【事件の表示】
　特許第３２２８１８３号「絶縁膜ならびにその絶縁膜を有する半導体装置とその製造方法」の請求項１、２に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第３２２８１８３号の請求項１、２に係る特許を維持する。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯
　本件特許第３２２８１８３号の請求項１〜２１に係る発明は、平成９年６月５日に特許出願され、平成１３年９月７日に設定の登録がなされ、その後、本件請求項１及び２に係る発明の特許について、特許異議申立　人佐藤　正（以下、「申立人」という）により、特許異議の申立てがなされたものである。
　
II．特許異議の申立てについて
１．本件発明
　本件の請求項１及び２に係る発明は、特許請求の範囲の請求項１及び２に記載された、次のとおりのものである。
「【請求項１】　非晶質弗化炭素膜の一主面上に水素を含有したダイアモンド・ライク・カーボン膜を被覆してなることを特徴とする絶縁膜。
【請求項２】　少なくとも一主面に水素を含有したダイアモンド・ライク・カーボン膜と、それぞれシリコン過剰のシリコン酸化膜、シリコン窒化膜あるいはシリコンオキシナイトライド膜の内より選ばれた膜によって被覆された非晶質弗化炭素膜からなることを特徴とする絶縁膜。」（以下、「本件発明１、２」という）
　
２．申立人の主張する特許異議申立ての理由
　申立人は、甲第１、２号証を提出し、
（１）本件明細書には、非晶質炭素膜を用いずにＤＬＣを必須要件とする意義が記載されておらず、ＤＬＣが必須要件であるとは認めがたく、さらに、本件特許発明におけるＤＬＣがどのような特性を示すものであるのかも不明であり、その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者がその実施をすることができる程度に記載されているといえないから、本件特許出願は、特許法第３６条の規定を満たしておらず（「取消理由１」という）、
（２）本件発明１、２は、甲第１、２号証に記載された発明であるから、それらの特許は、特許法第２９条第１項第３号の規定に違反してなされたものであり（「取消理由２」という）、
（３）本件発明１、２は、甲第１、２号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、それらの発明の特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものである（「取消理由３」という）
旨主張している。
　
３．証拠方法およびその記載事項
　甲第１、２号証には、それぞれ以下の事項が記載されている。
　
甲第１号証（特開平１−１３０１６５号公報）；
（１−１）「１）導電性基体上にアモルファスシリコン系材料からなる光導電層を有し、該光導電層がバッファ層を介して炭素を主体としたアモルファス物質よりなる表面層で被覆されている電子写真感光体において、該表面層がバッファ層に接した第１の層と、第１の層より電気抵抗が低く自由表面側にある第２の層の２層構造であることを特徴とする電子写真感光体。」（第１頁左下欄第４〜１１行）
（１−２）「該第２の層が１ないし３０原子パーセントの弗素を含む水素化弗素化アモルファス炭素であることを特徴とする電子写真感光体。」（第１頁左下欄第１３〜１５行）
（１−３）「バッファ層４の目的はより基体側の層、例えば光導電層３と表面層５との材料的異質性を緩和することである。材料的には、ａ−Ｃ（Ｈ），ａ−Ｃ（Ｈ，Ｆ），ａ−Ｓｉ１−ｘＣｘ（Ｈ）（０＜ｘ＜１），ａ−Ｓｉ１−ｘＣｘ（Ｆ，Ｈ）（０＜ｘ＜１），ａ−ＳｉＮｘ（Ｈ）（０＜ｘ＜４／３），ａ−ＳｉＯｘ（Ｈ）（０＜ｘ＜２），ａ−ＳｉＯｘ（Ｆ，Ｈ）（０＜ｘ＜２）などを使用できる。」（第３頁右上欄第１４〜１９行）
（１−４）「ダイアモンド結合を主体とするａ−Ｃ(Ｈ)膜は耐薬品性および機械的強度に著しく優れていることが知られている。」（第３頁右下欄第７〜９行）
（１−５）「バッファ層４まで実施例１と同一条件で作成し、表面層５を以下の条件にした。
　　　               　バッファ層側の層５ａ　　　自由表面側の層５ｂ
Ｃ３Ｈ８（１００％）流量　　　　　２０ｃｃ／分　　　　　１０ｃｃ／分
ＣＦ４（１００％）流量 　    　    　−−−−−　　　　 １０ｃｃ／分
ガス圧　　　　　　　　　　　　　０．０５Torr　　　　　０．０３Torr
ＲＦ電力　　　　　　　　　　　　　　２００Ｗ　　　　　　　２００Ｗ
基体温度　　　　　　　　　　　　　　１００℃　　　　　　　１００℃
成膜時間　　　　　　　　　　　　　　５分　　　　　　　　　５０分　」（第５頁左上欄第４〜１３行）
　
甲第２号証（特開平８−８３８４２号公報）；
（２−１）「【請求項１】非晶質炭素膜を層間絶縁材料に用いることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】　非晶質炭素膜にフッ素を含有させることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】　フッ素の含有量に深さ方向の分布を持たせることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。」（第２頁左欄第２〜７行）
（２−２）「この非晶質炭素膜は、フッ素を含有させなくても比誘電率が３以下になる低誘電率絶縁材料であり、フッ素を含有させることによって、さらに比誘電率を２．５程度まで低下させることが可能である。非晶質炭素膜の構造は、炭素原子が高度に架橋した構造になるため、ポリイミドよりも耐熱性が高く、さらに重合時に水分の発生が無く膜中水分が存在しないなどの優れた特徴を有している。」（第２頁左欄第４６行〜右欄第３行）
（２−３）「本発明で使用する非晶質炭素膜は、炭化水素系のモノマー分子をプラズマ化し、生成された炭素のラジカル分子、イオンなどを基板上で反応させて形成される。用いる原料モノマー分子はＣＨ４ 、Ｃ２Ｈ４、Ｃ２Ｈ２などの炭化水素系ガス、あるいはナフタリンなどの固体、液体分子を用いても良い。またそのとき同時にＣＦ４、Ｃ２Ｆ８、Ｃ２Ｆ４、Ｃ２Ｆ２、ＳＦ６等のフッ素系ガスを流入させ、同様にプラズマでフッ素ラジカル、イオンを発生させて、非晶質炭素膜中にフッ素を含有させる。このとき下地との界面にフッ素が存在すると、非晶質炭素膜と下地との密着性が低下し、膜がはがれやすくなるので、界面にはフッ素を存在させず、非晶質炭素膜中のみにフッ素を存在するようにフッ素含有量に深さ方向の分布を持たせることにより、絶縁材料の密着性の低下を防止する。」（第２頁右欄第９〜２３行）
（２−４）「試料を電極に設置後、装置にガスボンベ２０３からＣＨ４、Ｃ２Ｈ４、Ｃ２Ｈ２等の炭化水素ガスを導入し、真空度０．０１−０．５Ｔｏｒｒで、電極間に高周波電力あるいは、直流電力を印加してグロー放電させ、炭化水素のプラズマを発生させる。」（第２頁右欄第４４〜４８行）
（２−５）「成膜のはじめはフッ素系ガスを流入させないで、途中からＣＦ４ガスを流入させて成膜したときの、非晶質炭素膜の深さ方向フッ素含有量を図５に示す。このように、膜中フッ素に深さ方向の分布を設けると、下地のアルミニウムやＳｉＯ２と、非晶質炭素膜との界面にフッ素が存在しないため、界面の密着性を高めることが可能となる。膜のはがれ試験の結果、非晶質炭素膜のはがれ度合いを、成膜の初期の段階からフッ素を流入させたものに比べて約８０％向上させることができた。また図５に示した実施例では、非晶質炭素膜中から下地との界面に向かうに従って、徐々にフッ素含有量が低下するプロファイルを持たせたが、フッ素が下地との界面に存在しないことが必要な効果であり、従って界面で急にフッ素含有量が零になるような急峻なプロファイルを用いても本実施例と同様の効果を持たせることができる。」（第３頁右欄第８〜２３行）
　
４．当審の判断 　
（１）取消理由１について
　本件明細書の【００１４】には、ＤＬＣを必須要件とする意義について、「本発明にあっては一主面が水素を含有したＤＬＣ（ダイアモンド・ライク・カーボン）膜に被覆された非晶質弗化炭素膜とすることで非晶質弗化炭素膜中の弗素が外部へ放出されるのを防ぐとともに、他の材料と接する面の弗素を取り除くことで他の材料との密着性向上をもたらす。」と記載されていることから、ＤＬＣを必須要件とする技術的意義について明確かつ十分に記載されているものと認められる。
　また、本件明細書には、プラズマ成膜装置を用いて、非晶質弗化炭素膜やＤＬＣ膜あるいはシリコン過剰膜を成膜する旨記載され（【００３４】〜【００３５】、【００４０】参照）、特に【００４０】には、「次にＤＬＣ膜４２の形成に移行するためにシリコンウエーハ６０６をチェンバー２からチェンバー１に移動する。約２００℃以下に基板温度を設定してはじめてＤＬＣ膜４２が得られることが実験的に確認されたので、実施例においては基板温度１００℃とした。また、プラズマ用高周波電力としてはシリコン過剰膜形成の場合と同様に２．５ＫＷを印加した。原料ガスにはＣＨ４　を用い、成長室ガス圧を２ミリｔｏｒｒとして行った。このＤＬＣ成膜で特に重要なことは基板へのバイアス印加を行うことである。実施例ではバイアス印加用高周波を５０Ｗ印加して行ったが、１００Ｗ以下程度の電力を供給することで適正な水素添加が可能となる」と記載されているように、水素を含有するＤＬＣ膜を成膜するためのプラズマ用高周波電力、原料ガス、成長室ガス圧及びバイアス印加用高周波電力の具体的数値が記載されていることから、炭素膜中の含まれる炭素系結晶の大きさや形状、含有量について明確に定義されいなくとも、当業者においては本件発明の水素を含有するＤＬＣ膜を成膜することができる程度に明確かつ十分に記載されているものと認められる。
　よって、本件明細書は、当業者がその実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載されたものと認められるから、本件特許に係る出願は、特許法第３６条第４項及び第６項に規定する要件を満たしている。
　
（２）取消理由２について　
　甲第１号証には、「電子写真感光体において、導電性基体上にアモルファスシリコン系材料からなる光導電層を有し、該光導電層がａ−Ｃ（Ｈ，Ｆ）などのバッファ層を介して炭素を主体としたアモルファス物質よりなる表面層で被覆されている」ことは記載されているが、本件発明１、２の発明特定事項である「非晶質弗化炭素膜の一主面上に水素を含有したダイアモンド・ライク・カーボン膜を被覆」する点については記載も示唆もされていないばかりか、甲第１号証に記載された発明は、「非晶質弗化炭素膜中の弗素が外部へ放出されるのを防ぐとともに、他の材料と接する面の弗素を取り除くことで他の材料との密着性向上をもたらす」という本件発明１、２の効果を有するものでもない。
　また、甲第２号証には、「フッ素の含有量に深さ方向の分布を持たせたフッ素を含有する非晶質炭素膜を層間絶縁材料に用いる半導体装置」は記載されているが、本件発明１、２の発明特定事項である「水素を含有したダイアモンド・ライク・カーボン膜」を用いる点については記載も示唆もされておらず、甲第２号証に記載された発明は、「非晶質弗化炭素膜中の弗素が外部へ放出されるのを防ぐ」という本件発明１、２の効果を有するものではない。
　よって、本件発明１、２は、甲第１、２号証に記載された発明であるとすることはできない。
　
（３）取消理由３について
　甲第１号証には、「ダイアモンド結合を主体とするａ−Ｃ（Ｈ)膜は耐薬品製および機械的強度に著しく優れている」と記載され、また、甲第２号証には、「フッ素の含有量に深さ方向の分布を持たせたフッ素を含有する非晶質炭素膜を層間絶縁材料に用いる半導体装置」は記載されているが、本件発明１、２の発明特定事項である「水素を含有したダイアモンド・ライク・カーボン膜」を用いることは、甲第１、２号証には記載されておらず、また、示唆されてもいない。
　そして、本件発明１、２は、非晶質弗化炭素膜の一主面上に「水素を含有したダイアモンド・ライク・カーボン膜」を被覆することによって、「非晶質弗化炭素膜中の弗素が外部へ放出されるのを防ぐとともに、他の材料との密着性向上をもたらす」という格別の作用効果を奏するものであるから、水素を含有したダイアモンド・ライク・カーボン膜が非晶質炭素膜として周知のものであるとしても、非晶質弗化炭素膜を被覆する非晶質炭素膜として水素を含有したダイアモンド・ライク・カーボン膜を選択することは、当業者が容易に想到できたものとはいえない。
　よって、本件発明１、２は、甲第１、２号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
　
III．むすび 　
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、本件発明１、２に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明１、２に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　
　よって、結論のとおり決定する 。
【異議決定日】
平成１５年１０月３０日（２００３．１０．３０）