【事件の表示】
　特許第３３９７９６８号「半導体単結晶インゴットのスライス方法」の請求項１〜３に係る発明についての特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３３９７９６８号の請求項１に係る発明についての特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
　特許第３３９７９６８号の請求項１〜３に係る発明についての出願は、平成８年３月２９日に特許出願され、平成１５年２月１４日にそれらの発明について特許権の設定登録がなされ、平成１５年１０月１７日に、請求項１〜３に係る特許に対して、異議申立人鳥巣実より特許異議の申立てがなされ、平成１６年４月９日付けで取消しの理由が通知され、その指定期間内である平成１６年６月１８日に訂正請求がなされたものである。
　
２．訂正の適否についての判断
（１）訂正の内容
〈訂正事項ａ〉
　設定登録時の願書に添付した明細書及び図面（以下、「本件特許明細書」という。）の特許請求の範囲の請求項１に記載される、
「
半導体
ワイヤーソー装置のワイヤーの走行方向と半導体単結晶インゴットの劈開方向とを一致させることなく該半導体
する
半導体
「
シリコン
ワイヤーソー装置のワイヤーの走行方向が複数の劈開方向を有するシリコン単結晶インゴットのいずれの劈開方向とも一致せずかつ該ワイヤーの走行方向とそれらの劈開方向とのなす角度θがいずれも５°以上８５°以下として該シリコン
し、シリコン単結晶の劈開方向と一致しないソーマークを形成するようにした
シリコン
　なお、下線部は訂正個所を明確化するために、当審で付したものである。
〈訂正事項ｂ〉
　本件特許明細書の特許請求の範囲の請求項２及び請求項３を削除する。
〈訂正事項ｃ〉
　本件特許明細書の【発明の名称】を、「シリコン単結晶インゴットのスライス方法」と訂正する。
〈訂正事項ｄ〉
　本件特許明細書の段落【０００１】の記載を、「・・・本発明は、ワイヤーソー装置によるシリコン単結晶インゴットのスライス方法に関する。」と訂正する。
〈訂正事項ｅ〉
　本件特許明細書の段落【００２０】の記載を、「・・・解決するために、シリコン単結晶インゴットのスライス方法は、シリコン単結晶インゴットをワイヤーソー装置でスライスする方法であり、ワイヤーソー装置のワイヤーの走行方向が複数の劈開方向を有するシリコン単結晶インゴットのいずれの劈開方向とも一致せずかつ該ワイヤーの走行方向とそれらの劈開方向とのなす角度θがいずれも５°以上８５°以下として該シリコン単結晶インゴットをスライスし、シリコン単結晶の劈開方向と一致しないソーマークを形成するようにしたことを特徴とする。」と訂正する。
〈訂正事項ｆ〉　                              
　本件特許明細書の段落【００２１】の記載を、「上記方法により、ワイヤーソー装置のワイヤーの走行方向と半導体単結晶インゴットの劈開方向とを一致させることなくスライスされ、半導体単結晶の劈開方向と一致しないソーマークを有するように製造されたシリコン単結晶ウェーハを得ることができる。」と訂正する。
〈訂正事項ｇ〉　                              
　本件特許明細書の段落【００２２】の記載を、「本発明により製造されたシリコン単結晶ウェーハは、クラックや割れの発生が大幅に減少するという優利さを有するものである。」と訂正する。
〈訂正事項ｈ〉
　本件特許明細書の段落【００３１】の記載を、「・・・５°≦θ≦８５°・・・」と訂正する。
〈訂正事項ｉ〉
　本件特許明細書の段落【００３５】の記載を、「・・・本発明方法により得られたウェーハ・・・」と訂正する。
〈訂正事項ｊ〉　                              
　本件特許明細書の段落【００４２】の記載を、「・・・本発明方法により得られるシリコン単結晶ウェーハ・・・」と訂正する。
（２）訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　訂正事項ａは、本件特許明細書の【請求項２】、【請求項３】、段落【００２４】、【００３１】の記載に基づき、請求項１の記載内容を限定するものであり、特許請求の範囲の減縮に該当するものであり、新規事項の追加に該当しない。また、訂正事項ｂは、本件特許明細書の請求項２及び請求項３を削除するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とした明細書の訂正に該当するものであり、新規事項の追加に該当しない。訂正事項ｃ〜ｇ、ｉ、ｊは、上記訂正事項ａ、ｂとの整合を図るものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とした明細書の訂正に該当するものであり、新規事項の追加に該当しない。さらに、訂正事項ｈは、誤記の訂正を目的とした明細書の訂正に該当するものであり、新規事項の追加に該当しない。そして、いずれの訂正事項も、実質上特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
（３）むすび
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法第１２０条の４第２項並びに同条第３項において準用する特許法第１２６条第２項及び第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
３．特許異議申立てについて
（１）本件発明
　上記２．で示したように上記訂正が認められるから、本件の請求項１に係る発明（以下、「本件発明」という。）は、訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される次のとおりのものである。
「シリコン単結晶インゴットをワイヤーソー装置でスライスする方法であり、ワイヤーソー装置のワイヤーの走行方向が複数の劈開方向を有するシリコン単結晶インゴットのいずれの劈開方向とも一致せずかつ該ワイヤーの走行方向とそれらの劈開方向とのなす角度θがいずれも５°以上８５°以下として該シリコン単結晶インゴットをスライスし、シリコン単結晶の劈開方向と一致しないソーマークを形成するようにしたことを特徴とするシリコン単結晶インゴットのスライス方法。」
（２）申立ての理由及び当審で通知した取消しの理由の概要
　異議申立人は、証拠方法として甲第１〜５号証を提示し、
（イ）本件発明は、甲第１号証又は甲第２号証に記載された発明と同一であるから、本件発明についての特許は、特許法第２９条の２の規定に違反してなされたものであり（以下、「無効理由１」という。）、また、
（ロ）本件発明は、甲第３〜５号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件発明についての特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであり（以下、「無効理由２」という。）、
したがって、取り消すべきものである、旨主張している。
　当審で通知した取消しの理由は、上記（イ）及び（ロ）に加えて、
（ハ）本件発明は、甲第３〜５号証に記載された発明であるから、本件発明についての特許は、特許法第２９条第１項第３号の規定に違反してなされたものであり（以下、「無効理由３」という。）、したがって、取り消すべきものである、というにある。
［証拠方法］
　甲第１号証：特開平９−１９９２０号公報
　甲第２号証：特開平９−１７７５５号公報
　甲第３号証：特開昭６３−２９５５００号公報
　甲第４号証：特開昭６０−２２７５０６号公報
　甲第５号証：特開昭６２−２２５０１９号公報
（３）甲各号証記載の発明
　甲各号証には、それらの記載からみて、以下の発明及び事項がそれぞれ記載されていると認められる。
（３−１）甲第１号証記載の発明
「半導体インゴット54をワイヤソー10でスライスする方法であり、ワイヤ14の走行方向を、軸芯ａを中心として円周方向に所定角度θ回転させて該半導体インゴット54をスライスし、切断するワイヤ列を形成する溝付ローラに片寄った熱分布を生じさせないようにした、半導体インゴット54のスライス方法」
（３−２−１）甲第２号証記載の発明
「III−V族化合物半導体単結晶インゴット7をワイヤソーでスライスする方法であり、ワイヤ4の走行方向を、インゴット単結晶の劈開方向から２２．５°〜６７．５°離れた方向であるようにして該半導体単結晶インゴット7をスライスする半導体単結晶インゴット7のスライス方法」
（３−２−２）甲第２号証記載の事項
「劈開面は結晶が割れ易い面であるから、劈開面に平行に走行方向を、劈開面に平行に進行方向を決めるのは当然のように思える。ワイヤは走行方向に結晶を切って行くのである。劈開面は切断容易な面である。そうであればワイヤの走行方向を劈開面に合致させるべきである、そう考えるのは当たり前である。・・・しかしながらここに問題がある。Ｙ軸を劈開方向にＺ軸も劈開方向に選ぶと、切断面が弓形に歪むのである。・・・どうして最適であるべき方向に切断するとこのような不都合が起こるのであるか？・・・これは化合物半導体に特有の異方性が関係しているものと考えられる。化合物半導体は２元系であるから複雑な異方性が発生する余地がある。・・・」（段落【００３６】〜【００３８】）
（３−３−１）甲第３号証記載の発明
「タンタル酸リチウム単結晶1をワイヤーソー装置で切断する方法において、ワイヤー3の走行方向を、単結晶1のＸ軸に平行な方向±１５°とし、へき開し易い面（012）に沿うものとはせずに該単結晶を切断する単結晶のスライス方法」
（３−３−２）甲第３号証記載の事項
「タンタル酸リチウム単結晶1のへき開し易い面（０１２）に沿うものとはならず、したがって得られるウエーハは反りの少ないものになり」（第２頁左下欄１５行〜１８行）
（３−４−１）甲第４号証記載の発明
「ニオブ酸リチウム単結晶のインゴット9をワイヤーソー装置でスライスする方法において、ワイヤーソー装置のワイヤ13の走行方向を、単結晶インゴットのオリエンテーションフラット10すなわち劈開方向と４５°で交差させて、後加工である研磨加工時に劈開に基因するウェーハの破損を防止できるように該単結晶インゴットをスライスする単結晶インゴットのスライス方法」
（３−４−２）甲第４号証記載の事項
「しかるに、ワイヤソーによる結晶の加工では、ワイヤ(4)・・・の結晶への食い込み初期に、ワイヤ(4)が単結晶インゴット(1)の軸方向に動く傾向がある。この現象により、・・・直線状凸部が加工後のウェーハ(7)に発生する。・・・ウェーハ(7)の部位(6)においては、５０μｍ程度のピーク部分(8)を有している。しかして、ワイヤソーによる切断工程後の両面ラッピング工程において、ラッピング加工初期には上記直線状凸部近傍のみにラップ加重が加わるために、直線状凸部の直角方向に引張応力が発生する。その結果、・・・ウェーハでは、・・・引張応力により劈開して破損し易く、歩留り低下の一因となっている。」（第１頁右下欄１２行〜第２頁左上欄８行）　
（３−５−１）甲第５号証記載の発明
「タンタル酸リチウム単結晶のインゴット9をワイヤーソー装置でスライスする方法において、ワイヤーソー装置のワイヤ13の走行方向を、単結晶インゴットのオリエンテーションフラット10すなわち劈開方向と５８．２°で交差させて、後加工である両面ラッピング工程時に劈開に基因するウェーハの破損を防止できるように該単結晶インゴットをスライスする単結晶インゴットのスライス方法」
（３−５−２）甲第５号証記載の事項
「しかるに、ワイヤソーによる結晶の加工では、ワイヤ(4)・・・の結晶への食い込み初期に、ワイヤ(4)が単結晶インゴット(1)の成長軸方向に動く傾向がある。この現象により、・・・直線状凸部が加工後のウェーハ(7)に発生する。・・・ウェーハ(7)の部位(6)においては、５０μｍ程度のピーク部分(8)を有している。しかして、ワイヤソーによる切断工程後の両面ラッピング工程において、ラッピング加工初期には上記直線状凸部近傍のみにラップ加重が加わるために、直線状凸部の直角方向に引張応力が発生する。その結果、・・・ウェーハでは、・・・引張応力により劈開して破損し易く、歩留り低下の一因となっている。」（第１頁右下欄１６行〜第２頁左上欄１２行）
（４）無効理由１についての判断
　本件発明と甲第１号証記載の発明とを対比すると、両者は、「インゴットをワイヤーソー装置でスライスする方法」で一致するが、以下の点で相違する。
〈相違点１〉前者は、インゴットがシリコン単結晶インゴットであるのに対して、後者は、そのように特定されていない点。
〈相違点２〉前者は、ワイヤーの走行方向が複数の劈開方向を有する単結晶インゴットのいずれの劈開方向とも一致せずかつ該ワイヤーの走行方向とそれらの劈開方向とのなす角度θがいずれも５°以上８５°以下としてインゴットをスライスし、単結晶の劈開方向と一致しないソーマークを形成するようにしたのに対して、後者は、ワイヤー走行方向が軸芯を中心として円周方向に所定角度θ回転させられている点。
　なお、異議申立人は、本件特許公報の従来例としてワイヤーの走行方向が劈開方向に平行な状態のものが従来例として記載されていることをもって、甲第１号証記載の発明の「ワイヤー走行方向が軸芯を中心として円周方向に所定角度θ回転させられている」ことは、「ワイヤーの走行方向が劈開方向と一致しない」ことと同一である旨主張するが、前者の構成の技術的意義がクラックや割れの発生を防止することにあるのに対し、後者の構成の技術的意義がワイヤ列を形成する溝付ローラに片寄った熱分布を生じさせないようにすることと、両者の技術的意義が大きく異なることからみても、上記の異議申立人の主張は採用し得ない。
　したがって、本件発明は甲第１号証記載の発明と同一である、とすることはできない。
　次いで、本件発明と甲第２号証記載の発明とを対比するに、両者は、「単結晶インゴットをワイヤーソー装置でスライスする方法であり、ワイヤーソー装置のワイヤーの走行方向が単結晶インゴットの劈開方向とも一致せずかつ該ワイヤーの走行方向とそれらの劈開方向とのなす角度θが５°以上８５°以下として該単結晶インゴットをスライスし、単結晶の劈開方向と一致しないソーマークを形成するようにした単結晶インゴットのスライス方法。」で一致するが、以下の点で相違する。
〈相違点〉前者は、単結晶インゴットがシリコン単結晶インゴットであるのに対して、後者は、III−V族化合物半導体単結晶インゴットである点。
　ところで、上記の相違点が化合物半導体単結晶インゴットをスライスする上で大きな技術的意義を有することは甲第２号証に示されている（上記「（３−２−２）甲第２号証記載の事項」を参照）。
　そうすると、本件発明は、甲第２号証記載の発明と同一である、とすることはできない。
（５）無効理由２、３についての判断
　本件発明と甲第３、５号証記載の発明とを対比すると、両者は、「単結晶インゴットをワイヤーソー装置でスライスする方法であり、ワイヤーソー装置のワイヤーの走行方向が単結晶インゴットの劈開方向とも一致せずかつ該ワイヤーの走行方向とそれらの劈開方向とのなす角度θがいずれも５°以上８５°以下として該単結晶インゴットをスライスし、単結晶の劈開方向と一致しないソーマークを形成するようにした単結晶インゴットのスライス方法。」で実質上一致し、以下の点で相違する。
〈相違点〉前者は、単結晶がシリコンの単結晶であるのに対して、後者は、タンタル酸リチウムの単結晶である点。
　そこで、上記相違点について検討する。
　ワイヤーの走行方向を単結晶インゴットの劈開方向と一致させないという構成の技術的意義についてみると、本件発明における技術的意義は、「ワイヤーの走行した跡はソーマークとしてウェーハに残るため、
ソーマークに沿ってダメージ層が形成される
このダメージ層はワイヤー振動等により、スライスされた単結晶ウェーハの劈開方向にクラックを発生させてしまう
ウェーハの反りを抑制する
スライス加工後の両面ラッピング工程において、当該直線状凸部の直角方向に引張応力が発生することによる破損を防止する
　そして、特許権者の提出した参考資料１をみると、ワイヤーの走行方向を劈開面に平行にしてシリコン単結晶インゴットをスライスしても、スライス加工後のウェーハに直線状凸部が発生していないことが窺える（特許異議意見書に添付の参考資料１を参照）。すなわち、本件発明と甲第３、５号証記載の発明における「ワイヤーの走行方向を単結晶インゴットの劈開方向と一致させない」という構成の技術的意義は明確に異なる。
　そうすると、タンタル酸リチウム単結晶のスライス方法における「ワイヤーの走行方向を単結晶インゴットの劈開方向と一致させない」という事項を、シリコン単結晶インゴットのスライス方法に適用することは、当業者が容易になし得る範囲内のものである、ということはできない。
　また、甲第４号証記載の発明は、ニオブ酸リチウム単結晶のインゴットのスライス方法に関するもので、本件発明と同じく、「ワイヤーの走行方向を単結晶インゴットの劈開方向と一致させない」という構成を採っているが、その技術的意義は甲第５号証記載の発明のそれと同一である（「（３−４−２）甲第４号証記載の事項」を参照）。
　そして、本件発明は、上記の技術的意義の検討の中で述べたとおり、甲第３〜５号証記載の発明から予測可能な範囲を超えた顕著な作用効果を奏している。
　したがって、本件発明は、甲第３〜５号証記載の発明である、とすることができないばかりでなく、甲第３〜５号証記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである、とすることもできない。
（６）むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、本件発明についての特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明についての特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１６年７月９日（２００４．７．９）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
シリコン
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】
シリコン
ワイヤーソー装置のワイヤーの走行方向が複数の劈開方向を有するシリコン単結晶インゴットのいずれの劈開方向とも一致せずかつ該ワイヤーの走行方向とそれらの劈開方向とのなす角度θがいずれも５°以上８５°以下として該シリコン
し、シリコン単結晶の劈開方向と一致しないソーマークを形成するようにした
シリコン
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の属する技術分野】本発明は、ワイヤーソー装置によるシリコン単結晶インゴット
の
に
　【０００２】
　【関連技術】脆性材料、例えば、化合物半導体単結晶やシリコン半導体単結晶等を切断する手段としてワイヤーソー装置が知られている。このワイヤーソー装置においては、図３に示すごとく、互いに同一構成のメインローラと呼ばれる３本（又は４本）の樹脂ローラ１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃがそれらの軸を互いに平行して配置されている。
　【０００３】該ローラ１０Ａ〜１０Ｃ表面に一定ピッチで形成されたリング状溝１４ａ，１４ｂ，１４ｃにワイヤー１２が巻回されている。駆動モータ１６に接続された駆動ローラ１０Ｃからの回転をワイヤー１２を介して、従動ローラ１０Ａ，１０Ｂに伝える構造となっている。
　【０００４】ワイヤー１２の始端側は、張力調節機構２０を介してワイヤー巻取りドラム２２に巻回されている。同様に、ワイヤー１２の終端側は、張力調節機構３０を介してワイヤー巻取りドラム３２に巻回されている。２４及び３４はトルクモータである。
　【０００５】ワーク４０は、例えば半導体インゴットであり、例えばそのオリエンテーションフラット面（以下オリフラ面という）が昇降可能な当て板４１を介して接着台４２に接着されている。
　【０００６】このような構成により、駆動ローラ１０Ｃを回転させると、ワイヤー１２がその線方向に走行し、これとともに砥粒を含む加工液がワイヤー１２に流し当てられる。この状態でワーク４０を下降させ、ワイヤー１２に接触させると、ラッピング作用によりワーク４０が切断され、多数枚のウェーハが同時に切断形成される。
　【０００７】一方、半導体単結晶は、一定の方向に割れて平滑な面、即ち劈開面を作ることが知られているが、この割れる方向は劈開方向といわれ、結晶の種類によってその劈開方向も異なる。
　【０００８】例えば、シリコン単結晶Ｗでは、図７〜９に示すように結晶方位に応じて複数の劈開方向Ａが存在することが知られている。図７は（１００）シリコン単結晶、図８は（１１０）シリコン単結晶及び図９は（１１１）シリコン単結晶の劈開方向をそれぞれ示す図面である。
　【０００９】
　【発明が解決しようとする課題】従来、シリコン単結晶インゴット等の半導体単結晶インゴット（以下単にインゴットということがある）をワイヤーソー装置を用いて、スライスする場合、シリコン単結晶インゴットの劈開方向とワイヤー走行方向がほぼ一致する方法でスライスしていた。
　【００１０】例えば、（１００）シリコン単結晶インゴットＷをスライスする場合には、図５及び図６に示すごとく、インゴットＷのオリフラ面ＯＦに当て板４１を接着し、さらにこの当て板４１を接着台４２に接着するか（図５）又はインゴットＷを９０°回転せしめ、オリフラ面ＯＦから９０°変位した位置に当て板４１を接着し、この当て板４１を接着台４２に接着する構成（図６）が採用されていた。
　【００１１】図５又は図６に示すように接着台４２に接着されたインゴットＷはそのまま降下せしめられ、ワイヤーソー装置のワイヤー１２に押し当てられてスライスされる。
　【００１２】この場合、インゴットＷの半径方向断面から見て互いに直交する２つの劈開方向Ａ１、Ａ２のうちいずれかの劈開方向とワイヤー１２の走行方向Ｙが一致した状態で、インゴットＷはスライスされることとなる。この従来のワイヤーソー装置によるインゴットＷのスライスの手順を図４にもとづいて説明する。
　【００１３】まず、インゴットＷを準備する（１００）。ついで、当該インゴットＷの端面の方位を測定する（１０２）。該インゴットＷのオリフラ面ＯＦ又はインゴットＷをそのオリフラ面ＯＦから９０°回転させた位置に当て板４１を接着する（１０４）。
　【００１４】該インゴットＷに接着された当て板４１を接着台４２に接着する（１０６）。当て板４１及び接着台４２と一体となったインゴット体をワイヤーソーの締結台に接着台４２を介して固着する（１０８）。
　【００１５】規格に応じてインゴットＷの取りつけ角度を調整する（１１０）。次に、ワイヤーソーによってインゴットＷ及び当て板４１の中央部までスライスし、多数のウェーハとする（１１２）。
　【００１６】ワイヤーソーの締結台から多数のウェーハが接着台４２に接着している状態のインゴット体を取り出す（１１４）。取り外したインゴット体を温湯に漬けて多数のウェーハを接着台４２から剥離する（１１６）。この剥離したウェーハは洗浄されアズカットウェーハとなる（１１８）。
　【００１７】上記したような手順を経て、インゴットＷはアズカットウェーハとなるが、ワイヤーソー装置で切断する場合、ワイヤーの走行した跡はソーマークとしてウェーハに残るため、ソーマークに沿ってダメージ層が形成される。
　【００１８】このダメージ層はワイヤー振動等により、スライスされた単結晶ウェーハの劈開方向にクラックを発生させてしまう。即ち、ソーマークと単結晶の劈開方向が合致するため、スライスされたウェーハが割れ易いという欠点があった。
　【００１９】本発明は、上記した問題点に鑑みなされたもので、ワイヤーソー装置を用いて半導体単結晶インゴットをスライスするにあたり、半導体単結晶インゴットの劈開方向とワイヤー走行後のソーマークの方向とが一致しないように工夫することによって、スライスされた半導体単結晶ウェーハのクラック発生や割れを工程の追加やコストアップを伴うことなく防止することを可能とした半導体単結晶インゴットのスライス方法及びクラックや割れの発生の極めて少ない半導体単結晶ウェーハを提供することを目的とする。
　【００２０】
　【課題を解決するための手段】上記課題を解決するために、
シリコン
シリコン
ワイヤーソー装置のワイヤーの走行方向が複数の劈開方向を有するシリコン単結晶インゴットのいずれの劈開方向とも一致せずかつ該ワイヤーの走行方向とそれらの劈開方向とのなす角度θがいずれも５°以上８５°以下として該シリコン
し、シリコン単結晶の劈開方向と一致しないソーマークを形成するようにした
　【００２１】
上記方法により、ワイヤーソー装置のワイヤーの走行方向と半導体単結晶インゴットの劈開方向とを一致させることなくスライスされ、半導体単結晶の劈開方向と一致しないソーマークを有するように製造されたシリコン単結晶ウェーハを得ることができる。
　【００２２】本発明
により製造されたシリコン
、
　【００２３】
　【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態を添付図面に基づいて説明する。
　【００２４】半導体単結晶インゴットとして、（１００）シリコン単結晶インゴットを例として説明する。
（１００）シリコン単結晶インゴットＷの劈開方向は、図２、図５〜図７に示すごとく、互いに直交する２方向に存在する。前述したごとく、インゴットＷにはこの２つの劈開方向のいずれか一方に一致させてオリフラ面ＯＦが形成されている。
　【００２５】従来は、このオリフラ面ＯＦに当て板４１を接着するか（図５）又はインゴットＷを９０°回転させてオリフラ面ＯＦから９０°変位した位置に当て板４１が接着（図６）されていた。このように当て板４１を接着させるかぎり、２つの劈開方向のいずれか一方に一致した状態で当て板４１が接着されることとなる。
　【００２６】この当て板４１に直交する方向にインゴットＷは降下せしめられ、ワイヤーソー装置のワイヤー１２に接触せしめてスライスする。この場合、前述したごとく、インゴットＷの劈開方向とワイヤー１２の走行方向Ｙとは一致してしまうため、インゴットＷをスライスして製造されるウェーハにはクラックや割れが発生していた。
　【００２７】本発明においては、図２に示すごとく、オリフラ面ＯＦに当て板４１を接着せず、またオリフラ面ＯＦから９０°変位した位置に当て板４１を接着することもない。
　【００２８】本発明においては、オリフラ面ＯＦまたはオリフラ面ＯＦから９０°変位した位置以外の位置に当て板４１を接着し、この当て板４１を接着台４２に接着する。図２の例では、インゴットの劈開方向Ａ１、Ａ２のうちのいずれか一方の劈開方向、例えばＡ１とワイヤーソー装置のワイヤー１２の走行方向Ｙとのなす角度θが４５°の場合が示されている。
　【００２９】図２のようにインゴットＷを接着台４２に接着してワイヤーソー装置によるスライスを行なえば、ワイヤーソー装置のワイヤー１２によるソーマークとインゴットＷの劈開方向とが一致することがないので、インゴットＷをスライスして製造されるウェーハにクラックや割れが発生することはない。
　【００３０】ワイヤーソー装置のワイヤー１２の走行方向Ｙと、インゴットの劈開方向Ａ１、Ａ２とは互いに一致しなければよいもので、該劈開方向Ａ１、Ａ２のうちのいずれか一方の劈開方向とのなす角度（図２の例ではθ）は０°又は９０°（ワイヤーの走行Ｙと劈開方向Ａ１、Ａ２のいずれか一方の劈開方向とが一致している状態）でなければよく、即ち、０°＜θ＜９０°であればよい。
　【００３１】ワイヤーの走行方向とインゴットの劈開方向が離れていればいる程、インゴットをスライスして製造されるウェーハにクラックや割れが発生するおそれが少なくなるものであるから、図２に示したようにθ＝４５°が最も好適であるが、５
°
　【００３２】続いて、本発明方法の手順を図１にもとづいて説明する。図１において、従来工程を示す図４との相違点は、インゴットの端面の方位を測定する工程１０２の終了後、インゴットのオリフラ面又はオリフラ面から９０°回転させた位置に一致させないで当て板を接着する工程１０３が行なわれることである。その後の工程１０６〜１１８は図４の従来の工程と全く同様である。
　【００３３】上記のように構成することにより、従来工程における当て板接着工程における当て板の接着位置はインゴットＷの２つの劈開方向Ａ１，Ａ２のうちのいずれとも一致しない方向となるので、インゴットＷの２つの劈開方向Ａ１、Ａ２のいずれともワイヤー１２の走行方向Ｙは一致しない状態でインゴットＷはスライスされる。したがって、このスライス処理の際又はスライスされたウェーハのクラックや割れの発生は充分に抑止される。
　【００３４】
　【実施例】以下に本発明の実施例をあげて説明する。
　【００３５】実施例１
　図３に示したワイヤーソー装置を用い、図１の方法により、図２に示すようにθ＝４５°として、（１００）シリコン単結晶インゴット２０本につきそのスライス処理を行ない、単結晶の劈開方向とソーマークの一致していないウェーハを４９６５枚作成した。この本発明
方法により得られた
　【００３６】比較例２図４に示した従来の手順により、実施例１と同様のワイヤーソー装置を用い、ワイヤーの走行方向とシリコン単結晶の劈開方向とを一致させて（１００）シリコン単結晶インゴット１０本につきそのスライス処理を行ない、単結晶の劈開方向とソーマークの一致したウェーハ１９７５枚を作成した。この従来のウェーハについてクラック発生率を測定し、その結果を実施例１とともに表１に示した。
　【００３７】表１より、本発明方法によれば、スライスされたウェーハのクラックの発生が従来方法に比べて大幅に減少することがわかる。
　【００３８】
　【表１】
　【００３９】なお、上記した実施の形態及び実施例においては、（１００）シリコン単結晶インゴットをスライスする場合について説明したが、（１１０）又は（１１１）シリコン単結晶インゴットについても同様に本発明が適用可能なことはいうまでもない。
　【００４０】また、上記した本発明方法の説明ではインゴットにオリフラ面を形成した場合について説明したが、インゴットにノッチを形成した場合もオリフラ面の場合と同様に説明される。
　【００４１】
　【発明の効果】以上述べたごとく、本発明方法によれば、特別の工程の追加もなく、簡単な操作で、インゴットをスライスする際又はスライスされたウェーハのクラックや割れの発生を効果的に防止することができるという効果を奏する。
　【００４２】また、本発明
方法により得られるシリコン
【図面の簡単な説明】
　【図１】本発明のインゴットのスライス方法の工程順を示すフローチャートである。
　【図２】本発明方法におけるインゴットの劈開方向とワイヤーソー装置のワイヤー走行方向を示す説明図である。
　【図３】従来のワイヤーソー装置の構成を示す斜視説明図である。
　【図４】従来のインゴットのスライス方法の工程順を示すフローチャートである。
　【図５】従来方法におけるインゴットの劈開方向とワイヤーソー装置のワイヤー走行方向の１例を示す説明図である。
　【図６】従来方向におけるインゴットの劈開方向とワイヤーソー装置のワイヤー走行方向の他の例を示す説明図である。
　【図７】（１００）シリコン単結晶の劈開方向を示す説明図である。
　【図８】（１１０）シリコン単結晶の劈開方向を示す説明図である。
　【図９】（１１１）シリコン単結晶の劈開方向を示す説明図である。
　【符号の説明】
　１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ　樹脂ローラ
　１２　ワイヤー
　１４ａ，１４ｂ，１４ｃ　リング状溝
　１６　駆動モータ
　２０　張力調節機構
　２２，３２　ワイヤー巻取りドラム
　２４，３２　トルクモータ
　４０　ワーク
　４１　当て板
　４２　接着台
　Ａ，Ａ１，Ａ２　劈開方向
　Ｙ　走行方向
　Ｗ　インゴット