(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理液で処理する基板処理装置であって、
基板を水平に保持する基板保持手段と、
前記基板保持手段に保持された基板の上面に対向する対向面を有する対向部材と、
平面視で前記基板保持手段および前記対向部材を取り囲むように配置され、前記基板保持手段に保持された基板と前記対向部材とともに周囲の雰囲気から離隔された空間を形成可能であり、前記基板外に排除される処理液を受けるガードと、
前記空間が形成された状態で前記空間内に配置されるように前記ガードの内壁から延び、前記基板保持手段に保持された基板の上面に処理液を供給する処理液供給ノズルと、
前記空間内の雰囲気を不活性ガスで置換するために前記空間に不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段と、
前記ガードに下方から対向し、前記空間の周縁を区画し、前記基板保持手段に保持された基板外に排除される処理液を受ける下側ガードと、
前記ガードを昇降させるガード昇降機構と、
前記ガードから独立して前記下側ガードを昇降させる下側ガード昇降機構とを含む、基板処理装置。
【請求項２】
前記ガードに連結され、前記基板保持手段に保持された基板の上面と前記対向面との間で前記処理液供給ノズルを移動させるノズル移動手段をさらに含む、請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記ノズル移動手段が、前記処理液供給ノズルを支持するノズル支持部材と、前記ガードに固定され、前記ノズル支持部材を駆動する駆動機構とを含む、請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記ノズル支持部材が、前記ガードに形成された貫通孔に挿通されており、
前記駆動機構が、前記空間が形成された状態で前記空間外に配置されている、請求項３に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記ガード昇降機構に取り付けられ、前記ノズル移動手段を前記ガードに固定するための移動手段固定部材とをさらに含み、
前記ノズル移動手段において前記移動手段固定部材によって固定されている部分が、平面視で前記ガード昇降機構と重なっている、請求項２〜４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記移動手段固定部材によって支持され前記ノズル移動手段を載置固定する台座と、
前記ガードに取り付けられ前記台座を支持するブラケットとをさらに含む、請求項５に記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記ガードの上方に配置され前記基板保持手段に対して上下方向の位置が固定された固定部材と、
前記ガードと前記固定部材との間に配置され、前記ノズル移動手段を周囲の雰囲気から離隔し、上下に伸縮可能なベローズとをさらに含む、請求項５または６に記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記ガードの上方に配置され前記基板保持手段に対して上下方向の位置が固定された固定部材と、
前記ガードと前記固定部材との間に配置され、前記ノズル移動手段を周囲の雰囲気から離隔し、上下に伸縮可能なベローズと、
前記駆動機構の下端部を収容し、前記ガードに上方から固定されたカバーとをさらに含み、
前記ベローズが、前記駆動機構において前記カバーから上方に突出する部分を取り囲むように、前記固定部材と前記カバーとの間で延びる、請求項３に記載の基板処理装置。
【請求項９】
前記ガードと前記下側ガードとの間には、前記処理液供給ノズルを収容可能な収容空間が設けられている、請求項１〜８のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項１０】
前記ガードが、前記基板保持手段を取り囲む筒状部と、前記筒状部から延び、水平方向に平坦な平坦部とを含み、
前記下側ガードが、水平方向に対して傾斜して延び、前記平坦部に下方から対向する対向部を含み、
前記収容空間が、前記筒状部と前記平坦部と前記対向部とによって区画されている、請求項９に記載の基板処理装置。
【請求項１１】
前記処理液供給ノズルの表面に付着した液体を除去する液体除去手段をさらに含む、請求項９または１０に記載の基板処理装置。
【請求項１２】
前記液体除去手段が、前記処理液供給ノズルに弾性的に当接することによって前記処理液供給ノズルの表面に付着した液体を除去する弾性当接部材を含む、請求項１１に記載の基板処理装置。
【請求項１３】
前記液体除去手段が、前記処理液供給ノズルを収容する収容凹部を有する収容部材と、前記収容凹部内を吸引する減圧手段とを含む、請求項１１に記載の基板処理装置。
【請求項１４】
前記処理液供給ノズルが、水平方向に延びるノズル軸線を有する円筒部と、前記ノズル軸線に対する直交方向に処理液を吐出する吐出口を有し、前記円筒部の周方向において前記円筒部に対する前記吐出口の位置を調整できるように前記円筒部の先端部に取り付けられた吐出方向調整部材とを含む、請求項１〜１３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項１５】
前記処理液供給ノズルが、水平方向に延びるノズル軸線を有する円筒部と、水平方向に対して直交する方向以外の方向であって水平方向に対して傾斜する方向に処理液を吐出する吐出口を有し、前記円筒部の周方向において前記円筒部に対する前記吐出口の位置を調整できるように前記円筒部の先端部に取り付けられた吐出方向調整部材とを含む、請求項１〜１３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項１６】
前記処理液供給ノズルの先端が、平面視で、前記処理液供給ノズルにおける当該先端以外の部分よりも湾曲している、請求項１〜１３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項１７】
前記対向部材と前記基板との間から退避する退避位置と前記対向部材と前記基板との間の処理位置との間で移動し、前記処理位置に位置するときに前記基板に第２の処理液を供給する第２の処理液供給ノズルをさらに含む、請求項１〜１６のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項１８】
前記下側ガードが、平面視で前記基板保持手段および前記対向部材を取り囲むように配置され、
前記基板保持手段に保持された基板の半径方向における前記ガードの内側端、および前記半径方向における前記下側ガードの内側端が、平面視で互いに重なっており、かつ、前記半径方向における前記対向部材の外側端よりも、前記半径方向の外方に位置する、請求項１〜１７のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項１９】
前記基板保持手段に保持された基板の半径方向における前記下側ガードの内側端が、前記基板保持手段に保持された基板に水平方向から対向する位置に前記下側ガードを配置することで前記空間が形成される、請求項１〜１８のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項２０】
基板を処理液で処理する基板処理装置であって、
基板を水平に保持する基板保持手段と、
前記基板保持手段に保持された基板の上面に対向する対向面を有する対向部材と、
平面視で前記基板保持手段および前記対向部材を取り囲むように配置され、前記基板保持手段に保持された基板と前記対向部材とともに周囲の雰囲気から離隔された空間を形成可能であり、前記基板外に排除される処理液を受けるガードと、
前記空間が形成された状態で前記空間内に配置されるように前記ガードの内壁から延び、前記基板保持手段に保持された基板の上面に処理液を供給する処理液供給ノズルと、
前記空間内の雰囲気を不活性ガスで置換するために前記空間に不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段と、
前記ガードを昇降させるガード昇降機構と、
前記ガードに連結され、前記基板保持手段に保持された基板の上面と前記対向面との間で前記処理液供給ノズルを移動させるノズル移動手段と、
前記ガード昇降機構に取り付けられ、前記ノズル移動手段を前記ガードに固定するための移動手段固定部材とを含み、
前記ノズル移動手段において前記移動手段固定部材によって固定されている部分が、平面視で前記ガード昇降機構と重なっている、基板処理装置。
【請求項２１】
前記ガードの上方に配置され前記基板保持手段に対して上下方向の位置が固定された固定部材と、
前記ガードと前記固定部材との間に配置され、前記ノズル移動手段を周囲の雰囲気から離隔し、上下に伸縮可能なベローズとをさらに含む、請求項２０に記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、基板を処理する基板処理装置に関する。処理対象になる基板には、例えば、半導体ウエハ、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、ＦＥＤ（Field Emission Display）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、太陽電池用基板等の基板が含まれる。
【背景技術】
【０００２】
基板を１枚ずつ処理する枚葉式の基板処理装置による基板処理では、例えば、スピンチャックによってほぼ水平に保持された基板に対して薬液が供給される。その後、リンス液が基板に供給され、それによって、基板上の薬液がリンス液に置換される。その後、基板上のリンス液を排除するためのスピンドライ工程が行われる。
図１５に示すように、基板の表面に微細なパターンが形成されている場合、スピンドライ工程では、パターンの内部に入り込んだリンス液を除去できないおそれがあり、それによって、乾燥不良が生じるおそれがある。パターンの内部に入り込んだリンス液の液面（空気と液体との界面）は、パターンの内部に形成されるので、液面とパターンとの接触位置に、液体の表面張力が働く。この表面張力が大きい場合には、パターンの倒壊が起こりやすくなる。典型的なリンス液である水は、表面張力が大きいために、スピンドライ工程におけるパターンの倒壊が無視できない。
【０００３】
そこで、水よりも表面張力が低い低表面張力液体であるイソプロピルアルコール（Isopropyl Alcohol: IPA）を供給して、パターンの内部に入り込んだ水をＩＰＡに置換し、その後にＩＰＡを除去することで基板の上面を乾燥させることが考え得る。
ＩＰＡを除去して基板の上面を速やかに乾燥させるためには、基板の上面付近の雰囲気の湿度を低減する必要がある。また、ＩＰＡに溶け込んだ酸素によってパターンが酸化するおそれがあるため、ＩＰＡに溶け込む酸素の量が低減されるように基板の上面付近の雰囲気の酸素濃度を低減しておく必要がある。しかしながら、処理チャンバの内部空間には、スピンチャック等の部材が収容されているため、処理チャンバ内の雰囲気全体の酸素濃度および湿度を低減するのは困難である。
【０００４】
下記特許文献１には、基板の上面の全体を覆うガス供給装置が開示されている。ガス供給装置のガスフードには、ＩＰＡ等の流体を基板の上面に供給する流体ディスペンサが収容されている。ガスフードの中央には、窒素ガス等の不活性ガスが供給されるガス入口が形成されている。流体ディスペンサの一端には、ノズルが取り付けられており、流体ディスペンサの他端には、流体ディスペンサを駆動するモータの出力軸が取り付けられている。当該出力軸は、ガスフードを貫通している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】米国特許出願公開第２０１４／００２６９２６号明細書（Ｆｉｇ．１０，１１）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１のガス供給装置では、ガスフード内に不活性ガスを充満させることで、ガスフード内の雰囲気の酸素濃度および湿度が低減される。しかし、ガスフードにモータの出力軸が取り付けられているため、ガスフードは、モータの出力軸によって阻害されて基板の上面に十分に接近できない。これでは、ガスフード内の雰囲気の酸素濃度および湿度を速やかに低減できないおそれがある。
【０００７】
そこで、この発明の１つの目的は、基板保持手段に保持された基板と対向部材との間の雰囲気の酸素濃度および湿度を速やかに低減することができる基板処理装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
この発明は、基板を処理液で処理する基板処理装置であって、基板を水平に保持する基板保持手段と、前記基板保持手段に保持された基板の上面に対向する対向面を有する対向部材と、平面視で前記基板保持手段および前記対向部材を取り囲むように配置され、前記基板保持手段に保持された基板と前記対向部材とともに周囲の雰囲気から離隔された空間を形成可能であり、基板外に排除される処理液を受けるガードと、前記空間が形成された状態で前記空間内に配置されるように前記ガードの内壁から延び、前記基板保持手段に保持された基板の上面に処理液を供給する処理液供給ノズルと、前記空間内の雰囲気を不活性ガスで置換するために前記空間に不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段とを含む、基板処理装置を提供する。
【０００９】
この構成によれば、処理液供給ノズルは、平面視で基板保持手段および対向部材を取り囲むように配置されたガードの内壁から延びている。そのため、対向部材に処理液供給ノズル等の部材が取り付けられている構成と比較して、基板の上面に対向面を十分に近づけた状態で対向部材を配置することができる。したがって、対向部材と基板保持手段に保持された基板とともにガードが形成する空間を小さくできる。この状態で、不活性ガス供給手段から不活性ガスを供給して当該空間内の雰囲気を不活性ガスで置換することによって、対向部材と基板保持手段に保持された基板との間の雰囲気の酸素濃度および湿度を速やかに低減することができる。
【００１０】
また、処理液供給ノズルは、当該空間内に配置される。そのため、処理液供給ノズルは、当該空間内の雰囲気を不活性ガスで置換した状態、すなわち雰囲気中の酸素濃度および湿度が低減された状態で、基板の上面に処理液を供給することができる。
この発明の一実施形態では、前記基板処理装置が、前記ガードに連結され、前記基板保持手段に保持された基板の上面と前記対向面との間で前記処理液供給ノズルを移動させるノズル移動手段をさらに含む。
【００１１】
この構成によれば、基板保持手段に保持された基板の上面と対向面との間で処理液供給ノズルを移動させるノズル移動手段がガードに連結されている。それにより、対向部材と基板保持手段に保持された基板とともにガードが形成する空間内で処理液供給ノズルを移動させつつ、当該基板と対向部材との間の雰囲気の酸素濃度および湿度を低減できる。
この発明の一実施形態では、前記ノズル移動手段が、前記処理液供給ノズルを支持するノズル支持部材と、前記ガードに固定され、前記ノズル支持部材を駆動する駆動機構とを含む。
【００１２】
この構成によれば、ノズル支持部材と駆動機構とを含む簡単な構成のノズル移動手段によって、対向部材と基板保持手段に保持された基板とともにガードが形成する空間内で処理液供給ノズルを移動させることができる。
この発明の一実施形態では、前記ノズル支持部材が、前記ガードに形成された貫通孔に挿通されている。また、前記駆動機構が、前記空間が形成された状態で前記空間外に配置されている。
【００１３】
この構成によれば、ノズル支持部材は、ガードに形成された貫通孔に挿通されている。また、対向部材と基板保持手段に保持された基板とともにガードが空間を形成している状態では、駆動機構が当該空間外に配置されている。そのため、駆動機構の大きさに関わらず、当該空間内での処理液供給ノズルの移動を可能としつつ当該空間を小さくすることができる。
【００１４】
この発明の一実施形態では、前記基板処理装置が、前記ガードを昇降させるガード昇降機構と、前記ガード昇降機構に取り付けられ、前記ノズル移動手段を前記ガードに固定するための移動手段固定部材とをさらに含む。また、前記ノズル移動手段において前記移動手段固定部材によって固定されている部分が、平面視で前記ガード昇降機構と重なっている。
【００１５】
この構成によれば、移動手段固定部材が、ガード昇降機構に取り付けられており、ノズル移動手段において移動手段固定部材によって固定されている部分が、平面視でガード昇降機構と重なっている。これにより、ガード昇降機構が、移動手段固定部材を介して、ノズル移動手段を受けることができる。そのため、ノズル移動手段からガードが受ける重量を低減することができるので、経年劣化によるガードの破損および変形を抑制することができる。したがって、ガードは、長期間の使用後においても安定して空間を形成できるため、長期間の使用後においても対向部材と基板保持手段に保持された基板との間の雰囲気の酸素濃度および湿度を低減することができる。
【００１６】
この発明の一実施形態では、前記基板処理装置が、前記ガードの上方に配置され前記基板保持手段に対して上下方向の位置が固定された固定部材と、前記ガードと前記固定部材との間に配置され、前記ノズル移動手段を周囲の雰囲気から離隔し、上下に伸縮可能なベローズとをさらに含む。
この構成によれば、ガードと固定部材との間に配置されたベローズは、ガードが昇降する際に上下方向に伸縮する。そのため、上下方向におけるガードの位置に関わらずノズル移動手段を周囲の雰囲気から離隔することができる。
【００１７】
この発明の一実施形態では、前記基板処理装置が、前記ガードの下方から前記空間を区画し、基板外に排除される処理液を受ける下側ガードをさらに含む。また、前記ガードと前記下側ガードとの間には、前記処理液供給ノズルを収容可能な収容空間が設けられている。
この構成によれば、収容空間に処理液供給ノズルが収容される。そのため、下側ガードをガードに近づけて配置することができる。よって、ガードが形成する空間を下方から下側ガードが区画する構成において、当該空間を小さくできる。
【００１８】
この発明の一実施形態では、前記ガードが、前記基板保持手段を取り囲む筒状部と、前記筒状部から延び、水平方向に平坦な平坦部とを含み、前記下側ガードが、水平方向に対して傾斜して延び、前記平坦部に下方から対向する対向部を含む。また、前記収容空間が、前記筒状部と前記平坦部と前記対向部とによって区画されている。
この構成によれば、下側ガードの対向部が、水平方向に対して傾斜して延び、ガードの筒状部から延び水平方向に平坦な平坦部に下方から対向する。そのため、平坦部に対向部を近づけてガードおよび下側ガードを配置しても、処理液供給ノズルを収容するのに十分な大きさの収容空間を確保することができる。
【００１９】
この発明の一実施形態では、前記基板処理装置は、前記処理液供給ノズルの表面に付着した液体を除去する液体除去手段をさらに含む。
この構成によれば、液体除去手段は、処理液供給ノズルの表面に付着した液体を除去することができる。したがって、処理液供給ノズルの表面に付着した液体が基板の上面に落下することによる基板の汚染を防止できる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】図１は、この発明の第１実施形態に係る基板処理装置の内部のレイアウトを説明するための図解的な平面図である。
【図２】図２は、前記基板処理装置に備えられた処理ユニットの構成例を説明するための図解的な横断面図である。
【図３】図３は、図２のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿った縦断面図に相当し、前記処理ユニットの構成例を説明するための模式図である。
【図４】図４は、前記処理ユニットに備えられたノズル移動手段の周辺の模式的な断面図である。
【図５】図５は、図２のＶ−Ｖ線に沿った断面図に相当し、前記処理ユニットに備えられた遮断板昇降ユニットの周辺の模式図である。
【図６Ａ】図６Ａは、前記処理ユニットのチャンバの模式的な平面図である。
【図６Ｂ】図６Ｂは、前記チャンバの上端部周辺の模式的な断面図である。
【図７】図７は、前記基板処理装置の主要部の電気的構成を説明するためのブロック図である。
【図８】図８は、前記基板処理装置による基板処理の一例を説明するための流れ図である。
【図９Ａ】図９Ａは、基板処理の様子を説明するための図解的な断面図である。
【図９Ｂ】図９Ｂは、基板処理の様子を説明するための図解的な断面図である。
【図９Ｃ】図９Ｃは、基板処理の様子を説明するための図解的な断面図である。
【図９Ｄ】図９Ｄは、基板処理の様子を説明するための図解的な断面図である。
【図９Ｅ】図９Ｅは、基板処理の様子を説明するための図解的な断面図である。
【図９Ｆ】図９Ｆは、基板処理の様子を説明するための図解的な断面図である。
【図９Ｇ】図９Ｇは、基板処理の様子を説明するための図解的な断面図である。
【図１０Ａ】図１０Ａは、本実施形態の第１変形例に係る処理液供給ノズルの周辺の断面を拡大した模式図である。
【図１０Ｂ】図１０Ｂは、図１０ＡのＸＢ−ＸＢ線に沿った断面の模式図である。
【図１１】図１１は、本実施形態の第２変形例に係る処理液供給ノズルの周辺の断面を拡大した模式図である。
【図１２Ａ】図１２Ａは、本実施形態の第３変形例に係る処理液供給ノズルの断面の模式図である。
【図１２Ｂ】図１２Ｂは、図１２ＡのＸＩＩＢ−ＸＩＩＢ線に沿った断面の模式図である。
【図１３】図１３は、本実施形態の第４変形例に係る処理液供給ノズルの断面の模式図である。
【図１４】図１４は、本実施形態の第５変形例に係る処理液供給ノズルの周辺の平面図である。
【図１５】図１５は、表面張力によるパターン倒壊の原理を説明するための図解的な断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下では、この発明の実施の形態を添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、この発明の一実施形態に係る基板処理装置１の内部のレイアウトを説明するための図解的な平面図である。基板処理装置１は、シリコンウエハ等の基板Ｗを一枚ずつ処理液で処理する枚葉式の装置である。処理液としては、薬液、リンス液および有機溶剤等が挙げられる。この実施形態では、基板Ｗは、円形状の基板である。基板Ｗの表面には、微細なパターン（図１５参照）が形成されている。
【００２２】
基板処理装置１は、処理液で基板Ｗを処理する複数の処理ユニット２と、処理ユニット２で処理される複数枚の基板Ｗを収容するキャリヤＣをそれぞれ保持する複数のロードポートＬＰと、ロードポートＬＰと処理ユニット２との間で基板Ｗを搬送する搬送ロボットＩＲおよびＣＲと、基板処理装置１を制御する制御ユニット３とを含む。搬送ロボットＩＲは、キャリヤＣと搬送ロボットＣＲとの間で基板Ｗを搬送する。搬送ロボットＣＲは、搬送ロボットＩＲと処理ユニット２との間で基板Ｗを搬送する。複数の処理ユニット２は、例えば、同様の構成を有している。
【００２３】
図２は、処理ユニット２の構成例を説明するための図解的な横断面図である。図３は、図２のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿った縦断面図に相当し、処理ユニット２の構成例を説明するための模式図である。
処理ユニット２は、一枚の基板Ｗを水平な姿勢で保持しながら、基板Ｗの中心を通る鉛直な回転軸線Ｃ１まわりに基板Ｗを回転させるスピンチャック５を含む。スピンチャック５は、基板Ｗを水平に保持する基板保持手段の一例である。処理ユニット２は、基板Ｗの上面（上方側の主面）に対向する対向面６ａを有する対向部材としての遮断板６と、処理液で基板Ｗを処理するために基板Ｗを収容するチャンバ７とをさらに含む。チャンバ７には、基板Ｗを搬入／搬出するための搬入／搬出口７ｃが形成されており、搬入／搬出口７ｃを開閉するシャッタユニット７ｄが備えられている。
【００２４】
スピンチャック５は、チャックピン２０と、スピンベース２１と、回転軸２２と、回転軸２２を回転軸線Ｃ１まわりに回転させる電動モータ２３とを含む。
回転軸２２は、回転軸線Ｃ１に沿って鉛直方向（上下方向Ｚともいう）に延びており、この実施形態では、中空軸である。回転軸２２の上端は、スピンベース２１の下面の中央に結合されている。スピンベース２１は、水平方向に沿う円盤形状を有している。スピンベース２１の上面の周縁部には、基板Ｗを把持するための複数のチャックピン２０が周方向に間隔を空けて配置されている。電動モータ２３によって回転軸２２が回転されることにより、基板Ｗが回転軸線Ｃ１まわりに回転される。以下では、基板Ｗの回転径方向内側を単に「径方向内方」といい、基板Ｗの回転径方向外側を単に「径方向外方」という。
【００２５】
遮断板６は、基板Ｗとほぼ同じ径またはそれ以上の径を有する円板状に形成され、スピンチャック５の上方でほぼ水平に配置されている。遮断板６において対向面６ａとは反対側の面には、中空軸３０が固定されている。
処理ユニット２は、水平に延び、中空軸３０を介して遮断板６を支持する遮断板支持部材３１と、遮断板支持部材３１を介して遮断板６に連結され、遮断板６の昇降を駆動する遮断板昇降機構３２と、遮断板６を回転軸線Ｃ１まわりに回転させる遮断板回転機構３３とをさらに含む。遮断板昇降機構３２は、下位置（後述する図９Ｇに示す位置）から上位置（後述する図９Ａに示す位置）までの任意の位置（高さ）に遮断板６を位置させることができる。下位置とは、遮断板６の可動範囲において、遮断板６の対向面６ａが基板Ｗに最も近接する位置である。下位置では、基板Ｗの上面と対向面６ａとの間の距離は、２．５ｍｍ以下である。上位置とは、遮断板６の可動範囲において、遮断板６の対向面６ａが基板Ｗから最も離間する位置である。
【００２６】
遮断板回転機構３３は、遮断板支持部材３１の先端に内蔵された電動モータを含む。電動モータには、遮断板支持部材３１内に配された複数の配線３４が接続されている。複数の配線３４は、当該電動モータに送電するためのパワーラインと、遮断板６の回転情報を出力するためのエンコーダラインとを含む。遮断板６の回転情報を検知することによって、遮断板６の回転を正確に制御できる。
【００２７】
処理ユニット２は、スピンチャック５を取り囲む排気桶４０と、スピンチャック５と排気桶４０との間に配置された複数のカップ４１，４２（第１カップ４１および第２カップ４２）と、スピンチャック５に保持された基板Ｗから基板Ｗ外に排除される処理液を受ける複数のガード４３〜４５（第１ガード４３、第２ガード４４および第３ガード４５）とをさらに含む。
【００２８】
処理ユニット２は、複数のガード４３〜４５の昇降をそれぞれ駆動する複数のガード昇降機構４６〜４８（第１ガード昇降機構４６、第２ガード昇降機構４７および第３ガード昇降機構４８）をさらに含む。各ガード昇降機構４６〜４８は、本実施形態では、平面視で、基板Ｗの回転軸線Ｃ１を中心として点対称となるように一対設けられている。それにより、複数のガード４３〜４５をそれぞれ安定して昇降させることができる。
【００２９】
排気桶４０は、円筒状の筒部４０Ａと、筒部４０Ａの径方向外方に筒部４０Ａから突出した複数（本実施形態では２つ）の突出部４０Ｂと、複数の突出部４０Ｂの上端に取り付けられた複数の蓋部４０Ｃとを含む。複数のガード昇降機構４６〜４８は、筒部４０Ａの周方向において突出部４０Ｂと同じ位置で、突出部４０Ｂよりも径方向内方に配置されている。詳しくは、筒部４０Ａの周方向において各突出部４０Ｂと同じ位置には、第１ガード昇降機構４６、第２ガード昇降機構４７および第３ガード昇降機構４８により構成される組が１組ずつ配置されている。
【００３０】
各カップ４１，４２は、円筒状であり、排気桶４０の筒部４０Ａよりも径方向内方でスピンチャック５を取り囲んでいる。第２カップ４２は、第１カップ４１よりも径方向外方に配置されている。第２カップ４２は、例えば、第３ガード４５と一体であり、第３ガード４５と共に昇降する。各カップ４１，４２は、上向きに開いた環状の溝を有している。各カップ４１，４２の溝には、回収配管（図示せず）または廃液配管（図示せず）が接続されている。各カップ４１，４２の底部に導かれた処理液は、回収配管または廃液配管を通じて、回収または廃棄される。
【００３１】
ガード４３〜４５は、平面視でスピンチャック５および遮断板６を取り囲むように配置されている。
第１ガード４３は、排気桶４０の筒部４０Ａよりも径方向内方でスピンチャック５を取り囲む第１筒状部４３Ａと、第１筒状部４３Ａから径方向内方に延びる第１延設部４３Ｂとを含む。
【００３２】
第１ガード４３は、第１ガード昇降機構４６によって、第１ガード４３の上端が基板Ｗよりも下方に位置する下位置と、第１ガード４３の上端が基板Ｗよりも上方に位置する上位置との間で昇降される。第１ガード４３は、第１ガード昇降機構４６によって昇降されることで、下位置と上位置との間の遮断板対向位置に位置することができる。第１ガード４３が遮断板対向位置に位置することで、第１延設部４３Ｂ（の上方端）が遮断板６に水平方向から対向する。
【００３３】
第２ガード４４は、第１ガード４３の第１筒状部４３Ａよりも径方向内方でスピンチャック５を取り囲む第２筒状部４４Ａと、第２筒状部４４Ａから径方向内方に延びる第２延設部４４Ｂとを含む。第２延設部４４Ｂは、径方向内方へ向かうに従って上方へ向かうように水平方向に対して傾斜している。第２延設部４４Ｂは、第１延設部４３Ｂに下方から対向している。
【００３４】
第２ガード４４は、第２ガード昇降機構４７によって、第２ガード４４の上端が基板Ｗよりも下方に位置する下位置と、第２ガード４４の上端が基板Ｗよりも上方に位置する上位置との間で昇降される。第２ガード４４は、第２ガード昇降機構４７によって昇降されることで、下位置と上位置との間の基板対向位置および遮断板対向位置に位置することができる。第２ガード４４が基板対向位置に位置することで、第２延設部４４Ｂ（の上方端）が基板Ｗに水平方向から対向する。第２ガード４４が遮断板対向位置に位置することで、第２延設部４４Ｂ（の上方端）が遮断板６に水平方向から対向する。
【００３５】
第３ガード４５は、第２ガード４４の第２筒状部４４Ａよりも径方向内方でスピンチャック５を取り囲む第３筒状部４５Ａと、第３筒状部４５Ａから径方向内方に延びる第３延設部４５Ｂとを含む。第３延設部４５Ｂは、第２延設部４４Ｂに下方から対向している。
第３ガード４５は、第３ガード昇降機構４８によって、第３ガード４５の上端が基板Ｗよりも下方に位置する下位置と、第３ガード４５の上端が基板Ｗよりも上方に位置する上位置との間で昇降される。第３ガード４５は、第３ガード昇降機構４８によって昇降されることで、下位置と上位置との間の基板対向位置に位置することができる。第３ガード４５が基板対向位置に位置することで、第３延設部４５Ｂ（の上方端）が基板Ｗに水平方向から対向する。
【００３６】
第１ガード４３が遮断板対向位置に位置する状態で、第１ガード４３は、スピンチャック５に保持された基板Ｗと遮断板６とともに周囲の雰囲気から離隔された空間Ａを形成可能である。周囲の雰囲気とは、遮断板６よりも上方の雰囲気や第１ガード４３よりも径方向外方の雰囲気のことである。空間Ａは、第２ガード４４が基板対向位置に位置する状態で、第２ガード４４によって下方から区画されている。このように、第２ガード４４は、第１ガード４３の下方から空間Ａを区画し、基板Ｗ外に排除される処理液を受ける下側ガードの一例である。
【００３７】
処理ユニット２は、基板Ｗの下面に加熱流体を供給する下面ノズル８と、基板Ｗの上面にフッ酸等の薬液を供給する薬液ノズル９とを含む。
下面ノズル８は、回転軸２２に挿通されている。下面ノズル８は、基板Ｗの下面中央に臨む吐出口を上端に有している。下面ノズル８には、温水等の加熱流体が、加熱流体供給管５０を介して加熱流体供給源から供給されている。加熱流体供給管５０には、その流路を開閉するための加熱流体バルブ５１が介装されている。温水は、室温よりも高温の水であり、例えば８０℃〜８５℃の水である。加熱流体は、温水に限らず、高温の窒素ガス等の気体であってもよく、基板Ｗを加熱することができる流体であればよい。
【００３８】
薬液ノズル９には、薬液が、薬液供給管５３を介して薬液供給源から供給される。薬液供給管５３には、その流路を開閉する薬液バルブ５４が介装されている。
薬液とは、フッ酸に限られず、硫酸、酢酸、硝酸、塩酸、フッ酸、アンモニア水、過酸化水素水、有機酸（例えば、クエン酸、蓚酸等）、有機アルカリ（例えば、ＴＭＡＨ：テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド等）、界面活性剤、腐食防止剤のうちの少なくとも１つを含む液であってもよい。これらを混合した薬液の例としては、ＳＰＭ（sulfuric acid／hydrogen peroxide mixture：硫酸過酸化水素水混合液）、ＳＣ１（ammonia-hydrogen peroxide mixture：アンモニア過酸化水素水混合液）等が挙げられる。
【００３９】
薬液ノズル９は、薬液ノズル移動機構５２（図２参照）によって、鉛直方向および水平方向に移動される。薬液ノズル９は、水平方向への移動によって、基板Ｗの上面の回転中心位置に対向する中央位置と、基板Ｗの上面に対向しない退避位置との間で移動させることができる。基板Ｗの上面の回転中心位置とは、基板Ｗの上面における回転軸線Ｃ１との交差位置である。基板Ｗの上面に対向しない退避位置とは、平面視においてスピンベース２１の外方の位置である。
【００４０】
薬液ノズル９は、段階的に折れ曲がった形状を有している。具体的には、薬液ノズル９は、下方に延び、薬液を吐出するノズル先端部９Ａと、ノズル先端部９Ａの上端から水平に延びる第１水平部９Ｂと、第１水平部９Ｂよりも上方で水平に延びる第２水平部９Ｃと、水平方向に対して傾斜する方向に延び、第１水平部９Ｂと第２水平部９Ｃとを連結する連結部９Ｄとを含む。
【００４１】
この構成により、薬液ノズル９は、空間Ａが形成されていない状態で、遮断板６との干渉を避けつつ基板Ｗの上面に近い位置から薬液を供給することができる。具体的には、連結部９Ｄが水平方向から遮断板６に対向する位置にある状態で、薬液ノズル９を中央位置へ向けて移動させることで遮断板６と基板Ｗとの間に第１水平部９Ｂを進入させる。そして、連結部９Ｄが第１ガード４３の第１延設部４３Ｂに当接しない程度に薬液ノズル９を下方に移動させることで、ノズル先端部９Ａを基板Ｗの上面に接近させることができる。
【００４２】
このように、薬液ノズル９が段階的に折れ曲がった形状を有しているので、遮断板６の対向面６ａと基板Ｗの上面との間に薬液ノズル９を進入させやすい。したがって、遮断板６の上位置を低く設定することができるので、チャンバ７を上下方向Ｚに小型化することができる。
また、ノズル先端部９Ａが基板Ｗの上面に接近した状態で薬液ノズル９が基板Ｗの上面に薬液を供給することによって、基板Ｗの上面からの薬液の跳ね返りを低減できる。
【００４３】
処理ユニット２は、基板Ｗの上面の中央領域にリンス液としての脱イオン水（ＤＩＷ：Deionized Water）を供給するＤＩＷノズル１０と、有機溶剤としてのＩＰＡを基板Ｗの上面の中央領域に供給する中央ＩＰＡノズル１１と、基板Ｗの上面の中央領域に窒素ガス（Ｎ２）等の不活性ガスを供給する不活性ガスノズル１２とをさらに含む。基板Ｗの上面の中央領域とは、基板Ｗの上面における回転軸線Ｃ１との交差位置を含む基板Ｗの上面の中央辺りの領域のことである。
【００４４】
ノズル１０〜１２は、この実施形態では、中空軸３０に挿通されたノズル収容部材３５に共通に収容されており、ＤＩＷ、ＩＰＡおよび不活性ガスをそれぞれ吐出可能である。各ノズル１０〜１２の先端は、遮断板６の対向面６ａと略同一の高さに配置されている。各ノズル１０〜１２は、空間Ａが形成された状態であっても、基板Ｗの上面の中央領域にＤＩＷ、ＩＰＡおよび不活性ガスをそれぞれ供給できる。
【００４５】
ＤＩＷノズル１０には、ＤＩＷ供給源から、ＤＩＷ供給管５５を介して、ＤＩＷが供給される。ＤＩＷ供給管５５には、その流路を開閉するためのＤＩＷバルブ５６が介装されている。
ＤＩＷノズル１０は、ＤＩＷ以外のリンス液を供給するリンス液ノズルであってもよい。リンス液とは、ＤＩＷのほかにも、炭酸水、電界イオン水、オゾン水、希釈濃度（例えば、１０〜１００ｐｐｍ程度）の塩酸水、還元水（水素水）等を例示できる。
【００４６】
中央ＩＰＡノズル１１には、ＩＰＡ供給源から、中央ＩＰＡ供給管５７を介して、ＩＰＡが供給される。中央ＩＰＡ供給管５７には、その流路を開閉するための中央ＩＰＡバルブ５８と、中央ＩＰＡノズル１１に供給されるＩＰＡの流量を調整する中央ＩＰＡ流量調整バルブ６４とが介装されている。
中央ＩＰＡノズル１１は、本実施形態では、ＩＰＡを供給する構成であるが、水よりも表面張力が小さい低表面張力液体を基板Ｗの上面の中央領域に供給する中央低表面張力液体ノズルとして機能すればよい。
【００４７】
低表面張力液体としては、基板Ｗの上面および基板Ｗに形成されたパターン（図１５参照）と化学反応しない（反応性が乏しい）、ＩＰＡ以外の有機溶剤を用いることができる。より具体的には、ＩＰＡ、ＨＦＥ（ハイドロフルオロエーテル）、メタノール、エタノール、アセトンおよびTrans-1,2ジクロロエチレンのうちの少なくとも１つを含む液を低表面張力液体として用いることができる。また、低表面張力液体は、単体成分のみからなる必要はなく、他の成分と混合した液体であってもよい。例えば、ＩＰＡ液と純水との混合液であってもよいし、ＩＰＡ液とＨＦＥ液との混合液であってもよい。
【００４８】
不活性ガスノズル１２には、窒素ガス等の不活性ガスが、不活性ガス供給管５９を介して不活性ガス供給源から供給される。不活性ガス供給管５９には、その流路を開閉する不活性ガスバルブ６０が介装されている。不活性ガスとは、窒素ガスに限らず、基板Ｗの上面およびパターンに対して不活性なガスのことであり、例えばアルゴン等の希ガス類であってもよい。
【００４９】
処理ユニット２は、基板Ｗの上面に処理液を供給する移動ノズル１７をさらに含んでいてもよい（図２参照）。移動ノズル１７は、移動ノズル移動機構６５によって、鉛直方向および水平方向に移動される。移動ノズル１７から基板Ｗに供給される処理液は、例えば、薬液、リンス液または低表面張力液体等である。
処理ユニット２は、空間Ａが形成された状態で空間Ａ内に配置されるように第１ガード４３の内壁から延び、基板Ｗの上面にＩＰＡを供給するＩＰＡノズル１３と、第１ガード４３に連結され、基板Ｗの上面と遮断板６の対向面６ａとの間でＩＰＡノズル１３を移動させるＩＰＡノズル移動機構１４とを含む。
【００５０】
ＩＰＡノズル１３は、空間Ａが形成された状態で空間Ａ内に配置されるように第１ガード４３の内壁から延び、基板Ｗの上面に処理液を供給する処理液供給ノズルの一例である。
ＩＰＡノズル１３には、ＩＰＡが、ＩＰＡ供給管６１を介してＩＰＡ供給源から供給される。ＩＰＡ供給管６１には、その流路を開閉するためのＩＰＡバルブ６２とＩＰＡノズル１３に供給されるＩＰＡの流量を調整するＩＰＡ流量調整バルブ６３とが介装されている。図２を参照して、ＩＰＡバルブ６２およびＩＰＡ流量調整バルブ６３は、中央ＩＰＡバルブ５８および中央ＩＰＡ流量調整バルブ６４とともにチャンバ７内において図２中に示す二点鎖線で囲まれた領域Ｖに配置されている。
【００５１】
ＩＰＡノズル移動機構１４は、基板Ｗの上面と対向面６ａとの間で処理液供給ノズルとしてのＩＰＡノズル１３を移動させるノズル移動手段の一例である。
ＩＰＡノズル移動機構１４は、ＩＰＡノズル１３を支持するノズル支持部材１５と、第１ガード４３に連結され、ノズル支持部材１５を駆動する駆動機構１６と、駆動機構１６の駆動力をノズル支持部材１５に伝達する駆動力伝達部材１８とを含む（後述する図４も参照）。
【００５２】
ＩＰＡノズル１３は、水平方向に延びており、平面視で湾曲している。詳しくは、ＩＰＡノズル１３は、第１ガード４３の第１筒状部４３Ａにならう円弧形状を有している。ＩＰＡノズル１３の先端には、基板Ｗの上面に向けて鉛直方向に（下方に）ＩＰＡを吐出する吐出口１３ａが設けられている。ノズル支持部材１５は、中心軸線まわりに回動する回動軸の形態を有している。ＩＰＡノズル１３およびノズル支持部材１５は、一体に形成されていてもよい。ＩＰＡノズル１３は、水平方向への移動によって、基板Ｗの上面の回転中心位置に対向する中央位置と、基板Ｗの上面に対向しない退避位置との間で移動することができる。退避位置は、平面視において、スピンベース２１の外方の位置であり、より具体的には、第１ガード４３の第１筒状部４３Ａに径方向内方から隣接する位置であってもよい。
【００５３】
第１ガード４３の第１延設部４３Ｂは、水平方向に対して傾斜する傾斜部４３Ｃと、水平方向に平坦な平坦部４３Ｄとを一体的に含む。平坦部４３Ｄと傾斜部４３Ｃとは、基板Ｗの回転方向に並んで配置されている。平坦部４３Ｄは、径方向外方に向かうに従って傾斜部４３Ｃよりも上方に位置するように傾斜部４３Ｃよりも上方に突出している。平坦部４３Ｄは、平面視で、ノズル支持部材１５と、スピンベース２１の外方に位置する状態のＩＰＡノズル１３とに重なるように配置されている。平坦部４３Ｄは、平面視で、少なくとも退避位置にあるＩＰＡノズル１３およびノズル支持部材１５と重なるように配置されていればよい。
【００５４】
第２ガード４４の第２延設部４４Ｂは、平坦部４３Ｄに下方から対向する。第２延設部４４Ｂは、水平方向に対して傾斜して延び、平坦部４３Ｄに下方から対向する対向部の一例である。
第１ガード４３と第２ガード４４との間には、ＩＰＡノズル１３を収容可能な収容空間Ｂが形成されている。収容空間Ｂは、第１ガード４３の第１筒状部４３Ａにならって基板Ｗの回転方向に延びており、平面視で円弧形状を有している。収容空間Ｂは、第１筒状部４３Ａと平坦部４３Ｄと第２延設部４４Ｂとによって区画される空間である。詳しくは、収容空間Ｂは、第１筒状部４３Ａによって径方向外方から区画されており、平坦部４３Ｄによって上方から区画されており、第２延設部４４Ｂによって下方から区画されている。退避位置に位置するＩＰＡノズル１３は、収容空間Ｂに収容された状態で、平坦部４３Ｄに下方から近接している。
【００５５】
平坦部４３Ｄが水平方向に平坦であり、第２延設部４４Ｂが径方向内方へ向かうに従って上方へ向かうように水平方向に対して傾斜している。そのため、第２延設部４４Ｂの径方向内方端を第１ガード４３の第１延設部４３Ｂの径方向内方端に最も近接させた状態においても、第１ガード４３と第２ガード４４との間に収容空間Ｂが形成される。
第１ガード４３の平坦部４３Ｄには、上下方向Ｚに平坦部４３Ｄを貫通する貫通孔４３Ｅが形成されている。貫通孔４３Ｅには、ノズル支持部材１５が挿通されている。ノズル支持部材１５と貫通孔４３Ｅの内壁との間には、ゴム等のシール部材４９（後述する図４参照）が配置されている。これにより、ノズル支持部材１５と貫通孔４３Ｅの内壁との間がシールされている。駆動機構１６および駆動力伝達部材１８は、空間Ａ外に配置されている。
【００５６】
処理ユニット２は、第１ガード昇降機構４６に取り付けられ、ＩＰＡノズル移動機構１４を第１ガード４３に固定するための移動手段固定部材としての第１ブラケット７０と、第１ブラケット７０によって支持され駆動機構１６を載置固定する台座７１と、第１ガード４３に連結され、第１ブラケット７０よりも基板Ｗの径方向内方で台座７１を支持する第２ブラケット７２とを含む。ＩＰＡノズル移動機構１４において第１ブラケット７０によって固定されている部分１４Ａは、平面視で、第１ガード昇降機構４６と重なっている。
【００５７】
処理ユニット２は、台座７１の上面に固定され、駆動機構１６の一部を覆うカバー７３と、第１ガード４３とチャンバ７の天板７ａとの間に配置され、上下に伸縮可能なベローズ７４とを含む。チャンバ７の天板７ａは、第１ガード４３の上方に配置されスピンチャック５に対して上下方向Ｚの位置が固定された固定部材の一例である。ベローズ７４の下端は、カバー７３の上端に固定されており、ベローズ７４の上端は、チャンバ７の天板７ａに固定されている。
【００５８】
図４は、駆動機構１６の周辺の模式的な断面図である。
駆動機構１６は、上下に延びる第１回転軸８０と、第１回転軸８０を回転する回転駆動源としての第１駆動モータ８１とを含む。第１駆動モータ８１は、略直方体のモータハウジングを含む。第１駆動モータ８１は、その長手方向が上下に向くように、台座７１の上面から上方に延びるモータブラケット８２によって固定されている。駆動機構１６は、第１駆動モータ８１による第１回転軸８０の回転を減速するための減速機（図示せず）や第１駆動モータ８１の回転情報を検知するためのエンコーダ（図示せず）を含んでいてもよい。第１駆動モータ８１の上端には、電源ケーブル等の配線が連結されている。
【００５９】
駆動力伝達部材１８は、駆動機構１６の第１回転軸８０に固定されたプーリー８３と、ノズル支持部材１５に固定されたプーリー８４と、プーリー８３，８４同士の間に掛け渡された伝達ベルト８５とを含む。
駆動機構１６の第１駆動モータ８１が第１回転軸８０を回転させると、伝達ベルト８５がプーリー８３，８４の周囲を回転し、プーリー８４を介してノズル支持部材１５を回動させる。
【００６０】
ノズル支持部材１５の上端は、カバー７３よりも上方に位置している。ノズル支持部材１５およびＩＰＡノズル１３は、中空軸の形態を有している。ノズル支持部材１５の内部空間とＩＰＡノズル１３の内部空間とは、連通している。ノズル支持部材１５には、上方からＩＰＡ供給管６１が挿通されている。
ＩＰＡ供給管６１は、チャンバ７の天板７ａに沿って配置された直線部６１Ａと、ノズル支持部材１５の内部空間とＩＰＡノズル１３の内部空間とに挿通された被挿通部６１Ｃと、被挿通部６１Ｃと直線部６１Ａとの間で上下に延びるコイル状部６１Ｂとを一体に含む。被挿通部６１Ｃは、ＩＰＡノズル１３の先端の吐出口１３ａ（図３参照）周辺に連結されている。
【００６１】
次に、遮断板昇降機構３２の構成について詳細に説明する。
図５は、図２のＶ−Ｖ線に沿った断面図に相当し、遮断板昇降機構３２の周辺の模式図である。
遮断板昇降機構３２は、上下に延びる第２回転軸９０Ａを含む第２駆動源９０と、遮断板６とともに第２駆動源９０によって上下動される昇降ヘッド９１と、第２回転軸９０Ａの回転を昇降ヘッド９１に伝達することによって昇降ヘッド９１を上下動させる回転伝達機構９２とを含む。遮断板昇降機構３２は、第２駆動源９０を支持する第１支持ブラケット９３と、昇降ヘッド９１を上下動可能に支持する第２支持ブラケット９４とをさらに含む。
【００６２】
第２駆動源９０は、上下に延びる第２回転軸９０Ａを回転する回転駆動源としての第２駆動モータ９０Ｂをさらに含む。第２駆動モータ９０Ｂは、略直方体のモータハウジングを含む。第２駆動モータ９０Ｂは、その長手方向が上下に向くように、チャンバ７の底板７ｂから上方に延びる第１支持ブラケット９３によって固定されている。第２駆動源９０は、第２駆動モータ９０Ｂによる第２回転軸９０Ａの回転を減速するための減速機（図示せず）や第２駆動モータ９０Ｂの回転数を検知するためのエンコーダ（図示せず）を含んでいてもよい。第２駆動源９０の第２回転軸９０Ａは、第２駆動モータ９０Ｂによって支持されている。第２回転軸９０Ａは、第２駆動モータ９０Ｂの下端から下方に延びている。
【００６３】
昇降ヘッド９１は、上下方向Ｚに延びる四角柱状であり、第２駆動源９０の側方に配置されている。昇降ヘッド９１には、第２駆動源９０側とは反対側から第２駆動源９０側に昇降ヘッド９１を切り欠く凹部９１Ａが形成されている。昇降ヘッド９１は、凹部９１Ａを下方から区画する下板部９１Ｂと、凹部９１Ａを上方から区画する上板部９１Ｃとを有する。
【００６４】
第２支持ブラケット９４は、チャンバ７の底板７ｂから上方に延びる略角筒状である。昇降ヘッド９１は、第２支持ブラケット９４に支持されている。詳しくは、昇降ヘッド９１は、第２支持ブラケット９４の第２駆動源９０側の面の両側方の面に摺動可能に支持されている。
回転伝達機構９２は、上下に延びるねじ軸９２Ａと、第２回転軸９０Ａの回転をねじ軸９２Ａに伝達する伝達ベルト９２Ｂと、昇降ヘッド９１に固定されねじ軸９２Ａと螺合したナット９２Ｃとを含む。
【００６５】
ねじ軸９２Ａは、例えば、軸受９２Ｄを介して第２支持ブラケット９４に回転可能に支持されている。ねじ軸９２Ａは、下板部９１Ｂに設けられた挿通孔に挿通されており、その先端は、昇降ヘッド９１の凹部９１Ａ内に位置している。伝達ベルト９２Ｂは、第２回転軸９０Ａの下端と、ねじ軸９２Ａの下端に取り付けられたプーリー９２Ｅとに掛け渡されている。ナット９２Ｃは、凹部９１Ａ内に収容されており、下板部９１Ｂにねじ等により固定されている。
【００６６】
次に、遮断板昇降機構３２の動作について説明する。
第２駆動源９０の第２駆動モータ９０Ｂが第２回転軸９０Ａを回転させると、伝達ベルト９２Ｂが第２回転軸９０Ａおよびプーリー９２Ｅの周囲を回転し、プーリー９２Ｅを介してねじ軸９２Ａを回転させる。第２回転軸９０Ａの回転は、ねじ軸９２Ａに螺合するナット９２Ｃが固定された昇降ヘッド９１の上下方向Ｚの直線運動に変換されるので、遮断板６（図３参照）が昇降する。第２駆動源９０の第２駆動モータ９０Ｂが第２回転軸９０Ａの回転を停止させると、ねじ軸９２Ａと螺合するナット９２Ｃの上下動は停止されるので、遮断板６の昇降が停止される。
【００６７】
処理ユニット２は、複数の配線３４を介して遮断板６に電気的に連結され、上下に伸縮可能なコイル状の複数の配線９５と、遮断板６とともに昇降し、複数の配線９５の伸縮をガイドする配線ガイド９６とを含む。複数の配線９５は、配線３４と同数設けられており、各配線９５には、配線３４が一本ずつ接続されている。複数の配線９５は、全体として上下方向Ｚに延びる筒状を形成しており、上下方向Ｚに延びる円筒状空間９５Ａを区画している。配線ガイド９６は、遮断板支持部材３１から下方に延びる軸状である。配線ガイド９６は、コイル状の複数の配線９５によって区画される円筒状空間９５Ａに挿通されている。
【００６８】
昇降ヘッド９１とともに遮断板６が下降する際、コイル状の配線９５は、円筒状空間９５Ａを下降する配線ガイド９６によってガイドされながら上下方向Ｚにピッチを縮めることで上下方向Ｚに収縮する。逆に、昇降ヘッド９１とともに遮断板６が上昇する際、コイル状の配線９５は、円筒状空間９５Ａを上昇する配線ガイド９６によってガイドされながら上下方向Ｚにピッチを広げることで上下方向Ｚに伸長する。
【００６９】
処理ユニット２は、遮断板昇降機構３２を収容し、遮断板昇降機構３２をチャンバ７内の雰囲気から離隔する離隔部材９７をさらに含む。離隔部材９７は、チャンバ７の底板７ｂに固定されたハウジング９７Ａと、ハウジング９７Ａと遮断板支持部材３１との間に設けられ、上下に伸縮可能な遮断板用第１ベローズ９７Ｂおよび遮断板用第２ベローズ９７Ｃを含む。
【００７０】
ハウジング９７Ａは、第２駆動源９０と昇降ヘッド９１の下側部分とを収容する。遮断板用ベローズ９７Ｂ，９７Ｃは、例えばテフロン（登録商標）製である。遮断板用第１ベローズ９７Ｂは、昇降ヘッド９１の上側部分を収容する。遮断板用第２ベローズ９７Ｃは、複数の配線９５を収容する。遮断板用ベローズ９７Ｂ，９７Ｃは、昇降ヘッド９１の上下動に合わせて遮断板支持部材３１が上下動する際に上下方向Ｚに伸縮する。
【００７１】
本実施形態では、昇降ヘッド９１の上側部分を収容する遮断板用第１ベローズ９７Ｂと、複数の配線９５を収容する遮断板用第２ベローズ９７Ｃとが設けられている。そのため、本実施形態とは異なり昇降ヘッド９１の上側部分と複数の配線９５との両方を収容するベローズが設けられた形態と比較して、離隔部材９７の平面視サイズを抑えることができる。したがって、遮断板昇降機構３２の配置スペースを削減することができる。
【００７２】
図６Ａは、チャンバ７の模式的な平面図である。図６Ｂは、チャンバ７の上端部周辺の模式的な断面図である。
処理ユニット２は、チャンバ７の上方からその内部にクリーンエアー（フィルタ１００によってろ過された空気）を送るＦＦＵ（ファン・フィルタ・ユニット）１７を含む。ＦＦＵ１７は、チャンバ７の天板７ａに上方から取り付けられている。
【００７３】
ＦＦＵ１７は、基板処理装置１が配置されるクリーンルーム内の空気をろ過するフィルタ１００と、フィルタ１００に向けてチャンバ７の外部の空気を送るファン１０１と、ファン１０１から送られる空気をフィルタ１００にガイドするダクト１０２とを含む。
フィルタ１００は、平面視で、少なくとも一部が基板Ｗと重なっている。フィルタ１００は、平面視で、基板Ｗの回転軸線Ｃ１と重なっている。ファン１０１は、平面視で、基板Ｗと重ならない位置に配置されている。フィルタ１００とファン１０１とは、平面視で重ならない位置に配置されている。
【００７４】
チャンバ７の天板７ａには、段差１０３が設けられている。天板７ａは、段差１０３を介して上下に配置された上部１０４および下部１０５を含む。フィルタ１００は、上部１０４に形成された貫通孔１０４ａに固定されている。ファン１０１は、チャンバ７の外部に配置されている。詳しくは、ファン１０１は、下部１０５の上方の位置であって、チャンバ７の上方に配置された別のチャンバ７Ａの底板７ｂよりも下方の位置に配置されている。このように、チャンバ７の天板７ａに段差１０３を設けることによって、ファン１０１をチャンバ７の外部に配置しつつ上下方向Ｚにおける処理ユニット２の寸法を抑えることができる。言い換えると、天板７ａに段差１０３を設けることによって、チャンバ７の容積を拡大しつつ、ＦＦＵ１７をチャンバ７の外部の空間に配置することができる。
【００７５】
ＦＦＵ１７は、複数の孔が設けられたパンチングプレート（図示せず）を含んでいてもよい。パンチングプレートは、例えばフィルタ１００の下端に取り付けられる。これにより、チャンバ７内における空気の渦の発生を防止することができる。
図７は、基板処理装置１の主要部の電気的構成を説明するためのブロック図である。制御ユニット３は、マイクロコンピュータを備えており、所定の制御プログラムに従って、基板処理装置１に備えられた制御対象を制御する。より具体的には、制御ユニット３は、プロセッサ（ＣＰＵ）３Ａと、制御プログラムが格納されたメモリ３Ｂとを含み、プロセッサ３Ａが制御プログラムを実行することによって、基板処理のための様々な制御を実行するように構成されている。特に、制御ユニット３は、搬送ロボットＩＲ，ＣＲ、ＩＰＡノズル移動機構１４、電動モータ２３、遮断板回転機構３３、遮断板昇降機構３２、ガード昇降機構４６〜４８、薬液ノズル移動機構５２およびバルブ類５１，５４，５６，５８，６０，６２，６３，６４等の動作を制御する。
【００７６】
図８は、基板処理装置１による基板処理の一例を説明するための流れ図であり、主として、制御ユニット３が動作プログラムを実行することによって実現される処理が示されている。図９Ａ〜図９Ｇは、基板処理の様子を説明するための処理ユニット２の要部の図解的な断面図である。
基板処理装置１による基板処理では、例えば、図８に示すように、基板搬入（Ｓ１）、薬液処理（Ｓ２）、ＤＩＷリンス処理（Ｓ３）、有機溶剤処理（Ｓ４）、乾燥処理（Ｓ５）および基板搬出（Ｓ６）がこの順番で実行される。
【００７７】
まず、基板処理装置１による基板処理では、未処理の基板Ｗは、搬送ロボットＩＲ，ＣＲによってキャリヤＣから処理ユニット２に搬入され、スピンチャック５に渡される（Ｓ１）。この後、基板Ｗは、搬送ロボットＣＲによって搬出されるまで、スピンチャック５に水平に保持される。
次に、図９Ａを参照して、薬液処理（Ｓ２）について説明する。搬送ロボットＣＲが処理ユニット２外に退避した後、基板Ｗの上面を薬液で洗浄する薬液処理（Ｓ２）が実行される。
【００７８】
具体的には、まず、制御ユニット３は、不活性ガスバルブ６０を開き、基板Ｗの上面に向けて不活性ガスノズル１２から不活性ガス（例えばＮ２ガス）を供給させる。このときの不活性ガスの流量は、例えば１０リットル／ｍｉｎまたはそれ未満の流量である。
そして、制御ユニット３は、ＩＰＡノズル移動機構１４を制御して、ＩＰＡノズル１３を退避位置に位置させる。ＩＰＡノズル１３を退避位置に配置した状態で、制御ユニット３は、第１ガード昇降機構４６および第２ガード昇降機構４７を制御して、第１ガード４３および第２ガード４４を上下方向Ｚに互いに近づけた状態で基板Ｗよりも上方に配置する。これにより、退避位置に位置するＩＰＡノズル１３は、第１ガード４３の第１延設部４３Ｂの平坦部４３Ｄと、第１ガード４３の第１筒状部４３Ａと、第２ガード４４の第２延設部４４Ｂとによって区画される収容空間Ｂ内に収容される。また、制御ユニット３は、第３ガード昇降機構４８を制御して、第３ガード４５を基板対向位置に配置する。
【００７９】
そして、制御ユニット３は、電動モータ２３を駆動してスピンベース２１を所定の薬液速度で回転させる。薬液速度は、例えば３００ｒｐｍである。制御ユニット３は、遮断板回転機構３３を制御して、遮断板６を回転させてもよい。このとき、遮断板６は、スピンベース２１と同期回転する。同期回転とは、同じ方向に同じ回転速度で回転することをいう。そして、制御ユニット３は、遮断板昇降機構３２を制御して遮断板６を上位置に配置する。制御ユニット３は、薬液ノズル移動機構５２を制御して、薬液ノズル９を基板Ｗの上方の薬液処理位置に配置する。
【００８０】
薬液処理位置は、薬液ノズル９から吐出される薬液が基板Ｗの上面の回転中心に着液する位置であってもよい。そして、制御ユニット３は、薬液バルブ５４を開く。それにより、回転状態の基板Ｗの上面に向けて、薬液ノズル９から薬液が供給される。供給された薬液は遠心力によって基板Ｗの上面全体に行き渡る。
遠心力によって基板外に飛び散った薬液（基板Ｗ側方の太線矢印参照）は、第２ガード４４の第２延設部４４Ｂと第３ガード４５の第３延設部４５Ｂとの間を通って、第２ガード４４の第２筒状部４４Ａによって受けられる。第２筒状部４４Ａによって受けられた薬液は、第２カップ４２（図３参照）へと流れる。このとき、ＩＰＡノズル１３は、第１ガード４３の平坦部４３Ｄおよび第１筒状部４３Ａと第２ガード４４の第２延設部４４Ｂとによって区画された収容空間Ｂに収容されている。そのため、基板Ｗの上面から飛散した薬液によるＩＰＡノズル１３の汚染を抑制または防止できる。
【００８１】
次に、図９Ｂおよび図９Ｃを参照して、ＤＩＷリンス処理（Ｓ３）について説明する。
一定時間の薬液処理（Ｓ２）の後、基板Ｗ上の薬液をＤＩＷに置換することにより、基板Ｗの上面から薬液を排除するためのＤＩＷリンス処理（Ｓ３）が実行される。
具体的には、図９Ｂを参照して、制御ユニット３は、薬液バルブ５４を閉じ、薬液ノズル移動機構５２を制御して、薬液ノズル９を基板Ｗの上方からスピンベース２１の側方へと退避させる。
【００８２】
制御ユニット３は、ガード昇降機構４６〜４８を制御して、第１ガード４３、第２ガード４４および第３ガード４５を基板Ｗよりも上方に配置する。この状態で、先ほどと同様に収容空間Ｂが形成されており、退避位置に位置するＩＰＡノズル１３は、収容空間Ｂ内に収容されている。
そして、制御ユニット３は、ＤＩＷバルブ５６を開く。それにより、回転状態の基板Ｗの上面に向けてＤＩＷノズル１０からＤＩＷが供給される。供給されたＤＩＷは遠心力によって基板Ｗの上面全体に行き渡る。このＤＩＷによって基板Ｗ上の薬液が洗い流される。
【００８３】
ＤＩＷリンス処理においても、不活性ガスノズル１２による不活性ガスの供給と、スピンベース２１による基板Ｗの回転とが継続される。ＤＩＷリンス処理における不活性ガスの流量は、例えば１０リットル／ｍｉｎまたはそれ未満の流量である。
基板Ｗは、所定の第１ＤＩＷリンス速度で回転される。第１ＤＩＷリンス速度は、例えば３００ｒｐｍである。制御ユニット３は、遮断板回転機構３３を制御して、遮断板６を回転させてもよい。このとき、遮断板６は、スピンベース２１と同期回転する。制御ユニット３は、遮断板昇降機構３２を制御して、遮断板６が上位置に位置する状態を維持する。
【００８４】
遠心力によって基板Ｗ外に飛び散ったＤＩＷ（基板Ｗ側方の太線矢印参照）は、第３ガード４５の第３延設部４５Ｂの下方を通って、第３ガード４５に第３筒状部４５Ａによって受けられる。第３筒状部４５Ａによって受けられたＤＩＷは、第１カップ４１（図３参照）へと流れる。このとき、ＩＰＡノズル１３は、第１ガード４３の平坦部４３Ｄおよび第１筒状部４３Ａと第２ガード４４の第２延設部４４Ｂによって区画された収容空間Ｂに収容されている。そのため、基板Ｗの上面から飛散した薬液およびＤＩＷによるＩＰＡノズル１３の汚染を抑制または防止できる。
【００８５】
そして、図９Ｃを参照して、回転状態の基板Ｗの上面に向けてＤＩＷノズル１０からＤＩＷが供給されている状態で、制御ユニット３は、遮断板昇降機構３２を制御して、遮断板６を上位置から第１近接位置に移動させる。第１近接位置とは、遮断板６の対向面６ａが基板Ｗの上面に近接した位置であり、基板Ｗの上面と対向面６ａとの間の距離が７ｍｍ以下となる位置である。この実施形態とは異なり、制御ユニット３が、遮断板昇降機構３２を制御して、遮断板６を上位置から第２近接位置に移動させてもよい。第２近接位置とは、遮断板６の対向面６ａが基板Ｗの上面に近接した位置であり、第１近接位置よりも上方の位置である。遮断板６が第２近接位置に位置するときの対向面６ａは、遮断板６が第１近接位置に位置するときの対向面６ａよりも上方に位置し、基板Ｗの上面との距離が１５ｍｍ程度である。
【００８６】
そして、制御ユニット３は、ガード昇降機構４６〜４８を制御して、第１ガード４３を遮断板対向位置に配置し、第２ガード４４を基板対向位置に配置する。これにより、基板Ｗ、遮断板６、第１ガード４３および第２ガード４４によって空間Ａが形成される。
そして、制御ユニット３は、不活性ガスバルブ６０を制御して、不活性ガスノズル１２から供給される不活性ガスの流量を所定の置換流量にする。置換流量は、例えば３００リットル／ｍｉｎである。これにより、空間Ａ内の雰囲気が不活性ガスで置換される。このように、不活性ガスノズル１２は、空間Ａ内の雰囲気を不活性ガスで置換するために空間Ａに不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段として機能する。
【００８７】
制御ユニット３は、電動モータ２３を制御して、スピンベース２１を所定の第２ＤＩＷリンス速度で回転させる。第２ＤＩＷリンス速度は、例えば３００ｒｐｍである。制御ユニット３は、遮断板回転機構３３を制御して、遮断板６を回転させてもよい。このとき、遮断板６は、スピンベース２１と同期回転する。
遠心力によって基板Ｗ外に飛び散った薬液およびＤＩＷ（基板Ｗ側方の太線矢印参照）は、第１ガード４３の第１延設部４３Ｂと第２ガード４４の第２延設部４４Ｂとの間を通って、第１ガード４３の第１筒状部４３Ａによって受けられる。
【００８８】
前述したように、収容空間Ｂを上方から区画する平坦部４３Ｄは、径方向外方に向かうに従って傾斜部４３Ｃよりも上方に位置するように傾斜部４３Ｃよりも上方に突出している。また、前述したように、退避位置に位置するＩＰＡノズル１３が平坦部４３Ｄに下方から隣接している。そのため、基板Ｗの上面から飛散した薬液およびＤＩＷが第１延設部４３Ｂと第２延設部４４Ｂとの間を通る場合であっても、退避位置に位置するＩＰＡノズル１３が傾斜部４３Ｃの下方から隣接する構成と比較して、ＩＰＡノズル１３の汚染を抑制できる。
【００８９】
次に、図９Ｄ〜図９Ｆを参照して、有機溶剤処理（Ｓ４）について説明する。一定時間のＤＩＷリンス処理（Ｓ３）の後、基板Ｗ上のＤＩＷを、水よりも表面張力の低い低表面張力液体である有機溶剤（例えばＩＰＡ）に置換する有機溶剤処理（Ｓ４）が実行される。有機溶剤処理が実行される間、基板Ｗを加熱してもよい。具体的には、制御ユニット３が、加熱流体バルブ５１を開いて、下面ノズル８から加熱流体を供給させることで基板Ｗを加熱する。
【００９０】
図９Ｄを参照して、有機溶剤処理では、まず、基板Ｗの上面のＤＩＷをＩＰＡで置換するＩＰＡ置換ステップが実行される。
制御ユニット３は、遮断板昇降機構３２を制御して、遮断板６を第１近接位置から第２近接位置に移動させる。
そして、制御ユニット３は、ガード昇降機構４６〜４８を制御して、遮断板６の移動に伴って第１ガード４３を移動させて遮断板対向位置に配置し、遮断板６の移動に伴って第２ガード４４を移動させて基板対向位置に配置する。これにより、空間Ａが形成された状態が維持されたまま、第１近接位置から第２近接位置に遮断板６が移動する。
【００９１】
制御ユニット３は、ＤＩＷバルブ５６を閉じる。それにより、ＤＩＷノズル１０からのＤＩＷの供給が停止される。制御ユニット３は、中央ＩＰＡバルブ５８を開く。これにより、回転状態の基板Ｗの上面に向けて中央ＩＰＡノズル１１からＩＰＡが供給される。供給されたＩＰＡは遠心力によって基板Ｗの上面全体に行き渡り、基板Ｗ上のＤＩＷがＩＰＡによって置換される。基板Ｗ上のＤＩＷがＩＰＡによって置換されるまでの間、制御ユニット３は、電動モータ２３を駆動してスピンベース２１を所定の置換速度で回転させる。置換速度は、例えば３００ｒｐｍである。
【００９２】
遠心力によって基板外に飛び散ったＤＩＷおよびＩＰＡ（基板Ｗ側方の太線矢印参照）は、第１ガード４３の第１延設部４３Ｂと第２ガード４４の第２延設部４４Ｂとの間を通って、第１ガード４３の第１筒状部４３Ａによって受けられる。
前述したように、収容空間Ｂを上方から区画する平坦部４３Ｄは、径方向外方に向かうに従って傾斜部４３Ｃよりも上方に位置するように傾斜部４３Ｃよりも上方に突出している。また、前述したように、退避位置に位置するＩＰＡノズル１３が平坦部４３Ｄに下方から隣接している。そのため、基板Ｗの上面から飛散したＤＩＷおよびＩＰＡが第１延設部４３Ｂと第２延設部４４Ｂとの間を通る場合であっても、退避位置に位置するＩＰＡノズル１３が傾斜部４３Ｃの下方から隣接する構成と比較して、ＩＰＡノズル１３の汚染を抑制できる。
【００９３】
図９Ｅを参照して、有機溶剤処理では、次に、ＩＰＡの液膜１１０を形成する液膜形成ステップが実行される。
基板Ｗの上面にＩＰＡを供給し続けることによって、基板Ｗの上面にＩＰＡの液膜１１０が形成される。ＩＰＡの液膜１１０を形成するために、制御ユニット３は、電動モータ２３を駆動してスピンベース２１を所定の液膜形成速度で回転させる。液膜形成速度は、例えば３００ｒｐｍである。
【００９４】
制御ユニット３は、遮断板回転機構３３を制御して、遮断板６を回転させてもよい。このとき、遮断板６は、スピンベース２１と同期回転する。
そして、基板上にＩＰＡの液膜１１０が形成されるまでの間に、制御ユニット３は、ＩＰＡノズル移動機構１４を制御して、処理位置へ向けてＩＰＡノズル１３を移動させる。処理位置とは、基板Ｗの中央領域から基板Ｗの周縁側へ僅かに(例えば３０ｍｍ程度)ずれた位置である。ＩＰＡノズル１３は、遮断板６が少なくとも第２近接位置よりも上の位置に位置するときに、遮断板６の対向面６ａと基板Ｗの上面との間で移動可能である。ＩＰＡノズル１３は、遮断板６が第１近接位置に位置するときに、遮断板６の対向面６ａと基板Ｗの上面との間で移動可能であってもよい。
【００９５】
図９Ｆを参照して、有機溶剤処理では、次に、基板Ｗの上面のＩＰＡの液膜１１０を排除する液膜排除ステップが実行される。
液膜排除ステップでは、まず、制御ユニット３は、中央ＩＰＡバルブ５８を閉じて、中央ＩＰＡノズル１１による基板Ｗの上面へのＩＰＡの供給を停止させる。そして、制御ユニット３は、不活性ガスバルブ６０を制御して、不活性ガスノズル１２から基板Ｗの上面の中央領域に向けて垂直に例えば３リットル／ｍｉｎで不活性ガス（例えばＮ２ガス）を吹き付け、液膜１１０の中央領域に小さな開口１１１(例えば直径３０ｍｍ程度)を開けて基板Ｗの上面の中央領域を露出させる。
【００９６】
液膜排除ステップでは、必ずしも不活性ガスの吹き付けによって開口１１１を形成する必要はない。例えば、基板Ｗの下面の中央領域への下面ノズル８による加熱流体の供給によって基板Ｗを加熱して中央領域のＩＰＡを蒸発させ、不活性ガスの吹き付けはしないで、液膜１１０の中央領域に開口１１１を形成させてもよい。また、基板Ｗの上面への不活性ガスの吹き付けと、加熱流体による基板Ｗの下面の中央領域の加熱との両方によって液膜１１０に開口１１１を形成してもよい。
【００９７】
制御ユニット３は、電動モータ２３を制御して、スピンベース２１の回転が所定の液膜排除速度になるまで徐々に減速させる。液膜排除速度は、例えば１０ｒｐｍである。液膜排除速度は、１０ｒｐｍに限られず、１０ｒｐｍ〜３０ｒｐｍの範囲で変更可能である。制御ユニット３は、遮断板回転機構３３を制御して、遮断板６を回転させてもよい。このとき、遮断板６は、スピンベース２１と同期回転する。
【００９８】
基板Ｗの回転による遠心力によって開口１１１が拡大し、基板Ｗの上面からＩＰＡ液膜が徐々に排除される。不活性ガスノズル１２による不活性ガスの吹き付けは、基板Ｗの上面から液膜１１０が排除されるまでの間、すなわち液膜排除ステップが完了するまで継続してもよい。不活性ガスの吹き付け力によりＩＰＡの液膜１１０に力が付加されて開口１１１の拡大が促進される。
【００９９】
開口１１１を拡大させる際、制御ユニット３は、ＩＰＡバルブ６２を制御して、ＩＰＡノズル１３から基板Ｗの上面へのＩＰＡの供給を開始する。ＩＰＡノズル１３から供給されるＩＰＡの温度は、室温より高いことが好ましく、例えば５０℃である。その際、制御ユニット３は、ＩＰＡノズル１３から供給されるＩＰＡの着液点を開口１１１の外側に設定する。開口１１１の外側とは、開口１１１の周縁に対して回転軸線Ｃ１とは反対側をいう。
【０１００】
開口１１１の拡大に伴って、制御ユニット３は、ＩＰＡノズル移動機構１４を制御して、ＩＰＡノズル１３を基板Ｗの周縁へ向けて移動させる。これにより、液膜１１０には、十分なＩＰＡが供給される。そのため、蒸発または遠心力によって開口１１１の周縁よりも外側のＩＰＡが局所的になくなることを抑制できる。有機溶剤処理（Ｓ４）は、例えば、ＩＰＡノズル１３による液膜１１０へのＩＰＡ供給位置が基板Ｗの周縁に到達した時点で終了する。あるいは、有機溶剤処理（Ｓ４）は、開口１１１の周縁が基板Ｗの周縁に到達した時点で終了してもよい。
【０１０１】
次に、図９Ｇを参照して、乾燥処理（Ｓ５）について説明する。有機溶剤処理（Ｓ４）を終えた後、基板Ｗの上面の液成分を遠心力によって振り切るための乾燥処理（Ｓ５：スピンドライ）が実行される。
具体的には、制御ユニット３は、加熱流体バルブ５１、ＩＰＡバルブ６２および不活性ガスバルブ６０を閉じ、ＩＰＡノズル移動機構１４を制御してＩＰＡノズル１３を退避位置へ退避させる。そして、制御ユニット３は、遮断板昇降機構３２を制御して遮断板６を下位置へ移動させる。
【０１０２】
そして、制御ユニット３は、電動モータ２３を制御して、基板Ｗを乾燥速度で高速回転させる。乾燥速度は、例えば８００ｒｐｍである。これにより、基板Ｗ上の液成分を遠心力によって振り切る。制御ユニット３は、遮断板回転機構３３を制御して、遮断板６を回転させてもよい。このとき、遮断板６は、スピンベース２１と同期回転させてもよい。
その後、制御ユニット３は、電動モータ２３を制御してスピンチャック５の回転を停止させる。そして、制御ユニット３は、遮断板昇降機構３２を制御して遮断板６を上位置に退避させる。そして、制御ユニット３は、ガード昇降機構４６〜４８を制御して、ガード４３〜４５を基板Ｗよりも下方の下位置へ移動させる。
【０１０３】
その後、搬送ロボットＣＲが、処理ユニット２に進入して、スピンチャック５から処理済みの基板Ｗをすくい取って、処理ユニット２外へと搬出する（Ｓ６）。その基板Ｗは、搬送ロボットＣＲから搬送ロボットＩＲへと渡され、搬送ロボットＩＲによって、キャリヤＣに収納される。
この実施形態によれば、ＩＰＡノズル１３は、平面視でスピンベース２１および遮断板６を取り囲むように配置された第１ガード４３の内壁から延びている。そのため、遮断板６にＩＰＡノズル１３やＩＰＡノズル移動機構１４等の部材が取り付けられている構成と比較して、基板Ｗの上面に対向面６ａを十分に近づけた状態で遮断板６を配置することができる。したがって、基板Ｗと遮断板６とによって形成される空間Ａを小さくできる。この状態で、不活性ガスノズル１２から不活性ガスを供給して空間Ａ内の雰囲気を不活性ガスで置換することによって、基板Ｗと遮断板６との間の雰囲気の酸素濃度および湿度を速やかに低減することができる。
【０１０４】
また、ＩＰＡノズル１３は、空間Ａ内に配置される。そのため、ＩＰＡノズル１３は、空間Ａ内の雰囲気を不活性ガスで置換した状態、すなわち雰囲気中のＩＰＡの濃度が低減された状態で、基板Ｗの上面にＩＰＡを供給することができる。そのため、ＩＰＡノズル１３から基板Ｗの上面に供給されたＩＰＡを速やかに蒸発させることができる。
また、基板Ｗの上面と対向面６ａとの間でＩＰＡノズル１３を移動させるＩＰＡノズル移動機構１４が第１ガード４３に連結されている。それにより、基板Ｗと遮断板６とともに第１ガード４３が形成する空間Ａ内でＩＰＡノズル１３を移動させつつ、基板Ｗと遮断板６との間の雰囲気の酸素濃度および湿度を低減できる。
【０１０５】
また、ノズル支持部材１５と駆動機構１６とを含む簡単な構成のＩＰＡノズル移動機構１４によって、基板Ｗと遮断板６とともに第１ガード４３が形成する空間Ａ内でＩＰＡノズル１３を移動させることができる。
また、ノズル支持部材１５は、第１ガード４３に形成された貫通孔４３Ｅに挿通されている。基板Ｗと遮断板６とともに第１ガード４３が空間Ａを形成している状態では、駆動機構１６が空間Ａ外に配置されている。そのため、駆動機構１６の大きさに関わらず、空間Ａ内でのＩＰＡノズル１３の移動を可能としつつ空間Ａを小さくできる。また、ノズル支持部材１５と貫通孔４３Ｅとの間がシール部材４９によってシールされているので、空間Ａの密閉度を向上することができる。
【０１０６】
また、第１ブラケット７０が、第１ガード昇降機構４６に取り付けられており、ＩＰＡノズル移動機構１４において第１ブラケット７０によって固定されている部分１４Ａが、平面視で第１ガード昇降機構４６と重なっている。これにより、第１ガード昇降機構４６が、第１ブラケット７０を介して、ＩＰＡノズル移動機構１４を受けることができる。そのため、ＩＰＡノズル移動機構１４から第１ガード４３が受ける重量を低減することができるので、経年劣化による第１ガード４３の破損および変形を抑制することができる。したがって、第１ガード４３は、長期間の使用後においても安定して空間Ａを形成できるため、長期間の使用後においても基板Ｗと遮断板６との間の雰囲気の酸素濃度および湿度を低減することができる。
【０１０７】
また、第１ガード４３と天板７ａとの間に配置されたベローズ７４は、第１ガード４３が昇降する際に上下方向Ｚに伸縮する。そのため、上下方向Ｚにおける第１ガード４３の位置に関わらずＩＰＡノズル移動機構１４を周囲の雰囲気から離隔することができる。
また、収容空間ＢにＩＰＡノズル１３が収容される。そのため、第２ガード４４を第１ガード４３に近づけて配置することができる。よって、第１ガード４３が形成する空間Ａを第２ガード４４が下方から区画する構成において、空間Ａを小さくできる。
【０１０８】
また、第２ガード４４の第２延設部４４Ｂが、水平方向に対して傾斜して延び、第１ガード４３の第１筒状部４３Ａから延び水平方向に平坦な平坦部４３Ｄに下方から対向する。そのため、平坦部４３Ｄに第２延設部４４Ｂを近づけるように第１ガード４３および第２ガード４４を配置しても、ＩＰＡノズル１３を収容するのに十分な大きさの収容空間Ｂを確保することができる。
【０１０９】
また、本実施形態では、不活性ガスによる空間Ａ内の雰囲気の置換をＤＩＷリンス処理（Ｓ３）から開始する。そのため、不活性ガスによる空間Ａ内の雰囲気の置換を有機溶剤処理（Ｓ４）から開始する場合と比較して、不活性ガスによる空間Ａ内の雰囲気の置換を完了させることができる。
次に、本実施形態の第１変形例に係る基板処理装置１の処理ユニット２について説明する。図１０Ａは、第１変形例に係るＩＰＡノズル１３の周辺の断面を拡大した模式図である。図１０Ｂは、図１０ＡのＸＢ−ＸＢ線に沿った断面の模式図である。図１０Ｂでは、説明の便宜上、図１０Ａとは異なり、基板Ｗの径方向において、第１ガード４３の第１筒状部４３Ａから基板Ｗの回転軸線Ｃ１付近までの範囲を図示している。図１０Ａおよび図１０Ｂならびに後述する図１１〜図１４では、今まで説明した部材と同じ部材には同じ参照符号を付して、その説明を省略する。
【０１１０】
第１変形例の処理ユニット２は、収容空間Ｂに設けられ、ＩＰＡノズル１３の表面に付着した液体を除去する液体除去機構１２０をさらに含んでいる。液体除去機構１２０は、液体除去手段の一例である。
液体除去機構１２０は、ＩＰＡノズル１３の表面に付着した処理液の液体（液滴）１２７を除去するためにＩＰＡノズル１３に弾性的に当接する弾性当接部材１２１と、弾性当接部材１２１を第１ガード４３の第１筒状部４３Ａに取り付けるための取付部材１２２とを含む。
【０１１１】
ＩＰＡノズル１３は、中央位置と退避位置との間の当接位置で弾性当接部材１２１と当接する。当接位置は、退避位置よりも僅かに径方向内方の位置である。図１０Ａでは、退避位置にある弾性当接部材１２１を一点鎖線で図示している。図１０Ａおよび図１０Ｂでは、当接位置にあるＩＰＡノズル１３を実線で図示している。また、図１０Ａおよび図１０Ｂでは、当接位置よりも径方向内方の位置に位置するＩＰＡノズル１３を二点鎖線で図示している。
【０１１２】
弾性当接部材１２１は、湾曲しながら基板Ｗの回転方向に延びている。詳しくは、弾性当接部材１２１は、ＩＰＡノズル１３の湾曲形状に整合する湾曲形状を有している。
弾性当接部材１２１は、中央位置に位置するＩＰＡノズル１３が基板Ｗの上面と対向する部分と少なくとも当接可能である。弾性当接部材１２１は、例えば薄いゴム等の弾性体の形態を有している。詳しくは、この実施形態では、弾性当接部材１２１は、帯状のゴム片であり、ＩＰＡノズル１３の下面に摺接してＩＰＡノズル１３に付着した液体１２７を除去するワイパー部材である。
【０１１３】
取付部材１２２は、湾曲しながら基板Ｗの回転方向に延びている。取付部材１２２は、平面視で、第１筒状部４３Ａの内面に沿っている。
取付部材１２２は、第１筒状部４３Ａに固定される被固定部１２２Ａと、弾性当接部材１２１を固定する固定部１２２Ｂとを含む。取付部材１２２の被固定部１２２Ａは、基板Ｗの回転方向に等間隔に配置された複数のボルト１２３によって第１筒状部４３Ａに固定されている。
【０１１４】
固定部１２２Ｂは、被固定部１２２Ａの上側部分から径方向内方へ突出している。固定部１２２Ｂの下面には、弾性当接部材１２１が沿っている。弾性当接部材１２１は、基板Ｗの回転方向に等間隔に配置された複数のボルト１２４によって固定部１２２Ｂに固定されている。この状態で、弾性当接部材１２１は、径方向内方へ向かうに従って上方に向かうように水平方向に対して傾斜している。
【０１１５】
固定部１２２Ｂの下端には、固定部１２２Ｂを上方に窪ませる第１溝１２５が形成されている。被固定部１２２Ａの下側部分には、被固定部１２２Ａの下側部分を径方向外方へ窪ませる第２溝１２６が形成されている。第１溝１２５は、固定部１２２Ｂを径方向内方に貫通している。第２溝１２６は、被固定部１２２Ａを下方に貫通している。第１溝１２５の径方向外方端と、第２溝１２６の上端とは連通している。第１溝１２５および第２溝１２６は、回転方向においてボルト１２３，１２４を避けた位置に形成されている。第１溝１２５および第２溝１２６の組は、基板Ｗの回転方向に沿って複数箇所に設けられていてもよい。弾性当接部材１２１によってＩＰＡノズル１３の表面から除去された液体１２７は、第１溝１２５および第２溝１２６を通って、取付部材１２２の下方に排出される（図１０Ａの太線矢印参照）。
【０１１６】
ＩＰＡノズル１３が基板Ｗの上面と遮断板６の対向面６ａとの間を移動する場合には、ＩＰＡノズル１３から基板Ｗの上面に供給されるＩＰＡが基板Ｗの上面から跳ね返ってＩＰＡノズル１３の表面にＩＰＡが付着することがある。また、ＩＰＡノズル１３が退避位置にある場合であっても、基板Ｗの上面から飛散する薬液、ＤＩＷまたはＩＰＡ等がＩＰＡノズル１３の表面に付着することがある。特に、基板Ｗの上面から飛散する薬液、ＤＩＷまたはＩＰＡ等を第１ガード４３の第１筒状部４３Ａで受ける場合には、基板Ｗの上面から飛散する薬液、ＤＩＷまたはＩＰＡ等がＩＰＡノズル１３の表面に付着しやすい。
【０１１７】
第１変形例の構成によれば、液体除去機構１２０は、ＩＰＡノズル１３の表面に付着した液体１２７を除去することができる。したがって、ＩＰＡノズル１３の表面に付着した液体１２７が基板Ｗの上面に落下することによる基板Ｗの汚染を防止できる。
また、液体除去機構１２０は、退避位置に位置するＩＰＡノズル１３が収容される収容空間Ｂに設けられているため、ＩＰＡノズル１３が退避位置から基板Ｗの上面に対向する位置に移動する直前にＩＰＡノズル１３の表面に付着した液体１２７を除去することができる。そのため、ＩＰＡノズル１３の表面に付着した液体１２７が基板Ｗの上面に落下することによる基板Ｗの汚染を一層防止できる。
【０１１８】
次に、本実施形態の第２変形例に係る基板処理装置１の処理ユニット２について説明する。図１１は、本実施形態の第２変形例に係るＩＰＡノズル１３の周辺の断面を拡大した模式図である。
第２変形例に係る処理ユニット２は、収容空間Ｂに設けられ、ＩＰＡノズル１３の表面に付着した液体（液滴）１３７を除去する液体除去機構１３０をさらに含んでいる。液体除去機構１３０は、液体除去手段の一例である。
【０１１９】
液体除去機構１３０は、退避位置に位置するＩＰＡノズル１３を収容する収容凹部１３１Ａを有する収容部材１３１と、収容凹部１３１Ａ内の液体を吸引するために収容凹部１３１Ａ内を減圧する減圧機構１３２とを含む。
収容部材１３１は、例えば、湾曲しながら基板Ｗの回転方向に延びている。詳しくは、収容部材１３１は、ＩＰＡノズル１３の湾曲形状に整合する湾曲形状を有している。収容部材１３１は、平面視で、第１筒状部４３Ａの内面に沿っている。収容部材１３１は、基板Ｗの回転方向に等間隔に配置された複数のボルト１３３によって第１筒状部４３Ａに固定されている。
【０１２０】
収容凹部１３１Ａは、収容部材１３１の径方向内方の面が径方向外方へ向けて窪むことで形成されている。収容凹部１３１Ａは、基板Ｗの回転方向に沿って延びている。収容凹部１３１Ａは、中央位置に位置するＩＰＡノズル１３が基板Ｗの上面と対向し得る部分を少なくとも収容可能である。
減圧機構１３２は、例えば、真空ポンプの形態を有している。減圧機構１３２は、空間Ａおよび収容空間Ｂの外部に配置されている。減圧機構１３２は、第１ガード４３の第１延設部４３Ｂよりも上方または第１ガード４３の第１筒状部４３Ａよりも径方向外方に配置されている。
【０１２１】
収容部材１３１には、減圧機構１３２から延びる配管１３４と連結され、収容凹部１３１Ａと連通する廃液流路１３５が形成されている。制御ユニット３が減圧機構１３２を制御することによって（図７の二点鎖線参照）、収容凹部１３１Ａ内の液体１３７が廃液流路１３５および配管１３４を介して収容凹部１３１Ａの外部へ排除される。
第２変形例の構成によれば、液体除去機構１３０は、ＩＰＡノズル１３の表面に付着した液体１３７を除去することができる。したがって、ＩＰＡノズル１３の表面に付着した液体１３７が基板Ｗの上面に落下することによる基板Ｗの汚染を防止できる。
【０１２２】
また、液体除去機構１３０の収容部材１３１は、退避位置に位置するＩＰＡノズル１３が収容される収容空間Ｂに設けられているため、ＩＰＡノズル１３が退避位置から基板Ｗの上面に対向する位置に移動する直前にＩＰＡノズル１３の表面に付着した液体１３７を除去することができる。そのため、ＩＰＡノズル１３の表面に付着した液体１３７が基板Ｗの上面に落下することによる基板Ｗの汚染を一層防止できる。
【０１２３】
また、表面に液体１３７が付着したＩＰＡノズル１３が収容凹部１３１Ａに配置された状態で、減圧機構１３２によって収容凹部１３１Ａ内を減圧することで、ＩＰＡノズル１３の表面に付着した液体１３７が確実に除去される。
次に、本実施形態の第３変形例に係る基板処理装置１の処理ユニット２について説明する。図１２Ａは、第３変形例に係るＩＰＡノズル１３Ｐの断面の模式図である。図１２Ｂは、図１２ＡのＸＩＩＢ−ＸＩＩＢ線に沿った断面の模式図である。
【０１２４】
第３変形例に係るＩＰＡノズル１３Ｐが、本実施形態のＩＰＡノズル１３（図３参照）と主に異なる点は、ＩＰＡノズル１３Ｐが、吐出口１３Ｐａから吐出されるＩＰＡの吐出方向Ｄ１を調整する吐出方向調整部材１４０を含み、吐出口１３Ｐａが、吐出方向調整部材１４０に設けられている点である。
ＩＰＡノズル１３Ｐは、水平方向に延びるノズル軸線Ｃ２を有する円筒部１３Ａと、円筒部１３Ａの先端部１３Ｂに取り付けられた吐出方向調整部材１４０とを含む。円筒部１３Ａには、その内部空間にＩＰＡ供給管６１が挿入されており、ＩＰＡ供給管６１からＩＰＡが供給される。
【０１２５】
吐出方向調整部材１４０は、水平方向に対する直交方向にＩＰＡを吐出する直交方向吐出口の形態を有する吐出口１３Ｐａと、吐出口１３ＰａにＩＰＡを導く流路１４１が形成された流路形成部１４２と、先端部１３Ｂに対して嵌合され、円筒部１３Ａの周方向における吐出口１３Ｐａの位置を調整可能な周方向位置調整部１４３とを一体に含む。
周方向位置調整部１４３は、第３変形例では、先端部１３Ｂに対して外嵌されているが、第３変形例とは異なり、先端部１３Ｂに対して内嵌されていてもよい。
【０１２６】
流路１４１は、円筒部１３Ａの先端部１３Ｂから水平方向に延びる第１流路１４１ａと、第１流路１４１ａの先端から吐出口１３Ｐａへ向けて延びる第２流路１４１ｂとを含む。
第２流路１４１ｂは、水平方向に対する直交方向に延びる直交流路である。吐出口１３Ｐａを下方へ向けた状態では、ＩＰＡの吐出方向Ｄ１は、下方である。吐出口１３Ｐａの位置を円筒部１３Ａの周方向に調整した状態で周方向位置調整部１４３を円筒部１３Ａの先端部１３Ｂに嵌合することによって、吐出方向Ｄ１を円筒部１３Ａの周方向に調整することができる（図１２Ｂの二点鎖線参照）。
【０１２７】
次に、本実施形態の第４変形例に係る基板処理装置１の処理ユニット２について説明する。図１３は、本実施形態の第４変形例に係るＩＰＡノズル１３Ｑの断面の模式図である。
第４変形例に係るＩＰＡノズル１３Ｑが、第３変形例のＩＰＡノズル１３Ｐ（図１２Ａ参照）と主に異なる点は、吐出方向調整部材１４０の吐出口１３Ｑａが、水平方向に対して直交する方向以外の方向であって水平方向に対して傾斜する方向（吐出方向Ｄ２）にＩＰＡを吐出可能な点である。吐出方向Ｄ２は、水平方向においてＩＰＡノズル１３Ｐの先端に向かうに従って、第１流路１４１ａの先端から離れるように水平方向および鉛直方向の両方に対して傾斜する方向である。第２流路１４１Ｑｂは、吐出方向Ｄ２に延びる傾斜流路である。
【０１２８】
次に、本実施形態の第５変形例に係る基板処理装置１の処理ユニット２について説明する。図１４は、本実施形態の第５変形例に係るＩＰＡノズル１３Ｒの周辺の平面図である。
第５変形例に係るＩＰＡノズル１３Ｒが本実施形態のＩＰＡノズル１３（図１４の二点鎖線参照）と主に異なる点は、ＩＰＡノズル１３Ｒの先端が、平面視で、先端以外の部分よりもさらに湾曲している点である。詳しくは、ＩＰＡノズル１３Ｒは、ノズル支持部材１５に連結されており、水平方向に延びる第１部分１５０と、第１部分１５０の先端に連結されており、平面視で、第１部分１５０が延びる方向に対して交差する水平方向に延びる第２部分１５１とを含む。第２部分１５１の先端には、ＩＰＡを基板Ｗに向けて下方に吐出する吐出口１３ａが設けられている。第１部分１５０と第２部分１５１との連結部１５２は、ＩＰＡノズル１３Ｒの長手方向の中央部よりもＩＰＡノズル１３Ｒの先端側に配置されている。
【０１２９】
この変形例によれば、ＩＰＡノズル１３Ｒは、ノズル支持部材１５の回転軸線まわりに移動する際、吐出口１３ａが設けられた第２部分１５１を基板Ｗの径方向に沿わせながら移動させることができる。
この発明は、以上に説明した実施形態に限定されるものではなく、さらに他の形態で実施することができる。
【０１３０】
例えば、本実施形態では、ＩＰＡノズル１３は、ノズル支持部材１５の回転軸線まわりに移動する構成であったが、本実施形態とは異なり、ＩＰＡノズル１３が延びる方向に直線的に移動する構成であってもよい。
また、本実施形態では、薬液ノズル９は、水平方向に移動する移動ノズルであるが、本実施形態とは異なり、基板Ｗの上面の回転中心に向けて薬液を吐出するように配置された固定ノズルであってもよい。詳しくは、薬液ノズル９は、ＤＩＷノズル１０、不活性ガスノズル１２および中央ＩＰＡノズル１１とともに中空軸３０に挿通されたノズル収容部材３５に挿通される形態を有していてもよい。
【０１３１】
また、ＤＩＷリンス処理において、遮断板６を第２近接位置に配置する代わりに（図９Ｃ参照）、遮断板６を第１近接位置に配置させてもよい。
この状態で、制御ユニット３は、第１ガード昇降機構４６および第２ガード昇降機構４７を制御して、第１ガード４３および第２ガード４４を上下方向Ｚに互いに近接させつつ、第２ガード４４を遮断板対向位置または遮断板対向位置よりも上方に配置してもよい。それにより、収容空間Ｂが区画されており、ＩＰＡノズル１３は、収容空間Ｂ内に位置している。
【０１３２】
さらに、この状態で、制御ユニット３は、第３ガード昇降機構４８を制御して、第３ガード４５を基板Ｗよりも上方に位置させてもよい。遠心力によって基板外に飛び散った薬液およびＤＩＷは、第３ガード４５の第３延設部４５Ｂの下方を通って、第３ガード４５に第３筒状部４５Ａによって受けられる。ＩＰＡノズル１３が収容空間Ｂに収容されているため、基板Ｗの上面から飛散した薬液およびＤＩＷによるＩＰＡノズル１３の汚染が抑制または防止される。この場合、空間Ａは、有機溶剤処理のＩＰＡ置換ステップで形成され、不活性ガスによる空間Ａ内の雰囲気の置換は、ＩＰＡ置換ステップで行われる。
【０１３３】
また、処理ユニット２は、有機溶剤処理において基板Ｗを加熱するヒータを含んでいてもよい。ヒータは、スピンベース２１に内蔵されていてもよいし、遮断板６に内蔵されていてもよいし、スピンベース２１と遮断板６との両方に内蔵されていてもよい。有機溶剤処理で基板Ｗを加熱する場合は、下面ノズル８、スピンベース２１に内蔵されたヒータおよび遮断板６に内蔵されたヒータのうちの少なくとも１つが用いられる。
【０１３４】
また、有機溶剤処理では、遮断板６は、スピンベース２１と必ずしも同期回転している必要はなく、遮断板６の回転数とスピンベース２１の回転数が異なっていてもよい。
また、処理液供給ノズルの構成は、例えばＩＰＡ等の有機溶剤を基板Ｗの上面に供給するＩＰＡノズル１３に限られず、処理液を基板Ｗの上面に供給する構成であればよい。すなわち、処理液供給ノズルは、水よりも表面張力の低い低表面張力液体を基板Ｗの上面に供給する低表面張力液体ノズルであってもよいし、薬液を基板Ｗの上面に供給する薬液ノズルであってもよいし、ＤＩＷ等のリンス液を基板Ｗの上面に供給するリンス液ノズルであってもよい。
【０１３５】
また、吐出方向調整部材１４０は、第３変形例の吐出口１３Ｐａおよび第４変形例の吐出口１３Ｑａ以外の方向にＩＰＡを吐出する吐出口を含んでいてもよい。すなわち、吐出方向調整部材１４０は、ＩＰＡノズル水平方向とは異なる方向（ノズル軸線Ｃ２に平行でない方向）にＩＰＡを吐出する吐出口を含んでいればよい。
その他、特許請求の範囲に記載した範囲で種々の変更を行うことができる。
【符号の説明】
【０１３６】
１  基板処理装置
５  スピンチャック（基板保持手段）
６  遮断板（対向部材）
６ａ  対向面
７ａ  天板（固定部材）
１２  不活性ガスノズル（不活性ガス供給手段）
１３  ＩＰＡノズル（処理液供給ノズル）
１３Ｐ  ＩＰＡノズル（処理液供給ノズル）
１３Ｑ  ＩＰＡノズル（処理液供給ノズル）
１３Ｒ  ＩＰＡノズル（処理液供給ノズル）
１４  ＩＰＡノズル移動機構（ノズル移動手段）
１４Ａ  部分（移動手段固定部材によって固定されている部分）
１５  ノズル支持部材
１６  駆動機構
４３  第１ガード（ガード）
４３Ａ  第１筒状部（筒状部）
４３Ｄ  平坦部
４３Ｅ  貫通孔
４４  第２ガード（下側ガード）
４４Ｂ  第２延設部（対向部）
４６  第１ガード昇降機構（ガード昇降機構）
７０  第１ブラケット（移動手段固定部材）
７４  ベローズ
Ｗ  基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図７】
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【図８】
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【図９Ａ】
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【図９Ｂ】
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【図９Ｃ】
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【図９Ｄ】
0006626762.tif 000014
【図９Ｅ】
0006626762.tif 000015
【図９Ｆ】
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【図９Ｇ】
0006626762.tif 000017
【図１０Ａ】
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【図１０Ｂ】
0006626762.tif 000019
【図１１】
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【図１２Ａ】
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【図１２Ｂ】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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