【事件の表示】
　特許第３２０３２２７号「表示装置の製造方法」の請求項１に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３２０３２２７号の請求項１に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
　特許出願　平成１０年２月２７日
　登録設定　平成１３年６月２２日
　第１回取消理由通知　平成１４年７月９日
　第１回訂正請求　平成１４年９月２０日
　訂正拒絶理由　平成１４年１１月８日
　補正書（訂正請求書、訂正明細書を補正）　平成１５年１月２１日
　第２回取消理由通知　平成１５年３月６日
　第１回訂正請求の取下　平成１５年３月１３日
　第２回訂正請求　平成１５年３月１３日
　
２．訂正の適否
（１）訂正の内容
・訂正事項ａ．
　特許請求の範囲に「【請求項１】ソース電極を備えた薄膜トランジスタと、陰極、陽極及び該両極の間に挟持された発光素子層から成り前記薄膜トランジスタによって駆動されるエレクトロルミネッセンス素子と、から成る表示画素を備えた表示装置の製造方法において、
基板上に前記薄膜トランジスタを形成する工程と、該薄膜トランジスタを覆う絶縁膜を形成する工程と、該絶縁膜に設けたコンタクトホールを介して前記ソース電極と接続された前記陰極、該陰極上に発光素子層、及び前記表示画素の一部のみを覆った形状の金属から成る陽極を順に形成する工程と、からなり、前記金属は蒸着法又はイオンクラスタ法を用いて形成することを特徴とする表示装置の製造方法。」とある記載を、
「【請求項１】ソース電極を備えた薄膜トランジスタと、陰極、陽極及び該両極の間に挟持された発光素子層から成り前記薄膜トランジスタによって駆動されるエレクトロルミネッセンス素子と、から成る表示画素を備えた表示装置の製造方法において、
基板上に前記薄膜トランジスタを形成する工程と、該薄膜トランジスタを覆う絶縁膜を形成する工程と、該絶縁膜に設けたコンタクトホールを介して前記ソース電極と接続された前記陰極、該陰極上に
前記
該発光素子層上に前記各
前記各発光素子層の
陽極
・訂正事項ｂ
　発明の詳細な説明の段落【０００９】（特許公報第２頁右欄第７行〜第１０行）に「更に、前記ＥＬ素子の陽極は、金属からなっておりその形状は表示画素の一部のみを覆った形状である。」とある記載を、
「更に、前記ＥＬ素子の陽極は、金属からなって
いるとともに、発光素子層上に形成されており、
各
各発光素子層の
・訂正事項ｃ
　発明の詳細な説明の段落【０００４】（特許公報第２頁左欄第１６行）に「素子は、ＩＴＯ（Indium Thin Oxide）等の透明電極」とある記載を、「素子は、ＩＴＯ（Indium 
Tin
　
（２）訂正の目的の適否、新規事項の有無、及び特許請求の範囲の拡張・変更の有無
・訂正事項ａは、訂正前の請求項１における「金属からなる陽極」が覆っているのは各表示画素に設けられた発光素子層であることを明確にするとともに、覆う部分を発光素子層の一部と限定しようとする訂正であるから、明りょうでない記載の釈明及び特許請求の範囲の減縮を目的とするものであり、また、発光素子層上に陽極を形成することは、願書に添付した明細書（以下、「特許明細書」という。）の段落【００１２】及び【００２３】に記載されている事項であるから、新規事項でもなく、さらに、特許請求の範囲を実質的に拡張・変更するものでもない。
・訂正事項ｂは、発明の詳細な説明を訂正後の特許請求の範囲の記載と整合させるためのものであり、明りょうでない記載の釈明を目的とするものであって、新規事項でなく、特許請求の範囲を実質的に拡張・変更するものではない。
・訂正事項ｃは、誤記の訂正を目的とするものであって、特許明細書の段落【００１５】にも記載されていることから、新規事項でなく、特許請求の範囲を実質的に拡張・変更するものでない。
　
（３）むすび
　よって、上記訂正は、特許法第１２０条の４第２項及び第３項において準用する特許法第１２６条第２項から第４項までの規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
３．特許異議の申立ての概要
（１）異議申立人小林浄子は、甲第１号証として特開平８−５４８３６号公報（以下、「刊行物１」という。）、甲第２号証として特開平３−３４２９２号公報（以下、「刊行物３」という。）、甲第３号証として特開平９−２４５９６８号公報（以下、「刊行物４」という。）を提出し、請求項１に係る発明の特許は特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであるから、請求項１に係る発明の特許を取り消すべき旨主張している。
　
（２）異議申立人セイコーエプソン株式会社は、甲第１号証として特開平１０−３９７９２号公報（以下、「刊行物５」という。）、甲第２号証として特開平７−１１１３４１号公報（以下、「刊行物２」という。）を提出し、請求項１に係る発明の特許は特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであるから、請求項１に係る発明の特許を取り消すべき旨主張している。
　
４．本件発明
　上記２．で検討したとおり、平成１５年３月１３日付け訂正請求が認められるから、請求項１に係る発明（以下、「本件発明」という。）は、次の事項により特定されるものである。ただし、（ａ）〜（ｅ）は当審において付したものである。
　
「（ａ）ソース電極を備えた薄膜トランジスタと、陰極、陽極及び該両極の間に挟持された発光素子層から成り前記薄膜トランジスタによって駆動されるエレクトロルミネッセンス素子と、から成る表示画素を備えた表示装置の製造方法において、
（ｂ）基板上に前記薄膜トランジスタを形成する工程と、
（ｃ）該薄膜トランジスタを覆う絶縁膜を形成する工程と、
（ｄ）該絶縁膜に設けたコンタクトホールを介して前記ソース電極と接続された前記陰極、該陰極上に前記発光素子層、及び該発光素子層上に前記各表示画素の前記各発光素子層の一部のみを覆った形状の金属から成る陽極を順に形成する工程と、からなり、
（ｅ）前記陽極は蒸着法またはイオンクラスタ法を用いて形成することを特徴とする表示装置の製造方法。」
　
５．特許異議の申立てについての判断
  本件発明と上記刊行物１及び上記刊行物２に記載された発明とを対比すると、（ａ）〜（ｃ）の発明特定事項において共通するが、本件発明においては「発光素子層上に前記各表示画素の前記各発光素子層の一部のみを覆った形状の金属から成る陽極を順に形成する工程」が設けられ、かつ、陽極は蒸着法またはイオンクラスタ法を用いて形成されるのに対し、刊行物１に記載された発明では、陽極の形成工程が発光素子層上に発光素子層の全部を覆ったＩＴＯ電極を形成する工程とされ、かつ、陽極が塗布法により形成されている点で相違する。また、刊行物２の発明の詳細な説明の段落【００３７】には、陽極の（半）透明材料はＩＴＯに代えて、ＳｎＯ２、ＳｎＯ２：Ｓｂ、ＺｎＯ：Ａｌ、Ａｕを用いてもよいことが記載されているものの、その形成工程は判然とせず、上記相違点を示唆するものではない。
　
　上記刊行物３には、有機ＥＬパネルにおいて、透明電極に代えてスリットを有する金属電極を形成することが記載されているが、この電極は発光素子層の上に設けられるものではない。
　上記刊行物４には、有機ＥＬパネルにおいて、発光素子層の上に金属電極を蒸着法により設ける工程が記載されているが、この金属電極は一面に形成されており、各表示画素の各発光素子層の一部のみを覆った形状ではない。
　上記刊行物５には、有機ＥＬパネルにおいて、発光素子上に透明電極を全面に形成した後その上に発光素子層の一部のみを覆った形状の金属電極をマスク蒸着により形成することが記載されているが、金属電極が発光素子層上に形成されているものではない。
　してみると、刊行物３〜５には、それぞれ本件発明の発明特定事項（ｄ）（ｅ）の一部が断片的に記載されているだけであると認められ、上記相違点について何ら示唆するものではない。
　また、本件発明が上記相違点により、刊行物１または２に記載された発明と比較して、「本発明においては、陽極１８を蒸着法を用いて金属にて形成する。そうすることにより、発光素子層にダメージを与えることがなく」（明細書段落【００１６】）という効果とともに「本発明の・・（略）・・製造方法によれば、ＥＬ素子の発光光が前記基板側と反対の方向から放出させることが実現できる」という効果が得られるという、刊行物１〜５に記載された発明から予測できない効果を奏すると認められる。
　したがって、刊行物１及び２に記載された発明に、刊行物３〜５に記載された事項を組み合わせることにより、上記相違点に想到することが当業者が容易に想到し得る程度の事項であると認めることはできない。
　
６．むすび
　したがって、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、請求項１に係る発明の特許を取り消すことはできない。
　また、他に請求項１に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１５年３月２０日（２００３．３．２０）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
表示装置の製造方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　ソース電極を備えた薄膜トランジスタと、陰極、陽極及び該両極の間に挟持された発光素子層から成り前記薄膜トランジスタによって駆動されるエレクトロルミネッセンス素子と、から成る表示画素を備えた表示装置の製造方法において、
　基板上に前記薄膜トランジスタを形成する工程と、該薄膜トランジスタを覆う絶縁膜を形成する工程と、該絶縁膜に設けたコンタクトホールを介して前記ソース電極と接続された前記陰極、該陰極上に
前記
該発光素子層上に前記各表示画素の前記各発光素子層
陽極
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の属する技術分野】
　本発明は、基板上に、エレクトロルミネッセンス（ＥｌｅｃｔｒｏＬｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ：以下、「ＥＬ」と称する。）素子及び薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ　Ｆｉｌｍ　Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：以下、「ＴＦＴ」と称する。）素子を備えた表示装置及びその製造方法に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　近年、ＴＦＴとＥＬ素子、例えば有機ＥＬ素子を用いた表示装置が、ＣＲＴやＬＣＤに代わる表示装置として注目されている。
　図５に、従来のＴＦＴと有機ＥＬ素子を備えた表示装置の断面図を示す。
　同図は、ＴＦＴの上に有機ＥＬ素子を積層してなる表示画素の構造である。その構造は以下の通りである。
　【０００３】
　ガラスや合成樹脂などから成る透明絶縁基板１上に、ゲート電極２を形成し、そのゲート電極２上に設けた絶縁膜３を介して多結晶シリコンから成る能動層４を形成する。その能動層４には、不純物を注入したソース領域４ｓ及びドレイン領域４ｄを設ける。その上にはＳｉＯ２膜６及びＳｉＮ膜７の２層からなる層間絶縁膜８が形成されており、一方のソース領域４ｓは層間絶縁膜８に形成されたコンタクトホール９を介して、ソース電極１０ｓと接続されている。他方のドレイン領域４ｄは層間絶縁膜８に形成されたコンタクトホール９を介してドレイン電極１０ｄに接続されている。こうしてＴＦＴが形成されている。
　【０００４】
　そして、これら両電極１０ｓ，１０ｄ及び層間絶縁膜８の上には、平坦化絶縁膜１１が形成されている。ソース電極１０ｓは、平坦化絶縁膜１１に形成されたコンタクトホール１２を介して、ＴＦＴ上に形成する有機ＥＬ素子の陽極１８と接続されている。
　有機ＥＬ素子は、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　
Ｔｉｎ
　【０００５】
　この有機ＥＬ素子は、陽極１８から注入されたホールと、陰極１３から注入された電子とが発光層１５の内部で再結合し、発光層１５を形成する有機分子を励起して励起子が生じる。この励起子が放射失活する過程で発光層１５から光が放たれ、この光が透明な陽極１８から透明絶縁基板１を介して外部へ放出される。
　【０００６】
　【発明が解決しようとする課題】
　ところが、上述の従来の表示装置の構造では、有機ＥＬ素子からの光放出の方向が、ＴＦＴを設けた基板１側であるため、放出される光がＴＦＴによって遮断されてしまい表示画素の開口率が大きくできなかった。
　また、発光光を遮断しない程度にＴＦＴを極力小さくしなければならないという制約があり、ＴＦＴのサイズを大きくすることも、またそのＴＦＴの能力を大きくすることにも制限があった。
　【０００７】
　そこで本発明は、上記の従来の欠点に鑑みて為されたものであり、表示画素の開口率を向上させるとともに、ＥＬ素子を駆動するＴＦＴのサイズや駆動能力の決定に自由度の増大が図れる表示装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
　【０００８】
　【課題を解決するための手段】
　本発明の表示装置は、基板上に、薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタによって駆動されるＥＬ素子と、が順に積層されて成っており、前記ＥＬ素子の発光光が前記基板側とは反対の方向から外部に放出されるものである。
　また、ＥＬ素子の陰極は前記ＴＦＴのソース電極又はドレイン電極と接続されているものである。
　【０００９】
　更に、前記ＥＬ素子の陽極は、金属からなって
いるとともに、発光素子層上に形成されており、
各表示画素の各発光素子層
　更にまた、ＥＬ素子の陽極は、蒸着法又はイオンクラスタ法を用いて形成した金属膜から成るものである。
　【００１０】
　【発明の実施の形態】
　本発明の表示装置について以下に説明する。
　図１は、本実施の形態の有機ＥＬ素子及びＴＦＴを備えた表示装置の１つの画素を示す断面図である。
　同図に示す如く、前述の図５に示した従来の有機ＥＬ素子及びＴＦＴを備えた表示装置と異なる点は、基板１上に設けたＴＦＴと有機ＥＬ素子の積層順番が従来のものと逆である点である。
　【００１１】
　表示画素は、ガラスや合成樹脂などから成る絶縁性基板、又は表面にＳｉＯ２膜やＳｉＮ膜などの絶縁膜を形成した導電性基板あるいは半導体基板等の基板１上に、ＴＦＴ及び有機ＥＬ素子を積層形成して成っている。なお、基板１は透明であっても不透明であっても良い。
　基板１上に形成したＴＦＴの構造は、従来の構造と同じであるので説明は省略するが、ソース電極１０ｓは平坦化絶縁膜のコンタクトホールを介してＴＦＴ上に形成する有機ＥＬ素子の陰極１３と接続されている構造である。ソース電極１０ｓは、ドレイン信号線からＴＦＴに供給されたドレイン信号が有機ＥＬ素子に供給される電極である。
　【００１２】
　この有機ＥＬ素子は、マグネシウム・インジウム合金（ＭｇＩｎ）又はアルミニウム・リチウム合金（ＡｌＬｉ）等から成りＴＦＴのソース電極１０Ｓに接続された陰極１３、Ｂｅｂｑ２から成る電子輸送層１４、キナクリドン（Ｑｕｉｎａｃｒｉｄｏｎｅ）誘導体を含むＢｅｂｑ２（１０−ベンゾ〔ｈ〕キノリノール−ベリリウム錯体）から成る発光層１５、ＴＰＤ（４，４’，４”−ｔｒｉｓ（３−ｍｅｔｈｙｌｐｈｅｎｙｌｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｏ）ｔｒｉｐｈｅｎｙｌａｎｉｎｅ）からなる第１ホール輸送層１６、ＭＴＤＡＴＡ（４，４’−ｂｉｓ（３−ｍｅｔｈｙｌｐｈｅｎｙｌｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｏ）ｂｉｐｈｅｎｙｌ）から成る第２ホール輸送層１７、及びＰｔ，Ｒｈ，Ｐｄ等の金属電極から成り櫛歯状又は網目状の陽極１８が、この順番で積層形成されて成る。
　【００１３】
　このように、有機ＥＬ素子の場合には、電子輸送層、発光層、第１ホール輸送層及び第２ホール輸送層から成る発光素子層の各層は有機化合物から成り、その発光素子層が陽極及び陰極に挟まれた構造である。ホール輸送層は１層でも良い。
　陽極１８から注入されたホールと、陰極１３から注入された電子とが発光層１５の内部で再結合し、発光層１５を形成する有機分子を励起して励起子が生じる。この励起子が放射失活する過程で発光層１５から光が放たれ、この光が陽極１８から外部（図中、紙面上方向）へ放出される。
　【００１４】
　なお、発光層から放たれた光は陰極及び陽極に進むが、陰極が全面金属であるため光は外部に出ることなく反射されて、結果的に金属から成るものの櫛歯状又は網目状をなす陽極から光が放出されることになる。
　このように構成された表示画素がマトリクス状に配置されることにより、有機ＥＬ表示装置が形成される。
　【００１５】
　ここで、陽極の形状及び製造方法について説明する。
　本発明の表示装置は、上述の通り、ＴＦＴ上にＥＬ素子を積層した構造であるため、発光素子層を挟む両電極のうち陽極を発光素子層の上に形成することになる。
　ところが、従来の如く、陽極１８の材料として、スパッタ法でＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ）膜を形成することになると、その際に発光素子層の材料にスパッタによるダメージが加わることになる。
　【００１６】
　そこで、本発明においては、陽極１８を蒸着法を用いて金属にて形成する。そうすることにより、発光素子層にダメージを与えることなく、発光素子層上に陽極１８を形成することができる。
　しかし、金属材料で発光素子層上に全面に陽極１８を形成するとその金属材料により発光光が遮蔽されて発光光が外部に放出できず、表示装置としての機能を有さなくなる。
　【００１７】
　そこで、陽極１８の形状を図２（ａ）のように櫛歯状あるいは図２（ｂ）のように網目状にして矢印方向に発光光を放出する。櫛歯の間隔及び網目の大きさは、表示装置として必要な明るさが得られる程度に選択する。
　以下に、本発明の表示装置の製造方法について説明する。
　図３に、本発明の表示装置の製造工程断面図を示す。
　【００１８】
　ＴＦＴは従来の技術によって形成される。
　工程１（図３（ａ））：表面が絶縁性を有する基板１上に、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）などの高融点金属からなるゲート電極２を形成する。
　ゲート電極２を含む全面に絶縁膜３及びｐ−Ｓｉからなる能動層４を形成する。ｐ−Ｓｉ膜４の上に、ＳｉＯ２膜からなるストッパ５を形成する。
　【００１９】
　そのストッパ５をマスクとして、ｐ−Ｓｉ膜４にｐ型またはｎ型のイオンを注入して、ソース領域４ｓ及びドレイン領域４ｄを形成する。その上にＳｉＯ２膜６及びＳｉＮ膜７の２層からなる層間絶縁膜８を形成する。前記ソース領域４ｓ及びドレイン領域４ｄに対応した位置に層間絶縁膜８を貫通する第１のコンタクトホール９を介してアルミニウム等の金属からなるソース電極１０ｓ及びドレイン電極１０ｄを形成する。
　【００２０】
　こうして、有機ＥＬ素子を駆動するｐ−Ｓｉを能動層とするＴＦＴ（Ｐｏｌｙ−Ｓｉｌｉｃｏｎ　Ｔｈｉｎ　Ｆｉｌｍ　Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：以下、「ｐ−ＳｉＴＦＴ」と称する。）が形成される。能動層はｐ−Ｓｉに限るものではなく、非晶質シリコン、微結晶シリコン等でも良い。
　以下に、上述の工程１に続いて、ＴＦＴ上に有機ＥＬ素子を形成する工程について説明する。
　【００２１】
　工程２（図３（ｂ））：前記ｐ−ＳｉＴＦＴの各電極１０ｓ，１０ｄ及び層間絶縁膜８の上に、平坦化絶縁膜１１を形成する。平坦化絶縁膜１１は、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、シリコン窒化酸化膜、シリケートガラス膜、ＳＯＧ（Ｓｐｉｎ　Ｏｎ　Ｇｌａｓｓ）膜、合成樹脂膜（ポリイミド系樹脂膜、有機シリカ膜、アクリル系樹脂膜など）等によって形成されている。その平坦化絶縁膜１１にコンタクトホール１２を形成する。
　【００２２】
　工程３（図３（ｃ））：その平坦化絶縁膜１１の上にマグネシウム・インジウム合金（ＭｇＩｎ）又はアルミニウム・リチウム合金（ＡｌＬｉ）等から成る有機ＥＬ素子の陰極１３を形成する。平坦化絶縁膜１１に形成されたコンタクトホール１２を介してソース電極１０ｓと陰極１３とが接続される。
　工程４（図４（ｄ））：陰極１３上に、Ｂｅｂｑ２から成る電子輸送層１４、キナクリドン（Ｑｕｉｎａｃｒｉｄｏｎｅ）誘導体を含むＢｅｂｑ２（１０−ベンゾ〔ｈ〕キノリノール−ベリリウム錯体）から成る発光層１５、ＴＰＤ（４，４’，４”−ｔｒｉｓ（３−ｍｅｔｈｙｌｐｈｅｎｙｌｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｏ）ｔｒｉｐｈｅｎｙｌａｎｉｎｅ）からなる第１ホール輸送層１６、ＭＴＤＡＴＡ（４，４’−ｂｉｓ（３−ｍｅｔｈｙｌｐｈｅｎｙｌｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｏ）ｂｉｐｈｅｎｙｌ）から成る第２ホール輸送層１７を順に形成する。
　【００２３】
　工程５（図４（ｅ））：第２ホール輸送層１７の上には、蒸着法にて陽極１８の材料である金属膜、例えばＰｔ，Ｒｈ，Ｐｄ等を形成する。
　なお、陽極１８の金属の形成は、形成する金属をイオン状態にして蒸着するイオンクラスタ法によっても可能である。
　【００２４】
　【発明の効果】
　本発明の表示装置及びその製造方法によれば、ＥＬ素子の発光光が前記基板側とは反対の方向から外部に放出させることが実現できるので、放出される光がＴＦＴによって遮断されることがなくなるため開口率を大きくすることができる。
　また、発光光を遮断しない程度にＴＦＴを極力小さくしなければならないという制約もなくなり、ＴＦＴのサイズ決定にも自由度が増すため、ＴＦＴの能力を十分に発揮できる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　本発明の表示装置の一表示画素を示す断面図である。
　【図２】
　本発明の一表示画素の陽極の形状を示す断面図である。
　【図３】
　本発明の表示装置の製造工程断面図である。
　【図４】
　本発明の表示装置の製造工程断面図である。
　【図５】
　従来の表示装置の一表示画素を示す断面図である。
　【符号の説明】
　１　　　　　　基板
　６　　　　　　ｐ−Ｓｉ膜
　１１　　　　　平坦化絶縁膜
　１２　　　　　コンタクトホール
　１０ｓ　　　　ソース電極
　１３　　　　　陰極
　１８　　　　　陽極