(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
光画定性ガラスの中又は上に作出される誘導デバイスを製造する方法であって、
少なくともシリカ、酸化リチウム、酸化アルミニウム、及び酸化セリウムを含む感光性ガラス基板を準備するステップ、
前記感光性ガラス基板上に１又は２以上の電気伝導チャネルを形成するための１又は２以上の構造を含むデザインレイアウトをマスキングするステップであって、前記１又は２以上の構造が１又は２以上の湾曲部分を含むステップ、
前記感光性ガラス基板の少なくとも１部分を活性エネルギー源に露光させるステップ、
前記感光性ガラス基板のガラス転移温度を超える温度の少なくとも１０分間の加熱相に前記感光性ガラス基板をさらすステップ、
前記感光性ガラス基板を冷却して、露光したガラスの少なくとも一部を結晶性材料へ転換して結晶性ガラス基板を形成するステップ、
前記結晶性ガラス基板をエッチャント溶液でエッチングして、前記デバイス中に１又は２以上の傾斜チャネルを形成するステップであって、
前記１又は２以上の傾斜チャネルに隣接する前記結晶性ガラス基板がセラミック相へ変換され得るステップ、
前記１又は２以上の傾斜チャネルを１又は２以上の金属で被覆するステップ、
前記誘導デバイスの全て又は一部を誘電性媒体で被覆するステップ、
前記誘電性媒体の全て又は一部を除去して電気接点又は自立型誘導デバイスを与えるステップを含み、
前記金属が表面又は埋設接点を通して電気回路に接続される、前記方法。
【請求項２】
誘導デバイスが、電流を貯蔵し、電流貯蔵デバイスとして機能する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
１又は２以上の金属が、所望の周波数でインダクタとして動作するよう設計される、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
誘導デバイスが、１００ＭＨｚを超える周波数に対し、銅より大きい又は銅と等しい透磁率を有する、請求項１〜３のいずれかに記載の方法。
【請求項５】
セラミック相が、片側又は両側からエッチングされて、結晶性ガラス基板のセラミック相が部分的又は完全に除去され得る、請求項１〜４のいずれかに記載の方法。
【請求項６】
ガラスの少なくとも一部分をセラミックへ変換し、前記セラミックをエッチング除去して誘導デバイス中の金属構造を少なくとも部分的に露出させる、又は前記誘導デバイス中の金属構造を完全に露出させるステップをさらに含む、請求項１〜５のいずれかに記載の方法。
【請求項７】
１又は２以上の誘導コイルを取り囲むガラスセラミック材料を含み、前記１又は２以上の誘導コイルが少なくとも部分的に空気に取り囲まれ、前記１又は２以上の誘導コイルが、前記ガラスセラミック材料中に１又は２以上の傾斜チャネルを含み、金属が前記１又は２以上の傾斜チャネルの少なくとも一部分を被覆し、前記誘導コイルが、透磁性材料にさらに取り囲まれる、誘導デバイス。
【請求項８】
誘導コイルが透磁性材料に接触しない、請求項７に記載の誘導デバイス。
【請求項９】
１又は２以上の誘導コイルが、ガラスセラミック材料の中に空洞を形成し、前記空洞が、透磁性材料で充填される、請求項７に記載の誘導デバイス。
【請求項１０】
１又は２以上の誘導コイルが、相互に作用する、請求項７〜９のいずれかに記載の誘導デバイス。
【請求項１１】
１又は２以上の誘導コイルが、透磁性材料を共有する、請求項７に記載の誘導デバイス。
【請求項１２】
金属被覆が、部分的にガラスセラミック材料の間に、全体に前記ガラスセラミック材料の間に、若しくは前記ガラスセラミック材料の上に、又はそれらの組合せで存在し得る、請求項７〜１１のいずれかに記載の誘導デバイス。
【請求項１３】
１又は２以上の第２の金属層をさらに含む、請求項７〜１２のいずれかに記載の誘導デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光画定性ガラス（photo definable glass）構造中の誘導電流デバイスの作出、とりわけ、電子、マイクロ波、及び無線周波数に一般に用いられる、ガラスセラミック基板中の、インダクタデバイス、アンテナデバイス、及びトランスデバイス、並びにインダクタアレイ、アンテナアレイ、及びトランスアレイの作出に関する。
【背景技術】
【０００２】
感光性ガラス構造は、他の素子システム又はサブシステムと共に、集積電子素子といった数多くのマイクロマシニング（micromachining）処理及びマイクロファブリケーション（microfabrication）処理のために提案されている。従来のガラスのシリコンマイクロファブリケーションは、射出モデリング又はエンボス加工処理が整合しない形状を与えるため、高価でありかつ収量が低い。シリコンマイクロファブリケーション処理は、高価な基礎装備、一般的に各々１００万ドルを超える費用がかかる、フォトリソグラフィー及び反応性イオンエッチング又はイオンビームミリング器具に依拠し、さらに数百万から数十億の費用がかかる超清浄な高生産シリコン加工設備を要する。射出成形及びエンボス加工は、三次元形状を与える、より安価な方法であるが、転移において欠陥が生じる、又は確率的硬化工程に起因する差がある。
【発明の概要】
【０００３】
本発明は、費用効率の良いガラスセラミック誘導単独デバイス又はアレイデバイスの作出を提供する。ガラスセラミック基板は、個別に又は同時に、垂直面及び水平面の両面の加工を通してそのような構造を形成する能力を示しており、二次元又は三次元誘導デバイスを形成する。
【０００４】
本発明は、感光性ガラス基板を準備し、さらに１又は２以上の金属を被覆又は充填するステップによって、１又は２以上の二次元又は三次元の誘導デバイスを備える基板を製造する方法を含む。
【０００５】
製造方法、並びに少なくともシリカ、酸化リチウム、酸化アルミニウム、及び酸化セリウムを含む感光性ガラスセラミック複合基板を準備するステップ、感光性ガラス基板中に１又は２以上の二次元又は三次元の誘導デバイスを含むデザインレイアウトをマスキングするステップ、感光性ガラス基板の少なくとも１部分を活性エネルギー源に露光させるステップ、感光性ガラス基板のガラス転移温度を超える温度の、少なくとも１０分間の加熱相に感光性ガラス基板をさらすステップ、感光性ガラス基板を冷却して、露光したガラスの少なくとも一部を結晶性材料へ転換して結晶性ガラス基板を形成するステップ、並びに結晶性ガラス基板をエッチャント溶液（etchant solution）でエッチングして、その後誘導デバイスに使用される１又は２以上の傾斜チャネル又は貫通孔を形成するステップによって作製される、デバイス。
【０００６】
本発明は、光画定性ガラスの中又は上に作出される誘導デバイスを製造する方法であって、少なくともシリカ、酸化リチウム、酸化アルミニウム、及び酸化セリウムを含む感光性ガラス基板を準備するステップ、感光性ガラス基板上に１又は２以上の電気伝導路を形成するための１又は２以上の構造を含むデザインレイアウトをマスキングするステップ、感光性ガラス基板の少なくとも１部分を活性エネルギー源に露光させるステップ、感光性ガラス基板のガラス転移温度を超える温度の、少なくとも１０分間の加熱相に感光性ガラス基板をさらすステップ、感光性ガラス基板を冷却して、露光したガラスの少なくとも一部を結晶性材料へ転換して結晶性ガラス基板を形成するステップ、結晶性ガラス基板をエッチャント溶液でエッチングして、デバイス中に１又は２以上の傾斜チャネルを形成するステップであって、トレンチに隣接する結晶性ガラス基板もセラミック相へ変換され得るステップ、１又は２以上の傾斜チャネルを１又は２以上の金属で被覆するステップ、インダクタ構造の全て又は一部を誘電性媒体で被覆するステップ、誘電性媒体の全て又は一部を除去して電気接点又は自立型誘導デバイスを与えるステップを含み、金属が表面又は埋設接点を通して電気回路に接続する、方法を提供する。
【０００７】
誘導デバイスは、電流を貯蔵し、電流貯蔵デバイスとして機能する。１又は２以上の金属は、適切な周波数でインダクタとして動作するよう設計される。誘導デバイスは、１００ＭＨｚを超える周波数に対し、銅よりも大きい又は銅と等しい透磁率を有する。誘導デバイスは、１００ＭＨｚ未満の周波数に対し、銅よりも大きい透磁率を有する。セラミック相は、片側又は両側からエッチングされて、ガラスセラミック材料が部分的又は完全に除去され得る。本発明の方法は、ガラスの少なくとも一部分をセラミックへ変換するステップ、及びセラミックをエッチング除去して金属構造を少なくとも部分的に露出させるステップをさらに含むことができる。本発明の方法は、ガラスの少なくとも一部分をセラミックへ変換するステップ、及びセラミックをエッチング除去して金属構造を完全に露出させるステップをさらに含むことができる。
【０００８】
本発明は、１又は２以上の誘導コイルを取り囲むガラスセラミック材料を有し、当該１又は２以上の誘導コイルが少なくとも部分的に空気に取り囲まれる、誘導デバイスも含む。
【０００９】
１又は２以上の誘導コイルは、結晶性ガラス基板中に１又は２以上の傾斜チャネルを含み、金属が当該１又は２以上の傾斜チャネルの少なくとも一部分を被覆する。誘導素子は、透磁性材料によってさらに取り囲まれる。誘導素子は、透磁性材料に接触しない。誘導素子は、片側、両側、又はガラスセラミック材料の中に、透磁性材料で充填された空洞を含む。１又は２以上のインダクタは、相互に作用する。１又は２以上のインダクタは、透磁性材料を共有する。金属被覆は、部分的にガラスセラミック材料の間に、全体にガラスセラミック材料の間に、若しくはガラスセラミック材料の上に、又はそれらの組合せで存在し得る。誘導デバイスは、１又は２以上の第２の金属層を任意の表面上にさらに含む。
【００１０】
本発明は、１又は２以上の誘導コイルを取り囲む結晶性ガラス基板を有し、当該１又は２以上の誘導コイルが少なくとも部分的に空気に取り囲まれる、誘導デバイスも含む。誘導デバイスは、結晶性ガラス基板上の１又は２以上のレールに支持される１又は２以上の誘導コイルを含む。誘導デバイスは、結晶性ガラス基板中の１又は２以上のピットに位置する１又は２以上の誘導コイルを含む。誘導デバイスは、金属被膜、多層金属被膜、合金被膜、多層合金被膜を含んでもよい。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
本発明の特徴及び利点をより完全に理解するために、次に発明の詳細な説明を添付の図面と併せて参照する。
【図１】コアレストランス（coreless transformer）のデザインを示す図である。
【図２】APEX（登録商標）ガラスにエッチングされた連結角型スパイラルを示す図である。
【図３Ａ】APEX（登録商標）ガラス中／上の誘導デバイスの上面図である。
【図３Ｂ】APEX（登録商標）ガラス中／上の誘導デバイスの側面図である。
【図４Ａ】自立型銅ＲＦアンテナブリッジ構造の画像である。
【図４Ｂ】自立型コイルの画像である。
【図５】主として空気が誘導デバイスを取り囲むよう、取り囲んでいるセラミックが部分的にエッチング除去された、部分的にエッチングされたインダクタの画像である。
【図６】空気のみが誘導デバイスを取り囲むよう、取り囲んでいるセラミックが完全にエッチング除去された、完全にエッチングされたインダクタの等大の画像である。
【図７Ａ−７Ｂ】空気のみが誘導デバイスを取り囲むよう、取り囲んでいるセラミックが完全にエッチング除去された、完全にエッチングされたインダクタの側面の画像である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
本発明の様々な実施形態の作製及び使用が以下に詳細に説明されるが、本発明は、幅広い様々な特定の状況で具体化され得る、多くの応用可能な発明概念を提供すると理解されるべきである。本明細書で説明される特定の実施形態は、本発明を作製及び使用する特定の方法の単なる説明に過ぎず、発明の範囲を限定するものではない。
【００１３】
本発明の理解を容易にするために、多くの用語を以下に定義する。本明細書で定義される用語は、本発明に関する分野の当業者が通常理解する意味を有する。「ある（a）」、「ある（an）」及び「その（the）」といった用語は、単数の実体のみを意味することを意図するものではなく、説明のために使用され得る特定の例示の一般的な分類を含む。本明細書における専門用語は、本発明の特定の実施形態を説明するために使用されるが、それらの用法は、特許請求の範囲において概説される場合を除き、発明の範囲を定めない。
【００１４】
図１は、コアレストランスのデザインを示す。図２は、APEX（登録商標）ガラスにエッチングされた連結角型スパイラルを示す。図３Ａは、APEX（登録商標）ガラス中／上の誘導デバイスの上面図である。図３Ｂは、APEX（登録商標）ガラス中／上の誘導デバイスの側面図である。図４Ａは、自立型銅ＲＦアンテナブリッジ構造の画像である。図４Ｂは、自立型コイルの画像である。図５は、主として空気が誘導デバイスを取り囲むよう、取り囲んでいるセラミックが部分的にエッチング除去された、部分的にエッチングされたインダクタの画像である。図６は、空気のみが誘導デバイスを取り囲むよう、取り囲んでいるセラミックが完全にエッチング除去された、完全にエッチングされたインダクタの等大の画像である。図７Ａ及び図７Ｂは、空気のみが誘導デバイスを取り囲むよう、取り囲んでいるセラミックが完全にエッチング除去された、完全にエッチングされたインダクタの側面の画像である。
【００１５】
これらの要求に対応するため、本発明の発明者らは、半導体、ＲＦ電子機器、マイクロ波電子機器、及び光学撮像用の新規の包装及び基板材料として、ガラスセラミック（APEX（登録商標））ガラスセラミック）を開発した。APEX（登録商標）ガラスセラミックは、第１世代半導体機器を用いて、簡単な３段階の工程で加工され、最終物は、ガラス、セラミックのいずれかに作り上げることができる、又はガラス及びセラミックの両方の領域を含有することができる。APEX（登録商標）ガラスセラミックは、高密度のビアが容易に製造される、微少流体能を示す、マイクロレンズ又はマイクロレンズアレイ、より強固な包装のための高いヤング率、ハロゲンフリーな製造、及び安価な製造が例として挙げられる、現在の材料に対する幾つかの利点を有する。フォトエッチング可能なガラスは、多種多様なマイクロシステム要素の製造に対し幾つかの長所を有する。微細構造は、従来の半導体加工機器を用いて、これらのガラスで比較的安価に作られている。一般的に、ガラスは、高い温度安定性、良好な機械及び電気特性を有し、かつプラスチック及び多くの金属よりも高い耐化学性を有する。我々の知る限り、唯一の市販のフォトエッチング可能なガラスは、Schott Corporation社が生産し、Invenios Inc.社のみが米国に輸入するFOTURAN（登録商標）である。FOTURAN（登録商標）は、微量な銀イオンに加え微量な他の元素を含有するケイ酸アルミニウムリチウムガラス、具体的には７５〜８５重量％の酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、７〜１１重量％の酸化リチウム（Ｌｉ２Ｏ）、３〜６重量％の酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、１〜２重量％の酸化ナトリウム（Ｎａ２Ｏ）、０．２〜０．５重量％の三酸化アンチモン（Ｓｂ２Ｏ３）又は酸化ヒ素（Ａｓ２Ｏ３）、０．０５〜０．１５重量％の酸化銀（Ａｇ２Ｏ）、及び０．０１〜０．０４重量％の酸化セリウム（ＣｅＯ２）を含む。本明細書で用いられる「APEX（登録商標）ガラスセラミック」、「APEX（登録商標）ガラス」又は単なる「APEX（登録商標）」という用語は、本発明のガラスセラミック組成物の一実施形態を表すために用いられる。
【００１６】
酸化セリウムは、酸化セリウムの吸収バンド範囲内のＵＶ光に露光される際、例えば
Ｃｅ３＋＋Ａｇ＋＝Ｃｅ４＋＋Ａｇ０
のように光子を吸収し、隣接する酸化銀を還元して銀原子を形成させる電子を失う、増感剤として作用する。
【００１７】
焼き付け工程において、銀原子は集合して銀ナノクラスターとなり、周囲のガラスが結晶化するための核生成サイトを誘導する。マスクを介してＵＶ光に露光される場合、ガラスの露光された領域のみが続く熱処理において結晶化する。
【００１８】
この熱処理は、ガラス転移温度付近の（例えば、FOTURAN（登録商標）に関しては空気中で４６５℃よりも高い）温度で行う必要がある。結晶相は、未露光のガラス質の非晶質領域よりも、フッ化水素酸（ＨＦ）といったエッチャントに溶解する。特に、FOTURAN（登録商標）の結晶領域は、非晶質領域よりも約２０倍速く１０％ＨＦ中でエッチングされ、露光領域が除去された際に、約２０：１の壁斜面比の微細構造を可能とする。参照により本明細書に援用する、T. R. Dietrich et al., “Fabrication technologies for microsystems utilizing photoetchable glass,” Microelectronic Engineering 30, 497 (1996)を参照されたい。好ましくは、成形されたガラス構造は、少なくとも１又は２以上の二次元又は三次元誘導デバイスを含有する。誘導デバイスは、自立型インダクタ形成するよう一連の接続されたループを作製することによって形成される。ループは、矩形、円形、楕円形、フラクタル、又は誘導を発生させるパターンを作出する他の形状のいずれかであり得る。APEX（登録商標）ガラスのパターン領域は、めっき又は気相蒸着が例として挙げられる多くの方法によって、金属、合金、複合材料、ガラス、又は他の磁気媒体で充填することができる。媒体の透磁率は、寸法及びデバイス中の構造の数（ループ、巻数、又は他の誘導素子）と併せて、デバイスのインダクタンスを与える。動作周波数に依存して、誘導デバイス設計は、異なる透磁性材料を要するだろう。１００ＭＨｚ未満の低周波数において、デバイスは、フェライト又は他の異なる高透磁性材料を使用することができる。１００ＭＨｚを超えるより高い周波数において、異なる高透磁性材料は、大きな電気損失を生む渦電流を生成する可能性がある。そのため、より高周波数での動作においては、銅又は他の類似材料といった材料が、誘導デバイスに適する媒体となる。ひとたび誘導デバイスが作られると、支持するAPEX（登録商標）ガラスはその場に留まる又は除去され、自立構造を作出することができる。本発明は、層貫通構造又は層内構造を含み、レンズとして使用される成形APEX（登録商標）ガラス構造による撮像用途に使用するための、光画定性／光パターン化可能APEX（登録商標）ガラスを用いる、光学微細構造の製造のための単一材料アプローチを提供する。
【００１９】
一般的に、性能、均一性、他者による使い易さ、及び有効性の問題に悩まされる微細構造形成において、ガラスセラミック材料の収める成功は限られている。これまでのガラスセラミック材料は、おおよそ１５：１のエッチングアスペクト比を得、その一方APEX（登録商標）βガラスは、５０：１を超える平均エッチングアスペクト比を有する。これにより使用者は、より小さくより深い形体を作出することができるようになる。加えて、我々の製造方法は、９０％を超える製品収量を可能とする（伝来のガラスの収量は５０％前後である）。最後に、伝来のガラスセラミックにおいては、当該ガラスのおおよそ３０％のみがセラミック状態へ変換するのに対し、APEX（商標）ガラスセラミックを用いると、この変換は７０％前後である。
【００２０】
APEX（登録商標）組成物は、その性能向上のための３つの主要な機構を提供する：（１）より多量の銀が、粒界でより速くエッチングされる、より小さいセラミック結晶の形成をもたらす、（２）シリカ含有量（ＨＦ酸によりエッチングされる主要成分）の低下が未露光材料の望ましくないエッチングを減少させる、及び（３）より高いアルカリ金属及び酸化ホウ素の総重量百分率が、製造時に各段に均一なガラスを生産する。
【００２１】
本発明は、電磁伝達、トランス、及びフィルタリング用途に使用される誘導構造の形成に使用するガラスセラミック構造を製造する方法を含む。本発明は、ガラスセラミック基板の複数平面に作出される誘導構造を含み、そのような工程は、（ａ）基板又はエネルギー源のいずれかの向きを変えることにより、様々な角度で露光が起こるような、励起エネルギーへの暴露、（ｂ）焼き付けステップ、及び（ｃ）エッチングステップを用いる。角度の大きさは鋭角又は鈍角のいずれかであり得る。実行不可能ではないものの、ほとんどのガラス基板、セラミック基板、又はシリコン基板に湾曲構造及びデジタル構造を作出することは難しい。本発明は、ガラスセラミック基板に関し、そのような構造を垂直平面及び水平平面の両面に作出する能力を生み出した。本発明は、ガラスセラミックの上又は中の誘導構造を製造する方法を含む。
【００２２】
ガラスのセラミック化は、おおよそ２０Ｊ／ｃｍ２の３１０ｎｍの光でガラス基板全体を露光することによって達成される。セラミック内部にガラス区域を作出しようとする場合、使用者は、ガラスをガラスのまま残す箇所を除き、全ての材料を露光する。一実施形態において、本発明は、異なる直径の様々な同心円を含む石英／クロムマスクを提供する。
【００２３】
本発明は、電気的マイクロ波及びラジオ周波数用途ガラスセラミック構造の中又は上の誘導デバイスを製造する方法を含む。ガラスセラミック基板は、６０〜７６重量％のシリカ、６重量％〜１６重量％のＫ２Ｏ及びＮａ２Ｏの組合せを伴う少なくとも３重量％のＫ２Ｏ、０．００３〜１重量％の、Ａｇ２Ｏ及びＡｕ２Ｏからなる群から選択される少なくとも１つの酸化物、０．００３〜２重量％のＣｕ２Ｏ、０．７５重量％〜７重量％のＢ２Ｏ３及びＢ２Ｏ３とＡｌ２Ｏ３とを組み合わせて１３重量％を超えない６〜７重量％のＡｌ２Ｏ３、８〜１５重量％のＬｉ２Ｏ、並びに０．００１〜０．１重量％のＣｅＯ２が例として挙げられるがそれらに限定されない、広範な組成変動を有する、感光性ガラス基板であってもよい。この、及び他の多様な組成物は、一般的にAPEX（登録商標）ガラスと称される。
【００２４】
露光部分は、ガラス基板をガラス転移温度付近の温度まで加熱することによって結晶化材料へ転換され得る。ガラス基板をフッ化水素酸といったエッチャント中でエッチングする場合、ガラスが広域スペクトル中間紫外線（約３０８〜３１２ｎｍ）フラッドランプ（flood lamp）で露光される際、未露光部に対する露光部の異方性エッチング比は少なくとも３０：１であり、少なくとも３０：１のアスペクト比を有する成形ガラス構造を提供し、かつ誘導構造を作出する。露光用のマスクは、誘導構造／デバイスを作出するために、連続する階調の露光を提供して湾曲構造を形成する、ハーフトーンマスクであり得る。デジタルマスクも、フラッド露光と併せて使用することができ、かつ誘導構造／デバイスの作出をもたらすために使用できる。露光されたガラスは、次いで典型的には２段階工程で焼き付けられる。銀イオンが銀ナノ粒子へと集合するため、１０分〜２時間の間、４２０℃〜５２０℃の間の温度範囲で加熱され、酸化リチウムが銀ナノ粒子周囲に形成するよう１０分〜２時間の間、５２０℃〜６２０℃の間の温度範囲で加熱される。ガラスプレートは次いでエッチングされる。
【００２５】
ガラス基板は、典型的には５体積％〜１０体積％の、ＨＦ溶液の、エッチャント中でエッチングされ、露光部の未露光部に対するエッチング比は、広域スペクトル中間紫外線フラッドライトで露光する場合少なくとも３０：１であり、レーザーで露光する場合３０：１を超え、異方性エッチング比が少なくとも３０：１の成形ガラス構造を与える。
【００２６】
誘導デバイスを取り囲む材料は、金属の充填前にセラミックへ変換される。エッチングされた構造を充填するために使用される金属材料は、銅以外の金属（すなわちニッケル、鉄合金）である。誘導デバイスの表面は、誘電材料で被覆される。誘導デバイスの表面は、最初に誘電材料でパターン化され、次いでパターン化された金属でパターン化される。
【００２７】
セラミック相で取り囲まれた実施形態に関し、セラミックは片側又は両側からエッチングされて、ガラスセラミック材料が部分的又は完全に除去されて、金属構造が部分的に露光される。複数の固有の誘導性部品からなる誘導デバイス。異なる誘導性部品が、エッチングされた異なる形体に、異なる金属で選択的にめっきされる、前記デバイス。
【図１】
0006574207.tif 000002
【図２】
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【図３Ａ】
0006574207.tif 000004
【図３Ｂ】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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