【事件の表示】
　特許第３３９５７４８号「非可逆回路素子及び通信機装置」の請求項１ないし７に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３３９５７４８号の請求項１ないし６に係る特許を取り消す。
【理　由】
第１．手続きの経緯
　本件特許第３３９５７４８号の請求項１〜７に係る発明は、平成１２年１月１９日に出願され、平成１５年２月７日に特許の設定登録がなされ、その後、平成１５年１０月１０日に異議申立人齋藤雄一、平成１５年１０月１４日にアルプス電気株式会社より、請求項１〜７に係る発明について特許異議の申立てがなされ、これにより、当審における合議の結果、平成１６年２月１７日付けで請求項１〜７に係る特許について取消理由が通知され、その指定期間内である同年４月２７日に特許異議意見書が提出され、同時に訂正請求が行われたものである。
　
第２．訂正の適否
　１．訂正の内容
（１）訂正事項ａ
　特許明細書の特許請求の範囲の請求項１を削除する。
　 
（２）訂正事項ｂ
　特許明細書の特許請求の範囲の請求項２を次のとおりに訂正する。
　　「【請求項１】上壁、下壁及び上下壁に連続しかつ互いに対向する２つの側壁を有するヨーク内に、永久磁石、磁性体、該磁性体に互いに電気的絶縁状態でかつ所定の角度で交差させて配置された３つの中心導体を収納してなり、１つの中心導体をヨークの側壁に対して略垂直方向に配置した非可逆回路素子において、
　前記各中心導体を複数の導体で構成し、ヨークの側壁に対して略垂直方向に配置された中心導体の導体間隔を他の２つの中心導体の導体間隔よりも広く設定したことを特徴とする非可逆回路素子。」
　
（３）訂正事項ｃ
　特許明細書の特許請求の範囲の請求項３を次のとおりに訂正する。
　　「【請求項２】上壁、下壁及び上下壁に連続しかつ互いに対向する２つの側壁を有するヨーク内に、永久磁石、磁性体、該磁性体に互いに電気的絶縁状態でかつ所定の角度で交差させて配置された３つの中心導体を収納してなり、１つの中心導体をヨークの側壁に対して略垂直方向に配置した非可逆回路素子において、
　前記各中心導体を複数の導体で構成し、ヨークの側壁に対して略垂直方向に配置された中心導体の導体幅及び導体間隔を他の２つの中心導体の導体幅及び導体間隔よりも広く設定したことを特徴とする非可逆回路素子。」
　
（４）訂正事項ｄ
　特許明細書の特許請求の範囲の請求項４を次のとおりに訂正する。
　　「【請求項３】前記各中心導体を２つの導体で構成したことを特徴とする請求項１または２に記載の非可逆回路素子。」　
　
（５）訂正事項ｅ
　特許明細書の特許請求の範囲の請求項５を次のとおりに訂正する。
　　「【請求項４】前記３つの中心導体のうちいずれか１つの中心導体のポートに終端抵抗を接続したことを特徴とする請求項１、２または３に記載の非可逆回路素子。」
　
（６）訂正事項ｆ
　特許明細書の特許請求の範囲の請求項６を次のとおりに訂正する。
　　「【請求項５】前記ヨークの側壁に対して略垂直方向に配置された中心導体のポートに終端抵抗を接続したことを特徴とする請求項４に記載の非可逆回路素子。」
　
（７）訂正事項ｇ
　特許明細書の特許請求の範囲の請求項７を次のとおりに訂正する。
　　「【請求項６】請求項１、２、３、４または５に記載の非可逆回路素子を備えたことを特徴とする通信機装置。」
　
（８）訂正事項ｈ
　特許明細書の段落【００１１】を次のとおりに訂正する。
　　「【課題を解決するための手段】
　上記目的を達成するために、本発明に係る非可逆回路素子は、上壁、下壁及び上下壁に連続しかつ互いに対向する２つの側壁を有するヨーク内に、永久磁石、磁性体、該磁性体に互いに電気的絶縁状態でかつ所定の角度で交差させて配置された３つの中心導体を収納してなり、１つの中心導体をヨークの側壁に対して略垂直方向に配置した非可逆回路素子において、各中心導体を複数の導体で構成し、ヨークの側壁に対して略垂直方向に配置された中心導体の導体間隔を他の２つの中心導体の導体間隔よりも広く設定する。」
　
（９）訂正事項ｉ
　特許明細書の段落【００１２】を次のとおりに訂正する。　
　　「この構成によれば、ヨークの側壁に対して略垂直方向に配置された中心導体のポートインピーダンスは低くなり、この中心導体のポートの反射特性を向上することができる。すなわち、本発明では、ヨークの側壁に対して略垂直方向に配置された中心導体のポートインピーダンスを他の２つの中心導体のポートインピーダンスに近づくように、ヨークの側壁に対して略垂直方向に配置された中心導体の導体間隔を他の２つの中心導体の導体間隔よりも広く設定している。したがって、各ポートで適正なインピーダンスマッチングをとることができるので、各中心導体のポートでの反射特性を向上することができる。」
　
（１０）訂正事項ｊ
　特許明細書の段落【００４１】を次のとおりに訂正する。
　　「【発明の効果】
　以上説明したように、本発明に係る非可逆回路素子によれば、ヨーク側壁に対して垂直方向に配置された中心導体の導体間隔を他の２つの中心導体の導体間隔よりも広く設定しているので、ヨーク側壁に対して垂直方向に配置された中心導体のポートインピーダンスが低くなり、このポートでの反射特性を向上することができる。したがって、本発明によれば、挿入損失及びアイソレーション特性が良好な非可逆回路素子を得ることができる。」　
　
　２．訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
（１）前記訂正事項ａ
　上記訂正事項ａは、特許明細書の特許請求の範囲の請求項１を削除するものであり、上記訂正事項ａは、特許法第１２０条の４第２項のただし書第１号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　 
（２）前記訂正事項ｂ〜ｇ
　前記訂正事項ｂ〜ｇについては、訂正事項ａの請求項１の削除に伴って、特許明細書の特許請求の範囲の請求項２〜７をそれぞれ訂正後の請求項１〜６に繰り上げて訂正するものである。したがって、上記訂正事項ｂ〜ｇは、特許法第１２０条の４第２項のただし書第３号に規定する明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
　
（３）前記訂正事項ｈ〜ｊ
前記訂正事項ｈ〜ｊについては、特許請求の範囲の訂正に伴い、当該訂正事項との関係で不合理が生じないようその内容を変更したものであって、実質的な訂正ではなく、特許法第１２０条の４第２項のただし書第３号に規定する明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
　
（４）前記訂正事項ａ〜ｊは、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であるとともに、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。
　
　３．結び
　したがって、前記訂正は、特許法第１２０条の４第２項及び特許法第１２０条の４第３項において準用する特許法第１２６条第２項及び第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
第３．特許異議の申立てについて
　１．特許異議の申立ての概要
（１）本件特許異議申立人齋藤雄一は、以下の理由により、本件の請求項１〜７に係る特許は、取り消されるべきである旨主張する。
　　
　ア．本件の請求項１、４〜７に係る発明はいずれも、その出願の日前の特許出願であって、その出願後に出願公開がされた下記甲第１号証の特許（実用新案登録）出願の願書に最初に添付された明細書又は図面に記載された発明（考案）と同一であり、しかも、この出願の発明者がその出願前の特許（実用新案登録）出願に係る上記の発明（考案）をした者と同一ではなく、またこの出願の時において、その出願人が上記特許（実用新案登録）出願の出願人と同一でもないので、特許法第２９条の２の規定に違反してなされたものである。
　
　イ．本件の請求項２、４〜７に係る発明のいずれも、本件の特許出願前に頒布された刊行物である下記甲第２号証に記載された発明であり、それらの特許は、特許法第２９条第１項の規定に違反してなされたものである。
　
　ウ．本件の請求項１〜７に係る発明のいずれも、本件の特許出願前に頒布された刊行物である下記甲第２号証〜甲第４号証に記載された発明に基づいて、その出願前に当業者が容易に発明をすることができたものであるから、それらの特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものである。
　　　　　　　　　　　　　　　　記
（ア）（１）甲第１号証の１；特願平１１−３６４４５１号の願書及び願書に最初に添付した明細書及び図面
　　　（２）甲第１号証の２；特開２００１−１８５９１４号公報　
（イ）甲第２号証 ；特開平１１−２０５０１１号公報　
 (ウ）甲第３号証 ；特開平７−１０６８０９号公報
（エ）甲第４号証 ；特開平１１−６８４１２号公報
　
（２）本件特許異議申立人アルプス電気株式会社は、以下の理由により、本件の請求項１〜７に係る特許は、取り消されるべきである旨主張する。
　
　ア．本件の請求項１〜７に係る発明はいずれも、本件の特許出願前に頒布された刊行物である下記甲第１号証〜甲第７号証に記載された発明に基づいて、その出願前に当業者が容易に発明をすることができたものであるから、それらの特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものである。
　　　　　　　　　　　　　　　　記
（オ）甲第１号証 ；特開平１１−６８４１２号公報
（カ）甲第２号証 ；特開平１１−９７９０８号公報
（キ）甲第３号証 ；特開平６−１９６９０７号公報
（ク）甲第４号証 ；特開平１０−１０７５１１号公報
（ケ）甲第５号証 ；特開平７−３０７６０３号公報
（コ）甲第６号証 ；特開平７−１０６８０９号公報
（サ）甲第７号証 ；マイクロ波工学−基礎と応用−（１９９３年１１月２７日初版発行）　　
　２．本件の請求項に係る発明
　上記したように本件は訂正が認められるから、本件の請求項１〜６に係る発明（以下、各々、「本件発明１」〜「本件発明６」という。）は、前記訂正請求に係る訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１〜６に記載されたとおりの次の事項により特定されるものである。
　
　「【請求項１】上壁、下壁及び上下壁に連続しかつ互いに対向する２つの側壁を有するヨーク内に、永久磁石、磁性体、該磁性体に互いに電気的絶縁状態でかつ所定の角度で交差させて配置された３つの中心導体を収納してなり、１つの中心導体をヨークの側壁に対して略垂直方向に配置した非可逆回路素子において、
　前記各中心導体を複数の導体で構成し、ヨークの側壁に対して略垂直方向に配置された中心導体の導体間隔を他の２つの中心導体の導体間隔よりも広く設定したことを特徴とする非可逆回路素子。
　
　【請求項２】上壁、下壁及び上下壁に連続しかつ互いに対向する２つの側壁を有するヨーク内に、永久磁石、磁性体、該磁性体に互いに電気的絶縁状態でかつ所定の角度で交差させて配置された３つの中心導体を収納してなり、１つの中心導体をヨークの側壁に対して略垂直方向に配置した非可逆回路素子において、
　前記各中心導体を複数の導体で構成し、ヨークの側壁に対して略垂直方向に配置された中心導体の導体幅及び導体間隔を他の２つの中心導体の導体幅及び導体間隔よりも広く設定したことを特徴とする非可逆回路素子。
　
　【請求項３】前記各中心導体を２つの導体で構成したことを特徴とする請求項１または２に記載の非可逆回路素子。
　
　【請求項４】前記３つの中心導体のうちいずれか１つの中心導体のポートに終端抵抗を接続したことを特徴とする請求項１、２または３に記載の非可逆回路素子。
　
　【請求項５】前記ヨークの側壁に対して略垂直方向に配置された中心導体のポートに終端抵抗を接続したことを特徴とする請求項４に記載の非可逆回路素子。
　
　【請求項６】請求項１、２、３、４または５に記載の非可逆回路素子を備えたことを特徴とする通信機装置。」
　
　３．引用発明
（１）一方、当審で通知した取消理由で引用した特開平１１−９７９０８号公報（以下、「刊行物１」という。）には次の事項が記載されている。
　
　ア．「【０００２】
　【従来の技術】一般に、携帯電話等の移動通信機器に採用される集中定数型アイソレータは、信号を伝送方向にのみ通過させ、逆方向への伝送を阻止する機能を有している。また、最近の移動通信機器では、その用途からして小型，軽量化とともに、低コスト化に対する要求が強くなっており、これに伴ってアイソレータにおいても同様に小型，軽量化が要請されている。
　　　【０００３】このような集中定数型アイソレータとして、従来、図７に示すように、上，下ヨーク５０，５１内にそれぞれ上から順に永久磁石５２，中心電極体５３，及び整合回路基板５４，アース板５５を配置した構造のものがある。この中心電極体５３は円板のフェライト５６に３本の中心電極５７・・を電気的絶縁状態で互いに交差させて配置して構成されている。
　　　【０００４】また上記整合回路基板５４は、矩形薄板状の誘電体基板５４ａの中央部に上記中心電極体５３が挿通配置される丸孔５４ｂを形成し、該誘電体基板５４ａの丸孔５４ｂの周縁に上記各中心電極５６の入出力ポートＰ１〜Ｐ３が接続されるコンデンサ電極５８・・を形成した構造のものである。なお、このポートＰ３には終端抵抗膜５９が接続されている。　」（２頁段落【０００２】〜【０００４】）、
　
　イ．「【０００８】ここで、整合用コンデンサとして、誘電体基板の両面全面に該基板を挟んで対向する電極を形成した単板型コンデンサを採用することを検討している。
　　　【０００９】この単板型コンデンサは、大きな平板からなる母基板の両主面に電極を形成し、該母基板を所定寸法にカット加工するだけで製造でき、大量生産が可能である。このため従来の誘電体基板に丸孔や複数のコンデンサ電極を形成する場合に比べて加工及び扱いが容易であり、コストを低減できる。またコンデンサ同士が静電結合することもないので、帯域外減衰特性の劣化を回避できる。
　　　【００１０】図５，図６は、上記単板型コンデンサを採用したアイソレータの一例を示し、図中、図７と同一符号は同一又は相当部分を示す。これは樹脂製端子基板６０の底壁６０ａに中心電極体５３が挿通配置される丸孔６１を形成し、該丸孔６１の周縁に中心電極体５３を囲むように各単板型コンデンサＣ１〜Ｃ３を配置するとともに、単板型抵抗体Ｒを配置して構成されている。」（２頁段落【０００８】〜【００１０】）、
　
　ウ．「【００１７】本実施形態の集中定数型アイソレータ１は、左, 右側壁２ａ，２ａと底壁２ｂとを有する磁性体金属製下ヨーク２に樹脂製端子基板３を配置するとともに、該端子基板３に中心電極組立体４を配置し、上記下ヨーク２に同じく磁性体金属からなる箱状の上ヨーク５を装着して磁気閉回路を形成して構成されている。また上記上ヨーク５の内面には円板状の永久磁石６が貼着されており、該永久磁石６により上記中心電極組立体４に直流磁界を印加するようになっている。」（３頁段落【００１７】）
　
　エ．「【００２３】上記中心電極組立体４は、フェライト１２の上面に３本の中心電極１３〜１５を電気的絶縁状態で１２０度角度ごとに交互に交差させて配置し、該各中心電極１３〜１５の一端側の入出力ポートＰ１〜Ｐ３を外方に突出するとともに、他端側の各中心電極１３〜１５共通のシールド部１６を上記フェライト１２の下面に当接した構造のものであり、このシールド部１６は下ヨーク２の底壁２ｂに接続されている。
　　　【００２４】上記各中心電極１３〜１５の入出力ポートＰ１〜Ｐ３はそれぞれ上記単板型コンデンサＣ１〜Ｃ３のホットエンド側の上面電極に接続されている。この各入出力ポートＰ１〜Ｐ３のうち２つのポートＰ１，Ｐ２の先端部は上記入出力ポート電極１０に接続されており、残りのポートＰ３の先端部は終端抵抗Ｒに接続されている。」（３頁段落【００２３】〜【００２４】）。
　
　上記刊行物１の記載及び図面（特に、図５、図６）並びにこの技術分野における技術常識を勘案すると、上記刊行物１には、
　「上壁、下壁及び上下壁に連続しかつ互いに対向する２つの側壁を有するヨーク内に、永久磁石、フェライト、該フェライトに互いに電気的絶縁状態でかつ所定の角度で交差させて配置された３つの中心電極を収納してなり、１つの中心電極をヨークの側壁に対して略垂直方向に配置したアイソレータにおいて、
　前記各中心電極を２つの導体で構成し、ヨークの側壁に対して略垂直方向に配置された中心電極の入出力ポートに終端抵抗を接続したアイソレータ。」（以下、「引用発明１」という。）が記載されている。
　
（２）同じく取消理由で引用した例えば特開平７−３０７６０３号公報（以下、「刊行物２」という。）には次の事項が記載されている。
　
　ア．「【特許請求の範囲】
　　【請求項１】複数の中心電極を交差するように配置し、前記各中心電極の一端部に整合回路を接続し、他端部をアースに接続してなる非可逆回路素子において、
前記中心電極のライン幅を各ポート毎に設定したことを特徴とする非可逆回路素子。
　　【請求項２】複数の中心電極を交差するように配置し、前記各中心電極の一端部に整合回路を接続し、他端部をアースに接続してなる非可逆回路素子において、
前記各中心電極は複数のラインで構成され、該中心電極のライン間隔を各ポート毎に設定したことを特徴とする非可逆回路素子。
　　【請求項３】複数の中心電極を交差するように配置し、前記各中心電極の一端部に整合回路を接続し、他端部をアースに接続してなる非可逆回路素子において、
前記各中心電極は複数のラインで構成され、該中心電極のライン幅及びライン間隔を各ポート毎に設定したことを特徴とする非可逆回路素子。
　　【請求項４】前記各中心電極、前記整合回路及び入出力部の一部または全てを多層基板の内部あるいは表面に形成したことを特徴とする請求項１乃至請求項３に記載の非可逆回路素子。」（２頁【特許請求の範囲】）、
　
　イ．「【０００１】
　　【産業上の利用分野】本発明は、自動車電話、携帯電話等の通信機器に使用される非可逆回路素子、例えばアイソレータ、サーキュレータに関する。」（２頁【０００１】）、
　
　ウ．「【００１１】
　【発明が解決しようとする課題】ところが、上記のような構造においては、それぞれのポートにより、中心電極からアース面である下部ヨーク、あるいは上部ヨークまでの距離が異なる。このため、上記従来のように、各ポートの中心電極のライン幅及びライン間隔を同寸法で形成した場合は、各ポート毎に中心電極の特性インピーダンスが異なり、つまり、ポート毎のインダクタンスが異なることとなり、ポート間の対称性が悪く、アイソレータの性能が劣化するという問題があった。
　　　【００１２】また、中心電極間の線間容量もそれぞれの中心電極によって異なるため、さらに、ポート間の対称性を悪くしていることもあった。
　　　【００１３】そこで、本発明の目的は、以上のような従来の非可逆回路素子が持つ問題点を解消し、中心電極のライン幅、ライン間隔を各ポート毎に設定することにより、中心電極のリアクタンスを全ポート等しくして、挿入損失及びアイソレーション特性の良好な高性能かつ小型の非可逆回路素子を提供することにある。」（２頁段落【００１１】〜【００１３】）
　
　エ．「【００２０】
　　【実施例】以下、本発明の目的とする各中心電極のリアクタンスを全ポートで等しくするための中心電極のライン幅及びライン間隔の設定について図面を参照して説明する。図において、従来例と同一部分または相当する部分については同一符号を付す。
　　　【００２１】本発明の第１実施例に係るアイソレータの要部の構成を図１に示す。図１は多層基板内部の中心電極及びフェライトの位置関係を示す分解斜視図であり、この実施例のアイソレータ及び多層基板の全体構成は前述の図４及び図５に示したものと同様の構成であり、図示及びその説明を省略する。
　　　【００２２】図１に示すように、この実施例の多層基板の中心電極部を構成するシート４１、４２、４３にはそれぞれ１つの中心電極４ａ、４ｂ、４ｃが形成され、各中心電極４ａ、４ｂ、４ｃは互いに１２０度の角度をなすように積層されている。そして、シート４１の上部には下部ヨークの底壁に載置されたフェライト１２が１つ配置されている。つまり、各中心電極４ａ、４ｂ、４ｃは、アース面となる下部ヨークからそれぞれ異なる距離に配置されている。各中心電極４ａ、４ｂ、４ｃの中央部はそれぞれ２本のラインで構成され、前述したようにその一端部はそれぞれのポート電極に接続され、他端部はアース電極に接続されている。
　　　【００２３】まず、この構成における中心電極４ａ、４ｂ、４ｃのライン間隔Ｄ１、Ｄ２、Ｄ３を同一とした場合のライン幅Ｗ１、Ｗ２、Ｗ３の設定について考察する。
　　　【００２４】各中心電極のリアクタンスは、中心電極のラインのインダクタンスと中心電極間の線間容量で形成される。通常、線間容量によるリアクタンスよりもインダクタンスによるリアクタンスが相対的に大きいので、まず、ラインのインダクタンスについて考察する。
　　　【００２５】一般的に、ラインのインダクタンスは、ラインの特性インピーダンスに比例し、ラインの特性インピーダンスは、アースに近いほど小さくなり、またライン幅が大きいほど小さくなる。したがって、アースから近い中心電極ほどそのライン幅を狭くすることにより、各ポートの特性インピーダンスを等しくし、よって、各ポートのインダクタンスを等しくすることができる。
　　　【００２６】すなわち、各中心電極４ａ、４ｂ、４ｃのライン幅Ｗ１、Ｗ２、Ｗ３をＷ１≦Ｗ２≦Ｗ３となるように設定して、各ポートの中心電極のインダクタンスを等しくすることができる。」（３頁、段落【００２０】〜【００２６】）、
　
　オ．「【００３０】一般的に、中心電極の特性インピーダンスは、中心電極のライン間隔が大きいほど小さくなり、また、前述したようにアースに近いほど小さくなる。したがって、アースから近い中心電極ほどそのライン間隔を狭くすることにより、各ポートの特性インピーダンスを等しくし、よって、各ポートのインダクタンスを等しくすることができる。すなわち、各中心電極４ａ、４ｂ、４ｃのライン間隔Ｄ１、Ｄ２、Ｄ３をＤ１≦Ｄ２≦Ｄ３となるように設定して、各ポートの中心電極のインダクタンスを等しくすることができる。」（３、４頁段落【００３０】）、
　
　カ．「【００３８】なお、上記の考察では、ライン幅及びライン間隔のいずれか一方を同一寸法として、他方の寸法設定について説明したが、これに限ることはなく、中心電極のライン幅及びライン間隔の両方を各ポート毎に設定してもよい。この場合、設計の自由度が高くなり、より高性能な設計が可能となる。
　　　【００３９】また、上記実施例では、各中心電極が２本のラインで構成されたものについて説明したが、これに限るものではなく、各中心電極が１本または３本以上のラインで構成されたものでもよい。１本のラインで構成された中心電極の場合は、もちろん、そのライン幅の設定のみとなる。
　　　【００４１】また、上記実施例では、より小形化を図るために多層基板で中心電極、整合回路等を構成したが、これに限るものではなく、各中心電極を金属製の導体で形成したものにも本発明を適用できる。
　　　【００４２】
　　【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る非可逆回路素子によれば、非可逆回路素子を構成する各ポートの中心電極のリアクタンスを全ポートで等しくなるように、中心電極のライン幅やライン間隔を各ポート毎に設定しているので、ポート間の対称性が向上し、挿入損失及びアイソレーション特性を向上することができる。」（４頁段落【００３８】〜【００４２】）。
　
　上記刊行物２の記載及び図面並びにこの技術分野における技術常識を勘案すると、上記刊行物２には、
　「アイソレータ、サーキュレータ等の非可逆回路素子において、各中心電極からアースとなる下部ヨーク或いは上部ヨークまでの距離の違いから、ポート間の特性インピーダンスの非対称性が生じること」（以下、「引用技術２−１」という。）、「ポート間の特性インピーダンスの非対称性を補正するため、各ポートの中心電極を構成する複数ラインの、ライン幅、ライン間隔或いは、ライン幅及びライン間隔の両方を設定し、具体例として、下部ヨークからみて最上層に配置された中心電極のライン幅Ｗ３、ライン間隔Ｄ３或いは、ライン幅Ｗ３及びライン間隔Ｄ３の両方を他の２つの中心電極のものより広く設定すること」（以下、「引用技術２−２」という。）が記載され、また、「所定ポートの中心電極を構成する複数ラインの、ライン幅、ライン間隔或いは、ライン幅及びライン間隔の両方を大きくすると所定ポートの特性インピーダンスが小さくなり、それらを小さくすると所定ポートの特性インピーダンスが大きくなること」（以下、「引用技術２−３」という。）が記載されている。
　そして、前記引用技術２−１、２−２、２−３における「中心電極」、「中心電極を構成する複数ライン」、「ライン幅」、「ライン間隔」は、各々、「中心導体」、「中心導体を構成する複数導体」、「導体幅」、「導体間隔」のことであるから、
　前記引用技術２−１は、「アイソレータ、サーキュレータ等の非可逆回路素子において、各中心導体からアースとなる下部ヨーク或いは上部ヨークまでの距離の違いから、ポート間の特性インピーダンスの非対称性が生じること」、引用技術２−２は、「ポート間の特性インピーダンスの非対称性を補正するため、各ポートの中心導体を構成する複数導体の、導体幅、導体間隔或いは、導体幅及び導体間隔の両方を設定し、具体例として、下部ヨークからみて最上層に配置された中心導体の導体幅Ｗ３、導体間隔Ｄ３或いは、導体幅Ｗ３及び導体間隔Ｄ３の両方を他の２つの中心電極のものより広く設定すること」であり、
　前記引用技術２−３は、「所定ポートの中心導体を構成する複数導体の、導体幅、導体間隔或いは、導体幅及び導体間隔の両方を大きくすると、所定ポートの特性インピーダンスが小さくなり、それらを小さくすると所定ポートの特性インピーダンスが大きくなること」というものである。
　
　４．対比・判断
　
（１）本件発明１について
　本件発明１と引用発明１とを対比すると、
　
　Ａ．引用発明１の「フェライト」、「中心電極」は、各々本件発明１の「磁性体」、「中心導体」に相当する。
　Ｂ．引用発明１の「２つの導体」、「アイソレータ」は、各々本件発明１の「複数の導体」、「非可逆回路素子」である。
　
　そうすると、本件発明１と引用発明１とは、
　
「上壁、下壁及び上下壁に連続しかつ互いに対向する２つの側壁を有するヨーク内に、永久磁石、磁性体、該磁性体に互いに電気的絶縁状態でかつ所定の角度で交差させて配置された３つの中心導体を収納してなり、１つの中心導体をヨークの側壁に対して略垂直方向に配置した非可逆回路素子において、
　前記各中心導体を複数の導体で構成した非可逆回路素子。」
　の点で一致し、以下の点で相違している。
　
　相違点（ア）
　「中心導体」に関し、本件発明１は「ヨークの側壁に対して略垂直方向に配置された中心導体の導体間隔を他の２つの中心導体の導体間隔よりも広く設定した」ものであるのに対し、引用発明１にはこのような構成が記載されていない。　
　
　そこで、上記相違点（ア）について検討すると
　前記引用技術２−１は、「アイソレータ、サーキュレータ等の非可逆回路素子において、各中心導体からアースとなる下部ヨーク或いは上部ヨークまでの距離の違いから、ポート間の特性インピーダンスの非対称性が生じること」であり、該記載は、各中心導体が接続されているポートの、各中心導体とヨークの位置関係の差異から各中心導体のポートの特性インピーダンスの非対称が生じることを意味しており、
　一方、引用発明１においては、図面の記載及び技術常識からみて、ヨークの側壁に対して略垂直方向に配置された中心導体（中心電極）の導体幅、導体間隔と他の２つの中心導体の導体幅、導体間隔が等しいと解されるところ、
　係る引用発明１において、ヨークの側壁に対して略垂直方向に配置された中心導体が接続されたポートの該中心導体は最上層に配置されかつ平面的にもヨークの壁面に対して他の２つの中心導体と異なる配置となっているから、ヨークの側壁に対して略垂直方向に配置された中心導体が接続されたポートの該中心導体とヨークの位置関係と、他の２つの中心導体が接続されたポートの該中心導体とヨークの位置関係の間に違いがあることは明らかである。そして、この位置関係の違いにより、ヨークの側壁に対して略垂直方向に配置された中心導体が接続されたポートの特性インピーダンスと他の２つの中心導体が接続されたポートの特性インピーダンスの間に差異が生じることは、前記引用技術２−１の、各中心導体のポートの特性インピーダンスを各中心導体とヨークの位置関係を含めて検討する技術思想から、当業者が容易に類推し得るところであり、引用発明１において、ヨークの側壁に対して略垂直方向に配置された中心導体が接続されたポートの特性インピーダンスと他の２つの中心導体が接続されたポートの特性インピーダンスの間の差異を補償するため、引用技術２−２、２−３を考慮し、引用発明１において、ヨークの側壁に対して略垂直方向に配置された中心導体の導体間隔を他の２つの中心導体の導体間隔よりも広く設定することは必要に応じて当業者が適宜成し得る事項である。
　よって、本件発明１は引用発明１及び引用技術２−１、２−２、２−３から当業者が容易に成し得たものである。
　
（２）本件発明２について
　本件発明２と引用発明１を対比すると、
　
　Ａ．引用発明１の「フェライト」、「中心電極」は、各々本件発明２の「磁性体」、「中心導体」に相当する。
　Ｂ．引用発明１の「２つの導体」、「アイソレータ」は、各々本件発明２の「複数の導体」、「非可逆回路素子」である。　
　
　そうすると、本件発明２と引用発明１とは、
　
　「上壁、下壁及び上下壁に連続しかつ互いに対向する２つの側壁を有するヨーク内に、永久磁石、磁性体、該磁性体に互いに電気的絶縁状態でかつ所定の角度で交差させて配置された３つの中心導体を収納してなり、１つの中心導体をヨークの側壁に対して略垂直方向に配置した非可逆回路素子において、
　前記各中心導体を複数の導体で構成した非可逆回路素子。」、
　の点で一致し、以下の点で相違している。
　
　相違点（イ）
　「中心導体」に関し、本件発明２は「ヨークの側壁に対して略垂直方向に配置された中心導体の導体幅及び導体間隔を他の２つの中心導体の導体幅及び導体間隔よりも広く設定した」ものであるのに対し、引用発明１にはこのような構成が記載されていない点。　
　
　そこで、上記相違点（イ）について検討すると
　前記引用技術２−１は、「アイソレータ、サーキュレータ等の非可逆回路素子において、各中心導体からアースとなる下部ヨーク或いは上部ヨークまでの距離の違いから、ポート間の特性インピーダンスの非対称性が生じること」であり、該記載は、各中心導体が接続されているポートの、各中心導体とヨークの位置関係の差異から各中心導体のポートの特性インピーダンスの非対称が生じることを意味しており、
　一方、引用発明１においては、図面の記載及び技術常識からみて、ヨークの側壁に対して略垂直方向に配置された中心導体（中心電極）の導体幅、導体間隔と他の２つの中心導体の導体幅、導体間隔が等しいと解されるところ、
　係る引用発明１において、ヨークの側壁に対して略垂直方向に配置された中心導体が接続されたポートの該中心導体は最上層に配置されかつ平面的にもヨークの壁面に対して他の２つの中心導体と異なる配置となっているから、ヨークの側壁に対して略垂直方向に配置された中心導体が接続されたポートの該中心導体とヨークの位置関係と、他の２つの中心導体が接続されたポートの該中心導体とヨークの位置関係の間に違いがあることは明らかである。そして、この位置関係の違いにより、ヨークの側壁に対して略垂直方向に配置された中心導体が接続されたポートの特性インピーダンスと他の２つの中心導体が接続されたポートの特性インピーダンスの間に差異が生じることは、前記引用技術２−１の、各中心導体のポートの特性インピーダンスを各中心導体とヨークの位置関係を含めて検討する技術思想から、当業者が容易に類推し得るところであり、引用発明１において、ヨークの側壁に対して略垂直方向に配置された中心導体が接続されたポートの特性インピーダンスと他の２つの中心導体が接続されたポートの特性インピーダンスの間の差異を補償するため、引用技術２−２、２−３を考慮し、ヨークの側壁に対して略垂直方向に配置された中心導体の導体幅及び導体間隔を他の２つの中心導体の導体幅及び導体間隔よりも広く設定することは必要に応じて当業者が適宜成し得る事項である。　　
　よって、本件発明２は引用発明１及び引用技術２−１、２−２、２−３から当業者が容易に成し得たものである。
　
（３）本件発明３について
　引用発明１には各中心電極（中心導体）を「２つの導体」で構成することも記載されており、
　本件発明１、２発明を引用する本件発明３と引用発明１とを対比すると、上記４．（１）で記載した相違点（ア）、上記４．（２）で記載した相違点（イ）で相違し、その余の点で一致する。
　そして、前記相違点（ア）、（イ）についての検討は、上記４．（１）、（２）で記載したとおりである。
　よって、本件発明３は引用発明１及び引用技術２−１、２−２、２−３から当業者が容易に成し得たものである。
　
（４）本件発明４について
　引用発明１の「ヨークの側壁に対して略垂直方向に配置された中心電極の入出力ポートに終端抵抗を接続した」は、前記本件発明４の「前記３つの中心導体のうちいずれか１つのポートに終端抵抗を接続した」ことであるので、
　本件発明１、２、３を引用する本件発明４と引用発明１とを対比すると、上記４．（１）で記載した相違点（ア）、上記４．（２）で記載した相違点（イ）で相違し、その余の点で一致する。
　そして、前記相違点（ア）、（イ）についての検討は、上記４．（１）、（２）で記載したとおりである。
　よって、本件発明４は引用発明１及び引用技術２−１、２−２、２−３から当業者が容易に成し得たものである。
　
（５）本件発明５について
　引用発明１には「ヨークの側壁に対して略垂直方向に配置された中心電極のポートに終端抵抗を接続した」ことが記載されているので、
　本件発明４を引用する本件発明５と引用発明１とを対比すると、上記４．（１）で記載した相違点（ア）、上記４．（２）で記載した相違点（イ）で相違し、その余の点で一致する。
　そして、前記相違点（ア）、（イ）についての検討は、上記４．（１）、（２）で記載したとおりである。
　よって、本件発明５は引用発明１及び引用技術２−１、２−２、２−３から当業者が容易に成し得たものである。
　
（６）本件発明６について
　本件発明１〜５を引用する本件発明６と引用発明１とを対比すると、上記４．（１）で記載した相違点（ア）、上記４．（２）で記載した相違点（イ）の外、下記相違点（ハ）で相違し、その余の点で一致する。
　
　相違点（ハ）
　本件発明が「非可逆回路素子を備えた通信機装置」であるのに対し、引用発明１ではこのようなものでない点。
　そこで、上記相違点（ハ）について検討すると、
　刊行物１には、引用発明１の非可逆回路素子が移動通信機器に使用されること（以下、「刊行物１の記載事項」という。）が明記されており（前記３．（１）ア．参照）、引用発明１の非可逆回路素子を用いて、引用発明１を非可逆回路素子を備えた通信機装置とすることも当業者が適宜成し得る事項である。
　そして、前記相違点（ア）、（イ）についての検討は、上記４．（１）、（２）で記載したとおりである。
　よって、本件発明６は引用発明１及び引用技術２−１、２−２、２−３、刊行物１の記載事項から当業者が容易に成し得たものである。
　
　５．結び
　以上のとおりであるから、本件発明１〜６は、上記刊行物１に記載された発明及び刊行物２に記載された技術、刊行物１の記載事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであるから、本件発明１〜６についての特許は特許法第１１３条第２号に該当し、取り消されるべきものである。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１６年６月１７日（２００４．６．１７）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
非可逆回路素子及び通信機装置
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項
１
　前記各中心導体を複数の導体で構成し、ヨークの側壁に対して略垂直方向に配置された中心導体の導体間隔を他の２つの中心導体の導体間隔よりも広く設定したことを特徴とする非可逆回路素子。
　【請求項
２
　前記各中心導体を複数の導体で構成し、ヨークの側壁に対して略垂直方向に配置された中心導体の導体幅及び導体間隔を他の２つの中心導体の導体幅及び導体間隔よりも広く設定したことを特徴とする非可逆回路素子。
　【請求項
３
または２
　【請求項
４
または３
　【請求項
５
４
　【請求項
６
または５
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の属する技術分野】
　本発明は、マイクロ波帯等の高周波帯域で使用されるアイソレータやサーキュレータ等の非可逆回路素子、及びこれを用いた通信機装置に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　一般に、集中定数型のアイソレータやサーキュレータ等の非可逆回路素子は、信号の伝送方向に対する減衰量が極めて小さく、逆方向への減衰量が極めて大きい、という特性を利用して通信機装置等に用いられている。
　【０００３】
　従来のアイソレータの分解斜視図を図９に、その内部構造を図１０に示す。このアイソレータは、左右の側壁８ｂと底壁８ａとを有するコ字状の下部ヨーク８上に樹脂製端子ケース７を配置し、該端子ケース７内に、中心導体５１，５２，５３及び磁性体５５からなる磁性組立体５、整合用のコンデンサＣ１，Ｃ２，Ｃ３、終端抵抗Ｒを配置し、これらの上に永久磁石３を配置し、上部全体を覆うように箱状の上部ヨーク２を下ケース８に装着して構成されている。上部ヨーク２と下部ヨーク８は、上部ヨーク２の対向する２つの側壁と下部ヨーク８の両側壁８ｂで接続されており、上壁、下壁及び上下壁に連続する２つの側壁を有する略四角形筒状のヨークを形成している。この上部・下部ヨーク２，８と永久磁石３とで磁気閉回路を構成している。
　【０００４】
　各中心導体５１〜５３は、共通のアース部を磁性体５５の下面に当接し、磁性体５５の側面を経て磁性体５５の上面に略１２０度の角度で交差させて配置されている。中心導体５１，５２のポートＰ１，Ｐ２は、端子ケース７に形成された入出力端子７１，７２及びコンデンサＣ１，Ｃ２に接続され、中心導体５３のポートＰ３はコンデンサＣ３及び終端抵抗Ｒに接続され、各コンデンサＣ１〜Ｃ３及び終端抵抗Ｒの一端はアース端子７３に接続されている。各中心導体５１〜５３の共通のアース部は下部ヨーク８の底壁８ａに接続されている。
　【０００５】
　１つの中心導体５３は、上・下部ヨーク２，８の対向する側壁８ｂに対して垂直方向に配置され、他の２つの中心導体５１，５２は、中心導体５３と略１２０度の角度で交差して配置されている。
　【０００６】
　【発明が解決しようとする課題】
　このような非可逆回路素子においては、図１１に示すように各中心導体（図１１では中心導体５３のみを図示）を流れる電流ｉは、アース部から上部ヨークと下部ヨークに分かれて流れる。このとき、各中心導体５１〜５３の導体幅及び導体間隔を同様のものを用いると、下部ヨーク８の側壁８ｂに対して垂直方向に配置された中心導体５３から上部ヨーク２に流れる電流は、他の２つの中心導体５１，５２から上部ヨーク２に流れる電流よりも大きくなり、逆に中心導体５３から下部ヨーク８に流れる電流は、中心導体５１，５２から下部ヨーク８に流れる電流より小さくなる。これは中心導体５３が他の２つの中心導体５１，５２よりもヨーク側壁８ｂに近接して配置されるとともに、その上部ヨーク２上の電流経路が短くなるためである。このため、ヨークの側壁８ｂに垂直な中心導体５３の電流ｉ３による磁性体５５内を通る磁束は、他の中心導体５１，５２の電流ｉ１，ｉ２による磁性体５５内を通る磁束に比べて小さくなる。これにより、ヨークの側壁８ｂに垂直な中心導体５３は他の中心導体５１，５２との結合が小さくなり、中心導体５３のポートでのインピーダンス（以下、ポートインピーダンスと記す）は、他の２つの中心導体５１，５２のポートインピーダンスよりも高くなる。
　【０００７】
　通常、これら非可逆回路素子が用いられる回路の入出力部のインピーダンスは所定のインピーダンス値（通常、５０Ω）となっており、非可逆回路素子の各ポートインピーダンスも所定の同じ値のインピーダンスとなるように設定される。
　【０００８】
　しかしながら、上記のように従来の非可逆回路素子おいては、ヨークの側壁に垂直な中心導体は、他の２つの中心導体よりもポートインピーダンスが高くなるので、この中心導体のポートの反射特性が劣化するという問題があった。
　【０００９】
　また、３つの中心導体の導体幅や導体間隔を各ポート毎に設定した非可逆回路素子が特開平７−３０７６０３号公報に示されているが、この非可逆回路素子では、各中心導体とヨーク側壁との配置関係については述べられていない。本願発明者は、各中心導体とヨーク側壁との配置関係について考察し本願発明を成すに至った。
　【００１０】
　そこで、本発明の目的は、ヨークの側壁に対して垂直方向に配置された中心導体のポートの反射特性を向上した非可逆回路素子及びこれを用いた通信機装置を提供することにある。
　【００１１】
　【課題を解決するための手段】
　上記目的を達成するために、本発明に係る非可逆回路素子は、上壁、下壁及び上下壁に連続しかつ互いに対向する２つの側壁を有するヨーク内に、永久磁石、磁性体、該磁性体に互いに電気的絶縁状態でかつ所定の角度で交差させて配置された３つの中心導体を収納してなり、１つの中心導体をヨークの側壁に対して略垂直方向に配置した非可逆回路素子において
、
、
　【００１２】
　この構成によれば、ヨークの側壁に対して略垂直方向に配置された中心導体のポートインピーダンスは低くなり、この中心導体のポートの反射特性を向上することができる。すなわち、本発明では、ヨークの側壁に対して略垂直方向に配置された中心導体のポートインピーダンスを他の２つの中心導体のポートインピーダンスに近づくように、ヨークの側壁に対して略垂直方向に配置された中心導体
の導
の導
　【００１３】
　また、各中心導体を２つの導体で構成することにより、簡単な構造で挿入損失を低減することができる。
　【００１４】
　また、いずれか１つの中心導体のポートに終端抵抗を接続してアイソレータを構成する。この場合、ヨークの側壁に対して略垂直方向に配置された中心導体のポートは他の中心導体のポートよりもポートインピーダンスがずれやすいので任意の値の抵抗で終端できるアイソレーションポートに適しており、このポートに終端抵抗を接続するのが望ましい。
　【００１５】
　また、本発明に係る通信機装置は上記の特徴を有する非可逆回路素子を備えて構成される。これにより、特性が良好な通信機装置を得ることができる。
　【００１６】
　【発明の実施の形態】
　本発明の第１実施形態に係るアイソレータの構成を図１及び図２を参照して説明する。図１はアイソレータの全体構造を示す分解斜視図、図２は上部ヨーク及び永久磁石を取り外した状態での平面図である。
　【００１７】
　本実施形態のアイソレータは、略コ字状の下部ヨーク８上に端子ケース７を配置し、該端子ケース７内に、中心導体５１，５２，５３及び磁性体５５からなる磁性組立体５、整合用のコンデンサＣ１，Ｃ２，Ｃ３、終端抵抗Ｒを配置し、これらの上に永久磁石３を配置し、上部全体を覆うように箱状の上部ヨーク２を下ケース８に装着し、磁性組立体５に永久磁石３により直流磁界を印加するように構成されている。
　【００１８】
　上部ヨーク２及び下部ヨーク８は軟鉄等の磁性体金属板をそれぞれ打ち抜き、曲げ加工して形成されており、上部ヨーク２は上壁と４つの側壁を有し、下部ヨーク８は底壁（下壁）８ａと対向する左右の側壁８ｂを有している。上部ヨーク２と下部ヨーク８は、上部ヨーク２の対向する２つの側壁と下部ヨーク８の両側壁８ｂにおいて半田、導電性接着剤等で接続されている。この上部・下部ヨーク２，８からなるヨークは、下部ヨーク側壁８ｂ側で上下壁が連続し、これと垂直な方向では上下壁が不連続な筒状の構造体となっており、磁気閉回路を形成するとともに、各構成部材を収納する外部ケースとして機能する。
　【００１９】
　中心導体５１，５２，５３は、銅等の金属導体板を打ち抜き加工して形成されたものであり、共通のアース端となるアース部で連接一体化され、アース部から外方に突出して設けられている。磁性組立体５は、共通のアース部上に磁性体５５を載置し、磁性体５５を包み込むように各中心導体５１〜５３を磁性体５５の上面に絶縁シート（図示省略）を介在させて互いに略１２０度の角度をなすように折り曲げて配置して構成されている。各中心導体５１〜５３の先端部にあたる各ポートＰ１〜Ｐ３は他の部材との接続に適した形状とされ、磁性体５５の外周から外方に突出するように構成されている。各中心導体５１〜５３はそれぞれ２つの導体で構成され、１つの中心導体５３は、下部ヨーク８の対向する側壁８ｂに対して垂直方向に配置され、他の２つの中心導体５１，５２は、中心導体５３と略１２０度の角度で交差して配置されている。
　【００２０】
　そして、本実施形態では、ヨーク側壁８ｂに対して垂直方向に配置された中心導体５３の各導体幅Ａ３は、他の中心導体５１，５２の各導体幅Ａ１，Ａ２よりも広く形成されている。すなわち、本実施形態では、ヨーク側壁８ｂに対して垂直方向に配置された中心導体５３を構成する２つの導体の導体幅Ａ３を他の中心導体５１，５２の導体幅Ａ１，Ａ２よりも広く設定している。各中心導体５１〜５３の導体間隔Ｂ１，Ｂ２，Ｂ３は同一寸法で形成されている。
　【００２１】
　端子ケース７は、電気的絶縁部材からなり、矩形枠状の側壁７ａに底壁７ｂを一体形成した構造のもので、入出力端子７１、７２、アース端子７３がその一部を樹脂内に埋設して設けられ、底壁７ｂの略中央部には挿通孔７ｃが形成され、挿通孔７ｃの周縁部には所定の箇所に複数の凹部が形成されている。
　【００２２】
　挿通孔７ｃの周縁に形成された凹部には整合用コンデンサＣ１〜Ｃ３、終端抵抗Ｒが配置され、挿通孔７ｃ内には磁性組立体５が挿入配置され、磁性組立体５の上部に永久磁石３が配設されている。磁性組立体５下壁の共通のアース部５４は下部ヨーク８の底壁８ａに接続されている。各整合用コンデンサＣ１〜Ｃ３の下面電極、及び終端抵抗Ｒの一端側の電極はそれぞれアース端子７３に接続されている。各整合用コンデンサＣ１〜Ｃ３の上面電極にはそれぞれ各中心導体５１〜５３のポートＰ１〜Ｐ３が接続され、終端抵抗Ｒの他端側はポートＰ３に接続されている。
　【００２３】
　次に、第１実施形態の構成での効果を図３を参照して説明する。図３はヨーク側壁に対して垂直方向に配置された中心導体５３のポートにおける第１実施形態の構成と従来の構成（各中心導体を同一の導体幅、導体間隔で構成）の反射特性を示す図である。磁性体の寸法はいずれも直径３．０ｍｍ、厚み０．５ｍｍ、実施形態の中心導体５３の導体幅０．３ｍｍ、導体間隔０．２ｍｍ、従来例の各中心導体５１〜５３及び実施形態の中心導体５１，５２の導体幅０．１５ｍｍ、導体間隔０．２ｍｍのものを用いている。なお、飽和磁化は０．１Ｔに設定し、測定系のインピーダンスは５０Ωである。従来例のものでは、ポートＰ３に対応するポートインピーダンスが中心周波数で約６０Ωであるのに対し、実施形態のポートＰ３のポートインピーダンスは中心周波数で約５０Ωとなる。他のポートインピーダンスは中心周波数でいずれも約５０Ωである。
　【００２４】
　図３に示すように、本実施形態のポートＰ３での反射特性は、所要の周波数帯域において従来例のものに比べ大幅に向上している。例えば中心周波数（９００ＭＨｚ）での反射損失は、従来例のものが１９．１ｄＢであるのに対して、実施形態のものは４６．６ｄＢと大幅に改善されている。
　【００２５】
　このように、本実施形態においては、従来のように各中心導体を同一導体幅で構成した場合にポートインピーダンスが最も大きくなる中心導体、すなわちヨーク側壁８ｂに対して垂直方向に配置された中心導体５３の導体幅Ａ３を他の中心導体５１，５２の導体幅Ａ１，Ａ２よりも広く形成したので、この中心導体５３のポートインピーダンスは低くなり、このポートの反射特性が向上する。すなわち、導体幅Ａ３を広く設定することにより中心導体５３のポートインピーダンスを下げて、回路系のインピーダンスにより近づくようにし、他の中心導体５１，５２のポートインピーダンスとほぼ同様の値となるようにしている。これにより、全ての中心導体のポートインピーダンスを回路系のインピーダンスに合致するように設定することができる。したがって、本実施形態の構成とすれば、ヨーク側壁に対して垂直方向に配置された中心導体のポートを入出力ポートとした場合の挿入損失、及びヨーク側壁に対して垂直方向に配置された中心導体のポートをアイソレーションポートとした場合のアイソレーション特性を向上することができる。
　【００２６】
　上記実施形態では、ヨーク側壁８ｂに対して垂直方向に配置された中心導体５３に終端抵抗Ｒを接続してアイソレータとしたが、これに限るものではなく、中心導体５１または５２のいずれかに終端抵抗Ｒを接続してアイソレータを構成するようにしてもよい。しかし、上記のように中心導体５１，５２に対してそのポートインピーダンスがずれ易い中心導体５３に終端抵抗Ｒを接続するのが望ましい。すなわち終端抵抗Ｒの値を中心導体５３のポートインピーダンスに正確に合わせることにより、さらにアイソレーション特性を向上することができる。
　【００２７】
　次に、第２実施形態に係るアイソレータの構成を図４を参照して説明する。図４に示すアイソレータでは、各中心導体５１〜５３はそれぞれ２つの導体で構成され、ヨーク側壁８ｂに対して垂直方向に配置された中心導体５３の導体間隔Ｂ３は、他の中心導体５１，５２の導体間隔Ｂ１，Ｂ２よりも広く形成されている。すなわち、本実施形態では、ヨーク側壁８ｂに対して垂直方向に配置された中心導体５３を構成する２つの導体の導体間隔Ｂ３を他の中心導体５１，５２の導体間隔Ｂ１，Ｂ２よりも広く設定している。各中心導体５１〜５３の各導体幅Ａ１，Ａ２，Ａ３は同一寸法で形成されている。
　【００２８】
　図５はヨーク側壁に対して垂直方向に配置された中心導体５３のポートにおける第２実施形態の構成と従来の構成の反射特性を示す図である。実施形態の中心導体５３の導体幅０．１５ｍｍ、導体間隔０．５のものを用いている。なお、他の寸法や測定条件は前述の第１実施形のときと同様である。本実施形態では、ポートＰ３のポートインピーダンスは中心周波数で約５５Ωとなる。他のポートインピーダンスは中心周波数でいずれも約５０Ωである。
　【００２９】
　図５に示すように、本実施形態のポートＰ３の反射特性は、所要の周波数帯域において従来例のものに比べ大幅に向上している。例えば中心周波数での反射損失は、従来例のものが１９．１ｄＢであるのに対して、本実施形態のものは２６．３ｄＢと改善されている。
　【００３０】
　このように、本実施形態においては、従来のように各中心導体を同一導体間隔で構成した場合にポートインピーダンスが最も大きくなる中心導体、すなわちヨーク側壁に対して垂直方向に配置された中心導体５３の導体間隔Ｂ３を他の中心導体５１，５２の導体間隔Ｂ１，Ｂ２よりも広く形成したので、この中心導体５３のポートインピーダンスは低くなり、このポートの反射特性が向上する。すなわち、導体間隔Ｂ３を広く設定することにより中心導体５３のポートインピーダンスを下げて、回路系のインピーダンスにより近づくようにしている。したがって、本実施形態の構成とすれば、ヨーク側壁に対して垂直方向に配置された中心導体のポートを入出力ポートとした場合の挿入損失、及びヨーク側壁に対して垂直方向に配置された中心導体のポートをアイソレーションポートとした場合のアイソレーション特性を向上することができる。
　【００３１】
　次に、第３実施形態に係るアイソレータの構成を図６を参照して説明する。図６に示すアイソレータでは、各中心導体５１〜５３はそれぞれ２つの導体で構成され、ヨーク側壁８ｂに対して垂直方向に配置された中心導体５３の各導体幅Ａ３は他の中心導体５１，５２の導体幅Ａ１，Ａ２よりも広く、かつ中心導体５３の導体間隔Ｂ３は他の中心導体５１，５２の導体間隔Ｂ１，Ｂ２よりも広く形成されている。すなわち、本実施形態では、ヨーク側壁８ｂに対して垂直方向に配置された中心導体５３を構成する２つの導体の導体幅Ａ３及び導体間隔Ｂ３を他の中心導体５１，５２の導体幅Ａ１，Ａ２及び導体間隔Ｂ１，Ｂ２よりも広く設定している。
　【００３２】
　図７はヨーク側壁８ｂに対して垂直方向に配置された中心導体５３のポートにおける第３実施形態の構成と従来の構成の反射特性を示す図である。実施形態の中心導体５３の導体幅０．２５ｍｍ、導体間隔０．３のものを用いている。なお、他の寸法や測定条件は前述の第１実施形のときと同様である。本実施形態では、ポートＰ３のポートインピーダンスは中心周波数で約５０Ωとなる。他のポートインピーダンスは中心周波数でいずれも約５０Ωである。
　【００３３】
　図７に示すように、本実施形態のポートＰ３の反射特性は、所要の周波数帯域において従来例のものに比べ大幅に向上している。例えば中心周波数での反射損失は、従来例のものが１９．１ｄＢであるのに対して、本実施形態のものは３８．７ｄＢと改善されている。
　【００３４】
　このように、本実施形態においては、従来のように各中心導体を同一導体幅及び同一導体間隔で構成した場合にポートインピーダンスが最も大きくなる中心導体、すなわちヨーク側壁に対して垂直方向に配置された中心導体５３の導体幅Ａ３及び導体間隔Ｂ３を他の中心導体５１，５２の導体幅Ａ１，Ａ２及び導体間隔Ｂ１，Ｂ２よりも広く形成したので、この中心導体５３のポートインピーダンスは低くなり、このポートの反射特性が向上する。すなわち、導体幅Ａ３及び導体間隔Ｂ３を広く設定することにより中心導体５３のポートインピーダンスを下げて、回路系のインピーダンスにより近づくようにしている。したがって、本実施形態の構成とすれば、ヨーク側壁に対して垂直方向に配置された中心導体のポートを入出力ポートとした場合の挿入損失、及びヨーク側壁に対して垂直方向に配置された中心導体のポートをアイソレーションポートとした場合のアイソレーション特性を向上することができる。
　【００３５】
　なお、上記各実施形態では、各中心導体５１，５２，５３を２つの導体で構成したもので説明したが、これに限るものではなく、各中心導体を１つの導体で構成してもよく、また各中心導体を３つ以上の導体で構成してもよい。
　【００３６】
　また、上記実施形態では金属導体板からなる各中心導体を磁性体に折り曲げて配置した構造のもので説明したが、中心導体の構造はこれに限るものではなく、中心導体を誘電体や磁性体の内部または表面に電極膜で形成した構造のものであってもよい。また、永久磁石３の形状及び磁性体５５の形状は平面視円形に限るものではなく、平面視四角形等の多角形状のものを用いるようにしてもよい。
　【００３７】
　また、上記各実施形態では１つのポートＰ３に終端抵抗Ｒを接続したアイソレータを例にとって説明したが、ポートＰ３に終端抵抗Ｒを接続することなく、ポートＰ３を第３の入出力ポートとしたサーキュレータにも本発明を適用することができる。
　【００３８】
　また、上記実施形態では、上部ヨークと下部ヨークを接続してヨークを形成しているが、これに限るものではなく、１つの部材で一体に形成された略四角形筒状のヨークを用いてもよい。
　【００３９】
　次に、第４実施形態に係る通信機装置の構成を図８に示す。この通信機装置は、送信用フィルタＴＸ及び受信用フィルタＲＸからなるデュプレクサＤＰＸのアンテナ端にアンテナＡＮＴが接続され、送信用フィルタＴＸの入力端とと送信回路との間にアイソレータＩＳＯが接続され、受信用フィルタＲＸの出力端に受信回路が接続されて構成されている。送信回路からの送信信号はアイソレータＩＳＯを経由し、送信用フィルタＴＸを通してアンテナＡＮＴから発信される。また、アンテナＡＮＴで受信された受信信号は受信用フィルタＲＸを通して受信回路に入力される。
　【００４０】
　ここに、アイソレータＩＳＯとして、上記各実施形態のアイソレータを使用することができる。本発明に係る反射特性を向上した非可逆回路素子を用いることにより、特性が良好な通信機装置を得ることができる。
　【００４１】
　【発明の効果】
　以上説明したように、本発明に係る非可逆回路素子によれば、ヨーク側壁に対して垂直方向に配置された中心導体
の導
の導
　【００４２】
　また、本発明に係る非可逆回路素子を実装することにより、特性が良好な通信機装置を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】　第１実施形態に係るアイソレータの全体構造を示す分解斜視図
　【図２】　第１実施形態に係るアイソレータの永久磁石及び上部ヨークを除いた状態での平面図
　【図３】　第１実施形態及び従来の構成における反射損失を示す図
　【図４】　第２実施形態に係るアイソレータの永久磁石及び上部ヨークを除いた状態での平面図
　【図５】　第２実施形態及び従来の構成における反射損失を示す図
　【図６】　第３実施形態に係るアイソレータの永久磁石及び上部ヨークを除いた状態での平面図
　【図７】　第３実施形態及び従来の構成における反射損失を示す図
　【図８】　第４実施形態に係る通信機装置のブロック図
　【図９】　従来のアイソレータの全体構造を示す分解斜視図
　【図１０】　従来のアイソレータの永久磁石及び上部ヨークを除いた状態での平面図
　【図１１】　図１０のアイソレータの模式断面図
　【符号の説明】
　２　　　　　　　　上部ヨーク
　３　　　　　　　　永久磁石
　５　　　　　　　　磁性組立体
　５１〜５３　　　　中心導体
　Ａ１〜Ａ３　　　　導体幅
　Ｂ１〜Ｂ３　　　　導体間隔
　５５　　　　　　　磁性体
　７　　　　　　　　端子ケース
　７１、７２　　　　入出力端子
　７３　　　　　　　アース端子
　８　　　　　　　　下部ヨーク
　８ｂ　　　　　　　側壁
　Ｃ１〜Ｃ３　　　　コンデンサ
　Ｒ　　　　　　　　終端抵抗
　Ｐ１〜Ｐ３　　　　ポート