【事件の表示】
　特許第２９０７３６８号「ＩＴＯスパッタリングターゲット」の請求項１ないし３に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第２９０７３６８号の請求項１ないし３に係る特許を取り消す。
【理　由】
１．手続きの経緯
　本件特許第２９０７３６８号の発明は、平成５年５月２７日に出願され、平成１１年４月２日にその設定登録がなされたものである。
　これに対し、その後西田良幸、安藤重信及び住友金属鉱山株式会社より特許異議の申立てがなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１２年６月５日付けで訂正請求がなされたが、この訂正請求に対し訂正拒絶理由通知がなされ、特許権者から特許異議意見書が提出されたものである。
２．訂正の適否についての判断
（１）訂正の内容
　特許権者が求めている訂正事項は、訂正請求書に添付した訂正明細書のとおりであるところ、特許請求の範囲に係る訂正事項は、その減縮を目的として、請求項１乃至３を次のとおり訂正するものである。
「【請求項１】透明導電膜をスパッタリング成膜する際に用いられるＩＴＯ焼結体からなるスパッタリングターゲットであって、原料粉末中のＳｎＯ２粉末の添加量を１５重量％末満として得られた焼結体からなり、該焼結体の相対密度が８５％以上、結晶粒径が１５μｍ以下、および三点曲げ強度が１０ｋｇｆ／ｍｍ２以上であり、かつこの焼結体中に存在するＳｎリッチ相が１０μｍ以下の粒径で、焼結体中に均一に分布していることを特徴とするＩＴＯスパッタリングターゲット。
【請求項２】透明導電膜をスパッタリング成膜する際に用いられるＩＴＯ焼結体からなるスパッタリングターゲットであって、原料粉末中のＳｎＯ２ 粉末の添加量を１５重量％未満として得られた焼結体からなり、該焼結体の相対密度が８５％以上、結晶粒径が１５μｍ以下、および熱伝導率が９Ｗ／ｍｋ以上であり、かつこの焼結体中に存在するＳｎリッチ相が１０μｍ以下の粒径で、焼結体中に均一に分布していることを特徴とするＩＴＯスパッタリングターゲット。
【請求項３】透明導電膜をスパッタリング成膜する際に用いられるＩＴＯ焼結体からなるスパッタリングターゲットであって、原料粉末中のＳｎＯ２粉末の添加量を１５重量％未満として得られた焼結体からなり、該焼結体の相対密度が８５%以上、結晶粒径が１５μｍ以下、三点曲げ強度が１０ｋｇｆ／ｍｍ２以上であり、熱伝導度が９Ｗ／ｍｋ以上であり、かつこの焼結体中に存在するＳｎリッチ相が１０μｍ以下の粒径で、焼結体中に均一に分布していることを特徴とするＩＴＯスパッタリングターゲット。」
（２）独立特許要件について
（２−１）本件訂正発明１について
　訂正後の請求項１に係る発明は、平成１２年６月５日付けで訂正された訂正明細書の上記（１）に示す請求項１に記載された事項により特定されるとおりのものである（以下、「本件訂正発明１」という）。
（２−２）先願明細書の記載内容
　当審が平成１２年１１月２１日付け訂正拒絶理由通知において引用した、本件出願の日前の出願（特願平４−１４３６５２号）であってその出願後に公開された出願の願書に最初に添付した明細書（特開平５−３１１４２８号公報、以下「先願明細書」という）には、次の事項が記載されている。
（ａ）「本発明は、高密度ＩＴＯ焼結体及びこれを用いたスパッタリングターゲットに関するものである。特に本発明のスパッタリングターゲットは、従来のものに比べてスパッタレートの増大、ノジュールの発生防止、熱衝撃等によるターゲットの割れの防止等スパッタ操作性に優れ、さらには、２００℃以下から室温までの低温基板において低抵抗で高透明な透明導電膜を形成可能である。」（段落【０００１】）
（ｂ）「本発明は、従来のスパッタリング成膜装置を用い、スパッタレートの増大、ノジュールの発生防止、割れの防止等のスパッタ操作性に優れ、且つ低温基板において特に低抵抗な透明導電膜を形成可能なスパッタリングターゲット及びターゲット材料として有用なＩＴＯ焼結体を提供するものである。」（段落【００１５】）
（ｃ）「即ち、本発明は焼結密度９０％以上１００％以下、焼結粒径１μｍ以上２０μｍ以下である高密度ＩＴＯ焼結体及びこの焼結体からなるスパッタリングターゲットに関する。」（段落【００１７】）
（ｄ）「ＩＴＯの組成としては、酸化インジウムに対する酸化錫の含有量が０重量％より大きく、２０重量％以下であることが好ましく、特に２重量％から１５重量％であることが好ましい。」（段落【００１９】）
（ｅ）「また、焼結体を高密度化することにより、その機械的強度は増加する。本発明の焼結体の抗折力は７ｋｇ／ｍｍ２以上が好ましく、特に１０〜３０ｋｇ／ｍｍ２が好ましい。さらには、焼結体を高密度化することにより、その熱伝導率は増加する。本発明の焼結体の熱伝導率は、１５×１０−３ｃａｌ／ｃｍ・ｓｅｃ・℃以上が好ましく、特に、２０×１０−３〜４０×１０−３ｃａｌ／ｃｍ・ｓｅｃ・℃が好ましい。熱伝導率の低い焼結体はターゲットとして用いたとき、スパッタ成膜中における焼結体の冷却効率が悪かったり、表面が黒色化しやすかったり、ノジュールが発生したりするので好ましくない場合がある。」（段落【００２１】及び【００２２】）
（ｆ）「混合する酸化スズ粉末としては、例えばＢＥＴ比表面積が３〜２０ｍ２／ｇ、０．１〜３μｍの範囲における粒度分布測定より求めた平均粒子径が０．２〜２μｍの粉末が挙げられる。ＢＥＴ比表面積が大きく、平均粒子径が大きい粉末は、凝集が激しく、焼結体中に酸化スズの大きな塊が残る場合がある。」（段落【００２９】）
（ｇ）「　実施例１
結晶子径が２７０オングストローム、ＢＥＴ径が３１０オングストローム、０．１〜３μｍの範囲における粒度分布測定より求めた比表面積が４ｍ２／ｇ、平均粒径が０．３２μｍ、さらに、０．１μｍ以下の範囲における粒度分布測定による平均粒子径が、０．０８μｍである酸化インジウム粉末を準備し、これにＢＥＴ比表面積が１０ｍ２／ｇ、０．１〜３μｍの範囲における粒度分布測定より求めた平均粒径が０．７１μｍの酸化錫粉末を１０重量％混合し、該混合粉末を金型成型後、５ｔ／ｃｍ２の圧力で２回ＣＩＰ処理し、ＩＴＯ成型体を得た。
得られたＩＴＯ成型体を、１５００℃で５時間、常圧・大気中にて焼結した。このようにして得られた焼結体物性を表１に示す。」（段落【００４０】及び【００４１】）
　そして、「表１」（段落【００６８】）には、実施例１の「焼結密度９８％」、「平均焼結粒径１０μｍ」、「熱伝導率２６×１０−３ｃａｌ／ｃｍ・ｓｅｃ・℃」及び「抗折力２０ｋｇ／ｍｍ２」の数値が示されている。
（２−３）当審の判断
　先願明細書には、「透明導電膜をスパッタリング成膜する際に用いられるＩＴＯ焼結体からなるスパッタリングターゲット」に関し、その焼結密度が「９０％以上１００％以下」、焼結粒径が「１μｍ以上２０μｍ以下」、抗折力が「１０〜３０ｋｇ／ｍｍ２」、熱伝導率が「２０×１０−３〜４０×１０−３ｃａｌ／ｃｍ・ｓｅｃ・℃」、酸化錫の含有量が「２重量％から１５重量％」である「ＩＴＯスパッタリングターゲット」が記載されているから、先願明細書には、「透明導電膜をスパッタリング成膜する際に用いられるＩＴＯ焼結体からなるスパッタリングターゲットであって、原料粉末中のＳｎＯ２粉末の添加量を２重量％から１５重量％として得られた焼結体からなり、該焼結体の相対密度が９０％以上１００％以下、結晶粒径が１μｍ以上２０μｍ以下、および抗折力が１０〜３０ｋｇ／ｍｍ２であるＩＴＯスパッタリングターゲット。」の発明（以下、「先願明細書発明」という）が記載されていると云える。
　そして、上記（ｇ）には、「実施例１」の具体的な数値として、「平均粒径が０．７１μｍの酸化錫粉末を１０重量％混合」した点や得られた焼結体の物性値が「焼結密度９８％」、「平均焼結粒径１０μｍ」及び「抗折力２０ｋｇ／ｍｍ２」である点が示されている。
　そこで、本件訂正発明１と先願明細書発明とを対比すると、先願明細書発明も、原料粉末中のＳｎＯ２粉末の添加量が「２重量％から１５重量％（具体例１０重量％）」であり、その焼結体の物性値も、「焼結密度が９０％以上１００％以下（具体例９８％）、結晶粒径が１μｍ以上２０μｍ以下（具体例１０μｍ）、抗折力（本件訂正発明１の「三点曲げ強度」に相当）が１０〜３０ｋｇ／ｍｍ２（具体例２０ｋｇ／ｍｍ２）」であるから、両者は、「透明導電膜をスパッタリング成膜する際に用いられるＩＴＯ焼結体からなるスパッタリングターゲットであって、原料粉末中のＳｎＯ２粉末の添加量を２重量％から１５重量％末満として得られた焼結体からなり、該焼結体の相対密度が９０％以上１００％以下、結晶粒径が１以上１５μｍ以下、および三点曲げ強度が１０ｋｇｆ／ｍｍ２以上３０ｋｇｆ／ｍｍ２以下であることを特徴とするＩＴＯスパッタリングターゲット。」の点で一致し、次の点で一応の相違点があると云える。
相違点：本件訂正発明１では、「焼結体中に存在するＳｎリッチ相が１０μｍ以下の粒径で、焼結体中に均一に分布している」のに対し、先願明細書発明では、この点が明らかでない点
　次に、この相違点が実質的な相違点であるか否かについて検討する。
（ｉ）「Ｓｎリッチ相の形成」に係る本件特許明細書等の記載内容について
　先ず、「Ｓｎリッチ相の形成」に係る本件特許明細書や本件訂正明細書の記載箇所さらには特許権者の訂正拒絶理由に対する意見書における主張箇所を摘示すると次のとおりである。
（イ）「一方、ＩＴＯ焼結体におけるＳｎＯ２の添加量は、２〜２０ｗｔ％とされており（一般には５〜１０ｗｔ％のものが多く使用されている）、通常このようなＩＴＯ焼結体中には、ＳｎＯ２相やＳｎリッチ相が存在している。これは、Ｉｎ２Ｏ３にＳｎＯ２が完全に固溶されないためである。」（特許明細書段落【００１５】）
（ロ）「そこで、本発明者等は鋭意研究したところ、前記特願平３−８３３０９号等に記載の高密度ＩＴＯ焼結体の製造方法において、原料粉中におけるＳｎＯ２の粒径やその分散性を制御し、かつ焼結温度を１４００℃以上の高温とすることにより、上記の焼結体中における異相の存在がある程度制御され、かつ高密度化することが可能であることを見い出した。すなわち、ＳｎＯ２相は、ＳｎＯ２粒子を一定粒径以下とし、高温焼結することにより、ほぼ完全にＩｎ２Ｏ３と固溶または化合するようになるため、その形成の防止が可能となるのである。」（訂正明細書段落【００１７】）
（ハ）「一方、Ｓｎリッチ相は、ＳｎＯ２の添加量が５wt％以上でその発生がみられ、添加量の増大と共にその発生率が増大することがわかった。また、Ｓｎリッチ相の組成についてＥＰＭＡで分析した結果（図１）、Ｓｎ／Ｉｎ原子比は０．５５〜０．７５程度であった。これらのことから、Ｓｎリッチ相は、焼結時に固溶できないＳｎ成分がＳｎリッチの結晶相を形成し、それが析出してきて構成されるものであるということが判明した。」（特許明細書段落【００１８】）
（ニ）「そこで、本発明では、ＩＴＯ焼結体の微構造として、Ｓｎが固溶したＩＴＯ相をマトリックスとし、粒径１０μｍ以下のＳｎリッチ相を焼結体中に均一に分布せしめることにより、プラズマの安定性を得ることができ、欠陥のない良好なＩＴＯ膜の成膜を可能にした。なお、ＳｎＯ２添加量が１５ｗｔ％以上ではＳｎリッチ相の形成が著しく増大し、大きな凝集相となってしまうため、上記のような効果は認められなくなる。」（特許明細書段落【００２０】）
（ホ）「【実施例１】
　まず、酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３）粉９０重量％と、従来以上に微粉度を高めた酸化錫（ＳｎＯ２）粉１０重量％とを混合した混合粉を出発原料とし、圧粉成形体を形成した後、従来より一般的に用いられている圧粉成形体を焼結するという製造方法において１４００℃以上の高温焼結を行い、４ｉｎｃｈφ×６ｍｍのＩＴＯスパッタリングターゲット（ＳｎＯ２：１０ｗｔ％）を製造した。
上記のようにして得たＩＴＯ焼結体からなるＩＴＯスパッタリングターゲットは、その焼結体の相対密度が８８％、および平均結晶粒径が７μｍであり、粒径５μｍのＳｎリッチ相が焼結体中に均一に分散しているものであった（図１）。」（訂正明細書段落【００２２】及び【００２３】）
（ヘ）「このようにして同定手段を確立しておけば、明細書中【００１７】に記したようにＳｎＯ２の粒径やその分散性を制御し、かつ焼結温度１４００℃以上の高温とすることを含む製造条件の調整により、少なくとも非常に高い確率で、図１に示すようなＳｎリッチ相の微細均一分布を有するＩＴＯ焼結体を確実に製造できるのであり、」（意見書第７頁第１８行乃至第２２行）
（ト）「本発明のＩＴＯ焼結体としてＳｎＯ２１４ｗｔ％のものではかろうじて合格という状況であり、ＳｎＯ２２０ｗｔ％のときには、明らかに従来品のようなＳｎの凝集相が認められました。そこで発明者はＳｎＯ２１５ｗｔ％を微細Ｓｎリッチ相均一分布ＩＴＯ焼結体製造可能の臨界値としたのであります。すなわち、ＳｎＯ２粉末の添加量を変えてそれぞれ微細なＳｎリッチ相が均一に分散した焼結体を得ていますが、ＳｎＯ２粉末の添加量が１５重量％を超えた場合には、このような組織の焼結体は得られなかったのであります（【００２０】）。すなわち本件訂正発明１において、ＳｎＯ２の添加量を１５重量％以下とする限定は、確実に均一且つ微細なＳｎリッチ相を得るための必須要件であり、」（意見書第８頁第１３行乃至第２１行）
（ｉｉ）「Ｓｎリッチ相の形成」について
　「Ｓｎリッチ相の形成」については、上記（イ）の記載に徴すれば、ＳｎＯ２の添加量が２〜２０ｗｔ％のＩＴＯ焼結体では通常形成されているものと云える（上記（イ）参照）から、ＳｎＯ２１０ｗｔ％の具体例を有する先願明細書発明でも「Ｓｎリッチ相」が形成されていることが明らかである。
（ｉｉｉ）「１０μｍ以下の粒径で、焼結体中に均一に分布しているＳｎリッチ相」について
　そこで、先願明細書発明の「Ｓｎリッチ相」が本件訂正発明１の上記「１０μｍ以下の粒径で、焼結体中に均一に分布しているＳｎリッチ相」であるか否かについて検討すると、本件訂正発明１の上記「Ｓｎリッチ相」は、上記（ロ）乃至（ホ）の記載や特許権者の上記（ヘ）や（ト）の主張によれば、本件訂正発明１の製造条件に依存していると云えるから、本件訂正発明１の上記「Ｓｎリッチ相」は、本件訂正明細書の実施例１に徴すれば「従来以上に微粉度を高めた酸化錫（ＳｎＯ２）粉１０重量％とを混合した混合粉を出発原料とし、圧粉成形体を形成した後、従来より一般的に用いられている圧粉成形体を焼結するという製造方法において１４００℃以上の高温焼結を行い」（上記（ホ）参照）形成することができるものと認められる。
　一方、先願明細書発明の製造条件について検討すると、先願明細書発明の製造条件は、上記（ｇ）の記載によれば「ＢＥＴ比表面積が１０ｍ２／ｇ、０．１〜３μｍの範囲における粒度分布測定より求めた平均粒径が０．７１μｍの酸化錫粉末を１０重量％混合し、該混合粉末を金型成型後、５ｔ／ｃｍ２の圧力で２回ＣＩＰ処理し、ＩＴＯ成型体を得た。得られたＩＴＯ成型体を、１５００℃で５時間、常圧・大気中にて焼結した。」というものであるから、本件訂正発明１の製造条件とこの先願明細書発明の製造条件とを対比すると、先願明細書発明の製造条件も、「微粉の酸化錫（ＳｎＯ２）粉１０重量％とを混合した混合粉を出発原料」としていることは明らかであり、また、この混合粉をＣＩＰ処理してＩＴＯ成型体を得、これを１５００℃で焼結しているから、「圧粉成形体を形成した後、従来より一般的に用いられている圧粉成形体を焼結するという製造方法において１４００℃以上の高温焼結」を行っていることも明らかである。
　そうすると、両者は、その具体的な製造条件（実施例１の製造条件）でも「微粉の酸化錫（ＳｎＯ２）粉１０重量％とを混合した混合粉を出発原料とし、圧粉成形体を形成した後、従来より一般的に用いられている圧粉成形体を焼結するという製造方法において１４００℃以上の高温焼結を行い」という点で差異はなく、酸化錫（ＳｎＯ２）粉の微粉度の点すなわち本件訂正発明１の「ＳｎＯ２」粉は「従来以上に微粉度を高めた」ものであるのに対し、先願明細書発明の「ＳｎＯ２」粉は「ＢＥＴ比表面積が１０ｍ２／ｇ、０．１〜３μｍの範囲における粒度分布測定より求めた平均粒径が０．７１μｍの酸化錫粉末」であるから、次に、この「ＳｎＯ２の微粉度」について検討する。
　ところで、本件訂正明細書の実施例１の上記「従来以上に微粉度を高めた」の事項については、訂正事項７で新たに追加されたものであり、「従来以上」の「従来」がどのようなものか全く不明であるが、同じく訂正事項６で段落【００１７】に新たに追加された「前記特願平３−８３３０９号等に記載の高密度ＩＴＯ焼結体の製造方法において」の記載を参酌し、特願平３−８３３０９号（特開平４−２９３７０７号公報）に記載のＳｎＯ２粉の微粉度が「従来」とすれば、上記「従来以上に微粉度を高めた」の意味するところは、特開平４−２９３７０７号公報に記載の「ＳｎＯ２粉」より微粉であると解するのが相当であると認められる。
　そこで、特開平４−２９３７０７号公報に記載の「ＳｎＯ２粉」についてみると、その実施例に「比表面積５ｍ２／ｇの酸化スズ粉１０ｗｔ％」（第３欄第１８行）と記載されており、この「従来」のものと比べると、先願明細書発明の「ＢＥＴ比表面積が１０ｍ２／ｇのＳｎＯ２粉」の方が「従来以上に微粉度を高めたＳｎＯ２粉」であると云えるから、両者は、その「ＳｎＯ２粉の微粉度」の点でも差異はないと云うべきである。
　してみると、先願明細書発明は、本件訂正発明１とその製造条件でも実質的な差異がない以上、その製造条件で得られた「焼結体」も、本件訂正発明１の上記「１０μｍ以下の粒径で、焼結体中に均一に分布しているＳｎリッチ相」の点を有しているとするのが相当であるから、両者は、この点でも実質的な差異はないと云うべきである。
　したがって、本件訂正発明１は、上記先願明細書発明とその構成の全ての点で区別することができないから実質的に同一であり、しかも、本件出願の発明者がその出願前の出願に係る上記の発明をした者と同一であるとも、また、本件出願の時にその出願人がその出願前の出願に係る上記特許出願の出願人と同一であるとも認められないから、特許法第２９の２の規定により特許を受けることができないものである。
（３）むすび
　以上のとおり、本件訂正発明１乃至３のうち、少なくとも本件訂正発明１は、特許法第２９条の２の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるから、上記訂正は、平成６年改正法附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、特許法第１２０条の４第３項において準用する平成６年改正法による改正前の特許法第１２６条第３項の規定に適合しないので、当該訂正は認めることができない。
３．特許異議申立てについての判断
（１）本件発明
　特許権者が求める上記訂正請求は認めることができないから、本件請求項１乃至３に係る発明（以下、それぞれ「本件発明１乃至３」という）は、本件特許明細書の請求項１乃至３に記載された事項により特定される次のとおりのものである。
「【請求項１】透明導電膜をスパッタリング成膜する際に用いられるＩＴＯ焼結体からなるスパッタリングターゲットであって、前記焼結体の相対密度が８５％以上、結晶粒径が１５μｍ以下、および三点曲げ強度が１０ｋｇｆ／ｍｍ２以上であり、かつこの焼結体中に存在するＳｎリッチ相が１０μｍ以下の粒径で、焼結体中に均一に分布していることを特徴とするＩＴＯスパッタリングターゲット。
【請求項２】透明導電膜をスパッタリング成膜する際に用いられるＩＴＯ焼結体からなるスパッタリングターゲットであって、前記焼結体の相対密度が８５％以上、結晶粒径が１５μｍ以下、および熱伝導率が９Ｗ／ｍｋ以上であり、かつこの焼結体中に存在するＳｎリッチ相が１０μｍ以下の粒径で、焼結体中に均一に分布していることを特徴とするＩＴＯスパッタリングターゲット。
【請求項３】透明導電膜をスパッタリング成膜する際に用いられるＩＴＯ焼結体からなるスパッタリングターゲットであって、前記焼結体の相対密度が８５%以上、結晶粒径が１５μｍ以下、三点曲げ強度が１０ｋｇｆ／ｍｍ２以上であり、熱伝導度が９Ｗ／ｍｋ以上であり、かつこの焼結体中に存在するＳｎリッチ相が１０μｍ以下の粒径で、焼結体中に均一に分布していることを特徴とするＩＴＯスパッタリングターゲット。」
（２）先願明細書の記載内容
　当審が取消理由通知において引用した先願明細書は、訂正拒絶理由通知で引用した上記特願平４−１４３６５２号であってその出願後に公開された出願の願書に最初に添付した明細書（特開平５−３１１４２８号公報参照）と同一であるから、その記載内容は、上記２．（２−２）に摘示したとおりのものである。
（３）当審の判断
（ｉ）本件発明１について
　本件発明１は、本件訂正発明１の「原料粉末中のＳｎＯ２粉末の添加量を１５重量％末満として得られた焼結体からなり、」の構成要件がない上位概念の発明であるから、本件訂正発明１について上記２．（２−３）で述べたと同様の理由により、特許を受けることができないものである。
　したがって、本件発明１の特許は、特許法第２９の２の規定に違反してなされたものである。
（ｉｉ）本件発明２について　
　本件発明２は、本件発明１の「三点曲げ強度が１０ｋｇｆ／ｍｍ２以上」の構成要件に替えて「熱伝導率が９Ｗ／ｍｋ以上」という構成要件を限定するものであるが、この「熱伝導率が９Ｗ／ｍｋ以上」については、先願明細書発明も、その熱伝導率が「２０×１０−３〜４０×１０−３ｃａｌ／ｃｍ・ｓｅｃ・℃（具体例２６×１０−３ｃａｌ／ｃｍ・ｓｅｃ・℃）」（上記（ｅ）及び（ｇ）参照）であり、換算すれば本件発明２のものと重複する範囲があるから、両者は、この熱伝導率の点でも差異はない。
　したがって、本件発明２の特許も、特許法第２９の２の規定に違反してなされたものである。
（ｉｉｉ）本件発明３について
　本件発明３は、本件発明１に「熱伝導率が９Ｗ／ｍｋ以上」という構成要件を限定するものであるが、この「熱伝導率」については、上記（ｉｉ）でも述べたとおり先願明細書発明も満足するものである。
　したがって、本件発明３の特許も、特許法第２９の２の規定に違反してなされたものである。
４．むすび    
　以上のとおり、本件発明１乃至３の特許は、拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものと認める。
　よって、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第２項の規定により、上記のとおり決定する。　                                            
【異議決定日】
平成１３年４月１６日（２００１．４．１６）