジスタ４５５をオフとすることにより、電流消費回路１８０の電流消費量はおよそゼロとなる。
【０１０５】
このようにして、待機期間とブランキング期間とで電流消費回路１８０の電流消費量を変えることができる。
【０１０６】
また、チップ１００、１０１の外部からバイアス信号ＩＣＣＯＮｂの電位ＶＲＥＦの値を変更することにより、電流消費回路１８０の電流消費量を変えることができる。
【０１０７】
図８は、電流消費回路１８０の他の回路の例を示した図である。
【０１０８】
図８の電流消費回路１８０は、ＭＯＳトランジスタ４５５に電圧ＶＢｉａｓ１が与えられ、ＭＯＳトランジスタ４５５はオンとなっている。
【０１０９】
電圧ＶＢｉａｓ１は、ＭＯＳトランジスタ４５５がオンするような電位を外部から入力すればよい。
【０１１０】
また、オペアンプ４２０の非反転入力端子には電圧ＶＢｉａｓ２が与えられている。また、電流消費回路１８０は、ＭＯＳトランジスタ４５０の代わりにＭＯＳトランジスタ４５０−１を有している。
【０１１１】
さらに、電流消費回路１８０は、ＭＯＳトランジスタ４５０−２、４５０−３、４５０−４を有している。ＭＯＳトランジスタ４５０−３、４５０−４は信号ＩＣＣＯＮがＨレベルとなるとオンとなる。
【０１１２】
この電流消費回路１８０では、信号ＩＣＣＯＮをＨレベルとすると、ＭＯＳトランジスタ４５０−２がオンとなる。これにより、信号ＩＣＣＯＮがＬレベルの場合に比して、電流消費回路１８０の電流消費量が増加する。本実施例の電流消費回路１８０は図７のバイアス信号ＩＣＣＯＮｂ、図８の電圧ＶＢｉａｓ２を直接チップの外部から入力することができる。
【０１１３】
図７ではバイアスＩＣＣＯＮｂ、図８では電圧ＶＢｉａｓ２の電圧値が離散的でなく連続的な値である。よって、実施例１の制御部１６０を介して電流消費回路１８０の電流消費量を制御する場合に比して、本実施例では、電流消費回路１８０の電流消費量をより細かく制御することができる。
【０１１４】
（実施例３）
本実施例では、実施例１の光電変換装置に比して電流消費回路１８０の動作期間が短い構成である。
【０１１５】
以下、図面を参照しながら本実施例の光電変換装置を実施例１とは異なる点を中心に説明する。
【０１１６】
図９は本実施例の光電変換装置を示したものである。図９では、図２と同じ機能を有する部材については、図２と同じ符号を付して表している。
【０１１７】
本実施例の光電変換装置は、電流消費回路１８０を制御する信号がチップの外部からパッド２７０を通して与えられる。パッド２７０の機能は実施例１と同じである。
【０１１８】
図１０は、本実施例の光電変換装置の動作を示したタイミングチャートである。
【０１１９】
図４のタイミングチャートと異なる点として、電流消費回路を駆動させるための信号ＩＣＣＯＮのスタート信号であるパッド２７０が外部からＴＲ２として与えられている。時刻ｔ７にパッド２７０にＨレベルの信号ＴＲ２が与えられると、信号ＩＣＣＯＮ−１、ＩＣＣＯＮ−２がＨレベルになる。
【０１２０】
また、パッド２７０に予め電流消費設定データを入力することで、電流消費回路１８０の動作の開始となる信号と、電流消費設定データとがシリアルに与えられる。
【０１２１】
これにより、チップ１００、１０１のそれぞれが有する電流消費回路１８０が動作を行い、電流の消費を行う。次のブランキング期間の開始時刻、即ち列回路１５０、１５１が動作する時刻ｔ８に信号ＩＣＣＯＮ−１、ＩＣＣＯＮ−２をＬレベルとし、電流消費回路１８０を非動作状態とする。
【０１２２】
よって、電流消費回路１８０は、第２の期間である待機期間の開始時には非動作であり、待機期間の内に動作を開始する。実施例１の光電変換装置では、待機期間の全体に渡って電流消費回路１８０が動作していた。本実施例の光電変換装置は、実施例１の光電変換装置に比して、消費電力を低減することができる。
【０１２３】
尚、電流消費設定データは実施例２同様、予めパッド２２０に入力しても良い。
【０１２４】
（実施例４）
本実施例の光電変換装置は、待機期間とブランキング期間のみでなく、出力期間も含め、列回路１５０、１５１及び出力アンプ１４０の電流消費量を一致させる点で実施例１の光電変換装置とは異なる。
【０１２５】
以下、図面を参照しながら本実施例の光電変換装置を実施例１とは異なる点を中心に説明する。
【０１２６】
光電変換装置の構成は実施例１で説明した図２の構成と同じである。
【０１２７】
図１１は本実施例のタイミングチャート例を示したものである。図１１では、図４と同じ機能を有する信号については、図４と同じ符号を付して表している。
【０１２８】
図４のタイミングチャートと異なる点として、本実施例の光電変換装置は、電流消費回路１８０を駆動させる為の信号ＩＣＣＯＮのスタート信号を、列回路１５０、１５１が動作する為の信号ＲＯＭと待機期間のスタートとなる信号ＳＲＥＮＤ−２で与えている。
【０１２９】
時刻ｔ１に信号ＲＯＭがＨレベルになると、信号ＩＣＣＯＮ−１、ＩＣＣＯＮ−２がＨレベルになる。これにより、チップ１００、１０１のそれぞれが有する電流消費回路１８０が動作を行い、電流の消費を行う。
【０１３０】
出力回路が動作を開始する時刻ｔ２に信号ＩＣＣＯＮ−１、ＩＣＣＯＮ−２がＬレベルとなり、電流消費回路１８０が非動作状態となる。
【０１３１】
その後、時刻ｔ６にパッド２７０にＨレベルの信号ＳＲＥＮＤ−２が与えられると、信号ＩＣＣＯＮ−１、ＩＣＣＯＮ−２が再びＨレベルになる。これにより、チップ１００、１０１のそれぞれが有する電流消費回路１８０が動作を行い、電流の消費を行う。
【０１３２】
実施例１で述べたように待機期間は列回路１５０、１５１がパワーセーブ（低消費電力）モードになる状態の為、待機期間の電流消費量はブランキング期間に比して少ない。
【０１３３】
また、ブランキング期間は、出力回路がパワーセーブ（低消費電力）モードになる状態の為、ブランキング期間の電流消費量は出力期間に比して少ない。
【０１３４】
本実施例は、出力アンプ１４０が動作し電流消費量が多い出力期間の電流消費量に合わせて、各期間の電流消費回路１８０の電流消費量を設定する。電流消費設定データは予めパッド２２０に与えればよい。
【０１３５】
待機期間、ブランキング期間のそれぞれの電流消費量を、電流消費量が最も多い出力期間に合わせるように、電流消費回路１８０が電流を消費する。これにより、各期間の電流供給線７００の電位の変動をより低減することができる。よって、出力アンプ１４０が出力する出力信号のＳ／Ｎ比をより改善する事ができる。
【０１３６】
（実施例５）
本実施例では、実施例４の光電変換装置に比して電流消費回路１８０の動作期間が短い構成である。
【０１３７】
以下、図面を参照しながら本実施例の光電変換装置を実施例４とは異なる点を中心に説明する。
【０１３８】
本実施例のタイミングチャート例を図１２に示す。図１２では、図１１と同じ機能を有する信号については、図４と同じ符号を付して表している。光電変換装置を示した図面は図９と同じである。
【０１３９】
本実施例の光電変換装置では、電流消費回路１８０を駆動させる為の信号ＩＣＣＯＮのスタート信号を、列回路１５０、１５１が動作する為の信号ＲＯＭと待機期間のスタート信号となるパッド２７０が外部からＴＲ２として与えられている。
【０１４０】
時刻ｔ７にパッド２７０にＨレベルの信号ＴＲ２が与えられると、信号ＩＣＣＯＮ−１、ＩＣＣＯＮ−２がＨレベルになる。これにより、チップ１００、１０１のそれぞれが有する電流消費回路１８０が動作を行い、電流の消費を行い、次の出力期間、即ち出力回路が動作するｔ２に信号ＩＣＣＯＮ−１、ＩＣＣＯＮ−２をＬレベルとし、電流消費回路１８０を非動作状態とする。
【０１４１】
電流消費設定データは予めパッド２２０、あるいはパッド２７０に与えればよい。
【０１４２】
実施例４の光電変換装置では、電流消費回路１８０の電流消費量が最も多い期間は図１１の時刻ｔ６から時刻ｔ８までの期間（図１２では時刻ｔ６から時刻ｔ８の期間に相当する）である。本実施例の光電変換装置は、電流消費量が最も多い期間を、図１２の時刻ｔ６から時刻ｔ７までの分、短縮することができる。つまり、待機期間である第２の期間の開始時である、図１２の時刻ｔ６には電流消費回路１８０は非動作である。そして待機期間である第２の期間の内に、電流消費回路１８０が電流を消費する動作を開始する。これにより、実施例４の光電変換装置に比して、光電変換装置の消費電力を低減することができる。また、電流消費回路１８０の電流の消費による発熱を実施例４の光電変換装置に比して低減できる。よって、温度上昇によって生じる、出力アンプ１４０が出力する出力信号に含まれるノイズの増加を低減できるため、Ｓ／Ｎ比を実施例４の光電変換層よりも改善する事ができる。また、光電変換装置のチップ数に応じて消費電力は変わり、チップ数が多い程光電変換装置の消費電力は悪化する為、その場合には本実施例の効果がより期待できる。
【０１４３】
（実施例６）
図１３は画像読取装置である原稿読取装置の内部構成を示す断面図である。原稿読取装置１０００の下には、公知の画像形成部１１００が設けられ、原稿読取装置１０００と画像形成部１１００とで画像形成装置を構成している。公知の画像形成部１１００の一例として電子写真方式の画像形成部がある。電子写真方式の画像形成部は、感光ドラムに形成された静電潜像をトナー像に現像し、紙などの記録媒体にトナー像を転写することで画像形成を行う。本実施形態における画像形成装置は、原稿読取装置１０００により読み取られた画像を、画像形成部１１００により記録媒体に形成することができる。
【０１４４】
原稿台ガラス１０１０上には、読み取られる対象物として画像が形成されたシート（以下、原稿）１０２が載置される。ユーザーによって読取開始ボタン（不図示）が押されると、読取部１０３は図中矢印の方向に移動し、原稿１０２を読み取る。
【０１４５】
読取部１０３は、矢印の方向に移動する際に、読取部１０３の上部に配置された発光部としての白色のＬＥＤ１０４ａ、１０４ｂを発光させ、原稿１０２に光を照射する。
【０１４６】
読取部１０３は、ＬＥＤ１０４ａ、１０４ｂ、複数の折り返しミラー１０５ａ、１０５ｂ、１０５ｃ、１０５ｄ、１０５ｅ、集光レンズ１０６０、ＣＭＯＳセンサ１０７を備えた縮小光学系の読取ユニットとなっている。
【０１４７】
上述した各実施例の光電変換装置は、ＣＭＯＳセンサ１０７として適用することができる。
【０１４８】
ＬＥＤ１０４ａ及び１０４ｂによって原稿１０２に照射された光は原稿１０２により反射される。原稿１０２から反射された光は、折り返しミラー１０５ａ、１０５ｂ、１０５ｃ、１０５ｄ、１０５ｅによって反射された後、集光レンズ１０６０によってラインセンサであるＣＭＯＳセンサ１０７に集光される。ＣＭＯＳセンサ１０７は受光素子を備えており、受光素子は入射された光を光電変換し、入射された光量に応じた電気信号を出力する。
【０１４９】
図１４は本実施形態における原稿読取装置１０００のブロック図である。
【０１５０】
ＣＰＵ４０１は、不揮発性メモリ４０２に格納された制御プログラムを読出し、原稿読取装置１０００全体の制御を行う。操作部４０３は、ユーザーがカラーコピーやモノクロコピー、両面コピーといったコピーモードの設定や、コピー開始の指示を入力するユーザーインターフェースである。モーター４０４は読取部１０３を副走査方向に移動させる。モータードライバ４０５は、ＣＰＵ４０１からのタイミング信号を受け、モーター４０４を回転制御させるための励磁電流を供給する。
【０１５１】
ＬＥＤドライバ４０６は、ＣＰＵ４０１からのタイミング信号を受け、白色ＬＥＤ１０４ａ及び１０４ｂを発光させるための電流を供給する。
【０１５２】
ＡＦＥ４０７は、ＣＭＯＳセンサ１０７から出力されるアナログ電圧信号に対し、サンプルホールド処理、オフセット処理、ゲイン処理といったアナログ処理を行い、アナログ処理された電圧信号をデジタルデータ（以下、輝度データ）に変換する。なお、本実施形態ではこのデジタルデータは８ｂｉｔ（０〜２５５）のデータである。
【０１５３】
画像処理部４０８の動作を説明する。ＡＦＥ４０７から出力される読取データは、ラインメモリ４０９に格納される。ラインメモリ４０９は、ＣＭＯＳセンサ１０７内からの読取データを保持する。
【０１５４】
データソート部４１０は、ＲＧＢの読取データを並び替える。
【０１５５】
画像処理回路４１１は、データソート部４１０にて並び替えられた読取データに対して、シェーディング補正処理やフィルタ処理などの画像処理を施す。なお、画像処理を行うために必要となるフィルタの設定等は電源投入時にＣＰＵ４０１によって画像処理回路４１１内のレジスタに設定される。
【０１５６】
パラレル／シリアル変換回路４１２は、画像処理回路４１１からパラレルのデータとして出力される各種画像処理後の読取データをシリアルデータに変換する。シリアルデータに変換された読取データは、画像出力コントローラ４１３に送信される。
【０１５７】
図１５は本実施形態におけるＣＰＵ４０１の制御フローチャートである。
【０１５８】
ユーザーが原稿読取装置１０００の電源を入れると、ＣＰＵ４０１は、原稿読取装置制御プログラムの起動処理、ＬＥＤ光源の光量調整などの初期動作を行う（原稿読取装置１０００の起動：Ｓ５００）。
【０１５９】
次に、ＣＰＵ４０１は、画像処理の設定に対応するデータを画像処理回路４１１内のレジスタに設定する（Ｓ５０１）。
【０１６０】
そして、ＣＰＵ４０１は、操作部４０３からの読取ジョブ開始指令を待つ（Ｓ５０２）。
【０１６１】
ユーザーにより読取ジョブ開始指令が入力されると（Ｓ５０２のＹ）、ＣＰＵ４０１は、光源である白色ＬＥＤ１０４ａ、１０４ｂを発光させる（Ｓ５０３）。ＣＰＵ４０１は、ＬＥＤドライバ４０６に制御信号を出力し、ＬＥＤドライバ４０６は、ＬＥＤ１０４ａ、１０４ｂに電流を供給して発光させる。
【０１６２】
そして、ＣＰＵ４０１は、モータードライバ４０５に制御信号を出力し、モータードライバ４０５は、モーター４０４を駆動して読取部１０３を副走査方向に移動させる（Ｓ５０４）。
【０１６３】
読取が完了すると（Ｓ５０５のＹ）、ＣＰＵ４０１は、ＬＥＤ１０４ａ、１０４ｂを消灯し、原稿読取装置をジョブ待ち状態にする制御を行う。
【０１６４】
このように、上述した実施例に記載された光電変換装置は、画像読取装置、画像形成装置に適用することができる。
【０１６５】
なお、上記実施例は、何れも本発明を実施するにあたっての具体化の例を示したものに過ぎず、これらによって本発明の技術的範囲が限定的に解釈されてはならないものである。すなわち、本発明はその技術思想、又はその主要な特徴から逸脱することなく、様々な形で実施することができる。また、これまで述べた各実施例を種々組み合わせて実施することができる。
【符号の説明】
【０１６６】
１００、１０１  センサチップ
１０６  実装基板
１１０〜１１ｎ  画素
１２０〜１２ｎ、５２０〜５２ｎ  スイッチ
１３０〜１３ｎ  シフトレジスタ
１４０  出力アンプ
１５０、１５１  列回路
１６０  制御部
１７０  チップ選択回路
１８０  電流消費回路
７００  電流供給線
【図１】
0006562745.tif 000005
【図２】
0006562745.tif 000006
【図３】
0006562745.tif 000007
【図４】
0006562745.tif 000008
【図５】
0006562745.tif 000009
【図６】
0006562745.tif 000010
【図７】
0006562745.tif 000011
【図８】
0006562745.tif 000012
【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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