【事件の表示】
　特許第２６５８００９号「窒化ガリウム系化合物半導体発光素子」の請求項１ないし３に係る特許に対する特許異議申立事件についてされた平成１１年１０月１日付け決定に対し、東京高等裁判所において取消決定を取り消すとの判決（平成１５年（行ヶ）第４８３号　平成１５年１月２９日判決言渡）があったので、さらに審理のうえ、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第２６５８００９号の請求項１ないし２に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
　特許第２６５８００９号の請求項１ないし３に係る発明についての出願は、平成４年７月２３日に出願（国内優先権主張日平成３年７月２３日）され、願書に添付した明細書についての平成８年２月１日付け手続補正を経て、平成９年６月６日に設定登録がされた。その後、本件特許に対する特許異議の申立てがされ、同申立ては、平成１０年異議第７１４５０号事件として審理され、平成１０年９月７日に訂正請求がなされ、平成１１年４月２８日に訂正請求書の補正がなされた。
　次いで、平成１１年１０月１日に、「特許第２６５８００９号の請求項１ないし３に係る特許を取り消す。」との決定がなされたところ、該決定を取り消す旨の訴え（平成１１年（行ヶ）第３９８号）が東京高裁に提起され、その後平成１４年４月２４日に「原告らの請求を棄却する。」との判決がなされ、平成１４年５月１５日に上告及び上告受理申立がなされたものであるが、その間の平成１４年４月２６日に訂正審判２００２−３９１０３が請求され、その後平成１４年７月１１日に訂正審判２００２−３９１５５が請求され、平成１４年７月１９日に上記訂正審判２００２−３９１０３が取り下げられたところ、上記訂正審判２００２−３９１５５について訂正を認めるとの審決が平成１４年９月２日付けでなされた。
　そして、上告審継続中に上記訂正が確定したことにより、最高裁判所は、原判決には判決に影響を及ぼすことが明らかな法令違反があったものというべきであるので、事件を東京高等裁判所に差し戻すのが相当であるとの判決をなし、これを受けて東京高等裁判所は平成１５年（行ヶ）第４８３号として審理した結果、平成１０年異議第７１４５０号事件について平成１１年１０月１日にした決定を取り消す、との判決がなされたものである。
　
２．特許異議申立ての概要
（１）特許異議申立人高木栄は、下記の甲第１〜５号証を提出し、訂正前の請求項１〜３に係る発明は、甲第１〜５号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないので、取り消すべきである旨主張する。
甲第１号証：特開平３−１０８７７９号公報
甲第２号証：特開昭５７−６２５７９号公報
甲第３号証：特開昭５６−８７３８３号公報
甲第４号証：特開昭６３−１８８９７７号公報
甲第５号証：特開昭５６−７９４８２号公報
（２）特許異議申立人シャープ株式会社は、下記の甲第１〜４号証を提出し、訂正前の請求項１〜３に係る発明は、甲第１〜４号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないので、取り消すべきである旨主張する。
甲第１号証：米国特許第５００６９０８号明細書
甲第２号証：特開昭５７−６２５７９号公報
甲第３号証：特開昭６０−１７５４６８号公報
甲第４号証：応用物理６０［２］（１９９１．２）ｐ．１６３−１６６
（３）特許異議申立人増成孔也は、下記の甲第１〜３号証を提出し、訂正前の請求項１〜３に係る発明は、甲第１〜３号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないので、取り消すべきである旨主張する。
甲第１号証：特開昭５７−１５３４７９号公報
甲第２号証：特開昭５７−６２５７９号公報
甲第３号証：特開昭６３−１８８９７７号公報
（４）特許異議申立人言上恵一は、次のように主張する。
（４−１）本願は、補正により出願当初明細書に記載した事項の範囲外になったものであるから、要旨変更に該当するので、訂正前の請求項１〜３に係る発明は、本願の公開公報である甲第１号証と同一であるから、特許法第２９条第１項第３号の規定により特許を受けることができないので、取り消すべきである。
甲第１号証：特開平５−２１１３４７号公報
（４−２）訂正前の請求項１に係る発明は、甲第２号証と同一であるから、特許法第２９条第１項第３号の規定により特許を受けることができないので、取り消すべきである。
甲第２号証：特公昭６２−２２５５６号公報
（４−３）訂正前の請求項２〜３に係る発明は、甲第３〜５号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないので、取り消すべきである。
甲第３号証：米国特許第５００６９０８号明細書
甲第４号証：特開平４−６８５７９号公報
甲第５号証：特開昭６２−１１９１９６号公報
　
３．本件特許発明
　請求項に係る発明は、訂正確定後の明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１及び２に記載された次のものである。
「【請求項１】ｎ型の窒化ガリウム系化合物半導体（ＡｌＸＧａ１−ＸＮ；Ｘ＝０を含む）から成るｎ層と、ｐ型不純物を添加した窒化ガリウム系化合物半導体（ＡｌＸＧａ１−ＸＮ；Ｘ＝０を含む）から成るｉ層とを有する窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、
　前記ｎ層の電極はＡｌから成り、前記ｉ層の電極はＮｉ及びその上に形成されたＡｌから成ることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
【請求項２】サファイア基板と、そのサファイア基板上に形成されたバッファ層を有し、そのバッファ層上に、前記ｎ層、前記ｉ層が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。」（以下、「本件特許発明１」及び「本件特許発明２」という。）
　
４．刊行物等
　上記文献を、重複等を考慮して、以下のように整理して検討する。
引用例１：特開昭５７−１５３４７９号公報（特許異議申立人増成孔也の提出した甲第１号証。特許異議申立人言上恵一は対応する公告公報である特公昭６２−２２５５６号を甲第２号証として提出している。）
引用例２：特開昭５６−８７３８３号公報（特許異議申立人高木栄の提出した甲第３号証。）
引用例３：特開昭５７−６２５７９号公報（特許異議申立人高木栄の提出した甲第２号証。特許異議申立人シャープ株式会社の提出した甲第２号証。特許異議申立人増成孔也の提出した甲第２号証。）
引用例４：米国特許第５００６９０８号明細書（特許異議申立人シャープ株式会社の提出した甲第１号証。特許異議申立人言上恵一の提出した甲第３号証。）
引用例５：特開昭６３−１８８９７７号公報（特許異議申立人高木栄の提出した甲第４号証。特許異議申立人増成孔也の提出した甲第３号証。）
引用例６：特開平３−１０８７７９号公報（特許異議申立人高木栄の提出した甲第１号証。）
引用例７：応用物理６０［２］（１９９１．２）ｐ．１６３−１６６（特許異議申立人シャープ株式会社の提出した甲第４号証。）
引用例８：特開昭５６−７９４８２号公報（特許異議申立人高木栄の提出した甲第５号証。）
引用例９：特開昭６０−１７５４６８号公報（特許異議申立人シャープ株式会社の提出した甲第３号証。）
引用例１０：特開平４−６８５７９号公報（特許異議申立人言上恵一の提出した甲第４号証。）
引用例１１：特開昭６２−１１９１９６号公報（特許異議申立人言上恵一の提出した甲第５号証。）
　
　上記引用例には、次のことが記載されている。
　引用例１（特開昭５７−１５３４７９号公報）には、次の事項が図面とともに記載されている。
「本発明は窒化ガリウム発光素子に関するものである。窒化ガリウム（ＧａＮ）は半導体としてのエネルギーギャップが大きく青色領域での発光が可能な材料であるが、ｐ型導電性を示す結晶は得られていない。発光ダイオードとしては通常第１図に示すような金属−絶縁層−ｎ型半導体層（いわゆるｍ−ｉ−ｓ　metal−insulator−semiconductor）構造が用いられている。ここで１は結晶成長を行う基板材料で例えばサファイア単結晶などが用いられる。２はｎ型ＧａＮエピタキシャル層、３はＺｎなどのアクセプタを多量にドープしてｎ型を補償した絶縁性ＧａＮ層（ｉ層）、４は金属電極である。この４−３−２の３層でｍ−ｉ−ｓ構造を構成する。電極４とｎ−ＧａＮ層２の間に電圧を印加するとｎ−ＧａＮ層２とｉ−ＧａＮ層３の間の接合部から発光する。このときの発光はｉ−ＧａＮ層３が絶縁性であることから、電極４の下部の接合領域に限られる。」（１頁右下欄５行〜２頁左上欄２行）、
「以下その一実施例を説明すると、第３図に示すように、ｉ電極４４を少くとも二層からなる金属層とし、第１の層４’は半田とのぬれが悪く、かつ結晶表面との密着性のよい金属で形成する。この第１の層４’の面積は、ＧａＮ発光ダイオードの発光領域として必要な面積とする。この上に第２の金属層４”を半田とのぬれの良い金属で形成する。・・・ｎ電極については、第１層５’と第２層５”は・・・特に二層間で大きさを変えなくても良い。」（２頁右上欄１４行〜同頁左下欄６行）、
「第３図において、金属第一層４’，５’としてＴｉを３０００Å蒸着したものを用い、第二層４”，５”としてＮｉ３５００Åを蒸着したものを用いた。」（２頁左下欄１５行〜１７行）、
「＜実施例２＞
　実施例１において第一層４’，５’の下に密着性を高めるためにＡｌをおいた三層構造を作った。この場合にも実施例１と同様な効果がみられた。」（２頁右下欄８行〜９行）
　
　引用例２（特開昭５６−８７３８３号公報）には、次の事項が図面とともに記載されている。
「本発明は窒化ガリウム（ＧａＮ）発光素子の製造方法に関するものであって・・・ＧａＮはｐ型結晶の作成が困難であってこれまで成功した例はない。そのため発光素子としては、通常の発光ダイオードと異ってｍ−ｉ−ｎ構造となっている。」（１頁左下欄１５行〜同頁右下欄１行）、
「このようにして作られる発光素子は、例えば第１図のような構成となっている。サファイア等の基板１上にｎ型ＧａＮ層２、絶縁性ＧａＮ層３があり、さらに金属電極４が形成されている。この４，３，２の構成がｍ−ｉ−ｎ接合部である。このチップが例えば半田５などでヘッダ８の片側の電極８ａにボンディングされ、またチップの側面のｎ型層が露出した部分は、例えばインジウムドット６などで金属線７によってヘッダ８の他の電極８ｂに接続されている。必要に応じて樹脂９などをかぶせて発光素子が完成する。この素子の電極８ａを正に、８ｂを負になるように適当な電圧を外部から加えると、ｎ型ＧａＮ層２と絶縁性ＧａＮ層３の境界付近から発光し、基板１を通して外に見える」（１頁右下欄１７行〜２頁左上欄１０行）、
「第２図において、・・・除去部を覆ってＮｉ／Ａｌ電極４２及び６２を形成した。これをあらかじめ半田バンプを形成しておいた電極リードをもつ基体に熱圧着して素子を作成した。この素子でｉ層電極４２側が正に、ｎ側電極６２が負になるように電圧を印加したところ青色発光が得られた。」（２頁右下欄４行〜１９行）
　
　引用例３（特開昭５７−６２５７９号公報）には、ＭＩＳ型の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子のｐ型不純物を添加したｉ層であるＺｎドープＧａＮの電極としてＮｉを用いることが記載されており、また引用例４（米国特許第５００６９０８号明細書）には、ダブルヘテロ構造の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子のｐ型不純物を添加したｐ層であるＩｎｘＧａｙＡｌ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）の電極としてＮｉを含む合金を用いることが記載されている。
　
　引用例５（特開昭６３−１８８９７７号公報）及び引用例６（特開平３−１０８７７９号公報）には、ＭＩＳ型の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、サファイア基板とｎ層の間にバッファ層を設けることが記載されており、また引用例７（応用物理６０［２］（１９９１．２）ｐ．１６３−１６６）には、ｐｎ型の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、サファイア基板とｎ層の間にバッファ層を設けることが記載されている。また、引用例５ないし７には、ｎ層上の電極をＡｌで形成することが記載されている。
　
　引用例８（特開昭５６−７９４８２号公報）には、ＭＩＳ型の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、ｎ層上の電極をＡｇで形成すること、及びｐ型不純物を添加したｉ層であるＺｎ，Ｃｄ，ＭｇドープＧａＮの電極としてＡｌの上にＮｉを形成することが記載されており、引用例９（特開昭６０−１７５４６８号公報）には、ＭＩＳ型の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、ＧａＮからなるｎ層及びｐ型不純物を添加したｉ層であるＺｎドープＧａＮ上の電極をＡｌまたはＡｕで形成することが記載されており、引用例１０（特開平４−６８５７９号公報）には、ｐｎ型の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、ＧａＮからなるｎ層及びｐ型不純物を添加したｉ層であるＺｎドープＧａＮ上の電極をＡｌで形成することが記載されており、さらに引用例１１（特開昭６２−１１９１９６号公報）には、ＭＩＳ型の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、ＡｌＧａＮからなるｎ層及びｐ型不純物を添加したｉ層であるＺｎドープＧａＮは記載されているものの、電極の材質については記載がない。
　
５．対比・判断
［同一性あるいは容易性について］
＜本件特許発明１について＞
　本件特許発明１と引用例１を対比する。
（１）引用例１には、「本発明は窒化ガリウム発光素子に関するものである。・・・発光ダイオードとしては・・・金属−絶縁層−ｎ型半導体層（いわゆるｍ−ｉ−ｓ・・・）構造が用いられている。・・・２はｎ型ＧａＮエピタキシャル層、３はＺｎなどのアクセプタを多量にドープしてｎ型を補償した絶縁性ＧａＮ層（ｉ層）、４は金属電極である。この４−３−２の３層でｍ−ｉ−ｓ構造を構成する。」と記載されていることから、引用例１の「窒化ガリウム発光素子」は本件特許発明１の「窒化ガリウム系化合物半導体発光素子」に相当する。
（２）引用例１の「ｎ型ＧａＮエピタキシャル層２」「Ｚｎなどのアクセプタを多量にドープしてｎ型を補償した絶縁性ＧａＮ層（ｉ層）３」が、それぞれ本件特許発明１の「ｎ型の窒化ガリウム系化合物半導体（ＡｌＸＧａ１−ＸＮ；Ｘ＝０を含む）から成るｎ層」「ｐ型不純物を添加した窒化ガリウム系化合物半導体（ＡｌＸＧａ１−ＸＮ；Ｘ＝０を含む）から成るｉ層」に相当することは明らかである。
（３）引用例１には、「ｉ電極４４を少くとも二層からなる金属層とし、第１の層４’は半田とのぬれが悪く、かつ結晶表面との密着性のよい金属で形成する。この第１の層４’の面積は、ＧａＮ発光ダイオードの発光領域として必要な面積とする。この上に第２の金属層４”を半田とのぬれの良い金属で形成する。・・・ｎ電極については、第１層５’と第２層５”は・・・特に二層間で大きさを変えなくても良い。」、「第３図において、金属第一層４’，５’としてＴｉを３０００Å蒸着したものを用い、第二層４”，５”としてＮｉ３５００Åを蒸着したものを用いた。」、「実施例１において第一層４’，５’の下に・・・Ａｌをおいた三層構造を作った。」と記載されており、これから引用例１においてｎ層に接する金属電極がＡｌで構成されることが明らかである。
　上記（１）〜（３）の考察から、両者は、「ｎ型の窒化ガリウム系化合物半導体（ＡｌＸＧａ１−ＸＮ；Ｘ＝０を含む）から成るｎ層と、ｐ型不純物を添加した窒化ガリウム系化合物半導体（ＡｌＸＧａ１−ＸＮ；Ｘ＝０を含む）から成るｉ層とを有する窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、前記ｎ層の電極はＡｌから成る窒化ガリウム系化合物半導体発光素子」である点で一致し、以下の点で相違する。
　
相違点：
　本件特許発明１では、「前記ｉ層の電極はＮｉ及びその上に形成されたＡｌから成る」のに対し、引用例１には、ｉ層の電極を、第１層としてＴｉ、第２層としてＮｉの構造、あるいは第１層としてＡｌ、第２層としてＴｉ、第３層としてＮｉの構造とすることは記載されているが、Ｎｉが第１層のものは記載されておらず、またその上にＡｌを設けることについても記載がない点。
　
　上記相違点について検討する。
　引用例１のものは、上記のように、ｉ電極４４を二層からなる金属層で形成するものではあるが、該金属層の選択にあたっては「第１の層４’は半田とのぬれが悪く、かつ結晶表面との密着性のよい金属で形成する」こと、及び「第２の金属層４”を半田とのぬれの良い金属で形成する」ことが記載されており、その結果、第１層として結晶表面との密着性のよいＴｉ、第二層として半田とのぬれの良いＮｉが選択されたものであるから、結晶表面との密着性のよいとはいえないＮｉを第１層として使用することは引用例１からは導けるものではなく、また第２層としてＡｌを設けることについて記載がないのは上記のとおりである。
　引用例２には、ｉ電極４２，６２をＮｉ／Ａｌで形成することが記載されているが、該引用例からは、記載されたＮｉ／Ａｌ電極が２層構造なのか合金の意味なのかについての明記はない。もし仮に２層構造であったとしても、どちらがｉ電極に接する層かは明確でなく、Ｎｉが第１層としても、引用例２のものは、ｉ層電極４２とｎ層電極６２を同じ材料で形成することを示すものであるから、引用例１，２から本件特許発明１を導けるものではない。なお、従来技術の説明として、ｉ層電極をインジウムドット６で形成する旨の記載もあるが、この場合にｎ層電極が何かは記載されていないから、これからｉ層電極とｎ層電極とを違う材料で形成するとの事項を把握することはできない。
　そして、引用例２ないし４から、窒化ガリウム系化合物半導体発光素子のｐ型不純物を添加した層（ｉ層あるいはｐ層）上の電極をＮｉで形成することが周知であり、また、引用例５ないし７から、ｎ層電極をＡｌで形成することが周知であり、また、引用例８ないし１１に、窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において電極を形成することに関し上記の各事項が記載されているといえるとしても、上記引用例にはそれぞれを組み合わせて本件特許発明１を構成する旨の示唆がない。
　そして、上記事項により本件特許発明１は、明細書記載の「ＧａＮ系の化合物半導体の発光ダイオードの青色の発光領域における発光パターンを点発光から面発光に近づけてその発光強度を向上させると共に駆動電圧を低下させる」との格別の作用効果を奏するものであるから、結局本件特許発明１は、引用例１と同一といえないばかりでなく、引用例１ないし１１から容易になし得るものともいえない。
　
＜本件特許発明２について＞
　本件特許発明２は、本件特許発明１に「サファイア基板と、そのサファイア基板上に形成されたバッファ層を有し、そのバッファ層上に、前記ｎ層、前記ｉ層が形成されている」との事項を追加し限定するものであるから、バッファ層を設けることが、例えば引用例５ないし７に示されるように、周知であり、また引用例８ないし１１に上記の各事項が記載されているにしても、上記本件特許発明１が上記判断のように同一とも容易ともいえない以上、本件特許発明２についても同様に、引用例１ないし１１から容易になし得るものとはいえない。
　
＜まとめ＞
　上記のとおり、本件特許発明１は、引用例１に記載された発明と同一ではなく、また本件特許発明１及び２は、引用例１ないし１１記載のものから容易になし得るものでもない。
　
［要旨変更について］
　申立人言上恵一は、本願は、補正により出願当初明細書に記載した事項の範囲外になったものであるから、要旨変更に該当するので、訂正前の請求項１〜３に係る発明は、本願の公開公報である甲第１号証（特開平５−２１１３４７号公報）と同一であるから、特許法第２９条第１項第３号の規定により特許を受けることができない旨主張し、その具体的な理由として、平成８年２月１日付手続補正書により「ｎ層」，「ｉ層」と記載されていた事項が、「第１層」，「第２層」と記載され、導電性の特定が無くなったことを挙げている。
　しかしながら、訂正審判２００２−３９１５５において、異議申立時に「第１層」，「第２層」と記載されていたものが、再度「ｎ層」，「ｉ層」に訂正され、戻されている。
　よって、訂正確定後の本件特許発明においては、申立人の要旨変更との上記主張は当たらず、したがって本願の公開公報と同一ともいえない。
　
６．むすび
　以上のとおり、特許異議申立の理由及び証拠によっては、本件請求項１及び２に係る発明の特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１１年１０月１日（１９９９．１０．１）