(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）１分子中に２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂、
（Ｂ）硬化剤、
（Ｃ）無機充填剤、及び、
（Ｄ）ビス（２，４−ペンタンジオナト）パラジウム（ＩＩ）、酢酸パラジウム（ＩＩ）、ビスステアリン酸パラジウム（ＩＩ）及びジ−ｔ−ブトキシパラジウム（ＩＩ）からなる群から選択される１種又は２種以上のＰｄ（ＩＩ）化合物と（Ｅ）下記式（１）
【化１】
0006459828.tif 000006
（式（１）中、Ｒ1及びＲ2は炭素数１〜３のアルキル基を表し、Ｒ3は水素原子、−Ｃ2Ｈ4ＮＨ2又はフェニル基を表す。ｌ及びｍは０〜３の整数であり、かつｌ＋ｍ＝３である。ｎは１〜３の整数である。）
で表されるシランカップリング剤との反応生成物
を含む半導体封止用樹脂組成物。
【請求項２】
ビス（２，４−ペンタンジオナト）パラジウム（ＩＩ）、酢酸パラジウム（ＩＩ）、ビスステアリン酸パラジウム（ＩＩ）及びジ−ｔ−ブトキシパラジウム（ＩＩ）からなる群から選択される１種又は２種以上の（Ｄ）Ｐｄ（ＩＩ）化合物と（Ｅ）式（１）で表されるシランカップリング剤との反応生成物で表面が被覆された（Ｃ）無機充填剤を含む請求項１に記載の半導体封止用樹脂組成物。
【請求項３】
組成物中のＰｄの含有量が２００〜４，０００ｐｐｍである請求項１又は２に記載の半導体封止用樹脂組成物。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体封止用樹脂組成物で封止された半導体装置。
【請求項５】
半導体装置の表面がプラズマ処理又は研削加工された請求項４に記載の半導体装置。
【請求項６】
還元剤で処理され、半導体装置の表面にＰｄ（０）が析出した請求項５に記載の半導体装置。
【請求項７】
（Ｄ）ビス（２，４−ペンタンジオナト）パラジウム（ＩＩ）、酢酸パラジウム（ＩＩ）、ビスステアリン酸パラジウム（ＩＩ）及びジ−ｔ−ブトキシパラジウム（ＩＩ）からなる群から選択される１種又は２種以上のＰｄ（ＩＩ）化合物と（Ｅ）式（１）で表されるシランカップリング剤とを混合し、反応させる工程を有することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体封止用樹脂組成物の製造方法。
【請求項８】
（Ｄ）ビス（２，４−ペンタンジオナト）パラジウム（ＩＩ）、酢酸パラジウム（ＩＩ）、ビスステアリン酸パラジウム（ＩＩ）及びジ−ｔ−ブトキシパラジウム（ＩＩ）からなる群から選択される１種又は２種以上のＰｄ（ＩＩ）化合物と（Ｅ）式（１）で表されるシランカップリング剤とを混合し、反応させ、得られた反応生成物で（Ｃ）無機充填剤を被覆する工程を有することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体封止用樹脂組成物の製造方法。
【請求項９】
請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体封止用樹脂組成物で封止された半導体装置を、エッチング、還元及び無電解メッキ処理することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体封止用樹脂組成物、及びそれを用いて半導体を封止してなる半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年スマートフォンやタブレットなど携帯通信端末の普及が目覚ましい。これらの通信端末では通信速度の高速化とともに、使用電波の高周波化も進められている。そのため、無線回路が外部電子機器や通信デバイス内のデジタル回路から発生するノイズの影響を防いだり、人体が電磁波の影響を抑えるために電磁波（ＥＭＩ）シールドと呼ばれる金属板、金属メッシュなどで周囲からの電磁波の影響を遮断したりする対策が必要となっている。しかし、電磁波（ＥＭＩ）シールドは大きさ、重量ともに通信デバイスのかなりの部分を占めるため、電磁波（ＥＭＩ）シールドの薄型化及び軽量化が課題となっている。
【０００３】
この課題を解決するために、樹脂タイプのシールド材を使用する方法（特許文献１）、フィルムタイプのシールド材を回路全体に貼り付ける方法（特許文献２及び３）などのシールド材を薄型化及び軽量化する方法が提案されている。
【０００４】
また、個々の半導体装置自身に電磁波シールドを施す方法も提案されている（特許文献４及び５）。これらの方法は半導体封止用樹脂組成物中に、フェライト粒子、金属粒子などを添加するものである。しかし、これらの方法では、流動性の低下、電気的絶縁性の低下、ショートサーキットの発生などの問題が発生する場合がある。これらの問題の解決のために、電気絶縁層の上に電磁波材料層を被覆するなどすると、通常の２倍の工数がかかることになり、工業的に有利ではない。
【０００５】
さらに、半導体装置を無電解メッキすることで電磁波シールドを施す方法も提案されている（特許文献６）。この方法によれば、半導体装置の外周部に均一な金属シールド層を形成することができ、必要最小限の金属材料によって、所望のシールド効果を得ることができるので、製品の低コスト化に繋がる利点がある。しかし、無電解メッキを実施するためには、プリエッチングプロセス、過マンガン酸塩エッチングプロセス、中和プロセス、コンディショニングプロセス、ソフトエッチングプロセス、予備浸漬プロセス、触媒化プロセス、無電解メッキプロセスなど長い工程が必要である。また、無電解メッキを実施するためには、半導体装置の表面に触媒であるパラジウムを固定化させる必要があるが、パラジウムが表面に強固に担持されないと、メッキが半導体装置から剥離するという問題が発生する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平１１−２８４３８６号公報
【特許文献２】特開２００３−２９８２８５号公報
【特許文献３】特開２００７−３２４３１７号公報
【特許文献４】特開２００３−１２８８８０号公報
【特許文献５】特開２００４−３２７５５７号公報
【特許文献６】特開２０１１−１２４３６６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
従って、本発明は、簡便な工程で無電解メッキを施すことができるエポキシ樹脂組成物を提供することを目的とする。また、本発明の組成物を用いて無電解メッキして形成された電磁波シールド層を有する、薄型で軽量の半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者らは、上記課題を解決するため鋭意研究を重ねた結果、下記の、非導電化合物である２価のＰｄを含む化合物が添加された半導体封止用樹脂組成物を用いて封止された半導体装置が、エッチングプロセス、還元プロセス及び無電解メッキプロセスのみで半導体装置の外周部に均一な金属シールド層を形成できることを見出し、本発明を完成した。
【０００９】
即ち、本発明は、下記の半導体封止用樹脂組成物、及びそれを用いて半導体を封止してなる半導体装置を提供するものである。
【００１０】
＜１＞
（Ａ）１分子中に２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂、
（Ｂ）硬化剤、
（Ｃ）無機充填剤、
（Ｄ）Ｐｄ（ＩＩ）化合物、及び、
（Ｅ）下記式（１）
【００１１】
【化１】
0006459828.tif 000002
【００１２】
（式（１）中、Ｒ１及びＲ２は炭素数１〜３のアルキル基を表し、Ｒ３は水素原子、−Ｃ２Ｈ４ＮＨ２又はフェニル基を表す。ｌ及びｍは０〜３の整数であり、かつｌ＋ｍ＝３である。ｎは１〜３の整数である。）で表されるシランカップリング剤
を含む半導体封止用樹脂組成物。
【００１３】
＜２＞
（Ｄ）Ｐｄ（ＩＩ）化合物と（Ｅ）式（１）で表されるシランカップリング剤とを混合し、反応させた化合物を含む＜１＞に記載の半導体封止用樹脂組成物。
＜３＞
（Ｄ）Ｐｄ（ＩＩ）化合物と（Ｅ）式（１）で表されるシランカップリング剤とを混合し、反応させた化合物で表面が被覆された（Ｃ）無機充填剤を含む＜１＞又は＜２＞に記載の半導体封止用樹脂組成物。
＜４＞
組成物中のＰｄの含有量が２００〜４，０００ｐｐｍである＜１＞〜＜３＞のいずれか１項に記載の半導体封止用樹脂組成物。
【００１４】
＜５＞
＜１＞〜＜４＞のいずれか１項に記載の半導体封止用樹脂組成物で封止された半導体装置。
＜６＞
半導体装置の表面がプラズマ処理又は研削加工された＜５＞に記載の半導体装置。
＜７＞
還元剤で処理され、半導体装置の表面にＰｄ（０）が析出した＜６＞に記載の半導体装置。
【００１５】
＜８＞
（Ｄ）Ｐｄ（ＩＩ）化合物と（Ｅ）式（１）で表されるシランカップリング剤とを混合し、反応させる工程を有することを特徴とする＜１＞〜＜４＞のいずれか１項に記載の半導体封止用樹脂組成物の製造方法。
＜９＞
（Ｄ）Ｐｄ（ＩＩ）化合物と（Ｅ）式（１）で表されるシランカップリング剤とを混合し、反応させ、得られた化合物で（Ｃ）無機充填剤を被覆する工程を有することを特徴とする＜１＞〜＜４＞のいずれか１項に記載の半導体封止用樹脂組成物の製造方法。
＜１０＞
＜１＞〜＜４＞のいずれか１項に記載の半導体封止用樹脂組成物で封止された半導体装置を、エッチング、還元及び無電解メッキ処理することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の効果】
【００１６】
本発明の組成物は、エッチングプロセス、還元プロセス及び無電解メッキプロセスのみで半導体装置の外周部に金属シールド層（電磁波シールド層）を形成できる。したがって、電磁波シールドを有する軽量、小型及び薄型の半導体装置を安価に提供できる。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明について更に詳しく説明する。
【００１８】
（Ａ）エポキシ樹脂
本発明に用いられる（Ａ）成分のエポキシ樹脂は、１分子中に２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂であれば特に限定されない。（Ａ）成分のエポキシ樹脂としては、例えば、フェノールアラルキル型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、トリフェノールアルカン型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、フェノールアラルキル型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、フルオレン骨格含有エポキシ樹脂、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂、ナフタレン型アラルキルエポキシ樹脂、シリコーン変性エポキシ樹脂組成物、ブタジエン変性エポキシ樹脂などが挙げられるが、例示したエポキシ樹脂以外のエポキシ樹脂を使用しても特に差支えない。
【００１９】
本発明の組成物は、該組成物中に（Ａ）成分を、３〜３０質量％含有することが好ましく、４〜１７質量％含有することがより好ましく、４〜１４質量％含有することがさらに好ましい。
【００２０】
（Ｂ）硬化剤
本発明に用いられる（Ｂ）成分の硬化剤は、エポキシ基と反応し、化学結合を形成する化合物であれば特に限定されず、エポキシ樹脂の硬化剤として公知の化合物を用いることができる。（Ｂ）成分の硬化剤としては、例えば、酸無水物系硬化剤、フェノール樹脂系硬化剤、アミン系硬化剤、ジシアンジアミド系硬化剤、イミダゾール系硬化剤などが挙げられる。なかでも、フェノール樹脂系硬化剤が半導体装置の信頼性の観点から好適である。フェノール樹脂系硬化剤としては、１分子中に２個以上のフェノール性水酸基を有する化合物、例えばフェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、フェノールアラルキル型樹脂、ビフェニルアラルキル型樹脂、ビスＡ型フェノール樹脂、ビスＦ型フェノール樹脂、ジシクロペンタジエン型フェノール樹脂、シリコーン変性型フェノール樹脂、トリフェノールアルカン型樹脂などが挙げられる。
エポキシ樹脂とフェノール樹脂系硬化剤の配合比率としては、エポキシ基／フェノール性水酸基の比率が０．６〜１．６の範囲であることが好ましく、０．８〜１．３の範囲であることがより好ましい。
【００２１】
（Ｃ）無機充填剤
本発明に用いられる（Ｃ）成分の無機充填剤は半導体封止用組成物に一般的に添加される公知の無機充填剤を用いることができる。（Ｃ）成分の無機充填剤としては、例えば、結晶シリカ、溶融破砕形状シリカ、溶融球状シリカ、クリストバライト、ガラス繊維、アルミナ、酸化亜鉛、酸化マグネシウム、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、タルクなどが挙げられる。これらの無機充填剤の平均粒径及び形状は特に制限されず、用途に応じて選択される。通常、平均粒径は、１〜５０μｍが好ましく、４〜２０μｍが特に好ましい。平均粒径はシーラスレーザー等のレーザー回折粒度分布測定で求められる。無機充填剤は事前にシランカップリング剤や有機化合物などで表面処理してから使用してもよい。
（Ｃ）成分の無機充填剤の配合量は、上記の（Ａ）及び（Ｂ）成分の総量１００質量部に対して２００〜１，２００質量部であることが好ましく、４００〜１，０００質量部であることがより好ましい。
【００２２】
（Ｄ）Ｐｄ（ＩＩ）化合物
本発明に用いられる（Ｄ）成分のＰｄ（ＩＩ）化合物は、２価のパラジウムイオンを含む化合物である。該Ｐｄ（ＩＩ）化合物を含む本発明の組成物は、半導体装置の表面において、無電解メッキプロセス前の還元プロセスにおいてＰｄ（ＩＩ）からＰｄ（０）に還元される。
（Ｄ）成分のＰｄ（ＩＩ）化合物としては、例えば、ビス（２，４−ペンタンジオナト）パラジウム（ＩＩ）、酢酸パラジウム（ＩＩ）、ビスステアリン酸パラジウム（ＩＩ）、ジ−ｔ−ブトキシパラジウム（ＩＩ）などが挙げられる。これらの化合物は１種類を単独で使用してもよいし、複数種類を組み合わせて使用してもよい。これらのＰｄ（ＩＩ）化合物は組成物中に直接添加してもよいし、事前に他の成分と混合して使用してもよい。なお、ハロゲンを含むＰｄ（ＩＩ）化合物（例えば、塩化パラジウム、臭化パラジウム等）は環境への影響を考慮して使用しないことが好ましい。
【００２３】
本発明の組成物中のＰｄ（ＩＩ）濃度は、全組成物中あたり２００〜４，０００ｐｐｍが好ましく、５００〜３，０００ｐｐｍであることが好ましい。本発明の組成物中のＰｄ（ＩＩ）濃度が２００ｐｐｍ未満では、シールド層が無電解金属メッキによって十分に形成できない場合がある。本発明の組成物中のＰｄ（ＩＩ）濃度が４，０００ｐｐｍを超えると、組成物の硬化性、流動性及び信頼性に影響を及ぼす場合がある。
【００２４】
（Ｅ）シランカップリング剤
本発明に用いられる（Ｅ）成分のシランカップリング剤は下記式（１）で示されるものであり、Ｐｄ（ＩＩ）化合物を無機充填剤の表面に担持するために添加される。
【００２５】
【化２】
0006459828.tif 000003
【００２６】
式（１）中、Ｒ１は炭素数１〜３のアルキル基を表し、メチル基であることが好ましい。Ｒ２は炭素数１〜３のアルキル基を表し、メチル基又はエチル基であることが好ましい。Ｒ３は水素原子、−Ｃ２Ｈ４ＮＨ２又はフェニル基を表し、水素原子であることが好ましい。ｌ及びｍは０〜３の整数であり、かつｌ＋ｍ＝３である。ｍは２又は３であることが好ましい。ｎは１〜３の整数であり、１又は３であることが好ましい。
【００２７】
上記シランカップリング剤としては、以下の化合物が挙げられるが、これらに限定されない。
【００２８】
【化３】
0006459828.tif 000004
【００２９】
これらのシランカップリング剤は組成物中に直接添加してもよいが、事前に（Ｃ）成分の無機充填剤と混合し、無機充填剤の表面を処理することが好ましい。また、これらのシランカップリング剤は、事前に（Ｄ）成分のパラジウム（ＩＩ）化合物と混合し、反応させてもよい。この場合、（Ｄ）成分と（Ｅ）成分の混合比は、質量比で１：１０〜１：１，０００とすることが好ましく、１：５０〜１：２００とすることがより好ましい。また、（Ｄ）成分と（Ｅ）成分との混合物で（Ｃ）成分の無機充填剤の表面を事前に処理することもできる。
【００３０】
（Ｆ）その他の成分
本発明の樹脂組成物には、更に必要に応じて硬化促進剤、離型剤、難燃剤、イオントラップ剤、酸化防止剤、接着付与剤、顔料など各種の添加剤を配合することができる。
【００３１】
硬化促進剤は、硬化反応を促進させるものであれば特に制限されない。硬化促進剤としては、例えば、トリフェニルホスフィン、トリブチルホスフィン、トリ（ｐ−メチルフェニル）ホスフィン、トリ（ｐ−ノニルフェニル）ホスフィン、トリフェニルホスフィン・トリフェニルボラン、テトラフェニルホスフィン・テトラフェニルボレート、テトラフェニルホスフィン・テトラ（ｐ−メチルフェニル）ボレート又はトリフェニルホスフィンとｐ−ベンゾキノンの付加物等のリン系化合物；トリエチルアミン、ベンジルジメチルアミン、α−メチルベンジルジメチルアミン、１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデセン−７等の第三アミン化合物；及び２−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール等のイミダゾール化合物等が挙げられる。これらの硬化促進剤は１種単独で又は２種以上を組み合わせて使用することができる。また、これらの硬化促進剤を多孔質シリカに含浸させたり、ポリメチルメタクリレートのような熱可塑性樹脂で被覆したりして使用してもよい。なかでも、塩基性の強いイミダゾール化合物を熱可塑性樹脂で被覆したものが好ましい。
【００３２】
硬化促進剤の配合量は有効量であればよく、特に制限されないが、上記の（Ａ）及び（Ｂ）成分の総量１００質量部に対して、通常０．１〜５質量部であることが好ましく、０．５〜２質量部であることが特に好ましい。
【００３３】
離型剤は、特に制限されず公知のものを使用することができる。離型剤としては、例えば、カルナバワックス、ライスワックス、キャンデリラワックスなどの天然ワックス系離型剤、ポリエチレン、酸化ポリエチレン、ポリプロピレンなどの合成高分子系離型剤、ラウリン酸、ステアリン酸、パルミチン酸、ベヘン酸、セロチン酸、モンタン酸、ステアリン酸エステル、ステアリン酸アミド、エチレンビスステアリン酸アミドなどの脂肪酸誘導体系離型剤、エチレンと酢酸ビニルとの共重合体等が挙げられる。これらの離型剤は１種単独で又は２種以上を組み合わせて使用することができる。
【００３４】
これらの離型剤は（Ｄ）成分のＰｄ（ＩＩ）化合物と事前に溶融混合して使用することもできる。離型剤の配合量は上記の（Ａ）及び（Ｂ）成分の総量１００質量部に対して０．５〜５質量部であることが好ましく、１〜３質量部であることがより好ましい。
【００３５】
難燃剤は、特に制限されず公知のものを使用することができる。難燃剤としては、例えば、ホスファゼン化合物、シリコーン化合物、モリブデン酸亜鉛担持タルク、モリブデン酸亜鉛担持酸化亜鉛、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、酸化モリブデン及び三酸化アンチモン等が挙げられる。難燃剤の配合量は上記の（Ａ）及び（Ｂ）成分の総量１００質量部に対して２〜２０質量部であることが好ましく、３〜１０質量部であることがより好ましい。
【００３６】
イオントラップ剤は、特に制限されず公知のものを使用することができる。イオントラップ剤としては、例えば、ハイドロタルサイト類、水酸化ビスマス化合物、希土類酸化物等が挙げられる。イオントラップ剤の配合量は上記の（Ａ）及び（Ｂ）成分の総量１００質量部に対して１〜１０質量部であることが好ましく、１．５〜５質量部であることがより好ましい。
【００３７】
接着性付与剤は、特に制限されず公知のものを使用することができる。接着性付与剤としては、例えば上記のカップリング剤が挙げられる。これらの接着性付与剤は１種単独で又は２種以上を組み合わせて使用することができる。接着性付与剤の配合量は上記の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）成分の総量１００質量部に対して０．２〜５質量部であることが好ましく、０．５〜３質量部であることがより好ましい。
【００３８】
本発明の組成物の製造方法は特に制限されるものでない。例えば、上記の（Ａ）〜（Ｅ）成分を同時に又は別々に、必要により加熱処理を加えながら、撹拌、溶解、混合、分散し、場合によってはこれらの混合物にその他の成分を加えて混合、撹拌、分散させることにより得ることができる。混合等に使用する装置は特に限定されないが、撹拌、加熱装置を備えたライカイ機、２本ロール、３本ロール、ボールミル、連続押し出し機、プラネタリーミキサー、マスコロイダー等を用いることができる。これらの装置を適宜組み合わせて使用してもよい。
【００３９】
本発明の組成物は、ＱＦＮ型等の半導体パッケージに有用である。本発明の組成物は、従来採用されている成形法によって成形することができる。成形法としては、例えば、トランスファー成形、コンプレッション成形、インジェクション成形、注型法等を挙げられる。なかでも、トランスファー成形が特に好ましい。本発明の組成物の成形は、１６０〜１９０℃で４５〜３００秒間、ポストキュアは１７０〜２５０℃で２〜１６時間行うことが好ましい。
【００４０】
本発明の組成物は、非導電化合物のＰｄ（ＩＩ）化合物を含む組成物であり、半導体装置を封止した後にエッチングプロセス、還元プロセス及び無電解メッキプロセスのみで半導体装置の外周部に均一な金属シールド層（電磁波シールド層）を形成できる。したがって、本発明の組成物を用いることによって、電磁波シールドを有する軽量、小型及び薄型の半導体装置を作製することができる。
【００４１】
エッチングプロセスでは、半導体装置表面の離型剤等の親油性成分が除去され、次工程の還元プロセスで還元剤が作用しやすくする。エッチングプロセスとしては、例えば、Ａｒ、酸素プラズマによるクリーニング、研磨などが挙げられる。なかでも、Ａｒプラズマによるエッチングプロセスが最も好ましい。
【００４２】
還元プロセスでは半導体装置表面のＰｄ（ＩＩ）がＰｄ（０）に還元される。還元プロセスでは還元剤に室温で３〜１０分間浸漬させることが一般的である。還元剤は市販のものを使用することができる。なかでも、ジメチルアミノボランを含む還元剤が一般的である。半導体装置表面の還元されたパラジウム（Ｐｄ（０））は、無電解メッキプロセスにおいて触媒として機能する。
【００４３】
無電解メッキプロセスでは、還元されたＰｄの半導体装置表面にて、金属イオンが還元析出される。無電解メッキプロセスで用いられる溶液は、金属イオン及び還元剤を含む溶液であれば特に限定されない。金属イオンとしては、ニッケル、錫、銅、銀、金などが挙げられるが、これらに限定されない。還元剤としては、ジメチルジボラン、ホルムアルデヒド、ホスフィン酸塩、テトラヒドロホウ酸塩、ヒドラジン、チオ尿素などが挙げられるが、これらに限定されない。無電解メッキプロセスでは、金属イオン及び還元剤を含む溶液に６０〜９０℃、５〜３０分間浸漬することが一般的である。
【実施例】
【００４４】
以下、実施例及び比較例を示し、本発明を具体的に説明するが、本発明は下記の実施例に制限されるものではない。
【００４５】
実施例及び比較例で使用した樹脂組成物の原料を以下に示す。
【００４６】
（Ａ）エポキシ樹脂
（Ａ−１）ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂（ＮＣ−３０００（日本化薬製））
（Ｂ）硬化剤
（Ｂ−１）ビフェニルアラルキル型フェノール樹脂（ＭＥＨ−７８５１ＳＳ（明和化成製））
（Ｃ）無機充填剤
（Ｃ−１）溶融球状シリカ（平均粒径１５μｍ、最大粒径５３μｍ（龍森製））
（Ｄ）Ｐｄ（ＩＩ）化合物
（Ｄ−１）酢酸パラジウム（ＩＩ）（東京化成製）
（Ｄ−２）ビス（２，４−ペンタンジオナト）パラジウム（ＩＩ）（東京化成製）
（Ｅ）シランカップリング剤
（Ｅ−１）３−アミノプロピルトリエトキシシラン（信越化学製）
（Ｆ）その他の成分
（Ｆ−１）離型剤：ステアリン酸（東京化成製）
（Ｆ−２）硬化促進剤：ＸＢ−５７３０（ハンツマン製、２−エチル−４−メチル−イミダゾールをポリメチルメタクリレートで潜在化したもの）
【００４７】
実施例１
（Ｄ−１）成分１ｇ及び（Ｅ−１）成分９９ｇをガラス容器中に加えて室温で３０分間振盪し、均一に混合した。（Ｄ−１）及び（Ｅ−１）成分の混合物１８ｇを、（Ｃ−１）成分３，０００ｇに加え、ヘンシェルミキサーを用いて、１，０００ｒｐｍで５分間撹拌し、処理シリカを調製した。
前記処理シリカ７５０ｇ、（Ａ−１）成分５５ｇ、（Ｂ−１）成分４５ｇ、（Ｄ−２）成分３．７ｇ、（Ｆ−１）成分３．７ｇ及び（Ｆ−２）成分５．０ｇを配合し、熱２本ロールにて均一に溶融混合、冷却、粉砕して樹脂組成物を得た。
得られた樹脂組成物を１７５℃×３００秒間、成形圧６．９ＭＰａの条件でトランスファー成形した後、１８０℃、４時間ポストキュアすることにより、大きさ５１×５１ｍｍ、厚み０．５ｍｍのＭＡＰ型ＱＦＮパッケージを得た。その後、このＭＡＰ型ＱＦＮパッケージから得られた試験片を、エッチングプロセス、還元プロセス及び無電解メッキプロセスで加工した。
【００４８】
エッチングプロセス
ＱＦＮパッケージから得られた試験片をプラズマクリーナー（ＰＣ−１１００、サムコ製）を用いてＡｒプラズマ処理をした（処理条件：Ａｒガス８６ｓｃｃｍ、６００Ｗ、３分間）。
【００４９】
還元プロセス
イオン交換水４８７ｍＬ及び還元剤ジメチルアミンボラン１１％含有水溶液３ｍＬ（リデューサーネオガント  ＭＶ、アトテック製）を混合した溶液中に、Ａｒプラズマ処理した試験片を室温で５分間浸漬した。浸漬した試験片を水洗し、乾燥して、還元処理した試験片を得た。
【００５０】
無電解メッキプロセス
イオン交換水３９５ｍＬに、次亜塩素酸ナトリウム水溶液７５ｍＬ（メイキャップＣＮＮ−ｍｏｄ、アトテック製）及び硫酸ニッケル六水和物水溶液３０ｍＬ（補給剤：オーロテックＣＮＮ−パートＡ、アトテック製）を加えた混合溶液を８５〜８８℃に加温した。その後、混合溶液に、還元処理した試験片を２０分間浸漬した。
【００５１】
実施例２
（Ｄ−２）成分５．０ｇ及び（Ｆ−１）成分５．０ｇをホットプレート上で１２０℃×３分間溶融混合し、溶融混合物を調製した。
前記溶融混合物７．４ｇ、実施例１で調製した処理シリカ７５０ｇ、（Ａ−１）成分５５ｇ、（Ｂ−１）成分４５ｇ及び（Ｆ−２）成分５．０ｇを配合し、熱２本ロールにて均一に溶融混合、冷却、粉砕して樹脂組成物を得た。その後、試験片の作製、エッチングプロセス、還元プロセス及び無電解メッキプロセスを実施例１に従って実施した。
【００５２】
比較例１
（Ａ−１）成分５５ｇ、（Ｂ−１）成分４５ｇ、（Ｃ−１）成分７５０ｇ、（Ｆ−１）成分３．７ｇ及び（Ｆ−２）成分５．０ｇを配合し、熱２本ロールにて均一に溶融混合、冷却、粉砕して樹脂組成物を得た。その後、試験片の作製、エッチングプロセス、還元プロセス及び無電解メッキプロセスを実施例１に従って実施した。
【００５３】
比較例２
（Ａ−１）成分５５ｇ、（Ｂ−１）成分４５ｇ、（Ｃ−１）成分７５０ｇ、（Ｄ−２）成分３．７ｇ、（Ｆ−１）成分３．７ｇ及び（Ｆ−２）成分５．０ｇを配合し、熱２本ロールにて均一に溶融混合、冷却、粉砕して樹脂組成物を得た。その後、試験片の作製、エッチングプロセス、還元プロセス及び無電解メッキプロセスを実施例１に従って実施した。
【００５４】
無電解メッキプロセス後、実施例及び比較例それぞれの試験片の表面のメッキ状態を観察した。その結果を表１に示す。
【００５５】
【表１】
0006459828.tif 000005
【００５６】
実施例１及び２の樹脂組成物は無電解メッキプロセスでメッキすることができたが、比較例１及び２の樹脂組成物は無電解メッキプロセスでメッキすることができなかった。
【産業上の利用可能性】
【００５７】
本発明の樹脂組成物は、Ａｒプラズマによる表面エッチング及び還元剤での還元処理のみで無電解メッキすることができるため、通常よりも簡便に軽量で小型な電磁波シールド層を形成できる。したがって、本発明の組成物は、電磁波シールドを有する軽量、小型及び薄型の半導体装置を作製できるため、本発明の組成物で封止された半導体装置は通信機器用デバイス等に適している。