(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板と、
画像を構成する複数の単位画素それぞれに対応して、電流を制御するための回路を含むように、前記第１基板の上に作り込まれた回路層と、
前記回路層の上に設けられて前記画像の表示領域を囲んで分離する溝を有する樹脂層と、
前記電流によって輝度が制御されて発光するように、前記樹脂層の上面に設けられた複数の自発光素子と、
前記複数の自発光素子を覆い、前記溝に充填された封止層と、
前記封止層の上方に配置された第２基板と、
前記封止層と前記第２基板の間で、前記表示領域及び前記溝を囲むように設けられ、前記封止層と前記第２基板の間隔を規定するためのスペーサとなる粒子を含むシール材と、
前記封止層と前記第２基板の間で、前記シール材に囲まれる充填層と、
を有し、
前記溝は、前記樹脂層の前記上面に垂直な方向から見て、前記シール材と重ならないように、矩形に内接して前記矩形の角には非接触の形状を描く線に沿って形成されていることを特徴とする自発光表示装置。
【請求項２】
請求項１に記載された自発光表示装置において、
前記溝は、前記矩形の前記角の内側で、直線状に延びることを特徴とする自発光表示装置。
【請求項３】
請求項１に記載された自発光表示装置において、
前記溝は、前記矩形の前記角の内側で、前記角の突出方向に凸となる曲線状に延びることを特徴とする自発光表示装置。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか１項に記載された自発光表示装置において、
前記シール材は、前記矩形の前記角の内側に前記溝が有する部分に対向して、前記角の突出方向に凹となる曲面部を有することを特徴とする自発光表示装置。
【請求項５】
第１基板と、
画像を構成する複数の単位画素それぞれに対応して、電流を制御するための回路を含むように、前記第１基板の上に作り込まれた回路層と、
前記回路層の上に設けられて前記画像の表示領域を囲んで分離する溝を有する樹脂層と、
前記電流によって輝度が制御されて発光するように、前記樹脂層の上面に設けられた複数の自発光素子と、
前記複数の自発光素子を覆い、前記溝に充填された封止層と、
前記第１基板よりも小さい平面形状を有し、前記第１基板の一部が露出するように、前記封止層の上方に配置された第２基板と、
前記封止層と前記第２基板の間で、前記表示領域及び前記溝を囲むように設けられ、前記封止層と前記第２基板の間隔を規定するためのスペーサとなる粒子を含むシール材と、
前記封止層と前記第２基板の間で、前記シール材に囲まれる充填層と、
を有し、
前記第２基板の前記平面形状は、矩形に内接して前記矩形の角に一致する又は内側となるコーナー部を有し、
前記溝は、前記樹脂層の前記上面に垂直な方向から見て、前記シール材と重ならないように、前記第２基板の前記平面形状に内接して前記コーナー部には非接触な形状を縮小した相似形を描く線に沿って形成されていることを特徴とする自発光表示装置。
【請求項６】
請求項５に記載された自発光表示装置において、
前記溝は、前記コーナー部の内側で、直線状に延びることを特徴とする自発光表示装置。
【請求項７】
請求項５に記載された自発光表示装置において、
前記溝は、前記コーナー部の内側で、前記コーナー部の突出方向に凸となる曲線状に延びることを特徴とする自発光表示装置。
【請求項８】
請求項５から７のいずれか１項に記載された自発光表示装置において、
前記シール材は、前記コーナー部の内側に前記溝が有する部分に対向して、前記コーナー部の突出方向に凹となる曲面部を有することを特徴とする自発光表示装置。
【請求項９】
請求項１から８のいずれか１項に記載された自発光表示装置において、
前記樹脂層は、前記上面に、前記シール材と重なる第２の溝をさらに有することを特徴とする自発光表示装置。
【請求項１０】
請求項９に記載された自発光表示装置において、
前記第２の溝は、前記シール材と重複して前記表示領域および前記溝を囲むように設けられ、
前記溝と前記第２の溝を連結する第３の溝が、前記第２の溝のコーナー部を避けて前記樹脂層に形成されることを特徴とする自発光表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、エレクトロルミネッセンス(ＥＬ：Electro Luminescence）素子や有機ＥＬ素子その他の自発光タイプの表示素子である自発光素子を搭載した自発光表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ素子等に代表される自発光素子を複数個配置した表示装置においては、水分が内部に侵入して、有機ＥＬ素子が劣化することを未然に防ぐために、窒化シリコン膜等によって構成される封止層によって表示領域が覆われる。
【０００３】
なお特許文献１は、水分の影響による劣化を防ぐことの可能な信頼性の高い有機ＥＬ表示装置を提供する旨が記載されている。特に図２には表示領域の角部と離れる方向に塗布型吸湿剤が塗布されることで、表示領域の角部から水分等が侵入することを防ぐ発明が開示されている。このように塗布型吸湿剤が角部と離れる方向に塗布された場合、額縁領域が大きくなる問題がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−１８６６８１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ここで、封止層によって表示領域内の各自発光素子を保護した場合であったとしても、水分の侵入による悪影響が発生することがある。
【０００６】
封止層によって保護された表示領域への水分の経路としては、回路層による凹凸を平坦化するために有機絶縁膜で形成される平坦化層や、各自発光素子を画素毎に分離するために有機絶縁膜で形成される画素分離膜に形成されるものと想定される。
【０００７】
本発明は、上記のような課題に鑑みて、複数の自発光素子が配置される表示領域内への水分の侵入が防止された自発光表示装置の提供をすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明に係る自発光表示装置は、第１基板と、画像を構成する複数の単位画素それぞれに対応して、電流を制御するための回路を含むように、前記第１基板の上に作り込まれた回路層と、前記回路層の上に設けられて前記画像の表示領域を囲んで分離する溝を有する樹脂層と、前記電流によって輝度が制御されて発光するように、前記樹脂層の上面に設けられた複数の自発光素子と、前記複数の自発光素子を覆う封止層と、前記封止層の上方に配置された第２基板と、前記封止層と前記第２基板の間で、前記表示領域及び前記溝を囲むように設けられたシール材と、前記封止層と前記第２基板の間で、前記シール材に囲まれる充填層と、を有し、前記溝は、前記樹脂層の前記上面に垂直な方向から見て、矩形に内接して前記矩形の角には非接触の形状を描く線に沿って形成されていることを特徴とする。
【０００９】
また本発明に係る自発光表示装置は、第１基板と、画像を構成する複数の単位画素それぞれに対応して、電流を制御するための回路を含むように、前記第１基板の上に作り込まれた回路層と、前記回路層の上に設けられて前記画像の表示領域を囲んで分離する溝を有する樹脂層と、前記電流によって輝度が制御されて発光するように、前記樹脂層の上面に設けられた複数の自発光素子と、前記複数の自発光素子を覆う封止層と、前記第１基板よりも小さい平面形状を有し、前記第１基板の一部が露出するように、前記封止層の上方に配置された第２基板と、前記封止層と前記第２基板の間で、前記表示領域及び前記溝を囲むように設けられたシール材と、前記封止層と前記第２基板の間で、前記シール材に囲まれる充填層と、を有し、前記第２基板の前記平面形状は、矩形に内接して前記矩形の角に一致する又は内側となるコーナー部を有し、前記溝は、前記樹脂層の前記上面に垂直な方向から見て、前記第２基板の前記平面形状に内接して前記コーナー部には非接触な形状を縮小した相似形を描く線に沿って形成されていることを特徴とする。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】第１の実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置の斜視図である。
【図２】第１の実施形態における有機ＥＬ表示装置の画素回路の様子を示す概略図である。
【図３】第１の実施形態における有機ＥＬ表示装置の一画素の様子を説明するための断面図である。
【図４】第１の実施形態における有機ＥＬ表示装置の表示領域の外周に位置する額縁領域と、端子部の様子を説明するための断面図である。
【図５Ａ】第１の実施形態における表示領域のコーナー部付近の様子を示す平面図である。
【図５Ｂ】第１の実施形態における表示領域の１つのコーナー部付近の様子を示す拡大平面図である。
【図５Ｃ】第１の実施形態における表示領域の１つのコーナー部付近の様子を示す拡大平面図である。
【図６】図５ＡにおけるＶＩ−ＶＩ断面の様子を示す図である。
【図７】第１の実施形態における有機ＥＬ表示装置の変形例１を示す図である。
【図８】第１の実施形態における有機ＥＬ表示装置の変形例２を示す図である。
【００１１】
以下、本発明の各実施形態に係る有機ＥＬ表示装置について、図面を参照しながら説明する。
【００１２】
［第１の実施形態］
図１は、第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置１を説明するための概略平面図である。本実施形態の有機ＥＬ表示装置１は、複数の自発光素子としての有機エレクトロルミネッセンス素子が配置された第１基板Ｂ１に、第２基板Ｂ２が張り合わされて構成され、第１基板Ｂ１において第２基板Ｂ２が露出した領域（露出領域ＥＸ）には、有機ＥＬ表示装置１を駆動するためのドライバ半導体装置ＩＣが配置される。さらに第１基板Ｂ１の露出領域ＥＸの端部近辺にはフレキシブルプリント基板ＦＰＣが配置される。
【００１３】
図２は、第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置１の表示領域ＤＰにおける画素回路の様子を示す図である。有機ＥＬ表示装置１は、画像を表示する表示領域ＤＰと、走査信号線駆動部ＧＤＲと、映像信号線駆動部ＤＤＲと、電源駆動部ＥＤＲとを備える。
【００１４】
表示領域ＤＰにおいては、複数画素のそれぞれに対応して有機エレクトロルミネッセンス素子ＯＬ、および、画素回路ＰＸがマトリクス状に配置されており、画素回路ＰＸは薄膜トランジスタＴＦＴ１、容量素子ＣＡＰ、および薄膜トランジスタＴＦＴ２で構成される。走査信号線駆動部ＧＤＲと映像信号線駆動部ＤＤＲ、電源駆動部ＥＤＲは、画素回路ＰＸを駆動して有機エレクトロルミネッセンス素子ＯＬの発光を制御する。
【００１５】
走査信号線駆動部ＧＤＲは、画素の水平方向の並び（画素行）ごとに設けられた走査信号線ＧＬに接続されて、順番に選択された走査信号線ＧＬに走査信号を出力する。
【００１６】
映像信号線駆動部ＤＤＲは、画素の垂直方向の並び（画素列）ごとに設けられた映像信号線ＤＬに接続されて、走査信号線駆動部ＧＤＲによる走査信号線ＧＬの選択にあわせて、選択された画素行の映像信号に応じた電圧を各映像信号線ＤＬに出力をする。当該電圧は、画素回路ＰＸ内のキャパシタに書き込まれて、書き込まれた電圧に応じた電流が有機エレクトロルミネッセンス素子ＯＬに供給される。
【００１７】
電源駆動部ＥＤＲは、画素列ごとに設けられた駆動電源線ＳＬに接続されて、画素回路ＰＸ内のスイッチング素子を介して有機エレクトロルミネッセンス素子ＯＬに電流を供給する。
【００１８】
有機エレクトロルミネッセンス素子ＯＬの陰極（カソード）は、接地電位に接続され、全画素の有機エレクトロルミネッセンス素子ＯＬの陰極は、共通の電極で構成される。
【００１９】
図３は、第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置１における単位画素の断面の様子を説明するための図である。同図で示されるように、有機ＥＬ表示装置１は、複数の有機エレクトロルミネッセンス素子ＯＬが形成された第１基板Ｂ１と、第１基板Ｂ１に対向して配置されてカラーフィルタ層ＣＦやブラックマトリクスＢＭが形成される第２基板Ｂ２と、第１基板Ｂ１と第２基板Ｂ２の間にて充填される充填層ＦＬを含んで構成される。
【００２０】
また有機エレクトロルミネッセンス素子ＯＬは、画素電極Ｐ１と、有機層Ｅ１と、共通電極Ｃ１を含んで構成され、画素電極Ｐ１と有機層Ｅ１とは互いに接触し、有機層Ｅ１と共通電極Ｃ１とは互いに接触する形となる。画素電極Ｐ１との間にて容量素子ＣＡＰを形成するための配線層Ｌ１と、容量絶縁層ＣＰとが配置される。この容量絶縁層ＣＰは、例えば窒化シリコン（ＳｉＮｘ）のような無機絶縁膜によって形成される。また有機エレクトロルミネッセンス素子ＯＬの下地には、アクリル樹脂やポリイミド樹脂等の有機絶縁膜で形成された平坦化層（樹脂層）ＨＰＬが形成され、各画素（各有機エレクトロルミネッセンス素子ＯＬ）は、同様の有機絶縁膜で形成されたバンク層（樹脂層）ＢＮＫにてそれぞれが分離される。
【００２１】
有機エレクトロルミネッセンス素子ＯＬの画素電極Ｐ１（陽極）は、アルミ等の反射性の高い金属によって形成されて、コンタクトホールＣＨの底部まで延在して透明導電層Ｔ１に接続される。画素電極Ｐ１は、平坦化層ＨＰＬの下方に形成された薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）のソース電極と導通する。共通電極Ｃ１は、酸化インジウム錫（ＩＴＯ：Indium Tin Oxide）等の透明導電膜によって形成されて、表示領域ＤＰ内の全画素において共通する一層のベタ状の電極となる。
【００２２】
本実施形態における有機層Ｅ１は、共通電極Ｃ１と画素電極Ｐ１の間に形成されて、ホール輸送層、発光層、電子輸送層を含んで構成される。有機層Ｅ１における発光層では、画素電極Ｐ１から注入されたホールと、共通電極Ｃ１から注入された電子とが再結合することにより発光する。また有機層Ｅ１を構成する全ての層が表示領域ＤＰの全体にわたって形成されていてもよいし、画素ごとに個別に形成されていてもよい。有機エレクトロルミネッセンス素子ＯＬの発光層の輝度は、回路層ＣＬからの電流によって制御される。回路層ＣＬには薄膜トランジスタＴＦＴ２、図示しない薄膜トランジスタＴＦＴ１等が含まれる。
【００２３】
また、各画素の有機エレクトロルミネッセンス素子ＯＬは、封止層ＰＲで覆われて保護されるようになっている。本実施形態における封止層ＰＲは、無機絶縁膜によって構成され、具体的には、窒化シリコン層と、酸化シリコン層を含んで構成される。なお封止層ＰＲとしては、例えば、窒化シリコン層と酸化シリコン層の間の一部にて樹脂層が挟まれていてもよく、封止層ＰＲの一部に有機絶縁膜が含まれる場合があってもよい。
【００２４】
平坦化層ＨＰＬは、有機絶縁膜によって比較的厚い厚みで形成され、薄膜トランジスタＴＦＴ等が形成された回路層ＣＬにて発生する段差を吸収して平坦にする。なお回路層ＣＬは、同図で示されるように、画素電極Ｐ１に接続される薄膜トランジスタの各電極やその他の配線、ゲート絶縁膜や層間絶縁膜を含んで構成され、表示領域ＤＰ内の各画素のそれぞれに対応して電流を制御するための回路を有している。
【００２５】
図４は、第１の実施形態における有機ＥＬ表示装置１の表示領域ＤＰの外周に位置する額縁領域と、露出領域ＥＸに形成された端子部ＴＥの様子を示す図である。図４における左側の図が額縁領域の様子を示すものとなっており、右側の図が端子部ＴＥの様子を示す図となっている。第１基板Ｂ１と第２基板Ｂ２の間には、これらを貼り合わせるシール材ＤＭが設けられ、シール材ＤＭは、第２基板Ｂ２の輪郭に沿って配置されて、その内側に充填層ＦＬが配置される。
【００２６】
図４の左側の断面図にて示されるように、共通電極Ｃ１は額縁領域（表示領域ＤＰの外側）において露出された透明導電膜Ｔ１とコンタクトして、配線層Ｌ１を経て共通電位が供給されるようになっている。また図４の右側の断面図にて示されるように、端子部ＴＥにおいては、薄膜トランジスタのソース・ドレイン電極と同層の金属層が露出されており、端子部ＴＥからドライバ半導体装置ＩＣと接続される。
【００２７】
ここで特に、図５Ａは、本実施形態における有機ＥＬ表示装置１の第１基板Ｂ１を上側から見た際の概略図を示すものとなっており、同図で示されるように、画像を表示する表示領域ＤＰとシール材ＤＭが配置される領域の間には、有機絶縁膜で形成される平坦化層ＨＰＬおよびバンク層ＢＮＫから水分が侵入するのを遮断するための溝ＧＲ１（第１の溝）が配置されている。また図５Ｂ、図５Ｃは、有機ＥＬ表示装置１の右上部分のコーナー部の拡大図を示す図であり、これらの図では、溝ＧＲ２（第２の溝）の表記が省略されている。
【００２８】
シール材ＤＭは、第１基板Ｂ１に貼り合わされる第２基板Ｂ２のコーナー部においては、丸みを帯びた形状となっており、表示領域ＤＰのコーナー部が突出する方向に凹となる曲面部ＣＶを有している。溝ＧＲ１は、シール材ＤＭと重複する場合には表示領域ＤＰへの水分の侵入経路が形成される場合があることから、シール材ＤＭとの重複を避けるような形状にて構成される。すなわち溝ＧＲ１は、平面的に見て、図５Ａおよび図５Ｂで示されるように、表示領域ＤＰを囲む矩形ＲＣに内接するように形成され、かつ、当該矩形の角の部分においては、その角に非接触となる形状を描く線に沿って形成される。
【００２９】
また別の観点から説明すると、図５Ｃで示されるように（図５Ｃでは、溝ＧＲ２の表示が省略されている）、溝ＧＲ１は、第２基板Ｂ２の平面形状に内接し、かつ、そのコーナー部には非接触となる形状ＳＨの相似形ＳＨ１を描く線に沿って、形状ＳＨよりも縮小されて形成される。
【００３０】
具体的には、本実施形態における溝ＧＲ１は、表示領域ＤＰを囲む矩形ＲＣの角の内側では斜め方向に直線状に延びて、縦方向に伸びる溝ＧＲ１および横方向に伸びる溝ＧＲ１を接続するようになっており、溝ＧＲ１は、表示領域ＤＰを囲む矩形の頂点が落とされて、面取りされた角を描くようになっている。
【００３１】
なお図５Ａにおいては、シール材ＤＭと重複する位置において溝ＧＲ２も形成されるが、水分を遮断するという観点では必ずしも溝ＧＲ２は、存在しておらずともよい。
【００３２】
図６は、図５におけるＶＩ−ＶＩ断面を示す図である。同図で示されるように、溝ＧＲ１は、平坦化層ＨＰＬおよびバンク層ＢＮＫがエッチングによって取り除かれて形成される。このように溝ＧＲ１は、表示領域ＤＰ側の樹脂層とシール材ＤＭ側の樹脂層とを分断するようになっている。
【００３３】
本実施形態における溝ＧＲ１としては、まず、表示領域ＤＰの外周に位置して額縁領域に位置する平坦化層ＨＰＬにて、外側テーパー形状ＧＲａが形成される。そしてさらに、このテーパー形状ＧＲａの表面には容量絶縁層ＣＰが形成されて、平坦化層ＨＰＬによる有機絶縁膜が、無機絶縁膜によって分断される。次に、容量絶縁層ＣＰで覆われたテーパー形状ＧＲａを埋めるようにしてバンク層ＢＮＫが形成され、その後に、さらに、内側テーパー形状ＧＲｂが形成される。この内側テーパー形状ＧＲｂの表面には、共通電極Ｃ１が形成されて、さらにテーパー形状ＧＲｂの内側は封止層ＰＲで埋められるようになっている。
【００３４】
したがって、溝ＧＲ１においては、封止層ＰＲと共通電極Ｃ１により、バンク層ＢＮＫと平坦化層ＨＰＬの有機絶縁膜が分断され、さらに容量絶縁膜ＣＰにより、平坦化層ＨＰＬの有機絶縁膜が分断される。このような溝ＧＲ１により、バンク層ＢＮＫや平坦化層ＨＰＬに形成されうる水分の経路（パス）が分断されることになり、表示領域ＤＰ内に形成された有機層Ｅ１に水分が到達することが未然に防止され、有機ＥＬ表示装置１の信頼度が向上することになる。
【００３５】
このように本実施形態では、溝ＧＲ１が、平坦化層ＨＰＬにて外側テーパー形状ＧＲａと内側テーパー形状ＧＲｂによって構成されているが、溝ＧＲ１としては、回路層ＣＬの最上面に位置して平坦化層ＨＰＬの下面に接する無機絶縁膜に至るように平坦化層ＨＰＬ等の有機絶縁膜が貫通されて、さらに、表示領域ＤＰ側の平坦化層ＨＰＬとその外側の平坦化層ＨＰＬが分断されて両者の間に無機絶縁膜が介在するようになっていればよい。
【００３６】
また溝ＧＲ２は、溝ＧＲ１を外側から囲んで矩形状に形成されるものとなっているが、シール材ＤＭと重複する位置にて形成されるため、シール材ＤＭに内包される第１基板Ｂ１と第２基板Ｂ２の間隔を規定するスペーサ粒子ＳＰによって溝ＧＲ１内部の封止層ＰＲ等が破壊されるおそれがある。このため溝ＧＲ２においては、水分の侵入経路が形成されている可能性があり、溝ＧＲ２のみでは表示領域Ｄへの水分の侵入を十分に防ぐことは出来ない。
【００３７】
また、溝ＧＲ１が、溝ＧＲ２の平面形状と同様に、矩形状の頂点が落とされずに角張って形成されている場合には、シール材ＤＭの配置がわずかにずれることで、溝ＧＲ１の角の位置にて、シール材ＤＭの丸みを帯びた曲面部ＣＶが重複する可能性がある。上述したように、シール材ＤＭと溝ＧＲ１との重複が発生するとシール材ＤＭに内包されるスペーサ粒子ＳＰによって封止層ＰＲが破壊され、水分の侵入経路が生じる恐れがあることから、本実施形態のように頂点が落とされた矩形状の平面形状にて溝ＧＲ２が形成されることにより、シール材ＤＭを配置するアライメント精度を緩和しつつ水分の侵入を防止することが出来る。さらにシール材ＤＭの塗布パターンを溝ＧＲ１の角部を避けるように外側に凸形状にて塗布する必要が無くなるために、額縁領域を狭くすることができる。
【００３８】
次に、図７は、第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置１の変形例１を示す図である。同図で示されるように、溝ＧＲ１の平面的形状は、表示領域ＤＰを囲む矩形ＲＣの上下・左右の辺に内接するように形成されつつ、矩形ＲＣの角の内側では、当該角の突出方向に凸となる曲線状に延在するようになっている。具体的には、変形例１の溝ＧＲ１は、表示領域ＤＰを囲む角の内側において丸みを帯びた形状となっている。なお、この溝ＧＲ１における角部の曲率としては、シール材ＤＭの角部の曲率よりも大きくするようにしてもよい。
【００３９】
このように、溝ＧＲ１における角部を丸みの帯びた形状にすることで、溝ＧＲ１において充填される封止層ＰＲ等に応力が集中するのが防止されて、角部の封止層ＰＲの破損が防がれる。シール材ＤＭと溝ＧＲ１との重複も防ぐことができ、角部の封止層ＰＲの破損が防がれる。
【００４０】
また、図８は、第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置１の変形例２を示す図である。同図で示されるように、シール材ＤＭの内側に配置される溝ＧＲ１と、シール材ＤＭに重複して配置される溝ＧＲ２を連結する溝ＧＲ３（第３の溝）が変形例２では形成される。この溝ＧＲ３は、溝ＧＲ２等のコーナー部を避けて形成され、溝ＧＲ１の角部に水分が侵入したとしても、溝ＧＲ１の角部に接続される各辺に水分が伝わるのが防止されることになる。
【００４１】
なお、上記の実施形態では、溝ＧＲ１の内側に封止層ＰＲ以外の無機絶縁膜や金属層も形成されているが、例えば、封止層ＰＲ以外の無機絶縁膜等が含まれておらずともよい。また封止層ＰＲとしては、単層の無機絶縁層によって構成されてもよいし、複数の種類の異なる無機絶縁層によって構成されてもよい。
【００４２】
なお、上記の実施形態における表示装置は有機ＥＬ表示装置１となっているが、有機ＥＬ表示装置には限定されず自発光表示装置であればよく、量子ドット発光素子（ＱＬＥＤ：Quantum‐Dot Light Emitting Diode）のような自発光素子を各画素に備えた表示装置であってもよい。
【００４３】
本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく種々の変形が可能である。本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例および修正例に想到し得るものであり、それら変更例および修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。また例えば、上記の各実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除、もしくは設計変更を行ったもの、または、工程の追加、省略若しくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００４４】
１  有機ＥＬ表示装置、ＤＰ  表示領域、Ｂ１  第１基板、Ｂ２  第２基板、ＥＸ  露出領域、ＦＰＣ  フレキシブルプリント基板、ＩＣ  ドライバ半導体装置、ＧＤＲ  走査信号線駆動部、ＤＤＲ  映像信号線駆動部、ＥＤＲ  電源駆動部、ＧＬ  走査信号線、ＤＬ  映像信号線、ＰＸ  画素回路、ＯＬ  有機エレクトロルミネッセンス素子、ＣＦ  カラーフィルタ層、ＢＭ  ブラックマトリクス、ＦＬ  充填層、ＰＲ  封止層、ＤＭ  シール材、Ｃ１  共通電極、Ｅ１  有機層、Ｐ１  画素電極、ＣＰ  容量絶縁層、Ｌ１  配線層、ＣＨ  コンタクトホール、ＢＮＫ  バンク層、ＨＰＬ  平坦化層、ＣＬ  回路層Ｔ１  透明導電層、ＴＥ  端子部、ＧＲ１  第１の溝、ＧＲ２  第２の溝、ＧＲ３  第３の溝、ＧＲａ  外側テーパー形状、ＧＲｂ  内側テーパー形状。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図５Ｃ】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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