【事件の表示】
　特許第３３４９６１２号「誘電体キャパシタおよびその製造方法」の請求項１、２、６、７、９ないし１２、１８、２３に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第３３４９６１２号の請求項１、２、６、７、９、１０、１１、１２、１８、２３に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
　本件特許第３３４９６１２号の請求項１ないし２３に係る発明についての出願は、平成７年１月１３日（優先権主張平成６年１月１３日）になされ、平成１４年９月１３日にその特許の設定登録がなされ、その後、瀬戸口和彦より請求項１、２、６、７、９、１０、１１、１２、１８及び２３に係る発明について特許異議の申立てがなされ、平成１６年５月２８日付けで取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１６年８月６日に意見書が提出されたものである。
　
２．特許異議申立ての理由の概要
　特許異議申立人は、証拠として下記甲第１号証ないし甲第５号証を提出し、本件特許の請求項１、２、６、７、９、１０、１１、１２、１８及び２３に係る発明は、甲第１号証ないし甲第５号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定に違反するので、当該発明についての特許は取り消されるべきものである旨主張している。（以下、「申立ての理由１」という。）
　また、特許異議申立人は、本件特許の請求項１、２、６、７、９、１０、１１、１２、１８及び２３の記載では、発明の範囲が不明確であるから、特許法第３６条第５項第２号（異議申立書には第３６条第６項第２号とあるが、本件出願の出願年からみて、第３６条第５項第２号の誤記と認定した。）に違反するので、当該発明についての特許は取り消されるべきものである旨主張している。（以下、「申立ての理由２」という。）
　甲第１号証：特開昭５６−１４７４６５号公報
　甲第２号証：特開平　５−１６０４５５号公報
　甲第３号証：渡辺慈朗他著，「基礎金属材料」，共立出版株式会社，
　　　　　　　昭和５４年６月１５日，ｐ．２０〜２１
　甲第４号証：小河内美男編，「金属材料辞典」，第９版，
　　　　　　　工学図書株式会社，昭和５３年２月２０日，ｐ．１４１
　甲第５号証：欧州特許出願公開第０５６７８７８号明細書（１９９３）
　
３．取消しの理由の概要
３−１．理由１．特許法第２９条第２項の規定違反について
（１）本件特許第３３４９６１２号の特許請求の範囲の請求項１、２、６、７、９、１０、１１、１２、１８及び２３に係る発明は、下記刊行物１ないし５に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件の特許請求の範囲の請求項１、２、６、７、９、１０、１１、１２、１８及び２３に係る発明についての特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものである。
（２）刊行物５には、下部電極が「強誘電体層の格子定数とマッチングするように選択された混合比をもつ」層である点については記載されていないが、刊行物５に記載された発明において、白金と他の金属との合金として、刊行物１ないし４の記載に基づき、その混合比を適宜選択して、強誘電体層と格子定数が近い合金とすることは当業者が格別の創意工夫なくなし得たことである。
　よって、本件出願の請求項１、２、６、７、９〜１２に係る発明は、下記刊行物１ないし５に記載された発明に基づいて、その出願前に当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　　　　　　　　　　　　　　　　記
　
　刊行物１：特開昭５６−１４７４６５号公報
　　　　　（特許異議申立人が提出した甲第１号証）
　刊行物２：特開平　５−１６０４５５号公報
　　　　　（特許異議申立人が提出した甲第２号証）
　刊行物３：渡辺慈朗他著，「基礎金属材料」，共立出版株式会社，
　　　　　　昭和５４年６月１５日，ｐ．２０〜２１
　　　　　（特許異議申立人が提出した甲第３号証）
　刊行物４：小河内美男編，「金属材料辞典」，第９版，工学図書株式会社　　　　　　，昭和５３年２月２０日，ｐ．１４１
　　　　　（特許異議申立人が提出した甲第４号証）
　刊行物５：欧州特許出願公開第０５６７８７８号明細書（１９９３）
　　　　　（特許異議申立人が提出した甲第５号証））　
　
３−２．理由２．特許法第３６条第５項第２号の規定違反について
　本件請求項１、２、６、７、９、１０、１１、１２、１８及び２３に係る発明は、特許異議申立書第３１頁第１行〜第３２頁第３行記載の理由により、本件出願は、明細書の記載が不備のため、特許法第３６条第５項第２号に規定する要件を満たしていない。　
　
４．本件発明
　本件特許第３３３７０１８号の請求項１、２、６、７、９、１０、１１、１２、１８及び２３に係る発明は、それぞれ、その特許請求の範囲の請求項１、２、６、７、９、１０、１１、１２、１８及び２３に記載されたとおりのもの（以下、それぞれ、「本件発明１」、「本件発明２」、「本件発明６」、「本件発明７」、「本件発明９」、「本件発明１０」、「本件発明１１」、「本件発明１２」、「本件発明１８」及び「本件発明２３」という。）である。
　
５．異議申立てについての検討
５−１．特許法第３６条第５項第２号に規定する要件について
　本件特許第３３４９６１２号明細書には、特許請求の範囲以外に、段落【０００５】、【００１０】、【００１６】、【００１８】、【００２０】、【００２１】、【００２４】、【００２５】、【００２８】〜【００３１】、【００３９】、【００４０】、【００５４】、【００５５】において、「格子定数」に関して記載されている。
　段落【００３９】においては、「白金の格子定数が３．９２３オングストロームであるのに対し、イリジウムの格子定数は３．８３９オングストロームである。したがって、混合比を変えることにより、白金とイリジウムの合金の格子定数を、３．９２３オングストローム〜３．８３９オングストロームの間に設定することができる。つまり、強誘電体の種類や組成に応じて、適切な格子定数とすることができる。」と記載されており、「白金とイリジウム」の「混合比」を変えることにより、強誘電体の種類や組成に応じて、適切な格子定数とすることが記載されている。
　また、段落【００４０】においては、「強誘電体層８としてチタン酸ビスマスBi4 Ti3 O12 （以下ＢＩＴという）を用いる場合について説明する。ＢＩＴの格子定数は、ａ＝５．４５、ｂ＝５．４１、ｃ＝３２．８１５である。一方、下部電極１２である白金やイリジウムは、図３に示すように（１１１）方向に配向する。したがって、ＢＩＴのｃ軸配向膜を得るためには、下部電極１２の（１１１）面の原子間距離Ｌを、ａ＝５．４５、もしくはｂ＝５．４１と等しくする必要がある。この実施例では、白金とイリジウムの合金の組成比を、ＰｔXＩｒ1-Xにおいてｘ＝０．８とすることにより、（１１１）面の原子間距離Ｌを５．４３とすることができる。つまり、ＢＩＴの格子定数とマッチングをとって、強誘電性の高いＢＩＴ膜を形成することができる。」と記載されており、「白金とイリジウム」の「混合比」を特定の値にすることにより、強誘電体層であるＢＩＴの格子定数とマッチングをとることが記載されている。
　これらの説明記載から、請求項１、６、９、１１に記載されている「格子定数とマッチング」、及び請求項１８、２３に記載されている「格子定数と合致」は明確であるといえる。
　したがって、本件の特許請求の範囲の請求項１、６、９、１１、１８及び２３に記載された事項に基づいて特許を受けようとする発明が明確に把握できるものと認められる。
　また、請求項２、７、１０、１２は、それぞれ請求項１、６、９、１１を引用する引用形式請求項であり、請求項１、６、９、１１に記載されている「格子定数とマッチング」は明確であるといえるので、本件の特許請求の範囲の請求項２、７、１０及び１２に記載された事項に基づいて特許を受けようとする発明が明確に把握できるものと認められる。
　よって、本件の請求項１、２、６、７、９、１０、１１、１２、１８及び２３には、特許を受けようとする発明の構成に欠くことができない事項のみが記載されており、特許法第３６条第５項第２号に規定する要件を満たしていないとはいえない。
　
５−２．特許法第２９条第２項の規定について
５−２−１．各刊行物の記載事項
（１）当審が通知した取消理由で引用した刊行物１（特開昭５６−１４７４６５号公報、特許異議申立人提出の甲第１号証）は、「薄膜コンデンサの製造方法」（発明の名称）に関するものであって、以下の点が記載されている。
「低抵抗のシリコン基板の一方の面には導電性皮膜をオーミックコンタクトし、他方の面にはチタン酸系の絶縁物とほぼ等しい格子定数をもつ第１の金属電極膜を、・・・共晶防止膜を介在して、かつ該共晶防止膜より小さなパターンとなるように被着形成し、該第１の金属電極膜上に前記チタン酸系の絶縁膜を被着形成し、さらに該絶縁膜上に第２の金属電極を被着形成し、次いで該第１の金属電極とシリコン基板との電気的接続を行なうことを特徴とする薄膜コンデンサの製造方法。」（特許請求の範囲）
「その一例として第１図に断面図を示す。この薄膜コンデンサは、電極となる白金（Ｐｔ）基板１１上にチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ3）よりなる絶縁膜１２をスパッタリングにより被着し、さらに金属電極１３を形成してなるものである。基板１１の白金（Ｐｔ）は、・・・高温に対して耐熱性があり、しかも格子定数がチタン酸バリウム１２とほぼ等しい４Å程度であるため、白金（Ｐｔ）基板１１上に形成されるチタン酸バリウム１２の誘電率εが高くなるという利点がある。」（第１頁右下欄第１５行〜第２頁左上欄第７行）
「しかし第２図の如くシリコン基板２１上に・・・第１図の従来例において説明したような誘電率εが大きい絶縁膜２２を得ることができない。なぜならシリコンの格子定数が約 5.43Åで、絶縁膜２２のチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ3）の格子定数の約４Åとはかなりかけ離れているためであることが判った。そこで上記欠点をなくしたものとして第３図に従来の実施例の断面図を示す。
　第３図の従来の実施例では前述のチタン酸バリウムよりなる絶縁膜２２の誘電率εを大きくするために、シリコン基板２１上にチタン酸バリウムとほぼ等しい格子定数をもつ第１の金属電極２５を設けて、その第１の金属電極２５の上に絶縁膜２２を形成している。第１の金属電極２５は、具体的にはクロム（Ｃｒ）２５ａ，白金（Ｐｔ）２５ｂ及び金（Ａｕ）２５ｃと３層構造になっている。この３層構造は一般的な金属電極の構造で、その最上層には電極として十分な膜厚に蒸着により容易に形成できる金２５ｃが用いられ・・・中間層にはクロム２５ａと金２５ｃとが高温で共晶するのを防止する目的で耐熱性が優れた白金２５ｂがそれぞれ設けられている。そして金２５ｃの格子定数が約４Åと絶縁膜２２のチタン酸バリウムとほぼ等しいため、金２５ｃ上に形成された絶縁膜２２は誘電率の優れたものになる。」（第２頁右上欄第１７行〜右下欄第６行）
「本実施例では第１の金属電極２５はクロム２５ａ，白金２５ｂ，金２５ｃと３層構造にしたが、例えば白金のみ、或はチタニウム（Ｔｉ）−白金−金，クロム−パラジウム（Ｐｄ）−金，クロム−金等の金属で構成されていても本発明の目的を達成することはできる。」（第４頁左上欄第１９行〜右上欄第４行）
　
（２）当審が通知した取消理由で引用した刊行物２（特開平５−１６０４５５号公報、特許異議申立人提出の甲第２号証）は、「電界効果トランジスタ及びその製造方法」（発明の名称）に関するものであって、以下の事項が記載されている。
「本発明は逆ＭＩＳＦＥＴ（絶縁ゲート半導体電界効果トランジスタ）に類似する構造を有する電界効果トランジスタに関し、電流チャネルが高Ｔc 金属酸化物膜超伝導体から成り、金属ゲート電極がペロブスカイト型構造を有する伝導化合物によって置換される。・・・」（段落【０００１】）
「この解釈から始めると、ゲート基板の表面の劣化を防ぐため、所定の高
Ｔc 超伝導ＭＩＳＦＥＴを改良するのは有利に思えた。これを達成するため、元素の周期表の・・・の元素から成る付加の界面層が、絶縁層の付着の前に付着された。この界面層の付加によって、ゲートとソース（ＣGS）間のキャパシタンスが向上された。キャパシタンスの３倍の向上が見られた。・・・」（段落【００２０】）
「元素の周期表の・・・の元素から成る界面層を付加することによって、逆ＭＩＳＦＥＴの性能は改良される。図２に図解されるように、基板２２と絶縁層２４との間のこの付加層２３により、キャパシタンスＣGSが３倍向上し、・・・。この界面層２３に選ばれる物質は、・・・その格子定数と熱膨張係数が用いられた基板２２、ペロブスカイト型構造を化合した絶縁層２４及び高Ｔc 金属酸化物膜超伝導体２５の格子定数と熱膨張係数に近くなければならない。・・・」（段落【００２９】）
　
（３）当審が通知した取消理由で引用した刊行物３（渡辺慈朗他著，「基礎金属材料」，共立出版株式会社，昭和５４年６月１５日，ｐ．２０〜２１、特許異議申立人提出の甲第３号証）は、金属材料の基礎に関する解説書であり、以下の事項が記載されている。
「１．６　合金の結晶構造
　一般に，金属Ａの中に合金元素Ｂを添加していくと，ある程度の量まではＡの結晶格子にＢ原子が入り込んで一様に分布した状態になる．これを固溶体という．
・・・
　Ａ．固溶体の結晶構造
　・・・格子定数ａはＢの添加量（原子％）に対してほぼ直線的に変わる．これをベガードの法則という．」（第２０頁第第８行〜第２１頁第４行）
　
（４）当審が通知した取消理由で引用した刊行物４（小河内美男編，「金属材料辞典」，第９版，工学図書株式会社，昭和５３年２月２０日，ｐ．１４１、特許異議申立人提出の甲第４号証）は、金属材料一般に関する辞典であり、以下の事項が記載されている。
「白金−イリジウム合金　Platinum-Iridium alloy
　最も普通に用いられている白金の合金である。化学器具，電気接点などとされる。」（第１４１頁第２４〜２６行）
　
（５）当審が通知した取消理由で引用した刊行物５（欧州特許出願公開第０５６７８７８号明細書（１９９３）、特許異議申立人提出の甲第５号証）は、「The use of palladium as an adhesion layer and as an electrode in ferroelectric memory devices.」（強誘電体メモリデバイスにおける接着層として及び電極としてのパラジウムの使用、発明の名称）に関するものであって、以下の点が記載されている。
「図１(a)-(e)は、本発明の第１の実施例に係る、パラジウムから成る接着層を有する強誘電体キャパシタの製造方法の各工程を示す。」（第３欄第４８〜５１行）
「図１(c)に示されるように、それから下部電極４０が接着層３０の上に設けられる。・・・好ましくは、電極４０は白金（Ｐｔ）から成る。しかしながら、後述するように、電極４０は白金と他の金属との合金から成りうる。」（第４欄第２２〜２８行）
「次に、図１（ｄ）に示すように、誘電体５０が電極４０の上に設けられる。誘電体５０は、例えばＰＺＴと呼ばれて一般式Ｐｂ(ＴｉxＺｒ1-x)Ｏ3を有するジルコン酸チタン酸鉛から成る組成物である、強誘電性材料から成る。」（第４欄第３７〜４２行）
「本発明の第二実施例を形成する方法において、基板１０、ゲート電極１２及び二酸化シリコン層２０は、第一実施例を形成する方法を示した図１（ａ）と同様に形成される。図２（ａ）−図２（ｄ）は、第二実施例のキャパシタの製造方法における残りの各工程を示す。
　図２（ａ）に示したように、層２０上に接着層３１を設ける。接着層３１は、例えば、従来の素子のようにチタンから成るか、或いは本発明の第一実施例で開示されたようにパラジウムから成る。・・・
　次に、下部電極４０（ａ）を、図２（ｂ）に示したように、層３１上に設ける。下部電極４０（ａ）は、例えばスパッタリングで設けられる。下部電極４０（ａ）は、白金と他の金属との合金から成ることが好ましい。・・・電極４０（ａ）において白金との合金として使用可能な金属は、例えば、パラジウム（Ｐｄ）、・・・タングステン（Ｗ）である。しかしながら、これは完全なリストではなく他の金属も白金との合金として十分に利用できる。好ましい実施例において、合金は、白金と白金中における１０％以下のパラジウムから成るが、この組成により酸化を防止できる。
　白金と他の金属との合金を使用することにより、電極に必要な白金の量を減らすことができ、これにより、白金は高価なので、キャパシタのコストが低減する。さらに、そのような合金の使用は電極の電気的抵抗率に影響を及ぼす。例えば、純粋の白金の抵抗率は２０℃で１０６ｎΩｍであるが、白金とイリジウムの合金（Ｐｔ-１０％Ｉｒ）では２０℃で２５０ｎΩｍに抵抗率が増加する。したがって、白金との合金において、１０％までのパラジウム、ロジウム、イリジウムが使用でき、なおかつ許容範囲の抵抗率を呈する。」第５欄第２３行〜第６欄第８行。但し、第２９，３０行の「第三実施例」は「第二実施例」の誤記と認定した。）
「１．基板（１０）と；前記基板の上側に位置する二酸化シリコン層（２０）と；前記二酸化シリコン層の上側に位置する接着層（３０）と；前記接着層上に位置する下部電極（４０）と；前記下部電極上に位置する強誘電体層（５０）と；前記強誘電体層上に位置する上部電極（６０）とを備えたことを特徴とするキャパシタ。」（請求項１）、
「５．前記下部電極（４０ａ）が、白金と、パラジウム、ロジウム、イリジウム、ニッケル、オスミウム、ルテニウム、銅及びタングステンから成る群から選ばれた１種類の金属との合金から成ることを特徴とする請求項１ないし３記載のキャパシタ。」（請求項５）
　
５−２−２．対比・判断
（１）本件の特許請求の範囲の請求項１に係る発明について
　本件発明１は、「強誘電体層の格子定数とマッチングするように選択された混合比をもつ、白金とイリジウムとの合金層を有する下部電極」を発明の構成要件とするものである。
　本件発明１と上記刊行物１ないし５に記載された発明とを対比する。
　刊行物１に記載の発明は、チタン酸系の絶縁物とほぼ等しい格子定数をもつ第１の金属電極、第１の金属電極の上に、第１の金属電極の最上層に接するように形成されたチタン酸系の絶縁膜、絶縁膜の上に形成された第２の金属電極、を備えた薄膜コンデンサであるが、第１の金属電極が「合金層を有する」ことについては記載も示唆もされていない。
　そして、刊行物２に記載の発明は、下部電極、強誘電体層、上部電極、を備えた強誘電体キャパシタに関するものではなく、刊行物３及び４には、金属材料一般に関してのみ記載されている。
　また、刊行物５に記載の発明は、白金とイリジウムとの合金から成る下部電極、下部電極の上に、前記合金から成る下部電極に接するように形成された強誘電体層、強誘電体層の上に形成された上部電極、を備えた強誘電体キャパシタであるが、合金から成る下部電極が「強誘電体層の格子定数とマッチングするように選択された混合比をもつ」点については記載も示唆もされていない。
　すなわち、刊行物１ないし５に記載された発明は、「強誘電体層の格子定数とマッチングするように選択された混合比をもつ、白金とイリジウムとの合金層を有する下部電極」を備える点について記載も示唆もされていない。
　一方、特許異議申立人は、特許異議申立書の「３．申立ての理由　（７）相違点に対する検討　（７−１−２）「白金とイリジウムとの合金層」及びその「混合比」（相違点イ）について」において、第２４頁第４〜２３行で、以下のように主張している。
「甲第１号証には、第１の金属電極膜である「白金」の格子定数が絶縁膜とほぼ等しいことが示唆されている・・・。
・・・
　そうすると、甲第１号証において第１の金属電極膜と絶縁膜の格子定数を合わせるために第１の金属電極膜を合金化し、その「混合比」を選択することは、当業者が容易に為し得たことである。
　ところで、甲第１号証の第１の金属電極膜にも甲第２号証の界面層にも、白金が用いられているが、甲第４号証によれば、白金の合金として最も普通に用いられるのは、白金−イリジウム合金である。甲第２号証でも、合金を組成する金属としてイリジウムの使用が示唆されている・・・。更には甲第５号証にも、白金−イリジウム合金の使用が開示されている・・・。そうすると、甲第１号証において第１の金属電極膜と絶縁膜の格子定数を合わせるために白金を合金化するにあたり、「白金とイリジウムとの合金」とすることは当業者が適宜為しうる事項と言わざるを得ない。」
　以下、特許異議申立人の上記主張について検討する。
　先ず、甲第１号証において第１の金属電極膜を合金化する点について検討する。
　刊行物１（甲第１号証）には、第１の金属電極膜として合金層を有するものについて記載も示唆もされていない。しかも、刊行物１には、シリコン基板上にチタン酸バリウムの絶縁膜を形成すると、シリコンの格子定数と絶縁膜の格子定数がかなりかけ離れているので誘電率が大きい絶縁膜を得ることができないという欠点をなくすために、第１の金属電極膜の最上層として金を用いることで、金の格子定数が絶縁膜のチタン酸バリウムとぼぼ等しいため、金上に形成された絶縁膜は誘電率の優れたものになる旨記載されている。すなわち、刊行物１には、絶縁膜とその下の層との格子定数がかなりかけ離れているために起因する欠点は、合金を使用せずに解決される旨記載されており、刊行物１に記載の発明において、第１の金属電極膜と絶縁膜の格子定数を合わせるために白金を合金化する必要性はないといえる。
　次に、「白金とイリジウムとの合金」とすること、及び「格子定数とマッチングするように選択された混合比をもつ」合金とすることについて検討する。
　白金−イリジウム合金の使用については、刊行物５（甲第５号証）に開示されているとはいえ、刊行物５には、第二実施例に関して、誘電体層は例えばＰＺＴと呼ばれるジルコン酸チタン酸鉛等を含む組成物である強誘電性材料から成るコンデンサにおいて、下部電極は「白金との合金において、１０％までのイリジウムが使用でき、なおかつ許容範囲の抵抗率を呈する。」と記載されている。一方、本件特許明細書には、図７に関して、強誘電体層としてＰＺＴ（５２／４８）を用い、下部電極としてＰｔxＩｒ1-xを用いた場合、白金０％〜５０％の範囲において顕著な特性の改善が得られる旨記載されており、すなわち、イリジウム１００％〜５０％の範囲において顕著な特性の改善が得られる旨開示されている。したがって、刊行物５に記載の白金−イリジウム合金の数値範囲は、本件特許明細書の図７に示された数値範囲には含まれない。よって、刊行物５には、下部電極が有する白金−イリジウム合金が「強誘電体層の格子定数とマッチングするように選択された混合比をもつ」点が開示されているとも示唆されているともいえない。
　以上のとおり、刊行物１に記載の発明において、第１の金属電極膜と絶縁膜の格子定数を合わせるために第１の金属電極膜を合金化する必要性はないといえるので、「白金とイリジウムとの合金」とすることは当業者が適宜為しうる事項といえず、しかも、刊行物５には、下部電極が有する白金−イリジウム合金が「強誘電体層の格子定数とマッチングするように選択された混合比をもつ」点が開示されているとも示唆されているともいえないから、刊行物１ないし５に記載された発明を当業者が容易に組み合わせることができたとはいえない。
　そして、本件発明１は、従来の強誘電体キャパシタは、第一に、強誘電体の種類や組成によって、下部電極である白金との格子定数のミスマッチが大きくなり、強誘電性が劣化するおそれがあり、第二に、白金は酸素を透過しやすいため、強誘電体（ＰＺＴ）内の酸素の抜け出し、経年変化および分極反転の繰り返しによって強誘電性が低下するという問題があったので、これらの問題点を解決して、優れた強誘電性を示すとともに、経年劣化および分極反転の繰り返しによる劣化の少ない強誘電体キャパシタを提供するという明細書記載の顕著な作用効果を奏するものである。
　よって、本件発明１は、刊行物１ないし５に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
　
（２）本件の特許請求の範囲の請求項２に係る発明について
　本件発明２は、請求項１を引用形式で記載しており、本件発明１を更に限定したものである。
　したがって、上記本件発明１についての判断と同様の理由により、本件発明２は、上記刊行物１ないし５に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
　
（３）本件の特許請求の範囲の請求項６に係る発明について
　本件発明６は、「強誘電体層の格子定数とマッチングするように選択された混合比をもつ、格子定数の異なる２以上の導電体の合金層を有する下部電極」を発明の構成要件とするものである。
　本件発明６と上記刊行物１ないし５に記載された発明とを対比する。
　刊行物１に記載の発明は、チタン酸系の絶縁物とほぼ等しい格子定数をもつ第１の金属電極、第１の金属電極の上に、第１の金属電極の最上層に接するように形成されたチタン酸系の絶縁膜、絶縁膜の上に形成された第２の金属電極、を備えた薄膜コンデンサであるが、第１の金属電極が「合金層を有する」ことについては記載も示唆もされていない。
　そして、刊行物２に記載の発明は、下部電極、強誘電体層、上部電極、を備えた強誘電体キャパシタに関するものではなく、刊行物３及び４には、金属材料一般に関してのみ記載されている。
　また、刊行物５に記載の発明は、格子定数の異なる２以上の導電体の合金から成る下部電極、下部電極の上に、前記合金から成る下部電極に接するように形成された強誘電体層、強誘電体層の上に形成された上部電極、を備えた強誘電体キャパシタであるが、合金から成る下部電極が「強誘電体層の格子定数とマッチングするように選択された混合比をもつ」点については記載も示唆もされていない。
　すなわち、刊行物１ないし５に記載された発明は、「強誘電体層の格子定数とマッチングするように選択された混合比をもつ、格子定数の異なる２以上の導電体の合金層を有する下部電極」を備える点について記載も示唆もされていない。
　また、特許異議申立人による主張の「３．申立ての理由　（７）相違点に対する検討　（７−３−２）「格子定数の異なる２以上の導電体の合金層」及びその「混合比」（相違点ウ）について」（特許異議申立書第２５頁第９〜２１行）についても、本件発明１についての判断と同様の理由により、採用できない。
　さらに、本件発明６は、本件発明１と同様の明細書記載の顕著な作用効果を奏するものである。
　よって、本件発明６は、刊行物１ないし５に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
　
（４）本件の特許請求の範囲の請求項７に係る発明について
　本件発明７は、請求項６を引用形式で記載しており、本件発明６を更に限定したものである。
　したがって、上記本件発明６についての判断と同様の理由により、本件発明７は、上記刊行物１ないし５に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
　
（５）本件の特許請求の範囲の請求項９に係る発明について
　本件発明９は、「高誘電率を有する誘電体層の格子定数とマッチングするように選択された混合比をもつ、白金とイリジウムとの合金層を有する下部電極」を発明の構成要件とするものである。
　本件発明９と上記刊行物１ないし５に記載された発明とを対比する。
　刊行物１に記載の発明は、チタン酸系の絶縁物とほぼ等しい格子定数をもつ第１の金属電極、第１の金属電極の上に、第１の金属電極の最上層に接するように形成されたチタン酸系の絶縁膜、絶縁膜の上に形成された第２の金属電極、を備えた薄膜コンデンサであるが、第１の金属電極が「合金層を有する」ことについては記載も示唆もされていない。
　そして、刊行物２に記載の発明は、下部電極、強誘電体層、上部電極、を備えた高誘電率を有する誘電体キャパシタに関するものではなく、刊行物３及び４には、金属材料一般に関してのみ記載されている。
　また、刊行物５に記載の発明は、白金とイリジウムとの合金から成る下部電極、下部電極の上に、前記合金から成る下部電極に接するように形成された誘電体層、誘電体層の上に形成された上部電極、を備えた誘電体キャパシタであるが、誘電体層を高誘電率を有する誘電体層とする点、及び合金から成る下部電極が「高誘電率を有する誘電体層の格子定数とマッチングするように選択された混合比をもつ」点については記載も示唆もされていない。
　すなわち、刊行物１ないし５に記載された発明は、「高誘電率を有する誘電体層の格子定数とマッチングするように選択された混合比をもつ、格子定数の異なる２以上の導電体の合金層を有する下部電極」を備える点について記載も示唆もされていない。
　また、特許異議申立人による主張の「３．申立ての理由　（７）相違点に対する検討　（７−５−１）「白金とイリジウムとの合金層」及びその「混合比」（相違点イ）について」（特許異議申立書第２７頁第２〜８行）についても、本件発明１についての判断と同様の理由により、採用できない。
　さらに、本件発明９は、本件発明１において解決したのと同様の問題点を解決して、優れた高誘電性を示すとともに、経年劣化および分極反転の繰り返しによる劣化の少ない高誘電率を有する誘電体キャパシタを提供するという明細書記載の顕著な作用効果を奏するものである。
　よって、本件発明９は、刊行物１ないし５に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
　
（６）本件の特許請求の範囲の請求項１０に係る発明について
　本件発明１０は、請求項９、１０を引用形式で記載しており、本件発明９を更に限定したものである。
　したがって、上記本件発明９についての判断と同様の理由により、本件発明１０は、上記刊行物１ないし５に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
　
（７）本件の特許請求の範囲の請求項１１に係る発明について
　本件発明１１は、「高誘電率を有する誘電体層の格子定数とマッチングするように選択された混合比をもつように形成された、格子定数の異なる２以上の導電体の合金層を有する下部電極」を発明の構成要件とするものである。
　本件発明１１と上記刊行物１ないし５に記載された発明とを対比する。
　刊行物１に記載の発明は、チタン酸系の絶縁物とほぼ等しい格子定数をもつ第１の金属電極、第１の金属電極の上に、第１の金属電極の最上層に接するように形成されたチタン酸系の絶縁膜、絶縁膜の上に形成された第２の金属電極、を備えた薄膜コンデンサであるが、第１の金属電極が「合金層を有する」ことについては記載も示唆もされていない。
　そして、刊行物２に記載の発明は、下部電極、強誘電体層、上部電極、を備えた高誘電率を有する誘電体キャパシタに関するものではなく、刊行物３及び４には、金属材料一般に関してのみ記載されている。
　また、刊行物５に記載の発明は、格子定数の異なる２以上の導電体の合金から成る下部電極、下部電極の上に、前記合金から成る下部電極に接するように形成された誘電体層、誘電体層の上に形成された上部電極、を備えた誘電体キャパシタであるが、誘電体層を高誘電率を有する誘電体層とする点、及び合金から成る下部電極が「高誘電率を有する誘電体層の格子定数とマッチングするように選択された混合比をもつように形成された」点については記載も示唆もされていない。
　すなわち、刊行物１ないし５に記載された発明は、「高誘電率を有する誘電体層の格子定数とマッチングするように選択された混合比をもつように形成された、格子定数の異なる２以上の導電体の合金層を有する下部電極」を備える点について記載も示唆もされていない。
　さらに、本件発明１１は、本件発明９と同様の明細書記載の顕著な作用効果を奏するものである。
　よって、本件発明１１は、刊行物１ないし５に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
　
（８）本件の特許請求の範囲の請求項１２に係る発明について
　本件発明１２は、請求項１１を引用形式で記載しており、本件発明１１を更に限定したものである。
　したがって、上記本件発明１１についての判断と同様の理由により、本件発明１２は、上記刊行物１ないし５に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
　
（９）本件の特許請求の範囲の請求項１８に係る発明について
　本件発明１８は、「前記下部電極を格子定数の異なる２以上の種類の金属の合金とし、合金の構成比率を変えることにより、合金の格子定数を変えて、前記強誘電体層の格子定数と合致させるようにしたこと」を発明の構成要件とするものである。
　本件発明１８と上記刊行物１ないし５に記載された発明とを対比する。
　刊行物１に記載の発明は、チタン酸系の絶縁膜の両端に第１の金属電極および第２の金属電極を有する薄膜コンデンサの製造方法であるが、第１の金属電極を「格子定数の異なる２以上の種類の金属の合金とし、合金の構成比率を変えることにより、合金の格子定数を変えて」、前記チタン酸系の絶縁膜の「格子定数と合致させるようにしたこと」については記載も示唆もされていない。
　そして、刊行物２に記載の発明は、強誘電体層の両端に下部電極および上部電極を有する強誘電体キャパシタの製造方法に関するものではなく、刊行物３及び４には、金属材料一般に関してのみ記載されている。
　また、刊行物５に記載の発明は、強誘電体層の両端に下部電極および上部電極を有する強誘電体キャパシタの製造方法で、下部電極を合金としたものに関する製造方法であるが、合金から成る下部電極を「格子定数の異なる２以上の種類の金属の合金とし、合金の構成比率を変えることにより、合金の格子定数を変えて、前記強誘電体層の格子定数と合致させるようにした」点については記載も示唆もされていない。
　すなわち、刊行物１ないし５に記載された発明は、「前記下部電極を格子定数の異なる２以上の種類の金属の合金とし、合金の構成比率を変えることにより、合金の格子定数を変えて、前記強誘電体層の格子定数と合致させるようにした」点について記載も示唆もされていない。
　また、特許異議申立人による主張の「３．申立ての理由　（７）相違点に対する検討　（７−９−２）「下部電極を格子定数の異なる２以上の種類の金属の合金とし、合金の構成比率を変えることにより、合金の格子定数を変え」（相違点オ）について」（特許異議申立書第２９頁第５〜１８行）についても、本件発明１についての判断と同様の理由により、採用できない。
　さらに、本件発明１８は、本件発明６と同様の明細書記載の顕著な作用効果を奏するものである。
　よって、本件発明１８は、刊行物１ないし５に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
　
（１０）本件の特許請求の範囲の請求項２３に係る発明について
　本件発明２３は、「前記下部電極を格子定数の異なる２以上の種類の金属の合金とし、合金の構成比率を変えることにより、合金の格子定数を変えて、前記高誘電率を有する誘電体層の格子定数と合致させるようにしたこと」を発明の構成要件とするものである。
　本件発明２３と上記刊行物１ないし５に記載された発明とを対比する。
　刊行物１に記載の発明は、チタン酸系の絶縁膜の両端に第１の金属電極および第２の金属電極を有する薄膜コンデンサの製造方法であるが、第１の金属電極を「格子定数の異なる２以上の種類の金属の合金とし、合金の構成比率を変えることにより、合金の格子定数を変えて」、前記チタン酸系の絶縁膜の「格子定数と合致させるようにしたこと」については記載も示唆もされていない。
　そして、刊行物２に記載の発明は、高誘電率を有する誘電体層の両端に下部電極および上部電極を有する高誘電率を有する誘電体キャパシタの製造方法に関するものではなく、刊行物３及び４には、金属材料一般に関してのみ記載されている。
　また、刊行物５に記載の発明は、誘電体層の両端に下部電極および上部電極を有する誘電体キャパシタの製造方法において、下部電極を合金としたものであるが、誘電体層を高誘電率を有する誘電体層とする点については記載されておらず、しかも、合金から成る下部電極を「格子定数の異なる２以上の種類の金属の合金とし、合金の構成比率を変えることにより、合金の格子定数を変えて、前記強誘電体層の格子定数と合致させるようにした」点について記載も示唆もされていない。
　すなわち、刊行物１ないし５に記載された発明は、「前記下部電極を格子定数の異なる２以上の種類の金属の合金とし、合金の構成比率を変えることにより、合金の格子定数を変えて、前記高誘電率を有する誘電体層の格子定数と合致させるようにした」点について記載も示唆もされていない。
　さらに、本件発明２３は、本件発明１１と同様の明細書記載の顕著な作用効果を奏するものである。
　よって、本件発明２３は、刊行物１ないし５に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
　
６．むすび
　したがって、特許異議の申立ての理由及び証拠によっては、請求項１、２、６、７、９、１０、１１、１２、１８及び２３に係る発明についての特許を取り消すことはできない。
　また、他に請求項１、２、６、７、９、１０、１１、１２、１８及び２３に係る発明についての特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１６年９月１日（２００４．９．１）