【事件の表示】
　特許第３３１１５２２号「半導体装置の製造方法」の請求項１、２に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３３１１５２２号の請求項１、２に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
　本件特許第３３１１５２２号に係る手続の主な経緯は次のとおりである。
特許出願（特願平６−２６９８７２号）　　平成　６年１１月　２日
　　　　　　　　　　　　　　（優先権主張平成　６年　５月３０日）
特許権設定登録　　　　　　　　　　　　　平成１４年　５月２４日
特許異議申立（異議申立人：吉成迪夫）　　平成１５年　１月２３日　
特許異議申立（異議申立人：大沢敏昭）　　平成１５年　２月　３日
取消理由通知　　　　　　　　　　　　　　平成１６年　１月２８日
特許異議意見書・訂正請求書　　　　　　　平成１６年　４月　９日
　
２．訂正の適否についての判断
（１）訂正の内容
訂正事項ａ
　特許請求の範囲の請求項１を
「ＲＴＡ法によって非晶質シリコン膜にランプ光を複数回照射させることで、１回照射することに比べて非晶質シリコン膜の凝固速度を遅くしつつ非晶質シリコン膜を溶融再結晶化させて多結晶シリコン膜を形成する工程を備えた半導体装置の製造方法。」と訂正する。
訂正事項ｂ
　特許請求の範囲の請求項２を
「基板上に、光を反射する膜、基板よりも熱伝導率の低い材料による膜、光を吸収する材料による膜のうち少なくともいずれか一つの膜を形成する工程と、
　その膜の上に非晶質シリコン膜を形成する工程と、
　ＲＴＡ法によって非晶質シリコン膜にランプ光を複数回照射させることで、１回照射することに比べて非晶質シリコン膜の凝固速度を遅くしつつ非晶質シリコン膜を溶融再結晶化させて多結晶シリコン膜を形成する工程とを備えた半導体装置の製造方法。」と訂正する。
　
（２）訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
（２−１）訂正事項ａについて
　訂正事項ａは、ランプ光を複数回照射させることで非晶質シリコン膜を溶融再結晶化させて多結晶シリコン膜を形成する工程について、「ランプ光を複数回照射させることで、１回照射することに比べて非晶質シリコン膜の凝固速度を遅くしつつ非晶質シリコン膜を溶融再結晶化させて多結晶シリコン膜を形成する工程」と限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とした明細書の訂正に該当する。
　そして、訂正前の明細書の段落【００４９】には、「・・・非晶質シリコン膜４へのランプ光の照射を極短時間で複数回行うことができる。その結果、加熱溶融された非晶質シリコン膜４中の潜熱が基板１に流出し難くなり、凝固速度が早くなるのが防止される。」と、段落【００５０】には、「・・・ランプ光の照射を極短時間で複数回行うことにより、非晶質シリコン膜４の凝固速度を遅くすることができる。・・・」と記載されている。また、「１回照射することに比べて」という限定は、何に対して凝固速度が遅くなるかを明確にするために限定したものであり、斯かる構成は、上記段落【００４９】【００５０】の記載に内在されている事項であり、本件特許の属する技術分野における通常の知識を有する者であれば、出願時の技術常識に照らして、その意味であることが明らかであって、その事項がそこに記載されているのと同然であると理解する事項であるので、明細書等の記載から自明な事項といえる。
　したがって、訂正事項ａは願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてしたものであって、かつ、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　
（２−２）訂正事項ｂについて
　訂正事項ｂは、ランプ光を複数回照射させることで非晶質シリコン膜を溶融再結晶化させて多結晶シリコン膜を形成する工程について、「ランプ光を複数回照射させることで、１回照射することに比べて非晶質シリコン膜の凝固速度を遅くしつつ非晶質シリコン膜を溶融再結晶化させて多結晶シリコン膜を形成する工程」と技術的限定を付すものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とした明細書の訂正に該当する。
　そして、上記（２−１）訂正事項ａについてと同様な理由により、訂正事項ｂは願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてしたものであって、かつ、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　
（３）むすび
　以上のとおりであるから、本件訂正は、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、特許法第１２０条の４第３項において準用する平成６年法律第１１６号による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書き、第２項及び第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
３．特許異議の申立てについて
（１）異議申立理由の概要
（１−１）異議申立人吉成迪夫は、下記の甲第１〜３号証を提出し、特許第３３１１５２２号の請求項１，２に係る発明は、甲第１〜３号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができないものであり、特許を取り消すべきものである旨主張しており、
　甲第１号証：特開昭５５−　６８６３８号公報（ａ）
　甲第２号証：特開昭６３−１６６２１９号公報（ｂ）
　甲第３号証：特開平　６−１４０３２５号公報（ｃ）
　
（１−２）異議申立人大沢敏昭は、下記の甲第１号証を提出し、特許３３１１５２２号の請求項１，２に係る発明は、甲第１号証に記載された発明と同一であり、また、甲第１号証の記載に基づき当業者が容易に発明をすることができたものである旨主張しており、又、下記の参考資料１〜５を提出し、請求項２に係る発明に関する周知慣用技術が参考資料１〜５に記載されている旨主張している。
　甲第１号証：特開平　６−１４０３２５号公報（ｃ）
　参考資料１：特開昭５８−　４６６１８号公報（ｄ）
　参考資料２：特開平　５−２１８３６７号公報（ｅ）
　参考資料３：特開平　５−１２１３５０号公報（ｆ）
　参考資料４：特開平　３−１８１１２０号公報（ｇ）
　参考資料５：特開平　４−　３３３２７号公報（ｈ）
　
（２）取消理由の概要
　特許第３３１１５２２号の請求項１及び２に係る発明は、下記刊行物１に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に規定する発明に該当し、本件の請求項１及び２に係る発明の特許は取り消されるべきものであり、若しくは本件の請求項１及び２に係る発明は下記刊行物１に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件請求項１及び２に係る発明の特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものである。
　
　　　　　　　　　　　　　　　記
　刊行物１：特開平　６−１４０３２５号公報（異議申立人吉成迪夫が提出
　　　　　　した甲第３号証、異議申立人大沢敏昭が提出した甲第１号証）
　
（３）異議申立てについての検討
（３−１）本件発明
　特許第３３１１５２２号の請求項１及び２に係る発明は、上記のとおり訂正が認められたから、平成１６年４月９日付けの上記訂正に係る訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１及び２に記載された、それぞれ以下のとおりのものである。
「【請求項１】　ＲＴＡ法によって非晶質シリコン膜にランプ光を複数回照射させることで、１回照射することに比べて非晶質シリコン膜の凝固速度を遅くしつつ非晶質シリコン膜を溶融再結晶化させて多結晶シリコン膜を形成する工程を備えた半導体装置の製造方法。」（以下、「本件発明１」という。）
「【請求項２】　基板上に、光を反射する膜、基板よりも熱伝導率の低い材料による膜、光を吸収する材料による膜のうち少なくともいずれか一つの膜を形成する工程と、
　その膜の上に非晶質シリコン膜を形成する工程と、
　ＲＴＡ法によって非晶質シリコン膜にランプ光を複数回照射させることで、１回照射することに比べて非晶質シリコン膜の凝固速度を遅くしつつ非晶質シリコン膜を溶融再結晶化させて多結晶シリコン膜を形成する工程とを備えた半導体装置の製造方法。」（以下、「本件発明２」という。）
　
（３−２）取消理由で引用された刊行物に記載された発明／異議申立人提出の証拠に記載された発明
（３−２−１）当審が通知した取消の理由で引用した刊行物１（特開平６−１４０３２５号公報）には、以下の事項が記載されている。
「【従来の技術】従来より、薄膜トランジスタや薄膜太陽電池の製造プロセスの簡素化および製造コストの低減のために多結晶シリコン薄膜が用いられている。・・・
・・・
・・・そして、この高速ランプアニール法をａ−Ｓｉ：Ｈ膜のアニールに適用した場合、下地のガラス基板はランプアニールの光源の光を吸収しないのでａ−Ｓｉ：Ｈ膜の温度が上昇せず、アニーリングが充分になし得ないという問題がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明はかかる従来技術の問題点に鑑みなされたものであって、高速ランプアニール法によっても形成することができる大粒径の多結晶シリコン薄膜およびその形成法を提供することを目的としている。」（段落【０００２】〜【０００５】）
「本発明の多結晶シリコン薄膜の形成法は、ガラス基板上にアモルファスカーボンの薄膜を形成した後、該ガラス基板上多結晶シリコン薄膜を形成することを特徴としている。」（段落【００１１】）
「また、本発明の多結晶シリコン薄膜の形成法においては、前記多結晶シリコン薄膜を、高速ランプ加熱により形成するのが好ましい。」（段落【００１３】）
「【作用】本発明においては、ガラス基板上にランプアニールの光源の光吸収係数が大きなアモルファスカーボンの薄膜を形成しているので、高速ランプアニール法を適用することができる。そして、このアモルファスカーボンの薄膜は、また熱伝導率も低いので、ガラス基板への熱伝導を小さくすることができる。このこともまた、高速ランプアニール法の適用を助長している。」（段落【００１６】）
「本発明の多結晶シリコン薄膜３は、図１に示す如く、アモルファスカーボンの薄膜２が形成されたガラス基板１の上に形成されている。」（段落【００２１】）
「このアモルファスカーボンの薄膜２の本発明での役割は以下の３つである。
（１）ハロゲンランプ光をよりよく吸収し、特にアモルファスカーボンの薄膜２とａ−Ｓｉ：Ｈの界面をより高温とし良好な多結晶シリコンの結晶成長を行う。」（段落【００２５】）
「（２）アモルファスカーボンの薄膜２は熱伝導度が悪く、下地のガラス基板１への熱ダメージを小さくする。」（段落【００２６】）
「しかして、このアモルファスカーボンの薄膜２上にａ−Ｓｉ：Ｈを形成するのであるが、その前にアモルファスカーボンの薄膜２表面を５分間程度Ｈ2 プラズマ処理する。・・・」（段落【００３３】）
「Ｈ2 プラズマ処理した後、プラズマＣＶＤ法にてａ−Ｓｉ：Ｈを２μｍ〜２０μｍ堆積させる。」（段落【００３４】）
「最後に、ガラス基板１の温度を室温から８００℃までの昇温を８秒間〜２０秒間で行う昇温工程、その次のハロゲンランプによる急速加熱を１５秒間〜５００秒間を行う急速加熱工程、さらにその次の室温までの降温工程を１サイクルとするアニーリング処理を所定回行い、ａ−Ｓｉ：Ｈ膜から多結晶シリコン薄膜を形成する。」（段落【００３５】）
「・・・基板温度を４５０℃にて、アモルファスカーボンの薄膜の上にａ−Ｓｉ：Ｈ膜を１０μｍ堆積させた。」（段落【００４１】）
「最後にこのガラス基板を高速ランプにより加熱処理を行い、多結晶シリコン薄膜を得た。より具体的には、８０℃／秒の昇温速度により８００℃まで昇温し、その温度で５秒間保持した後冷却するという処理を１００回繰り返して、多結晶シリコン薄膜を得た。」（段落【００４２】）
「【発明の効果】以上説明してきたように、本発明によれば高速ランプアニール法を用いても、ガラス基板上に大粒径の多結晶シリコン薄膜を得ることができる。」（段落【００４８】）
　
（３−２−２）異議申立人吉成迪夫が提出した甲第１号証（特開昭５５−６８６３８号公報）には、以下の事項が記載されている。
「３．半導体ウエハの一主表面に単位面積ごとにステップアンドリピートにより光をパルス照射する際に光照射部が互いに重ならないように照射することにより半導体表面を加熱することを特徴とする半導体表面の加熱処理法。」（特許請求の範囲第３項）
「Ｘｅランプ（キセノンランプ）により波長λ＝３０００Å〜１μで・・・集光し、直径５インチのシリコンウエハ表面全体に一括パルス照射してウエハ表面を瞬間的に加熱する。
　又、キセノンランプのパワーが一桁程度小さい場合は、第１図にて示すように光を・・・寸法に絞りステップアンドリピートによりシリコンウエハ１上にシリコンウエハ１上のスクライブラインとして用いるところ所謂スクライブエリア３をはずして照射する」（第２頁左上欄第１１行〜右上欄第３行）
「このようにキセノンランプ等の光ランプによる光をパルス照射することにより、瞬間的に半導体表面を有効に加熱することができるので、例えば半導体ウエハ表面における０．１μ〜１μ程度の厚さのイオン打込み層のアニールによる活性化，表面結晶欠陥の除去，アモルファス半導体層の単結晶化，多結晶層の結晶粒の拡大等に有効に活用することができる。」（第２頁右上欄第１３〜２０行）
「３．ランプ光の一かつ照射又はステップ照射により必要な部分を均一に処理することができる」（第２頁左下欄第１１，１２行）
　
（３−２−３）異議申立人吉成迪夫が提出した甲第２号証（特開昭６３−１６６２１９号公報）には、以下の事項が記載されている。
「この状態で、前記フラッシュランプ１７により、時定数２msec，繰返し周波数 800 /secで、50回の閃光を照射する。」（第３頁右上欄第５〜８行）
「閃光の光量と照射の繰返し周波数を制御すると、不純物の拡散深さを容易に制御でき、0.1μｍ以下の拡散深さを実現することも可能である。さらに、高濃度のＡｓをシリコン表面に形成するための拡散効率にも優れている。
　・・・
・・・さらに接合深さ0.1μｍ以下と極めて淺い接合深さを実現することができる。」（第３頁左下欄第１３行〜右下欄第６行）
　
（３−２−４）異議申立人大沢敏昭が提出した参考資料３〜５には、非晶質シリコン膜等に光を照射させることで該シリコン膜を溶融再結晶化させて再結晶化シリコン膜を形成する工程を備えた半導体装置の製造方法において、基板への熱ダメージの防止や効率的に加熱溶融して大粒径の多結晶シリコン等を得るべく、基板上に光反射膜を形成し、その上に非晶質シリコン膜等を形成する技術思想が記載されている。
　
（３−３）対比・判断
（３−３−１）本件発明１について
　本件発明１と刊行物１に記載された発明とを対比すると、刊行物１に記載された発明は、本件発明１の構成要件である、非晶質シリコン膜にランプ光を照射させることで、非晶質シリコン膜を溶融再結晶化させて多結晶シリコン膜を形成する工程を備えた半導体装置の製造方法であって、「ＲＴＡ法によってランプ光を複数回照射させることで、１回照射することに比べて非晶質シリコン膜の凝固速度を遅くしつつ非晶質シリコン膜を溶融再結晶化させて」多結晶シリコン膜を形成する工程を備えていない。
　また、かかる点は、異議申立人吉成迪夫が提出した甲第１号証及び甲第２号証、並びに異議申立人大沢敏昭が提出した参考資料１〜５のいずれにも記載されていない。
　そして、本件発明１は、上記の点を備えることにより、以下の明細書記載の顕著な作用効果を奏するものである。
「請求項１に記載の発明によれば、加熱溶融された非晶質シリコン膜中の潜熱が流出し難くなり、凝固速度が遅くなるため、結晶粒径が大きな多結晶シリコン膜を形成することができる。」（明細書段落【００２０】）
　したがって、本件発明１は、刊行物１に記載された発明ではなく、また、刊行物１、異議申立人吉成迪夫が提出した甲第１号証、甲第２号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものでもない。
　
（３−３−２）本件発明２について
　本件発明２と刊行物１に記載された発明とを対比すると、刊行物１に記載された発明は、本件発明２の構成要件である、非晶質シリコン膜にランプ光を照射させることで、非晶質シリコン膜を溶融再結晶化させて多結晶シリコン膜を形成する工程を備えた半導体装置の製造方法であって、「ＲＴＡ法によってランプ光を複数回照射させることで、１回照射することに比べて非晶質シリコン膜の凝固速度を遅くしつつ非晶質シリコン膜を溶融再結晶化させて」多結晶シリコン膜を形成する工程を備えていない。
　また、かかる点は、異議申立人吉成迪夫が提出した甲第１号証及び甲第２号証、並びに異議申立人大沢敏昭が提出した参考資料１〜５のいずれにも記載されていない。
　そして、本件発明２は、上記の点を備えることにより、以下の明細書記載の顕著な作用効果を奏するものである。
「請求項２に記載の発明によれば、非晶質シリコン膜の加熱溶融を効率的に行うことができる上に、加熱溶融された非晶質シリコン膜中の潜熱が流出し難くなり、凝固速度が遅くなるため、結晶粒径が大きな多結晶シリコン膜を形成することができる。」（明細書段落【００２１】）
　したがって、本件発明２は、刊行物１に記載された発明ではなく、また、刊行物１、異議申立人吉成迪夫が提出した甲第１号証、甲第２号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものでもない。
　
４．むすび
　以上のとおりであるから、異議申立人吉成迪夫、大沢敏昭による特許異議申立の理由及び証拠によっては、請求項１及び２に係る発明についての特許を取り消すことはできない。
　また、他に請求項１及び２に係る発明についての特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の一部の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第２項の規定により、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１６年６月２１日（２００４．６．２１）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
半導体装置の製造方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　ＲＴＡ法によって非晶質シリコン膜にランプ光を複数回照射させることで
、１回照射することに比べて非晶質シリコン膜の凝固速度を遅くしつつ
　【請求項２】　基板上に、光を反射する膜、基板よりも熱伝導率の低い材料による膜、光を吸収する材料による膜のうち少なくともいずれか一つの膜を形成する工程と、
　その膜の上に非晶質シリコン膜を形成する工程と、
　ＲＴＡ法によって非晶質シリコン膜にランプ光を複数回照射させることで
、１回照射することに比べて非晶質シリコン膜の凝固速度を遅くしつつ
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】
　本発明は、半導体装置の製造方法に関するものである。
　【０００２】
　【従来の技術】
　近年、アクティブマトリクス方式の液晶ディスプレイ（ＬＣＤ；Ｌｉｑｕｉｄ　Ｃｒｙｓｔａｌ　Ｄｉｓｐｌａｙ）が高画質な表示装置として注目されている。そのアクティブマトリクス方式ＬＣＤの画素駆動素子（画素駆動用トランジスタ）として、透明絶縁基板上に形成された多結晶シリコン膜を能動層に用いた薄膜トランジスタ（以下、多結晶シリコンＴＦＴ（Ｔｈｉｎ　Ｆｉｌｍ　Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）という）の開発が進められている。
　【０００３】
　多結晶シリコンＴＦＴは、非晶質シリコン膜を能動層に用いた薄膜トランジスタ（以下、非晶質シリコンＴＦＴという）に比べ、移動度が大きく駆動能力が高いという利点がある。そのため、多結晶シリコンＴＦＴを用いれば、高性能なＬＣＤを実現できる上に、画素部（表示部）だけでなく周辺駆動回路（ドライバ）までも同一基板上に一体にして形成することができる（ドライバ一体型ＬＣＤと呼ばれる）。
　【０００４】
　従来の多結晶シリコンＴＦＴは、１０００℃程度の高温の工程（高温プロセスと呼ばれる）を使って形成されていた。高温プロセスは長年に渡る十分な技術的蓄積のあるＬＳＩ技術を踏襲したものである。そのため、高温プロセスで形成された多結晶シリコンＴＦＴ（高温多結晶シリコンＴＦＴと呼ばれる）は、素子特性，信頼性，再現性に優れている。しかし、高温プロセスはプロセス温度が高いため、基板には石英ガラスを使わざるを得ない。石英ガラスは大型化に伴って著しく高価になる上に現在のところ大型化には限りがあるため、基板の寸法が制限を受ける。そのため、コスト的に見合うＬＣＤのパネルサイズは２型以下となり、ビデオカメラのビューファインダ用や液晶プロジェクタ用としては十分に使用できるものの、直視用としてはパネルサイズが小さすぎて使用できない。
　【０００５】
　一方、非晶質シリコンＴＦＴは、４００℃以下の低温の工程を使って形成可能なため、基板に通常のガラスを使うことができる。通常のガラスは石英ガラスの約１／１０の価格で寸法にも制限がないが、ＬＣＤ用に市販されている高耐熱ガラス（例えば、米国Ｃｏｒｎｉｎｇ　Ｉｎｃ．製の「７０５９」）でも６００℃程度の耐熱温度しかない。
　【０００６】
　そこで、基板に通常のガラス（高耐熱ガラス）を使用できるように、多結晶シリコンＴＦＴを６００℃程度以下の低温の工程（低温プロセスと呼ばれる）を使って形成することが求められている。低温プロセスで形成された多結晶シリコンＴＦＴは低温多結晶シリコンＴＦＴと呼ばれる。低温多結晶シリコンＴＦＴで問題となるのは、能動層となる多結晶シリコン膜の形成方法、ゲート絶縁膜の形成方法、ソース・ドレイン領域の形成方法などである。
　【０００７】
　シリコン薄膜の形成方法には種々の方法（ＣＶＤ法，蒸着法，スパッタ法など）があるが、いずれの方法でもシリコン薄膜を低温でガラス基板上に形成すると、膜は非晶質になる。その非晶質シリコン膜を多結晶化する方法としては、固相成長法や溶融再結晶化法がある。
　【０００８】
　固相成長法は、非晶質シリコン膜に６００℃前後で長時間の熱処理を行うことにより、固体のままで多結晶化させて多結晶シリコン膜を得る方法である。溶融再結晶化法は、非晶質シリコン膜の表面だけを溶融させて再結晶化を図りながら基板温度を６００℃以下に保つ方法であり、レーザアニール法やＲＴＡ（Ｒａｐｉｄ　Ｔｈｅｒｍａｌ　Ａｎｎｅａｌｉｎｇ）法がある。レーザアニール法は、非晶質シリコン膜の表面にレーザを照射して加熱溶融させる方法である。ＲＴＡ法は、非晶質シリコン膜の表面にタングステンランプやキセノンランプなどのランプ光を照射して加熱溶融させる方法である。
　【０００９】
　【発明が解決しようとする課題】
　固相成長法には以下の問題がある。
　１）多結晶シリコンの結晶粒径に対する制御方法がないため、基板全体にわたって均一な結晶粒径の多結晶シリコン膜を形成することが難しい。
　【００１０】
　非晶質シリコン膜における結晶成長は、主に非晶質シリコン膜と基板との界面から起こるが、非晶質シリコン膜中で起こることも多い。つまり、非晶質シリコン膜中のどの場所から結晶成長が起こるかは不確定である。従って、結晶成長が密に起こった場所では結晶粒径が小さくなり、結晶成長が疎らに起こった場所では結晶粒径が大きくなるため、結晶粒径の均一性が低下する。
　【００１１】
　多結晶シリコン膜は結晶粒径が大きいほど電界効果移動度が高くなり、電界効果移動度の高い多結晶シリコン膜を能動層として用いれば多結晶シリコンＴＦＴの素子特性は向上する。そのため、多結晶シリコン膜中で結晶粒径が大きい場所に形成された多結晶シリコンＴＦＴの素子特性は優れたものになる一方、結晶粒径が小さい場所に形成された多結晶シリコンＴＦＴの素子特性は劣ったものになる。つまり、多結晶シリコン膜における結晶粒径の均一性が低下すると、多結晶シリコンＴＦＴの素子特性にバラツキが生じる。その結果、ＬＣＤのパネル全面にわたって均質な画像を表示できなくなる。
　【００１２】
　低温プロセスを採用する目的は、通常のガラス基板を用いてパネルサイズの大きなＬＣＤを安価に提供することにある。多結晶シリコン膜における結晶粒径の均一性の低下は基板の大型化に伴って顕著になるため、パネルサイズの大きなＬＣＤでは特に問題となる。
　【００１３】
　２）非晶質シリコン膜が完全に多結晶化するには（すなわち、１００％の結晶化率を得るには）、２０時間といった長時間の熱処理が必要となる。従って、スループットが低下してしまう。また、ＬＣＤ用の高耐熱ガラスを用いた場合でも、その耐熱温度限界近くで長時間の熱処理を行うことになるため、基板に歪みなどのダメージが生じやすくなる。熱処理時間を短くするには、基板の耐熱温度の範囲内においてできるだけ高温で熱処理を行えばよい。
　しかし、処理温度を高くすると結晶化速度を速くできる反面、結晶粒径が小さくなってしまう。その結果、ＬＣＤのパネル全面にわたって多結晶シリコンＴＦＴの素子特性が悪化し、画質が低下してしまう。特に、ドライバ一体型ＬＣＤでは、周辺駆動回路に用いられる多結晶シリコンＴＦＴに対して、画素部に用いられる多結晶シリコンＴＦＴよりも優れた素子特性が要求される。従って、多結晶シリコン膜の結晶粒径が小さくなると、ドライバ一体型ＬＣＤを具体化することができなくなる。
　【００１４】
　レーザアニール法では、固相成長法に比べて熱処理時間が短いため、基板にダメージが生じることはなく、スループットが低下することもない。しかし、現在のところ大型の基板を一括して処理できるような大口径のレーザ装置がないため、レーザスポットを基板全面に走査させる必要がある。そのため、レーザスポットが照射される部分に重なりができ、非晶質シリコン膜には、レーザスポットが２回照射されて２回加熱溶融される場所と、レーザスポットが１回しか照射されず１回しか加熱溶融されない場所とが生じる。
　すると、２回加熱溶融された場所では結晶粒径が小さくなり、１回しか加熱溶融されない場所では結晶粒径が大きくなるため、結晶粒径の均一性が低下する。従って、レーザアニール法においても固相成長法と同様に、基板全体にわたって均一な結晶粒径の多結晶シリコン膜を形成することが難しいという問題がある。
　そこで、レーザアニール法では、レーザスポットの走査速度を落として重なり部分を極力小さくさせたり、レーザスポットを複数回照射してレーザスポットの重なり部分を平均化させることで、結晶粒径の均一性を向上させる方法がとられている。しかし、それでもなお十分な均一性を得ることは難しい。
　【００１５】
　ＲＴＡ法においても、固相成長法に比べて熱処理時間が短いため、基板にダメージが生じることはなく、スループットが低下することもない。加えて、ＲＴＡ法では、基板全面に一括してランプ光を照射することができるため、非晶質シリコン膜全体を均一に加熱溶融することができる。そのため、基板全体にわたって均一な結晶粒径の多結晶シリコン膜を形成することができる。しかし、あまり長時間にわたってランプ光を照射し続けると、基板全体が加熱され過ぎて基板にダメージが生じるため、ランプ光の照射時間はできるだけ短くする必要がある。
　ところが、ランプ光の照射時間を短くすると非晶質シリコン膜の熱処理時間も短くなり、多結晶シリコン膜の結晶粒径を大きくすることができなくなる。つまり、ＲＴＡ法では、基板全体にわたって均一な結晶粒径の多結晶シリコン膜を形成することはできるものの、その結晶粒径を大きくすることはできないという問題がある。
　【００１６】
　本発明は上記問題点を解決するためになされたものであって、結晶粒径が大きな多結晶シリコン膜を備えた半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
　【００１７】
　【課題を解決するための手段】
　【００１８】
　請求項１に記載の発明は、ＲＴＡ法によって非晶質シリコン膜にランプ光を複数回照射させることで非晶質シリコン膜を溶融再結晶化させて多結晶シリコン膜を形成する工程を備えたことをその要旨とする。
　【００１９】
　請求項２に記載の発明は、基板上に、光を反射する膜、基板よりも熱伝導率の低い材料による膜、光を吸収する材料による膜のうち少なくともいずれか一つの膜を形成する工程と、その膜の上に非晶質シリコン膜を形成する工程と、ＲＴＡ法によって非晶質シリコン膜にランプ光を複数回照射させることで非晶質シリコン膜を溶融再結晶化させて多結晶シリコン膜を形成する工程とを備えたことをその要旨とする。
　【００２０】
　【作用】
　請求項１に記載の発明によれば、加熱溶融された非晶質シリコン膜中の潜熱が流出し難くなり、凝固速度が遅くなるため、結晶粒径が大きな多結晶シリコン膜を形成することができる。
　【００２１】
　請求項２に記載の発明によれば、非晶質シリコン膜の加熱溶融を効率的に行うことができる上に、加熱溶融された非晶質シリコン膜中の潜熱が流出し難くなり、凝固速度が遅くなるため、結晶粒径が大きな多結晶シリコン膜を形成することができる。
　【００２２】
　【実施例】
　以下、本発明を具体化した一実施例の製造方法を図１〜図３に従って説明する。
　【００２３】
　工程１（図１（ａ）参照）；透明絶縁基板１（石英ガラス，高耐熱ガラス）上に、後記するＲＴＡ装置のランプ光を反射する膜（以下、反射膜という）２を形成する。反射膜２はランプ光を反射する性質があればどのような材質でもよいが、例えば、金属（アルミ，銅，金，銀，プラチナなど），高融点金属（チタン，タンタル，モリブデン，タングステンなど），金属シリサイドなどが用いられ、その形成にはＣＶＤ法またはＰＶＤ法が用いられる。ＣＶＤ法には常圧ＣＶＤ法，減圧ＣＶＤ法，プラズマＣＶＤ法，光励起ＣＶＤ法などがある。また、ＰＶＤ法には蒸着法，ＥＢ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｂｅａｍ）蒸着法，ＭＢＥ（Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ　Ｂｅａｍ　Ｅｐｉｔａｘｙ）法，スパッタ法などがある。そして、反射膜２の膜厚は、反射膜２の材質およびランプ光の波長に合わせて、ランプ光を十分に反射するために必要十分な膜厚に設定されている。
　【００２４】
　工程２（図１（ｂ）参照）；反射膜２上にバッファ膜３を形成する。バッファ膜３は、後記するＲＴＡ処理において、反射膜２と多結晶シリコン膜とが反応するのを防ぐために設けられている。従って、ＲＴＡ処理において多結晶シリコン膜と反応しないような材質で反射膜２を形成した場合には、バッファ膜３を省いてもよい。バッファ膜３の材質としては、シリコン酸化膜，シリコン窒化膜，シリコン窒酸化膜（ＳｉＯｘＮｙ）などが用いられ、その形成にはＣＶＤ法またはＰＶＤ法が用いられる。
　【００２５】
　工程３（図１（ｃ）参照）；バッファ膜３上に非晶質シリコン膜４（膜厚；５００Å）を形成する。非晶質シリコン膜４の形成にはＣＶＤ法またはＰＶＤ法が用いられるが、以下の方法が一般的である。
　【００２６】
　▲１▼減圧ＣＶＤ法を用いる方法；減圧ＣＶＤ法でシリコン膜を形成するには、モノシラン（ＳｉＨ４）またはジシラン（Ｓｉ２Ｈ６）の熱分解を用いる。この場合、処理温度が５５０℃以下では非晶質、６２０℃以上では多結晶となる。
　【００２７】
　▲２▼プラズマＣＶＤ法を用いる方法；プラズマＣＶＤ法で非晶質シリコン膜を形成するには、プラズマ中でのモノシランまたはジシランの熱分解を用いる。この場合、処理温度は３００℃程度で水素を添加すると反応が促進される。
　【００２８】
　工程４（図１（ｄ）参照）；ＲＴＡ処理を行うことにより、非晶質シリコン膜４を多結晶化させて多結晶シリコン膜５を形成する。図３に、ＲＴＡ処理を行うためのＲＴＡ装置の概略構成を示す。ＲＴＡ装置１１は、予備加熱室Ａ，処理室Ｂ，冷却室Ｃを備えている。各室Ａ〜Ｃにまたがってステージ１２が設けられ、そのステージ１２上をＲＴＡ処理されるサンプル（基板１）が一定速度で移動する。予備加熱室Ａ内では基板１が予備加熱される。処理室Ｂ内には、円柱状のランプ本体（タングステンランプまたはキセノンランプ）１３と反射板１４（集光光学系）とからなるランプ装置１５が、基板１の移動方向に沿って均等な間隔で複数個配置されている。ランプ本体１３から照射されたランプ光は反射板１４によって反射され、基板１の表面（非晶質シリコン膜４の表面）に照射される。冷却室Ｃ内では基板１が冷却される。
　【００２９】
　ランプ光が照射されると非晶質シリコン膜４の表面は加熱されて溶融し、続いて、冷やされると凝固して結晶化することで多結晶シリコン膜５が形成される。ここで、ランプ光は非晶質シリコン膜４の全面に一括して照射されるため、非晶質シリコン膜４全体を均一に加熱溶融することができる。そのため、基板１全体にわたって均一な結晶粒径の多結晶シリコン膜５を形成することができる。
　【００３０】
　このとき、非晶質シリコン膜４はランプ光のごく一部しか吸収せず、ランプ光の大部分は非晶質シリコン膜４を透過する。非晶質シリコン膜４を透過したランプ光は反射膜２によって反射され、再び非晶質シリコン膜４中へ戻される。そのため、反射膜２を設けない場合に比べてランプ光の利用効率が高まり、非晶質シリコン膜４の加熱溶融を効率的に行うことができる。例えば、蒸着法で形成された銀からなる反射膜２を用い、ランプ本体１３にはキセノンランプを用いた場合、反射膜２はキセノンアークスペクトル全波長の９８％以上を反射することができる。また、ランプ光が反射膜２によって反射されるため、非晶質シリコン膜４を透過したランプ光によって基板１が加熱されるのを防止することができる。
　【００３１】
　そして、基板１の移動速度に対応して各ランプ装置１５を順次発光させると、非晶質シリコン膜４へのランプ光の照射は複数回行われる。ここで、基板１の移動速度と各ランプ装置１５の発光のタイミングとを調整すれば、非晶質シリコン膜４へのランプ光の照射を極短時間で複数回行うことができる。その結果、加熱溶融された非晶質シリコン膜４中の潜熱が基板１に流出し難くなり、凝固速度が早くなるのが防止される。
　【００３２】
　このように、反射膜２を設けることでランプ光の利用効率を高めて非晶質シリコン膜４の溶融を効率的に行うと共に、ランプ光の照射を極短時間で複数回行うことにより、非晶質シリコン膜４の凝固速度を遅くすることができる。その結果、多結晶シリコン膜５の結晶粒径を大きくすることができる。また、ランプ光の照射を極短時間で複数回行うことで、基板１全体が加熱され過ぎることはなくなり、基板１に歪みなどのダメージが生じるのを防ぐことができる。さらに、ＲＴＡ処理に要する時間は固相成長法における熱処理時間に比べればはるかに短いため、スループットが低下することもない。
　【００３３】
　但し、非晶質シリコン膜４へのランプ光の照射回数および１回当たりの照射時間については、ランプ光（ランプ装置１５の投射光）の性質（波長や光の強度など）および非晶質シリコン膜４の性質（光の吸収係数）を勘案して最適化する必要がある。
　【００３４】
　このように、本実施例によれば、結晶粒径が均一で且つ大きな多結晶シリコン膜５を低温プロセスによって短時間に得ることができる。従って、基板１に高耐熱ガラスを用いることが可能になるだけでなく、その耐熱温度を下げることもできる。
　【００３５】
　尚、非晶質シリコン膜４の形成に減圧ＣＶＤ法を用いた場合、多結晶シリコン膜５の膜質が良好になる反面、処理温度が高くなるため基板１に石英ガラスを用いなければならない。一方、プラズマＣＶＤ法を用いた場合、多結晶シリコン膜５の膜質は減圧ＣＶＤ法に比べれば劣るものの、処理温度が低くなるため基板１に高耐熱ガラスを用いることができる。従って、目的に合わせていずれかの方法を選択すればよい。
　【００３６】
　工程５（図２参照）；多結晶シリコン膜５を能動層として用いるプレーナ型の多結晶シリコンＴＦＴを形成する。まず、多結晶シリコン膜５上にゲート絶縁膜６（膜厚；１０００Å）を形成する。ゲート絶縁膜６の形成方法には以下のものがある。
　【００３７】
　［１］酸化法を用いてシリコン酸化膜を形成する方法；高温酸化法（乾燥酸素を用いるドライ酸化法，湿った酸素を用いるウェット酸化法，水蒸気雰囲気中での酸化法），低温酸化法（高圧水蒸気雰囲気中での酸化法，酸素プラズマ中での酸化法），陽極酸化法などを用いる。
　【００３８】
　この中では、９００〜１２００℃程度の高温酸化法が一般的である。
　［２］被着法を用いてシリコン酸化膜，シリコン窒化膜，シリコン窒酸化膜を形成する方法；ＣＶＤ法やＰＶＤ法を用いる。また、各膜を組み合わせて多層構造にする方法もある。
　【００３９】
　ＣＶＤ法によるシリコン酸化膜の形成には、モノシランまたはジシランの熱分解，有機オキシシラン（ＴＥＯＳなど）の熱分解，ハロゲン化珪素の加水分解などを用いる。ＣＶＤ法によるシリコン窒化膜の形成には、アンモニアおよびジクロルシラン（ＳｉＨ２Ｃｌ２），アンモニアおよびモノシラン，窒素およびモノシランなどの熱分解などを用いる。シリコン窒酸化膜は酸化膜と窒化膜の両膜の特性をもつもので、ＣＶＤ法によるシリコン窒化膜の形成の系に酸化窒素（Ｎ２Ｏ）を少量導入することで形成することができる。
　【００４０】
　尚、ゲート絶縁膜６の形成方法にも高温プロセスおよび低温プロセスがある。高温プロセスでは、一般に前記した高温酸化法が用いられる。一方、低温プロセスでは、一般に前記した酸素プラズマ中での酸化法や被着法などが用いられ、処理温度が６００℃程度以下に抑えられる。
　【００４１】
　次に、ゲート絶縁膜６上にゲート電極７を形成して所望の形状にパターニングする。ゲート電極７の材質としては、不純物がドープされた多結晶シリコン（ドープドポリシリコン），金属シリサイド，ポリサイド，高融点金属単体，その他の金属などが用いられ、その形成にはＣＶＤ法またはＰＶＤ法が用いられる。
　【００４２】
　続いて、自己整合技術により、ゲート電極７をマスクとして多結晶シリコン膜５にソース・ドレイン領域８を形成する。ソース・ドレイン領域８の形成方法にも高温プロセスおよび低温プロセスがある。高温プロセスでは、不純物をイオン注入後に高温の熱処理を行って不純物を活性化させる。低温プロセスでは、ホスフィンガス（ＰＨ３）またはジボランガス（Ｂ２Ｈ６）と水素ガスとの混合ガスによるイオンシャワーを照射することで、特別な熱処理工程を設けることなく不純物の注入と活性化を同時に行う。尚、低温プロセスでは、不純物をイオン注入後に６００℃程度以下の低温で数時間〜数十時間の熱処理を行うことで不純物を活性化させる方法もある。基板１に高耐熱ガラスを用いた場合には、多結晶シリコン膜５の形成時だけでなく、ゲート絶縁膜６の形成時およびソース・ドレイン領域８の形成時にも低温プロセスを用いなければならない。
　【００４３】
　そして、デバイスの全面に層間絶縁膜９を形成する。層間絶縁膜９の材質としては、シリコン酸化膜，シリケートガラス，シリコン窒化膜などが用いられ、その形成にはＣＶＤ法またはＰＶＤ法が用いられる。
　【００４４】
　その後、ソース・ドレイン領域８とコンタクトするコンタクトホール１０が層間絶縁膜９に形成され、ソース・ドレイン電極１１が形成されて多結晶シリコンＴＦＴが完成する。
　【００４５】
　このように、本実施例によれば、多結晶シリコン膜５の結晶粒径が均一で且つ大きいため、基板１の全体にわたって素子特性にバラツキがない上に、優れた素子特性の多結晶シリコンＴＦＴを形成することができる。そのような多結晶シリコンＴＦＴをアクティブマトリクス方式ＬＣＤの画素駆動素子として用いれば、ＬＣＤのパネル全面にわたって均質で高品位な画像を表示することができる。また、素子特性の優れた多結晶シリコンＴＦＴは、画素駆動素子としてだけでなく、周辺駆動回路にも使用することができるため、ドライバ一体型ＬＣＤを具体化することができる。さらに、多結晶シリコン膜５が短時間で形成されることから、多結晶シリコンＴＦＴおよびＬＣＤのスループットを向上させることができる。
　【００４６】
　また、本実施例において、ゲート絶縁膜６およびソース・ドレイン領域８の形成に低温プロセスを採用すれば、基板１に高耐熱ガラスを用いてパネルサイズの大きなＬＣＤを安価に提供することができる。
　【００４７】
　ところで、ＬＣＤでは、画素駆動素子としての多結晶シリコンＴＦＴに光が当たると、多結晶シリコンＴＦＴの素子特性が変化して、性能劣化や誤動作を引き起こすことがある。本実施例においては、反射膜２が設けられているために、基板１側から多結晶シリコンＴＦＴに光が当たることがなくなり、ＬＣＤの性能劣化や誤動作を防止することができる。
　【００４８】
　尚、上記実施例は以下のように変更してもよく、その場合でも同様の作用および効果を得ることができる。
　（１）反射膜２の成膜後にフォトリソ工程によって反射膜２の不要な部分をエッチング除去し、反射膜２を必要とする部分にだけアイランド形成する。
　【００４９】
　（２）反射膜２を、光を吸収する膜（非晶質シリコン膜４が吸収しない波長の光を吸収する膜、または非晶質シリコン膜４に吸収されずに透過した光を吸収する材料による膜。以下、光吸収膜という）に置き代える。この場合には、非晶質シリコン膜４を透過したランプ光が光吸収膜によって吸収され、光吸収膜が加熱されることで光吸収膜および非晶質シリコン膜４に熱が蓄えられる。その結果、非晶質シリコン膜４からの潜熱の流出が少なくなり、非晶質シリコン膜４の加熱溶融を効率的に行うことができる。光吸収膜の材質としては、酸化チタン，酸化タンタル，窒化チタン，酸化アルミなどが用いられ、その形成にはＣＶＤ法またはＰＶＤ法が用いられる。
　【００５０】
　また、可視光領域やその近傍の光はシリコンを含む多くの物質に吸収されるが、透明絶縁基板上に形成された非晶質シリコン薄膜は輻射のごく一部しか吸収しないため、大部分の光は透過する。そこで、光吸収膜の材質としては、シリコン系の化合物（非晶質シリコン，微結晶を含む非晶質シリコン，多結晶シリコン，酸化シリコン，窒化シリコン，窒酸化シリコン，炭化シリコンなど）を用いてもよく、その形成にはＣＶＤ法またはＰＶＤ法が用いられる。
　【００５１】
　（３）反射膜２を、基板１よりも熱伝導率の低い材料による膜（以下、低熱伝導膜という）に置き代える。この場合には、非晶質シリコン膜４から基板１への潜熱の流出が少なくなり、非晶質シリコン膜４の加熱溶融を効率的に行うことができる。低熱伝導膜の材質としては酸化シリコンが用いられ、その形成にはＣＶＤ法，ＰＶＤ法，ＬＰＤ（液相成長）法，塗布法などが用いられる。
　【００５２】
　（４）反射膜２と光吸収膜と低熱伝導率膜とをそれぞれ組み合わせる。例えば、反射膜２の上層に低熱伝導膜を形成する。また、反射膜２の上層に光吸収膜を形成する。また、反射膜２の上層に光吸収膜を形成し、その上層に低熱伝導膜とを形成する。これらの場合には、各膜の相乗作用により、本発明の効果をさらに高めることができる。
　【００５３】
　（５）ＲＴＡ法ではなくレーザアニール法に適用する。この場合には、非晶質シリコン膜４表面へのレーザスポット（レーザ光）の照射を複数回行うことで、加熱溶融された非晶質シリコン膜４中の潜熱が基板１に流出し難くなり、凝固速度が早くなるのが防止される。
　【００５４】
　（６）多結晶シリコンＴＦＴの製造工程において、多結晶シリコン膜５の形成後に、水素化処理を行うことで多結晶シリコンＴＦＴの素子特性を向上させる。水素化処理とは、多結晶シリコンの結晶欠陥部分に水素原子を結合させることにより、欠陥を減らして結晶構造を安定化させ、電界効果移動度を高める方法である。
　【００５５】
　（７）多結晶シリコン膜５のチャネル領域に相当する部分に不純物をドーピングして多結晶シリコンＴＦＴの閾値電圧（Ｖｔｈ）を制御する。溶融再結晶化法で形成された多結晶シリコンＴＦＴにおいては、ｎチャネルトランジスタではディプレッション方向に閾値電圧がシフトし、ｐチャネルトランジスタではエンハンスメント方向に閾値電圧がシフトする傾向にある。特に、水素化処理を行った場合には、その傾向がより顕著となる。この閾値電圧のシフトを抑えるには、チャネル領域に不純物をドーピングすればよい。
　【００５６】
　（８）プレーナ型だけでなく、逆プレーナ型，スタガ型，逆スタガ型などあらゆる構造の多結晶シリコンＴＦＴに適用する。
　（９）多結晶シリコンＴＦＴだけでなく、絶縁ゲート型半導体素子全般に適用する。また、太陽電池や光センサなどの光電変換素子，バイポーラトランジスタ，静電誘導型トランジスタ（ＳＩＴ；Ｓｔａｔｉｃ　Ｉｎｄｕｃｔｉｏｎ　Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）などの多結晶シリコン膜を用いるあらゆる半導体装置に適用する。
　【００５７】
　（１０）絶縁基板１をセラミックス基板やシリコン酸化膜などの絶縁層に置き代え、ＬＣＤではなく密着型イメージセンサや三次元ＩＣなどに適用する。
　（１１）多結晶シリコンＴＦＴを、ＬＣＤではなくダイナミックＲＡＭ（ＤＲＡＭ）のメモリセル内の電荷転送素子やスタティックＲＡＭ（ＳＲＡＭ）のメモリセル内の負荷素子などに用いる。
　【００５８】
　以上、各実施例について説明したが、各実施例から把握できる請求項以外の技術的思想について、以下にそれらの効果と共に記載する。
　【００５９】
　（イ）請求項１に記載の半導体装置の製造方法によって形成された多結晶シリコン膜を基板上に形成する工程と、多結晶シリコン膜下にゲート絶縁膜を形成する工程と、ゲート絶縁膜下にゲート電極を形成する工程とを備えた薄膜トランジスタの製造方法。
　【００６０】
　このようにすれば、逆スタガ型または逆プレーナ型の多結晶シリコンＴＦＴを得ることができる。
　【００６１】
　（ロ）請求項２に記載の半導体装置の製造方法において、基板上に、光を反射する膜、基板よりも熱伝導率の低い材料による膜、シリコンが吸収しない波長の光を吸収する材料による膜のうち少なくともいずれか一つの膜を形成する工程と、その膜の上に非晶質シリコン膜を形成する工程との間に、バッファ膜を形成する工程を加えた半導体装置の製造方法。
　【００６２】
　このようにすれば、非晶質シリコン膜を溶融再結晶化させて多結晶シリコン膜を形成する際に、前記膜と多結晶シリコン膜とが反応するのを防ぐことができる。
　【００６３】
　ところで、本明細書において、発明の構成に係る部材は以下のように定義されるものとする。
　（ａ）基板としては、石英ガラス，高耐熱ガラス，高耐熱樹脂，セラミックスなどのあらゆる絶縁材料による基板を含むだけでなく、表面にシリコン酸化膜などの絶縁層を設けた金属などの導電性基板をも含むものとする。
　【００６４】
　（ｂ）薄膜トランジスタとしては、プレーナ型だけでなく、逆プレーナ型，スタガ型，逆スタガ型などをも含むものとする。
　（ｃ）ゲート絶縁膜としては、高温の熱酸化法などの高温プロセスで形成されたシリコン酸化膜だけでなく、プラズマ酸化法，常圧ＣＶＤ法，減圧ＣＶＤ法，プラズマＣＶＤ法，ＥＣＲプラズマＣＶＤ法，光励起ＣＶＤ法，蒸着法，スパッタ法などの低温プロセスで形成されたシリコン酸化膜，シリコン窒化膜，シリコン窒酸化膜などをも含むものとする。
　【００６５】
　【発明の効果】
　本発明によれば、結晶粒径が大きな多結晶シリコン膜を備えた半導体装置の製造方法を提供することができる。
　【００６６】
【図面の簡単な説明】
　【図１】一実施例の製造方法を説明するための概略断面図。
　【図２】一実施例の製造方法を説明するための概略断面図。
　【図３】ＲＴＡ装置の概略構成図。
　【符号の説明】
　１　絶縁基板
　３　反射膜
　４　非晶質シリコン膜
　５　多結晶シリコン膜
　６　ゲート絶縁膜
　７　ゲート電極
　８　ソース領域またはドレイン領域（ソース・ドレイン領域）
　９　層間絶縁膜
　１０　コンタクトホール
　１１　ソース電極またはドレイン電極（ソース・ドレイン電極）