【事件の表示】
　特許第３２５５６２３号「レジスト用剥離液組成物」の請求項１ないし７に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３２５５６２３号の請求項１ないし５に係る特許を維持する。
【理　由】
I　手続の経緯
　本件特許第３２５５６２３号は、平成８年６月２１日に出願された特願平８−１７９８７２号（以下、「原出願」という。）の一部を平成１１年６月７日に新たな特許出願としたものであって、手続の経緯の概要は、以下のとおりである。
　平成１３年１１月３０日　　特許権の設定の登録
　平成１４年２月１２日　　　特許掲載公報の発行
　平成１４年８月９日　　　　株式会社トクヤマから特許異議の申立て
　平成１４年８月１２日　　　伊藤理恵から特許異議の申立て
　平成１４年１１月２０日付　取消理由の通知
　平成１５年１月２８日　　　意見書の提出
　平成１５年１月２８日　　　訂正請求書（後日取り下げ）の提出
　平成１５年４月１１日　　　上申書の提出（特許権者）
　平成１６年１月１３日付　　取消理由の通知
　平成１６年３月２３日　　　意見書及び訂正請求書の提出
　
II　訂正の適否についての判断
１　訂正の内容
  平成１６年３月２３日付け訂正請求は、本件特許明細書を訂正請求書に添付した訂正明細書のとおりに訂正することを求めるものであり、訂正の内容は次のとおりである。
（ａ）特許請求の範囲、請求項１の記載を、
「【請求項１】　レジスト変質膜の剥離が可能なレジスト用剥離液組成物であって、
　フッ化物成分と、水溶性有機溶媒と、水とを含有するとともに、防食剤を含有せず、
　前記フッ化物成分が、フッ化水素酸と金属を含まない塩基とから得たｐＨ５〜８のほぼ中性の塩と、フッ化水素酸とから構成され、
　該レジスト用剥離液組成物のｐＨ値が５〜８にあることを特徴とするレジスト用剥離液組成物。」
と訂正する。
（ｂ）同請求項２を削除する。
（ｃ）請求項３を請求項２に繰り上げ、
「【請求項２】　前記塩が、フッ化水素酸とヒドロキシルアミン類、第１級、第２級または第３級の脂肪族アミン、脂環式アミン、芳香族アミン、複素環式アミン、アンモニア水及び低級アルキル第４級アンモニウム塩基から選ばれる少なくとも１種との塩であることを特徴とする請求項１記載のレジスト用剥離液組成物。」
と訂正する。
（ｄ）請求項４を請求項３に繰り上げ、
「【請求項３】　前記塩がフッ化アンモニウムであることを特徴とする請求項２記載のレジスト用剥離液組成物。」
と訂正する。
（ｅ）請求項５を請求項４に繰り上げ、
「【請求項４】　前記水溶性有機溶媒が、ジメチルスルホキシド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、エチレングリコール及びジエチレングリコールモノブチルエーテルから選ばれる少なくとも１種であることを特徴とする請求項１に記載のレジスト用剥離液組成物。」
と訂正する。
（ｆ）請求項６を請求項５に繰り上げ、
「【請求項５】　前記水溶性有機溶媒が少なくとも１０重量％のエチレングリコールを含む水溶性有機溶媒であることを特徴とする請求項４に記載のレジスト用剥離液組成物。」
と訂正する。
（ｇ）請求項７を削除する。
（ｈ）明細書の段落【０００６】の記載を、
「そこで、本発明者等は、上記問題点のないレジスト用剥離液組成物を開発すべく鋭意研究を重ねた結果、フッ化物成分と、水溶性有機溶媒と、水とを含有し、レジスト変質膜の剥離が可能なレジスト用剥離液組成物において、前記フッ化物成分が、フッ化水素酸と金属を含まない塩基とから得た水素イオン濃度（以下ｐＨという）が５〜８のほぼ中性の塩と、フッ化水素酸とから構成するとともに、該レジスト用剥離液組成物のｐＨ値を５〜８の範囲とすると、低温での剥離処理が短時間で行える上に、基板上の金属薄膜や周辺装置等の腐食が防止でき、かつ毒性が低く、排気処理、廃液処理が容易に行えるレジスト用剥離液組成物が得られることを見出し、本発明を完成したものである。」
と訂正する。
（ｉ）同段落【０００９】の記載を、
「上記目的を達成する本発明は、レジスト変質膜の剥離が可能なレジスト用剥離液組成物であって、フッ化物成分と、水溶性有機溶媒と、水とを含有するとともに、防食剤を含有せず、前記フッ化物成分が、フッ化水素酸と金属を含まない塩基とから得たｐＨ５〜８のほぼ中性の塩と、フッ化水素酸とから構成され、該レジスト用剥離液組成物のｐＨ値が５〜８にあることを特徴とするレジスト用剥離液組成物に係る。以下、前記フッ化水素酸と金属を含まない塩基との塩を（ａ）成分、さらに少量を添加するフッ化水素酸を（ｂ）成分、水溶性有機溶媒を（ｃ）成分、水を（ｄ）成分と略記することもある。」
と訂正する。
（ｊ）同段落【００１２】の記載の「（ｄ）成分及び（ｅ）成分と混和性のある有機溶媒」を、「（ｄ）成分と混和性のある有機溶媒」と訂正する。
（ｋ）同段落【００１４】〜【００２０】を削除し、以下の段落番号を繰り上げる。
（ｌ）【表１】を次のように訂正する。
　
２　訂正の目的の適否、新規事項の有無、及び特許請求の範囲の実質上の拡張又は変更の存否 
 　訂正ａにおいて、訂正前の請求項１に記載の「フッ化水素酸と金属を含まない塩基との塩」を「フッ化水素酸と金属を含まない塩基とから得たｐＨ５〜８のほぼ中性の塩」に限定する点は、特許請求の範囲の減縮を目的とする訂正に該当し、レジスト用剥離液組成物を規定する記載、即ち「（ａ）フッ化水素酸と・・を含有し、かつ・・・（ｐＨ）が５〜８の範囲にある」を、「レジスト変質膜の剥離が可能なレジスト用剥離液組成物であって、フッ化物成分と、水溶性有機溶媒と、水とを含有するとともに、防食剤を含有せず、・・・レジスト用剥離液組成物のｐＨ値が５〜８にある」と訂正する点は、フッ化水素酸と金属を含まない塩基との塩及びフッ化水素酸と、レジスト用剥離液組成物を構成する他の成分との関係を整理すると共に、防食剤を含有しないものに限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮及び明りょうでない記載の釈明を目的とする訂正に該当する。
　訂正ｂ、ｇは請求項を削除するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とする訂正に該当する。
　訂正ｃないしｆは、請求項１の訂正ａに伴って、「（ａ）成分」、「（ｃ）成分」をそれぞれ「前記塩」、「前記水溶性有機溶媒」と訂正し、項番を整理するものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とする訂正に該当する。
　訂正ｈないしｋは、訂正ａないしｇに伴い、発明の詳細な説明の記載を特許請求の範囲の記載に整合させようとするものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とする訂正に該当する。
　訂正ｌは、有機溶媒であるＤＭＳＯを（ｂ）成分、水を（ｃ）成分と誤って記載していたものを、それぞれ（ｃ）成分、（ｄ）成分に訂正するものであるから誤記の訂正を目的とする訂正に該当する。
　そして、訂正ａないしｋは、願書に添付した明細書の範囲内のものであり、訂正ｌは、願書に最初に添付した明細書の範囲内のものであって、いずれも、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものではない。
　
３　訂正の適否の結論
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法第１２０条の４第２項に規定する訂正の目的を満たすものであり、かつ同条第３項において準用する第１２６条第２、３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
III　特許異議申立てについて 
１　本件発明
　上記「II　訂正の適否についての判断」に示したとおり、本件に係る訂正が認められるから、本件の請求項１ないし５に係る発明は、訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１ないし５に記載された事項により特定される、上記II　１（ａ）、（ｃ）ないし（ｆ）のとおりのものである。
　
２　特許異議申立ての理由及び取消理由の概要
（１）異議申立人・株式会社トクヤマは、甲第１号証ないし甲第３号証並びに参考資料１、２を提出して、訂正前の本件請求項１ないし７に係る特許は、以下の理由により取り消されるべきである旨主張している。
（ｉ）訂正前の本件請求項１ないし７に係る発明は、優先権主張を伴う原出願に係る特許第３２３６２２０号（特願平８−１７９８７２号、甲第１号証参照、以下、「先願１」という。）の請求項に係る発明と同一であるから、本件請求項１ないし７に係る特許は、特許法第３９条第１項又は第２項の規定に違反して特許されたものである。
（ii）訂正前の本件請求項１ないし７に係る発明は、本件の出願日（原出願の出願日）前の同一出願人の出願に係る特許第３２５５５５１号（甲第２号証参照、以下、「先願２」という。）の請求項に係る発明と同一であるから、その特許は、特許法第３９条第１項の規定に違反して特許されたものである。
（iii）訂正前の本件請求項１ないし７に係る発明は、甲第３号証に記載された発明であるから、その特許は、特許法第２９条第１項の規定に違反して特許されたものである。
（iv）訂正前の本件請求項２及び７に係る発明は、甲第３、４号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、その特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反して特許されたものである。
（２）異議申立人・伊藤理恵は、甲第１号証及び参考資料１、２を提出して、訂正前の本件請求項１ないし７に係る特許は、甲第１号証に記載された発明であるか、甲第１号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、その特許は、特許法第２９条第１項第３号、あるいは特許法第２９条第２項の規定に違反して特許されたものである旨、主張している。
（３）当審においては、訂正前の本件請求項１ないし７に係る特許は、以下の理由により取り消されるべきである旨の取消理由を通知した。
（ｉ）訂正前の本件請求項１ないし７に係る発明は、本件の出願日前の同一出願人の出願に係る「先願１」、又は「先願２」の明細書の特許請求の範囲に記載された発明と同一であるから、その特許は、特許法第３９条第１項の規定に違反して特許されたものである。
（ii）訂正前の本件請求項１ないし７に係る発明は、刊行物１ないし８に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、その特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反して特許されたものである。
［先願及び刊行物］
　先願１　特願平８−１７９８７２号（特許第３２３６２２０号）
　先願２　特願平７−３２８１７号（特許第３２５５５５１号）
　刊行物１　特開昭５３−４４４９１号公報
　刊行物２　特開平６−２０２３４５号公報
　刊行物３　特開平６−６１６１５号公報
　刊行物４　特開平５−２５９０６６号公報
　刊行物５　特開昭６４−８８５４８号公報
　刊行物６　特開平５−２８１７５３号公報
　刊行物７　特開昭５５−２２９７号公報
　刊行物８　特開平７−２７１０５６号公報（異議申立人株式会社トクヤマの提出した甲第３号証、同伊藤理恵の提出した甲第１号証）
　
３　特許法第３９条について
［先願の請求項に係る発明］
（１）先願１の請求項に係る発明は、異議２００２−７１４２２号において訂正された特許明細書の特許請求の範囲の請求項１ないし８に記載された次のとおりのものである（異議２００２−７１４２２号の決定参照）。
「【請求項１】フッ化物成分と、水溶性有機溶媒と、水とからなり、レジスト変質膜の剥離が可能なレジスト用剥離液組成物であって、
　前記フッ化物成分がフッ化水素酸と金属を含まない塩基とから得たｐＨ５〜８のほぼ中性の塩から構成され、かつ該レジスト用剥離液組成物のｐＨ値が５〜８に維持されていることを特徴とするレジスト用剥離液組成物。
　【請求項２】前記フッ化水素酸と金属を含まない塩基とから得たｐＨ５〜８のほぼ中性の塩が０．２〜３０重量％、前記水溶性有機溶媒が３０〜９０重量％及び前記水が残部として配合されていることを特徴とする請求項１記載のレジスト用剥離液組成物。
　【請求項３】フッ化物成分と、水溶性有機溶媒と、水と、防食剤とからなり、レジスト変質膜の剥離が可能なレジスト用剥離液組成物であって、
　前記フッ化物成分がフッ化水素酸と金属を含まない塩基とから得たｐＨ５〜８のほぼ中性の塩から構成されるとともに、前記防食剤が芳香族ヒドロキシ化合物、アセチレンアルコール、カルボキシル基含有有機化合物及びその無水物、トリアゾール化合物並びに糖類から選ばれる少なくとも１種から構成され、かつ該レジスト用剥離液組成物のｐＨ値が５〜８に維持されていることを特徴とするレジスト用剥離液組成物。
　【請求項４】前記フッ化水素酸と金属を含まない塩基とから得たｐＨ５〜８のほぼ中性の塩が０．２〜３０重量％、前記水溶性有機溶媒が３０〜９０重量％、前記防食剤が０．５〜４０重量％及び前記水が残部として配合されていることを特徴とする請求項３記載のレジスト用剥離液組成物。
　【請求項５】前記フッ化水素酸と金属を含まない塩基とから得たｐＨ５〜８のほぼ中性の塩が、フッ化水素酸とヒドロキシル脂環式アミン、芳香族アミン、複素環式アミン、アンモニア水および低級アルキル第４級アンモニウム塩基から選ばれる少なくとも１種との塩であることを特徴とする請求項１又は３記載のレジスト用剥離液組成物。
　【請求項６】前記フッ化水素酸と金属を含まない塩基とから得たｐＨ５〜８のほぼ中性の塩がフッ化アンモニウムであることを特徴とする請求項５記載のレジスト用剥離液組成物。
　【請求項７】前記水溶性有機溶媒がジメチルスルホキシド、Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ、Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、１、３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、エチレングリコール及びジエチレングリコールモノブチルエーテルから選ばれる少なくとも１種であることを特徴とする請求項１又は３記載のレジスト用剥離液組成物。
　【請求項８】前記水溶性有機溶媒が少なくとも１０重量％のエチレングリコールを含む水溶性有機溶媒であることを特徴とする請求項７記載のレジスト用剥離液組成物。」
（２）先願２の請求項に係る発明は、異議２００２−７１９５４号において訂正された特許明細書の特許請求の範囲の請求項１ないし３に記載された次のとおりのものである（異議２００２−７１９５４号の決定参照）。
「【請求項１】フッ化水素酸０．５〜４０重量％、水溶性有機溶媒６０〜９０重量％、及び芳香族ヒドロキシ化合物、アセチレンアルコール、カルボキシル基含有有機化合物及びその無水物、並びにトリアゾール化合物からなる群から選ばれる少なくとも１種の防食剤を残部として含有することを特徴とするレジスト用剥離液組成物。
　【請求項２】フッ化水素酸及びフッ化アンモニウム０．５〜４０重量％、水溶性有機溶媒６０〜９０重量％、及び芳香族ヒドロキシ化合物、アセチレンアルコール、カルボキシル基含有有機化合物及びその無水物、並びにトリアゾール化合物からなる群から選ばれる少なくとも１種の防食剤を残部として含有することを特徴とするレジスト用剥離液組成物。
　【請求項３】水溶性有機溶媒がジメチルスルホキシド、Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ、Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、１、３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、ジエチレングリコールモノブチルエーテルからなる群から選ばれる少なくとも１種であることを特徴とする請求項１又は２記載のレジスト用剥離液組成物。」
　
［対比・判断］
（１）先願１に対して
　本件請求項１ないし５に係る発明と、先願１の請求項１ないし８に係る発明とを対比すると、本件請求項１ないし５に係る発明は、いずれも、「フッ化物成分が、フッ化水素酸と金属を含まない塩基とから得たｐＨ５〜８のほぼ中性の塩と、フッ化水素酸とから構成され」ものであるのに対し、先願１の請求項１ないし８に係る発明は、「フッ化物成分がフッ化水素酸と金属を含まない塩基とから得たｐＨ５〜８のほぼ中性の塩」であり、他にフッ化水素酸を含有しない点で相違する。
　そして、先願１の請求項１ないし８に係る発明においては、フッ化物成分として、ｐＨ５〜８のほぼ中性の塩のみを含有させることにより腐蝕を防止しようとするものであるのに対し、本件請求項１ないし７に係る発明は、フッ化物成分として、ｐＨ５〜８のほぼ中性の塩の他にフッ化水素酸を含有させ、しかもレジスト用剥離液組成物のｐＨ値をｐＨ値が５〜８に維持することで腐蝕を防止するとともに、剥離性を向上させようとするものである。
　したがって、本件請求項１ないし５に係る発明は、先願１の請求項１ないし８に係る発明と同一であるとすることはできない。　
　
　なお、本件に係る出願は、特許法第４４条第２項の規定に基づき、原出願の出願日である、平成８年６月２１日に出願されたものとみなす。
　一方、先願１は、特許法第４１条の規定に基づく優先権主張を伴うものであり、各請求項に係る発明は、優先権主張の基礎となる先の出願（特願平７−３１７０３５号）の明細書に実質的に記載されているので、特許法第３９条の規定の適用については、特許法第４１条第２項の規定により、先の出願の出願日である平成７年１１月１３日に出願されたものとみなす。
　したがって、両者は、同日に出願されたものとして扱うことはできないから、特許法第３９条第２項の規定に違反する旨の株式会社トクヤマの主張は採用できない。
　
（２）先願２に対して
　本件請求項１ないし５に係る発明と、先願２の請求項１ないし３に係る発明とを対比すると、本件請求項１ないし５に係る発明は、いずれも、「防食剤を含有せず」、「レジスト用剥離液組成物のｐＨ値が５〜８に維持されている」ものであるのに対し、先願２の請求項１ないし３に係る発明は、レジスト用剥離液組成物のｐＨ値が限定されていない点、及び、芳香族ヒドロキシ化合物、アセチレンアルコール、カルボキシル基含有有機化合物及びその無水物、並びにトリアゾール化合物からなる群から選ばれる少なくとも１種の防食剤を含有する点で相違する。
　そして、先願２の請求項１ないし３に係る発明においては、フッ化物成分による腐蝕を防食剤により防止しようとするものであるのに対し、本件請求項１ないし５に係る発明は、防食剤を含有することなく、レジスト用剥離液組成物のｐＨ値をｐＨ値が５〜８に維持することで腐蝕を防止しようとするものである。
　したがって、本件請求項１ないし５に係る発明は、先願２の請求項１ないし３に係る発明と同一であるとすることはできない。　
　
５　特許法第２９条第１項又は第２項について
［刊行物１ないし８、及び、異議申立人株式会社トクヤマの提出した甲第４号証の記載事項］
　刊行物１（特開昭５３−４４４９１号公報）には、フォトレジストを除去する剥離剤として有用である有機剥離用組成物に関する発明が記載され（２頁左下欄１３行〜右下欄２行）、該有機剥離用組成物は、特定の有機スルホン酸（Ｒ−ＳＯ３Ｈ）と有機溶剤よりなる有機剥離用組成物に、ふつ化物イオンが配合されること（特許請求の範囲第１項）、ふつ化物イオンは、ふつ化水素酸、ふつ化アンモニウム、二ふつ化アンモニウム・・・からなるふつ化含有化合物の添加により組成物に導入されること（特許請求の範囲第３項）が記載されている。
　刊行物２（特開平６−２０２３４５号公報）には、ストリッピング溶媒、親核アミン、非窒素含有弱酸を含有するアルカリ含有フォトレジストストリッピング組成物に関して記載され（【請求項１】）、非窒素含有弱酸の例として、弗化水素酸等が挙げられ（【請求項３】、段落【００１０】）、該ストリッパー組成物の水性すすぎｐＨ約ｐＨ９.６〜１０.９を生じること（段落【００１０】）が記載されている。
　刊行物３（特開平６−６１６１５号公報）には、電子デバイスの製造方法に関して記載され、その製造過程では、フォトレジストコーティングをフッ素含有有機酸と腐食防止剤とアミド溶剤とからなる混合物に浸漬することにより除去すること（【請求項１】）が記載されている。
  刊行物４（特開平５−２５９０６６号公報）には、エッチング工程で使用し得るポジ型フォトレジスト用剥離液に関して記載され、該剥離液は芳香環式フェノール化合物と芳香環式カルボン酸化合物より選ばれる化合物と有機アミン含有の水溶液とからなること（【請求項１】〜【請求項３】）が記載されている。
　刊行物５（特開昭６４−８８５４８号公報）には、モノエタノールアミン、特定のグリコールモノアルキルエーテル及び水からなる、或いはさらにブチンジオールを含む、フォトレジスト膜を基体から剥離するための水性剥離剤組成物が記載されている（請求項１、２）。
　刊行物６（特開平５−２８１７５３号公報）には、特定のアルカノールアミン化合物、スルホン化合物又はスルホキシド化合物、及び特定のヒドロキシ化合物からなるポジ型フォトレジスト膜等を容易に剥離することができる剥離剤組成物が記載されている。
　刊行物７（特開昭５５−２２９７号公報）には、特定の有機スルホン酸（Ｒ−ＳＯ３Ｈ）、有機溶媒、フッ化物を含む有機剥離剤組成物に関して記載され（請求項１）、フッ化物はＨＦ及びアンモニウムビフルオライドのような無機塩の形で添加され得るが、該フッ化物は、通常、酸性剥離剤組成物中でＨＦに転換すると思われること（４頁右下欄１７〜５頁左上欄１行）が記載されている。
　刊行物８（特開平７−２７１０５６号公報）には、特定の有機カルボン酸アンモニウム塩又は有機カルボン酸アミン塩、及び、フッ素化合物並びにアミド類、有機溶媒の１種以上を含有する水溶液からなるフォトレジスト用剥離液が記載され（【請求項２】）、特定の有機カルボン酸アンモニウム塩又は有機カルボン酸アミン塩が少ないと配線体材質の腐蝕が激しくなることが記載されている（段落【００１３】）。 
　異議申立人株式会社トクヤマの提出した甲第４号証（特開平５−３１５３３１号公報、以下、「刊行物９」という。）には、基板上に銅配線パターンを形成した後、その銅配線パターンをベンゾトリアゾールを含有する水溶液により洗浄する工程を含む半導体装置の製造方法（請求項４）が記載され、ＢＴＡにより銅配線の腐食が抑制できる（段落【００１７】）ことが記載されている。
　
［対比・判断］
　本件請求項１ないし５に係る発明と刊行物１ないし９に記載された発明を対比すると、本件請求項１ないし５に係る発明は、いずれも、防食剤を含有せず、レジスト用剥離液組成物のｐＨ値が５〜８にあるものであるのに対し、刊行物１ないし９に記載された発明はこのような構成を備えていない点で相違する。
　すなわち、刊行物１ないし３、７、８には、フッ化物成分を含むレジスト用剥離液組成物が記載されているが、いずれも、腐蝕防止のための有機化合物を含有させるものである。また、刊行物４ないし６には、腐蝕防止のための有機化合物を含有するレジスト用剥離液組成物が記載されてるにすぎず、フッ化物成分を含有させることは記載も示唆もない。
　そして、本件請求項１ないし５に係る発明は、フッ化物成分として、ｐＨ５〜８のほぼ中性の塩の他にフッ化水素酸を含有させ、しかもレジスト用剥離液組成物のｐＨ値をｐＨ値が５〜８に維持することで、防食剤を含有せずに腐蝕を防止するとともに、剥離性を向上させようとするものである。
　したがって、本件請求項１ないし５に係る発明は、刊行物１ないし９に記載された発明であるとも、刊行物１ないし９に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることもできない。
　なお、異議申立人が提出した各参考資料によっても、上記判断は左右されない。
　
ＩＶ　むすび 
　以上のとおりであるので、異議申立の理由及び証拠、取消理由通知の理由によっては、本件の請求項１ないし５に係る発明の特許を取り消すことができない 。
　また、他に本件の請求項１ないし５に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１６年４月６日（２００４．４．６）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
レジスト用剥離液組成物
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　
レジスト変質膜の剥離が可能なレジスト用剥離液組成物であって、
　
フッ化物成分と、水溶性有機溶媒と、水とを含有するとともに、防食剤を含有せず、
　
前記フッ化物成分が、フッ化水素酸と金属を含まない塩基とから得たｐＨ５〜８のほぼ中性の塩と、フッ化水素酸とから構成され、
　
該レジスト用剥離液組成物のｐＨ値
　【請求項２】　
前記塩が、フッ化水素酸と、ヒドロキシルアミン類、第１級、第２級または第３級の脂肪族アミン、脂環式アミン、芳香族アミン、複素環式アミン、アンモニア水及び低級アルキル第４級アンモニウム塩基から選ばれる少なくとも１種との塩であることを特徴とする請求項１記載の
　【請求項３】　
前記塩がフッ化アンモニウムであることを特徴とする請求項２記載の
　【請求項４】　
前記水溶性有機溶媒が、ジメチルスルホキシド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、エチレングリコール及びジエチレングリコールモノブチルエーテルから選ばれる少なくとも１種であることを特徴とする請求項１に
　【請求項５】　
前記水溶性有機溶媒が少なくとも１０重量％のエチレングリコールを含む水溶性有機溶媒であることを特徴とする請求項４に
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】
　本発明は、レジスト用剥離液組成物、さらに詳しくは、ＩＣやＬＳＩ等の半導体素子或いは液晶パネル素子の製造に好適に使用される、低温（室温）での剥離性が高く、導電性金属膜を腐食することが少ない上に、安全性が高く、取り扱いが容易なレジスト用剥離液組成物に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　ＩＣやＬＳＩ等の半導体素子や液晶パネル素子は、基板上に形成されたアルミニウム、銅、アルミニウム合金等の導電性金属膜やＳｉＯ２膜等の絶縁膜上にホトレジストを均一に塗布し、それを露光又は電子線により描画したのち、現像してレジストパターンを形成し、このパターンをマスクとして前記導電性金属膜や絶縁膜を選択的にエッチングし、微細回路を形成したのち、不要のレジスト層を剥離液で除去して製造されている。
　【０００３】
　上記レジストを除去する剥離液として、従来、アルキルベンゼンスルホン酸を必須成分とした有機スルホン酸系剥離液やモノエタノールアミン等の有機アミンを必須成分とした有機アミン系剥離液が使用されてきたが、有機スルホン酸系剥離液は、毒性が高いフェノール化合物やクロロベンゼン等の有機溶剤が併用されるところから作業性が悪く、また環境問題が発生する上に、基板の導電性金属膜等が腐食され易いという欠点を有していた。これに対し、有機アミン系剥離液は有機スルホン酸系剥離液に比べ毒性が低く、廃液処理に煩雑な処理が必要でなく、またドライエチング、アッシング、イオン注入などの処理で形成される変質膜の剥離性が良い上に、ＡｌやＣｕなどを含む基板の腐食防止効果が優れているところから今日広く使用されている。
　【０００４】
　【発明が解決しようとする課題】
　しかしながら、近年、半導体素子や液晶パネル素子の製造工程において採られるドライエッチング、アッシング、イオン注入等の処理条件が厳しくなり、処理後のレジスト膜等は有機膜から無機的性質を有する膜に変質するようになった。そのため有機アミン系剥離液で処理しても、変質膜を十分に剥離できない上に、有機アミン系剥離液処理は、処理温度が６０〜１３０℃と比較的高温のため、剥離液中の可燃性有機化合物が揮発し、それに引火するという危険性がある。そのため前記剥離処理は引火防止設備の中で行われるのが一般的であり、設備に多額の費用を要するばかりでなく、処理時間がかかるため高スループット（単位時間当たりのウェーハ処理枚数）の要求される半導体素子や液晶パネル素子の剥離液としては満足のいくものではなくなってきている。そのため低温（室温）での剥離処理が可能な剥離液が特開昭６４−８８５４８号公報、特開平５−２５９０６６号公報等で提案された。しかし、前記公報記載の剥離液はいずれも有機アミンと水を含むため、剥離性が十分でない上に、基板に対する腐食も大きいという欠点を有していた。
　【０００５】
　こうした現状に鑑み、本発明者等は、上記欠点のないレジスト用剥離液組成物として特願平７−３２８１７号でフッ化アンモニウムを含んでもよいフッ化水素酸、いわゆるバッファードフッ酸、水溶性有機溶媒及び防食剤を含有するレジスト用剥離液組成物を提案した。しかし、前記レジスト用剥離液組成物は酸性であるところから剥離槽と剥離液が入ったコンテナを結ぶ薬液供給装置等の周辺装置を腐食し易く、さらに煩雑な排気処理、廃液処理が必要であるなどの問題点があった。
　【０００６】
　そこで、本発明者等は、上記問題点のないレジスト用剥離液組成物を開発すべく鋭意研究を重ねた結果、
フッ化物成分と、水溶性有機溶媒と、水とを含有し、レジスト変質膜の剥離が可能なレジスト用剥離液組成物において、前記フッ化物成分が、フッ化水素酸と金属を含まない塩基とから得た水素イオン濃度（以下ｐＨという）が５〜８のほぼ中性の塩と、フッ化水素酸とから構成するとともに、該レジスト用剥離液組成物のｐＨ値を５〜８の範囲とする
ことを見出し
　【０００７】
　本発明は、ドライエッチング、アッシング、イオン注入等の処理で変質した膜を低温（室温）でしかも短時間で剥離でき、しかも基板上の金属薄膜や周辺装置を腐食することのないレジスト用剥離液組成物を提供することを目的とする。
　【０００８】
　また、本発明は、安全性が高く取り扱いが容易な上に、煩雑な排気処理、廃液処理を必要としないレジスト用剥離液組成物を提供することを目的とする。
　【０００９】
　【課題を解決するための手段】
　上記目的を達成する本発明は、
レジスト変質膜の剥離が可能なレジスト用剥離液組成物であって、フッ化物成分と、水溶性有機溶媒と、水とを含有するとともに、防食剤を含有せず、前記フッ化物成分が、フッ化水素酸と金属を含まない塩基とから得たｐＨ５〜８のほぼ中性の塩と、フッ化水素酸とから構成され、該レジスト用剥離液組成物のｐＨ値
ことを特徴とする
以下、前記フッ化水素酸と金属を含まない塩基との塩を（ａ）成分、さらに少量を添加するフッ化水素酸を（ｂ）成分、水溶性有機溶媒を（ｃ）成分、水を（ｄ）成分と略記することもある。
　【００１０】
　本発明のレジスト用剥離液組成物は、上述のとおり（ａ）フッ化水素酸と金属を含まない塩基との塩を含有するが、前記金属を含まない塩基とは、ヒドロキシルアミン類、第１級、第２級又は第３級の脂肪族アミン、脂環式アミン、芳香族アミン、複素環式アミンなどの有機アミン、アンモニア水又は低級アルキル第４級アンモニウム塩基のように分子中に金属を含有しない塩基をいう。前記ヒドロキシルアミン類としては、具体的にヒドロキシルアミン、Ｎ，Ｎ−ジエチルヒドロキシルアミンなどが、第１級脂肪族アミンとしては、具体的にモノエタノールアミン、エチレンジアミン、２−（２−アミノエチルアミノ）エタノールなどが、第２級脂肪族アミンとしては、具体的にジエタノールアミン、ジプロピルアミン、２−エチルアミノエタノールなどが、第３級の脂肪族アミンとしては、具体的にジメチルアミノエタノール、エチルジエタノールアミンなどが、脂環式アミンとしては、具体的にシクロヘキシルアミン、ジシクロヘキシルアミンなどが、芳香族アミンとしては、具体的にベンジルアミン、ジベンジルアミン、Ｎ−メチルベンジルアミンなどが、複素環式アミンとしては、具体的にピロール、ピロリジン、ピロリドン、ピリジン、モルホリン、ピラジン、ピペリジン、Ｎ−ヒドロキシエチルピペリジン、オキサゾール、チアゾールなどが挙げられる。さらに低級アルキル第４級アンモニウム塩基としては、具体的にテトラメチルアンモニウムヒドロキシド、トリメチル（２−ヒドロキシエチル）アンモニウムヒドロキシド（コリン）などが挙げられる。中でもアンモニア水、モノエタノールアミン、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドは入手が容易である上に安全性に優れているところから好ましい。前記金属を含まない塩基とフッ化水素酸との塩は、市販のフッ化水素５０〜６０％濃度のフッ化水素酸に金属を含まない塩基をｐＨが５〜８となるように添加することで製造できる。前記塩として市販のフッ化アンモニウムが使用できることはいうまでもない。
　【００１１】
　また、本発明のレジスト用剥離液組成物は、ｐＨが５〜８のほぼ中性である。前記ｐＨ値範囲を達成するには（ａ）成分をほぼ中性に調製すればよいが、前記ｐＨ値を維持できる範囲内でフッ化水素酸を配合することができる。ほぼ中性の（ａ）成分はフッ化水素酸に添加する金属を含まない塩基の種類により中性にするための含有量が異なるところから一義的に規定することができないが、例えば、アンモニア水の場合、等モル濃度のフッ化水素酸とアンモニア水を等容積混合すれば目的とするｐＨの（ａ）成分が調製できる。また、エタノールアミンの場合、１モル／ｌのフッ化水素酸１０００ｍｌとモノエタノールアミン１モルとを混合すれば同じように（ａ）成分が調製できる。レジスト用剥離液組成物のｐＨの範囲が前記範囲にあることにより変質膜の剥離性の低下がなく、基板の上の金属膜や薬液供給装置などの周辺装置の腐食を抑制したまま、安全に取り扱うことができ、さらに、フッ化水素が多く存在することに起因する煩雑な排気処理、廃液処理を必要としない。
　【００１２】
　本発明で使用する（ｃ）成分としては前記（ａ）成分、（ｂ）成分、（ｄ）
成分と混和性
　【００１３】
　本発明のレジスト用剥離液組成物が（ａ）成分、（ｂ）、（ｃ）成分及び（ｄ）成分を含有する場合には、（ａ）成分は０．２〜３０重量％、好ましくは０．５〜３０重量％、（ｂ）成分はレジスト用剥離液組成物のｐＨが５〜８を逸脱しない範囲、（ｃ）成分は３０〜９０重量％、好ましくは４０〜９０重量％の範囲であり、残部が（ｄ）成分である。前記範囲で含有されることにより変質膜の剥離性、室温での剥離性、及び基板の腐食防止効果が向上する。特に剥離される基板が腐食され易い金属蒸着の基板、例えばＡｌ、Ａｌ−Ｓｉ、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕなどの基板の場合には前記範囲とすることを必須とする。（ａ）成分が前記範囲より少ない場合には、変質膜の剥離性が低下し、多い場合には基板が腐食し易くなる。
　【
００１４
　本発明のレジスト用剥離液組成物は、ネガ型及びポジ型レジストを含めてアルカリ水溶液を用いて現像できるレジストに有利に使用できる。前記レジストとしては、（ｉ）ナフトキノンジアジド化合物とノボラック樹脂を含有するポジ型レジスト、（ｉｉ）露光により酸を発生する化合物、酸により分解しアルカリ水溶液に対する溶解性が増大する化合物及びアルカリ可溶性樹脂を含有するポジ型レジスト、（ｉｉｉ）露光により酸を発生する化合物、酸により分解しアルカリ水溶液に対する溶解性が増大する基を有するアルカリ可溶性樹脂を含有するポジ型レジスト、及び（ｉｖ）光により酸を発生する化合物、架橋剤及びアルカリ可溶性樹脂を含有するネガ型レジスト等が挙げられるが、これに限定されるものではない。
　【
００１５
　【発明の実施の態様】
　次に、実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの例によってなんら限定されるものではない。
　【
００１６
　【実施例】
　実施例１
　約１．０μｍのＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ膜を蒸着したシリコンウエーハ上にナフトキノンジアジド化合物とノボラック樹脂からなるポジ型ホトレジストであるＴＨＭＲ−ｉＰ３３００（東京応化工業社製）をスピンナー塗布して、９０℃で、９０秒間のプレベークを施し、膜厚２．０μｍのレジスト層を形成した。このレジスト層に縮小投影露光装置ＮＳＲ−２００５ｉ１０Ｄ（ニコン社製）を用いてマスクパターンを介してｉ線（３６５ｎｍ）を照射し、２．３８重量％のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で現像し、ホール状のレジストパターンを形成した。
　【
００１７
　次に、上記ホール状のレジストパターンを有する約１．０μｍのＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ膜の蒸着したシリコンウエーハをエッチング装置ＴＳＳ−６０００（東京応化工業社製）を用い、塩素と三塩化硼素の混合ガスをエッチャントとして、圧力５ｍｍＴｏｒｒ、ステージ温度２０℃で１６８秒間エッチング処理し、次いで、酸素とトリフルオロメタンの混合ガスを用い、圧力２０ｍｍＴｏｒｒ、ステージ温度２０℃で３０秒間アフターコロージョン処理をした。前記処理後更にアッシング装置ＴＣＡ−２４００（東京応化工業社製）で、酸素ガスを用いて圧力０．３ｍｍＴｏｒｒ、ステージ温度６０℃の条件で１５０秒間のアッシング処理を行った。
　【
００１８
　上記処理済シリコンウエーハを、エチレングリコール６８．９重量％、水３０重量％、フッ化アンモニウム１．０重量％及びフッ化水素０．１重量％からなる剥離液に２３℃で２０分間浸漬し剥離処理を行った。処理した基板を純水でリンス処理し、シリコンウェーハのアッシング残渣の剥離状態（変質膜の剥離性）、及びＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ膜の腐食状態をＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）の写真観察により評価したところ、レジスト膜は基板の金属蒸着層を腐食することなく良好に剥離されていた。なお、前記剥離液のｐＨは８．０であった。
　【
００１９
　実施例２
　実施例１において、剥離液をジメチルスルホキシド／エチレングリコール（重量比で１／１）６８．９重量％、水３０重量％、フッ化アンモニウム１．０重量％及びフッ化水素０．１重量％の剥離液とした以外、実施例１と同様な剥離処理を行った。金属蒸着膜には腐食がなくレジスト膜が良好に剥離されていた。なお、前記剥離液のｐＨは８．０であった。
　【
００２０
　実施例１において、剥離液の組成を表１に示すように代えた以外は、実施例１と同様にして変質膜の剥離性及び腐食性の評価を行った。その結果を表１に示す。表１において剥離性は、
　　○：剥離性良好、　　　　　　　　×：不完全な剥離
腐食の状態は
　　○：腐食なし、　　　　　　　　　×：腐食あり
である。
　【
００２１
　【表　１】
　　注）Ａ・ＨＦ：フッ化アンモニウム塩
　　　　ＴＭＡＨ・ＨＦ：フッ化水素酸のテトラメチルアンモニウムヒドロキド塩
　　　　ＤＭＳＯ：ジメチルスルホキシド
　　　　ＰＣ：ピロカテコール
　　　　ＮＨ４Ｆ・ＨＦ：酸性フッ化アンモニウム
　【発明の効果】
　本発明は、過酷な処理条件で変質したレジスト膜であっても低温（室温）で短時間に剥離できるとともに、腐食され易いＡｌ、Ａｌ−Ｓｉ、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ等の基板や周辺装置を腐食することがなく、しかも前記剥離液組成物は中性で取り扱いが安全であり、排気処理、廃液処理が容易に行えるレジスト用剥離液組成物である。