【事件の表示】
　特許第３２９５３１０号「回転電極を用いた高速成膜方法及びその装置」の請求項１〜４、７〜１３、１８〜２０、２９、３１、３３〜３５及び４０〜４２に係る発明の特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３２９５３１０号の請求項１〜４、７〜１３、１８〜２０、２９、３１、３３〜３５及び４０〜４２に係る発明の特許を維持する。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯
　本件特許第３２９５３１０号は、平成８年７月３１日（特許法第４１条に基づく優先権主張：特願平７−２０２２９５号、平成７年８月８日）に出願されたものであって、平成１４年４月５日にその特許の設定登録がなされたところ、その特許の一部につき宮崎厚より特許異議の申立がなされ、その後、以下の手続きを経ている。
　　取消理由通知書　　　　　　　　　　　　　平成１５年　５月　１日
　　訂正請求書　　　　　　　　　　　　　　　平成１５年　７月１１日
　　特許異議意見書　　　　　　　　　　　　　平成１５年　７月１１日
　　審尋（特許異議申立人）　　　　　　　　　平成１５年　７月２２日
　　回答書（特許異議申立人）　　　　　　　　平成１５年　９月２６日
　
II．訂正の適否
II−１．訂正事項
　平成１５年７月１１日付け訂正請求は、本件明細書を、訂正請求書に添付された全文訂正明細書に記載される次の（ａ）〜（ｌ）のとおりに訂正することを求めるものである（以下、特許時の明細書を「本件特許明細書」といい、訂正後の明細書を「本件訂正明細書」という）。
（ａ）本件特許明細書の特許請求の範囲の請求項１における、
「基板上に薄膜を形成する方法において」を、
「基板上に薄膜を形成するプラズマＣＶＤ法による成膜方法において」に訂正する。
（ｂ）本件特許明細書の特許請求の範囲の請求項１における、
「前記電極として、ドラム状の回転電極を用いることを特徴とする高速成膜方法」を、
「前記電極として、ドラム状の回転電極を用い、該回転電極の回転によって当該電極表面近傍の前記反応ガスを当該電極表面とともに移動させることにより、前記プラズマ中に前記反応ガスを供給することを特徴とする高速成膜方法」に訂正する。
（ｃ）本件特許明細書の特許請求の範囲の請求項２における、
「基板上に薄膜を形成する方法であって」を、
「基板上に薄膜を形成するプラズマＣＶＤ法による成膜方法であって」に訂正する。
（ｄ）本件特許明細書の特許請求の範囲の請求項２における、
「前記回転電極を回転させ、前記基板表面の近傍を前記電極表面が移動しながら通過することにより、前記反応ガスを前記基板表面と前記回転電極との間に供給する工程と」を、
「前記回転電極を回転させ、前記基板表面の近傍を前記電極表面が移動しながら通過することにより、前記電極表面近傍の前記反応ガスを当該電極表面とともに移動させ、前記基板表面と前記回転電極との間に前記反応ガスを供給する工程と」に訂正する。
（ｅ）本件特許明細書の特許請求の範囲の請求項１９における、
「基板上に薄膜を形成する成膜装置において」を、
「基板上に薄膜を形成するプラズマＣＶＤ法の成膜装置において」に訂正する。
（ｆ）本件特許明細書の特許請求の範囲の請求項１９における、
「前記電極として、ドラム状の回転電極が設けられている」を、
「前記電極として、該電極の回転によって当該電極表面近傍の前記反応ガスを当該電極表面とともに移動させることにより、前記プラズマ中に前記反応ガスを供給するためのドラム状の回転電極が設けられている」に訂正する。
（ｇ）本件特許明細書の特許請求の範囲の請求項２０における、
「基板上に薄膜を形成するための装置であって」を、
「基板上に薄膜を形成するプラズマＣＶＤ法の成膜装置であって」に訂正する。
（ｈ）本件特許明細書の特許請求の範囲の請求項２０における、
「前記回転電極が回転し、前記基板表面の近傍を前記電極表面が移動しながら通過することにより、前記反応ガスが前記基板表面と前記回転電極の間に供給される」を、
「前記回転電極が回転し、前記基板表面の近傍を前記電極表面が移動しながら通過することにより、前記電極表面近傍の前記反応ガスが当該電極表面とともに移動し、前記基板表面と前記回転電極の間に前記反応ガスが供給される」に訂正する。
（ｉ）本件特許明細書の段落０００５における、
「・・・基板上に薄膜を形成する方法であり、電極として、回転電極を用いることを特徴としている。」を、
「・・・基板上に薄膜を形成するプラズマＣＶＤ法による成膜方法であり、電極として、ドラム状の回転電極を用い、該回転電極の回転によって当該電極表面近傍の反応ガスを当該電極表面とともに移動させることにより、プラズマ中に反応ガスを供給することを特徴としている。」と訂正する。
（ｊ）本件特許明細書の段落０００６における、
「・・・基板上に薄膜を形成する方法であり、回転することにより・・・、基板上に薄膜を形成する工程とを備えている。」を、
「・・・基板上に薄膜を形成するプラズマＣＶＤ法による成膜方法であり、回転することにより基板表面の近傍を移動しながら通過する電極表面を有する回転電極を準備する工程と、　回転電極を回転させ基板表面の近傍を電極表面が移動しながら通過することにより、当該電極表面近傍の反応ガスを当該電極表面とともに移動させ、基板表面と回転電極との間に反応ガスを供給する工程と、回転電極に高周波電力または直流電力を印加することにより基板表面と回転電極の間にプラズマを発生させ、プラズマ中に供給された反応ガスの化学反応により、基板上に薄膜を形成する工程とを備えている。」と訂正する。
（ｋ）本件特許明細書の段落０００７における、
「・・・基板上に薄膜を形成するための装置であり、電極として、回転電極が設けられていることを特徴としている。」を、
「・・・基板上に薄膜を形成するプラズマＣＶＤ法の成膜装置であり、電極として、該電極の回転によって当該電極表面近傍の反応ガスを当該電極表面とともに移動させることにより、プラズマ中に反応ガスを供給するためのドラム状の回転電極が設けられていることを特徴としている。」と訂正する。
（ｌ）本件特許明細書の段落０００８における、
「・・・基板上に薄膜を形成するための装置であり、回転することにより・・・ことを特徴としている。」を、
「・・・基板上に薄膜を形成するプラズマＣＶＤ法の成膜装置であり、回転することにより基板表面の近傍を移動しながら通過する電極表面を有する回転電極と、回転電極を回転させるための駆動手段と、反応容器内に反応ガスを供給するための反応ガス供給手段と、回転電極に高周波電力または直流電力を印加することにより基板表面と回転電極の間にプラズマを発生させるための電源と、基板を保持する基板ホルダーとを備え、回転電極が回転し、基板表面の近傍を電極表面が移動しながら通過することにより、当該電極表面近傍の反応ガスが当該電極表面とともに移動し、基板表面と回転電極の間に反応ガスが供給されることを特徴としている。」と訂正する。
　
II−２．訂正の適否の判断
II−２−１．訂正の目的の適否
　上記訂正（ａ）は、請求項１における高速成膜方法において、その成膜法法を「プラズマＣＶＤ法」であると下位概念のものに限定するものであるので、当該訂正は特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　上記訂正（ｂ）は、請求項１における高速成膜方法において、そのドラム状の回転電極を用いる成膜方法を、「該回転電極の回転によって当該電極表面近傍の前記反応ガスを当該電極表面とともに移動させることにより、前記プラズマ中に前記反応ガスを供給する」と具体化して限定するものであるので、当該訂正は特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　上記訂正（ｃ）は、請求項２における高速成膜方法において、その成膜法法を、上記訂正（ａ）と同じように下位概念のものに限定するものであるので、当該訂正は特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　上記訂正（ｄ）は、請求項２における高速成膜方法において、その反応ガスの供給方法が、「前記反応ガスを前記基板表面と前記回転電極との間に供給する」であったものを、「前記電極表面近傍の前記反応ガスを当該電極表面とともに移動させ、前記基板表面と前記回転電極との間に前記反応ガスを供給する」と具体化して限定するものであるので、当該訂正は特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　上記訂正（ｅ）は、請求項１９における高速成膜装置において、その高速成膜装置の方式を、「プラズマＣＶＤ法」であると下位概念のものに限定するものであるので、当該訂正は特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　上記訂正（ｆ）は、請求項１９における高速成膜装置において、そのドラム状の回転電極の働きを、「該電極の回転によって当該電極表面近傍の前記反応ガスを当該電極表面とともに移動させることにより、前記プラズマ中に前記反応ガスを供給する」と具体化して限定するものであるので、当該訂正は特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　上記訂正（ｇ）は、請求項２０における高速成膜装置において、その高速成膜装置の方式を、上記訂正（ｅ）と同じように下位概念のものに限定するものであるので、当該訂正は特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　上記訂正（ｈ）は、請求項２０における高速成膜装置において、その反応ガスの供給方式を、「前記反応ガスが前記基板表面と前記回転電極の間に供給される」から「前記電極表面近傍の前記反応ガスが当該電極表面とともに移動し、前記基板表面と前記回転電極の間に前記反応ガスが供給される」と具体化して限定するものであるので、当該訂正は特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　上記訂正（ｉ）〜（ｌ）は、発明の詳細な説明の項の記載を、上記訂正（ａ）〜（ｈ）によりなされた特許請求の範囲の訂正内容に整合させるものであり、明りょうでない記載の釈明を目的とするものに該当する。
　
II−２−２．新規事項の有無
　上記訂正（ａ）、（ｃ）、（ｅ）及び（ｇ）により付加される事項は、本件特許明細書の段落０００１等に記載される事項から自明なこととして導き出せるものである。
　上記訂正（ｂ）、（ｄ）、（ｆ）及び（ｈ）により付加される事項は、本件特許明細書の段落００１２、００５７等に記載される事項から自明なこととして導き出せるものである。
　上記訂正（ｉ）〜（ｌ）は、特許請求の範囲の項の訂正に伴い発明の詳細な説明の項の記載をこれに整合させるだけのものであるから、特許請求の範囲の項の訂正と同じように、本件特許明細書に記載される事項から自明なこととして導き出せるものであることはいうまでもない。
　
II−２−３．拡張・変更の存否
　上記訂正（ａ）〜（ｌ）は、発明の目的の範囲内においてなされるものでもあり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではなく、このことは明白なことである。
　
II−２−４．訂正の適否の結論
　したがって、上記訂正請求は、特許法第１２０条の４第２項、及び同条第３項において準用する特許法第１２６条第２項及び３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
III．本件発明
　本件明細書は上記の訂正請求により訂正されたものであって、訂正後の本件請求項１〜４２に係る発明は本件訂正明細書の特許請求の範囲に記載されるとおりのものであり、そして、その独立形式で記載される請求項である請求項１、２、１９及び２０には次のとおりのことが記載される。
（以下、訂正後の請求項１〜４、７〜１３、１８〜２０、２９、３１、３３〜３５及び４０〜４２に係る発明を、必要に応じて、それぞれ、「本件発明１〜４、７〜１３、１８〜２０、２９、３１、３３〜３５及び４０〜４２」という）
【請求項１】電極に高周波電力または直流電力を印加することによりプラズマを発生させ、該プラズマ中に反応ガスを供給して化学反応により基板上に薄膜を形成するプラズマＣＶＤ法による成膜方法において、
　前記電極として、ドラム状の回転電極を用い、該回転電極の回転によって当該電極表面近傍の前記反応ガスを当該電極表面とともに移動させることにより、前記プラズマ中に前記反応ガスを供給することを特徴とする高速成膜方法。
【請求項２】反応容器内でプラズマ中に反応ガスを供給して化学反応により基板上に薄膜を形成するプラズマＣＶＤ法による成膜方法であって、
　回転することにより前記基板表面の近傍を移動しながら通過する電極表面を有するドラム状の回転電極を準備する工程と、
　前記回転電極を回転させ、前記基板表面の近傍を前記電極表面が移動しながら通過することにより、前記電極表面近傍の前記反応ガスを当該電極表面とともに移動させ、前記基板表面と前記回転電極との間に前記反応ガスを供給する工程と、
　前記回転電極に高周波電力または直流電力を印加することにより、前記基板表面と前記回転電極の間にプラズマを発生させ、前記プラズマ中に供給された前記反応ガスの化学反応により、前記基板上に前記薄膜を形成する工程とを備える高速成膜方法。
【請求項１９】電極に高周波電力または直流電力を印加することによりプラズマを発生させ、該プラズマ中に反応ガスを供給して化学反応により基板上に薄膜を形成するプラズマＣＶＤ法の成膜装置において、
　前記電極として、該電極の回転によって当該電極表面近傍の前記反応ガスを当該電極表面とともに移動させることにより、前記プラズマ中に前記反応ガスを供給するためのドラム状の回転電極が設けられていることを特徴とする高速成膜装置。
【請求項２０】反応容器内でプラズマ中に反応ガスを供給して化学反応により基板上に薄膜を形成するプラズマＣＶＤ法の成膜装置であって、
　回転することにより前記基板表面の近傍を移動しながら通過する電極表面を有するドラム状の回転電極と、
　前記回転電極を回転させるための駆動手段と、
　前記反応容器内に前記反応ガスを供給するための反応ガス供給手段と、
　前記基板表面と前記回転電極の間にプラズマを発生させるため前記回転電極に高周波電力または直流電力を印加するための電源と、
　前記基板を保持する基板ホルダーとを備え、
　前記回転電極が回転し、前記基板表面の近傍を前記電極表面が移動しながら通過することにより、前記電極表面近傍の前記反応ガスが当該電極表面とともに移動し、前記基板表面と前記回転電極の間に前記反応ガスが供給される高速成膜装置。
　
IV．特許異議申立の概要
　特許異議申立人は、次の甲第１〜４号証を提示して、本件特許明細書に記載される本件請求項１〜４、７〜１３、１８〜２０、２９、３１、３３〜３５及び４０〜４２に係る発明は、甲第１号証、甲第２号証又は甲第３号証に記載された発明と同一であり、また、甲第１〜４号証に記載された発明に基づいて容易に発明をすることができたものであって、特許法第２９条第１項第３号、同法第２９条第２項又は同法第２９条の２の規定に違反して特許されたものである。したがって、これらの特許は取り消されるべきものである旨、主張する。
甲第１号証：特開平６−１５８３１２号公報
甲第２号証：特願平６−４６４４６号（特開平７−２２８９６５号）の願
　　　　　　書に最初に添付した明細書又は図面に代える特開平７−２２
　　　　　　８９６５号公報、又は、特開平７−２２８９６５号公報
甲第３号証：森勇蔵他６名「回転電極を用いた高圧力プラズマＣＶＤによ
　　　　　　るＳｉ薄膜の高速成膜に関する研究（第１報）−成膜装置の
　　　　　　試作とその成膜特性−」、１９９６年度精密工学会春季大会
　　　　　　学術講演会講演論文集、第１分冊、社団法人精密工学会、平
　　　　　　成８年３月５日、第３５９及び３６０頁
甲第４号証：特開平５−１３１１３２号公報
　
V．甲号各証の記載
V−１．甲第１号証（特開平６−１５８３１２号公報）には、以下のことが記載されている。
（Ａ−１）「【請求項１】真空チャンバ内で基板上に酸化金属化合物の薄い皮膜を形成する方法において、
１つ以上の第１マグネトロンを設ける工程を有し、各第１マグネトロンは、その外面上に金属スパッタリング材料を備えており、
各マグネトロンからスパッタリングされた材料が前記基板上に蒸着されるように、前記１つ以上の第１マグネトロンに対向して前記基板を配置する工程と、
不活性ガスを前記真空チャンバ内に流入させ且つ前記１つ以上の第１マグネトロンの近くで排出させる工程と、
１つ以上の第２マグネトロンを設ける工程とを有し、各第２マグネトロンは、
その外面上に金属スパッタリング材料を備えた回転可能な円筒マグネトロンからなり、
酸素ガスを前記真空チャンバ内に流入させ且つ前記１つ以上の第２マグネトロンの近くで排出させ、酸素の流量を、前記１つ以上の第１マグネトロンが実質的に金属モードでスパッタリングできるようにする有効流量に維持する工程と、
前記１つ以上の第１マグネトロンに電位差を与えてスパッタリングを生じさせる工程と、
前記１つ以上の第２マグネトロンに電位差を与える工程とを更に有していることを特徴とする、真空チャンバ内で基板上に酸化金属化合物の薄い皮膜を形成する方法。」（特許請求の範囲第１項）
（Ａ−２）「【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、酸化金属皮膜を高速で蒸着する技術を提供することにある。本発明の他の目的は、大形基板を収容できるように容易にスケールアップできるリアクティブマグネトロンスパッタリング装置を提供することにある。・・・」（段落０００４）
（Ａ−３）「【実施例】図１には本発明の装置の一実施例が示されており、該実施例は、改良形ILS−1600スパッタリング装置と、C−MAG(登録商標) デュアル回転円筒マグネトロンと、HRC−373 平マグネトロンとを有しており、・・・。ILS−1600スパッタリング装置は、真空チャンバ１００と、スパッタリング中に蒸着ゾーンを横切って基板を移動させるための、真空チャンバ１００の底部近くに配置されたローラ１１１を備えたコンベア装置１１０とを有している。基板は、金属、ガラス及び幾つかのプラスチック等のような任意の真空相容性材料で作ることができる。円筒ターゲット１３０（Ｃ１)、１３１（Ｃ２)の各々は、真空チャンバ１００内に水平に取り付けられた細長い円筒チタン管からなる。チタン管の下部内には細長い磁石組立体１８が支持されており、該磁石組立体１８はチタン管と一緒に回転しないように拘束されている。チタン以外の材料をスパッタリングするときには、例えば黄銅又はステンレス鋼等の適当な非磁性材料で形成され且つ特定の作業を行うのに必要な直径、壁厚及び長さをもつ支持管を用いる必要がある。管の外面には、スパッタリングすべきターゲット材料からなる層が取り付けられる。・・・」（段落０００６）
（Ａ−４）「・・・この構造では、平マグネトロン１４０からスパッタリングされるチタンの大部分は、円筒マグネトロンの表面上に直接蒸着されるか、両円筒カソード間のギャップを横切って基板上に蒸着されるであろう。バッフルの上方で平マグネトロンターゲットの一方の側には不活性ガス出口１６０が配置されている。不活性ガスはアルゴンが好ましい。コンベア手段とデュアル円筒ターゲットとの間の領域近くには、反応ガス（酸素）出口１７０、１７１が配置されている。各反応ガス出口は、ライン１７２を介して酸素源（図示せず）に連結されている。また、チャンバ内への酸素の流量を調節するための慣用的手段（エレメント１７５として概略的に示されている）が設けられている。このような手段は、流量計、弁装置及び流量コントローラで構成できる。或る方法では、リアクティブスパッタリングを更に向上させるため、不活性ガスが酸素と混合される。」（段落０００７）
（Ａ−５）「・・・２つの円筒ターゲットＣ１ 、Ｃ２ は僅かに異なる寸法を有しているので、互いに同一の蒸着速度を達成するため、これらのターゲットにはそれぞれ２５０Ｗ、３００Ｗの電力が供給される。平ターゲットに供給される電力は６００Ｗである。各蒸着について、アルゴンの流量は４５ｓｃｃｍ、真空チャンバの全圧力は約２〜４ｍＴｏｏｒであった。・・・」（段落０００８）
（Ａ−６）「・・・円筒マグネトロンの近くの領域に存在する酸素プラズマが、基板上に蒸着されたチタンと反応して基板上にＴｉＯ２を形成する酸素種を形成すると考えられる。・・・」（段落０００９）
　
V−２．甲第２号証（特開平７−２２８９６５号公報）には、以下のことが記載されている。
（Ｂ−１）「【請求項１】高周波電界が印加される第１の電極と、接地された第２の電極を対向して配置し、高周波電界の印加により、該第１および第２の電極間でプラズマを生成し、該プラズマ中に導入した原料ガスを活性化せしめて被膜を形成する被膜形成装置において、前記第１の電極と第２の電極の間隔は６ｍｍ以下であり、かつ、前記電極間の圧力は１５Ｔｏｒｒから１００Ｔｏｒｒの間であることを特徴とする被膜形成装置。」（特許請求の範囲第１項）
（Ｂ−２）「【請求項２】第１の電極に対向して、接地された円筒形状の第２の電極を有し、該第２の電極の一部に、被膜が形成されるべき基体であるフィルムが巻き付けられ、前記円筒形状の第２の電極が回転することにより、前記フィルムが前記第１および第２の電極の間を通過する機構を有し、前記第一の電極に高周波の電界を印加して前記第一及び第二の電極間の空間をプラズマ化せしめて、該プラズマ中に導入した原料ガスを活性化せしめて被膜を形成する被膜形成装置において、前記第１の電極の周端部が絶縁体で覆われ、前記第１の電極および第２の電極と絶縁体により実質的に閉空間が構成され、該閉空間には前記第１の電極に設けられた細孔を介してガスが供給され、前記閉空間内にプラズマが閉じ込められて外部に漏れにくくなっている構造を有し、かつ、前記第１の電極と第２の電極の間隔は６ｍｍ以下であり、かつ、前記閉空間内の圧力は１５Ｔｏｒｒから１００Ｔｏｒｒの間であることを特徴とする被膜形成装置。」（特許請求の範囲第２項）
（Ｂ−３）「本発明の別の目的は、磁性層作製プロセスと同時に保護膜である硬質炭素膜を形成できる程度の、高速成膜が可能な装置を提供することである。さらに、本発明の目的は、高速成膜を達成することによる新たな問題である、電極の汚れに起因するフレークの発生を抑制できる装置を提供することを目的とする。」（段落０００９及び００１０）
（Ｂ−４）「〔実施例４〕本実施例は、図４の４１で示される部分を図８で示される構成とした例である。図８において、８１はフィルム状の基体である。このようなフィルム状基体としては、磁気記憶媒体のテープを挙げることができる。８２は、カソード電極であり、高周波電源８７にマッチングボックス８６を介して接続されている。８５はアノード電極を構成する円筒形状電極であり、接地されている。このアノード電極８５とカソード電極８２との間におけるプラズマ反応空間８９において高周波放電が行われる。またアノード電極８２は回転し、フィルム状基体８１がスムーズに移動するように構成されている。８３は絶縁体である。８４は、ガス導入管であり、原料ガスや希釈ガス、さらには添加ガスは、このガス導入管８４を通ってプラズマ放電空間８９に導かれる。これらのガスは、ガス導入管８４からアノード電極８２に設けられた細孔８８に導かれ、プラズマ反応空間に噴出する。
　〈　中　略　〉
　反応圧力　６０Ｔｏｒｒ　
　投入電力　３００Ｗ（５Ｗ／ｃｍ２）（１３．５６ＭＨｚ）
　原料ガス　Ｃ２Ｈ４：Ｈ２：Ａｒ＝１：１：２（計１０００ｓｃｃｍ）
　添加ガス　Ｃ２Ｆ６（Ｃ２Ｈ４に対して１０％添加）
　〈　中　略　〉
そして、フィルム状の基体８１の表面に３００Åの厚さに硬質炭素被膜を成膜することができる。」（段落００８９〜００９３）
　
V−２．甲第３号証（「回転電極を用いた高圧力プラズマＣＶＤによるＳｉ薄膜の高速成膜に関する研究（第１報）−成膜装置の試作とその成膜特性−」）には、以下のことが記載されている。
（Ｃ−１）「１．緒言
　〈　中　略　〉
　そこで、大気圧・高周波グローブ放電プラズマを、高速回転する電極と基板間に発生させ、高密度に生成されたラジカルを利用する高速成膜法を提案する。その特徴は以下のように要約される。（１）高密度ラジカルの利用による高速成膜。（２）回転電極の冷却効果から大電力投入が可能。（３）低温プロセス。（４）荷電粒子による損傷が小さく、高品質の膜形成が可能。（５）反応ガスの高速かつ均一な供給が可能であり、膜の均質性が高い。（６）回転電極と基板間ギャップ（１ｍｍ以下）の制御による、反応ガス利用効率の向上と、空間での微粒子発生の抑止。（７）真空装置が不要。」旨（第３５９頁左欄第１〜２６行）
（Ｃ−２）「２．回転電極型プラズマＣＶＤ装置
　図１に今回設計・試作した回転電極型高圧力プラズマＣＶＤ装置の概略を、図２に電極部写真を示す。
　〈　中　略　〉
基板はＸステージに設置されている試料台上に固定し、ドラム電極との間に成膜ギャップを形成する。成膜ギャップは、Ｚステージを上下させることにより１μｍオーダで制御可能である。・・・Ｘステージで試料台を前後方向に移動させることにより、移動距離に応じた面積の薄膜が形成される。」（第３５９頁右欄第１行〜第３６０頁左欄第１７行）
（Ｃ−３）「３．成膜条件および成膜方法
　Ｓｉ薄膜の作製は以下の手順で行った。
　洗浄を終え乾燥した基板を試料台にセットし、成膜ギャップを設定した後ドライ真空ポンプによりチャンバー内を十分に排気した。Ｈｅと水素をあらかじめ定めた混合比となるように・・・チャンバー内に供給し、雰囲気圧力を大気圧とした。この状態で、電極を回転させてガスを回収・循環させながら成膜ギャップにプラズマを発生させ、電極表面および基板表面のクリーニングを行った。その後、プラズマをいったん消して、ＳｉＨ４をチャンバー内に一定量導入して、再度プラズマを発生させ成膜を行った。成膜速度については、膜厚および成膜時間から算出した。
　成膜条件を表１に示す。」（第３６０頁左欄第２８〜末行）
　
V−３．甲第４号証（特開平５−１３１１３２号公報）には、「表面処理方法及びその装置」に関し、以下のことが記載されている。
（Ｄ−１）「大気圧グロープラズマの形成に使用する電極は、交流放電の場合、電極のうちの片方又は両方を絶縁体で被覆すると、安定した大気圧グロープラズマを容易に得ることができるので、電極を絶縁体で被覆することが推奨される。・・・」（段落００１７）
（Ｄ−２）「・・・一つは金属製の筒状電極の内周面に絶縁体を薄く（厚さ０．０１μｍ〜１０ｍｍ）コーティングしたり、かぶせたり、または、ポリエステル，雲母シート，ポリイミド，フッ素樹脂，セラミック，ガラス等の絶縁体フィルムを巻き付けたりする方法であり、・・・」（段落００１８）
　
VI．当審の判断
　本件出願は、前記したとおり、特許法第４１条の規定に基づく優先権の主張を伴うものであり、そして、本件発明１、２、１９及び２０の特定事項は、当該優先権主張の基礎とされた先の出願の願書に最初に添付された明細書又は図面中に、実質上、全て、記載されるものである。
　したがって、独立形式で記載される本件発明１、２、１９及び２０（この項では、適宜、「独立形式で記載された発明」という）についての特許法第２９条及び第２９条の２の規定の適用については、先の出願の時（平成７年８月８日）に特許出願されたものとみなされる。
　また、本件発明１、２、１９又は２０を引用する本件発明３、４、７〜１３、１８、２９、３１、３３〜３５及び４０〜４２は、本件発明１、２、１９及び２０の特定事項を含むものである。そして、これら引用形式で表現される本件発明３、４、７〜１３、１８、２９、３１、３３〜３５及び４０〜４２についての第２９条及び第２９条の２の規定の適用については、少なくとも、そこに含まれる当該特定事項の部分に限っては、同じく、先の出願の時（平成７年８月８日）に特許出願されたものとみなされることになる。
VI−１．特許法第２９条第１項第３号及び同法第２９条第２項の規定に違反しているか否かについて
　上記したとおり、本件発明１、２、１９及び２０についての特許法第２９条の規定の適用については、先の出願の時（平成７年８月８日）に特許出願されたものとみなされる結果、先の出願の出願（平成７年８月８日）後に頒布されたところの甲第２及び３号証は、本件発明１、２、１９及び２０に対して、特許法第２９条第１項第３号及び同法第２９条第２項に規定される出願前に頒布された刊行物とはなり得ない。
　また、本件発明３、４、７〜１３、１８、２９、３１、３３〜３５及び４０〜４２が引用することにより具備する本件発明１、２、１９又は２０の特定事項部分の判断については、甲第２及び３号証は、同じく、特許法第２９条第１項第３号及び同法第２９条第２項に規定される出願前に頒布された刊行物とはなり得ない。
VI−１−１．本件発明１
　甲第１号証には、その前記（Ａ−１）〜（Ａ−３）、（Ａ−５）及び（Ａ−６）により、「プラズマを発生させ、該プラズマ中に酸素ガスを供給して化学反応により基板上に酸化金属化合物の皮膜を形成するリアクティブマグネトロンスパッタリング方法（及び装置）において、電力が供給される回転可能な円筒マグネトロンを用いる、酸化金属化合物の皮膜を高速で形成するリアクティブマグネトロンスパッタリング方法（及び装置）」に関する発明が記載されている。
　そこで、本件発明１と甲第１号証に記載の発明とを対比する。
　甲第１号証の発明の円筒マグネトロンは、円筒状の形状を有するのでドラム状であるということができ、そして、それは、回転可能で電極の役割を担うものであるから、本件発明１の「ドラム状の回転電極」に相当する。また、甲第１号証の発明の酸素ガス及び皮膜は本件発明１の「反応ガス」及び「薄膜」にそれぞれ相当する。更に、甲第１号証の発明のプラズマは電極に電力を印加した結果生ずるものであり、このことは明らかなことである。しかし、甲第１号証の発明は、前記（Ａ−５）により、そのスパッタリング雰囲気（真空チャンバの全圧力）が、約２〜４ｍＴｏｏｒと極めて低いものであり、したがって、そこでの円筒マグネトロンが回転しても、酸素ガスが、当該円筒マグネトロンと共に移動し、プラズマ中に供給されることにはならないものである。
　したがって、両者は、「電極に電力を印加することによりプラズマを発生させ、該プラズマ中に反応ガスを供給して化学反応により基板上に薄膜を形成する成膜方法において、前記電極として、ドラム状の回転電極を用いる高速成膜方法」である点で共通し、以下の点で、相違する。
【相違点１】印加する電力につき、本件発明１では、「高周波電力または直流電力」であるとするのに対し、甲第１号証に記載の発明ではそのことが明示されない点
【相違点２】成膜方法につき、本件発明１では、「プラズマＣＶＤ法」であるとするのに対し、甲第１号証に記載の発明ではプラズマを形成するものの、それはスパッタリング方法に関するものであって、本件発明１のようにＣＶＤ法に該当するものではなく、当該特定事項を具備しない点
【相違点３】反応ガスの挙動につき、本件発明１では、「該回転電極の回転によって当該電極表面近傍の前記反応ガスを当該電極表面とともに移動させることにより、前記プラズマ中に前記反応ガスを供給する」というのに対し、甲第１号証に記載の発明では、そこでの反応ガスである酸素ガスがマグネトロンと共に移動するものではなく、当該特定事項を具備しない点
　以下、上記相違点２及び３につき検討する。
【相違点２について】
　甲第１号証に記載の発明では、スパッタリング法により皮膜を形成するものであるものの、ＣＶＤ法につき説明するものは何もない。
　そして、スパッタリング法は、ターゲット金属材料を加熱又はイオン衝撃することによりその金属原子を雰囲気中に飛散させこれを必要に応じて反応させて基体上に付着させるものであって、気体分子をグロー放電中で分解し基体上に堆積させるプラズマＣＶＤ法とはその付着機構が基本的に異なるものである。
　してみれば、甲第１号証に記載のスパッタリング法に関する発明を、プラズマＣＶＤ法に変えてみることは、当業者といえども容易に想到することはできない。
　次に、その他の甲号証の記載をみる。
　甲第４号証には、大気圧グロープラズマ用の電極を絶縁体で被覆することが記載されているだけであり、当該相違点につき教示するものは何もない。
　してみれば、甲第１号証に記載の発明に対して甲第４号証に記載のものを併せてみても、甲第１号証に記載の発明を当該相違点２の特定事項のようにすることが容易に導き出すことはできない。
【相違点３について】
　甲第１号証の発明は、前記したとおり、そのスパッタリング雰囲気（真空チャンバの全圧力）が、約２〜４ｍＴｏｏｒと極めて低いものであり、したがって、そこでの円筒マグネトロンが回転しても、酸素ガスが、当該円筒マグネトロンと共に移動し、プラズマ中に供給されることにはならないものである。
　また、甲第４号証には、大気圧グロープラズマの電極を絶縁体で被覆することが記載されているだけであり、当該相違点につき教示するものは何もない。
　してみれば、スパッタリング法に関する甲第１号証に記載の発明に対して、甲第４号証に記載のものを併せてみても、甲第１号証に記載の発明を当該相違点３の特定事項のようにすることが容易に導き出すことはできない。
　そして、本件訂正明細書の記載（特に、段落０００４の記載、実施例１〜９と比較例の記載）によれば、本件発明１は、上記相違点２及び３に関する特定事項を具備することによって、そのプラズマＣＶＤ法による成膜方法において、均質な薄膜を、高速でかつ大きな面積で形成することができたという有用な効果を奏したものである。
　したがって、その他の相違点について検討するまでもなく、本件発明１は、甲第１号証に記載された発明であるということはできず、また、甲第１及び４号証に記載される発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるということができない。
VI−１−２．本件発明２、１９及び２０
　本件発明２、１９及び２０（この項では、適宜、「前者」という）と甲第１号証に記載の発明（この項では、適宜、「後者」という）とを対比すると、前者は、その成膜方法又は成膜装置が、「プラズマＣＶＤ法」（本件発明２、１９及び２０）を具備し、かつ、「回転電極を回転させ、基板表面の近傍を電極表面が移動しながら通過することにより、電極表面近傍の反応ガスを当該電極表面とともに移動させ、前記基板表面と前記回転電極との間に前記反応ガスを供給する」（本件発明２）、「電極の回転によって電極表面近傍の反応ガスを当該電極表面とともに移動させることにより、前記プラズマ中に前記反応ガスを供給する」（本件発明１９）、又は、「回転電極が回転し、基板表面の近傍を電極表面が移動しながら通過することにより、前記電極表面近傍の反応ガスが当該電極表面とともに移動し、基板表面と前記回転電極の間に前記反応ガスが供給される」（本件発明２０）との特定事項を具備するものであるのに対して、後者は、前記IV−１−１．で説示したように、かかる特定事項を具備しないものであり、少なくとも、これらの点で、両者は相違する。
　また、甲第４号証には、大気圧グロープラズマの電極を絶縁体で被覆することが記載されているだけであり、上記相違点につき教示するものは何もなく、このことは、前記したとおりである。
　そして、本件訂正明細書の記載によれば、前者は、上記相違点に関する特定事項を具備することにより、その成膜方法又は成膜装置において、均質な薄膜を、高速でかつ大きな面積で形成することができたという有用な効果を奏したものである。
　したがって、本件発明２、１９及び２０は、甲第１号証に記載された発明であるということはできず、また、甲第１及び４号証に記載される発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるということができない。
VI−１−３．本件発明３、４、７〜１３、１８、２９、３１、３３〜３５及び４０〜４２
　本件発明３、４、７〜１３、１８、２９、３１、３３〜３５及び４０〜４２は、上記本件発明１、２、１９又は２０を引用するものであって、本件発明１、２、１９又は２０の特定事項を全て具備するものである。
　この場合、本件発明３、４、７〜１３、１８、２９、３１、３３〜３５及び４０〜４２が引用する本件発明１、２、１９又は２０の特定事項部分の判断については、甲第２及び３号証は、特許法第２９条第１項第３号及び同法第２９条第２項に規定される出願前に頒布された刊行物とはなり得ないものであり、このことは、前記したとおりである。
　そして、上記本件発明１、２、１９及び２０は、甲第１号証に記載された発明であるということはできず、また、甲第１及び４号証に記載される発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるということができないことは、上記VI−１−１．又はVI−１−２．で説示したとおりである。
　してみれば、本件発明３、４、７〜１３、１８、２９、３１、３３〜３５及び４０〜４２は、上記本件発明１、２、１９又は２０の特定事項を具備する点で、甲第１号証に記載された発明であるということはできず、また、甲第１及び４号証に記載される発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるということができない。
　
VI−２．特許法第２９条の２の規定に違反しているか否かについて
　上記したとおり、本件発明１、２、１９及び２０についての特許法第２９条の２の規定の適用については、先の出願の出願日（平成７年８月８日）に特許出願されたものとみなされる結果、特願平６−４６４４６号（特開平７−２２８９６５号）の願書に最初に添付した明細書又は図面に代える甲第２号証は、先の出願日（平成７年８月８日）前に出願され先の出願後に出願公開されたものに該当する。
　また、本件発明３、４、７〜１３、１８、２９、３１、３３〜３５及び４０〜４２が引用することにより具備する本件発明１、２、１９又は２０の特定事項部分の判断については、当該甲第２号証は、同じく、先の出願日（平成７年８月８日）前に出願され先の出願後に出願公開されたものに該当する。
VI−２−１．本件発明１
　甲第２号証には、その前記（Ｂ−１）〜（Ｂ−４）により、「電極に高周波電力を印加することによりプラズマを発生させ、該プラズマ中に原料ガスを供給して化学反応によりフィルム上に被膜を形成するプラズマＣＶＤ法による被膜形成方法（及び被膜形成装置）において、前記電極として円筒形状の回転する電極を用いる高速被膜方法（及び高速被膜装置）」に関する発明が記載されている。
　そこで、本件発明１と甲第２号証に記載の発明とを対比する。
　　甲第２号証に記載の電極は、円筒状の形状を有するのでドラム状であるということができ、そして、それは、回転可能であるから、本件発明１の「ドラム状の回転電極」に相当する。また、甲第２号証の発明の被膜及びフィルムは本件発明１の「薄膜」及び「基板」にそれぞれ相当する。しかし、甲第２号証の発明は、前記（Ｂ−２）及び（Ｂ−４）により、回転する円筒形状の電極にフィルムが巻き付けられた状態で回転するものであるので、反応ガスが、その電極の回転により当該電極と共に移動し、プラズマ中に供給されることにはならない。
　したがって、両者は、「電極に高周波電力を印加することによりプラズマを発生させ、該プラズマ中に反応ガスを供給して化学反応により基板上に薄膜を形成するプラズマＣＶＤ法による成膜方法において、
　前記電極として、ドラム状の回転電極を用いる、高速成膜方法」である点で共通し、一方、当該高速成膜方法につき、本件発明１では、「該回転電極の回転によって当該電極表面近傍の前記反応ガスを当該電極表面とともに移動させることにより、前記プラズマ中に前記反応ガスを供給する」というのに対し、甲第２号証に記載の発明では、円筒形状の電極が回転することにより反応ガスが移動せず、したがって、当該特定事項を具備しない点で、両者は相違する。
　そして、本件訂正明細書の記載によれば、本件発明１は、上記相違点に関する特定事項を具備することにより、その余の特定事項と相俟って、その成膜方法において、均質な薄膜を、高速でかつ大きな面積で形成することができたという有用な効果を奏したものである。
　してみれば、本件発明１は、上記相違点に関する特定事項を具備する点で、甲第２号証に記載の発明に対して別異の発明を構成することとなる。
　したがって、本件発明１は、甲第２号証に記載された発明であるということはできず、その特許は特許法第２９条の２の規定に違反してなされたものであるとはいえない。
VI−２−２．本件発明２、１９及び２０
　本件発明２、１９及び２０と甲第２号証に記載の発明とを対比すると、本件発明２、１９及び２０は、「回転電極を回転させ、基板表面の近傍を電極表面が移動しながら通過することにより、電極表面近傍の反応ガスを当該電極表面とともに移動させ、前記基板表面と前記回転電極との間に前記反応ガスを供給する」（本件発明２）、「電極の回転によって電極表面近傍の反応ガスを当該電極表面とともに移動させることにより、前記プラズマ中に前記反応ガスを供給する」（本件発明１９）又は「回転電極が回転し、基板表面の近傍を電極表面が移動しながら通過することにより、前記電極表面近傍の反応ガスが当該電極表面とともに移動し、基板表面と前記回転電極の間に前記反応ガスが供給される」（本件発明２０）との特定事項を具備するものであるのに対して、甲第２号証に記載の発明は、円筒形状の電極の回転に伴って反応ガスが移動せず、かかる特定事項を具備しないものであり、少なくとも、これらの点で、両者は相違する。
　そして、本件訂正明細書の記載によれば、本件発明２、１９及び２０は、上記相違点に関する特定事項を具備することにより、その余の特定事項と相俟って、その成膜方法又は成膜装置において、均質な薄膜を、高速でかつ大きな面積で形成することができたという有用な効果を奏したものである。
　してみれば、本件発明２、１９及び２０は、上記相違点に関する特定事項を具備する点で、甲第２号証に記載の発明に対して別異の発明を構成することとなる。
　したがって、本件発明２、１９及び２０は、甲第２号証に記載された発明であるということはできず、それらの特許は特許法第２９条の２の規定に違反してなされたものであるとはいえない。　
VI−２−３．本件発明３、４、７〜１３、１８、２９、３１、３３〜３５及び４０〜４２
　本件発明３、４、７〜１３、１８、２９、３１、３３〜３５及び４０〜４２は、上記本件発明１、２、１９又は２０を引用するものであって、本件発明１、２、１９又は２０の特定事項を全て具備するものである。
　そして、上記本件発明１、２、１９及び２０は、甲第２号証に記載された発明であるということはできず、このことは、上記VI−２−１．又はVI−２−２．で説示したとおりである。
　してみれば、本件発明３、４、７〜１３、１８、２９、３１、３３〜３５及び４０〜４２は、同様な理由により、甲第２号証に記載された発明であるということはできず、それらの特許は特許法第２９条の２の規定に違反してなされたものであるとはいえない。
　
VII．まとめ
　特許異議申立の理由及び証拠によっては、訂正後の本件請求項１〜４、７〜１３、１８〜２０、２９、３１、３３〜３５及び４０〜４２に係る発明の特許を取り消すことができない。
　また、他に訂正後の本件請求項１〜４、７〜１３、１８〜２０、２９、３１、３３〜３５及び４０〜４２に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１５年１２月１０日（２００３．１２．１０）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
回転電極を用いた高速成膜方法及びその装置
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　電極に高周波電力または直流電力を印加することによりプラズマを発生させ、該プラズマ中に反応ガスを供給して化学反応により基板上に薄膜を形成する
プラズマＣＶＤ法による成膜方法
　前記電極として、ドラム状の回転電極を用い
、該回転電極の回転によって当該電極表面近傍の前記反応ガスを当該電極表面とともに移動させることにより、前記プラズマ中に前記反応ガスを供給する
　【請求項２】　反応容器内でプラズマ中に反応ガスを供給して化学反応により基板上に薄膜を形成する
プラズマＣＶＤ法による成膜方法
　回転することにより前記基板表面の近傍を移動しながら通過する電極表面を有するドラム状の回転電極を準備する工程と、
　前記回転電極を回転させ、前記基板表面の近傍を前記電極表面が移動しながら通過することにより、
前記電極表面近傍の
当該電極表面とともに移動させ、
前記反応ガスを
　前記回転電極に高周波電力または直流電力を印加することにより、前記基板表面と前記回転電極の間にプラズマを発生させ、前記プラズマ中に供給された前記反応ガスの化学反応により、前記基板上に前記薄膜を形成する工程とを備える高速成膜方法。
　【請求項３】　前記基板に対して相対的にプラズマ発生領域を移動させながら薄膜を形成することを特徴とする請求項１または２に記載の高速成膜方法。
　【請求項４】　前記プラズマ発生領域の移動が、前記回転電極全体の移動、あるいは前記基板の移動、もしくは回転電極全体と基板の双方の移動によりなされる請求項３に記載の高速成膜方法。
　【請求項５】　前記回転電極の表面にスパイラル状の凸部が形成されており、前記プラズマ発生領域の移動が、前記回転電極の回転により前記基板表面に対し接近している前記回転電極表面の凸部が移動することによりなされる請求項３または４に記載の高速成膜方法。
　【請求項６】　前記プラズマ発生領域の移動が、前記回転電極の回転とともに、前記基板の移動もしくは回転電極全体と基板の双方の移動によりなされる請求項５に記載の高速成膜方法。
　【請求項７】　前記回転電極の電極表面の周速度が１０ｍ／秒〜音速である請求項１〜６のいずれか１項に記載の高速成膜方法。
　【請求項８】　反応容器内の全圧が１Ｔｏｒｒ以上である請求項１〜７のいずれか１項に記載の高速成膜方法。
　【請求項９】　前記反応容器内に、前記反応ガス以外に不活性ガスが含有されている請求項１〜８のいずれか１項に記載の高速成膜方法。
　【請求項１０】　前記不活性ガスが、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、及びＸｅからなるグループより選ばれる少なくとも１種のガスである請求項９に記載の高速成膜方法。
　【請求項１１】　前記反応ガスの分圧が０．０１Ｔｏｒｒ以上である請求項９または１０に記載の高速成膜方法。
　【請求項１２】　前記反応容器内に水素ガスが含有されている請求項１〜１１のいずれか１項に記載の高速成膜方法。
　【請求項１３】　前記水素ガスの分圧が１Ｔｏｒｒ以上である請求項１２に記載の高速成膜方法。
　【請求項１４】　前記高周波電力がパルス状に印加される請求項１〜１３のいずれか１項に記載の高速成膜方法。
　【請求項１５】　前記パルス状に印加される前記高周波電力のデューティ比が１／１００以上である請求項１４に記載の高速成膜方法。
　【請求項１６】　前記パルス状に印加される前記高周波電力の変調周波数が１００ｋＨｚ以上である請求項１４または１５に記載の高速成膜方法。
　【請求項１７】　前記電極表面と前記基板表面との間のギャップが０．０１〜１ｍｍである請求項１〜１６のいずれか１項に記載の高速成膜方法。
　【請求項１８】　前記基板の温度が室温〜５００℃の範囲内である請求項１〜１７のいずれか１項に記載の高速成膜方法。
　【請求項１９】　電極に高周波電力または直流電力を印加することによりプラズマを発生させ、該プラズマ中に反応ガスを供給して化学反応により基板上に薄膜を形成する
プラズマＣＶＤ法の
　前記電極として、
該電極の回転によって当該電極表面近傍の前記反応ガスを当該電極表面とともに移動させることにより、前記プラズマ中に前記反応ガスを供給するための
　【請求項２０】　反応容器内でプラズマ中に反応ガスを供給して化学反応により基板上に薄膜を形成する
プラズマＣＶＤ法の成膜
　回転することにより前記基板表面の近傍を移動しながら通過する電極表面を有するドラム状の回転電極と、
　前記回転電極を回転させるための駆動手段と、
　前記反応容器内に前記反応ガスを供給するための反応ガス供給手段と、
　前記基板表面と前記回転電極の間にプラズマを発生させるため前記回転電極に高周波電力または直流電力を印加するための電源と、
　前記基板を保持する基板ホルダーとを備え、
　前記回転電極が回転し、前記基板表面の近傍を前記電極表面が移動しながら通過することにより、
前記電極表面近傍の
当該電極表面とともに移動し、
前記反応ガスが
　【請求項２１】　前記回転電極の表面に凹凸が形成されている請求項１９または２０に記載の高速成膜装置。
　【請求項２２】　前記回転電極の回転軸の方向に沿ってストライプ状の凸部または凹部が前記回転電極表面に形成されている請求項２１に記載の高速成膜装置。
　【請求項２３】　凸部または凹部が回転方向に沿って連続するように前記回転電極表面に形成されている請求項２１または２２に記載の高速成膜装置。
　【請求項２４】　前記回転電極表面に絶縁性領域と導電性領域が形成されており、これによってプラズマが発生する電極領域が電極表面上で限定して設けられている請求項１９〜２３のいずれか１項に記載の高速成膜装置。
　【請求項２５】　前記導電性領域が前記回転電極の回転軸の方向に沿ってストライプ状に形成されている請求項２４に記載の高速成膜装置。
　【請求項２６】　前記導電性領域が回転方向に沿って連続するように形成されている請求項２４に記載の高速成膜装置。
　【請求項２７】　電極に高周波電力または直流電力を印加することによりプラズマを発生させ、該プラズマ中に反応ガスを供給して化学反応により基板上に薄膜を形成する成膜装置において、
　前記電極として、複数の円板を回転軸の方向に互いに平行になるように並べて構成されている回転電極が設けられていることを特徴とする高速成膜装置。
　【請求項２８】　電極に高周波電力または直流電力を印加することによりプラズマを発生させ、該プラズマ中に反応ガスを供給して化学反応により基板上に薄膜を形成する成膜装置において、
　前記電極として、プラズマ発生の電極部となる導電性の線材を回転体の周面部に設けた回転電極が設けられていることを特徴とする高速成膜装置。
　【請求項２９】　前記回転電極が、前記基板に対して相対的に移動しながら、前記基板上の薄膜形成が行われるように設けられている請求項１９〜２８のいずれか１項に記載の高速成膜装置。
　【請求項３０】　前記回転電極との間で発生するプラズマを制御するため前記基板の前記回転電極と反対側に設けられるライン状の接地電極またはライン状の磁石をさらに備える請求項１９〜２９のいずれか１項に記載の高速成膜装置。
　【請求項３１】　前記回転電極を前記基板に対して相対的に移動させるための基板ホルダー移動手段をさらに備える請求項２０〜３０のいずれか１項に記載の高速成膜装置。
　【請求項３２】　前記基板ホルダーが前記基板を加熱するためのヒーターを備えている請求項２０〜３１のいずれか１項に記載の高速成膜装置。
　【請求項３３】　前記回転電極の表面全体が絶縁膜により被覆されている請求項１９〜３２のいずれか１項に記載の高速成膜装置。
　【請求項３４】　前記絶縁膜がセラミックスまたは硬質炭素から形成されている請求項３３に記載の高速成膜装置。
　【請求項３５】　前記絶縁膜の厚みが１μｍ〜１ｍｍである請求項３３または３４に記載の高速成膜装置。
　【請求項３６】　前記反応容器内のガスを循環させ、前記ガス内の微粒子を回収して前記ガスから除去するため、前記反応容器に接続されるガス循環系をさらに備える請求項１９〜３５のいずれか１項に記載の高速成膜装置。
　【請求項３７】　前記ガス循環系に前記ガスを導くため、前記反応容器内に設けられるダクトをさらに備える請求項３６に記載の高速成膜装置。
　【請求項３８】　前記ガスから微粒子を除去するため、前記ガス循環系内に設けられる粉末除去フィルタをさらに備える請求項３６または３７に記載の高速成膜装置。
　【請求項３９】　前記ガス循環系が、１〜１００ｍ３／分のガス循環流量のガス循環系である請求項３６〜３８のいずれか１項に記載の高速成膜装置。
　【請求項４０】　前記反応ガスの濃度を測定するための手段をさらに備える請求項１９〜３９のいずれか１項に記載の高速成膜装置。
　【請求項４１】　前記回転電極の表面の温度を測定するための手段をさらに備える請求項１９〜４０のいずれか１項に記載の高速成膜装置。
　【請求項４２】　前記回転電極と前記基板表面の間のギャップを測定するための手段をさらに備える請求項１９〜４１のいずれか１項に記載の高速成膜装置。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の属する技術分野】
　本発明は、プラズマＣＶＤ法による成膜方法及びその装置に関するものである。
　【０００２】
　【従来の技術】
　アモルファスシリコン等の薄膜を比較的高い圧力下でプラズマＣＶＤ法により形成するためのプラズマＣＶＤ装置としては、反応容器内に平行平板型電極を設置した装置が知られている。このような装置においては、一方の電極に高周波電力または直流電力を印加し、他方の電極を接地し、これらの電極間でプラズマを発生させている。このようにして発生したプラズマ中に反応ガスを供給し、反応ガスを化学反応で分解することにより、基板の上に所望の薄膜を形成させている。
　【０００３】
　【発明が解決しようとする課題】
　このようなプラズマＣＶＤ法において、均質な薄膜を形成するためには、プラズマ空間に均一にかつ効率よく反応ガスを供給することが必要となる。しかしながら、基板上に大面積の薄膜を形成する場合、広い領域にわたって反応ガスを均一に効率よく供給することは困難であった。特に、高い圧力下で薄膜を形成する場合、反応ガス濃度が高くなるので、プラズマ空間に対する反応ガスの供給が不均一になると、均質な薄膜を形成することができなくなる。
　【０００４】
　本発明の目的は、均質な薄膜を、高速でかつ大きな面積で形成することができる高速成膜方法及びその装置を提供することにある。
　【０００５】
　【課題を解決するための手段】
　本発明の高速成膜方法は、電極に高周波電力または直流電力を印加することによりプラズマを発生させ、該プラズマ中に反応ガスを供給して化学反応により基板上に薄膜を形成する
プラズマＣＶＤ法による成膜
ドラム状の
、該回転電極の回転によって当該電極表面近傍の反応ガスを当該電極表面とともに移動させることにより、プラズマ中に反応ガスを供給す
　【０００６】
　本発明に従う成膜方法は、さらに具体的には、反応容器内でプラズマ中に反応ガスを供給して化学反応により基板上に薄膜を形成する
プラズマＣＶＤ法による成膜
、当該電極表面近傍の反応ガスを当該電極表面とともに移動させ、
反応ガスを
　【０００７】
　本発明の成膜装置は、電極に高周波電力または直流電力を印加することによりプラズマを発生させ、該プラズマ中に反応ガスを供給して化学反応により基板上に薄膜を形成する
プラズマＣＶＤ法の成膜
該電極の回転によって当該電極表面近傍の反応ガスを当該電極表面とともに移動させることにより、プラズマ中に反応ガスを供給するためのドラム状の
　【０００８】
　本発明に従う成膜装置は、さらに具体的には、反応容器内でプラズマ中に反応ガスを供給して化学反応により基板上に薄膜を形成する
プラズマＣＶＤ法の成膜
、当該電極表面近傍の
当該電極表面とともに移動し、
反応ガスが
　【０００９】
　本発明において、回転電極は、その電極表面が基板表面に対し略平行となるように設けられていることが好ましい。本発明に従う好ましい局面においては、電極としてドラム状電極が設けられる。また本発明において、回転電極は回転中心となる１つの軸を中心にして回転する電極であることが好ましい。以下、この回転中心となる軸を回転軸という。
　【００１０】
　本発明に従えば、以下の（１）〜（３）の効果を得ることができる。
　（１）プラズマ空間に対して反応ガスを速い速度でかつ均一に供給することができるので、成膜速度及び膜の均質性を大幅に向上することができる。
　【００１１】
　（２）回転電極の回転によりプラズマ空間に反応ガスを効率よく供給することができるので、電極と基板間のギャップを近づけても反応ガスをギャップ間に供給することができ、反応ガスの利用効率を大幅に向上させることができる。
　【００１２】
　（３）電極表面を十分に冷却することができるので、従来よりも大きな電力を投入することができ、成膜速度を大幅に向上することができる。
上記（１）についてさらに詳細に説明する。反応ガスは、流体力学上、粘性を有する物質である。従って、静置した表面の上にガスを流す場合、表面の上のガスの移動速度は０である。従って、従来の固定された基板及び電極のギャップ間にガスを流す場合、それらの表面上のガスは移動しない状態となっている。つまり、基板及び電極はガスの流れに対する障害物となる。本発明に従えば、電極自体が回転するため、電極表面上のガスは、電極表面の移動速度と同じ速度で移動している。従って、電極は障害物どころか反応ガスをプラズマ空間内に供給する原動力となる。従って、電極の回転によって、常に反応ガスをプラズマ空間内に供給することができる。また電極の回転によって反応ガスの流れを制御することにより、均一な反応ガスの流れを形成することができ、均質な薄膜を作製することができる。従って、本発明によれば、反応ガスを容易にプラズマ空間内に供給することができ、成膜のための反応ガス中の原子や分子（反応種）を大量にかつ均一に供給することが可能になる。
　【００１３】
　上記（２）についてさらに詳細に説明する。上述のように、本発明に従えば、プラズマ空間内に効率よく反応ガスを供給することができる。従って、回転電極表面と基板間のギャップの距離を近づけても、有効に反応ガスをこれらのギャップ間に供給することができる。従って、基板表面と電極表面のギャップを、ガスの平均自由行程からみたプラズマの発生可能なギャップに近づけることができ、比較的高い圧力の条件下においても、反応ガス中の反応種の使用効率を高め、反応ガスの利用効率を大幅に向上させることができる。従って、回転電極表面の位置及び基板表面とのギャップを高精度に制御し、比較的高い圧力条件下で高速度の成膜を行うことができる。
　【００１４】
　上記（３）についてさらに詳細に説明する。成膜速度を高めるためには、反応ガスを十分に供給するとともに、十分な電力を電極に供給する必要がある。従来、大電力を投入すると、電極が過剰に加熱され、電極を損傷するおそれがあった。本発明に従えば、電極として回転電極を用いているので、プラズマ空間内でプラズマにさらされている電極部分は、電極表面全体の一部であり、プラズマ領域から離れた大部分の電極表面は冷却された状態となる。従って、大電力を投入しても、電極が過剰に加熱されることがないので、大電力を投入し、高速成膜を行うことが可能になる。
　【００１５】
　本発明においては、電極表面に凹凸を形成することができる。このような電極表面の凹凸の形成により、さらに効率よくプラズマ空間に対し反応ガスを供給することができる。
　【００１６】
　このような電極表面の凹凸は、例えば、回転軸の方向に沿ってストライプ状に凸部または凹部を電極表面に形成することにより設けることができる。また回転軸の方向に沿ってストライプ状に凸部または凹部を形成することにより、断続的にプラズマを発生することが可能になる。すなわち、基板に対し凸部が接近したときにのみプラズマを発生させ、凹部が接近したときにプラズマの発生を断つようにすることができる。このような断続的なプラズマ放電により、成膜速度を制御し均質な薄膜を形成することが可能になる。
　【００１７】
　また、本発明においては、凸部または凹部を、電極の回転方向に沿って連続するように電極表面に形成してもよい。このような電極は、例えば、複数の円板を回転軸の方向に互いに平行になるように並べて構成される電極である。また、ドラム状電極の電極表面に周方向にループ状に延びる凸部や、溝などの凹部を形成してもよい。このような電極にすることにより、凸部や、凹部間の突出部が設けられた部分で優先的にプラズマが放電され、所定の部分で薄膜の厚みを厚くするように制御することができる。従って、薄膜を優先的に形成したい領域にこのような凸部を形成し、膜厚を制御してパターンを形成することができる。
　【００１８】
　また、本発明においては、電極表面に絶縁性領域と導電性領域を形成し、これによってプラズマが発生する電極領域を電極表面上に限定して設けることができる。絶縁性領域は、例えば、電極表面に溝または孔を形成し、このような溝または孔に絶縁材料を埋め込むことにより形成することができる。このような導電性領域及び絶縁性領域のパターンは、種々のパターンを採用することができる。例えば、導電性領域を回転軸の方向に沿ってストライプ状に形成することができる。このような電極は、例えば、回転軸方向に沿うストライプ状の溝を電極表面に形成し、このような溝に絶縁材料を埋め込むことにより、その他の領域をストライプ状の導電性領域として形成することができる。このような電極を用いることにより、上述のストライプ状凸部または凹部の場合と同様に断続的なプラズマ発生を実現することができる。
　【００１９】
　また導電性領域及び絶縁性領域を回転方向に沿って連続するように形成することもできる。このような電極は、例えば、電極表面に回転方向に沿うループ状の溝を形成し、この溝に絶縁材料を埋め込むことにより形成することができる。これにより、上述の凸部または凹部を回転方向に沿って連続して形成した電極と同様に、導電性領域に対応する基板上に優先的に薄膜を形成することができる。
　【００２０】
　また本発明においては、回転電極の周面部に導電性の線材を張りつけ、このような導電性の線材をプラズマ発生の印加電極部としてもよい。このような線材は、例えば、回転電極の周面部において網目状に形成される。
　【００２１】
　本発明において、大きな面積の薄膜を形成する場合には、電極を基板上で相対的に移動させ、プラズマ発生領域を基板上で移動させながら薄膜を形成する。電極を基板に対して移動させてもよいし、基板を電極に対して移動させてもよい。さらには電極と基板をともに移動させてもよい。
　【００２２】
　このように電極を基板に対して相対的に移動させる場合には、電極との間でプラズマを発生させるための接地電極をライン状の電極として設け、このライン状の接地電極を回転電極の移動とともに移動させることができる。接地電極をライン状の電極とすることにより、プラズマを集中させて形成することができ、プラズマ空間が広がることによる問題、例えば、薄膜が大きな粒子として堆積されるなどの問題を解消することができる。
　【００２３】
　またプラズマを集中させるため、別の手段として、基板の下側に磁石を設置してもよい。このような磁石としては、ライン状の接地電極と同様に、ライン状の磁石を設け、必要に応じてこの磁石を回転電極の移動とともに移動させることができる。
　【００２４】
　本発明においては、電極として、回転電極を用いている。従って、電極の回転とともに、電極表面の反応ガスがプラズマ発生領域に供給され、反応ガスの供給効率が向上する。このため、均質な薄膜をより速い速度で形成することができる。
　【００２５】
　また電極表面に凸部または導電性領域を形成することにより、断続的なプラズマ発生を行うことができる。従って、反応ガス分解生成物の気相中での凝集を抑制し、より均質な薄膜形成が可能となる。
　【００２６】
　上述のように本発明は、反応ガスをより均一にプラズマ空間に供給することができる方法である。従って、特に高い圧力下で薄膜を形成する場合に有用である。例えば、雰囲気圧力、すなわち反応容器内の全圧が１Ｔｏｒｒ以上の条件下で特に有用である。反応ガスの分圧としては、０．０１Ｔｏｒｒ以上の条件が好ましい。反応容器内の全圧は、より好ましくは１００Ｔｏｒｒ〜１ａｔｍであり、さらに好ましくは約１ａｔｍである。反応ガスの分圧は、より好ましくは０．１〜５０Ｔｏｒｒであり、さらに好ましくは５〜５０Ｔｏｒｒである。
　【００２７】
　反応容器内には反応ガス以外に不活性ガスを含有させることができる。このような不活性ガスとしては、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、及びＸｅなどが挙げられる。
　【００２８】
　反応容器内には、さらに水素ガスを含有させることができる。水素ガスの分圧としては、１Ｔｏｒｒ以上が好ましく、より好ましくは１〜５０Ｔｏｒｒである。反応容器内に水素ガスを添加することにより、反応ガスの分解により生じる微粒子の生成を減少させることができる。水素ガスを添加することにより微粒子の生成が減少する詳細な理由については明らかでないが、以下のように推測される。
　【００２９】
　第１には、添加した水素ガスがプラズマ内で分解することにより、原子状水素が生成し、この原子状水素が、シランガス（ＳｉＨ４）などの反応ガスからの分解生成物、例えばＳｉＨｎ（ｎ＝１〜３）と反応することにより、分解生成物同士の凝集が妨げられるものと考えられる。
　【００３０】
　第２には、水素ガスを添加することにより、投入電力の一部が水素の分解等に消費されるため、シランガスなどの反応ガスの分解に利用される電力は実質的に減少し、その結果シランガスなどの反応ガスの分解量が減少するものと思われる。
　以上の理由により、反応ガス分解物の凝集が減り、微粉末の発生が減少するものと推測される。
　【００３１】
　電極表面の周速度としては、１０ｍ／秒以上、音速以下が好ましい。周速度がこの範囲よりも小さいと、プラズマ空間に対する反応ガスの供給が不十分となる場合がある。また周速度が音速以上になると、音速を超えることによる衝撃波等の問題が生じる。電極表面の周速度として、より好ましくは、５０ｍ／秒〜音速であり、さらに好ましくは５０〜２００ｍ／秒である。
　【００３２】
　回転電極と基板との間の距離は、反応ガスの平均自由行程程度が好ましい。従って、シランガス等を反応ガスとして用いる場合には、電極と基板との間の距離は、０．０１〜１ｍｍ程度が好ましい。電極と基板との間の距離は、より好ましくは０．０１〜０．３ｍｍであり、さらに好ましくは０．０５〜０．３ｍｍである。
　【００３３】
　本発明において、回転電極に高周波電力を印加する場合、パルス状に印加することが好ましい。高周波電力をパルス状に印加することにより、安定したプラズマを広範囲に維持することができる。さらには、反応ガス分解により微粒子の発生を抑制し、膜質を向上させることができる。パルス状に印加する高周波電力のデューティ比としては、１／１００以上が好ましい。またパルス状に変調する変調周波数としては、１００ｋＨｚ以上が好ましい。
　【００３４】
　また、本発明において回転電極に高周波電力を印加する場合の高周波電力の周波数としては、１３．５６ＭＨｚ以上が好ましく、さらに好ましくは１５０ＭＨｚ以上である。
　【００３５】
　また、本発明おいて高周波電力の投入電力密度としては、１０Ｗ／ｃｍ２以上が好ましく、より好ましくは１０〜１００Ｗ／ｃｍ２であり、さらに好ましくは３０〜１００Ｗ／ｃｍ２である。
　【００３６】
　本発明おいて薄膜形成の際の基板温度としては、室温〜５００℃が好ましく、より好ましくは室温〜３００℃である。
　本発明の成膜装置においては、回転電極の表面全体が絶縁膜により被覆されていることが好ましい。回転電極の表面全体を絶縁膜で被覆することにより、基板が金属等の導電性材料であっても、安定してプラズマを広範囲に発生し維持することができる。絶縁膜の材質としては、絶縁性のセラミックスまたはダイヤモンド及びダイヤモンド状炭素被膜などの硬質炭素被膜が好ましい。絶縁性のセラミックスとしては、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＺｒＯ２、Ｙ２Ｏ３、ＣａＯ、ＭｇＯ、ＢａＯなどの酸化物、ＣａＦ２、ＭｇＦ２などのフッ化物、ＣａＴｉＯ３、ＢａＴｉＯ３などのその他の化合物、並びにＳｉの炭化物及び窒化物などが好ましい。
　【００３７】
　絶縁膜の厚みとしては、１μｍ〜１ｍｍが好ましい。絶縁膜の厚みが薄すぎると絶縁膜に破壊が生じ、絶縁膜による被覆の効果が得られない場合があり、絶縁膜が厚すぎると、安定したプラズマを発生することができない場合がある。
　【００３８】
　本発明に従う好ましい局面の成膜装置は、さらに、反応容器内のガスを循環させ、ガス内の微粒子を回収してガスから除去するためのガス循環系が反応容器に接続されている。このようなガス循環系を備えることにより、反応容器内のガス中の微粒子を減少させることができ、より良好な膜を形成させることができる。
　【００３９】
　ガス循環系において微粒子を除去する手段としては、粉末除去フィルタを挙げることができる。粉末除去フィルタは、例えば、アニオン交換繊維やカチオン交換繊維などのアクリル繊維をフィルタ状に成型したものが用いられる。
　【００４０】
　また、ガス循環系に送られる反応容器内のガスは、反応容器内に設けたダクトからガス循環系に送ることができる。このようなダクトは、回転電極と基板の間に存在する微粒子を除くため、回転電極と基板の間に吸引口を位置させるように設けられることが好ましい。また、このようなダクトの材質としては、高周波誘電損失の少ない材質が好ましく、例えばテフロン、アルミナ等を用いることが好ましい。
　【００４１】
　ダクトの吸引口における吸引速度としては、電極表面の周速度と同じ速度以上であることが好ましく、より好ましくは電極表面の周速度の２倍以上であり、さらに好ましくは電極表面の周速度の１０倍以上である。
　【００４２】
　また循環系におけるガスの流量は、好ましくは１〜１００ｍ３／分である。
　また本発明の成膜装置においては、反応容器内の反応ガスの濃度を測定するための手段が設けられていることが好ましい。このような濃度センサーは、反応容器内に設けられていてもよいし、上述のガス循環系に設けられていてもよい。このような濃度センサーとしては、例えば、ＦＴＩＲ（フーリエ変換赤外吸収スペクトル）を測定するセンサーなどが挙げられる。
　【００４３】
　上記のような反応ガスの濃度測定に応じて、反応ガスを供給する手段をさらに設け、反応容器内の反応ガスの濃度を一定に保持することができる。
　また本発明の成膜装置においては、反応ガスの温度を測定する手段及び回転電極の表面の温度を測定する手段などが設けられることが好ましい。回転電極の表面の温度を測定するセンサーとしては、例えば赤外放射温度計等が挙げられる。このような回転電極の表面の温度を制御する方法としては、センサーで測定した測定結果に応じて、ガス循環系に設置した熱交換機により循環ガスを冷却し、冷却した循環ガスを反応容器内に導入することによって、回転電極の表面温度を制御する方法が挙げられる。
　【００４４】
　また本発明の成膜装置においては、回転電極と基板表面の間のギャップを測定する手段が設けられていることが好ましい。このようなギャップの測定装置としては、例えばレーザー光量モニター等が挙げられる。具体的には、回転電極と基板表面の間のギャップに、側面からレーザーを照射し、対向する側に設置したセンサーで光量を検出し、この光量変化からギャップ間の距離を測定するセンサーが挙げられる。このようなセンサーの測定結果に応じて、例えば基板ホルダーを上下動することにより回転電極と基板表面の間のギャップを制御することができる。
　【００４５】
　本発明の薄膜形成方法に従えば、電極の回転とともに、反応ガスをプラズマ空間に供給することができ、プラズマ空間に対するガス供給の効率を向上させることができる。従って、より均質な薄膜を形成することができる。
　【００４６】
　また、電極の凸部または導電性領域等の電極領域が周期的に基板に近づくように電極を回転運動させる場合には、所定の周期で断続的にプラズマを発生させることができる。
　【００４７】
　本発明において、回転する電極の位置を基板に対して移動させない場合には、回転軸に平行なライン状に薄膜を形成することができる。また基板に対し電極を移動させ、プラズマ発生領域を基板に対して移動させる場合には、ライン状の薄膜形成領域を移動させながら薄膜を形成することとなり、大きな面積の薄膜を形成することができる。
　【００４８】
　本発明に従い形成することが可能な薄膜としては、例えば、Ｓｉ、Ｃ（ダイヤモンドを含む）、ＳｉＣ、ＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４、Ａｌ２Ｏ３、ＡｌＮなどを挙げることができる。またこれらの薄膜を形成するための反応ガスとしては、ＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６、ＴＥＯＳ（Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）４）等のＳｉを含むガス、ＣＨ４、ＣＨ３ＯＨ、ＣＯ、ＣＯ２等のＣを含むガス、ＴＭＡ（Ａｌ（ＣＨ３）３）等のＡｌを含むガス、及びＯ２、Ｎ２Ｏ、Ｎ２等のＯまたはＮを含むガスなどが挙げられる。これらの反応ガスを用いることにより、様々な薄膜を形成することができる。
　【００４９】
　具体的にはダイヤモンド薄膜を含む炭素被膜を形成する場合には、ＣＨ４、Ｃ２Ｈ２、Ｃ２Ｈ６、ＣＨ３ＯＨ、Ｃ２Ｈ５ＯＨ、ＣＯ、ＣＯ２などと、Ｈ２、Ｈ２Ｏなどとを組み合わせた反応ガスを用いることができる。
　【００５０】
　ＳｉＯＸ膜を形成する場合には、ＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６、ＳｉＣｌ４、ＳｉＨＣｌ３などと、Ｏ２、ＣＯ２、Ｎ２Ｏ、Ｈ２Ｏなどとを組み合わせた反応ガスを用いるか、あるいはＴＥＯＳ（ポリエトキシシラン）を用いることができる。
　【００５１】
　ＳｉＣ膜を形成する場合には、ＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６、ＳｉＣｌ４、ＳｉＨＣｌ３、Ｓｉ（ＣＨ３）２（ＯＣＨ３）２などと、ＣＨ４、Ｃ２Ｈ２、Ｃ２Ｈ６、ＣＯ、ＣＯ２などとを組み合わせた反応ガスを用いることができる。
　【００５２】
　ＳｉＮ膜を形成する場合には、ＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６、ＳｉＣｌ４、ＳｉＨＣｌ３などと、ＮＨ３、Ｎ２などとを組み合わせた反応ガスを用いることができる。
　【００５３】
　ＡｌＮ膜を形成する場合には、Ａｌ（ＣＨ３）３、Ａｌ（Ｃ２Ｈ５）３などと、Ｎ２、ＮＨ３などとを組み合わせた反応ガスを用いることができる。
　ＡｌＯＸ膜を形成する場合には、Ａｌ（ＣＨ３）３、Ａｌ（Ｃ２Ｈ５）３などと、Ｏ２、Ｈ２Ｏ、Ｎ２Ｏ、ＣＯ２などとを組み合わせた反応ガスを用いることができる。
　【００５４】
　ＴｉＮ膜を形成する場合には、ＴｉＣｌ４などと、Ｎ２、ＮＨ３などとを組み合わせた反応ガスを用いることができる。
　ＴｉＯＸ膜を形成する場合には、ＴｉＣｌ４などと、Ｏ２、Ｈ２Ｏ、Ｎ２Ｏ、ＣＯ２などとを組み合わせた反応ガスを用いることができる。
　【００５５】
　ＴｉＣ膜を形成する場合には、ＴｉＣｌ４などと、ＣＨ４、Ｃ２Ｈ２、Ｃ２Ｈ６、ＣＯ、ＣＯ２などとを組み合わせた反応ガスを用いることができる。
　ＺｒＯＸ膜を形成する場合には、ＺｒＣｌ４、Ｚｒ（ＯＣ３Ｈ７）４、Ｚｒ（ＣＨ２ＣＯＣＨ２ＣＯＣＦ３）４などと、Ｏ２、Ｈ２Ｏ、Ｎ２Ｏ、ＣＯ２などとを組み合わせた反応ガスを用いることができる。
　【００５６】
　【発明の実施の形態】
　図１は、本発明に従う一実施形態を説明するための斜視図である。図１を参照して、本実施形態においては、回転軸を中心にして回転する電極として、ドラム状電極１を用いている。ドラム状電極１は、回転軸２を中心として回転するように設けられている。本実施形態においては、ドラム状電極１に印加する電力として高周波電力が用いられており、回転軸２には高周波電源３が電気的に接続されている。ドラム状電極１は、基板４上に、その回転軸２が基板４の表面に対しほぼ平行になるように設けられている。基板４の下には一般に接地電極（図示せず）が設けられており、この接地電極に最も近いドラム状電極１の電極表面と、接地電極との間でプラズマ放電がなされる。
　【００５７】
　ドラム状電極１は、図１に矢印で示す方向に回転しており、この回転にともない電極表面近傍のガスも電極表面とともに移動する。このため、プラズマ空間に対して電極表面近傍のガスが常に供給される。従って、反応ガスの供給効率を向上させることができる。ドラム状電極１と基板４の位置が相対的に固定された状態では、ドラム状電極１の下方に、ライン状の薄膜が形成される。ドラム状電極１を基板４に対して相対的に移動させることにより、このようなライン状の薄膜を連続して回転軸２に対し略垂直方向に形成させることができる。従って、大面積の薄膜を形成することができる。
　【００５８】
　図２は、図１に示す実施形態におけるドラム状電極を示す斜視図である。上述のように、ドラム状電極１の表面でプラズマ放電がなされるので、ドラム状電極１に印加する電源が回転軸２に電気的に接続される場合には、回転軸２と電極表面との間で電気的な接続がなされている必要がある。このようなドラム状電極としては、一般的に金属製ドラムを用い、回転軸２としては、金属製の棒を用いることが好ましい。
　【００５９】
　図３は、本発明に従う他の実施形態におけるドラム状電極を示す斜視図である。図３に示す実施形態のドラム状電極１０においては、電極表面に回転軸１２の方向に沿うストライプ状の凸部１１が複数一定間隔で設けられている。
　【００６０】
　図４は、図３に示すドラム状電極によりプラズマを発生させる状態を示す模式図である。図４に示すように、ドラム状電極１０の電極表面の凸部１１が基板４に近づいたときにプラズマ１３が発生する。凸部１１の先端と基板４との間は、上述のように反応ガスの平均自由行程程度としておくことが好ましく、具体的には０．０１〜１ｍｍの範囲内が好ましく、さらには０．０１〜０．１ｍｍの範囲内としておくことが好ましい。
　【００６１】
　従って、本実施形態によれば、凸部１１が基板４に近づいたときにプラズマを発生させることができるので、断続的にプラズマを発生させることができる。また条件の設定によっては、連続的にプラズマを発生させ、プラズマの強度を周期的に変化させることができる。
　【００６２】
　例えば、ドラム状電極の表面に１０００個の凸部（ドラム状電極の直径が３０ｃｍの場合約１ｍｍのピッチで凸部が形成されることに相当する）を形成したドラム状電極を、回転数１８，０００ｒｐｍ（３００Ｈｚ）で回転させて断続的（３００ｋＨｚ）にプラズマを発生させることができる。この場合、印加電力として、１５０ＭＨｚの周波数の電源を用いる場合には、１５０ＭＨｚに３００ｋＨｚの変調がなされることになる。
　【００６３】
　また直流（ＤＣ）電源を用いる場合には、３００ｋＨｚの交流電圧を印加していることになる。
　ドラム状電極の直径をより大きく、あるいは表面の凸部のパターンをより微細にすることにより、より高い変調（交流）電圧の印加が可能となる。
　【００６４】
　また、本実施形態に従えば、電極表面に凸部１１が形成されているため、その回転による反応ガスの供給も、より効率よく行うことができるようになる。
　図５は、本発明に従うさらに他の実施形態を示す模式図である。図５に示す実施形態においては、ドラム状電極２０の表面に凸部２１が、図４に示す実施形態と同様に形成されている。従って、この凸部２１は回転軸の方向に沿うストライプ状に形成されている。本実施形態では、凸部２１の間のストライプ状の溝２４の部分に、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、石英（ＳｉＯ２）、テフロンなどの絶縁材２２が埋め込まれている。従って、本実施形態においては、電極表面はフラットであり、その表面に凹凸が形成されていない。しかしながら、電極表面には凸部２１による導電性領域２１ａと、絶縁材２２による絶縁性領域２２ａが形成されている。導電性領域２１ａは回転軸方向に沿うストライプ状に形成されており、同様に絶縁性領域２２ａも回転軸方向に沿うストライプ状に形成されている。
　【００６５】
　本実施形態においても、図４に示す実施形態と同様に、導電性領域２１ａが基板４に近づいたときにプラズマ２３が発生する。従って、断続的にプラズマを発生させることができる。また条件によっては、連続的にプラズマを発生させ、導電性領域２１ａの近接に伴い周期的に強くなるようにプラズマの強度に強弱の変化をもたせることができる。
　【００６６】
　なお、本発明において、導電性領域及び絶縁性領域の形成方法は、図５に示す実施形態に限定されるものではなく、導電性領域に電力が印加されるように構成されていればよい。
　【００６７】
　図６は、本発明に従うさらに他の実施形態におけるドラム状電極を示す斜視図である。本実施形態のドラム状電極３０においては、電極表面に螺旋状の溝３１が形成されている。本実施形態のドラム状電極３０も、回転軸３２の回転により回転するように設けられる。本実施形態においては、電極表面に螺旋状の溝３１が形成されている。従って、電極表面の周面に沿って螺旋状に凸部及び凹部が形成されている。このような電極３０を基板の上で回転させると、基板表面に対して最も接近している凸部は電極の回転によって、回転軸の方向に連続的に移動する。従って、本実施形態のドラム状電極を用いれば、プラズマ発生領域を回転軸の方向に沿って連続的に移動させながら薄膜形成を行うことができる。
　【００６８】
　本実施形態に従えば、プラズマ発生のための電極部分となる凸部が、回転電極に対して一定間隔で周期的に存在している。従って、プラズマ発生箇所を制限することができ、かつその発生箇所を周期的に移動させることができる。従って、プラズマ発生領域を制限し、均質な薄膜を形成することができる。
　【００６９】
　また本実施形態に従えば、電極表面に螺旋状の溝３１が形成されているので、このような溝の回転により反応ガスをプラズマ空間に対し効率よく供給することができる。また螺旋状の溝であるため、回転方向のみならず回転軸方向に対しても反応ガスを移動させることができ、より効率よく反応ガスの供給を行うことができる。
　【００７０】
　図７は、本発明に従うさらに他の実施形態における電極を示す斜視図である。図７に示す実施形態においては、複数の円板電極４１を互いに平行になるように回転軸方向に並べることにより回転電極４０が構成されている。複数の円板電極４１は回転軸４２に取り付けられている。本実施形態においては、円板状電極４１が所定の間隔で並べて設けられており、この円板状電極４１と基板との間でプラズマ空間が形成される。従って、プラズマ空間は円板状電極４１の間隔に対応して形成され、対応の基板上の領域のみに薄膜形成がなされる。従って、基板上の特定の領域にのみ薄膜を形成する場合に本実施形態の電極を用いることができる。
　【００７１】
　また本実施形態のドラム状電極４０を基板に対して移動させながら薄膜形成を行うことにより、それぞれの円板状電極４１に対応した領域上を走査したようなストライプ状の薄膜を形成することができる。また、円板状電極の板面に対して直交する方向に電極全体を動かすことで、面状に薄膜を形成することができる。
　【００７２】
　本実施形態においては、円板状電極４１の間にスペースが形成されることになる。従って、このようなスペースを通しての反応ガスの供給も可能となる。例えば、このような円板状電極４１のスペースの間に反応ガスを供給することにより、このようなスペースを通してプラズマ発生領域に反応ガスをより効率よく供給することが可能になる。また本発明においては、このようなスペースに絶縁材を埋め込んだような電極も用いることができる。
　【００７３】
　また図７に示す実施形態において、円板状電極４１を回転軸４２に対して垂直方向からやや傾斜させて取り付けることにより、図６に示す螺旋状の溝と同様に、プラズマ発生領域を回転軸４２の方向に移動させることができる。従って、円板状電極４１を傾斜させて取り付けた場合には、全面に薄膜を形成させることが可能になる。
　【００７４】
　図８は、本発明に従うさらに他の実施形態における電極を示す斜視図である。図８に示す実施形態においては、回転軸５４に円板状の側板５１及び５２が取り付けられており、この円板状側板５１及び５２の間に線材５３が張りめぐらされている。線材５３は網目状に張りめぐらされている。このような回転電極５０を用いることにより、線材５３と基板との間でプラズマ空間が形成される。このような回転電極の周面に網目状の線材５３を設けた電極を用いることにより、断続的なプラズマ発生が可能になる。さらには網目状に形成されているため、回転電極５０中の空間を通して反応ガスをプラズマ発生領域に供給することもできる。
　【００７５】
　図９は、図１及び図２に示すようなドラム状電極を用いて薄膜形成する状態を示す模式図である。本実施形態においては、基板４の下に接地電極として金属などからなるライン状電極５を設けている。図９に示すように、ドラム状電極１に高周波電力または直流電力を印加することにより、接地電極５に最も接近した電極表面部分と接地電極５との間でプラズマ６が発生する。ドラム状電極１は矢印Ａ方向に回転しているが、最も近接する電極表面は常に同じ位置であるので、プラズマ６は常に同じ位置で発生した状態となる。一方電極表面近傍に存在する反応ガス分子は、電極表面の矢印Ａ方向の回転とともに移動し、プラズマ発生領域６に供給される。従って、反応ガス分子が常に一定してプラズマ発生領域６に供給されることとなり、均質な薄膜を、より速い速度で形成することができる。
　【００７６】
　図１０は、基板４に対してドラム状電極１の位置を移動せずに薄膜形成した場合の薄膜形成領域を示す平面図である。図１０に示すように、ライン状の薄膜７が形成される。
　【００７７】
　本実施形態においては、接地電極としてライン状の電極を用いているため、発生したプラズマを集中させることができる。そのため、より低い電力でプラズマを発生させることが可能となる。
　【００７８】
　
実施例１
　図１１に示すようなドラム状電極を用いて、アモルファスシリコン薄膜を形成した。すなわち、本実施例では、図９に示す装置において、ライン状接地電極を設けないような装置を用いている。反応ガスとしては、Ｈｅガスを希釈ガスとして用いた０．１％のＳｉＨ４ガスを用いた。雰囲気圧力は１気圧とした。基板としてはガラス基板を用いた。
　【００７９】
　ドラム状電極の直径としては１００ｍｍ、ドラム状電極の回転軸方向の長さとしては１００ｍｍのものを用いた。
　ドラム状電極と基板との間の距離は０．１ｍｍとなるように設定した。なおＳｉＨ４分子の平均自由行程は約１００μｍである。
　【００８０】
　ドラム状電極の回転数は１８，０００ｒｐｍとし、周速度において９４ｍ／秒となるようにした。
　投入電力としては、３００Ｗ、１５０ＭＨｚの高周波電力を用いた。成膜は３分間行った。
　以上の結果、膜厚１．５μｍのアモルファスシリコン薄膜が、図１０に示すようなライン状薄膜として形成された。
　【００８１】
　
比較例
　比較として、ドラム状電極１を回転せずに、その他の条件は上記実施例１と同様にして薄膜を形成した。この結果、形成されたアモルファスシリコン薄膜の膜厚は０．２μｍであり、また膜厚が不均一であり、膜表面に凹凸が存在していた。
　【００８２】
　
実施例２
　図９に示すようなドラム状電極及びライン状接地電極を有する装置を用いて、アモルファスシリコン薄膜を形成した。ライン状接地電極としては、アルミニウムからなる電極（幅１ｍｍ、長さ１００ｍｍ）のものを用いた。またドラム状電極に投入する電力としては、２００Ｗ、１５０ＭＨｚの高周波電力を用いた。その他の条件は全て上記の実施例１と同様の条件で成膜した。
　【００８３】
　成膜時間３分間で、膜厚１．５μｍのアモルファスシリコン薄膜が、図１０に示すようなライン状薄膜として形成された。このことから明らかなように、ライン状接地電極を設けることにより、電界を集中することができ、実施例１の３００Ｗより低い２００Ｗで、同等のアモルファスシリコン薄膜を形成することができた。
　【００８４】
　
実施例３
　図９に示すようなドラム状電極及びライン状接地電極を用い、基板を移動させながらアモルファスシリコン薄膜を形成した。基板を毎分１ｍｍの速度で、ドラム状電極の回転軸方向と垂直方向に１０ｃｍ移動させながら成膜を行った。成膜条件としては、上記実施例２と同様の条件で行った。この結果、１０ｃｍ角の領域において、膜厚５０００Åのアモルファスシリコン薄膜が形成された。薄膜の表面は平坦で、微粒子が認められず、均質で良好な膜質であった。
　【００８５】
　
実施例４
　回転電極として、ドラム状電極の表面にスパイラル状の溝を形成したものを用いた。図１２は、このようなドラム状電極の表面の回転軸方向の断面を示している。図１２に示すように、ドラム状電極６１の表面には、スパイラル状の凸部６１ａとスパイラル状の溝６１ｂが形成されている。凸部６１ａの高さｈは１ｍｍであり、スパイラル状凸部６１ａ及びスパイラル状溝６１ｂの幅Ｗ１及びＷ２はいずれも０．５ｍｍである。ドラム状電極６１の直径は１００ｍｍであり、回転軸方向の長さは１００ｍｍである。
　【００８６】
　その他の条件は上記実施例２と同様にし、ドラム状電極を回転させながらシリコン薄膜を形成した。３分間の成膜時間で膜厚１．８μｍのアモルファスシリコン薄膜が形成された。薄膜の表面は平坦であり、微粒子が認められない良好な薄膜が均一に形成された。
　【００８７】
　実施例２との比較から明らかなように、ドラム状電極の表面に凹凸を設けることにより、より高速に膜形成を行うことができる。
　図１３は、本発明に従う実施例の成膜装置を示す側方から見た断面図であり、図１４は正面から見た断面図である。図１３及び図１４を参照して、反応容器７０内にはドラム状電極である回転電極７１が設けられている。回転電極７１の中心の回転軸７１ａは、その両側に設けられた軸受け部７２ａ及び７２ｂにより支持されている。図１４に示すように、回転軸７１ａは、駆動手段であるモーター７３により回転するように設けられている。
　【００８８】
　回転電極７１の下方には、基板を載せるための基板ホルダー７４が設けられている。基板ホルダー７４はテーブル７５の上に載せられている。テーブル７５は図１３における左右方向（Ｘ軸方向）及び図１３における上下方向（Ｚ軸方向）に移動可能なテーブルである。
　【００８９】
　回転電極７１は直径３００ｍｍ、幅１００ｍｍの寸法を有し、最高の回転速度は５０００ｒｐｍであり、その時の周速度は７９ｍ／秒である。
図１９は、回転電極７１の表面に形成される絶縁膜７１ｂを示す断面図である。図１９に示すように、本実施例で用いる回転電極７１の表面全体には、絶縁膜７１ｂが形成されている。本実施例では、絶縁膜としてアルミナ膜が用いられ、膜厚は１００μｍに設定されている。
　【００９０】
　回転電極７１に高周波電力を印加するための高周波電源７８は、反応容器７０の上方に設けられた共振器７７に接続されている。高周波電源７８からの電力は共振器７７、板状の電力伝達部材７６を通り、軸受け部７２ａ及び７２ｂを介して回転軸７１ａに与えられる。このようにして高周波電力が印加された回転電極７１と基板ホルダー７４との間でプラズマが発生する。
　【００９１】
　回転電極７１の回転により反応ガスが回転電極７１と基板との間に導かれ、これらの間で発生しているプラズマにより反応ガスが分解されて、基板上に薄膜が形成される。テーブル７５をＸ軸方向に移動させることにより、このような薄膜を基板上に連続して形成することができる。
　【００９２】
　図１５は、反応容器７０に接続されるガス循環系８０を説明するための概略構成図である。ドライポンプ８２により、反応容器７０内のガスが排出口８５ａからガス循環系８０に送り出され、供給口８５ｂから再び反応容器７０内に戻される。ガス循環系８０に送られたガスは、まず粉末除去フィルタ８１により、ガス中に含有される微粉末が除去される。この微粉末は、反応容器内において反応ガスが分解することにより生成したものである。このような微粉末が反応容器内に含有されていると、基板上に形成する薄膜中にこのような微粉末が取り込まれ、膜に凹凸が形成され、膜質が悪くなる。粉末除去フィルタ８１では、このような微粉末を除去する。
　【００９３】
　次にドライポンプ８２を通り水吸着筒８４を通り、供給口８５ｂから反応容器７０内に戻される。ドライポンプ８２から排出される排出ガスは、ＳｉＨ４除外装置８３を通り外部に排出される。
　【００９４】
　反応容器７０へは、Ｈｅ容器８６ａ、Ｈ２容器８６ｂ、ＣＨ４容器８６ｃ、ＳｉＨ４容器８６ｄから、ガスが供給される。なお、これらのガスはＳｉＣ薄膜を形成する場合の原料ガスの組み合わせの一例である。
　【００９５】
　図１６は、反応容器内に設けられる、上述のガス循環系へのガスの排出口となるダクトを示す斜視図である。図１６に示すように、ダクト８７の先端は幅の狭い領域に配置できるようにテーパー状に形成されており、その先端に吸引口８７ａが形成されている。
　【００９６】
　図１７は、図１６に示すダクトの反応容器内における配置状態を説明するための正面図である。図１７に示すように回転電極７１と基板８８の間にダクト８７の先端の吸引口８７ａが近づくように配置される。このように吸引口８７ａをプラズマ発生領域に近づけることにより、薄膜形成領域における微粒子をより効率的に取り除くことができる。
　ダクトにおける吸引の流速は、上述のように回転電極７１の周速度より速いことが望ましく、本実施例では、２倍に設定している。
　【００９７】
　図１８は、基板ホルダーに設ける加熱ヒーターを説明するための斜視図である。図１８に示すように、基板ホルダー７４内には、加熱ヒーター７９が設けられている。この加熱ヒーター７９は、円筒形のカートリッジ型ヒーターである。このような加熱ヒーター７９により、基板８８の温度を加熱することができる。
　【００９８】
　図２０は、反応容器内に設けられる回転電極と基板間のギャップを測定する装置の一例を示す概略構成図である。図２０を参照して、反応容器７０内には、回転電極７１と基板８８のギャップを挟み対向するようにコリメータレンズ９２と集光レンズ９３が設けられている。コリメータレンズ９２には、光ファイバー９１を介して光源９０が接続されている。光源９０としては、例えばレーザー光源を用いることができる。具体的には波長６３５ｎｍ、発光パワー５ｍＷのレーザー光源などを用いることができる。集光レンズ９３には光ファイバー９４を介して検知器９５が接続されている。検知器９５としては例えばフォトダイオードなどを用いることができる。
　【００９９】
　光源９０から出射された光は、光ファイバー９１を通りコリメータレンズ９２により整形され、回転電極７１と基板８８の間のギャップに照射される。コリメータレンズ９２から照射される光は、回転電極７１と基板８８のギャップよりも幅の広い光束であるため、回転電極７１と基板８８で妨げられ、こられの間を通過した、より幅の狭いレーザ光が集光レンズ９３により集光され、光ファイバー９４を通り検知器９５で検知される。検知器９５で検知される光量は、回転電極７１と基板８８のギャップ間の距離に応じて増減するため、この光量を測定することにより、ギャップ間の距離を測定することができる。
　【０１００】
　以上のようにして測定したギャップ間の距離の情報に応じて、本実施例では、図１３及び図１４に示すテーブル７５を上下動させ、回転電極と基板間のギャップを調整することができる。
　【０１０１】
　
実施例５
　テフロン製のダクトを用い、循環ポンプとして排気速度１ｍ３／分のドライポンプを用い、粉末除去フィルタとして０．１μｍメッシュのフィルタを用いて図１５に示すようなガス循環系を反応容器に接続し、Ｓｉ膜を形成した。この結果、ガス循環系を接続しない場合に比べ、膜中への微粒子の混入が著しく少なくなり、均質なＳｉ膜が形成された。
　【０１０２】
　
実施例６
　周波数１５０ＭＨｚの高周波を、周期１０ｋＨｚ（１００μｓ）、デューティ比１／５０、電力５００Ｗで印加し、Ｓｉ膜を形成した。パルス状でなく連続して高周波を印加する場合に比べ、膜中上の微粒子の混入が少なくなり、より均質なＳｉ膜を形成することができた。
　【０１０３】
　
実施例７
　反応容器内に水素ガスを１％添加し、水素ガス添加の効果を検討したところ、水素ガスを添加しないものに比べ、水素ガスを１％添加した場合には、微粒子の発生が著しく減少し、膜中への微粒子の混入も少なく、均一なＳｉ膜を形成することができた。
　【０１０４】
　
実施例８
　基板を３００℃に加熱してＳｉ膜を形成した。その他の薄膜形成条件は、実施例１と同様にした。得られたＳｉ膜の光伝導度は１０−５（Ωｃｍ）−１であり、基板を加熱しなかった場合の光伝導度１０−９（Ωｃｍ）−１に比べ著しく向上しており、良好な膜質のＳｉ膜が得られた。
　【０１０５】
　
実施例９
　反応ガスとして、０．１％のＳｉＨ４、０．５％のＣＨ４にＨｅを加え１気圧とした混合ガスを用い、回転電極に印加する電力を１０００Ｗとし、ガラス基板上に１０秒間、ＳｉＣ薄膜を形成した。得られたＳｉＣ薄膜の膜厚は２．４μｍであり、Ｃ／Ｓｉの比が９８％以上である良好な膜質のＳｉＣ薄膜が形成された。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　本発明に従う一実施形態を示す斜視図。
　【図２】
　図１に示す実施形態におけるドラム状電極を示す斜視図。
　【図３】
　本発明に従う他の実施形態におけるドラム状電極を示す斜視図。
　【図４】
　図３に示すドラム状電極を用いてプラズマ発生させる状態を示す模式図。
　【図５】
　本発明に従うさらに他の実施形態におけるプラズマ発生の状態を示す模式図。
　【図６】
　本発明に従うさらに他の実施形態のドラム状電極を示す斜視図。
　【図７】
　本発明に従うさらに他の実施形態の回転電極を示す斜視図。
　【図８】
　本発明に従うさらに他の実施形態の回転電極を示す斜視図。
　【図９】
　図１及び図２に示す実施形態におけるドラム状電極を用いて薄膜を形成する状態を示す模式図。
　【図１０】
　図９に示す薄膜形成により形成されたライン状の薄膜を示す平面図。
　【図１１】
　ライン状接地電極を設けずドラム状電極を用いて薄膜を形成する状態を示す模式図。
　【図１２】
　本発明に従う実施例において用いた、スパイラル状の凸部及び溝が電極表面に形成されたドラム状電極の回転軸方向の電極表面を示す断面図。
　【図１３】
　本発明に従う実施例において用いられる成膜装置の側方断面図。
　【図１４】
　本発明に従う実施例において用いられる成膜装置の正面断面図。
　【図１５】
　本発明に従う実施例おけるガス循環系を説明するための構成図。
　【図１６】
　本発明に従う実施例におけるダクトを示す斜視図。
　【図１７】
　図１６に示すダクトの配置状態を示す正面図。
　【図１８】
　本発明に従う実施例における基板ホルダーの加熱ヒーターを示す斜視図。
　【図１９】
　本発明に従う実施例における回転電極表面の絶縁膜を示す断面図。
　【図２０】
　本発明に従う実施例における回転電極と基板との間のギャップを測定するシステムを示すための概略構成図。
　【符号の説明】
　１…ドラム状電極
　２…回転軸
　３…高周波電源
　４…基板
　５…ライン状接地電極
　６…プラズマ発生領域
　７…ライン状薄膜
　１０，２０，３０…ドラム状電極
　１１…ストライプ状凸部
　１２…回転軸
　１３…プラズマ発生領域
　２１…ストライプ状凸部
　２１ａ…導電性領域
　２２…絶縁材
　２２ａ…絶縁性領域
　２３…プラズマ発生領域
　２４…ストライプ状溝
　３１…螺旋状溝
　３２…回転軸
　４０…回転電極
　４１…円板状電極
　４２…回転軸
　５０…回転電極
　５１，５２…側板
　５３…線材
　５４…回転軸
　６１…ドラム状電極
　６１ａ…スパイラル状凸部
　６１ｂ…スパイラル状溝
　７０…反応容器
　７１…回転電極
　７１ａ…回転軸
　７１ｂ…絶縁膜
　７２ａ，７２ｂ…軸受け部
　７３…モーター
　７４…基板ホルダー
　７５…テーブル
　７６…電力伝達部材
　７７…共振器
　７９…加熱ヒーター
　８０…ガス循環系
　８１…粉末除去フィルタ
　８２…ドライポンプ
　８３…ＳｉＨ４除外装置
　８７…ダクト
　８７ａ…ダクトの吸引口
　８８…基板