【事件の表示】
　特許第３３９４９２５号「液晶表示装置の製造方法」の請求項１ないし７に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３３９４９２５号の請求項１ないし７に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
　本件特許第３３９４９２５号は、平成１１年６月１６日（優先権主張　平成１０年９月２８日）に特許出願され、平成１５年１月３１日に特許権の設定登録がなされたが、特許異議の申立てがなされ、取消理由が通知され、その指定期間内である平成１６年２月９日に訂正請求がなされたものである。
　
２．訂正の適否についての判断
（１）訂正事項
　特許権者の請求する訂正の内容は、次のａ及びｂである。
　ａ．本件特許明細書の特許請求の範囲における請求項２の「５μｍ以上５０μｍ以下」を「１０μｍ以上５０μｍ以下」と訂正する。
　ｂ．本件特許明細書の発明の詳細な説明における段落【００２６】の「５μｍ以上５０μｍ以下」を「１０μｍ以上５０μｍ以下」と訂正する。
　
（２）訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　上記訂正事項ａは、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであり、また、上記訂正事項ｂは、上記訂正事項ａに伴い、特許請求の範囲と発明の詳細な説明の記載との整合をとるための訂正であり、明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
　そして、これらの訂正は、本件特許明細書の段落【００６１】【００７２】【００８１】【００９７】の「好ましくは１０μｍ〜２０μｍ」との記載に基づくものであり、新規事項を追加するものではなく、また、実質上特許請求の範囲を変更し又は拡張するものでもない。
　
（３）むすび
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法第１２０条の４第２項の規定並びに同条第３項で準用する特許法第１２６条第２項及び第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
３．特許異議の申立てについての判断
（１）理由の概要
　申立人は、甲第１号証：特開平９−１５２５９７号公報、甲第２号証：特開平９−１２７５５３号公報、甲第３号証：特開平６−７５２３８号公報、参考資料１：特開平１０−３２３２７号公報、参考資料２：特開平９−１８６２３３号公報を提出して、本件の請求項１ないし７に係る発明は、これらの刊行物に記載された発明に基いて当業者が容易に発明できたものであり、特許法第２９条第２項の規定に違反して特許がされたものであるから、これらについての特許を取り消すべきと主張している。
　また、申立人は、本件の請求項６は、請求項６が引用する請求項１ないし５の内容と矛盾しており、その内容が不明確であるから、特許法第３６条第６項第２号の規定に違反しており、その特許を取り消すべきと主張している。
　
（２）本件発明
　本件訂正明細書の特許請求の範囲に記載される請求項１ないし７に係る発明（以下、それぞれ、「本件発明１」等という。）は、次のとおりである
「【請求項１】液晶層を介在して対向配置される一対の基板のうち一方の基板上に、他方の基板側からの入射光を反射する反射手段を有する液晶表示装置の製造方法において、
　前記一方の基板上にネガ型の感光性樹脂を塗布する工程と、
　第１領域の感光性樹脂に、円形もしくは多角形の領域の総面積がフォトマスクの総面積の２０％以上４０％以下であるフォトマスクを用いて露光し、
　前記第１領域の感光性樹脂が受ける露光量の積分値を第２領域の感光性樹脂が受ける露光量の積分値よりも多くするように露光する工程と、
　前記第１領域の感光性樹脂を現像して、該第１領域の感光性樹脂の表面に凹凸を形成し、
　前記第２領域の感光性樹脂を現像して除去する工程と、
　現像後の感光性樹脂を加熱処理する工程と、
　加熱処理後の感光性樹脂上に反射膜を形成する工程と、を含むことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
 【請求項２】液晶層を介在して対向配置される一対の基板のうち一方の基板上に、他方の基板側からの入射光を反射する反射手段を有する液晶表示装置の製造方法において、
　前記一方の基板上にネガ型の感光性樹脂を塗布する工程と、
　第１領域の感光性樹脂に、円形もしくは多角形の領域が隣り合う該領域の重心間隔を
１０
　前記第１領域の感光性樹脂が受ける露光量の積分値を第２領域の感光性樹脂が受ける露光量の積分値よりも多くするように露光する工程と、
　前記第１領域の感光性樹脂を現像して、該第１領域の感光性樹脂の表面に凹凸を形成し、
　前記第２領域の感光性樹脂を現像して除去する工程と、
　現像後の感光性樹脂を加熱処理する工程と、
　加熱処理後の感光性樹脂上に反射膜を形成する工程と、を含むことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
 【請求項３】前記フォトマスクに形成された円形もしくは多角形の領域が透過部であることを特徴とする請求項１または２に記載の液晶表示装置の製造方法。
 【請求項４】前記第１領域には前記反射膜からなる反射電極が形成されるとともに、該反射電極は前記第２領域において該反射電極の下層に形成される配線と接続されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の液晶表示装置の製造方法。
 【請求項５】前記第２領域は、前記一方の基板上の表示外領域に形成される端子部を含むことを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の液晶表示装置の製造方法。
 【請求項６】前記フォトマスクは透過部と遮光部と半透過部とを有し、該フォトマスクの透過部および半透過部に対応する領域を用いて前記第１領域を露光するとともに、該フォトマスクの遮光部は前記第２領域に対応させることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の液晶表示装置の製造方法。
 【請求項７】前記第１領域の露光は、第２のフォトマスクを用いた露光を含むことを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の液晶表示装置の製造方法。」
　
（３）刊行物に記載された発明
　甲第１号証（特開平９−１５２５９７号公報）には、表面が凹凸に形成された反射膜を有する反射型液晶表示装置の製造方法について記載されている。
　凹凸を有する樹脂層上に金属薄膜を形成して反射膜を作る方法は、従来、熱硬化樹脂層をエッチングによってくぼみを作る方法、基板上に多数の円柱状凸部を形成後その上に樹脂層を塗布して硬化させる方法等が知られており（【００２２】〜【００２６】）、さらに、感光性樹脂を用いる場合は工程数が少なく有利である一方、現像によって樹脂層の膜減りが生ずるため現像時間が樹脂層のなだらかな断面の凹凸部の形成に与える影響は大きいことが記載されている（【００２８】〜【００２９】）。
　図１、２には、液晶層４９を介在して対向配置される一対の基板３０ａ、３０ｂのうち、一方の下側基板３０ａ上に上側基板３０ｂからの入射光を反射する反射電極（画素電極）３８を有する液晶表示装置が示され、有機絶縁膜４２上に反射電極３８が形成される領域には、先細状で先端部の断面形状が円形の凸部４２ａ、コンタクトホール４３が形成されていることが記載されている（【００５６】、【００６２】〜【００６３】）。
　表面が凹凸の有機絶縁膜は図３に示される方法によって形成され、感光性樹脂１２をパターン孔を有する第１のフォトマスク１３によって露光し、高さの異なる凸部１４ａ’、１４ｂ’を形成後、加熱処理して角部を軟化させて丸くし、その後同じ感光性樹脂を塗布する。コンタクトホール４３は第２のフォトマスク１６によって露光し、その後基板３１を加熱処理する。第１のフォトマスク１３は、図６に示すように直径５μｍと直径３μｍの２種類の円形のパターン孔が形成されており、パターン孔の間隔は、少なくとも２μｍ以上あり、コンタクトホールに対応する部分は円形パターン孔を配置しないことが記載されている（【００６７】〜【００７４】）。
　
　甲第２号証（特開平９−１２７５５３号公報）には、層間絶縁膜である平坦化膜上に画素電極を有する透過型液晶表示装置において、層間絶縁膜の表面に凹凸を形成する方法が記載されている。
　平坦な画素電極と各配線をオーバーラップさせて液晶表示の開口率および液晶の配向不良の抑制を図り、輝度や視野角の改善を図ることを目的として（【００１８】）、透明度の高い有機薄膜から成り、１画素につき複数の集光性の微小くぼみ（レンズ群）を有した層間絶縁膜が設けられ、その上に透明導電膜からなる画素電極が設けられた液晶表示装置が記載されている（【００１９】）。
　図１及びその断面図である図２に示される液晶表示装置において、基板３１上に層間絶縁膜３８、その上に形成した円状の複数の微小くぼみ２８（直径５〜１５μｍ）、コンタクトホール２６が示され（【００６８】〜【００７０】）、層間絶縁膜３８は感光性のアクリル樹脂を塗布後、コンタクトホールに相当する領域には、５０００ｍｓｅｃ、微小くぼみ２８に相当する領域には１００〜５００ｍｓｅｃ照射するよう２枚のフォトマスクを用いて露光して現像処理することが記載され（【００７４】）、露光された部分が現像によってエッチングされ、コンタクトホール及び微小くぼみを形成することができる旨記載されている（【０１２４】）。
　また、コンタクトホール部及び微小くぼみのテーパ形状は、パターン露光時の露光量と現像液濃度、現像時間を適度に選ぶことにより緩やかな形状を得ることができる旨記載されている（【０１２５】）。
　また、透明感光樹脂を用いることにより、２回のフォト工程のみで、層間絶縁膜およびそれを貫くコンタクトホール、微小くぼみを形成することができ、製造工程が簡略化されることが記載され（【０１２９】）、微小くぼみ５８は円形としたが、長方形などの多角形であってもよいと記載されている（【０１３４】）。
　
　甲第３号証（特開平６−７５２３８号公報）には、反射型液晶表示装置の反射電極に凹凸を形成するため、有機絶縁膜の表面にフォトマスクを用いて露光・現像する方法が記載されている。
　図１９には、フォトマスクの円形の遮光領域の総面積がマスクの総面積の４７％と４１％の例が記載され（【０１０４】）、遮光領域がマスクの総面積の４０％未満、例えば、３５％の場合の反射特性（図２１）についても記載されているが、この場合には反射強度が劣る旨記載されている（【０１０７】）。
　
　参考資料１（特開平１０−３２３２７号公報）の【００３６】及び参考資料２（特開平９−１８６２３３号公報）の【００３７】には、半導体装置のフォトリソグラフィー技術として、ポジ型レジストプロセスをネガ型レジストプロセスに適用することができる旨記載されている。
　
（４）対比
　本件発明１と甲第１号証に記載された発明を対比するに、両者はともに
「液晶層を介在して対向配置される一対の基板のうち一方の基板上に、他方の基板側からの入射光を反射する反射手段を有する液晶表示装置の製造方法において、
　前記一方の基板上に感光性樹脂を塗布する工程と、
　前記感光性樹脂に円形もしくは多角形の領域を有するフォトマスクを用いて露光する工程と、
　前記感光性樹脂を現像して除去する工程と、
　現像後の感光性樹脂を加熱処理する工程と、
　加熱処理後の感光性樹脂上に反射膜を形成する工程と、を含む液晶表示装置の製造方法。」である点で一致するものの次の点で相違する。
ａ．本件発明１では、前記感光性樹脂がネガ型であるのに対し、甲第１号証ではポジ型である点。
ｂ．本件発明１では、第１領域の感光性樹脂に、円形もしくは多角形の領域の総面積がフォトマスクの総面積の２０％以上４０％以下であるフォトマスクを用いて露光するのに対し、甲第１号証にはそのような記載がない点。
ｃ．本件発明１では、第１領域の感光性樹脂が受ける露光量の積分値を第２領域の感光性樹脂が受ける露光量の積分値よりも多くするように露光し、これを現像することにより、第１領域の感光性樹脂の表面に凹凸を形成し、第２領域の感光性樹脂を除去するのに対し、甲第１号証では、感光性樹脂１２をパターン孔を有する第１のフォトマスク１３によって露光・現像して高さの異なる凸部１４ａ’、１４ｂ’を形成後、加熱処理して角部を軟化させて丸くし、その後同じ感光性樹脂を塗布し、第２のフォトマスク１６によって露光・現像して本件発明１の第２領域に相当するコンタクトホール４３を形成するものである点。
　
（５）特許法第２９条第２項に係る申立人の主張についての判断
　上記相違点について検討する。
　本件発明１において、感光性樹脂としてネガ型のものを用いることには、本件明細書の段落【０１０４】に「本発明では、ネガ型の感光性樹脂を用いていることにより、ダストなどにより未露光となった部分の樹脂を現像によって除去することが可能となっていることから、コンタクトホール部および信号入力端子部などにダストが付着した場合であっても、確実に導通を確保することが可能となっている。」と記載されているように、液晶表示装置に適用したことによる特有の効果が認められるものである。
　一方、異議申立人は、参考資料１や２に記載されているように感光性樹脂としてポジ型のものもネガ型のものも周知であり、ポジ型の感光性樹脂をネガ型のものにすることは当業者が容易に想到する旨の主張をしているが、参考資料１，２に記載されているのは、いずれも半導体装置の製造に係るものであって、これらの文献において、液晶表示装置にネガ型感光性樹脂を適用した場合における上記の効果が示唆されているとはいえない。
　したがって、参考資料１及び２においてポジ型のものをネガ型にすることが記載されているからといって、感光性樹脂をネガ型とした本件発明１を当業者が容易に発明できたとはいえない。
　また、仮に、甲第１号証における感光性樹脂をネガ型にしたところで、凸部１４ａ’、１４ｂ’の形成及びその後に塗布する感光性樹脂にネガ型のものを用いるというだけのことであって、感光性樹脂を２度塗りすることにかわりはなく、本件発明１のように、１層の感光性樹脂で、凹凸の形成された第１領域と感光性樹脂が除去された第２領域を形成することにはならない。
　この点について、申立人は、甲第２号証の技術を適用する旨の主張をしているが、甲第２号証のものは、透過型液晶表示装置であって、本件発明１のような反射型のものではなく、また、使用される感光性樹脂もポジ型のものであるから、本件発明１を構成するには、まず、甲第１号証に甲第２号証を適用したものにおいて、さらに感光性樹脂についてポジ型をネガ型のものにしなければならず、これは、容易を２段重ねする論理であって、到底採用できるものではない。
　また、甲第３号証に記載のものも、甲第１号証と同様にポジ型の感光性樹脂を用いて２度塗り法によって凹凸を形成するものであり、本件発明１を示唆するものではない。
　以上のとおりであるから、本件発明１について、申立人が提出した刊行物に基いて当業者が容易に発明できたとすることはできない。
　また、本件発明２は、フォトマスクの円形もしくは多角形の領域についての規定ぶりが異なるだけで、他の事項は本件発明１と同じであるから、同様の理由により、申立人が提出した刊行物に基いて当業者が容易に発明できたとすることはできない。
　さらに、本件発明３ないし７は、いずれも、本件発明１または２が有する事項をすべて含んで構成されるものであるから、同様の理由により、申立人が提出した刊行物に基いて当業者が容易に発明できたとすることはできない。
　
（６）特許法第３６条第６項に係る申立人の主張についての判断
　申立人は、本件特許の請求項１〜５には「露光」という文言が２つ記載されているから、本件特許の請求項１〜５は２回の露光を行う発明であり、本件特許の請求項１〜５を引用しつつ１回の露光を行う発明を特定しようとする本件特許の請求項６は、技術的に矛盾する発明で不明確である旨の主張をしている。
　しかしながら、本件特許の請求項１及び２には、露光工程について、それぞれ、
「第１領域の感光性樹脂に、円形もしくは多角形の領域の総面積がフォトマスクの総面積の２０％以上４０％以下であるフォトマスクを用いて露光し、
　前記第１領域の感光性樹脂が受ける露光量の積分値を第２領域の感光性樹脂が受ける露光量の積分値よりも多くするように露光する工程」及び
「第１領域の感光性樹脂に、円形もしくは多角形の領域が隣り合う該領域の重心間隔を１０μｍ以上５０μｍ以下としたフォトマスクを用いて露光し、
　前記第１領域の感光性樹脂が受ける露光量の積分値を第２領域の感光性樹脂が受ける露光量の積分値よりも多くするように露光する工程」と記載されているところであり、これは、１つの「工程」として記載されていることからも明らかなように、「第１領域」の露光の態様を「第２領域」の露光の態様との比較において特定しているだけであって、請求人が主張するように、「第１領域」の露光と「第２領域」の露光を時間的に分割し、２回の露光を行うことのみを特定しているとは認められない。
　したがって、本件請求項６が１枚のフォトマスクを用いて１回のみの露光を行うものであるにしても、これが引用する本件請求項１〜５の内容と矛盾するものではなく、この記載が特許法第３６条第２項第２号の規定に違反しているとはいえない。
　
４．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、訂正後の本件請求項１ないし７に係る発明の特許を取り消すことはできない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１６年４月１日（２００４．４．１）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
液晶表示装置の製造方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　液晶層を介在して対向配置される一対の基板のうち一方の基板上に、他方の基板側からの入射光を反射する反射手段を有する液晶表示装置の製造方法において、
　前記一方の基板上にネガ型の感光性樹脂を塗布する工程と、
　第１領域の感光性樹脂に、円形もしくは多角形の領域の総面積がフォトマスクの総面積の２０％以上４０％以下であるフォトマスクを用いて露光し、
　前記第１領域の感光性樹脂が受ける露光量の積分値を第２領域の感光性樹脂が受ける露光量の積分値よりも多くするように露光する工程と、
　前記第１領域の感光性樹脂を現像して、該第１領域の感光性樹脂の表面に凹凸を形成し、
　前記第２領域の感光性樹脂を現像して除去する工程と、
　現像後の感光性樹脂を加熱処理する工程と、
　加熱処理後の感光性樹脂上に反射膜を形成する工程と、を含むことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
　【請求項２】　液晶層を介在して対向配置される一対の基板のうち一方の基板上に、他方の基板側からの入射光を反射する反射手段を有する液晶表示装置の製造方法において、
　前記一方の基板上にネガ型の感光性樹脂を塗布する工程と、
　第１領域の感光性樹脂に、円形もしくは多角形の領域が隣り合う該領域の重心間隔を
１０
　前記第１領域の感光性樹脂が受ける露光量の積分値を第２領域の感光性樹脂が受ける露光量の積分値よりも多くするように露光する工程と、
　前記第１領域の感光性樹脂を現像して、該第１領域の感光性樹脂の表面に凹凸を形成し、
　前記第２領域の感光性樹脂を現像して除去する工程と、
　現像後の感光性樹脂を加熱処理する工程と、
　加熱処理後の感光性樹脂上に反射膜を形成する工程と、を含むことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
　【請求項３】　前記フォトマスクに形成された円形もしくは多角形の領域が透過部であることを特徴とする請求項１または２に記載の液晶表示装置の製造方法。
　【請求項４】　前記第１領域には前記反射膜からなる反射電極が形成されるとともに、該反射電極は前記第２領域において該反射電極の下層に形成される配線と接続されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の液晶表示装置の製造方法。
　【請求項５】　前記第２領域は、前記一方の基板上の表示外領域に形成される端子部を含むことを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の液晶表示装置の製造方法。
　【請求項６】　前記フォトマスクは透過部と遮光部と半透過部とを有し、該フォトマスクの透過部および半透過部に対応する領域を用いて前記第１領域を露光するとともに、該フォトマスクの遮光部は前記第２領域に対応させることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の液晶表示装置の製造方法。
　【請求項７】　前記第１領域の露光は、第２のフォトマスクを用いた露光を含むことを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の液晶表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の属する技術分野】
　本発明は、外部からの入射光を反射することによって表示を行う液晶表示装置の製造方法に関するものである。
　【０００２】
　【従来の技術】
　近年、ワードプロセッサ、ラップトップ型パーソナルコンピュータ、ポケットテレビなどへの液晶表示装置の応用が急速に進展している。特に、液晶表示装置の中でも外部から入射した光を反射させて表示を行う反射型液晶表示装置は、バックライトが不要であるため消費電力が低く、薄型であり、軽量化が可能であることから注目されている。
　【０００３】
　しかしながら、従来の反射型液晶表示装置は、周囲の明るさなどの使用環境あるいは使用条件によって、その表示の明るさやコントラストなどが左右されてしまうというような問題を有しており、そのため、現在では、良好な反射特性を有し、容易にかつ再現性よく作製することができるとともに、表示品位の高い反射型液晶表示装置の実現に大きな期待が寄せられている。
　【０００４】
　ここで、特開平６−７５２３８号公報には、反射型液晶表示装置の表示品位を向上させるために、反射電極に凹凸をランダムにかつ高密度に発生させる技術が開示されている。
　【０００５】
　これは、反射電極に微細な凹凸形状を付加するための樹脂層を、ランダムな凹凸をパターニングした第一の感光性樹脂層と、この凹凸をさらに滑らかにするための第二の感光性樹脂層とから構成したものであり、この第一の感光性樹脂をパターニングするためのマスクを円形の遮光部をランダムに配置し、その遮光領域の面積を反射板の面積の４０％以上にするというものである。
　【０００６】
　そして、このようにランダム性を増大させることによって繰り返しパターンによる干渉を防止し、反射光の色づきを避けるとともに、凹凸密度を上げることによって、平坦部を減少させて正反射成分を減少させるということが記載されている。
　【０００７】
　また、従来の反射型液晶表示装置の製造プロセス短縮のために、ポジ型感光性樹脂を１層のみ用いて凹凸形成用パターンとコンタクトホールとを同時に露光する技術がある。
　【０００８】
　ここで、従来の反射型液晶表示装置の製造方法について、図面を用いて簡単に説明する。
　【０００９】
　図１４は、従来の製造方法を基に作製された反射型液晶表示装置の構造を示した断面図であり、図１４は、その製造工程のフローを示した断面図である。
　【００１０】
　図１４に示すように、従来の反射型液晶表示装置は、反射基板２３として液晶駆動用素子２４が形成された基板を用い、反射基板２３に設けられるアルミ画素電極１０と、これに対向する透明電極１２と、この透明電極１２を支持するカラーフィルター基板２５と、これらによって挟持される液晶１１と、カラーフィルター基板の上方（液晶と対向しない面側）に配置される位相差板１５と、位相差板１５上に配置される偏光板１６とを有する構成となっている。
　【００１１】
　そして、この反射基板２３は、ガラス基板１上に液晶駆動用素子２４としてアモルファスシリコントランジスタを形成した構成となっており、図１４に示すように、この液晶駆動用素子２４は、ガラス基板１上のゲート電極２としてのＴａ、ゲート絶縁層３としてのＳｉＮｘ、半導体層４としてのａ−Ｓｉ、ｎ型半導体層５としてのｎ型ａ−Ｓｉ、ソース電極７としてのＴｉ、ドレイン電極８としてのＴｉなどから構成されている。
　【００１２】
　ここで、従来の反射型液晶表示装置の反射基板２３の製造工程について、図１５を基に説明する。
　【００１３】
　まず、図１５（ａ）に示すように、基板１上にポジ型の感光性樹脂９を塗布する。
　【００１４】
　次に、図１５（ｂ）に示すように、図１６に示すようなコンタクトホール部３０を透過部とし、それ以外にも凹凸形成部に透過部１８を有するフォトマスクを用いて、高照度で露光を行う。
　【００１５】
　次に、図１５（ｃ）に示すように、現像液により現像を行うことにより、上述した露光部分の樹脂が完全に除去され、マスクパターンに対してポジ型の樹脂形状が形成される。
　【００１６】
　次に、図１５（ｄ）に示すように、加熱処理を行うことにより、熱だれ現象によって露光された領域の樹脂が変形し、滑らかな凹凸形状となる。ただし、このときの露光領域については、上述した現像工程によって樹脂が完全に除去されているため平面となっている。
　【００１７】
　次に、図１５（ｅ）に示すように、反射電極１０としてＡｌ薄膜を形成し、１つのトランジスタに対して１つの反射電極１０が対応するようにパターニングを行っている。
　【００１８】
　従来の反射型液晶表示装置は、以上のような工程によって反射電極１０を形成しているが、このような反射基板２３は、露光部分のポジ型感光性樹脂が完全に除去された状態で凹凸形状を形成しているため、平面部の多い反射板となってしまう。このような平面部の多い反射板では、その平面領域において光源を移し込んでしまうため、正反射成分の多い反射板となる。光源が写り込んでしまうと表示が確認しづらくなるため、一般に反射型の表示装置を見るときには正反射成分を避ける傾向がある。
　【００１９】
　従って、従来の反射型液晶表示装置における反射板の正反射成分は、明るさに寄与するものではなく、結果として暗い表示になってしまう。
　【００２０】
　【発明が解決しようとする課題】
　上述したような従来の反射型液晶表示装置に対して、先出の特開平６−７５２３８号公報には、反射板の凹凸密度を向上させて理想的な散乱状態を作り出すために複雑な凹凸形成プロセスを採用した反射型液晶表示装置が開示されている。これは、第一のポジ型感光性樹脂を塗布後、十分な強度の第一の露光現像を行い、凹凸形状を完全にパターニングした後、凹凸の隙間を埋めて滑らかな凹凸とし、平坦部分を減少させるために第二のポジ型感光性樹脂を塗布して、その後コンタクトホール部分のみを第二の露光現像を行いて再度パターニングするというものである。
　【００２１】
　しかしながら、このようなプロセスでは、感光性樹脂を２層重ねていることから、感光性樹脂のフォトプロセス（塗布−露光−現像−熱処理）が２回必要となってしまい、コスト高となることが明白である。
　【００２２】
　さらに、従来の反射型液晶表示装置では、１層のポジ型感光性樹脂を使用しており、よって感光性樹脂のフォトプロセスが１回ですむため簡潔なプロセスとなりコストの削減を図ることが可能となるものの、コンタクトホール部の感光性樹脂を確実に除去する必要があるため、必然的に凹凸形成パターン部の被露光エリアのポジ型感光性樹脂も除去されることになり、従って、被露光エリアは平面となって凹凸密度の小さな正反射の多い反射板となってしまう。
　【００２３】
　また、感光性樹脂を除去するための露光領域にダストなどが存在すると、未露光となった部分が現像によって除去することができなくなってしまう。したがって、コンタクトホールや信号入力端子部において導通不良が発生しやすくなってしまう。
　【００２４】
　本発明は、上述したような反射型液晶表示装置における問題点を解決するためになされたものであり、その目的とするところは、導通不良が起こりにくく、良好な反射特性を有する液晶表示装置を容易にかつ再現性よく作製することができる液晶表示装置の製造方法を提供することにある。
　【００２５】
　【課題を解決するための手段】
　本発明の液晶表示装置の製造方法は、液晶層を介在して対向配置される一対の基板のうち一方の基板上に、他方の基板側からの入射光を反射する反射手段を有する液晶表示装置の製造方法において、前記一方の基板上にネガ型の感光性樹脂を塗布する工程と、第１領域の感光性樹脂に、円形もしくは多角形の領域の総面積がフォトマスクの総面積の２０％以上４０％以下であるフォトマスクを用いて露光し、前記第１領域の感光性樹脂が受ける露光量の積分値を第２領域の感光性樹脂が受ける露光量の積分値よりも多くするように露光する工程と、前記第１領域の感光性樹脂を現像して、該第１領域の感光性樹脂の表面に凹凸を形成し、前記第２領域の感光性樹脂を現像して除去する工程と、現像後の感光性樹脂を加熱処理する工程と、加熱処理後の感光性樹脂上に反射膜を形成する工程と、を含むことを特徴としており、そのことにより、目的は達成される。
　【００２６】
　本発明の液晶表示装置の製造方法は、液晶層を介在して対向配置される一対の基板のうち一方の基板上に、他方の基板側からの入射光を反射する反射手段を有する液晶表示装置の製造方法において、前記一方の基板上にネガ型の感光性樹脂を塗布する工程と、第１領域の感光性樹脂に、円形もしくは多角形の領域が隣り合う該領域の重心間隔を
１０
　【００２７】
　このとき、前記フォトマスクに形成された円形もしくは多角形の領域が透過部であることが望ましい。
　【００２８】
　また、前記第１領域には前記反射膜からなる反射電極が形成されるとともに、該反射電極は前記第２領域において該反射電極の下層に形成される配線と接続されていることが望ましい。
　【００２９】
　また、前記第２領域は、前記一方の基板上の表示外領域に形成される端子部を含むことが望ましい。
　【００３０】
　また、前記フォトマスクは透過部と遮光部と半透過部とを有し、該フォトマスクの透過部および半透過部に対応する領域を用いて前記第１領域を露光するとともに、該フォトマスクの遮光部は前記第２領域に対応させることが望ましい。
　【００３１】
　また、前記第１領域の露光は、第２のフォトマスクを用いた露光を含むことが望ましい。
　【００３２】
　【００３３】
　【００３４】
　以下に、本発明の液晶表示装置の製造方法における作用について説明する。
　【００３５】
　本発明によれば、基板上に塗布した感光性樹脂のパターンが異なる領域に対して、露光量の積分値を面積的に分割して露光することにより、滑らかで高密度な凹凸形状とそれ以外の領域とをより少ない工程で形成することができる。
　【００３６】
　すなわち、凹凸形成領域には、感光性樹脂の完全に除去された部分がない状態で、熱処理工程により曲面化させることができるため、平面部がほとんど存在しなくなる。したがって、正反射成分を少なくした良好な反射特性を実現することができる。
　【００３７】
　ここで、露光工程では、フォトマスクにより遮光された部分（遮光領域）のネガ型の感光性樹脂は現像液に溶解されやすいため、円形もしくは多角形の柱または穴が形成されることになり、また、フォトマスクにより遮光されない部分（透過領域）のネガ型の感光性樹脂は現像液に溶解されにくくなるため、露光後に感光性樹脂を現像液により現像することによって、フォトマスクの透過領域と遮光領域とに対応して、基板上に凹凸形状の感光性樹脂が形成されることになる。
　【００３８】
　なお、感光性樹脂を層間絶縁膜として作用させることにより、工程数をなるべく少なくして反射電極を製造することができる。そして、感光性樹脂の第１領域に反射電極を形成するとともに、この反射電極を感光性樹脂の第２領域において反射電極の下層に形成される配線と接続することにより、すなわち、反射電極と液晶駆動用素子とを接続するためのコンタクトホールに対応する領域の樹脂は除去していることにより、コンタクトホールを除く表示絵素領域全体にわたって感光性樹脂が残るため、平面部の少ない、かつ絵素領域全体にわたって滑らかな凹凸を形成することが可能になり、正反射が低減された明るい反射光を得ることが可能となる。
　【００３９】
　また、感光性樹脂を層間絶縁膜として作用させ、感光性樹脂の第２領域において外部からの信号を入力するための端子部に対応する透過領域を形成していることにより、工程数をなるべく少なくして端子部を製造することができる。
　【００４０】
　また、透過部と遮光部と半透過部とを有するフォトマスクを用いて露光する工程を含み、フォトマスクの透過部および半透過部に対応する領域に第１領域を形成し、フォトマスクの遮光部に対応する領域に前記第２領域を形成することで、露光回数を一回にすることができる。
　【００４１】
　また、第１のフォトマスクを用いて露光する工程と、第２のフォトマスクを用いて露光する工程とを含み、第１および第２のフォトマスクにより、第１領域および第２領域をそれぞれ形成することで、透過部および遮光部のみで構成されたフォトマスクを使用することが可能となり、フォトマスクの設計や製造が簡単であり、露光工程数も少なくすることができる。
　【００４２】
　このとき、第１のフォトマスクを用いた露光と第２のフォトマスクを用いた露光とをそれぞれ同じ照射光量で行うことにより、光量調整が簡単になるため露光工程のスループットを向上させることができる。
　【００４３】
　また、第１のフォトマスクを用いて露光する工程では均一かつ低照度な露光を行い、第２のフォトマスクを用いて露光する工程では均一かつ高照度な露光を行うことにより、第１領域のうちの凸部を形成する領域にのみ高照度露光で照射することが可能となるため、第１領域にはより確実に感光性樹脂を完全に残膜することができる。なお、ここでいう高照度露光とは、ネガ型の感光性樹脂において樹脂の架橋が十分に進み、現像後の残膜量が現像前の膜厚のほぼ５０％より大きくなるような露光量を示しており、また、低照度露光とは、ネガ型の感光性樹脂において樹脂の架橋が十分に行われず、現像後の残膜量が現像前の膜厚の０％より大きく５０％未満、好ましくは１０％以上５０％未満となるような露光量を示している。
　【００４４】
　更に詳しくは、基板上に形成されたネガ型の感光性樹脂は、第１のフォトマスクを用いて低照度露光を行うことにより、第１のフォトマスクを用いて低照度露光を行った部分の感光性樹脂の架橋が十分に行われないため、露光後の現像液による現像によって低照度露光部は一様に膜減りした状態となる。
　【００４５】
　また、基板上に形成されたネガ型の感光性樹脂は、第２のフォトマスクを用いて高照度露光を行うことにより、第２のフォトマスクを用いて高照度露光を行った部分の感光性樹脂の架橋が十分に進むため、露光後の現像液による現像によって第２のフォトマスクによる未露光部分よりも一段高い凸部が形成された状態となり、その後の熱処理工程によって熱だれを起こして、滑らかな凹凸形状を形成することを可能としている。
　【００４６】
　このように、１層のネガ型の感光性樹脂に対して、高照度の露光と低照度の露光とを行って現像した後、この感光性樹脂を加熱処理することにより、基板上に形成された凹凸形状の感光性樹脂は熱だれの変形を起こし、平面部分のない連続した高密度で滑らかな凹凸面が基板上に形成されることになる。
　【００４７】
　さらに、この加熱処理後の滑らかな凹凸面を有する感光性樹脂上に反射電極を形成することによって、正反射成分の少ない良好な反射手段を作製することが可能となる。
　【００４８】
　なお、本発明では、第１の露光工程と第２の露光工程との順序は、上述したものと逆の順序であってもかまわない。
　【００４９】
　また、露光工程から現像工程へのプロセスについては、露光（低照度露光と高照度露光）−現像のプロセスと、露光（低照度露光もしくは高照度露光）−現像−露光（高照度露光もしくは低照度露光）−現像のプロセスとの２つが考えられ、本発明ではどちらのプロセスでも可能であるが、プロセスの簡略化という点から前者のプロセスが望ましい。
　【００５０】
　また、第２のフォトマスクには円形もしくは多角形の領域が不規則に配列されて、この円形もしくは多角形の領域の総面積がフォトマスクの総面積の２０％以上４０％以下となっており、円形もしくは多角形の領域が不規則に配列していることにより、基板上に形成される感光性樹脂の凹凸パターンに周期性が無くなり、光干渉現象を防ぐことが可能で、結果として色づきのない白色の散乱光を得ることが可能となる。また、この凹凸面からの散乱光は特定方向に偏ることがなくなるため、均一な散乱光を得ることもできる。
　【００５１】
　そして、この第２のフォトマスクにおける円形もしくは多角形の領域の総面積をフォトマスクの総面積の２０％以上４０％以下としていることにより、光を効率よく利用できるように、基板上に形成される感光性樹脂の凹凸形状の傾斜角度を制御することができる。
　【００５２】
　ここで、フォトマスクの総面積とは、具体的には反射電極の総面積のことであり、この第２のフォトマスクにおける円形もしくは多角形の領域を４０％以上にすると、円形もしくは多角形の領域をランダムに配置した場合に、互いに隣り合う円形もしくは多角形の領域が重なり合って大きなパターンとなってしまい、全体としてパターンの密度が下がってしまい平坦部の比率が増加して正反射の多い反射板となってしまう。また、この第２のフォトマスクにおける円形もしくは多角形の領域を２０％以下にすると、円形もしくは多角形の領域をランダムに配置した場合に、互いに隣り合う円形もしくは多角形の領域の間隔が離れてすぎて、現像によって形成される感光性樹脂の形状の凸部と凸部または凹部と凹部の間隔が離れてしまい、加熱による熱だれ時に凸部と凸部または凹部と凹部の間に平坦部が残存してしまい正反射の多い反射板となってしまう。このような点から、本発明では第２のフォトマスクにおける円形状の領域の総面積をフォトマスクの総面積の２０％以上４０％以下とした。
　【００５３】
　なお、第２のフォトマスクに配列された円形もしくは多角形の領域において隣り合う領域の重心間隔を５μｍ以上５０μｍ以下の範囲内で不規則に配列させることにより、液晶表示装置の１絵素に対して十分な数の凹凸パターンを配置することが可能となり、絵素間における特性差の無い散乱光を得ることができる。
　【００５４】
　ここで、隣り合う円形もしくは多角形の領域を重ねないように配置すると、ステッパの解像力限界より、重心間隔が５μｍ以下のパターンは解像せずに平坦部となって正反射の多い反射板となってしまう。また、一般に液晶表示装置においては、１つの絵素サイズが１００μｍ×３００μｍ程度以下であることから、均一な散乱性を得るために１つの絵素に１０個程度以上の凸部または凹部を配するためには、重心間隔をほぼ５０μｍ以下とする必要があり、重心間隔を５０μｍより大きくしてしまうと円形状の領域の間隔が広いために平坦部の比率が大きくなって正反射の多い反射板となってしまう。このような点から、本発明では第２のフォトマスクに配列された円形もしくは多角形の領域を隣り合う円形もしくは多角形の領域の重心間隔が５μｍ以上５０μｍ以下の範囲内となるように不規則に配列した。
　【００５５】
　【発明の実施の形態】
　（実施の形態１）
　以下、本発明の実施の形態１における反射型の液晶表示装置について、図面に基づいて説明する。図１は、本実施の形態における反射型の液晶表示装置における反射基板を示した平面図であり、図２は、図１に示した反射基板の断面図であり、図３は、その製造工程のフローを示した断面図である。
　【００５６】
　図１および図２に示すように、本実施の形態における反射型の液晶表示装置に使用される反射基板２３には、反射電極１０が形成され、その表面は円形状の凹部または凸部３３からなる滑らかな凹凸状を有している。そして、ガラス基板１上に液晶駆動用素子２４としてアモルファスシリコントランジスタを形成した構成となっている。この液晶駆動用素子２４は、ガラス基板１上のゲート電極２としてのＴａ、ゲート絶縁層３としてのＳｉＮｘ、半導体層４としてのａ−Ｓｉ、ｎ型半導体層５としてのｎ型ａ−Ｓｉ、ソース電極７としてのＴｉ、ドレイン電極８としてのＴｉなどから構成されている。
　【００５７】
　また、ゲートバスラインおよびソースバスラインに信号を入力するための信号入力端子部２７は、ゲートバスライン、ゲート電極と同時にパターニングされるＴａからなる端子部電極２とＩＴＯからなる端子部接続電極部２６との２層により構成されている。
　【００５８】
　ここで、本実施の形態における反射型液晶表示装置の反射基板２３の製造工程について、図３を基に説明する。なお、図中、左側には画素領域を示し、右側には信号入力端子部領域を示している。
　【００５９】
　まず、図３（ａ）に示すように、ガラス基板１上にネガ型の感光性樹脂９（製品名：ＦＥ３０１Ｎ：富士フィルムオーリン製）を１〜５μｍの厚さに塗布する。本実施の形態では、３μｍの厚さで塗布した。
　【００６０】
　次に、図４に示すように、コンタクトホール部３０に対応する遮光部１８が配置された第１のフォトマスク１９を用いて、図３（ｂ）に示すように、コンタクトホール部を除いた領域を均一に低照度で露光を行った。なお、このときの露光量は２０ｍｊ〜１００ｍｊが好ましいが、本実施の形態では、４０ｍｊの露光量によりで露光を行った。
　【００６１】
　次に、図５に示すように、コンタクトホール部３０を除いた領域に円形状の領域として透過部１７の面積が２０％以上４０％以下である第２のフォトマスク２０を用いて、図３（ｃ）に示すように、コンタクトホール部３０を除いた領域を均一に高照度で露光を行った。このときの露光量は１６０ｍｊ〜５００ｍｊが好ましいが、本実施の形態では、２４０ｍｊの露光量によりで露光を行った。なお、このときの第２のフォトマスクの円形もしくは多角形の透過部１７は、隣り合う透過部１７の中心間隔が５μｍ以上５０μｍ以下、好ましくは１０μｍ〜２０μｍとなるようにランダムに配置されたものを用いた。
　【００６２】
　なお、このとき、第１および第２のフォトマスクは、コンタクトホールの遮光状態と同様に信号入力端子部２７も遮光するような構造とした。
　【００６３】
　次に、図３（ｄ）に示すように、現像液である東京応化工業（株）製のＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド）により現像を行うことにより、上述した未露光部分（コンタクトホール部および信号入力端子部）の樹脂は完全に除去されるとともに、低照度露光部分の樹脂は初期の膜厚に対して約４０％残膜し、また、高照度露光部分の樹脂は初期の膜厚に対して約８０％残膜した状態となった。
　【００６４】
　次に、図３（ｅ）に示すように、２００℃で６０分間の加熱処理を行うことにより、熱だれ現象によって上述したような状態の樹脂が変形し、滑らかな凹凸形状となった。
　【００６５】
　次に、図３（ｆ）に示すように、基板１上に反射電極１０としてＡｌ薄膜をスパッタリング法によって２０００Åの厚さに形成し、図３（ｇ）〜（ｋ）に示すように、１つのトランジスタに対して１つの反射電極１０が対応するようにパターニングを行った。
　【００６６】
　具体的には、図３（ｇ）に示すように、フォトレジスト２８を塗布し、図３（ｈ）に示すように、画素電極毎に分離するためのヌキ部および信号入力端子部２７を露光し、図３（ｉ）〜（ｋ）に示すように、現像、エッチング、剥離の工程を行うことによって反射電極１０となるＡｌ電極のパターニングを行った。
　【００６７】
　以上のような工程により、滑らかで高密度な凹凸部を有する反射電極１０を形成した。このような反射基板２３は、平坦部が減少しており、正反射成分の少ない理想的な反射特性を実現することが可能となっている。また、感光性樹脂のフォトプロセスの回数を削減することが可能となっており、反射板の製造に必要なコストの低減も可能となっている。
　【００６８】
　最後に、従来技術と同様な方法で、反射基板２３と、透明電極を支持するカラーフィルター基板とをスペーサーを介して貼り合わせ、液晶を注入して、カラーフィルター基板に位相差板と偏光板とを貼り付けて本実施の形態における反射型の液晶表示装置を完成させた。
　【００６９】
　（実施の形態２）
　以下、本発明の実施の形態２における反射型の液晶表示装置について、図面に基づいて説明する。なお、本実施の形態における反射型の液晶表示装置を構成する反射基板は、図１に示した反射基板と同じものであるが、その製造方法が異なるので、図６に示した断面図を用いて以下に説明する。
　【００７０】
　図６は、本実施の形態における反射型の液晶表示装置に使用される反射基板の製造工程を示した断面図であり、図中、左側には画素領域を示し、右側には信号入力端子部領域を示している。
　【００７１】
　まず、図６（ａ）に示すように、ガラス基板１上にネガ型の感光性樹脂９（製品名：ＦＥ３０１Ｎ：富士フィルムオーリン製）を１〜５μｍの厚さに塗布する。本実施の形態では、３μｍの厚さで塗布した。
　【００７２】
　次に、図７に示すように、透過部１７と遮光部１８とそれ以外の半透過部２９とが混在し、円形状の領域として透過部１７の面積が２０％以上４０％以下であるフォトマスク３５を用いて、図６（ｂ）に示すように、均一に高照度で露光を行った。このときの露光量は１６０ｍｊ〜５００ｍｊが好ましいが、本実施の形態では、２４０ｍｊの露光量により露光を行った。なお、このときのフォトマスクの円形もしくは多角形の透過部１７の面積は３０％で、隣り合う透過部１７の中心間隔が５μｍ以上５０μｍ以下、好ましくは１０μｍ〜２０μｍとなるようにランダムに配置されており、また、コンタクトホール３０に対応する領域には遮光部１８、それ以外の領域には、光透過率が透過部の１７％であるような半透過部２９がそれぞれ配置されているものを用いた。また、図示していないが、表示領域以外の領域については遮光領域とした構造となっている。
　【００７３】
　その後の工程は、上述した実施の形態１と同様で、図６（ｃ）に示すように現像を行い、図６（ｄ）に示すように加熱処理を行うことにより、熱だれ現象によって滑らかな凹凸形状を形成した。
　【００７４】
　そして、図６（ｅ）に示すように、基板１上に反射電極１０としてＡｌ薄膜を形成し、図６（ｆ）〜（ｊ）に示すように、１つのトランジスタに対して１つの反射電極１０が対応するようにパターニングを行った。
　【００７５】
　以上のような工程により、滑らかで高密度な凹凸部を有する反射電極１０を形成した。このような反射基板２３は、平坦部が減少しており、正反射成分の少ない理想的な反射特性を実現することが可能となっている。また、感光性樹脂のフォトプロセスの回数を削減することが可能となっており、反射板の製造に必要なコストの低減も可能となっている。
　【００７６】
　最後に、従来技術と同様な方法で、反射基板２３と、透明電極を支持するカラーフィルター基板とをスペーサーを介して貼り合わせ、液晶を注入して、カラーフィルター基板に位相差板と偏光板とを貼り付けて本実施の形態における反射型の液晶表示装置を完成させた。
　【００７７】
　なお、本実施の形態における反射型の液晶表示装置では、上述した実施の形態１と同様に、滑らかで高密度な反射凹凸を有する反射電極を形成しているが、感光性樹脂のフォトプロセス中で半透過部を有するフォトマスクを用いることにより、更に露光の回数を削減することが可能となっており、反射基板の製造に必要なコストを低減させることが可能となっている。
　【００７８】
　（実施の形態３）
　以下、本発明の実施の形態３における反射型の液晶表示装置について、図面に基づいて説明する。なお、本実施の形態における反射型の液晶表示装置を構成する反射基板は、図１に示した反射基板と同じものであるが、その製造方法が異なるので、図８に示した断面図を用いて以下に説明する。
　【００７９】
　図８は、本実施の形態における反射型の液晶表示装置に使用される反射基板の製造工程を示した断面図であり、図中、左側には画素領域を示し、右側には信号入力端子部領域を示している。
　【００８０】
　まず、図８（ａ）に示すように、ガラス基板１上にネガ型の感光性樹脂９（製品名：ＦＥ３０１Ｎ：富士フィルムオーリン製）を１〜５μｍの厚さに塗布する。本実施の形態では、３μｍの厚さで塗布した。
　【００８１】
　次に、図５に示すように、コンタクトホール部３０を除いた領域に円形状の領域として透過部１７の面積が２０％以上４０％以下である第２のフォトマスク２０を用いて、図８（ｂ）に示すように、コンタクトホール部３０を除いた領域を均一に低照度で露光を行った。このときの露光量は２０ｍｊ〜１００ｍｊが好ましいが、本実施の形態では、４０ｍｊの露光量によりで露光を行った。なお、このときの第２のフォトマスクの円形もしくは多角形の透過部１７は、隣り合う透過部１７の中心間隔が５μｍ以上５０μｍ以下、好ましくは１０μｍ〜２０μｍとなるようにランダムに配置されたものを用いた。
　【００８２】
　次に、図４に示すように、コンタクトホール部３０に対応する遮光部１８を配置した第１のフォトマスク１９を用いて、図８（ｃ）に示すように、コンタクトホール部３０を除いた領域を均一に、上述した第１の露光工程と同じ４０ｍｊの露光量で露光を行った。なお、この第１および第２のフォトマスクは、コンタクトホールの遮光状態と同様に、信号入力端子部２７についても遮光するような構造とした。
　【００８３】
　次に、図８（ｄ）に示すように、現像液である東京応化工業（株）製のＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド）により現像を行うことにより、未露光の部分（コンタクトホール部および信号入力端子部）の樹脂は完全に除去されるとともに、１回露光された部分の樹脂は初期の膜厚に対して約３０％残膜し、また、２回露光された部分の樹脂は初期の膜厚に対して約７０％残膜した状態となった。
　【００８４】
　次に、図８（ｅ）に示すように、２００℃で６０分間の加熱処理を行うことにより、熱だれ現象によって上述したような状態の樹脂が変形し、滑らかな凹凸形状となった。
　【００８５】
　その後の工程は、上述した実施の形態１および２と同様で、図８（ｆ）に示すように、基板１上に反射電極１０としてＡｌ薄膜を形成し、図８（ｊ）〜（ｋ）に示すように、１つのトランジスタに対して１つの反射電極１０が対応するようにパターニングを行った。
　【００８６】
　以上のような工程により、滑らかで高密度な凹凸部を有する反射電極１０を形成した。このような反射基板２３は、平坦部が減少しており、正反射成分の少ない理想的な反射特性を実現することが可能となっている。また、感光性樹脂のフォトプロセスの回数を削減することが可能となっており、反射板の製造に必要なコストの低減も可能となっている。
　【００８７】
　最後に、従来技術と同様な方法で、反射基板２３と、透明電極を支持するカラーフィルター基板とをスペーサーを介して貼り合わせ、液晶を注入して、カラーフィルター基板に位相差板と偏光板とを貼り付けて本実施の形態における反射型の液晶表示装置を完成させた。
　【００８８】
　なお、本実施の形態における反射型の液晶表示装置では、上述した実施の形態１と同様に、滑らかで高密度な反射凹凸を有する反射電極を形成しているが、感光性樹脂のフォトプロセス中の１回目と２回目の露光量を等しくすることにより、装置のスループットが向上し、反射基板の製造に必要なコストを低減させることが可能となっている。
　【００８９】
　（実施の形態４）
　以下、本発明の実施の形態４における透過反射両用型の液晶表示装置について、図面に基づいて説明する。図９は、本実施の形態における透過反射両用型の液晶表示装置における基板を示した平面図であり、図１０は、図９に示した基板の断面図であり、図１１は、その製造工程のフローを示した断面図である。
　【００９０】
　図９および図１０に示すように、本実施の形態における透過反射両用型の液晶表示装置に使用される基板２３には、基板２３上に形成された１つの画素電極が反射電極１０が形成される反射領域と、透明電極が形成される透過領域３１とに分割されている。そして、この反射電極１０の表面は、実施の形態１〜３と同様に、円形状の凹部または凸部からなる滑らかで高密度な凹凸状を有している。
　【００９１】
　このような構造により、透過型の液晶表示装置では表示が霞んでしまう位に強い周囲光であれば、反射型の液晶表示装置として使用することができ、一方、薄暗い環境で反射型の液晶表示装置では表示が見えにくいようであれば、バックライトを点灯して透過型の液晶表示装置として使用することができる。
　【００９２】
　このような本実施の形態における透過反射両用型の液晶表示装置は、図９および図１０に示すように、ガラス基板１上に液晶駆動用素子２４としてアモルファスシリコントランジスタを形成した構成となっている。この液晶駆動用素子２４は、ガラス基板１上のゲート電極２としてのＴａ、ゲート絶縁層３としてのＳｉＮｘ、半導体層４としてのａ−Ｓｉ、ｎ型半導体層５としてのｎ型ａ−Ｓｉ、ＩＴＯからなるソース電極７、ドレイン電極８と、それに積層するＴａ層３２などから構成されている。なお、このドレイン電極８のＩＴＯは、画素領域にまで延在して透過領域に構成される透明電極を形成している。
　【００９３】
　また、ゲートバスラインおよびソースバスラインに信号を入力するための信号入力端子部２７については、本実施の形態では図示していないが、上述した実施の形態１〜３と同様である。
　【００９４】
　ここで、本実施の形態における透過反射両用型の液晶表示装置の基板２３の製造工程について、図１１を基に説明する。なお、この図１１では、透過領域３１に存在するＩＴＯは省略した。
　【００９５】
　まず、図１１（ａ）に示すように、ガラス基板１上にネガ型の感光性樹脂９（製品名：ＯＦＰＲ−８００：東京応化製）を１〜５μｍの厚さに塗布する。本実施の形態では、３μｍの厚さで塗布した。
　【００９６】
　次に、図１２に示すように、コンタクトホール部３０および透過領域３１に対応する遮光部１８を配置した第１のフォトマスク３４を用いて、図１１（ｂ）に示すように、コンタクトホール部３０および透過領域３１を均一に低照度で露光を行った。なお、このときの第１および第２のフォトマスクは、コンタクトホールの遮光状態と同様に信号入力端子部２７についても遮光するような構造とした。このときの露光量は２０ｍｊ〜１００ｍｊが好ましいが、本実施の形態では、４０ｍｊの露光量により露光を行った。
　【００９７】
　次に、図１３に示すように、円形状の領域として透過部１７がコンタクトホール部３０と透過領域３１とに存在しないように配置されたの第２のフォトマスク３６を用いて、図１１（ｃ）に示すように、均一に高照度で露光を行った。このときの露光量は１６０ｍｊ〜５００ｍｊが好ましいが、本実施の形態では、透過部１７の面積が３０％の第２のフォトマスク３６を用いて２４０ｍｊの露光量により露光を行った。なお、このときの第２のフォトマスク３６の円形もしくは多角形の透過部１７は、反射電極の面積の３０％、隣り合う透過部１７の中心間隔が５μｍ以上５０μｍ以下、好ましくは１０μｍ〜２０μｍとなるようにランダムに配置されたものを用いた。
　【００９８】
　次に、図１１（ｄ）に示すように、現像液である東京応化工業（株）製のＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド）により現像を行うことにより、上述した露光部分（コンタクトホール部、透過領域、信号入力端子部）の樹脂は完全に除去されるとともに、低照度露光部分の樹脂は初期の膜厚に対して約４０％残膜し、また、未露光部の樹脂は初期の膜厚に対して約８０％残膜した状態となった。
　【００９９】
　次に、図１１（ｅ）に示すように、２００℃で６０分間の加熱処理を行うことにより、熱だれ現象によって上述したような状態の樹脂が変形し、滑らかな凹凸形状となった。た。
　【０１００】
　その後の工程は、上述した実施の形態１〜３と同様で、図１１（ｆ）の示すように、基板１上に反射電極１０としてＡｌ薄膜を形成し、１つのトランジスタに対して１つの反射電極１０が対応するようにパターニングを行った。
　【０１０１】
　以上のような工程により、滑らかで高密度な凹凸部を有する反射電極１０からなる反射領域と透明電極からなる透過領域とを有する基板を形成した。このような基板における反射電極は、平坦部が減少しており、正反射成分の少ない理想的な反射特性を実現することが可能となっている。また、感光性樹脂のフォトプロセスの回数を削減することが可能となっており、反射板の製造に必要なコストの低減も可能となっている。
　【０１０２】
　最後に、従来技術と同様な方法で、基板２３と、透明電極を支持するカラーフィルター基板とをスペーサーを介して貼り合わせ、液晶を注入して、カラーフィルター基板に位相差板と偏光板とを貼り付けて、基板の背面にはバックライトを設置して本実施の形態における透過反射両用型の液晶表示装置を完成させた。
　【０１０３】
　【発明の効果】
　本発明によれば、基板上に塗布した１層の感光性樹脂に対して、面積的に分割して露光量の積分値を異ならせて露光を行うことにより、滑らかで高密度の凹凸形状を形成することができ、平坦部を減少させ正反射成分の少ない理想的な反射手段を作製することが可能となっている。従って、感光性樹脂のフォトプロセス回数を削減し製造に必要なコストの削減を図ることが可能となっている。
　【０１０４】
　なお、本発明では、ネガ型の感光性樹脂を用いていることにより、ダストなどにより未露光となった部分の樹脂を現像によって除去することが可能となっていることから、コンタクトホール部および信号入力端子部などにダストが付着した場合であっても、確実に導通を確保することが可能となっている。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　図１は、本発明の実施の形態における反射型の液晶表示装置に使用する反射基板の平面図である。
　【図２】
　図２は、本発明の実施の形態における反射型の液晶表示装置に使用する反射基板の断面図である。
　【図３】
　図３（ａ）〜（ｋ）は、本発明の実施の形態における反射型の液晶表示装置に使用する反射基板の製造工程を示した断面図である。
　【図４】
　図４は、本発明の実施の形態における第１のフォトマスクの透過領域と遮光領域とのパターンを示した概略平面図である。
　【図５】
　図５は、本発明の実施の形態における第２のフォトマスクの透過領域と遮光領域とのパターンを示した概略平面図である。
　【図６】
　図６（ａ）〜（ｊ）は、本発明の実施の形態における反射型の液晶表示装置に使用する反射基板の製造工程を示した断面図である。
　【図７】
　図７は、本発明の実施の形態におけるフォトマスクのパターンを示した概略平面図である。
　【図８】
　図８（ａ）〜（ｋ）は、本発明の実施の形態における反射型の液晶表示装置に使用する反射基板の製造工程を示した断面図である。
　【図９】
　図９は、本発明の実施の形態における透過反射両用型の液晶表示装置に使用する反射基板の平面図である。
　【図１０】
　図１０は、本発明の実施の形態における透過反射両用型の液晶表示装置に使用する反射基板の断面図である。
　【図１１】
　図１１（ａ）〜（ｆ）は、本発明の実施の形態における透過反射両用型の液晶表示装置に使用する反射基板の製造工程を示した断面図である。
　【図１２】
　図１２は、本発明の実施の形態における第１のフォトマスクの透過領域と遮光領域とのパターンを示した概略平面図である。
　【図１３】
　図１３は、本発明の実施の形態における第２のフォトマスクの透過領域と遮光領域とのパターンを示した概略平面図である。
　【図１４】
　図１４は、従来の製造方法により作製した反射型の液晶表示装置を示した断面図である。
　【図１５】
　図１５（ａ）〜（ｅ）は、従来の反射型の液晶表示装置における反射基板の製造工程を示した断面図である。
　【図１６】
　図１６は、従来のフォトマスクの透過領域と遮光領域とのパターンを示した概略平面図である。
　【符号の説明】
　　１　　ガラス基板
　　２　　ゲートライン、ゲート電極、ゲート電極と同じ材質の端子部電極
　　３　　ゲート絶縁膜
　　４　　半導体層
　　５　　ｎ＋層
　　６　　エッチストッパ
　　７　　ソースライン、ソース電極
　　８　　ドレイン電極
　　９　　層間絶縁膜（感光性樹脂）
　１０　　反射電極
　１１　　液晶層
　１２　　ＩＴＯ電極
　１３　　カラーフィルター
　１４　　カラーフィルター側ガラス基板
　１５　　位相差板
　１６　　偏光板
　１７　　透過部
　１８　　遮光部
　１９　　第１のフォトマスク
　２０　　第２のフォトマスク
　２１　　フォトマスク
　２２　　ＵＶ光
　２３　　反射基板
　２４　　液晶駆動用素子
　２５　　カラーフィルター基板
　２６　　端子部接続電極
　２７　　信号入力端子部
　２８　　フォトレジスト
　２９　　半透過部
　３０　　コンタクトホール
　３１　　透過領域
　３２　　金属層
　３３　　凹部または凸部
　３４　　第１のフォトマスク
　３５　　フォトマスク
　３６　　第２のフォトマスク