【事件の表示】
　特許第３３４８０５４号「基板の洗浄・乾燥処理方法ならびにその処理装置」の請求項１〜１８に係る発明についての特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３３４８０５４号の請求項１〜１４に係る発明についての特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
　特許第３３４８０５４号の請求項１〜１８に係る発明についての出願は、平成５年５月１７日に出願した特願平５−１４００８６号の一部を平成１１年９月２７日に新たな特許出願としたものであって、平成１４年９月６日にそれらの発明について特許権の設定登録がなされ、平成１５年５月２０日に、請求項１〜１８に係る発明についての特許に対して、異議申立人永田大樹より特許異議の申立てがなされ、平成１５年１１月１２日付けで取消しの理由が通知され、その指定期間内である平成１６年１月１９日に訂正請求がなされ（その後取り下げ）、平成１６年２月１７日付けで再度取消しの理由が通知され、その指定期間内である平成１６年４月２６日に訂正請求がなされたものである。
　
２．訂正の適否についての判断
（１）訂正の内容
　特許権者が求めている訂正の内容は、以下のとおりである。
〈訂正事項ａ〉
　設定登録時の願書に添付した明細書又は図面（以下、「本件特許明細書」という。）の特許請求の範囲の請求項１を、
「洗浄槽内へ純水を供給し、前記洗浄槽内部において純水の上昇水流を形成するとともに前記洗浄槽上部の越流部から純水を溢れ出させておき、前記洗浄槽の上方側に形成された基板の収容が可能である密閉された空間から、純水が溢れ出ている前記洗浄槽内へ基板を下降させ、純水の上昇水流が形成されているとともに純水が前記越流部から溢れ出ている前記洗浄槽内の純水中に基板を所定時間浸漬させ、前記洗浄槽内において純水の上昇水流が形成されているとともに純水が前記越流部から溢れ出ている状態で、前記洗浄槽内の純水中から前記密閉された空間へ基板を上昇させ、
　
　
「洗浄槽内へ純水を供給し、前記洗浄槽内部において純水の上昇水流を形成するとともに前記洗浄槽上部の越流部から純水を溢れ出させておき、前記洗浄槽の上方側に形成された基板の収容が可能である密閉された空間から、純水が溢れ出ている前記洗浄槽内へ基板を下降させ、純水の上昇水流が形成されているとともに純水が前記越流部から溢れ出ている前記洗浄槽内の純水中に基板を所定時間浸漬させ、前記洗浄槽内において純水の上昇水流が形成されているとともに純水が前記越流部から溢れ出ている状態で、前記洗浄槽内の純水中から前記密閉された空間へ基板を上昇させ、
前記洗浄槽内の純水中から前記密閉された空間へ基板を上昇させる前に、
し、少なくとも前記密閉された空間から前記洗浄槽内へ基板を下降させてから前記洗浄槽内の純水中から前記密閉された空間へ基板を上昇させるまで、前記密閉された空間を形成する壁面を加熱
　なお、下線は、訂正個所を示すために、当審で付したものである。以下同様。
〈訂正事項ｂ〉
  本件特許明細書の特許請求の範囲の請求項２、４、５、１４を削除する。
〈訂正事項ｃ〉
  本件特許明細書の特許請求の範囲の請求項３を請求項２に繰り上げるとともに、
「洗浄槽内へ純水を供給し、前記洗浄槽内部において純水の上昇水流を形成するとともに前記洗浄槽上部の越流部から純水を溢れ出させておき、前記洗浄槽の上方側に形成された基板の収容が可能である密閉された空間から、純水が溢れ出ている前記洗浄槽内へ基板を下降させ、純水の上昇水流が形成されているとともに純水が前記越流部から溢れ出ている前記洗浄槽内の純水中に基板を所定時間浸漬させ、
　
　
「洗浄槽内へ純水を供給し、前記洗浄槽内部において純水の上昇水流を形成するとともに前記洗浄槽上部の越流部から純水を溢れ出させておき、前記洗浄槽の上方側に形成された基板の収容が可能である密閉された空間から、純水が溢れ出ている前記洗浄槽内へ基板を下降させ、純水の上昇水流が形成されているとともに純水が前記越流部から溢れ出ている前記洗浄槽内の純水中に基板を所定時間浸漬させ、
前記洗浄槽内において純水の上昇水流が形成されているとともに純水が前記越流部から溢れ出ている状態で、
前記洗浄槽内の純水中から前記密閉された空間へ基板を上昇させる前に、
〈訂正事項ｄ〉
  本件特許明細書の特許請求の範囲の請求項６を請求項３に繰り上げるとともに、
「
請求項３ないし請求項５
「
請求項２
〈訂正事項ｅ〉
  本件特許明細書の特許請求の範囲の請求項７を請求項４に繰り上げるとともに、
「請求項１ないし請求項
６
「請求項１ないし請求項
３
〈訂正事項ｆ〉
  本件特許明細書の特許請求の範囲の請求項８を請求項５に繰り上げるとともに、
「請求項１ないし請求項
７
「請求項１ないし請求項
４
〈訂正事項ｇ〉
  本件特許明細書の特許請求の範囲の請求項９を請求項６に繰り上げるとともに、
「請求項１ないし請求項
８
「請求項１ないし請求項
５
〈訂正事項ｈ〉
  本件特許明細書の特許請求の範囲の請求項１０を請求項７に繰り上げるとともに、
「請求項
９
「請求項
６
〈訂正事項ｉ〉
  本件特許明細書の特許請求の範囲の請求項１１を請求項８に繰り上げるとともに、
「請求項
９
「請求項
６
〈訂正事項ｊ〉
  本件特許明細書の特許請求の範囲の請求項１２を請求項９に繰り上げるとともに、
「純水を越流させるための越流部を上部に有し、純水を内部に収容する洗浄槽と、前記洗浄槽の上方を閉鎖的に包囲し基板の収容が可能である密閉チャンバと、前記密閉チャンバ内から前記洗浄槽内の純水中へ基板を下降させるとともに、前記洗浄槽内の純水中から前記密閉チャンバ内へ基板を上昇させる基板昇降手段と、前記基板昇降手段により前記密閉チャンバ内から前記洗浄槽内の純水中へ基板を下降させる前から前記洗浄槽内の純水中に基板を浸漬させ前記洗浄槽内の純水中から前記密閉チャンバ内へ基板を上昇させるまで、前記洗浄槽内へ純水を継続して供給し、前記洗浄槽内部において純水の上昇水流を形成するとともに前記越流部から純水を溢れ出させる純水供給手段と、
　
　
「純水を越流させるための越流部を上部に有し、純水を内部に収容する洗浄槽と、前記洗浄槽の上方を閉鎖的に包囲し基板の収容が可能である密閉チャンバと、前記密閉チャンバ内から前記洗浄槽内の純水中へ基板を下降させるとともに、前記洗浄槽内の純水中から前記密閉チャンバ内へ基板を上昇させる基板昇降手段と、前記基板昇降手段により前記密閉チャンバ内から前記洗浄槽内の純水中へ基板を下降させる前から前記洗浄槽内の純水中に基板を浸漬させ前記洗浄槽内の純水中から前記密閉チャンバ内へ基板を上昇させるまで、前記洗浄槽内へ純水を継続して供給し、前記洗浄槽内部において純水の上昇水流を形成するとともに前記越流部から純水を溢れ出させる純水供給手段と、
前記基板昇降手段により前記洗浄槽内の純水中から前記密閉チャンバ内へ基板を上昇させる前に
少なくとも前記基板昇降手段により前記密閉チャンバ内から前記洗浄槽内の純水中へ基板を下降させてから前記洗浄槽内の純水中から前記密閉チャンバ内へ基板を上昇させるまで、前記密閉チャンバの壁面を加熱する加熱手段と、
〈訂正事項ｋ〉
  本件特許明細書の特許請求の範囲の請求項１３を請求項１０に繰り上げるとともに、
「
請求項１２に記載の基板の洗浄・乾燥処理装置において、前記気体供給手段は、
　
「
純水を越流させるための越流部を上部に有し、純水を内部に収容する洗浄槽と、前記洗浄槽の上方を閉鎖的に包囲し基板の収容が可能である密閉チャンバと、前記密閉チャンバ内から前記洗浄槽内の純水中へ基板を下降させるとともに、前記洗浄槽内の純水中から前記密閉チャンバ内へ基板を上昇させる基板昇降手段と、前記基板昇降手段により前記密閉チャンバ内から前記洗浄槽内の純水中へ基板を下降させる前から前記洗浄槽内の純水中に基板を浸漬させ前記洗浄槽内の純水中から前記密閉チャンバ内へ基板を上昇させるまで、前記洗浄槽内へ純水を継続して供給し、前記洗浄槽内部において純水の上昇水流を形成するとともに前記越流部から純水を溢れ出させる純水供給手段と、前記基板昇降手段により前記洗浄槽内の純水中から前記密閉チャンバ内へ基板を上昇させる前に前記密閉チャンバ内へ有機溶剤の蒸気を供給するとともに、
基体供給手段と、を備えた
〈訂正事項ｌ〉
  本件特許明細書の特許請求の範囲の請求項１５を請求項１１に繰り上げるとともに、
「
請求項１２ないし請求項１４のいずれか
「
請求項９または請求項１０
〈訂正事項ｍ〉
  本件特許明細書の特許請求の範囲の請求項１６を請求項１２に繰り上げるとともに、
「請求項
１２
１５
「請求項
９
１１
〈訂正事項ｎ〉
  本件特許明細書の特許請求の範囲の請求項１７を請求項１３に繰り上げるとともに、
「
請求項１２ないし請求項１６のいずれか
「
請求項１２
〈訂正事項ｏ〉
  本件特許明細書の特許請求の範囲の請求項１８を請求項１４に繰り上げるとともに、
「請求項
１２
１７
「請求項
９
１３
〈訂正事項ｐ〉
　本件特許明細書の段落【０００７】の記載を、
「・・・基板を上昇させ、
前記洗浄槽内の純水中から前記密閉された空間へ基板を上昇させる前に、
し、少なくとも前記密閉された空間から前記洗浄槽内へ基板を下降させてから前記洗浄槽内の純水中から前記密閉された空間へ基板を上昇させるまで、前記密閉された空間を形成する壁面を加熱
、洗
前記洗浄槽内において純水の上昇水流が形成されているとともに純水が前記越流部から溢れ出ている状態で、
前記洗浄槽内の純水中から前記密閉された空間へ基板を上昇させる前に、
請求項３
請求項２
請求項４
請求項３
請求項５
請求項４
請求項６
請求項５
請求項７
請求項６
請求項８
請求項６
〈訂正事項ｑ〉
　本件特許明細書の段落【０００８】の記載を、
「
請求項９
前記基板昇降手段により前記洗浄槽内の純水中から前記密閉チャンバ内へ基板を上昇させる前に
少なくとも前記基板昇降手段により前記密閉チャンバ内から前記洗浄槽内の純水中へ基板を下降させてから前記洗浄槽内の純水中から前記密閉チャンバ内へ基板を上昇させるまで、前記密閉チャンバの壁面を加熱する加熱手段と、
請求項１０
基板の洗浄および乾燥処理を行う
純水を越流させるための越流部を上部に有し、純水を内部に収容する洗浄槽と、前記洗浄槽の上方を閉鎖的に包囲し基板の収容が可能である密閉チャンバと、前記密閉チャンバ内から前記洗浄槽内の純水中へ基板を下降させるとともに、前記洗浄槽内の純水中から前記密閉チャンバ内へ基板を上昇させる基板昇降手段と、前記基板昇降手段により前記密閉チャンバ内から前記洗浄槽内の純水中へ基板を下降させる前から前記洗浄槽内の純水中へ基板を浸漬させ前記洗浄槽内の純水中から前記密閉チャンバ内へ基板を上昇させるまで、前記洗浄槽内へ純水を継続して供給し、前記洗浄槽内部において純水の上昇水流を形成するともに前記越流部から純水を溢れ出させる純水供給手段と、前記基板昇降手段により前記洗浄槽内の純水中から前記密閉チャンバ内へ基板を上昇させる前に前記密閉チャンバ内へ有機溶剤の蒸気を供給するとともに、前記密閉チャンバ内へ有機溶剤の蒸気を供給する前に前記密閉チャンバ内へ不活性ガスを供給する気体供給手段と、を備えた
請求項１１
請求項９または請求項１０
請求項１２
請求項９ないし請求項１１
請求項１３
請求項１２
請求項１４
請求項９ないし請求項１３
〈訂正事項ｒ〉
　本件特許明細書の段落【００２２】の記載を、
「・・・そして、温純水中からウエハを引上げ始める
以前に
温純水中からのウエハの引上げ開始時点で純水界面がアルコール蒸気で満たされた状態になっているようにしておき、さらに、
。ま
〈訂正事項ｓ〉
　本件特許明細書の段落【００２７】の記載を、
「・・・ＵＶランプ等を使用するようにしてもよいし、また、
密閉チャンバ内へアルコール蒸気を供給する前に窒素ガスを密閉チャンバ内へ送り込むようにする場合において、
〈訂正事項ｔ〉
　本件特許明細書の段落【００２８】の記載を、
「【発明の効果】請求項１ないし
請求項８
請求項９ないし請求項１４
（２）訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　訂正事項ａ〜ｃ、ｊ、ｋは、特許請求の範囲の減縮を目的とする明細書の訂正に該当し、訂正事項ｄ〜ｉ、ｌ〜ｔは、明りょうでない記載の釈明を目的とする明細書の訂正に該当する。そして、各訂正事項は、新規事項の追加に該当せず、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
（３）むすび
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法第１２０条の４第３項において準用する平成６年法律第１１６号による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書き及び第２項の規定に適合するので、当該訂正を認める。そして、当該訂正により、平成１６年２月１７日付けで通知した取消しの理由のうち、特許法第３６条第５項第２号違反に関する部分は解消している。
　
３．特許異議申立てについて
（１）申立ての理由の概要
　異議申立人は、本件各発明は、特開昭６２−１９８１２６号公報（甲第１号証）、実願平３−９３６３５号（実開平４−９９２６９号）のマイクロフィルム（甲第２号証）、特開平３−１６９０１３号公報（甲第３号証）、特開昭６４−２０６２５号公報（甲第４号証）、特開平４−２２１２５号公報（甲第５号証）、特開平３−１３７４０１号公報（甲第６号証）、特開昭６３−１０５２８号公報（甲第７号証）、特開平４−８０９２４号公報（甲第８号証）、及び特開平２−２９１１２８号公報（甲第９号証）に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件各発明についての特許は取り消すべき旨主張している。
　
（２）本件発明
　本件の請求項１〜１４に係る発明（以下それぞれを、「本件発明１」等という。）は、平成１６年４月２６日付けの訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１〜１４に記載されたとおりのものである（上記２．（１）の訂正事項ａ、ｃ〜ｏを参照）。
　
（３）甲第１〜９号証記載の事項
　甲第１〜９号証には、以下の事項が記載されていると認められる。
〈甲第１号証〉
「水洗槽４内へ純水を供給し、前記水洗槽４内部において純水の上昇水流を形成するとともに前記水洗槽４上部の越流部から純水を溢れ出させ、純水の上昇水流が形成されているとともに純水が前記越流部から溢れ出ている前記水洗槽４内の純水中にウエハ１１を所定時間浸漬させ、水洗が終了した段階で純水の供給を止め、イソプロピルアルコールの蒸気を筒状容器１へ導入すると共に、排水管６を開放し、水洗槽４の水抜きを行うウエハ１１の水洗・乾燥方法」、及び、
「純水を越流させるための越流部を上部に有し、純水を内部に収容する水洗槽４と、前記水洗槽４の上方を閉鎖的に包囲しウエハ１１を収納したウエハカートリッジ１２の収容が可能である筒状容器１と、前記水洗槽４内へ純水を供給する給水管５と、水洗が終了後の水洗槽４の水抜きを行うときに前記筒状容器１内へイソプロピルアルコールの蒸気を供給する配管３、遮蔽板１０、及び、加熱用のヒータ９が設置されている蒸気発生部７と、を備えたウエハ１１の水洗・乾燥装置」
〈甲第２号証〉
「基板Ｗを洗浄・乾燥処理するに際して、基板処理槽１内で処理液２がオーバフローしている状態で、前記基板処理槽１内の純水Ｄｗ等の処理液２中から、前記基板処理槽１の上方側に形成された基板Ｗの収容が可能である密閉された空間へ基板Ｗを引き上げ、その後基板処理槽１への処理液２の供給を停止し、強制排気手段と連通する排気管４５によって減圧することにより乾燥を促進する」との事項
〈甲第３号証〉
「ウエハ１６を水洗・乾燥処理するに際して、容器１２内の水中からウエハ１６を露出させている間に、イソプロパノールの蒸気を供給し、次いで不活性ガスからなるパージガスを供給する」との事項
〈甲第４号証〉
「半導体ウェハなどの被処理物４を水洗・乾燥処理するに際して、不活性ガス３６ａの雰囲気に保持された処理室１の内部において有機溶媒蒸気ｃを供給し、次いでガス温度制御部３７で温度制御された高温の不活性ガス３６ａを供給する」との事項、及び、
「処理室１の壁面に設けられた加熱体５による加熱により、被処理物４の表面に付着している有機溶媒Ｃの液滴などの揮発が促進される」との事項
〈甲第５号証〉
「本発明では、被処理ウエハ２を収納したキャリア３を処理槽４の中に載置し、まず、真空容器１内を真空にして、不活性ガスで置換し、真空容器１内を不活性ガスで常圧に戻す。真空容器１内は常圧に戻った後も不活性ガスのパージを続けながら各種処理液を用いてウエハ２の処理を行う。ウエハ２の最終洗浄後、真空容器１内を再び真空に引き、続いて不活性ガスのパージを行いながら、キャリア３を処理槽４から引き上げてウエハ２を乾燥する。このとき、必要に応じてヒータを用いて乾燥を行う。」
〈甲第６号証〉
「半導体ウェーハ１１７の清掃に際して、窒素ガスによる浄化、窒素ガスとイソプロピルアルコールを添加した水の蒸気による短いブラスト、前記蒸気のみの導入、窒素ガスと蒸気による長いブラスト、加熱した窒素ガスによる乾燥を順次行う」との事項、及び、
「半導体ウェーハ１１７の清掃システムにおいて、窒素ガス及びイソプロピルアルコールを添加した水の蒸気を供給する手段は、蒸気が流される蒸気出口ライン１０５と、蒸気を生成する蒸気発生器１１と、窒素ガスを供給する窒素ガス供給ライン１０９と、窒素ガス供給ライン１０９及び蒸気出口ライン１０５の下流側に接続された供給ライン１１１と、供給ライン１１１の加熱手段１２１を備える」との事項
〈甲第７号証〉
「Ｓｉウェーハ１３の乾燥に際し、減圧容器１１内の密封された空間をロータリー真空ポンプ１２で減圧させている間にも、Ｓｉウェーハ１３をイソプロパノール蒸気と接触させる」との事項
〈甲第８号証〉
「ウエハ２のリンス・乾燥に際し、有機溶剤蒸気による乾燥、次いで窒素ガスによる乾燥を行う」との事項、及び、
「処理槽１下部に備えられたヒータ１３は、有機溶剤蒸気による乾燥の補助の熱源として使用される」との事項
〈甲第９号証〉
「基板１の洗浄・乾燥に際し、基板１を洗浄用バス内の液体から持ち上げ部品１５により上昇させている間に、有機溶剤の蒸気と窒素ガスとの混合体による乾燥を行う」との事項
　
（４）対比・判断
　本件発明１〜１４は、すべて、「洗浄槽内の純水中から前記密閉された空間（密閉チャンバ内）へ基板を上昇させる前に、前記密閉された空間内（密閉チャンバ内）へ有機溶剤の蒸気を供給」するとともに、「少なくとも前記密閉された空間（密閉チャンバ内）から前記洗浄槽内へ基板を下降させてから前記洗浄槽内の純水中から前記密閉された空間（密閉チャンバ内）へ基板を上昇させるまで、前記密閉された空間（密閉チャンバ）を形成する壁面を加熱」もしくは「前記密閉された空間内（密閉チャンバ内）へ有機溶剤の蒸気を供給する前に、前記密閉された空間内（密閉チャンバ内）へ不活性ガスを供給」することを、発明の構成に欠くことができない事項とするものである。
　しかしながら、甲第１〜９号証のいずれにも、上記の事項について記載も示唆もない。
　そして、本件発明１〜１４は、上記の事項を発明の構成に欠くことができない事項とすることにより、「基板を特に加熱したりしなくても基板表面の乾燥が速やかに行われ、一連の洗浄・乾燥処理における作業効率を向上させることができ、また、乾燥処理のために使用される有機溶剤の量も少なくて済むようにすることができる。」（段落【００２８】を参照）という顕著な作用効果を奏している。
　したがって、本願発明１〜１４は、甲第１〜９号証記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである、とすることはできない。
　
（５）むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、本件発明１〜１４についての特許が拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものとは認めることができない。
　また、他に、本件発明１〜１４についての特許が拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものと認めるべき理由を発見しない。
　したがって、本件発明１〜１４についての特許を取り消すことはできない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１６年５月１９日（２００４．５．１９）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
基板の洗浄・乾燥処理方法ならびにその処理装置
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　洗浄槽内へ純水を供給し、前記洗浄槽内部において純水の上昇水流を形成するとともに前記洗浄槽上部の越流部から純水を溢れ出させておき、
　前記洗浄槽の上方側に形成された基板の収容が可能である密閉された空間から、純水が溢れ出ている前記洗浄槽内へ基板を下降させ、
　純水の上昇水流が形成されているとともに純水が前記越流部から溢れ出ている前記洗浄槽内の純水中に基板を所定時間浸漬させ、
　前記洗浄槽内において純水の上昇水流が形成されているとともに純水が前記越流部から溢れ出ている状態で、前記洗浄槽内の純水中から前記密閉された空間へ基板を上昇させ、
　
前記洗浄槽内の純水中から前記密閉された空間へ基板を上昇させる前に、
し、
　少なくとも前記密閉された空間から前記洗浄槽内へ基板を下降させてから前記洗浄槽内の純水中から前記密閉された空間へ基板を上昇させるまで、前記密閉された空間を形成する壁面を加熱
　【請求項２】　
洗浄槽内へ純水を供給し、前記洗浄槽内部において純水の上昇水流を形成するとともに前記洗浄槽上部の越流部から純水を溢れ出させておき、
　前記洗浄槽の上方側に形成された基板の収容が可能である密閉された空間から、純水が溢れ出ている前記洗浄槽内へ基板を下降させ、
　純水の上昇水流が形成されているとともに純水が前記越流部から溢れ出ている前記洗浄槽内の純水中に基板を所定時間浸漬させ、
　前記洗浄槽内において純水の上昇水流が形成されているとともに純水が前記越流部から溢れ出ている状態で、前記洗浄槽内の純水中から前記密閉された空間へ基板を上昇させ、
　前記洗浄槽内の純水中から前記密閉された空間へ基板を上昇させる前に、前記密閉された空間内へ有機溶剤の蒸気を供給
し、
　前記密閉された空間内へ有機溶剤の蒸気を供給する前に、前記密閉された空間内へ不活性ガスを供給
　【請求項３】　
請求項２に記載の基板の洗浄・乾燥処理方法において、
　不活性ガスは、加熱された不活性ガスである
　【請求項４】　
請求項１ないし請求項３のいずれか
　
少なくとも前記洗浄槽内の純水中から前記密閉された空間へ基板を上昇させている間に、前記密閉された空間内へ有機溶剤の蒸気を供給する
　【請求項５】　
請求項１ないし請求項４のいずれか
　
前記洗浄槽内の純水中から前記密閉された空間へ基板を上昇させた後に、前記洗浄槽内への純水の供給を停止させる
　【請求項６】　
請求項１
　
前記洗浄槽内の純水中から前記密閉された空間へ基板を上昇させ、前記密閉された空間内へ有機溶剤の蒸気を供給した後に、前記密閉された空間を減圧させる
　【請求項７】　
請求項６
　
前記密閉された空間を減圧させている間にも、前記密閉された空間内へ有機溶剤の蒸気を供給する
　【請求項８】　
請求項６
　
前記洗浄槽内の純水中から前記密閉された空間へ基板を上昇させた後に、前記密閉された空間を減圧させる操作と前記密閉された空間内へ有機溶剤の蒸気を供給する操作とを交互に繰り返す
　【請求項９】　
純水を越流させるための越流部を上部に有し、純水を内部に収容する洗浄槽と、
　前記洗浄槽の上方を閉鎖的に包囲し基板の収容が可能である密閉チャンバと、
　前記密閉チャンバ内から前記洗浄槽内の純水中へ基板を下降させるとともに、前記洗浄槽内の純水中から前記密閉チャンバ内へ基板を上昇させる基板昇降手段と、
　前記基板昇降手段により前記密閉チャンバ内から前記洗浄槽内の純水中へ基板を下降させる前から前記洗浄槽内の純水中に基板を浸漬させ前記準浄槽内の純水中から前記密閉チャンバ内へ基板を上昇させるまで、前記洗浄槽内へ純水を継続して供給し、前記洗浄槽内部において純水の上昇水流を形成するとともに前記越流部から純水を溢れ出させる純水供給手段と、
　前記基板昇降手段により前記洗浄槽内の純水中から前記密閉チャンバ内へ基板を上昇させる前に前記密閉チャンバ内へ有機溶剤の蒸気を供給する気体供給手段と、
　少なくとも前記基板昇降手段により前記密閉チャンバ内から前記洗浄槽内の純水中へ基板を下降させてから前記洗浄槽内の純水中から前記密閉チャンバ内へ基板を上昇させるまで、前記密閉チャンバの壁面を加熱する加熱手段と、
を備えたことを特徴とする基板の洗浄・乾燥処理装置
　【請求項１０】　
純水を越流させるための越流部を上部に有し、純水を内部に収容する洗浄槽と、
　前記洗浄槽の上方を閉鎖的に包囲し基板の収容が可能である密閉チャンバと、
　前記密閉チャンバ内から前記洗浄槽内の純水中へ基板を下降させるとともに、前記洗浄槽内の純水中から前記密閉チャンバ内へ基板を上昇させる基板昇降手段と、
　前記基板昇降手段により前記密閉チャンバ内から前記洗浄槽内の純水中へ基板を下降させる前から前記洗浄槽内の純水中に基板を浸漬させ前記洗浄槽内の純水中から前記密閉チャンバ内へ基板を上昇させるまで、前記洗浄槽内へ純水を継続して供給し、前記洗浄槽内部において純水の上昇水流を形成するとともに前記越流部から純水を溢れ出させる純水供給手段と、
　前記基板昇降手段により前記洗浄槽内の純水中から前記密閉チャンバ内へ基板を上昇させる前に前記密閉チャンバ内へ有機溶剤の蒸気を供給するとともに、前記密閉チャンバ内へ有機溶剤の蒸気を供給する前に前記密閉チャンバ内へ不活性ガスを供給する気体供給手段と、
を備えたことを特徴とする基板の洗浄・乾燥処理装置
　【請求項１１】　
請求項９または請求項１０に記載の基板の洗浄・乾燥処理装置において、
　前記気体供給手段は、前記基板昇降手段により前記洗浄槽内の純水中から前記密閉チャンバ内へ基板を上昇させている間に前記密閉チャンバ内へ有機溶剤の蒸気を供給することを特徴とする基板の洗浄・乾燥処理装置
　【請求項１２】　
請求項９ないし請求項１１のいずれかに記載の基板の洗浄・乾燥処理装置において、
　前記気体供給手段は、
　前記密閉チャンバの内部に連通するように接続され、有機溶剤の蒸気が流される蒸気供給用管路と、
　前記蒸気供給用管路に設けられ有機溶剤の蒸気を生成する蒸気発生手段と、
　前記蒸気発生手段へ不活性ガスを供給するための不活性ガス供給管路と、
を備えたことを特徴とする基板の洗浄・乾燥処理装置。
　【請求項１３】　請求項１２に記載の基板の洗浄・乾燥処理装置において、
　
前記気体供給手段は、前記不活性ガス供給管路を通して供給される不活性ガスを加熱するヒータをさらに備えた
　【請求項１４】　
請求項９ないし請求項１３のいずれか
　
前記基板昇降手段により前記洗浄槽内の純水中から前記密閉チャンバ内へ基板を上昇させた後に前記密閉チャンバ内を減圧させる減圧手段をさらに備えた
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の属する技術分野】
　この発明は、半導体デバイス製造プロセス、液晶ディスプレイ製造プロセス、電子部品関連製造プロセスなどにおいて、シリコンウエハ、ガラス基板、電子部品等の各種基板を純水で洗浄した後その基板表面を乾燥させる基板の洗浄・乾燥処理方法、ならびに、その方法を実施するために使用される基板の洗浄・乾燥処理装置に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　シリコンウエハ等の各種基板を、温水を使用して洗浄し、その洗浄後に基板表面を乾燥させる方法としては、従来、例えば特開平３−３０３３０号公報に開示されているような方法が知られている。同号公報には、基板をチャンバ内に収容し、そのチャンバ内に温水を注入して基板を温水に浸した後、チャンバ内を温水の蒸気圧以下に減圧して温水を沸騰させ、この温水の減圧沸騰により基板を洗浄し、その洗浄後にチャンバ内に純水を注入し、純水によって基板をすすいで清浄にした後、チャンバ内の水を排出させるとともに、チャンバ内を真空引きして、洗浄された基板を乾燥させるようにする基板の洗浄・乾燥処理方法が開示されている。また、同号公報には、チャンバ内の水を排出させる際に、その排水と同時に窒素ガスをチャンバ内に供給することにより、基板に塵埃が付着するのを窒素ガスによって有効に防止するようにする技術が開示されている。
　【０００３】
　また、特開平３−１６９０１３号公報には、密閉された容器内に温水を入れ、半導体ウエハを容器に懸架して支持し温水中に浸漬させて洗浄した後、容器内にウエハを移動させないよう保持した状態で、容器内へ水と相溶性のあるイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）等の乾燥蒸気を供給するとともに、容器下部から水を排出させ、ウエハの表面に水滴が残らないように水の流出速度および乾燥蒸気の流入速度を制御しながら、水をウエハ表面から乾燥蒸気で置換し、その後に乾燥した窒素等の不活性で非凝縮性ガスを容器内に導入してウエハ表面から乾燥蒸気をパージすることにより、ウエハを乾燥させるようにする方法が開示されている。
　【０００４】
　【発明が解決しようとする課題】
　上記した特開平３−３０３３０号公報に開示された方法では、温水により基板を洗浄し純水で基板をすすいだ後、基板を静止させたままチャンバ内から排水するようにしている。このように、基板を静止させた状態で排水し、チャンバ内の液面を下げていって基板の周囲から水を排除するようにしているが、チャンバからの排水過程では、洗浄によって基板表面から除去されて液中に拡散したパーティクルが液面付近に集中する。このため、静止した基板の表面上を液面が下降していく際に、基板の表面にパーティクルが再付着し易い、といった問題点がある。
　【０００５】
　また、特開平３−１６９０１３号公報に開示された方法では、密閉容器内において温水により基板を洗浄した後、基板を静止させたまま容器から排水するとともに、容器内へＩＰＡ蒸気等の乾燥蒸気を供給し、水をＩＰＡ蒸気等で置換して基板を乾燥させるようにしている。このように、密閉容器内で基板を静止させたまま水をＩＰＡ蒸気等で置換することだけで、基板の乾燥処理を行うようにしているため、ＩＰＡ等の有機溶剤を多量に必要とするばかりでなく、使用される有機溶剤の沸点、例えばＩＰＡでは８０℃の温度付近まで基板の温度を上昇させておかないと、基板表面上に蒸気凝縮したＩＰＡが速やかに蒸発しないことにより、乾燥時間が長くなってしまう、といった問題点がある。
　【０００６】
　この発明は、以上のような事情に鑑みてなされたものであり、シリコンウエハ等の基板を純水で洗浄した後その基板表面を乾燥させる場合に、基板表面へのパーティクルの付着を少なく抑えることができるとともに、乾燥処理のために使用される有機溶剤の量も少なくて済み、また、基板を特に加熱したりしなくても乾燥が速やかに行われるような基板の洗浄・乾燥処理方法を提供すること、ならびに、その方法を好適に実施することができる基板の洗浄・乾燥処理装置を提供することを目的とする。
　【０００７】
　【課題を解決するための手段】
　請求項１に係る発明は、基板の洗浄および乾燥処理を行う方法において、洗浄槽内へ純水を供給し、前記洗浄槽内部において純水の上昇水流を形成するとともに前記洗浄槽上部の越流部から純水を溢れ出させておき、前記洗浄槽の上方側に形成された基板の収容が可能である密閉された空間から、純水が溢れ出ている前記洗浄槽内へ基板を下降させ、純水の上昇水流が形成されているとともに純水が前記越流部から溢れ出ている前記洗浄槽内の純水中に基板を所定時間浸漬させ、前記洗浄槽内において純水の上昇水流が形成されているとともに純水が前記越流部から溢れ出ている状態で、前記洗浄槽内の純水中から前記密閉された空間へ基板を上昇させ、
前記洗浄槽内の純水中から前記密閉された空間へ基板を上昇させる前に、
し、少なくとも前記密閉された空間から前記洗浄槽内へ基板を下降させてから前記洗浄槽内の純水中から前記密閉された空間へ基板を上昇させるまで、前記密閉された空間を形成する壁面を加熱
　請求項２に係る発明は
、洗
前記洗浄槽内において純水の上昇水流が形成されているとともに純水が前記越流部から溢れ出ている状態で、
前記洗浄槽内の純水中から前記密閉された空間へ基板を上昇させる前に、
　
請求項３
請求項２
　
請求項４
請求項３
　
請求項５
請求項４
　
請求項６
請求項５
　
請求項７
請求項６
　
請求項８
請求項６
　【０００８】
　
請求項９
前記基板昇降手段により前記洗浄槽内の純水中から前記密閉チャンバ内へ基板を上昇させる前に
少なくとも前記基板昇降手段により前記密閉チャンバ内から前記洗浄槽内の純水中へ基板を下降させてから前記洗浄槽内の純水中から前記密閉チャンバ内へ基板を上昇させるまで、前記密閉チャンバの壁面を加熱する加熱手段と、
　
請求項１０
基板の洗浄および乾燥処理を行う
純水を越流させるための越流部を上部に有し、純水を内部に収容する洗浄槽と、前記洗浄槽の上方を閉鎖的に包囲し基板の収容が可能である密閉チャンバと、別記密閉チャンバ内から前記洗浄槽内の純水中へ基板を下降させるとともに、前記洗浄槽内の純水中から前記密閉チャンバ内へ基板を上昇させる基板昇降手段と、前記基板昇降手段により前記密閉チャンバ内から前記洗浄槽内の純水中へ基板を下降させる前から前記洗浄槽内の純水中に基板を浸漬させ前記洗浄槽内の純水中から前記密閉チャンバ内へ基板を上昇させるまで、前記洗浄槽内へ純水を継続して供給し、前記洗浄槽内部において純水の上昇水流を形成するとともに前記越流部から純水を溢れ出させる純水供給手段と、前記基板昇降手段により前記洗浄槽内の純水中から前記密閉チャンバ内へ基板を上昇させる前に前記密閉チャンバ内へ有機溶剤の蒸気を供給するとともに、前記密閉チャンバ内へ有機溶剤の蒸気を供給する前に前記密閉チャンバ内へ不活性ガスを供給する気体供給手段と、を備えた
　
請求項１１
請求項９または請求項１０
　
請求項１２
請求項９ないし請求項１１
　
請求項１３
請求項１２
　
請求項１４
請求項９ないし請求項１３
　【０００９】
　【００１０】
　【００１１】
　【発明の実施の形態】
　以下、この発明の好適な実施形態について図面を参照しながら説明する。
　【００１２】
　図１は、この発明に係る基板の洗浄・乾燥処理方法を実施するために使用される装置の全体構成の１例を示す概略図であり、図２は、その装置の洗浄・乾燥処理部の構成を示す側面断面図である。
　【００１３】
　まず、洗浄・乾燥処理部１０の構成について説明する。洗浄・乾燥処理部１０は、洗浄槽１２、溢流水受け部１４および密閉チャンバ１６から構成されている。洗浄槽１２には、その底部に純水供給口１８が形成され、一方、その上部に越流部２０が形成されていて、越流部２０を越えて洗浄槽１２から溢れ出た純水が溢流水受け部１４内へ流れ込むように、洗浄槽１２と溢流水受け部１４とで二重槽構造となっている。また、洗浄槽１２は、その内部に収容された純水中に基板、例えばシリコンウエハを複数枚収容したカセットＣが完全に浸漬され得るような内容積を有している。そして、洗浄槽１２および溢流水受け部１４の上方空間は、密閉チャンバ１６によって閉鎖的に包囲されている。密閉チャンバ１６の前面側には、複数枚のウエハを収容したカセットＣを出し入れするための開口２２が形成されており、その開口２２を開閉自在に気密に閉塞することができる密閉蓋２４が設けられている。また、密閉チャンバ１６の側壁面には、蒸気供給口２６が形成されている。さらに、密閉チャンバ１６の外壁面には、それを被覆するようにラバーヒータ２５が配設されており、また、密閉蓋２４には、密閉チャンバ１６の内壁面の温度を検出するための温度計２７が、密閉蓋２４の壁面を貫通して取り付けられている。
　【００１４】
　また、密閉チャンバ１６内には、ウエハを収容したカセットＣを保持する保持部材２８が配設されており、この保持部材２８を上下方向に往復移動させて、保持部材２８に保持されたカセットＣを、二点鎖線で示した洗浄槽上方位置と実線で示した洗浄槽内部位置との間で昇降移動させる昇降駆動機構が密閉チャンバ１６に併設されている。昇降駆動機構は、上端部が保持部材２８に連接された駆動ロッド３０、この駆動ロッド３０を摺動自在に支持する軸受装置３２、駆動プーリ３４および従動プーリ３６、両プーリ３４、３６間に掛け渡され、駆動ロッド３０の下端部が固着されたベルト３８、ならびに、駆動プーリ３４を回転駆動する駆動用モータ４０から構成されている。なお、上記保持部材２８により複数のウエハを直接保持させることにより、カセットＣを省略する構成とすることも可能である。
　【００１５】
　洗浄槽１２の純水供給口１８には、純水供給源に連通接続された純水供給管路４２が管路４４、４６を介して連通接続されており、純水供給管路４２には、エアー開閉弁４８、フィルター装置５０およびボール弁５２が介設されている。また、純水供給管路４２の途中に純水リターン管路５４が分岐接続されており、純水リターン管路５４にはエアー開閉弁５６が介設されている。洗浄槽１２の純水供給口１８は、純水供給管路４２とは別に、管路４４から分岐した純水排出管路５８に連通接続されており、純水排出管路５８は、管路６０を介してドレンに接続している。一方、溢流水受け部１４には排水口６２が形成され、その排水口６２に管路６４を介して排水管路６６が連通接続されており、排水管路６６は、純水排出管路５８と合流して管路６０を介しドレンに接続している。純水排出管路５８および排水管路６６には、それぞれエアー開閉弁６８、７０が介設されている。
　【００１６】
　さらに、洗浄槽１２の純水供給口１８は、管路４６から分岐した真空排気管路７２に連通接続されており、一方、溢流水受け部１４の排水口６２は、管路６４から分岐した真空排気管路７４に連通接続されている。各真空排気管路７２、７４には、エアー開閉弁７６、７８がそれぞれ介設されており、両真空排気管路７２、７４は合流し、真空排気管路８０を介して水封式真空ポンプ８２に連通接続している。図中の８４は、真空排気管路８０に介設されたボール弁である。
　【００１７】
　また、密閉チャンバ１６の蒸気供給口２６には、不活性ガス、例えば窒素（Ｎ２）ガスの供給源に連通接続された蒸気供給用管路８６が連通接続されており、蒸気供給用管路８６には、エアー開閉弁８８、ヒータ９０、アルコール蒸気発生ユニット９２およびフィルター９４が介設されている。アルコール蒸気発生ユニット９２では、メチルアルコール、エチルアルコール、ＩＰＡ等のアルコール類の蒸気が生成される。なお、アルコール類以外に、アルコール類と同様に水溶性でかつ基板に対する純水の表面張力を低下させる作用を有する有機溶剤として、アセトン、ジエチルケトン等のケトン類、メチルエーテル、エチルエーテル等のエーテル類、エチレングリコール等の多価アルコールなどを使用することもできるが、金属等の不純物の含有量が少ないものが市場に多く提供されている点などからすると、ＩＰＡを使用するのが最も好ましい。このアルコール蒸気発生ユニット９２におけるアルコール蒸気の発生方法としては、アルコール中に不活性ガスを吹き込む方法、バブリングする方法、超音波を利用する方法など、適宜の方法を使用するようにすればよい。また、アルコール蒸気発生ユニット９２には、温調機能が備わっており、所定温度に調節されたアルコール蒸気が生成されるようになっている。さらに、この蒸気供給用管路８６の途中には、エアー開閉弁８８とヒータ９０との間の区間で分岐しアルコール蒸気発生ユニット９２とフィルター９４との間の区間で合流する分岐管路９５が設けられており、その分岐管路９５にイオナイザー９６およびエアー開閉弁９８が介設されている。そして、エアー開閉弁８８が開いた状態で、窒素ガス供給源から送られる窒素ガスがヒータ９０によって加熱され、その加熱された窒素ガスにより、アルコール蒸気発生ユニット９２で発生したアルコール蒸気が蒸気供給用管路８６を通して送られ、アルコール蒸気が窒素ガスと共にフィルター９４によって清浄化された後、蒸気供給口２６を通して密閉チャンバ１６内へ供給される構成となっている。また、エアー開閉弁９８を開くことにより、窒素ガス供給源から送られヒータ９０によって加熱された窒素ガスをイオナイザー９６によってイオン化させ、その加熱されかつイオン化されフィルター９４によって清浄化された窒素ガスを蒸気供給口２６を通して密閉チャンバ１６内へ供給することができるようにもなっている。
　【００１８】
　さらに、この装置には、温度計２７の検出信号に基づいてラバーヒータ２５を制御することにより、密閉チャンバ１６の内壁面の温度を所定温度、例えば温純水の温度以上に所望期間保持させるための制御器１００が設けられている。
　【００１９】
　次に、上記した構成の基板の洗浄・乾燥処理装置を使用し、基板、例えばシリコンウエハの洗浄および乾燥処理を行う方法の１例について説明する。
　【００２０】
　まず、エアー開閉弁４８、７０を開き、それ以外のエアー開閉弁５６、６８、７６、７８、８８、９８を閉じた状態で、純水供給源から純水供給管路４２および管路４６、４４を通して純水、例えば温純水を送り、洗浄槽１２内へその底部の純水供給口１８から温純水を連続して供給することにより、洗浄槽１２の内部に温純水の上昇水流を形成する。このとき、洗浄槽１２内部を満たした温純水は、その上部の越流部２０から溢れ出て、洗浄槽１２の上部で温純水の横溢水流を形成する。洗浄槽１２上部の越流部２０から溢れ出た温純水は、溢流水受け部１４内へ流入し、溢流水受け部１４から排水口６２を通り、排水管路６６および管路６０を通ってドレンに排出される。また、同時に、ラバーヒータ２５により密閉チャンバ１６の壁面を加熱する。この加熱は、密閉蓋２４の壁面に取り付けられた温度計２７の検出信号に基づき、制御器１００によってラバーヒータ２５を制御し、密閉チャンバ１６の内壁面の温度が所定温度、例えば温純水の温度（１例として６０°）以上に保持されるように行われる。このように密閉チャンバ１６の内壁面を加熱しておくことにより、後述するウエハの洗浄中や温純水中からのウエハの引上げ過程において、密閉チャンバ１６の内壁面などへの水蒸気の結露が起こらず、アルコール蒸気がウエハの周囲へ供給された際に、その蒸気の熱エネルギーが結露した水滴で奪われる、といったことが防止されて、ウエハの乾燥効率が向上することになる。そして、カセットＣに収容された複数枚のウエハが開口２２を通して密閉チャンバ１６内へ搬入され、密閉蓋２４が気密に閉塞される。
　【００２１】
　次に、昇降駆動機構を作動させ、保持部材２８に保持されたカセットＣを図２の実線位置まで下降させて、洗浄槽１２内の温純水中にウエハを浸漬させ、温純水の上昇水流中にウエハを所定時間置くことによりウエハを洗浄する。これにより、ウエハの表面からパーティクルが除去される。そして、ウエハ表面から除去されて温純水中へ拡散していったパーティクルは、洗浄槽１２の上部の越流部２０から溢れ出る温純水と共に洗浄槽１２から排出される。
　【００２２】
　ウエハの洗浄が終了すると、昇降駆動機構を作動させて、保持部材２８に保持されたカセットＣを図２の二点鎖線で示した位置まで上昇させ、ウエハを洗浄槽１２内の温純水中から引き上げる。このようにウエハを上昇させて温純水中から引き上げるようにしているので、温純水中に拡散していったパーティクルがウエハの表面に再付着するといったことは起こらない。そして、温純水中からウエハを引上げ始める
以前に
温純水中からのウエハの引上げ開始時点で純水界面がアルコール蒸気で満たされた状態になっているようにしておき、さらに、
。ま
　【００２３】
　なお、エアー開閉弁８８を開いて密閉チャンバ１６内へアルコール蒸気を供給する前に、エアー開閉弁９８を開いて、窒素供給源から分岐管路９５を通して加熱された窒素ガス（イオン化されていることは不要）を密閉チャンバ１６内へ送り込むようにし、フィルター９４を加温しておくことが好ましい。また、エアー開閉弁８８を開いて密閉チャンバ１６内へアルコール蒸気を供給するのと併行し、エアー開閉弁９８も開いて、加熱されイオン化された窒素ガスを密閉チャンバ１６内へ送り込むようにしてもよい。このように加熱されイオン化された窒素ガスを密閉チャンバ１６内へ送り込むことにより、密閉チャンバ１６が耐食性材料で形成されて絶縁体構造となっていることにより密閉チャンバ１６内に静電気が多量に発生（２ｋＶ〜１０ｋＶ）しても、その静電気は、イオン化された窒素ガスによって電気的に中和されて消失する。このため、静電気が原因となってウエハの表面にパーティクルが付着するといったことが有効に防止される。
　【００２４】
　温純水中からのウエハの引上げが終了すると、エアー開閉弁４８を閉じるとともにエアー開閉弁５６を開いて、洗浄槽１２への温純水の供給を停止させ、同時に、エアー開閉弁６８を開いて、洗浄槽１２内の温純水を純水排出管路５８および管路６０を通してドレンへ排出し、洗浄槽１２からの温純水の排出が終わると、エアー開閉弁６８、７０を閉じる。また、洗浄槽１２から温純水を排出し始めるのと同時に、エアー開閉弁７６、７８を開いて、水封式真空ポンプ８２を作動させ、各真空排気管路７２、７４および真空排気管路８０を通して密閉チャンバ１６内を真空排気し、密閉チャンバ１６内を減圧状態にすることにより、ウエハの表面に凝縮して純水と置換したアルコールを蒸発させてウエハを乾燥させる。なお、温純水中からのウエハの引上げが終了して密閉チャンバ１６内の減圧操作を開始した時点で、エアー開閉弁８８を閉じて密閉チャンバ１６内へのアルコール蒸気の供給を停止するようにするが、密閉チャンバ１６内の減圧操作時にもアルコール蒸気を少量だけ密閉チャンバ１６内へ供給し続けてもよい。また、密閉チャンバ１６内の減圧操作と密閉チャンバ１６内へのアルコール蒸気の供給操作とを交互に繰り返すようにしてもよい。
　【００２５】
　ウエハの乾燥が終了すると、真空ポンプ８２を停止させて、密閉チャンバ１６内を減圧下から大気圧下へ戻すようにする。なお、上記したように、密閉チャンバ１６内へアルコール蒸気を供給するのと併行して加熱されイオン化された窒素ガスを密閉チャンバ１６内へ送り込むようにしたときは、減圧状態下でのウエハの乾燥が終了するまで加熱されイオン化された窒素ガスを少量だけ密閉チャンバ１６内へ供給し続け、ウエハの乾燥が終了した後密閉チャンバ１６内を大気圧下へ戻すまでの間も、密閉チャンバ１６内へ加熱された窒素ガス（イオン化されていることは不要）を供給するようにしてもよい。そして、最後に、エアー開閉弁９８を閉じて、密閉チャンバ１６の窒素ガスの供給を停止した後、密閉蓋２４を開放し、洗浄・乾燥処理が終了したウエハを収容したカセットＣが開口２２を通して密閉チャンバ１６外へ取り出される。
　【００２６】
　以上の一連のウエハ洗浄・乾燥処理工程におけるタイムチャートを図３に示す。
　【００２７】
　なお、上記した説明では、窒素ガス供給源から送られる窒素ガスをヒータによって加熱し、その加熱された窒素ガスにより、アルコール蒸気発生ユニットで発生したアルコール蒸気を密閉チャンバ内へ送るようにしているが、窒素ガス供給源から送られる窒素ガスを加熱せずに、その窒素ガスによってアルコール蒸気を密閉チャンバ内へ送り込むようにしてもよい。また、洗浄槽内において基板を洗浄するのに温純水ではなく純水を使用するようにしてもよい。さらに、密閉チャンバの壁面を加熱する手段としては、上記説明ならびに図面に示したようなラバーヒータに代えて、ＵＶランプ等を使用するようにしてもよいし、また、
密閉チャンバ内へアルコール蒸気を供給する前に窒素ガスを密閉チャンバ内へ送り込むようにする場合において、
　【００２８】
　【発明の効果】
　請求項１ないし
請求項８
請求項９ないし請求項１４
　【００２９】
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　この発明に係る基板の洗浄・乾燥処理方法を実施する装置の全体構成の１例を示す概略図である。
　【図２】
　図１に示した装置の洗浄・乾燥処理部の構成を示す側面断面図である。
　【図３】
　この発明の方法による一連のウエハ洗浄・乾燥処理工程におけるタイムチャートの１例を示す図である。
　【符号の説明】
　１０　洗浄・乾燥処理部
　１２　洗浄槽
　１４　溢流水受け部
　１６　密閉チャンバ
　１８　純水供給口
　２０　越流部
　２４　密閉蓋
　２５　ラバーヒータ
　２６　蒸気供給口
　２７　温度計
　２８　保持部材
　３０　駆動ロッド
　３８　ベルト
　４０　駆動用モータ
　４２　純水供給管路
　４８、５６、６８、７０、７６、７８、８８　エアー開閉弁
　５８　純水排出管路
　６２　排水口
　６６　排水管路
　７２、７４、８０　真空排気管路
　８２　水封式真空ポンプ
　８６　蒸気供給用管路
　９０　ヒータ
　９２　アルコール蒸気発生ユニット
　１００　制御器