【事件の表示】
　特許第３３６３０５４号「積層複合電子部品」の請求項１、２に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　本件特許異議の申立てを却下する。
【理　由】
１．手続きの経緯
 　特許第３３６３０５４号の請求項１ないし３に係る発明についての出願は、 平成９年２月２８日に特許出願され、平成１４年１０月２５日にその特許の設定登録がなされ、その後、その特許の請求項１及び２に係る発明について、異議申立人遠藤昭子より特許異議の申立てがなされ、平成１６年４月１４日付で取消理由が通知され、その指定期間内である平成１６年６月１２日に訂正請求がなされたものである。
　
２．訂正の適否についての判断
（１）訂正の内容
訂正事項a 
  請求項１及び２を削除する。
　
訂正事項ｂ
　請求項１及び２を択一的に引用する多数項引用形式の請求項３を、下記のように二つの請求項に訂正する。
「コイル磁芯を構成する磁性体セラミック層（１）、（１）…の間で順次接続されてコイル状に連なった内部電極（５ａ）、（５ｂ）…を有する磁性体セラミック層（１）、（１’）と、この磁性体セラミック層（１）、（１’）に積層された他の種類のセラミック層とを有する積層複合電子部品において、前記内部電極（５ａ）、（５ｂ）…を有する磁性体セラミック層（１）と他種のセラミック層との間に、前記内部電極（５ａ）、（５ｂ）…を有する磁性体セラミック層（１）より透磁率の高い中間磁性体セラミック層（２）、（３）、（４）が介在されていると共に、前記他種のセラミック層が、少なくとも一部に対向する内部電極（８ａ）、（８ｂ）を有する誘電体セラミック層（７）、（９）であることを特徴とする積層複合電子部品。」
「中間磁性体セラミック層（２）、（３）、（４）が複数層積層され、内部電極（５ａ）、（５ｂ）…を有する磁性体セラミック層（１）に近い側より他種セラミック層に近い側の中間磁性体体セラミック層（２）、（３）、（４）の透磁率が高いことを特徴とする請求項１に記載の積層複合電子部品。」
訂正事項ｃ
　訂正事項ｂで二つの請求項とした請求項の項番号を、それぞれ請求項１，２とする。
　
訂正事項ｄ
　明細書の段落番号【００１０】に記載の「内部電極５ａ、５ｂ…を有する磁性体セラミック層１に近い側より他種セラミック層に近い側の中間磁性体体セラミック層２、３、４」を、「内部電極５ａ、５ｂ…を有する磁性体セラミック層１に近い側より他種セラミック層に近い側の中間磁性体セラミック層２、３、４」と訂正する。
　
訂正事項ｅ
　明細書の段落番号【００１０】に記載の「磁性体セラミック層１、１’、２、３、４と積層する他種のセラミック層は、対向する少なくとも一部に内部電極８ａ、８ｂを有する誘電体セラミック層７、９であるのが最も一般的である。すなわち、積層複合電子部品の代表的なものは、積層ＬＣ部品である。」を、「磁性体セラミック層１、１’、２、３、４と積層する他種のセラミック層は、対向する少なくとも一部に内部電極８ａ、８ｂを有する誘電体セラミック層７、９である。すなわち、積層複合電子部品の代表的なものは、積層ＬＣ部品である。」と訂正する。
　
訂正事項ｆ
　明細書の段落番号【００２１】に記載の「この未焼成の積層チップを焼成しすることにより」を、「この未焼成の積層チップを焼成することにより」と訂正する。
　
（２）訂正の目的の適否、新規事項の有無及び特許請求の範囲の拡張・変更の存否
訂正事項ａについて
　訂正事項ａは、請求項を削除する訂正であり、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
訂正事項ｂについて　
　訂正事項ｂは、請求項１及び２を択一的に引用する多数項引用形式の請求項３において、請求項１を引用する引用形式請求項と請求項２を引用する引用形式請求項との二つの請求項に変更し、前者を独立形式請求項に、後者をこれを引用する引用形式請求項に変更するものであって、請求項１及び２の削除に伴う、明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
訂正事項ｃについて
　訂正事項ｃは、訂正事項ａ及びｂの訂正に伴い、請求項３を繰り上げて、新たな請求項１及び２と訂正するものであって、明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
訂正事項ｄについて
　訂正事項ｄは、誤記の訂正を目的とするものである。
訂正事項ｅについて
　訂正事項ｅは、訂正事項ａないしｃの訂正に伴い、特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明の記載との整合を図るための訂正であって、明りょうでない記載の釈明を目的としたものである。
訂正事項ｆについて
　訂正事項ｆは、誤記の訂正を目的とするものである。
　
　そして、上記各訂正事項は、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内におけるものであって、かつ、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。
　
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法第１２０条の４第２項及び同条第３項において準用する特許法第１２６条第２項から第４項までの規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
３．特許異議の申立てについての判断
　訂正前の請求項１及び２に係る発明は、訂正の結果削除され、特許異議の申立の対象が存在しないので、この特許異議の申立は、不適法な申立であって、その補正をすることができないものである。
　
　したがって、本件特許異議の申立は、特許法第１２０条の６第１項で準用する１３５条の規定によって却下すべきものである。
　
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１６年６月２９日（２００４．６．２９）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
積層複合電子部品
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　コイル磁芯を構成する磁性体セラミック層（１）、（１）…の間で順次接続されてコイル状に連なった内部電極（５ａ）、（５ｂ）…を有する磁性体セラミック層（１）、（１’）と、この磁性体セラミック層（１）、（１’）に積層された他の種類のセラミック層とを有する積層複合電子部品において、前記内部電極（５ａ）、（５ｂ）…を有する磁性体セラミック層（１）と他種のセラミック層との間に、前記内部電極（５ａ）、（５ｂ）…を有する磁性体セラミック層（１）より透磁率の高い中間磁性体セラミック層（２）、（３）、（４）が介在されている
と共に、前記他種のセラミック層が、少なくとも一部に対向する内部電極（８ａ）、（８ｂ）を有する誘電体セラミック層（７）、（９）である
　【請求項２】　中間磁性体セラミック層（２）、（３）、（４）が複数層積層され、内部電極（５ａ）、（５ｂ）…を有する磁性体セラミック層（１）に近い側より他種セラミック層に近い側の中間磁性体体セラミック層（２）、（３）、（４）の透磁率が高いことを特徴とする請求項１に記載の積層複合電子部品。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の属する技術分野】
　本発明は、磁性体セラミックと誘電体セラミックのように、異種のセラミック層を積層してなる積層複合電子部品に関し、例えば、磁性体セラミック層に周回状の内部電極を形成したインダクタ部と、誘電体セラミック層に対向する内部電極を形成したコンデンサ部とを組み合わせた積層複合電子部品に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　積層複合電子部品の製造において、積層体を得るプロセスに、スラリビルト法とシート法との２つの手法がある。前者のスラリビルト法は、磁性体ペーストと導電ペーストとをスクリーン印刷等によって順次塗り重ねて磁性体層と周回状の内部電極パターンとを形成し、さらに誘電体ペーストと導電ペーストとを順次塗り重ねて誘電体層と対向する内部電極パターンとを形成していく方法である。また、後者のシート法は、スクリーン印刷等によって予め導電ペーストにより周回状の内部電極パターンが印刷された磁性体セラミックグリーンシートを積層し、さらに、予め導電ペーストにより対向する内部電極パターンが印刷された誘電体シートを積層するものである。各磁性体セラミックグリーンシートに形成した周回状の内部電極パターンは、予め磁性体セラミックグリーンシートに設けたスルーホール導体で順次接続する。
　【０００３】
　前記の何れの方法で得られた積層体でも、最終的にはそれが焼成され、さらに導体の露出している両端面に導電ペーストを焼き付け、外部電極が形成される。これによって積層複合電子部品が得られる。こうして得られた積層体の内部には、磁性体層と誘電体層とが一体となっている。そして、磁性体層には、その積層方向に重畳して周回するコイル状の内部電極が形成され、この内部電極の一部は、前記積層体の端部で外部電極に接続される。また、誘電体層には、同層を介して交互に対向する一対以上の内部電極が形成され、この内部電極が前記積層体の対向する端面に交互に導出され、それぞれ外部電極に接続される。これにより、外部電極を介してインダクタとコンデンサとが所定の状態に接続される。
　【０００４】
　このような積層複合電子部品では、その製造工程において、異種のセラミックの積層体を接合した状態の積層体を高温で焼成する。
　ところが、磁性体セラミック層や誘電体セラミック層のように、異種のセラミック層を積層した積層体を高温で焼成すると、磁性体セラミックに含まれる磁性体成分が誘電体セラミック層側に拡散してしまう。また、磁性体セラミック層と誘電体セラミック層とでは、その熱膨張率が大きく異なるため、積層体を焼成したときの、各セラミック層の熱膨張、熱収縮の違いによって、焼成時に積層体内部に熱応力が生じる。このような磁性体成分の拡散や熱応力は、磁性体セラミック層の透磁率の低下の原因となる。この結果、焼成後の積層体から得られる積層複合電子部品のインダクタンス値が所望の設計値より低下してしまうという課題がある。
　【０００５】
　従来では、このような焼成時における磁性体セラミック層の透磁率の低下によるインダクタンス値の低下を防止するため、次の（ａ）〜（ｂ）のような対策がとられていた。
（ａ）内部電極を有する磁性体セラミック層と誘電体セラミック層との間に、内部電極を有しない、いわゆるブランクの磁性体セラミック層を何層も挿入することで、内部電極を有する磁性体セラミック層と誘電体セラミック層との間を離す。
（ｂ）コイル状の内部電極の内側の面積、すなわち磁芯面積を増やす。
（ｃ）予め焼成時の透磁率の低下を見込んで、高めの透磁率を有する磁性体セラミック材料を使用してセラミックグリーンシートを積層する。
（ｄ）１層当りの磁性体セラミック層を薄くし、その分だけ磁性体セラミック層の積層数を増やし、コイル状の内部電極のターン数を増大させる。
　【０００６】
　【発明が解決しようとしている課題】
　とことが、この種の積層複合電子部品は、他の電子部品と同様に小型化の要請が著しく、年々小型化が図られている。これに対し、前記（ａ）や（ｂ）の対策法では、積層体が厚く或は長く且つ幅広になり、小型化に逆行することなる。また、前記（ｃ）の対策法では、コイル磁芯となる部分の透磁率が高くなることから、周波数−インダクタンス特性が変化してしまう。さらに、前記（ｄ）の対策法では、磁性体セラミック層の薄層化により、コイル状の内部電極間の対向距離が小さくなり、インダクタ部分の浮遊静電容量が大きくなり、ＬＣ部品としての周波数特性が変化してしまう。
　【０００７】
　本発明は、このような従来の積層複合電子部品の焼成時のインダクタンス値の低下という課題に鑑み、積層複合電子部品の外形や寸法等を変えることなく、簡便な手段で積層複合電子部品の焼成時のインダクタンス値の低下を防止することが出来、なお且つ良好な周波数−インダクタンス特性が得られる積層複合電子部品を提供することを目的とする。
　【０００８】
　【課題を解決するための手段】
　前記の目的を達成するため、本発明では、コイル状に連なった内部電極５ａ、５ｂ…を有する磁性体セラミック層１、１’と、他種のセラミック層との間に、前記内部電極５ａ、５ｂ…を有する磁性体セラミック層１、１…より透磁率の高い中間磁性体セラミック層２、３、４を挿入したものである。これにより、積層体の焼成時に、磁性体セラミック層１、１…と他種セラミック層との間の磁性体セラミック層が所要の透磁率以下に低下しないようにすると共に、透磁率の低下がコイル磁芯となるコイル状の内部電極５ａ、５ｂ…を有する磁性体セラミック層１、１…に及ばないようにしたものである。
　【０００９】
　すなわち、本発明による積層複合電子部品は、コイル磁芯を構成する磁性体セラミック層１、１…の間で順次接続されてコイル状に連なった内部電極５ａ、５ｂ…を有する磁性体セラミック層１、１’と、この磁性体セラミック層１、１’に積層された他の種類のセラミック層とを有し、前記内部電極５ａ、５ｂ…を有する磁性体セラミック層１と他種のセラミック層との間に、前記内部電極５ａ、５ｂ…を有する磁性体セラミック層１より透磁率の高い中間磁性体セラミック層２、３、４が介在されていることを特徴とする。
　【００１０】
　ここで、中間磁性体セラミック層２、３、４を複数層積層し、内部電極５ａ、５ｂ…を有する磁性体セラミック層１に近い側より他種セラミック層に近い側の
中間磁性体
　磁性体セラミック層１、１’、２、３、４と積層する他種のセラミック層は、対向する少なくとも一部に内部電極８ａ、８ｂを有する誘電体セラミック層７、９
である。
　【００１１】
　このような積層複合電子部品において、インダクタ部分のインダクタンスは、主として周回状の内部電極５ａ、５ｂ…の巻き数、その内側のコイル磁芯の形状、寸法、及びそのコイル磁芯の透磁率によって決定される。ここで、コイル磁芯となるのは、周回状の内部電極５ａ、５ｂ…が形成された磁性体セラミック層１、１…の部分である。従って、その透磁率は、積層電子部品のインダクタンスに大きな影響を与える。
　【００１２】
　しかしながら、前記コイル磁芯を構成する磁性体セラミック層１、１…の外側の内部電極５ａ、５ｂ…が形成されていないブランクの磁性体セラミック層１’、１’…も、少なからず積層電子部品のインダクタンス値に影響を与えている。そして、特に誘電体セラミック層７、９に近いブランクの磁性体セラミック層１’、１’は、積層体の焼成時に、前述のようにして透磁率の低下を来すため、出来上った積層複合電子部品のインダクタンス値が低下するものである。
　【００１３】
　そこで本発明では、この磁性体セラミック層１、１’と他種のセラミック層との間のブランクのセラミック層の部分に、コイル磁芯を構成する前記磁性体セラミック層１、１…と同じ透磁率の磁性体セラミック層１’を積層するのに替えて、より高い透磁率の中間磁性体セラミック層２、３、４を挿入することにより、積層体の焼成時に積層電子部品のインダクタンス値の低下を防止するものである。すなわち、積層体の焼成時に透磁率の低下を来す部分に、予め透磁率の低下を見越して透磁率の高い中間磁性体セラミック層２、３、４を挿入することにより、その部分の透磁率が所要の値以下に低下しないようにする共に、内部電極５ａ、５ｂ…を有するセラミック層１、１…に透磁率の低下が及ばないようにしたものである。
　【００１４】
　しかも、このような積層電子部品は、内部電極５ａ、５ｂ…を有する磁性体セラミック層１、１…と同じ透磁率のブランクの磁性体セラミック層１’、１’…の一部または全部に代えて、前記磁性体セラミック層２、３、４を挿入すればよいので、積層体１１の積層数や形状、寸法を変えることなく、インダクタンス値の低下を防止することが出来る。
　【００１５】
　【発明の実施の形態】
　次に、図面を参照しながら、本発明の実施の形態について、具体的且つ詳細に説明する。
　図１は、積層ＬＣ部品である積層複合電子部品の積層体の構造を示す概念図である。このような積層体は、通常次のようにして多数のものが同時に製造される。
　【００１６】
　まず、フェライト粉末等の磁性体粉末をバインダー中に分散した磁性体スラリーを用い、ドクターブレード法、押出成形法等の手段で薄い磁性体セラミックグリーンシートを作る。これらのセラミックグリーンシートの所定の位置に予めスルーホールを打ち抜く。その後、銀ペースト等の導電ペーストを使用し、このセラミックグリーンシートの上に周回状の内部電極電極パターンを縦横に列べて多数組分印刷すると共に、上記スルーホールに導電ペーストを吸引し、スルーホール導体を印刷する。
　【００１７】
　また、酸化チタン等の誘電体粉末を含む誘電体セラミックグリーンシートを用意し、銀ペースト等の導電ペーストを使用し、このセラミックグリーンシートの一部に内部電極パターンを縦横に列べて多数組分印刷する。
　さらに、これら磁性体セラミックグリーンシートと誘電体セラミックグリーンシートの他に、前記磁性体セラミックより透磁率の高い磁性体セラミックを形成するためのセラミックグリーンシートを用意する。
　【００１８】
　磁性体セラミック層の透磁率は、その中に含まれる磁性体セラミック材料の成分の組成により変えることが出来る。例えば後述するように、Ｆｅ２Ｏ３、ＮｉＯ、ＺｎＯ、ＣｕＯからなるフェライト系磁性体セラミックにおいて、Ｆｅ２Ｏ３を一定の組成比とした場合、ＮｉＯの組成比が少ない程、換言するとその他の成分のＺｎＯ、ＣｕＯの組成比が多い程、透磁率が大きくなる。
　このようにして磁性体セラミックの組成比を変えて、透磁率の異なる磁性体セラミック層が得られる複数種類の磁性体セラミックグリーンシートを用意しておく。この磁性体セラミックグリーンシートには、内部電極は印刷しない。
　【００１９】
　次に、これらのセラミックグリーンシートを積層する。まず、内部電極パターンを印刷していない磁性体セラミックグリーンシートを数枚積層し、その上に必要とするコイルの巻数により、異なる形状の内部電極パターンを有するセラミックグリーンシートを順次積層する。そして、これらセラミックグリーンシートの上に内部電極パターンが印刷されていないセラミックグリーンシートを積層する。この際、内部電極５ａ、５ｂ…を有する磁性体セラミック層１、１…を形成するのと同じ種類のブランクのセラミックグリーンシートの一部または全部に代えて、磁性体セラミックの組成比の異なる、透磁率の高い磁性体セラミック層２、３、４が得られる前記セラミックグリーンシートを積層する。
　【００２０】
　次に、このようにして積層された磁性体セラミックグリーンシートの上に、内部電極が印刷されていない誘電体セラミックグリーンシートを何枚か積層し、この上に互いにずれた内部電極パターンを有するセラミックグリーンシートを交互に積層する。この内部電極を有する誘電体セラミックグリーンシートを必要とする静電容量により、適当な枚数積層する。さらにこの誘電体セラミックグリーンシートの上に、内部電極パターンが印刷されていない誘電体セラミックグリーンシートを積層する。
　【００２１】
　誘電体セラミックグリーンシートと磁性体セラミックグリーンシートとの積層順序は、前後してもよいことはもちろんである。すなわち、誘電体セラミックグリーンシートを予め積層し、その上に磁性体セラミックグリーンシートを積層するが出来るのは、言うまでもない。
　この積層体を圧着した後、個々のチップ毎に裁断し、この未焼成の積層チップを
焼成する
　【００２２】
　こうして得られた積層体１１は、複数のセラミック層１、１…、１’、１’…が積層され、一体となったものであり、その層構造を図１に示す。
　まず、図１において下側に、内部電極が形成されていない磁性体セラミック層１’、１’…、いわゆるブランクの磁性体セラミック層１’、１’…が積層されている。このブランクの磁性体セラミック層１’、１’…は、その上の内部電極５ａ、５ｂ…が形成された磁性体セラミック層１、１…と同じ組成であり、同じ透磁率を有する。
　その上の磁性体セラミック層１、１…には、周回状の内部電極５ａ、５ｂ…が形成されている。これら内部電極５ａ、５ｂ…は、スルーホール６、６…に設けられたスルーホール導体を介して順次接続され、積層体１１の内部でコイル状に連なっている。磁性体セラミック層１、１…は、このコイルの磁芯となる。
　【００２３】
　内部電極５ａ、５ｂ…を有する磁性体セラミック層１、１…のうち、図１において上下の端の磁性体セラミック層１、１に形成された内部電極積５ｅ、５ｆは、積層体１１の対向する一対の端面にそれぞれ導出している。
　さらに、内部電極５ａ、５ｂ…を有する磁性体セラミック層１、１…の上に、それと組成及び透磁率の同じブランクの磁性体セラミック層１’、１’が２層積層され、さらにその上に、より透磁率の高い３層の中間磁性体セラミック層２、３、４が積層されている。この中間磁性体セラミック層２、３、４は、図１において下から上にいくに従って透磁率が段階的に高くなっている。
　【００２４】
　この中間磁性体セラミック層２、３、４の上に、内部電極８ａ、８ｂを有していない、いわゆるブランクの誘電体セラミック層７’、７’…が積層され、この上に内部電極８ａ、８ｂを有する誘電体セラミック層７、７…が積層され、さらにこの上に内部電極８ａ、８ｂを有していない誘電体セラミック層７’、７’…が積層されている。
　誘電体セラミック層７、７…に設けられた内部電極８ａ、８ｂは、同セラミック層７、７…を介して対向している共に、前記内部電極５ｅ、５ｆが導出された積層体１１の対向する一対の端面に交互に導出されている。
　【００２５】
　図６に示すように、このような一体となった積層体１１の両端に銀ペースト等の導電ペーストを塗布し、これを焼き付け、さらに必要に応じてその上にニッケルメッキや半田メッキ等を施して外部電極１４、１４が形成される。この外部電極１４、１４には、積層体１１の端面に導出された前記内部電極５ｅ、５ｆ、８ａ、８ｂ（図１参照）が接続される。これにより、図示の例では、内部電極５ａ、５ｂ…により形成されるインダクタと、内部電極８ａ、８ｂの対向により取得される静電容量とが、外部電極１４、１４を介して並列に接続された状態となる。
　【００２６】
　図６において、符号１２は、ブランクの磁性体セラミック層１’、１’…が積層された保護層部分、符号１３は、内部電極５ａ、５ｂ…を有する磁性体セラミック層１、１…が積層されたコイル部、符号１６は、誘電体セラミック層７、７’が積層されたコンデンサ部、符号１５は、前記コイル部１３とコンデンサ部１６との間に挿入され、磁性体セラミック層１’２、３、４が積層された中間部である。
　【００２７】
　このような積層複合電子部品では、コイル部１３とコンデンサ部１６との間に、コイル部１３を構成する磁性体セラミック層１、１…より透磁率の高い中間磁性体セラミック層２、３、４を有する中間部１５が挿入されているため、積層体の焼成時に、中間磁性体セラミック層２、３、４の透磁率が下がっても、透磁率は、概ね磁性体セラミック層１、１…と同等になる。その結果、所要のインダクタンス値が得られる。そして、焼成時に透磁率の低下が大きいコンデンサ部１６に近い側の中間磁性体セラミック層３、４がより高い透磁率になっているため、焼成後はそれらの透磁率が概ね均衡することになる。また、これら透磁率の高い中間磁性体セラミック層２、３、４により、焼成時の透磁率低下がコイル状の内部電極５ａ、５ｂ…を有する磁性体セラミック層１、１…に及ばない。
　【００２８】
　次に、図２に示すような積層構造の積層体１１を有する複合電子部品について説明すると、この複合電子部品の積層体１１は、磁性体セラミック層１、１’、２、３、４を積層した両側に、前述のように、一部に対向する内部電極８ａ、８ｂを有する誘電体セラミック層７、７’の積層体、すなわちコンデンサ部１６、１６を積層したものである。
　【００２９】
　この積層複合電子部品の積層体１１では、内部電極５ａ、５ｂ…を有する磁性体セラミック層１、１…の両側に、それと組成及び透磁率の同じブランクの磁性体セラミック層１’、１’がそれぞれ２層積層され、さらにその外側に、より透磁率の高い３層の中間磁性体セラミック層２、３、４が積層されている。この中間磁性体セラミック層２、３、４は、図２において上または下にいくに従って透磁率が段階的に高くなっている。さらにこの両側に前記のようなコンデンサ部１６、１６が積層されている。
　【００３０】
　図７に示すように、このような一体となった積層体１１の両端に銀ペースト等の導電ペーストを塗布し、これを焼き付け、さらに必要に応じてその上にニッケルメッキや半田メッキ等を施して外部電極１４、１４が形成される。この外部電極１４、１４には、積層体１１の端面に導出された前記内部電極５ｅ、５ｆ、８ａ、８ｂ（図２参照）が接続される。これにより、図示の例では、内部電極５ａ、５ｂ…により形成される１つのインダクタと、内部電極８ａ、８ｂの対向により取得される２つの静電容量とが、外部電極１４、１４を介して並列に接続された状態となる。
　【００３１】
　図７において、符号１３は、内部電極５ａ、５ｂ…を有する磁性体セラミック層１、１…が積層されたコイル部、その両側の符号１６、１６は、誘電体セラミック層７、７’が積層されたコンデンサ部、符号１５、１５は、それぞれ前記コイル部１３とコンデンサ部１６との間に挿入され、磁性体セラミック層１’２、３、４が積層された中間部である。
　【００３２】
　次に、図３に示すような積層構造の積層体１１を有する複合電子部品について説明すると、この複合電子部品の積層体１１は、前述のように、一部に対向する内部電極８ａ、８ｂを有する誘電体セラミック層７、７’の積層体、すなわちコンデンサ部１６、の両側に、磁性体セラミック層１、１’、２、３、４を積層したものである。
　【００３３】
　まず、図３において下側に、内部電極が形成されていない磁性体セラミック層１’、１’…いわゆるブランクの磁性体セラミック層１’、１’…が積層されている。このブランクの磁性体セラミック層１’、１’…の上に周回状の内部電極５ａ、５ｂ…が形成された磁性体セラミック層１、１…が積層されている。さらにこの磁性体セラミック層１、１…の上に、それと組成及び透磁率の同じブランクの磁性体セラミック層１’、１’が２層積層され、さらにその上に、より透磁率の高い３層の中間磁性体セラミック層２、３、４が積層されている。この中間磁性体セラミック層２、３、４は、図１において下から上にいくに従って透磁率が段階的に高くなっている。
　【００３４】
　この中間磁性体セラミック層２、３、４の上に、一部に内部電極８ａ、８ｂを有する誘電体セラミック層７’、７’…、すなわち誘電体セラミック層からなるコンデンサ部１６が積層されている。さらに、このコンデンサ部１６の上に前述と同様の磁性体セラミック層１、１’、２、３、４が積層されている。但し、そのブランクの磁性体セラミック層１’、２、３、４の積層順序は、前述の磁性体セラミック層１、１’、２、３、４と逆となる。すなわち、コンデンサ部１６の上に透磁率の高い順からブランクの中間磁性体セラミック層４、３、２が順次積層され、その上に内部電極５ａ、５ｂ…を有する磁性体セラミック層１、１…と同じ透磁率を有するブランクの磁性体セラミック層１’、１’が２層積層されている。さらにこの上に、内部電極５ａ、５ｂ…を有する磁性体セラミック層１、１…が積層され、周回上に連なるコイルが形成され、その上に上に内部電極５ａ、５ｂ…を有する磁性体セラミック層１、１…と同じ透磁率を有するブランクの磁性体セラミック層１’、１’が５層積層されている。
　【００３５】
　図８に示すように、このような一体となった積層体１１の両端に銀ペースト等の導電ペーストを塗布し、これを焼き付け、さらに必要に応じてその上にニッケルメッキや半田メッキ等を施して外部電極１４、１４が形成される。この外部電極１４、１４には、積層体１１の端面に導出された前記内部電極５ｅ、５ｆ、８ａ、８ｂ（図２参照）が接続される。これにより、図示の例では、内部電極５ａ、５ｂ…により形成される２つのインダクタと、内部電極８ａ、８ｂの対向により取得される１つの静電容量とが、外部電極１４、１４を介して並列に接続された状態となる。図８において、図６と同じ符合は同じ部分を指している。
　【００３６】
　【実施例】
　次に、本発明の実施例について、具体的数値をあげて詳細に説明する。
（実施例１）
　フェライト系磁性体粉末を作るため、表１に示すような割合で原料粉末を混合し、表１のＮｏ．１〜４まで、４種類の磁性体材料粉末を調整した。また、後述の方法と同様にして、これらＮｏ．１〜４の磁性体材料粉末をバインダに分散してスラリとし、このスラリをリング状に成形し、これを後述する積層複合電子部品と同様にして焼成してリング状の磁性セラミックを作った。そして、このリング状の磁性セラミックにトロイダルコイルを巻線し、９３０℃の温度下での透磁率を測定した。その結果も表１に示す。
　【００３７】
　【表１】
　【００３８】
　前記のようにして調整した磁性体材料粉末をそれぞれ７００℃で仮焼きした後、これらを有機バインダー中に分散し、磁性体スラリを作った。この磁性体スラリをドクターブレード法により成形し、厚さ５０μｍの磁性体セラミックグリーンシートを作った。
　これらセラミックグリーンシートのうち、前記表１の磁性体材料Ｎｏ．１を使用して作られたセラミックグリーンシートの所定の位置に予めスルーホールを打ち抜いた後、銀ペーストを使用し、このセラミックグリーンシートの上に周回状の内部電極電極パターンを縦横に列べて多数組分印刷すると共に、上記スルーホールに銀ペーストを吸引し、スルーホール導体を印刷した。
　【００３９】
　この磁性体セラミックグリーンシートの他に、ＴｉＯ２粉末を主体とする誘電体セラミック粉末を用意し、前記と同様にして誘電体セラミックグリーンシートを作った。一部の誘電体セラミックグリーンシートの上に銀ペーストを使用して内部電極パターンを縦横に多数組分印刷した。
　まず、前記内部電極パターンが印刷されていないブランクのセラミックグリーンシートを５枚積層した。ここでは、前記表１の磁性体材料Ｎｏ．１を使用して作られたブランクのセラミックグリーンシートを使用した。
　【００４０】
　次に、内部電極パターンを有する前記表１の磁性体材料Ｎｏ．１を使用して作られたセラミックグリーンシートを、スルーホールを介してそれらがコイル状に連なるように順次積層した。
　さらに、これらセラミックグリーンシートの上に内部電極パターンが印刷されていないブランクのセラミックグリーンシートを５枚積層した。ここでは、前記表１の磁性体材料Ｎｏ．１を使用して作られたブランクのセラミックグリーンシートを２枚積層した後、その上に前記表１の磁性体材料Ｎｏ．２を使用して作られたブランクのセラミックグリーンシート、前記表１の磁性体材料Ｎｏ．３を使用して作られたブランクのセラミックグリーンシート及び前記表１の磁性体材料Ｎｏ．４を使用して作られたブランクのセラミックグリーンシートをそれぞれ１枚ずつこの順に積層した。
　【００４１】
　次に、この磁性体セラミックグリーンシートの上に、内部電極が印刷されていない誘電体セラミックグリーンシートを何枚か積層した。この上に互いにずれた内部電極パターンを有する誘電体セラミックグリーンシートを交互に複数層積層した。さらにこの上に、内部電極パターンが印刷されていない誘電体セラミックグリーンシートを積層した。
　【００４２】
　この積層体を４００Ｋｇｆ／ｃｍ２の圧力で圧着した後、個々のチップ毎に裁断した。この未焼成の積層チップを、５００℃の温度で脱バインダー処理した後、９００℃の温度で焼成することにより、図１に示すような焼成済みの積層体１１を得た。図１において、磁性体セラミック層１、１…と磁性体セラミック層１’は、前記表１のＮｏ．１の磁性体材料を使用したセラミックグリーンシートが焼成されて形成されたもので、中間磁性体セラミック層２、３、４は、それぞれ前記表１のＮｏ．２、３、４の磁性体材料を使用したブランクのセラミックグリーンシートが焼成されて形成されたものである。
　【００４３】
　さらにこの積層体１１の両端に銀ペースト等の導電ペーストを塗布し、これを焼き付け、さらにその上にニッケルメッキや半田メッキ等を施して外部電極１４、１４を形成した。これによって積層複合電子部品が完成した。
　この積層複合電子部品の周波数１００ＫＨｚにおけるインダクタンス値を測定したところ、表２に示すような結果が得られた。この積層複合電子部品の積層体１１の厚さを測定し、その結果を表２に示した。さらに、この積層複合電子部品のインダクタンス−周波数特性を図４に実線で示した。
　【００４４】
（比較例１）
　前記実施例１において、内部電極を有する磁性体セラミック層１、１…と誘電体セラミック７、７’との間に、前記セラミックグリーンシートＮｏ．２、３、４により形成される中間磁性体セラミック層２、３、４を積層したのに代えて、前記磁性体セラミック層１、１…と同じ透磁率の磁性体セラミック１’、１’…を積層した以外は、前記実施例１と同様にして積層体１１を作り、これから積層複合電子部品を作った。
　この積層複合電子部品の周波数１００ＫＨｚにおけるインダクタンス値と積層体の厚さを測定し、その結果を表２に示す。さらに、この積層複合電子部品のインダクタンス−周波数特性を図４に二点鎖線で示した。
　【００４５】
（比較例２）
　前記比較例２において、内部電極を有する磁性体セラミック層１、１…と誘電体セラミック７、７’との間に、前記磁性体セラミック層１、１…と同じ透磁率の磁性体セラミック１’、１’…を１０層積層した以外は、前記実施例２と同様にして積層体１１を作り、これから積層複合電子部品を作った。
　この積層複合電子部品の周波数１００ＫＨｚにおけるインダクタンス値と積層体の厚さを測定し、その結果を表２に示す。さらに、この積層複合電子部品のインダクタンス−周波数特性を図４に一点鎖線で示した。
　【００４６】
（比較例３）
　前記比較例２において、内部電極５ａ、５ｂ…を有する磁性体セラミック層１、１…及び内部電極５ａ、５ｂ…を有しない磁性体セラミック層１’、１’…を全て、前記表１のＮｏ．２の磁性体セラミックグリーンシートにより形成した以外は、前記比較例２と同様にして積層体を作り、これから積層複合電子部品を作った。
　この積層複合電子部品の周波数１００ＫＨｚにおけるインダクタンス値と積層体の厚さを測定し、その結果を表２に示す。さらに、この積層複合電子部品のインダクタンス−周波数特性を図４に破線で示した。
　【００４７】
　【表２】
　【００４８】
　実施例１による積層複合電子部品では、磁性体セラミック層１、１’と誘電体セラミック層７、７’との間に、前記磁性体セラミック層１、１’より透磁率の高い中間磁性体セラミック層２、３、４を挿入したことにより、インダクタ部分とコンデンサ部分との間の部分での透磁率の低下が抑えられ、比較例１に比べて高いインダクタンス値が得られた。しかも、比較例１と積層体１１の厚みが殆ど変らない。また、図４に示すように、周波数−インダクタンス特性も良好である。
　【００４９】
　これに対し、比較例１による積層複合電子部品では、実施例１による積層複合電子部品に比べて、明らかにインダクタンス値の低下が見られる。また、比較例２による積層複合電子部品では、ブランクの磁性体セラミック層１’、１’…を比較例１の２倍の１０層挿入したことにより、比較例１による積層複合電子部品よりインダクタンス値の低下が小さい。しかし、積層体１１の厚さが１．２２ｍｍと、実施例１や比較例１による積層複合電子部品に比べて厚くなっている。さらに、比較例３による積層複合電子部品では、磁性体セラミック層の全体に高めの透磁率を有する磁性体セラミックを使用したことにより、周波数１００ＫＨｚにおけるインダクタンス値は高くなったが、図４に示すように、周波数−インダクタンス特性が悪くなった。
　【００５０】
（実施例２）
　前記実施例１において、磁性体セラミック層１、１’、２、３、４を積層した片側に、一部に対向する内部電極８ａ、８ｂを有する誘電体セラミック層７、７’の積層体、すなわちコンデンサ部１６を積層したのに代えて、磁性体セラミック層１、１’、２、３、４を積層した両側に、コンデンサ部１６、１６を積層し、図２に示すような積層体１１を得た。
　図２において、図１と同じ符合は、同じセラミックグリーンシートを使用して形成されたセラミック層と同じ内部電極パターンを示す。
　【００５１】
　この積層複合電子部品の積層体１１では、内部電極５ａ、５ｂ…を有する磁性体セラミック層１、１…の両側に、それと組成及び透磁率の同じブランクの磁性体セラミック層１’、１’がそれぞれ２層積層され、さらにその外側に、より透磁率の高い３層の中間磁性体セラミック層２、３、４が積層されている。この中間磁性体セラミック層２、３、４は、それぞれ前記Ｎｏ．２、３、４の磁性体材料を使用したブランクのセラミックグリーンシートが焼成されて形成されたものであり、図２において上または下にいくに従って透磁率が段階的に高くなっている。さらにこの両側に前記のようなコンデンサ部１６、１６が積層されている。
　この積層複合電子部品の周波数１００ＫＨｚにおけるインダクタンス値と積層体の厚さを測定し、その結果を表３に示す。さらに、この積層複合電子部品のインダクタンス−周波数特性を図５に実線で示した。
　【００５２】
（比較例４）
　前記実施例２において、内部電極を有する磁性体セラミック層１、１…と誘電体セラミック７、７’との間に、前記セラミックグリーンシートＮｏ．２、３、４により形成される中間磁性体セラミック層２、３、４を積層したのに代えて、前記磁性体セラミック層１、１…と同じ透磁率の磁性体セラミック１’、１’…を積層した以外は、前記実施例１と同様にして積層体１１を作り、これから積層複合電子部品を作った。
　この積層複合電子部品の周波数１００ＫＨｚにおけるインダクタンス値と積層体の厚さを測定し、その結果を表３に示す。さらに、この積層複合電子部品のインダクタンス−周波数特性を図５に二点鎖線で示した。
　【００５３】
（実施例３）
　前記実施例１において、磁性体セラミック層１、１’、２、３、４を積層した片側に、一部に対向する内部電極８ａ、８ｂを有する誘電体セラミック層７、７’の積層体、すなわちコンデンサ部１６を積層したのに加え、このコンデンサ部１６の上にさらに磁性体セラミック層１、１’、２、３、４を積層し、図３に示すような積層体１１を得た。
　図３において、図１と同じ符合は、同じセラミックグリーンシートを使用して形成されたセラミック層と同じ内部電極パターンを示す。
　【００５４】
　この積層複合電子部品の積層体は、下側に内部電極が形成されていない磁性体セラミック層１’、１’…いわゆるブランクの磁性体セラミック層１’、１’…が積層されている。このブランクの磁性体セラミック層１’、１’…の上に周回状の内部電極５ａ、５ｂ…が形成された磁性体セラミック層１、１…が積層されている。さらにこの磁性体セラミック層１、１…の上に、それと組成及び透磁率の同じブランクの磁性体セラミック層１’、１’が２層積層され、さらにその上に、より透磁率の高い３層の中間磁性体セラミック層２、３、４が積層されている。この中間磁性体セラミック層２、３、４は、それぞれ前記Ｎｏ．２、３、４の磁性体材料を使用したブランクのセラミックグリーンシートが焼成されて形成されたものであり、図３において下から上にいくに従って透磁率が段階的に高くなっている。
　【００５５】
　この中間磁性体セラミック層２、３、４の上に、一部に内部電極８ａ、８ｂを有する誘電体セラミック層７’、７’…、すなわちコンデンサ部１６が積層されている。さらに、このコンデンサ部１６の上に、前述と同様の磁性体セラミック層１、１’、２、３、４が積層されている。しかしその積層順序は、前述の磁性体セラミック層１、１’、２、３、４と逆となっている。
　この積層複合電子部品の周波数１００ＫＨｚにおけるインダクタンス値と積層体の厚さを測定し、その結果を表３に示す。さらに、この積層複合電子部品のインダクタンス−周波数特性を図５に一点鎖線で示した。
　【００５６】
（比較例５）
　前記実施例３において、内部電極を有する磁性体セラミック層１、１…と誘電体セラミック７、７’との間に、前記セラミックグリーンシートＮｏ．２、３、４により形成される中間磁性体セラミック層２、３、４を積層したのに代えて、前記磁性体セラミック層１、１…と同じ透磁率の磁性体セラミック１’、１’…を積層した以外は、前記実施例１と同様にして積層体１１を作り、これから積層複合電子部品を作った。
　この積層複合電子部品の周波数１００ＫＨｚにおけるインダクタンス値と積層体の厚さを測定し、その結果を表３に示す。さらに、この積層複合電子部品のインダクタンス−周波数特性を図５に破線で示した。
　【００５７】
　【表３】
　【００５８】
　実施例２及び実施例３による積層複合電子部品では、磁性体セラミック層１、１’と誘電体セラミック層７、７’との間に、前記磁性体セラミック層１、１’より透磁率の高い中間磁性体セラミック層２、３、４を挿入したことにより、インダクタ部分とコンデンサ部分との間の部分での透磁率の低下が抑えられ、高いインダクタンス値が得られた。しかも、比較例４及び比較例５にそれぞれ比べて、積層体１１の厚みが殆ど変らない。また、図４に示すように、周波数−インダクタンス特性も良好である。
　これに対し、比較例４及び比較例５による積層複合電子部品では、それぞれ実施例２及び実施例３による積層複合電子部品に比べて明らかにインダクタンス値の低下が見られる。
　【００５９】
　【発明の効果】
　以上説明した通り、本発明による積層複合電子部品では、積層複合電子部品の積層数や形状、寸法を変えることなく、ブランクの磁性体セラミック層の一部または全体を他の磁性体セラミック層に置き換えるだけで、積層体の焼成時におけるインダクタンスの低下を防止することが出来る。また、良好な周波数−インダクタンス特性が得られる。
　これにより、積層複合電子部品の外形や寸法等を変えることなく、簡便に良好なインダクタンス特性を維持することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　本発明による積層複合電子部品の例を示すその積層体の分解斜視図である。
　【図２】
　本発明による積層複合電子部品の他の例を示すその積層体の分解斜視図である。
　【図３】
　本発明による積層複合電子部品の他の例を示すその積層体の分解斜視図である。
　【図４】
　本発明及び比較例による積層複合電子部品の周波数−インダクタンス特性の例示すグラフである。
　【図５】
　本発明及び比較例による積層複合電子部品の周波数−インダクタンス特性の例示すグラフである。
　【図６】
　図１に示した積層体を有する本発明による積層複合電子部品の例を示すその外観斜視図である。
　【図７】
　図２に示した積層体を有する本発明による積層複合電子部品の例を示すその外観斜視図である。
　【図８】
　図３に示した積層体を有する本発明による積層複合電子部品の例を示すその外観斜視図である。
　【符号の説明】
　１　　内部電極を有する磁性体セラミック層
　１’　ブランクの磁性体セラミック層
　２　　中間磁性体セラミック層
　３　　中間磁性体セラミック層
　４　　中間磁性体セラミック層
　５ａ　周回状の内部電極
　５ｂ　周回状の内部電極
　５ｃ　周回状の内部電極
　５ｄ　周回状の内部電極
　５ｅ　周回状の内部電極
　５ｆ　周回状の内部電極
　７　　内部電極を有する誘電体セラミック層
　７’　内部電極を有しない誘電体セラミック層
　８ａ　対向する内部電極
　８ｂ　対向する内部電極
　１１　積層体
　１４　外部電極