【事件の表示】
　特許第３３１３５４７号「チップサイズパッケージの製造方法」の請求項１ないし１１に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３３１３５４７号の請求項１ないし８に係る特許を維持する。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯
　特許第３３１３５４７号の発明についての出願は、平成７年８月３０日に特許出願され、平成１４年５月３１日にその発明について特許権の設定登録がなされ、その後、特許異議申立人より特許異議の申立てがなされ、取消理由が通知され、その指定期間内である平成１５年９月１６日に訂正請求がなされたものである。
　
II．訂正の適否についての判断
１．訂正の内容
（１）訂正事項ａ
　請求項１を、「【請求項１】（ａ）集積回路がそれぞれ形成された、四辺を有する複数の半導体チップ領域を有し、前記複数の半導体チップ領域の周辺上に、前記四辺に沿って複数の電極がそれぞれ形成された半導体ウエハを準備する工程と、
（b）前記半導体ウエハの表面を樹脂で覆うことによって封止する工程と、
（c）前記複数の電極が形成された位置とは異なる前記複数の半導体チップ領域のそれぞれの中央側で前記四辺に沿った前記複数の電極が外部との電気的接続をとるために、前記複数の電極に各々の一端が電気的に接続され、かつ、各々の他端が前記半導体チップ領域の四辺の各々の側から中央側に向かうように、複数の配線を前記半導体ウエハを封止する前記樹脂上に形成する工程と、
（d）前記半導体チップ領域の中央側に位置する前記複数の配線上に、前記外部との電気的接続をとる複数の半田ボールをそれぞれ形成する工程と、
（e）前記複数の配線及び前記半田ボールが形成された後、前記樹脂によって封止された前記半導体ウエハを個々のチップサイズパッケージに分割する工程とを含むことを特徴とするチップサイズパッケージの製造方法。」と訂正する。
（なお、訂正請求書の（３）訂正事項（Ａ）には、「（ｅ）前記複数の配線及び前記複数の半田ボールが」と記載されているが、訂正請求書に添付された全文訂正明細書の記載に基づき上記のとおり認定した。）
（２）訂正事項ｂ
　請求項２、請求項３及び請求項４を削除する。
（３）訂正事項ｃ
　請求項５を、請求項番号を繰り上げ「請求項２」にすると共に、「請求項１から４のいずれか１項に」を、「請求項１」と訂正する。
（４）訂正事項ｄ
　請求項６を、請求項番号を繰り上げ「請求項３」にすると共に、「請求項１から５」を、「請求項１又は２」と訂正する。
（５）訂正事項ｅ
　請求項７を、請求項番号を繰り上げ「請求項４」にすると共に、「請求項１から６」を、「請求項１から３」と訂正する。
（６）訂正事項ｆ
　請求項８を、請求項番号を繰り上げ「請求項５」にすると共に、「請求項１から７」を、「請求項１から４」と訂正する。
（７）訂正事項ｇ
　請求項９を、請求項番号を繰り上げ「請求項６」にすると共に、「請求項１から８」を、「請求項１から５」と訂正する。
（８）訂正事項ｈ
　請求項１０を、請求項番号を繰り上げ「請求項７」にすると共に、「請求項９記載」を、「請求項６記載」と訂正する。
（９）訂正事項ｉ
　請求項１１を、請求項番号を繰り上げ「請求項８」にすると共に、「請求項９又は１０」を、「請求項６又は７」と訂正する。
（なお、上記訂正事項ｃ〜ｉにおいて、請求項の引用記載についての訂正は、訂正請求書の（３）訂正事項欄には記載されていないが、訂正請求書に添付された全文訂正明細書の記載に基づき上記のとおり訂正事項として認定した。）
　　
２．訂正の目的の適否、新規事項の有無、及び特許請求の範囲の拡張・変更の存否
（１）上記訂正事項ａは、請求項１に記載された（ｂ）工程の「半導体ウエハの表面を樹脂によって覆う工程」を、明細書段落【００４４】の「本発明によれば、このパッケージは小さいままで、強度的にも、耐湿等においてもいわゆるモールドパッケージと同等の信頼性を持つものである。」、及び段落【００５８】の「第１実施例、第２実施例はバンプ形成後、樹脂封止する工程を用いている。」との記載に基づき、「半導体ウエハの表面を樹脂で覆うことによって封止する工程」と樹脂で封止する工程を限定し、次いで、（ｃ）工程を、請求項２に基づき限定し、更に請求項３の限定を（ｄ）工程として追加し、そして、（ｄ）工程を、請求項４に基づき「（e）前記複数の配線及び前記半田ボールが形成された後、前記樹脂によって封止された前記半導体ウエハを個々のチップサイズパッケージに分割する工程」と限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とした訂正に該当する。又該訂正は、願書に添付した明細書に記載された事項の範囲内のものであり、また実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
（２）上記訂正事項ｂ〜ｉは、特許請求の範囲の請求項１の訂正に基づき訂正後の請求項１と整合するよう他の請求項の記載を訂正するものであって、明りょうでない記載の釈明を目的とする訂正である。又該訂正は、願書に添付した明細書に記載された事項の範囲内のものであり、また実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　
３．むすび
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法第１２０条の４第２項及び同条第３項において準用する特許法第１２６条第２項から第４項までの規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
III．特許異議申立てについて
１．特許異議申立ての概要
　特許異議申立人は、証拠として下記甲第１〜４号証を提出し、訂正前の請求項１〜１１に係る発明は、甲第１〜４号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、該発明の特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであって、これを取り消すべき旨主張している。
　　　　　　　　　　　　　　　　記
甲第１号証：特開平１−１９６８５６号公報（以下、「刊行物１」という）
甲第２号証：特開平５−２１８０４２号公報（以下、「刊行物２」という）
甲第３号証：特開平６−１２４９５４号公報（以下、「刊行物３」という）
甲第４号証：特開平５−２１８０３９号公報（以下、「刊行物４」という）
   
２．本件発明
　本件特許の請求項１〜８に係る発明（以下、「本件発明１」〜「本件発明８」という）は、訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１〜８に記載された事項により特定される次のとおりのものである。
「【請求項１】（ａ）集積回路がそれぞれ形成された、四辺を有する複数の半導体チップ領域を有し、前記複数の半導体チップ領域の周辺上に、前記四辺に沿って複数の電極がそれぞれ形成された半導体ウエハを準備する工程と、
（b）前記半導体ウエハの表面を樹脂で覆うことによって封止する工程と、
（c）前記複数の電極が形成された位置とは異なる前記複数の半導体チップ領域のそれぞれの中央側で前記四辺に沿った前記複数の電極が外部との電気的接続をとるために、前記複数の電極に各々の一端が電気的に接続され、かつ、各々の他端が前記半導体チップ領域の四辺の各々の側から中央側に向かうように、複数の配線を前記半導体ウエハを封止する前記樹脂上に形成する工程と、
（d）前記半導体チップ領域の中央側に位置する前記複数の配線上に、前記外部との電気的接続をとる複数の半田ボールをそれぞれ形成する工程と、
（e）前記複数の配線及び前記半田ボールが形成された後、前記樹脂によって封止された前記半導体ウエハを個々のチップサイズパッケージに分割する工程とを含むことを特徴とするチップサイズパッケージの製造方法。
【請求項２】　請求項１記載のチップサイズパッケージの製造方法において、前記複数の電極にそれぞれ接続される複数のバンプを形成する工程を含んでおり、前記複数の配線は、前記複数のバンプを介して前記複数の電極にそれぞれ接続されることを特徴とするチップサイズパッケージの製造方法。
【請求項３】請求項１又は２のいずれか１項に記載のチップサイズパッケージの製造方法において、前記複数の配線は、アルミニウム又は銅を用いて形成されることを特徴とするチップサイズパッケージの製造方法。
【請求項４】　請求項１から３のいずれか１項に記載のチップサイズパッケージの製造方法において、前記複数の配線を覆うように、前記樹脂の上に半田レジストを供給する工程を有することを特徴とするチップサイズパッケージの製造方法。
【請求項５】　請求項１から４のいずれか１項に記載のチップサイズパッケージの製造方法において、前記樹脂は、エポキシ樹脂を用いて形成されることを特徴とするチップサイズパッケージの製造方法。
【請求項６】　請求項１から５のいずれか１項に記載のチップサイズパッケージの製造方法において、前記複数の電極を露出させる保護膜を前記半導体ウエハの表面上に形成する工程を含むことを特徴とするチップサイズパッケージの製造方法。
【請求項７】　請求項６記載のチップサイズパッケージの製造方法において、前記樹脂は、前記保護膜上に形成されることを特徴とするチップサイズパッケージの製造方法。
【請求項８】　請求項６又は７記載のチップサイズパッケージの製造方法において、前記保護膜は、ＰＳＧを用いて形成されることを特徴とするチップサイズパッケージの製造方法。」
　　
３．刊行物の記載事項
（１）刊行物１（特開平１−１９６８５６号公報）
（１ａ）「［１］電極（２）および表面安定化膜（３）が形成されてなる半導体ウェーハ（１）上に、高分子化合物よりなる膜（４）を形成し、　
　半導体ウェーハ（１）をチップに分割するダイシングライン（１Ｄ）に沿い、各ダイシングライン（１Ｄ）の隣接する交点間の一部領域（１６）を除いた領域に形成される十字型のパターン（１７）と、前記電極（２）に対接する領域に形成されるパターン（１８）とを有する第１のマスク（１５）を使用して、前記高分子化合物よりなる膜（４）をパターニングし、前記高分子化合物よりなる膜（４）の前記電極（２）に対応する領域に開口（５）を形成し、前記ダイシングライン（１Ｄ）上の一部領域（１６）を除く領域において前記高分子化合物よりなる膜（４）を除去して、溝（１９）を形成し、金属膜（６）を形成し、該金属膜（６）をパターニングして前記電極（２）に接する領域からバンプ形成領域に延在する金属膜（６）を残留し、・・・半導体装置用バンプ形成方法。
［２］前記高分子化合物はポリイミド、または、エポキシ樹脂であることを特徴とする請求項第１項記載の半導体装置用バンプ形成方法。」（請求項１、２）
（１ｂ）「［従来の技術］半導体チップ上に、ＴＡＢ（Tape　Automated　Bonding）、または、ＣＣＢ（Controled　Collapse　Bonding）用のバンプを形成する場合の従来技術について、図面を参照して説明する。・・・」（２頁右下欄５〜９行）
（１ｃ）「［発明が解決しようとする課題］ＴＡＢまたはＣＣＢ用のバンプを形成する場合、上記のように、ポリイミド等の膜が使用される。これは、ポリイミド等がα線を吸収するため、半導体装置のα線対策として有効であることと、機械的ストレスを吸収し、ＰＳＧ等の表面安定化膜にクラックが発生しないようにするためである。ところで、半導体ウエーハ上にポリイミド等の膜４および７を形成する際、ポリイミドを塗布した後８０℃程度の温度で熱風乾燥を行う。この際、ポリイミド等の膜が収縮し、半導体ウエーハに反りが生ずる。このため、バンプ形成用マスクのマスク位置合わせが困難となる。また、ポリイミド等の膜はダイシングしにくいので、ダイシングの際、ポリイミド膜にクラックが生ずることがある。」（３頁左上欄１６行〜右上欄１２行）
（１ｄ）「本発明の目的は、これらの欠点を解消することにあり、半導体ウエーハに反りが発生することがなくバンプ形成用マスクのマスク位置合わせが容易にでき、また、半導体ウエーハをダイシングする時ポリイミド等の膜にクラックが生ずることなく、しかも、バンプ形成のためメッキ処理を完全に実施できるように改良した、半導体装置用バンプ形成方法を提供することにある。」（３頁左下欄２〜９行）
（１ｅ）実施例の説明として、「第６図参照
　電極２およびPSGよりなる表面安定化膜３が形成されてなる半導体ウエーハ１上にポリイミド等の膜４を１０〜２０μｍ厚に形成し、」（第４頁右上欄下から５行〜下から２行）」、
「第９図参照
　アルミニウム、銅等の金属を全面に数μｍ厚に蒸着法等を使用して形成し、パターニングして電極２とバンプ（図示せず）とを接続する引き出し層６を残留する。」（４頁左下欄下から３行〜右下欄２行）、
「第１図参照
　バリアメタル膜９を１電極としてメッキをなし、開口１１上にバリアメタル膜９に接触して、金、半田等よりなる２０〜２００μｍ厚のバンプ１２を形成する。レジスト膜１０およびバンプ形成領域以外のバリアメタル膜９を除去し、ダイシングライン１Ｄにそってダイシングし、半導体ウェーハ１を各半導体装置チップに分割分離する。」（５頁左上欄１〜８行）、が記載されている。
　
（２）刊行物２（特開平５−２１８０４２号公報）
（２ａ）「【０００８】本発明は、・・・、半導体装置の熱膨張係数と熱膨張係数が異なる実装用基板に、フリップチップ接続（実装）した場合でも、その後の熱ストレスにより電極バンプ部での破損，破断現象などが全面的に回避され、かつすぐれた放熱性を呈し、信頼性の高い機能を保持・発揮する半導体装置の提供を目的とする。」（【０００８】）
（２ｂ）「【００１１】【作用】本発明に係る半導体装置においては、図１に要部構成例を断面的に示すごとく、第１のボンディングパッド８が配置された領域よりも内側で、かつ所要の半導体素子領域9aが形成されている領域面の絶縁層10b上に、露出して第２のボンディングパッド11が配置され、これらは前記絶縁層10bおよび層間絶縁層10aを介して、たとえば多層的に配設された配線12で接続されている。つまり、実装用基板７面にフェースダウンで実装・接続される電極バンプ13は、半導体基板９′の半導体素子領域9aが形成されている領域面上に配置された構成を成しているため、実装用基板７面に対する接続に関与する領域面（接続に要する実効面積）が低減された形となる。したがって、半導体装置９に加わる実効的な熱膨張も小さくなるので、実装用基板７および半導体装置９の熱膨張係数の相違に起因する電極バンプ13に加わるストレスも軽減され、もって熱ストレスに対する信頼性の向上が図られる。しかも、この構成では、半導体装置９の半導体素子9a領域での発熱は、前記第２のボンディングパッド11面上の電極バンプ13を介して容易に実装用基板７側へ放熱されることになる。
　【００１２】また、前記第２のボンディングパッド11は、それぞれ面積が、第１のボンディングパッド８の面積よりも大きく設定されているため、電極バンプ13も比較的大きく形成し得ることになるので、フリップ接続（実装）時の位置合わせを容易に成し得るとともに、接続強度の改善も図り得る。」（【００１１】【００１２】）
（２ｃ）「【００１５】図２は本発明に係る半導体装置９の構成例を平面的に示したもので、９′は半導体基板、9aは前記半導体基板９′面に形設された半導体素子領域、８は前記半導体基板９′面の半導体素子領域9aが形設された領域の外側に配置された第１のボンディングパッド、13は前記半導体素子領域9a面上に配線12を備えた図示されていない絶縁層を介して表面に設けられた第２のボンディングパッド11面上に積層して配置された電極バンプである。そして、この図からも分かるように、前記第１のボンディングパッド８は第２のボンディングパッド11にそれぞれ対応しており、前記絶縁層に単層もしくは多層的に絶縁して配置された配線12によって電気的に接続した構成を成している。　　・・・
　【００１７】先ず、所要の半導体領域9aが所定面に形設された半導体基板９′を用意し、前記半導体領域9aの各半導体素子を接続する所要の配線，半導体領域9aの外周部への対応する第１ボンディングパッド８形成，パッシベーション膜14の形成を行う。その後、前記パッシベーション膜14上に、たとえばポリイミド前駆体・・・をスピンコートし、選択露光，・・・現像処理を施して、前記第１ボンディングパッド８面を開口・露出させてから、・・・イミド化させて第１の絶縁層 10aを形成する（図３）。
　【００１８】次に、前記形成した第１の絶縁層 10a面上に、・・・Al/Ti層を全面的に被着・形成してから、この Al/Ti層上にエッチングレジスト・・をスピンコートし、プリベーク，選択露光，現像処理を施して、前記第１ボンディングパッド８に接続するエッチングレジストパターンを形成する。こうして、所要のエッチングレジストパターンを形成した後、・・・Al層を、・・・順次エッチングしてから、エッチングレジストを剥離・除去して配線12を形成する（図４）。」（【００１５】〜【００１８】）、が記載されている。
　
（３）刊行物３（特開平６−１２４９５４号公報）
（３ａ）「【０００１】【産業上の利用分野】　本発明はチップ部品が搭載される素子基板等の電極表面にはんだバンプを形成するはんだバンプの形成方法に関するものである。」（【０００１】）
（３ｂ）「【００１１】本実施例のはんだバンプの形成は次のようにして行われる。まず、図１の（ａ）に示されるように、基板１の表面上に電極２を形成後、この電極２間および電極上面の端縁部６を囲んではんだレジスト膜３を形成する。次いで、本実施例では印刷スクリーン15を用い、図１の（ｂ）に示されるように、電極２の露出表面上に局部的に前記フラックス５を塗布する。
　【００１２】次に、図１の（ｃ）に示すように、メタルマスク４を基板表面に当てがい、フラックス塗布部をメタルマスク４の開孔壁面14で囲み、このメタルマスク４の開孔部８にはんだボール７を投入する。この状態、すなわち、マスク４を付けたままで、基板全体を例えばトンネル炉等によって加熱し、はんだボール７を溶融して前記電極２の露出表面にはんだバンプを形成し、メタルマスク４を取り外して作業を終了する。」（【００１１】【００１２】）、が記載されている。
　
（４）刊行物４（特開平５−２１８０３９号公報）
（４ａ）「【産業上の利用分野】　本発明は、半田バンプを外部接続端子とするフリップチップ構造の半導体装置に関する。」（【０００１】）
（４ｂ）「【０００３】【従来の技術】　図５は従来の半田バンプ方式のフリップチップ構造半導体装置（以後フリップチップと略称する）の一例の模式図で、(a) は平面図、(b) はバンプ配設領域断面図、(c) はバンプ部拡大断面図、図６はその配線基板上への搭載状態を示す模式断面図である。
　【０００４】図５の(a) (b) 及び(c) に示すように従来の半田バンプ方式のフリップチップは、集積回路（図示せず）等が形成された半導体チップ１上に珪酸ガラス等からなる表面保護膜２が形成され、この表面保護膜２に半導体チップ１上の所望のアルミニウム(Al)配線（図示せず）を表出する電極窓３を形成し、この電極窓３上に例えば下層からクロム(Cr)層4a、銅(Cu)層4b、金(Au)層4cが順次積層されてなるバリアメタル層４を介して例えば鉛(Pb)?錫(Sn)合金からなる半田バンプ５が溶着された構造を有していた。」（【０００３】【０００４】）、が記載されている。
　  
４．当審の判断
（１）本件発明１について
　本件発明１は、金型を用いることなく、工程数を低減して、低価格化を図ることができ、ＬＳＩの保護が十分なチップサイズパッケージの製造方法を提供することを目的として、請求項１記載の工程（ａ）〜（ｅ）からなるチップサイズパッケージの製造方法、即ち「半導体ウエハの表面を樹脂で覆うことによって封止する工程と、四辺に沿った複数の電極が外部との電気的接続をとるために、半導体チップ領域の四辺の各々の側から中央側に向かうように、複数の配線を前記樹脂上に形成する工程と、前記複数の配線上に、外部との電気的接続をとる複数の半田ボールを形成する工程と、前記複数の配線及び前記半田ボールが形成された後、前記樹脂によって封止された前記半導体ウエハを個々のチップサイズパッケージに分割する工程」を含むことを特徴とするものである。
　これに対して、刊行物１には、上記摘記事項（１ａ）（１ｅ）によれば、「複数の電極２がそれぞれ形成された複数の半導体装置チップ領域を有する半導体ウェーハ１上にポリイミド等の膜４を形成し、このポリイミド等の膜４上に、電極２に接続される金属膜（引き出し層）６を形成し、金属膜６の、ダイシングライン１Ｄ上の一部領域１６を除く領域に対応する溝１９側とは反対側にバンプ１２形成用の開口８が形成され、バンプ１２が形成された後に半導体ウェーハ１が各半導体装置チップに分割分離される」ことが記載され、また、上記摘記事項（１ｃ）によれば、「発明が解決しようとする課題」欄には、「ＴＡＢまたはＣＣＢ用のバンプを形成する場合、ボリイミド等の膜が使用される」、「半導体ウエーハ上にポリイミド等の膜４および７を形成する際、ポリイミドを塗布した後８０℃程度の温度で熱風乾燥を行う。この際、ポリイミド等の膜が収縮し、半導体ウエーハに反りが生じる。このため、バンプ形成用マスクのマスク位置合わせが困難となる」と記載され、そして、実施例に記載されているとおりのバンプ形成方法が記載されている。
　ここで、「半導体ウェーハ１上にポリイミド等の膜４を形成」することは、上記摘記事項（１ｃ）に記載されるとおり、半導体装置のα線対策として有効であることと、機械的ストレスを吸収し、ＰＳＧ等の表面安定化膜にクラックが発生しないようにするためであって、半導体チップを外気から保護し封止する機能までを有するものとはいえない。
　そうすると、刊行物１の記載は、ＴＡＢまたはＣＣＢ用のバンプを形成するものであるから、半導体ウェーハを分割分離した各半導体装置チップは、ＴＡＢまたはＣＣＢに適用されることが前提となっているものである。そして、ＴＡＢ用半導体装置チップは、通常、ＴＡＢテープに搭載された後に、樹脂で封止されるものであって（必要ならば、特許異議意見書に添付された参考資料１〜３参照）、本件発明１での構成、即ちまず、半導体ウエハの表面を樹脂で覆うことによって封止する工程、その後、複数の配線及び半田ボールが形成された後、樹脂によって封止された半導体ウエハを個々のチップサイズパッケージに分割する工程を有するものとは、全く異なっている。
　刊行物２には、半導体装置の熱膨張係数と熱膨張係数が異なる実装用基板に、フリップチップ接続（実装）した場合でも、その後の熱ストレスにより電極バンプ部での破損，破断現象などが全面的に回避され、かつすぐれた放熱性を発揮する半導体装置の提供を目的とて、本件発明１での（ｃ）工程に類似した構成、即ち四辺に沿った複数の電極が外部との電気的接続をとるために、半導体チップ領域の四辺の各々の側から中央側に向かうように、複数の配線を絶縁層上に形成する工程が記載されていることにはなるが、本件発明１での複数の配線及び半田ボールが形成された後、樹脂によって封止された半導体ウエハを個々のチップサイズパッケージに分割する工程を有することの記載はなく、又この点を示唆するものでもない。
　また、刊行物３には、基板の表面上に複数の電極を形成し、これらの複数の電極を露出させるように基板の表面をはんだレジスト膜で覆い、電極の上面にフラックスを塗布した後、電極上に、はんだボールを溶融することよって、はんだバンプを形成すること、刊行物４には、半導体基板の表面における複数の電極窓上にバリアメタル層及び半田バンプを形成することについては記載されているが、上記した本件発明１での特徴となる構成についての記載はなく、又この点を示唆する記載もない。
　そうすると、上記刊行物１〜４の記載からは、本件発明１で特定する構成を導き出すことはできず、本件発明１を各刊行物の記載から当業者が容易に想到することができたとすることはできない。
　
　そして、本件発明１は、上記した構成により明細書に記載の「（１）ＬＳＩチップと同じ面積のチップサイズパッケージを得ることができる。また、樹脂をチップ表面に被着しているので、いわゆる樹脂モールドとほぼ同じ信頼性を保証できる。すなわち、パッケージは小さいままで、強度的にも、耐湿等においても、いわゆるモールドパッケージと同等の信頼性を確保することができる。（２）上記（１）の効果に加え、ＬＳＩの表面の強度と接続の信頼性を高めることができる。（３）上記（１）の効果に加え、ＬＳＩのパッド電極と半田ボールとの位置を任意に変更でき、接続の自由度を高めることができる。（４）パッケージ化の作業を全てウエハ単位で行えるため、工数が少なく、低価格化を実現できる。このように、ウエハのカッティングを最後に行うので、各パッケージ当たりの工数が少なくなり、低価格化を実現できる。（５）上記（４）の効果に加え、ＬＳＩをウエハから切り出す前に、そのウエハ全面に補強板を接着するようにしたので、ＬＳＩを機械的に補強することができ、確実にウエハから切り出しを行うことができる。（６）金型を用いないので、エポキシ樹脂に離型剤を添加する必要はない。また、樹脂との接着を促進するシランカップリング剤等を有効に用いることができた。（７）上記（６）と同様な、チップサイズパッケージを製造することができる。」という各刊行物の記載からは予測することのできない格別な効果を奏しているものである。
　
　したがって、本件発明１は、刊行物１〜４に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　　　　
（２）本件発明２〜８について
　本件発明２〜８は、本件発明１を引用して更に構成を限定するものであるから、上記本件発明１についてと同じ理由により、刊行物１〜４に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　　　  
（３）なお、当審で取消理由に引用した特開平５−５５２７８号公報には、半導体ウエハを裏面研削により薄く加工しても半導体ウエハ破損が生じないようにすることと同時に、２次元的な電気的導通経路を最小にして実装面積を小さくし、かつ、樹脂厚みおよび半導体チップ厚みを最小にして実装高さを小さくすることを目的として（【０００８】）、「【請求項１】半導体チップの側面および下面が露出し、前記半導体チップ上面にこれとほぼ同一の大きさを有する樹脂部が形成され、前記樹脂部の上面から突起電極が突設されていることを特徴とする半導体装置。【請求項４】前記樹脂部から突起電極先端部および半導体ウエハの切断領域を露出させた後に、樹脂部最表面および切断領域表面に絶縁保護強化膜を形成し、切断領域を切断することを特徴とする特許請求項１に記載の半導体装置の製造方法。」なる発明が記載されている。
　しかしながら、当該引用発明は、半導体ウエハ１の電極パッド上に、円柱状の突起電極５を形成し、つぎに、第２の工程で半導体ウエハ１上に突起電極５の上端部を覆う程度の厚みで樹脂膜３を形成し、最後に、半導体ウエハ１を完全にダイシングブレードにて削りとり、１個１個の半導体チップ２に分離するものであるが、該樹脂膜３上に半導体領域から四辺の各々の側から中央側に向かう複数の配線を形成することは記載されていない。そして、当該引用発明は、２次元的な電気的導通経路を最小にして実装面積を小さくするために、半導体ウエハ上の電極パッドに対して、垂直方向に突起電極を形成することが必須であるから、該樹脂膜３上に２次元的に複数の配線を形成するようにすることは、容易には想到し得ない。
　よって、当該引用発明を参酌しても本件発明１〜８は、各刊行物の記載に基いて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
IV．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議の申立ての理由及び証拠によっては、本件請求項１〜８に係る発明の特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件請求項１〜８に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　したがって、本件請求項１〜８に係る発明の特許は拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものと認めない。
　よって、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の一部の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第２項の規定により、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１５年１０月１０日（２００３．１０．１０）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
チップサイズパッケージの製造方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】（ａ）集積回路がそれぞれ形成された、四辺を有する複数の半導体チップ領域を有し、前記複数の半導体チップ領域の周辺上に、前記四辺に沿って複数の電極がそれぞれ形成された半導体ウエハを準備する工程と、
　（ｂ）前記半導体ウエハの表面を樹脂
で覆うことによって封止する
　（ｃ）前記複数の電極が形成された位置とは異なる
前記
各々の一端が
、かつ、各々の他端が前記半導体チップ領域の四辺の各々の側から中央側に向かうように、
前記半導体ウエハを封止する
　
（ｄ）前記半導体チップ領域の中央側に位置する前記複数の配線上に、前記外部との電気的接続をとる複数の半田ボールをそれぞれ形成する工程と、
　（
ｅ
前記複数の配線及び前記半田ボール
後、前記樹脂によって封止された前記
個々のチップサイズパッケージ
　【請求項
２
　前記複数の電極にそれぞれ接続される複数のバンプを形成する工程を含んでおり、
　前記複数の配線は、前記複数のバンプを介して前記複数の電極にそれぞれ接続されることを特徴とするチップサイズパッケージの製造方法。
　【請求項
３
又は２
　前記複数の配線は、アルミニウム又は銅を用いて形成されることを特徴とするチップサイズパッケージの製造方法。
　【請求項
４
３
　前記複数の配線を覆うように、前記樹脂の上に半田レジストを供給する工程を有することを特徴とするチップサイズパッケージの製造方法。
　【請求項
５
４
　前記樹脂は、エポキシ樹脂を用いて形成されることを特徴とするチップサイズパッケージの製造方法。
　【請求項
６
５
　前記複数の電極を露出させる保護膜を前記半導体ウエハの表面上に形成する工程を含むことを特徴とするチップサイズパッケージの製造方法。
　【請求項
７
６
　前記樹脂は、前記保護膜上に形成されることを特徴とするチップサイズパッケージの製造方法。
　【請求項
８
６
７
　前記保護膜は、ＰＳＧを用いて形成されることを特徴とするチップサイズパッケージの製造方法。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の属する技術分野】本発明は、ＬＳＩのパッケージに係り、特に、ＬＳＩチップと略同じ大きさのチップサイズパッケージの製造方法に関するものである。
　【０００２】
　【従来の技術】従来、このような分野の技術としては、例えば、（１）“日経マイクロデバイス”１９９５年２月号　Ｐ．９６〜９７（２）“チップサイズパッケージ技術”サーキットテクノロジＶｏｌ．９Ｎｏ．７　Ｐ４７５〜４７８に記載されるようなものがあった。
　【０００３】
　従来、この種のパッケージは、μ−ＢＧＡ、チップサイズパッケージ、ＣＳＰ等種々の名前で呼ばれ、また色々なタイプのチップサイズパッケージが開発されている。
　【０００４】
　図８はかかる従来のチップサイズパッケージの一部破断斜視図である。
　【０００５】
　この図に示すように、ＬＳＩチップ１に半田蒸着と銅バンプを形成後、モールド樹脂２により樹脂封止し、外部端子用の半田バンプ３をつける。なお、４は配線パターン、５は電極パッドである。結果として、略ＬＳＩと同じ大きさのパッケージを得ることができる。
　【０００６】
　また、図９は従来のチップサイズパッケージのうちテープキャリア方式の一部破断斜視図である。
　【０００７】
　この図において、ＬＳＩチップ５の表面には弾性のある接着剤６をコートし、ＬＳＩの各パッドにはフレキシブル配線７を接続し、且つこのフレキシブル配線７には半田バンプ９が形成されている。この半田バンプ９の周囲には、ポリイミドフィルム８等で形成され、前記した弾性のある接着剤６でこのＬＳＩに固定されている。１０は保護枠である。結果として、略ＬＳＩと同じ大きさのパッケージを得ることができる。
　【０００８】
　すなわち、このパッケージでは、ＬＳＩをバンプを有するポリイミド配線基板に実装し、次に、これを目的の配線基板に実装する形態をとっていた。
　【０００９】
　他の形態のパッケージにおいても、配線が施されたＬＳＩチップを、配線基板に実装するようにしている。
　【００１０】
　【発明が解決しようとする課題】
　しかしながら、上記したように、従来のチップサイズパッケージでは、ＬＳＩをウエハから切り出した後、各々のチップサイズパッケージを作製することになるので、専用の金型を必要とし、低価格化の障害となっていた。
　【００１１】
　また、従来のチップサイズパッケージでは、ＬＳＩを配線基板に実装するのに２回実装することとなり、工程数が多くなり、結果として高価格になる。
　【００１２】
　更に、ＬＳＩをウエハから切り出した後、各々のチップサイズパッケージを作製することとなるので、その作製が煩雑であり、製造の信頼性上も問題である。
　【００１３】
　また、従来エポキシ樹脂のモールドに関してはモールドに離型剤が添加されていた。これは金型と樹脂との接着を防ぐ目的のものであるが、ＬＳＩ及びその周辺の金属との接着力が弱くなり、信頼性低下につながった。
　【００１４】
　更に、今までにもＬＳＩにバンプを直接作製し、これをフェースダウン方式で基板に実装する方法は提案され、実用化している。しかし、この方法ではＬＳＩの保護が全くなされておらず、機械的にも弱いものであった。
　【００１５】
　本発明は、上記問題点を除去し、金型を用いることなく、工程数を低減して、低価格化を図ることができ、ＬＳＩの保護が十分なチップサイズパッケージの製造方法を提供することを目的とする。
　【００１６】
　【課題を解決するための手段】
　本発明は、上記目的を達成するために、〔１〕チップサイズパッケージの製造方法において、集積回路がそれぞれ形成された、四辺を有する複数の半導体チップ領域を有し、前記複数の半導体チップ領域の周辺上に、前記四辺に沿って複数の電極がそれぞれ形成された半導体ウエハを準備する工程と、前記半導体ウエハの表面を樹脂によって覆う工程と、前記複数の電極が形成された位置とは異なる複数の半導体チップ領域のそれぞれの中央側で、前記四辺に沿った複数の電極が外部との電気的接続をとるために、前記複数の電極にそれぞれ電気的に接続される複数の配線を前記樹脂上に形成する工程と、前記複数の配線が形成された半導体ウエハを個々の半導体チップに分割する工程とを含むことを特徴とする。
　【００１７】
　〔２〕上記〔１〕記載のチップサイズパッケージの製造方法において、前記複数の配線は、各々の一端が前記複数の電極に接続され、かつ、他端が前記半導体チップ領域の四辺の各々の側から中央側に向かうように、前記樹脂上に形成されることを特徴とする。
　【００１８】
　〔３〕上記〔１〕又は〔２〕記載のチップサイズパッケージの製造方法において、前記複数の電極が形成された位置とは異なる前記半導体チップ領域の中央側で、前記複数の配線に接続される複数の半田ボールを形成する工程を有することを特徴とする。
　【００１９】
　〔４〕上記〔３〕記載のチップサイズパッケージの製造方法において、前記半導体ウエハは、前記複数の半田ボールが形成された後に、個々の前記半導体チップに分割されることを特徴とする。
　【００２０】
　〔５〕上記〔１〕から４のいずれか１項に記載のチップサイズパッケージの製造方法において、前記複数の電極にそれぞれ接続される複数のバンプを形成する工程を含んでおり、前記複数の配線は、前記複数のバンプを介して前記複数の電極にそれぞれ接続されることを特徴とする。
　【００２１】
　〔６〕上記〔１〕から〔５〕のいずれか１項に記載のチップサイズパッケージの製造方法において、前記複数の配線は、アルミニウム又は銅を用いて形成されることを特徴とする。
　【００２２】
　〔７〕上記〔１〕から〔６〕のいずれか１項に記載のチップサイズパッケージの製造方法において、前記複数の配線を覆うように、前記樹脂の上に半田レジストを供給する工程を有することを特徴とする。
　【００２３】
　〔８〕上記〔１〕から〔７〕のいずれか１項に記載のチップサイズパッケージの製造方法において、前記樹脂は、エポキシ樹脂を用いて形成されることを特徴とする。
　【００２４】
　〔９〕上記〔１〕から〔８〕のいずれか１項に記載のチップサイズパッケージの製造方法において、前記複数の電極を露出させる保護膜を前記半導体ウエハの表面上に形成する工程を含むことを特徴とする。
　【００２５】
　〔１０〕上記〔９〕記載のチップサイズパッケージの製造方法において、前記樹脂は、前記保護膜上に形成されることを特徴とする。
　【００２６】
　〔１１〕上記〔９〕又は〔１０〕記載のチップサイズパッケージの製造方法において、前記保護膜は、ＰＳＧを用いて形成されることを特徴とする。
　【００２７】
　【発明の実施の形態】
　以下、本発明の実施例について図面を参照しながら説明する。
　【００２８】
　図１は本発明の第１実施例を示すウエハの平面図、図２は図１のＡ−Ａ′線におけるチップの製造工程断面図である。
　【００２９】
　図１においては、１枚のウエハが示されており、前処理を終了し、更に各ＬＳＩの電極にバンプを形成した状態を示している。
　【００３０】
　この図において、１０１，１０２，１０３，１０４…は各ＬＳＩであり、実線Ｃ１，Ｃ３，Ｃ５，Ｃ２，Ｃ４，Ｃ６，Ｃ８に沿ってウエハから切り取られる。
　【００３１】
　２０１，２０２，２０３，２０４，２０５，２０６，２０７，２０８は各ＬＳＩにおける電極であり、通常は１μｍ厚のアルミニウムが用いられる。３０１，３０２，３０３，…，３０８はバンプであり、この実施例では、いわゆるスタッド方式（ワイヤボンディングの技術を用い、ボンディング時のボールをバンプとする）を用いた。
　【００３２】
　また、電極２０１，２０２，２０３，２０４，２０５…は、各々１辺が５０〜１００μｍの長方形または正方形の形状をなしており、バンプ３０１，３０２，３０３…は通常各々最大直径が３０〜６０μｍで高さもほぼ同じ値である。
　【００３３】
　以下、図１に示されるＬＳＩ１０４のＡ−Ａ′線に沿ったウエハサイズチップの製造方法について図２を参照しながら説明する。
　【００３４】
　（１）まず、図２（ａ）に示すように、１００はＬＳＩ１０４を保護するためのＰＳＧ膜（酸化膜）であり、電極２０４，２０５上のバンプ３０４，３０５はワイヤボンディング技術で作製されるので先端がくびれた形状になっている。次工程前に１バンプ当たり６〜１０ｇの加重をかけ、各バンプの高さを揃え、また各バンプの先端の表面を平坦にしておくと都合がよい。
　【００３５】
　バンプの材質としては金、または銅が望ましい。両者とも、通常の技術で作製することができる。特に、金のスタッド方式のバンプに関しては、製造装置も販売され、ＬＳＩの前工程を変更することなく作製することができる。
　【００３６】
　また、銅バンプに関してはボンディング時、Ａｒに水素を添加したガス雰囲気が必要であり、またボンディング圧力も若干大きめなため、ＬＳＩのアルミ電極の厚さを２μｍ程度と通常より厚くする必要が生じたが、条件を最適化することにより、良好な銅のスタッド方式のバンプを得ることが可能であった。
　【００３７】
　最近、錫−鉛を主成分にした半田ワイヤをボンディングして、半田のバンプをＬＳＩのアルミ電極に形成する技術も実用化されている。この技術を用いると容易に半田バンプ３０１，３０２，３０３，３０４，３０５…を形成することができ、更に続行する工程も容易になる。
　【００３８】
　（２）全てのアルミ電極にバンプを形成、加圧後、図２（ｂ）に示すように、ウエハ全面にエポキシ樹脂２００を被着し、ホットプレスにより押圧、加熱しつつ硬化させる。プレスによる圧力は、１５〜２０ｋｇ重／ｃｍ２、温度は８０〜１００℃、硬化時間にほぼ１時間を要した。この押圧工程により、バンプ３０１，３０２，３０３，３０４，３０５…の平らな突起上面がエポキシ樹脂２００の表面に露出する。樹脂はエコボンド（エマーソンアンドカミング社製の商品名）のように硬化前後における体積変化率の低いものを用いた。樹脂や押圧条件により、バンプ３０１，３０２，３０３，３０４，３０５…の平らな突起上面にエポキシ樹脂２００が薄く残存する場合がある。この時は表面をサンドペーパー、またはサンドブラスト等で若干研磨することで露出させることができた。
　【００３９】
　（３）次に、通常の工程により、図２（ｃ）に示すように、バンプ３０１，３０２，３０３，３０４，３０５…の平らな突起上面に半田ボール６０４，６０５を設置する。エポキシ樹脂２００上に半田レジストが存在してもよい。これらの工程はウエハ全域にわたって行われる。半田ボール６０４，６０５を設置後、図１の実線Ｃ１，Ｃ３，Ｃ５，Ｃ２，Ｃ４，Ｃ６，Ｃ８に沿ってウエハをカッティングする。
　【００４０】
　上記のようにして、カッティングを行ったチップサイズパッケージを以下に示す。
　【００４１】
　図３は本発明の第１実施例を示すチップサイズパッケージの斜視図である。
　【００４２】
　この図の点線で示した５０は、このチップサイズパッケージを補強するための補強板である。このチップサイズパッケージは、表面にエポキシ樹脂をコーティングしているので十分な強度を持つが、使用する前においては、更なる強度を必要とする場合がある。ウエハカッティング前、補強板５０を張り付けることにより、極少ない工程で、補強板付きチップサイズパッケージを得ることができる。
　【００４３】
　この様な構造になっているから、ＬＳＩチップと同じ面積である。
　【００４４】
　本発明によれば、このパッケージは小さいままで、強度的にも、耐湿等においてもいわゆるモールドパッケージと同等の信頼性を持つものである。
　【００４５】
　次に、本発明の第２実施例について説明する。
　【００４６】
　図４は本発明の第２実施例を示すウエハのチップとなる部分の平面図、図５はそのウエハのチップの断面図（図４のＢ−Ｂ′断面図）、図６は本発明の第２実施例を示すチップサイズパッケージの斜視図である。なお、第１実施例と同じ部分については、同じ符号を付してそれらの説明は省略する。
　【００４７】
　これらの図において、４０２，４０４，４０５，４０７はエポキシ樹脂２００上に形成された配線金属であり、半田ボールの位置をアルミ電極の真上の位置から移動させるためのものである。この配線金属を形成する工程は、例えばアルミニウム蒸着、ホトリソ、エッチング工程で行えばよく、なんら新しい技術は使用しない。メッキ技術によってもよい。半田ボール６０１，６０２，６０３，６０４，６０５，…を設置するため半田レジスト５００を形成する。
　【００４８】
　この実施例では、第１実施例のように、接続用の半田ボールをＬＳＩのアルミ電極の真上に形成するのではなく、平面的に離れた場所に形成する。
　【００４９】
　図５に示すように、まず、第１実施例のように、ＬＳＩ１０４の各アルミ電極２０４，２０５上に、スタッドバンプ３０４，３０５をたて、次に、エポキシ樹脂２００を被着、押圧、加熱して、加工後、このエポキシ樹脂２００の表面に配線金属４０４，４０５を形成し、更に半田レジスト５００を塗布後、半田ボール６０４，６０５を設置する。
　【００５０】
　最後にウエハをカッティングしてＬＳＩを切り出す。
　【００５１】
　このように、半田ボール形成後、一枚のウエハをカッティングした一個のＬＳＩに相当する部分を拡大すると、図６のようになる。
　【００５２】
　この実施例では、バンプ形成後、半田ボール移動のための配線金属の形成を行った。エポキシ樹脂形成前に半田ボール移動のための配線金属の形成を行うことも可能である。
　【００５３】
　図７はかかる本発明の第３実施例を示す配線金属の形成を先に行った場合のチップサイズパッケージの要部断面図である。図５と同じ部分については、同じ符号を付してそれらの説明は省略する。
　【００５４】
　この図において、７０４，７０５は半田ボールの位置を移動するための配線金属８０４，８０５はバンプである。
　【００５５】
　上記実施例によれば、接続用の半田ボールが所望の場所にあるチップサイズパッケージを容易に得ることが可能である。
　【００５６】
　特に、第１実施例と同様に、ウエハのカッティングを最後に行うようにしたので、各パッケージ当たりの工数が少なくなり、低価格化を実現できる。また、エポキシ樹脂のＬＳＩへの接着力も十分なものが得られる。
　【００５７】
　第１実施例、第２実施例共にバンプはスタッドバンプとして説明した。しかし通常のメッキによるバンプを用いても、十分に本発明を実施することが可能であった。
　【００５８】
　また、第１実施例、第２実施例はバンプ形成後、樹脂封止する工程を用いている。しかし、樹脂を全面に被着後、この樹脂を部分的に必要箇所に応じてホトリソ技術等で除去し、除去箇所に無電解メッキなどでバンプを形成する手法も有効であった。
　【００５９】
　図１０〜図１２は本発明の第４実施例を示す図であり、図１０は本発明の第４実施例を示すチップサイズパッケージの製造工程断面（図１１のＣ−Ｃ′線断面）図、図１１はそのチップサイズパッケージの平面図、図１２はそのチップサイズパッケージの斜視図である。
　【００６０】
　ウエハの全体平面図は、第１実施例と同様であるのでここでは図示は省略する。
　【００６１】
　以下、そのチップサイズパッケージの製造方法を図１０を用いて説明する。
　【００６２】
　（１）まず、図１０（ａ）に示すように、ＬＳＩ１０４を保護するためのＰＳＧ膜（酸化膜）１００が形成される。アルミ電極２０４，２０５に接続されるバンプ３０４，３０５はワイヤボンディング技術で作製されるので先端がくびれた形状になっている。
　【００６３】
　バンプの材質としては金、または銅が望ましい。両者とも、通常の技術で作製することができる。特に、金のスタッド方式のバンプに関しては、製造装置も販売され、ＬＳＩの前工程を変更することなく作製することができる。
　【００６４】
　また、銅バンプに関してはボンディング時Ａｒに水素を添加したガス雰囲気が必要であり、またボンディング圧力も若干大きめなため、ＬＳＩのアルミ電極の厚さを２μｍ程度と通常より厚くする必要が生じたが、条件を最適化することにより、良好な銅のスタッド方式のアルミニウムを得ることが可能であった。
　【００６５】
　最近、錫−鉛を主成分にした半田ワイヤをボンディングして半田のバンプをＬＳＩのアルミ電極に形成する技術も実用化されている。この技術を用いると容易に半田バンプ３０４，３０５…を形成することができ、更に続行する工程も容易になる。
　【００６６】
　（２）次に、図１０（ｂ）に示すように、全てのＬＳＩ１０４のアルミ電極２０４，２０５にバンプ３０４，３０５を形成し、加圧による先端平坦化後、このウエハ全面に銅箔１４００（例えば、１５μｍの厚さ）を鑞付けする。この銅箔１４００表面に、予め錫あるいは半田等を１μｍ程度の厚さにメッキしておき、このメッキ膜（図示なし）とバンプ３０４，３０５とを低温鑞付けする。
　【００６７】
　次に、この銅箔１４００とＬＳＩ１０４間にエポキシ樹脂１２００を注入、加熱硬化させる。樹脂は、エコボンド（エマーソンアンドカミング社製の商品名）のように、硬化前後における体積変化率の低いものを用いた。ＬＳＩ１０４と銅箔１４００間の距離は４０μｍ前後であるから、毛細管現象により効率よく、また、確実に樹脂１２００を充填でき、また、ＬＳＩ１０４表面、銅箔１４００面との接着性も極めて良好であった。なお、バンプ材料が半田である場合は、銅箔に予め錫、半田等をメッキしなくても容易にバンプと銅箔を接続できた。
　【００６８】
　（３）次いで、図１０（ｃ）に示すように、銅箔１４００をエッチング加工し、所望の配線金属１４０４，１４０５をエポキシ樹脂１２００上に形成した。銅箔１４００のエッチング加工は、例えば、感光性のドライフィルムを銅箔１４００にコーティング後、マスクを用いて露光、現像等の処理を行った後、塩化第二鉄の溶液による銅の選択エッチングにより行った。
　【００６９】
　（４）次に、電極１４０４，１４０５を形成後、半田ボール６０４，６０５を設置するため半田レジスト１５００を塗布し、その後、半田ボール６０４，６０５を所定の場所に設置する。
　【００７０】
　このようにして得られたチップサイズパッケージの平面を図１１に示す。
　【００７１】
　この図において、１４０１，１４０２，１４０３，１４０４，１４０５…は樹脂１２００上に形成された銅箔からなる配線金属であり、６０１，６０２，６０３，６０４，６０５は半田ボールである。
　【００７２】
　ＬＳＩのアルミ電極２０１，２０３，２０６，２０８についてはその真上に外部回路との接続点を設置するようにしてある。アルミ電極２０４，２０５については、それぞれの場所に設置されたバンプ（３０４，３０５等）を通して、外部回路との接続点を移動するよう設計されている。
　【００７３】
　半田ボール６０１，６０２，６０３、６０４，６０５，…の設置後、図１のように、点線Ｃ１，Ｃ３，Ｃ５，Ｃ２，Ｃ４，Ｃ６，Ｃ８に沿ってウエハをカッティングする。カッティング後のＬＳＩ１０４が図１２に示されている。
　【００７４】
　図１２に示した７００は、このチップサイズパッケージを補強するための補強板である。このチップサイズパッケージは表面にエポキシ樹脂をコーティングしているので十分な強度を持つが、使用する前においては、さらなる強度を必要とする場合がある。ウエハカッティング前、補強板７００を張り付けることにより、極少ない工程で、補強板７００付きチップサイズパッケージを得ることが可能である。
　【００７５】
　また、エポキシ樹脂をチップ表面に被着しているので、いわゆる樹脂モールドと略同じ信頼性を保証できる。
　【００７６】
　従来文献に示したように、従来のチップサイズパッケージはＬＳＩのダイスカッティング後、パッケージを行っていた。しかし、本発明ではパッケージ化の作業を全てウエハ単位で行えるため、工数が少なく、低価格化を実現できる。
　【００７７】
　従来のエポキシ樹脂のモールドに関してはモールドに離型剤が添加されていた。これは金型と樹脂との接着を防ぐ目的のものであるが、ＬＳＩ及びその周辺の金属との接着力が弱くなり信頼性低下につながった。
　【００７８】
　しかし、本発明の技術では金型を用いないので、エポキシ樹脂に離型剤を添加する必要はない。また、樹脂との接着を促進するシランカップリング剤等を有効に用いることができた。
　【００７９】
　本発明によれば、このパッケージは小さいままで、強度的にも、耐湿等においてもいわゆるモールドパッケージと同等の信頼性を持つものである。
　【００８０】
　本発明においては、バンプはスタッド方式として説明した。しかし通常のメッキによるバンプを用いることも当然可能であり、他の手法でもよい。またバンプの材料も銅、金、錫−鉛半田のみでなく、他の材料の使用も可能である。
　【００８１】
　ウエハ全面のバンプに張り付ける箔を銅箔として説明したが、これ以外に金箔、コバール板等を用いても良好なチップサイズパッケージを得ることができた。
　【００８２】
　また、各バンプとの接続は、低温鑞付けではなく、高温圧接、超音波接続等を用いても可能であった。この場合、銅箔に半田メッキ、錫メッキ等は不要であった。
　【００８３】
　銅箔のパターニングはドライフィルムを用いる手法で説明したが、レジストをコーティングする手法等の方法でも十分対応しえるものである。
　【００８４】
　銅箔とＬＳＩ間にエポキシ樹脂を毛細管現象で注入したが、例えばポリイミド樹脂等、他の系統の樹脂でも対応可能である。
　【００８５】
　外部回路との接続は半田ボールで行うとして説明したが、接続予定場所に金属片を溶接して接続端子とすることも可能である。あるいは導電性塗料を必要箇所に塗布してもよい。
　【００８６】
　なお、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、これらを本発明の範囲から排除するものではない。
　【００８７】
　【発明の効果】
　以上、詳細に説明したように、本発明によれば、以下のような効果を奏することができる。
　【００８８】
　（１）ＬＳＩチップと同じ面積のチップサイズパッケージを得ることができる。
　【００８９】
　また、樹脂をチップ表面に被着しているので、いわゆる樹脂モールドとほぼ同じ信頼性を保証できる。
　【００９０】
　すなわち、パッケージは小さいままで、強度的にも、耐湿等においても、いわゆるモールドパッケージと同等の信頼性を確保することができる。
　【００９１】
　（２）上記（１）の効果に加え、ＬＳＩの表面の強度と接続の信頼性を高めることができる。
　【００９２】
　（３）上記（１）の効果に加え、ＬＳＩのパッド電極と半田ボールとの位置を任意に変更でき、接続の自由度を高めることができる。
　【００９３】
　（４）パッケージ化の作業を全てウエハ単位で行えるため、工数が少なく、低価格化を実現できる。
　【００９４】
　このように、ウエハのカッティングを最後に行うので、各パッケージ当たりの工数が少なくなり、低価格化を実現できる。
　【００９５】
　（５）上記（４）の効果に加え、ＬＳＩをウエハから切り出す前に、そのウエハ全面に補強板を接着するようにしたので、ＬＳＩを機械的に補強することができ、確実にウエハから切り出しを行うことができる。
　【００９６】
　（６）金型を用いないので、エポキシ樹脂に離型剤を添加する必要はない。また、樹脂との接着を促進するシランカップリング剤等を有効に用いることができた。
　【００９７】
　（７）上記（６）と同様な、チップサイズパッケージを製造することができる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】本発明の第１実施例を示すウエハの平面図である。
　【図２】図１のＡ−Ａ′線におけるチップの製造工程断面図である。
　【図３】本発明の第１実施例を示すチップサイズパッケージの斜視図である。
　【図４】本発明の第２実施例を示すウエハのチップとなる部分の平面図である。
　【図５】本発明の第２実施例を示すウエハのチップの断面（図４のＢ−Ｂ′線断面）図である。
　【図６】本発明の第２実施例を示すチップサイズパッケージの斜視図である。
　【図７】本発明の第３実施例を示す配線金属の形成を先に行った場合のチップサイズパッケージの要部断面図である。
　【図８】従来のチップサイズパッケージの一部破断斜視図である。
　【図９】従来のチップサイズパッケージのうちテープキャリア方式の一部破断斜視図である。
　【図１０】本発明の第４実施例を示すチップサイズパッケージの製造工程断面（図１１のＣ−Ｃ′線断面）である。
　【図１１】本発明の第４実施例を示すチップサイズパッケージの平面図である。
　【図１２】本発明の第４実施例を示すチップサイズパッケージの斜視図である。
　【符号の説明】
　５０，７００　補強板
　１００　ＰＳＧ膜（酸化膜）（保護膜）
　１０１，１０２，１０３，１０４　ＬＳＩ
　２００，１２００　エポキシ樹脂
　２０１，２０２，２０３，２０４，２０５，２０６，２０７，２０８　電極（アルミニウム）
　３０１，３０２，３０３，３０４，３０５，３０６，３０７，３０８，８０４，８０５…バンプ（スタッドバンプ）
　４０２，４０４，４０５，４０７，７０４，７０５，１４０１、１４０２，１４０４，１４０５　配線金属
　５００，１５００　半田レジスト
　６０１，６０２，６０３，６０４，６０５　半田ボール
　１４００　銅箔