(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電基板と、
該圧電基板上に配置された励振電極と、
前記励振電極と電気的に接続された電極パッドと、
前記圧電基板との間に前記励振電極を収容する複数の収容空間を形成するカバー体と、
前記カバー体に配置され、前記電極パッドと電気的に接続された回路パターンと、を有し、該回路パターンは、平面透視で、
前記励振電極と重ならない領域に配置されており、
２つの前記収容空間の間において複数の屈曲部を備える、
弾性波素子。
【請求項２】
前記回路パターンは、平面透視で、２つの前記収容空間の間において、その配列方向と交差する方向に延びる部位を複数備える、請求項１に記載の弾性波素子。
【請求項３】
前記カバー体は、前記励振電極を囲む枠部と、蓋部と、を備え、
前記回路パターンは、前記蓋部上であって、平面透視して、前記枠部と重なる位置に配置されている請求項１または２に記載の弾性波素子。
【請求項４】
前記カバー体は、前記励振電極を囲む枠部と、蓋部と、を備え、
前記回路パターンは、前記枠部上に配置されている請求項１または２に記載の弾性波素子。
【請求項５】
前記回路パターンは、一部が、前記電極パッドよりも前記圧電基板の外周側に配置されている請求項１〜４のいずれかに記載の弾性波素子。
【請求項６】
前記回路パターンは、グランド電位の前記電極パッドに電気的に接続されている請求項１〜５のいずれかに記載の弾性波素子。
【請求項７】
前記枠部は、平面視したときに、前記圧電基板の外周よりも内側に配置されており、
前記枠部は、平面視したときに、外縁から前記圧電基板の外周までの距離よりも、前記圧電基板の外周からの距離が大きい凹部が設けられている請求項１〜６のいずれかに記載の弾性波素子。
【請求項８】
前記枠部は、断面視において、前記圧電基板側の幅が、前記蓋部側の幅よりも大きくな
ったフィレットを有している請求項１〜７のいずれかに記載の弾性波素子。
【請求項９】
前記カバー体は、前記電極パッド上に配置された貫通導体を有し、
該貫通導体は、前記回路パターンと電気的に接続されている請求項１〜８のいずれかに記載の弾性波素子。
【請求項１０】
前記電極パッドは、前記カバーの外周側の側壁に沿って配置された接続配線を有し、
該接続配線は前記回路パターンと電気的に接続されている請求項１〜８のいずれかに記載の弾性波素子。
【請求項１１】
前記カバー体は、前記励振電極を囲む枠部と、蓋部と、を備え、
前記蓋部上に配置された、前記回路パターンを覆う絶縁性の第２蓋部をさらに有する請求項１〜１０のいずれかに記載の弾性波素子。
【請求項１２】
前記カバー体は、前記励振電極を囲む枠部と、蓋部と、を備え、
前記枠部は、平面視したときに、外縁から前記圧電基板の外周までの距離よりも、前記圧電基板の外周からの距離が大きい凹部が設けられている、請求項１〜１１のいずれかに記載の弾性波素子。
【請求項１３】
前記カバー体は、前記励振電極を囲む枠部と、蓋部と、を備え、
前記枠部は、断面視において、前記圧電基板側の幅が、前記蓋部側の幅よりも大きくなったフィレットを有している、請求項１〜１２のいずれかに弾性波素子。
【請求項１４】
請求項１〜１３のいずれかに記載の弾性波素子と、
該弾性波素子がバンプを介して実装された回路基板とを有する通信装置。
【請求項１５】
前記弾性波素子と電気的に接続されたアンテナをさらに有する請求項１４に記載の通信装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、弾性波素子および通信装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、移動体端末等の通信装置において、アンテナから送信・受信される信号をフィルタリングする分波器として弾性波素子が用いられている。弾性波素子は、圧電基板と、圧電基板の主面に形成された励振電極によって構成されている。弾性波素子は、励振電極と圧電基板との関係で電気信号と弾性表面波とを相互に変換することができる特性を利用して信号をフィルタリングするものである。
【０００３】
近年、移動体端末の小型化が進むにつれて、弾性波素子の低背化が必須となっている。弾性波素子を低背化する構造として、例えばウェハーレベルパッケージ（Wafer Level Package：以下、単にＷＬＰという）構造が知られている（例えば、特許文献１参照）。ＷＬＰ構造の弾性波素子は、弾性波素子を圧電基板のウエハー状態で形成できるように、圧電基板に形成された励振電極に電気的に接続された導体が、励振電極を封止するカバー体内またはカバー体外に配置された構造である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００２−２１７６７３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、近年の弾性波素子において、例えば弾性波素子を回路基板等に実装する際の耐衝撃性の要求、または弾性波素子を回路基板に実装した後に加圧しながら樹脂モールドする際の耐圧特性の要求が高まってきている。
【０００６】
そこで、本発明は、上述の事情のもとで考え出されたものであって、カバー体の変形を低減することが可能な弾性波素子または通信装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の弾性波素子は、圧電基板と、該圧電基板上に配置された励振電極と、前記圧電基板上に配置された、前記励振電極と電気的に接続された電極パッドと、前記圧電基板上に配置された、前記励振電極を囲む枠部と、該枠部上に配置された蓋部とを有するカバー体と、前記カバー体に配置され、前記電極パッドと電気的に接続された回路パターンと、を有し、該回路パターンは、前記励振電極と重ならない領域に配置されている。
【０００８】
また、本発明の弾性波素子は、圧電基板と、該圧電基板上に配置された励振電極と、前記圧電基板上に配置された、前記励振電極と電気的に接続された電極パッドと、前記圧電基板上に配置された、前記励振電極を囲むとともに、平面視において前記圧電基板の外周よりも内側に枠部と、該枠部上に配置された蓋部とを有するカバー体と、を有し、前記枠部は、平面視したときに、外縁から前記圧電基板の外周までの距離よりも、前記圧電基板の外周からの距離が大きい凹部が設けられている。
【０００９】
また、本発明の弾性波素子は、圧電基板と、該圧電基板上に配置された励振電極と、前記圧電基板上に配置された、前記励振電極と電気的に接続された電極パッドと、前記圧電基板上に配置された、前記励振電極を囲む枠部と、該枠部上に配置された蓋部とを有する
カバー体と、前記枠部は、断面視において、前記圧電基板側の幅が、前記蓋部側の幅よりも大きくなったフィレットを有している。
【００１０】
本発明の通信装置は、上述の弾性波素子と、該弾性波素子がバンプを介して実装された回路基板とを有する通信装置。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、カバー体の変形を低減することが可能な弾性波素子および通信装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の一実施形態にかかる弾性波素子を上方からみたときの平面図である。
【図２】図１の弾性波素子において、蓋部を取り外したときの平面図である。
【図３】図１の弾性波素子において、蓋部および枠部を取り外し、一部を拡大した拡大平面図である。
【図４】図１の弾性波素子において、図２および図３のＩａ−Ｉａ線で切断したときの断面図である。
【図５】図１の弾性波素子において、図２のＩｂ−Ｉｂ線で切断したときの断面図である。
【図６】本発明の一実施形態の変形例にかかる弾性波素子を上方からみたときの平面図である。
【図７】図６の弾性波素子において、図６のＩｃ−Ｉｃ線で切断したときの断面図である。
【図８】本発明の一実施形態の変形例にかかる弾性波素子において、図２のＩｂ−Ｉｂ線で切断したときの断面に相当する。
【図９】本発明の一実施形態の変形例にかかる弾性波素子であり、（ａ）は弾性波素子を上方からみたときの平面図であり、（ｂ）は（ａ）の弾性波素子において点線部を拡大した拡大平面図である。
【図１０】図９の弾性波素子の変形例を示すものであり、上方からみた平面図である。
【図１１】本発明の一実施形態の変形例にかかる弾性波素子であり、図９（ｂ）のＩｄ−Ｉｄ線で切断したときの拡大断面図である。
【図１２】本発明の一実施形態に係る分波器の回路図を示すものである。
【図１３】本発明の一実施形態に係る分波器を含む通信装置の構成を模式的に示す図である。
【図１４】図１の弾性波素子を回路基板に実装したものを示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明の一実施形態に係る弾性波素子および通信装置について、図面を参照して説明する。なお、以下の説明で用いられる図は模式的なものであり、図面上の寸法比率等は現実のものとは必ずしも一致していない。
【００１４】
＜弾性波素子＞
本発明の一実施形態に係る弾性波素子について以下説明する。本実施形態に係る弾性波（Surface Acoustic Wave：ＳＡＷ）素子１は、図１〜５に示すように、圧電基板２、励
振電極３、カバー体６（枠部４および蓋部５）および回路パターン７を有している。
【００１５】
ＳＡＷ素子１は、それぞれの構成をウェハーレベルで形成することができる。ＳＡＷ素子１は、移動体端末等において、アンテナと信号演算回路（例えば、ＩＣなど）がやり取
りする電気信号をフィルタリングする機能を有する。
【００１６】
圧電基板２は、タンタル酸リチウム単結晶、二オブ酸リチウム単結晶、四ホウ酸リチウム単結晶など圧電性を有する結晶の基板によって構成されている。圧電基板２は、例えば、直方体状に形成されており、平面視形状が矩形状となっている。圧電基板２は、例えば、平坦な上面２Ａを有している。圧電基板２は、厚みが、例えば、０．２ｍｍ以上０．５ｍｍ以下に設定されている。圧電基板２は、一辺の長さが、例えば、０．６ｍｍ以上３ｍｍ以下に設定されている。
【００１７】
圧電基板２の上面２Ａには励振電極３および電極パッド３ａが設けられている。励振電極３は、図３に示すように、櫛歯状電極で構成されている。励振電極３は、少なくとも２本のバスバー電極３ｂが対向するように配置されている。電極指３ｃは、互いのバスバー電極３ｂの方向に延びるとともに、両者が交差するように配置されている。
【００１８】
複数の励振電極３は、直接接続または並列接続などにより接続されたラダー型ＳＡＷフィルタを構成していてもよい。また、励振電極３は、複数の励振電極３が一方向に配列された２重モードＳＡＷ共振器フィルタであってもよい。さらに、励振電極３は、図２または図３に示すように、反射器３ｄを有していてもよい。
【００１９】
電極パッド３ａは、図３等に示すように、圧電基板２上に配置されている。電極パッド３ａの平面視形状は適宜設定すればよい。本実施形態では、電極パッド３ａは円形状の場合である。電極パッド３ａの数および配置位置は、複数の励振電極３によって構成されるフィルタの構成に応じて適宜設定すればよい。電極パッド３ａの幅は、例えば６０μｍ以上１００μｍ以下となるように設定することができる。
【００２０】
ＳＡＷ素子１は、電極パッド３ａを複数有しており、そのうちのいずれかの電極パッド３ａを介して信号の入力がなされる。入力された信号は、励振電極３等によってフィルタリングされる。そして、ＳＡＷ素子１は、フィルタリングした信号を、複数の電極パッド３ａのうち入力信号が入った電極パッド３ａ以外の電極パッド３ａを介して出力する。なお、信号の入出力に使用されない電極パッド３ａは、例えば浮き電極であってもよいし、基準電位に接続されている。
【００２１】
電極パッド３ａは、図３に示すように、配線導体３ａａを介して励振電極３と電気的に接続されている。配線導体３ａａは、上面２Ａの上に層状に形成され、励振電極３のバスバー電極３ｂと電極パッド３ａを電気的に接続している。なお、配線導体３ａａは上面２Ａに形成されている必要はなく、例えば絶縁体を介して立体交差させている部分があってもよい。
【００２２】
励振電極３、電極パッド３ａおよび配線導体３ａａ（上面２Ａに形成された部分）は、同じ製造プロセスで形成することができる。そのため、励振電極３、電極パッド３ａおよび配線導体３ａａは、例えば同じ導電材料によって構成されている。導電材料としては、例えばＡｌ−Ｃｕ合金等を用いることができる。また、励振電極３、電極パッド３ａおよび配線導体３ａａは、例えば、同じ膜厚に設定される。これらの厚さとしては、例えば１００ｎｍ以上５００ｎｍ以下に設定することができる。
【００２３】
このような励振電極３、電極パッド３ａおよび配線導体３ａａは、例えば、スパッタリング法、蒸着法、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法等の薄膜形成法により金属膜
を圧電基板２の主面に形成する。その後、その金属膜を微小投影露光機（ステッパー）またはＲＩＥ（Reactive Ion Etching）装置を用いたフォトリソグラフィ法によりパターニングすることにより、励振電極３、電極パッド３ａおよび配線導体３ａａを形成すること
ができる。
【００２４】
励振電極３、電極パッド３ａおよび配線導体３ａａ上には、保護膜を形成してもよい。保護膜は、絶縁性材料によって構成されており、例えば、酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）またはシリコン（Ｓｉ）等を用いることができる。保護膜の厚みは、例えば、５ｎｍ以上５０ｎｍ以下に設定することができる。このような保護膜を形成することにより、励振電極３および配線導体３ａａを保護することができる。具体的には、励振電極３等を酸化されにくくすることができたり、後の工程中のダメージを防止したりすることができる。なお、保護膜は、電極パッド３ａの上面が露出するように設けられる。保護膜を形成する場合は、ＣＶＤ法、スパッタリング法等の薄膜形成法により形成した膜をフォトリソグラフィ法によりパターニングすることで形成することができる。
【００２５】
電極パッド３ａ上には、後述する外部接続端子８との密着性または電気特性を向上させるために、金属材料を積層させた接続電極（図示せず）を配置してもよい。接続電極の厚みは、例えば１μｍ以上２μｍ以下となるように設定することができる。このような接続電極は、リフトオフ法により形成することができる。接続電極の材料は、適宜を選択すればよい。
【００２６】
電極パッド３ａとしてアルミニウムと銅の合金を用いるとともに、外部接続端子８として銅を用いる場合には、接続電極として電極パッド３ａ側からクロム、ニッケルおよび金を積層したものを用いることができる。本実施形態のＳＡＷ素子１は、図４および図５に示すように、外部接続端子８として、圧電基板２側に配置された第１柱状電極８ａと、蓋部５側に配置された第２柱状電極８ｂによって構成されている。
【００２７】
カバー体６は、枠部４および蓋部５によって概ね構成されている。蓋部５は枠部４上に配置されることにより、圧電基板２とカバー体６との間に振動空間Ｓｐが形成される。枠部４は複数の励振電極３の周りを囲むように配置されており、枠部４の厚みによって振動空間Ｓｐの高さが概ね決定される。なお、カバー体６は本実施形態に限定されるものではなく、枠部４と蓋部５が一体的に形成されていてもよい。
【００２８】
ＳＡＷ素子１は、図１および図２に示すように、励振電極３を複数有していて、それぞれの励振電極３の周りを囲むように枠部４を設けている場合である。各励振電極３を枠部４で囲むことにより、複数の振動空間Ｓｐを形成し、枠部４の面積を増やすことができる。その結果、枠部４および蓋部５の接触面積を増やすことができるので、ＳＡＷ素子１に圧力または衝撃が加わったときにでもカバー体６の変形を低減することができる。また、枠部４の面積を増やすことができるので、後述する回路パターン７を形成しやすくすることができる。なお、枠部４は各励振電極３を囲むことに限定されず、例えば全部ではない複数の励振電極３を囲んでもよいし、全部の励振電極３が内側に位置するように囲んでもよい。
【００２９】
カバー体６の枠部４または蓋部５は、それぞれの厚みが、例えば５μｍ以上６０μｍ以下となるように設定することができる。カバー体６の全体厚みは、例えば１０μｍ以上３００μｍ以下となるように設定することができる。カバー体６の平面方向の幅は、例えば０．６ｍｍ以上３ｍｍ以下となるように設定することができる。
【００３０】
カバー体６は、例えば光硬化性樹脂などを用いることができる。光硬化性樹脂としては、例えば、ネガ型またはポジ型のフォトレジストを用いることができる。光硬化性樹脂は、例えば、アクリル基またはメタクリル基などのラジカル重合する樹脂を用いることができる。より具体的には、光硬化性樹脂として、ウレタンアクリレート系、ポリエステルアクリレート系、エポキシアクリレート系またはポリイミド系の樹脂を用いることができる
。光硬化性樹脂としては、ネガ型であってもよいし、ポジ型であってもよい。
【００３１】
カバー体６を光硬化性樹脂で形成する場合、液状の樹脂またはフィルム状の樹脂を用いることができる。具体的には、フィルム状の樹脂を用いてカバー体６を形成する場合、圧電基板２上にフィルム状の樹脂を貼り付けた後、特定波長の光によるパターニング、加熱等の方法を用いたフォトリソグラフィ法により枠部４を形成する。そして、枠部４上に、蓋部５となるフィルム状の樹脂を配置した後、フォトリソグラフィ法によりパターニングを行なうことで蓋部５を形成する。これにより、枠部４および蓋部５で構成されたカバー体６を圧電基板２上に形成することができる。なお、液状の樹脂を用いる場合はスピンコート法により圧電基板２上に形成することができる。また、枠部４を液状の樹脂を用いて形成し、蓋部５をフィルム状の樹脂を用いて形成してもよい。
【００３２】
また、カバー体６は、樹脂だけでなく、板部材を用いることもできる。板部材としては、例えば圧電性を有する基板、セラミックからなる基板、シリコンからなる基板、または有機基板などを用いることができる。このように、樹脂よりもヤング率が高い材料をカバー体６に用いることで、耐衝撃性または耐トランスファーモールドによる耐圧力性などを向上させることができる。カバー体６全体に板部材を用いてもよいし、カバー体６の一部に板部材を用いてもよい。カバー体６の一部に板部材を用いる場合は、例えば、枠部４に樹脂を用いるとともに蓋部５に板部材を用いる。
【００３３】
カバー体６には、回路パターン７が配置されている。回路パターン７は、蓋部５の上に配置されていてもよいし、カバー体６の内部である枠部４上に配置されていてもよい。回路パターン７が蓋部５上に配置されている場合には、振動空間Ｓｐを横切るように配置することができる。枠部４上に回路パターン７が配置されている場合は、回路パターン７を保護するように蓋部５が形成される。ＳＡＷ素子１は、図２に示す通り、回路パターン７が枠部４上に配置されている場合である。
【００３４】
回路パターン７は、電極パッド３ａと電気的に接続されている。回路パターン７は、一部が、例えば渦巻き状に形成されていたり、矩形状に形成されていたりする。これにより、回路パターン７は、例えばインダクタ成分を有するようになる。回路パターン７は、導体であればよく、例えば、銅などを用いることができる。
【００３５】
また、回路パターン７として外部接続端子８と同じ材料を用いることにより、回路パターン７を形成することにより工程が増えることを低減することができる。すなわち、後述するように、外部接続端子８を貫通孔６ａ内に形成する際に、外部接続端子８と回路パターン７を電気メッキにより形成できる。回路パターン７は、メッキ下地層をパターニングしておくことにより任意の形状を形成することができる。なお、回路パターン７および外部接続端子８は、例えば銀ペーストまたは導電性樹脂等を印刷またはディスペンスで形成してもよい。
【００３６】
回路パターン７は、励振電極３と重ならない領域に配置される。より具体的には、回路パターン７は、励振電極３を横切らないように配置されている。換言すれば、励振電極３を横切らなければ、振動空間Ｓｐの上に回路パターン７が配置されていてもよい。この場合は、振動空間Ｓｐ上の蓋部５が圧力等により変形されにくくすることができる。回路パターン７は、例えば銅により構成されている。回路パターン７は、厚みが、例えば１０μｍ以上２０μｍ以下となるように設定することができる。
【００３７】
回路パターン７は、図２に示す通り、平面透視において、その一部が電極パッド３ａよりも圧電基板２の外周側に配置されていてもよい。このように回路パターン７が電極パッド３ａよりも圧電基板２の外周側に配置されていることにより、カバー体６の外周付近に
おける耐衝撃性を向上させることができる。
【００３８】
回路パターン７は、例えば、カバー体６内に設けられた外部接続端子８を介して、電極パッド３ａと電気的に接続されている。外部接続端子８は、カバー体６の貫通孔６ａ内に配置されて、いわゆる貫通導体として機能する。本実施形態では外部接続端子８が、第１柱状電極８ａおよび第２柱状電極８ｂで構成されている場合である。第２柱状電極８ｂの横幅が、第１柱状電極８ａの横幅よりも大きく構成している場合、外部接続端子８の作製時にメッキしやすくすることができる。その結果、外部接続端子８の信頼性を向上させることができる。
【００３９】
貫通孔６ａの内壁は、電極パッド３ａに対して垂直となっていてもよいし、蓋部５の上面側に拡径するように傾斜していてもよい。貫通孔６ａを傾斜させることにより、外部接続端子８との密着性を向上させることができる。
【００４０】
貫通孔６ａ内に外部接続端子８を形成する方法としては、例えばメッキ法などを用いることができる。本実施形態では、外部接続端子８として銅を用いる場合であるから、銅を電気メッキすることで外部接続端子８を形成することができる。貫通孔６ａ内にメッキ下地層を予め形成しておくことにより、外部接続端子８を電気メッキにより形成することができる。
【００４１】
本実施形態のＳＡＷ素子によれば、回路パターン７がカバー体６の枠部４に配置されていることから、ＳＡＷ素子１に衝撃または圧力がかかった際にカバー体６が変形することを低減することができる。また、回路パターン７が励振電極３と重ならない領域に配置されている。そのため、回路パターン７は、励振電極３との間で浮遊容量等の発生を低減することができる。その結果、ＳＡＷ素子１は、安定した電気特性を得ることができる。
【００４２】
また回路パターン７が枠部４に配置されることにより、外部から水分等が侵入しようとした場合でも、水分等が枠部４に配置された回路パターン７に遮られるため、ＳＡＷ素子１の耐湿性を向上させることができる。さらに、ＳＡＷ素子１は、図２に示す通り、少なくとも２つの振動空間Ｓｐの間に位置する枠部４に回路パターン７が形成されていることから、例えば外部から水分が浸入した場合でも複数の励振電極３が同時に腐食されにくくすることができる。
（ＳＡＷ素子の変形例１）
回路パターン７は、図６〜図８に示す通り、蓋部５上に配置されていてもよい。蓋部５に配置されている場合、励振電極３との距離が遠くなるため、寄生容量の発生をさらに低減することができる。本変形例のＳＡＷ素子１は、図６に示す通り、回路パターン７が、平面視して、枠部４と重なる位置に配置されている場合である。
【００４３】
また、本変形例のＳＡＷ素子１は、図７に示す通り、カバー体６内にいわゆる貫通導体（貫通孔６ａおよび貫通孔６ａ内に設けられた外部接続端子８）が設けられておらず、枠部４の側壁に沿って接続配線が設けられている場合である。具体的に、枠部４の側壁に沿って設けられる接続配線は、電極パッド３ａから枠部４および蓋部５の外側面（側壁）に設けられた外部接続端子８によって、回路パターン７と電極パッド３ａが電気的に接続されている。この場合は、カバー体６に貫通孔６ａを設けなくてもよいので、カバー体６の面積を小さくすることができる。
【００４４】
一方、蓋部５上に回路パターン７を形成する場合でも、図８に示すように、カバー体６に貫通孔６ａが形成されていてもよい。この場合、カバー体６の貫通孔６ａ内に外部接続端子８が配置されることから、カバー体６と圧電基板２との密着性を向上させることができる。
【００４５】
また、蓋部５上に回路パターン７が形成されている場合、カバー体６は、回路パターン７を覆う絶縁性の第２蓋部５ａを有していてもよい。第２蓋部５ａは、例えば蓋部５または枠部４の材料に加えて、フィラーなどを含む封止樹脂を用いることができる。第２蓋部５ａを有していることにより、回路パターン７が短絡されることなどを防止することができる。
【００４６】
回路パターン７は、グランド電位の電極パッド３ａに電気的に接続されていてもよい。回路パターン７がグランド電位に接続されている場合には、後述する受信フィルタおよび送信フィルタの整合回路として用いることができる。この場合は、アンテナ端子と、受信フィルタおよび送信フィルタの分岐点との間の配線に回路パターン７が接続される。また、送信フィルタにおいて減衰極調整用のインダクタとして回路パターン７を用いてもよい。この場合は、並列共振子とグランドの間に回路パターン７が位置するように配置される。
（ＳＡＷ素子の変形例２）
カバー体６の枠部４は、図９に示す通り、平面視したときに、圧電基板２の外周２ａよりも内側に配置されていてもよい。具体的には、平面視において、カバー体６の外縁６ｃが、圧電基板２の外周２ａから距離Ｄ１を開けて配置される。距離Ｄ１は、例えば、１μｍ以上１０μｍ以下となるように設定することができる。本実施形態は、カバー体６のうち枠部４および蓋部５が、圧電基板２の外周２ａから距離Ｄ１を開けて配置されている場合である。
【００４７】
このようにカバー体６が、圧電基板２の外周２ａから距離を空けて配置されている場合には、ＳＡＷ素子１をモールドする封止樹脂を配置する際に、封止樹脂と圧電基板２（または保護膜）とを接触させることができるため、ＳＡＷ素子１と封止樹脂の接触面積を大きくすることができる。その結果、ＳＡＷ素子１と封止樹脂の密着性を向上させることができるので、封止樹脂の剥がれを低減したり、水分の侵入などを低減したりすることができる。
【００４８】
また、カバー体６の枠部４は、図９に示すように、平面視したときに、外縁６ｃから圧電基板２の外周２ａまでの距離Ｄ１よりも、圧電基板２の外周２ａからの距離Ｄ２が大きい凹部６ｂが設けられていてもよい。凹部６ｂの大きさ（距離Ｄ２−距離Ｄ１）は、例えば１μｍ以上５０μｍ以下となるように設定することができる。本実施形態は、凹部６ｂが枠部４および蓋部５に形成されている場合である。凹部６ｂは、枠部４および蓋部５をパターニングするときのフォトマスクに予め凹部６ｂがパターニングされるようにしておけば、任意の形状を形成することができる。
【００４９】
このように凹部６ｂが形成されていることにより、ＳＡＷ素子１の外部に配置される封止樹脂との接触面積をさらに増やすことができるので、密着強度を向上させることができる。また、封止樹脂が硬化する際の応力がカバー体６にかかった場合でも凹部６ｂが形成されていることにより、接触面積が大きくなっているため、応力が集中することを低減することができる。
【００５０】
本変形例では、カバー体６が凹部６ｂを有する場合について説明したが、凹部６ｂに限定されず、図１０に示すように、カバー体６の側面が波線状になっていてもよい。波線状になっていることにより、外部応力に対する強度を向上させることができる。波線の幅または圧電基板２の外周２ａからの距離Ｄ２は、例えば１μｍ以上５０μｍ以下となるように設定することができる。なお、本変形例は、枠部４および蓋部５の側面が波線状になっている場合について説明したが、枠部４のみであってもよいし、蓋部５のみであってもよい。
【００５１】
また、枠部４は、図１１に示すように、圧電基板２側の幅Ｗ１が、蓋部５側の幅Ｗ２よりも大きくなったフィレット４ａを有していてもよい。フィレット４ａは、圧電基板２に向かうにつれて枠部４の幅が大きくなるように配置される。またフィレット４ａは、枠部４の側面と、フィレット４ａの外側面が滑らかになるように配置されている。
【００５２】
フィレット４ａは、前述した枠部４の露光時に、ステッパー等の投影露光装置を用いた場合、露光光の結像面、つまりピントを樹脂上面から故意に上下方向にオフセットすることで形成することができる。これにより、投影像の輪郭がぼやけさせることできるので、光硬化する樹脂の領域が変えることができ、断面視において、枠部４の圧電基板２側を裾引き形状のフィレット４ａに形成できる。
【００５３】
このようにフィレット４ａが枠部４に形成されていることにより、封止樹脂の被覆性を向上させることができる。すなわち、フィレット４ａがない場合だと枠部４と圧電基板２の角部に封止樹脂が侵入しにくく被覆性が悪くなることがあるが、フィレット４ａを有していることにより枠部４と圧電基板２の角部を滑らかにすることができる。また、フィレット４ａを有していることにより、枠部４の側面が滑らかになるため、熱応力を分散しやすくできるという効果も奏する。
【００５４】
（分波器）
ＳＡＷ素子１は、図１２に示すように、アンテナ端子９、送信フィルタ１０および受信フィルタ１１を有する分波器１００に適用してもよい。アンテナ端子９は、移動体端末等の通信装置において、アンテナに接続される端子である。送信フィルタ１０は送信端子１０ａから入力された送信信号ＴＳをフィルタリングしてアンテナ端子９に出力するフィルタである。受信フィルタ１１はアンテナ端子９から入力された受信信号ＲＳをフィルタリングするフィルタである。フィルタリングされた受信信号ＲＳは出力端子１１ａから出力される。送信フィルタ１０および受信フィルタ１１はアンテナ端子９に電気的に接続されている。なお、図１２において、Ｇはグランドを示しており、Ｌはインダクタを示すものである。また、受信フィルタ１１は、ダブルモードＳＡＷフィルタＤを示すものである。
【００５５】
送信フィルタ１０は、アンテナ端子９および送信端子１０ａに直列的に接続した直列共振子Ｓ１〜Ｓ３と、アンテナ端子９および送信端子１０ａに並列的に接続した並列共振子Ｐ１〜Ｐ３とを有するラダー型フィルタで構成されている。本実施形態の分波器１００では、３段のラダー型フィルタの例を用いているがこれに限定されず、何段のラダー型フィルタであってもよい。
【００５６】
上述のＳＡＷ素子１の構造を分波器１００に適用したときに、回路パターン７を、減衰極調整用のインダクタとして用いる場合には、図１２に示す、インダクタＬに相当する部分に用いることができる。本実施形態では、複数の並列共振子Ｐ１〜Ｐ３と電気的に接続するようにグランド電位に接続された回路パターン７が配置されている。
【００５７】
（通信装置）
図１３に示すように、アンテナ１２と、アンテナ１２に電気的に接続された分波器１００と、分波器１００に電気的に接続されたＲＦ−ＩＣ１３とを備える通信装置２００であってもよい。通信装置２００によれば、図１４に示すように、ＳＡＷ素子１（または分波器１００）を回路基板１４に実装した場合でも、カバー体６の変形を低減することができる。
【００５８】
図１４は、ＳＡＷ素子１（または分波器１００）を回路基板１４に実装した状態を示している。回路基板１４には、回路電極１４ａが形成されている。ＳＡＷ素子１は、例えば
半田等からなるバンプ１５を介して回路基板１４に実装される。ＳＡＷ素子１の外部接続端子８は、バンプ１５を介して回路電極１４ａに電気的に接続される。
【００５９】
本変形例のＳＡＷ素子１は、枠部４、蓋部５および第２蓋部５ａを貫通する貫通孔６ａにおいて、第１柱状電極８ａが枠部４の貫通孔６ａに、第２柱状電極８ｂが蓋部５の貫通孔６ａにそれぞれ配置されている。本変形例において、第２蓋部５ａの貫通孔６ａには、外部接続端子８は設けられていないが、第３柱状電極を設けてもよい。本変形例のように第２蓋部５ａの貫通孔６ａに外部接続端子８を設けずに、バンプ１５の一部を入りこませることにすることで、ＳＡＷ素子１が回路基板１４へ実装する際に位置ずれすることを低減することができる。また、バンプ１５が第２蓋部５ａと接触することで密着強度を向上させることができる。
【符号の説明】
【００６０】
１…弾性波素子（ＳＡＷ素子）
２…圧電基板
３…励振電極
３ａ…電極パッド
３ａａ…配線導体
３ｂ…バスバー電極
３ｃ…電極指
３ｄ…反射器
４…枠部
４ａ…フィレット
５…蓋部
５ａ…第２蓋部
６…カバー体
６ａ…貫通孔
６ｂ…凹部
６ｃ…外縁
７…回路パターン
８…外部接続端子
８ａ…第１柱状電極
８ｂ…第２柱状電極
８ｃ…外部パッド
９…アンテナ端子
１０…送信フィルタ
１１…受信フィルタ
１２…アンテナ
１３…ＲＦＩＣ
１４…回路基板
１４ａ…回路電極
１５…バンプ
１００…分波器
２００…通信装置
Ｓｐ…振動空間
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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