【事件の表示】
　特許第３０１０６０７号「感放射線性樹脂組成物」の請求項１ないし３に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３０１０６０７号の請求項１ないし３に係る特許を取り消す。
【理　由】
１．手続の経緯
　本件特許第３０１０６０７号に係る手続の経緯の概要は、以下のとおりである。
　平成４年２月２５日　　　　　特許出願
　平成１１年１２月１０日　　　特許権の設定の登録
　平成１２年２月２１日　　　　特許掲載公報の発行
　平成１２年８月２１日　　　　田中和幸から、特許異議の申立て
　平成１２年８月２１日　　　　石井睦子から、特許異議の申立て
　平成１２年８月１５日　　　　荒井純子から、特許異議の申立て
　平成１２年８月２１日　　　　シップレーカンパニー　エル　エル　シー　　　　　　　　　　　　　　　から、特許異議の申立て
　平成１３年２月１９日付　　　取消理由の通知
　平成１３年５月８日　　　　　意見書及び訂正請求書の提出
　平成１４年３月１日付　　　　取消理由の通知
　平成１４年５月１３日　　　　平成１３年５月８日付訂正請求の取下げ
　平成１４年５月１３日　　　　意見書及び訂正請求書の提出
　
２．訂正の適否について
２−１．訂正事項
訂正事項ａ
　特許請求の範囲の請求項１に「置換メチル基、１−置換エチル基、ゲルミル基、アルコキシカルボニル基およびアシル基から選ばれる少なくとも１種の酸解離性基」とあるのを、「置換メチル基、１−置換エチル基、アルコキシカルボニル基およびアシル基から選ばれる少なくとも１種の酸解離性基」と訂正する。
訂正事項ｂ　
　特許請求の範囲の請求項１に「該酸性官能基に対し１５〜６３％の割合で置換された」とあるのを、「該酸性官能基に対し１５〜５２％の割合で置換された」と訂正する。
訂正事項ｃ
　特許請求の範囲の請求項１に「（２）感放射線性酸形成剤」とあるのを、「（２）下記式(５)、(６)、(１４)、(１５)、(１６)、(１７)または(１８)で表される化合物から選ばれる感放射線性酸形成剤
」と訂正する。
訂正事項ｄ
　特許請求の範囲の請求項１に「（３）下記式(１９)〜(２３)：」とあるのを、「（３）上記アルカリ不溶性または難溶性樹脂（１）１００重量部当り０．００１〜１０重量部の、下記式(１９)〜(２３)：」と訂正する。
訂正事項ｅ
　段落【０００５】中に「置換メチル基、１−置換エチル基、ゲルミル基、アルコキシカルボニル基およびアシル基から選ばれる少なくとも１種の酸解離性基」とあるのを、「置換メチル基、１−置換エチル基、アルコキシカルボニル基およびアシル基から選ばれる少なくとも１種の酸解離性基」と訂正する。
訂正事項ｆ
　段落【０００５】中に「該酸性官能基に対し１５〜６３％の割合で置換された」とあるのを、「該酸性官能基に対し１５〜５２％の割合で置換された」と訂正する。
訂正事項ｇ
　段落【０００５】中に「（２）感放射線性酸形成剤（以下、「酸形成剤」という。）」とあるのを、「（２）下記式(５)、(６)、(１４)、(１５)、(１６)、(１７)または(１８)で表される化合物から選ばれる感放射線性酸形成剤（以下、「酸形成剤」という。）、（前項に記載したので、式及び式中の説明を省略）
」と訂正する。
訂正事項ｈ
　段落【０００５】中に「（３）下記式(１９)〜(２３)：」とあるのを、「（３）上記アルカリ不溶性または難溶性樹脂（１）１００重量部当り０．００１〜１０重量部の、下記式(１９)〜(２３)：」と訂正する。
訂正事項ｉ
　段落【００１９】中に「置換メチル基、１−置換エチル基、ゲルミル基、アルコキシカルボニル基およびアシル基から選ばれる少なくとも１種の酸解離性基」とあるのを、「置換メチル基、１−置換エチル基、アルコキシカルボニル基およびアシル基から選ばれる少なくとも１種の酸解離性基」と訂正する。
訂正事項ｊ
　段落【００２０】中にある「トリメチルゲルミル基、トリエチルゲルミル基、ｔ−ブチルジメチルゲルミル基、イソプロピルジメチルゲルミル基、フェニルジメチルゲルミル基；」を削除する。
訂正事項ｋ
　段落【００２３】中に「１５〜６３％、好ましくは３０〜６３％」とあるのを、「１５〜５２％、好ましくは３０〜５２％」と訂正する。
訂正事項ｌ
　段落【００２５】中に「例えばオニウム塩、ハロゲン含有化合物、キノンジアジド化合物、スルホン化合物、スルホン酸化合物、ニトロベンジル化合物などであり、具体的には以下に示す化合物を例示することができる。」とあるのを、「下記式(５)または(６)で表されるオニウム塩、下記式(１４）で表されるスルホン化合物、下記式(１５)で表されるニトロベンジル化合物、下記式(１６)、(１７)または(１８)で表されるスルホン酸化合物である。」と訂正する
訂正事項ｍ
　段落【００２６】を削除する。
訂正事項ｎ
　段落【００２８】を削除する。
訂正事項ｏ
　段落【００３０】ないし【００４７】を削除する。
訂正事項ｐ
  段落【００４９】及び【００５０】を削除する。
訂正事項ｑ
  段落【００５２】及び【００５３】を削除する。
訂正事項ｒ
　段落【００５５】を削除する。
訂正事項ｓ
　段落【００５７】を削除する。
訂正事項ｔ
　段落【００５９】を削除する。
訂正事項ｕ
　段落【００６０】中に「オニウム塩およびキノンジアジド化合物」とあるのを、「オニウム塩」と訂正する。
訂正事項ｖ
　段落【００６８】中に「通常、０．００１〜１０重量部」とあるのを、「０．００１〜１０重量部」と訂正する。
訂正事項ｗ
　段落【００８３】ないし【００８６】を削除する。
訂正事項ｘ
  段落【００８７】中にある「実施例２」を、「実施例１」と訂正する。
訂正事項ｙ
  段落【００９０】中にある「比較例２」を、「比較例１」と訂正する。
訂正事項ｚ
  段落【００９０】中にある「実施例２」を、「実施例１」と訂正する。
訂正事項ｚ−１
  段落【００９１】中にある「実施例３」を、「実施例２」と訂正する。
訂正事項ｚ−２
  段落【００９４】中にある「比較例３」を、「比較例２」と訂正する。
訂正事項ｚ−３
  段落【００９４】中にある「実施例３」を、「実施例２」と訂正する。
訂正事項ｚ−４
  段落【００９５】中にある「実施例４」を、「実施例３」と訂正する。
訂正事項ｚ−５
　段落【００９８】の表１を下記のとおり訂正する。
　
２−２．新規事項の有無、訂正の目的の適否及び拡張・変更の存否
(１)訂正事項ａは、訂正前の請求項１に記載された酸解離性基から「ゲルミル基」を削除するものであるから、願書に添付した明細書に記載された事項の範囲内の訂正であって、特許請求の範囲の減縮を目的とする訂正に該当し、また、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
(２)訂正事項ｂは、訂正前の発明の詳細な説明に記載されていた実施例３（訂正後の実施例２）の記載に基づいて、訂正前の請求項１に記載された酸解離性基の置換割合「１５〜６３％」を「１５〜５２％」に限定するものであるから、願書に添付した明細書に記載された事項の範囲内の訂正であって、特許請求の範囲の減縮を目的とする訂正に該当し、また、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
(３)訂正事項ｃは、段落【００２７】、【００２９】、【００４８】、【００５１】、【００５４】、【００５６】及び【００５８】の記載に基づいて、訂正前の請求項１に記載された「感放射線性酸形成剤」を、式(５)、(６)、(１４)、(１５)、(１６)、(１７)または(１８)で表される化合物から選ばれるものに特定するものであるから、願書に添付した明細書に記載された事項の範囲内の訂正であって、特許請求の範囲の減縮を目的とする訂正に該当し、また、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
(４)訂正事項ｄは、訂正前の段落【００６８】中の「含窒素塩基性化合物の含有量は、樹脂(Ｂ)１００重量部に対して、通常、０．００１〜１０重量部、好ましくは０．０１〜５重量部である。」という記載に基づいて、訂正前の請求項１に記載された含窒素塩基性化合物の含有量を特定するものであるから、願書に添付した明細書に記載された事項の範囲内の訂正であって、特許請求の範囲の減縮を目的とする訂正に該当し、また、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
(５)上記訂正事項ｅないしｚ−５は、いずれも、上記訂正事項ａないしｅの訂正に伴って生じた、特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明の記載との間の不整合部分の整合を図るものであるから、願書に添付した明細書又は図面に記載された事項の範囲内の訂正であって、明りょうでない記載の釈明を目的とする訂正に該当し、また、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
　
２−３．むすび
　以上のとおりであるから、上記訂正請求は、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律１１６号）附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、特許法第１２０条の４第３項において準用する平成６年法律第１１６号による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書き及び第２項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
３．本件発明
　前項に記載したとおり、本件訂正請求は認められるから、本件特許に係る発明は、平成１４年５月１３日付訂正請求書に添付した全文訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１ないし３に記載された以下のとおりのものと認める（以下、「本件発明１」ないし「本件発明３」という。）。
「【請求項１】（１）酸性官能基としてフェノール性水酸基またはカルボキシル基を持つアルカリ可溶性樹脂の該酸性官能基の水素原子が、置換メチル基、１−置換エチル基、アルコキシカルボニル基およびアシル基から選ばれる少なくとも１種の酸解離性基で、該酸性官能基に対し１５〜５２％の割合で置換されたアルカリ不溶性または難溶性樹脂で、上記の基が酸解離したときにアルカリ可溶性である樹脂、
（２）下記式(５)、(６)、(１４)、(１５)、(１６)、(１７)または(１８)で表される化合物から選ばれる感放射線性酸形成剤、（前項に記載したので、式及び式中の説明の記載を省略）
および
（３）上記アルカリ不溶性または難溶性樹脂（１）１００重量部当り０．００１〜１０重量部の、下記式(１９)〜(２３)：
で表される構造の少なくとも１種の構造を分子内に有する含窒素塩基性化合物、
を含有することを特徴とする集積回路製造用ボジ型感放射線性樹脂組成物。
【請求項２】酸解離性基が１−置換エチル基およびアルコキシカルボニル基から選ばれる少なくとも１種である請求項１に記載の集積回路製造用ボジ型感放射線性樹脂組成物。
【請求項３】酸解離性基がｔ−ブチル基、テトラヒドロピラニル基、ｔ−ブトキシカルボニル基および１−エトキシエチル基から選ばれる少なくとも１種である請求項１に記載の集積回路製造用ポジ型感放射線性樹脂組成物。」
　
４．取消理由の概要
　平成１４年３月１日付けで通知した取消理由の概要は、以下のとおりである。
理由１：
　本件発明１ないし本件発明３は、その出願前日本国内または外国において頒布された下記の刊行物に記載された発明に基づいて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
　よって、本件の請求項１ないし３に係る特許は、拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してなされたものである。
　　　　　　　　　　　　　　　記
刊行物１：特開平２−１６１４３６号公報
刊行物２：米国特許第４４９１６２８号明細書（対応特許公報：特開昭５９　　　　　−４５４３９号公報参照）
刊行物３：Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　Ｐｈｏｔｏｐｏｌｙｍｅｒ　Ｓｃｉｅｎ　　　　　ｃｅ　ａｎｄ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ　Ｖｏｌ．４，Ｎｏ．３
　　　　　（１９９１）ｐ．４６９−４７２
刊行物４：特開平２−２０９９７７号公報
刊行物５：特開平２−１８５６４号公報
刊行物６：特開平２−６２５４４号公報
刊行物７：特開平３−２２３８５７号公報
刊行物８：特開平３−２２３８６１号公報
刊行物９：特開昭６３−２３７０５３号公報
刊行物１０：特開昭６４−３３５４６号公報
刊行物１１：特開昭６３−１４９６４０号公報
　
理由２：
　本件発明１ないし本件発明３は、その出願前の日前の特許出願であって、その出願後に出願公開された下記の特許出願の願書に最初に添付された明細書又は図面（以下、「先願明細書」という。）に記載された発明と同一であり、しかも、この出願の発明者がその出願前の特許出願に係る上記発明をした者と同一ではなく、またこの出願の時において、その出願人が上記特許出願の出願人と同一でもないので、特許法第２９条の２の規定により特許を受けることができないものである。
　よって、本件の請求項１ないし３に係る特許は、拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してなされたものである。
　　　　　　　　　　　　　　　記
　特願平３−２８５７７５号（特開平５−１２７３６９号公報参照）
　
５．当審における判断
５−１．理由１について
５−１−１．各刊行物に記載された発明
刊行物１：
(1a)「下記の一般式(Ｉ)で表わされるポリ（ｐ−ビニルフェノール）残基のアセタール
（但し、式中、Ｒ１はテトラヒドロピラニル基、１−（メトキシエチル）基、１−（エトキシエチル）基またはテトラヒドロフラニル基のうちのいずれかを表わす。）
と、下記の構造式(II)で表わされるポリ（ｐ−ビニルフェノール）残基
とを繰り返し単位として含むベース樹脂と、
　下記の一般式(III)〜(Ｖ)のうちのいずれかで表わされるｓ−トリアジン誘導体（式及び式中の説明の記載を省略）
または、下記の一般式(VI)で表わされるポリハロアセタミド類（式及び式中の説明の記載を省略）
または、下記の一般式(VII)で表わされるポリハロ酢酸類（式及び式中の説明の記載を省略）
のうちのいずれか１種類または２種類以上のポリハロゲン化合物から成る感光剤と、
　トリｎ−アルキルアミン類またはトリ（ω−ヒドロキシ）アミン類から成る水素供与剤と
を含んで成ることを特徴とするフォトレジスト組成物。」（特許請求の範囲請求項１）
(1b)「この第一の発明に係るフォトレジスト組成物中に含有せしめたベース樹脂は、上述の感光剤及び水素供与剤の競争反応により
〈１〉ポリ（ｐ−ビニルフェノール）残基のアセタールのエーテル結合切断による極性の増大
〈２〉ポリ（ｐ−ビニルフェノール）残基（上述のエーテル結合切断により生成するものを含む。）のベンジル位の水素脱離による高分子量化
といった２つの作用を選択的に発揮することができる。」（第５頁右下欄下から第４行〜第６頁左上欄第６行）
(1c)「低ドーズ量条件で、遠紫外線照射によって発生するハロゲンラジカルの当量ＮＲは、フォトレジスト組成物中に含有せしめた水素供与剤の当量ＮＨよりも少なくなる。これがため、発生したハロゲンラジカルは水素供与体からの水素の引き抜きによって消費され、結果としてハロゲン化水素が生成される。従って、このハロゲン化水素は酸性触媒としてベース樹脂のフェノール性水酸基を再生せしめ、前述した〈１〉の機能のみを達成する。」（第６頁右上欄第５〜１４行）
(1d)「このようなエーテル結合を構成する種々の基の導入率は、ポジ型パターンの形成を可能とするため、６０（％）以上とするのが良い。」（第１１頁左下欄下から第２行〜右下欄第２行）
と記載されている。（なお、〈　〉は丸付き数字を表す。）
　
刊行物２（翻訳文として、対応特許である特開昭５９−４５４３９号公報　を採用する。）
(2a)「酸に対して不安定な反復的に存在する枝分れした基を有する重合体と、放射に対してさらされたときに酸を生じる光重合開始剤とを含むレジスト組成物。」（公開公報の特許請求の範囲）
(2b)「〔発明の概要〕本発明に従って、酸に対して不安定な反復的に存在する枝分れした基（recurrennt acid labile pendant groups)を、アリールジアゾニウム、ジアリールヨードニウム、又はトリアリールスルホニウム等の金属ハロゲン化物と組合わせることにより、現像剤を適切に選択することによってポジ型又はネガ型のレジストとして働く、紫外線、電子ビーム又はＸ線に対して感応するレジスト組成物が得られる。」（同第第２頁左上欄第１１〜末行）
(2c)「本発明に於ては、放射に対してさらされたときに強い酸を生じるすべての物質が光重合開始剤である得ることを理解されたい。しかしながら、最も好ましい光重合開始剤は、置換されていない、及び対称的に又は非対称に置換された、ジアリールヨードニウム塩又はトリアリールスルホニウム塩である。トリアリールセレノニウム塩も有用である。置換されたアリールジアゾニウム塩も同様に用いられ得る。本発明に於ける塩の最も好ましい対アニオン(gegenanion)は、テトラフルオロ硼素酸塩、ヘキサフルオロアンチモン酸塩、ヘキサフルオロ砒素酸塩及びヘキサフルオロ燐酸塩の如き錯体金属ハロゲン化物であるが、本発明がそれらの対アニオン及び光重合開始剤に現定されることはない。」（同第第２頁右下欄第１〜１５行）
(2d)「好ましい酸に対して不安定な枝分かれした基は、カルボン酸のｔｅｒｔ−ブチル・エステル及びフェノールのｔｅｒｔ−ブチル・カルボナートであるが、酸に対して不安定である広範囲の基が本発明に於て有用であることを理解されたい。それらは、当該技術分野に於て周知である、トリチル、ベンジル及びベンズヒドリルよによる変性体等を含む。最も好ましい重合体は、ポリ（ｐ−tert−ブトキシカルボニルオキシ−α−メチルスチレン）、ポリ（ｐ−tert−ブトキシカルボニルオキシスチレン）、ポリ（tert−ブチル−ｐ−ビニルベンゾアート）、ポリ（tert−ブチル−ｐ−イソプロペニルフェニルオキシアセタート）、及びポリ（tert−ブチル・メタクリラート）である。」（同第３頁左上欄第８行〜右上欄第１行）
と記載され、
(2e)実施例１、２、４では、重合体としてポリ（ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルオキシ−α−メチルスチレン）を用い、光重合開始剤としてトリフェニルスルホニウム・ヘキサフルオロアーセナートを用いたことが記載され、
(2f)実施例３では、重合体としてポリ（ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルオキシスチレン）を用い、光重合開始剤としてジフェニルヨードニウム・ヘキサフルオロアーセナートを用いたことが記載されている。
　
刊行物３：
(3a)「部分的に保護されたポリ（ｐ−ビニルフェノール）を用いる化学的増幅型レジストのパターンと溶解特性との間の関係」（第４６９頁第１〜３行）
(3b)「酸分解性基によって保護された、修飾されたＰＶＰ（ｔＢＯＣ−ＰＶＰ）は、塩基性条件下でポリマーとジ−ｔｅｒｔ−ブチル−ジ−カーボネイトとの反応で合成された。」（第４７０頁第２〜４行）
(3c)「図１はｔＢＯＣ−ＰＶＰの溶解速度を示す。ｔＢＯＣ基による保護率が増加すると、アルカリ現像液に対する溶解速度は連続的に減少する。この結果は、ＰＶＰの溶解速度は水酸基の保護割合によって調整されることを示す。約３０％の保護された水酸基を持つｔＢＯＣ−ＰＶＰの溶解速度は、ＰＶＰそのものに比して１０００倍に低下した。」（第４７０頁第１２〜１９行、第４７１頁図１，図２参照）
と記載されている。
　
刊行物４：
(4a)「アルカリ性現像液中での、ポリマの溶解性に寄与するこのポリマに懸垂する官能性基を持っており、そして該官能性基の１部がポリマのアルカリ可溶性を抑制している酸に不安定な基で置換されたポリマ材料と、放射線分解に際して強酸を発生してポリマの露光された区域中でこの官能性基から酸に不安定な基をとり除く光開始剤とから構成される、ポジ型の改良されたレジスト組成物。」（特許請求の範囲請求項１）に関し、
(4b)「酸に不安定な保護基によって１５〜４０％置換されたポリマが、充分に保護されているポリマよりもはるかに大きな感度を示すという驚くべきことが見出された。これは全く保護されていないポリマが、ポジ画像の非常に限られた解像性と画像識別性としか与えないことからも驚きである。」（第３頁左下欄下から第７〜末行）
(4c)「好ましいポリマ骨格は、ポリマに水性アルカリ可溶性を付与するため、芳香環上に官能性置換基を有するポリスチレンである。これらの基は溶解性を与えねばならぬだけではなく、酸を発生する増感剤の酸分解に応じて酸で除去され得る、ブロックまたは保護基によってマスクされうるものでなければならない。この官能性基は、理想的には半導体取扱の環境に不都合な作用をしないものでなければならない。このような理由でフェノール性の基がもっとも好ましい。」（第３頁右下欄第７〜１９行）
(4d)実施態様として、「９）懸垂基の約２０％から約５０％までが酸に不安定な基によって置換されているものである、前項１記載の組成物。」（第７頁右上欄第１３〜１５行）
と記載され、
(4e)実施例２には、「第１の組成物は、UV分光測定より約６０モル％のｔ−ブトキシカルボニルオキシスチレンと４０モル％のｐ−ヒドロキシスチレンとを含み、また第２の組成物は２３モル％のｔ−ブトキシカルボニルオキシスチレンと７７モル％のｐ−ヒドロキシスチレンとを含んでいた。これらの置換ポリマは、（固体の重量を基準に）５％のトリフェニルスルホニウムヘキサフロロアンチモネート塩を含む、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート中で調整され、・・・未現像フィルムのアルファステップ表面プロフイルムは、第１のレジストは１８％のフィルム収縮を有していたが、第２のレジストは僅かに７％の収縮であることが示された。対照品としてのｔ−ブトキシカルボニルオキシスチレンホモポリマは３３％のフィルム収縮を示した。現像した画像を検査するとｔ−ブトキシカルボニルオキシスチレンポリマ対照品は、僅か３０秒後に著しいひび割れを生じていた。全体的の密着性のロスが認められた。第１のレジストは３０秒後に低レベルのひび割れが認められ、密着性の不具合はなかった。第２のレジストは５分の現像時間まで、ひび割れもまた密着性不良のいずれも認められなかった。」（第４頁左下欄下から第３行〜第５頁左上欄第１２行）
と記載され、
(4f)実施例７には、「実施例３〜５の各合成法により作られた、２２％のｔ−ブチルオキシカルボニルオキシスチレンと、７８％のｐ−ヒドロキシスチレンの平均モル％の組成をもつ各ポリマーと、実施例３の出発材料のＢＣＳを用いる対照品とを、プロピレングルコールメチルエーテルアセテート中に、７％のトリフェニルスルホニウムヘキサフロロアンチモネート増感剤とともに、レジストに処方した。」（第６頁左上欄第６〜１４行）
と記載されている。
　
刊行物５：
(5a)「(ａ)水に不溶性、アルカリ水溶液に可溶性のポリマー結合剤と、(ｂ)水性アルカリ現像液に対する溶解性が酸の作用により高められ、酸により分裂され得る少なくとも１個の基と、放射線の作用下に強酸を形成するさらに他の基とを有する有機化合物とを含有する感放射線混合物であって、上記ポリマー結合剤(ａ)が重合もしくは縮合せしめられた酸安定基を有し、或は重合類似反応により導入せしめられた酸安定基を有する５乃至３５モル％のモノマー単位を含有すること特徴とする感放射線混合物。」（特許請求の範囲の請求項１）に関し、
(5b)従来技術として、「フェノール性基及び酸安定基を有する共重合体、例えばポリ−（ｐ−ヒドロシキスチレン−ｃｏ−ｔ−ブトキシカルボニルオキシスチレン）は、J.Polym.Sci.Part A、Polym.Chem.Ed、24巻（1986）2971−2980頁より公知である。」（第３頁左上欄第７〜１１行）
(5c)ポリマー結合剤について、「ことに好ましいのは、酸安定基を有する５乃至３５％、特に１０乃至３０％のモノマーを重合含有するｐ−ヒドロシキスチレン共重合体である。ポリ−（ｐ−ヒドロシキスチレン）の誘導体は、J.Polym.Sci.のPart A、Polym.Chem.Ed、24巻　2971−2980頁（1986）のＨ．イトーによる論稿における方法により、・・・製造される。・・・ことに好ましいポリマー結合剤は、ｔ−ブチルカルボナート基を有するものであって、例えばｐ−ヒドロキシスチレン及び１０乃至３０モル％のｐ−ｔ−ブトキシカルボニルオキシスチレンからの共重合体である。」（第４頁右下欄末行〜第５頁左上欄第１７行）
と記載され、
(5d)実施例１、３には、７０モル％のｐ−ヒドロキシスチレンと３０モル％のｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルオキシスチレンとからなる共重合体を用いて、ポジ型レジストパターンが得られたこと、
(5e)実施例２には、８２モル％のｐ−ヒドロキシスチレン及び１８モル％のｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルオキシスチレンとからなる共重合体を用いてポジ型レジストパターンが得られたこと、
が記載されている。
　
刊行物６：
(6a) 「下記一般式［Ｉ］で示される重合体
と活性光線の照射により酸を発生しうる化合物とから成ることを特徴とするフォトレジスト組成物。」（特許請求の範囲）に関し、
(6b)課題を解決するための手段として、「樹脂成分としてエーテル基を有する透明性に優れた樹脂と、感光成分としての深紫外線及びエキシマレーザー光線の照射によって効率良く酸を発生することのできるフォト酸発生剤とを用いることにより、レジストの露光部においてはその底部まで充分に露光が可能となり、さらにこの露光部において発生した酸と熱により主成分である樹脂のＣ−Ｏ結合を解裂させ、−ＯＨ基を生成し、樹脂のアルカリ溶解性を増大させることができる。」（第２頁左下欄第１〜９行）
と記載され、
(6c)「本発明のフォトレジスト組成物においてエーテル結合を有する樹脂は酸の共存下、熱処理によりＣ−Ｏ結合が開裂し、−ＯＨ基を生成する結果、アルカリ溶解性が増大するものである。熱処理は必ずしも必要ではないが、−ＯＨ基の生成を促進する目的で行うことが好ましい。樹脂中に占めるエーテル結合を有する構造単位の割合は、その下限としては樹脂の全構成単位の１０％以上であることが望ましい。この割合が１０％より少ない場合レジストの現像性に悪影響を及ぼす。また割合の上限は無く、樹脂のアルカリ溶解性及びレジストの現像特性に悪影響を及ばさない範囲で決定することができる。」（第２頁右下欄第第９行〜第３頁左上欄第１行）
(6d)「このようなエーテル結合を有する樹脂はアルコキシスチレンのラジカル重合あるいはイオン重合により製造することができる。また、アルコキシスチレンとヒドロシキスチレンとのラジカル共重合あるいはイオン共重合により製造することができる。これらの樹脂の具体例としては次に示すものが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
」（第３頁左上欄第２〜末行）
と記載されている。
　
刊行物７：
(7a)「基板上に、酸雰囲気下でアルカリ可溶性となる官能基と親水性を有する成分を有する樹脂、露光により酸を発生する感光性化合物、前記樹脂及び化合物を溶解可能な溶媒をふくむパターン形成材料膜を形成する工程と、遠紫外線で前記材料膜を選択的に露光する工程と、前記材料膜を加熱処理する工程と、前記材料膜を現像して前記材料膜のパターンを形成する工程とを備えたことを特徴とするパターン形成方法。」（特許請求の範囲の請求項１）に関し、
(7b)従来の技術として、「近年、露光エネルギー量を低減させる手段として、たとえばポリ−（ターシャルブトキシカルボネート）スチレンと、オニウム塩より構成される材料が提案された。これは露光により発生した酸を媒体とする化学増幅型のパターン形成材料である。たとえば［Ｈ．ＩｔｏらＰｏｌｙｍ．Ｅｎｇ．Ｓｃｉ．、２３巻、１０１２頁（1983）］等で近年種々の報告がある。」（第２頁右上欄第１１〜１８行）
(7c)発明が解決しようとする課題として、「しかるにその方法はパターン寸法が１．０μｍ以下とくに０．５μｍ以下となると微細パターン12ｃは第４図（ｄ）のごとく基板上に形成することが不可能であることが判明した。破線は本来残るべきパターンが残っていないことを示す。これは本発明者らの検討によればパターン形成材料と基板との間の密着性がよくない為であることがわかった。この現像は数μｍレベルのデバイス作製では前記例のごとく問題とはならないが、１μｍ以下の微細パターン、特に０．５μｍ以下の超微細パターンを高密度に形成する工程においては、重大な致命的問題となり、結果としてサブミクロンルールのデバイスを作製する事ができない。この様に超微細パターンが形成できない理由は、本発明者らの検討によると、パターン形成材料と基板との間の密着性が低いことにあることが判明した。従来のパターン形成材料に用いられるポリｔ−ＢＯＣスチレン樹脂は、その分子内に親水基を有さない為これを薄膜とした場合その膜は疎水性となる。また基板においては、パターン形成材料膜を形成する前に基板表面の状態を均一化するため、ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）による疎水化処理を行っている。このように基板表面は疎水性となっている。疎水性基板と疎水性のパターン形成材料は、本発明者らの検討により、密着性が悪く、現像時、露光部が溶解除去されると同時に本来溶解しない未露光部が低い密着性の為、基板上に形成できないことが明らかとなった。この現象は、パターン寸法は１μｍ以下の微細パターンにおいて特に顕著となる。すなわちこれを防止することは、特に、寸法が１μｍ以下さらに０．５μｍ以下の超微細なパターンを形成し、高分留りで超微細な半導体集積回路の製造において極めて重要となる。従って本発明は、化学増幅型のパターン形成材料を用いると共に、密着性を向上させることにより、形状が良く膜はがれのない微細パターンを確実に形成する方法を提供することを目的とする。」（第２頁右下欄第第６行〜第３頁右上欄第２行）と記載され、
(7d)作用について、「本発明は、さらに樹脂に親水性を有する成分を付加することにより、この樹脂を用いたパターン形成材料は親水性となり、疎水性基板との密着性が向上する。すなわち、1.0μｍさらに0.５μｍ以下の超微細パターンは現像時、はがれることなく形成することが可能である。」（第３頁右下欄第７〜１３行）
(7e)親水性成分について、「本発明者らは、親水性を有する成分を種々検討した結果、水酸基、カルボキシル基、・・・（中略）・・・等が、樹脂の親水性を向上させ、酸雰囲気下でアルカリ可溶性となる官能基を有する成分と共重合した樹脂を用いたパターン形成材料は、高い親水性を有し現像中レジストパターンはがれが生じないことを見出した。なお親水性を有する成分は、前記のものに限定されるものではない。」（第３頁右下欄下から第５行〜第４頁左上欄第８行）
(7f)官能基について、「官能基としては、メチル、イソプロピル、ｔｅｒｔ−ブチル、メトキシメチル、イソプロポキシメチル、テトラヒドロピラニル、テトラヒドロフラニル、トリメチルシリル、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル、イソプロポキシカルボニル等があげられるが、酸雰囲気下でアルカリ可溶性を示すものであれば何でもよく、これらに限定されるものではない。」（第４頁左上欄第８〜１５行）
(7g)酸発生剤について、「酸発生剤についても同様で、露光により酸を発生するものであれば何でもよく、例えば、ニトロベンジル化合物、オニウム塩、スルフォン酸化合物、カルボン酸化合物等があげられるが、もちろんこれらに限定されるものではない。」（第４頁左上欄第１６〜２０行）
と記載され、
(7h)実施例１には、「（１）の樹脂は、酸雰囲気でアルカリ可溶性を示す官能基としてtert−（ターシャル）ブトキシ基を用い、親水性を有する成分として水酸基（ヒドロキシスチレン）を用いた一例である。tert−ブトキシ基は下記に示すごとく酸雰囲気下でＣ−Ｏの結合が切断され、結果として水酸基を形成する。」と記載され、（１）の樹脂としてヒドロキシスチレンのフェノール性水酸基の水素原子の５０モル％がtert−ブチル基で置換されたポリヒドロシキスチレンが示されている。
　
刊行物８：
(8a)「酸雰囲気下で加熱により化学変化を受けてアルカリ可溶性となる官能基を有する成分と親水性基を有する成分とを構成成分として含む樹脂と、露光により酸を発生する感光性化合物、及びこの両者を溶解可能な溶剤を含んで成ることを特徴とするレジスト材料。」（特許請求の範囲の請求項１）に関し、
(8b)従来の技術として、「近年、露光エネルギー量を低減させる手段（高感度化）として露光により発生した酸を媒体とする化学増幅型のレジスト材料が提案され［Ｈ．Ｉｔｏら、Ｐｏｌｙｍ．Ｅｎｇ．Ｓｃｉ．、２３巻、１０１２頁（1983年）］、これに関して種々の報告がなされている。・・・しかしながら、これ等の既存の化学増幅型レジスト材料は使用される樹脂［例えば、ポリ（ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルオキシスチレン）、ポリ（ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルオキシ−α−メチルスチレン）等］はいずれも基板との密着性が不良の為、現像時に膜はがれを生じ易く、パターン形成が難しい等の問題があった。」（第３頁右下欄第６〜末行）
(8c)発明が解決しようとする問題点として、「このように化学増幅型レジスト材料は高感度化されたにもかかわらず、基板との密着性が不良の為、実用化が難しい。従って、基板との密着性が優れた、高感度のレジスト材料が渇望されている現状にある。」（第４頁左上欄第２〜６行）と記載され、
(8d)酸発生剤について、「本発明に係る酸発生剤の具体例としては例えばｐ−トルエンスルホン酸２，６−ジニトロベンジル、ｐ−トルエンスルホン酸２−ニトロベンジル、トリクロル酢酸２，６−ジニトロベンジル、ｐ−トリフルオロメチルベンゼンスルホン酸２，４−ジニトロベンジル、ビス−ｐ−トルエンスルホニルジアゾメタン、１−ｐ−トルエンスルホニル−１−メタンスルホニルジアゾメタン、ジフェニル−ｐ−メチルフェナシルスルホニウムパークロレート、ジフェニル−２，５−ジメトキシフェナシルスルホニウムｐ−トルエンスルホネート、２−メチル−２−ｐ−トルエンスルホニルプロピオフェノン、２−メタンスルホニル−２−メチル−（４−メチルチオ）プロピオフェノン、４，６−ジメチル−１，２−オキサチイン−２，２−ジオキシド、３−フェニル−５，６，７，８−テトラヒドロ−２，１−ベンゾオキサチイン−１，１−ジオキシド、４，６−ジフェニル−１，２−オキサチイン−２，２−ジオキシド等が挙げられるが、勿論これらに限定されるものではない。」（第６頁右下欄第１１行〜第７頁左上欄第１０行）と記載され、
(8e)参考例１には、次式のモル比が１：１であるｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシスチレンとメタクリル酸の共重合体が、
(8f)参考例２には、次式のモル比が１：１であるｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシスチレンとｐ−ヒドロキシスチレンの共重合体が
記載されている。
　
刊行物９：
(9a)「アルカリ可溶性樹脂１００重量部と、１，２−キノンジアジド化合物５〜１００重量部と、アルキルアミン、アリールアミン、アラルキルアミンおよび含窒素複素環式化合物から選ばれる少なくとも１種類の含窒素化合物０．００１〜５重量部とを含有することを特徴とするポジ型感放射線性樹脂組成物」（特許請求の範囲）に関し、
(9b)発明の目的として、「長期間または室温より高い温度で保存しても、感度変化や異物の増加がほとんどない保存安定性に優れたポジ型感放射線性樹脂組成物を提供することにある。」（第２頁左上欄末行〜右上欄第３行）
(9c)発明の効果として、「アルカリ可溶性樹脂と１，２−キノンジアジド化合物とを含むポジ型感放射線性樹脂組成物に、特定の窒素化合物を添加することにより、感度変化や異物の増加がほとんどない優れた保存安定性を有する組成物を得ることができる。」（第９頁左下欄第２〜７行）
(9d)本発明に用いられる含窒素化合物について、「アルキルアミンとしては、例えばブチルアミン、アミルアミン、２−アミノヘプタン、セチルアミン、シクロヘキシルアミン、２−クロロシクロヘキシルアミン、４?アミノデカリン、β?シクロヘキシルエチルアミン、モノエタノールアミン、２−アミノ−１−ヘキサノール、γ−メトキシプロピルアミン、β−アミノプロピオン酸メチル、β−アミノプロピオニトリル、メチルブチルアミン、エチルシクロヘキシルアミン、ジアリルアミン、ジエタノールアミン、トリエチルアミン、トリプロピルアミン、ジメチルシクロヘキシルアミン、ジメチルフルフリルアミン、トリエタノールアミン、トリブチルアミン、ドデシルジメチルアミン、エチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、テトラメチルエチレンジアミン、ドデカメチレンジアミン、１，４−ジアミノシクロヘキサン、トルエチレンジアミン、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン等；アリールアミンとしては、例えばアニリン、Ｎ−メチルアニリン、ジメチルアニリン、トルイジン、・・・（中略）・・・トリアミノベンゼン等；アラルキルアミンとしては、例えば、ベンジルアミン、ｍ−トリルベンジルアミン、ジベンジルアミン、ｐ−クロロベンジルアミン等が挙げられる。さらに、含窒素複素環式化合物としては、例えばピロール、インドール、２−フェニルピロール、２−ブロモピロール、ピリジン、２−エチルピリジン、２−フェニルピリジン、２−クロロピリジン、ピペリジン、モルフォリン、Ｎ−エチルモルフォリン、キノリン、２−メチルキノリン、ピリミジン、ピラジン、ピリダジン、ピラゾール、メラミン等が挙げられる。これらのうち好ましい化合物としては、例えばトリエタノールアミン、トリエチルアミン、トリブチルアミン、エチレンジアミン、テトラメチルエチレンジアミン、ブチルアミン、セチルアミン、ドデシルジメチルアミン、ジエタノールアミン等のアルキルアミン；ベンジルアミン等のアラルキルアミン；モルフォリン、Ｎ−エチルモルフォリン、ピペリジン等の含窒素複素環式化合を挙げることができる。これらの含窒素化合物は単独でまたは２種以上組み合わせて用いることができる。」（第２頁右上欄下から第３行〜第３頁左上欄第１４行）
(9e)含窒素化合物の使用量について、「アルカリ可溶性樹脂１００重量部に対し０．００１〜０．５重量部、好ましくは０．００２〜１重量部、特に好ましくは０．００２〜０．５重量部である。使用量が０．００１重量部未満であると感度変化や異物の増加の抑制に対してほとんど効果がなく、また使用量が５重量部を超えると、感度、残膜率、解像度、現像性等のレジスト性能を悪化するので好ましくない。」（第３頁左上欄下から第６行〜右上欄第２行）
と記載されている。
　
刊行物１０：
(10a)「(ａ)アセタールまたはケタール部分に結合したメチロール基または置換メチロール基によって封鎖されたイミド基を有する重合体：
(ｂ)望ましい波長の輻射線に暴露することによってフォト酸から得られた酸の作用によって(ａ)のアセタールまたはケタール基を除去するのに十分な量の潜伏性フォト酸：
(ｃ)(ａ)の重合体および(ｂ)の潜伏性フォト酸を溶解することができる溶剤からなることを特徴とするフォトレジスト組成物。」（特許請求の範囲の請求項１）に関し、
(10b)「重合体は、酸に敏感なアセタールまたはケタール部分を有し、このアセタールまたはケタール部分は、フォト酸を輻射線に暴露した場合に接触反応によって除去され、メチロール基または置換メチロール基によってなお封鎖されたイミド窒素原子を留どめ、このメチロール基または置換メチロール基は、露光した組成物を水性アルカリ液中で現像した場合に除去される。」（第５頁左上欄末行〜右上欄第８行）
(10c)「工業界で公知のフォト酸、例えばジアゾナフチキノンスルホン酸、アルキルハロゲン化物およびオニウム塩は、使用することができる。好ましい組成物は、ヨードニウムまたはスルホニウム塩、例えばジフェニルヨードニウムトリフルオルメタンスルホネートまたはトリフェニルスルホニウムトリフルオルメタンスルホネートを使用する。」（第５頁右下欄下から第６行〜第６頁左上欄第２行）、
(10d)「前記に記載した重合体以外に、フォトレジスト組成物は、潜伏性フォト酸および溶剤を包含し、かつ場合によっては安定剤または他の添加剤を含有することができる。」（第８頁右上欄下から第７〜４行）
(10e)「少量の塩基性物質、例えばトリアルキルアミンは、存在するか、または貯蔵の間に発生する酸の痕跡を掃去する能力のためにレジスト溶液を安定化することが見い出された。塩基性物質は、それが基板上への塗布後にレジスト被膜から容易に除去されるような程度に揮発性である場合に最も有利である。このことにより、その後の処理の間にレジストが完全に感光性にされる。しかし、幾つかの理由のために化学線に対して殆ど感光性ではないレジストが望まれる場合には、発生されたフォト酸の部分を掃去するために被膜中で残存する非揮発性の塩基性物質は、有利であることができる。」（第９頁右上欄下から第９行〜左下欄第４行）
と記載され、
(10f)例１７では、トリメチルアミンの痕跡を含有させたこと（第１３頁左上欄第７行）が記載され、「付加的に、この例は、ウェファーが露光前に軟質に焼き付けられる場合、掃去酸に添加された揮発性アミンの痕跡がリソグラフィーに支障をきたさないことを示す。」（第１３頁右上欄第７〜１１行）と記載されている。
　
刊行物１１：
(11a)「活性光線の照射により酸を発生し得る化合物、該酸により分解し得る結合を少なくとも１つ有する化合物、および該酸を捕捉し得るかつ活性光線の照射により分解しないアミン化合物を含有することを特徴とする感光性組成物。」（特許請求の範囲の請求項１）に関し、
(11b)発明の背景として、「ポジ型感光性組成物としては、活性光線の照射により酸を生成する第１の反応と、生成した酸により第２反応、すなわち酸分解反応とにより、露光部が現像液に可溶化するという原理を利用したものが種々知られている。・・・（中略）・・・これらの感光性組成物はいずれも、露光後直ちに現像した場合と、露光後しばらくしてから現像した場合とで感度が異なる、すなわち露光後の感度の安定性が低かった。露光後の感度の安定性を向上させるため、光照射によりラジカル禁止種を発生する化合物を添加する技術が特開昭６１−１６７９４５号公報に開示されているが、感度の安定性は未だ充分とはいえず、更に改良が望まれていた。」（第１頁右下欄第４行〜第２頁左上欄第４行）と記載され、
(11c)発明の目的として、「本発明の目的は、露光後の感度の安定性が高く、小点（小さい網点）の再現性、調子再現性が優れた感光性平版印刷版、およびそれに用いられる感光性組成物を提供することにある。本発明の他の目的は、感光性平版印刷版を長期生保存した後にも、感度を安定化する効果が減少しない感光性平版印刷版、およびそれに用いられる感光性組成物を提供することにある。」（第２頁左上欄第６〜１３行）、
(11d)酸発生化合物について、「本発明の酸発生化合物としては、各種の公知化合物及び混合物が挙げられる。例えばジアゾニウム塩、ホスホニウム塩、スルホニウム塩、及びヨードニウムのＢＦ４−、ＰＦ６−、ＳｂＦ６−、ＳｉＦ６−−、ＣｌＯ４−などの塩、有機ハロゲン化合物、オルトキノン−ジアジドスルホニルクロリド、及び有機金属／有機ハロゲン化合物も活性光線の照射の際に酸を形成又は分離する活性光線感受性成分であり、本発明の酸発生化合物として使用することができる。原理的には遊離基形成性の光開始剤として知られているすべての有機ハロゲン化合物は、ハロゲン化水素酸を形成する化合物で、本発明の酸発生化合物として使用することができる。」（第２頁右上欄第６〜末行）、
(11e)アミン化合物について、「本発明のアミン化合物とは、本発明の酸発生化合物から発生した酸を捕捉し得る性質を有するものであり、波長が５００ｎｍ以上の光を吸収しないアミン化合物である。具体的にはメチルアミン、ジメチルアミン、トリメチルアミン、エチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、ｎ−プロピルアミン、ジ−ｎ−プロピルアミン、トリ−ｎ−プロピルアミン、イソプロピルアミン、ｎ−ブチルアミン、イソブチルアミン、ｓｅｃ−ブチルアミン、ｔｅｒｔ−ブチルアミン、シクロヘキシルアミン、ベンジルアミン、α−フェニルエチルアミン、β−フェニルエチルアミン、エチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、水酸化テトラメチルアンモニウム、アニリン、メチルアニリン、ジメチルアニリン、ジフェニルアミン、トリフェニルアミン、ｏ−トルイジン、ｍ−トルイジン、ｐ−トルイジン、ｏ−アニシジン、ｍ−アニシジン、ｐ−アニシジン、ｏ−クロルアニリン、ｍ−クロルアニリン、ｐ−クロルアニリン、ｏ−ブロムアニリン、ｍ−ブロムアニリン、ｐ−ブロムアニリン、ｏ−ニトロアニリン、ｍ−ニトロアニリン、ｐ−ニトロアニリン、２，４−ジニトロアニリン、２，４，６−トリニトロアニリン、ｏ−フェニレンアニリン、ｍ−フェニレンアニリン、ｐ−フェニレンアニリン、ベンジジン、ｐ−アミノ安息香酸、スルファニル酸、スルファニルアミド、ピリジン、４−ジメチルアミノピリジン、ピペリジン、ピペラジン、尿素などが挙げられる。」（第４頁右下欄下から第１２行〜第５頁左上欄第１７行）
(11f)アミン化合物の添加量について、「本発明の感光性組成物の固形分の全重量に対して０．１重量％〜１０重量％が適当である。」（第５頁左上欄下から第１行〜右上欄第２行）
(11g)発明の効果について、「本発明により、露光後の感度の安定性が高く、小点の再現性、調子再現性に優れ、かつ感光性平版印刷版を長期生保存した後にも感度を安定化する効果が減少しない感光性平版印刷版、およびそれに用いられる感光性組成物が得られた。」（第７頁右上欄第８〜１２行）
と記載されている
　
５−１−２．本件発明１について
(１)本件発明１と周知技術との対比
　露光によりレジスト膜中に酸が発生し、発生した酸の触媒反応により、露光部の現像液に対する溶解速度に変化を生じ、像が形成される、いわゆる、化学増幅型のレジストは、集積回路製造用レジストとして、本件出願前に既に周知であって、この種の化学増幅ポジ型レジストは、感放射線性酸形成剤と、酸の作用により溶解性が変化する樹脂の２成分とを含んでいる。
　そして、該化学増幅型ポジ型レジストに用いる樹脂として、アルカリ可溶性樹脂のフェノール性水酸基またはカルボキシル基を、酸解離性基であるｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基やｔｅｒｔ−ブチル基で置換した樹脂を用いることも、本件出願前にすでに周知である。必要ならば、刊行物２の摘記事項(2b)、(2d)、刊行物４の摘記事項(4c)、刊行物５の摘記事項(5c)、刊行物６の摘記事項(6b)、(6d)、刊行物７の摘記事項(7b)、及び刊行物８の摘記事項(8b)等を参照されたい。
　してみると、「（１）酸性官能基としてフェノール性水酸基またはカルボキシル基を持つアルカリ可溶性樹脂の該酸性官能基の水素原子が、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基やｔｅｒｔ−ブチル基で置換されたアルカリ不溶性または難溶性樹脂で、上記の基が酸解離したときにアルカリ可溶性である樹脂、および（２）感放射線性酸形成剤を含有することを特徴とする集積回路製造用ボジ型感放射線性樹脂組成物。」は、本件出願前に既に周知であるといえる。（以下、「周知技術」という。）
　そこで、上記周知技術と本件発明１を対比すると、「ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基」及び「ｔｅｒｔ−ブチル基」は、本件明細書の段落【００２０】の記載から明らかなように、それぞれ本件発明１における「アルコキシカルボニル基」及び「１−置換エチル基」に該当するから、両者は、
「（１）酸性官能基としてフェノール性水酸基またはカルボキシル基を持つアルカリ可溶性樹脂の該酸性官能基の水素原子が、１−置換エチル基およびアルコシキカルボニル基から選ばれる少なくとも１種の酸解離性基で置換されたアルカリ不溶性または難溶性樹脂で、上記の基が酸解離したときにアルカリ可溶性である樹脂、および
（２）感放射線性酸形成剤
を含有する集積回路製造用ボジ型感放射線性樹脂組成物。」
である点で一致し、本件発明１が、さらに次の(ア)ないし(ウ)の規定をしている点で相違している。
(ア)：酸性官能基に対する酸解離性基による置換率を「１５〜５２％」とし　ている点。
(イ)：感放射線性酸形成剤を、「式(５)、(６)、(１４)、(１５)、(１６)、　(１７)または(１８)で表される化合物から選ばれる」としている点。
(ウ)：「上記アルカリ不溶性または難溶性樹脂（１）１００重量部当り０．　００１〜１０重量部の、式(１９)〜(２３)で表される構造の少なくとも１　種の構造を分子内に有する含窒素塩基性化合物」を含有する点。
　そこで、以下、(ア)ないし(ウ)の点について検討する。
　
(２)上記(ア)の点について
　(ア)の点については、刊行物４、５、７、８に記載されているように、本件出願前に既に周知の技術事項であり、当業者が適宜に特定しうる事項に過ぎず、当業者が(ア)の点に創意を要するものとは認められない。
　すなわち、刊行物４には、「酸に不安定な保護基によって１５〜４０％置換されたポリマが、充分に保護されているポリマよりもはるかに大きな感度を示す」（摘記事項(4b)）と記載され、実施例２には、２３モル％のｔ−ブトキシカルボニルオキシスチレンと７７モル％のｐ−ヒドロキシスチレンとからなるポリマーを用いること（摘記事項(4e)）、実施例３ないし５には、２２モル％のｔ−ブチルオキシカルボニルオキシスチレンと７８モル％のｐ−ヒドロキシスチレンとからなるポリマを用いること（摘記事項(4f)）が記載されており、該刊行物４に記載された「ｔ−ブトキシカルボニル」は、本件発明１における「アルコシキカルボニル」の一種であるから、刊行物４には、上記(ア)の要件である置換率が「１５〜５２％」を満たすアルカリ不溶性または難溶性樹脂が記載されているといえる。
　同様に、刊行物５には、好ましいポリマー結合剤は、ｔ−ブチルカルボナート基を有するものであって、例えばｐ−ヒドロキシスチレン及び１０乃至３０モル％のｐ−ｔ−ブトキシカルボニルオキシスチレンからの共重合体である（摘記事項(5c)）と記載され、実施例１、３には、７０モル％のｐ−ヒドロキシスチレンと３０モル％のｐ−ｔ−ブトキシカルボニルオキシスチレンとからなる共重合体が（摘記事項(5d)）、実施例２には、８２モル％のｐ−ヒドロキシスチレンと１８モル％のｐ−ｔ−ブトキシカルボニルオキシスチレンとからなる共重合体（摘記事項(5e)）が記載されており、該刊行物５に記載された「ｔ−ブトキシカルボニル」は、本件発明１における「アルコシキカルボニル」の一種であるから、刊行物５には、上記(ア)の要件である置換率が「１５〜５２％」を満たすアルカリ不溶性または難溶性樹脂が記載されているといえる。ここで該刊行物５に記載された発明では、本件発明１における「（２）感放射線性酸形成剤」に相当する化合物が、酸を形成する基だけでなく、「酸により分裂され得る少なくとも１個の基」も同時に有している点では相違しているものの、刊行物５に記載された発明も、放射線照射によって発生した酸の触媒作用により、樹脂中の酸解離性基が解離して、アルカリ現像液に対して溶解性のものに変化する、所謂、化学増幅型のポジ型レジストである。
　また、刊行物７には、化学増幅型のパターン形成材料において、「さらに樹脂に親水性を有する成分を付加することにより、この樹脂を用いたパターン形成材料は親水性となり、疎水性基板との密着性が向上する。すなわち、1.0μｍさらに0.５μｍ以下の超微細パターンは現像時、はがれることなく形成することが可能である。」（摘記事項(7d)）と記載され、「官能基としては、メチル、イソプロピル、ｔｅｒｔ−ブチル、メトキシメチル、イソプロポキシメチル、テトラヒドロピラニル、テトラヒドロフラニル、トリメチルシリル、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル、イソプロポキシカルボニル等があげられるが、酸雰囲気下でアルカリ可溶性を示すものであれば何でもよく、これらに限定されるものではない。」（摘記事項(7f)）と記載され、さらに、実施例１には、ヒドロキシスチレンのフェノール性水酸基の水素原子の５０モル％がｔｅｒｔ−ブチル基で置換されたポリヒドロキシスチレン（摘記事項(7h)）が記載されている。該刊行物７に記載された「ｔｅｒｔ−ブチル基」は、本件発明１における「１−置換エチル基」の一種であるから、刊行物７には、上記(ア)の要件である置換率が「１５〜５２％」を満たすアルカリ不溶性または難溶性樹脂が記載されているといえる。
　同様に、刊行物８には、「このように化学増幅型レジスト材料は高感度化されたにもかかわらず、基板との密着性が不良の為、実用化が難しい。従って、基板との密着性が優れた、高感度のレジスト材料が渇望されている。」（摘記事項(8c)）と記載されるとともに、「酸雰囲気下で加熱により化学変化を受けてアルカリ可溶性となる官能基を有する成分と親水性基を有する成分とを構成成分として含む樹脂」（摘記事項(8a)参照）を用いることが記載され、該樹脂として、参考例１には、ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシスチレン（すなわちフェノール性水酸基の水素原子がｔｅｒｔ−ブチル基で置換されたヒドロキシスチレン）とメタクリル酸との、モル比が１：１の共重合体（摘記事項(8e)）が、参考例２には、ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシスチレン（すなわちフェノール性水酸基の水素原子がｔｅｒｔ−ブチル基で置換されたヒドロキシスチレン）とｐ−ヒドロキシスチレンとの、モル比が１：１の共重合体（摘記事項(8f)）がそれぞれ記載されており、該刊行物８に記載された「ｔｅｒｔ−ブチル基」は、本件発明１における「１−置換エチル基」の一種であるから、刊行物８には、上記(ア)の要件である置換率が「１５〜５２％」を満たすアルカリ不溶性または難溶性樹脂が記載されているといえる。
　以上のとおり、露光により発生した酸により酸解離性基が解離し、アルカリ可溶性となる樹脂を用いた、いわゆる化学増幅型のボジ型感放射線性樹脂組成物において、樹脂として、フェノール性水酸基又はカルボキシル基に対し「１５〜５２％」の割合で、「１−置換エチル基」或いは「アルコキシカルボニル基」で置換されたアルカリ不溶性または難溶性樹脂を用いることは、刊行物４、５、７及び８に記載されており、本件出願前に既に周知である。
　ここで、本件発明１において「１５〜５２％の割合」と特定したことによる技術的意義あるいは効果について検討するに、本件の出願当初の明細書段落【００２５】においては、「置換基Ｂは、樹脂(Ａ)の全酸性官能基に対し、好ましくは１５〜１００％、さらに好ましくは３０〜１００％導入する。」と記載されていたのが（特開平５−２３２７０６号参照）、審査過程における拒絶理由を回避するためにされた補正により、出願当初の実施例１の記載に基づいて上限が６３％とされ、さらに取消理由を回避するためのされた上記訂正請求により、実施例１を削除して、訂正前の実施例３の記載に基づいて上限が「５２％」とされたものであり、本件明細書中には、特に置換割合を「１５〜５２％」とすることによる技術的意義、あるいはそれにより得られる格別な効果があると認めるに足りる記載はない。
　また、化学増幅型のボジ型感放射線性樹脂組成物（レジスト組成物）において、大きな感度を得る目的で、あるいは基板との密着性を向上させて微細なパターンを形成可能にする目的で、樹脂中に酸解離性の官能基に加えて、親水性基である酸性基を導入することは、前述のとおり、刊行物４、５、７及び８に記載されており、本件出願前にすでに良く知られているところであるから、当業者であれば、集積回路用感放射線性樹脂組成物として所望の目的を達成すべく、感放射線性樹脂組成物の使用条件や原料の組合せ等に応じて、酸性官能基に対する酸解離性基による置換割合を検討し、その最適な範囲を特定する程度のことは、当然に試みることにすぎない。
　なお、特許権者は、平成１４年５月１３日付意見書において、２００２年４月２６日付実験成績書を提出し、置換率が８２％や７８％の樹脂を使用した比較例に比べ、置換率が３９％や３２％の樹脂を使用した実施例の方が優れている旨の主張をしているが、該主張は、本件の願書に添付された明細書の記載に基づかないものであって採用できないばかりでなく、前述のとおり、集積回路製造用の化学増幅型ポジ型レジストに用いる樹脂として、置換率が「１５〜５２％」という、本件発明１における上記(ア)の要件を満たすアルカリ不溶性または難溶性樹脂は、刊行物４、５、７及び８に記載されているように、本件出願前に既に周知である。
　
(４)上記(イ)の点について
　本件明細書段落【００２５】に記載されているように、本件発明１では、感放射線性酸形成剤として、式(５)または(６)で表されるオニウム塩、式(１４)で表されるスルホン化合物、式(１５)で表されるニトロベンジル化合物、式(１６)、(１７)または(１８)で表されるスルホン酸化合物を用いるものであるが、これらの化合物は、集積回路製造用の化学増幅型ポジ型レジストに用いる感放射線性酸形成剤として、本件出願前に既に周知である。
　すなわち、刊行物２の摘記事項(2e)、(2f)にある「トリフェニルスルホニウム・ヘキサフルオロアーセナート」及び「ジフェニルヨードニウム・ヘキサフルオロアーセナート」、及び刊行物４の摘記事項(4e)にある「トリフェニルスルホニウムヘキサフロロアンチモネート塩」は、いずれも本件発明１における式(５)及び(６)で表されるオニウム塩に相当するものである。
　また、刊行物７には、「酸発生剤についても同様で、露光により酸を発生するものであれば何でもよく、例えば、ニトロベンジル化合物、オニウム塩、スルフォン酸化合物、カルボン酸化合物等があげられるが、もちろんこれらに限定されるものではない。」（摘記事項(7g)）と記載されている。
　さらに、刊行物８には、「本発明に係る酸発生剤の具体例としては例えばｐ−トルエンスルホン酸２，６−ジニトロベンジル、ｐ−トルエンスルホン酸２−ニトロベンジル、トリクロル酢酸２，６−ジニトロベンジル、ｐ−トリフルオロメチルベンゼンスルホン酸２，４−ジニトロベンジル、ビス−ｐ−トルエンスルホニルジアゾメタン、１−ｐ−トルエンスルホニル−１−メタンスルホニルジアゾメタン、ジフェニル−ｐ−メチルフェナシルスルホニウムパークロレート、ジフェニル−２，５−ジメトキシフェナシルスルホニウムｐ−トルエンスルホネート、２−メチル−２−ｐ−トルエンスルホニルプロピオフェノン、２−メタンスルホニル−２−メチル−（４−メチルチオ）プロピオフェノン、４，６−ジメチル−１，２−オキサチイン−２，２−ジオキシド、３−フェニル−５，６，７，８−テトラヒドロ−２，１−ベンゾオキサチイン−１，１−ジオキシド、４，６−ジフェニル−１，２−オキサチイン−２，２−ジオキシド等が挙げられるが、勿論これらに限定されるものではない。」（摘記事項(8d)）と記載されている。
　そして、本件発明１において感放射線性酸形成剤を「式(５)、(６)、(１４)、(１５)、(１６)、　(１７)または(１８)で表される化合物から選ばれる」ものに特定した経緯は、上記訂正請求によるものであるが、その目的は、刊行物１に記載されたハロゲン化合物、或いは刊行物９に記載されたキノンジアジド化合物を削除することにより、刊行物１に記載された発明と同一である、あるいは刊行物９に記載された発明と同一であるとする取消理由を回避すものであって、本件の願書に添付された明細書のいずれにも、酸形成剤を「式(５)、(６)、(１４)、(１５)、(１６)、(１７)または(１８)で表される化合物から選ばれる」ものに特定した技術的な意義を見いだせない。
　以上のとおり、上記(イ)の点は本件出願前に既に周知の技術事項であり、上記(イ)の点に創意を要するものではない。
　
(５)上記(ウ)の点について
(５−１)摘記事項(10b）の「重合体は、酸に敏感なアセタールまたはケタール部分を有し、このアセタールまたはケタール部分は、フォト酸を輻射線に暴露した場合に接触反応によって除去され、メチロール基または置換メチロール基によってなお封鎖されたイミド窒素原子を留どめ、このメチロール基または置換メチロール基は、露光した組成物を水性アルカリ液中で現像した場合に除去される。」から明らかなように、刊行物１０には、化学増幅型ポジ型レジストに関する発明が記載されており、該刊行物には、「少量の塩基性物質、例えばトリアルキルアミンは、存在するか、または貯蔵の間に発生する酸の痕跡を掃去する能力のためにレジスト溶液を安定化することが見い出された。塩基性物質は、それが基板上への塗布後にレジスト被膜から容易に除去されるような程度に揮発性である場合に最も有利である。このことにより、その後の処理の間にレジストが完全に感光性にされる。しかし、幾つかの理由のために化学線に対して殆ど感光性ではないレジストが望まれる場合には、発生されたフォト酸の部分を掃去するために被膜中で残存する非揮発性の塩基性物質は、有利であることができる。」（摘記事項(10e))と記載されている。
　ここで、刊行物１０に塩基性物質の例として記載されているトリアルキルアミンは、本件明細書の段落【００６３】の「式（１９）で表わされる構造を分子内に有する化合物の具体例としては、アンモニア、トリエチルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミン、・・・などが挙げられる。」の記載から明らかなように、本件発明１における「式（１９）で表わされる構造を分子内に有する含窒素塩基性化合物」に相当する。また、刊行物１０には該塩基性物質の添加量については、「少量」とあるだけで具体的な数値の記載はないが、本件発明１における「アルカリ不溶性または難溶性樹脂樹脂１００重量部当り０．００１〜１０重量部」という範囲は、樹脂１００重量部当り０．００１重量部という極めて少量の範囲を包含しており、刊行物１０に記載された「少量」と実質的にかわるものではない。
　刊行物１０に記載された発明では、組成物中に用いる重合体に特徴を有しており、前記周知技術における樹脂、すなわち「（１）酸性官能基としてフェノール性水酸基またはカルボキシル基を持つアルカリ可溶性樹脂の該酸性官能基の水素原子が、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基やｔｅｒｔ−ブチル基で置換されたアルカリ不溶性または難溶性樹脂で、上記の基が酸解離したときにアルカリ可溶性である樹脂」とは異なるものではあるが、前述のとおり、刊行物１０記載のレジスト組成物も、感放射線性酸形成剤から発生した酸の触媒作用により、レジスト中の樹脂をアルカリ現像液に対して溶解性のものに変化させる、所謂化学増幅型のポジ型感放射線性樹脂組成物あるから、刊行物１０に記載された塩基性含窒素化合物を添加するという技術手段を、前記周知技術に適用する程度のことは、当業者が容易になし得ることにすぎず、その効果についても、当業者が容易に予期しうるものと認められる。
　
(５−２)また、感放射線性酸形成剤による酸発生を利用したポジ型レジストにおいて、塩基性物質を添加することは、刊行物９および１１にも記載されている。
　すなわち、刊行物９には、「アルカリ可溶性樹脂１００重量部と、１，２−キノンジアジド化合物５〜１００重量部と、アルキルアミン、アリールアミン、アラルキルアミンおよび含窒素複素環式化合物から選ばれる少なくとも１種類の含窒素化合物０．００１〜５重量部とを含有することを特徴とするポジ型感放射線性樹脂組成物」（摘記事項(9a)）が記載されており、含窒素化合物を添加することにより、長期間または室温より高い温度で保存しても、感度変化や異物の増加がほとんどない保存安定性に優れたポジ型感放射線性樹脂組成物を得ることができることが記載されており（摘記事項(9b)、(9c)参照）、摘記事項(9d)から明らかなように、刊行物９における「含窒素化合物」の例として記載された化合物の多くは、本件明細書段落【００６３】ないし【００６７】に記載された含窒素塩基性化合物と一致している。
　また、刊行物１１には、感光性平版印刷版に用いる感光性組成物に関する技術ではあるが、活性光線の照射により酸を生成する第１の反応と、生成した酸により第２反応、すなわち酸分解反応により、露光部が現像液に可溶化するという原理を利用したポジ型レジスト組成物（摘記事項(11a)、(11b)参照）において、酸を捕捉し得るかつ活性光線により分解しないアミン化合物を添加することにより、露光後の感度を安定化しうることが記載され（摘記事項(11c)、(11g)参照））、摘記事項(11e)から明らかなように、刊行物１１における「酸を捕捉し得るかつ活性光線により分解しないアミン化合物」の例として記載された化合物の多くは、本件明細書段落【００６３】および【００６５】に記載された含窒素塩基性化合物と一致している。
　ここで、刊行物９および１１に記載された発明における感光性組成物は、上記周知技術の集積回路製造用ポジ型感放射線性樹脂組成物とは異なるものではあるが、いずれも、感放射線性酸形成剤から発生した酸により露光部がアルカリ現像液に可溶性となるポジ型感放射線性樹脂組成物（レジスト組成物）であって、この点では、刊行物１０に記載された発明と一致している。
　よって、刊行物９ないし１１の記載によれば、感放射線性酸形成剤から発生した酸により露光部がアルカリ現像液に可溶性となるポジ型レジスト組成物において、酸を捕捉しうる含窒素塩基性化合物を添加することにより、露光後の感度安定性あるいは長期保存安定性を得ることは、本件出願前に既によく知られた技術手段であることは明らかである。
　してみれば、上記周知技術に、刊行物９ないし１１に記載の「酸を捕捉しうる含窒素塩基性化合物を添加することにより、露光後の感度安定性あるいは長期保存安定性を得る」という技術手段を適用する程度のことは、当業者が容易になし得ることにすぎない。
　
(５−３)以上のとおり、上記(ウ)の点は、刊行物９ないし１１に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　そして、本件明細書の実施例および比較例の記載からみて、本件発明１では、「式(１９)〜(２３)で表される構造の少なくとも１種の構造を分子内に有する含窒素塩基性化合物」を含有させることにより、露光後の感度が安定するという作用効果を奏するものと認められるが、該効果についても、当業者であれば、刊行物９ないし１１の記載から容易に予期しうるものと認められる。
　
(６)上記(ア)ないし(ウ)の組合せについて　
　本件明細書をみても、上記(ア)ないし(ウ)の点を組み合わせたことにより、予期し得ない格別な作用効果を奏しているとする根拠もみいだせない。
　よって、「（１）酸性官能基としてフェノール性水酸基またはカルボキシル基を持つアルカリ可溶性樹脂の該酸性官能基の水素原子が、置換メチル基、１−置換エチル基、アルコキシカルボニル基およびアシル基から選ばれる少なくとも１種の酸解離性基で、該酸性官能基に対し１５〜５２％の割合で置換されたアルカリ不溶性または難溶性樹脂で、上記の基が酸解離したときにアルカリ可溶性である樹脂」及び「（２）下記式(５)、(６)、(１４)、(１５)、(１６)、(１７)または(１８)で表される化合物から選ばれる感放射線性酸形成剤」とからなる感放射線性組成物において、刊行物９ないし１１に記載された含窒素塩基性化合物を添加するという技術手段を適用することは、当業者であれば容易になし得る程度のことである。
(７)まとめ
　以上のとおり、本件発明１は、上記刊行物１ないし１１に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
５−１−３．本件発明２について
　本件発明２は、本件発明１において、酸解離性基が、「１−置換エチル基およびアルコキシカルボニル基から選ばれる少なくとも１種である」とするものである。
　しかしながら、刊行物２ないし８に記載されているとおり「ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基」あるいは「ｔｅｒｔ−ブチル基」を酸解離性基とすることは周知であり、これは「アルコキシカルボニル基」および「１−置換エチル基」に他ならない。
　よって、同様の理由により、本件発明２は、刊行物１ないし１１に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
５−１−４．本件発明３について
　本件発明３は、本件発明１において、酸解離性基が、「ｔ−ブチル基、テトラヒドロピラニル基、ｔ−ブトキシカルボニル基および１−エトキシエチル基から選ばれる少なくとも１種である」とするものである。
　しかしながら、刊行物２ないし８に記載されているとおり「ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基」あるいは「ｔｅｒｔ−ブチル基」を酸解離性基とすることは周知である。
　よって、同様の理由により、本件発明３は、刊行物１ないし１１に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
５−１−５．まとめ
　以上のとおり、本件発明１ないし本件発明３は、その出願前日本国内または外国において頒布された刊行物１ないし１１に記載された発明に基づいて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
　よって、本件の請求項１ないし３に係る特許は、拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してなされたものである。
　
５−２．理由２について
５−２−１．先願明細書に記載された発明
　先願明細書（特開平２−２４６０２号公報参照）には、以下の発明が記載されている。
(ア)「感光性酸発生剤より生成した酸の触媒反応を利用してレジストの溶解性を変化させる化学増幅系レジストにおいて、レジスト中に発生した酸に対して塩基として働く有機材料を添加することを特徴とするレジスト材料。」（特許請求の範囲の請求項１）
(イ)「塩基性材料としてアニリン系、イミダゾール系、ピリジン系、アンモニア系の各誘導体を用いることを特徴とする請求項１記載のレジスト材料。
」（特許請求の範囲の請求項２）
(ウ)「図４はネガ型レジスト、図５はポジ型レジストにおける酸触媒反応の一例を示したものである。・・・（中略）・・・ポジ型の場合は現像液に可溶なポリビニルフェノールをｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基で保護した樹脂と酸発生剤の２成分からなり、酸により保護基が除去され露光部がアルカリ現像液に可溶となる。」（段落【０００４】）
(エ)「【発明が解決しようとする課題】上述した従来の化学増幅系レジストでは感度、解像力が大幅に改善されたものの、解像限界付近で光コントラストが小さくなると、寸法均一性が低下しさらにレジストスカムが生じやすいという欠点があった。すなわち・・・（中略）・・・ポジ型の場合は樹脂に付加されている保護基の脱離がほぼ完全に起こらないと溶解しにくいという傾向がある。そのためネガ型と同様、光コントラスト低下とともにレジストスカムが生じやすい。」（段落【０００５】）
(オ)「本発明の目的は、化学増幅系レジストを微細パターン形成に使用したとき、スカムのないレジストが形成でき、さらにレジスト寸法変動も小さく抑えることができるレジスト材料を提供することにある。」（段落【０００６】）
(カ)「【課題を解決するための手段】本発明の化学増幅系レジスト材料はレジスト中に発生した酸に対して塩基として働く有機材料、例えばアニリン、ピリジン、イミダゾールあるいはアンモニア系の誘導体を微量添加したものである。」（段落【０００７６】）
と記載され、
(キ)【図５】として以下の図が記載されている。
　
５−２−２．本件発明１について
(１)本件発明１と先願明細書に記載された発明とを対比する。
　先願明細書には「ポリビニルフェノールをｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基で保護した樹脂と酸発生剤の２成分からなり、酸により保護基が除去され露光部がアルカリ現像液に可溶となる。」（摘記事項(ウ)）と記載されており、該「ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基」は、アルコキシカルボニル基の一種であるから、先願明細書に記載された「ポリビニルフェノールをｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基で保護した樹脂」は、本件発明１における「(１)酸性官能基としてフェノール性水酸基を持つアルカリ可溶性樹脂の該酸性官能基の水素原子が、アルコキシカルボニル基で置換されたアルカリ不溶性または難溶性樹脂で、上記の基が酸解離したときにアルカリ可溶性である樹脂」に相当する。
　また、先願明細書に記載された「感光性酸発生剤」は、本件発明１における「感放射線酸形成材料」に相当する。
　さらに、本件明細書には、式（１９）で表される構造を分子内に有する化合物の具体例として「アニリン」、「Ｎ−メチルアニリン」等が記載され（段落【００６３】参照）、また、式（２０）で表される構造を分子内に有する化合物の具体例として「イミダゾール」、「４−メチルイミダゾール」等が記載され（段落【００６４】参照）、また、式（２１）で表される構造を分子内に有する化合物の具体例として「ピリジン」、「２−メチルピリジン」、「４−エチルピリジン」等が記載されている（段落【００６５】参照）ことから明らかなように、先願明細書に記載された「アニリン系の誘導体」、「イミダゾール系の誘導体」及び「ピリジン系の誘導体」は、それぞれ本件発明１における「式（１９）で表される構造を分子内に有する化合物」、「式（２０）で表される構造を分子内に有する化合物」及び「式（２１）で表される構造を分子内に有する化合物」に相当する。
　してみると、本件発明１と先願明細書に記載された発明は、
（１）酸性官能基としてフェノール性水酸基を持つアルカリ可溶性樹脂の該酸性官能基の水素原子が、アルコキシカルボニル基で置換されたアルカリ不溶性または難溶性樹脂で、上記の基が酸解離したときにアルカリ可溶性である樹脂、
（２）感放射線性酸形成剤、
および
（３）下記式(１９)〜(２１)（式および式中の説明については、前項に記載したので省略する。）で表される構造の少なくとも一種の構造を分子内に有する含窒素塩基性化合物、
を含有する集積回路製造用ボジ型感放射線性樹脂組成物。」
である点で一致しているが、本件発明１の以下の点については、先願明細書には具体的な記載がない。
ａ：（１）の樹脂について、酸性官能基に対する酸解離性基による置換率を置換割合を「１５〜５２％」と特定している点。
ｂ：（２）の感放射線性酸形成剤について、「下記式(５)、(６)、(１４)、(１５)、(１６)、(１７)または(１８)（式および式中の説明については、前項に記載したので省略する。）で表される化合物から選ばれる」と特定している点。
ｃ：（３）の含窒素塩基性化合物の含有率について、「上記アルカリ不溶性または難溶性樹脂（１）１００重量部当り０．００１〜１０重量部」と特定している点。
(２)そこで、これらの点について以下に検討する。
ａの点について：
　前項「５−１−２．(２)上記(ア)の点について」に記載したとおり、化学増幅型ポジ型レジストに用いる樹脂として、ポリビニルフェノールのフェノール基の「１５〜４０％」あるいは「５〜３５％」をｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基で保護した樹脂を用いることは本件出願前に既に周知の技術事項である。
　先願明細書には、前述のとおり、ポジ型レジストにおける酸触媒反応の一例として、「ポジ型の場合は現像液に可溶なポリビニルフェノールをｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基で保護した樹脂」が記載されているにすぎず、該記載によって、先願明細書に記載された化学増幅系レジストが限定されるものではない。まして、１例として記載された説明には、「ポリビニルフェノールをｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基で保護した樹脂」としてあるだけであるから、その保護率が１００％である樹脂に限定する趣旨の記載でないことは明らかである。
　そして、前項に記載したとおり、本件の出願当初の明細書段落【００２５】においては、「置換基Ｂは、樹脂(Ａ)の全酸性官能基に対し、好ましくは１５〜１００％、さらに好ましくは３０〜１００％導入する。」と記載されていたのが（特開平５−２３２７０６号参照）、審査過程における拒絶理由を回避するためにされた補正により、出願当初の実施例１の記載に基づいて上限が６３％とされ、さらに取消理由を回避するためにされた上記訂正請求により、実施例１を削除して、訂正前の実施例３の記載に基づいて上限が「５２％」とされたものであり、本件明細書中には、特に置換割合を「１５〜５２％」とすることによる技術的意義、あるいはそれにより得られる格別な効果があると認めるに足りる記載はない。
　よって、本件発明１において特定しているａの点は、当該技術分野における周知技術であって、先願明細書には化学増幅系レジスト組成物を限定する旨の記載もない以上、先願明細書に記載された発明と本件発明１とでは、実質的に異なるものではない。　                                        
　
ｂの点について：
　先願明細書には、「感光性酸発生剤」について何等具体的な記載はないが、前項「５−１−２．(４)上記(イ)の点について」の記載したとおり、
本件発明１における「(２)下記式(５)、(６)、(１４)、(１５)、(１６)、(１７)または(１８)で表される化合物から選ばれる感放射線性酸形成剤」は、いずれも集積回路製造用の化学増幅系ポジ型レジストに用いる感放射線性酸形成剤として、本件出願前に既に周知である。
　そして、前項に記載したとおり、本件発明１において感放射線性酸形成剤を「式(５)、(６)、(１４)、(１５)、(１６)、(１７)または(１８)で表される化合物から選ばれる」ものに特定した経緯は、上記訂正請求によるものであるが、その目的は、刊行物１に記載されたハロゲン化合物、或いは刊行物９に記載されたキノンジアジド化合物を削除することにより、刊行物１に記載された発明と同一である、あるいは刊行物９に記載された発明と同一であるとする取消理由を回避すものであって、本件の願書に添付された明細書のいずれにも、酸形成剤を「式(５)、(６)、(１４)、(１５)、(１６)、(１７)または(１８)で表される化合物から選ばれる」ものに特定した技術的な意義を見いだせない。
　よって、先願明細書に記載された「感光性酸発生剤」と本件発明１における「感放射線酸形成材料」に実質的な相違はない。
　
ｃの点について：
  先願明細書には「微量添加したものである。」というだけで、添加量については、「微量」とあるだけで具体的な数値の記載はないが、本件発明１における「アルカリ不溶性または難溶性樹脂樹脂１００重量部当り０．００１〜１０重量部」という範囲は、樹脂１００重量部当り０．００１重量部という極めて少量の範囲を包含しており、先願明細書に記載された「微量」と実質的にかわるものではない。
　そして、本件明細書の記載をみても、含有量を上記のように特定した技術的な意義を見いだせない。
　よって、先願明細書に記載された「微量」という添加量と本件発明１における「アルカリ不溶性または難溶性樹脂樹脂１００重量部当り０．００１〜１０重量部」とは、実質的に同一である。
　
(３)まとめ
　以上のとおり、本件発明１と先願明細書に記載された発明とでは、実質的に同一である。
　
５−２−３．本件発明２について
　本件発明２は、本件発明１において、酸解離性基が、「１−置換エチル基およびアルコキシカルボニル基から選ばれる少なくとも１種である」とするものである。
　しかしながら、先願明細書に記載された「ｔｅｒｔ−ブトチキシカルボニル基」、これは本件発明２における「アルコキシカルボニル基」の一種である。
　よって、同じ理由により、本件発明２と先願明細書に記載された発明とでは、実質的に同一である。
　
５−２−４．本件発明３について
　本件発明３は、本件発明１において、酸解離性基が、「ｔ−ブチル基、テトラヒドロピラニル基、ｔ−ブトキシカルボニル基および１−エトキシエチル基から選ばれる少なくとも１種である」とするものである。
　しかしながら、先願明細書には、「ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基」（本件発明３における「ｔ−ブトキシカルボニル基」）が記載されている。
　よって、同じ理由により、本件発明３と先願明細書に記載された発明とでは、実質的に同一である。
５−２−５．まとめ
　したがって、本件発明１ないし３は、先願明細書に記載された発明と同一と認められ、しかも、本件発明１ないし３の発明者がその出願前の出願に係る上記発明をした者と同一であるとも、また、本件出願の時にその出願人がその出願前の出願に係る上記特許出願の出願人と同一であるとも認められないので、特許法第２９条の２の規定により、特許を受けることができないものである。
　よって、本件特許１ないし３は、拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してなされたものである。
　
６．結び
　以上のとおり、本件の請求項１ないし３についての特許は、拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものと認められる。
　よって、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第１項及び第２項の規定により、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１５年２月１８日（２００３．２．１８）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
感放射線性樹脂組成物
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　（１）酸性官能基としてフェノール性水酸基またはカルボキシル基を持つアルカリ可溶性樹脂の該酸性官能基の水素原子が、置換メチル基、１−置換エチル
基、ア
５２
（２）
下記式（５）、（６）、（１４）、（１５）、（１６）、（１７）または（１８）で表される化合物から選ばれる感放射線性酸形成剤、
ここで、Ｒ１、Ｒ２およびＲ３は、同一または異なり、水素原子、アミノ基、ニトロ基、シアノ基、炭素数１〜４のアルキル基または炭素数１〜４のアルコキシ基であり、そして
ＸはＳｂＦ６、ＡｓＦ６、ＰＦ６、ＢＦ４、ＣＦ３ＣＯ２、ＣｌＯ４、ＣＦ３ＳＯ３、
炭素数１〜４のアルキル基または炭素数１〜４のアルコキシ基であり、Ｒ５およびＲ６は炭素数１〜４のアルコキシ基であり、Ｒ７は水素原子、アミノ基、アニリノ基、炭素数１〜４のアルキル基または炭素数１〜のアルコキシ基である、
ここで、Ｒ１、Ｒ２およびＸの定義は上記式（５）に同じである、
Ｒ１５、Ｒ１６、Ｒ１７およびＲ１３は、同一または異なり、炭素数１〜４のアルキル基またはハロゲン原子であり、そして
ｕは０〜３の整数である、
ここで、Ｒ１９は炭素数１〜４のアルキル基であり、Ｒ２０は水素原子またはメチル基であり、
（ただし、Ｒ２２は水素原子またはメチル基であり、そしてＲ２３およびＲ２４は
同一または異なり、炭素数１〜４のアルコキシ基である）、そして
ｖは１〜３の整数である、
ここで、Ｒ２５およびＲ２６は、同一または異なり、水素原子または炭素数１〜４のアルキル基であり、そしてＲ２７およびＲ２８は、同一または異なり、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基または炭素数６〜２０のアリール基である、
ここで、Ｒ２９は水素原子または炭素数１〜４のアルキル基であり、そしてＲ３０およびＲ３１は、同一または異なり、炭素数１〜４のアルキル基または炭素数６〜２０のアリール基であるか、あるいはＲ３０とＲ３１は互いに結合してそれらが結合している窒素原子と一緒になって環を形成していてもよい、
　
ここで、Ｚはフッ素原子もしくは塩素原子である、
および
（３）
上記アルカリ不溶性または難溶性樹脂（１）１００重量部当り０．００１〜１０重量部の、下記式（１９）〜（２３）：
ここで、Ｒ３７、Ｒ３８およびＲ３９は、同一または異なり、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアミノアルキル基、炭素数１〜６のヒドロキシアルキル基または炭素数６〜２０の置換もしくは非置換のアリール基であり、ここでＲ３７とＲ３８は互いに結合して環を形成してもよい。
（式中、Ｒ４０、Ｒ４１、Ｒ４２およびＲ４３は、同一または異なり、炭素数１〜６のアルキル基を示す）
で表される構造の少なくとも１種の構造を分子内に有する
集積回路製造用
　【請求項２】　酸解離性基が１−置換エチル基およびアルコキシカルボニル基から選ばれる少なくとも１種である請求項１に記載の
集積回路製造用
　【請求項３】　酸解離性基がｔ−ブチル基、テトラヒドロピラニル基、ｔ−ブトキシカルボニル基および１−エトキシエチル基から選ばれる少なくとも１種である請求項１に記載の
集積回路製造用
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】
　本発明は、ポジ型感放射線性樹脂組成物に関する。さらに詳しくは、特にエキシマレーザーなどの遠紫外線の如き放射線を用いる微細加工に有用なレジストとして好適なポジ型感放射線性樹脂組成物に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　集積回路の製造に代表される微細加工の分野においては、集積回路のより高い集積度を得るために、リソグラフィーにおける加工サイズの微細化がさらに進んでおり、近年では、０．５μｍ以下の微細加工を安定的に行うことのできる技術が必要とされている。そのため、用いられるレジストにおいても、０．５μｍ以下のパターンを精度良く形成することが必要である。しかし、従来の可視光線（７００〜４００ｎｍ）または近紫外線（４００〜３００ｎｍ）を用いる方法では、０．５μｍ以下のパターンを精度良く形成することは極めて困難である。それ故、より波長の短い（３００ｎｍ以下）放射線を利用したリソグラフィー技術が検討されている。
　【０００３】
　このような放射線としては、水銀灯の輝線スペクトル（２５４ｎｍ）、ＫｒＦエキシマレーザー（２４８ｎｍ）などに代表される遠紫外線や、Ｘ線、電子線などを挙げることができる。これらのうち、特に注目されているのがエキシマレーザーである。このため、使用されるレジストに関しても、エキシマレーザーにより０．５μｍ以下のパターンを高感度、高解像度で、パターンのプロファイルが良く、フォーカス許容性（放射線照射時に焦点がずれても良好なパターンを保つことができる）、現像性（現像時のスカムや現像残りがない）、残膜性（現像時に膜減りしない）、接着性（現像時にレジストパターンが剥がれない）などの性能が優れていることが必要とされる。
　さらに、最近では、放射線照射によって酸を発生させ、その触媒作用により感度を向上させる「化学増幅型レジスト」が提案されている。これらのレジストにおいては、一般に、感度は良好であるが、安定性に問題があり、例えば放射線照射から現像までの時間や放射線照射後の加熱温度の違いなどにより性能が大きく変化するという問題がある。
　【０００４】
　【発明が解決しようとする課題】
　本発明の目的は、新規な
ポジ型
　本発明の他の目的は、微細加工を安定的に行うことができ、高感度、高解像度で、パターンプロフファイルが良く、フォーカス許容性、現像性、残膜性、密着性などの性能に優れ、安定性も良好であり、レジストとして好適な、感放射線性樹脂組成物を提供することにある。
　本発明のさらに他の目的は以下の説明から明らかとなろう。
　【０００５】
　【課題を解決するための手段】
　本発明によれば、本発明の上記目的および利点は、
（１）酸性官能基としてフェノール性水酸基またはカルボキシル基を持つアルカリ可溶性樹脂の該酸性官能基の水素原子が、置換メチル基、１−置換エチル
基、ア
５２
（２）
下記式（５）、（６）、（１４）、（１５）、（１６）、（１７）または（１８）で表される化合物から選ばれる感放射線性酸形成剤、
ここで、Ｒ１、Ｒ２およびＲ３は、同一または異なり、水素原子、アミノ基、ニトロ基、シアノ基、炭素数１〜４のアルキル基または炭素数１〜４のアルコキシ基であり、そして
ＸはＳｂＦ６、ＡｓＦ６、ＰＦ６、ＢＦ４、ＣＦ３ＣＯ２、ＣｌＯ４、ＣＦ３ＳＯ３、
炭素数１〜４のアルキル基または炭素数１〜４のアルコキシ基であり、Ｒ５およびＲ６は炭素数１〜４のアルコキシ基であり、Ｒ７は水素原子、アミノ基、アニリノ基、炭素数１〜４のアルキル基または炭素数１〜のアルコキシ基である、
ここで、Ｒ１、Ｒ２およびＸの定義は上記式（５）に同じである、
Ｒ１５、Ｒ１６、Ｒ１７およびＲ１８は、同一または異なり、炭素数１〜４のアルキル基またはハロゲン原子であり、そして
ｕは０〜３の整数である、
ここで、Ｒ１９は炭素数１〜４のアルキル基であり、Ｒ２０は水素原子またはメチル基であり、
（ただし、Ｒ２２は水素原子またはメチル基であり、そしてＲ２３およびＲ２４は
同一または異なり、炭素数１〜４のアルコキシ基である）、そして
ｖは１〜３の整数である、
ここで、Ｒ２５およびＲ２６は、同一または異なり、水素原子または炭素数１〜４のアルキル基であり、そしてＲ２７およびＲ２８は、同一または異なり、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基または炭素数６〜２０のアリール基である、
ここで、Ｒ２９は水素原子または炭素数１〜４のアルキル基であり、そしてＲ３０およびＲ３１は、同一または異なり、炭素数１〜４のアルキル基または炭素数６〜２０のアリール基であるか、あるいはＲ３０とＲ３１は互いに結合してそれらが結合している窒素原子と一緒になって環を形成してもよい、
ここで、Ｚはフッ素原子もしくは塩素原子である、
および
（３）
上記アルカリ不溶性または難溶性樹脂（１）１００重量部当り０．００１〜１０重量部の、下記式（１９）〜（２３）：
ここで、Ｒ３７、Ｒ３８およびＲ３９は、同一または異なり、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアミノアルキル基、炭素数１〜６のヒドロキシアルキル基または炭素数６〜２０の置換もしくは非置換のアリール基であり、ここでＲ３７とＲ３８は互いに結合して環を形成してもよい。
（式中、Ｒ４０、Ｒ４１、Ｒ４２およびＲ４３は、同一または異なり、炭素数１〜６のアルキル基を示す）
で表される構造の少なくとも１種の構造を分子内に有する
集積回路製造用
　【０００６】
　
以下、本発明の組成物について説明する。
　
本発明の組成物で用いられる樹脂（Ｂ）は、酸性官能基としてフェノール性水酸基またはカルボキシル基を持つアルカリ可溶性樹脂（以下、「樹脂（Ａ）」という）の該酸性官能基の水素原子を上記の如き特定の酸解離性基で置換したものである。
　【０００７】
樹脂（Ａ）
　
本
　従って、アルカリ現像液と親和性を示す官能基、例えばフェノール性水酸基、カルボキシル基などの酸性官能基を有する樹脂であればよい。好適な樹脂（Ａ）としては、例えば下記式（１）
　【０００８】
　【化１】
ここで、Ｒ０１は水素原子またはメチル基であり、
Ｒ０２は、ヒドロキシル基、カルボキシル基、−Ｒ０３ＣＯＯＨ、
Ｒ０３は−（ＣＨ２）ｎ−であり、
ｎは１〜４の整数である。
　【０００９】
で表わされる繰返し単位、下記式（２）
　【００１０】
　【化２】
ここで、Ｒ０１の定義は上記式（１）に同じである、
　【００１１】
で表わされる繰返し単位、下記式（３）
　【００１２】
　【化３】
　【００１３】
で表わされる繰返し単位および下記式（４）
　【００１４】
　【化４】
ここで、Ｒ０４、Ｒ０５、Ｒ０６、Ｒ０７およびＲ０８は、同一もしくは異なり、水素原子または炭素数１〜４のアルキル基である、
　【００１５】
で表わされる繰返し単位の少なくとも１つの繰返し単位を含有する樹脂を挙げることができる。
　【００１６】
　本発明における樹脂（Ａ）は、式（１）、式（２）、式（３）または式（４）で表わされる繰返し単位のみで構成されてもよいし、またその他の繰返し単位を有してもよい。ここにおけるその他の繰返し単位としては、例えば無水マレイン酸、フマロニトリル、アクリルアミド、アクリロニトリル、ビニルピリジン、ビニルピロリドン、ビニルイミダゾール、ビニルアニリンなどの二重結合を含有するモノマーの二重結合が開裂した繰返し単位を挙げることができる。
　【００１７】
　本発明の樹脂（Ａ）における式（１）、式（２）、式（３）および式（４）で表わされる繰返し単位の含有量は含有されるその他の繰返し単位により一概に決定できないが、通常、１５モル％以上、好ましくは２０モル％以上である。
　本発明の樹脂（Ａ）の分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）で測定したポリスチレン換算重量平均分子量（以下、「Ｍｗ」という）が、好ましくは１，０００〜１５０，０００、特に好ましくは３，０００〜１００，０００である。
　【００１８】
　本発明の樹脂（Ａ）を製造する方法としては、例えば対応するビニルモノマーを重合して得ることもできるし、あるいはフェノール類とアルデヒド類を重縮合して得ることもできる。
　これらの樹脂（Ａ）のうち、式（１）または式（２）で表わされる繰返し単位を含有する樹脂は、水素添加率が７０％以下、好ましくは５０％以下、さらに好ましくは４０％以下の水素添加物として用いることもできる。
　【００１９】
樹脂（Ｂ）
　
本
基、ア
　【００２０】
　置換基Ｂの具体例としては、メトキシメチル基、メチルチオメチル基、メトキシエトキシメチル基、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロフラニル基、テトラヒドロチオフラニル基、テトラヒドロチオピラニル基、ベンジルオキシメチル基、フェナシル基、ブロモフェナシル基、メトキシフェナシル基、α−メチルフェナシル基、シクロプロピルメチル基、シクロヘキシル基、シクロペンチル基、ベンジル基、トリフェニルメチル基、ジフェニルメチル基、ブロモベンジル基、ニトロベンジル基、メトキシベンジル基、ピペロニル基などの置換メチル基；１−メトキシエチル基、１−エトキシエチル基、イソプロピル基、ｔ−ブチル基、１，１−ジメチルプロピル基などの１−置換エチル
基；メ
　【００２１】
アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、ヘプタノイル基、ヘキサノイル基、バレリル基、ピバロイル基、イソバレリル基、ラウリロイル基、ミリストイル基、パルミトイル基、ステアロイル基、オキサリル基、マロニル基、スクシニル基、グルタリル基、アジポイル基、ピペロイル基、スベロイル基、アゼラオイル基、セバコイル基、アクリロイル基、プロピオロイル基、メタクリル基、クロトノイル基、オレオイル基、マレオイル基、フマロイル基、メサコノイル基、カンホロイル基、ベンゾイル基、フタロイル基、イソフタロイル基、テレフタロイル基、ナフトイル基、トルオイル基、ヒドロアトロポイル基、アトロポイル基、シンナモイル基、フロイル基、テノイル基、ニコチノイル基、イソニコチノイル基、ｐ−トルエンスルホニル基、メシル基などのアシル基を挙げることができる。
　【００２２】
　その中でもｔ−ブチル基、ベンジル基、テトラヒドロフラニル基、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロチオフラニル基、テトラヒドロチオピラニル基またはｔ−ブトキシカルボニル基が好ましい。
　【００２３】
　置換基Ｂの導入は、樹脂（Ａ）の酸性官能基を介して行なわれ、置換基Ｂは、樹脂（Ａ）の全酸性官能基に対し、
１５〜５２％、好ましくは３０〜５２％導入する。
　【００２４】
　樹脂（Ｂ）はアルカリ不溶性または難溶性である。アルカリ難溶性とは、本発明を用いて形成されるレジスト皮膜にパターンを形成する際の好適なアルカリ現像条件において、当該レジスト皮膜の代わりに樹脂（Ｂ）のみの皮膜を用いて同様のアルカリ現像を行った場合に、樹脂（Ｂ）が初期膜厚の５０％以上の膜厚で、当該操作後に残存する性質をいう。
　【００２５】
酸形成剤
　本発明で用いられる放射線に感応して酸を発生する化合物、すなわち酸形成剤は、
下記式（５）または（６）で表されるオニウム塩、下記式（１４）で表されるスルホン化合物、下記式（１５）で表されるニトロベンジル化合物、下記式（１６）、（１７）または（１８）で表されるスルホン酸化合物である。
　【００２７】
　【化５】
ここで、Ｒ１、Ｒ２およびＲ３は、同一または異なり、水素原子、アミノ基、ニトロ基、シアノ基、炭素数１〜４のアルキル基または炭素数１〜４のアルコキシ基であり、そして
ＸはＳｂＦ６、ＡｓＦ６、ＰＦ６、ＢＦ４、ＣＦ３ＣＯ２、ＣｌＯ４、ＣＦ３ＳＯ３、
炭素数１〜４のアルキル基または炭素数１〜４のアルコキシ基であり、Ｒ５およびＲ６は炭素数１〜４のアルコキシ基であり、Ｒ７は水素原子、アミノ基、アニリノ基、炭素数１〜４のアルキル基または炭素数１〜のアルコキシ基である、
　【００２９】
　【化６】
ここで、Ｒ１、Ｒ２およびＸの定義は上記式（５）に同じである、
　【００４８】
　【化１４】
Ｒ１５、Ｒ１６、Ｒ１７およびＲ１８は、同一または異なり、炭素数１〜４のアルキル基またはハロゲン原子であり、そして
ｕ
　【００５１】
　【化１５】
ここで、Ｒ１９は炭素数１〜４のアルキル基であり、Ｒ２０は水素原子またはメチル基であり、
（ただし、Ｒ２２は水素原子またはメチル基であり、そしてＲ２３およびＲ２４は、同一または異なり、炭素数１〜４のアルコキシ基である）、そして
ｖ
　【００５４】
　【化１６】
ここで、Ｒ２５およびＲ２６は、同一または異なり、水素原子または炭素数１〜４のアルキル基であり、そしてＲ２７およびＲ２８は、同一または異なり、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基または炭素数６〜２０のアリール基である、
　【００５６】
　【化１７】
ここで、Ｒ２９は水素原子または炭素数１〜４のアルキル基であり、そしてＲ３０およびＲ３１は、同一または異なり、炭素数１〜４のアルキル基または炭素数６〜２０のアリール基であるか、あるいはＲ３０とＲ３１は互いに結合してそれらが結合している窒素原子と一緒になって環を形成していてもよい、
　【００５８】
　【化１８】
ここで、Ｚはフッ素原子もしくは塩素原子である、
　【００６０】
　これらのうち、オニウム
塩が
上記樹脂（Ｂ）
　【００６１】
含窒素塩基性化合物
　本発明に使用される含窒素塩基性化合物
は、下
　【００６２】
　【化１９】
ここで、Ｒ３７、Ｒ３８およびＲ３９は、同一または異なり、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアミノアルキル基、炭素数１〜６のヒドロキシアルキル基または炭素数６〜２０の置換もしくは非置換のアリール基であり、ここで
Ｒ３７とＲ３８
（式中、Ｒ４０、Ｒ４１、Ｒ４２およびＲ４３は、同一または異なり、炭素数１〜６のアルキル基を示す）
　【００６３】
　式
（１９）
　【００６４】
　式
（２０）
　【００６５】
　式
（２１）
　【００６６】
　式
（２２）
　【００６７】
　式
（２３）
　【００６８】
　これらの含窒素塩基性化合物は、単独であるいは２種以上一緒に用いられる。含窒素塩基性化合物はの使用量は、
樹脂（Ｂ）
し、０．００１
　【００６９】
　本発明の組成物においては、さらに必要に応じて、種々の添加剤を配合することができる。
　このような添加剤としては、例えば塗布性、ストリエーションや乾燥塗膜形成後の放射線照射部の現像性などを改良するための界面活性剤を挙げることができる。この界面活性剤としては、例えばポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル、ポリオキシエチレンオクチルフェノールエーテル、ポリオキシエチレンノニルフェノールエーテル、ポリエチレングリコールジラウレート、ポリエチレングリコールジステアレート、市販品としては、例えばエフトップＥＦ３０１、ＥＦ３０３，ＥＦ３５２（新秋田化成（株）製）、メガファックスＦ１７１、Ｆ１７３（大日本インキ（株）製）、フロラードＦＣ４３０、ＦＣ４３１（住友スリーエム（株）製）、アサヒガードＡＧ７１０、サーフロンＳ−３８２、ＳＣ１０１、ＳＣ１０２、ＳＣ１０３、ＳＣ１０４、ＳＣ１０５、ＳＣ１０６（旭硝子（株）製）、オルガノシロキサンポリマーＫＰ３４１（信越化学工業（株）製）、アクリル酸系またはメタクリル酸系（共）重合体であるポリフローＮｏ．７５、Ｎｏ．９５（共栄社油脂化学工業（株）製）などが用いられる。
　【００７０】
　界面活性剤の配合量は、
前記樹脂（Ｂ）
　その他の添加剤としては、ハレーション防止剤、接着助剤、保安安定剤、消泡剤などを挙げることができる。
　【００７１】
　本発明の組成物は、前述した
樹脂（Ｂ）、酸形成剤、含窒素塩基性化合物
　【００７２】
　この際に用いられる溶剤としては、例えばエチレングリコ−ルモノメチルエ−テル、エチレングリコ−ルモノエチルエ−テル、エチレングリコ−ルモノプロピルエ−テル、エチレングリコ−ルモノブチルエ−テル、ジエチレングリコ−ルジメチルエ−テル、ジエチレングリコ−ルジエチルエ−テル、ジエチレングリコ−ルジプロピルエ−テル、ジエチレングリコ−ルジブチルエ−テル、２−メトキシエチルアセテ−ト、２−エトキシエチルアセテ−ト、プロピレングリコ−ルモノメチルエ−テルアセテ−ト、プロピレングリコ−ルモノエチルエ−テルアセテ−ト、プロピレングリコ−ルモノプロピルエ−テルアセテ−ト、トルエン、キシレン、メチルエチルケトン、２−ヘプタノン、３−ヘプタノン、４−ヘプタノン、シクロヘキサノン、２−ヒドロキシプロピオン酸メチル、２−ヒドロキシプロピオン酸エチル、２−ヒドロキシ−２−メチルプロピオン酸エチル、エトキシ酢酸エチル、ヒドロキシ酢酸エチル、２−ヒドロキシ−３−メチルブタン酸メチル、３−メトキシブチルアセテート、３−メチル−３−メトキシブチルアセテート、３−メチル−３−メトキシブチルプロピオネート、３−メチル−３−メトキシブチルブチレート、酢酸エチル、酢酸ブチル、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、３−メトキシプロピオン酸メチル、３−エトキシプロピオン酸エチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、Ｎ−メチルピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミドなどを挙げることができる。
　【００７３】
　また、これらの溶剤には、必要に応じてベンジルエチルエーテル、ジヘキシルエーテル、ジエチレングリコ−ルモノメチルエ−テル、ジエチレングリコ−ルモノエチルエ−テル、アセトニルアセトン、イソホロン、カプロン酸、カプリル酸、１−オクタノール、１−ノナノール、ベンジルアルコール、酢酸ベンジル、安息香酸エチル、シュウ酸ジエチル、マレイン酸ジエチル、γ−ブチロラクトン、炭酸エチレン、炭酸プロピレン、フェニルセロソルブアセテ−トなどの高沸点溶剤を添加することもできる。
　【００７４】
　本発明の組成物は、上記の溶液の形でシリコンウェハーなどの基板上に塗布し、乾燥することによってレジスト膜を形成する。この場合、基板上への塗布は、例えば本発明の組成物を固体分濃度がで５〜５０重量％となるように前記の溶剤に溶解し、濾過した後、これを回転塗布、流し塗布、ロ−ル塗布などにより塗布することによって行われる。
　【００７５】
　形成されたレジスト膜には、微細パターンを形成するために部分的に放射線が照射される。用いられる放射線には特に制限はなく、例えばエキシマレーザーなどの遠紫外線、シンクロトロン放射線などのＸ線、電子線などの荷電粒子線のような放射線が、使用される酸形成剤の種類に応じて用いられる。放射線量などの照射条件は、組成物の配合組成、各添加剤の種類などに応じて適宜決定される。
　【００７６】
　本発明においては、レジストのみかけの感度等を向上させるために、放射線照射後に加熱を行なうことが好適である。この加熱条件は、組成物の配合組成、各添加剤の種類などによって異なるが、通常、３０〜２００℃、好ましくは５０〜１５０℃である。
　【００７７】
　次いで行われる現像に使用される現像液としては、レジストパターンを得るためには、例えば水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、珪酸ナトリウム、メタ珪酸ナトリウム、アンモニア水、エチルアミン、ｎ−プロピルアミン、ジエチルアミン、ジ−ｎ−プロピルアミン、トリエチルアミン、メチルジエチルアミン、ジメチルエタノ−ルアミン、トリエタノ−ルアミン、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、ピロ−ル、ピペリジン、１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］−７−ウンデセン、１，５−ジアザビシクロ−［４．３．０］−５−ノナンなどを溶解してなるアルカリ性水溶液などを使用することができる。
　【００７８】
　また、上記現像液に水溶性有機溶媒、例えばメタノ−ル、エタノ−ルなどのアルコ−ル類や界面活性剤を適宜添加したアルカリ性水溶液を現像液として使用することもできる。さらに現像液として、クロロホルム、ベンゼンなどを使用することができ、この場合はネガ型のレジストパターンを得ることができる。
　【００７９】
　【実施例】
　以下、実施例により本発明をさらに詳しく説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
　実施例中、各種の特性は次のようにして評価した。
　【００８０】
最適露光量
　０．４μｍのラインアンドスペースが設計通りにパターン形成できる露光量。
解像度
　最適露光量を与えた時に分離しているラインアンドスペースの最小サイズ。
パターン形状
　走査型電子顕微鏡を用い、レジストパターンの方形状断面の下辺長Ａと上辺長Ｂを測定し、０．８５≦Ｂ／Ａ≦１である場合をパターン形状が良好であると判断した。ただし、パターン形状が裾を引いていたり、逆テーパー状になっている場合は、Ｂ／Ａが上記範囲に入っていても不良と判断した。
　【００８１】
フォーカス許容性
　ステッパの焦点をずらして露光した場合に、上記に定義した良好なパターン形状を保つことができる焦点のずれの範囲。
安定性
　露光後、２時間放置してから露光後べークを行い、最適露光量およびパターン形状を評価した。
接着性
　走査型電子顕微鏡を用い、レジストパターンの剥がれの程度を調べた。
　【００８２】
　Ｍｗ：
　東ソー社製ＧＰＣカラム（Ｇ２０００ＨＸＬ　２本、Ｇ３０００ＨＸＬ　１本、Ｇ４０００ＸＬ　１本）を用い、流量１．０ｍｌ／分、溶出溶媒テトラヒドロフラン、カラム温度４０℃の分析条件で、単分散ポリスチレンを標準とするゲルパーミエーションクロマトグラフ法により測定した。
　【００８３】
実施例
１
　ポリヒドロキシスチレン５４ｇをアセトンに溶解して、ｔ−ブチル−α−ブロモ酢酸２７ｇ、炭酸カリウム１０ｇおよびヨウ化カリウム９ｇを添加し、撹拌下、還流を続けながら、７時間反応した。反応終了後、この溶液を水中に滴下し、析出したポリマーを真空乾燥器にて５０℃で一晩乾燥した。得られたポリマーは、Ｍｗ＝１８，０００、Ｍｗ／Ｍｎ＝１．８７で、ＮＭＲ測定の結果からフェノール性水酸基の水素の２２％がｔ−ブチル酢酸残基で置換された構造であった。
　【００８４】
　このポリマー１０ｇとトリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート０．１ｇおよびニコチン酸アミド０．０２ｇを３−メトキシプロピオン酸メチル３１ｇに溶解した後、０．２μｍのフィルターで濾過して組成物溶液を調製した。調製した組成物溶液を、シリコンウェハー上に塗布した後に、９０℃で２分間ベーキングを行い、膜厚１．０μｍのレジスト膜を形成した。
　【００８５】
　形成したレジスト膜にステッパーを用いて、波長２４８ｎｍのエキシマレーザーを５２ｍＪ．ｃｍ−２照射した後、１００℃で２分間露光後ベークを行い、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で６０秒間、２３℃にて現像し、次いで水で３０秒間リンスした。形成されたポジ型パターンは、表１に示したように良好な結果を与えた。さらにこのレジストパターンを１５０℃のホットプレート上で２分間加熱したところ、パターン形状の変化は認められなかった。
　【００８６】
比較例
１
　実施例
１
　【００８７】
実施例
２
　マレイン酸とスチレンとの共重合体１０７ｇを酢酸エチルに溶解して、３，４−ジヒドロ−２Ｈ−ピラン５０ｇとｐ−トルエンスルホン酸０．１ｇを添加し、撹拌下、５℃において、３時間反応した。反応終了後、この溶液を蒸留水と混合し、分液ロートを用いてｐ−トルエンスルホン酸を抽出した後、ヘキサン中に滴下し、析出したポリマーを真空乾燥器にて５０℃で一晩乾燥した。得られたポリマーは、Ｍｗ＝１１，０００、Ｍｗ／Ｍｎ＝２．１で、ＮＭＲ測定の結果からマレイン酸のカルボン酸のうち５２％がテトラヒドロピラニル基で置換された構造であった。
　【００８８】
　このポリマー１０ｇとトリフェニルスルホニウムヘキサフロロアンチモネート０．２ｇおよびチアベンダゾール０．０３ｇを３−メトキシプロピオン酸メチル３１ｇに溶解した後、０．２μｍのフィルターで濾過して組成物溶液を調製した。調製した組成物溶液を、シリコンウェハー上に塗布した後に、１００℃で２分間ベーキングを行い、膜厚１．０μｍのレジスト膜を形成した。
　【００８９】
　形成したレジスト膜にステッパーを用いて、波長２４８ｎｍのエキシマレーザーを３８ｍＪ．ｃｍ−２照射した後、９０℃で２分間露光後ベークを行い、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で６０秒間、２３℃にて現像し、次いで水で３０秒間リンスした。形成されたポジ型パターンは、表１に示したように良好な結果を与えた。さらにこのレジストパターンを１４０℃のホットプレート上で２分間加熱したところ、パターン形状の変化は認められなかった。
　【００９０】
比較例
２
　実施例
２
２
　【００９１】
実施例
３
　クレゾールノボラック（ｍ−／ｐ−＝６／４）５４ｇをアセトンに溶解して、ｔ−ブチル−α−ブロモ酢酸２７ｇ、炭酸カリウム１０ｇおよびヨウ化カリウム９ｇを添加し、撹拌下、還流を続けながら、７時間反応した。反応終了後、この溶液を水中に滴下し、析出したポリマーを真空乾燥器にて５０℃で一晩乾燥した。得られたポリマーは、Ｍｗ＝５，６００、Ｍｗ／Ｍｎ＝４．８で、ＮＭＲ測定の結果からフェノール性水酸基の水素の２２％がｔ−ブチル酢酸残基で置換された構造であった。
　【００９２】
　このポリマー１０ｇとトリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート０．１ｇおよびニコチン酸アミド０．０２ｇを３−メトキシプロピオン酸メチル３１ｇに溶解した後、０．２μｍのフィルターで濾過して組成物溶液を調製した。調製した組成物溶液を、シリコンウェハー上に塗布した後に、９０℃で２分間ベーキングを行い、膜厚１．０μｍのレジスト膜を形成した。
　【００９３】
　形成したレジスト膜にステッパーを用いて、波長２４８ｎｍのエキシマレーザーを３１ｍＪ／ｃｍ−２照射した後、１００℃で２分間露光後ベークを行い、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で６０秒間、２３℃にて現像し、次いで水で３０秒間リンスした。形成されたポジ型パターンは、表１に示したように良好な結果を与えた。さらにこのレジストパターンを１５０℃のホットプレート上で２分間加熱したところ、パターン形状の変化は認められなかった。
　【００９４】
　【表１】
　【００９５】
　【発明の効果】
　現像性、パターン形状、解像度、接着性、フォーカス許容性および残膜性に優れ、安定性も良好であり、特にエキシマーレーザーなどの遠紫外線以下の波長の放射線の照射にも好適に使用される
ポジ型