【事件の表示】
　特許第３３３９１９０号「液晶表示装置」の請求項１に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３３３９１９０号の請求項１に係る特許を取り消す。
【理　由】
１．手続の経緯
　特許第３３３９１９０号の請求項１に係る発明についての出願は、平成６年７月２７日に出願されたものであって、平成１４年８月１６日にその特許権の設定の登録がなされ、その後、中川徹により特許異議の申立てがなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内の平成１５年９月１６日付けで訂正請求がなされたものである。
　
２．訂正の適否について
２−１．訂正の内容
（１）訂正事項ａ
　特許明細書の特許請求の範囲の請求項１を次のとおり訂正する。
「【請求項１】
　情報に応じた駆動電圧が各画素に対応した液晶セルに接続する画素電極を介して印加され、この複数の液晶セルを用いてデータを表示する液晶表示装置において、
　上記液晶セル領域内の透明基板上に、上記液晶セル領域内の絶縁膜を透明導電膜で挟みこむことにより画素領域全体で補助容量を形成し、該補助容量を構成する該透明導電膜を縦方向あるいは横方向のいずれかの複数画素分をまとめて形成して該透明導電膜の下層に位置する補助容量のラインに接続することを特徴とする液晶表示装置。」
（２）訂正事項ｂ
　同段落番号「００１１」（同特許公報、４欄１２行〜２１行）の記載を次のとおり訂正する。
「【００１１】
【課題を解決するための手段】
　本発明に係る液晶表示装置は、上述した課題を解決するために、情報に応じた駆動電圧が各画素に対応した液晶セルに接続する画素電極を介して印加され、この複数の液晶セルを用いてデータを表示する液晶表示装置において、上記液晶セル領域内の透明基板上に、上記液晶セル領域内の絶縁膜を透明導電膜で挟みこむことにより画素領域全体で補助容量を形成し、該補助容量を構成する該透明導電膜を縦方向あるいは横方向のいずれかの複数画素分をまとめて形成して該透明導電膜の下層に位置する補助容量のラインに接続することを特徴とする。」
（３）訂正事項ｃ
　同段落番号「００３６」（同特許公報、７欄１２行〜２５行）の記載を次のとおり訂正する。
「【００３６】
　また、前述した実施例として、各画素毎のゲートラインあるいは補助容量のラインに接続された透明導電膜を縦方向あるいは横方向のいずれかの複数画素分をまとめて形成するようにしてもよい。すなわち、Ｃｓ透明導電膜５を全画素あるいは数画素ずつの複数の画素にわたってひとまとめに形成して補助容量Ｃｓの代替に用いる。実際に図４に示す透明導電膜４は、液晶セル、すなわち画素領域に対応する範囲だけを覆うように形成する。この際、一点鎖線Ｂ−Ｂ’の被断線で切った断面は、図４に示すように層間膜６ｂをＣｓ透明導電膜５、透明導電膜４で挟むような構造になっている。なお、図４のＣｓ透明導電膜５は、全画素あるいは数画素ずつ縦方向に形成したものである。」
（４）訂正事項ｄ
　同段落番号「００４５」（同特許公報、８欄３８行〜４３行）の記載を削除する。
　
２−２．訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
（１）訂正事項ａについて
　訂正事項ａは、本件特許明細書の特許請求の範囲の請求項１に係る発明を構成する透明導電膜が「縦方向あるいは横方向のいずれかの複数画素分をまとめて形成」されて透明導電膜の下層に位置する補助容量のラインに接続される点を特定するものである。
　請求項１に係る発明を構成する「透明導電膜」を「縦方向あるいは横方向のいずれかの複数画素分をまとめて形成」されると訂正する点は、本件特許明細書の段落番号「００３６」（同特許公報、７欄１２行〜１５行）の記載に基づくものである。
　この請求項１の訂正は、本件特許発明を構成する「透明導電膜」の構成を具体的に特定するものであり、「特許請求の範囲の減縮」を目的とするものである。
　また、上記訂正事項ａは、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
（２）訂正事項ｂについて
　訂正事項ｂは、請求項１の訂正に伴い、それとの整合を取るために、課題を解決するための手段の記載を訂正するものであって、「明りようでない記載の釈明」に該当するものであり、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
（３）訂正事項ｃについて
　訂正事項ｃは、訂正後の請求項１に係る発明と発明の詳細な説明の実施例の記載の整合を図ることを目的とする訂正であって、発明の詳細な説明が不明りようとなることを解消するものであり、「明りようでない記載の釈明」に該当するものであ、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
（４）訂正事項ｄについて
　訂正事項ｄは、段落番号「００４４」の記載との重複を解消することを目的とする訂正であり、「明りようでない記載の釈明」に該当するものであり、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
　
２−３．訂正の適否に対するむすび
　以上のとおり、本件訂正は、特許法第１２０条の４第２項及び第３項において準用する平成６年法律第１１６号による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書きないし第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
３．取消理由の概要
　取消理由は、特許異議申立人中川徹の特許異議申立書の記載を引用し、本件の請求項１に係る発明は、本件出願前公知の刊行物１（特開平４−３２６３２９号公報）及び刊行物２（特開平６−１４８６８４号公報）にそれぞれ記載された発明であり、また本件の請求項１に係る発明は、刊行物１、２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第１項第３号又は同法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない、というものである。
　
４．当審の判断
（ア）本件発明
　本件発明は、訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される次のとおりのものである。
「【請求項１】　情報に応じた駆動電圧が各画素に対応した液晶セルに接続する画素電極を介して印加され、この複数の液晶セルを用いてデータを表示する液晶表示装置において、
　上記液晶セル領域内の透明基板上に、上記液晶セル領域内の絶縁膜を透明導電膜で挟みこむことにより画素領域全体で補助容量を形成し、該補助容量を構成する該透明導電膜を縦方向あるいは横方向のいずれかの複数画素分をまとめて形成して該透明導電膜の下層に位置する補助容量のラインに接続することを特徴とする液晶表示装置。」
　　
（イ）刊行物記載の発明
　刊行物１（特開平４−３２６３２９号公報）には、図１，図２と共に次の記載が認められる。
「【請求項１】対向基板に対して間に液晶層を介装して対向配設したアクティブマトリクス基板が、外側から内側へ向けて順に形成された絶縁性基板、第１絶縁膜及び第２絶縁膜を有し、該第２絶縁膜の内面側に表示を実行する絵素電極がマトリクス状に形成された液晶表示装置において、
　該第１絶縁膜と第２絶縁膜との間に付加容量電極が形成され、該付加容量電極と該第１絶縁膜に設けたコンタクトホールを介して電気的に接続して、第１絶縁膜と絶縁性基板との間に付加容量電極接続用の補助配線が設けられた液晶表示装置。」（特許請求の範囲）
「【０００１】
　表示用絵素電極にスイッチング素子を介して駆動用信号を印加することにより表示を実行する液晶表示装置及びその液晶表示装置の製造方法に関するものである。
・・・
【００１８】
　・・・また、付加容量電極１０は、図２に示すように縦方向に接続片１０ａを介して連結して形成しているが、上記補助配線１３による接続にて横方向においても連結される。
・・・
【００２３】
　まず、ガラス又は石英等からなる絶縁性基板１上に・・・ゲート電極２を形成する。
・・・
【００２７】
　次に、ａ−Ｓｉ形ＴＦＴ１１の形成されたゲート絶縁膜３上に、付加容量電極１０となる透明導電膜のＩＴＯを例えばスパッタリング法を用いて１０００オングストローム積層させ、所定の形状にパターニングする。このとき、前記補助配線１３には前記コンタクトホール１４を介して付加容量電極１０が接続される。・・・
【００２８】
　次に、ａ−Ｓｉ形ＴＦＴ１１、付加容量電極１０が形成された絶縁性基板１の表面上に、保護絶縁膜８となるＳｉＮｘをプラズマＣＶＤ法を用いて５０００オングストローム成膜する。形成された保護絶縁膜８のドレイン電極７の上部分に、ドレイン電極７と絵素電極９とを接続するためのコンタクトホール１２を所定の形状にパターニングする。
【００２９】
　そして、保護絶縁膜８上にＩＴＯからなる絵素電極９を、スパッタリング法を用いて１０００オングストローム形成し、所定の形状にパターンニングする。このとき前記絵素電極９とドレイン電極７とをコンタクトホール１２を介して接続させる。・・・
【００３３】
【発明の効果】
　以上説明したように本発明においては、保護絶縁膜上に絵素電極が存在し、付加容量電極と絵素電極間には保護絶縁膜のみが介在するので、容量を十分に確保することができ、付加容量電極を設けた効果を十分に得ることが可能となる。また、付加容量電極を補助配線を介して接続することができるので、電圧信号の蓄積を十分に得ることができ、これにより画像品位の向上および高精細化を図ることができる。」
　
　また、図１及び図２の記載から、画素毎に下層に位置する補助配線１３とコンタクトホール１４を介して接続される付加容量電極１０は、絵素電極９と重なるように、複数絵素分縦方向に接続片１０ａを介して一体的に形成され、前記付加容量電極１０と前記絵素電極９で第２絶縁膜８を挟み込むことにより、絵素領域で付加容量を形成していることが見て取れる。
　
　上記によれば、刊行物１には、
「対向基板に対して間に液晶層を介装して対向配設したアクティブマトリクス基板が、外側から内側へ向けて順に形成されたガラス等からなる絶縁性基板、第１絶縁膜及び第２絶縁膜を有し、前記第２絶縁膜の内面側に表示を実行するＩＴＯからなる絵素電極がマトリクス状に形成され、表示用絵素電極にスイッチング素子を介して駆動用信号を印加することにより表示を実行する液晶表示装置において、
　前記第１絶縁膜と第２絶縁膜との間に透明導電膜からなる付加容量電極が形成され、前記付加容量電極は、前記絵素電極と重なるように、複数絵素分縦方向に接続片を介して一体的に形成され、前記付加容量電極と前記絵素電極で第２絶縁膜を挟み込むことにより、絵素領域で付加容量を構成し、前記付加容量電極と下層に位置する補助配線とを該第１絶縁膜に設けたコンタクトホールを介して電気的に接続した液晶表示装置。」との発明が記載されている。
　
（ウ）対比・判断
　　そこで、本件請求項１に係る発明（以下、「本件発明」という。）と上記刊行物１記載の発明とを対比する。
（１）刊行物１記載の発明の「表示用絵素電極にスイッチング素子を介して駆動用信号を印加することにより表示を実行する液晶表示装置」は、本件発明の「情報に応じた駆動電圧が各画素に対応した液晶セルに接続する画素電極を介して印加され、この複数の液晶セルを用いてデータを表示する液晶表示装置」に相当することは当業者に明らかである。
（２）刊行物１記載の発明の「ガラス等からなる絶縁性基板」、「第２絶縁膜」、「絵素」、「付加容量」及び「補助配線」は、本件発明の「透明基板」、「絶縁膜」、「画素」、「補助容量」及び「補助容量のライン」にそれぞれ相当する。
（３）刊行物１記載の発明の付加容量電極は、複数絵素分、縦方向に接続片を介して一体的に形成されているのであるから、本件発明の「補助容量を構成する該透明導電膜を縦方向あるいは横方向のいずれかの複数画素分をまとめて形成し」たものと、実質的に異ならない。
（４）刊行物１記載の発明の「ＩＴＯからなる絵素電極」及び「透明導電膜からなる付加容量電極」は、その間に第２絶縁膜を挟み込むことにより付加容量を形成するものであるから、本件発明の「液晶セル領域内の絶縁膜を透明導電膜で挟みこむことにより画素領域で補助容量を形成」するところの「透明導電膜」に相当する。
　よって、両者は、
「情報に応じた駆動電圧が各画素に対応した液晶セルに接続する画素電極を介して印加され、この複数の液晶セルを用いてデータを表示する液晶表示装置において、上記液晶セル領域内の透明基板上に、上記液晶セル領域内の絶縁膜を透明導電膜で挟みこむことにより画素領域で補助容量を形成し、該補助容量を構成する該透明導電膜を縦方向あるいは横方向のいずれかの複数画素分をまとめて形成して該透明導電膜の下層に位置する補助容量のラインに接続する液晶表示装置」の点で一致し、下記の点で相違する。
　
相違点：
　本件発明は、画素領域「全体」で補助容量を形成しているのに対して、刊行物１に記載の付加容量電極は、絵素電極と重なるように形成されているものの、絵素領域のほぼ全域で補助容量を構成しているとは言えない点。
　
　上記相違点につき検討する。
　刊行物１に従来例として示された図３には、幅を変化させた付加容量電極３０を絵素電極２９と完全に重なるように形成し、画素領域全体で補助容量を形成したものが記載されている。したがって、本件発明は、刊行物１に記載された発明における付加容量電極として、刊行物１の従来例に示された事項を採用することにより当業者が容易に想到し得たものである。
　また、本件発明によってもたらされる効果も刊行物１記載のものから予測し得る程度のものであり、格別のものではない。
　
５．むすび
　以上のとおり、本件発明は、刊行物１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。　
　したがって、本件発明についての特許は拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものと認める。
　よって、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第１４条の規定に基づく、特許法の一部を改正する法律の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第２項の規定により、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１５年１０月３０日（２００３．１０．３０）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
液晶表示装置
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　情報に応じた駆動電圧が各画素に対応した液晶セルに接続する画素電極を介して印加され、この複数の液晶セルを用いてデータを表示する液晶表示装置において、
　上記液晶セル領域内の透明基板上に、上記液晶セル領域内の絶縁膜を透明導電膜で挟みこむことにより画素領域全体で補助容量を形成し、該補助容量を構成する該透明導電膜を
縦方向あるいは横方向のいずれかの複数画素分をまとめて形成して
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】
　本発明は、情報に応じた駆動電圧が各画素に対応した液晶セルに接続する画素電極を介して印加され、この複数の液晶セルを用いてデータを表示する液晶表示装置に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　現在、ＯＡ用として薄膜トランジスタ−液晶表示装置（Ｔｈｉｎ　Ｆｉｌｍ　Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ−Ｌｉｑｕｉｄ　Ｃｒｙｓｔａｌ　Ｄｉｓｐｌｙ：以下、ＴＦＴ−ＬＣＤという）は、例えば６４０×４８０画素のビデオグラフィックスアレイ（Ｖｉｄｅｏ　Ｇｒａｐｈｉｃｓ　Ａｒｒａｙ：以下、ＶＧＡという）対応のものが市場に登場している。今後、ＶＧＡとの上位互換性を有するＸＧＡ（ｅＸｔｅｎｄｅｄ　Ｇｒａｐｈｉｃｓ　Ａｒｒａｙ）仕様やエンジニアワークステーション（ＥＷＳ）仕様に対応した大画面、高精細化への流れに沿って各社でＴＦＴ−ＬＣＤの開発が行われている。
　【０００３】
　また、映像用としても直視型、プロジェクションと共に解像度を重要視した高精細化の要求がある。
　【０００４】
　このような要求の中で、ディスプレイの明るさは、性能上、重要なポイントとなる。この明るさは、バックライトの輝度及びパネルの透過率で決まる。この中でパネルの透過率を決定する要素には、例えば偏光板、カラーフィルタ、ガラス、液晶、有効表示部の開口率等が挙げられる。画素の設計を行うにあたって、どのようにすると開口率が大きく取れるようになるかは、各社の設計ノウハウとなっている。ＴＦＴアレイの設計は、要求性能を満たすバスライン、ＴＦＴ及び補助容量ＣＳのサイズとレイアウトをマスクパターンの設計規則に従って行っている。
　【０００５】
　特に、画素サイズが小さくなるにつれて、画素部分の液晶容量だけでは液晶印加電圧保持率を高めることができないので保持容量を補うための補助容量を液晶容量と並列に接続している。
　【０００６】
　【発明が解決しようとする課題】
　ところで、例えばアクティブマトリクス（ＡＭ）型のＬＣＤでは、所望の特性を得るための素子設計とのバランスを取りながら画素電極の大きさを決める必要がある。これは、ＬＣＤの高精細化を進めると、ＬＣＤは、ＬＣＤにおける各画素間のピッチが細かくなり、配線領域やＴＦＴ部等のＬＣＤにおける遮光部分が大きくなって開口率が低下してくる。このように開口率の低下を抑える一つの方式として付加容量方式、すなわちＣＳオンゲート構造があり、現在の構造では、各画素は、上から第２の多結晶シリコン、いわゆる２ＰＯＬＹ／絶縁膜／第１の多結晶シリコン、いわゆる１ＰＯＬＹという構造を画素毎にとるようにして専用の補助容量ＣＳを形成している（図７や図８の補助容量ＣＳ形成領域を参照）。
　【０００７】
　この方式によるＬＣＤは、蓄積容量方式のＬＣＤに比べて開口率を大きくできるものの、例えば図７に示すように、有効画素領域に対して補助容量の領域が３０％以上を占めている。このため、付加容量方式のＬＣＤであっても開口率を向上させたり、透過率の低下を余儀なくされる。また、ＴＦＴ−ＬＣＤのデバイスにおいてＴＦＴは、高精細化に伴ってゲートバスラインの容量が大きく、付加容量が無視できなくなり、結果として信号の遅延を生じてしまう。
　【０００８】
　また、容量を付加するため、専用の補助容量ＣＳラインが各ラインの画素毎に走っている。このため、ゲートバスラインやソースバスラインが、専用の補助容量ＣＳラインを乗り越える構造になっている。この構造をとることが信号の断線の要因となっている。このような原因によってＬＣＤのパネルの歩留りが低下してしまうようになる。
　【０００９】
　一方、開口率及び容量の問題から、バスラインの真下に補助容量ＣＳを形成するようにした場合、このバスラインと形成した補助容量ＣＳの間でカップリングが発生する。このカップリングによってＬＣＤには、電界の影響によって液晶分子の整列方向が乱れて光漏れ、すなわちドメインがプレチルトドメインやリバースチルトドメインとして引き起こされ、コントラスト低下や輝点不良を起こしてしまう虞れがでてくる。また、このようなドメイン現象は、透明導電膜が段差を形成することによっても生じる。
　【００１０】
　そこで、本発明は、上述したような実情に鑑みてなされたものであり、有効画素領域の開口率を向上させ、補助容量に応じた膜厚の調整も行うことのできる液晶表示装置の提供を目的とする。
　【００１１】
　【課題を解決するための手段】
　本発明に係る液晶表示装置は、上述した課題を解決するために、情報に応じた駆動電圧が各画素に対応した液晶セルに接続する画素電極を介して印加され、この複数の液晶セルを用いてデータを表示する液晶表示装置において、上記液晶セル領域内の透明基板上に、上記液晶セル領域内の絶縁膜を透明導電膜で挟みこむことにより画素領域全体で補助容量を形成し、該補助容量を構成する該透明導電膜を
縦方向あるいは横方向のいずれかの複数画素分をまとめて形成して
　【００１２】
　【００１３】
　本発明に係る液晶表示装置では、液晶セル領域内の透明基板上に、上記液晶セルを挟みこむ構造を多層化することにより画像領域全体で補助容量を形成し、該補助容量を構成する該透明導電膜を該透明導電膜の下層に位置する補助容量のラインに接続することにより、液晶セルの画素面積を有効に活用している。また、この液晶表示装置では、有効画素領域を削らないので開口率を向上させ、例えば、膜厚を調整し、透過率にも影響を与えないようにしている。
　【００１４】
　【００１５】
　【００１６】
　【実施例】
　以下、本発明に係る液晶表示装置の実施例について、図面を参照しながら説明する。この液晶表示装置は、供給される情報に応じた駆動電圧が各画素に対応した液晶セルに接続する画素電極を介して印加され、この複数の液晶セルを用いてデータを表示するものである。この液晶表示装置は、補助容量、いわゆるＣＳ構成方式における付加容量方式を用いるＣＳオンゲート構造を採用している。この実施例では、アモルファス−ＴＦＴを用いた液晶表示装置（ＬＣＤ）について説明する。
　【００１７】
　この方式による液晶表示装置は、例えば図１に示すように、基本的に蓄積容量方式のいわゆるＣＳオンコモン構造に比較して通常、ＣＳラインがない、あるいは最小限度のＣＳライン１しか有していないため開口率を上げることができる。例えばＣＳライン１がない場合、ＣＳライン１とゲートライン２間のリークがなくなる。また、この方式では、ライン間のクロス部が少なくなること、ソースライン３の容量が小さくなること及びゲートライン２の容量が大きくなる等の特徴を有している。
　【００１８】
　ＴＦＴ−ＬＣＤは、この大型の高精細度化に伴って１つの画素が占める面積が小さくなる。さらに、画素ピッチが細かくなるにつれて画素部分の液晶容量だけでは保持容量が小さくなることが知られている。
　【００１９】
　本発明の液晶表示装置は、高精細度化に伴って、画素電極と同じ材質を用いて絶縁膜を挟み込んで必要とされる補助容量ＣＳを形成している。液晶表示装置は、この透明導電膜４と、ゲートライン２（または専用のＣＳライン１）に接続したＣＳ透明導電膜５とで補助容量を画素毎に形成している。図１の液晶表示装置の概略的な要部平面図において、透明導電膜４とＣＳ透明導電膜５とが重なり合っている部分が斜線で示されている。この斜線の部分が、この液晶セル、すなわち画素領域における補助容量ＣＳ形成領域に相当する。
　【００２０】
　ここで、画素電極は、画素の駆動電極として透明導電膜４を用いる。この透明導電膜４には、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ：以下ＩＴＯという）やＳｎＯ２等の材質が用いられる。この透明導電膜４とＣＳ透明導電膜５の材質は同じものであってもよい。
　【００２１】
　また、上記絶縁膜としては、後述する層間膜が相当し、この層間膜の材質には、例えばＰＳＧ（Ｐｈｏｓｐｈｏ　Ｓｉｌｉｃａｔｅ　Ｇｌａｓｓ）、ＮＳＧ、ＳｉＯ２、ＳｉＮ及び平坦化材等が上げられる。さらに、データを供給する信号線には、アルミニウム系金属、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗまたはそれらの合金が用いられている。
　【００２２】
　このように後述する層間膜を透明導電膜４とＣＳ透明導電膜５とで挟み込む構造にして補助容量ＣＳ領域を形成することにより、付加容量を確保しながら、液晶の画素に相当する有効画素領域中において、従来ＣＳライン１が占めることによって遮光されていた領域分の面積を抑えることができる。これにより、画素の開口率を向上させることができる。
　【００２３】
　簡単に、この製造プロセスについて図２に示す液晶表示装置の要部断面図を参照しながら説明する。ここで、この要部断面は、図２の一点鎖線で示す破断線で切った断面である。また、必要に応じて図１も参照する。
　【００２４】
　先ず、透明基板１０上には、アモルファス−ＴＦＴ（以下、ａ−ＴＦＴという）がトランジスタ形成領域ＴＲに形成される。この透明基板１０上には、ゲート層２Ｇが成膜される。このａ−ＴＦＴがＡｌゲートＴＦＴ、チャンネルエッチ型の場合、Ａｌはゲートパターン、すなわちゲート電極を成すゲート層２Ｇを形成した後に、層間膜６ａとして例えば陽極酸化法で稠密で強固な膜であるＡｌ２Ｏ３を形成する。また、陽極酸化法でＴａ２Ｏ５を成膜することによって短絡不良の発生を低減させる。このＡｌ２Ｏ３もＴａ２Ｏ５も、ゲート絶縁膜として実用化されている。
　【００２５】
　次に、いわゆるａ−Ｓｉ島を形成するために、ａ−Ｓｉとの界面特性が良好なＳｉＮを用い２層構造とする。このＳｉＮ膜は、通常ａ−Ｓｉと同様にプラズマＣＶＤ法によって成膜する。ａ−Ｓｉは、ｉ層（ｉ・ａ−Ｓｉ）とｎ層（ｎ＋・ａ−Ｓｉ）を形成する。
　【００２６】
　次のプロセスでは、ａ−Ｓｉのエッチングを行う。島状パターンのａ−Ｓｉは、ゲートパターンから出ないようにｉ層とｎ層を残し、ゲート領域にコンタクトが形成される（図１及び図２の１Ｃｏｎ、２Ｃｏｎを参照）。また、ＴＦＴのソース／ドレイン電極も形成される。
　【００２７】
　そして、信号線（すなわちゲートライン３）となる金属膜３Ｓが成膜される。この信号線３は、配線パターンをマスクにしてエッチングによって形成する。
　【００２８】
　この後、スパッタリング法あるいはＣＶＤ法等を用いて透明電極である例えばＩＴＯを堆積させて画素電極のパターン化を行う。付加容量方式を用いているので、ＩＴＯ電極によるＣＳ透明導電膜５は、ゲート配線とオーバーラップさせてコンタクトするようにしている。このＣＳ透明導電膜５は、専用の補助容量ＣＳラインと共に、補助容量ＣＳの一部を成す透明導電膜としてコンタクトしている（図１及び図２を参照）。
　【００２９】
　次に、再び、層間膜６ｂでパターン化に応じた領域を覆う。この層間膜６ｂの被膜形成後、ＴＦＴのドレイン（画素電極）側にコンタクト領域を形成するためエッチングを行う。
　【００３０】
　最後に、駆動電極となる透明導電膜４を成膜しパターン形成する。
　【００３１】
　このような手順によって単層構造ではあるが絶縁層である層間膜６ｂをＣＳ透明導電膜５、透明導電膜４で挟み込むことにより、必要とする大容量の補助容量ＣＳを確保しながら、従来の専用の補助容量ＣＳの占有領域に比べて狭い領域で済ませている。専用の補助容量ＣＳの占有面積が小さくなることにより、１つの画素の有効画素面積を広く採ることができ、開口率を向上させることができる。
　【００３２】
　また、透明導電膜４、５の全膜厚を調整することにより、従来に比べても透過率の損失のほとんどない液晶表示装置を提供することができる。
　【００３３】
　次に、上述した液晶表示装置の本発明の説明に供する具体例について図３の要部断面図を参照しながら簡単に説明する。
　【００３４】
　この実施例は、最初に、透明基板１０上にＣＳ透明導電膜５を画素領域にわたって形成する。この形成領域は、図１に示すように透明導電膜４の領域と略々同じ領域を占めるように形成する。以後、ゲート金属を成膜してゲート層２Ｇを形成し、エッチング処理した後の処理手順は、ほとんど上述した実施例の手順と同じ手順を行う。
　【００３５】
　このように例えば層間膜６ａ、６ｂをＣＳ透明導電膜５ａ、５ｂで挟み込むような構造にし、多層化して補助容量ＣＳを形成したコンデンサ部分（図１のＣＳ透明導電膜５とのオーバーラップ部分）と専用のＣＳライン１と接続するようにすることにより、専用のＣＳラインの領域を最小限に抑えることができ、有効画素領域を確保して開口率を向上させることができ、かつ透明導電膜の膜厚も制御できる。これによって、従来の有効画素の３０％程度を占めて、低下させていた開口率が向上する。
　【００３６】
　また、前述した実施例として、各画素毎のゲートラインあるいは補助容量のラインに接続された透明導電膜を縦方向あるいは横方向のいずれかの複数画素分をまとめて形成するようにしてもよい。すなわち、ＣＳ透明導電膜５を全画素あるいは数画素ずつの複数の画素にわたってひとまとめに形成して補助容量ＣＣＳの代替に用いる。実際に図４に示す透明導電膜４は、液晶セル、すなわち画素領域に対応する範囲だけを覆うように形成する。この際、一点鎖線Ｂ−Ｂ’の破断線で切った断面は、図４に示すように層間膜６ｂをＣＳ透明導電膜５、透明導電膜４で挟むような構造になっている。なお、図４のＣＳ透明導電膜５は、全画素あるいは数画素ずつ縦方向に形成
したものである
　【００３７】
　これにより、上記透明導電膜４とＣＳ透明導電膜５とが重なる領域が、各画素毎にコンデンサとしての機能を果たすことによって、より一層画素の開口率の向上を図ることができる。
　【００３８】
　次に、本発明の説明に供する具体例について図５及び図６を参照しながら説明する。
　【００３９】
　この実施例では、ＣＳ透明導電膜５が次段のゲート配線である横方向に走るゲートライン３とオーバーラップするように横一列に全画素あるいは数画素ずつまとめて形成している。この場合もＣＳ透明導電膜５が透明導電膜４とで補助容量ＣＳを形成することにより、第２の変形例と同様に、ＣＳライン１を全く形成せずに済ませている。ＣＳ透明導電膜５は、透明であることから、液晶が配された画素領域の開口率を下げることなく、有効画素領域を有効に使用して透過光量も膜厚の調整によって最適化させることができる。この実施例でも図６に示すように層間膜６を透明導電膜４とＣＳ透明導電膜５とで挟み込む構造に各層を形成して画素毎の補助容量ＣＳ領域、すなわちコンデンサ領域を形成していることが判る。
　【００４０】
　なお、この実施例では、ＣＳ透明導電膜５と後段側のゲートラインとをオーバーラップさせた場合を示したが、ＣＳ透明導電膜５は、前段側のゲートラインとオーバーラップさせるようにしてもよい。
　【００４１】
　また、上述した実施例は、すべてＣＳオンゲート構造のａ−ＴＦＴについて説明したが、上述した実施例に限定されるものでなく、蓄積容量方式のａ−ＴＦＴにおいて採用されるＣＳオンコモン構造の場合、縦方向に走るソースラインとオーバーラップさせるようにすれば、従来の開口率に比べて開口率を改善させることができる。
　【００４２】
　以上のように構成することにより、画素の小型化に伴って必要となる補助容量ＣＳをＣＳ透明導電膜を用いて補い、従来設けられていた専用のＣＳラインを最小限にして有効画素領域の開口率を向上させることができる。透明導電膜の膜厚を調整することにより、透過光量を所定の範囲内に収めるように維持させることができる。
　【００４３】
　また、各画素毎のゲートラインあるいは補助容量のラインに接続すると共に、上記画素内の領域の層間膜を上記透明導電膜で覆って構成したり、各画素毎のゲートラインあるいは補助容量のラインに接続された透明導電膜を縦方向あるいは横方向のいずれかの複数画素分をまとめて形成するようにしても開口率を向上させることができ、高精細度化しても開口率を低下させることのないＬＣＤを提供することができる。
　【００４４】
　【発明の効果】
　上記液晶セル領域内の透明基板上に、上記液晶セル領域内の絶縁膜を透明導電膜で挟みこむことにより画素領域全体で補助容量を形成し、該補助容量を構成する該透明導電膜を該透明導電膜の下層に位置する補助容量のラインに接続する。これにより、より一層高精細度の液晶表示装置は、輝度が高く、すなわち明るく、しかも解像度の高い液晶表示装置を提供することができる。また、各画素毎のゲートラインあるいは補助容量のラインに接続すると共に、上記画素内の領域の層間膜を上記透明導電膜で覆って構成したり、各画素毎のゲートラインあるいは補助容量のラインに接続された透明導電膜を縦方向あるいは横方向のいずれかの複数画素分をまとめて形成するようにしても開口率を向上させることができ、高精細度化しても開口率を低下させることのないＬＣＤを提供することができる。
　【００４５】
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　本発明に係る液晶表示装置の概略的な要部平面図である。
　【図２】
　上記液晶表示装置を破断線Ａ−Ａ’に沿って切った際の要部断面図である。
　【図３】
　上記液晶表示装置における第１の変形例を説明する要部断面図である。
　【図４】
　上記液晶表示装置における第２の変形例を説明する要部断面図である。
　【図５】
　上記液晶表示装置におけるＣＳ透明導電膜とゲートラインとの位置関係を説明する要部平面図である。
　【図６】
　上記液晶表示装置を破断線Ｂ−Ｂ’に沿って切った際の要部断面図である。
　【図７】
　従来の液晶表示装置における概略的な要部平面図である。
　【図８】
　従来の液晶表示装置における要部断面図である。
　【符号の説明】
　１　補助容量ＣＳライン
　２　ゲートライン
　３　信号線（ソースライン）
　４　透明導電膜
　５、５ａ、５ｂ　ＣＳ透明導電膜
　６、６ａ、６ｂ　層間膜
　２Ｇ　ゲート層
　３Ｓ　信号線
　ＴＲ　トランジスタ形成領域