【事件の表示】
　特許第３３１６０８３号「液相エピタキシャル成長用ＧａＡｓ単結晶基板及び液相エピタキシャル成長法」の請求項１ないし４に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３３１６０８３号の請求項１に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
　本件特許第３３１６０８３号に係る手続の主な経緯は次のとおりである。
特許出願（特願平６−１１３６４８号）　　　　平成　６年　４月２８日
特許権設定登録　　　　　　　　　　　　　　　平成１４年　６月　７日
特許異議申立（異議申立人：菊地　信）　　　　平成１５年　２月１９日
取消理由通知　　　　　　　　　　　　　　　　平成１５年　６月２６日
特許異議意見書・訂正請求書　　　　　　　　　平成１５年　９月　４日
     　
２．訂正の適否についての判断
２．１．訂正の内容
　特許権者が求めている、平成１５年　９月　４日付け訂正請求書に添付された訂正明細書における訂正の内容は以下のとおりである。
　
２．１．１．訂正事項ａ
　【発明の名称】を「液相エピタキシャル成長法」と訂正する。
２．１．２．訂正事項ｂ
　特許請求の範囲の旧請求項４を「ＧａＡｓ単結晶基板上にＧａ1-X ＡｌX Ａｓ（但し、０≦Ｘ＜１）エピタキシャル成長層を形成する液相エピタキシャル成長法であり、前記ＧａＡｓ単結晶基板表面の結晶面方位が面方位誤差（θ）が０．１°＜θ≦０．２°の範囲の｛１００｝面であることを特徴とする液相エピタキシャル成長法。」と訂正する。
２．１．３．訂正事項ｃ
　請求項１乃至３を削除する。　
２．１．４．訂正事項ｄ
　旧請求項４を繰り上げて、新請求項１とする。
２．１．５．訂正事項ｅ
　段落０００１の「本発明はＧａ1-XＡｌXＡｓ（但し、０≦Ｘ＜１）エピタキシャル成長層を液相エピタキシャル成長法により形成する際に用いるＧａＡｓ単結晶基板及び該基板を用いた液相エピタキシャル成長法に関する。」を、「本発明はＧａ1-XＡｌXＡｓ（但し、０≦Ｘ＜１）エピタキシャル成長層の液相エピタキシャル成長法に関し、さらに詳細には所定のＧａＡｓ単結晶基板を用いる液相エピタキシャル成長法に関する。」と訂正する。
２．１．６．訂正事項ｆ
　段落０００５記載中の「・・・、最適な｛１００｝ＧａＡｓ基板並びに該基板を用いた液相エピタキシャル成長法」を、「・・、最適な｛１００｝ＧａＡｓ基板を用いる液相エピタキシャル成長法」と訂正する。
２．１．７．訂正事項ｇ
　段落０００６記載中の「本発明は、ＧａＡｓ基板上に、Ｇａ1-XＡｌXＡｓ（但し、０≦Ｘ＜１）層を液相エピタキシャル成長法により形成するにあたり用いられるＧａＡｓ単結晶基板であり、前記ＧａＡｓ基板表面の結晶面方位を面方位誤差０．２°以下の｛１００｝面とすることを特徴とし、これにより、表面モルフォロジーの良好な前記Ｇａ1-X ＡｌX Ａｓ層を得、従来技術の問題点を解決した。本発明方法は、上記ＧａＡｓ基板を用いることを特徴とする液相エピタキシャル成長法に関する。」を、「本発明は、ＧａＡｓ単結晶基板上に、Ｇａ1-XＡｌXＡｓ（但し、０≦Ｘ＜１）エピタキシャル成長層を形成する液相エピタキシャル成長法であり、前記ＧａＡｓ単結晶基板表面の結晶面方位が、面方位誤差（θ）が０．１°＜θ≦０．２°の範囲の｛１００｝面であることを特徴とし、これにより、表面モルフォロジーの良好な前記Ｇａ1-XＡｌXＡｓ層を得、従来技術の問題点を解決した。」と訂正する。
　　　
２．２．訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
２．２．１．訂正事項ａ
　訂正事項ａは、特許請求の範囲の訂正（訂正事項ｂ，ｃ，ｄ）に対応してこれと整合するように発明の名称を訂正するものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とした明細書の訂正に該当する。
２．２．２．訂正事項ｂ
　訂正事項ｂは、特許請求の範囲の旧請求項４の記載を独立形式に変更したものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とした明細書の訂正に該当するものであり、新規事項の追加に該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
２．２．３．訂正事項ｃ
　訂正事項ｃは、特許請求の範囲の請求項の削除を図るものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とした明細書の訂正に該当するものであり、新規事項の追加に該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
２．２．４．訂正事項ｄ
　訂正事項ｄは、特許請求の範囲の請求項１乃至３の削除に伴い旧請求項４の項数を繰り上げて請求項１とするものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とした明細書の訂正に該当する。また、この訂正は新規事項の追加に該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
２．２．５．訂正事項ｅ、ｆ、ｇ
　訂正事項ｅ、ｆ、ｇは、特許請求の範囲の訂正（訂正事項ｂ，ｃ，ｄ）に対応してこれと整合するように発明の詳細な説明の欄を訂正するものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とした明細書の訂正に該当するものである。
　　　　　　　
２．３．訂正の適否のむすび
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、特許法第１２０条の４第３項において準用する平成６年法律第１１６号による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書、第２項及び第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　　　　　　　
３．　特許異議申立て及びこれについての判断
３．１．本件発明
　上記２．２．で示したように上記訂正が認められるから、本件発明は、上記訂正請求に係る訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものである。
「ＧａＡｓ単結晶基板上にＧａ1-X ＡｌX Ａｓ（但し、０≦Ｘ＜１）エピタキシャル成長層を形成する液相エピタキシャル成長法であり、前記ＧａＡｓ単結晶基板表面の結晶面方位が、面方位誤差（θ）が０．１°＜θ≦０．２°の範囲の｛１００｝面であることを特徴とする液相エピタキシャル成長法。」  （以下、「本件発明」という。）
　　　　　　　
３．２．取消理由の概要及び引用された刊行物に記載された発明
３．２．１．取消理由の概要
　取消理由通知で通知された取消理由は概ね以下のとおりである。
理由Ａ
　本件請求項１〜４に係る発明についての特許は、特許法第２９条第１項第３号又は特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものである。（下記備考を参照。）
理由Ｂ
　本件請求項１〜４に係る発明についての特許は、特許法第２９条第１項第２号の規定に違反してなされたものである。（下記備考を参照。）
備考
刊行物１（甲第１号証）：西永頌他；日本結晶成長学会誌第１２巻第３号，（１９８５−７），第１６１頁
刊行物２（甲第２号証）：特許第３３１６０８３号公報
刊行物３（甲第３号証）：ＳＥＭＩ　Ｍ９．１−９６
刊行物４（甲第４号証）：Ｅ．ＢＡＵＳＥＲ．ｅｔ．ａｌ．；Ｊ．Ｃｒｙｓｔａｌ　Ｇｒｏｗｔｈ，２７，（１９７４），ｐｐ．１４８−１５３
　　　　
　刊行物１〜４には、特許異議申立人菊地信が提出した特許異議申立書の「（４）具体的理由 ｂ．証拠の説明」（第５頁第７行〜第６頁第２３行）に記載された事項が記載乃至開示されている。そして、本件請求項１、３に係る発明は、刊行物１に記載された発明と同一であり、また、刊行物１、４に基づいて当業者が容易に発明できたものである。
　本件請求項２、４に係る発明は、刊行物１、４に基づいて当業者が容易に発明できたものである。　　　　　　　　　　　　　　　［以上、理由Ａ］
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　本件請求項１〜４に係る発明は、本件特許出願前に日本国内において公然実施された発明と認められる。　　　　　　　　　　　　［以上、理由Ｂ］
　　　
３．２．２．取消理由通知で引用された刊行物に記載された発明
　刊行物１（甲第１号証）：西永頌他；日本結晶成長学会誌第１２巻第３号，（１９８５−７），第１６１頁、には、「（Ｇａ，Ａｌ）Ａｓ　ＬＰＥ成長におけるマクロステップとファセットの形成」について、図１，２とともに記載されており、また、以下の記載がなされている。
「・・・・，（Ｇａ，Ａｌ）ＡｓのＬＰＥ成長におけるマクロステップとファセットの形成に注目し成長機構を考察したので報告する。・・・・・・。基板としては（１００），（１１１）方位のＧａＡｓを用い、成長時間は約４０分，成長厚は約５μｍである。原子ステップの移動の様子をみるために基板の一部をアングルラップし成長面を低指数面から傾けて行ったとき表面形態がどのように変化するかを見た。・・・。図１，２に各々（１００），（１１１）基板の場合の低指数面上，低指数面と斜面の境界および斜面上の顕微鏡写真を示す。（１００）面の場合には低指数面上（±０．１°）では平坦な面が形成されているが，境界上でマクロステップが現れており，斜面上では再び平坦化する。一方，（１１１）面の場合，低指数面（±０．５°）では平坦となるが，境界から斜面にかけてマクロステップが発生する。」（６行〜１７行）。
　　
刊行物４（甲第４号証）：Ｅ．ＢＡＵＳＥＲ．ｅｔ．ａｌ．；Ｊ．Ｃｒｙｓｔａｌ　Ｇｒｏｗｔｈ，２７，（１９７４），ｐｐ．１４８−１５３、には、（１００）ＧａＡｓ面上のＧａＡｓ液相エピタキシャル成長法に関する研究報告が図面、写真とともに記載されており、また、「第３次系の試験において、エピタキシャル面は、表面が（１００）面に近接した（δ＜５′）平行に配位した基板上に成長した。これらの層はテラス構造を示さず平滑面を示した。」旨の記載も存在する（１４８頁の抜粋、及び、１５０頁右欄最終行〜１５１頁右欄２行、の記載を参照）。
　　
　（なお、刊行物２（甲第２号証）は本件特許の特許公報であり、刊行物３（甲第３号証）：ＳＥＭＩ　Ｍ９．１−９６、は本件特許の出願日以降に発行されたものとみられ、取消理由のうちの特許法第２９条第１項第３号又は特許法第２９条第２項の規定に違反するという理由の先行文献として引用されたものではないので記載事項の記述を省く。）
                       　
３．３．本件発明と刊行物記載の発明との対比・判断
　本件発明と刊行物１、及び４に記載された発明とを対比すると、刊行物１、４のいずれにおいても、本件発明の構成要件である「ＧａＡｓ単結晶基板表面の結晶面方位が、面方位誤差（θ）が０．１°＜θ≦０．２°の範囲の｛１００｝面である」という構成について記載も示唆もされていない。
　（刊行物１には、ＧａＡｓ（１００）面から±０．１°傾けた結晶面方位上にＧａ1-X ＡｌX Ａｓ層をエピタキシャル成長法により形成した場合に平坦な面が形成されている旨の記載はあるが、面方位誤差（θ）が０．１°＜θ≦０．２°の範囲のＧａＡｓ｛１００｝面上にＧａ1-X ＡｌX Ａｓ層を形成する点については記載も示唆もされていない。同様に、刊行物４には表面がＧａＡｓ（１００）面からδ＜５′傾いた結晶面方位をもつ基板上にＧａＡｓ層をエピタキシャル成長させた場合にはテラス構造のない平滑面が得られた旨の記載はなされているが、δ＜５′というのはδ＜約０．０８３°のことであり、面方位誤差（θ）が０．１°＜θ≦０．２°の範囲のＧａＡｓ｛１００｝面上にＧａＡｓ層を形成する点については記載も示唆もされていない。）
　そして本件発明は上記の構成を備えることにより、「表面モルフォロジーの良好なＧａ1-X ＡｌX Ａｓ（但し、０≦Ｘ＜１）を液相エピタキシャル成長法により形成することができる。」（段落００２５を参照）という明細書記載の作用効果を奏するものである。
　したがって、本件発明が、刊行物１、４に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものと認めることはできない。
　また、その他の異議申立理由及び証拠は、本件発明についての特許を取り消すべき理由として採用することができない。
　　　　　　
　（なお、取消理由Ｂに関しては、本件発明は上記訂正により、ＧａＡｓ単結晶基板表面の結晶面方位が、面方位誤差（θ）が０．１°＜θ≦０．２°の範囲の｛１００｝面であるものを用いて、Ｇａ1-X ＡｌX Ａｓ（但し、０≦Ｘ＜１）層をエピタキシャル成長させる液相エピタキシャル成長法というふうに訂正されており、Ｇａ1-X ＡｌX Ａｓ（但し、０≦Ｘ＜１）層を液相エピタキシャル成長法により形成した際に偶々面方位誤差（θ）が０．１°＜θ≦０．２°のＧａＡｓ｛１００｝単結晶基板になっているものまでも包含するものではなくなっているため、刊行物２、３（甲第２、３号証）まで援用して異議申立人が主張していた取消理由Ｂは回避されていることをも付記しておく。）
     　
４．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠によっては本件請求項１に係る発明についての特許を取り消すことはできない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１５年９月２６日（２００３．９．２６）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
液
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　
ＧａＡｓ単結晶基板上にＧａ１−ＸＡｌＸＡｓ（但し、０≦Ｘ＜１）エピタキシャル成長層を形成する液相エピタキシャル成長法であり、前記ＧａＡｓ単結晶基板表面の結晶面方位が、面方位誤差（θ）が０．１°＜θ≦０．２°の範囲の｛１００｝面であることを特徴とする液相エピタキシャル成長法。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】
　本発明はＧａ１−ＸＡｌＸＡｓ（但し、０≦Ｘ＜１）エピタキシャル成長層の液相エピタキシャル成長法
に関し、さらに詳細には所定の
る
　【０００２】
　【発明の背景技術】
　｛１００｝面を主表面とするＧａＡｓ単結晶基板〔以下、｛１００｝ＧａＡｓ基板又はＧａＡｓ基板という。〕上に、Ｇａ１−ＸＡｌＸＡｓ（但し、０≦Ｘ＜１）エピタキシャル成長層を形成する一手法である液相エピタキシャル成長法は、所定の温度（例えば、９００℃）で、ＧａＡｓ結晶、又はＧａＡｓ結晶とＡｌを過飽和となるまでＧａ融液に溶解せしめた過飽和Ｇａ溶液（以下、液相成長用Ｇａ溶液、又は成長用Ｇａ溶液という。）を同温度に加熱した前記ＧａＡｓ基板の主表面に接触させ、然る後、所定の温度（例えば、７５０℃）まで徐々に降温することにより、前記ＧａＡｓ基板上にＧａ１−ＸＡｌＸＡｓ（但し、０≦Ｘ＜１）を析出成長させる方法である。
　【０００３】
　従来、前記面方位の規格として、面方位誤差（θ）を０．５°まで許容した｛１００｝ＧａＡｓ基板を用い、該基板主表面上に、前記液相エピタキシャル成長法によりＧａ１−ＸＡｌＸＡｓ（但し、０≦Ｘ＜１）エピタキシャル成長層（以下Ｇａ１−ＸＡｌＸＡｓ層という。）を形成させていた。
　【０００４】
　【発明が解決しようとする課題】
　しかし、前記面方位誤差の許容内において、面方位誤差（θ）が０．２°を超える｛１００｝ＧａＡｓ基板を用い、該基板上に、液相エピタキシャル成長法によりＧａ１−ＸＡｌＸＡｓ層を成長形成させると、Ｇａ１−ＸＡｌＸＡｓ層表面に１μｍにも達する成長段が形成される等、表面モルフォロジーが悪化し、これは、素子製造工程における歩留まり低下の大きな原因となっていた。
　【０００５】
　そこで、本発明は、表面モルフォロジーの良好なＧａ１−ＸＡｌＸＡｓ層を液相エピタキシャル成長法により形成するために、最適な｛１００｝ＧａＡｓ基板を用いる液相エピタキシャル成長法を提供することを目的とする。
　【０００６】
　【課題を解決するための手段】
　本発明の発明者は、Ｇａ１−ＸＡｌＸＡｓ層の表面モルフォロジーが｛１００｝ＧａＡｓ基板の面方位誤差に大きく依存することを見い出し、鋭意研究の結果、本発明に至った。
　本発明は、
ＧａＡｓ単結晶基板上にＧａ１−ＸＡｌＸＡｓ（但し、０≦Ｘ＜１）エピタキシャル成長層を形成する液相エピタキシャル成長法であり、前記ＧａＡｓ単結晶基板表面の結晶面方位が、面方位誤差（θ）が０．１°＜θ≦０．２°の範囲の｛１００｝面であること
　なお、面方位誤差０．２°以下の｛１００｝ＧａＡｓ単結晶基板の製造において、高頻度で得られる面方位誤差（θ）は０．１°＜θ≦０．２°の｛１００｝ＧａＡｓ単結晶基板であり、製造上好ましく用いられる。
　【０００７】
　【実施例】
　以下、本発明の実施例について添付図面を参照して説明する。
　【０００８】
　なお、結晶面方位の表記方法は、一般に使用されているＨ．Ｃ．Ｇａｔｏｓらの方法（Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｓｏｃｉｅｔｙ，ｖｏｌ．１０７，Ｎｏ．５（１９６０），Ｐ．４２７〜４３６）に基づいて行った。また、｛１００｝面として、
　【０００９】
　【数１】
　【００１０】
面の６種類があるが、これらは結晶学的に等価であるので、本実施例においては（１００）面を代表例とした。
　【００１１】
（実施例１、２及び比較例１、２）
　ボートクローン法で製造したＺｎドープ（不純物濃度１〜５×１０１９／ｃｍ３）ｐ型ＧａＡｓ単結晶を主表面の結晶面方位が面方位誤差０．１°（実施例１）、０．２°（実施例２）、０．３°（比較例１）及び０．５°（比較例２）の（１００）面になる様にスライスした後、該スライスウェーハを常法のウェーハ加工をして、厚さ約３００μｍの上記した結晶面方位のミラーポリシュドウェーハを得、これらをＧａ１−ＸＡｌＸＡｓ層成長用のＧａＡｓ基板とした。
　【００１２】
　図１は、本発明方法により得られるエピタキシャルウェーハの一構造を示す断面図である。図１に示すエピタキシャルウェーハは、ｐ型（１００）ＧａＡｓ基板１０上に、厚さ１５０μｍのｐ型Ｇａ０．２５Ａｌ０．７５Ａｓクラッド層１１、厚さ１μｍのｐ型Ｇａ０．６２Ａｌ０．３８Ａｓ活性層１２及び厚さ５０μｍのｎ型Ｇａ０．２５Ａｌ０．７５Ａｓクラッド層１３の各層が順次形成された構造となっている。
　【００１３】
　上記した面方位誤差０．１°、０．２°、０．３°及び０．５°の（１００）面を主表面とする４種類のＧａＡｓ基板を液相エピタキシャル成長用基板として用い、図１に示した構造のエピタキシャルウェーハを、図２に示すスライドボート法により製造した。図２において、前記ＧａＡｓ基板１０はボート本体２０上面上に固定される。ボート本体２０上をスライドするスライド式溶液溜２１（以下、溶液溜２１という。）には、ｐ型Ｇａ０．２５Ａｌ０．７５Ａｓクラッド層成長用Ｇａ溶液２２ａを収容する第１溶液溜２２、ｐ型Ｇａ０．６２Ａｌ０．３８Ａｓ活性層成長用Ｇａ溶液２３ａを収容する第２溶液溜２３、及びｎ型Ｇａ０．２５Ａｌ０．７５Ａｓクラッド層成長用Ｇａ溶液２４ａを収容する第３溶液溜２４が各々設けてあり、各溶液溜は底がなく、各成長用Ｇａ溶液が直接ボート本体２０に接触する様になっている。なお、ｐ型ドーパント及びｎ型ドーパントは各々Ｚｎ及びＴｅであり、成長用Ｇａ溶液には、ＧａＡｓ結晶及びＡｌとともに上記ドーパントが添加されている。
　【００１４】
　次に、上記装置を用いて、前記ｐ型（１００）ＧａＡｓ基板１０上に前記３層のエピタキシャル成長層を形成する工程を説明する。まず、溶液溜２１を操作棒２５を用いて図２（ａ）の位置から矢印の方向にスライドさせ、第１溶液溜２２内の成長用Ｇａ溶液２２ａを前記ＧａＡｓ基板１０上にセットし、例えば９００℃から８００℃まで降温しつつｐ型Ｇａ０．２５Ａｌ０．７５Ａｓクラッド層１１をＧａＡｓ基板１０上に成長させる〔図２（ｂ）〕。次に溶液溜２１をさらに矢印の方向にスライドさせ、第２溶液溜２３内の成長用Ｇａ溶液２３ａを前記ＧａＡｓ基板上にセットし、例えば８００℃から７９５℃まで降温しつつｐ型Ｇａ０．６２Ａｌ０．３８Ａｓ活性層１２を前記ｐ型Ｇａ０．２５Ａｌ０．７５Ａｓクラッド層１１上に成長させる〔図２（ｃ）〕。次に、溶液溜２１をさらに矢印の方向にスライドさせ、第３溶液溜２４内の成長用Ｇａ溶液２４ａを前記ＧａＡｓ基板上にセットし、例えば７９５℃から６５０℃まで降温しつつｎ型Ｇａ０．２５Ａｌ０．７５Ａｓクラッド層１３を前記ｐ型Ｇａ０．６２Ａｌ０．３８Ａｓ活性層１２上に成長させる〔図２（ｄ）〕。その後、溶液溜２１をさらに矢印の方向にスライドさせて液相エピタキシャル成長工程を終了し〔図２（ｅ）〕、図１に示した構造のエピタキシャルウェーハを得た。
　【００１５】
　図３は、面方位誤差０．１°、０．２°、０．３°及び０．５°の（１００）ＧａＡｓ基板をエピタキシャル成長用基板とし、上記方法で得られたエピタキシャルウェーハ表面（ｎ型Ｇａ０．２５Ａｌ０．７５Ａｓクラッド層１３の表面）の表面モルフォロジー及び表面粗さを示す〔図３（ａ）：面方位誤差０．１°、図３（ｂ）：面方位誤差０．２°、図３（ｃ）：面方位誤差０．３°、図３（ｄ）：面方位誤差０．５°〕。
　【００１６】
　なお、上記表面粗さはＫｏｓａｋａ　Ｌａｂｏｒａｔｏｒｙ　Ｌｔｄ製、表面粗さ計（Ｍｏｄｅｌ　ＴＲ　１００Ｘ）を用いて測定した。
　【００１７】
　図３から、ｎ型Ｇａ０．２５Ａｌ０．７５Ａｓクラッド層表面（エピタキシャル層表面）のモルフォロジーは（１００）ＧａＡｓ基板の面方位誤差に大きく依存し、面方位誤差０．２°以下では鏡面に近い平坦な成長表面が得られるが、０．３°になると成長表面に微細な成長段が現れはじめ、０．５°になると成長段は大となり、表面粗さは約１μｍとなることが判明する。
　【００１８】
　発明者らは、さらに面方位誤差（θ）の角度について、０．１°から０．２°の範囲において、０．１２°、０．１４°、０．１６°、０．１８°の（１００）ＧａＡｓ基板をエピタキシャル成長用基板として用い、図１と同じ構造のエピタキシャルウェーハを上記と同様の液相エピタキシャル成長工程を経て作成した。いずれの面方位誤差の（１００）ＧａＡｓ基板を用いた場合も、図３で得られた面方位誤差０．１°および０．２°の（１００）ＧａＡｓ基板で得られた結果と同等の鏡面に近い平坦成長表面が得られることが分かった。
　【００１９】
　従って、｛１００｝ＧａＡｓ基板上に、表面モルフォロジーの良好なＧａ１−ＸＡｌＸＡｓ層を液相エピタキシャル成長法により形成するためには前記｛１００｝ＧａＡｓ基板の面方位誤差を０．２°以下とすることが肝要となる。
　【００２０】
　（実施例３及び４）
　ボートグローン法で製造したＳｉドープ（不純物濃度１〜２×１０１８／ｃｍ３）のｎ型ＧａＡｓ単結晶を実施例１及び実施例２と同じ方法で加工して、面方位誤差０．１°（実施例３）及び０．２°（実施例４）の（１００）ＧａＡｓ基板を得、該ＧａＡｓ基板上に、液相エピタキシャル成長法によりＧａＡｓ成長層を形成した。
　【００２１】
　図４は、実施例３及び４に係るエピタキシャルウェーハの一構造を示す断面図である。図４に示すエピタキシャルウェーハは、ｎ型（１００）ＧａＡｓ基板３０上に、厚さ８０μｍのｎ型（Ｓｉドープ）ＧａＡｓ層３１及び厚さ６０μｍのｐ型（Ｓｉドープ）ＧａＡｓ層３２が順次形成された構造になっている。
　【００２２】
　上記構造のエピタキシャルウェーハを図５に示したスライドボート法により製造した。図５において、前記ｎ型ＧａＡｓ基板３０はボート本体４０上面上に固定される。ボート本体４０上をスライドするスライド式溶液溜４１には、ｎ型及びｐ型ＧａＡｓ成長用Ｇａ溶液（ＧａＡｓ結晶とＳｉが添加されたＧａ溶液）４２ａを収容する溶液溜４２が設けてあり、溶液溜４２は底がなく、成長用Ｇａ溶液が直接ボート本体４０に接触する様になっている。
　【００２３】
　次に、上記状態のスライドボートを用いて、前記ｎ型（１００）ＧａＡｓ基板３０上にエピタキシャル成長層を形成する工程を説明する。まず、スライド式溶液溜４１を操作棒４５を用いて図５（ａ）の位置から矢印の方向にスライドさせ、溶液溜４２内の成長用Ｇａ溶液４２ａを前記ＧａＡｓ基板３０上にセットする〔この時の温度は９８０℃、図５（ｂ）〕。この温度に１０分間保持した後、７５０℃まで降温しつつ、ｎ型ＧａＡｓ層３１及びｐ型ＧａＡｓ層３２をＧａＡｓ基板３０上に成長させる。次に、スライド溶液溜４１をさらに矢印の方向にスライドさせて、液相エピタキシャル成長工程を終了し〔図５（ｃ）〕、図４に示した構造の実施例３及び４に係るエピタキシャルウェーハを得た。
　【００２４】
　上記した方法で得られたエピタキシャル層３２の表面モルフォロジー及び表面粗さを実施例１及び実施例２と同一の方法で評価したところ、実施例１及び実施例２と同様の結果を得た。即ち、面方位誤差０．２°以下の｛１００｝ＧａＡｓ基板上に、エピタキシャル成長法によりＧａＡｓ層を成長すれば、このＧａＡｓ成長層の表面モルフォロジーは極めて良好になることが判明した。
　【００２５】
　【発明の効果】
　以上のべたごとく、本発明によれば、表面モルフォロジーの良好なＧａ１−ＸＡｌＸＡｓ層（但し、０≦Ｘ＜１）を液相エピタキシャル成長法により形成することができる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　本発明方法により得られるエピタキシャルウェーハの一構造を示す断面図である。
　【図２】
　実施例１、２及び比較例１、２におけるスライドボート法の工程図である。
　【図３】
　実施例１、２及び比較例１、２において得られたエピタキシャルウェーハ表面の表面モルフォロジー及び表面粗さを示す写真を含む図面である。
　【図４】
　実施例３及び４において得られたエピタキシャルウェーハの一構造を示す断面図である。
　【図５】
　実施例３及び４におけるスライドボート法の工程図である。
　【符号の説明】
　１０　　ｐ型（１００）ＧａＡｓ単結晶基板
　１１　　ｐ型Ｇａ０．２５Ａｌ０．７５Ａｓクラッド層
　１２　　ｐ型Ｇａ０．６２Ａｌ０．３８Ａｓ活性層
　１３　　ｎ型Ｇａ０．２５Ａｌ０．７５Ａｓクラッド層
　２０　　ボート本体
　２１　　スライド式溶液溜
　２２　　第１溶液溜
　２２ａ　ｐ型Ｇａ０．２５Ａｌ０．７５Ａｓクラッド層成長用Ｇａ溶液
　２３　　第２溶液溜
　２３ａ　ｐ型Ｇａ０．６２Ａｌ０．３８Ａｓ活性層成長用Ｇａ溶液
　２４　　第３溶液溜
　２４ａ　ｎ型Ｇａ０．２５Ａｌ０．７５Ａｓクラッド層成長用Ｇａ溶液
　２５　　操作棒
　３０　　ｎ型（１００）ＧａＡｓ単結晶基板
　３１　　ｎ型（Ｓｉドープ）ＧａＡｓ層
　３２　　ｐ型（Ｓｉドープ）ＧａＡｓ層
　４０　　ボート本体
　４１　　スライド式溶液溜
　４２　　溶液溜
　４２ａ　成長用Ｇａ溶液
　４５　　操作棒