(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式（１）で表されることを特徴とするスルホネート化合物。
【化１】
0006622210.tif 000021
［式（１）中、Ｒ１はナフチル基、アントラセニル基、又はクマリニル基を表す。Ｒ１はアルコキシ基、アリールチオ基、アルキルチオ基、アルコキシカルボニル基又はアリールオキシカルボニル基である置換基を有する。アントラセニル基の場合は無置換であってもよい。Ｒ２は水素原子、炭素数１〜１８のアルキル基、炭素数２〜１８のアルケニル基、炭素数２〜１８のアルキニル基、又は炭素数６〜１８のアリール基を表す。Ｒ３は炭素数１〜１８の炭化水素基（水素の一部又は全部がフッ素で置換されていてよい）を表す。］
【請求項２】
一般式（１）において、Ｒ２が、水素原子または炭素数１〜１８のアルキル基である請求項１に記載のスルホネート化合物。
【請求項３】
一般式（１）において、Ｒ３が、炭素数１〜１８の直鎖アルキル基、炭素数１〜１８の分枝鎖アルキル基、炭素数３〜１８のシクロアルキル基、炭素数６〜１０のアリール基または炭素数４〜２０の複素環式炭化水素基である請求項１又は２に記載のスルホネート化合物。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれかに記載のスルホネート化合物を含有する非イオン系光酸発生剤（Ａ）。
【請求項５】
請求項４に記載の非イオン系光酸発生剤（Ａ）を含むフォトリソグラフィー用樹脂組成物（Ｑ）。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、スルホネート化合物、光酸発生剤及びフォトリソグラフィー用樹脂組成物に関する。さらに詳しくは、紫外線（ｉ線）を作用させて強酸を発生させるのに適する非イオン系の光酸発生剤、及びそれを含有するフォトリソグラフィー用樹脂組成物に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、半導体の製造に代表される微細加工の分野では、露光光として波長３６５ｎｍのｉ線を用いたフォトリソグラフィー工程が広く用いられている。
フォトリソグラフィー工程に用いられるレジスト材料としては、例えば、カルボン酸のｔｅｒｔ−ブチルエステル基、又はフェノールのｔｅｒｔ−ブチルカーボネート基を有する重合体と光酸発生剤とを含有する樹脂組成物が用いられている。光酸発生剤として、トリアリールスルホニウム塩（特許文献１）、ナフタレン骨格を有するフェナシルスルホニウム塩（特許文献２）等のイオン系光酸発生剤、及びオキシムスルホネート構造を有する酸発生剤（特許文献３）、スルホニルジアゾメタン構造を有する酸発生剤（特許文献４）等の非イオン系酸発生剤が知られている。このレジスト材料に紫外線を照射することで、光酸発生剤が分解して強酸を発生する。さらに露光後加熱（ＰＥＢ）を行うことで、この強酸により重合体中のｔｅｒｔ−ブチルエステル基、又はｔｅｒｔ−ブチルカーボネート基が解離し、カルボン酸、又はフェノール性水酸基が形成され、紫外線照射部がアルカリ現像液に易溶性となる。この現象を利用してパターン形成が行われている。【０００３】
しかしフォトリソグラフィー工程がより微細加工になるに従い、アルカリ現像液により光未露光部のパターンが膨潤する膨れの影響が大きくなり、レジスト材料の膨潤を抑制する必要がある。
これらを解決するためにレジスト材料中の重合体に脂環式骨格、又はフッ素含有骨格等を含有させ疎水性にすることで、レジスト材料の膨潤を抑制する方法が提案されている。【０００４】
しかしながら、イオン系光酸発生剤は脂環式骨格、及びフッ素含有骨格等を含有する疎水性材料に対する相溶性が不足しているため、レジスト材料中で相分離するため十分なレジスト性能を発揮できず、パターン形成できない問題がある。一方、非イオン系光酸発生剤では疎水性材料に対する相溶性は良好であるが、ｉ線に対する感度が不足する問題、及び耐熱安定性が不足するため露光後加熱（ＰＥＢ）で分解するためアローアンスが狭い問題がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開昭５０−１５１９９７号公報
【特許文献２】特開平９−１１８６６３号公報
【特許文献３】特開平０６−７７４３３号公報
【特許文献４】特開平１０−２１３８９９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
そこでｉ線に高い光感度を有し、耐熱安定性に優れ、疎水性材料への溶解性に優れる非イオン系光酸発生剤を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者らは、上記の目的を達成するべく検討を行った結果、本発明に到達した。
すなわち、本発明は、一般式（１）で表されることを特徴とするスルホネート化合物である。【０００８】
【化１】
0006622210.tif 000002
【０００９】
［式（１）中、Ｒ１は炭素数６〜１８のアリール基もしくは炭素数４〜２０の複素環式炭化水素基を表す。Ｒ２は水素原子、炭素数１〜１８のアルキル基、炭素数２〜１８のアルケニル基、炭素数２〜１８のアルキニル基、又は炭素数６〜１８のアリール基を表す。Ｒ３は炭素数１〜１８の炭化水素基（水素の一部又は全部がフッ素で置換されていてよい）を表す。］
【発明の効果】
【００１０】
本発明のスルホネート化合物及びこれを含有する非イオン系光酸発生剤（Ａ）は、非イオン系であり、イオン系酸発生剤に比べ疎水性材料との相溶性に優れる。また、ｉ線を吸収部位であるイミド骨格を有するため、ｉ線を照射することで非イオン系光酸発生剤（Ａ）は容易に分解し、強酸であるスルホン酸を発生することができる。さらに非イオン系光酸発生剤（Ａ）は、イミド骨格を有するために、耐熱安定性に優れる。【００１１】
このため本発明の非イオン系光酸発生剤（Ａ）を含有するフォトリソグラフィー用樹脂組成物（Ｑ）は、ｉ線に対して高感度であり、また露光後加熱（ＰＥＢ）でのアローアンスが広いため作業性に優れる。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
本発明のスルホネート化合物は上記一般式（１）で表される。
【００１３】
式（１）においてＲ１は、炭素数６〜１８のアリール基もしくは炭素数４〜２０の複素環式炭化水素基である。
【００１４】
前記Ｒ１の炭素数６〜１８のアリール基としては、フェニル基、ナフチル基、アントラセニル基、ビフェニル基、フェナントリル基及びピレニル基等が挙げられる。
【００１５】
前記Ｒ１の炭素数４〜２０の複素環式炭化水素基としては、フリル基、チエニル基、ピラニル基、ピリジル基、チアゾール基、クマリニル基、カルバゾール基、及びチオキサントニル基等が挙げられる。
【００１６】
前記Ｒ１の炭素数６〜１８のアリール基及び炭素数４〜２０の複素環式炭化水素基は、置換基（Ｔ）を有していても良い。置換基（Ｔ）としては、例えば、アルキル基、ヒドロキシ基、アルコキシ基、アルキルカルボニル基、アリールカルボニル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アリールチオカルボニル基、アシロキシ基、アリールチオ基、アルキルチオ基、アリール基、複素環式炭化水素基、アリールオキシ基、アルキルスルフィニル基、アリールスルフィニル基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基及びハロゲン原子が挙げられる。置換基（Ｔ）は１種でもよいし、２種以上でもよい。
【００１７】
アルキル基としては、炭素数１〜１８の直鎖アルキル基（メチル、エチル、ｎ−プロピル、ｎ−ブチル、ｎ−ペンチル、ｎ−オクチル、ｎ−デシル、ｎ−ドデシル、ｎ−テトラデシル、ｎ−ヘキサデシル及びｎ−オクタデシル等）、炭素数１〜１８の分枝鎖アルキル基（イソプロピル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、イソペンチル、ネオペンチル、ｔｅｒｔ−ペンチル、イソヘキシル及びイソオクタデシル）、及び炭素数３〜１８のシクロアルキル基（シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル及び４−デシルシクロヘキシル等）、炭素数１〜３の直鎖または分岐のフルオロアルキル基（トリフルオロメチル、ペンタフルオロエチル、ヘプタフルオロブチル基等）等が挙げられる。
【００１８】
アルコキシ基としては、炭素数１〜１８の直鎖又は分枝鎖アルコキシ基（メトキシ、エトキシ、プロポキシ、イソプロポキシ、ブトキシ、イソブトキシ、ｓｅｃ−ブトキシ、ｔｅｒｔ−ブトキシ、ヘキシルオキシ、デシルオキシ、ドデシルオキシ及びオクタデシルオキシ等）等が挙げられる。
【００１９】
アルキルカルボニル基としては、炭素数（カルボニル炭素を含む）２〜１８の直鎖又は分枝鎖アルキルカルボニル基（アセチル、プロピオニル、ブタノイル、２−メチルプロピオニル、ヘプタノイル、２−メチルブタノイル、３−メチルブタノイル、オクタノイル、デカノイル、ドデカノイル及びオクタデカノイル等）等が挙げられる。
【００２０】
アリールカルボニル基としては、炭素数（カルボニル炭素を含む）７〜１１のアリールカルボニル基（ベンゾイル及びナフトイル等）等が挙げられる。
【００２１】
アルコキシカルボニル基としては、炭素数（カルボニル炭素を含む）２〜１９の直鎖又は分枝鎖アルコキシカルボニル基（メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、プロポキシカルボニル、イソプロポキシカルボニル、ブトキシカルボニル、イソブトキシカルボニル、ｓｅｃ−ブトキシカルボニル、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル、オクチロキシカルボニル、テトラデシルオキシカルボニル及びオクタデシロキシカルボニル等）等が挙げられる。
【００２２】
アリールオキシカルボニル基としては、炭素数（カルボニル炭素を含む）７〜１１のアリールオキシカルボニル基（フェノキシカルボニル及びナフトキシカルボニル等）等が挙げられる。
【００２３】
アリールチオカルボニル基としては、炭素数（カルボニル炭素を含む）７〜１１のアリールチオカルボニル基（フェニルチオカルボニル及びナフトキシチオカルボニル等）等が挙げられる。
【００２４】
アシロキシ基としては、炭素数２〜１９の直鎖又は分枝鎖アシロキシ基（アセトキシ、エチルカルボニルオキシ、プロピルカルボニルオキシ、イソプロピルカルボニルオキシ、ブチルカルボニルオキシ、イソブチルカルボニルオキシ、ｓｅｃ−ブチルカルボニルオキシ、ｔｅｒｔ−ブチルカルボニルオキシ、オクチルカルボニルオキシ、テトラデシルカルボニルオキシ及びオクタデシルカルボニルオキシ等）等が挙げられる。
【００２５】
アリールチオ基としては、炭素数６〜２０のアリールチオ基（フェニルチオ、２−メチルフェニルチオ、３−メチルフェニルチオ、４−メチルフェニルチオ、２−クロロフェニルチオ、３−クロロフェニルチオ、４−クロロフェニルチオ、２−ブロモフェニルチオ、３−ブロモフェニルチオ、４−ブロモフェニルチオ、２−フルオロフェニルチオ、３−フルオロフェニルチオ、４−フルオロフェニルチオ、２−ヒドロキシフェニルチオ、４−ヒドロキシフェニルチオ、２−メトキシフェニルチオ、４−メトキシフェニルチオ、１−ナフチルチオ、２−ナフチルチオ、４−［４−（フェニルチオ）ベンゾイル］フェニルチオ、４−［４−（フェニルチオ）フェノキシ］フェニルチオ、４−［４−（フェニルチオ）フェニル］フェニルチオ、４−（フェニルチオ）フェニルチオ、４−ベンゾイルフェニルチオ、４−ベンゾイル−２−クロロフェニルチオ、４−ベンゾイル−３−クロロフェニルチオ、４−ベンゾイル−３−メチルチオフェニルチオ、４−ベンゾイル−２−メチルチオフェニルチオ、４−（４−メチルチオベンゾイル）フェニルチオ、４−（２−メチルチオベンゾイル）フェニルチオ、４−（ｐ−メチルベンゾイル）フェニルチオ、４−（ｐ−エチルベンゾイル）フェニルチオ４−（ｐ−イソプロピルベンゾイル）フェニルチオ及び４−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルベンゾイル）フェニルチオ等）等が挙げられる。
【００２６】
アルキルチオ基としては、炭素数１〜１８の直鎖又は分枝鎖アルキルチオ基（メチルチオ、エチルチオ、プロピルチオ、イソプロピルチオ、ブチルチオ、イソブチルチオ、ｓｅｃ−ブチルチオ、ｔｅｒｔ−ブチルチオ、ペンチルチオ、イソペンチルチオ、ネオペンチルチオ、ｔｅｒｔ−ペンチルチオ、オクチルチオ、デシルチオ、ドデシルチオ及びイソオクタデシルチオ等）等が挙げられる。
【００２７】
アリール基としては、炭素数６〜１０のアリール基（フェニル、トリル、ジメチルフェニル及びナフチル等）等が挙げられる。
【００２８】
複素環式炭化水素基としては、炭素数４〜２０の複素環式炭化水素基（チエニル、フラニル、ピラニル、ピロリル、オキサゾリル、チアゾリル、ピリジル、ピリミジル、ピラジニル、インドリル、ベンゾフラニル、ベンゾチエニル、キノリル、イソキノリル、キノキサリニル、キナゾリニル、カルバゾリル、アクリジニル、フェノチアジニル、フェナジニル、キサンテニル、チアントレニル、フェノキサジニル、フェノキサチイニル、クロマニル、イソクロマニル、ジベンゾチエニル、キサントニル、チオキサントニル及びジベンゾフラニル等）等が挙げられる。
【００２９】
アリールオキシ基としては、炭素数６〜１０のアリールオキシ基（フェノキシ及びナフチルオキシ等）等が挙げられる。
【００３０】
アルキルスルフィニル基としては、炭素数１〜１８の直鎖又は分枝鎖スルフィニル基（メチルスルフィニル、エチルスルフィニル、プロピルスルフィニル、イソプロピルスルフィニル、ブチルスルフィニル、イソブチルスルフィニル、ｓｅｃ−ブチルスルフィニル、ｔｅｒｔ−ブチルスルフィニル、ペンチルスルフィニル、イソペンチルスルフィニル、ネオペンチルスルフィニル、ｔｅｒｔ−ペンチルスルフィニル、オクチルスルフィニル及びイソオクタデシルスルフィニル等）等が挙げられる。
【００３１】
アリールスルフィニル基としては、炭素数６〜１０のアリールスルフィニル基（フェニルスルフィニル、トリルスルフィニル及びナフチルスルフィニル等）等が挙げられる。
【００３２】
アルキルスルホニル基としては、炭素数１〜１８の直鎖又は分枝鎖アルキルスルホニル基（メチルスルホニル、エチルスルホニル、プロピルスルホニル、イソプロピルスルホニル、ブチルスルホニル、イソブチルスルホニル、ｓｅｃ−ブチルスルホニル、ｔｅｒｔ−ブチルスルホニル、ペンチルスルホニル、イソペンチルスルホニル、ネオペンチルスルホニル、ｔｅｒｔ−ペンチルスルホニル、オクチルスルホニル及びオクタデシルスルホニル等）等が挙げられる。
【００３３】
アリールスルホニル基としては、炭素数６〜１０のアリールスルホニル基｛フェニルスルホニル、トリルスルホニル（トシル基）及びナフチルスルホニル等｝等が挙げられる。
【００３４】
ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子等が挙げられる。
【００３５】
これらの置換基（Ｔ）うち、合成の容易さ、吸収波長領域、及び耐熱安定性の観点から、ヒドロキシ基、アルキル基、アルコキシ基、アリールカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アリールチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールスルフィニル基、アリールスルホニル基、フッ素原子及び塩素原子が好ましく、ヒドロキシ基、アルコキシ基、アリールチオ基、フッ素及び塩素原子が特に好ましい。
【００３６】
Ｒ１のうち、好ましくは、フェニル基、ナフチル基、アントラセニル基、ビフェニル基、フェナントリル基、ピレニル基、フリル基、チエニル基、ピラニル基、ピリジル基、チアゾール基、クマリニル基、カルバゾール基、及びチオキサントニル基であり、更に好ましくはフェニル基、ナフチル基、アントラセニル基、クマリニル基、及びチオキサントニル基である。
【００３７】
式（１）においてＲ２は、水素原子、炭素数１〜１８のアルキル基、炭素数２〜１８のアルケニル基、炭素数２〜１８のアルキニル基、炭素数６〜１８のアリール基である。
【００３８】
前記Ｒ２の炭素数１〜１８のアルキル基としては、炭素数１〜１８の直鎖アルキル基（メチル、エチル、ｎ−プロピル、ｎ−ブチル、ｎ−ペンチル、ｎ−オクチル、ｎ−デシル、ｎ−ドデシル、ｎ−テトラデシル、ｎ−ヘキサデシル及びｎ−オクタデシル等）、炭素数１〜１８の分枝鎖アルキル基（イソプロピル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、イソペンチル、ネオペンチル、ｔｅｒｔ−ペンチル、イソヘキシル及びイソオクタデシル）、及び炭素数３〜１８のシクロアルキル基（シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル及び４−デシルシクロヘキシル等）、炭素数１〜３の直鎖または分岐のフルオロアルキル基（トリフルオロメチル、ペンタフルオロエチル、ヘプタフルオロブチル基等）等が挙げられる。
【００３９】
前記Ｒ２の炭素数２〜１８のアルケニル基としては、ビニル、アリル、１−プロペニル、イソプロペニル、１−ブテニル、２−ブテニル、３−ブテニル、1−メチル−1−プロペニル、１−メチル−２−プロペニル、２−メチル−1−プロペニル、２−メチル−２−プロペニル、１−ペンテニル、２−ペンテニル、３−ペンテニル、４−ペンテニル、１−メチル−１−ブテニル、２−メチル−２−ブテニル、３−メチル−２−ブテニル、１，２−ジメチル−１−プロペニル、１−デセニル、２−デセニル、８−デセニル、１−ドデセニル、２−ドデセニル、１０−ドデセニルなどの直鎖または分岐状のものが挙げられる。
前記Ｒ２の炭素数２〜１８のアルキニル基としては、炭素数２〜１８のアルキニル基としては、エチニル、１−プロピニル、２−プロピニル、１−ブチニル、２−ブチニル、３−ブチニル、１−メチル−２−プロピニル、１−ぺンチニル、２−ペンチニル、３−ペンチニル、４−ペンチニル、１−メチル−２−ブチニル、１，２−ジメチル−２−プロピニル、１−デシニル、２−デシニル、８−デシニル、１−ドデシニル、２−ドデシニル、１０−ドデシニルなどの直鎖または分岐状のものが挙げられる。
【００４０】
前記Ｒ２の炭素数６〜１８のアリール基としては、フェニル、トリル、ジメチルフェニル、ナフチル、アントラセニル、ビフェニル及びペンタフルオロフェニル等が挙げられる。
【００４１】
Ｒ２のうち、好ましくは水素原子または炭素数１〜１８のアルキル基であり、特に好ましくは、水素原子、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基またはｔ−ブチル基である。
【００４２】
紫外線照射によりスルホン酸エステル部分を分解させるための必須官能基であるＲ３は、置換基を有しても良い炭素数１〜１８の炭化水素基（水素の一部又は全部がフッ素で置換されていてよい）である。置換基としては、置換基（Ｔ）として例示したものが使用できる。炭素数１〜１８の炭化水素基としては、アルキル基、アリール基及び複素環式炭化水素基が挙げられる。
【００４３】
アルキル基としては、炭素数１〜１８の直鎖アルキル基（メチル、エチル、ｎ−プロピル、ｎ−ブチル、ｎ−ペンチル、ｎ−オクチル、ｎ−デシル、ｎ−ドデシル、ｎ−テトラデシル、ｎ−ヘキサデシル及びｎ−オクタデシル等）、炭素数１〜１８の分枝鎖アルキル基（イソプロピル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、イソペンチル、ネオペンチル、ｔｅｒｔ−ペンチル、イソヘキシル及びイソオクタデシル）、及び炭素数３〜１８のシクロアルキル基（シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル及び４−デシルシクロヘキシル、１０−カンファーイル等）等が挙げられる。
【００４４】
アリール基としては、炭素数６〜１０のアリール基（フェニル、トリル、ジメチルフェニル、ナフチル及びペンタフルオロフェニル等）等が挙げられる。
【００４５】
複素環式炭化水素基としては、炭素数４〜２０の複素環式炭化水素基（チエニル、フラニル、ピラニル、ピロリル、オキサゾリル、チアゾリル、ピリジル、ピリミジル、ピラジニル、インドリル、ベンゾフラニル、ベンゾチエニル、キノリル、イソキノリル、キノキサリニル、キナゾリニル、カルバゾリル、アクリジニル、フェノチアジニル、フェナジニル、キサンテニル、チアントレニル、フェノキサジニル、フェノキサチイニル、クロマニル、イソクロマニル、ジベンゾチエニル、キサントニル、チオキサントニル及びジベンゾフラニル等）等が挙げられる。
【００４６】
置換基を有しても良い炭素数１〜１８の炭化水素基の水素の一部又は全部がフッ素で置換された基としては、ＣｘＦｙで表される水素原子がフッ素原子で置換された直鎖アルキル基（ＲＦ１）、分岐鎖アルキル基（ＲＦ２）、シクロアルキル基（ＲＦ３）、及びアリール基（ＲＦ４）が挙げられる。
【００４７】
水素原子がフッ素原子で置換された直鎖アルキル基（ＲＦ１）としては、例えば、トリフルオロメチル基（ｘ＝１，ｙ＝３）、ペンタフルオロエチル基（ｘ＝２，ｙ＝５）、ノナフルオロブチル基（ｘ＝４，ｙ＝９）、パーフルオロヘキシル基（ｘ＝６，ｙ＝１３）、及びパーフルオロオクチル基（ｘ＝８，ｙ＝１７）等が挙げられる。
【００４８】
水素原子がフッ素原子で置換された分岐鎖アルキル基（ＲＦ２）としては、例えば、パーフルオロイソプロピル基（ｘ＝３，ｙ＝７）、パーフルオロ−ｔｅｒｔ−ブチル基（ｘ＝４，ｙ＝９）、及びパーフルオロ−２−エチルヘキシル基（ｘ＝８，ｙ＝１７）等が挙げられる。
【００４９】
水素原子がフッ素原子で置換されたシクロアルキル基（ＲＦ３）としては、例えば、パーフルオロシクロブチル基（ｘ＝４，ｙ＝７）、パーフルオロシクロペンチル基（ｘ＝５，ｙ＝９）、パーフルオロシクロヘキシル基（ｘ＝６，ｙ＝１１）、及びパーフルオロ（１−シクロヘキシル）メチル基（ｘ＝７，ｙ＝１３）等が挙げられる。
【００５０】
水素原子がフッ素原子で置換されたアリール基（ＲＦ４）としては、例えば、ペンタフルオロフェニル基（ｘ＝６，ｙ＝５）、及び３−トリフルオロメチルテトラフルオロフェニル基（ｘ＝７，ｙ＝７）等が挙げられる。
【００５１】
Ｒ３のうち、好ましくは炭素数１〜１８の直鎖アルキル基、炭素数１〜１８の分枝鎖アルキル基、炭素数３〜１８のシクロアルキル基、炭素数６〜１０のアリール基または炭素数４〜２０の複素環式炭化水素基であり、特に好ましくはメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−デシル基、ｎ−ドデシル基、イソプロピル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、イソヘキシル基、イソオクタデシル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、４−デシルシクロヘキシル、１０−カンファーイル及び１０−カンファーイルである。
【００５２】
一般式（１）で表されるスルホネート化合物の好ましい具体例として、合成の容易さ、吸収波長領域の調整、及び耐熱安定性の観点から下記が挙げられる。なお、化合物の構造式中、Ｎ−、Ｏ−、−はＮ−ＣＨ３、Ｏ−ＣＨ３、−ＣＨ３を表す。以下においても同様。
【００５３】
【化２】
0006622210.tif 000003
【００５４】
【化３】
0006622210.tif 000004
【００５５】
【化４】
0006622210.tif 000005
【００５６】
【化５】
0006622210.tif 000006
【００５７】
【化６】
0006622210.tif 000007
【００５８】
【化７】
0006622210.tif 000008
【００５９】
【化８】
0006622210.tif 000009
【００６０】
本発明のスルホネート化合物の合成方法は目的物を合成できれば特に限定はされないが、例えば、前駆体となるＮ−ヒドロキシイミド化合物（Ｐ１）と（Ｒ３−ＳＯ２）２Ｏで示されるスルホン酸無水物との反応、又はＮ−ヒドロキシイミド化合物（Ｐ１）の塩とＲ３−ＳＯ２Ｃｌ示されるスルホン酸クロライドとの反応によって合成できる。
【００６１】
本発明の非イオン系酸発生剤（Ａ）は、レジスト材料への溶解を容易にするため、あらかじめ反応を阻害しない溶剤に溶かしておいてもよい。
【００６２】
溶剤としては、カーボネート（プロピレンカーボネート、エチレンカーボネート、１，２−ブチレンカーボネート、ジメチルカーボネート及びジエチルカーボネート等）；エステル(酢酸エチル、乳酸エチル、β−プロピオラクトン、β―ブチロラクトン、γ−ブチロラクトン、δ−バレロラクトン及びε−カプロラクトン等)；エーテル（エチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジプロピレングリコールジメチルエーテル、トリエチレングリコールジエチルエーテル、トリプロピレングリコールジブチルエーテル等）；及びエーテルエステル（エチレングリコールモノメチルエーテル酢酸エステル、プロピレングリコールモノエチルエーテル酢酸エステル及びジエチレングリコールモノブチルエーテル酢酸エステル等）等が挙げられる。
【００６３】
溶剤を使用する場合、溶剤の使用割合は、本発明の光酸発生剤１００重量部に対して、１５〜１０００重量部が好ましく、さらに好ましくは３０〜５００重量部である。
【００６４】
本発明のフォトリソグラフィー用樹脂組成物（Ｑ）は、非イオン系光酸発生剤（Ａ）を必須成分として含むため、紫外線照射及び露光後加熱（ＰＥＢ）を行うことで、露光部と未露光部の現像液に対する溶解性に差がつく。非イオン系光酸発生剤（Ａ）は１種単独、又は２種以上を組み合わせて使用することができる。
フォトリソグラフィー用樹脂組成物（Ｑ）としては、ネガ型化学増幅樹脂（ＱＮ）と非イオン系光酸発生剤（Ａ）との混合物；及びポジ型化学増幅樹脂（ＱＰ）と非イオン系光酸発生剤（Ａ）との混合物が挙げられる。
【００６５】
ネガ型化学増幅樹脂（ＱＮ）としては、フェノール性水酸基含有樹脂（ＱＮ１）と架橋剤（ＱＮ２）から構成される。
【００６６】
フェノール性水酸基含有樹脂（ＱＮ１）としてはフェノール性水酸基を含有している樹脂であれば特に制限はなく、例えば、ノボラック樹脂、ポリヒドロキシスチレン、ヒドロキシスチレンの共重合体、ヒドロキシスチレンとスチレンの共重合体、ヒドロキシスチレン、スチレン及び（メタ）アクリル酸誘導体の共重合体、フェノール−キシリレングリコール縮合樹脂、クレゾール−キシリレングリコール縮合樹脂、フェノール性水酸基を含有するポリイミド、フェノール性水酸基を含有するポリアミック酸、フェノール−ジシクロペンタジエン縮合樹脂等が用いられる。これらのなかでも、ノボラック樹脂、ポリヒドロキシスチレン、ポリヒドロキシスチレンの共重合体、ヒドロキシスチレンとスチレンの共重合体、ヒドロキシスチレン、スチレン及び（メタ）アクリル酸誘導体の共重合体、フェノール−キシリレングリコール縮合樹脂が好ましい。尚、これらのフェノール性水酸基含有樹脂（ＱＮ１）は、１種単独で用いてもよいし、２種以上を混合して用いてもよい。
【００６７】
上記ノボラック樹脂は、例えば、フェノール類とアルデヒド類とを触媒の存在下で縮合させることにより得ることができる。
上記フェノール類としては、例えば、フェノール、ｏ−クレゾール、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾール、ｏ−エチルフェノール、ｍ−エチルフェノール、ｐ−エチルフェノール、ｏ−ブチルフェノール、ｍ−ブチルフェノール、ｐ−ブチルフェノール、２，３−キシレノール、２，４−キシレノール、２，５−キシレノール、２，６−キシレノール、３，４−キシレノール、３，５−キシレノール、２，３，５−トリメチルフェノール、３，４，５−トリメチルフェノール、カテコール、レゾルシノール、ピロガロール、α−ナフトール、β−ナフトール等が挙げられる。
また、上記アルデヒド類としてはホルムアルデヒド、パラホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、ベンズアルデヒド等が挙げられる。
【００６８】
具体的なノボラック樹脂としては、例えば、フェノール／ホルムアルデヒド縮合ノボラック樹脂、クレゾール／ホルムアルデヒド縮合ノボラック樹脂、フェノール−ナフトール／ホルムアルデヒド縮合ノボラック樹脂等が挙げられる。
【００６９】
また、上記フェノール性水酸基含有樹脂（ＱＮ１）には、成分の一部としてフェノール性低分子化合物が含有されていてもよい。
上記フェノール性低分子化合物としては、例えば、４，４’−ジヒドロキシジフェニルメタン、４，４’−ジヒドロキシジフェニルエーテル、トリス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１−フェニルエタン、トリス（４−ヒドロキシフェニル）エタン、１，３−ビス［１−（４−ヒドロキシフェニル）−１−メチルエチル］ベンゼン、１，４−ビス［１−（４−ヒドロキシフェニル）−１−メチルエチル］ベンゼン、４，６−ビス［１−（４−ヒドロキシフェニル）−１−メチルエチル］−１，３−ジヒドロキシベンゼン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１−［４−〔１−（４−ヒドロキシフェニル）−１−メチルエチル〕フェニル］エタン、１，１，２，２−テトラ（４−ヒドロキシフェニル）エタン、４，４’−｛１−［４−〔１−（４−ヒドロキシフェニル）−１−メチルエチル〕フェニル］エチリデン｝ビスフェノール等が挙げられる。これらのフェノール性低分子化合物は、１種単独で用いてもよいし、２種以上を混合して用いてもよい。
【００７０】
このフェノール性低分子化合物のフェノール性水酸基含有樹脂（ＱＮ１）中における含有割合は、フェノール性水酸基含有樹脂（ＱＮ１）を１００重量％とした場合、４０重量％以下であることが好ましく、より好ましくは１〜３０重量％である。
【００７１】
フェノール性水酸基含有樹脂（ＱＮ１）の重量平均分子量は、得られる絶縁膜の解像性、熱衝撃性、耐熱性、残膜率等の観点から、２０００以上であることが好ましく、より好ましくは２０００〜２００００程度である。
また、ネガ型化学増幅樹脂（ＱＮ）中におけるフェノール性水酸基含有樹脂（ＱＮ１）の含有割合は、溶剤を除いた組成物の全体を１００重量％とした場合に、３０〜９０重量％であることが好ましく、より好ましくは４０〜８０重量％である。このフェノール性水酸基含有樹脂（ＱＮ１）の含有割合が３０〜９０重量％である場合には、感光性絶縁樹脂組成物を用いて形成された膜がアルカリ水溶液による十分な現像性を有しているため好ましい。
【００７２】
架橋剤（ＱＮ２）としては、非イオン系光酸発生剤（Ａ）から発生した強酸によりフェノール性水酸基含有樹脂（ＱＮ１）を架橋し得る化合物であれば特に限定されない。
【００７３】
架橋剤（ＱＮ２）としては、例えば、ビスフェノールＡ系エポキシ化合物、ビスフェノールＦ系エポキシ化合物、ビスフェノールＳ系エポキシ化合物、ノボラック樹脂系エポキシ化合物、レゾール樹脂系エポキシ化合物、ポリ（ヒドロキシスチレン）系エポキシ化合物、オキセタン化合物、メチロール基含有メラミン化合物、メチロール基含有ベンゾグアナミン化合物、メチロール基含有尿素化合物、メチロール基含有フェノール化合物、アルコキシアルキル基含有メラミン化合物、アルコキシアルキル基含有ベンゾグアナミン化合物、アルコキシアルキル基含有尿素化合物、アルコキシアルキル基含有フェノール化合物、カルボキシメチル基含有メラミン樹脂、カルボキシメチル基含有ベンゾグアナミン樹脂、カルボキシメチル基含有尿素樹脂、カルボキシメチル基含有フェノール樹脂、カルボキシメチル基含有メラミン化合物、カルボキシメチル基含有ベンゾグアナミン化合物、カルボキシメチル基含有尿素化合物及びカルボキシメチル基含有フェノール化合物等を挙げることができる。
【００７４】
これら架橋剤（ＱＮ２）のうち、メチロール基含有フェノール化合物、メトキシメチル基含有メラミン化合物、メトキシメチル基含有フェノール化合物、メトキシメチル基含有グリコールウリル化合物、メトキシメチル基含有ウレア化合物及びアセトキシメチル基含有フェノール化合物が好ましく、さらに好ましくはメトキシメチル基含有メラミン化合物（例えばヘキサメトキシメチルメラミン等）、メトキシメチル基含有グリコールウリル化合物及びメトキシメチル基含有ウレア化合物等である。メトキシメチル基含有メラミン化合物は、ＣＹＭＥＬ３００、ＣＹＭＥＬ３０１、ＣＹＭＥＬ３０３、ＣＹＭＥＬ３０５（三井サイアナミッド（株）製）等の商品名で、メトキシメチル基含有グリコールウリル化合物はＣＹＭＥＬ１１７４（三井サイアナミッド（株）製）等の商品名で、またメトキシメチル基含有ウレア化合物は、ＭＸ２９０（三和ケミカル（株）製）等の商品名で市販されている。
【００７５】
架橋剤（ＱＮ２）の含有量は、残膜率の低下、パターンの蛇行や膨潤及び現像性の観点から、フェノール性水酸基含有樹脂（ＱＮ１）中の全酸性官能基に対して、通常、５〜６０モル％、好ましくは１０〜５０モル％、さらに好ましくは１５〜４０モル％である。
【００７６】
ポジ型化学増幅樹脂（ＱＰ）としては、フェノール性水酸基、カルボキシル基、又はスルホニル基等の１種以上の酸性官能基を含有するアルカリ可溶性樹脂（ＱＰ１）中の酸性官能基の水素原子の一部あるいは全部を、酸解離性基で置換した保護基導入樹脂（ＱＰ２）が挙げられる。
なお、酸解離性基は非イオン系光酸発生剤（Ａ）から発生した強酸の存在下で解離することができる基である。
保護基導入樹脂（ＱＰ２）は、それ自体としてはアルカリ不溶性又はアルカリ難溶性である。
【００７７】
アルカリ可溶性樹脂（ＱＰ１）としては、例えば、フェノール性水酸基含有樹脂（ＱＰ１１）、カルボキシル基含有樹脂（ＱＰ１２）、及びスルホン酸基含有樹脂（ＱＰ１３）等が挙げられる。
フェノール性水酸基含有樹脂（ＱＰ１１）としては、上記フェノール性水酸基含有樹脂（ＱＮ１）と同じものが使用できる。
【００７８】
カルボキシル基含有樹脂（ＱＰ１２）としては、カルボキシル基を有するポリマーでああれば特に制限はなく、例えば、カルボキシル基含有ビニルモノマー（Ｂａ）と、必要により疎水基含有ビニルモノマー（Ｂｂ）とをビニル重合することで得られる。
【００７９】
カルボキシル基含有ビニルモノマー（Ｂａ）としては、例えば、不飽和モノカルボン酸［（メタ）アクリル酸、クロトン酸および桂皮酸など］、不飽和多価（２〜４価）カルボン酸［（無水）マレイン酸、イタコン酸、フマル酸およびシトラコン酸など］、不飽和多価カルボン酸アルキル（炭素数１〜１０のアルキル基）エステル［マレイン酸モノアルキルエステル、フマル酸モノアルキルエステルおよびシトラコン酸モノアルキルエステルなど］、並びにこれらの塩［アルカリ金属塩（ナトリウム塩およびカリウム塩等）、アルカリ土類金属塩（カルシウム塩およびマグネシウム塩等）、アミン塩およびアンモニウム塩等］が挙げられる。
これらのうち好ましいのは重合性、及び入手のしやすさの観点から不飽和モノカルボン酸、さらに好ましいのは（メタ）アクリル酸である。
【００８０】
疎水基含有ビニルモノマー（Ｂｂ）としては、（メタ）アクリル酸エステル（Ｂｂ１）、及び芳香族炭化水素モノマー（Ｂｂ２）等が挙げられる。
【００８１】
（メタ）アクリル酸エステル（Ｂｂ１）としては、例えば、アルキル基の炭素数１〜２０のアルキル（メタ）アクリレート［例えばメチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、ｎ−プロピル（メタ）アクリレート、イソプロピル（メタ）アクリレート、ｎ−ブチル（メタ）アクリレート、ｎ−ヘキシル（メタ）アクリレートおよび２−エチルヘキシル（メタ）アクリレートなど］および脂環基含有（メタ）アクリレート［ジシクロペンタニル（メタ）アクリレート、シジクロペンテニル（メタ）アクリレートおよびイソボルニル（メタ）アクリレートなど］などが挙げられる。
【００８２】
芳香族炭化水素モノマー（Ｂｂ２）としては、例えば、スチレン骨格を有する炭化水素モノマー［例えばスチレン、α−メチルスチレン、ビニルトルエン、２，４−ジメチルスチレン、エチルスチレン、イソプロピルスチレン、ブチルスチレン、フェニルスチレン、シクロヘキシルスチレンおよびベンジルスチレン］およびビニルナフタレンなどが挙げられる。
【００８３】
カルボキシル基含有樹脂（ＱＰ１２）における、（Ｂａ）／（Ｂｂ）の仕込みモノマーモル比は、通常１０〜１００／０〜９０、現像性の観点から、好ましくは１０〜８０／２０〜９０、さらに好ましくは２５〜８５／１５〜７５である。
【００８４】
スルホン酸基含有樹脂（ＱＰ１３）としては、スルホン酸基を有するポリマーであれば特に制限はなく、例えば、スルホン酸基含有ビニルモノマー（Ｂｃ）と、必要により疎水基含有ビニルモノマー（Ｂｂ）とをビニル重合することで得られる。
疎水基含有ビニルモノマー（Ｂｂ）としては、上記と同じものが使用できる。
【００８５】
スルホン酸基含有ビニルモノマー（Ｂｃ）としては、例えば、ビニルスルホン酸、（メタ）アリルスルホン酸、スチレンスルホン酸、α−メチルスチレンスルホン酸、２−（メタ）アクリロイルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸およびこれらの塩が挙げられる。塩としてはアルカリ金属（ナトリウムおよびカリウム等）塩、アルカリ土類金属（カルシウムおよびマグネシウム等）塩、第１〜３級アミン塩、アンモニウム塩および第４級アンモニウム塩などが挙げられる。
【００８６】
スルホン酸基含有樹脂（ＱＰ１３）における、（Ｂｃ）／（Ｂｂ）の仕込みモノマーモル比は、通常１０〜１００／０〜９０、現像性の観点から、好ましくは１０〜８０／２０〜９０、さらに好ましくは２５〜８５／１５〜７５である。
【００８７】
アルカリ可溶性樹脂（ＱＰ１）のＨＬＢ値は、アルカリ可溶性樹脂（ＱＰ１）の樹脂骨格によって好ましい範囲が異なるが、好ましくは４〜１９、さらに好ましくは５〜１８、特に好ましくは６〜１７である。
ＨＬＢ値が４以上であれば現像を行う際に、現像性がさらに良好であり、１９以下であれば硬化物の耐水性がさらに良好である。
【００８８】
なお、本発明におけるＨＬＢは、小田法によるＨＬＢ値であり、親水性−疎水性バランス値のことであり、有機化合物の有機性の値と無機性の値との比率から計算することができる。
ＨＬＢ≒１０×無機性／有機性
また、無機性の値及び有機性の値は、文献「界面活性剤の合成とその応用」（槇書店発行、小田、寺村著）の５０１頁；または、「新・界面活性剤入門」（藤本武彦著、三洋化成工業株式会社発行）の１９８頁に詳しく記載されている。
【００８９】
保護基導入樹脂（ＱＰ２）中の酸解離性基としては、例えば、置換メチル基、１−置換エチル基、１−分岐アルキル基、シリル基、ゲルミル基、アルコキシカルボニル基、アシル基及び環式酸解離性基等を挙げることができる。これらは１種単独で用いても良いし、２種以上を組み合わせて使用しても良い。
【００９０】
１−置換メチル基としては、例えば、メトキシメチル基、メチルチオメチル基、エトキシメチル基、エチルチオメチル基、メトキシエトキシメチル基、ベンジルオキシメチル基、ベンジルチオメチル基、フェナシル基、ブロモフェナシル基、メトキシフェナシル基、メチルチオフェナシル基、α−メチルフェナシル基、シクロプロピルメチル基、ベンジル基、ジフェニルメチル基、トリフェニルメチル基、ブロモベンジル基、ニトロベンジル基、メトキシベンジル基、メチルチオベンジル基、エトキシベンジル基、エチルチオベンジル基、ピペロニル基、メトキシカルボニルメチル基、エトキシカルボニルメチル基、ｎ−プロポキシカルボニルメチル基、ｉ−プロポキシカルボニルメチル基、ｎ−ブトキシカルボニルメチル基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルメチル基等を挙げることができる。
【００９１】
１−置換エチル基としては、例えば、１−メトキシエチル基、１−メチルチオエチル基、１，１−ジメトキシエチル基、１−エトキシエチル基、１−エチルチオエチル基、１，１−ジエトキシエチル基、１−エトキシプロピル基、１−プロポキシエチル基、１−シクロヘキシルオキシエチル基、１−フェノキシエチル基、１−フェニルチオエチル基、１，１−ジフェノキシエチル基、１−ベンジルオキシエチル基、１−ベンジルチオエチル基、１−シクロプロピルエチル基、１−フェニルエチル基、１，１−ジフェニルエチル基、１−メトキシカルボニルエチル基、１−エトキシカルボニルエチル基、１−ｎ−プロポキシカルボニルエチル基、１−イソプロポキシカルボニルエチル基、１−ｎ−ブトキシカルボニルエチル基、１−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルエチル基等を挙げることができる。
【００９２】
１−分岐アルキル基としては、例えば、ｉ−プロピル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、１，１−ジメチルプロピル基、１−メチルブチル基、１，１−ジメチルブチル基等を挙げることができる。
【００９３】
シリル基としては、例えば、トリメチルシリル基、エチルジメチルシリル基、メチルジエチルシリル基、トリエチルシリル基、ｉ−プロピルジメチルシリル基、メチルジ−ｉ−プロピルシリル基、トリ−ｉ−プロピルシリル基、ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル基、メチルジ−ｔｅｒｔ−ブチルシリル基、トリ−ｔｅｒｔ−ブチルシリル基、フェニルジメチルシリル基、メチルジフェニルシリル基、トリフェニルシリル基等のトリカルビルシリル基を挙げることができる。
【００９４】
ゲルミル基としては、例えば、トリメチルゲルミル基、エチルジメチルゲルミル基、メチルジエチルゲルミル基、トリエチルゲルミル基、イソプロピルジメチルゲルミル基、メチルジ−ｉ−プロピルゲルミル基、トリ−ｉ−プロピルゲルミル基、ｔｅｒｔ−ブチルジメチルゲルミル基、メチルジ−ｔｅｒｔ−ブチルゲルミル基、トリ−ｔｅｒｔ−ブチルゲルミル基、フェニルジメチルゲルミル基、メチルジフェニルゲルミル基、トリフェニルゲルミル基等のトリカルビルゲルミル基を挙げることができる。
【００９５】
アルコキシカルボニル基としては、例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ｉ−プロポキシカルボニル基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基等を挙げることができる。
【００９６】
アシル基としては、例えば、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、ヘプタノイル基、ヘキサノイル基、バレリル基、ピバロイル基、イソバレリル基、ラウロイル基、ミリストイル基、パルミトイル基、ステアロイル基、オキサリル基、マロニル基、スクシニル基、グルタリル基、アジポイル基、ピペロイル基、スベロイル基、アゼラオイル基、セバコイル基、アクリロイル基、プロピオロイル基、メタクリロイル基、クロトノイル基、オレオイル基、マレオイル基、フマロイル基、メサコノイル基、カンホロイル基、ベンゾイル基、フタロイル基、イソフタロイル基、テレフタロイル基、ナフトイル基、トルオイル基、ヒドロアトロポイル基、アトロポイル基、シンナモイル基、フロイル基、テノイル基、ニコチノイル基、イソニコチノイル基、ｐ−トルエンスルホニル基、メシル基等を挙げることができる。
【００９７】
環式酸解離性基としては、例えば、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘキセニル基、４−メトキシシクロヘキシル基、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロフラニル基、テトラヒドロチオピラニル基、テトラヒドロチオフラニル基、３−ブロモテトラヒドロピラニル基、４−メトキシテトラヒドロピラニル基、４−メトキシテトラヒドロチオピラニル基、３−テトラヒドロチオフェン−１，１−ジオキシド基等を挙げることができる。
【００９８】
これらの酸解離性基のうち、ｔｅｒｔ−ブチル基、ベンジル基、１−メトキシエチル基、１−エトキシエチル基、トリメチルシリル基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルメチル基、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロフラニル基、テトラヒドロチオピラニル基及びテトラヒドロチオフラニル基等が好ましい。
【００９９】
保護基導入樹脂（ＱＰ２）における酸解離性基の導入率｛保護基導入樹脂（ＱＰ２）中の保護されていない酸性官能基と酸解離性基との合計数に対する酸解離性基の数の割合｝は、酸解離性基や該基が導入されるアルカリ可溶性樹脂の種類により一概には規定できないが、好ましくは１０〜１００％、さらに好ましくは１５〜１００％である。
【０１００】
保護基導入樹脂（ＱＰ２）のゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）で測定したポリスチレン換算重量平均分子量（以下、「Ｍｗ」という。）は、好ましくは１，０００〜１５０，０００、さらに好ましくは３，０００〜１００，０００である。
【０１０１】
また、保護基導入樹脂（ＱＰ２）のＭｗとゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）で測定したポリスチレン換算数平均分子量（以下、「Ｍｎ」という。）との比（Ｍｗ／Ｍｎ）は、通常、１〜１０、好ましくは１〜５である。
【０１０２】
フォトリソグラフィー用樹脂組成物（Ｑ）の固形分の重量に基づく非イオン系光酸発生剤（Ａ）の含有量は、０．００１〜２０重量％が好ましく、さらに好ましくは０．０１〜１５重量％、特に好ましくは０．０５〜７重量％である。
０．００１重量％以上であれば紫外線に対する感度がさらに良好に発揮でき、２０重量％以下であればアルカリ現像液に対し不溶部分の物性がさらに良好に発揮できる。
【０１０３】
本発明のフォトリソグラフィー用樹脂組成物（Ｑ）を用いたレジストは、例えば、所定の有機溶剤に溶解（無機微粒子を含んだ場合は溶解と分散）した樹脂溶液を、スピンコート、カーテンコート、ロールコート、スプレーコート、スクリーン印刷等公知の方法を用いて基板に塗布後、加熱又は熱風吹き付けにより溶剤を乾燥させることで形成することができる。
【０１０４】
フォトリソグラフィー用樹脂組成物（Ｑ）を溶解させる有機溶剤としては、樹脂組成物を溶解させることができ、樹脂溶液をスピンコート等に適用できる物性（粘度等）に調整できるものであれば特に限定されない。例えば、Ｎ−メチルピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、トルエン、エタノール、シクロヘキサノン、メタノール、メチルエチルケトン、酢酸エチル、酢酸ブチル、乳酸エチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、アセトン及びキシレン等の公知の溶媒が使用できる。
これらの溶媒のうち、乾燥温度等の観点から、沸点が２００℃以下のもの（トルエン、エタノール、シクロヘキサノン、メタノール、メチルエチルケトン、酢酸エチル、酢酸ブチル、乳酸エチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、アセトン及びキシレン）が好ましく、単独又は２種類以上組み合わせで使用することもできる。
有機溶剤を使用する場合、溶剤の配合量は、特に限定されないが、フォトリソグラフィー用樹脂組成物（Ｑ）の固形分の重量に基づいて、通常３０〜１，０００重量％が好ましく、さらに好ましくは４０〜９００重量％、特に好ましくは５０〜８００重量％である。
【０１０５】
塗布後の樹脂溶液の乾燥条件は、使用する溶剤により異なるが好ましくは５０〜２００℃で２〜３０分の範囲で実施され、乾燥後のフォトリソグラフィー用樹脂組成物（Ｑ）の残留溶剤量（重量％）等で適宜決定する。
【０１０６】
基板にレジストを形成した後、配線パターン形状の光照射を行う。その後、露光後加熱（ＰＥＢ）を行った後に、アルカリ現像を行い、配線パターンを形成する。
【０１０７】
光照射する方法としては、配線パターンを有するフォトマスクを介して活性光線により、レジストの露光を行う方法が挙げられる。光照射に用いる活性光線としては、本発明のフォトリソグラフィー用樹脂組成物（Ｑ）中の非イオン系光酸発生剤（Ａ）を分解させることができれば特に制限はない。
活性光線としては、低圧水銀灯、中圧水銀灯、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、キセノンランプ、メタルハロゲンランプ、電子線照射装置、Ｘ線照射装置、レーザー（アルゴンレーザー、色素レーザー、窒素レーザー、ＬＥＤ、ヘリウムカドミウムレーザー等）等がある。これらのうち、好ましくは高圧水銀灯及び超高圧水銀灯である。
【０１０８】
露光後加熱（ＰＥＢ）の温度としては、通常４０〜２００℃であって、好ましくは５００〜１９０℃、さらに好ましくは６０〜１８０℃である。４０℃未満では脱保護反応、又は架橋反応が十分にできないため、紫外線照射部と紫外線未照射部の溶解性に差が不足しパターンが形成できず、２００℃より高いと生産性が低下する問題がある。
加熱時間としては、通常０．５〜１２０分であって、好ましくは１〜９０分、さらに好ましくは２〜９０分である。０．５分未満では時間と温度の制御が困難で、１２０分より大きいと生産性が低下する問題がある。
【０１０９】
アルカリ現像する方法としては、アルカリ現像液を用いて配線パターン形状に溶解除去する方法が挙げられる。アルカリ現像液としては、フォトリソグラフィー用樹脂組成物（Ｑ）の紫外線照射部と紫外線未照射部の溶解性に差ができる条件であれば特に制限はない。
アルカリ現像液としては水酸化ナトリウム水溶液、水酸化カリウム水溶液、炭酸水素ナトリウム及びテトラメチルアンモニウム塩水溶液等がある。
これらアルカリ現像液は水溶性の有機溶剤を加えても良い。水溶性の有機溶剤としては、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、テトラヒドロフラン、Ｎ−メチルピロリドン等がある。
【０１１０】
現像方法としては、アルカリ現像液を用いたディップ方式、シャワー方式、及びスプレー方式があるが、スプレー方式の方が好ましい。
現像液の温度は、好ましくは２５〜４０℃で使用される。現像時間は、レジストの厚さに応じて適宜決定される。
【実施例】
【０１１１】
以下、実施例及び比較例により本発明をさらに説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。以下、特に定めない限り、％は重量％、部は重量部を示す。（なお、実施例１、６は参考例である。）
【０１１２】
実施例１
＜非イオン系光酸発生剤（Ａ−１）の合成＞ 【０１１３】
【化９】
0006622210.tif 000010
【０１１４】
Ｎ−メチルヒドロキシルアンモニウム塩酸塩８．３ｇ（０．１００ｍｏｌ）をメタノール（５０ｍＬ）に溶解させ、０℃で撹拌しながら、水酸化カリウムの１０％メタノール溶液６０ｇを滴下して加えた。さらに、２−ナフトイルクロリド９．５ｇ（０．０５０ｍｏｌ）をＴＨＦ（３５ｍＬ）に溶解させたものを加え、１時間撹拌した。反応液を室温に戻し、さらに１時間撹拌した後、エバポレーターで反応溶液を留去した。残渣を酢酸エチルと飽和食塩水で抽出し、有機層を分離した後、エバポレーターで溶媒を留去して、白色固体を回収した。
得られた固体２．０ｇと、（＋）−１０−カンファースルホニルクロリド３．８ｇ（０．０１５ｍｏｌ）をクロロホルム（５０ｍｌ）に溶解し、０℃で撹拌しながら、ピリジン３．４ｇ（０．０１５ｍｏｌ）を滴下投入した。５０℃で８時間撹拌後、この反応液をクロロホルム−水で抽出した後、有機層を減圧除去し溶剤を除去することで褐色油状物を得た。さらにメタノールで再結晶を行うことで、上式で表されるスルホネート化合物［非イオン系光酸発生剤（Ａ−１）]３．０ｇ（０．００７ｍｏｌ）を得た。【０１１５】
実施例２
＜非イオン系光酸発生剤（Ａ−２）の合成＞ 【０１１６】
【化１０】
0006622210.tif 000011
【０１１７】
５−メトキシ−２−ナフトエ酸２０．２ｇ（０．１００ｍｏｌ）を、塩化チオニル（１００ｍＬ）中に溶解し、８０℃で２時間撹拌した。その後、８０℃で減圧にして塩化チオニルと、系中で発生した塩酸を留去して、５−メトキシ−２−ナフトイルクロリド２０．０ｇ（０．０９０ｍｏｌ）を得た。
この後の操作は、２−ナフトイルクロリド９．５ｇ（０．０５０ｍｏｌ）を５−メトキシ−２−ナフトイルクロリド１１．０ｇ（０．０５０ｍｏｌ）に変更したこと以外、実施例１と同様にして、上式で表されるスルホネート化合物［非イオン系光酸発生剤（Ａ−２）]を得た。【０１１８】
実施例３
＜非イオン系光酸発生剤（Ａ−３）の合成＞ 【０１１９】
【化１１】
0006622210.tif 000012
【０１２０】
３，５−ジヒドロキシナフトエ酸１０．３ｇ（０．１００ｍｏｌ）をアセトン（１２０ｍＬ）に溶解し、炭酸カリウム８３．６ｇ（０．６０５ｍｏｌ）、ジメチル硫酸２８．４ｇ（０．２２１ｍｏｌ）を加え、５０℃で１２時間撹拌した。反応液をろ過して固体を除去した後、エバポレーターで溶媒を留去した後、水（５０ｍＬ）、メタノール（５０ｍＬ）、水酸化カリウム（１０ｇ）を加え、６５℃で３時間撹拌した。塩酸１００ｇを加え、沈殿してきた固体を回収し、３，５−ジメトキシ−２−ナフトエ酸２０．０ｇ（０．０８７ｍｏｌ）を得た。
ここで得られた３，５−ジメトキシ−２−ナフトエ酸２０．０ｇ（０．０８７ｍｏｌ）を、塩化チオニル（１００ｍＬ）中に溶解し、８０℃で２時間撹拌した。その後、８０℃で減圧にして塩化チオニルと、系中で発生した塩酸を留去して、３，５−ジメトキシ−２−ナフトイルクロリド２０．０ｇ（０．０８３ｍｏｌ）を得た。
この後の操作は、２−ナフトイルクロリド９．５ｇ（０．０５０ｍｏｌ）を３，５−ジメトキシ−２−ナフトイルクロリド１１．８ｇ（０．０５０ｍｏｌ）に変更したこと以外、実施例１と同様にして、上式で表されるスルホネート化合物［非イオン系光酸発生剤（Ａ−３）]を得た。【０１２１】
実施例４
＜非イオン系光酸発生剤（Ａ−４）の合成＞【０１２２】
【化１２】
0006622210.tif 000013
【０１２３】
３，５−ジヒドロキシナフトエ酸１０．３ｇ（０．１００ｍｏｌ）をアセトン（１２０ｍＬ）に溶解し、炭酸カリウム８３．６ｇ（０．６０５ｍｏｌ）、ジメチル硫酸２８．４ｇ（０．２２１ｍｏｌ）を加え、５０℃で１２時間撹拌した。反応液をろ過して固体を除去した後、エバポレーターで溶媒を留去した後、水（５０ｍＬ）、メタノール（５０ｍＬ）、水酸化カリウム（１０ｇ）を加え、６５℃で３時間撹拌した。塩酸１００ｇを加え、沈殿してきた固体を回収し、３，５−ジメトキシ−２−ナフトエ酸２０．０ｇ（０．０８７ｍｏｌ）を得た。
ここで得られた３，５−ジメトキシ−２−ナフトエ酸２０．０ｇ（０．０８７ｍｏｌ）を、塩化チオニル（１００ｍＬ）中に溶解し、８０℃で２時間撹拌した。その後、８０℃で減圧にして塩化チオニルと、系中で発生した塩酸を留去して、３，５−ジメトキシ−２−ナフトイルクロリド２０．０ｇ（０．０８３ｍｏｌ）を得た。
Ｎ−メチルヒドロキシルアンモニウム塩酸塩８．３ｇ（０．１００ｍｏｌ）をメタノール（５０ｍＬ）に溶解させ、０℃で撹拌しながら、水酸化カリウムの１０％メタノール溶液６０ｇを滴下して加えた。さらに、２−ナフトイルクロリド９．５ｇ（０．０５０ｍｏｌ）をＴＨＦ（３５ｍＬ）に溶解させたものを加え、１時間撹拌した。反応液を室温に戻し、さらに１時間撹拌した後、エバポレーターで反応溶液を留去した。残渣を酢酸エチルと飽和食塩水で抽出し、有機層を分離した後、エバポレーターで溶媒を留去して、白色固体を回収した。
得られた白色固体２．０ｇと、メタンスルホン酸クロリド１．８ｇ（０．０１５ｍｏｌ）をクロロホルム（５０ｍｌ）に溶解し、０℃で撹拌しながら、ピリジン３．４ｇ（０．０１５ｍｏｌ）を滴下投入した。５０℃で８時間撹拌後、この反応液をクロロホルム−水で抽出した後、有機層を減圧除去し溶剤を除去することで褐色油状物を得た。さらにメタノールで再結晶を行うことで、上式で表されるスルホネート化合物［非イオン系光酸発生剤（Ａ−４）]（０．００７ｍｏｌ）を得た。【０１２４】
実施例５
＜非イオン系光酸発生剤（Ａ−５）の合成＞【０１２５】
【化１３】
0006622210.tif 000014
【０１２６】
実施例４と同様に処理して得られた白色固体２．０ｇと、ペンタフルオロベンゼンスルホン酸クロリド４．１ｇ（０．０１５ｍｏｌ）をクロロホルム（５０ｍｌ）に溶解し、０℃で撹拌しながら、ピリジン３．４ｇ（０．０１５ｍｏｌ）を滴下投入した。５０℃で８時間撹拌後、この反応液をクロロホルム−水で抽出した後、有機層を減圧除去し溶剤を除去することで褐色油状物を得た。さらにメタノールで再結晶を行うことで、上式で表されるスルホネート化合物［非イオン系光酸発生剤（Ａ−５）]（０．００７ｍｏｌ）を得た。【０１２７】
実施例６
＜非イオン系光酸発生剤（Ａ−６）の合成＞【０１２８】
【化１４】
0006622210.tif 000015
【０１２９】
チオフェノール１４．１ｇ（０．１２８ｍｏｌ）、水酸化カリウム７．２ｇ（０．１２８ｍｏｌ）をＮ,Ｎ−ジメチルホルムアミド（３４０ｍＬ）に溶解させ、７０℃で１時間攪拌した。そこに４−ヨード安息香酸メチル３２ｇ（０．１２２ｍｏｌ）、ヨウ化銅（Ｉ）１．２ｇ（０．００６ｍｏｌ）を加えて、１６０℃で１２時間攪拌した。反応液を室温に戻した後、塩酸を加えて沈殿してきた固体を回収し、２−プロパノールで洗浄することで、４−チオフェニル安息香酸２４ｇ（０．１０４ｍｏｌ）を得た。
アセチルクロリド９．８ｇ（０．１２５ｍｏｌ）、塩化アルミニウム３３．３ｇ（０．２５０ｍｏｌ）をジクロロメタン（２００ｍＬ）に溶解させ、０℃で攪拌しながら、４−チオフェニル安息香酸２４ｇ（０．１０４ｍｏｌ）のジクロロメタン溶液（３６ｍＬ）を滴下した。室温で２時間攪拌した後、氷水に投入して、さらに１時間攪拌した。沈殿してきた固体を回収して、水酸化ナトリウム水溶液とメタノールで洗浄することで、４−（チオ（４−アセチルフェニル）安息香酸２４ｇ（０．０８７ｍｏｌ）を得た。
ここで得られた４−（チオ（４−アセチルフェニル）安息香酸２４ｇ（０．０８７ｍｏｌ）を、塩化チオニル（１００ｍＬ）中に溶解し、８０℃で２時間撹拌した。その後、８０℃で減圧にして塩化チオニルと、系中で発生した塩酸を留去して、４−チオ（４−アセチルフェニル）安息香酸クロリド２３ｇ（０．０８３ｍｏｌ）を得た。
この後の操作は、２−ナフトイルクロリド９．５ｇ（０．０５０ｍｏｌ）を４−チオ（４−アセチルフェニル）安息香酸クロリド１４．３ｇ（０．０５０ｍｏｌ）に変更したこと以外、実施例１と同様にして、上式で表されるスルホネート化合物［非イオン系光酸発生剤（Ａ−６）]を得た。【０１３０】
実施例７
＜非イオン系光酸発生剤（Ａ−７）の合成＞【０１３１】
【化１５】
0006622210.tif 000016
【０１３２】
２−ヒドロキシ−４−メトキシベンズアルデヒド１９．０ｇ（０．１２５ｍｏｌ）を水に投入し、攪拌しながら、メルドラム酸２３．４ｇ（０．１６２ｍｏｌ）を加えた。還流しながら１００℃で２時間攪拌した後、室温に戻して、固体を回収した。これを水とメタノールの混合溶媒で洗浄することで、７−メトキシ−３−クマリン酸１９．２ｇ（０．０８７ｍｏｌ）を得た。
７−メトキシ−３−クマリン酸１９．２ｇ（０．０８７ｍｏｌ）を、塩化チオニル（１００ｍＬ）中に溶解し、８０℃で２時間撹拌した。その後、８０℃で減圧にして塩化チオニルと、系中で発生した塩酸を留去して、７−メトキシ−３−シクマリン酸クロリド１９．９ｇ（０．０８３ｍｏｌ）を得た。
この後の操作は、２−ナフトイルクロリド９．５ｇ（０．０５０ｍｏｌ）を７−メトキシ−３−シクマリン酸クロリド１２．０ｇ（０．０５０ｍｏｌ）に変更したこと以外、実施例１と同様にして、上式で表されるスルホネート化合物［非イオン系光酸発生剤（Ａ−７）]を得た。【０１３３】
実施例８
＜非イオン系光酸発生剤（Ａ−８）の合成＞【０１３４】
【化１６】
0006622210.tif 000017
【０１３５】
９−アントラセンカルボン酸１９．５ｇ（０．０８７ｍｏｌ）を、塩化チオニル（１００ｍＬ）中に溶解し、８０℃で２時間撹拌した。その後、８０℃で減圧にして塩化チオニルと、系中で発生した塩酸を留去して、９−アントラセンカルボン酸クロリド２０．０ｇ（０．０８３ｍｏｌ）を得た。
この後の操作は、２−ナフトイルクロリド９．５ｇ（０．０５０ｍｏｌ）を９−アントラセンカルボン酸クロリド１２．０ｇ（０．０５０ｍｏｌ）に変更したこと以外、実施例１と同様にして、上式で表されるスルホネート化合物［非イオン系光酸発生剤（Ａ−８）]を得た。【０１３６】
比較例１
＜非イオン系光酸発生剤（Ａ’−１）の合成＞【０１３７】
【化１７】
0006622210.tif 000018
【０１３８】
ナフタル酸無水物（３．０ｇ、０．０５０ｍｍｏｌ）塩酸ヒドロキシルアミン４．９ｇ（０．０７０ｍｏｌ）、ピリジン（５０ｍＬ）の混合物を、１００℃で１０時間撹拌した。室温冷却後に１Ｎ塩酸中に反応液を投入し、析出物をろ過により回収した。
得られた析出物３．０ｇをピリジン（２０ｍｌ）に溶解し、０℃で撹拌しながら、（＋）−１０−カンファースルホニルクロリド３７．５ｇ（０．１５０ｍｍｏｌ）を滴下投入した。２５℃で８時間撹拌後、この反応液をジクロロメタン−水で抽出した後、有機層を減圧除去し溶剤を除去することで橙色油状物を得た。さらにメタノールで再結晶を行うことで、上式で表される化合物［非イオン系光酸発生剤（Ａ‘−１）]（４．３ｇ、０．０１０ｍｏｌ）を得た。【０１３９】
比較例２
＜イオン系光酸発生剤（Ａ’−２）の合成＞【０１４０】
【化１８】
0006622210.tif 000019
【０１４１】
ジフェニルスルホキシド１２．１部、ジフェニルスルフィド９．３部及び（＋）−１０−カンファースルホン酸６７．０部を撹拌しながら、これに無水酢酸７．９部を滴下し、４０〜５０℃で５時間反応させた後、２５℃まで冷却し、この反応溶液を水１２１部中に投入し、５０℃で８時間撹拌して、黄色のやや粘調な油状物が析出した。この油状物を酢酸エチルにて抽出し、有機層を水で数回洗浄した後、有機層から溶剤を留去し、得られた残渣にトルエンを加えて溶解した後、ヘキサンを加え、１０℃で１時間よく撹拌した後静置した。１時間後、溶液は２層に分離したため、上層を分液によって除いた。残った下層にヘキサンを加え、２５℃でよく混合すると淡黄色の結晶が析出した。これをろ別し、減圧乾燥して、上式で表される化合物［イオン系光酸発生剤（Ａ’−２）］を得た。【０１４２】
＜性能評価＞
光酸発生剤の性能評価として、得られた非イオン系光酸発生剤（Ａ−１）〜（Ａ−８）、及び非イオン系光酸発生剤（Ａ’−１）及びイオン系酸発生剤（Ａ’−２）のモル吸光係数、レジスト硬化性、熱分解温度、及び溶剤溶解性について以下の方法で評価した。【０１４３】
＜モル吸光係数＞
合成した光酸発生剤をアセトニトリルにより０．２５ｍｍｏｌ／Ｌに希釈し、紫外可視分光光度計（島津製作所社製、ＵＶ−２５５０）を用いて、２００ｎｍから５００ｎｍの範囲で１ｃｍのセル長の吸光度を測定した。下記式から、ｉ線（３６５ｎｍ）のモル吸光係数（ε３６５）を算出した。
ε３６５（Ｌ・ｍｏｌ−１・ｃｍ−１）＝Ａ３６５／（０．０００２５ｍｏｌ／Ｌ×１ｃｍ）
［式中、Ａ３６５は３６５ｎｍの吸光度を表す。］【０１４４】
＜レジスト硬化性＞
フェノール樹脂（ＤＩＣ社製、「フェノライトＴＤ４３１」）７５部、メラミン硬化剤（三井サイアナミッド（株）社製、「サイメル３００」）２５部、合成した光酸発生剤１部、及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（以下、ＰＧＭＥＡと略記する。）２００部の樹脂溶液を、１０ｃｍ各のガラス基板上にスピンコーターを用いて１０００ｒｐｍで１０秒の条件で塗布した。次いで２５℃で５分間真空乾燥した後、８０℃のホットプレート上で３分間乾燥させることで、膜厚約３μｍのレジストを形成した。このレジストに紫外線照射装置（株式会社オーク製作所社製、ＨＭＷ−６６１Ｆ−０１）を用いて、Ｌ−３４（株式会社ケンコー光学製、３４０ｎｍ未満の光をカットするフィルター）フィルターによって波長を限定した紫外光を所定量全面に露光した。なお積算露光量は３６５ｎｍの波長を測定した。次いで、１２０℃の順風乾燥機で１０分間露光後加熱（ＰＥＢ）を行った後、０．５％水酸化カリウム溶液を用いて３０秒間浸漬することで現像し、直ちに水洗、乾燥を行った。このレジストの膜厚を形状測定顕微鏡（超深度形状測定顕微鏡ＶＫ−８５５０、株式会社キーエンス製）を用いて測定した。ここで現像前後のレジストの膜厚変化が１０％以内となる最低露光量から、レジスト硬化性を以下の基準により評価した。
◎：  最低露光量が２００ｍＪ／ｃｍ２以下
○：  最低露光量が２００ｍＪ／ｃｍ２より大きく、３００ｍＪ／ｃｍ２以下
△：  最低露光量が３００ｍＪ／ｃｍ２より大きく、５００ｍＪ／ｃｍ２以下
×：  最低露光量が５００ｍＪ／ｃｍ２より大きい【０１４５】
＜熱分解温度＞
合成した光酸発生剤を示差熱・熱重量同時測定装置（ＳＩＩ社製、ＴＧ／ＤＴＡ６２００）を用いて、窒素雰囲気下、３０度から５００℃まで１０℃／分の昇温条件で重量変化を測定し、２％重量が減少した点を熱分解温度とした。【０１４６】
＜溶剤溶解性＞
合成した光酸発生剤を０．１ｇ試験管にとり、２５℃温調下で有機溶剤（酢酸ブチル、トルエン、及びＰＧＭＥＡ）０．２ｇずつ加え、光酸発生剤が完全に溶解するまで加えた。なお２０ｇ加えても完全に溶解しない場合には、溶解しないものと評価した。【０１４７】
実施例１で作成した本発明の非イオン系光酸発生剤（Ａ−１）〜（Ａ−８）及び比較例１で作成した比較のための非イオン系光酸発生剤（Ａ’−１）と比較例２で作成した比較のためのイオン系酸発生剤（Ａ’−２）の、モル吸光係数、熱分解温度、及び溶剤溶解性を前述した方法で測定した。その結果を表１に示す。【０１４８】
【表１】
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【０１４９】
表１から明らかなように、本発明の実施例１〜８の非イオン系光酸発生剤（Ａ）は、レジスト硬化性、溶剤に対する溶解性に優れ、熱分解温度も２００℃以上であり、十分な安定性を有していることがわかる。
一方、従来から知られている非イオン系光酸発生剤を使用した比較例１及びイオン系の酸発生を使用した比較例２は、レジスト硬化性は十分とはいえず、また溶剤への溶解性も不足していることがわかる。
【産業上の利用可能性】
【０１５０】
本発明のスルホネート化合物は、ポジ型レジスト、レジストフィルム、液状レジスト、ネガ型レジスト、ＭＥＭＳ用レジスト、感光性材料、ナノインプリント材料、マイクロ光造形用材料等に用いられる光酸発生剤として好適である。また、本発明のフォトリソグラフィー用樹脂組成物（Ｑ）は、上記の用途に好適である。