【事件の表示】
　特許第３２３６３７４号「光記録担体」の請求項１ないし８に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３２３６３７４号の請求項１ないし８に係る特許を維持する。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本件特許３２３６３７４号の請求項１ないし１０に係る発明は、平成４年１２月９日（パリ条約による優先権主張１９９１年１２月１２日、オランダ国）に特許出願され、平成１３年９月２８日にその特許の設定登録がなされ、その後、上記特許の請求項１ないし８に係る発明に対して、異議申立人松野洋子より特許異議の申立てがなされ、取消理由が通知され、その指定期間内である平成１５年５月２６日に訂正請求（後日取下げ）がなされた後、取消理由を兼ねる訂正拒絶理由が通知され、その指定期間内である平成１６年５月７日に訂正請求がなされたものである。
　
第２　訂正の適否についての判断
１　訂正明細書
　平成１６年５月７日付けで提出された訂正明細書の特許請求の範囲は、次の通りである。
　「【請求項１】　記録層、無機誘電体干渉層及び反射層をこの順序に具える積層体を基板上に具えた記録担体であって、その入射面に入射する光ビームにより情報が書込まれ読取られる光記録担体において、前記積層体の反射層が記録担体の入射面に面しており、この反射層が金属又は金属合金から成
り、且つ前記無機誘電体干渉層が酸化タンタル（Ｔａ
２
Ｏ
５
）から成る
　【請求項２】　前記反射層の透過
率
　【請求項３】　前記積層体は、前記反射層の、前記入射面に面する側に、この反射層に接する下地層を含んでおり、この下地層が無機誘電体材料から成ることを特徴とする請求項１又は２記載の光記録担体。
　【請求項４】　記録層、無機誘電体干渉層及び反射層をこの順序に具える積層体を基板上に具えた記録担体であって、その入射面に入射する光ビームにより情報が書込まれ読取られる光記録担体において、前記積層体の反射層が記録担体の入射面に面しており、この反射層が少なくとも３つの
無機
、且つ前記無機誘電体干渉層が酸化シリコン（ＳｉＯ
２
）から成る
　【請求項５】　前記記録層の、前記干渉層と反対側の表面に追加の干渉層及び追加の反射層が設けられていることを特徴とする請求項１〜４の何れかに記載の光記録担体。
　【請求項６】　前記追加の反射層は金属又は金属合金から成ることを特徴とする請求項５記載の光記録担体。
　【請求項７】　前記記録層は相変化材料から成ることを特徴とする請求項１〜６の何れかに記載の光記録担体。
　【請求項８】　前記相変化材料はゲルマニウム（Ｇｅ）とテルル（Ｔｅ）の合金であることを特徴とする請求項７記載の光記録担体。
　【請求項
９
８
　
２　訂正の内容
　特許権者が求めている訂正の内容は、以下のとおりの訂正事項である。
（１）　訂正事項ａ
　特許明細書の特許請求の範囲の請求項１を、「記録層、無機誘電体干渉層及び反射層をこの順序に具える積層体を基板上に具えた記録担体であって、その入射面に入射する光ビームにより情報が書込まれ読取られる光記録担体において、前記積層体の反射層が記録担体の入射面に面しており、この反射層が金属又は金属合金から成
り、且つ前記無機誘電体干渉層が酸化タンタル（Ｔａ
２
Ｏ
５
）から成る
（２）　訂正事項ｂ
　特許明細書の特許請求の範囲の請求項４を、「記録層、無機誘電体干渉層及び反射層をこの順序に具える積層体を基板上に具えた記録担体であって、その入射面に入射する光ビームにより情報が書込まれ読取られる光記録担体において、前記積層体の反射層が記録担体の入射面に面しており、この反射層が少なくとも３つの
無機
、且つ前記無機誘電体干渉層が酸化シリコン（ＳｉＯ
２
）から成る
（３）　訂正事項ｃ
　特許明細書の特許請求の範囲の請求項２の「透過係数」を「透過
率
（４）　訂正事項ｄ
　特許明細書の特許請求の範囲の請求項９を削除するとともに、訂正前の請求項１０の項番号を繰り上げて請求項９とし、引用する請求項を「請求項１〜
８
　
３　訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
（１）　訂正事項ａについて
　訂正後の請求項１は、特許明細書の記載（段落１４、２０〜２２）及び特許明細書の訂正前の請求項９に基づいて、特許明細書の請求項１の「無機誘電体干渉層」を「
酸化タンタル（Ｔａ
２
Ｏ
５
）から成る
（２）　訂正事項ｂについて
　訂正後の請求項４は、特許明細書の記載（段落２３）に基づいて、特許明細書の請求項４の「少なくとも３つの誘電体層」を「少なくとも３つの
無機
酸化シリコン（ＳｉＯ
２
）から成る
（３）　訂正事項ｃについて
　特許明細書の記載（段落７、２１）「透過率」に照らせば、訂正前の請求項２の「透過係数」の記載が「透過率」のことであると認められ、不明瞭な記載を明瞭にしたものであり、明りょうでない記載の釈明に該当する。
（４）　訂正事項ｄについて
　請求項９を削除する訂正は、特許請求の範囲の減縮を行うものである。また、これに伴い、訂正前の請求項１０を請求項９とする訂正は、形式的に変更はないが、訂正後の請求項９は、その引用する請求項の内容が減縮されたことに伴い、その訂正の内容は実質的に特許請求の範囲の減縮を行うものである。
　よって、上記訂正事項ａｂｃｄは、特許請求の範囲の減縮または明りょうでない記載の釈明を目的とした明細書の訂正に該当するものであって、新規事項の追加に該当せず、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
　
４　独立特許要件
　請求項９に係る訂正は、特許異議の申立てがされていない請求項についての訂正であって、特許請求の範囲の減縮を目的としたものに該当するから、請求項９に係る発明の独立特許要件について検討する。
　訂正後の請求項９に係る発明は、訂正明細書の特許請求の範囲の請求項９に記載されたとおり（上記「第２の１」）のものであって、同請求項４に係る発明の構成要件を全て含むものである。
　そして、当該請求項４に係る発明が、下記「第３の４（３）本件発明４」のように、異議申立人の提出した刊行物等に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明できたものではないので、同様の理由により、訂正後の請求項９に係る発明は、異議申立人が提出した刊行物等に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明できたものとすることはできない。
　したがって、訂正後の請求項９に係る発明は、特許出願の際独立して特許を受けることができるものである。
　
５　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、特許法第１２０条の４第３項において準用する平成６年法律第１１６号による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書、第２項及び第３項に適合するので、当該訂正を認める。
　
第３　特許異議の申立についての判断
１　申立の理由の概要
　申立人松野洋子は、証拠として、下記の甲第１ないし４号証を提出し、特許請求の範囲の請求項１ないし４，７及び８に係る発明は、甲第１号証に記載された発明であり、特許法第２９条第１項第３号に規定する発明に該当し、請求項１ないし８に係る発明は、甲第１ないし４号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、また請求項２に係る発明は、特許法第３６条第４項、第５項第１号及び第２号の規定により特許を受けることができないものであるから、特許を取り消すべきものと主張している。
　甲第１号証：特開平２−１６６６４３号公報（以下、「刊行物１」という。）
　甲第２号証：特開昭６３−１８１１３７号公報（以下、「刊行物２」という。）
　甲第３号証：特開平１−３０３６４３号公報（以下、「刊行物３」という。）
  甲第４号証：「高速相変化光ディスクの研究」電子情報通信学会技術研究報告、信学技報Vol.90　No.169第31頁〜第36頁、ＣＰＭ90−33（1990年7月27日発行）（以下、「刊行物４」という。）
　
２　本件発明
　異議申立ての対象である特許明細書の請求項１ないし８に係る発明は、上記訂正請求により訂正されたので、訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１ないし８に係る発明（以下、それぞれ「本件発明１ないし８」という。）は、その請求項１ないし８に記載されたとおりのものである。
「【請求項１】〜【請求項８】　上記「第２の１」のとおり。」
　
３　刊行物記載の発明
（１）　本件発明に対して、当審が通知した取消理由で引用した刊行物１の、３頁左下欄７行〜８行、３頁左下欄１６行〜１９行、３頁右下欄１２行〜１７行、４頁左上欄１行〜４行、４頁右下欄３行〜８行、５頁左上欄８行〜１２行、５頁左下欄３行〜１０行の記載によれば、刊行物１には、「基板上に、Ａｕなどの金属よりなる反射層、高分子化合物からなる中間層、およびレーザー光により情報の書き込みおよび／または読み取りが可能なＴｅとＳｅとを含む記録層がこの順で積層され、且つ基板側からの入射光に対する反射率が７０％以上である光記録担体」が記載され、「中間層を反射層と記録層の二つの金属層の間に設けることにより、反射率及び感度の両方を格段に向上することができる」ことが記載されている。
（２）　同じく引用した刊行物２には、相変化型記録膜と基板との間に、第１の透明薄膜（ＳｉＯ２等の無機物または有機物）と第２の透明薄膜とを設けた光情報記録媒体が記載され、上記第１の透明薄膜として、有機物の方が熱の遮断効果は大きいが、変形しにくさの点では無機物の方が好ましいことが、記載されている。
（３）　同じく引用した刊行物３には、一般に有機系薄膜は耐熱性に劣るため、書込み、消去を繰り返すと、ＳｂＴｅＧｅ膜に接する部分で不可逆な変形を生じ易く、これに対して、ＳｉＯ２等の高融点無機薄膜を用いた媒体は、極めて繰り返し性に優れていることが、記載されている。
（４）　刊行物４には、相変化ディスクに関して、記録層（ＳｂＴｅＧｅ）の下部及び上部にＺｎＳの無機誘電体層を設けることが記載されている。
（５）　本件発明に対して、当審が通知した取消理由で周知例として引用した特開平３−１８１０２９号公報、特開平１−２７３２４０号公報、特開平３−４９０５１号公報に示されているように、追記可能な光記録担体の記録層に接した無機誘電体層として酸化タンタルを用いることは周知技術である。
（６）　本件発明に対して、当審が通知した取消理由で引用した特開昭６２−１６７６３７号公報（以下、「刊行物５」という。）には、２頁左上欄１２行〜１９行、３頁左上欄１８行〜右上欄２行の記載によれば、「透明基板上に多層膜と記録層と反射層とが順次積層されてなり、前記多層膜は低屈折率透明誘電体層の両面に高屈折率透明誘電体層を設けてなり、各誘電体層の厚さを１／４の奇数倍の光学厚さであるようにしてなる光学式記録媒体」が記載され、「光学式記録媒体の記録層の光入射側界面に誘電体多層膜を設けるようにしているため、記録媒体の大幅な好感度化及び高変調度が実現され、データ記録をより高速に行うことが可能となること」が記載されている。
　
４　対比・判断
（１）　本件発明１
　本件発明１と刊行物１に記載された発明とを対比すると、本件発明１は、干渉層としてＴａ２Ｏ５から成る無機誘電体干渉層を用いているのに対して、刊行物１に記載された発明では、高分子化合物からなる誘電体層である点（以下、「相違点ア」という。）で相違する。
　記録層の上部または下部に無機誘電体層を設けること、及び有機物の方が熱の遮断効果は大きいが、変形しにくさの点では無機物の方が好ましいことが刊行物２〜４に示され、無機物誘電体層としてＴａ２Ｏ５から成るもの自体は周知である。
　しかしながら、上記刊行物２〜４や周知例のものは、いずれも、従来の光記録媒体一般的な構造である、記録層と基板との間や、記録層の光入射面と反対側面上に設けられる誘電体層であり、その誘電体層の位置が刊行物１のものと異なることから、刊行物１に記載された発明における高分子化合物の中間層に換えて、Ｔａ２Ｏ５のような無機誘電体層を用いることに想い到ることは、その動機付けが乏しく、当業者にとって容易ではない。
　そして、上記相違点アにより、特許明細書（段落６、１４参照）及び図２に示されるように、高い反射率と高いコントラストの両方を達成し、情報を書込むのに必要とされるパワーを低くするという明細書記載の顕著な効果を奏している。
　よって、本件発明１は刊行物１に記載された発明ではなく、また刊行物１〜４に記載された発明及び周知技術に基づいて容易に発明をすることができたものでもない。
（２）　本件発明２、３
　本件発明２及び３は、請求項１である本件発明１を引用するものであり、本件発明１を更に限定するものあるから、上記（１）と同様の理由により、本件発明２及び３は、刊行物１に記載された発明ではなく、また刊行物１〜４に記載された発明及び周知技術に基づいて容易に発明をすることができたものでもない。
（３）　本件発明４
　本件発明４と刊行物１に記載された発明とを対比すると、本件発明４は、反射層が少なくとも３つの無機誘電体層から成り、且つ干渉層が酸化シリコン（ＳｉＯ２）から成る無機誘電体層であるのに対して、刊行物１に記載された発明は、反射層が金属反射層であり、且つ干渉層が高分子化合物からなる誘電体層である点で相違する（以下、「相違点イ」という。）。
　刊行物５は、３つの誘電体層を記録層の光入射側界面に設けることにより、記録層の光入射側界面での反射率を高めるものであるのに対し、刊行物１に記載された発明の反射層は、記録層に高分子中間層を介して配置されるものであるから、刊行物５に記載された技術を刊行物１に記載された発明の反射層に適用することは当業者にとって容易に想到しうるものではないうえ、さらに上記高分子中間層に換えてＳｉＯ２  のような無機誘電体干渉層を用いることに想い到ることは、当業者にとって容易ではない。
　そして、上記相違点イにより、特許明細書（段落９、２３参照）及び図２に示されるように、高い反射率と高いコントラストの両方を達成し、書き込みのパワーが小パワーで十分になるという明細書記載の顕著な効果を奏している。
　よって、本件発明４は刊行物１に記載された発明ではなく、また刊行物１〜５に記載された発明に基づいて容易に発明をすることができたものでもない。
（４）　本件発明５ないし８
　本件発明５ないし８は、請求項１ないし４である本件発明１ないし４を引用するものであり、本件発明１ないし４を更に限定するものあるから、上記（１）ないし（３）と同様の理由により、本件発明５ないし８は、刊行物１に記載された発明ではなく、また刊行物１〜５に記載された発明及び周知技術に基づいて容易に発明をすることができたものでもない。
　
５　記載不備について
（１）　申立人の指摘する「透過係数」は、「透過率」と訂正され、発明の詳細な説明の項の記載と対応しているものとなった。
（２）　申立人は、「透過率の値を特定するためには、透過率を測定した波長を特定する必要があるので、測定波長の特定されていない請求項２は、発明に欠くことができない事項のみが記載されておらず、特許法第３６条第５項第２号に違反する」旨主張している。
　しかしながら、本件発明２は、「光ビームにより情報が書込まれ読取られる光記録担体」（請求項１の記載）に関するものであり、特許権者が、「このような光記録担体（例えばＣＤ）の反射率や感度やコントラスト等の光学的特性は使用する光ビームの波長において測定されたものであることは周知の事実である。例えば、本願明細書の段落２に記載されている光記録担体（ＣＤ）の反射率やコントラストは、言うまでもなく使用する光ビームの波長（ＣＤでは780nm）におけるものであり、本願発明はこの反射率やコントラストの改善に関するものであるから、本願明細書の段落２１等に記載されている光記録担体の反射率や反射層の透過率は言うまでもなく使用する光ビームの波長における値である」（平成１５年５月２６日付け第１回異議意見書６頁９行〜１７行）と説明するように、請求項２の「透過率」は、光記録担体で使用する光ビームの波長におけるものであることは明らかであり、発明に欠くことができない事項のみが記載されていないとすることはできない。
（３）　申立人は、「当業者が透過係数の測定ができる程度まで発明の詳細な説明が記載されておらず、当業者が容易に発明を実施できる程度に、その目的、構成および効果が記載されていないので、特許法第３６条第４項に違反する」旨主張している。
　発明の詳細な説明の項の記載が、当業者が容易に実施できる程度か否かの判断は、出願時点における技術常識や公知及び周知な技術を参考に判断されるべき事項であって、明細書の記載は、これらの事項を参酌して理解できれば、容易に実施できる程度に記載されているということができる。
　本件明細書における透過率を測定するための測定波長については、上記（２）のように、光記録担体で使用する光ビームの波長であることは明らかであり、また透過率の測定方法自体は従来周知な技術であることから、明細書記載の内容で十分当業者が容易に透過率の測定を実施できる程度に記載されている。
　したがって、上記（１）（２）（３）に示したとおりであるから、本件発明は、第３６条第４項および第５項各号に規定する要件を満たしている。
　
６　むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立の理由及び証拠によっては、本件発明１ないし８に係る発明の特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明１ないし８に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１６年６月１日（２００４．６．１）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
光記録担体
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　記録層、無機誘電体干渉層及び反射層をこの順序に具える積層体を基板上に具えた記録担体であって、その入射面に入射する光ビームにより情報が書込まれ読取られる光記録担体において、前記積層体の反射層が記録担体の入射面に面しており、この反射層が金属又は金属合金から成り、
且つ前記無機誘電体干渉層が酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）から成る
　【請求項２】　前記反射層の
透過率
　【請求項３】　前記積層体は、前記反射層の、前記入射面に面する側に、この反射層に接する下地層を含んでおり、この下地層が無機誘電体材料から成ることを特徴とする請求項１又は２記載の光記録担体。
　【請求項４】　記録層、無機誘電体干渉層及び反射層をこの順序に具える積層体を基板上に具えた記録担体であって、その入射面に入射する光ビームにより情報が書込まれ読取られる光記録担体において、前記積層体の反射層が記録担体の入射面に面しており、この反射層が少なくとも３つの
無機
且つ前記無機誘電体干渉層が酸化シリコン（ＳｉＯ２）から成る
　【請求項５】　前記記録層の、前記干渉層と反対側の表面に追加の干渉層及び追加の反射層が設けられていることを特徴とする請求項１〜４の何れかに記載の光記録担体。
　【請求項６】　前記追加の反射層は金属又は金属合金から成ることを特徴とする請求項５記載の光記録担体。
　【請求項７】　前記記録層は相変化材料から成ることを特徴とする請求項１〜６の何れかに記載の光記録担体。
　【請求項８】　前記相変化材料はゲルマニウム（Ｇｅ）とテルル（Ｔｅ）の合金であることを特徴とする請求項７記載の光記録担体。
　【請求項
９
８
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】
　本発明は、記録層、干渉層及び反射層をこの順序に具える積層体を基板上に具えた記録担体であって、その入射面に入射する光ビームにより情報が書込まれ読取られる光記録担体に関するものである。ここで干渉層とは光干渉作用を生じさせる層である。
　【０００２】
　【従来の技術】
　コンパクトディスク（ＣＤ）、コンパクトディスクリードオンリメモリ（ＣＤ−ＲＯＭ）及びレーザビジョン（ＬＶ）のような多くの既知の光記録担体は製造業者により情報が予め設けられ、ユーザはこれを再生することができるだけである。特別の書込／読取装置において書込むことができると共に上述した書込不可（再生専用）記録担体を読取る再生専用の読取装置で読取ることもできる書込可能記録担体が多くの場所で必要とされている。例えばオーディオ又はディジタルデータ形態の情報を少数の顧客に配布する必要がある（この場合には通常のＣＤ又はＣＤ−ＲＯＭでは費用がかかりすぎる）。しかし、このためには書込可能記録担体は再生専用記録担体と同一の標準規格要件を満たす必要があり、ＣＤに対しては７０％以上の初期反射率と６０％のコントラストを有する必要がある。初期反射率とは記録担体の非書込部分の反射率であり、コントラストとは非書込部分と書込部分の反射率の差を初期反射率で割った値である。これらの要件を満たす書込可能記録担体を製造するのは困難であることが判明した。これは、特に記録層に相変化材料と称されている材料を用いる場合にそうである。これら材料は結晶層がレーザビームの照射により変化すると共に反射率が変化する。既知の相変化材料は反射率が小さすぎてＣＤとコンパチブルな記録担体に何の困難もなしに使用することはできない。
　【０００３】
　頭書に記載したタイプの記録担体はＥＰ−Ａ０３５２１０５号から既知である。この書込可能記録担体は一方の面が入射面である基板を具え、反対側面上に最初に記録層、次に干渉層及び最後に反射層を具えている。基板を経て入射する光ビームは最初に記録層に、次いで干渉層に、最後に反射層に入射する。換言すれば、この積層体の記録層が入射面に面している。この積層体はこれら層の干渉作用により記録担体の初期反射率並びにコントラストを増大する。この特許出願に記載されている記録担体の好適実施例は相変化材料ＩｎＳｂの記録層を有し、この記録担体は非書込部分及び書込部分に対しそれぞれ７２％及び３８％の反射率を有し、従って４７％のコントラストを有する。
　【０００４】
　【発明が解決しようとする課題】
　この既知の記録担体の欠点は、前記積層体の構造は極く少数の記録材料についてしか反射率及びコントラストの相応な増大を生じない点にある。良好な書込又は消去特性を有する他の記録材料はこの積層体の構造では所望の高い反射率及び高いコントラストを生じない。コントラストの増大は記録担体を工業標準規格要件を満たすものとするのに望ましいばかりでなく高い信号対雑音比を得て記録担体を一層良好に読取り得るものとするのに望ましい。
　【０００５】
　本発明の目的は、多数の記録材料を使用し得ると共に十分に高い反射率及び十分に高いコントラストを有する頭書に記載したタイプの記録担体を提供することにある。本発明は２種類の新規な記録担体を提供する。各々には特定の実施例がある。
　【０００６】
　【課題を解決するための手段】
　本発明の第１の種類の記録担体は、積層体の反射層が入射面に面し、該反射層が金属又は金属合金から成ることを特徴とする。入射光が最初に反射層に、次いで干渉層を経て記録層に入射する場合、その実施に応じて既知の記録担体より高い反射率及び／又はコントラストの記録担体を達成することができる。
　【０００７】
　この記録担体の一実施例では、反射層の透過率が０．２より大きいことを特徴とし、この記録担体は一層高いコントラストを有する。
　【０００８】
　この記録担体の他の実施例では、金属反射層を無機誘電体材料の下地層上に形成することを特徴とする。この下地層により極めて薄い金属反射層を一定の厚さに成長させることができる。
　【０００９】
　第２の種類の本発明記録担体は、積層体の反射層が入射面に面し、該反射層が少なくとも３つの誘電体層から成ることを特徴とする。この積層体の構造は、反射層が光を吸収しないため高い反射率と高いコントラストを同時に提供する。
　【００１０】
　両種類の記録担体の好適例では、記録層の、干渉層と反対側の表面上に追加の干渉層と追加の反射層を設けたことを特徴とする。これら層の付加により反射率とコントラストの両方が更に増大する。
　【００１１】
　前記追加の反射層は金属層としてこの反射層を通過する光量を最低にし、その結果として読取りに最大量の光を使用し得るようにすると共に、記録担体が最大の反射率を有するようにするのが好ましい。このような単反射層は容易に設けることができる。
　【００１２】
　本発明の積層体構造は、相変化材料の記録層を具えた、高い反射率及び高いコントラストを有する記録担体を実現するのに極めて好適である。
　【００１３】
　この材料はＧｅ及びＴｅの化合物とするのが好ましい。この材料の利点は満足な書込み特性と高い反射率及び高いコントラストを有する点にある。
　【００１４】
　干渉層にＴａ２Ｏ５を使用すると、干渉層をスパッタリングにより高速に、低コストで設けることができ、またこの材料は高い屈折率を有すると共に低い熱伝導率を有する利点が得られる。最後に述べた特性は記録層に情報を書込むのに必要とされるパワーを低くする。
　【００１５】
　記録担体の入射面上に反射防止膜を設けると、入射面において反射損が最早生じなくなる。この結果、その積層体を反射防止膜のない記録担体の場合より低い反射率を有するものとしても、この記録担体は全体として所望の反射率を有するものとすることが可能になる。このように積層体の反射率を低くしてもよいことは、記録層として、これまで使用することができないと考えられていた、満足に書込むことができる低反射率の相変化材料の使用を可能にする。
　【００１６】
　【実施例】
　図面につき本発明を説明する。
　図１は本発明による第１種類の光記録担体の断面図を示す。この記録担体は基板１を具え、この基板は例えばプラスチック又はガラスのシートから成るものとし得る。例えば米国特許第３８７６８４２号に記載されているような記録担体の書込及び／又は読取用光走査装置で発生される光ビームがこの記録担体の入射面２を経て基板１に入射する。このビームは図１に矢印Ｐで略図示してある。反射層４、透明干渉層５及び記録層６を具える積層体３を基板の、入射面と反対側の表面上に設ける。この積層体の表面は保護層７で被覆することができ、この保護層は有機材料から成るものとすることができる。情報は、周囲部分から光学的に識別し得る情報区域の形で記録層に記録される。これら情報区域は、例えば周囲と異なる屈折率又は異なる反射率を有するものとすることができる。
　【００１７】
　反射層４は入射光の一部分を反射する。この反射層の反射率により、記録担体全体の反射率が相当程度まで決まる。反射層を通過した光は干渉層５を経て記録層６に入射する。干渉層５、記録層６及び保護層７間の界面で反射された光はこれら層の厚さ及び屈折率に応じて強め合うか、弱め合う。記録層で反射された光の一部分は干渉５及び反射層４間の界面で記録層へ反射されて戻る。次いでこの光は反射層を通過した光と干渉する。この二重干渉により、読取るべき情報区域により生じる光学効果の増幅率が決まる。積層体３内のこれら層の厚さ及び屈折率を適切に選択することにより、記録担体全体の反射率並びに情報区域の光学コントラストを所望の値にすることができる。また、情報区域のコントラストを逆にすることもでき、即ち層４，５のような隣接層のない記録層の情報区域がその周囲より低い反射率を有する場合に、これら隣接層を設けることにより情報区域の反射率をその周囲に対し増大させることがてきる。このようなコントラストの逆転は、所定の標準システムの要件を満足し得ないためにこれまで使用されなかった材料を記録層に使用することを可能ならしめる。
　【００１８】
　本発明による積層体は記録層が相変化材料である書込可能記録担体に好適に使用し得る。このような材料におていは結晶相を光ビームで加熱し次いで冷却することにより変化させることができる。例えば、結晶質層から非晶質層に、又はその逆に変化させることができる。両相の異なる光学特性により相変化した区域を光ビームで検出することができる。相変化材料を具える本発明による積層体の利点を以下に記録材料として特に好適なＧｅＴｅ合金を用いる記録担体について明らかにする。
　【００１９】
　第１の実施例では未記録ＧｅＴｅ記録層６は非晶質状態であり、光ビームで書込むとその部分が結晶質状態になるものとする。この記録層の厚さは結晶質状態において高い反射率と高いコントラストが得られる最適厚さにする。基板上に直接設けられたこのような記録層の非晶質状態及び結晶質状態の反射率はそれぞれ２８％及び５６％である。ＧｅＴｅ記録層は、前記ＥＰ−Ａ０３５２１０５号から既知の、Ｔａ２Ｏ５干渉層及びＡｕ反射層を具える積層体内に埋設することができる。この積層体の金反射層は１００ｎｍの厚さを有し、光をとおさいない。これら層の厚さを最適にすると反射率は２６％及び５８％になる。これら層を最適化するとき、光が平行ビームでなく集束ビームになるよう最適化すべきである。このような最適化は特願平２−１５８９３２号から既知である。
　【００２０】
　本発明ではＧｅＴｅ記録層を既知の積層体と逆の順序に埋設する。最適化後における図１に示す本発明積層体は１９ｎｍの厚さを有するＡｕ反射層４、１８４ｎｍの厚さを有するＴａ２Ｏ５干渉層及び２３ｎｍの厚さを有する記録層６を有する。この場合、記録担体の反射率は非晶質区域及び結晶質区域においてそれぞれ２８％及び７１％である。この記録担体は、積層体の簡単な構造にもかかわらず、ＣＤメディアに課される前述した厳しい要件を満足する。
　【００２１】
　本発明による積層体を具える記録担体においてその反射層がこの記録担体の光学特性に及ぼす効果を図２に示す。この図は記録担体の反射率Ｒを金反射層の厚さｄの関数として示すものである。この記録担体は次の構造：基板、金反射層、記録担体の反射率が最大になる厚さを有するＴａ２Ｏ５干渉層及び２１ｎｍ厚のＧｅＴｅ記録層を有する。この図の上側曲線ｃは記録層が結晶質状態の記録担体の反射率を示し、下側曲線ａは記録層が非晶質状態の記録担体の反射率を示す。金反射層の厚さが小さい間は結晶質状態の反射率が増大するが、非晶質状態の反射率は一定のままである。これはコントラストの増大を生ずる。金反射層の厚さが約２５ｎｍより大きくなると、非晶質状態の反射率も増大し始め、両状態における記録担体の反射率が高くなり、コントラストが小さくなる。このコントラストの減少は、反射層の厚さを増大するとこの層の透過率が減少することにより生ずる。即ち、少量の入射光が記録層に入射することになり、小コントラストが生ずる。この記録担体が高いコントラストを必要とする場合には、反射層の透過率を約２０％に維持するのが好ましい。ただし、この透過率は基板と厚い干渉層との間に設けられた反射層について測定されるものとする。反射層の高い透過率は、反射金属層を薄くする必要があることを意味する。このことは、この層の熱伝導率が大きくなりすぎない利点ももたらす。低い熱伝導の場合、米国特許第４９８４２３１号から既知のように、記録層に供給された熱が急速に消散されないため、書込中に記録層を十分加熱するのに低いパワーの光ビームで十分となる。
　【００２２】
　記録層を通過した光を再び反射させることにより記録担体のコントラスト及び反射率を更に増大させることができる。この追加の反射がないと記録層を通過した光は失われてしまう。図３はこれを実現した記録担体を示す。基板１から見て、積層体３は反射層４、干渉層５、記録層６、追加の干渉層８及び追加の反射層９を具える。光は入射面２から記録担体に入射する。層８及び９は記録層６を通過した光を反射する。これら２つの層の付加は、反射率の増大に加えて、積層体の設計の自由度の増大をもたらし、例えば積層体の熱特性を最適にすることもできる。これら２つの追加の層が記録担体の反射率に及ぼす効果を、非書込状態において非晶質であるＧｅＴｅ記録層を有する記録担体の第２実施例について説明する。図１に示す積層体内に組み込まれ、非晶質状態において高い反射率及び高いコントラストが得られるように最適化されたこのような記録層は非晶質状態及び結晶質状態においてそれぞれ６５％及び２７％の記録担体反射率を発生する。追加の干渉層８及び反射層９を設けると、最適化後の積層体は次の構造：１８ｎｍ　Ａｕ反射層、１５０ｎｍ　Ｔａ２Ｏ５干渉層５、２０ｎｍ　ＧｅＴｅ記録層、１８５ｎｍ　Ｔａ２Ｏ５干渉層８及び１００ｎｍ　Ａｕ反射層９を有する。この構造では非晶質状態及び結晶質状態の記録担体反射率はそれぞれ７０％及び１２％になる。本例では追加の反射層として反射率の高い金を用いる。このような良熱伝導性の層が記録層に対し大きすぎる熱負荷を構成する場合には、低熱伝導性の金属合金又は誘電体反射層を追加の反射層に使用することができる。熱負荷は一以上の干渉層を全部又は部分的に有機材料で製造することにより低い熱伝導率を与えることによって減少させることもできる。
　【００２３】
　本発明の第２種類の記録担体を図４に示す。この記録担体では図１の金属反射層４が図４に１０，１１及び１２で示す３つの誘電体層を具える誘電体反射層と置き換えられている。これら３つの誘電体層の各々は光ビームの波長の約１／４の光学厚さを有する。本例でも記録層６に相変化材料ＧｅＴｅを使用することができる。第３の実施例では積層体３を、ＧｅＴｅの非晶質状態において高い反射率が得られると共に最大のコントラストが得られるよう最適化する。この場合積層体３は次の構造：９５ｎｍ　Ｔａ２Ｏ５誘電体層１０、１４１ｎｍ　ＳｉＯ２誘電体層１１、９５ｎｍ　Ｔａ２Ｏ５誘電体層１２、５０ｎｍ　ＳｉＯ２干渉層５、２０ｎｍ　ＧｅＴｅ記録層６及び１９０ｎｍ　Ｔａ２Ｏ５誘電体層８を有する。保護膜７は本例では追加の反射層としても作用する。誘電体層８は層６及び８間の界面における屈折率の変化を所望の変化にし、保護膜７は記録層層の書込み中における過熱を保護する。この記録担体の反射率は非晶質状態で６７％、結晶質状態で２８％であることが測定された。誘電体反射層は金属反射層より低い熱伝導率を有するため、記録層６を書込むのに小パワーで十分になる。誘電体反射層が３つの層を具える場合、図１に示す金属反射層４を具える記録担体と同一の反射率及びコントラストを達成することができる。
　【００２４】
　射出成形プラスチック基板を使用する場合には、光ビームをトラッキングするための、例えばピット又はドット形態の情報を基板の積層体側の表面に設けることができる。基板がガラス製の場合には、この情報は基板と積層体との間のラッカ層に一層簡単に設けることができる。このようなラッカ層は基板とほぼ同一の屈折率を有するものとして、積層体をラッカ層の存在のために変更する必要が本質的にないようにするのが好ましい。ラッカ層は、積層体が誘電体反射層を有する場合でも、積層体の一部を構成しないこと明らかである。これは、ラッカ層は常に低い屈折率を有し、誘電体反射層の第１層は常に高い屈折率を有するためである。
　【００２５】
　基板上に薄い金属層を成長させる場合、多くの金属、特に金は成長プロセスの開始時に小さな島になる傾向があるため必ずしも均一な厚さの層が得られない。このような厚さの不均一は薄い金属層を前記ラッカ層上に成長させる場合に特に大きくなる。この傾向は金属層を無機誘電体材料から成る下地層上に成長させることにより抑えることができる。この材料としては酸化物、窒化物又は硫化物、例えばＴａ２Ｏ５、ＡｌＮ、ＳｉＯ２又はＺｎＳが好ましい。図６は下地層を有する記録担体の実施例を示す。基板１はトラッキング情報がエンボス加工されたラッカ層１３を有し、このラッカ層上の積層体が下地層１４、金属反射層４、干渉層５、記録層６及び保護膜７を含んでいる。この下地層はラッカ層のない記録担体にも用いることができる。この下地層は、その屈折率及び厚さを適切な値に選択することにより記録担体の特定の反射率を得るのに用いることができると共に、金属反射層を不活性層で封止して、基板から拡散される汚染物により生ずる金属反射層の劣化を防止するという他の利点ももたらす。
　【００２６】
　上述した第１〜第３の実施例では、光ビームの入射面２は基板１の積層体３と反対側の表面である。光ビームは最初に基板に通さないで直接積層体に入射させることもできること勿論である。このような記録担体（図５に示す）の入射面２は反射層４の上側表面である。この記録担体の積層体内の層の順序は図１，３及び４に示す記録担体の積層体と逆の順序である。
　【００２７】
　入射面２は入射光の一部と出射光の一部を反射する。ガラス又はプラスチックの基板を使用すると、集束光ビームの約８％の光が失われる。入射面上に反射防止膜を被覆するとこの損失が１％以下に減少する。この場合、一層多量の光が書込みに利用されると共に一層多量の光が読取り中に出力される。この結果、反射防止膜を有する記録担体の積層体３は、記録担体に同一の反射率要件を満足させる場合に、反射防止膜のない記録担体の積層体より低い反射率にすることができる。ＧｅＴｅの記録層を具える図４の構造の記録担体に反射防止膜を設ければ、この記録担体の反射率はＣＤの要件を満足するものとなる。
　【００２８】
　上述した種々の例では種々の誘電体層をＴａ２Ｏ５で形成している。これら層の上記の利点は全ての光記録担体、特に記録層の書込みに熱を必要とするものにおいて達成することができる。
　【００２９】
　図示の実施例では相変化材料としてＧｅＴｅを用いているが、ＧｅＴｅと例えばＳｂとの合金又はＩｎ，Ｓｅ，Ｓｎ及び／又はＧａの合金のような他の相変化材料を本発明記録担体に使用することができる。原理的には、本発明は書込時に屈折率が変化する記録材料を具える記録担体にも使用することができる。これら材料は染料又は金属合金のような一度書込可能材料及び再書込可能材料とすることができる。本発明は光ビームにより書込み及び読取られる磁気材料の記録層を具える光磁気記録担体に用いることもできる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】　本発明の第１種類の記録担体の断面図である。
　【図２】　図１の記録担体の反射率を反射層の厚さの関数として示すグラフである。
　【図３】　追加の反射層及び干渉層を具えた記録担体の断面図である。
　【図４】　本発明の第２種類の記録担体の断面図である。
　【図５】　本発明記録担体の他の実施例の断面図である。
　【図６】　下地層が設けられた記録担体の断面図である。
　【符号の説明】
　１　基板
　２　入射面
　３　積層体
　４　反射層
　５　干渉層
　６　記録層
　７　保護層
　８　追加の干渉層
　９　追加の反射層
　１０，１１，１２　誘電体反射層
　１３　ラッカ層
　１４　下地層