(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のデバイスが分割予定ラインによって区画され表面に形成されたウエーハを個々のデバイスに分割するウエーハの加工方法であって、
ウエーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線を照射して分割予定ラインに沿って細孔と該細孔を囲繞する非晶質とからなるシールドトンネルを形成するシールドトンネル形成工程、および、該分割予定ラインの延長線上でウエーハの外周領域に形成された面取り部に、ウエーハに対して吸収性を有する波長のレーザー光線を照射してアブレーション加工を施し、切削ブレードの進入をガイドするガイド部を形成するガイド部形成工程の、いずれか一方の工程を実行し、その後、他方の工程を実行するレーザー加工工程と、
該分割予定ラインに沿って該ガイド部が形成された領域から該シールドトンネルが形成された領域を切削ブレードで切削してウエーハを個々のデバイスに分割する分割工程と、
から少なくとも構成されるウエーハの加工方法。
【請求項２】
該ウエーハは、リチウムタンタレート（ＬｉＴａＯ３）、リチウムナイオベート（ＬｉＮｂＯ３）、炭化珪素（ＳｉＣ）、サファイア（Ａｌ２Ｏ３）、石英（ＳｉＯ２）のいずれかにより構成される請求項１に記載のウエーハの加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数のデバイスが分割予定ラインによって区画され表面に形成されたウエーハを個々のデバイスに分割するウエーハの加工方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
表面弾性波（ＳＡＷ：Ｓｕｒｆａｃｅ  Ａｃｏｕｓｕｔｉｃ  Ｗａｖｅ）デバイス、ＬＥＤ等の複数のデバイスが分割予定ラインによって区画され表面に形成されたウエーハは、レーザー加工装置によって個々のデバイスに分割され、携帯電話、パソコン、その他の電気機器に広く利用されている。
【０００３】
上記したウエーハを加工するレーザー加工装置としては、被加工物に対して吸収性を有する波長のレーザー光線を照射してアブレーション加工を施すタイプ（例えば、特許文献１を参照。）のものと、被加工物に対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点を被加工物の内部に位置付けて照射して分割予定ラインに沿って改質層を形成するタイプ（例えば、特許文献２を参照。）のものと、被加工物に対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点を被加工物の入射面とは反対側の面の近傍に位置付けて照射し、分割予定ラインの表面から裏面に至り細孔と該細孔を囲繞する非晶質とからなるシールドトンネルを形成するタイプ（例えば、特許文献３を参照。）のものと、が既に提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平１０−３０５４２０号公報
【特許文献２】特許第３４０８８０５号公報
【特許文献３】特開２０１４−２２１４８３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、レーザー光線を照射して分割予定ラインに加工を施すと、レーザー光線が照射された領域に変質物が発生し、各デバイスの周囲にはクラック、および熱歪みが残存することから、ウエーハを個々のデバイスに分割することができても、これらが原因となって各デバイスの抗折強度を低下させるという問題がある。
【０００６】
また、上記レーザー加工装置に替えて、切削ブレードを回転可能に備えたダイシング装置によって分割予定ラインを切削してウエーハを個々のデバイスに分割すれば、上記のような抗折強度を低下させる問題を回避できるものの、例えば、ＳＡＷデバイス、ＬＥＤ等の製造に用いられる、硬脆性材料であるリチウムタンタレート（ＬｉＴａＯ３）、リチウムナイオベート（ＬｉＮｂＯ３）、炭化珪素（ＳｉＣ）、サファイア（Ａｌ２Ｏ３）、石英（ＳｉＯ２）からなるウエーハは、硬度が高く、脆い特性を有していることから回転する切削ブレードにより分割予定ラインを加工するときの加工送り速度を、１ｍｍ／秒程度と、非常に遅く設定せざるを得ず、レーザー加工装置を用いて個々のデバイスに分割する場合と比較して、生産性が著しく低下し、また、欠けやクラックが生じ易いため、加工品質が低下するという問題がある。
【０００７】
本発明は、上記事実に鑑みなされたものであり、その主たる技術課題は、硬度が高いウエーハを加工する場合であっても、生産性が良好で、且つデバイスの抗折強度を向上させることができるウエーハの加工装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、複数のデバイスが分割予定ラインによって区画され表面に形成されたウエーハを個々のデバイスに分割するウエーハの加工方法であって、ウエーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線を照射して分割予定ラインに沿って細孔と該細孔を囲繞する非晶質とからなるシールドトンネルを形成するシールドトンネル形成工程、および、該分割予定ラインの延長線上でウエーハの外周領域に形成された面取り部に、ウエーハに対して吸収性を有する波長のレーザー光線を照射してアブレーション加工を施し、切削ブレードの進入をガイドするガイド部を形成するガイド部形成工程の、いずれか一方の工程を実行し、その後、他方の工程を実行するレーザー加工工程と、該分割予定ラインに沿って該ガイド部が形成された領域から該シールドトンネルが形成された領域を切削ブレードで切削してウエーハを個々のデバイスに分割する分割工程と、から少なくとも構成されるウエーハの加工方法が提供される。
【０００９】
該ウエーハは、リチウムタンタレート（ＬｉＴａＯ３）、リチウムナイオベート（ＬｉＮｂＯ３）、炭化珪素（ＳｉＣ）、サファイア（Ａｌ２Ｏ３）、石英（ＳｉＯ２）のいずれかにより構成することができる。
【発明の効果】
【００１０】
本発明により提供されるウエーハの加工装置は、ウエーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線を照射して分割予定ラインに沿って細孔と該細孔を囲繞する非晶質とからなるシールドトンネルを形成するシールドトンネル形成工程、および、該分割予定ラインの延長線上でウエーハの外周領域に形成された面取り部に、ウエーハに対して吸収性を有する波長のレーザー光線を照射してアブレーション加工を施し、切削ブレードの進入をガイドするガイド部を形成するガイド部形成工程の、いずれか一方の工程を実行し、その後、他方の工程を実行するレーザー加工工程と、該分割予定ラインに沿って該ガイド部が形成された領域から該シールドトンネルが形成された領域を切削ブレードで切削してウエーハを個々のデバイスに分割する分割工程と、から少なくとも構成されることにより、レーザー光線を照射することによって発生する変質物、クラック、熱歪等が、切削ブレードにより切削されて除去されるため、個々に分割されたデバイスの抗折強度が低下することがない。また、シールドトンネルを形成することが困難な、分割予定ラインの延長線上のウエーハの外周領域に形成される面取り部に対して、吸収性を有する波長のレーザー光線を照射してアブレーション加工を施し、該切削ブレードの進入をガイドするガイド部を形成することにより、切削ブレードをウエーハの外周領域から進入させる際に欠けやクラック等の発生を抑制することができると共に、切削ブレードを分割予定ラインに沿って形成されたシールドトンネルに適切に導くことができる。さらに、分割予定ラインは、予めシールドトンネルが形成されていることから、切削ブレードによる切削加工時の加工送り速度を速めることができ、切削ブレードによる切削加工のみによって個々のデバイスに分割する場合と比べ、生産効率を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明のウエーハの加工方法に従いレーザー加工工程を実施するレーザー加工装置の全体斜視図。
【図２】図１に示すレーザー加工装置に備えられたレーザー光線照射手段の概略を示すブロック図。
【図３】図１に示すレーザー加工装置により実施されるシールドトンネル形成工程を説明するための説明図。
【図４】図１に示すレーザー加工装置により実施されるガイド部形成工程を説明するための説明図。
【図５】被加工物であるウエーハを分割する分割工程を説明するための説明図。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明によるウエーハの加工方法について添付図面を参照しながら詳細に説明する。
【００１３】
図１には、本発明の加工方法の一部を構成するレーザー加工工程を実行するためのレーザー加工装置の全体斜視図、および、被加工物としてのウエーハの斜視図が示されている。被加工物としてのウエーハ１０は、例えば、リチウムタンタレート（ＬｉＴａＯ３）からなり、円板形状をなすウエーハ１０の表面には複数の分割予定ライン１２が格子状に形成されており、分割予定ライン１２によってウエーハ１０の表面が複数の領域に区画されている。複数の該領域のそれぞれにはＳＡＷデバイス１４が形成され、ウエーハ１０は、環状のフレームＦに外周が貼着された粘着テープＴに裏面側が貼り付けられ保持されている。
【００１４】
図１に示すレーザー加工装置４０は、基台４１と、該被加工物を保持する保持機構４２と、保持機構４２を移動させる移動手段４３と、保持機構４２に保持される被加工物にレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段４４と、撮像手段４５と、コンピュータにより構成される図示しない制御手段を備え、制御手段により各手段が制御されるように構成されている。
【００１５】
保持機構４２は、Ｘ方向において移動自在に基台４１に搭載された矩形状のＸ方向可動板５１と、Ｙ方向において移動自在にＸ方向可動板５１に搭載された矩形状のＹ方向可動板５３と、Ｙ方向可動板５３の上面に固定された円筒状の支柱５０と、支柱５０の上端に固定された矩形状のカバー板５２とを含む。カバー板５２にはＹ方向に延びる長穴５２ａが形成されている。長穴５２ａを通って上方に延びる円形状の被加工物を保持する保持手段としてのチャックテーブル５４の上面には、多孔質材料から形成され実質上水平に延在する円形状の吸着チャック５６が配置されている。吸着チャック５６は、支柱５０を通る流路によって図示しない吸引手段に接続されている。チャックテーブル５４の周縁には、周方向に間隔をおいて複数個のクランプ５８が配置されている。なお、Ｘ方向は図１に矢印Ｘで示す方向であり、Ｙ方向は図１に矢印Ｙで示す方向であってＸ方向に直交する方向である。Ｘ方向、Ｙ方向で規定される平面は実質上水平である。
【００１６】
移動手段４３は、Ｘ方向移動手段６０と、Ｙ方向移動手段６５と、図示しない回転手段とを含む。Ｘ方向移動手段６０は、基台４１上においてＸ方向に延びるボールねじ６０ｂと、ボールねじ６０ｂの片端部に連結されたモータ６０ａとを有する。ボールねじ６０ｂの図示しないナット部は、Ｘ方向可動板５１の下面に固定されている。そしてＸ方向移動手段６０は、ボールねじ６０ｂによりモータ６０ａの回転運動を直線運動に変換してＸ方向可動板５１に伝達し、基台４１上の案内レール４３ａに沿ってＸ方向可動板５１をＸ方向において進退させる。Ｙ方向移動手段６５は、Ｘ方向可動板５１上においてＹ方向に延びるボールねじ６５ｂと、ボールねじ６５ｂの片端部に連結されたモータ６５ａとを有する。ボールねじ６５ｂの図示しないナット部は、Ｙ方向可動板５３の下面に固定されている。そして、Ｙ方向移動手段６５は、ボールねじ６５ｂによりモータ６５ａの回転運動を直線運動に変換し、Ｙ方向可動板５３に伝達し、Ｘ方向可動板５１上の案内レール５１ａに沿ってＹ方向可動板５３をＹ方向において進退させる。回転手段は、支柱５０に内蔵され支柱５０に対して吸着チャック５６を回転させる。
【００１７】
レーザー光線照射手段４４は、基台４１の上面から上方に延び、次いで実質上水平に延びる枠体４６に内蔵されている。図２にその概略をブロック図で示すように、本実施形態のレーザー光線照射手段４４は、被加工物であるウエーハ１０の分割予定ラインに沿って細孔と該細孔を囲繞する非晶質とからなるシールドトンネルを形成するための波長（例えば、１０３０ｎｍ）のレーザー光線を発振する第１のレーザー発振器４４ｂと、後述するアブレーション加工によりガイド部を形成するアブレーション加工用の波長（例えば、３５５ｎｍ）のレーザー光線を発振する第２のレーザー発振器４４ｃと、必要に応じて、該第１、第２のレーザー発振器４４ｂ、４４ｃから照射されたレーザー光線の一方のみをウエーハ１０に向けて導くための光路切換スイッチ４４ｄと、該第１、第２のレーザー発振器４４ｂ、４４ｃから照射されたレーザー光線の出力を調整するためのアッテネータ４４ｅと、アッテネータ４４ｅで出力が調整されたレーザー光線を、集光レンズを備えた集光器４４ａに向けて反射させる反射板４４ｆを含んでいる。
【００１８】
本実施形態におけるレーザー加工装置４０は、図示しない制御手段を備えており、該制御手段は、コンピュータにより構成され、制御プログラムに従って演算処理する中央演算処理装置（ＣＰＵ）と、制御プログラム等を格納するリードオンリメモリ（ＲＯＭ）と、検出した検出値、演算結果等を一時的に格納するための読み書き可能なランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）と、入力インターフェース、及び出力インターフェースとを備えている。該制御手段の入力インターフェースには、撮像手段４５からの画像信号の他、保持機構４２の図示しないＸ方向、Ｙ方向の位置検出手段からの信号等が入力される。また、該出力インターフェースからは、第１、第２のレーザー発振器４４ｂ、４４ｃ、Ｘ方向移動手段６０、Ｙ方向移動手段６５等に向けて作動信号が送信される。
【００１９】
撮像手段４５は、枠体４６の先端下面に付設されており、案内レール４３ａの上方に位置し、チャックテーブル５４を案内レール４３ａに沿って移動させることによりチャックテーブル５４に載置された被加工物を撮像することが可能になっている。なお、本実施形態の撮像手段４５は、可視光線によって撮像する図示しない撮像素子（ＣＣＤ）によって構成されているが、この他に被加工物に赤外線を照射するための赤外線光源と、赤外線に対応した電気信号を出力する赤外線用撮像素子（赤外線ＣＣＤ）を備えていてもよい。
【００２０】
本発明に基づいて実行されるウエーハの加工方法について、順を追って説明する。先ず、格子状に形成された複数の分割予定ライン１２で区画された各領域にＳＡＷデバイス１４が形成され、粘着テープＴを介して環状のフレームＦに保持されたウエーハ１０を用意する。
【００２１】
チャックテーブル５４の吸着チャック５６上に、粘着テープＴ側を下にして該ウエーハ１０を載置し、クランプ５８によりその環状のフレームＦを保持すると共に、図示しない吸引手段を作動して負圧を吸着チャック５６に作用させてウエーハ１０を吸引保持する。
【００２２】
吸着チャック５６上にウエーハ１０を吸引保持したならば、Ｘ方向移動手段６０、Ｙ方向移動手段６５を作動して、チャックテーブル５４を移動してウエーハ１０を撮像手段４５の直下に位置付ける。チャックテーブル５４が撮像手段４５の直下に位置付けられると、撮像手段４５、および図示しない制御手段によって、ウエーハ１０のレーザー加工すべき領域を検出するアライメント工程を実行する。即ち、撮像手段４５、および図示しない制御手段は、ウエーハ１０の所定方向に形成されている分割予定ライン１２と、分割予定ライン１２に沿ってレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段４４の集光器４４ａとの位置合わせを行うためのパターンマッチング等の画像処理を実行してレーザー光線照射位置のアライメントを行う。なお、該所定方向と直交する方向に形成される分割予定ライン１２に沿っても同様のアライメント工程を遂行する。
【００２３】
上記したアライメント工程を実行したならば、チャックテーブル５４を、集光器４４ａが位置するレーザー光線照射領域に移動し、所定の方向に形成された分割予定ライン１２の一端が集光器４４ａの直下になるように位置付ける。そして、図示しない集光点位置調整手段を作動して集光器４４ａを光軸方向に移動し、ウエーハ１０を構成するリチウムタンタレート基板の内部の所定位置に集光点を位置付ける。
【００２４】
本実施形態のレーザー光線照射手段４４は、上述したように、第１、第２のレーザー発振器４４ｂ、４４ｃを備えており、先ず初めにシールドトンネル形成加工を実施すべく、１０３０ｎｍの波長のレーザー光線を照射するための第１のレーザー光線発振器４４ｂを使用する。この場合、第１のレーザー発振器４４ｂからのレーザー光線を集光器４４ａに導くべく、光路切換スイッチ４４ｄを作動させ、第１のレーザー発振器４４ｂからのレーザー光線が出力調整手段であるアッテネータ４４ｅに導かれるように設定される。
【００２５】
上述した集光点の位置付けを行ったならば、図３（ａ）に示すように、レーザー光線照射手段４４を作動し、第１のレーザー発振器４４ｂによりウエーハ１０内にシールドトンネルを形成するパルスレーザー光線を発振する。第１のレーザー光線発振器４４ｂから発振されたパルスレーザー光線は、光路切換スイッチ４４ｄを経由してアッテネータ４４ｅに導かれ、アッテネータ４４ｅの作用によりその出力が所定の値に調整され、集光器４４ａにより集光されて、ウエーハ１０の分割予定ライン１２の一端部に照射される。レーザー光線の照射が開始されると、Ｘ方向移動手段６０を作動して、チャックテーブル５４を図３の矢印Ｘで示す方向に移動することにより、該レーザー光線が分割予定ライン１２に沿って照射される。これにより、分割予定ライン１２に沿って、上下方向に延びる細孔と、該細孔をシールドする非晶質とが形成されたシールドトンネルを連続的に形成する。該レーザー光線照射手段４４と、チャックテーブル５４、Ｘ方向移動手段６０、Ｙ方向移動手段６５とを作動して、ウエーハ１０の表面に格子状に形成された全ての分割予定ライン１２に対して該シールドトンネルを形成する（図３（ｂ）を参照）。以上で、シールドトンネル形成工程が完了する。なお、ウエーハ１０の外周領域には、ウエーハ１０から個々のデバイスを分割して得る工程中に割れや発塵を防止すべく面取り部１６が形成されているため、シールドトンネルを形成することができず、ウエーハ１０の外周端部から例えば約２ｍｍの未加工領域が残されている。
【００２６】
上記シールドトンネル形成工程における加工条件は、例えば次のように設定されている。
波長                  ：１０３０ｎｍ
平均出力              ：１Ｗ
繰り返し周波数        ：５０ｋＨｚ
パルス幅              ：１０ｐｓ
スポット径            ：φ１μｍ
屈折率／開口数        ：０．０５〜０．２０
Ｘ方向加工送り速度    ：５００ｍｍ／秒
シールドトンネル寸法  ：φ１μｍの細孔、φ１０μｍの非晶質
【００２７】
該シールドトンネル形成工程が実施されたならば、図４（ａ）に示すように、分割予定ライン１２の延長線上で且つウエーハ１０の外周領域に形成された面取り部１６に、ウエーハ１０に対して吸収性を有する波長のレーザー光線を照射してアブレーション加工を施し、該切削ブレードの進入をガイドするガイド部１８を形成するガイド部形成工程を実施する。該アブレーション加工を実施するためには、予め実施されたアライメント工程によって記憶された集光器４４ａとウエーハ１０の分割予定ライン１２との位置関係に基づき、分割予定ライン１２の延長線上であって、ウエーハ１０の外周領域において面取り部１６が形成された外周端部を、集光器４４ａの直下に位置付ける。面取り部１６が集光器４４ａの直下に位置付けられたならば、図２に示すレーザー光線照射手段４４にて作動させるレーザー発振器を、第１のレーザー発振器４４ｂから第２のレーザー発振器４４ｃに切り替える。さらに、光路切換スイッチ４４ｄを、第１のレーザー発振器４４ｂからのレーザー光線を遮断し、第２のレーザー発振器４４ｃからのレーザー光線をアッテネータ４４ｅに導くように切換える。そして、第２のレーザー発振器４４ｃにてウエーハ１０に対して吸収性を有する波長（例えば、３５５ｎｍ）のパルスレーザー光線を発振し、Ｘ方向移動手段６０を作動すると共に、図示しない集光点位置調整手段を作動して集光器４４ａを光軸方向に移動しながら、面取り部１６の外側端部から、シールドトンネルが形成された領域までの未加工領域のウエーハ１０の表面に対してアブレーション加工を施してガイド部１８を形成する（図４（ｂ）を参照）。このようにして、ウエーハ１０の表面に格子状に形成された全ての分割予定ライン１２の一端部にアブレーション加工を施し、ウエーハ１０を切削ブレードにより個々のデバイスに分割する分割工程を遂行する際に、切削ブレードを進入させるためのガイド部１８となるガイド部形成工程が実施される。なお、当該ガイド部１８は、複数の分割予定ライン１２において後述する切削ブレードが進入する一端部のみに設ければよいが、両端部に設けることも妨げない。以上、シールドトンネル形成工程、ガイド部形成工程を実施することにより、レーザー加工工程が終了する。
【００２８】
上記したガイド部形成工程において実行されるアブレーション加工は、例えば以下のような加工条件にて加工が施される。
波長                ：３５５ｎｍ
平均出力            ：０．５Ｗ
繰り返し周波数      ：５０ｋＨｚ
パルス幅            ：１０ｐｓ
スポット径          ：φ１０μｍ
Ｘ方向加工送り速度  ：１００ｍｍ／秒
外端からの加工長さ  ：２ｍｍ
【００２９】
該レーザー加工工程が実施されたならば、分割予定ラインに沿って該シールドトンネルが形成された領域を切削ブレードで切削して個々のデバイスに分割する分割工程を実行する。図５（ａ）に示すように、該分割工程は、スピンドルユニット３０を備えた切削装置（装置全体の図示は省略）により実行される。該スピンドルユニット３０は、回転スピンドル３４の先端部に固定された切削ブレード３６を保持するスピンドルハウジング３２を備えている。所定の厚さ（例えば、２００μｍ）で形成されたウエーハ１０は、上述したように、分割予定ライン１２により複数の領域に区画されており、既にシールドトンネル１２０が形成されている。該切削装置にレーザー加工を施したウエーハ１０を載置させた後、アライメント工程を経て、回転スピンドル３４と共に高速回転させられた切削ブレード３６を、保持テーブル（図示省略）に吸引保持されたウエーハ１０に対して下降させて先に形成したガイド部１８に切り込ませる（図５（ｂ）を参照）。上述したように、ウエーハ１０の分割予定ライン１２の端部にはアブレーション加工が施されガイド部１８が形成されていることから、硬度が高いウエーハ１０であっても、切削ブレード３６がぶれることなく切削が開始、進行され、シールドトンネル１２０が形成された領域に正確に導かれる。さらに、該保持テーブルと切削ブレード３６とを矢印Ｘで示す加工送り方向に相対移動させることで、図５（ａ）の切断部の概略断面図として示す図５（ｂ）に示されるように、上述したシールドトンネル形成工程にて形成されたシールドトンネル１２０を除去するように分割予定ライン１２に沿ってウエーハ１０を切断し、ウエーハ１０の裏面が貼着された粘着テープＴに達する深さで、所定の溝幅（例えば３０μｍ）で分割予定ライン１２を切断する。
【００３０】
該切削装置は、切削ブレード３６の切削方向に沿った矢印Ｘで示すＸ方向、ウエーハ１０と並行で該Ｘ方向と直交するＹ方向、切削ブレード３６をウエーハ１０に向けて上下動させる切り出し方向、いずれに対しても予め記憶されたプログラムに従って制御可能に構成されており、ウエーハ１０の分割予定ライン１２上のすべてに対して上記と同様な切削加工を施すことが可能であり、該分割工程が終了すると、ウエーハ１０は、個々のデバイス１４に分割され、分割工程が完了する。なお、図５（ｂ）に示す図は、説明の都合上、ウエーハ１０と切削ブレード３６の寸法比は実際の形状と異なるように記載してある。
【００３１】
上述したように、切削装置によって切削加工が施される分割予定ライン１２には、予め約１０μｍの幅でシールドトンネル１２０が連続的に形成されており、脆弱な領域が形成されている。よって、該回転する切削ブレード３６により分割予定ライン１２を切削する際は、シールドトンネルが形成されてない状態で切削する場合に比して容易に切削加工を進めることが可能であり、切削加工を施す際の保持手段のＸ方向への送り速度を大幅に早めることができる。
【００３２】
上記した分割工程を実行したならば、ウエーハ１０を図示しないピックアップ工程に搬送し、分割された個々のデバイス１４をピックアップしてトレーに移送して次工程に運ばれる。
【００３３】
該分割工程は、例えば以下のような加工条件にて加工が施される。
切削ブレード              ：切り刃幅  ３０μｍ、直径５０ｍｍの電鋳ブレード
回転数                    ：２０，０００ｒｐｍ
Ｘ方向加工送り速度        ：５０ｍｍ／秒
【００３４】
本実施形態では、上記したように、分割予定ライン１２に沿ってシールドトンネル形成工程を実施し、その後、分割予定ライン１２の延長線上の端部にある面取り部１６に対してアブレーション加工を施すガイド部形成工程を実施した。しかし、本発明はこれに限定されず、先に分割予定ライン１２の延長線上の端部にある面取り部１６に対してガイド部形成工程を実施し、その後、分割予定ライン１２に沿ってシールドトンネル形成工程を実施することも可能である。ただし、アブレーション加工を先に実施すると、その領域に対しては、ウエーハ１０に対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線であっても透過しづらくなり、シールドトンネルの形成が困難になるため、シールドトンネル形成工程を先に実施する方が好ましい。
【００３５】
本実施形態では、レーザー加工装置４０のレーザー光線照射手段４４が、シールドトンネル形成工程を実施するための第１のレーザー発振器４４ｂと、アブレーション加工を施すガイド部形成工程を実施するための第２のレーザー発振器４４ｃと、光路切換スイッチ４４ｄにより光路を切り替える構成とを備えることにより、１台のレーザー加工装置によって両加工を施すように構成したが、本発明はこれに限定されず、それぞれ別のレーザー加工装置によってシールドトンネル形成工程、ガイド部形成工程を実施するようにしてもよい。
【００３６】
本実施形態では、被加工物として、リチウムタンタレートを基板とするウエーハ１０を採用した例を示したが、本発明はこれに限定されず、例えば、リチウムナイオベート（ＬｉＮｂＯ３）、炭化珪素（ＳｉＣ）、サファイア（Ａｌ２Ｏ３）、石英（ＳｉＯ２）のいずれかにより構成されるウエーハを加工対象とすることができ、種々の硬脆性材料に本発明の加工方法を適用することが可能である。
【符号の説明】
【００３７】
１０：ウエーハ
１２：分割予定ライン
１４：デバイス
１６：面取り部
１８：ガイド部
３０：スピンドルユニット
３２：スピンドルハウジング
３４：回転スピンドル
３６：回転ブレード
４０：レーザー加工装置
４１：基台
４２：保持機構
４３：移動手段
４４：レーザー光線照射手段
４５：撮像手段
【図１】
0006608746.tif 000002
【図２】
0006608746.tif 000003
【図３】
0006608746.tif 000004
【図４】
0006608746.tif 000005
【図５】
0006608746.tif 000006