(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
光入出射端面及び前記光入出射端面に略垂直な電極形成面を有する基板を備える光デバイスの製造方法であって、
複数の前記基板を略平行な状態で積載可能なように、前記電極形成面に突起状のパターンを前記光入出射端面と略平行方向に延伸して形成し、かつ、前記突起状のパターンの外部に向けて露出された表面を前記光入出射端面と同一平面上にないようにする工程と、
前記電極形成面に前記突起状のパターンを形成された複数の前記基板について、全ての前記光入出射端面が略同一平面上となるように、かつ、一の前記基板の前記突起状のパターンと他の前記基板の前記電極形成面の対向面が接触するように、積層を形成する工程と、
略同一平面上となった全ての前記光入出射端面に一括して光学薄膜を形成する工程と、
前記光入出射端面に前記光学薄膜を形成された複数の前記基板について、積層を分解し、複数の前記光デバイスを製造する工程と、
を順に備えることを特徴とする光デバイスの製造方法。
【請求項２】
光入出射端面及び前記光入出射端面に略垂直な電極形成面を有する基板を備える光デバイスの製造方法であって、
複数の前記基板を略平行な状態で積載可能なように、前記電極形成面に突起状のパターンを前記電極形成面の所定の部位を囲むように形成する工程と、
前記電極形成面に前記突起状のパターンを形成された複数の前記基板について、全ての前記光入出射端面が略同一平面上となるように、かつ、一の前記基板の前記突起状のパターンと他の前記基板の前記電極形成面の対向面が接触するように、積層を形成する工程と、
略同一平面上となった全ての前記光入出射端面に一括して光学薄膜を形成する工程と、
前記光入出射端面に前記光学薄膜を形成された複数の前記基板について、積層を分解し、複数の前記光デバイスを製造する工程と、
を順に備えることを特徴とする光デバイスの製造方法。
【請求項３】
複数の前記光デバイスを製造する工程は、前記光入出射端面に前記光学薄膜を形成された複数の前記基板について、積層を分解し、前記電極形成面から前記突起状のパターンを除去し、複数の前記光デバイスを製造する工程であることを特徴とする、請求項１又は２に記載の光デバイスの製造方法。
【請求項４】
光入出射端面及び前記光入出射端面に略垂直な電極形成面を有する基板を備える光デバイスであって、
前記光入出射端面に、光学薄膜が形成され、
複数の前記基板を略平行な状態で積載可能なように、前記電極形成面に突起状のパターンが形成され、
前記突起状のパターンは、前記光入出射端面と略平行方向に延伸して形成され、
前記突起状のパターンの外部に向けて露出された表面は、前記光入出射端面と同一平面上にないことを特徴とする光デバイス。
【請求項５】
光入出射端面及び前記光入出射端面に略垂直な電極形成面を有する基板を備える光デバイスであって、
前記光入出射端面に、光学薄膜が形成され、
複数の前記基板を略平行な状態で積載可能なように、前記電極形成面に突起状のパターンが形成され、
前記突起状のパターンは、前記電極形成面の所定の部位を囲むように形成されることを特徴とする光デバイス。
【請求項６】
前記光学薄膜は、誘電体膜であり、
前記電極形成面は、外部より供給される前記光デバイスを駆動するための電気信号を受容するパッドを形成され、
前記突起状のパターンは、前記パッドを囲むように形成されることを特徴とする、請求項５に記載の光デバイス。
【請求項７】
前記突起状のパターンは、複数列のポスト状に形成されることを特徴とする、請求項４から６のいずれかに記載の光デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体レーザ及び光変調器等の光デバイスにおいて、光入出射端面に光学薄膜を形成するときの作業性向上を図るための技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体レーザ及び光変調器等の光デバイスにおいて、光学特性の向上及び物理的な損傷からの保護を目的として、光入出射端面に誘電体膜及び金属膜等の光学薄膜を形成している。光入出射端面に光学薄膜を形成するときの作業性向上を図るために、全ての光入出射端面が略同一平面上となるように、複数の光デバイスを積層したうえで、全ての光入出射端面に一括して光学薄膜を形成することが行われている（例えば、特許文献１、２を参照）。
【０００３】
従来技術の光デバイスの製造方法及びショット保持用治具を図１に示す。図１の上段の左側は、特許文献１のショットを示す。図１の上段の右側は、特許文献２のショットを示す。図１の下段は、特許文献１、２に共通して適用可能なショット保持用治具を示す。
【０００４】
１枚のウェハには、Ｍ×Ｎ個の光デバイス（チップ）が一括して製造される。１枚のウェハは、Ｍ列のショット１に分離される。１列のショット１には、Ｎ個の光デバイスが形成される。このＮ個の光デバイスの光入出射端面１ａは、同一平面上に露出される。このＮ個の光デバイスの電極形成面１ｂには、光デバイスを駆動するための電極（不図示）、外部より供給される光デバイスを駆動するための電気信号を受容するためのパッド（不図示）、電極とパッドとを接続する電気配線（不図示）などが形成される。
【０００５】
複数列のショット１は、全ての光入出射端面１ａが略同一平面上となるように、かつ、ショット１及びスペーサ２又は２’がサンドイッチ状に交互に配列されるように、積層を形成される。積層を形成されたショット１及びスペーサ２又は２’は、基部３上に配置され、ねじ６、ねじ取付部７及び板ばね８を用いて、固定部４及び可動部５により挟み込まれ、よって、ショット保持用治具Ａにより保持される。
【０００６】
光学薄膜は、外に向けて露出された光入出射端面１ａ及びスペーサ２又は２’表面を含めて、ショット保持用治具Ａに対して、全体的に形成される。光学薄膜は、スペーサ２又は２’により覆い隠された電極形成面１ｂには形成されない。積層を形成されたショット１及びスペーサ２又は２’は、ショット保持用治具Ａから取り外され、積層を分解される。１列のショット１は、Ｎ個の光デバイスに、劈開により分離される。
【０００７】
なお、１個の光デバイスが、複数の光入出射端面１ａを有することがある。例えば、一面の光入射端面及び他面の光出射端面が、互いに対向する面である場合である。このとき、一面に光学薄膜を形成されたショット１及びスペーサ２又は２’は、一旦ショット保持用治具Ａから取り外され、他面に光学薄膜を形成されるような配置方向で、再びショット保持用治具Ａにより保持され、以上と同様な処理が行なわれる。
【０００８】
ここで、特許文献１では、外に向けて露出された光入出射端面１ａ及びスペーサ２表面は、略同一平面上としている。よって、光学薄膜を形成した後に、ショット１及びスペーサ２を分離する際に、光入出射端面１ａに形成された光学薄膜が、スペーサ２表面に形成された光学薄膜に引き摺られ、剥がれてしまうことがある。
【０００９】
そこで、特許文献２では、外に向けて露出された光入出射端面１ａ及びスペーサ２’表面は、スペーサ２’のくぼみにより段差を有する。よって、光学薄膜を形成した後に、ショット１及びスペーサ２’を分離する際に、光入出射端面１ａに形成された光学薄膜が、スペーサ２’表面に形成された光学薄膜に引き摺られ、剥がれてしまうことがない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特公平６−００７６１９号公報
【特許文献２】特開平９−０８３０７２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
特許文献１、２では、ショット１及びスペーサ２又は２’が、サンドイッチ状に交互に配列されるときに、ショット１の電極形成面１ｂ及びスペーサ２又は２’表面は、物理的に接触してこすれる。よって、ショット１の電極形成面１ｂは、損傷されることがある。
【００１２】
特許文献１、２では、コストを抑えるため、スペーサ２又は２’は、再利用される。このとき、以前にスペーサ２又は２’表面に形成された光学薄膜は、再利用にあたり取り除かれるが、一部が破片等として残される。よって、一部の破片等は、ショット１の光入出射端面１ａに付着し、光デバイスの損傷又は外観不良の原因となることがある。
【００１３】
特許文献１では、図１の下段のように、ショット１及びスペーサ２の高さ方向のサイズは異なる。すると、一面に光学薄膜を形成した後に、他面に光学薄膜を形成する際に、外に向けて露出された光入出射端面１ａ及びスペーサ２表面が略同一平面上となるように、ショット１及びスペーサ２の高さ方向の位置関係をずらす必要がある。よって、製造工程数を削減することができず、製造コストを低減することができない。
【００１４】
そこで、前記課題を解決するために、本発明は、半導体レーザ及び光変調器等の光デバイスにおいて、損傷又は外観不良を抑制し、製造工程数を削減し、製造コストを低減することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
上記目的を達成するために、特許文献１、２のスペーサを利用することなく、電極形成面に形成される以下に記載の突起状のパターンを利用することとした。すなわち、複数の基板を略平行な状態で積載可能なように、電極形成面に突起状のパターンを形成した。
【００１６】
具体的には、本発明は、光入出射端面及び前記光入出射端面に略垂直な電極形成面を有する基板を備える光デバイスの製造方法であって、複数の前記基板を略平行な状態で積載可能なように、前記電極形成面に突起状のパターンを形成する工程と、前記電極形成面に前記突起状のパターンを形成された複数の前記基板について、全ての前記光入出射端面が略同一平面上となるように、かつ、一の前記基板の前記突起状のパターンと他の前記基板の前記電極形成面の対向面が接触するように、積層を形成する工程と、略同一平面上となった全ての前記光入出射端面に一括して光学薄膜を形成する工程と、前記光入出射端面に前記光学薄膜を形成された複数の前記基板について、積層を分解し、複数の前記光デバイスを製造する工程と、を順に備えることを特徴とする光デバイスの製造方法である。
【００１７】
また、本発明は、光入出射端面及び前記光入出射端面に略垂直な電極形成面を有する基板を備える光デバイスであって、前記光入出射端面に、光学薄膜が形成され、複数の前記基板を略平行な状態で積載可能なように、前記電極形成面に突起状のパターンが形成されることを特徴とする光デバイスである。
【００１８】
この構成によれば、光学薄膜は、外に向けて露出された、光入出射端面及び突起状のパターン表面に対しては形成されるが、突起状のパターンにより覆い隠された、電極形成面の一部に対しては、形成されずにすむ。
【００１９】
また、この構成によれば、特許文献１、２と異なり、電極形成面に形成される電極及びパッドは、他の光デバイス及びスペーサの表面と、物理的に接触せずこすれない。よって、電極形成面及びそこに形成される電極やパッドは、損傷されることがない。
【００２０】
また、この構成によれば、特許文献１、２と異なり、突起状のパターンは、光デバイス毎に形成され、光デバイス上に残される。よって、一部の破片等が、光入出射端面に付着し、光デバイスの損傷又は外観不良の原因となることがない。
【００２１】
また、この構成によれば、特許文献１と異なり、一面に光学薄膜を形成した後に、他面に光学薄膜を形成する際に、積層を形成された複数の光デバイスを積層の面内で回転させるのみで十分である。よって、製造工程数を削減することができ、製造コストを低減することができる。ここで、ショット及びスペーサの高さ方向の位置関係をずらす工程が削減される一方で、電極形成面に突起状のパターンを形成する工程が追加されるところ、後者の工程は、前者の工程と比べて、マスクパターンを用いて、容易に実現可能である。
【００２２】
また、本発明は、前記突起状のパターンは、前記光入出射端面と略平行方向に延伸して形成され、前記突起状のパターンの外部に向けて露出された表面は、前記光入出射端面と同一平面上にないことを特徴とする光デバイスである。
【００２３】
この構成によれば、光学薄膜は、突起状のパターンにより覆い隠された電極形成面の一部に対しては、形成されずにすむ。ここで、突起状のパターンは、光入出射端面と略平行方向に延伸して形成されるため、電極形成面のうち光入出力端面近傍を除く大部分に対して、光学薄膜が形成されることを確実に防止することができる。そして、突起状のパターンの外部に向けて露出された表面は、光入出射端面と同一平面上にないため、光学薄膜を形成した後に、複数の光デバイスを分離する際に、光入出射端面に形成された光学薄膜が、突起状のパターン表面に形成された光学薄膜に引き摺られ、剥がれてしまうことがない。
【００２４】
また、本発明は、前記突起状のパターンは、前記電極形成面の所定の部位を囲むように形成されることを特徴とする光デバイスである。
【００２５】
この構成によれば、光学薄膜は、突起状のパターンにより囲まれた電極形成面の所定の部位に対しては、形成されずにすむ。そのため、光学薄膜を形成したくない所定の部位に対して、光学薄膜が形成されることを確実に防止することができる。
【００２６】
また、本発明は、前記光学薄膜は、誘電体膜であり、前記電極形成面は、外部より供給される前記光デバイスを駆動するための電気信号を受容するパッドを形成され、前記突起状のパターンは、前記パッドを囲むように形成されることを特徴とする光デバイスである。
【００２７】
この構成によれば、光学薄膜は、誘電体膜であり、突起状のパターンは、外部より供給される光デバイスを駆動するための電気信号を受容するパッドを囲むように形成されるため、誘電体膜がパッドに対して形成されることを確実に防止することができる。
【００２８】
また、本発明は、前記突起状のパターンは、複数列のポスト状に形成されることを特徴とする光デバイスである。
【００２９】
この構成によれば、光学薄膜は、突起状のパターンにより覆い隠された電極形成面の一部に対しては、形成されずにすむ。ここで、突起状のパターンは、間隙のほぼない複数列のポスト状に形成されるため、独立した１つのパターンの面積を小さくすることができる。面積の小さなパターンは、パターン形成を容易にすることができるのみならず、アスペクト比の高いパターンを形成したとしてもパターン自体が倒れにくくなる。
【００３０】
また、本発明は、複数の前記光デバイスを製造する工程は、前記光入出射端面に前記光学薄膜を形成された複数の前記基板について、積層を分解し、前記電極形成面から前記突起状のパターンを除去し、複数の前記光デバイスを製造する工程であることを特徴とする光デバイスの製造方法である。
【００３１】
この構成によれば、電極形成面が平坦な光デバイスも、本発明により製造可能である。
【発明の効果】
【００３２】
このように、本発明は、半導体レーザ及び光変調器等の光デバイスにおいて、損傷又は外観不良を抑制し、製造工程数を削減し、製造コストを低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】従来技術の光デバイスの製造方法及びショット保持用治具を示す図である。
【図２】本発明の光デバイスの製造方法を示す図である。
【図３】本発明の光デバイスのショット保持用治具を示す図である。
【図４】第１の実施形態の光デバイスの構成を示す斜視図である。
【図５】第１の実施形態の光デバイスの構成を示す斜視図である。
【図６】第２の実施形態の光デバイスの構成を示す斜視図である。
【図７】第２の実施形態の光デバイスの構成を示す上面図である。
【図８】第３の実施形態の光デバイスの構成を示す斜視図である。
【図９】第３の実施形態の光デバイスの構成を示す上面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３４】
添付の図面を参照して本発明の実施形態を説明する。以下に説明する実施形態は本発明の実施の例であり、本発明は以下の実施形態に制限されるものではない。
【００３５】
（本発明の光デバイスの製造方法）
本発明の光デバイスの製造方法を図２に示す。本発明の光デバイスのショット保持用治具を図３に示す。図２の最上段から最下段まで、製造工程を順に説明する。
【００３６】
図２の最上段の工程を説明する。１枚のウェハには、Ｍ×Ｎ個の光デバイス１ｃ（チップ）が一括して製造される。１枚のウェハは、Ｍ列のショット１に分離される。１列のショット１には、Ｎ個の光デバイス１ｃが形成される。このＮ個の光デバイス１ｃの光入出射端面１ａは、同一平面上に露出される。このＮ個の光デバイス１ｃの電極形成面１ｂには、光デバイス１ｃを駆動するための電極（後述の図９を参照）、外部より供給される光デバイスを駆動するための電気信号を受容するためのパッド（後述の図９を参照）、電極とパッドとを接続する電気配線（不図示）などが形成される。
【００３７】
このＮ個の光デバイス１ｃの電極形成面１ｂには、複数の基板を略平行な状態で積載可能とする突起状のパターン９が形成される。これにより、光入出射端面１ａ側から光入出射方向と略平行方向に光デバイス１ｃを見るとき、突起状のパターン９の陰になる電極形成面１ｂの一部が見えなくなる。
【００３８】
図２の第２段の工程を説明する。複数列のショット１は、全ての光入出射端面１ａが略同一平面上となるように、かつ、一のショット１の突起状のパターン９と他のショット１の電極形成面１ｂの対向面が接触するように、積層を形成される。
【００３９】
積層を形成された複数列のショット１は、固定部材１３により固定されるセットステージ１１上に配置され、固定部材１４により固定される固定用ブロック１２をかぶせられ、固定用ばね１５の弾性力を用いて、セットステージ１１及び固定用ブロック１２により挟み込まれ、よって、ショット保持用治具Ｂにより保持される。
【００４０】
光学薄膜１０は、外に向けて露出された、光入出射端面１ａ及び突起状のパターン９表面に対して、一括して形成される。光学薄膜１０は、例えば電子ビーム蒸着法やスパッタリング法などにより、誘電体膜や金属膜、半導体膜などを単層にあるいは屈折率を周期的に違えて多層に被膜成形したものである。誘電体膜の材料としては、例えばＡｌ２Ｏ３やＳｉＯ２などが、金属膜の材料としてはＡｕやＡｌなどが、半導体膜の材料としてはＳｉなどが用いられる。光学薄膜１０は、突起状のパターン９により覆い隠された、電極形成面１ｂの一部に対して、形成されずにすむ。
【００４１】
図２の第３段及び最下段の工程を説明する。積層を形成された複数列のショット１は、ショット保持用治具Ｂから取り外され、積層を分解される。１列のショット１は、Ｎ個の光デバイス１ｃに、劈開により分離される。光デバイス１ｃは、光入出射端面１ａに光学薄膜１０が形成されており、電極形成面１ｂに突起状のパターン９が残されている。
【００４２】
なお、１個の光デバイス１ｃが、複数の光入出射端面１ａを有することがある。例えば、一面の光入射端面及び他面の光出射端面が、互いに対向する面である場合である。このとき、一面に光学薄膜１０を形成されたショット１は、一旦ショット保持用治具Ｂから取り外され、他面に光学薄膜１０を形成されるような配置方向で、再びショット保持用治具Ｂにより保持され、以上と同様な処理が行なわれる。
【００４３】
このように、電極形成面１ｂに形成される電極及びパッドは、他の光デバイス１ｃ及びスペーサ２又は２’（特許文献１、２を参照）の表面と、物理的に接触せずこすれない。よって、電極形成面１ｂ及びそこに形成される電極やパッドは、損傷されることがない。
【００４４】
また、突起状のパターン９は、光デバイス１ｃ毎に形成され、光デバイス１ｃ上に残される。よって、一部の破片等（特許文献１、２を参照）が、光入出射端面１ａに付着し、光デバイス１ｃの損傷又は外観不良の原因となることがない。
【００４５】
また、一面に光学薄膜１０を形成した後に、他面に光学薄膜１０を形成する際に、積層を形成された複数列のショット１を積層の面内で回転させるのみで十分である。よって、製造工程数を削減することができ、製造コストを低減することができる。ここで、ショット１及びスペーサ２（特許文献１を参照）の高さ方向の位置関係をずらす工程が削減される一方で、電極形成面１ｂに突起状のパターン９を形成する工程が追加されるところ、後者の工程は、前者の工程と比べて、マスクパターンを用いて、容易に実現可能である。
【００４６】
（第１の実施形態の光デバイスの構成）
第１の実施形態の光デバイスの構成を示す斜視図を図４、５に示す。第１の実施形態では、光入出射端面１ａ側から光入出射方向と略平行方向に光デバイス１ｃを見るとき、電極形成面１ｂが見えないように、堤防状の突起状のパターン９が、光入出射端面１ａと略平行方向に延伸して形成され、かつ、光入出射端面１ａの近傍に形成される。また、堤防状の突起状のパターン９は、複数の基板を略平行な状態で積載可能とするため、光入出射端面１ａおよびそれと対向する端面のそれぞれの近傍に形成される。
【００４７】
図４に示したショット１では、突起状のパターン９は、間隙の全くない堤防状に形成される。図５に示したショット１では、突起状のパターン９は、間隙のほぼない堤防状に形成される。図５に示したショット１では、光学薄膜１０が電極形成面１ｂに対して形成されることをほぼ確実に防止するように、突起状のパターン９の間隙が配置される。図５に示したショット１では、図４に示したショット１と比べて、パターン面積を小さくすることができ、パターン形成を容易にすることができる。
【００４８】
ここで、突起状のパターン９の外部に向けて露出された表面が、光入出射端面１ａと同一平面上にないようにしてもよい。このような構成とすることで、光学薄膜１０を形成した後に、複数列のショット１を分離する際に、光入出射端面１ａに形成された光学薄膜１０が、突起状のパターン９表面に形成された光学薄膜１０に引き摺られ、剥がれてしまうことがない。
【００４９】
（第２の実施形態の光デバイスの構成）
第２の実施形態の光デバイスの構成を示す斜視図及び上面図を図６、７に示す。第２の実施形態では、光入出射端面１ａ側から光入出射方向と略平行方向に光デバイス１ｃを見るとき、電極形成面１ｂが見えないように、複数列のポスト状の突起状のパターン９が、光入出射端面１ａと略平行方向に延伸して形成され、かつ、光入出射端面１ａの近傍に形成される。また、複数列のポスト状の突起状のパターン９は、複数の基板を略平行な状態で積載可能とするため、光入出射端面１ａおよびそれと対向する端面のそれぞれの近傍に形成される。
【００５０】
図７の左側、中央及び右側に示したショット１では、突起状のパターン９は、それぞれ、三角形、四角形及び円形の複数列のポスト状に形成される。図６、７に示したショット１では、光入出射端面１ａに最も近い１列目の突起状のパターン９は、間隙を有するところ、光入出射端面１ａに次に近い２列目の突起状のパターン９は、間隙を埋め合わせる。図６、７に示したショット１では、ポストの形状は、上記のみに限られず、ポストの列数は、２列のみに限られない。図６、７に示したショット１では、図４、５に示したショット１と比べて、独立した１つのパターンの面積を小さくすることができる。面積の小さなパターンは、パターン形成を容易にすることができるのみならず、アスペクト比の高いパターンを形成したとしてもパターン自体が倒れにくくなる。
【００５１】
ここで、突起状のパターン９の外部に向けて露出された表面が、光入出射端面１ａと同一平面上にないようにしてもよい。このような構成とすることで、光学薄膜１０を形成した後に、複数列のショット１を分離する際に、光入出射端面１ａに形成された光学薄膜１０が、突起状のパターン９表面に形成された光学薄膜１０に引き摺られ、剥がれてしまうことがない。
【００５２】
（第３の実施形態の光デバイスの構成）
光デバイス１ｃの製造工程において、光学薄膜１０は必ずしも電極形成面１ｂのほぼ全面に付着しないようにする必要はない。光学薄膜１０が付着することで光デバイス１ｃの性能が劣化したり機能が不全となってしまうような箇所にのみ、光学薄膜１０を付着させないようにすれば足りる。そこで、第３の実施形態では、突起状のパターン９は電極形成面１ｂの所定の部位を囲むように形成するようにした。その際、所定の部位を囲むように形成した突起状のパターン９は、複数の基板を略平行な状態で積載できる程度のサイズとなるように形成すればよい。あるいは、所定の部位を囲むように形成した突起状のパターン９を電極形成面１ｂ上に複数設け、複数の突起状のパターン９でもって、複数の基板を略平行な状態で積載可能としてもよい。
【００５３】
第３の実施形態の光デバイスの構成を示す斜視図及び上面図を図８、９に示す。概念的な実施形態として、図８を示している。具体的な実施形態として、図９を参照して説明する。図９は、光デバイス１ｃとして光変調器が形成されたショット１を示している。
【００５４】
光変調器は、電気光学結晶及び光導波路１８によりＭａｃｈ−Ｚｅｈｎｄｅｒ型干渉計を構成しており、光導波路１８の両アーム上には、光変調器を駆動するための電極１６がそれぞれ形成されている。また、ショット１には、光変調器を駆動するための電気信号を受容するパッド１７が複数形成されており、電極１６のそれぞれが、配線１９を介してパッド１７のいずれかと電気的に接続されている。パッド１７は、光デバイス１ｃをパッケージに実装する過程で、パッケージ上の端子（不図示）とワイヤボンディング等により電気的に接続される。このような構成により、光変調器外部から供給される電気信号は、パッド１７、配線１９を経由して電極１６に印加され、光変調器を駆動する。
【００５５】
ここで、光学薄膜１０が誘電体膜１０の場合を考える。光デバイス１ｃである光変調器の製造工程において、誘電体膜１０がパッド１７に付着すると、パッド１７とパッケージ上の端子（不図示）との電気的接続が損なわれるため、光変調器を駆動できなくなってしまう。一方で、電極形成面１ｂに形成される電極１６には、誘電体膜１０が付着されても構わない。なぜならば、光デバイス１ｃの回路構成を製造する過程で、光デバイス１ｃ上の電極１６及びパッド１７は、既に配線１９により電気的に接続されているからである。
【００５６】
そこで、光学薄膜１０が誘電体膜１０の場合にあっては、光入出射端面１ａ側から光入出射方向と略平行方向に光デバイス１ｃを見るとき、少なくとも電極形成面１ｂに形成されるパッド１７が見えないように、電極形成面１ｂにおいてパッド１７を囲むように、突起状のパターン９を形成すればよい。
【００５７】
図８、９に示したショット１では、突起状のパターン９は、第１の実施形態に示したような、堤防状に形成されているが、第２の実施形態に示したような、複数列のポスト状に形成されてもよい。図９に示したショット１では、電気光学結晶及び光導波路１８を用いた、Ｍａｃｈ−Ｚｅｈｎｄｅｒ型の光変調器が形成されているが、半導体レーザ等が形成されてもよい。
【００５８】
ここで、突起状のパターン９の外部に向けて露出された表面が、光入出射端面１ａと同一平面上にないようにしてもよい。このような構成とすることで、誘電体膜１０を形成した後に、複数列のショット１を分離する際に、光入出射端面１ａに形成された誘電体膜１０が、突起状のパターン９表面に形成された誘電体膜１０に引き摺られ、剥がれてしまうことがない。
【００５９】
（本発明の突起状のパターンの製造方法）
突起状のパターン９の製造方法として、種々の製造方法を採用することができる。以下では、５種類の製造方法を説明するが、突起状のパターン９の製造方法はこれに限定されるものではない。
【００６０】
第１の製造方法として、ラミネートシートタイプの永久レジストを用いる方法を説明する。ウェハにラミネートシートタイプの永久レジスト剤を貼り付け、一般的なフォトリソグラフィ工程により、永久レジストで形成される突起状のパターン９を製造する。突起状のパターン９は、数１０μｍの高さを有することが望ましいが、ラミネートシートの厚さを選択することにより、工程時間に依存することなく、所望の高さを得られる。
【００６１】
第２の製造方法として、液体タイプの永久レジストを用いる方法を説明する。ウェハに液体タイプの永久レジスト剤を塗布し、スピンコートで全体に広げて加熱し、一般的なフォトリソグラフィ工程により、永久レジストで形成される突起状のパターン９を製造する。突起状のパターン９は、数１０μｍの高さを有することが望ましいが、スピンコートの回転数を選択することにより、工程時間に依存することなく、所望の高さを得られる。
【００６２】
第３の製造方法として、選択成長法を用いる方法を説明する。突起状のパターン９の場所以外の場所に、ＣＶＤ法及びＦＨＤ法等により、酸化膜（例えば、ＳｉＯ２）を薄く形成し、突起状のパターン９の場所に、ＭＯＣＶＤ法による半導体再成長工程により、半導体（例えば、ＩｎＰ）で形成される突起状のパターン９を製造する。半導体再成長工程では、酸化膜で覆われていない場所で、半導体が再成長することを利用する。なお、第４、５の製造方法として後述する堆積法及びメッキ成長法を、半導体で形成される突起状のパターン９に対してさらに適用して、突起状のパターン９をさらに高くできる。
【００６３】
第４の製造方法として、堆積法を用いる方法を説明する。ウェハにＣＶＤ法及びＦＨＤ法等により、酸化膜（例えば、ＳｉＯ２）を厚く堆積し、一般的なフォトリソグラフィ工程により、酸化膜で形成される突起状のパターン９を製造する。なお、一般的なフォトリソグラフィ工程において、永久レジストを使用すれば、通常のレジストを使用するより、永久レジストの厚さ分だけ、突起状のパターン９を高くできる。
【００６４】
第５の製造方法として、メッキ成長法を用いる方法を説明する。ウェハに通常のレジスト剤を塗布し、一般的なフォトリソグラフィ工程により、突起状のパターン９の場所を開口したパターンを製造し、メッキ成長工程により、メッキで形成される突起状のパターン９を製造する。なお、堆積法を用いた後にメッキ成長法を用いれば、堆積法を用いないでメッキ成長法を用いるより、酸化膜の厚さ分だけ、突起状のパターン９を高くできる。
【００６５】
（電極形成面が平坦な光デバイスの製造方法）
前述した光デバイス１ｃの製造方法では、電極形成面１ｂに突起状のパターン９を残したまま、ショット１を劈開して光デバイス１ｃを形成するようにしている。その他の光デバイス１ｃの製造方法として、電極形成面１ｂから突起状のパターン９を除去した後、ショット１を劈開して光デバイス１ｃを形成するようにしてもよい。
【００６６】
電極形成面１ｂから突起状のパターン９を除去する方法は、突起状のパターン９の材料又は製造方法に応じて、以下のように異なる。
【００６７】
前述した第１又は第２の製造方法として説明したように、永久レジストにより突起状のパターン９を形成する場合、ショット１における電極形成面１ｂ上であって突起状のパターン９以外の部分に、酸化膜（例えば、ＳｉＯ２）を形成した後、酸化膜から露出した突起状のパターン９を、ピラニア溶液（硫酸過水）などを用いて除去すればよい。
【００６８】
前述した第３から第５の製造方法として説明したように、半導体、酸化膜又はメッキにより突起状のパターン９を形成する場合、ショット１における電極形成面１ｂ上に、突起状のパターン９の部分のみが開口しているレジストマスクを形成した後、ドライエッチング又はウェットエッチングにより、突起状のパターン９を除去すればよい。
【産業上の利用可能性】
【００６９】
本発明の光デバイス及び光デバイスの製造方法は、半導体レーザ及び光変調器等の光デバイスにおいて、光入出射端面に光学薄膜を形成するときの作業性向上を図るにあたり、損傷又は外観不良を抑制し、製造工程数を削減し、製造コストを低減することができる。
【符号の説明】
【００７０】
１：ショット
１ａ: 光入出射端面
１ｂ：電極形成面
１ｃ：光デバイス
２、２’：スペーサ
３：基部
４：固定部
５：可動部
６：ねじ
７：ねじ取付部
８：板ばね
９：突起状のパターン
１０：光学薄膜、誘電体膜
１１：セットステージ
１２：固定用ブロック
１３、１４：固定部材
１５：固定用ばね
１６：電極
１７：パッド
１８：光導波路
１９：配線
Ａ、Ｂ：ショット保持用治具
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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