【事件の表示】
　特許第３２２３２４６号「半導体装置」の請求項１ないし３に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３２２３２４６号の請求項１ないし３に係る特許を維持する。
【理　由】
【１】手続の経緯
　特許第３２２３２４６号の発明は、平成９年７月２５日に特許出願され、平成１３年８月１７日にその特許権の設定登録がなされ、その後、信越化学工業株式会社より特許異議の申立てがなされ、平成１６年２月２６日付けで取消理由が通知され、その指定期間内である平成１６年５月６日に訂正請求がなされたものである。
　　
【２】平成１６年５月６日付け訂正の適否判断
［１］訂正内容
　訂正事項a；特許請求の範囲の請求項１を、「半導体チップが該チップ取付部に接着剤により接着されており、該チップと該チップ取付部の回路配線とを電気的に接続する部材の少なくとも一部が封止・充填剤により封止もしくは充填されて
おり、該チップ取付部に基板に実装するためのボールグリッドを有する
いずれも
　訂正事項b；段落【0005】を、「本発明の半導体装置は、半導体チップが該チップ取付部に接着剤により接着されており、該チップと該チップ取付部の回路配線とを電気的に接続する部材の少なくとも一部が封止・充填剤により封止もしくは充填されて
おり、該チップ取付部に基板に実装するためのボールグリッドを有する
いずれも
　訂正事項c；段落【0010】を、「本発明の半導体装置では、この半導体チップを該チップ取付部に接着している接着剤、および半導体チップと該チップ取付部の回路配線とを電気的に接続する部材を封止もしくは充填している封止・充填剤の
いずれも
　訂正事項d；段落【0006】，【0017】にある、「および図２」という記載を削除する。
　訂正事項e；段落【0008】，【0018】，【0025】〜【0028】，【0031】，【0032】を削除する。
　訂正事項f；段落【0013】を、「本発明の半導体装置を作成する方法は限定されず、例えば、図１で示される半導体装置を作成する方法としては、半導体チップ１と半導体チップ取付部２とを、高粘度液状、グリース状、ペースト状、フィルム状、ないしはシート状の接着剤組成物により向き合った形で密着させ、この接着剤組成物を硬化させる。次いで、この半導体チップ１と半導体チップ取付部２の回路配線４をリード５により電気的に接続する。この接続は、上記の接着剤組成物の硬化前に行ってもよい。そして、このリード５の一部もしくは全部を、液状の封止・充填剤組成物により封止もしくは充填した後、この封止・充填剤組成物を硬化させる。」と訂正する。
　訂正事項g；段落【0019】を、「また、この半導体装置の耐熱衝撃性を次のようにして評価した。［半導体装置の耐熱衝撃性の評価方法］
半導体装置の各々２０個を、−６５℃で３０分間、＋１５０℃で３０分間それぞれ放置することを１サイクルとする熱衝撃試験を行った。１０００サイクル後、および３０００サイクル後の半導体装置について、図１で示される半導体装置においては、半導体チップ取付部(チップキャリア)２上のハンダボール７を用い
て、電
　訂正事項h；段落【0022】に記載されている「実施例２」を「比較例１」と訂正する。
　訂正事項i；段落【0023】に記載されている「実施例３」を「実施例２」と訂正する。
　訂正事項j；段落【0024】に記載されている「実施例４」を「比較例２」と訂正する。
　訂正事項k；段落【0029】に記載されている「比較例１」を「比較例３」と訂正する。
　訂正事項l；段落【0030】に記載されている「比較例２」を「比較例４」と訂正する。
　
訂正事項m；段落【0033】の「表１」を、　　　　　　　　　　　　
　　項目　　　　　　　　　　　　　　　　１　２　　１　２　３　４
　半導体装置の耐熱衝撃性
　半導体装置の不良率(％)1000サイクル後　０　０　　０　０　０　０
　　　　　　　　　　　　3000サイクル後　０　０　　５　５　30　50
　
接着剤と封止・充填剤との間の接着性　　△　○　　△　○　○　×
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　に訂正する。
　訂正事項n；段落【図面の簡単な説明】を、
「【図１】本発明の半導体装置の一例であるＩＣの断面図である。
　　　【符号の説明】
　　　１　　半導体チップ
　　　２　　半導体チップ取付部(チップキャリア)
　　　３　　接着剤
　　　４　　回路配線
　　　５　　リード
　　　６　　封止・充填剤
　　　７　　ハンダボール
　　　８　　外枠」と訂正する。
　訂正事項o；図面中、「【図２】」を削除する。
　　
［２］訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　上記訂正事項aは、特許明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載されていた、「半導体装置」を「半導体チップ取付部に基板に実装するためのボールグリッドを有する半導体装置」とし、さらに「接着剤および封止・充填剤の少なくとも一方の、温度−６５℃、せん断周波数１０Hzにおける複素弾性率が１×１０9dyne／cm2以下である」を「接着剤および封止・充填剤のいずれも、温度−６５℃、せん断周波数１０Hzにおける複素弾性率が１×１０9dyne／cm2以下である」としてそれぞれ発明特定事項を付加して減縮したものである。
　そして、上記訂正事項b〜oは、明りょうでない記載の釈明に該当するとともに、すべての訂正事項(a〜o)について、新規事項の追加はなく、かつ実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　　
［３］まとめ
　上述のとおりであるから、上記訂正は、特許法第１２０条の４第２項及び第３項において準用する同法第１２６条第２項及び第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　　
【３】特許異議申立て理由の概要
　特許異議申立人　信越化学工業株式会社は、次の甲第１〜１０号証及び参考資料１，２を提示し、本件の請求項１〜３に係る発明は、甲第１号証に実質的に記載されたものであり、少なくとも甲第１，３号証から容易に発明し得たものであり、また甲第２号証にも実質的に記載されたものであり、たとえそうでないとしても、甲第１，２号証或いは甲第１〜３号証の記載から当業者が容易に発明し得たものであり、更には、甲第１〜９号証の記載から当業者が容易に発明し得たものである。
　従って、本件の請求項１〜３に係る発明は、特許法第２９条第１項第３号及び同条第２項の規定に該当し、(その発明に係る特許は)同法第１１３条第１項第２号の規定により取り消されるべきものである、と主張している。
　甲第１号証；特開平７−８６４６１号公報
　甲第２号証；特開平３−１５７４７４号公報
　甲第３号証；特開昭５９−１２２５５８号公報
　甲第４号証；特開平３−３０３４９号公報
　甲第５号証；「電子材料１９８６年１２月」第４５〜５２頁
　甲第６号証；特開平４−１３７６４１号公報
　甲第７号証；特開平４−９１４４８号公報
　甲第８号証；特開昭６１−５５３０号公報
　甲第９号証；特開平３−９６２５７号公報
　甲第１０号証；柏木努の「実験成績証明書」
　参考資料１；信越化学工業株式会社のカタログ：信越ジャンクション・
　　　　　　　コーティングレジン　ＫＪＲシリーズ１９９０年６月
　参考資料２；レオロジー第２版(岩波全書１９８２年)
　　
【４】当審における取消理由通知
　本件請求項１〜３に係る発明は、次の書証１の基に、下記の刊行物１〜３に記載された発明から、当業者が容易に発明をすることができたものと認められ、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから、その特許は取り消されるべきものである。
　　　書証１；「柏木努」氏作成の【実験成績証明書】・・・甲第１０号証
　　　　　　　　　　　　　　　　記
　　刊行物１；特開平３−１５７４７４号公報・・・・甲第２号証
　　刊行物２；特開昭５９−１２２５５８号公報・・・甲第３号証
　　刊行物３；特開平４−９１４４８号公報・・・・・甲第７号証
　　【具体的理由】
　刊行物１で実施例２として記載された「シリコーンゴム接着剤」の物性が、また、刊行物２で実施例３として記載された「シリコーン樹脂の被覆・充填剤」の物性が、上記書証１（既に、特許権者に送付済み）に示されるとおり、本件請求項１〜３で特定されたものと同等である。
　さらに、刊行物３には、「シリコーンゴム組成物」を介して半導体チップを配線基板にフリップチップ状態で実装した半導体装置が記載されている。
　そして、刊行物１，２に記載された接着剤や樹脂を用いて、刊行物３に示されるような半導体装置を作成することは、当業者が容易に想到できたものと言わざるを得ない。
　　
【５】本件特許発明
　本件については、前記【４】段落の取消理由通知に対して、上記【２】の［１］段落で示したとおりの訂正がなされ、かつその訂正が容認されるものであるから、本件の請求項１〜３に係る発明（以下「本件発明１〜３」という）は、上記の平成１６年５月６日付け訂正請求に係る訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１〜３に記載された事項により特定されるとおりの、
「【請求項１】半導体チップが該チップ取付部に接着剤により接着されており、該チップと該チップ取付部の回路配線とを電気的に接続する部材の少なくとも一部が封止・充填剤により封止もしくは充填されており、該チップ取付部に基板に実装するためのボールグリッドを有する半導体装置であって、該接着剤および該封止・充填剤のいずれも、温度−６５℃、せん断周波数１０Hzにおける複素弾性率が１×１０9dyne／cm2以下であることを特徴とする半導体装置。
　【請求項２】接着剤および封止・充填剤の少なくとも一方がシリコーン系のものであることを特徴とする、請求項１記載の半導体装置。
　【請求項３】接着剤および封止・充填剤の少なくとも一方の、温度２５℃における体積抵抗率が１×１０8Ω・cm以上であることを特徴とする、請求項１記載の半導体装置。」である。
　　
【６】特許異議申立てに対する当審の判断
　本件発明１の、
「チップ取付部に基板に実装するためのボールグリッドを有する半導体装置」である点および、
「接着剤および封止・充填剤のいずれも、温度−６５℃、せん断周波数１０Hzにおける複素弾性率が１×１０9dyne／cm2以下」である点は、
取消理由通知書に提示した刊行物１〜３(甲第２，３，７号証)および書証１(甲第１０号証)には記載も示唆もない。
　そして、本件発明１の半導体装置は、前記二点を合わせ持つことにより、優れた耐熱衝撃性を有するという効果を奏する。
　　
　さらに付言すれば、本件発明１は、その半導体装置を実装するための外部接続端子がボールグリッドであるので、本来であれば、半導体チップと半導体チップ取付部あるいは半導体装置を実装する基板との熱膨張率の差に起因する膨張・収縮によって、半導体チップと該チップ取付部の回路配線とを電気的に接続する部材の変形や剥離，半導体チップのそり，変形，クラック、更には、半導体装置実装後の外部接続端子の変形や剥離を生じ易いところ、
半導体チップと該チップ取付部を接着するための接着剤として、温度−６５℃、せん断周波数１０Hzにおける複素弾性率が１×１０9dyne／cm2以下のものを用いるとともに、半導体チップと該チップ取付部の回路配線とを電気的に接続する部材の少なくとも一部を封止もしくは充填する封止・充填剤としても、温度−６５℃、せん断周波数１０Hzにおける複素弾性率が１×１０9dyne／cm2以下であるものを用いているので、前述のような問題が発生せず、さらに多ピン化した場合でも、ボールグリッドの接続信頼性が良好であるという効果をも有すると認められる。
　　
　したがって、本件発明１は、前記した甲第１０号証の存在の基に、前記甲第２，３，７号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に想到できたものとはいえない。
　　
　また、特許異議申立人の提示した、その他の甲各号証及び参考資料１，２を参照しても、「半導体チップ取付部に、半導体装置を基板に実装するためのボールグリッドを有するもの」については記載も示唆もされていないので、前記甲第２，３，７号証に記載された発明とその他の甲各号証及び参考資料１，２に記載された事項とを組み合わせても、当業者が本件発明１を容易に発想できたものとはいえない。
　さらに当然に、本件発明１が甲第１〜９号証のいずれか一に記載された発明と同一であるとは認められない。
　　
　そしてまた、本件発明２，３は、本件発明１を引用して更なる発明特定事項を付加的に有するものであるから、必然の結果として、甲第１〜９号証のいずれか一に記載されたものであるとすることはできず、かつ甲第１〜９号証に記載された内容から当業者が容易に発明をすることができたものとすることもできない。
　　
【７】むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由および証拠によっては、本件発明１〜３に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明１〜３に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１６年５月２７日（２００４．５．２７）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
半導体装置
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　半導体チップが該チップ取付部に接着剤により接着されており、該チップと該チップ取付部の回路配線とを電気的に接続する部材の少なくとも一部が封止・充填剤により封止もしくは充填されて
おり、該チップ取付部に基板に実装するためのボールグリッドを有する
いずれも
　【請求項２】　接着剤および封止・充填剤の少なくとも一方がシリコーン系のものであることを特徴とする、請求項１記載の半導体装置。
　【請求項３】　接着剤および封止・充填剤の少なくとも一方の、温度２５℃における体積抵抗率が１×１０８Ω・ｃｍ以上であることを特徴とする、請求項１記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の属する技術分野】
　本発明は半導体装置に関し、詳しくは、半導体チップが該チップ取付部に接着剤により接着されており、該チップと該チップ取付部の回路配線とを電気的に接続する部材の少なくとも一部が封止・充填剤により封止もしくは充填されている半導体装置に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　半導体チップが該チップ取付部に接着剤により接着されており、該チップと該チップ取付部の回路配線とを電気的に接続する部材の少なくとも一部が封止・充填剤により封止もしくは充填されている半導体装置が特表平６−５０４４０８号公報、および特表平８−５０４０６３号公報により提案されている。
　【０００３】
　このような半導体装置は、小型化が可能であるばかりでなく、耐熱衝撃性が比較的良好であるという特徴があるが、このような半導体装置の耐熱衝撃性をさらに向上させる必要があった。
　【０００４】
　【発明が解決しようとする課題】
　本発明者らは、上記の課題について鋭意検討した結果、本発明に到達した。
　すなわち、本発明の目的は、優れた耐熱衝撃性を有する半導体装置を提供することにある。
　【０００５】
　【課題を解決するための手段】
　本発明の半導体装置は、半導体チップが該チップ取付部に接着剤により接着されており、該チップと該チップ取付部の回路配線とを電気的に接続する部材の少なくとも一部が封止・充填剤により封止もしくは充填されて
おり、該チップ取付部に基板に実装するためのボールグリッドを有する
いずれも
　【０００６】
　【発明の実施の形態】
　本発明の半導体装置を詳細に説明する。
　本発明の半導体装置は、半導体チップが該チップ取付部に接着剤により接着されており、該チップと該チップ取付部の回路配線とを電気的に接続する部材の少なくとも一部が封止・充填剤により封止もしくは充填されている半導体装置であり、ＩＣ、ＬＳＩ、ＶＬＳＩが例示される。このような半導体装置としては、図
１で
　【０００７】
　図１で示される半導体装置においては、半導体チップ１が半導体チップ取付部（図１においては、チップキャリア）２と向き合った形で、接着剤３により接着されている。また、この半導体チップ取付部２の半導体チップ１に向き合った面には回路配線４が形成されており、この回路配線４と半導体チップ１はリード５により電気的に接続されている。そして、このリード５の一部もしくは全部は封止・充填剤６により封止もしくは充填されている。図１で示される半導体装置においては、この半導体装置を基板に実装するため、半導体チップ取付部２にハンダボール７が設けられており、さらに、半導体チップ１を外部からの機械的応力から保護するために外枠８が設けられている。本発明の半導体装置において、この外枠８は任意である。
　【０００８】
　【０００９】
　本発明の半導体装置において、半導体チップは限定されず、また、半導体チップ取付部も限定されない。この半導体チップ取付部としては、例えば、アルミナ、ガラス等のセラミック系、エポキシ樹脂、ガラス繊維強化エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂等の有機樹脂系、ステンレス、銅等の金属系のものが例示され、リジッドな回路基板もしくはチップキャリア、フレキシブルな回路基板もしくはチップキャリアが例示される。このような半導体チップ取付部の表面もしくは内部には、印刷、蒸着、貼り付け、積層、めっき等の手段により回路配線が形成されており、また、ハンダボール等のボールグリッド、ピングリッドの外部接続端子、その他の電気素子や電気部品が搭載されていてもよい。また、半導体チップとこの半導体チップ取付部の回路配線とを電気的に接続する部材としては、ボンディングワイヤ、リード、バンプが例示される。このような部材は、半導体装置が熱衝撃を受けた場合に、この部材に働く応力を緩和するために、湾曲させたり、曲げたボンディングワイヤやリードを用いたり、ヤング率の小さい材料からなるバンプを用いることが好ましい。
　【００１０】
　本発明の半導体装置では、この半導体チップを該チップ取付部に接着している接着剤、および半導体チップと該チップ取付部の回路配線とを電気的に接続する部材を封止もしくは充填している封止・充填剤の
いずれも
　【００１１】
　このような接着剤を形成するための接着剤組成物としては、エポキシ樹脂接着剤組成物、シリコーン変性エポキシ樹脂接着剤組成物等のエポキシ系接着剤組成物；シリコーン接着剤組成物、エポキシ変性シリコーン接着剤組成物、アクリル変性シリコーン接着剤組成物、ポリイミド変性シリコーン接着剤組成物等のシリコーン系接着剤組成物；アクリル樹脂接着剤組成物、シリコーン変性アクリル樹脂接着剤組成物等のアクリル系接着剤組成物；ポリイミド樹脂接着剤組成物、シリコーン変性ポリイミド樹脂接着剤組成物等のポリイミド系接着剤組成物が例示され、特に、シリコーン系接着剤組成物であることが好ましい。この接着剤組成物は半導体チップを該チップ取付部に接着するため、ある程度高粘度の液状、グリース状、ペースト状、あるいは、Ｂ−ステージ接着剤やホットメルト接着剤により調製したシート状やフィルム状であることが好ましい。この接着剤組成物により半導体チップと該チップ取付部を接着する方法としては、例えば、これらの接着剤組成物を、熱風や熱線により加熱したり、湿気と接触させたり、紫外線や電子線を照射したりする方法が挙げられる。本発明の半導体装置においては、これらの接着剤組成物により半導体チップと該チップ取付部を接着する方法として、加熱硬化性の接着剤組成物を加熱により硬化させる方法が好ましい。また、この接着剤組成物は、加熱により、常温でゲル状もしくはゴム状の硬化物を形成するものであることが好ましく、さらには、常温でゴム状の硬化物を形成するものであることが好ましく、特に、常温でゴム状のシリコーン系硬化物を形成するものであることが好ましい。
　【００１２】
　また、このような封止・充填剤を形成するための封止・充填剤組成物としては、エポキシ樹脂封止・充填剤組成物、シリコーン変性エポキシ樹脂封止・充填剤組成物等のエポキシ系封止・充填剤組成物；シリコーン封止・充填剤組成物、エポキシ変性シリコーン封止・充填剤組成物、アクリル変性シリコーン封止・充填剤組成物、ポリイミド変性シリコーン封止・充填剤組成物等のシリコーン系封止・充填剤組成物；アクリル樹脂封止・充填剤組成物、シリコーン変性アクリル樹脂封止・充填剤組成物等のアクリル系封止・充填剤組成物；ポリイミド樹脂封止・充填剤組成物、シリコーン変性ポリイミド樹脂封止・充填剤組成物等のポリイミド系封止・充填剤組成物が例示され、特に、シリコーン系封止・充填剤組成物であることが好ましく、特に、上記の接着剤組成物とこの封止・充填剤組成物がともにシリコーン系のものであることが好ましい。この封止・充填剤組成物は、半導体チップと該チップ取付部の回路配線とを電気的に接続する部材を封止もしくは充填するために、ペースト状ないしは液状でることが好ましく、特に、液状であることが好ましい。この封止・充填剤組成物により、半導体チップと該チップ取付部の回路配線とを電気的に接続する部材を封止もしくは充填する方法としては、例えば、これらの封止・充填剤組成物を、熱風や熱線により加熱したり、湿気と接触させたり、紫外線や電子線を照射したりする方法が挙げられる。本発明の半導体装置においては、この弾性封止・充填剤組成物により封止もしくは充填する方法として、加熱硬化性の封止・充填剤組成物を加熱により硬化させる方法が好ましい。この封止・充填剤組成物は、加熱により、常温でゲル状もしくはゴム状の硬化物を形成するものであることが好ましく、特に、常温でゲル状もしくはゴム状のシリコーン系硬化物を形成するものであることが好ましい。
　【００１３】
　本発明の半導体装置を作成する方法は限定されず、例えば、図１で示される半導体装置を作成する方法としては、半導体チップ１と半導体チップ取付部２とを、高粘度液状、グリース状、ペースト状、フィルム状、ないしはシート状の接着剤組成物により向き合った形で密着させ、この接着剤組成物を硬化させる。次いで、この半導体チップ１と半導体チップ取付部２の回路配線４をリード５により電気的に接続する。この接続は、上記の接着剤組成物の硬化前に行ってもよい。そして、このリード５の一部もしくは全部を、液状の封止・充填剤組成物により封止もしくは充填した後、この封止・充填剤組成物を硬化させ
る。
　【００１４】
　本発明の半導体装置において、この接着剤と封止・充填剤は接着ないしは十分に密着していることが好ましい。また、封止・充填剤は半導体チップと該チップ取付部の回路配線を電気的に接続している部材に接着ないしは十分に密着していることが好ましい。
　【００１５】
　また、本発明の半導体装置においては、接着剤および封止・充填剤は導電性、半導電性、あるいは非導電性のいずれでもよいが、半導体チップ表面が該チップ取付部に対して向き合った形で使用される場合には、半導電性もしくは非導電性であることが好ましく、例えば、温度２５℃における体積抵抗率が１×１０８Ω・ｃｍ以上であることが好ましい。
　【００１６】
　【実施例】
　本発明の半導体装置を実施例により詳細に説明する。接着剤および封止・充填剤の、温度−６５℃、せん断周波数１０Ｈｚにおける複素弾性率は、加熱硬化性のシリコーン接着剤組成物および加熱硬化性のシリコーン封止・充填剤組成物をそれぞれ１５０℃で３０分間加熱して作成した、１２ｍｍ×５０ｍｍ×２ｍｍの短冊状の硬化物を粘弾性測定装置（レオメトリック社製のダイナミックアナライザー）により測定して求めた。
　【００１７】
　また、本発明の実施例、比較例として、図
１で
［図１で示される半導体装置の作成方法］
　半導体チップ１と半導体チップ取付部２とを、加熱硬化性のシリコーン接着剤組成物により向き合わせた状態で密着させ、この接着剤組成物を１５０℃で３０分間加熱することにより硬化させ、半導体チップ１と半導体チップ取付部２を接着させた。続いて、この半導体チップ１と半導体チップ取付部２の回路配線４をリード５により電気的に接続した。最後に、このリード５の全部を、加熱硬化性のシリコーン封止・充填剤組成物により封止もしくは充填した後、この封止・充填剤組成物を１５０℃で３０分間加熱することにより硬化させた。
　【００１８】
　【００１９】
　また、この半導体装置の耐熱衝撃性を次のようにして評価した。
［半導体装置の耐熱衝撃性の評価方法］
　半導体装置の各々２０個を、−６５℃で３０分間、＋１５０℃で３０分間それぞれ放置することを１サイクルとする熱衝撃試験を行った。１０００サイクル後、および３０００サイクル後の半導体装置について、図１で示される半導体装置においては、半導体チップ取付部（チップキャリア）２上のハンダボール７を用い
て、電
　【００２０】
　また、半導体装置における接着剤と封止・充填剤との間の接着性を次のようにして評価した。
［接着剤と封止・充填剤との間の接着性の評価方法］
　熱衝撃試験を３０００ザイクル行った後の半導体装置において、接着剤３と封止・充填剤６との間の接着性を、倍率１０倍の光学顕微鏡により観察した。この接着性を、○：強固に接着していた、△：部分的に剥離が見られた、×：完全に剥離した、により評価した。
　【００２１】
［実施例１］
　接着剤を形成するための接着剤組成物として、グリース状であり、加熱によりシリコーンゴムを形成して接着する加熱硬化性のシリコーン接着剤組成物を用いた。このシリコーンゴムの温度２５℃における体積抵抗率は１．０×１０１５Ω・ｃｍであり、また、温度−６５℃、せん断周波数１０Ｈｚにおける複素弾性率は２．０×１０７ｄｙｎｅ／ｃｍ２であった。また、封止・充填剤を形成するための封止・充填剤組成物として、液状であり、加熱によりシリコーンゴムを形成して接着する加熱硬化性のシリコーン封止・充填剤組成物を用いた。このシリコーンゴムの温度２５℃における体積抵抗率は１．０×１０１５Ω・ｃｍであり、また、温度−６５℃、せん断周波数１０Ｈｚにおける複素弾性率は２．０×１０７ｄｙｎｅ／ｃｍ２であった。このような接着剤組成物および封止・充填剤組成物を用いて、図１で示される半導体装置を２０個作製した。これらの半導体装置の耐熱衝撃性、および接着剤と封止・充填剤との間の接着性を評価して、これらの評価結果を表１に示した。
　【００２２】
［
比較例１
　接着剤を形成するための接着剤組成物として、グリース状であり、加熱によりシリコーンゴムを形成して接着する加熱硬化性のシリコーン接着剤組成物を用いた。このシリコーンゴムの温度２５℃における体積抵抗率は１．０×１０１５Ω・ｃｍであり、また、温度−６５℃、せん断周波数１０Ｈｚにおける複素弾性率は１．５×１０９ｄｙｎｅ／ｃｍ２であった。また、封止・充填剤を形成するための封止・充填剤組成物として、液状であり、加熱によりシリコーンゴムを形成して接着する加熱硬化性のシリコーン封止・充填剤組成物を用いた。このシリコーンゴムの温度２５℃における体積抵抗率は１．０×１０１５Ω・ｃｍであり、また、温度−６５℃、せん断周波数１０Ｈｚにおける複素弾性率は２．０×１０７ｄｙｎｅ／ｃｍ２であった。このような接着剤組成物および封止・充填剤組成物を用いて、図１で示される半導体装置を２０個作成した。これらの半導体装置の耐熱衝撃性、および接着剤と封止・充填剤との間の接着性を評価して、これらの評価結果を表１に示した。
　【００２３】
［実施例
２
　接着剤を形成するため、半硬化状であり、加熱によりシリコーンゴムを形成して接着する加熱硬化性のシート状シリコーン接着剤を用いた。このシリコーンゴムの温度２５℃における体積抵抗率は１．０×１０１５Ω・ｃｍであり、また、温度−６５℃、せん断周波数１０Ｈｚにおける複素弾性率は２．０×１０７ｄｙｎｅ／ｃｍ２であった。また、封止・充填剤を形成するための封止・充填剤組成物として、液状であり、加熱によりシリコーンゴムを形成して接着する加熱硬化性のシリコーン封止・充填剤組成物を用いた。このシリコーンゴムの温度２５℃における体積抵抗率は１．０×１０１５Ω・ｃｍであり、また、温度−６５℃、せん断周波数１０Ｈｚにおける複素弾性率は２．０×１０７ｄｙｎｅ／ｃｍ２であった。このようなシート状接着剤および封止・充填剤組成物を用いて、図１で示される半導体装置を２０個作成した。これらの半導体装置の耐熱衝撃性、および接着剤と封止・充填剤との間の接着性を評価して、これらの評価結果を表１に示した。
　【００２４】
［
比較例２
　接着剤を形成するため、半硬化状であり、加熱によりシリコーンゴムを形成して接着する加熱硬化性のシート状シリコーン接着剤を用いた。このシリコーンゴムの温度２５℃における体積抵抗率は１．０×１０１５Ω・ｃｍであり、また、温度−６５℃、せん断周波数１０Ｈｚにおける複素弾性率は１．５×１０９ｄｙｎｅ／ｃｍ２であった。また、封止・充填剤を形成するための封止・充填剤組成物として、液状であり、加熱によりシリコーンゴムを形成して接着する加熱硬化性のシリコーン封止・充填剤組成物を用いた。このシリコーンゴムの温度２５℃における体積抵抗率は１．０×１０１５Ω・ｃｍであり、また、温度−６５℃、せん断周波数１０Ｈｚにおける複素弾性率は２．０×１０７ｄｙｎｅ／ｃｍ２であった。このようなシート状接着剤および封止・充填剤組成物を用いて、図１で示される半導体装置を２０個作成した。これらの半導体装置の耐熱衝撃性、および接着剤と封止・充填剤との間の接着性を評価して、これらの評価結果を表１に示した。
　【００２５】
　【００２６】
　【００２７】
　【００２８】
　【００２９】
［比較例
３
　接着剤を形成するため、半硬化状であり、加熱によりシリコーンゴムを形成して接着する加熱硬化性のシート状シリコーン接着剤を用いた。このシリコーンゴムの温度２５℃における体積抵抗率は１．０×１０１５Ω・ｃｍであり、また、温度−６５℃、せん断周波数１０Ｈｚにおける複素弾性率は１．５×１０９ｄｙｎｅ／ｃｍ２であった。また、封止・充填剤を形成するための封止・充填剤組成物として、液状であり、加熱によりシリコーンゴムを形成して接着する加熱硬化性のシリコーン封止・充填剤組成物を用いた。このシリコーンゴムの温度２５℃における体積抵抗率は１．０×１０１５Ω・ｃｍであり、また、温度−６５℃、せん断周波数１０Ｈｚにおける複素弾性率は１．５×１０９ｄｙｎｅ／ｃｍ２であった。このようなシート状接着剤および封止・充填剤組成物を用いて、図１で示される半導体装置を２０個作成した。これらの半導体装置の耐熱衝撃性、および接着剤と封止・充填剤との間の接着性を評価して、これらの評価結果を表１に示した。
　【００３０】
［比較例
４
　接着剤を形成するための接着剤組成物として、グリース状であり、加熱によりシリコーンゴムを形成して接着する加熱硬化性のシリコーン接着剤組成物を用いた。このシリコーンゴムの温度２５℃における体積抵抗率は１．０×１０１５Ω・ｃｍであり、また、温度−６５℃、せん断周波数１０Ｈｚにおける複素弾性率は１．５×１０９ｄｙｎｅ／ｃｍ２であった。また、封止・充填剤を形成するための封止・充填剤組成物として、液状であり、加熱によりシリコーンゴムを形成して硬化する加熱硬化性のシリコーン封止・充填剤組成物を用いた。このシリコーンゴムの温度２５℃における体積抵抗率は１．０×１０１５Ω・ｃｍであり、また、温度−６５℃、せん断周波数１０Ｈｚにおける複素弾性率は１．５×１０９ｄｙｎｅ／ｃｍ２であった。このような接着剤組成物および封止・充填剤組成物を用いて、図１で示される半導体装置を２０個作成した。これらの半導体装置の耐熱衝撃性、および接着剤と封止・充填剤との間の接着性を評価して、これらの評価結果を表１に示した。
　【００３１】
　【００３２】
　【００３３】
　
【表１】
　【００３４】
　【発明の効果】
　本発明の半導体装置は、優れた耐熱衝撃性を有するという特徴がある。
【図面の簡単な説明】
　【図１】　本発明の半導体装置の一例であるＩＣの断面図である。
　【符号の説明】
　１　　半導体チップ
　２　　半導体チップ取付部（チップキャリア）
　３　　接着剤
　４　　回路配線
　５　　リード
　６　　封止・充填剤
　７　　ハンダボール
　８　　外枠
【図面】