【事件の表示】
　特許第３２７３７７３号「半導体製造・検査装置用セラミックヒータ、半導体製造・検査装置用静電チャックおよびウエハプローバ用チャックトップ」の請求項１ないし３に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３２７３７７３号の請求項１に係る特許を取り消す。
　同請求項２に係る特許を維持する。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本件特許第３２７３７７３号発明は、特許法第４１条に基づく優先権主張を伴う平成１１年１２月２９日（優先日、平成１１年８月１２日）の出願であって、平成１４年２月１日にその特許権の設定登録がなされ、その後、特許異議申立人京セラ株式会社より、全請求項である請求項１〜３のうちの請求項１〜２に対して、特許異議申立人日本碍子株式会社より、同じく請求項１〜２に対して、特許異議申立人森田昭司より、全請求項である請求項１〜３に対して、計３件の特許異議の申立てがなされた。これに対し、当審より平成１５年１月２１日付で取消しの理由を通知したところ、その指定期間内である平成１５年４月１日に特許権者より意見書及び訂正明細書を添付した訂正請求書が提出された。
第２　訂正の適否についての判断
１　訂正事項
（１）訂正事項ａ
　本件特許登録時の明細書（以下「登録明細書」という。）の特許請求の範囲に記載の
　「【請求項１】　セラミック基板の表面または内部に発熱体を設けてなる半導体ウエハを加熱するためのセラミックヒータであって、
　前記セラミック基板の表面から放射されるα線量が、０．２５０ｃ／ｃｍ２．ｈｒ以下であることを特徴とする半導体製造・検査装置用セラミックヒータ。
【請求項２】　セラミック基板の内部に電極が埋設され、前記セラミック基極の一主面に半導俸ウエハを吸着するように構成された静電チャックであって、
　前記セラミック基板の表面から放射されるα線量が、０．２５０ｃ／ｃｍ２．ｈｒ以下であることを特徴とする半導体製造・検査装置用静電チャック。
【請求項３】　セラミック基板の表面にチャックトップ導体層が形成されてなるウエハプローバ用チャックトップであって、
　前記セラミック基板の表面から放射されるα線量が、０．２５０ｃ／ｃｍ２．ｈｒ以下であることを特徴とするウエハプローバ用チャックトップ。」を、
　「【請求項１】　
焼結した
り、半導体ウエハを支持しながら前記セラミック基板から離間して
　
前記セラミック基板には、焼結助剤が含まれ、かつ、有底孔が設けられて熱電対が固定されており、
０．２１０
【請求項２】　セラミック基板の表面にチャックトップ導体層が形成されてなるウエハプローバ用チャックトップであって、
　前記セラミック基板の表面から放射されるα線量が、０．２５０ｃ／ｃｍ２．ｈｒ以下であることを特徴とするウエハプローバ用チャックトップ。」と訂正する。
　（訂正箇所は、アンダーライン部分である。）
（２）訂正事項ｂ
　登録明細書の発明の名称の欄を、「【発明の名称】 半導体製造・検査装置用セラミックヒータおよびウエハプローバ用チャックトップ」と訂正する。
（３）訂正事項ｃ
　登録明細書の段落０００９を、次のように訂正する。
　「【０００９】
　すなわち、本発明の半導体製造・検査装置用セラミックヒータ（以下、単にセラミックヒータともいう）は、焼結したセラミック基板の表面または内部に発熱体を設けてなり，半導体ウエハを支持しながら上記セラミック基板から離間して加熱するためのセラミックヒータであって、上記セラミック基板には、焼結助剤が含まれ、かつ、有底孔が設けられて熱電対が固定されており、上記セラミック基板の表面から放射されるα線量が、０．２１０ｃ／ｃｍ２・ｈｒ以下、実質的には０．０００１〜０．２１０ｃ／ｃｍ２・ｈｒであることを特徴とする。」
（４）訂正事項ｄ
　登録明細書の段落００１０を、次のように訂正する。
　「【００１０】
　本発明のウエハプローバ用チャックトップは、セラミック基板の表面にチャックトップ導体層が形成されてなるウエハプローバ用チャックトップであって、上記セラミック基板の表面（導体層形成面）から放射されるα線量が、０．２５０ｃ／ｃｍ２・ｈｒ以下、実質的には０．０００１〜０．２５０ｃ／ｃｍ２・ｈｒであることを特徴とする。」
（５）訂正事項ｅ
　登録明細書の段落００１７を、次のように訂正する。
　「【００１７】
　また、α線量が０．２１０ｃ／ｃｍ２・ｈｒを超えると、セラミック基板上に載置される半導体ウエハにα線が飛び込んで半導体ウエハに電子、正孔の対を発生させ、これが静電気を生じ、この静電気によってセラミック基板から発生するパーティクルが半導体ウエハに吸着してしまう。パーティクルが吸着するとマスク露光する場合に、配線欠陥を生じてしまうのである。」
（６）訂正事項ｆ
　登録明細書の段落００１８を、次のように訂正する。
　「【００１８】
　本発明の半導体製造・検査用装置用セラミックヒータ等に用いられるセラミック基板は、半導体ウエハ表面（半導体ウエハ載置面、半導体ウエハ加熱面、導体層形成面）から放射されるα線量が、０．２１０ｃ／ｃｍ２・ｈｒ以下、実質的には０．０００１〜０．２１０ｃ／ｃｍ２・ｈｒであることを特徴とする。」
（７）訂正事項ｇ
　登録明細書の段落００２１を、次のように訂正する。
「【００２１】
　また、窒化アルミニウムのα線量については、「ニューセラミックス」Ｖｏｌ．１１、Ｎｏ．９　１９９８ 「ＡＬＮセラミックスの最近の進歩と応用」に記載が見られるが、半導体製造用のヒータや半導体検査装置として使用することは記載も、示唆もされていない。従って、そのこと自体により本発明の新規性、進歩性が阻却されることはない。」
（８）訂正事項ｈ
　登録明細書の段落００２４を、次のように訂正する。
　「【００２４】
　本発明の半導体製造・検査装置用セラミックヒータは、セラミック基板の表面または内部に発熱体を設けてなる半導体ウエハを加熱するためのセラミックヒータであって、上記セラミック基板の表面から放射されるα線量が０．２１０ｃ／ｃｍ２・ｈｒ以下、実質的には０．０００１〜０．２１０ｃ／ｃｍ２・ｈｒであることを特徴とする。」
（９）訂正事項ｉ
　登録明細書の段落０１１４を、次のように訂正する。
　「【０１１４】
　（８）温度制御のための熱電対を８１．７Ａｕ−１８．３Ｎｉの金ローで接続し、（１０３０℃で加熱して融着）、セラミックヒータを得た。
　なお、窒化アルミニウム粉末Ｇを用いて製造したセラミックヒータは、本発明の範囲外である。」
（１０）訂正事項ｊ
　登録明細書の段落０１１５を、次のように訂正する。
　「【０１１５】
　（参考例１）発熱体および静電電極を内部に有する静電チャックの製造
（１）前述の窒化アルミニウム粉末Ａ〜Ｇのもの１００重量部、イットリア（平均粒径：０．４μｍ）４重量部、アクリルバインダ１１．５重量部、分散剤０．５重量部および１−ブタノールとエタノールとからなるアルコール５３重量部を混合したペーストを用い、ドクターブレード法による成形を行って、厚さ０．４７ｍｍのグリーンシートを得た。」
（１１）訂正事項ｋ
　登録明細書の段落０１２４を、次のように訂正する。
　「【０１２４】
（実施例２） ウエハプローバ用チャックトップの製造
（１）前述の窒化アルミニウム粉末Ａ〜Ｇのもの（平均粒径１．１μｍ）１００重量部、イットリア（酸化イットリウムのこと　平均粒径０．４μｍ）４重量部、アクリルバイダー１１．５重量部、分散剤０．５重量部および１−ブタノールおよびエタノールからなるアルコール５３重量％を混合した組成物を、ドクターブレードで形成して厚さ０．４７ｍｍのグリーンシート３０を得た。」
（１２）訂正事項ｌ
　登録明細書の段落０１３９を、次のように訂正する。
　「【０１３９】
　上記実施例１〜２、参考例１および比較例１〜３で得られたセラミックヒータ、静電チャック、ウエハプローバ用チャックトップについて、放射されるα線量を測定した。また、これらのセラミックヒータ、ウエハプローバ用チャックトップ上に半導体ウエハを載置し、ヒータの誤動作の有無、静電チャック力、パーティクルの付着数を調べた。結果を表２に示す。
α線量の測定条件は、以下の通りである。」
（１３）訂正事項ｍ
　登録明細書の段落０１４３を、次のように訂正する。
　「
　　　　　　　　　　　　」
（１４）訂正事項ｎ
　登録明細書の段落０１４５を、次のように訂正する。
　「【０１４５】
　参考例１の静電チャックの場合は、α線量（ｃｍ２・ｈｒ）が０．００１から０．２４０ｃ／ｃｍ２・ｈｒの場合で１２０ｇ／ｃｍ２前後のチャック力が得られた。」
（１５）訂正事項ｏ
　登録明細書の段落０１４６を、次のように訂正する。
　「【０１４６】
　実施例２のウエハプローバ用チャックトップの場合は、α線量（ｃｍ２・ｈｒ）が０．００１から０．２４０ｃ／ｃｍ２・ｈｒの場合で誤動作がなかった。
これらのしきい値が生じる理由は明確ではないが、いずれもα線によりシリコンウエハに電子、正孔の対が発生し、これが一定以上になると電荷量が多くなって静電気を発生させるのではないかと推定している。」
２　訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
（１）訂正事項ａについて
　訂正明細書、請求項１の「
焼結した
半導体ウエハを支持しながら前記セラミック基板から離間して
前記セラミック基板には、焼結助剤が含まれ、かつ、有底孔が設けられて熱電対が固定されており
０．２１０
　上記訂正における、「焼結したセラミック基板」は、登録明細書の段落００６９の「この生成形体を加熱、焼成して焼結させ、セラミック製の板状体を製造する。」との記載に基づくものである。同様に、上記訂正における、「半導体ウエハを支持しながら前記セラミック基板から離間して加熱するためのセラミックヒータ」は、登録明細書の段落００６５の「本発明のセラミックヒータでは、半導体ウエハをセラミック基板から５０〜５００μｍ離間させて加熱することができる。・・・この場合、セラミック基板上に支持ピン１６でウエハを支持しながら離間させて加熱を行う。」との記載に基づくものである。
　上記訂正における、「セラミック基板には、焼結助剤が含まれ」は、登録明細書の段落００６７の「上述した窒化アルミニウムなどの窒化物セラミックの粉末に必要に応じてイットリア等の焼結助剤やバインダ等を配合してスラリーを調製した後、このスラリーをスプレードライ等の方法で顆粒状にし、この顆粒を金型などに入れて加圧することにより板状などに成形し、生成形体（グリーン）を作製する。」との記載及び段落０１０７の「前述の平均粒径１．１μｍの窒化アルミニウム粉末Ａ〜Ｇのもの１００重量部、イットリア（平均粒径：０．４μｍ）４重量部、アクリルバインダ１２重量部およびアルコールからなる組成物のスプレードライを行い、顆粒状の粉末を作製した。」との記載に基づくものである。
　上記訂正における、「有底孔が設けられて熱電対が固定されており」は、登録明細書の段落００７３の「有底孔１４に銀ろう、金ろうなどで熱電対を固定し」との記載に基づくものである。
　上記訂正における、「セラミック基板の表面から放射されるα線量が、０．２１０ｃ／ｃｍ２・ｈｒ以下である」は、実施例１の粉末Ｆを用いた焼結体のα線量０．２１０ｃ／ｃｍ２・ｈｒが登録明細書の段落０１４３の表２中に記載されている。
　登録明細書の請求項２を削除する訂正は、特許請求の範囲の減縮するものである。
　また、登録明細書の請求項２を削除したことに伴い、登録明細書の請求項３を請求項２に繰り上げる訂正は、明りようでない記載の釈明を目的としている。
　従って、これら訂正は、特許請求の範囲の減縮及び明りようでない記載の釈明を目的とし、新規事故の追加に該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
（２）訂正事項ｂ〜ｆ及び訂正事項ｈ〜ｏについて            
　訂正事項ｂ〜ｆ及び訂正事項ｈ〜ｏについては、上記訂正事項ａの特許請求の範囲の訂正に伴い、明細書の発明の詳細な説明における記載を整合させるものであり、この訂正は、明りようでない記載の釈明を目的とするものである。
（３）訂正事項ｇについて
　訂正事項ｇについては、「ニューセラミックス」Ｖｏｌ．１１、Ｎｏ．９　１９９８　「ＡＬＮセラミックスの最近の進歩と応用」の記載内容に一致するように、登録明細書の段落００２１における誤記を訂正するものである。
　そして、この訂正は、新規事項の追加に該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
３　むすび
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法第１２０条の４第２項、及び同第３項で準用する同法第１２６条第２項及び第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
第３　特許異議申立ての理由及び取消理由
１　特許異議申立ての理由の概要
　前記３件の特許異議申立ての各理由の概要は、次の如きものである。
（１）京セラ株式会社の異議申立て
　京セラ株式会社は、異議申立の証拠として次の甲第１号証及び参考資料を提出している。     
　甲第１号証　　　「ニューセラミックス」、発行所　株式会社ティー・アイ・シィー、平成１０年８月２５日発行、第１１巻、第９号、第１３〜１８頁
　参考資料　　　　「電子材料」、１９９６年７月発行、第５１〜５７頁
　そして、本件特許の請求項１〜２に係る発明は、甲第１号証に記載されているか、若しくは甲第１号証及び参考資料の記載事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであって、特許法第２９条第１項または第２項の規定に違反しており、その特許は、取り消されるべきであるというものである。
（２）日本碍子株式会社の異議申立て
　日本碍子株式会社は、異議申立の証拠として次の甲第１号証〜甲第８号証を提出している。     
　甲第１号証　　　再公表特許第ＷＯ９５/２１１３９号公報、国際公開日　平成７年８月１０日、発行日　平成８年６月２５日
　甲第２号証　　　特開平１０−７２２６０号公報
　甲第３号証　　　特開平９−３１５８６７号公報
　甲第４号証　　　実験報告書
　甲第５号証　　　実験報告書
　甲第６号証　　　分析・試験報告書
　甲第７号証　　　分析・試験報告書
　甲第８号証　　　「セラミックデータブック　１９９３、【工業と製品Ｎｏ．７５】」，発行所　工業製品技術協会、平成５年９月１５日発行、第６８頁
　そして、本件特許の請求項１〜２に係る発明は、甲第４号証〜甲第８号証を参酌すると、甲第１号証〜甲第３号証にそれぞれ記載されているか、若しくは甲第１号証〜甲第３号証に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであって、特許法第２９条第１項または第２項の規定に違反しており、その特許は、取り消されるべきであるというものである。
（３）森田昭司の異議申立て
　森田昭司は、異議申立の証拠として次の甲第１号証〜甲第１４号証を提出している。           
　甲第１号証　　特開平６−１５１３３２号公報
　甲第２号証　　特開平５−３３０９２４号公報
　甲第３号証　　特開平６−８０４７３号公報
　甲第４号証　　「新素材」、発行所　日本工業出版株式会社、平成４年４月１日発行、第３巻第４号、第５１頁〜第５３頁
　甲第５号証　　「エレクトロニク・セラミクス」、発行所　株式会社学献社、１９９１年２月１４日発行（表紙によれば、平成３年２月１０日発行）、第２２巻第１０４号（通巻第１０４号）、第５１頁〜第５４頁
　甲第６号証　　「セラミックス」、発行所　社団法人日本セラミックス協会、平成３年８月１日発行、第２６巻第８号、第７３３頁〜７３７頁
　甲第７号証　　「セラミックス」、発行所　社団法人日本セラミックス協会、平成６年８月１日発行、第２９巻第８号、第６７９頁〜第６８１頁
　甲第８号証　　「ファインセラミックスカタログ集’９６」、発行所　社団法人日本ファインセラミックス協会、平成８年４月２６日発行、第４８頁
　甲第９号証　　「粉体工学会誌」、発行所　粉体工学会、平成９年８月１０日発行、第３４巻第８号、第６１０（３８）頁〜第６１６（４４）頁
　甲第１０号証　　「ＦＩＮＥ　ＣＥＲＡＭＩＣＳ　ＲＥＰＯＲＴ」、発行所　社団法人日本ファインセラミックス協会、平成９年１０月２０日発行、第１５巻第１０号、第２２６頁〜第２３０頁
　甲第１１号証　　「ニューセラミックス」、発行所　株式会社ティー・アイ・シィー、平成１０年８月２５日発行、第１１巻第９号、第１３頁〜第１８頁
　甲第１２号証　　特開平６−２１９８４４号公報
　甲第１３号証　　特開平７−１８７６２０号公報
　甲第１４号証　　特開平６−２１９８４８号公報
　そして、本件特許の請求項１〜２に係る発明は、甲第２号証〜甲第４号証又は甲第５号証〜甲第７号証に記載の一般によく知られている技術事項を参酌すると甲第１号証に実質的に記載されており、特許法第２９条第１項第３号の規定に違反しており、その特許は、取り消されるべきであるというものである。
　また、本件特許の請求項１〜３に係る発明は、甲第１号証に記載された発明及び甲第２号証〜甲第１４号証に記載の技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであって、特許法第２９条第２項の規定に違反しており、その特許は、取り消されるべきであるというものである。
２　取消理由の概要
（１）　取消理由その１
　取消理由その１は、特許異議申立人京セラ株式会社の提出した異議申立書のとおりであるというもので、その概要は、次の如きものである。
　甲第１号証の記載事項は、特許異議申立書第４頁第４〜１７行に記載されているとおりである。また、参考資料の記載事項は、特許異議申立書第４頁第２１〜２６行に記載されているとおりである。
　そして、本件特許の請求項１〜２に係る発明は、上記特許異議申立書第５頁第２行〜第６頁第９行に記載された理由により、甲第１号証に記載されているか、若しくは甲第１号証及び参考資料の記載事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであって、特許法第２９条第１項または第２項の規定により特許を受けることができないものである。
２　取消理由その２
　取消理由その２は、特許異議申立人日本碍子株式会社の提出した異議申立書のとおりであるというもので、その概要は、次の如きものである。
　甲第１号証の記載事項は、特許異議申立書第１２頁第１行〜第１３頁第２３行に、甲第２号証の記載事項は、同じく特許異議申立書第１３頁第２４行〜第１６頁第１４行に、甲第３号証の記載事項は、同じく第１６頁第１５〜１９行に、甲第４号証の記載事項は、同じく第１６頁第２０〜２３行に、甲第５号証の記載事項は、同じく第１６頁第２４行〜第１７頁第３行に、甲第６号証の記載事項は、同じく第１７頁第４〜８行に、甲第７号証の記載事項は、同じく第１７頁第９〜１３行に、また、甲第８号証の記載事項は、同じく第１７頁第１４〜１６行に、それぞれ記載されているとおりである。
　そして、本件特許の請求項１〜２に係る発明は、上記特許異議申立書第１７頁第１７行〜第３２頁第１５行に記載された理由により、甲第４号証〜甲第８号証を参酌すると、甲第１号証〜甲第３号証にそれぞれ記載されているか、若しくは甲第１号証〜甲第３号証に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであって、特許法第２９条第１項または第２項の規定により特許を受けることができないものである。
３　取消理由その３
　取消理由その３は、特許異議申立人森田昭司の提出した異議申立書のとおりであるというもので、その概要は、次の如きものである。
　甲第１号証の記載事項は、特許異議申立書第１１頁第１０行〜第１２頁第１７行に、甲第２号証の記載事項は、同じく特許異議申立書第１２頁第１８行〜第１３頁第１行に、甲第３号証の記載事項は、同じく第１３頁第２〜１４行に、甲第４号証の記載事項は、同じく第１３頁第１５〜２３行に、甲第５号証の記載事項は、同じく第１３頁第２４行〜第１４頁第１２行に、甲第６号証の記載事項は、同じく第１４頁第１３〜２５行に、甲第７号証の記載事項は、同じく第１４頁第２６行〜第１５頁第９行に、甲第８号証の記載事項は、同じく第１５頁第１０〜２０行に、甲第９号証の記載事項は、同じく第１５頁第２１行〜第１６頁第１５行に、甲第１０号証の記載事項は、同じく第１６頁第１６行〜第１７頁第１０行に、甲第１１号証の記載事項は、同じく第１７頁第１１行〜第１８頁第５行に、甲第１２号証の記載事項は、同じく第１８頁第６〜９行に、甲第１３号証の記載事項は、同じく第１８頁第１０〜２４行に、また、甲第１４号証の記載事項は、同じく第１８頁第２５〜２８行に、それぞれ記載されているとおりである。
　そして、本件特許の請求項１〜２に係る発明は、上記特許異議申立書第１８頁第２９行〜第２３頁第１７行に記載された理由により、甲第２号証〜甲第４号証又は甲第５号証〜甲第７号証に記載の一般によく知られている技術事項を参酌すると甲第１号証に実質的に記載されており、特許法第２９条第１項第３号の規定により特許を受けることができないものである。
　また、本件特許の請求項１〜３に係る発明は、上記特許異議申立書第２３頁第１８行〜第２８頁第２９行に記載された理由により、甲第１号証に記載された発明及び甲第２号証〜甲第１４号証に記載の技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであって、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
第４　本件特許発明
　上記のように本件特許については訂正が認められており、本件特許の請求項１及び請求項２に係る発明（以下それぞれ「本件発明１」及び「本件発明２」という。）は、上記第２の１（１）に記載された、訂正後の請求項１及び請求項２に記載されたとおりのものと認める。
第５　異議申立人森田昭司の異議申立ての理由及び取消理由その３の検討
１　森田昭司の異議申立ての理由及び取消理由その３
　取消理由その３は、異議申立人森田昭司の異議申立書の理由によるものであり、異議申立書には次の如く記載されている。
（１）各甲号証の記載について述べている事項
ア　「甲第１号証の記載から、セラミックヒータを構成するセラミック基板が窒化アルミニウム焼結体から形成されることがわかる。」（第１９頁第２６〜２８行）
イ　「甲第１号証に記載のセラミック基板（窒化アルミニウム焼結体）の表面から放射されるα線量については甲第１号証には明示されていない」（第２２頁第６〜７行）
ウ　「甲第２号証と甲第３号証の記載から、構造材として広く用いられるセラミック基板である窒化アルミニウム基板が窒化アルミニウム粉末を焼結することによって製造される。」（第２０頁第４〜６行）
エ　「甲第４号証の記載から、ウラン（Ｕ）とトリウム（Ｔｈ）の含有量の合計が２ｐｐｂ未満、５０８ｐｐｂの窒化アルミニウム粉末は・・・・・市販されていたことがわかる。」（第２０頁第１４〜１８行）
オ　「甲第５号証、甲第６号証および甲第７号証の記載から、窒化アルミニウム粉末でα線量が０．００２ｃ／ｃｍ２・ｈｒ〜０．０５２ｃ／ｃｍ２・ｈｒ程度のものは、・・・・・市販されていたことがわかる。」（第２１頁第１５〜２０行）
カ　「甲第５号証〜甲第１１号証の記載から、窒化アルミニウム粉末でα線量が０．００２ｃ／ｃｍ２・ｈｒ〜０．０５２ｃ／ｃｍ２・ｈｒ程度のものは、・・・・・市販されていたことがわかる。」（第２４頁第１１〜１４行）
キ　「甲第９号証〜甲第１１号証の記載から、市販の窒化アルミニウム粉末を用いて半導体製造装置用部品としてセラミックヒータまたは静電チャックを製造することは、・・・・・当業者に知られていたことがわかる。」（第２４頁第１６〜１９行）
ク　「甲第１２号証の記載から、直接窒化法による市販の窒化アルミニウム粉末を用いて窒化アルミニウム焼結体を製造することは、・・・・・当業者に知られている技術的事項である。」（第２５頁第１〜４行）
ケ　「甲第１３号証の記載から、直接窒化法で得られた代表的な市販の窒化アルミニウム粉末のウラン（Ｕ）とトリウム（Ｔｈ）の含有量の合計が１３０ｐｐｂであることは、・・・・・当業者に知られている技術的事項である。」（第２５頁第４〜８行）
コ　「甲第１４号証の記載から、市販の徳山曹達社製の窒化アルミニウム粉末を用いて窒化アルミニウム焼結体を製造することは、・・・・・当業者に知られている技術的事項である。」（第２６頁第１１〜１４行）
（２）請求項１、２に係る特許発明の新規性について
ア　甲第２号証と甲第３号証、甲第４号証〜甲第６号証は、甲第１号証の刊行物の頒布時以前に頒布された刊行物である。これらの刊行物から、甲第１号証に記載の「セラミック基板（窒化アルミニウム焼結体）」が、構成要件Ｂの「前記セラミック基板の表面から放射されるα線量が、０．２５０ｃ／ｃｍ２・ｈｒ以下であることを特徴とする」を満たすように形成されることは、甲第１号証の刊行物の頒布時において当業者に一般的によく知られている技術水準、すなわち技術常識であるといえる。（第２２頁第１７〜２１行参照）
イ　「甲第１号証に記載のセラミックヒータまたは静電チャックを構成するセラミック基板の表面から放射されるα線量が０．２５０ｃ／ｃｍ２・ｈｒ以下であることは、上記の技術水準または技術常識を考慮すれば、「セラミックス基材２」という甲第１号証に記載の用語自体が有する技術的意味内容の一部に他ならないから、実質的に記載されているに等しいというべきである。・・・・・
　したがって、請求項１、２に係る特許発明は甲第１号証に実質的に記載されているといえる。」（第２３頁第３〜１５行）
（３）請求項１、２に係る特許発明の進歩性について
　「α線量が０．２５０ｃ／ｃｍ２・ｈｒ以下であるセラミック基板を製造することは、甲第２号証〜甲第１４号証の記載に基づいて当業者によって容易になされ得るものである。
一方、・・・甲第９号証〜甲第１１号証の記載から、市販の窒化アルミニウム粉末を用いて半導体製造装置用部品としてセラミックヒータまたは静電チャックを製造することは、・・・・・当業者に知られていたことである。　　そうすると、セラミック基板の表面から放射されるα線量が０．２ ５０ｃ／ｃｍ２・ｈｒ以下であるように、甲第１号証に記載されたセラミックヒータまたは静電チャックを製造することは、甲第２号証〜甲第１４号証の記載に基づいて当業者によって容易になされ得るものであるといえる。」（第２７頁第６〜１６行）
（４）請求項３に係る特許発明の進歩性について
ア　構成要件Ｆの「セラミック基板の表面にチャックトップ導体層が形成されてなるウエハプローバ用チャックトップであって、」は、甲第１号証には文章で明確に記載されていない。（第２８頁第８行）
イ　「甲第１号証には、半導体製造装置用セラミックヒータの例示としてセラミック基板の内部に発熱体を埋設したセラミックヒータ、セラミック基板の内部に発熱体と静電チャック電極とを埋設したセラミックヒータの他に、セラミック基板の内部に発熱体とプラズマ発生用電極とを埋設したセラミックヒータの例も挙げられている。したがって、これらの例示から、静電チャック電極やプラズマ発生用電極の代わりに、セラミック基板の表面にチャックトップ導体層を形成することにより、ウエハプローバ用チャックトップとして機能するように構成することは、当業者によって容易になされ得る技術的事項であるといえる。」（第２８頁第９〜１６行）
ウ　「甲第９号証〜甲第１１号証の記載から、市販の窒化アルミニウム粉末を用いて半導体製造装置用部品を製造することは当業者に知られていたことがわかる。甲第９号証〜甲第１１号証に例示されていないけれども、甲第１０号証に示唆されているようにウエハ処理工程での装置用部材としての応用開発の中でウエハプローバ用チャックトップを製造することも当業者に知られていたものと推定される。」（第２８頁第１７〜２２行）
エ　セラミック基板が構成要件Ｂの「前記セラミック基板の表面から放射されるα線量が、０．２５０ｃ／ｃｍ２．ｈｒ以下であることを特徴とする」を備えることは、請求項１、２に係る特許発明の進歩性欠如についての項で述べたように、甲第２号証〜甲第１４号証の記載を考慮すれば、当業者によって容易になされ得るものであるといえる。（第２８頁第２３〜２６行）
オ　「よって、請求項３に係る特許発明は、甲第１号証に記載された発明に基づいて、甲第２号証〜甲第１４号証に記載の技術的事項を考慮すれば、当業者によって容易に推考し得たものである。」（第２８頁第２７〜２９行）
２　各甲号証に記載されている事項
　特許異議申立人森田昭司の提出した甲第１号証乃至甲第１４号証を、以下、それぞれ刊行物１乃至刊行物１４という。刊行物１乃至刊行物１４の記載事項は次の如きものである。
（１）刊行物１
　　刊行物１には、次の技術事項が記載されている。
ア　「【産業上の利用分野】本発明は、緻密なセラミックス基材に高融点金属からなる抵抗発熱体を埋設したセラミックスヒーターに関し、特に半導体製造装置のウェハー加熱装置に好適に使用されるセラミックスヒーターに関するものである。」（段落０００１）
イ　「図１に示す例において、例えば円盤状のセラミックス基材２の内部に、Ｗ、Ｍｏ等の高融点金属からなる抵抗発熱体３が埋設されている。」（段落０００９）
ウ　「セラミックス基体２は、例えば熱ＣＶＤ装置においては最大６００℃から１１００℃程度まで加熱されるので、耐熱性の点で、アルミナ、窒化珪素焼結体、サイアロン、炭化珪素、窒化アルミニウム、アルミナ−炭化珪素複合材料等から形成することが好ましい。特に、セラミックス基体２は非酸化物系セラミックスで形成することが好ましい。」（段落００１０）
エ　「例えば、上述した実施例では、電極６をプラズマ発生用の電極としてのみ使用したが、この電極６を同時にウェハーＷを静電容量によりチャックするための静電チャック電極として働かせることができる。」（段落００１３）
　上記ア〜エの記載事項から、刊行物１には次の発明が記載されている。
　セラミックス基材の内部に抵抗発熱体を設け、ウェハーを載置した状態で直接ウェハーを加熱する半導体製造装置用セラミックスヒーター。
（２）刊行物２
　刊行物２には、次の技術事項が記載されている。
　「【０００４】従来上記窒化アルミニウム基板は一般的に下記の製造方法によって量産されている。すなわち、窒化アルミニウム粉末にＹ２Ｏ３ ，ＣａＯ等の焼結助剤と、有機バインダと、必要に応じて各種添加剤や溶媒、分散剤とを添加して原料混合体を調製し、得られた原料混合体を、例えばドクターブレード法によってシート状の成形体としたり、原料混合体をプレス成形法によって厚板状ないし大型の成形体を形成する。また複雑形状を有する製品を製造する場合には、スリップキャスト法（泥漿鋳込法）によって成形体が調製される。」（段落０００４）　
（３）刊行物３
　刊行物３には、次の技術事項が記載されている。
ア　「【請求項１】　窒化アルミニウム原料粉末と焼結助剤と結合剤などの有機成分との混合体を成形して一次成形体を形成し、得られた一次成形体を加圧することにより所定密度に調整した二次成形体を形成し、しかる後に得られた二次成形体を脱脂し、非酸化性雰囲気において焼結することを特徴とする窒化アルミニウム基板の製造方法。
【請求項２】　一次成形体はドクターブレード法を使用して形成することを特徴とする請求項１記載の窒化アルミニウム基板の製造方法。
【請求項３】　一次成形体を加圧する際に一次成形体を加熱することを特徴とする請求項１記載の窒化アルミニウム基板の製造方法。
【請求項４】　所定密度に調整した二次成形体にスルーホールおよびスクラブラインの少なくとも一方を形成することを特徴とする請求項１記載の窒化アルミニウム基板の製造方法。」（特許請求の範囲）
イ　「【０００５】従来ＡｌＮ基板は一般的に下記の製造方法によって量産されている。すなわち、まず窒化アルミニウム粉末に焼結助剤と、有機バインダと、必要に応じて各種添加剤や溶媒、分散剤とを添加して原料混合体を調製し、得られた原料混合体をドクターブレード法やロール成形法によって成形し、薄板状ないしシート状の成形体としたり、原料混合体をプレス成形して厚板状ないし大型の成形体を形成する。次に得られた成形体は、空気または窒素ガス雰囲気において加熱され脱脂処理され、有機バインダとして使用された炭化水素成分等が成形体から排除脱脂される。そして脱脂された成形体は窒素ガス雰囲気等で高温度に加熱され緻密化焼結されて窒化アルミニウム焼結体が形成される。」（段落０００５）
（４）刊行物４
　刊行物４には、次の技術事項が記載されている。
ア　「我々は永年培ってきた有機アルミニウムの製造、取り扱い技術を生かし、トリエチルアルミニウムを原料とする気相法による高純度（特にウラン、トリウム含量の低い）の窒化アルミニウム粉体の製造技術開発を行い、高純度で低温焼結性を示す窒化アルミニウムを得ることに成功し、量産体制に入った。」（第５１頁左欄下から６行目〜中欄上から３行目）
イ　第５２頁左欄の表２のＡｌＮ粉末中のウラン、トリウム分析値によれば、銘柄、三井　ＭＡＮ−１０のウラン（Ｕ）の含有量がｌｐｐｂ未満、トリウム（Ｔｈ）の含有量がｌｐｐｂ未満であることが記載されている。また、銘柄、Ａ社のものは、ウラン（Ｕ）の含有量が５００ｐｐｂ、トリウム（Ｔｈ）の含有量が８ｐｐｂであることが記載されている。
（５）刊行物５
　刊行物５には、次の技術事項が記載されている。
ア　「Ａｌ２０３還元法により，”優れた焼結性”と”高純度”を兼備したＡｌＮ粉末を開発し，昭和６０年から工業生産を続けてきた」（第５２頁右欄下から９〜６行）
イ　第５３頁の表１の当社ＡｌＮ粉末の特性には、Ｆグレード、ＧグレードおよびＨグレードの特性について記載されており、ＧグレードとＨグレードのα線量が０．０３Ｎｏ．／ｃｍ２・ｈであり、Ｆグレードのα線量が０．００２Ｎｏ．／ｃｍ２・ｈであることが記載されている。
（６）刊行物６
　刊行物６には、次の技術事項が記載されている。
　第７３６頁右欄の表２のＡｌＮ粉末の特性（徳山曹達製）には、Ｆグレードのα線量は０．００２Ｎｏ．／ｃｍ２・ｈであり、Ｈグレードのα線量は０．０３Ｎｏ．／ｃｍ２・ｈであることが記載されている。
（７）刊行物７
　刊行物７には、次の技術事項が記載されている。
ア　「ここ１〜２年で入手した代表的市販ＡｌＮ粉末の特性について表１にまとめ，またＳＥＭ写真を図１に示した．」（第６７９頁左欄第１８〜２０行）
イ　第６８０頁の表１の各社ＡｌＮ粉末の特性比較には、銘柄、Ａ社ａのα線量は０．００３Ｃ／ｈ・ｃｍ２、銘柄、Ａ社ｂのα線量は０．０３４Ｃ／ｈ・ｃｍ２、銘柄、Ｂ社ｃのα線量は０．０３４Ｃ／ｈ・ｃｍ２、銘柄、Ｃ社ｆのα線量は０．０５２Ｃ／ｈ・ｃｍ２、銘柄、Ｅ社ｉのα線量は０．０４０Ｃ／ｈ・ｃｍ２であることが記載されている。
（８）刊行物８
　刊行物８には、次の技術事項が記載されている。
　第４８頁の高純度窒化アルミニウム粉末の「粉体物性」という表には、Ｆグレードのα線量は０．００２Ｃ／ｃｍ２・ｈであり、Ｈグレードのα線量は０．０３Ｃ／ｃｍ２・ｈであることが記載されている。
（９）刊行物９
　刊行物９には、次の技術事項が記載されている。
ア　第６１３（４１）頁の表１の各社ＡｌＮ粉末の特性比較には、銘柄、Ａ社ａのα線量は０．００３Ｃ／ｈ・ｃｍ２、銘柄、Ａ社ｂのα線量は０．０３４Ｃ／ｈ・ｃｍ２、銘柄、Ｂ社ｃのα線量は０．０３４Ｃ／ｈ・ｃｍ２、銘柄、Ｃ社ｆのα線量は０．０５２Ｃ／ｈ・ｃｍ２、銘柄、Ｅ社ｉのα線量は０．０４０Ｃ／ｈ・ｃｍ２であることが記載されている。
イ　「（４）半導体製造装置用部品・・・・・ＡｌＮの優れた熱的・電気的特性およびＳｉとマッチングした熱膨張率・・・・を有するため、・・・・ＡｌＮ製サセプタ・・・・ヒーター付きＡｌＮセラミック・・・・ＡｌＮ製静電チャックの実用化の目途も立ちつつあるように思える（図１４）。」（第６１５（４３）頁右欄第１〜１１行）
（１０）刊行物１０
　刊行物１０には、次の技術事項が記載されている。
ア　「窒化アルミニウム（以下ＡｌＮと略）セラミックスは，高熱伝導・絶縁材料としての用途開発を基軸にした様々な研究開発がなされてきた．その結果・・・・・半導体製造装置用部品を中心とした実用化が着実に進んだ．」（第２２６頁左欄第２〜６行）
イ　第２２９頁の表１の各社ＡｌＮ粉末の特性比較には、銘柄、Ａ社ａのα線量は０．００３Ｃ／ｈ・ｃｍ２、銘柄、Ａ社ｂのα線量は０．０３４Ｃ／ｈ・ｃｍ２、銘柄、Ｂ社ｃのα線量は０．０３４Ｃ／ｈ・ｃｍ２、銘柄、Ｃ社ｆのα線量は０．０５２Ｃ／ｈ・ｃｍ２、銘柄、Ｅ社ｉのα線量は０．０４０Ｃ／ｈ・ｃｍ２であることが記載されている。
ウ　第２２９頁左欄下から５行〜右欄第１５行には、市販されているＡｌＮ製品例として半導体製造装置用部品について「ウエハー処理工程での装置用部材としての応用開発が進められている．」と記載されている。
（１１）刊行物１１
　刊行物１１には、次の技術事項が記載されている。
ア　「ＡｌＮセラミックスは主として高熱伝導絶縁材料として近年著しい用途開拓が進んだ。特にパワーデバイス用各種ヒートシンク，メインフレームコンピュータ用部材およびプラズマＣＶＤやエッチヤーなどの半導体製造装置用部品として着実に市民権を獲得しつつある。」（第１３頁左欄第１１〜１５行）
イ　第１５頁の市販ＡＩＮ粉末の諸性質を示す表１には、Ａ社製の窒化アルミニウム粉末のα線量は、ａのもので０．００３Ｃ／ｈ・ｃｍ２、ｂのもので０．０３４Ｃ／ｈ・ｃｍ２であること、Ｂ社製の窒化アルミニウム粉末のα線量は、ｃのもので０．０３４Ｃ／ｈ・ｃｍ２であること、Ｃ社製の窒化アルミニウム粉末のα線量は、ｆのもので０．０５２Ｃ／ｈ・ｃｍ２であること、Ｅ社製の窒化アルミニウム粉末のα線量は、ｉのもので０．０４０Ｃ／ｈ・ｃｍ２であることが、それぞれ記載されている。
ウ　「（３）半導体製造装置用ＡｌＮ部品
　ＡｌＮセラミックには優れた電気的・熱的性質に加え，ハロゲンプラズマなどに対する優れた耐食性を賦与することができる（図１１）．それ故，ドライエッチャー等の半導体製造装置用部品として用いられるようになった．特に，大面積（〜φ３００ｍｍ）Ｓｉウエハー用ＡｌＮ静電チャックとしての期待が高まり一部実用化され始めた（図１２１６））．」（第１７頁左欄第１８行〜下から３行）
（１２）刊行物１２
　刊行物１２には、次の技術事項が記載されている。
　「【００１０】次に本発明の焼結体の造り方につき工程順に説明するが、焼結助剤の添加量および酸素含量調整剤等の酸素量の関係の配合比率以外のことについては、すなわちＡｌＮ微粉末原料、バインダー等、並びに原料混合法、成形法、脱脂、焼結法のやり方やこれらの条件等は従来、通常使用されるものであり、行なわれる方法、条件で造ることができる。
【００１１】主原料であるＡｌＮ微粉末は純度９５％以上の平均粒径が２０μｍ以下、好ましくは５μｍ以下の粒径を有し、金属不純物量としては５００ｐｐｍ以下のものが、また酸素含有量として４ｗｔ％以下のものが好ましい。本発明として重要な役割を果たす焼結助剤としてはＹの酸化物および／または炭酸塩を使用するが、ＡｌＮ原料粉末、焼結助剤および酸素含量調整剤の総重量に対し、Ｙの酸化物および／または炭酸塩の焼結助剤を酸化物Ｙ２Ｏ３換算での焼結助剤添加量をａｗｔ％、脱脂後における酸素含量調整剤およびＡｌＮ原料粉末中に含有される酸素量をｂｗｔ％、更に脱脂後の成形体中に含有されている炭素量をｃｗｔ％としたとき・・・・・・・。」（段落００１０及び００１１）
（１３）刊行物１３
　刊行物１３には、次の技術事項が記載されている。
　「【００１７】すなわち本発明の高純度窒化アルミニウム粉末の製造方法は、有機アルミニウム化合物とアンモニアとを気相反応させることにより窒化アルミニウムを製造する方法において、先ず有機アルミニウムを蒸留精製し．これをアンモニアと４００〜１２００℃の温度で反応せしめ、得られた中間体を１６００〜１９００℃の温度で焼成する事を特徴とするものである。
【００１８】本発明の方法によればトリウムの含有量は１０ｐｐｂ 以下となり、且つ、ウランとトリウムの含有量の合計が５０ｐｐｂ 以下である高純度窒化アルミニウム粉末を得ることが出来る。従来の窒化アルミニウム粉末が、ウランおよびトリウムをそれぞれ数百ｐｐｂ 、数十ｐｐｂ 含有することと比較すると、これらの濃度は十分の一以下となる。これはα線発生率も比例して減少し、画期的なことであり、その工業的価値は非常に高い。」（段落００１７及び００１８）
（１４）刊行物１４
　刊行物１４には、次の技術事項が記載されている。
　「【００３１】（２）グリーンシートと焼結体の作製
　平均粒径１μｍの窒化アルミニウム粉体（徳山曹達社製）１００重量部に、焼結助剤としてＹ２Ｏ３３重量部、粉砕助剤としてエチレングリコール０．５重量部を添加、混合した後、上記ブチラール樹脂８重量部、可塑剤としてジオクチルフタレート５重量部、有機溶剤としてキシレン５０重量部及び分散剤としてソルビタントリオレート０．８重量部を加えて２０時間混合してスラリー状物を得た。このスラリー状物を１５０メッシュの篩を通した後、−７０ｍｍＨｇで１０分間減圧、脱泡し、ドクターブレードにより、ポリエステルフィルム上に厚さ５００μｍとなるように塗工し、熱風乾燥によりグリーンシート成形体を得た。このグリーンシートを金型により３０×３０ｍｍの寸法に打ち抜き、窒素雰囲気下、昇温スピード６００℃／時間で１８００℃まで昇温し、１８００℃で４時間焼結した後、常温まで冷却し、窒化アルミニウム焼結体を得た。」（段落００３１）
３　当審の対比・検討
　本件発明１（前者）と刊行物１の発明（後者）を対比すると、後者の、セラミックス基材、抵抗発熱体、ウェハー、セラミックスヒータ、及び半導体製造装置用セラミックスヒータが、それぞれ前者の、セラミック基板、発熱体、半導体ウエハ、セラミックヒータ、及び半導体製造・検査装置用セラミックヒータに相当しており、両者は、次の構成で一致している。
　セラミック基板の内部に発熱体を設けてなり、半導体ウエハを加熱するための半導体製造装置用セラミックヒータ。
　そして、両者は、次のＡ〜Ｃの点で相違している。
Ａ　前者は、半導体ウエハを支持しながらセラミック基板から離間して加熱するのに対して、後者は半導体ウエハをセラミック基板上に載置して加熱する点。
Ｂ　前者のセラミック基板には、有底孔が設けられて熱電対が固定されているのに対して、後者はこの構成が不明である点。
Ｃ　前者のセラミック基板は、焼結助剤が含まれて焼結されており、セラミック基板の表面から放射されるα線量が、０．２１０ｃ／ｃｍ２．ｈｒ以下であるのに対して、後者はこの構成が不明である点。
　相違点Ａについては、半導体ウエハを支持しながら加熱面から離間して加熱することは、周知技術（例えば特開平２−１５３５２１号公報、特開平９−８０１１号公報参照）であるから、後者の半導体ウエハをセラミック基板上に載置して加熱するのを、前者の如く、半導体ウエハを支持しながらセラミック基板から離間して加熱するようにすることは、当業者であれば適宜なし得る程度のものである。
　相違点Ｂについては、この種のヒータにおいて、温度検出用の熱電対を、有底孔を設けて固定することは、周知技術（例えば特開平４−８４７２３号公報参照）であるから、前者の如くヒータとしてのセラミック基板に、有底孔を設けて熱電対を固定するようにすることは、当業者であれば適宜なし得る程度のものである。
　相違点Ｃについては、刊行物１１に半導体製造装置用部品として用いられるＡｌＮセラミックスの原料粉末として、表１によれば、α線量が０．００３〜０．０５２Ｃ/ｈ・ｃｍ２のものが市販されていることが認められる。そして、このような市販ＡｌＮ粉末を焼結したセラミックスのα線量は、上記α線量の０．００３〜０．０５２Ｃ/ｈ・ｃｍ２に含まれるものである。また、焼結の際に焼結助剤を用いたものにおいても、α線量が前者の０．２１０ｃ／ｃｍ２．ｈｒよりも小さな値のものは周知技術（例えば特開昭５８−２１８１４３号公報、特開昭６１−１４１６６号公報参照）であるから、後者の発明のセラミック基板を前者の構成とすることは、格別困難とはいえず、当業者であれば容易になし得るものと認める。
　したがって、本件発明１は、刊行物１及び刊行物１１に記載の発明に、上記３つの周知技術を適用して当業者が容易に発明をすることができたものと認められ、本件発明１の特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであり取り消すべきものである。
　次に本件発明２についてみると、本件発明２は、ウエハプローバ用チャックトップに関する発明であり、セラミック基板の表面にチャックトップ導体層を形成すること、これをウエハプローバ用に用いること、及びセラミック基板の表面から放射されるα線量が０．２５０ｃ／ｃｍ２．ｈｒ以下と規定することにより、その誤動作を防止することは、刊行物１乃至刊行物１４には記載されておらず、また、これを示唆する記載も認められないので、特許法第２９条第１項又は第２項の規定に違反しているとすることはできない。
　そして、異議申立人森田昭司は、異議申立書において、第５の１（４）のイ及びウの如く述べているけれども、公知のチャックトップの構成について何らの開示するものがないので、この主張は、採用できない。
第６　むすび
　以上のとおり、本件の請求項１に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであり取り消すべきものである。
　また、本件の請求項２に係る特許については、他に取消理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１５年７月２３日（２００３．７．２３）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
半導体製造・検査装置用セラミックヒータおよびウエハプローバ用チャックトップ
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　
焼結した
り、半導体ウエハを支持しながら前記セラミック基板から離間して
前記セラミック基板には、焼結助剤が含まれ、かつ、有底孔が設けられて熱電対が固定されており、
前記セラミック基板の表面から放射されるα線量が、
０．２１０
　【請求項
２
前記セラミック基板の表面から放射されるα線量が、０．２５０ｃ／ｃｍ２・ｈｒ以下であることを特徴とするウエハプローバ用チャックトップ。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体産業において使用される半導体製造・検査装置用セラミックヒータ、半導体製造・検査装置用静電チャックおよびウエハプローバ用チャックトップに関し、特には、電気的な誤動作、静電チャック力の低下を防止でき、また、パーティクルの発生を抑止し、配線欠陥を防止することができる半導体製造・検査装置用セラミックヒータ、半導体製造・検査装置用静電チャックおよびウエハプローバ用チャックトップに関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
半導体製品は、半導体ウエハ上に感光性樹脂をエッチングレジストとして形成し、半導体ウエハのエッチングを行う工程等を経て製造される。
この感光性樹脂は液状であり、スピンコーターなどを用いて半導体ウエハ表面に塗布されるのであるが、塗布後に溶剤等を飛散させるため乾燥させなければならず、塗布した半導体ウエハをヒータ上に載置して加熱することになる。また、スパッタリング等でシリコンウエハを加熱する必要があった。
従来、このような用途に使用される金属製のヒータとしては、アルミニウム板の裏面に抵抗発熱体を配置したものが採用されている。
　【０００３】
ところが、このような金属製のヒータは、以下のような問題があった。
まず、金属製であるため、ヒータ板の厚みは、１５ｍｍ程度と厚くしなければならない。なぜなら、薄い金属板では、加熱に起因する熱膨張により、反り、歪み等が発生してしまい、金属板上に載置した半導体ウエハが破損したり傾いたりしてしまうからである。しかしながら、ヒータ板の厚みを厚くすると、ヒータの重量が重くなり、また、かさばってしまうという問題があった。
　【０００４】
また、抵抗発熱体に印加する電圧や電流量を変えることにより、加熱温度を制御するのであるが、金属板が厚いために、電圧や電流量の変化に対してヒータ板の温度が迅速に追従せず、温度制御しにくいという問題もあった。
　【０００５】
そこで、特開平９−３０６６４２号公報、特開平４−３２４２７６号公報等に記載されているように、基板として、熱伝導率が高く、強度も大きい非酸化物セラミックであるＡｌＮを使用し、このＡｌＮ基板中に抵抗発熱体が形成されたセラミックヒータが提案されている。
　【０００６】
また、例えば、特許２７９８５７０号公報には、ＡｌＮ基板中に抵抗発熱体が形成されるとともに、半導体ウエハをヒータ上に保持するため、さらに、ＡｌＮ基板中に静電電極が埋設された静電チャックが開示されている。
　【０００７】
　【発明が解決しようとする課題】
ところが、このようなＡｌＮ基板中に抵抗発熱体等が形成されたヒータや静電チャックを使用すると、アルミニウム板を用いたヒータを使用した場合と比べ、制御に誤動作を生じたり、静電チャック力が低下したり、あるいは検査装置に誤動作を生じたりするという不可解な現象が見られた。
さらに、半導体ウエハ中の配線が欠損したりして導通不良が発生するという問題も発生した。また、半導体ウエハの表面にセラミックから脱粒したと思われるパーティクルが付着してしまうという問題も知見されている。
　【０００８】
　【課題を解決するための手段】
本発明者は、このような従来技術の問題について鋭意検討した結果、これらの原因が意外にも、ＡｌＮ基板から放出されるα線に起因していること、および、このα線を一定値以下にすることにより、誤動作や静電チャック力の低下を防止でき、また、半導体ウエハ表面に付着するセラミックパーティクルの付着を低減させるとともに、半導体ウエハの配線欠損の発生率を殆ど０にすることができることを見いだし、本発明を完成するに至った。
　【０００９】
すなわち、本発明の半導体製造・検査装置用セラミックヒータ（以下、単にセラミックヒータともいう）は、
焼結した
り、半道体ウエハを支持しながら上記セラミック基板から離間して
上記セラミック基板には、焼結助剤が含まれ、かつ、有底孔が設けられて熱電対が固定されており、
上記セラミック基板の表面から放射されるα線量が、
０．２１０
０．２１０
　【００１０】
本発明のウエハプローバ用チャックトップは、セラミック基板の表面にチャックトップ導体層が形成されてなるウエハプローバ用チャックトップであって、上記セラミック基板の表面（導体層形成面）から放射されるα線量が、０．２５０ｃ／ｃｍ２・ｈｒ以下、実質的には０．０００１〜０．２５０ｃ／ｃｍ２・ｈｒであることを特徴とする。
　【００１１】
　【発明の実施の形態】
前述のように本発明者らは、従来技術の問題について鋭意検討した結果、これらの原因が意外にも、セラミック基板から放出されるα線に起因していることを発見したのである。
　【００１２】
即ち、セラミック基板からα線が発生し、このα線が半導体ウエハに電子、正孔の対を多数発生させる。このため、半導体ウエハ自体が静電気を帯びてしまい、この静電気によりセラミック基板から発生するパーテクルを吸着したり、あるいは、セラミック基板内部に配設した熱電対に起因するヒータの誤動作やウエハプローバの誤動作を引き起こすのである。また、半導体ウエハに電子、正孔の対を多数発生させるため、静電チャックの電極により発生した静電気をキャンセルさせてしまい、チャック力を低下させるものと推定される。
　【００１３】
このように、従来技術の問題は、ヒータ、静電チャック、ウエハプローバと用途は異なるものの、α線により半導体ウエハに発生する電子、正孔の対に起因すると推定される。
従って、セラミック基板の表面（導体層形成面）から放射されるα線量を特定値以下にすることで、どの用途においても問題解決を図ることができるのである。
　【００１４】
本発明の半導体製造・検査装置用セラミックヒータの場合、熱電対をセラミック基板に設けるが、α線量が０．２５０ｃ／ｃｍ２・ｈｒを超えると、発生したα線が半導体ウエハに飛び込んで電子、正孔の対を発生させ、これにより静電気が発生し、この静電気が熱電対に電気的なノイズを発生させ、測定された温度データが誤って認識され、これが誤動作の原因となると考えられる。このような誤動作によってウエハ載置面の温度が一定となる時間に遅延が生じてしまう。
　【００１５】
また、静電チャックの場合は、α線量が０．２５０ｃ／ｃｍ２・ｈｒを超えると、発生したα線が半導体ウエハに衝突して電子、正孔の対を発生させ電荷が生じ、この電荷が静電電極によりウエハに発生した電荷をキャンセルさせてしまいクーロン力やジョンソン−ラーベック効果による吸着力が低下する。
　【００１６】
さらに、ウエハプローバを構成するチャックトップの場合は、半導体ウエハを導体層（チャックトップ導体層）に載置し、テスターピンを押し当てて導通試験を実施すると、α線量が０．２５０ｃ／ｃｍ２・ｈｒを超える場合には、α線が半導体ウエハに電子、正孔の対を発生させ、これがノイズとなって導通試験の判定に誤りを生じる。
　【００１７】
また、α線量が
０．２１０
　【００１８】
本発明の半導体製造・検査用装置用セラミックヒータ等に用いられるセラミック基板は、半導体ウエハ表面（半導体ウエハ載置面、半導体ウエハ加熱面、導体層形成面）から放射されるα線量が、
０．２１０
０．２１０
　【００１９】
このような範囲にすることでヒータやプローバ等の電気的な誤動作、静電チャック力の低下、半導体ウエハへのパーティクルの付着を防止することができ、配線欠陥を無くすことができるのである。
また、α線量を、０．０５０ｃ／ｃｍ２・ｈｒ以下にすることで、パーティクル付着量を１０個／ｃｍ２以下にすることができる。
　【００２０】
ところで、本発明では、α線量を低減させることにより、上記した電気的な誤動作、静電チャック力の低下、パーティクルの発生を防止するのであるが、このような電気的な誤動作、静電チャック力の低下、パーティクルの付着、配線欠陥の発生といった問題とα線量の因果関係という誰も予想しなかった関連を新規に知見したものであり、解決手段自体が単純な手法であるからといってそのこと自体により本発明の進歩性が阻却されることはないことを付記しておく。
　【００２１】
また、窒化アルミニウムのα線量については、「ニューセラミックス」Ｖｏｌ．１１、Ｎｏ．９　１９９８　「ＡＬＮセラミックスの最近の進歩と応用」に記載が見られるが、
半導体製造用のヒータや半導体検査装置
　【００２２】
本発明では、セラミック基板の厚さは、０．５〜５０ｍｍが好ましい。０．５ｍｍより薄いと、強度が低下するため破損しやすくなり、一方、５０ｍｍより厚くなると、熱が伝搬しにくくなり、加熱の効率が悪くなる。
また、セラミック基板は円盤状で、その直径が２００ｍｍ以上が好ましい。そのような大きな面積を持つセラミック基板の方がα線による障害が生じる確率が高くなり、本発明の効果が顕著だからである。
　【００２３】
また、気孔は存在しないことが望ましいが、もし存在するとすれば、気孔率は５％以下、最大気孔径が５０μｍ以下が好ましい。これを超える範囲では、気孔中に空気が存在し、α線が気孔を通過するとプラズマが発生して高温（２００℃以上）での耐絶縁性を低下させるためである。
以下、本発明を各用途毎に説明する。
　【００２４】
本発明の半導体製造・検査装置用セラミックヒータは、セラミック基板の表面または内部に発熱体を設けてなる半導体ウエハを加熱するためのセラミックヒータであって、
上記セラミック基板の表面から放射されるα線量が
０．２１０
０．２１０
　【００２５】
本発明の上記セラミックヒータによれば、セラミック基板の表面から放射されるα線量が、０．０２５ｃ／ｃｍ２・ｈｒ以下であるので、α線が半導体ウエハに電子、正孔の対を発生させ、これが静電気を発生させることにより、あるいは直接的に熱電対にノイズを与えることにより測温データを狂わせることがなく、また、０．０２５ｃ／ｃｍ２・ｈｒ以下であれば、半導体ウエハに静電電気が発生しにくく、パーティクルの吸着量も少なくすることができる。
　【００２６】
なお、α線の放射量は、０が理想的であるが、０．０００１未満とすることは技術面、経済面から困難であり、一方、α線量が０．０２５ｃ／ｃｍ２・ｈｒを超えると、α線により発生した静電気によりパーティクルが半導体ウエハに吸着し、半導体ウエハの機能を破損するようなダメージを与える場合がある。
　【００２７】
α線の発生要因は、窒化物の原料となるアルミナやシリカ中の放射性核種ＵやＴｈである。そこで、原料アルミナやシリカからＵやＴｈを除去した後、還元窒化法などで窒化物セラミックスを合成する。
ＵやＴｈの除去方法は、例えば「粉体粉末冶金協会講演概要集　ｐ１１４　Ｓｐｒｉｎｇ　１９８０年」に記載されているように、平均粒子径２〜３μｍの多孔質γ−ＦｅＯ３の粒子にチタニウムイソプロポキシドのアルコール溶液を含浸させて、アルコキシドを加水分解してこれをＵ吸着剤とし、これを原料溶液中に分散させるのである。
　【００２８】
例えば、ボーキサイトから得られたアルミン酸ソーダ水溶液中にＵ吸着剤を分散させて塩基性条件でＵを吸着させ、吸着剤を分離後、アルミン酸ソーダを水酸化アルミニウムにして沈澱させ、乾燥、焼成してアルミナとするのである。
なお、文献中ではＵにのみ着目しているが、発明者はＴｈでも同様の効果を確認している。また、市販品でα線量の低いものが存在しており、それらを入手することもできる。
　【００２９】
このようにして得られたアルミナ等を還元窒化法で窒化する。還元窒化法とは、ＳｉＯ２やＡｌ２Ｏ３をカーボンブラック等の炭素により還元しつつ、窒素ガスと反応させる方法である。
なお、特開平９−４８６６８号公報で直接窒化法や間接窒化法で製造した半導体製造装置用窒化アルミニウム焼結体を開示するが、原料アルミナについては言及しておらず、またボーキサイトからＵやＴｈが混入するので単に直接窒化法で製造してもＵやＴｈ量を減らすことができない。
　【００３０】
本発明のセラミックヒータは、半導体ウエハを加熱するために用いられるセラミックヒータであり、窒化物セラミック基板の表面または内部に発熱体が設けられている。
　【００３１】
図１は、本発明のセラミックヒータの一例を模式的に示す底面図であり、図２はその一部を示す部分拡大断面図である。
窒化物セラミックからなるセラミック基板（以下ヒータ板と称する）１１は、円板状に形成されており、抵抗発熱体１２は、ヒータ板１１のウエハ加熱面（上面）の全体の温度が均一になるように加熱する必要があるため、ヒータ板１１の内部に同心円状のパターンに形成されている。また、これら抵抗発熱体１２は、互いに近い二重の同心円同士が１組として、１本の線になるように接続され、その両端に入出力の端子となる外部端子１３が接続されている。また、中央に近い部分には、半導体ウエハ１９を支持する支持ピン１６を挿入するための貫通孔１５が形成され、さらに、測温素子を挿入するための有底孔１４が形成されている。なお、図１〜２に示したセラミックヒータ１０において、抵抗発熱体１２はヒータ板１１の内部に設けられているが、ヒータ板１１の底面に設けられていてもよい。
以下、本発明のセラミックヒータを構成する部材等について詳細に説明する。
　【００３２】
本発明のセラミックヒータ１０では、窒化物セラミックを用いているが、これは、熱膨張係数が金属より小さく、薄くしても、加熱により反ったり、歪んだりしないため、ヒータ板１１を薄くて軽いものとすることができるからである。
また、ヒータ板１１の熱伝導率が高く、またヒータ板自体薄いため、ヒータ板１１の表面温度が、抵抗発熱体の温度変化に迅速に追従する。即ち、電圧、電流量を変えて抵抗発熱体の温度を変化させることにより、ヒータ板１１の表面温度を良好に制御することができるのである。
　【００３３】
上記セラミックとしては、窒化物セラミック、酸化物セラミック、炭化物セラミックが挙げられるが、特に窒化物セラミックが最適である。
窒化物セラミックは、熱伝導率が高く、昇温、降温特性に優れているため、ウエハを載置あるいはウエハを近接保持するセラミック板に使用される。
ウエハの配線欠損はこのようなセラミック板に載置等された場合に発生する現象であるため、本発明は窒化物セラミック板について特に顕著な効果を有するのである。
　【００３４】
窒化物セラミックとしては、例えば、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、窒化ホウ素、窒化チタン等が挙げられる。これらは、単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
これらのなかでは、窒化アルミニウムが最も好ましい。熱伝導率が１８０Ｗ／ｍ・Ｋと最も高いからである。
また、酸化物セラミックとしては、例えば、シリカ、アルミナ等が挙げられ、炭化物セラミックとしては、例えば、炭化珪素等が挙げられる。
　【００３５】
窒化物セラミック基板の表面または内部に形成される抵抗発熱体１２は、少なくとも２以上の回路に分割されていることが望ましい。回路を分割することにより、各回路に投入する電力を制御して発熱量を変えることができ、半導体ウエハの加熱面の温度を調整することができるからである。
　【００３６】
抵抗発熱体１２のパターンとしては、例えば、同心円、渦巻き、偏心円、屈曲線などが挙げられるが、ヒータ板全体の温度を均一にすることができる点から、図１に示したような同心円状のものが好ましい。
　【００３７】
抵抗発熱体１２をヒータ板１１の表面に形成する場合には、金属粒子を含む導電ペーストをヒータ板１１の表面に塗布して所定パターンの導体ペースト層を形成した後、これを焼き付け、ヒータ板１１の表面で金属粒子を焼結させる方法が好ましい。なお、金属の焼結は、金属粒子同士および金属粒子とセラミックとが融着していれば充分である。
　【００３８】
ヒータ板１１の表面に抵抗発熱体を形成する場合には、抵抗発熱体の厚さは、１〜３０μｍが好ましく、１〜１０μｍがより好ましい。また、ヒータ板１１の内部に抵抗発熱体を形成する場合には、その厚さは、１〜５０μｍが好ましい。
　【００３９】
また、ヒータ板１１の表面に抵抗発熱体を形成する場合には、抵抗発熱体の幅は、０．１〜２０ｍｍが好ましく、０．１〜５ｍｍがより好ましい。また、ヒータ板１１の内部に抵抗発熱体を形成する場合には、抵抗発熱体の幅は、５〜２０μｍが好ましい。
　【００４０】
抵抗発熱体１２は、その幅や厚さにより抵抗値に変化を持たせることができるが、上記した範囲が最も実用的である。抵抗値は、薄く、また、細くなる程大きくなる。抵抗発熱体１２は、ヒータ板１１の内部に形成した場合の方が、厚み、幅とも大きくなるが、抵抗発熱体１２を内部に設けると、加熱面と抵抗発熱体１２との距離が短くなり、表面の温度の均一性が低下するため、抵抗発熱体自体の幅を広げる必要があること、内部に抵抗発熱体１２を設けるために、窒化物セラミック等との密着性を考慮する必要性がないため、タングステン、モリブデンなどの高融点金属やタングステン、モリブデンなどの炭化物を使用することができ、抵抗値を高くすることが可能となるため、断線等を防止する目的で厚み自体を厚くしてもよい。そのため、抵抗発熱体１２は、上記した厚みや幅とすることが望ましい。
　【００４１】
抵抗発熱体１２は、断面計上が矩形であっても楕円であってもよいが、偏平であることが望ましい。偏平の方がウエハ加熱面に向かって放熱しやすいため、加熱面の温度分布ができにくいからである。
断面のアスペクト比（抵抗発熱体の幅／抵抗発熱体の厚さ）は、１０〜５０００であることが望ましい。
この範囲に調整することにより、抵抗発熱体１２の抵抗値を大きくすることができるとともに、加熱面の温度の均一性を確保することができるからである。
　【００４２】
抵抗発熱体１２の厚さを一定とした場合、アスペクト比が上記範囲より小さいと、ヒータ板１１のウエハ加熱方向への熱の伝搬量が小さくなり、抵抗発熱体１２のパターンに近似した熱分布が加熱面に発生してしまい、逆にアスペクト比が大きすぎると抵抗発熱体１２の中央の直上部分が高温となってしまい、結局、抵抗発熱体１２のパターンに近似した熱分布が加熱面に発生してしまう。従って、温度分布を考慮すると、断面のアスペクト比は、１０〜５０００であることが好ましいのである。
　【００４３】
抵抗発熱体１２をヒータ板１１の表面に形成する場合は、アスペクト比を１０〜２００、抵抗発熱体１２をヒータ板１１の内部に形成する場合は、アスペクト比を２００〜５０００とすることが望ましい。
　【００４４】
抵抗発熱体１２は、ヒータ板１１の内部に形成した場合の方が、アスペクト比が大きくなるが、これは、抵抗発熱体１２を内部に設けると、加熱面と抵抗発熱体１２との距離が短くなり、表面の温度均一性が低下するため、抵抗発熱体１２自体を偏平にする必要があるからである。
　【００４５】
抵抗発熱体１２をヒータ板１１の内部に偏芯して形成する場合の位置は、ヒータ板１１の加熱面に対向する面（底面）に近い位置で、加熱面から底面までの距離に対して５０％を超え、９９％までの位置とすることが望ましい。
５０％以下であると、加熱面に近すぎるため、温度分布が発生してしまい、逆に、９９％を超えると、ヒータ板１１自体に反りが発生して、半導体ウエハが破損するからである。
　【００４６】
また、抵抗発熱体１２をヒータ板１１の内部に形成する場合には、抵抗発熱体形成層を複数層設けてもよい。この場合は、各層のパターンは、相互に補完するようにどこかの層に抵抗発熱体１２が形成され、ウエハ加熱面の上方から見ると、どの領域にもパターンが形成されている状態が望ましい。このような構造としては、例えば、互いに千鳥の配置になっている構造が挙げられる。
なお、抵抗発熱体１２をヒータ板１１の内部に設け、かつ、その抵抗発熱体１２を一部露出させてもよい。
　【００４７】
導体ペーストとしては特に限定されないが、導電性を確保するための金属粒子または導電性セラミックが含有されているほか、樹脂、溶剤、増粘剤などを含むものが好ましい。
　【００４８】
上記金属粒子としては、例えば、貴金属（金、銀、白金、パラジウム）、鉛、タングステン、モリブデン、ニッケルなどが好ましい。これらは、単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。これらの金属は、比較的酸化しにくく、発熱するに充分な抵抗値を有するからである。
上記導電性セラミックとしては、例えば、タングステン、モリブデンの炭化物などが挙げられる。これらは、単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
　【００４９】
これら金属粒子または導電性セラミック粒子の粒径は、０．１〜１００μｍが好ましい。０．１μｍ未満と微細すぎると、酸化されやすく、一方、１００μｍを超えると、焼結しにくくなり、抵抗値が大きくなるからである。
　【００５０】
上記金属粒子の形状は、球状であっても、リン片状であってもよい。これらの金属粒子を用いる場合、上記球状物と上記リン片状物との混合物であってよい。上記金属粒子がリン片状物、または、球状物とリン片状物との混合物の場合は、金属粒子間の金属酸化物を保持しやすくなり、抵抗発熱体１２と窒化物セラミック等との密着性を確実にし、かつ、抵抗値を大きくすることができるため有利である。
　【００５１】
導体ペーストに使用される樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂などが挙げられる。また、溶剤としては、例えば、イソプロピルアルコールなどが挙げられる。増粘剤としては、セルロースなどが挙げられる。
　【００５２】
導体ペーストには、上記したように、金属粒子に金属酸化物を添加し、抵抗発熱体１２を金属粒子および金属酸化物を焼結させたものとすることが望ましい。このように、金属酸化物を金属粒子とともに焼結させることにより、ヒータ板である窒化物セラミックと金属粒子とを密着させることができる。
　【００５３】
金属酸化物を混合することにより、窒化物セラミックと密着性が改善される理由は明確ではないが、金属粒子表面や窒化物セラミックの表面は、わずかに酸化されて酸化膜が形成されており、この酸化膜同士が金属酸化物を介して焼結して一体化し、金属粒子と窒化物セラミックとが密着するのではないかと考えられる。
　【００５４】
上記金属酸化物としては、例えば、酸化鉛、酸化亜鉛、シリカ、酸化ホウ素（Ｂ２Ｏ３）、アルミナ、イットリアおよびチタニアからなる群から選ばれる少なくとも１種が好ましい。
　【００５５】
これらの酸化物は、抵抗発熱体１２の抵抗値を大きくすることなく、金属粒子と窒化物セラミックとの密着性を改善することができるからである。
　【００５６】
上記酸化鉛、酸化亜鉛、シリカ、酸化ホウ素（Ｂ２Ｏ３）、アルミナ、イットリア、チタニアの割合は、金属酸化物の全量を１００重量部とした場合、重量比で、酸化鉛が１〜１０、シリカが１〜３０、酸化ホウ素が５〜５０、酸化亜鉛が２０〜７０、アルミナが１〜１０、イットリアが１〜５０、チタニアが１〜５０であって、その合計が１００重量部を超えない範囲で調整されていることが望ましい。これらの範囲で、これらの酸化物の量を調整することにより、特に窒化物セラミックとの密着性を改善することができる。
　【００５７】
上記金属酸化物の金属粒子に対する添加量は、０．１重量％以上１０重量％未満が好ましい。また、このような構成の導体ペーストを使用して抵抗発熱体１２を形成した際の面積抵抗率は、１〜４５ｍΩ／□が好ましい。
　【００５８】
面積抵抗率が４５ｍΩ／□を超えると、印加電圧量に対して発熱量は大きくなりすぎて、ヒータ板の表面に抵抗発熱体１２を設けたヒータ板１１では、その発熱量を制御しにくいからである。なお、金属酸化物の添加量が１０重量％以上であると、面積抵抗率が５０ｍΩ／□を超えてしまい、発熱量が大きくなりすぎて温度制御が難しくなり、温度分布の均一性が低下する。
　【００５９】
抵抗発熱体１２がヒータ板１１の表面に形成される場合には、抵抗発熱体１２の表面部分に、金属被覆層が形成されていることが望ましい。内部の金属焼結体が酸化されて抵抗値が変化するのを防止するためである。形成する金属被覆層の厚さは、０．１〜１０μｍが好ましい。
　【００６０】
金属被覆層を形成する際に使用される金属は、非酸化性の金属であれば特に限定されないが、具体的には、例えば、金、銀、パラジウム、白金、ニッケルなどが挙げられる。これらは、単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。これらのなかでは、ニッケルが好ましい。
　【００６１】
抵抗発熱体１２には、電源と接続するための端子が必要であり、この端子は、半田を介して抵抗発熱体１２に取り付けるが、ニッケルは、半田の熱拡散を防止するからである。接続端子としては、例えば、コバール製の外部端子１３が挙げられる。
　【００６２】
なお、抵抗発熱体１２をヒータ板１１の内部に形成する場合には、抵抗発熱体表面が酸化されることがないため、被覆は不要である。抵抗発熱体１２をヒータ板１１内部に形成する場合、抵抗発熱体の一部が表面に露出していてもよく、抵抗発熱体を接続するためのスルーホールが端子部分に設けられ、このスルーホールに外部端子が接続、固定されていてもよい。
　【００６３】
外部端子を接続する場合、半田としては、銀−鉛、鉛−スズ、ビスマス−スズなどの合金を使用することができる。なお、半田層の厚さは、０．１〜５０μｍが好ましい。半田による接続を確保するのに充分な範囲だからである。
　【００６４】
また、図２に示したように、ヒータ板１１に貫通孔１５を設けてその貫通孔１５に支持ピン（図示せず）を挿入し、半導体ウエハを図示しない搬送機に渡したり、搬送機から半導体ウエハを受け取ったりすることができる。
　【００６５】
本発明のセラミックヒータでは、半導体ウエハをセラミック基板から５０〜５００μｍ離間させて加熱することができる。離間させることにより、セラミック基板表面の温度分布の影響を受けにくくすることができる。この場合、セラミック基板上に支持ピン１６でウエハを支持しながら離間させて加熱を行う。
　【００６６】
次に、本発明のセラミックヒータの製造方法について説明する。
まず、ヒータ板１１の底面に抵抗発熱体が形成されたセラミックヒータの製造方法について説明する。
　【００６７】
（１）ヒータ板の作製工程
上述した窒化アルミニウムなどの窒化物セラミックの粉末に必要に応じてイットリア等の焼結助剤やバインダ等を配合してスラリーを調製した後、このスラリーをスプレードライ等の方法で顆粒状にし、この顆粒を金型などに入れて加圧することにより板状などに成形し、生成形体（グリーン）を作製する。
セラミックヒータに静電チャック機能を持たせる場合には、静電チャック用の金属箔等を生成形体中に埋め込んでもよい。
　【００６８】
次に、生成形体に、必要に応じて、半導体ウエハを支持するための支持ピンを挿入する貫通孔となる部分や熱電対などの測温素子を埋め込むための有底孔となる部分を形成する。
　【００６９】
次に、この生成形体を加熱、焼成して焼結させ、セラミック製の板状体を製造する。この後、所定の形状に加工することにより、ヒータ板１１を作製するが、焼成後にそのまま使用することができる形状としてもよい。加圧しながら加熱、焼成を行うことにより、気孔のないヒータ板１１を製造することが可能となる。加熱、焼成は、焼結温度以上であればよいが、窒化物セラミックでは、１０００〜２５００℃である。
　【００７０】
（２）ヒータ板に導体ペーストを印刷する工程
導体ペーストは、一般に、金属粒子、樹脂、溶剤からなる粘度の高い流動物である。この導体ペーストをスクリーン印刷などを用い、抵抗発熱体を設けようとする部分に印刷を行うことにより、導体ペースト層を形成する。抵抗発熱体は、ヒータ板全体を均一な温度にする必要があることから、図１に示すような同心円状からなるパターンに印刷することが望ましい。
導体ペースト層は、焼成後の抵抗発熱体１２の断面が、方形で、偏平な形状となるように形成することが望ましい。
　【００７１】
（３）導体ペーストの焼成
ヒータ板１１の底面に印刷した導体ペースト層を加熱焼成して、樹脂、溶剤を除去するとともに、金属粒子を焼結させ、ヒータ板１１の底面に焼き付け、抵抗発熱体１２を形成する。加熱焼成の温度は、５００〜１０００℃が好ましい。
導体ペースト中に上述した金属酸化物を添加しておくと、金属粒子、ヒータ板および金属酸化物が焼結して一体化するため、抵抗発熱体とヒータ板との密着性が向上する。
　【００７２】
（４）金属被覆層の形成
抵抗発熱体１２表面には、金属被覆層を設けることが望ましい。金属被覆層は、電解めっき、無電解めっき、スパッタリング等により形成することができるが、量産性を考慮すると、無電解めっきが最適である。
　【００７３】
（５）端子等の取り付け
抵抗発熱体１２のパターンの端部に電源との接続のための端子（外部端子１３）を半田で取り付ける。また、有底孔１４に銀ろう、金ろうなどで熱電対を固定し、ポリイミド等の耐熱樹脂で封止し、セラミックヒータの製造を終了する。
　【００７４】
次に、ヒータ板１１の内部に抵抗発熱体１２が形成されたセラミックヒータ（図１〜２参照）の製造方法について説明する。
（１）ヒータ板の作製工程
まず、窒化物セラミックの粉末をバインダ、溶剤等と混合してペーストを調製し、これを用いてグリーンシートを作製する。
　【００７５】
上述した窒化物セラミック粉末としては、窒化アルミニウムなどを使用することができ、必要に応じて、イットリア等の焼結助剤を加えてもよい。
また、バインダとしては、アクリル系バインダ、エチルセルロース、ブチルセロソルブ、ポリビニラールから選ばれる少なくとも１種が望ましい。
　【００７６】
さらに溶媒としては、α−テルピオーネ、グリコールから選ばれる少なくとも１種が望ましい。
これらを混合して得られるペーストをドクターブレード法でシート状に成形してグリーンシートを作製する。
グリーンシートの厚さは、０．１〜５ｍｍが好ましい。
　【００７７】
次に、得られたグリーンシートに、必要に応じて、半導体ウエハを支持するための支持ピンを挿入する貫通孔１５となる部分、熱電対などの測温素子を埋め込むための有底孔となる部分、抵抗発熱体を外部の端ピンと接続するためのスルーホール１８となる部分等を形成する。後述するグリーンシート積層体を形成した後に、上記加工を行ってもよい。
　【００７８】
（２）グリーンシート上に導体ペーストを印刷する工程
グリーンシート上に、金属ペーストまたは導電性セラミックを含む導電性ペーストを印刷する。
このとき、抵抗発熱体を形成するための導電性ペースト層を形成するのみでなく、静電チャックを形成するための導電ペースト層を設けてもよい。
これらの導電ペースト中には、金属粒子または導電性セラミック粒子が含まれている。
　【００７９】
タングステン粒子またはモリブデン粒子の平均粒子径は、０．１〜５μｍが好ましい。平均粒子が０．１μｍ未満であるか、５μｍを超えると、導体ペーストを印刷しにくいからである。
このような導体ペーストとしては、例えば、金属粒子または導電性セラミック粒子８５〜８７重量部；アクリル系、エチルセルロース、ブチルセロソルブ、ポリビニラールから選ばれる少なくとも１種のバインダ１．５〜１０重量部；および、α−テルピオーネ、グリコールから選ばれる少なくとも１種の溶媒を１．５〜１０重量部を混合した組成物（ペースト）が挙げられる。
　【００８０】
（３）グリーンシートの積層工程
導体ペーストを印刷していないグリーンシートを、導体ペーストを印刷したグリーンシートの上下に積層する。
このとき、上側に積層するグリーンシートの数を下側に積層するグリーンシートの数よりも多くして、抵抗発熱体の形成位置を底面の方向に偏芯させる。
具体的には、上側のグリーンシートの積層数は２０〜５０枚が、下側のグリーンシートの積層数は５〜２０枚が好ましい。
　【００８１】
（４）グリーンシート積層体の焼成工程
グリーンシート積層体の加熱、加圧を行い、グリーンシートおよび内部の導体ペーストを焼結させる。
加熱温度は、１０００〜２０００℃が好ましく、加圧の圧力は、１００〜２００ｋｇ／ｃｍ２が好ましい。加熱は、不活性ガス雰囲気中で行う。不活性ガスとしては、例えば、アルゴン、窒素などを使用することができる。
　【００８２】
なお、焼成を行った後に、測温素子を挿入するための有底孔を設けてもよい。有底孔は、表面研磨後に、サンドブラストなどをブラスト処理を行うことにより形成することができる。また、内部の抵抗発熱体と接続するためのスルーホールに端子を接続し、加熱してリフローする。加熱温度は、２００〜５００℃が好適である。
さらに、測温素子としての熱電対などを銀ろう、金ろうなどで取り付け、ポリイミドなどの耐熱性樹脂で封止し、セラミックヒータの製造を終了する。
　【００８３】
次に、本発明の静電チャックについて説明する。
本発明の静電チャックは、セラミック基板の内部に電極が埋設され、前記セラミック基板の一主面に半導体ウエハを吸着するように構成された静電チャックであって、
上記セラミック基板の半導体ウエハ加熱面から放射されるα線量が、０．２５０ｃ／ｃｍ２・ｈｒ以下、実質的には０．０００１〜０．２５０ｃ／ｃｍ２・ｈｒであることを特徴とする。
　【００８４】
本発明の静電チャックを構成する窒化物セラミック基板の材料は、上記した本発明のセラミックヒータの場合と同様の材料が用いられており、同様の方法でセラミック基板を製造する。従って、半導体ウエハ載置面から放射されるα線量は、実質的に０．０００１〜０．２５０ｃ／ｃｍ２・ｈｒであり、α線によってウエハ表面に電荷が発生しにくく、その結果静電電極によってウエハに発生した電荷がキャンセルされにくくなって、ジョンソン−ラーベリック効果による吸着力の低下を防止することができる。
また、０．０２５ｃ／ｃｍ２・ｈｒ以下であれば、半導体ウエハに静電電気が発生しにくく、パーティクルの吸着量も少なくすることができる。
　【００８５】
α線の放射量は、理想的には０がよいが、０．０００１未満とすることは技術面、経済面から困難であり、一方、α線量が０．０２５ｃ／ｃｍ２・ｈｒを超えると、α線により発生した静電気によりパーティクルが半導体ウエハに吸着し、半導体ウエハの機能を破損するようなダメージを与える場合がある。
　【００８６】
図３（ａ）は、静電チャックを模式的に示す縦断面図であり、（ｂ）は、（ａ）に示した静電チャックのＡ−Ａ線断面図である。
この静電チャェク２０では、セラミック基板２１の内部にチャェク正負電極層２２、２３が埋設され、その電極上に厚さ５〜１５００μｍのセラミック誘電体膜４０が形成されている。また、セラミック基板２１の内部には、抵抗発熱体１２が設けられ、シリコンウエハ９を加熱することができるようになっている。なお、セラミック基板２１には、必要に応じて、ＲＦ電極が埋設されていてもよい。
　【００８７】
また、（ｂ）に示したように、静電チャック２０は、通常、平面視円形状に形成されており、セラミック基板２１の内部に半円弧状部２２ａと櫛歯部２２ｂとからなるチャック正極静電層２２と、同じく半円弧状部２３ａと櫛歯部２３ｂとからなるチャック負極静電層２３とが、互いに櫛歯部２２ｂ、２３ｂを交差するように対向して配置されている。
　【００８８】
この静電チャックを使用する場合には、チャック正極静電層２２とチャック負極静電層２３とにそれぞれ直流電源の＋側と−側を接続し、直流電圧を印加する。これにより、この静電チャック上に載置された半導体ウエハが静電的に吸着されることになる。
　【００８９】
この静電チャックでは、図３に示したように、セラミック基板２１の内部に抵抗発熱体が埋設されていてもよく、また、セラミック基板２１の表面（底面）に抵抗発熱体が形成されていてもよい。
上記静電チャックの製造方法は、グリーンシートの表面にチャック正極静電層２２とチャック負極静電層２３の形状になるように導電性ペーストを塗布するか、生成形体中にチャック正極静電層２２とチャック負極静電層２３の形状になるように金属箔を埋め込むほかは、セラミックヒータの製造方法とほぼ同様である。
　【００９０】
ついで、本発明のウエハプローバ用チャックトップについて説明する。
このウエハプローバ用チャックトップでは、半導体ウエハ載置面から放射されるα線量は、０．０００１〜０．２５０ｃ／ｃｍ２・ｈｒであり、α線によってチャックトップ導体層にノイズ信号が発生しにくくなり、導通試験の誤判定を防止することができるのである。
また、０．０２５ｃ／ｃｍ２・ｈｒ以下であれば、半導体ウエハに静電電気が発生しにくく、パーティクルの吸着量も少なくすることができる。
　【００９１】
本発明のウエハプローバ用チャックトップでは、セラミック基板の表面にチャックトップ導体層が形成されてなる。
チャックトップ導体層上にウエハを載置し、テスタピンを持つプローブカードを押し当てて導通して検査を行うのである。
チャックトップ導体層上には貴金属層が形成されており、貴金属層は、ウエハの裏面との電気的導通を阻害することなく、チャックトップ導体層中のホウ素やリン、セラミック中のイットリア、ナトリウムなどの拡散を防止できる。
貴金属としては、金、銀、白金、パラジウムから選ばれる少なくとも１種以上が望ましい。
　【００９２】
本発明のウエハプローバ用チャックトップでは、剛性の高いセラミック基板を使用しているため、プローブカードのテスタピンによりチャックトップが押されてもチャックトップが反ることがなく、チャックトップの厚さを金属に比べて小さくすることができる。
　【００９３】
また、チャックトップの厚さを金属に比べて小さくすることができるため、熱伝導率が金属より低いセラミックであっても結果的に熱容量が小さくなり、昇温、降温特性を改善することができる。
　【００９４】
前記チャックトップ導体層の厚さは、１〜１０μｍが望ましい。１μｍ未満では抵抗値が高くなりすぎて電極としての作用を奏さず、１０μｍを越えると導体の持つ応力によって剥離しやすくなってしまうからである。
　【００９５】
チャックトップ導体層としては、銅、チタン、クロム、ニッケル、貴金属（金、銀、白金等）、タングステン、モリブデンなどの高融点金属から選ばれる少なくとも１種以上の金属を使用することができる。
　【００９６】
チャックトップ導体層としては、ニッケルを含むことが望ましい。硬度が高く、テスタピンの押圧に対しても変形等しにくいからである。
　【００９７】
本発明のウエハプローバ用のチャックトップでは、ガード電極とグランド電極が埋設されていることが望ましい。ガード電極は、測定回路内に介在するストレイキャパシタをキャンセルするための電極であり、測定回路（即ちチャックトップ導体層）の接地電位が与えられている。また、グランド電極は、温度制御手段からのノイズをキャンセルするために設けられている。
　【００９８】
本発明のウエハプローバ用チャックトップのチャックトップ導体層形成面には溝と空気の吸引孔が形成されてなることが望ましい。ウエハを載置して吸引孔から空気を吸引してウエハＷを吸着させることができるからである。
本発明の半導体製造・検査装置は、１５０〜９００℃で使用することができる。
　【００９９】
　【実施例】
以下、本発明をさらに詳細に説明する。
（合成例）　窒化アルミニウム合成例
　【０１００】
（１）平均粒子径３μｍの多孔質のγ−Ｆｅ２Ｏ３に、０．５重量％の塩酸を含む１０重量％のチタニウムイソプロポキシドのエチルアルコール水溶液を含浸させ、２５℃で２４時間放置して加水分解させてＵ、Ｔｈ吸着剤を得た。
　【０１０１】
（２）ボーキサイト粉末１０００重量部を１０％水酸化ナトリウム水溶液とテフロン容器に入れ、これをオートクレーブ中で１９０℃、５時間処理して赤泥とろ別し、アルミン酸ソーダ水溶液を得た。
　【０１０２】
（３）このアルミン酸ソーダ水溶液を１Ｎ塩酸でｐＨ＝１２に調整し、吸着剤を分散させて５０℃で０．５時間振動放置させた。また、同様にして１時間、２時間、３時間、４時間、５時間、６時間振動放置したものを調製し、計７種類の液を得た。
　【０１０３】
（４）吸着剤をろ過分離し、ろ過液を塩酸でｐＨ＝８．５に調整し、水酸化アルミニウムの沈澱を析出沈澱させて、蒸留水で洗浄して８０℃で５時間乾燥させた。
さらに空気中で１０００℃にて焼成させてアルミナとした。
　【０１０４】
（５）上記（４）で製造したアルミナ１０００重量部と３５３重量部のグラファイトを混合させて窒素気流中で１９５０℃、５時間反応させ、その後未反応のＣを３５０℃で酸化除去して窒化アルミニウムとした。
　【０１０５】
（６）この窒化アルミニウムをボールミルで砕いて風力分級機で分級し、平均粒子径１．１μｍとした。
振動放置を６時間行った粉末をＡ、５時間行ったものをＢ、４時間のものをＣ、３時間のものをＤ、２．５時間ものをＥ、２時間のものをＦ、１時間のものをＧ、０．５時間のものをＨとした。各粉末とＵおよびＴｈの含有量とを下記の表１に示す。なお、測定はＩＣＰ−ＭＳ法による。
　【０１０６】
　【表１】
　【０１０７】
（実施例１）発熱体を表面に有するセラミックヒータの製造
（１）前述の平均粒径１．１μｍの窒化アルミニウム粉末Ａ〜Ｇのもの１００重量部、イットリア（平均粒径：０．４μｍ）４重量部、アクリルバインダ１２重量部およびアルコールからなる組成物のスプレードライを行い、顆粒状の粉末を作製した。
　【０１０８】
（２）次に、この顆粒状の粉末を金型に入れ、平板状に成形して生成形体（グリーン）を得た。この生成形体にドリル加工を施し、半導体ウエハの支持ピンを挿入する貫通孔となる部分、熱電対を埋め込むための有底孔となる部分（直径：１．１ｍｍ、深さ：２ｍｍ）を形成した。
　【０１０９】
（３）加工処理の終った生成形体を１８００℃、圧力：２００ｋｇ／ｃｍ２でホットプレスし、厚さが３ｍｍの窒化アルミニウム板状体を得た。
次に、この板状体から直径２１０ｍｍの円板体を切り出し、セラミック製の板状体（ヒータ板）とした。
　【０１１０】
（４）上記（３）で得たヒータ板に、スクリーン印刷にて導体ペーストを印刷した。印刷パターンは、図１に示したような同心円状のパターンとした。
導体ペーストとしては、プリント配線板のスルーホール形成に使用されている徳力化学研究所製のソルベストＰＳ６０３Ｄを使用した。
この導体ペーストは、銀−鉛ペーストであり、銀１００重量部に対して、酸化鉛（５重量％）、酸化亜鉛（５５重量％）、シリカ（１０重量％）、酸化ホウ素（２５重量％）およびアルミナ（５重量％）からなる金属酸化物を７．５重量部含むものであった。また、銀粒子は、平均粒径が４．５μｍで、リン片状のものであった。
　【０１１１】
（５）次に、導体ペーストを印刷したヒータ板を７８０℃で加熱、焼成して、導体ペースト中の銀、鉛を焼結させるとともにヒータ板１１に焼き付け、抵抗発熱体１２を形成した。銀−鉛の抵抗発熱体は、厚さが５μｍ、幅２．４ｍｍ、面積抵抗率が７．７ｍΩ／□であった。
　【０１１２】
（６）硫酸ニッケル８０ｇ／ｌ、次亜リン酸ナトリウム２４ｇ／ｌ、酢酸ナトリウム１２ｇ／ｌ、ほう酸８ｇ／ｌ、塩化アンモニウム６ｇ／ｌの濃度の水溶液からなる無電解ニッケルめっき浴に上記（５）で作製したヒータ板１１を浸漬し、銀−鉛の抵抗発熱体１２の表面に厚さ１μｍの金属被覆層（ニッケル層）を析出させた。
　【０１１３】
（７）電源との接続を確保するための端子を取り付ける部分に、スクリーン印刷により、銀−鉛半田ペースト（田中貴金属製）を印刷して半田層を形成した。
ついで、半田層の上にコバール製の外部端子を載置して、４２０℃で加熱リフローし、外部端子を抵抗発熱体の表面に取り付けた。
　【０１１４】
（８）温度制御のための熱電対を８１．７Ａｕ−１８．３Ｎｉの金ローで接続し、（１０３０℃で加熱して融着）、セラミックヒータを得た。
なお、窒化アルミニウム粉末Ｇを用いて製造したセラミックヒータは、本発明の範囲外である。
　【０１１５】
（
参考例１
（１）前述の窒化アルミニウム粉末Ａ〜Ｇのもの１００重量部、イットリア（平均粒径：０．４μｍ）４重量部、アクリルバインダ１１．５重量部、分散剤０．５重量部および１−ブタノールとエタノールとからなるアルコール５３重量部を混合したペーストを用い、ドクターブレード法による成形を行って、厚さ０．４７ｍｍのグリーンシートを得た。
　【０１１６】
（２）次に、このグリーンシートを８０℃で５時間乾燥させた後、パンチングにより直径１．８ｍｍ、３．０ｍｍ、５．０ｍｍの半導体ウエハ支持ピンを挿入する貫通孔１５となる部分、外部端子と接続するためのスルーホール１８となる部分を設けた。
　【０１１７】
（３）平均粒子径１μｍのタングステンカーバイト粒子１００重量部、アクリル系バインダ３．０重量部、α−テルピオーネ溶媒３．５重量部および分散剤０．３重量部を混合して導体ペーストＡを調製した。
　【０１１８】
平均粒子径３μｍのタングステン粒子１００重量部、アクリル系バインダ１．９重量部、α−テルピオーネ溶媒３．７重量部および分散剤０．２重量部を混合して導体ペーストＢを調製した。
この導電性ペーストＡをグリーンシートにスクリーン印刷で印刷し、導体ペースト層を形成した。印刷パターンは、図１に示したような同心円パターンとした。また、他のグリーンシートに図３に示した形状の静電電極パターンからなる導体ペースト層を形成した。
　【０１１９】
さらに、外部端子を接続するためのスルーホール用の貫通孔に導体ペーストＢを充填した。
上記処理の終わったグリーンシートに、さらに、タングステンペーストを印刷しないグリーンシートを上側（加熱面）に３７枚、下側に１３枚、１３０℃、８０ｋｇ／ｃｍ２の圧力で積層した。
　【０１２０】
（４）次に、得られた積層体を窒素ガス中、６００℃で５時間脱脂し、１８９０℃、圧力１５０ｋｇ／ｃｍ２で３時間ホットプレスし、厚さ３ｍｍの窒化アルミニウム板状体を得た。これを２３０ｍｍの円板状に切り出し、内部に厚さ６μｍ、幅１０ｍｍの抵抗発熱体および静電電極を有するセラミック製の板状体とした。
　【０１２１】
（５）次に、（４）で得られた板状体を、ダイヤモンド砥石で研磨した後、マスクを載置し、ガラスビーズによるブラスト処理で表面に熱電対のための有底孔（直径：１．２ｍｍ、深さ：２．０ｍｍ）を設けた。
　【０１２２】
（６）さらに、スルーホール用の貫通孔の一部をえぐり取って凹部とし、この凹部にＮｉ−Ａｕからなる金ろうを用い、７００℃で加熱リフローしてコバール製の外部端子を接続させた。
なお、外部端子の接続は、タングステンの支持体が３点で支持する構造が望ましい。接続信頼性を確保することができるからである。
　【０１２３】
（８）次に、温度制御のための複数の熱電対を有底孔に埋め込み、静電チャック付きセラミックヒータの製造を完了した。なお、誘電体膜の厚さは、１０００μｍとした。
　【０１２４】
（実施例
２
（１）前述の窒化アルミニウム粉末Ａ〜Ｇのもの（平均粒径１．１μｍ）１００重量部、イットリア（酸化イットリウムのこと　平均粒径０．４μｍ）４重量部、アクリルバイダー１１．５重量部、分散剤０．５重量部および１−ブタノールおよびエタノールからなるアルコール５３重量％を混合した組成物を、ドクターブレードで形成して厚さ０．４７ｍｍのグリーンシート３０を得た。
　【０１２５】
（２）グリーンシートを８０℃で５時間乾燥させた後、パンチングにて抵抗発熱体と外部端子ピンと接続するためのスルーホール用の孔を設けた。
（３）平均粒子径１μｍのタングステンカーバイド粒子１００重量部、アクリル系バインダ３．０重量部、α−テルピオーネ溶媒を３．５重量、分散剤０．３重量部を混合して導電性ペーストＡとした。
　【０１２６】
また、平均粒子径３μｍのタングステン粒子１００重量部、アクリル系バインダ１．９重量部、α−テルピオーネ溶媒を３．７重量、分散剤０．２重量部を混合して導電性ペーストＢとした。
この導電性ペーストＡをグリーンシート３０にスクリーン印刷でガード電極用印刷体、グランド電極用印刷体を格子状に印刷して電極パターンを描いて印刷した。
　【０１２７】
また、外部端子ピンと接続するためのスルーホール用の孔に導電性ペーストＢを充填した。
さらに、印刷されたグリーンシート３０および印刷がされていないグリーンシート３０を５０枚積層して１３０℃、８０ｋｇ／ｃｍ２の圧力で一体化した（図４（ａ））。
　【０１２８】
（４）積層体を窒素ガス中で６００℃で５時間脱脂し、１８９０℃、圧力１５０ｋｇ／ｃｍ２で３時間ホットプレスし、厚さ３ｍｍの窒化アルミニウム板状体を得た。これを直径２３０ｍｍの円状に切り出してセラミック基板３とした（図４（ｂ））。スルーホール３６、３７の大きさは直径０．２ｍｍ、深さ０．２ｍｍであった。　また、ガード電極５、グランド電極６の厚さは１０μｍ、ガード電極５の形成位置は、抵抗発熱体４１から１ｍｍ、グランド電極６の形成位置は、溝形成面から１．２ｍｍであった。
　【０１２９】
（５）上記（４）で得たセラミック基板３を、ダイアモンド砥石で研磨した後、マスクを載置し、ＳｉＣ等によるブラスト処理で表面に熱電対のための凹部（図示せず）およびウエハ吸着用の溝７（幅０．５ｍｍ、深さ０．５ｍｍ）を設けた（図４（ｃ））。
　【０１３０】
（６）さらに、溝７を形成した裏面に抵抗発熱体を印刷する。印刷は導電ペーストを用いた。導電ペーストは、プリント配線板のスルーホール形成に使用されている徳力化学研究所製のソルベストＰＳ６０３Ｄを使用した。この導電ペーストは、銀／鉛ペーストであり、酸化鉛、酸化亜鉛、シリカ、酸化ホウ素、アルミナからなるを金属酸化物（それぞれの重量比率は、５／５５／１０／２５／５）を銀の量に対して７．５重量％含むものである。
また、銀の形状は平均粒径４．５μｍでリン片状のものである。
　【０１３１】
（７）導電ペーストを印刷したセラミック基板３を７８０℃で加熱焼成して、導電ペースト中の銀、鉛を焼結させるとともにセラミック基板３に焼き付け、抵抗発熱体４１を形成した。さらに硫酸ニッケル３０ｇ／ｌ、ほう酸３０ｇ／ｌ、塩化アンモニウム３０ｇ／ｌ、ロッシェル塩６０ｇ／ｌの濃度の水溶液からなる無電解ニッケルめっき浴にセラミック板を浸漬して、銀の焼結体の表面に厚さ１μｍ、ホウ素の含有量が１重量％以下のニッケル層４１０を析出させた。さらに１２０℃で３時間アニーリングした。
抵抗発熱体４１のパターンは、厚さが５μｍ、幅２．４ｍｍであり、面積抵抗率が７．７ｍΩ／□であった（図４（ｄ））。
　【０１３２】
（８）溝７が形成された面にスパッタリングにてチタン、モリブデン、ニッケル層を形成した。スパッタリングのための装置は、日本真空技術株式会社製のＳＶ−４５４０を使用した。条件は気圧０．６Ｐａ、温度１００℃、電力２００Ｗで時間は、３０秒から１分で、各金属によって調整した。
得られた膜は、蛍光Ｘ線分析計の画像からチタンは０．３μｍ、モリブデンは２μｍ、ニッケルは１μｍであった。
　【０１３３】
（９）硫酸ニッケル３０ｇ／ｌ、ほう酸３０ｇ／ｌ、塩化アンモニウム３０ｇ／ｌ、ロッシェル塩６０ｇ／ｌの濃度の水溶液からなる無電解ニッケルめっき浴に（８）で得られたセラミック板を浸漬して、溝７の表面に厚さ７μｍ、ホウ素の含有量が１重量％以下のニッケル層を析出させ、１２０℃で３時間アニーリングした。
さらに、さらに、表面にシアン化金カリウム２ｇ／ｌ、塩化アンモニウム７５ｇ／ｌ、クエン酸ナトリウム５０ｇ／ｌ、次亜リン酸ナトリウム１０ｇ／ｌからなる無電解金めっき液に９３℃の条件で１分間浸漬して、ニッケルめっき層上に厚さ１ｍの金めっき層を形成し、チャックトップ導体層２とした（図５（ｅ））。
　【０１３４】
（１０）溝７から裏面に抜ける空気吸引孔８をドリル加工し、さらにスルーホールを露出させるための袋孔３８を設けた（図５（ｆ））。この袋孔３８にＮｉ−Ａｕ合金（Ａｕ８１．５、Ｎｉ１８．４、不純物０．１）からなる金ろうを用い、９７０℃で加熱リフローしてコバール製の外部端子ピン３９、３９０を接続させた（図５（ｇ））。
　【０１３５】
また、抵抗発熱体４１（ニッケル層４１０）に半田（スズ９／鉛１）を介してコバール製の外部端子ピン３９１を接続、固定した。
（１１）温度制御のための複数熱電対を凹部に埋め込み、ヒータを備えたウエハプローバ用チャックトップを得た。
　【０１３６】
（比較例１）発熱体を表面に有するセラミックヒータの製造
（１）平均粒径１．１μｍの窒化アルミニウム粉末Ｈを用いたほかは、実施例１と同様にしてセラミックヒータを製造した。
　【０１３７】
（比較例２）発熱体および静電チャック用静電電極を内部に有するセラミックヒータの製造
（１）平均粒径１．１μｍの窒化アルミニウム粉末Ｈを用いたほかは、実施例２と同様にして静電チャック用静電電極を内部に有するセラミックヒータを製造した。
　【０１３８】
（比較例３）ウエハプローバ用チャックトップ
（１）平均粒径１．１μｍの窒化アルミニウム粉末Ｈを用いたほかは、実施例３と同様にしてウエハプローバ用チャックトップを得た。
　【０１３９】
上記実施例１〜
２、参考例１
α線量の測定条件は、以下の通りである。
　【０１４０】
　　測定装置　　低レベルα線測定装置　ＡＣＳ−４０００Ｍ
　　印加電圧　　１．９ｋＶ
　　計数ガス　　ＰＲ−１０ガス（Ａｒ９０％、メタン１０％）
　　試料面積　　３８７ｃｍ２
　　全計数時間　９９時間
　　係数効率　　８０％
　　誤差範囲　　±０．００３ｃ／ｃｍ２・ｈｒ
　【０１４１】
ヒータの誤動作は、熱電対の温度データから、昇温プロフィールをグラフ化し、著しく昇温プロフィールから外れたデータがあるか否かで判断した。
また静電チャック力は、ロードセルにより測定した。さらに、ウエハプローバ用チャックトップの誤動作の有無は、従来から既に市販されている金属製のチャックトップ板を持つウエハプローバ用チャックトップで１００枚の良品と判断されたシリコンウエハの導通試験を実施して、１枚でも不良と判定する場合があるか否かで判断した。
　【０１４２】
また、ウエハに付着するパーティクルの数の測定は、以下のようにして行った。即ち、セラミック基板上にシリコンウエハを載置し、ヒータを３００℃で使用した後、ウエハの鏡面（Ｒａ＝０．３μｍ）に付着している粒径０．２μｍ以上のパーティクルの数を電子顕微鏡で測定した。
具体的には、加熱試験が終了した５枚のシリコンウエハを用意し、１枚のシリコンウエハについて、任意の１０箇所を電子顕微鏡で撮影し、０．２μｍ以上のパーティクルの個数をカウントし、そのカウント数と撮影した写真の視野面積から１ｃｍ２あたりのパーティクル数を計算した。
　【０１４３】
　【表２】
　【０１４４】
その結果、表２に示したように、実施例１のセラミックヒータの場合は、α線量（ｃｍ２・ｈｒ）が０．００１から０．２４０ｃ／ｃｍ２・ｈｒの場合で誤動作がなかった。しかしながら、０．２６０ｃ／ｃｍ２・ｈｒを超えると誤動作が現れた。
　【０１４５】
参考例１
　【０１４６】
実施例２
これらのしきい値が生じる理由は明確ではないが、いずれもα線によりシリコンウエハに電子、正孔の対が発生し、これが一定以上になると電荷量が多くなって静電気を発生させるのではないかと推定している。
　【０１４７】
また、α線量（ｃｍ２・ｈｒ）が０．００１から０．０４８ｃ／ｃｍ２・ｈｒまでの間では、概ねパーティクルの数が、７〜９個／ｃｍ２であるのに対して、０．０４８ｃ／ｃｍ２・ｈｒ〜０．２４０ｃ／ｃｍ２・ｈｒでは、パーティクルの数が、２０〜３０個／ｃｍ２である。さらに０．２６０ｃ／ｃｍ２・ｈｒでは１２０個／ｃｍ２以上である。
静電チャックとウエハプローバ用チャックトップについてはパーティクル数を測定していない。静電チャックの場合は、電極で発生する静電気によるものか、α線起因ものか判別できないからである。また、ウエハプローバ用チャックトップの場合は、シリコンウエハとセラミック基板が直接接触しないため、パーティクルが殆ど付着しないからである。
　【０１４８】
　【発明の効果】
以上説明したように本発明の半導体製造・検査装置用セラミックヒータ、静電チャック、ウエハプローバ用チャックトップによれば、放射されるα線量が少なく、ヒータ、ウエハプローバ用チャックトップ等の誤動作やチャック力低下を防止することができ、また、また、半導体ウエハに付着するパーティクル数を少なくすることにより、半導体ウエハの配線欠陥を無くすことができる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
本発明のセラミックヒータの一例を模式的に示す底面図である。
　【図２】
図１に示したセラミックヒータの一部を模式的に示す断面図である。
　【図３】
（ａ）は、本発明の静電チャックを模式的に示した縦断面であり、（ｂ）は、（ａ）に示した静電チャックのＡ−Ａ線断面図である。
　【図４】
（ａ）〜（ｄ）は、本発明のウエハプローバ用チャックトップの製造工程の一部を示す断面図である。
　【図５】
（ｅ）〜（ｇ）は、本発明のウエハプローバ用チャックトップの製造工程の一部を示す断面図である。
　【符号の説明】
　２　チャックトップ導体層
　３　セラミック基板
　５　ガード電極
　６　グランド電極
　７　溝
　８　空気吸引孔
　１０　セラミックヒータ
　１１　ヒータ板
　１２　抵抗発熱体
　１３　外部端子
　１４　有底孔
　１５　貫通孔
　１６　支持ピン
　１７　袋孔
　１８　スルーホール
　１９　半導体ウエハ
　２０　静電チャック
　２１　セラミック基板
　２２　チャック正極静電層
　２３　チャック負極静電層
　２２ａ、２３ａ　半円弧状部
　２２ｂ、２３ｂ　櫛歯部
　３６、３７　スルーホール
　３８　袋孔
　３９、３９０、３９１　外部端子ピン
　４０　セラミック誘電体膜
　４１　抵抗発熱体
　４１０　ニッケル層
　１０１　ウエハプローバ用チャックトップ