(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
直流電力と交流電力との間で電力変換を行う電力変換装置（１）であって、
半導体素子（１１）を内蔵する半導体モジュール（１０）と、
上記半導体モジュール（１０）の制御端子（１３）に接続されて上記半導体素子（１１）を駆動制御する制御回路が設けられた制御基板（２０）と、
コンデンサ（４１）の正極端子（４１ｐ）に接続されるコンデンサＰバスバ（４２ｐ）とリアクトル（６０）とに電気的に接続されるとともに、直流電源（２）の正極端子（２ｐ）に接続される入力Ｐバスバ（５ｐ）と、
上記直流電源（２）の負極端子（２ｎ）に接続されるとともに、上記半導体モジュール（１０）の負極端子（１１ｎ）に電気的に接続される入力Ｎバスバ（５ｎ）と、
上記制御基板（２０）に接続されるとともに、上記半導体モジュール（１０）の正極端子（１１ｐ）に電気的に接続される検出用バスバ（７０）と、
を備え、
上記入力Ｐバスバ（５ｐ）、上記入力Ｎバスバ（５ｎ）及び上記検出用バスバ（７０）は、入力バスバモールド樹脂（５４）にモールドされて入力バスバモジュール（５）を構成していることを特徴とする電力変換装置（１）。
【請求項２】
複数の上記半導体モジュール（１０）と該半導体モジュール（１０）を冷却する複数の冷却管（１５）とが積層されてなる積層体（１８）と、
該積層体（１８）及び上記入力バスバモジュール（５）を収容する第１収容部（８０１）と、上記制御基板（２０）を収容する第２収容部（８０２）と、上記第１収容部（８０１）を囲う側壁（８２ｂ）と、上記第１収容部（８０１）と上記第２収容部（８０２）とを隔てる仕切板（８２ａ）とを有するケース（８）と、
上記積層体（１８）を積層方向（Ｘ）に加圧する加圧部材（１９）と、
上記仕切板（８２ａ）に立設されるとともに、上記加圧部材（１９）を支持する支持部（８２ｃ）と、
上記仕切板（８２ａ）において、上記第１収容部（８０１）と上記第２収容部（８０２）とを連通させるように形成された貫通孔（８２ｄ）と、
上記入力バスバモジュール（５）から延設されて、上記貫通孔（８２ｄ）を挿通して上記制御基板（２０）に接続される制御基板接続部（５３ｐ、５３ｎ、７２）と、
を備え、
上記貫通孔（８２ｄ）は、上記支持部（８２ｃ）の立設方向（Ｚ）から見て、上記支持部（８２ｃ）と上記側壁（８２ｂ）との間に形成されているとともに、上記支持部（８２ｃ）における上記加圧部材（１９）からの荷重（Ｃ）がかかる荷重点（１９ａ）を通って積層方向（Ｘ）に平行な仮想直線（Ｍ）から離隔した位置に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の電力変換装置（１）。
【請求項３】
上記検出用バスバ（７０）は、上記入力Ｐバスバ（５ｐ）及び上記入力Ｎバスバ（５ｎ）よりも、断面積が小さいことを特徴とする請求項１又は２に記載の電力変換装置（１）。
【請求項４】
上記半導体モジュール（１０）と上記入力Ｎバスバ（５ｎ）とを電気的に接続して、直流電力を通電させる主Ｎバスバ（３０ｎ）が備えられており、該主Ｎバスバ（３０ｎ）は、上記入力Ｎバスバ（５ｎ）の接続部（５２ｎ）に固定されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の電力変換装置（１）。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電力変換装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
電極変換装置には、直流電力を交流電力に変換するための半導体モジュール、半導体モジュールを駆動制御する制御回路が搭載された制御基板、直流電源に接続される入力バスバ、半導体モジュールの主電極端子に接続されて高圧の直流電力を通電させる直流バスバなどが備えられている。特許文献１に開示の構成では、昇降圧コンバータを構成する半導体モジュールの主電極端子に接続された主バスバから引き出されたワイヤハーネスが制御回路に接続されている。これにより、制御回路において、昇降圧コンバータにより昇圧された電圧を検出可能にしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１０−１１９２７４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１に開示の構成では、電圧を検出するための配線がワイヤハーネスにより形成されており、振動によって当該ワイヤハーネスが破損するおそれがある。そのため、電極変換装置の耐震性が低下している。また、制御基板には、検出用のワイヤハーネスを接続するためのコネクタを搭載させる必要があるため、コスト高となっている。また、組み付け時において、検出用のワイヤハーネスをコネクタに接続する必要があるため、組み付け作業が手間となっている。
【０００５】
本発明は、かかる背景に鑑みてなされたもので、耐震性に優れ、組み付けの手間が軽減されて組み付け作業性が向上され、コスト低減を図ることができる電力変換装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一態様は、直流電力と交流電力との間で電力変換を行う電力変換装置であって、
半導体素子を内蔵する半導体モジュールと、
上記半導体モジュールの制御端子に接続されて上記半導体素子を駆動制御する制御回路が設けられた制御基板と、
コンデンサの正極端子に接続されるコンデンサＰバスバとリアクトルとに電気的に接続されるとともに、直流電源の正極端子に接続される入力Ｐバスバと、
直流電源の負極端子に接続されるとともに、上記半導体モジュールの負極端子に電気的に接続される入力Ｎバスバと、
上記制御基板に接続されるとともに、上記半導体モジュールの正極端子に電気的に接続される検出用バスバと、
を備え、
上記入力Ｐバスバ、上記入力Ｎバスバ及び上記検出用バスバは、入力バスバモールド樹脂にモールドされて入力バスバモジュールを構成していることを特徴とする電力変換装置にある。
【発明の効果】
【０００７】
上記電力変換装置において、入力バスバモジュールには、入力Ｐバスバ及び入力Ｎバスバとともに、検出用バスバがモールドされている。これにより、検出用のワイヤハーネスを別途設ける必要がないため、電力変換装置の耐振性が向上するとともに、組み付けの手間が軽減される。そして、入力Ｐバスバ、入力Ｎバスバ及び検出用バスバを一体的に取り扱うことができるため、組み付け作業性が向上する。また、制御基板にワイヤハーネス接続用のコネクタを設ける必要がないため、製造コストの低減が図られる。
【０００８】
以上のごとく、本発明によれば、耐震性に優れ、組み付けの手間が軽減されて組み付け作業性が向上され、コスト低減が図られる電力変換装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】実施例１における、電力変換装置の断面模式図。
【図２】実施例１における、制御基板を取り外した状態で電力変換装置を制御基板収容部側から見た図。
【図３】実施例１における、入力バスバモジュールの斜視図。
【図４】実施例１における、入力バスバモジュールの上面図。
【図５】図４における、V-V線位置断面図。
【図６】実施例１における、入力バスバモジュールに各バスバを取り付けた状態の上面図。
【図７】図６における、VII-VII線位置断面図。
【図８】実施例１における、半導体モジュールの正面図。
【図９】実施例１における、電力変換装置の回路図。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
本発明の電力変換装置は、電気自動車やハイブリッド自動車に使用することができる。
【実施例】
【００１１】
（実施例１）
本例の実施例に係る電力変換装置につき、図１〜図９を用いて説明する。
本例の電力変換装置１は、直流電力と交流電力との間で電力変換を行う。そして、図１に示すように、電力変換装置１は、半導体モジュール１０、制御基板２０、入力Ｐバスバ５ｐ、入力Ｎバスバ５ｎ及び検出用バスバ７０を備える。
【００１２】
半導体モジュール１０は、半導体素子１１を内蔵している。
制御基板２０には、半導体モジュール１０の制御端子１３に接続されて半導体素子１１を駆動制御する制御回路が設けられている。
入力Ｐバスバ５ｐは、コンデンサ４１の正極端子４１ｐに接続されるコンデンサＰバスバ４２ｐとリアクトル６０とに電気的に接続されるとともに、直流電源２の正極端子２ｐ（図９参照）に接続されている。
入力Ｎバスバ５ｎは、直流電源２の負極端子２ｎ（図９参照）に接続されるとともに、半導体モジュール１０の負極端子１１ｎ（図８参照）に電気的に接続されている。
検出用バスバ７０は、制御基板２０に接続されるとともに、半導体モジュール１０の正極端子１１ｐ（図８参照）に電気的に接続されている。
そして、入力Ｐバスバ５ｐ、入力Ｎバスバ５ｎ及び検出用バスバ７０は、入力バスバモールド樹脂５４にモールドされて入力バスバモジュール５を構成している。
【００１３】
以下、本例の電力変換装置１について、詳述する。
電力変換装置１は、図９に示す回路を有しており、複数の半導体モジュール１０によって直流電源２の直流電力を三相交流電力に変換し、当該交流電力を用いて交流負荷３を駆動するように構成されている。
【００１４】
図１に示すように、電力変換装置１は、上側ケース８１及び下側ケース８２からなるケース８とカバー８３とを備える。上側ケース８１は、矩形の天板８１ａと、天板８１ａの四辺において天板８１ａに垂直にそれぞれ立設された側壁８１ｂとを備える。上側ケース８１は、天板８１ａと反対側が開口している。天板８１ａ及び側壁８１ｂによって囲まれた空間がコンデンサ収容部８ａとなっている。本例では、天板８１ａの面方向の一方をＸ方向とし、天板８１ａの面方向のうちＸ方向に直交する方向をＹ方向とし、側壁８１ｂの立設方向をＺ方向とする。
【００１５】
図１に示すように、上側ケース８１の開口側には、下側ケース８２が設けられる。下側ケース８２は、天板８１ａに平行な仕切板８２ａと、仕切板８２ａの四辺において仕切板８２ａに垂直に設けられた４つの側壁８２ｂとを備える。仕切板８２ａ及び側壁８２ｂによって囲まれた空間が積層体収容部８ｂとなっている。仕切板８２ａには、上側ケース８１に向かって立設された支持部８２ｃと、仕切板８２ａをＺ方向に貫通する第１貫通孔８２ｄ及び第２貫通孔８２ｅが設けられる。
【００１６】
図１に示すように、側壁８２ｂは仕切板８２ａよりも上側ケース８１と反対側に延出しており、側壁８２ｂの延出方向端部には、下側ケース８２の延出方向側を覆うようにカバー８３が取り付けられている。仕切板８２ａ及び側壁８２ｂによって囲まれた空間が制御基板収容部８ｃとなっている。
【００１７】
図１に示すように、コンデンサ収容部８ａには、コンデンサモジュール４０、リアクトル６０が収容されている。コンデンサモジュール４０は、コンデンサーケース４０ａを備えている。コンデンサーケース４０ａの内側には、コンデンサとしてフィルタコンデンサ４１とコンデンサＰバスバ４２ｐ及びコンデンサＮバスバ４２ｎがコンデンサモールド樹脂４６によってモールドされている。本例では、コンデンサモジュール４０には、平滑コンデンサ４４、正極バスバ４５ｐ及び負極バスバ４５ｎもコンデンサモールド樹脂４６によってモールドされている。
【００１８】
図１に示すように、積層体収容部８ｂには、複数の半導体モジュール１０が収容されている。図８に示すように、半導体モジュール１０は、２個の半導体素子１１が内蔵された２ｉｎ１型であって、主電極端子（正極端子１１ｐ、負極端子１１ｎ及び出力端子１２）及び制御端子１３を備えている。図１に示すように、本例では、電力変換装置１には複数の半導体モジュール１０と、半導体モジュール１０を冷却する複数の冷却管１５とが備えられている。そして、半導体モジュール１０と冷却管１５とが交互にＸ方向に積層されて積層体１８を形成している。そして、積層体１８は加圧部材１９により積層方向（すなわちＸ方向）に押圧されて半導体モジュール１０と冷却管１５とが密着するように構成されている。複数の冷却管１５は、冷媒導入部１６から供給された冷媒が順次流通して、図１において、冷媒導入部１６と紙面奥行き方向（Ｙ方向）に並んで設置された冷媒導出部１７から排出されるように構成されている。
【００１９】
図１に示すように、加圧部材１９は、仕切版８２ａに立設された支持部８２ｃによって支持されている。図２に示すように、支持部８２ｃは一対設けられている。加圧部材１９は板バネからなる。そして、加圧部材１９と支持部８２ｃとが荷重点１９ａにおいて互いに当接している。加圧部材１９は積層体１８を積層方向Ｘに押圧するため、荷重点１９ａには、積層方向Ｘに平行な仮想直線Ｍに沿って、積層体１８と反対方向に向かう荷重Ｃがかかることとなる。
【００２０】
そして、図９に示すように連通孔８２ｄは、支持部８２ｃの立設方向から見て、支持部８２ｃと外壁との間に形成されているとともに、支持部８２ｃにおける加圧部材１９からの荷重がかかる荷重点１９ａを通って積層方向Ｘに平行な仮想直線Ｍから離隔した位置に形成されている。
【００２１】
図１に示すように、コンデンサ収容部８ａと積層体収容部８ｂとが連通して、第１収容部８０１を形成している。一方、制御基板収容部８ｃは仕切板８２ａを介して第１収容部８と隔てられた第２収容部８０２を形成している。
【００２２】
また、図１及び図６に示すように、電極変換装置１は、コンデンサＰバスバ４２ｐ、コンデンサＮバスバ４２ｎ、入力Ｐバスバ５ｐ、入力Ｎバスバ５ｎ、検出用バスバ７０、主Ｐバスバ３０ｐ、主Ｎバスバ３０ｎ、正極バスバ４５ｐ及び負極バスバ４５ｎを備える。
【００２３】
図１に示すように、コンデンサＰバスバ４２ｐはフィルタコンデンサ４１の正極端子４１ｐに接続されているとともに、コンデンサＰ接続部４３ｐを備える。また、コンデンサＮバスバ４２ｎは、フィルタコンデンサ４１の負極端子４１ｎに接続されているとともに、コンデンサＮ接続部４３ｎを備える。
【００２４】
入力Ｐバスバ５ｐは、図１に示すように、直流電源２の正極２ｐ（図９参照）に接続される入力Ｐ接続部５０ｐと、リアクトル６０に接続されるリアクトル接続部５１ｐと、コンデンサＰ接続部４３ｐに接続される第２Ｐ接続部５２ｐと、制御回路基板２０に接続される制御回路Ｐ接続部５３ｐを備える。
【００２５】
入力Ｎバスバ５ｎは、直流電源２の負極２ｎ（図９参照）に接続される電源Ｎ接続部５０ｎと、コンデンサＮ接続部４３ｎに接続される第１接続部５１ｎと、主Ｎバスバ３０ｎに備えられる主Ｎバスバ接続部３１ｎに接続される第２Ｎ接続部５２ｎと、制御回路基板２０に接続される制御回路Ｎ接続部５３ｎを備える。
【００２６】
検出用バスバ７０は、主Ｐバスバ３０ｐの主Ｐバスバ接続部３１ｐに接続される第１Ｐ接続部７１ｐと、制御回路基板２０に接続される制御回路接続部７２を有する。
【００２７】
主Ｎバスバ３０ｎは、図１に示すように、複数の半導体モジュール１０の各負極端子１１ｎ（図８参照）に接続されているとともに、主Ｎバスバ接続部３１ｎにおいて入力Ｎバスバ５ｎに接続されている。そして、主Ｎバスバ３０ｎは、コンデンサモールド樹脂４６の外に配されている。すなわち、主Ｎバスバ３０ｎは、その通電部の全体が、コンデンサモールド樹脂４６にモールドされていない。
【００２８】
主Ｐバスバ３０ｐは、図１に示すように、複数の半導体モジュール１０の各正極端子１１ｐ（図８参照）に接続されているとともに、主Ｐバスバ接続部３１ｐにおいて検出用バスバ７０に接続されている。そして、主Ｐバスバ３０ｐは、主Ｎバスバ３０ｎと同様に、コンデンサモールド樹脂４６の外に配されている。
【００２９】
正極バスバ４５ｐは、図１に示すように、平滑コンデンサ４４の正極端子４４ｐに接続されているとともに、正極バスバ接続部４６ｐを備える。そして、正極バスバ接続部４６ｐは、主Ｐバスバ接続部３１ｐとともに、検出用バスバ７０に接続されている。
【００３０】
負極バスバ４５ｎは、図１に示すように、平滑コンデンサ４４の負極端子４４ｎに接続されているとともに、負極バスバ接続部４６ｎを備える。そして、負極バスバ接続部４６ｎは、主Ｎバスバ接続部３１ｎとともに、入力Ｎバスバ５ｎに接続されている。
【００３１】
図１に示すように、制御基板収容部８ｃには、制御基板２０が収容されている。制御基板２０には、半導体モジュール１０を駆動させる駆動回路が形成されている。制御基板２０には、第１貫通孔８２ｄを介して制御基板収容部８ｃ内に突出している制御回路Ｐ接続部５３ｐ、制御回路Ｎ接続部５３ｎ及び制御回路接続部７２と、第２貫通孔８２ｅを介して制御基板収容部８ｃ内に突出している複数の制御端子１３とが接続されている。
【００３２】
図１及び図３に示すように、入力Ｐバスバ５ｐ、入力Ｎバスバ５ｎ及び検出用バスバ７０は、入力バスバモールド樹脂５４によってモールドされて、入力バスバモジュール５を構成している。なお、図１においては、便宜的に第１Ｎ接続部５１ｎ、第２Ｎ接続部５２ｎ、第１Ｐ接続部７１ｐ及び第２Ｐ接続部５２ｐがＺ方向に並ぶように記載したが、実際には、図４に示すように、第１Ｎ接続部５１ｎ、第２Ｎ接続部５２ｎ、第１Ｐ接続部７１ｐ及び第２Ｐ接続部５２ｐはＹ方向に配列している。
【００３３】
そして、図５に示すように入力Ｐバスバ５ｐ、入力Ｎバスバ５ｎ及び検出用バスバ７０は、帯状に形成されている。そして、本例では、入力バスバモジュール５において、検出用バスバ７０の断面Ｓ０は、入力Ｐバスバ５の断面積Ｓ１及び入力Ｎバスバ５ｎ断面積Ｓ２よりも小さくなっている。
【００３４】
図３及び図４に示すように、第１Ｎ接続部５１ｎ、第２Ｎ接続部５２ｎ、第１Ｐ接続部７１ｐ、第２Ｐ接続部５２ｐ、入力Ｐ接続部５０ｐ、入力Ｎ接続部５０ｎ及びリアクトル接続部５１ｐは、入力バスバモジュール５から露出している。本例では、第１Ｎ接続部５１ｎと第２Ｎ接続部５２ｎとは隣り合っている。また、第１Ｐ接続部７１ｐと第２Ｎ接続部５２ｎとは隣り合っている。そして、第１Ｎ接続部５１ｎ、第２Ｎ接続部５２ｎ、第１Ｐ接続部７１ｐ及び第２Ｐ接続部５２ｐは、この順にＹ方向に線状に並んでいる。
【００３５】
図３及び図４に示すように、第１Ｎ接続部５１ｎ、第２Ｎ接続部５２ｎ、第１Ｐ接続部７１ｐ及び第２Ｐ接続部５２ｐはいずれも帯状となっている。同様に、図６に示すように、コンデンサＮ接続部４３ｎ、主Ｎバスバ接続部３１ｎ、主Ｐバスバ接続部３１ｐ、コンデンサＰ接続部４３ｐ、正極バスバ接続部４６ｐ及び負極バスバ接続部４６ｎはいずれも帯状となっている。
【００３６】
そして、第１Ｎ接続部５１ｎには、コンデンサＮ接続部４３ｎが図示しないボルトを介して互いに接合されている。同様に、第２Ｐ接続部５２ｐには、コンデンサＰ接続部４３ｐが、図示しないボルトを介して互いに接合されている。
一方、第２Ｎ接続部５２ｎには、主Ｎバスバ接続部３１ｎと負極バスバ接続部４６ｎとがこの順で、図示しないボルトを介して共締めされている。
同様に、第１Ｐ接続部７１ｐには、主Ｐバスバ接続部３１ｐと正極バスバ接続部４６ｐとがこの順で、図示しないボルトを介して互いに接合されている。
そして、第２Ｎ接続部５２ｎに主Ｎバスバ接続部３１ｎが接合されることにより、主Ｎバスバ３０ｎは固定されている。
【００３７】
図４、図６に示すように、第１Ｎ接続部５１ｎ、第２Ｎ接続部５２ｎ、第１Ｐ接続部７１ｐ及び第２Ｐ接続部５２ｐは、これらの並び方向（Ｙ方向）に直交するように同一方向（Ｘ方向）に延出している。
【００３８】
そして、図７に示すように、該延出方向（Ｘ方向）に垂直でかつ並び方向（Ｙ方向）に平行な断面において、第１Ｎ接続部５１ｎとコンデンサＮバスバ４２ｎ（コンデンサＮ接続部４３ｎ）との接合部における第１Ｎ接続部５１ｎと反対側の面が第１反対側面４３１ｎとなっている。
【００３９】
同様に、上記断面において、第２Ｎ接続部５２ｎと主Ｎバスバ３０ｎ（主Ｎバスバ接続部３１ｎ）と負極バスバ４５ｎ（負極バスバ接続部４６ｎ）との接合部における第２Ｎ接続部５２ｎと反対側の面が第２反対側面４６１ｎとなっている。
【００４０】
また、上記断面において、第１Ｐ接続部７１ｐと主Ｐバスバ３０ｐ（主Ｐバスバ接続部３１ｐ）と正極バスバ４５ｐとの接合部における第１Ｐ接続部７１ｐと反対側の面が第３反対側面４６１ｐとなっている。
【００４１】
また、上記断面において、第２Ｐ接続部５２ｐとコンデンサＰバスバ４２ｐ（コンデンサＰ接続部４３ｐ）との接合部における第２Ｐ接続部５２ｐと反対側の面が第４反対側面４３１ｐとなっている。
【００４２】
そして、図７に示すように、第１反対側面４３１ｎ、第２反対側面４６１ｎ、第３反対側面４６１ｐ及び第４反対側面４３１ｐが、仮想直線Ｌ上に位置している。
【００４３】
上述の如く、電力変換装置１は、各バスバにより電気的に接続されて、図９に示す回路を構成している。なお、当該回路図には、入力バスバモジュール５、コンデンサモジュール４０、主Ｐバスバ３０ｐ及び主Ｎバスバ３０ｎを模式的に示してある。
【００４４】
次に、本例の電力変換装置１における作用効果について、詳述する。
電力変換装置１によれば、入力バスバモジュール５には、入力Ｐバスバ５ｐ及び入力Ｎバスバ５ｎとともに、検出用バスバ７０がモールドされている。これにより、検出用のワイヤハーネスを別途設ける必要がないため、電力変換装置１の耐振性が向上するとともに、組み付けの手間が軽減される。そして、入力Ｐバスバ５ｐ、入力Ｎバスバ５ｎ及び検出用バスバ７０を一体的に取り扱うことができるため、組み付け作業性が向上する。また、制御基板２０にワイヤハーネス接続用のコネクタを設ける必要がないため、製造コストの低減が図られる。
【００４５】
また、本例では、電力変換装置１は、積層体１８及び入力バスバモジュール５を収容する第１収容部８０１と、制御基板２０を収容する第２収容部８０２と、第１収容部８０１を囲う側壁８２ｂと、第１収容部８０１と第２収容部８０２とを隔てる仕切版とを有するケース８を備える。さらに、電力変換装置１は、積層体１８を積層方向Ｘに加圧する加圧部材１９と、仕切板８２ａに立設されるとともに、加圧部材１９を支持する支持部８２ｃと、仕切板８２ａにおいて、第１収容部８０１と第２収容部８０２とを連通させるように形成された貫通孔８２ｄとを備える。そして、電力変換装置１は、入力バスバモジュール５から延設されて、貫通孔８２ｄを挿通して制御基板２０に接続される制御基板接続部５３ｐ、５３ｎ、７２を備える。そして、貫通孔８２ｄは、支持部８２ｃの立設方向Ｚから見て、支持部８２ｃと側壁８２ｂとの間に形成されているとともに、支持部８２ｃにおける荷重点１９ａを通る積層方向Ｘに平行な仮想直線Ｍから離隔した位置に形成されている。そして、本例では、貫通孔８２ｄは、支持部８２ｃの立設方向Ｚから見て、支持部８２ｃと側壁８２ｂとの間であって、一対の支持部８２ｃのそれぞれにおける荷重部１９ａを通る一対の仮想直線Ｍの間に位置している。
【００４６】
これにより、従来、デッドスペースとなっていた支持部８２ｃと側壁８１ｂ、８２ｂとの間に、入力バスバモジュール５が配置されることとなるため、デッドスペースの活用が図られて、小型化に寄与する。また、ケース８において、支持部８２ｄの立設方向Ｚから見て仮想直線Ｍに重なる位置は、支持部８２ｄを介して加圧部材１９からの荷重Ｃがかかりやすい。そのため、貫通孔８２ｄが、ケース８において当該荷重Ｃがかかりやすい部分から外れた位置（本例では、支持部８２ｃと側壁８２ｂとの間であって、支持部８２ｄの立設方向Ｚから見て一対の仮想直線Ｍの間）に形成されているため、加圧部材１９からの荷重Ｃによるケース８の変形が防止される。
【００４７】
また、本例では、検出用バスバ７０は、入力Ｐバスバ５ｐ及び入力Ｎバスバ５ｎよりも、断面積が小さい。検出用バスバ７０には、入力Ｐバスバ５ｐ及び入力Ｎバスバ５ｎに比べて流れる電流が少ないため、検出用バスバ７０の断面積Ｓ０を小さくすることが可能である。そして、このようにすることにより、小型化及び低コスト化が図られる。
【００４８】
また、本例では、半導体モジュール１０と入力Ｎバスバ５ｎとを電気的に接続して、直流電力を通電させる主Ｎバスバ３０ｎが備えられており、主Ｎバスバ３０ｎは、入力Ｎバスバ５ｎの接続部（第２Ｎ接続部５２ｎ）に固定されている。これにより、主Ｎバスバ３０ｎを固定するための部材を別途用意する必要がないため、構成を簡素化することができるとともに、コスト低減を図ることができる。
【００４９】
以上のごとく、本例によれば、耐震性に優れ、組み付けの手間が軽減されて組み付け作業性が向上され、コスト低減が図られる電力変換装置１を提供することができる。
【符号の説明】
【００５０】
１  電力変換装置
１０  半導体モジュール
２０  制御基板
３０ｐ  主Ｐバスバ
３０ｎ  主Ｎバスバ
４０  コンデンサモジュール
４１  コンデンサ（フィルタコンデンサ）
４２ｐ  コンデンサＰバスバ
４２ｎ  コンデンサＮバスバ
５  入力バスバモジュール
５ｐ  入力Ｐバスバ
５２ｐ  第２Ｐ接続部
５ｎ  入力Ｎバスバ
５１ｎ  第１Ｎ接続部
５２ｎ  第２Ｎ接続部
５４  入力バスバモールド樹脂
７０  検出用バスバ
７１ｐ  第１Ｐ接続部
【図１】
0006459648.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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