(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電基板と、
前記圧電基板上に設けられている機能電極と、
前記機能電極を囲むように前記圧電基板上に設けられている支持層と、
前記支持層の開口部を封止するように前記支持層上に設けられており、前記支持層側の主面である第１の主面と、前記第１の主面とは反対側の第２の主面とを有するカバー部材とを備え、
前記カバー部材には、前記第２の主面に開口している凹部が形成されており、前記支持層を貫通し、さらに前記カバー部材の前記凹部の底面に至り、該底面に開口している開口部を有するようにビアホールが形成されており、
前記ビアホールの前記開口部の面積が、前記カバー部材の前記凹部の底面の面積より小さくされており、
前記ビアホールに設けられている第１のビア導体部及び前記カバー部材の前記凹部に設けられている第２のビア導体部をさらに備え、前記第２のビア導体部の上面が凸型形状を有し、
前記カバー部材が、第１のカバー部材と第２のカバー部材とを有し、
前記第１のカバー部材は、前記第１の主面を有する部材であり、
前記第２のカバー部材は、前記第２の主面を有する部材であり、
前記第２のカバー部材は、前記第１のカバー部材上に積層されており、
前記カバー部材の前記凹部は、前記第１のカバー部材に至らないように前記第２のカバー部材に形成されており、
前記第１のカバー部材は、前記第２のカバー部材と前記支持層とを接着する樹脂層であり、
前記第２のカバー部材は、前記第１のカバー部材を保護する樹脂層である、
弾性波装置。
【請求項２】
前記第２のカバー部材は、耐薬液性を有する樹脂である、請求項１に記載の弾性波装置。
【請求項３】
前記第１のカバー部材は、粘接着性を有する樹脂である、請求項１または２に記載の弾性波装置。
【請求項４】
前記第２のビア導体部の前記第１のビア導体部側とは反対側の端部にバンプが接合されている、請求項１〜３のいずれか１項に記載の弾性波装置。
【請求項５】
圧電基板上に設けられている機能電極と、前記圧電基板上に前記機能電極を囲むように設けられている支持層と、前記支持層の開口部を封止するように前記支持層上に設けられており、前記支持層側の主面である第１の主面と、前記第１の主面とは反対側の第２の主面とを有するカバー部材とを有し、前記カバー部材の前記第２の主面に開口している凹部が形成されており、前記支持層を貫通し、さらに前記カバー部材の前記凹部の底面に至るようにビアホールが形成されており、
前記カバー部材が、第１のカバー部材と第２のカバー部材とを有し、
前記第１のカバー部材は、前記第１の主面を有する部材であり、
前記第２のカバー部材は、前記第２の主面を有する部材であり、
前記第２のカバー部材は、前記第１のカバー部材上に積層されており、
前記カバー部材の前記凹部は、前記第１のカバー部材に至らないように前記第２のカバー部材に形成されており、
前記第１のカバー部材は、前記第２のカバー部材と前記支持層とを接着する樹脂層であり、
前記第２のカバー部材は、前記第１のカバー部材を保護する樹脂層であり、
前記カバー部材の凹部に臨む前記ビアホールの開口部の面積が、前記凹部の底面の面積よりも小さい、弾性波素子を用意する工程と、
前記ビアホール及び前記カバー部材の前記凹部に導体を充填し、前記ビアホールに第１のビア導体部を形成し、上面が凸型形状を有するように、前記カバー部材の前記凹部に第２のビア導体部を形成する工程とを備える、
弾性波装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、弾性波装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、弾性波装置が広く用いられている。【０００３】
たとえば、下記の特許文献１に記載の弾性表面波デバイスには、圧電基板上に設けられた支持層及び支持層上に設けられたカバー部材を貫通するようにビア電極が設けられている。ビア電極は、第１のビア電極部と第１のビア電極部に連ねられた第２のビア電極部とを有する。第１のビア電極部は支持層を貫通している。第２のビア電極部はカバー部材を貫通している。特許文献１では、第１のビア電極部の径よりも第２のビア電極部の径が大きい。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−１２４７８５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
従来、耐熱衝撃性などを高めるために、下記の特許文献１に記載のように、ビア電極と外部電極との接触面積を大きくする必要があった。しかしながら、特許文献１においては、外部電極と接続される、径の大きな第２のビア電極部の下端は支持層上に至っている。すなわち、第２のビア電極部の、下端部における横断面積が大きいため、その下の支持層の幅方向における寸法も、大きくする必要があった。他方、弾性表面波デバイスは、圧電基板、支持層及びカバー部材により形成される中空部を有する。ＩＤＴ電極やＩＤＴ電極を含むフィルタ回路などを収納するために、上記中空部の平面積を充分な大きさとする必要がある。ところが、特許文献１では、支持層の幅方向の寸法を大きくしなければならないため、弾性表面波デバイスの小型化を図ることは困難であった。【０００６】
本発明の目的は、より一層の小型化を図ることができる、弾性波装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係る弾性波装置は、圧電基板と、上記圧電基板上に設けられている機能電極と、上記機能電極を囲むように上記圧電基板上に設けられている支持層と、上記支持層の開口部を封止するように上記支持層上に設けられており、上記支持層側の主面である第１の主面と、上記第１の主面とは反対側の第２の主面とを有するカバー部材とを備える。上記カバー部材には、上記第２の主面に開口している凹部が形成されている。上記支持層を貫通し、さらに上記カバー部材の上記凹部の底面に至り、該底面に開口している開口部を有するようにビアホールが形成されている。上記ビアホールの上記開口部の面積が、上記カバー部材の上記凹部の底面の面積以下とされている。上記ビアホールに設けられている第１のビア導体部及び上記カバー部材の上記凹部に設けられている第２のビア導体部がさらに備えられている。【０００８】
本発明に係る弾性波装置のある特定の局面では、上記支持層と上記カバー部材とが同じ材料により一体に形成されている。【０００９】
本発明に係る弾性波装置の他の特定の局面では、上記第２のビア導体部の上記第１のビア導体部側とは反対側の端部にバンプが接合されている。【００１０】
本発明に係る弾性波装置のさらに他の特定の局面では、上記カバー部材が第１，第２のカバー部材を有する。上記支持層上に上記第１のカバー部材が設けられている。上記第１のカバー部材上に上記第２のカバー部材が設けられている。【００１１】
本発明に係る弾性波装置の別の特定の局面では、上記第１のカバー部材に至らないように上記カバー部材の上記凹部が上記第２のカバー部材に形成されている。【００１２】
本発明に係る弾性波装置の製造方法は、圧電基板上に設けられている機能電極と、上記圧電基板上に上記機能電極を囲むように設けられている支持層と、上記支持層の開口部を封止するように上記支持層上に設けられており、上記支持層側の主面である第１の主面と、上記第１の主面とは反対側の第２の主面とを有するカバー部材とを有し、上記カバー部材の上記第２の主面に開口している凹部が形成されており、上記支持層を貫通し、さらに上記カバー部材の上記凹部の底面に至るようにビアホールが形成されている弾性波素子を用意する工程と、上記ビアホール及び上記カバー部材の上記凹部に導体を充填し、上記ビアホールに第１のビア導体部を形成し、上記カバー部材の上記凹部に第２のビア導体部を形成する工程とを備える。上記ビアホールを形成する工程において、上記カバー部材の凹部に臨む上記ビアホールの開口部の面積が、上記凹部の底面の面積以下となるように上記ビアホールを形成する。【００１３】
本発明に係る弾性波装置の製造方法のある特定の局面では、上記第２のビア導体部の上記第１のビア導体部側とは反対側の端部にバンプを接合する工程がさらに備えられている。【００１４】
本発明に係る弾性波装置の製造方法の他の特定の局面では、上記カバー部材が第１，第２のカバー部材を有する。上記弾性波素子を用意する工程において、上記第１のカバー部材が上記カバー部材の上記第１の主面側になるように上記支持層上に上記カバー部材を設ける。【００１５】
本発明に係る弾性波装置の製造方法のさらに他の局面では、上記弾性波素子を用意する工程において、上記第１のカバー部材に至らないように上記カバー部材の上記凹部を上記第２のカバー部材に形成する。【００１６】
本発明に係る弾性波装置の製造方法の別の局面では、上記弾性波素子を用意する工程において、上記カバー部材の上記第２の主面上にフォトリソグラフィー法によりレジストパターンを形成し、エッチングにより上記カバー部材の第２の主面上に開口するように上記凹部を形成する。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、弾性波装置のより一層の小型化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】図１は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の略図的正面断面図である。
【図２】図２は、図１のＡ−Ａ線に沿う平面断面図である。
【図３】図３は、第１の実施形態に係る弾性波装置の第１の変形例の略図的正面断面図である。
【図４】図４は、第１の実施形態に係る弾性波装置の第２の変形例の略図的正面断面図である。
【図５】図５は、第１の実施形態に係る弾性波装置の第３の変形例の略図的正面断面図である。
【図６】図６は、第１の実施形態に係る弾性波装置の第４の変形例の略図的正面断面図である。
【図７】図７は、第１の実施形態に係る弾性波装置の第５の変形例の略図的正面断面図である。
【図８】図８（ａ）〜図８（ｃ）は、フォトリソグラフィー法を用いてカバー部材に凹部を形成する方法を説明するための部分切り欠き正面断面図である。
【図９】図９（ａ）は、レーザー照射によりカバー部材に凹部を形成する方法を説明するための部分切り欠き正面断面図である。図９（ｂ）は、レーザー照射によりビアホールを形成する方法を説明するための部分切り欠き正面断面図である。
【図１０】図１０は、第１の実施形態に係る弾性波装置の第６の変形例の略図的正面断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。
【００２０】
図１は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の略図的正面断面図である。図２は、図１のＡ−Ａ線に沿う平面断面図である。
【００２１】
弾性波装置１は圧電基板２を有する。圧電基板２はＬｉＮｂＯ３またはＬｉＴａＯ３などの圧電単結晶からなる。なお、圧電基板２は、圧電セラミックスからなっていてもよい。
【００２２】
圧電基板２上には機能電極３が設けられている。機能電極３は、Ａｌ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ａｇ、Ｍｇなどの適宜の金属または合金からなる。また、これらの金属が積層されていてもよい。本実施形態では、機能電極３はＩＤＴ電極である。ＩＤＴ電極に交流電圧が印加されると、圧電効果により弾性表面波が励振される。
【００２３】
なお、機能電極３は、ＩＤＴ電極の弾性波伝搬方向両側に、反射器を有していてもよい。あるいは、機能電極３は、複数のＩＤＴ電極からなるフィルタ回路を有していてもよい。
【００２４】
圧電基板２上には、機能電極３と電気的に接続されている第１の配線層４ａが設けられている。さらに、圧電基板２上には、第２の配線層４ｂが設けられている。第２の配線層４ｂは、第１の配線層４ａ上にも至っており、第２の配線層４ｂは、第１の配線層４ａと電気的に接続されている。第１，第２の配線層４ａ，４ｂはそれぞれ適宜の金属または合金からなる。第２の配線層４ｂは後述するビア導体と電気的に接続されており、それによって、機能電極３は外部と電気的に接続される。
【００２５】
圧電基板２上には、機能電極３を囲むように支持層５が設けられている。支持層５は、第２の配線層４ｂ上にも至っている。支持層５は枠状の形状を有する。支持層５は、適宜の樹脂材料からなる。なお、支持層５は、機能電極３の周囲において、すべて閉じられている必要はなく、一部が開いていてもよい。
【００２６】
支持層５の開口部を封止するように、支持層５上にカバー部材６が設けられている。圧電基板２、支持層５及びカバー部材６により中空部Ｂが形成されている。機能電極３は中空部Ｂに収納されている。
【００２７】
カバー部材６は第１の主面６Ａと、第１の主面６Ａとは反対側の第２の主面６Ｂとを有する。第１の主面６Ａが支持層５側に位置している。本実施形態では、カバー部材６は第１，第２のカバー部材６ａ，６ｂを有する。第１のカバー部材６ａは支持層５上に設けられている。第２のカバー部材６ｂは第１のカバー部材６ａ上に積層されている。第１，第２のカバー部材６ａ，６ｂはそれぞれ支持層５側に位置する第１の主面６ａＡ，６ｂＡを有する。また、第１，第２のカバー部材６ａ，６ｂはそれぞれ第１の主面６ａＡ，６ｂＡとは反対側の第２の主面６ａＢ，６ｂＢを有する。第１のカバー部材６ａの第１の主面６ａＡはカバー部材６の第１の主面６Ａであり、第２のカバー部材６ｂの第２の主面６ｂＢはカバー部材６の第２の主面６Ｂである。
【００２８】
第２のカバー部材６ｂには、第２の主面６ｂＢに開口している凹部６ｃが形成されている。本実施形態では、凹部６ｃは第１のカバー部材６ａには至っていない。なお、凹部６ｃは、第１のカバー部材６ａに至っていてもよい。
【００２９】
本実施形態では、第２のカバー部材６ｂの凹部６ｃには、第２の主面６ｂＢに開口している部分に連なる傾斜面部が形成されている。なお、凹部６ｃに傾斜面部は形成されていなくてもよい。
【００３０】
本実施形態では、第１のカバー部材６ａは粘接着性を有する樹脂からなる接着層である。第２のカバー部材６ｂは耐薬液性を有する樹脂からなる保護層である。なお、第１及び第２のカバー部材６ａ及び６ｂは、粘接着性及び耐薬液性を有していない適宜の樹脂からなっていてもよい。また、図３に示す第１の変形例である弾性波装置１１のように、カバー部材１６は単一の樹脂層からなっていてもよい。
【００３１】
図１に戻り、弾性波装置１の支持層５を貫通するように、ビアホール７が形成されている。ビアホール７の下端は第２の配線層４ｂの上面に至っている。また、ビアホール７は第１，第２のカバー部材６ａ，６ｂを貫通しており、ビアホール７の上端は第２のカバー部材６ｂの凹部６ｃの底面に至っている。ビアホール７は、凹部６ｃの底面に開口している開口部７ａを有する。ビアホール７の開口部７ａの面積は、第２のカバー部材６ｂの凹部６ｃの底面の面積以下とされている。なお、本明細書では、カバー部材の第２の主面に開口している凹部の底面の面積は、凹部を平面視したときの面積である。
【００３２】
本実施形態では、ビアホール７には、ビアホール７の両端部を接続している傾斜面部が設けられている。それによって、ビアホール７の第２の配線層４ｂ側端部の径が、ビアホール７の第２のカバー部材６ｂの凹部６ｃ側端部の径よりも小さい。よって、ビアホール７の横断面積は、開口部７ａにおいて最大となる。なお、ビアホール７には傾斜面部は設けられていなくてもよい。
【００３３】
ビアホール７及び第２のカバー部材６ｂの凹部６ｃには、ビア導体８が設けられている。ビア導体８はビアホール７に設けられている第１のビア導体部８ａ及び第２のカバー部材６ｂの凹部６ｃに設けられている第２のビア導体部８ｂを有する。第１のビア導体部８ａは第２の配線層４ｂと電気的及び物理的に接続されている。なお、第２の配線層４ｂが設けられておらず、第１の配線層４ａと第１のビア導体部８ａとが電気的及び物理的に接続されていてもよい。ビア導体８はＣｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｓｎ、Ｐｄ、Ｎｉなどの適宜の金属または合金からなる。
【００３４】
ビア導体８の第２のビア導体部８ｂ上にバンプ９が接合されている。バンプ９はビア導体８と電気的に接続されている。弾性波装置１はバンプ９を利用して回路基板などに実装される。バンプ９ははんだなどの適宜のろう材用金属からなる。
【００３５】
なお、バンプ９は必須ではなく、バンプ９を用いずに回路基板などに接合してもよい。
【００３６】
本実施形態の特徴は、第２のカバー部材６ｂの第２の主面６ｂＢに凹部６ｃが設けられていること及びビア導体８において第２のビア導体部８ｂの横断面積よりも第１のビア導体部８ａの横断面積が小さいことにある。それによって、弾性波装置を小型とすることができる。以下において、より詳細に説明する。
【００３７】
弾性波装置１では、機能電極３を囲むために、中空部Ｂの平面面積を充分な大きさとする必要がある。よって、弾性波装置１を小型とするためには、中空部Ｂ以外の部分の寸法を小さくする必要がある。本実施形態では、ビア導体８の第２のビア導体部８ｂは第２のカバー部材６ｂの凹部６ｃに設けられている。そのため、図１における積層方向と垂直な方向を幅方向とすると、支持層５の幅方向の寸法は第２のビア導体部８ｂの面積には依存しない。また、第２のビア導体部８ｂの横断面積よりも第１のビア導体部８ａの横断面積は小さい。そのため、支持層５の幅方向の寸法を小さくすることができる。従って、弾性波装置を小型とすることができる。
【００３８】
また、上述のように、支持層５の幅方向の寸法は第２のビア導体８ｂの面積には依存しない。そのため、弾性波装置１の平面面積を大きくすることなく、第２のビア導体部８ｂの横断面積を充分に大きくすることができる。それによって、第２のビア導体部８ｂとバンプ９との接合面積を充分に大きくすることができる。従って、弾性波装置の耐熱衝撃性を効果的に高めることができる。
【００３９】
なお、図４に示す第２の変形例の弾性波装置５１のように、第２のカバー部材６ｂの凹部５６ｃの底面の面積において、傾斜面部が設けられていない部分の面積が、ビアホール７の開口部７ａの面積とが等しくてもよい。この場合においても、第２のビア導体部５８ｂがバンプに接する部分の面積よりも第１のビア導体部８ａの横断面積が小さい。よって、第１の実施形態と同様に、弾性波装置を小型にすることができる。
【００４０】
図５に示す第３の変形例の弾性波装置６１のように、第２のカバー部材６ｂの凹部６６ｃの底面６６ｃ１は曲面を有していてもよい。この場合においても、第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００４１】
また、図６に示す第４の変形例である弾性波装置２１のように、ビア導体２８の第２のビア導体部２８ｂの上面は凸型形状を有していてもよい。それによって、ビア導体２８とバンプ２９との接合面積をより一層大きくすることができる。従って、弾性波装置の耐熱衝撃性をより一層効果的に高めることができる。
【００４２】
第２のビア導体部２８ｂの上面の高さは、好ましくは第２のカバー部材６ｂの厚み方向における中央部６ｂＣ付近に位置することが望ましい。なお、第２のビア導体部２８ｂの少なくとも一部は、厚み方向において、第２のカバー部材６ｂの第２の主面６ｂＢよりも上方に位置していてもよい。
【００４３】
第１の実施形態では、第１のカバー部材６ａは接着層であり、第２のカバー部材６ｂは保護層である。第２のカバー部材６ｂは第１のカバー部材６ａを介して支持層５上に設けられている。そのため、支持層５とカバー部材６との接着強度を高めることができており、かつ第２のカバー部材６ｂにより外部からの衝撃に対する耐久性を高めることができる。さらに、第２のカバー部材６ｂの凹部６ｃは第１のカバー部材６ａには至っていない。そのため、第１のカバー部材６ａの第２の主面６ａＢの全面が第２のカバー部材６ｂにより覆われている。それによって、弾性波装置の耐久性を効果的に高めることができる。また、ビア導体が、保護層である第２のカバー部材６ｂの凹部６ｃの底面を覆うように設けられるので、耐薬液性をより高めることができる。
【００４４】
なお、本実施形態では、支持層５とカバー部材６が別体とされていたが、これに限定されるものではない。図７に示す第５の変形例である弾性波装置３１のように、支持層とカバー部材とは同じ材料により一体に形成されていてもよい。すなわち、支持層部分３５ａとカバー部材部分３５ｂとは一体に構成されていてもよい。
【００４５】
上記実施形態に係る弾性波装置の製造方法を以下において説明する。
【００４６】
まず、圧電基板２上に機能電極３を形成する。次に、機能電極３と電気的に接続される第１の配線層４ａを形成する。なお、機能電極３及び第１の配線層４ａを同時に形成してもよい。次に、圧電基板２上に、第１の配線層４ａ上に至るように第２の配線層４ｂを形成する。機能電極３及び第１，第２の配線層４ａ，４ｂは、例えば、スパッタリング法やＣＶＤ法、真空蒸着法などにより形成することができる。
【００４７】
なお、圧電基板２はマザー基板である。複数の弾性波装置を圧電基板２上に同時に構成することができる。
【００４８】
次に、機能電極３を囲むように圧電基板２上に、第２の配線層４ｂ上に至るように支持層５を形成する。支持層５を設ける際は、支持層５が枠状の形状を有するように設ける。支持層５は、例えば、フォトリソグラフィー法などにより形成することができる。
【００４９】
次に、支持層５の開口部を封止するように、カバー部材６を設ける。本実施形態では、カバー部材６は第１，第２のカバー部材６ａ，６ｂを有する。上述のように、第１のカバー部材６ａは接着層であり、第２のカバー部材６ｂは保護層である。接着層である第１のカバー部材６ａをカバー部材６の第１の主面６Ａ側になるようにして、カバー部材６を支持層５に接合する。
【００５０】
支持層５上に第１のカバー部材６ａを設けた後に第１のカバー部材６ａ上に第２のカバー部材６ｂを積層してもよい。また、第１，第２のカバー部材６ａ，６ｂを積層してカバー部材６を得た後に、カバー部材６を支持層５に接合してもよい。
【００５１】
次に第２のカバー部材６ｂに凹部６ｃを形成する。これを、図８（ａ）〜図８（ｃ）を用いて説明する。
【００５２】
図８（ａ）〜図８（ｃ）は、フォトリソグラフィー法を用いてカバー部材に凹部を形成する方法を説明するための部分切り欠き正面断面図である。
【００５３】
図８（ａ）に示すように、カバー部材６の第２の主面６Ｂにフォトリソグラフィー法によりレジストパターン１０を形成する。次に、図８（ｂ）に示すように、エッチングにより第２のカバー部材６ｂの第２の主面６ｂＢに開口するように凹部６ｃを形成する。第１のカバー部材６ａに至らないように凹部６ｃを形成する。また、凹部６ｃに傾斜面部を形成する。しかる後、図８（ｃ）に示すように、上記レジストパターンを剥離する。なお、凹部６ｃを形成する際に上記傾斜面部を形成してもよく、別工程で上記傾斜面部を形成してもよい。また、凹部６ｃは、第１のカバー部材６ａに至っていてもよい。
【００５４】
次に、第２のカバー部材６ｂの凹部６ｃの底面にレーザーを照射することにより、図１に示すビアホール７を形成する。ビアホール７がカバー部材６及び支持層５を貫通し、第２の配線層４ｂの上面に至るようにビアホール７を形成する。第２のカバー部材６ｂの凹部６ｃの底面の面積よりもビアホール７の開口部７ａの面積が小さくなるようにビアホール７を形成する。また、ビアホール７の第２の配線層４ｂ側端部の径が、ビアホール７の凹部６ｃ側端部の径よりも小さくなるように、ビアホール７の両端部に連なる傾斜面部を形成する。ビアホール７は、例えば、レーザー照射などにより形成することができる。なお、ビアホール７を形成する際に上記傾斜面部を形成してもよく、別工程で上記傾斜面部を形成してもよい。以上のようにして、弾性波素子を用意することができる。
【００５５】
なお、凹部６ｃは、フォトリソグラフィー法以外の方法により形成することもできる。例えば、レーザー照射によっても、凹部６ｃを形成することができる。この方法は、図３に示した第１の変形例のように、カバー部材１６が単一の樹脂層からなるときなどに、特に好適に用いることができる。図９（ａ）及び図９（ｂ）を用いて、第１の変形例において、レーザー照射により凹部６ｃ及びビアホール７を形成する方法を説明する。
【００５６】
図９（ａ）は、レーザー照射によりカバー部材に凹部を形成する方法を説明するための部分切り欠き正面断面図である。図９（ｂ）は、レーザー照射によりビアホールを形成する方法を説明するための部分切り欠き正面断面図である。
【００５７】
図９（ａ）に示すように、カバー部材１６にレーザーを照射することにより、凹部６ｃを形成する。次に、図９（ｂ）に示すように、凹部６ｃの底面にレーザーを照射することにより、ビアホール７を形成する。このとき、ビアホール７を形成するレーザーの径を、凹部６ｃを形成するレーザーの径よりも小さくする。それによって、凹部６ｃの径よりもビアホール７の径を小さくすることができる。
【００５８】
あるいは、凹部６ｃを形成するに際し、レーザーをスキャンすることにより、凹部６ｃの径を大きくしてもよい。この場合には、凹部６ｃを形成する際とビアホール７を形成する際とにおいて、同じ径のレーザーを用いることもできる。
【００５９】
第１の実施形態の弾性波装置１の製造方法の説明に戻る。次に、図１に示すビアホール７及び第２のカバー部材６ｂの凹部６ｃに導体を充填し、ビア導体８を形成する。それによって、ビアホール７に第１のビア導体部８ａを形成し、第２のカバー部材６ｂの凹部６ｃに第２のビア導体部８ｂを形成する。ビア導体８は、特に限定されないが、例えば、めっき法により形成することができる。本実施形態では第２のカバー部材６ｂの凹部６ｃ及びビアホール７に傾斜面部が形成されているため、第１，第２のビア導体部８ａ，８ｂを容易に形成することができる。
【００６０】
次に、第２のビア導体部８ａ上にバンプ９を設ける。第１のカバー部材６ａの第２の主面６ａＢは、耐薬液性を有する保護層である第２のカバー部材６ｂにより覆われている。それによって、バンプ９を設ける際に、バンプ９の材料から流出する有機成分が圧電基板２、支持層５及びカバー部材６からなる中空部Ｂに流入し難い。従って、弾性波装置の不良品率を低減することができる。
【００６１】
次に、圧電基板２を切断することにより、個々の弾性波装置１を得る。
【００６２】
また、図１０に示す第６の変形例である弾性波装置４１のように、カバー部材４６の凹部４６ｃの中心軸Ｃの位置をビアホール７の中心軸Ｄの位置よりも幅方向において内側に位置させてもよい。バンプ４９はカバー部材４６の凹部４６ｃ上に位置しているため、バンプ４９も幅方向において内側に位置している。それによって、圧電基板２を切断する前において隣り合っている弾性波装置４１のバンプ４９同士の距離を大きくすることができる。よって、より一層容易に圧電基板２を切断することができる。従って、弾性波装置の不良品率を低減することができる。さらに、必要面積が小さくなるため、弾性波装置４１を小型にすることができる。また、設計自由度を高めることもできる。
【符号の説明】
【００６３】
１…弾性波装置
２…圧電基板
３…機能電極
４ａ，４ｂ…第１，第２の配線層
５…支持層
６…カバー部材
６Ａ，６Ｂ…第１，第２の主面
６ａ，６ｂ…第１，第２のカバー部材
６ａＡ，６ｂＡ…第１の主面
６ａＢ，６ｂＢ…第２の主面
６ｃ…凹部
７…ビアホール
７ａ…開口部
８…ビア導体
８ａ，８ｂ…第１，第２のビア導体部
９…バンプ
１０…レジストパターン
１１…弾性波装置
１６…カバー部材
２１…弾性波装置
２８…ビア導体
２８ｂ…第２のビア導体部
２９…バンプ
３１…弾性波装置
３５ａ…支持層部分
３５ｂ…カバー部材部分
４１…弾性波装置
４６…カバー部材
４６ｃ…凹部
４９…バンプ
５１…弾性波装置
５６ｃ…凹部
５８ｂ…第２のビア導体部
６１…弾性波装置
６６ｃ…凹部
６６ｃ１…底面
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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