(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体装置の製造方法であって、
パッド電極の上に有機膜を形成する工程と、
前記有機膜の上に無機膜を形成する工程と、
前記無機膜の上に、前記半導体装置のパッド電極に通じる開口を形成するためのレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンをマスクとして、前記無機膜をプラズマドライエッチングする工程と、
前記レジストパターンをマスクとして、前記パッド電極を露出しないように前記有機膜をプラズマドライエッチングする工程と、
前記レジストパターンを剥離液で除去する工程と、
前記レジストパターンを剥離液で除去する工程の後に、前記無機膜をプラズマドライエッチングする工程後に残存する前記無機膜をマスクとして、前記パッド電極を露出するように前記有機膜をエッチングする工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記レジストパターンをマスクとして、前記無機膜をプラズマドライエッチングする工程は、ＣＦ系のガスを含む雰囲気で行われることを特徴とする、請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記パッド電極を露出しないように前記有機膜の一部をプラズマドライエッチングする工程は、Ｏ２またはＮ２のガスを含む雰囲気で行われることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記パッド電極を露出するように前記有機膜をエッチングする工程は、プラズマドライエッチングまたはウエットエッチングで行うことを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記パッド電極を露出しないように前記有機膜の一部をプラズマドライエッチングする工程の後に残存している前記有機膜の膜厚は２００ｎｍ以上５００ｎｍ以下であることを特徴とする、請求項１から４のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記有機膜は、前記パッド電極の上に形成される平坦化膜を含むことを特徴とする請求項１から５のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記半導体装置は、撮像装置であって、
前記撮像装置は、カラーフィルタを有し、
前記有機膜は、前記カラーフィルタの上に形成される平坦化膜を含むことを特徴とする請求項１から６のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記有機膜は、前記カラーフィルタの材料からなる膜を含むことを特徴とする請求項７に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記撮像装置は、前記カラーフィルタの上にマイクロレンズを有し、
前記有機膜は、前記マイクロレンズの材料からなる膜を含むことを特徴とする請求項７または８に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記撮像装置は、前記カラーフィルタの上にマイクロレンズを有し、
前記無機膜は、前記マイクロレンズの上に形成された反射防止膜であることを特徴とする請求項７から９のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記半導体装置は、ＭＯＳトランジスタを有する撮像装置であって、該ＭＯＳトランジスタが有するゲート絶縁膜の膜厚は、０ｎｍよりも厚く、４．５ｎｍ以下であることを特徴とする、請求項１から１０のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、半導体装置である固体撮像装置において、パターニングされた無機膜をマスクとして、有機膜をプラズマドライエッチングして、パッド電極を露出させる製造方法が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０００−１６４８３６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、特許文献１に記載の方法ではプラズマドライエッチングによりパッド電極を露出する工程において、チャージアップが生じ、半導体装置の破壊が発生する可能性もありうる。
【０００５】
そこで、本発明では、パッド電極を露出させる工程の一部にプラズマドライエッチングを用いる場合であっても、チャージアップによる装置の破壊を低減する半導体装置の製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明にかかる半導体装置の製造方法は、パッド電極の上に有機膜を形成する工程と、前記有機膜の上に無機膜を形成する工程と、前記有機膜の上に、前記半導体装置のパッド電極に通じる開口を形成するためのレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンをマスクとして、前記無機膜をプラズマドライエッチングする工程と、前記レジストパターンをマスクとして、前記パッド電極を露出しないように前記有機膜をプラズマドライエッチングする工程と、前記レジストパターンを剥離液で除去する工程と、前記レジストパターンを剥離液で除去する工程の後に、前記無機膜をプラズマドライエッチングする工程後に残存する前記無機膜をマスクとして、前記パッド電極を露出するように前記有機膜をエッチングする工程と、を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、パッド電極を露出させる工程の一部にプラズマドライエッチングを用いる場合であっても、チャージアップによる装置の破壊を低減する半導体装置の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】第１の実施形態の固体撮像装置の製造方法を例示的に説明する図。
【図２】第１の実施形態の固体撮像装置の製造方法を例示的に説明する図。
【図３】第２の実施形態の固体撮像装置の製造方法を例示的に説明する図。
【図４】第２の実施形態の固体撮像装置の製造方法を例示的に説明する図。
【図５】第３の実施形態の固体撮像装置の製造方法を例示的に説明する図。
【図６】第３の実施形態の固体撮像装置の製造方法を例示的に説明する図。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
本発明者らは、固体撮像装置の製造方法について、有機膜をプラズマドライエッチングして、パッド電極を露出する工程で、半導体装置の一部の素子で絶縁破壊がおこる可能性があるという課題を見出した。絶縁破壊は半導体装置のいたるところで起きる可能性があるが、たとえば、絶縁ゲート型の電界効果トランジスタのゲート絶縁膜部分で起こることが多く、半導体装置の微細化に伴って、ゲート絶縁膜が薄膜化されることにより、顕著な問題となってきている。
【００１０】
そこで、本発明者らが、プラズマドライエッチングにより生じうるゲート絶縁膜の破壊について検討したところ、以下のメカニズムによるものであると推察するに至った。すなわち、プラズマドライエッチングを行う際に、チャンバー内では、プラズマが不均一となっており、パッド電極に通じる開口の側壁やレジストパターン等にチャージされる電荷量は、各パッド電極間で異なっていると考えられる。そのため、レジストパターンにチャージされた電荷を残したまま、エッチングでパッド電極が露出してしまうと、パッド電極間に生じた電位差によって、パッド電極間に電流が流れ、この電流によりトランジスタのゲート絶縁膜が破壊されるのである。
【００１１】
そこで、本発明者らは、パッド電極を露出させる前にチャージされた電荷を除去すれば、ゲート絶縁膜の破壊の可能性を低減できるとの着想を得て、本発明に至った。以下、半導体装置の一例として固体撮像装置を用いて説明するが、パッド電極の上部に有機膜が形成され、パッド電極をプラズマドライエッチングで露出するプロセスを用いうる他の半導体装置にも本願発明を適用することができる。
【００１２】
（第１の実施形態）
図１および図２を用いて、本発明に係る固体撮像装置の製造方法について説明する。
【００１３】
図１（Ａ）に、製造過程中の固体撮像装置を示す。ここで、固体撮像装置は、撮像領域１０００とパッド領域２０００とを有する。便宜上、図１（Ａ）では、撮像領域１０００とパッド領域２０００を分けて記載しているが、撮像領域１０００とパッド領域２０００は、基板１００などの多くの部材を共有している。
【００１４】
撮像領域１０００は、基板１００の上に、光電変換部１０１、配線構造１０２を有する。不図示であるが、配線構造１０２は、複数の配線層、トランジスタ、および層間絶縁膜を含む。また、光電変換部１０１に蓄積された電荷は、ＭＯＳトランジスタによって転送され、画像形成のために用いられる。
【００１５】
また、パッド領域２０００において、配線構造１０２の上には、パッド電極１０３が配される。ここで、撮像領域１０００の配線構造１０２とパッド領域２０００の配線構造１０２とは、共通の層間絶縁膜を有しうる。
【００１６】
次に、配線構造１０２およびパッド電極１０３上に保護膜１０４を配し、パッド電極１０３上部の領域に配された保護膜１０４を選択的にエッチングする。これにより、パッド電極１０３の上部を露出させたパッド開口１０５が形成される。保護膜１０４は、窒化シリコン、酸窒化シリコン、これらの積層膜等から構成される。
【００１７】
次に、撮像領域１０００およびパッド領域２０００の配線構造１０２の上に、有機膜で構成された平坦化膜１０６を形成する。これにより、パッド領域２０００においては、保護膜１０４および開口１０５上に平坦化膜１０６が形成される。平坦化膜１０６は、アクリル系樹脂（例えばＪＳＲ製ＡＨ８５９−Ｒ１９）などの材料から構成される。
【００１８】
その後、撮像領域１０００において、光電変換部１０１に対応するように、第１のカラーフィルタ１０７、第２のカラーフィルタ１０８、第３のカラーフィルタ１０９を設ける。これらのカラーフィルタのパターニングは、カラーフィルタ材料を塗布、露光、現像を行うことによって形成される。例えば、第１のカラーフィルタ１０７、第２のカラーフィルタ１０８、第３のカラーフィルタは、それぞれ、緑色、青色、赤色である。
【００１９】
次に、撮像領域１０００およびパッド領域２０００において、有機膜で構成された平坦化膜１１０を配し、平坦化膜１１０上に、光電変換部１０１に対応するようにマイクロレンズ１１１を形成する。平坦化膜１１０は、アクリル系の樹脂（例えばＪＳＲ製ＡＨ８５９−Ｒ１９）などの材料から構成される。平坦化膜１１０と平坦化膜１０６の材料は同じでもよいし、異なっていてもよい。
【００２０】
また、マイクロレンズ１１１は、階調露光およびエッチバックを用いて作製しても、リフロー法を用いて作製してもよい。この際、パッド領域２０００の平坦化膜１１０上には、マイクロレンズ１１１の材料からなる層が形成されていても、形成されていなくてもよい。図１には、パッド領域２０００の平坦化膜１１０にマイクロレンズ１１１の材料からなる層が形成されていない形態が図示されている。
【００２１】
撮像領域１０００のマイクロレンズ１１１上に、無機膜で構成された反射防止膜１１２を形成する。反射防止膜としては、シリコン酸化膜ＳｉＯ、シリコン窒化膜ＳｉＮ、または、これらの材料の積層膜が望ましい。
【００２２】
そして、フォトリソグラフィ工程によりレジストの塗布・露光・現像を行って、パッド領域２０００にレジストパターン１１３を形成する。レジストパターン１１３はパッド電極１０３に通じる開口を形成するために用いられる。
【００２３】
次に、図１（Ｂ）に示すように、フォトレジストパターン１１３をマスクとして、反射防止膜１１２をエッチングする。また、フォトレジストパターン１１３をマスクとして、平坦化膜１１０と、平坦化膜１０６の一部をエッチングする。このようにして、開口１１４が形成される。このエッチング工程においては、平坦化膜１０６の全てをエッチングせずに、パッド電極１０３を露出させないようにする。パッド領域２０００にマイクロレンズ１１１の材料からなる層が形成されている場合には、このエッチングによって、マイクロレンズ１１１の材料からなる層にも開口が形成されることになる。
【００２４】
このエッチング処理は反射防止膜１１２をプラズマドライエッチングするステップ、平坦化膜１１０等をプラズマドライエッチングするステップの２工程を含む。
【００２５】
反射防止膜１１２は無機膜であり、例えば、ＣＦ系のガスを含む雰囲気を用いた以下のような条件でプラズマドライエッチングを行う。
【００２６】
〈条件１〉
エッチングガス：ＣＦ４
電力：１００〜１５００（Ｗ）
圧力：３０〜７５０（ｍＴｏｒｒ）
【００２７】
またＣＦ系のガスとは、ＣおよびＦを含むガスである。ＣＦ４以外としては、Ｃ４Ｆ８と、Ｃ５Ｆ８と、Ｃ４Ｆ６などやこれらの組み合わせが挙げられるが、これらのガスに限定されるものではない。また、ＡｒガスやＯ２ガスを添加してもよい。
【００２８】
他方、平坦化膜１１０、１０６は有機膜であり、例えば、Ｏ２ガスおよびＮ２を含む雰囲気を用いた以下のような条件でプラズマドライエッチングを行う。なお、Ｏ２ガスおよびＮ２の一方を使用することも可能である。また、ＣＦ系ガスやＡｒガスを添加してもよい。
【００２９】
〈条件２〉
エッチングガス：Ｏ２／Ｎ２
電力：１００〜１５００（Ｗ）
圧力：３０〜７５０（ｍＴｏｒｒ）
【００３０】
次に、図１（Ｃ）に示すように、レジストパターン１１３を有機系剥離液にて除去し、開口１１５を形成する。有機系剥離液としては、レジストパターン１１３を除去できるものであればよく、例えば関東化学株式会社のＳＷＰＲ−２０７などを用いる。
【００３１】
有機系剥離液はレジストパターン１１３を除去するのを主目的に用いられるが、結果として、レジストパターン１１３および平坦化膜１１０の開口１１４の側壁などに蓄積された電荷も除去することができる。
【００３２】
この時点では、平坦化膜１０６の一部はパッド電極１０３の上部に形成されており、パッド電極１０３は露出していないため、ゲート絶縁膜にチャージングダメージは入らない。また、有機系剥離液により、レジストパターン１１３の開口１１４の側壁などに蓄積された電荷も除去できる。
【００３３】
この有機系剥離液により、マスクとして用いていたレジストパターン１１３が除去されてしまうため、この工程後には、パッド電極を露出するためのエッチングのマスクとして、パターニングされた反射防止膜１１２を利用することになる。
【００３４】
次に、図１（Ｄ）に示すように、反射防止膜１１２をマスクとして平坦化膜１０６の残膜をエッチングすることにより、パッド開口１１６を形成して、パッド電極１０３を露出させる。これより前の工程において、蓄積された電荷が有機系剥離液によって除去されていることから、パッド電極間に電流が流れるのを防止することができ、チャージアップによるゲート絶縁膜の破壊を低減することができる。特に、本実施形態に記載の製造方法は、４．５ｎｍ以下に薄膜化されたゲート絶縁膜を有するＭＯＳトランジスタなどに好適に適用することができる。
【００３５】
パッド電極１０３の上に残存させる平坦化膜１０６の厚さは、パッド電極が露出しないような厚さとする必要がある。成膜工程における平坦化膜１０６の膜厚バラツキとエッチングレートのバラツキを考慮すると、パッド電極１０３の上に残存させる平坦化膜１０６の厚さは２００ｎｍ以上とすることが好ましい。
【００３６】
また、ゲート絶縁膜の破壊低減のためには、レジストパターン１１３および平坦化膜１１０の開口部の側壁などに蓄積された電荷を可能な限り除去すべきである。しかし、パッド電極１０３を露出するためのエッチングとしてプラズマドライエッチングを使用すると、再度電荷が開口の側壁などに蓄積されてしまう。そのため、この場合、パッド電極１０３の上に残存させる平坦化膜１０６の厚さは５００ｎｍ以下とすることが好ましい。すなわち、パッド電極１０３の上に残存させる平坦化膜１０６の厚さは、２００ｎｍ以上５００ｎｍ以下とすることがより好ましい。
【００３７】
さらに、パッド電極１０３を露出するためのエッチングは、プラズマドライエッチングでもウエットエッチングでもよい。異方性エッチングによる寸法制御という点ではプラズマドライエッチングを用いるのが良い。他方、プラズマによるダメージ低減という点ではウエットエッチングを用いるのが良い。
【００３８】
変形例として、図２（Ａ）に示すようにフォトレジストパターン１１３をマスクとしてエッチングする際、反射防止膜１１２と平坦化膜１１０の一部をエッチングして開口１１７を形成してもよい。
【００３９】
その後、図２（Ｂ）に示すように、レジストパターン１１３を有機系剥離液にて除去し、開口１１８を形成する。有機系剥離液により、レジストパターン１１３および平坦化膜１１０の開口１１７の側壁などに蓄積された電荷を除去することができる。
【００４０】
その後は、図１（Ｄ）に示すように、反射防止膜１１２をマスクとして残存していた平坦化膜１１０と平坦化膜１０６をエッチングし、パッド電極１０３を露出し、パッド開口１１６を形成する。
【００４１】
（第２の実施形態）
図３および図４に本実施形態に係る固体撮像装置の製造方法を示す。第１の実施形態を説明する際に用いた符号と同じ符号は同じ部材を意味する。
【００４２】
第１の実施形態と異なるのは、パッド領域２０００において、カラーフィルタ材料からなる膜２０７が形成されている点である。
【００４３】
図３（Ａ）において、撮像領域１０００とパッド領域２０００は、配線構造２０２を形成する。不図示であるが、配線構造２０２は複数の配線層、トランジスタ、および層間絶縁膜を含む。また、本実施形態では、配線構造２０２の内部にパッド電極２０３が設けられている。撮像領域１０００の配線構造２０２とパッド領域２０００の配線構造２０２とは、共通の層間絶縁膜を有しうる。
【００４４】
撮像領域１０００およびパッド領域２０００の配線構造２０２上に保護膜２０４を配する。保護膜２０４は、窒化シリコン、酸窒化シリコン、これらの積層膜等から構成される。
【００４５】
その後、パッド領域２０００のパッド電極２０３上部の領域に配置された配線構造２０２と保護膜２０４を選択的にエッチングし、パッド電極２０３の上部を露出させ、パッド開口２０５を形成する。
【００４６】
その後、撮像領域１０００において、光電変換部１０１に対応するように、露光プロセスを用いて、第１のカラーフィルタ１０７、第２のカラーフィルタ１０８、第３のカラーフィルタ１０９を形成する。本実施形態では、有機膜で構成される第１のカラーフィルタ材料からなる膜２０７がパッド開口２０５の中に充填されるように、第１のカラーフィルタ材料のパターニングが行われる。
【００４７】
次に、撮像領域１０００およびパッド領域２０００に、有機膜で構成される平坦化膜１１０と、マイクロレンズ１１１と、無機膜で構成される反射防止膜１１２を形成する。その後、撮像領域１０００およびパッド領域２０００にレジストパターン１１３を形成する。
【００４８】
次に、図３（Ｂ）に示すようにフォトレジストパターン１１３をマスクとしてエッチングを行い、反射防止膜１１２をエッチングする。また、フォトレジストパターン１１３をマスクとして、平坦化膜１１０、第１のカラーフィルタ材料からなる膜２０７をエッチングする。この結果、開口２１４が形成される。すなわち、パッド電極２０３を露出させず、かつ、第１のカラーフィルタ材料からなる膜２０７の一部を残存させるようにエッチングを行う。
【００４９】
反射防止膜１１２のプラズマドライエッチングプロセスでは、例えばＣＦ系のガスなどを用いる。また、平坦化膜１１０および第１のカラーフィルタ材料からなる膜２０７のプラズマドライエッチングプロセスでは、例えばＯ２ガスなどを用いる。
【００５０】
次に、図３（Ｃ）に示すように、レジストパターン１１３を有機系剥離液にて除去し、平坦化膜１１０および第１のカラーフィルタ材料からなる膜２０７に開口２１５を形成する。有機系剥離液により、レジストパターン１１３および平坦化膜１１０の開口２１４の側壁などに蓄積された電荷を除去することができ、チャージアップによるゲート絶縁膜の破壊を低減することができる。
【００５１】
パッド電極２０３の上に残存させる第１のカラーフィルタ材料からなる膜２０７の厚さはパッド電極が露出しないような厚さとする必要がある。成膜工程における第１のカラーフィルタ材料からなる膜２０７の膜厚バラツキとエッチングレートのバラツキを考慮すると、パッド電極２０３の上に残存させる第１のカラーフィルタ材料からなる膜２０７の厚さは２００ｎｍ以上とすることが好ましい。また、パッド電極２０３を露出するためにプラズマドライエッチングを使用する場合には、蓄積電荷の量を低減させるため、パッド電極２０３の上に残存させる第１のカラーフィルタ材料からなる膜２０７の厚さは５００ｎｍ以下とすることが好ましい。
【００５２】
その後、図３（Ｄ）に示すように、反射防止膜１１２をマスクとして、パッド電極２０３が露出するように、第１のカラーフィルタ材料からなる膜２０７の残りをエッチングする。これにより、パッド開口２１６を形成する。
【００５３】
変形例として、図４（Ａ）に示すように、フォトレジストパターン１１３をマスクとしてエッチングする際に、第１のカラーフィルタ材料からなる膜２０７までエッチングせずに、平坦化膜１１０でエッチングを停止させることも可能である。その後、図４（Ｂ）に示すように、レジストパターン１１３を有機系剥離液にて除去し、開口２１８を形成する。有機系剥離液により、レジストパターン１１３および平坦化膜１１０の開口側壁等に蓄積された電荷を除去することができ、チャージアップによるゲート絶縁膜の破壊を低減することができる。
【００５４】
その後は、図３（Ｄ）に示すように、反射防止膜１１２をマスクとして、開口２１８の下に残存した平坦化膜１１０、第１のカラーフィルタ材料からなる膜２０７をエッチングし、パッド電極２０３を露出させる。これにより、パッド開口２１６を形成する。
【００５５】
なお、本実施形態では、パッド電極２０３の開口にカラーフィルタ材料を充填したが、第１の実施形態においてもこのような構成を採用してもよい。
【００５６】
（第３の実施形態）
図５および図６に本実施形態に係る固体撮像装置の製造方法を示す。上記実施形態を説明する際に用いた符号と同じ符号は同じ部材を意味する。
【００５７】
上記第１および第２の実施形態と異なるのは、パッド領域２０００において、マイクロレンズ用材料からなる膜３１０が設けられている点と、撮像領域１０００およびパッド領域２０００において、平坦化膜１１０が設けられていない点である。
【００５８】
本実施形態において、第１のカラーフィルタ１０７、第２のカラーフィルタ１０８、第３のカラーフィルタ１０９の形成工程までは、第１の実施形態と同じである。
【００５９】
その後、撮像領域１０００およびパッド領域２０００において、マイクロレンズ用材料からなる膜３１０を形成する。そして、撮像領域１０００においては、階調露光およびエッチバックを用いてマイクロレンズ３１１を形成する。本実施形態では、パッド領域２０００に、有機膜から構成されるマイクレンズ材料からなる膜３１０が配されるように、露光およびエッチングが行われる。マイクロレンズ３１１上には、反射防止膜１１２が形成される。
【００６０】
次に、図５（Ａ）に示すようにフォトレジストパターン１１３をマスクとしてエッチングを行い、反射防止膜１１２およびマイクレンズ材料からなる膜３１０、並びに、平坦化膜１０６の一部をエッチングし、開口３１４を形成する。このとき平坦化膜１０６は全てをエッチングせずにパッド電極１０３を露出させないようにする。反射防止膜１１２のプラズマドライエッチングプロセスでは、例えばＣＦ系のガスなどを用いる。また、マイクロレンズ材料からなる膜３１０および平坦化膜１０６のプラズマドライエッチングプロセスでは、例えばＯ２ガスなどを用いる。
【００６１】
次に、図５（Ｃ）に示すように、レジストパターン１１３を有機系剥離液にて除去し、開口３１５を形成する。有機系剥離液により、レジストパターン１１３およびマイクロレンズ材料からなる膜３１０の開口側壁などに蓄積された電荷を除去することができ、チャージアップによるゲート絶縁膜の破壊を低減することができる。パッド電極１０３の上に残存させる平坦化膜１０６の厚さはパッド電極１０３が露出しないような厚さとする必要がある。成膜工程における平坦化膜１０６の膜厚バラツキとエッチングレートのバラツキを考慮すると、パッド電極１０３の上に残存させる平坦化膜１０６の厚さは２００ｎｍ以上とすることが好ましい。また、パッド電極１０３を露出するためのエッチングとしてプラズマドライエッチングを使用する場合には、蓄積電荷の量を低減させるために、パッド電極１０３の上に残存させる平坦化膜１０６の厚さは５００ｎｍ以下とすることが好ましい。
【００６２】
その後、図５（Ｄ）に示すように、反射防止膜１１２をマスクとして、パッド電極１０３が露出するように、平坦化膜１０６の残りをエッチングし、パッド開口３１６を形成する。
【００６３】
変形例として、図６（Ａ）に示すようにフォトレジストパターン１１３をマスクとしてエッチングする際、反射防止膜１１２とマイクロレンズ材料からなる膜３１０の一部をエッチングして開口３１７を形成してもよい。
【００６４】
その後、図６（Ｂ）に示すように、レジストパターン１１３を有機系剥離液にて除去し、開口３１８を形成する。有機系剥離液により、レジストパターン１１３およびマイクロレンズ材料からなる膜３１０の開口側壁などに蓄積された電荷を除去することができ、チャージアップによるゲート絶縁膜の破壊を低減することができる。
【００６５】
その後は、図５（Ｄ）に示すように、反射防止膜１１２をマスクとして平坦化膜１０６をエッチングし、パッド電極１０３を露出し、パッド開口３１６を形成する。
【００６６】
上記では、本発明に係る第１から第３の実施形態を説明したが、これら各実施形態の構成は適宜組み合わせ可能である。
【符号の説明】
【００６７】
１００  半導体基板
１０１  光電変換部
１０２  配線構造
１０３  パッド電極
１０４  保護膜
１０５  パッド開口
１０６  平坦化膜
１１０  平坦化膜
１１２  反射防止膜
１１３  レジストパターン
【図１】
0006562651.tif 000002
【図２】
0006562651.tif 000003
【図３】
0006562651.tif 000004
【図４】
0006562651.tif 000005
【図５】
0006562651.tif 000006
【図６】
0006562651.tif 000007