(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
透光性基板上に設けられた透光性電極層を含む１対の電極層と、前記１対の電極層間に挟持された、発光層を含む少なくとも１層の有機層と、前記透光性電極層上にその一部に接触して設けられた補助電極と、前記補助電極を被覆し、前記有機層との導通を抑制する層間絶縁被膜と、を備え、前記有機層が、透光性基板上に設けられた透光性電極層及び前記層間絶縁被膜上に形成された有機エレクトロルミネッセンス照明装置であって、
前記補助電極の線幅が１〜２００μｍ、前記補助電極の膜厚が０．１〜１０μｍであり、かつ前記補助電極が導電性金属粒子を含み、
前記層間絶縁被膜が、高分子と、該高分子と屈折率が異なる透明絶縁性粒子とを含み、
前記補助電極の導電性金属粒子の粒径が０．１〜２μｍであり、かつ前記層間絶縁被膜の透明絶縁性粒子の粒径が０．１〜２μｍであることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス照明装置。
【請求項２】
前記導電性金属粒子が、金、銀、銅、アルミニウムもしくはニッケル及びこれらの合金のうちのいずれかからなることを特徴とする請求項１記載の有機エレクトロルミネッセンス照明装置。
【請求項３】
前記透明絶縁性粒子が、酸化チタン、酸化ケイ素及び硫酸バリウムのうちのいずれかからなることを特徴とする請求項１記載の有機エレクトロルミネッセンス照明装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、有機ＥＬ素子と略称する）を発光源とした有機ＥＬ照明装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ照明装置は、薄膜であり、低電圧での駆動により高輝度発光が得られる面状光源として実用化が進んでいる。
有機ＥＬ照明の発光面の大面積化を図る場合、有機ＥＬ素子において一般的に用いられているＩＴＯ等の透明電極は、抵抗値が１．０×１０-4Ω・ｃｍ程度が限界であり、十分に低いとは言えない。そのため、給電部から遠くなると、配線抵抗により電流が十分に供給されず、輝度ムラが生じるという課題を有していた。
【０００３】
このため、透明電極の抵抗値を低くするため、透明電極上又は透明電極中に、より低抵抗の材料からなる補助電極や補助配線が設けられる。一般に、このような補助電極や補助配線は、金属や合金、これらの積層構造として形成される（特許文献１，２参照）。例えば、ＭＡＭ（モリブデン−アルミニウム−モリブデン）等の積層構造の電極パターンがフォトリソグラフィにより形成される。
【０００４】
また、補助電極等を印刷法で形成することも試みられており、例えば、特許文献３には、透明電極上に補助電極をスクリーン印刷により形成し、その上に有機ＥＬ発光層等の有機層を積層することが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１２−６９４５０号公報
【特許文献２】特開２０１２−２２８７８号公報
【特許文献３】国際公開第２００５／０４１２１７号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上記のようにして作製した有機ＥＬ素子は、補助電極上、特にパターンのエッジ部分の発光層を含む有機層の被膜の形成が不十分であると、有機層上に形成する陰極電極間でショートが発生し、この部分に電流が集中し、発光が得られない場合があるという課題を有していた。
【０００７】
このため、問題となる部分を絶縁被膜で被覆すること等も試みられているが、上記のような補助電極等は、発光層からの光を遮光するため、透明電極基板面からの発光は、全面発光ではなく、その補助配線パターン又は絶縁パターンの形状に対応した黒色（非発光）のストライプ状やメッシュ状に見えてしまう。
【０００８】
したがって、光の取り出し効率の向上の観点からも、大面積での面発光を得るために補助電極等を設けた場合に、発光面全面が均一に発光して見えることが求められる。
【０００９】
本発明は、上記技術的課題を解決するためになされたものであり、透明電極基板に対して補助電極又は補助配線を設けた場合であっても、前記透明電極基板側から均一に全面発光して見える有機ＥＬ照明装置を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明に係る有機ＥＬ照明装置は、透光性基板上に設けられた透光性電極層を含む１対の電極層と、前記１対の電極層間に挟持された、発光層を含む少なくとも１層の有機層と、前記透光性電極層上にその一部に接触して設けられた補助電極と、前記補助電極を被覆し、前記有機層との導通を抑制する層間絶縁被膜と、を備え、前記有機層が、透光性基板上に設けられた透光性電極層及び前記層間絶縁被膜上に形成された有機エレクトロルミネッセンス照明装置であって、前記補助電極の線幅が１〜２００μｍ、前記補助電極の膜厚が０．１〜１０μｍであり、かつ前記補助電極が導電性金属粒子を含み、前記層間絶縁被膜が、高分子と、該高分子と屈折率が異なる透明絶縁性粒子とを含み、前記補助電極の導電性金属粒子の粒径が０．１〜２μｍであり、かつ前記層間絶縁被膜の透明絶縁性粒子の粒径が０．１〜２μｍであることを特徴としている。
ここでいう補助電極は、広く、補助配線をも含むものとする。
このような補助電極によれば、光の粒子散乱により、補助電極のパターンが目立たなく
なるとともに、光の取り出し効率が向上する。
また、前記層間絶縁被膜は、高分子と、該高分子と屈折率が異なる粒径０．１〜２μｍ
の透明絶縁性粒子を含んでいるため、補助電極のパターンをより目立たなくなるようにすることができる。
【００１１】
前記導電性金属粒子は、金、銀、銅、アルミニウム、ニッケルもしくはニッケル及びこれらの合金のうちのいずれかからなることが好ましい。
【００１３】
前記透明絶縁性粒子は、酸化チタン、酸化ケイ素及び硫酸バリウムのうちのいずれかからなることが好ましい。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、透明電極基板に対して補助電極又は補助配線を設けた場合であっても、前記透明電極基板側から均一に全面発光して見える有機ＥＬ照明装置が提供される。
したがって、本発明に係る有機ＥＬ照明装置によれば、補助電極等が設けられた透明電極基板側からの光取り出しの向上が図られ、大面積での面発光を効果的に得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明に係る有機ＥＬ照明装置の構成例の概略を示した断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本発明について詳細に説明する。
図１に、本発明に係る有機ＥＬ照明装置の構成例の概略を示す。図１に示すように、本発明に係る有機ＥＬ照明装置は、透光性基板１上に設けられた透光性電極層２を含む１対の電極層２，６と、１対の電極層２，６間に挟持された、発光層を含む少なくとも１層の有機層５と、透光性電極層２上にその一部に接触して設けられた補助電極３を備えている。そして、補助電極３は、粒径０．１〜２μｍの導電性金属粒子を含み、有機層５との導通を抑制する層間絶縁被膜４で被覆されていることを特徴としている。
なお、本発明でいう粒径又は平均粒径とは、メジアン径（Ｄ５０）を指すものとし、例えば、レーザー回折／散乱法により測定することができる。
【００１９】
上記のように、補助電極３を、粒径０．１〜２μｍの導電性金属粒子を含む構成とすることにより、発光層からの発光のうち、透光性基板の全反射で閉じ込められた光が粒子散乱により取り出され、補助電極のパターンが目立たなくなるとともに、光の取り出し効率の向上が図られる。また、補助電極に起因するショートにより発光が得られないという課題も改善される。
【００２０】
前記導電性粒子の材料は、金、銀、銅、アルミニウムもしくはニッケル、又は、これらのうちのいずれかの混合物もしくは合金であることが好ましい。特に、低温で補助配線としての導電性を得やすいことから、銀粒子が好ましい。
パラジウムや白金、亜鉛、錫、鉛、クロム、タングステン又はモリブデン等の他の金属を含んでいてもよい。
【００２１】
金粒子としては、例えば、ＴＡ−２（株式会社徳力化学研究所製、平均粒径０．３〜０．６μｍ）、ＴＡＵ−１００（同、平均粒径１μｍ）、Ｇ−２００（大研化学工業株式会社製、平均粒径０．５μｍ）、Ｇ−２１０（同、平均粒径０．８μｍ）、Ｇ−４００（同、平均粒径１．８μｍ）等が挙げられる。
銀粒子としては、例えば、ＡＹ−６０８０（田中貴金属工業株式会社製、平均粒径０．２〜１．０μｍ）、ＹＭＳ−６１（山本貴金属地金株式会社製、平均粒径０．９μｍ）、ＹＭＳ−２３（同、平均粒径１．４μｍ）、ＹＳＰ−０１（同、平均粒径１．７μｍ）、ＹＳＰ−０２（同、平均粒径１．８μｍ）、ＹＳＰ−０７（同、平均粒径１．３μｍ）、ＳＰＱ０３Ｓ（三井金属鉱山株式会社製、平均粒径０．５μｍ）、ＥＨＤ（同、平均粒径０．５μｍ）、ＡＧ２−１（ＤＯＷＡエレクトロニクス株式会社製、平均粒径１．３μｍ）、ＡＧ２−１Ｃ（同、平均粒径０．８μｍ）、シルベストＣ−３４（株式会社徳力化学研究所製、平均粒径０．３５μｍ）、シルベストＡｇＳ−０５０（同、平均粒径１．４μｍ）等が挙げられる。
銅粒子としては、例えば、Ｃｕ１０３０Ｙ（三井金属鉱業株式会社製、平均粒径０．５２μｍ）、Ｃｕ１０５０Ｙ（同、平均粒径０．７５μｍ）、Ｃｕ１１００Ｙ（同、平均粒径１．２μｍ）、ＭＡ−Ｃ０１５Ｋ（同、平均粒径１．５μｍ）、ＭＡ−Ｃ０２Ｋ（同、平均粒径１．８μｍ）、ＨＸＲ−Ｃｕ（日本アトマイズ加工株式会社製、平均粒径１．０μｍ）等が挙げられる。
アルミニウム粒子としては、例えば、ＴＦＨ−Ａ０２Ｐ（東洋アルミニウム株式会社製、平均粒径２μｍ）、ＪＴＦ５＃（Hunan Goldsky Aluminum Industry High-tech Co.,Ltd製、平均粒径１〜２μｍ）等が挙げられる。
ニッケル粒子としては、例えば、超微粉ニッケル３００ナノ品（東邦チタニウム株式会社製、平均粒径０．３μｍ）、４００ナノ品（同、平均粒径０．４μｍ）等が挙げられる。
【００２２】
また、前記導電性粒子の粒径は、外部に取り出される光を多くする観点から、０．１〜２μｍとする。
粒径が０．１μｍ未満では、光の波長よりも著しく小さいため光が散乱されない。一方、２μｍ超の場合、粒子同士の接触が小さくなり抵抗が大きくなり、また、絶縁パターンにより被膜されない箇所が発生しやすく、ショートの原因となる。
前記粒径は、好ましくは０．２〜１．５μｍである。
【００２３】
上記のような導電性粒子を含む補助電極は、スクリンーン印刷、グラビアオフセット印刷又はインクジェット印刷により好適に形成することができる。
このような印刷方式によれば、微細なパターン形状であっても、正確に効率的に補助電極を形成することができる。
補助電極を薄膜化可能であることから、グラビアオフセット印刷又はインクジェット印刷がより好ましく、微細かつ薄膜の補助電極を得るには、グラビアオフセット印刷が特に好ましい。
【００２４】
補助電極を形成するための印刷用インクとしては、例えば、特開２０１４−３４５８９号公報、特開２０１２−３８６１５号公報、特開２０１２−３８６１４号公報、国際公開第２０１４／１１９４６３号等に記載された導電性インクを用いることができる。
前記導電性インクは、前記導電性粒子の他に、印刷適性及び印刷されたパターンの物性を確保するために、樹脂を含有することが好ましく、例えば、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、ポリスチレン、ポリエステル、ウレタン樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリビニルフェノール、メラミン樹脂、尿素樹脂、塩化ビニル樹脂、酢酸ビニル樹脂、アセタール樹脂、ブチラール樹脂、ポリビニルアルコール、ブロックイソシアネート樹脂、フッ素樹脂、シリコン樹脂、ポリイミド及びこれらの共重合樹脂等を単独又は２種以上混合して用いることができる。
前記導電性インクに含有させる樹脂は、導電性粒子に対して０．１〜２０重量％であることが好ましい。
【００２５】
より好ましくは、以下に示す熱硬化性樹脂組成物が使用される。前記熱硬化性樹脂組成物は、それのみでは硬化しない主剤と、硬化剤との組み合わせからなり、主剤と硬化剤とが混合されていても、常温では反応せず、加熱することにより初めて硬化するものが選択される。
主剤としては、高精細の導電性パターンを得やすいことから、それ自体が成膜性を有する熱可塑性樹脂が多用される。
前記熱硬化性樹脂組成物としては、例えば、主剤のエポキシ化合物と、エポキシ樹脂硬化剤である酸無水物、アミン、フェノール樹脂等との組み合わせ、主剤の水酸基を含有する塩化ビニル−酢酸ビニル樹脂、水酸基を含有するポリエステル樹脂、水酸基を含有するアクリル樹脂等の水酸基を含有する皮膜形成性の熱可塑性樹脂と、イソシアネート硬化剤のブロックポリイソシアネート等との組み合わせが挙げられる。
前記主剤及び硬化剤は、単独で用いても、２種以上を併用してもよい。
【００２６】
補助電極の線幅は、１〜２００μｍであることが好ましい。
線幅が１μｍ未満では、補助電極として十分な導電性が得られない。一方、線幅が２００μｍを超えると、補助電極が目立ちやすくなるとともに、発光面の面積が小さくなる。
前記線幅は、１〜６０μｍであることがより好ましく、１〜３０μｍであることが特に好ましい。
【００２７】
また、補助電極の膜厚は、十分な導電性及び多層薄膜からなる有機層を補助電極上に欠陥なく積層する観点から、０．１〜１０μｍであることが好ましい。より好ましくは０．２〜４μｍである。
【００２８】
また、補助電極３を被覆する層間絶縁被膜４は、高分子と、該高分子と屈折率が異なる粒径０．１〜２μｍの透明絶縁性粒子とを含んでいることが好ましい。
前記層間絶縁被膜をこのような透明絶縁性粒子を含む構成とすることにより、該透明絶縁性粒子による光の散乱効果により、補助電極のパターンをより目立たなくなるようにするとともに、光の取り出し効率の一層の向上を図ることができる。
【００２９】
前記層間絶縁被膜を構成する高分子の材料としては、例えば、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、ポリスチレン、ポリエステル、ウレタン樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリビニルフェノール、メラミン樹脂、尿素樹脂、塩化ビニル樹脂、酢酸ビニル樹脂、アセタール樹脂、ブチラール樹脂、ポリビニルアルコール、ブロックイソシアネート樹脂、フッ素樹脂、シリコン樹脂、ポリイミド及びこれらの共重合樹脂等を単独又は２種以上混合して用いることができる。
これらのうち、エポキシ樹脂（屈折率約１．６）が好ましく、より好ましくは、特開２０１０−２６５４２３号公報、特開２００９−２５６４１４号公報、国際公開２００９／１５０９７２号に記載された絶縁膜形成用インクに用いられるエポキシ樹脂やポリビニルフェノール、架橋剤、架橋助剤等からなる樹脂が用いられる。
【００３０】
前記エポキシ樹脂としては、２官能以上の反応性エポキシ基を有する公知のエポキシ樹脂であればいずれでもよく、特に限定されるものではない。例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、多官能エポキシ樹脂、可撓性エポキシ樹脂、臭素化エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、高分子型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂等が挙げられ、これらを単独で使用しても、２種類以上を併用してもよい。
【００３１】
より好ましくは、常温で固体であり、分子長鎖末端以外にもエポキシ基を有する固形多官能型変性エポキシ樹脂が用いられる。例えば、フルオレン系エポキシ樹脂、シクロペンタジエン型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ハロゲン化フェノールノボラック型エポキシ樹脂、アルキルフェノールノボラック型エポキシ樹脂、特殊ノボラック型エポキシ樹脂、４官能脂環式エポキシ樹脂、エポキシ化ポリブタジエン等があるが、特に制限されるものではなく、これらを単独で使用しても、２種以上を併用してもよい。
前記絶縁膜形成用インクに含有される固形多官能型変性エポキシ樹脂は、全固形分中３０質量％以上であることが好ましく、より好ましくは５０質量％以上である。
市販品では、ＪＥＲ１５４、１５７Ｓ７０、１０３１Ｓ、１０３２Ｈ６０（以上、ジャパンエポキシレジン株式会社製）、オンコートＥＸシリーズ（長瀬産業株式会社製）エピクロンＮ７４０、Ｎ７７０−７０Ｍ、Ｎ８６５、Ｎ６００シリーズ、ＨＰ７２００シリーズ、５１００、５５００、５８００（ＤＩＣ株式会社製）等が好適に用いられる。
【００３２】
また、前記絶縁膜形成用インクに用いられる架橋剤としては、酸無水物類、アミン系化合物、フェノール系化合物、ポリアミド樹脂、イミダゾール類、ポリメルカプタン系化合物、その他、公知の硬化剤のいずれでもよく、これらを単独で使用しても、２種以上を併用してもよい。
フェノール系化合物としては、ポリビニルフェノール系樹脂が好適に用いられ、例えば、ｐ−ビニルフェノールのホモポリマー、ｐ−ビニルフェノールと他のビニルモノマー（例えば、メタクリル酸メチル、メタクリル酸２−ヒドロキシルエチル、スチレン、アクリル酸ブチル、アクリル酸２−ヒドロキシルエチル、フェニルマレイミド、マレイン酸、フマル酸）との共重合体、臭素置換ｐ−ビニルフェノールのホモポリマー、臭素置換ｐ−ビニルフェノールと他のビニル樹脂との共重合体、ｐ−ビニルフェノールをスルホン化、ｔ−ブチル化、アミノ化したｐ−ビニルフェノール誘導体のホモポリマー、ｐ−ビニルフェノール誘導体と他のビニルモノマーとの共重合体等があるが、特に限定されるものではなく、これらは単独で使用しても、２種類以上を併用してもよい。
前記ポリビニルフェノール系樹脂は、絶縁膜形成用インク組成物のうちの体質顔料を除く全固形分中５質量％以上含有されることが好ましく、より好ましくは１０質量％以上である。
【００３３】
また、架橋助剤としては、アミン系化合物、ポリアミド、イミダゾール類、ポリメルカプタン類、三フッ化ホウ素類、ジシアンジアミド類、有機酸ヒドラジド、トリフェニルホスフィン、その他、公知の架橋助剤のいずれでもよく、これらを単独で使用しても、２種以上を併用してもよい。室温安定性と１５０℃以下での低温硬化の観点からは、２−エチル−４−メチルイミダゾールが好ましい。
前記架橋助剤は、全固形分中０．３〜１０質量％含有されることが好ましく、より好ましくは１〜５質量％である。前記架橋助剤は、少なすぎると硬化不足となり、多すぎると絶縁被膜内に残留するため好ましくない。
【００３４】
前記絶縁膜形成用インクには、表面エネルギー調整剤、界面活性剤、レベリング剤、離型剤、シランカップリング剤等を必要に応じて適宜添加してもよい。
【００３５】
また、前記透明絶縁性粒子は、前記高分子とは屈折率が異なるものが用いられる。例えば、酸化チタン（屈折率２．７２（ルチル）、２．５２（アナターゼ））、酸化ケイ素（屈折率１．４５）、硫酸バリウム（屈折率１．６４）、酸化亜鉛（屈折率２．０）、アルミナ（屈折率１．７６）、酸化ジルコニウム（屈折率２．４）、炭酸カルシウム（屈折率１．５８）、硫酸カルシウム（屈折率１．５９）、酸化マグネシウム（屈折率１．７２）、リトポン（白色顔料の一種であり、硫酸バリウムと酸化亜鉛の混合物）、タルク（屈折率１．５７）、カオリン粘土（屈折率１．５６）、合成スメクタイト等の無機粒子、ポリアクリル粒子、ポリアクリルウレタン粒子等の有機粒子又は無機−有機ハイブリッド材料粒子等が好適に用いられる。
【００３６】
これらのうち、酸化チタン、酸化ケイ素、硫酸バリウムが好ましく、より好ましくは、酸化チタン、硫酸バリウムであり、特に、ルチル型の酸化チタンが好ましい。
層間絶縁被膜を構成する高分子との屈折率の差が大きいほど光散乱の程度が増大することから、屈折率が１．６を超えるものが光散乱を起こしやすく好ましい。より好ましくは屈折率が１．７以上であり、２．０以上であることが特に好ましい。
【００３７】
前記透明絶縁性粒子の粒径は、０．１〜２μｍとする。
粒径が０．１μｍ未満の場合、光の波長よりも著しく小さいため光が散乱されない。一方、２μｍ超の場合、層間絶縁被膜の薄膜化が困難となる。
前記粒径は、好ましくは０．２〜１．５μｍである。
前記粒子の形状は、粒状、板状又は針状のいずれでもよい。
【００３８】
上記のような透明絶縁性粒子を含む層間絶縁被膜４も、スクリンーン印刷、グラビアオフセット印刷又はインクジェット印刷により好適に形成することができる。
このような印刷方式によれば、微細なパターン形状であっても、正確に効率的に補助電極３を被覆するように層間絶縁被膜４を形成することができる。
【００３９】
透光性基板１は、透光性を有するガラスやセラミックス、樹脂等により構成され、樹脂を用いて、フレキシブルな有機ＥＬ照明装置を作製することも可能である。
【００４０】
透光性基板１上に形成される透光性電極層２は、陽極であっても陰極であってもよく、光透過率の高い材料からなることが好ましい。例えば、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）等の陽極として形成することができる。
【００４１】
有機層５は、透光性電極層２及び層間絶縁被膜４上に形成される。有機層５は発光層を含み、公知の有機ＥＬ素子の構造を適用することができる。すなわち、発光層以外に、正孔輸送層や電子輸送層、正孔注入層、電子注入層等が積層された構造とすることができる。
これらの各層の構成材料は、特に限定されるものではなく、公知のものから適宜選択して用いることができ、低分子系又は高分子系のいずれであってもよい。
以下に、これらの各層の構成材料の例を示す。
【００４２】
発光層に用いられる発光材料は、正孔及び電子を利用した発光に直接又は間接に寄与し、蛍光及び／又は燐光による発光を生じる。
発光層は、通常、発光層に注入された正孔及び電子を輸送する機能を有するホスト材料、及び、輸送された正孔及び電子を再結合することにより得られるエネルギーを利用して発光する機能を有するドーパント材料を含む。発光材料がホスト材料及びドーパント材料を含んでいてもよい。
【００４３】
ホスト材料のうち、高分子ホスト材料としては、ポリ（９−ビニルカルバゾール）（ＰＶＫ）、ポリフルオレン（ＰＦ）、ポリフェニレンビニレン（ＰＰＶ）及びこれらのモノマー単位を含む共重合体等が挙げられる。
低分子ホスト材料としては、４，４’−ビス（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）ビフェニル（ＣＢＰ）、ビス（２−メチル−８−キノリノレート）−４−（フェニルフェノラト）アルミニウム（ＢＡｌｑ）、トリス（８−キノリラート）アルミニウム（Ａｌｑ3）、９，９’−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３−ビスカルバゾール等が挙げられる。
【００４４】
ドーパント材料のうち、高分子ドーパント材料としては、ポリフェニレンビオレン（ＰＰＶ）、シアノポリフェニレンビニレン（ＣＮ−ＰＰＶ）、ポリ（フルオレニレンエチニレン）（ＰＦＥ）、ポリフルオレン（ＰＦＯ）、ポリチオフェンポリマー、ポリピリジン及びこれらのモノマー単位を含む共重合体等が挙げられる。
低分子ドーパント材料としては、蛍光発光材料、燐光発光材料等が挙げられる。
【００４５】
蛍光発光材料としては、ナフタレン、ペリレン、ピレン、クリセン、アントラセン、クマリン、ｐ−ビス（２−フェニルエテニル）ベンゼン、キナクリドン、クマリン、Ａｌ（Ｃ9Ｈ6ＮＯ）3等のアルミニウム錯体等、ルブレン、ペリミドン、ジシアノメチレン−２−メチル−６−（ｐ−ジメチルアミノスチルリル）−４Ｈ−ピラン（ＤＣＭ）、ベンゾピラン、ローダミン、ベンゾチオキサンテン、アザベンゾチオキサンテン及びこれらの誘導体等が挙げられる。
燐光発光材料としては、トリス（２−フェニルピリジン）イリジウム（Ｉｒ（ｐｐｙ）3）、トリス（２−フェニルピリジン）ルテニウム、トリス（２−フェニルピリジン）パラジウム、ビス（２−フェニルピリジン）白金、トリス（２−フェニルピリジン）オスミウム、トリス（２−フェニルピリジン）レニウム、トリス［２−（ｐ−トリル）ピリジン］イリジウム（Ｉｒ（ｍｐｐｙ）3）、トリス［２−（ｐ−トリル）ピリジン］ルテニウム、トリス［２−（ｐ−トリル）ピリジン］パラジウム、トリス［２−（ｐ−トリル）ピリジン］白金、トリス［２−（ｐ−トリル）ピリジン］オスミウム、トリス［２−（ｐ−トリル）ピリジン］レニウム、オクタエチル白金ポルフィリン、オクタフェニル白金ポルフィリン、オクタエチルパラジウムポルフィリン、オクタフェニルパラジウムポルフィリン等が挙げられる。
【００４６】
また、正孔注入層に用いられる材料としては、銅フタロシアニン等のフタロシアニンバッファ層；酸化バナジウム等の酸化物バッファ層；アモルファスカーボンバッファ層；ポリアニリン（エメラルディン）、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）−ポリ（スチレンスルホン酸）（ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ）等の高分子バッファ層等が挙げられる。
【００４７】
正孔輸送層に用いられる材料としては、ＴＰＤ（Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ（３−メチルフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’ジアミン）、α−ＮＰＤ（４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル）、ｍ−ＭＴＤＡＴＡ（４、４’，４’’−トリス（３−メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン）等の低分子トリフェニルアミン誘導体；ポリビニルカルバゾール；トリフェニルアミン誘導体に重合性置換基を導入して重合した高分子化合物等が挙げられる。
【００４８】
電子輸送層に用いられる材料としては、Ａｌｑ3、トリス（４−メチル−８−キノリノラート）アルミニウム（Ａｌｍｑ3）、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナート）ベリリウム（ＢｅＢｑ2）、ＢＡｌｑ、ビス（８−キノリノラート）亜鉛（Ｚｎｑ）等のキノリン骨格又はベンゾキノリン骨格を有する金属錯体；ビス［２−（２’−ヒドロキシフェニル）ベンズオキサゾラート］亜鉛（Ｚｎ（ＢＯＸ）2）等のベンズオキサゾリン骨格を有する金属錯体；ビス［２−（２’−ヒドロキシフェニル）ベンゾチアゾラート］亜鉛（Ｚｎ（ＢＴＺ）2）ベンゾチアゾリン骨格を有する金属錯体；２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（ＰＢＤ）、３−（４−ビフェニリル）−４−フェニル−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール（ＴＡＺ）、１，３−ビス［５−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル］ベンゼン（ＯＸＤ−７）、９−［４−（５−フェニル−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル）フェニル］カルバゾール（ＣＯ１１）、２，２’，２’’−（１，３，５−ベンゼントリイル）トリス（１−フェニル−１Ｈ−ベンゾイミダゾール）（ＴＰＢＩ）、２−［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］−１−フェニル−１Ｈ−ベンゾイミダゾール（ｍＤＢＴＢＩｍ−ＩＩ）等のポリアゾール誘導体；ベンゾイミダゾール誘導体；キノリン誘導体；ペリレン誘導体；ピリジン誘導体；ピリミジン誘導体；キノキサリン誘導体；ジフェニルキノン誘導体；ニトロ置換フルオレン誘導体等が挙げられる。
【００４９】
電子注入層に用いられる材料としては、ストロンチウム、アルミニウム等の金属バッファ層；フッ化リチウム等のアルカリ金属化合物バッファ層；フッ化マグネシウム等のアルカリ土類金属化合物バッファ層；酸化アルミニウム等の酸化物バッファ層等が挙げられる。
【００５０】
有機層５の各構成層の膜厚は、各層同士の適応性や求められる全体の層厚さ等を考慮して、適宜状況に応じて定められる。通常、０．５ｎｍ〜５μｍの範囲内で形成される。
また、前記有機層により得られる発光スペクトルは、特に限定されるものではなく、例えば、青色、緑色、赤色、白色等のいずれであってもよい。
【００５１】
有機層５上に、透光性電極層２に対向する電極層６が形成される。電極層６は、発光面ではない場合、透光性電極層である必要はなく、公知の材料及び構成でよく、特に限定されるものではない。例えば、陰極の場合、一般に、Ａｌ等の仕事関数の小さい（４ｅＶ以下）金属や合金、導電性化合物により構成される。
【００５２】
上記各層の形成方法は、蒸着法、スパッタリング法等などのドライプロセスでもよいが、可能な場合には、スピンコート法、インクジェット法、キャスティング法、ディップコート法、バーコート法、ブレードコート法、ロールコート法、グラビアコート法、フレキソ印刷法、スプレーコート法、ナノパーティクル分散液を用いる方法等のウェットプロセスを適用すれば、より簡便で効率的に積層することができるため好ましい。
【実施例】
【００５３】
以下、本発明を実施例に基づいて、さらに具体的に説明するが、本発明は下記実施例に限定されるものではない。
【００５４】
［実施例１］
以下のようにして、図１に示すような構成からなる有機ＥＬ照明装置（パネル）を作製した。
透光性基板１としてガラス基板を用い、その上に透光性電極層２としてＩＴＯを成膜した後、フォトリソグラフィによりパターンニングし、透明電極パターンを形成した。
この基板に、粒径０．８μｍの銀粒子をエポキシ樹脂に分散させた銀インクをグラビアオフセット方式で印刷し、補助電極３を形成した。印刷版は、深さ１０μｍ、線幅５０μｍのものを使用した。
補助電極３及び透光性電極層（ＩＴＯ）２のエッジ部分を覆うように、フェノール樹脂を硬化剤として含有するエポキシ樹脂から成る絶縁インク（屈折率約１．６）をスクリーン印刷し、層間絶縁被膜４を形成し、１８０℃で焼成した。
焼成後の補助電極３の膜厚は３．５μｍ、補助電極３及び層間絶縁被膜４の合計膜厚は６．５μｍであった。
この上に、有機層５を構成するホール輸送層、アルミニウムキノリノール錯体を用いた有機発光層、さらに、アルミニウム電極層（陰極）６を蒸着により形成した後、封止し、緑色発光する有機ＥＬ照明パネルを作製した。
作製したパネルについて、基板面側からの輝度をＣＳ−２５００（コニカミノルタ株式会社製）で測定したところ、補助電極の部分の輝度は、ＩＴＯ上の発光部分の２／３であった。
【００５５】
［実施例２］
実施例１において、絶縁インクに、粒径０．２５μｍの酸化チタン粒子を１重量％添加し、それ以外は実施例１と同様にして、有機ＥＬ照明パネルを作製し、輝度の測定を行った。
補助電極の部分の輝度は、ＩＴＯ上の発光部分の２／３、層間絶縁被膜の部分の輝度は、ＩＴＯ上の発光部分の２／５であった。
【００５６】
［比較例１］
実施例１において、銀粒子を含まない銀ナノインクをインクジェット方式で印刷し、補助電極を形成し、それ以外については、実施例１と同様にして、有機ＥＬ照明パネルを作製し、輝度の測定を行った。
補助電極の部分は、黒色でＩＴＯの部分に比べてほとんど輝度がない状態であった。
【符号の説明】
【００５７】
１  透明基板
２  透光性電極層
３  補助電極
４  層間絶縁被膜
５  有機層
６  電極層
【図１】
0006620919.tif 000002