【事件の表示】
　特許第３３１４９８２号「全自動半導体及び液晶パネル製造装置」の請求項１ないし５に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３３１４９８２号の請求項１ないし５に係る特許を維持する。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本件特許第３３１４９８２号については、平成５年５月１０日に特許出願され、同１４年６月７日に設定の登録がされ、その後、同１５年２月１８日に藤野研治より本件の請求項１ないし５に係る特許について特許異議の申立てがされ、同１５年４月３０日付で取消しの理由の通知がされ、その指定期間内である同１５年７月１４日に明細書について訂正の請求がされた。
　　　　　　　　　　　　　　　　　
第２　訂正の適否についての判断
１　訂正の内容
　本件訂正は、登録時の明細書（以下「登録明細書」という。）を訂正請求書に添付した明細書（以下「訂正明細書」という。）のとおり下記のように訂正するものである。
(1) 訂正事項ａ
ア　【請求項１】について
　登録明細書の特許請求の範囲の【請求項１】に「該大気圧搬送装置と前記大気圧処理部の間に配設された大気圧状態内で使用する大気圧ロボットと、」、「前記大気圧搬送装置は前記大気圧処理部及び前記搬送装置間搬送装置に対応して複数のステーションを有し、前記処理対象物をカートに載せて各ステーションに搬送するように構成され、」、「前記大気圧ロボットは前記各ステーションで前記大気圧搬送装置と前記大気圧処理部間での前記処理対象物の搬送を行うように構成され、」及び「且つ前記複数の真空圧処理部は外部からそれぞれ独立して遮断されており、」の各構成を付加すると共に同請求項の「前記真空圧処理部」を「前記複数の真空圧処理部」と、また、「前記大気圧処理部」を「前記複数の大気圧処理部」と訂正する。
イ　【請求項３】について
　登録明細書の特許請求の範囲の【請求項３】の「・・・、該ロード・ロック室を真空状態にし前記真空ロボットで・・・」を「・・・、該ロード・ロック室を真空圧状態にし前記真空圧ロボットで・・・」と訂正する。
ウ　【請求項４】について
　登録明細書の特許請求の範囲の【請求項４】の「・・・、前記大気圧搬送装置と前記大気圧処理部の間に大気圧状態内で使用する大気圧ロボットを配設し、該大気圧搬送装置と該大気圧処理部間の処理対象物の搬送は該大気圧ロボットで行うようにした・・・」を「・・・、該大気圧搬送装置と該大気圧処理部間の処理対象物の搬送は前記大気圧ロボットで行うようにした・・・」と訂正する。
　そして、訂正個所に下線を付して訂正後の特許請求の範囲全体を示すと以下のとおりである。
「【請求項１】各種処理を施す複数の処理部を具備し、該処理部での処理工程を経て半導体ウエハ又はガラス基板の処理対象物に各種処理を施し、半導体又は液晶パネルを製造する半導体及び液晶パネル製造装置であって、
　前記処理部は真空圧状態で処理を施す複数の真空圧処理部と、大気圧状態で処理を施す複数の大気圧処理部と、前記真空圧処理部間を真空圧状態内で前記処理対象物を搬送する真空圧搬送装置と、前記大気圧処理部間を大気圧状態内で前記処理対象物を搬送する大気圧搬送装置と、
該大気圧搬送装置と前記大気圧処理部の間に配設された大気圧状態内で使用する大気圧ロボットと、前記
前記
　
前記大気圧搬送装置は前記大気圧処理部及び前記搬送装置間搬送装置に対応して複数のステーションを有し、前記処理対象物をカートに載せて各ステーションに搬送するように構成され、
前記大気圧ロボットは前記各ステーションで前記大気圧搬送装置と前記大気圧処理部間での前記処理対象物の搬送を行うように構成され、
　前記
複数
複数
且つ前記複数の真空圧処理部は外部からそれぞれ独立して遮断されており、
【請求項２】前記真空圧搬送装置は真空圧状態内で使用する磁気浮上搬送装置であり、前記大気圧搬送装置は大気圧状態内で使用する磁気浮上搬送装置であることを特徴とする請求項１に記載の全自動半導体及び液晶パネル製造装置。
【請求項３】搬送装置間搬送装置は、前記真空圧搬送装置側に真空圧状態内で使用する真空圧ロボット、前記大気圧搬送装置側に大気圧状態内で使用する大気圧ロボット、中間にロード・ロック室を配置し、前記真空圧搬送装置側から大気圧搬送装置側に前記処理対象物を搬送する場合は、前記ロード・ロック室を真空圧状態にして該ロード・ロック室に真空圧搬送装置側から前記真空圧ロボットで処理対象物を搬入した後、該ロード・ロック室を大気圧状態にし前記大気圧ロボットで該処理対象物を大気圧搬送装置側に搬送し、前記大気圧搬送装置側から前記真空圧搬送装置側に処理対象物を搬送する場合は、前記ロード・ロック室を大気圧状態にして該ロード・ロック室に大気圧搬送装置側から前記大気圧ロボットで処理対象物を搬入した後、該ロード・ロック室を真空
圧
圧
【請求項４】前記真空圧搬送装置と前記真空圧処理部間の間には真空圧状態内で使用する真空圧ロボットを配設し、該真空圧搬送装置と該真空圧処理部間の処理対象物の搬送は該真空圧ロボットで行うと共に、該大気圧搬送装置と該大気圧処理部間の処理対象物の搬送は
前記
【請求項５】前記真空圧処理部として１個以上の処理対象物を保管する中真空保管室、高真空保管室及び超高真空保管室を設け、大気圧処理部として１個以上の処理対象物を保管する保管室を設けたことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の全自動半導体及び液晶パネル製造装置。」
(2) 訂正事項ｂ
　登録明細書の段落【０００９】を下記のように訂正する。
「【課題を解決するための手段】
　上記課題を解決するため本発明は、各種処理を施す複数の処理部を具備し、該処理部での処理工程を経て半導体ウエハ又はガラス基板の処理対象物に各種処理を施し、半導体又は液晶パネルを製造する半導体及び液晶パネル製造装置であって、処理部は真空圧状態で処理を施す複数の真空圧処理部と、大気圧状態で処理を施す複数の大気圧処理部と、真空圧処理部間を真空圧状態内で処理対象物を搬送する真空圧搬送装置と、大気圧処理部間を大気圧状態内で処理対象物を搬送する大気圧搬送装置と、大気圧搬送装置と大気圧処理部の間に配設された大気圧状態内で使用する大気圧ロボットと、真空圧搬送装置と大気圧搬送装置の間を処理対象物を搬送する搬送装置間搬送装置を具備し、大気圧搬送装置は大気圧処理部及び搬送装置間搬送装置に対応して複数のステーションを有し、処理対象物をカートに載せて各ステーションに搬送するように構成され、大気圧ロボットは各ステーションで大気圧搬送装置と大気圧処理部間での処理対象物の搬送を行うように構成され、複数の真空圧処理部、複数の大気圧処理部、真空圧搬送装置、前記大気圧搬送装置及び搬送装置間搬送装置は外部から遮断され、且つ複数の真空圧処理部は外部からそれぞれ独立して遮断されており、装置内に処理対象物を搬入することにより自動的に処理対象物に各種処理を施し、半導体又は液晶パネルを製造することを特徴とする。」
２　訂正の目的の適否、新規事項の追加の有無及び拡張・変更の存否
(1) 訂正事項ａについて
ア　【請求項１】について
　請求項１に付加する各構成は、訂正前の請求項１に係る発明をより限定するものであって、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであることが明らかである。
　そして、各訂正の根拠は以下のとおりである。
「該大気圧搬送装置と前記大気圧処理部の間に配設された大気圧状態内で使用する大気圧ロボットと、」の点は、登録明細書の段落【００１９】〜【００２１】の記載及び図１から、大気圧の磁気浮上搬送装置Ａ１と大気圧の各処理室Ａ７〜Ａ９、各処理室Ａ１０〜Ａ１２、各処理室Ａ１３〜Ａ１５の間にはそれぞれ大気圧ロボットＡ４、Ａ５、Ａ６が配置され、真空圧の磁気浮上搬送装置Ｖ１と真空圧の各処理室Ｖ７〜Ｖ９、各処理室Ｖ１５、Ｖ１０、Ｖ１４、各処理室Ｖ１１〜Ｖ１３の間にはそれぞれ真空圧ロボットＶ４、Ｖ５、Ｖ６が配置されていることから、大気圧搬送装置と大気圧処理部の間に大気圧ロボットが配置されていることが明らかである。
「前記大気圧搬送装置は前記大気圧処理部及び前記搬送装置間搬送装置に対応して複数のステーションを有し、前記処理対象物をカートに載せて各ステーンョンに搬送するように構成され、」の点は、登録明細書の段落【００２２】〜【００２８】のウエハ運搬工程の説明の記載及び図１から、大気圧搬送装置（磁気浮上搬送装置Ａ１）は複数の大気圧処理部及び搬送装置間搬送装置に対応して複数のステーションＳ４、Ｓ５、Ｓ６を有し、処理対象物をカートに載せて各ステーションに搬送するように構成されていることが明らかである。
「前記大気圧ロボットは前記各ステーションで前記大気圧搬送装置と前記大気圧処理部間での前記処理対象物の搬送を行うように構成され、」の点は、登録明細書の段落【００２２】〜【００２８】のウエハ運搬工程の説明の記載及び図１から、ロボット室Ａ４、Ａ５、Ａ６の大気圧のロボットが大気圧の磁気浮上装置Ａ１のステーションＳ４、Ｓ５、Ｓ６で磁気浮上装置Ａ１と各大気圧の各処理室Ａ７〜Ａ９、各処理室Ａ１０〜Ａ１２、各処理室Ａ１３〜Ａ１５の間で処理対象物の搬送を行うように構成されていることが明らかである。
「且つ前記複数の真空圧処理部は外部からそれぞれ独立して遮断されており、」の点は、登録明細書の段落【００１９】〜【００２１】の記載及び図１から、真空圧の各処理室Ｖ７〜Ｖ１５は外部からそれぞれ独立して遮断されていることが明らかである。
　また、「前記真空圧処理部」を「前記複数の真空圧処理部」と、また、「前記大気圧処理部」を「前記複数の大気圧処理部」と訂正する点は、登録明細書の段落【００１９】〜【００２１】の記載及び図１から、全自動半導体及び液晶パネル製造装置が、複数の真空圧処理室及び複数の大気処理室を備えていることが明らかであることを根拠とするものであって、発明の構成を明りょうにするものである。
イ　【請求項３】について　
　請求項３における訂正は、要するに「真空」と誤記されていたものを「真空圧」に訂正するものである。
ウ　【請求項４】について      
　請求項４における訂正は、請求項１に「該大気圧搬送装置と前記大気圧処理部の間に配設された大気圧状態内で使用する大気圧ロボットと、」の点が付加されることに伴ってなされたものであって、明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
　したがって、訂正事項ａは、特許請求の範囲の減縮、誤記の訂正及び明りょうでない記載の釈明に相当し、且つ、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であって、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
(2) 訂正事項ｂについて
　訂正事項ｂは、訂正事項ａの【請求項１】についての訂正に伴ってその記載を整合させるためになされたものであって、明りょうでない記載の釈明に相当し、且つ、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であって、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
３　むすび
　以上のとおりであるから、本件訂正は、特許法第１２０条の４第３項において準用する平成６年法律第１１６号による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書き及び第２項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　　　　　　　　　　　　　　　　
第３　特許異議の申立てについての判断
１　特許異議申立て及び取消しの理由の概要　
　特許異議申立人は、証拠として本件特許の出願前に日本国内において頒布された刊行物である下記甲第１号証ないし甲第６号証を提出して、本件の請求項１ないし５に係る発明は、甲第１号証ないし甲第６号証に記載された発明であるか、或いは、それらに記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件の請求項１ないし５に係る特許は、特許法第２９条の規定に違反して特許されたものであり、取り消されるべきものである旨主張している。
［証拠］
　甲第１号証：特開平３−１９０２６０号公報
　甲第２号証：特開平４−２７５４４９号公報
　甲第３号証：特開平３−　４４０５８号公報
　甲第４号証：特開平２−　９７０３５号公報
　甲第５号証：特開平１−２０９７３７号公報
　甲第６号証：特開平４−２７７０２５号公報
　また、当審で通知した取消しの理由は、特許異議の申立ての理由に沿うもである。
２　本件発明
　本件については第２の３に示すように訂正が認められており、本件特許の請求項１ないし５に係る発明（以下「本件発明１ないし５」という。）は、訂正明細書及び登録時の図面の記載からみて、第２の１(1)の後段に示す、その特許請求の範囲の請求項１ないし５に記載されたとおりの「全自動半導体及び液晶パネル製造装置」であると認める。
３　甲各号証の記載内容
　甲第１号証ないし甲第６号証には、それぞれ以下の発明ないし技術的事項が記載されていると認める。
(1) 甲第１号証
ア「半導体ウエハに第一の処理を施す第一の処理室と、前記半導体ウエハに
　第二の処理を施す第二の処理室と、前記半導体ウエハを前記第一の処理室
　から前記第二の処理室へと搬送する搬送手段とを備えたウエハ処理装置で
　あって、前記搬送手段の一部にパージガス供給機構を設け、前記搬送手段
　に保持された半導体ウエハの表面にパージガスを供給するようにしたこと
　を特徴とするウエハ処理装置。」（特許請求の範囲参照）
イ　第一の処理室２は、内部が所定の真空度まで排気され、半導体ウエハに
　ドライエッチングを施すドライエッチング室５、アッシングを施すアッシ
　ング室６と、ドライエッチング室５でドライエッチングを施したウエハ９
　をアッシング室６に搬送するロボットアーム１８ｂを備えていること。
ウ　第二の処理室３は、第一の処理室２で処理された半導体ウエハに純水に
　よる洗浄を施す洗浄室１０と水分を除去するためのホットプレート１１と
　、洗浄室１０で洗浄されたウエハ９をホットプレート１１に搬送するロボ
　ットアーム１８ｃを備えていること。
エ　第一の処理室２と第二の処理室３との間には両室を連結するロードロッ
　ク室４が設けられ、ロードロック室４には第一の処理室２で処理されたウ
　エハ９を第二の処理室３に搬送する搬送アーム１４を備えており、第一の
　処理室２からウエハ９をロードロック室４内に搬入する際には、ロードロ
　ック室４は第一の処理室４内とほぼ同じ真空度に保持され、ロードロック
　室４にウエハ９を搬入後は内部を大気圧に戻すこと。
オ　第一の処理室２には、第一の処理室２内にウエハを搬入するためのカセ
　ット室７が設けられていること。
カ　カセット室７より第一の処理室２内に搬入されたウエハ９は、ドライエ
　ッチング及びアッシングの第一の処理が施され、次いでアンローダ１２、
　ロードロック室４を経由して第二の処理室３に搬入され、位置決めステー
　ジ１３を経由して洗浄室１０で洗浄され、更にホットプレート１１におい
　て加熱され、ウエハ９はカセット室７より外部に取り出されること。
　（イ〜カについては、図１〜図３参照）
(2) 甲第２号証            
　真空トンネル１１内に半導体ウエハ１２を載置している浮上体１３を搬送するメイン搬送路１４を有する半導体製造装置の半導体のウェハの搬送に適用される磁気搬送装置１０において、メイン搬送路１４に沿って２本の電磁石２２からなる交流電磁石を施設し、この交流電磁石上を半導体ウエハ１２を載せた浮上体１３を搬送すること。（段落【００１３】及び図２，３参照）
(3) 甲第３号証
　真空ロード・アンロードチャンバ１、真空搬送室６、真空ロードロック室８、ウェット処理室１５を備える半導体製造装置において、真空搬送室６とウエット処理室１５とは真空ロードロック室８を介して接続されており、真空ロードロック室８とウェット処理室１５間においてウェハが所定の搬送手段により搬送されること、真空ロードロック室８は不活性ガスの導入が可能なこと、及びウェット処理装置１５が大気圧又は大気圧より陽圧状態に不活性ガスにより維持されること。（第３頁右下欄第４行〜第４頁左上欄第１７行参照）
(4) 甲第４号証
　半導体ウエハを処理する真空装置において、ディストリビュータチャンバ７内に回転式ロボットアーム１０よりプロセスチャンバ２５，２６に中間チャンバ１５内の回転アーム２０により処理されるべきウエハが搬送されること。（第６頁左上欄第１５行〜同頁左下欄第５行及び第１図参照）
(5) 甲第５号証
　半導体ウエハを洗浄する洗浄機構、フォトレジスト塗布機構、現像機構など処理機構を備えた半導体製造装置において、横方向に移動可能な主搬送機構１０４、熱処理機構２１５、３１５、上下動可能な２個の搬送部２１６，３１６からなる搬送機構２１８を備えること。（第４頁左下欄第１７行〜同頁右下欄第１５行及び第３図参照）
(6) 甲第６号証
　半導体を処理する真空処理装置において、被処理基板に真空中で処理する真空処理室３〜５と、被処理基板を保管する保管室６を設けること。（段落【０００８】及び図１参照）
４  対比・検討
(1) 本件発明１について　
　本件発明１と甲各号証記載の発明ないし技術的事項とを対比すると、甲各号証記載の発明ないし技術的事項は、本件発明１と部分的に共通する構成要件を備えているものの、いずれも本件発明１の「前記大気圧搬送装置は前記大気圧処理部及び前記搬送装置間搬送装置に対応して複数のステーションを有し、前記処理対象物をカートに載せて各ステーションに搬送するように構成され」という構成要件及び「該大気圧搬送装置と前記大気圧処理部の間に配設された大気圧状態内で使用する大気圧ロボット」を具備し、「前記大気圧ロボットは前記各ステーションで前記大気圧搬送装置と前記大気圧処理部間での前記処理対象物の搬送を行うように構成され」という構成要件を備えていない。
　そして、上記各構成要件を備えることによって、本件発明１では、大気圧搬送装置は、カートに載せた処理対象物を複数の大気圧処理部に対応して設けた複数のステーションに搬送することに専念することができるで、ロボットアームによる搬送のようにアームに撓みが生じることによる処理対象物の重量の制限がなく、また運ぶ距離・大気圧処理部の配置個数に制限がなく、処理部を自由に組み合わせることが可能となるという効果を奏することが期待されるものである。
　したがって、本件発明１は、甲第１号証ないし甲第６号証に記載された発明であるとすることができないだけでなく、それらに記載された発明ないし技術的事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることもできない。
(2) 本件発明２ないし５について
　本件発明２ないし５は、本件発明１を直接的ないし間接的に引用してその構成をより具体的に限定するものであるから、本件発明１についてと同様の理由により当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることはできない。
５　むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立人の主張する特許異議申立ての理由及び提出した証拠によっては、本件の請求項１ないし５に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件の請求項１ないし５に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　したがって、本件の請求項１ないし５に係る特許は、拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものではない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１５年９月１０日（２００３．９．１０）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
半導体及び液晶パネル製造装置
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　各種処理を施す複数の処理部を具備し、該処理部での処理工程を経て半導体ウエハ又はガラス基板の処理対象物に各種処理を施し、半導体又は液晶パネルを製造する半導体及び液晶パネル製造装置であって、
　前記処理部は真空圧状態で処理を施す複数の真空圧処理部と、大気圧状態で処理を施す複数の大気圧処理部と、前記真空圧処理部間を真空圧状態内で前記処理対象物を搬送する真空圧搬送装置と、前記大気圧処理部間を大気圧状態内で前記処理対象物を搬送する大気圧搬送装置と、
該大気圧搬送装置と前記大気圧処理部の間に配設された大気圧状態内で使用する大気圧ロボットと、前記
前記
　前記大気圧搬送装置は前記大気圧処理部及び前記搬送装置間搬送装置に対応して複数のステーションを有し、前記処理対象物をカートに載せて各ステーションに搬送するように構成され、
　前記大気圧ロボットは前記各ステーションで前記大気圧搬送装置と前記大気圧処理部間での前記処理対象物の搬送を行うように構成され、
　前記
複数の
複数の
且つ前記複数の真空圧処理部は外部からそれぞれ独立して遮断されており、
　【請求項２】　前記真空圧搬送装置は真空圧状態内で使用する磁気浮上搬送装置であり、前記大気圧搬送装置は大気圧状態内で使用する磁気浮上搬送装置であることを特徴とする請求項１に記載の全自動半導体及び液晶パネル製造装置。
　【請求項３】　搬送装置間搬送装置は、前記真空圧搬送装置側に真空圧状態内で使用する真空圧ロボット、前記大気圧搬送装置側に大気圧状態内で使用する大気圧ロボット、中間にロード・ロック室を配置し、前記真空圧搬送装置側から大気圧搬送装置側に前記処理対象物を搬送する場合は、前記ロード・ロック室を真空圧状態にして該ロード・ロック室に真空圧搬送装置側から前記真空圧ロボットで処理対象物を搬入した後、該ロード・ロック室を大気圧状態にし前記大気圧ロボットで該処理対象物を大気圧搬送装置側に搬送し、前記大気圧搬送装置側から前記真空圧搬送装置側に処理対象物を搬送する場合は、前記ロード・ロック室を大気圧状態にして該ロード・ロック室に大気圧搬送装置側から前記大気圧ロボットで処理対象物を搬入した後、該ロード・ロック室を真空
圧
　【請求項４】　前記真空圧搬送装置と前記真空圧処理部間の間には真空圧状態内で使用する真空圧ロボットを配設し、該真空圧搬送装置と該真空圧処理部間の処理対象物の搬送は該真空圧ロボットで行うと共に、該大気圧搬送装置と該大気圧処理部間の処理対象物の搬送は
前記
　【請求項５】　前記真空圧処理部として１個以上の処理対象物を保管する中真空保管室、高真空保管室及び超高真空保管室を設け、大気圧処理部として１個以上の処理対象物を保管する保管室を設けたことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の全自動半導体及び液晶パネル製造装置。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】
　本発明は半導体ウエハ及びガラス基板などを装置内に投入した後は、人の手を介することなく、全自動で半導体及び液晶パネル等を製造する全自動半導体及び液晶パネル製造装置に関するものである。
　【０００２】
　【従来技術】
　半導体の歩留まりを低下させる原因として、粒子汚染が広く知られている。発塵源としては、クリーンルーム環境、人の手によるハンドリング、プロセス装置及びプロセス材料が上げられる。その中で、クリーンルームの清浄化技術の向上やプロセス材料の品質向上は目覚ましいものがあり、粒子汚染防止に効果を上げている。今後、粒子汚染防止に効果が期待されているのはプロセス装置自体からの発塵と人の手によるハンドリングである。
　【０００３】
　半導体や液晶パネル等の製造には、成膜工程と成膜工程の間には必ずと言ってよいぼど、洗浄工程とリソグラフィ工程が入る。この時の真空状態では成膜したウエハやガラス基板等を、一旦大気状態に置き、洗浄し、リソグラフィ工程が入る。その後、ウエットエッチング工程等を経て再び真空にし、ＣＶＤ装置等により膜形成が行われる。このように、一つの半導体や液晶パネルを製造するのに、大気状態→真空状態→大気状態を何回となく繰り返す。そのため、真空状態で成膜されたウエハやガラス基板等を、人の手によって次の大気中で洗浄工程等に運んだりするが、この間に粒子汚染の恐れがある。
　【０００４】
　また、近年では、半導体の高集積化が進むに従って、ウエハやガラス基板などの表面に付着した１原子層の不純物原子が問題となる分子汚染も考慮する必要がある。
　【０００５】
　更に、プロセスからプロセスに移る間にも次の工程を待って保管状態に置かれるウエハもあり、この保管中にも保管環境によって粒子汚染・分子汚染の恐れがある。
　【０００６】
　現在存在するこの種の装置としては、成膜やエッチング等の真空中で行うプロセスを一つの装置で行うマルチチャンバー方式のプロセス装置がある。しかし、それは真空中のプロセスを同一装置で行うため、その後に洗浄をする時は、大気圧に戻してマルチチャンバー装置から人の手によってウエハを運搬し、洗浄機に入れ、洗浄した後、ウエハを取り出し人の手によってウエハを運搬し、再び真空プロセスの装置に入れている。言い替えれば、真空中はマルチチャンバーで自動的に成膜し、洗浄工程でも自動的に洗浄するもので、真空中での成膜と大気中での洗浄との間は人の手を借りねばならず、現状では半自動装置にしかできない。
　【０００７】
　【発明が解決しようとする課題】
　しかしながら、上記従来の半自動装置では、人の手を介してウエハやガラス基板を運搬しなければならず、この運搬中にウエハが汚染されるという問題がある。そして現状においては、ウエハやガラス基板を装置に入れたら人の手を介さずに製品の半導体や液晶パネルとして搬出される、保管も含めた全自動半導体及び液晶パネル製造装置はない。
　【０００８】
　本発明は上述の点に鑑みてなされたもので、一度装置の中にウエハやガラス基板を装置に投入したら、製品の半導体や液晶パネルとして該装置から搬出されるまで、人の手に触れずに半導体や液晶パネルを製造でき、しかも次の工程に入るまでの保管装置も含めた、粒子汚染、分子汚染対策も考慮した全自動半導体及び液晶パネル製造装置を提供することを目的とする。
　【０００９】
　【課題を解決するための手段】
　上記課題を解決するため
本
大気圧搬送装置と大気圧処理部の間に配設された大気圧状態内で使用する大気圧ロボットと、
大気圧搬送装置は大気圧処理部及び搬送装置間搬送装置に対応して複数のステーションを有し、処理対象物をカートに載せて各ステーションに搬送するように構成され、大気圧ロボットは各ステーションで大気圧搬送装置と大気圧処理部間での処理対象物の搬送を行うように構成され、複数の
複数の
且つ複数の真空圧処理部は外部からそれぞれ独立して遮断されており、
　【００１０】
　請求項２に記載の発明は請求項１に記載の全自動半導体及び液晶パネル製造装置において、真空圧搬送装置は真空圧状態内で使用する磁気浮上搬送装置であり、大気圧搬送装置は大気圧状態内で使用する磁気浮上搬送装置であることを特徴とする。
　【００１１】
　請求項３に記載の発明は請求項１又は２に記載の全自動半導体及び液晶パネル製造装置において、搬送装置間搬送装置は、前記真空圧搬送装置側に真空圧状態内で使用する真空圧ロボット、大気圧搬送装置側に大気圧状態内で使用する大気圧ロボット、中間にロード・ロック室を配置し、真空圧搬送装置側から大気圧搬送装置側に前記処理対象物を搬送する場合は、ロード・ロック室を真空圧状態にして該ロード・ロック室に真空圧搬送装置側から前記真空圧ロボットで処理対象物を搬入した後、該ロード・ロック室を大気圧状態にし大気圧ロボットで該処理対象物を大気圧搬送装置側に搬送し、大気圧搬送装置側から真空圧搬送装置側に処理対象物を搬送する場合は、ロード・ロック室を大気圧状態にして該ロード・ロック室に大気圧搬送装置側から大気圧ロボットで処理対象物を搬入した後、該ロード・ロック室を真空状態にし真空圧ロボットで該処理対象物を真空圧搬送装置側に搬送することを特徴とする。
　【００１２】
　請求項４に記載の発明は請求項１又は２又は３に記載の全自動半導体及び液晶パネル製造装置において、真空圧搬送装置と前記真空圧処理部間の間には真空圧状態内で使用する真空
圧
圧
圧
　【００１３】
　また、複数の真空
圧
　【００１４】
　請求項５に記載の発明は請求項１乃至４のいずれか１項に記載の全自動半導体及び液晶パネル製造装置において、真空圧処理部として１個以上の処理対象物を保管する中真空保管室、高真空保管室及び超高真空保管室を設け、大気圧処理部として１個以上の処理対象物を保管する保管室を設けたことを特徴とする。
　【００１５】
　また、大気圧処理部の少なくとも１個が処理対象物の搬入口又は完成した半導体及び液晶パネルの搬出口であることを特徴とする。
　【００１６】
　【作用】
　本発明は上記構成を採用することにより、処理対象物を外部から遮断された装置内に搬入することにより、該処理対象物は搬送手段により施す処理に応じて、例えば、エッチャー室、スパッタ室、ＣＶＤ室、イオン注入室、ドライ洗浄室、ウエット洗浄室、乾燥室、ウエットエッチング室、リソグラフィ室、露光室、ドライ洗浄室に自動的に真空圧処理部又は大気圧処理部に搬送され、そこで自動的に各処理部の処理が施される。このような搬送及び処理が完成品となるまで人手を介することなく繰り返され、完成品は必要に応じて、高真空保管室、超高真空保管、保管室に保管される。
　【００１７】
　【実施例】
　以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。図１及び図２は本発明の全自動半導体及び液晶パネル製造装置のシステム構成の概念を示す図、図１は平面図、図２はＢ−Ｂ’断面図である。図中、装置構成部品の番号で頭にＡが付いているものは大気中で、Ｖが付いているものは真空中で使用する装置を示す。
　【００１８】
　本半導体及び液晶パネル製造装置は、大気中でウエハやガラス基板を運搬する磁気浮上搬送装置Ａ１と真空中でウエハやガラス基板を運搬する磁気浮上搬送装置Ｖ１を具備する。
　【００１９】
　大気中で使用する磁気浮上搬送装置Ａ１には、ロボット室Ａ４を介してウエット洗浄室Ａ７、乾燥室Ａ８及びウエットエッチング室Ａ９が、ロボット室Ａ５を介してリソグラフィ室（レジスト塗布・ベーキング）、ドライ洗浄室Ａ１１及び露光室（露光・現像）Ａ１２が、ロボット室Ａ６を介して表面酸化処理室Ａ１５、搬入搬出口Ａ１４及び保管室Ａ１３がそれぞれ接続される。
　【００２０】
　真空中で使用する磁気浮上搬送装置Ｖ１には、ロボット室Ｖ４を介してエッチャー室Ｖ７、スパッタ室Ｖ８及びＣＶＤ室Ｖ９が、ロボット室Ｖ５を介してイオン注入室（ドーピング）Ｖ１５、ドライ洗浄室Ｖ１０及び表面酸化処理室Ｖ１４が、ロボット室Ｖ６を介して中真空保管室Ｖ１１、高真空保管室Ｖ１２及び超真空保管室Ｖ１３が接続される。
　【００２１】
　また、大気中で使用される磁気浮上搬送装置Ａ１と真空中で使用される磁気浮上搬送装置Ｖ１とは、ロボット室Ａ２及びロボット室Ｖ２を介してＬ／Ｌ室（ロード・ロック室）１０と、ロボット室Ａ３及びロボット室Ｖ３を介してＬ／Ｌ室（ロード・ロック室）１１とで接続されている。なお、本実施例ではＬ／Ｌ室を２箇所に持つ板が、１箇所以上であれば何箇所であってもよい。また、２０〜４７はそれぞれバルブである。
　【００２２】
　極く一般的な半導体製造工程を例に本装置のウエハ運搬工程を説明する。
　（１）先ず、搬入搬出口Ａ１４から装置内にウエハを投入する。
　（２）ロボット室Ａ６のロボットによって、大気中で使用する磁気浮上搬送装置Ａ１のステーションＳ３に停止しているカート１２に該ウエハを載せる。
　（３）磁気浮上搬送装置Ａ１によって、カート１２上のウエハはステーションＳ３からステーションＳ１に運ばれる。
　【００２３】
　（４）ステーションＳ１において、カート１２上のウエハはロボット室Ａ４内のロボットによりウエット洗浄室Ａ７に運ばれ、通常はＲＣＡ洗浄がなされる。
　（５）洗浄されたウエハはロボット室Ａ４内のロボットによって乾燥室８に運ばれ、乾燥される。
　（６）乾燥されたウエハはロボット室Ａ４内のロボットによってステーションＳ１に停止しているカート１２に載せられ、磁気浮上搬送装置Ａ１により、ステーションＳ１からステーションＳ３へと運ばれる。
　【００２４】
　（７）ステーションＳ３に運ばれたカート１２上のウエハはロボット室Ａ６のロボットにより表面酸化処理室Ａ１５に運ばれる。
　（８）表面酸化処理室Ａ１５に運ばれたウエハはアニールし表面に中間絶縁膜であるＳｉＯ２膜が形成される。
　（９）表面にＳｉＯ２膜が形成されたウエハは、ロボット室Ａ６のロボットによりステーションＳ３に運ばれ、ロボット室Ａ３のロボットにより内部が大気圧状態になっているＬ／Ｌ室１１に入れられる。
　【００２５】
　（１０）Ｌ／Ｌ室１１はウエハが入れられた後、大気圧から真空状態にし、ロボット室Ｖ３のロボットにより、真空中で使用する磁気浮上搬送装置Ｖ１のステーションＳ６上に待機しているカート１３上に載せられる。
　（１１）ウエハを載せたカート１３は磁気浮上搬送装置Ｖ１によりステーションＳ４に運ばれる。続いてロボット室Ｖ４のロボットにより、ＣＶＤ室Ｖ９に運ばれる。
　（１２）該ＣＶＤ室Ｖ９に運ばれたウエハはその表面のＳｉＯ２膜の上にＳｉ３Ｎ４膜の絶縁膜を形成する。
　【００２６】
　（１３）該Ｓｉ３Ｎ４膜を形成したウエハは、ロボット室Ｖ４のロボットによりステーションＳ４に待機しているカート１３に載せられる。
　（１４）ロボット室Ｖ２のロボットによって内部が真空状態になっているＬ／Ｌ室１０に運ばれ、Ｌ／Ｌ室１０を真空から大気圧状態にする。
　（１５）大気圧状態に置かれたウエハはロボット室Ａ２のロボット１４によってステーションＳ１に待機しているカート１２上に載せられ、該ウエハを載せたカート１２は磁気浮上搬送装置Ａ１によりステーションＳ２に運ばれる。
　【００２７】
　（１６）ロボット室Ａ５のロボットにより、リソグラフィ室Ａ１０に入れ、レジスト塗布、プリベーキングをし、再びロボット室Ａ５のロボットで露光室Ａ１２に入れ、該露光室Ａ１２において、露光、現像を行い、再びロボット室Ａ５のロボットでリソグラフィ室Ａ１０に入れ、該リソグラフィ室Ａ１０において、ポストベーキングを行う。
　【００２８】
　（１７）リングラフィ工程が終了したウエハは、ロボット室Ａ５のロボットによりステーションＳ２に待機するカート１２上に運び、磁気浮上搬送装置Ａ１において、ステーションＳ１に運び、ロボット室Ａ４のロボットにより、ウエットエッチング室Ａ９に入れられ、ウエットエッチング室Ａ９において、湿式により目的とする領域のＳｉ３Ｎ４膜を取り除く。若しくはステーションＳ１からロボット室Ａ２のロボット１４により大気圧状態のＬ／Ｌ室１０に運び、Ｌ／Ｌ室１０を真空にし、ロボット室Ｖ２のロボット１５により、ステーションＳ４に待機しているカート１３に運び、更にロボット室Ｖ４のロボットによりエッチャー室Ｖ７に運び乾式により目的とする領域のＳｉ３Ｎ４膜を取り除く。
　【００２９】
　（１８）目的とする領域のＳｉ３Ｎ４膜を取り除いたウエハは、上記（１）乃至（１０）に示す要領でロボット、磁気浮上搬送装置を用いてイオン注入室Ｖ１５に運び、Ｂ＋（ボロンイオン）をドーピングする。
　（１９）ドーピングの終了したウエハは上記と同様ロボット、磁気浮上搬送装置を用いてドライ洗浄室Ａ１１に運び、Ｏ３（オゾン）、ＵＶ（紫外線）ランプにより、レジストを取り除く。
　（２０）レジストを取り除いたウエハは、ロボット、磁気浮上搬送装置を用いてウエット洗浄室Ａ７に運び、再び洗浄する。
　【００３０】
　上記（２）乃至（２０）に示す工程を何度も繰り返し一つの半導体が製造される。製造された半導体はロボット室Ａ６のロボットにより搬入搬出口Ａ１４から取り出す。
　【００３１】
　上記システム構成の製造装置によれば、搬入搬出口Ａ１４から搬入されたウエハは、半導体となって再び搬入搬出口Ａ１４から搬出されるまで、人の手に触れることがなく、人による粒子汚染の恐れは全くない。
　【００３２】
　図１には、真空中の磁気浮上搬送装置と大気中の磁気浮上装置とのウエハの行き来をロボットを用いてハンドリングで行う例を示したが、この間のウエハの行き来も磁気浮上搬送装置を用いてカートにウエハを載せたまま磁気浮上搬送から各プロセスまで搬送してもよい。
　【００３３】
　半導体を製造する工程において、次の工程に入る前にウエハ等を待たせる状態（Ｗａｉｔｔｉｎｇ）がしばしばある。このような時には、ウエハ等を保管室Ａ１３又は中真空保管室Ｖ１１、高真空保管室Ｖ１２、超高真空保管室Ｖ１３に入れ待機させる。
　【００３４】
　また、分子汚染を起こしたくない状態のウエハは、例えばＲＣＡ洗浄し、表面に酸化膜をつけたくないウエハ、コンタクトホールを造り配線工程を待つウエハなどに対しては、超高純度清浄Ｎ２ガスを流し続ける保管室Ａ１３にて保管するか、若しは内部が超真空（１／１０７Ｔｏｒｒ以下）の超高真空保管室Ｖ１３にて保管する。
　【００３５】
　真空中での保管に関しては、３種類の真空状態の保管室を用意し、ウエハが要求される清浄度に合わせて保管室を選ぶことができる。また、３種類の条件の保管室をつくることにより、小さい保管室のみ超高真空を造り出すだけでよく、磁気浮上搬送装置とそれに付随するプロセス装置を超高真空にする必要がないので、経済的である。
　【００３６】
　大気圧状態を造り出すには、不活性清浄ガス（清浄Ｎ２ガスなど）を封じ込めるか、数リットル／ｍｉｎから数十リットル／ｍｉｎ流し続けるだけでよい。普通には１０リットル／ｍｉｎの清浄Ｎ２ガスを流し続れば、粒子汚染・分子汚染が十分防ぐことができる。
　【００３７】
　【発明の効果】
　以上、説明した本発明によれば処理対象物であるウエハ又はガラス基板を装置内に搬入することにより、半導体又は液晶パネルとなるまでの処理を人手を介することなく、全て自動的に処理するので、粒子汚染や分子汚染の恐れが殆どないという優れた効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　本発明の全自動半導体及び液晶パネル製造装置のシステム構成の概念を示す平面図である。
　【図２】
　図１のＢ−Ｂ’断面図である。
　【符号の説明】
　Ａ１　　　　　　磁気浮上搬送装置
　Ａ２〜６　　　　ロボット室
　Ａ７　　　　　　ウエット洗浄室
　Ａ８　　　　　　乾燥室
　Ａ９　　　　　　ウエットエッチング
室
　Ａ１０　　　　　リソグラフィ室
　Ａ１１　　　　　ドライ洗浄室
　Ａ１２　　　　　露光室
　Ａ１３　　　　　保管室
　Ａ１４　　　　　搬入搬出口
　Ａ１５　　　　　表面酸化処理室
　Ｖ１　　　　　　磁気浮上搬送装置
　Ｖ２〜６　　　　ロボット室
　Ｖ７　　　　　　エッチャー室
　Ｖ８　　　　　　スパッタ室
　Ｖ９　　　　　　ＣＶＤ室
　Ｖ１０　　　　　ドライ洗浄室
　Ｖ１１　　　　　中真空保管室
　Ｖ１２　　　　　高真空保管室
　Ｖ１３　　　　　超高真空保管室
　Ｖ１４　　　　　表面酸化処理室
　Ｖ１５　　　　　イオン注入室
　１０，１１　　　Ｌ／Ｌ室