【事件の表示】
　特許第３４１０２７８号「液晶ディスプレイ用Ａｌ系ターゲット材およびその製造方法」の請求項１ないし４に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第３４１０２７８号の請求項１ないし４に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
　特許第３４１０２７８号の請求項１ないし４に係る発明についての出願は、平成８年２月２７日に特許出願され、平成１５年３月２０日にその特許権の設定登録がなされ、その後、申立人株式会社コベルコ科研及び申立人住友化学工業株式会社より特許異議の申立てがなされたものである。
　
２．特許異議申立てについて
（１）本件発明
　特許第３４１０２７８号の請求項１ないし４に係る発明（以下、「本件発明１」ないし「本件発明４」という。）は、明細書の特許請求の範囲の請求項１ないし４に記載された次の事項により特定されるとおりのものである。
「【請求項１】 ターゲット材の硬さがビッカース硬さ（Ｈｖ）で２５以下であり、0.3ｍ2以上のスパッタ面を有することを特徴とする液晶ディスプレイ用Ａｌ系スパッタリングターゲット材。
【請求項２】 枚葉式スパッタリング装置に適用されることを特徴とする請求項１に記載の液晶ディスプレイ用Ａｌ系スパッタリングターゲット材。
【請求項３】 ターゲット組織内における１μｍ以上の欠陥は、１ｃｍ2当たり５ケ以下であることを特徴とする請求項１または２に記載の液晶ディスプレイ用Ａｌ系スパッタリングターゲット材。
【請求項４】 Ａｌを主体とするインゴットを３００から４５０℃の温度範囲で７５％以下の加工率で圧延により板状にし、次いで圧延時温度以上で５５０℃以下の加熱処理を行い、ビッカース硬さ（Ｈｖ）を２５以下とし、圧延面側をスパッタリング面とすることを特徴とする液晶ディスプレイ用Ａｌ系ターゲット材の製造方法。」
（２）申立ての理由の概要
　申立人株式会社コベルコ科研は、下記の甲第１号証ないし甲第６号証を提出し、本件発明１ないし４は、甲第１号証ないし甲第４号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから、また、本件は、明細書の記載が不備であるため、特許法第３６条第４項に規定する要件に違反するものであるから、本件発明１ないし４の特許は取り消されるべきものである旨、主張している。
　甲第１号証：特開平２−２９０９６８号公報
　甲第２号証：「アルミニウムの引張と硬さ試験に関する研究」社団法人軽金属協会、昭和５８年１１月発行、第６５〜６８頁
　甲第３号証：「フラットパネル・ディスプレイ　１９９５」日系ＢＰ社、第８５〜８８頁
　甲第４号証：特開平４−９４６７号公報
　甲第５号証：「ＪＩＳハンドブック　非鉄−１９８１」財団法人日本規格協会、１９８１年４月１２日発行、第３１３〜３１５頁
　甲第６号証：「アルミニウム　ハンドブック　第３版」社団法人軽金属協会、昭和６０年４月２０日発行、第１〜１３頁、第２６〜４８行
　また、申立人住友化学工業株式会社は、下記の甲第１号証及び甲第２号証を提出し、本件は、請求項１ないし３に特許を受けようとする発明が明確に記載されていないため、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件に違反するものであるから、本件発明１ないし３の特許は取り消されるべきものである旨主張している。
　甲第１号証：実験証明書
　甲第２号証：特開平６−１１６７２３号公報
（３）申立人株式会社コベルコ科研の主張について
（３−１）申立人株式会社コベルコ科研が提出した甲各号証に記載された事項
（３−１−１）甲第１号証には下記の記載がある。
１−ア．「純アルミニウム（Ａｌ≧９９．９９）又は純アルミニウム（Ａｌ≧９９．９９）を基盤とした二成分もしくは三成分の溶融合金の利用層から成り、陰極スパッタ法によるコーティングのターゲットとして使用できる複合アルミニウム板において、支持層が最低７０のＨＢ硬度の析出硬化可能のアルミニウム合金より成ることを特徴とする複合アルミニウム板。」（特許請求の範囲　請求項１）
１−イ．「請求項１から４までのいずれか１項記載のアルミニウム複合板を製造する方法において、利用層と、全体の厚さの２０から３５％を成す支持層とを３５０°〜４５０℃の温度で、少なくとも２０％の圧延率で圧延結合し、次いでこの複合板を４５０°〜５５０℃の金属温度で３０分以内固溶化熱処理を行い、水中で急冷し、続いて１６０°〜１８０℃で２から１６時間人工時効処理を行うことを特徴とする複合アルミニウム板の製法。」（特許請求の範囲　請求項５）
１−ウ．「冒頭に説明したように利用層はスパッター時に高エネルギーガスイオン類の衝突を受ける。」（第２頁右下欄１９，２０行）
（３−１−２）甲第２号証には下記の記載がある。
２−ア．第６８頁の「図３．７．３　各種アルミニウム合金の引張強さとビッカース硬さ（防衛大）」には「材料１１００−ＯについてＨＶ５ｋｇが２２．４、ＨＶ１０ｋｇが２２．３であること」が記載されている。
２−イ．第６８頁の「図３．７．３　各種アルミニウム合金の引張強さとビッカース硬さ（防衛大）」には「材料５０８３−ＯについてＨＶ５ｋｇが７３．７、ＨＶ１０ｋｇが７３．５であること」が記載されている。
（３−１−３）甲第３号証には下記の記載がある。
３−ア．「１９９４年度に日本真空技術はＴＦＴ第２期ライン向けの枚葉式スパッタ装置が好調でシェアをさらに伸ばした。」（第８７頁「スパッタ装置」の項、左欄３〜６行）
３−イ．「現在はインライン式がカラー・フィルタ向け、枚葉式がＴＦＴアレイ向けと明確な棲み分けができている。」（第８７頁「スパッタ装置」の項、中欄３〜６行）
３−ウ．第８８頁のスパッタの行には、枚葉式について「４００×５００〜５５０×６５０mm２級大型ガラスへの対応」との記載がある。
（３−１−４）甲第４号証には下記の記載がある。
４−ア．「本発明は、耐食性のあるスパッタリング法で形成した成膜（以下、「スパッタ成膜」という）を形成し得るＡｌ−Ｎｉ−Ｓｉ合金製スパッタリングターゲットに関するものである。」（第１頁左下欄１５〜１８行）
４−イ．「アルミニウム製スパッタリングターゲットが近年エレクトロニクス関連に広く適用され出しているが、その要求特性が年々厳しくなっている。例えば、光ディスクの反射膜やＬＣＤ（液晶ディスプレ）用ＴＦＴ・・・電極の電極配線膜等にも純アルミニウム系のスパッタ成膜が適用されて来たが、使用環境によってはスパッタ成膜のベーマイト化が見られる。」（第１頁左下欄１９行〜同頁右下欄７行）
４−ウ．「スパッタ成膜の均一性を確保するために、結晶粒径が３ｍｍ以下となるような塑性加工並びに加工歪の緩和のための熱処理を行なう。例えば、・・・ビレットは、・・・切断される。次いで、３００〜５２０℃に均質化処理した後に、・・・据込み率６０％程度までの鍛造加工を行なう。更に、１５０〜５７０℃で０．５〜２４時間の中間焼鈍を行なった後、圧下率７０％程度までの熱間又は温間でのクロス圧延・・・を行なう。なお、所望によって室温〜３００℃で平坦化のための矯正プレス加工を行う。引続いて、２００〜５００℃で１〜５時間加熱して最終焼鈍を行なった後、・・・最終形状・・・に仕上げ加工し、脱脂洗浄を行ない製品スパタリングターゲットを得る。」（第２頁右下欄３行〜第３頁左上欄４行）
４−エ．「直角二方向のクロス圧延を行ない圧下率５７％の圧延加工をし、矯正プレスで平坦化加工した。続いて、３８０℃で１時間処理して最終焼鈍をした」（第３頁右上欄５〜８行）   
（３−１−５）甲第５号証には「ＪＩＳ　Ｈ　４０００（１９８０）」が記載されており、特に下記の記載がある。
５−ア．第３１４頁の「表２　化学成分」には、合金番号１１００の化学成分％が記載されている。
５−イ．第３１４頁の「表２　化学成分」には、合金番号５０８３の化学成分％が記載されている。
（３−１−６）甲第６号証には下記の記載がある。
６−ア．第５頁の「表１．６．１　ＪＩＳ規格で用いられる調質記号」として、記号「Ｏ」の定義が「焼なましにより最も軟かい状態となったもの」で、その説明として「焼なましにより完全に再結晶した状態を示す。熱処理合金の場合は、焼なまし温度より緩やかな冷却をおこない、焼入れの効果を完全に防止することが必要である。」ことが記載されている。
（３−２）特許法第２９条第２項違反の主張について
１）本件発明４について
　記載事項１−イの圧延結合及び熱処理における加熱条件は利用層の加熱条件であると云え、圧延結合における利用層の圧延率は、利用層及び支持層を構成する各アルミニウム合金の成分及び組成範囲並びに両層の厚さの比により異なるため、記載事項１−イに記載された圧延率が直ちに利用層の圧延率であるとは云えないものの、利用層及び支持層がいずれもアルミニウム又はアルミニウム合金であること及び支持層の厚さが全体の厚さの２０から３５％と利用層より薄いことからみて、利用層の圧延率は記載事項１−イに記載された圧延率に近いものであると云える。そして、記載事項１−イ及びウからみて、利用層の表面は圧延面側であり、スパッタリング面であると云えるから、記載事項１−アないしウを利用層について整理すると、甲第１号証には下記の発明（以下、「甲１方法発明」という。）が記載されていると云える。
「純アルミニウム（Ａｌ≧９９．９９）又は純アルミニウム（Ａｌ≧９９．９９）を基盤とした二成分もしくは三成分の溶融合金を、３５０°〜４５０℃の温度で、少なくともほぼ２０％の圧延率で圧延し、次いでこの板を４５０°〜５５０℃の金属温度で３０分以内固溶化熱処理を行い、水中で急冷し、続いて１６０°〜１８０℃で２から１６時間人工時効処理を行い、圧延面側をスパッタリング面とするアルミニウムターゲット板の製法。」
　本件発明４と甲１方法発明とを対比すると、後者における「純アルミニウム（Ａｌ≧９９．９９）又は純アルミニウム（Ａｌ≧９９．９９）を基盤とした二成分もしくは三成分の溶融合金」は、「溶融合金」が溶融法により得られた合金と解され、かかる合金は通常溶融状態からインゴットにされるものであるから、前者における「Ａｌを主体とするインゴット」に相当する。そして、後者における「圧延率」は前者における「加工率」に相当する。また、後者における「固溶化熱処理」は４５０°〜５５０℃の金属温度での加熱処理を伴うものであり、該固溶化熱処理温度の下限は圧延時温度の上限と同じ温度であるから、両者は、
「Ａｌを主体とするインゴットを３５０から４５０℃の温度範囲でほぼ２０％以下の加工率で圧延により板状にし、次いで圧延時温度以上で５５０℃以下の加熱処理を行い、圧延面側をスパッタリング面とするＡｌ系ターゲット材の製造方法。」で一致し、下記の点で相違する。
（ｉ）圧延時温度以上で５５０℃以下の加熱処理が、前者は、該加熱処理を行いビッカース硬さ（Ｈｖ）を２５以下とするものであるのに対し、後者は、該加熱処理が固溶化熱処理であり、さらに水中で急冷し、続いて１６０°〜１８０℃で２から１６時間人工時効処理するものであって、ビッカース硬さ（Ｈｖ）については何等特定がない点。
（ii）前者は、Ａｌ系ターゲット材が液晶ディスプレイ用であるのに対し、後者はかかる特定がない点。
　そこで、相違点（ｉ）について検討する。
　まず、相違点（ｉ）が実質的な相違点であるか否か検討する。
　本件請求項４の記載、及び、本件明細書【００１８】、【００１９】段落の記載からも明らかなように、本件発明４における上記加熱処理は、圧延加工により生じた歪みを除去することによりターゲット材のビッカース硬さ（Ｈｖ）を２５以下に軟化するものであり、かかる加熱処理後の冷却は、普通、徐冷により行われる。これに対して、甲１方法発明における「圧延時温度以上で５５０℃以下の加熱処理」を伴う「固溶化熱処理」は、高温で固溶体となる温度範囲に加熱することにより、析出物などを合金中に十分溶け込ませたのち、急冷して析出などを抑える熱処理であり、歪みを除去し材料を軟化させるものではない。さらに、甲１方法発明は、かかる加熱処理の後、水中で急冷する工程、続いて１６０°〜１８０℃で２から１６時間人工時効処理する工程を有するものである。よって、本件発明４と甲１方法発明における「圧延時温度以上で５５０℃以下の加熱処理」は、全く異なるものであり、甲１方法発明において、固溶化熱処理を行ない水中で急冷し続いて人工自硬処理したターゲット板のビッカース硬度（Ｈｖ）が２５以下であるとは到底認められない。
　よって、上記相違点（ｉ）は実質的な相違点であると云える。
　つぎに、相違点（ｉ）について甲第２ないし４号証に記載された事項を検討すると、甲第２号証には、甲第５号証及び甲第６号証の記載からみて、ＪＩＳ　Ｈ　４０００で規定された合金番号１１００の合金が焼なましにより最も軟かい状態となったものを示すことが明らかである「材料１１００−Ｏ」のビッカース硬度が２２．４あるいは２２．３であることが記載され、甲第３号証には、枚葉式のスパッタ装置が５５０×６５０mm２級の大型ガラスに対応することが記載されているだけで、相違点（ｉ）で挙げた本件発明４の構成を示唆する記載もない。さらに、甲第４号証には、記載事項４−ア及びイからみて、アルミニウム製ターゲットが液晶ディスプレイ用であることが記載されていると共に、記載事項４−ウ及びエからみて、圧下率７０％程度までの圧延後２００〜５００℃で最終焼鈍することによりアルミニウム製ターゲットを製造することが記載されていると云える。甲第４号証に記載された最終焼鈍は、焼鈍である以上歪みの除去及び材料の軟化を目的とするものであり、その温度条件も本件発明４における加熱処理の温度範囲と重複する蓋然性が高い。しかし、甲第４号証には圧延時の温度条件が記載されておらず、圧延時の温度条件が記載されていない以上、甲第４号証に記載された最終焼鈍に関する記載事項のみをとりだして甲１方法発明に適用することにより、３５０から４５０℃の温度範囲で圧延することを前提とする相違点（ｉ）で挙げた本件発明４の構成要件を、当業者が容易に想到し得たことであると云うことはできない。
　そして、本件発明４は、相違点（ｉ）で挙げた構成要件及び本件発明４の他の構成要件を備えたことにより、0.3ｍ2以上のスパッタ面を有し、スプラッシュの発生を抑制したＬＣＤ用Ａｌ系ターゲット材を製造し得たという本件明細書に記載された効果を奏するものである。
　よって、本件発明４は、甲第１号証乃至甲第４号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるとは云えない。
２）本件発明１について
　記載事項１−アないしウを利用層について整理すると、甲第１号証には下記の発明（以下、「甲１物発明」という。）が記載されていると云える。
「純アルミニウム（Ａｌ≧９９．９９）又は純アルミニウム（Ａｌ≧９９．９９）を基盤とした二成分もしくは三成分の溶融合金を、３５０°〜４５０℃の温度で、少なくともほぼ２０％の圧延率で圧延し、次いでこの板を４５０°〜５５０℃の金属温度で３０分以内固溶化熱処理を行い、水中で急冷し、続いて１６０°〜１８０℃で２から１６時間人工時効処理を行って製造したアルミニウムスパッタリングターゲット板。」
　本件発明１と甲１物発明とを対比すると、後者における「純アルミニウム（Ａｌ≧９９．９９）又は純アルミニウム（Ａｌ≧９９．９９）を基盤とした二成分もしくは三成分の溶融合金」は、前者における「Ａｌ系」に相当するから、両者は、
「Ａｌ系スパッタリングターゲット材。」でのみ一致し、下記の点で相違する。
（iii）前者は、ターゲット材の硬さがビッカース硬さ（Ｈｖ）で２５以下であるのに対し、後者はかかる特定がない点。
（iv）前者は、0.3ｍ2以上のスパッタ面を有するものであるのに対し、後者はかかる特定がない点。
（vi）前者は、液晶ディスプレイ用であるのに対し、後者はかかる特定がない点。
　そこで、相違点（iii）について検討すると、甲第１号証にはターゲット材の硬さがビッカース硬さ（Ｈｖ）で２５以下であることは記載されていない。そして、上記１）で述べたとおり、上記甲１方法発明のアルミニウムターゲット板の製法は本件発明４のＡｌ系ターゲット材の製造方法とは異なるものであるから、甲１方法発明で製造された甲１物発明に係るアルミニウムスパッタリングターゲット材が、本件発明１と同様、ターゲット材の硬さがビッカース硬さ（Ｈｖ）で２５以下であるということはできない。
　そして、相違点（iii）で挙げた本件発明１の構成要件は、甲第２号証ないし甲第４号証を検討しても、記載されておず、また、示唆する記載もない。
　よって、他の相違点について検討するまでもなく、本件発明１は、甲第１号証ないし甲第４号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるとは云えない。
３）本件発明２及び３について
　本件発明２及び３は、いずれも、請求項１を直接的又は間接的に引用して、限定したものであるから、上記２）で本件発明１について述べた理由と同じ理由で、甲第１号証ないし甲第４号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものとは云えない。
（３−３）特許法第３６条第４項違反の主張について
　申立人株式会社コベルコ科研の上記主張は、以下の２点を理由としていると云える。
ア）本件発明１ないし４には「Ａｌ系」の範囲について限定がないため、本件発明１ないし４における「Ａｌ系」にはＡｌ以外の成分を多量に含有するものも含まれるところ、かかるものについてビッカース硬さを２５以下とする手段が本件明細書中に記載されていないため、本件明細書中には当業者が実施できる程度に本件発明１ないし４が明確且つ十分に記載されていない。
イ）本件発明３の構成要件である「ターゲット組織内における１μｍ以上の欠陥は、１ｃｍ2当たり５ケ以下であること」を達成する手段が、本件明細書中に記載されていないため、本件明細書中には当業者が実施できる程度に本件発明３が明確且つ十分に記載されていない。
　まず、ア）の理由について検討すると、本件発明１ないし３は、「ターゲット材の硬さがビッカース硬さ（Ｈｖ）で２５以下」であることを構成要件とするものであり、すべてのＡｌ合金の硬さをビッカース硬さ（Ｈｖ）で２５以下にすることを構成要件とするものではない。よって、甲第２号証の記載事項２−イに記載の如く焼なまし状態でのビッカース硬さ（Ｈｖ）が２５より大きいＡｌ合金が存在するからといって、それらの合金の存在をもって「ターゲット材の硬さがビッカース硬さ（Ｈｖ）で２５以下」であることを構成要件とする本件発明１ないし３が実施できないというものではない。
　また、本件発明４は、「ビッカース硬さ（Ｈｖ）を２５以下」とするＡｌ系ターゲット材の製造方法であるが、その製造方法については、本件明細書の【００１３】段落に使用するＡｌ系合金の成分及び添加成分の添加量が、同【００１８】、【００１９】段落にＡｌ合金のインゴットの圧延及び熱処理に関する事項が記載されており、さらに同【００２０】〜【００２４】段落にはターゲット材の組成及び製造方法、該ターゲット材のビッカース硬さ及び欠陥数、並びに該ターゲット材を用いてスパッタリングをしたときのスプラッシュ個数を記載した実施例が記載されているところである。
　したがって、上記ア）の理由は根拠のないものである。
　つぎに、イ）の理由について検討すると、本件明細書【００１８】段落には、ターゲット材を製造する一工程であるＡｌ合金インゴットの圧延についての記載として、「ここで温度範囲を３００から４５０℃としたのは３００℃未満では、加工温度が低すぎて、Ａｌ合金素材の組織内部に割れ等の欠陥を発生しやすいためである。・・・。また、塑性加工率を７５％以下とするのは、７５％以上では、組織内に割れ等の欠陥が発生しやすく、スプラッシュを増加する場合があるためである。」という記載がある。この記載からみて、本件明細書中には、ターゲット組織内における欠陥は、圧延時に加工温度を３００℃以上とし、塑性加工率を７５％以下とすることにより少なくできることが記載されていると云える。
　よって、本件明細書における上記記載及び当業者の技術常識をもってすれば、当業者にとって本件発明３が容易に実施できないと云うことはできず、上記イ）の理由も根拠のないものである。
（４）申立人住友化学工業株式会社の主張について
　申立人住友化学工業株式会社の上記主張は、概ね以下の点を理由としていると云える。
　甲第２号証の記載及び本件明細書の記載からみて、本件発明１、２及び３は「ターゲット材の硬さがビッカース硬さ（Ｈｖ）で２５以下であり」との構成要件によって、さらに本件発明３は「ターゲット組織内における１μｍ以上の欠陥は、１ｃｍ2当たり５ケ以下である」との構成要件によって、スプラッシュの発生を抑制するという効果を奏するものであると云える。しかし、甲第１号証により、純Ａｌ及びＳｉ等の低融点金属を添加したＡｌ系ターゲット材について、従来法である冷間圧延を用いて作製したものであっても１μm以上の欠陥は発生しないこと、及び、ビッカース硬さ（Ｈｖ）が２５以下であるもののみならずビッカース硬さ（Ｈｖ）が２５より大きいＡｌ系ターゲット材を用いてもスプラッシュが発生しないことが証明されたから、純Ａｌ及びＳｉ等の低融点金属を添加したＡｌ系ターゲット材については、「ターゲット材の硬さがビッカース硬さ（Ｈｖ）で２５以下」であること及び「ターゲット組織内における１μｍ以上の欠陥は、１ｃｍ2当たり５ケ以下」であることに何の意味もない。よって、純Ａｌ及びＳｉ等の低融点金属を添加したＡｌ系ターゲット材をも含む本件発明１ないし３は、特許を受けようとする発明が明確でない。
　そこで、この主張について検討すると、申立人住友化学工業株式会社が提出した甲第１号証の実験証明書には、本件明細書に記載の実施例に準じ、第１頁の表１に記載の加工率及び処理温度で冷間圧延及び熱処理を行って得たターゲット素材を、スパッタ面０．３６ｍ２に加工して、５Ｎ−Ａｌ−Ｐｕｒｅ（Ｎｏ．１）、５Ｎ−Ａｌ−１．０Ｓｉ（Ｎｏ．２）、５Ｎ−Ａｌ−１．０Ｓｉ（Ｎｏ．３）、５Ｎ−Ａｌ−０．５Ｃｕ（Ｎｏ．４）の４種の組成のターゲット材とし、それを使用して薄膜を形成し、欠陥数、硬度、スプラッシュ数を測定した結果が第２頁の表２に記載されている。この表２に記載された結果によれば、Ｎｏ．１〜４のターゲット材のいずれにも欠陥が見られず、また、Ｎｏ．１及び３のターゲット材の硬度は２５以下であり、Ｎｏ．２及び４のターゲット材の硬度は２５を越えるものであるが、いずれのターゲット材を用いてもスプラッシュは発生しないことが理解される。しかし、甲第１号証の実験結果は、本件発明１ないし３の「ターゲット材の硬さがビッカース硬さ（Ｈｖ）で２５以下であり」という構成要件を備え、且つ本件発明３の「ターゲット組織内における１μｍ以上の欠陥は、１ｃｍ2当たり５ケ以下である」との構成要件を備えているターゲット材であるＮｏ．１及び３のターゲット材は、スプラッシュの発生を抑制することを確認すると共に、「ターゲット材の硬さがビッカース硬さ（Ｈｖ）で２５以下であり」という本件発明１ないし３の構成要件を備えていないターゲット材であるＮｏ．２及び４のターゲット材もスプラッシュの発生を抑制するものであること、即ち、ターゲット材の硬さがビッカース硬さ（Ｈｖ）で２５以下でないものの中にもスプラッシュが発生しないものがあることを確認したにすぎない。そして、本件発明１ないし３は、「ターゲット材の硬さがビッカース硬さ（Ｈｖ）で２５以下であり」との構成要件を、さらに本件発明３は「ターゲット組織内における１μｍ以上の欠陥は、１ｃｍ2当たり５ケ以下である」との構成要件を備えるものであり、甲第１号証は、かかる構成要件を備えたターゲット材はスプラッシュの発生を抑制するという本件発明１ないし３の効果を奏することを立証していると云えるが、かかる構成要件を備えたターゲット材が本件発明１ないし３の上記効果を奏するものでないことを立証するものではない。
　よって、申立人の上記主張は根拠のないものであり、採用できない。
　そして、請求項１ないし３の記載は、特許を受けようとする発明を明確に記載したものであると云える。
（５）むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠方法によっては本件発明１ないし４についての特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明１ないし４についての特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１６年３月１７日（２００４．３．１７）