【事件の表示】
　特許第３３４３８１３号「磁性フェライト材料、積層型チップフェライト部品および複合積層型部品」の請求項１ないし７に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第３３４３８１３号の請求項１ないし７に係る特許を維持する。
【理　由】
１．本件発明
　特許第３３４３８１３号（平成１１年１月１１日出願、平成１４年８月３０日設定登録。）の請求項１ないし７に係る発明は、それぞれ、その特許請求の範囲の請求項１ないし７に記載された事項により特定されるとおりのものである。
　
２．申立ての理由の概要
　申立人雨山範子は、証拠として甲第１号証（特許第２６９１７１５号公報）、甲第２号証（特開平８−１４８３３８号公報）、及び甲第３号証（Ferrites: Proceedings of The Sixth International Conference on Ferrites (ICF6), (1992)p.1225-1228）を提出し、本件請求項１〜７に係る特許発明は、甲第１号証、甲第２号証、および甲第３号証に記載された技術内容から、その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に想到することができた程度のものであり、また、その効果も甲第１号証および甲第２号証に記載されたものから予測できる効果以上のものはない。従って、本件請求項１〜７に係る特許発明は、特許法第２９条第２項の規定に該当し特許を受けることができないものであり、上記発明に係る特許は同法第１１３条第１項第２号の規定により取り消されるべきものである旨主張している。
　
３．申立人が提出した甲第１号証ないし甲第３号証に記載された発明
（ａ）甲第１号証は、「フェライト焼結体、チップインダクタおよびＬＣ複合部品」（発明の名称）に関するものであって、以下の点が記載されている。
「特開昭58−135133号、…号公報には、フェライトにガラスを添加して焼き縮みを小さくする旨の提案がなされているが、このものでは、当然のことながら焼結密度や機械的強度が不十分である。これは、これら公報では、ガラスと称するのみで、どのような組成のガラスを用いるかについて開示がなく、本発明のようなホウケイ酸ガラスを用いていないからであると考えられる。
・・・
　本発明のフェライト焼結体はフェライトとホウケイ酸ガラスとを含有し、さらに好ましくはこれに酸化ホウ素を含有するものである。
・・・
　本発明のフェライト焼結体に用いるフェライトは公知のスピネル構造を有するソフトフェライトのいずれであってもよいが、一般に、Ni、Cu、Mn、Zn、Feのうちの１種以上を含有するものが好適に使用される。
・・・
　この他、Co、Mn等が全体の5wt％程度以下含有されていてもよい。さらに、Ca、Si、Bi、Ｖ、Pb等が1wt％程度以下含有されていてもよい。
・・・
　用いるホウケイ酸ガラスとしては、通常のホウケイ酸ガラスの他、アルミナホウケイ酸ガラス、アルカリホウケイ酸ガラス等種々のものが使用可能であり、後述の所定の組成を有する。
　所定の組成のホウケイ酸ガラスを用いることにより、本発明のフェライト焼結体は、チップインダクタやLC複合部品や、各種磁心等に用いる際に、機械的強度が高く、低損失、高Ｑ値等の電磁気特性の高周波特性の優れたものとなる。
・・・
　この他、ホウケイ酸ガラス中には5wt％以下の酸化アルミニウム（通常Al2O3）、5wt％以下のＫ、Na、Li等の１価の金属M1の酸化物（通常M12O）の１種以上、5wt％以下のBa、…を含有してもよい。」（第６欄第６行〜第７欄第４２行）
「実施例１
　Ni系フェライトにホウケイ酸ガラスとあるいはこれにB2O3とを添加することによって、本発明のフェライト焼結体用のペーストを作製した。
・・・
…表１には下記のホウケイ酸ガラスおよび比較ガラスを用いた結果も併記する。
・・・
比較ガラスＶ（比較ホウケイ酸ガラス）
60wt％SiO2−35wt％B2O3−5wt％Na2O
　さらに、従来材としてFe2O3 45.5mol％、NiO 44mol％、CuO 8mol%、ZnO 2mol％、CoO 0.6mol％の組成を有するものを用いた結果も併記する（サンプルNo.10）。
・・・
　　　　　　　　　表　　　　　１
サンプル　ガラス種　ガラス　B2O3含　相対焼結　収縮
　No.　　 類  　　　含有量　有量　　密度　　　率
　　　　　　　　　  (wt％)　(wt％)   　(％)　　(％)
・・・
10(比較) 　ガラスＶ　 30　　 − 　　　88.5　  　12.6
・・・」（第１１欄第４０行〜第１２欄第４２行）
　
（ｂ）甲第２号証は、「積層チップインダクタとその製造方法」（発明の名称）に関するものであって、以下の点が記載されている。
「…また、前記フェライト中に含有させるガラスとしては、請求項３に記載するように、６００℃以下の軟化点温度を有するホウケイ酸ガラスが好ましい。…」（段落【０００８】）
「実験例１
まず、下記の表１に示す組成比で、Ｆｅ2 Ｏ3 ，ＮｉＯ，ＺｎＯ，ＣｕＯ及びガラスの粉末を秤量し、これに水を加え、ボールミルで１５時間撹拌した後、スプレー式乾燥機により乾燥し、混合粉末を得た。」（段落【００１３】）
「上記のようにして作成したフェライトグリーンシートの所定の位置に複数のスルーホールを形成し、一方の主面上に、導電性ペースト（Ａｇ，Ａｇ−Ｐｄ，Ａｇ−Ａｕ等）により、積層してスルーホール接続することによってらせん状のコイルが構成される導体パターンを形成した。」（段落【００１７】）
「この発明によれば、フェライトの結晶粒子が、内部導体から拡散して析出したＡｇ等から受けていた内部応力が減少するので、フェライトの透磁率μが高くなり、インダクタンス（Ｌ）の大きい積層チップインダクタンスが得られるという効果がある。」（段落【００２７】）
　また、【表１】に、ガラスを含有するＦｅ2Ｏ3：４９．５[mol%]、ＮｉＯ：８．８[mol%]、ＺｎＯ：３０．４[mol%]、ＣｕＯ：１１．３[mol%]から成るフェライト材料が開示されている。
　
（ｃ）甲第３号証は、「EFFECT OF Ag ON THE MICROSTRUCTURE OF THE LOW TEMPERATURE SINTERED NiCuZn FERRITES（低温焼成NiCuZnフェライトの微細構造に対するAgの効果）」に関するもので、「The composition of the low temperature sintered ferrites is NiO0.37 CuO0.23ZnO0.4Fe2 O3 ．（低温焼成用のフェライトの組成は、NiO0.37 CuO0.23ZnO0.4Fe2 O3 である。）」（ｐ．１２２５左欄の第３１〜３３行）と、
「Photo.1 shows the effect of Ag addition on the microstructure of NiCuZn ferrites fired at 950℃. In the sample without Ag, the crystal grain size is about 3〜5μｍ, and the EDX observation did not confirm that Cu segregation is present in the ferrite. However, in the sample with 1.0wt% Ag addition, the segregation of Cu as well as discontinuous grain growth (about 40〜50μｍ) were confirmed by the SEM-EDX observation.（写真１は、950℃で焼成したNiCuZnフェライトの微細構造に対するAgの添加効果を示す。Agが添加されていない試料では、結晶粒のサイズが約3〜5μｍであり、EDXの分析ではCuの分離がフェライト中で存在していることは確認されなかった。しかしながら、Agが1.0wt%添加された試料では、不連続な結晶粒の成長（約40〜50μｍ）と同様に、Cuの分離がSEM−EDXの分析により確認された。）」（ｐ．１２２６左欄第３９〜４８行）
　
４．対比・判断
（１）請求項１に係る発明について
　請求項１に係る発明（以下「本件発明１」という。）と申立人が提出した甲各号証記載の発明とを対比する。
　甲第１号証に記載の発明は、フェライトの結晶粒径について記載も示唆もされておらず、甲第２号証には、「フェライト中に含有させるガラスとして、ホウケイ酸ガラス」は記載されているが、フェライトが、「ガラス成分として、少なくともＳｉＯ2 、Ｂ2 Ｏ3 およびＮａ2 Ｏを含有し、磁性フェライトの結晶粒径が３〜５０μｍの範囲である」点について記載も示唆もされておらず、そして、甲第３号証には、NiCuZnフェライトの微細構造にAgが添加されていない試料では、結晶粒のサイズが約3〜5μｍでありAgが添加された試料では、不連続な結晶粒の成長（約40〜50μｍ）が確認された旨記載されているが、フェライトがガラス成分を含有する点、及びフェライトの結晶粒径については記載も示唆もされていない。すなわち、甲第１号証ないし甲第３号証には、フェライト材料が、「ガラス成分として、少なくともＳｉＯ2 、Ｂ2 Ｏ3 およびＮａ2 Ｏを含有し、磁性フェライトの結晶粒径が３〜５０μｍの範囲である」点について記載も示唆もされていない。
　
　そして、本件発明１は、ＮｉＣｕＺｎフェライト材料中に特定のガラス成分を含有させることにより、焼成時の結晶粒成長が促進され、磁性フェライトの結晶粒径が３〜５０μｍの範囲となるので、磁性フェライト材料の透磁率が高いものとなり、このような磁性フェライト材料で構成された磁性フェライト層を備える積層型チップインダクタは、非常に高いインダクタンスＬをもち、従来品に比べ同等の取得インダクタンスＬの設計の場合、巻数が低減され、小型化や低背化が可能となり、また、本発明の磁性フェライト材料で構成された磁性フェライト層を備える積層型チップビーズは、反射成分（リアクタンス）が小さく、吸収成分（レジスタンス）が大きく、かつ、両者の交点が低周波側にシフトするので、従来に比べて高い吸収特性を備えたものとなり、さらに、本発明の磁性フェライト材料で構成されたフェライト磁性層と内部電極とを積層したチップフェライト部を有する複合積層型部品は、高密度化、高特性化が可能となるという明細書記載の顕著な作用効果を奏するものである。
　したがって、本件発明が甲第１号証ないし甲第３号証に記載の発明から容易に発明をすることができたとはいえない。
 
（２）請求項２ないし７に係る発明について
　請求項２ないし４に係る発明は、請求項１を引用形式で記載して本件発明１を更に限定したものあり、請求項５ないし７に係る発明は、発明を特定するための事項を請求項１の引用形式で記載した発明であるから、上記本件発明１についての判断と同様の理由により、上記各号証に記載の発明から当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
（３）申立人の主張について
　申立人は、「甲第３号証や参考資料２〜４の記載を考慮すると、NiCuZnフェライトにおいて、結晶粒径が3〜50μｍの範囲にあることは、極めて一般的な技術内容に過ぎないものと考えることができる」旨主張（以下「主張ａ」という。）し、「ガラス成分を添加することで、焼成性が改善（低温で焼成したときに結晶粒成長が促進される）されることは、当業者には良く知られた技術内容であることは言うまでもない」旨主張（以下「主張ｂ」という。）し、更に「本件の結晶粒成長を促進し、透磁率を高めるとした技術は、公知の技術内容であり、所定の磁気特性を得るために、結晶粒径を制御することは、当業者が通常行う設計的な事項に過ぎないものである」旨主張（以下「主張ｃ」という。）しているが、係る主張は、以下の理由で根拠がない。
（主張ａについて）
　甲第３号証には、ガラス成分の添加については記載されていないＮｉＣｕＺｎフェライトの結晶粒のサイズは記載されているが、本件発明１は、ＮｉＣｕＺｎフェライト材料中に特定のガラス成分を含有させることにより、焼成時の結晶粒成長が促進され、磁性フェライトの結晶粒径が３〜５０μｍの範囲となるのであるから、係る主張は根拠がない。
（主張ｂについて）
　甲第１号証に記載の発明は、所定の組成のホウケイ酸ガラスを用いることにより、フェライト焼結体が、チップインダクタやＬＣ複合部品や、各種磁心等に用いる際に、機械的強度が高く、低損失、高Ｑ値等の電磁気特性の高周波特性の優れたものとなるものであるが、甲第１号証には、「ガラス成分を添加することで、焼成性が改善されること」は記載されていない。また、甲第２号証には、軟化点温度が６００℃以下のガラスを含有するフェライトからなるフェライト材料で、ガラスがホウケイ酸ガラスであるものは記載されているが、「ガラス成分を添加することで、焼成性が改善されること」は記載されていない。また、甲第３号証には、ガラス成分の含有するフェライト材料について記載されていない。そして、本件発明１は、ＮｉＣｕＺｎフェライト材料中に特定のガラス成分を含有させることにより、焼成時の結晶粒成長が促進されるものであるから、係る主張は根拠がない。
（主張ｃについて）
　甲第１号証，甲第２号証には、結晶粒成長を促進する点について記載も示唆もされておらず、甲第３号証には、Ａｇ添加の効果として、結晶粒の成長が確認された旨記載されているが、甲第１号証ないし甲第３号証には、結晶粒成長を促進し、透磁率を高めるとした技術が公知の技術内容である点について記載がないから、係る主張は根拠がない。
　
５．むすび
　したがって、特許異議の申立ての理由及び証拠によっては、請求項１ないし７に係る発明についての特許を取り消すことはできない。
　また、他に請求項１ないし７に係る発明についての特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１６年４月８日（２００４．４．８）