(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
コイルにより発生する電磁力を用いて動作する電磁弁を制御する電磁弁制御装置であって、
前記コイルへの通電をＯＮ／ＯＦＦするスイッチ回路と、
前記スイッチ回路を制御して前記コイルへの通電電流を制御するコントローラと、
を備え、
前記コントローラは、前記電磁弁の弁開度を所望の態様で減少させるための、前記コイルに流れている通電電流実効値と、当該流れている通電電流実効値に対して与えるべき減少量の目標値である減少量目標と、を関係付けたマップを備え、
前記コントローラは、前記コイルの現在の通電電流実効値を検出し、当該検出した現在の通電電流実効値を前記流れている通電電流実効値として用いて前記マップを参照し、前記マップから前記現在の通電電流実効値に対応する前記減少量目標を取得し、前記取得した前記減少量目標だけ前記現在の通電電流実効値を減少させることにより、前記コイルに流れる通電電流実効値を所定の時間間隔で段階的に減少させて、前記電磁弁の閉弁動作を制御する、
電磁弁制御装置。
【請求項２】
前記マップは、前記電磁弁の磁気飽和特性に基づいて予め定められた、前記電磁弁の弁開度を所望の態様で減少させるための前記通電電流実効値の減少量目標を示すマップを備える、
請求項１に記載の電磁弁制御装置。
【請求項３】
前記マップは、現在の前記通電電流実効値に対し前記所定の時間間隔後に設定すべき通電電流実効値を示す、当該現在の通電電流実効値に乗算すべき係数を示すものである、
請求項１又は２に記載の電磁弁制御装置。
【請求項４】
前記コントローラは、前記コイルへ通電する電流パルスをＰＷＭ制御することにより、前記通電電流を制御するものであり、前記マップから取得した前記減少量目標だけ前記現在の通電電流実効値を減少させるように前記ＰＷＭ制御に用いるデューティ比を変更して、前記コイルに流れる通電電流実効値を前記所定の時間間隔で段階的に減少させて、前記電磁弁の閉弁動作を制御する、
請求項１ないし３のいずれか一項に記載の電磁弁制御装置。
【請求項５】
前記スイッチ回路は、前記コイルから流れ出てグランドに至る電流の電流経路に設けられており、
前記コントローラは、前記スイッチ回路をＯＮ／ＯＦＦすることにより、前記コイルへ通電する通電電流実効値を制御する、
請求項１ないし３のいずれか一項に記載の電磁弁制御装置。
【請求項６】
前記電磁弁は、内燃機関の燃料噴射量を制御するものである、
請求項１ないし５のいずれか一項に記載の電磁弁制御装置。
【請求項７】
前記マップは、前記内燃機関が所望のクランク角のときに前記電磁弁が完全閉弁状態となるように予め定められた、前記電磁弁の弁開度を所望の態様で減少させるための前記通電電流実効値の減少量目標を示すマップを備える、
請求項６に記載の電磁弁制御装置。
【請求項８】
請求項１ないし７のいずれか一項に記載の電磁弁制御装置を備える車両用電子制御装置。
【請求項９】
請求項１ないし７のいずれか一項に記載の電磁弁制御装置を備える車両。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電磁弁の動作を制御する電磁弁制御装置、車両電子制御装置、及び車両に関し、特に、電磁弁の閉弁時の動作を詳細に制御することのできる電磁弁制御装置、並びに当該電磁弁制御装置を備える車両用電子制御装置及び車両に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、内燃機関において気筒への燃料噴射を制御する電磁式燃料噴射弁（以下、単に燃料噴射弁という）の閉弁時の挙動を制御する技術として、開弁用コイルと、開弁保持用コイルと、閉弁用コイルと、弁体を閉弁方向に付勢するスプリングと、により燃料噴射弁を構成し、閉弁時には、閉弁用コイルに通電して上記開弁保持用コイルに発生した磁束を素早く打ち消すことにより閉弁の際の遅れ時間を解消又は短縮する電磁式燃料噴射装置が知られている（特許文献１）。
【０００３】
しかしながら、上述した従来の燃料噴射装置は、単に閉弁時間の短縮化を図るものであり、閉弁時における弁体の動きを細かく制御することを意図するものではない。
【０００４】
一方で、特にディーゼルエンジンでは、内燃機関出力に対する燃料消費効率の観点から、燃料噴射弁の閉弁時における挙動を細かく制御できることが望ましい。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０００−２６５９２０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上記背景より、機関出力に対する筒内燃焼の効率を更に向上すべく、燃料噴射弁の閉弁時の挙動を細かく制御して燃料噴射量の制御性を向上することが望まれている。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一の態様は、電磁弁制御装置であって、当該電磁弁制御装置は、コイルにより発生する電磁力を用いて動作する電磁弁を制御する電磁弁制御装置であって、前記コイルへの通電をＯＮ／ＯＦＦするスイッチ回路と、前記スイッチ回路を制御して前記コイルへの通電電流を制御するコントローラと、を備え、前記コントローラは、前記電磁弁の弁開度を所望の態様で減少させるための、前記コイルに流れている通電電流実効値と、当該流れている通電電流実効値に対して与えるべき減少量の目標値である減少量目標と、を関係付けたマップを備え、前記コントローラは、前記コイルの現在の通電電流実効値を検出し、当該検出した現在の通電電流実効値を前記流れている通電電流実効値として用いて前記マップを参照し、前記マップから前記現在の通電電流実効値に対応する前記減少量目標を取得し、前記取得した前記減少量目標だけ前記現在の通電電流実効値を減少させることにより、前記コイルに流れる通電電流実効値を所定の時間間隔で段階的に減少させて、前記電磁弁の閉弁動作を制御する。
本発明の他の態様によると、前記マップは、前記電磁弁の磁気飽和特性に基づいて予め定められた、前記電磁弁の弁開度を所望の態様で減少させるための前記通電電流実効値の減少量目標を示すマップを備える。
本発明の他の態様によると、前記マップは、現在の前記通電電流実効値に対し前記所定の時間間隔後に設定すべき通電電流実効値を示す、当該現在の通電電流実効値に乗算すべき係数を示すものである。
本発明の他の態様によると、前記コントローラは、前記コイルへ通電する電流パルスをＰＷＭ制御することにより、前記通電電流を制御するものであり、前記マップから取得した前記減少量目標だけ前記現在の通電電流実効値を減少させるように前記ＰＷＭ制御に用いるデューティ比を変更して、前記コイルに流れる通電電流実効値を前記所定の時間間隔で段階的に減少させて、前記電磁弁の閉弁動作を制御する。
本発明の他の態様によると、前記スイッチ回路は、前記コイルから流れ出てグランドに至る電流の電流経路に設けられており、前記コントローラは、前記スイッチ回路をＯＮ／ＯＦＦすることにより、前記コイルへ通電する通電電流実効値を制御する。
本発明の他の態様によると、前記電磁弁は、内燃機関の燃料噴射量を制御するものである。
本発明の他の態様によると、前記マップは、前記内燃機関が所望のクランク角のときに前記電磁弁が完全閉弁状態となるように予め定められた、前記電磁弁の弁開度を所望の態様で減少させるための前記通電電流実効値の減少量目標を示すマップを備える。
本発明の他の態様は、上記いずれかの電磁弁制御装置を備える車両用電子制御装置である。
本発明の更に他の態様は、上記いずれかの電磁弁制御装置を備える車両である。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の一実施形態に係る電磁弁制御装置の構成の一例を示す回路図である。
【図２】図１に示す電磁弁制御装置に用いられるコントローラの一例を示す図である。
【図３】図２に示すコントローラにおける閉弁動作に用いられるマップＡの一例を示す図である。
【図４】図１に示す電磁弁制御装置の動作を示すタイミング図である。
【図５】図２に示すコントローラにおける閉弁動作ユニットの動作手順を示すフロー図である。
【図６】図２に示すコントローラにおける閉弁動作に用いられ得るマップＢの一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。本実施形態に係る電磁弁制御装置は、車両に搭載され、当該車両の内燃機関の気筒への燃料噴射を制御する電磁弁である電磁式燃料噴射弁の動作を制御する。ただし、本発明はこれに限らず、広く一般の電磁弁（又は、ソレノイド弁、ソレノイドバルブ）の動作を制御する装置に適用することができる。
【００１０】
図１は、本発明の一実施形態に係る電磁弁制御装置の構成を示す図である。
本電磁弁制御装置１０は、電磁弁である電磁式燃料噴射弁が備えるコイルＬ１５２への通電を制御して、内燃機関の気筒（不図示）への燃料噴射を制御する。なお、以下の説明では、コイルＬ１５２を「電磁弁Ｌ１５２」とも称する。
【００１１】
本電磁弁制御装置１０は、コイルＬ１０２、トランジスタＴｒ１０４、ダイオードＤ１０６、及び出力コンデンサＣ１０８を有する昇圧回路１００と、昇圧回路１００のトランジスタＴｒ１０４をオンオフ制御する昇圧制御回路１４０と、を備える。
【００１２】
昇圧回路１００は、バッテリ（不図示）からの給電を受け、昇圧制御回路１４０によりトランジスタＴｒ１０４がオンオフ制御されることにより、当該給電の電圧（給電電圧）VBAT（例えば、１２Ｖ）よりも大きな所定の昇圧電圧（例えば、４０Ｖ）まで出力コンデンサＣ１０８を充電し、当該昇圧電圧を出力する。
【００１３】
電磁弁制御装置１０は、また、昇圧回路１００の出力コンデンサＣ１０８から出力される昇圧電圧の、電磁弁Ｌ１５２の一の端子（図示上側の端子）への通電をオンオフするトランジスタＴｒ１１０と、バッテリからの給電を受けて給電電圧VBATを電磁弁Ｌ１５２の上記一の端子に通電して電磁弁Ｌ１５２を駆動するトランジスタＴｒ１１２と、電磁弁Ｌ１５２の他の端子（図示下側の端子）とグランドとの間の接続を制御するスイッチ回路であるトランジスタＴｒ１１４を有している。これらのトランジスタＴｒ１１０、Ｔｒ１１２，Ｔｒ１１４の動作は、電磁弁制御装置１０が備えるコントローラ１４２により制御される。コントローラ１４２は、電磁弁Ｌ１５２により燃料噴射量が制御される内燃機関のクランク角センサ（不図示）からのクランク角θｃを表すセンサ信号と、抵抗Ｒ１３０及びＲ１３２で構成される分圧回路からの電圧を換算して取得される電磁弁Ｌ１５２に流れる電流の実行値とに基づき（図示ＭＯＮ端子より入力される）、Ｔｒ１１０、１１２、１１４のそれぞれのゲート電圧ＶＧ１、ＶＧ２、ＶＧ３を制御することにより、電磁弁Ｌ１５２の動作を制御する。
【００１４】
電磁弁制御装置１０は、また、トランジスタＴｒ１１２のオンオフ動作に伴ってバッテリ供給電圧ＶＢＡＴが変動するのを防止するためのノイズ除去用のコンデンサＣ１１８と、Ｔｒ１１０をオンにしたときに出力コンデンサＣ１０８から電磁弁Ｌ１５２へ通電される昇圧電圧がＴｒ１１２に印加されないようにするためのダイオードＤ１２０が含まれている。
【００１５】
本実施形態では、Ｔｒ１１２は、例えばＰチャネルＭＯＳＦＥＴであり、Ｔｒ１０４、１１０、１１４は、例えばＮチャネルＭＯＳＦＥＴである。なお、トランジスタＴｒ１０４、Ｔｒ１１０、Ｔｒ１１２、Ｔｒ１１４は、ＭＯＳＦＥＴに限らず、バイポーラ等の他のタイプのトランジスタを用いることもできる。また、昇圧制御回路１４０及びコントローラ１４２は、例えば、マイクロコンピュータや、ＡＳＩＣ（Application Specific Integrated Circuit、特定用途向け集積回路）等により構成されるものとすることができる。
【００１６】
図２は、コントローラ１４２の機能ブロック図である。コントローラ１４２は、本実施形態では、ＣＰＵ（Central Processing Unit）等のプロセッサ、プログラムが書き込まれたＲＯＭ（Read Only Memory）、データの一時記憶のためのＲＡＭ（Random Access Memory）等を有するマイクロコンピュータであり、外部装置との間で信号の授受を行うためのＩ／Ｏインタフェース（以下、Ｉ／Ｏ−ＩＮＦ）２００と、開弁制御ユニット２０２と、閉弁制御ユニット２０４と、ゲート電圧制御ユニット２０６と、を有している。また、閉弁制御ユニット２０４は、デューティ比算出ユニット２０８と、駆動パルス生成ユニットと、を有している。
【００１７】
コントローラ１４２が備える上記各ユニットは、コンピュータであるコントローラ１４２がプログラムを実行することにより実現され、当該コンピュータ・プログラムは、コンピュータ読み取り可能な任意の記憶媒体に記憶させておくことができる。これに代えて、上記各ユニットの全部又は一部を、それぞれ一つ以上の電子回路部品を含むハードウェアにより構成することもできる。
【００１８】
ゲート電圧制御ユニット２０６は、開弁制御ユニット２０２及び閉弁制御ユニット２０４からの指示や信号に基づき、Ｔｒ１１０、Ｔｒ１１２、Ｔｒ１１４のゲート電圧ＶＧ１、ＶＧ２、ＶＧ３を制御（又は決定）する。
【００１９】
開弁制御ユニット２０２は、クランク角センサからの信号により取得されるクランク角θｃに基づき、現在のクランク角θｃが開弁を開始すべきク角度となったときに、ゲート電圧制御ユニット２０６を介してトランジスタＴｒ１１０、及びＴｒ１１４をオンすることにより電磁弁Ｌ１５２に出力コンデンサＣ１０８からの昇圧電圧を印加して、電磁弁Ｌ１５２により駆動される燃料噴射弁を素早く開弁した後、Ｔｒ１１０をオフにしてＴｒ１１２をオン／オフ制御することで開弁状態を保持する。そして、クランク角θｃが閉弁を開始すべき角度となったときに、閉弁制御ユニット２０４に制御を移す。
【００２０】
閉弁制御ユニット２０４は、開弁制御ユニット２０２から制御を引き継ぐと、Ｔｒ１１２をオンとし、Ｔｒ１１４により電磁弁Ｌ１５２の通電電流をＰＷＭ制御する。このＰＷＭ制御では、所定の時間間隔のデューティ比更新タイミングで当該ＰＷＭ制御のデューティ比を更新することで、電磁弁Ｌ１５２の通電電流の実効値を段階的に変化させて、電磁弁Ｌ１５２に所望の態様の（例えば、所望の弁開度減少曲線に沿った）閉弁動作を行わせる。
【００２１】
具体的には、コントローラ１４２は、電磁弁Ｌ１５２において発生する電磁力が所望の態様で減少するように当該電磁弁Ｌ１５２の磁気飽和特性（ＢＨヒシテレシス特性）を考慮して予め定めた実効電流値の減少態様を指示するマップＡを保持しており、デューティ比算出ユニット２０８は、ＭＯＮ端子から入力される電圧から換算される電磁弁Ｌ１５２の現在の通電電流の実効値Ｉｅｃに基づき、マップＡを参照して、次のデューティ比更新タイミングにおいて上記ＰＷＭ制御に設定すべきデューティ比を算出して駆動パルス生成ユニット２１０に出力する。
【００２２】
図３は、マップＡの一例を示す図である。図３において、横軸は、電磁弁Ｌ１５２に流れる現在の通電電流実効値Ｉｅｃ、縦軸は、当該現在の通電電流実効値Ｉｅｃに応じて次のデューティ比更新タイミングにおいて実現すべき通電電流実効値Ｉｅｎの、当該現在の通電電流実効値Ｉｅｃに対する比Ｋ（Ｉｅｃ）を示している。
【００２３】
デューティ比算出ユニット２１０は、ＭＯＮ端子から入力される電圧から換算される電磁弁Ｌ１５２の現在の通電電流の実効値Ｉｅｃに基づき、マップＡを参照して、次のデューティ比更新タイミングにおいて実現すべき通電電流実効値Ｉｅｎを次の式（１）によって求め、当該算出したＩｅｎから、次のデューティ比更新タイミングにおいて設定すべきデューティ比を式（２）により算出する。
Ｉｅｎ＝Ｋ×Ｉｅｃ          （１）
Ｒｎ＝Ｉｅｎ／Ｉａｍｐ        （２）
ここで、Ｉａｍｐは、電磁弁Ｌ１５２に通電する電流パルスの電流振幅である。
【００２４】
一般に、電磁力を用いて弁を開閉する電磁弁（ソレノイド弁）（例えば、燃料噴射弁を開閉する電磁式燃料噴射弁）において、磁性材料で構成された弁体に作用する電磁力Ｆは、単純には
Ｆ=ｋμＩ２・・・（３）
で決定される。ここに、ｋは係数、μは弁体を構成する磁性材料の透磁率、Ｉは電磁弁を構成するコイルへの通電電流である。
【００２５】
そして、一般に、弁体を構成する磁性材料のＢＨ曲線におけるヒステレシス特性に起因して、当該磁性体の透磁率μは一定ではない。また、磁性体の透磁率μは、現在までの磁気的な履歴（すなわち、当該弁体に電磁界を与えるコイルへの通電電流の履歴（例えば、閉弁前に行った開弁動作での磁気飽和状態や開弁維持動作の時間（すなわち、磁界印加時間）））にも依存する。
【００２６】
その結果、変動するμに起因して、単純に電流Ｉを減少させたとしても、弁体に作用する電磁力は必ずしも所望の量だけ減少していくとは限らない。このため、弁開度に対する所望の減少曲線に比例した通電電流Ｉの減少曲線に沿って当該通電電流Ｉを減少させたとしても、弁開度は当該所望の減少曲線に沿っては変化しない。
【００２７】
本実施形態では、電磁弁Ｌ１５２において発生する電磁力が所望の態様で減少するように当該電磁弁Ｌ１５２の磁気飽和特性（ＢＨヒシテレシス特性）を考慮して予め定めた実効電流値の減少態様を指示するマップＡを保持しており、当該マップＡに従って、現在の通電電流実効値Ｉｅｃに応じて次のデューティ比更新タイミングにおいて設定すべきデューティ比が算出される。
【００２８】
ここで、図３に示すようにマップＡにより示される比Ｋが現在の通電電流実効値Ｉｅｃの関数となっているのは、磁性材料である弁体の透磁率μが、現在の印加磁界に依存し、従って、当該磁界を発生している現在の通電電流実効値Ｉｅｃに依存するためである。また、マップＡは、より具体的には、弁体である磁性材料の磁気飽和特性（ＢＨ曲線等）のほか、閉弁動作前の開弁動作や開弁維持動作において弁体に印加される磁界の強度や印加時間（従って、開弁動作や開弁維持動作における電磁弁Ｌ１５２への通電電流の大きさや通電時間）にも基づいて定められる。
【００２９】
したがって、開弁動作や開弁維持動作の態様が大きく変化するような用途においては、当該変化の範囲をカバーするように、マップＡを複数備えて、適宜選択して使用するものとしてもよい。なお、マップＡは、コントローラ１４２が備える記憶装置（不図示）に記憶させておくものすることもできるし、例えばコンピュータであるコントローラ１４２が実行するプログラムの中に記述しておくものとすることもできる。
【００３０】
図４は、電磁弁制御装置１０の動作を示すタイミング図である。図４には、図示上より、Ｔｒ１１０のゲート電圧ＶＧ１（図３の（ａ））、Ｔｒ１１２のゲート電圧ＶＧ２（図３の（ｂ））、Ｔｒ１１４のゲート電圧ＶＧ３（図３の（ｃ））、電磁弁Ｌ１５２の通電電流実効値（図３の（ｄ））、及び電磁弁Ｌ１５２の弁開度（図３の（ｅ））、のそれぞれの時間変化が示されている。
【００３１】
なお、図４においては、図示左から右に向かって時間が流れているのとする。また、以下では、Ｔｒ１１０、１１２、１１４の各トランジスタについて、当該トランジスタがオン状態となるゲート電圧をＯＮ電圧、オフ状態となるゲート電圧をＯＦＦ電圧と称する。ここで、Ｔｒ１１２はＰチャネルＦＥＴであるため、ＯＮ電圧はＯＦＦ電圧より低電圧であり、他のトランジスタはＮチャネルＦＥＴであるため、ＯＮ電圧はＯＦＦ電圧より高電圧である。
【００３２】
電磁弁制御装置１０の電源が投入された後、コントローラ１４２が初期化された状態（時刻Ｔ１より図示左側）では、ＶＧ１〜３はいずれもＯＦＦ電圧となっている。その後、動作が開始され、クランク角が開弁すべき角度に達した時刻Ｔ１において、まず、開弁制御ユニット２０２によりＶＧ１とＶＧ３がＯＮ電圧に設定され、Ｔｒ１１０とＴｒ１１４がオン状態となる（図３の（ａ）（ｃ））。これにより、昇圧回路１００の出力コンデンサＣ１０８の出力電圧（昇圧電圧）が電磁弁Ｌ１５２に印加される。
【００３３】
その後、電磁弁Ｌ１５２の通電電流の増加（図３の（ｄ））と共に電磁弁Ｌ１５２の磁力が増加し、弁開度は一気に増加して素早く開弁され、電磁弁Ｌ１５２の特性により定まる或る遅延時間が経過した時刻Ｔ２に、弁開度は全開状態に達する（図３の（ｅ））。
【００３４】
弁開度が全開に達した時刻Ｔ２から所定の余裕時間が経過した時刻Ｔ３に、開弁制御ユニット２０２によりＶＧ１がＯＦＦ電圧に設定されてＴｒ１１０がオフ状態になると共に、ＶＧ２によるＴｒ１１２のオンオフ制御が開始される（図３の（ａ）（ｂ））。これにより、開弁状態が保持される（図３の（ｄ）（ｅ））。
【００３５】
その後、時刻Ｔ４においてクランク角が閉弁動作を開始すべき所定のクランク角度に達すると、制御は開弁制御ユニット２０２から閉弁制御ユニット２０４に移行し、閉弁制御ユニット２０４は、ＶＧ２がオン電圧に設定し、ＶＧ４によりＴｒ１１４をオンオフ制御することにより電磁弁Ｌ１５２の通電電流のＰＷＭ制御を開始する。
【００３６】
当該ＰＷＭ制御の開始後、閉弁制御ユニット２０４は、所定のデューティ比更新タイミングで、Ｔｒ１１４のゲート電圧ＶＧ３の電圧パルスのデューティ比を変化させることで（図３の（ｃ））、電磁弁Ｌ１５２の実効電流値を（例えば、非線形に）変化させ（図３の（ｄ））、電磁弁Ｌ１５２の弁開度を所望の態様で（例えば、線形に）減少させる（図３の（ｅ））。そして、弁開度が全閉状態に達した時刻Ｔ５に、１回の燃料噴射サイクルが完了する（図３の（ｄ）（ｅ））。続いて、閉弁制御ユニット２０４は、時刻Ｔ５から所定の余裕時間が経過した時刻Ｔ６に、ＶＧ２をオフ状態にして次の燃料噴射サイクルの準備を調える。
【００３７】
次に、電磁弁制御装置１０の閉弁制御ユニット２０４が備えるデューティ比算出ユニット２０８における動作の手順について、図５に示すフロー図に従って説明する。本処理は、クランク角が閉弁動作を開始すべき所定のクランク角度に達して、開弁制御ユニット２０２から閉弁制御ユニット２０４に制御が移ったときに開始する。
【００３８】
処理を開始すると、まず、Ｉ／Ｏ−ＩＮＦ２００のＭＯＮ端子を介して入力された電圧を換算して電磁弁Ｌ１５２の通電電流の実効値（実効電流値）Ｉｅｃを取得する（Ｓ１００）。なお、これに限らず、ＭＯＮ端子を介して入力された電圧を換算して電磁弁Ｌ１５２の電流振幅を取得するものとし、当該取得した電流振幅と、駆動パルス生成ユニット２１０に現在設定しているデューティ比と、に基づいて電磁弁Ｌ１５２の実効電流値Ｉｅｃを算出して取得するものとしてもよい。
【００３９】
次に、上記取得した現在の通電電流実効値Ｉｅｃに基づき、上述したマップＡを参照して比（係数）Ｋを決定し、当該決定した係数Ｋと式（１）（２）を用いて、次のデューティ比更新タイミングにおいて設定すべきデューティ比を算出する（Ｓ１０２）。
【００４０】
次に、上記算出したデューティ比が所定の値以下であるか否かを判断し（Ｓ１０４）、以下であるときは（Ｓ１０４、Ｙｅｓ）、デューティ比０（ゼロ）を駆動パルス生成ユニット２１０に設定して（Ｓ１０６）、処理を終了する。一方、上記算出したデューティ比が所定の値より大きいときは（Ｓ１０４、Ｎｏ）、上記算出したデューティ比を駆動パルス生成ユニット２１０に設定した後（Ｓ１０８）、所定の時間が経過するのを待って（Ｓ１１０）、ステップＳ１０２に戻って処理を繰り返す。
【００４１】
以上、説明したように、本実施形態に係る電磁弁制御装置１０は、電磁弁Ｌ１５２において発生する電磁力が所望の態様で減少するように当該電磁弁Ｌ１５２の磁気飽和特性（ＢＨヒシテレシス特性）を考慮して予め定めた電磁弁Ｌ１５２の実効電流値の減少態様を示すマップＡを備え、閉弁時において、電磁弁Ｌ１５２の通電電流をＰＷＭ制御して当該通電電流の実効値を減少させて閉弁動作を行う際に、デューティ比算出ユニット２０８が、電磁弁Ｌ１５２の現在の通電電流実効値に基づき、上記マップＡを参照して、次のデューティ比更新タイミングにおいて上記ＰＷＭ制御に設定すべきデューティ比を決定する。
【００４２】
このため、本電磁弁制御装置１０では、電磁弁Ｌ１５２の閉弁動作時の弁開度が所望の態様で減少するように、当該弁開度を精度良く制御することができる。
【００４３】
なお、弁開度が所定のクランク角において完全閉状態となるように、通電電流実効値Ｉｅｎの算出に際しては、上述の式（１）に代えて次の式（４）を用いて、現在の通電電流実効値Ｉｅｃにクランク角に応じた係数Ｋ´を更に乗ずるものとしても良い。
Ｉｅｎ＝Ｋ×Ｋ´×Ｉｅｃ          （４）
【００４４】
この場合、例えば、コントローラ１４２は、所定のクランク角において完全閉弁状態となるように、クランク角に応じた係数Ｋ´を示すマップＢを予め定めて保持するものとし、閉弁制御ユニット２０４は、クランク角センサから取得される現在のクランク角θｃにより当該係数Ｋ´を決定するものとすることができる。
【００４５】
マップＢは、例えば図６に示すように、横軸にクランク角、縦軸に当該クランク角に応じた係数Ｋ´を示すグラフとして定めることができる。また、マップＢは、マップＡと同様に、コントローラ１４２が備える記憶装置（不図示）に記憶させておくものすることもできるし、例えばコンピュータであるコントローラ１４２が実行するプログラムの中に記述しておくものとすることもできる。
【符号の説明】
【００４６】
１０・・・電磁弁制御装置、１００・・・昇圧回路、Ｌ１０２・・・コイル、Ｔｒ１０４、Ｔｒ１１０、Ｔｒ１１２、Ｔｒ１１４・・・トランジスタ、Ｄ１０６、Ｄ１２０・・・ダイオード、Ｃ１０８、Ｃ１１８・・・コンデンサ、Ｒ１３０、Ｒ１３２・・・抵抗、１４０・・・昇圧制御回路、１４２・・・コントローラ、Ｌ１５２・・・電磁弁（コイル）。
【図１】
0006559558.tif 000002
【図２】
0006559558.tif 000003
【図３】
0006559558.tif 000004
【図４】
0006559558.tif 000005
【図５】
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【図６】
0006559558.tif 000007