(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記式（１）で表される化合物を含有する、リソグラフィー用膜形成材料。
【化１】
0006447884.tif 000086
（式（１）中、Ｒ0は各々独立して、酸素原子を含む１価の基、硫黄原子を含む１価の基、窒素原子を含む１価の基、炭化水素基又はハロゲン原子であり、ｐは、各々独立して、０〜４の整数である。）
【請求項２】
前記ｐの少なくとも１つが１〜４の整数である、請求項１に記載のリソグラフィー用膜形成材料。
【請求項３】
前記Ｒ0の少なくとも１つが、酸素原子を含む１価の基である、請求項１又は２に記載のリソグラフィー用膜形成材料。
【請求項４】
前記式（１）で表される化合物が、下記式（２）で表される化合物である、請求項１に記載のリソグラフィー用膜形成材料。
【化２】
0006447884.tif 000087
（式（２）中、ｍは、各々独立して、０〜４の整数であり、ここで、少なくとも１つのｍは１〜４の整数である。）
【請求項５】
前記式（２）で表される化合物が、下記式（２−１）〜（２−６）で表される化合物群から選ばれる少なくとも１種である、請求項４に記載のリソグラフィー用膜形成材料。
【化３】
0006447884.tif 000088
【化４】
0006447884.tif 000089
【化５】
0006447884.tif 000090
【化６】
0006447884.tif 000091
【化７】
0006447884.tif 000092
【化８】
0006447884.tif 000093
【請求項６】
少なくとも下記式（１）で表される化合物と架橋反応性のある化合物との反応によって得られる樹脂を含有する、リソグラフィー用膜形成材料。
【化９】
0006447884.tif 000094
（式（１）中、Ｒ0は各々独立して、酸素原子を含む１価の基、硫黄原子を含む１価の基、窒素原子を含む１価の基、炭化水素基又はハロゲン原子であり、ｐは、各々独立して、０〜４の整数である。）
【請求項７】
前記ｐの少なくとも１つが１〜４の整数である、請求項６に記載のリソグラフィー用膜形成材料。
【請求項８】
前記Ｒ0の少なくとも１つが、酸素原子を含む１価の基である、請求項６又は７に記載のリソグラフィー用膜形成材料。
【請求項９】
前記架橋反応性のある化合物が、アルデヒド、ケトン、カルボン酸、カルボン酸ハライド、ハロゲン含有化合物、アミノ化合物、イミノ化合物、イソシアネート又は不飽和炭化水素基含有化合物である、請求項６〜８のいずれか１項に記載のリソグラフィー用膜形成材料。
【請求項１０】
前記樹脂が、ノボラック系樹脂、アラルキル系樹脂、ヒドロキシスチレン系樹脂、（メタ）アクリル酸系樹脂及びそれらの共重合体からなる群より選ばれる少なくとも１種である、請求項６〜９のいずれか１項に記載のリソグラフィー用膜形成材料。
【請求項１１】
前記式（１）で表される化合物が、下記式（２）で表される化合物である、請求項６〜１０のいずれか１項に記載のリソグラフィー用膜形成材料。
【化１０】
0006447884.tif 000095
（式（２）中、ｍは、各々独立して、０〜４の整数であり、ここで、少なくとも１つのｍは１〜４の整数である。）
【請求項１２】
前記樹脂が、下記式（３−１）〜（３−１６）で表される構造からなる群より選ばれる少なくとも１種の構造を有する、請求項６〜１１のいずれか１項に記載のリソグラフィー用膜形成材料。
【化１１】
0006447884.tif 000096
【化１２】
0006447884.tif 000097
【化１３】
0006447884.tif 000098
【化１４】
0006447884.tif 000099
【化１５】
0006447884.tif 000100
【化１６】
0006447884.tif 000101
【化１７】
0006447884.tif 000102
【化１８】
0006447884.tif 000103
【化１９】
0006447884.tif 000104
【化２０】
0006447884.tif 000105
【化２１】
0006447884.tif 000106
【化２２】
0006447884.tif 000107
【化２３】
0006447884.tif 000108
【化２４】
0006447884.tif 000109
【化２５】
0006447884.tif 000110
【化２６】
0006447884.tif 000111
（式（３−１）〜（３−１６）中、ｍは、各々独立して、０〜４の整数であり、ここで、少なくとも１つのｍは１〜４の整数である。）
【請求項１３】
少なくとも下記式（１）で表される化合物と架橋反応性のある化合物との反応によって得られる樹脂であって、
下記式（３−１）〜（３−１６）で表される構造からなる群より選ばれる少なくとも１種の構造を有する、樹脂。
【化２７】
0006447884.tif 000112
（式（１）中、Ｒ0は各々独立して、酸素原子を含む１価の基、硫黄原子を含む１価の基、窒素原子を含む１価の基、炭化水素基又はハロゲン原子であり、ｐは、各々独立して、０〜４の整数である。）
【化２８】
0006447884.tif 000113
【化２９】
0006447884.tif 000114
【化３０】
0006447884.tif 000115
【化３１】
0006447884.tif 000116
【化３２】
0006447884.tif 000117
【化３３】
0006447884.tif 000118
【化３４】
0006447884.tif 000119
【化３５】
0006447884.tif 000120
【化３６】
0006447884.tif 000121
【化３７】
0006447884.tif 000122
【化３８】
0006447884.tif 000123
【化３９】
0006447884.tif 000124
【化４０】
0006447884.tif 000125
【化４１】
0006447884.tif 000126
【化４２】
0006447884.tif 000127
【化４３】
0006447884.tif 000128
（式（３−１）〜（３−１６）中、ｍは、各々独立して、０〜４の整数であり、ここで、少なくとも１つのｍは１〜４の整数である。）
【請求項１４】
請求項１〜５のいずれか１項に記載のリソグラフィー用膜形成材料及び／又は請求項６〜１２のいずれか１項に記載のリソグラフィー用膜形成材料と、
有機溶媒と、
を含有する、リソグラフィー用膜形成用組成物。
【請求項１５】
酸発生剤をさらに含有する、請求項１４に記載のリソグラフィー用膜形成用組成物。
【請求項１６】
架橋剤をさらに含有する、請求項１４又は１５に記載のリソグラフィー用膜形成用組成物。
【請求項１７】
請求項１４〜１６のいずれか１項に記載のリソグラフィー用膜形成用組成物を用いて形成される、リソグラフィー用膜。
【請求項１８】
基板上に、請求項１４〜１６のいずれか１項に記載のリソグラフィー用膜形成用組成物を用いて膜を形成する工程（Ａ−１）と、
前記膜上に、少なくとも１層のフォトレジスト層を形成する工程（Ａ−２）と、
前記工程（Ａ−２）の後、前記フォトレジスト層の所定の領域に放射線を照射し、現像を行う工程（Ａ−３）と、
を有する、レジストパターン形成方法。
【請求項１９】
基板上に、請求項１４〜１６のいずれか１項に記載のリソグラフィー用膜形成用組成物を用いて膜を形成する工程（Ｂ−１）と、
前記膜上に、珪素原子を含有するレジスト中間層膜材料を用いて中間層膜を形成する工程（Ｂ−２）と、
前記中間層膜上に、少なくとも１層のフォトレジスト層を形成する工程（Ｂ−３）と、
前記工程（Ｂ−３）の後、前記フォトレジスト層の所定の領域に放射線を照射し、現像してレジストパターンを形成する工程（Ｂ−４）と、
前記工程（Ｂ−４）の後、該レジストパターンをマスクとして前記中間層膜をエッチングし、得られた中間層膜パターンをエッチングマスクとして前記膜をエッチングし、得られた膜パターンをエッチングマスクとして基板をエッチングすることで基板にパターンを形成する工程（Ｂ−５）と、
を有する、回路パターン形成方法。
【請求項２０】
請求項１〜１２のいずれか１項に記載のリソグラフィー用膜形成材料の精製方法であって、
水と任意に混和しない有機溶媒及び、前記リソグラフィー用膜形成材料を含む溶液（Ａ）と、酸性の水溶液と、を接触させて抽出する工程を含む、精製方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、特定構造の化合物又は樹脂を含有するリソグラフィー用膜形成材料、該材料を含むリソグラフィー用膜形成用組成物、該組成物を用いて形成されるリソグラフィー用膜、該組成物を用いるフォトレジストパターン形成方法、及び該材料の精製方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの製造において、フォトレジスト材料を用いたリソグラフィーによる微細加工が行われているが、近年、ＬＳＩの高集積化と高速度化に伴い、パターンルールによる更なる微細化が求められている。現在の汎用技術として用いられている光露光を用いたリソグラフィーにおいては、光源の波長に由来する本質的な解像度の限界に近づきつつある。【０００３】
レジストパターン形成の際に使用するリソグラフィー用の光源は、ＫｒＦエキシマレーザー（２４８ｎｍ）からＡｒＦエキシマレーザー（１９３ｎｍ）へと短波長化されている。しかしながら、レジストパターンの微細化が進むと、解像度の問題又は現像後にレジストパターンが倒れるといった問題が生じてくるため、レジストの薄膜化が望まれるようになる。このような要望に対して、単にレジストの薄膜化を行うと、基板加工に十分なレジストパターンの膜厚を得ることが難しくなる。そのため、レジストパターンだけではなく、レジストと加工する半導体基板との間にレジスト下層膜を作製し、このレジスト下層膜にも基板加工時のマスクとしての機能を持たせるプロセスが必要になってくる。【０００４】
現在、このようなプロセス用のレジスト下層膜として、種々のものが知られている。例えば、従来のエッチング速度の速いレジスト下層膜とは異なり、レジストに近いドライエッチング速度の選択比を持つリソグラフィー用レジスト下層膜を挙げることができる。このようなリソグラフィー用レジスト下層膜を形成するための材料として、所定のエネルギーが印加されることにより末端基が脱離してスルホン酸残基を生じる置換基を少なくとも有する樹脂成分と溶媒とを含有する多層レジストプロセス用下層膜形成材料が提案されている（例えば、特許文献１参照）。また、レジストに比べて小さいドライエッチング速度の選択比を持つリソグラフィー用レジスト下層膜を挙げることができる。このようなリソグラフィー用レジスト下層膜を形成するための材料として、特定の繰り返し単位を有する重合体を含むレジスト下層膜材料が提案されている（例えば、特許文献２参照）。さらに、半導体基板に比べて小さいドライエッチング速度の選択比を持つリソグラフィー用レジスト下層膜を挙げることができる。このようなリソグラフィー用レジスト下層膜を形成するための材料として、アセナフチレン類の繰り返し単位と、置換又は非置換のヒドロキシ基を有する繰り返し単位とを共重合してなる重合体を含むレジスト下層膜材料が提案されている（例えば、特許文献３参照）。【０００５】
一方、この種のレジスト下層膜において高いエッチング耐性を持つ材料としては、メタンガス、エタンガス、アセチレンガスなどを原料に用いたＣＶＤによって形成されたアモルファスカーボン下層膜がよく知られている。【０００６】
また、本発明者らは、光学特性及びエッチング耐性に優れるとともに、溶媒に可溶で湿式プロセスが適用可能な材料として、特定の構成単位を含むナフタレンホルムアルデヒド重合体及び有機溶媒を含有するリソグラフィー用下層膜形成組成物を提案している（例えば、特許文献４及び５参照。）。【０００７】
なお、３層プロセスにおけるレジスト下層膜の形成において用いられる中間層の形成方法に関しては、例えば、シリコン窒化膜の形成方法（例えば、特許文献６参照）や、シリコン窒化膜のＣＶＤ形成方法（例えば、特許文献７参照）が知られている。また、３層プロセス用の中間層材料としては、シルセスキオキサンベースの珪素化合物を含む材料が知られている（例えば、特許文献８及び９参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００４−１７７６６８号公報
【特許文献２】特開２００４−２７１８３８号公報
【特許文献３】特開２００５−２５０４３４号公報
【特許文献４】国際公開第２００９／０７２４６５号パンフレット
【特許文献５】国際公開第２０１１／０３４０６２号パンフレット
【特許文献６】特開２００２−３３４８６９号公報
【特許文献７】国際公開第２００４／０６６３７７号パンフレット
【特許文献８】特開２００７−２２６１７０号公報
【特許文献９】特開２００７−２２６２０４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
上述したように、従来数多くのリソグラフィー用下層膜形成材料が提案されているが、スピンコート法やスクリーン印刷等の湿式プロセスが適用可能な高い溶媒溶解性を有するのみならず、耐熱性及びエッチング耐性を高い水準で両立させたものはなく、新たな材料の開発が求められている。【００１０】
本発明は、上記の課題に鑑みてなされたものであり、湿式プロセスが適用可能であり、エッチング耐性が良好なリソグラフィー用膜を形成することができるリソグラフィー用膜形成材料、該材料を含有するリソグラフィー用膜形成用組成物及び該組成物を用いたパターン形成方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意検討を重ねた結果、特定構造を有する化合物又は樹脂を用いることにより、上記課題を解決できることを見出し、本発明を完成するに到った。すなわち、本発明は次のとおりである。【００１２】
［１］
下記式（１）で表される化合物を含有する、リソグラフィー用膜形成材料。
【化１】
0006447884.tif 000002
（式（１）中、Ｒ０は各々独立して、酸素原子を含む１価の基、硫黄原子を含む１価の基、窒素原子を含む１価の基、炭化水素基又はハロゲン原子であり、ｐは、各々独立して、０〜４の整数である。）
［２］
前記ｐの少なくとも１つが１〜４の整数である、［１］に記載のリソグラフィー用膜形成材料。
［３］
前記Ｒ０の少なくとも１つが、酸素原子を含む１価の基である、［１］又は［２］に記載のリソグラフィー用膜形成材料。
［４］
前記式（１）で表される化合物が、下記式（２）で表される化合物である、［１］に記載のリソグラフィー用膜形成材料。
【化２】
0006447884.tif 000003
（式（２）中、ｍは、各々独立して、０〜４の整数であり、ここで、少なくとも１つのｍは１〜４の整数である。）
［５］
前記式（２）で表される化合物が、下記式（２−１）〜（２−６）で表される化合物群から選ばれる少なくとも１種である、［４］に記載のリソグラフィー用膜形成材料。
【化３】
0006447884.tif 000004
【化４】
0006447884.tif 000005
【化５】
0006447884.tif 000006
【化６】
0006447884.tif 000007
【化７】
0006447884.tif 000008
【化８】
0006447884.tif 000009
［６］
少なくとも下記式（１）で表される化合物と架橋反応性のある化合物との反応によって得られる、樹脂。
【化９】
0006447884.tif 000010
（式（１）中、Ｒ０は各々独立して、酸素原子を含む１価の基、硫黄原子を含む１価の基、窒素原子を含む１価の基、炭化水素基又はハロゲン原子であり、ｐは、各々独立して、０〜４の整数である。）
［７］
前記ｐの少なくとも１つが１〜４の整数である、［６］に記載の樹脂。
［８］
前記Ｒ０の少なくとも１つが、酸素原子を含む１価の基である、［６］又は［７］に記載の樹脂。
［９］
前記架橋反応性のある化合物が、アルデヒド、ケトン、カルボン酸、カルボン酸ハライド、ハロゲン含有化合物、アミノ化合物、イミノ化合物、イソシアネート又は不飽和炭化水素基含有化合物である、［６］〜［８］のいずれかに記載の樹脂。
［１０］
ノボラック系樹脂、アラルキル系樹脂、ヒドロキシスチレン系樹脂、（メタ）アクリル酸系樹脂及びそれらの共重合体からなる群より選ばれる少なくとも１種である、［６］〜［９］のいずれかに記載の樹脂。
［１１］
前記式（１）で表される化合物が、下記式（２）で表される化合物である、［６］〜［１０］のいずれかに記載の樹脂。
【化１０】
0006447884.tif 000011
（式（２）中、ｍは、各々独立して、０〜４の整数であり、ここで、少なくとも１つのｍは１〜４の整数である。）
［１２］
下記式（３−１）〜（３−１６）で表される構造からなる群より選ばれる少なくとも１種の構造を有する、［６］〜［１１］のいずれかに記載の樹脂。
【化１１】
0006447884.tif 000012
【化１２】
0006447884.tif 000013
【化１３】
0006447884.tif 000014
【化１４】
0006447884.tif 000015
【化１５】
0006447884.tif 000016
【化１６】
0006447884.tif 000017
【化１７】
0006447884.tif 000018
【化１８】
0006447884.tif 000019
【化１９】
0006447884.tif 000020
【化２０】
0006447884.tif 000021
【化２１】
0006447884.tif 000022
【化２２】
0006447884.tif 000023
【化２３】
0006447884.tif 000024
【化２４】
0006447884.tif 000025
【化２５】
0006447884.tif 000026
【化２６】
0006447884.tif 000027
（式（３−１）〜（３−１６）中、ｍは、各々独立して、０〜４の整数であり、ここで、少なくとも１つのｍは１〜４の整数である。）
［１３］
［６］〜［１２］のいずれかに記載の樹脂を含有する、リソグラフィー用膜形成材料。
［１４］
［１］〜［５］のいずれかに記載のリソグラフィー用膜形成材料及び／又は［１３］に記載のリソグラフィー用膜形成材料と、
有機溶媒と、
を含有する、リソグラフィー用膜形成用組成物。
［１５］
酸発生剤をさらに含有する、［１４］に記載のリソグラフィー用膜形成用組成物。
［１６］
架橋剤をさらに含有する、［１４］又は［１５］に記載のリソグラフィー用膜形成用組成物。
［１７］
［１４］〜［１６］のいずれかに記載のリソグラフィー用膜形成用組成物を用いて形成される、リソグラフィー用膜。
［１８］
基板上に、［１４］〜［１６］のいずれかに記載のリソグラフィー用膜形成用組成物を用いて膜を形成する工程（Ａ−１）と、
前記膜上に、少なくとも１層のフォトレジスト層を形成する工程（Ａ−２）と、
前記工程（Ａ−２）の後、前記フォトレジスト層の所定の領域に放射線を照射し、現像を行う工程（Ａ−３）と、
を有する、レジストパターン形成方法。
［１９］
基板上に、［１４］〜［１６］のいずれかに記載のリソグラフィー用膜形成用組成物を用いて膜を形成する工程（Ｂ−１）と、
前記膜上に、珪素原子を含有するレジスト中間層膜材料を用いて中間層膜を形成する工程（Ｂ−２）と、
前記中間層膜上に、少なくとも１層のフォトレジスト層を形成する工程（Ｂ−３）と、
前記工程（Ｂ−３）の後、前記フォトレジスト層の所定の領域に放射線を照射し、現像してレジストパターンを形成する工程（Ｂ−４）と、
前記工程（Ｂ−４）の後、該レジストパターンをマスクとして前記中間層膜をエッチングし、得られた中間層膜パターンをエッチングマスクとして前記膜をエッチングし、得られた膜パターンをエッチングマスクとして基板をエッチングすることで基板にパターンを形成する工程（Ｂ−５）と、
を有する、回路パターン形成方法。
［２０］
［１］〜［５］，［１３］のいずれかに記載のリソグラフィー用膜形成材料の精製方法であって、
水と任意に混和しない有機溶媒及び、前記リソグラフィー用膜形成材料を含む溶液（Ａ）と、酸性の水溶液と、を接触させて抽出する工程を含む、精製方法。
【発明の効果】
【００１３】
本発明のリソグラフィー用膜形成材料によれば、湿式プロセスを適用することができ、エッチング耐性が良好なリソグラフィー用膜を形成することができる。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明の実施の形態（以下、本実施形態と称する）について説明する。なお、本実施形態は、本発明を説明するための例示であり、本発明は本実施形態のみに限定されない。
【００１５】
［リソグラフィー用膜］
リソグラフィー用膜とは、半導体装置の製造に用いられる波長の光に対して良好な光吸収性を示し、それ故、高い反射光防止効果を持ち、またフォトレジスト層と比較して大きなドライエッチング速度を有するものである。このようなリソグラフィー用膜の用途としては、以下に限定されないが、例えば、反射防止膜と、被加工層の段差に埋込み平坦化させる膜と、レジストとインターミキシングすることなく、特に極端紫外線露光に際して好ましくない長波長側の露光光などを遮断して極端紫外線のみを選択的に透過し、また露光後に現像液で現像可能なレジスト上層膜と、フォトレジスト層と比較して大きなドライエッチング速度及び耐熱性を有するレジスト下層膜と、を含む。
【００１６】
［リソグラフィー用膜形成材料］
本実施形態のリソグラフィー用膜形成材料は、下記式（１）で表される化合物を含む。
【００１７】
【化２７】
0006447884.tif 000028
【００１８】
式（１）中、Ｒ０は各々独立して、酸素原子を含む１価の基、硫黄原子を含む１価の基、窒素原子を含む１価の基、炭化水素基又はハロゲン原子である。ｐは、各々独立して、０〜４の整数である。
【００１９】
上記のように構成されているため、本実施形態のリソグラフィー用膜形成材料は、湿式プロセスが適用可能であり、エッチング耐性が良好なリソグラフィー用膜を形成することができる。さらに、本実施形態のリソグラフィー用膜形成材料は、耐熱性及びエッチング耐性に優れる。特に、本実施形態のリソグラフィー用膜形成材料は、多環芳香族構造（ジベンゾ［ｇ，ｐ］クリセン骨格）に由来する高い耐熱性を有し、高温ベーク時の膜の劣化が抑制され、酸素プラズマエッチング等に対するエッチング耐性にも優れた膜を形成することができる。さらに、本実施形態のリソグラフィー用膜形成材料は、多環芳香族構造を有しているにも関わらず、有機溶媒に対する溶解性が高く、安全溶媒に対する溶解性が高く、また製品品質の安定性が良好である。加えて、本実施形態のリソグラフィー用膜形成材料は、レジスト層やレジスト中間層膜材料との密着性にも優れるので、優れたレジストパターンを得ることができる。以上のとおり、本実施形態のリソグラフィー用膜形成材料は、上記に例示した種々の用途のリソグラフィー用膜を形成する上で好ましく用いられ、とりわけ、リソグラフィー用下層膜の用途により好ましく用いられる。
【００２０】
ここで、酸素原子を含む１価の基としては、以下に限定されないが、例えば、炭素数１〜２０のアシル基、炭素数２〜２０のアルコキシカルボニル基、炭素数１〜６の直鎖状アルキルオキシ基、炭素数３〜２０の分岐状アルキルオキシ基、炭素数３〜２０の環状アルキルオキシ基、炭素数２〜６の直鎖状アルケニルオキシ基、炭素数３〜６の分岐状アルケニルオキシ基、炭素数３〜１０の環状アルケニルオキシ基、炭素数６〜１０のアリールオキシ基、炭素数１〜２０のアシルオキシ基、炭素数２〜２０のアルコキシカルボニルオキシ基、炭素数２〜２０のアルコキシカルボニルアルキル基、炭素数２〜２０の１−置換アルコキシメチル基、炭素数２〜２０の環状エーテルオキシ基、炭素数２〜２０のアルコキシアルキルオキシ基、グリシジルオキシ基、アリルオキシ基、（メタ）アクリル基、グリシジルアクリレート基、グリシジルメタクリレート基及び水酸基等が挙げられる。
【００２１】
炭素数１〜２０のアシル基としては、以下に限定されないが、例えば、メタノイル基（ホルミル基）、エタノイル基（アセチル基）、プロパノイル基、ブタノイル基、ペンタノイル基、ヘキサノイル基、オクタノイル基、デカノイル基、ベンゾイル基等が挙げられる。
【００２２】
炭素数２〜２０のアルコキシカルボニル基としては、以下に限定されないが、例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、プロポキシカルボニル基、ブトキシカルボニル基、ペンチルオキシカルボニル基、ヘキシルオキシカルボニル基、オクチルオキシカルボニル基、デシルオキシカルボニル基等が挙げられる。
【００２３】
炭素数１〜６の直鎖状アルキルオキシ基としては、以下に限定されないが、例えば、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基等が挙げられる。
【００２４】
炭素数３〜２０の分岐状アルキルオキシ基としては、以下に限定されないが、例えば、イソプロポキシ基、イソブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基等が挙げられる。
【００２５】
炭素数３〜２０の環状アルキルオキシ基としては、以下に限定されないが、例えば、シクロプロポキシ基、シクロブトキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、シクロオクチルオキシ基、シクロデシルオキシ基等が挙げられる。
【００２６】
炭素数２〜６の直鎖状アルケニルオキシ基としては、以下に限定されないが、例えば、ビニルオキシ基、１−プロペニルオキシ基、２−プロペニルオキシ基、１−ブテニルオキシ基、２−ブテニルオキシ基等が挙げられる。
【００２７】
炭素数３〜６の分岐状アルケニルオキシ基としては、以下に限定されないが、例えば、イソプロペニルオキシ基、イソブテニルオキシ基、イソペンテニルオキシ基、イソヘキセニルオキシ基等が挙げられる。
【００２８】
炭素数３〜１０の環状アルケニルオキシ基としては、以下に限定されないが、例えば、シクロプロペニルオキシ基、シクロブテニルオキシ基、シクロペンテニルオキシ基、シクロヘキセニルオキシ基、シクロオクテニルオキシ基、シクロデシニルオキシ基等が挙げられる。
【００２９】
炭素数６〜１０のアリールオキシ基としては、以下に限定されないが、例えば、フェニルオキシ基（フェノキシ基）、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基等が挙げられる。
【００３０】
炭素数１〜２０のアシルオキシ基としては、以下に限定されないが、例えば、ホルミルオキシ基、アセチルオキシ基、プロピオニルオキシ基、ブチリルオキシ基、イソブチリルオキシ基、ベンゾイルオキシ基等が挙げられる。
【００３１】
炭素数２〜２０のアルコキシカルボニルオキシ基としては、以下に限定されないが、例えば、メトキシカルボニルオキシ基、エトキシカルボニルオキシ基、プロポキシカルボニルオキシ基、ブトキシカルボニルオキシ基、オクチルオキシカルボニルオキシ基、デシルオキシカルボニルオキシ基等が挙げられる。
【００３２】
炭素数２〜２０のアルコキシカルボニルアルキル基としては、以下に限定されないが、例えば、メトキシカルボニルメチル基、エトキシカルボニルメチル基、ｎ−プロポキシカルボニルメチル基、イソプロポキシカルボニルメチル基、ｎ−ブトキシカルボニルメチル基等が挙げられる。
【００３３】
炭素数２〜２０の１−置換アルコキシメチル基としては、以下に限定されないが、例えば、１−シクロペンチルメトキシメチル基、１−シクロペンチルエトキシメチル基、１−シクロヘキシルメトキシメチル基、１−シクロヘキシルエトキシメチル基、１−シクロオクチルメトキシメチル基及び１−アダマンチルメトキシメチル基等が挙げられる。
【００３４】
炭素数２〜２０の環状エーテルオキシ基としては、以下に限定されないが、例えば、テトラヒドロピラニルオキシ基、テトラヒドロフラニルオキシ基、テトラヒドロチオピラニルオキシ基、テトラヒドロチオフラニルオキシ基、４−メトキシテトラヒドロピラニルオキシ基及び４−メトキシテトラヒドロチオピラニルオキシ基等が挙げられる。
【００３５】
炭素数２〜２０のアルコキシアルキルオキシ基とは、以下に限定されないが、例えば、メトキシメトキシ基、エトキシエトキシ基、シクロヘキシルオキシメトキシ基、シクロヘキシルオキシエトキシ基、フェノキシメトキシ基、フェノキシエトキシ基等が挙げられる。
【００３６】
（メタ）アクリル基としては、以下に限定されないが、例えば、アクリロイルオキシ基、メタクリロイルオキシ基等が挙げられる。また、グリシジルアクリレート基は、グリシジルオキシ基にアクリル酸を反応させて得ることができるものであれば特に限定されず、後述の実施例における合成例１１に示す化合物の置換基が例示される。さらに、グリシジルメタクリレート基としては、グリシジルオキシ基にメタクリル酸を反応させて得ることができるものであれば特に限定されず、後述の実施例における合成例１２に示す化合物の置換基が例示される。
【００３７】
硫黄原子を含む１価の基としては、以下に限定されないが、例えば、チオール基が挙げられる。硫黄原子を含む１価の基としては、ジベンゾ［ｇ，ｐ］クリセン骨格を構成する炭素原子に硫黄原子が直接結合した基であることが好ましい。
【００３８】
窒素原子を含む１価の基としては、以下に限定されないが、例えば、ニトロ基、アミノ基、ジアゾ基等が挙げられる。アミノ基としては、１個又は２個の水素原子が置換されたものであってもよく、以下に限定されないが、例えば、１個又は２個のグリシジル基等で置換されたものが挙げられる。窒素原子を含む１価の基としては、ジベンゾ［ｇ，ｐ］クリセン骨格を構成する炭素原子に窒素原子が直接結合した基であることが好ましい。
【００３９】
炭化水素基としては、以下に限定されないが、例えば、炭素数１〜６の直鎖状アルキル基、炭素数３〜６の分岐状アルキル基、炭素数３〜１０の環状アルキル基、炭素数２〜６の直鎖状アルケニル基、炭素数３〜６の分岐状アルケニル基、炭素数３〜１０の環状アルケニル基、炭素数６〜１０のアリール基等が挙げられる。
【００４０】
炭素数１〜６の直鎖状アルキル基としては、以下に限定されないが、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基等が挙げられる。
【００４１】
炭素数３〜６の分岐状アルキル基としては、以下に限定されないが、例えば、イソプロピル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ネオペンチル基、２−ヘキシル基等が挙げられる。
【００４２】
炭素数３〜１０の環状アルキル基としては、以下に限定されないが、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロオクチル基、シクロデシル基等が挙げられる。
【００４３】
炭素数２〜６の直鎖状アルケニル基としては、以下に限定されないが、例えば、ビニル基、１−プロペニル基、２−プロペニル基（アリル基）、１−ブテニル基、２−ブテニル基、２−ペンテニル基、２−ヘキセニル基等が挙げられる。
【００４４】
炭素数３〜６の分岐状アルケニル基としては、以下に限定されないが、例えば、イソプロペニル基、イソブテニル基、イソペンテニル基、イソヘキセニル基等が挙げられる。
【００４５】
炭素数３〜１０の環状アルケニル基としては、以下に限定されないが、例えば、シクロプロペニル基、シクロブテニル基、シクロペンテニル基、シクロヘキセニル基、シクロヘキセニル基、シクロオクテニル基、シクロデシニル基等が挙げられる。
【００４６】
炭素数６〜１０のアリール基としては、以下に限定されないが、例えば、フェニル基、ナフチル基等が挙げられる。
【００４７】
ハロゲン原子としては、以下に限定されないが、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。
【００４８】
本実施形態において、溶媒に対する溶解性の観点から、上記式（１）中のｐの少なくとも１つが、１〜４の整数であることが好ましい。
【００４９】
本実施形態において、溶媒に対する溶解性と架橋性の導入の観点から上記式（１）中のＲ０の少なくとも１つが、酸素原子を含む１価の基であることが好ましい。
【００５０】
ここで、上記式（１）で表される化合物は、高耐熱性と高溶解性との兼備の観点から下記式（２）で表される化合物であることが好ましい。
【００５１】
【化２８】
0006447884.tif 000029
【００５２】
上記式（２）中、ｍは、各々独立して、０〜４の整数である。ここで、少なくとも１つのｍは１〜４の整数である。
【００５３】
上記式（２）で表される化合物は、比較的に低分子量ながらも、その構造の剛直さにより高い耐熱性を有するので、高温ベーク条件でも使用可能である。また、比較的に低分子量で低粘度であることから、段差を有する基板（特に、微細なスペースやホールパターン等）であっても、その段差の隅々まで均一に充填させることが容易であり、またその塗布膜の平滑性が優れ、その結果、これを用いたリソグラフィー用膜形成材料は埋め込み特性が比較的に有利に高められる傾向にある。さらに、比較的に高い炭素濃度を有する化合物であることから、高いエッチング耐性をも付与される。
【００５４】
ここで、上記式（２）で表される化合物は、硬化性の観点から下記式（２−１）〜（２−６）で表される化合物であることが好ましい。
【００５５】
【化２９】
0006447884.tif 000030
【化３０】
0006447884.tif 000031
【化３１】
0006447884.tif 000032
【化３２】
0006447884.tif 000033
【化３３】
0006447884.tif 000034
【化３４】
0006447884.tif 000035
【００５６】
上記式（１）で表される化合物は、公知の方法で製造することができる。上記方法としては、以下に限定されないが、例えば、特開２０１３−２２７３０７号公報に記載された方法が挙げられる。また、例えば、上記式（２）で表される化合物は、ジベンゾ［ｇ，ｐ］クリセンをスルホン化した後、得られたジベンゾ［ｇ，ｐ］クリセンスルホン酸塩をヒドロキシル化して得ることができる。また、アミノジベンゾ［ｇ，ｐ］クリセンのアミノ基をジアゾ化してジアゾニウム塩を得た後に、得られたジアゾニウム塩を分解して得ることができる。
【００５７】
上記式（２）で表される化合物は、純度向上、及び残存金属量を低減するために、必要に応じて精製してもよい。また酸触媒及び助触媒が残存すると、一般に、下層膜形成用組成物の保存安定性が低下する傾向にあり、また、塩基性触媒が残存すると、一般に、下層膜形成用組成物の感度が低下する傾向にあるため、これらの触媒の残存量の低減を目的とした精製を行ってもよい。
【００５８】
精製は、式（２）で表される化合物が変性しない限り公知の方法により行うことができ、特に限定されないが、例えば、水で洗浄する方法、酸性水溶液で洗浄する方法、塩基性水溶液で洗浄する方法、イオン交換樹脂で処理する方法、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで処理する方法などが挙げられる。これら精製方法は２種以上を組み合わせて行うことが好ましい。酸性水溶液で洗浄する方法については後に詳述する。
【００５９】
酸性水溶液、塩基性水溶液、イオン交換樹脂及びシリカゲルカラムクロマトグラフィーは、除去すべき金属、酸性化合物及び／又は塩基性化合物の量や種類、精製する式（２）で表される化合物の種類などに応じて、最適なものを適宜選択することが可能である。具体的には、酸性水溶液として、濃度が０．０１〜１０ｍｏｌ／Ｌの塩酸、硝酸又は酢酸水溶液が、塩基性水溶液として、濃度が０．０１〜１０ｍｏｌ／Ｌのアンモニア水溶液が、イオン交換樹脂として、カチオン交換樹脂（例えばオルガノ製Ａｍｂｅｒｌｙｓｔ  １５Ｊ−ＨＧ  Ｄｒｙなど）が、それぞれ例示される。
【００６０】
精製後に乾燥を行ってもよい。乾燥は公知の方法により行うことができ、特に限定されないが、例えば、式（２）で表される化合物が変性しない条件で真空乾燥、熱風乾燥する方法などが挙げられる。
【００６１】
また、本実施形態のリソグラフィー用膜形成材料は、少なくとも上記式（１）で表される化合物と架橋反応性のある化合物との反応によって得られる樹脂を含む。
【００６２】
架橋反応性のある化合物としては、上記式（１）で表される化合物をオリゴマー化又はポリマー化し得るものであれば特に限定されず、公知のものを使用することができる。その具体例としては、以下に限定されないが、アルデヒド、ケトン、カルボン酸、カルボン酸ハライド、ハロゲン含有化合物、アミノ化合物、イミノ化合物、イソシアネート、不飽和炭化水素基含有化合物等が挙げられる。
【００６３】
上記樹脂は、高耐熱性と高溶解性との兼備の観点からノボラック系樹脂、アラルキル系樹脂、ヒドロキシスチレン系樹脂、（メタ）アクリル酸系樹脂及びそれらの共重合体からなる群より選ばれる少なくとも１種であることが好ましい。
【００６４】
上記樹脂は、工業的な製造の容易さの観点から上記式（２）で表される化合物と架橋反応性のある化合物と反応させることにより得られる樹脂であることが好ましい。
【００６５】
また、上記樹脂は、高耐熱性と高溶解性との兼備の観点から上記式（３−１）〜（３−１６）で表される構造からなる群より選ばれる少なくとも１種の構造を有することが好ましい。
【００６６】
【化３５】
0006447884.tif 000036
【化３６】
0006447884.tif 000037
【化３７】
0006447884.tif 000038
【化３８】
0006447884.tif 000039
【化３９】
0006447884.tif 000040
【化４０】
0006447884.tif 000041
【化４１】
0006447884.tif 000042
【化４２】
0006447884.tif 000043
【化４３】
0006447884.tif 000044
【化４４】
0006447884.tif 000045
【化４５】
0006447884.tif 000046
【化４６】
0006447884.tif 000047
【化４７】
0006447884.tif 000048
【化４８】
0006447884.tif 000049
【化４９】
0006447884.tif 000050
【化５０】
0006447884.tif 000051
【００６７】
上記式（３−１）〜（３−１６）中、ｍは、各々独立して、０〜４の整数である。ここで、少なくとも１つのｍは１〜４の整数である。
【００６８】
上記式（３−１）〜（３−１６）で表される構造を有する樹脂の具体例としては、上記式（２）で表される化合物を架橋反応性のある化合物であるアルデヒドとの縮合反応等によってノボラック化した樹脂が挙げられる。
【００６９】
ここで、上記式（２）で表される化合物をノボラック化する際に用いるアルデヒドとしては、例えば、ホルムアルデヒド、トリオキサン、パラホルムアルデヒド、ベンズアルデヒド、アセトアルデヒド、プロピルアルデヒド、フェニルアセトアルデヒド、フェニルプロピルアルデヒド、ヒドロキシベンズアルデヒド、クロロベンズアルデヒド、ニトロベンズアルデヒド、メチルベンズアルデヒド、エチルベンズアルデヒド、ブチルベンズアルデヒド、ビフェニルアルデヒド、ナフトアルデヒド、アントラセンカルボアルデヒド、フェナントレンカルボアルデヒド、ピレンカルボアルデヒド、フルフラール等が挙げられるが、これらに限定されない。これらの中でも、ホルムアルデヒドが好ましい。なお、これらのアルデヒド類は、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。また、上記アルデヒド類の使用量は、特に限定されないが、上記式（２）で表される化合物１モルに対して、０．２〜５モルが好ましく、より好ましくは０．５〜２モルである。
【００７０】
上記式（２）で表される化合物とアルデヒドとの縮合反応において、触媒を用いることもできる。ここで使用する酸触媒については、公知のものから適宜選択して用いることができ、特に限定されない。このような酸触媒としては、無機酸や有機酸が広く知られており、例えば、塩酸、硫酸、リン酸、臭化水素酸、フッ酸等の無機酸や、シュウ酸、マロン酸、こはく酸、アジピン酸、セバシン酸、クエン酸、フマル酸、マレイン酸、蟻酸、ｐ−トルエンスルホン酸、メタンスルホン酸、トリフルオロ酢酸、ジクロロ酢酸、トリクロロ酢酸、トリフルオロメタンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、ナフタレンスルホン酸、ナフタレンジスルホン酸等の有機酸や、塩化亜鉛、塩化アルミニウム、塩化鉄、三フッ化ホウ素等のルイス酸、或いはケイタングステン酸、リンタングステン酸、ケイモリブデン酸又はリンモリブデン酸等の固体酸等が挙げられるが、これらに特に限定されない。これらのなかでも、製造上の観点から、有機酸及び固体酸が好ましく、入手の容易さや取り扱い易さ等の製造上の観点から、塩酸又は硫酸が好ましい。なお、酸触媒については、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００７１】
また、酸触媒の使用量は、使用する原料及び使用する触媒の種類、さらには反応条件などに応じて適宜設定でき、特に限定されないが、反応原料１００質量部に対して、０．０１〜１００質量部であることが好ましい。なお、インデン、ヒドロキシインデン、ベンゾフラン、ヒドロキシアントラセン、アセナフチレン、ビフェニル、ビスフェノール、トリスフェノール、ジシクロペンタジエン、テトラヒドロインデン、４−ビニルシクロヘキセン、ノルボルナジエン、５−ビニルノルボルナ−２−エン、α−ピネン、β−ピネン、リモネンなどの非共役二重結合を有する化合物との共重合反応の場合は、必ずしもアルデヒド類を用いなくてもよい。
【００７２】
上記式（２）で表される化合物とアルデヒドとの縮合反応において、反応溶媒を用いることもできる。この重縮合における反応溶媒としては、公知のものの中から適宜選択して用いることができ、特に限定されないが、例えば、水、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール、テトラヒドロフラン、ジオキサン又はこれらの混合溶媒等が挙げられる。なお、上記反応溶媒は、１種を単独で或いは２種以上を組み合わせて用いることができる。また、これらの反応溶媒の使用量は、使用する原料及び使用する触媒の種類、さらには反応条件などに応じて適宜設定でき、特に限定されないが、反応原料１００質量部に対して０〜２０００質量部の範囲であることが好ましい。
【００７３】
反応温度については、反応原料の反応性に応じて適宜選択することができ、特に限定されないが、通常１０〜２００℃の範囲である。なお、反応方法は、公知の手法を適宜選択して用いることができ、特に限定されないが、例えば、上記式（２）で表される化合物、アルデヒド類、触媒を一括で仕込む方法や、上記式（２）で表される化合物やアルデヒド類を触媒存在下で滴下していく方法がある。
【００７４】
重縮合反応終了後、得られた化合物の単離は、常法にしたがって行うことができ、特に限定されない。例えば、系内に存在する未反応原料や触媒等を除去するために、反応釜の温度を１３０〜２３０℃ にまで上昇させ、１〜５０ｍｍＨｇ程度で揮発分を除去する等の一般的手法を採ることにより、目的物であるノボラック化した樹脂を得ることができる。
【００７５】
ここで、上記式（３−１）〜（３−１６）で表される構造を有する樹脂は、上記式（２）で表される化合物の単独重合体であってもよいが、他のフェノール類との共重合体であってもよい。ここで共重合可能なフェノール類としては、例えば、フェノール、クレゾール、ジメチルフェノール、トリメチルフェノール、ブチルフェノール、フェニルフェノール、ジフェニルフェノール、ナフチルフェノール、レゾルシノール、メチルレゾルシノール、カテコール、ブチルカテコール、メトキシフェノール、メトキシフェノール、プロピルフェノール、ピロガロール、チモール等が挙げるが、これらに限定されない。
【００７６】
また、上記式（３−１）〜（３−１６）で表される構造を有する樹脂は、上述した他のフェノール類以外に、重合可能なモノマーと共重合させたものであってもよい。かかる共重合モノマーとしては、例えば、ナフトール、メチルナフトール、メトキシナフトール、ジヒドロキシナフタレン、インデン、ヒドロキシインデン、ベンゾフラン、ヒドロキシアントラセン、アセナフチレン、ビフェニル、ビスフェノール、トリスフェノール、ジシクロペンタジエン、テトラヒドロインデン、４−ビニルシクロヘキセン、ノルボルナジエン、ビニルノルボルナエン、ピネン、リモネン等が挙げられるが、これらに限定されない。なお、上記式（３−１）〜（３−１６）で表される構造を有する樹脂は、上記式（２）で表される化合物と上述したフェノール類との２元以上の（例えば、２〜４元系）共重合体であっても、上記式（２）で表される化合物と上述した共重合モノマーとの２元以上（例えば、２〜４元系）共重合体であっても、上記式（２）で表される化合物と上述したフェノール類と上述した共重合モノマーとの３元以上の（例えば、３〜４元系）共重合体であっても構わない。
【００７７】
上記式（３−１）〜（３−１６）で表される構造を有する樹脂の分子量は、特に限定されないが、ポリスチレン換算の重量平均分子量（Ｍｗ）が５００〜３００，０００であることが好ましく、より好ましくは７５０〜２００，０００である。また、架橋効率を高めるとともにベーク中の揮発成分を抑制する観点から、上記式（３−１）〜（３−１６）で表される構造を有する樹脂は、分散度（重量平均分子量Ｍｗ／数平均分子量Ｍｎ）が１．１〜７の範囲内のものが好ましい。なお、上記Ｍｗ、Ｍｎ及び分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）は、後述する実施例に記載の方法により求めることができる。
【００７８】
本実施形態のリソグラフィー用膜形成材料は、湿式プロセスの適用がより容易になる等の観点から、溶媒に対する溶解性が高いものであることが好ましい。より具体的には、本実施形態のリソグラフィー用膜形成材料（化合物及び／又は樹脂）は、１−メトキシ−２−プロパノール（ＰＧＭＥ）及び／又はプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）、及び／又は、シクロペンタノン（ＣＰＮ）及び／又はシクロヘキサノン（ＣＨＮ）を溶媒とする場合、当該溶媒に対する溶解度が１０質量％以上であることが好ましい。ここで、ＰＧＭＥ及び／又はＰＧＭＥＡ、及び／又は、ＣＰＮ及び／又はＣＨＮに対する溶解度は、「樹脂の質量÷（樹脂の質量＋溶媒の質量）×１００（質量％）」と定義される。例えば、リソグラフィー用膜形成材料１０ｇがＰＧＭＥＡ９０ｇに対して溶解すると評価されるのは、リソグラフィー用膜形成材料のＰＧＭＥＡに対する溶解度が「１０質量％以上」となる場合であり、溶解しないと評価されるのは、当該溶解度が「１０質量％未満」となる場合である。
【００７９】
［リソグラフィー用膜形成用組成物］
本実施形態のリソグラフィー用膜形成用組成物は、本実施形態のリソグラフィー用膜形成材料と有機溶媒とを含有する。
【００８０】
有機溶媒としては、本実施形態のリソグラフィー用膜形成材料（化合物及び／又は樹脂）が少なくとも溶解するものであれば特に限定されず、公知のものを適宜用いることができる。有機溶媒の具体例としては、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒；プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等のセロソルブ系溶媒；乳酸エチル、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸イソアミル、乳酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、ヒドロキシイソ酪酸メチル等のエステル系溶媒；メタノール、エタノール、イソプロパノール、１−エトキシ−２−プロパノール等のアルコール系溶媒；トルエン、キシレン、アニソール等の芳香族系炭化水素等が挙げられるが、これらに限定されない。これらの有機溶媒は、１種を単独で、或いは２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００８１】
上記有機溶媒の中で、安全性の点から、シクロヘキサノン、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、乳酸エチル、ヒドロキシイソ酪酸メチル、アニソールが好ましい。
【００８２】
有機溶媒の含有量は、特に限定されないが、溶解性及び製膜上の観点から、本実施形態のリソグラフィー用膜形成材料（化合物及び／又は樹脂）１００質量部に対して、１００〜１０，０００質量部であることが好ましく、より好ましくは２００〜５，０００質量部である。
【００８３】
本実施形態のリソグラフィー用膜形成用組成物は、本実施形態の上記リソグラフィー用膜形成材料及び有機溶媒以外に、必要に応じて、架橋剤、酸発生剤、その他の成分を含んでいてもよい。以下、これらの任意成分について説明する。
【００８４】
本実施形態のリソグラフィー用膜形成用組成物は、インターミキシングを抑制する等の観点から、必要に応じて架橋剤を含有していてもよい。本実施形態で使用可能な架橋剤の具体例としては、メラミン化合物、グアナミン化合物、グリコールウリル化合物、ウレア化合物、エポキシ化合物、チオエポキシ化合物、イソシアネート化合物、アジド化合物、アルケニルエーテル基などの２重結合を含む化合物であって、メチロール基、アルコキシメチル基、アシロキシメチル基から選ばれる少なくとも一つの基を置換基（架橋性基）として有するものなどが挙げるが、これらに限定されない。なお、これらの架橋剤は、１種を単独で、或いは２種以上を組み合わせて用いることができる。また、これらは添加剤として用いてもよい。なお、上記架橋性基を式（１）で表される化合物及び／又は式（３−１）〜（３−１６）で表される構造を有する樹脂におけるポリマー側鎖にペンダント基として導入してもよい。また、ヒドロキシ基を含む化合物も架橋剤として用いることができる。
【００８５】
メラミン化合物の具体例としては、以下に限定されないが、ヘキサメチロールメラミン、ヘキサメトキシメチルメラミン、ヘキサメチロールメラミンの１〜６個のメチロール基がメトキシメチル化した化合物又はその混合物、ヘキサメトキシエチルメラミン、ヘキサアシロキシメチルメラミン、ヘキサメチロールメラミンのメチロール基の１〜６個がアシロキシメチル化した化合物又はその混合物などが挙げられる。エポキシ化合物の具体例としては、以下に限定されないが、トリス（２，３−エポキシプロピル）イソシアヌレート、トリメチロールメタントリグリシジルエーテル、トリメチロールプロパントリグリシジルエーテル、トリエチロールエタントリグリシジルエーテルなどが挙げられる。
【００８６】
グアナミン化合物の具体例としては、以下に限定されないが、テトラメチロールグアナミン、テトラメトキシメチルグアナミン、テトラメチロールグアナミンの１〜４個のメチロール基がメトキシメチル化した化合物又はその混合物、テトラメトキシエチルグアナミン、テトラアシロキシグアナミン、テトラメチロールグアナミンの１〜４個のメチロール基がアシロキシメチル化した化合物又はその混合物などが挙げられる。グリコールウリル化合物の具体例としては、以下に限定されないが、テトラメチロールグリコールウリル、テトラメトキシグリコールウリル、テトラメトキシメチルグリコールウリル、テトラメチロールグリコールウリルのメチロール基の１〜４個がメトキシメチル化した化合物又はその混合物、テトラメチロールグリコールウリルのメチロール基の１〜４個がアシロキシメチル化した化合物又はその混合物などが挙げられる。ウレア化合物の具体例としては、以下に限定されないが、テトラメチロールウレア、テトラメトキシメチルウレア、テトラメチロールウレアの１〜４個のメチロール基がメトキシメチル化した化合物又はその混合物、テトラメトキシエチルウレアなどが挙げられる。
【００８７】
アルケニルエーテル基を含む化合物の具体例としては、以下に限定されないが、エチレングリコールジビニルエーテル、トリエチレングリコールジビニルエーテル、１，２−プロパンジオールジビニルエーテル、１，４−ブタンジオールジビニルエーテル、テトラメチレングリコールジビニルエーテル、ネオペンチルグリコールジビニルエーテル、トリメチロールプロパントリビニルエーテル、ヘキサンジオールジビニルエーテル、１，４−シクロヘキサンジオールジビニルエーテル、ペンタエリスリトールトリビニルエーテル、ペンタエリスリトールテトラビニルエーテル、ソルビトールテトラビニルエーテル、ソルビトールペンタビニルエーテル、トリメチロールプロパントリビニルエーテルなどが挙げられる。
【００８８】
本実施形態のリソグラフィー用膜形成用組成物において、架橋剤の含有量は、特に限定されないが、本実施形態のリソグラフィー用膜形成材料（化合物及び／又は樹脂）１００質量部に対して、５〜５０質量部であることが好ましく、より好ましくは１０〜４０質量部である。上記の好ましい範囲にすることで、レジスト層とのミキシング現象の発生が抑制される傾向にあり、また、反射防止効果が高められ、架橋後の膜形成性が高められる傾向にある。
【００８９】
本実施形態のリソグラフィー用膜形成用組成物は、熱による架橋反応をさらに促進させるなどの観点から、必要に応じて酸発生剤を含有していてもよい。酸発生剤としては、熱分解によって酸を発生するもの、光照射によって酸を発生するものなどが知られているが、いずれのものも使用することができる。
【００９０】
酸発生剤としては、
１）下記一般式（Ｐ１ａ−１）、（Ｐ１ａ−２）、（Ｐ１ａ−３）又は（Ｐ１ｂ）のオニウム塩、
２）下記一般式（Ｐ２）のジアゾメタン誘導体、
３）下記一般式（Ｐ３）のグリオキシム誘導体、
４）下記一般式（Ｐ４）のビススルホン誘導体、
５）下記一般式（Ｐ５）のＮ−ヒドロキシイミド化合物のスルホン酸エステル、
６）β−ケトスルホン酸誘導体、
７）ジスルホン誘導体、
８）ニトロベンジルスルホネート誘導体、
９）スルホン酸エステル誘導体
等が挙げられるが、これらに限定されない。なお、これらの酸発生剤は、１種を単独で、或いは２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００９１】
【化５１】
0006447884.tif 000052
（上記式中、Ｒ101a、Ｒ101b、Ｒ101cはそれぞれ独立して炭素数１〜１２の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルキル基、アルケニル基、オキソアルキル基又はオキソアルケニル基；炭素数６〜２０のアリール基；又は炭素数７〜１２のアラルキル基若しくはアリールオキソアルキル基を示し、これらの基の水素原子の一部又は全部がアルコキシ基等によって置換されていてもよい。また、Ｒ101bとＲ101cとは環を形成してもよく、環を形成する場合には、Ｒ101b、Ｒ101cはそれぞれ独立して炭素数１〜６のアルキレン基を示す。Ｋ-は非求核性対向イオンを表す。Ｒ101d、Ｒ101e、Ｒ101f、Ｒ101gは、それぞれ独立してＲ101a、Ｒ101b、Ｒ101cに水素原子を加えて示される。Ｒ101dとＲ101e、Ｒ101dとＲ101eとＲ101fとは環を形成してもよく、環を形成する場合には、Ｒ101dとＲ101e及びＲ101dとＲ101eとＲ101fは炭素数３〜１０のアルキレン基を示し、又は、式中の窒素原子を環の中に有する複素芳香族環を示す。）
【００９２】
上記のＲ101a、Ｒ101b、Ｒ101c、Ｒ101d、Ｒ101e、Ｒ101f、Ｒ101gは互いに同一であっても異なっていてもよい。具体的には、アルキル基としては、以下に限定されないが、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロプロピルメチル基、４−メチルシクロヘキシル基、シクロヘキシルメチル基、ノルボルニル基、アダマンチル基等が挙げられる。アルケニル基としては、以下に限定されないが、例えば、ビニル基、アリル基、プロぺニル基、ブテニル基、ヘキセニル基、シクロヘキセニル基等が挙げられる。オキソアルキル基としては、以下に限定されないが、例えば、２−オキソシクロペンチル基、２−オキソシクロヘキシル基等や、２−オキソプロピル基、２−シクロペンチル−２−オキソエチル基、２−シクロヘキシル−２−オキソエチル基、２−（４−メチルシクロヘキシル）−２−オキソエチル基等を挙げることができる。オキソアルケニル基としては、以下に限定されないが、例えば、２−オキソ−４−シクロヘキセニル基、２−オキソ−４−プロペニル基等が挙げられる。アリール基としては、以下に限定されないが、例えば、フェニル基、ナフチル基等や、ｐ−メトキシフェニル基、ｍ−メトキシフェニル基、ｏ−メトキシフェニル基、エトキシフェニル基、ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル基、ｍ−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル基等のアルコキシフェニル基；２−メチルフェニル基、３−メチルフェニル基、４−メチルフェニル基、エチルフェニル基、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、４−ブチルフェニル基、ジメチルフェニル基等のアルキルフェニル基；メチルナフチル基、エチルナフチル基等のアルキルナフチル基；メトキシナフチル基、エトキシナフチル基等のアルコキシナフチル基；ジメチルナフチル基、ジエチルナフチル基等のジアルキルナフチル基；ジメトキシナフチル基、ジエトキシナフチル基等のジアルコキシナフチル基等が挙げられる。アラルキル基としては、以下に限定されないが、例えば、ベンジル基、フェニルエチル基、フェネチル基等が挙げられる。アリールオキソアルキル基としては、以下に限定されないが、例えば、２−フェニル−２−オキソエチル基、２−（１−ナフチル）−２−オキソエチル基、２−（２−ナフチル）−２−オキソエチル基等の２−アリール−２−オキソエチル基等が挙げられる。Ｋ-の非求核性対向イオンとしては、以下に限定されないが、例えば、塩化物イオン、臭化物イオン等のハライドイオン；トリフレート、１，１，１−トリフルオロエタンスルホネート、ノナフルオロブタンスルホネート等のフルオロアルキルスルホネート；トシレート、ベンゼンスルホネート、４−フルオロベンゼンスルホネート、１，２，３，４，５−ペンタフルオロベンゼンスルホネート等のアリールスルホネート；メシレート、ブタンスルホネート等のアルキルスルホネート等が挙げられる。
【００９３】
また、Ｒ101d、Ｒ101e、Ｒ101f、Ｒ101gが式中の窒素原子を環の中に有する複素芳香族環である場合、その複素芳香族環としては、イミダゾール誘導体（例えばイミダゾール、４−メチルイミダゾール、４−メチル−２−フェニルイミダゾール等）、ピラゾール誘導体、フラザン誘導体、ピロリン誘導体（例えばピロリン、２−メチル−１−ピロリン等）、ピロリジン誘導体（例えばピロリジン、Ｎ−メチルピロリジン、ピロリジノン、Ｎ−メチルピロリドン等）、イミダゾリン誘導体、イミダゾリジン誘導体、ピリジン誘導体（例えばピリジン、メチルピリジン、エチルピリジン、プロピルピリジン、ブチルピリジン、４−（１−ブチルペンチル）ピリジン、ジメチルピリジン、トリメチルピリジン、トリエチルピリジン、フェニルピリジン、３−メチル−２−フェニルピリジン、４−ｔｅｒｔ−ブチルピリジン、ジフェニルピリジン、ベンジルピリジン、メトキシピリジン、ブトキシピリジン、ジメトキシピリジン、１−メチル−２−ピリドン、４−ピロリジノピリジン、１−メチル−４−フェニルピリジン、２−（１−エチルプロピル）ピリジン、アミノピリジン、ジメチルアミノピリジン等）、ピリダジン誘導体、ピリミジン誘導体、ピラジン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾリジン誘導体、ピペリジン誘導体、ピペラジン誘導体、モルホリン誘導体、インドール誘導体、イソインドール誘導体、１Ｈ−インダゾール誘導体、インドリン誘導体、キノリン誘導体（例えばキノリン、３−キノリンカルボニトリル等）、イソキノリン誘導体、シンノリン誘導体、キナゾリン誘導体、キノキサリン誘導体、フタラジン誘導体、プリン誘導体、プテリジン誘導体、カルバゾール誘導体、フェナントリジン誘導体、アクリジン誘導体、フェナジン誘導体、１，１０−フェナントロリン誘導体、アデニン誘導体、アデノシン誘導体、グアニン誘導体、グアノシン誘導体、ウラシル誘導体、ウリジン誘導体等が例示される。
【００９４】
上記式（Ｐ１ａ−１）と式（Ｐ１ａ−２）のオニウム塩は、光酸発生剤及び熱酸発生剤としての機能を有する。上記式（Ｐ１ａ−３）のオニウム塩は、熱酸発生剤としての機能を有する。
【００９５】
【化５２】
0006447884.tif 000053
（式（Ｐ１ｂ）中、Ｒ102a、Ｒ102bはそれぞれ独立して炭素数１〜８の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。Ｒ103は炭素数１〜１０の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基を示す。Ｒ104a、Ｒ104bはそれぞれ独立して炭素数３〜７の２−オキソアルキル基を示す。Ｋ-は非求核性対向イオンを表す。）
【００９６】
上記Ｒ102a、Ｒ102bの具体例としては、以下に限定されないが、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロプロピルメチル基、４−メチルシクロヘキシル基、シクロヘキシルメチル基等が挙げられる。Ｒ103の具体例としては、以下に限定されないが、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、へキシレン基、へプチレン基、オクチレン基、ノニレン基、１，４−シクロへキシレン基、１，２−シクロへキシレン基、１，３−シクロペンチレン基、１，４−シクロオクチレン基、１，４−シクロヘキサンジメチレン基等が挙げられる。Ｒ104a、Ｒ104bの具体例としては、以下に限定されないが、２−オキソプロピル基、２−オキソシクロペンチル基、２−オキソシクロヘキシル基、２−オキソシクロヘプチル基等が挙げられる。Ｋ-は式（Ｐ１ａ−１）、（Ｐ１ａ−２）及び（Ｐ１ａ−３）で説明したものと同様のものを挙げることができる。
【００９７】
【化５３】
0006447884.tif 000054
【００９８】
上記式（Ｐ２）中、Ｒ105、Ｒ106はそれぞれ独立して炭素数１〜１２の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基又はハロゲン化アルキル基、炭素数６〜２０のアリール基又はハロゲン化アリール基、又は炭素数７〜１２のアラルキル基を示す。
【００９９】
Ｒ105、Ｒ106のアルキル基としては、以下に限定されないが、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、アミル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、ノルボルニル基、アダマンチル基等が挙げられる。ハロゲン化アルキル基としては、以下に限定されないが、例えば、トリフルオロメチル基、１，１，１−トリフルオロエチル基、１，１，１−トリクロロエチル基、ノナフルオロブチル基等が挙げられる。アリール基としては、以下に限定されないが、例えば、フェニル基、ｐ−メトキシフェニル基、ｍ−メトキシフェニル基、ｏ−メトキシフェニル基、エトキシフェニル基、ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル基、ｍ−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル基等のアルコキシフェニル基；２−メチルフェニル基、３−メチルフェニル基、４−メチルフェニル基、エチルフェニル基、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、４−ブチルフェニル基、ジメチルフェニル基等のアルキルフェニル基等が挙げられる。ハロゲン化アリール基としては、以下に限定されないが、例えば、フルオロフェニル基、クロロフェニル基、１，２，３，４，５−ペンタフルオロフェニル基等が挙げられる。アラルキル基としては、以下に限定されないが、例えば、ベンジル基、フェネチル基等が挙げられる。
【０１００】
【化５４】
0006447884.tif 000055
【０１０１】
上記式（Ｐ３）中、Ｒ107、Ｒ108、Ｒ109はそれぞれ独立して炭素数１〜１２の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルキル基又はハロゲン化アルキル基；炭素数６〜２０のアリール基若しくはハロゲン化アリール基；又は炭素数７〜１２のアラルキル基を示す。Ｒ108、Ｒ109は互いに結合して環状構造を形成してもよく、環状構造を形成する場合、Ｒ108、Ｒ109はそれぞれ炭素数１〜６の直鎖状又は分岐状のアルキレン基を示す。
【０１０２】
Ｒ107、Ｒ108、Ｒ109のアルキル基、ハロゲン化アルキル基、アリール基、ハロゲン化アリール基、アラルキル基としては、Ｒ105、Ｒ106で説明したものと同様の基が挙げられる。なお、Ｒ108、Ｒ109のアルキレン基としては、以下に限定されないが、例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ヘキシレン基等が挙げられる。
【０１０３】
【化５５】
0006447884.tif 000056
【０１０４】
上記式（Ｐ４）中、Ｒ101a、Ｒ101bは上記と同様である。
【０１０５】
【化５６】
0006447884.tif 000057
【０１０６】
上記式（Ｐ５）中、Ｒ110は炭素数６〜１０のアリーレン基、炭素数１〜６のアルキレン基又は炭素数２〜６のアルケニレン基を示す。これらの基の水素原子の一部又は全部は、さらに炭素数１〜４の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基又はアルコキシ基、ニトロ基、アセチル基、又はフェニル基で置換されていてもよい。Ｒ111は炭素数１〜８の直鎖状、分岐状若しくは置換のアルキル基、アルケニル基又はアルコキシアルキル基、フェニル基、又はナフチル基を示す。これらの基の水素原子の一部又は全部は、さらに炭素数１〜４のアルキル基又はアルコキシ基；炭素数１〜４のアルキル基、アルコキシ基、ニトロ基又はアセチル基で置換されていてもよいフェニル基；炭素数３〜５のヘテロ芳香族基；又は塩素原子、フッ素原子で置換されていてもよい。
【０１０７】
ここで、Ｒ110のアリーレン基としては、以下に限定されないが、例えば、１，２−フェニレン基、１，８−ナフチレン基等が挙げられる。アルキレン基としては、以下に限定されないが、例えば、メチレン基、エチレン基、トリメチレン基、テトラメチレン基、フェニルエチレン基、ノルボルナン−２，３−ジイル基等が挙げられる。アルケニレン基としては、以下に限定されないが、例えば、１，２−ビニレン基、１−フェニル−１，２−ビニレン基、５−ノルボルネン−２，３−ジイル基等が挙げられる。Ｒ111のアルキル基としては、Ｒ101a〜Ｒ101cと同様のものが挙げられる。アルケニル基としては、以下に限定されないが、例えば、ビニル基、１−プロペニル基、アリル基、１−ブテニル基、３−ブテニル基、イソプレニル基、１−ペンテニル基、３−ペンテニル基、４−ペンテニル基、ジメチルアリル基、１−ヘキセニル基、３−ヘキセニル基、５−ヘキセニル基、１−ヘプテニル基、３−ヘプテニル基、６−ヘプテニル基、７−オクテニル基等が挙げられる。アルコキシアルキル基としては、以下に限定されないが、例えば、メトキシメチル基、エトキシメチル基、プロポキシメチル基、ブトキシメチル基、ペンチロキシメチル基、ヘキシロキシメチル基、ヘプチロキシメチル基、メトキシエチル基、エトキシエチル基、プロポキシエチル基、ブトキシエチル基、ペンチロキシエチル基、ヘキシロキシエチル基、メトキシプロピル基、エトキシプロピル基、プロポキシプロピル基、ブトキシプロピル基、メトキシブチル基、エトキシブチル基、プロポキシブチル基、メトキシペンチル基、エトキシペンチル基、メトキシヘキシル基、メトキシヘプチル基等が挙げられる。
【０１０８】
なお、さらに置換されていてもよい炭素数１〜４のアルキル基としては、以下に限定されないが、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基等が挙げられる。炭素数１〜４のアルコキシ基としては、以下に限定されないが、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、イソブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基等が挙げられる。炭素数１〜４のアルキル基、アルコキシ基、ニトロ基又はアセチル基で置換されていてもよいフェニル基としては、以下に限定されないが、例えば、フェニル基、トリル基、ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル基、ｐ−アセチルフェニル基、ｐ−ニトロフェニル基等が挙げられる。炭素数３〜５のヘテロ芳香族基としては、以下に限定されないが、例えば、ピリジル基、フリル基等が挙げられる。
【０１０９】
酸発生剤の具体例としては、以下に限定されないが、トリフルオロメタンスルホン酸テトラメチルアンモニウム、ノナフルオロブタンスルホン酸テトラメチルアンモニウム、ノナフルオロブタンスルホン酸トリエチルアンモニウム、ノナフルオロブタンスルホン酸ピリジニウム、カンファースルホン酸トリエチルアンモニウム、カンファースルホン酸ピリジニウム、ノナフルオロブタンスルホン酸テトラｎ−ブチルアンモニウム、ノナフルオロブタンスルホン酸テトラフェニルアンモニウム、ｐ−トルエンスルホン酸テトラメチルアンモニウム、トリフルオロメタンスルホン酸ジフェニルヨードニウム、トリフルオロメタンスルホン酸（ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル）フェニルヨードニウム、ｐ−トルエンスルホン酸ジフェニルヨードニウム、ｐ−トルエンスルホン酸（ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル）フェニルヨードニウム、トリフルオロメタンスルホン酸トリフェニルスルホニウム、トリフルオロメタンスルホン酸（ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル）ジフェニルスルホニウム、トリフルオロメタンスルホン酸ビス（ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル）フェニルスルホニウム、トリフルオロメタンスルホン酸トリス（ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル）スルホニウム、ｐ−トルエンスルホン酸トリフェニルスルホニウム、ｐ−トルエンスルホン酸（ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル）ジフェニルスルホニウム、ｐ−トルエンスルホン酸ビス（ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル）フェニルスルホニウム、ｐ−トルエンスルホン酸トリス（ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル）スルホニウム、ノナフルオロブタンスルホン酸トリフェニルスルホニウム、ブタンスルホン酸トリフェニルスルホニウム、トリフルオロメタンスルホン酸トリメチルスルホニウム、ｐ−トルエンスルホン酸トリメチルスルホニウム、トリフルオロメタンスルホン酸シクロヘキシルメチル（２−オキソシクロヘキシル）スルホニウム、ｐ−トルエンスルホン酸シクロヘキシルメチル（２−オキソシクロヘキシル）スルホニウム、トリフルオロメタンスルホン酸ジメチルフェニルスルホニウム、ｐ−トルエンスルホン酸ジメチルフェニルスルホニウム、トリフルオロメタンスルホン酸ジシクロヘキシルフェニルスルホニウム、ｐ−トルエンスルホン酸ジシクロヘキシルフェニルスルホニウム、トリフルオロメタンスルホン酸トリナフチルスルホニウム、トリフルオロメタンスルホン酸シクロヘキシルメチル（２−オキソシクロヘキシル）スルホニウム、トリフルオロメタンスルホン酸（２−ノルボニル）メチル（２−オキソシクロヘキシル）スルホニウム、エチレンビス［メチル（２−オキソシクロペンチル）スルホニウムトリフルオロメタンスルホナート］、１，２’−ナフチルカルボニルメチルテトラヒドロチオフェニウムトリフレート等のオニウム塩；ビス（ベンゼンスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｐ−トルエンスルホニル）ジアゾメタン、ビス（キシレンスルホニル）ジアゾメタン、ビス（シクロヘキシルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（シクロペンチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｎ−ブチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（イソブチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｓｅｃ−ブチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｎ−プロピルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（イソプロピルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｔｅｒｔ−ブチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｎ−アミルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（イソアミルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｓｅｃ−アミルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｔｅｒｔ−アミルスルホニル）ジアゾメタン、１−シクロヘキシルスルホニル−１−（ｔｅｒｔ−ブチルスルホニル）ジアゾメタン、１−シクロヘキシルスルホニル−１−（ｔｅｒｔ−アミルスルホニル）ジアゾメタン、１−ｔｅｒｔ−アミルスルホニル−１−（ｔｅｒｔ−ブチルスルホニル）ジアゾメタン等のジアゾメタン誘導体；ビス−（ｐ−トルエンスルホニル）−α−ジメチルグリオキシム、ビス−（ｐ−トルエスルホニル）−α−ジフェニルグリオキシム、ビス−（ｐ−トルエンスルホニル）−α−ジシクロヘキシルグリオキシム、ビス−（ｐ−トルエンスルホニル）−２，３−ペンタンジオングリオキシム、ビス−（ｐ−トルエンスルホニル）−２−メチル−３，４−ペンタンジオングリオキシム、ビス−（ｎ−ブタンスルホニル）−α−ジメチルグリオキシム、ビス−（ｎ−ブタンスルホニル）−α−ジフェニルグリオキシム、ビス−（ｎ−ブタンスルホニル）−α−ジシクロヘキシルグリオキシム、ビス−（ｎ−ブタンスルホニル）−２，３−ペンタンジオングリオキシム、ビス−（ｎ−ブタンスルホニル）−２−メチル−３，４−ペンタンジオングリオキシム、ビス−（メタンスルホニル）−α−ジメチルグリオキシム、ビス−（トリフルオロメタンスルホニル）−α−ジメチルグリオキシム、ビス−（１，１，１−トリフルオロエタンスルホニル）−α−ジメチルグリオキシム、ビス−（ｔｅｒｔ−ブタンスルホニル）−α−ジメチルグリオキシム、ビス−（パーフルオロオクタンスルホニル）−α−ジメチルグリオキシム、ビス−（シクロヘキサンスルホニル）−α−ジメチルグリオキシム、ビス−（ベンゼンスルホニル）−α−ジメチルグリオキシム、ビス−（ｐ−フルオロベンゼンスルホニル）−α−ジメチルグリオキシム、ビス−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルベンゼンスルホニル）−α−ジメチルグリオキシム、ビス−（キシレンスルホニル）−α−ジメチルグリオキシム、ビス−（カンファースルホニル）−α−ジメチルグリオキシム等のグリオキシム誘導体；ビスナフチルスルホニルメタン、ビストリフルオロメチルスルホニルメタン、ビスメチルスルホニルメタン、ビスエチルスルホニルメタン、ビスプロピルスルホニルメタン、ビスイソプロピルスルホニルメタン、ビス−ｐ−トルエンスルホニルメタン、ビスベンゼンスルホニルメタン等のビススルホン誘導体；２−シクロヘキシルカルボニル−２−（ｐ−トルエンスルホニル）プロパン、２−イソプロピルカルボニル−２−（ｐ−トルエンスルホニル）プロパン等のβ−ケトスルホン誘導体；ジフェニルジスルホン誘導体、ジシクロヘキシルジスルホン誘導体等のジスルホン誘導体、ｐ−トルエンスルホン酸２，６−ジニトロベンジル、ｐ−トルエンスルホン酸２，４−ジニトロベンジル等のニトロベンジルスルホネート誘導体；１，２，３−トリス（メタンスルホニルオキシ）ベンゼン、１，２，３−トリス（トリフルオロメタンスルホニルオキシ）ベンゼン、１，２，３−トリス（ｐ−トルエンスルホニルオキシ）ベンゼン等のスルホン酸エステル誘導体；Ｎ−ヒドロキシスクシンイミドメタンスルホン酸エステル、Ｎ−ヒドロキシスクシンイミドトリフルオロメタンスルホン酸エステル、Ｎ−ヒドロキシスクシンイミドエタンスルホン酸エステル、Ｎ−ヒドロキシスクシンイミド１−プロパンスルホン酸エステル、Ｎ−ヒドロキシスクシンイミド２−プロパンスルホン酸エステル、Ｎ−ヒドロキシスクシンイミド１−ペンタンスルホン酸エステル、Ｎ−ヒドロキシスクシンイミド１−オクタンスルホン酸エステル、Ｎ−ヒドロキシスクシンイミドｐ−トルエンスルホン酸エステル、Ｎ−ヒドロキシスクシンイミドｐ−メトキシベンゼンスルホン酸エステル、Ｎ−ヒドロキシスクシンイミド２−クロロエタンスルホン酸エステル、Ｎ−ヒドロキシスクシンイミドベンゼンスルホン酸エステル、Ｎ−ヒドロキシスクシンイミド−２，４，６−トリメチルベンゼンスルホン酸エステル、Ｎ−ヒドロキシスクシンイミド１−ナフタレンスルホン酸エステル、Ｎ−ヒドロキシスクシンイミド２−ナフタレンスルホン酸エステル、Ｎ−ヒドロキシ−２−フェニルスクシンイミドメタンスルホン酸エステル、Ｎ−ヒドロキシマレイミドメタンスルホン酸エステル、Ｎ−ヒドロキシマレイミドエタンスルホン酸エステル、Ｎ−ヒドロキシ−２−フェニルマレイミドメタンスルホン酸エステル、Ｎ−ヒドロキシグルタルイミドメタンスルホン酸エステル、Ｎ−ヒドロキシグルタルイミドベンゼンスルホン酸エステル、Ｎ−ヒドロキシフタルイミドメタンスルホン酸エステル、Ｎ−ヒドロキシフタルイミドベンゼンスルホン酸エステル、Ｎ−ヒドロキシフタルイミドトリフルオロメタンスルホン酸エステル、Ｎ−ヒドロキシフタルイミドｐ−トルエンスルホン酸エステル、Ｎ−ヒドロキシナフタルイミドメタンスルホン酸エステル、Ｎ−ヒドロキシナフタルイミドベンゼンスルホン酸エステル、Ｎ−ヒドロキシ−５−ノルボルネン−２，３−ジカルボキシイミドメタンスルホン酸エステル、Ｎ−ヒドロキシ−５−ノルボルネン−２，３−ジカルボキシイミドトリフルオロメタンスルホン酸エステル、Ｎ−ヒドロキシ−５−ノルボルネン−２，３−ジカルボキシイミドｐ−トルエンスルホン酸エステル等のＮ−ヒドロキシイミド化合物のスルホン酸エステル誘導体等が挙げられる。
これらのなかでも、特に、トリフルオロメタンスルホン酸トリフェニルスルホニウム、トリフルオロメタンスルホン酸（ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル）ジフェニルスルホニウム、トリフルオロメタンスルホン酸トリス（ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル）スルホニウム、ｐ−トルエンスルホン酸トリフェニルスルホニウム、ｐ−トルエンスルホン酸（ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル）ジフェニルスルホニウム、ｐ−トルエンスルホン酸トリス（ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル）スルホニウム、トリフルオロメタンスルホン酸トリナフチルスルホニウム、トリフルオロメタンスルホン酸シクロヘキシルメチル（２−オキソシクロヘキシル）スルホニウム、トリフルオロメタンスルホン酸（２−ノルボニル）メチル（２−オキソシクロヘキシル）スルホニウム、１，２’−ナフチルカルボニルメチルテトラヒドロチオフェニウムトリフレート等のオニウム塩；ビス（ベンゼンスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｐ−トルエンスルホニル）ジアゾメタン、ビス（シクロヘキシルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｎ−ブチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（イソブチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｓｅｃ−ブチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｎ−プロピルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（イソプロピルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｔｅｒｔ−ブチルスルホニル）ジアゾメタン等のジアゾメタン誘導体；ビス−（ｐ−トルエンスルホニル）−α−ジメチルグリオキシム、ビス−（ｎ−ブタンスルホニル）−α−ジメチルグリオキシム等のグリオキシム誘導体、ビスナフチルスルホニルメタン等のビススルホン誘導体；Ｎ−ヒドロキシスクシンイミドメタンスルホン酸エステル、Ｎ−ヒドロキシスクシンイミドトリフルオロメタンスルホン酸エステル、Ｎ−ヒドロキシスクシンイミド１−プロパンスルホン酸エステル、Ｎ−ヒドロキシスクシンイミド２−プロパンスルホン酸エステル、Ｎ−ヒドロキシスクシンイミド１−ペンタンスルホン酸エステル、Ｎ−ヒドロキシスクシンイミドｐ−トルエンスルホン酸エステル、Ｎ−ヒドロキシナフタルイミドメタンスルホン酸エステル、Ｎ−ヒドロキシナフタルイミドベンゼンスルホン酸エステル等のＮ−ヒドロキシイミド化合物のスルホン酸エステル誘導体等が好ましく用いられる。
【０１１０】
本実施形態のリソグラフィー用膜形成用組成物において、酸発生剤の含有量は、特に限定されないが、本実施形態のリソグラフィー用膜形成材料（化合物及び／又は樹脂）１００質量部に対して、０．１〜５０質量部であることが好ましく、より好ましくは０．５〜４０質量部である。上記の好ましい範囲にすることで、酸発生量が多くなって架橋反応が高められる傾向にあり、また、レジスト層とのミキシング現象の発生が抑制される傾向にある。
【０１１１】
さらに、本実施形態のリソグラフィー用膜形成用組成物は、保存安定性を向上させる等の観点から、塩基性化合物を含有していてもよい。
【０１１２】
塩基性化合物は、酸発生剤より微量に発生した酸が架橋反応を進行させるのを防ぐための、酸に対するクエンチャーの役割を果たす。このような塩基性化合物としては、例えば、第一級、第二級又は第三級の脂肪族アミン類、混成アミン類、芳香族アミン類、複素環アミン類、カルボキシ基を有する含窒素化合物、スルホニル基を有する含窒素化合物、水酸基を有する含窒素化合物、ヒドロキシフェニル基を有する含窒素化合物、アルコール性含窒素化合物、アミド誘導体、イミド誘導体等が挙げられるが、これらに限定されない。
【０１１３】
具体的には、第一級の脂肪族アミン類の具体例としては、以下に限定されないが、アンモニア、メチルアミン、エチルアミン、ｎ−プロピルアミン、イソプロピルアミン、ｎ−ブチルアミン、イソブチルアミン、ｓｅｃ−ブチルアミン、ｔｅｒｔ−ブチルアミン、ペンチルアミン、ｔｅｒｔ−アミルアミン、シクロペンチルアミン、ヘキシルアミン、シクロヘキシルアミン、ヘプチルアミン、オクチルアミン、ノニルアミン、デシルアミン、ドデシルアミン、セチルアミン、メチレンジアミン、エチレンジアミン、テトラエチレンペンタミン等が挙げられる。第二級の脂肪族アミン類の具体例としては、以下に限定されないが、ジメチルアミン、ジエチルアミン、ジ−ｎ−プロピルアミン、ジイソプロピルアミン、ジ−ｎ−ブチルアミン、ジイソブチルアミン、ジ−ｓｅｃ−ブチルアミン、ジペンチルアミン、ジシクロペンチルアミン、ジヘキシルアミン、ジシクロヘキシルアミン、ジヘプチルアミン、ジオクチルアミン、ジノニルアミン、ジデシルアミン、ジドデシルアミン、ジセチルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルメチレンジアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルテトラエチレンペンタミン等が挙げられる。第三級の脂肪族アミン類の具体例としては、以下に限定されないが、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリ−ｎ−プロピルアミン、トリイソプロピルアミン、トリ−ｎ−ブチルアミン、トリイソブチルアミン、トリ−ｓｅｃ−ブチルアミン、トリペンチルアミン、トリシクロペンチルアミン、トリヘキシルアミン、トリシクロヘキシルアミン、トリヘプチルアミン、トリオクチルアミン、トリノニルアミン、トリデシルアミン、トリドデシルアミン、トリセチルアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルメチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルテトラエチレンペンタミン等が挙げられる。
【０１１４】
また、混成アミン類の具体例としては、以下に限定されないが、ジメチルエチルアミン、メチルエチルプロピルアミン、ベンジルアミン、フェネチルアミン、ベンジルジメチルアミン等が挙げられる。芳香族アミン類及び複素環アミン類の具体例としては、以下に限定されないが、アニリン誘導体（例えばアニリン、Ｎ−メチルアニリン、Ｎ−エチルアニリン、Ｎ−プロピルアニリン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン、２−メチルアニリン、３−メチルアニリン、４−メチルアニリン、エチルアニリン、プロピルアニリン、トリメチルアニリン、２−ニトロアニリン、３−ニトロアニリン、４−ニトロアニリン、２，４−ジニトロアニリン、２，６−ジニトロアニリン、３，５−ジニトロアニリン、Ｎ，Ｎ−ジメチルトルイジン等）、ジフェニル（ｐ−トリル）アミン、メチルジフェニルアミン、トリフェニルアミン、フェニレンジアミン、ナフチルアミン、ジアミノナフタレン、ピロール誘導体（例えばピロール、２Ｈ−ピロール、１−メチルピロール、２，４−ジメチルピロール、２，５−ジメチルピロール、Ｎ−メチルピロール等）、オキサゾール誘導体（例えばオキサゾール、イソオキサゾール等）、チアゾール誘導体（例えばチアゾール、イソチアゾール等）、イミダゾール誘導体（例えばイミダゾール、４−メチルイミダゾール、４−メチル−２−フェニルイミダゾール等）、ピラゾール誘導体、フラザン誘導体、ピロリン誘導体（例えばピロリン、２−メチル−１−ピロリン等）、ピロリジン誘導体（例えばピロリジン、Ｎ−メチルピロリジン、ピロリジノン、Ｎ−メチルピロリドン等）、イミダゾリン誘導体、イミダゾリジン誘導体、ピリジン誘導体（例えばピリジン、メチルピリジン、エチルピリジン、プロピルピリジン、ブチルピリジン、４−（１−ブチルペンチル）ピリジン、ジメチルピリジン、トリメチルピリジン、トリエチルピリジン、フェニルピリジン、３−メチル−２−フェニルピリジン、４−ｔｅｒｔ−ブチルピリジン、ジフェニルピリジン、ベンジルピリジン、メトキシピリジン、ブトキシピリジン、ジメトキシピリジン、１−メチル−２−ピリドン、４−ピロリジノピリジン、１−メチル−４−フェニルピリジン、２−（１−エチルプロピル）ピリジン、アミノピリジン、ジメチルアミノピリジン等）、ピリダジン誘導体、ピリミジン誘導体、ピラジン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾリジン誘導体、ピペリジン誘導体、ピペラジン誘導体、モルホリン誘導体、インドール誘導体、イソインドール誘導体、１Ｈ−インダゾール誘導体、インドリン誘導体、キノリン誘導体（例えばキノリン、３−キノリンカルボニトリル等）、イソキノリン誘導体、シンノリン誘導体、キナゾリン誘導体、キノキサリン誘導体、フタラジン誘導体、プリン誘導体、プテリジン誘導体、カルバゾール誘導体、フェナントリジン誘導体、アクリジン誘導体、フェナジン誘導体、１，１０−フェナントロリン誘導体、アデニン誘導体、アデノシン誘導体、グアニン誘導体、グアノシン誘導体、ウラシル誘導体、ウリジン誘導体等が挙げられる。
【０１１５】
さらに、カルボキシ基を有する含窒素化合物の具体例としては、以下に限定されないが、アミノ安息香酸、インドールカルボン酸、アミノ酸誘導体（例えばニコチン酸、アラニン、アルギニン、アスパラギン酸、グルタミン酸、グリシン、ヒスチジン、イソロイシン、グリシルロイシン、ロイシン、メチオニン、フェニルアラニン、スレオニン、リジン、３−アミノピラジン−２−カルボン酸、メトキシアラニン）等が挙げられる。スルホニル基を有する含窒素化合物の具体例としては、以下に限定されないが、３−ピリジンスルホン酸、ｐ−トルエンスルホン酸ピリジニウム等が挙げられる。水酸基を有する含窒素化合物、ヒドロキシフェニル基を有する含窒素化合物、アルコール性含窒素化合物の具体例としては、以下に限定されないが、２−ヒドロキシピリジン、アミノクレゾール、２，４−キノリンジオール、３−インドールメタノールヒドレート、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、Ｎ−エチルジエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジエチルエタノールアミン、トリイソプロパノールアミン、２，２’−イミノジエタノール、２−アミノエタノ−ル、３−アミノ−１−プロパノール、４−アミノ−１−ブタノール、４−（２−ヒドロキシエチル）モルホリン、２−（２−ヒドロキシエチル）ピリジン、１−（２−ヒドロキシエチル）ピペラジン、１−［２−（２−ヒドロキシエトキシ）エチル］ピペラジン、ピペリジンエタノール、１−（２−ヒドロキシエチル）ピロリジン、１−（２−ヒドロキシエチル）−２−ピロリジノン、３−ピペリジノ−１，２−プロパンジオール、３−ピロリジノ−１，２−プロパンジオール、８−ヒドロキシユロリジン、３−クイヌクリジノール、３−トロパノール、１−メチル−２−ピロリジンエタノール、１−アジリジンエタノール、Ｎ−（２−ヒドロキシエチル）フタルイミド、Ｎ−（２−ヒドロキシエチル）イソニコチンアミド等が挙げられる。アミド誘導体の具体例としては、以下に限定されないが、ホルムアミド、Ｎ−メチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、アセトアミド、Ｎ−メチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、プロピオンアミド、ベンズアミド等が挙げられる。イミド誘導体の具体例としては、以下に限定されないが、フタルイミド、スクシンイミド、マレイミド等が挙げられる。
【０１１６】
本実施形態のリソグラフィー用膜形成用組成物において、塩基性化合物の含有量は、特に限定されないが、本実施形態のリソグラフィー用膜形成材料（化合物及び／又は樹脂）１００質量部に対して、０．００１〜２質量部であることが好ましく、より好ましくは０．０１〜１質量部である。上記の好ましい範囲にすることで、架橋反応を過度に損なうことなく保存安定性が高められる傾向にある。
【０１１７】
また、本実施形態のリソグラフィー用膜形成用組成物は、熱硬化性の付与や吸光度をコントロールする目的で、他の樹脂及び／又は化合物を含有していてもよい。このような他の樹脂及び／又は化合物としては、ナフトール樹脂、キシレン樹脂ナフトール変性樹脂、ナフタレン樹脂のフェノール変性樹脂、ポリヒドロキシスチレン、ジシクロペンタジエン樹脂、（メタ）アクリレート、ジメタクリレート、トリメタクリレート、テトラメタクリレート、ビニルナフタレン、ポリアセナフチレンなどのナフタレン環、フェナントレンキノン、フルオレンなどのビフェニル環、チオフェン、インデンなどのヘテロ原子を有する複素環を含む樹脂や芳香族環を含まない樹脂；ロジン系樹脂、シクロデキストリン、アダマンタン（ポリ）オール、トリシクロデカン（ポリ）オール及びそれらの誘導体等の脂環構造を含む樹脂又は化合物等が挙げられるが、これらに限定されない。さらに、本実施形態のリソグラフィー用膜形成用組成物は、公知の添加剤を含有していてもよい。公知の添加剤としては、以下に限定されないが、例えば、紫外線吸収剤、界面活性剤、着色剤、ノニオン系界面活性剤が挙げられる。
【０１１８】
［リソグラフィー用下層膜及びパターンの形成方法］
本実施形態のリソグラフィー用膜は、本実施形態のリソグラフィー用膜形成用組成物を用いて形成される。
【０１１９】
また、本実施形態のレジストパターン形成方法は、基板上に、本実施形態のリソグラフィー用膜形成用組成物を用いて膜を形成する工程（Ａ−１）と、前記膜上に、少なくとも１層のフォトレジスト層を形成する工程（Ａ−２）と、前記第２の形成工程の後、前記フォトレジスト層の所定の領域に放射線を照射し、現像を行う工程（Ａ−３）と、を有する。
【０１２０】
さらに、本実施形態の回路パターン形成方法は、基板上に、本実施形態のリソグラフィー用膜形成用組成物を用いて膜を形成する工程（Ｂ−１）と、前記膜上に、珪素原子を含有するレジスト中間層膜材料を用いて中間層膜を形成する工程（Ｂ−２）と、前記中間層膜上に、少なくとも１層のフォトレジスト層を形成する工程（Ｂ−３）と、前記工程（Ｂ−３）の後、前記フォトレジスト層の所定の領域に放射線を照射し、現像してレジストパターンを形成する工程（Ｂ−４）と、前記工程（Ｂ−４）の後、前記レジストパターンをマスクとして前記中間層膜をエッチングし、得られた中間層膜パターンをエッチングマスクとして前記膜をエッチングし、得られた膜パターンをエッチングマスクとして基板をエッチングすることで基板にパターンを形成する工程（Ｂ−５）と、を有する。
【０１２１】
本実施形態のリソグラフィー用膜は、本実施形態のリソグラフィー用膜形成用組成物から形成されるものであれば、その形成方法は特に限定されず、公知の手法を適用することができる。例えば、本実施形態のリソグラフィー用膜形成用組成物をスピンコートやスクリーン印刷等の公知の塗布法或いは印刷法などで基板上に付与した後、有機溶媒を揮発させるなどして除去することで、リソグラフィー用膜を形成することができる。
【０１２２】
リソグラフィー用膜の形成時には、上層レジストとのミキシング現象の発生を抑制するとともに架橋反応を促進させるために、ベークをすることが好ましい。この場合、ベーク温度は、特に限定されないが、８０〜４５０℃の範囲内であることが好ましく、より好ましくは２００〜４００℃である。また、ベーク時間も、特に限定されないが、１０〜３００秒の範囲内であることが好ましい。なお、下層膜の厚さは、要求性能に応じて適宜選定することができ、特に限定されないが、通常、３０〜２０，０００ｎｍ程度であることが好ましく、より好ましくは５０〜１５，０００ｎｍである。
【０１２３】
基板上にリソグラフィー用膜を作製した後、２層プロセスの場合はその上に珪素含有レジスト層、或いは通常の炭化水素からなる単層レジスト、３層プロセスの場合はその上に珪素含有中間層、さらにその上に珪素を含まない単層レジスト層を作製することが好ましい。この場合、このレジスト層を形成するためのフォトレジスト材料としては公知のものを使用することができる。
【０１２４】
２層プロセス用の珪素含有レジスト材料としては、酸素ガスエッチング耐性の観点から、ベースポリマーとしてポリシルセスキオキサン誘導体又はビニルシラン誘導体等の珪素原子含有ポリマーを使用し、さらに有機溶媒、酸発生剤、必要により塩基性化合物等を含むポジ型のフォトレジスト材料が好ましく用いられる。ここで珪素原子含有ポリマーとしては、この種のレジスト材料において用いられている公知のポリマーを使用することができる。
【０１２５】
３層プロセス用の珪素含有中間層としてはポリシルセスキオキサンベースの中間層が好ましく用いられる。中間層に反射防止膜として効果を持たせることによって、効果的に反射を抑えることができる傾向にある。例えば、１９３ｎｍ露光用プロセスにおいて、下層膜として芳香族基を多く含み基板エッチング耐性が高い材料を用いると、ｋ値が高くなり、基板反射が高くなる傾向にあるが、中間層で反射を抑えることによって、基板反射を０．５％以下にすることができる。このような反射防止効果がある中間層としては、以下に限定されないが、１９３ｎｍ露光用としてはフェニル基又は珪素−珪素結合を有する吸光基を導入された、酸或いは熱で架橋するポリシルセスキオキサンが好ましく用いられる。
【０１２６】
また、Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｕｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ（ＣＶＤ）法で形成した中間層を用いることもできる。ＣＶＤ法で作製した反射防止膜としての効果が高い中間層としては、以下に限定されないが、例えば、ＳｉＯＮ膜が知られている。一般的には、ＣＶＤ法よりスピンコート法やスクリーン印刷等の湿式プロセスによる中間層の形成の方が、簡便でコスト的なメリットがある。なお、３層プロセスにおける上層レジストは、ポジ型でもネガ型でもどちらでもよく、また、通常用いられている単層レジストと同じものを用いることができる。
【０１２７】
さらに、本実施形態のリソグラフィー用膜は、通常の単層レジスト用の反射防止膜或いはパターン倒れ抑制のための下地材として用いることもできる。本実施形態のリソグラフィー用膜は、下地加工のためのエッチング耐性に優れるため、下地加工のためのハードマスクとしての機能も期待できる。
【０１２８】
上記フォトレジスト材料によりレジスト層を形成する場合においては、上記リソグラフィー用膜を形成する場合と同様に、スピンコート法やスクリーン印刷等の湿式プロセスが好ましく用いられる。また、レジスト材料をスピンコート法などで塗布した後、通常、プリベークが行われるが、このプリベークは、８０〜１８０℃で１０〜３００秒の範囲で行うことが好ましい。その後、常法にしたがい、露光を行い、ポストエクスポジュアーベーク（ＰＥＢ）、現像を行うことで、レジストパターンを得ることができる。なお、レジスト膜の厚さは特に限定されないが、一般的には、３０〜５００ｎｍが好ましく、より好ましくは５０〜４００ｎｍである。
【０１２９】
また、露光光は、使用するフォトレジスト材料に応じて適宜選択して用いればよい。一般的には、波長３００ｎｍ以下の高エネルギー線、具体的には２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍのエキシマレーザー、３〜２０ｎｍの軟Ｘ線、電子ビーム、Ｘ線等を挙げることができる。
【０１３０】
上記の方法により形成されるレジストパターンは、本実施形態のリソグラフィー用膜によってパターン倒れが抑制されたものとなる。そのため、本実施形態のリソグラフィー用膜を用いることで、より微細なパターンを得ることができ、また、そのレジストパターンを得るために必要な露光量を低下させ得る。
【０１３１】
次に、得られたレジストパターンをマスクにしてエッチングを行う。２層プロセスにおける下層膜のエッチングとしては、ガスエッチングが好ましく用いられる。ガスエッチングとしては、酸素ガスを用いたエッチングが好適である。酸素ガスに加えて、Ｈｅ、Ａｒなどの不活性ガスや、ＣＯ、ＣＯ２、ＮＨ３、ＳＯ２、Ｎ２、ＮＯ２、Ｈ２ガスを加えることも可能である。また、酸素ガスを用いずに、ＣＯ、ＣＯ２、ＮＨ３、Ｎ２、ＮＯ２、Ｈ２ガスだけでガスエッチングを行うこともできる。特に後者のガスは、パターン側壁のアンダーカット防止のための側壁保護のために好ましく用いられる。
【０１３２】
一方、３層プロセスにおける中間層のエッチングにおいても、ガスエッチングが好ましく用いられる。ガスエッチングとしては、上記の２層プロセスにおいて説明したものと同様のものが適用可能である。とりわけ、３層プロセスにおける中間層の加工は、フロン系のガスを用いてレジストパターンをマスクにして行うことが好ましい。その後、上述したように中間層パターンをマスクにして、例えば酸素ガスエッチングを行うことで、リソグラフィー用膜の加工を行うことができる。
【０１３３】
ここで中間層として、無機ハードマスク中間層膜を形成する場合は、ＣＶＤ法やＡＬＤ法等で、珪素酸化膜、珪素窒化膜、珪素酸化窒化膜（ＳｉＯＮ膜）が形成される。窒化膜の形成方法としては、以下に限定されないが、例えば、特開２００２−３３４８６９号公報（特許文献６）、ＷＯ２００４／０６６３７７（特許文献７）に記載された方法を用いることができる。このような中間層膜の上に直接フォトレジスト膜を形成することができるが、中間層膜の上に有機反射防止膜（ＢＡＲＣ）をスピンコートで形成して、その上にフォトレジスト膜を形成してもよい。
【０１３４】
中間層として、ポリシルセスキオキサンベースの中間層も好ましく用いられる。レジスト中間層膜に反射防止膜として効果を持たせることによって、効果的に反射を抑えることができる傾向にある。ポリシルセスキオキサンベースの中間層の具体的な材料については、以下に限定されないが、例えば、特開２００７−２２６１７０号（特許文献８）、特開２００７−２２６２０４号（特許文献９）に記載されたものを用いることができる。
【０１３５】
また、次の基板のエッチングも、常法によって行うことができ、例えば、基板がＳｉＯ2、ＳｉＮであればフロン系ガスを主体としたエッチング、ｐ−ＳｉやＡｌ、Ｗでは塩素系、臭素系ガスを主体としたエッチングを行うことができる。基板をフロン系ガスでエッチングする場合、２層レジストプロセスの珪素含有レジストと３層プロセスの珪素含有中間層は、基板加工と同時に剥離される。一方、塩素系或いは臭素系ガスで基板をエッチングした場合は、珪素含有レジスト層又は珪素含有中間層の剥離が別途行われ、一般的には、基板加工後にフロン系ガスによるドライエッチング剥離が行われる。
【０１３６】
本実施形態のリソグラフィー用膜は、これら基板のエッチング耐性に優れる特徴がある。なお、基板は、公知のものを適宜選択して使用することができ、特に限定されないが、Ｓｉ、α−Ｓｉ、ｐ−Ｓｉ、ＳｉＯ２、ＳｉＮ、ＳｉＯＮ、Ｗ、ＴｉＮ、Ａｌ等が挙げられる。また、基板は、基材（支持体）上に被加工膜（被加工基板）を有する積層体であってもよい。このような被加工膜としては、Ｓｉ、ＳｉＯ２、ＳｉＯＮ、ＳｉＮ、ｐ−Ｓｉ、α−Ｓｉ、Ｗ、Ｗ−Ｓｉ、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｌ−Ｓｉ等種々のＬｏｗ−ｋ膜及びそのストッパー膜等が挙げられ、通常、基材（支持体）とは異なる材質のものが用いられる。なお、加工対象となる基板或いは被加工膜の厚さは、特に限定されないが、通常、５０〜１０，０００ｎｍ程度であることが好ましく、より好ましくは７５〜５，０００ｎｍである。
【０１３７】
［リソグラフィー用膜形成材料の精製方法］
本実施形態のリソグラフィー用膜形成材料の精製方法は、水と任意に混和しない有機溶媒及び、前記リソグラフィー用下層膜形成材料を含む溶液（Ａ）と、酸性の水溶液と、を接触させて抽出する工程を含む。より詳細には、本実施形態においては、上述した本実施形態に用いる化合物又は樹脂を水と任意に混和しない有機溶媒に溶解させ、その溶液を酸性水溶液と接触させ抽出処理を行うことにより、該化合物又は該樹脂と有機溶媒を含む溶液（Ａ）に含まれる金属分を水相に移行させたのち、有機相と水相を分離して精製することができる。本実施形態に係るリソグラフィー用膜形成材料の精製方法により、本実施形態のリソグラフィー用膜形成材料中の種々の金属の含有量を著しく低減させることができる。
【０１３８】
本実施形態において、水と任意に混和しない有機溶媒とは、室温下における水への溶解度が３０％未満である有機溶媒を意味する。なお、上記溶解度は２０％未満であることが好ましく、より好ましくは１０％未満である。本実施形態で使用される水と任意に混和しない有機溶媒としては、特に限定されないが、半導体製造プロセスに安全に適用できる有機溶媒が好ましい。使用する有機溶媒の量は、使用する化合物又は樹脂に対して、通常１〜１００質量倍程度使用される。
【０１３９】
使用される溶媒の具体例としては、以下に限定されないが、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル等のエーテル類、酢酸エチル、酢酸ｎ‐ブチル、酢酸イソアミル等のエステル類、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、エチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、２‐ヘプタノン、２−ペンタノン等のケトン類、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート等のグリコールエーテルアセテート類、ｎ‐ヘキサン、ｎ‐ヘプタン等の脂肪族炭化水素類、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類、塩化メチレン、クロロホルム等のハロゲン化炭化水素類等が挙げられる。これらの中でも、トルエン、２−ヘプタノン、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、メチルイソブチルケトン、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、酢酸エチル等が好ましく、シクロヘキサノン、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートがより好ましい。これらの溶媒はそれぞれ単独で用いることもできるし、また２種以上を混合して用いることもできる。
【０１４０】
本実施形態で使用される酸性の水溶液としては、一般に知られる有機、無機系化合物を水に溶解させた水溶液の中から適宜選択される。例えば、塩酸、硫酸、硝酸、リン酸等の鉱酸を水に溶解させた水溶液、又は、酢酸、プロピオン酸、蓚酸、マロン酸、コハク酸、フマル酸、マレイン酸、酒石酸、クエン酸、メタンスルホン酸、フェノールスルホン酸、ｐ−トルエンスルホン酸、トリフルオロ酢酸等の有機酸を水に溶解させた水溶液が挙げられる。これら酸性の水溶液は、それぞれ単独で用いることもできるし、また２種以上を組み合わせて用いることもできる。これら酸性の水溶液の中でも、硫酸、硝酸、及び酢酸、蓚酸、酒石酸、クエン酸等のカルボン酸の水溶液が好ましく、硫酸、蓚酸、酒石酸、クエン酸の水溶液がより好ましく、蓚酸の水溶液がさらに好ましい。蓚酸、酒石酸、クエン酸等の多価カルボン酸は金属イオンに配位し、キレート効果が生じるために、より効果的に金属を除去できる傾向にあるものと考えられる。また、ここで用いる水は、本実施形態の目的に沿って、金属含有量の少ないもの、例えばイオン交換水等を用いることが好ましい。
【０１４１】
本実施形態で使用する酸性の水溶液のｐＨは特に限定されないが、使用する化合物又は樹脂への影響を考慮し、水溶液の酸性度を調整することが好ましい。通常、ｐＨ範囲は０〜５程度であり、好ましくはｐＨ０〜３程度である。
【０１４２】
本実施形態で使用する酸性の水溶液の使用量は特に限定されないが、金属除去のための抽出回数を低減する観点及び全体の液量を考慮して操作性を確保する観点から、当該使用量を調整することが好ましい。水溶液の使用量は、通常、使用する化合物又は樹脂の溶液に対して１０〜２００質量％であり、好ましくは２０〜１００質量％である。
【０１４３】
本実施形態では上記のような酸性の水溶液と、上記下層膜形成材料（化合物又は樹脂）及び水と任意に混和しない有機溶媒を含む溶液（Ａ）とを接触させることにより金属分を抽出することができる。
【０１４４】
抽出処理を行う際の温度は通常、２０〜９０℃であり、好ましくは３０〜８０℃の範囲である。抽出操作は、例えば、撹拌等により、よく混合させたあと、静置することにより行われる。これにより、使用する化合物又は樹脂と有機溶媒を含む溶液に含まれていた金属分が水相に移行する。また本操作により、溶液の酸性度が低下し、使用する化合物又は樹脂の変質を抑制することができる。
【０１４５】
得られる混合物は、使用する化合物又は樹脂、及び有機溶媒を含む溶液相と、水相とに分離するのでデカンテーション等により、有機溶媒を含む溶液を回収する。静置する時間は特に限定されないが、有機溶媒を含む溶液相と水相との分離をより良好にする観点から、当該静置する時間を調整することが好ましい。通常、静置する時間は１分以上であり、好ましくは１０分以上であり、より好ましくは３０分以上である。また、抽出処理は１回だけでもかまわないが、混合、静置、分離という操作を複数回繰り返して行うのも有効である。
【０１４６】
本実施形態において、溶液（Ａ）と酸性の水溶液とを接触させて抽出する工程の後、さらに水による抽出処理を行う工程を含むものとすることが好ましい。すなわち、酸性の水溶液を用いて上記抽出処理を行った後に、該水溶液から抽出され、回収された溶液（Ａ）を、さらに水による抽出処理に供することが好ましい。上記の水による抽出処理は、例えば、撹拌等により、よく混合させたあと、静置することにより行われる。そして得られる溶液は、化合物又は樹脂と有機溶媒とを含む溶液相と、水相とに分離するため、デカンテーション等により溶液相を回収する。また、ここで用いる水は、本実施形態の目的に沿って、金属含有量の少ないもの、例えばイオン交換水等であることが好ましい。抽出処理は１回だけでもかまわないが、混合、静置、分離という操作を複数回繰り返して行うのも有効である。また、抽出処理における両者の使用割合や、温度、時間等の条件は特に限定されないが、先の酸性の水溶液との接触処理の場合と同様で構わない。
【０１４７】
こうして得られた、化合物又は樹脂と有機溶媒とを含む溶液に混入しうる水分については、減圧蒸留等の操作を施すことにより容易に除去できる。また、必要により有機溶媒を加え、化合物又は樹脂の濃度を任意の濃度に調整することができる。
【０１４８】
得られた有機溶媒を含む溶液から、化合物又は樹脂を単離する方法としては、例えば、減圧除去、再沈殿による分離、及びそれらの組み合わせ等、公知の方法で行うことができる。必要に応じて、濃縮操作、ろ過操作、遠心分離操作、乾燥操作等の公知の処理をさらに行うことができる。
【実施例】
【０１４９】
以下、本実施形態を合成例及び実施例によりさらに詳細に説明するが、本実施形態は、これらの例によって何ら限定されるものではない。【０１５０】
［炭素濃度及び酸素濃度］
有機元素分析により炭素濃度及び酸素濃度（質量％）を測定した。
装置：ＣＨＮコーダーＭＴ−６（ヤナコ分析工業(株)製）
［分子量］
ＬＣ−ＭＳ分析により、Ｗａｔｅｒ社製Ａｃｑｕｉｔｙ  ＵＰＬＣ／ＭＡＬＤＩ−Ｓｙｎａｐｔ  ＨＤＭＳを用いて測定した。
［ポリスチレン換算分子量］
ゲル浸透クロマトグラフィー（ＧＰＣ）分析により、ポリスチレン換算の重量平均分子量（Ｍｗ）、数平均分子量（Ｍｎ）を求め、分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）を求めた。
装置：Ｓｈｏｄｅｘ  ＧＰＣ−１０１型（昭和電工(株)製）
カラム：ＫＦ−８０Ｍ×３
溶離液：ＴＨＦ  １ｍＬ／ｍｉｎ
温度：４０℃
［熱分解温度（Ｔｇ）］
エスアイアイ・ナノテクノロジー社製ＥＸＳＴＡＲ６０００ＤＳＣ装置を使用し、試料約５ｍｇをアルミニウム製非密封容器に入れ、窒素ガス（３０ｍＬ／ｍｉｎ）気流中昇温速度１０℃／ｍｉｎで５００℃まで昇温した。その際、ベースラインに減少部分が現れる温度を熱分解温度（Ｔｇ）とした。
［溶解度］
２３℃にて、化合物の１−メトキシ−２−プロパノール（ＰＧＭＥ）、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）、シクロペンタノン（ＣＰＮ）及びシクロヘキサノン（ＣＨＮ）に対する溶解量を測定し、その結果を以下の基準で評価した。
評価Ａ：１０質量％以上
評価Ｂ：１０質量％未満【０１５１】
（合成例１）ジベンゾクリセン（ＤＢＣ）の合成
特開２０１３−２２７３０７号公報における実施例１の記載に基づき、合成することによりジベンゾ［ｇ，ｐ］クリセン（ＤＢＣ）６．８ｇを褐色粉状固体として得た。液体クロマトグラフ分析の結果、得られた固体の純度は９９．８％であった。【０１５２】
熱重量測定（ＴＧ）の結果、得られた化合物（ＤＢＣ）の１５％熱減量温度は４００℃以上であった。そのため、高い耐熱性を有し、高温ベークへの適用が可能であるものと評価された。
ＣＰＮ及びＣＨＮへの溶解性を評価した結果、１０質量％以上（評価Ａ）であり、化合物（ＤＢＣ）は優れた溶解性を有するものと評価された。そのため、化合物（ＤＢＣ）は溶液状態で高い保存安定性を有し、半導体微細加工プロセスで洗浄や溶媒として使用されるＣＰＮ及びＣＨＮにも十分適用できるものと評価された。【０１５３】
（合成例２）ヒドロキシジベンゾクリセン（ＨＤＢＣ）の合成
特開２０１３−２２７３０７号公報における実施例７の記載に基づき、同一スケールにてジベンゾ［ｇ，ｐ］クリセンをスルホン化した後、得られたジベンゾ［ｇ，ｐ］クリセンスルホン酸塩をヒドロキシル化することにより、ヒドロキシジベンゾクリセン（ＨＤＢＣ）１．６ｇを褐色粉状固体として得た。
液体クロマトグラフ質量分析（ＬＣ／ＭＳ分析）の結果、９８％は４置換ヒドロキシジベンゾクリセン（ＨＤＢＣ−４）であり、残部は３置換ヒドロキシジベンゾクリセンで（ＨＤＢＣ−３）であった。【０１５４】
【化５７】
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【化５８】
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【０１５５】
熱重量測定（ＴＧ）の結果、得られた化合物（ＨＤＢＣ）の１５％熱減量温度は４００℃以上であった。そのため、高い耐熱性を有し、高温ベークへの適用が可能であるものと評価された。
ＰＧＭＥ及びＰＧＭＥＡへの溶解性を評価した結果、１０質量％以上（評価Ａ）であり、化合物（ＨＤＢＣ）は優れた溶解性を有するものと評価された。そのため、化合物（ＨＤＢＣ）は溶液状態で高い保存安定性を有し、半導体微細加工プロセスで広く用いられるエッジビートリンス液（ＰＧＭＥ／ＰＧＭＥＡ混合液）にも十分に適用できるものと評価された。【０１５６】
（合成例３）Ｒ−ＤＢＣの合成
攪拌機、冷却管及びビュレットを備えた内容積１００ｍＬの容器に、ＤＢＣ  １０ｇ（３０ｍｍｏｌ）と、パラホルムアルデヒド０．７ｇ（４２ｍｍｏｌ）、氷酢酸５０ｍＬとＰＧＭＥ５０ｍＬとを仕込み、９５％の硫酸８ｍＬを加えて、反応液を１００℃で６時間撹拌して反応を行った。次に、反応液を濃縮し、メタノール１０００ｍｌを加えて反応生成物を析出させ、室温まで冷却した後、濾過を行って分離した。得られた固形物を濾過し、乾燥させた後、カラムクロマトによる分離精製を行うことにより、目的樹脂（Ｒ−ＤＢＣ）６．４ｇを得た。
得られた樹脂について、前記方法によりポリスチレン換算分子量を測定した結果、Ｍｎ：６９８、Ｍｗ：１５６３、Ｍｗ／Ｍｎ：２．２４であった。
熱重量測定（ＴＧ）の結果、得られた樹脂（Ｒ−ＤＢＣ）の１５％熱減量温度は４００℃以上であった。高い耐熱性を有し、高温ベークへの適用が可能であるものと評価された。
ＰＧＭＥ及びＰＧＭＥＡ溶解性は、１０質量％以上（評価Ａ）と良好であった。そのため、溶液状態での高い保存安定性及び半導体微細加工プロセスで広く用いられるエッジビートリンス液（ＰＧＭＥ／ＰＧＭＥＡ混合液）にも十分に適用できるものと評価された。【０１５７】
（製造例１）
ジムロート冷却管、温度計及び攪拌翼を備えた、底抜きが可能な内容積１０Ｌの四つ口フラスコを準備した。この四つ口フラスコに、窒素気流中、１，５−ジメチルナフタレン１．０９ｋｇ（７ｍｏｌ、三菱ガス化学（株）製）、４０質量％ホルマリン水溶液２．１ｋｇ（ホルムアルデヒドとして２８ｍｏｌ、三菱ガス化学（株）製）及び９８質量％硫酸（関東化学(株)製）０．９７ｍＬを仕込み、常圧下、１００℃で還流させながら７時間反応させた。その後、希釈溶媒としてエチルベンゼン（和光純薬工業（株）製試薬特級）１．８ｋｇを反応液に加え、静置後、下相の水相を除去した。さらに、中和及び水洗を行い、エチルベンゼン及び未反応の１，５−ジメチルナフタレンを減圧下で留去することにより、淡褐色固体のジメチルナフタレンホルムアルデヒド樹脂１．２５ｋｇを得た。
得られたジメチルナフタレンホルムアルデヒド樹脂の分子量は、Ｍｎ：５６２、Ｍｗ：１１６８、Ｍｗ／Ｍｎ：２．０８であった。また、炭素濃度は８４．２質量％、酸素濃度は８．３質量％であった。【０１５８】
続いて、ジムロート冷却管、温度計及び攪拌翼を備えた内容積０．５Ｌの四つ口フラスコを準備した。この四つ口フラスコに、窒素気流下で、上記のようにして得られたジメチルナフタレンホルムアルデヒド樹脂１００ｇ（０．５１ｍｏｌ）とパラトルエンスルホン酸０．０５ｇとを仕込み、１９０℃まで昇温させて２時間加熱した後、攪拌した。その後さらに、１−ナフトール５２．０ｇ（０．３６ｍｏｌ）を加え、さらに２２０℃まで昇温させて２時間反応させた。溶剤希釈後、中和及び水洗を行い、溶剤を減圧下で除去することにより、黒褐色固体の変性樹脂（ＣＲ−１）１２６．１ｇを得た。
得られた樹脂（ＣＲ−１）は、Ｍｎ：８８５、Ｍｗ：２２２０、Ｍｗ／Ｍｎ:４．１７であった。また、炭素濃度は８９．１質量％、酸素濃度は４．５質量％であった。
ＰＧＭＥ及びＰＧＭＥＡ溶解性は、１０質量％以上（評価Ａ）と良好であった。そのため、溶液状態での高い保存安定性及び半導体微細加工プロセスで広く用いられるエッジビートリンス液（ＰＧＭＥ／ＰＧＭＥＡ混合液）にも十分に適用できるものと評価された。【０１５９】
（合成例４）ヨードジベンゾクリセンの合成
特開２０１３−２２７３０７の記載に基づき、メカニカル撹拌装置及び環流冷却管を備えた容量５Ｌの四つ口フラスコに、合成例１で得られたＤＢＣ３０ｇ（０．０９１３ｍｏｌ）と、クロロホルム９００ｇ（和光純薬工業株式会社製）と、を仕込み、室温で撹拌してＤＢＣをクロロホルム中に溶解した。氷塩浴（−５℃）を用いて２℃まで冷却し、その状態において、５％Ｉ２−ＣＨＣｌ３溶液（ヨウ素のクロロホルム溶液）９５０ｇを、滴下ポンプ（ＰＴＦＥダイヤフラムポンプ）を用いて１時間かけて滴下した。撹拌を継続しながら、滴下終了後から１時間毎にＨＰＬＣ分析を用いて反応追跡を行い、１ＮのＮａＨＳＯ３水溶液（１ｍｏｌ／ＬのＮａＨＳＯ３水溶液）を６２０ｇ添加して反応を停止した。その後、９％ＮａＨＣＯ３水溶液５２６．６ｇを加えて内容物を中和し、得られた内容物を三回水洗した。次いで、エバポレーターで減圧濃縮して、この有機相から溶媒を除去し、白色固体４１．２ｇを得た。液体クロマトグラフ質量分析（ＬＣ／ＭＳ分析）の結果、モノヨードジベンゾクリセン（ＩＤＢＣ−１）が７．０％、ジヨードジベンゾクリセン（ＩＤＢＣ−２）が８０％、トリヨードジベンゾクリセン（ＩＤＢＣ−３）が１３％含まれたヨードジベンゾクリセン混合物であった。
ＰＧＭＥ及びＰＧＭＥＡ溶解性は、１０質量％以上（評価Ａ）と良好であった。そのため、溶液状態での高い保存安定性及び半導体微細加工プロセスで広く用いられるエッジビートリンス液（ＰＧＭＥ／ＰＧＭＥＡ混合液）にも十分に適用できるものと評価された。
【化５９】
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【化６０】
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【化６１】
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【０１６０】
（合成例５）ジニトロジベンゾクリセンの合成
特開２０１３−２２７３０７の記載に基づき、メカニカル撹拌装置及び環流冷却管を備えた容量３００ｍＬの四つ口フラスコに、合成例１で得られたＤＢＣ６．６７ｇ（０．０２０３ｍｏｌ）と、クロロホルム２００ｇ（和光純薬工業株式会社製）と、を仕込み、水浴（２６℃）中で撹拌してＤＢＣをクロロホルム中に完全に溶解させた。その後、６７．５％ＨＮＯ３水溶液（硝酸水溶液）７．５８ｇ（ＨＮＯ３を０．０８１２ｍｏｌ含有）を、ピペットで５分間かけて滴下した。この滴下で内容物は発熱し、液温は２８℃に上昇した。更に、滴下終了から約１０分間で液色は微黄色から黒褐色へと変化した。内容物の温度が２６〜２７℃の状態で撹拌を継続し、滴下終了から約１５分後には黄橙色固体が析出し始め、時間経過とともに析出物は増加し、滴下終了から２時間で内容物はスラリー状となった。次いで、水浴を温度６５℃の湯浴に替え、還流反応（内温５９℃）を４時間行った。内容物は、黄色のスラリー粒子が微細化とともに、ＬＣＭＳ分析により検出されるジニトロジベンゾクリセン（ＮＯ２ＤＢＣ−２）の比率が増加し、生成が進行していることが確認された。【０１６１】
ジニトロジベンゾクリセンの生成を促進させるために、６７．５％ＨＮＯ３水溶液（硝酸水溶液）１．８９ｇ（ＨＮＯ３を０．０２０３ｍｏｌ含有）を更に追加し、還流反応を１時間継続し、反応を終了した。次いで、撹拌しながら、上記の操作を行った内容物の温度が２５℃となるまで冷却した後、ブフナーロートと桐山ろ紙とを用いて固液分離を行い、固形物を取り出した。次いで、得られた固形物から酸分を除去する目的でメタノール５０ｇを利用し洗浄を行った後、温度６０℃の減圧下で１２時間乾燥し、黄色粉末６ｇを得た。液体クロマトグラフ質量分析（ＬＣ／ＭＳ分析）の結果、上記黄色粉末はモノニトロジベンゾクリセン（ＮＯ２ＤＢＣ−１）が２．０％含まれたジニトロジベンゾクリセン（ＮＯ２ＤＢＣ−２）であることが確認された。
ＰＧＭＥ及びＰＧＭＥＡ溶解性は、１０質量％以上（評価Ａ）と良好であった。そのため、溶液状態での高い保存安定性及び半導体微細加工プロセスで広く用いられるエッジビートリンス液（ＰＧＭＥ／ＰＧＭＥＡ混合液）にも十分に適用できるものと評価された。
【化６２】
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【化６３】
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【０１６２】
（合成例６）ジアミノジベンゾクリセンの合成
特開２０１３−２２７３０７の記載に基づき、マグネット式撹拌装置及び環流冷却管を備えた容量２００ｍＬの三つ口フラスコに、上記合成例５で得られたニトロジベンゾクリセンの混合物２．０ｇと、５％Ｐｄ／Ｃ（５０％水湿潤パラジウム炭素）０．２ｇ（乾燥質量換算）と、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）３０ｇと、を仕込み、湯浴（６５℃）中で撹拌して、内容物を６０℃まで昇温させた。次いで、８０％ヒドラジン水溶液２．３９ｇ、すなわち、ヒドラジン（ＮＨ２ＮＨ２）を０．０３８２ｍｏｌ含有する水溶液を、ピペットで５分間かけて滴下した。この滴下により、内容物は黄色スラリー状態から赤褐色の液体に緩やかに変化した。また、この際に窒素ガスの発生と、発熱（還流）が観測された。その後、内容物の温度が６３℃の状態において、撹拌をしながら２時間還流を継続し、反応を終了した。その後、Ｐｄ／Ｃの除去を目的として、ブフナーロートとＮｏ．５Ｃろ紙と少量のラヂオライト（ろ過助剤）と、を用い、温度約３０℃で固液分離を行って、赤褐色の液体を取り出した。次いで、この赤褐色溶液を、濃縮装置を備えた容量１００ｍＬの三口フラスコに仕込み、内温約４５℃においてアスピレ−ターで減圧しながら液量（テトラヒドロフラン）が約半分となるまで減容し、濃縮した赤褐色溶液を得た。更に、室温において、容量３００ｍＬのビーカー内で撹拌している蒸留水１２０ｇに、上記までに得られた赤褐色溶液をピペットで滴下した。この滴下によって黄赤色の固形分が析出された。内容物をブフナーロートと桐山ろ紙とを用いて固液分離し、黄橙色の固形分を得た。得られた固形分を、温度６０℃且つ１０ｍｍＨｇの減圧下で１２時間乾燥して黄橙色粉末１．４ｇを得た。液体クロマトグラフ質量分析（ＬＣ／ＭＳ分析）の結果、上記黄橙色粉末はモノアミノジベンゾクリセン（ＮＨ２ＤＢＣ−１）が４．０％含まれたジアミノジベンゾクリセン（ＮＨ２ＤＢＣ−２）であることが確認された。
ＰＧＭＥ及びＰＧＭＥＡ溶解性は、１０質量％以上（評価Ａ）と良好であった。そのため、溶液状態での高い保存安定性及び半導体微細加工プロセスで広く用いられるエッジビートリンス液（ＰＧＭＥ／ＰＧＭＥＡ混合液）にも十分に適用できるものと評価された。
【化６４】
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【化６５】
0006447884.tif 000066
【０１６３】
（合成例７）アミノジグリシジルジベンゾクリセンの合成
特開２０１３−２２７３０７の記載に基づき、マグネット式撹拌装置及び環流冷却管を備えた容量３００ｍＬの四つ口フラスコに、合成例６で得られたアミノジベンゾクリセンの混合物１０．８５ｇと、エタノール（和光純薬工業株式会社製）２７ｇと、エピクロロヒドリン（関東化学株式会社製）６７．２ｇ（０．７２６ｍｏｌ）と、を仕込み、湯浴を用いて保温しながら、内温８０℃で６時間撹拌を行いながら反応させた。これにより、内容物は赤褐色の溶液に変化した。次いで、湯浴中で撹拌を継続しながら内温を６０℃まで降温させた後、５０％ＮａＯＨ水溶液（水酸化ナトリウム水溶液）１０．６７ｇ（ＮａＯＨを０．２６７ｍｏｌ含有）を、ピペットで５時間かけて滴下した。その後、撹拌を３時間継続して停止した。次いで、アスピレ−ターで減圧しながら溶媒（エタノール＋水）を除去した後、トルエン１００ｇを添加して内容物を溶解して、蒸留水５０ｇを用いた水洗を三回行い、水洗浄後の有機相を、温度１００℃且つ１ｍｍＨｇの減圧下で溶媒を除去して、赤褐色塊状物１２．３ｇを得た。液体クロマトグラフ質量分析（ＬＣ／ＭＳ分析）の結果、上記黄橙色粉末はモノアミノジグリシジルジベンゾクリセン（ＡＧＤＢＣ−１）が４．０％含まれたジアミノジグリシジルジベンゾクリセン（ＡＧＤＢＣ−２）であることが確認された。
ＰＧＭＥ及びＰＧＭＥＡ溶解性は、１０質量％以上（評価Ａ）と良好であった。そのため、溶液状態での高い保存安定性及び半導体微細加工プロセスで広く用いられるエッジビートリンス液（ＰＧＭＥ／ＰＧＭＥＡ混合液）にも十分に適用できるものと評価された。
【化６６】
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【化６７】
0006447884.tif 000068
【０１６４】
（合成例８）ジベンゾクリセングリシジルエーテルの合成
特開２０１４−１５２１６４号公報の記載に基づき、合成例２で得られたヒドロキシジベンゾクリセン１０ｇ（約０．２５５ｍｏｌ）と、エタノール１００ｇと、エピクロロヒドリン（関東化学株式会社製）３００ｇ（３．２４ｍｏｌ）と、を仕込んで４０℃で撹拌・混合した。内温４０℃を維持しながら、先の内容物に水酸化ナトリウム粉末４．３ｇ（０．１１ｍｏｌ含有）を添加して溶液を得た。その後、溶媒（エタノール及びエピクロロヒドリン）を減圧除去した。次いで、溶媒が除去された内容物にメチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）１００ｇを添加・撹拌した後、不溶物を除去することによりジベンゾクリセングリシジルエーテル（ＤＢＣＧＥ）１．２ｇを黄色油状物として得た。液体クロマトグラフ質量分析（ＬＣ／ＭＳ分析）の結果、下記式で表される３置換ジベンゾクリセングリシジルエーテル（ＤＢＣＧＥ−３）が２．０％含まれた４置換ジベンゾクリセングリシジルエーテル（ＤＢＣＧＥ−４）であることが確認された。
ＰＧＭＥ及びＰＧＭＥＡ溶解性は、１０質量％以上（評価Ａ）と良好であった。そのため、溶液状態での高い保存安定性及び半導体微細加工プロセスで広く用いられるエッジビートリンス液（ＰＧＭＥ／ＰＧＭＥＡ混合液）にも十分に適用できるものと評価された。
【化６８】
0006447884.tif 000069
【化６９】
0006447884.tif 000070
【０１６５】
（合成例９）ジベンゾクリセンアクリル化合物の合成
特開２０１４−１５２１６４号公報の記載に基づき、合成例２で得られたヒドロキシジベンゾクリセン１０ｇ（０．０２６ｍｏｌ、及び、フェノチアジン（関東化学株式会社）５０ｍｇをアセトニトリル（和光純薬工業株式会社製）２００ｇに溶解した。その後、アクリロイルクロライド（和光純薬工業製）１８．５ｇ（０．２ｍｏｌ）及びトリエチルアミン（関東化学株式会社製）２６ｇ（０．２６ｍｏｌを滴下し、２５℃で６時間攪拌した。その後、メタノール１０ｇを滴下した。反応液に酢酸エチル８００ｇ、及び、蒸留水１５０ｇを加えて洗浄した。蒸留水による洗浄を２回繰り返した後、減圧下エバポレーターにより溶媒を留去した。得られた油状物をトルエン／酢酸エチル＝１０／１の混合溶媒を用いてシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、減圧乾燥を行って褐色粉状固体９．４ｇを得た。液体クロマトグラフ質量分析（ＬＣ／ＭＳ分析）の結果、下記式で表される４置換ジベンゾクリセンアクリル化合物（ＡＣＤＢＣ−４）であることが確認された。
ＰＧＭＥ及びＰＧＭＥＡ溶解性は、１０質量％以上（評価Ａ）と良好であった。そのため、溶液状態での高い保存安定性及び半導体微細加工プロセスで広く用いられるエッジビートリンス液（ＰＧＭＥ／ＰＧＭＥＡ混合液）にも十分に適用できるものと評価された。
【化７０】
0006447884.tif 000071
【０１６６】
（合成例１０）ジベンゾクリセンメタクリル化合物の合成
特開２０１４−１５２１６４号公報の記載に基づき、合成例２で得られたヒドロキシジベンゾクリセン１０ｇ（０．０２６ｍｏｌ、及び、フェノチアジン（関東化学株式会社）５０ｍｇをアセトニトリル（和光純薬工業株式会社製）２００ｇに溶解した。その後、メタクリロイルクロライド（和光純薬工業製）２０．９ｇ（０．２ｍｏｌ）及びトリエチルアミン（関東化学株式会社製）２６ｇ（０．２６ｍｏｌ）を滴下し、２５℃で６時間攪拌した。その後、メタノール１０ｇを滴下し、得られた反応液に酢酸エチル８００ｇ及び蒸留水１５０ｇを加えて洗浄した。蒸留水による洗浄を２回繰り返した後、減圧下エバポレーターにて溶媒を留去した。得られた油状物をトルエン／酢酸エチル＝１０／１の混合溶媒を用いてシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、減圧乾燥を行って、褐色粉状固体１１．３ｇを得た。液体クロマトグラフ質量分析（ＬＣ／ＭＳ分析）の結果、下記式で表される４置換ジベンゾクリセンメタクリル化合物（ＭＣＤＢＣ−４）であることが確認された。
ＰＧＭＥ及びＰＧＭＥＡ溶解性は、１０質量％以上（評価Ａ）と良好であった。そのため、溶液状態での高い保存安定性及び半導体微細加工プロセスで広く用いられるエッジビートリンス液（ＰＧＭＥ／ＰＧＭＥＡ混合液）にも十分に適用できるものと評価された。
【化７１】
0006447884.tif 000072
【０１６７】
（合成例１１）アクロイルオキシジベンゾクリセン化合物の合成
特開２０１４−１５２１６４号公報の記載に基づき、合成例８で得られたジベンゾクリセングリシジルエーテル５．０ｇ（０．００８１ｍｏｌ）、フェノチアジン（関東化学株式会社）３０ｍｇ、及びトリフェニルホスフィン（和光純薬工業株式会社製）６０ｍｇ、をアクリル酸（関東化学株式会社製）５０.０ｇ（０．７ｍｏｌ）に溶解した。その後、トルエン（和光純薬工業株式会社製）１００ｇを加え、油浴上で９０℃にて１０時間反応させた。得られた反応液に、酢酸エチル４００ｇ及び飽和炭酸水素ナトリウム水溶液を加えた後、酢酸エチル相を分取した。次いで、不溶解物をろ別した後、酢酸エチル相を蒸留水１００ｇで洗浄し、更に、減圧下濃縮後、乾燥させて茶褐色固体３．１ｇを得た。液体クロマトグラフ質量分析（ＬＣ／ＭＳ分析）の結果、下記式で表されるアクロイルオキシジベンゾクリセン（ＡＯＤＢＣ）の混合物であることが確認された。
ＰＧＭＥ及びＰＧＭＥＡ溶解性は、１０質量％以上（評価Ａ）と良好であった。そのため、溶液状態での高い保存安定性及び半導体微細加工プロセスで広く用いられるエッジビートリンス液（ＰＧＭＥ／ＰＧＭＥＡ混合液）にも十分に適用できるものと評価された。
【化７２】
0006447884.tif 000073
【化７３】
0006447884.tif 000074
【化７４】
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【化７５】
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【０１６８】
（合成例１２）メタクリロイルオキシジベンゾクリセン化合物の合成
特開２０１４−１５２１６４号公報の記載に基づき、合成例８で得られたジベンゾクリセングリシジルエーテル５．０ｇ（０．００８１ｍｏｌ）、フェノチアジン（関東化学株式会社）３０ｍｇ及びトリフェニルホスフィン（和光純薬工業株式会社製）６０ｍｇをメタクリル酸（和光純薬工業株式会社製）６０．３ｇ（０．７ｍｏｌ）に溶解した後、トルエン（和光純薬工業株式会社製）１００ｇを加えた。油浴上で９０℃にて１０時間反応させた。得られた反応液に、酢酸エチル４００ｇ及び飽和炭酸水素ナトリウム水溶液を加えた後、酢酸エチル相を分取した。次いで、不溶解物をろ別した後、酢酸エチル相を蒸留水１００ｇで洗浄し、減圧下濃縮後、乾燥させて茶褐色固体３．６ｇを得た。液体クロマトグラフ質量分析（ＬＣ／ＭＳ分析）の結果、下記式で表されるメタクリロイルオキシジベンゾクリセン（ＭＡＯＤＢＣ）の混合物であることが確認された。
ＰＧＭＥ及びＰＧＭＥＡ溶解性は、１０質量％以上（評価Ａ）と良好であった。そのため、溶液状態での高い保存安定性及び半導体微細加工プロセスで広く用いられるエッジビートリンス液（ＰＧＭＥ／ＰＧＭＥＡ混合液）にも十分に適用できるものと評価された。
【化７６】
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【化７７】
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【化７８】
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【化７９】
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【０１６９】
（合成例１３）テトラチオールジベンゾクリセンの合成
特開２０１３−２２７３０７号公報の記載に基づき、ジベンゾクリセンをスルホン化した後、得られた化合物のスルホン酸基を、スルホニルハロゲン基（−ＳＯ２Ｘ）にし、更に、得られた化合物のスルホニルハロゲン基をチオール基にしてテトラチオールジベンゾクリセン８．６ｇを得た。液体クロマトグラフ質量分析（ＬＣ／ＭＳ分析）の結果、下記式で表されるテトラチオールジベンゾクリセン（ＳＤＢＣ−４）であることが確認された。
ＰＧＭＥ及びＰＧＭＥＡ溶解性は、１０質量％以上（評価Ａ）と良好であった。そのため、溶液状態での高い保存安定性及び半導体微細加工プロセスで広く用いられるエッジビートリンス液（ＰＧＭＥ／ＰＧＭＥＡ混合液）にも十分に適用できるものと評価された。
【化８０】
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【０１７０】
（合成例１４）テトラアリルオキシジベンゾクリセンの合成
特開２０１４−１５２１６４号公報の記載に基づき、合成例２で得られたヒドロキシジベンゾクリセン５ｇ（０．０１３ｍｏｌ）、アリルブロマイド（東京化成工業株式会社製）１２．３ｇ（０．１０ｍｏｌ）をジメチルスルホキシド（和光純薬工業株式会社製）５０ｇに溶解した。その後、水酸化ナトリウム（東ソー株式会社製  品名：東ソーパール）２．５４ｇ（０．０６４ｍｏｌ）、窒素気流下中、８０℃で１８時間撹拌した。反応終了後、酢酸エチル３００ｇ、及び、蒸留水８０ｇを加えて洗浄した。蒸留水による洗浄を２回繰り返した後、減圧下エバポレーターにて溶媒を留去した。トルエンを用いたシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、減圧乾燥を行って、褐色粉状固体４．６ｇを得た。液体クロマトグラフ質量分析（ＬＣ／ＭＳ分析）の結果、下記式で表されるテトラアリルオキシジベンゾクリセン（ＴＡＯＤＢＣ）であることが確認された。
ＰＧＭＥ及びＰＧＭＥＡ溶解性は、１０質量％以上（評価Ａ）と良好であった。そのため、溶液状態での高い保存安定性及び半導体微細加工プロセスで広く用いられるエッジビートリンス液（ＰＧＭＥ／ＰＧＭＥＡ混合液）にも十分に適用できるものと評価された。
【化８１】
0006447884.tif 000082
【０１７１】
＜実施例１〜１４、比較例１＞
表１に示す組成となるように、上記合成例１〜１４で得られた化合物又は樹脂、上記製造例１で得られた樹脂、及び次の材料を用いて、実施例１〜１４及び比較例１に対応するリソグラフィー用膜形成材料を各々調製した。
酸発生剤：みどり化学社製  ジターシャリーブチルジフェニルヨードニウムノナフルオロメタンスルホナート（ＤＴＤＰＩ）
架橋剤：三和ケミカル社製  ニカラックＭＸ２７０（ニカラック）
有機溶媒：プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートアセテート（ＰＧＭＥＡ）【０１７２】
次に、実施例１〜１４、比較例１のリソグラフィー用膜形成用組成物をシリコン基板上に回転塗布し、その後、２４０℃で６０秒間、さらに４００℃で１２０秒間ベークして、膜厚２００ｎｍの下層膜を各々作製した。次いで、下記に示す条件でエッチング試験を行い、エッチング耐性を評価した。評価結果を表１に示す。【０１７３】
［エッチング試験］
エッチング装置：サムコインターナショナル社製  ＲＩＥ−１０ＮＲ
出力：５０Ｗ
圧力：２０Ｐａ
時間：２ｍｉｎ
エッチングガス
Ａｒガス流量：ＣＦ４ガス流量：Ｏ２ガス流量＝５０：５：５（ｓｃｃｍ）【０１７４】
［エッチング耐性の評価］
エッチング耐性の評価は、以下の手順で行った。
まず、実施例１〜１４における化合物又は樹脂に代えてノボラック（群栄化学社製  ＰＳＭ４３５７）を用いること以外は、実施例１〜１４と同様の条件で、ノボラックの下層膜を作製した。そして、このノボラックの下層膜を対象として、上記のエッチング試験を行い、そのときのエッチングレートを測定した。
次に、実施例１〜１４及び比較例１の下層膜を対象として、上記エッチング試験を同様に行い、そのときのエッチングレートを測定した。
そして、ノボラックの下層膜のエッチングレートを基準として、以下の評価基準でエッチング耐性を評価した。【０１７５】
＜評価基準＞
Ａ：ノボラックの下層膜に比べてエッチングレートが、−１０％未満
Ｂ：ノボラックの下層膜に比べてエッチングレートが、−１０％〜＋５％
Ｃ：ノボラックの下層膜に比べてエッチングレートが、＋５％超【０１７６】
【表１】
0006447884.tif 000083
【０１７７】
＜実施例１５＞
次に、実施例２におけるリソグラフィー用膜形成用組成物を膜厚３００ｎｍのＳｉＯ２基板上に塗布して、２４０℃で６０秒間、さらに４００℃で１２０秒間ベークすることにより、膜厚７０ｎｍの下層膜を形成した。この下層膜上に、ＡｒＦ用レジスト溶液を塗布し、１３０℃で６０秒間ベークすることにより、膜厚１４０ｎｍのフォトレジスト層を形成した。ＡｒＦ用レジスト溶液としては、下記式（１１）の化合物：５質量部、トリフェニルスルホニウムノナフルオロメタンスルホナート：１質量部、トリブチルアミン：２質量部、及びＰＧＭＥＡ：９２質量部を配合して調製したものを用いた。
なお、下記式（１１）の化合物は、次のように調製した。すなわち、２−メチル−２−メタクリロイルオキシアダマンタン４．１５ｇ、メタクリルロイルオキシ−γ−ブチロラクトン３．００ｇ、３−ヒドロキシ−１−アダマンチルメタクリレート２．０８ｇ、アゾビスイソブチロニトリル０．３８ｇを、テトラヒドロフラン８０ｍＬに溶解させて反応溶液とした。この反応溶液を、窒素雰囲気下、反応温度を６３℃に保持して、２２時間重合させた後、反応溶液を４００ｍＬのｎ−ヘキサン中に滴下した。このようにして得られる生成樹脂を凝固精製させ、生成した白色粉末をろ過し、減圧下４０℃で一晩乾燥させて下記式で表される化合物を得た。【０１７８】
【化８２】
0006447884.tif 000084
【０１７９】
上記式（１１）中、４０、４０、２０とあるのは各構成単位の比率を示すものであり、ブロック共重合体を示すものではない。【０１８０】
次いで、電子線描画装置（エリオニクス社製；ＥＬＳ−７５００，５０ｋｅＶ）を用いて、フォトレジスト層を露光し、１１５℃で９０秒間ベーク（ＰＥＢ）し、２．３８質量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）水溶液で６０秒間現像することにより、ポジ型のレジストパターンを得た。【０１８１】
＜比較例２＞
下層膜の形成を行わないこと以外は、実施例１５と同様にして、フォトレジスト層をＳｉＯ２基板上に直接形成し、ポジ型のレジストパターンを得た。【０１８２】
［評価］
実施例１５及び比較例２のそれぞれについて、得られた５５ｎｍＬ／Ｓ（１：１）及び８０ｎｍＬ／Ｓ（１：１）のレジストパターンの形状を（株）日立製作所製電子顕微鏡（Ｓ−４８００）を用いて観察した。現像後のレジストパターンの形状については、パターン倒れがなく、矩形性が良好なものを良好とし、そうでないものを不良として評価した。また、当該観察の結果、パターン倒れが無く、矩形性が良好な最小の線幅を解像性として評価の指標とした。さらに、良好なパターン形状を描画可能な最小の電子線エネルギー量を感度として、評価の指標とした。その結果を、表２に示す。【０１８３】
【表２】
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【０１８４】
表２から明らかなように、実施例１５は、比較例２に比して、解像性及び感度ともに有意に優れていることが確認された。また、現像後のレジストパターン形状もパターン倒れがなく、矩形性が良好であることが確認された。さらに、現像後のレジストパターン形状の相違から、実施例１５のリソグラフィー用膜形成材料は、レジスト材料との密着性がよいことが示された。【０１８５】
本出願は、２０１４年５月８日出願の日本特許出願（特願２０１４−０９７０００号）に基づくものであり、その内容はここに参照として取り込まれる。
【産業上の利用可能性】
【０１８６】
本発明のリソグラフィー用膜形成材料は、炭素濃度が比較的に高く、酸素濃度が比較的に低く、耐熱性が比較的に高く、溶媒溶解性も比較的に高く、湿式プロセスが適用可能である。そのため、本発明のリソグラフィー用膜形成材料、該材料を含有するリソグラフィー用下層膜形成用組成物及び該組成物を用いて形成される下層膜は、上記性能が要求される各種用途において、広く且つ有効に利用可能である。