【事件の表示】
　特許第３３６６６７９号「有機材料の加工方法」の請求項１ないし６に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３３６６６７９号の請求項１ないし６に係る特許を維持する。
【理　由】
１．訂正の適否の判断
（１）訂正請求の内容
　別紙「訂正の内容」参照。
（２）訂正の適否
　請求項１についての訂正事項ａは、「加工電極」を「プラズマ放電を微小領域に集中できる形状」に限定し、また、「高周波電力」の周波数を「１００ＭＨｚ以上」に限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。そして、この訂正事項ａは、特許権の設定の登録時の明細書の段落【００２６】及び【００１４】に記載されていたことである。
　請求項４についての訂正事項ｂは、「容器内のガス雰囲気」を「不活性ガスのみの条件とした状態」に限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。そして、この訂正事項ｂは、前記明細書の段落【００１１】に記載されていたことである。
　訂正事項ｃは、訂正事項ａとの整合を図るものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とするものに該当する。
　訂正事項ｄ及びｅは、誤記の訂正を目的とするものに該当する。
　そして、上記各訂正事項は実質上特許請求の範囲を拡張し、変更するものではない。
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法第１２０条の４第３項において準用する平成６年法律第１１６号による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書及び第２項の規定に適合するものであるので、上記訂正を認める。
２．特許異議の申立てについての判断
（１）本件発明
　上記のとおり、訂正は認められるから、本件特許の請求項１ないし６に係る発明（以下、「本件発明１」ないし「本件発明６」という。）は、訂正請求書に添付された全文訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１ないし６に記載された次のとおりのものである。
「【請求項１】　内部にプラズマ放電を微小領域に集中できる形状の加工電極が配設された反応容器内に、有機材料を上記電極に対して所定の隙間を隔てて配置するとともに、この容器内を、ガス雰囲気でかつ１／１００気圧以上、１気圧以下に維持した状態で、上記電極に１００ＭＨｚ以上の高周波電力を印加して、その電極と有機材料との間にプラズマを発生させ、そのプラズマ中のラジカルと有機材料との反応を利用して加工を行う有機材料の加工方法。
　【請求項２】　有機材料の加工面上に所定パターンの金属製マスクを配置した状態で、その有機材料の加工を行うことを特徴とする請求項１に記載の有機材料の加工方法。
　【請求項３】　上記加工電極と有機材料の相対的な移動により、当該電極を有機材料の加工面上に沿って走査することを特徴とする請求項１もしくは請求項２に記載の有機材料の加工方法。
　【請求項４】　上記容器内のガス雰囲気を不活性ガスのみの条件とした状体で、金属物質と有機物質との複合材料を加工することを特徴とする請求項１，請求項２もしくは請求項３に記載の有機材料の加工方法。
　【請求項５】　金属，半導体もしくは無機物絶縁体のいずれかの表面上に形成された有機物質を加工することを特徴とする請求項１，請求項２もしくは請求項３に記載の有機材料の加工方法。
　【請求項６】　有機材料に開口された貫通孔内に上記ラジカルを含んだガスを導いて、その貫通孔の内壁面の加工を行うことを特徴とする請求項１に記載の有機材料の加工方法。」
（２）特許異議申立ての理由の概要及び取消しの理由の概要
　特許異議申立人根本通裕は、甲第１号証（特開平３−２２９８８６号公報）、甲第２号証（特開平１−１２５８２９号公報）、甲第３号証（特開平２−２８１７３０号公報）、甲第４号証（特開昭６２−２５４４号公報）及び甲第５号証（特開平１−３１９９４２号公報）を提出し、本件発明１ないし本件発明６は、本件特許出願前に日本国内において頒布された刊行物である甲第１ないし５号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであり、取り消されるべきものであると主張している。
　また、当審で通知した取消しの理由の概要は、前記特許異議の申立ての理由と同様のものである。
（３）刊行物に記載された発明ないし事項
　刊行物１（特開平３−２２９８８６号公報、甲第１号証）には、第１頁左下欄第１２〜１７行、第２頁左下欄第５〜２０行、第３頁左上欄第６〜９行、第３頁左下欄第１〜１２行、第３頁左下欄第１５行〜同頁右下欄第７行の記載、及び第１、２、５図からみて、
　内部に誘電体被覆電極が配設された反応容器内に、ポリイミド（カプトン）製基板を上記電極に対して所定の隙間を隔てて配置するとともに、この容器内を、希ガスと反応性ガスとの混合ガス雰囲気でかつ大気圧に維持した状態で、上記電極に１００ｋＨｚオーダーの高周波電力を印加して、その電極とポリイミド（カプトン）製基板との間にプラズマを発生させ、そのプラズマ中の活性種とポリイミド（カプトン）製基板との反応を利用して加工を行う有機材料の加工方法の発明が記載されていると認める。
　同じく刊行物２（特開平１−１２５８２９号公報、甲第２号証）には、第５頁左上欄第１３行〜第６頁左上欄第９行、及び第６頁左上欄第１０行〜同頁右上欄第２行の記載からみて、
　雰囲気気体の圧力が低圧の場合、高圧の場合に、放電によるラジカル反応を利用して被加工物を加工できるという事項が記載されていると認める。
　また、同じく刊行物３（特開平２−２８１７３０号公報、甲第３号証）には、第３頁右下欄第７〜９行の記載からみて、
　エッチング室内を大気圧近傍の圧力下としてプラズマエッチングするという事項が記載されていると認める。
　同じく刊行物４（特開昭６２−２５４４号公報、甲第４号証）には、第１頁左下欄第１６行〜同頁右下欄第３行の記載、及び第３図からみて、
　電極に対向させた被処理体を回転させるという事項が記載されていると認める。
　同じく刊行物５（特開平１−３１９９４２号公報、甲第５号証）には、第５頁右上欄第６〜１４行の記載、及び第１図からみて、
　半導体基板上に配線パターンを形成し、その上にシリコーン樹脂絶縁膜層を形成したものを、プラズマエッチングするという事項が記載されていると認める。
（４）対比・判断
　本件発明１と刊行物１に記載された発明とを対比すると、刊行物１記載の発明の「誘電体被覆電極」は、その技術的意義からみて、本件発明１の「加工電極」に、以下同様に、「ポリイミド（カプトン）製基板」は「有機材料」に、「希ガスと反応性ガスとの混合ガス雰囲気」は「ガス雰囲気」に、「プラズマ中の活性種」は「プラズマ中のラジカル」に、それぞれ、相当することは明らかであるので、両者は、
「内部に加工電極が配設された反応容器内に、有機材料を上記電極に対して所定の隙間を隔てて配置するとともに、この容器内を、ガス雰囲気に維持した状態で、上記電極に高周波電力を印加して、その電極と有機材料との間にプラズマを発生させ、そのプラズマ中のラジカルと有機材料との反応を利用して加工を行う有機材料の加工方法。」である点で一致し、次の点で相違している。
　相違点１：本件発明１では、ガス雰囲気を１／１００気圧以上、１気圧以下に維持した状態で、加工電極に１００ＭＨｚ以上の高周波電力を印加するのに対して、刊行物１に記載された発明では、ガス雰囲気を大気圧に維持した状態で、加工電極に１００ｋＨｚオーダーの高周波電力を印加している点。
　相違点２：本件発明１では、加工電極がプラズマ放電を微小領域に集中できる形状であるのに対して、刊行物１に記載された発明では、加工電極がそのような形状でない点。
　前記相違点１について検討すると、当該相違点１に係る本件発明１の構成について、前記刊行物２ないし５には記載も示唆もされていない。
　そして、本件発明１は、前記構成を備えることにより、荷電粒子が電界によって高速に加速されず、これによって、有機材料の加工面が、高速イオン衝撃によるスパッタリングでダメージを受けることはなく、有機材料の加工面の表面粗さを例えば、0.005μｍ程度と非常に精密な加工を、無ひずみで行うことが可能になり、また、加工部に熱的変質層やイオン衝撃による表面変質層が発生することもないという明細書記載の顕著な効果を奏するものである。
　したがって、本件発明１と刊行物１に記載された発明との他の相違点についての検討、判断を示すまでもなく、本件発明１は、前記の各刊行物に記載された発明ないし事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
　なお、異議申立人は、刊行物１には、第３頁左下欄第１〜１２行の記載からみて、反応容器内を１／１０気圧以上、１気圧以下に維持することが記載されている旨主張しているが、「０．５〜０．１気圧程度に減圧することができる。」のは、「反応に用いるこれらのガスを大気中に放出すると、火災や人体への悪影響等の安全面に問題が生ずる場合がある。これを回避するためには、ガスの無毒化を行うことが必要となる。また、Ｈｅなどのガスは高価であるため、回収して再使用することが好ましい。これらの点を考慮して」、反応容器を覆う隔離容器を前記圧力に減圧するものであって、反応容器は、「なお、このときの放電機構は、大気圧下の放電機構と同様となる。」の記載からみて、大気圧であると解される。従って、当該主張は採用することができない。
　本件発明２ないし６は、本件発明１を更に限定するものであるから、同様に各刊行物に記載された発明ないし事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
３．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、本件発明１ないし６に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明１ないし６に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　したがって、本件発明１ないし６に係る特許は拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものと認めない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１６年３月１５日（２００４．３．１５）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
有機材料の加工方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】内部に
プラズマ放電を微小領域に集中できる形状の
１００ＭＨｚ以上の
　【請求項２】　有機材料の加工面上に所定パターンの金属製マスクを配置した状態で、その有機材料の加工を行うことを特徴とする請求項１に記載の有機材料の加工方法。
　【請求項３】　上記加工電極と有機材料の相対的な移動により、当該電極を有機材料の加工面上に沿って走査することを特徴とする請求項１もしくは請求項２に記載の有機材料の加工方法。
　【請求項４】　
上記容器内のガス雰囲気を不活性ガスのみの条件とした状熊で、
　【請求項５】　金属，半導体もしくは無機物絶縁体のいずれかの表面上に形成された有機物質を加工することを特徴とする請求項１，請求項２もしくは請求項３に記載の有機材料の加工方法。
　【請求項６】　有機材料に開口された貫通孔内に上記ラジカルを含んだガスを導いて、その貫通孔の内壁面の加工を行うことを特徴とする請求項１に記載の有機材料の加工方法。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】
　本発明は有機材料の加工方法に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　まず、結晶質および非晶質の無機材料の加工においては、最終表面仕上を行うための、いわゆる超精密加工として、ＥＥＭ：Ｅｌａｓｔｉｃ　Ｅｍｉｓｓｉｏｎ　Ｍａｃｈｉｎｉｎｇ（特開平１−２３６９３９号公報）をはじめとして、非常に優れた技術が開発されている。また、最終表面仕上の前加工段階においても、残留クラックおよび熱的変質層等の欠陥が発生せず、しかも空間分解能の高い高精度の加工を行える加工法としてラジカル反応を利用したＣＶＭ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒｉｚａｔｉｏｎ　Ｍａｃｈｉｎｉｎｇ（特開平４−１２８３９３号公報）が提案されている。
　【０００３】
　これに対し、有機材料は、比較的柔らかく刃物による切削が容易であることから、従来では多くの場合、特別な加工法を採用しなくても、その加工について大きな問題はなかった。
　【０００４】
　【発明が解決しようとする課題】
　ところで、近年、高機能性（例えば高硬度・高耐熱性　低熱変形など）の有機材料が数多く開発されてきており、これに伴い、有機材料の加工精度に対する要求も非常に厳しくなってきている。そこで、最近では、そのような要求に対応した精密加工技術として、高強度のレーザビームを利用した加工法が用いられるようになってきているが、この加工法によれば、加工面に熱的変質層が残るといった欠点や、大面積の加工を行う際にはコスト高となる等の問題がある。
　【０００５】
　また、そのような高機能性の有機材料を加工する方法として、無ひずみで、熱的変質層やイオン衝撃等による表面変質層が生じない、精密な加工技術は現状では存在しない。
　【０００６】
　さらに、ポリイミド等の有機材料は単体で利用されることが少なく、金属や半導体などに積層された状態で利用されることが多いが、金属や半導体がフォトリソグラフィ技術などで精密パターンに加工することが可能であるのに対し、有機材料では、上記したように精密な加工法がなく、このことが、有機物質と金属物質で構成される精密な複合材料（複合部品）の実現化への大きな障害となっている。
　【０００７】
　本発明はそのような事情に鑑みてなされたもので、有機材料を無ひずみで精密に加工でき、しかも、加工面に熱的変質層やイオン衝撃等による表面変質層が発生しない加工方法の提供を所期の目的とする。
　【０００８】
　【課題を解決するための手段】
　本発明の加工方法は、内部に
プラズマ放電を微小領域に集中できる
１００ＭＨｚ以上の
　【０００９】
　【作用】
　加工電極２への高周波電力の印加により、この電極２と被加工物である有機材料Ｗとの間にプラズマを発生させると、そのプラズマ放電で生成したラジカル（遊離基）と有機材料との反応によって生成される揮発性化合物の蒸発により、加工電極２と対面する部分の有機材料が除去され、これによって加工が進行する。
　【００１０】
　ここで、気体分子の平均自由行程は、一般に１０−２ａｔｍで数μｍ以下であることから、加工の際の雰囲気ガスの圧力を、例えば１／１００気圧以上に設定しておくことで、その荷電粒子が電界によって高速に加速されず、これによって、有機材料の加工面が、高速イオン衝撃
に
　【００１１】
　ここで、加工時の雰囲気として、金属や半導体用の反応ガスを積極的には混合せずに、Ｈｅ，Ｎｅ，Ａｒ等の不活性ガスのみの条件で、有機物質と金属との複合材料を実際に加工したところ、有機材料を金属や半導体に対して選択的に加工することができるといった結果が得られた。
　【００１２】
　なお、本発明においては、雰囲気ガスとして不活性ガスの他、空気，Ｎ２，Ｏ２も使用でき、また、不活性ガスとこれらを混合して用いることもできる。不活性ガスに空気，Ｎ２，Ｏ２を混合する場合の割合は任意であってもよい。さらに、不活性ガスにＣＦ４やＳＦ６などを数％（体積比）程度まで混合すれば加工速度が向上する。
　【００１３】
　【実施例】
　本発明の加工方法の実施例を、以下、図面に基づいて説明する。
　まず、本発明の加工方法を実施するのに使用する装置を説明する。
　図１はその加工装置の概略構成を示すブロック図で、図２はその装置の加工電極２とリニアステージ３を抽出して示す斜視図である。
　【００１４】
　反応容器１の内部には、被加工物（有機材料）Ｗを保持するリニアステージ３と、その上方に位置する加工電極２が配置されており、その加工電極２には整合器４を介して高周波電源装置５が接続されている。高周波電源装置５は、１００ＭＨｚ以上の周波数の電力、例えば１４５ＭＨｚ，２４０Ｗの高周波電力を加工電極２に印加することが可能な電源装置である。
　【００１５】
　また、反応容器１には、ステージ３上の被加工物Ｗと加工電極２の間に、ノズル１ａが設けられている。このノズル１ａには、ガス供給装置６からＨｅなどの不活性ガスが一定の流量で供給される。さらに、反応容器１には、この容器内圧を０．１Ｔｏｒｒ程度にまで減圧するための排気装置７が接続されている。
　【００１６】
　さて、以上の加工装置を用いて本発明方法を実施した具体的な例を、以下に述べる。まず、Ｓｉウェハ表面上に厚さ２０μｍのポリイミドを積層した試料を被加工物Ｗとしてリニアステージ３上に載置し、また、加工電極２としては、厚さが０．１２５ｍｍ，長さが３０ｍｍのＡｌ製の平板を使用して、この加工電極２と被加工物Ｗのポリイミド上面との間のギャップを０．２ｍｍに設定する。
　【００１７】
　次いで、反応容器１内を０．１Ｔｏｒｒ程度にまで減圧した後、この容器内にＨｅガスを充填して１気圧に維持した状態で、加工電極２に周波数１４５ＭＨｚで２４０Ｗの高周波電力を印加し、さらに、リニアステージ３を１２ｍｍ／分で走査しつつ電極２と被加工物Ｗとの間に、Ｈｅガスを、ノズル１ａを通じて流量１０（リットル／分）で、電極２と平行に流した状態で平面加工を行ったところ、加工量（削り取り深さ）が約０．２μｍで、その表面粗さが０．００５μｍ（Ｒｍａｘ）以下と非常に平滑な精密加工を行うことができた。
　【００１８】
　なお、以上の平面加工において、加工雰囲気ガスの条件を代えて、Ｈｅガスに体積比で３％のＯ２ガスを混合した状態で加工を行ったところ、Ｈｅガスのみの雰囲気の場合に対して、加工量が２倍ほど深くはなったが、表面粗さは悪くなるという結果が得られた。
　【００１９】
　また、先の実施例と同じ被加工物Ｗをリニアステージ３上に載置し、さらに、被加工物Ｗの加工面上に、金属マスク（厚さが０．０２５ｍｍで、角０．１ｍｍ正方形の穴が０．１２５ｍｍのピッチで開口された銅製メッシュ）を載置した状態で、先と同一条件で５分間の加工を行ったところ、その銅製メッシュは全く加工されず、ポリイミドのみがメッシュの開口形状に応じて加工され、図３に示すような正方形のくり抜き穴を開口することができた。このとき、ポリイミドＰが加工によって完全に除去され、そのＳｉウェハＳの表面がラジカルにさらされても、そのウェハ表面は全く加工されることがなかった。
　【００２０】
　次に、本発明方法を、配線板（銅とポリイミドとの積層体）の加工に適用した例を、図４を参照しつつ説明する。まず、この配線板Ｆ１は、厚さ５０μｍのポリイミドフィルムＰ１の上に、厚さ４０μｍの銅箔を、エポキシ樹脂が主成分の接着剤で貼り合わせた後、フォトレジストによるパターニング工程、酸性のエッチング液による銅箔のエッチング工程およびフォトレジストの除去工程を経て、線幅が０．２ｍｍの細線パターンＣ１を得た後に、さらに、そのパターン上にポリイミドフィルムＰ１を、接着剤Ｅ１を用いて貼り合わせた積層体である。
　【００２１】
　そして、この例においても、加工は図１の装置を用いて、先と同様な条件で行うわけであるが、被加工物である配線板Ｆ１は、図４（ａ）に示すように、その細線パターンＣ１が加工電極２と直行するように、ステージ３上に載置し、また、ステージ３による走査は行わずに、配線板Ｆ１と加工電極２との位置関係は固定した状態で加工を行ったところ、図４（ｂ）に示すように、銅製の細線パターンＣ１には殆ど影響を与えることなく、その細線の周辺の接着剤Ｅ１とポリイミドフィルムＰ１のみを除去できた。従って、このような加工法を採用することで、細線パターンが埋め込まれた構造の配線板であっても、その細線パターンの露出つまりパターンのコンタクト部形成を容易に行える。
　【００２２】
　次に、本発明方法を、銅とポリイミドとの積層体に開口した貫通孔の内壁面の加工に適用した例を、図５（ａ），（ｂ）を参照して説明する。なお、図５では、貫通孔Ｈの中央位置で切断した状態を示している。
　【００２３】
　まず、被加工物である積層体Ｆ２は、厚さ４０μｍの銅箔Ｃ２と、厚さ５０μｍのポリイミドフィルムＰ２とを、接着剤（エポキシ樹脂が主成分）Ｅ２を挟んで交互に積層したもので、直径０．６ｍｍの貫通孔Ｈが開口されている。そして、この加工例では、貫通孔Ｈを加工電極の真下に配置して、また、その貫通孔Ｈ内に加工時のラジカルを含んだガスが導くために、雰囲気ガス（Ｈｅガス）をノズル１ａから孔内へと流入させつつ、その孔内壁の加工を行ったところ、図５（ｂ）に示すように、銅箔Ｃ２は全く加工されず、ポリイミドフィルムＰ２と接着剤Ｅ２のみが除去された。従って、このような加工法は、次工程であるスルーホールメッキの施工性に対して非常に利点のある手法となる。
　【００２４】
　すなわち、銅箔と有機フィルムとの積層体にスルーホールを開孔（ドリル加工など）した後では、孔加工面の銅箔が接着剤の付着により汚れた状態となっており、また、孔内面の銅箔加工面とフィルム加工面とが面一の状態となっていることから、そのままの状態でスルーホールメッキを施すと、銅箔への銅メッキの付着性が悪いこと、さらに銅箔とフィルムとの境界でメッキの縁切れが生じるなどの原因によってコンタクト不良が発生し易くなるが、上記した孔加工を行うことで、孔加工面の銅箔に付着した接着剤は完全に除去され、しかも、図５（ｂ）に示すように、孔内面で銅箔Ｃ２が、ポリイミドフィルムＰ２や接着剤Ｅ２に対して突出した状態となるので、メッキ時の銅箔Ｃ２への銅の析出状態が良好となる結果、スルーホールメッキの施工性が向上する。
　【００２５】
　ここで、加工時のガス雰囲気の圧力は、先に説明したように、１／１００気圧以上であれば問題はないが、金属や半導体に対する加工の選択性を考慮すると、その上限は１気圧程度が好ましい。
　【００２６】
　また、本発明の加工方法を実施するのに使用する加工電極としては、上記の実施例で示した平板電極のほか、例えば金属ワイヤーを直線状に張ったワイヤ電極あるいは針状電極など、プラズマ放電を微小領域に集中できるものであれば、任意の形状のものを使用できる。さ
ら
　【００２７】
　なお、本発明方法は、ポリイミドなどの高機能性の有機材料の加工に限られることなく、一般的な有機材料を含めた広い範囲の有機材料の加工に適用可能であるとは言うまでもない。
　【００２８】
　【発明の効果】
　以上説明したように、本発明の加工方法によれば、有機材料の加工にラジカル反応を利用するので、加工面の表面粗さが例えば０．００５μｍ程度と非常に精密な加工を、無ひずみで行うことが可能になる。また、加工部に熱的変質層やイオン衝撃等による表面変質層が発生することもない。しかも、例えばポリイミド等の高機能性の有機材料であっても、そのような無ひずみの超精密加工が可能で、これによって、高機能性の有機材料と金属等との複合材料（部品）の超精密化を実現できる。
　【００２９】
　さらに、基本的にラジカル反応を利用した加工であることから、加工の自由度が高く、これにより、表面加工のみならず外形（輪郭）加工，凹孔のくり抜き加工あるいは貫通孔の内壁面の加工などの各種の加工に適用可能である。さらにまた、金属や半導体に対して選択的な加工が可能で、これによって、加工の際に被加工物上に金属マスクを配置するだけで、有機材料を所望のパターンに容易に加工できるといった点の効果も大きい。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　本発明の加工方法の実施に使用する装置の概略構成を示す図
　【図２】
　その加工装置の加工電極２とリニアステージ３を抽出して示す斜視図
　【図３】
　本発明の加工方法の実施例を説明する図
　【図４】
　他の実施例を説明する図
　【図５】
　更に別の実施例を説明する図
　【図６】
　本発明方法を実施するのに使用する加工電極の変形例を示す図
　【符号の説明】
　１・・・・反応容器
　　１ａ・・・・ノズル
　２・・・・加工電極
　３・・・・リニアステージ
　４・・・・整合器
　５・・・・高周波電源装置
　６・・・・ガス供給装置
　７・・・・排気装置
　Ｗ・・・・被加工物（有機材料）