(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
多層配線板の製造方法であって、
（ａ）金属箔と、該金属箔上に設けられる絶縁層と、該絶縁層の前記金属箔と反対側の面に設けられる第１配線層とを備えた積層体を用意する工程と、
（ｂ）前記積層体に対して前記金属箔の表面からレーザー加工を施して、前記金属箔及び前記絶縁層を貫通して前記第１配線層に到達するビアホールを形成する工程と、
（ｃ）前記積層体の前記ビアホールが形成された側に対してめっき及びパターニングを施して、前記第１配線層、及び前記金属箔に由来する第２配線層を含む多層配線板を形成する工程と、
を含み、
前記第１配線層の少なくとも前記金属箔と対向する面は、フーリエ変換赤外分光光度計（ＦＴ−ＩＲ）により測定される波長１０．６μｍのレーザーの反射率が８０％以上であり、かつ、ＩＳＯ２５１７８に準拠して測定される山の頂点密度Ｓｐｄが７０００個／ｍｍ２以上１５０００個／ｍｍ２以下であり、
前記第１配線層の厚さＴ１に対する前記金属箔の厚さＴ２の比であるＴ２／Ｔ１が０．２３以上である、方法。
【請求項２】
前記第１配線層の厚さＴ１が２μｍ以上１５μｍ以下である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記金属箔の厚さＴ２が０．５μｍ以上６μｍ以下である、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
前記Ｔ２／Ｔ１が１．０以下である、請求項１〜３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
前記レーザー加工における、レーザーの出力密度が８ＭＷ／ｃｍ２以上１４ＭＷ／ｃｍ２以下である、請求項１〜４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記ビアホールの直径が３０μｍ以上８０μｍ以下である、請求項１〜５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
前記金属箔が、キャリア、剥離層、及び前記金属箔を順に備えたキャリア付金属箔の形態で供され、前記金属箔に対するレーザー加工前に、前記キャリアが前記積層体から剥離される、請求項１〜６のいずれか一項に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、多層配線板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、プリント配線板の実装密度を上げて小型化するために、プリント配線板の多層化が広く行われるようになってきている。このような多層プリント配線板は、携帯用電子機器の多くで、軽量化や小型化を目的として利用されている。そして、この多層プリント配線板には、層間絶縁層の更なる厚みの低減、及び配線板としてのより一層の薄型化及び軽量化が要求されている。【０００３】
このような要求を満足させる技術として、コアレスビルドアップ法を用いた多層プリント配線板の製造方法が採用されている。コアレスビルドアップ法とは、いわゆるコア基板を用いることなく、絶縁層と配線層とを交互に積層（ビルドアップ）して多層化する方法である。コアレスビルドアップ法においては、支持体と多層プリント配線板との剥離を容易に行えるように、キャリア付金属箔を使用することが提案されている。例えば、特許文献１（特許第４４６００１３号公報）には、キャリア付金属箔の金属箔側に絶縁層及び厚さ１８μｍの金属層を順に積層し、金属層を加工して内層回路（第１導体パターン）を形成し、内層回路に更なる絶縁層及び金属箔を順に積層し、キャリアを剥離して内層回路の両面側に金属箔を具備する基板を形成し、その後、基板両面の金属箔と内層回路とをビアを介して電気的に接続する配線基板の製造方法が開示されている。また、特許文献１には、基板の両面からレーザー加工を行って金属箔及び絶縁層を貫通して内層回路に到達するビアホールを各々形成し、基板両面の金属箔にドライフィルムでパターニングを施し、その後、電気めっきによってビアホールをめっき金属で充填するとともに、外層回路（導体パターン）を基板の両面に形成することも開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特許第４４６００１３号公報
【特許文献２】特許第３１４２２７０号公報
【発明の概要】
【０００５】
近年、多層プリント配線板に要求される更なる薄型化に伴い、多層配線板の回路に用いられる金属箔の厚さも低減している。この点、特許文献１に記載されるような配線基板の製造においても、極薄化した金属箔を用いることが望まれる。しかしながら、既存の極薄銅箔（例えば厚さ６μｍ以上１２μｍ以下）を用いて回路（例えば内層回路）を形成した場合、層間接続用のビアホールを形成する工程において、両面（外層）の金属箔及び絶縁層のみならず当該回路までもがレーザー加工により貫通して穴が生じてしまうという問題がある。例えば、特許文献２（特許第３１４２２７０号公報）には、内層回路付基板に関して、内層回路の厚さが外層銅箔の厚さの４．５倍に満たない場合には（換言すれば内層回路の厚さＴ１に対する外層銅箔の厚さＴ２の比であるＴ２／Ｔ１が１／４．５（＝０．２２）未満となる場合）、レーザー照射による穴開けを行う際に、内層回路の損傷等が生じるおそれがあることが開示されている。
【０００６】
本発明者らは、今般、波長１０．６μｍのレーザーの反射率及び山の頂点密度Ｓｐｄが所定の条件を満たす特定面を備えた配線層を回路（例えば内層回路）として用いて多層配線板の製造を行うことにより、回路を極薄化した場合であっても、回路密着性に優れ、かつ、レーザー加工による当該回路の貫通を極めて効果的に防止することができるとの知見を得た。
【０００７】
したがって、本発明の目的は、回路を極薄化した場合であっても、回路密着性に優れ、かつ、レーザー加工による当該回路の貫通を極めて効果的に防止することが可能な、多層配線板の製造方法を提供することにある。
【０００８】
本発明の一態様によれば、多層配線板の製造方法であって、
（ａ）金属箔と、該金属箔上に設けられる絶縁層と、該絶縁層の前記金属箔と反対側の面に設けられる第１配線層とを備えた積層体を用意する工程と、
（ｂ）前記積層体に対して前記金属箔の表面からレーザー加工を施して、前記金属箔及び前記絶縁層を貫通して前記第１配線層に到達するビアホールを形成する工程と、
（ｃ）前記積層体の前記ビアホールが形成された側に対してめっき及びパターニングを施して、前記第１配線層、及び前記金属箔に由来する第２配線層を含む多層配線板を形成する工程と、
を含み、
前記第１配線層の少なくとも前記金属箔と対向する面は、フーリエ変換赤外分光光度計（ＦＴ−ＩＲ）により測定される波長１０．６μｍのレーザーの反射率が８０％以上であり、かつ、ＩＳＯ２５１７８に準拠して測定される山の頂点密度Ｓｐｄが７０００個／ｍｍ２以上１５０００個／ｍｍ２以下であり、
前記第１配線層の厚さＴ１に対する前記金属箔の厚さＴ２の比であるＴ２／Ｔ１が０．２３以上である、方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の製造方法の一例における工程（工程（ｉ）〜（ｉｉｉ））を示す工程流れ図である。
【図２】例１〜６における、レーザー加工性評価用積層体の作製及びビアホール形成の工程（工程（ｉ）〜（ｉｖ））を示す工程流れ図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
定義
本発明を特定するために用いられるパラメータの定義を以下に示す。
【００１１】
本明細書において「波長１０．６μｍのレーザーの反射率」とは、フーリエ変換赤外光度計（ＦＴ−ＩＲ）により測定される、波長１０．６μｍのレーザーを試料（金属箔）表面に照射した際の、基準板（例えばＡｕ蒸着ミラー）で反射した光の量に対する、試料で反射した光の量の比率である。波長１０．６μｍのレーザーの反射率の測定は、市販のフーリエ変換赤外光度計を用いて、本明細書の実施例に記載される諸条件に従って行うことができる。なお、レーザー加工に典型的に用いられる炭酸ガスレーザーの波長が１０．６μｍであるため、フーリエ変換赤外光度計のレーザー波長を１０．６μｍとした。
【００１２】
本明細書において「山の頂点密度Ｓｐｄ」とは、ＩＳＯ２５１７８に準拠して測定される、単位面積当たりの山頂点の数を表すパラメータである。この値が大きいと他の物体との接触点の数が多いことを示唆する。山の頂点密度Ｓｐｄは、金属箔ないし配線層表面における所定の測定面積（例えば１０７μｍ×１４３μｍの領域）の表面プロファイルを市販のレーザー顕微鏡で測定することにより算出することができる。
【００１３】
多層配線板の製造方法
本発明は、多層配線板の製造方法に関する。本発明の方法は、（１）積層体の用意、（２）ビアホールの形成、及び（３）第２配線層の形成の各工程を含む。
【００１４】
以下、図１を参照しながら、工程（１）〜（３）の各々について説明する。
【００１５】
（１）積層体の用意
金属箔１０と、金属箔１０上に設けられる絶縁層１２と、絶縁層１２の金属箔１０と反対側の面に設けられる第１配線層１４とを備えた積層体１６を用意する。この積層体１６は、典型的には、上述したコアレスビルドアップ法等の多層配線板の製造方法において、支持体を剥離する前の中間製品に相当するものである。例えば、図１（ｉ）に示されるように、積層体１６は、第１配線層１４側（すなわち金属箔１０と反対側）の面に絶縁層１２’がさらに積層された形態であってもよい。この場合、第１配線層１４は絶縁層１２及び絶縁層１２’間に埋め込まれた内層回路となる。あるいは、積層体１６は、第１配線層１４側の面に絶縁層１２’を介して更なる金属箔又は配線層（図示せず）が積層ないし形成された形態（例えば両面に金属箔を備えた形態）であってもよい。また、第１配線層１４は絶縁層１２内に設けられたものであってもよい。いずれにしても、積層体１６は少なくとも金属箔１０、絶縁層１２及び第１配線層１４を備えていればよく、その他の層構成については特に限定されない。
【００１６】
金属箔１０は、プリント配線板用金属箔に採用される公知の構成であることができる。例えば、金属箔１０は、無電解めっき法及び電解めっき法等の湿式成膜法、スパッタリング及び化学蒸着等の乾式成膜法、又はそれらの組合せにより形成したものであってよい。金属箔１０の例としては、アルミニウム箔、銅箔、ステンレス（ＳＵＳ）箔、ニッケル箔等が挙げられ、好ましくは銅箔である。銅箔は圧延銅箔及び電解銅箔のいずれであってもよい。
【００１７】
金属箔１０はキャリア付金属箔の形態で供されてもよい。キャリア付金属箔は、典型的にはキャリア（図示せず）、剥離層（図示せず）、及び金属箔１０を順に備える。キャリアは金属箔１０を支持してそのハンドリング性を向上させるための箔ないし層である。キャリアの好ましい例としては、アルミニウム箔、銅箔、ステンレス（ＳＵＳ）箔、樹脂フィルム、表面を銅等でメタルコーティングした樹脂フィルム、樹脂板、ガラス板、及びそれらの組合せが挙げられる。キャリアの厚さは典型的には５μｍ以上２５０μｍ以下であり、好ましくは９μｍ以上２００μｍ以下である。また、剥離層はキャリアの剥離を可能とする層であるかぎり、材質は特に限定されない。例えば、剥離層は、キャリア付金属箔の剥離層として採用される公知の材料で構成されることができる。剥離層は、有機剥離層及び無機剥離層のいずれであってもよく、有機剥離層と無機剥離層との複合剥離層であってもよい。剥離層の厚さは、典型的には１ｎｍ以上１μｍ以下であり、好ましくは５ｎｍ以上５００ｎｍ以下、より好ましくは６ｎｍ以上１００ｎｍ以下である。金属箔１０がキャリア付金属箔の形態で供される場合には、後述する金属箔１０に対するレーザー加工前に、キャリアを積層体１６から剥離するのが好ましい。こうすることで、後述するビアホールの形成工程において、金属箔１０からレーザー加工を施すことが可能となる。
【００１８】
積層体１６は、片面がプリプレグ等の支持体（図示せず）に貼り付けられて剛性が付与されてもよい。プリプレグとは、合成樹脂板、ガラス板、ガラス織布、ガラス不織布、紙等の基材に合成樹脂を含浸させた複合材料の総称である。この場合、支持体の両面にキャリア付金属箔が上下対称に貼り付けられ、得られた支持体付仮積層体の両面に上下対称となるように積層体１６が形成され、その後支持体がキャリアとともに除去されるのが好ましい。例えば、支持体に金属箔１０を備えたキャリア付金属箔が貼り付けられ、金属箔１０上に絶縁層１２及び第１配線層１４が順に積層ないし形成されて積層体１６となりうる。あるいは、支持体に金属箔１０とは別の金属箔を備えたキャリア付金属箔が貼り付けられ、当該金属箔上に第１配線層１４、絶縁層１２及び金属箔１０が順に積層ないし形成されて積層体１６となりうる。このように、本発明で用意する積層体１６は、金属箔１０及び第１配線層１４のいずれを先に積層ないし形成して作製されたものであってもよい。
【００１９】
絶縁層１２は、コアレスビルドアップ法の絶縁層に採用される公知の構成であってよく、特に限定されない。例えば、絶縁層１２は、プリプレグや樹脂シート等の絶縁樹脂材料を金属箔１０上に積層し、その後、熱間プレス成形を施すことにより好ましく形成することができる。使用するプリプレグに含浸される絶縁性樹脂の好ましい例としては、エポキシ樹脂、シアネート樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂（ＢＴ樹脂）、ポリフェニレンエーテル樹脂、フェノール樹脂等が挙げられる。また、樹脂シートを構成する絶縁性樹脂の好ましい例としては、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂等が挙げられる。さらに、絶縁層１２には絶縁性を向上する等の観点からシリカ、アルミナ等の各種無機粒子からなるフィラー粒子等が含有されていてもよい。絶縁層１２の厚さは特に限定されないが、１μｍ以上１００μｍ以下が好ましく、より好ましくは５μｍ以上４０μｍ以下、さらに好ましくは１０μｍ以上３０μｍ以下である。絶縁層１２は複数の層で構成されていてよい。なお、図１（ｉ）に示されるように、積層体１６が絶縁層１２’を含む場合には、絶縁層１２’の構成は絶縁層１２に準じたものとすればよく、上述した絶縁層１２の好ましい態様は絶縁層１２’にもそのまま当てはまる。
【００２０】
第１配線層１４は、例えば、絶縁層１２又は絶縁層１２’上に第１配線層用金属箔を積層し、この第１配線層用金属箔にパターニングを施すことにより好ましく形成することができる。あるいは、第１配線層１４は、金属箔１０とは別の金属箔上に金属めっき等を用いてパターニングを施すことにより形成してもよい。第１配線層用金属箔は、無電解めっき法及び電解めっき法等の湿式成膜法、スパッタリング及び化学蒸着等の乾式成膜法、又はそれらの組合せにより形成したものであってよい。第１配線層用金属箔の例としては、アルミニウム箔、銅箔、ステンレス（ＳＵＳ）箔等が挙げられ、好ましくは銅箔である。銅箔は圧延銅箔及び電解銅箔のいずれであってもよい。第１配線層用金属箔の好ましい厚さは０．１μｍ以上１２μｍ以下であり、より好ましくは１μｍ以上９μｍ以下、さらに好ましくは５μｍ以上７μｍ以下である。このような範囲内であると、微細回路形成を行うのに極めて適したものとなる。第１配線層１４を形成するためのパターニングはサブトラクティブ法、ＭＳＡＰ（モディファイド・セミ・アディティブ・プロセス）法、ＳＡＰ（セミ・アディティブ・プロセス）法等の公知の手法によって行えばよく、特に限定されない。第１配線層１４上に絶縁層１２又は絶縁層１２’を積層する場合には、予め第１配線層１４に内層処理を施してもよい。内層処理はＣＺ処理等の粗化処理を含むのが好ましく、ＣＺ処理は有機酸系マイクロエッチング剤（例えばメック株式会社製、品番ＣＺ−８１０１）を用いて、第１配線層１４表面に微細粗化を施すことにより好ましく行うことができる。こうすることで、第１配線層１４表面に微細凹凸を形成し、後に積層される絶縁層との密着性を向上させることができる。
【００２１】
第１配線層１４の少なくとも金属箔１０と対向する面は、フーリエ変換赤外分光光度計（ＦＴ−ＩＲ）により測定される波長１０．６μｍのレーザーの反射率が８０％以上であり、かつ、ＩＳＯ２５１７８に準拠して測定される山の頂点密度Ｓｐｄが７０００個／ｍｍ２以上１５０００個／ｍｍ２以下である。このような条件を満たす配線層を回路（例えば内層回路）として用いて多層配線板の製造を行うことにより、回路密着性に優れ、かつ、レーザー加工による当該回路の貫通を極めて効果的に防止することが可能となる。
【００２２】
すなわち、第１配線層１４の金属箔１０と対向する面におけるフーリエ変換赤外分光光度計により測定される波長１０．６μｍのレーザーの反射率を８０％以上と高くしたことで、ビアホール形成に用いられるレーザー光の吸収を効果的に妨げることが可能となる。その結果、第１配線層１４を極薄化した場合（すなわち第１配線層１４の厚さＴ１に対する金属箔１０の厚さＴ２の比であるＴ２／Ｔ１を０．２３以上と大きくした場合）であっても、当該第１配線層１４のレーザー加工による貫通を極めて効果的に防止することができる。この波長１０．６μｍのレーザーの反射率は第１配線層１４の表面を平滑にするほど大きくなるといえる。しかしながら、レーザー反射率を大きくするために第１配線層１４の表面を単に平滑にした場合、第１配線層１４と絶縁層１２との密着性が低下してしまい、回路剥がれが生じやすくなる。このように、レーザー加工による回路の貫通防止と、回路密着性とを両立することは容易なことではない。この点、本発明においては、第１配線層１４の金属箔１０と対向する面において、波長１０．６μｍのレーザー反射率向上に寄与する平滑性を保ちつつ、山の頂点密度Ｓｐｄを７０００個／ｍｍ２以上１５０００個／ｍｍ２以下と高くすることで、第１配線層１４の絶縁層１２への食い込みを多くの接点数で確保することができる。その結果、高い回路密着性を確保しながらも、レーザー加工による内層回路の貫通を極めて効果的に防止することが可能となる。
【００２３】
上記観点から、第１配線層１４の金属箔１０と対向する面は、フーリエ変換赤外分光光度計（ＦＴ−ＩＲ）により測定される波長１０．６μｍのレーザーの反射率が８０％以上であり、好ましくは８５％以上、より好ましくは９０％以上、さらに好ましくは９５％以上である。上限値は特に限定されるものでなく１００％であってもよいが、典型的には９８％以下である。また、第１配線層１４の金属箔１０と対向する面は、ＩＳＯ２５１７８に準拠して測定される山の頂点密度Ｓｐｄが７０００個／ｍｍ２以上１５０００個／ｍｍ２以下であり、好ましくは１００００個／ｍｍ２以上１５０００個／ｍｍ２以下、より好ましくは１３０００個／ｍｍ２以上１５０００個／ｍｍ２以下である。上記好ましい範囲内であると、高い回路密着性をより一層確保しながら、レーザー加工時における第１配線層１４の貫通をより効果的に防止できる。
【００２４】
第１配線層１４の金属箔１０と対向する面における上記範囲内の波長１０．６μｍのレーザーの反射率及び山の頂点密度Ｓｐｄは、第１配線層１４が形成されることになる第１配線層用金属箔の表面が予め備えていてもよく、あるいは上述した内層処理（例えばＣＺ処理等の粗化処理）により第１配線層１４の表面に事後的に付与されてもよい。したがって、第１配線層１４の金属箔１０と対向する面は粗化面であることが好ましい。なお、上記諸条件を満たす表面を有する第１配線層用金属箔は、金属箔表面に公知ないし所望の条件で粗化処理を施すことにより実現することができる。また、上記諸条件を満たす表面を有する市販の金属箔を選択的に入手してもよい。
【００２５】
第１配線層１４の金属箔１０と対向する面と同様に、第１配線層１４の金属箔１０と反対側の面が上記範囲内の波長１０．６μｍのレーザーの反射率及び山の頂点密度Ｓｐｄを有していてもよい。こうすることで、第１配線層１４の金属箔１０と反対側に積層される層（例えば絶縁層１２’）との高い密着性を確保しつつ、積層体１６の金属箔１０と反対側の表面からレーザー加工を施した場合でも、第１配線層１４の貫通を効果的に防止できる。
【００２６】
第１配線層１４の厚さＴ１に対する金属箔１０の厚さＴ２の比であるＴ２／Ｔ１は０．２３以上であり、好ましくは０．２５以上、より好ましくは０．３０以上である。上述したとおり、本発明によれば、第１配線層１４がレーザー光を吸収しにくい表面を有するため、上記範囲を満足するように第１配線層１４を極薄化しても、第１配線層１４のレーザー加工による損傷を抑制することが可能となる。Ｔ２／Ｔ１は１．０以下であるのが好ましく、より好ましくは０．５０以下であり、さらに好ましくは０．３３以下である。なお、レーザー加工を施す前に第１配線層１４及び／又は金属箔１０に対して表面処理を行う（すなわち第１配線層１４及び／又は金属箔１０の厚さを変化させる）場合には、上記Ｔ１及びＴ２は、当該表面処理後における第１配線層１４の厚さ及び金属箔１０の厚さをそれぞれ指すものとする。例えば、第１配線層１４に上述した内層処理を施す場合には、Ｔ１は内層処理後における第１配線層１４の厚さとなる。
【００２７】
第１配線層１４の厚さＴ１は２μｍ以上１５μｍ以下であるのが好ましく、より好ましくは３μｍ以上１２μｍ以下、さらに好ましくは５μｍ以上１０μｍ以下、特に好ましくは５μｍ以上８μｍ以下である。このような範囲内であると、多層プリント配線板に要求される薄型化に極めて有利となる。一方、金属箔１０の厚さＴ２は０．５μｍ以上６μｍ以下が好ましく、より好ましくは０．７μｍ以上４．０μｍ以下、さらに好ましくは１．２μｍ以上３．０μｍ以下、特に好ましくは１．５μｍ以上２．０μｍ以下である。このような範囲内であると、後述するビアホール形成工程において、金属箔１０から直接レーザー加工を行ってビアホール１８を形成することが容易になる。また、金属箔１０が配線層の形成に用いられる際、上述した厚さの範囲内であると微細回路形成性にも優れる。
【００２８】
（２）ビアホールの形成
図１（ｉｉ）に示されるように、積層体１６に対して金属箔１０の表面からレーザー加工を施して、金属箔１０及び絶縁層１２を貫通して第１配線層１４に到達するビアホール１８を形成する。レーザー加工には炭酸ガスレーザー、エキシマレーザー、ＵＶレーザー、ＹＡＧレーザー等の様々なレーザーが使用可能であるが、炭酸ガスレーザーを用いるのが特に好ましい。本発明の方法によれば、第１配線層１４がレーザー光を吸収しにくい表面を有するため、ビアホールの形成工程において、レーザー加工による第１配線層１４の貫通を極めて効果的に防止することが可能となる。とりわけ、レーザー加工を効率的に行うべくレーザーの出力密度を大きくした場合であっても、本発明によれば第１配線層１４の貫通が生じにくくなるといえる。この観点から、レーザー加工におけるレーザーの出力密度は８ＭＷ／ｃｍ２以上１４ＭＷ／ｃｍ２以下であるのが好ましく、より好ましくは８ＭＷ／ｃｍ２以上１２ＭＷ／ｃｍ２以下、さらに好ましくは９ＭＷ／ｃｍ２以上１２ＭＷ／ｃｍ２以下である。したがって、本発明におけるビアホール１８は、上記範囲内の出力密度を有するレーザーを用いて、１個のビアホールにつき１ショットのレーザー照射で形成することが好ましい。
【００２９】
ビアホール１８の直径は３０μｍ以上８０μｍ以下であるのが好ましく、より好ましくは３０μｍ以上６０μｍ以下、さらに好ましくは３０μｍ以上４０μｍ以下である。このような範囲内であると、多層プリント配線板の高密度化に極めて有利となる。また、上記のような小さい直径を有するビアホール１８を形成するためには、レーザーのビーム径（スポット径）を小さくすることが望まれる。この場合、第１配線層１４のレーザー照射部分にレーザーのエネルギーが集中しやすくなるため、本来的には第１配線層１４の貫通が生じやすくなるといえる。この点、本発明の方法によれば、第１配線層１４がレーザー光を吸収しにくい表面を有するため、レーザーのエネルギーが集中した場合においても、第１配線層１４の貫通を効果的に防止することが可能となる。
【００３０】
ビアホールの形成工程は、レーザー加工でビアホールを形成した際に生じるビアホール底部の樹脂残渣（スミア）を除去する処理として、クロム酸塩溶液及び過マンガン酸塩溶液の少なくともいずれか一方を用いたデスミア工程をさらに含むのが好ましい。デスミア工程は膨潤処理、クロム酸処理又は過マンガン酸処理、及び還元処理という処理をこの順に行う処理であり、公知の湿式プロセスが採用されうる。クロム酸塩の例としてはクロム酸カリウムが挙げられる。過マンガン酸塩の例としては、過マンガン酸ナトリウム、過マンガン酸カリウム等が挙げられる。特に、デスミア処理液の環境負荷物質の排出低減、電解再生性等の点から、過マンガン酸塩を用いるのが好ましい。
【００３１】
（３）第２配線層の形成
図１（ｉｉｉ）に示されるように、積層体１６のビアホール１８が形成された側に対してめっき及びパターニングを施して、第１配線層１４、及び金属箔１０に由来する第２配線層２２を含む多層配線板２４を形成する。こうすることで、ビアホール１８がめっき金属で充填され、第１配線層１４と第２配線層２２とがビアホール１８を介して電気的に接続される。第２配線層２２は金属箔１０に由来の金属を典型的には含むが、金属箔１０の表面プロファイルのみを引き継いだ新たな配線層（金属箔１０に由来の金属を含まない）として形成されてもよい。第２配線層２２の形成方法についての工法は特に限定されず、サブトラクティブ法、ＭＳＡＰ法、ＳＡＰ法等の公知の手法が使用可能である。ここで、図１（ｉｉｉ）はＭＳＡＰ法により回路形成を行ったものである。ＭＳＡＰ法による回路形成の一例としては、まず金属箔１０の表面にフォトレジスト（図示せず）を所定のパターンで形成する。フォトレジストは感光性フィルムであるのが好ましく、この場合は露光及び現像により所定の配線パターンをフォトレジストに付与すればよい。次いで、金属箔１０の露出表面（すなわちフォトレジスト層でマスキングされていない部分）、並びにビアホール１８に電気めっき層２０を形成する。このとき、ビアホール１８にめっき金属が充填されるため、第１配線層１４と金属箔１０とがビアホール１８を介して電気的に接続される。電気めっきは公知の手法により行えばよく、特に限定されない。フォトレジスト層を剥離した後、金属箔１０及び電気めっき層２０をエッチング加工することにより、第２配線層２２が形成された多層配線板２４を得ることができる。
【００３２】
多層配線板２４上に更なるビルドアップ配線層を形成してもよい。すなわち、多層配線板２４上にさらに絶縁層と配線パターンを含む配線層とを交互に積層配置することで、第ｎ配線層（ｎは３以上の整数）まで形成された多層配線板を得ることができる。この工程の繰り返しは所望の層数のビルドアップ配線層が形成されるまで行えばよい。また、必要に応じて、外層面にソルダーレジストや、ピラー等の実装用のバンプ等を形成してもよい。
【実施例】
【００３３】
本発明を以下の例によってさらに具体的に説明する。【００３４】
例１〜６
多層配線板の内層回路形成用の金属箔として用いるための銅箔を６種類用意し、各種評価を行った。具体的な手順は以下のとおりである。【００３５】
（１）銅箔の用意
表１に示される各パラメータを少なくとも一方の面に有する厚さ９μｍの電解銅箔を６種類用意した。これらの銅箔のうち幾つかは市販品であり、その他は公知の方法に基づき別途作製したものである。用意した銅箔の各パラメータの測定ないし算出方法は以下のとおりである。【００３６】
（ＦＴ−ＩＲにおける波長１０．６μｍのレーザーの反射率）
赤外分光光度計（Ｔｈｅｒｍｏ  Ｆｉｓｈｅｒ  ＳＣＩＥＮＴＩＦＩＣ社製、Ｎｉｃｏｌｅｔ  Ｎｅｘｕｓ  ６４０  ＦＴ−ＩＲ  Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｅｒ）を用いて、銅箔表面に対して下記条件にて測定を行い、ＩＲスペクトルデータを取得した。取得したＩＲスペクトルデータを解析することにより、波長１０．６μｍのレーザーの反射率を算出した。
＜測定条件＞
‐測定法：正反射法
‐バックグラウンド：Ａｕ蒸着ミラー
‐分解能：４ｃｍ−１
‐スキャン回数：６４ｓｃａｎ
‐検出器：ＤＴＧＳ（Ｄｅｕｔｅｒｉｕｍ  Ｔｒｉ−Ｇｌｙｃｉｎｅ  Ｓｕｌｆａｔｅ）検出器【００３７】
（山の頂点密度Ｓｐｄ）
レーザー顕微鏡（株式会社キーエンス製、ＶＫ−Ｘ１００）を用い、Ｓフィルターによるカットオフ波長０．８μｍ、倍率２０００倍（測定面積１０７μｍ×１４３μｍ）の条件で、ＩＳＯ２５１７８に準拠して銅箔表面の山の頂点密度Ｓｐｄを測定した。【００３８】
（２）銅箔の評価
用意した銅箔について、各種特性の評価を以下のとおり行った。【００３９】
＜レーザー加工性＞
図２に示されるように、上記（１）で用意した銅箔を内層回路形成用の金属箔として用いてレーザー加工性評価用積層体を以下のように作製し、レーザー加工性を評価した。まず、厚さ２μｍの銅箔を金属箔１１０として用意し、金属箔１１０上に絶縁層１１２として厚さ０．０２ｍｍのプリプレグ（三菱瓦斯化学株式会社製、ＧＨＰＬ−８３０ＮＳＦ）を積層した。次いで、上記（１）で用意した銅箔を第１配線層用金属箔１１３として、表１に示される各パラメータを有する側の面が絶縁層１１２上に当接するように積層し、圧力４．０ＭＰａ、温度２２０℃で９０分間の熱間プレス成形を行って第１積層体１１５を得た（図２（ｉ））。第１配線層用金属箔１１３の表面をマイクロエッチング液で１μｍエッチングした後、ドライフィルムを貼り付け、所定のパターンで露光及び現像を行い、エッチングレジストを形成した。この第１配線層用金属箔１１３の表面を塩化銅エッチング液で処理して、エッチングレジスト間から銅を溶解除去した後、エッチングレジストを剥離して第１配線層１１４を形成し、第２積層体１１６を得た（図２（ｉｉ））。第１配線層１１４表面に対して粗化処理（ＣＺ処理）を施した。粗化処理後における第１配線層１１４の厚さは７μｍであった。その後、第１配線層１１４が形成された第２積層体１１６上に厚さ０．０２ｍｍのプリプレグ（三菱瓦斯化学株式会社製、ＧＨＰＬ−８３０ＮＳＦ）及び厚さ２μｍの銅箔をそれぞれ絶縁層１１２’及び金属箔１１０’として順に積層し、圧力４．０ＭＰａ、温度２２０℃で９０分間の熱間プレス成形を行った。このようにして、レーザー加工性評価用積層体１１７を得た（図２（ｉｉｉ））。なお、レーザー加工性評価用積層体１１７における第１配線層１１４の厚さＴ１（７μｍ）に対する金属箔１１０の厚さＴ２（２μｍ）の比であるＴ２／Ｔ１は２／７＝約０．２９であった。得られたレーザー加工性評価用積層体１１７に対して、炭酸ガスレーザーを用いて９．５ＭＷ／ｃｍ２の出力密度で金属箔１１０側からレーザー加工を施し、金属箔１１０及び絶縁層１１２を貫通して第１配線層１１４に到達する直径６５μｍのビアホール１１８を形成した（図２（ｉｖ））。このビアホール１１８を金属箔１１０側から金属顕微鏡にて観察し、第１配線層１１４の貫通の有無を判定した。各例につきビアホール１１８の形成及び貫通判定を８８穴ずつ行い、ビアホール１１８の形成数及び第１配線層１１４の貫通数から、レーザー加工後における第１配線層１１４の貫通率を算出した。【００４０】
＜回路密着性＞
厚さ０．１ｍｍのプリプレグ（三菱瓦斯化学株式会社製、ＧＨＰＬ−８３０ＮＳＦ）３枚を積層し、積層したプリプレグに上記（１）で用意した銅箔を、表１に示される各パラメータを有する側の面が当接するように積層し、圧力４．０ＭＰａ、温度２２０℃で９０分間の熱間プレス成形を行って銅張積層板サンプルを作製した。この銅張積層板サンプルの両面にドライフィルムを張り合わせて、エッチングレジスト層を形成した。そして、その両面のエッチングレジスト層に、０．８ｍｍ幅の剥離強度測定試験用の回路を露光現像し、エッチングパターンを形成した。その後、銅エッチング液で回路エッチングを行い、エッチングレジストを剥離して回路を得た。こうして形成された回路（厚み９μｍ、回路幅０．８ｍｍ）をＪＩＳ  Ｃ  ６４８１−１９９６に準拠してプリプレグ表面に対して９０°方向に剥離してピール強度（ｋｇｆ／ｃｍ）を測定した。【００４１】
例７〜１０
厚さ９μｍの電解銅箔の代わりに、表１に示される各パラメータを少なくとも一方の面に有する厚さ７μｍの電解銅箔を用いたこと以外は、例１〜６と同様にして各種特性の評価を行った。なお、レーザー加工性評価用積層体１１７における粗化処理（ＣＺ処理）後の第１配線層１１４の厚さは５μｍであり、Ｔ２／Ｔ１は２／５＝０．４０であった。【００４２】
結果
例１〜１０において得られた評価結果は表１に示されるとおりであった。【００４３】
【表１】
0006622443.tif 000002
【００４４】
例１１
１）金属箔１１０、１１０’として厚さ２μｍの銅箔の代わりに、厚さ３μｍの銅箔をそれぞれ用いたこと、２）エッチング量を調整して粗化処理（ＣＺ処理）後の第１配線層１１４の厚さを５μｍとした（すなわちＴ２／Ｔ１を３／５＝０．６０とした）こと、及び３）炭酸ガスレーザーの出力密度を９．５ＭＷ／ｃｍ２から９．７５ＭＷ／ｃｍ２に変更したこと以外は、例５と同様にしてレーザー加工性の評価を行った。【００４５】
例１２
１）金属箔１１０、１１０’として厚さ２μｍの銅箔の代わりに、厚さ３μｍの銅箔をそれぞれ用いたこと、及び２）炭酸ガスレーザーの出力密度を９．５ＭＷ／ｃｍ２から９．７５ＭＷ／ｃｍ２に変更したこと以外は、例１０と同様にしてレーザー加工性の評価を行った。なお、レーザー加工性評価用積層体１１７における粗化処理（ＣＺ処理）後の第１配線層１１４の厚さは５μｍであり、Ｔ２／Ｔ１は３／５＝０．６０であった。【００４６】
例１３
１）金属箔１１０、１１０’として厚さ２μｍの銅箔の代わりに、厚さ３μｍの銅箔をそれぞれ用いたこと、及び２）炭酸ガスレーザーの出力密度を９．５ＭＷ／ｃｍ２から９．７５ＭＷ／ｃｍ２に変更したこと以外は、例８と同様にしてレーザー加工性の評価を行った。なお、レーザー加工性評価用積層体１１７における粗化処理（ＣＺ処理）後の第１配線層１１４の厚さは５μｍであり、Ｔ２／Ｔ１は３／５＝０．６０であった。【００４７】
例１４
１）金属箔１１０、１１０’として厚さ３μｍの銅箔の代わりに、厚さ５μｍの銅箔を用いたこと、及び２）炭酸ガスレーザーの出力密度を９．７５ＭＷ／ｃｍ２から１０．２５ＭＷ／ｃｍ２に変更したこと以外は、例１１と同様にしてレーザー加工性の評価を行った。なお、レーザー加工性評価用積層体１１７における粗化処理（ＣＺ処理）後の第１配線層１１４の厚さは５μｍであり、Ｔ２／Ｔ１は５／５＝１．０であった。【００４８】
例１５
１）金属箔１１０、１１０’として厚さ３μｍの銅箔の代わりに、厚さ５μｍの銅箔を用いたこと、及び２）炭酸ガスレーザーの出力密度を９．７５ＭＷ／ｃｍ２から１０．２５ＭＷ／ｃｍ２に変更したこと以外は、例１２と同様にしてレーザー加工性の評価を行った。なお、レーザー加工性評価用積層体１１７における粗化処理（ＣＺ処理）後の第１配線層１１４の厚さは５μｍであり、Ｔ２／Ｔ１は５／５＝１．０であった。【００４９】
例１６
１）金属箔１１０、１１０’として厚さ３μｍの銅箔の代わりに、厚さ５μｍの銅箔を用いたこと、及び２）炭酸ガスレーザーの出力密度を９．７５ＭＷ／ｃｍ２から１０．２５ＭＷ／ｃｍ２に変更したこと以外は、例１３と同様にしてレーザー加工性の評価を行った。なお、レーザー加工性評価用積層体１１７における粗化処理（ＣＺ処理）後の第１配線層１１４の厚さは５μｍであり、Ｔ２／Ｔ１は５／５＝１．０であった。【００５０】
結果
例１１〜１６において得られた評価結果は表２に示されるとおりであった。【００５１】
【表２】
0006622443.tif 000003
【要約】
回路を極薄化した場合であっても、回路密着性に優れ、かつ、レーザー加工による当該回路の貫通を極めて効果的に防止することが可能な、多層配線板の製造方法が提供される。この多層配線板の製造方法は、金属箔と、金属箔上に設けられる絶縁層と、絶縁層の金属箔と反対側の面に設けられる第１配線層とを備えた積層体を用意する工程と、積層体に対して金属箔の表面からレーザー加工を施してビアホールを形成する工程と、積層体のビアホールが形成された側に対してめっき及びパターニングを施して多層配線板を形成する工程とを含み、第１配線層の少なくとも金属箔と対向する面は、波長１０．６μｍのレーザーの反射率が８０％以上であり、かつ、山の頂点密度Ｓｐｄが７０００個／ｍｍ２以上１５０００個／ｍｍ２以下であり、第１配線層の厚さＴ１に対する金属箔の厚さＴ２の比であるＴ２／Ｔ１が０．２３以上である。【図１】
0006622443.tif 000004
【図２】
0006622443.tif 000005