【事件の表示】
　特許第３３２６５１３号「積層型セラミックチップコンデンサ」の請求項１に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３３２６５１３号の請求項１に係る特許を維持する。
【理　由】
第１　手続きの経緯
本件特許第３３２６５１３号に係る手続きの主な経緯は次のとおりである。
　特許出願（特願平６−２７９８６８号）　　　　平成　６年１０月１９日
　特許権設定登録　　　　　　　　　　　　　　　平成１４年　７月１２日
　特許異議申立（異議申立人：雨山範子）　　　　平成１５年　３月２４日
　取消理由通知（１）　　　　　　　　　　　　　平成１５年１２月　３日
　特許異議意見書（１）・訂正請求書（１）　　　平成１６年　２月　２日
　取消理由通知（２）　　　　　　　　　　　　　平成１６年　４月１３日
　訂正請求書（１）の取下書　　　　　　　　　　平成１６年　４月２６日
　特許異議意見書（２）・訂正請求書（２）　　　平成１６年　４月２６日
　
第２　訂正の適否についての判断
　１　訂正の内容
　（１）　訂正事項ａ
　特許請求の範囲の請求項１を
「【請求項１】誘電体層と内部電極層とが交互に積層された構成のコンデンサチップ体を有する積層型セラミックチップコンデンサであって、
誘電体層が、主成分としてチタン酸バリウムを、副成分として酸化マグネシウムと、酸化イットリウムとを含有し、更に他の副成分として酸化バリウムおよび酸化カルシウムから選択される少なくとも１種と、酸化ケイ素と、酸化マンガンと、酸化バナジウムおよび酸化モリブデンから選択される少なくとも１種とを含有し、チタン酸バリウムをＢａＴｉＯ３に、酸化マグネシウムをＭｇＯに、酸化イットリウムをＹ２Ｏ３に、酸化バリウムをＢａＯに、酸化カルシウムをＣａＯに、酸化ケイ素をＳｉＯ２に、酸化マンガンをＭｎＯに、酸化バナジウムをＶ２Ｏ５に、酸化モリブデンをＭｏＯ３にそれぞれ換算したとき、ＢａＴｉＯ３１００モルに対する比率が
ＭｇＯ：０．１〜３モル、
Ｙ２Ｏ３：０モル超５モル以下、
ＢａＯ＋ＣａＯ：２〜１２モル、
ＳｉＯ２：２〜１２モル、
ＭｎＯ：０モル超０．５モル以下、
Ｖ２Ｏ５：０〜０．３モル、
ＭｏＯ３：０〜０．３モル、
Ｖ
２
Ｏ
５
及びＭｏＯ
３
のいずれか一方は０．０１〜０．３モル、他方は０〜０．３モル
であり、誘電体層の平均結晶粒径が０．６μｍ以下である積層型セラミックチップコンデンサ。」と訂正する。
　
　（２）　訂正事項ｂ
　明細書の段落【００１３】を
「【００１３】
【課題を解決するための手段】このような目的は、下記の構成により達成される。
　誘電体層と内部電極層とが交互に積層された構成のコンデンサチップ体を有する積層型セラミックチップコンデンサであって、誘電体層が、主成分としてチタン酸バリウムを、副成分として酸化マグネシウムと、酸化イットリウムとを含有し、更に他の副成分として酸化バリウムおよび酸化カルシウムから選択される少なくとも１種と、酸化ケイ素と、酸化マンガンと、酸化バナジウムおよび酸化モリブデンから選択される少なくとも１種とを含有し、チタン酸バリウムをＢａＴｉＯ３に、酸化マグネシウムをＭｇＯに、酸化イットリウムをＹ２Ｏ３に、酸化バリウムをＢａＯに、酸化カルシウムをＣａＯに、酸化ケイ素をＳｉＯ２に、酸化マンガンをＭｎＯに、酸化バナジウムをＶ２Ｏ５に、酸化モリブデンをＭｏＯ３にそれぞれ換算したとき、ＢａＴｉＯ３１００モルに対する比率がＭｇＯ：０．１〜３モル、Ｙ２Ｏ３：０モル超５モル以下、ＢａＯ＋ＣａＯ：２〜１２モル、ＳｉＯ２：２〜１２モル、ＭｎＯ：０モル超０．５モル以下、Ｖ２Ｏ５：０〜０．３モル、ＭｏＯ３：０〜０．３モル、
Ｖ
２
Ｏ
５
及びＭｏＯ
３
のいずれか一方は０．０１〜０．３モル、他方は０〜０．３モル
　
　（３）　訂正事項ｃ
　明細書の段落【００２１】を
「【００２１】＜誘電体層２＞誘電体層２は、主成分としてチタン酸バリウムを、副成分として酸化マグネシウムと、酸化イットリウムとを含有し、更に他の副成分として酸化バリウムおよび酸化カルシウムから選択される少なくとも１種と、酸化ケイ素と、酸化マンガンと、酸化バナジウムおよび酸化モリブデンから選択される少なくとも１種とを含有する。チタン酸バリウムをＢａＴｉＯ３に、酸化マグネシウムをＭｇＯに、酸化イットリウムをＹ２Ｏ３に、酸化バリウムをＢａＯに、酸化カルシウムをＣａＯに、酸化ケイ素をＳｉＯ２に、酸化マンガンをＭｎＯに、酸化バナジウムをＶ２Ｏ５に、酸化モリブデンをＭｏＯ３にそれぞれ換算したとき、誘電体層中における各化合物の比率は、ＢａＴｉＯ３１００モルに対しＭｇＯ：０．１〜３モル、好ましくは０．５〜２．０モル、Ｙ２Ｏ３：０モル超５モル以下、好ましくは０．１〜５モル、より好ましくは１モル超５モル以下、さらに好ましくは１．１〜３．５モル、ＢａＯ＋ＣａＯ：２〜１２モル、好ましくは２〜６モル、ＳｉＯ２：２〜１２モル、好ましくは２〜６モル、ＭｎＯ：０モル超０．５モル以下、好ましくは０．０１〜０．４モル、
Ｖ
２
Ｏ
５
及びＭｏＯ
３
のいずれか一方は０．０１〜０．３モル、他方は０〜０．３モル
　
　２　訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　（１）　訂正事項ａ
　訂正事項ａについては、特許請求の範囲の請求項１における「Ｖ２Ｏ５＋ＭｏＯ３の含有量：０モル超」を「Ｖ２Ｏ５及びＭｏＯ３のいずれか一方は０．０１〜０．３モル」に限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに当たる。
　さらに、訂正事項ａについては、特許明細書の【表１】及び【表２】の記載から明らかであるので新規事項には当たらない。
　したがって、訂正事項ａは、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、かつ実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　
　（２）　訂正事項ｂ，ｃ
　訂正事項ｂ，ｃは、特許請求の範囲の訂正に対応して、これと整合するように発明の詳細な説明の欄を訂正するものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とするものに当たる。
　さらに、訂正事項ｂ，ｃは、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、かつ実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　
　３　訂正の適否のむすび
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、特許法第１２０条の４第３項において準用する平成６年法律第１１６号による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書、第２項及び第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
第３　特許異議申立についての判断
　１　本件発明
　上記第２で示したように上記訂正は認められるので、本件請求項１に係る発明（以下、「本件発明」という。）は、上記訂正請求に係る訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものである。
「【請求項１】誘電体層と内部電極層とが交互に積層された構成のコンデンサチップ体を有する積層型セラミックチップコンデンサであって、
誘電体層が、主成分としてチタン酸バリウムを、副成分として酸化マグネシウムと、酸化イットリウムとを含有し、更に他の副成分として酸化バリウムおよび酸化カルシウムから選択される少なくとも１種と、酸化ケイ素と、酸化マンガンと、酸化バナジウムおよび酸化モリブデンから選択される少なくとも１種とを含有し、チタン酸バリウムをＢａＴｉＯ３に、酸化マグネシウムをＭｇＯに、酸化イットリウムをＹ２Ｏ３に、酸化バリウムをＢａＯに、酸化カルシウムをＣａＯに、酸化ケイ素をＳｉＯ２に、酸化マンガンをＭｎＯに、酸化バナジウムをＶ２Ｏ５に、酸化モリブデンをＭｏＯ３にそれぞれ換算したとき、ＢａＴｉＯ３１００モルに対する比率が
ＭｇＯ：０．１〜３モル、
Ｙ２Ｏ３：０モル超５モル以下、
ＢａＯ＋ＣａＯ：２〜１２モル、
ＳｉＯ２：２〜１２モル、
ＭｎＯ：０モル超０．５モル以下、
Ｖ２Ｏ５：０〜０．３モル、
ＭｏＯ３：０〜０．３モル、
Ｖ
２
Ｏ
５
及びＭｏＯ
３
のいずれか一方は０．０１〜０．３モル、他方は０〜０．３モル
であり、誘電体層の平均結晶粒径が０．６μｍ以下である積層型セラミックチップコンデンサ。」
　
　２　特許異議申立の理由及び取消理由の内容
　（１）　特許異議申立の理由
　特許異議申立人は、証拠として、
刊行物１（甲第１号証）：特開平６−８４６９２号公報
を提出し、本件発明は、刊行物１に記載された発明に基づいて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであるから、特許を取り消すべき旨主張している。
　
　（２）　取消理由の内容
　取消理由の内容も特許異議申立の理由と同趣旨である。
　
　３　刊行物１に記載された発明
　刊行物１は、積層型セラミックチップコンデンサに関するものであり、以下の点が記載されている。
「【請求項３】　誘電体層と内部電極層とが交互に積層された構成のコンデンサチップ体を有する積層型セラミックチップコンデンサであって、
　前記誘電体層が、主成分としてチタン酸バリウムを、副成分として酸化マグネシウムと、酸化マンガンと、酸化イットリウムと、酸化バリウムおよび酸化カルシウムから選択される少なくとも１種と、酸化ケイ素とを含有し、チタン酸バリウムをＢａＴｉＯ３に、酸化マグネシウムをＭｇＯに、酸化マンガンをＭｎＯに、酸化イットリウムをＹ２Ｏ３に、酸化バリウムをＢａＯに、酸化カルシウムをＣａＯに、酸化ケイ素をＳｉＯ２にそれぞれ換算したとき、ＢａＴｉＯ３１００モルに対する比率が
ＭｇＯ：０．１〜３モル、
ＭｎＯ：０．０５〜１．０モル、
Ｙ２Ｏ３：１モル以下、
ＢａＯ＋ＣａＯ：２〜１２モル、
ＳｉＯ２：２〜１２モル
であることを特徴とする積層型セラミックチップコンデンサ。」
「【００８２】・・・本発明のサンプルＮｏ．１（図２）では平均結晶粒径が約０．５μｍ　、結晶粒界の平均幅が約０．２μｍと細かい。・・・」
　
　４　本件発明と刊行物１に記載された発明との対比・判断
　本件発明と刊行物１に記載された発明とを対比すると、刊行物１には、本件発明の構成要素である「Ｖ２Ｏ５：０〜０．３モル、ＭｏＯ３：０〜０．３モル、Ｖ２Ｏ５及びＭｏＯ３のいずれか一方は０.０１〜０．３モル、他方は０〜０．３モル」である点が記載されていない。
　本件発明は、上記構成要素により、「酸化バナジウムおよび酸化モリブデンは、直流電界下での容量の経時変化を改善する。また、酸化バナジウムは絶縁破壊電圧を向上させ、酸化モリブデンはＩＲの加速寿命を向上させる。」（【００２９】）という特許明細書記載の効果を奏する。
　したがって、本件発明は、刊行物１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
　
　５　特許異議申立についての判断のむすび
　以上のとおりであるから、特許異議の申立ての理由及び取消理由によっては本件発明についての特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明についての特許を取り消すべき理由を発見しない。
　したがって、本件発明についての特許は拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものと認めない。
　よって、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の一部の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第２項の規定により、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１６年５月１１日（２００４．５．１１）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
積層型セラミックチップコンデンサ
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】誘電体層と内部電極層とが交互に積層された構成のコンデンサチップ体を有する積層型セラミックチップコンデンサであって、
誘電体層が、主成分としてチタン酸バリウムを、副成分として酸化マグネシウムと、酸化イットリウムとを含有し、更に他の副成分として酸化バリウムおよび酸化カルシウムから選択される少なくとも１種と、酸化ケイ素と、酸化マンガンと、酸化バナジウムおよび酸化モリブデンから選択される少なくとも１種とを含有し、チタン酸バリウムをＢａＴｉＯ３に、酸化マグネシウムをＭｇＯに、酸化イットリウムをＹ２Ｏ３に、酸化バリウムをＢａＯに、酸化カルシウムをＣａＯに、酸化ケイ素をＳｉＯ２に、酸化マンガンをＭｎＯに、酸化バナジウムをＶ２Ｏ５に、酸化モリブデンをＭｏＯ３にそれぞれ換算したとき、ＢａＴｉＯ３１００モルに対する比率が
ＭｇＯ：０．１〜３モル、
Ｙ２Ｏ３：０モル超５モル以下、
ＢａＯ＋ＣａＯ：２〜１２モル、
ＳｉＯ２：２〜１２モル、
ＭｎＯ：０モル超０．５モル以下、
Ｖ２Ｏ５：０〜０．３モル、
ＭｏＯ３：０〜０．３モル、
Ｖ２Ｏ５及びＭｏＯ３のいずれか一方は０．０１〜０．３モル、他方は０〜０．３モル
であり、誘電体層の平均結晶粒径が０．６μｍ以下である積層型セラミックチップコンデンサ。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】本発明は、積層型セラミックチップコンデンサに関する。
　【０００２】
　【従来の技術】積層型セラミックチップコンデンサは、小型、大容量、高信頼性の電子部品として広く利用されており、１台の電子機器の中で使用される個数も多数にのぼる。近年、機器の小型・高性能化にともない、積層型セラミックチップコンデンサに対する更なる小型、大容量、低価格、高信頼性化への要求はますます厳しくなっている。
　【０００３】積層型セラミックチップコンデンサは通常、内部電極層用のペーストと誘電体層用のペーストとをシート法や印刷法等により積層し、一体同時焼成して製造される。
　【０００４】内部電極層の導電材には、一般にＰｄやＰｄ合金が用いられているが、Ｐｄは高価であるため、比較的安価なＮｉやＮｉ合金等の卑金属が使用されつつある。内部電極層の導電材として卑金属を用いる場合、大気中で焼成を行なうと内部電極層が酸化してしまうため、誘電体層と内部電極層との同時焼成を、還元性雰囲気中で行なう必要がある。しかし、還元性雰囲気中で焼成すると、誘電体層が還元され、比抵抗が低くなってしまうため、非還元性の誘電体材料が提案されている。
　【０００５】しかし、非還元性の誘電体材料を用いた積層型セラミックチップコンデンサは、絶縁抵抗ＩＲの寿命が短くなり、信頼性が低いという問題がある。
　【０００６】また、誘電体を直流電界にさらすと、比誘電率εｓが経時的に低下するという問題が生じる。チップコンデンサを小型、大容量化するために誘電体層を薄くすると、直流電圧を印加したときに誘電体層にかかる電界が強くなるため、比誘電率εｓの経時変化、すなわち容量の経時変化が著しく大きくなってしまう。また、誘電体層を薄くすると、絶縁破壊が起こりやすくなる。
　【０００７】さらに、コンデンサには直流バイアス特性が良好であることも要求される。直流バイアス特性とは、チップコンデンサに交流電界とこれに重畳する直流成分とが印加されたときの容量の変化率を表わすもので、印加される直流電界が大きくなると、一般に容量の低下がみられる。この特性が不十分であると、通常の使用時に直流電界が印加されたとき、容量が著しく低下して規格の容量に満たなくなってしまう、という問題が生じる。
　【０００８】ところで、ＥＩＡ規格に定められたＸ７Ｒ特性と呼ばれる規格では、容量の変化率が、−５５℃から１２５℃の間で±１５％以内（基準温度２５℃）と定められている。
　【０００９】Ｘ７Ｒ特性を満足する誘電体材料としては、例えば特開昭６１−３６１７０号公報に示されるＢａＴｉＯ３＋ＳｒＴｉＯ３＋ＭｎＯ系の組成が知られている。しかし、このものは、直流電界下における容量の経時変化が大きく、例えば４０℃で５０Ｖの直流電界を１０００時間印加すると、容量の変化率が−１０〜−３０％程度となってしまい、Ｘ７Ｒ特性を満足することができなくなる。
　【００１０】また、この他、非還元性の誘電体磁器組成物としては、特開昭５７−７１８６６号公報に開示されているＢａＴｉＯ３＋ＭｎＯ＋ＭｇＯ、特開昭６１−２５０９０５号公報に開示されている（Ｂａ１−ｘＳｒｘＯ）ａＴｉ１−ｙＺｒｙＯ２＋α（（１−ｚ）ＭｎＯ＋ｚＣｏＯ）＋β（（１−ｔ）Ａ２Ｏ５＋ｔＬ２Ｏ３）＋ｗＳｉＯ２（ただし、Ａ＝Ｎｂ，Ｔａ，Ｖ、Ｌ＝Ｙまたは希土類元素）、特開平２−８３２５６号公報に開示されているチタン酸バリウムにガラス状態のＢａαＣａ１−αＳｉＯ３を添加したものなどが挙げられる。しかし、これらのいずれの誘電体磁器組成物も、容量の温度特性が良好であること、直流電界下での容量の経時変化が小さいこと、直流バイアス特性が良好であること、絶縁抵抗の加速寿命が長いこと、という要求特性の全てを満足することはできなかった。例えば、特開昭６１−２５０９０５号公報および特開平２−８３２５６号公報にそれぞれ開示されているものでは、絶縁抵抗の加速寿命が短い。
　【００１１】このような事情から、本発明者らは特願平５−８５７０５号および特願平５−１５４３５５号において、主成分としてチタン酸バリウムを含有し、副成分として酸化マグネシウムと、酸化イットリウムと、酸化バリウムおよび酸化カルシウムから選択される少なくとも１種と、酸化ケイ素とを所定量含有する誘電体層を有する積層型セラミックチップコンデンサを提案している。
　【００１２】
　【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、容量の温度特性であるＸ７Ｒ特性を満足することができ、かつ、直流電界下での容量の経時変化が小さく、絶縁抵抗ＩＲの加速寿命が長く、直流バイアス特性が良好であり、絶縁破壊が生じにくい積層型セラミックチップコンデンサを提供することである。
　【００１３】
　【課題を解決するための手段】このような目的は、下記の構成により達成される。
　誘電体層と内部電極層とが交互に積層された構成のコンデンサチップ体を有する積層型セラミックチップコンデンサであって、誘電体層が、主成分としてチタン酸バリウムを、副成分として酸化マグネシウムと、酸化イットリウムとを含有し、更に他の副成分として酸化バリウムおよび酸化カルシウムから選択される少なくとも１種と、酸化ケイ素と、酸化マンガンと、酸化バナジウムおよび酸化モリブデンから選択される少なくとも１種とを含有し、チタン酸バリウムをＢａＴｉＯ３に、酸化マグネシウムをＭｇＯに、酸化イットリウムをＹ２Ｏ３に、酸化バリウムをＢａＯに、酸化カルシウムをＣａＯに、酸化ケイ素をＳｉＯ２に、酸化マンガンをＭｎＯに、酸化バナジウムをＶ２Ｏ５に、酸化モリブデンをＭｏＯ３にそれぞれ換算したとき、ＢａＴｉＯ３１００モルに対する比率がＭｇＯ：０．１〜３モル、Ｙ２Ｏ３：０モル超５モル以下、ＢａＯ＋ＣａＯ：２〜１２モル、ＳｉＯ２：２〜１２モル、ＭｎＯ：０モル超０．５モル以下、Ｖ２Ｏ５：０〜０．３モル、ＭｏＯ３：０〜０．３モル、
Ｖ２Ｏ５及びＭｏＯ３のいずれか一方は０．０１〜０．３モル、他方は０〜０．３モル
　【００１４】
　【作用および効果】本発明によれば、特願平５−８５７０５号および特願平５−１５４３５５号において報告したように、容量の温度特性に関するＸ７Ｒ特性を満足することができ、かつ、直流電界下での容量の経時変化が小さく、絶縁抵抗ＩＲの加速寿命が長く、直流バイアス特性が良好な積層型セラミックチップコンデンサが実現する。しかも、本発明では誘電体層が酸化バナジウムおよび／または酸化モリブデンを所定量含むため、直流電界下での容量の経時変化がよりいっそう改善される。また、酸化バナジウムの添加により絶縁破壊電圧が向上し、酸化モリブデンの添加によりＩＲの加速寿命が向上する。
　【００１５】また、誘電体層の平均結晶粒径を０．４５μｍ以下とし、さらに、誘電体層のＸ線回折によって表わされる特性を所定のものとすることにより、直流電界下での容量の経時変化をさらに改良することができる。
また、このように平均結晶粒径を小さくすることにより、ＩＲの加速寿命が向上する。
　【００１６】このように本発明の積層型セラミックチップコンデンサでは、誘電体層を薄くしたために電界強度が高くなった場合でも、十分に高い信頼性が得られる。
　【００１７】なお、「積層セラミックコンデンサ」（学献社）の第３３〜３８ページには、「低温焼結性チタン酸バリウム」についての報告が記載されている。同報告では、各種製造法を用いて微細なチタン酸バリウム粉末を製造しており、また、ＣｕＯ、Ｂｉ２Ｏ３、ＰｂＯ等を添加することにより液相焼結して、グレインサイズ０．３〜０．８μｍの焼結体を得ている。同報告には、このように本発明で限定する平均結晶粒径範囲と重なるグレインサイズの焼結体が記載されているが、誘電体層のＸ線回折チャートにおける（２００）面の回折線と（００２）面の回折線とについての記述は全くない。また、同報告記載のグレインサイズ０．３〜０．８μｍのチタン酸バリウム焼結体は、本発明における誘電体層の組成と異なり、還元性雰囲気での焼成が不可能であるため、安価なＮｉ系電極を使用することができない。
　【００１８】
　【具体的構成】以下、本発明の具体的構成について詳細に説明する。
　【００１９】［積層型セラミックチップコンデンサ］本発明の積層型セラミックチップコンデンサの構成例の断面図を、図１に示す。
　【００２０】図１に示されるように、本発明の積層型セラミックチップコンデンサ１は、誘電体層２と内部電極層３とが交互に積層された構成のコンデンサチップ体１０を有し、このコンデンサチップ体１０表面に、内部電極層３と導通する外部電極４を有する。コンデンサチップ体１０の形状に特に制限はないが、通常、直方体状とされる。また、その寸法にも特に制限はなく、用途に応じて適当な寸法とすればよいが、通常、（１．０〜５．６ｍｍ）×（０．５〜５．０ｍｍ）×（０．５〜１．９ｍｍ）程度である。内部電極層３は、その端面がコンデンサチップ体１０の対向する２表面に交互に露出するように積層され、外部電極４は、コンデンサチップ体１０の前記対向する２表面に形成され、所定のコンデンサ回路を構成する。
　【００２１】＜誘電体層２＞誘電体層２は、主成分としてチタン酸バリウムを、副成分として酸化マグネシウムと、酸化イットリウムとを含有し、更に他の副成分として酸化バリウムおよび酸化カルシウムから選択される少なくとも１種と、酸化ケイ素と、酸化マンガンと、酸化バナジウムおよび酸化モリブデンから選択される少なくとも１種とを含有する。チタン酸バリウムをＢａＴｉＯ３に、酸化マグネシウムをＭｇＯに、酸化イットリウムをＹ２Ｏ３に、酸化バリウムをＢａＯに、酸化カルシウムをＣａＯに、酸化ケイ素をＳｉＯ２に、酸化マンガンをＭｎＯに、酸化バナジウムをＶ２Ｏ５に、酸化モリブデンをＭｏＯ３にそれぞれ換算したとき、誘電体層中における各化合物の比率は、ＢａＴｉＯ３１００モルに対しＭｇＯ：０．１〜３モル、好ましくは０．５〜２．０モル、Ｙ２Ｏ３：０モル超５モル以下、好ましくは０．１〜５モル、より好ましくは１モル超５モル以下、さらに好ましくは１．１〜３．５モル、ＢａＯ＋ＣａＯ：２〜１２モル、好ましくは２〜６モル、ＳｉＯ２：２〜１２モル、好ましくは２〜６モル、ＭｎＯ：０モル超０．５モル以下、好ましくは０．０１〜０．４モル、
Ｖ２Ｏ５及びＭｏＯ３のいずれか一方は０．０１〜０．３モル、他方は０〜０．３モル
　【００２２】各酸化物の酸化状態は特に限定されず、各酸化物を構成する金属元素の比率が上記範囲内であればよい。
　【００２３】なお、誘電体層２には他の化合物が含まれていてもよいが、酸化コバルトは容量変化率を増大させるので実質的に含まれないことが好ましい。
　【００２４】上記各副成分の含有量の限定理由は下記のとおりである。
　【００２５】酸化マグネシウムの含有量が前記範囲未満であると、容量の経時変化を小さくすることが困難となる。酸化マグネシウムの含有量が前記範囲を超えると、焼結性が急激に悪化し、緻密化が不十分となってＩＲ加速寿命が低下し、また、高い比誘電率が得られない。
　【００２６】酸化イットリウムは、ＩＲ加速寿命を向上させる効果を有し、直流バイアス特性も向上させる。酸化イットリウムの含有量が少ないと添加による効果が不十分となり、特に直流バイアス特性が不十分となる。酸化イットリウムの含有量が前記範囲を超えると比誘電率が低下し、また、焼結性が低下して緻密化が不十分となる。
　【００２７】ＢａＯ＋ＣａＯの含有量が前記範囲未満であると、直流電界印加時の容量の経時変化が大きくなり、また、ＩＲ加速寿命が不十分となり、また、容量の温度特性を所望の範囲とすることができない。含有量が前記範囲を超えると、ＩＲ加速寿命が不十分となり、また、比誘電率の急激な低下が起こる。また、ＳｉＯ２の含有量が前記範囲未満であると焼結性が低下して緻密化が不十分となり、前記範囲を超えると初期絶縁抵抗が低くなりすぎる。
　【００２８】酸化マンガンは誘電体層を緻密化する作用とＩＲ加速寿命を向上させる作用とをもつが、含有量が多すぎると直流電界印加時の容量の経時変化を小さくすることが困難となる。
　【００２９】酸化バナジウムおよび酸化モリブデンは、直流電界下での容量の経時変化を改善する。また、酸化バナジウムは絶縁破壊電圧を向上させ、酸化モリブデンはＩＲの加速寿命を向上させる。Ｖ２Ｏ５およびＭｏＯ３の少なくとも一方が多すぎると、初期ＩＲの極端な低下を招く。
　【００３０】また、誘電体層中には、酸化アルミニウムが含有されていてもよい。酸化アルミニウムは比較的低温での焼結を可能にする作用をもつ。Ａｌ２Ｏ３に換算したときの酸化アルミニウムの含有量は、誘電体層の１重量％以下とすることが好ましい。酸化アルミニウムの含有量が多すぎると比誘電率が著しく低下してしまい、同時にＩＲ加速寿命も短くなってしまう。
　【００３１】誘電体層の平均結晶粒径は、０．６μｍ以下、好ましくは０．４５μｍ以下、より好ましくは０．３５μｍ以下である。平均結晶粒径が０．６μｍ以下であると、容量の経時変化やＩＲ加速寿命が向上する。特に、平均結晶粒径が０．４５μｍ以下と小さくなると結晶の異方性が小さくなるため、さらに容量の経時変化も小さくなる。また、平均結晶粒径が０．４５μｍ以下と小さくなると、ＩＲ加速寿命もさらに向上する。結晶粒径の下限は特にないが、平均結晶粒径を小さくするためにはこれに対応して著しく小さい誘電体原料粉末を使う必要があり、ペースト化が難しくなる。このため、通常、誘電体層の平均結晶粒径は０．１０μｍ以上とすることが好ましい。なお、誘電体層の平均結晶粒径は、誘電体層を研磨し、研磨面を化学エッチングや熱エッチングした後、プラニメトリック法を利用して走査型電子顕微鏡像より算出する。
　【００３２】誘電体層を構成する結晶は常温付近で正方晶系である。結晶の異方性が減少するとは、立方晶系に近づくということである。結晶の異方性の度合いは、誘電体層のＸ線回折により確認することができる。結晶の異方性が小さくなると、（２００）面の回折線が低角度側にシフトすると共に（００２）面の回折線が高角度側にシフトし、両回折線は互いに少なくとも一部が重なるようになる。平均結晶粒径が０．４５μｍ以下であると、通常は見掛け上、両回折線は独立して観察されず、（２００）面の回折線位置（２θ＝４５．４°付近）と（００２）面の回折線位置（２θ＝４４．９°付近）との間に、幅広の回折線が観察されることになる。本発明では、この幅広の回折線の半値幅が好ましくは０．３５°以下であり、より好ましくは０．３０°以下である。この半値幅が大きすぎる場合、結晶の異方性の低減が不十分である。この半値幅の下限は特にないが、この半値幅を０．１０°未満とすることは困難であり、通常は０．１５°以上である。なお、Ｘ線回折には、ＣｕＫα１線を用いる。
　【００３３】結晶の異方性が比較的大きい場合には、（２００）面の回折線のピークと（００２）面の回折線のピークとが独立して観察されることもあるが、この場合には、通常、（２００）面の回折線の肩部に（００２）面の回折線のピークが現われた幅広の回折線となる。この場合には、最も高いピークの半分の高さの位置で幅広の回折線を切ったときの幅を、幅広の回折線の半値幅とする。
　【００３４】平均結晶粒径が０．４５μｍ以下である場合、誘電体層断面の透過型電子顕微鏡写真において、ドメインウォールの存在が確認できる結晶粒の比率は、好ましくは３５〜８５％であり、より好ましくは３５〜５０％である。ドメインウォールが確認できる結晶粒の比率が高いと、容量の経時変化が大きくなりやすい。
　【００３５】誘電体層の結晶粒中では、元素が偏在していることが好ましい。この場合、通常、結晶粒中央部で濃度が高くなる元素と結晶粒周辺部で濃度が高くなる元素が存在するが、通常、電子顕微鏡の組成像で明瞭に確認することは難しい。
　【００３６】誘電体層のキュリー温度は、適用される規格に応じて組成を選択することにより適宜設定することができるが、一般に８５℃以上、通常、１２０〜１３５℃程度とする。
　【００３７】誘電体層の一層あたりの厚さは特に限定されないが、本発明の適用により、誘電体層の厚さを４μｍ以下、さらには２μｍ以下とした場合でも容量の経時変化が少なく、十分な信頼性が得られる。なお、印刷法により製造する場合には、厚さの下限は、通常、０．５μｍ程度となる。誘電体層の積層数は、通常、２〜３００程度とする。
　【００３８】＜内部電極層３＞内部電極層３に含有される導電材は特に限定されないが、誘電体層２構成材料が耐還元性を有するため、卑金属を用いることができる。導電材として用いる卑金属としては、ＮｉまたはＮｉ合金が好ましい。Ｎｉ合金としては、Ｍｎ、Ｃｒ、ＣｏおよびＡｌから選択される１種以上の元素とＮｉとの合金が好ましく、合金中のＮｉ含有量は９５重量％以上であることが好ましい。
　【００３９】なお、ＮｉまたはＮｉ合金中には、Ｐ等の各種微量成分が０．１重量％程度以下含まれていてもよい。
　【００４０】内部電極層の厚さは用途等に応じて適宜決定すればよいが、通常、０．５〜５μｍ、特に０．５〜２．５μｍ程度であることが好ましい。
　【００４１】＜外部電極４＞外部電極４に含有される導電材は特に限定されないが、本発明では安価なＮｉ、Ｃｕや、これらの合金を用いることができる。
　【００４２】外部電極の厚さは用途等に応じて適宜決定すればよいが、通常、１０〜５０μｍ程度であることが好ましい。
　【００４３】［積層型セラミックチップコンデンサの製造方法］本発明の積層型セラミックチップコンデンサは、ペーストを用いた通常の印刷法やシート法によりグリーンチップを作製し、これを焼成した後、外部電極を印刷ないし転写して焼成することにより製造される。
　【００４４】＜誘電体層用ペースト＞誘電体層用ペーストは、誘電体原料と有機ビヒクルとを混練して製造される。
　【００４５】誘電体原料には、誘電体層の組成に応じた粉末を用いる。誘電体原料の製造方法は特に限定されず、例えば、水熱合成法等により合成したＢａＴｉＯ３に、副成分原料を混合する方法を用いることができる。また、ＢａＣＯ３とＴｉＯ２と副成分原料との混合物を仮焼して固相反応させる乾式合成法を用いてもよく、水熱合成法を用いてもよい。また、共沈法、ゾル・ゲル法、アルカリ加水分解法、沈殿混合法などにより得た沈殿物と副成分原料との混合物を仮焼して合成してもよい。なお、副成分原料には、酸化物や、焼成により酸化物となる各種化合物、例えば、炭酸塩、シュウ酸塩、硝酸塩、水酸化物、有機金属化合物等の少なくとも１種を用いることができる。
　【００４６】誘電体原料の平均粒子径は、目的とする誘電体層の平均結晶粒径に応じて決定すればよいが、本発明で用いる組成系では結晶粒成長がほとんど生じないので、誘電体層の平均結晶粒径を０．４５μｍ以下とする場合、誘電体原料には、通常、平均粒子径０．４μｍ以下の粉末を用いればよい。なお、この場合、誘電体原料の比表面積（ＢＥＴ値）は、２．５ｍ２／ｇ以上であることが好ましい。
　【００４７】有機ビヒクルとは、バインダを有機溶剤中に溶解したものである。有機ビヒクルに用いるバインダは特に限定されず、エチルセルロース等の通常の各種バインダから適宜選択すればよい。また、用いる有機溶剤も特に限定されず、印刷法やシート法など、利用する方法に応じて、テルピネオール、ブチルカルビトール、アセトン、トルエン等の各種有機溶剤から適宜選択すればよい。
　【００４８】＜内部電極層用ペースト＞内部電極層用ペーストは、上記した各種導電性金属や合金からなる導電材、あるいは焼成後に上記した導電材となる各種酸化物、有機金属化合物、レジネート等と、上記した有機ビヒクルとを混練して調製する。
　【００４９】＜外部電極用ペースト＞外部電極用ペーストは、上記した内部電極層用ペーストと同様にして調製すればよい。
　【００５０】＜有機ビヒクル含有量＞上記した各ペースト中の有機ビヒクルの含有量に特に制限はなく、通常の含有量、例えば、バインダは１〜５重量％程度、溶剤は１０〜５０重量％程度とすればよい。また、各ペースト中には、必要に応じて各種分散剤、可塑剤、誘電体、絶縁体等から選択される添加物が含有されていてもよい。これらの総含有量は、１０重量％以下とすることが好ましい。
　【００５１】＜グリーンチップ作製＞印刷法を用いる場合、誘電体層用ペーストおよび内部電極層用ペーストを、ＰＥＴ等の基板上に積層印刷し、所定形状に切断した後、基板から剥離してグリーンチップとする。
　【００５２】また、シート法を用いる場合、誘電体層用ペーストを用いてグリーンシートを形成し、このグリーンシート上に内部電極層用ペーストを印刷したものを積層した後、所定形状に切断して、グリーンチップとする。
　【００５３】＜脱バインダ処理工程＞焼成前に行なう脱バインダ処理の条件は通常のものであってよいが、内部電極層の導電材にＮｉやＮｉ合金等の卑金属を用いる場合、特に下記の条件で行うことが好ましい。
昇温速度：５〜３００℃／時間、特に１０〜１００℃／時間
保持温度：２００〜４００℃、特に２５０〜３００℃
温度保持時間：０．５〜２４時間、特に５〜２０時間雰囲気：空気中
　【００５４】＜焼成工程＞グリーンチップ焼成時の雰囲気は、内部電極層用ペースト中の導電材の種類に応じて適宜決定すればよいが、導電材としてＮｉやＮｉ合金等の卑金属を用いる場合、焼成雰囲気中の酸素分圧は、１０−８〜１０−１２気圧とすることが好ましい。酸素分圧が前記範囲未満であると、内部電極層の導電材が異常焼結を起こし、途切れてしまうことがある。また、酸素分圧が前記範囲を超えると、内部電極層が酸化する傾向にある。
　【００５５】焼成時の保持温度は、１１００〜１４００℃、特に１２００〜１３００℃とすることが好ましい。保持温度が前記範囲未満であると緻密化が不十分であり、前記範囲を超えると直流電界印加時の容量の経時変化が大きくなる。
　【００５６】上記条件以外の各種条件は、下記のようにすることが好ましい。
　【００５７】昇温速度：５０〜５００℃／時間、特に２００〜３００℃／時間
温度保持時間：０．５〜８時間、特に１〜３時間
冷却速度：５０〜５００℃／時間、特に２００〜３００℃／時間
焼成雰囲気は還元性雰囲気とすることが好ましく、雰囲気ガスとしては、例えば、Ｎ２とＨ２との混合ガスを加湿して用いることが好ましい。
　【００５８】＜アニール工程＞還元性雰囲気中で焼成した場合、コンデンサチップ体にはアニールを施すことが好ましい。アニールは、誘電体層を再酸化するための処理であり、これによりＩＲ加速寿命を著しく長くすることができる。
　【００５９】アニール雰囲気中の酸素分圧は、１０−６気圧以上、特に１０−５〜１０−４気圧とすることが好ましい。酸素分圧が前記範囲未満であると誘電体層の再酸化が困難であり、前記範囲を超えると内部電極層が酸化する傾向にある。
　【００６０】アニールの際の保持温度は、１１００℃以下、特に５００〜１０００℃とすることが好ましい。保持温度が前記範囲未満であると誘電体層の酸化が不十分となって寿命が短くなる傾向にあり、前記範囲を超えると内部電極層が酸化し、容量が低下するだけでなく、誘電体素地と反応してしまい、寿命も短くなる傾向にある。なお、アニール工程は昇温および降温だけから構成してもよい。この場合、温度保持時間は零であり、保持温度は最高温度と同義である。
　【００６１】上記条件以外の各種条件は下記のようにすることが好ましい。
　【００６２】
温度保持時間：０〜２０時間、特に６〜１０時間
冷却速度：５０〜５００℃／時間、特に１００〜３００℃／時間
雰囲気用ガスには、加湿したＮ２ガス等を用いることが好ましい。
　【００６３】なお、上記した脱バインダ処理、焼成およびアニールの各工程において、Ｎ２ガスや混合ガス等を加湿するには、例えばウェッター等を使用すればよい。この場合、水温は５〜７５℃程度が好ましい。
　【００６４】脱バインダ処理工程、焼成工程およびアニール工程は、連続して行なっても、独立に行なってもよい。
　【００６５】これらを連続して行なう場合、脱バインダ処理後、冷却せずに雰囲気を変更し、続いて焼成の保持温度まで昇温して焼成を行ない、次いで冷却し、アニール工程での保持温度に達したときに雰囲気を変更してアニール行なうことが好ましい。
　【００６６】また、これらを独立して行なう場合の焼成工程では、脱バインダ処理工程での保持温度まで昇温する際には脱バインダ処理と同様な雰囲気とし、そこから保持温度まで昇温して焼成を行ない、さらにアニール工程での保持温度まで降温する際には、上記した焼成雰囲気とし、続いてアニール工程での保持温度から降温する際には、上記したアニール雰囲気とすることが好ましい。また、独立して行なう場合のアニール工程では、Ｎ２ガス雰囲気下で保持温度まで昇温した後、雰囲気を変更してもよく、アニールの全工程を加湿したＮ２ガス雰囲気としてもよい。
　【００６７】＜外部電極形成＞上記のようにして得られたコンデンサチップ体に、例えばバレル研磨やサンドブラストなどにより端面研磨を施し、外部電極用ペーストを印刷ないし転写して焼成し、外部電極４を形成する。外部電極用ペーストの焼成条件は、例えば、加湿したＮ２とＨ２との混合ガス中で６００〜８００℃にて１０分間〜１時間程度とすることが好ましい。
　【００６８】そして、必要に応じ、外部電極４表面に、めっき等により被覆層を形成する。
　【００６９】このようにして製造された本発明の積層型セラミックチップコンデンサは、ハンダ付等によりプリント基板上などに実装され、各種電子機器等に使用される。
　【００７０】本発明の積層型セラミックチップコンデンサの誘電体層には、使用時に、０．０２Ｖ／μｍ以上、特に０．２Ｖ／μｍ以上、さらには０．５Ｖ／μｍ以上、一般に５Ｖ／μｍ程度以下の直流電界と、通常、これに重畳する交流成分とが印加されるが、このような直流電界を印加しても、容量の経時変化は極めて少ない。
　【００７１】
　【実施例】以下、本発明の具体的実施例を挙げ、本発明をさらに詳細に説明する。
　【００７２】＜実施例１＞下記の各ペーストを調製した。
誘電体層用ペースト
水熱合成法により製造したＢａＴｉＯ３に、（ＭｇＣＯ３）４・Ｍｇ（ＯＨ）２・５Ｈ２Ｏ、ＭｎＣＯ３、ＢａＣＯ３、ＣａＣＯ３、ＳｉＯ２、Ｙ２Ｏ３、Ｖ２Ｏ５およびＭｏＯ３から選択した化合物を下記の各表に示される組成となるように添加して、ボールミルにより１６時間湿式混合し、誘電体原料とした。
　【００７３】各誘電体原料１００重量部と、アクリル樹脂４．８重量部、塩化メチレン４０重量部、トリクロロエタン２０重量部、ミネラルスピリット６重量部およびアセトン４重量部とをボールミルで混合してペースト化した。
　【００７４】内部電極層用ペースト平均粒径０．８μｍのＮｉ粒子１００重量部と、有機ビヒクル（エチルセルロース樹脂８重量部をブチルカルビトール９２重量部に溶解したもの）４０重量部およびブチルカルビトール１０重量部とを３本ロールにより混練し、ペースト化した。
　【００７５】外部電極用ペースト平均粒径０．５μｍのＣｕ粒子１００重量部と、有機ビヒクル（エチルセルロース樹脂８重量部をブチルカルビトール９２重量部に溶解したもの）３５重量部およびブチルカルビトール７重量部とを混練し、ペースト化した。
　【００７６】上記各誘電体層用ペーストおよび上記内部電極層用ペーストを用い、図１に示される構成の積層型セラミックチップコンデンサを作製した。
　【００７７】まず、誘電体層用ペーストを用いてＰＥＴフィルム上に厚さ５μｍのグリーンシートを形成し、この上に内部電極層用ペーストを印刷した後、ＰＥＴフィルムからシートを剥離した。このようにして作製した複数枚のシートを積層し、加圧接着してグリーン積層体を得た。シートの積層数は４層とした。
　【００７８】次いでグリーン積層体を所定サイズに切断してグリーンチップとし、脱バインダ処理、焼成およびアニールを下記の条件にて連続的に行ない、コンデンサチップ体を作製した。
　【００７９】脱バインダ処理
昇温速度：１５℃／時間
保持温度：２８０℃
温度保持時間：８時間
雰囲気ガス：空気中
　【００８０】焼成
昇温速度：２００℃／時間
保持温度：１３００℃
温度保持時間：２時間
冷却速度：３００℃／時間
雰囲気ガス：加湿したＮ２とＨ２との混合ガス
酸素分圧：１０−９気圧
　【００８１】アニール
保持温度：９００℃
温度保持時間：９時間
冷却速度：３００℃／時間
雰囲気ガス：加湿したＮ２ガス
酸素分圧：１０−５気圧
　【００８２】なお、それぞれの雰囲気ガスの加湿にはウェッターを用い、水温は３５℃とした。
　【００８３】得られたコンデンサチップ体の端面をサンドブラストにて研磨した後、上記外部電極用ペーストを前記端面に転写し、加湿したＮ２＋Ｈ２雰囲気中で８００℃にて１０分間焼成して外部電極を形成し、積層型セラミックチップコンデンササンプルを得た。
　【００８４】このようにして製造した各サンプルのサイズは、３．２ｍｍ×１．６ｍｍ×０．６ｍｍであり、誘電体層の厚さは３μｍ、内部電極層の厚さは２μｍであった。
　【００８５】各サンプルの誘電体層の組成を各表に示す。組成は、前述したようにＢａＴｉＯ３１００モルに対する比率で表わしてある。
　【００８６】各サンプルの誘電体層の平均結晶粒径は、０．３５μｍであった。平均結晶粒径は、サンプル断面の走査型電子顕微鏡写真を用いて、前述した方法により算出した。サンプルＮｏ．１１０の誘電体層の走査型電子顕微鏡写真を図２に示す。
　【００８７】また、各サンプルの表面にＣｕＫα１線を照射して誘電体層のＸ線回折を行なった。この結果、すべてのサンプルで（２００）面の回折線と（００２）面の回折線とが重なって幅広の回折線となっており、両回折線の識別は不可能であった。これら幅広の回折線の半値幅は、２θ＝０．３０〜０．３４°の範囲にあった。サンプルＮｏ．１１６のＸ線回折チャートを図３に示す。
　【００８８】また、各サンプルの誘電体層の透過型電子顕微鏡写真を撮影し、ドメインウォールが観察される結晶粒の比率を調べた。その結果、ドメインウォールが観察される結晶粒の比率は、４４〜５０％の範囲にあった。サンプルＮｏ．１０２の透過型電子顕微鏡写真を、図４に示す。
　【００８９】各サンプルについて下記の測定を行なった。結果を各表に示す。
　【００９０】容量の温度特性
Ｘ７Ｒ特性：ＬＣＲメータにより、−５５〜１２５℃について測定電圧１Ｖで容量を測定し、容量変化率が±１５％以内（基準温度２５℃）を満足するかどうかを調べた。満足する場合を○、満足しない場合を×とした。
　【００９１】直流電界下での容量の経時変化
ＬＣＲメーターにより、測定電圧１．０Ｖ（交流）で初期容量Ｃ０を測定した。次いで、誘電体層の厚さ１μｍあたり２．１Ｖの直流電界を４０℃にて１０００時間印加した後、無負荷状態で室温にて２４時間放置した。放置後に容量を測定し、初期容量Ｃ０からの変化量ΔＣ１を求めて、変化率ΔＣ１／Ｃ０を算出した。なお、放置後の容量は上記条件にて測定した。
　【００９２】絶縁抵抗ＩＲの加速寿命
１４０℃にて１５Ｖ／μｍの電界下で加速試験を行ない、抵抗（ＩＲ）が２×１０５Ω以下になるまでの時間を寿命時間とした。
　【００９３】比誘電率εｓ
２５℃における比誘電率を測定した。
　【００９４】破壊電圧ＶＢ
室温において、自動昇電圧器を用いて直流電圧を印加し、破壊試験を行なった。漏れ電流が１ｍＡ以上となったときの電圧を、破壊電圧とした。
　【００９５】
　【表１】
　【００９６】
　【表２】
　【００９７】上記各表に示される結果から、本発明の効果が明らかである。なお、ＩＲ加速寿命や破壊電圧が示されていないサンプルは、半導体化などのために測定が不可能だったサンプルである。
　【００９８】＜実施例２＞誘電体層の組成を表３に示されるものとし、誘電体層の平均結晶粒径を０．６０μｍとした以外は実施例１と同様にしてサンプルを得た。これらのサンプルについて実施例１と同様な測定を行なった。結果を表３に示す。
　【００９９】
　【表３】
　【０１００】なお、上記各表に示される本発明サンプルは、静電容量の温度特性がＢ特性｛−２５〜８５℃で容量変化率±１０％以内（基準温度２０℃）｝も満足していた。
【図面の簡単な説明】
　【図１】本発明の積層型セラミックチップコンデンサの構成例を示す断面図である。
　【図２】図面代用写真であって、積層型セラミックチップコンデンサの誘電体層の断面の走査型電子顕微鏡写真である。
　【図３】積層型セラミックチップコンデンサの誘電体層のＸ線回折チャートである。
　【図４】図面代用写真であって、積層型セラミックチップコンデンサの誘電体層の透過型電子顕微鏡写真である。
　【符号の説明】
　１　積層型セラミックチップコンデンサ
　１０　コンデンサチップ体
　２　誘電体層
　３　内部電極層
　４　外部電極