【事件の表示】
　特許第３４３７９００号「研磨剤」の請求項１ないし８に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第３４３７９００号の請求項１ないし８に係る特許を維持する。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本件特許第３４３７９００号の請求項１ないし８に係る発明は、平成８年１０月３０日（優先権主張平成７年１１月１０日）に出願され、平成１５年６月６日にその発明について特許権の設定登録がなされた後、その請求項１ないし８に係る特許に対して、平成１５年１２月２６日に特許異議申立人デグサ　アクチエンゲゼルシャフトより特許異議の申立てがなされたものである。
　
第２　特許異議申立てについて
１．本件発明
　本件特許第３４３７９００号の請求項１ないし８に係る発明（以下、「本件発明１」等という。）は、設定登録時の願書に添付した明細書（以下、「本件特許明細書」という。）の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし８に記載された事項により特定される次のとおりのものと認める。
「【請求項１】
　水系溶媒に、平均一次粒子径が５〜３０ｎｍのヒュームドシリカを分散してなり、シリカ濃度１．５重量％における光散乱指数（ｎ）が３〜６であり、且つ該分散されたヒュームドシリカの重量基準の平均二次粒子径が３０〜１００ｎｍであることを特徴とするシリカ分散液よりなる研磨剤。
【請求項２】 シリカ分散液中のカリウム以外の金属元素の含有量が１０ｐｐｍ以下である請求項１記載の研磨剤。
【請求項３】 シリカ分散液のｐＨが８〜１３である請求項１記載の研磨剤。
【請求項４】 水系溶媒にヒュームドシリカを分散してなるシリカ分散液を高圧ホモジナイザーにより、重量基準の平均二次粒子径が３０〜１００ｎｍとなるように粉砕することを特徴とする請求項１記載の研磨剤の製造方法。
【請求項５】 ｐＨが８以上のシリカ分散液を粉砕する請求項４記載の研磨剤の製造方法。
【請求項６】 シリカ分散液を５００〜３５００ｋｇｆ／ｃｍ２の処理圧力で高圧ホモジナイザーにより粉砕する請求項４記載の研磨剤の製造方法。
【請求項７】 研磨すべき材料を請求項１記載の研磨剤を用いて研磨することを特徴とする研磨方法。
【請求項８】 研磨すべき材料が集積回路製造工程中の絶縁膜である請求項７記載の研磨方法。」
　
２．異議申立の概要
　特許異議申立人は、以下に示す甲第１ないし５号証を提出し、本件発明１ないし８は、甲第１ないし５号証に記載された発明であるか、これら甲各号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第１項第３号又は同法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであるから特許を受けることができず、同法第１１３条第２号により取り消すべきものであり、また、本件特許は、実施可能要件を満たしておらず、且つ発明が明確に記載されていないので、特許法第３６条第４項及び同法第３６条第６項第２号により特許を受けることができず、同法第１１３条第４号により取り消すべきものである旨主張している。
　甲第１号証：“Ａｍｅｒｉｃａｎ　Ｐａｉｎｔ　＆　Ｃｏａｔｉｎｇｓ　Ｊｏｕｒｎａｌ”，Ｊａｎｕａｒｙ　２８，１９８５，ｐ．３８−４０，Ｍｉｃｒｏｆｌｕｉｄｉｚａｔｉｏｎ：ｆｏｒ　ｍａｋｉｎｇ　ｆｉｎｅ　ｅｍｕｌｓｉｏｎｓ　ａｎｄ　ｄｉｓｐｅｒｓｉｏｎｓ
　甲第２号証：特表平７−５０２７７８号公報
　甲第３号証：“Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　ｔｈｅ　Ｃｅｒａｍｉｃ　Ｓｏｃｉｅｔｙ　ｏｆ　Ｊａｐａｎ”，ｖｏｌ．１０１，[６]　ｐ．７０７−７１２，１９９３
　甲第４号証：特開昭６２−３０３３３号公報
　甲第５号証：特開平３−６０４２０号公報
　
３．特許法第２９条第１項３号、及び同法第２９条第２項違反について
（１）甲各号証記載の発明
ア　甲第１号証
　甲第１号証には、その第３８頁左欄下から１１行〜７行、同頁右欄第８〜１８行、第４０頁左欄第９〜２１行、及び同頁右欄第１〜１０行の記載からみて、次の発明（以下、「甲第１号証記載の発明」という）が記載されている。
　「２つの流体の流れを、高圧力で正確に規定されたミクロ流路中で作用させることにより、０．０２ミクロン（２０ｎｍ）未満の大部分の母集団を有するヒュームドシリカ分散液。」
イ　甲第２号証
　甲第２号証には、その第４頁右上欄第１９〜２１行、同頁右下欄第１０〜１４行、第５頁左上欄第１３行〜同頁右上欄第１９行、及び第５頁表１の記載からみて、次の発明（以下、「甲第２号証記載の発明」という）が記載されている。
　「水に、一次粒子径が１５〜２５ｎｍのヒュームドシリカを分散した研磨剤により、集積回路の絶縁膜を研磨すること。」
　また、同号証には、上記記載からみて、「ヒュームドシリカを、高速剪断調合機を用いて水に分散すること」の技術事項が記載されている。
ウ　甲第３号証
　甲第３号証には、その第７０７頁左欄第１行〜第７０９頁左欄第７行、第７０７頁Ｔａｂｌｅ１、第７０８頁第２図、第７０９頁第４図、第７１０頁右欄下から３行目〜第７１１頁第７行、第７１２頁左欄第１１行〜同頁右欄第１１行の記載からみて、次の発明（以下、「甲第３号証記載の発明」という）が記載されている。
　「水に、一次粒子径が７〜１９．５ｎｍ（比表面積３８０〜１４０ｍ２／ｇより換算）のヒュームドシリカを分散してなり、１．５重量％における光散乱指数（ｎ）が３〜３．３であり、分散されたヒュームドシリカの二次粒子径が略１００〜２５０ｎｍに分布し、その平均二次粒子径が略１５０〜１７０ｎｍであるシリカ分散液。」
エ　甲第４号証
　甲第４号証には、その第１頁左下欄第５〜１０行、同頁右下欄第１２行〜第２頁左上欄第３行の記載からみて、次の発明（以下、「甲第４号証記載の発明」という）が記載されている。
　「水に、一次粒子径が５〜２００ｎｍのヒュームドシリカを分散した研磨剤によりシリコンウエーハを研磨すること。」
オ　甲第５号証
　甲第５号証には、その第１頁左下欄第５〜１０行、同頁右下欄第１０から１１行、第３頁左下欄第２〜７行、同頁右下欄第５〜８行の記載からみて、次の発明（以下、「甲第５号証記載の発明」という）が記載されている。
　「水に、一次粒子径が３６ｎｍ以上（比表面積７５ｍ２／ｇ未満から換算）のヒュームドシリカを分散したシリカ分散液。」
　また、同号証には、上記記載からみて、「ヒュームドシリカを、高剪断ミキサーを用いて水に分散すること」の技術事項が記載されている。
　
（２）対比・判断
＜本件発明１について＞
　本件発明１と、甲１ないし５号証記載の発明とを対比すると、甲各号証記載の発明は少なくとも本件発明１の発明特定事項である「分散されたヒュームドシリカの重量基準の平均二次粒子径が３０〜１００ｎｍである」点を欠いている。
　異議申立人は、平均二次粒子径に関し、甲第３号証の第７１２頁右欄第５〜８行並びに図１０の記載から、シリカを良好に分散させるためには、より大きなエネルギーを与えればよいことが示されていると主張しているが（特許異議申立書第１５頁）、同号証の当該箇所には、波長７００ｎｍの吸光度が小さなものはエネルギーを要するが最終的には小さい粒子まで分散されることが記載されているにすぎず、同号証全般を参酌しても、大きいエネルギーの付与によってより小さい粒子径の分散を得るという技術思想は開示されていないと云うべきである。また、上記甲第２、第５号証には、ヒュームドシリカを分散させる手段として、高速剪断調合機、高剪断ミキサーを用いることが記載されているが、これらの手段は本件特許明細書（段落【００１２】、【００１４】）に、シリカの分散性が劣る従来技術として説明されているものである。更に、甲第４号証には二次粒子径に関する技術事項について記載されていない。
　そして、甲第１号証記載の発明は、２つの流体の流れを、高圧力で正確に規定されたミクロ流路中で作用させることにより、より微細な粒子を有するヒュームドシリカ分散液を提供する技術を示すものではあるが、上記のごとく甲２ないし５号証記載の発明において、より微細な二次粒子径を得ようとする技術思想は開示されていないことからすれば、甲２ないし５号証記載の発明に対して甲第１号証記載の発明を適用し、平均二次粒子径を本件発明の特定事項とすることが容易に成し得るものとすることはできない。
　そして、本件発明１は、平均一次粒子径、光散乱指数、及び平均二次粒子径の数値を特定することにより、本件特許明細書記載の、「保存安定性が高く、しかも研磨速度が速く、被研磨面に傷が付き難い」（段落【００６５】）という作用効果を奏するのである。
　したがって、本件発明１は、甲１ないし５号証に記載された発明であるか、又は、これら甲各号証に記載の発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたもの、とすることはできない。
＜本件発明２ないし８について＞
　本件発明２ないし８は、本件発明１の発明特定事項をすべて含み、更に、シリカ分散液中の金属元素含有量、ｐＨ、粉砕方法、研磨対象を限定するものである。したがって、上記本件発明１についての判断と同様の理由により、上記甲各号証に記載された発明であるか、又は、これら甲各号証に記載の発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたもの、とすることはできない。
　以上のとおりであるので、本件請求項１ないし８に係る特許は、特許法第２９条第１項第３号又は同法第２９条第２項の規定に違反してされたものではない。
　
４．特許法第３６条第４項及び同法第３６条第６項第２号違反について
　異議申立人は、甲第３号証の記載からみて、光散乱指数ｎは４以上の値とならないこと、本件特許明細書にはｎが４以上のものについての実施例が記載されていないことから、特許法第３６条第４項第１号及び同法第３６条第６項第２号の要件を満たしていない旨主張している。（特許異議申立書第１９〜２０頁「ｄ．記載不備の理由」）
　以下、この点について検討する。
　異議申立人が、ｎの値は４以下であると主張する根拠である甲第３号証をみるに、光散乱指数ｎとコロイド粒子径の関係を表す第２図（第７０８頁）は、「ビニル重合体コロイド」を分散した系についてのグラフであり（第７０８頁左欄を参照）、この系に限ってｎの値が４以下であることが開示されているにすぎないのであり、「ヒュームドシリカ」を分散した系においてｎの値が４以上とならないことを示すものではない。
　そして、本件特許明細書段落【００２８】には、光散乱指数ｎを３〜６とした点の技術的意義として、ｎが３より小さいと粗大な凝縮粒子の存在割合が多くなり、被研磨面に傷が付き易く、研磨速度も低下すること、ｎの値が６を超えるものは製造上困難であることが記載されている。また、同明細書段落【００１９】には、シリカ分散液の光散乱指数ｎの値を求める手法についても記載されている。
　したがって、本件特許明細書の発明の詳細な説明には、当業者が容易にその実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載されておらず、また、特許請求の範囲の記載が明確に記載されていないとすることはできない。
　
５．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、本件請求項１ないし８に係る特許を取り消すことができない。
　また、他に本件請求項１ないし８に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１６年９月１４日（２００４．９．１４）