【事件の表示】
　特許第３３８９０１４号「円盤状半導体ウェーハ面取部のミラー面取加工方法」の請求項１に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第３３８９０１４号の請求項１に係る特許を維持する。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本件特許第３３８９０１４号の請求項１に係る発明は、平成８年７月１５日に特許出願され、平成１５年１月１７日にその発明について特許権の設定登録がなされた後、その特許について平成１５年８月１３日に特許異議申立人株式会社ビービーエス金明より特許異議の申立てがなされたものである。
　
第２　特許異議申立てについて
１．本件発明
　本件特許第３３８９０１４号の請求項１に係る発明（以下、「本件発明」という。）は、設定登録時の願書に添付した明細書（以下、「本件特許明細書」という。）の記載からみて、その特許請求の範囲に記載された事項により特定される次のとおりのものと認める。
「【請求項１】　凹形状をなす研磨面に対して、円盤状半導体ウェーハの外周の面取部をほぼ全周において押し当てた状態で、この研磨面と円盤状半導体ウェーハとの相対的回転を与えることにより、円盤状半導体ウェーハの外周の面取部のミラー面取加工を行うようにしたミラー面取加工方法であって、
前記凹形状をなす研磨面が、円盤状半導体ウェーハの外周面取部をほぼ全周において押し当て可能な曲率半径の球内面形状であり、この球内面の中心点に円盤状半導体ウェーハの回転軸を一致させ、かつ研磨面の回転軸と前記円盤状半導体ウェーハの回転軸とを不一致とさせ、少なくとも前記研磨面をその回転軸で強制的に回転させるようにしたことを特徴とする円盤状半導体ウェーハ面取部のミラー面取加工方法。」
　
２．異議申立の理由の概要
　特許異議申立人は、以下に示す甲第１ないし４号証を提示し、本件発明は、甲第１ないし４号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件発明についての特許は取り消すべきものである旨主張している。
　甲第１号証：特開平７−１４８６５４号公報
　甲第２号証：特開昭５７−９６７６６号公報
　甲第３号証：実公昭５０−６２９６号公報
　甲第４号証：特公昭５０−２０３１４号公報
　
３．各甲号証記載の発明
　（１）　甲第１号証
　甲第１号証には、第３欄第３行〜第４欄第１０行の記載からみて、「凹形状をなす研磨面（７ａ）に対して、レンズの一方面を全面において押し当てた状態で、この研磨面（７ａ）とレンズとの相対的回転を与えることにより、レンズの一方面の球面研磨加工を行う方法であって、凹形状をなす研磨面（７ａ）が、レンズの一方面を全面において押し当て可能な曲率半径の球内面形状であり、この球内面の中心点にレンズの回転軸を一致させ、かつ研磨面（７ａ）の回転軸とレンズの回転軸とを不一致させ、研磨面（７ａ）をその回転軸で回転させるレンズ研磨方法。」の発明（以下、「甲第１号証記載の発明」という。）が記載されている。
（２）　甲第２号証
　甲第２号証には次の事項が記載されている。
　ア　「第１図は表面に球面加工されたラツプ皿（２）を示す図であり、従来はこのラツプ皿にラツピングパウダーを流し、その上に半導体ウエハ（１）を載せて手で動かして研磨していた。・・・この発明は・・・簡単かつ均一に半導体ウエハが研磨され、同時にラツプ皿の削れも均一になるようにした自動研磨装置を提供するものである。」（第１頁右下欄第４行〜第２頁左上欄第２行）
　イ　「第４図はこの発明の一実施例を示す図であり、（１）は半導体ウエハ、（２）はモータで回転させられるラツプ皿、（３）は半導体ウエハ（１）を保持し、シリンダで上下動するホルダー、（４）はこのホルダー（３）を回転可能に取付けたアーム、（５）はこのアームを矢印方向に往復運動させるスライド機構、・・・である。・・・ラツプ皿（２）はモータ（図示しない）で回転し、一方ホルダー（３）に保持された半導体ウエハ（１）はシリンダ（図示しない）で加圧され、・・・研磨される。同時にホルダー（３）はスライド機構（５）によりアーム（４）を介して往復運動が与えられ、ラツプ皿（２）に均一に半導体ウエハ（１）が接触するようになつている。又、ホルダー（３）は回転できるようになつているため、ラツプ皿（２）の回転により自転運動も行う。」（第２頁左上欄第３行〜同頁右上欄第１行）
　これらの記載によれば、第４図に示される実施例においては、研磨面であるラツプ皿に対して、半導体ウエハは、上下動しつつ水平方向に往復移動するものの、甲第２号証の記載全般を参酌しても、往復移動におけるどの位置でも、ラツプ皿に対して、ウエハの外周面取部をほぼ全周において押し当てた状態で面取加工を行うことについて記載されておらず、示唆もされていないことからみて、上記記載における「ラツプ皿（２）に均一に半導体ウエハ（１）が接触する」は、ラツプ皿に対して半導体ウエハの全周を接触させることを意味するのではなく、ラツプ皿の全体に亘って半導体ウエハが移動して接触することを意味すると解釈するのが相当である。
　したがって、甲第２号証には、「凹形状をなす研磨面であるラツプ皿（２）に対して、半導体ウエハ（１）の外周の面取部を押し当てた状態で、このラツプ皿（２）と半導体ウエハ（１）との相対的回転を与えることにより、半導体ウエハ（１）の外周の面取部の面取加工を行う面取加工方法であって、前記凹形状をなすラツプ皿（２）が球内面形状であり、ラツプ皿（２）の回転軸と前記半導体ウエハ（１）の回転軸とを不一致とさせ、ラツプ皿（２）をその回転軸で強制的に回転させる半導体ウエハ面取部の面取加工方法。」の発明（以下、「甲第２号証記載の発明」という。）が記載されている。
　（３）　甲第３号証
　甲第３号証には次の事項が記載されている。
　ア　「第２図に示如く、円錐状の研磨面２を有する研磨治具の中心にウエハー３を当てがつて上方より押圧し、研磨治具又はウエハー保持具４を回転させてベベリングを行なうものであるが・・・研磨治具の研磨面を回転円弧状とすることも考えられる・・・ウエハーのサイズは通常、ほぼ一定しているため、研磨治具は局部的にのみウエハーに接触しそこだけが摩耗するため、ベベル形状が不揃いになったりベベル部に段がついたりするからである。」（第２欄第２〜１７行）
　イ　「研磨治具６は上面に逆円錐状の研磨面６´を有しており、回転台７上に載置固定されて、軸８を中心としてゆるやかに回転する。９は歳差軸を示し、仮想軸１０のまわりを歳差運動しながら自転する。・・・歳差軸９は途中にスプリング機構１１を有しており、また、下端はボールソケツト１２によりウエハー保持板１３に取付けられている。・・・ウエハー１４は自転しながら第４図の軌跡１５に沿って公転し、エツジ部分にベベリングを施される。而して、ウエハー１４は研磨治具６の中央部近傍ではきついベベル角度を与えられ、周辺部ではゆるやかになるので、ベベル形状は第１図イに示す如き形状となる。」（第２欄第２７行〜第３欄第６行）
　上記アの記載において、第２欄第１３〜１７行における、「研磨治具は局所的にのみウエハーに接触しそこだけが摩耗する」の記載からみれば、研磨治具の回転軸と半導体ウエハー（３）の回転軸は常に一致していると解釈するのが相当である。
　したがって、甲第３号証には、「凹形状をなす研磨面に対して、半導体ウエハー（３）の外周の面取部ほぼ全周においてを押し当てた状態で、この研磨面と半導体ウエハー（３）との相対的回転を与えることにより、半導体ウエハー（３）の外周の面取部の面取加工を行う面取加工方法であって、前記凹形状をなす研磨面が回転円弧状であり、研磨面の回転軸と半導体ウエハー（３）の回転軸は常に一致し、研磨面をその回転軸で強制的に回転させる半導体ウエハー面取部の面取加工方法。」の発明（以下、「甲第３号証記載の発明１」という。）が記載されている。
　また、上記イの記載によれば、研磨面が円錐面であることから、歳差軸９が研磨面の回転軸と一致する箇所以外の箇所では、研磨面に対して半導体ウエハーの外周の全周が接触しないこと明かである。また、円錐面の内面には、「球内面の中心点」に相当する「点」は存在しない。
　したがって、甲第３号証には、「凹形状をなす研磨面（６´）に対して、半導体ウエハー（１４）の外周の面取部を押し当てた状態で、この研磨面（６´）と半導体ウエハー（１４）との相対的回転を与えることにより、半導体ウエハー（１４）の外周の面取部の面取加工を行う面取加工方法であって、前記凹形状をなす研磨面（６´）が円錐内面形状であり、研磨面（６´）の回転軸８とは不一致の仮想軸１０の周りを歳差運動しながら自転する歳差軸９を設け、前記歳差軸９の下端に前記半導体ウエハー（１４）が固定され、研磨面（６´）をその回転軸で強制的に回転させる半導体ウエハー面取部の面取加工方法。」の発明（以下、「甲第３号証記載の発明２」という。）が記載されている。
　（４）　甲第４号証
　甲第４号証には次の事項が記載されている。
　「保持された半導体基板と接するように円錐状で中心に向つて凹なる研摩面８を有する研摩体９が保持体１に対設されている。また、上記研摩体はその研摩面の円錐の中心軸を中心に回転する。そして研摩体の円錐面の一部の母線に半導体基板の周縁の直線部を含む円部を当接せしめる。」（第２欄第２７〜３２行）
　上記記載によれば、研摩面８が円錐面であることから、半導体基板（２）の保持軸（４）が研摩面の回転軸と一致しない状態では研摩面に対して半導体ウエハーの外周の全周が接触しないこと、また、円錐面の内面には、「球内面の中心点」に相当する「点」は存在しないことは、上記甲第３号証記載の発明２と同様である。
　したがって、甲第４号証には、「凹形状をなす研摩面（８）に対して、半導体基板（２）の外周の面取部を押し当てた状態で、この研摩面（８）と半導体基板（２）との相対的回転を与えることにより、半導体基板（２）の外周の面取部の面取加工を行う面取加工方法であって、前記凹形状をなす研摩面（８）が円錐内面形状であり、研摩面（８）の回転軸と半導体基板（２）の保持軸（４）を不一致とさせ、研摩面（８）をその回転軸で強制的に回転させる半導体基板面取部の面取加工方法。」の発明（以下、「甲第４号証記載の発明」という。）が記載されている。
　
４．対比・判断
　本件発明と甲第各号証記載の発明を対比する。
　甲第１号証記載の発明は、レンズ面の研磨に係る発明であることから、研磨面に対してレンズ面の全面が常に接触していることが前提となるものであり、その結果として、レンズの外周部の全周において研磨面に接触しているのである。これに対し、本件発明においては、研磨面に対して、円盤状半導体ウェーハの外周の面取部のみをほぼ全周において押し当てた状態で加工している。すなわち、本件発明と甲第１号証記載の発明においては、研磨面に対して、研磨対象物の外周を全周において押し当てた状態で加工することの技術的意義が異なる。
　したがって、研磨面に対して常にウエーハ外周の面取部を全周において接触させる必然性のない円盤状半導体ウエーハの外周の面取加工技術に対して、甲第１号証記載の発明を適用することが容易であるとすることはできない。更に、これら技術分野の相違に起因する技術の相違からみて、同甲第１号証記載の発明において、研磨対象であるレンズを円盤状半導体ウエーハに置き換えることが容易であるとすることもできない。
　また、甲第２号証記載の発明、甲第３号証記載の発明１ないし２、甲第４号証記載の発明は、いづれも、本件発明を特定する事項のうち、「研磨面の球内面の中心点に円盤状半導体ウェーハの回転軸を一致させ、かつ研磨面の回転軸と前記円盤状半導体ウェーハの回転軸とを不一致」とさせた事項を欠いており、これら甲第２ないし４号証記載の発明を組み合わせても本件発明を得ることはできない。
　そして、本件発明は、「円盤状半導体ウェーハの外周の面取部をほぼ全周において押し当てた状態で」面取加工を行うに際し、「研磨面の球内面の中心点に円盤状半導体ウェーハの回転軸を一致させ、かつ研磨面の回転軸と前記円盤状半導体ウェーハの回転軸とを不一致」とすることで、本件特許明細書【００２１】ないし【００２２】に記載の、面取加工に供される研磨パッドの面積が広がり、研磨パッドの寿命を格段に延ばすことができる。円盤状半導体ウェーハに局所的な荷重が加わらず、加工時の局所欠損を防止できる。セット時もしくは面取研磨中に円盤状半導体ウェーハの位置がずれたとしても、面取加工には影響がなく、常時面取部の傾斜角を維持した面取加工が可能となるという作用効果を奏するものである。
　したがって、本件発明は、甲第１ないし４号証に記載の発明に基いて当業者が容易に発明することができたものとすることはできない。
　
５．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議の申立ての理由及び証拠によっては本件の請求項１に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件の請求項１に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１６年８月２日（２００４．８．２）