(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
燃料ターゲットを放射ビームで照射することでＥＵＶ放射を生成し、前記燃料ターゲットをプラズマ形成領域でプラズマに変換する放射源であって、
開始放射ビームを受容し、かつ、前記開始放射ビームがその断面に有する空間強度プロファイルとは異なる改質空間強度プロファイルを有する前記放射ビームを前記プラズマ形成領域の対物面に提供するために前記空間強度プロファイルを改質する、ように作動可能なビーム装置を備え、
前記ビーム装置は、入射した前記開始放射ビームを反射させるフィールドファセットと、前記フィールドファセットから入射したビームを前記プラズマ形成領域へと反射させる瞳ファセットと、を有し、
前記フィールドファセット及び前記瞳ファセットは、前記瞳ファセットに入射するビームの強度プロファイルを、前記フィールドファセットに入射する前記空間強度プロファイルと異ならせて、前記対物面の前記改質空間強度プロファイルの均質性を前記空間強度プロファイルの均質性と比較して増加させるように構成されている、放射源。
【請求項２】
前記ビーム装置は、前記改質空間強度プロファイルを作成するために前記空間強度プロファイルの局所的強度を空間的に分布するように作動可能である、請求項１に記載の放射源。
【請求項３】
前記ビーム装置は、前記改質空間強度プロファイルを有する前記放射を作成するために前記開始放射ビームの多数の部分的に重なり合うイメージを作成するように作動可能である、請求項１または２に記載の放射源。
【請求項４】
前記改質空間強度プロファイルは、局所的改質強度を有し、
前記ビーム装置は、前記放射ビームを提供し、
前記局所的改質強度の各々の大きさは所定の閾値よりも高い、請求項１から３の何れか一項に記載の放射源。
【請求項５】
前記所定の閾値は、前記燃料ターゲットの少なくとも一部を前記プラズマに変換するために十分な閾値強度を表す、請求項４に記載の放射源。
【請求項６】
前記ビーム装置は、前記空間強度プロファイルの不均質性の度合に従って前記空間強度プロファイルを改質するように作動可能である、請求項１から５の何れか一項に記載の放射源。
【請求項７】
前記フィールドファセットは、第１ファセット及び第２ファセットを有し、
前記第１ファセットは、入射した前記開始放射ビームを第１の向きに反射するように作動可能であり、
前記第２ファセットは、入射した前記開始放射ビームを前記第１の向きとは異なる第２の向きに反射するように作動可能である、請求項１から６の何れか一項に記載の放射源。
【請求項８】
少なくとも前記第１の向きまたは前記第２の向きを制御するアクチュエータシステムを備える、請求項７に記載の放射源。
【請求項９】
ＥＵＶ放射を使用して基板上にパターンをイメージングするリソグラフィシステムであって、
前記リソグラフィ装置は、請求項１から８の何れか一項に記載の前記放射源を備える、リソグラフィシステム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
［関連出願の相互参照］
[0001]  本出願は、その全体が参照により本明細書に組み込まれる２０１４年１月２７日に出願された欧州特許出願番号第１４１５２６３０．１号および２０１４年５月７日に出願された米国特許仮出願第６１／９８９，６１６号の利益を主張する。
【背景技術】
【０００２】
［技術分野］
[0002]  本発明は、放射生成プラズマを生成するための放射源に関する。
【０００３】
［背景］
[0003]  リソグラフィ装置は、基板上に所望のパターンを付与するように構築された機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に使用可能である。リソグラフィ装置は、例えば、基板上に設けられた放射感応性材料（レジスト）の層上にパターニングデバイス（例えば、マスク）からのパターンを投影し得る。
【０００４】
[0004]  基板上にパターンを投影するようにリソグラフィ装置により使用される放射の波長は、基板上に形成可能なフィーチャの最小サイズを規定する。４〜２０ｎｍの範囲内の波長を有する電磁放射であるＥＵＶ放射を使用するリソグラフィ装置は、従来型のリソグラフィ装置（従来型のリソグラフィ装置は、例えば、１９３ｎｍの波長を有する電磁放射を使用し得る）よりも小さいフィーチャを基板上に形成するために使用可能である。
【０００５】
[0005]  ＥＵＶ放射は、ＥＵＶ生成プラズマを生成するように配置された放射源を用いて生成可能である。ＥＵＶ生成プラズマは、例えば、液体スズなどの燃料を放射線源内で励起することにより生成され得る。燃料は、燃料を含むターゲットに向かってレーザビームなどの、開始放射ビームを誘導することにより励起され得、開始放射ビームは燃料ターゲットがＥＵＶ生成プラズマになることを引き起こす。
【０００６】
[0006]  放射源が効率的であることを確実にするため、燃料ターゲットがＥＵＶ生成プラズマとなるようにできるだけ多くの燃料ターゲットが励起されることを確実することが望ましい。そのため、燃料ターゲットを励起するために開始放射を誘導するための改良されたツールが望まれる。リソグラフィ装置内のプラズマにより生成された放射線を誘導することもまた必要とされる。そのため、より一般的には放射を誘導するための改良したツールも望まれる。
【発明の概要】
【０００７】
[0007]  本明細書で記載された一実施形態の目的は、上述の問題のうちの１つまたは複数を未然に防止または軽減することである。
【０００８】
[0008]  本明細書に記載される第１態様によると、入射放射ビームを受容しターゲットに向けて反射された放射ビームを誘導するためのファセットリフレクタが提供される。ファセットリフレクタは、複数のファセットを備え、複数のファセットの各々は反射面を備える。複数のファセットの第１サブセットの各々の反射面は、反射された放射ビームの第１部分を提供するように、入射放射ビームの第１部分の各々を第１の向きに反射するように配置される。複数のファセットの第２サブセットの各々の反射面は、反射された放射ビームの第２部分を提供するように、入射放射ビームの第２部分の各自を第２の向きに反射するように配置される。
【０００９】
[0009]  このように、ファセットリフレクタは入射する放射ビームとは異なる強度プロファイルを有する反射された放射ビームの提供に適したリフレクタを提供する。
【００１０】
[0010]  第１サブセットの反射面は、第１連続表面の各部分を画定し得る。第２サブセットの反射面は、第１連続表面とは異なる第２連続表面の各部分を画定し得る。
【００１１】
[0011]  複数のファセットは、反射された放射ビームの第１部分の少なくとも一部および反射された放射ビームの第２部分の少なくとも一部がターゲットにおいて重なるように配置され得る。
【００１２】
[0012]  複数のファセットの各々の反射面は、少なくとも３つのサブセットのうちの１つに属し、各サブセットのファセットの反射面は入射放射ビームの各部分を各向きに反射するように配置され、各部分は共に反射された放射ビームの各部分を提供する。
【００１３】
[0013]  複数のファセットは、ターゲットにおいて反射された放射ビームの各部分の少なくとも一部が反射された放射ビームの少なくとも１つの他の各部分の少なくとも一部と重なるように配置され得る。
【００１４】
[0014]  複数のファセットは、ターゲットにおける反射された放射ビームの断面の一部内の強度の均質性を増加するように配置され得る。
【００１５】
[0015]  複数のファセットは、ターゲットにおける反射された放射ビームの断面の一部内の最小強度を増加させるために配置され得る。
【００１６】
[0016]  複数のファセットは、ターゲットにおける反射された放射ビームの断面の中心部分内の強度を増加させるために配置され得る。
【００１７】
[0017]  反射された放射ビームの断面は、反射された放射ビームの伝搬の向きと垂直な平面に取り込まれる。これは、軸方向断面とも称され得る。
【００１８】
[0018]  俯瞰透視図で見ると、複数のファセットは複数の等寸法のセクターとして配置されるファセットのディスクを備える。しかしながら、別の実施形態では追加のサブセットが提供され得る。
【００１９】
[0019]  俯瞰透視図で見ると、複数のファセットは等寸法の円周方向に分布したファセットのリングを備える。別の実施形態では、セクターおよび／または円周方向の分布は異なるサイズであり得る。
【００２０】
[0020]  俯瞰透視図で見ると、複数のファセットは等寸法の正方形のファセットのグリッドを備える。別の実施形態では、グリッドは異なるサイズおよび／または形状のファセットを備え得る。
【００２１】
[0021]  第１サブセットのファセットの反射面は第１平面を画定することができ、および／または第２サブセットのファセットの反射面は第２平面を画定することができる。
【００２２】
[0022]  第１連続表面は湾曲であってよい。例えば、第１連続表面は凹面または凸面であってよい。
【００２３】
[0023]  第１連続表面の勾配は、２つのファセットの第１サブセット間の１点における勾配の方が、少なくとも１つのファセットの第１サブセットの反射面と交差する連続表面上の１点における勾配より大きいことは決してない。つまり、第１サブセットのファセットにより画定された境界については、連続表面は、ファセットの第１サブセットにおけるファセットのうちの１つの反射面と交差する点において最も急であり得る。
【００２４】
[0024]  同様に、第２連続表面は湾曲であってよい。
【００２５】
[0025]  第１サブセットの第１ファセットと第２サブセットの隣接するファセットとの間の接続部分は、第１ファセットの反射面と第２ファセットの反射面との間の段階的な遷移を画定し得る。
【００２６】
[0026]  ファセットリフレクタは平均平面を画定し得る。ファセットリフレクタは平均平面に対して、接続部が平均平面に対する入射放射ビームの入射角度よりも小さい角度である角度にあるように配置され得る。
【００２７】
[0027]  本発明の第２態様によると、放射放出プラズマを生成するための放射源が提供され、放射源は開始放射ビームを受容するように配置され、開始放射ビームを受容し、放射放出プラズマを生成するようにプラズマ形成領域における燃料ターゲットに反射された開始放射ビームを誘導するように配置されるファセットリフレクタであって、ファセットリフレクタは複数のファセットを備え、複数のファセットの各々は反射面を備える、ファセットリフレクタを備え、複数のファセットの第１サブセットの各々の反射面は、反射された開始放射ビームの第１部分を提供するように第１の向きに入射した開始放射ビームの第１部分の各々を反射するように配置され、複数のファセットの第２サブセットの各々の反射面は、反射された開始放射ビームの第２部分を提供するように第２の向きに入射した開始放射ビームの第２部分の各々を反射するように配置される。
【００２８】
[0028]  このように、プラズマ形成位置において燃料ターゲットから反射された放射は、開始放射の放射源に到達する前に偏向される。開始放射の放射源がレーザである場合には、反射された放射を偏向することは、反射された放射がレーザに再入射した結果として起こり得る寄生レーザ発振を低減し、それによりエネルギー流出を低減して効率を向上させる。さらには、開始放射の経路にファセットリフレクタを設けることにより、ファセットはプラズマ形成領域において開始放射の所望の強度プロファイルを提供するように配置可能である。
【００２９】
[0029]  第１サブセットの反射面は、第１連続表面の各部分を画定し得る。第２サブセットの反射面は、第１連続表面とは異なる第２連続表面の各部分を画定し得る。
【００３０】
[0030]  複数のファセットは、反射された開始放射ビームの第１部分の少なくとも一部および反射された開始放射ビームの第２部分の少なくとも一部がターゲットにおいて重なるように配置され得る。
【００３１】
[0031]  複数のファセットの各々の反射面は、少なくとも３つのサブセットのうちの１つに属することができ、各サブセットのファセットの反射面は、各向きに入射した放射ビームの各部分を反射するように配置され、各部分は共に反射された開始放射ビームの各部分を提供する。
【００３２】
[0032]  複数のファセットは、反射された開始放射ビームの各部分の少なくとも一部が反射された開始放射ビームの少なくとも１つの他の各部分の少なくとも一部と、ターゲットにおいて重なり合うように配置され得る。
【００３３】
[0033]  複数のファセットは、プラズマ形成領域において開始放射ビームの断面の一部内の強度の均質性を増加させるように方向づけられ得る。
【００３４】
[0034]  強度の均質性を増加させることにより、プラズマ形成領域において提供される燃料ターゲットはより均一に励起され、放射放出プラズマに変換され得る燃料ターゲットの量を増加させ、それにより放射源の効率を増加させる。
【００３５】
[0035]  複数のファセットは、プラズマ形成領域において開始放射ビームの断面の一部内の最小強度を増加させるように方向づけられ得る。複数のファセットは、プラズマ形成領域において開始放射ビームの断面の中央部内の強度を増加させるように方向づけられ得る。
【００３６】
[0036]  このように、従来技術の放射源の、開始放射の一部は、それと相互作用する燃料ターゲットの一部を点火するには十分な強度を提供しないという問題が緩和される。
【００３７】
[0037]  開始放射の断面の一部は、使用中、プラズマ形成領域において燃料ターゲットと実質的に同心である開始放射ビームの一部であり得る。放射ビームの断面の強度が所定の半径を超えると低減し得る一方で、ファセットリフレクタは、燃料ターゲットと相互作用する放射ビームの一部が、結果としてその部分の全体にわたり放射生成プラズマを生成する十分な強度を有するように配置され得る。
【００３８】
[0038]  複数のファセットの第３のサブセットの各々は、開始放射ビームの一部を第３の方向に誘導するように配置されることができ、複数のファセットの第４のサブセットの各々は、開始放射ビームの一部を第４の方向に誘導するように配置されることができる。
【００３９】
[0039]  複数のファセットの各々は、第１、第２、第３または第４のサブセットのうちの１つに属し得る。つまり、厳密に４つのサブセットが設けられ得る。しかしながら、別の実施形態では、追加のサブセットが設けられ得る。
【００４０】
[0040]  俯瞰透視図で見ると、ファセットリフレクタは複数の等寸法のセクターとして配置されるファセットの内側ディスクを備え得る。ファセットリフレクタは、等寸法の円周方向に分布したファセットの外側リングをさらに備える。別の実施形態では、セクターおよび／または円周方向に分布したファセットの大きさは異なってよい。
【００４１】
[0041]  俯瞰透視図で見ると、ファセットリフレクタは等寸法の正方形のファセットのグリッドを備え得る。別の実施形態では、グリッドは異なるサイズのファセット、または正方形以外の形状、例えば長方形のファセットを有し得る。
【００４２】
[0042]  第１連続表面は湾曲であってよい。例えば、第１連続表面は凹面または凸面であってよい。
【００４３】
[0043]  第１連続表面の勾配は、２つのファセットの第１サブセットの間の任意の点における勾配の方が、少なくとも１つのファセットの第１サブセットの少なくとも１つの反射面と交差する連続表面上の１点における勾配より大きいことはない。つまり、第１サブセットのファセットにより画定された境界間については、連続表面は、ファセットの第１サブセットにおけるファセットの１つの反射面と交差する１点において最急であり得る。
【００４４】
[0044]  放射源は、プラズマ形成領域において放射生成プラズマにより生成された放射を集光し、生成された放射の少なくとも一部を焦点に誘導するための放射コレクタをさらに備え得る。
【００４５】
[0045]  第３の態様によると、第１の態様による放射源と、開始放射ビームを提供するように配置される第１レーザとを備える放射システムが提供される。
【００４６】
[0046]  放射システムは、プラズマ形成領域において燃料ターゲットに開始放射が入射する前に、燃料ターゲットの特性を変更するために燃料ターゲットに燃料改質放射ビームを誘導するように配置される第２レーザをさらに備え得る。
【００４７】
[0047]  第４の態様によると、第１の態様によるファセットリフレクタ、第２の態様による放射源または第３の態様による放射システムを備えるリソグラフィツールが提供される。
【００４８】
[0048]  第５の態様によると、第２の態様による放射源から受容する放射ビームを調整するように構成される照明システムと、パターニングデバイスを支持するように構築されるサポート構造であって、パターニングデバイスはパターン付与された放射ビームを形成するために放射ビームの断面にパターンを付与することができる、サポート構造と、基板を保持するように構築される基板テーブルと、基板上にパターン付与された放射ビームを投影するように構成される投影システムと、を備える、リソグラフィ装置が提供される。
【００４９】
[0049]  第６の態様によると、第１の態様によるファセットリフレクタを備える放射を生成するための放射システムが提供される。
【００５０】
[0050]  第７の態様によると、燃料を提供し、燃料を誘導して燃料ターゲットを提供するように構成される燃料放出体と、開始放射ビームの強度が燃料ターゲットの断面の実質的に全体にわたり閾値強度よりも大きくあるように、燃料ターゲットに入射する開始放射ビームを誘導するように構成される、ビーム装置と、を備える放射源が提供される。
【００５１】
[0051]  燃料ターゲットは、プラズマを形成するために励起される燃料の一部または領域である。燃料ターゲットは、燃料の液滴を含み得る。燃料ターゲットは、燃料流の一部を備え得る。燃料ターゲットは、電極上に提供される燃料の一部を備え得る。電極は、放電生成プラズマ放射源の一部を形成し得る。
【００５２】
[0052]  開始放射ビームおよび燃料ターゲットの断面は、開始放射ビームの伝搬の向きに垂直にある平面でとられる。
【００５３】
[0053]  開始放射ビームは、プラズマを形成するように燃料を励起するように作用するメインパルスレーザビームであってよい。プラズマは、ＥＵＶ放射放出プラズマであってよい。開始放射ビームは、例えば、メインパルスレーザビームであり得る、さらなる開始放射ビームに所望の形状の燃料ターゲットを提供するように燃料ターゲットの形状を変更するように作用するプレパルスレーザビームであってよい。開始放射ビームは、電極上の燃料ターゲットに入射するレーザビームであってよい。電極は、放電生成プラズマ放射源の一部を形成し得る。
【００５４】
[0054]  閾値強度は、燃料ターゲット内の燃料がプラズマに励起されることを引き起こす強度であってよい。閾値強度は、燃料ターゲットがＥＵＶ放射放出プラズマに励起されることを引き起こす強度であってよい。閾値強度は、燃料ターゲットの形状に所望の変化を引き起こす強度であってよい。閾値強度は、電極からの燃料ターゲットにアブレーションを引き起こす強度であってよい。電極は、放電生成プラズマ放射源の一部を形成し得る。
【００５５】
[0055]  ビーム装置は、開始放射ビームの強度が、燃料ターゲットの断面の実質的に全体にわたる閾値強度よりも大きくなることを引き起こす。そのため、ビーム装置はプラズマを形成するために励起される燃料の量を増加させることができ、またプラズマから放出される放射の量を増加し得る。そのため、ビーム装置は、放射源の変換効率を増加させる（変換効率は開始放射ビームからのエネルギーユニットごとのプラズマから放出される放射の量である）。
【００５６】
[0056]  開始放射ビームはプラズマ形成領域に、燃料ターゲットの断面積よりも大きいまたは同等の断面積を有し得、それにより開始放射ビームの断面は燃料ターゲットの断面を完全に包含（または覆う）する。
【００５７】
[0057]  ビーム装置は、放射ビームの強度が閾値高度よりも大きくあるように燃料ターゲットにおいて開始放射ビームの断面をわずかに増加させるように構成される少なくとも１つの光学要素を備え得る。
【００５８】
[0058]  ビーム装置は、燃料ターゲットにおいて開始放射の断面の一部内の強度の均質性を増加させるように構成される少なくとも１つの光学要素を備え得る。
【００５９】
[0059]  ビーム装置は、燃料ターゲットにおいて開始放射ビームの断面の一部内の最小強度を増加させるように構成される少なくとも１つの光学要素を備え得る。
【００６０】
[0060]  ビーム装置は、燃料ターゲットにおいて開始放射ビームの断面の中央部内の強度を増加させるように構成される少なくとも１つの光学要素を備え得る。
【００６１】
[0061]  放射源は、開始放射ビームの１つ以上の特性を測定するように作動可能な感知装置をさらに備えることができ、少なくとも１つの光学要素は感知装置による開始放射ビームの１つ以上の特性の測定に応じて適応可能であり得る。
【００６２】
[0062]  感知装置は、開始放射ビームの強度プロファイルを測定するように作動可能なセンサを備え得る。
【００６３】
[0063]  感知装置は、開始放射ビームにおける波面収差を測定するように作動可能な波面センサを備え得る。
【００６４】
[0064]  感知装置は、開始放射ビームが入射する光学要素と光学要素の温度を測定するように作動可能な温度センサとを備え得る。
【００６５】
[0065]  少なくとも１つの光学要素は、複数のファセットを備えるファセットリフレクタを備えることができ、複数のファセットの各々は反射面を備える。ファセットリフレクタが設けられる場合には、感知装置はファセットリフレクタの１つ以上のファセット間に位置づけられた１つ以上のセンサを備え得る。
【００６６】
[0066]  ファセットリフレクタは、第１態様によるファセットリフレクタを備え得る。
【００６７】
[0067]  ファセットリフレクタは、複数のフィールドファセットを備えるフィールドファセットミラーを備え得、ビーム装置は複数の瞳ファセットを備える瞳ファセットミラーをさらに備え得る。
【００６８】
[0068]  フィールドファセットミラーのフィールドファセットは各々が、開始放射ビームの強度プロファイルの一部を瞳ファセットミラーの各瞳ファセット上にイメージングするように構成され得、瞳ファセットの各々は強度プロファイルの一部を燃料ターゲット上にイメージングするように構成され得る。
【００６９】
[0069]  フィールドファセットおよび瞳ファセットは、開始放射ビームの強度プロファイルの一部を燃料ターゲット上にイメージングすることにより、開始放射ビームの強度が閾値強度よりも大きい燃料ターゲットにおいて開始放射ビームの断面をわずかに増加されるように構成され得る。
【００７０】
[0070]  少なくとも１つの光学要素は、可変鏡を備え得る。
【００７１】
[0071]  放射源は、可変鏡、開始放射ビームにおける波面収差を測定するように配置される波面センサおよび波面センサによる測定に応じて可変鏡の反射面の形状を適応するように構成されるコントローラを備える適応光学システムをさらに備え得る。
【００７２】
[0072]  適応光学システムは、開始放射ビームの一部を波面センサに誘導するように構成されるビームスプリッタをさらに備え得る。
【００７３】
[0073]  ビーム装置は、開始放射ビームを提供するように構成されるレーザを備え得る。
【００７４】
[0074]  レーザはインコヒーレントな開始放射ビームを提供するように構成され得る。
【００７５】
[0075]  レーザは種レーザおよび増幅チェーンを含み得る。
【００７６】
[0076]  種レーザは複数の横モードで作動するように構成され得る。
【００７７】
[0077]  種レーザは複数の縦モードで作動するように構成され得る。
【００７８】
[0078]  種レーザはガス放出レーザであってよい。
【００７９】
[0079]  種レーザはＣＯ２レーザであってよい。
【００８０】
[0080]  増幅チェーンは放電によりポンピングされるガスを備え得る。
【００８１】
[0081]  第８の態様によると、第７の態様による放射源を備えるリソグラフィツールが提供される。
【００８２】
[0082]  第９の態様によると、第７の態様による放射源から受容する放射ビームを調整するように構成される照明システムと、パターニングデバイスを支持するように構築されるサポート構造であり、パターニングデバイスはパターン付与された放射ビームを形成するために放射ビームの断面にパターンを付与することができる、サポート構造と、基板を保持するように構築される基板テーブルと、基板上にパターン付与された放射ビームを投影するように構成される投影システムと、を備える、リソグラフィ装置が提供される。
【００８３】
[0083]  第１０の態様によると、燃料を放出し、燃料をプラズマ形成領域に誘導してプラズマ形成領域において燃料ターゲットを提供するように構成される燃料放出体と、開始放射ビームがプラズマ形成領域における燃料ターゲットに入射するように誘導するように構成される光学要素であって、光学要素は放射ビームの強度が閾値高度よりも大きい燃料ターゲットにおいて開始放射ビームの断面をわずかに増加させるように構成される光学要素と、を備える放射源が提供される。
【００８４】
[0084]  これは、開始放射ビームの強度が燃料ターゲットの断面の実質的に全体にわたり強度閾値より大きくなることを引き起こし得る。強度閾値は、燃料ターゲット内の燃料がプラズマに励起されることを引き起こす強度であってよい。光学要素はプラズマを形成するために励起される燃料の量を増加させることができ、またプラズマから放出される放射の量を増加し得る。そのため、光学要素は、放射源の変換効率を増加させる（変換効率は開始放射ビームからのエネルギーユニットごとのプラズマから放出される放射の量である）。
【００８５】
[0085]  第１１の態様によると、燃料を放出し、燃料をプラズマ形成領域に誘導してプラズマ形成領域において燃料ターゲットを提供するように構成される燃料放出体と、インコヒーレントな開始放射ビームを提供するように構成されるレーザとを備える放射源が提供され、放射源は開始放射ビームを、プラズマ形成領域における燃料ターゲットに入射するように誘導するように構成されている。
【００８６】
[0086]  インコヒーレントな開始放射ビームを提供することは、開始放射ビームを燃料ターゲットに入射するように誘導するために使用される光学要素における光学収差に対する開始放射ビームの強度プロファイルの感度を低減する。これにより、開始放射ビームの強度が燃料ターゲットの断面の実質的に全体にわたって閾値強度よりも大きくなることが引き起こされ得る。強度閾値は、燃料ターゲット内の燃料がプラズマに励起されることを引き起こす強度であってよい。そのため、インコヒーレントな開始放射ビームを提供することは、プラズマを形成するために励起される燃料の量を増加し、プラズマから放出される放射の量を増加する。そのため、インコヒーレントな放射ビームを提供することは、放射源の変換効率を増加させる（変換効率は開始放射ビームからのエネルギーユニットごとのプラズマから放出される放射の量である）。
【００８７】
[0087]  上述または後述の１つ以上の態様または特徴は、１つ以上のその他の態様または特徴と組み合わせ可能であることが理解される。
【図面の簡単な説明】
【００８８】
[0088]  本発明のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の概略図を参照して以下に説明する。
【図１】[0089]  本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置および放射源を含むリソグラフィシステムを概略的に示す。
【図２】[0090]  公知の放射源を概略的に示す。
【図３Ａ】[0091]  図２の放射源内のプラズマ形成領域におけるレーザビームの断面の強度プロファイルを示す。
【図３Ｂ】[0091]  図２の放射源内のプラズマ形成領域におけるレーザビームの断面の強度プロファイルを示す。
【図３Ｃ】[0091]  図２の放射源内のプラズマ形成領域におけるレーザビームの断面の強度プロファイルを示す。
【図４】[0092]  本発明の一実施形態による放射源を概略的に示す。
【図５Ａ】[0093]  図４の放射源のファセットリフレクタ内のファセットの一つの配置を概略的に示す。
【図５Ｂ】[0094]  図４の放射源のファセットリフレクタ内のファセットの代替的な配置を概略的に示す。
【図６Ａ】[0095]  図５Ｂの配置内の複数のファセットを概略的に示す。
【図６Ｂ】[0095]  図５Ｂの配置内の複数のファセットを概略的に示す。
【図７】[0096]  図４の放射源内のプラズマ形成領域におけるレーザビームの断面を概略的に示す。
【図８Ａ】[0097]  図５Ａに示されるように配置されたファセットリフレクタを備える図４の放射源内のプラズマ形成領域におけるレーザビームの断面の強度プロファイルを示す。
【図８Ｂ】[0097]  図５Ａに示されるように配置されたファセットリフレクタを備える図４の放射源内のプラズマ形成領域におけるレーザビームの断面の強度プロファイルを示す。
【図９Ａ】[0098]  図５Ｂに示されるように配置されたファセットリフレクタを備える図４の放射源内のプラズマ形成領域におけるレーザビームの断面の強度プロファイルを示す。
【図９Ｂ】[0098]  図５Ｂに示されるように配置されたファセットリフレクタを備える図４の放射源内のプラズマ形成領域におけるレーザビームの断面の強度プロファイルを示す。
【図１０】[0099]  本発明の他の実施例による放射源を概略的に示す。
【図１１Ａ】[00100]  ファセットリフレクタのファセット間の接続を概略的に示す。
【図１１Ｂ】[00100]  ファセットリフレクタのファセット間の接続を概略的に示す。
【図１１Ｃ】[00100]  ファセットリフレクタのファセット間の接続を概略的に示す。
【図１２】[0100]  ファセットリフレクタにより画定された平均平面に関連するファセットリフレクタのファセット間の接続を概略的に示す。
【図１３】[0101]  本発明の別の実施形態による放射源を概略的に示す。
【図１４Ａ】[0102]  図１３の放射源のファセットリフレクタおよび燃料ターゲットにおける放射ビームの強度プロファイルを概略的に示す。
【図１４Ｂ】[0102]  図１３の放射源のファセットリフレクタおよび燃料ターゲットにおける放射ビームの強度プロファイルを概略的に示す。
【図１４Ｃ】[0102]  図１３の放射源のファセットリフレクタおよび燃料ターゲットにおける放射ビームの強度プロファイルを概略的に示す。
【図１５】[0103]  本発明の別の実施形態による放射源を概略的に示す。
【図１６】[0104]  図４、１０、１３または１５のいずれかの放射源にレーザビームを提供するために使用され得るレーザを概略的に示す。
【発明を実施するための形態】
【００８９】
[0105]  図１は、本発明の一実施形態による放射源ＳＯを含むリソグラフィシステムを示す。リソグラフィシステムは、リソグラフィ装置ＬＡをさらに備える。放射源ＳＯは、極端紫外線（ＥＵＶ）放射ビームＢを生成するように構成される。リソグラフィ装置ＬＡは、照明システムＩＬ、パターニングデバイスＭＡ（例えば、マスク）を支持するように構成されたサポート構造ＭＴ、投影システムＰＳおよび基板Ｗを支持するように構成された基板テーブルＷＴを備える。照明システムＩＬは、放射ビームがパターニングデバイスＭＡに入射する前に放射ビームＢを調整するように構成される。投影システムは、照射ビームＢ（マスクＭＡによりパターン付与されている）を基板Ｗ上に投影するように構成される。基板Ｗは、過去に形成されたパターンを含んでよい。この場合、リソグラフィ装置はパターン付与された放射ビームＢを過去に基板Ｗ上に形成されたパターンに合わせる。
【００９０】
[0106]  放射源ＳＯ、照明システムＩＬおよび投影システムＰＳは全て、これらが外部環境から隔離可能であるように構築および配置可能である。放射源ＳＯ内には、気圧未満の圧力における気体（例えば、水素）が提供され得る。照明システムＩＬおよび／または投影システムＰＳ内には真空が提供され得る。照明システムＩＬおよび／または投影システムＰＳ内には、気圧をはるかに下回る圧力における少量の気体（例えば、水素）が提供され得る。
【００９１】
[0107]  図１に示される放射源ＳＯは、レーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）源と称され得るタイプである。例えばＣＯ２レーザであるレーザ１は、燃料放出体３から提供される燃料内にレーザビーム２を介してエネルギーを付与するように配置される。レーザビーム２は、開始放射ビームと称され得る。燃料は例えば液体形状にあってよく、例えばスズ（Ｓｎ）などの金属または合金であってよい。以下の記載にはスズが記載されているが、任意の適切な燃料が使用されてよい。燃料放出体３は、燃料を放出し、燃料をプラズマ形成領域４に誘導してプラズマ形成領域４において燃料ターゲットを提供するように構成される。燃料放出体３は、例えば液滴の形態のスズを、プラズマ形成領域４に向かう軌道に沿って誘導するように構成されるノズルを備え得る。レーザビーム２は、プラズマ形成領域４においてスズ上に入射する。スズ内へのレーザエネルギーの付与は、プラズマ形成領域４においてプラズマ７を形成するようにスズを励起する。ＥＵＶ放射を含む放射は、プラズマのイオンの脱励起および再結合中にプラズマ７から放出される。レーザビーム１は、レーザビーム２がレーザパルスであるように、パルス構成において使用可能である。燃料が液滴として提供される場合には、レーザパルスの各々は各燃料液滴に誘導され得る。
【００９２】
[0108]  ＥＵＶ放射は、近法線入射放射コレクタ５（より一般的に、法線入射放射コレクタとも称される）により集光され焦点が合わせられる。コレクタ５は、ＥＵＶ放射（
例えば、１３．５ｎｍなどの所望の波長を有するＥＵＶ放射）を反射するように配置された多層構造を有し得る。コレクタ５は、２つの楕円の焦点を有する楕円構成を有し得る。以下に記載のごとく、第１焦点はプラズマ生成領域４にあってよく、第２焦点は中間焦点６にあってよい。
【００９３】
[0109]  レーザ１は、放射源ＳＯから分離されてよい。この場合、レーザビーム２は、例えば、適切な誘導ミラーおよび／またはビームエキスパンダ、ならびに／あるいはその他の光学系を備えるビームデリバリシステム（図１に示されず）を用いて、レーザ１から放射源ＳＯに通過し得る。レーザ１および放射源ＳＯは共に放射システムであると見なされてよい。
【００９４】
[0110]  コレクタ５により反射された放射は、放射ビームＢを形成する。放射ビームＢは、照明システムＩＬの実質上の放射源として作用するプラズマ形成領域４の像を形成するように、焦点６に焦点が合わせられる。放射ビームＢの焦点が合わせられる焦点６は、中間焦点とも称され得る。放射源ＳＯは、中間焦点６が放射源の閉鎖構造９における開口部８においてまたは開口部８の付近に位置付けられるように配置される。
【００９５】
[0111]  放射ビームＢは、放射源ＳＯから放射ビームＢを調整するように構成される照明システムＩＬ内に入る。照明システムＩＬは、ファセットフィールドミラーデバイス１０およびファセット瞳ミラーデバイス１１を含むことができる。ファセットフィールドミラーデバイス１０およびファセット瞳ミラーデバイス１１は共に、所望の断面形状および所望の角度分布を有する放射ビームＢを提供する。放射ビームＢは、照明システムＩＬから通り、サポート構造ＭＴにより保持されるパターニングデバイスＭＡ上に入射する。パターニングデバイスＭＡは、放射ビームＢを反射し、パターン付けする。照明システムＩＬは、ファセットフィールドミラーデバイス１０およびファセット瞳ミラーデバイス１１に加えてまたはファセットフィールドミラーデバイス１０およびファセット瞳ミラーデバイス１１の代わりに、その他のミラーまたはデバイスを含んでよい。
【００９６】
[0112]  パターニングデバイスＭＡからの反射に続いて、パターン付与された放射ビームＢは投影システムＰＳに入射する。投影システムは、基板テーブルＷＴにより保持される基板Ｗ上に放射ビームＢを投影するように構成される複数のミラーを備える。投影システムＰＳは、放射ビームに縮小係数を適用することができ、それによりパターニングデバイスＭＡ上の対応するフィーチャよりも小さいフィーチャを有する像を形成する。例えば、４の縮小係数が適用され得る。投影システムＰＳは図１に２つのミラーを有するが、投影システムは任意の数のミラーを含んでよい。
【００９７】
[0113]  図２は、先行技術のレーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）放射源ＳＯ’を概略的に示す。放射源ＳＯ’は、燃料放出体３’から提供される燃料内にレーザビーム２’を介してエネルギーを付与するように配置される、例えばＣＯ２レーザなどであってよい、レーザ１’を備える。燃料放出体３’は、プラズマ形成領域４’に向かう軌跡に沿って、液滴の形態の燃料を誘導するように構成されるノズルを備え得る。レーザビーム２’は、プラズマ形成領域４’における燃料ターゲット上に入射する。燃料ターゲット内へのレーザエネルギーの堆積は、プラズマ形成領域４’においてプラズマ７’を作り得る。ＥＵＶ放射を含む放射は、プラズマ７’のイオンの脱励起および再結合中にプラズマ７’から放出される。レーザビーム１’は、パルス構成で使用され、それによりレーザビーム２’はレーザパルスである。各レーザパルスは、各燃料液滴に誘導される。
【００９８】
[0114]  ＥＵＶ放射は、近法線入射放射コレクタ５’により集光され焦点が合わせられる。
【００９９】
[0115]  燃料放出体３’により提供された各燃料液滴は、レーザビーム２’が誘導装置を介してそこに誘導される燃料ターゲットを提供する。放射源ＳＯ’の誘導装置は、３つのリフレクタ２０、２１、２２を備える。リフレクタ２０、２１、２２は集合的に、レーザビーム２をプラズマ形成領域４に向けて誘導し焦点を合わせる。リフレクタ２０、２１、２２の各々は、単一の実質的に連続的な（すなわち、平坦または切れ目がない）反射面を備える。
【０１００】
[0116]  プラズマ形成領域４’において効率的にプラズマを生成するために、放射源ＳＯはレーザビーム２’がプラズマ形成領域４’において燃料ターゲットを包むように配置される。つまりレーザビーム２’は、プラズマ形成領域４において少なくとも燃料ターゲットほどの大きさの断面（図３に設けられた空間軸に示されるｙ−ｚ平面において）を有するように誘導される（ｙ−ｚ平面において）。
【０１０１】
[0117]  プレパルスとして知られる、レーザ放射の初期パルスは、燃料液滴がプラズマ形成領域４’に到達する前に燃料液滴に誘導され得る。プレパルスは、レーザ１’または別のレーザ（図示されず）により提供され得る。燃料ターゲットがプラズマ形成領域４’に到達するにあたり、ＥＵＶ生成プラズマを生成するために、この場合はメインパルスと称され得るレーザビーム２’の形態にあるレーザ放射の第２パルスが、燃料ターゲットに誘導される。プレパルスは、燃料ターゲットがプラズマ形成領域４’に到達した際に所望の形状にあるように、燃料ターゲットの形状を変えるように作用する。例えば、燃料ターゲットは燃料放出体３’から全体として球形の分布で放出され得る。球形燃料ターゲットに誘導されるプレパルスは、燃料ターゲットの平坦化を引き起こし得、それにより燃料ターゲットはプラズマ形成領域４’においてディスクまたはパンケーキ様の形状を示す。プレパルスが燃料ターゲットの改質に用いられる際には、放射源ＳＯ’はプラズマ形成領域４’において、レーザビーム２’（またはメインパルス）が改質された燃料ターゲットを包むのに十分に大きい断面（ｙ−平面において）を有するように配置される。例えば、レーザビーム２’は約３００μｍの断面を有するように焦点が合わせられる。
【０１０２】
[0118]  メインパルスが、燃料ターゲット（プレパルスまたはその他により改質されているか否かを問わず）を包むために十分に大きい断面を有することを確実とするために、放射源ＳＯ’は燃料ターゲットに入射する点においてレーザビーム２’の焦点が合わないように配置される。つまり、プラズマ形成領域４’はレーザビーム２’のビームウエストと一致しないが、むしろレーザビーム２’のあまり集束していない部分と一致する。しかしながら、レーザビーム２’の集束されていない部分を使用することにより、レーザビーム２’はプラズマ形成領域４’において均質な強度プロファイルを有さない。これは、燃料ターゲットの領域がこれらの領域における燃料をＥＵＶ生成プラズマに変換するように不十分なレーザ放射を受容することに繋がり得る。実際、燃料ターゲットにおけるレーザビーム２’の形状は、燃料ターゲットのいくらかの部分が実質的に一切のレーザ放射を受容しないように、規定されている。
【０１０３】
[0119]  図３Ａは、放射源ＳＯ’のプラズマ形成領域４’におけるｙ−ｚ平面内のレーザビーム２’の断面の強度プロファイルを示す。図３Ｂは、明確にするために、図３Ａに示される強度プロファイルを概略的に示す。図３Ａおよび図３Ｂのいずれにおいても、レーザビーム２’のプロファイルは、比較的高い強度の外側部分２５および低いゼロに近い強度の内側部分２６を有することが分かる。そのためレーザビーム２’の内側部分２６に入射する燃料ターゲットの部分は、ＥＵＶ生成プラズマを生成するために十分な放射を受容しない。図３Ｃは、レーザビーム２’の中心部分は強度が極めて低い領域を有することが同じく明確に見られる図３Ａに示される、ｙ−（垂直と表される）およびｚ−（水平と表される）の向きの両方における強度プロファイルを示すグラフである。
【０１０４】
[0120]  図３Ａ〜３Ｃに示されるレーザビーム２’における強度プロファイルの不均質性は、例えば、放射源ＳＯ’の誘導装置の光学要素における光学収差により引き起こされ得る。例えば、図２に示される誘導装置のリフレクタ２０、２１、２２の１つ以上は、光学収差を含み得る。付加的または代替的に、光学収差は、レーザ１’から放射源ＳＯ’にレーザビーム２’を送るように構成されるビームデリバリシステムの光学要素において存在し得る。ビーム誘導装置および／またはビームデリバリ装置の光学要素における光学収差は、レーザビーム２’において波面収差を導入し得る。レーザビーム２’における波面収差は、レーザビーム２’の断面の一部において相殺的干渉が起こることを引き起こし得、相殺的干渉は例えば、レーザビーム２’の強度プロファイルの低強度の内側部分２６をもたらし得る。
【０１０５】
[0121]  図１の放射源ＳＯの種々の実施形態を詳細に説明する。各実施形態は、レーザビーム２の強度が強度閾値よりも大きい放射ビーム２の断面をわずかに増加させるように構成されるビーム装置を含む。強度閾値は、燃料ターゲット内の燃料がプラズマに励起されることを引き起こす強度であってよい。以下にさらに記載されるように、ビーム装置は異なる実施形態において異なる形態をとってよい。
【０１０６】
[0122]  図４は、図１における放射源ＳＯの一実施形態をより詳細に示す。放射源ＳＯ’のように、放射源ＳＯはレーザビーム２をプラズマ形成領域４に向かって誘導し焦点を合わせるようにひとまとまりで作用する３つのリフレクタ３０、３１、３２を備えるビーム誘導装置を備える。リフレクタ３０、３１の各々は単一の実質的に連続的な（すなわち平滑または切れ目がない）反射面を有する。しかしながらリフレクタ３２は、複数の個別のファセットを有する。ファセットリフレクタ３２の各ファセットは、リフレクタ３２の少なくとも１つの別のファセットの表面に対して傾斜しており、そのためレーザビーム２のその部分は異なる向きに反射する。
【０１０７】
[0123]  図５Ａおよび図５Ｂは、リフレクタ３２の例示的配置３２’、３２’’を概略的に示す。図５Ａおよび図５Ｂは、図４の線Ｃに沿った視点で見られ、リフレクタ３２の俯瞰透視図を提供すると見なされる。図５Ａを参照するに、リフレクタ３２’は円形の輪郭を示し、等寸法のセクター３５〜４２からなる８つのファセットを有する内側ディスクおよび等寸法の円周方向に分配されたファセット４５〜５２の外側リングを備える。ファセット３５〜４２およびファセット４５〜５２の各々は、４つの方向Ｗ，Ｘ，Ｙ，Ｚの１つを有する。このように、Ｗ方向を有するファセットに当たるレーザビーム２の一部は第１の向きに反射され、Ｘ方向を有するファセットに当たるレーザビーム２の一部は第２の向きに反射され、Ｙ方向を有するファセットに当たるレーザビーム２の一部は第３の向きに反射され、Ｚ方向を有するファセットに当たるレーザビーム２の一部は第３の向きに反射される。レーザビーム２は、リフレクタ３２’の全体に実質的に入射する。そのため複数のファセットの各々は、４つのファセットのうちの１つに属し、ファセットの各サブセットは開始放射をプラズマ形成領域４に向かって４つの向きのうちの１つに誘導するように配置される。
【０１０８】
[0124]  図５Ｂの配置では、リフレクタ３２’’は３６個の等寸法の正方形ファセットのグリッドにさらに分割された正方形の輪郭５５を示す。図５Ａの配置におけるように、各ファセットは４つの方向Ｗ、Ｘ、ＹまたはＺのうちの１つを有する。そのため、図５Ａの配置と同じように、図５Ｂの配置はレーザビーム２の各部分を４つの方向のうちの１つに反射する。レーザビーム２は、リフレクタ３２’’の円形領域５６に入射する。
【０１０９】
[0125]  図５Ａおよび図５Ｂの配置は例に過ぎず、リフレクタ３２は別の配置をされてよいことが理解される。つまり、リフレクタ３２および各ファセットは、任意の数の形状および方向をとってよい。例えば図５Ａの例では、４つのサブセットの各々には４つのファセットがある一方で、図５Ｂの配置では４つのサブセットの各々には８つのファセットがある。別の実施形態では、各サブセットにはより多くのあるいはより少ないファセットがあってよい。いくつかの実施形態では、リフレクタ３２は異なる数のファセットを有するサブセットを含み得る。１つ以上のサブセットは、単一のファセットを含み得る。
【０１１０】
[0126]  一実施形態ではｙ−またはｚ−の向きのいずれかにおける、各ファセットの最大傾斜（すなわち、ファセットの端部における傾斜）は、ファセットの平均高さに対して、レーザビーム２の基準波長（ファセットの一端における）の＋０．１５倍およびレーザビーム２の基準波長（ファセットの他端における）の−０．１５倍であってよい。
【０１１１】
[0127]  いくつかの実施形態では、特定のサブセット内のファセットの反射面は、連続的な表面の各部分を画定する。例えば、いくつかの実施形態では、特定のサブセット内のファセットの反射面は平面を画定し、各サブセットは異なる平面を画定する。図６Ａは、図５Ｂにおける配置３２’’内のファセットの列５７の側面プロファイル（図４における線Ｃに対して垂直かつ図５Ｂに示される線Ｄに対して垂直な線に沿った視点）を示す。“Ｚ”方向を有する列５７には２つのファセットがある（左から右へ向かって見ると、これらは列５７における一番目および末端から２番目のファセットである）。“Ｚ”方向を有するファセットの反射面により画定された平面５８の一部の側面プロファイルは、点線で示される。“Ｚ”方向を有する配置３２’’内のその他のファセット（すなわち、列５７内のものではない）の反射面も平面５８内にあることを理解されたい。図６では、“Ｗ”方向を有するファセットの反射面により画定された平面５９の一部の側面プロファイルも示されている。“Ｘ”方向および“Ｙ”方向を有するファセットの反射面もまた、各平面を画定する。
【０１１２】
[0128]  図６Ｂは、別の例による図５Ｂの配置３２’’内のファセットの列５７の側面プロファイル図（図４における線Ｃに対して垂直かつ図５Ｂに示される線Ｄに対して垂直な線に沿って）を示す。図６Ｂの例は、全体として図６Ａの例と似ているが、図６Ｂの例ではＺ方向におけるファセットの反射面はＺ方向のファセットにより画定される境界間の単一の連続陥凹面５８ｂを画定する点で異なる。
【０１１３】
[0129]  側面プロファイルで見た時、連続的な湾曲表面は、Ｚ方向の各ファセットの反射面に沿って全ての点と交差する線５８ｂとして現れることが分かる。いくつかの実施形態では、線５８ｂは連続関数として定義され得る。いくつかの実施形態では、Ｚ方向のファセット間の線５８ｂに沿った全ての点（すなわち、Ｚ方向のファセット間の隙間を占める線５８ｂにおける点）について、線５８ｂを定義する関数の導関数は、ファセットの１つと交差する線５８ｂ上の少なくとも１つの点の導関数を越えることは絶対にない。つまり、線５８ｂはＺ方向の２つのファセット間における隙間における最急勾配には絶対にならない。あるいは言い換えれば、（Ｚ方向サブセットにおける）ファセットと交差する線５８ｂ上には、（Ｚ方向サブセットにおける）２つのファセット間の線５８ｂ上の最急点よりも急な点が常に存在する。
【０１１４】
[0130]  より一般的には、いくつかの実施形態では、連続表面の各部分を画定する反射面を有する（すなわち、連続表面がそのファセットのサブセットの反射面のすべての点と交差するように）ファセットの任意のサブセットについては（すなわち、同じ方向を有するファセット）、連続表面上には常に、サブセット内の２つのファセット間の連続表面上の任意の点の勾配よりも大きい勾配または同等の勾配を有する、サブセット内のファセットの反射面と交差する少なくとも１つの点がある。このように、燃料ターゲットにおけるレーザ放射内で、向上した分布が達成され得る。
【０１１５】
[0131]  図６Ａおよび図６Ｂにおける実施形態の両方は、例にすぎず、サブセット内のファセットの反射面は単一平面または単一湾曲面を画定し得ることを理解されたい。
【０１１６】
[0132]  図７は、図５Ａまたは図５Ｂのいずれかによるファセットリフレクタ３２の配置（すなわち、各ファセットが４つの明確な方向の内の１つを有する配置）により反射された後のレーザビーム２のプラズマ形成領域４のｙ−ｚ平面を通る断面を示す。図７を参照するに、レーザビーム２の反射の後、レーザビーム２は、各々が、傾斜Ｗ、Ｘ、Ｙ、Ｚのうちの特定の１つを有するファセットから反射されたレーザビーム２の部分からなる、４つの部分６０、６１、６２、６３を備えることがわかる。
【０１１７】
[0133]  例えば、図５Ａを参照するに、部分６０はファセット３７、４１、４５および４９（すなわち、Ｗ方向を有するファセット）から反射された放射ビーム２の部分を有し得、部分６１はファセット３８、４２、４６および５０（すなわち、Ｘ方向を有するファセット）から反射された放射ビーム２の部分を有し得、部分６２はファセット３５、３９、４７および５１（すなわち、Ｙ方向を有するファセット）から反射された放射ビーム２の部分を有し得、また部分６３はファセット３６、４０、４８および５２（すなわち、Ｚ方向を有するファセット）から反射された放射ビーム２の部分を有し得る。
【０１１８】
[0134]  リフレクタ３２によりレーザビーム２はいくつかの部分（各々が部分的にのみ重なり合う）に分割されることから、各部分６０〜６３は、プラズマ形成領域４における燃料ターゲットの断面よりも大きいまたは同等のレーザビーム２の全断面積を維持しながら、図２の配置におけるレーザビーム２’よりもきつくプラズマ形成領域４において焦点が合わせられることができ、プラズマ形成領域４ではレーザビーム２および燃料ターゲットの断面は、レーザビーム２の伝搬の向きと垂直の平面に取り込まれる。いくつかの実施形態では、燃料ターゲットはプラズマ形成領域４に誘導される燃料の単一の液滴を備えることができ、レーザビーム２の断面は燃料の液滴の断面よりも大きいかまたは同等であり得る。しかしながら、別の実施形態では連続的な燃料流がプラズマ形成位置を通過するように誘導され得る。そのような実施形態では、燃料ターゲットはプラズマを形成するために励起される燃料流の一部を含む。一般的に、燃料ターゲットはプラズマを形成するために励起される燃料の領域または一部である。
【０１１９】
[0135]  理解を促すために、各部分６０〜６３は図７において図３Ａのレーザビーム２’と同じように示される（すなわち、完全な輪として）。しかしながら、各部分６０〜６３はレーザビーム２の一部からのみ作られていることを鑑みれば、各部分６０〜６３は隙間を含み得ると理解される（すなわち、図示されるように途切れのない放射の輪を有していない可能性がある）。各部分６０〜６３間の隙間の配置は、当然ながらリフレクタ３２内のファセットの配置に従う。
【０１２０】
[0136]  図３Ａおよび図３Ｃに示される強度プロファイルとの対比のために、図８Ａは図５Ａに従い配置されたリフレクタ３２を使用した放射源ＳＯのプラズマ形成領域４のｙ−ｚ平面におけるレーザビーム２の断面の強度プロファイルを示し、一方で図９Ａは図５Ｂに従い配置されたリフレクタ３２を使用した放射源ＳＯのプラズマ形成領域４のｙ−ｚ平面におけるレーザビーム２の断面の強度プロファイルを示す。図８Ｂは図８Ａの強度プロファイルのプロット図を示し、一方で図９Ｂは図９Ａの強度プロファイルのプロット図を示す。どちらの場合においても、図３Ａにおいて明らかなレーザビーム２’の中心孔２５は図５Ａおよび図５Ｂのいずれかに従って配置されたリフレクタ３２による反射後はレーザビーム２において示されないことが理解される。強度プロファイルにおける中心孔２５の除去は、燃料ターゲットの断面（燃料ターゲットの断面はレーザビーム２の伝搬の向きに垂直にある平面でとられる）の実質的に全体にわたる閾値強度よりも、レーザビーム２の強度が大きくなることを可能にする。閾値強度は、例えば、燃料がＥＵＶ放出プラズマを形成するために励起されることを引き起こす強度であってよく、そのため実質的には燃料ターゲットの断面全体がプラズマを形成するために励起され得る。
【０１２１】
[0137]  ４つの方向が上述されている一方で、任意の数の方向が設けられ得ることを理解されたい。方向の数およびリフレクタ３２内の個別ファセットの数および形状は、プラズマ形成領域４において全体的に一貫性のある強度プロファイルを取得するように選択され得る。
【０１２２】
[0138]  図４の放射源ＳＯを図２の放射源ＳＯ’と比較するに、ファセットリフレクタ３２と交換されるのは図２のリフレクタ２２である。しかしながら、他の実施形態においては、ファセットリフレクタは放射源ＳＯのレーザビーム誘導装置内の異なる位置において配置され得ることを理解されたい。例えば、リフレクタ２０はファセットリフレクタと交換されてよい。さらには、放射源ＳＯの誘導装置はその他のリフレクタを含む、図３に図示されないその他の光学構成要素を含んでよい。そのためファセットリフレクタは、プラズマ形成領域４に向かうレーザビーム２の経路の任意の位置に位置決め可能である。
【０１２３】
[0139]  さらには、別の実施形態では、放射源ＳＯは図４に示される配置とは異なるように配置可能である。図１０は、図４に示される放射源とは異なる構成を有するレーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）放射源ＳＯ’’を示す。放射源ＳＯ’’は、プラズマ形成領域４’’に燃料を送達するように構成された燃料放出体３’’を含む。プレパルスレーザ７０は、燃料上に入射するプレパルスレーザビーム７１を放出する。上述のように、プレパルスレーザビーム７１は燃料を予熱するように作用し、それにより燃料の大きさおよび／または形状などの性質を変化させる。メインレーザ１’’は、プレパルスレーザビーム７１の後に燃料上に入射するメインレーザビーム２’’を放出する。メインレーザビーム２’’は、燃料にエネルギーを送達し、それにより燃料をＥＵＶ放射放出プラズマ７’’に変換する。
【０１２４】
[0140]  いわゆる斜入射型コレクタであってよい放射コレクタ７２は、ＥＵＶ放射を集光しＥＵＶ放射を中間焦点と称され得る焦点６において焦点合わせするように構成される。そのため、放射放出プラズマ７’’のイメージは中間焦点６において形成される。放射源ＳＯの筐体構造７３は、中間焦点６においてまたは中間焦点６の付近に開口部７４を有する。ＥＵＶ放射は、開口部７４を通りリソグラフィ装置の照明システムに通過する（例えば、図１に概略的に示される形態で）。
【０１２５】
[0141]  放射コレクタ７２は、（例えば、概略的に図示されるように）複数の斜入射型リフレクタ７５、７６および７７を有するネスト化されたコレクタであってよい。斜入射型リフレクタ７５、７６および７７は、光軸Ｏの周りを軸の向きに対称に設置可能である。図示される放射コレクタ７２は、一例としてのみ示され、その他の放射コレクタも使用可能である。
【０１２６】
[0142]  汚染トラップ７８は、プラズマ形成領域４’’と放射コレクタ７２との間に位置する。汚染トラップ７８は、例えば、回転フォイルトラップまたはその他の適切な形態の汚染トラップであってよい。いくつかの実施形態では、汚染トラップ７８は省略されてよい。
【０１２７】
[0143]  放射源ＳＯの筐体７３は、プレパルスレーザビーム７１がプラズマ形成領域４’’に向かって通過することができる窓およびメインレーザビーム２’’がプラズマ形成領域４’’に向かって通過することができる窓を含み得る。図４の実施形態におけるファセットリフレクタ３２を参照して上述に記載されるように、ファセットリフレクタ７９は、メインレーザビーム７１をプラズマ形成領域４’’に向けて汚染トラップ７８における開口部を通して誘導するように作用する。
【０１２８】
[0144]  図４および図１０に示される放射源ＳＯおよび放射源ＳＯ’’の各々は、図示されていない構成要素を含み得る。例えば、放射源内にはスペクトルフィルタが設けられ得る。スペクトルフィルタは、ＥＵＶ放射に対しては実質的に透過性であり得るが、赤外線放射などのその他の波長の放射に対しては実質的に遮断するものである。
【０１２９】
[0145]  放射源のビーム誘導装置内の１つ以上のリフレクタは、レーザビーム２に対するリフレクタの方向および／または位置を変更するためにアクチュエータが設けられ得る。アクチュエータは、レーザビーム２の焦点位置を改変するリフレクタの任意の適切な性質を改変し得る。例えば、アクチュエータはリフレクタの形状を変更するように設けられ得る。例えば、図４を参照するに、ファセットリフレクタ３２の１つ以上のファセットは、これらのファセットの方向を調整するように作動可能なアクチュエータ（図示されず）が設けられ得る。アクチュエータは、ビーム経路に沿った１つ以上の位置におけるレーザビーム２の性質に関する情報を受信するために作動可能なコントローラ（図示されず）に接続され得る。例えば、レーザ１とプラズマ形成領域間のレーザビーム２の経路に沿って、センサ（図示されず）が設けられることができ、センサはレーザビーム２の特性を決定するために作動可能であり、コントローラにその情報を提供するように作動可能である。コントローラは次に、ファセットリフレクタ３２またはファセットリフレクタ３２の１つ以上のファセットを変更するようにアクチュエータを制御することができる。
【０１３０】
[0146]  ファセット自体も可撓性材料から作られることができ、それによりプラズマ形成領域４において開始放射ビーム２の特性を調整するために、個別のファセットの形状が適切なアクチュエータにより変更され得る。
【０１３１】
[0147]  燃料ターゲットは反射性であってよく、それにより結果として燃料ターゲットに入射するレーザビーム２の一部がビーム分配装置およびレーザ１に向かって反射する。そのような反射は、レーザ１に悪影響を及ぼすように再び入ることができ、レーザ１内に設けられた光利得媒体と相互作用する（寄生レーザ発振として知られる）。レーザ１は、反射されたレーザビームの影響を軽減するために、空間フィルタ（図示されず）が設けられ得る。レーザ１とプラズマ形成領域間のレーザビーム２の経路内に、レーザ放射を１つの向きに誘導するファセットのサブセットおよびレーザ放射を第２の向きに誘導するファセットのサブセット（図４および図１０に示される例示的実施形態においてのように）を備えるファセットリフレクタを設けることにより、燃料ターゲットから反射したレーザビームは逆経路でファセットリフレクタと相互作用する。このように、反射されたビームはレーザ１に到達する前に焦点がぼやけてしまう。レーザ１に設けられた空間フィルタは、それほど明確に定義されていない焦点を有する反射されたビームに対してより効果的となる。そのためファセットリフレクタの提供は、レーザ１内のエネルギー流出を低減することによりさらなる利点を提供する。
【０１３２】
[00148]  ファセットリフレクタ３２からは、レーザ放射の望ましくない反射戻りも起こり得る。特に、ファセットリフレクタ３２からのレーザ放射の反射は、ファセットリフレクタ３２のファセット間の境界において起こり得ることが知られている。そのため半直感的に、ファセット間の急峻な遷移の発生を減少させるためにファセットリフレクタ３２が有利に配置可能であることが知られている。急峻な遷移（または段階的な遷移）の一例は図１１Ａに示されており、図１１Ａは図６Ａに示されるＸおよびＹファセット間の接続部分８０を示す。接続部分８０はｚ−方向に一切傾くことなく完全にｙ−ｚ平面内（図１１Ａに示される空間軸を参照する）に延在する。急峻な遷移は、レーザ１に対する望ましくない反射戻りに繋がり得ると判断されている。
【０１３３】
[0149]  図１１Ｂおよび図１１Ｃは、ファセット間の遷移の代替的配置の例を示す。特に、図１１Ｂおよび図１１ＣはＸおよびＹファセット間の代替的、滑らか、または漸進的な遷移を示す。図１１Ｂでは、接続部分８１により漸進的な遷移が提供されている。接続部分８１は実質的には平坦であるが、ｚ−方向に傾斜している。図１１Ｃは、浅いＳ型遷移８２がＸおよびＹファセット間に延在しており、これもまたｚ−方向に傾斜している。図１１Ｂおよび図１１Ｃにおける例は例示を目的としたものに過ぎず、その他の遷移も使用可能であることを理解されたい。
【０１３４】
[0150]  ファセットリフレクタ３２からレーザ１に向かって戻る望ましくない反射を低減させるために、ファセット間の遷移はファセットリフレクタ３２により画定された平均平面に対するレーザビーム２の入射角を越えない、リフレクタ３２の平均平面に対する角度で配置可能である。図１２を参照するに、レーザビーム２を受容するファセットの表面により画定された平均平面８５が示される。レーザビーム２と平均平面８５との間の入射角αが示されており、平均平面８５と図１１Ｃの接続部分８２との間の最大角度βも示されている。一般的に、レーザ１に向かって戻る望ましくない反射を低減するためには、リフレクタ３２のファセット間の接続部分は接続表面に沿った任意の点と平均平面８５との間の角度βが角度αよりも小さくなるように配置され得る。
【０１３５】
[0151]  ファセット間の遷移または接続部分は反射性（または反射性ではなくともよい）であってよい一方で、これらはファセットの反射面の一部を形成しない。特に、接続部分は特定のサブセットの特定の向きに放射を誘導するように配置されていない。例えば、第１サブセットに属する第１ファセットの反射面は、第１の向きに放射を誘導するように配置され得、第２サブセットに属する第２ファセットの反射面は、第２の向きに放射を誘導するように配置され得る。第１および第２ファセットは、接続部分により接続され得る。接続部分は反射性を有し得るが、第１および第２の向きに放射を誘導するように配置されておらず、そのため第１または第２ファセットのいずれの反射面の一部も形成しない。
【０１３６】
[0152]  ファセットの数、形状、位置および向きは、レーザビーム２の既知の特性に準拠して決定され得る。例えば、波動伝搬のアルゴリズムはレーザビーム２の伝搬のモデル化およびプラズマ形成領域４におけるレーザビーム２の所望の特性に基づき決定されたファセット特性のモデル化に使用可能である。
【０１３７】
[0153]  上述の記載の各々は、放射源内のファセットリフレクタを使用するように向けられているが、上述の種類のファセットリフレクタはより一般的に使用可能である。例えば、上述の種類のファセットリフレクタはリソグラフィ装置のその他の構成要素内で使用可能である（例えば、図１に概略的に示されるリソグラフィ装置のイルミネータＩＬ内において）。より一般的には、上述の種類のファセットリフレクタはレーザビーム等の放射ビーム内における強度の均質性の増加または放射ビームの最小強度の増加のために放射ビームを誘導することが望ましい任意の適用において使用可能である。
【０１３８】
[0154]  単一のファセットリフレクタ３２を含むビーム誘導装置の実施形態は上述されているが、いくつかの実施形態ではビーム誘導装置の一部として１つより多いファセットリフレクタが使用され得る。図１３は２つのファセットリフレクタ３２ａおよび３２ｂを含むビーム誘導装置を含む放射源ＳＯの一実施形態を図示する。図４に示される放射源ＳＯと同様に、ビーム誘導装置はレーザビーム２をプラズマ形成領域４に向かって誘導し焦点を合わせるように作用する。ビーム誘導装置は、各々が単一の実質的に連続的な（すなわち、平坦または切れ目がない）反射面を備えるリフレクタ３０、３１を含む。ビーム誘導装置は、各々が複数の個別のファセットを備える２つのファセットリフレクタ３２ａおよび３２ｂをさらに備える。ファセットリフレクタ３２ａおよび３２ｂの各ファセットは、ファセットリフレクタ３２ａおよび３２ｂのファセットのうちの少なくとも別の１つのファセットの表面に対して傾斜されており、それによりレーザビーム２の一部は異なる向きに反射する。
【０１３９】
[0155]  ファセットリフレクタ３２ａはフィールドファセットミラーであってよく、ファセットリフレクタ３２ｂは瞳ファセットミラーであってよい。つまり、フィールドファセットミラー３２ａは、ビーム誘導装置のフィールド平面内に位置決め可能であり、瞳ファセットミラー３２ｂはビーム誘導装置の瞳面内に位置決め可能である。フィールドファセットミラー３２ａおよび瞳ファセットミラー３２ｂの個別のファセットの方向は、プラズマ形成領域４において燃料ターゲット上に入射するレーザビーム２の断面形状および／または角度分布を制御するために制御され得る。この点においては、フィールドファセットミラー３２ａおよび瞳ファセットミラー３２ｂは、所望の断面形状および所望の角度分布を有するＥＵＶ放射ビームＢを共に提供する照明システムＩＬのファセットフィールドミラーデバイス１０およびファセット瞳ミラーデバイス１１と類似してよい。
【０１４０】
[0156]  図１４Ａは、フィールドファセットミラー３２ａの概略図である。フィールドファセットミラー３２ａは、複数の反射フィールドファセット９１を含む。フィールドファセットミラー３２ａは図１４Ａにおいては３６個の実質的に円形の反射フィールドファセット９１を備えていると示されているが、フィールドファセットミラー３２ａは図１４Ａに示されているよりもはるかに多くのフィールドファセット９１を備えることができ、フィールドファセット９１は図１４Ａに示される形状とは異なる形状を有し得る。例えば、フィールドファセットミラー３２ａのフィールドファセット９１は、実質的に長方形の反射面を有し得る。代替的には、フィールドファセット９１は湾曲した縁を有する反射面を備え得る。一般的に、任意の形状のフィールドファセット９１が使用可能である。
【０１４１】
[0157]  レーザビーム２の断面の強度プロファイルについての上記の説明から、フィールドファセットミラー３２ａ上に入射するレーザビーム２はその断面において実質的に不均一な強度プロファイルを有し得ることが理解される。このことは、レーザビーム２の強度プロファイル９５がフィールドファセットミラー３２ａ上に入射していると示されている図１４Ａにおいて概略的に示されている。強度プロファイル９５は、比較的高い強度の外側部分９５ａおよび比較的低いゼロに近い強度の内側部分９５ｂを有する。そのためフィールドファセットミラー３２ａのフィールドファセット９１上に入射するレーザ放射の強度は、異なるフィールドファセット９１に対しては異なってよい。例えば、レーザビーム２の外側高強度部分９５ａが入射するフィールドファセットミラー３２ａのフィールドファセット９１は、レーザビーム２の内側低強度部分９５ｂが入射するフィールドファセット９１よりも著しく多い放射を受容し得る。
【０１４２】
[0158]  フィールドファセットミラー３２ａの各ファセット９１は、瞳ファセットミラー３２ｂの単一ファセット上に入射するようにレーザビーム２の強度プロファイル９５の一部を反射するように配置され得る。そのためフィールドファセットミラー３２ａは、フィールド面上に入射する強度プロファイル９５の一部を瞳面内にある瞳ファセットミラー３２ｂの異なるファセット上にイメージングするように作用する。図１４Ｂは、複数の反射瞳ファセット９２を備える瞳ファセットミラー３２ｂの概略図である。図１４Ｂでは、瞳ファセットミラー３２ｂは３６個の実質的に円形の反射瞳ファセット９２を備えると示されているが、瞳ファセットミラー３２ｂは図１４Ｂに示されるよりもはるかに多くの瞳ファセット９２を含むことができ、瞳ファセット９２は図１４Ｂに示されるものとは異なる形状を有し得る。
【０１４３】
[0159]  フィールド面内の強度プロファイル９５の瞳面内の瞳ファセット９２上へのイメージングは、図１４Ａから図１４Ｂまで延在する矢印９３により示される。説明を簡単にするために、矢印９３は一部のフィールドファセット９１および瞳ファセット９２についてのみ図示されているが、実際には各フィールドファセット９１はそれぞれの瞳ファセット９２上に強度プロファイル９５の一部をイメージングすることができる。瞳ファセットミラー３２ｂ上に入射する放射の強度プロファイルが、フィールド面内のフィールドファセットミラー３２ａ上に入射する強度プロファイル９５とは異なるように、フィールド面内の強度プロファイル９５の一部が瞳面内で再分布されるようにフィールドファセット９１は方向づけられる。
【０１４４】
[0160]  瞳ファセット９２は、瞳ファセット９２上に入射する強度プロファイル９５の一部がプラズマ形成領域４における対物面にイメージングされるように方向づけられる。図１４Ｃは、プラズマ形成領域４における対物面内の強度プロファイル９６を概略的に示す。図１４Ｃは、放射源ＳＯにおける燃料ターゲット上に入射する強度プロファイルを表す。瞳面内の瞳ファセット９２からの放射をプラズマ形成領域４における対物面でイメージングすることは、図１４Ｂから図１４Ｃに延在する矢印９４によって示される。
【０１４５】
[0161]  フィールドファセット９１と瞳ファセット９２の方向は、プラズマ形成領域４における対物面の強度プロファイル９６の均質性が、フィールド面におけるフィールドファセットミラー３２ａ上に入射する強度プロファイル９５の均質性と比較して増加するものであってよい。例えば、フィールド面内の外側高強度部分９５ａにある強度プロファイル９５の一部は、対物面の強度プロファイル９６の中心領域内にイメージングされ得る。このことは、フィールド面内の強度プロファイル９５の内側低強度部分９６ｂと比較した場合に、対物面における強度プロファイル９６の中心領域における強度の増加に繋がり得る。
【０１４６】
[0162]  フィールドファセット９１および瞳ファセット９２の方向は、燃料ターゲットの断面の実質的に全体にわたり、対物面内のプラズマ形成領域４における燃料ターゲット上に入射する放射の強度が閾値強度よりも大きくあるように、フィールド面から対物面へのレーザビーム２の断面強度プロファイル９５のイメージングを行うように作用し得る。閾値強度は、例えば、燃料が励起されＥＵＶ放出プラズマを形成することを引き起こす強度であってよく、そのためフィールドファセット９１および瞳ファセット９２の方向は燃料ターゲットの断面の実質的に全体がプラズマを形成するように励起されることを確実とするように作用し得る。
【０１４７】
[0163]  フィールドファセット９１の方向および瞳ファセット９２の方向は調整可能であってよく、プラズマ形成領域４における対物面内に所望の強度プロファイル９６を形成するために制御され得る。例えば、１つ以上のアクチュエータはフィールドファセット９１および瞳ファセット９２の方向を調整するように作動可能である。フィールドファセット９１および瞳ファセット９２の方向は、例えば、レーザビーム２の１つ以上の測定に応じて制御され得る。レーザビーム２の１つ以上の測定は、例えば、フィールド面において実施され得る。例えば、１つ以上のセンサはフィールドファセットミラー３２ａにおいてまたはフィールドファセットミラー３２ａの付近に位置決めされ得る。付加的または代替的に、１つ以上のセンサは、レーザビーム２の経路沿いのその他の位置に位置決めされ得る。
【０１４８】
[0164]  一実施形態では、１つ以上の波面センサ（図示されず）は、フィールドファセットミラー３２ａのファセット間に位置決め可能である。波面センサは、フィールド面内のレーザビーム２の強度プロファイルおよび／または波面収差の測定の役割を果たし得る。１つ以上の波面センサからの測定は、例えば、フィールドファセット９１の方向および／または瞳ファセット９２の方向を制御し得るコントローラ（図示されず）に入力され得る。コントローラは、プラズマ形成領域４においてレーザビーム２の所望の強度プロファイルを引き起こすフィールドファセット９１および瞳ファセット９２の方向を決定する波面センサからの測定を使用し得る。コントローラは、フィールドファセット９１および瞳ファセット９２の所望の方向をもたらすように、フィールドファセット９１および瞳ファセット９２の方向を調整するように構成されるアクチュエータを制御し得る。
【０１４９】
[0165]  一実施形態では、波面センサはフィールドファセットミラー３２ａの既知の位置において複数の開口部を備え得る。開口部は、フィールドファセット９１内に位置決め可能であり、および／または開口部はフィールドファセット９１間に位置決め可能である。開口部を通って伝搬する放射の位置および／または強度は、フィールドファセットミラー３２ａの背面の位置において測定され得る（例えば、ＣＣＤアレイにより）。そのような測定値は、フィールドファセットミラー３２ａに入射するレーザビーム２の１つ以上の性質の特定に使用され得る測定である。例えば、レーザビーム２の発散が決定され、レーザビーム２の波面収差が決定されおよび／またはレーザビーム２の強度プロファイルが決定され得る。
【０１５０】
[0166]  いくつかの実施形態では、ビームスプリッタはレーザビーム２の経路に位置決めされ得る。例えば、部分反射ミラーを備えるビームスプリッタは、レーザビーム２の一部を１つ以上のセンサに向けて誘導するように構成可能であり、またレーザビーム２の残りを送信するように構成され得る。１つ以上のセンサは、例えば、波面センサを備え得る。
【０１５１】
[0167]  ビームデリバリ装置のリフレクタ３０、３１、３２ａおよび３２ｂ上に入射するレーザビーム２は、リフレクタ３０、３１、３２ａおよび３２ｂ上のうちの１つ以上を加熱し得る。リフレクタの加熱は、リフレクタの領域が拡張することを引き起こし、それによりリフレクタの光学特性を変更するように作用し得る。１つ以上のリフレクタ３０、３１、３２ａおよび３２ｂにおける光学特性の変化は、プラズマ形成領域４において燃料ターゲット上に入射するレーザビーム２の形状および／または強度プロファイルを変更し得る。ビーム誘導装置の１つ以上のリフレクタの光学特性の変化を予想してまたはその変化に応じて、フィールドファセット９１および瞳ファセット９２の方向は制御されることができ、それにより光学特性の変化を補う。例えば、コントローラはビーム誘導装置のリフレクタを加熱することにより生じ得る光学特性の変化を予想するために、レーザビーム２の１つ以上の測定を使用し得る。コントローラは、そのようなリフレクタの加熱の一切を補うことができるフィールドファセット９１および／または瞳ファセット９２の方向における変化を計算することができ、それに基づきフィールドファセット９１および瞳ファセット９２の方向を変更するように稼働アクチュエータを駆動することができる。付加的または代替的に、ビーム誘導装置のリフレクタの加熱を補償するために、フィードバック機構においてレーザビーム２の１つ以上の測定が使用され得る。
【０１５２】
[0168]  いくつかの実施形態では、フィールドファセットミラー３２ａの温度および／または瞳ファセットミラー３２ｂの温度が測定され得る。例えば、１つ以上の温度センサがフィールドファセット９１および／または瞳ファセット９２間に位置決め可能であるか、あるいはフィールドファセット９１および／または瞳ファセット９２と熱的接触して設置され得る。いくつかの実施形態では、フィールドファセット９１および／または瞳ファセット９２の温度は、フィールドファセット９１および／または瞳ファセット９２の冷却に使用される冷却材（例えば、水）の温度を測定することにより測定され得る。
【０１５３】
[0169]  フィールドファセットミラー３２ａおよび／または瞳ファセットミラー３２ｂの温度の測定は、例えば、フィールドファセットミラー３２ａのおよび／または瞳ファセットミラー３２ｂにかけられる熱負荷の決定に使用され得る。熱負荷は、フィールドファセットミラー３２ａおよび／または瞳ファセットミラー３２ｂに入射する放射の強度プロファイルの決定に使用され得る。そのようなレーザビーム２の強度プロファイルの測定は、１つ以上の波面センサによる測定の代わりにまたは１つ以上の波面センサによる測定に加えて使用され得る。
【０１５４】
[0170]  いくつかの実施形態では、フィールドファセット９１および瞳ファセット９２の方向が調整されている間は、レーザビーム２の出力は低減され得るかまたはレーザビーム２は止められ得る。これにより、プラズマ形成領域４以外の放射源ＳＯにおける位置に誘導されるレーザビーム２からの放射の強度を低減し得る。例えば、フィールドファセット９１および瞳ファセット９２の方向の調整の間、レーザビーム２からの放射は一時的にプラズマ形成領域４から離れるように誘導される。これは、レーザビーム２からの放射が代わりに放射源ＳＯのその他の構成要素上に入射する可能性があることから望ましくなく、放射源ＳＯのその他の構成要素上に入射することは構成要素の望ましくない加熱および／または損傷を引き起こし得る。フィールドファセット９１および瞳ファセット９２の方向の調整中にレーザビーム２の出力を低減することにより、いかなる加熱および／または損傷も低減することができる。例えば、レーザビーム１は最初は高出力に設定されていてよく、レーザビーム２は測定されてよく、またフィールドファセット９１および瞳ファセット９２の所望の調整が決定され得る。その後、フィールドファセット９１および瞳ファセット９２の所望の調整が行われている間に、レーザビーム２の出力は低減され得る。その後、レーザビーム２の出力は再び増加され、レーザビーム２の強度プロファイルは再び測定され得る。
【０１５５】
[0171]  付加的または代替的に、１つ以上のスクリーンが瞳ファセットミラー３２ｂの下流に位置決めされ得る。瞳ファセットミラー３２ｂからプラズマ形成領域４に向かって誘導される放射が開口部を通過するが、放射源ＳＯ内のその他の位置に向けて誘導される放射が遮断されることを引き起こすことを可能にするために、スクリーン内には１つ以上の開口部が設けられる。
【０１５６】
[0172]  付加的または代替的に、フィールドファセット９１および瞳ファセット９２の方向の調整は、レーザビーム２からの放射が、放射源ＳＯの感応性の構成要素の加熱および／または損傷を引き起こし得る放射源ＳＯの位置へ誘導されないように制御され得る。
【０１５７】
[0173]  フィールドファセットミラー３２ａおよび瞳ファセットミラー３２ｂの使用は、図１３に示されるビーム誘導装置の特定の実施形態に関連して説明されている一方で、フィールドファセットミラー３２ａおよび瞳ファセットミラー３２ｂはビーム誘導装置のその他の形態で使用され得ることが理解される。例えば、図１３のビーム誘導装置のリフレクタは、図１３に示されている以外の配置にあってよい。フィールドファセットミラー３２ａおよび瞳ファセットミラー３２ｂを含むビーム誘導装置は、図１３に示されているよりも多いまたは少ないリフレクタを含むことができ、図１３に示されているものとは異なるリフレクタを含むことができる。フィールドファセットミラー３２ａおよび瞳ファセットミラー３２ｂを備えるビーム誘導装置は、図１３に示される放射源ＳＯとは異なる形態の放射源と共に使用され得る。例えば、フィールドファセットミラー３２ａおよび瞳ファセットミラー３２ｂを備えるビーム誘導装置は、図１０に示される種類の放射源ＳＯにおいて使用され得る。
【０１５８】
[0174]  ビーム誘導装置の実施形態は、１つ以上のファセットリフレクタ３２を備えるとして上記されている。しかしながら、いくつかの実施形態では、レーザビーム２の強度が閾値強度よりも大きいレーザビーム２の断面をわずかに増加させるために、ファセットリフレクタ３２以外の光学要素が使用され得る。例えば、ビーム誘導装置は可変鏡を含むことができ、可変鏡は、ミラーの反射特性を変えるため、および可変鏡から反射したレーザビーム２の強度プロファイルを変更するためにその形状が適応可能な反射面を含む。可変鏡の反射面は、例えば、可撓性基板上に配置され得る。可変鏡は、可撓性基板の形状を調整するように構成される１つ以上のアクチュエータを備えることができ、それにより反射面の形状を調整する。
【０１５９】
[0175]  図１５は、可変鏡１３２を備えるビームデリバリ装置を含む放射源ＳＯの概略図である。可変鏡１３２は、その形状が適応可能な反射面１３３を含む。反射面１３３の形状は、例えば、レーザビーム２に導入され得る波面収差を修正するために適応され得る。例えば、可変鏡１３２に到達する前にレーザビーム２が反射されるリフレクタ３０および／またはリフレクタ３１は、光学収差を含み得る。付加的または代替的に、レーザ１から放射源にレーザビーム２を送達するように使用され得るビームデリバリシステム（図示されず）の光学要素は、光学収差を含み得る。ビーム誘導装置および／またはビームデリバリシステムにおける光学収差は、レーザビーム２に波面収差を導入し得る。上述のように、レーザビーム２における波面収差は、レーザビーム２の断面における不均一な強度プロファイルの原因の１つである可能性がある（例えば、レーザビーム２の低強度内側部分はレーザビーム２における波面収差により引き起こされ得る）。そのため、レーザビーム２における波面収差を修正するために、可変鏡１３２の反射面１３３の形状を調整することが望ましい。
【０１６０】
[0176]  レーザビーム２における波面収差は、例えば、可変鏡１３２を含む適応光学システム１２０により修正され得る。適応光学システム１２０は、ビームスプリッタ１２１、波面センサ１２３およびコントローラ１２５をさらに備える。ビームスプリッタ１２１は、波面センサ１２３上に入射するようにレーザビーム２の部分１２２を誘導するように構成される。ビームスプリッタ１２１は、例えば、部分反射鏡を備え得る。波面センサ１２３は、レーザビーム２の部分１２２における波面収差を測定するように構成され、そのためレーザビーム２における波面収差を決定するために使用され得る。レーザビーム２の部分１２２における波面収差の測定は、波面センサ１２３からの出力でありコントローラ１２５への入力である。コントローラ１２５は可変鏡１３２を、波面センサ１２３から受信される測定に応じて制御する。コントローラ１２５は、可変鏡１３２の反射面１３３の形状を変形するように作動可能であり、それにより波面センサ１２３により測定されたレーザビーム２における波面収差を修正する。
【０１６１】
[0177]  適応光学システム１２０を使用したレーザビーム２における波面収差を修正することは、レーザビーム２の強度プロファイルの均質性を増加し得る。例えば、レーザビーム２の強度プロファイルの中心領域における強度は、適応光学システム１２０により増加し得る。
【０１６２】
[0178]  適応光学システム１２０は、燃料ターゲットの断面の実質的に全体にわたり、プラズマ形成領域４における燃料ターゲット上に入射する放射の強度が閾値強度よりも大きいように、レーザビーム２における波面収差を修正するように作用し得る。閾値強度は、例えば、ＥＵＶ放出プラズマを形成するように燃料が励起されることを引き起こす強度であってよく、それにより適応光学システム１２０は、プラズマを形成するために燃料ターゲットの断面の実質的に全体が励起されることを確実とするように作用し得る。
【０１６３】
[0179]  図１５に示されるビーム誘導装置の特定の実施形態に関連して、適応光学システム１２０の使用についての説明がなされたが、適応光学システム１２０はその他の形態のビーム誘導装置において使用可能であることが理解される。例えば、図１５のビーム誘導装置のリフレクタは、図１５に示されている以外の配置にあってよい。適応光学システム１２０を含むビーム誘導装置は、図１５に示されているよりも多いまたは少ないリフレクタを含むことができ、図１５に示されているものとは異なるリフレクタを含むことができる。適応光学システム１２０を含むビーム誘導装置は、図１５に示される放射源ＳＯとは異なる形態の放射源と共に使用され得る。例えば、適応光学システム１２０を含むビーム誘導装置は、図１０に示される種類の放射源ＳＯにおいて使用され得る。
【０１６４】
[0180]  レーザビーム２の強度が閾値強度よりも大きいレーザビーム２の断面の一部が、レーザビーム２の経路内に１つ以上の光学要素（例えば、ファセットリフレクタ３２、フィールドファセットミラー３２ａ、瞳ファセットミラー３２ｂおよび／または可変鏡１３２）を位置決めすることにより増加する実施形態が上述されている。そのような光学要素の使用に加えてまたはそのような光学要素の使用に代えて、レーザビーム２の強度が閾値強度よりも大きいレーザビーム２の断面の一部は、レーザビーム２のコヒーレンスを低減させることにより増加し得る。例えば、インコヒーレントレーザビーム２が放射源ＳＯに提供され得る。上述のように、レーザビーム２の強度プロファイルにおける不均質性は、レーザビーム２における波面収差によりもたらされるレーザビーム２における干渉によるものである可能性がある。レーザビーム２における干渉効果は、レーザビーム２がコヒーレントである場合に起こる。そのためレーザビーム２のコーレンスを低減するということは、レーザビーム２における干渉効果を低減し、ビーム誘導装置および／またはビームデリバリシステムにおける光学収差に対するレーザビーム２の強度プロファイルの感度を低減し、その結果レーザビーム２の強度プロファイルの均質性を増加させる。図１６は、放射源ＳＯにレーザビーム２を提供し得る例示的実施形態によるレーザ１の概略図である。レーザ１は種レーザ２０１および増幅チェーン２０３を含む。種レーザ２０１は、主発振器と称されることができ、レーザ１の構成は主発振器出力増幅器（ＭＯＰＡ）構成と称され得る。種レーザ２０１は、例えば、ＣＯ２レーザなどのガス放出レーザであってよい。種レーザ２０１は、増幅チェーン２０３に入射する種レーザビーム２０２を放出する。増幅チェーン２０３は、１つ以上の光学増幅器を備える。光学増幅器は、例えば、放電（例えば、高周波放電）によりポンピングされるガス（例えば、ＣＯ２）を含む。増幅チェーン２０３は、種レーザ２０２を増幅させ、放射源ＳＯに送達されるレーザビーム２を放出する。
【０１６５】
[0181]  種レーザ２０１は、単一横モードで作動し得る（例えば、基本横モードＴＭ００）。この場合、レーザビーム２は高いレベルの時間および空間コヒーレンスを有し得る。上述されるように、高いレベルのコヒーレンスは、レーザビーム２を誘導するように使用される光学要素における光学収差が、レーザビーム２が断面に不均質な強度プロファイルを有することを引き起こすことを意味する可能性がある。レーザビーム２のコーレンスは、例えば、種レーザ２０１を多重モードで作動することにより低減し得る。例えば、種レーザ２０１はレーザビーム２の空間および時間コヒーレンスを低減するために多重横モードおよび多重縦モードにより作動され得る。この場合、レーザビーム２はインコヒーレントレーザビーム２であると見なされてよい。
【０１６６】
[0182]  レーザビーム２のコヒーレンスは、レーザビーム２の帯域幅を増加させることによりさらに低減され得る。レーザビーム２の帯域幅は、例えば、種レーザ２０１の利得媒質および増幅チェーン２０３の利得媒質におけるエネルギーレベル間の異なる遷移を活性化させることにより増加し得る。例えば、狭帯域幅の作動モードにおいては、レーザ１の利得媒質において単一のエネルギーレベル遷移が活性化され得る。しかしながら、レーザビーム２の帯域幅は、異なる波長の放射が放出されるように利得媒質において１つ以上のエネルギーレベル遷移を活性化することにより増加し得る。
【０１６７】
[0183]  レーザビーム２のコヒーレンスを低減することは、放射源ＳＯにおけるレーザビーム２の焦点においてレーザビーム２の断面を増加し得る。レーザビーム２がコヒーレントである一実施形態においては、燃料放出体３はレーザビーム２が、レーザビーム２の焦点が合っていないプラズマ形成領域４において燃料ターゲット上に入射するように燃料を放出および誘導し得る。これによりレーザビーム２の断面積は、プラズマ形成領域４における燃料ターゲットの断面積よりも大きいまたは同等であることが確実となる。しかしながら、レーザビーム２のコヒーレンスが低減される一実施形態では、レーザビーム２の最大焦点位置におけるレーザビーム２の断面積は、焦点におけるレーザビーム２の断面が燃料ターゲットの断面よりも大きいまたは同等であるように増加され得る。そのためレーザビーム２のコヒーレンスを低減することは、レーザビーム２の焦点が合わせられるプラズマ形成領域４における燃料ターゲット上にレーザビーム２が入射する一方で、レーザビーム２の断面がプラズマ形成領域４における燃料ターゲットの断面よりも大きいまたは同等であることを維持することを確実とするように、燃料放出体３およびビーム誘導装置が配置されることを可能とする。
【０１６８】
[0184]  種レーザは、レーザビーム２のコヒーレンスを制御するために制御され得る。レーザビーム２のコヒーレンスは、レーザビーム２がプラズマ形成領域４において所望の断面積を有するように制御され得る。レーザビーム２のコヒーレンスは、レーザビーム２がプラズマ形成領域４においてその断面に所望の強度プロファイルを有するようにさらに制御され得る。
【０１６９】
[0185]  いくつかの実施形態では、レーザビーム２の強度が閾値強度よりも大きいレーザビーム２の断面の一部を増加するように構成される少なくとも１つの光学要素（例えば、ファセットリフレクタ３２、フィールドファセットミラー３２ａ、瞳ファセットミラー３２ｂおよび／または可変鏡１３２）を使用することに加えて、レーザビーム２のコヒーレンスは上述のように低減され得る。いくつかの代替的実施形態では、レーザビーム２の強度が閾値強度よりも大きいレーザビーム２の断面の一部を増加するように構成される１つ以上の光学要素を使用する代わりに、レーザビーム２のコヒーレンスが低減され得る。
【０１７０】
[0186]  メインパルスレーザビームの強度プロファイルの検討がなされる方法および装置が上述されている。しかしながら、方法および装置はプレパルスレーザビームの強度プロファイルを制御するために付加的または代替的に使用可能である。プレパルスレーザビームは、メインパルスレーザビーム２が燃料ターゲットに入射する前に、燃料ターゲットに入射するように誘導され得る。プレパルスレーザビームは、燃料ターゲットがプラズマ形成領域４に到達する時に所望の形状にあるように、燃料ターゲットの形状を変化させるように作用し得る。そのような実施形態ではプレパルスレーザビームはプラズマ形成プロセスを開始することから、開始放射ビームの一例であるとみなされてよい。
【０１７１】
[0187]  いくつかの実施形態では、プレパルスレーザビームは、メインパルスレーザビーム２が提供されるレーザと同じレーザ１により提供され得る。そのような実施形態では、同じビーム誘導装置はメインパルスレーザビーム２が燃料ターゲットに入射するように誘導するために使用されるように、プレパルスレーザビームが燃料ターゲットに入射するように使用されてよい。
【０１７２】
[0188]  代替的には、プレパルスレーザビームはメインパルスレーザビーム２を提供するレーザ１とは異なるレーザから提供され得る。そのような実施形態では、ビーム誘導装置がメインパルスレーザビーム２を燃料ターゲットに入射するように誘導するために使用されるように、プレパルスレーザビームを燃料ターゲットに入射するように誘導するために個別のビーム誘導装置が使用され得る。プレパルスレーザビームの誘導に使用されるビーム誘導装置は、上述のビーム誘導装置の任意の実施形態の任意の特徴を含んでよい。
【０１７３】
[0189]  プレパルスレーザビームの強度が燃料ターゲットの断面の実質的に全体にわたり閾値強度よりも大きくあるように、ビーム装置がプレパルスレーザビームを燃料ターゲットに入射するように誘導するために提供される一実施形態においては、閾値強度は例えば、燃料ターゲットの形状を所望の形状に変形するように作用する強度であってよい。
【０１７４】
[0190]  レーザ生成プラズマがレーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）放射源において形成される放射源の実施形態が上述されている。しかしながら、燃料において放電を開始することにより放射源においてプラズマが代替的に生成可能である。放電によりプラズマが生成される放射源は、放電生成プラズマ（ＤＰＰ）放射源と称され得る。
【０１７５】
[0191]  ＤＰＰ放射源は、少なくとも２つの電極を備え得る。ＤＰＰ放射源の少なくとも１つの電極は、例えば、電極の表面上に燃料（例えば、スズ）が設けられ得る。燃料は、開始放射ビームを電極上の燃料に入射するように誘導することにより、電極から放出され得る。電極は、例えば、燃料を開始放射ビームの経路内に入るようにし、開始放射ビームがその上に入射する燃料ターゲットを提供するように回転し得る。そのため電極は、燃料を提供し、また燃料ターゲットを提供するために燃料を誘導するように構成される燃料放出体の一例とみなされてよい。
【０１７６】
[0192]  開始放射ビームは、燃料がアブレーションにより電極から放出されることを引き起こし得る。燃料の電極からのアブレーションは、電極間に燃料の雲を形成し得る。電極間において、放電が開始され得る。放電は、放射（例えば、ＥＵＶ放射）を放出するプラズマを形成するために燃料雲を励起し得る。
【０１７７】
[0193]  放射源がＤＰＰ放射源である一実施形態では、ＤＰＰ放射源は開始放射ビームの強度が燃料ターゲットの断面の実質的に全体にわたる閾値強度よりも大きいように、開始放射ビームが燃料ターゲットに入射するように誘導するように構成されるビーム装置を備え得る。ＤＰＰ放射源のビーム装置は、ＬＰＰ放射源の実質形態に関連して上述されたビーム装置の任意の実施形態の任意の特徴を含むことができる。閾値強度は、例えば、放射源の電極上の燃料ターゲット内からの燃料のアブレーションを引き起こす強度であってよい。
【０１７８】
[0194]  一実施形態では、本発明はマスク検査装置の一部を形成し得る。マスク検査装置は、マスクを照射するためにＥＵＶ放射を使用し得、またマスクから反射した放射を監視するためにイメージングセンサを使用し得る。イメージングセンサが受信したイメージは、マスク内に欠陥が存在するか否かを決定するために使用され得る。マスク検査装置は、ＥＵＶ放射源からのＥＵＶ放射を受容し、ＥＵＶ放射を、マスクに誘導する放射ビームに形成するように構成される光学素子（例えば、ミラー）を含み得る。マスク検査装置は、マスクから反射されたＥＵＶ放射を集光し、イメージングセンサにおいてマスクのイメージを形成するように構成される光学素子（例えば、ミラー）をさらに含み得る。マスク検査装置は、イメージングセンサにおいてマスクのイメージを分析し、その分析からマスク上に欠陥が存在するかどうか決定するように構成されるプロセッサを含むことができる。プロセッサは、マスクがリソグラフィ装置で使用された場合に、検出されたマスクの欠陥が基板上に投影されたイメージに許容できない欠陥を生じさせるかどうか決定するようにさらに構成可能である。
【０１７９】
[0195]  一実施形態では、本発明はメトロロジ装置の一部を形成し得る。メトロロジ装置は、基板上にすでに存在するパターンと相対的な基板上のレジスト内に形成される投影パターンのアライメントを測定するために使用され得る。この相対的アライメントの測定は、オーバーレイと称され得る。メトロロジ装置は、例えば、リソグラフィ装置のすぐ近傍に位置決め可能であり、基板（およびレジスト）が処理される前にオーバーレイを測定するために使用され得る。
【０１８０】
[0196]  本明細書では、リソグラフィ装置の文脈における本発明の実施形態について特に言及し得るが、本発明の実施形態は別の装置においても使用可能である。本発明の実施形態は、マスク検査装置、メトロロジ装置、あるいはウェハ（またはその他の基板）またはマスク（またはその他のパターニングデバイス）などのオブジェクトを測定または処理する任意の装置の一部を形成し得る。これらの装置は大きくリソグラフィツールと称されてよい。そのようなリソグラフィツールは、真空条件または環境（非真空）条件を使用し得る。
【０１８１】
[0197]  「ＥＵＶ放射」という用語は、４〜２０ｎｍの範囲内（例えば、１３〜１４ｎｍの範囲内）の波長を有する電磁放射を包含すると考えられ得る。ＥＵＶ放射は、１０ｎｍ未満（例えば、６．７ｎｍまたは６．８ｎｍなどの４〜１０ｎｍの範囲内）の波長を有し得る。
【０１８２】
[0198]  本明細書において、ＩＣ製造におけるリソグラフィ装置の使用について具体的な言及がなされているが、本明細書記載のリソグラフィ装置は他の用途を有し得ることが理解されるべきである。あり得る他の用途は、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイダンスパターンおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド等の製造が含まれる。
【０１８３】
[0199]  本発明の実施形態は、ハードウェア、ファームウェア、ソフトウェア、またはそれらのあらゆる組合せにおいて実施され得る。本発明の実施形態はまた、機械可読媒体に記憶され、１つまたは複数のプロセッサにより読み出され実行され得る命令として実施されてもよい。機械可読媒体は、機械（例えばコンピュータデバイス）によって読み取りが可能な形態で情報を記憶または送信するためのあらゆるメカニズムを含み得る。例えば、機械可読媒体は、読出し専用メモリ（ＲＯＭ）、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、磁気ディスク記憶媒体、光記憶媒体、フラッシュメモリデバイス、電気、光、音、もしくはその他の形態の伝搬信号（例えば、搬送波、赤外線信号、デジタル信号等）、などを含み得る。また、本明細書において、ファームウェア、ソフトウェア、ルーチン、命令が何らかの動作を行うと説明されることがある。しかし、そのような説明は単に便宜上のものであり、かかる動作は実際には、コンピュータデバイス、プロセッサ、コントローラ、またはファームウェア、ソフトウェア、ルーチン、命令等を実行する他のデバイスによるものであることが理解されるべきである。
【０１８４】
[0200]  以上、本発明の具体的な実施形態を説明してきたが、本発明は、上述以外の態様で実施できることが明らかである。上記の説明は、制限ではなく例示を意図したものである。したがって、当業者には明らかなように、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本記載の発明に変更を加えてもよい。
【図１】
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【図２】
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【図３Ａ−３Ｂ】
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【図３Ｃ】
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【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図７】
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【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
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【図９Ａ】
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【図９Ｂ】
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【図１０】
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【図１１Ａ】
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【図１１Ｂ】
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【図１１Ｃ】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４Ａ−１４Ｃ】
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【図１５】
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【図１６】
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