【事件の表示】
　特許第３３５６９９２号「打抜き加工性に優れるＦｅ−Ｎｉ系リードフレーム用材料およびＦｅ−Ｎｉ系プレス打抜き品ならびにＦｅ−Ｎｉ系材料の打抜き方法」の請求項１ないし３に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３３５６９９２号の請求項１ないし３に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
　特許第３３５６９９２号の請求項１〜３に係る発明は、平成１４年１０月４日にその発明について特許権の設定登録がされ、その後、その特許について、特許異議申立人日立金属株式会社により特許異議の申立てがなされ、取消しの理由が通知され、その指定期間内である平成１５年１１月１０日に訂正請求がなされたものである。
　
２．訂正の適否についての判断
　２−１．訂正の内容
　訂正事項ａ
　明細書の段落【００２１】の表１からＮｏ．１〜５及びＮｏ．８の欄を削除し、Ｎｏ．６、７及びＮｏ．９〜１３を、それぞれ、Ｎｏ．１、２及びＮｏ．３〜７に繰り上げる。
　２−２．訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　上記訂正事項ａは、合金組成が本件特許の特許請求の範囲の請求項１〜３に特定された発明の範囲外である「発明例」を、削除するものであり、特許請求の範囲の請求項１〜３の記載と発明の詳細な説明の記載との整合を図るものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とした明細書の訂正に該当する。更に、訂正事項ａは、特許明細書に記載された事項の範囲内において訂正するものであるから、いずれも、新規事項の追加に該当せず、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　２−３．むすび
　したがって、上記訂正は、特許法第１２０条の４第２項及び同条第３項で準用する第１２６条第２項及び第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
３．特許異議申立てについて
　３−１．申立て理由の概要
　特許異議申立人は、本件特許の請求項１、２に係る発明は、甲第１号証に記載された発明であり、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができないものであるから、その発明に係る特許は取り消されるべきであり、また、本件特許明細書は、請求項１〜３に係る発明を当業者が容易に実施できる程度に明確かつ十分に記載したものとはいえず、その発明の特許は、特許法第３６条第４項に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものであるから、取り消されるべきである旨を主張している。当審で通知した取消理由も同様のものである。
　３−２．本件発明
　前記２．の項で示したように上記訂正が認められるから、本件特許の請求項１〜３に係る発明（以下、それぞれ「本件発明１」〜「本件発明３」という。）は、平成１５年１１月１０日付けの訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１〜３に記載された事項により特定される次のとおりのものである。
「【請求項１】　重量％で、Ｃ：０．００３〜０．０２％、Ｓｉ：０．０５〜１．０％、Ｍｎ：０．１〜１．５％、Ｎｉ：３０〜５０％、Ｓ：０．０００５〜０．０２％、Ｎ：０．００１〜０．０２％、Ｔｉ、Ｚｒ、ＭｇおよびＣａのうち少なくとも１種以上を総量で０．０００１〜０．０１重量％含有し、残部：ＦｅからなるＦｅ−Ｎｉ系リードフレーム用材料において、材料に含まれる介在物の大きさを、材料の板厚をｔとしたときに０．０７ｔ以下とし、かつ、粒径０．２〜１μｍのＭｎＳを１０００〜６００００個／ｍｍ２の割合で分散させたことを特徴とする打抜き加工性に優れるリードフレーム用材料。
【請求項２】　重量％で、Ｃ：０．００３〜０．０２％、Ｓｉ：０．０５〜１．０％、Ｍｎ：０．１〜１．５％、Ｎｉ：３０〜５０％、Ｓ：０．０００５〜０．０２％、Ｎ：０．００１〜０．０２％、Ｔｉ、Ｚｒ、ＭｇおよびＣａのうち少なくとも１種以上を総量で０．０００１〜０．０１重量％含有し、残部：ＦｅからなるＦｅ−Ｎｉ系プレス打抜き品において、材料に含まれる介在物の大きさを、材料の板厚をｔとしたときに０．０７ｔ以下とし、かつ、粒径０．２〜１μｍのＭｎＳを１０００〜６００００個／ｍｍ２の割合で分散させ、打ち抜いた破面を光学顕微鏡で観察し、５μｍ間隔で破断面高さを５０点測定して、破断面高さｈｎの平均値ｓを求め、ｈｎおよびｓを式１に代入して算出される標準偏差が１５以下であることを特徴とするＦｅ−Ｎｉ系プレス打抜き品。
【数１】（式１略）
【請求項３】　重量％で、Ｃ：０．００３〜０．０２％、Ｓｉ：０．０５〜１．０％、Ｍｎ：０．１〜１．５％、Ｎｉ：３０〜５０％、Ｓ：０．０００５〜０．０２％、Ｎ：０．００１〜０．０２％、Ｔｉ、Ｚｒ、ＭｇおよびＣａのうち少なくとも１種以上を総量で０．０００１〜０．０１重量％含有し、残部：Ｆｅからなり、かつ、材料に含まれる介在物の大きさを材料の板厚をｔとしたときに０．０７ｔ以下とし、かつ、粒径０．２〜１μｍのＭｎＳを１０００〜６００００個／ｍｍ２の割合で分散させたＦｅ−Ｎｉ系リードフレーム用材料の打抜き方法であって、材料に含まれる介在物の大きさをポンチとダイスのクリアランスよりも小さくすることを特徴とするＦｅ−Ｎｉ系材料の打抜き方法。」
　３−３．引用刊行物記載の発明
　当審が通知した取消理由で引用した刊行物１には、以下（１ａ）〜（１ｆ）のような事項が記載されている。
　刊行物１：特開昭６０−２５５９５３号公報（甲第１号証）
（１ａ）「Ｎｉ　３８〜５５ｗｔ％、Ｓｉ　０．０５〜０．５０ｗｔ％、Ｃ　０．０５ｗｔ％以下、Ｍｎ　０．０５〜１．００ｗｔ％、Ｓ　０．００３〜０．０２５ｗｔ％、但し、Ｍｎ／Ｓ≧１０、Ａｌ，Ｚｒ，Ｃａ，Ｍｇ，Ｒ・Ｅのうち少なくとも１種を０．０００５〜０．１０ｗｔ％、Ｏ　１００ｐｐｍ以下、Ｎ　５０ｐｐｍ以下、を含有し、残部はＦｅ及び不可避的不純物からなり、３μｍ以下の微細非金属介在物が、組織内に均一に分散することを特徴とする打抜性の良好なるＦｅ−Ｎｉ系封着合金。」（特許請求の範囲第２項）
（１ｂ）「産業分野　この発明は、リードフレーム等に使用するＦｅ−Ｎｉ系封着合金に係り、打抜性、切断加工性にすぐれたＦｅ−Ｎｉ系封着合金に関する。」（第１頁右下欄第６行〜第９行）
（１ｃ）「Ａｌ，Ｚｒ，Ｃａ，Ｍｇ，Ｒ・Ｅ（希土類元素）は、Ｎｉ，ＦｅよりもＳ，Ｃ，Ｎ，Ｏとの親和力が強いため、酸化物、炭化物、窒化物、硫化物を生成し、プレス加工性を改善する効果があるため、上記元素のうち少なくとも１種を添加するが、０．０００５ｗｔ％未満では上記効果がなく、０．１０ｗｔ％を越えると熱間加工性、冷間加工性を劣化させるので好ましくなく、０．０００５ｗｔ％〜０．１０ｗｔ％の含有とする。」（第３頁左上欄第１８行〜同頁右上欄第６行）
（１ｄ）「Ｓｉ，Ｍｎ，Ａｌ，Ｚｒ，Ｃａ，Ｍｇ，Ｒ・Ｅの酸化物、炭化物、窒化物、硫化物等の非金属介在物の組織内での大きさを限定した理由は、非金属介在物の大きさが３μｍを越えると、打抜加工、切断加工時のカエリが多くなり、薄板の曲げ加工、絞り加工時に亀裂、割れ発生の起点となるためであり、上記非金属介在物の大きさは３μｍ以下で、かつ組織内に均一に分散、含有されていることが重要である。またこの発明において、合金組成内の非金属介在物の大きさを３μｍ以下に且つ均一に分散分布させるためには、溶製条件、造塊条件及び脱酸剤の添加時期、添加量を適宜選定する必要がある。」（第３頁右上欄第１２行〜同頁左下欄第３行）
（１ｅ）「厚み０．２５ｍｍの薄板に仕上げた。」（第３頁左下欄第１９行〜第２０行）
（１ｆ）「各種合金の介在物量は、定電位電解法によって金属のみ溶解し、溶解液中の酸化物、炭化物、窒化物、硫化物等の非金属介在物残渣を、ミクロフィルターで、３．０μｍ以下のものと、３．０μｍを越えるものとに分離抽出して測定した。」（第３頁右下欄第１３行〜第１７行）
　
４．当審の判断
　４−１．特許法第２９条第１項第３号について
　刊行物１には、上記（１ａ）のＦｅ−Ｎｉ系封着合金が記載されている。刊行物１に記載の「打抜性の良好なる」は、「打抜き加工性に優れる」と言い換えることができ、また、刊行物１に記載の封着合金は、上記（１ｂ）の記載によれば、リードフレームに使用する材料であり、上記（１ｄ）の記載によれば、該封着合金で分散する微細非金属介在物は、Ｓｉ，Ｍｎ，Ａｌ，Ｚｒ，Ｃａ，Ｍｇ，Ｒ・Ｅの酸化物、炭化物、窒化物、硫化物等であり、上記（１ｅ）の記載によれば、該封着合金は、厚みが０．２５ｍｍの薄板に仕上げられるものである。
　してみれば、刊行物１には、
　「Ｎｉ　３８〜５５ｗｔ％、Ｓｉ　０．０５〜０．５０ｗｔ％、Ｃ　０．０５ｗｔ％以下、Ｍｎ　０．０５〜１．００ｗｔ％、Ｓ　０．００３〜０．０２５ｗｔ％、但し、Ｍｎ／Ｓ≧１０、Ａｌ，Ｚｒ，Ｃａ，Ｍｇ，Ｒ・Ｅのうち少なくとも１種を０．０００５〜０．１０ｗｔ％、Ｏ　１００ｐｐｍ以下、Ｎ　５０ｐｐｍ以下、を含有し、残部はＦｅ及び不可避的不純物からなり、３μｍ以下のＳｉ，Ｍｎ，Ａｌ，Ｚｒ，Ｃａ，Ｍｇ，Ｒ・Ｅの酸化物、炭化物、窒化物、硫化物等の微細非金属介在物が、組織内に均一に分散する厚みが０．２５ｍｍの打抜き加工性に優れるＦｅ−Ｎｉ系リードフレーム用薄板材料」の発明が記載されているものと認める。
　本件発明１と刊行物１に記載の発明とを対比する。
　刊行物１に記載の発明のリードフレーム用薄板材料に含有されるＯは、不純物元素といえるから、両者は、Ｃ，Ｓｉ，Ｍｎ，Ｎｉ，Ｓ，Ｎを含有し、更に、Ｚｒ，Ｍｇ，Ｃａの少なくとも１種以上含有し、残部Ｆｅからなり、かつ、Ｃ，Ｓｉ，Ｍｎ，Ｎｉ，Ｓ，Ｎの各含有量、及びＺｒ，Ｍｇ，Ｃａの少なくとも１種以上の総量での含有量が重複する点でリードフレーム用薄板材料の合金組成が一致するといえる。
　次に、刊行物１に記載の発明について、材料に含まれる介在物の大きさと材料の板厚ｔとの関係を検討すると、刊行物１に記載の発明は、介在物の大きさが３μｍ以下であり、板厚ｔが０．２５ｍｍであるから、０．０７ｔの値を求めると、０．０７ｔ＝０．０７×０．２５（ｍｍ）＝０．０１７５（ｍｍ）、すなわち、１７．５μｍとなるので、刊行物１に記載の発明は、介在物の大きさが０．０７ｔ以下となる。
　してみれば、両者は、材料に含まれる介在物の大きさを、材料の板厚をｔとしたときに０．０７ｔ以下とする点で一致するといえる。
　以上のとおりであるから、両者は、合金組成が一致するＦｅ−Ｎｉ系リードフレーム用材料において、材料に含まれる介在物の大きさを、材料の板厚をｔとしたときに０．０７ｔ以下とした打抜き加工性に優れるリードフレーム用材料である点で一致し、次の点で相違する。
（相違点）
　本件発明１は、「粒径０．２〜１μｍのＭｎＳを１０００〜６００００個／ｍｍ２の割合で分散させた」のに対して、刊行物１に記載のものは、「３μｍ以下のＳｉ，Ｍｎ，Ａｌ，Ｚｒ，Ｃａ，Ｍｇ，Ｒ・Ｅの酸化物、炭化物、窒化物、硫化物等の微細非金属介在物が、組織内に均一に分散」する点
　そこで、上記相違点について検討する。
　特許異議申立人が提出した、参考資料には、合金の硫黄濃度と介在物の数との関係が示されているものの、介在物の粒径が示されていないから、参考資料を参酌しても、刊行物１に記載の発明は、「粒径０．２〜１μｍのＭｎＳを１０００〜６００００個／ｍｍ２の割合で分散させた」ものであるとすることができない。
　したがって、本件発明１は、刊行物１に記載された発明であるとすることができない。
　次に、本件発明２は、本件発明１の特定事項に加えて、打ち抜いた破面を光学顕微鏡で観察し、破断面高さの標準偏差が１５以下である点を発明特定事項として付加したＦｅ−Ｎｉ系プレス打抜き品に係る発明であるから、上記本件発明１と同様に、刊行物１に記載された発明とすることはできない。
　４−２．特許法第３６条第４項について
　特許異議申立人は、本件発明１〜３の特定事項である「粒径０．２〜１μｍのＭｎＳを１０００〜６００００個／ｍｍ２の割合で分散させた」点に関して、特許明細書には、「酸化物系介在物とＭｎＳの形態および大きさ並びに個数を変化させるために、溶製条件、造塊条件及び脱酸剤の添加時期、添加量を適宜選定した。」としか記載されておらず、本件発明１〜３を当業者が容易に実施できる程度に明確かつ十分に記載したものとはいえないと主張している。
　しかしながら、特許明細書、段落【００２１】には、少なくとも「酸化物系介在物とＭｎＳの形態および大きさ並びに個数を変化させるために、溶製条件、造塊条件及び脱酸剤の添加時期、添加量を適宜選定した。」と記載されているから、特許明細書には、介在物の大きさ、ＭｎＳの大きさ及び個数を制御するための製造条件が全く記載されていないとすることができず、また、平成１６年６月２３日付け上申書で記載された介在物を制御するための具体的な製造例によれば、特許明細書、段落【００２１】に記載の製造条件で介在物の大きさ、ＭｎＳの大きさ及び個数を制御できることが確認できる。
　以上のことからすると、特許明細書には、本件発明１〜３を当業者が容易に実施できる程度に明確かつ十分に記載されていないとすることができない。
　
５．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立の理由及び証拠によっては、本件発明１〜３に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明１〜３に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１６年７月１６日（２００４．７．１６）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
打抜き加工性に優れるＦｅ−Ｎｉ系リードフレーム用材料およびＦｅ−Ｎｉ系プレス打抜き品ならびにＦｅ−Ｎｉ系材料の打抜き方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　重量％で、Ｃ：０．００３〜０．０２％、Ｓｉ：０．０５〜１．０％、Ｍｎ：０．１〜１．５％、Ｎｉ：３０〜５０％、Ｓ：０．０００５〜０．０２％、Ｎ：０．００１〜０．０２％、Ｔｉ、Ｚｒ、ＭｇおよびＣａのうち少なくとも１種以上を総量で０．０００１〜０．０１重量％含有し、残部：ＦｅからなるＦｅ−Ｎｉ系リードフレーム用材料において、材料に含まれる介在物の大きさを、材料の板厚をｔとしたときに０．０７ｔ以下とし、かつ、粒径０．２〜１μｍのＭｎＳを１０００〜６００００個／ｍｍ２の割合で分散させたことを特徴とする打抜き加工性に優れるリードフレーム用材料。
　【請求項２】　重量％で、Ｃ：０．００３〜０．０２％、Ｓｉ：０．０５〜１．０％、Ｍｎ：０．１〜１．５％、Ｎｉ：３０〜５０％、Ｓ：０．０００５〜０．０２％、Ｎ：０．００１〜０．０２％、Ｔｉ、Ｚｒ、ＭｇおよびＣａのうち少なくとも１種以上を総量で０．０００１〜０．０１重量％含有し、残部：ＦｅからなるＦｅ−Ｎｉ系プレス打抜き品において、材料に含まれる介在物の大きさを、材料の板厚をｔとしたときに０．０７ｔ以下とし、かつ、粒径０．２〜１μｍのＭｎＳを１０００〜６００００個／ｍｍ２の割合で分散させ、打ち抜いた破面を光学顕微鏡で観察し、５μｍ間隔で破断面高さを５０点測定して、破断面高さｈｎの平均値ｓを求め、ｈｎおよびｓを式１に代入して算出される標準偏差が１５以下であることを特徴とするＦｅ−Ｎｉ系プレス打抜き品。
　【数１】
　【請求項３】　重量％で、Ｃ：０．００３〜０．０２％、Ｓｉ：０．０５〜１．０％、Ｍｎ：０．１〜１．５％、Ｎｉ：３０〜５０％、Ｓ：０．０００５〜０．０２％、Ｎ：０．００１〜０．０２％、Ｔｉ、Ｚｒ、ＭｇおよびＣａのうち少なくとも１種以上を総量で０．０００１〜０．０１重量％含有し、残部：Ｆｅからなり、かつ、材料に含まれる介在物の大きさを材料の板厚をｔとしたときに０．０７ｔ以下とし、かつ、粒径０．２〜１μｍのＭｎＳを１０００〜６００００個／ｍｍ２の割合で分散させたＦｅ−Ｎｉ系リードフレーム用材料の打抜き方法であって、材料に含まれる介在物の大きさをポンチとダイスのクリアランスよりも小さくすることを特徴とするＦｅ−Ｎｉ系材料の打抜き方法。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の属する技術分野】
　本発明は、良好な打抜き特性を有するＦｅ−Ｎｉ系リードフレーム用材料に係り、打抜き時の剪断特性を改善するよう非金属介在物の大きさ制御することにより、良好な打抜き特性を得る技術に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　近年、フラットパッケージに代表されるようにリードフレームの多ピン化が進んでおり、微細化加工における要求水準がますます高まっている。一般に、リードフレーム用材料には、リードパターンが打抜き加工で形成される打抜き用途と、リードパターンが塩化第二鉄溶液によるエッチングで形成されるエッチング用途に分けられ、後者のほうがより微細なリードパターンの形成に向いている。一般的に、リードフレーム用材料に要求される特性としては、▲１▼打抜き特性に優れること、▲２▼プレス加工時における加工性に優れること、▲３▼良好なはんだ性、メッキ性を有し半導体素子とのボンディング時に支障がないこと、▲４▼加工後の強度が高く変形しにくいこと、▲５▼電気伝導性が高く、実作動温度である２００℃以下での熱膨張係数が低いことなどがあげられる。打抜きリードフレームを用いたＩＣ半導体パッケージの製造工程は、大まかには以下のように分けることができる。
　【０００３】
（１）素材（リードフレーム材）の打抜き加工
（２）リードフレームを樹脂モールドにマウントするマウント工程
（３）リードフレームと半導体素子を導線で接続するためのボンディング工程
　【０００４】
　ここで、工程１では打抜き性が、工程２ではプレス成形性が要求され、工程３ではメッキ性、はんだ性がそれぞれ要求される。加工後の強度が必要なのはボンディング時に反りや曲がりなどの変形が起きにくいことが必要なためと、取り扱い時の変形による不良発生で歩留まり低下を防ぐためである。また電気伝導性は、リードに流れる電流による発熱を左右し、半導体素子の動作の安定性に影響する。リードフレーム用材料には、加熱による組立工程中の熱膨脹差による歪みに起因する半導体素子の特性変動や、モールドレジンとの密着性の劣化を防止するために、半導体素子またはモールドレジンとの熱膨張係数が近いことが必要とされている。そのような要求を満たす従来より代表的な金属材料として、Ｆｅ−４２Ｎｉ合金、Ｆｅ−４５Ｎｉ合金、Ｆｅ−５０Ｎｉ合金等の材料が用いられている。
　【０００５】
　熱伝導の点では、銅合金がＦｅ−Ｎｉ合金に比べてより有利であるが、最近では半導体素子の安定性向上、放熱性の改善、リードの形状改善（薄肉化）による実効比抵抗の減少などの個々の改善がなされているため、Ｆｅ−Ｎｉ合金の熱伝導特性は技術的なネックにはなっていない。一方、打抜き性については、この工程において品質のばらつきが製品の歩留まりに大きく影響し、また、今後の高精細化、多ピン化の動向と併せて重要な工程と考えられることから、従来から壮んに検討されている。これまでの打抜き性改善の試みとしては、例えば特開昭６１−４４１５６に見られるように、圧延方向平行断面の介在物の大きさを５μｍ以下とし、Ａ系、Ｂ系介在物の総数を１ｍｍ２あたり２０個以上としたものや、特開昭６０−２５５９５３に見られるように、粒径３μｍ以下の微細非金属介在物を組織内に均一分散させたものがある。さらに、特開平９−８７８０８、２４９９４３に見られるように、圧延および板圧方向に平行な断面積１ｍｍ２あたりの１０μｍ以上の大きさのＡ系介在物またはＢ系介在物を１０〜１０００個、５μｍ以下のＣ系介在物を１００〜５００００個に制限し、エッチング後の硫化物系介在物痕の個数を１０００〜２０００個としているなど、打抜き性改善に介在物を積極的に利用している例が多く見られる。また特開昭６３−２４０１０に見られるように炉外精練温度を１７００℃以下で行うことにより、打抜き性に対して有害な１０μｍを越える大きさのＭｇＯ−Ａｌ２Ｏ３などのスピネル系酸化物の介在物の生成を抑制する技術も提案されている。これらのことから打抜き性に対して介在物の制御がいかに重要かが判る。
　【０００６】
　【発明が解決しようとする課題】
　リードフレーム材では、プレス打抜きの際に生じるバリやカスにより製品の性能を劣化させるだけでなく、金型に疵を付けたり残留応力により反りや曲がりが生じてハンドリングに不具合が起こる。このため、半導体の製造工程において安定した製造に支障を来したり歩留りの低下をもたらし、重大なトラブルの原因となることもある。また最近ではリードの高精細化に伴い、金型のクリアランスが小さく設定されるため、プレス時の抜きカス発生や金型寿命の低下するとともに、剪断面と破断面との境界が乱され、部分的に大きなバリが発生する。このため、最近では益々打抜き性の良い材料が求められるようになって来ているが、そのような要求を満たすためには、前述したような介在物の制御のみでは不十分であった。
　【０００７】
　【課題を解決するための手段】
　本発明者は、Ｆｅ−Ｎｉ系リードフレーム用材料の打抜き性に介在物が及ぼす影響について検討した結果、ポンチとダイスのクリアランスを介在物が円滑に通過できるか否かで、破面の形態つまり剪断面と破断面の境界の直線性が大きく左右されることを見出した。
　【０００８】
　本発明は上記知見に基づいてなされたもので、Ｎｉを３０〜５０重量％含有したＦｅ−Ｎｉ系リードフレーム用材料において、材料に含まれる介在物の大きさを、材料の板厚をｔとしたときに０．０７ｔ以下にしたことを特徴としている。
　また、本発明のＦｅ−Ｎｉ系材料の打抜き方法は、Ｎｉを３０〜５０重量％含有したＦｅ−Ｎｉ系合金材料をポンチとダイスを用いて打ち抜く方法において、材料に含まれる介在物の大きさを、ポンチとダイスのクリアランスよりも小さくしたことを特徴としている。なお、Ｆｅ−Ｎｉ系材料として典型的なものはリードフレーム材である。
　【０００９】
　一般に、リードフレームをプレスで打ち抜く際のクリアランスは、板厚をｔとしたときに最大で０．０７ｔに設定される。上記リードフレーム用材料では、介在物の大きさを０．０７ｔ以下としているので、介在物は概ねクリアランスを通過することができ、剪断面と破断面との境界の直線性が得られる。なお、クリアランスは最小で０．０３ｔに設定されることもあるため、介在物の大きさを０．０３ｔ以下とすれば、剪断面と破断面との境界の直線性を確実に得ることができる。
　【００１０】
　プレスの剪断抵抗は、材料を圧延方向と平行な面で剪断した場合よりも圧延方向と直交する面で剪断した場合の方が大きい。これは、介在物が圧延方向に延長されているため、圧延方向と平行な面では、打抜き面に介在物が存在する頻度が多からである。このような剪断荷重の異方性は、残留応力の問題を来すため極力抑制しなければならない。そこで、本発明者は、介在物のうちでも快削性に寄与することで知られているＭｎＳについて定量的に解析した結果、粒径０．２〜３μｍのＭｎＳを１０００〜６００００個／ｍｍ２の割合で分散させることにより、どの面でも均一に破断が生じることを見出した。よって、本発明のＦｅ−Ｎｉ系リードフレーム用材料は、Ｎｉを３０〜５０重量％含有したＦｅ−Ｎｉ系リードフレーム用材料において、材料に含まれる介在物の大きさを、材料の板厚をｔとしたときに０．０７ｔ以下とし、かつ、粒径０．２〜３μｍのＭｎＳを１０００〜６００００個／ｍｍ２の割合で分散させたことを特徴としている。なお、ＭｎＳの粒径は、２μｍ以下が望ましく、１μｍ以下であればさらに好適である。また、ＭｎＳは、２０００個／ｍｍ２以上の割合で分散させることが好ましく、５０００個／ｍｍ２以上であればより好ましく、１００００個／ｍｍ２以上であればさらに好適である。また、ＭｎＳは、５００００個／ｍｍ２以下が好ましく、４００００個／ｍｍ２以下であればより好ましく、３００００個／ｍｍ２以下であればさらに好適である
　【００１１】
　次に、本発明の好適な成分組成について説明する。本発明のＦｅ−Ｎｉ系リードフレーム用合金の好ましい成分組成は、重量％で、Ｃ：０．００３〜０．０２％、Ｓｉ：０．０５〜１．０％、Ｍｎ：０．１〜１．５％、Ｎｉ：３０〜５０％、Ｓ：０．０００５〜０．０２％、Ｎ：０．００１〜０．０２％、残部：Ｆｅおよび不可避的不純物からなる。以下、上記限定の根拠を説明する。なお、以下の説明で「％」は「重量％」を意味する。
　【００１２】
　Ｃ：Ｃは、固溶強化および加工硬化による材質強化に寄与する元素であるため、０．００３％以上の添加を必要とする。一方、Ｃ含有量が多すぎると、電気抵抗の増大を招いて導電性を悪くするとともに、炭化物が多く析出して熱間加工性、靭性（繰返し曲げ性等）および打抜き性を劣化させ、さらに、Ｆｅ−Ｎｉ系合金本来の低熱膨張特性をも損なうことになる。そのため、Ｃの含有量は０．００３〜０．０２％に規定した。
　【００１３】
　Ｓｉ：Ｓｉは、脱酸剤として添加されるが、その含有量が多すぎるとＣと同様に低熱膨張特性を損ない、打抜き性を低下させる。一方、Ｓｉの酸化物は組織中に不均一核生成により発生するＭｎＳ等の硫化物の析出起点となるため、適当な量の添加が望ましい。このような観点から、Ｓｉの含有量は０．０５〜１．０％とした。
　【００１４】
　Ｍｎ：ＭｎもＳｉと同様に脱酸成分の一つであるが、熱間加工性に有害なＳと結合してＭｎＳを形成することから、熱間加工性の改善に有効である。また、Ｓｉと同様に、Ｍｎ酸化物は組織中に不均一核生成により発生するＭｎＳ等の硫化物の析出起点となるため、適当な量の添加が望ましい。一方、Ｍｎの添加量が多すぎると熱膨張係数が高くなり、半導体素子との熱膨張係数との差が大きくなって基盤材として不適当になる。以上の観点からＭｎの含有量は０．１〜１．５％とした。
　【００１５】
　Ｓ：Ｓは、熱間加工性に対して有害な成分であるが、打抜き性に対して有用なＭｎＳ等の硫化物を生成するのに必要な成分であるため、適量の添加が必要である。このような観点から、Ｓの含有量は０．０００５〜０．０２％とした。
　Ｎ：Ｎも熱間加工性に対して有害な成分であるが、Ｃと同様に、固溶強化および加工硬化による材質強化に寄与する元素であるため、適量の添加が必要である。このような観点から、Ｎの含有量は０．００１〜０．０２％とした。
　【００１６】
　Ｎｉ：Ｎｉは、３０％未満であると焼鈍状態でもマルテンサイトが形成され、磁気特性、熱膨張特性、強度、その他の物理的特性が損なわれるので、３０％以上の添加が必要である。しかしながら、Ｎｉは５０％を超えて含有すると、電気抵抗や飽和磁束密度が減少し、熱膨張係数が増大するので好ましくなく、その上、コスト的にも不利になるので、上限を５０％とした。
　【００１７】
　また、Ｔｉ、Ｚｒ、ＭｇおよびＣａのうち少なくとも１種以上を総量で０．０００１〜０．０１重量％含有することが望ましい。これらはいずれも凝固時にＭｎＳが析出する核サイトとなる酸化物を形成する元素であり、ＭｎＳの形態を球状にし、微細に分散させるために必要な元素である。これら元素の総量は、０．０００１重量％未満では上記した効果が期待できず、また、０．０１重量％を上回ると、熱膨張係数が大きくなるとともにメッキ性を阻害する。
　【００１８】
　次に、本発明者は、打ち抜いた破面における剪断面と破断面との境界の直線性（以下、破断面の均一性と称する）について検討した。破断面の均一性は、材料の打抜き加工性を上記のように向上させることで得られるものであるが、残留応力による経時変形の可能性を示す指標ともなる。そこで、本発明者は、破断面の均一性を以下の方法で定量的に解析した。
　【００１９】
　まず、プレスで打ち抜いた破面を光学顕微鏡で観察し、５μｍ間隔で破断面高さを５０点測定して破断面高さｈｎの平均値ｓを求めた。そして、ｈｎおよびｓを下記式に代入して標準偏差を算出した。
　【数２】
　【００２０】
　本発明者の検討によれば、破断面高さの標準偏差が１５以下であると、打抜き後の材料の変形は殆ど生じないことが判明した。よって、本発明は、このような知見に基づいてなされたもので、Ｎｉを３０〜５０重量％含有したＦｅ−Ｎｉ系プレス打抜き品であって、打ち抜いた破面を光学顕微鏡で観察して５μｍ間隔で破断面幅を５０点測定して得た標準偏差が１５以下であることを特徴としている。この標準偏差は、１０以下であることが好ましく、５以下であればさらに好適である。なお、プレス打抜き品として典型的なものはリードフレームである。
　【００２１】
　【実施例】
　以下、具体的な実施例により本発明をより詳細に説明する。
　Ｆｅ−４２％Ｎｉを主成分とするＦｅ−Ｎｉ系合金を、真空溶解炉にて鋼塊に溶製した。その際、酸化物系介在物とＭｎＳの形態および大きさ並びに個数を変化させるために、溶製条件、造塊条件及び脱酸剤の添加時期、添加量を適宜選定した。その後、各鋼塊に対して鍛造を行い、通常の熱間圧延、冷間圧延及び焼鈍を行って板厚０．１５ｍｍの冷延板を得た。各冷延板表面をＳＰＥＥＤ法にて腐食してＳＥＭ写真（７０００倍、１７μｍ×１１μｍ、１０視野の平均）により観察し、酸化物系介在物の大きさ、ＭｎＳの個数を測定し、測定結果を各冷延板の成分組成とともに表１に示した。なお、酸化物系介在物の大きさは、最大１０個の平均をとった。なお、図３は、ＳＥＭ写真の例であり、（ａ）では７個のＭｎＳが、（ｂ）では２個のＭｎＳが確認されている。
　【００２２】
　【表１】
　【００２３】
　各冷延板について以下の方法で打抜き試験を行った。まず、１０トンプレスを２３０ｓｐｍの条件で使用し、クリアランスを４．５μｍとして冷延板を１２ｍｍ角の正方形に打ち抜いた。その際の破面を光学顕微鏡で観察し、破断面比率と破断面の均一性を求めた。破断面比率（％）は、破面に対して５μｍ間隔で破断面高さｈｎを５０点測定し、その平均値ｓを板厚で除算して算出した。また、破断面の均一性は、破断面高さｈｎとその平均値ｓを前記数１に代入して標準偏差を算出し、その値で評価した。
　【００２４】
　次に、図１に示すように、幅１０ｍｍ、長さ１２０ｍｍの冷延板に対して１２ｍｍ角のポンチを使用し、圧延方向（Ｒ．Ｄ．）と平行な方向（Ｐ方向）と直交する方向（Ｒ方向）での打抜き試験を行った。その際、プレスの打抜き速度を０．５ｍｍ／分に設定し、ポンチが冷延板に接触してから切断に至るまでのポンチストローク値を実測した。Ｐ方向でのポンチストローク値（Ｐ）と、Ｒ方向でのポンチストローク値（Ｒ）を下記式に代入して異方性（％）を算出し、その結果を表１に併記した。
　【数
３
　　（Ｒ−Ｐ）／Ｐ×１００
　【００２５】
　表１から判るように、酸化物系介在物の大きさがクリアランス（４．５μｍ）以下である本発明例では、破断面の均一性を示す標準偏差がいずれも小さく、図２（ｄ）に示すような破面を呈した。これに対して、酸化物介在物の大きさが４．５μｍを超える比較例ではいずれも標準偏差が大きく、図２（ａ）〜（ｃ）に示す破面を呈した。また、本発明例では、いずれも粒径０．２〜１μｍ程度のＭｎＳを１０００〜６００００個／ｍｍ２の割合で分散させているため、比較例と較べて剪断抵抗の異方性がかなり小さくなっている。
　【００２６】
　【発明の効果】
　以上のように本発明によれば、破断面の均一性を向上させることができるので、リードフレーム材の打抜き工程でのバリ発生による材料不具合や、ハンドリングによる不具合がなくなるとともに、金型の寿命を大幅に向上することが期待でき、近年のＩＣパッケージ用リードフレーム材の高精細化、高信頼性化および生産効率の向上に対して優れた部品を供給することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】　剪断抵抗の異方性を調べる打抜き試験を説明するための平面図である。
　【図２】　各冷延板の打抜き面を示す図である。
　【図３】　ＳＰＥＥＤ法にて腐食した冷延板表面のＳＥＭ写真である。