【事件の表示】
　特許第３３２４９０２号「加熱処理装置及び加熱処理方法」の請求項１ないし３に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３３２４９０２号の請求項１、２に係る特許を取り消す。
【理　由】
１．手続きの経緯
　本件特許第３３２４９０２号の請求項１ないし３に係る発明についての出願は、平成７年３月２９日に特許出願され、平成１４年７月５日にその特許の設定登録がなされ、その後、異議申立人安井哲也から特許異議の申立てがなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１５年７月１８日に訂正請求がなされたものである。
２．訂正の適否についての判断
（１）訂正の内容
訂正事項ａ
　特許明細書の請求項２を削除し、特許明細書の請求項３を請求項２に繰り上げる。
訂正事項ｂ
　特許明細書の【００２１】及び【００２２】段落を削除し、以降の段落番号を繰り上げる。
訂正事項ｃ１
　特許明細書の【０００２】〜【０００４】、【００１１】、【００２０】段落及び【図面の簡単な説明】の「図４」を「図２」に訂正する。
訂正事項ｃ２
　特許明細書の【０００９】段落の「また別の態様としては、装置本体内のホットプレート上方に、加熱ガス噴出手段を兼ねる熱反射板を設け、この熱反射板を中空状とするとともに下面にホットプレートによる加熱温度と略等しい温度のガスを噴出する穴を形成する構成が考えられる。更にまた」を削除する。
訂正事項ｃ３
　図２を削除し、図３を図２に繰り上げる。
訂正事項ｃ４
　繰り上げた【００２３】段落の内容を「特に加熱ガス噴出手段としての多孔体をホットプレート上方に配置することにより、雰囲気を乱すことなく掃気を行える。」と訂正する。
（２）訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　訂正事項ａについて
　上記訂正事項ａは、特許明細書の請求項２を削除するものであるから、特許請求の範囲の減縮に相当し、実質上特許請求の範囲を拡張または変更するものではない。
　訂正事項ｂ〜ｃ４について
　訂正事項ｂ〜ｃ４は、特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明の記載との整合を図ったものであり、明りようでない記載の釈明に相当するものである。また、これらの訂正事項ｂ〜ｃ４は、特許明細書又は図面に記載された事項の範囲内の訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張または変更するものではない。
（３）むすび
　以上のとおりであるから、上記訂正は特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号。以下「平成６年改正法」という。）附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、平成１１年改正前の特許法第１２０条の４第３項において準用する平成６年改正法による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書、第２項及び第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
３．特許異議の申立てについて
（１）本件発明
　上記２．で示したように上記訂正が認められるから、本件の請求項１に係る発明（以下、「本件第１発明」という。）及び本件の請求項２に係る発明（以下、「本件第２発明」という。）は、上記訂正に係る訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１及び２に記載された事項により特定されるとおりのものである。（上記２．（１）訂正事項ａ参照）
（２）引用刊行物に記載された発明
　当審が平成１５年５月１２日に通知した取消しの理由において引用した刊行物１〜４にはそれぞれ次のとおりの発明が記載されている。
　刊行物１（甲第１号証）：特開平６−２６７８４０号公報
　記載１
　【０００２】段落には、「【０００２】
【従来の技術】例えば、液晶基板製造におけるフォトリソグラフィー工程においては、基板をホットプレートなどの発熱体上に載置して加熱し、高温で熱処理する工程が含まれる。」と記載されている。
　記載１の２
　【０００４】段落には、「【０００４】…基板表面に塗布されたレジストから」と記載されている。
　記載２
　【００１７】〜【００１８】段落には、「【００１７】内側カバー６は二重構造となって内部に中空部が形成され、上面部６１のほぼ中央にガス導入口６１ａが形成されるとともに、下面部６２には複数のガス噴出孔６２ａが形成される。複数のガス噴出孔６２ａは、その内径が同一で下面部６２に均等な間隔をおいて穿設されるが、場合によっては、基板Ｗ表面での熱分布がより一層均一になるようにガス噴出孔６２ａの内径の大きさを中央部と周辺部で変化させたり、または、ガス噴出孔６２ａの配置を変化させるようにしてもよい。
【００１８】ガス導入口６１ａは、流量制御弁６３を介してガスボンベ６４に接続されており、流量制御弁６３を調整することにより微少量ずつガス導入口６１ａに窒素ガスなどの不活性ガスＧが供給され、下面部６２のガス噴出孔６２ａから下方に向けて層流状態で吹き出される。」と記載されている。
　記載３
　【００１９】段落には、「【００１９】一方、排気管５の上面にはスリット状の排気穴５ａが形成されるとともに、排気管５の排気口５ｂは、排気ポンプ５１を介してガス処理装置５２に接続される。これにより、熱処理空間７内の気体は排気ポンプ５１によって吸引され、ガス処理装置５２において人体に有害な成分を除去された後、大気中に放出される。」と記載されている。
　記載４
　【００２５】段落には、「【００２５】…また、不活性ガスＧは輻射壁６６のガス噴出孔６６ａを通過して暖められた状態で熱処理空間７内に噴出されるので、不活性ガスＧの温度が基板の温度分布に及ぼす影響を低減させることができる。」と記載されている。
　刊行物２（甲第２号証）：特開平４−１５８５１２号公報
　第２頁右上欄第１３行〜第１９行には、ウェハ１はヒータ３と温度度センサ４の組み込まれているホットプレート２上に設置され、ホットプレート２は温度制御回路５の動作により、プロセス上設定された温度に保つ様に温度制御され、これによりホットプレート２上に設定されたウェハ１に対しべ一ク処理を行う旨記載されている。
　第２頁右上欄第２０行〜左下欄第１２行には、べ一ク処理カバー１１内にパージガスノズル６が備えられており、外部より導入されたパージガスはヒータ８の組み込まれたパージガス加熱ユニット７を通過する際に、加熱されてパージガスノズル６から吹き出すことになり、この時の温度はパージガス加熱ユニット７の出口部に取り付けられた温度センサ９により、温度制御回路１０がホットプレート表面温度と同一になる様に制御を行い、これにより実施例のべ一ク処理装置では、流入時のパージガスの温度変化、流量変化に関係なく常に安定したウェハのべ一ク処理を行うことができるという効果がある旨記載されている。
　刊行物３（甲第３号証）：特開平４−９９３１０号公報
　第２頁左下欄第７行〜第９行には、漏戸板３と接続される配管５ｂとヒータ８で加熱されるＮ２ガスを供給する配管５ａとを接続する旨記載されている。
　刊行物４（甲第４号証）：実願昭６２−８５２９８号（実開昭６３−１９３８３号）のマイクロフィルム
　第２頁第１３行〜第１５行には、スペーサとしては、放熱板の上面に棒状体を立設したもの、網を設けた物、あるいは基板支持爪を設けたものである旨記載されている。
　第７頁第８行〜９行には、基板１をスペーサ６へ移載するように構成されている旨記載されている。
（３）対比・判断
（３）．１　本件第１発明と刊行物１〜３に記載された発明の対比・判断
　刊行物１の記載１を参照すると、刊行物１記載の熱処理装置は、液晶基板をホットプレートなどの発熱体に載置して加熱するものであり、加熱処理する際には、当然に基板を装置内に搬入するものである。
　したがって、刊行物１には、本件第１発明の、装置本体内に板状被処理物を搬入し、ホットプレートにて板状被処理物を加熱処理するようにした加熱処理装置が記載されている。
　また、刊行物１の記載２及び４を参照すると、刊行物１記載の熱処理装置は、輻射壁６６で暖められたガスを噴出する複数のガス噴出口６６ａを備えている。
　この輻射壁６６及び輻射壁６６に形成された複数のガス噴出口６６ａからなるガス噴出手段は、本件第１発明の多孔体に相当するものであるから、刊行物１には、加熱されたガスを噴出する多孔体からなる加熱ガス噴出手段が記載されている。
　なお、被請求人は、平成１５年７月１８日（平成１３年７月１８日は誤記である。）付け意見書第２頁第７行〜同頁第２５行において、「ここで、多孔体とは添付した資料１にも記載されるように、全体に亘って細孔が形成され、気孔率などが問題となる物質を指し、例えばスポンジなどにセラミックスラリーを含浸せしめ、これを焼成してスポンジ成分をガスにして除去することで一般的に製造されています。
　開口が形成されているものが全て多孔体というわけではなく、上記の如く気孔率が問題となるような極めて微細な連続細孔が形成されているものを多孔体と考えるべきです。このような多孔体をガス噴出手段として用いることで、加熱されたガスはパンチングメタルのような開口を形成したプレートを介して噴出される場合と比較して、多孔体全体から浸み出るように均一に供給され、処理空間の気流を乱すことを防止できます。因みに本発明にあっては特に有利な点ではありませんが、加熱されたガスは多孔体の下面からだけでなく上面からも噴出します。
　一方、異議申立人は甲第１号証の輻射壁６６或いは甲第３号証の漏戸板３が本件発明の多孔体７に相当すると主張しています。しかしながら、輻射壁６６については、公報第４頁左欄１２〜１３行に「…アルミニウムなどの熱輻射率の高い部材によって所定の厚みを有する輻射壁…」と記載されるように、比較的厚い金属プレートに貫通孔を形成したものであり、多孔体とは異なるものです。
また、漏戸板３についても金属プレートに開口を形成したもので、輻射壁６６と同様に異なるものです。また、甲第１号証〜甲第４号証の何れにも多孔体をガス噴出手段として用いることについては何ら示唆されていません。」と主張するが、本件第１発明の「多孔体」は、特許権者が主張する、「多孔体とは添付した資料１にも記載されるように、全体に亘って細孔が形成され、気孔率などが問題となる物質を指し、例えばスポンジなどにセラミックスラリーを含浸せしめ、これを焼成してスポンジ成分をガスにして除去することで一般的に製造」されると解すべき根拠が本件明細書及び図面において記載または示唆されておらず（特許明細書の【００２３】段落に、「特に加熱ガス噴出手段としての多孔体をホットプレート上方に配置することにより、雰囲気を乱すことなく掃気を行え」と記載されているが、この記載をもってしても、被請求人が主張するような「多孔体」を意味するとはいえない。）、さらに、半導体の処理装置の技術分野において、多孔体として複数のガス流路を形成したものも周知（要すれば、特開平５−３３５２８１号公報参照）であるから、刊行物１記載の輻射壁６６及び輻射壁６６ａに形成された複数のガス噴出口からなるガス噴出手段は、本件請求項１記載の多孔体に相当するものと解される。
　したがって、刊行物１には、本件第１発明の「ガスを噴出する加熱ガス噴出手段」、「加熱ガス噴出手段としては前記ホットプレートの上方に多孔体が配置され」が記載されている。
　刊行物１の記載３を参照すると、刊行物１記載の熱処理装置は、熱処理空間内の気体を排気ポンプで吸引し、大気に放出するものであるから、本件第１発明の装置本体内の気体を排出する掃気手段に相当するものである。
　したがって、刊行物１には、本件第１発明の「装置本体内の気体を排出する掃気手段」が記載されている。
　刊行物１の記載２を参照すると、刊行物１記載の熱処理装置には、中空部の上面に外部のガスボンベ６４に接続されたガス導入口６１ａが形成されるとともに、下面部６２には複数のガス噴出孔６２ａか形成されているので、多孔体の内部に中空部が形成され、中空部の外部からガス供給管が接続されている。
　したがって、刊行物１には、本件第１発明の「多孔体は、その内部に中空部が形成され、且つ前記中空部の外部上方からガス供給管が接続されていること」が記載されている。
　そうすると、本件第１発明と刊行物１記載の熱処理装置は、「装置本体内に板状被処理物を搬入し、ホットプレートにて板状被処理物を加熱処理するようにした加熱処理装置において、加熱処理装置は、加熱されたガスを噴出する加熱ガス噴出手段と、装置本体内の気体を排出する掃気手段とを備え、前記加熱ガス噴出手段としては前記ホットプレートの上方に多孔体が配置されてなり、前記多孔体は、その内部に中空部が形成され、且つ前記中空部の外部上方からガス供給管が接続されている加熱処理装置。」において一致し、本件第１発明が、「ホットプレートによる加熱温度と略等しい温度のガスを噴出する」ものであるのに対し、刊行物１には、この記載がない点で相違（以下、「相違点１」という。）し、また、本件第１発明が、「多孔体は、円盤状を有し」ているのに対し、刊行物１には、この記載がない点で相違（以下、「相違点２」という。）する。
　相違点１について検討する。
　加熱ガス温度について、刊行物１には、基板Ｗ表面での熱分布がより一層均一になるようにする（刊行物１の記載２参照）から、加熱ガス温度を決定する当たり、ホットプレートによる加熱温度と略等しい温度のガスを噴出することが、温度低下を招かず、その効果を最も効率良く達成できることは明白である。このことは、加熱ガスを噴出する刊行物２記載のべ一ク処理装置においても、吹き出すパージガスの温度をホットプレート表面温度と同一になるように制御するとの記載からも明らかである。
　したがって、「ホットプレートによる加熱温度と略等しい温度のガスを噴出する」構成は、刊行物１の記載、あるいは刊行物２の記載から当業者が容易に想到できた事項にすぎない。
　相違点２について検討する。
　円盤状の多孔体については、通常、円形の半導体ウエハを熱処理するチャンバーは円柱状に形成されており、それにともなって天板や載置台、整流板等も円形のものが選択されるのは当業者であれば当然周知慣用の技術であり設計事項の範囲内である。このことは、例えば、刊行物３の、窒素ガスを基板に吹き付ける円盤状の漏戸板３からも明らかである。
　したがって、刊行物１記載の熱処理装置に関しても円盤状の半導体ウエハを処理する場合は多孔体を円盤状に形成するのは単に設計事項にすぎない。
　上記相違点に基づく効果も、当業者が予測し得た程度のものにすぎない。
　してみると、本件第１発明は、刊行物１、２に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明できたものであるから、本件第１発明の特許は特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものである。
（３）．２　本件第２発明と刊行物１〜４に記載された発明の対比・判断
　刊行物１の記載１及び記載１の２を参照すると、刊行物１記載の方法は、液晶基板をホットプレートなどの発熱体に載置して加熱するものであり、加熱処理する際には、当然に基板を装置内に搬入するものである。
　したがって、刊行物１には、本件第２発明の、表面に塗布液が塗布された板状被処理物をホットプレートを備えた加熱処理装置内に搬入し、前記板状被処理物を前記ホットプレート上面に載置して加熱処理する方法が記載されている。
　また、刊行物１の記載２及び４を参照すると、刊行物１記載の熱処理方法では、ホットプレートの上方に、幅射壁６６で暖められたガスを噴出する複数のガス噴出口６６ａを備えている。
　この輻射壁６６及び輻射壁６６に形成された複数のガス噴出口からなるガス噴出手段は、本件第２発明の多孔体に相当するものであるから、刊行物１には、加熱されたガスを噴出する加熱ガス噴出手段と、加熱ガス噴出手段としての多孔体が記載されている。
　なお、被請求人の、平成１５年７月１８日（平成１３年７月１８日は誤記である。）付け意見書第２頁第７行〜同頁第２５行における主張については、上記（３）．１で説示したように、採用することはできない。
　したがって、刊行物１には、前記（３）．１で述べたように、刊行物１の記載２及び記載４を参照すると、本件第２発明の、ホットプレートの上方に配置され、その 内部に中空部が形成され、且つ前記中空部の外部上方からガス供給管が接続されている多孔体によって、ガスを加熱室処理装置内に強制的に供給する構成が記載されている。
　刊行物１の記載３、記載４及び記載１の２を参照すると、刊行物１記載の熱処理装置は、熱処理空間内の気体を排気ポンプで吸引し、大気に放出するものであるから、本件第２発明の、板状被処理物の表面に塗布した塗布液から揮発する溶剤による溶剤リッチな雰囲気を掃気しつつ加熱する構成が記載されている。
　そうすると、本件第２発明と刊行物１記載の熱処理装置は、「表面に塗布液が塗布された板状被処理物をホットプレートを備えた加熱処理装置内に搬入し、前記板状被処理物を前記ホットプレート上面に載置し加熱処理する方法において、ガスを、前記ホットプレートの上方に配置されており、その内部に中空部が形成され、且つ前記中空部の外部上方からガス供給管が接続されている多孔体によって前記加熱処理装置内に強制的に供給することで、前記板状被処理物の表面に塗布した塗布液から揮発する溶剤による溶剤リッチな雰囲気を掃気しつつ加熱するようにした加熱処理方法。」において一致し、本件第２発明が、「ホットプレートによる加熱温度と略等しい温度のガスを噴出する」ものであるのに対し、刊行物１には、この記載がない点で相違し（以下、「相違点１」という。）、本件第２発明が、「多孔体は、円盤状を有し」ているのに対し、刊行物１には、この記載がない点で相違（以下、「相違点２」という。）する。
　相違点１について検討する。
　加熱ガス温度について、刊行物１には、基板Ｗ表面での熱分布がより一層均一になるようにする（刊行物１の記載２参照）から、加熱ガス温度を決定する当たり、ホットプレートによる加熱温度と略等しい温度のガスを噴出することが、温度低下を招かず、その効果を最も効率良く達成できることは明白である。このことは、加熱ガスを噴出する刊行物２記載のべ一ク処理装置においても、吹き出すパージガスの温度をホットプレート表面温度と同一になるように制御するとの記載からも明らかである。
　したがって、「ホットプレートによる加熱温度と略等しい温度のガスを噴出する」構成は、刊行物１の記載、あるいは刊行物２の記載から当業者が容易に想到できた事項にすぎない。
　相違点２について検討する。
　円盤状の多孔体については、通常、円形の半導体ウエハを熱処理するチャンバーは円柱状に形成されており、それにともなって天板や載置台、整流板等も円形のものが選択されるのは当業者であれば当然周知慣用の技術であり設計事項の範囲内である。このことは、例えば、刊行物３の、窒素ガスを基板に吹き付ける円盤状の漏戸板３からも明らかである。
　したがって、刊行物１記載の熱処理装置に関しても円盤状の半導体ウエハを処理する場合は多孔体を円盤状に形成することは単に設計事項にすぎない。
　上記相違点に基づく効果も、当業者が予測し得た程度のものにすぎない
してみると、本件第２発明は、刊行物１、２に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明できたものであるから、本件第２発明の特許は特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものである。
（４）むすび
　以上のとおりであるから、本件請求項１及び２に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本件請求項１及び２に係る発明についての特許は拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものと認める。
　よって、特許法等の一部を改正する法律（平成六年法律第１１６号）附則第１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第２項の規定により、上記のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１５年９月２日（２００３．９．２）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
加熱処理装置及び加熱処理方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　装置本体内に板状被処理物を搬入し、ホットプレートにて板状被処理物を加熱処理するようにした加熱処理装置において、この加熱処理装置は、前記ホットプレートによる加熱温度と略等しい温度のガスを噴出する加熱ガス噴出手段と、装置本体内の気体を排出する掃気手段とを備え、前記加熱ガス噴出手段としては前記ホットプレートの上方に多孔体が配置されてなり、前記多孔体は、円盤状を有し、その内部に中空部が形成され、且つ前記中空部の外部上方からガス供給管が接続されていることを特徴とする加熱処理装置。
　【
請求項２
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】
　本発明は半導体ウェーハやガラス基板に加熱処理を施す装置と加熱処理の方法に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　半導体ウェーハ上に集積回路を形成する工程の１つに露光工程がある。露光工程は
図２
図２
　【０００３】
　【発明が解決しようとする課題】
　半導体ウェーハＷにＣＶＤによって金属薄膜を形成したり、エッチングやイオンドーピングしたりする場合に用いるパターンＲ’は、
図２
図２
　【０００４】
　本発明者は
図２
図２
　【０００５】
　量産用の連続加熱装置と実験用の加熱装置の差は、加熱雰囲気が溶剤リッチか否かである。つまり、量産用の連続加熱装置にあっては、熱反射板をホットプレート上方に配置し、ピンによってホットプレートからウェーハを浮かせてウェーハを熱反射板に近づけ、熱反射板からの輻射熱にてウェーハを均一加熱する構造になっているか、加熱装置の蓋体とウェーハとの距離を小さくして加熱処理効果を大きくするようにしているが、実験用の加熱装置にあっては熱反射板や蓋体を設けていない。
　【０００６】
　上記したようにウェーハを熱反射板に近づけると、ウェーハ表面に塗布した塗布液中から揮発した溶剤がウェーハと熱反射板との間の空間に残り、溶剤リッチな雰囲気となる。一方、熱反射板を設けない場合には揮発した溶剤が逃げやすく、溶剤リッチな雰囲気とならない。
　【０００７】
　【課題を解決するための手段】
　ウェーハ表面に塗布したレジスト膜を加熱処理するにあたり、溶剤リッチな加熱雰囲気を掃気することで、理想的な露光パターンが得られるとの知見に基づいて本発明を成したものである。
　【０００８】
　即ち本発明に係る加熱装置は、装置本体内に板状被処理物を搬入し、ホットプレートにて板状被処理物を加熱処理する加熱処理装置であって、前記ホットプレートによる加熱温度と略等しい温度のガスを噴出する加熱ガス噴出手段と、装置本体内の気体を排出する掃気手段とを設け、前記加熱ガス噴出手段としては前記ホットプレートの上方に多孔体が配置されてなり、前記多孔体は、円盤状を有し、その内部に中空部が形成され、且つ前記中空部の外部上方からガス供給管が接続されている。
　【０００９】
　
別
　【００１０】
　また、本発明に係る加熱処理方法は、表面に塗布液が塗布された板状被処理物をホットプレートを備えた加熱処理装置内に搬入し、前記板状被処理物を前記ホットプレート上面に載置するか、ピンにて前記ホットプレート上面から浮かせた状態で加熱処理する方法において、前記ホットプレートによる加熱温度と略等しい温度のガスを前記ホットプレートの上方に配置されており、且つ円盤状を有し、その内部に中空部が形成され、且つ前記中空部の外部上方からガス供給管が接続されている多孔体によって前記加熱処理装置内に強制的に供給することで、前記板状被処理物の表面に塗布した塗布液から揮発する溶剤による溶剤リッチな雰囲気を掃気しつつ加熱するようにした。
　【００１１】
　【作用】
　Ｎ２等のガスを加熱処理装置内に強制的に供給することで、板状被処理物の表面に塗布した塗布液から揮発する溶剤による溶剤リッチな雰囲気を掃気でき、しかもＮ２等のガスの温度をホットプレートによる加熱温度と略等しくすることで、温度低下を招かず、後工程でパターンニングを行う場合に、
図２
　【００１２】
　【実施例】
　以下に本発明の実施例を添付図面に基づいて説明する。図１は本発明に係る加熱処理装置の全体図であり、加熱処理装置はベース１上にボックス上をなす加熱処理装置本体２を設け、この加熱処理装置本体２内にホットプレート３を配置している。
　【００１３】
　ホットプレート３の下方にはシリンダユニット４を軸を上下方向にして固設し、このシリンダユニット４のピストンロッド上端に昇降プレート５を取り付け、この昇降プレート５に前記ホットプレート３を貫通するピン６の下端を取り付けている。
　【００１４】
　また、加熱処理装置本体２内のホットプレート３の上方には加熱ガス噴出手段としての多孔体７を配置している。多孔体７は半導体ウェーハＷよりも若干大きい円盤状をなし、内部には中空部８が形成され、この中空部８に外部上方からガス供給管９が接続されている。
　【００１５】
　更に、加熱処理装置本体２の一側には半導体ウェーハＷの搬入・搬出口１０が形成され、加熱処理装置本体２の他側には開口１１が形成されている。そして、本発明にあっては搬入・搬出口１０及び開口１１が掃気用の開口として作用するようにしてもよい。
　【００１６】
　また、前記搬入・搬出口１０の外側には搬入・搬出ロボット１２を設けている。この搬入・搬出ロボット１２は支柱１３上にレール１４を設け、このレール１４にアーム１５を係合し、モータ１６の駆動でスクリューシャフトを回転することでアーム１５を加熱処理装置本体２内に対して進退せしめる。
　【００１７】
　以上において、表面にレジスト液が塗布された半導体ウェーハＷをアーム１５上に載置し、アーム１５を移動して半導体ウェーハＷを加熱処理装置本体２内に搬入する。
　【００１８】
　次いで、ピン６を上昇させてアーム１５上の半導体ウェーハＷをピン６にて取り上げ、アーム１５を後退させ、ピン６を下降させてホットプレート３にて半導体ウェーハＷ表面のレジスト膜に露光後の加熱処理を施す。
　【００１９】
　上記のプリベーク処理を行うにあたり、本発明にあっては、ガス供給管９から多孔体７の中空部８内にホットプレートの加熱温度と略等しい温度まで加熱されたＮ２等のガスを供給し、多孔体７から下方に向けて加熱されたガスを噴出し、このガスにて加熱処理装置２内の溶剤リッチな雰囲気ガスを搬入・搬出口１０及び開口１１から排気して掃気しつつ半導体ウェーハＷを加熱処理する。
　【００２０】
　このように、掃気しつつプリベークすることで、
図２
　【００２１】
　尚、実施例では板状被処理物として半導体ウェーハを説明したが、ガラス基板であってもよい。また加熱処理としては露光後の加熱処理に限らず、プリベーク、現像後の加熱処理等でもよい。更に、加熱処理装置としては、ピンを設けずにホットプレート上に直接板状被処理物を載置する構成のものでもよい。
　【００２２】
　【発明の効果】
　以上に説明したように本発明によれば、加熱ガス噴出手段によってホットプレートと同程度まで昇温せしめられたガスを加熱処理装置内に強制的に供給し、これと同時に掃気手段によって装置本体内の溶剤リッチな気体を排出するようにしたので、温度低下を招かず、後工程で露光を行う場合に、理想的な断面パターンが得られる。
　【００２３】
　特に加熱ガス噴出手段としての多孔体をホットプレート上方に配置することにより、雰囲気を乱すことなく掃気を行え
る。
【図面の簡単な説明】
　【図１】本発明に係る加熱処理装置の全体図
　【
図２
　【符号の説明】
　２…加熱処理装置本体、　３…ホットプレート、　６…ピン、　７…多孔体、１０…搬入・搬出口、　１１…開口、Ｗ…半導体ウェーハ。
【図面】