【事件の表示】
　特許第３２３９４４５号「誘電体素子及びその製造方法」の請求項１乃至６に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３２３９４４５号の請求項１乃至５に係る特許を維持する。
【理　由】
（１）手続きの経緯
　本件特許第３２３９４４５号の請求項１乃至８に係る発明についての出願は、平成４年６月９日になされ、平成１３年１０月１２日にその特許の設定登録がなされ、その後、日本電気株式会社より請求項１乃至６に係る発明について特許異議の申立てがなされ、平成１４年９月２６日付けで取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１４年１２月９日に訂正請求がなされ、更に平成１５年５月１２日付けで訂正拒絶理由通知がなされ、その指定期間内である平成１５年７月２２日に手続補正書が提出されたものである。
　
（２）訂正の適否についての判断
ア．訂正請求に対する補正の適否について
  訂正請求に対する補正は、平成１４年１２月９日付けの訂正事項（４）に係る、
請求項６における「前記下部電極を形成する工程と、前記下部電極の表面の少なくとも一部に酸素を含む領域を形成する工程と、」を「「白金からなる前記下部電極を形成する工程と、前記下部電極の表面の少なくとも一部に酸素プラズマ中にさらすことによって酸素を含む領域を形成する工程と、」」と訂正するとあるのを、
請求項５における「前記下部電極を形成する工程と、前記下部電極の表面の少なくとも一部に酸素を含む領域を形成する工程と、」を「白金からなる前記下部電極を形成する工程と、前記下部電極の表面の少なくとも一部に酸素プラズマ中にさらすことによって酸素を含む領域を形成する工程と、」、と訂正するものであり、引用する誤記の請求項表示を訂正するとともに余分のかぎ括弧を削除するものであるから、誤記の訂正を目的とするものである。よって、上記補正は、いずれも訂正請求書の要旨を変更するものではなく、特許法第１２０条の４第３項で準用する特許法第１３１条第２項の規定に適合するから、以下補正された訂正請求書に基いて検討する。
イ．訂正の内容
＊訂正事項ａ
　請求項１における「下部電極が金属からなり」を「下部電極が白金からなり」と訂正する。
＊訂正事項ｂ
　請求項３を削除する。
＊訂正事項ｃ
　旧請求項５における「請求項１乃至４に記載の」を「請求項１乃至３に記載の」と訂正する。
＊訂正事項ｄ
　旧請求項６における「前記下部電極を形成する工程と、前記下部電極の表面の少なくとも一部に酸素を含む領域を形成する工程と、」を「白金からなる前記下部電極を形成する工程と、前記下部電極の表面の少なくとも一部に酸素プラズマ中にさらすことによって酸素を含む領域を形成する工程と、」と訂正する。
＊訂正事項ｅ
  旧請求項７における「請求項６に記載の」を「請求項５に記載の」と訂正する。
＊訂正事項ｆ
  旧請求項４乃至８の項数を順次繰り上げ、請求項３乃至７とする。
＊訂正事項ｇ
　発明の名称を「誘電体素子及びその製造方法」と訂正する。
ウ．訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　上記訂正事項ａは、特許請求の範囲の請求項１において、下部電極を白金に限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的としたものである。そしてこの訂正は、願書に添付した明細書に記載した事項の範囲内のものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものではない。
　上記訂正事項ｂは、特許請求の範囲の請求項３を削除するとともに、請求項４以下を順次繰り上げるものであるから、特許請求の範囲の減縮及び明りょうでない記載の釈明を目的としたものである。そしてこの訂正は、願書に添付した明細書に記載した事項の範囲内のものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものではない。
　上記訂正事項ｃ、ｅは、特許請求の範囲の請求項３の削除に伴い旧請求項５及び旧請求項７の引用発明を整理するものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的としたものである。そしてこの訂正は、願書に添付した明細書に記載した事項の範囲内のものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものではない。
　上記訂正事項ｄは、特許請求の範囲の請求項５において、下部電極を白金に限定するとともに酸素を含む領域が酸素プラズマ中にさらすことによって形成することを限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的としたものである。そしてこの訂正は、願書に添付した明細書に記載した事項の範囲内のものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものではない。
　上記訂正事項ｆは、特許請求の範囲の請求項３の削除に伴い旧請求項４乃至８の項数を順次繰り上げ、請求項３乃至７とするものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的としたものである。
　上記訂正事項ｇは、特許請求の範囲の記載と発明の名称との整合を図るものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的としたものである。
エ．むすび
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、特許法第１２０条の４第３項で準用する特許法第１２６条第１項ただし書、第２項及び第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
（３）特許異議申立てについての判断
ア．特許異議申立ての理由の概要
　特許異議申立人日本電気株式会社は、証拠として、甲第１号証（特開平３−２１４７１７号公報）及び甲第２号証（電子セラミック材料調査報告II（９２−基−２）　平成４年３月社団法人日本電子工業振興協会発行　第１６８頁〜第２０１頁）を提示して、本件請求項１、３、４及び６に係る発明は、甲第１号証に記載された発明であり、本件請求項２及び５に係る発明は、甲第１乃至２号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件請求項１乃至６に係る発明についての特許は、特許法第２９条第１項第３号或いは同法第２９条第２項の規定に違反してなされたものである旨主張している。
　
イ．本件発明
　訂正明細書の本件発明は、特許請求の範囲の請求項１乃至５に記載された次のとおりのものである。
「【請求項１】　下部電極と、該下部電極上に形成された金属酸化物誘電体薄膜と、該金属酸化物誘電体薄膜上に形成された上部電極を有する誘電体素子において、
前記下部電極が白金からなり、前記金属酸化物誘電体薄膜に接する側の界面で、前記下部電極の他の部分よりも多くの酸素が含まれていて、
前記上部電極が金属からなり、前記金属酸化物誘電体薄膜に接する側の界面で酸素が含まれていることを特徴とする誘電体素子（以下、「本件発明１」という。）。」
「【請求項２】　前記金属酸化物誘電体がペロブスカイト型の結晶構造を有することを特徴とする請求項１記載の誘電体素子（以下、「本件発明２」という。）。」
「【請求項３】　前記金属酸化物誘電体は、ＰＺＴ（Ｐｂ(ＺｒｘＴｉ１−ｘ)Ｏ３）およびＰＬＺＴ（(Ｐｂ０．９Ｌａ０．１)(Ｔｉ０．６Ｚｒ０．４)Ｏ３）のいずれか一方であることを特徴とする請求項１記載の誘電体素子（以下、「本件発明３」という。）。」
「【請求項４】　請求項1乃至３のいずれかに記載の誘電体素子を用いてなることを特徴とする半導体記憶装置（以下、「本件発明４」という。）。」
「【請求項５】　金属酸化物誘電体薄膜が上部電極および下部電極の一対の電極に挟まれた構造を有する誘電体素子の製造方法において、
白金からなる前記下部電極を形成する工程と、
前記下部電極の表面の少なくとも一部を酸素プラズマ中にさらすことによって酸素を含む領域を形成する工程と、
前記酸素を含む領域上に金属酸化物誘電体薄膜を形成する工程と、
前記金属酸化物誘電体薄膜上に前記上部電極を形成する工程と、
前記上部電極に酸素を注入する工程とを少なくとも含むことを特徴とする誘電体素子の製造方法（以下、「本件発明５」という。）。」
　
ウ．引用例
　異議申立人が提出した甲第１号証には、電気的セラミツク酸化物装置用電極が図面とともに開示されている。そして同号証には、次のように記載されている。
「ルテニウム及びルテニウム酸化物は、例えばプラチナを使用する場合に必要とされる接着促進剤に対する必要性なしに、シリコン、二酸化シリコン、及びセラミック酸化物に対する良好な接着性を与える。ルテニウムは、更に、電気的セラミック酸化物物質用の電極物質として従来使用されているプラチナ、パラジウム及び金と比較してより低価である。」（公報６頁左下欄１７行〜右下欄４行）
「第４図を参照すると、本発明のマイクロ電子への特定の適用例が示されている。例えばパターン形成したＣＭＯＳウエハ等のような半導体基板２２が、第一電極の一部を構成するルテニウム酸化物２４からなる物体を支持している。このルテニウム酸化物物体は、スパッタリング又は化学蒸着（ＣＶＤ）によって基板２２上にルテニウム膜を付着形成し、且つ爾後にそのルテニウムを以下に記載する如くルテニウム酸化物へ変換させることによって形成することが可能である。」（公報７頁右下欄９行〜１８行）
「次いで、ルテニウム又はルテニウム酸化物からなる物体２４の上に、電気的セラミック酸化物誘電体物質２６を付着形成する。この電気的セラミック酸化物誘電体物質をパターン形成し且つ約１気圧において酸素中において５００℃〜７７５℃においてシンタする。ルテニウムを上述した如く物体２４として付着形成した場合には、このプロセスがルテニウム又はその一部をルテニウム酸化物へ変換し、且つその厚さを増加させる。そのルテニウムが完全に酸化されると、厚さは１７５０Åに増加する。酸化が完全でない場合には、第一電極は、セラミック酸化物物質をシンタするために使用される条件によって決定される厚さを持ったルテニウム酸化物の領域によって、ルテニウムからなる物体がセラミック酸化物から分離されて構成される。
　電気的セラミック酸化物２６の反対側にルテニウム酸化物２８（第二電極の一部を構成する）の物体が、例えば、ルテニウム酸化物の反応性スパッタリングによって、ＣＶＤを使用するルテニウム酸化物の付着形成によって、又はスパッタリング又はＣＶＤによるルテニウムの付着形成によって形成される。ルテニウムが付着形成されると、ルテニウム酸化物は、例えば１５分間６５０℃において酸素中で加熱することにより、熱酸化によって形成することが可能である。」（公報８頁左上欄５行〜右上欄１０行）
　異議申立人が提出した甲第２号証には、強誘電体薄膜メモリが図面とともに開示されている。そして同号証には、ペロブスカイト型の結晶構造を有する酸化物誘電体が記載されている。
　
エ．対比・判断
＜本件発明１について＞
　本件発明１と甲第１乃至２号証に記載の発明とを対比すると、甲第１乃至２号証には、本件発明１の必須の構成要件である、下部電極と、該下部電極上に形成された金属酸化物誘電体薄膜と、該金属酸化物誘電体薄膜上に形成された上部電極を有する誘電体素子における、前記金属酸化物誘電体薄膜に接する側の界面で、前記下部電極の他の部分よりも多くの酸素が含まれていて、前記上部電極が金属からなり、前記金属酸化物誘電体薄膜に接する側の界面で酸素が含まれている誘電体素子において、「下部電極が白金」からなる点について記載も示唆もされていない。（甲第１号証に係る公報６頁左下欄１７行〜右下欄４行の記載によれば、下部電極に白金を採用することは、むしろ阻害要因と認められる。）
　そして、本件発明１は、上記の点を備えることにより、「誘電体素子に、繰り返し電圧、あるいは応力を印加した後での、自発分極の減少やリーク電流の増大を防止し、高い信頼性をもった強誘電体素子を実現することができる。」という明細書記載の効果（段落００２２参照）を奏するものである。
  したがって、本件発明１が、甲第１号証に記載された発明であるとも、甲第１乃至２号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるとも認めることはできない。
＜本件発明２乃至４について＞
　本件発明２乃至４は、本件発明１の構成を前提とするものであるから、本件発明１の場合と同様の理由により、本件発明２乃至４が、甲第１号証に記載された発明であるとも、甲第１乃至２号証に記載された発明に基いて、容易に発明をすることができたものであるとも認めることはできない。
＜本件発明５について＞
　本件発明５と甲第１号証に記載の発明とを対比すると、甲第１号証には、本件発明１の必須の構成要件である、金属酸化物誘電体薄膜が上部電極および下部電極の一対の電極に挟まれた構造を有する誘電体素子の製造方法において、前記下部電極の表面の少なくとも一部を酸素プラズマ中にさらすことによって酸素を含む領域を形成する工程と、前記酸素を含む領域上に金属酸化物誘電体薄膜を形成する工程と、前記金属酸化物誘電体薄膜上に前記上部電極を形成する工程と、前記上部電極に酸素を注入する工程とを少なくとも含む誘電体素子の製造方法において、「白金からなる前記下部電極を形成する工程」を有する点について記載も示唆もされていない。
  したがって、本件発明５が、甲第１号証に記載された発明であると認めることはできない。
　
（４）まとめ
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、本件請求項１乃至５に係る発明についての特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件請求項１乃至５に係る発明についての特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１５年９月３日（２００３．９．３）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
誘電体素子及びその製造方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　下部電極と、該下部電極上に形成された金属酸化物誘電体薄膜と、該金属酸化物誘電体薄膜上に形成された上部電極を有する誘電体素子において、
　前記下部電極が白金からなり、前記金属酸化物誘電体薄膜に接する側の界面で、前記下部電極の他の部分よりも多くの酸素が含まれていて、
　前記上部電極が金属からなり、前記金属酸化物誘電体薄膜に接する側の界面で酸素が含まれていることを特徴とする誘電体素子。
　【請求項２】　前記金属酸化物誘電体がペロブスカイト型の結晶構造を有することを特徴とする請求項１記載の誘電体素子。
　【請求項３】　前記金属酸化物誘電体は、ＰＺＴ（Ｐｂ（ＺｒｘＴｉ１−ｘ）Ｏ３）およびＰＬＺＴ（（Ｐｂ０．９Ｌａ０．１）（Ｔｉ０．６Ｚｒ０．４）Ｏ３）のいずれか一方であることを特徴とする請求項１記載の誘電体素子。
　【請求項４】　請求項１乃至３のいずれかに記載の誘電体素子を用いてなることを特徴とする半導体記憶装置。
　【請求項５】　金属酸化物誘電体薄膜が上部電極および下部電極の一対の電極にはさまれた構造を有する誘電体素子の製造方法において、
　白金からなる前記下部電極を形成する工程と、
前記下部電極の表面の少なくとも一部を酸素プラズマ中にさらすことによって酸素を含む領域を形成する工程と、
　前記酸素を含む領域上に金属酸化物誘電体薄膜を形成する工程と、
　前記金属酸化物誘電体薄膜上に前記上部電極を形成する工程と、
　前記上部電極に酸素を注入する工程と
　を少なくとも含むことを特徴とする誘電体素子の製造方法。
　【請求項６】　請求項
５
　前記下部電極の表面の少なくとも一部に酸素を含む領域を形成する工程が、特に前記電極のうち少なくとも一つの電極に酸素イオンを打ち込む工程を含むことを特徴とする誘電体素子の製造方法。
　【請求項７】　請求項６に記載の誘電体素子の製造方法において、前記下部電極の表面の少なくとも一部に酸素を含む領域を形成する工程が、特に前記電極のうち少なくとも一個の電極を酸素プラズマもしくはオゾンプラズマ中にさらす工程を含むことを特徴とする誘電体素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】
　本発明は金属酸化物誘電体を基質とする薄膜を用いた誘電体素子あるいは誘電体素子の製造方法に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　金属酸化物誘電体を基質とする薄膜に一個、もしくは複数個の電極を接触させた構造を有する誘電体素子において、小面積の大容量誘電素子、あるいは強誘電性容量素子を得るために、従来は例えばジャーナル・オブ・アプライド・フィジックス（Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ）、１９９１年、第７０巻、第１号、３８２頁〜３８８頁に記載されていたように、電極材料として白金（Ｐｔ）、誘電体材料としてはペロブスカイト型の結晶構造をもつ強誘電体であるＰＺＴ（Ｐｂ（ＺｒｘＴｉ１−ｘ）Ｏ３）を用いていた。
　【０００３】
　図３にシリコン基板上に強誘電体と二つの電極を積層した構造の、誘電体素子の一例を示す。図３において、３０１はシリコン基板であり、３０２は二酸化シリコン（ＳｉＯ２）の絶縁層である。３０４がＰＺＴを用いた強誘電体膜であり、白金を用いた下部電極３０３と上部電極３０５により挟まれ、容量素子を構成している。３０６は素子保護膜である。
　【０００４】
　【発明が解決しようとする課題】
　このように下部電極３０３、強誘電体膜３０４、上部電極３０５を積層した構造においては、強誘電体膜３０４の膜形成条件によって、また、分極を反転させる印加電圧のサイクルを繰り返したり、弾性限界内で繰り返し力を加えた場合、強誘電体膜３０４の電極近傍においては、酸素空乏が生じて強誘電性を示さなくなったり、絶縁不良を起こしてリーク電流が増大する。
　【０００５】
　本発明は、このような課題を解決するもので、その目的とするところは、金属酸化物誘電体の、電極近傍での酸素空乏を防ぎ、膜疲労現象やリーク電流の少ない誘電体素子を提供することにある。
　【０００６】
　【課題を解決するための手段】
（１）下部電極と、該下部電極上に形成された金属酸化物誘電体薄膜と、該金属酸化物誘電体薄膜上に形成された上部電極を有する誘電体素子を有する半導体素子において、前記下部電極が白金からなり、前記金属酸化物誘電体薄膜に接する側の界面で、前記下部電極の他の部分よりも多くの酸素が含まれていて、前記上部電極が金属からなり、前記金属酸化物誘電体薄膜に接する側の界面で酸素が含まれていることを特徴とする。
（２）　前記金属酸化物誘電体がペロブスカイト型の結晶構造を有することを特徴とする。
（３）　前記金属酸化物誘電体は、ＰＺＴ（Ｐｂ（ＺｒｘＴｉ１−ｘ）Ｏ３）およびＰＬＺＴ（（Ｐｂ０．９Ｌａ０．１）（Ｔｉ０．６Ｚｒ０．４）Ｏ３）のいずれか一方であることを特徴とする。
　また、本発明の半導体記憶装置は、
（４）上記（１）乃至（３）のいずれかに記載の誘電体素子を用いたことを特徴とする。
　また、本発明の誘電体素子の製造方法は、
（５）　金属酸化物誘電体薄膜が上部電極および下部電極の一対の電極に挟まれた構造を有する誘電体素子の製造方法において、白金からなる前記下部電極を形成する工程と、前記下部電極の表面の少なくとも一部を酸素プラズマ中にさらすことによって酸素を含む領域を形成する工程と、前記酸素を含む領域上に金属酸化物誘電体薄膜を形成する工程と、前記金属酸化物誘電体薄膜上に前記上部電極を形成する工程と、前記上部電極に酸素を注入する工程とを少なくとも含むことを特徴とする。
　【０００８】
　【実施例】
　図１は本発明の誘電体素子の一実施例（以下、第１の実施例とする）を示す主要断面図である。図２は本発明の誘電体素子の製造方法の一実施例（以下、第２の実施例とする）を示す主要工程断面図である。
　【０００９】
　以下、まず図１にしたがい、第１の実施例について、本発明による誘電体素子を用いた、強誘電性容量素子を説明する。
　【００１０】
　図１において、１０１はシリコン基板である。１０２は誘電体素子の下地となる絶縁層であり、例えば、シリコン基板１０１を熱酸化して１μｍの二酸化シリコン（ＳｉＯ２）を形成する。
　【００１１】
　１０３は本発明の趣旨による、容量素子の一方の電極（以下、下部電極とする）であり、例えば白金を０．５μｍ、スパッタ法により形成した後、例えば酸素プラズマ中にさらすことにより、下部電極１０３の表面から酸素を注入し、酸素を含んだ領域１０４を形成する。
　【００１２】
　１０５は金属酸化物誘電体であり、例えば強誘電体であるＰＬＺＴ（（Ｐｂ０．９Ｌａ０．１）（Ｔｉ０．６Ｚｒ０．４）Ｏ３）をゾル−ゲル法により０．５μｍ形成する。１０６は容量素子のもう一方の電極（以下、上部電極とする）であり、例えば金を０．５μｍ、スパッタ法により形成する。１０７は素子保護膜であり、例えば１μｍの二酸化シリコンを化学気相成長法によって形成する。
　【００１３】
　以上をもって、本発明の第１の実施例とする。
　【００１４】
　従来の技術のように、酸素を含んだ領域１０４が無い場合においては、初期の自発分極が１０μＣ／ｃｍ２であったものが、下部電極を接地し上部電極に＋５Ｖと−５Ｖを交互にかけるサイクルを１０５回繰り返すと５μＣ／ｃｍ２となり、自発分極の減少が５０％あった。ところが、本発明の第１の実施例のように、下部電極１０３の表面に、酸素を含んだ領域１０４を形成したことにより、同様な電圧サイクルをかけた後でも、その自発分極は８μＣ／ｃｍ２であり、自発分極の減少は２０％であった。
　【００１５】
　次に、図２にしたがい、第２の実施例について、本発明による誘電体素子、及びその製造方法を用いた、強誘電性容量素子を説明する。
　【００１６】
　図２において、２０１はシリコン基板である。２０２は誘電体素子の下地となる絶縁層であり、例えば、シリコン基板２０１を熱酸化して１μｍの二酸化シリコン（ＳｉＯ２）を形成する。２０３は本発明の趣旨による、容量素子の一方の電極（以下、下部電極とする）であり、例えば白金を０．５μｍ、スパッタ法により形成する（以上、図２（ａ））。
　【００１７】
　次に、イオン注入法により、例えば、３０ｋｅＶで加速した酸素イオン（Ｏ２＋）を、注入量１０１２ｃｍ−２で下部電極２０３に注入し、下部電極表面に酸素を含んだ領域２０４を形成する（以上、図２（ｂ））。
　【００１８】
　次に、誘電体膜２０５として、例えばペロブスカイト型結晶構造を持つ強誘電性の金属酸化物誘電体であるＰＺＴ（Ｐｂ（Ｔｉ０．５５Ｚｒ０．４５）Ｏ３）をスパッタ法により、０．５μｍ形成し、容量素子のもう一方の電極（以下、上部電極とする）２０６として、例えば白金を０．４μｍ、スパッタ法により形成する（以上、図２（ｃ））。
　【００１９】
　最後に、イオン・ドーピング法（質量分析をしないイオン注入法）により、例えば１００ｋｅＶで加速した酸素イオン（Ｏ＋、Ｏ２＋、Ｏ３＋等）を上部電極２０６表面から注入する。この時、注入された酸素が、上部電極２０６と誘電体膜２０５との界面近傍まで到達するよう、６０ｋｅＶ以上のエネルギーに加速された酸素イオンを用いることが望ましい（以上、図２（ｄ））。
　【００２０】
　以上をもって、本発明の第２の実施例とする。
　【００２１】
　このように、下部電極２０３、及び上部電極２０６と、誘電体膜２０５との接する領域に、酸素を含む領域を形成した場合、初期の自発分極は２０μＣ／ｃｍ２であり、＋５Ｖ、−５Ｖの電圧サイクルを１０５回印加した後は１６μＣ／ｃｍ２であったが、下部電極２０３、及び上部電極２０６ともに酸素を含む領域を形成しなかった場合は、自発分極は初期で２０μＣ／ｃｍ２、同様な電圧サイクル後で８μＣ／ｃｍ２であった。
　【００２２】
　【発明の効果】
　以上述べたように、本発明の誘電体素子、及びその製造方法によれば、前記誘電体素子に、繰り返し電圧、あるいは応力を印加した後での、自発分極の減少やリーク電流の増大を防止し、高い信頼性をもった強誘電体素子を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】　本発明の第１の実施例の主要断面図。
　【図２】　本発明の第２の実施例の主要工程断面図。
　【図３】　従来の技術による、誘電体素子の主要断面図。
　【符号の説明】
　１０１　シリコン基板
　１０２　絶縁層
　１０３　下部電極
　１０４　酸素を含んだ領域
　１０５　誘電体膜
　１０６　上部電極
　２０１　シリコン基板
　２０２　絶縁層
　２０３　下部電極
　２０４　酸素を含んだ領域
　２０５　誘電体膜
　２０６　上部電極
　３０１　シリコン基板
　３０２　絶縁層
　３０３　下部電極
　３０４　誘電体膜
　３０５　上部電極
　３０６　素子保護膜