【事件の表示】
　特許第３１０５１１８号「半導体用接着テープ」の請求項１に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３１０５１１８号の請求項１に係る特許を維持する。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯の概要
　本件特許第３１０５１１８号（以下、「本件特許」という。）は、平成５年９月２日に特許出願がなされ、平成１２年９月１日に請求項１に係る発明につき特許権の設定の登録がなされ、その後、平成１３年４月２５日に古郡孝枝より、同年４月２６日に東レ株式会社より、また、同年５月１日に井坂紀子より、それぞれその請求項１に係る特許について特許異議の申立がなされ、平成１４年８月２０日付けで特許取消理由の通知がなされ、平成１４年１０月３１日付けで訂正請求書が提出され、平成１５年６月１８日付けで特許取消理由の通知がなされ、平成１５年８月２２日付けで訂正請求書が提出されたものである。
　　
II．訂正の適否について
　上記平成１５年８月２２日付け訂正請求書による訂正は、以下のとおりである。
(II-1)訂正の内容
訂正事項ａ（特許請求の範囲の訂正）
　特許請求の範囲の請求項１を、次のとおりに訂正する。
「【請求項１】ポリイミドからなる絶縁フィルム上に、接着剤層及び保護層を設けてなる半導体用接着テープにおいて、前記接着剤層が少なくともエポキシ樹脂、ビスマレイミド樹脂、ポリアミド樹脂及びノボラック型フェノール樹脂を含有し、かつ該エポキシ樹脂の塩素イオン含有量が１２００ｐｐｍ以下であることを特徴とする半導体用接着テープ。」
　　
訂正事項ｂ（特許請求の範囲外の訂正）
(b-1)段落【0006】の「前記接着剤層がエポキシ樹脂を含有し」を、「前記接着剤層が少なくともエポキシ樹脂、ビスマレイミド樹脂、ポリアミド樹脂及びノボラック型フェノール樹脂を含有し」と訂正する。
(b-2)段落【0008】の「少なくともエポキシ樹脂を含有し」を、「少なくともエポキシ樹脂、ビスマレイミド樹脂、ポリアミド樹脂及びノボラック型フェノール樹脂を含有し」と訂正する。
(b-3)段落【0015】の「実施例２」を「比較例１」と訂正する。
(b-4)段落【0016】の「比較例１」を「比較例２」と訂正する。
(b-5)段落【0017】の「実施例１及び２、および比較例１のＴＡＢ用テープ」を「実施例１、比較例１および２のＴＡＢ用テープ」と訂正し、「実施例１、実施例２、比較例１の各テープ」を「実施例１、比較例１、比較例２の各テープ」と訂正する。
(b-6)段落【0018】の「実施例１、実施例２、比較例１の各テープ」を「実施例１、比較例１、比較例２の各テープ」と訂正する。
(b-7)段落【0019】【表１】左列第３行の「実施例２」を「比較例１」に、第４行の「比較例１」を「比較例２」に訂正する。
　　
（II-2）訂正の目的、範囲、及び実質上の拡張又は変更について
　訂正事項ａは特許請求の範囲の減縮を目的とするもの、および、訂正事項ｂは明りょうでない記載の釈明を目的とするものに該当し、そしてそれらの訂正は、願書に添付した明細書及び図面の記載からみて、当該明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正と認められ、また、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものとは認められない。
　以上のとおりであるから、本訂正は、平成６年法律第１１６号附則第６条第１項の規定により、その施行前にした特許出願の明細書の訂正についてはなお従前の例によるとされる、特許法第１２０条の４第３項において準用する平成６年法律第１１６号による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書き、及び同条第２項の規定に適合するので、本訂正を認める。
　　
III．取消理由通知について
(III-1)取消理由通知
　上記平成１５年６月１８日付けで通知した取消理由の概要は、以下のとおりのものである。
「１）本件特許の請求項１に係る発明は、その出願前日本国内において頒布された刊行物である下記引用例１〜５に記載された発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定に違反して特許されたものである。
２）本件特許は、明細書の記載が特許法第３６条第４〜６項に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである。
          　　　 　　          記
引用例１：特開平５−２５４５２号公報
引用例２：特開平２−１４３４４７号公報（古郡孝枝による特許異議申立書の甲第１号証）
引用例３：特開昭６１−２２１２７９号公報（古郡孝枝による特許異議申立書の甲第２号証）
引用例４：特開昭６０−４５２２号公報（井坂紀子による特許異議申立の甲第３号証）
引用例５：特開平５−１４８４５８号公報（古郡孝枝による特許異議申立書の甲第３号証）」
　そして、上記理由２については、本件明細書の記載は、（ａ）本件明細書にはエポキシ樹脂の塩素イオン含有量の測定方法の説明がなされおらず、（ｂ）接着剤層中の塩素イオン含有量が不特定であり、（ｃ）接着テープ全体ないし接着剤層中のエポキシ樹脂以外の成分についての塩素イオン含有量の説明がなされておらず、また、（ｄ）エポキシ樹脂の塩素イオン含有量とバイアス試験結果との関係が不明である、とするものである。
　
(III-2)対比・判断
理由１について
　上記訂正後の請求項１に係る発明（以下「訂正発明」という。）と、引用例１〜５に記載された発明とを対比すると、当該引用例１〜５のいずれにも、半導体用接着テープにおいて、「接着剤層が少なくともエポキシ樹脂、ビスマレイミド樹脂、ポリアミド樹脂及びノボラック型フェノール樹脂を含有」するとした訂正発明の構成要件を開示する記載はなく、そして訂正発明は当該構成要件を含む前記認定の構成を具備することにより、ＴＡＢ用テープの実装工程時に、インナーリード及びアウターリードボンディング時の高温、高圧下による塩素イオンの発生量が低減され、高温高湿下における絶縁抵抗が高くなり、絶縁劣化が小さくなり、ファインピッチ化した集積回路に適用することが可能な半導体用接着テープが得られる（段落【0021】参照。）という、明細書に記載された効果を奏したものと認めることができる。
　したがって、訂正発明は、引用例１〜５に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができた発明とすることはできない。
　　
理由２について
　訂正発明における接着剤層については、エポキシ樹脂以外に実質上塩素イオン源となる成分は認められず、エポキシ樹脂のみが実質的に塩素イオン源となるものと認められることからすると、エポキシ樹脂のみに関する塩素イオン含有量の測定方法の説明がなされていないこと、エポキシ樹脂の含有量の特定がないこと、及び、エポキシ樹脂以外の成分についての塩素イオン含有量についての説明がなされていないことにより明細書の記載が不備となるとは言えず、また、表１（段落【0019】）の記載からみて、エポキシ樹脂の塩素イオン含有量とバイアス試験結果との関係が不明であるとすることもできない。
　　
IV．むすび
　以上のとおり、訂正後の請求項１に係る特許は、上記通知した取消理由によっては、拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものとすることはできない。
　また、他に、古郡孝枝、東レ株式会社、及び井坂紀子の各特許異議申立人の提示した証拠及び主張を検討しても、訂正後の請求項１に係る特許について、拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものと認めることはできない。
　したがって、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第１４条の規定に基く、特許法等の一部を改正する法律の一部の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第２項の規定により、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１５年１１月５日（２００３．１１．５）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
半導体用接着テープ
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　ポリイミドからなる絶縁フィルム上に、接着剤層及び保護層を設けてなる半導体用接着テープにおいて、前記接着剤層が少なくともエポキシ樹
脂、ビ
、ポリアミド樹脂及びノボラック型フェノール樹脂
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】
　本発明は、半導体デバイスの組立工程において、デバイスの多ピン化、小型化、高密度実装に際し注目されているＴＡＢ（Ｔａｐｅ　ＡｕｔｏｍａｔｅｄＢｏｎｄｉｎｇ）方式に用いられる、保護フィルム、接着剤、絶縁フィルムの３層構造からなるＴＡＢ用テープ、リードフレーム固定用テープおよびリードフレームとＴＡＢ用テープをワイヤーボンディングにより接続するシート等に使用する半導体用接着テープに関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　従来、ＴＡＢ用テープは、次のように加工されて形成している。
１）スプロケット，デバイスホールをスタンピングにより穿孔する。
２）穿孔されたテープに銅箔を熱圧着した後、加熱により接着剤を硬化させる。
３）フォトレジストを塗布し、マスクを通して紫外線等を照射した後、現像する。
４）デバイスホールの裏打ち、銅のエッチング、レジスト除去、裏打ちの除去を行い、回路を作製し、ソルダーレジストをかける。
５）錫、金メッキを行う。
以上の工程を経て作製されたテープに、チップがインナーリードボンディングされた後、リードを切断し、プリント基盤等にアウターリードボンディングし、樹脂で封止する。或いは、インナーリードボンディングした後、樹脂で封止し、周辺回路も含めて切断し、アウターリードボンディングする。
　【０００３】
　接着剤及び有機絶縁フィルムは、周辺回路、封止樹脂中に残ることが多い。このような場合、益々高密度化が進む中、銅箔のパターン間の絶縁信頼性が問題になる。絶縁信頼性は接着剤の特性に起因するところが多い。特に接着剤の耐湿熱性、電気抵抗もさることながら、接着剤中に含有されるイオン性不純物（特に塩素イオン）などにより絶縁信頼性は支配される。
　【０００４】
　従来用いられてきたＴＡＢ用テープの接着剤は、接着剤の一成分であるエポキシ樹脂中に、イオン性不純物（特に塩素イオン）が多く含有され、そのため電気抵抗が低く、その結果、銅パターン間の金属移行を含め、絶縁劣化が問題になっている。
　【０００５】
　【発明が解決しようとする課題】
　以上のような問題点から、集積回路の高電圧化が進む現在、従来技術によるＴＡＢ用テープでは、絶縁信頼性の面において十分満足しきれていない。そこで本発明は、従来のＴＡＢ用テープにおける上記の様な問題を解決することを目的とするものである。すなわち、本発明の目的は、銅パターン間の金属移行および絶縁劣化を防ぎ、その結果、絶縁信頼性の高いＴＡＢ用テープを提供することにある。
　【０００６】
　【課題を解決するための手段】
　本発明は、上記の問題点を解決するためになされたもので、その概要は、ポリイミドからなる絶縁フィルム上に、接着剤層及び保護層を設けてなる半導体用接着テープにおいて、前記接着剤層が少なくともエポキシ樹
脂、ビ
ポリアミド樹脂及びノボラック型フェノール樹脂
　【０００７】
　図１は、本発明の一実施例であるＴＡＢ用テープの模式的断面図であって、絶縁フィルム１の片面に、接着剤層２と保護層となる保護フィルム３が順次積層されている。図１においては、接着剤層２は１層構造としたものを示しているが２層以上の層構造を有するものであってもよい。絶縁フィルムとしては、厚さ２５〜１８８μｍ、好ましくは５０〜１２５μｍのポリイミドからなる絶縁フィルムが使用できる。
　【０００８】
　また本発明を構成する接着剤層は熱硬化型のもので、少なくともエポキシ樹
脂、ビ
ポリアミド樹脂及びノボラック型フェノール樹脂
　【０００９】
　本発明における接着剤層のエポキシ樹脂を硬化するための硬化剤としては、その構造中に官能基を有し、同成分、及び他の成分と反応を起こし、硬化する成分を使用することができる。例えばイミダゾール化合物、ノボラック型フェノール化合物、レゾール型フェノール化合物、マレイミド化合物、ポリアミドアミン、酸無水物、酸ヒドラジド等を挙げることができる。本発明では、接着剤層に使用するエポキシ樹脂を塩素イオン含有量１２００ｐｐｍ以下のものとする。例えば特公平３−１２０８８号公報に開示されている方法により、塩素イオン含有量を減少させたエポキシ樹脂を使用してもよい。
　【００１０】
　接着剤層の保護層としては、保護フィルムが使用され、例えば、ポリエチレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリプロピレン等のフィルムが例示できる。次に、本発明のＴＡＢ用テープの製造方法について説明する。図２は、製造工程を示すもので、（イ）保護フィルム３の上に所定の配合の接着剤を、乾燥後の膜厚が上記の範囲になるように塗布する。その際、半硬化状の状態にするために、その加熱条件は、１５０〜１８０℃で２分間乾燥させることが必要である。次に、（ロ）形成された接着剤層２の表面に、有機絶縁フィルム１を重ね合わせ、（ハ）１００〜１３０℃で１ｋｇ／ｃｍ２以上の条件で熱圧着する。得られたＴＡＢ用テープは巻回されて、例えば、幅３０〜２００ｍｍで３０〜３００ｍの長さのものが得られる。
　【００１１】
　【作用】
　本発明において、接着剤層に使用するエポキシ樹脂の塩素イオンの含有量を１２００ｐｐｍ以下とすることで、絶縁信頼性の高いＴＡＢ用テープを提供することができる。すなわち接着剤層中の塩素イオンの含有量を従来のものより制限することで、ボンディング等の熱工程の際の塩素イオンの発生量を低減させることにより、銅パターン間の金属移行および絶縁劣化を防ぎ、その結果、絶縁信頼性の高いＴＡＢ用テープを提供できるものである。
　【００１２】
　【実施例】
　以下、本発明を実施例によって説明する。なお、「部」は全て「重量部」を意味する。
実施例１
　厚さ３８μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる保護フィルムに、下記組成の接着剤層形成用塗料を塗布し、１６０℃で２分間乾燥して、膜厚２０μｍの接着剤層を形成した。
　【００１３】
・ポリアミド樹脂（トーマイドＴＸＣ−２３２−Ｃ　富士化成工業社製）の２５％イソプロピルアルコール／水混合溶液　５２部
・ビスマレイミド樹脂（ＢＭＩ−ＭＰ　三井東圧化学社製）の２０％ジメチルアセトアミド溶液　４０部
・エポキシ樹脂（ＤＥＲ−３３１Ｌ　ダウケミカル社製　塩素イオン含有量　１０００ＰＰＭ）　４部
・ノボラック型フェノール樹脂（タマノル７５２　荒川化学社製）の５０％メチルエチルケトン溶液　４部
・２−エチルイミダゾールの１％メチルエチルケトン溶液　１部
次に、厚さ５０μｍのポリイミドフィルムからなる絶縁フィルムを重ね合わせ、１３０℃、１ｋｇ／ｃｍ２の条件で加熱圧着して、本発明のＴＡＢ用テープを作成した。次に、このＴＡＢ用テープの保護フィルムを剥離し、１オンスの電解銅箔（厚さ３５〜４０μｍ）を貼り合わせ、１３０℃、１ｋｇ／ｃｍ２の条件で加熱加圧処理を行った。その後更に６０℃で６時間、８０℃で６時間、１２０℃で３時間、及び１５０℃で５時間、順次加熱を行い、接着剤層の硬化を行った。更に、常法により銅箔上にフォトレジスト膜を形成して処理し、銅箔をエッチングし、櫛形回路を形成してフィルムキャリアテープを作成し、これをバイアス試験測定用サンプルとする。
　【００１４】
　また、接着剤中の塩素イオンの含有量は、純水により抽出したものを、イオンクロマトグラフィーにより定量した。これら測定用サンプルは、上記のＴＡＢ用テープを６０℃で６時間、８０℃で６時間、１２０℃で３時間、及び１５０℃で５時間順次加熱を行い、接着剤層の硬化を行った。
　【００１５】
　
比較例１
　接着剤層形成用塗料として、下記組成のものを用いた以外は、実施例１と同様の方法にて本発明のＴＡＢ用テープを作製し、さらにこれを使ってフィルムキャリアテープを作成した。
・ポリアミド樹脂（トーマイドＴＸＣ−２３２−Ｃ　富士化成工業社製）の２５％イソプロピルアルコール／水混合溶液　９２部
・エポキシ樹脂（ＤＥＲ−３８３Ｊ　ダウケミカル社製　塩素イオン含有量　１０００ＰＰＭ）　５部
・ノボラック型フェノール樹脂（タマノル７５２　荒川化学社製）の５０％メチルエチルケトン溶液　３部
・２−エチルイミダゾールの１％メチルエチルケトン溶液　１部
　【００１６】
　比較例
２
　接着剤形成用塗料として、下記組成のものを用いた以外は、実施例１と同様にして比較用のＴＡＢ用テープ及びフィルムキャリアテープを作成した。
・ポリアミド樹脂（トーマイドＴＸＣ−２３２−Ｃ　富士化成工業社製）の２５％イソプロピルアルコール／水混合溶液　９３部
・エポキシ樹脂（エピコート８２８　油化シェル社製　塩素イオン含有量　２５００ＰＰＭ）　４部
・ポリビニルパラフェノール樹脂（マルカリンカＳ４Ｐ　丸善石油化学社製）の５０％メチルエチルケトン溶液　３部
・２−エチルイミダゾールの１％メチルエチルケトンの溶液　１部
　【００１７】
（特性評価試験）
　実施例
１、比
および２
１）純水抽出によるイオンクロマトグラフィーの分析実施例１、比較例１、比較例２の各テープのサンプルを容器に１ｇとり、該容器の中で酸素パージを行い、５５０℃、１時間の条件で前記サンプルを燃焼させ、得られた灰分を純水５０ｇを入れた抽出用容器内に封入し、塩素イオンの抽出を行った。尚、測定には、イオンクロマトグラフ　ＱＩＣ（ＤＩＯＮＥＸ社製）を行い、塩素イオンの成分ピークが出現する保持時間を確認し、この保持時間における検出ピーク強度を定量値とした。
　【００１８】
３）バイアス試験
　実施例１
、比較例１、
２
　【００１９】
　表１にイオンクロマトグラフによる塩素イオンの抽出結果および電流が乱れ始める迄の時間を示す。
　【表１】
　【００２０】
　表１から明らかなように、本発明のＴＡＢ用テープは、上記試験によって、優れた絶縁信頼性を示すことが確認された。
　【００２１】
　【発明の効果】
　本発明の、半導体用テープは、ＴＡＢ用テープの実装工程時に、インナーリード及びアウターリードボンディング時の高温、高圧下による塩素イオンの発生量が低減され、その結果、従来品よりも高温高湿下における絶縁抵抗が高くなり、絶縁劣化が小さくなる。従って、本発明の半導体用接着テープは、ファインピッチ化した集積回路に適用することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　本発明のＴＡＢ用テープの模式的断面図である。
　【図２】
　本発明のＴＡＢ用テープの製造工程図である。
　【符号の説明】
　１　絶縁フィルム
　２　接着剤層
　３　保護フィルム