【事件の表示】
　特許第３３８４５４４号「パターン形成体およびパターン形成方法」の請求項１ないし７に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第３３８４５４４号の請求項１ないし７に係る特許を維持する。
【理　由】
１　手続の経緯
　特許第３３８４５４４号の請求項１〜２８に係る発明は、特許法第４１条に基づく優先権を主張して平成１０年６月１２日（優先日、平成９年８月８日、平成９年１０月３１日、平成９年１１月１４日）に特許出願され、平成１４年１２月２７日にその特許の設定登録がなされ、その後、前野 洋（以下、「申立人」という。）より請求項１〜７に係る発明に対して特許異議の申立てがなされたものである。
　
２　請求項１〜７に係る発明
　本件の請求項１〜７に係る発明は、特許請求の範囲の請求項１〜７に記載された次のとおりのものである。
「【請求項１】　光学的にパターンを形成するパターン形成体において、基材上に光触媒含有層を有し、光触媒含有層は、パターンの露光によって光触媒の作用により濡れ性が変化すると共に、ケイ素原子に結合したオルガノ基としてフルオロアルキル基を含有したシリコーン樹脂、または該シリコーン樹脂と無定形シリカとを結着剤とし、該結着剤に光触媒が分散されてなることを特徴とするパターン形成体。
【請求項２】　光学的にパターンを形成するパターン形成体において、
基材上に光触媒含有層を有し、光触媒含有層上に、パターンの露光によって光触媒の作用により濡れ性が変化するシリコーン樹脂、または該シリコーン樹脂と無定形シリカとを含有する層を有することを特徴とするパターン形成体。
【請求項３】　シリコーン樹脂が、ケイ素原子に結合したオルガノ基としてフルオロアルキル基を含有したシリコーン樹脂であることを特徴とする請求項２記載のパターン形成体。
【請求項４】　シリコーン樹脂がオルガノアルコキシシランを含む組成物から得られたものであることを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれか１つに記載のパターン形成体。
【請求項５】　シリコーン樹脂が反応性シリコーン化合物を含む組成物から得られたものであることを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれか１つに記載のパターン形成体。
【請求項６】　パターン形成体が印刷版原版であることを特徴とする請求項１ないし５のいずれかに記載のパターン形成体。
【請求項７】　光学的にパターンを形成する方法において、基材上に光触媒の作用により濡れ性が変化すると共に、ケイ素原子に結合したオルガノ基としてフルオロアルキル基を含有したシリコーン樹脂、または該シリコーン樹脂と無定形シリカとを結着剤とし、該結着剤に光触媒が分散されてなる光触媒含有層を設けたパターン形成体、または、基材上に形成した光触媒含有層上に光触媒の作用により濡れ性が変化するシリコーン樹脂、または該シリコーン樹脂と無定形シリカとを含有する層を形成したパターン形成体にパターンの露光をし、光触媒の作用によって表面の濡れ性を変化させることを特徴とするパターン形成方法。」
　
３　申立ての理由の概要
　申立人は、証拠として、
　　甲第１号証：ＤＥＮＫＩ ＫＡＧＡＫＵ 第５４巻第２号第１５３〜１５　　　　　　　　８頁（１９８６）
　　甲第２号証：再公表特許ＷＯ９６／２９３７５号公報
　　甲第３号証：セラミックス 第３１巻第１０号第８３７〜８４０頁（１　　　　　　　　９９６）
　　甲第４号証：特開平９−５７９１２号公報
を提出して、請求項１〜７に係る発明は、甲第１〜４号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるとして、その特許を取り消すべき旨主張する。
　
４　甲第１〜４号証に記載された発明
　甲第１号証には、
ａ．「ジクロロジメチルシラン処理による疎水化Ｔｉ０２電極を用い、開回路のもとで光照射したが、Ｔｉ０２表面の疎水性は２時間の光照射の範囲では少なくとも変化しなかった。しかし、この疎水性Ｔｉ０２表面を０．２ｍｏｌ　ｄｍ−２　Ｋ２Ｓ０４　水溶液中１Ｖ　ｖｓ．ＳＣＥ定電位に設定し光アノード電流を流すと、電気量とともに接触角の変化をおこした。」（第１５６頁左欄第２２〜２８行）、
ｂ．「Ｔｉ板を加熱処理して簡便に作成できる親水性ＴｉＯ２面を、パラフィン塗布やシラン化反応処理あるいはステアリン酸単分子膜被覆により疎水化することができた。」（第１５７頁右欄第１８〜２０行）、
ｃ．「ステアリン酸単分子膜皮膜表面の水滴の接触角１００°のものをＴｉＯ２光アノード酸化によって画像形成をおこなった一例の写真をＦｉｇ．９に示す。・・・・文字の背景の水にぬれている部分の水の接触角が２０°、親水性化に要した通電量１０−２Ｃｃｍ−２、光照射時間１秒であった。」（第１５７頁右欄第２９行〜第１５８頁左欄第３行）、
ｄ．ＴｉＯ２の光アノード反応を利用した画像形成の技術について「このような画像形成を平板印刷の母材に応用する可能性が期待できる。」（第１５８頁左欄第３〜４行）
が記載されている。
　甲第２号証には、
ｅ．「本発明は、広義には、基材の表面を高度の親水性になし、かつ、維持する技術に関する。より詳しくは、本発明は、鏡、レンズ、板ガラスその他の透明基材の表面を高度に親水化することにより、基材の曇りや水滴形成を防止する防曇技術にかんする。本発明は、また、建物や窓ガラスや機械装置や物品の表面を高度に親水化することにより、表面が汚れるのを防止し、又は表面を自己浄化（セルフクリーニング）し若しくは容易に清掃する技術に関する。」（第３２頁第５〜１０行）、
ｆ．「表面の超親水化を要する基材を準備し、光触媒性コーティングで被覆する。」（第４１頁第２５行）、
ｇ．「基材１０をチタニアからなる光触媒性コーティング１２で被覆し、チタニアを紫外線によって光励起すると、光触媒作用によって水が水酸基（ＯＨ−）の形で表面に化学吸着され、その結果、表面が超親水性になると考えられる。」（第４２頁第２４〜２７行）、
ｈ．「シリカ配合チタニアからなる光触媒層
　水との接触角が０°になる程度の超親水性を呈する耐摩耗性に優れた光触媒性コーティングを形成する他の好ましいやり方は、チタニアとシリカとの混合物からなる光触媒性コーティングを基材の表面に形成することである。・・・
　（２）無定形シリカの前駆体（例えば、テトラエトキシシラン、テトライソプロポキシシラン、テトラｎ−プロポキシシラン、テトラブトキシシラン、テトラメトキシシラン、等のテトラアルコキシシラン；それらの加水分解物であるシラノール；又は平均分子量３０００以下のポリシロキサンと結晶性チタニアゾルとの混合物を基材の表面に塗布し、必要に応じて加水分解させてシラノールを形成した後、約１００℃以上の温度で加熱してシラノールを脱水縮合に付すことにより、チタニアが無定形シリカで結着された光触媒性コーティングを形成する。」（第４５頁第１〜１７行）、
ｉ．「光触媒含有シリコーン塗料
　水との接触角が０°になる程度の超親水性を呈する光触媒性コーティングを形成する更に他の好ましいやり方は、未硬化の若しくは部分的に硬化したシリコーン（オルガノポリシロキサン）又はシリコーンの前駆体からなる塗膜形成要素に光触媒の粒子を分散させてなる塗料用組成物を用いることである。」（第４６頁第２８行〜第４７頁第４行）、
ｊ．「塗膜形成要素としては、メチルトリクロルシラン、・・・、トリフルオロプロピルトリクロルシラン、トリフルオロプロピルトリブロムシラン、トリフルオロプロピルトリメトキシシラン、トリフルオロプロピルトリエトキシシラン、トリフルオロプロピルトリイソプロポキシシラン、トリフルオロプロピルトリｔ−ブトキシシラン、・・・、β−（３、４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリエトキシシラン；および、それらの部分加水分解物；およびそれらの混合物を使用することができる。」（第４７頁第２８行〜第４９頁第２３行）
が記載されている。
　甲第３号証には、
ｋ．「酸化チタン光触媒に適当な組成を組み合わせた薄膜表面は，初期は水との接触が数十度以上であるが，紫外線が当たると水との接触角を減じ，最後は０度となる．・・・・・図２にシリコーン樹脂に光触媒を組み合わせた薄膜に，光照射した場合の接触角の変化を示した．光照射前は接触角は９０度以上であるが，光照射後は接触角は０度となり，全く水をはじかなくなる．」（第８３７頁右欄第１１〜２４行）、
ｌ．光触媒による超親水化現象の応用として、鏡やガラス面の防曇性付与、油汚れに対する易洗浄性、建材外壁等の汚れの降雨によるセルフクリーニング性、窓ガラスなどの結露対策、ビニールハウス内面の水滴防止等が挙げられること（第８３８頁左欄〜第８４０頁左欄）
が記載されている。
　甲第４号証には、
ｍ．「【請求項１】基材と、前記基材の表面に形成された光触媒性半導体からなる層と、さらにその表面に形成された親水性の層からなり、前記親水性の層の表面は、前記光触媒性半導体材料の光励起に応じて、親水化されることを特徴とする複合材。
【請求項２】前記親水性の層は、シリカ、及び／又はシリコン原子に結合された有機基の少なくとも一部が水酸基に置換されたシリコーン樹脂であることを特徴とする請求項１に記載の複合材。」（特許請求の範囲）、
ｎ．「【０００６】
【発明が解決すべき課題】しかしながら、基材表面に光触媒性半導体のみからなる層を形成したのでは一旦光触媒性半導体材料の光励起に応じて、親水化させた後、暗所に放置すると水との接触角の上昇が速い。従って、頻繁に光触媒性半導体を励起させうる波長の光を照射しなければ基材表面の親水性を維持できず、基材の曇りや水滴形成の防止性、建物や窓ガラスや機械装置や物品の表面の汚れ防止性や自己浄化性、易清掃性が発揮されないという問題があった。そこで、本発明では、一旦光触媒性半導体材料の光励起に応じて、親水化させた場合に、室内微弱照明下、又は暗所において長期にわたり良好な親水維持性を呈する複合材を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明では、上記課題を解決すべく、基材と、前記基材の表面に形成された光触媒性半導体からなる層と、さらにその表面に形成された親水性の層からなり、前記親水性の層の表面は、前記光触媒性半導体材料の光励起に応じて、親水化されることを特徴とする複合材を提供する。本発明の好ましい態様においては、前記親水性の層は、シリカ、及び／又はシリコン原子に結合された有機基の少なくとも一部が水酸基に置換されたシリコーン樹脂であるようにする。光触媒性半導体からなる層の表面に上記物質からなる層を設けることにより、一旦光触媒性半導体材料の光励起に応じて親水化させた場合に、複合材表面は、室内微弱照明下、又は暗所において長期にわたり良好な親水維持性を呈するようになる。」、
ｏ．「【００１１】複合材最表面に形成する親水性の層の材質には、シリカ、アルミナ、酸化錫等の無機酸化物や、シリコン原子に結合された有機基の少なくとも一部が水酸基に置換されたシリコーン樹脂が好適に利用できる。ここで親水性の層の膜厚は１００ｎｍ以下、好ましくは５０ｎｍ以下、より好ましくは２０ｎｍ以下にする。このようにすると、光触媒性半導体の光励起によって生成する正孔或いは伝導電子が表面まで拡散する確率をある程度確保できるので、光触媒性半導体の光励起による親水化反応を促進できる。・・・」、
ｐ．「【００１２】ここで、シリコン原子に結合された有機基の少なくとも一部が水酸基に置換されたシリコーン樹脂は、シリコーン樹脂に光触媒性半導体を接触させて、光触媒性半導体を光励起させる方法、・・・等の方法で作製できる。ここで、シリコーン樹脂とはオルガノアルコキシシラン、その加水分解物、その脱水縮重合物の少なくとも１種を含む塗膜形成要素の加水分解、脱水縮重合により形成される樹脂をさす。ここでオルガノアルコキシシランとしては、例えば、メチルトリメトキシシラン、・・・β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン等、及びそれらの混合物を使用することができる。」、
ｑ．「【００２３】実施例２（シリカ塗布法）
ガラス基板上にまず無定型シリカ層を形成した。・・・次に、無定型シリカ層上に、酸化チタンをターゲットとして酸素雰囲気にてスパッタリングを行い、無定型酸化チタン層を形成した＃４試料を得た。さらに＃４試料を５００℃で焼成することにより、無定型酸化チタンが結晶化されてアナターゼ型酸化チタン層に変化した＃５試料を得た。ここで＃５試料の膜厚は５０ｎｍであった。＃５試料表面に、さらにエタノール溶媒で希釈したテトラエトキシシラン溶液（濃度０．９重量％）を、フローコーティング法にて塗布後、１５０℃で２０分焼成することにより、表面にシリカ層の形成された＃６試料を得た。ここで表面シリカ層の膜厚は５０ｎｍ程度に相当する。他方、＃５試料表面に、さらにエタノール溶媒で希釈したテトラエトキシシラン溶液（濃度０．０９重量％）を、フローコーティング法にて塗布後、１５０℃で２０分焼成することにより、表面にシリカ層の形成された＃７試料を得た。ここで表面シリカ層の膜厚は１０ｎｍ以下と考えられる。
【００２４】＃５〜＃７試料について、屋外で太陽光照射を１週間行ったところ、＃５試料、＃７試料では水との接触角が０゜、＃６試料では水との接触角が１０゜までに、いずれも高度に親水化された。次に上記高度に親水化された＃５〜＃７試料を暗所に移し、１週間放置したところ、表面シリカ層を形成していない＃５試料では水との接触角が４０゜まで上昇したのに対し、表面シリカ層を形成した＃６試料では１５゜、＃７試料では２５゜の水との接触角に止まり、比較的低い接触角を維持していた。」
が記載されている。
　
５　対比・判断
５-１　請求項１に係る発明について
　甲第２号証には、超親水性となるチタニアを分散させた光触媒性コーティングを表面に設けた基材（ｆ、ｇ）、及び該光触媒性コーティングとして、「トリフルオロプロピルトリクロルシラン、トリフルオロプロピルトリブロムシラン、・・・トリフルオロプロピルトリｔ−ブトキシシラン」等のフルオロアルキル基を含有した、未硬化の若しくは部分的に硬化したシリコーン（オルガノポリシロキサン）又はシリコーンの前駆体からなる塗膜形成要素に光触媒粒子を分散したもの（ｉ、ｊ）が記載されているが、この「塗膜形成要素」は、本件明細書に記載される結着剤としての、ケイ素原子に結合したオルガノ基としてフルオロアルキル基を含有したシリコーン樹脂（【００１９】〜【００２４】参照）に相当すると認められる。
　請求項１に係る発明（以下、「本件発明１」という。）と、甲第２号証に記載された光触媒性コーティングを表面に設けた基材とを対比すると、
　後者の「超親水性」、「光触媒性コーティング」は、前者の「濡れ性」、「光触媒含有層」に相当するから、
　両者は、基材上に光触媒含有層を有し、該光触媒含有層は、光触媒の作用により濡れ性が変化すると共に、ケイ素原子に結合したオルガノ基としてフルオロアルキル基を含有したシリコーン樹脂を結着剤とし、該結着剤に光触媒が分散されたものである点で一致し、少なくとも次の点で相違する。
・相違点１
　濡れ性を変化させるのが、前者は、パターン形成体に対するパターンの露光であるのに対して、後者では、光触媒含有層の光触媒に対する光照射である点
　上記相違点１について検討する。
　甲第３号証には、光触媒を含有するシリコーン樹脂に、光照射すると水の接触角が減少して表面の濡れ性が変化することが（ｋ）が記載されている。
　また、甲第４号証には、ガラス基板上にアナターゼ型酸化チタン層を形成した＃５試料の該アナターゼ型酸化チタン層の表面に、それぞれ濃度０．９重量％、濃度０．０９重量％のテトラエトキシシラン溶液を塗布した後、１５０℃２０分焼成してシリカ層を形成した＃６試料、＃７試料（ｑ）が記載されているが、この＃６試料、＃７試料は、親水性の表面を形成された複合材（ｍ）になる前の段階のものであって、基材上に光触媒含有層を有し、光触媒含有層上に、「光照射によって」光触媒の作用により濡れ性が変化する層を有するものであるといえる。
　しかしながら、これらの甲第３、４号証に記載されたものも、甲第２号証に記載された基材と同様に、いずれも基材表面の防曇性や、汚れ防止、セルフクリーニング性、水滴形成防止、易清浄化性等を目的として、基材上に高度の親水性を有する被膜を形成するものであり（ｅ、ｌ、ｎ）、パターン露光によってパターン化した親水性表面を形成することについては何も記載されておらず、示唆もない。
　さらに、甲第１号証には、金属チタン板の表面に形成したＴｉＯ２酸化膜を、疎水性物質で疎水化したもの（ｂ）について、光照射と、表面の濡れ性変化との関係が示されている（ａ、ｃ）が、光触媒のＴｉＯ２は金属チタン板表面の酸化膜であって、層中に分散含有されたものではなく、その接触角は、単に光照射しただけでは減少せず、ＴｉＯ２を電極として、光アノード電流を流すことではじめて減少するのであるから（ａ）、本件発明１のパターン形成体とは異なるものである。また、表面を酸化した金属チタン板を、平版印刷の母材に応用する可能性を示唆するが（ｄ）、濡れ性の変化の機構が異なる、本件発明１のパターン形成体までをも示唆するとはいえない。
　したがって、本件発明１は、他の相違点について検討するまでもなく、甲第１〜４号証に記載された発明に基づいて当業者が容易にすることができたものではない。
　
５-２　請求項２に係る発明について
　甲第４号証には、ガラス基板上にアナターゼ型酸化チタン層を形成した＃５試料の該アナターゼ型酸化チタン層の表面に、それぞれ濃度０．９重量％、濃度０．０９重量％のテトラエトキシシラン溶液を塗布した後、１５０℃２０分焼成してシリカ層を形成した＃６試料、＃７試料（ｑ）が記載されている（ｑ）が、この＃６試料、＃７試料は、上記したように、基材上に光触媒含有層を有し、光触媒含有層上に、「光照射によって」光触媒の作用により濡れ性が変化する層を有するものであるといえる。
　請求項２に係る発明（以下、「本件発明２」という。）と、甲第４号証に記載された該＃６試料、＃７試料とを対比すると、
　両者は、基材上に光触媒含有層を有し、光触媒含有層上に、光触媒の作用により濡れ性が変化する層を有するものである点で一致し、
・相違点２
　濡れ性を変化させるのが、前者は、パターン形成体に対するパターンの露光であるのに対して、後者では、光触媒含有層の光触媒に対する光照射である点
・相違点３
　光触媒含有層上に形成する層が、前者は、光触媒の作用により濡れ性が変化するシリコーン樹脂、または該シリコーン樹脂と無定形シリカとを含有するのに対して、後者では、テトラエトキシシラン溶液を塗布して１５０℃２０分焼成したものである点
で相違する。
　上記相違点２について検討する。
　相違点２は、上記相違点１と同じであり、上記相違点１について検討事項と同じ理由により、甲第１〜３号証にはパターンの露光について何も記載されておらず、示唆もされていない。
　したがって、本件発明２は、上記相違点３について検討するまでもなく、甲第１〜４号証に記載された発明に基づいて当業者が容易にすることができたものではない。
　
５-３　請求項３〜６に係る発明について
　請求項１または２に係る発明の構成を引用して、さらに技術的限定を加える請求項３〜６に係る発明も、本件発明１または２と同様な理由により、甲第１〜４号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
５-４　請求項７に係る発明について
　請求項１または２に係る発明のパターン形成体を使用して、パターンの露光をすることによりパターン形成する請求項７に係る発明も、本件発明１または２と同様な理由により、甲第１〜４号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
６　むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、本件請求項１〜７に係る特許を取り消すことができない。また、他に本件請求項１〜７に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１６年７月５日（２００４．７．５）