【事件の表示】
　特許第３３７０５１９号「セラミックヒータ」の請求項１に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第３３７０５１９号の請求項１に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
　本件特許第３３７０５１９号の請求項１に係る発明は、平成８年７月３１日に出願され、平成１４年１１月１５日にその特許の設定登録がなされ、その後、平成１５年７月２２日に特許異議申立人日本特殊陶業株式会社により、請求項１に係る発明の特許に対して特許異議の申立てがなされたものである。
     　
２．本件発明　
　本件特許の請求項１に係る発明（以下、「本件発明」という。）は特許明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される次のとおりのものである。
【請求項１】窒化珪素質焼結体からなる絶縁性母材中に発熱体を埋設してなるセラミックヒータにおいて、前記窒化珪素質焼結体が、窒化珪素主相と、希土類元素、酸素および珪素を含み、ダイシリケート相を主結晶とする粒界相により構成され、前記発熱体が、ＷＣ、ＴａＮ、Ｍｏ2 Ｃのうちのいずれかを主成分とし、添加物として窒化珪素、窒化ホウ素および炭化珪素のうちの少なくとも１種を含み、且つ該発熱体の前記絶縁性母材との界面に前記発熱体主成分を構成する金属の珪化物相が前記発熱体の最小厚みの２５％以下の厚みで存在することを特徴とするセラミックヒータ。　
     
３．特許異議申立ての理由の概要　
　特許異議申立人日本特殊陶業株式会社は、証拠として甲第１号証（特開平７−３１８０５５号公報）、及び資料（１）（１９９４年９月１日発行「新版　高融点化合物物性便覧」発行所　有限会社　日ソ通信社）、を提出し、本件発明１は甲第１号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、本件発明に係る特許は、特許法第１１３条第１項第２号の規定により取り消すべき旨主張している。
     　
４．甲第１号証記載の発明　
　特許異議申立人日本特殊陶業株式会社が提出した甲第１号証には、
「【作用】本発明のセラミック発熱体によれば、窒化珪素質焼結体の粒界相がＭｏ４．８ Ｓｉ３ Ｃ０．６ とＭｏＳｉ２ の結晶を共存することにより、埋設した発熱抵抗体が珪化されない状態で焼結が進み、それとともに窒化珪素質焼結体と発熱抵抗体との熱膨張差が小さくなる。」（段落【００１３】）、
「図１及び図２において、１は窒化珪素質焼結体２中に、略平行な２層の無機導電材から成る略Ｕ字状を成す層状の発熱抵抗体３と、発熱抵抗体３の各端部に少なくとも一部を重ねて形成した層状の発熱抵抗体４を介して接続した高融点金属の線材から成るリード線５と、リード線５にそれぞれ接続した無機導電材から成る複数個に分割した電極取り出し層６を埋設し、電極取り出し層６の一部が窒化珪素質焼結体２の外周面に露出するとともに、その先端が略球面で、断面が円形を成したセラミック発熱体である。」（段落【００１８】）、
「ＲＥ２Ｏ３・２ＳｉＯ２で表されるダイシリケートは前記モノシリケートと共存していても良い。」（段落【００２２】）、
「また、無機導電材から成る発熱抵抗体３、４あるいは電極取り出し層６の主成分は、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、レニウム（Ｒｅ）等の高融点金属やその合金の他、例えばタングステンカーバイド（ＷＣ）、窒化チタン（ＴｉＮ）や硼化ジルコニウム（ＺｒＢ２ ）等の第４ａ族、第５ａ族、第６ａ族の炭化物または窒化物等があり、とりわけ高温まで無機導電材として窒化珪素質焼結体との熱膨張差が小さく、熱衝撃抵抗性に優れ、安定した特性を有するタングステンカーバイド（ＷＣ）が好ましい。」（段落【００２９】）、
「次に、本発明のセラミック発熱体を評価するにあたり、先ず、比表面積が７〜１５ｍ2 ／ｇ、含有する不可避不純物としての酸素量が１．５重量％以下、金属不純物が０．０５重量％以下の窒化珪素（Ｓｉ３Ｎ４ ）粉末に、焼結助剤として周期律表第３ａ族元素の酸化物とアルミナ（Ａｌ２ Ｏ３ ）、珪化モリブデン（ＭｏＳｉ２ ）を焼結体組成が表１及び表２となるように秤量したものを添加混合して調製し、得られた造粒体を使用し、プレス成形法等、周知の成形法により平板状の窒化珪素を主成分とするセラミック成形体を作製する。但し、表１及び表２に示す焼結体組成中の珪化モリブデン量はＭｏ４．８ Ｓｉ３ Ｃ０．６ とＭｏＳｉ２ とＭｏＳｉ２ の合計量である。
【００３３】次に、タングステンカーバイド（ＷＣ）の微粉末８０重量％と窒化珪素（Ｓｉ３Ｎ４）の微粉末２０重量％の混合粉末に溶媒を加えて調製したペーストを使用して、スクリーン印刷法等により略Ｕ字形状のパターンで、セラミック焼結体の先端より５ｍｍ以内に位置するようにそれぞれ別のセラミック成形体の表面に、厚さ約４０μm の発熱抵抗体３を形成する。
【００３４】次に、８５重量％のタングステンカーバイド（ＷＣ）と１５重量％の窒化珪素（Ｓｉ３Ｎ４ ）の各微粉末から成るペーストを使用して、前記発熱抵抗体３の端部に一部重なるようにして厚さ約４０μm の発熱抵抗体４を形成する。」（段落【００３２】〜【００３４】）、
「該セラミック発熱体が１４００℃の温度で飽和する１０〜３５Ｖの直流電圧を５分間通電した後、通電を停止して１分間圧搾空気を吹きつけ強制冷却する工程を１サイクルとする高負荷耐久試験を行い、２００００サイクル実施し、両電極間の抵抗値を測定し、試験開始前の両電極間の抵抗値に対する変化率が１０％以下のものを良、越えるものを不良として耐久性を評価する」（段落【００４２】）、
「尚、前記セラミック発熱体の基体をなす窒化珪素質焼結体の粒界相の結晶相は、前記高負荷耐久試験に用いたものと同一仕様の熱履歴前のセラミック発熱体を用い、その外周を研磨除去した後、窒化珪素質焼結体を微粉砕してＸ線回折を行い、２θが４１．８°のピークからＭｏ４．８ Ｓｉ３ Ｃ０．６ （表３及び表４中、〈１〉（本文では丸数字１）と記す）を、また２θが４４．７°のピークからＭｏＳｉ２ （表３及び表４中、〈２〉（本文では丸数字２）と記す）を同定した。
【００４４】また、２θが３４．８°のα−Ｓｉ３Ｎ４ と、２θが３３．６°のβ−Ｓｉ３Ｎ４ のピーク高さの合計を基準とし、このピーク高さを１００として２θが２８．７°である（−１２１）面のモノシリケート（表３及び表４中、Ｍと記す）及び２θが２８．０°である（２０１）面のダイシリケート（表３及び表４中、Ｄと記す）のピーク高さを求め、α−Ｓｉ３Ｎ４ とβ−Ｓｉ３Ｎ４ のピーク高さの合計に対する比率を算出して、窒化珪素質焼結体の粒界相のそれぞれの結晶相を同定した。また、本発明に係る窒化珪素質焼結体の代表的なＸ線回折記録図を図３〜図６に、本発明に係る窒化珪素質焼結体の代表的な結晶構造を表す組織写真を図７に示す。」（段落【００４３】〜【００４４】）、「また、図７と図９の組織写真から明らかなように、本発明外の図９では粒界相にＭｏＳｉ２  ９の結晶だけが存在するのに対して、本願発明の窒化珪素質焼結体の粒界相の結晶構造を示す図７では、ＭｏＳｉ２ ８の結晶中にＭｏ４．８ Ｓｉ３ Ｃ０．６ ７の結晶が共存していることが分かる。」（段落【００５２】）ことが図面及び表とともに記載されている。
　以上に摘示した事項からみて、甲第１号証には、「窒化珪素質焼結体からなる絶縁性基体中に発熱抵抗体を埋設してなるセラミックヒータにおいて、前記窒化珪素質焼結体が、窒化珪素主相と、周期律表第３ａ族元素、酸素および珪素を含み、ダイシリケート相を結晶として含む粒界相により構成され、前記発熱体が、ＷＣを主成分とし、添加物として窒化珪素を含むセラミックヒータ。」という発明が記載されているものと認められる。
     　
５．当審の判断
　本件発明と特許異議申立人日本特殊陶業株式会社が提出した甲第１号証に記載された発明とを対比すると、甲第１号証に記載の「窒化珪素質焼結体」、「発熱抵抗体」、「周期律表第３ａ族元素」、「粒界相」、「ダイシリケート」は本件発明の「窒化珪素質焼結体」、「発熱体」、「希土類元素」、「粒界相」、「ダイシリケート」に相当し、両者は、「窒化珪素質焼結体からなる絶縁性母材中に発熱体を埋設してなるセラミックヒータにおいて、前記窒化珪素質焼結体が、窒化珪素主相と、希土類元素、酸素および珪素を含み、ダイシリケート相を結晶とする粒界相により構成され、前記発熱体が、ＷＣを主成分とし、添加物として窒化珪素を含むセラミックヒータ。」
である点で一致し、次のイ、ロの点で相違する。　
（相違点イ）本件発明は、ダイシリケート相を主結晶とする粒界相であるのに対し、甲第１号証には、粒界相がダイシリケート相を含有するもののそれが主結晶かどうかは明記されていない点。
（相違点ロ）本件発明では、発熱体の前記絶縁性母材との界面に前記発熱体主成分を構成する金属の珪化物相が前記発熱体の最小厚みの２５％以下の厚みで存在するのに対し、甲第１号証には、この点は明記されていない点。
　
　そこで、上記相違点について検討する。
相違点イについて
　異議申立人は、「試料番号４４，４９，５４，６４を参照すると、粒界相にはダイシリケートを表す記号Ｄがモノシリケートを表すＭよりも含有量が多いことが分かる。なお、【００５２】段落に「また、図７と図９の組織写真から明らかなように、本発明外の図９では粒界相にＭｏＳｉ２９の結晶だけが存在するのに対して、本願発明の窒化珪素質焼結体の粒界相の結晶構造を示す図７では、ＭｏＳｉ２８の結晶中にＭｏ４．８ Ｓｉ３ Ｃ０．６ ７の結晶が共存していることが分かる。」と記載されている様に、粒界相はＭｏＳｉ２８の結晶中にＭｏ４．８ Ｓｉ３ Ｃ０．６ ７の結晶が共存している。従って、粒界相はダイシリケート相が主結晶であるのか、ＭｏＳｉ２８とＭｏ４．８ Ｓｉ３ Ｃ０．６ ７との結晶が主結晶であるのかが明確ではない。このため、表４でＤ／（α＋β）で示されるように、表２でｗｔ％表示によって示されているＭｏＳｉ２とα−Ｓｉ３Ｎ４ とβ−Ｓｉ３Ｎ４ との比を換算によって算出する。つまり、両組成のｗｔ％含有量から体積比を算出する。この表２のみからはＭｏＳｉ２の結晶中にどの程度Ｍｏ４．８ Ｓｉ３ Ｃ０．６ が共存しているのか、また、α−Ｓｉ３Ｎ４ とβ−Ｓｉ３Ｎ４ との割合が不明である。従って、極端な場合の例として４通りを考える。なお、体積比算出のためには、各組成の密度が必要となるため、資料（１）「新版　高融点化合物物性便覧」に記載の密度ρｒｅｎｔ（Ｘ線法）を用いた。…（中略）…上記換算結果から、いずれの場合もダイシリケートの比率と比較して小さい値となっている。従って、粒界相はダイシリケートが主結晶であることが分かる。」（異議申立書第６頁下から３行〜第９頁２行）と主張している。
　そして、この主張はＭｏＳｉ２とα−Ｓｉ３Ｎ４ とβ−Ｓｉ３Ｎ４ の両組成のｗｔ％含有量から換算によって算出する体積比は、ダイシリケートのピーク高さのα−Ｓｉ３Ｎ４ とβ−Ｓｉ３Ｎ４ のピーク高さの合計の比率Ｄ／α＋βと同様なものであることを前提としているものと認められる。
　ところで、ダイシリケートではなくモノシリケートの場合であるが、図３に示される試料番号３、図４に示される試料番号６、図５に示される試料番号１０について、異議申立人の指摘した試料番号４４，４９，５４，６４と同様にＭｏＳｉ２とα−Ｓｉ３Ｎ４ とβ−Ｓｉ３Ｎ４ との体積比を極端な場合の例として４通りを算出すると、試料番号３は５．４％、４．１％、５．５％、４．２％、試料番号６は５．２％、４．０％、５．３％、４．１％、試料番号１０は５．１％、３．９％、５．２％、３．９％となり、一方、表３によれば、モノシリケートのピーク高さのα−Ｓｉ３Ｎ４ とβ−Ｓｉ３Ｎ４ のピーク高さの合計の比率Ｍ／α＋βは試料番号３、６、１０では各々１５％、１９％、２１％であるから、前記の前提によればＭｏＳｉ２の体積比はモノシリケートの比率よりも小さいことからモノシリケートが主結晶ということになる。
　しかし、図３、図４、図５の記載のいずれにも２θが４４．７°のピークから同定されるＭｏＳｉ２ の強度は、２θが２８．７°である（−１２１）面のモノシリケートの強度よりもかなり大きいことが記載されていることからみて、モノシリケートが主結晶であるとは言い難く、むしろＭｏＳｉ２ が主結晶というべきものであり、上記の体積比からの結果と整合していない。
　このことは甲第１号証において、ＭｏＳｉ２とα−Ｓｉ３Ｎ４ とβ−Ｓｉ３Ｎ４ の両組成のｗｔ％含有量から換算によって算出する体積比を、ダイシリケートやモノシリケートのピーク高さのα−Ｓｉ３Ｎ４ とβ−Ｓｉ３Ｎ４ のピーク高さの合計の比率Ｄ／α＋βと同様なものとして比較し主結晶を判断することは必ずしもできることではないことを意味するものである。
　したがって、甲第１号証において、ＭｏＳｉ２とα−Ｓｉ３Ｎ４ とβ−Ｓｉ３Ｎ４ の両組成のｗｔ％含有量から換算によって算出する体積比と、ダイシリケートのピーク高さのα−Ｓｉ３Ｎ４ とβ−Ｓｉ３Ｎ４ のピーク高さの合計の比率Ｄ／α＋βを比較することで、粒界相はダイシリケートが主結晶であることが記載されているとする異議申立人の主張は採用することができず、甲第１号証には、ダイシリケートが主結晶である粒界相は記載されているものとは認められない。
　そして、本件発明は、相違点イの粒界相としてダイシリケート相を主結晶とすることで、絶縁性母材が発熱時に外気の酸素と接触した場合においても高い耐酸化性を有することとなり、母材の酸化による腐食を防止し母材の長期安定性を高めることができるという明細書記載（段落【００１０】参照）の効果を奏するものである。
 　
　したがって、本件発明は、相違点ロを検討するまでもなく、甲第１号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
     　
６．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立の理由及び証拠によっては、本件発明に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１６年６月１５日（２００４．６．１５）