【事件の表示】
　特許第３１０９７０７号「耐熱性接着剤及びそれを含む半導体パッケージ」の特許異議申立事件についてされた平成１４年２月２１日付け異議の決定に対し、東京高等裁判所において決定取消の判決（平成１４年（行ケ）第１７１号、平成１５年２月１０日判決言渡）があったので、さらに審理のうえ、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第３１０９７０７号の請求項１ないし１１に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
　特許第３１０９７０７号の請求項１ないし１１に係る発明についての出願は、平成６年３月２９日に出願（優先権主張　１９９３年３月２９日　日本（ＪＰ）、１９９３年３月２９日　日本（ＪＰ）、１９９４年１月３１日　日本（ＪＰ））され、平成１２年９月１４日に特許権の設定登録がなされ、その後、その特許について、特許異議申立人株式会社巴川製紙所、及び、住友ベークライト株式会社より特許異議の申立てがなされ、平成１４年２月２１日に異議の決定がなされ、これに対して東京高等裁判所において決定取消の判決（平成１４年（行ケ）第１７１号、平成１５年２月１０日判決言渡）がなされたものである。
　
２．特許異議の申立てについて
　
（１）本件発明
　本件の請求項１〜１１に係る発明（以下、「本件発明１〜１１」という。）は、その特許請求の範囲の請求項１〜１１に記載された次のとおりのものと認める。
  　
「【請求項１】　半導体チップをリードフレームに接着部材で接着し、少なくとも半導体チップ、半導体チップとリードフレームの接着部を封止材で封止して半導体パッケージを製造するための接着部材に使用される耐熱性熱可塑性樹脂を主成分とする耐熱性接着剤であって、１９×５０ｍｍ、厚さ２５μｍの接着剤フィルムを３５０℃、３ＭＰａ、１分の条件でプレスした際に、はみだし接着剤の長さを長辺方向の中央部で測定したはみ出し長さ２ｍｍ以下、吸水率３重量％以下、ガラス転移温度２００℃以上であることを特徴とする耐熱性接着剤。
 【請求項２】　半導体チップをリードフレームに接着部材で接着し、少なくとも半導体チップ、半導体チップとリードフレームの接着部を封止材で封止して半導体パッケージを製造するための接着部材に使用される耐熱性熱可塑性樹脂を主成分とする耐熱性接着剤であって、(a) 該半導体パッケージがＬＯＣ（リード・オン・チップ）構造を有し、且つ (b)１９×５０ｍｍ、厚さ２５μｍの接着剤フィルムを３５０℃、３ＭＰａ、１分の条件でプレスした際に、はみだし接着剤の長さを長辺方向の中央部で測定したはみ出し長さ２ｍｍ以下、吸水率３重量％以下、ガラス転移温度２００℃以上であることを特徴とする耐熱性接着剤。
 【請求項３】　上記接着部材が耐熱性フィルムの両側に該耐熱性接着剤塗膜を設けてなる複合接着シートであることを特徴とする請求項１〜２のいずれかに記載の耐熱性接着剤。
 【請求項４】　耐熱性フィルムの両側に設けられた耐熱性接着剤塗膜が、互いに異なる該耐熱性接着剤からなることを特徴とする、請求項３記載の耐熱性接着剤。
 【請求項５】　上記接着部材が耐熱性接着剤単独であることを特徴とする、請求項１又は２記載の耐熱性接着剤。
 【請求項６】　耐熱性接着剤がポリイミド接着剤であることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の耐熱性接着剤。
 【請求項７】　ポリイミド接着剤がジアミン（A)と酸無水物(B) から合成されるものであって、しかも〔１〕該ジアミン（A)が　アルキレンジアミン、メタフェニレンジアミン、メタトルイレンジアミン；4,4'-ジアミノジフェニルエーテル（ＤＤＥ）、4,4'-ジアミノジフェニルメタン、4,4'-ジアミノジフェニルスルホン；3,3'-ジアミノジフェニルスルホン、3,3'-ジアミノベンゾフェノン；1,3-ビス（4-アミノクミル）ベンゼン、1.4-ビス（4-アミノクミル）ベンゼン、1,3-ビス（３-アミノフェノキシ）ベンゼン、1.4-ビス（3-アミノフェノキシ）ベンゼン、1.4-ビス（4-アミノフェノキシ）ベンゼン；2,2-ビス［4-（4-アミノフェノキシ）フェニル］プロパン（ＢＡＰＰ）、2,2-ビス［4-（4-アミノフェノキシ）フェニル］ヘキサフルオロプロパン；ビス［4-（3-アミノフェノキシ）フェニル］スルホン（ｍ-ＡＰＰＳ）、ビス［4-（4-アミノフェノキシ）フェニル］スルホン；4,4'-ジアミノ-3,3',5,5'-テトラメチルジフェニルメタン、4,4'-ジアミノ?3,3',5,5'-テトラエチルジフェニルメタン、4,4'-ジアミノ-3,3',5,5'-テトライソプロピルジフェニルメタン、4,4'-ジアミノ-3,3'-ジメチル-5,5'-ジエチルジフェニルメタン、4,4'-ジアミノ-3,3'-ジメチル-5,5'-ジイソプロピルジフェニルメタン、4,4'-ジアミノ-3,3'-ジエチル-5,5'-ジイソプロピルジフェニルメタン、4,4'-ジアミノ-3,3'-ジメチルジフェニルメタン、4,4'-ジアミノ-3,3'-ジエチルジフェニルメタン、4,4'-ジアミノ-3,3'-ジイソプロピルジフェニルメタン；下記一般式（1)のシロキサンジアミンからなる群から選択された少なくとも１種であり、且つ
【化１】（式略）
（但し、Ｒ15およびＲ18がどちらもトリメチレン基であり、Ｒ16およびＲ17がどちらもメチル基であり、ｍが１、平均１０前後、平均２０前後、平均３０前後、平均５０前後、平均１００前後である。）
〔ＩＩ〕酸無水物(B) が、無水トリメリット酸、無水マレイン酸、無水ナジック酸、無水アリルナジック酸；3,3',4,4'-ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物（ＢＴＤＡ）；2,2-ビスフタル酸ヘキサフルオロイソプロピリデン二無水物；ビス（3,4-ジカルボキシフェニル）エーテル二無水物、ビス（3,4-ジカルボキシフェニル）スルホン二無水物、4,4'-ビス（3,4-ジカルボキシフェノキシ）ジフェニルスルホン二無水物；2,2-ビス［4-（3,4-ジカルボキシフェノキシ）フェニル］プロパン二無水物；エチレングリコールビストリメリテート二無水物（ＥＢＴＡ）、デカメチレングリコールビストリメリテート二無水物（ＤＢＴＡ）、ビスフェノールＡビストリメリテート二無水物（ＢＡＢＴ）；4,4'-［1,4-フェニレンビス（1-メチルエチリデン）］ビスフェニルビストリメリテート二無水物からなる群から選択された少なくとも１種であることを特徴とする請求項６記載の耐熱性接着剤。
【請求項８】　１９×５０ｍｍ、厚さ２５μｍの接着剤フィルムを３５０℃、３ＭＰａ、１分の条件でプレスした際に、はみだし接着剤の長さを長辺方向の中央部で測定したはみ出し長さ２ｍｍ以下、吸水率３重量％以下、ガラス転移温度２００℃以上である耐熱性熱可塑性樹脂を主成分とする耐熱性接着剤を接着部材に使用することを特徴とする、半導体チップをリードフレームに接着部材で接着し、少なくとも半導体チップ、半導体チップとリードフレームの接着部を封止材で封止した半導体パッケージ。
【請求項９】　１９×５０ｍｍ、厚さ２５μｍの接着剤フィルムを３５０℃、３ＭＰａ、１分の条件でプレスした際に、はみだし接着剤の長さを長辺方向の中央部で測定したはみ出し長さ２ｍｍ以下、吸水率３重量％以下、ガラス転移温度２００℃以上である耐熱性熱可塑性樹脂を主成分とする耐熱性接着剤を接着部材に使用することを特徴とする、半導体チップをリードフレームに接着部材で接着し、少なくとも半導体チップ、半導体チップとリードフレームの接着部を封止材で封止した半導体パッケージであって、該半導体パッケージがＬＯＣ（リード・オン・チップ）構造を有する半導体パッケージ。
【請求項１０】　請求項３〜７のいずれかに記載の耐熱性接着剤を接着部材に使用することを特徴とする、請求項８記載の半導体パッケージ。
【請求項１１】　請求項３〜７のいずれかに記載の耐熱性接着剤を接着部材に使用することを特徴とする、請求項９記載の半導体パッケージ。」
    　
（２）申立ての理由の概要
　異議申立人株式会社巴川製紙所（以下、「申立人Ａ」という。）は、本件発明１〜１１についての特許に対して、申立ての証拠として、甲第１号証〔特願平４−１４４１８２号（特開平５−３３１４２４号公報参照）の願書に最初に添付した明細書（以下、「先願明細書１」といい、「先願明細書１」に記載された発明を「先願発明１」という。）〕、甲第２号証〔特願平４−１４４１８３号（特開平５−３３１４４５号公報参照）の願書に最初に添付した明細書（以下、「先願明細書２」といい、「先願明細書２」に記載された発明を「先願発明２」という。）〕、及び、甲第３号証（試験報告書）を提出して、本件発明１〜１１は、先願発明１及び先願発明２と同一であることから、当該発明に係る特許は、特許法第２９条の２の規定に違反してなされたものである旨主張している。
　また、異議申立人住友ベークライト株式会社（以下、「申立人Ｂ」という。）は、本件発明１〜１１についての特許に対して、申立ての証拠として、甲第１号証（日立化成テクニカルレポート、No.19、1992-7、p.19-22）、甲第２号証（特開平２−２４６１２５号公報）、甲第３号証（特開平５−３３５３７９号公報）、甲第４号証（特開平５−３３１４２５号公報）、甲第５号証（特開平４−３４３８号公報）、甲第６号証（特開平４−２９１９５０号公報）、甲第７号証（実験成績証明書）を提出して、本件発明１〜３、５〜９は、甲第１号証〜甲第３号証に記載された発明であることから、当該発明に係る特許は、特許法第２９条第１項第３号に該当し、また、本件発明１〜１１は、甲第１号証〜甲第６号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであることから、当該発明に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものである旨主張している。
      　
（３）取消理由の概要
　平成１３年８月２２日付の取消理由通知書において、本件発明１〜１１は、申立人Ａが提出した甲第１号証、甲第２号証、及び、申立人Ｂが提出した甲第３号証の特許出願の願書に最初に添付した明細書又は図面に記載された発明と同一であり、しかも、この出願の発明者がその出願前の特許出願に係る上記の発明をした者と同一ではなく、またこの出願の時において、その出願人が上記特許出願の出願人と同一でもないので、特許法第２９条の２の規定により特許を受けることができない旨、特許権者に対して通知した。
　
（４）各甲号証に記載の発明
        　
　申立人Ａが甲第１号証として提出した先願明細書１には、「3,3',4,4'-ジフェニルスルフォンテトラカルボン酸二無水物とビス-4-(アミノフェノキシ)フェニルスルフォンおよびα,ω-ビス(3-アミノプロピル)ポリジメチルシロキサンとを反応させてイミド閉環せしめたポリイミド樹脂が主成分であるフィルム接着剤。」（特許請求の範囲の請求項１）、「請求項１・・・の記載の接着剤が耐熱性フィルム基材の片面又は両面に施されたフィルム接着剤。」（特許請求の範囲の請求項４）、「本発明は、低吸水性と耐熱性に優れた・・・特に半導体実装材料として適したシリコン基板や金属に対する接着力が優れ・・・」（段落【０００１】）、「・・・一つは・・・ＣＯＬ・・・とその発展形である・・・ＬＯＣ・・・である。・・・」（段落【０００２】）、「本発明のポリイミド樹脂を得るのに用いる3,3',4,4'-ジフェニルスルフォンテトラカルボン酸二無水物（以下ＤＳＤＡと略す）は式（１）、ビス-4-(アミノフェノキシ)フェニルスルフォンは式（２）、α,ω-ビス(3-アミノプロピル)ポリジメチルシロキサン（以下ＡＰＰＳと略す）は式（３）で表されるものである。式（２）で表されるアミンはアミノ基の置換位置によりビス-4-(4-アミノフェノキシ)フェニルスルフォン（以下ＢＡＰＳと略す）とビス-4-(3-アミノフェノキシ)フェニルスルフォン（以下ＢＡＰＳＭと略す）があり、耐熱性の点からＢＡＰＳの使用が好ましい。」（段落【０００８】）が記載され、第１表（第６頁）には、実施例５として、ＤＳＤＡ、ＢＡＰＳ及びＡＰＰＳから合成され、ＤＳＣ法によるガラス転移温度が２４６℃である接着剤の例が示されている。
　
　申立人Ａが甲第２号証として提出した先願明細書２には、には、「ポリイミド樹脂を・・・支持体の上に塗布、乾燥して得ることを特徴とするフィルム接着剤の製造方法。」（特許請求の範囲の請求項１）、「本発明は、耐熱性に優れ吸水性が低く・・・特に半導体実装材料として適したシリコン基板や金属に対する接着力に優れ、・・・に関するものである。」（段落【０００１】）、「・・・一つはメモリー素子に提案されている・・・ＬＯＣ・・・構造である。」（段落【０００２】）、「本発明では、ポリイミド樹脂の酸成分としては、3,3',4,4'-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、3,3',4,4'-ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、・・・を使用することができる。」（段落【００１１】）、「α,ω-ビスアミノポリジメチルシロキサンとしては、α,ω-ビス(3-アミノプロピル)ポリジメチルシロキサンなどを挙げることができる。・・・」（段落【００１２】）、「α,ω-ビスアミノポリジメチルシロキサン以外のアミン成分としては、1,4-ビス(3-アミノフェノキシ)ベンゼン、・・・などのジアミンを使用することができる。」（段落【００１３】）、「支持体をそのまま基材とした２層あるいは３層構造の形態で接着剤として使用することも可能であり、・・・ポリイミドの耐熱性と高信頼性を活かすことができる。」（段落【００２１】）、「（実施例４）実施例１と同様に、ビス-4-(3-アミノフェノキシ)フェニルスルフォン、α,ω-ビス(3-アミノプロピル)ポリジメチルシロキサン（平均分子量８７０）、4,4'-ジフェニルスルフォンテトラカルボン酸二無水物を・・・反応し、ポリイミド樹脂を得た。・・・ポリエステルフィルムを支持体として単体フィルムを容易に作成できた。・・・このフィルムのガラス転移温度は２１５℃で、・・・あった。」（段落【００２９】）が記載されている。
          　
　申立人Ａが提出した甲第３号証は、耐熱性接着剤のはみだし長さ、吸水率及びガラス転移温度の分析評価に関する試験報告書である。
            　
　申立人Ｂが提出した甲第１号証は、「半導体ダイパッド用絶縁テープ　ＨＭ−１００シリーズ」と題する論文であり、「パッケージ内部構造が・・・チップを絶縁フィルムを介して、接着剤で直接リードフレームに接着させるＣＯＬ（Ｃｈｉｐ　ｏｎ　Ｌｅａｄ）やＬＯＣ（Ｌｅａｄ　ｏｎ　Ｃｈｉｐ）と呼ばれる構造が最近注目されてきている（表１）。」（第１９頁左欄下から１５行〜１０行）こと、「これらの接着剤の基本特性を表２に示すが、ポリエーテルアミドは前述のようにＰＣＴ後の接着強度の低下がきわめて少ないほか、ヤング率が高く硬いことに加えて可とう性があり、応力を吸収しやすいという特性を持っている。」（第２２頁左欄第９行〜第１３行）こと、「ＣＯＬ構造を実用化する上で、もうひとつの重要な技術課題としてはんだ付け時のパッケージクラックの問題がある。この問題は、パッケージの薄形化やはんだ付け温度の高温化などの技術動向から、ＣＯＬ構造やＬＯＣ構造だけではなく従来の構造のものでも重大な問題となっている。このパッケージクラックの原因は、パッケージ内部に浸入した水分が、はんだ付けの際高温にさらされることによって急激に膨張し、このときの膨張力が封止樹脂の破断強度を越えることによって生じるものと考えられている。・・・加熱試験（ペーパー・フェーズ・ソルダリング試験（以下、ＶＰＳ試験と略す。）を行うと、パッケージ側面に大きな樹脂クラックが生じることがわかった。このクラックを生じたパッケージ内部を観察してみると、絶縁テープの接着剤層が引き伸ばされ、クラックの起点となっていることから、絶縁テープに吸湿した水分が気化する際の張力が、高温と吸湿によって弾性率の低下した接着剤層に応力が集中し、このことがクラックの原因となったものと推定される。そこで、このパッケージクラック対策として、材料面では接着剤であるポリエーテルアミドを変性し、Ｔｇと弾性率をさらに高めることによって対応した。・・・これらの材料と構造両面からの対策により、パッケージクラックの問題を解決することができた。」（第２２頁第２１行〜第４８行）ことが記載され、表２（第２２頁）には、各接着剤のＴｇ（℃）、ヤング率（ＭＰａ）、吸水率（％）などが記載されている。
              　
　申立人Ｂが提出した甲第２号証には、「また、絶縁性フィルム４又は樹脂成形体６をインナーリード３Ａ及び半導体チップ１に接合するための接着剤としては、・・ポリイミド系樹脂・・などの熱可塑性樹脂の中から選択することができる。また、ＳＯＪ等の面実装型集積回路ではプリント基板（ＰＣＢ）へ半田実装する場合に、・・この場合パッケージ内の吸湿水分がリフロー温度（２１５〜２６０℃）で気化膨張し、チップ界面の接着を剥し、剥離面の内圧が上昇して封止レジンがクラックする場合がある。ＬＯＣ構造では、インナーリード３Ａと半導体チップ１を絶縁フィルム４又は樹脂成形体６で接合する構造であるため、絶縁フィルム４又は樹脂成形体６自身の吸湿によって、前述の現象を加速する。・・ここで、前記絶縁フィルム４又は樹脂成形体６の絶縁体の材料物性について検討する。ＬＯＣ構造の半導体装置又はＣＯＬ（Ｃｈｉｐ　ｏｎ　Ｌｅａｄ）構造の半導体装置におけるインナーリード３Ａと半導体チップ１との間の接合絶縁材料として下記７項目の条件の内２個以上の条件を満たす材料を使用する。（１）飽和吸湿率が封止レジンと同程度もしくはそれ以下であること。・・・（６）熱膨張係数が２０×１０−６／℃以下であること。・・（７）熱可塑樹脂の場合、ガラス転移温度Ｔｇが２２０℃以上であること。これは，リフローソルダー時の高温（２１５℃）において、ガラス転移温度Ｔｇが２２０℃未満の材料では熱変形し、パッケージクラックが発生し易くなるが、前記条件はこれを防止する効果がある。・・・接着剤をコーティングしたフィルムでは、前記項目をいずれも満足すると共に、特に吸湿率及び誘電率が小さいという特徴がある。」（第１８頁右上欄７行〜第１９頁左上欄１３行）ことが記載され、第１表（第３５頁）には、実施例１〜３について、硬化物物性の吸湿率が記載され、「そして、第５４Ａ図・・及び第５６図・・に示すように、・・前記吊りリード３Ｃ１で前記半導体チップ１が接着剤７により接着固定される。・・・また、前記吊りリード３Ｃ１と前記半導体チップ１との間に絶縁フィルム４を介在させて接着してもよい。」（第３０頁左下欄５行〜１９行）ことが記載されている。
                　
　申立人Ｂが提出した甲第３号証は、本件発明の優先日前に出願され、本件発明の優先期間内に公開されたものであることから、甲第３号証（特願平４−１４２９１５号（特開平５−３３５３７９号公報参照）の願書に最初に添付した明細書（以下、「先願明細書３」という。）に記載された発明（以下、「先願発明３」という。）は、本件発明に対する先願発明として扱う。先願明細書３には、「耐熱性絶縁フィルムと、該耐熱性絶縁フィルムの少なくとも片面に形成されたポリイミド系樹脂層とからなり、該ポリイミド系樹脂層の酸成分がベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物を主成分とする芳香族テトラカルボン酸二無水物であり、ジアミン成分がシロキサン系ジアミンを主成分として、・・・を特徴とする耐熱性接着材料。」（特許請求の範囲の請求項１）、「請求項１記載の耐熱性接着材料を、リードフレーム固定用またはリードオンチップ用接着剤として使用する方法。」（特許請求の範囲の請求項４）が記載され、「また、ＬＯＣ・・用接着テープに使用する場合には、・・・パッケージクラック発生原因になる問題があるため、発生ガスのない耐熱性接着剤テープが求められているが、また実用化にいたっていないのが実情である。」（第２頁右欄下から２８行〜下から２２行）こと、「本発明の耐熱性接着材料は、上述のような耐熱性絶縁フィルムにベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物とパラフェニレンジアミンを含むシロキサン系ジアミンを主成分とする樹脂を塗布し、イミド化した薄膜を有する耐熱性絶縁材料であって、・・」（段落【００１６】）、「実施例２　実施例１と同様の反応装置にＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミド１０５ｇ入れ窒素気流下で１，１，３，３−テトラメチル−１，３−ビス（３−アミノプロピル）ジシロキサン１４．９３３ｇ（９５ｍｏｌ％）およびｐ−フェニレンジアミン０．３４２ｇ（５ｍｏｌ％）を溶解したあと、・・・（省略）接着力２．３ｋｇ／ｃｍで、耐熱性積層テープとして実用レベルを十分満足するものであった。」（段落【００３５】）こと、及び、「リードフレーム固定用またはＬＯＣ用接着テープに使用する場合には、耐熱樹脂フィルムの両面に接着層を施し使用目的のサイズにカットしたあとリードフレームに該接着テープを接着し、さらにＩＣチップを接着固定すれば良い。」（段落【００２４】）ことが記載されている。
                  　
　申立人Ｂが提出した甲第４号証には、「４，４’−オキシジフタル酸二酸無水物ａモルと、３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物と３，３’，４，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物からなる群より選ばれた１種類または２種類のテトラカルボン酸二無水物ｂモルとを酸成分とし、一般式（１）（省略）で表される１種類または２種類以上のジアミンｃモルと、・・・で両成分を反応させてイミド閉環せしめたポリイミド樹脂からなるフィルム接着剤。」（特許請求の範囲の請求項１）、「一つはメモリー素子に提案されているダイ・パッドのないリードフレームの上にチップを載せるＣＯＬ（チップ・オン・リード）構造とその発展型であるチップ上にリードを載せるＬＯＣ（リード・オン・チップ）構造である。」（第２頁左欄２９行〜３３行）こと、「本発明は、低温短時間で接着可能な低吸水性と耐熱性に優れたフィルム接着剤を得るべく鋭意検討を重ねた結果、特定構造のポリイミド樹脂が上記課題を解決することを見出し、本発明に到達したものである。」（段落【０００６】）こと、「一般式（１）で表されるジアミンは２，２−ビス（４−（４−アミノフェノキシ）フェニル）プロパン（ＢＡＰＰ）、・・」（段落【００１１】）ことが記載され、第１表（第６頁）には、実施例１〜５について、ＢＴＤＡ、ＢＡＴＴの配合量や吸水率（％）等が記載され、「本発明において、ポリイミド樹脂をフィルム接着剤とするには、・・・離型シートの上に・・によりフィルムを形成させ、加熱・乾燥後剥離してフィルム接着剤としたり、耐熱性フィルム基材を支持体として用い、その片面又は両面に同様にフィルム層を形成させ、支持体と共にフィルム接着剤とするなどの方法で得ることができる。」（段落【００２１】）ことが記載されている。
                    　
　申立人Ｂが提出した甲第５号証には、「リードフレームのアイランド上の半導体チップのダイボンディングに、ダイボンディング材として有機高分子接着剤を使用し、封止樹脂で封止した樹脂封止型半導体装置において、接着剤硬化物の２００℃以上の弾性率が４×１０９ｄｙｎ／ｃｍ２以上であり、かつ８５℃／８５％Ｒ．Ｈ．で７２時間放置後の吸湿率が０．２％以下である有機高分子接着剤を用いたことを特徴とする高耐熱性樹脂封止型半導体装置。」（特許請求の範囲）が記載され、「ダイボンディング材は・・ポリイミド系・・等の有機高分子材料に移行してきている。」（第２頁左上欄１行〜３行）こと、「有機高分子材料をダイボンディング材として使用する樹脂封止型半導体装置において、基板実装時の２００℃以上の加熱によるパッケージの変形及びクラックの発生を防止することができる高耐熱性樹脂封止型半導体装置を提供することを目的とする。」（第２頁左上欄１８行〜右上欄３行）、「ダイボンディング層の膨張変形において、変形を生じる因子は主として熱膨張係数であり、一方、変形を阻止する因子は主とし弾性率である。・・・従って、２００℃以上における弾性率の高いダイボンディング材であれば、ダイボンディング層の膨張変形の防止に役立つ。・・・即ち吸湿率の低い樹脂であることが必要である。」（第２頁右上欄１５行〜左下欄１１行）ことが記載されている。
                      　
　申立人Ｂが提出した甲第６号証には、「半導体チップの回路形成面上に、複数の信号用インナーリードが、前記半導体チップと電気的に絶縁する絶縁テープを介在して接着され、該インナーリードと半導体チップとがそれぞれボンディングワイヤで電気的に接続され、モールド樹脂で封止される半導体装置であって、前記複数の信号用インナーリードと前記半導体チップと電気的に絶縁する絶縁フィルムは、絶縁テープ基板の両側に同質のポイミド系樹脂を施したものであることを特徴とする半導体装置。」（特許請求の範囲）が記載され、「接着剤がはみ出してもボンディングワイヤ５にショートしない程度の寸法」として「３００〜２０００μｍ（好ましい寸法；７００μｍ）」、及び、「共用インナーリード３Ａ２側の絶縁テープ４のはみ出し寸法」として「１０〜２００μｍ（好ましい寸法：１００μｍ）」が記載（段落【００５１】）されている。
                        　
　申立人Ｂが提出した甲第７号証は、特開平５−３３５３７９号公報の実施例２に示された材料について追試を行った実験成績証明書である。
                          　
（５）対比・判断                            　
                              　
Ａ．特許法第２９条の２について
                                　
（ア）本件発明１について
  　
（ｉ）本件発明１と先願発明１、２との対比
                                    　
　本件発明１と先願発明１、２とを対比すると、両者は、半導体チップをリードフレームに接着部材で接着し、少なくとも半導体チップ、半導体チップとリードフレームの接着部を封止材で封止して半導体パッケージを製造するための接着部材に使用される耐熱性熱可塑性樹脂を主成分とする耐熱性接着剤、または該接着剤を使用したＬＯＣ構造の半導体パッケージであって、接着部材が耐熱性フィルムの両面に接着剤塗膜を設けるか接着剤単独であり、接着剤の樹脂の種類、ガラス転移温度の点で一致し、本件発明１は１９×５０ｍｍ、厚さ２５μｍの接着剤フィルムを３５０℃、３ＭＰａ、１分の条件でプレスした際に、はみだし接着剤の長さを長辺方向の中央部で測定したはみ出し長さ２ｍｍ以下、吸水率３重量％以下であるのに対し、先願発明１、２はそのような規定が明確に規定されていない点で相違する。
　この相違点について、申立人Ａは甲第３号証の試験報告書を提出し、先願明細書１に記載の実施例５（以下、「実施例５」ともいう。）のフィルム接着剤を追試すると、その結果は、１９×５０ｍｍ、厚さ２５μｍの接着剤フィルムを３５０℃、３ＭＰａ、１分の条件でプレスした際に、はみだし接着剤の長さを長辺方向の中央部で測定したはみ出し長さ（以下、「はみ出し長さ」という。）が１．０ｍｍ、吸水率が０．９重量％、ガラス転移温度（ＤＳＣ法による、以下同じ）が２４５℃である旨主張し、特許権者は乙第１号証の実験成績証明書を提出し、実施例５のフィルム接着剤を追試すると、はみ出し長さが２．５ｍｍ、吸水率が１．２重量％、ガラス転移温度が２３０℃の結果が得られた旨主張している。
  申立人Ａは甲第３号証の試験報告書において、先願明細書２に記載の実施例４（以下、「実施例４」ともいう。）のフィルム接着剤を追試すると、その結果は、はみ出し長さが１．５ｍｍ、吸水率が０．７重量％、ガラス転移温度が２１６℃である旨主張し、特許権者は乙第１号証の実験成績証明書において、実施例４を追試すると、はみ出し長さが５．０ｍｍ、吸水率が１．３重量％、ガラス転移温度が１７８℃の結果が得られた旨主張している。
　そこで、上記相違点について検討する。
ア．申立人Ａの甲第３号証の試験報告書も、特許権者の乙第１号証の実験成績証明書も、ともに、先願明細書１の実施例５及び先願明細書２の実施例４の記載に基づいてそのフィルム接着剤を追試・製造し、上記相違点に係る構成であるはみ出し接着剤の長さ、吸水率等を測定することを目的として行われた試験の方法及び結果が記載されているものであるが、同甲第３号証の試験報告書の試験結果によれば、先願明細書１の実施例５を追試・製造したもののはみ出し接着剤の長さが１．０ｍｍ、吸水率が０．９重量％、先願明細書２の実施例４を追試・製造したもののはみ出し接着剤の長さが１．５ｍｍ、吸水率が０．７重量％で、いずれも本件発明１の数値限定の範囲内とされているのに対し、同乙第１号証の実験成績証明書の試験結果によれば、前者のはみ出し接着剤の長さが平均２．５ｍｍ、吸水率が平均１．２％、後者のはみ出し接着剤の長さが平均５．０ｍｍ、吸水率が平均１．３％で、いずれも本件発明１の数値限定の範囲外とされていることが認められる。
　イ．そこで、両者の具体的な製造条件が、先願明細書１の実施例５、先願明細書２の実施例４を忠実に再現しているといえるかどうかを見るに、先願明細書１には、実施例１に関する「乾燥窒素ガス導入管、冷却器、温度計、撹拌機を備えた四口フラスコに、脱水精製したＮＭＰ９００ｇとキシレン２１０ｇを入れ、窒素ガスを流しながら１０分間激しくかき混ぜる。次にＢＡＰＳ６０．５５０３ｇ・・・とα，ω−ビス（３−アミノプロピル）ポリジメチルシロキサン（ＡＰＰＳ）４３．５０００ｇ（平均分子量８７０、０．０５０モル）、ビス（３−アミノプロピル）テトラメチルジシロキサン（ＡＰＰＳ、ｎ＝０）２．４８５２ｇ・・・を投入し、系を均一になるまでかき混ぜる。均一に溶解後、系を水浴で５℃に冷却し、ＤＳＤＡ６１．９２０３ｇ（０．１９９モル）を粉末状のまま１５分間かけて添加し、その後３時間撹拌を続けた。この間フラスコは５℃に保った。その後、窒素ガス導入管と冷却器を外し、キシレンを満たしたディーン・スターク管をフラスコに装着した。油浴に代えて系を２００℃に加熱し発生する水を系外に除いた。５時間加熱したところ、系からの水の発生は認められなくなった。冷却後この反応溶液を大量のメタノール中に投入しポリイミド樹脂を析出させた。固形分を渡過後、８０℃で１２時間減圧乾燥し溶剤を除いた。・・・このポリイミド樹脂ワニスを鏡面研磨したステンレス板に塗布し、熱風循環式乾燥機で１２０℃で０．５時間乾燥後、ステンレス板から剥離した。このフィルムの四周を鉄枠に固定して２２０℃で１時間加熱乾燥した」（段落【００２６】〜【００２８】）との記載を受けて、実施例５の接着剤について、「（実施例４〜６）実施例１と同様の方法にて、第１表に示した酸とアミン成分の種類と割合でポリイミド樹脂ワニスを調製してフィルム接着剤を作成した」（段落【００３２】）として、酸とアミン成分の種類と割合を、酸成分がＤＳＤＡ１００、アミン成分がＢＡＰＳ８５、ＡＰＰＳ（Ｍ＝８７０）１５とした（６頁第１表）以外は，上記実施例１と同様の方法で製造することが記載されている。
　また、先願明細書２には、実施例１に関する「乾燥窒素ガス導入管、冷却器、温度計、撹拌機を備えた四口フラスコに、脱水精製したＮＭＰ１６５ｇを入れ、窒素ガスを流しながら１０分間激しくかき混ぜる。次に１，３−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン１４．６１６８ｇ・・・とα，ω−ビス（３−アミノプロビル）ポリジメチルシロキサン７．６７６５ｇ（平均分子量８７０・・・）を投入し、系を６０℃に加熱し均一になるまでかき混ぜる。均一に溶解後、系を氷水浴で５℃に冷却し、４，４’−オキシジフタル酸二無水物１８．２４８４ｇ（０．０５８８モル）を粉末状のまま１５分間かけて添加し、その後３時間撹拌を続けた。この間フラスコは５℃に保った。その後、窒素ガス導入管と冷却器を外し、キシレンを満たしたディーン・スターク管をフラスコに装着し、系にキシレン２０ｇを添加した。油浴に代えて系を１９５℃に加熱し発生する水を系外に除いた。５時間加熱したところ、系からの水の発生は認められなくなった。冷却後この反応溶液を大量のメタノール中に投入しポリイミド樹脂を析出させた。固形分を濾過後、８０℃で１２時間減圧乾燥し溶剤を除き・・・固形樹脂を得た。・・・このようにして得たポリイミド樹脂をシクロヘキサノン／ジグライム・・・に溶解し、塗布原液とした。この原液を二軸延伸ポリエステルフィルム・・・に塗布し、１２０℃３０分、１５０℃１時間乾燥した」（段落【００２３】〜【００２５】）との記載を受けて、実施例４の接着剤について、「（実施例４）実施例１と同様に、ビス−４−（３−アミノフェノキシ）フェニルスルフォン、α，ω−ビス（３−アミノブロピル）ポリジメチルシロキサン（平均分子量８７０）、
４，４’−ジフェニルスルフォンテトラカルボン酸二無水物
　これと、同甲第３号証の試験報告書に記載された試験方法（２頁以下）とを対比すると、確かに、ほぼ上記の記載に沿った製造条件が記載されているということはできる。しかし、先願明細書２の実施例４の酸成分の化合物として記載された「４，４’−ジフェニルスルフォンテトラカルボン酸二無水物」（上記下線部参照）との物質は、四つのカルボキシル基のうちの二つの位置が特定されておらず、その二つのカルボキシル基の置換の可能性が高い位置や分子量などから見て「３，３’、４，４’−ジフェニルスルフォンテトラカルボン酸二無水物」を指すものと一応推察はされるが、この名称自体から、これがどのような化合物であるかを断定することはできない。ところが、同甲第３号証の試験報告書では、先願明細書２の実施例４の酸成分の化合物として，上記のようにいかなる化合物であるか明確でない「４，４’−ジフェニルスルフオンテトラカルボン酸二無水物」との記載がそのまま使用されており、果たして、「３，３’，４，４’−ジフェニルスルフォンテトラカルボン酸二無水物」を使用したのか、それ以外の何らかの化合物を使用したのかを明らかにすることができない。
　以上に加えて、同甲第３号証の試験報告書では、例えば精製時のメタノール量についても、先願明細書１、２に記載されている「大量のメタノール」との表現をそのまま引き写しているにすぎず、その使用量を客観的に明らかにできないこと、重合反応に影響を与える可能性があると認められる撹拌条件についても、同試験報告書では，単に「激しくかき混ぜた」（２頁８行目、３頁６行目）、「撹拌を続けた」（２頁１４行目、３頁１２行目）と、先願明細書１、２の表現をそのまま引き写しているにすぎないこと等の点で、その製造条件の具体性に欠けるものといわざるを得ない。
ウ．一方、本件において、同甲第３号証の試験報告書の信用性をめぐっては、これと真っ向から対立する内容の同乙第１号証の実験成績証明書が提出されていることは前示のとおりである。そして、同乙第１号証の実験成績証明書の製造条件の記載において、先願明細書２に実施例４の酸成分の化合物として記載されている「４，４’−ジフェニルスルフォンテトラカルボン酸二無水物」は、「３，３’，４，４’−ジフェニルスルフォンテトラカルボン酸二無水物」の誤記であるとの前提で、条件設定及び製造がされていることが認められるほか、精製時のメタノール量や撹拌条件等についても明確に記載されており、少なくとも、その製造条件について具体性に欠けるところはない。
  そうすると、特許権者による追試結果（乙第１号証）の方が妥当なものと認められ、したがって、先願明細書１の実施例５のフィルム接着剤も、先願明細書２の実施例４のフィルム接着剤も「１９×５０ｍｍ、厚さ２５μｍの接着剤フィルムを３５０℃、３ＭＰａ、１分の条件でプレスした際に、はみだし接着剤の長さを長辺方向の中央部で測定したはみ出し長さ２ｍｍ以下、吸水率３重量％以下」という本件発明１の構成を有するものとはいえない。
　よって、本件発明１は、先願発明１、２と同一の発明ではない。
                                      　
（ｉｉ）本件発明１と先願発明３との対比
　
　本件発明１と先願発明３とを対比すると、両者は、半導体チップをリードフレームに接着部材で接着し、少なくとも半導体チップ、半導体チップとリードフレームの接着部を封止材で封止して半導体パッケージを製造するための接着部材に使用される耐熱性熱可塑性樹脂を主成分とする耐熱性接着剤、または該接着剤を使用したＬＯＣ構造の半導体パッケージであって、接着部材が耐熱性フィルムの両面に接着剤塗膜を設けるか接着剤単独であり、接着剤の樹脂の種類、ガラス転移温度の点で一致し、本件発明は１９×５０ｍｍ、厚さ２５μｍの接着剤フィルムを３５０℃、３ＭＰａ、１分の条件でプレスした際に、はみだし接着剤の長さを長辺方向の中央部で測定したはみ出し長さ２ｍｍ以下、吸水率３重量％以下であるのに対し、先願発明１はそのような規定が明確に規定されていない点で相違する。
  この相違点について、申立人Ｂは甲第７号証の試験報告書において、先願明細書３に記載の実施例２（以下、「実施例２」という。）のフィルム接着剤を追試すると、その結果は、はみ出し長さが１．２ｍｍ、吸水率が１．２重量％、ガラス転移温度が２７３℃である旨主張し、特許権者は乙第１号証の実験成績証明書において、実施例２を追試すると、はみ出し長さが７．２ｍｍ、吸水率が１．０重量％、ガラス転移温度が８２℃の結果が得られた旨主張する。
　そこで、上記相違点について検討する。
　甲第７号証の試験報告書において、「実施例２を追試した」ことが記載されているものの、特許権者が提出した乙第１号証の実験成績証明書については、製造条件等について具体性に欠けるところがないことは前記（５）Ａ．（ア）（ｉ）において示したとおりであって、乙第１号証の信ぴょう性を否定することはできない。
　そうすると、特許権者による追試結果（乙第１号証）の方が妥当なものと認められ、したがって、先願明細書３の実施例２のフィルム接着剤は、「１９×５０ｍｍ、厚さ２５μｍの接着剤フィルムを３５０℃、３ＭＰａ、１分の条件でプレスした際に、はみだし接着剤の長さを長辺方向の中央部で測定したはみ出し長さ２ｍｍ以下、吸水率３重量％以下」という本件発明１の構成を有するものとはいえない。
　よって、本件発明１は、先願発明３と同一の発明ではない。
　
（イ）本件発明２〜１１について
                          　
　本件発明２〜１１は、いずれも、本件発明１と先願発明１〜３との相違点である「１９×５０ｍｍ、厚さ２５μｍの接着剤フィルムを３５０℃、３ＭＰａ、１分の条件でプレスした際に、はみだし接着剤の長さを長辺方向の中央部で測定したはみ出し長さ２ｍｍ以下、吸水率３重量％以下」とすることを必須の構成とするものである。
　してみると、特許法第２９条の２に関する本件発明１における上記判断で述べた理由と同じ理由により、本件発明２〜１１は、特許法第２９条の２の規定に違反するものではない。
                                                　
Ｂ．特許法第２９条第１項第３号について
　 
（ア）本件発明１について
                                                 　
（ｉ）本件発明１と申立人Ｂが提出した甲第１号証に記載の発明との対比
                                                    　
　本件発明１と甲第１号証に記載の発明とを対比すると、両者は、半導体チップをリードフレームに接着部材で接着し、少なくとも半導体チップ、半導体チップとリードフレームの接着部を封止材で封止して半導体パッケージを製造するための接着部材に使用される耐熱性熱可塑性樹脂を主成分とする耐熱性接着剤、または該接着剤を使用したＬＯＣ構造の半導体パッケージであって、接着部材が耐熱性フィルムの両面に接着剤塗膜を設けるか接着剤単独であり、接着剤の樹脂の種類、ガラス転移温度の点で一致し、本件発明１は１９×５０ｍｍ、厚さ２５μｍの接着剤フィルムを３５０℃、３ＭＰａ、１分の条件でプレスした際に、はみだし接着剤の長さを長辺方向の中央部で測定したはみ出し長さ２ｍｍ以下、吸水率３重量％以下であるのに対し、甲第１号証に記載の発明は、そのような規定が明確に規定されていない点で相違する。
　そして、「１９×５０ｍｍ、厚さ２５μｍの接着剤フィルムを３５０℃、３ＭＰａ、１分の条件でプレスした際に、はみだし接着剤の長さを長辺方向の中央部で測定したはみ出し長さ２ｍｍ以下、吸水率３重量％以下」とする構成は、単に接着剤の高温時の弾性率が高いことを示すものではなく、当該接着剤の性質を具体的に特定するものであり、また、上記構成は、当該分野において、当業者にとって自明な事項であるとも認められない。
  してみると、本件発明１は、甲第１号証に記載された発明ではない。
                                                      　
（ｉｉ）本件発明１と同甲第２号証に記載の発明との対比
                                                        　
　本件発明１と甲第２号証に記載の発明とを対比すると、両者は、半導体チップをリードフレームに接着部材で接着し、少なくとも半導体チップ、半導体チップとリードフレームの接着部を封止材で封止して半導体パッケージを製造するための接着部材に使用される耐熱性熱可塑性樹脂を主成分とする耐熱性接着剤、または該接着剤を使用したＬＯＣ構造の半導体パッケージであって、接着部材が耐熱性フィルムの両面に接着剤塗膜を設けるか接着剤単独であり、接着剤の樹脂の種類、ガラス転移温度の点で一致し、本件発明１は１９×５０ｍｍ、厚さ２５μｍの接着剤フィルムを３５０℃、３ＭＰａ、１分の条件でプレスした際に、はみだし接着剤の長さを長辺方向の中央部で測定したはみ出し長さ２ｍｍ以下、吸水率３重量％以下であるのに対し、甲第２号証に記載の発明はそのような規定が明確に規定されていない点で相違する。
　そして、「１９×５０ｍｍ、厚さ２５μｍの接着剤フィルムを３５０℃、３ＭＰａ、１分の条件でプレスした際に、はみだし接着剤の長さを長辺方向の中央部で測定したはみ出し長さ２ｍｍ以下、吸水率３重量％以下」とする構成は、単に接着剤の熱膨張性が小さいことを示すものではなく、当該接着剤の性質を具体的に特定するものであり、また、上記構成は、当該分野において、当業者にとって自明な事項であるとも認められない。
  してみると、本件発明１は、甲第２号証に記載された発明ではない。
                    
（イ）本件発明２、３、５〜９について
　
　本件発明２、３、５〜９は、いずれも、本件発明１と甲第１号証及び甲第２号証に記載された発明との相違点である「１９×５０ｍｍ、厚さ２５μｍの接着剤フィルムを３５０℃、３ＭＰａ、１分の条件でプレスした際に、はみだし接着剤の長さを長辺方向の中央部で測定したはみ出し長さ２ｍｍ以下、吸水率３重量％以下」とすることを必須の構成とするものである。
　してみると、特許法第２９条第１項第３号に関する本件発明１における上記判断で述べた理由と同じ理由により、本件発明２、３、５〜９は、特許法第２９条第１項第３号に該当しない。
　
Ｃ．特許法第２９条第２項について
　
（ア）本件発明１について
                      　
　本件発明１と申立人Ｂが提出した（以下、甲第２、４〜６号証も同じ）甲第１号証及び甲第２号証に記載の発明とを対比すると、前者は、「１９×５０ｍｍ、厚さ２５μｍの接着剤フィルムを３５０℃、３ＭＰａ、１分の条件でプレスした際に、はみだし接着剤の長さを長辺方向の中央部で測定したはみ出し長さ２ｍｍ以下、吸水率３重量％以下」としているのに対して、後者は、この点について記載されていない点で相違している。
　そこで、上記相違点について検討すると、甲第５号証には、パッケージングクラックの問題に関し、熱膨張計数や弾性率との関係が記載されているものの、本件発明１における「はみ出し長さ、吸水率」については、何ら具体的に記載されておらず、甲第５号証からは、「１９×５０ｍｍ、厚さ２５μｍの接着剤フィルムを３５０℃、３ＭＰａ、１分の条件でプレスした際に、はみだし接着剤の長さを長辺方向の中央部で測定したはみ出し長さ２ｍｍ以下、吸水率３重量％以下」とする構成を導き出すことはできない。
　また、甲第４、６号証には、上記「１９×５０ｍｍ、厚さ２５μｍの接着剤フィルムを３５０℃、３ＭＰａ、１分の条件でプレスした際に、はみだし接着剤の長さを長辺方向の中央部で測定したはみ出し長さ２ｍｍ以下、吸水率３重量％以下」とすることについては記載も示唆もなされていない。
　してみると、甲第１、２、４〜６号証に記載の発明を併せ検討しても、上記「１９×５０ｍｍ、厚さ２５μｍの接着剤フィルムを３５０℃、３ＭＰａ、１分の条件でプレスした際に、はみだし接着剤の長さを長辺方向の中央部で測定したはみ出し長さ２ｍｍ以下、吸水率３重量％以下」とする構成を導き出すことができない。
　よって、本件発明１は、甲第１、２、４〜６号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に想到し得るものとは認められない。
　そして、本件発明１は、上記相違点を必須の構成とすることにより、「本発明の半導体パッケージ製造のため接着部材用耐熱性接着剤は、特定範囲のはみ出し長さ、吸水率、ガラス転移温度を有して特定の堅さ（又は流れ難さ）を持つので、２６０℃という高温ハンダ時でも高い耐パッケージクラック性を示すと共に、耐熱性と接着力が高く、吸水率が低い特徴を有する。従って、本発明の耐熱性接着剤は、特に半導体パッケージの信頼性向上に効果がある。」という明細書記載の効果を奏するものである。
  したがって、本件発明１は、甲第１、２、４〜６号証に記載の発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。
                        　
（イ）本件発明２〜１１について
                          　
　本件発明２〜１１は、いずれも、本件発明１と甲第１号証及び甲第２号証に記載された発明との相違点である「１９×５０ｍｍ、厚さ２５μｍの接着剤フィルムを３５０℃、３ＭＰａ、１分の条件でプレスした際に、はみだし接着剤の長さを長辺方向の中央部で測定したはみ出し長さ２ｍｍ以下、吸水率３重量％以下」とすることを必須の構成とするものである。
　してみると、特許法第２９条第２項に関する本件発明１における上記判断で述べた理由と同じ理由により、本件発明２〜１１に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反しない。
                                      　
（６）むすび
                                        　
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、本件発明１〜１１の特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明１〜１１の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　したがって、本件発明１〜１１についての特許は拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してなされたものとは認められない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１４年２月２１日（２００２．２．２１）