【事件の表示】
　特許第３３０４９０２号「複合高周波部品及びそれを用いた移動体通信装置」の請求項１ないし６に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３３０４９０２号の請求項１ないし６に係る特許を取り消す。
【理　由】
１．手続の経緯
　特許出願　　　　　　　　　　　　　　　　　平成１０年１２月２４日
　特許権設定登録　　　　　　　　　　　　　　平成１４年　５月１０日
　特許異議申立て（申立人小幡良二、全請求項）平成１５年　１月２２日
　取消理由通知（全請求項）　　　　　　　　　平成１５年　４月１１日
　訂正請求（請求項１乃至請求項６）　　　　　平成１５年　６月２３日
　
２．訂正の適否
（１） 訂正の内容
ア．特許請求の範囲の記載を以下のとおりに訂正する。
「【請求項１】第１から第３のポートを有するとともに、第１のインダクタンス素子、及び第１のキャパシタンス素子で構成されたダイプレクサと、第１から第３のポートを有するとともに、第１及び第２のスイッチング素子、第２のインダクタンス素子、及び第２のキャパシタンス素子で構成され、該第１のポートを該第２、第３のポートのいずれかに切り換える複数の高周波スイッチと、第１、第２のポートを有するとともに、第３のインダクタンス素子、及び第３のキャパシタンス素子で構成された複数のフィルタを備え、
　前記ダイプレクサの第１のポートがアンテナに接続され、前記ダイプレクサの第２、第３のポートがそれぞれ前記複数の高周波スイッチの第１のポートに接続されるか、または、前記複数のフィルタを介して接続され、前記複数の高周波スイッチの第２のポートがそれぞれ送信部に接続され、前記複数の高周波スイッチの第３のポートがそれぞれ受信部に接続されており、
　前記複数のフィルタは、前記複数の高周波スイッチの第１のポートもしくは第２のポートに接続されており、
　前記第１及び第２のスイッチング素子はそれぞれ第１及び第２のダイオードであり、
　前記複数のスイッチはそれぞれ、前記第１のポートと前記第２のポートを結ぶ経路に直列に前記第１のダイオードが、前記第１のポートと前記第３のポートを結ぶ経路とグランドとの間に前記第２のダイオードがそれぞれ接続されるものであり、
　前記複数の高周波スイッチのオン・オフが、前記複数の高周波スイッチの第２のポート側に接続される別々の複数の第１の制御電源と、前記複数の高周波スイッチの第３のポート側に接続される別々の複数の第２の制御電源とで、前記複数の高周波スイッチのうちの１つにおける第１及び第２のダイオードがオンの時にその他の高周波スイッチにおける第１及び第２のダイオードが逆バイアスになるように制御されることを特徴とする複合高周波部品。
【請求項２】前記複数のフィルタが、前記複数の高周波スイッチと前記送信部との間に配置されることを特徴とする請求項１に記載の複合高周波部品。
【請求項３】前記第１及び第２のスイッチング素子、前記第１乃至第３のインダクタンス素子、及び前記第１乃至第３のキャパシタンス素子が、セラミックスからなる複数のシート層を積層してなるセラミック多層基板に内蔵、もしくは搭載されるとともに、前記セラミック多層基板に形成される接続手段によって接続され、
　前記受信部に接続される複数の外部端子が、グランドとなる外部端子を挟んで、前記セラミック多層基板の側面に設けられることを特徴とする請求項１乃至請求項２のいずれかに記載の複合高周波部品。
【請求項４】前記高周波スイッチを構成する前記第１及び第２のスイッチング素子が、前記セラミック多層基板に搭載され、前記ダイプレクサを構成する第１のキャパシタンス素子が、前記ダイプレクサを構成する第１のインダクタンス素子を介して、前記セラミック多層基板の積層方向に配置され、前記フィルタを構成する第３のキャパシタンス素子が、前記フィルタを構成する第３のインダクタンス素子を介して、前記セラミック多層基板の積層方向に配置されることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の複合高周波部品。
【請求項５】前記複数の高周波スイッチを構成する第２のインダクタンス素子がチョークコイルからなり、該チョークコイルが前記セラミック多層基板に搭載されることを特徴とする請求項３あるいは請求項４のいずれかに記載の複合高周波部品。
【請求項６】請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の複合高周波部品を用いたことを特徴とする移動体通信装置。」
　
イ． 明細書中の【００１０】欄を以下のとおり訂正する。
「【００１０】
　　【課題を解決するための手段】
　上述する問題点を解決するため本発明の複合高周波部品は、第１から第３のポートを有するとともに、第１のインダクタンス素子、及び第１のキャパシタンス素子で構成されたダイプレクサと、第１から第３のポートを有するとともに、第１及び第２のスイッチング素子、第２のインダクタンス素子、及び第２のキャパシタンス素子で構成され、該第１のポートを該第２、第３のポートのいずれかに切り換える複数の高周波スイッチと、第１、第２のポートを有するとともに、第３のインダクタンス素子、及び第３のキャパシタンス素子で構成された複数のフィルタを備え、
　前記ダイプレクサの第１のポートがアンテナに接続され、前記ダイプレクサの第２、第３のポートがそれぞれ前記複数の高周波スイッチの第１のポートに接続されるか、または、前記複数のフィルタを介して接続され、前記複数の高周波スイッチの第２のポートがそれぞれ送信部に接続され、前記複数の高周波スイッチの第３のポートがそれぞれ受信部に接続されており、
　前記複数のフィルタは、前記複数の高周波スイッチの第１のポートもしくは第２のポートに接続されており、
　前記第１及び第２のスイッチング素子はそれぞれ第１及び第２のダイオードであり、
　前記複数のスイッチはそれぞれ、前記第１のポートと前記第２のポートを結ぶ経路に直列に前記第１のダイオードが、前記第１のポートと前記第３のポートを結ぶ経路とグランドとの間に前記第２のダイオードがそれぞれ接続されるものであり、
　前記複数の高周波スイッチのオン・オフが、前記複数の高周波スイッチの第２のポート側に接続される別々の複数の第１の制御電源と、前記複数の高周波スイッチの第３のポート側に接続される別々の複数の第２の制御電源とで、前記複数の高周波スイッチのうちの１つにおける第１及び第２のダイオードがオンの時にその他の高周波スイッチにおける第１及び第２のダイオードが逆バイアスになるように制御されることを特徴とする。」
　
（２）訂正の目的の適否、新規事項の有無、及び特許請求の範囲の拡張・変更の存否
　上記訂正ア．は、
　請求項１に係る発明を特定する事項である第１及び第２のスイッチング素子を「それぞれ第１及び第２のダイオード」と限定し、
　複数の高周波スイッチを「それぞれ、前記第１のポートと前記第２のポートを結ぶ経路に直列に前記第１のダイオードが、前記第１のポートと前記第２のポートを結ぶ経路とグランドとの間に前記第２のダイオードがそれぞれ接続されるもの」と限定し、
　別々の複数の第１の制御電源と別々の複数の第２の制御電源による制御を「前記複数の高周波スイッチのうちの１つにおける第１及び第２のダイオードがオンの時にその他の高周波スイッチにおける第１及び第２のダイオードが逆バイアスになるように制御される」と限定するものであって、
　特許請求の範囲の減縮を目的とした明細書の訂正に該当し、新規事項の追加に該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　
　また、上記の訂正イ．は、特許請求の範囲の請求項１の訂正と整合性を持たせて明りょうにするためのものであり、明りょうでない記載の釈明を目的とした明細書の訂正に該当する。
　
（３）むすび
　上記訂正は、特許法第１２０条の４第２項及び同条第３項おいて準用する同法第１２６条第２から４項の規定に適合するので、この訂正を認める。
　
３．特許異議の申立てについての判断
（１） 申立についての概要
　申立人小幡良二は、下記の甲第１乃至甲第３号証より、請求項１乃至６に係る発明の特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであるから取り消すべき旨主張している。
　
甲第１号証：特開平１０−３０８６０２号公報
甲第２号証：中井，積層セラミック応用高周波ＳＭＤ部品，ＴＨＥ　ＨＯＴＬＩＮＥ，１９９８年４月，Ｖｏｌ．２７　ｐ．５−１０
甲第３号証：特開平９−９７７４３号公報
　
（２） 請求項１乃至請求項６に係る発明
　本件特許第第３３０４９０２号の請求項１乃至請求項７に係る発明は、訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１乃至請求項７に記載された事項により特定されるものである。（上記、２．（１）訂正の内容参照。：なお、請求項１の記載中、「前記複数のスイッチ」は「前記複数の高周波スイッチ」の誤記と認める。）
　
（３） 引用刊行物
　当審が通知した取消しの理由に引用した刊行物１（甲第２号証：中井，積層セラミック応用高周波ＳＭＤ部品，ＴＨＥ　ＨＯＴＬＩＮＥ，１９９８年４月，Ｖｏｌ．２７　ｐ．５−１０）には、以下の事項が記載されている。
ア．「最近、欧米ではデュアルバンドとかトリプルバンドといったマルチバンドの携帯電話の開発が急速に進められています。」（第９頁中欄第２行〜５行）
　
イ．「図１３（Ｐ．１０）にＧＳＭとＤＣＳ１８００の代表的ブロック図を示しています。」（第９頁右欄第９行〜１０行）
　
ウ．「今後の方向としてダイプレクサは、やはりさらなる小型化をはかるとともに図１３（Ｐ．１０）のブロック図に示したようなダイプレクサを核とし、セラミック積層システムの長所を生かしてアンテナ回路部を集積したフロントエンドモジュールなどの開発も進めていく予定です。」（第９頁右欄第３３行〜３９行）
　
エ．デュアルバンド携帯電話の代表的ブロック図（図１３）には、ダイプレクサ（Ｄｉｐｌｅｘｅｒ）、ローパスフィルタ（ＬＰＦ）、ＤＣＳ用のＴ／Ｒスイッチ、ＧＳＭ用のＴ／Ｒスイッチを備えたフロントエンドモジュール（Ｆｒｏｎｔ　Ｅｎｄ　Ｍｏｄｕｌｅ）が記載されており、
　図１３を参照すると、フロントエンドモジュールは、３ポートのダイプレクサ、３ポートのＤＣＳ用のＴ／Ｒスイッチ、３ポートのＧＳＭ用のＴ／Ｒスイッチを備え、ダイプレクサとＤＣＳ用のＴ／Ｒスイッチとの間にローパスフィルタＬＰＦを接続し、ＤＣＳ用のＴ／ＲスイッチのＲポートがＤＣＳ用のバンドパスフィルタＢＰＦを介して受信部ＤＣＳ／ＲＸに接続され、ＤＣＳ用のＴ／ＲスイッチのＴポートがＤＣＳ用のローパスフィルタＬＰＦを介して受信部ＤＣＳ／ＴＸに接続され、ＧＳＭ用のＴ／ＲスイッチのＲポートがＧＳＭ用のバンドパスフィルタＢＰＦを介して受信部ＧＳＭ／ＲＸに接続され、ＧＳＭ用のＴ／ＲスイッチのＴポートがＧＳＭ用のローパスフィルタＬＰＦを介して受信部ＤＣＳ／ＴＸに接続されることが記載されている。
　
　上記ア．〜エ．の事項を参照すると、刊行物１には、
　３ポートのダイプレクサ、３ポートのＤＣＳ用のＴ／Ｒスイッチ、３ポートのＧＳＭ用のＴ／Ｒスイッチを備え、ダイプレクサとＤＣＳ用のＴ／Ｒスイッチとの間にローパスフィルタＬＰＦを接続し、ＤＣＳ用のＴ／ＲスイッチのＲポートがＤＣＳ用のバンドパスフィルタＢＰＦを介して受信部ＤＣＳ／ＲＸに接続され、ＤＣＳ用のＴ／ＲスイッチのＴポートがＤＣＳ用のローパスフィルタＬＰＦを介して受信部ＤＣＳ／ＴＸに接続され、ＧＳＭ用のＴ／ＲスイッチのＲポートがＧＳＭ用のバンドパスフィルタＢＰＦを介して受信部ＧＳＭ／ＲＸに接続され、ＧＳＭ用のＴ／ＲスイッチのＴポートがＧＳＭ用のローパスフィルタＬＰＦを介して受信部ＤＣＳ／ＴＸに接続される携帯電話用のフロントエンドモジュールの発明（以下、「刊行物１記載の発明」という。）が記載されている。
　
　同じく、当審が通知した取消しの理由に引用した刊行物２（特開平９−２９４０４２号公報）には、以下の事項が記載されている。
「【請求項１】 絶縁層を積層一体化して構成される積層体であって、内部にパターン電極が形成されて、少なくとも２個のインダクタンス成分及び２個のコンデンサ成分が構成され、該インダクタンス成分とコンデンサ成分とが接続されたノッチ回路が内部に少なくとも２個構成された積層体から成り、該２個のノッチ回路の一端どおしが接続されてなる分波回路が内部に構成されていることを特徴とする積層型分波器。
【請求項２】 前記ノッチ回路が、インダクタンス成分とコンデンサ成分との並列回路であることを特徴とする請求項１記載の分波器。
【請求項３】 前記２個のノッチ回路の一端どうしを接続した端部をアンテナ側に接続し、前記２個のノッチ回路のそれぞれの他端を、二つの周波数帯の通信回路側のそれぞれに接続するように構成された請求項１記載の積層型分波器を用いたデュアルバンド携帯電話端末機。」
　
　同じく、当審が通知した取消しの理由に引用した刊行物３（特開平８−９７７４３号公報）には、以下の事項が記載されている。
ア．「【請求項１】複数の誘電体層を積層してなる多層基板の外面に高周波デバイスを搭載し、少なくとも前記多層基板の外面または前記誘電体層上に、グランド電極および前記高周波デバイスに接続した信号ラインとを形成し、前記信号ラインと同一平面上には、前記信号ラインと前記グランド電極間に接続した第１の伝送線路を形成し、該第１の伝送線路を介して前記高周波デバイスにバイアス電圧をかけてなる高周波部品と、少なくとも前記多層基板の外面または前記誘電体層上に第２の伝送線路を形成してなり、前記高周波部品に対し、前記第２の伝送線路を前記信号ラインにより接続するフィルタ部品とを備えたことを特徴とする、複合高周波部品。」
　
イ．「【産業上の利用分野】本発明は複合高周波部品に関し、特に高周波スイッチ部品等の高周波部品とフィルタ部品とを接続してなる複合高周波部品に関する。」
　
ウ．「【発明が解決しようとする課題】しかし、上述のような高周波部品にフィルタ部品を接続して使用する場合、従来は高周波部品とフィルタ部品とを別々に設計・製作していたため、プリント基板上において大きな占有面積・体積を必要とし、回路配置の融通性を悪くするという問題があった。また、高周波部品とフィルタ部品のインピーダンスマッチングを行うために、高周波部品およびフィルタ部品に、新たにインピーダンスマッチング用回路を付加しなければならないという問題があった。さらに、前記インピーダンスマッチング用回路を設計するための時間も余分に必要となるという問題があった。」
　
エ．「【課題を解決するための手段】本発明に係る複合高周波部品は、上記目的を達成するため、複数の誘電体層を積層してなる多層基板の外面に高周波デバイスを搭載し、少なくとも前記多層基板の外面または前記誘電体層上に、グランド電極および前記高周波デバイスに接続した信号ラインとを形成し、前記信号ラインと同一平面上には、前記信号ラインと前記グランド電極間に接続した第１の伝送線路を形成し、該第１の伝送線路を介して前記高周波デバイスにバイアス電圧をかけてなる高周波部品と、少なくとも前記多層基板の外面または前記誘電体層上に第２の伝送線路を形成してなり、前記高周波部品に対し、前記第２の伝送線路を前記信号ラインにより接続するフィルタ部品とを備えたことを特徴とする。また、前記高周波デバイスとしてダイオードを用い、また前記伝送線路としてストリップラインを用い、さらに前記高周波部品を高周波スイッチ部品としたことを特徴とする。また、前記フィルタ部品としてローパスフィルタ部品を用いたことを特徴とする。」
　
オ．「【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、高周波部品とフィルタ部品とを、複数の誘電体層を積層してなる一つの多層基板に形成して構成することにより、複合高周波部品としてなるもので、従来の別々に形成した高周波部品とフィルタ部品を接続したものに比べて、全体の寸法を小さくすることができるため、プリント基板上における占有面積・体積を小さくすることができる。また、高周波部品の回路とフィルタ部品の回路を複合して同時設計することにより、高周波部品の回路とフィルタ部品の回路のインピーダンスマッチングを施した設計を行うことができるため、インピーダンスマッチング用回路を新たに付加する必要がなくなり、回路的に簡略化がなされる。さらに、前記インピーダンスマッチング用回路を設計するための時間も不要とすることができる。」
　
カ．「【０００３】高周波部品の一例として、高周波スイッチ部品１の回路図を図１１に示す。高周波スイッチ部品１は、アンテナＡＮＴ，送信回路ＴＸおよび受信回路ＲＸに、信号ラインＶ１により接続される。送信回路ＴＸには、コンデンサＣ１を介して、高周波デバイスであるダイオードＤ１のアノードが接続される。ダイオードＤ１のアノードは、第１の伝送線路であるストリップラインＬ１、およびコンデンサＣ４の直列回路を介し、グランドに接地される。ストリップラインＬ１の線路長としては、送信回路ＴＸからの送信信号の波長をλとしたとき、λ／４以下となるように設定される。また、ストリップラインＬ１とコンデンサＣ４との中間点には、コントロール端子Ｖｃ１が接続される。コントロール端子Ｖｃ１には、高周波スイッチ部品１の切り換えを行うためのコントロール回路が接続される。そして、ダイオードＤ１の両端（アノード・カソード間）には、第１の伝送線路であるストリップラインＬ３、およびコンデンサＣ６の直列回路が接続される。さらに、ダイオードＤ１のカソードは、コンデンサＣ２を介して、アンテナＡＮＴに接続される。」
　
キ．「【０００４】アンテナＡＮＴに接続されたコンデンサＣ２には、さらに第１の伝送線路であるストリップラインＬ２とコンデンサＣ３との直列回路を介して、受信回路ＲＸが接続される。ストリップラインＬ２の線路長も、ストリップラインＬ１と同様に、λ／４以下となるように設定される。また、ストリップラインＬ２とコンデンサＣ３との中間点には、高周波デバイスであるダイオードＤ２のアノードが接続される。そして、ダイオードＤ２のカソードは、コンデンサＣ５を介し、グランドに接地される。さらに、ダイオードＤ２とコンデンサＣ５との中間点には、コントロール端子Ｖｃ２が接続される。コントロール端子Ｖｃ２には、コントロール端子Ｖｃ１と同様に、高周波スイッチ部品１の切り換えを行うためのコントロール回路が接続され、高周波スイッチ部品１の回路を構成している。」
　
ク．「【０００５】このように構成された高周波スイッチ部品１を用いて送信を行う場合、コントロール端子Ｖｃ１に正のバイアス電圧を印加し、コントロール端子Ｖｃ２に負のバイアス電圧を印加する。この電圧は、ダイオードＤ１，Ｄ２に対し順方向のバイアス電圧として働くために、ダイオードＤ１，Ｄ２をＯＮにする。このとき、コンデンサＣ１乃至Ｃ５，Ｃ６によって直流分がカットされ、ダイオードＤ１，Ｄ２を含む回路にのみコントロール端子Ｖｃ１，Ｖｃ２に加えられた電圧が印加される。従って、ストリップラインＬ２がダイオードＤ２により接地されて送信周波数で共振し、インピーダンスがほぼ無限大となるため、送信回路ＴＸからの送信信号は、受信回路ＲＸ側にはほとんど伝送されることなく、コンデンサＣ１，ダイオードＤ１，コンデンサＣ２を経てアンテナＡＮＴに伝送される。なお、ストリップラインＬ１は、コンデンサＣ４を介して接地されているため、送信周波数で共振しインピーダンスがほぼ無限大となり、送信信号がアース側へ漏れることを防止している。」
　
ケ．「【０００６】一方、受信時には、コントロール端子Ｖｃ１に負のバイアス電圧を印加し、コントロール端子Ｖｃ２に正のバイアス電圧を印加する。この電圧は、ダイオードＤ１，Ｄ２に対し逆方向のバイアス電圧として働くため、ダイオードＤ１，Ｄ２はＯＦＦ状態になり、アンテナＡＮＴからの受信信号は、コンデンサＣ２，ストリップラインＬ２，コンデンサＣ３を経て受信回路ＲＸに伝送され、送信回路ＴＸ側にはほとんど伝送されない。」
　
コ．「【０００７】このように、高周波スイッチ部品１は、コントロール端子Ｖｃ１，Ｖｃ２に印加するバイアス電圧をコントロールすることにより、送受の信号を切り換えることができる。」
　
　上記ア．〜オ．の事項を参照すると、刊行物３には、
　高周波スイッチ部品等の高周波部品とフィルタ部品とを接続してなる複合高周波部品において、
　複数の誘電体層を積層してなる多層基板の外面に高周波デバイスを搭載し、少なくとも前記多層基板の外面または前記誘電体層上に、グランド電極および前記高周波デバイスに接続した信号ラインとを形成し、前記信号ラインと同一平面上には、前記信号ラインと前記グランド電極間に接続した第１の伝送線路を形成し、該第１の伝送線路を介して前記高周波デバイスにバイアス電圧をかけてなる高周波部品と、少なくとも前記多層基板の外面または前記誘電体層上に第２の伝送線路を形成してなり、前記高周波部品に対し、前記第２の伝送線路を前記信号ラインにより接続するフィルタ部品とを備えた複合高周波部品が記載されている。
　
　また、上記カ．及びキの事項を参照すると、刊行物３には、
　高周波スイッチ部品１の送信回路ＴＸには、コンデンサＣ１を介して、高周波デバイスであるダイオードＤ１のアノードが接続され、また、ダイオードＤ１のカソードは、コンデンサＣ２を介して、アンテナＡＮＴに接続されること、及び、
　アンテナＡＮＴに接続されたコンデンサＣ２には、さらに第１の伝送線路であるストリップラインＬ２とコンデンサＣ３との直列回路を介して、受信回路ＲＸが接続され、ストリップラインＬ２とコンデンサＣ３との中間点には、高周波デバイスであるダイオードＤ２のアノードが接続され、ダイオードＤ２のカソードは、コンデンサＣ５を介し、グランドに接地されることが記載されている。
　
　上記の高周波スイッチ部品１のアンテナに接続される箇所を第１のポート、送信回路ＴＸに接続される箇所を第２のポート、受信回路ＲＸに接続される箇所を第３のポートとすると、
　刊行物３には、
　高周波スイッチ部品１において、第１のポートと第２のポートを結ぶ経路に直列にダイオードＤ１が接続され、
　第１のポートと第３のポートを結ぶ経路とグランドとの間にダイオードＤ２が接続されることが記載されている。
　
　また、上記カ．及びキの事項を参照すると、刊行物３には、
　ストリップラインＬ１とコンデンサＣ４との中間点には、コントロール端子Ｖｃ１が接続され、コントロール端子Ｖｃ１には、高周波スイッチ部品１の切り換えを行うためのコントロール回路が接続され、
　ダイオードＤ２とコンデンサＣ５との中間点には、コントロール端子Ｖｃ２が接続され、コントロール端子Ｖｃ２には、コントロール端子Ｖｃ１と同様に、高周波スイッチ部品１の切り換えを行うためのコントロール回路が接続されることが記載されている。
　
　上記の高周波スイッチ部品１のストリップラインＬ１とコンデンサＣ４との中間点に接続されるコントロール端子Ｖｃ１は、高周波スイッチ部品１の送信回路ＴＸ側、即ち、第２のポート側に接続される第１の制御電極に対応し、
　また、高周波スイッチ部品１のダイオードＤ２とコンデンサＣ５との中間点に接続されるコントロール端子Ｖｃ２は、高周波スイッチ部品１の受信回路ＲＸ側、即ち、第３のポート側に接続される第２の制御電極に対応している。
　
　また、上記ク．〜コ．の事項を参照すると、刊行物３には、
　高周波スイッチ部品１を用いて送信を行う場合、コントロール端子Ｖｃ１に正のバイアス電圧を印加し、コントロール端子Ｖｃ２に負のバイアス電圧を印加する。この電圧は、ダイオードＤ１，Ｄ２に対し順方向のバイアス電圧として働くために、ダイオードＤ１，Ｄ２はＯＮ状態になる、及び、
　受信時には、コントロール端子Ｖｃ１に負のバイアス電圧を印加し、コントロール端子Ｖｃ２に正のバイアス電圧を印加して、この電圧は、ダイオードＤ１，Ｄ２に対し逆方向のバイアス電圧として働くため、ダイオードＤ１，Ｄ２はＯＦＦ状態になることが記載されている。
　
　上記のコントロール回路に接続されたコントロール端子Ｖｃ１とコントロール端子Ｖｃ２は、第１の制御電源と第２の制御電源に対応しており、
送信時の、コントロール端子Ｖｃ１に正のバイアス電圧を印加し、コントロール端子Ｖｃ２に負のバイアス電圧を印加して、ダイオードＤ１，Ｄ２に対し順方向のバイアス電圧を与え、ダイオードＤ１，Ｄ２をＯＮにすることは、第１の制御電源と第２の制御電源とで第１及び第２のダイオードをオンにすることに対応し、
受信時の、コントロール端子Ｖｃ１に負のバイアス電圧を印加し、コントロール端子Ｖｃ２に正のバイアス電圧を印加して、ダイオードＤ１，Ｄ２に対し逆方向のバイアス電圧を与え、ダイオードＤ１，Ｄ２はＯＦＦ状態にすることは、第１の制御電源と第２の制御電源とで第１及び第２のダイオードが逆バイアスになるように制御することに対応している。
　
　以上を勘案すると、刊行物３には、
　複数の誘電体層を積層してなる多層基板の外面に高周波デバイスを搭載し、少なくとも前記多層基板の外面または前記誘電体層上に、グランド電極および前記高周波デバイスに接続した信号ラインとを形成し、前記信号ラインと同一平面上には、前記信号ラインと前記グランド電極間に接続した第１の伝送線路を形成し、該第１の伝送線路を介して前記高周波デバイスにバイアス電圧をかけてなる高周波部品と、少なくとも前記多層基板の外面または前記誘電体層上に第２の伝送線路を形成してなり、前記高周波部品に対し、前記第２の伝送線路を前記信号ラインにより接続するフィルタ部品とを備えた複合高周波スイッチ部品において、
　高周波スイッチ部品の第１のポートと第２のポートを結ぶ経路に直列にダイオードＤ１が接続され、
　第１のポートと第３のポートを結ぶ経路とグランドとの間にダイオードＤ２が接続され、
　高周波スイッチ部品の送信回路ＴＸ側、即ち、第２のポート側に接続される第１の制御電極であるコントロール端子Ｖｃ１と
　高周波スイッチ部品の受信回路ＲＸ側、即ち、第３のポート側に接続される第２の制御電極であるコントロール端子Ｖｃ２とを備え、
第１の制御電源と第２の制御電源とで第１及び第２のダイオードをオンにする状態と、
第１の制御電源と第２の制御電源とで第１及び第２のダイオードが逆バイアスになる状態とに制御する複合高周波スイッチ部品の発明（以下、「刊行物３記載の発明」という。）が記載されている。
　
　同じく、当審が通知した取消しの理由に引用した刊行物４（特開平１０−３０８６０２号公報）には、以下の事項が記載されている。
「【００１４】図１の（ｂ）は、上記２分岐スイッチ（ＳＰＤＴ）１０３の一回路例を示している。…
【００１５】…インダクタ１２２及び１１９は高周波信号ラインから直流ラインを分離するためのチョークコイルである。
【００１６】…インダクタ１１３及び１１５は高周波信号ラインから直流ラインを分離するためのチョークコイルである。」
　
　上記事項を参照すると、刊行物４には、２分岐スイッチのインダクタンス素子としてチョークコイルを採用することが記載されている。
　
（４）［請求項１］に係る発明について
　そこで、請求項１に係る発明と刊行物１記載の発明とを対比すると、
（対比）
ア．刊行物１記載の発明の「３ポートのダイプレクサ」は、請求項１に係る発明の「第１から第３のポートを有するダイプレクサ」に対応する。
　
イ．刊行物１記載の発明の「３ポートのＤＣＳ用のＴ／Ｒスイッチ」、「３ポートのＧＳＭ用のＴ／Ｒスイッチ」は、請求項１に係る発明の「第１から第３のポートを有する複数の高周波スイッチ」に対応する。
　
ウ．刊行物１記載の発明の「ＤＣＳ用のローパスフィルタＬＰＦ、バンドパスフィルタＢＰＦ」は、請求項１に係る発明の「第１のフィルタ、第２のフィルタ」に相当する。
　
エ．刊行物１記載の発明の「ダイプレクサ」と「複数のＴ／Ｒスイッチ」と「複数のフィルタ」の接続と切り換えの関係は、請求項１に係る発明の「ダイプレクサ」と「複数の高周波スイッチ」と「複数のフィルタ」の接続と切り換えの関係と同等である。
　　
オ．刊行物１記載の発明の「フロントエンドモジュール」は、携帯電話用の高周波信号を扱う複合部品であるから、請求項１に係る発明の「複合高周波部品」に対応する。
　　
　したがって、両者は、以下の点で一致し、以下の各点で相違する。
＜一致点＞
　第１から第３のポートを有するダイプレクサと、第１から第３のポートを有する複数の高周波スイッチと、第１、第２のポートを有する複数のフィルタを備え、
　前記ダイプレクサの第１のポートがアンテナに接続され、前記ダイプレクサの第２、第３のポートがそれぞれ前記複数の高周波スイッチの第１のポートに接続されるか、または、前記複数のフィルタを介して接続され、前記複数の高周波スイッチの第２のポートがそれぞれ送信部に接続され、前記複数の高周波スイッチの第３のポートがそれぞれ受信部に接続されており、
　前記複数のフィルタは、前記複数の高周波スイッチの第１のポートもしくは第２のポートに接続されている複合高周波部品。
　
＜相違点＞
（ア） ダイプレクサ、高周波スイッチ、フィルタが、
　請求項１に係る発明では、
　ダイプレクサが、第１のインダクタンス素子、及び第１のキャパシタンス素子で構成され、
　高周波スイッチが、第１及び第２のスイッチング素子、第２のインダクタンス素子、及び第２のキャパシタンス素子で構成され、前記第１のスイッチング素子が前記複数の高周波スイッチの第２のポート側に配置され、前記第２のスイッチング素子が前記複数の高周波スイッチの第３のポート側に配置されて、該第１のポートが該第２、第３のポートのいずれかに切り換えられる構成を備え、
　フィルタが、第３のインダクタンス素子、及び第３のキャパシタンス素子で構成されているのに対し、
　刊行物１記載の発明では、ダイプレクサ、高周波スイッチ、フィルタの具体的な構成について特定されていない点。
　
（イ） 複数の高周波スイッチが、
　請求項１に係る発明では、第１及び第２のスイッチング素子は、それぞれ第１及び第２のダイオードであり、それぞれ、前記第１のポートと前記第２のポートを結ぶ経路に直列に前記第１のダイオードが、前記第１のポートと前記第３のポートを結ぶ経路とグランドとの間に前記第２のダイオードがそれぞれ接続されるものであるのに対し、
　刊行物１記載の発明では、複数の高周波スイッチの具体的な構成について特定されていない点。
　
（ウ）複数の高周波スイッチのオン・オフが、
　請求項１に係る発明では、前記複数の高周波スイッチの第２のポート側に接続される別々の複数の第１の制御電源と、前記複数の高周波スイッチの第３のポート側に接続される別々の複数の第２の制御電源とで、前記複数の高周波スイッチのうちの１つにおける第１及び第２のダイオードがオンの時にその他の高周波スイッチにおける第１及び第２のダイオードが逆バイアスになるように制御されるのに対し、
　刊行物１記載の発明では、複数の高周波スイッチのオン・オフ制御について特定されていない点。
　
（判断）
　上記の相違点（ア）については、
　刊行物２又は刊行物３記載の発明を参照すると、
　第１のインダクタンス素子、及び第１のキャパシタンス素子で構成された３ポートのダイプレクサ、
　第１及び第２のスイッチング素子、第２のインダクタンス素子、及び第２のキャパシタンス素子で構成され、前記第１のスイッチング素子が前記複数の高周波スイッチの第２のポート側に配置され、前記第２のスイッチング素子が前記複数の高周波スイッチの第３のポート側に配置されて、該第１のポートが該第２、第３のポートのいずれかに切り換えられる３ポートの高周波スイッチ、
　及び、第３のインダクタンス素子、及び第３のキャパシタンス素子で構成される２ポートのフィルタ、
　は何れも、この出願の時点では、公知技術であって、
　刊行物１記載の発明のダイプレクサ、高周波スイッチ、フィルタとして、上記の各公知技術を採用することは当業者が容易に想到することができたものである。
　
　また、上記の相違点（イ）及び（ウ）については、
　刊行物３には、
　第１及び第２のスイッチング素子は、それぞれ第１及び第２のダイオードであり、前記第１のポートと前記第２のポートを結ぶ経路に直列に前記第１のダイオードが、前記第１のポートと前記第３のポートを結ぶ経路とグランドとの間に前記第２のダイオードがそれぞれ接続される高周波スイッチが記載されていて、
　刊行物３記載の高周波スイッチ部品は、上記の（イ）及び（ウ）の構成を備えたものであるから、
　刊行物１記載の発明における複数の高周波スイッチとして、単に、刊行物３記載の公知の高周波スイッチを、それぞれ、適用することは、当業者が容易に想到することができたことである。
　
　また、上記の相違点（エ）については、
　刊行物３記載の発明の高周波スイッチは、高周波スイッチの第２のポート側に接続される第１の制御電源と、高周波スイッチの第３のポート側に接続される第２の制御電源とで、高周波スイッチにおける第１及び第２のダイオードがオンの状態と、第１及び第２のダイオードが逆バイアスになる状態との２つの状態をとるように制御するものであり、
　
　刊行物３には、上記（エ）の相違点の、各高周波スイッチの、第２のポート側に接続される第１の制御電源と、第３のポート側に接続される第２の制御電源とで、高周波スイッチの第１及び第２のダイオードがオンの状態と、第１及び第２のダイオードが逆バイアスになる状態とを制御することと同じ構成が開示されているものである。
　
　そして、刊行物３記載の高周波スイッチ部品を刊行物１記載の発明の複数の高周波スイッチに適用する場合に、別々の複数の第１の制御電源と、別々の複数の第２の制御電源とで複数の高周波スイッチを制御することは、
　刊行物３記載の高周波スイッチの各々を別々の第１の制御電源と第２の制御電源とで制御することと相違はなく、刊行物３記載の高周波スイッチの制御方法を複数の高周波スイッチの制御にそのまま適用したものに過ぎない。
　
　また、第１の制御電源と第２の制御電源とで、複数の高周波スイッチの一方の第１及び第２のダイオードがオンの時に、他方の高周波スイッチの第１及び第２のダイオードが逆バイアスになるように制御する点については、
　
　刊行物１記載の発明の送受信の切換スイッチ（Ｔ／Ｒスイッチ）を制御する際に、一方の高周波スイッチを、例えば、送信時に、オン状態とするときに、他方の高周波スイッチをオフとすることは、当業者が容易に想到し得ることであると認められ、
　
　また、刊行物３記載の発明の高周波スイッチ部品は、第１の制御電源と第２の制御電源とで、第１及び第２のダイオードがオンの状態と、第１及び第２のダイオードが逆バイアスになるオフの状態との２つの状態があり、また、この２つの状態しか開示されていないのであるから、
　
　刊行物１記載の発明の複数の送受信切換スイッチ（Ｔ／Ｒスイッチ）に、刊行物３記載の高周波スイッチ部品を適用する場合に、
　一方の高周波スイッチの第１及び第２のダイオードがオンの時に、他方の高周波スイッチについては、第１及び第２のダイオードが逆バイアスになるようにして、オフ状態とすることは、当業者が容易に想到することができたことである。
　
　そして、刊行物３記載の高周波スイッチ部品を刊行物１記載の複数の高周波スイッチに適用すれば、
　一方の高周波スイッチが確実にオンし、他方の高周波スイッチが確実にオフすることができ、高周波スイッチの高調波歪み及び消費電流の低減を実現することができるという効果は、刊行物３記載の高周波スイッチ部品の構成から当然に予測される効果に過ぎないものと認められる。
　
　したがって、請求項１に係る発明は、刊行物１乃至刊行物３に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（５）［請求項２］に係る発明について
　刊行物１記載の発明においても、前記第１及び第２のフィルタの少なくとも１つが、前記高周波スイッチの第２のポート側に配置される構成を備えている。
　
　したがって、請求項２に係る発明は、刊行物１乃至刊行物３記載の発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（６）［請求項３］に係る発明について
　刊行物２には、セラミックス多層基板にインダクタンス素子、キャパシタンス素子が内蔵されたダイプレクサの高周波部品、
 刊行物３には、セラミックス多層基板に、スイッチング素子、インダクタンス素子、キャパシタンス素子が内蔵、あるいは、搭載された高周波スイッチとフィルタの高周波部品が開示されており、
 いずれも、セラミックス多層基板に、スイッチング素子、インダクタンス素子、キャパシタンス素子が内蔵、あるいは、搭載された高周波部品であるから、
 　刊行物２及び刊行物３記載の発明を参照すれば、請求項１乃至４のいずれかに記載の複合高周波部品を、セラミックス多層基板に、スイッチング素子、インダクタンス素子、キャパシタンス素子が内蔵、あるいは、搭載された高周波部品とすることは、当業者が容易に想到することができたものである。
　
　また、刊行物３には、受信部に接続される複数の外部端子が、グランドとなる外部端子を挟んで、セラミック多層基板の側面に設けられる構成も開示されている。
　
　したがって、請求項３に係る発明は、刊行物１乃至刊行物３記載の発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（７）［請求項４］に係る発明について
　刊行物２には、インダクタンス素子、キャパシタンス素子がセラミックス多層基板に形成される接続手段によって接続されるダイプレクサの高周波部品、刊行物３には、スイッチング素子、インダクタンス素子、キャパシタンス素子がセラミックス多層基板に形成される接続手段によって接続される高周波スイッチとフィルタの高周波部品が開示されており、
　
　刊行物２及び刊行物３記載の発明を参照すれば、
　前記高周波スイッチを構成する前記第１及び第２のスイッチング素子が、前記セラミック多層基板に搭載されること、前記ダイプレクサを構成する第１のキャパシタンス素子が、前記ダイプレクサを構成する第１のインダクタンス素子を介して、前記セラミック多層基板の積層方向に配置されること、前記フィルタを構成する第３のキャパシタンス素子が、前記フィルタを構成する第３のインダクタンス素子を介して、前記セラミック多層基板の積層方向に配置されるは、いずれも、当業者が容易に想到することができたものである。
　
　したがって、請求項４に係る発明は、刊行物１乃至刊行物３記載の発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（８）［請求項５］に係る発明について
　刊行物４には、２分岐スイッチのインダクタンス素子としてチョークコイルを採用することが記載されており、
　刊行物４の記載を参照すれば、複数の高周波スイッチを構成する第２のインダクタンス素子をチョークコイルとすること、また、該チョークコイルをセラミック多層基板内でなく、搭載するようにすることも、当業者が容易に想到することができたものである。
　
　したがって、請求項５に係る発明は、刊行物１乃至刊行物４記載の発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（９）［請求項６］に係る発明について
　刊行物１にはフロントエンドモジュールを携帯電話に用いることが開示されており、請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の複合高周波部品を用いた移動体通信装置は、当業者が容易に想到することができたものである。
　
　したがって、請求項６に係る発明は、刊行物１乃至刊行物４記載の発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（１０）むすび
　以上のとおりであるから、請求項１乃至請求項６に係る発明の特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。
　したがって、請求項１乃至請求項６に係る発明の特許は、特許法第１１３条第２号に該当し、取り消されるべきものである。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１５年９月２４日（２００３．９．２４）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
複合高周波部品及びそれを用いた移動体通信装置
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　第１から第３のポートを有するとともに、第１のインダクタンス素子、及び第１のキャパシタンス素子で構成されたダイプレクサと、第１から第３のポートを有するとともに、第１及び第２のスイッチング素子、第２のインダクタンス素子、及び第２のキャパシタンス素子で構成され、該第１のポートを該第２、第３のポートのいずれかに切り換える複数の高周波スイッチと、第１、第２のポートを有するとともに、第３のインダクタンス素子、及び第３のキャパシタンス素子で構成された複数のフィルタを備え、
　前記ダイプレクサの第１のポートがアンテナに接続され、前記ダイプレクサの第２、第３のポートがそれぞれ前記複数の高周波スイッチの第１のポートに接続されるか、または、前記複数のフィルタを介して接続され、前記複数の高周波スイッチの第２のポートがそれぞれ送信部に接続され、前記複数の高周波スイッチの第３のポートがそれぞれ受信部に接続されており、
　前記複数のフィルタは、前記複数の高周波スイッチの第１のポートもしくは第２のポートに接続されており、
　
前記第１及び第２のスイッチング素子はそれぞれ第１及び第２のダイオードであり、
　
前記複数の高周波スイッチはそれぞれ、前記第１のポートと前記第２のポートを結ぶ経路に直列に前記第１のダイオードが、前記第１のポートと前記第３のポートを結ぶ経路とグランドとの間に前記第２のダイオードがそれぞれ接続されるものであり、
　前記複数の高周波スイッチのオン・オフが、前記複数の高周波スイッチの第２のポート側に接続される別々の複数の第１の制御電源と、前記複数の高周波スイッチの第３のポート側に接続される別々の複数の第２の制御電源とで
、前記複数の高周波スイッチのうちの１つにおける第１及び第２のダイオードがオンの時にその他の高周波スイッチにおける第１及び第２のダイオードが逆バイアスになるように
　【請求項２】　前記複数のフィルタが、前記複数の高周波スイッチと前記送信部との間に配置されることを特徴とする請求項１に記載の複合高周波部品。
　【請求項３】　前記第１及び第２のスイッチング素子、前記第１乃至第３のインダクタンス素子、及び前記第１乃至第３のキャパシタンス素子が、セラミックスからなる複数のシート層を積層してなるセラミック多層基板に内蔵、もしくは搭載されるとともに、前記セラミック多層基板に形成される接続手段によって接続され、
　前記受信部に接続される複数の外部端子が、グランドとなる外部端子を挟んで、前記セラミック多層基板の側面に設けられることを特徴とする請求項１乃至請求項２のいずれかに記載の複合高周波部品。
　【請求項４】　前記高周波スイッチを構成する前記第１及び第２のスイッチング素子が、前記セラミック多層基板に搭載され、前記ダイプレクサを構成する第１のキャパシタンス素子が、前記ダイプレクサを構成する第１のインダクタンス素子を介して、前記セラミック多層基板の積層方向に配置され、前記フィルタを構成する第３のキャパシタンス素子が、前記フィルタを構成する第３のインダクタンス素子を介して、前記セラミック多層基板の積層方向に配置されることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の複合高周波部品。
　【請求項５】　前記複数の高周波スイッチを構成する第２のインダクタンス素子がチョークコイルからなり、該チョークコイルが前記セラミック多層基板に搭載されることを特徴とする請求項３あるいは請求項４のいずれかに記載の複合高周波部品。
　【請求項６】　請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の複合高周波部品を用いたことを特徴とする移動体通信装置。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の属する技術分野】
　本発明は、複合高周波部品及びそれを用いた移動体通信装置に関し、特に、複数の異なる移動体通信システムに利用可能な複合高周波部品及びそれを用いた移動体通信装置に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　現在、ヨーロッパでは、移動体通信装置として、複数の周波数帯域、例えば１．８ＧＨｚ帯を使用したＤＣＳ（Ｄｉｇｉｔａｌ　Ｃｅｌｌｕｌａｒ　Ｓｙｓｔｅｍ）と９００ＭＨｚ帯を使用したＧＳＭ（Ｇｌｏｂａｌ　Ｓｙｓｔｅｍ　ｆｏｒ　Ｍｏｂｉｌｅ　ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓ）とで動作が可能なデュアルバンド携帯電話器が提案されている。
　【０００３】
　図８は、従来のデュアルバンド携帯電話器の構成の一部を示す回路図であり、１．８ＧＨｚ帯のＤＣＳと９００ＭＨｚ帯のＧＳＭとを組み合わせた一例を示したものである。デュアルバンド携帯電話器は、アンテナ１、ダイプレクサ２、及び２つの信号経路ＤＣＳ系３、ＧＳＭ系４を備える。
　【０００４】
　高周波スイッチ３ａ（４ａ）は、ダイオードＤ５１ｄ，Ｄ５２ｄ（Ｄ５１ｇ，Ｄ５２ｇ）、インダクタＬ５１ｄ〜Ｌ５３ｄ（Ｌ５１ｇ〜Ｌ５３ｇ）、及びコンデンサＣ５１ｄ〜Ｃ５３ｄ（Ｃ５１ｇ〜Ｃ５３ｇ）で構成される。
　【０００５】
　そして、第１のポートＰ５１ｄ（Ｐ５１ｇ）と第２のポートＰ５２ｄ（Ｐ５２ｇ）との間にカソードが第１のポートＰ５１ｄ（Ｐ５１ｇ）側になるようにダイオードＤ５１ｄ（Ｄ５１ｇ）が接続され、ダイオードＤ５１ｄ（Ｄ５１ｇ）にはインダクタＬ５１ｄ（Ｌ５１ｇ）とコンデンサＣ５１ｄ（Ｃ５１ｇ）とからなる直列回路が並列に接続される。
　【０００６】
　また、ダイオードＤ５１ｄ（Ｄ５１ｇ）のアノードはインダクタＬ５２ｄ（Ｌ５２ｇ）及びコンデンサＣ５２ｄ（Ｃ５２ｇ）を介して接地され、インダクタＬ５２ｄ（Ｌ５２ｇ）とコンデンサＣ５２ｄ（Ｃ５２ｇ）との接続点には、高周波スイッチ３ａ（４ａ）のオン・オフを制御する別々の制御電源Ｖｃ５１（Ｖｃ５２）が接続される。
　【０００７】
　さらに、第１のポートＰ５１ｄ（Ｐ５１ｇ）と第３のポートＰ５３ｄ（Ｐ５３ｇ）との間にインダクタＬ５３ｄ（Ｌ５３ｇ）が接続され、インダクタＬ５３ｄ（Ｌ５３ｇ）の第３のポートＰ５３ｄ（Ｐ５３ｇ）側はダイオードＤ５２ｄ（Ｄ５２ｇ）及びコンデンサＣ５３ｄ（Ｃ５３ｇ）を介して接地され、ダイオードＤ５２ｄ（Ｄ５２ｇ）のカソードとコンデンサＣ５３ｄ（Ｃ５３ｇ）との接続点は、抵抗Ｒ５ｄ（Ｒ５ｇ）を介して接地される。
　【０００８】
　【発明が解決しようとする課題】
　ところが、上記の従来の移動体通信装置の１つであるデュアルバンド携帯電話器によれば、高周波スイッチにおいて、第２のダイオードのカソードと第２のコンデンサとの接続点が抵抗を介して接地されるため、送信の際に、オフとなっている高周波スイッチに逆方向電圧が印加されず、高周波スイッチの高調波歪みや消費電流が大きくなるといった問題があった。
　【０００９】
　本発明は、このような問題点を解決するためになされたものであり、送信時の高調波歪み及び消費電流を抑制することができる複合高周波部品及びそれを用いた移動体通信装置を提供することを目的とする。
　【００１０】
　【課題を解決するための手段】
　上述する問題点を解決するため本発明の複合高周波部品は、第１から第３のポートを有するとともに、第１のインダクタンス素子、及び第１のキャパシタンス素子で構成されたダイプレクサと、第１から第３のポートを有するとともに、第１及び第２のスイッチング素子、第２のインダクタンス素子、及び第２のキャパシタンス素子で構成され、該第１のポートを該第２、第３のポートのいずれかに切り換える複数の高周波スイッチと、第１、第２のポートを有するとともに、第３のインダクタンス素子、及び第３のキャパシタンス素子で構成された複数のフィルタを備え、前記ダイプレクサの第１のポートがアンテナに接続され、前記ダイプレクサの第２、第３のポートがそれぞれ前記複数の高周波スイッチの第１のポートに接続されるか、または、前記複数のフィルタを介して接続され、前記複数の高周波スイッチの第２のポートがそれぞれ送信部に接続され、前記複数の高周波スイッチの第３のポートがそれぞれ受信部に接続されており、前記複数のフィルタは、前記複数の高周波スイッチの第１のポートもしくは第２のポートに接続されており、
前記第１及び第２のスイッチング素子はそれぞれ第１及び第２のダイオードであり、前記複数の高周波スイッチはそれぞれ、前記第１のポートと前記第２のポートを結ぶ経路に直列に前記第１のダイオードが、前記第１のポートと前記第３のポートを結ぶ経路とグランドとの間に前記第２のダイオードがそれぞれ接続されるものであり、
、前記複数の高周波スイッチのうちの１つにおける第１及び第２のダイオードがオンの時にその他の高周波スイッチにおける第１及び第２のダイオードが逆バイアスになるように
　【００１１】
　また、前記複数のフィルタが、前記複数の高周波スイッチと前記送信部との間に配置されることを特徴とする。
　【００１２】
　また、前記第１及び第２のスイッチング素子、前記第１乃至第３のインダクタンス素子、及び前記第１乃至第３のキャパシタンス素子が、セラミックスからなる複数のシート層を積層してなるセラミック多層基板に内蔵、もしくは搭載されるとともに、前記セラミック多層基板に形成される接続手段によって接続され、前記受信部に接続される複数の外部端子が、グランドとなる外部端子を挟んで、前記セラミック多層基板の側面に設けられることを特徴とする。
　【００１３】
　また、前記高周波スイッチを構成する前記第１及び第２のスイッチング素子が、前記セラミック多層基板に搭載され、前記ダイプレクサを構成する第１のキャパシタンス素子が、前記ダイプレクサを構成する第１のインダクタンス素子を介して、前記セラミック多層基板の積層方向に配置され、前記フィルタを構成する第３のキャパシタンス素子が、前記フィルタを構成する第３のインダクタンス素子を介して、前記セラミック多層基板の積層方向に配置されることを特徴とする。
　【００１４】
　また、前記複数の高周波スイッチを構成する第２のインダクタンス素子がチョークコイルからなり、該チョークコイルが前記セラミック多層基板に搭載されることを特徴とする。
　【００１５】
　本発明の移動体通信装置は、上記に記載の複合高周波部品を用いたことを特徴とする。
　【００１６】
　本発明の複合高周波部品によれば、高周波スイッチのオン・オフを高周波スイッチの送信部側に接続される第１の制御電源と高周波スイッチの受信部側に接続される第２の制御電源で制御するため、送信の際に、オフ側の高周波スイッチに逆方向電圧を印加することができる。
　【００１７】
　本発明の移動体通信装置によれば、高調波歪み及び消費電流を抑制することができる高周波スイッチを有する複合高周波部品を用いるため、移動体通信装置の送受信特性の向上及び消費電流の低減を実現することができる。
　【００１８】
　【発明の実施の形態】
　以下、図面を参照して本発明の実施例を説明する。図１は、本発明の複合高周波部品の第１の実施例の回路図である。複合高周波部品１０は、ダイプレクサ２、ＤＣＳ系をなす高周波スイッチ１３ａ、フィルタ３ｂ及びＧＳＭ系をなす高周波スイッチ１４ａ、フィルタ４ｂからなる。
　【００１９】
　そして、ダイプレクサ２の第１のポートＰ１１にはアンテナ１が、第２のポートＰ１２にはＤＣＳ系のフィルタ３ｂの第１のポートＰ３１ｄが、第３のポートＰ１３にはＧＳＭ系のフィルタ４ｂの第１のポートＰ３１ｇがそれぞれ接続される。
　【００２０】
　また、ＤＣＳ系において、フィルタ３ｂの第２のポートＰ３２ｄには高周波スイッチ１３ａの第１のポートＰ２１ｄが接続され、高周波スイッチ１３ａの第２のポートＰ２２ｄには送信部Ｔｘｄが、第３のポートＰ２３ｄには受信部Ｒｘｄがそれぞれ接続される。
　【００２１】
　さらに、ＧＳＭ系において、フィルタ４ｂの第２のポートＰ３２ｇには高周波スイッチ１４ａの第１のポートＰ２１ｇが接続され、高周波スイッチ１４ａの第２のポートＰ２２ｇには送信部Ｔｘｇが、第３のポートＰ２３ｇには受信部Ｒｘｇがそれぞれ接続される。
　【００２２】
　ダイプレクサ２は、第１のインダクタンス素子である第１のインダクタＬ１１，Ｌ１２、及び第１のキャパシタンス素子である第１のコンデンサＣ１１〜Ｃ１５で構成される。
　【００２３】
　そして、第１のポートＰ１１と第２のポートＰ１２との間に第１のコンデンサＣ１１，Ｃ１２が直列接続され、それらの接続点が第１のインダクタＬ１１及び第１のコンデンサＣ１３を介して接地される。
　【００２４】
　また、第１のポートＰ１１と第３のポートＰ１３との間に第１のインダクタＬ１２と第１のコンデンサＣ１４とからなる並列回路が接続され、その並列回路の第３のポートＰ１３側が第１のコンデンサＣ１５を介して接地される。
　【００２５】
　高周波スイッチ１３ａ（１４ａ）は、第１及び第２のスイッチング素子である第１及び第２のダイオードＤ１ｄ，Ｄ２ｄ（Ｄ１ｇ，Ｄ２ｇ）、第２のインダクタンス素子である第２のインダクタＬ２１ｄ〜Ｌ２３ｄ（Ｌ２１ｇ〜Ｌ２３ｇ）、及び第２のキャパシタンス素子である第２のコンデンサＣ２１ｄ〜Ｃ２３ｄ（Ｃ２１ｇ〜Ｃ２３ｇ）で構成される。なお、第２のインダクタＬ２１ｄ（Ｌ２１ｇ）は並列トラップコイルであり、第２のインダクタＬ２２ｄ（Ｌ２２ｇ）はチョークコイルである。
　【００２６】
　そして、第１のポートＰ２１ｄ（Ｐ２１ｇ）と第２のポートＰ２２ｄ（Ｐ２２ｇ）との間にカソードが第１のポートＰ２１ｄ（Ｐ２１ｇ）側になるように第１のダイオードＤ１ｄ（Ｄ１ｇ）が接続され、第１のダイオードＤ１ｄ（Ｄ１ｇ）には第２のインダクタＬ２１ｄ（Ｌ２１ｇ）と第２のコンデンサＣ２１ｄ（Ｃ２１ｇ）とからなる直列回路が並列に接続される。
　【００２７】
　また、第１のダイオードＤ１ｄ（Ｄ１ｇ）の第２のポートＰ２２ｄ（Ｐ２２ｇ）側、すなわちアノードは第２のインダクタＬ２２ｄ（Ｌ２２ｇ）及び第２のコンデンサＣ２２ｄ（Ｃ２２ｇ）を介して接地され、第２のインダクタＬ２２ｄ（Ｌ２２ｇ）と第２のコンデンサＣ２２ｄ（Ｃ２２ｇ）との接続点には、高周波スイッチ１３ａ（１４ａ）のオン・オフを制御する別々の第１の制御電源Ｖｃ１ｄ（Ｖｃ１ｇ）が接続される。
　【００２８】
　さらに、第１のポートＰ２１ｄ（Ｐ２１ｇ）と第３のポートＰ２３ｄ（Ｐ２３ｇ）との間に第２のインダクタＬ２３ｄ（Ｌ２３ｇ）が接続され、第２のインダクタＬ２３ｄ（Ｌ２３ｇ）の第３のポートＰ２３ｄ（Ｐ２３ｇ）側は第２のダイオードＤ２ｄ（Ｄ２ｇ）及び第２のコンデンサＣ２３ｄ（Ｃ２３ｇ）を介して接地され、第２のダイオードＤ２ｄ（Ｄ２ｇ）のカソードと第２のコンデンサＣ２３ｄ（Ｃ２３ｇ）との接続点には、抵抗Ｒｄ（Ｒｇ）を介して高周波スイッチ１３ａ（１４ａ）のオン・オフを制御する別々の第２の制御電源Ｖｃ２ｄ（Ｖｃ２ｇ）が接続される。
　【００２９】
　フィルタ３ｂ（４ｂ）は、第３のインダクタンス素子である第３のインダクタＬ３１ｄ（Ｌ３１ｇ）、及び第３のキャパシタンス素子である第３のコンデンサＣ３１ｄ，Ｃ３２ｄ（Ｃ３１ｇ，Ｃ３２ｇ）で構成される。
　【００３０】
　そして、第１のポートＰ３１ｄ（Ｐ３１ｇ）と第２のポートＰ３２ｄ（Ｐ３２ｇ）との間に第３のインダクタＬ３１ｄ（Ｌ３１ｇ）が直列接続され、第３のインダクタＬ３１ｄ（Ｌ３１ｇ）には第３のコンデンサＣ３１ｄ（Ｃ３１ｇ）が並列に接続される。
　【００３１】
　また、第３のインダクタＬ３１ｄ（Ｌ３１ｇ）の第２のポートＰ３２ｄ（Ｐ３２ｇ）側は第３のコンデンサＣ３２ｄ（Ｃ３２ｇ）を介して接地される。
　【００３２】
　ここで、図１の回路構成を有する複合高周波部品１０の動作について説明する。まず、ＤＣＳ系（１．８ＧＨｚ帯）の送信信号を送信する場合には、ＤＣＳ系の高周波スイッチ１３ａの送信部Ｔｘｄ側に接続される第１の制御電源Ｖｃ１ｄとＧＳＭ系の高周波スイッチ１４ａの受信部Ｒｘｄ側に接続される第２の制御電源Ｖｃ２ｇとから制御電圧３Ｖを印加し、ＤＣＳ系の高周波スイッチ１３ａの受信部Ｒｘｄ側に接続される第２の制御電源Ｖｃ２ｄとＧＳＭ系の高周波スイッチ１４ａの送信部Ｔｘｄ側に接続される第１の制御電源Ｖｃ１ｇとから制御電圧０Ｖを印加する。
　【００３３】
　その結果、ＤＣＳ系の高周波スイッチ１３ａの第１及び第２のダイオードＤ１ｄ，Ｄ２ｄに順方向電圧を印加することにより、ＤＣＳ系の高周波スイッチ１３ａの第１及び第２のダイオードＤ１ｄ，Ｄ２ｄがオンし、ＧＳＭ系の高周波スイッチ１４ａの第１及び第２のダイオードＤ１ｇ，Ｄ２ｇに逆方向電圧を印加することにより，ＧＳＭ系の高周波スイッチ１４ａの第１及び第２のダイオードＤ１ｇ，Ｄ２ｇがオフするため、ＤＣＳ系の高周波スイッチ１３ａが確実にオンし、ＧＳＭ系の高周波スイッチ１４ａが確実にオフする。
　【００３４】
　したがって、ＤＣＳ系の送信信号が高周波スイッチ１３ａ、フィルタ３ｂ及びダイプレクサ２を通過し、アンテナ１から送信される。
　【００３５】
　なお、ＧＳＭ系の高周波スイッチ１４ａを確実にオフすることにより、ＤＣＳ系の送信信号がＧＳＭ系の送信部Ｔｘｇ及び受信部Ｒｘｇに回り込まないようにしている。また、ＤＣＳ系のフィルタ３ｂではＤＣＳ系の２次高調波及び３次高調波を減衰させている。
　【００３６】
　次いで、ＧＳＭ系（９００ＭＨｚ帯）の送信信号を送信する場合には、ＤＣＳ系の高周波スイッチ１３ａの受信部Ｒｘｄ側に接続される第２の制御電源Ｖｃ２ｄとＧＳＭ系の高周波スイッチ１４ａの送信部Ｔｘｄ側に接続される第１の制御電源Ｖｃ１ｇとから制御電圧３Ｖを印加し、ＤＣＳ系の高周波スイッチ１３ａの送信部Ｔｘｄ側に接続される第１の制御電源Ｖｃ１ｄとＧＳＭ系の高周波スイッチ１４ａの受信部Ｒｘｄ側に接続される第２の制御電源Ｖｃ２ｇとから制御電圧０Ｖを印加する。
　【００３７】
　その結果、ＤＣＳ系の高周波スイッチ１３ａの第１及び第２のダイオードＤ１ｄ，Ｄ２ｄに逆方向電圧を印加することにより、ＤＣＳ系の高周波スイッチ１３ａの第１及び第２のダイオードＤ１ｄ，Ｄ２ｄがオフし、ＧＳＭ系の高周波スイッチ１４ａの第１及び第２のダイオードＤ１ｇ，Ｄ２ｇに順方向電圧を印加することにより、ＧＳＭ系の高周波スイッチ１４ａの第１及び第２のダイオードＤ１ｇ，Ｄ２ｇがオンするため、ＤＣＳ系の高周波スイッチ１３ａが確実にオフし、ＧＳＭ系の高周波スイッチ１４ａが確実にオンする。
　【００３８】
　したがって、ＧＳＭ系の送信信号が高周波スイッチ１４ａ、フィルタ４ｂ及びダイプレクサ２を通過し、アンテナ１から送信される。
　【００３９】
　なお、ＤＣＳ系の高周波スイッチ１３ａを確実にオフすることにより、ＧＳＭ系の送信信号がＤＣＳ系の送信部Ｔｘｄ及び受信部Ｒｘｄに回り込まないようにしている。また、ＧＳＭ系のフィルタ４ｂではＧＳＭ系の３次高調波を減衰させている。
　【００４０】
　次いで、ＤＣＳ系及びＧＳＭ系の受信信号を受信する場合には、ＤＣＳ系の高周波スイッチ１３ａの送信部Ｔｘｄ側、及びＧＳＭ系の高周波スイッチ１４ａの送信部Ｔｘｇ側に接続される別々の第１の制御電源Ｖｃ１ｄ，Ｖｃ１ｇから制御電圧０Ｖを印加し、ＤＣＳ系の高周波スイッチ１３ａの送信部Ｔｘｄ側、及びＧＳＭ系の高周波スイッチ１４ａの送信部Ｔｘｇ側に接続される別々の第２の制御電源Ｖｃ２ｄ，Ｖｃ２ｇから制御電圧３Ｖを印加する。
　【００４１】
　その結果、ＤＣＳ系の高周波スイッチ１３ａの第１及び第２のダイオードＤ１ｄ，Ｄ２ｄ、及びＧＳＭ系の高周波スイッチ１４ａの第１及び第２のダイオードＤ１ｇ，Ｄ２ｇがオフするため、ＤＣＳ系の受信信号がＤＣＳ系の受信部Ｒｘｄに、ＧＳＭ系の受信信号がＧＳＭ系の受信部Ｒｘｇにのみ流れるようにしている。
　【００４２】
　なお、ダイプレクサ２により、ＤＣＳ系の受信信号がＧＳＭ系に、ＧＳＭ系の受信信号がＤＣＳ系に、それぞれ回り込まないようにしている。
　【００４３】
　図２は、図１の回路構成を有する複合高周波部品の透視斜視図である。複合高周波部品１０は、セラミック多層基板１１を含み、セラミック多層基板１１には、図示していないが、ダイプレクサ２を構成する第１のインダクタＬ１１，Ｌ１２、第１のコンデンサＣ１１〜Ｃ１５、ＤＣＳ系の高周波スイッチ１３ａ、フィルタ３ｂを構成する第２及び第３のインダクタＬ２１ｄ，Ｌ２３ｄ，Ｌ３１ｄ、第２及び第３のコンデンサＣ２１ｄ，Ｃ２２ｄ，Ｃ３１ｄ，Ｃ３２ｄ、並びに、ＧＳＭ系の高周波スイッチ１４ａ、フィルタ４ｂを構成する第２及び第３のインダクタＬ２１ｇ，Ｌ２３ｇ，Ｌ３１ｇ、第２及び第３のコンデンサＣ２１ｇ，Ｃ２２ｇ，Ｃ３１ｇ，Ｃ３２ｇがそれぞれ内蔵される。
　【００４４】
　また、セラミック多層基板１１の表面には、チップ部品からなるＤＣＳ系の高周波スイッチ１３ａを構成する第１及び第２のダイオードＤ１ｄ，Ｄ２ｄ、第２のインダクタ（チョークコイル）Ｌ２２ｄ、第２のコンデンサＣ２３ｄ及び抵抗Ｒｄ、並びに、ＧＳＭ系の高周波スイッチ１４ａを構成する第１及び第２のダイオードＤ１ｇ，Ｄ２ｇ、第２のインダクタ（チョークコイル）Ｌ２２ｇ、第２のコンデンサＣ２３ｇ及び抵抗Ｒｇがそれぞれ搭載される。
　【００４５】
　さらに、セラミック多層基板１１の側面から底面に架けて、１２個の外部端子Ｔａ〜Ｔｌがスクリーン印刷などでそれぞれ形成される。これらの外部端子Ｔａ〜Ｔｌのうち、５個の外部端子Ｔａ〜Ｔｅはセラミック多層基板１１の一方長辺側、５個の外部端子Ｔｇ〜Ｔｋはセラミック多層基板１１の他方長辺側、残りの２個の外部端子Ｔｆ，Ｔｌはセラミック多層基板１１の相対する短辺のそれぞれの側にスクリーン印刷などにより形成される。
　【００４６】
　そして、ダイプレクサ２の第１のポートＰ１１、高周波スイッチ１３ａ，１４ａの第２及び第３のポートＰ２２ｄ，Ｐ２３ｄ，Ｐ２２ｇ，Ｐ２３ｇ、高周波スイッチ１３ａ，１４ａの第１の制御電源Ｖｃ１ｄ，Ｖｃ１ｇに接続される端子、並びに高周波スイッチ１３ａ，３ｂの第２の制御電源Ｖｃ２ｄ，Ｖｃ２ｇに接続される端子となる。
　【００４７】
　また、セラミック多層基板１１上には第１及び第２のダイオードＤ１ｄ，Ｄ１ｇ，Ｄ２ｄ，Ｄ２ｇ、第２のインダクタＬ２２ｄ，Ｌ２２ｇ、第２のコンデンサＣ２３ｄ，Ｃ２３ｇ、及び抵抗Ｒｄ、Ｒｇを覆うように金属キャップ１２が被せられる。
　【００４８】
　図３（ａ）〜図３（ｈ）、図４（ａ）〜図４（ｆ）は、図２の複合高周波部品のセラミック多層基板を構成する各シート層の上面図及び下面図である。セラミック多層基板１１は、酸化バリウム、酸化アルミニウム、シリカを主成分としたセラミックスからなる第１〜第１３のシート層１１ａ〜１１ｍを上から順次積層し、１０００℃以下の焼成温度で焼成することにより形成されるそして、第１のシート層１１ａの上面には、セラミック多層基板１１の表面に搭載される第１及び第２のダイオードＤ１ｄ，Ｄ１ｇ，Ｄ２ｄ，Ｄ２ｇ、第２のインダクタＬ２２ｄ，Ｌ２２ｇ、第２のコンデンサＣ２３ｄ，Ｃ２３ｇ及び抵抗Ｒｄ，Ｒｇを実装するためのランドＬａがスクリーン印刷などで印刷され、形成される。
　【００４９】
　また、第３及び第１０のシート層１１ｃ，１１ｊの上面には、導体層からなるストリップライン電極ＳＬ１〜ＳＬ８がスクリーン印刷などで印刷され、形成される。さらに、第４〜第８及び第１２のシート層１１ｄ〜１１ｈ，１１ｌの上面には、導体層からなるコンデンサ電極Ｃｐ１〜Ｃｐ１８がスクリーン印刷などで印刷され、形成される。
　【００５０】
　また、第７、第９、第１１及び第１３のシート層１１ｇ，１１ｉ，１１ｋ，１１ｍの上面には、導体層からなるグランド電極Ｇ１〜Ｇ４がスクリーン印刷などで印刷され、形成される。さらに、第１３のシート層１１ｍの下面（図４（ｆ））には、外部端子Ｔａ〜Ｔｌがスクリーン印刷などで印刷され、形成される。
　【００５１】
　また、第１〜第１１のシート層１１ａ〜１１ｋには、所定の位置に、ランドＬａ、ストリップライン電極ＳＬ１〜ＳＬ８、コンデンサ電極Ｃｐ１〜Ｃｐ１８、及びグランド電極Ｇ１〜Ｇ４を接続するためのビアホール電極ＶＨａ〜ＶＨｋが設けられる。
　【００５２】
　この際、ダイプレクサ２の第１のインダクタＬ１１，Ｌ１２がストリップライン電極ＳＬ６，ＳＬ７で形成される。また、ＤＣＳ系の高周波スイッチ１３ａの第２のインダクタＬ２１ｄ，Ｌ２３ｄがストリップライン電極ＳＬ２，ＳＬ４で、ＤＣＳ系のフィルタ３ｂの第３のインダクタＬ３１ｄがストリップライン電極ＳＬ８で、それぞれ形成される。
　【００５３】
　さらに、ＧＳＭ系の高周波スイッチ１４ａの第２のインダクタＬ２１ｇ，Ｌ２３ｇがストリップライン電極ＳＬ１，ＳＬ３で、ＧＳＭ系のフィルタ４ｂの第３のインダクタＬ３１ｇがストリップライン電極ＳＬ５で、それぞれ形成される。
　【００５４】
　また、ダイプレクサ２の第１のコンデンサＣ１１がコンデンサ電極Ｃｐ６，Ｃｐ９で、第１のコンデンサＣ１２がコンデンサ電極Ｃｐ３，Ｃｐ６で、第１のコンデンサＣ１３がコンデンサ電極Ｃｐ１７とグランド電極Ｇ４とで、第１のコンデンサＣ１４がコンデンサ電極Ｃｐ９，Ｃｐ１１で、第１のコンデンサＣ１５がコンデンサ電極Ｃｐ１６とグランド電極Ｇ４とで、それぞれ形成される。
　【００５５】
　さらに、ＤＣＳ系の高周波スイッチ１３ａの第２のコンデンサＣ２１ｄがコンデンサ電極Ｃｐ５，Ｃｐ８で、第２のコンデンサＣ２２ｄがコンデンサ電極Ｃｐ１３とグランド電極Ｇ２とで、それぞれ形成される。また、ＤＣＳ系のフィルタ３ｂの第３のコンデンサＣ３１ｄがコンデンサ電極Ｃｐ８，Ｃｐ１２で、第３のコンデンサＣ３２ｄがコンデンサ電極Ｃｐ１８とグランド電極Ｇ４とで、それぞれ形成される。
　【００５６】
　また、ＧＳＭ系の高周波スイッチ１４ａの第２のコンデンサＣ２１ｇがコンデンサ電極Ｃｐ４，Ｃｐ７で、第２のコンデンサＣ２２ｇがコンデンサ電極Ｃｐ１３とグランド電極Ｇ２とで、それぞれ形成される。また、ＧＳＭ系のフィルタ４ｂの第３のコンデンサＣ３１ｇがコンデンサ電極Ｃｐ７，Ｃｐ１０で、第３のコンデンサＣ３２ｇがコンデンサ電極Ｃｐ１５とグランド電極Ｇ４とで、それぞれ形成される。
　【００５７】
　上述の第１の実施例の複合高周波部品によれば、高周波スイッチのオン・オフを高周波スイッチの送信部側に接続される第１の制御電源と高周波スイッチの受信部側に接続される第２の制御電源で制御するため、送信の際に、オフ側の高周波スイッチに逆方向電圧を印加することができる。
　【００５８】
　したがって、高周波スイッチの高調波歪み及び消費電流の低減を実現することができる。その結果、この高周波スイッチを有する複合高周波部品を搭載する移動体通信装置の送受信特性の向上及び消費電流の低減を実現することができる。
　【００５９】
　また、複合高周波部品をなすダイプレクサ、高周波スイッチ及びフィルタを、セラミックスからなる複数のシート層を積層してなるセラミック多層基板に一体化するため、ダイプレクサと高周波スイッチとの間の整合調整が容易となり、ダイプレクサと高周波スイッチとの間の整合調整を行なう整合回路が不要となる。したがって、複合高周波部品の小型化が可能となる。ちなみに、１つのダイプレクサ、２つの高周波スイッチ、及び２つのフィルタを６．３ｍｍ×５ｍｍ×２ｍｍの大きさに一体化することが可能となった。
　【００６０】
　さらに、ダイプレクサが、第１のインダクタ、及び第１のコンデンサで構成され、高周波スイッチが、ダイオード、第２のインダクタ、及び第２のコンデンサで構成され、フィルタが、第３のインダクタ、及び第３のコンデンサで構成されるとともに、それらがセラミック多層基板に内蔵、あるいは搭載され、セラミック多層基板の内部に形成される接続手段によって接続されるため、複合高周波部品が１つのセラミック多層基板で構成でき、小型化が実現できる。加えて、部品間の配線による損失を改善することができ、その結果、複合高周波部品全体の損失を改善することが可能となる。
　【００６１】
　また、波長短縮効果により、インダクタとなるストリップライン電極の長さを短縮することができるため、これらのストリップライン電極の挿入損失を向上させることができる。その結果、複合高周波部品の小型化及び低損失化を実現することができる。したがって、この複合高周波部品を搭載する移動体通信装置の小型化及び高性能化も同時に実現できる。
　【００６２】
　図５は、本発明の複合高周波部品の第２の実施例の回路図である。複合高周波部品３０は、第１の実施例の複合高周波部品１０（図１）と比較してＤＣＳ系をなすフィルタ３ｂ、及びＧＳＭ系をなすフィルタ４ｂの配置位置が異なる。
　【００６３】
　すなわち、ＤＣＳ系をなすフィルタ３ｂが高周波スイッチ１３ａと送信部Ｔｘｄとの間に、ＧＳＭ系をなすフィルタ４ｂが高周波スイッチ１４ａと送信部Ｔｘｇとの間にそれぞれ配置される。
　【００６４】
　上述の第２の実施例の複合高周波部品によれば、フィルタが高周波スイッチと送信部との間に配置されるため、送信時に、送信部にある高出力増幅器の歪みをこのフィルタで減衰させることができる。したがって、受信部側の挿入損失を改善することができる。
　【００６５】
　図６は、本発明の複合高周波部品の第３の実施例の外観を示す斜視図である。複合高周波部品４０は、第１の実施例の複合高周波部品１０（図１）と比較してＤＣＳ系及びＧＳＭ系をなす高周波スイッチ１３ａ，１４ａを構成する並列トラップコイルＬ２１ｄ，Ｌ２１ｇ及びチョークコイルＬ２２ｄ，Ｌ２２ｇがチップコイルからなり、それらがセラミック多層基板１１上に搭載される点で異なる。
　【００６６】
　上述の第３の実施例の複合高周波部品によれば、高周波スイッチの並列トラップコイル及びチョークコイルがＱ値の高いチップコイルからなるため、周波数帯の異なる複数のシステムに対しても同形状のチップコイルを使用することができる。したがって、周波数帯域の変更による設計変更が容易になるため、短時間で設計変更ができ、その結果、製造コストの低減が実現できる。
　【００６７】
　また、並列トラップコイル及びチョークコイルのＱ値が高くなるため、通過帯域が広帯域になるとともに、より低損失が実現できる。
　【００６８】
　図７は、移動体通信機であるデュアルバンド携帯電話器の構成の一部を示すブロック図であり、１．８ＧＨｚ帯のＤＣＳと９００ＭＨｚ帯のＧＳＭとを組み合わせた一例を示したものである。デュアルバンド携帯電話器５０は、アンテナ１及び複合高周波部品１０（図１）を備える。
　【００６９】
　そして、複合高周波部品１０のポートＰ１１にはアンテナ１が、ポートＰ２２ｄ，Ｐ２３ｄ，Ｐ２２ｇ，Ｐ２３ｇには、ＤＣＳ系の送信部Ｔｘｄ、ＤＣＳ系の受信部Ｒｘｄ、ＧＳＭ系の送信部Ｔｘｇ、ＧＳＭ系の受信部Ｒｘｇが、それぞれ接続される。
　【００７０】
　上述のデュアルバンド携帯電話器によれば、小型でかつ高周波歪みの少ない複合高周波部品を用いているため、この複合高周波部品を搭載する移動体通信装置の小型化及び高性能化が実現できる。
　【００７１】
　なお、上記の第１〜第３の実施例の複合高周波部品において、デュアルバンドが、ＤＣＳとＧＳＭとの組み合わせである場合について説明したが、ＤＣＳとＧＳＭとの組み合わせに限定されるものではなく、例えば、ＰＣＳ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ　Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎ　Ｓｅｒｖｉｃｅｓ）とＡＭＰＳ（Ａｄｖａｎｃｅｄ　Ｍｏｂｉｌｅ　Ｐｈｏｎｅ　Ｓｅｒｖｉｃｅｓ）との組み合わせ、ＤＥＣＴ（Ｄｉｇｉｔａｌ　Ｅｕｒｏｐｅａｎ　Ｃｏｒｄｌｅｓｓ　Ｔｅｌｅｐｈｏｎｅ）とＧＳＭとの組み合わせ、ＰＨＳ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ　Ｈａｎｄｙ−ｐｈｏｎｅ　Ｓｙｓｔｅｍ）とＰＤＣ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ　Ｄｉｇｉｔａｌ　Ｃｅｌｌｕｌａｒ）との組み合わせ、などに使用することができる。
　【００７２】
　また、２系統の信号経路を有する場合について説明したが、３系統以上の信号経路を有する場合についても同様の効果が得られる。
　【００７３】
　また、上記の移動体通信機の実施例において、移動体通信機であるデュアルバンド携帯電話器に図１の複合高周波部品が使用される場合について説明したが、図５〜図６の複合高周波部品を使用しても同様の効果が得られる。
　【００７４】
　【発明の効果】
　請求項１の複合高周波部品によれば、高周波スイッチのオン・オフを高周波スイッチの送信部側に接続される第１の制御電源と高周波スイッチの受信部側に接続される第２の制御電源で制御するため、送信の際に、オフ側の高周波スイッチに逆方向電圧を印加することができる。
　【００７５】
　したがって、高周波スイッチの高調波歪み及び消費電流の低減を実現することができる。その結果、この高周波スイッチを有する複合高周波部品を搭載する移動体通信装置の送受信特性の向上及び消費電流の低減を実現することができる。
　【００７６】
　また、請求項２の複合高周波部品によれば、フィルタが高周波スイッチと送信部との間に配置されるため、送信時に、送信部を構成する高出力増幅器による送信信号の歪みを減衰させることができる。したがって、受信部側の挿入損失を改善することができる。
　【００７７】
　請求項３および請求項４の複合高周波部品によれば、複合高周波部品をなすダイプレクサ、高周波スイッチ及びフィルタが、セラミックスからなる複数のシート層を積層してなるセラミック多層基板に内蔵、あるいは搭載されるため、ダイプレクサと高周波スイッチとの間の整合調整が容易となり、ダイプレクサと高周波スイッチとの間、及び高周波スイッチとフィルタとの間に整合調整を行なう整合回路を設ける必要がなくなる。
　【００７８】
　したがって、部品点数を減らすことができるため、複数の信号経路を有するマイクロ波回路を形成する回路基板の小型化が可能となる。
　【００７９】
　また、請求項３および請求項４の複合高周波部品によれば、ダイプレクサが、第１のインダクタンス素子、及び第１のキャパシタンス素子で構成され、高周波スイッチが、スイッチング素子、第２のインダクタンス素子、及び第２のキャパシタンス素子で構成され、フィルタが、第３のインダクタンス素子、及び第３のキャパシタンス素子で構成されるとともに、それらがセラミック多層基板に内蔵、あるいは搭載され、前記セラミック多層基板に形成される接続手段によって接続されるため、複合高周波部品が１つのセラミック多層基板で構成でき、小型化が実現できる。加えて、部品間の配線による損失を改善することができ、その結果、複合高周波部品全体の損失を改善することが可能となる。
　【００８０】
　また、波長短縮効果により、各インダクタンス素子となるストリップライン電極の長さを短縮することができるため、これらのストリップライン電極の挿入損失を向上させることができる。その結果、複合高周波部品の小型化及び低損失化を実現することができる。
　【００８１】
　請求項５の複合高周波部品によれば、複数の高周波スイッチを構成する第２のインダクタンス素子のうち、チョークコイル及び並列トラップコイルがチップコイルであるため、高周波スイッチを低損失に設計できるとともに、広帯域化が可能となる。
　【００８２】
　請求項６の移動体通信装置によれば、小型でかつ高周波歪みの少ない複合高周波部品を用いているため、この複合高周波部品を搭載する移動体通信装置の小型化及び高性能化が実現できる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　本発明の複合高周波部品に係る第１の実施例の回路図である。
　【図２】
　図１の複合高周波部品の要部分解斜視図である。
　【図３】
　図２の複合高周波部品のセラミック多層基板を構成する（ａ）第１のシート層〜（ｈ）第８のシートの上面図である。
　【図４】
　図２の複合高周波部品のセラミック多層基板を構成する（ａ）第９のシート層〜（ｅ）第１３のシートの上面図及び（ｆ）第１３のシートの下面図である。
　【図５】
　本発明の複合高周波部品に係る第２の実施例の回路図である。
　【図６】
　本発明の複合高周波部品に係る第３の実施例の要部分解斜視図である。
　【図７】
　図１の複合高周波部品を用いた移動体通信機の構成の一部を示すブロック図である。
　【図８】
　従来の移動体通信機の構成の一部を示す回路図である。
　【符号の説明】
　１０，３０，４０　複合高周波部品
　２　ダイプレクサ
　３，４　信号経路（ＤＣＳ系、ＧＳＭ系）
　１３ａ，１４ａ　高周波スイッチ
　３ｂ，４ｂ　フィルタ
　１１　セラミック多層基板
　１１ａ〜１１ｍ　シート層
　５０　移動体通信機（デュアルバンド携帯電話器）
　Ｃ１１〜Ｃ１５　第１のキャパシタンス素子
　Ｃ２１ｄ〜Ｃ２３ｄ，Ｃ２１ｇ〜Ｃ２３ｇ　第２のキャパシタンス素子
　Ｃ３１ｄ，Ｃ３２ｄ，Ｃ３１ｇ，Ｃ３２ｇ　第３のキャパシタンス素子
　Ｄ１ｄ，Ｄ１ｇ　第１のスイッチング素子
　Ｄ２ｄ，Ｄ２ｇ　第２のスイッチング素子
　Ｌ１１，Ｌ１２　第１のインダクタ素子
　Ｌ２１ｄ〜Ｌ２３ｄ，Ｌ２１ｇ〜Ｌ２３ｇ　第２のインダクタ素子
　Ｌ３１ｄ，Ｌ３１ｇ　第３のインダクタ素子
　Ｖｃ１ｄ，Ｖｃ１ｇ　第１の制御電源
　Ｖｃ２ｄ，Ｖｃ２ｇ　第２の制御電源