【事件の表示】
　特許第３２２５８００号「半導体装置」の請求項１ないし５に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３２２５８００号の請求項１ないし５に係る特許を維持する。
【理　由】
［１］手続の経緯
　本件特許第３２２５８００号（平成７年８月９日出願、平成１３年８月３１日設定登録）は、平成１４年５月７日に特許異議申立人渡辺紀子より、また、同日に特許異議申立人高野哲二より、それぞれ請求項１〜５に係る特許について特許異議の申立てがなされ、取消理由が通知され、その指定期間内である平成１５年１０月３０日に訂正請求がなされたものである。
　　
［２］訂正の適否についての判断 
（１）訂正事項
（１−１）訂正事項ａ
　本件特許に係る願書に添付した明細書（以下、「特許明細書」という。）の特許請求の範囲の請求項１〜４に、
「【請求項１】電極および配線が形成された基板と、この基板上に配置され、接着剤中に導電性粒子を混入し圧力が加えられた方向に導通する異方性導電接着剤と、前記異方性導電接着剤を介して前記電極と導通する突起電極を持つ半導体素子とを備え、前記突起電極と導通する前記電極の幅は前記突起電極の幅より狭く形成され、かつ前記突起電極に対向する前記基板には、前記電極が配置される凹部が設けられた半導体装置。
【請求項２】凹部を設ける基板はガラス繊維と樹脂とを含むプリント基板である請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】凹部を設ける基板は樹脂膜で構成されている請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】凹部を設ける基板はプリント基板と樹脂膜の基板とを積層したものである請求項１に記載の半導体装置。」とあるのを、
「【請求項１】電極および配線が形成された基板と、この基板上に配置され、接着剤中に導電性粒子を混入し圧力が加えられた方向に導通する異方性導電接着剤と、前記異方性導電接着剤を介して前記電極と導通する突起電極を持つ半導体素子とを備え、前記突起電極と導通する前記電極の幅は前記突起電極の幅より狭く形成され、かつ前記突起電極に対向する前記基板は前記突起電極を押し付けて生じた凹部を有し、前記導電性粒子は押しつぶされて導通している半導体装置。
【請求項２】突起電極を押し付けて生じた凹部を有する基板はガラス繊維と樹脂とを含むプリント基板である請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】突起電極を押し付けて生じた凹部を有する基板は樹脂膜で構成されている請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】突起電極を押し付けて生じた凹部を有する基板はプリント基板と樹脂膜の基板とを積層したものである請求項１に記載の半導体装置。」と訂正する。
　　
（１−２）訂正事項ｂ
　特許明細書の段落【００１０】〜【００１３】に、
「【００１０】【課題を解決するための手段】請求項１は、接着剤中に導電性粒子を混合し圧力が加えられた方向に導通する異方性導電接着剤により半導体素子の突起電極と基板の電極とを導通させる半導体装置において、前記突起電極と導通する前記電極の幅を前記突起電極の幅より狭く形成し、かつ前記突起電極に対向する前記基板に、前記電極が配置される凹部を設けたものである。
【００１１】請求項２は、請求項１において、凹部を設ける基板としてガラス繊維と樹脂とを含むプリント基板を用いたものである。
【００１２】請求項３は、請求項１において、凹部を設ける基板として樹脂膜で構成されている基板を用いたものである。
【００１３】請求項４は、請求項１において、凹部を設ける基板としてプリント基板と樹脂膜とを積層したものを用いたものである。」とあるのを、
「【００１０】【課題を解決するための手段】請求項１は、接着剤中に導電性粒子を混合し圧力が加えられた方向に導通する異方性導電接着剤により半導体素子の突起電極と基板の電極とを導通させる半導体装置において、前記突起電極と導通する前記電極の幅は前記突起電極の幅より狭く形成され、かつ前記突起電極に対向する前記基板は前記突起電極を押し付けて生じた凹部を有し、前記導電性粒子は押しつぶされて導通しているものである。
【００１１】請求項２は、請求項１において、突起電極を押し付けて生じた凹部を有する基板としてガラス繊維と樹脂とを含むプリント基板を用いたものである。
【００１２】請求項３は、請求項１において、突起電極を押し付けて生じた凹部を有する基板として樹脂膜で構成されている基板を用いたものである。
【００１３】請求項４は、請求項１において、突起電極を押し付けて生じた凹部を有する基板としてプリント基板と樹脂膜とを積層したものを用いたものである。」と訂正する。　　
（１−３）訂正事項ｃ
　特許明細書の段落【００３１】に、
「混入させると、熱膨張係数が３３×１０−６程度のものをうることができ、接続の信頼性を向上することができた。」とあるのを、
「混入させると、接続の信頼性を向上することができた。」と訂正する。
　　
（２）訂正の目的の適否、新規事項の追加の有無、及び拡張・変更の存否
　訂正事項ａは、特許明細書の特許請求の範囲の請求項１において、基板の凹部について、それが突起電極を押し付けて生じたものであり、且つ、導電性粒子について、それが押しつぶされて導通しているという各限定条件を付加して、「基板には、前記電極が配置される凹部が設けられた」を「基板は前記突起電極を押し付けて生じた凹部を有し、前記導電性粒子は押しつぶされて導通している」とし、また、同請求項２〜４において、基板の凹部について、それが突起電極を押し付けて生じたものであるという限定を付して、各請求項の「凹部を設ける基板」をそれぞれ「突起電極を押し付けて生じた凹部を有する基板」とするものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　また、訂正事項ｂは、訂正事項ａの請求項１〜４の訂正に伴い、特許請求の範囲と発明の詳細な説明の記載の整合を図るため、特許明細書の段落【００１０】〜【００１３】の記載をそれぞれ請求項１〜４と同様に訂正するものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とするものに該当する。
　そして、上記訂正事項ａ、ｂは、特許明細書の段落【００２４】の「１９は突起電極を押し付けることによって生じた基板の凹部を示す。‥‥‥‥‥導電性粒子５を均一に押しつぶして良好な導通が得られる」、及び、段落【００２６】の「突起電極２を電極４に押し付ける時に、基板３に凹部１９を生ずるまで押し込む」との記載に基づくものであるから、当該訂正事項は、特許明細書又は図面の範囲内においてした訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　また、訂正事項ｃは、特許明細書の段落【００３１】の「熱膨張係数が３３×１０−６程度のものをうることができ、」を削除するものであるが、この熱膨張係数の数値は出願当初の明細書の当該熱膨張係数の数値と一致しておらず、不明確な記載であるから、この記載を削除する訂正は、明りょうでない記載の釈明を目的とするものに該当し、また、接着剤中に熱膨張係数の小さな微細粒子を混入して得られる熱膨張係数の数値自体は、特許請求の範囲の請求項１〜６に記載される事項とは無関係なものであるから、当該訂正事項は、特許明細書又は図面の範囲内においてした訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　　
（３）まとめ
　以上のとおりであるから、上記訂正事項ａ、ｂ、ｃは、特許法第１２０条の４第２項ただし書き、及び同条第３項において準用する特許法第１２６条第２項から第４項までの規定に適合するので、当該訂正を認める。
　　
［３］特許異議の申立てについて
（１）本件発明
　上記［２］で述べたとおり、上記訂正が認められるので、本件特許の訂正後の請求項１〜６に係る発明（以下、「本件発明１〜６」という。）は、上記訂正請求に係る訂正明細書における特許請求の範囲の請求項１〜６に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、本件発明１〜５は以下のものである。
「【請求項１】電極および配線が形成された基板と、この基板上に配置され、接着剤中に導電性粒子を混入し圧力が加えられた方向に導通する異方性導電接着剤と、前記異方性導電接着剤を介して前記電極と導通する突起電極を持つ半導体素子とを備え、前記突起電極と導通する前記電極の幅は前記突起電極の幅より狭く形成され、かつ前記突起電極に対向する前記基板は前記突起電極を押し付けて生じた凹部を有し、前記導電性粒子は押しつぶされて導通している半導体装置。
【請求項２】突起電極を押し付けて生じた凹部を有する基板はガラス繊維と樹脂とを含むプリント基板である請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】突起電極を押し付けて生じた凹部を有する基板は樹脂膜で構成されている請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】突起電極を押し付けて生じた凹部を有する基板はプリント基板と樹脂膜の基板とを積層したものである請求項１に記載の半導体装置。
【請求項５】異方性導電接着剤は前記異方性導電接着剤中に混入された導電性粒子より熱膨張係数の小さな微細粒子を含む請求項１に記載の半導体装置。」
　　
（２）特許異議申立ての理由
（２−１）特許異議申立人渡辺紀子は、下記証拠を提示し、次の主張をする。
（イ）本件発明１〜４は、本件出願前に頒布された刊行物である甲第１〜５号証に記載された発明に基づいて、また、本件発明５は、同刊行物である甲第１〜６号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件発明１〜５についての特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであり、取り消されるべきである
証拠：
甲第１号証：特開昭６１−１６１７２９号公報（以下、「刊行物１」という。）
甲第２号証：特開平６−１５１５０５号公報（以下、「刊行物２」という。）
甲第３号証：特開平４−８２２４１号公報（以下、「刊行物３」という。）
甲第４号証：特開平５−３６７６０号公報（以下、「刊行物４」という。）
甲第５号証：特開平６−２３２２０４号公報（以下、「刊行物５」という。）
甲第６号証：特開平４−２２３３４８号公報（以下、「刊行物６」という。）
　　
（２−２）特許異議申立人高野哲二は、下記証拠を提示し、次の主張をする。
（ロ）本件発明１〜５は、本件出願前に頒布された刊行物である甲第１〜５号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件発明１〜５についての特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであり、特許法第１１３条第１項第２号の規定により取り消されるべきものである。
証拠：
甲第１号証：第９回回路実装学術講演大会講演論文集、ＩＳＳＮ　０９１６−００４３、回路実装学会発行、平成７年３月２日、第２３１〜２３２頁「１６Ｃ−０４　マイクロカプセル型異方導電性接着剤を用いた素子接合」（以下、「刊行物７」という。）
甲第２号証：特開昭６３−８６５３６号公報（以下、「刊行物８」という。）
甲第３号証：Ｐｒｏｃ　Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｃｏｍｐｏｎ　Ｔｅｃｈｎｏｌ　Ｃｏｎｆ，Ｖｏｌ．４２ｎｄ，第４８７−４９１頁，１９９２，Ｎａｇｅｓｈ　ｅｔａｌ．「Ｄｉｒｅｃｔ　Ｃｈｉｐ　Ｉｎｔｅｒｃｏｎｎｅｃｔ　ｗｉｔｈ　Ａｄｈｅｓｉｖｅ−Ｃｏｎｎｅｃｔｏｒ　Ｆｉｌｍｓ」（以下、「刊行物９」という。）
甲第４号証：特開平４−８２２４１号公報（刊行物３）
甲第５号証：特開昭６３−２４５４８４号公報（以下、「刊行物１０」という。）
参考資料１：（社）エレクトロニクス実装学会編「エレクトロニクス実装大事典」第２０６〜２０９頁、株式会社工業調査会発行
参考資料２：甲第３号証の第４９０頁左欄１０〜３３行の翻訳文
参考資料３：甲第３号証の図９の説明図
　　
（ハ）平成１３年７月５日付手続補正書による本件明細書の補正は、願書に最初に添付した明細書又は図面に記載された事項の範囲内のものではないので、本件特許発明は、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしておらず、特許法第１１３条第１項第１号の規定により取り消されるべきものである。
　　
（３）各証拠の記載事項
（３−１）刊行物１
　刊行物１には、以下の事項が記載されている。
「複数のボンディングパッドが配された集積回路チップと、該複数のボンディングパッドに対応して電気的に接続される複数の導電性リードが形成された基板と、上記ボンディングパッドとこれに対応する上記導電性リードとが重ね合せられて両者間に配される絶縁性接着剤に金属粒子が分散された接着剤層とより成り、上記ボンディングパッドは上記導電性リードの延在する方向に細長に形成され、上記接着剤層は上記ボンディングパッドと上記導電性リードの間に加圧加熱されてこれら間に存在する上記絶縁性接着剤が部分的に他部に排除されて上記ボンディングパッドとこれに対応する上記導電性リードとが上記金属粒子の溶融により電気的に接続されると共に上記導電性リードが上記集積回路チップに上記絶縁性接着剤によって固定されていることを特徴とする集積回路装置。」（特許請求の範囲）、
「本例ではこの半導体集積回路チップ（１）をフイルムキャリアテープ上に配する。このフイルムキャリアテープは第１図に示す如くポリイミドより成るフレキシブル基板（３）上に被着された厚さ１８μｍのＣｕ箔が選択的にエッチングされパターン化されて半導体集積回路チップ（１）の複数のボンディングパッド（２），（２）‥‥に対応して電気的に接続される複数の導電性リード（４），（４）‥‥が形成されたものである。この半導体集積回路チップ（１）をフイルムキャリアテープ上に接続固定するのに剥離シート上に接着剤層（５）を塗布した連結シートを用意する。この連結シートの接着剤層（５）は、ホットメルトタイプの絶縁性接着剤（６）に、半田金属粒子（７）を分散した塗料を用いた。‥‥‥‥‥‥この金属粒子は、Ｐｂ−Ｓｎ合金にＳｂとＢｉを添加してその融点が１４０℃とされた平均粒径２０μｍの半田金属粒子を用いた。‥‥‥‥‥‥第４図に示すように集積回路チップ（１）をその各ボンディングパッド（２）が対応する導電性リード（４）上に、互いに接続すべき部分が夫々同一方向に延び接着剤層（５）を介して重なり合うように載せ、両者を１８０℃下で４０Ｋｇ／ｃｍ２で３０秒間加圧圧着した。このようにすると、接着剤層（５）中の接着剤が加熱によって流動性を呈するので、特に基板（３）及び集積回路チップ（１）の互いの対向面より実質的突出しているために圧力が掛けられる導電性リード（４）とこれに対応するボンディングパッド（２）との間に介在する絶縁性接着剤（６）の多くが側方に押し出され、これら導電性リード（４）とボンディングパッド（２）との間において半田金属粒子（７）が、その加熱加圧によって第５図に示すように溶融圧潰され、導電性リード（４）とボンディングパッド（２）との間が半田づけされて両者が電気的に接続される。」（第２頁左下欄１８行〜第３頁右上欄９行）、
「１００μｍ×１００μｍのボンディングパッド（２）に上述接着剤層（５）により導電性リード（４）を接続したとき（この重なり合う面積０．４×１０４μｍ２（６０μｍ×７０μｍ））‥‥‥‥‥‥このボンディングパッド（２）を本例の如く導電性リード（４）の延在する方向に細長くしたとき例えば７０μｍ×２００μｍとしたとき（ボンディングパッド（２）と導電性リード（４）との重なり合う面積１．１×１０４μｍ２（６０μｍ×１８０μｍ））‥‥‥‥‥‥このボンディングパッド（２）の形状を７０μｍ×１４０μｍとしたとき（ボンディングパッド（２）と導電性リード（４）との重なり合う面積０．８×１０４μｍ２（６０μｍ×１３０μｍ））及びこの形状を５０μｍ×２００μｍとしたとき（ボンディングパッド（２）と導電性リード（４）との重なり合う面積０．７×１０４μｍ２（４０μｍ×１７０μｍ））」（第３頁左下欄１１行〜右下欄９行）が記載されており、そして、上述の記載内容に対応する第１〜５図が示されており、同第１、４、５図には更に、ボンディングパッド（２）が集積回路チップ（１）の本体から突起した電極であることが示され、また、同第３図には更に、導電性リード（４）の幅がボンディングパッド（２）の幅よりも狭く形成されていることが示されている。
　　
（３−２）刊行物２
　刊行物２には、「図１において１１は基板、１２は絶縁膜、１３は基板配線、１４は圧延性を有する基板電極、１５は突起電極、１６は半導体素子、１７は加圧ツールである。基板１１は、ガラス、セラミック、ガラスエポキシ、シリコン基板などである。また、絶縁膜１２は、突起電極１５より柔らかい、ポリイミドなどの有機絶縁膜やエポキシ、アクリル系の絶縁性樹脂膜などである。基板配線１３は導電性金属であり、基板電極１４は、Ａｕ、Ａｌ、Ｃｕ等の圧延性に優れた金属である。基板電極１４及び絶縁膜１２は凹状に変形し、凹状部分の絶縁膜１２の水平方向の弾性回復力によって、突起電極１５と基板電極１４との電気的接続と、半導体素子と配線基板の機械的接続を得る。」（段落【００１９】）が記載されるとともに、図１〜３が示されている。
　　
（３−３）刊行物３
　刊行物３には、「突起電極１６により基板配線１３と絶縁性樹脂層１４は押され凹形状に弾性変形する。‥‥‥‥‥‥基板配線１３と絶縁性樹脂層１４の変形を保持した状態で接着用樹脂１５を硬化させ、その後加圧を解除し半導体素子１２を配線基板１０の基材１１に固着する。」（第３頁左上欄２〜１３行）が記載されるとともに、第１図、第２図が示されている。
　　
（３−４）刊行物４
　刊行物４には、「回路基板１は、熱可塑性の樹脂であるＰＰＳ（‥‥)シートであり、この上に熱可塑性樹脂を含む配線層２が形成されている。具体的にこの配線層２は、ポリスルホン樹脂にＡg 粉末を混入させたペーストを印刷法によりパターニングして得られる。パターニングされたペーストは、熱圧着によって埋め込まれてシート面はフラットになっている。回路基板１のサイズは、５０mm×５０mm×４０μm ｔである。この回路基板１にＳＲＡＭチップ３が搭載されている。ＳＲＡＭチップ３は、サイズが５．２mm×６．７mm×０．６２５mmｔであり、Ａl 電極数が２７個の２５６ｋビットのものである。Ａl 電極上には、Ｔi （１００nm）／Ｎi （５００nm）／Ａu （１００nm）の積層構造を無電解メッキにより形成し、さらに３０μm のＡu 層を電解メッキにより形成した突起状電極４が設けられている。ＳＲＡＭチップのフェースダウン実装は、電子部品マウント装置を用いて、チップ温度２５０℃、荷重３ｋｇ，時間６０sec の条件で行われる。これにより、ＳＲＡＭチップ３の突起状電極４は、回路基板１の配線層２に、図示のように埋め込まれた状態で接続される。」（段落【００１１】〜【００１３】）が記載されるとともに、図１が示されている。
　　
（３−５）刊行物５
　刊行物５には、「図５に示すように、フレキシブル基板より成る配線基板７が用いられていた場合には、ベアＩＣチップ４の接着時に加えられる圧力及び熱の条件如何によっては、配線基板７に変形が生じ、バンプ３が配線基板７に食い込んだ状態を呈する。このような状態では、ベアＩＣチップ４の拡散面（絶縁保護膜２が設けられた面）全体で異方導電性樹脂６を押圧した状態となる」（段落【０００９】）、「ＲＦ回路ユニット１２は、圧力印加工程での圧力及び熱の影響によって、図１に示すように、ベアＩＣチップ１５のバンプ１９が、ＰＥＴ基板１３上の銀ペーストより成る回路パターン１４に食い込んで圧接した状態となる」（段落【００１９】）が記載されるとともに、図１、図２、図５が示されている。
　　
（３−６）刊行物６
　刊行物６には、「異方導電フィルム１３にスチレン−ジビニルベンゼン共重合体でできた樹脂ボール表面に金めっきを行った導電粒子（導電フィラー）１４（７μｍφ）と、スペーサ１５として球状シリカ（５μｍφ）を、それぞれ７容積（Ｖｏｌ）％、１容積（Ｖｏｌ）％づつ含有させ、分散した樹脂をフィルム状に形成した物を使用した。」（段落【００１０】）、
「図３は‥‥‥‥‥‥異方導電樹脂を用いた半導体素子の接続構造を示した。異方導電フィルム２３には、ポリメタクル酸メチル製の樹脂ボール表面に金めっきを施した導電粒子２４（８μｍφ）と、球状シリカ（５μｍφ）をスペーサ２５として分散させた異方導電フィルムを用いた。また、回路基板２１上の回路端子２２は１μｍ厚、半導体素子２６上のバンプ２９はピッチ２５０μｍ、高さ１０μｍの物を使用した。」（段落【００１２】〜【００１３】）が記載されるとともに、図１、図３が示されている。
　　
（３−７）刊行物７
　刊行物７には、「プリント基板上に素子を接合した場合には圧力によって基板電極が変形し、信頼性に影響を及ぼすと考えられる。本稿では、開発したＭＣ型異方導電製接着剤を用いてプリント基板上でフリップチップ接合した場合の基板電極の変形、および電極厚さと接合信頼性との関係について述べる。
２実験方法
２．１電極変形量の測定
　厚さが７，１４，３０μｍ，サイズが□１００，□１５０，□２００μｍのＣｕ電極（以下、パッドと呼ぶ）をプリント基板（ＦＲ−４）上に作製した。このパッド表面を１５０℃程度に加熱した状態で、接合時の圧力に近い５０ｇｆまで荷重をかけていき、荷重と変形量を測定した。測定は、図２に示す方法で行い、チップ側の突起状電極であるバンプの先端径とほぼ同じ径に下降した工具鋼製の針を用いた。‥‥‥‥‥‥
２．２素子の接合手順
　Ｓｉチップ（□１１ｍｍ，１２８バンプ，３００μｍピッチ）と、前述のパッド厚さ，サイズの電極を設けたプリント配線基板を、それぞれＭＣ型導電性接着剤を用いて接合した。‥‥‥‥‥‥
３．結果および考察 
３．１基板電極の変形に及ぼすパッド厚さ，およびサイズの影響
　図３に、５０ｇｆの荷重をかけた時の電極変形量を示す。変形量は、パッドの厚さよりもサイズの影響が大きく、サイズが大きいほど変形量が小さくなることがわかる。」（第２３１頁左欄下から３行〜第２３２頁左欄７行）、
「安定な接続状態を保つためには塑性変形が小さい電極を用いる必要がある。」（第２３２頁右欄下から１１〜１０行）が記載されるとともに、図１〜４が示されている。
　　
（３−８）刊行物８
　刊行物８には、「本発明の電子部品装置は、第１図に示すように、ＩＣチップ（１）とフィルムキャリア（１１）とを導電異方性接着剤（２１）を介して接続してなるものである。上記ＩＣチップ（１）には、その上部に１００μｍ×１００μｍ程度の正方形の外部Ａｌ電極がボンディングパッド部（２），（３）‥‥‥として設けられている。また、上記フィルムキャリア（１１）は、ポリイミド等の樹脂によりなる厚さ１３０μｍのフィルム（１１ａ）からなっており、その上部には所定のリード線のパターンをなす、厚さ１８μｍ，幅７０μｍのＣｕにスズもしくは金等のメッキを施した配線リード端子（１２），（１３）‥‥‥が配されている。ここで、配線リード端子（１２）〜（１９）の先端付近の幅はボンディングパッド部（２）〜（９）の大きさに対応するもので、いかなる微小面積の電極にも対応できるものである。」（第３頁左上欄３〜２０行）が記載されるとともに、第１図、第２図が示されている。
　　
（３−９）刊行物９
　刊行物９には、「コンプライアンス（追従性）は、異方導電性接着フィルム中に金属被覆ポリマー粒子を用いることにより、チップ若しくは基板のパッド上に柔軟な金属バンプを付与することにより、又は、基板パッドや導体の下に柔軟なポリマー層を付与することにより与えられる。‥‥‥図８に、ＦＲ−４基板上に取り付けたバンプ形成したガラスチップを示す。フレキシブル回路でのコンプライアンス（追従性）は、‥‥‥フィルムに銅回路を設けるために通常用いられる接着剤の厚みを厚くすることにより得られた。図９に、接着剤により与えられるコンプライアンス（追従性）を有するフレキシブル回路に実装したチップの断面を示す。」（第４９０頁左欄１９〜３３行）が記載され、それに対応して図８、図９が示されており、そして、同図９には、ＩＣチップの電極と基板の断面台形状の回路電極とが異方導電性接着フィルムの導電粒子を介して接続されており、ＩＣチップの電極より基板の断面台形状の回路電極の方が幅が狭く、基板の接着剤層に凹部が形成されていることが示されている。
　　
（３−１０）刊行物１０
　刊行物１０には、「下記の（イ）〜（ニ）よりなる接着剤組成物。‥‥‥（ロ）粒径が０．５〜５０μｍのめっき粒子０．１〜１５体積％（ハ）粒径０．１μｍ以下の乾式法シリカ０．０５〜５体積％」（特許請求の範囲第１項）、
「本発明は接着剤組成物に関し、さらに詳しくは接続信頼性に優れた回路接続用の接着剤組成物に関する。」（第１頁右下欄２〜４行）が記載されている。
　　
（３−１１）参考資料１
  参考資料１には、「ＦＲ−４」がガラスエポキシ銅張積層板であり、ガラス布基材にエポキシ樹脂を含浸して乾燥させたものであることが記載されている。
　　
（３−１２）参考資料２
  刊行物９の第４９０頁左欄１０〜３３行目の翻訳文であり、（３−９）で述べた事項が記載されている。
　　
（３−１３）参考資料３
  刊行物９の図９の説明図であり、（３−９）で述べた図９についての事項が示されている。
　　
（４）特許異議申立理由の検討
（４−１）理由（イ）（ロ）について
　（３−１）に列記した事項を総合すると、刊行物１には、導電性リードが形成された基板と、この基板上に配され、絶縁性接着剤に金属粒子が分散された接着剤層と、該接着剤層を介して前記導電性リードと導通する突起状のボンディングパッドが形成された集積回路チップとを備え、前記突起状のボンディングパッドと導通する導電性リードの幅は前記突起状のボンディングパッドの幅より狭く形成され、前記接着剤層は、前記ボンディングパッドと前記導電性リードの間で加圧加熱されて、これらの間に存在する前記絶縁性接着剤が部分的に他部に排除されるとともに前記金属粒子が溶融している集積回路装置の発明（以下、「刊行物１の発明」という。）が記載されているといえる。
　そこで、本件発明１と刊行物１の発明とを対比すると、刊行物１の発明における「導電性リード」、「絶縁性接着剤に金属粒子が分散された接着剤層」、「突起状のボンディングパッド」、「集積回路チップ」はそれぞれ、本件発明１における「電極および配線」、「接着剤中に導電性粒子を混入し圧力が加えられた方向に導通する異方性導電接着剤」、「突起電極」、「半導体素子」に相当するので、両者は、「電極および配線が形成された基板と、この基板上に配置され、接着剤中に導電性粒子を混入し圧力が加えられた方向に導通する異方性導電接着剤と、前記異方性導電接着剤を介して前記電極と導通する突起電極を持つ半導体素子とを備え、前記突起電極と導通する前記電極の幅は前記突起電極の幅より狭く形成され、前記導電性粒子により導通している半導体装置」の点で一致するが、次の点で相違する。
（ニ）本件発明１では、突起電極に対向する基板が該突起電極に押し付けられて生じた凹部を有し、該凹部における該突起電極の幅より狭い幅の電極と該突起電極間で導電性粒子が押しつぶされて導通しているのに対して、刊行物１の発明では、突起状のボンディングパッドに押し付けられて基板に凹部が生ずるという記載はなく、導電性粒子は加圧加熱により溶融して導通している点。
　　
　次いで、相違点（ニ）について以下検討する。
　刊行物１の発明では、半導体素子の突起電極を基板に押し付けても、電極間に介在する接着剤層の絶縁性接着剤及び導電性粒子は溶融して該接着剤層内で流動し、該突起電極の押圧力は該接着剤層内に吸収されるので、該突起電極と対向する基板に凹部が形成されることにはならず、また、該凹部において、該突起電極の幅より狭い幅の電極と該突起電極間で導電性粒子が押しつぶされて導通することにもならない。一方、刊行物２〜４には、半導体素子の突起電極を押し付けて基板に凹部を形成することが記載されてはいるが、いずれもその突起電極と基板電極間に導電性粒子を介在させて導通する構造ではなく、そのような構造にすることを動機付ける記載もない。また、刊行物５には、半導体素子の突起電極と基板間に導電性粒子を介在させ、該突起電極の押し付けにより該基板に凹部が形成されることが記載されてはいるが、該基板の電極の幅を該突起電極の幅より狭くする記載はなく、該基板の凹部において、導電性粒子を押しつぶして導通させるものでもなく、そのように動機付ける記載もない。また、刊行物６、８〜１０には、半導体素子の突起電極によって基板に凹部を形成することは記載も示唆もされていない。また、刊行物７には、後述するように、半導体素子の突起電極の幅より狭い幅の電極を基板に形成することが記載乃至示唆されているとすることはできず、該基板の凹部において、該突起電極の幅より狭い幅の電極と該突起電極間で導電性粒子を押しつぶして導通させようとするものではなく、そのように動機付けるものもない。
　してみると、刊行物１の発明及び刊行物２〜１０に記載された発明のいずれにも、本件発明１の相違点（ニ）に係る電極間の構造は記載されておらず、また、そのような構造にすることを動機付ける記載もないので、刊行物１〜１０に記載された発明に基づいて本件発明１の相違点（ニ）を想到することが、当業者にとって容易であるとすることはできない。
　　
（３−７）に列記した事項を総合すると、刊行物７には、電極が形成されたプリント基板と、この基板上に配され、接着剤に導電性粒子が分散された異方導電性接着剤と、該異方導電性接着剤を介して前記電極と導通するバンプが形成されたＳｉチップとを備え、前記電極の幅は１００μｍ，１５０μｍ，又は２００μｍに形成され、かつ前記バンプに対向する前記基板の電極部には前記バンプを押し付けて生じた凹部が形成され、前記導電性粒子は押しつぶされて導通している半導体装置の発明（以下、「刊行物７の発明」という。）が記載されているといえる。  
　そこで、本件発明１と刊行物７の発明とを対比すると、刊行物７の発明における「電極が形成されたプリント基板」、「接着剤に導電性粒子が分散された異方導電性接着剤」、「バンプ」、「Ｓｉチップ」はそれぞれ、本件発明１における「電極および配線が形成された基板」、「接着剤中に導電性粒子を混入し圧力が加えられた方向に導通する異方性導電接着剤」、「突起電極」、「半導体素子」に相当するので、両者は、「電極および配線が形成された基板と、この基板上に配置され、接着剤中に導電性粒子を混入し圧力が加えられた方向に導通する異方性導電接着剤と、前記異方性導電接着剤を介して前記電極と導通する突起電極を持つ半導体素子とを備え、前記突起電極に対向する前記基板は前記突起電極を押し付けて生じた凹部を有し、前記導電性粒子は押しつぶされて導通している半導体装置」の点で一致するが、次の点で相違する。
（ホ）本件発明１では、半導体素子の突起電極と導通する基板の電極の幅は該突起電極の幅より狭く形成され、該突起電極を押し付けて生じた基板の凹部において、該基板の電極と該突起電極間で導電性粒子が押しつぶされて導通しているのに対して、刊行物７の発明はそのように記載されていない点。
　　
　次いで、相違点（ホ）について以下検討する。
  刊行物７には、突起電極の幅については記載されておらず、基板の電極のサイズが大きいほど変形量が小さくなり、安定な接続状態を保つためには塑性変形が小さい電極を用いる必要があると記載されているのであるから、半導体素子の突起電極より狭い幅の電極を基板に形成することが、同刊行物７に記載乃至示唆されているとすることはできず、該突起電極を押し付けて生じた基板の凹部において、該突起電極の幅より狭い幅の該基板の電極と該突起電極間で導電性粒子を押しつぶして導通させようとするものではない。一方、刊行物２〜６、８〜１０のいずれにも、半導体素子の突起電極と導通する基板の電極の幅を前記突起電極の幅より狭く形成することは記載も示唆もされておらず、そのように動機付ける記載もない。また、刊行物１の発明は、前述したように、半導体素子の突起電極と導通する基板の電極の幅を該突起電極の幅より狭く形成するものではあるが、該突起電極と対向する基板に凹部を形成するものではなく、該基板の凹部において、該基板の電極と該突起電極間で導電性粒子を押しつぶして導通させることはできず、そのような構造にすることを動機付ける記載もない。
　してみると、刊行物７の発明及び刊行物１〜６、８〜１０に記載された発明のいずれにも、本件発明１の相違点（ホ）に係る電極間の構造は記載されておらず、また、そのような構造にすることを動機付ける記載もないので、刊行物１〜１０に記載された発明に基づいて本件発明１の相違点（ホ）を想到することが、当業者にとって容易であるとすることはできない。
　そして、本件発明１は、相違点（ニ）又は（ホ）に係る構造の採用により、半導体素子の突起電極と基板の電極間の良好な導通が得られ、接続の信頼性を向上できるという、訂正明細書に記載されたとおりの効果を奏するものである。
　したがって、本件発明１は、刊行物１〜１０に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることはできない。
　　
　また、本件発明２〜５は、いずれも請求項１を引用しており、本件発明１と同様に、相違点（ニ）又は（ホ）に係る事項を具備しているので、本件発明１と同様に、刊行物１〜１０に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることはできない。
　
　したがって、本件発明１〜５は、刊行物１〜１０に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることはできず、理由（イ）、（ロ）を採用することはできない。
　　
（４−２）理由（ハ）について
  理由（ハ）は、平成１３年７月５日付手続補正書による、本件明細書の段落【００３１】の「熱膨張係数が１３×１０−８程度のものをうることができ、」を「熱膨張係数が３３×１０−６程度のものをうることができ、」とする補正が、願書に最初に添付した明細書又は図面に記載された事項の範囲内のものではないから、本件特許発明は、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしておらず、特許法第１１３条第１項第１号の規定により取り消されるべきであるとするものである。
　しかしながら、上記補正に係る本件明細書の段落【００３１】の接着剤の熱膨張係数についての記載は、上記訂正によって削除されたので、この訂正後の本件明細書の記載は、願書に最初に添付した明細書又は図面に記載された事項の範囲内のものとなった。
　したがって、理由（ハ）を採用することはできない。
　　
（５）むすび
　以上のとおりであるから、特許異議の申立ての理由及び証拠によっては、本件発明１〜５についての特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明１〜５についての特許を取り消すべき理由を発見しない。
　したがって、本件発明１〜５についての特許は拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものと認めない。
　よって、平成６年法律第１１６号附則第１４条の規定に基づく平成７年政令第２０５号第４条第２項の規定により、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１６年１月７日（２００４．１．７）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
半導体装置
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　電極および配線が形成された基板と、この基板上に配置され、接着剤中に導電性粒子を混入し圧力が加えられた方向に導通する異方性導電接着剤と、前記異方性導電接着剤を介して前記電極と導通する突起電極を持つ半導体素子とを備え、前記突起電極と導通する前記電極の幅は前記突起電極の幅より狭く形成され、かつ前記突起電極に対向する前記
基板は前記突起電極を押し付けて生じた凹部を有し、前記導電性粒子は押しつぶされて導通している
　【請求項２】　
突起電極を押し付けて生じた凹部を有する基板は
　【請求項３】　
突起電極を押し付けて生じた凹部を有する基板は
　【請求項４】　
突起電極を押し付けて生じた凹部を有する基板は
　【請求項５】　異方性導電接着剤は前記異方性導電接着剤中に混入された導電性粒子より熱膨張係数の小さな微細粒子を含む請求項１に記載の半導体装置。
　【請求項６】　電極および配線が形成された基板と、少なくとも前記電極上および電極の周囲に配置され、接着剤中に導電性粒子を混入し圧力が加えられた方向に導通する異方性導電接着剤と、前記電極より幅広に形成され前記異方性導電接着剤を介して前記電極と導通する突起電極を持つ半導体素子と、この半導体素子と前記基板との間に配置され、接着力が前記異方性導電接着剤より弱い第２の接着剤とを備えた半導体装置。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】
　本発明は半導体素子とプリント基板等の基板の電極同志を異方性導電接着剤で接続することによって得られる半導体装置に関するものである。
　【０００２】
　【従来の技術】
　電子機器をより小型化するために、パッケージされた半導体素子をプリント基板等の樹脂からなる基板（以下樹脂基板とする）にはんだ付けする方法から、パッケージしないで裸のまま半導体素子を樹脂基板に実装する方法にかわってきた。
　半導体素子を裸のままで、樹脂基板に実装する方法として、半導体素子の裏面を基板に導電性接着剤等で接着し、半導体素子のパッド電極と樹脂基板の電極とをワイヤで接続する方法がある。この方法は半導体素子と樹脂基板の電極を一本一本ワイヤで接続するため、多数の電極を接続するのに時間がかかることと、接続される基板の電極を半導体素子の周辺に配置するため、実装面積が半導体素子のサイズよりも大きくとる必要がある。
　そこで、半導体素子とほぼ同じ面積で実装する方法として、半導体素子を裏かえして、基板電極に直接接続するフリップチップ接続方法が開発された。
　その方法として、（１）導電性接着剤を用いて接続する方法（例えば、日刊工業新聞社発行、表面実装技術、９月号１９９４年、４８ページ）と（２）はんだを用いて接続する方法（例えば、工業調査会、１９８６年６月１日発行、サーフェイス・マウント・テクノロジー、１７２ページ）がある。
　【０００３】
　以下、図面を参照しながら説明する。
　図１５は導電性接着剤を用いて接続した半導体装置を示す概略断面図を示す。図において、１はモールドしていない半導体素子、２は半導体素子電極上に形成された突起電極、２４は導電性接着剤、３は樹脂基板、４は樹脂基板上に形成された電極、２６は封止材を示す。
　めっきまたはボールボンダを用いて、半導体素子１の電極上に突起電極２を形成する。次に、平面板に均一膜厚に形成された導電性接着剤層２４に、前記突起電極２を押しつけ、導電性接着剤２４を前記突起電極２に転写する。次に、半導体素子１と樹脂基板３を向かい合わせ、前記半導体素子１の突起電極２と前記樹脂基板３上の電極４との位置を合わせた後、半導体素子１を樹脂基板２５に押し付け、前記突起電極２と前記樹脂基板３の電極４を導電性接着剤２４を介して、接触させる。次に、約１５０℃に数時間加熱して、導電性接着剤２４を硬化させる。次に、外部から湿気等の侵入を防ぐ封止材２６を半導体素子１と樹脂基板３間に注入し、加熱硬化させることにより、半導体装置を得ることができる。
　【０００４】
　図１６ははんだを用いて接続した半導体装置を示す概略断面図を示す。
　図において、１は半導体素子、２は突起電極、２７ははんだ、３は樹脂基板、４は樹脂基板上に形成された電極、２６は封止材を示す。
　半導体素子１の電極上に、蒸着等でＣｒ、Ｃｕの膜を形成した後、レジストをパターニングして、めっきまたは蒸着で、Ｐｂ−Ｓｎのはんだの突起電極２を形成する。次に、樹脂基板３上の電極４と位置合わせをおこない、２００〜３００℃に加熱して、はんだを溶融し、半導体素子１と樹脂基板３とを接続する。次に、封止材２６を半導体素子１と樹脂基板３間に注入し、加熱硬化させることにより、半導体装置を得ることができる。
　【０００５】
　図１７は、特公昭６２−６６５２号公報に記載された異方性導電接着剤により半導体素子と樹脂基板とを接続する半導体装置を示す概略断面図である。
　樹脂基板３上の導電リード線４上に異方性導電接着剤６を配置し、電極２を持つ半導体素子１を押圧すると、電極２の下の部分の異方性導電接着剤６は圧力が印加された方向に導通する。これにより、電極２と導電リード線４は導通する。同時に、半導体素子１は樹脂基板３に異方性導電接着剤６の接着作用により固着され、外部からの湿気やホコリの侵入が防止できる。
　また、半導体素子１の下面は異方性導電接着剤６によって全面的に樹脂基板３に接着しているので接着面積が広くなり接合強度も強くなる。異方性導電接着剤６は横方向には絶縁性を保っている。
　【０００６】
　【発明が解決しようとする課題】
　図１５、図１６に示す従来技術には以下の問題があった。
（１）半導体素子を接続するため突起電極を、基板電極に押し当てた時に、導電性接着剤またははんだの接続材が横に広がり、隣接の電極と接触し、ショートが発生し、微細電極間距離の半導体素子の接続が出来ない問題があった。
（２）熱膨張係数が大きく異なる半導体素子と樹脂基板とを加熱して、接続するため、接続部の電極に大きな熱応力が作用し、半導体素子が剥離してしまう問題があった。
（３）半導体素子の突起電極と基板の電極を接続してから、信頼性を高めるために封止材を注入するため、プロセスが多く生産性に欠ける問題があった。
　【０００７】
　図１７の従来技術はこれらの問題点を一応解決してはいるが、導電性粒子を均一に押しつぶすことができず、安定した導通が得られないという問題があった。
　異方性導電接着剤は、接着剤中に金属粒子、メッキ粒子などを分散させたもので、圧力が加えられると金属粒子やメッキ粒子がつぶれて変型し押圧方向に導通するものである。
　【０００８】
　突起電極を導電性粒子を介して樹脂基板の電極に押し付けた状態を図１８に示す。図において、（ａ）は樹脂基板３の電極４の幅が突起電極２よりも大きい場合、（ｂ）は突起電極２の幅と基板電極４の幅が同じで、半導体素子１を基板３に接続する際、位置ずれをおこした場合を示す。図の（ａ）と（ｂ）より明かなように、（ａ）と（ｂ）では電極４の変形が大きく導電性粒子５を均一につぶすことはできず、安定な接続を得ることができない。
　【０００９】
　この発明は、異方性導電接着剤中の導電性粒子を均一に押しつぶすことにより、半導体素子と基板とを良好に導通させる半導体装置を提案することを目的としている。また、この発明は、異方性導電接着剤によって半導体素子を基板に固着し且つ導通させる半導体装置において、半導体素子のテスト結果により半導体素子を容易に取り換えることのできる半導体装置を提案することを第２の目的としている。
　【００１０】
　【課題を解決するための手段】
　請求項１は、接着剤中に導電性粒子を混合し圧力が加えられた方向に導通する異方性導電接着剤により半導体素子の突起電極と基板の電極とを導通させる半導体装置において、前記突起電極と導通する前記電極の幅は前記突起電極の幅より狭く形成され、かつ前記突起電極に対向する前記
基板は前記突起電極を押し付けて生じた凹部を有し、前記導電性粒子は押しつぶされて導通している
　【００１１】
　請求項２は、請求項１において、
突起電極を押し付けて生じた凹部を有する基板
　【００１２】
　請求項３は、請求項１において、
突起電極を押し付けて生じた凹部を有する基板
　【００１３】
　請求項４は、請求項１において、
突起電極を押し付けて生じた凹部を有する基板
　【００１４】
　請求項５は、請求項１において、異方性導電接着剤は前記異方性導電接着剤中に混入された導電性粒子より熱膨張係数の小さな微細粒子を含むものである。
　【００１５】
　請求項６は、異方性導電接着剤により半導体素子の突起電極と基板の電極とを導通させる半導体装置において、基板の電極の幅を突起電極の幅より小さく形成し、且つ異方性導電接着剤より接着力の弱い第２の接着剤を用いたものである。
　【００１６】
　【発明の実施の形態】
実施の形態１．
　図１（ａ）は本発明の実施の形態の一つを示す断面図である。図において、１は半導体素子、２は半導体素子上に形成された突起電極、３はプリント基板、４はプリント基板上に形成された電極、５は導電性粒子、６は導電性粒子５を含む異方性導電接着剤、１９は突起電極を押し付けることによって生じた基板の凹部を示す。
　図１（ｂ）は突起電極２と基板の電極４の接続部の拡大図である。突起電極２の幅よりも電極４の幅が狭いので、導電性粒子５を均一に押しつぶして良好な導通が得られることがわかる。突起電極２の幅を変化させることは製造上の制約から実際には困難なので、電極４の幅を小さくすることでこのような構造を得ることができる。
　【００１７】
　半導体素子１上の突起電極２の材料は、金、銅、ニッケル、はんだ等、金属であればよい。その形成方法は、めっきまたは蒸着を用いて行う方法またはボールボンダで形成する方法がある。導電性粒子５は直径５μｍのエポキシ等のプラスチック粒子にめっきでニッケルと金の金属膜を形成したものを用いた。他に、ニケルまたは金粒子を用いてもよい。異方性導電接着剤６は主剤として熱硬化型のエポキシ接着剤を用いた。他に、熱可塑性のものでもよい。プリント基板はガラスエポキシ基板を用いた。電極４の幅は突起電極２の幅１００μｍよりも小さく８０μｍを用いた。
　【００１８】
　基板３の表面に凹凸があると、接続箇所によって突起電極２と電極４との距離が異なるので、良好な接続が得られなくなる可能性がある。それに対しては、突起電極２を電極４に押し付ける時に、基板３に凹部１９を生ずるまで押し込むことにより対処でき、良好な導通を得ることが出来る。基板３の表面に凹凸があっても、凹部が生ずるように押し込むことにより、突起電極２と基板電極４との間に働く力の接続箇所によるばらつきは少なくなり、接続抵抗は均一化できる。１５０μｍのピッチの突起電極２を持つ半導体素子１を接続したところ、基板３に凹部１９が生じ、突起電極２と電極４は不良なく接続ができた。
　【００１９】
　プリント基板３の芯はガラス繊維であるが、表面付近は柔軟性のある樹脂なので凹部１９を形成できる。半導体素子１と基板３は異方性導電接着剤６で強固に面接着されるので凹部１９はそのまま維持される。また、面接着されるので、半導体素子１と基板３との熱膨張係数の違いにより生ずる応力が接続点に集中することはなく、剥離しにくくなる。異方性導電接着剤は導電性粒子により電気的導通を得るものであるので、導電性粒子をつぶした箇所しか導通しないので、微細ピッチの電極の接続が可能になる。
　【００２０】
実施の形態２．
　図２は本発明の他の実施の形態を示す断面図である。図において、実施の形態１において、用いたプリント基板の代わりに、プリント基板３表面に絶縁層７として樹脂、導体層８として金属からなる配線層９が形成された基板１０を用いている。複雑な配線を行う場合にこのような基板１０が用いられる。
　基板１０はプリント基板３の表面にエポキシ等の樹脂を塗布し、バイアホールを形成し絶縁層７を形成後、めっきまたは蒸着等で金属膜を成膜し、写真製版技術を用いてパターニングすることによって、導体層８を得ることができる。この配線層９の絶縁層は樹脂から構成されており、ガラス繊維を含まないので軟質であるため、突起電極２を押し付けた時に、基板１０の凹部１９の変形量が大きくなり、電極４は深く沈み込むことができ、大きな凹凸を有する基板１０にも十分対応できる効果がある。実際に微細ピッチをもつ半導体素子１を接続したところ、実施の形態１と同様の効果を得ることができた。
　【００２１】
実施の形態３．
　図３は本発明の他の実施の形態を示す断面図である。図において、実施の形態１において、用いたプリント基板の代りに、絶縁層７として樹脂、導体層８として金属からなる配線層９を基板として用いる。配線層９の形成の方法は実施の形態２と同様の方法を用いる。絶縁層７の樹脂は実施の形態２ではエポキシを用いたが、より可撓性を得るため、ポリイミドでもよい。本実施の形態においては、配線層９のみで構成されており、フレキシブルであるため、半導体素子１と配線層９との熱膨張係数差により発生する熱応力を配線層９が十分吸収できる。従って割れ易い砒化ガリウム等からなる半導体素子の接続が可能になる。
　【００２２】
　実施の形態２と３において、絶縁層７を構成する樹脂のヤング率を７．５×１０９Ｐａ以下と導電性粒子のヤング率を１×１０９Ｐａ以下であると、１０μｍ以上の凹凸を持つ基板に接続可能である。
　【００２３】
実施の形態４．
　図４は本発明を示す断面図である。接着剤６の層に無機材料からなり熱膨張係数の小さな微細粒子１１を混入させた状態を示す。実際には、微細粒子として、粒径０．５μｍのシリカを４０〜５０％混入
させると、接続の信頼性
　【００２４】
実施の形態５．
　図５は本発明を示す断面図である。基板１２の裏面に電極１３が形成してあり、電極１３をとおして、半導体素子１とプリント基板１５とが接続される。図６は基板１２を裏面からみた図を示す。
製造方法は、半導体素子１を基板１２に異方性導電接着剤６を用いて接続した後、基板１２をテスト用のソケットに取り付け、裏面の電極１３をとおして、半導体素子１をテストする。テスト結果が良好であれば、基板１２を他の受動部品１４とともにプリント基板１５にはんだ等を用いて接続する。本実施の形態においては、半導体素子１を基板１２に接続することにより、半導体素子１のテストが可能になるのと、他の部品と同時にプリント基板１５に実装することができ、生産性を向上することができる。本形態において、基板１２の構造がプリント基板上に配線層９を形成したものになっているが、プリント基板でもよいし、配線層９のみでもよい。本実施の形態においては基板１２に半導体素子を一個実装した例を示したが、図７におけるように、複数個実装してもよい。
　【００２５】
実施の形態６．
　図８は本発明の他の実施の形態を示す断面図である。半導体素子１の裏面に金属膜１６が設けてあり、基板１２上のグランド電極１７と金属膜１６が導電性接着剤２０を介して接続されている。半導体素子１の裏面をグランドに接続できることにより、半導体素子１のバックバイアスをとることができ、半導体素子１の特性を向上することができる。
　【００２６】
実施の形態７．
　図９は本発明の他の実施の形態を示す断面図である。半導体素子１と樹脂基板２５の間に、異方性導電接着剤６と第二の接着剤２０がある。第二の接着剤２０は樹脂基板２５の電極４で囲まれる領域に形成してある。異方性導電接着剤６は導電粒子５を含有しており、突起電極２と電極４の接続部に用いられる。接続部では、導電粒子を確実に保持する目的から、異方性導電接着剤には半導体素子１と樹脂基板２５との密着力に優れた熱硬化型のエポキシ系接着剤を用いた。また、第二の接着剤２０には、半導体素子１の取り替えを可能にすることから、異方性導電接着剤よりは密着力の弱い熱可塑型エポキシ系接着剤を用いた。第二の接着剤２０はエポキシ系接着剤に限ったものでなく、他に、シリコーン系、フェノール系接着剤でもよい。また、エポキシ系接着剤は熱可塑型に限ったものでなく、異方性導電接着剤６よりも密着力が小さければ、熱硬化型でもよい。本実施の形態において、第二の接着剤２０は導電粒子５を含有していないが、含有してもよい。
　【００２７】
　図１０は製造方法を示す図である。図において、（ａ）は樹脂基板２５に第二の接着剤２０を形成し、その上に、異方性導電接着剤を形成した状態を示す。（ｂ）は突起電極２を有する半導体素子１を押し付け、導電性粒子５がつぶれ、突起電極２と電極４が接続された状態を示す。この場合、半導体素子１を押し付けると同時に、半導体素子１を加熱し、異方性導電接着剤６が半硬化している。（ｃ）は、電極４とつながっているテスト用の電極２２にプローブ２３を接触させ、半導体素子１と接続部のテストを行っている状態を示す。（ｄ）はテストの結果、良品と判定され、さらに加熱し、異方性導電接着剤６を完全に硬化した状態をしめす。（ｃ）のテストで不良と判定された場合は、異方性導電接着剤６と第二の接着剤２０がともに半硬化状態のため、半導体素子１を基板３より剥離することが可能である。
　図１０（ａ）〜（ｄ）のプロセスは、第二の接着剤２０を使わずに、異方性導電接着剤６だけを用いて行うことも可能である。その場合でも、テストで不良と判定された半導体素子１の基板からの剥離は、異方性導電接着剤６が半硬化の状態で行えば可能である。第二の接着剤２０を用いた方が半導体素子の基板からの剥離がより容易になるという程度の差はある。
　異方性導電接着剤を用いることにより、電気的接続と接着剤による封止とを同時に行うことができるので、生産性が向上する。
　【００２８】
実施の形態８．
　図１１は本発明の他の実施の形態を示す断面図である。半導体素子１と樹脂基板２５の間に、異方性導電接着剤６と第二の接着剤２０がある。異方性導電接着剤６は樹脂基板２５の表面に形成され、導電粒子５を含有している。異方性導電接着剤６より接着力が弱い第二の接着剤２０は突起電極２を除く半導体素子１側に形成されている。
　図１２は製造方法を示す断面図である。図において、（ａ）は樹脂基板２５上に異方性導電接着剤６を形成し、その上に第二の接着剤２０を形成した状態を示す。本実施の形態において、異方性導電接着剤６は未硬化のエポキシ系接着フィルムを用いた。第二の接着剤２０は、熱硬化型接着剤でもよいし、熱可塑接着剤でもよく、異方性導電接着剤６よりも、密着力が低くければよい。
　【００２９】
　（ｂ）は突起電極２を有する半導体素子１を押し付け、加熱した状態を示す。加熱は異方性導電接着剤６が半硬化する温度で行う。（ｃ）はテスト用の電極２２にプローブ２３を接触させ、半導体素子１と接続部のテストを行っている状態を示す。（ｄ）はテストの結果、良品と判定され、さらに加熱し、異方性導電接着剤６を完全に硬化した状態を示す。テストで不良と判定された場合、加熱し、半導体素子１を第二の接着剤２０の部分で剥離することができる。半導体素子１の全面が、密着力の小さい第二の接着剤２０で覆われているため、剥離が容易である。
　【００３０】
実施の形態９．
　図１３は本発明の他の実施の形態を示す断面図である。半導体素子１と樹脂基板２５の間に異方性導電接着剤６と第二の接着剤２０がある。異方性導電接着剤６より接着力の弱い第二の接着剤２０は樹脂基板２５の電極４に囲まれた内側にあり、異方性導電接着剤６は電極４を含むように配置される。突起電極２と基板の電極４との電気的接続を、維持する為に、より接着力の強い異方性導電接着剤６は、突起電極２と電極４を含むように配置している。半導体素子１と樹脂基板２５間は一層の接着層で構成されているため、半導体素子１の薄型実装を実現することができる。
　【００３１】
　図１４は製造方法を示す断面図である。（ａ）は、第二の接着剤２０を樹脂基板２５上の電極４で囲まれた領域に、異方性導電接着剤６を樹脂基板２５上の電極４を含む外側に形成した状態を示す。（ｂ）は、突起電極２を有する半導体素子１を押し付け、加熱した状態を示す。突起電極２と電極４は、導電性粒子５を介して、接続されている。
　（ｃ）は、テスト用の電極２２にプローブ２３を接触させ、半導体素子１と接続部のテストを行っている状態を示す。（ｄ）は、テストの結果、良品と判定されれば、さらに加熱し、異方性導電接着剤６を完全に硬化させた状態を示す。
　以上、実施の形態７、８、９において、第二の接着剤２０として、常温で液状のタイプをもちいれば、接着剤の供給が容易であり、生産性を向上することができる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】　本発明の一実施の形態にかかる半導体装置の断面図である。
　【図２】　本発明の他の実施の形態にかかる半導体装置の断面図である。
　【図３】　本発明の他の実施の形態にかかる半導体装置の断面図である。
　【図４】　本発明の他の実施の形態にかかる半導体装置の断面図である。
　【図５】　本発明の他の実施の形態にかかる半導体装置の断面図である。
　【図６】　図５のプリント基板１２の裏面の平面図である。
　【図７】　本発明の他の実施の形態にかかる半導体装置の断面図である。
　【図８】　本発明の他の実施の形態にかかる半導体装置の断面図である。
　【図９】　本発明の他の実施の形態にかかる半導体装置の断面図である。
　【図１０】　本発明の一実施の形態にかかる半導体装置の製造方法を示す図である。
　【図１１】　本発明の他の実施の形態にかかる半導体装置の断面図である。
　【図１２】　本発明の他の実施の形態にかかる半導体装置の製造方法を示す図である。
　【図１３】　本発明の他の実施の形態にかかる半導体装置の断面図である。
　【図１４】　本発明の他の実施の形態にかかる半導体装置の製造方法を示す図である。
　【図１５】　従来の半導体装置を示す断面図である。
　【図１６】　従来の半導体装置を示す断面図である。
　【図１７】　異方性導電接着剤を用いた従来の半導体装置を示す断面図である。
　【図１８】　異方性導電接着剤を用いた従来の半導体装置の接続を示す図である。
　【符号の説明】
　１　半導体素子　　　２　突起電極　　　　３　プリント基板
　４　電極　　　　　　５　導電性粒子　　　６　異方性導電接着剤
　７　絶縁層　　　　　８　導体層　　　　　９　配線層
　１０　配線層を有する基板　　　　　　　　１１　微細粒子
　１２　裏面に電極をもつ基板　　　　　　　１３　電極
　１４　受動部品　　　１５　プリント基板　１６　金属膜
　１７　グランド電極　１８　はんだ　　　　１９　基板の凹部
　２０　第二の接着剤　２２　テスト電極　　２３　プローブ