【事件の表示】
　特許第３２８１６３５号「窒化アルミニウム粉末」の請求項１に係る発明の特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第３２８１６３５号の請求項１に係る発明の特許を維持する。
【理　由】
I．手続の経緯、本件発明
　本件特許第３２８１６３５号は、平成３年１２月２０日に特許出願され、平成１４年２月２２日に特許の設定登録がなされ、風間弘志より本件特許につき特許異議の申立がなされ、この特許異議申立の理由に基づいて取消理由を通知したところ、権利者から特許異議意見書が提出され、その後、特許異議申立人より上申書が提出されたものである。
　本件請求項１に係る発明（以下、必要に応じて、「本件発明」という）は、特許査定時の特許請求の範囲に記載される次のとおりのものである。
【請求項１】平均粒子径が２μｍ以下で、トリウムの含有量が１０ｐｐｂ以下であり、且つウランとトリウムの含有量の合計が１００ｐｐｂ以下である低放射性結晶質窒化アルミニウム粉末
　
II．特許異議申立の概要
　特許異議申立人は、証拠として下記の甲第１及び２号証を引用したうえで、本件発明は、甲第１号証に記載された発明であって、特許法第２９条第１項第３号に該当し、また、本件発明は、甲第１及び２号証に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであって、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、したがって、この特許は取り消されるべきである旨主張する。
甲第１号証：特開昭５８−１４０１４２号公報
甲第２号証：特開昭５８−４９５４号公報
　
III．証拠の記載
III−１．甲第１号証（特開昭５８−１４０１４２号公報）には、電子部品被覆用組成物につき、以下のことが記載されている。
（Ａ−１）「（イ）有機重合体　１００重量部
（ロ）（ａ）分子中に加水分解性基および／または水酸基を有するほう素系、アルミニウム系、けい素系またはチタン系化合物の１種または２種以上を出発原料として合成した該いずれかの元素を含む窒化物または酸化物（ただしシリカを除く）１００〜８００重量部と、（ｂ）合成シリカ０〜５００重量部とからなる充填剤１００〜８００重量部、からなる電子部品被覆用組成物。」（特許請求の範囲第１項）
（Ａ−２）「本発明は・・・、さらに詳しくは半導体素子をその表面にあらかじめα線しやへい層を設ける必要なく直接被覆することができ、かつ好適な高熱伝導性の被覆組成物の提供を目的とする。」（第２頁左上欄第２〜７行）
（Ａ−３）「この（ａ）成分である窒化物および酸化物は本発明において最つとも重要とされる成分であつて、このものはきわめて高純度の分子中に加水分解性基および／または水酸基を有するほう素系、アルミニウム系、けい素系またはチタン系化合物の１種または２種以上を出発原料として合成した該いずれかの元素を含む窒化物または酸化物であり、この窒化物としてはＢＮ、Ｓｉ３Ｎ４、ＴｉＮ等が、また酸化物としてはＡｌ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３・ＳｉＯ２等がそれぞれ例示される。・・・。
　この出発原料について具体的例示をあげると、これは分子中にハロゲン、アルコキシ基等の加水分解性基および／または水酸基をもつ化合物であつて、たとえばＢＣｌ３、Ｂ（ＯＨ）３、ＡｌＣｌ３、Ａｌ（ＯＣ３Ｈ７）３、・・・、Ｂ（ＯＣＯＣＨ３）３、Ａｌ（ＯＣＯＣＨ３）３、Ｔｉ（ＯＣ４Ｈ９）４などがあげられる。
　これらの化合物はいずれも蒸留することができるので、あらかじめ高純度原料として前記窒化物および酸化物合成に使用することができ、したがつて不利な不純物を含まない高純度な製品を得ることができる。」（第３頁右上欄第４行〜左下欄第１１行）
（Ａ−４）「また高純度の窒化物充填剤を得るためには、例えば原料としての精製塩化物、水酸化物（酸化物）をアンモニアガスと反応させることにより得ることができ、
　ＢＣｌ３＋４ＮＨ３→ＢＮ＋３ＮＨ４Ｃｌ
　Ｂ２Ｏ３＋２ＮＨ３→２ＢＮ＋３Ｈ２Ｏ
　３ＳｉＣｌ４＋４ＮＨ３→Ｓｉ３Ｎ４＋１２ＨＣｌ
などの反応によつて得られた非晶質粒子からなる窒化物である。必要に応じて高温に加熱処理すればそれぞれ結晶質粒子とすることができる。この非晶質および結晶質のいずれも本発明に使用することができるが、安定性の点で後者がより好ましい。」（第３頁右下欄第下から第２行〜第４頁左上欄第１１行）
（Ａ−５）「以上述べた方法により得られる酸化物系および窒化物系の充填剤はウラン、トリウム等の放射性元素含有量が１ｐｐｂ以下のきわめて高純度のものであつて、本発明の要求を満足している。」（第４頁右上欄第１〜４行）
（Ａ−６）「本発明に適した充填剤の平均粒径としてはいずれも０．５〜１００μ好ましくは３〜５０μ程度である。」（第４頁右上欄第５〜７行）
　
III−２．甲第２号証（特開昭５８−４９５４号公報）には、半導体メモリー装置およびその製造方法につき、以下のことが記載されている。
（Ｂ−１）「封止材料から入射するα線によりｓｏｆｔ　ｅｒｒｏｒを起す集積度を有する半導体メモリー素子およびそれを封止する封止体（Ｐａｃｋａｇｅ）を含む半導体メモリー装置において、前記メモリー素子と封止体との間にウランおよびトリウムの総含量が１ｐ．ｐ．ｂ．以下で、かつ０．２ｐ．ｐ．ｂ．より多い樹脂状物を含むα線遮へい層を介在せしめたことを特徴とする半導体メモリー装置。」（特許請求の範囲第１項）
（Ｂ−２）「ところが、本発明者らは封止材料の精製について種々検討を進めている際、ウランおよびトリウムの含量がある値以下になるとα線によるｓｏｆｔ　ｅｒｒｏｒ減少が急激に減少ないし起らなくなることを発見した。
　本発明の目的はα線によるｓｏｆｔ　ｅｒｒｏｒを生じない高集積度半導体メモリ装置を提供することにある。」（第２頁左上欄第９〜１６行）
（Ｂ−３）「上記樹脂物状には遮へい層の物理的性質を改善する目的のために各種のフイラーを配合することも可能である。勿論、フイラーとしては、該フイラー中に含まれるウランおよびトリウムの含量が前述の条件を満たすように精製、除去した高純度のものでなければならない。即ち、ウランおよびトリウムの総含量が樹脂状物およびフイラーの全体量に対し、１ｐ．ｐ．ｂ．以下で、かつ０．２ｐ．ｐ．ｂ．より多い量となるように精製されたフイラーである。ここで、高純度のフイラーとしては、有機金属化合物、例えばテトラメチルシラン，・・・などのけい素化合物，アルミニウムトリイソプロピレート，モノ−sec−ブトキシアルミニウムジイソプロピレート，アルミニウムトリブチレート，エチルアセトアセテートアルミニウムジイソプロピレート，アルミニウムトリス（エチルアセテート）などのアルミニウム化合物，・・・などのスズ化合物などを蒸留、再結晶などにより精製したのち、空気中や酸素中で加熱酸化やプラズマ酸化した酸化物あるいは窒化物などが好適である。」（第２頁左下欄末行〜第３頁左上欄第６行）
（Ｂ−４）「実施例１　・・・、フィラーとしてエチルシリケートを１６８〜１７０℃で蒸留精製したのち、加水分解し、空気中約５００℃で４時間加熱して製造した粉末３７０部、・・・樹脂状物を（組成物）を調製した。この組成物を放射化分析したところ、ウラン含量は０．４５ｐ．ｐ．ｂ．、トリウム含量は０．５５ｐ．ｐ．ｂ．であった。」（第４頁左下欄第６行〜右下欄第５行）
　
IV．当審の判断
　本件発明の構成は、前記したとおり、「平均粒子径が２μｍ以下で、トリウムの含有量が１０ｐｐｂ以下であり、且つウランとトリウムの含有量の合計が１００ｐｐｂ以下である低放射性結晶質窒化アルミニウム粉末」というものである。
　これに対して、甲第１号証には、甲第１号証の前記摘示した（Ａ−１）、（Ａ−３）及び（Ａ−４）によれば、電子部品被覆組成物の１成分である充填剤であって、当該充填剤が「ほう素系、アルミニウム系、けい素系またはチタン系化合物の１種または２種以上を出発原料として該いずれかの元素を含む窒化物または酸化物、即ち、ＢＮ、Ｓｉ３Ｎ４、ＴｉＮ、Ａｌ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３・ＳｉＯ２等を合成する」ことにより製造され、そして、当該窒化物及び酸化物は、前記（Ａ−４）によれば結晶質のものを含み、かつ、前記（Ａ−５）及び（Ａ−６）によればウラン、トリウム等の放射性元素含有量が１ｐｐｂ以下で、その平均粒径は０．５〜１００μ好ましくは３〜５０μ程度である、上記充填剤に関する発明が記載されている。
　そこで、本件発明と甲第１号証に記載される発明とを対比する。
　甲第２号証に記載の発明は、本件発明と同じように窒化物に関し、その粒径が、０．５〜２μの粉末である点で一応重複し、また、その窒化物が結晶性であって、トリウムの含有量が１０ｐｐｂ以下であり、且つウランとトリウムの含有量の合計が１００ｐｐｂ以下である低放射性のものである点でも共通する。
　よって、両者は、「平均粒子径が２μｍ以下で、トリウムの含有量が１０ｐｐｂ以下であり、且つウランとトリウムの含有量の合計が１００ｐｐｂ以下である低放射性結晶質窒化物粉末」である点で一致する。
　一方、本件発明は、この「平均粒子径が２μｍ以下で、トリウムの含有量が１０ｐｐｂ以下であり、且つウランとトリウムの含有量の合計が１００ｐｐｂ以下である低放射性結晶質窒化物粉末」が「窒化アルミニウム粉末」であるとの構成を更に具備する。
　これに対して、甲第１号証に記載の発明では、その窒化物粉末として、ＢＮ、Ｓｉ３Ｎ４、及びＴｉＮが示されるだけであり、また、そのでのアルミニウム成分は酸化物として用いられるだけであって、結局、そこでは充填剤として窒化アルミニウム粉末を採択することは具体的に示されず、また、それを意識することろもない。
　更に、本件明細書の記載には、「従来は不可能とされていた、ウラン、トリウムの含有濃度を低く抑えた窒化アルミニウム粉末を開発することができ、本発明を完成するに至った。」（段落０００８の抜粋）と記載され、かつ、「本発明の原料として使用される有機アルミニウムは、ＡｌＸ１ Ｘ２ Ｘ３ ・・・。代表的な有機アルミニウムとしてトリエチルアルミニウム、トリイソブチルアルミニウムがあげられる。これらはともに、分子中に酸素を含まず、トリエチルアルミニウムは、融点が−４５．５℃で沸点が１８６．６℃、またトリイソブチルアルミニウムは、融点が１．０℃であり、常圧では沸点以下で熱分解するという物性を持っている。いずれも常温で液体であるため、蒸留精製などの簡単な手段で高純度化が可能であり、原料中に含有されるウラン、トリウム等の除去が可能であるという特徴を有する。・・・。後述する本発明の実施例で使用した有機アルミニウムは、合成後、理論段５段の精留塔において、温度１３５℃、圧力１４ｍｍＨｇ、還流比１．０で精蒸留を行った後原料とした。」（段落００１１及び００１２）と記載されるものであり、以上のことからみると、本件発明のウラン、トリウムの含有濃度を低く抑えた窒化アルミニウム粉末は、常温で液体であるため蒸留精製などの簡単な手段で高純度化が可能な有機アルミニウムを用い、これを所定の条件で精蒸留したものを原料として用いることにより得ることができたものであると認められる。ちなみに、有機アルミニウムにつき、甲第１号証に記載の発明をみても、その（Ａ−３）で例示される、ＡｌＣｌ３、Ａｌ（ＯＣ３Ｈ７）３、Ａｌ（ＯＣＯＣＨ３）３は、常温では固体ないしは固化傾向を示すものに他ならず（これは、後述する甲第２号証で例示されるアルミニウムトリブチレート等の場合においても同じ）、これらの蒸留が容易なものとは解すことはできない。そうすると、そもそも、甲第１号証の発明では、「トリウムの含有量が１０ｐｐｂ以下であり、且つウランとトリウムの含有量の合計が１００ｐｐｂ以下の低放射性」である窒化アルミニウム粉末を作る手段が示されていないことになる。
　このように、甲第１号証の発明では、そこでの充填剤として窒化アルミニウム粉末を採択することが示されず、また、ウラン、トリウムの含有濃度を低く抑えた窒化アルミニウム粉末の製造手段も示されないものであり、したがって、甲第１号証に記載の発明では本件発明の上記構成を具備しない。
　よって、本件発明は、トリウムの含有量が１０ｐｐｂ以下であり、且つウランとトリウムの含有量の合計が１００ｐｐｂ以下である低放射性である「窒化アルミニウム粉末」をその構成として具備する点で、甲第１号証に記載の発明とは相違し、この点で、甲第１号証に記載の発明に対して別異の発明を構成するものである。
　次に、甲第２号証の記載をみても、そこには、ウラン含量とトリウム含量が低いシリカ等のフイラーが示されるに過ぎず、これを、甲第１号証に記載の発明に合わせてみても、そこから、上記相違点に係る構成が教示されない。
　この外、取消理由通知において引用した特開平１−２７５４１３号公報及び特開平３−１３７００９号公報には、高熱伝導性基板を得るための窒化アルミニウム粉末につき記載されるだけであり、上記相違点につき直接示唆するものはない。
　そして、本件発明は、上記相違点に係る構成を具備することにより明細書記載の効果を奏したものである。
　したがって、本件発明は、甲第１号証に記載された発明であるということはできず、また、甲第１及び２号証に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるということもできない。
　
V.　まとめ
　以上のとおりであり、特許異議申立の理由及び証拠によっては、本件請求項１に係る発明の特許を取り消すことができない。
　また、他に本件請求項１に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１６年６月２日（２００４．６．２）