(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線基板であって、
透明性を有する支持体と、
前記支持体上に設けられ、光の照射により分解可能な樹脂を含む接着剤層と、
前記接着剤層上に設けられる第１積層体であって、２層以上の樹脂層と、前記樹脂層の層間に設けられる１層以上の第１配線パターンとを有する第１積層体と、
前記第１積層体上に設けられるガラス層と、
前記ガラス層上に設けられる第２積層体であって、２層以上の樹脂層と、前記樹脂層の層間に設けられる１層以上の第２配線パターンとを有する第２積層体とを備える、配線基板。
【請求項２】
前記支持体の線膨張係数は、−１ｐｐｍ／℃以上１０ｐｐｍ／℃以下である、請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
前記支持体は、ガラス基板である、請求項１又は２に記載の配線基板。
【請求項４】
前記支持体の主面の最大高さ粗さは、０．０１μｍ以上５μｍ以下である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の配線基板。
【請求項５】
前記ガラス層がビアを有し、
前記第１配線パターンと前記第２配線パターンとが前記ガラス層内の前記ビアを介して導通していることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか１項に記載の配線基板。
【請求項６】
前記第２積層体上に半導体チップを搭載した、請求項１〜５のいずれか１項に記載の配線基板。
【請求項７】
前記ガラス層の厚みが、０．０５ｍｍ以上１ｍｍ以下である、請求項１〜６のいずれか１項に記載の配線基板。
【請求項８】
前記接着剤層は、
前記支持体の主面上に設けられ、光の照射により分解可能な樹脂を含む剥離層と、
前記剥離層上に設けられ、前記光から前記第１積層体を保護する保護層とを有する、請求項１〜７のいずれか１項に記載の配線基板。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか１項に記載の配線基板を用いて製造される半導体装置であって、
前記第１積層体と、
前記第１積層体上に設けられるガラス層と、
前記ガラス層上に設けられる前記第２積層体と、
表面に突起電極が設けられており、前記突起電極を介して前記第２積層体の前記第２配線パターンに接続される半導体チップとを備える、半導体装置。
【請求項１０】
前記第２配線パターンと前記半導体チップとは、はんだを含む接続端子を介して互いに接続されている、請求項９に記載の半導体装置。
【請求項１１】
請求項１〜８のいずれか１項に記載の配線基板を用いた半導体装置の製造方法であって、
前記配線基板の前記第２積層体上に半導体チップを搭載すると共に、前記第２配線パターンに前記半導体チップを接合する工程と、
前記支持体を通して前記接着剤層に光を照射することによって、前記支持体を前記第１積層体から剥離する工程とを備える、半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
前記光は、レーザー光である、請求項１１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
前記第２配線パターンに接合された前記半導体チップを封止樹脂で覆う工程を更に備える、請求項１１又は１２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
前記支持体を前記第１積層体から剥離する工程の後に、前記第１積層体から前記接着剤層を除去する工程を更に備える、請求項１１〜１３のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
前記支持体を前記第１積層体から剥離する工程の後に、前記第１積層体に外部接続端子を設ける工程と、
前記第１積層体と前記ガラス層と前記第２積層体とを切断して個片化する工程とを更に備える、請求項１１〜１４のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板、半導体装置及び半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体チップ及び外部接続部材を用いた半導体装置が、電子機器及び自動車等の様々な分野に用いられている。下記特許文献１には、半導体チップ上に再配線層及び外部接続端子を有する外部接続部材が直接形成される半導体装置の製造方法が記載されている。この製造方法では、再配線層及び外部接続端子を有する外部接続部材が半導体チップ領域内に形成される。当該製造方法によって設けられた半導体装置は、Ｆａｎ−ｉｎ型のＷＬＰ（Ｗａｆｅｒ  Ｌｅｖｅｌ  Ｐａｃｋａｇｅ：ウエハレベルパッケージ）と呼ばれている。
【０００３】
また、下記特許文献２には、支持基板に固定された半導体チップの周囲を覆う絶縁層を形成し、当該半導体チップ上及び当該絶縁層上に再配線層及び外部接続端子を有する外部接続部材が形成される半導体装置の製造方法が記載されている。この製造方法では、半導体チップの外縁より外側の周辺領域にも再配線層及び外部接続端子を有する外部接続部材が形成される。当該製造方法によって設けられた半導体装置は、Ｆａｎ−ｏｕｔ型のＷＬＰと呼ばれている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平１１−１１１８９６号公報
【特許文献２】特開２０１１−１８７４７３号公報
【特許文献３】特開２０１４−７３１５号公報
【特許文献４】特開２００７−２４２８８８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記特許文献１に記載される製造方法では、外部接続部材は半導体チップ領域内に形成されるため、外部接続端子の数及び位置が制限される。また、特許文献１、２に記載される製造方法では、個片化された半導体チップ上に直接外部接続部材を形成するので、半導体装置の製造効率が低くなる。
【０００６】
上記特許文献４に記載される半導体パッケージ基板では、配線の微細化に限界があり、例えば、Ｌ／Ｓ（ライン／スペース）＝５／５μｍを達成するのが難しかった。
【０００７】
本発明は、微細配線を形成可能な配線基板、配線基板を用いた半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明に係る配線基板は、透明性を有する支持体と、支持体上に設けられ、光の照射により分解可能な樹脂を含む接着剤層と、接着剤層上に設けられる第１積層体であって、２層以上の樹脂層と、樹脂層の層間に設けられる１層以上の第１配線パターンとを有する第１積層体と、第１積層体上に設けられるガラス層と、ガラス層上に設けられる第２積層体であって、２層以上の樹脂層と、樹脂層の層間に設けられる１層以上の第２配線パターンとを有する第２積層体とを備える。
【０００９】
平滑なガラス層を樹脂層上に設けることで、更なる配線の微細化が可能となる。
【００１０】
この配線基板はガラス層をコアとするが、支持体上に第１積層体とガラス層と第２積層体とを積層しているため、ハンドリング性を向上させることができると共に、配線基板や半導体装置の製造過程におけるガラスコア材料の破損を抑制できる。また、支持体が透明性を有しており、支持体を通して接着剤層に光を照射することによって接着剤層中の樹脂が分解し、接着剤層の接着力を弱めることができる。これにより、ガラスコアを有する配線基板を支持体から容易に剥離することができる。
【００１１】
また、この配線基板には、半導体チップを外部装置と接続するための外部接続部材として機能する積層体が設けられている。半導体チップと外部接続部材を有する配線基板とを別々に製造することができるため、半導体装置の製造効率の改善に供される。また、この配線基板では支持体が透明性を有している。接着剤層に光を照射することによって接着剤層の接着力を弱めることができるので、半導体チップと配線基板の積層体とを接合した後に、容易に支持体を積層体から剥離することができる。
【００１２】
また、支持体の線膨張係数は、−１ｐｐｍ／℃以上１０ｐｐｍ／℃以下であることが好ましい。半導体チップはシリコン基板等の無機物を主成分とした基板によって製造されているので、半導体チップの線膨張係数と支持体の線膨張係数とが互いに近い値となる。したがって、配線基板に半導体チップを搭載した際に発生する位置ずれを抑制することができる。
【００１３】
また、支持体はガラス基板であってもよい。この場合、支持体は、安価であり、強度を高くすることが可能であり、大型化も容易となる。また、支持体の表面の粗さを容易に調整することができる。
【００１４】
支持体の主面の最大高さ粗さは、０．０１μｍ以上５μｍ以下であることが好ましい。この場合、支持体上に設けられる積層体の凹凸が小さくなるため、配線パターンの断線及び短絡等を抑制できる。
【００１５】
また、接着剤層は、支持体の主面上に設けられ、光の照射により分解可能な樹脂を含む剥離層と、剥離層上に設けられ、光から第１積層体を保護する保護層とを有していてもよい。この場合、保護層が剥離層と第１積層体との間に設けられることによって、第１積層体に光のエネルギーが伝達することを抑制できる。したがって、積層体の樹脂層に含まれる樹脂が分解されることを抑制できる。
【００１６】
また、ガラス層上に設けられる第１積層体の厚さは、それぞれ０．００１ｍｍ以上５ｍｍ以下であってもよい。この場合、積層体における配線パターンを複数の樹脂層によって保護できると共に、配線基板の反りを抑制できる。
【００１７】
ガラス層の厚みは、０．０５ｍｍ以上１ｍｍ以下であってもよい。
【００１８】
また、本発明に係る半導体装置は、上記のいずれかの配線基板を用いて製造されるものであって、第１積層体と、第１積層体上に設けられるガラス層と、ガラス層上に設けられる第２積層体と、表面に突起電極が設けられており、突起電極を介して第２積層体の第２配線パターンに接続される半導体チップとを備える。
【００１９】
また、第２配線パターンと半導体チップとは、はんだを含む接続端子を介して互いに接続されていてもよい。この場合、配線パターンと半導体チップとの間に位置ずれが発生した場合であっても、はんだを含む接続端子によってずれを埋めることができ、半導体チップと積層体との間に発生する接続不良を抑制できる。
【００２０】
また、配線パターンと半導体チップとは、金を含む接続端子を介して互いに接続されていてもよい。この場合、接続端子の導電性が向上すると共に、当該接続端子の腐食が抑制される。
【００２１】
また、本発明に係る半導体装置の製造方法は、上記のいずれかの配線基板を用いるものであって、配線基板の第２積層体上に半導体チップを搭載すると共に、第２配線パターンに半導体チップを接合する工程と、支持体を通して接着剤層に光を照射することによって、支持体を第１積層体から剥離する工程とを備える
【００２２】
この半導体装置の製造方法によれば、支持体を介して接着剤層に光が照射されることによって樹脂が分解し、接着剤層の接着力を弱めることができる。したがって、半導体チップと配線基板の積層体とを接合した後に、容易に支持体を積層体から剥離することができるため、当該配線基板を用いて製造される半導体装置の薄型化が可能になる。さらに積層体に半導体チップを搭載する際に支持体を有する配線基板を用いることによって、ハンドリングを容易にすることができる。
【００２３】
また、光はレーザー光であることが好ましく、レーザー媒質やレーザー波長は限定されない。レーザー光の照射によって、接着層内の樹脂が分解するために必要な熱エネルギーを十分に加えることができ、接着剤の接着力を効果的に弱めることができる。
【００２４】
また、上記の半導体装置の製造方法は、第２配線パターンに接合された半導体チップを封止樹脂で覆う工程を更に備えてもよい。この場合、半導体チップを封止樹脂によって保護することができると共に、半導体チップの積層体からの脱離を抑制できる。
【００２５】
また、上記の半導体装置の製造方法は、支持体を第１積層体から剥離する工程の後に、第１積層体から接着剤層を除去する工程を更に備えてもよい。
【００２６】
また、上記の半導体装置の製造方法は、支持体を第１積層体から剥離する工程の後に、第１積層体に外部接続端子を設ける工程と、第１積層体とガラス層と第２積層体とを切断して個片化する工程とを更に備えてもよい。
【発明の効果】
【００２７】
本発明によれば、微細配線を形成可能な配線基板、配線基板を用いた半導体装置及びその製造方法を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】実施形態に係る配線基板を用いて製造された半導体装置を説明する図
【図２】実施形態に係る配線基板を説明する図
【図３Ａ】実施形態に係る配線基板の製造工程を説明する図
【図３Ｂ】実施形態に係る配線基板の製造工程を説明する図
【図４】実施形態に係る半導体装置の製造工程を説明する図
【図５】実施形態に係る半導体装置の製造工程を説明する図
【図６Ａ】実施例に係る半導体装置の製造工程を説明する図
【図６Ｂ】実施例に係る半導体装置の製造工程を説明する図
【発明を実施するための形態】
【００２９】
以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、以下の説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には、同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。また、本明細書では、ガラス層（ガラスコア）の両面に、樹脂層を２層ずつ形成した例について説明する。
【００３０】
図１は、本実施形態の配線基板を用いて製造された半導体装置を説明する図である。図１に示されるように、半導体装置１は、積層体１０１、積層体１０２と、貫通ビア２２を有するガラス層（ガラスコア）２０と、半導体チップ２９と、アンダーフィル３０と、モールド樹脂３１と、複数の外部接続端子３２と、接続端子３４とを備えている。なお、積層体１０１、積層体１０２、ガラス層２０の詳細については、後述する。
【００３１】
半導体チップ２９は、例えば半導体基板表面に形成されるトランジスタ又はダイオード等を有する集積回路（ＩＣ又はＬＳＩ）であり、略直方体形状を有している。半導体チップ２９に用いられる半導体基板は、例えばシリコン基板（Ｓｉ基板）、窒化ガリウム基板（ＧａＮ基板）、又は炭化ケイ素基板（ＳｉＣ基板）等の無機物を主成分とした基板が用いられる。本実施形態では、半導体基板としてシリコン基板が用いられる。シリコン基板を用いて形成される半導体チップ２９の線膨張係数（ＣＴＥ：Ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ  ｏｆ  Ｔｈｅｒｍａｌ  Ｅｘｐａｎｓｉｏｎ）は、約２〜４ｐｐｍ／℃（例えば３ｐｐｍ／℃）である。本実施形態における線膨張係数は、例えば２０℃〜２６０℃の温度範囲内における温度の上昇に対応して変化する長さとする。
【００３２】
半導体チップ２９の表面２９ａと積層体１０２に露出する配線パターンとは、接続端子３４を介して電気的に接続される。接続端子３４は、例えばＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ等の金属もしくはこれらの合金、ＣｕにＡｕめっき等を施した金属複合体、又は、Ｓｎ、Ｓｎ−Ｐｂ、Ｓｎ−Ａｇ、Ｓｎ−Ｃｕ、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ、Ｓｎ−ＢｉもしくはＡｕ系等のはんだによって形成される。接続端子３４は、半導体チップ２９の領域内全体に配置されていてもよいし、半導体チップ２９の周辺領域に配置されていてもよい。半導体チップ２９と配線基板とを互いに接続する方式としては、例えばワイヤボンディング方式又はフリップチップ方式が挙げられる。本実施形態では、実装面積の縮小化及び作業の効率化の観点から、フリップチップ方式によって半導体チップ２９及び積層体１０２が互いに接続されている。
【００３３】
アンダーフィル３０は、半導体チップ２９を積層体１０２上に固定及び封止するために用いられる接着剤である。アンダーフィル３０としては、例えば、エポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂、シリコーン樹脂、ポリエステル樹脂、オキセタン樹脂、及びマレイミド樹脂の内の１種又はこれらの樹脂の２種類以上が混合された樹脂に、フィラーとしてシリカ、酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、又は酸化亜鉛等を加えた材料が用いられる。アンダーフィル３０は、液状であってもよいし、フィルム状であってもよい。
【００３４】
モールド樹脂３１は、半導体チップ２９を覆って封止及び保護するために用いられる封止樹脂である。モールド樹脂３１としては、例えば、エポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂、シリコーン樹脂、ポリエステル樹脂、オキセタン樹脂、及びマレイミド樹脂の内の１種又はこれらの樹脂の２種類以上が混合された樹脂に、フィラーとしてシリカ、酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、又は酸化亜鉛等を加えた材料が用いられる。
【００３５】
外部接続端子３２は、積層体１０１上に設けられている。外部接続端子３２は、積層体１０１内に設けられている配線パターン、及びガラス層２０内に設けられた貫通ビア２２を介して半導体チップ２９と電気的に接続している。外部接続端子３２は、例えばＳｎ、Ｓｎ−Ｐｂ、Ｓｎ−Ａｇ、Ｓｎ−Ｃｕ、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ、又はＳｎ−Ｂｉ等のはんだによって形成される。外部接続端子３２がはんだから形成される場合、外部接続端子３２を形成する前に、積層体１０１の主面１０１ａ上の配線パターンが露出した部分に、例えばＮｉめっき、Ａｕめっき、又はＳｎめっきが施されてもよく、プレソルダー処理が施されてもよく、ＯＳＰ（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｓｏｌｄｅｒａｂｉｌｉｔｙ  Ｐｒｅｓｅｒｖａｔｉｖｅ）等の有機被膜処理が施されてもよい。
【００３６】
図２は、本実施形態の配線基板を説明する図である。図２に示されたように、配線基板１１は、支持体１２と、接着剤層１３と、積層体１０１と、積層体１０２とを備えている。積層体１０１は、例えば２層の樹脂層から構成される場合、第１樹脂層１４と、第２樹脂層１９と、接続パッド１５と、配線パターン１８とを有する。積層体１０２は、例えば２層の樹脂層から構成される場合は、第３樹脂層２１と、第４樹脂層２６と、配線パターン２５と、接続パッド２７と、半導体チップ２９と電気的な接続をするための接続端子２８とを有する。また、積層体１０１と積層体１０２とは、ガラス層２０内に設けた、導体などで充填された貫通ビア２２を介して電気的に接続される。なお、積層体１０１または積層体１０３に新たな樹脂層を増やすことにより、配線数を増やすことが可能である。
【００３７】
支持体１２は、例えば光を透過する性質（透明性）を有する材料から構成される基板である。支持体１２の主面１２ａは、例えば略矩形状、略円形状、又は略楕円形状等である。支持体１２が透過する光の波長の範囲は、例えば１００ｎｍ以上２０００ｎｍ以下でもよく、３００ｎｍ以上１１００ｎｍ以下でもよい。支持体１２には、接着剤層１３を分解することが可能な特定の波長を透過するものを用いてもよく、例えばガラス基板が用いられる。ガラス基板を用いる場合、ガラス中の成分種及び成分比率とその製造方法は問わない。例えば、成分種と成分比率の異なるガラスとしては、無アルカリガラス、アルカリガラス、ホウ珪酸ガラス、石英ガラス、サファイアガラス、感光性ガラスなどが挙げられるが、いずれのガラスを用いてもよい。また、製造方法としては、フロート法、ダウンドロー法、フュージョン法、アップドロー法、ロールアウト法などが挙げられるが、いずれの方法によって作製されたガラス基板を用いてもよい。ガラス基板の線膨張係数は、上述した半導体チップ２９の線膨張係数と近い値であることが好ましく、例えば−１ｐｐｍ／℃以上１０．０ｐｐｍ／℃以下（又は０．５ｐｐｍ／℃以上５．０ｐｐｍ／℃以下）である。ＪＩＳ  Ｂ  ０６０１：２０１３に基づいた支持体１２の主面１２ａにおける最大高さ粗さＲｚは、例えば０．０１μｍ以上５μｍ以下でもよく、０．１μｍ以上３μｍ以下でもよい。支持体１２の主面１２ａの最大高さ粗さＲｚが０．０１μｍ以上であることによって、支持体１２に要するコストの増加を抑制することができる。支持体１２の主面１２ａの最大高さ粗さＲｚが５μｍ以下であることによって、主面１２ａの凹凸に起因した配線パターン１８の断線及び短絡等を抑制できる。また、支持体１２の形状は問わず、四角形、オリフラ付きの丸型ウエハ、もしくは丸型のウエハのいずれを用いてもよい。
【００３８】
接着剤層１３は、支持体１２と積層体１０１とを互いに接着するための層である。接着剤層１３は、支持体１２の主面１２ａ上に設けられており、光の照射により分解可能な樹脂を含んでいる。本実施形態において、レーザー光を照射光として用いる。したがって、接着剤層１３に含まれる樹脂には、レーザー光が照射されることによって熱分解可能な樹脂が用いられる。接着剤層１３に含まれる樹脂としては、例えばエポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂、シリコーン樹脂、ポリエステル樹脂、オキセタン樹脂、及びマレイミド樹脂の内の１種又はこれらの樹脂の２種類以上が混合された樹脂等が用いられる。接着剤層１３の厚さは、例えば２０μｍ〜１００μｍである。
【００３９】
第１樹脂層１４は、接着剤層１３上に設けられる樹脂層であり、開口部１４ａを有している。第１樹脂層１４は、例えばエポキシ樹脂、ポリイミド、マレイミド樹脂、ポリエチレンテレフタラート、ポリフェニレンオキシド、液晶ポリマー、又はシリコーン等の樹脂材料及びこれらの複合材料を含む。また、第１樹脂層１４は、無機フィラー又は有機フィラーが含まれていてもよい。第１樹脂層１４は、例えばエポキシ樹脂及びガラス繊維が組み合わせた材料を含んでもよい。第１樹脂層１４として、例えばエポキシ系の絶縁性樹脂等からなるソルダーレジストが用いられてもよい。第１樹脂層１４の厚さは、例えば０．５μｍ〜３０μｍである。
【００４０】
接続パッド１５は、例えばＡｕ等の金属から構成される導電層であり、第１樹脂層１４の開口部１４ａ内に設けられている。接続パッド１５は、開口部１４ａ内において接着剤層１３と接していてもよい。接続パッド１５の厚さは、例えば０．００１μｍ〜３μｍである。接着剤層１３側から設ける接続パッド１５が１層以上を積層してなる場合、例えば単層の場合は、Ａｕ、Ｐｄ、Ｓｎ、Ｃｕのいずれかを、２層の場合は、Ａｕ／Ｎｉ、Ａｕ／Ｐｄの積層体を、３層の場合は、Ａｕ／Ｐｄ／Ｎｉの積層体を適用することができる。ここで、金属層の形成方法は、ウエット処理に代表されるめっき法や、真空プロセスに代表されるスパッタ法があるが、タクトの点で、めっき法を用いるのが望ましく、無電解めっき、電解めっきのいずれの方法を用いてもよい。
【００４１】
接着剤層１３側から設ける接続パッド１５が合金層からなる場合、Ｓｎと他の元素を含んでなるはんだ層、もしくはＡｕと他の元素含んでなるはんだ層を適用することができ、例えばＳｎ−Ａｇ、Ｓｎ−Ｃｕ、Ｓｎ−Ｂｉ、Ｓｎ−Ｐｂ、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ、Ａｕ−Ｓｉ、Ａｕ−Ｓｎ、Ａｕ−Ｇｅの合金からなるはんだ層などが挙げられる。なお、Ｓｎと他の元素の合金比率は問わない。
【００４２】
接続パッド１５において、接着剤層１３側から設ける金属層が１層以上を積層してなる金属層と合金層からなる場合、例えば、Ａｕ／無電解Ｎｉ−Ｐ、Ａｕ／無電解Ｎｉ−Ｂ、Ａｕ／無電解Ｐｄ−Ｐ／無電解Ｎｉ−Ｐといった様に、無電解Ｎｉめっき、もしくは無電解Ｐｄめっきの無機物との合金皮膜が積層された皮膜を適用することができる。ただし、無電解Ｎｉめっき皮膜あるいは、無電解Ｐｄめっき皮膜との合金皮膜は無機物に限定されず、Ｗ（タングステン）などの金属が含有されていてもよい。
【００４３】
配線パターン１８は、例えばＡｕ、Ｃｕ、Ｎｉ等の金属から構成される導電層であり、第１樹脂層１４及び接続パッド１５上に設けられている。配線パターン１８は、第１樹脂層１４の開口部１４ａを介して接続パッド１５に電気的に接続されている。配線パターン１８の厚さは、例えば１μｍ〜２０μｍである。なお、配線パターン１８中には、ＰやＳなどの無機不純物が含まれていてもよい。
【００４４】
第２樹脂層１９は、第１樹脂層１４、接続パッド１５、及び配線パターン１８上に設けられる樹脂層である。第２樹脂層１９は、例えばエポキシ樹脂、ポリイミド、マレイミド樹脂、ポリエチレンテレフタラート、ポリフェニレンオキシド、液晶ポリマー、又はシリコーン等の樹脂材料及びこれらの複合材料を含む。また、第２樹脂層１９には、無機フィラー又は有機フィラーが含まれていてもよい。第２樹脂層１９に設けられている開口部１９ａは、第１樹脂層１４の開口部１４ａと重なっておらず、配線パターン１８の一部を露出するように設けられている。第２樹脂層１９の厚さは、例えば０．５μｍ〜３０μｍである。
【００４５】
第２樹脂層１９には、第２樹脂層１９上に、ガラス層２０及び第３樹脂層２１を張り合わせた後、レーザーによって開口部を設けてもよい。このとき、第２樹脂層１９と、ガラス層２と、第３樹脂層２１には、一括して、ビアが形成される。このようにして、第３樹脂層２１、ガラス層２０、第２樹脂層１９に形成されたビアは、少なくとも、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｓｎなどから選ばれる１種類以上の金属、もしくは導電ペーストなどによって充填してもよい。更に、ビア内をコンフォーマルめっきによって導通化後、層間絶縁樹脂、もしくはソルダーレジストなどによって充填してもよい。なお、あらかじめ、ビアを設けたガラスを張り合わせた後に、ビア内を導通化させ、順次、積層体１０２を作製してもよい。
【００４６】
ガラス層２０は、積層体１０１の第２樹脂層１９の上に設けられる。ガラス層２０には、例えば、石英ガラス、ホウケイ酸ガラス、無アルカリガラス、ソーダガラス、感光性ガラス又はサファイアガラス等を用いることができる。なお、例えば、フロート法やダウンドロー法といったようなガラスの製造方法は問わない。ガラス層２０の厚みは、例えば０．０５ｍｍ以上１ｍｍ以下である。
【００４７】
第３樹脂層２１は、ガラス層２０上に設けられる樹脂層である。第３樹脂層２１は、例えばエポキシ樹脂、ポリイミド、マレイミド樹脂、ポリエチレンテレフタラート、ポリフェニレンオキシド、液晶ポリマー、又はシリコーン等の樹脂材料及びこれらの複合材料を含む。また、第３樹脂層２１には、無機フィラー又は有機フィラーが含まれていてもよい。第３樹脂層２１の厚さは、例えば０．５μｍ〜３０μｍである。
【００４８】
配線パターン２５は、例えばＡｕ、Ｃｕ、Ｎｉ等の金属から構成される導電層であり、第３樹脂層２１上に設けられている。配線パターン２５は、第３樹脂層２１とガラス層２０と第２樹脂層１９とを貫通する貫通ビア２２を介して配線パターン１８に電気的に接続されている。配線パターン２５の厚さは、例えば１μｍ〜２０μｍである。なお、配線パターン２５中には、ＰやＳなどの無機不純物が含まれていてもよい。
【００４９】
第４樹脂層２６は、ガラス層２０及び配線パターン２５上に設けられる樹脂層である。第４樹脂層２６は、例えばエポキシ樹脂、ポリイミド、マレイミド樹脂、ポリエチレンテレフタラート、ポリフェニレンオキシド、液晶ポリマー、又はシリコーン等の樹脂材料及びこれらの複合材料を含む。また、第４樹脂層２６には、無機フィラー又は有機フィラーが含まれていてもよい。第４樹脂層２６の厚さは、例えば０．５μｍ〜３０μｍである。
【００５０】
配線パターン２５上に設けられた接続パッド２７上には、接続端子２８を形成するための表面処理を行うのが望ましい。接続パッド２７は、例えばＡｕ等の金属から構成される導電層であり、第４樹脂層２６の開口部２６ａ内に設けられている。接続パッド２７の厚さは、例えば０．００１μｍ〜３μｍである。接続パッド２７が１層以上を積層してなる場合、例えば単層の場合は、Ａｕ、Ｐｄ、Ｓｎ、Ｃｕのいずれかを、２層の場合は、Ａｕ／Ｎｉ、Ａｕ／Ｐｄの積層体を、３層の場合は、Ａｕ／Ｐｄ／Ｎｉの積層体を適用することができる。ここで、金属層の形成方法は、ウエット処理に代表されるめっき法や、真空プロセスに代表されるスパッタ法とがあるが、タクトの点で、めっき法を用いるのが望ましく、無電解めっき、電解めっきのいずれの方法を用いてもよい。
【００５１】
接続パッド２７が合金層からなる場合、Ｓｎと他の元素を含んでなるはんだ層、もしくはＡｕと他の元素含んでなるはんだ層を適用することができ、例えばＳｎ−Ａｇ、Ｓｎ−Ｃｕ、Ｓｎ−Ｂｉ、Ｓｎ−Ｐｂ、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ、Ａｕ−Ｓｉ、Ａｕ−Ｓｎ、Ａｕ−Ｇｅの合金からなるはんだ層などが挙げられる。なお、Ｓｎと他の元素の合金比率は問わない。
【００５２】
接続パッド２７において、金属層が１層以上を積層してなる金属層と合金層からなる場合、例えば、Ａｕ／無電解Ｎｉ−Ｐ、Ａｕ／無電解Ｎｉ−Ｂ、Ａｕ／無電解Ｐｄ−Ｐ／無電解Ｎｉ−Ｐといった様に、無電解Ｎｉめっき、もしくは無電解Ｐｄめっきの無機物との合金皮膜が積層された皮膜を適用することができる。ただし、無電解Ｎｉめっき皮膜あるいは、無電解Ｐｄめっき皮膜との合金皮膜は無機物に限定されず、Ｗなどの金属が含有されていてもよい。また、接続パッド２７上には、ＯＳＰなどの有機皮膜処理を施してもよい。
【００５３】
接続パッド２７上に設ける接続端子２８は、第４樹脂層２６の開口部２６ａ内に設けられる端子であり、配線パターン２５を半導体チップ２９の接続端子と電気的に接続しやすいように設けられている。接続端子２８は、例えば共晶はんだ又は鉛フリーはんだ（Ｓｎ−Ａｇ、Ｓｎ−Ｃｕ、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ、又はＳｎ−Ｂｉ等）によって形成される。
【００５４】
尚、接続パッド２７は、種々の金属からなる導電層上に共晶はんだ又は鉛フリーはんだが設けられた端子でもよい。また、開口部２６ａに、Ｎｉ、Ａｕ、Ｓｎ等のめっき処理を施す、又はＯＳＰ等の有機被膜処理を施すことにより、接続パッド２７を形成してもよい。また、接続パッド２７は、配線パターン２５に金めっきを行うことにより形成してもよい。この場合、接続パッド２７の導電性が向上すると共に、接続パッド２７の腐食が抑制される。半導体チップ２９の接続端子３４が金ボール接続端子（例えば、Ａｕ、Ａｕを含む合金、もしくは表面にＡｕめっきを施した金属複合体による金接続端子、又は、Ａｕ系のはんだによって形成された接続端子）である場合、当該接続端子２８と金めっきが施された接続端子３４との接合性が向上する。
【００５５】
次に、図３Ａ及び図３Ｂを参照しながら、本実施形態に係る配線基板の製造方法を説明する。図３Ａ（ａ）〜（ｋ）は、配線基板の製造方法の一例を説明する図であり、図３Ｂ（ｌ）〜（ｐ）は、配線基板の製造方法の一例を説明する図であって、図３Ａに続く工程を示す図である。
【００５６】
まず、図３Ａ（ａ）に示されるように、支持体１２の主面１２ａ上に接着剤層１３を形成する。接着剤層１３は、例えば印刷法、真空プレス法、真空ラミネート法、ロールラミネート法、スピンコート法、ダイコート法、カーテンコート法、ローラーコート法、又はフォトリソグラフィー法等の公知の方法にて形成される。
【００５７】
次に、図３Ａ（ｂ）に示されるように、接着剤層１３上に第１樹脂層１４を設けた後、当該第１樹脂層１４に開口部１４ａを形成する。そして、当該開口部１４ａ内に接続パッド１５を形成する。第１樹脂層１４は、例えば印刷法、真空プレス法、真空ラミネート法、ロールラミネート法、スピンコート法、ダイコート法、カーテンコート法、ローラーコート法、又はフォトリソグラフィー法等の公知の方法にて形成される。開口部１４ａは、例えば第１樹脂層１４に対してレーザーの照射、又はフォトリソグラフィーを行い、第１樹脂層１４の一部を除去することによって形成される。接続パッド１５は、例えばめっき処理によって設けられる。接続パッド１５は、必ずしも設けなくてもよい。
【００５８】
次に、図３Ａ（ｃ）に示されるように、第１樹脂層１４及び接続パッド１５上にシード層１６を設ける。シード層１６は、第１樹脂層１４の開口部１４ａを介して接続パッド１５に接続されている。シード層１６は、例えば無電解めっき法、スパッタ法、又はＣＶＤ法等によって形成される。また、第１樹脂層１４にＣｕ等から構成される導体箔を貼り付けることによって、シード層１６を形成してもよい。シード層１６は、例えばＣｕ層、ＮｉめっきがなされたＣｕ層、ＡｕめっきがなされたＣｕ層、はんだめっきがなされたＣｕ層、Ａｌ層、又はＡｇ／Ｐｄ合金層等によって形成される。本実施形態では、コスト、電気特性、及び製造容易性の観点からＣｕ層が用いられる。
【００５９】
次に、図３Ａ（ｄ）に示されるように、シード層１６上に開口部１７ａを有するレジスト１７を設ける。そして、開口部１７ａによって露出されたシード層１６の一部に、例えばめっき処理を施すことによって当該一部を厚くする。ここで、シード層１６における相対的に薄い領域を第１領域１６ａとし、相対的に厚い領域を第２領域１６ｂとする。第１領域１６ａは、第１樹脂層１４及びレジスト１７の間に存在する領域である。第２領域１６ｂは、例えばＣｕ層、ＮｉめっきがなされたＣｕ層、ＡｕめっきがなされたＣｕ層、はんだめっきがなされたＣｕ層、Ａｌ層、又はＡｇ／Ｐｄ合金層等によって形成される。本実施形態では、コスト、電気特性、及び製造容易性の観点からＣｕ層が用いられる。また、レジスト１７としては、例えばネガ型又はポジ型のフォトレジストが用いられる。
【００６０】
次に、図３Ａ（ｅ）に示されるように、レジスト１７及びシード層１６における第１領域１６ａを除去することによって配線パターン１８を形成する。レジスト１７は、例えばリフトオフによって第１樹脂層１４上から除去されてもよいし、エッチングによって除去されてもよい。第１領域１６ａは、例えばウェットエッチング又はドライエッチングによって除去される。第１領域１６ａが除去されることによって、第２領域１６ｂが配線パターン１８となる。第２領域１６ｂの一部は、第１領域１６ａと同時にエッチングされてもよい。すなわち、本実施形態における配線パターン１８は、セミアディティブ法によって形成される。セミアディティブ法とは、Ｃｕ層等のシード層を形成し、所望のパターンを有するレジストをシード層上に形成し、シード層における露出した部分を電解めっき法等により厚膜化し、レジストを除去した後、薄いシード層をエッチングして配線パターンを得る方法である。
【００６１】
また、図３Ａ（ｆ）に示されるように、配線パターン１８の形成後、第２樹脂層１９を第１樹脂層１４及び配線パターン１８上に形成する。第２樹脂層１９は、例えば印刷法、真空プレス法、真空ラミネート法、ロールラミネート法、スピンコート法、ダイコート法、カーテンコート法、ローラーコート法、又はフォトリソグラフィー法等の公知の方法にて形成される。
【００６２】
次に、図３Ａ（ｇ）に示されるように、第２樹脂層１９上に、ガラス層２０を形成する。ガラス層２０は、例えば、真空プレス法、真空ラミネート法、ロールラミネート法等の公知の方法にて形成される。また、第２樹脂層と、ガラスとの密着を向上させるため、第２樹脂層上に接着層、あるいは、シランカップリング剤層を設けてもよい。また、あらかじめ、片面、もしくは両面に接着剤層、もしくは樹脂層を設けておいたガラスをガラス層２０として用いてもよい。
【００６３】
上述したように、ガラス層２０には、例えば、石英ガラス、ホウケイ酸ガラス、無アルカリガラス、ソーダガラス、感光性ガラス又はサファイアガラス等を用いることができる。なお、例えば、フロート法やダウンドロー法といったようなガラスの製造方法は問わない。
【００６４】
次に、図３Ａ（ｈ）に示されるように、ガラス層２０上に、第３樹脂層２１を形成する。第３樹脂層２１は、例えば印刷法、真空プレス法、真空ラミネート法、ロールラミネート法、スピンコート法、ダイコート法、カーテンコート法、ローラーコート法、又はフォトリソグラフィー法等の公知の方法にて形成される。
【００６５】
次に、図３Ａ（ｉ）に示されるように、第３樹脂層２１と、ガラス層２０と、第２樹脂層１９とを、レーザーの照射によって開口させ、貫通ビア２２を形成する。貫通ビア２２は、ＵＶ−ＹＡＧレーザー、炭酸ガスレーザー、エキシマレーザーなどの公知のレーザー技術を用いて、形成することができる。
【００６６】
次に、図３Ａ（ｊ）に示されるように、貫通ビア２２の側壁及び、第３樹脂層２１の上面２１ａに、シード層２３を設ける。シード層２３は、例えば無電解めっき法、スパッタ法、又はＣＶＤ法等によって形成される。また、シード層２３は、例えばＣｕ層、ＮｉめっきがなされたＣｕ層、ＡｕめっきがなされたＣｕ層、はんだめっきがなされたＣｕ層、Ａｌ層、又はＡｇ／Ｐｄ合金層等によって形成される。本実施形態では、コスト、電気特性、及び製造容易性の観点からＣｕ層が用いられる。
【００６７】
次に、図３Ａ（ｋ）に示されるように、貫通ビア２２内を、シード層２３を用いて通電させることにより、電解めっき法で、コンフォーマルめっき、もしくはビアフィリングめっきによって金属層２４を形成する。ここで、コンフォーマルめっきによって貫通ビア２２の側壁と、第３樹脂層の表層２３ａに、金属層２４を形成した場合、貫通ビア２２内の中空部分には、導電ペーストや、樹脂を充填する。導電ペーストは、その金属種や樹脂種は問わず、またその混合比についても限定されない。
【００６８】
次に、図３Ｂ（ｌ）及び（ｍ）に示されるように、第３樹脂層２１上に、配線パターン１８を形成した際と同様の手法により、レジスト１７を形成した後、配線パターン２５を形成する。
【００６９】
次に、図３Ｂ（ｎ）に示されるように、第３樹脂層２１及び配線パターン２５の上に、第４樹脂層２６を形成する。第４樹脂層２６は、例えば印刷法、真空プレス法、真空ラミネート法、ロールラミネート法、スピンコート法、ダイコート法、カーテンコート法、ローラーコート法、又はフォトリソグラフィー法等の公知の方法にて形成される。また、第４樹脂層２６は、ソルダーレジストであってもよい。
【００７０】
次に、図３Ｂ（ｏ）に示されるように、第１樹脂層１４に開口部１４ａを設けた際と同様の手法にて、第４樹脂層２６にレーザー照射によって開口部２６ａを設ける。
【００７１】
最後に、図３Ｂ（ｐ）及び（ｑ）に示されるように、開口部１４ａに、接続パッド２７に対し、めっき法により表面処理を行った後、例えば、印刷法、もしくはボール振込み、めっき法によって、接続端子２８を形成する。以上によって、支持体１２と、接着剤層１３と、積層体１０１と、積層体１０２と、ガラス層２０とを備える配線基板１１を形成する。
【００７２】
次に、図４（ａ）〜（ｅ）、図５（ａ）〜（ｄ）を参照しながら、本実施形態に係る配線基板を用いて半導体装置を製造する方法を説明する。図４（ａ）〜（ｅ）、図５（ａ）〜（ｄ）は、半導体装置の製造方法の一例を説明する図である。
【００７３】
まず、図４（ａ）に示されるように、支持体１２、接着剤層１３、及び積層体１０１、ガラス層２０及び積層体１０２を有する配線基板１１を準備する。配線基板１１は、図２又は図３Ｂ（ｐ）によって示される配線基板１１と同等である。
【００７４】
次に、図４（ｂ）に示されるように、配線基板１１に複数の半導体チップ２９を搭載する。具体的には、配線基板１１の一方の主面１０１ａ上に、半導体チップ２９をフリップチップ方式にて搭載する。半導体チップ２９を配線基板１１に搭載する際、半導体チップ２９の接続端子３４と配線基板１１の接続端子２８（図２を参照）とが互いに接続される。また、半導体チップ２９及び配線基板１１の間にアンダーフィル３０を設けておくことによって、半導体チップ２９及び配線基板１１を固定及び封止する。アンダーフィル３０は、半導体チップ２９を配線基板１１に搭載した後に、半導体チップ２９及び配線基板１１の間に供給してもよい。また、半導体チップ２９又は配線基板１１に予めアンダーフィル３０を付着しておき、半導体チップを配線基板に搭載すると同時にアンダーフィル３０による封止を完了させてもよい。例えば、加熱又は光照射による硬化処理をアンダーフィル３０に施すことによって、アンダーフィル３０による半導体チップ２９及び配線基板１１の固定及び封止を行う。アンダーフィル３０は、必ずしも設けなくてもよい。
【００７５】
次に、図４（ｃ）に示されるように、配線基板１１の一方の主面１０１ａ上にモールド樹脂３１を形成する。この際、モールド樹脂３１によって半導体チップ２９を埋設する。モールド樹脂３１は、例えばトランスファーモールド法又はポッティング法等の公知の方法にて形成される。半導体チップ２９は、モールド樹脂３１によって封止されるように覆われていてもよい。
【００７６】
次に、図４（ｄ）に示されるように、支持体１２を介して接着剤層１３にレーザー光５１を照射する。支持体１２全体に渡ってレーザー光５１を照射してもよいし、支持体１２の所望の位置にレーザー光Ｌを照射してもよい。本実施形態では、接着剤層１３内の樹脂を確実に分解する観点から、直線的に往復させながら支持体１２全体にレーザー光Ｌを照射する。レーザー光Ｌは、例えば１００ｎｍ以上２０００ｎｍ以下の波長を有してもよく、３００ｎｍ以上１５００ｎｍ以下の波長を有していてもよく、３００ｎｍ以上１１００ｎｍ以下の波長を有していてもよい。レーザー光Ｌを出射する装置の一例として１０６４ｎｍの波長の光を出射するＹＡＧレーザー装置、５３２ｎｍの波長の２倍高調波ＹＡＧレーザー装置、又は７８０〜１３００ｎｍの波長の光を出射する半導体レーザー装置等が挙げられる。支持体１２は透明性を有しており、レーザー光Ｌを透過する。よって、支持体１２を透過したレーザー光５１のエネルギーは、接着剤層１３に吸収される。吸収されたレーザー光Ｌのエネルギーは、接着剤層１３内にて熱エネルギーに変換される。この熱エネルギーによって、接着剤層１３の樹脂は熱分解温度に達し、熱分解する。これによって、接着剤層１３が支持体１２と積層体１０１とを接着する力が弱まる。
【００７７】
次に、図４（ｅ）に示されるように、積層体１０１から支持体１２を剥離する。支持体１２を積層体１０１から剥離する方法は、手動でもよいし機械を用いて行ってもよい。積層体１０１に接着剤層１３が付着している場合、積層体１０１から接着剤層１３を除去する。例えば、積層体１０１の他方の主面１０１ｂに粘着テープを貼り付けた後ピールすることにより、他方の主面１０１ｂ上に残存していた接着剤層１３を積層体１０１から除去する。また、他方の主面１０１ｂを過マンガン酸カリウム水溶液及び水酸化ナトリウム水溶液の混合溶液等に浸漬して接着剤層１３を除去してもよいし、当該混合溶液を他方の主面１０１ｂにスプレーすることによって接着剤層１３を除去してもよい。また、他方の主面１０１ｂをアセトン又はメチルエチルケトン等の有機溶剤に浸漬して接着剤層１３を除去してもよいし、当該有機溶剤を他方の主面１０１ｂにスプレーすることによって接着剤層１３を除去してもよい。また、接着剤層１３を他方の主面１０１ｂに残存したままでもよいが、この場合、レーザー光等を用いて外部接続端子３２を設けるための開口部を形成させる必要がある。以上により、図４（ｅ）に示されるように、積層体１０１から支持体１２及び接着剤層１３を除去する。
【００７８】
次に、図５（ａ）、（ｂ）に示されるように、積層体１０１の他方の主面１０１ｂ上に複数の外部接続端子３２を形成する。具体的には、積層体１０１の接続パッド１５（図２を参照）に相当する部分に、外部接続端子３１を形成する。例えばはんだボール搭載法やはんだ印刷等によって外部接続端子３２を形成する。
【００７９】
次に、図５（ｃ）に示されるように、モールド樹脂３１にダイシングテープ３３を貼り付けた後、各半導体チップ２９の間の領域に位置する積層体１０１、ガラス層２０、積層体１０２及びモールド樹脂３１を切断し、個片化する。例えばダイシングソー又はレーザー等を用いて積層体１０１、ガラス層２０、積層体１０２及びモールド樹脂３１を切断する。以上により、図５（ｄ）に示されるように、配線基板１１を用いて形成された半導体装置１が製造される。
【００８０】
以上に説明した本実施形態に係る配線基板１１では、半導体装置１における半導体チップ２９が外部装置と接続するための外部接続部材として機能する積層体１０１を備えている。これにより、半導体チップ２９と外部接続部材を有する配線基板１１とを別々に製造することができるため、半導体装置１の製造効率を改善できる。また、この配線基板１１では支持体１２が透明性を有している。これにより、支持体１２を通して接着剤層１３に光を照射することによって樹脂を分解し、接着剤層１３の接着力を弱めることができる。したがって、半導体チップ２９と配線基板１１の積層体１０１とを接合した後に、容易に支持体１２を積層体１０１から剥離することができ、当該配線基板１１を用いて製造される半導体装置１の薄型化が可能になる。さらに支持体１２を有する配線基板１１を用いて半導体装置１を製造することによって、配線基板１１のハンドリングを容易にすることができる。
【００８１】
また、支持体１２の線膨張係数は、−１ｐｐｍ／℃以上１０ｐｐｍ／℃以下であってもよい。この場合、半導体チップ２９はシリコン基板等の無機物を主成分とした基板によって製造されているので、半導体チップ２９の線膨張係数と支持体１２の線膨張係数とが互いに近い値となる。このため、配線基板１１に半導体チップ２９を搭載した際に発生する位置ずれを抑制することができる。したがって、半導体チップ２９が配線基板１１に搭載不可能となること、及び半導体チップ２９と配線基板１１とを接合する部分が破壊することが抑制される。
【００８２】
また、支持体１２がガラス基板である場合、支持体１２を安価で強度を高くすると共に、支持体１２の大型化が容易にできる。また、支持体１２の表面の粗さを容易に調整することができる。
【００８３】
支持体１２の主面１２ａの最大高さ粗さＲｚは、０．０１μｍ以上５μｍ以下である場合、支持体１２上に設けられる積層体１０１の凹凸が小さくなるため、配線パターン１８の断線及び短絡等を抑制できる。
【００８４】
また、接着剤層１３に照射する光がレーザー光である場合、接着剤層１３内の樹脂が分解するために必要な熱エネルギーを十分に加えることができ、接着剤層１３の接着力を効果的に弱めることができる。また、レーザー光は支持体１２を介して接着剤層１３に照射されるため、半導体チップ２９にレーザー光によるダメージを与えずに接着剤層１３の接着力を効果的に弱めることができる。
【００８５】
本発明による配線基板、半導体装置及び半導体装置の製造方法は、上述した実施形態に限られるものではなく、他に様々な変形が可能である。例えば、上記実施形態及び変形例を適宜組み合わせてもよい。また、積層体１０１に積層される半導体チップ２９は、個片化される配線基板１１の領域に複数搭載されてもよい。また、積層体１０１には、半導体チップ２９以外の部材（例えばコンデンサ等の受動部品）が搭載されていてもよい。
【００８６】
また、例えば第１樹脂層１４における開口部１４ａと第２樹脂層１９における開口部１９ａとは、互いに重なっていてもよい。さらに、例えば積層体１０２における接続端子２８は、必ずしも設けられていなくてもよい。
【００８７】
また、配線基板１１における配線パターン１８、２５は、セミアディティブ法に限らず、例えばサブトラクティブ法又はフルアディティブ法等の公知の方法にて形成される。ここで、サブトラクティブ法とは、Ｃｕ層等の導体層上に所望のパターンを有するレジストを形成して不要な導体層をエッチングした後、レジストを剥離して配線パターンを得る方法である。また、フルアディティブ法は、樹脂層上に無電解めっき触媒を吸着させ、所望のパターンのレジストを樹脂層上に形成し、このレジストを絶縁膜として残したまま触媒を活性化させ、無電解めっき法によりレジスト開口部内にＣｕ等の導体を析出させた後、レジストを除去して所望の配線パターンを得る方法である。
【００８８】
ガラス層２０には、貫通ビア２２を形成せず、ガラス層２０の両面に樹脂層と、配線パターンを設けてもよい。
【００８９】
また、第２樹脂層１９の上に、及び／または、第４樹脂層２６の上に新たな樹脂層及び配線パターンを設けてもよい。これにより、配線パターンと樹脂層とが所望の層数だけ積層された多層の積層体１０１、１０２を得ることができる。
【実施例】
【００９０】
本発明を以下の実施例によりさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの例に限定されるものではない。
【００９１】
（配線基板）
図６Ａ及び図６Ｂは、実施例に係る半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【００９２】
まず、図６Ａ（ａ）に示されるように、支持体１２の主面１２ａ上に剥離層４１及び保護層４２を順に形成した。支持体１２として、ガラス（ＯＡ−１０Ｇ（日本電気硝子株式会社製）、１．１ｍｍ厚）を使用した。支持体１２の線膨張係数は、約４ｐｐｍ／℃であった。支持体１２の主面１２ａ上の剥離層４１は、３Ｍ  Ｌｉｇｈｔ−Ｔｏ−Ｈｅａｔ−Ｃｏｎｖｅｒｓｉｏｎ（ＬＴＨＣ）Ｒｅｌｅａｓｅ  Ｃｏａｔｉｎｇ（住友スリーエム株式会社製）を用いて形成した。保護層４２は、３Ｍ  ＵＶ−Ｃｕｒａｂｌｅ  Ａｄｈｅｓｉｖｅ  ＬＣ−５２００（住友スリーエム株式会社製）を用いて形成した。剥離層４１及び保護層４２は、いずれもスピンコート法により形成した。これらの剥離層４１及び保護層４２が、図２に示した接着剤層１３に相当する。
【００９３】
次に、保護層４２上に第１樹脂層１４として、真空ラミネート法によって味の素ファインテクノ製のＧＸ−Ｔ３１（３０μｍｔ）を設けた後、レーザー照射により、φ５００μｍの開口部１４ａを形成した。次に該開口部１４ａに、接続パッド１５を形成後（図６Ａ（ｂ））、セミアディティブ法により配線パターン１８を形成した（図６Ａ（ｃ）〜（ｅ））。次に、第２樹脂層１９として、真空ラミネート法によってＧＸ−Ｔ３１（３０μｍｔ）を形成後（図６Ａ（ｆ））、第２樹脂層１９上に１００μｍ厚のガラス層２０（ＯＡ−１０Ｇ（日本電気硝子株式会社製）をラミネートした（図６Ａ（ｇ））。さらに該ガラス層２０上に、第３樹脂層２１として、真空ラミネート法によってＧＸ−Ｔ３１（３０μｍｔ）を形成後（図６Ａ（ｈ））、炭酸ガスレーザーによって、第２樹脂層１９、ガラス層２０、第３樹脂層２１に対して、φ５０μｍの貫通ビア２２を形成した（図６Ａ（ｉ））。次に、無電解銅めっきにより、貫通ビア２２内を導通化させ、電解銅めっきによりフィリング後、配線パターン２５を形成した（図６Ａ（ｊ）〜図６Ｂ（ｍ））。その後、第４樹脂層２６として、真空ラミネート法によってＧＸ−Ｔ３１（３０μｍｔ）を形成した（図６Ｂ（ｎ））。次に、第４樹脂層２６にレーザーによってφ９０μｍの開口部２６ａを設け（図６Ｂ（ｏ））、配線パターン２５の一部を露出させた。次に、露出させた配線パターン２５に無電解Ｎｉ／Ａｕめっきを施して接続パッド２７を形成し（図６Ｂ（ｐ））、φ９０μｍのＳｎ−３ｗｔ％Ａｇ−０．５ｗｔ％Ｃｕはんだ（接続端子２８）をピーク温度２６０℃にて実装し、本実施例に係る配線基板１１Ａを得ることができた（図６Ｂ（ｑ））。積層体１０１、１０２の厚さは、約０．０９ｍｍであった。また、積層体１０２中の配線パターン２５について、Ｌ／Ｓ＝５／５μｍのＣｕパターンを形成できることが確認された。
【００９４】
（半導体装置）
次に、得られた配線基板１１Ａに半導体チップ２９を搭載した。半導体チップ２９は、Ｃｕポストの先端にＳｎ−３．５Ａｇはんだ層を形成した突起電極を有しているものを用いた。また、半導体チップ２９の線膨張係数は、約３ｐｐｍ／℃であった。配線基板１１には予めアンダーフィル３０を供給しておいた。半導体チップ２９の突起電極と配線基板１１Ａの接続端子２８との位置合わせを行った後、半導体チップ２９を配線基板１１に圧着させ、加熱した。この後、半導体チップ２９を含む配線基板１１Ａの上面を、トランスファーモールド法により、モールド樹脂３１を用いて封止した。そして、配線基板１１の支持体１２側より、直線的に往復させながら支持体全体に１０６４ｎｍのＹＡＧレーザーを照射し、支持体１２を配線基板１１より取り除いた。さらに、積層体１０１及び接着剤層１３に粘着テープを貼り付けた後に当該粘着テープをピールすることにより、接着剤層１３を配線基板１１より除去した。次に、積層体１０１にＳｎ−３ｗｔ％Ａｇ−０．５ｗｔ％Ｃｕはんだボールを搭載し、外部接続端子３２を形成した。この構成体をダイシングテープに貼り付け、ダイシングすることによって、図１に示される半導体装置１を得た。
【産業上の利用可能性】
【００９５】
本発明は、半導体のウエハーレベルパッケージ及びその製造に利用できる。
【符号の説明】
【００９６】
１・・・半導体装置
１１、１１Ａ・・・配線基板
１０１、１０１ａ・・・積層体
１０２、１０２ａ・・・積層体
１２・・・支持体
１３・・・接着層
１４・・・第１樹脂層
１５・・・接続パッド
１６・・・シード層
１７・・・レジスト
１８・・・配線パターン
１９・・・第２樹脂層
２０・・・ガラス層
２１、２１ａ・・・第３樹脂層
２２・・・ビア
２３・・・シード層
２４・・・めっき層
２５・・・配線パターン
２６、２６ａ・・・第４樹脂層
２７・・・接続パッド
２８・・・接続端子
２９・・・半導体チップ
３０・・・アンダーフィル
３１・・・モールド樹脂
３２・・・接続端子
３３・・・ダイシングテープ
３４・・・接続端子
５１・・・レーザー光
【図１】
0006447075.tif 000002
【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図４】
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【図５】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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