(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
チャンバーと、前記チャンバー内に原料ガスを供給する原料ガス供給部と、前記チャンバー内のガスを排出するガス排出部と、マイクロ波を発生させるマイクロ波発振器と、前記マイクロ波発振器で発生したマイクロ波を前記チャンバー内部に伝播させる導波管と、前記導波管から前記マイクロ波を取り出し前記チャンバー内に配設される導電体被処理物に伝播させるマイクロ波取り出し部と、前記導電体被処理物に負バイアス電圧を印加する負電圧印加部と、を有し、前記原料ガスを前記マイクロ波でプラズマ化して前記導電体被処理物の表面に前記原料ガス由来の被膜を形成するマイクロ波表面波励起プラズマ成膜装置であって、
前記導波管は前記チャンバー内に突出する突出導波管を備え、前記突出導波管は少なくとも前記マイクロ波の半波長より長く、
前記マイクロ波取り出し部は前記突出導波管の内部空間に形成される前記マイクロ波の定在波の腹を望む前記突出導波管の管壁に配設されているマイクロ波表面波励起プラズマ成膜装置。
【請求項２】
前記突出導波管は終端部に導電性気密蓋を備える請求項１に記載のマイクロ波表面波励起プラズマ成膜装置。
【請求項３】
前記突出導波管は円筒状導波管である請求項１又は２に記載のマイクロ波表面波励起プラズマ成膜装置。
【請求項４】
前記マイクロ波取り出し部は前記突出導波管の周方向に複数配置される請求項３に記載のマイクロ波表面波励起プラズマ成膜装置。
【請求項５】
前記マイクロ波取り出し部は前記突出導波管の軸方向に複数配置される請求項１〜４のいずれか１項に記載のマイクロ波表面波励起プラズマ成膜装置。
【請求項６】
前記突出導波管は誘電体で満たされる請求項１〜５のいずれか１項に記載のマイクロ波表面波励起プラズマ成膜装置。
【請求項７】
前記突出導波管は、コア部に前記マイクロ波を伝播させる導電体アンテナを備える請求項１〜６のいずれか１項に記載のマイクロ波表面波励起プラズマ成膜装置。
【請求項８】
前記導電体アンテナはパイプ状であり、前記パイプ状導電体アンテナに冷媒を供給する冷却部を備える請求項７に記載のマイクロ波表面波励起プラズマ成膜装置。
【請求項９】
前記マイクロ波取り出し部は、ストリップラインを備える請求項１〜８のいずれか１項に記載のマイクロ波表面波励起プラズマ成膜装置。
【請求項１０】
前記マイクロ波取り出し部は、取り出し同軸導波管を備える請求項１〜９のいずれか１項に記載のマイクロ波表面波励起プラズマ成膜装置。
【請求項１１】
前記取り出し同軸導波管は、前記導電体被処理物と結合する拡径テーパ部を備える請求項１０に記載のマイクロ波表面波励起プラズマ成膜装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、導電体近接領域でマイクロ波表面波励起プラズマを発生させ、発生したプラズマで化学蒸着（ＣＶＤ）を行う成膜装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
導電性材料の表面に例えばＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）膜を形成する装置としては、マイクロ波表面波励起プラズマ成膜装置が用いられる。
【０００３】
特許文献１のマイクロ波表面波励起プラズマ成膜装置では、チャンバー内に成膜用の原料ガスが供給されると共に、筒状導電体被処理材に負バイアス電圧が印加されてシース領域が形成される。チャンバーの底壁に設置されたマイクロ波導入窓の上に筒状導電体被処理材が載置され、筒状導電体被処理材にマイクロ波が筒状導電体被処理材の軸方向に照射される。すなわち、筒状導電体被処理材にチャンバーの底壁に設置されたマイクロ波導入窓を通してマイクロ波が筒状導電体被処理材の一端部から他端部方向（筒状導電体被処理材の長手方向）に伝播するように照射されることにより、筒状導電体被処理材の表面付近にプラズマが高密度に生成され筒状導電体被処理材の表面にＤＬＣ膜が効率よく形成される。
【０００４】
引用文献２のマイクロ波表面波励起プラズマ成膜装置もチャンバーの底面に開口するマイクロ波供給口からマイクロ波を円柱状導電体被処理材の長手方向に伝播するように照射している。
【０００５】
また、特許文献３には、マイクロ波導入窓から離れた位置に被加工材を配置してＤＬＣ膜を形成するにあたり、チャンバー内のマイクロ波の定在波の腹に当たる位置に被処理材の支持体を配設することが提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特許第４９７３８８７号
【特許文献２】特開２０１４−１８９８９７号公報
【特許文献３】特開平８−１３４６５６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
従来のマイクロ波表面波励起成膜装置では、チャンバーの底壁に設置されたマイクロ波導入窓からマイクロ波がチャンバー内に放射される。チャンバー内に放射されたマイクロ波は原料ガスをプラズマ化するため、マイクロ波導入窓からの距離が大きくなるにしたがってマイクロ波のエネルギーが減衰する。
【０００８】
また、上記のマイクロ波表面波励起プラズマ成膜装置では、チャンバーの底壁に設置されたマイクロ波導入窓の上に被処理材をセットしてマイクロ波導入窓からマイクロ波を被処理材の軸方向に照射するため、長尺の被処理材に均一に成膜することができない。また、短尺の被処理材には均一に成膜できるが、１回の処理で１個の被処理材しか成膜処理することができない。軸方向に被処理材を積載すれば、１回の処理で複数個を処理することができるが、マイクロ波導入窓からの距離が大になるとマイクロ波のエネルギーが弱くなり積載する被処理材の個数には限りがある。
【０００９】
また、特許文献３の提案するマイクロ波表面波励起プラズマ成膜装置では、依然として被処理材に到達するマイクロ波が弱く、被処理材に効率よく成膜することができない。
【００１０】
すなわち、従来のマイクロ波表面波励起プラズマ成膜装置は、被処理材に均一に成膜することができない。また、多数の被処理材を同時処理することができなく、処理コストが高かった。
【００１１】
本発明は上記の問題に鑑みてなされたものであり、被処理材に均一に成膜できるマイクロ波表面波励起プラズマ成膜装置を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
課題を解決するためになされた本発明に係るマイクロ波表面波励起プラズマ成膜装置は、チャンバーと、前記チャンバー内に原料ガスを供給する原料ガス供給部と、前記チャンバー内のガスを排出するガス排出部と、マイクロ波を発生させるマイクロ波発振器と、前記マイクロ波発振器で発生したマイクロ波を前記チャンバー内部に伝播させる導波管と、前記導波管から前記マイクロ波を取り出し前記チャンバー内に配設される導電体被処理物に伝播させるマイクロ波取り出し部と、前記導電体被処理物に負バイアス電圧を印加する負電圧印加部と、を有し、負バイアス電圧を印加することにより発生する弱いプラズマの導電性被処理材の表面シース領域にマイクロ波を伝播させて前記導電性被処理物の表面に前記原料ガス由来の被膜を形成するマイクロ波表面波励起プラズマ成膜装置であって、前記導波管は前記チャンバー内に突出する突出導波管を備え、前記突出導波管は少なくとも前記マイクロ波の半波長より長く、前記マイクロ波取り出し部は前記突出導波管に形成される前記マイクロ波の定在波の腹を望む前記突出導波管の管壁に配設されている。
【００１３】
突出導波管に形成されるマイクロ波の定在波の腹を望む突出導波管の管壁に配設されるマイクロ波取り出し部で突出導波管の軸方向と交差する方向にマイクロ波が取り出される。したがって、マイクロ波取り出し部から取り出されるマイクロ波の強度が高いので、被処理物全体に均一に成膜することができる。
【００１４】
突出導波管の管壁には、複数のマイクロ波取り出し部を配設することができる。このため、複数の各マイクロ波取り出し部に被処理物をそれぞれ配設することで複数の被処理材を同時に処理することができる。
【００１５】
上記のマイクロ波表面波励起プラズマ成膜装置において、前記突出導波管は終端部に導電性気密蓋を備えるとよい。これにより、突出導波管をチャンバー内に収納することができ、成膜装置の小型化が図れる。また、マイクロ波が導電性気密蓋で反射されるので、定在波が安定して立つ。
【００１６】
また、前記突出導波管は円筒状導波管であるとよい。これにより、円筒状導波管の外周に複数のマイクロ波取り出し部を放射状に延在させることができ、ドーナツ盤状被処理物に均一に成膜することができる。
【００１７】
また、前記マイクロ波取り出し部は前記突出導波管の周方向に複数配置されるとよい。これにより、マイクロ波取り出し部の数だけの被処理物に同時に成膜することができる。
【００１８】
また、前記マイクロ波取り出し部は前記突出導波管の軸方向に複数配置されるとよい。これにより、マイクロ波取り出し部の数だけの被処理物に同時に成膜することができる。
【００１９】
また、前記突出導波管は誘電体で満たされるとよい。これにより、突出導波管を伝播するマイクロ波の波長が短くなり、定在波の腹が増加する。その結果、マイクロ波取り出し部の数を増やすことができる。
【００２０】
また、前記突出導波管は、コア部に前記マイクロ波を伝播させる導電体アンテナを備えるとよい。これにより、突出導波管を伝播するマイクロ波の減衰が抑制される。
【００２１】
また、前記マイクロ波取り出し部は、導電体と誘電体で構成されたストリップラインを放射状に備えるとよい。これにより、マイクロ波を板状被処理物に効率よく伝播させることができる。
【００２２】
また、前記マイクロ波取り出し部は、取り出し同軸導波管を備えるとよい。取り出し同軸導波管の出射端に被処理物を立設させることでマイクロ波を被処理物に効率よく伝播させることができる。
【００２３】
また、前記取り出し同軸導波管は、前記導電性被処理物と結合する拡径テーパ部を備えるとよい。これにより、マイクロ波を被処理物により効率よく伝播させることができる。
【００２４】
また、前記突出導波管コア部の導電体アンテナはパイプ状であり、前記パイプ状導電体アンテナに冷媒を供給する冷却部を備えるとよい。これにより、突出導波管を冷却することができる。
【発明の効果】
【００２５】
突出導波管に形成されるマイクロ波の定在波の腹を望む突出導波管の管壁に配設されるマイクロ波取り出し部で突出導波管の軸方向と交差する方向にマイクロ波が取り出される。したがって、取り出されるマイクロ波の強度が高いので、多数の導電体被処理物に均一に成膜することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】本発明の実施形態１に係るマイクロ波表面波励起プラズマ成膜装置の断面模式図である。
【図２】図１の要部上面視図である。
【図３】図１の要部拡大図である。
【図４】本発明の実施形態２に係るマイクロ波表面波励起プラズマ成膜装置の断面模式図である。
【図５】図４の要部拡大図である。
【図６】本発明の実施形態３に係るマイクロ波表面波励起プラズマ成膜装置の断面模式図である。
【図７】図６のＡ−Ａ線断面図である。
【図８】本発明の実施形態４に係るマイクロ波表面波励起プラズマ成膜装置の要部片断面模式図である。
【図９】図８の要部を示す図である。
【図１０】本発明の実施形態５に係るマイクロ波表面波励起プラズマ成膜装置の要部片断面模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
以下、発明を実施するための形態を図面に基づき詳細に説明する。
【００２８】
（実施形態１）
本実施形態のマイクロ波表面波励起プラズマ成膜装置は、図１に示すように、チャンバー１と、チャンバー１内に原料ガスを供給する原料ガス供給部２と、チャンバー１内のガスを排出するガス排出部３と、マイクロ波を発生させるマイクロ波発振器４と、マイクロ波発振器４で発生したマイクロ波をチャンバー１の内部に伝播させる導波管５と、導波管５の管壁からマイクロ波を取り出しチャンバー１内に配設される導電体被処理物Ｗ０にマイクロ波を伝播させる複数のマイクロ波取り出し部６と、導電体被処理物Ｗ０に負バイアス電圧を印加する負電圧印加部７と、を有している。
【００２９】
チャンバー１は例えばステンレス製で、有底筒状部１１と蓋１２を備え、蓋１２はＯリング０を介して筒状部１１と係合している。チャンバー１は、接地されている。
【００３０】
導波管５はマイクロ波整合器８を備える横方向に長い基部導波管５１と、基部導波管５１にＴ字に接続され先端部がチャンバー１の内部に突出する縦長導波管５２とを有している。
【００３１】
縦長導波管５２は、チャンバー１の底部に連結する底部連結導波管５２ａとチャンバー１内に突出する突出導波管５２ｂとを有している。底部連結導波管５２ａと突出導波管５２ｂの連結部には水冷ジャケット５２ｆを備えている。
【００３２】
突出導波管５２ｂの長さは、誘電体（誘電率ε）中を伝播するマイクロ波の波長をλｇとするとλｇ／２より長く設定されるとよい。これにより、マイクロ波の定在波ＭＳ０の腹が少なくとも１個突出導波管５２ｂに形成される。
【００３３】
マイクロ波の波長λｇは光速をｃ、マイクロ波の周波数をＴとすると、次式のように表される。
λｇ＝ｃＴ                                          （１）
【００３４】
したがって、例えば、真空中（ε＝１）でマイクロ波の周波数Ｔが３ＧＨｚの場合、マイクロ波の波長λｇ＝１００ｍｍとなる。よって、突出導波管５２ｂの長さは５０ｍｍ以上に設定されるとよい。また、誘電率を大きくすると波長λgが短くなり、定在波ＭＳ０の間隔が短くなることで、軸方向の導電体被処理物Ｗ０の充填密度を上げることができる。
【００３５】
突出導波管５２ｂは終端部に気密蓋５２ｅを備え、チャンバー１内のガスが突出導波管５２ｂ内に進入するのを防止している。また、例えば気密蓋５２ｅが導電体であると導電性を有するので、下から上に向かって伝播するマイクロ波が気密蓋５２ｅで反射される。その結果、定在波ＭＳ０の腹の位置が軸方向に変動することが抑制される。なお、気密蓋５２ｅは省略されてもよい。
【００３６】
突出導波管５２ｂのコアに配置されるパイプ状導電体アンテナ５２ｃは同軸導波管のアンテナとして作用しマイクロ波を伝播させる。これによりマイクロ波の減衰が抑制される。また、本実施形態では、パイプ状導電体アンテナ５２ｃ内に空気が導入されるので、パイプ状導電体アンテナ５２ｃ及び突出導波管５２ｂの温度上昇を抑制することができる。なお、パイプ状導電体アンテナ５２ｃは棒状導電体アンテナでもよいし、省略されてもよい。
【００３７】
マイクロ波取り出し部６は、マイクロ波の定在波ＭＳ０の腹を望む突出導波管５２ｂの管壁（外周壁）５２ｂ０に開口するマイクロ波取り出し穴５２ｂ１に設置される断面コの字状誘電体窓部材６１と誘電体窓部材６１を覆う導電性スカート６２とを備えている。一端部が導電性保持治具９に保持された被処理物Ｗｏの他端側が誘電体窓部材６１に挿入されている（図３参照）。誘電体窓部材６１は例えば石英などである。
【００３８】
本実施形態では、負電圧印加部７から被処理物Ｗ０に電力を供給するチャンバー１と絶縁されている保持治具９を設けている。
【００３９】
マイクロ波発振器４は、例えば、周波数２．４５ＧＨｚ（波長１２０ｍｍ）、５０Ｗのマイクロ波を発振する。
【００４０】
マイクロ波発振器４から発振されたマイクロ波は、マイクロ波整合器８で基部導波管５１を導波するように整合される。基部導波管５１を伝播するマイクロ波は底部連結導波管５２ａを伝播して突出導波管５２ｂに伝播して定在波ＭＳ０を作る。本実施形態のマイクロ波プラズマ表面波励起成膜装置では、突出導波管５２ｂの長さが１．５λｇ（＝１．５×１２０ｍｍ＝１８０ｍｍ）であるので、図１に示すように定在波ＭＳ０の腹が縦方向に３個できる。
【００４１】
マイクロ波取り出し穴５２ｂ１は、マイクロ波の定在波ＭＳ０の腹を望む突出導波管５２ｂの管壁に開口しており、マイクロ波取り出し部６で電界強度が最大のマイクロ波が突出導波管５２ｂの軸方向と交差する方向（径方向）に取り出される。
【００４２】
本実施形態のマイクロ波表面波励起プラズマ成膜装置では、マイクロ波の腹が上下方向（突出導波管５２ｂの軸方向）に３個できるので、マイクロ波取り出し部６を上下方向（軸方向）に３個配置することができる。マイクロ波取り出し部６は周方向に多数配置することができ、本実施形態のマイクロ波表面波励起プラズマ成膜装置では、図２に示すように、９０度毎に配置されている。したがって、マイクロ波取り出し部６が合計１２個配置されており、被処理物Ｗｏを１２個一度に処理することができる。
【００４３】
原料ガス供給部２は、チャンバー１の内部に原料ガス、不活性ガス及び水素ガスを供給する。原料ガスとしては、例えば、ＤＬＣ原料ガスとして、例えば、ＴＭＳ（テトラメチルシラン：Ｓｉ（ＣＨ３）４）及びメタン（ＣＨ４）を用いる。不活性ガスとしては、アルゴン（Ａｒ）を用いる。なお、この場合、Ｏ２はカットされる。ガス排出部３は、図略の真空ポンプと接続されていて、チャンバー１の内部のガスをチャンバー１の外部に排出する。原料ガスとしては、ＤＬＣ以外の成分の被膜を形成するガスでもよい。
【００４４】
負電圧印加部７は、導電体被処理物Ｗ０にチャンバー１と絶縁された導電体保持治具９を介して負のパルス電圧を印加する。負電圧印加部７は、印加電圧を例えば、０Ｖから−５００Ｖに変化させ、その後、−５００Ｖから０Ｖまで変化させ、これを５００Ｈｚの周期で繰り返す。負に帯電した被処理物Ｗ０の表面近傍にシース層が形成される。導電体被処理物Ｗ０に印加される電圧は−５００Ｖに限定されない。シース層が形成される電圧であればよい。シース層は、電子密度が低い層、すなわち、正極性であって、マイクロ波の周波数帯において比誘電率ε〜１の層である。印加する負電圧の絶対値を大きくすることにより、シース層の厚さを大きくすることができる。このシース層が、プラズマとプラズマに接する物体との界面に表面波を伝播させる誘電体として作用する。
【００４５】
（実施形態２）
本実施形態のマイクロ波表面波励起プラズマ成膜装置は、突出導波管が一部空気以外の誘電体（例えば石英）で満たされる点が実施形態１のマイクロ波表面波励起プラズマ成膜装置と大きく異なる。同一の構成要素には同一の符号を付し説明を省略する。
【００４６】
本実施形態のマイクロ波表面波励起プラズマ成膜装置は、図４に示すように、突出導波管５２ｂの中に誘電体製の筒状体５２ｄを備えている。誘電体は例えば石英であり、石英筒状体５２ｄの中にパイプ状導電体５２ｃが配置されている。
【００４７】
筒状体５２ｄの中を伝播するマイクロ波の波長λｇは筒状体５２ｄの誘電率の√に反比例して短くなる。したがって、突出導波管５２ｂの長さが実施形態１のマイクロ波表面波励起プラズマ成膜装置と同じでもマイクロ波の定在波ＭＳ０の腹が軸方向に多数できる。その結果、本実施形態のマイクロ波プラズマ表面波励起成膜装置では、実施形態１のマイクロ波表面波励起プラズマ成膜装置より多くの被処理物Ｗｏを同時に処理することができる。
【００４８】
マイクロ波取り出し部６Ａは、図５に示すように、マイクロ波の定在波ＭＳ０の腹を望む位置の突出導波管５２ｂの管壁５２ｂ０に開口した開口部６Ａ１と筒状体５２ｄに形成された凹部６Ａ２を有している。凹部６Ａ２には板状の被処理物Ｗｏの端部が嵌合される。
【００４９】
本実施形態のマイクロ波表面波励起プラズマ成膜装置では、突出導波管５２ｂの中に誘電体製の筒状体５２ｄを備えているので、突出導波管５２ｂを伝播するマイクロ波の波長が短くなり、突出導波管５２ｂの長さが同じなら定在波ＭＳ０の腹が多くでき、それだけ多くの被処理物Ｗｏを同時に処理することができる。突出導波管５２ｂの長さが短くても被処理物Ｗｏの数を減らす必要がない。突出導波管５２ｂの長さが短い場合、チャンバー１も小さくでき、マイクロ波表面波励起プラズマ成膜装置を小型化することができる。
【００５０】
（実施形態３）
本実施形態のマイクロ波表面波励起プラズマ成膜装置は、マイクロ波取り出し部と被処理物が実施形態２のマイクロ波表面波励起プラズマ成膜装置と大きく異なる。同一の構成要素には同一の符号を付し説明を省略する。
【００５１】
本実施形態のマイクロ波表面波励起プラズマ成膜装置は、図６に示すように、マイクロ波取り出し部６Ｂがストリップラインである。ストリップライン６Ｂの一端部がマイクロ波の定在波ＭＳ０の腹を望む位置の突出導波管５２ｂの管壁に開口した開口部６Ａ１に挿入され、挿入端部が誘電体製の筒状体５２ｄの外周に当接する。ストリップライン６Ｂの他端部はドーナツ盤状被処理物Ｗ１の内周面に当接する（図７参照）。
【００５２】
ストリップライン６Ｂは、両外側金属片６Ｂ１と帯状誘電体６Ｂ２で隔てられた中央導体板伝送線路６Ｂ３を備えている。ストリップライン６Ｂのインピーダンスを突出導波管５２ｂのインピーダンスとマッチングさせることで、取り出したマイクロ波の定在波ＭＳ１を効率よく立たせることができる。
【００５３】
ストリップライン６Ｂは、図７に示すように、誘電体製の筒状体５２ｄの外周に４５度毎に計８個配置されている。したがって、ドーナツ盤状被処理物Ｗ１に均一に成膜することができる。
【００５４】
ストリップライン６Ｂを誘電体製の筒状体５２ｄの外周に配置することでドーナツ盤状被処理物Ｗ１を一層均一に成膜処理することができる。
【００５５】
（実施形態４）
本実施形態のマイクロ波表面波励起プラズマ成膜装置は、マイクロ波取り出し部と被処理物が実施形態３のマイクロ波表面波励起プラズマ成膜装置と大きく異なる。同一の構成要素には同一の符号を付し説明を省略する。図８は、本実施形態に係るマイクロ波表面波励起プラズマ成膜装置の要部片断面図である。
【００５６】
本実施形態に係るマイクロ波表面波励起プラズマ成膜装置のマイクロ波取り出し部６Ｄは、マイクロ波の伝播方向を９０度前後変える同軸導波管である。同軸導波管６Ｄの一端部がマイクロ波の定在波ＭＳ０の腹を望む位置の突出導波管５２ｂの管壁５２ｂ０に開口した開口部６Ａ１に挿入され、他端部に筒状被処理物Ｗ２が載置されている。
【００５７】
同軸導波管６Ｄは、例えば鉄製の導波管６Ｄ１のコアに導電体６Ｄ２と石英などの誘電体６Ｄ３を配設してなり、導電体６Ｄ２の長さを下記のように最適化することで、取り出したマイクロ波の定在波ＭＳ２を効率よく立たせることができる。
【００５８】
本実施形態の同軸導波管６Ｄは、水平部から上方に４５°折れ曲がり、さらに４５°折れ曲がって鉛直方向に延び、拡径テーパ部になる。コア導電体６Ｄ２の水平部の長さをＬ１、４５°折れ曲がり部の長さをＬ２、鉛直部の長さをＬ３、テーパ部の長さをＬ４とする（図１１参照）。各部の長さＬ１、Ｌ２、Ｌ３、Ｌ４をｎ（λｇ／４）に等しくすることで、取り出したマイクロ波の定在波ＭＳ２を効率よく立たせることができる。ここで、λｇは同軸導波管６ｃを伝播するマイクロ波の波長、ｎは正の整数で、ｎ＝１，２，３，・・・である。
【００５９】
筒状被処理物Ｗ２が載置される同軸導波管６Ｄの他端部は、拡径テーパ状をしているので、マイクロ波を筒状被処理物Ｗ２に効率よく伝播させることができる。
【００６０】
本実施形態のマイクロ波表面波励起プラズマ成膜装置は、同軸導波管からなるマイクロ波取り出し部６Ｄが突出導波管５２ｂの外周壁（管壁）に左右対称に配置されているので、二つの筒状被処理物Ｗ２に同時成膜することができる。
【００６１】
例えば、同軸導波管からなるマイクロ波取り出し部６Ｄを前後方向にも配置すれば、四つの筒状被処理物Ｗ２に同時成膜することができる。
【００６２】
（実施形態５）
本実施形態のマイクロ波表面波励起プラズマ成膜装置は、マイクロ波取り出し部が実施形態４のマイクロ波表面波励起プラズマ成膜装置と大きく異なる。同一の構成要素には同一の符号を付し説明を省略する。図１０は、本実施形態に係るマイクロ波表面波励起プラズマ成膜装置の要部片断面図である。
【００６３】
本実施形態に係るマイクロ波表面波励起プラズマ成膜装置のマイクロ波取り出し部６Ｅは、ストリップライン６ｅ１と同軸導波管６ｅ２とを備えている。
【００６４】
ストリップライン６ｅ１は、両外側金属片６ｅ１１と帯状誘電体６ｅ１２で隔てられた中央導体板伝送線路６ｅ１３を備えており、一端部が金属片６ｅ１１で覆われていない開放端を形成している。
【００６５】
ストリップライン６ｅ１は突出導波管５２ｂの径方向に延在するように前記開放端がマイクロ波の定在波ＭＳ０の腹を望む位置の突出導波管５２ｂの管壁５２ｂ０に開口した開口部６Ａ１に挿入され、挿入端部が誘電体製の筒状体５２ｄの外周に当接している。中央導体板伝送線路６ｅ１３の長さＬは、次式を満たすとよい。
Ｌ＝（λｇ／４）×ｎ                               （２）
ここで、λｇはストリップライン６ｅ１を伝播するマイクロ波の波長、ｎは正の整数で、ｎ＝１，２，３，・・・である。
【００６６】
中央導体板伝送線路６ｅ１３の長さＬが（２）式を満たすと、定在波ＭＳ１を安定して立たせることができる。
【００６７】
同軸導波管６ｅ２は、例えば鉄製の導波管６ｅ２１のコアに導電体６ｅ２２を配設してなり、一端部の形状はストレートで他端部の形状が拡径テーパ状である。
【００６８】
同軸導波管６ｅ２の一端部は、ストリップライン６ｅ１中を伝播するマイクロ波の定在波ＭＳ１の腹を望む位置の金属片６ｅ１１に開口した開口部６ｅ１１０の口に当接して同軸導波管６ｅ２が起立する。拡径テーパ状の他端部には筒状被処理物Ｗ２が載置される。
【００６９】
本実施形態のマイクロ波表面波励起プラズマ成膜装置ではストリップラインを配置させることで同軸導波管を９０度前後曲げることなく筒状被処理物Ｗ２へ伝播させることができるため安価に製作することがきる。
【符号の説明】
【００７０】
１・・・・・・・・・・・チャンバー
２・・・・・・・・・・・原料ガス供給部
３・・・・・・・・・・・ガス排出部
４・・・・・・・・・・・マイクロ波発振器
５・・・・・・・・・・・導波管
５２ｂ・・・・・・・・突出導波管
５２ｂ０・・・・・・管壁
５２ｃ・・・・・・・・導電体アンテナ
５２ｄ・・・・・・・・誘電体（筒状誘電体、石英筒）
５２ｅ・・・・・・・・導電性気密蓋
６、６Ａ・・・・・・・・マイクロ波取り出し部
６Ｂ・・・・・・・・・・マイクロ波取り出し部（ストリップライン）
６Ｄ・・・・・・・・・・マイクロ波取り出し部（同軸導波管）
６Ｅ・・・・・・・・・・マイクロ波取り出し部（ストリップライン＋同軸導波管）
７・・・・・・・・・・・負電圧印加部
９・・・・・・・・・・・空気冷却部
Ｗ０、Ｗ１、Ｗ２・・・・・導電性被処理物
ＭＳ０、ＭＳ１、ＭＳ２・・マイクロ波の定在波
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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