【事件の表示】
　特許第３３７７９２８号「回路基板」の請求項１，２に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第３３７７９２８号の請求項１，２に係る特許を維持する。
【理　由】
【１】本件特許発明
　特許第３３７７９２８号(平成９年５月２８日出願)は、平成１４年１２月６日に設定登録されたもので、その請求項１，２に係る発明(以下、「本件発明１，２」という)は、特許明細書の特許請求の範囲の請求項１，２に記載された事項により特定されるとおりの、
「【請求項１】第１の表面と、第２の表面を具備するセラミック絶縁基板と、前記第１の表面に金属導体層を介して搭載された電子部品と、前記第２の表面に一体的に形成された放熱体と、前記金属導体層と前記放熱体とを熱的に接続するための３個以上の伝熱用ビアホール導体とを具備する回路基板であって、前記伝熱用ビアホール導体は、最大径ｄが０．１〜０．４ｍｍの円柱体から構成されるとともに、各ビアホール導体間が１．５ｄ〜４．０ｄの間隔をもって、隣接する各ビアホール導体の中心を結ぶ線分が正三角形をなすように配列したことを特徴とする回路基板。
　【請求項２】前記絶縁基板が、アルミナ質焼結体からなり、前記伝熱用ビアホール導体が、Ｗ（タングステン）またはＭｏ（モリブデン）等の高融点金属からなることを特徴とする請求項１記載の回路基板。」である。
　　　
【２】特許異議の申立て理由
　特許異議申立人　佐藤久美子は、甲第１〜３号証及び参考資料を提示し、本件発明１，２は、前記技術文献に記載された発明に基づき当業者が容易に発明をすることができたものであるから、その特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであって特許法第１１３条第２号の規定により、取り消されるべきものであるとしている。
【２-1】証拠方法
　甲第１号証；特開平９−１１６０９１号公報(以下、「刊行物２」という)
　甲第２号証；実願昭４８−８８１８７号(実開昭５０−３４０５７号公報)
　　　　　　　のマイクロフィルム(以下、「刊行物１」という)
　甲第３号証；特開平６−２９１４６３号公報(以下、「刊行物３」という)
　参考資料　；特開平８−５１１７１号公報(以下、「刊行物４」という)
　　　
【３】特許異議の申立てについての判断
【３-1】刊行物１〜４の記載内容
［１-1］刊行物１の記載事項
　第１頁第４〜７行に、
(刊1a)「電子部品類の電気信号用系路以外に、熱伝導板、熱伝導用スルーホールおよび放熱板からなる放熱手段を設けたことを特徴とするプリント配線板」と記載され、
　第２頁第１０〜１７行に、
(刊1b)「この考案を実施例につき図面を参照して説明すると、１は電子部品で、２のプリント配線板に半田３によりプリント配線板の電気信号系路４に半田付けられている。電子部品１に接触させて、プリント配線板に熱伝導板５とこれにメッキ結合しているスルホール６と放熱板７とを設け、電子部品類の発生する熱放散効果を高めようとするものである」と記載され、
　第２頁第１９行〜第３頁第２行に、
(刊1c)「電子部品類から発生する熱は、プリント配線板の熱伝導板５に伝わり、スルホールを介して放熱板７に伝わり、放熱される。なおスルホールは半田８にて埋めておく方が熱伝導効果が高い」と記載され、
　第１，２図に、
(刊1d)「複数の円柱状スルーホールが略正三角形の頂点位置を占めるように、熱伝導板の上から見て千鳥状に配置されている構造」が記載されている。
［１-2］刊行物１の開示内容
　前記(刊1a)〜(刊1d)の記載事項から、刊行物１には、
(刊1z)「第１の表面と、第２の表面を具備するプリント配線板と、前記第１の表面に金属導体層を介して搭載された電子部品と、前記第２の表面に一体的に形成された放熱体と、前記金属導体層と前記放熱体とを熱的に接続するための３個以上の伝熱用ビアホール導体とを具備するプリント配線板であって、前記伝熱用ビアホール導体は、隣接する各ビアホール導体の中心を結ぶ線分が略正三角形をなすように配列されたプリント配線板」の発明(以下、「引用発明」という)が開示されている。
　　　
［２］刊行物２の記載事項
　段落【0022】に、
(刊2a)「(a)多層配線基板と、前記多層配線基板の主面に搭載される少なくとも一つ以上の能動部品および受動部品と、前記能動部品の電極と前記多層配線基板の配線とを接続する導電性のワイヤと、前記多層配線基板の主面を覆うように多層配線基板に固定されるキャップと、前記多層配線基板の裏面に設けられた前記多層配線の複数の電極端子とを有する」と記載され、
　段落【0027】，【0028】に、
(刊2b)「（f)前記多層配線基板の所望部分には、所望の誘電体層から最下層の誘電体層まで貫通延在するサーマルビィアが設けられている。(g)前記サーマルビィアの上には半導体チップが位置している」と記載され、
　段落【0032】に、
(刊2c)「(k)前記多層配線基板は低温焼成多層セラミック基板となり、配線は銀系金属からなる高導電性金属で形成されている」と記載され、
　段落【0057】に、
(刊2d)「また、図８において示す小丸は、高周波パワーモジュール１内で発生した熱を外部に伝達するサーマルビィア１６であり、同図では一部のみを示してある。サーマルビィア１６は、サーマルビィアホールに熱伝導性の良好な金属を充填した構造となっている。サーマルビィア１６は、例えば発熱量の大きい能動部品である半導体チップの下部に設けられている」と記載され、
　段落【0061】に、
(刊2e)「多層配線基板２は、例えば、ガラスセラミックスを積層させた低温焼成多層配線基板からなり、配線は高導電性金属、例えば銀系金属を使用している」と記載され、
　段落【0066】に、
(刊2f)「一方、第１層配線３０，第２層配線３１，第３層配線３２，第４層配線３３の各配線は、図２および図４に示すように、所望の誘電体層から所望の深さの誘電体層まで貫通延在するブラインド型ビィア４０や最上段の誘電体層から最下段の誘電体層まで貫通延在する貫通型ビィア４１、さらには所望の誘電体層から最下段の誘電体層まで貫通延在するサーマルビィア１６によって電気的に接続されている。これらブラインド型ビィア４０，貫通型ビイア４１およびサーマルビィア１６はビィアホールにAgを充填させた構造となっている」と記載され、
　段落【0068】に、
(刊2g)「前記上段誘電体層２５には、図２乃至図５に示すように、矩形の窪み４２，４３が設けられ、これら窪み４２，４３の底には半導体チップ４４，４５が固定されている」と記載され、
　段落【0069】に、
(刊2h)「前記半導体チップ４５は、図２および図４に示すように、グランド配線１５となる第２層配線３１に銀ペースト等の接合材４７を使用して固定される。また、半導体チップ４４，４５が固定される部分には、多数のサーマルビィア１６が設けられ、半導体チップ４４，４５から発生する熱を速やかに外部に伝達するようになっている。熱は、多層配線基板２の裏面のグランド配線１５およびレジスト膜１４を介して実装基板に放熱される。したがって、半導体チップ４４，４５は安定した動作を行う」と記載され、
　段落【0075】に、
(刊2i)「本実施形態の場合は１２．３mm×８mmと大幅に小さくなる」と記載され、
　段落【0080】，【0081】に、
(刊2j)「(６)多層配線基板２の所望部分には、所望の誘電体層から最下層の誘電体層まで貫通延在するサーマルビィア１６が設けられている。したがって、熱放散性が高くなり、安定した電気特性が得られる。(７)サーマルビィア１６の上には半導体チップ４４，４５が位置している。したがって、半導体チップ４４，４５で発熱した熱は速やかに外部に放散され、電界効果トランジスタが安定動作する」と記載されている。
　　　
［３］刊行物３の記載事項
　段落【0001】に、
(刊3a)「多層配線セラミックス基板およびその製造方法に関し、特にビアホールの穿設、ビアホールの穴埋めおよび配線パターンを施した複数のグリーンシートを積層・一体化してグリーンシート積層体を形成し、さらに、前記グリーンシート積層体を焼成することにより形成する多層配線セラミックス基板およびその製造方法に関する」と記載され、
　段落【0008】に、
(刊3b)「マトリックス状に穿設されたビアホールの全てに対して導体が埋め込まれることから、前記導体を介して好適に放熱することが可能となる」と記載され、
　段落【0017】に、
(刊3c)「このビアホール１２は、図２並びに図３に示すように、マトリックス状に一定のピッチPによって規格化された複数個の孔部から構成される。低温焼成用グリーンシートのビアホール１２では、ビアホール１２aの直径φが０．１５mm、ピッチPが０．３５mmであり、ビアホール１２aが穿孔されていないグリーンシート１０の周縁部のスペース幅Sは縦横ともに０．５mmにした。一方、アルミナグリーンシートのビアホール１２では、ビアホール１２aの直径φが０．３mm、ピッチPが０．４mmであり、ビアホール１２aが穿孔されていないグリーンシート１０の周縁部のスペース幅Sを縦横ともに０．６mmにした」と記載され、
　段落【0018】に、
(刊3d)「前記穿孔された複数のすべてのビアホール１２に対して導体ペースト１４により穴埋め印刷が行われる（ステップS６b、S６c）。前記導体ペースト１４は、低温焼成用グリーンシートでは、例えば、銀もしくは銅を使用し、一方、アルミナグリーンシートでは、例えば、モリブデンもしくはタングステン（好ましくはモリブデンがよい）を用いた」と記載されている。
　　　
［４］刊行物４の記載事項
　段落【0017】に、
(刊4a)「両サーマルビア４ａ，４ｂは、通常、１００μｍ〜１５００μｍ間隔で配置されている。また該ビアは、通常、５０〜１０００μｍ程度の径とされ」と記載されている。
　　　
【３-2】本件発明１，２と刊行物１〜４の記載内容との対比・判断
［１］本件発明１について、
　本件発明１と上記刊行物１に開示された引用発明(刊1z)とを比べると、
　引用発明には、本件発明１の発明特定事項である、(本-1)「３個以上の伝熱用ビアホール導体を具備するセラミック絶縁回路基板であって、前記伝熱用ビアホール導体は、最大径ｄが０．１〜０．４ｍｍの円柱体から構成されるとともに、各ビアホール導体間が１．５ｄ〜４．０ｄの間隔をもって、隣接する各ビアホール導体の中心を結ぶ線分が正三角形をなすように配列したこと」がない。また、前記刊行物１の記載全体をみても、前記(本-1)の発明特定事項については、記載も示唆もない。
　なおここで、特許異議申立人が提示した、公開公報の図面及び(出願の)願書に添付した図面は、各発明又は考案を説明するためのものであって、それらが直ちに実際の寸法を表したものとはいえない。
　　　
　そして、上記刊行物３の摘記(刊3c)や、上記刊行物４の摘記(刊4a)には、ビアホールの径とビアホール間の間隔について記載されてはいる。しかしながら、それらの数値はあくまでも、グリッドパターンの交点に配置されるビアホールに関するものである。
　すなわち、上記刊行物２〜４に記載されたビアホールは、すべて四角形の各角に配置されたものであるから、本件発明１の上記(本-1)で規定された「伝熱用ビアホール導体の径やその配置間隔」と直接・間接を問わず関連性をもつものとはいえない。
　　　
　さらに、上記刊行物１の摘記(刊1a)〜(刊1d)をはじめ、当該刊行物１の全記載を参照しても、引用発明でビアホールが略正三角形の配置になってはいるものの、本件特許明細書記載の「サーマルビアを四角格子状に形成すると、単位面積あたりのサーマルビアの形成数が少なくなり放熱性が低下するとともに、一個のサーマルビア周辺のサーマルビアとの距離が四角格子状での辺と対角線に位置するサーマルビアによって距離が異なる結果、サーマルビアに対する周辺の応力分布が不均一となりサーマルビア間のセラミックスに亀裂が発生しやすくなる」という課題認識ないし発想は見当たらない。
　したがって、刊行物１に開示された引用発明と刊行物２〜４の記載内容とを組み合わせる必然性が見出せない。
　　　
　そして、本件発明１は上記(本-1)の事項により、「本件発明の回路基板は、複数個のサーマルビアの直径、ビア間距離および配列を調整することにより、セラミック絶縁基板に、反りや亀裂の発生がなく、放熱効率を高めることができることにより、ＩＣなどの電子部品から発生する熱を効率的に放熱体に伝達することが可能となり、ＩＣの誤動作などの発生のない信頼性の高い回路基板を提供できる」という作用効果を奏するものである。
　　　
　よって、本件発明１は、刊行物１〜４に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
　　　
［２］本件発明２について、
　本件発明２は本件発明１を引用するものであって、「絶縁基板が、アルミナ質焼結体からなり、伝熱用ビアホール導体が、Ｗ（タングステン）またはＭｏ（モリブデン）等の高融点金属からなる」ことをさらなる発明特定事項としている。
　してみれば、【３-2】の前記［１］段落で述べたように、本件発明１が刊行物１〜４に記載された発明から容易でない以上、本件発明２も必然の結果として刊行物１〜４に記載された発明から容易に想到できたものとすることはできない。
　　　
【４】むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、本件発明１，２に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明１，２に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１６年８月２３日（２００４．８．２３）