(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を略水平に保持し、所定の回転軸周りに回転可能に設けられた基板保持部と、
前記基板保持部を前記回転軸周りに回転させる回転機構と、
前記基板の処理面に薬液を吐出する薬液吐出部と、
前記基板の処理面とは反対側の面と非接触で対向する対向面を備え、前記基板を加熱するヒーターと、
前記基板の前記反対側の面と、前記ヒーターの前記対向面との間の空間に予め加熱された不活性ガスを吐出するガス吐出機構と、
を備え、
前記ヒーターは、前記対向面に沿って環状の帯状に延在する発熱体と、該発熱体と接合されて前記対向面を有する上部材とを備えるとともに、前記発熱体から前記上部材への伝熱によって前記対向面から前記基板の前記反対側の面に熱線を放射して前記基板を加熱し、
前記ガス吐出機構は、前記不活性ガスを供給する流路として前記発熱体に沿って配設された加熱用流路を有し、
前記加熱用流路の幅が前記発熱体の帯幅より狭い、基板処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の基板処理装置であって、
前記ヒーターは前記基板の周縁部に沿って環状の帯状に設けられ、
前記基板保持部は、ポンプに接続され、前記ポンプが負圧を供給すると、前記基板の処理面とは反対側の面の下方中央部を吸着することで前記基板を保持する、基板処理装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の基板処理装置であって、
前記ガス吐出機構は、
前記加熱用流路を流れるときに前記ヒーターによって加熱された前記不活性ガスを前記空間に吐出する、基板処理装置。
【請求項４】
請求項１から請求項３の何れか１つの請求項に記載の基板処理装置であって、
前記加熱用流路は、前記発熱体に沿って二次元的に配設されている基板処理装置。
【請求項５】
請求項１から請求項４の何れか１つの請求項に記載の基板処理装置であって、
前記加熱用流路は、前記発熱体に対して前記基板と反対側に配設されている、基板処理装置。
【請求項６】
請求項１から請求項５の何れか１つの請求項に記載の基板処理装置であって、
前記ガス吐出機構は、
前記ヒーターの外周縁部と、前記ヒーターの内周縁部とにそれぞれ設けられた吐出口を備えており、前記不活性ガスを当該各吐出口から前記空間に吐出する、基板処理装置。
【請求項７】
請求項１から請求項６の何れか１つの請求項に記載の基板処理装置であって、
前記加熱用流路は前記ヒーターを上面から透視したときに少なくとも前記発熱体の下方に配設されている、基板処理装置。
【請求項８】
請求項１から請求項７の何れか１つの請求項に記載の基板処理装置であって、
前記加熱用流路は前記ヒーターの上面から透視したときに少なくとも１回折り返されて配設されている、基板処理装置。
【請求項９】
請求項１から請求項８の何れか１つの請求項に記載の基板処理装置であって、
前記ヒーターを上面から透視したときに、前記加熱用流路は前記ヒーターの内周面の周りを周方向に略一周した後、前記発熱体に沿った面内で前記ヒーターの外周面側に折り返されて、前記ヒーターを逆向きに略一周する配設を繰り返されている、基板処理装置。
【請求項１０】
請求項１から請求項９の何れか１つの請求項に記載の基板処理装置であって、
前記加熱用流路の長手方向における略中央部分に前記不活性ガスの導入孔が設けられている、基板処理装置。
【請求項１１】
請求項１から請求項１０の何れか１つの請求項に記載の基板処理装置であって、
前記加熱用流路は、前記基板側の天井面と、前記天井面に向かい合う底面と、前記天井面と前記底面とを繋ぐ一対の側面とを含む、基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイ用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用ガラス基板、太陽電池用基板、等（以下、単に「基板」という）の上面周縁部に、処理を施す技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
このような処理を行う基板処理装置として、特許文献１〜３には、基板に対向するヒーターによって基板を加熱しつつ、基板の上面に各種の薬液等の処理液を供給して基板の処理を行うものが示されている。基板の加熱によって、処理レートの向上などが図られている。
【０００３】
特許文献１の装置は、基板の上面の周縁部に対向するヒーターと、下面の周縁部に対向するヒーターとを備えており、これらのヒーターによって基板の周縁部を上下から加熱しつつ、上面の中央部に処理液を供給して上面全体の処理を行う。また、特許文献２の装置は、基板の下面全体に対向するヒーターによって、基板を全体的に加熱しつつ、上面の中央部に処理液を吐出して上面全体の処理を行う。また、特許文献３の装置は、基板の下面の周縁部に対向する環状のヒーターによって基板の周縁部を加熱しつつ、上面の周縁部に処理液を吐出して、上面周縁部の処理を行う。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００５−１４２２９０号公報
【特許文献２】特開２０１４−０７２３８９号公報
【特許文献３】特開２００３−２６４１６８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１〜３の装置では、基板とヒーターとの間に空間があり、基板の回転に伴って、基板とヒーターとの間の空間に基板の周縁部の周囲に存在する常温の雰囲気を巻き込む。常温の雰囲気によって基板が下面から冷却されるため、基板を加熱する効率が低下するといった問題がある。
【０００６】
本発明は、こうした問題を解決するためになされたもので、基板を効率良く加熱しながら基板の処理を行える技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の課題を解決するために、第１の態様に係る基板処理装置は、基板を略水平に保持し、所定の回転軸周りに回転可能に設けられた基板保持部と、前記基板保持部を前記回転軸周りに回転させる回転機構と、前記基板の処理面に薬液を吐出する薬液吐出部と、前記基板の処理面とは反対側の面と非接触で対向する対向面を備え、前記基板を加熱するヒーターと、前記基板の前記反対側の面と、前記ヒーターの前記対向面との間の空間に予め加熱された不活性ガスを吐出するガス吐出機構と、を備え、前記ヒーターは、前記対向面に沿って環状の帯状に延在する発熱体と、該発熱体と接合されて前記対向面を有する上部材とを備えるとともに、前記発熱体から前記上部材への伝熱によって前記対向面から前記基板の前記反対側の面に熱線を放射して前記基板を加熱し、前記ガス吐出機構は、前記不活性ガスを供給する流路として前記発熱体に沿って配設された加熱用流路を有し、前記加熱用流路の幅が前記発熱体の帯幅より狭い。
【０００８】
第２の態様に係る基板処理装置は、第１の態様に係る基板処理装置であって、前記ヒーターは前記基板の周縁部に沿って環状の帯状に設けられ、前記基板保持部は、ポンプに接続され、前記ポンプが負圧を供給すると、前記基板の処理面とは反対側の面の下方中央部を吸着することで前記基板を保持する。
【０００９】
第３の態様に係る基板処理装置は、第１または第２の態様に係る基板処理装置であって、前記ガス吐出機構は、前記加熱用流路を流れるときに前記ヒーターによって加熱された前記不活性ガスを前記空間に吐出する。
【００１０】
第４の態様に係る基板処理装置は、第１から第３の何れか１つの態様に係る基板処理装置であって、前記加熱用流路は、前記発熱体に沿って二次元的に配設されている。
【００１１】
第５の態様に係る発明は、第１から第４の何れか１つの態様に係る基板処理装置であって、前記加熱用流路は、前記発熱体に対して前記基板と反対側に配設されている。
【００１２】
第６の態様に係る基板処理装置は、第１から第５の何れか１つの態様に係る基板処理装置であって、前記ガス吐出機構は、前記ヒーターの外周縁部と、前記ヒーターの内周縁部とにそれぞれ設けられた吐出口を備えており、前記不活性ガスを当該各吐出口から前記空間に吐出する。
第７の態様に係る基板処理装置は、第１から第６の何れか１つの態様に係る基板処理装置であって、前記加熱用流路は前記ヒーターを上面から透視したときに少なくとも前記発熱体の下方に配設されている。
第８の態様に係る基板処理装置は、第１から第７の何れか１つの態様に係る基板処理装置であって、前記加熱用流路は、前記ヒーターの上面から透視したときに少なくとも１回折り返されて配設されている。
第９の態様に係る基板処理装置は、第１から第８の何れか１つの態様に係る基板処理装置であって、前記ヒーターを上面から透視したときに、前記加熱用流路は前記ヒーターの内周面の周りを周方向に略一周した後、前記発熱体に沿った面内で前記ヒーターの外周面側に折り返されて、前記ヒーターを逆向きに略一周する配設を繰り返されている。
第１０の態様に係る基板処理装置は、第１から第９の何れか１つの態様に係る基板処理装置であって、前記加熱用流路の長手方向における略中央部分に前記不活性ガスの導入孔が設けられている。
第１１の態様に係る基板処理装置は、第１から第１０の何れか１つの態様に係る基板処理装置であって、前記加熱用流路は、前記基板側の天井面と、前記天井面に向かい合う底面と、前記天井面と前記底面とを繋ぐ一対の側面とを含む。
【発明の効果】
【００１３】
第１の態様に係る発明によれば、基板処理装置は、基板の処理面とは反対側の面と、ヒーターの対向面との間の空間に予め加熱された不活性ガスを吐出する。従って、当該空間への雰囲気の入り込み抑制することにより加熱効率の低下を抑制するとともに、不活性ガスによっても加熱効率の低下を抑制することができる。従って、基板を効率良く加熱しながら基板の処理を行うことができる。
【００１４】
本願明細書に記載の発明によれば、ガス吐出機構は、ヒーターによって予め加熱された不活性ガスを吐出する。従って、不活性ガスを加熱するためのヒーターを別に設ける必要がないので基板処理装置に係るコストを抑制できる。
【００１５】
第３の態様に係る発明によれば、ガス吐出機構は、ヒーターの発熱体に沿って配設された加熱用流路を備え、加熱用流路を流れるときにヒーターによって加熱された不活性ガスを吐出する。従って、ヒーターによる不活性ガスの加熱効率を向上できる。
【００１６】
第４の態様に係る発明によれば、加熱用流路は、発熱体に沿って二次元的に配設されているので、ヒーターによる不活性ガスの加熱効率をさらに向上できる。
【００１７】
第５の態様に係る発明によれば、加熱用流路は、発熱体に対して基板と反対側に配設されているので、発熱体によって、基板と不活性ガスとの双方を効率的に加熱できる。
【００１８】
第６の態様に係る発明によれば、ガス吐出機構は、環状のヒーターの外周縁部と内周縁部とにそれぞれ設けられた吐出口を備えており、不活性ガスを各吐出口から吐出する。従って、ヒーターの周りの雰囲気が基板とヒーターとの間に入り込むことを効果的に抑制できる。従って、基板を効率的に加熱できる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】実施形態に係る基板処理装置の構成を説明するための側面模式図である。
【図２】図１の基板処理装置の構成を説明するための上面模式図である。
【図３】図１の基板処理装置の構成を説明するための概略斜視図である。
【図４】処理液の液流と不活性ガスのガス流が基板の周縁部に当たる各位置を模式的に示す上面図である。
【図５】図１のヒーターの上面模式図である。
【図６】図１のヒーターの上面模式図である。
【図７】図１のヒーターの上面模式図である。
【図８】図１のヒーターの断面模式図である。
【図９】図１のヒーターの断面模式図である。
【図１０】ヒーターと基板の間に吐出される不活性ガスの一例を示す図である。
【図１１】不活性ガスの流量と基板の周縁部の温度との関係の一例をグラフ形式で示す図である。
【図１２】図１の基板処理装置の動作の一例を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、図面を参照しながら、実施の形態について説明する。以下の実施の形態は、本発明を具体化した一例であり、本発明の技術的範囲を限定する事例ではない。また、以下に参照する各図では、理解容易のため、各部の寸法や数が誇張または簡略化して図示されている場合がある。上下方向は鉛直方向であり、スピンチャックに対して基板側が上である。
【００２１】
＜実施形態について＞
＜１．基板処理装置１の構成＞
基板処理装置１の構成について、図１〜図４を参照しながら説明する。図１〜図３は、実施形態に係る基板処理装置１の構成を説明するための図である。図１、図２は、基板処理装置１の側面模式図、上面模式図である。図３は、基板処理装置１を斜め上方からみた概略斜視図である。図４は、基板処理装置１が吐出する処理液の液流と、不活性ガスのガス流とが基板Ｗの周縁部に当たる各位置の位置関係の一例を示す基板Ｗの上面模式図である。
【００２２】
図１〜図３では、ノズルヘッド４８〜５０がそれぞれの処理位置に配置された状態で、基板Ｗがスピンチャック２１によって回転軸ａ１周りに所定の回転方向（矢印ＡＲ１の方向）に回転している状態が示されている。また、図２には、待避位置に配置されたノズルヘッド４８〜５０等が仮想線で示されている。図２、図３では、基板処理装置１の構成要素のうち飛散防止部３等の一部の構成要素の記載は省略されている。
【００２３】
基板Ｗの表面形状は略円形である。基板Ｗの基板処理装置１への搬入搬出は、ノズルヘッド４８〜５０等が待避位置に配置された状態で、ロボット等により行われる。基板処理装置１に搬入された基板Ｗは、スピンチャック２１により着脱自在に保持される。
【００２４】
なお、以下の説明において、「処理液」には、薬液処理に用いられる「薬液」と、薬液をすすぎ流すリンス処理に用いられる「リンス液（「洗浄液」とも称される）」と、が含まれる。
【００２５】
基板処理装置１は、回転保持機構２、飛散防止部３、表面保護部４、処理部５、ノズル移動機構６、加熱機構７および制御部１３０を備える。これら各部２〜７は、制御部１３０と電気的に接続されており、制御部１３０からの指示に応じて動作する。制御部１３０としては、例えば、一般的なコンピュータと同様のものを採用できる。すなわち、制御部１３０は、例えば、各種演算処理を行うＣＰＵ、基本プログラムを記憶する読み出し専用のメモリであるＲＯＭ、各種情報を記憶する読み書き自在のメモリであるＲＡＭ、制御用ソフトウェアやデータなどを記憶しておく磁気ディスク、等を備えている。制御部１３０においては、プログラムに記述された手順に従って主制御部としてのＣＰＵが演算処理を行うことにより、基板処理装置１の各部を制御する。
【００２６】
＜回転保持機構２＞
回転保持機構２は、基板Ｗを、その一方の主面を上方に向けた状態で、略水平姿勢に保持しつつ回転可能な機構である。回転保持機構２は、基板Ｗを、主面の中心ｃ１を通る鉛直な回転軸ａ１のまわりで回転させる。
【００２７】
回転保持機構２は、基板Ｗより小さい円板状の部材であるスピンチャック（「保持部材」）２１を備える。スピンチャック２１は、その上面が略水平となり、その中心軸が回転軸ａ１に一致するように設けられている。スピンチャック２１の下面には、円筒状の回転軸部２２が連結されている。回転軸部２２は、その軸線を鉛直方向に沿わすような姿勢で配置される。回転軸部２２の軸線は、回転軸ａ１と一致する。また、回転軸部２２には、回転駆動部（例えば、モータ）２３が接続される。回転駆動部２３は、回転軸部２２をその軸線まわりに回転駆動する。従って、スピンチャック２１は、回転軸部２２とともに回転軸ａ１周りに回転可能である。回転駆動部２３と回転軸部２２とは、スピンチャック２１を、回転軸ａ１を中心に回転させる回転機構２３１である。回転軸部２２および回転駆動部２３は、筒状のケーシング２４内に収容されている。
【００２８】
スピンチャック２１の中央部には、図示省略の貫通孔が設けられており、回転軸部２２の内部空間と連通している。内部空間には、図示省略の配管、開閉弁を介して図示省略のポンプが接続されている。当該ポンプ、開閉弁は、制御部１３０に電気的に接続されている。制御部１３０は、当該ポンプ、開閉弁の動作を制御する。当該ポンプは、制御部１３０の制御に従って、負圧と正圧とを選択的に供給可能である。基板Ｗがスピンチャック２１の上面に略水平姿勢で置かれた状態でポンプが負圧を供給すると、スピンチャック２１は、基板Ｗを下方から吸着保持する。ポンプが正圧を供給すると、基板Ｗは、スピンチャック２１の上面から取り外し可能となる。
【００２９】
この構成において、スピンチャック２１が基板Ｗを吸着保持した状態で、回転駆動部２３が回転軸部２２を回転すると、スピンチャック２１が鉛直方向に沿った軸線周りで回転される。これによって、スピンチャック２１上に保持された基板Ｗが、その面内の中心ｃ１を通る鉛直な回転軸ａ１を中心に矢印ＡＲ１方向に回転される。
【００３０】
なお、スピンチャック２１が、その上面の周縁部付近に適当な間隔をおいて設けられた複数個（例えば６個）のチャックピンを備え、当該複数のチャックピンによって基板Ｗを保持してもよい。この場合のスピンチャック２１は、基板Ｗより若干大きい円板状である。当該複数のチャックピンは、基板Ｗの主面の中心ｃ１が回転軸ａ１に一致するとともに、基板Ｗがスピンチャック２１の上面より僅かに高い位置で略水平姿勢となるように基板Ｗを着脱自在に保持する。各チャックピンの向きは、制御部１３０と電気的に接続されたモーター等によって、基板Ｗの周縁に当接して基板Ｗを保持する向きと、基板Ｗの周縁から離れて基板Ｗを開放する向きとに選択的に設定される。
【００３１】
＜飛散防止部３＞
飛散防止部３は、スピンチャック２１とともに回転される基板Ｗから飛散する処理液等を受け止める。
【００３２】
飛散防止部３は、スプラッシュガード３１を備える。スプラッシュガード３１は、上端が開放された筒形状の部材であり、回転保持機構２を取り囲むように設けられる。この実施の形態では、スプラッシュガード３１は、例えば、底部材３１１、内部材（「内側ガード」とも、単に「ガード」とも称する）３１２、および、外部材（「外側ガード」とも称する）３１３の３個の部材を含んで構成されている。外部材３１３が設けられていなくてもよいし、逆に、外部材３１３の外側に、回転保持機構２を取り囲むようにガードがさらに設けられてもよい。
【００３３】
底部材３１１は、上端が開放された筒形状の部材であり、円環状の底部と、底部の内側縁部から上方に延びる円筒状の内側壁部と、底部の外側縁部から上方に延びる円筒状の外側壁部と、を備える。内側壁部の少なくとも先端付近は、回転保持機構２のケーシング２４に設けられた鍔状部材２４１の内側空間に収容される。
【００３４】
底部には、内側壁部と外側壁部との間の空間と連通する排液溝（図示省略）が形成される。この排液溝は、工場の排液ラインと接続される。また、この排液溝には、溝内を強制的に排気して、内側壁部と外側壁部との間の空間を負圧状態とする排気液機構が接続されている。内側壁部と外側壁部との間の空間は、基板Ｗの処理に使用された処理液を集めて排液するための空間であり、この空間に集められた処理液は、排液溝から排液される。
【００３５】
内部材３１２は、上端が開放された筒形状の部材であり、内部材３１２の上部（「上端側部分」、「上端部分」）は内側上方に向かって延びている。すなわち、当該上部は、回転軸ａ１に向かって斜め上方に延びている。内部材３１２の下部には、上部の内周面に沿って下方に延びる筒状の内周壁部と、上部の外周面に沿って下方に延びる筒状の外周壁部とが形成される。底部材３１１と内部材３１２とが近接する状態において、底部材３１１の外側壁部は、内部材３１２の内周壁部と外周壁部との間に収容される。内部材３１２の上部が受けた処理液等は、底部材３１１を介して排出される。
【００３６】
外部材３１３は、上端が開放された筒形状の部材であり、内部材３１２の外側に設けられている。外部材３１３の上部（「上端側部分」、「上端部分」）は内側上方に向かって延びている。すなわち、当該上部は、回転軸ａ１に向かって斜め上方に延びている。下部は、内部材３１２の外周壁部に沿って下方に延びている。外部材３１３の上部が受けた処理液等は、内部材３１２の外周壁部と外部材３１３の下部との隙間から排出される。
【００３７】
スプラッシュガード３１には、これを昇降移動させるガード駆動機構（「昇降駆動部」）３２が配設されている。ガード駆動機構３２は、例えば、ステッピングモータにより構成される。この実施の形態では、ガード駆動機構３２は、スプラッシュガード３１が備える３個の部材３１１，３１２，３１３を、独立して昇降させる。
【００３８】
内部材３１２、および、外部材３１３の各々は、ガード駆動機構３２の駆動を受けて、各々の上方位置と下方位置との間で移動される。ここで、各部材３１２，３１３の上方位置は、当該部材３１２，３１３の上端縁部が、スピンチャック２１上に保持された基板Ｗの側方、かつ、上方に配置される位置である。一方、各部材３１２，３１３の下方位置は、当該部材３１２，３１３の上端縁部が、スピンチャック２１の上面よりも下方に配置される位置である。外部材３１３の上方位置（下方位置）は、内部材３１２の上方位置（下方位置）よりも若干上方に位置する。内部材３１２と外部材３１３とは、互いにぶつからないように同時に、若しくは順次に昇降される。底部材３１１は、その内側壁部が、ケーシング２４に設けられた鍔状部材２４１の内側空間に収容される位置と、その下方の位置との間でガード駆動機構３２によって駆動される。ただし、ガード駆動機構３２は、制御部１３０と電気的に接続されており、制御部１３０の制御下で動作する。つまり、スプラッシュガード３１の位置（具体的には、底部材３１１、内部材３１２、および、外部材３１３各々の位置）は、制御部１３０によって制御される。
【００３９】
＜表面保護部４＞
表面保護部４は、スピンチャック２１上に保持されて回転している基板Ｗの上面の周縁部に当たるように不活性ガスのガス流を吐出するガス吐出機構（「周縁部用ガス吐出機構」とも、「ガス吐出部」とも称される）４４Ａを備える。「不活性ガス」は、基板Ｗの材質およびその表面に形成された薄膜との反応性に乏しいガスであり、例えば、窒素（Ｎ２）ガス、アルゴンガス、ヘリウムガスなどである。ガス吐出機構４４Ａは、ガス吐出機構４４１、４４２を備えて構成されている。ガス吐出機構４４１、４４２は、不活性ガスを、例えば、ガス柱状のガス流Ｇ１、Ｇ２として吐出する。ガス吐出機構４４２は、ガス吐出機構４４１が吐出するガス流Ｇ１が基板Ｗの周縁部に当たる位置（「第１位置」）Ｐ１よりも基板Ｗの回転方向の上流側の位置（「第２位置」）Ｐ２に当たるように不活性ガスのガス流Ｇ２を吐出する。
【００４０】
表面保護部４は、スピンチャック２１上に保持されて回転している基板Ｗの上面の中央付近に対して不活性ガスのガス流Ｇ３を吐出するガス吐出機構（「中央部用ガス吐出機構」とも、「他のガス吐出部」とも称される）４４３をさらに備える。表面保護部４は、ガス吐出機構４４１〜４４３から基板Ｗの上面に不活性ガスのガス流Ｇ１〜Ｇ３を吐出することによって、基板Ｗの上面の周縁部に規定される環状の処理領域Ｓ３（図４）に当たるように吐出された処理液等から基板Ｗの上面の非処理領域（「デバイス領域」）Ｓ４（図４）を保護する。非処理領域Ｓ４は、基板Ｗの上面のうち処理領域Ｓ３以外の領域である。
【００４１】
ガス吐出機構４４Ａは、ノズルヘッド４８を備える。ガス吐出機構４４３は、ノズルヘッド４９を備える。ノズルヘッド４８、４９は、後述するノズル移動機構６が備える長尺のアーム６１、６２の先端に取り付けられている。アーム６１、６２は、水平面に沿って延在する。ノズル移動機構６は、アーム６１、６２を移動させることによって、ノズルヘッド４８、４９をそれぞれの処理位置と退避位置との間で移動させる。
【００４２】
ノズルヘッド４８は、ノズル４１、４２と、これらを保持する保持部材とを備える。保持部材は、例えば、水平面に沿って延在する板状部材と、当該板状部材の一端から上方に突出する突出部材とが接合されて形成されており、Ｌ字形の断面形状を有している。当該突出部材の先端は、アーム６１の先端に取り付けられており、当該板状部材は、アーム６１の基端に対してアーム６１の先端よりもアーム６１の延在方向にさらに突き出ている。ノズル４１、４２は、当該板状部材を鉛直方向に貫通した状態で、当該板状部材によって保持されている。ノズル４１、４２の先端部（下端部）は、当該板状部材の下面から下方に突出し、上端部は上面から上方に突出している。ノズル４１、４２の上端には、配管４７１、４７２の一端が接続されている。配管４７１、４７２の他端は、ガス供給源４５１、４５２に接続している。配管４７１の経路途中には、ガス供給源４５１側から順に流量制御器４８１、開閉弁４６１が設けられ、配管４７２の経路途中には、ガス供給源４５２側から順に流量制御器４８２、開閉弁４６２が設けられている。
【００４３】
ここで、ノズル移動機構６がノズルヘッド４８を、その処理位置に配置すると、ノズル４１の吐出口は、回転保持機構２が回転させる基板Ｗの周縁部の回転軌跡の一部に対向し、ノズル４２の吐出口は、当該回転軌跡の他の一部に対向する。
【００４４】
ノズルヘッド４８が処理位置に配置されている状態において、ノズル４１、４２は、ガス供給源４５１、４５２から不活性ガス（図示の例では、窒素（Ｎ２）ガス）を供給される。ノズル４１は、供給された不活性ガスのガス流Ｇ１を基板Ｗの周縁部の回転軌跡に規定される位置Ｐ１に当たるように上方から吐出する。ノズル４１は、吐出したガス流Ｇ１が位置Ｐ１に達した後、位置Ｐ１から基板Ｗの周縁に向かって流れるように、ガス流Ｇ１を吐出口から定められた方向に吐出する。ノズル４２は、供給された不活性ガスのガス流Ｇ２が当該回転軌跡上に規定される位置Ｐ２（「第２位置」）（図４）に当たるように、ガス流Ｇ２を上方から吐出する。ノズル４２は、吐出したガス流Ｇ２が位置Ｐ２に達した後、位置Ｐ２から基板Ｗの周縁に向かって流れるように、ガス流Ｇ２を吐出口から定められた方向に吐出する。
【００４５】
基板Ｗの半径は、例えば、１５０ｍｍである。基板Ｗの「周縁部」は、例えば、基板Ｗの周縁から幅Ｄ２の環状部分である。周縁部の幅Ｄ２は、例えば、３ｍｍ〜３０ｍｍである。処理領域Ｓ３は、基板Ｗの周縁から幅Ｄ３の環状部分である。処理領域Ｓ３の幅Ｄ３は、例えば、１ｍｍ〜５ｍｍである。
【００４６】
後述する処理部５のノズルヘッド５０から吐出される処理液の液流Ｌ１は、基板Ｗの上面周縁部の回転軌跡上に規定される位置（「着液位置」）ＰＬ（図４）に当たる。液流Ｌ１の基板Ｗの径方向の幅Ｄ１は、例えば、０．５ｍｍ〜２．５ｍｍである。ノズルヘッド５０は、複数のノズル５１ａ〜５１ｄのそれぞれから選択的に処理液の液流Ｌ１を吐出することができる。位置ＰＬは、ノズル５１ａ〜５１ｄの配置および処理液の吐出方向に応じて、若干変動する。位置Ｐ１は、ノズル５１ａ〜５１ｄの何れに対応する位置ＰＬに対しても、基板Ｗの周方向に沿って基板Ｗの回転方向の上流側に位置する。また、位置Ｐ２は、位置Ｐ１よりも基板Ｗの周方向に沿って、基板Ｗの回転方向の上流側に位置する。
【００４７】
すなわち、ガス吐出機構４４Ａは、基板Ｗの周縁部の回転軌跡のうち処理部５から吐出される処理液が当たる位置ＰＬよりも、基板Ｗの周方向に沿って基板Ｗの回転方向の上流側の位置Ｐ１に向けて上方から不活性ガスのガス流（「第１ガス流」）Ｇ１を吐出する。ガス吐出機構４４Ａは、吐出したガス流Ｇ１が位置Ｐ１から基板Ｗの周縁に向かうようにガス流Ｇ１を定められた方向に吐出する。また、ガス吐出機構４４Ａは、当該回転軌跡のうち位置Ｐ１よりも基板Ｗの周方向に沿って基板Ｗの回転方向の上流側の位置Ｐ２に向けて上方から不活性ガスのガス流（「第２ガス流」）Ｇ２を吐出する。ガス吐出機構４４Ａは、吐出したガス流Ｇ２が位置Ｐ２から基板Ｗの周縁に向かうようにガス流Ｇ２を定められた方向に吐出する。
【００４８】
ガス吐出機構４４３のノズルヘッド４９は、アーム６２の先端部の下面に取り付けられた円柱部材９３と、円柱部材９３の下面に取り付けられた円板状の遮断板９０と、円筒状のノズル４３とを備えている。円柱部材９３の軸線と遮断板９０の軸線とは、一致しており、それぞれ鉛直方向に沿う。遮断板９０の下面は、水平面に沿う。ノズル４３は、その軸線が遮断板９０、円柱部材９３の軸線と一致するように、円柱部材９３、遮断板９０を鉛直方向に貫通している。ノズル４３の上端部は、さらにアーム６２の先端部も貫通して、アーム６２の上面に開口する。ノズル４３の上側の開口には、配管４７３の一端が接続されている。配管４７３の他端は、ガス供給源４５３に接続している。配管４７３の経路途中には、ガス供給源４５３側から順に流量制御器４８３、開閉弁４６３が設けられている。ノズル４３の下端は、遮断板９０の下面に開口している。当該開口は、ノズル４３の吐出口である。
【００４９】
ノズル移動機構６がノズルヘッド４９をその処理位置に配置すると、ノズル４３の吐出口は、基板Ｗの上面の中心付近に対向する。この状態において、ノズル４３は、配管４７３を介してガス供給源４５３から不活性ガス（図示の例では、窒素（Ｎ２）ガス）を供給される。ノズル４３は、供給された不活性ガスを基板Ｗの上面の中心付近に向けて不活性ガスのガス流Ｇ３として吐出する。ガス流Ｇ３は、基板Ｗの中央部分の上方から基板Ｗの周縁に向かって放射状に広がる。すなわち、ガス吐出機構４４３は、基板Ｗの上面の中央部分の上方から不活性ガスを吐出して、当該中央部分の上方から基板Ｗの周縁に向かって広がるガス流を生成させる。
【００５０】
流量制御器４８１〜４８３は、例えば、それぞれが設けられている配管４７１〜４７３に流れるガスの流量を検出する流量計と、弁の開閉量に応じて当該ガスの流量を調節可能な可変バルブとを備えて構成されている。制御部１３０は、流量制御器４８１〜４８３のそれぞれについて、流量計が検出する流量が目標流量になるように、図示省略のバルブ制御機構を介して流量制御器４８１〜４８３の可変バルブの開閉量を制御する。制御部１３０は、予め設定された設定情報に従って所定の範囲内で目標流量を設定することによって、流量制御器４８１〜４８３を通過する各ガスの流量を所定の範囲内で自在に制御することができる。また、制御部１３０は、当該バルブ制御機構を介して開閉弁４６１〜４６３を開状態または閉状態に制御する。従って、ノズル４１〜４３からのガス流Ｇ１〜Ｇ３の吐出態様（具体的には、吐出開始タイミング、吐出終了タイミング、吐出流量、等）は、制御部１３０によって制御される。
【００５１】
また、ガス流Ｇ１、Ｇ２によって残留処理液を飛ばすときの飛ばし易さは、基板Ｗの表面の膜質によって異なる。疎水性の膜質と親水性の膜質とでは、疎水性の膜質の方が残留処理液を飛ばしにくく、親水性の膜質の方が飛ばしやすい。従って、ガス流Ｇ１の吐出態様は、好ましくは基板Ｗの表面の膜質に応じて設定される。
【００５２】
＜処理部５＞
処理部５は、スピンチャック２１上に保持された基板Ｗの上面周縁部における処理領域Ｓ３に対する処理を行う。具体的には、処理部５は、スピンチャック２１上に保持された基板Ｗの処理領域Ｓ３に処理液を供給する。
【００５３】
処理部５は、処理液吐出機構８３Ａを備える。処理液吐出機構８３Ａは、スピンチャック２１上に保持されて回転している基板Ｗの上面（処理面）の周縁部（より詳細には、周縁部のうち処理領域Ｓ３）の一部に当たるように処理液の液流Ｌ１を吐出する。液流Ｌ１は、液柱状である。処理液吐出機構８３Ａは、ノズルヘッド５０を備える。ノズルヘッド５０は、ノズル移動機構６が備える長尺のアーム６３の先端に取り付けられている。アーム６３は、水平面に沿って延在する。ノズル移動機構６は、アーム６３を移動させることによって、ノズルヘッド５０をその処理位置と退避位置との間で移動させる。
【００５４】
ノズルヘッド５０は、ノズル５１ａ〜５１ｄと、これらを保持する保持部材とを備える。保持部材は、例えば、水平面に沿って延在する板状部材と、当該板状部材の一端から上方に突出する突出部材とが接合されて形成されており、Ｌ字形の断面形状を有している。当該突出部材の先端は、アーム６３の先端に取り付けられており、当該板状部材は、アーム６３の基端に対してアーム６３の先端よりもアーム６３の延在方向にさらに突き出ている。ノズル５１ａ〜５１ｄは、当該板状部材の先端側から順にアーム６３の延在方向に沿って一列に並んで配置されている。ノズル５１ａ〜５１ｄ当該板状部材を鉛直方向に貫通した状態で、当該板状部材によって保持されている。ノズル５１ａ〜５１ｄの先端部（下端部）は、当該板状部材の下面から下方に突出しており先端に吐出口を備える。ノズル５１ａ〜５１ｄの基端部（上端部）は、当該板状部材の上面から上方に突出している。
【００５５】
ノズル５１ａ〜５１ｄには、これらに処理液を供給する配管系である処理液供給部８３が接続されている。具体的には、ノズル５１ａ〜５１ｄの上端には、処理液供給部８３の配管８３２ａ〜８３２ｄの一端が接続している。ノズル５１ａ〜５１ｄは、処理液供給部８３から処理液をそれぞれ供給され、供給された処理液を先端の吐出口からそれぞれ吐出する。処理液吐出機構８３Ａは、ノズル５１ａ〜５１ｄのうち制御部１３０に設定された制御情報によって定まる１つのノズルから、制御部１３０の制御に従って処理液の液流Ｌ１を吐出する。図示の例では、ノズル５１ｃから処理液の液流Ｌ１が吐出されている。
【００５６】
処理液供給部８３は、具体的には、ＳＣ−１供給源８３１ａ、ＤＨＦ供給源８３１ｂ、ＳＣ−２供給源８３１ｃ、リンス液供給源８３１ｄ、複数の配管８３２ａ，８３２ｂ，８３２ｃ，８３２ｄ、および、複数の開閉弁８３３ａ，８３３ｂ，８３３ｃ，８３３ｄを、組み合わせて構成されている。ＳＣ−１、ＤＨＦ、ＳＣ−２は、薬液である。従って、処理液吐出機構８３Ａは、基板Ｗの周縁部に薬液を吐出する薬液吐出部である。
【００５７】
ＳＣ−１供給源８３１ａは、ＳＣ−１を供給する供給源である。ＳＣ−１供給源８３１ａは、開閉弁８３３ａが介挿された配管８３２ａを介して、ノズル５１ａに接続されている。したがって、開閉弁８３３ａが開放されると、ＳＣ−１供給源８３１ａから供給されるＳＣ−１が、ノズル５１ａから吐出される。
【００５８】
ＤＨＦ供給源８３１ｂは、ＤＨＦを供給する供給源である。ＤＨＦ供給源８３１ｂは、開閉弁８３３ｂが介挿された配管８３２ｂを介して、ノズル５１ｂに接続されている。したがって、開閉弁８３３ｂが開放されると、ＤＨＦ供給源８３１ｂから供給されるＤＨＦが、ノズル５１ｂから吐出される。
【００５９】
ＳＣ−２供給源８３１ｃは、ＳＣ−２を供給する供給源である。ＳＣ−２供給源８３１ｃは、開閉弁８３３ｃが介挿された配管８３２ｃを介して、ノズル５１ｃに接続されている。したがって、開閉弁８３３ｃが開放されると、ＳＣ−２供給源８３１ｃから供給されるＳＣ−２が、ノズル５１ｃから吐出される。
【００６０】
リンス液供給源８３１ｄは、リンス液を供給する供給源である。ここでは、リンス液供給源８３１ｄは、例えば、純水を、リンス液として供給する。リンス液供給源８３１ｄは、開閉弁８３３ｄが介挿された配管８３２ｄを介して、ノズル５１ｄに接続されている。したがって、開閉弁８３３ｄが開放されると、リンス液供給源８３１ｄから供給されるリンス液が、ノズル５１ｄから吐出される。なお、リンス液として、純水、温水、オゾン水、磁気水、還元水（水素水）、各種の有機溶剤（イオン水、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）、機能水（ＣＯ２水など）、などが用いられてもよい。
【００６１】
処理液供給部８３は、ＳＣ−１、ＤＨＦ、ＳＣ−２、および、リンス液を選択的に供給する。処理液供給部８３から処理液（ＳＣ−１、ＤＨＦ、ＳＣ−２、あるいは、リンス液）がノズル５１ａ〜５１ｄのうち対応するノズルに供給されると、回転している基板Ｗの上面周縁部の処理領域Ｓ３に当たるように、当該ノズルは当該処理液の液流Ｌ１を吐出する。ただし、処理液供給部８３が備える開閉弁８３３ａ，８３３ｂ，８３３ｃ，８３３ｄの各々は、制御部１３０と電気的に接続されている図示省略のバルブ開閉機構によって、制御部１３０の制御下で開閉される。つまり、ノズルヘッド５０のノズルからの処理液の吐出態様（具体的には、吐出される処理液の種類、吐出開始タイミング、吐出終了タイミング、吐出流量、等）は、制御部１３０によって制御される。すなわち、処理液吐出機構８３Ａは、制御部１３０の制御によって、回転軸ａ１を中心に回転している基板Ｗの上面周縁部の回転軌跡のうち位置ＰＬに当たるように処理液の液流Ｌ１を吐出する。
【００６２】
＜ノズル移動機構６＞
ノズル移動機構６は、ガス吐出機構４４Ａ、４４３および処理液吐出機構８３Ａのノズルヘッド４８〜５０をそれぞれの処理位置と退避位置との間で移動させる機構である。
【００６３】
ノズル移動機構６は、水平に延在するアーム６１〜６３、ノズル基台６４〜６６、駆動部６７〜６９を備える。ノズルヘッド４８〜５０は、アーム６１〜６３の先端部分に取り付けられている。
【００６４】
アーム６１〜６３の基端部は、ノズル基台６４〜６６の上端部分に連結されている。ノズル基台６４〜６６は、その軸線を鉛直方向に沿わすような姿勢でケーシング２４の周りに分散して配置されている。ノズル基台６４〜６６は、その軸線に沿って鉛直方向に延在し、軸線周りに回転可能な回転軸をそれぞれ備えている。ノズル基台６４〜６６の軸線と各回転軸の軸線とは一致する。各回転軸の上端には、ノズル基台６４〜６６の上端部分がそれぞれ取り付けられている。各回転軸が回転することにより、ノズル基台６４〜６６の各上端部分は各回転軸の軸線、すなわちノズル基台６４〜６６の軸線を中心に回転する。ノズル基台６４〜６６には、それぞれの回転軸を軸線周りに回転させる駆動部６７〜６９が設けられている。駆動部６７〜６９は、例えば、ステッピングモータなどをそれぞれ備えて構成される。
【００６５】
駆動部６７〜６９は、ノズル基台６４〜６６の回転軸を介してノズル基台６４〜６６の上端部分をそれぞれ回転させる。各上端部分の回転に伴って、ノズルヘッド４８〜５０もノズル基台６４〜６６の軸線周りに回転する。これにより、駆動部６７〜６９は、ノズルヘッド４８〜５０をそれぞれの処理位置と、退避位置との間で水平に移動させる。
【００６６】
ノズルヘッド４８が処理位置に配置されると、ノズル４１の吐出口は、回転保持機構２が回転させる基板Ｗの周縁部の回転軌跡の一部に対向し、ノズル４２の吐出口は、当該回転軌跡の他の一部に対向する。
【００６７】
ノズルヘッド４９が処理位置に配置されると、ノズル４３は、基板Ｗの中心ｃ１の上方に位置し、ノズル４３の軸線は、スピンチャック２１の回転軸ａ１に一致する。ノズル４３の吐出口（下側の開口）は、基板Ｗの中心部に対向する。また、遮断板９０の下面は、基板Ｗの上面と平行に対向する。遮断板９０は、基板Ｗの上面と非接触状態で近接する。
【００６８】
ノズルヘッド５０が処理位置に配置されると、ノズル５１ａ〜５１ｄが処理位置に配置される。より厳密には、例えば、ノズル５１ａ〜５１ｄがアーム６３の延在方向に沿って１列に配置されている場合には、ノズル５１ａ〜５１ｄと、円形の基板Ｗの周縁との各距離は、通常、相互に僅かに異なる。処理領域Ｓ３の幅の細い場合でも、ノズル５１ａ〜５１ｄから選択的に吐出される処理液が処理領域Ｓ３に当たるように、駆動部６９は、ノズル５１ａ〜ノズル５１ｄのうち処理液を吐出するノズルに応じて、ノズルヘッド５０の処理位置を制御部１３０の制御下で調節する。
【００６９】
ノズルヘッド４８〜５０の各待避位置は、これらが基板Ｗの搬送経路と干渉せず、かつ、これらが相互に干渉しない各位置である。各退避位置は、例えば、スプラッシュガード３１の外側、かつ、上方の位置である。
【００７０】
駆動部６７〜６９は、制御部１３０と電気的に接続されており、制御部１３０の制御下で動作する。制御部１３０は、ガス流Ｇ１、Ｇ２、液流Ｌ１が基板Ｗの周縁部の回転軌跡における位置Ｐ１、Ｐ２、ＰＬに当たるように、処理位置へのノズルヘッド４８、５０の配置を予め設定された設定情報に従ってノズル移動機構６に行わせる。位置Ｐ１、Ｐ２、ＰＬは、当該設定情報を変更することによって調節される。また、制御部１３０は、ガス流Ｇ３が基板Ｗの中心付近に当たるように、処理位置へのノズルヘッド４９の配置を当該設定情報に従ってノズル移動機構６に行わせる。つまり、ノズルヘッド４８〜５０の位置は、制御部１３０によって制御される。すなわち、ノズル４１〜４３、５１ａ〜５１ｄの位置は、制御部１３０によって制御される。
【００７１】
位置Ｐ１、Ｐ２、ＰＬの制御に関して、基板Ｗの中心ｃ１と処理液の着液位置である位置ＰＬとを結ぶ線分と、中心ｃ１とガス流Ｇ２が当たる位置Ｐ２とを結ぶ線分との双方の線分が挟む中心角θ（図４）は、好ましくは１８０°以下に設定され、さらに好ましくは９０°以下に設定され、さらにより好ましくは４５°以下に設定される。これは、中心角θが小さい方が、残留処理液を長く基板Ｗの処理領域Ｓ３の各部に留まらせることができて処理レートを向上させることができるからである。
【００７２】
基板Ｗの表面周縁部の回転軌跡における位置ＰＬに吐出された処理液の液流Ｌ１は、液膜となって処理領域Ｓ３に付着した状態で基板Ｗの周方向に移動する。当該移動の過程で、処理液の液膜が付着している部分と、位置ＰＬとを基板Ｗの端面に沿って結ぶ円弧の上に立つ中心角は大きくなる。処理液の液膜には、当該移動の過程で基板Ｗの回転による遠心力が作用する。このため、当該中心角が９０度に達するまでに、処理液の約８０％が基板Ｗの外部に排出される。この割合は、基板Ｗの回転速度、膜質、吐出される処理液の液量、粘性等によって変動する。
【００７３】
処理領域Ｓ３の幅、すなわちエッチング処理等を行いたい幅が１ｍｍであれば、処理液の液流Ｌ１は、基板Ｗの周縁から幅０．５ｍｍの範囲に当たるように吐出されることが好ましい。この場合に、非処理領域Ｓ４へ達する液跳ねを抑制しつつ、残留処理液を基板Ｗ上から効率良く除くためには、不活性ガスのガス流Ｇ１、Ｇ２の断面の中心が、基板Ｗの周縁から、例えば、４ｍｍ〜８ｍｍの範囲に当たるように、ガス流Ｇ１、Ｇ２を吐出することが好ましい。基板Ｗの周縁部に付着する残留処理液の液膜の幅は、通常、位置ＰＬに当たる処理液の液流Ｌ１の幅よりも広がる。従って、上述のように、基板Ｗの周縁部に当たる処理液の液流Ｌ１の幅よりも、不活性ガスのガス流Ｇ１、Ｇ２の幅の方が広いことがより好ましい。具体的には、不活性ガスのガス流Ｇ１、Ｇ２の幅は、液流Ｌ１の幅の、例えば、３倍から５倍に設定されることが好ましい。これにより、基板Ｗの周縁部に付着している残留処理液をガス流Ｇ１、Ｇ２によって効率良く基板Ｗの外部に排出できる。
【００７４】
＜加熱機構７＞
基板Ｗの下面周縁部の下方には、加熱機構７が設けられている。加熱機構７は、基板Ｗの下面周縁部に沿って基板Ｗの周方向に延在する環状のヒーター７１と、ガス吐出機構（「遮断用ガス吐出機構」）４４４と、ヒーター７１への電力の供給を制御部１３０の制御に従って行う図示省略の電気回路を備える。
【００７５】
図５〜図７は、加熱機構７のうちヒーター７１部分の上面模式図である。図５では、ヒーター７１が内蔵する発熱体７３、加熱用流路７４が示されている。図６は、視認容易のために、図５から加熱用流路７４の記載を省いた図であり、図７は、図５から発熱体７３の記載を省いた図である。発熱体７３は、発熱体７３が配設されている領域（配設領域）によって示されている。加熱用流路７４は、発熱体７３の下方に配設されている。
【００７６】
図８、図９は、加熱機構７のうちヒーター７１部分の断面模式図である。図８は、ヒーター７１を、図５の切断面線Ｉ−Ｉ、ＩＩ−ＩＩで切断した縦断面図であり、図９は、ヒーター７１を、図５の切断面線ＩＩＩ−ＩＩＩ、ＩＶ−ＩＶで切断した縦断面図である。
【００７７】
ヒーター７１は、基板Ｗの下面のうちスピンチャック２１の上面が当接していない部分と非接触で対向するように、下面周縁部の下方において、スピンチャック２１の周りに環状（より詳細には、環状の帯状）に配設されている。ヒーター７１は、環状の板状形状を有している。ヒーター７１の対向面（上面）Ｓ７は、基板Ｗの下面と平行である。対向面Ｓ７は、基板Ｗの下面（すなわち、処理面である上面とは反対側の面）と、例えば、２ｍｍ〜５ｍｍ程度の距離を隔てて対向している。
【００７８】
ヒーター７１は、例えば、ケーシング２４から立設された図示省略の保持部材によって保持されている。ヒーター７１は、薬液による基板Ｗの処理レートを向上させるために設けられており、基板Ｗの周縁部を下面側から加熱する。加熱機構７は、図示省略の移動機構（例えば、モーターなど）を更に備える。当該移動機構は、ヒーター７１を上下動させて、処理位置、若しくは処理位置の下方の退避位置にヒーター７１を配置する。退避位置は、基板処理装置１への基板Ｗの搬入搬出時にヒーター７１が基板Ｗの搬送経路と干渉しない位置である。ヒーター７１が処理位置に配置された状態でヒーター７１に電力が供給され、ヒーター７１は発熱して、基板Ｗの周縁部を加熱する。
【００７９】
ガス吐出機構４４４は、ヒーター７１に内蔵された加熱用流路７４に不活性ガスを供給する。不活性ガスは、加熱用流路７４を流れる間にヒーター７１によって予め加熱される。ガス吐出機構４４４は、加熱された不活性ガスを、ヒーター７１の上面（対向面Ｓ７）と、基板Ｗの下面との間の空間Ｖ１に吐出する。空間Ｖ１に吐出された不活性ガスは、ヒーター７１の周囲に存在する雰囲気が空間Ｖ１に入り込むことを抑制するとともに、基板Ｗの加熱も行う。
【００８０】
ヒーター７１は、例えば、炭化ケイ素（ＳｉＣ）やセラミックス製の本体部７２に、発熱体（例えば、ニクロム線などの抵抗発熱体）７３が内蔵された抵抗式のヒーターである。発熱体７３は、ヒーター７１の対向面Ｓ７のうち外周縁部と内周縁部とを除いた環状（より詳細には、環状の帯状）の部分の下方において、当該環状の部分に沿って規定される環状（より詳細には、環状の帯状）の配設領域の全体にわたって配設されている。発熱体７３の配設領域は、基板Ｗの下面およびヒーター７１の対向面Ｓ７と平行である。発熱体７３の配設領域が基板Ｗの下面と平行であれば、基板Ｗを均一に加熱しやすくなるので好ましい。また、ヒーター７１の内部には図示省略の温度センサも配設されている。温度センサは、ヒーター７１の温度を測定し、その測定結果を制御部１３０に伝達する。制御部１３０は、当該測定結果に基づいて、発熱体７３への電力の供給を制御する。
【００８１】
加熱用流路７４は、発熱体７３の下方において発熱体７３に沿って配設されている。すなわち、加熱用流路７４は、発熱体７３に対して基板Ｗと反対側に配設されている。この場合には、基板Ｗと発熱体７３との間に加熱用流路７４が存在しないので、基板Ｗを均一に加熱することが容易になる。また、発熱体７３から基板Ｗへの輻射熱および伝熱が、加熱用流路７４を流れる不活性ガスによって阻害されない。加熱用流路７４が基板Ｗと発熱体７３との間に配設されていてもよい。加熱用流路７４が発熱体７３に沿って配設されていると言えるためには、加熱用流路７４が発熱体７３の配設領域に沿って配設されていれば足りる。加熱用流路７４が発熱体７３に沿って配設されていれば、加熱用流路７４の各部を均一に加熱することが容易になる。従って、加熱用流路７４の各部を流れる不活性ガスを均一に加熱することが容易になる。
【００８２】
ヒーター７１の本体部７２は、例えば、下方から上方に向かって順次に積層された下部材７２ａ、中部材７２ｂ、および上部材７２ｃを備えて形成されている。各部材７２ａ〜７２ｃは、基板Ｗの下面周縁部に沿って基板Ｗの周方向に延在する環状の板状部材である。
【００８３】
下部材７２ａの上面には、加熱用流路７４を形成する凹み部が延設されている。当該凹み部は、底面と、当該底面の幅方向の両端から立設された一対の側面とを備えている。これらの底面と一対の側面とは、加熱用流路７４の底面と、一対の側面である。
【００８４】
下部材７２ａの上には中部材７２ｂが、例えば、ボルト等（図示省略）によって接合されている。下部材７２ａの上面と中部材７２ｂの下面とは密着している。中部材７２ｂの下面のうち下部材７２ａの上面に形成された凹み部を塞いでいる部分は、加熱用流路７４の天井面である。中部材７２ｂの上面には、発熱体７３を配設するための環状の浅い凹み部が下部材７２ａの周方向に沿って設けられている。発熱体７３は、当該凹み部に配設されている。当該凹み部は、発熱体７３の配設領域である。
【００８５】
発熱体７３が配設された中部材７２ｂの上には上部材７２ｃが、例えば、ボルト等（図示省略）によって接合されている。中部材７２ｂの上面と上部材７２ｃの下面とは、中部材７２ｂの上面に設けられた凹み部を除いて互いに密着している。上部材７２ｃの上面は、ヒーター７１の対向面Ｓ７である。
【００８６】
図６に示される例では、加熱用流路７４は、ヒーター７１の内周面の周りを周方向に略一周した後、対向面Ｓ７に沿った面内でヒーター７１の外周面側に折り返されて、ヒーター７１を逆向きに略一周する配設を繰り返されている。これにより、加熱用流路７４は、ヒーター７１の内周面の周囲を周方向に略一周する度に折り返されて略４周するように、ヒーター７１の内周面側から外周面側にわたって配設されている。加熱用流路７４は、ヒーター７１の縦断面の４箇所をヒーター７１の周方向に横切っている。この４箇所は、ヒーター７１の径方向に沿って順次に間隔を空けて並んでいる。加熱用流路７４のうち最も内側（内周側）の部分、すなわち最も小径の部分は、上方から透視すると、ヒーター７１の内周縁と、発熱体７３の配設領域の内周縁とのそれぞれに沿って、双方の内周縁の間に配設されている。加熱用流路７４のうち最も外側（外周側）の部分、すなわち最も大径の部分は、上方から透視すると、発熱体７３の配設領域の外周縁と、ヒーター７１の外周縁とのそれぞれに沿って、双方の外周縁の間に配設されている。
【００８７】
上述のように、発熱体７３の配設領域は、基板Ｗの下面と平行である。加熱用流路７４は、発熱体７３の下方において、発熱体７３に沿って二次元的に配設されている。加熱用流路７４が二次元的に配設されていると言えるためには、加熱用流路７４が全体にわたって配設されている仮想平面が把握できれば足りる。加熱用流路７４が発熱体７３に沿って二次元的に配設されていれば、加熱用流路７４を長くすることができるとともに、加熱用流路７４の各部と、発熱体７３との距離を均一にできる。従って、加熱用流路７４の各部を流れる不活性ガスを発熱体７３によって十分に加熱することが容易になるとともに、加熱用流路７４の各部を流れる不活性ガスを当該各部において均一に加熱することが容易になる。
【００８８】
加熱用流路７４のうち発熱体７３の下方において発熱体７３に沿って配設されている部分の長さが長い程、加熱用流路７４を流れる不活性ガスは、発熱体７３によって長時間加熱される。加熱用流路７４の配設経路として、例えば、発熱体７３の下方で蛇行しつつヒーター７１の周方向に周回する経路などの各種の配設経路を採用することができる。図７に示される例では、加熱用流路７４は、ヒーター７１の内周面の周りを略４周しているが、周回数は４周よりも少なくてもよいし、多くてもよい。また、加熱用流路７４が発熱体７３に沿って一次元的に配設されていてもよいし、三次元的に配設されていてもよい。加熱用流路７４が三次元的に配設されていると言えるためには、加熱用流路７４が全体にわたって配設されている三次元領域を把握できればよい。
【００８９】
ヒーター７１の下側部分には、加熱用流路７４に不活性ガスを導入するための導入孔７５が形成されている。導入孔７５の下端は、下部材７２ａの下面に開口し、導入孔７５の上端は、加熱用流路７４の長手方向における略中央部分の底面に開口している。導入孔７５の下端には、配管４７４の他端が接続されている。導入孔７５は、配管４７４と加熱用流路７４とのそれぞれと連通している。ガス吐出機構４４４のガス供給源４５４から配管４７４を経て供給される不活性ガスは、導入孔７５を経て加熱用流路７４に導入される。
【００９０】
ヒーター７１の対向面Ｓ７には、複数（図示の例では１２個）の吐出口７８と複数（図示の例では１２個）の吐出口７９とが基板Ｗの下面に対向して設けられている。
【００９１】
複数の吐出口７８は、ヒーター７１の外周縁部に設けられており、複数の吐出口７９は、ヒーター７１の内周縁部に設けられている。より詳細には、複数の吐出口７８は、上面視において、ヒーター７１の外周縁と、発熱体７３の配設領域の外周縁との双方の外周縁との間に、ヒーター７１の周方向に分散して配設されている。複数の吐出口７９は、上面視において、ヒーター７１の内周縁と、発熱体７３の配設領域の内周縁との双方の内周縁との間に、ヒーター７１の周方向に分散して配設されている。これにより、不活性ガスの吐出口と加熱用流路７４とを結ぶ流路（貫通孔７６、７７）の配設が容易になるので、ヒーター７１に加熱用流路７４を設けてヒーター７１の対向面Ｓ７に形成された吐出口からガスを吐出する構成の実現が容易になる。また、当該ヒーター７１を小型化することも容易になる。
【００９２】
複数の吐出口７８は、複数の貫通孔７６によって、例えば、加熱用流路７４のうち最も外側（外周側）を周回する流路と接続されている。複数の吐出口７９は、複数の貫通孔７７によって、例えば、加熱用流路７４のうち最も内側（内周側）を周回する流路と接続されている。複数の貫通孔７６、７７は、上部材７２ｃ、中部材７２ｂを上下方向に貫通している。複数の貫通孔７６は、加熱用流路７４のうち最も外周側の流路の天井面に開口している。複数の貫通孔７７は、加熱用流路７４のうち最も内周側の流路の天井面に開口している。
【００９３】
ガス吐出機構４４４は、ガス供給源４５４、配管４７４、流量制御器４８４、開閉弁４６４、導入孔７５、加熱用流路７４、複数の貫通孔７６、７７、および複数の吐出口７８、７９を備えている。ガス供給源４５４は、不活性ガス（図示の例では、窒素（Ｎ２）ガス）を供給する。配管４７４の一端は、ガス吐出機構４４４に接続し、他端は、導入孔７５に接続している。
【００９４】
配管４７４の経路途中には、ガス供給源４５４側から順に流量制御器４８４、開閉弁４６４が設けられている。導入孔７５、加熱用流路７４、貫通孔７６、および貫通孔７７は、ヒーター７１に内蔵されている。ガス吐出機構４４４は、ガス供給源４５４から配管４７４に不活性ガスを供給する。流量制御器４８４は、配管４７４を流れるガスの流量を制御する。不活性ガスは、配管４７４、導入孔７５を経て加熱用流路７４の長手方向の略中央部分に導入される。導入された不活性ガスは、加熱用流路７４の経路に沿って互いに反対方向に流れる２つのガス流となって加熱用流路７４を流れる。
【００９５】
一方の方向に流れたガスは、加熱用流路７４のうち発熱体７３の下方においてヒーター７１を略一周している流路（具体的には、周回する径が２番目に小さい流路）を流れる。この過程で、上方の発熱体７３によって加熱される。その後、不活性ガスは、ヒーター７１の最も内周面側の流路（周回する径が最も小さい流路）を流れる。最も内周面側の流路は、発熱体７３の内周縁よりも若干内側（回転軸部２２側）に配設されているため、不活性ガスはこの流路を流れる際にも加熱される。そして、複数の貫通孔７７を経て複数の吐出口７９から空間Ｖ１に吐出される。
【００９６】
加熱用流路７４に導入されて他方の方向に流れたガスは、加熱用流路７４のうち発熱体７３の下方においてヒーター７１を略一周している流路（周回する径が２番目に大きい流路）を流れる。この過程で、発熱体７３によって加熱される。その後、不活性ガスは、最も外周側の流路（周回する径が最も大きい流路）を流れる。最も外周側の流路は、発熱体７３の外周縁よりも若干外側（回転軸部２２とは反対側）に配設されているため、不活性ガスはこの流路を流れる際にも加熱される。そして、複数の貫通孔７６を経て複数の吐出口７８から空間Ｖ１に吐出される。
【００９７】
このように、空間Ｖ１に吐出される不活性ガスは、加熱用流路７４を流れる間に発熱体７３によって予め加熱される。従って、不活性ガスを加熱するための他のヒーターを設けることなく、ガスを十分に加熱することができる。
【００９８】
流量制御器４８４は、例えば、配管４７４に流れるガスの流量を検出する流量計と、弁の開閉量に応じて当該ガスの流量を調節可能な可変バルブとを備えて構成されている。制御部１３０は、流量制御器４８４の流量計が検出する流量が目標流量になるように、図示省略のバルブ制御機構を介して流量制御器４８４の可変バルブの開閉量を制御する。制御部１３０は、予め設定された設定情報に従って所定の範囲内で目標流量を設定することによって、流量制御器４８４を通過するガスの流量を所定の範囲内で自在に制御することができる。また、制御部１３０は、当該バルブ制御機構を介して開閉弁４６４を開状態または閉状態に制御する。
【００９９】
従って、複数の吐出口７８、７９から吐出される不活性ガスのガス流Ｇ４の吐出態様（具体的には、吐出開始タイミング、吐出終了タイミング、吐出流量など）は、制御部１３０によって制御される。
【０１００】
また、ヒーター７１に電力を供給する電気回路と、ヒーター７１を上下動させる移動機構は、制御部１３０に電気的に接続されており、制御部１３０の制御下で動作する。つまり、ヒーター７１による基板Ｗおよび不活性ガスの加熱態様（具体的には、基板Ｗの温度、吐出される不活性ガスの温度など）と、ヒーター７１の位置とは、制御部１３０によって制御される。
【０１０１】
＜２．遮断用ガスの作用＞
図１０は、ヒーター７１と基板の間に吐出される不活性ガスのガス流Ｇ４の一例を示す図である。ヒーター７１は、発熱体７３の発熱によって対向面Ｓ７から基板Ｗの下面に熱線Ｈ１を放射して基板Ｗを加熱する。ガス吐出機構４４４が供給する不活性ガスは、加熱用流路７４に導入され、加熱用流路７４を流れる過程で発熱体７３によって予め加熱される。加熱されたガスは、貫通孔７６、７７を通って、吐出口７８、７９から不活性ガスのガス流Ｇ４として空間Ｖ１に吐出される。
【０１０２】
ガス流Ｇ４は、吐出口７８、７９のそれぞれから基板Ｗの周縁側方向と基板Ｗの中心側方向とに向かう。ヒーター７１に対して基板Ｗの周縁側と、基板Ｗの中心側には、加熱されたガス流Ｇ４よりも低温の雰囲気Ｇ９が存在する。吐出口７８から吐出されて基板Ｗの周縁側に向かうガス流Ｇ４によって、ヒーター７１に対してＷの周縁側に存在する雰囲気Ｇ９の空間Ｖ１への入り込みが抑制される。吐出口７９から吐出されて基板Ｗの中心側に向かうガス流Ｇ４によって、ヒーター７１に対して基板Ｗの中心側に存在する雰囲気Ｇ９の空間Ｖ１への入り込みが抑制される。これにより、基板Ｗの周縁部の温度の低下を抑制できる。従って、ヒーター７１による基板Ｗの加熱効率が雰囲気Ｇ９によって低下することを抑制できる。また、ガス流Ｇ４は、予め加熱されているので、基板Ｗの加熱に寄与する。
【０１０３】
ガス吐出機構４４１が吐出する不活性ガスは、空間Ｖ１へ雰囲気Ｇ９の侵入しないようにする遮断用ガスであるとともに、基板Ｗを加熱する加熱用ガスでもある。
【０１０４】
図１１は、不活性ガスのガス流Ｇ４の流量と基板Ｗの周縁部の温度との関係の一例をグラフ形式で示す図である。ヒーター７１の吐出口７８、７９から基板Ｗの下面に吐出される不活性ガス（具体的には、窒素ガス）のガス流Ｇ４の流量は８０Ｌ／分、６０Ｌ／分、４０Ｌ／分、２０Ｌ／分の４通りに変更されている。図１１における基板Ｗの周縁部の温度は、基板Ｗの周縁から３ｍｍ内側の部分の温度である。ガス流Ｇ４の吐出開始から３００秒後の温度が測定されている。基板処理装置１を格納するチャンバーの排気圧は、２５０Ｐａである。
【０１０５】
図１１に示されるように、ガス流Ｇ４の流量が大きい程、基板Ｗの周縁部の温度が高くなっている。このことから、ヒーター７１の吐出口７８、７９から予め加熱されたガス流Ｇ４を吐出することによって、雰囲気Ｇ９の空間Ｖ１への侵入を抑制して、ヒーター７１によって基板Ｗを効率良く加熱できていることが判る。
【０１０６】
＜３．基板処理装置の動作＞
図１２は、基板処理装置１が処理液によって基板を処理する動作の一例を示すフローチャートである。図１２を参照しつつ、以下に基板処理装置１の動作を説明する。図１２に示される動作の開始に先立って、基板Ｗは、基板処理装置１に搬入されてスピンチャック２１によって保持されている。また、ノズルヘッド４８〜５０は、ノズル移動機構６によって処理位置に配置されており、スプラッシュガード３１は、ガード駆動機構３２によって上方位置に配置されている。
【０１０７】
図１２に示す処理が開始されると、基板処理装置１の回転機構２３１は、基板Ｗを保持するスピンチャック２１の回転を開始する（ステップＳ１１０）。基板Ｗの回転速度は、例えば、１０００回転／分に設定される。
【０１０８】
次に、ガス吐出機構４４Ａが、ノズルヘッド４８のノズル４１、４２から不活性ガスのガス流Ｇ１、Ｇ２の吐出を開始するとともに、ガス吐出機構４４３が、ノズルヘッド４９のノズル４３から不活性ガスのガス流Ｇ３の吐出を開始する（ステップＳ１２０）。ノズル４３は、基板Ｗの上面の中央部分に上方から不活性ガスを吐出することによって、当該中央部分から基板Ｗの周縁に向かって広がるガス流Ｇ３を生成させる。ノズル４３が吐出するガス流Ｇ３の吐出時の流量は、ガス流Ｇ１、Ｇ２の吐出時の流量よりも多い。
【０１０９】
ガス流Ｇ１〜Ｇ３の吐出が開始された後、加熱機構７は、ヒーター７１によって基板Ｗの周縁部の加熱を開始する。ヒーター７１は、例えば、１８５度程度に加熱される。加熱機構７のガス吐出機構４４４は、ガス供給源４５４から不活性ガスの供給を、例えば、４０Ｌ／分〜６０Ｌ／分の流量で開始してヒーター７１の対向面Ｓ７に形成された複数の吐出口７８、吐出口７９からガス流Ｇ４の吐出を開始する（ステップＳ１３０）。不活性ガスは、基板Ｗの処理温度（例えば、６０℃〜９０℃）よりも高温になるように加熱される。
【０１１０】
時間の経過によって基板Ｗの周縁部の温度が上昇して安定した後、処理液吐出機構８３Ａは、基板Ｗの上面周縁部（より詳細には、上面周縁部のうち基板Ｗの端面側の処理領域Ｓ３）に当たるように処理液（薬液）の液流Ｌ１を吐出して上面周縁部の処理を行う（ステップＳ１４０）。具体的には、処理液吐出機構８３Ａは、ノズル５１ａ〜５１ｄのうち１つのノズル（図１では、ノズル５１ｃ）から制御部１３０の制御に従って液流Ｌ１を吐出する。液流Ｌ１は、基板Ｗの上面周縁部（より詳細には、処理領域Ｓ３）の回転軌跡上に規定される位置ＰＬに当たるように吐出される。また、液流Ｌ１の断面サイズおよび流量は、液流Ｌ１が液膜となって付着するときの当該液膜の幅が処理領域Ｓ３に収まるように予め設定されている。液流Ｌ１は、位置ＰＬに当たった後、処理領域Ｓ３上に液膜を形成する。処理液の液膜は、基板Ｗの回転に伴って基板Ｗの周縁部に付着した状態で基板Ｗの周方向に移動する。
【０１１１】
基板Ｗの処理レートを向上させる観点においては、吐出された処理液が、処理領域Ｓ３における吐出された箇所にできるだけ長く留まることが好ましい。回転軌跡における位置ＰＬと基板Ｗの中心ｃ１とを結ぶ直線と、液流Ｌ１を吐出された箇所と中心ｃ１とを結ぶ直線とに挟まれた中心角は、基板Ｗに回転に伴って徐々に大きくなる。処理領域Ｓ３に吐出された処理液のうち、例えば、８０％の処理液が、中心角が９０°になる角度まで基板Ｗが回転する間に、基板Ｗの回転に伴う遠心力などによって基板Ｗの外部に排出される。排出されずに残った液膜状の処理液は、その後も徐々に基板Ｗの外部へ排出されながら処理領域Ｓ３に付着した状態で基板Ｗの周方向に沿って移動し、その過程で基板Ｗの処理に寄与する。
【０１１２】
ステップＳ１２０でノズル４１（４２）から吐出を開始されたガス流Ｇ１（Ｇ２）は、基板Ｗの回転軌跡において位置ＰＬよりも基板Ｗの周方向に沿って基板Ｗの回転方向の上流側に位置する位置Ｐ１（Ｐ２）において残留処理液の液膜に当たる。位置Ｐ２は、位置Ｐ１よりも上流側に位置する。その後、ガス流Ｇ１（Ｇ２）は、その吐出方向および基板Ｗの回転に伴う遠心力によって位置Ｐ１（Ｐ２）から基板Ｗの周縁に向かう。すなわち、ガス吐出機構４４Ａは、基板Ｗの回転軌跡のうち処理液が着液する位置ＰＬよりも基板Ｗの回転方向の上流側の位置Ｐ１に向けて上方から不活性ガスのガス流Ｇ１を吐出してガス流Ｇ１を位置Ｐ１から基板Ｗの周縁に向かわせる。また、ガス吐出機構４４Ａは、基板Ｗの回転軌跡のうち位置Ｐ１よりも基板Ｗの回転方向の上流側の位置Ｐ２に向けて上方から不活性ガスのガス流Ｇ２を吐出してガス流Ｇ２を位置Ｐ２から基板Ｗの周縁に向かわせる。
【０１１３】
また、ガス吐出機構４４３のノズル４３が吐出したガス流Ｇ３は、ガス流Ｇ３の吐出方向および基板Ｗの回転に伴う遠心力の影響によって基板Ｗの中央部分から周縁に向かって広がる。すなわち、ガス吐出機構４４３は、基板Ｗの上面の中央部分の上方から不活性ガスを吐出して、当該中央部分から基板Ｗの周縁に向かって広がるガス流Ｇ３を生成させる。
【０１１４】
基板Ｗの周縁部における残留処理液の液膜には、先ずガス流Ｇ２が当たる。ガス流Ｇ２は、ガス流Ｇ１よりも吐出時の運動エネルギーが小さいので、非処理領域Ｓ４に到達する液跳ねの発生を抑制しつつ処理液を基板の外部に排出することができる。これにより、残留処理液の膜厚は減少する。ガス流Ｇ２によって基板Ｗから排出されずに残った処理液の液膜には、位置Ｐ２の下流側の位置Ｐ１においてガス流Ｇ１が当たる。ガス流Ｇ１は、ガス流Ｇ２よりも吐出時の運動エネルギーが大きいので、残った処理液の大部分がガス流Ｇ１によって基板Ｗの外部に排出される。また、ガス流Ｇ１が当たる前に残留処理液の液膜はガス流Ｇ２によって薄くなっている。従って、ガス流Ｇ１が残留処理液の液膜に当たっても非処理領域Ｓ４に到達する液跳ねの発生を抑制できる。
【０１１５】
このように、位置ＰＬにおいて基板Ｗの処理領域Ｓ３に当たるように吐出された処理液の大部分は、基板Ｗが一回転する間に基板Ｗの外部に排出される。従って、位置ＰＬに新たに吐出される処理液が残留処理液に当たることによって生ずる液跳ねが抑制される。ガス流Ｇ１〜Ｇ３の吐出と、液流Ｌ１の吐出とが並行して行われている状態で、回転機構２３１は、制御部１３０の制御に従って基板Ｗを繰り返し回転させる。また、ガス流Ｇ１〜Ｇ３は、例えば、１２Ｌ／分、４Ｌ／分、３０Ｌ／分〜１３０Ｌ／分の流量でそれぞれ吐出される。
【０１１６】
制御部１３０が、基板Ｗの処理に要する処理時間の経過などを検出すると、処理液吐出機構８３Ａは、処理液の吐出を停止する。これにより、ステップＳ１４０の処理が終了する。
【０１１７】
加熱機構７は、ヒーター７１への電力の供給を停止してヒーター７１による基板Ｗの加熱を停止するとともに、ガス吐出機構４４４によるガス流Ｇ４の吐出を停止する（ステップＳ１５０）。
【０１１８】
回転機構２３１は、スピンチャック２１の回転を停止させ（ステップＳ１６０）、加熱機構７は、ヒーター７１による基板Ｗの周縁部の加熱を停止する。ガス吐出機構４４Ａ、４４３は、ガス流Ｇ１〜Ｇ３の吐出を停止させる（ステップＳ１７０）。これにより、図１２に示す動作が終了する。
【０１１９】
その後、ノズル移動機構６、ガード駆動機構３２は、ノズルヘッド４８〜５０、スプラッシュガード３１を退避位置に移動させる。基板Ｗがスピンチャック２１から取り外されて基板処理装置１から搬出される。
【０１２０】
ガス吐出機構４４４は、ヒーター７１に設けられた複数の吐出口７８、７９からガス流Ｇ４を吐出しているが、基板Ｗは回転する。従って、ガス吐出機構４４４が、１つずつ設けられた吐出口７８、７９からガス流Ｇ４を吐出してもよい。また、吐出口７８と吐出口７９とのうち一方の吐出口のみからガス流Ｇ４を吐出したとしても、ガス流Ｇ４を吐出しない場合に比べて基板Ｗの温度の低下を抑制できる。また、ヒーター７１の対向面Ｓ７と、発熱体７３との間に不活性ガスの流路を設けて、発熱体７３の上方に開口する吐出口からガス流Ｇ４を吐出してもよい。
【０１２１】
基板処理装置１は、基板Ｗの上面（処理面）の処理領域Ｓ３に処理液吐出機構８３Ａから薬液を吐出し、基板Ｗの下面と対向するヒーター７１によって基板Ｗの下面から基板Ｗを加熱している。また、ガス吐出機構４４４がヒーター７１の対向面Ｓ７と基板Ｗの下面との間の空間Ｖ１に加熱された不活性ガスのガス流Ｇ４を吐出している。しかしながら、処理面が基板Ｗの下面であってもよい。すなわち、処理液吐出機構８３Ａが基板Ｗの下面の周縁部に薬液を吐出し、ヒーター７１が基板Ｗの上面と対向して基板Ｗを加熱し、ガス吐出機構４４４が、基板Ｗの上面とヒーター７１の下面（対向面）との間の空間にガス流Ｇ４を吐出してもよい。
【０１２２】
また、ガス吐出機構４４４が、ヒーター７１と異なる他のヒーター等によって予め加熱された不活性ガスを空間Ｖ１に吐出してもよい。具体的には、ガス吐出機構４４４が、ガス供給源４５４から供給される不活性ガスを当該他のヒーターによって予め加熱し、加熱された不活性ガスをヒーター７１の外部の配管を経て、ヒーター７１の外部のノズルから空間Ｖ１に吐出してもよい。
【０１２３】
また、ヒーター７１が基板Ｗの処理面とは反対側の面を全体的に覆うように設けられてもよい。このようなヒーター７１は、上述したようにスピンチャック２１が複数のチャックピンを備えて、基板Ｗをスピンチャック２１の上面と接触しない用に保持する場合に、基板Ｗの下面と、スピンチャック２１の上面との間に設けることができる。この場合、ヒーター７１は、回転軸部２２の内部およびスピンチャック２１を貫通する柱状の支持部材によって支持される。
【０１２４】
また、基板処理装置１は、不活性ガスのガス流Ｇ３を吐出するノズル４３を備えているが、基板処理装置１がノズル４３を備えていなくてもよい。その場合には、基板処理装置１が、アーム６２、ノズルヘッド４９を備えていなくてもよい。
【０１２５】
ノズル４１、４２は、ノズルヘッド４８に保持されて、アーム６１によって互いに一体的に移動されているが、ノズル４１、４２が互いに異なるノズルヘッドによって保持されて、互いに異なるアームによって別々に移動される構成が採用されてもよい。
【０１２６】
基板処理装置１では、窒素ガスがガス流Ｇ１〜Ｇ４として吐出されているが、ガス流Ｇ１〜Ｇ４のうち少なくとも１つのガス流が、他のガス流と種類の異なる不活性ガスであってもよい。
【０１２７】
基板処理装置１では、不活性ガスのガス流Ｇ１、Ｇ２を吐出するノズル４１、４２と、処理液を吐出する各ノズルとは、互いに異なるノズルヘッド４８、５０によって保持されているが、ノズル４１、ノズル４２および処理液を吐出する各ノズルが、同一のノズルヘッドによって保持されて、アーム等によって一体的に移動される構成が採用されてもよい。
【０１２８】
以上のように構成された本実施形態に係る基板処理装置によれば、基板Ｗの処理面とは反対側の面（非処理面）と、ヒーター７１の対向面Ｓ７との間の空間Ｖ１に予め加熱された不活性ガスのガス流Ｇ４が吐出される。従って、空間Ｖ１への雰囲気Ｇ９の入り込み抑制することにより基板Ｗの加熱効率の低下を抑制するとともに、不活性ガスのガス流Ｇ４によっても加熱効率の低下を抑制することができる。従って、基板Ｗを効率良く加熱しながら基板Ｗの処理を行うことができる。
【０１２９】
また、以上のように構成された本実施形態に係る基板処理装置によれば、ガス吐出機構４４４は、ヒーター７１によって予め加熱された不活性ガスのガス流Ｇ４を吐出する。従って、不活性ガスを加熱するためのヒーターを別に設ける必要がないので基板処理装置に係るコストを抑制できる。
【０１３０】
また、以上のように構成された本実施形態に係る基板処理装置によれば、ガス吐出機構４４４は、ヒーター７１の発熱体７３に沿って配設された加熱用流路７４を備え、加熱用流路７４を流れるときにヒーター７１によって加熱された不活性ガスを吐出する。従って、ヒーター７１による不活性ガスの加熱効率を向上できる。
【０１３１】
また、以上のように構成された本実施形態に係る基板処理装置によれば、加熱用流路７４は、発熱体７３に沿って二次元的に配設されているので、ヒーター７１による不活性ガスの加熱効率をさらに向上できる。
【０１３２】
また、以上のように構成された本実施形態に係る基板処理装置によれば、加熱用流路７４は、発熱体７３に対して基板Ｗと反対側に配設されているので、発熱体７３によって、基板Ｗと不活性ガスとの双方を効率的に加熱できる。
【０１３３】
また、以上のように構成された本実施形態に係る基板処理装置によれば、ガス吐出機構４４４は、環状のヒーター７１の外周縁部と内周縁部とにそれぞれ設けられた吐出口７８、７９を備えており、不活性ガスを吐出口７８、７９から吐出する。従って、ヒーター７１の周りの雰囲気Ｇ１が基板Ｗとヒーター７１との間の空間Ｖ１に入り込むことを効果的に抑制できる。従って、基板Ｗを効率的に加熱できる。
【０１３４】
本発明は詳細に示され記述されたが、上記の記述は全ての態様において例示であって限定的ではない。したがって、本発明は、その発明の範囲内において、実施の形態を適宜、変形、省略することが可能である。
【符号の説明】
【０１３５】
１  基板処理装置
２１  スピンチャック（基板保持部）
４１，４２  ノズル
５１ａ〜５１ｄ  ノズル
４８〜５０  ノズルヘッド
２３１  回転機構
８３  処理液供給部
８３Ａ  処理液吐出機構（薬液吐出部）
４４Ａ  ガス吐出機構
４４１、４４２、４４３  ガス吐出機構
４４４  ガス吐出機構（ガス吐出部）
７１  ヒーター
７３  発熱体
Ｓ３  処理領域
Ｓ４  非処理領域
Ｐ１  位置
Ｐ２  位置
ＰＬ  位置
Ｇ１〜Ｇ４  不活性ガスのガス流
Ｌ１  処理液の液流
１３０  制御部
Ｗ  基板
【図１】
0006453168.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
0006453168.tif 000006
【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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