【事件の表示】
　特許第３２５１４３６号「リードフレーム、半導体装置及び半導体装置の製造方法」の請求項１乃至７に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３２５１４３６号の請求項１乃至７に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
　本件特許第３２５１４３６号に係る手続の主な経緯は次のとおりである。
　特許出願（特願平６−２０６３５２号）　　　　平成　６年　８月３１日
　特許権設定登録　　　　　　　　　　　　　　　平成１３年１１月１６日
　特許異議申立（異議申立人：沖島和子）　　　　平成１４年　７月２５日
　取消理由通知　　　　　　　　　　　　　　　　平成１４年１０月２２日
　特許異議意見書・訂正請求書　　　　　　　　　平成１４年１２月２６日
     　
２．訂正の適否についての判断
２．１．訂正の内容
　特許権者が求めている、平成１４年１２月２６日付け訂正請求書に添付された訂正明細書における訂正の内容は以下のとおりである。
　
２．１．１．訂正事項ａ
　特許請求の範囲の請求項１における「前記半導体チップを他の主面で固定する複数のアイランド部」を、「前記半導体チップを他の主面の隅部で固定する複数のアイランド部」と訂正する。
　　　
２．１．２．訂正事項ｂ
　特許請求の範囲の請求項１における「前記半導体チップの他の主面は前記半導体チップを固定する位置以外においては実質的に全面が前記レジンと密着する」を、「前記半導体チップの他の主面は、前記半導体チップを固定する複数のアイランド部各々の位置以外においては実質的に全面が前記レジンと密着する」と訂正する。
　　　
２．２．訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
２．２．１．訂正事項ａ
　上記訂正事項ａは、特許請求の範囲の請求項１において、半導体チップの固定について、他の主面のうちの隅部で固定する点を限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とした明細書の訂正に該当するものである。そして、この点については、本件特許明細書又は図面の段落００１２、００１３、００１８、００３０、００３４、００４３、００４５等、及び図１乃至５の記載に根拠を有する。
　したがって、上記訂正事項ａは、特許請求の範囲の減縮を目的とした明細書の訂正に該当するものであり、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、かつ実質上特許請求の範囲を拡張し、変更するものではない。
　
２．２．２．訂正事項ｂ
　上記訂正事項ｂは、特許請求の範囲の請求項１において、半導体チップの他の主面とレジンとの相互の関係について、半導体チップを固定する「複数のアイランド部各々の」位置以外においては実質的に全面が前記レジンと密着する点を限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とした明細書の訂正に該当するものである。そして、この点については、本件特許明細書又は図面の段落００１２、００１３、００１８、００３０、００３４、００４３、００４５等、及び図１乃至５の記載に根拠を有する。
　したがって、上記訂正事項ｂは、特許請求の範囲の減縮を目的とした明細書の訂正に該当するものであり、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、かつ実質上特許請求の範囲を拡張し、変更するものではない。
　　　　　　　
２．３．訂正の適否のむすび
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、特許法第１２０条の４第３項において準用する平成６年法律第１１６号による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書、第２項及び第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　　　　　　　
３．　特許異議申立て及びこれについての判断
３．１．本件発明
　上記２．２．で示したように上記訂正が認められるから、本件発明は、上記訂正請求に係る訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１乃至７に記載された次のとおりのものであると認められるところ、そのうち請求項１に係る発明（以下、「本件発明１」という。）は次のとおりである。
「【請求項１】　一主面に半導体素子とボンディングパッドとが形成された四角形の半導体チップと、
　前記半導体チップを他の主面の隅部で固定する複数のアイランド部と、
　前記複数のアイランド部の各々から外方に向かって延在する複数の支持リード部と、
　前記複数のアイランド部を一平面上に保持する連結部と、
　前記複数の支持リード部の間において、その一端が前記半導体チップの周辺に位置し、他端が外方に向かって延在する複数のリードと、
　前記リードの一端と、前記ボンディングパッドとを電気的に接続するワイヤと、少なくとも前記半導体チップ、前記リードの一端、前記ワイヤ、前記アイランド部、前記支持リード部及び前記連結部をレジンで封止する封止部とを有し、
　前記複数のアイランド部の各々は、前記半導体チップの四隅部のうち、レジン注入ゲート部に最も近い隅部及びそれと対角する隅部で前記半導体チップの中心からの距離と、前記半導体チップの角からの距離が４対１になるような位置またはそれよりも外側において前記半導体チップを固定し、
　前記半導体チップの他の主面は、前記半導体チップを固定する複数のアイランド部各々の位置以外においては実質的に全面が前記レジンと密着することを特徴とする半導体装置。」
　　　　　　　
３．２．取消理由で引用された刊行物に記載された発明
　刊行物１（甲第１号証）：特開平６−２１６３０３号公報には、「リードフレーム、その製造方法およびそれを用いた半導体集積回路装置の製造方法」（発明の名称）が図面（図１、図１５、図１６、図２４〜図２６、図２９、等々）とともに記載されており、また以下の記載がなされている。
「【００２５】リードフレーム１の中央部には、主面に集積回路およびボンディングパッドが形成された半導体チップ２を搭載するための円形のダイパッド（チップ搭載部）３が形成されている。このダイパッド３は、四本の吊りリード４によって支持されている。ダイパッド３のチップ搭載面の面積は、その上に搭載される半導体チップ２の主面の面積よりも小さく設定されているのが特徴である。
【００２６】ダイパッド３の周囲には、複数本のリード５がダイパッド３を囲むように配置されている。吊りリード４の幅広部およびリード５の中途部には、絶縁性の薄い合成樹脂フィルムからなるテープ６が枠状に形成されて接着されている。」（５頁左欄２５行〜３７行）、
「【００４７】さらに、図１５に示すように、ダイパッド３の周囲に吊りリード４よりも幾分幅の広い小パッド（あるいは接着剤塗布部ともいう）２０を形成し、ダイパッド３およびこの小パッド２０のそれぞれの主面上に接着剤１５を塗布するようにしてもよい。」（７頁左欄１行〜５行）、
「【００４８】上記小パッド２０は、図１６に示すように、それぞれの吊りリード４の途中、例えばダイパッド３と中途部Ｓとの間に形成してもよい。」（７頁左欄１４行〜１６行）、
「【００５４】次に、図２４〜図２６に示すように、ダイパッド３上に搭載された半導体チップ２のボンディングパッド２５とリード５との間をＡｕのワイヤ２６でボンディングし、電気的に接続する。」（７頁右欄１行〜４行）、
「・・・・・、図２９に示すように、半導体チップ２、ダイパッド４、インナーリード部５ａおよびワイヤ２６をエポキシ樹脂などでモールドすることによりパッケージ本体２９を成形した後、・・・・」（７頁右欄３８行〜４１行）、
「【００５９】本実施例のリードフレーム１を用いて製造された表面実装型半導体装置（ＱＦＰ）３０は、ダイパッド３の面積がその上に搭載された半導体チップ２の面積よりも小さいため、半導体チップ２の周辺部の裏面が封止樹脂と密着している。」（７頁右欄５０行〜８頁左欄４行）。
　　　　　
　刊行物２（参考資料）：『日経マイクロデバイス　１９９０年６月号』、日経ＢＰ社、１９９０年６月１日発行、５２頁〜５７頁、においては、半田リフロー時のパッケージ・クラック対策としてダイ・パッドの裏面にポリイミドを塗り、界面の密着性を向上させるという技術を応用して、チップの厚さが４００μｍのままで厚さ１．０ｍｍのパッケージに封止できる技術が開発されたことが記載されており、以下のような記載がある。
「薄型化で最も大きな問題になるリフロー半田付け時のパッケージ・クラックを防ぐため，ダイ・パッドの裏面にポリイミドを約３０μｍ塗布し，ダイ・パッドの裏面とエポキシ樹脂との界面の剥離を防止，水分の凝集を防いだ。」（５２頁左欄１行〜５行）、
また、図４の説明に関連して以下のような記載がなされている。
「ＳＯＰのゲートはパッケージのリードのない一辺にある。一方，ＱＦＰの場合はパッケージのコーナー部に位置する。」（５６頁左欄１１行〜１３行）。
                       　
３．３．本件発明と刊行物記載の発明との対比・判断
３．３．１　本件発明１について
　本件発明１と刊行物１乃至２に記載された発明とを対比すると、刊行物１乃至２には、本件発明１の構成要件である「半導体チップを他の主面の隅部で固定する複数のアイランド部」、「前記半導体チップの他の主面は、前記半導体チップを固定する複数のアイランド部各々の位置以外においては実質的に全面が前記レジンと密着する」という構成、及び、当該構成のもので「レジン注入ゲート部に最も近い隅部及びそれと対角する隅部で前記半導体チップの中心からの距離と、前記半導体チップの角からの距離が４対１になるような位置またはそれよりも外側において前記半導体チップを固定」するという構成、のいずれの構成についても記載も示唆もされていない。
　（刊行物１には、リードフレーム、当該リードフレームの製造方法及び当該リードフレームを用いた半導体集積回路装置の製造方法が記載されており、半導体チップの接着のためには小パッド（「小パッド」は本件発明１における「アイランド部」に相当する）の他にダイパッドも存在しダイパッドと小パッドの双方に半導体チップが接着される旨の構成は開示されているが、ダイパッドをもたない構成に相当する「半導体チップを他の主面の隅部で固定する複数のアイランド部」という構成については記載も示唆もされていない。したがって、「前記半導体チップの他の主面は、前記半導体チップを固定する複数のアイランド部各々の位置以外においては実質的に全面が前記レジンと密着する」という構成についても記載も示唆もされていない。また、「レジン注入ゲート部に最も近い隅部及びそれと対角する隅部で前記半導体チップの中心からの距離と、前記半導体チップの角からの距離が４対１になるような位置またはそれよりも外側において前記半導体チップを固定」するようにした構成についても、半導体チップの他の主面の中央部にはチップ搭載部をもたない本件発明１においてレジン注入時のボイドの発生防止やリフロー時のパッケージクラックの防止などを図るための構成とみられ、技術的意義のない単なる設計事項であるとは認められない。
　同様に、刊行物２もダイ・パッド（ダイパッド）による半導体チップの固定を前提とするものであり、上記の各構成のいずれについても記載も示唆もされていない。）　
　そして本件発明１は上記の各構成を備えることにより、「リフロー時のパッケージクラック及びレジン注入時のボイドの発生を防止し、好適な樹脂封止型半導体装置を得ることができるリードフレーム及びそれを用いた樹脂封止型半導体装置とその製法を提供することができる」（段落００４６を参照）という明細書記載の作用効果を奏するものである。
　したがって、本件発明１が、刊行物１に記載された発明と同一であるとも、刊行物１乃至２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとも認めることはできない。
　また、その他の異議申立理由及び証拠は、本件発明１についての特許を取り消すべき理由として採用することができない。
　　　　　
３．３．２　本件発明２乃至７について
　本件発明２乃至７は本件発明１を前提とするものであるから、本件発明１の場合と同様の理由により、本件発明２乃至７が、刊行物１に記載された発明と同一であるとも、刊行物１乃至２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとも認めることはできない。
　また、その他の異議申立理由及び証拠は、本件発明２乃至７を取り消すべき理由として採用することができない。
     　
４．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠によっては本件請求項１乃至７に係る発明についての特許を取り消すことはできない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１５年９月２５日（２００３．９．２５）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
リードフレーム、半導体装置及び半導体装置の製造方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　一主面に半導体素子とボンディングパッドとが形成された四角形の半導体チップと、
　前記半導体チップを他の主面
の隅部
　前記複数のアイランド部の各々から外方に向かって延在する複数の支持リード部と、
　前記複数のアイランド部を一平面上に保持する連結部と、
　前記複数の支持リード部の間において、その一端が前記半導体チップの周辺に位置し、他端が外方に向かって延在する複数のリードと、
　前記リードの一端と、前記ボンディングパッドとを電気的に接続するワイヤと、少なくとも前記半導体チップ、前記リードの一端、前記ワイヤ、前記アイランド部、前記支持リード部及び前記連結部をレジンで封止する封止部とを有し、
　前記複数のアイランド部の各々は、前記半導体チップの四隅部のうち、レジン注入ゲート部に最も近い隅部及びそれと対角する隅部で前記半導体チップの中心からの距離と、前記半導体チップの角からの距離が４対１になるような位置またはそれよりも外側において前記半導体チップを固定し、
　前記半導体チップの他の主面は
、前記半導体チップを固定する複数のアイランド部各々の
　【請求項２】　前記複数のアイランド部は２個のアイランド部であって、
　前記連結部は、前記２個のアイランド部同士を連結すると共に前記半導体チップの２つの隅部に延在し、前記アイランド部、前記支持リード部及び前記連結部は一体となって対角線状に形成されることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
　【請求項３】　前記複数のアイランド部は４個のアイランド部であって、その各々は、前記半導体チップをその四隅部において固定し、
　前記連結部は、前記４個のアイランド部同士を連結し、
　前記アイランド部、前記支持リード部及び前記連結部は一体となって形成されることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
　【請求項４】　前記連結部は前記４個のアイランド部同士を十字形に連結し、前記アイランド部、前記支持リード部及び前記連結部は一体となって対角線状に形成されることを特徴とする請求項３記載の半導体装置。
　【請求項５】　前記連結部の幅は前記支持リード部の幅と等しいことを特徴とする請求項２、３または４のいずれかに記載の半導体装置。
　【請求項６】　前記複数のアイランド部は４個のアイランド部であって、その各々は、前記半導体装置チップをその四隅部において固定し、
　前記連結部は帯状の絶縁性フィルムからなり、前記複数の支持リード部同士を連結するように前記支持リード部上に設けられていることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
　【請求項７】　前記連結部は前記複数の支持リード部同士を連結すると共に前記複数のリード同士をも連結することを特徴とする請求項６記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】
　本発明は、樹脂封止型半導体装置、特にＱＦＰ等の面実装型の樹脂封止型半導体装置に関し、リフロー半田工程時のパッケージクラック及びレジン注入時のボイド発生を防止し、好適な樹脂封止型半導体装置を得ることのできるリードフレーム及びそれを用いた半導体装置とその製法に関するものである。
　【０００２】
　【従来の技術】
　半導体チップ（以下、チップと称する）をリードフレームの中央部に設けたタブに搭載し、チップとリードとをワイヤボンディングにより電気的に接続した後にレジンで封止する樹脂封止型半導体装置、特にＱＦＰ等の面実装型の樹脂封止型半導体装置において、リフロー半田工程時に発生するパッケージクラックが問題となっている。
　【０００３】
　これは、リフロー半田工程時の高温に起因する内部応力によって、接着性の低いレジンとタブとの界面に剥離が生じ、そこに水蒸気圧が作用しておこる現象である。
　【０００４】
　この剥離を防止する方法として、レジンはタブ（金属）よりもチップ（シリコン）との接着性が高いことを利用して、タブに貫通孔を設けることが、香山・成瀬監修「ＶＬＳＩパッケージング技術（下）」（日本ＢＰ社、１９９３年出版）の第１２６頁に記載されている。
　【０００５】
　【発明が解決しようとする課題】
　しかしながら、最近の半導体装置のレジンに対するチップの占有率の増加、及びパッケージの薄型化にともない、前述した方法ではパッケージクラックの発生を十分に防止することが困難になりつつある。そこで本発明者は、チップを搭載するタブの外形寸法をチップの外形寸法よりも小さくし、この小さなタブによりチップの中心部を支持する、いわゆる小タブ構造のリードフレームを特願平５−６５７８４号において提案している。
　【０００６】
　上記小タブ構造のリードフレームは、タブの外形寸法を小さくして、この小さなタブによりチップの中心部を接着することにより、チップの周辺部におけるレジンとチップ裏面との接触面積を大きくして、密着性を向上させることにより、界面剥離を防止して、パッケージクラックを抑制しようとするものである。
　【０００７】
　しかし、この構造では、チップはその中心部のみでリードフレームのタブに接着することになるため、モールド工程におけるレジン注入時にレジン流動によりチップに上下方向の力が生じると、タブ吊りリードが上方にたわみやすい。すると、チップがモールド金型の中心からずれ、チップの上側と下側とで溶融レジンの流速が異なってくるため、ボイドが発生しやすくなるという不都合が生じる。このことは、特にパッケージの厚さが２ｍｍ以下の、いわゆる薄型パッケージで問題になる。
　【０００８】
　また、チップの中心部でチップをタブに固定しようとすると、接着強度の点からタブはある程度の面積を有する必要があり、この方法では上述したパッケージクラックの防止が完全に行なわれているとはいえない。
　【０００９】
　本発明の目的は、レジン注入時のチップずれによる、ボイドの発生を防止することができ、かつ、リフロー時のパッケージクラックを防止することができる技術を提供することにある。
　【００１０】
　【課題を解決するための手段】
　上記目的を達成するために、本願において開示される発明の概要を簡単に説明すれば、次の通りである。
　【００１１】
　すなわち、矩形状の枠と、四角形の半導体チップを固定する複数のアイランド部の各々から前記枠の隅部に向かって延在する複数の支持リード部と、前記複数のアイランド部を一平面上に保持する連結部と、前記複数の支持リード部の間において、前記枠部から延在する複数のリードとを有し、前記複数のアイランド部の各々は、前記半導体チップの四隅部のうち、前記枠の一隅部に設けられるレジン注入ゲート部に最も近い隅部及びそれと対角する隅部で前記半導体チップの中心からの距離と、前記半導体チップの角からの距離が４対１になるような位置またはそれよりも外側において前記半導体チップを固定することを特徴とする半導体装置とその製法である。
　【００１２】
　上記した半導体装置において、チップはその四隅部のうち、レジン注入ゲート部に最も近い隅部及びそれと対角する隅部でアイランド部に固定されているので、レジン注入時にレジン流動によりチップに上下方向の力が生じても、支持リードが上方にたわみチップがモールド部の中心からずれる、といった不都合が生じない。よって、ボイドが発生するのを防止すことができる。
　【００１３】
　それと同時に、チップ裏面はその隅部のみでアイランド部に接着されており、隅部以外においては実質的に全面がレジンと密着することになるので、リフロー時の剥離を抑制することができ、パッケージクラック耐性を向上させることができる。
　【００１４】
　更に、連結部を設けたことで、アイランド部がほぼ一平面上に保持され、チップとアイランド部を接着するためのダイボンディング接着が全てのアイランド部で確実に行われるようになるので、チップをリードフレーム上に安定に支持することができる。
　【００１５】
　【実施例】
　以下、本発明の実施例を図面を用いて具体的に説明する。
　【００１６】
　［実施例１］
　図１は、本発明の実施例１の樹脂封止型半導体装置に用いるリードフレームの構成を示した平面図である。図２（ａ）は、本実施例の半導体装置の製造工程を説明する断面図であり、図２（ｂ）は、本実施例の半導体装置のモールド工程を説明する断面図である。図３（ａ）は、本実施例の半導体装置の平面図であり、図３（ｂ）は、図３（ａ）の半導体装置のアイランド部３を含む面での断面図である。
　【００１７】
　図１において、リードフレーム１の中央部の点線枠２’は四角形のチップが搭載される領域を示したものである。
　【００１８】
　リードフレーム１のアイランド部３は、チップをリードフレーム上に固定する部分であって、チップ搭載位置２’の隅部の４点に位置する。チップは４個のアイランド部３のみによって、リードフレーム１上に固定される。
　【００１９】
　リードフレーム１の支持リード部４は、上記アイランド部３を所定の位置に支持するものであり、各支持リード部４は、上記各アイランド部３からリードフレーム１の四隅部の各々に延在している。
　【００２０】
　リードフレーム１の連結部６は、４個のアイランド部３のうち互いに対角に位置するアイランド部同志を連結し、チップ搭載位置２’の中心で交わる十字形をなしている。連結部６を設けることによって、４個のアイランド部３は、一平面上に保持される。なお、パッケージクラックを防止するためには、チップの裏面とレジンとの接着面積を大きくするのが有効であるため、連結部６の幅は細く形成することが好ましい。本実施例では、支持リード部４の幅と等しくしている。
　【００２１】
　上記アイランド部３、支持リード部４及び連結部６は、一体となって対角線状に形成される。
　【００２２】
　各支持リード部４の間には、リードフレーム１の周辺部からチップ搭載位置２’に向かって延在する、電気的接続のための複数のリード７が配置されている。また、リード７及び支持リード部４を連結すると共に、モールド工程においてレジンを注入する際にレジンが流出するのを防止するダムバー８がリードフレーム１の周辺部に枠状に形成されている。なお、リード７の、ダムバー８より外側は、レジン封止した後にモールド部の外部に露出し、半導体装置の外部端子となる部分である。
　【００２３】
　ゲート部１４’は、モールド工程においてレジンが注入されるゲートの位置とレジンの注入方向を示している。
　【００２４】
　図示はしないが、リードフレームは、上述の各部により構成される単位のリードフレーム１を一方向に複数個連結した構造になっている。そのため、リードフレームの最外周部には、各単位のリードフレームを複数連結している外枠９及び各単位のリードフレームの相互間を分離するように形成されている内枠１０が設けられており、外枠９と内枠１０が一体となって矩形状の枠を形成している。また、外枠９の一部には、リードフレームをモールド金型に位置決めする際のガイドとなるガイド孔１１が設けられている。
　【００２５】
　上記リードフレーム１は厚さ０．１〜０．２ｍｍ程度の４２アロイや銅等の導電材料を用いて、打ち抜き等の手段により成型される。例えば搭載するチップの一辺が９ｍｍで、パッケージの外寸の一辺が２８ｍｍ場合、アイランド部３は、幅０．５〜１．５ｍｍ、長さ２ｍｍ程度、支持リード部４及び連結部６は幅０．２５ｍｍ程度に形成する。
　【００２６】
　アイランド部３は、チップの中心からの距離と、チップの角からの距離が約４：１になるような位置、またはそれよりも外側においてチップと接着されることが好ましい。換言すれば、上記約４：１の位置よりも外側にアイランド部３が位置すればよいので、１つのリードフレームを外形寸法の異なる複数の品種のチップに併用することができる。よって、外形寸法の異なる複数のチップごとにリードフレームを標準化することができるので、その製造コストが低減され、半導体装置を安価に提供することができる。
　【００２７】
　なお、アイランド部３の大きさは、チップ２とリードフレーム１を固定するのに必要な接着強度を満たすものであればよく、形もダイボンド接着剤塗布に好都合なものであれば良い。
　【００２８】
　次に、上述した図１のリードフレームを用いて、図３に示す本実施例の半導体装置を製造する方法を説明する。図２（ａ）、（ｂ）は、製造工程を説明する断面図であり、図１におけるリードフレーム１の、ゲート部１４’を含む対角線における断面を示している。
　【００２９】
　まず、リードフレーム１の支持リード部４に対してダウンセット加工を施す。ダウンセット加工は、プレス型を使って、図２（ａ）に示すように、支持リード部４の中途部を下方に折り曲げることにより、水平方向から見たアイランド部３の位置をリード７よりも低くする作業である。このダウンセット加工は、特にレジンモールド部の厚さが２ｍｍ以下のいわゆる薄型の面実装型パッケージに適用する場合に有効である。尚、ダウンセット加工の具体的な方法については、特開平２−８３９６１号公報に詳細に説明されている。
　【００３０】
　次に、リードフレーム１にチップ２を搭載する、ダイボンディング工程に移る。まず、アイランド部３にダイボンド接着剤５を塗布する。ダイボンド接着剤５としては、エポキシ樹脂やポリイミド樹脂等を用いる。次に、ダイボンド接着剤５を塗布したアイランド部３上にチップの隅部が位置するようにチップ２を位置決めし、加熱によってダイボンド接着剤５を硬化することによってダイボンディング工程を完了する。なお、従来のいわゆるタブの上にチップの裏面全面を接着する場合に比べ、チップの隅部において面積の小さなアイランド部３のみで接着するので、少量のダイボンド接着剤で必要な接着強度を得ることができ、製造コスト低減をすることができる。
　【００３１】
　次に、チップ２の一主面、すなわちチップ２の２つの主面のうち半導体素子が形成される面の周辺部に設けられたボンディングパッドとリード７の内端部との間をＡｕワイヤ１２でボンディングして、チップ２とリード７との間を電気的に接続する。
　【００３２】
　次に、モールド工程に移る。図２（ｂ）に示すように、上記ワイヤボンディング工程まで完了したリードフレームをモールド金型の上型１３ａと下型１３ｂに挟んで装着し、ゲート１４からキャビティー１５内にレジン１６、例えばエポキシ樹脂等を注入して、モールド部を成型する。ゲート１４は、下型１３ｂ側、すなわちリードフレーム１より下の位置に設けられている。上述したようにリードフレーム１にダウンセット加工を施したことにより、チップ２をキャビティー１５の中心に位置させ、チップの一主面側のモールド部の厚さと、他の主面側のモールド部厚さを等しくすることができる。すなわち、図２（ｂ）に示すｈ１とｈ２とを等しくすることによって、チップ２の上面側と下面側でのレジンの流動速度が等しくすることができ、ボイドの発生を抑制することができる。更に、チップ２の隅部でチップ２とアイランド部３を接着しているので、レジン１６の流動によりチップ２に上下方向の力が生じても、チップ２をキャビティー１５の中心に安定に保つことができ、レジン注入が完了するまで継続的に上述のボイドの発生を抑制することができる。なお、リードフレーム１にダウンセット加工を施さない場合は、ボイドの発生を抑制するために、図２（ｂ）に示すｈ１・ｈ２に相当する値のうち小さい値を有する側にゲート１４を設けることが好ましい。
　【００３３】
　次に、リードフレーム１の不要箇所、すなわちモールド部の外部に露出したダムバー８、外枠９及び内枠１０などをプレスで切断除去し、最後にモールド部の外部に露出したリード７を所定の形状に成型することにより、図３（ａ）、（ｂ）に示すような樹脂封止型半導体装置が完成する。なお、図３（ａ）においては、本実施例の半導体装置の内部構造を明らかにするため、二点鎖線によりモールド部をその外形線だけで示しいてる。
　【００３４】
　本実施例の半導体装置は、図３（ｂ）に示すように、チップ裏面はその隅部のみでアイランド部に接着されている。したがって、チップ裏面の隅部以外の部分は、細い連結部６が存在する部分を除くチップ裏面においてレジン１６と密着している。すなわち、チップの隅部以外においてはチップ裏面は実質的に全面がレジン１６と密着することになるので、リフロー時の界面剥離を抑制することができ、パッケージクラック耐性を向上させることができる。
　【００３５】
　［実施例２］
　図４は、本発明の実施例２の樹脂封止型半導体装置に用いるリードフレームの構成を示した平面図である。
　【００３６】
　リードフレーム１の構成は、図４に示すように、アイランド部３が２個しか設けられていない点が実施例１と異なっており、他の部分については図１で説明した実施例１と同様である。２個のアイランド部のうちの１個はゲート部１４’に最も近いチップ搭載位置２’の隅部に存在し、他の１個はそれと対角する位置の隅部に存在する。よって、残りの２つの隅部にはアイランド部は存在しない。そのため、チップ搭載位置２’の中心で交わる十字形の連結部６は、上記２個のアイランド部を連結すると共に、アイランド部の存在しない隅部においては、上記枠の２つの隅部に延在し、前記アイランド部３、支持リード部４及び連結部６は一体となって対角線状に形成されている。
　【００３７】
　本実施例のリードフレームを用いた場合においても、実施例１と同様の製造工程により本実施例の半導体装置を得ることができる。
　【００３８】
　本実施例によれば、アイランド部３を２個しか設けていないが、その位置が、レジン注入時のレジンの流動によって生じる力の影響を強く受ける点であるため、実施例１とほぼ同等のボイド防止効果を得ることができる。また、実施例１に比べてアイランド部の数が少なくなり、レジンとチップ裏面との接着面積がより大きくなっているため、実施例１よりも優れたパッケージクラック防止効果を得ることができる。
　【００３９】
　［実施例３］
　図５は、本発明の実施例３の樹脂封止型半導体装置に用いるリードフレームの構成を示した平面図である。
　【００４０】
　上記２つの実施例のリードフレーム１は、十字形の連結部６を設けていたが、本実施例のリードフレーム１では、支持リード部４を互いに連結するように、チップ搭載位置２’の周辺に帯状の絶縁性フィルム１７を有することを特徴とする。絶縁性フィルム１７は、支持リード部４を連結すると共に複数のリード７をも連結するように形成することにより、リード７のバラツキ防止も兼ねることができる。
　【００４１】
　絶縁性フィルム１７は、例えば幅１．５ｍｍ程度、厚さ０．０５ｍｍ程度のポリイミド樹脂から成るフィルムの片面にアクリル樹脂系の接着剤を厚さ０．０２ｍｍ程度塗布した構成する。
　【００４２】
　本実施例のリードフレームを用いた場合においても、実施例１と同様の製造工程により本実施例の半導体装置を得ることができる。ただし、上記したように、絶縁フィルム１７がリード７のバラツキ防止を兼ねるためには、ダウンセット加工は、絶縁性フィルム１７よりもチップ側の部分において支持リード部４を下方に折り曲げる必要がある。
　【００４３】
　本実施例によれば、実施例１の十字形の連結部６が存在しないため、更にレジンとチップ裏面の接着面積がより大きくなり、実施例１よりも優れたパッケージクラック防止の効果を得ることができる。
　【００４４】
　以上、本発明を実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることはいうまでもない。
　【００４５】
　例えば、連結部６の形状は実施例に限定されるものではなく、チップ隅部に位置する前記アイランド部を一平面上に保持し、チップを安定に支持することができる構造であり、かつチップの隅部以外においてはチップ裏面が実質的に全面がレジンと密着するような構造であればどのようなものでも良い。よって、例えば実施例１の場合、連結部６は十字形に限定されるものではなく、４個の前記アイランド部のうち隣合ったアイランド部同志を連結し、チップ搭載位置２’の周辺部に沿って四角形の枠をなしているような構造でもよい。
　【００４６】
　【発明の効果】
　本発明によれば、リフロー時のパッケージクラック及びレジン注入時のボイドの発生を防止し、好適な樹脂封止型半導体装置を得ることができるリードフレーム及びそれを用いた樹脂封止型半導体装置とその製法を提供することができる。
　【００４７】
　更に、本発明によれば、チップ隅部に位置する前記アイランド部が一平面上に保持され、チップが安定に支持されるようなリードフレーム及びそれを用いた樹脂封止型半導体装置とその製法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　本発明の一実施例であるリードフレームの平面図である。
　【図２】
　（ａ）本発明の一実施例である半導体装置の製造工程を示す断面図である。
　（ｂ）本発明の一実施例である半導体装置のモールド工程を説明する断面図である。
　【図３】
　（ａ）本発明の一実施例である半導体装置の平面図である。
　（ｂ）本発明の一実施例である半導体装置の断面図である。
　【図４】
　本発明の他の実施例であるリードフレームの平面図である。
　【図５】
　本発明の他の実施例であるリードフレームの平面図である。
　【符号の説明】
　１…リードフレーム，２…半導体チップ，２’…半導体チップ搭載位置，３…アイランド部，４…支持リード部，５…ダイボンド接着剤，６…連結部，７…リード，８…ダムバー，９…外枠，１０…内枠，１１…ガイド孔，１２…ボンディングワイヤ，１３ａ…モールド金型の上型，１３ｂ…モールド金型の下型，１４…ゲート，１４’…ゲート部，１５…キャビティー，１６…レジン，１７…絶縁性フィルム