【事件の表示】
　特許第３３７１１９２号「液晶表示装置」の請求項１ないし８に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第３３７１１９２号の請求項１ないし８に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
　特許第３３７１１９２号の請求項１ないし８に係る発明についての出願は、平成１０年１０月２８日に特許出願した特願平１０−３０７４６５号の一部を平成１２年３月９日に新たな特許出願とし、平成１４年１１月２２日にその発明について特許権の設定登録がされ、その特許について、平成１５年７月２５日に特許異議申立人中川　徹により特許異議の申立てがなされたものである。
　　
２．特許異議申立ての理由の概要
　特許異議申立人中川　徹は、本件特許に対して、証拠として甲第１号証（特開平１０−１０５７０号公報）、甲第２号証（特開平１−１６７７２９号公報）、甲第３号証（特開平９−１６２４１２号公報）、及び甲第４号証（ＷＯ９３／１１４５５号公報）を提出し、本件の請求項１ないし８に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであるから、本件特許は取り消されるべきである旨主張している。
　　
３．本件発明
　特許第３３７１１９２号の請求項１ないし８に係る発明は、それぞれ、その特許請求の範囲の請求項１ないし８に記載された事項により特定される次のとおりのものである。（以下、請求項1に係る発明を、「本件発明」という。）
「【請求項１】基板上で半導体薄膜の上にゲート電極を配したトップゲート構造の画素トランジスタであるＴＦＴを有するＴＦＴ基板と、液晶を介して該ＴＦＴ基板と対向する対向基板とを備える液晶表示装置において、
画素トランジスタ部の対向基板側、及び画素トランジスタ部の対向基板とは逆の側で基板とＴＦＴとの間の双方の側に遮光層が形成され、
前記対向基板側の遮光層は、対向基板側からの入射光に対して、画素開口以外の領域すべての遮光がなされており、
前記対向基板には遮光層が形成されておらず、
前記対向基板とは逆の側で基板とＴＦＴの間にある遮光層を各画素内でゲートラインと接続し、
前記対向基板とは逆の側で基板とＴＦＴの間にある遮光層を画素単位で切り離したことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】少なくとも画素トランジスタのソース／ドレイン端部は、前記対向基板とは逆の側で基板とＴＦＴの間にある遮光層で遮光されていることを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。
【請求項３】前記遮光されているソース／ドレイン端部にＬＤＤ領域が形成されていることを特徴とする請求項２記載の液晶表示装置。
【請求項４】前記対向基板とは逆の側で基板とＴＦＴの間にある遮光層は、画素トランジスタ形成層の下部に膜厚２００〜１５００ｎｍの絶縁膜を介して形成されていることを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。
【請求項５】前記対向基板とは逆の側で基板とＴＦＴの間にある遮光層の抵抗は、１００Ω／□以下であることを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。
【請求項６】前記対向基板とは逆の側で基板とＴＦＴの間にある遮光層は、少なくとも４００〜５００ｎｍの領域の光に対して透過率が５０％以下であることを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。
【請求項７】前記対向基板側の遮光層は、対向基板側からの入射光に対して２以上の相互に分離された遮光層により遮光がなされていることを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。
【請求項８】前記画素トランジスタが多結晶Ｓｉ−ＴＦＴであることを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。」
　　
４．甲各号証記載の発明
　特許異議申立人が提出した甲第１号証（特開平１０−１０５７０号公報、以下「刊行物１」という。）には、図面とともに、
「【０００２】【従来の技術】薄膜電界効果型トランジスタ（以下、ＴＦＴと記す）を画素のスイッチング素子として用いるアクティブマトリクス液晶パネル（以下、ＡＭＬＣＤと記す）は高品位の画質を有し、携帯型コンピュータの表示デバイスや投射型表示デバイスのライトバルブなどに幅広く応用されている。
【０００３】ＡＭＬＣＤは、一般に走査線・信号線およびその交差点近傍に配した薄膜トランジスタに接続した画素電極を設けた構造のＴＦＴ基板と、対向基板との間に液晶を挟み、制御した画像電極と対向電極の間に電圧を印加することにより、対応する画素における光の透過光量を制御する。
【０００４】このＡＭＬＣＤでは、単純マトリクス型の液晶表示装置に比べて、液晶を挟む電極間の電位を制御し易く、コントラストや視野角に優れた、高品位の表示が得られる点に最大の特徴がある。
【０００５】近年、視野角特性をさらに向上させるために、いわゆるインプレインスイッチングモードと呼ばれる表示方法が提案されている（アジアディスプレイ’９６参照）。これは、各画素でＴＦＴに櫛歯形状の画素電極を形成し、同じ面内同様な櫛歯形状を有する対向電極を形成し、これら電極間に電圧を印加して、液晶層面内に平行な電界を形成することにより、液晶のダイレクタの向きを変化させ、これによって透過光量を制御するものである。」（段落０００２〜０００５）、
「【００１２】上述の図６に示したような、対向電極に電位を与える対向電極バスラインが走査線と同層に形成される従来の構造では、走査線に対して対向電極バスラインをあまり近付けた配置（近接配置）とすると、走査線および対向電極バスラインのパターニング時の不良によりこれらの間に短絡が発生する恐れがある。このため、走査線に対して対向電極バスラインを近接配置できず、開口率（１画素分の繰り返しパターン内に占める、画素電極と対向電極との間に形成される有効表示領域の割合）を大きくとることができなかった。
【００１３】さらに、バックライトの迷光がチャネル部に入射し、液晶層の不純物がＴＦＴに作用してオフ電流が増大し、表示不良を引き起こすといったことも考えられることから、表示信頼性の高いものとはいえなかった。」（段落００１２〜００１３）
「【００１９】薄膜トランジスタのゲート電極が薄膜トランジスタのチャネル部を構成する薄膜半導体層の上下に絶縁膜を介して形成された第１および第２の金属層より構成されたものにおいては、バックライトの迷光が第１および第２の金属層により遮られるので、従来のように迷光がチャネル部に入射して表示不良を引き起こすといったことは生じない。」（段落００１９）、
「【００２２】　図１は本発明の一実施例のアクティブマトリクス液晶表示パネルの１画素の構成を示す平面図、図２（ａ）は図１のＡ−Ａ’断面図、図２（ｂ）は図１のＢ−Ｂ’断面図である。
【００２３】図１および図２において、１はガラス基板などからなる第１の透明基板で、その主面上には複数の走査線３と複数の信号線４とが相互に交差され、主面が格子状に区画されている。各格子内には、走査線３と信号線４の交点近傍に配置される画素ＴＦＴと、この画素ＴＦＴで駆動される画素電極７と、から構成される１組のアクティブ画素エレメントがそれぞれ配置されている。
【００２４】画素ＴＦＴは、下側ゲート電極２と、この下側ゲート電極２上に第３のゲート絶縁膜１５を介して設けられた島状非晶質シリコン９からなるチャネル部と、その上部に一体で形成された第１のゲート絶縁膜１２と、画素全体を覆うように形成された第２のゲート絶縁膜１３と、この第２のゲート絶縁膜１３上に設けられた走査線３と一体で形成された上側ゲート電極１６と、島状非晶質シリコン９と第３のゲート絶縁膜１５との間に信号線４と一体で形成されたドレイン電極１１と、画素電極７と一体で形成されたソース電極１７とからなる。
【００２５】下側ゲート電極２と走査線３とは、コンタクトホール６を介して電気的に接続されている。対向電極１４は、下側ゲート電極２と同層で形成され、走査線３と平行に形成された対向電極バスライン５により電位が供給されている。」（段落００２２〜００２５）が記載されている。
　同じく甲第２号証（特開平１−１６７７２９号公報、以下「刊行物２」という。）には、図面とともに、
「本発明の目的は、実効的な開口率を１００％として、高コントラスト、高輝度による画質の向上を図ることにある。」（２頁右上欄４〜６行）、
「第４図に、本発明の第２の実施例と光の通過路を示す断面図を示す。第一の実施例と同様に反射膜１２、走査電極１０、薄膜トランジスタ４、信号電極３、画素電極５を形成した後に、画素電極５の部分を除き、配線、薄膜トランジスタ上に、絶縁膜を介して第二の反射膜１３を形成する。入射光が画素電極５に対し、斜めに入射する場合を考える。画素電極５を斜めに通過した光は第二の反射膜１３で反射され、画素電極５に対応する共通電極の領域ａ、・・・・・。従って光の漏れによるコントラストの低下を防ぎ、有効画面面積に入射した光はすべて画素電極を通過し、その光の大部分は、駆動画素電極に対応する共通電極部に入射するため、高コントラスト、高輝度な画面を得ることができる。」（２頁左下欄最下行〜右下欄１８行）、
「第７図は、本発明の第４の実施例を示す平面図、・・・・・・。下ガラス基板１に、画素電極５を形成する部分と、各画素の信号電極を形成する部分の一部を除いて溝１１を形成する。溝１１を形成したガラス基板１上に反射膜１２を成膜し、ラップ等により平坦化する。続いて走査電極１０を形成する。走査電極１０は反射膜１２と接続されるため、ピンホール等により走査電極に欠陥が生じても断線することなく、歩留りの向上が図れる。」（３頁左上欄１１〜２０行）が記載されている。
　同じく甲第３号証（特開平９−１６２４１２号公報、以下「刊行物３」という。）には、図面とともに、
「【０００８】本発明の目的は、アクティブマトリックス液晶パネルに用いる、リーク電流を低減した薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタを備え、かつ、小さな面積で大きな蓄積容量を形成できる薄膜トランジスタアレイとを提供することにある。」（段落０００８）
「【００１９】図１に示すように、ガラス基板１０１上にアルミからなる第３ゲート電極１０２が形成されており、第３ゲート電極１０２上にリンを１×ｌ０20ｃｍ-3程度含有するｐｏｌｙ−Ｓｉ膜からなる第１ゲート電極１０３が形成されている。さらに、第１ゲート電極１０３および第３ゲート電極１０２を覆うようにＳｉＯ2 膜からなる第１ゲート絶縁膜１０４が形成されており、この上にリンを１×ｌ０20ｃｍ-3程度含有するｐｏｌｙ−Ｓｉ膜からなるソース・ドレイン領域１０５、リンを１×１０17ｃｍ-3程度含有するｐｏｌｙ−Ｓｉ膜からなるオフセット領域１０６、不純物をほとんど含有しないｐｏｌｙ−Ｓｉ膜からなる活性層１０７が形成されている。」（段落００１９）が記載されている。
　同じく甲第４号証（ＷＯ９３／１１４５５号公報、以下「刊行物４」という。）には、図面とともに、
「以上の問題点に鑑みて、本発明においては、マトリクスアレイと同一基板上に形成されたブラックマトリクスの構造を最適化することにより、表示の品質や信頼性などを犠牲とすることなく、開口率を向上可能な液晶表示装置」（３頁２２〜４頁１行）
「その結果、画素領域１０１ｂｂは、それ自身に対応して形成されたクロム層１１６ｂｂと、隣接する画素領域１０１ｂｃ，１０１ａｂに対応して形成されたクロム層１１６ｂｃ，１１６ａｂとによって区画形成された状態にある。本例においては、これらのクロム層１１６ｂｂ，１１６ｂｃ，１１６ａｂ・・・が各画素領域１０１ｂｂ・・・を区画形成する状態にあることを利用して、クロム層１１６ｂｂ・・・をブラックマトリクス１１６として利用する。」（１７頁１〜８行）が記載されている。
　　　
５．対比・判断
（１）上記刊行物１には、本件発明の「基板上で半導体薄膜の上にゲート電極を配したトップゲート構造の画素トランジスタであるＴＦＴを有するＴＦＴ基板と、液晶を介して該ＴＦＴ基板と対向する対向基板とを備える液晶表示装置において、
画素トランジスタ部の対向基板側、及び画素トランジスタ部の対向基板とは逆の側で基板とＴＦＴとの間の双方の側に遮光層が形成され、前記対向基板とは逆の側で基板とＴＦＴの間にある遮光層を各画素内でゲートラインと接続し、
前記対向基板とは逆の側で基板とＴＦＴの間にある遮光層を画素単位で切り離した液晶表示装置。」は記載されているが、
「対向基板側の遮光層は、対向基板側からの入射光に対して、画素開口以外の領域すべての遮光がなされており、前記対向基板には遮光層が形成されていない」点は記載されていない。
（２）一方、上記刊行物２には、本件発明の「画素トランジスタ部の対向基板側、及び画素トランジスタ部の対向基板とは逆の側で基板とＴＦＴとの間の双方の側に遮光層が形成され、前記対向基板側の遮光層は、対向基板側からの入射光に対して、画素開口以外の領域すべての遮光がなされており、前記対向基板には遮光層が形成されていない」点は記載されており、一見構成としてすべてを充足しているかのように見える。
（３）しかしながら、上記刊行物２には、「基板上で
半導体薄膜の上にゲート電極を配したトップゲート構造
各画素内で
画素単位で
　してみると、上記刊行物1及び上記刊行物２に記載の発明はいずれも、液晶表示装置に係る点で共通するものの、両者のゲート電極の配置に係る基本構造の違い、及び電界の印加方法の基本的な相違により、その組合せは当業者にとって何ら困難性もなくなし得るものとはいえない。なお、上記刊行物３、４のいずれにも、両者の組合せを容易とするような記載は見当たらない。
　したがって、本件発明は、刊行物１ないし４に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明することができたものではない。
　また、本件請求項２ないし８に係る特許発明は、本件発明を引用して限定するものであるから、いずれも刊行物１ないし４に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明することができたものでもないことは明らかである。
　　
６．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、本件請求項１ないし８に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件請求項１ないし８に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１６年１月２０日（２００４．１．２０）