(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
液晶パネルを備え、複数のアンテナ単位が配列された走査アンテナであって、
前記液晶パネルが、
液晶層と、
前記液晶層を挟みつつ、各々の前記液晶層側の表面、又は何れか一方の前記液晶層側の表面に、液晶用配向剤を利用して形成された配向膜を含む一対の第１基板及び第２基板と、を備え、
前記液晶用配向剤が、配向膜形成材料と、有機溶剤とを含有し、前記有機溶剤は、メチレン基、メチル基、エーテル基、ケトン基及びヒドロキシル基からなる群より選ばれる少なくとも２つの官能基を含みつつ、窒素原子を含まない化合物を含有してなり、
前記液晶パネルの前記第１基板は、第１誘電体基板と、前記第１誘電体基板に支持された複数のＴＦＴ及び前記ＴＦＴに電気的に接続された複数のパッチ電極と、前記ＴＦＴ及び前記パッチ電極を覆う形で配され、前記配向膜からなる第１配向膜とを有するＴＦＴ基板からなり、
前記液晶パネルの前記第２基板は、第２誘電体基板と、前記第２誘電体基板に支持され複数のスロットを含むスロット電極と、前記スロット電極を覆う形で配され、前記配向膜からなる第２配向膜とを有するスロット基板からなり、
前記液晶パネルの前記液晶層は、前記第１配向膜及び前記第２配向膜が互いに対向する前記ＴＦＴ基板と前記スロット基板との間に介在され、
前記スロット電極が形成されていない前記第２誘電体基板の反対面に、誘電体層を介して対向するように配される反射導電板を備える走査アンテナ。
【請求項２】
前記液晶層を構成する液晶化合物の誘電率異方性（Δε）が１０以上である請求項１に記載の走査アンテナ。
【請求項３】
前記有機溶剤は、γ−ブチロラクトン、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル、ジイソブチルケトン、ブチルセロソルブ、１−ブトキシ−２−プロパノール及びシクロペンタノンからなる群より選ばれる少なくとも１種を含有する請求項１または請求項２に記載の走査アンテナ。
【請求項４】
前記有機溶剤は、主剤としてγ−ブチロラクトン及び／又はシクロペンタノンを含有する請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の走査アンテナ。
【請求項５】
前記有機溶剤は、γ−ブチロラクトンと共に、１−ブトキシ−２−プロパノール、ブチルセロソルブ、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル及びジイソブチルケトンからなる群より選ばれる少なくとも１種を含有する請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の走査アンテナ。
【請求項６】
前記有機溶剤は、γ−ブチロラクトンと共に、ジイソブチルケトンを含有する請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の走査アンテナ。
【請求項７】
前記配向膜形成材料は、アクリル系ポリマーを含有する請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の走査アンテナ。
【請求項８】
前記配向膜形成材料は、ポリアミック酸を含有する請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の走査アンテナ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、走査アンテナに関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置は、一対の基板間で液晶層を挟持した液晶表示パネルを備えている。液晶表示パネルでは、液晶表示を行うために、前記基板の液晶層側に設けられている電極に対して適宜、電圧を印加して、液晶層を構成する液晶化合物（液晶分子）の配向方向を制御している。なお、前記基板の液晶層側には、通常、液晶化合物の配向方向を制御するための配向膜が設けられている。【０００３】
前記配向膜としては、例えば、ポリアミック酸、ポリイミド、ポリアミド、ポリエステル等からなる高分子膜が用いられている。特に、ポリイミドは、耐熱性、液晶との親和性、機械的強度等に優れた物性を備えているため、これまで多くの液晶表示装置に使用されてきた。【０００４】
ところで、近年、液晶表示装置以外で、一対の基板間で液晶層を挟持した構成を備えた装置が知られている。このような装置としては、例えば、走査アンテナが挙げられる（例えば、特許文献１〜３参照）。走査アンテナは、液晶（ネマチック液晶、高分子分散液晶を含む）の大きな誘電異方性（複屈折率）を利用したアンテナであり、マイクロ波等の送受信の際にビーム方向を変更可能なビーム走査機能を備えている。このような走査アンテナは、一対の電極付きの基板間で液晶層を挟んだ構成（つまり、液晶パネル）を備えている。【０００５】
また、他の装置としては、例えば、液晶レンズ（例えば、特許文献４参照）が挙げられる。液晶レンズは、光学素子として液晶を使用し、印加する電圧により焦点距離を制御するものである。このような液晶アンテナも、一対の電極付きの基板間で液晶層を挟んだ構成（つまり、液晶パネル）を備えている。【０００６】
なお、走査アンテナ、液晶レンズ等でも、液晶表示装置と同様、基板の液晶層側の最表面に、配向膜が形成されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特表２０１３−５３９９４９号公報
【特許文献２】特表２０１６−５１２４０８号公報
【特許文献３】特表２００９−５３８５６５号公報
【特許文献４】特許第５６９８３２８号公報
【０００８】
（発明が解決しようとする課題）
走査アンテナ、液晶レンズ等では、液晶表示装置の場合と比べて、極性の高い（誘電率異方性が大きい）液晶化合物が利用される。このような走査アンテナ等の配向膜として、液晶表示装置用のものを使用すると、液晶層中にイオン成分が発生し、液晶パネルの基板間の電圧保持率（ＶＨＲ ：Voltage Holding Ratio）が低下してしまうことがあった。電圧保持率が低下すると、走査アンテナ等で動作不良が発生するため、問題となっていた。
【発明の概要】
【０００９】
本発明の目的は、極性の高い液晶化合物の配向制御に好適であり、液晶パネルの電圧保持率の低下が抑制される配向膜を形成するための液晶用配向剤等を提供することである。
【００１０】
（課題を解決するための手段）
本発明者は、極性の高い液晶化合物を含む液晶層を備えた液晶パネルにおいて、配向膜中に残存している有機溶剤のうち、窒素原子を含む有機溶剤（例えば、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、１−エチル−２−ピロリドン）が、液晶層中に溶出して、電圧保持率を低下さるという知見を得た。本発明は、このような知見に基づくものである。なお、このような電圧保持率の低下は、極性の低い液晶化合物を使用する従来の液晶表示装置では問題とはならなかった。
【００１１】
本発明の液晶用配向剤は、配向膜形成材料と、有機溶剤とを含有する液晶用配向剤であって、前記有機溶剤は、メチレン基、メチル基、エーテル基、ケトン基及びヒドロキシル基からなる群より選ばれる少なくとも２つの官能基を含みつつ、窒素原子を含まない化合物を含有することを特徴とする。
【００１２】
前記液晶用配向剤において、前記有機溶剤は、γ−ブチロラクトン、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル、ジイソブチルケトン、ブチルセロソルブ、１−ブトキシ−２−プロパノール及びシクロペンタノンからなる群より選ばれる少なくとも１種を含有するものであってもよい。
【００１３】
前記液晶用配向剤において、前記有機溶剤は、主剤としてγ−ブチロラクトン及び／又はシクロペンタノンを含有するものであってもよい。
【００１４】
前記液晶用配向剤において、前記有機溶剤は、γ−ブチロラクトンと共に、１−ブトキシ−２−プロパノール、ブチルセロソルブ、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル及びジイソブチルケトンからなる群より選ばれる少なくとも１種を含有するものであってもよい。
【００１５】
前記液晶用配向剤において、前記有機溶剤は、γ−ブチロラクトンと共に、ジイソブチルケトンを含有するものであってもよい。
【００１６】
前記液晶用配向剤において、前記配向膜形成材料は、誘電率異方性（Δε）が１０以上の液晶化合物を配向させる配向膜を形成する材料からなるものであってもよい。
【００１７】
前記液晶用配向剤において、前記配向膜形成材料は、アクリル系ポリマーを含有するものであってもよい。
【００１８】
前記液晶用配向剤において、前記配向膜形成材料は、ポリアミック酸を含有するものであってもよい。
【００１９】
また、本発明の液晶パネルは、液晶層と、前記液晶層を挟みつつ、各々の前記液晶層側の表面、又は何れか一方の前記液晶層側の表面に、前記何れかに記載の液晶用配向剤を利用して形成された配向膜を含む一対の第１基板及び第２基板とを備える。
【００２０】
液晶パネルにおいて、前記液晶層を構成する液晶化合物の誘電率異方性（Δε）が１０以上であってもよい。
【００２１】
また、本発明の走査アンテナは、前記何れかに記載の液晶パネルを備え、複数のアンテナ単位が配列された走査アンテナであって、前記液晶パネルの前記第１基板は、第１誘電体基板と、前記第１誘電体基板に支持された複数のＴＦＴ及び前記ＴＦＴに電気的に接続された複数のパッチ電極と、前記ＴＦＴ及び前記パッチ電極を覆う形で配され、前記配向膜からなる第１配向膜とを有するＴＦＴ基板からなり、前記液晶パネルの前記第２基板は、第２誘電体基板と、前記第２誘電体基板に支持され複数のスロットを含むスロット電極と、前記スロット電極を覆う形で配され、前記配向膜からなる第２配向膜とを有するスロット基板からなり、前記液晶パネルの前記液晶層は、前記第１配向膜及び前記第２配向膜が互いに対向する前記ＴＦＴ基板と前記スロット基板との間に介在され、前記スロット電極が形成されていない前記第２誘電体基板の反対面に、誘電体層を介して対向するように配される反射導電板を備える。
【００２２】
（発明の効果）
本発明によれば、極性の高い液晶化合物の配向制御に好適であり、液晶パネルの電圧保持率の低下が抑制される配向膜を形成するための液晶用配向剤等を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】液晶デバイスが備える液晶パネルの構成を模式的に表した断面図
【図２】一実施形態に係る走査アンテナの一部を模式的に表した断面図
【図３】走査アンテナが備えるＴＦＴ基板を模式的に表した平面図
【図４】走査アンテナが備えるスロット基板を模式的に表した平面図
【図５】ＴＦＴ基板のアンテナ単位領域を模式的に表した断面図
【図６】ＴＦＴ基板のアンテナ単位領域を模式的に表した平面図
【図７】スロット基板のアンテナ単位領域を模式的に表した断面図
【図８】走査アンテナのアンテナ単位を構成するＴＦＴ基板、液晶層及びスロット基板を模式的に表した断面図
【図９】電圧を印加していない状態の液晶レンズの構成を模式的に表した断面図
【図１０】十分な電圧を印加して液晶化合物をスイッチングさせた状態の液晶レンズの構成を模式的に表した断面図
【発明を実施するための形態】
【００２４】
〔液晶用配向剤〕
液晶用配向剤は、液晶デバイスが備える液晶パネルの配向膜（液晶配向膜）を形成するための流動性を備えた液状又はゾル状の組成物である。
【００２５】
ここで、先ず液晶デバイスが備える液晶パネルについて、図１を参照しつつ説明する。図１は、液晶デバイスが備える液晶パネルＰの構成を模式的に表した断面図である。液晶パネルＰは、液晶層ＬＣと、液晶層ＬＣを挟みつつ、各々の液晶層ＬＣ側の表面、又は何れか一方の液晶層ＬＣ側の表面に、液晶用配向剤を利用して形成された配向膜Ｍを含む一対の第１基板１００及び第２基板２００とを備えている。なお、図１には、第１基板１００の表面、及び第２基板２００の表面に、それぞれ配向膜Ｍ，Ｍが形成されている。
【００２６】
第１基板１００は、第１電極（不図示）等を支持する第１支持基板１１０を備えており、第１電極等を覆う形で、配向膜Ｍが形成されている。また、第２基板２００は、第２電極（不図示）等を支持する第２支持基板２２０を備えており、第２電極等を覆う形で、配向膜Ｍが形成されている。なお、他の場合においては、第１電極及び第２電極は、第１基板１００又は第２基板２００の何れか一方に形成されてもよい。
【００２７】
液晶パネルＰに利用される液晶ＬＣは、例えば、極性の高い液晶化合物（誘電率異方性の高い液晶化合物）から構成される。なお、液晶パネルＰで使用される具体的な液晶化合物は、後述する。
【００２８】
液晶パネルＰの第１基板１００等が備える配向膜Ｍは、例えば、極性の高い液晶化合物を含む液晶層ＬＣに常時、接触した状態となる。配向膜Ｍは、このように極性の高い液晶化合物に接触していても、従来の配向膜とは異なり、液晶層ＬＣ中にイオン成分等を発生させず、液晶パネルＰの電圧保持率の低下が抑制される。以下、配向膜Ｍを形成するための液晶用配向剤について、詳細に説明する。
【００２９】
液晶用配向剤は、主として、配向膜形成材料と、所定の有機溶剤とを含有する流動性（所定の粘度）を備えた組成物からなる。
【００３０】
配向膜形成材料は、液晶化合物を所定方向に配向可能な配向膜（液晶配向膜）を形成可能であり、後述する所定の有機溶剤に対して溶解性を示す材料であれば、本発明の目的を損なわない限り、特に制限はない。このような配向膜形成材料としては、例えば、アクリル系樹脂からなる配向膜を形成するためのアクリル系ポリマーが挙げられる。
【００３１】
このようなアクリル系ポリマーとしては、例えば、アルキル基を有するアルキル（メタ）アクリレート（以下、単に「アルキル（メタ）アクリレート」と称する）、及び／又は光反応性の官能基（光官能基）を有する（メタ）アクリレート（以下、単に「光反応性（メタ）アクリレート」と称する）を含むモノマー組成物の重合体が挙げられる。なお、本願明細書において、「（メタ）アクリル」とは、「アクリル」及び／又は「メタクリル」（「アクリル」及び「メタクリル」のうち、何れか一方又は両方）を意味する。また、本明細書において、「光官能基」は、液晶化合物を配向制御する特性を光照射によって発現する官能基である。
【００３２】
アルキル（メタ）アクリレートとしては、例えば、下記化学式（１）で表される化合物を好適に用いることができる。
【００３３】
【化１】
0006603804.tif 000002
【００３４】
上記化学式（１）中のＲ１は、水素原子又はメチル基である。また、Ｒ２は、炭素数が１〜１８の直線状又は分岐鎖状のアルキル基である。なお、Ｒ２としては、炭素数が１〜１０の直線状又は分岐鎖状のアルキル基が好ましく、炭素数が１〜８の直線状又は分岐鎖状のアルキル基がより好ましい。
【００３５】
なお、アルキル（メタ）アクリレートの具体例としては、例えば、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、プロピル（メタ）アクリレート、イソプロピル（メタ）アクリレート、ｎ−ブチル（メタ）アクリレート、イソブチル（メタ）アクリレート、ｓ−ブチル（メタ）アクリレート、ｔ−ブチル（メタ）アクリレート、ペンチル（メタ）アクリレート、イソペンチル（メタ）アクリレート、ヘキシル（メタ）アクリレート、ヘプチル（メタ）アクリレート、オクチル（メタ）アクリレート、２−エチルヘキシル（メタ）アクリレート、イソオクチル（メタ）アクリレート、ノニル（メタ）アクリレート、イソノニル（メタ）アクリレート、デシル（メタ）アクリレート、イソデシル（メタ）アクリレート、ウンデシル（メタ）アクリレート、ドデシル（メタ）アクリレート（ラウリル（メタ）アクリレート）、トリデシル（メタ）アクリレート、テトラデシル（メタ）アクリレート、ペンタデシル（メタ）アクリレート、ヘキサデシル（メタ）アクリレート、ヘプタデシル（メタ）アクリレート、オクタデシル（メタ）アクリレート（ステアリル（メタ）アクリレート）、イソステアリル（メタ）アクリレート等が挙げられる。これらは、単独で、又は２種以上組み合わせて用いられてもよい。
【００３６】
また、光反応性（メタ）アクリレートとしては、例えば、下記化学式（２）で表される化合物を好適に用いることができる。
【００３７】
【化２】
0006603804.tif 000003
【００３８】
上記化学式（２）中のＲ３は、水素原子又はメチル基である。また、Ｒ４は、スペーサ部であり、単結合又は２価の有機基である。なお、Ｒ４は、必須ではなく無くてもよい。Ｒ５は、修飾基であり、１価の有機基、又は水素原子である。光反応性（メタ）アクリレートは、紫外線等の所定の光を受けると反応し、構造が変化する。
【００３９】
アクリル系ポリマーが、上記化学式（２）等で示される光反応性（メタ）アクリレートに由来する構成単位を含む場合、そのようなアクリル系ポリマーからなる配向膜は、光配向膜（アクリル系光配向膜）として利用することができる。このような光配向膜（アクリル系配向膜）は、所定の光（例えば、直線偏光紫外線）が特定の方向から照射（光配向処理）されると、液晶層中の液晶化合物を、特定の方向に配向させる機能を発現する。このように配向膜形成材料として、側鎖に光反応性官能基を有するアクリル系モノマーに由来する構成単位を含む光反応性アクリル系ポリマーを含んでもよい。
【００４０】
上記アクリル系ポリマーは、上記モノマー（アルキル（メタ）アクリレート、光反応性（メタ）アクリレート）に由来する構成単位以外に、他のモノマーに由来する構成単位を含んでもよい。
【００４１】
他のモノマーとしては、例えば、液晶化合物のチルト角を制御すること等を目的として、非光反応性の垂直性側鎖を含む（メタ）アクリレートや、信頼性を改善すること等を目的として、非光反応性の熱架橋性側鎖を含む（メタ）アクリレート等が挙げられる。
【００４２】
上記アクリル系ポリマーは、公知乃至慣用の重合方法により上記モノマー組成物を重合することで調製される。アクリル系ポリマーの重合方法としては、例えば、溶液重合方法、乳化重合方法、塊状重合方法や紫外線照射による重合方法等が挙げられる。なお、アクリル系ポリマーの重合に際しては、重合開始剤、連鎖移動剤、乳化剤、溶剤等それぞれの重合方法に応じた適宜な成分が、公知乃至慣用のものの中から適宜選択して使用される。アクリル系ポリマーの重量平均分子量は、本発明の目的を損なわない限り、特に制限はない。配向膜形成材料として利用される好適なアクリル系ポリマーとしては、例えば、ポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）が挙げられる。
【００４３】
また、他の配向膜形成材料としては、例えば、ポリイミド系樹脂からなる配向膜を形成するためのポリアミック酸が挙げられる。
【００４４】
ポリアミック酸としては、特に制限はないが、例えば、下記化学式（３）で表されるものが挙げられる。
【００４５】
【化３】
0006603804.tif 000004
【００４６】
化学式（３）中のｐは、任意の自然数である。また、化学式（３）中、Ｘが光官能基を有する場合、Ｘは下記化学式（４−１）〜（４−４）で表される構造を有し、Ｙが光官能基を有する場合、Ｙは下記化学式（５−１）〜（５−８）で表される構造を有し、Ｚが光官能基を有する場合、Ｚは下記化学式（６−１）〜６−５）で表される構造を有する。なお、主鎖型のポリアミック酸の場合、Ｚは存在しない。
【００４７】
【化４】
0006603804.tif 000005
【００４８】
【化５】
0006603804.tif 000006
【００４９】
【化６】
0006603804.tif 000007
【００５０】
上記化学式（３）において、Ｘが光官能基を有する場合、上記のように、Ｘは、アゾベンゼン基、トラン基、スチルベン基、カルコン基の何れかを含む構造を備えている。また、上記化学式（３）において、Ｙが光官能基を有する場合、上記のように、Ｙは、アゾベンゼン基、トラン基、スチルベン基、カルコン基の何れかを含む構造を備えている。また、上記化学式（３）において、Ｚ（側鎖）が光官能基を有する場合、上記のように、Ｚは、シンナメート基を含む構造を備えている。
【００５１】
なお、上記化学式（３）で表されるポリマーの具体的な構造は、液晶化合物を配向させる方向（例えば、水平配向、垂直配向）等に応じて、適宜、選択される。
【００５２】
上記化学式（３）において、Ｘが光官能基以外の構造を有する場合、Ｘの構造としては特に制限されないが、例えば、下記化学式（７−１）〜化学式（７−７）で表される構造が挙げられる。
【００５３】
【化７】
0006603804.tif 000008
【００５４】
また、上記化学式（３）において、Ｙが光官能基以外の構造を有する場合、Ｙの構造としては特に制限されないが、例えば、下記化学式（８−１）〜化学式（８−９）で表される構造が挙げられる。
【００５５】
【化８】
0006603804.tif 000009
【００５６】
また、上記化学式（３）において、Ｚが光官能基以外の構造を有する場合、Ｚの構造としては、本発明の目的を損なわない限り、特に制限されない。
【００５７】
なお、配向膜形成材料として使用されるポリアミック酸は、光官能基を備えていなくてもよい。また、配向膜形成材料としては、アクリル系ポリマー、ポリアミック酸以外の他のポリマーが使用されてもよい。
【００５８】
液晶用配向剤が、極性の高い液晶化合物の配向制御を行う配向膜を形成するために利用される場合、配向膜形成材料としては、吸湿性が低く、後述する所定の有機溶剤に対する溶解性が良好なアクリル系ポリマーを用いることが好ましい。また、配向膜形成材料としては、配向膜の配向処理を行い易い等の理由により、光官能基を有するポリマー（例えば、光反応性アクリルポリマー）を用いることが好ましい。
【００５９】
液晶用配向剤に使用される所定の有機溶剤（以下、配向剤用有機溶剤）は、配向膜形成材料を溶解させる溶剤である。配向剤用有機溶剤は、メチレン基（−ＣＨ２−）、メチル基（ＣＨ３−）、エーテル基（−Ｏ−）、ケトン基及びヒドロキシル基からなる群より選ばれる少なくとも２つの官能基を含みつつ、窒素原子を含まない化合物からなる。このような配向剤用有機溶剤は、配向膜形成材料に対する溶解性を備えつつ、窒素原子を含んでいないため、配向膜とされた後、液晶層ＬＣ中でイオン成分等を発生させず、液晶パネルＰの電圧保持率の低下を抑制することができる。
【００６０】
また、より好ましい配向剤用有機溶剤としては、メチレン基（−ＣＨ２−）、メチル基（ＣＨ３−）、エーテル基（−Ｏ−）及びケトン基からなる群より選ばれる少なくとも２つの官能基を含みつつ、窒素原子を含まない化合物からなる。このような配向剤用有機溶剤は、配向膜形成材料に対する溶解性を備えつつ、窒素原子を含んでいないため、配向膜とされた後、液晶層ＬＣ中でイオン成分等を発生させず、液晶パネルＰの電圧保持率の低下を抑制することができる。
【００６１】
具体的な配向剤用有機溶剤としては、例えば、下記化学式（９−１）〜化学式（９−７）が挙げられる。
【００６２】
【化９】
0006603804.tif 000010
【００６３】
なお、化学式（９−１）で示される化合物は、γ−ブチロラクトン（ＧＢＬ）であり、化学式（９−２）で示される化合物は、ジエチレングリコールジエチルエーテル（ＤＥＤＥ）であり、化学式（９−３）で示される化合物は、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル（ＤＥＤＭ）であり、化学式（９−４）は、ジイソブチルケトン（ＤＩＢＫ）であり、化学式（９−５）で示される化合物は、ブチルセロソルブ（ＢＣ）であり、化学式（９−６）で示される化合物は、１−ブトキシ−２−プロパノール（ＢＰ）であり、化学式（９−７）で示される化合物は、シクロペンタノン（ＣＰ）である。
【００６４】
配向剤用有機溶剤は、配向膜形成材料が析出する等の問題がない限り、単独で又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００６５】
液晶用配向剤における配向膜形成材料と、配向剤用有機溶剤との配合比率は、本願発明の目的を損なわない限り、特に制限はない。なお、配向膜形成材料の配合量は、通常、配向膜を形成し易い等の理由により、液晶用配向剤がある程度の粘性を有し、かつ配向膜形成材料が配向剤用有機溶剤に完全に溶解可能な範囲で設定される。
【００６６】
なお、配向剤用有機溶剤は、γ−ブチロラクトン、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル、ジイソブチルケトン、ブチルセロソルブ、１−ブトキシ−２−プロパノール及びシクロペンタノンからなる群より選ばれる少なくとも１種を含有することが好ましい。このような配向剤用有機溶剤は、配向膜形成材料に対する溶解性を備えつつ、窒素原子を含んでいないため、配向膜とされた後、液晶層ＬＣ中でイオン成分等を発生させず、液晶パネルＰの電圧保持率の低下を抑制することができる。
【００６７】
また、配向剤用有機溶剤は、主剤としてγ−ブチロラクトン及び／又はシクロペンタノンを含有することが好ましい。配向剤用有機溶剤における主剤とは、液晶用配向剤におけるすべての配向剤用有機溶剤のうち、４０質量％以上を占める配向剤用有機溶剤のことである。なお、主剤としてγ−ブチロラクトン及び／又はシクロペンタノンを含有する場合とは、「γ−ブチロラクトンのみで４０質量％以上を占める場合」、「シクロペンタノンのみで４０質量％以上を占める場合」、並びに「γ−ブチロラクトン及びシクロペンタノンの混合溶媒で４０質量％以上を占める場合」の何れかである。γ−ブチロラクトン及び／又はシクロペンタノンは、何れも配向膜形成材料に対する溶解性が高いため、主剤として用いるのが好ましい。主剤としてγ−ブチロラクトン及び／又はシクロペンタノンを含有する配向剤用有機溶剤は、塗膜の厚みを均一に保つ性質（以下、塗膜均一性）に優れる。
【００６８】
また、配向剤用有機溶剤は、主剤としてγ−ブチロラクトンを含有することが好ましい。γ−ブチロラクトンは、配向膜形成材料に対する溶解性が特に高く、良溶剤である。なお、本明細書において、「良溶剤」とは、配向膜形成材料（固形成分）の濃度が２〜１０質量％の場合に、室温（２４℃）条件下で、配向膜形成材料（固形成分）を実質的にすべて（好ましくは、完全に）溶解する配向剤用有機溶剤のことである。
【００６９】
また、配向剤用有機溶剤としては、γ−ブチロラクトン（ＧＢＬ）と共に、１−ブトキシ−２−プロパノール（ＢＰ）、ブチルセロソルブ（ＢＣ）、ジエチレングリコールジエチルエーテル（ＤＥＤＥ）、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル（ＤＥＤＭ）及びジイソブチルケトン（ＤＩＢＫ）からなる群より選ばれる少なくとも１種を含有するものであってもよい。γ−ブチロラクトンは、上述したように、良溶剤であり、配向膜形成材料に対する溶解性が特に優れる。これに対し、１−ブトキシ−２−プロパノール（ＢＰ）、ブチルセロソルブ（ＢＣ）、ジエチレングリコールジエチルエーテル（ＤＥＤＥ）、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル（ＤＥＤＭ）及びジイソブチルケトン（ＤＩＢＫ）は、何れも、良溶剤ではない溶剤（以下、貧溶剤）ではあるものの、塗膜形成時に液晶用配向剤を拡がり易くする性質（拡がり性）や、塗膜均一性等に優れている。そのため、拡がり性、塗膜均一性等を確保するために、液晶用配向剤の配向剤用有機溶剤として、良溶剤であるγ−ブチロラクトンと共に、配向膜形成材料が析出しない程度の量で、前記貧溶剤（ＢＰ、ＢＣ、ＤＥＤＥ、ＤＥＤＭ、ＤＩＢＫ）が併用されてもよい。
【００７０】
また、配向剤用有機溶剤としては、γ−ブチロラクトンと共に、ジイソブチルケトンを含有するものであってもよい。液晶用配向剤を、例えば、インクジェット方式で対象物（例えば、第１基板１００等）に塗工する場合、液晶用配向剤としては、拡がり性、塗膜均一性等に加えて更に、揮発性が低く、対象物（第１基板１００等）に対する表面張力が低いこと等が求められる。ジイソブチルケトン（ＤＩＢＫ）は、そのような性質（拡がり性、塗膜均一性、低揮発性、濡れ性（低表面張力）等）を備えており、γ−ブチロラクトンと共に、配向膜形成材料が析出しない程度の量で、併用されてもよい。
【００７１】
上記液晶用配向剤を用いて配向膜Ｍを形成する方法としては、特に制限はなく、公知の配向膜形成方法を適用できる。例えば、液晶用配向剤が、塗布対象物である第１基板１００等の表面に、公知の塗工方法（例えば、スピンコート、インクジェット方式等）を利用して塗工される。塗工後の塗膜は、溶媒の除去や、ポリマーの硬化等を目的として、適宜、加熱される。
【００７２】
液晶用配向剤からなる塗膜に対して、配向処理が施されると、液晶化合物を所定方向に配向させる機能が発現し、前記塗膜が配向膜Ｍとなる。配向処理としては、特に制限はなく、ラビング処理を行ってもよいし、塗膜が光官能基を有するポリマーからなる場合は、所定の方向から光（例えば、直線偏光紫外線）を照射する光配向処理を行ってもよい。
【００７３】
なお、配向膜Ｍの厚みは、特に制限はなく、必要に応じて適宜、設定される。
【００７４】
本実施形態の液晶用配向剤から得られる配向膜Ｍは、従来の液晶表示装置で使用される一般的な液晶化合物の配向制御のみならず、それよりも極性の高い液晶化合物の配向制御にも使用することができる。
【００７５】
ここで、上述した液晶パネルＰで使用される具体的な液晶化合物について、説明する。液晶パネルＰで使用される液晶化合物は、液晶パネルＰの用途に応じて、適宜、公知の液晶化合物の中から適宜、選択される。
【００７６】
なお、本実施形態の液晶パネルＰは、従来の液晶デバイスでは電圧保持率が低下してしまうような、極性の高い液晶化合物を使用することができる。本実施形態の液晶用配向剤から形成された配向膜Ｍは、液晶層ＬＣ中でイオン成分等を発生させず、液晶パネルＰの電圧保持率の低下を抑制することができる。
【００７７】
液晶パネルＰの液晶層ＬＣに使用可能な極性の高い液晶化合物としては、例えば、誘電率異方性（Δε）が１０以上の液晶化合物が挙げられる。
【００７８】
また、液晶パネルＰの液晶層ＬＣに使用可能な極性の高い液晶化合物としては、例えば、液晶化合物の末端に、ハロゲン基（Ｆ基、Ｃｌ基、Ｂｒ基）、ＳＣＮ基、ＮＣＳ基、ＣＮ基、ＯＣＮ基、ＮＣＯ基、ＣＦ３基、ＯＣＦ３基、及びＳＦ５基からなる群より選ばれる少なくとも１つの官能基を有するものが挙げられる。
【００７９】
そして更に、上記官能基と共に、液晶化合物中に、炭素−炭素三重結合（アセチレン結合）、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−ＣＦ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＦ−、−（ＣＯ）Ｏ−、−Ｏ（ＣＯ）−、及び−Ｏ−からなる群より選ばれる少なくとも１つの結合を有するものが極性の高い液晶化合物として好適である。
【００８０】
なお、液晶パネルＰで使用可能な、極性の高い具体的な液晶化合物としては、例えば、末端にＮＣＳ基（イソチオシアネート基）を有する下記化学式（１０−１）〜化学式（１０−４）で示される液晶化合物が挙げられる。
【００８１】
【化１０】
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【００８２】
上記化学式（１０−１）〜化学式（１０−４）において、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８及びＲ９は、何れも炭素数が２〜５の直鎖状のアルキル基（例えば、エチル基（Ｃ２Ｈ５）、プロピル基（Ｃ３Ｈ７）、ブチル基（Ｃ４Ｈ９）、ペンチル基（Ｃ５Ｈ１１））である。また、上記化学式（１０−１）〜化学式（１０−４）において、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｘ５、Ｘ６、Ｘ７、Ｘ８、Ｘ９、Ｘ１０、Ｘ１１、Ｘ１２、Ｘ１３、Ｘ１４及びＸ１５は、互いに独立しており、それらは、Ｈ（水素原子）、Ｆ（フッ素原子）、ＣＨ３（メチル基）及びＣｌ（クロロ基）の何れかである。
【００８３】
例えば、上記化学式（１０−１）〜化学式（１０−４）で示される液晶化合物を、適宜、組み合わせることで、誘電率異方性（Δε）が１０以上の液晶組成物を得ることができる。以上のような極性の高い液晶化合物は、例えば、後述する走査アンテナや液晶レンズに好適である。
【００８４】
以上のような、液晶パネルＰを備えた液晶デバイスとしては、例えば、液晶を利用した走査アンテナ、光学素子として液晶を利用した液晶レンズ等が挙げられる。次いで、液晶用配向剤が適用される液晶デバイスの具体例として、走査アンテナについて説明する。
【００８５】
〔走査アンテナの基本構造〕
走査アンテナは、ビーム方向を変更可能なビーム走査機能を備えており、液晶材料の大きな誘電率ｍ（εｍ）の異方性（複屈折率）を利用した複数のアンテナ単位を備えた構造を有する。走査アンテナは、各アンテナ単位の液晶層に印加する電圧を制御し、各アンテナ単位の液晶層の実効的な誘電率ｍ（εｍ）を変化させることで、静電容量の異なる複数のアンテナ単位で２次元的なパターンを形成する。なお、液晶材料の誘電率は周波数分散を有するため、本明細書では、マイクロ波の周波数帯における誘電率を、特に「誘電率ｍ（εｍ）」と表記する。
【００８６】
走査アンテナから出射される、又は走査アンテナによって受信される電磁波（例えば、マイクロ波）には、各アンテナ単位の静電容量に応じた位相差が与えられ、静電容量の異なる複数のアンテナ単位によって形成された２次元的なパターンに応じて、特定の方向に強い指向性を有することになる（ビーム走査）。例えば、走査アンテナから出射される電磁波は、入力電磁波が各アンテナ単位に入射し、各アンテナ単位で散乱された結果得られる球面波を、各アンテナ単位によって与えられる位相差を考慮して積分することによって得られる。
【００８７】
ここで、一実施形態に係る走査アンテナの基本構造を、図２等を参照しつつ説明する。図２は、一実施形態に係る走査アンテナ１０００の一部を模式的に表した断面図である。本実施形態の走査アンテナ１０００は、スロット５７が同心円状に配列されたラジアルインラインスロットアンテナである。図２には、同心円状に配列されたスロットの中心近傍に設けられた給電ピン７２から半径方向に沿った断面の一部が模式的に示されている。なお、他の実施形態では、スロットの配列が公知の種々の配列（例えば、螺旋状、マトリクス状）であってもよい。
【００８８】
走査アンテナ１０００は、主として、ＴＦＴ基板１０１（第１基板１００の一例）と、スロット基板２０１（第２基板２００の一例）と、これらの間に配される液晶層ＬＣ１（液晶層ＬＣの一例）と、反射導電板６５とを備えている。走査アンテナ１０００は、ＴＦＴ基板１０１側からマイクロ波を送受信する構成となっている。ＴＦＴ基板１０１及びスロット基板２０１は、液晶層ＬＣ１を挟んで互いに対向する形で配置されている。
【００８９】
ＴＦＴ基板１０１は、ガラス基板等の誘電体基板（第１誘電体基板、第１支持基板の一例）１と、誘電体基板１の液晶層ＬＣ１側に形成された複数のパッチ電極１５及び複数のＴＦＴ（thin film transistor）１０と、液晶層ＬＣ１側の最表面に形成された配向膜Ｍ１（配向膜Ｍの一例、第１配向膜）とを備えている。各ＴＦＴ１０には、図２で図示されないゲートバスライン及びソースバスラインが接続されている。
【００９０】
スロット基板２０１は、ガラス基板等の誘電体基板（第２誘電体基板、第２支持基板の一例）５１と、誘電体基板５１の液晶層ＬＣ１側に形成されたスロット電極５５と、液晶層ＬＣ１側の最表面に形成された配向膜Ｍ２（配向膜Ｍの一例、第２配向膜）とを備えている。スロット電極５５は、複数のスロット５７を備えている。
【００９１】
ＴＦＴ基板１０１及びスロット基板２０１に使用される誘電体基板１，５１としては、マイクロ波に対する誘電損失が小さいことが好ましく、ガラス基板以外にプラスチック基板を利用することができる。誘電体基板１，５１の厚みは、特に制限はないが、例えば、４００μｍ以下が好ましく、３００μｍ以下がより好ましい。なお、誘電体基板１，５１の厚みの下限は、特に制限はなく、製造プロセス等において耐え得る強度を備えるものであればよい。
【００９２】
反射導電板６５は、スロット基板２０１に対して空気層５４を介して対向する形で配されている。なお、他の実施形態においては、空気層５４に代えて、マイクロ波に対する誘電率ｍが小さい誘電体（例えば、ＰＴＦＥ等のフッ素樹脂）で形成される層を用いてもよい。本実施形態の走査アンテナ１０００において、スロット電極５５と、反射導電板６５と、これらの間の誘電体基板５１及び空気層５４が導波路３０１として機能する。
【００９３】
パッチ電極１５と、スロット５７を含むスロット電極５５の部分（以下、「スロット電極単位５７Ｕ」と称する場合がある）と、これらの間の液晶層ＬＣ１とがアンテナ単位Ｕを構成する。各々のアンテナ単位Ｕにおいて、１つの島状のパッチ電極１５が、１つの孔状のスロット５７（スロット電極単位５７Ｕ）と対向するように液晶層ＬＣ１を介して対向しており、それぞれ液晶容量が構成される。本実施形態の走査アンテナ１０００では、複数のアンテナ単位Ｕが同心円状に配列されている。なお、アンテナ単位Ｕは、液晶容量と電気的に並列に接続された補助容量を備えている。
【００９４】
スロット電極５５は、各スロット電極単位５７Ｕにおいてアンテナ単位Ｕを構成すると共に、導波路３０１の壁としても機能する。そのためスロット電極５５には、マイクロ波の透過を抑制する機能が必要であり、比較的厚みのある金属層から構成される。このような金属層としては、例えば、Ｃｕ層、Ａｌ層等が挙げられる。例えば、１０ＧＨｚのマイクロ波を１／１５０まで低減するためには、Ｃｕ層の厚みは３．３μｍ以上に設定され、Ａｌ層の厚みは４．０μｍ以上に設定される。また、３０ＧＨｚのマイクロ波を１／１５０まで低減するためには、Ｃｕ層の厚みは１．９μｍ以上に設定され、Ａｌ層の厚みは２．３μｍ以上に設定される。スロット電極５５を構成する金属層の厚みの上限については、特に制限はないものの、後述するように配向膜Ｍ２の形成を考慮すると、薄ければ薄い方が好ましいと言える。なお、金属層として、Ｃｕ層を用いると、Ａｌ層よりも薄くできるという利点を有する。スロット電極５５の形成方法としては、従来の液晶表示装置の技術で利用される薄膜堆積法や、金属箔（例えば、Ｃｕ箔、Ａｌ箔）を基板上に貼り付ける等の他の方法が用いられてもよい。金属層の厚みは、例えば、２μｍ以上３０μｍ以下に設定される。また、薄膜堆積法を用いて金属層を形成する場合、金属層の厚みは例えば、５μｍ以下に設定される。反射導電板６５は、例えば厚みが数ｍｍのアルミニウム板、銅板等を用いることができる。
【００９５】
パッチ電極１５は、スロット電極５５のように導波路３０１を構成するものではないため、スロット電極５５よりも厚みの小さい金属層によって構成される。なお、スロット電極５５のスロット５７付近の自由電子の振動がパッチ電極１５内の自由電子の振動を誘起する際に熱に変わるロスを避けるために、抵抗が低い方が好ましい。量産性等の観点からは、Ｃｕ層よりもＡｌ層を用いることが好ましく、Ａｌ層の厚みは例えば、０．５μｍ以上２μｍ以下が好ましい。
【００９６】
アンテナ単位Ｕの配列ピッチは、マイクロ波の波長をλとすると、例えば、λ／４以下、及び／又はλ／５以下に設定される。波長λは、例えば２５ｍｍであり、その場合の配列ピッチは、例えば、６．２５ｍｍ以下、及び／又は５ｍｍ以下に設定される。
【００９７】
走査アンテナ１０００は、アンテナ単位Ｕが有する液晶容量の静電容量値を変化させることによって、各パッチ電極１５から励振（再輻射）されるマイクロ波の位相を変化させる。したがって、液晶層ＬＣ１としては、マイクロ波に対する誘電率ｍ（εｍ）の異方性（Δεｍ）が大きいことが好ましく、またｔａｎδｍ（マイクロ波に対する誘電正接）は小さいことが好ましい。例えば、M. Wittek et al., SID 2015 DIGESTpp.824-826に記載のΔεｍが４以上で、ｔａｎδＭが０．０２以下（いずれも１９Ｇｚの値）の液晶材料を好適に用いることができる。この他、九鬼、高分子５５巻８月号pp.599-602(2006)に記載のΔεｍが０．４以上、ｔａｎδｍが０．０４以下の液晶材料を用いることができる。
【００９８】
液晶材料の誘電率は一般的に周波数分散を有するものの、マイクロ波に対する誘電異方性Δεｍは、可視光に対する屈折率異方性Δｎと正の相関がある。そのため、マイクロ波に対するアンテナ単位用の液晶材料は、可視光に対する屈折率異方性Δｎが大きい材料が好ましいと言える。ここで５５０ｎｍの光に対するΔｎ（複屈折率）を指標に用いると、Δｎが０．３以上、好ましくは０．４以上のネマチック液晶が、マイクロ波に対するアンテナ単位用に用いられる。Δｎの上限は特に制限はない。液晶層ＬＣ１の厚みは、例えば、１μｍ以上５００μｍ以下に設定される。
【００９９】
図３は、走査アンテナ１０００が備えるＴＦＴ基板１０１を模式的に表した平面図であり、図４は、走査アンテナ１０００が備えるスロット基板２０１を模式的に表した平面図である。なお、アンテナ単位Ｕに対応するＴＦＴ基板１０１の領域、及びスロット基板２０１の領域を、説明の便宜上、共に「アンテナ単位領域」と称し、アンテナ単位と同じ参照符号を、それらの参照符号とする。また、図３及び図４に示されるように、ＴＦＴ基板１０１及びスロット基板２０１において、２次元的に配列された複数のアンテナ単位領域Ｕによって画定される領域を「送受信領域Ｒ１」と称し、送受信領域Ｒ１以外の領域を「非送受信領域Ｒ２」と称する。非送受信領域Ｒ２には、端子部、駆動回路等が配設されている。
【０１００】
送受信領域Ｒ１は、平面視した際、円環状をなしている。非送受信領域Ｒ２は、送受信領域Ｒ１の中心部に位置する第１非送受信領域Ｒ２ａと、送受信領域Ｒ１の周縁に配される第２非送受信領域Ｒ２ｂとを含んでいる。送受信領域Ｒ１の外径は、例えば２００ｍｍ以上１，５００ｍｍ以下であり、通信量等に応じて適宜、設定される。
【０１０１】
ＴＦＴ基板１０１の送受信領域Ｒ１には、誘電体基板１に支持された複数のゲートバスラインＧＬ及び複数のソースバスラインＳＬが設けられており、これらの配線を利用して各アンテナ単位領域Ｕの駆動が制御される。各々のアンテナ単位領域Ｕは、ＴＦＴ１０と、ＴＦＴ１０に電気的に接続されたパッチ電極１５とを含んでいる。ＴＦＴ１０のソース電極はソースバスラインＳＬに電気的に接続され、ゲート電極はゲートバスラインＧＬに電気的に接続されている。また、ＴＦＴ１０のドレイン電極は、パッチ電極１５と電気的に接続されている。
【０１０２】
非送受信領域Ｒ２（第１非送受信領域Ｒ２ａ、第２非送受信領域Ｒ２ｂ）には、送受信領域Ｒ１を取り囲むようにシール材（不図示）が形成されたシール領域Ｒｓが配設されている。シール材は、ＴＦＴ基板１０１及びスロット基板２０１を互いに接着させると共に、これらの基板１０１，２０１間で液晶材料（液晶層ＬＣ１）を封止する機能等を有する。
【０１０３】
非送受信領域Ｒ２のうち、シール領域Ｒ２の外側には、ゲート端子部ＧＴ、ゲートドライバＧＤ、ソース端子部ＳＴ及びソースドライバＳＤが配設されている。各々のゲートバスラインＧＬは、ゲート端子部ＧＴを介してゲートドライバＧＤに接続されており、また、各々のソースバスラインＳＬは、ソース端子部ＳＴを介してソースドライバＳＤに接続されている。なお、本実施形態では、ソースドライバＳＤ及びゲートドライバＧＤの双方が、ＴＦＴ基板１０１の誘電体基板１上に形成されているが、これらのドライバの一方又は双方は、スロット基板２０１の誘電体基板５１上に形成されてもよい。
【０１０４】
また、非送受信領域Ｒ２には複数のトランスファー端子部ＰＴが設けられている。トランスファー端子部ＰＴは、スロット基板２０１のスロット電極５５と電気的に接続されている。本実施形態では、第１非送受信領域Ｒ２ａ及び第２非送受信領域Ｒ２ｂの双方に、トランスファー端子部ＰＴが配設されている。他の実施形態においては、何れか一方の領域のみにトランスファー端子部ＰＴが配設される構成であってもよい。また、本実施形態の場合、トランスファー端子部ＰＴは、シール領域Ｒｓ内に配設されている。そのため、シール材として、導電性粒子（導電性ビーズ）を含有する導電性樹脂が用いられる。
【０１０５】
図４に示されるように、スロット基板２０１では、誘電体基板５１上にスロット電極５５が、送受信領域Ｒ１及び非送受信領域Ｒ２に亘って形成されている。なお、図４には、液晶層ＬＣ１側から見たスロット基板２０１の表面が示されており、説明の便宜上、最表面に形成されている配向膜Ｍ２が取り除かれている。
【０１０６】
スロット基板２０１の送受信領域Ｒ１において、スロット電極５５には複数のスロット５７が配設されている。これらのスロット５７は、ＴＦＴ基板１０１のアンテナ単位領域Ｕにそれぞれ１つずつ割り当てられている。本実施形態の場合、複数のスロット５７は、ラジアルインラインスロットアンテナを構成するように、互いに概ね直交する方向に延びる一対のスロット５７が同心円状に配置されている。このような一対のスロット５７を有するため、走査アンテナ１０００は、円偏波を送受信することができる。
【０１０７】
スロット基板２０１における非送受信領域Ｒ２には、スロット電極５５の端子部ＩＴが複数設けられている。端子部ＩＴは、ＴＦＴ基板１０１のトランスファー端子部ＰＴと電気的に接続される。本実施形態の場合、端子部ＩＴは、シール領域Ｒｓ内に配設されており、上述したように、導電性粒子（導電性ビーズ）を含む導電性樹脂からなるシール材によって対応するトランスファー端子部ＰＴと電気的に接続される。
【０１０８】
また、第１非送受信領域Ｒ２ａには、スロット５７がなす同心円の中心に配置する形で、給電ピン７２が設けられている。この給電ピン７２によって、スロット電極５５、反射導電板６５及び誘電体基板５１で構成された導波路３０１にマイクロ波が供給される。なお、給電ピン７２は、給電装置７０に接続されている。なお、給電方式としては、直結給電方式及び電磁結合方式の何れであってもよく、公知の給電構造を採用することができる。
【０１０９】
以下、ＴＦＴ基板１０１、スロット基板２０１及び導波路３０１について、詳細に説明する。
【０１１０】
（ＴＦＴ基板１０１の構造）
図５は、ＴＦＴ基板１０１のアンテナ単位領域Ｕを模式的に表した断面図であり、図６は、ＴＦＴ基板１０１のアンテナ単位領域Ｕを模式的に表した平面図である。図５及び図６には、それぞれ送受信領域Ｒ１の一部の断面構成が示されている。
【０１１１】
ＴＦＴ基板１０１の各々のアンテナ単位領域Ｕは、誘電体基板（第１誘電体基板）１と、誘電体基板１に支持されたＴＦＴ１０と、ＴＦＴ１０を覆う第１絶縁層１１と、第１絶縁層１１上に形成されＴＦＴ１０に電気的に接続されたパッチ電極１５と、パッチ電極１５を覆う第２絶縁層１７と、第２絶縁層１７を覆う配向膜Ｍ１とをそれぞれ備えている。
【０１１２】
ＴＦＴ１０は、ゲート電極３、島状の半導体層５、ゲート電極３と半導体層５との間に配されるゲート絶縁層４、ソース電極７Ｓ及びドレイン電極７Ｄを備える。本実施形態のＴＦＴ１０は、ボトムゲート構造を有するチャネルエッチ型である。なお、他の実施形態においては、他の構造のＴＦＴであってもよい。
【０１１３】
ゲート電極３は、ゲートバスラインＧＬに電気的に接続されており、ゲートバスラインＧＬから走査信号が供給される。ソース電極７Ｓは、ソースバスラインＳＬに電気的に接続されており、ソースバスラインＳＬからデータ信号が供給される。ゲート電極３及びゲートバスラインＧＬは、同じ導電膜（ゲート用導電膜）から形成されてもよい。また、ソース電極７Ｓ、ドレイン電極７Ｄ及びソースバスラインＳＬは同じ導電膜（ソース用導電膜）から形成されてもよい。ゲート用導電膜及びソース用導電膜は、例えば、金属膜からなる。なお、ゲート用導電膜を用いて形成された層を「ゲートメタル層」と称し、ソース用導電膜を用いて形成された層を「ソースメタル層」と称する場合がある。
【０１１４】
半導体層５は、ゲート絶縁層４を介してゲート電極３と重なるように配置されている。図５に示されるように、半導体層５上に、ソースコンタクト層６Ｓ及びドレインコンタクト層６Ｄが形成されている。ソースコンタクト層６Ｓ及びドレインコンタクト層６Ｄは、それぞれ、半導体層５のうちチャネルが形成される領域（チャネル領域）の両側に対峙する形で配置されている。本実施形態の場合、半導体層５は真性アモルファスシリコン（ｉ−ａ−Ｓｉ）層かなり、ソースコンタクト層６Ｓ及びドレインコンタクト層６Ｄはｎ+型アモルファスシリコン（ｎ+−ａ−Ｓｉ）層からなる。なお、他の実施形態においては、半導体層５を、ポリシリコン層、酸化物半導体層等から構成してもよい。
【０１１５】
ソース電極７Ｓは、ソースコンタクト層６Ｓに接するように設けられ、ソースコンタクト層６Ｓを介して半導体層５に接続されている。ドレイン電極７Ｄは、ドレインコンタクト層６Ｄに接するように設けられ、ドレインコンタクト層６Ｄを介して半導体層５に接続されている。
【０１１６】
第１絶縁層１１は、ＴＦＴ１０のドレイン電極７Ｄに達するコンタクトホールＣＨ１を備えている。
【０１１７】
パッチ電極１５は、第１絶縁層１１上及びコンタクトホールＣＨ１内に設けられており、コンタクトホールＣＨ１内でドレイン電極７Ｄと接している。パッチ電極１５は、主として、金属層から構成される。なお、パッチ電極１５は、金属層のみから形成された金属電極であってもよい。パッチ電極１５の材料は、ソース電極７Ｓ及びドレイン電極７Ｄと同じであってもよい。パッチ電極１５における金属層の厚み（パッチ電極１５が金属電極の場合は、パッチ電極１５の厚み）は、ソース電極７Ｓ及びドレイン電極７Ｄの厚みと同じであってもよいが、それらよりも大きい方が好ましい。パッチ電極１５の厚みが大きいと、電磁波の透過率が低く抑えられ、パッチ電極のシート抵抗が低減し、パッチ電極内の自由電子の振動が熱に変わるロスが低減する。
【０１１８】
また、ゲートバスラインＧＬと同じ導電膜を用いて、ＣＳバスラインＣＬが設けられてもよい。ＣＳバスラインＣＬは、ゲート絶縁層４を介してドレイン電極７Ｄ（又はドレイン電極７Ｄの延長部分）と重なるように配置され、ゲート絶縁層４を誘電体層とする補助容量ＣＳを構成してもよい。
【０１１９】
本実施形態では、ソースメタル層とは異なる層内にパッチ電極１５が形成されている。そのため、ソースメタル層の厚みとパッチ電極１５の厚みとを互いに独立して制御できる構成となっている。
【０１２０】
パッチ電極１５は、主層としてＣｕ層又はＡｌ層を含んでもよい。走査アンテナの性能はパッチ電極１５の電気抵抗と相関があり、主層の厚みは、所望の抵抗が得られるように設定される。パッチ電極１５は、電子の振動を阻害しない程度に低抵抗であることが好ましい。パッチ電極１５における金属層の厚みは、Ａｌ層で形成する場合、例えば０．５μｍ以上に設定される。
【０１２１】
配向膜Ｍ１は、上述した液晶用配向剤を用いて形成される。
【０１２２】
ＴＦＴ基板１０１は、例えば、以下に示される方法で製造される。先ず、誘電体基板１を用意する。誘電体基板１としては、例えば、ガラス基板、耐熱性を有するプラスチック基板等を用いることができる。そのような誘電体基板１上に、ゲート電極３及びゲートバスラインＧＬを含むゲートメタル層を形成する。
【０１２３】
ゲート電極３は、ゲートバスラインＧＬと一体的に形成され得る。ここでは、誘電体基板１上に、スパッタ法等によって、ゲート用導電膜（厚み：例えば５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下）を形成する。次いで、ゲート用導電膜をパターニングすることによって、ゲート電極３及びゲートバスラインＧＬが形成される。ゲート用導電膜の材料は特に限定されないが、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、銅（Ｃｕ）等の金属又はその合金、若しくはその金属窒化物を含む膜を適宜用いることができる。ここでは、ゲート用導電膜として、ＭｏＮ（厚み：例えば５０ｎｍ）、Ａｌ（厚み：例えば２００ｎｍ）及びＭｏＮ（厚み：例えば５０ｎｍ）をこの順で積層した積層膜を形成する。
【０１２４】
次いで、ゲートメタル層を覆うようにゲート絶縁層４を形成する。ゲート絶縁層４は、ＣＶＤ法等によって形成され得る。ゲート絶縁層４としては、酸化珪素（ＳｉＯ２）層、 窒化珪素（ＳｉＮｘ）層、酸化窒化珪素（ＳｉＯｘＮｙ；ｘ＞ｙ）層、窒化酸化珪素（ＳｉＮｘＯｙ；ｘ＞ｙ）層等を適宜用いることができる。ゲート絶縁層４は積層構造を有していてもよい。ここでは、ゲート絶縁層４として、ＳｉＮｘ層（厚み：例えば４１０ｎｍ）を形成する。
【０１２５】
次いで、ゲート絶縁層４上に半導体層５及びコンタクト層を形成する。ここでは、真性アモルファスシリコン膜（厚み：例えば１２５ｎｍ）及びｎ+型アモルファスシリコン膜（厚み：例えば６５ｎｍ）をこの順で形成し、パターニングすることにより、島状の半導体層５及びコンタクト層を得る。なお、半導体層５に用いる半導体膜はアモルファスシリコン膜に限定されない。例えば、半導体層５として酸化物半導体層を形成してもよい。この場合には、半導体層５とソース・ドレイン電極との間にコンタクト層を設けなくてもよい。
【０１２６】
次いで、ゲート絶縁層４上及びコンタクト層上にソース用導電膜（厚み：例えば５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下）を形成し、これをパターニングすることによって、ソース電極７Ｓ、ドレイン電極７Ｄ及びソースバスラインＳＬを含むソースメタル層を形成する。このとき、コンタクト層もエッチングされ、互いに分離されたソースコンタクト層６Ｓとドレインコンタクト層６Ｄとが形成される。
【０１２７】
ソース用導電膜の材料は特に限定されず、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、銅（Ｃｕ）等の金属またはその合金、若しくはその金属窒化物を含む膜を適宜用いることができる。ここでは、ソース用導電膜として、ＭｏＮ（厚み：例えば３０ｎｍ）、Ａｌ（厚み：例えば２００ｎｍ）及びＭｏＮ（厚み：例えば５０ｎｍ）をこの順で積層した積層膜を形成する。
【０１２８】
ここでは、例えば、スパッタ法でソース用導電膜を形成し、ウェットエッチングによりソース用導電膜のパターニング（ソース・ドレイン分離）を行う。この後、例えばドライエッチングにより、コンタクト層のうち、半導体層５のチャネル領域となる領域上に位置する部分を除去してギャップ部を形成し、ソースコンタクト層６Ｓ及びドレインコンタクト層６Ｄとに分離する。このとき、ギャップ部において、半導体層５の表面近傍もエッチングされる（オーバーエッチング）。
【０１２９】
次に、ＴＦＴ１０を覆うように第１絶縁層１１を形成する。この例では、第１絶縁層１１は、半導体層５のチャネル領域と接するように配置される。また、公知のフォトリソグラフィ技術により、第１絶縁層１１に、ドレイン電極７Ｄに達するコンタクトホールＣＨ１を形成する。
【０１３０】
第１絶縁層１１は、例えば、酸化珪素（ＳｉＯ２）膜、窒化珪素（ＳｉＮｘ）膜、酸化窒化珪素（ＳｉＯｘＮｙ；ｘ＞ｙ）膜、窒化酸化珪素（ＳｉＮｘＯｙ；ｘ＞ｙ）膜等の無機絶縁層であってもよい。ここでは、第１絶縁層１１として、例えばＣＶＤ法により、厚みが例えば３３０ｎｍのＳｉＮｘ層を形成する。
【０１３１】
次いで、第１絶縁層１１上及びコンタクトホールＣＨ１内にパッチ用導電膜を形成し、これをパターニングする。これにより、送受信領域Ｒ１にパッチ電極１５を形成する。なお、非送受信領域Ｒ２には、パッチ電極１５と同じ導電膜（パッチ用導電膜）からなるパッチ接続部を形成する。パッチ電極１５は、コンタクトホールＣＨ１内でドレイン電極７Ｄと接する。
【０１３２】
パッチ用導電膜の材料としては、ゲート用導電膜又はソース用導電膜と同様の材料が用いられ得る。ただし、パッチ用導電膜は、ゲート用導電膜及びソース用導電膜よりも厚くなるように設定されることがこのましい。パッチ用導電膜の好適な厚さは、例えば、１μｍ以上３０μｍ以下である。これよりも薄いと、電磁波の透過率が３０％程度となり、シート抵抗が０．０３Ω／ｓｑ以上となり、ロスが大きくなるという問題が生じる可能性があり、厚いとスロット５７のパターニング性が悪化するという問題が生じる可能性がある。
【０１３３】
ここでは、パッチ用導電膜として、ＭｏＮ（厚み：例えば５０ｎｍ）、Ａｌ（厚み：例えば１０００ｎｍ）及びＭｏＮ（厚み：例えば５０ｎｍ）をこの順で積層した積層膜（ＭｏＮ／Ａｌ／ＭｏＮ）を形成する。
【０１３４】
次いで、パッチ電極１５及び第１絶縁層１１上に第２絶縁層（厚み：例えば１００ｎｍ以上３００ｎｍ以下）１７を形成する。第２絶縁層１７としては、特に限定されず、例えば酸化珪素（ＳｉＯ２）膜、窒化珪素（ＳｉＮｘ）膜、酸化窒化珪素（ＳｉＯｘＮｙ； ｘ＞ｙ）膜、窒化酸化珪素（ＳｉＮｘＯｙ；ｘ＞ｙ）膜等を適宜用いることができる。ここでは、第２絶縁層１７として、例えば厚さ２００ｎｍのＳｉＮｘ層を形成する。
【０１３５】
この後、例えばフッ素系ガスを用いたドライエッチングにより、無機絶縁膜（第２絶縁層１７、第１絶縁層１１及びゲート絶縁層４）を一括してエッチングする。エッチングでは、パッチ電極１５、ソースバスラインＳＬ及びゲートバスラインＧＬはエッチストップとして機能する。これにより、第２絶縁層１７、第１絶縁層１１及びゲート絶縁層４にゲートバスラインＧＬに達する第２のコンタクトホールが形成され、第２絶縁層１７及び第１絶縁層１１に、ソースバスラインＳＬに達する第３のコンタクトホールが形成される。また、第２絶縁層１７に、上述したパッチ接続部に達する第４のコンタクトホールが形成される。
【０１３６】
次に、第２絶縁層１７上、第２のコンタクトホール、第３のコンタクトホール、第４のコンタクトホール内に、例えばスパッタ法により導電膜（厚み：５０ｎｍ以上２００ｎｍ以下）を形成する。導電膜として、例えばＩＴＯ（インジウム・錫酸化物）膜、ＩＺＯ膜、ＺｎＯ膜（酸化亜鉛膜）等の透明導電膜を用いることができる。ここでは、導電膜として、厚みが例えば１００ｎｍのＩＴＯ膜を用いる。
【０１３７】
次いで、上記透明導電膜をパターニングすることにより、ゲート端子用上部接続部、ソース端子用上部接続部及びトランスファー端子用上部接続部を形成する。ゲート端子用上部接続部、ソース端子用上部接続部及びトランスファー端子用上部接続部は、各端子部で露出した電極又は配線を保護するために用いられる。このようにして、ゲート端子部ＧＴ、ソース端子部ＳＴ及びトランスファー端子部ＰＴが得られる。
【０１３８】
次いで、第２絶縁膜１７等を覆う形で、上述した液晶用配向剤を用いて塗膜を形成し、塗膜を加熱して溶媒を除去した後、前記塗膜に対して所定の配向処理（例えば、光配向処理）を施すことで配向膜Ｍ１が形成される。このようにして、ＴＦＴ基板１０１を製造することがでる。
【０１３９】
（スロット基板２０１の構造）
次いで、スロット基板２０１の構造をより具体的に説明する。図７は、スロット基板２０１のアンテナ単位領域Ｕを模式的に表した断面図である。
【０１４０】
スロット基板２０１は、主として、誘電体基板（第２誘電体基板、第２基板２００の一例）５１と、誘電体基板５１の一方の板面（液晶層側を向く板面、ＴＦＴ基板１０１側を向く板面）５１ａ上に形成されたスロット電極５５と、スロット電極５５を覆う第３絶縁層５８と、第３絶縁層５８を覆う配向膜Ｍ２とを備える。
【０１４１】
スロット基板２０１の送受信領域Ｒ１において、スロット電極５５には複数のスロット５７が形成されている（図４参照）。スロット５７はスロット電極５５を貫通する開口（溝部）である。この例では、各アンテナ単位領域Ｕに１個のスロット５７が割り当てられている。
【０１４２】
スロット電極５５は、Ｃｕ層、Ａｌ層等の主層５５Ｍを含んでいる。スロット電極５５は、主層５５Ｍと、それを挟むように配置された上層５５Ｕ及び下層５５Ｌとを含む積層構造を有していてもよい。主層５５Ｍの厚みは、材料に応じて表皮効果を考慮して設定され、例えば２μｍ以上３０μｍ以下であってもよい。主層５５Ｍの厚みは、典型的には上層５５Ｕ及び下層５５Ｌの厚さよりも大きく設定される。
【０１４３】
この例では、主層５５ＭはＣｕ層からなり、上層５５Ｕ及び下層５５ＬはＴｉ層からなる。主層５５Ｍと誘電体基板５１との間に下層５５Ｌを配置することにより、スロット電極５５と誘電体基板５１との密着性を向上させることができる。また、上層５５Ｕを設けることにより、主層５５Ｍ（例えばＣｕ層）の腐食を抑制できる。
【０１４４】
第３絶縁層５８は、スロット電極５５上及びスロット５７内に形成されている。第３絶縁層５２の材料としては、特に限定されないが、例えば酸化珪素（ＳｉＯ２）膜、窒化珪 素（ＳｉＮｘ）膜、酸化窒化珪素（ＳｉＯｘＮｙ；ｘ＞ｙ）膜、窒化酸化珪素（ＳｉＮｘＯｙ；ｘ＞ｙ）膜等が適宜用いられる。
【０１４５】
配向膜Ｍ２は、ＴＦＴ基板１０１の配向膜Ｍ１と同様、上述した液晶配向剤を利用して形成される。
【０１４６】
なお、スロット基板２０１の非送受信領域Ｒ２には、端子部ＩＴが設けられている（図４参照）。端子部ＩＴは、スロット電極５５の一部と、スロット電極５５の一部を覆う第３絶縁層５８と、上部接続部とを備える。第３絶縁層５８は、スロット電極５５の一部に達する開口（コンタクトホール）を有している。上部接続部は、前記開口内でスロット電極５５の一部に接している。本実施形態において、端子部ＩＴは、ＩＴＯ膜、ＩＺＯ膜等の導電層からなり、シール領域Ｒｓ内に配置され、導電性粒子（例えばＡｕビーズ等の導電性ビーズ）を含有するシール樹脂によって、ＴＦＴ基板１０１におけるトランスファー端子部ＰＴと接続される。
【０１４７】
スロット基板２０１は、例えば、以下に示される方法で製造される。先ず、誘電体基板５１を用意する。誘電体基板５１としては、ガラス基板、樹脂基板等の電磁波に対する透過率の高い（誘電率及び誘電損失が小さい）基板を用いることができる。誘電体基板５１は電磁波の減衰を抑制するために厚みが薄い方が好ましい。例えば、ガラス基板の表面に後述するプロセスでスロット電極５５等の構成要素を形成した後、ガラス基板を裏面側から薄板化してもよい。これにより、ガラス基板の厚みを例えば５００μｍ以下に設定できる。なお、一般的にはガラスよりも樹脂の方が誘電率及び誘電損失が小さい。誘電体基板５１が樹脂基板からなる場合、その厚みは、例えば３μｍ以上３００μｍ以下である。樹脂基材の材料としては、ポリイミド等が用いられる。
【０１４８】
誘電体基板５１上に金属膜を形成し、これをパターニングすることによって、複数のスロット５７を有するスロット電極５５が得られる。金属膜としては、厚みが２μｍ以上５μｍ以下のＣｕ膜（又はＡｌ膜）が用いられてもよい。ここでは、Ｔｉ膜、Ｃｕ膜及びＴｉ膜をこの順で積層した積層膜を用いる。
【０１４９】
次いで、スロット電極５５上及びスロット５７内に第３絶縁層（厚み：例えば１００ｎｍ以上２００ｎｍ以下）５８を形成する。ここでの第３絶縁層５２は、酸化珪素（ＳｉＯ２）膜からなる。
【０１５０】
その後、非送受信領域Ｒ２において、第３絶縁層５８に、スロット電極５５の一部に達する開口（コンタクトホール）を形成する。
【０１５１】
次いで、第３絶縁層５８上、及び第３絶縁層５８の上記開口内に透明導電膜を形成し、これをパターニングすることにより、開口内でスロット電極５５の一部と接する上部接続部が形成され、ＴＦＴ基板１０１のトランスファー端子部ＰＴと接続させるための端子部ＩＴが得られる。
【０１５２】
その後、第３絶縁層５８を覆うように上述した液晶用配向剤を用いて塗膜を形成し、塗膜を加熱して溶媒を除去した後、前記塗膜に対して所定の配向処理（例えば、光配向処理）を施すことで配向膜Ｍ２が形成される。このようにして、スロット基板２０１を製造することがでる。
【０１５３】
（導波路３０１の構成）
導波路３０１は、反射導電板６５が誘電体基板５１を介してスロット電極５５と対向する形で構成されている。反射導電板６５は、誘電体基板５１の裏面と、空気層５４を介する形で対向するように配設される。反射導電板６５は、導波路３０１の壁を構成するので、表皮深さの３倍以上、好ましくは５倍以上の厚みを有することが好ましい。反射導電板６５は、例えば、削り出しによって作製され厚みが数ｍｍのアルミニウム板、銅板等を用いることができる。
【０１５４】
例えば、走査アンテナ１０００が発信する際、導波路３０１は、同心円状に並ぶ複数のアンテナ単位Ｕの中心に配置された給電ピン７２より供給されるマイクロ波を、外側に向けて放射状に広げるように導く。マイクロ波が導波路３０１を移動する際に各アンテナ単位Ｕの各スロット５７で断ち切られることで、所謂スロットアンテナの原理により電界が発生し、その電界の作用により、スロット電極５５に電荷が誘起される（つまり、マイクロ波がスロット電極５５内の自由電子の振動に変換される）。各アンテナ単位Ｕにおいて、液晶の配向制御を通して液晶容量の静電容量値を変化させることで、パッチ電極１５に誘起される自由電子の振動の位相が制御される。パッチ電極１５に電荷が誘起されると電界が発生し（つまり、スロット電極５５内の自由電子の振動が、パッチ電極１５内の自由電子の振動へ移動し）、各アンテナ単位Ｕのパッチ電極１５からＴＦＴ基板１０１の外側に向かってマイクロ波（電波）が発振される。各アンテナ単位Ｕから発振される位相の異なったマイクロ波（電波）が足し合わせられることで、ビームの方位角が制御される。
【０１５５】
なお、他の実施形態においては、導波路を上層と下層とに分かれた２層構造としてもよい。この場合、給電ピンより供給されるマイクロ波は、先ず下層内を中心から外側に向けて放射状に広がるように移動し、その後、下層の外壁部分で上層に立ち上がって上層を外側から中心に集まるように移動する。このような２層構造とすることで、各アンテナ単位Ｕにマイクロ波を均一に行き渡らせ易くなる。
【０１５６】
図８は、走査アンテナ１０００のアンテナ単位Ｕを構成するＴＦＴ基板１０１、液晶層ＬＣ１及びスロット基板２０１を模式的に表した断面図である。図８に示されるように、アンテナ単位Ｕでは、ＴＦＴ基板１０１の島状のパッチ電極１５と、スロット基板２０１のスロット電極５５が備える孔状（溝状）のスロット５７（スロット電極単位５７Ｕ）とが液晶層ＬＣ１を挟む形で対向している。このような走査アンテナ１０００は、液晶層ＬＣ１と、この液晶層ＬＣ１を挟みつつ、各々の液晶層ＬＣ側の表面に、上述した液晶用配向剤を利用して形成された配向膜Ｍ１，Ｍ２を含む一対のＴＦＴ基板１０１及びスロット基板２０１とを有する液晶パネルＰ１を備えている。なお、本明細書において、アンテナ単位Ｕは、１つのパッチ電極１５と、そのパッチ電極１５に対応する少なくとも１つのスロット５７が配置されたスロット電極５５（スロット電極単位５７Ｕ）とを含む構成からなる。
【０１５７】
（走査アンテナの製造方法）
走査アンテナを製造する際、ＴＦＴ基板１０１と、スロット基板２０１とをシール材を介して互いに貼り合わせると共に、ＴＦＴ基板１０１と、スロット基板２０１との間に液晶層ＬＣ１を封入する工程が行われる。液晶層ＬＣ１を構成する液晶材料（液晶化合物）は液晶滴下注入法（ODF：One Drop Fill）でＴＦＴ基板１０１と、スロット基板２０１との間に封入されてもよいし、真空注入法でＴＦＴ基板１０１と、スロット基板２０１との間に封入されてもよい。このようにして、液晶層ＬＣ１、ＴＦＴ基板１０１及びスロット基板２０１を含む走査アンテナ１００の液晶パネルＰ１が得られる。
【０１５８】
上記のように液晶パネルＰ１を製造した後、適宜、スロット基板２０１（第２誘電体基板５１）の反対面５１ｂに、誘電体層（空気層）５４を介して対向するように反射導電板６５が前記パネル側に組み付けられる。このような工程を経て、本実施形態の走査アンテナが製造される。
【０１５９】
以上のような構成の走査アンテナに、本実施形態の液晶用配向剤からなる配向膜を用いることができる。
【０１６０】
次いで、液晶用配向剤が適用される液晶デバイスの具体例として、液晶レンズについて説明する。
【０１６１】
〔液晶レンズの基本構造〕
液晶レンズ１０００Ｌは、液晶を用いて光学特性を可変とした液晶光学素子であり、印加する電圧により焦点距離を制御することができる。
【０１６２】
図９は、電圧を印加していない状態の液晶レンズ１０００Ｌの構成を模式的に表した断面図であり、図１０は、十分な電圧を印加して液晶化合物をスイッチングさせた状態の液晶レンズ１０００Ｌの構成を模式的に表した断面図である。なお、説明の便宜上、図９及び図１０には、Ａ領域とＢ領域にのみ液晶化合物（液晶分子）ｌｃ２が図示される。
【０１６３】
液晶レンズ１０００Ｌは、平坦基板１０１Ｌ（第１基板１００の一例）と、レンズ形状基板２０１Ｌ（第２基板２００の一例）と、それらの間で挟まれる液晶層ＬＣ２（液晶層ＬＣの一例）とを有する液晶レンズ１０００Ｌ用の液晶パネルＰ２を備えている。
【０１６４】
平坦基板１０１Ｌは、第１透明基板１Ｌ（第１支持基板の一例）と、第１透明基板１Ｌ上に形成される透明電極１５Ｌと、透明電極１５Ｌを覆う形で形成される配向膜Ｍ１Ｌ（配向膜の一例）とを備えている。透明電極１５Ｌは、例えば、インジウム・スズ酸化物（ＩＴＯ）等の透明導電膜からなる。配向膜Ｍ１Ｌは、上述した本実施形態の液晶用配向剤から形成される。具体的には、透明電極１５Ｌを覆う形で、液晶用配向剤を用いて塗膜を形成し、その塗膜を加熱して溶媒を除去した後、前記塗膜に対して所定の配向処理（例えば、直線偏光紫外線を塗膜に対して所定角度から照射する光配向処理）を施すことで配向膜Ｍ１Ｌが形成される。なお、他の実施形態においては、ラビング処理により配向処理を行ってもよい。
【０１６５】
レンズ形状基板２０１Ｌは、第２透明基板５１Ｌ（第２支持基板の一例）と、第２透明基板５１Ｌに形成され、光学構造形状として同心円状に分割された各レンズ面が段差を介して接続された形状のフレネルレンズ構造３１Ｌと、フレネルレンズ構造３１Ｌを覆う形で形成される透明電極５５Ｌと、透明電極５５Ｌを覆う形で形成される配向膜Ｍ２Ｌ（配向膜の一例）とを備えている。フレネルレンズ構造３１Ｌは、モールド（金型）を利用したインプリント（転写）技術を利用して、第２透明基板５１Ｌ上に形成されている。透明電極５５Ｌは、例えば、インジウム・スズ酸化物（ＩＴＯ）等の透明導電膜からなる。配向膜Ｍ２Ｌは、配向膜Ｍ１Ｌと同様、上述した本実施形態の液晶用配向剤から形成される。具体的には、フレネルレンズ構造３１Ｌ上の透明電極５５Ｌを覆う形で、液晶用配向剤を用いて塗膜を形成し、その塗膜を加熱して溶媒を除去した後、前記塗膜に対して所定の配向処理（例えば、直線偏光紫外線を塗膜に対して所定角度から照射する光配向処理）を施すことで配向膜Ｍ２Ｌが形成される。なお、他の実施形態においては、ラビング処理により配向処理を行ってもよい。
【０１６６】
液晶層ＬＣ２は、平坦基板１０１Ｌとレンズ形状基板２０１Ｌとの間に介在され、シール材５０Ｌによって封止されている。シール材５０Ｌは、平坦基板１０１Ｌとレンズ形状基板２０１Ｌとの間で挟まれつつ、液晶層ＬＣ２を取り囲んでいる。
【０１６７】
なお、液晶レンズ１０００Ｌの製造方法等の詳細は、例えば、特許文献４（特許第５６９８３２８号公報）に示されている。
【０１６８】
図９に示されるように、電圧を印加していない状態において、配向膜Ｍ１Ｌ，Ｍ２Ｌの効果による液晶化合物（液晶分子）ｌｃ２のプレチルト角は略０°である。フレネルレンズ構造３１Ｌ上に形成された配向膜Ｍ２Ｌの表面では、基板平面に沿った方向（図９中の矢印Ｄ１方向）に液晶化合物（液晶分子）ｌｃ２の長軸が配向する。図９に示されるように、液晶レンズ１０００Ｌの中心を通る線を線Ｌとすると、線Ｌを境にして、分割レンズ面３１Ｌａ、３１Ｌｂに対して、電圧無印加では、液晶化合物（液晶分子）ｌｃ２のプレチルト角が略０°で配向する。なお、分割レンズ面３１Ｌａ、３１Ｌｂはそれぞれ第２透明基板５１Ｌに対して右上がり、左上がりの傾斜を持つため、分割レンズ面３１ＬａのＡ領域、分割レンズ面３１ＬｂのＢ領域では液晶化合物（液晶分子）ｌｃ２もそれぞれ第２透明基板５１Ｌに対して右上がり、左上がりの傾斜をもって初期配向している。フレネルレンズ構造３１Ｌの斜面の角度は、実質プレチルト角と同じ作用としてみなせる。
【０１６９】
図１０に示されるように、液晶層ＬＣ２に電圧を印加すると、配向膜Ｍ１Ｌ表面の液晶化合物（液晶分子）ｌｃ２は、右上がりの傾斜で初期配向しており、分割レンズ面３１Ｌａ側のＡ領域の液晶化合物（液晶分子）ｌｃ２も右上がりの傾斜で初期配向しているため、分割レンズ面３１Ｌａ上の液晶化合物（液晶分子）ｌｃ２は右上がりに立ち上がる。更に、配向膜Ｍ１Ｌ表面の右上がりの傾斜で初期配向している液晶化合物（液晶分子）ｌｃ２は、強い配向規制力又は高いプレチルト角であるため、電圧無印加時には、左上がりの傾斜で配向している分割レンズ面３１ＬｂのＢ領域の液晶化合物（液晶分子）ｌｃ２もほとんどが右上がりに立ち上がり、分割レンズ面３１Ｌａ上の液晶化合物（液晶分子）ｌｃ２と同じ方向に立ち上がる。このように、電圧印加時の液晶化合物（液晶分子）ｌｃ２の配向状態は右上がりの立ち上がりが支配的になっている。
【０１７０】
このような液晶レンズ１０００Ｌの液晶パネルＰ２でも、上述した走査アンテナ１０００の液晶パネルＰ１と同様、極性の高い液晶化合物（液晶分子）が用いられる。
【０１７１】
以上のような構成の液晶レンズ１０００Ｌに、本実施形態の液晶用配向剤からなる配向膜を用いることができる。
【実施例】
【０１７２】
以下、実施例に基づいて本発明を更に詳細に説明する。なお、本発明はこれらの実施例により何ら限定されるものではない。【０１７３】
〔走査アンテナ用の液晶パネルの作製〕
（実施例１）
上述した走査アンテナ１０００の液晶パネルＰ１が備えるＴＦＴ基板１０１と基本的な構成が同じであるＴＦＴ基板と、同じく液晶パネルＰ１が備えるスロット基板２０１と基本的な構成が同じであるスロット基板とをそれぞれ用意した。ＴＦＴ基板の配向膜、及びスロット基板の配向膜は、共に後述する配向剤１を利用して形成した。【０１７４】
配向剤１は、ポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）４質量部と、γ−ブチロラクトン（ＧＢＬ）７６質量部と、ジエチレングリコールジエチルエーテル（ＤＥＤＥ）２０質量部とを混合した液状の組成物からなる。【０１７５】
ＴＦＴ基板及びスロット基板にそれぞれ配向膜を形成する際、先ず、上記配向剤１を、スピンコーターを利用して各基板上に塗布し、各基板上に配向剤１からなる塗膜をそれぞれ形成した。次いで、各塗膜を７０℃で５分間加熱し、続けて更に１５０℃で３０分間加熱して、塗膜中の溶剤の除去等を行った。その後、ＴＦＴ基板及びスロット基板の各塗膜に対して、ラビング処理（配向処理）を施すと、ＴＦＴ基板及びスロット基板の各表面に、それぞれ配向剤１からなる配向膜が形成された。【０１７６】
なお、配向膜が形成されたＴＦＴ基板及びスロット基板には、後述する評価試験において、これらの基板間の電圧保持率（ＶＨＲ）を測定するための測定電極がそれぞれ形成されている。測定電極は、透明導電膜（ＩＴＯ）からなり、各基板の液晶層側の最表面にそれぞれ形成されている。測定電極の平面視した際の面積は、１ｃｍ２であり、互いに対向するように各基板に設けられている。【０１７７】
ＴＦＴ基板の表面（液晶層側、配向膜側）に、熱硬化型シール材（商品名「ＨＣ−１４１３ＦＰ」、三井化学株式会社製）を、シールディスペンサーを用いて枠状に描画し、その後、前記シール材を挟むようにＴＦＴ基板とスロット基板とをシール材を互いに貼り合わせ、１３０℃で４０分間加熱することで、液晶材料が封入されていない空パネルを作製した。そして、その空パネル内に、真空注入法で、枠状の熱硬化型シール材の一部に設けられている注入口を利用して液晶材料（Δε＝１０、１ｋＨｚ、２０℃）を封入した。なお、注入口は、封止材（商品名「ＴＢ３０２６Ｅ」、株式会社スリーボンド製）を利用して封止した。【０１７８】
その後、液晶材料を封入したパネルを、１１０℃で２０分間加熱することで、液晶化合物の再配向処理を行い、液晶化合物がホモジニアス配向（液晶化合物が各基板の表面に対して平行に、かつ同一方向に配列）した液晶パネルを得た。【０１７９】
（実施例２）
配向剤として、ＰＭＭＡ４質量部と、ＧＢＬ７６質量部と、ジイソブチルケトン（ＤＩＢＫ）２０質量部とを混合した液状の組成物からなる配向剤２を使用したこと以外は、実施例１と同様にして、液晶パネルを作製した。【０１８０】
（実施例３）
配向剤として、ＰＭＭＡ４質量部と、ＧＢＬ７６質量部と、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル（ＤＥＤＭ）２０質量部とを混合した液状の組成物からなる配向剤３を使用したこと以外は、実施例１と同様にして、液晶パネルを作製した。【０１８１】
（実施例４）
配向剤として、ＰＭＭＡ４質量部と、ＧＢＬ７６質量部と、１−ブトキシ−２−プロパノール（ＢＰ）２０質量部とを混合した液状の組成物からなる配向剤４を使用したこと以外は、実施例１と同様にして、液晶パネルを作製した。【０１８２】
（実施例５）
配向剤として、ＰＭＭＡ４質量部と、ＧＢＬ７６質量部と、ブチルセロソルブ（ＢＣ）２０質量部とを混合した液状の組成物からなる配向剤５を使用したこと以外は、実施例１と同様にして、液晶パネルを作製した。
【０１８３】
（実施例６）
配向剤として、ＰＭＭＡ４質量部と、ＧＢＬ７６質量部と、シクロペンタノン（ＣＰ）２０質量部とを混合した液状の組成物からなる配向剤６を使用したこと以外は、実施例１と同様にして、液晶パネルを作製した。【０１８４】
（実施例７）
配向剤として、ＰＭＭＡ４質量部と、ＧＢＬ２０質量部と、ＣＰ７６質量部とを混合した液状の組成物からなる配向剤７を使用したこと以外は、実施例１と同様にして、液晶パネルを作製した。【０１８５】
（比較例１）
配向剤として、ＰＭＭＡ４質量部と、Ｎ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）７６質量部と、ＢＣ２０質量部とを混合した液状の組成物からなる配向剤８を使用したこと以外は、実施例１と同様にして、液晶パネルを作製した。【０１８６】
（比較例２）
配向剤として、ＰＭＭＡ４質量部と、１−エチル−２−ピロリドン（ＮＥＰ）７６質量部と、ＢＣ２０質量部とを混合した液状の組成物からなる配向剤９を使用したこと以外は、実施例１と同様にして、液晶パネルを作製した。【０１８７】
（比較例３）
配向剤として、ＰＭＭＡ４質量部と、ＮＭＰ２０質量部と、ＢＣ７６質量部とを混合した液状の組成物からなる配向剤９を使用したこと以外は、実施例１と同様にして、液晶パネルを作製した。【０１８８】
（比較例４）
配向剤として、ＰＭＭＡ４質量部と、ＮＥＰ２０質量部と、ＢＣ７６質量部とを混合した液状の組成物からなる配向剤１０を使用したこと以外は、実施例１と同様にして、液晶パネルを作製した。【０１８９】
（比較例５）
配向膜を形成しないこと以外は、実施例１と同様にして、液晶パネルを作製した。【０１９０】
〔電圧保持率の評価〕
実施例１〜７及び比較例１〜５の各液晶パネルについて、上述した測定電極を利用して電圧保持率（ＶＨＲ：Voltage Holding Ratio）を測定した。電圧保持率の測定は、６２５４型ＶＨＲ測定システム（株式会社東陽テクニカ製）を使用し、印加電圧は１Ｖ、保持時間は１６．６７ｍｓ、測定温度は７０℃とした。各液晶パネルの電圧保持率の測定結果は、表１に示した。
【表１】
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【０１９１】
表１中に示される「部」は、質量部を意味する。表１に示されるように、実施例１〜７の液晶パネルは、配向膜が形成されていない比較例５の液晶パネルと同等であり、高い電圧保持率（９０％）を備えていることが確かめられた。【０１９２】
これに対し、比較例１〜４の液晶パネルでは、配向剤の有機溶剤として、窒素原子を含有する化合物であるＮＭＰ、ＮＥＰが使用されており、電圧保持率が低い結果となった。これは、配向膜中に残存していたＮＭＰ及びＮＥＰが、液晶パネルを作製した後、極性の高い液晶化合物を含む液晶層中に溶出し、それらが液晶化合物に作用等して液晶層中でイオン成分を発生させ、ＶＨＲを低下させていると推測される。【０１９３】
上述したような液晶を使用する走査アンテナでは、誘電率異方性（Δε）を大きくするために、極性の高い液晶化合物が使用されるため、そのような液晶化合物からなる液晶層は、配向膜中の有機溶剤を液晶層中に溶出させる作用が強いと言える。【０１９４】
比較例１〜４において、問題となる溶剤は、窒素原子を含む構造（特に、−Ｎ−ＣＨ２−）を備えており、その構造が電圧保持率低下の原因となっている可能性が高いと推測される。【０１９５】
一方で、実施例１〜７では、配向剤に利用される有機溶剤は、メチレン基、メチル基、エーテル基、ケトン基及びヒドロキシル基からなる群より選ばれる少なくとも２つの官能基を含みつつ、窒素原子を含まない化合物であり、このような有機溶剤は、電圧保持率を低下させないことが確かめられた。【０１９６】
なお、配向膜形成材料を溶解する溶解性の観点からは、ＮＭＰ及びＮＥＰは、ＧＢＬと同様、良溶剤である。つまり、有機溶剤自体の極性（高極性）は、電圧保持率を低下させる原因とはなっていないと推測される。ただし、液晶化合物の大きな誘電率異方性（Δε）、及び高い極性が、電圧保持率を低下させる原因の１つと考えられることからすると、有機溶剤が備える窒素原子を含有する構造（特に、−Ｎ−ＣＨ２−）が液晶層中でイオン化している可能性があると推測される。【０１９７】
〔液晶レンズ用の液晶パネルの作製〕
（実施例８）
上述した液晶レンズ１０００Ｌの液晶パネルＰ２が備える平坦基板１０１Ｌと基本的な構成が同じである平坦基板と、同じく液晶パネルＰ２が備えるレンズ形状基板２０１Ｌと基本的な構成が同じであるレンズ形状基板とをそれぞれ用意した。平坦基板の配向膜、及びレンズ形状基板の配向膜は、上記実施例１と同じ配向剤１を利用して形成した。【０１９８】
平坦基板及びレンズ形状基板にそれぞれ配向膜を形成する際、先ず、上記配向剤１を、塗工機を利用して各基板上に塗布し、各基板上に配向剤１からなる塗膜をそれぞれ形成した。次いで、各塗膜を７０℃で５分間加熱し、続けて更に１５０℃で３０分間加熱して、塗膜中の溶剤の除去等を行った。その後、平坦基板及びレンズ形状基板の各塗膜に対して、ラビング処理（配向処理）を施すと、平坦基板及びレンズ形状基板の各表面に、それぞれ配向剤１からなる配向膜が形成された。【０１９９】
なお、配向膜が形成された平坦基板及びレンズ形状基板には、上記実施例１と同様、基板間の電圧保持率（ＶＨＲ）を測定するための測定電極がそれぞれ形成されている。測定電極は、透明導電膜（ＩＴＯ）からなり、各基板の液晶層側の最表面にそれぞれ形成されている。測定電極の平面視した際の面積は、１ｃｍ２であり、互いに対向するように各基板に設けられている。【０２００】
平坦基板の表面（液晶層側、配向膜側）に、熱硬化型シール材を、シールディスペンサーを用いて枠状に描画し、その後、前記シール材を挟むように平坦基板とレンズ形状基板とをシール材を互いに貼り合わせ、１３０℃で４０分間加熱することで、液晶材料が封入されていない空パネルを作製した。そして、その空パネル内に、真空注入法で実施例１と同様の液晶材料（Δε＝１０、１ｋＨｚ、２０℃）を封入した。【０２０１】
その後、液晶材料を封入したパネルを、１１０℃で２０分間加熱することで、液晶化合物の再配向処理を行い、液晶化合物がホモジニアス配向（液晶化合物が各基板の表面に対して平行に、かつ同一方向に配列）した液晶パネルを得た。なお、レンズ形状基板では、フレネルレンズ構造の表面形状に沿って液晶化合物が配向している。【０２０２】
〔電圧保持率の評価〕
実施例８について、上記実施例１等と同様の条件で、電圧保持率（ＶＨＲ）を測定した。その結果、実施例８の液晶パネルの電圧保持率は９０％であり、実施例８の液晶パネルは良好な電圧保持率を備えることが確かめられた。
【符号の説明】
【０２０３】
１００...第１基板、１１０...第１支持基板、Ｍ...配向膜、ＬＣ...液晶層、２００...第２基板、２２０...第２支持基板、Ｐ...液晶パネル、１...誘電体基板（第１誘電体基板）、３...ゲート電極、４...ゲート絶縁層、５...半導体層、６Ｄ...ドレインコンタクト層、６Ｓ...ソースコンタクト層、７Ｄ...ドレイン電極、７Ｓ...ソース電極、１０...ＴＦＴ、１１...第１絶縁層、１５...パッチ電極、１７...第２絶縁層、５１...誘電体基板（第２誘電体基板）、５５...スロット電極、５５Ｌ...下層、５５Ｍ...主層、５５Ｕ...上層、５７...スロット、５７Ｕ...スロット電極単位、５８...第３電極、７０...給電装置、７２...給電ピン、８０...シール材、８１...液晶注入口、８２...封止部、１０１...ＴＦＴ基板、２０１...スロット基板、１０００...走査アンテナ、Ｕ...アンテナ単位（アンテナ単位領域）、ＣＨ１...コンタクトホール、ＬＣ１...液晶層、Ｐ...複合パネル、ＧＤ...ゲートドライバ、ＧＬ...ゲートバスライン、ＧＴ...ゲート端子部、ＳＤ...ソースドライバ、ＳＬ...ソースバスライン、ＳＴ...ソース端子部、ＰＴ...トランスファー端子部、Ｒ１...送受信領域、Ｒ２...非送受信領域、Ｒｓ...シール領域、１０００Ｌ...液晶レンズ、１０１Ｌ...平坦基板、１Ｌ...第１透明基板、１５Ｌ...透明電極、Ｍ１Ｌ...配向膜、ＬＣ２...液晶層、２０１Ｌ...レンズ形状基板、５１Ｌ...第２透明基板、３１Ｌ...フレネルレンズ構造、５５Ｌ...透明電極、Ｍ２Ｌ...配向膜、ｌｃ２...液晶分子（液晶化合物）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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