(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ダイシングフィルムと、
前記ダイシングフィルムが内側に張られたリングと、
を有し、
前記ダイシングフィルムは、
半導体ウエハが貼り付けられる粘着層と、
前記粘着層が一面上に形成された基材フィルムと、
前記基材フィルムの前記一面の反対側の他面に形成され、負圧により潰されて前記一面に窪みが形成される大きさを有し、前記半導体ウエハがダイシングラインで分割されて形成される複数のチップのそれぞれの間から両側の前記チップに至る部分と複数の前記チップの下の複数の部分に形成された複数の島状の凹部と、
前記基材フィルムの前記他面において、複数の前記島状の凹部を互いに接続する複数の接続用凹部と、
を有する半導体装置製造用治具。
【請求項２】
前記基材フィルムは複数層構造であって、前記粘着層が張り付けられる面を有する第１フィルムに対して反対側の露出面となる第２フィルムには前記島状の凹部と前記接続用凹部となる開口部が形成され、前記開口部は少なくとも前記第１フィルムにより閉塞されることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置製造用治具。
【請求項３】
前記第１フィルムの第１弾性率は、前記第２フィルムの第２弾性率より低いことを特徴とする請求項２に記載の半導体装置製造用治具。
【請求項４】
前記基材フィルムの前記他面側に配置され、前記ダイシングフィルムのうち前記チップの下となる領域を減圧する吸着筒と、
前記吸着筒内に配置され、前記ダイシングフィルムを介して前記チップを突き上げる突き上げ部と、
前記突き上げ部により突き上げられる前記チップを前記ダイシングフィルムから上方に剥離するコレットと、
を有する請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の半導体装置製造用治具。
【請求項５】
粘着層が形成される一面に対して反対側の他面の複数の位置に凹部が形成された基材フィルムを有するダイシングフィルムのうち前記粘着層に、複数の前記凹部のうちの一部にダイシングラインを重ねて半導体ウエハを貼り付ける工程と、
前記半導体ウエハを前記ダイシングラインに沿って分割して半導体チップを形成する工程と、
前記基材フィルム側から前記ダイシングフィルムを吸引し、前記凹部を潰して前記凹部と反対側の前記一面に、前記半導体チップに重なる窪みを形成する工程と、
前記ダイシングフィルムを介して前記半導体チップを突き上げることにより、前記ダイシングフィルムの前記窪みから前記半導体チップの内方へと前記半導体チップを前記粘着層から剥離する工程と、
突き上げられた前記半導体チップをコレットにより吸引して、前記ダイシングフィルムから剥離する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記半導体チップの前記突き上げは、前記ダイシングフィルムのうち前記他面側からニードルを用いて行われることを特徴とする請求項５に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置製造用治具及び半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造工程では、半導体ウエハの縦横方向に繰り返して半導体集積回路を形成した後に、半導体ウエハをダイシングフィルムに貼り、例えばダイシングソーにより切削して個片化し、チップ状の半導体装置を形成する工程を有している。通常、ダイシングフィルムは、基材と粘着層の２層構造となっている。これにより得られたチップ状の半導体装置はコレットによりダイシングフィルムから持ち上げられ、移動され、積層、モールド、基板実装などが行われる。
【０００３】
チップ状の半導体装置をダイシングフィルムから持ち上げる方法として例えばニードルピックアップ法が採用される。ニードルピックアップ法は、ダイシングフィルムのうち半導体装置の貼り付け面と反対側の面をニードル等で突き上げて変形させ、チップ状の半導体装置をダイシングフィルムから剥離する方法である。この場合、ダイシングフィルムを押し上げる側から真空吸着される構造を有する装置が使用される。
【０００４】
また、半導体ウエハの主面から所定の深さに切り込みを入れた後、第１粘着テープに主面を貼り付けた状態で半導体ウエハの裏面を研削及び研磨し、ついで第２粘着テープ上で半導体ウエハの個片化を行うことが知られている。この方法によれば、材料の特性によって第２粘着テープが収縮することがあるので、裏面研磨後に個片化されたチップが所定の位置からずれ、チップとチップの間の距離及び角度にずれが生じ、チップのピックアップができなくなることがある。そのような不都合を解消するためのテープとして次の構造が知られている。
【０００５】
その構造は、一方の面に粘着剤層が設けられた基材の他方の面に二本以上の溝を形成してなり、その溝の深さが基材の最大厚さに対して２０％〜７０％、溝の幅が５０μｍ以下となされ、これによりテープの収縮が抑制される。
【０００６】
半導体ウエハのダイシングは、ダイシングソーを使用して機械的に切断する方法の他に、レーザー照射により熱的に切断する方法がある。レーザー照射により行う方法では、ダイシングフィルムの基材フィルムと加工用テーブルが強固に付着する現象が生じ易い。このような現象を防止するため、基材フィルムの裏面に凹凸を有する接触低減層を設けることが知られている。その接触低減層は、深さが１μｍ〜１０μｍ、算術平均粗さＲａが１．０μｍ以上の凹凸となるように加工される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２０１３−１０５８３４号公報
【特許文献２】特開２０１３−０９８２９０号公報
【特許文献３】特開２００８−０９１７６５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ところで、電子デバイスの小型化、高機能化のために、チップ状の半導体装置を３次元に実装する３次元実装半導体技術の研究開発が進み、三次元実装に適したシリコン貫通ビア（ＴＳＶ：through-silicon via）を有する半導体装置が使用されている。ＴＳＶは、シリコンチップを貫通するビアによりその表裏面の回路を導通させ、さらに、半導体装置間をマイクロバンプ等で接合させることにより、高集積化を積層により実現できる構造である。
【０００９】
この場合、ＴＳＶを深く形成することは難しいので、例えば、ＴＳＶを半導体ウエハの回路面から反対面に向けて浅く形成した後に、その反対面を物理的研磨、切削等により薄層化することによってＴＳＶを露出させる処理が行われている。
【００１０】
薄層化された半導体ウエハの研磨面は、例えばダイシングフィルムに貼り付けられる。ダイシングフィルムの表面の粘着層は、ダイシング時のウエハの欠けなどを防ぐために高い粘着強度が必要である。また、ダインシング後にチップ状の半導体装置の剥離を可能にするため、粘着層は、ＵＶ照射により粘着性が低下する機能をもつＵＶ剥離タイプが一般的に使用される。
【００１１】
ダイシングフィルムに貼り付けられるチップ状の半導体装置が切削、研磨等により薄層化されると、剛性や抗折強度が低下するので、ピンの突き上げにより変形したダイシングフィルムの形状にチップ状の半導体装置が追従し、剥離されにくい状態となる。このため、抗折強度を超えた応力が半導体装置に加わり、薄い半導体装置が割れることがある。ダイシングフィルムは、ＵＶ照射によってチップ状の半導体装置との密着強度が低下しているが、それ以上に薄層化された半導体装置の剛性低下が大きいため、良好な剥離が難しいことがある。
【００１２】
また、上記のように幅が５０μｍ以下の溝を基材フィルムの裏面側に形成してダイシングフィルムの伸縮を押さえたり、加工用テーブルとの密着強度を低下させたりしても、ダイシングにより分割された半導体装置とダイシングフィルムの接触面積を低減することは難しい。従って、上記の構造は、薄層化されたチップ状の半導体装置をダイシングフィルムから良好に剥離するという課題を解決するものではない。
【００１３】
本発明の目的は、粘着層に貼り付けられて個片化された半導体チップを良好に剥離することができる半導体装置製造用治具及び半導体装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本実施形態の１つの観点によれば、ダイシングフィルムと、前記ダイシングフィルムが内側に張られたリングと、を有し、前記ダイシングフィルムは、半導体ウエハが貼り付けられる粘着層と、前記粘着層が一面上に形成された基材フィルムと、前記基材フィルムの前記一面の反対側の他面に形成され、負圧により潰されて前記一面に窪みが形成される大きさを有し、前記半導体ウエハがダイシングラインで分割されて形成される複数のチップのそれぞれの間から両側の前記チップに至る部分と複数の前記チップの下の複数の部分に形成された複数の島状の凹部と、前記基材フィルムの前記他面において、複数の前記島状の凹部を互いに接続する複数の接続用凹部と、を有する半導体装置製造用治具が提供される。
発明の目的および利点は、請求の範囲に具体的に記載された構成要素および組み合わせによって実現され達成される。前述の一般的な説明および以下の詳細な説明は、典型例および説明のためのものであって、本発明を限定するためのものではない、と理解されるものである。
【発明の効果】
【００１５】
本実施形態によれば、粘着層に貼り付けられて個片化された半導体チップを良好に剥離することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】図１は、実施形態に係る半導体装置の製造方法で使用されるダイシングフィルムを示す平面図である。
【図２】図２は、実施形態に係る半導体装置の製造方法で使用されるダイシングフィルムとピックアップ装置を示す断面図である。
【図３】図３（ａ）、（ｂ）は、実施形態に係る実施形態に係る半導体装置の製造方法で使用されるダイシングフィルムとダイシング後のチップ状の半導体装置を示す平面図と断面図である。
【図４】図４（ａ）〜（ｃ）は、実施形態に係る半導体装置の製造工程においてダイシングされた半導体装置をダイシングフィルムから剥離する方法を示す断面図である。
【図５】図５（ａ）、（ｂ）は、実施形態に係る半導体装置の製造工程においてダイシングされた半導体装置をダイシングフィルムから剥離する方法を示す断面図である。
【図６】図６は、比較例に係る半導体装置の製造工程においてダイシングされた半導体装置をダイシングフィルムから剥離する方法を示す断面図である。
【図７】図７は、実施形態に係る実施形態に係る半導体装置の製造方法で使用される他の例のダイシングフィルムとその上に張り付けられた半導体チップを示す平面図と断面図である。
【図８】図８（ａ）〜（ｃ）は、実施形態に係る実施形態に係る半導体装置の製造方法で使用されるダイシングフィルムの基材フィルムに形成される凹凸の第１〜第３の変形例を示す平面図である。
【図９】図９（ａ）、（ｂ）は、実施形態に係る実施形態に係る半導体装置の製造方法で使用されるダイシングフィルムの基材フィルムに形成される凹凸の第４、第５の変形例を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下に、図面を参照して実施形態を説明する。図面において、同様の構成要素には同じ参照番号が付されている。
【００１８】
図１は、実施形態に係る半導体装置の製造方法に使用されるダイシングフィルムとその上に貼り付けられた半導体ウエハの一例を示す平面図、図２は、実施形態に係る半導体装置の製造方法に使用されるダイシングフィルムとピックアップ装置を示す断面図である。図３（ａ）は、図１において一点鎖線で囲まれた領域Ｉの拡大平面図、図３（ｂ）は、図１においてII−II線に沿った拡大断面図である。
【００１９】
図１、図２及び図３に示すダイシングフィルム１は、基材フィルム２の第１面２ａの上に粘着層３が形成された二層構造を有している。粘着層３のうち基材フィルム２との接着面と反対側の面は、未使用時には例えばポリエチレンテレフタラート（ＰＥＴ）保護フィルム（不図示）で覆われ、使用時には露出される。
【００２０】
基材フィルム２は、ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）、ポリオレフィン、ポリエステル、ＰＥＴ等の樹脂材から形成されたフィルムである。平坦に伸ばした状態の基材フィルム２の第１面２ａは平坦面であり、第２面２ｂは、平面円形状の凹部４がほぼ等間隔で面に沿って複数形成され、凹凸面となっている。第２面２ｂのうち凹部４を囲む凸部の平坦面は、基材フィルム２において単位面積当たり７０％以下となるような数及び広さの条件で凹部４が形成される。
【００２１】
複数の凹部４は、例えば金型を用いる加熱プレスによって基材フィルム２に成形される。複数の凹部４は、粘着層３上に貼られる半導体ウエハＷのダイシングラインＬにできるだけ大きい面積で重なることが可能な数と位置に設けられ、さらにダイシンルラインＬに囲まれた領域に設けられることが好ましい。また、複数の凹部４は、半導体ウエハＷにおけるダイシングラインＬを挟んでその両側の半導体集積回路領域Ｓを跨ぐことができる広さを有することが好ましい。凹部４は、後に説明するように、第２面２ｂ側の空間に配置される吸着筒１３の先端から加わる負圧により潰され、その結果、凹部４の上の薄層部２ｃが凹部４内に引き込まれて変形し、窪みとなる大きさと厚みを有している。
【００２２】
粘着層３は、放射線硬化型粘着剤、例えば紫外線硬化型粘着剤が使用される。放射線硬化型粘着剤組成物として、例えば、架橋されたアクリル系ポリマー中に放射線硬化型化合物を含有したブレンド型や、架橋されたアクリル系ポリマー自身が放射線硬化型官能基を有する放射線硬化型ポリマー型がある。
【００２３】
そのような構造を有するダイシングフィルム１は、図１、図２に示すように、例えば円環状のキャリアリング５に張られている。具体的には、巻かれた状態のダイシングフィルム１を引き伸ばし、粘着層３をキャリアリング５の一面に粘着させて取り付けられる。キャリアリング５は、例えばステンレス等のような剛性の高い材料から形成され、その内径はダイシング対象となる半導体ウエハＷの直径より大きく形成されている。
【００２４】
半導体ウエハＷは、ダイシングフィルム１の上で、複数の半導体集積回路Ｓが形成された面を露出させてダイシングラインＬに沿って例えばダイシングソー（不図示）により切断され、半導体集積回路Ｓを有する複数の半導体チップＣに分割される。半導体ウエハＷのダイシングは、例えばキャリアリング５に張られたダイシングフィルム１をダイシングテーブル（不図示）に置いて行われる。なお、ダイシングは、レーザー照射等により行われてもよい。
【００２５】
図１、図２及び図３では、ダイシングフィルム１の粘着層３の上でダイシングされた半導体ウエハＷ、即ち複数の半導体チップＣが貼り付けられた状態を示している。そのような状態で、キャリアリング５の側部は、図１、図２に例示するピックアップ装置１０のリングホルダ１１により両側から挟まれ、リングホルダ１１の横溝１１ｕに嵌め込まれ、固定される。
【００２６】
キャリアリング５及びダイシングフィルム１により二分される空間のうち基材フィルム２が露出する側の第１の空間には、ダイシングフィルム１を介して１つの半導体チップＣを突き上げる突き上げユニット１２が配置されている。突き上げユニット１２は、１つの半導体チップＣを囲み得る大きさの例えば円環状の先端部を備えた吸着筒１３を有し、その中には、ニードルホルダ１４が吸着筒１３の内面の軸方向に摺動可能に嵌め込まれている。ニードルホルダ１４の先端部には、ニードルホルダ１４の摺動方向に長く延びて配置される複数のニードル１５の根本が間隔をおいて差し込まれている。また、ニードルホルダ１４内には、先端に達する吸引孔１４ａが形成されている。
【００２７】
突き上げユニット１２の動作は突き上げ制御部１６により制御される。突き上げ制御部１６は、例えば、ニードルホルダ１４内の吸引孔１４ａを通して吸着筒１３の先端部の空間を減圧する吸気機構（不図示）を有し、さらに、吸着筒１３の先端をダイシングフィルム１の基材フィルム２に対して接離したり、横方向に移動したりする移動機構を有している。また、突き上げ制御部１６は、吸着筒１３内でニードルホルダ１４を介してニードル１５を突き上げたり引き下げたりするニードル移動機構（不図示）や、ニードル１５の位置を検出する検出器（不図示）を有している。なお、図４（ａ）に示すように、吸着筒１３の先端には、ニードル１５を通したり吸引したりするための通気孔１３ｂを備えた吸着ステージ１３ａが設けられている。
【００２８】
また、キャリアリング５及びダイシングフィルム１により二分される空間のうち粘着層３が露出する側の第２の空間にはコレット１７が移動可能に配置されている。コレット１７は、ダイシングフィルム１上で個片化された半導体チップＣを吸引し、粘着層３から剥離する動作を行うようにコレット制御部１８により動作が制御される。コレット制御部１８には、アーム１９を介してコレット１７に繋がる吸引器（不図示）や、アーム１９を三次元的に移動させる駆動部（不図示）や、コレット１７の位置を検出するセンサー（不図示）等が含まれている。コレット制御部１８は、突き上げ制御部１６に信号を送受することにより互いの動作を合わせるように接続されてもよい。
【００２９】
次に、半導体ウエハＷを分割して形成される半導体チップＣをピックアップする方法について図４、図５を参照して説明する。なお、図４、図５は、図３（ａ）に示すIII-III線に沿った断面図である。
【００３０】
まず、図１、図２に示したようなキャリアリング５に張られたダイシングフィルム１の粘着層３の表面に半導体ウエハＷを貼り付ける。その際、半導体ウエハＷで縦横に設けられた複数のダイシングラインＬのそれぞれが、図３（ａ）に示すように、基材フィルム２の凹部４のほぼ中央の一部に複数箇所で重なるように位置に合わせする。
【００３１】
その後、半導体ウエハＷのダイシングラインＬに沿ってダイシングソー（不図示）の刃を入れ、半導体ウエハＷを切断する。これにより半導体ウエハＷを分割し、複数の半導体チップＣを形成する。ダイシングソーにより半導体ウエハＷを分割する際に、ダイシングソーの刃が粘着層３に達しない深さにしてダイシングラインＬに溝を形成してもよい。この場合、その溝の形成後に半導体ウエハＷの外部から応力を加え、溝に沿った割れ目を作ることにより半導体ウエハＷを分割するようにしてもよい。分割により形成された半導体チップＣの相互の間には切れ目や割れ目が生じ、そこからダイシングフィルム１に向けて空気が入り得る状態となる。
【００３２】
この後に、基材フィルム２を通して粘着層３に例えば紫外線を照射して基材フィルム２を硬化させ、その粘着力を低下させる。
【００３３】
次に、図１、図２に示したように、キャリアリング５をピックアップ装置１０のリングホルダ１１に取り付ける。さらに、図４（ａ）の拡大図に示すように、吸着筒１１の先端をダイシングフィルム１の基材フィルム２に接触させる。この場合、吸着筒１１は、突き上げ制御部１６により制御され、その上方にある複数の半導体チップＣのうち選択した１つの全てが筒の内側に重なる位置に移動される。また、吸着筒１１は、その先端部の通気孔１３ｂが半導体チップＣの周縁部に位置するように位置合わせされる。
【００３４】
その状態で、突き上げ制御部１６からニードルホルダ１４内の吸引孔１４ａを通して吸着筒１１の先端部の内部空間を減圧する負圧をかけ、ダイシングフィルム１を吸着する。この状態で、半導体チップＣ相互間から空気が入ることが可能になり、しかも粘着層３の粘着力が低下しているので、負圧を高くすると、半導体チップＣ同士の間の部分の耐圧が低下している基材フィルム２の薄層部２ｃが変形する。
【００３５】
これにより、図４（ｂ）の一点鎖線で囲む部分に示すように、半導体チップＣの縁に重なっている基材フィルム２の薄層部２ｃが吸着筒１１からの吸引により変形して凹部４を潰す。その際、粘着力が低下している薄層部２ｃの上では、半導体チップＣの縁から内方に空気が入りやすい状態であり、粘着層３の粘着力が低下しているので、半導体チップＣの縁から粘着層３が剥がれ基材フィルム２の薄層部２ｃとともに変形し、窪み２ｄが形成される。これにより、半導体チップＣと粘着層３の接触面積が減る。また、半導体チップＣの周辺部だけでなく、半導体チップＣの面内にも剥離を促進する窪み２ｄが形成されるので、半導体チップＣと粘着層３の剥離性を向上することができる。
【００３６】
次に、図４（ｃ）に示すように、突き上げユニット１２の吸着筒１３内のニードルホルダ１４を半導体チップＣに向けて移動させてニードル１５をダイシングフィルム１に接触させ、さらに突き上げる。これにより突き上げられたダイシングフィルム１は変形して半導体チップＣが持ち上がる。その際、基材フィルム２の薄層部２ｃと半導体チップＣの間にできた窪み２ｄから空気が入り易くなり、しかも粘着層３と半導体チップＣの接触面積が低下している。
【００３７】
コレット１７は、図４（ｂ）に示すようにダイシングフィルム１の基材フィルム２の凹部４が潰れた後、或いはその前に、吸着筒１１との間で半導体チップ１を挟む位置に移動される。これにより、吸着筒１１の吸引により凹部２ｃを潰す際に、或いは凹部２ｃを潰した後に、ニードル１５により半導体チップＣを突き上げながらコレット１７により半導体チップＣを吸引して持ち上げる。
【００３８】
このため、図４（ｃ）、図５（ａ）に示すように、ニードル１５でダイシングフィルム１を介して半導体チップＣを突き上げながら、コレット１７により半導体チップＣを吸引すると、半導体チップＣがダイシングフィルム１から剥がれ易くなる。即ち、半導体チップＣの周縁部では、ダイシングフィルムＣの基材フィルム２の凹部２ｃが潰れ、その上の薄層部２ｃとその上の粘着層３に窪み２ｄが生じ、半導体チップＣの周縁部でダイシングフィルム１との隙間が点在して発生する。また、半導体チップＣの周辺部だけでなく、半導体チップＣの面内にも剥離を促進する窪み２ｄが形成されるので、半導体チップＣと粘着層３の剥離性を向上することができる。
【００３９】
これにより、半導体チップＣとダイシングフィルム１の接触面積が狭くなり、そこから空気が入りやすくなり、コレット１７の吸着力とニードル１５の突き上げ力により、半導体チップＣの周縁部が粘着層３から徐々に剥がされ、ダイシングフィルム１が半導体チップＣの周辺で変形して湾曲する。また、コレット１７とニードル１５による力が半導体チップＣにさらに加わると、ダイシングフィルム１から剥がれる領域が半導体チップＣの周縁部からその内側に広がり、半導体チップＣとダイシングフィルム１の接触面積が狭くなり、単位面積当たりのピックアップの力が大きくなる。
【００４０】
これにより、図５（ｂ）に示すように、ピックアップの際に粘着層３に貼り付けられて個片化された半導体チップＣを良好に剥離することができ、半導体チップＣの周縁部にヒビや割れが生じにくくなる。
【００４１】
これに対し、図６の比較例に示すように、基材フィルム５２に凹部を形成しない構造のダイシングフィルム５１を使用する場合には、半導体チップＣの一方の面の全体がダイシングフィルム５１の粘着層５３に張り付いている。しかも、半導体チップＣとダイシングフィルム５１の粘着力を低下させる工夫がされていない。このため、本実施形態に比べ、コレット１７の吸着力より粘着層５３の粘着力の方が勝ることが多くなる。この結果、ニードル１５により半導体チップＣを突き上げると半導体チップＣの周縁部が湾曲してコレット１７から剥離する一方、その周縁部が湾曲により割れたりヒビが入ったりし易くなる。
【００４２】
従って、本願実施形態のように、半導体チップＣの周縁部の少なくとも一部をダイシングフィルム１の凹部４の変形によって剥離することにより、コレット１７の吸引とニードル１５の突き上げにより半導体チップＣの周縁部から内部へ剥離が広がり易くなる。また、半導体チップＣの周辺部だけでなく、半導体チップＣの面内にも剥離を促進する窪み２ｄが形成されるので、半導体チップＣとダイシングフィルム１の剥離性を向上できる。
【００４３】
例えば、基材フィルム２のうち凹部４の直径は約２．５ｍｍ、凹部４のピッチが約４ｍｍで、深さが５０〜７０μｍ程度に形成される。また、凹部４が形成されていない部分の基材フィルム２の厚みは例えば約１００μｍとすると、凹部４の形成により薄くなった基材フィルム２の薄層部２ｃは３０μｍ〜５０μｍとなる。
【００４４】
このような構造のダイシングフィルム１の紫外線硬化型樹脂からなる厚さ５μｍ〜２５μｍの粘着層３に厚さ５０μｍの半導体ウエハＷを貼り付けた後に、２０ｍｍ×２０ｍｍの平面四角形にダイシングし個片化し、その後、紫外線を照射した。この結果、図２に示したピックアップ装置１０を用いたところ、半導体チップＣの縁部の剥がれは良好であり、割れやヒビがなくコレット１７によりピックアップできた。なお、基材フィルム２の厚さは、例えば８０μｍ〜２００μｍ程度としてもよい。
【００４５】
これに対し、それと同じ厚さで同じ材料の基材フィルム５２及び粘着層５３を有する図６に示した比較例のダイシングフィルム５１を使用し、同じ条件で半導体ウエハＷを個片化して図２に示したピックアップ装置１０で半導体チップＣをピックアップした。この結果、ニードル１５による半導体チップＣの突き上げ量を３００μｍとしても、半導体チップＣが粘着層５３から剥がれず、突き上げ量を６００μｍとしたところ、半導体チップＣの縁部に割れが生じることがあった。
【００４６】
ところで、上記のようにダイシングフィルム１において単層構造の基材フィルム２に凹部４を形成し、その部分に基材フィルム２の薄層部２ｃを形成しているが、図７に例示するように、凹部４の形成は複数層からなる基材フィルム２に形成してもよい。
【００４７】
図７において、ダイシングフィルム１の基材フィルム２は、第１フィルム２１と第２フィルム２２を重ねて接着された二層構造を有している。第１フィルム２１のうち粘着層３が粘着される面と反対側の面に第２フィルム２２が張り付けられ、また、第２フィルム２２には平面円形の開口２２ａが形成される。これにより、第２フィルム２２の開口部２２ａは基材フィルム２の凹部４に該当し、第１フィルム２１のうち開口部２２ａに重なる部分が基材フィルム２の薄層部２ｃとなる。第１フィルム２１は、第２フィルム２２よりも弾性率が小さい材料から形成され、しかも図４（ｂ）と同様に、吸着筒１３からの吸引により変形して窪み２ｄが形成され易い厚さを有している。
【００４８】
例えば、第１フィルム２１の材料として変形容易なＰＶＣを使用し、第２フィルム２２の材料として第１フィルム２１より弾性率が大きなＰＥＴを使用する。第１フィルム２１と第２フィルム２２は加熱により張り付けても良いし、接着剤（不図示）を介して張り付けてもよい。また、第１フィルム２１の厚さを２０μｍとし、第２フィルム２２の厚さを例えば５０μｍとした。また、第２フィルム２２の開口部２２ａ、即ち凹部４を円柱状に形成し、その直径を約２．５ｍｍ、ピッチを約４ｍｍとした。
【００４９】
このような構造のダイシングフィルム１のうち紫外線硬化樹脂からなる粘着層３に厚さ５０μｍの半導体ウエハＷを貼り付けた後に、２０ｍｍ×２０ｍｍの平面四角形にダイシングし個片化し、半導体チップＣを形成し、粘着層３に紫外線を照射した、その後に、図２に示したピックアップ装置１０を用いて半導体チップＣをニードル１５により突き上げ、コレット１７により吸引した。この結果、半導体チップＣの縁部の剥がれは良好であり、割れやヒビがなくコレット１７によりピックアップできた。
【００５０】
ところで、上記の実施形態では、ダイシングフィルム１に形成する凹部４は、半球状や円柱状に島状に間隔をおいて同じ形状に多数形成しているが、その島状の凹部４の平面形状は円に限られるものではない。例えば、図８（ａ）に例示するように、半径の異なる複数の半球状又は円柱状の凹部４１、４２が混在した構造であってもよいし、図８（ｂ）に示すように、平面形が三角形の凹部４３が複数配置された構造であってもよいし、図８（ｃ）に示すように平面が六角形の凹部４４がハニカム構造であってもよい。
【００５１】
なお、図７に示したように複数層から形成されるダイシングフィルム１では、例えば凹部４として第２フィルム２２に図８（ａ）〜（ｃ）に示すような平面形状の開口部２２ａが形成される。
【００５２】
また、ダイシングフィルム１に形成する凹部４は、上記のように島状の半球、円柱を多数配置した構造に限られるものではない。例えば、図９（ａ）に示すように、平面が六角形の凹部４５を間隔をおいてハニカム形状に配置し、さらに、多数の六角形の凹部４５の間を仕切る基材フィルム２の一部を横切る接続用凹部４６により凹部４５の相互を繋げる形状であってもよい。また、図９（ｂ）に示すように、平面が四角形の凹部４７を間隔をおいて縦横に隣接させ、さらに、四角形の凹部４７の間を仕切る基材フィルム２の一部を接続用凹部４８により互いに繋げられる形状であってもよい。いずれの凹部４５、４７であっても、粘着層３に貼り付けられる半導体ウエハＷのダイシングラインＬの両側の半導体集積回路Ｓにまたがって重ねられる位置と大きさに形成されることが好ましい。
【００５３】
図９（ａ）、（ｂ）では、基材フィル２の複数の凹部４５、４７が接続用凹部４６、４８を介して接続されているので、それらの上の薄層部２ｃも連続している。このため、半導体チップＣをダイシンフィルム１から突き上げられるにつれて薄層部２ｃに生じる窪み２ｄが半導体チップＣの縁部から内部に広がり易くなり、ダイシングフィルム１から半導体チップＣを剥離することがさらに容易になる。
【００５４】
ここで挙げた全ての例および条件的表現は、発明者が技術促進に貢献した発明および概念を読者が理解するのを助けるためのものであり、ここで具体的に挙げたそのような例および条件に限定することなく解釈され、また、明細書におけるそのような例の編成は本発明の優劣を示すこととは関係ない。本発明の実施形態を詳細に説明したが、本発明の精神および範囲から逸脱することなく、それに対して種々の変更、置換および変形を施すことができると理解される。
【００５５】
次に、本発明の実施形態について特徴を付記する。
（付記１）半導体ウエハが貼り付けられる粘着層と、前期粘着層が一面上に形成された基材フィルムと、前記基材フィルムの前記一面と反対側の他面において複数の位置に形成され、負圧により潰される大きさの凹部と、を有するダイシングフィルム。
（付記２）前記基材フィルムは複数層構造であって、前記粘着層が張り付けられる面を有する第１フィルムに対して反対側の露出面となる第２フィルムには前記凹部となる開口部が形成され、前記開口部は少なくとも前記第１フィルムにより閉塞されることを特徴とする付記１に記載のダイシングフィルム。
（付記３）前記第１フィルムの第１弾性率は、前記第２フィルムの第２弾性率より低いことを特徴とする付記２に記載のダイシングフィルム。
（付記４）前記凹部の平面形状は島状であることを特徴とする付記１乃至付記３のいずれか１つに記載のダイシングフィルム。
（付記５）前記島状の前記凹部は、互いに一部が接続用凹部により繋がっていることを特徴とする付記１乃至付記４のいずれか１つに記載のダイシングフィルム。
（付記６）前記ダイシングフィルムにおいて前記半導体ウエハが張り付けられる領域において、前記基材フィルムのうち前記凹部を囲む領域が占める単位面積当たりの割合は７０％以下であることを特徴とする付記１乃至付記５のいずれか１つに記載のダイシングフィルム。
（付記７）前記粘着層と前記基材フィルムはリングの内側に張られていることを特徴とする半導体装置製造用治具。
（付記８）粘着層が形成される一面に対して反対側の他面の複数の位置に凹部が形成された基材フィルムを有するダイシングフィルムのうち前記粘着層に、複数の前記凹部のうちの一部にダイシングラインを重ねて半導体ウエハを貼り付ける工程と、前記半導体ウエハを前記ダイシングラインに沿って分割して半導体チップを形成する工程と、前記基材フィルム側から前記ダイシングフィルムを吸引し、前記凹部を潰して前記凹部と反対側の前記一面に、前記半導体チップに重なる窪みを形成する工程と、前記ダイシングフィルムを介して前記半導体チップを突き上げることにより、前記ダイシングフィルムの窪みから前記半導体チップの内方へと前記半導体チップを前記粘着層から剥離する工程と、突き上げられた前記半導体チップをコレットにより吸引して、前記ダイシングフィルムから剥離する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
（付記９）前記粘着層は、放射線硬化型材料から形成され、前記半導体チップを形成した後であって前記ダイシングフィルムに前記窪みを形成する前に、前記放射線照射によって前記粘着層の粘着性を低下する工程を含むことを特徴とする付記８に記載の半導体装置の製造方法。
（付記１０）前記半導体チップの前記突き上げは、前記ダイシングフィルムのうち前記一面側からニードルを用いて行われることを特徴とする付記７又は付記８に記載の半導体装置の製造方法。
（付記１１）前記ダイシングフィルムは複数層構造を有し、前記粘着層３に接触する前記一面側の第１フィルムは、前記反対側の面となる第２フィルムより弾性率が低いことを特徴とする付記７乃至付記１０のいずれか１つに記載の半導体装置の製造方法。
【符号の説明】
【００５６】
１  ダイシングフィルム
２  基材フィルム
３  粘着層
４  凹部
５  フィルムリング
２１  第１フィルム
２２  第２フィルム
２２ａ  開口部
１０  ピックアップ装置
１３  吸着筒
１４  ニードルホルダ
１５  ニードル
１７  コレット
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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