(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに積層された複数の絶縁層を含む積層体と、
前記複数の絶縁層の層間に設けられており、前記複数の絶縁層の一部を間に挟んで互いに対向し合う第１線路および第２線路を含む結合線路と、
該結合線路の長さ方向の一部において、前記第１線路と前記第２線路との間で前記複数の絶縁層の層間に設けられており、前記複数の絶縁層の一部を間に挟んで前記第１線路および前記第２線路と対向するとともに、前記第１線路および前記第２線路の一方と電気的に接続された第３線路を含む補助結合線路とを備え、
前記第３線路は、該第３線路の長さ方向の一部において他の部分と異なる前記複数の絶縁層の層間に配置されている部分を含んでいることを特徴とする方向性結合器。
【請求項２】
請求項１に記載の方向性結合器と、
該結合器が電気的に接続された回路とを備えることを特徴とする高周波モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数の絶縁層が積層されてなる積層体と、絶縁層を挟んで互いに対向し合うように絶縁層に設けられている第１線路および第２線路とを含む方向性結合器、およびこの方向性結合器を含む高周波モジュールに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話機は、２つ以上の送受信系を搭載するいわゆるマルチバンド方式の採用が増えてきている。マルチバンド方式の携帯電話機では各送受信系の構成に必要な回路を搭載する必要があるが、回路が複雑になる。また、個別の専用部品を用いて回路を構成すれば機器（携帯電話機等）の大型化、高コスト化を招くことになる。そのために送受信系のフィルタ素子等の各回路部品を一体化した高周波モジュール化も進んでいる。この高周波モジュールにおいて複数の回路部品間を電気的に接続するための基板または単独の部品として方向性結合器が使用されている。
【０００３】
方向性結合器は、高周波信号が伝送される主線路と、主線路と電磁的に結合された副線路とを有している。主線路および副線路は、複数の絶縁層が積層された積層体に設けられている。主線路と副線路とが絶縁層を挟んで上下に対向し合うことによって、主線路と副線路とが電磁的に結合されている。副線路は、例えば主線路が接続されている素子に対して電気的な情報を送り返す（フィードバックする）ための信号が伝送される。主線路に入力される電力に対して副線路から出力される電力の比が、方向性結合器の結合度に相当する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開2000-134008号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記の方向性結合器における結合度の調整は、主線路と副線路との電磁的な結合の強さによって行なわれる。この主線路と副線路との電磁的な結合の強さは、主に主線路と副線路との間の距離の調整によって行なわれる。主線路と副線路との間の距離の調整は、両者の間に介在する絶縁層の層数によって行なうことができる。
【０００６】
しかしながら、上記従来の技術では、主線路と副線路との間に介在する絶縁層の層数によって方向性結合器の結合度が階段状に調整されるため、結合度の細かい調整が難しいという問題点があった。この場合、例えば、方向性結合器における所望の結合度をセンター値とすることが難しい。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一つの態様による方向性結合器は、互いに積層された複数の絶縁層を含む積層体と、前記複数の絶縁層の層間に設けられており、前記複数の絶縁層の一部を間に挟んで互いに対向し合う第１線路および第２線路を含む結合線路と、該結合線路の長さ方向の一部において、前記第１線路と前記第２線路との間で前記複数の絶縁層の層間に設けられており、前記複数の絶縁層の一部を間に挟んで前記第１線路および前記第２線路と対向するとともに、前記第１線路および前記第２線路の一方と電気的に接続された第３線路を含む補助結合線路とを有しており、前記第３線路は、該第３線路の長さ方向の一部において他の部分と異なる前記複数の絶縁層の層間に配置されている部分を含んでいる。
【０００８】
本発明の一つの態様の高周波モジュールは、上記構成の方向性結合器と、該方向性結合器が電気的に接続された回路とを含んでいる。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の一つの態様の方向性結合器によれば、上記構成を有していることから、結合線路の第１線路と第２線路との電磁的な結合の強さを、第１線路と第２線路との直接の電磁的な結合に加えて、これらの一方（例えば第１線路）と電気的に接続された第３線路と他方（例えば第２線路）との電磁的な結合でも結合度が調整されたものになる。そのため、第３線路の位置および長さによって、第１線路と第２線路との電磁的な結合の強さを従来よりも細かく、連続的に調整することができる。したがって、第１線路と第２線路との電磁的な結合の強さを連続的に変化させるように調整することが容易であり、調整された結合度の精度が高い。また、異なる層間に配置されている部分も第２線路と電磁的に結合されるので、第２線路を伝送される信号の強度についてさらに細かく調整されたものとすることができ、調整された結合度の精度がより一層高いものとなる。これによって、例えば所望の結合度がセンター値とされた方向性結合器を容易に提供することができる。
【００１０】
本発明の一つの態様の高周波モジュールは、上記構成の方向性結合器を含むことから、結合度の連続的な調整が容易であり、調整された結合度の精度が高い高周波モジュールを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の実施形態の方向性結合器における要部を示す断面図である。
【図２】図１に示す方向性結合器を含む高周波モジュールにおける要部を模式的に示す分解斜視図である。
【図３】図１および図２に示す方向性結合器を含む高周波モジュールにおける要部を模式的に示す回路図である。
【図４】図１に示す方向性結合器の変形例を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
本発明の方向性結合器および高周波モジュールを、添付の図面を参照して説明する。図１は本発明の実施形態の方向性結合器における要部を示す断面図である。また、図２は、図１に示す方向性結合器を含む高周波モジュールにおける要部を模式的に示す分解斜視図である。また、図３は、図１および図２に示す方向性結合器を含む高周波モジュールにおける要部を模式的に示す回路図である。なお、以下の説明における上下の区別は説明のための便宜的なものであり、実際に方向性結合器等が使用されるときの上下を特定するものではない。
【００１３】
実施形態の方向性結合器10において、複数の絶縁層11が積層されて積層体１が形成されている。積層体１は、例えば四角形の板状であり、それぞれ四角形状（長方形状）の上面および下面第を有している。
【００１４】
複数の絶縁層11の１つの層間には第１線路２が設けられている。また、他の層間には第２線路３が設けられている。第１線路２と第２線路３とは、複数の絶縁層11の一部を間に挟んで互いに対向し合っている。なお、図１の例では、第１線路２と第２線路３との位置関係のみをわかりやすく示すために、第１線路２よりも上側の絶縁層11と、第２線路３よりも下側の絶縁層11については破線で模式的に示している。実際には、例えば図２に示すように、第１線路２の上側および第２線路３の下側にも絶縁層11が積層されて配置されている。
【００１５】
第１線路２および第２線路３は、互いに電磁的に結合され、方向性結合器10において結合線路４を形成している。第１線路２および第２線路３は、いずれか一方が、信号が伝送される主線路であり、他方が、その信号に応じた電磁誘導により得られたフィードバック
用の情報等が伝送される副線路である。本実施形態では、第１線路２が主線路であり、第２線路３が副線路である場合を例に挙げて説明する。主線路および副線路の詳細については後述する。
【００１６】
以上の積層体１および結合線路４によって方向性結合器10が基本的に形成されている。また、方向性結合器10と、この方向性結合器10が電気に接続されたパワーアンプ、スイッチ（ＳＷ）およびアンテナ（ＡＮＴ）等を含む回路とによって高周波モジュール20が基本的に形成されている。
【００１７】
積層体１は、第１線路２および第２線路３を、互いに電気的に絶縁された状態で設けるための絶縁基体として機能している。この絶縁基体は、積層体１以外に、他の絶縁層またはコーティング層等の付加部分（図示せず）を含んでいてもよい。
【００１８】
付加部分としての他の絶縁層等は、例えば絶縁層11と同様のものでもよく、絶縁層11とは比誘電率または比透磁率等の電気特性、または熱伝導率等の熱的特性等の特性が異なるものでもよい。
【００１９】
絶縁層11は、例えば、酸化アルミニウム質焼結体、ガラスセラミック焼結体、窒化アルミニウム質焼結体、ムライト質焼結体、窒化珪素質焼結体または炭化珪素質焼結体等のセラミック焼結材料によって形成されている。
【００２０】
積層体１は、例えば各絶縁層11がガラスセラミック焼結体からなる場合であれば、次のようにして製作される。まず、ホウケイ酸ガラス等のガラス粉末と酸化アルミニウム等のセラミック粉末とからなる原料粉末に適当な有機バインダおよび溶剤等を添加混合してスラリーを作製する。次に、このスラリーをドクターブレード法等の成形法でシート状に成形することにより複数枚のセラミックグリーンシートを作製する。その後、セラミックグリーンシートを切断加工や打ち抜き加工により適当な形状とするとともにこれらを積層する。最後にこの積層されたセラミックグリーンシートを還元雰囲気中において約900〜1000℃の温度で焼成することによって積層体１を製作することができる。
【００２１】
この実施形態の方向性結合器10においては、絶縁層11の一部を厚み方向に貫通する貫通導体７（いわゆるビア導体）によって結合線路４と電気的に接続された端子８が設けられている。この端子８を介して、方向性結合器10と上記の回路とが互いに電気的に接続されている。
【００２２】
また、積層体１の上面および下面には、端子８と電気的に独立した接地導体層９が設けられている。接地導体層９は、一対のものが、積層体１を挟んで互いに対向し合っている。積層体１の第１および第２両主面に設けられた一対の接地導体層９は、上記結合線路４および補助結合線路６と外部との間で電磁的なノイズの送受を低減する機能を有している。
【００２３】
また、接地導体層９は、第１線路２および第２線路３等の特性インピーダンス（以下、単にインピーダンスという）を所定の値に調整する機能を有している。第１線路２および第２線路３のそれぞれと接地導体層９との間で静電容量が生じ、この静電容量の大きさに応じて第１線路２および第２線路３のインピーダンス値が所定の値に調整されている。なお、前述した付加部分としての絶縁層等は、接地導体層９を外気から保護して酸化等を抑制するための、絶縁コート層（図示せず）であってもよい。
【００２４】
貫通導体７、端子８および接地導体層９は、例えば、銅、銀、パラジウム、白金、タングステン、モリブデンもしくはマンガン等の金属材料、またはこれらの金属材料を含む合
金の金属材料により形成されている。これらの金属材料は、メタライズ層やめっき層の形態で積層体１の上下両面に設けられている。
【００２５】
端子８、接地導体層９は、例えば、銅のメタライズ層からなる場合であれば、銅の粉末を有機溶剤およびバインダとともに混練して作製した金属ペーストを、積層体１となるセラミックグリーンシートの所定部位にスクリーン印刷等の方法で印刷し、焼成することによって積層体１の第１および第２両主面に被着させることができる。
【００２６】
また、貫通導体７は、絶縁層11となるセラミックグリーンシートに厚み方向に貫通する貫通孔を設けておいて、この貫通孔内に上記と同様の金属ペーストを充填し、焼成することによって形成することができる。セラミックグリーンシートに対する貫通孔の形成は、例えば機械的な打ち抜き加工法、またはエッチング法等の加工方法によって行なうことができる。
【００２７】
本実施形態では、接地導体層９は、積層体１の第１および第２両主面のほぼ全域を覆うように（いわゆるベタ状に）設けられている。ただし、接地導体層９は、必ずしも積層体１の上面および下面それぞれのほぼ全面を覆うものである必要はなく、端子８等の他の導体の位置もしくはその他の設計上の都合、または生産性、経済性等に応じて、適宜非形成部（いわゆるパターンの抜き部分）が設けられたものであっても構わない。
【００２８】
方向性結合器10は、例えば図３に示すように、第１線路２および第２線路３のそれぞれの両端が端子８に電気的に接続され、この端子８を経て、スイッチ（ＳＷ）、フィルタ素子、アンテナ（ＡＮＴ）または半導体集積回路素子（ＩＣ）等の回路部品が有する回路と電気的に接続されている。これらの方向性結合器10と回路部品が有する回路とによって、本発明の実施形態の高周波モジュール20が形成されている。回路部品と方向性結合器10とを電気的に接続する接続用の回路は、通常、50Ωに設定されている。
【００２９】
高周波モジュール20について、方向性結合器10および回路部品は、例えばプリント回路基板等の基板に搭載されている。また、スイッチ、フィルタ素子、アンテナ等の回路は、基板に直接設けられた電気回路により構成されたものであってもよい。つまり、方向性結合器10が実装される基板について、スイッチまたはフィルタ等として機能する回路と、この基板に搭載される回路部品間を接続する回路とを有するものであっても構わない。方向性結合器10および回路部品と基板との電気的な接続は、例えばそれぞれの接続用の部位同士をはんだ等の導電性接続材で接続することにより行なわれる。
【００３０】
高周波モジュール20は、例えば携帯電話機においてマルチバンド形式の回路を一体的に構成する部分である。このような高周波モジュール20が部品として用いられることにより、携帯電話機等の機器の送受信精度の向上を含む高機能化等がより容易になる。
【００３１】
実施形態の方向性結合器10および高周波モジュール20において、複数の絶縁層11の層間に設けられた第１線路２および第２線路３が互いに、複数の絶縁層11の一部を間に挟んで対向し合って結合線路４を形成している。言い換えれば、平面透視において第１線路２および第２線路３は、互いに、幅方向の少なくとも一部において重なり合っている。
【００３２】
第１線路２（主線路）に１つの端子８を通ってＳＷ等の回路から信号が伝送され、この１つの端子８と反対側の端子８を通って第１線路２（主線路）からパワーアンプ等の回路に信号が伝送される。信号は、例えば携帯電話機における通信用の信号である。
【００３３】
なお、上記の方向性結合器10および高周波モジュール20における結合線路４のより具体的な機能等は、例えば下記の通りである。
【００３４】
第１線路２は、例えばパワーアンプで増幅された高周波信号を入力し、送受信あるいは通信帯域を切り替えるスイッチ、または高周波信号の高調波等を取り除くフィルタ等へ出力するための信号線路である。方向性結合器10から出力された信号は、例えばフィルタで所定の周波数帯域にフィルタリングされ、その後アンテナに伝送されアンテナから外部に送信される。アンテナは、例えば携帯電話機等のアンテナである。
【００３５】
この第１線路２に対して第２線路３が電磁的に接続されている。この電磁的な接続を利用して、フィードバック用の信号が第２線路３からＩＣ等に伝送される。この信号がＩＣ等で処理され、第１線路２を伝送されている信号レベルがモニターされる。つまり、第１線路２を伝送される信号レベルが、第２線路３を介して、信号レベルを比較するＩＣに送られる。このＩＣで、例えば設定した信号レベルより入力された信号レベルが低い時はパワーアンプへ出力レベルを上げるようにフィードバックが行われ、信号レベルが高いときは逆となる。この場合、方向性結合器10における結合度は、第１線路２に入力される信号の強度に対する、第２線路３からＩＣ等に出力される信号の強度の比率に比例した値である。結合度が大きいほど第２線路３から出力される信号は大きくなり、結合度が小さいほど第２線路３から出力される信号は小さくなる。
【００３６】
また、第１線路２（主線路）における信号の伝送に伴う電磁誘導によって、第２線路３（副線路）に第１線路２（主線路）と逆向きの信号が伝送される。第２線路３（副線路）を伝送される信号は、例えばフィードバック用の情報等である。第２線路３（副線路）を伝送される信号は、１つの端子８を通って、フィードバック情報等の情報を処理するＩＣ（半導体集積回路素子）に伝送され、ＩＣで所定の処理が行なわれる。
【００３７】
また、第２線路３（副線路）のＩＣと電気的に接続された端部と反対側の端部は端子８を介して終端抵抗と電気的に接続され、終端処理が行なわれている。具体的には、第２線路３のうちＩＣと接続されている端部と反対側の端部が端子８を介して終端抵抗に接続されている。終端抵抗によって、第２線路３を伝送された信号に対する終端処理が行なわれるが、この場合の終端抵抗の抵抗値は、例えばＩＣと同じ程度の抵抗値に設定されている。終端抵抗は、セラミックチップ抵抗部品等の独立した回路部品であってもよく、方向性結合器10を含む高周波モジュール20に含まれるプリント回路基板等に形成された抵抗回路（印刷回路等）からなるものであってもよい。
【００３８】
また、実施形態の方向性結合器10および高周波モジュール20は、結合線路４（例えば第１線路２）の長さ方向の一部において、第１線路２と第２線路３との間で複数の絶縁層11の層間に設けられた第３線路５を有している。第３線路５は、複数の絶縁層11の一部を間に挟んで第１線路２および第２線路３と対向するとともに、第１線路２と電気的に接続されている。なお、第３線路５は、後述するように方向性結合器10における結合度を調整するためのものであり、第１線路２および第２線路３のいずれか一方と電気的に接続されていればよいものである。本実施形態では、上記のように第１線路２（主線路）に第３線路５が電気的に接続された例を挙げて説明する。
【００３９】
方向性結合器10は、上記構成を有していることから、結合線路４の第１線路２と第２線路３との電磁的な結合の強さを、第１線路２と第２線路３との直接の電磁的な結合に加えて、これらの一方（本実施形態では第１線路２）と電気的に接続された第３線路５と他方（本実施形態では第２線路３）との電磁的な結合でも調整することができる。そのため、第３線路５の位置および長さによって、第１線路２と第２線路３との電磁的な結合の強さを従来よりも細かく調整することができる。したがって、例えば、第１線路２と第２線路３との電磁的な結合の強さを連続的に変化させることが容易であり、調整された結合度の精度が高い。これにより、例えば所望の結合度をセンター値とすることが容易な方向性結
合器10を提供することができる。
【００４０】
また、実施形態の高周波モジュール20によれば、上記構成の方向性結合器10を含むことから、結合度の連続的な調整が容易であり、調整された結合度の精度が高い高周波モジュール20を提供することができる。
【００４１】
第１線路２と第３線路５との電気的な接続も、絶縁層11を厚み方向に貫通する貫通導体７（ビア導体）によって行なわれている。第１線路２と第３線路５とを電気的に接続する貫通導体７についても、例えば、銅、銀、パラジウム、白金、タングステン、モリブデンもしくはマンガン等の金属材料、またはこれらの金属材料を含む合金の金属材料により形成されている。例えば、絶縁層11となるセラミックグリーンシートに厚み方向に貫通する貫通孔を設けておいて、この貫通孔内に上記と同様の金属ペーストを充填し、焼成することによって貫通導体７を形成することができる。
【００４２】
第１線路２、第２線路３および第３線路５は、例えば接地導体層９と同様の金属材料、すなわち、銅、銀、パラジウム、白金、タングステン、モリブデンもしくはマンガン等の金属材料、またはこれらの金属材料を含む合金の金属材料により形成されている。これらの金属材料は、例えば積層体１との同時焼成によって、メタライズ層として複数の絶縁層11の層間に形成されている。
【００４３】
例えば、第１線路２、第２線路３および第３線路５は、銅のメタライズ層からなる場合であれば、銅の粉末を有機溶剤およびバインダとともに混練して作製した金属ペーストを、絶縁層11となるセラミックグリーンシートの主面に線状等のパターンで、スクリーン印刷等の方法によって印刷し、同時焼成することによって、絶縁層11同士の層間（つまり積層体１の内部）に形成することができる。
【００４４】
方向性結合器10における結合度は、基本的には第１線路２（主線路）第２線路３（副線路）との絶縁層11を挟んで対向し合う長さ、および両者間の距離によって調整される。具体的には、第１線路２（主線路）と第２線路３（副線路）との絶縁層11を挟んで対向し合う長さが長いほど結合度が大きい。また第１線路２（主線路）と第２線路３（副線路）との間の距離が小さいほど、結合度が大きい。
【００４５】
これらの条件のうち、第１線路２および第２線路３の長さは、積層体１（つまりは方向性結合器10）としての所望の小型化、および結合線路４以外の配線導体（図示せず）の配置等の制約を受けるため、設定の自由度は比較的小さい。また、第１線路２と第２線路３との間の距離については、絶縁層11の厚みを単位として、絶縁層11の層数の調整による、いわゆる階段的な値の設定に制約される。
【００４６】
これに対して、実施形態の方向性結合器10では、第３線路５を含む補助結合線路６を有しているため、第１線路２と第２線路３との電磁的な結合の強さを連続的に変化させることが容易である。
【００４７】
この場合、第３線路５は、第２線路３と電磁的に結合している主線路の一部とみなすこともできる。第１線路２との関係と同様に、第３線路５との間にも電磁誘導によって第２線路３に信号が生じて伝送される。第３線路５についても、第１線路２と同様に、第２線路３と対向し合う長さが長いほど、また、第２線路３に対する距離が小さいほど、方向性結合器10における結合度が大きい。
【００４８】
第３線路５については、第１線路２と第２線路３とが対向し合う範囲において、その第２線路３と対向する長さおよび第２線路３との間の距離を種々に調整することができる。
そのため、結合度の細かい調整を行なうことができる。言い換えれば、方向性結合器10における結合度は、第１線路２と第２線路３とを含む結合線路４によって概略所定の値に調整されたものとなり、第３線路５を含む補助結合線路６によって微調整が行なわれ得る。そのため、実施形態の方向性結合器10は結合度の精度が高いものになっている。
【００４９】
方向性結合器10における結合度について、その設定の具体的な一例を挙げる。この具体例においては。絶縁層11がホウケイ酸ガラスおよび酸化アルミニウムを含むガラスセラミック焼結体からなる厚みが約100μｍのものであり、第１線路２、第２線路３および第３
線路５がそれぞれ銅からなる幅が約100μｍのものとして設定した。第１線路２と第２線
路３との間には３層の絶縁層11を挟み、これらの絶縁層11を間に挟んで互いに対向し合う第１線路２および第２線路３の長さはそれぞれ約５ｍｍに設定した。第３線路５は、第１線路２が設けられている層間のすぐ下の層間に設け、その両端を、銅からなる貫通導体７によって第１線路２に電気的に接続した。信号の周波数は約900ＭＨｚに設定した。この
ときに、第３線路５の長さを１ｍｍから３ｍｍに変えると、結合度を20.7ｄBから19.7ｄB変えることができた。第３線路５の長さが上記範囲の中央の値であれば、結合度も上記範囲の中央の値となった。なお、上記の具体例において第３線路５が設けられていないと仮定したときには、第１線路２と第２線路３との間に介在する絶縁層11の層数に応じて、結合度が階段状に調整される。すなわち、第２線路３と第３線路５との間の距離が約50μｍ（介在する絶縁層11が１層）であれば、結合度は約14.9ｄBであり、介在する層数が１つ
増える毎に、結合度が約3.4ｄＢずつ、階段状に小さくなる。
【００５０】
図４は、図１に示す方向性結合器10の変形例を示す断面図である。図４において図１と同様の部位には同様の符号を付している。図４に示す例において、第３線路５は、その長さ方向の一部において他の部分と異なる複数の絶縁層11の層間に配置されている部分を含んでいる。この例は、１つの層間に設けられた第３線路５Ａの下側に、その第３線路５Ａと第２線路３との間に介在する第４線路５Ｂがさらに設けられている例とみなすことができる。以下の説明においては、便宜的に、第３線路５のうち１つの層間に設けられた部分を第３線路５Ａといい、これと異なる層間に設けられたものについて第４線路５Ｂという。すなわち、以下の説明における第３線路５Ａと第４線路５Ｂとを合わせたものが、上記実施形態における第３線路５に相当する。
【００５１】
この例においては、補助結合線路６において第３線路５Ａに加えて第４線路５Ｂも第２線路３と電磁的に結合されている。第４線路５Ｂと第２線路３との電磁的な結合によって、第２線路３を伝送される信号の強度についてさらに細かく調整されたものとすることができる。したがって、この場合には、調整された結合度の精度がより一層高い方向性結合器10および高周波モジュール20を提供することができる。
【００５２】
第３線路５Ａと第４線路５Ｂとの電気的な接続は、例えば、上記実施形態における第１線路２と第３線路５との電気的な接続と同様に、貫通導体７によって行なうことができる。第３線路５Ａと第４線路５Ｂとを電気的に接続する貫通導体７についても、第１線路２と第３線路５とを電気的に接続する貫通導体７と同様の金属材料を用い、同様の方法で形成することができる。
【００５３】
なお、本発明の方向性結合器および高周波モジュールは、上記実施の形態の例に限定されるものではなく、本発明の要旨の範囲内であれば種々の変更は可能である。例えば、第３線路５が第２線路３電気的に接続されたもの（図示せず）であってもよい。また、２つの第３線路が設けられているとともに、それらが、第１線路２および第２線路３に１つずつ電気的に接続されたもの（図示せず）であってもよい。
【符号の説明】
【００５４】
１・・・・積層体
11・・・・絶縁層
２・・・・第１線路
３・・・・第２線路
４・・・・結合線路
５・・・・第３線路
５Ａ・・・・第３線路
５Ｂ・・・・第４線路
６・・・・補助結合線路
７・・・・貫通導体
８・・・・端子
９・・・・接地導体層
10・・・・方向性結合器
20・・・・高周波モジュール
【図１】
0006510350.tif 000002
【図２】
0006510350.tif 000003
【図３】
0006510350.tif 000004
【図４】
0006510350.tif 000005