(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像を構成する複数の画素のそれぞれに有機発光トランジスタを備える表示装置であって、
前記有機発光トランジスタは、
ソース電極と、
前記ソース電極と離間して配置されるドレイン電極と、
前記ソース電極と前記ドレイン電極に挟まれる位置に、前記有機発光トランジスタのチャネルとなる部分を有する有機半導体層と、
前記有機半導体層と対向する位置に配置され、前記チャネルを通るキャリアの量を制御することで、前記チャネルでの発光を制御する電圧を、前記有機半導体層に印加するためのゲート電極と、
絶縁層と、
を有し、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極の前記有機半導体層を挟む面は、前記ゲート電極に対して反対側に傾斜し、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極は、前記ゲート電極が向く方向に沿った平面視において、前記有機半導体層を囲む形状を有し、
前記絶縁層は、前記ソース電極と前記ドレイン電極とに挟まれるように配置され、
前記有機半導体層は、前記平面視において、前記ソース電極、前記ドレイン電極、及び前記絶縁層によって囲まれる領域に配置される
ことを特徴とする表示装置。
【請求項２】
画像を構成する複数の画素のそれぞれに有機発光トランジスタを備える表示装置であって、
前記有機発光トランジスタは、
ソース電極と、
前記ソース電極と離間して配置されるドレイン電極と、
前記ソース電極と前記ドレイン電極に挟まれる位置に、前記有機発光トランジスタのチャネルとなる部分を有する有機半導体層と、
前記有機半導体層と対向する位置に配置され、前記チャネルを通るキャリアの量を制御することで、前記チャネルでの発光を制御する電圧を、前記有機半導体層に印加するためのゲート電極と、
光反射性を有する反射壁と、
を有し、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極の前記有機半導体層を挟む面は、前記ゲート電極に対して反対側に傾斜し、
前記有機半導体層は、前記ゲート電極が向く方向に沿った平面視において、前記ソース電極、前記ドレイン電極、及び前記反射壁によって囲まれる領域に配置され、
前記反射壁の前記有機半導体層側の面は、前記ゲート電極に対して反対側に傾斜している
ことを特徴とする表示装置。
【請求項３】
前記反射壁は、相互に離間して配置される第１反射壁及び第２反射壁を含み、
前記第１反射壁及び前記第２反射壁の離間する方向は、前記ソース電極及び前記ドレイン電極の離間する方向に対して直交する
ことを特徴とする請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記有機半導体層は、ホスト材料と、複数のゲスト材料とから形成され、前記複数のゲスト材料は、それぞれ異なる色の光を発する
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の表示装置。
【請求項５】
前記ソース電極、前記ドレイン電極、及び前記ゲート電極は、金属で形成される
ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ（Electro Luminescence）表示装置等の表示装置では、有機発光ダイオード（Organic Light Emitting Diode、ＯＬＥＤ）等の自発光素子をトランジスタ等のスイッチング素子を用いて制御し、画像を表示する場合がある。ここで、自発光素子として、電界効果トランジスタ（Field Effect Transistor、ＦＥＴ）のチャネルを有機発光層で形成した有機発光トランジスタ（Organic Light Emitting Transistor、ＯＬＥＴ）を採用することが提案されている。
【０００３】
下記特許文献１には、ゲート電極と、ドレイン電極と、ソース電極と、ボディ電極とがそれぞれ異なるラインに接続された有機発光トランジスタをマトリックス状に複数備えている有機発光トランジスタアレイが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１１−６０７８７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
有機発光トランジスタの発光量は、同程度の電流を有機発光ダイオードに流した場合と比較して少ない場合が多く、有機発光トランジスタの発光効率は、有機発光ダイオードの発光効率に比べて低い場合が多い。ここで、有機発光トランジスタから出射される光のうち数割は、基板に沿った方向に出射されて視認側に到達せず、発光効率を下げる要因の一つとなっている。
【０００６】
そこで、本発明は、有機発光トランジスタから出射される光の採光率を向上させた表示装置の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の表示装置は、画像を構成する複数の画素のそれぞれに有機発光トランジスタを備える表示装置であって、前記有機発光トランジスタは、ソース電極と、前記ソース電極と離間して配置されるドレイン電極と、前記ソース電極と前記ドレイン電極に挟まれる位置に、前記有機発光トランジスタのチャネルとなる部分を有する有機半導体層と、前記有機半導体層と対向する位置に配置され、前記チャネルを通るキャリアの量を制御することで、前記チャネルでの発光を制御する電圧を、前記有機半導体層に印加するためのゲート電極と、を有し、前記ソース電極及び前記ドレイン電極の前記有機半導体層を挟む面は、光反射性を有し、前記ゲート電極側、又は前記ゲート電極に対して反対側のいずれか一方に傾斜していることを特徴とする。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の実施形態に係る表示装置の斜視図である。
【図２】本発明の実施形態に係る表示装置の配線図である。
【図３】本発明の実施形態に係る表示装置の画素の等価回路図である。
【図４】本発明の実施形態に係る表示装置の画素の上面図である。
【図５】本発明の実施形態に係る表示装置の画素の断面図である。
【図６Ａ】有機発光トランジスタから出射される光の方向を説明する上面図である。
【図６Ｂ】有機発光トランジスタから出射される光の方向を説明する第１の断面図である。
【図６Ｃ】有機発光トランジスタから出射される光の方向を説明する第２の断面図である。
【図７Ａ】第１の変形例に係る画素の上面図である。
【図７Ｂ】第１の変形例に係る画素の断面図である。
【図８Ａ】第２の変形例に係る画素の上面図である。
【図８Ｂ】第２の変形例に係る画素の断面図である。
【図９Ａ】第３の変形例に係る画素の上面図である。
【図９Ｂ】第３の変形例に係る画素の第１の断面図である。
【図９Ｃ】第３の変形例に係る画素の第２の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下に、本発明の各実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。
【００１０】
図１は、本発明の実施形態に係る表示装置１を示す斜視図である。表示装置１は、上フレーム２と下フレーム３とで挟まれるように固定された表示パネル１０から構成されている。
【００１１】
図２は、本発明の実施形態に係る表示装置１の配線図である。表示パネル１０は、表示領域１１にマトリクス状に設けられた各画素を、映像信号駆動回路１２及び走査信号駆動回路１３によって制御し、画像を表示する。ここで、映像信号駆動回路１２は、各画素に送る映像信号を生成し、発信するＩＣ（Integrated Circuit）である。また、走査信号駆動回路１３は、画素に設けられたＴＦＴ（Thin Film Transistor、薄膜トランジスタ）への走査信号を生成し、発信するＩＣである。なお、図面において、映像信号駆動回路１２及び走査信号駆動回路１３は、２箇所に形成されるものとして図示されているが、一つのＩＣに組み込まれていてもよいし、３箇所以上に分かれて形成されてもよい。
【００１２】
図３は、本発明の実施形態に係る表示装置１の画素の等価回路図である。走査信号駆動回路１３からの信号を伝える走査線１４は、画素に形成された画素トランジスタＳＳＴのゲートに電気的に接続される。走査線１４は、１つの行に並ぶ画素トランジスタについて共通である。映像信号駆動回路１２からの信号を伝える映像信号線１５は、画素トランジスタＳＳＴのソースに電気的に接続される。映像信号線１５は、１つの列に並ぶ画素トランジスタについて共通である。画素トランジスタＳＳＴのドレインは、有機発光トランジスタＯＬＥＴのゲート、及び蓄積容量Ｃｓに電気的に接続される。蓄積容量Ｃｓの他端は、電源線１６に電気的に接続される。また、有機発光トランジスタＯＬＥＴのソースは接地線（共通電極）ＧＮＤに電気的に接続され、ドレインは電源線１６に電気的に接続される。
【００１３】
走査線１４に走査信号が印加されると画素トランジスタＳＳＴがオン状態となる。その状態で映像信号線１５に映像信号電圧が印加されると蓄積容量Ｃｓに映像信号電圧が書き込まれ、有機発光トランジスタＯＬＥＴのゲートに映像信号電圧が印加されて有機発光トランジスタＯＬＥＴがオン状態となる。有機発光トランジスタＯＬＥＴのドレインに電気的に接続された電源線１６には、有機発光ダイオードＯＬＥＤを発光させるための電源電圧が印加される。有機発光トランジスタＯＬＥＴがオン状態となると、映像信号電圧の大きさに応じた電流が有機発光トランジスタＯＬＥＴのチャネルに流れる。有機発光トランジスタＯＬＥＴのチャネルは、ホスト材料と、発光するゲスト材料とで形成される。チャネルに電流が流れると、ホールと電子が再結合することによりゲスト材料が励起され、ゲスト材料が低準位に遷移する際に光を発する。本実施形態に係る表示装置１は、映像信号駆動回路１２及び走査信号駆動回路１３の生成する信号電圧によって各画素に設けられた画素トランジスタＳＳＴ及び有機発光トランジスタＯＬＥＴのオンオフを制御し、画像を表示する。
【００１４】
有機ＥＬ表示装置では、画素ごとに、画素トランジスタ及び駆動トランジスタと、駆動トランジスタのソース又はドレインに接続される有機発光ダイオードとが設けられる。本実施形態に係る表示装置１では、有機発光トランジスタを用いることにより、従来の駆動トランジスタと有機発光ダイオードとを１つの素子にまとめることができ、回路を簡素化することができる。そのため、画素をより高密度に形成することが可能となり、より高精細な表示装置が得られる。また、画素回路が簡素化されることにより表示装置の形成工程が簡素化され、より短時間に、より安価な表示装置を製造することができる。
【００１５】
図４は、本発明の実施形態に係る表示装置１の画素の上面図である。本実施形態に係る表示装置１は、画像を構成する複数の画素のそれぞれに有機発光トランジスタを備える。図４では、一例として、白色画素Ｗ、青色画素Ｂ、緑色画素Ｇ、及び赤色画素Ｒが一組となって一単位の画素を構成する場合を示している。画素の発光色は、有機発光トランジスタの発光部となるチャネルを形成する有機材料により定まる。電源線１６及び接地線ＧＮＤは、白色画素Ｗ、青色画素Ｂ、緑色画素Ｇ、及び赤色画素Ｒにそれぞれ共通である。
【００１６】
図５は、本発明の実施形態に係る表示装置１の画素の断面図である。図５は、図４におけるＶ−Ｖ断面を示している。表示装置１の最下層には、ガラス又は人工樹脂等により形成される基板２０が配置される。基板２０の上には、ＳｉＮ、ＳｉＯ２等により第１絶縁層２１が形成される。第１絶縁層２１の上には、低温ポリシリコン等により半導体層３０が形成される。半導体層３０は、画素トランジスタＳＳＴのチャネルとなる部分を有する。半導体層３０及び第１絶縁層２１の上には、ＳｉＮ、ＳｉＯ２等により第２絶縁層２２が形成される。第２絶縁層２２の上には、金属により画素トランジスタＳＳＴのゲート電極３１が形成される。また、第２絶縁層２２の上には、金属により蓄積容量Ｃｓの容量電極４０が形成される。容量電極４０は、第２絶縁層２２を挟んで半導体層３０を覆うように形成され、図示しない領域で電源線１６に接続される。ゲート電極３１、第２絶縁層２２、及び容量電極４０の上には、ＳｉＮ、ＳｉＯ２等により第３絶縁層２３が形成される。第３絶縁層２３及び第２絶縁層２２には、半導体層３０に達するスルーホールが形成され、第３絶縁層２３の上に、金属により画素トランジスタＳＳＴのソース電極３２及びドレイン電極３３が形成される。
【００１７】
画素トランジスタＳＳＴのソース電極３２、ドレイン電極３３、及び第３絶縁層２３の上には、ＳｉＮ、ＳｉＯ２等により第４絶縁層２４が形成される。第４絶縁層２４には、画素トランジスタＳＳＴのドレイン電極３３に達するスルーホールが形成され、第４絶縁層２４の上に、金属により有機発光トランジスタＯＬＥＴのゲート電極５０が形成される。有機発光トランジスタＯＬＥＴのゲート電極５０及び第４絶縁層２４の上には、ＳｉＮ、ＳｉＯ２等により第５絶縁層２５が形成される。第５絶縁層２５の上には、金属により有機発光トランジスタＯＬＥＴのソース電極５１、及びドレイン電極５２が形成される。ソース電極５１は、図示しない領域で接地線ＧＮＤに接続され、ドレイン電極５２は、図示しない領域で電源線１６に接続される。有機発光トランジスタＯＬＥＴのソース電極５１とドレイン電極５２とに挟まれる位置には、有機発光トランジスタＯＬＥＴのチャネルとなる部分を有する有機半導体層５３が形成される。図５に示す例の場合、有機半導体層５３ａは、ホスト材料と、緑色に発光するゲスト材料とを含む有機層である。また、有機半導体層５３ｂは、ホスト材料と、赤色に発光するゲスト材料とを含む有機層である。有機半導体層５３、ソース電極５１、ドレイン電極５２、及び第５の絶縁層２５の上には、人工樹脂等により封止層２６が形成される。
【００１８】
図６Ａは、有機発光トランジスタＯＬＥＴから出射される光の方向を説明する上面図である。図６Ａでは、説明を簡明にするため単一の有機発光トランジスタＯＬＥＴのみを図示し、有機発光トランジスタＯＬＥＴと電源線１６及び接地線ＧＮＤとの接続等については図示していない。有機発光トランジスタＯＬＥＴは、ソース電極５１と、ソース電極５１と離間して配置されるドレイン電極５２とを有する。また、有機発光トランジスタＯＬＥＴは、ソース電極５１とドレイン電極５２に挟まれる位置に、有機発光トランジスタＯＬＥＴのチャネルとなる部分を有する有機半導体層５３を有する。ソース電極５１及びドレイン電極５２は、ゲート電極５０が向く方向に沿った平面視において、有機半導体層５３の少なくとも一部を囲む形状を有する。具体的に、ソース電極５１及びドレイン電極５２は、それぞれＬ字形状を有し、有機半導体層５３の一部を囲む。ソース電極５１とドレイン電極５２とが最も近付く部分（紙面左上と右下の部分）には、有機半導体層５３は形成されない。当該部分に有機半導体層５３を形成すると、電界が集中し、電流が集中してしまうおそれがあるためである。なお、ソース電極５１又はドレイン電極５２と、有機半導体層５３との界面にバッファ層を設けることとしてもよい。バッファ層を設けることで、キャリア注入効率を高めることができる。バッファ層は、半導体により形成されてよいが、絶縁体で形成してもよい。バッファ層を絶縁体で形成する場合、キャリアの注入は量子トンネル効果を利用して行われることとなる。
【００１９】
図６Ｂは、有機発光トランジスタＯＬＥＴから出射される光の方向を説明する第１の断面図である。図６Ｂは、図６ＡのＶＩＢ−ＶＩＢ断面を示す図である。また、図６Ｃは、有機発光トランジスタＯＬＥＴから出射される光の方向を説明する第２の断面図である。図６Ｃは、図６ＡのＶＩＣ−ＶＩＣ断面を示す図である。
【００２０】
有機発光トランジスタＯＬＥＴのゲート電極５０は、絶縁層２５を介して有機半導体層５３と対向する位置に配置され、チャネルを通るキャリアの量を制御することで、チャネルでの発光を制御する電圧を有機半導体層５３に印加する。具体的には、映像信号駆動回路１２により生成された映像信号電圧を有機半導体層５３に印加する。また、ソース電極５１及びドレイン電極５２の有機半導体層５３を挟む面は、光反射性を有し、ゲート電極５０側、又はゲート電極５０に対して反対側のいずれか一方に傾斜している。本実施形態では、ソース電極５１及びドレイン電極５２の有機半導体層５３を挟む面は、ソース電極５１及びドレイン電極５２が金属で形成されることによって光反射性を有する。また、ソース電極５１及びドレイン電極５２の有機半導体層５３を挟む面は、ゲート電極５０に対して反対側に傾斜している。すなわち、ソース電極５１及びドレイン電極５２は、有機半導体層５３を挟んで対向する側面が傾斜している。これら側面の傾斜は、ソース電極５１とドレイン電極５２によって挟まれた有機半導体層５３から出射された光を観察者側に向けるように形成されている。
【００２１】
本実施形態では、ゲート電極５０は金属で形成される。そのため、有機半導体層５３のチャネルで発生した光のうちゲート電極５０側に出射された光は、ゲート電極５０で反射され、視認側（ゲート電極５０が向く方向に沿った平面視における視認側、紙面上方）に出射される。これにより、有機半導体層５３で発生した光のうちゲート電極５０側に出射される光をも取り出すことができる。また、本実施形態では、ソース電極５１及びドレイン電極５２は金属で形成される。そのため、有機半導体層５３のチャネルで発生した光のうち基板２０に沿った方向に出射される光は、ソース電極５１又はドレイン電極５２の傾斜面で反射され、視認側に出射される。これにより、隣接画素に漏れ出す可能性のあった光が視認側に出射されることとなる。このように、本実施形態に係る表示装置１によれば、有機発光トランジスタＯＬＥＴから出射される光の採光率が向上する。
【００２２】
図６Ｂ及び図６Ｃに示すように、本実施形態では、有機半導体層５３を囲むソース電極５１及びドレイン電極５２の有機半導体層５３を挟む面は、全ての方向について、ゲート電極５０に対して反対側に傾斜している。そのため、基板２０に水平な方向に出射される光は、全方位についてソース電極５１又はドレイン電極５２の傾斜面で反射され、視認側に出射される。そのため、有機発光トランジスタＯＬＥＴから出射される光の採光率が向上する。
【００２３】
本実施形態では、有機半導体層５３は、ホスト材料と、単一の発光色を有するゲスト材料とから形成される。ここで、有機半導体層５３を、ホスト材料と、複数の異なる色の光を発する複数のゲスト材料とで形成してもよい。例えば、赤色、緑色、青色の光を発する３種類のゲスト材料を用いて有機半導体層５３を形成し、白色の有機発光トランジスタを用いることとしてもよい。その場合、封止膜２６の上にカラーフィルタ及びブラックマトリクスを設けて、フルカラー表示を実現することとしてよい。一般的に、有機発光トランジスタでは電子とホールが再結合する領域が偏る。このため再結合が集中する場所で輝度が高くなり、それ以外の場所では輝度が低くなってしまうという、輝度ムラが生じる。これを是正するために、輝度が高めに出る箇所ではゲスト材料の濃度を薄く、輝度が低めに出る箇所ではゲスト材料の濃度を濃く作製しても良い。
【００２４】
図７Ａは、第１の変形例に係る画素の上面図である。本変形例と、図６Ａに示す実施形態との違いは、ソース電極５１とドレイン電極５２とが最も近付く部分（紙面左上と右下の部分）に電極間絶縁層５４が形成されている点である。
【００２５】
図７Ｂは、図７ＡのＶＩＩＢ−ＶＩＩＢ断面を示す断面図である。電極間絶縁層５４は、ソース電極５１とドレイン電極５２とに挟まれるように配置される。これにより、ソース電極５１とドレイン電極５２とが最も近付く部分に電界が集中することを抑止することができ、ひいては表示装置１の寿命を延ばすことができる。また、本変形例では、有機半導体層５３は、ゲート電極５０が向く方向に沿った平面視（図７Ａに示す平面視）において、ソース電極５１、ドレイン電極５２、及び電極間絶縁層５４によって囲まれる領域に配置される。本変形例の場合、ソース電極５１とドレイン電極５２とが最も近付く部分が電極間絶縁層５４で保護されるため、当該部分を避けるように有機半導体層５３をパターニングする必要がなく、有機半導体層５３の形成が容易になる。そのため、表示装置１の製造をより短時間で、より安価に行うことができる。
【００２６】
図８Ａは、第２の変形例に係る画素の上面図である。本変形例と、図６Ａに示す実施形態との違いは、反射壁５５が設けられている点である。
【００２７】
反射壁５５は光反射性を有し、有機半導体層５３で発生した光を視認側に反射するものである。具体的に、本変形例における反射壁５５は、金属で形成されることにより光反射性を有する。また、有機半導体層５３は、ゲート電極５０が向く方向に沿った平面視（図７Ａに示す平面視）において、ソース電極５１、ドレイン電極５２、及び反射壁５５によって囲まれる領域に配置される。本変形例では、有機半導体層５３はソース電極５１、ドレイン電極５２、及び反射壁５５を覆うように形成され、ソース電極５１、ドレイン電極５２、及び反射壁５５によって囲まれる領域が有機発光トランジスタＯＬＥＴのチャネルとなる。
【００２８】
反射壁５５は、相互に離間して配置される第１反射壁（図８Ａの紙面上方に配置された反射壁）及び第２反射壁（図８Ａの紙面下方に配置された反射壁）を含む。本変形例における第１反射壁及び第２反射壁の離間する方向は、ソース電極５１及びドレイン電極５２の離間する方向に対して直交する。また、第１反射壁及び第２反射壁は、それぞれソース電極５１及びドレイン電極５２と離間して形成される。本変形例では、このような構成を採用することにより、ソース電極５１とドレイン電極５２との間の距離（チャネル長）を一定とすることができ、均一な発光領域を得ることができる。また、図６Ａに示す実施形態のようにソース電極５１とドレイン電極５２との間の距離が相対的に短くなる部分がないため、有機半導体層５３をソース電極５１、ドレイン電極５２、及び反射壁５５を覆うように全面に設けることができる。そのため、有機半導体層５３の形成が容易になり、表示装置１の製造をより短時間で、より安価に行うことができる。なお、３以上の反射壁を設けて、ソース電極５１、ドレイン電極５２、及び複数の反射壁５５で有機半導体層３５を囲むようにしてもよい。また、複数の反射壁が離間する方向は任意である。
【００２９】
図８Ｂは、図８ＡのＶＩＩＩＢ−ＶＩＩＩＢ断面を示す断面図である。本変形例では、ソース電極５１及びドレイン電極５２の有機半導体層５３を挟む面は、ゲート電極５０に対して反対側に傾斜していることに加えて、反射壁５５の有機半導体層５３側の面は、ゲート電極５０に対して反対側に傾斜している。そのため、有機半導体層５３で発生した光のうち反射壁５５側に出射された光は、反射壁５５により反射され、視認側に出射される。そのため、本変形例に係る表示装置１によれば、有機発光トランジスタＯＬＥＴから出射される光の採光率が向上する。
【００３０】
図９Ａは、第３の変形例に係る画素の上面図である。本変形例と、図６Ａに示す実施形態との違いは、ソース電極５１及びドレイン電極５２のうち一方は凸形状を有し、他方は凹形状を有する点である。
【００３１】
ソース電極５１及びドレイン電極５２の一方が有する凸形状は、他方の有する凹形状により囲まれ、凸形状と凹形状とに挟まれるように有機半導体層５３が配置される。本変形例では、ソース電極５１及びドレイン電極５２の両方が櫛歯上の形状を有し、互いの凸形状部分と凹形状部分とが離間しつつ噛み合うように配置されている。本変形例では、有機半導体層５３は、ソース電極５１及びドレイン電極５２を覆うように形成され、ソース電極５１とドレイン電極５２とに挟まれる部分が有機発光トランジスタＯＬＥＴのチャネルとなる。このような構成を採用することにより、一低輝度を得るための電圧（有機発光トランジスタＯＬＥＴのソース−ドレイン間電圧、すなわち接地線ＧＮＤの接地電位と電源線１６の電源電位との電位差）を下げることができ、表示装置１の寿命を延ばすことができる。なお、有機発光トランジスタＯＬＥＴの輝度は、ソース−ドレイン間電流に応じて定まり、ソース−ドレイン間電流は、チャネル幅に比例し、チャネル長に反比例する。本変形例のようにソース電極５１及びドレイン電極５２を形成することで、図６Ａに示す実施形態の場合よりチャネル幅が増すため、ソース−ドレイン間電流が増す。また、ソース電極５１とドレイン電極５２とを近付けて形成することでチャネル長が短くなり、ソース−ドレイン間電流が増す。
【００３２】
図９Ｂは、図９ＡのＩＸＢ−ＩＸＢ断面を示す第１の断面図である。また、図９Ｃは、図９ＡのＩＸＣ−ＩＸＣ断面を示す第２の断面図である。本変形例では、ソース電極５１及びドレイン電極５２の有する凸形状及び凹形状のうち有機半導体層５３を挟む面は、ゲート電極５０に対して反対側に傾斜している。そのため、有機半導体層５３で発生した光のうち基板２０に沿った方向に出射される光は、全方位について、ソース電極５１又はドレイン電極５２で反射されて視認側に出射される。よって、有機発光トランジスタＯＬＥＴから出射される光の採光率が向上する。
【００３３】
本発明の実施形態として上述した表示装置１を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての表示装置も、本発明の要旨を包含する限り、本発明の範囲に属する。例えば、ソース電極及びドレイン電極の有機半導体層を挟む面は、ゲート電極側に傾斜していてもよい。その場合、ゲート電極は透明導電材料で形成し、有機半導体層で発生した光をゲート電極側に取り出すこととしてよい。
【００３４】
本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。例えば、前述の各実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除若しくは設計変更を行ったもの、又は、工程の追加、省略若しくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。
【００３５】
また、本実施形態において述べた態様によりもたらされる他の作用効果について本明細書記載から明らかなもの、又は当業者において適宜想到し得るものついては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。
【符号の説明】
【００３６】
１  表示装置、２  上フレーム、３  下フレーム、１０  表示パネル、１１  表示領域、１２  映像信号駆動回路、１３  走査信号駆動回路、１４  映像信号線、１５  走査線、１６  電源線、２０  基板、２１  第１絶縁層、２２  第２絶縁層、２３  第３絶縁層、２４  第４絶縁層、２５  第５絶縁層、２６  封止層、３０  半導体層、３１  ゲート電極、３２  ソース電極、３３  ドレイン電極、４０  容量電極、５０  ゲート電極、５１  ソース電極、５２  ドレイン電極、５３，５３ａ，５３ｂ  有機半導体層、５４  電極間絶縁層、５５  反射壁、ＳＳＴ  画素トランジスタ、Ｃｓ  蓄積容量、ＯＬＥＴ  有機発光トランジスタ、ＧＮＤ  接地線。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図６Ｃ】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
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【図９Ａ】
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【図９Ｂ】
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【図９Ｃ】
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