【事件の表示】
　特許第３３５７６７５号「多結晶シリコンロッドおよびその製造方法」の請求項１ないし３に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第３３５７６７５号の請求項１〜３に係る特許を維持する。
【理　由】
１．本件発明
　本件特許の請求項１〜３に係る発明は、特許請求の範囲の請求項１〜３に記載されたとおりのものであると認められる。（以下、「本件発明１」〜「本件発明３」という。）
　
２．特許異議申立の概要
　特許異議申立人は、以下の証拠を提示して、本件発明１〜３は、甲第１〜４号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであって、特許法第２９条第２項の規定に該当し、特許を受けることができないものであり、また、本件発明１は、甲第１，２号証に記載された発明と実質同一発明であって、特許法第２９条第１項第３号の規定に該当し、特許を受けることができないものであり、したがって、それらの特許は取消されるべきものである旨主張する。
甲第１号証：特開平　８−　６７５１１号公報
甲第２号証：特開平　７−２７７８７４号公報
甲第３号証：高田利幸、「多結晶シリコン材料」、電子材料１９９３年１１月号、第２７〜３１頁
甲第４号証：特公昭５２−　２１４５３号公報
　
３．証拠の記載
　異議申立人が提出した甲第１〜４号証は、本件特許の優先日前に頒布された刊行物であって、それぞれ、以下の事項が記載されている。
　
３−１．甲第１号証（特開平　８−　６７５１１号公報）の記載内容
３−１−１．「表面が鉄原子で汚染された多結晶シリコンを、酸化性の薬液、水、および酸化膜を分解し得る薬液で順次洗浄することを特徴とする表面が清浄な多結晶シリコンの製造方法。」（【請求項１】）
３−１−２．「従来の硝弗酸による多結晶シリコンのエッチング方法は、ある程度の表面清浄化効果を有しているが十分とは言えない。この方法は、弗硝酸の温度がエッチング反応によって上昇すると、表面の清浄化効果が低下する。特にエッチングされる多結晶シリコンに結晶粒界が多く存在する場合には、結晶粒界部分の結晶が不完全であるためと考えられるが、結晶粒界部分の硝弗酸によるエッチングの進行が他の部分よりも急激となる。このために、エッチング深さが場所によって異なり、表面積が増加することによってさらにエッチング反応温度が上昇し、その結果、表面の鉄原子の低減を阻害されると考えられる。」（【０００９】段落）
３−１−３．「前述のエッチング速度は、一般にＸ線回折で得られる半値幅と相関があり、半値幅が大きい程エッチング速度も大きくなる。トリクロルシランを原料とし、ジーメンス法で析出した多結晶シリコンのＸ線回折によるシリコンのピーク（２θ＝２８.５付近）の半値幅は０.１４〜０.１６゜である。原料にジクロルシランあるいはモノシランを使用し、析出温度を低くした場合、半値幅は更に大きくなり、０.１７゜程度になる。」（【００１３】段落）
　
３−２．甲第２号証（特開平　７−２７７８７４号公報）の記載内容
３−２−１．「棒状の多結晶シリコンを原料とし、加熱してるつぼ内に融解し、この融液から連続チャージ引上げ法またはリチャージ引上げ法によりシリコン単結晶を引上げる方法において、前記棒状の多結晶シリコンの最大残留応力が、標準状態下で３．５ｋｇｆ／ｍｍ2 未満であることを特徴とするシリコン単結晶の引上げ方法。」（【請求項１】）
３−２−２．「前記棒状の多結晶シリコンが、前記加熱の前に、応力除去の熱処理を施されることを特徴とする請求項１又は２記載のシリコン単結晶の引上げ方法。」（【請求項３】）
　
３−３．甲第３号証（高田利幸、「多結晶シリコン材料」、電子材料１９９３年１１月号、第２７〜３１頁）の記載内容
３−３−１．「棒状シリコンを溶融中にポリシリコンが途中で折れて石英るつぼ中に落下し、石英るつぼ，ＣＺ機を破損することがある。この原因はポリシリコンの残留歪が大きかった場合に、溶融時にポリシリコンにかかる温度差による熱歪が加わることにより破損すると推定している。」（第２９頁第３２〜３６行）
３−３−２．「照射する熱中性子量を多くすれば検出限界は下がってよい方向になるが、現在熱中性子照射量を多くできるＪＲＲ−２でテストしているところである。その結果を表３に示す。ポリシリコンのバルク中の重金属は、これでも検出されない。」（第３０頁右欄第２〜６行）
３−３−３．鉄の検出限界が０．１ｐｐｂａであることを示す表（第３０頁　表３）
　
３−４．甲第４号証（特公昭５２−　２１４５３号公報）の記載内容
３−４−１．「モノシラン（ＳｉＨ4）と水素との混合ガス或いはトリクロルシラン（ＳｉＣｌ3Ｈ）と水素との混合ガスを、反応釜内に配置して１０００℃乃至１２５０℃の範囲内の温度に発熱させた珪素心線の表面に接触させ、その珪素心線の表面上に珪素を析出させて棒状珪素体を製造する」（第１頁右欄第３０〜３５行）
　
４．対比・判断
　
４−１．本件発明１について
４−１−１．甲第１号証を主引例とした場合
　甲第１号証には、３−１．で摘示した事項から、「Ｘ線回折によるシリコンのピーク（２θ＝２８．５付近）の半値幅が０．１４〜０．１６゜である、ジーメンス法で析出した多結晶シリコン」という発明が記載されていると云える。（以下、「甲第１号証発明」という。）
　そこで、本件発明１と甲第１号証発明とを比較する。
　ジーメンス法で析出した多結晶シリコンの形状はロッド状であるから、甲第１号証のものも多結晶シリコンロッドであると云える。よって、両者は、「Ｘ線回折パターンのピークの半値幅が０．１４〜０．１６゜である、多結晶シリコンロッド」という点で一致しているが、次の点で相違している。
相違点１−１：Ｘ線回折パターンのピークについて、本件発明１では結晶方位（１１１）を示すピークとしているのに対し、甲第１号証発明では２θ＝２８．５付近のピークとしている点
相違点１−２：本件発明１では、半径方向における内部歪み率が５．０×１０-5ｃｍ-1未満であると限定しているのに対し、甲第１号証発明では、内部歪み率について限定していない点
相違点１−３：本件発明１では、内部の鉄濃度が０．５ｐｐｂａ以下であると限定しているのに対し、甲第１号証発明では、内部の鉄濃度について限定していない点
　上記相違点のうち、相違点１−２について、先ず、検討する。
　甲第１号証発明では、内部歪み率について何ら示されておらず、さらに、リチャージ時の熱歪みにより破損することについての説明もない。
　したがって、当業者といえども、甲第１号証の記載から当該相違点１−２に係る構成のようにすることを容易に想到することはできない。
　以下、当該相違点１−２について、甲第２〜４号証に記載の発明を検討する。
　甲第２号証には、シリコンロッドの残留応力が一定以下であればリチャージ時の破断を防止できることが記載されているが、半径方向における内部歪み率を限定すること及びそれをどの程度の数値とするのかについては記載されていない。また、そもそも甲第１号証にはモノシランガスを原料にしたものはＸ線回折パターンのピークの半値幅が大きいことが記載されており、甲第１号証発明において結晶性の高いものを得ようとする場合には、モノシランガスを原料として用いることは阻害要因となる。そして、甲第２号証はモノシランガスを原料として用いることを想定したものであるから、甲第１号証発明と甲第２号証とを組み合わせることを当業者が容易に想到するとはいうことができない。
　甲第３号証には、シリコンの残留歪みが大きいとリチャージ時に破損することが記載されているが、半径方向における内部歪み率についてどの程度の値とすれば破損しないのかは記載されていない。
　甲第４号証には、内部歪み率，リチャージ時の熱歪みによる破損について、何ら記載されていない。
　そして、本件発明１は、半径方向における内部歪み率を５．０×１０-5ｃｍ-1未満と限定することにより、熱衝撃による割れを防止できるという効果を奏するものである。
　したがって、他の相違点について検討するまでもなく、本件発明１は、甲第１号証に記載された発明と同一であるとすることはできず、甲第１〜４号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることもできない。
　
４−１−２．甲第２号証を主引例とした場合
　甲第２号証には、３−２．で摘示した事項から、「応力除去の熱処理を施され、最大残留応力が、標準状態下で３．５ｋｇｆ／ｍｍ2 未満である、棒状の多結晶シリコン」という発明が記載されていると云える。（以下、「甲第２号証発明」という。）
　そこで、本件発明１と甲第２号証発明とを比較する。
　甲第２号証発明における、「棒状の多結晶シリコン」は、本件発明１の「多結晶シリコンロッド」に相当する。よって、両者は、「多結晶シリコンロッド」という点で一致しているが、次の点で相違している。
相違点２−１：本件発明１では、結晶方位（１１１）を示すＸ線回折パターンのピークの半値幅を０．３°以下と限定しているのに対し、甲第２号証発明では、そのような限定をしていない点
相違点２−２：本件発明１では、半径方向における内部歪み率が５．０×１０-5ｃｍ-1未満であると限定しているのに対し、甲第２号証発明では、内部歪み率について限定していない点
相違点２−３：本件発明１では、内部の鉄濃度が０．５ｐｐｂａ以下であると限定しているのに対し、甲第２号証発明では、内部の鉄濃度について限定していない点
　上記相違点のうち、相違点２−２について、先ず、検討する。
　甲第２号証発明では、最大残留応力を一定以下に限定することは記載されているが、半径方向における内部歪み率をどの程度の値とするのかについて何ら示されていない。
　したがって、当業者といえども、甲第２号証の記載から当該相違点２−２に係る構成のようにすることを容易に想到することはできない。
　以下、当該相違点２−２について、甲第１，３，４号証に記載の発明を検討する。
　甲第３号証には、シリコンの残留歪みが大きいとリチャージ時に破損することが記載されているが、半径方向における内部歪み率についてどの程度の値とすれば破損しないのかは記載されていない。
　甲第１，４号証には、内部歪み率，リチャージ時の熱歪みによる破損について、何ら記載されていない。
　そして、本件発明１は、半径方向における内部歪み率を５．０×１０-5ｃｍ-1未満と限定することにより、熱衝撃による割れを防止できるという効果を奏するものである。
　したがって、他の相違点について検討するまでもなく、本件発明１は、甲第２号証に記載された発明と同一であるとすることはできず、甲第１〜４号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることもできない。
　
４−２．本件発明２，３について
　本件発明２，３は、本件発明１を引用又は間接的に引用し、さらに製造方法として限定したものである。
　したがって、４−１．で述べたのと同じ理由により、本件発明２，３は、甲第１〜４号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
　
５．むすび
　以上のとおりであり、特許異議申立の理由及び証拠によっては、本件請求項１〜３に係る発明の特許を取り消すことができない。
　また、他に本件請求項１〜３に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１５年１１月１１日（２００３．１１．１１）