【事件の表示】
　特許第３３０１０７５号「半導体装置の製造方法」の請求項１〜６に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３３０１０７５号の請求項１〜６に係る特許を維持する。
【理　由】
I. 手続の経緯
　特許第３３０１０７５号の請求項１〜６に係る発明は、平成１１年４月２０日に特許出願され、平成１４年４月２６日に設定の登録がなされた後、本件請求項１〜６に係る発明の特許について、特許異議申立人天野多美子（以下、「申立人」という）により、平成１５年１月１５日付けで特許異議の申立てがなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１５年６月６日に訂正請求がなされたものである。
　
II．訂正請求の適否        
II−１．訂正の内容
　上記訂正請求は、本件特許の願書に添付した明細書（以下、「特許明細書」という）を訂正請求書に添付された明細書（以下、「本件明細書」という）のとおりに訂正しようとするものであって、その内容は次のとおりである。
（１）訂正事項１：特許明細書第【０００８】欄の
「即ち、本発明は、半導体素子を、熱硬化性樹脂を主成分として含有する接着剤を介して加熱加圧処理して配線板に接続することを含む半導体装置の製造方法において、加熱加圧処理を、接着剤中のボイドを除去するための第１条件（圧力＝Ｐ１、温度＝Ｔ１）で行い、その後で、熱硬化性樹脂を本硬化させるための第２条件（圧力＝Ｐ２、温度＝Ｔ２）で行い、且つ第２条件の圧力Ｐ２を第１条件の圧力Ｐ1よりも低圧に設定することを特徴とする製造方法を提供する。」を、
「即ち、本発明は、半導体素子を、熱硬化性樹脂を主成分として含有する接着剤を介して加熱加圧処理して配線板に接続することを含む半導体装置の製造方法において、加熱加圧処理を、接着剤中のボイドを除去するための第１条件（圧力＝Ｐ１、温度＝Ｔ１）で行い、その後で、熱硬化性樹脂を本硬化させるための第２条件（圧力＝Ｐ２、温度＝Ｔ２）で行い、且つ第２条件の圧力Ｐ２を第１条件の圧力Ｐ1よりも低圧に設定することを特徴とする製造方法を提供する。本発明においては、圧力Ｐ1及び圧力Ｐ２のプロファイルが不連続な階段状となっていることが好ましい。」と訂正する。
（２）訂正事項２：同じく、第【０００２】欄の
「ベアＩＣチップ等の半導体素子を配線板に接合する場合、配線板と半導体素子との間にエポキシ樹脂など主成分とする液状もしくはフィルム状の熱硬化性絶縁接着剤を配し、加熱手段を備えたボンディングツールで半導体素子を加熱加圧すすることにより接合している。」を、「ベアＩＣチップ等の半導体素子を配線板に接合する場合、配線板と半導体素子との間にエポキシ樹脂など主成分とする液状もしくはフィルム状の熱硬化性絶縁接着剤を配し、加熱手段を備えたボンディングツールで半導体素子を加熱加圧することにより接合している。」と訂正する。
（３）訂正事項３：同じく、第【００３０】欄の
「シランカップリング剤（Ａ１８７、日本ユニカ社社製）」を、「シランカップリング剤（Ａ１８７、日本ユニカ社製）」と訂正する。
　
II−２．訂正の目的の適否、新規事項の有無、および拡張・変更の存否
（１）訂正事項１は、第【０００８】欄の記載を、特許明細書の特許請求の範囲請求項２の記載に整合させたものであって、明りょうでない記載の釈明に該当するものである。
（２）訂正事項２、訂正事項３は、誤記の訂正に該当する。
　そして、上記訂正事項１〜３はいずれも願書に添付した明細書または図面に記載した事項の範囲内においてした訂正であって、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものではない。
（４）まとめ
　したがって、この訂正は、特許法第１２０条の４第２項及び同条第３項において準用する同法第１２６条第２項から第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
III．特許異議の申立て         
III-１．本件発明
　前述のように、本件訂正は適法なものであるので、本件請求項１〜６に係る発明は、本件明細書の特許請求の範囲の請求項１〜６に記載された事項により特定される次のとおりのもの（以下、「本件発明１〜６」という）である。
「【請求項１】半導体素子を、熱硬化性樹脂を主成分として含有する接着剤を介して加熱加圧処理して配線板に接続することを含む半導体装置の製造方法において、加熱加圧処理を、接着剤中のボイドを除去するための第１条件（圧力＝Ｐ１、温度＝Ｔ１）で行い、その後で、熱硬化性樹脂を本硬化させるための第２条件（圧力＝Ｐ２、温度＝Ｔ２）で行い、且つ第２条件の圧力Ｐ２を第１条件の圧力Ｐ１よりも低圧に設定することを特徴とする製造方法。
【請求項２】Ｐ１及びＰ２の圧力プロファイルが不連続な階段状となっている請求項１記載の製造方法。
【請求項３】Ｔ１よりもＴ２を高温に設定する請求項１又は２記載の製造方法。
【請求項４】Ｔ１及びＴ２の温度プロファイルが階段状となっている請求項３記載の製造方法。
【請求項５】半導体素子が、ベアチップ、チップサイズパッケージ又はＩＣモジュールである請求項１〜４のいずれかに記載の製造方法。
【請求項６】接着剤が、異方性導電接着剤である請求項１〜５のいずれかに記載の製造方法。」
　
III-２．申立人の主張する特許異議申立ての理由
（１）申立人は、
（１−１）特許明細書の請求項１〜６に係る発明は、下記の甲第１〜５号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであり、
（１−２）特許明細書の請求項１〜６に係る発明は、請求項１、２及び発明の詳細な説明に不備があるから、特許法第３６条第４項および第６項の規定に違反してなされたものであり、特許明細書の請求項１〜６に係る発明の特許は取り消されるべきである旨を主張している。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　記
甲第１号証：特開平７−６６２２５号公報（以下、「刊行物１」という）　
甲第２号証：特開平９−２１２１００号公報（以下、「刊行物２」という）
甲第３号証：特公平６−７１０２８号公報（以下、「刊行物３」という）　
甲第４号証：特開昭６１−２５１０４５号公報（以下、「刊行物４」という）
　
III−３．刊行物の記載事項
（１）刊行物１の記載事項
（１−１）第【００１１】〜【００１２】欄には、
「図２（ａ）のように、リードフレーム１の各単位のインナーリード１ａの下面には、両面に熱可塑性接着剤４、４を塗布したポリイミドフィルム３が仮止めされる。一方、半導体素子２は第１ステージ１０のヒーターブロック１１に供給され、所定の位置に支持される。そして、リードフレーム１の単位が所定位置にまで移動され、リードフレーム１に仮止めされたポリイミドフィルム３がヒータブロック１１の直上位置に到達されると、図２（ｂ）のように、ヒーターブロック１１が上動される。これと同時にローラ１２が下動され半導体素子２とリードフレーム１とを上下から押圧する。そして、ヒータブロック１１により半導体素子を比較的に低い温度で加熱しながらローラ１２を回転し、ローラ１２をリードフレーム１上を左から右に向けて転動する。これにより、接着剤４は若干軟化されて半導体素子２をリードフレーム１に接着するとともに、接着剤４中に存在する気泡は側方に押し出される。その後、ヒータブロック１１は下動し、ローラ１２は上動してそれぞれ退避される。次いで、図２（ｃ）のように、リードフレーム１が１単位分右方に移動されて半導体素子４が第２ステージ２０のヒータブロック２１上に位置されると、ヒータブロック２１、２２がそれぞれ上下動されて半導体素子２とリードフレーム１を平面状態で加圧し、かつ同時に高い温度でこれらを加熱する。これにより接着剤４も高温加熱されて十分に軟化され、リードフレーム１と半導体素子２との完全な接着を行う。」が記載されている。
（２）刊行物２の記載事項
（２−１）第【００３３】欄には、
「ＩＣ部品のフラットパネルディスプレイへの接合装置１のステージ１０上にフラットパネルディスプレイ２０が保持され、このフラットパネルディスプレイ２０の電極２１上に異方性導電膜３０が貼付されている。なお、この異方性導電膜３０は従来から市販され、多用されているものである。この異方性導電膜３０は、約２００℃で２５秒前後保持することにより、その接着剤が硬化するものである。」が記載されている。
（２−２）第【００３５】〜【００３８】欄には、
「支持軸４５によりこの加圧ヘッド４２を介して、ＩＣ部品５０に、下方に圧力が印加され、しかも同時に、加熱ヘッド４１のヒータ４４により加熱され、温度センサー４３により、一定温度に保持されている。…中略…前記の異方性導電膜３０中の導電粒子３１によりＩＣ部品５０のバンプ５１とフラットパネルディスプレイ２０の電極２１とが導通すると共に、その異方性導電膜３０中の接着剤が硬化し、ＩＣ部品５０とフラットパネルディスプレイ２０の熱圧着工程が完了するものである。…中略…本実施形態では、この熱圧着工程を前圧着工程Ａと最終圧着工程Ｂに分割した。この前圧着工程Ａと最終圧着工程Ｂにおける加熱温度とその保持時間との関係を図５（ａ）に示し加圧力とその保持時間との関係を図５（ｂ）に示す。…中略…前圧着工程Ａでは、１３０℃、１５００Ｋｇｆ／ｃｍ２の状態で３秒間保持し、最終圧着工程Ｂでは、２００℃、７００Ｋｇｆ／ｃｍ２の状態で２０秒間保持した。」が記載されている。
（２−４）第【００５１】欄〜第【００５２】欄には、
「本実施形態のように従来例２等に反し、前圧着工程Ａ時の加圧力を最終圧着工程Ｂ時の加圧力に比較して大きくすることにより、ＩＣ部品５０とフラットパネルディスプレイ２０とを接合した製品の耐久性、信頼性を高めることができる。なお、このような繰り返し行なわれた実験結果と異方性導電膜３０による接合接着条件等から、前圧着工程Ａ時の加圧力を３００〜３０００Ｋｇｆ／ｃｍ２とし、最終圧着工程Ｂ時の加圧力を１００〜１５００Ｋｇｆ／ｃｍ２とするとより好ましいい効果を得ることができる。…中略…前圧着工程Ａ時の加圧力を最終圧着工程Ｂ時の加圧力に対し２倍以上とすることによりさらに好ましい効果を得ることができる。」が記載されている。
（２−５）第【００５４】欄〜第【００５５】欄には、
「熱圧着工程を前圧着工程と最終圧着工程に分割し、前圧着工程時の加圧力を最終圧着工程時の加圧力に比較して大きくすることにより、前圧着工程後にフラットパネルディスプレイの画像検査を十分行えるようになり、接続不良品等の改修も容易になると共に、接合後のＩＣ部品のバンプとフラットパネルディスプレイの電極間の接続抵抗値を低減でき、これらを用いた製品の耐久性、信頼性の向上が図れる。…中略…この前圧着工程時と最終圧着工程時との加圧力を最適な範囲に設定することにより、より一層前記耐久性、信頼性の向上が図れる。」が記載されている。
（３）刊行物３の記載事項
（３−１）第１図及び第３欄末行〜第４欄４０行には、
「次に、第１図（ｂ）に示すように、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｉｎ合金等よりなる突起電極４を有したＬＳＩチップ５を、突起電極４と導体配線１の位置が一致するように、配線基板２の絶縁性樹脂３が塗布された領域に設置する。…中略…加圧ツール６で、第１の荷重７によりＬＳＩチップ５を加圧する。第１の荷重７の設定は、突起電極４の加圧の際の変形量で、突起電極４の厚さのバラツキ、および配線基板２の平面度を吸収する値にする必要がある。突起電極４の変形量は通常１〜５μ程度であり、第１の荷重７は、例えば０．５ｇ／突起電極〜３０ｇ／突起電極である。このとき、第１の荷重７は非常に大きいため、ＬＳＩチップ５および配線基板２にはそりおよび歪が生じる。また、このとき、絶縁性樹脂３は周囲に押し出され、ＬＳＩチップ５の突起電極４と導体配線１は電気的に接触する。次に、加圧ツ−ル６をＬＳＩチップ５に接触させた状態で、荷重ＬＳＩチップ５および配線基板２のそりおよび歪が生じなくなる第２の荷重８に設定する。第２の荷重８は、例えば第１の荷重の１／３〜１／８程度である。次に、ＬＳＩチップ５を、第２の荷重８で加圧ツール６により加圧した状態で絶縁性樹脂３を硬化する。…中略…第１図（ｃ）に示すように、加圧ツール６を解除する。このとき、ＬＳＩチップ５は配線基板２に固着されると同時に、突起電極４と導体配線１は接触により電気的に接続される。なお、本発明においては、ＬＳＩチップに限らず他の種々の半導体素子にも適用することができる。…中略…本発明によれば、半導体素子の加圧時の荷重を、十分な接触を得るための第１の高荷重と、ＬＳＩチップおよび配線基板のそり、歪が生じない第２の低荷重の２段階に分け、第２の低荷重のときに絶縁性樹脂を硬化するため、半導体素子、配線基板にそり、歪が生ぜず、半導体素子の特性が変化することなく、さらに、高温高湿中においても、絶縁性樹脂の剥離が起こらず、高信頼性の接続が得られ、その実用上の効果は極めて大である。」が記載されている。
（４）刊行物４の記載事項
（４−１）第２頁右上欄１２行〜左下欄３行には、
「傾斜させたリードフレーム１の垂れ防止用突片１ａの近辺にハンダ２を所定量滴下し、前紀リ−ドフレ−ム１と平行な方向から、半導体チップ３を所定庄力で押しつけることにより、リ−ドフレ−ム１に半導体チップ３を接続固定させている…中略…半構体チップ３の押圧時１に前記半導体チップ３のボンディング面に沿って矢印Ａ方向へとハンダ２内に含まれる多数の気泡が有効に取り除けることになる。」が記載されている。
　
III-４．当審の判断
［１］特許法第２９条第２項違反について
［１−１］本件発明１と刊行物１に記載の発明の容易性
　記載事項「III-３．（１）（１−１）」によれば、刊行物１には、
「ヒーターブロック１１とローラ１２から第１ステージ１０が、ヒータブロック２１、２２から第２ステージ２０が、それぞれ構成されるものであって、
（１）リードフレーム１の各単位のインナーリード１ａの下面に、両面に熱可塑性接着剤４、４を塗布したポリイミドフィルム３が仮止めされる工程、
（２）半導体素子２は第１ステージ１０のヒーターブロック１１の、所定の位置に支持され、リードフレーム１の単位が所定位置にまで移動されてリードフレーム１に仮止めされたポリイミドフィルム３がヒータブロック１１の直上位置に到達される工程、
（３）ヒーターブロック１１が上動され半導体素子２とリードフレーム１とを上下から押圧する工程、
（４）接着剤４を若干軟化し半導体素子２をリードフレーム１に接着するとともに、接着剤４中に存在する気泡を側方に押し出すために、ヒータブロック１１により半導体素子を比較的に低い温度で加熱しながらローラ１２を回転し、ローラ１２をリードフレーム１上を左から右に向けて転動する工程、
（５）第２ステージ２０のヒータブロック２１上に位置され、ヒータブロック２１、２２がそれぞれ上下動されて半導体素子２とリードフレーム１を比較的に高い温度で加熱しながら平面状態で加圧することからなる半導体装置の製造方法」の発明（以下、「引用発明」という）が記載されている。
　そこで、本件発明１（以下、「前者」という）と引用発明（以下、「後者」という）とを対比すると、
（１−１）後者の「リードフレーム」、「気泡を側方に押し出す第１ステージ」は、前者の「配線板」、「ボイドを除去する第１条件で行うこと」に相当する。
　してみると、両者は、「半導体素子を、接着剤を介して加熱加圧処理して配線板に接続することを含む半導体装置の製造方法において、加熱加圧処理を、接着剤中のボイドを除去するための第１条件で行うことを特徴とする製造方法。」で一致している。
　しかしながら、両者は、下記相違点１〜２で相違している。
　相違点１；前者が、「熱硬化性樹脂」を主成分使用しているのに対し、後者で使用しているものは、「熱可塑性接着剤」である点。
　相違点２；加熱加圧処理を、前者が、「ボイドを除去するための第１条件（圧力＝Ｐ１、温度＝Ｔ１）で行い、その後で、熱硬化性樹脂を本硬化させるための第２条件（圧力＝Ｐ２、温度＝Ｔ２）で行い、且つ第２条件の圧力Ｐ２を第１条件の圧力Ｐ１よりも低圧に設定」しているのに対し、後者においては、第２ステージは、接着剤が軟化する高温加熱をおこない、かつ、第１ステージと、第２ステージの圧力条件の関連性については何も言及していない点、
　そこで、上記相違点２について検討すると、刊行物２〜４には、少なくとも、上記相違点２として摘記した半導体素子の加熱加圧処理において、「熱硬化性樹脂を本硬化させるための第２条件の圧力をボイドを除去するための第１条件より低圧」とする点については、記載も示唆もない。
　そして、本件発明１は、上記相違点２を構成要件として備えることにより、「例えばベアチップを配線板に通常の接着剤で接続する場合に、加熱加圧の初期圧力が高いのでボイドレスで接続できる。また、接着剤を本硬化させる際の圧力が、加熱加圧の初期圧力よりも相対的に低くなっているので、配線パターンの変形を大きく抑制することができる。従って、本発明の製造方法によれば、半導体素子が高い接続信頼性で配線板に接続された半導体装置が提供される。」という本件明細書第【００１７】欄に記載の作用効果を奏するものである。
　したがって、相違点１について検討するまでもなく、本件発明１は、刊行物１〜４に記載の発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
［１−２］本件発明２〜６と刊行物１〜４に記載の発明との容易性
　本件発明２〜６と刊行物１〜４に記載の発明とを対比すると、本件発明２〜６は、本件発明１の発明特定事項をすべて備え、さらに、所定の要件を特定したものであるところ、本件発明１は、刊行物１〜４に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができない以上、本件発明２〜６についても刊行物１〜４に記載の発明に基づいて容易に発明をすることができない。
　
［２］特許法第３６条第４、６項違反について
「ボイドを除去するための条件」は、熱硬化性樹脂の種類により、当業者が適宜設定可能であり、また、「熱硬化性樹脂を本硬化させるための条件」は、熱硬化性樹脂の種類により、当業者が適宜設定可能である。
　なお、「Ｐ１及びＰ２の圧力プロファイルが不連続な階段状となっている」点については、訂正事項１のとおり訂正された。
　してみると、本件特許は、その明細書が不備である特許出願に対してされたとすることはできない。
　よって、申立人の明細書の記載が不備であるとの主張は認められない。
　
IV．むすび　
　以上のとおりであるから、特許異議申立人の主張する理由および提出した証拠によっては、本件発明１〜６の特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明１〜６の特許を取り消すべき理由を発見しない。
  よって結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１５年９月８日（２００３．９．８）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
半導体装置の製造方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　半導体素子を、熱硬化性樹脂を主成分として含有する接着剤を介して加熱加圧処理して配線板に接続することを含む半導体装置の製造方法において、加熱加圧処理を、接着剤中のボイドを除去するための第１条件（圧力＝Ｐ１，温度＝Ｔ１）で行い、その後で、熱硬化性樹脂を本硬化させるための第２条件（圧力＝Ｐ２，温度＝Ｔ２）で行い、且つ第２条件の圧力Ｐ２を第１条件の圧力Ｐ１よりも低圧に設定することを特徴とする製造方法。
　【請求項２】　Ｐ１及びＰ２の圧力プロファイルが不連続な階段状となっている請求項１記載の製造方法。
　【請求項３】　Ｔ１よりもＴ２を高温に設定する請求項１又は２記載の製造方法。
　【請求項４】　Ｔ１及びＴ２の温度プロファイルが階段状となっている請求項３記載の製造方法。
　【請求項５】　半導体素子が、ベアチップ、チップサイズパッケージ又はＩＣモジュールである請求項１〜４のいずれかに記載の製造方法。
　【請求項６】　接着剤が、異方性導電接着剤である請求項１〜５のいずれかに記載の製造方法。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の属する技術分野】
　本発明は、ベアチップ、チップサイズパッケージ、ＩＣモジュール等の半導体素子を、熱硬化性接着剤で配線板に実装した半導体装置に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　ベアＩＣチップ等の半導体素子を配線板に接合する場合、配線板と半導体素子との間にエポキシ樹脂など主成分とする液状もしくはフィルム状の熱硬化性絶縁接着剤を配し、加熱手段を備えたボンディングツールで半導体素子を加熱加圧
する
　【０００３】
　ところで、微細導体パターンを有する配線板に微細バンプを備えた半導体素子を接合した際、硬化した接着剤中にボイドが残存すると、接着力が低下し、耐湿試験や耐ヒートショック試験等に対する接続信頼性が低下するという問題がある。従って、そのようなボイドを接着剤中になるべく残存させずに、しかも確実な接着力を確保できるように加熱加圧条件を設定している。
　【０００４】
　そのような加熱加圧条件としては、温度、圧力及び時間のファクターのそれぞれを最適且つ一定の数値に設定したワンステップ条件（例えば、温度＝１８０℃一定、ＩＣチップ一個当たりの圧力＝１０ｋｇ／ｃｍ２一定、時間＝２０秒一定）や、圧力一定の下で温度プロファイルを変化させる条件、特に温度を２段階に上昇させるツーステップ条件（例えば、圧力＝１０ｋｇ／ｃｍ２一定の下、温度＝１００℃／時間＝１０秒→温度＝２００℃／時間＝１０秒）が挙げられる。
　【０００５】
　【発明が解決しようとする課題】
　しかしながら、上述したようなワンステップ条件や、圧力一定の下、温度プロファイルを変化させるツーステップ条件では、接着剤中のボイドを十分に除去することができないという問題があった。
　【０００６】
　本発明は、以上の従来の技術の課題を解決しようとするものであり、半導体素子を配線板に熱硬化性接着剤を介して接合して半導体装置を製造する場合に、ボイドが残存しないように接着剤を硬化させ、良好な接続信頼性を実現できるようにすることを目的とする。
　【０００７】
　【課題を解決するための手段】
　本発明者は、従来試みられていなかった圧力プロファイル変化に着目し、まず、ある程度高い圧力で加圧して接着剤中のボイドを主として除去し、その後その圧力よりも低い圧力で加圧して熱硬化性樹脂の本硬化を行うことにより、硬化した接着剤中にボイドが残存することを大きく抑制でき、良好な接続信頼性を獲得できることを見出し、本発明を完成させるに至った。
　【０００８】
　即ち、本発明は、半導体素子を、熱硬化性樹脂を主成分として含有する接着剤を介して加熱加圧処理して配線板に接続することを含む半導体装置の製造方法において、加熱加圧処理を、接着剤中のボイドを除去するための第１条件（圧力＝Ｐ１，温度＝Ｔ１）で行い、その後で、熱硬化性樹脂を本硬化させるための第２条件（圧力＝Ｐ２，温度＝Ｔ２）で行い、且つ第２条件の圧力Ｐ２を第１条件の圧力Ｐ１よりも低圧に設定することを特徴とする製造方法を提供する。
本発明においては、Ｐ１及びＰ２の圧力プロファイルが不連続な階段状となっていることが好ましい。
　【０００９】
　【発明の実施の形態】
　本発明は、熱硬化性樹脂を主成分として含有する接着剤を介して加熱加圧により半導体素子を配線板に接続することを含む半導体装置の製造方法である。
　【００１０】
　本発明においては、加熱加圧の際の条件を、接着剤中のボイドを除去するための第１条件（圧力＝Ｐ１，温度＝Ｔ１）と、その後で実施される、熱硬化性樹脂を本硬化させるための第２条件（圧力＝Ｐ２，温度＝Ｔ２）とから構成し、且つ第２条件の圧力Ｐ２を第１条件の圧力Ｐ１よりも低圧に設定する。このように、接着剤中のボイドを主として除去するために、ある程度高い圧力（Ｐ１）で加圧し、その後その圧力よりも低い圧力（Ｐ２）で加圧して熱硬化性樹脂の本硬化を行うことにより、硬化した接着剤中にボイドが残存することを大きく抑制でき、良好な接続信頼性を獲得できる。このようにＰ１をＰ２より高圧に設定する理由は、以下のように考えられる。
　【００１１】
　即ち、配線板の微細パターン間に残ったボイドを、配線板と半導体素子の間の接着剤から外部に押し出すためには、接着剤の溶融粘度が低すぎるとボイドを押し出しにくくなるので、接着剤の溶融粘度が比較的高い間にボイドを押し出す必要がある。従って圧力を高く設定することが必要となる（加熱加圧の第１条件）。一方、ボイドを押し出した後に接着剤中の熱硬化樹脂を本硬化させる際には、圧力が高すぎると樹脂の硬化による収縮と半導体素子のバンプに集中する加圧力により、配線板の微細パターンに変形が生じる。従って、本発明においては、Ｐ２をＰ１よりも低圧に設定する。
　【００１２】
　本発明において、加熱加圧の第１条件の圧力Ｐ１及び第２条件の圧力Ｐ２の圧力プロファイルパターンとしては、Ｐ１＞Ｐ２（＞０）という関係が維持されている階段状パターン（図１（ａ））、直線状パターン（図１（ｂ））、曲線状パターン（図１（ｃ）、図１（ｄ））等が挙げられる。中でも、階段状パターン（図１（ａ））が、ボイドを効率よく除去する点で好ましい。なお、圧力を３段階以上の階段状パターンとしてもよい。また、これらのパターンを組み合わせたものを圧力プロファイルとしてもよい（例えば、図１（ｅ）参照）。
　【００１３】
　本発明の製造方法において、加熱加圧の温度条件（即ち、第１条件のＴ１及び第２条件のＴ２）は、従来と同様に設定してもよい。例えば、圧力を図１（ａ）に示すようなプロファイルに設定し且つ温度を一定（Ｔ１＝Ｔ２）とすることができる。特に、ボイドを効率よく除去するためには、図２（ｂ）に示すように、接着剤の温度Ｔ１における溶融粘度が、温度Ｔ２における本硬化処理の初期段階の溶融粘度よりもある程度高い溶融粘度を示すことが好ましいので、図２（ｂ）に示すようにＴ１＜Ｔ２という条件の下、圧力プロファイルを階段状に設定することが好ましい。
　【００１４】
　なお、本発明の製造方法におけるＰ１、Ｐ２、Ｔ１、Ｔ２及び加熱加圧時間の具体的な数値範囲は、使用する接着剤の種類等により異なるが、接着剤がエポキシ樹脂系である場合には、例えば、第１条件をＰ１＝５〜１５ｋｇｆ／ｃｍ２、Ｔ１＝８０〜１２０℃、５〜１５秒に設定し、第２条件をＰ２＝０．５〜３ｋｇｆ／ｃｍ２、Ｔ２＝１８０〜２２０℃、５〜１５秒と設定することができる。
　【００１５】
　本発明の製造方法において、熱硬化性樹脂を主成分として含有する接着剤としては、半導体素子を配線板に搭載する際に利用されている従来の一般的な熱硬化性樹脂含有接着剤を使用することができる。この接着剤は、液状、ペースト状あるいはフィルム状で供給されるものを使用することができる。また、導電性粒子を含有した異方性導電接着剤も使用することができるが、導電性粒子を含有しない絶縁性接着剤も使用することができる。
　【００１６】
　また、配線板としても従来と同様なものを使用することができる。半導体素子としても、公知のベアチップ、チップサイズパッケージ、ＩＣモジュール等を使用することができる。
　【００１７】
　以上説明した本発明の製造方法によれば、例えばベアチップを配線板に通常の接着剤で接続する場合に、加熱加圧の初期圧力が高いのでボイドレスで接続できる。また、接着剤を本硬化させる際の圧力が、加熱加圧の初期圧力よりも相対的に低くなっているので、配線パターンの変形を大きく抑制することができる。従って、本発明の製造方法によれば、半導体素子が高い接続信頼性で配線板に接続された半導体装置が提供される。
　【００１８】
　【実施例】
　以下、本発明を以下の実施例により具体的に説明する。
　【００１９】
　実施例１〜６，比較例１及び２
　配線板（端子銅パターン幅１００μｍ、パターンピッチ１５０μｍ）にベアチップ（６ｍｍ角）を、ベアチップ実装用のフィルム状異方性導電接着剤（ＦＰ１０４２５，ソニーケミカル社製）を使用し、８０℃に設定された加圧ステージ上で表１の条件に従って接合して半導体装置を作製した。
　【００２０】
　（評価）
　得られた半導体装置について、接着剤中のボイドの有無（顕微鏡による目視観察）、及びＪｅｄｅｃのレベル３相当の耐湿性（３０℃、７０％ＲＨ、１６８時間）を確保できるプレッシャークッカー（ＰＣＴ（１２１℃、２気圧））処理時間並びに熱衝撃処理（Ｈ／Ｓ（−５５℃（１５分）←→１２５℃（１５分）））サイクル数を調べた。得られた結果を表１に示す。
　【００２１】
　【表１】
　【００２２】
　表１に示されているように、比較例１は加熱加圧条件が一定の例であるが、Ｊｅｄｅｃのレベル３相当の耐湿性を満足できなかった。また、比較例２は圧力一定で温度プロファイル（ステップ状に上昇）を変化させた例であるが、比較例１よりも優れた結果を示している。
　【００２３】
　一方、実施例１は、温度一定で圧力プロファイル（ステップ状に低下）を変化させた例であり、比較例２の場合に比べてボイドが大きく減少し、しかもＰＣＴ結果及びＨ／Ｓ結果も向上していた。
　【００２４】
　実施例２は、実施例１の場合と同じ圧力プロファイルであるが、更に温度プロファイル（ステップ状に上昇）も変化させた例であり、ボイドがなくなり、しかもＰＣＴ結果及びＨ／Ｓ結果も向上していた。従って、実施例１と実施例２との結果から、圧力プロファイル（ステップ状に低下）だけでなく温度プロファイル（ステップ状に上昇）を変化させることが好ましいことがわかる。
　【００２５】
　実施例３及び実施例４は、実施例２における第１条件及び第２条件の時間を増減させた例であり、これらの結果から加熱加圧時間の５０％程度の増減では、結果に影響がないことがわかる。
　【００２６】
　実施例５は、第１条件の温度を実施例２の場合に比べ低めに設定した例であり、実施例２の場合に比べいずれの評価項目についても、実用上問題がないが、ＰＣＴ結果及びＨ／Ｓ結果においては若干劣った結果が得られた。従って、加熱加圧の初期段階（第１条件）の温度は３０℃よりも１００℃の方が好ましいことがわかる。
　【００２７】
　実施例６は、加熱加圧条件を３条件（圧力はステップ状に低下させ、温度はステップ状に上昇させる）に分割した例であり、加熱加圧条件を２段階以上に分割可能であることがわかる。
　【００２８】
　実施例７
フィルム状異方性導電接着剤（ＦＰ１０４２５，ソニーケミカル社製）に代えて、液晶表示素子用のフィルム状異方性導電接着剤（ＣＰ７１３１，ソニーケミカル社製）を使用すること以外は、実施例２と同様に半導体装置を作製し、評価した。その結果、得られた半導体装置の接着剤中にはボイドが観察されなかった。また、ＰＣＴ処理時間も５００ｈｒ以上であり、Ｈ／Ｓサイクル数も１０００回以上であり、実用上問題のない結果であった。
　【００２９】
　実施例８
　フィルム状異方性導電接着剤（ＦＰ１０４２５，ソニーケミカル社製）に代えて、表２の液状のエポキシ系絶縁性接着剤を使用すること以外は、実施例２と同様に半導体装置を作製し、評価した。その結果、得られた半導体装置の接着剤中にはボイドが観察されなかった。また、ＰＣＴ処理時間は３００ｈｒであり、Ｈ／Ｓサイクル数は７００回であり、実用上問題のない結果が得られた。
　【００３０】
　【表２】
　【００３１】
　実施例９
　フィルム状異方性導電接着剤（ＦＰ１０４２５，ソニーケミカル社製）に代えて、表３の液状のエポキシ系異方性導電接着剤を使用すること以外は、実施例２と同様に半導体装置を作製し、評価した。その結果、得られた半導体装置の接着剤中にはボイドが観察されなかった。また、ＰＣＴ処理時間は３５０ｈｒであり、Ｈ／Ｓサイクル数は７５０回であり、実用上問題のない結果が得られた。
　【００３２】
　【表３】
　【００３３】
　実施例１０
　フィルム状異方性導電接着剤（ＦＰ１０４２５，ソニーケミカル社製）に代えて、表４の配合のフィルム状のエポキシ系絶縁性接着剤を使用すること以外は、実施例２と同様に半導体装置を作製し、評価した。その結果、得られた半導体装置の接着剤中にはボイドが観察されなかった。また、ＰＣＴ処理時間は２５０ｈｒであり、Ｈ／Ｓサイクル数は５００回であり、実用上問題のない結果が得られた。
　【００３４】
　【表４】
　【００３５】
　【発明の効果】
　本発明によれば、半導体素子を配線板に熱硬化性接着剤を介して接合して半導体装置を製造する場合に、ボイドが残存しないように接着剤を硬化させ、良好な接続信頼性を実現できる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　本発明の製造方法における圧力プロファイルのバリエーションを示す説明図である。
　【図２】
　半導体素子を配線板に搭載する際の加熱加圧条件のバリエーションを示す説明図である。