(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
板厚０．４ｍｍ以下の無アルカリガラス基板であって、前記無アルカリガラス基板が下記の無アルカリガラスであり、
前記無アルカリガラス基板における、比弾性率が３１ＭＮｍ／ｋｇ以上であり、光弾性定数が３０ｎｍ／ＭＰａ／ｃｍ以下であり、
少なくとも一方の主面は、ＡＦＭ測定における１μｍ四方の表面粗さＲａが０．７５ｎｍ以下である無アルカリガラス基板。
歪点が６８０〜７３５℃であって、５０〜３５０℃での平均熱膨張係数が３０×１０-7〜４３×１０-7／℃であって、ガラス粘度が１０2ｄＰａ・ｓとなる温度Ｔ2が１７１０℃以下であって、ガラス粘度が１０4ｄＰａ・ｓとなる温度Ｔ4が１３１０℃以下であって、酸化物基準のモル％表示で
ＳｉＯ2              ６３〜７４、
Ａｌ2Ｏ3             １１．５〜１６、
Ｂ2Ｏ3                 １．５超５以下、
ＭｇＯ                ５．５〜１３、
ＣａＯ                １．５〜１２、
ＳｒＯ                １．５〜９、
ＢａＯ                ０〜１、
ＺｒＯ2               ０〜２を含有し
ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ が１５．５〜２１であり、
ＭｇＯ／（ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ）が０．３５以上であり、ＣａＯ／（ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ）が０．５０以下であり、ＳｒＯ／（ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ）が０．５０以下である無アルカリガラス。
【請求項２】
前記無アルカリガラス基板は、直径が３０ｍｍでＲが２．５ｍｍのリングと直径１０ｍｍのボールを用いたボールオンリング（ＢＯＲ）法で測定した平均破壊荷重が板厚０．４ｍｍ換算で３００Ｎ以上である、請求項１に記載の無アルカリガラス基板。
【請求項３】
無アルカリガラス基板の薄板化方法であって、
薄板化後の無アルカリガラス基板が下記の無アルカリガラスであり、前記無アルカリガラス基板の少なくとも一方の主面を、フッ酸（ＨＦ）を含有するエッチング液に浸漬して、前記無アルカリガラス基板を５μｍ以上薄板化する、無アルカリガラス基板の薄板化方法。
歪点が６８０〜７３５℃であって、５０〜３５０℃での平均熱膨張係数が３０×１０-7〜４３×１０-7／℃であって、ガラス粘度が１０2ｄＰａ・ｓとなる温度Ｔ2が１７１０℃以下であって、ガラス粘度が１０4ｄＰａ・ｓとなる温度Ｔ4が１３１０℃以下であって、
２５℃の５質量％フッ酸に浸漬したときの単位面積および単位時間当たりの溶出量が０．１７（ｍｇ／ｃｍ2）／分以上であって、
酸化物基準のモル％表示で
ＳｉＯ2              ６３〜７４、
Ａｌ2Ｏ3             １１．５〜１６、
Ｂ2Ｏ3                 １．５超５以下、
ＭｇＯ                ５．５〜１３、
ＣａＯ                １．５〜１２、
ＳｒＯ                １．５〜９、
ＢａＯ                ０〜１、
ＺｒＯ2               ０〜２を含有し
ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ が１５．５〜２１であり、
ＭｇＯ／（ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ）が０．３５以上であり、ＣａＯ／（ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ）が０．５０以下であり、ＳｒＯ／（ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ）が０．５０以下である無アルカリガラス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、各種ディスプレイ用ガラス基板やフォトマスク用ガラス基板として好適な、フッ酸（ＨＦ）を用いたエッチング処理により薄板化された、アルカリ金属酸化物を実質上含有しない無アルカリガラス基板、および無アルカリガラス基板の薄板化方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、各種ディスプレイ用ガラス基板、特に表面に金属ないし酸化物薄膜等を形成するものでは、以下に示す特性が要求されてきた。
（１）アルカリ金属酸化物を含有していると、アルカリ金属イオンが薄膜中に拡散して膜特性を劣化させるため、実質的にアルカリ金属イオンを含まないこと。
（２）薄膜形成工程で高温にさらされる際に、ガラスの変形およびガラスの構造安定化に伴う収縮（熱収縮）を最小限に抑えうるように、歪点が高いこと。【０００３】
（３）半導体形成に用いる各種薬品に対して充分な化学耐久性を有すること。特にＳｉＯｘやＳｉＮｘのエッチングのためのバッファードフッ酸（ＢＨＦ：フッ酸とフッ化アンモニウムの混合液）、およびＩＴＯのエッチングに用いる塩酸を含有する薬液、金属電極のエッチングに用いる各種の酸（硝酸、硫酸等）、レジスト剥離液のアルカリに対して耐久性のあること。
（４）内部および表面に欠点（泡、脈理、インクルージョン、ピット、キズ等）がないこと。【０００４】
上記の要求に加えて、近年では、以下のような状況にある。
（５）ディスプレイの軽量化が要求され、ガラス自身も密度の小さいガラスが望まれる。
（６）ディスプレイの軽量化が要求され、ガラス基板の薄板化が望まれる。【０００５】
（７）これまでのアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）タイプの液晶ディスプレイに加え、若干熱処理温度の高い多結晶シリコン（ｐ−Ｓｉ）タイプの液晶ディスプレイが作製されるようになってきた（ａ−Ｓｉ：約３５０℃→ｐ−Ｓｉ：３５０〜５５０℃）。
（８）液晶ディスプレイ作製熱処理の昇降温速度を速くして、生産性を上げたり耐熱衝撃性を上げるために、ガラスの平均熱膨張係数の小さいガラスが求められる。【０００６】
一方、エッチングのドライ化が進み、耐ＢＨＦ性に対する要求が弱くなってきている。これまでのガラスは、耐ＢＨＦ性を良くするために、Ｂ２Ｏ３を６〜１０モル％含有するガラスが多く用いられてきた。しかし、Ｂ２Ｏ３は歪点を下げる傾向がある。Ｂ２Ｏ３を含有しないまたは含有量の少ない無アルカリガラスの例としては以下のようなものがある。【０００７】
特許文献１にはＢ２Ｏ３を０〜５モル％含有するガラスが開示されているが、５０〜３５０℃での平均熱膨張係数が５０×１０-７／℃を超える。【０００８】
特許文献２に記載の無アルカリガラスは、歪点が高く、フロート法による成形ができ、ディスプレイ用基板、フォトマスク用基板等の用途に好適であるとされている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】日本国特開平５−２３２４５８号公報
【特許文献２】日本国特開平１０−４５４２２号公報
【特許文献３】日本国再公表特許２００９−０６６６２４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
一方、中小型の液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）や有機ＥＬディスプレイ（ＯＥＬＤ）、特にモバイル、デジタルカメラや携帯電話等の携帯型ディスプレイの分野では、ディスプレイの軽量化、薄型化が重要な課題となっている。更なるガラス基板の薄板化を実現するために、アレイ・カラーフィルタ貼合わせ工程後に、ガラス基板表面にエッチング処理を施し、板厚を薄くする（薄板化する）工程が広く採用されている。例えば、板厚０．４ｍｍ〜０．７ｍｍのガラス基板の表面を、フッ酸（ＨＦ）を含有するエッチング液でエッチング処理（以下、『フッ酸エッチング処理』という。）して、板厚０．１ｍｍ〜０．４ｍｍのガラス基板とすることが行われている（特許文献３参照）。【００１１】
フッ酸エッチング処理でガラス基板を薄板化する場合、（１）フッ酸エッチング処理時のエッチング速度が大きいこと、および、（２）エッチング処理後のガラス基板が十分な強度を有することが求められる。【００１２】
しかしながら、高品質のｐ−Ｓｉ  ＴＦＴの製造方法として固相結晶化法があるが、これを実施するためには、歪点をさらに高くすることが求められる。
また、ガラス製造プロセス、特に溶解、成形における要請から、ガラスの粘性、特にガラス粘度が１０４ｄＰａ・ｓとなる温度Ｔ４を低くすることが求められている。【００１３】
本発明の目的は、上記欠点を解決し、歪点が高く、低粘性、特にガラス粘度が１０４ｄＰａ・ｓとなる温度Ｔ４が低く、フッ酸エッチング処理時のエッチング速度が大きく、フッ酸エッチング処理後の強度が高く、薄くてもたわみにくく、かつ応力が加わっても色ムラなどの問題が発生しにくい、無アルカリガラス基板、および、無アルカリガラス基板の薄板化方法の提供である。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明は、板厚０．４ｍｍ以下の無アルカリガラス基板であって、前記無アルカリガラス基板が下記の無アルカリガラスであり、
前記無アルカリガラス基板における、比弾性率が３１ＭＮｍ／ｋｇ以上であり、光弾性定数が３０ｎｍ／ＭＰａ／ｃｍ以下であり、
少なくとも一方の主面は、ＡＦＭ測定における１μｍ四方の表面粗さＲａが０．７５ｎｍ以下である無アルカリガラス基板を提供する。
歪点が６８０〜７３５℃であって、５０〜３５０℃での平均熱膨張係数が３０×１０-7〜４３×１０-7／℃であって、ガラス粘度が１０2ｄＰａ・ｓとなる温度Ｔ2が１７１０℃以下であって、ガラス粘度が１０4ｄＰａ・ｓとなる温度Ｔ4が１３１０℃以下であって、酸化物基準のモル％表示で
ＳｉＯ2              ６３〜７４、
Ａｌ2Ｏ3             １１．５〜１６、
Ｂ2Ｏ3                 １．５超５以下、
ＭｇＯ                ５．５〜１３、
ＣａＯ                １．５〜１２、
ＳｒＯ                １．５〜９、
ＢａＯ                ０〜１、
ＺｒＯ2               ０〜２を含有し
ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ が１５．５〜２１であり、
ＭｇＯ／（ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ）が０．３５以上であり、ＣａＯ／（ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ）が０．５０以下であり、ＳｒＯ／（ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ）が０．５０以下である無アルカリガラス。
【００１５】
本発明の無アルカリガラス基板は、直径が３０ｍｍでＲが２．５ｍｍのリングと直径１０ｍｍのボールを用いたボールオンリング（ＢＯＲ）法で測定した平均破壊荷重が板厚０．４ｍｍ換算で３００Ｎ以上であることが好ましい。【００１６】
また、本発明は、無アルカリガラス基板の薄板化方法であって、
薄板化後の無アルカリガラス基板が下記の無アルカリガラスであり、前記無アルカリガラス基板の少なくとも一方の主面を、フッ酸（ＨＦ）を含有するエッチング液に浸漬して、前記無アルカリガラス基板を５μｍ以上薄板化する、無アルカリガラス基板の薄板化方法を提供する。
歪点が６８０〜７３５℃であって、５０〜３５０℃での平均熱膨張係数が３０×１０-7〜４３×１０-7／℃であって、ガラス粘度が１０2ｄＰａ・ｓとなる温度Ｔ2が１７１０℃以下であって、ガラス粘度が１０4ｄＰａ・ｓとなる温度Ｔ4が１３１０℃以下であって、
２５℃の５質量％フッ酸に浸漬したときの単位面積および単位時間当たりの溶出量が０．１７（ｍｇ／ｃｍ2）／分以上であって、
酸化物基準のモル％表示で
ＳｉＯ2              ６３〜７４、
Ａｌ2Ｏ3             １１．５〜１６、
Ｂ2Ｏ3                 １．５超５以下、
ＭｇＯ                ５．５〜１３、
ＣａＯ                １．５〜１２、
ＳｒＯ                １．５〜９、
ＢａＯ                ０〜１、
ＺｒＯ2               ０〜２を含有し
ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ が１５．５〜２１であり、
ＭｇＯ／（ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ）が０．３５以上であり、ＣａＯ／（ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ）が０．５０以下であり、ＳｒＯ／（ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ）が０．５０以下である無アルカリガラス。
【発明の効果】
【００１７】
本発明の無アルカリガラス基板は、歪点が高く、ガラス粘度が１０４ｄＰａ・ｓとなる温度Ｔ４が低く、フッ酸エッチング処理時のエッチング速度が大きく、フッ酸エッチング処理後の強度が高く、薄くてもたわみにくく、かつ応力が加わっても色ムラなどの問題が発生しにくいため、中小型のＬＣＤ、ＯＬＥＤ、特にモバイル、デジタルカメラや携帯電話等の携帯型ディスプレイの分野で使用される、板厚０．４ｍｍ以下の薄板ガラス基板として好適である。本発明の無アルカリガラス基板は、磁気ディスク用ガラス基板としても使用できる。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本発明の無アルカリガラス基板の薄板化方法を説明する。
本発明の無アルカリガラス基板の薄板化方法では、下記ガラス組成となるように調合したガラス原料を用いた無アルカリガラス基板を使用する。
歪点が６８０〜７３５℃であって、５０〜３５０℃での平均熱膨張係数が３０×１０-７〜４３×１０-７／℃であって、ガラス粘度が１０２ｄＰａ・ｓとなる温度Ｔ２が１７１０℃以下であって、ガラス粘度が１０４ｄＰａ・ｓとなる温度Ｔ４が１３１０℃以下であって、酸化物基準のモル％表示で
ＳｉＯ２              ６３〜７４、
Ａｌ２Ｏ３             １１．５〜１６、
Ｂ２Ｏ３                 １．５超５以下、
ＭｇＯ                ５．５〜１３、
ＣａＯ                １．５〜１２、
ＳｒＯ                １．５〜９、
ＢａＯ                ０〜１、
ＺｒＯ２               ０〜２を含有し
ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ が１５．５〜２１であり、
ＭｇＯ／（ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ）が０．３５以上であり、ＣａＯ／（ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ）が０．５０以下であり、ＳｒＯ／（ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ）が０．５０以下である無アルカリガラス。
【００１９】
次に各成分の組成範囲について説明する。ＳｉＯ２は６３％（モル％、以下特記しないかぎり同じ）未満では、歪点が充分に上がらず、かつ、熱膨張係数が増大し、密度が上昇する。６４％以上が好ましく、６５％以上がより好ましく、６６％以上がさらに好ましく、６６．５％以上が特に好ましい。好ましくは６６．５％以上、より好ましくは６７％以上である。７４％超では、エッチング速度が低下し、ガラスの溶解性が低下し、失透温度が上昇する。７０％以下が好ましく、６９％以下がより好ましく、６８％以下がさらに好ましい。
【００２０】
Ａｌ２Ｏ３はヤング率を上げて薄板化後のたわみを抑制し、かつガラスの分相性を抑制し、熱膨脹係数を下げ、歪点を上げ、破壊靱性値が向上してガラス強度を上げるが、１１．５％未満ではこの効果があらわれず、また、ほかの膨張を上げる成分を増加させることになるため、結果的に熱膨張が大きくなる。１２％以上、１２．５％以上、さらに１３％以上が好ましい。１６％超ではガラスの溶解性が悪くなったり、失透温度を上昇させるおそれがある。１５％以下が好ましく、１４％以下がより好ましく、１３．５％以下がさらに好ましい。
【００２１】
Ｂ２Ｏ３は、ガラスの溶解反応性をよくし、失透温度を低下させ、耐ＢＨＦ性を改善するが、１．５％以下ではこの効果が十分あらわれず、また、歪点が過度に高くなったり、ＢＨＦによる処理後にヘイズの問題になりやすい。２％以上が好ましく、３％以上がより好ましい。しかし、多すぎると光弾性定数が大きくなり、応力が加わった場合に色ムラなどの問題が発生しやすくなる。また、Ｂ２Ｏ３が５％超では薄板化後の表面粗さが大きくなり、薄板化後の強度が低くなる。また、歪点が下がり、ヤング率が小さくなる。４．５％以下が好ましく、４％以下がより好ましい。
【００２２】
ＭｇＯは、比重を上げずにヤング率を上げるため、比弾性率を高くすることでたわみの問題を軽減できる。また、アルカリ土類の中では膨張を高くせず、かつ歪点を過大には低下させないという特徴を有し、溶解性も向上させる。また、破壊靱性値が向上してガラス強度を上げるが、５．５％未満ではこの効果が十分あらわれず、また他のアルカリ土類比率が高くなることから密度が高くなる。６％以上、さらに７％以上が好ましく、７．５％以上、８％以上さらに８％超がより好ましく、８．１％以上さらには８．３％以上が好ましく、８．５％以上が特に好ましい。１３％超では失透温度が上昇するおそれがある。１２％以下が好ましく、１１％以下がより好ましく、１０％以下が特に好ましい。
【００２３】
ＣａＯは、ＭｇＯに次いでアルカリ土類中では比弾性率を高くし、膨張を高くせず、密度を低く維持し、かつ歪点を過大に低下させないという特徴を有し、溶解性も向上させる。１．５％未満では上述したＣａＯ添加による効果が十分あらわれない。２％以上が好ましく、３％以上がより好ましく、３．５％以上がさらに好ましく、４％以上が特に好ましい。しかし、１２％を超えると、失透温度が上昇したり、ＣａＯ原料である石灰石（ＣａＣＯ３）中の不純物であるリンが、多く混入するおそれがある。１０％以下が好ましく、９％以下がより好ましく、８％以下がさらに好ましく、７％以下が特に好ましい。
【００２４】
ＳｒＯは、ガラスの失透温度を上昇させず溶解性を向上させるが、１．５％未満ではこの効果が十分あらわれない。２％以上が好ましく、２．５％以上がより好ましく、３％以上がさらに好ましい。しかし、９％を超えると膨脹係数が増大するおそれがある。７％以下が好ましく、６％以下、５％以下がより好ましい。
【００２５】
ＢａＯは必須ではないが溶解性向上のために含有できる。しかし、多すぎるとガラスの膨張と密度を過大に増加させるので１％以下とする。１％未満が好ましく、０．５％以下がより好ましく、さらに実質的に含有しないことが好ましい。実質的に含有しないとは、不可避的不純物を除き含有しない意味である。
【００２６】
ＺｒＯ２は、ヤング率を上げるために、ガラス溶融温度を低下させるために、または焼成時の結晶析出を促進するために、２％まで含有してもよい。２％超ではガラスが不安定になる、またはガラスの比誘電率εが大きくなる。好ましくは１．５％以下、より好ましくは１．０％以下、さらに好ましくは０．５％以下であり、実質的に含有しないことが特に好ましい。
【００２７】
ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯは合量で１５．５％よりも少ないと、ガラス粘度が１０４ｄＰａ・ｓとなる温度Ｔ４が高くなり、フロート成形の際にフロートバスの筐体構造物やヒーターの寿命を極端に短くする恐れがある。また、エッチング速度が遅く、光弾性定数が大きくなり、また溶解性が低下する。１６％以上が好ましく、１７％以上がさらに好ましい。２１％よりも多いと、熱膨張係数を小さくできないという難点が生じるおそれがある。２０％以下、１９％以下、さらに１８％以下が好ましい。
【００２８】
ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯおよびＢａＯの合量が上記を満たし、かつ、下記の条件を満たすことにより、失透温度を上昇させることなしに、ヤング率、比弾性率を上昇させ、さらにガラスの粘性、特にＴ４を下げることができる。
ＭｇＯ／（ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ）が０．３５以上であり、０．３７以上が好ましく、０．４以上がより好ましい。
ＣａＯ／（ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ）が０．５０以下であり、０．４８以下が好ましく、０．４５以下がより好ましい。
ＳｒＯ／（ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ）が０．５０以下であり、０．４０以下が好ましく、０．３０以下がより好ましく、０．２７以下がより好ましく、０．２５以下がさらに好ましい。
【００２９】
本発明の無アルカリガラスにおいて、Ａｌ２Ｏ３×（ＭｇＯ／（ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ））が４．３以上であることがヤング率を高められるので好ましい。４．５以上が好ましく、４．７以上がより好ましく、５．０以上がさらに好ましい。
【００３０】
Ｎａ２Ｏ、Ｋ２Ｏなどのアルカリ金属酸化物は、電気ブースター加熱などの目的で添加してもよい。アルカリ金属酸化物を含有量が高くなると、アルカリ金属イオンが薄膜中に拡散して膜特性を劣化させるため、各種ディスプレイ用基板ガラスとしての使用時に問題となるが、ガラス組成中のアルカリ金属酸化物を含有量が２０００モルｐｐｍ以下であれば、このような問題を生じにくい。より好ましくは１５００モルｐｐｍ以下、１３００モルｐｐｍ以下、１０００モルｐｐｍ以下である。
なお、本発明の無アルカリガラス基板を用いたディスプレイ製造時にガラス表面に設ける金属ないし酸化物薄膜の特性劣化を生じさせないために、ガラス原料はＰ２Ｏ５を実質的に含有しないことが好ましい。不純物としての混入量は２３モルｐｐｍ以下が好ましく、１８モルｐｐｍ以下がより好ましく、１１モルｐｐｍ以下がさらに好ましく、５モルｐｐｍ以下が特に好ましい。さらに、ガラスのリサイクルを容易にするため、ガラス原料はＰｂＯ、Ａｓ２Ｏ３、Ｓｂ２Ｏ３は実質的に含有しないことが好ましい。
【００３１】
ガラスの溶解性、清澄性、成形性を改善するため、ＺｎＯ、Ｆｅ２Ｏ３、ＳＯ３、Ｆ、Ｃｌ、ＳｎＯ２を総量で１％以下、好ましくは０．５％以下、より好ましくは０．３％以下、さらに好ましくは０．１５％以下、特に好ましくは０．１％以下含有できる。ＺｎＯは実質的に含有しないことが好ましい。
【００３２】
本発明の無アルカリガラス基板の製造は、たとえば、以下の手順で実施する。
各成分の原料を目標成分になるように調合し、これを溶解炉に連続的に投入し、１５００〜１８００℃に加熱して溶融する。この溶融ガラスを成形装置にて、所定の板厚の板状のガラスリボンに成形し、このガラスリボンを徐冷後切断することによって、無アルカリガラス基板を得ることができる。
本発明では、フロート法にて板状のガラスリボンに成形することが好ましい。
【００３３】
本発明の無アルカリガラス基板の薄板化方法では、無アルカリガラス基板の２つの主面のうち、少なくとも一方の主面をフッ酸（ＨＦ）エッチング処理することにより、該無アルカリガラス基板が５μｍ以上薄板化される。薄板化されることにより、無アルカリガラス基板を用いたディスプレイの厚さを低減することができ、かつディスプレイを軽量化することができる。
エッチング処理により薄板化せずに、最初から薄板、すなわち、板厚が小さい無アルカリガラス基板を使用すると、ディスプレイ製造時に実施されるデバイス作製工程などで、大きな薄板をハンドリングする必要があるため、自重たわみによる搬送トラブル（例えば、搬送時の接触による基板へのキズの発生等。以下、同様）や基板の割れなどの問題が生じやすい。好ましくは１０μｍ以上、さらに好ましくは１００μｍ以上、特に好ましくは２００μｍ以上薄板化される。
【００３４】
本発明の無アルカリガラス基板の薄板化方法では、薄板化後の無アルカリガラス基板の板厚は０．４ｍｍ以下である。０．４ｍｍ超では、ディスプレイの軽量化や薄型化の効果が得られない。より好ましくは０．３５ｍｍ以下、さらに好ましくは０．２５ｍｍ以下である。
【００３５】
薄板化される前の無アルカリガラス基板の板厚は０．３ｍｍ以上であることが好ましい。０．３ｍｍ未満だと、デバイス作製工程などで大きな薄板をハンドリングする必要があるため、自重たわみによる搬送トラブルや割れなどの問題が生じやすい。より好ましくは０．４ｍｍ以上、特に好ましくは０．４５ｍｍ以上である。しかし、０．７５ｍｍ超だと、ディスプレイの軽量化や薄型化のための薄板化に要する時間が長くなりすぎるおそれがある。より好ましくは０．６５ｍｍ以下、さらに好ましくは０．５５ｍｍ以下である。
【００３６】
エッチング処理のための薬液は、フッ酸（ＨＦ）を含む薬液を用いる。アルカリ性の薬液によっても、エッチング処理は可能であるが、フッ酸を含む薬液の方がエッチング速度が速く、かつ平滑にエッチングすることができる。薬液に含まれるフッ酸濃度は、１質量％以上であることがより好ましく、３質量％以上であることがさらに好ましく、５質量％以上であることが特に好ましい。また、フッ酸に加え、塩酸、硝酸、硫酸などのフッ酸以外の酸を薬液に加えることが好ましい。
エッチング処理時には、無アルカリガラス基板の少なくとも一方の主面を、フッ酸を含む薬液に浸漬させる。薬液中のフッ素濃度に応じて、所定時間浸漬させることで、無アルカリガラス基板が所定量薄板化される。
エッチング処理において、薬液が撹拌、バブリング、超音波、シャワー、のうち少なくともいずれか１種類以上の方法で流動されていることが好ましい。薬液を流動する代わりに、無アルカリガラス基板を揺動、回転、のうち少なくともいずれか１種類以上の方法で移動させてもよい。
【００３７】
本発明の無アルカリガラス基板の薄板化方法では、２５℃の５質量％フッ酸（ＨＦ）に浸漬した場合に、エッチング速度の指標となる、単位面積および単位時間当たりの溶出量が、０．１７（ｍｇ／ｃｍ２）／分以上となる条件でエッチング処理を実施する。０．１７（ｍｇ／ｃｍ２）／分未満だと、薄板化に要する時間が長くなりすぎるおそれがある。より好ましくは０．１８（ｍｇ／ｃｍ２）／分以上である。
【００３８】
本発明の方法により薄板化された無アルカリガラス基板は、薄板化後の強度が高い。具体的には、薄板化後の無アルカリガラス基板のエッチング処理された側の主面（評価したい側の面）を、直径が３０ｍｍでＲが２．５ｍｍのリング（リングの断面は円でありＲはその円の半径）と、直径１０ｍｍのボールと、を用いたボールオンリング（ＢＯＲ）法（評価したい側の面を下向きにしてリング上に乗せる）で測定した平均破壊荷重が、板厚０．４ｍｍ換算で３００Ｎ以上であると好ましい。ここで、リングの直径とは断面の中央を通る円の直径であり、直径３０ｍｍ、Ｒ＝２．５ｍｍのリングの場合は、リングの最外径は３５ｍｍ、最内径は２５ｍｍとなる。
また、平均破壊荷重とは、ＢＯＲ法による破壊荷重の測定を複数回実施し、それらによって得られた測定結果の平均値を意味する。なお、後述する実施例では、ＢＯＲ法による破壊荷重の測定を５回実施し、それらの測定結果の平均値を平均破壊荷重とした。
ＢＯＲ法で測定した平均破壊荷重が板厚０．４ｍｍ換算で３００Ｎ未満だと、無アルカリガラス基板の表面強度が低く、ディスプレイ製造時におけるハンドリング時等にガラス基板が割れるなど（例えば、支持ピン等で、デバイス作製後の無アルカリガラス基板を持ち上げるような工程でガラス基板が割れるなど）、薄板化後の強度が問題となるおそれがある。より好ましくは３５０Ｎ以上である。
【００３９】
ＢＯＲ法での板厚換算は以下の手順にて行う。
ＢＯＲ法ではガラス基板表面に発生する応力は板厚の二乗に反比例するため、板厚０．４ｍｍ換算の破壊荷重Ｗ（Ｎ）は、ガラス基板の板厚をｔ（ｍｍ）とし、ＢＯＲ法により得られる破壊荷重をｗ（Ｎ）とするとき、Ｗ＝ｗ×０．１６／ｔ２の関係式より求めることができる。
【００４０】
本発明の方法により薄板化された無アルカリガラス基板は、薄板化後の無アルカリガラス基板のエッチング処理された側の主面（評価したい側の面）の３点曲げによる面強度が５００ＭＰａ以上であることが好ましい。５００ＭＰａ未満だと、薄板化された無アルカリガラス基板を用いたディスプレイが、携帯型ディスプレイとして用いられる際に、割れなどの問題が生じやすくなるおそれがある。より好ましくは８００ＭＰａ以上、さらに好ましくは１０００ＭＰａ以上、特に好ましくは１２００ＭＰａ以上、最も好ましくは１５００ＭＰａ以上である。
薄板化後の無アルカリガラス基板のエッチング処理された側の主面（評価したい側の面）の３点曲げによる面強度は以下のように測定する。評価面をシールで保護した状態で、ガラス基板をポイントスクライバーにてスクライブし、切断した後、評価面のシールをはがして非スクライブ側が下になるようにスパン１０ｍｍ、Ｒ１．５ｍｍの３点曲げジグの上に設置する。上面のスクライブ側からＲ１．５ｍｍのジグにて押した際の破壊荷重から、３点曲げによる面強度を算出する。
評価面にキズが入ると低強度となるので、薄板後は評価面にはさわらない状態で維持する必要がある。曲げ試験において、端面に破壊起点がある場合は面強度ではなく端面強度を測定していることになるため、起点が面内にある場合の試験結果のみを採用し、平均破壊荷重を求める。
【００４１】
なお、本明細書において、ＢＯＲ法により、または、３点曲げにより、平均破壊荷重を測定する場合の環境は、温度２２±２℃、湿度４０±１０％とする。
【００４２】
本発明の方法により薄板化された無アルカリガラス基板は、薄板化後の無アルカリガラス基板のエッチング処理された側の主面における表面粗さは、ＡＦＭ測定において１μｍ四方のＲａが０．７５ｎｍ以下であることが好ましい。０．７５ｎｍ超だと、無アルカリガラス基板の強度が低くなるおそれがある。より好ましくは０．７ｎｍ以下である。
【００４３】
本発明の無アルカリガラス基板は、歪点が６８０℃以上７３５℃以下である。
本発明の無アルカリガラス基板は、歪点が６８０℃以上であるため、パネル製造時の熱収縮を抑えられる。また、ｐ−Ｓｉ  ＴＦＴの製造方法としてレーザーアニールによる方法を適用することができる。６８５℃以上がより好ましく、６９０℃以上がさらに好ましい。
また、本発明の無アルカリガラス基板は、歪点が６８０℃以上であるため、高歪点用途（例えば、板厚０．７ｍｍ以下、好ましくは０．５ｍｍ以下、より好ましくは０．３ｍｍ以下の有機ＥＬ用のディスプレイ用基板または照明用基板、あるいは板厚０．３ｍｍ以下、好ましくは０．１ｍｍ以下の薄板のディスプレイ用基板または照明用基板）に適している。
板厚０．７ｍｍ以下、さらには０．５ｍｍ以下、さらには０．３ｍｍ以下、さらには０．１ｍｍ以下の板ガラスの成形では、成形時の引き出し速度が速くなる傾向があるため、ガラスの仮想温度が上昇し、ガラスのコンパクションが増大しやすい。この場合、高歪点ガラスであると、コンパクションを抑制することができる。
一方、歪点が７３５℃以下であるため、フロートバス内及びフロートバス出口の温度をあまり高くする必要が無く、フロートバス内及びフロートバス下流側に位置する金属部材の寿命に影響を及ぼすことが少ない。７２５℃以下がより好ましく、７１５℃以下がさらに好ましく、７１０℃以下が特に好ましい。
また、ガラスの平面歪が改善するため、フロートバス出口から徐冷炉に入る部分で温度を高くする必要があるが、この際の温度をあまり高くする必要がない。このため、加熱に使用するヒータに負荷がかかることがなく、ヒータの寿命に影響を及ぼすことが少ない。
【００４４】
また本発明の無アルカリガラス基板は、歪点と同様の理由で、ガラス転移点が好ましくは７３０℃以上であり、より好ましくは７４０℃以上であり、さらに好ましくは７５０℃以上である。また、７８０℃以下が好ましく、７７５℃以下がさらに好ましく、７７０℃以下が特に好ましい。
【００４５】
また本発明の無アルカリガラス基板は、５０〜３５０℃での平均熱膨張係数が３０×１０-７〜４３×１０-７／℃であり、耐熱衝撃性が大きく、パネル製造時の生産性を高くできる。本発明の無アルカリガラス基板において、５０〜３５０℃での平均熱膨張係数は好ましくは３５×１０-７／℃以上である。５０〜３５０℃での平均熱膨張係数は好ましくは４２×１０-７／℃以下、より好ましくは４１×１０-７／℃以下、さらに好ましくは４０×１０-７／℃以下である。
【００４６】
さらに、本発明の無アルカリガラス基板は、比重が好ましくは２．６２以下であり、より好ましくは２．６０以下であり、さらに好ましくは２．５８以下である。
【００４７】
また、本発明の無アルカリガラス基板は、粘度ηが１０２ポイズ（ｄＰａ・ｓ）となる温度Ｔ２が１７１０℃以下であり、より好ましくは１７００℃以下、さらに好ましくは１６９０℃以下、特に好ましくは１６８０℃以下、１６７０℃以下になっているため溶解が比較的容易である。
【００４８】
さらに、本発明の無アルカリガラス基板は粘度ηが１０４ポイズとなる温度Ｔ４が１３１０℃以下、好ましくは１３０５℃以下、より好ましくは１３００℃以下、さらに好ましくは１３００℃未満、１２９５℃以下、１２９０℃以下であり、フロート成形に適している。
また、本発明の無アルカリガラス基板は失透温度が、１３１５℃以下であることがフロート法による成形が容易となることから好ましい。好ましくは１３００℃以下、１３００℃未満、１２９０℃以下、より好ましくは１２８０℃以下である。また、フロート成形性やフュージョン成形性の目安となる温度Ｔ４（ガラス粘度ηが１０４ポイズとなる温度、単位：℃）と失透温度との差（Ｔ４−失透温度）は、好ましくは−２０℃以上、−１０℃以上、さらには０℃以上、より好ましくは１０℃以上、さらに好ましくは２０℃以上、特に好ましくは３０℃以上である。
本明細書における失透温度は、白金製の皿に粉砕されたガラス粒子を入れ、一定温度に制御された電気炉中で１７時間熱処理を行い、熱処理後の光学顕微鏡観察によって、ガラスの表面及び内部に結晶が析出する最高温度と結晶が析出しない最低温度との平均値である。
【００４９】
また、本発明の無アルカリガラス基板は、比弾性率が３１ＭＮｍ／ｋｇ以上である。３１ＭＮｍ／ｋｇ未満では、自重たわみによる搬送トラブルや割れなどの問題が生じやすい。好ましくは３２ＭＮｍ／ｋｇ以上、より好ましくは３３ＭＮｍ／ｋｇ以上である。
【００５０】
また、本発明の無アルカリガラス基板は、ヤング率は７８ＧＰａ以上が好ましく、７９ＧＰａ以上、８０ＧＰａ以上、さらに８１ＧＰａ以上がより好ましく、８２ＧＰａ以上がさらに好ましい。
【００５１】
また、本発明の無アルカリガラス基板は、光弾性定数が３０ｎｍ／ＭＰａ／ｃｍ以下であることが好ましい。
液晶ディスプレイパネル製造工程や液晶ディスプレイ装置使用時に発生した応力によってガラス基板が複屈折性を有することにより、黒の表示がグレーになり、液晶ディスプレイのコントラストが低下する現象が認められることがある。光弾性定数を３０ｎｍ／ＭＰａ／ｃｍ以下とすることにより、この現象を小さく抑えることができる。好ましくは２９ｎｍ／ＭＰａ／ｃｍ以下、より好ましくは２８．５ｎｍ／ＭＰａ／ｃｍ以下、さらに好ましくは２８ｎｍ／ＭＰａ／ｃｍ以下である。
また、本発明の無アルカリガラス基板は、他の物性確保の容易性を考慮すると、光弾性定数が好ましくは２３ｎｍ／ＭＰａ／ｃｍ以上、より好ましくは２５ｎｍ／ＭＰａ／ｃｍ以上である。
なお、光弾性定数は円盤圧縮法により測定波長５４６ｎｍにて測定できる。
【００５２】
また、本発明の無アルカリガラス基板は、比誘電率が５．６以上であることが好ましい。
日本国特開２０１１−７００９２号公報に記載されているような、インセル型のタッチパネル（液晶ディスプレイパネル内にタッチセンサを内蔵したもの）の場合、タッチセンサのセンシング感度の向上、駆動電圧の低下、省電力化の観点から、ガラス基板の比誘電率が高いほうがよい。比誘電率を５．６以上とすることにより、タッチセンサのセンシング感度が向上する。好ましくは５．８以上、より好ましくは６．０以上、さらに好ましくは６．２以上、特に好ましくは６．４以上である。
なお、比誘電率はＪＩＳ  Ｃ−２１４１に記載の方法で測定できる。
【００５３】
本発明の無アルカリガラス基板は、熱処理時の収縮量が小さいことが好ましい。液晶パネル製造においては、アレイ側とカラーフィルター側では熱処理工程が異なる。そのため、特に高精細パネルにおいて、ガラスの熱収縮率が大きい場合、嵌合時にドットのずれが生じるという問題がある。なお、熱収縮率の評価は次の手順で測定できる。試料をガラス転移点＋１００゜Ｃの温度で１０分間保持した後、毎分４０゜Ｃで室温まで冷却する。ここで試料の全長（Ｌ０とする）を計測する。次に、毎時１００゜Ｃで６００゜Ｃまで加熱し、６００゜Ｃで８０分間保持し、毎時１００゜Ｃで室温まで冷却し、再度試料の全長を計測し、６００゜Ｃでの熱処理前後における試料の収縮量（ΔＬとする）を計測する。熱処理前の試料全長と収縮量の比（ΔＬ／Ｌ０）を熱収縮率とする。上記評価方法において、熱収縮率は好ましくは１００ｐｐｍ以下、より好ましくは８０ｐｐｍ以下、さらに好ましくは６０ｐｐｍ以下さらには５５ｐｐｍ以下、特に好ましくは５０ｐｐｍ以下である。
【実施例】
【００５４】
（実施例１〜６、比較例１、２）
各成分の原料を、表１に示す目標組成になるように調合し、連続溶融窯にて溶解を行い、フロート法にて板成形を行い、無アルカリガラス基板を得た。
得られたガラス基板を鏡面研磨後、８質量％フッ酸、１０質量％塩酸による混酸にて、バブリングを行いながら板厚が０．７ｍｍから０．４ｍｍになるよう、ガラス基板の片面のエッチング処理を行い、薄板化を行った。
薄板化後のガラス基板を用いて、直径３０ｍｍ、Ｒ＝２．５ｍｍのＳＵＳ製リングと直径１０ｍｍのＳＵＳ製ボールとを用いたボールオンリング（ＢＯＲ）法にて破壊荷重の測定を５回実施し、それらの測定結果から得られた板厚０．４ｍｍ換算の平均破壊荷重を表２に示す。
また、上記と同様の手順で、板厚を３０μｍエッチング処理した場合の、エッチング処理面における表面粗さを下記手法で求めた。結果を下記表２に示す。【００５５】
［ＡＦＭによる表面粗さの測定方法］
ガラス基板のエッチング処理面について、Ｐａｒｋ  Ｓｙｓｔｅｍｓ社製ＸＥ−ＨＤＭにて、スキャンレートを１Ｈｚとし、１μｍ四方の表面粗さＲａを求める。
さらに、フッ酸エッチング処理時のエッチング速度の指標として、２５℃、５質量％のフッ酸水溶液に無アルカリガラス基板を浸漬した際の、単位面積および単位時間当たりの溶出量を下記手順で評価した。結果を表２に示す。かっこは計算値を示す。【００５６】
［単位面積および単位時間当たりの溶出量の測定方法］
鏡面研磨された４０ｍｍ四方に切断した無アルカリガラス基板を洗浄後、質量を測定する。２５℃の５質量％フッ酸に２０分間浸漬し、浸漬後の質量を測定する。サンプル寸法から表面積を算出し、質量減少量を表面積で割ったのち、さらに浸漬時間で割ることで、単位面積および単位時間当たりの溶出量を求める。
なお、上記の手順で得られた無アルカリガラス基板については、歪点、ヤング率、比弾性率、光弾性定数、比誘電率も測定した。結果を表２に示す。【００５７】
【表１】
0006447510.tif 000002
【００５８】
【表２】
0006447510.tif 000003
【００５９】
本発明を詳細に、また特定の実施態様を参照して説明したが、本発明の範囲と精神を逸脱することなく、様々な修正や変更を加えることができることは、当業者にとって明らかである。
本出願は、２０１３年１１月２８日出願の日本特許出願２０１３−２４６８０１に基づくものであり、その内容はここに参照として取り込まれる。