(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のパワー半導体素子を内蔵した樹脂成形品からなるパワー半導体モジュールであって、
複数の外部導出端子と共に複数の制御信号系端子を射出成形によりモールド固定した一次成形体と、
ベース基板に前記各パワー半導体素子及び前記一次成形体が搭載されたモジュール本体部と、
前記モジュール本体部を前記各外部導出端子及び前記制御信号系端子の一部が露出するようにモールド封止した二次成形体とを備え、
前記一次成形体は、
前記ベース基板の搭載面側に突出する３つ以上の脚部を有し、
前記ベース基板は、前記一次成形体のモールド樹脂部分の隅部と鉛直方向に重なる位置の近傍に切欠部を有する
ことを特徴とするパワー半導体モジュール。
【請求項２】
前記脚部は、前記一次成形体のモールド樹脂部分の隅部近傍に設けられている
ことを特徴とする請求項１記載のパワー半導体モジュール。
【請求項３】
前記脚部は、前記一次成形体のモールド樹脂部分から突出し、その突出長が３ｍｍ以上である
ことを特徴とする請求項１又は２記載のパワー半導体モジュール。
【請求項４】
前記一次成形体及び前記二次成形体のモールド樹脂部分の樹脂材料は、同一特性を有する
ことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項記載のパワー半導体モジュール。
【請求項５】
前記一次成形体及び前記二次成形体のモールド樹脂部分の間には、界面が存在する
ことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項記載のパワー半導体モジュール。
【請求項６】
ベース基板上に搭載された複数のパワー半導体素子を内蔵した樹脂成形品からなるパワー半導体モジュールの製造方法であって、
複数の外部導出端子と共に複数の制御信号系端子を第１金型のキャビティ内に非接触状態で配置して型閉する端子配置工程と、
前記キャビティ内に樹脂を射出して前記各外部導出端子及び制御信号系端子をモールド固定し、モールド樹脂部分から前記ベース基板への搭載側に突出する３つ以上の脚部を有する一次成形体を形成する工程と、
前記ベース基板の搭載面に前記各パワー半導体素子を搭載すると共に前記脚部を載せて前記一次成形体を搭載し、モジュール本体部を作製する工程と、
前記モジュール本体部を第２金型のキャビティ内に配置して樹脂を射出し、当該モジュール本体部の前記各外部導出端子及び制御信号系端子の一部が露出するようにモールド封止した二次成形体を形成する工程とを備え、
前記二次成形体を形成する工程では、前記一次成形体の脚部間における前記ベース基板の搭載面とモールド樹脂部分との間にも樹脂が充填される
ことを特徴とするパワー半導体モジュールの製造方法。
【請求項７】
前記一次成形体を形成する工程では、前記脚部は、前記モールド樹脂部分の隅部近傍に設けられる
ことを特徴とする請求項６記載のパワー半導体モジュールの製造方法。
【請求項８】
前記ベース基板は、前記一次成形体のモールド樹脂部分の隅部と鉛直方向に重なる位置の近傍に切欠部を有し、
前記二次成形体を形成する工程では、前記ベース基板の切欠部に、前記ベース基板の裏面側から搭載面側に向けて開口する樹脂射出口が配置される
ことを特徴とする請求項７記載のパワー半導体モジュールの製造方法。
【請求項９】
前記二次成形体を形成する工程では、樹脂の射出圧力は１００ＭＰａ以上である
ことを特徴とする請求項７又は８記載のパワー半導体モジュールの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パワー半導体モジュール及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、二重モールド構造の封止樹脂２を有する半導体装置が知られている（特許文献１参照）。この特許文献１の図１及び図７には、半導体装置が全体的に封止樹脂２により封止されていること、及び一次封止樹脂４１によりリードフレーム３の上主面及びその上の各種素子を封止し、一次封止樹脂４１よりも熱伝導性に優れる二次封止樹脂２１によりリードフレーム３とヒートシンク５１との間を結合した構造が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平９−１５３５７２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
このような半導体装置の一種として、パワー半導体モジュールが知られているが、近年のパワー半導体モジュールの適用環境の複雑化の要請により、優れた耐湿性と高い耐久性が求められている。このため、上記特許文献１に開示されたように、二重モールド構造は有効な対策の一つとされている。
【０００５】
しかしながら、特許文献１のものは、一次封止と二次封止の樹脂の種類が異なるため、全体としてローコスト化を図ることが困難である。特に、一次封止樹脂に比べて二次封止樹脂が高価なものとなる傾向にあるため、二次封止樹脂の使用量を削減してコストアップを抑えようとしている。
【０００６】
しかし、二次封止樹脂の使用量を抑えると、一次封止後のリードフレーム３等を十分に封止できない可能性が生じ、意図しない隙間が発生して水分が浸入するおそれがある。また、リードフレーム３とヒートシンク５１との間の間隙が非常に狭いものであるため、二次封止樹脂が十分に充填されていない場合は、樹脂間の密着性が不十分なものとなり、結果的に耐湿性及び耐久性が劣ってしまう場合がある。
【０００７】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、耐湿性及び耐久性が高いパワー半導体モジュール及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明に係るパワー半導体モジュールは、複数のパワー半導体素子を内蔵した樹脂成形品からなるパワー半導体モジュールであって、複数の外部導出端子と共に複数の制御信号系端子を射出成形によりモールド固定した一次成形体と、ベース基板に前記各パワー半導体素子及び前記一次成形体が搭載されたモジュール本体部と、前記モジュール本体部を前記各外部導出端子及び前記制御信号系端子の一部が露出するようにモールド封止した二次成形体とを備え、前記一次成形体は、前記ベース基板の搭載面側に突出する３つ以上の脚部を有し、前記ベース基板は、前記一次成形体のモールド樹脂部分の隅部と鉛直方向に重なる位置の近傍に切欠部を有することを特徴とする。
【０００９】
本発明の一実施形態においては、前記脚部は、前記一次成形体のモールド樹脂部分の隅部近傍に設けられている。
【００１１】
本発明の更に他の実施形態においては、前記脚部は、前記一次成形体のモールド樹脂部分から突出し、その突出長が３ｍｍ以上である。
【００１２】
本発明の更に他の実施形態においては、前記一次成形体及び前記二次成形体のモールド樹脂部分の樹脂材料は、同一特性を有する。
【００１３】
本発明の更に他の実施形態においては、前記一次成形体及び前記二次成形体のモールド樹脂部分の間には、界面が存在する。
【００１４】
本発明に係るパワー半導体モジュールの製造方法は、ベース基板上に搭載された複数のパワー半導体素子を内蔵したパワー半導体モジュールの製造方法であって、複数の外部導出端子と共に複数の制御信号系端子を第１金型のキャビティ内に非接触状態で配置して型閉する端子配置工程と、前記キャビティ内に樹脂を射出して前記各外部導出端子及び制御信号系端子をモールド固定し、モールド樹脂部分から前記ベース基板への搭載側に突出する３つ以上の脚部を有する一次成形体を形成する工程と、前記ベース基板の搭載面に前記各パワー半導体素子を搭載すると共に前記脚部を載せて前記一次成形体を搭載し、モジュール本体部を作製する工程と、前記モジュール本体部を第２金型のキャビティ内に配置して樹脂を射出し、当該モジュール本体部の前記各外部導出端子及び制御信号系端子の一部が露出するようにモールド封止した二次成形体を形成する工程とを備え、前記二次成形体を形成する工程では、前記一次成形体の脚部間における前記ベース基板の搭載面とモールド樹脂部分との間にも樹脂が充填されることを特徴とする。
【００１５】
本発明の一実施形態においては、前記一次成形体を形成する工程では、前記脚部は、前記モールド樹脂部分の隅部近傍に設けられる。
【００１６】
本発明の他の実施形態においては、前記ベース基板は、前記一次成形体のモールド樹脂部分の隅部と鉛直方向に重なる位置の近傍に切欠部を有し、前記二次成形体を形成する工程では、前記ベース基板の切欠部に、前記ベース基板の裏面側から搭載面側に向けて開口する樹脂射出口が配置される。
【００１７】
本発明の更に他の実施形態においては、前記二次成形体を形成する工程では、樹脂の射出圧力は１００ＭＰａ以上である。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、一次成形体のモールド樹脂部分に３つ以上の脚部が形成され、ベース基板に複数のパワー半導体素子及び一次成形体を搭載したモジュール本体部の脚部間におけるベース基板の搭載面とモールド樹脂部分との間にも二次成形体の樹脂が充填されているので、二次成形体でモジュール本体部を隙間なくモールド封止することができ、耐湿性及び耐久性を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明の一実施形態に係るパワー半導体モジュールを示す外観斜視図である。
【図２】同パワー半導体モジュールの端子ブロックを示す外観斜視図である。
【図３】同パワー半導体モジュールにおいてベース基板に端子ブロックを搭載する様子を示す分解斜視図である。
【図４】同パワー半導体モジュールのモジュール本体部を示す外観斜視図である。
【図５】同モジュール本体部のベース基板と一次成形体との接触態様を説明するための図である。
【図６】比較例のモジュール本体部のベース基板と一次成形体との接触態様を説明するための図である。
【図７】同パワー半導体モジュールの製造工程を示すフローチャートである。
【図８】二次成形体が形成された直後のパワー半導体モジュールを示す外観斜視図である。
【図９】図８の一部断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、添付の図面を参照して、本発明の実施の形態に係るパワー半導体モジュール及びその製造方法を詳細に説明する。
【００２１】
［パワー半導体モジュールの全体構成］
本発明の一実施形態に係るパワー半導体モジュールは、第１金型を用いた射出成形により一次成形体としての端子ブロックを形成し、この端子ブロックを複数のパワー半導体素子と共にベース基板上に搭載してモジュール本体部を作製し、このモジュール本体部を第２金型を用いたインサート成形により二次成形体である樹脂ケースで覆った構造を備えている。なお、端子ブロックは、複数の外部導出端子及び制御信号系端子をモールド樹脂により非接触状態で位置決め固定してなるものであり、モールド樹脂部分からベース基板への搭載側に突出する３つ以上の脚部を有する。以下、このような構造を有するパワー半導体モジュールについて詳述する。
【００２２】
［パワー半導体モジュールの外観］
図１は、本発明の一実施形態に係るパワー半導体モジュール１を示す外観斜視図である。図１に示すように、パワー半導体モジュール１は、矩形板状のベース基板２０と、このベース基板２０の搭載面２７側の基板上をその長手方向の両端部を除いて覆うように形成された略長方形状の樹脂ケース４０とを備えた外観を有する。ベース基板２０は、例えばアルミニウムにより構成され得る。ベース基板２０の長手方向の両端部近傍には、パワー半導体モジュール１の被取付部材へのねじ止め等に利用され得る取付用穴２８がそれぞれ貫通形成されている。
【００２３】
樹脂ケース４０の長手方向の両端部には、これら取付用穴２８へのねじ挿入等を阻害しないための逃げ凹部４１が設けられている。樹脂ケース４０の長手方向の一方の端部に近い上面側には、制御信号系端子である補助カソード端子１４及びゲート端子１５のそれぞれの鉛直部１４ｂ，１５ｂの一部（先端部側）が外部に露出している。
【００２４】
また、樹脂ケース４０の上面側には、外部導出端子である３つのメイン端子１１，１２，１３の外部接続板部１１ａ，１２ａ，１３ａが、板面平行となる状態で外部に露出している。各メイン端子１１〜１３の外部接続板部１１ａ〜１３ａには、ボルト挿通孔１１ｃ，１２ｃ，１３ｃが貫通形成されている。
【００２５】
このボルト挿通孔１１ｃ〜１３ｃの下方には、図示しない導電ボルトが螺合する導電ナット４３がそれぞれ配設されている。なお、樹脂ケース４０は、ベース基板２０の長手方向に沿った側面部及びこの側面部と連続する下面側縁部まで回り込むような状態で、搭載面２７側の基板上を含めて隙間なくモールド封止している。
【００２６】
樹脂ケース４０の内部には、後述するモジュール本体部３０（図４参照）が封止されている。このモジュール本体部３０は、端子ブロック１０（図２参照）をベース基板２０（図３参照）上にパワー半導体素子と共に搭載したものである。まず、端子ブロック１０の構成について説明する。
【００２７】
［端子ブロックの外観］
図２は、パワー半導体モジュール１の端子ブロック１０を示す外観斜視図である。また、図３は、パワー半導体モジュール１においてベース基板２０に端子ブロック１０を搭載する様子を示す分解斜視図である。図２に示すように、一次成形体である端子ブロック１０は、各メイン端子１１〜１３、補助カソード端子１４及びゲート端子１５と共に、これらの端子１１〜１５をモールド固定するモールド樹脂部分１６を有する。
【００２８】
このモールド樹脂部分１６には、上記各端子１１〜１５が非常に精密且つ三軸方向（ＸＹＺ方向）に高い位置精度で位置決め固定されている。また、端子ブロック１０は、モールド樹脂部分１６の隅部１６ａの近傍において、ベース基板２０の搭載面２７側に突出する脚部１９を有している。
【００２９】
この脚部１９は、好ましくは３つ以上、図示の例ではモールド樹脂部分１６の隅部１６ａの近傍に４つ設けられている。これら各脚部１９は、角柱状に突出し得る。各脚部１９のモールド樹脂部分１６からの突出長は、例えば３ｍｍ以上となるように設定されている。
【００３０】
このように構成された端子ブロック１０は、ベース基板２０の搭載面２７側に搭載するだけで、全ての端子１１〜１５のベース基板２０上における位置決めや半田付け等が可能となるよう構成されている。また、各脚部１９が形成されているため、各脚部１９間におけるベース基板２０の搭載面とモールド樹脂部分１６との間には、高さ３ｍｍ以上となる隙間１９ａが形成される。次に、ベース基板２０の構成について説明する。
【００３１】
［ベース基板の外観］
図３に示すように、ベース基板２０は、矩形短冊状の外形を備えている。ベース基板２０の長手方向の各取付用穴２８よりも内側には、長手方向と交差する短手方向に向かって側面部から切り欠かれた複数の切欠部２９が形成されている。これら切欠部２９よりも更に長手方向の内側のベース基板２０の搭載面２７側には、回路２１が形成されている。
【００３２】
パワー半導体素子であるサイリスタチップ２２及びダイオードチップ２３は、この回路２１上の所定位置に搭載される。各チップ２２，２３上には、電極板２２ａ，２３ａが配置されている。サイリスタチップ２２と回路２１の一部との間には、ゲートアングル２４が配置される。
【００３３】
そして、端子ブロック１０は、メイン端子１１の基板側接続部１１ｂがサイリスタチップ２２の電極板２２ａ上に位置し、メイン端子１２の基板側接続部１２ｂがダイオードチップ２３の電極板２３ａ上に位置するように、ベース基板２０の搭載面２７側に搭載される。なお、ゲートアングル２４は、実際には基板側接続部１１ｂ，１２ｂ間に形成された端子ブロック１０のモールド樹脂部分１６を跨ぐように配置される。次に、モジュール本体部３０の構成について説明する。
【００３４】
［モジュール本体部の外観］
図４は、パワー半導体モジュール１のモジュール本体部３０を示す外観斜視図である。また、図５は、モジュール本体部３０のベース基板２０と端子ブロック１０との接触態様を説明するための図であり、図５（ａ）は要部概略側面図を示し、図５（ｂ）は図５（ａ）のＡ−Ａ’線断面を含む上面図を示している。また、図６は、比較例のモジュール本体部３０’のベース基板２０’と端子ブロック１０’との接触態様を説明するための図であり、図６（ａ）は要部概略側面図を示し、図６（ｂ）は図６（ａ）のＢ−Ｂ’線断面を含む上面図を示している。
【００３５】
図４に示すように、モジュール本体部３０は、ベース基板２０上に搭載された端子ブロック１０を有する。このモジュール本体部３０は、図３に示した端子ブロック１０の各端子１１〜１５と、ベース基板２０上の電極板２２ａ，２３ａを含む各チップ２２，２３、ゲートアングル２４及び回路２１とを、半田リフロー等で半田付けすることにより作製される。
【００３６】
このモジュール本体部３０においては、各脚部１９が搭載面２７と接触しているため、端子ブロック１０の各脚部１９間におけるモールド樹脂部分１６とベース基板２０の搭載面２７との間には、それぞれ隙間１９ａが形成される。なお、図４においては半田の図示は省略している。
【００３７】
このように形成された隙間１９ａを通して、後述する樹脂ケース４０の樹脂が充填される。このため、樹脂ケース４０により、ベース基板２０上に搭載された各チップ２２，２３等や端子ブロック１０を含むモジュール本体部３０を、隙間なくモールド封止することができる。
【００３８】
図６（ａ）に示すように、モジュール本体部３０の端子ブロック１０のモールド樹脂部分１６の各脚部１９は、その突出方向先端面が、ベース基板２０の切欠部２９よりも長手方向内側で、且つ図６（ｂ）に示すように、回路２１よりも長手方向外側の搭載面２７と接触する。
【００３９】
また、モジュール本体部３０における各脚部１９の搭載面２７との接触面積は、各脚部１９のＸＹ寸法が２ｍｍ×３ｍｍとすると、一つ当たり６ｍｍ２と非常に小さいものとなる。これにより、各脚部１９間における搭載面２７とモールド樹脂部分１６との間には、図６（ａ）に示すような隙間１９ａが適宜形成される。
【００４０】
なお、ベース基板２０においては、モールド樹脂部分１６の隅部１６ａと鉛直方向に重なる位置の近傍に設けられた切欠部２９には、後述する樹脂ケース形成工程にて射出される樹脂の射出口（図示せず）が配置される。このような構造により、後述する樹脂ケース形成工程においては、隙間１９ａを通してモジュール本体部３０の全体に樹脂が行き渡るため、樹脂ケースによる封止性は極めて高いものとすることができる。
【００４１】
これに対し、図６（ａ）に示すように、比較例のモジュール本体部３０’のように、通常の端子ブロック１０’はモールド樹脂部分１６’が脚部を有しない。このため、図６（ｂ）に示すように、ベース基板２０’の搭載面２７’上に、回路２１’の周囲を囲むように端子ブロック１０’のモールド樹脂部分１６’が搭載される。
【００４２】
このときの搭載面２７’及びモールド樹脂部分１６’間の隙間は非常に小さいものであるため、樹脂が入り込み難い構造となる。従って、樹脂ケース形成時に射出される樹脂の充填不良が発生し易くなり、樹脂ケースによる封止性が劣ってしまう可能性が否めない。特に、このような充填不良が発生すると、回路２１’上のチップ（図示せず）等が樹脂により封止されず、耐湿性も著しく低下することとなる。
【００４３】
これに対し、後述する樹脂ケース４０は、その樹脂部分がモジュール本体部３０の隙間１９ａ部分にも確実に充填されて全体を覆っている。このため、本実施形態に係るパワー半導体モジュール１は、従来に比べて端子ブロック１０、チップ２２，２３や回路２１等への水分の浸入を大幅に減らすことが可能となり、耐湿性及び耐久性を高めることができる。
【００４４】
［パワー半導体モジュールの製造工程］
次に、このように構成されたパワー半導体モジュール１の製造工程について、図７のフローチャートを参照しながら説明する。図７は、パワー半導体モジュール１の製造工程を示すフローチャートである。
【００４５】
図７に示すように、パワー半導体モジュール１は、端子配置工程（ステップＳ１００）、端子ブロック形成工程（ステップＳ１０２）、モジュール本体部作製工程（ステップＳ１０４）、樹脂ケース形成工程（ステップＳ１０６）及び端子折曲工程（ステップＳ１０８）の各工程を経て製造される。以下では、各工程について説明する。
【００４６】
まず、上述した各メイン端子１１〜１３、補助カソード端子１４及びゲート端子１５の第１金型のキャビティ内での端子配置工程が行われる（ステップＳ１００）。この端子配置工程では、最初に、型開された図示しない第１金型のキャビティ内にゲート端子１５及び各メイン端子１１〜１３をセットする。
【００４７】
そして、第１金型を型閉する。これにより、各メイン端子１１〜１３は、キャビティ内の所定位置に配置される。また、補助カソード端子１４及びゲート端子１５は、それぞれの鉛直部１４ｂ，１５ｂ及び水平部１４ａ，１５ａ（図２参照）が離間された非接触状態で配置される。
【００４８】
このようにして端子配置工程が行われ、これにより、各メイン端子１１〜１３、補助カソード端子１４及びゲート端子１５が、第１金型のキャビティ内にそれぞれ非接触状態で配置される。次に、端子ブロック形成工程について説明する。
【００４９】
端子ブロック形成工程では、型閉した第１金型のキャビティ内に樹脂を射出して、各メイン端子１１〜１３、補助カソード端子１４及びゲート端子１５をモールド固定する。このとき射出される樹脂は、例えば熱可塑性のポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）樹脂が採用され得る。そして、第１金型を型開し、製品取出しが行われる。このようにして、一次成形体である端子ブロック１０（図２参照）を形成する（ステップＳ１０２）。次に、モジュール本体部作製工程について説明する。
【００５０】
上述したように端子ブロック１０を形成したら、モジュール本体部作製工程においては、図３に示すように、ベース基板２０上にパワー半導体素子であるサイリスタチップ２２並びにダイオードチップ２３及び端子ブロック１０を搭載して半田付けを行い、モジュール本体部（図４参照）を作製する（ステップＳ１０４）。次に、樹脂ケース形成工程について説明する。
【００５１】
図８は、二次成形体である樹脂ケース４０が形成された直後のパワー半導体モジュール１を示す外観斜視図である。また、図９は、図８の一部断面図である。上記のようにモジュール本体部３０を作製したら、樹脂ケース形成工程においては、このモジュール本体部３０をインサート成形するための第２金型（図示せず）のキャビティ内にモジュール本体部３０を配置して、キャビティ内に樹脂を射出する。
【００５２】
このとき射出される樹脂は、端子ブロック１０のモールド樹脂部分１６と同一特性の上記ＰＰＳ樹脂が採用され得る。このようにすれば、パワー半導体モジュール１全体のローコスト化を図ることができる。但し、異なる特性の樹脂が採用されてもよい。その場合は、例えばＰＰＳ樹脂よりもグレードが劣るポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）樹脂等が挙げられる。
【００５３】
なお、ＰＢＴ樹脂は、ＰＰＳ樹脂に比べて安価でありつつも、樹脂ケース４０に要求される耐熱性や耐久性等を兼ね備えている。このように、二次成形時に一次成形時よりも安価なＰＢＴ樹脂を採用すれば、従来技術のものとは逆に、パワー半導体モジュール１の全体のローコスト化を図ることが可能となる。
【００５４】
樹脂の射出に際しては、上述したように、ベース基板２０の切欠部２９に、例えばベース基板２０の裏面側から搭載面２７側に向けて開口する樹脂の射出口（図示せず）が配置される。この射出口から射出される樹脂の射出圧力は、例えば１００ＭＰａ以上である。このため、射出口から射出された樹脂は、端子ブロック１０及び各チップ２２，２３等に勢い良く当たることなく（一部は端子ブロック１０のモールド樹脂部分１６の隅部１６ａに当たるが）、第２金型のキャビティ内面に当たった後に隙間１９ａ等を通って全体的に効率良く充填される。
【００５５】
そして、図８に示すように、モジュール本体部３０の各メイン端子１１〜１３、補助カソード端子１４及びゲート端子１５の一部（外部接続板部１１ａ〜１３ａ及び鉛直部１４ｂ，１５ｂ）が外部に露出するようにモールド封止した樹脂ケース４０が形成される（ステップＳ１０６）。
【００５６】
なお、樹脂ケース４０の上面側には、上述した導電ナット４３が取り付けられるナット配置穴４２がそれぞれ形成される。本実施形態のパワー半導体モジュール１は、このように形成された樹脂ケース４０により、モジュール本体部３０の外部露出部分以外が、外部から確実に遮断されるようにモールド封止されている。
【００５７】
なお、図９に示すように、樹脂ケース４０は、ベース基板２０の長手方向に沿った側面部を含む搭載面２７上の端子ブロック１０のモールド樹脂部分１６の周囲も完全に封止している。従って、図示の例では、搭載面２７上の回路２１、サイリスタチップ２２並びに電極板２２ａ、半田９８及びメイン端子１１の基板側接続部１１ｂの周囲も完全に封止されていることが分かる。
【００５８】
そして、端子ブロック１０のモールド樹脂部分１６と樹脂ケース４０との間には、界面Ｉが存在している。この界面Ｉは、モールド樹脂部分１６の樹脂と、樹脂ケース４０の樹脂との溶着部分を示している。界面Ｉは、例えばＸ線検査装置等を用いたＸ線視で見て確認したり、パワー半導体モジュール１を切断した断面視で見て確認したりすることができる。次に、端子折曲工程について説明する。
【００５９】
端子折曲工程では、まずこうして形成された樹脂ケース４０を第２金型から取り出して、各ナット配置穴４２に導電ナット４３を取り付ける。そして、各メイン端子１１〜１３の外部接続板部１１ａ〜１３ａを、ナット配置穴４２上にボルト挿通孔１１ｃ〜１３ｃがくるように折り曲げれば（ステップＳ１０８）、図１に示すようなパワー半導体モジュール１を製造することができる。
【００６０】
このように、本実施形態に係るパワー半導体モジュール１によれば、端子ブロック１０のモールド樹脂部分１６に３つ以上の脚部１９が形成され、ベース基板２０にチップ２２，２３等及び端子ブロック１０を搭載したモジュール本体部３０の脚部１９間における隙間１９ａにも樹脂ケース４０の樹脂が充填されている。このため、樹脂ケース４０でモジュール本体部３０を隙間なくモールド封止することが可能となり、耐湿性及び耐久性を高めることができる。
【００６１】
以上、本発明のいくつかの実施の形態を説明したが、これらの実施の形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施の形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施の形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると共に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００６２】
１          パワー半導体モジュール
１０        端子ブロック
１１〜１３  メイン端子
１４        補助カソード端子
１５        ゲート端子
１６        モールド樹脂部分
１６ａ      隅部
１９        脚部
１９ａ      隙間
２０        ベース基板
２１        回路
２２        サイリスタチップ
２３        ダイオードチップ
２７        搭載面
２９        切欠部
３０        モジュール本体部
４０        樹脂ケース
【図１】
0006498566.tif 000002
【図２】
0006498566.tif 000003
【図３】
0006498566.tif 000004
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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