【事件の表示】
　特許第３３０４９００号「複合高周波部品及びそれを用いた移動体通信装置」の請求項１ないし７に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３３０４９００号の請求項１ないし７に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
　特許出願　　　　　　　　　　　　　　　　　平成１０年１１月２５日
　特許権設定登録　　　　　　　　　　　　　　平成１４年　５月１０日
　特許異議申立て（申立人小幡良二、全請求項）平成１５年　１月２２日
　取消理由通知（全請求項）　　　　　　　　　平成１５年　４月１１日
　訂正請求（請求項１乃至請求項７）　　　　　平成１５年　６月２３日
　
２．訂正の適否
（１） 訂正の内容
ア．特許請求の範囲の記載を以下のとおりに訂正する。
「【請求項１】第１から第３のポートを有するとともに、第１のインダクタンス素子、及び第１のキャパシタンス素子で構成されたダイプレクサと、第１から第３のポートを有するとともに、第１及び第２のスイッチング素子、第２のインダクタンス素子、及び第２のキャパシタンス素子で構成され、該第１のポートを該第２、第３のポートのいずれかに切り換える複数の高周波スイッチと、第１、第２のポートを有するとともに、第３のインダクタンス素子、及び第３のキャパシタンス素子で構成された複数のフィルタを備え、
　前記ダイプレクサの第１のポートがアンテナに接続され、前記ダイプレクサの第２、第３のポートがそれぞれ前記複数の高周波スイッチの第１のポートに接続されるか、または、前記複数のフィルタを介して接続され、前記複数の高周波スイッチの第２のポートがそれぞれ送信部に接続され、前記複数の高周波スイッチの第３のポートがそれぞれ受信部に接続されており、
　前記複数のフィルタは、前記複数の高周波スイッチの第１のポートもしくは第２のポートに接続されており、
　前記第１及び第２のスイッチング素子はそれぞれ第１及び第２のダイオードであり、
　前記複数の高周波スイッチはそれぞれ、前記第１のポートと前記第２のポートを結ぶ経路に直列に前記第１のダイオードが、前記第１のポートと前記第３のポートを結ぶ経路とグランドとの間に前記第２のダイオードがそれぞれ接続されるものであり、
　前記複数の高周波スイッチのオン・オフが、前記複数の高周波スイッチの第２のポート側に接続される共通の第１の制御電源で全ての前記第１及び第２のダイオードが同時にオンまたはオフするように制御されることを特徴とする複合高周波部品。
【請求項２】第１から第３のポートを有するとともに、第１のインダクタンス素子、及び第１のキャパシタンス素子で構成されたダイプレクサと、第１から第３のポートを有するとともに、第１及び第２のスイッチング素子、第２のインダクタンス素子、及び第２のキャパシタンス素子で構成され、該第１のポートを該第２、第３のポートのいずれかに切り換える複数の高周波スイッチと、第１、第２のポートを有するとともに、第３のインダクタンス素子、及び第３のキャパシタンス素子で構成された複数のフィルタを備え、
　前記ダイプレクサの第１のポートがアンテナに接続され、前記ダイプレクサの第２、第３のポートがそれぞれ前記複数の高周波スイッチの第１のポートに接続されるか、または、前記複数のフィルタを介して接続され、前記複数の高周波スイッチの第２のポートがそれぞれ送信部に接続され、前記複数の高周波スイッチの第３のポートがそれぞれ受信部に接続されており、
　前記複数のフィルタは、前記複数の高周波スイッチの第１のポートもしくは第２のポートに接続されており、
　前記第１及び第２のスイッチング素子はそれぞれ第１及び第２のダイオードであり、
　前記複数の高周波スイッチはそれぞれ、前記第１のポートと前記第２のポートを結ぶ経路に直列に前記第１のダイオードが、前記第１のポートと前記第３のポートを結ぶ経路とグランドとの間に前記第２のダイオードがそれぞれ接続されるものであり、
　前記複数の高周波スイッチのオン・オフが、前記複数の高周波スイッチの第２のポート側に接続される共通の第１の制御電源と、前記複数の高周波スイッチの第３のポート側に接続される共通の第２の制御電源とで全ての前記第１及び第２のダイオードが同時にオンまたはオフするように制御されることを特徴とする複合高周波部品。
【請求項３】前記複数のフィルタが、前記複数の高周波スイッチと前記送信部との間に配置されることを特徴とする請求項１あるいは請求項２に記載の複合高周波部品。
【請求項４】前記第１及び第２のスイッチング素子、前記第１乃至第３のインダクタンス素子、及び前記第１乃至第３のキャパシタンス素子が、セラミックスからなる複数のシート層を積層してなるセラミック多層基板に内蔵、もしくは搭載されるとともに、前記セラミック多層基板に形成される接続手段によって接続され、
　前記受信部に接続される複数の外部端子が、グランドとなる外部端子を挟んで、前記セラミック多層基板の側面に設けられることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の複合高周波部品。
【請求項５】前記高周波スイッチを構成する前記第１及び第２のスイッチング素子が、前記セラミック多層基板に搭載され、前記ダイプレクサを構成する第１のキャパシタンス素子が、前記ダイプレクサを構成する第１のインダクタンス素子を介して、前記セラミック多層基板の積層方向に配置され、前記フィルタを構成する第３のキャパシタンス素子が、前記フィルタを構成する第３のインダクタンス素子を介して、前記セラミック多層基板の積層方向に配置されることを特徴とする請求項４に記載の複合高周波部品。
【請求項６】前記複数の高周波スイッチを構成する第２のインダクタンス素子がチョークコイルからなり、該チョークコイルが前記セラミック多層基板に搭載されることを特徴とする請求項４あるいは請求項５のいずれかに記載の複合高周波部品。
【請求項７】請求項１乃至請求項６のいずれかに記載の複合高周波部品を用いたことを特徴とする移動体通信装置。」
　
イ． 明細書中の【０００９】欄を以下のとおり訂正する。
「【０００９】
　　【課題を解決するための手段】
　上述する問題点を解決するため本発明の複合高周波部品は、第１から第３のポートを有するとともに、第１のインダクタンス素子、及び第１のキャパシタンス素子で構成されたダイプレクサと、第１から第３のポートを有するとともに、第１及び第２のスイッチング素子、第２のインダクタンス素子、及び第２のキャパシタンス素子で構成され、該第１のポートを該第２、第３のポートのいずれかに切り換える複数の高周波スイッチと、第１、第２のポートを有するとともに、第３のインダクタンス素子、及び第３のキャパシタンス素子で構成された複数のフィルタを備え、
　前記ダイプレクサの第１のポートがアンテナに接続され、前記ダイプレクサの第２、第３のポートがそれぞれ前記複数の高周波スイッチの第１のポートに接続されるか、または、前記複数のフィルタを介して接続され、前記複数の高周波スイッチの第２のポートがそれぞれ送信部に接続され、前記複数の高周波スイッチの第３のポートがそれぞれ受信部に接続されており、
　前記複数のフィルタは、前記複数の高周波スイッチの第１のポートもしくは第２のポートに接続されており、
　前記第１及び第２のスイッチング素子はそれぞれ第１及び第２のダイオードであり、
　前記複数の高周波スイッチはそれぞれ、前記第１のポートと前記第２のポートを結ぶ経路に直列に前記第１のダイオードが、前記第１のポートと前記第３のポートを結ぶ経路とグランドとの間に前記第２のダイオードがそれぞれ接続されるものであり、
　前記複数の高周波スイッチのオン・オフが、前記複数の高周波スイッチの第２のポート側に接続される共通の第１の制御電源で全ての前記第１及び第２のダイオードが同時にオンまたはオフするように制御されることを特徴とする。」
　
ウ．明細書中の【００１０】欄を以下のとおり訂正する。
「【００１０】
　また、第１から第３のポートを有するとともに、第１のインダクタンス素子、及び第１のキャパシタンス素子で構成されたダイプレクサと、第１から第３のポートを有するとともに、第１及び第２のスイッチング素子、第２のインダクタンス素子、及び第２のキャパシタンス素子で構成され、該第１のポートを該第２、第３のポートのいずれかに切り換える複数の高周波スイッチと、第１、第２のポートを有するとともに、第３のインダクタンス素子、及び第３のキャパシタンス素子で構成された複数のフィルタを備え、
　前記ダイプレクサの第１のポートがアンテナに接続され、前記ダイプレクサの第２、第３のポートがそれぞれ前記複数の高周波スイッチの第１のポートに接続されるか、または、前記複数のフィルタを介して接続され、前記複数の高周波スイッチの第２のポートがそれぞれ送信部に接続され、前記複数の高周波スイッチの第３のポートがそれぞれ受信部に接続されており、
　前記複数のフィルタは、前記複数の高周波スイッチの第１のポートもしくは第２のポートに接続されており、
　前記第１及び第２のスイッチング素子はそれぞれ第１及び第２のダイオードであり、
　前記複数の高周波スイッチはそれぞれ、前記第１のポートと前記第２のポートを結ぶ経路に直列に前記第１のダイオードが、前記第１のポートと前記第３のポートを結ぶ経路とグランドとの間に前記第２のダイオードがそれぞれ接続されるものであり、
　前記複数の高周波スイッチのオン・オフが、前記複数の高周波スイッチの第２のポート側に接続される共通の第１の制御電源と、前記複数の高周波スイッチの第３のポート側に接続される共通の第２の制御電源とで全ての前記第１及び第２のダイオードが同時にオンまたはオフするように制御されることを特徴とする。」
　
（２）訂正の目的の適否、新規事項の有無、及び特許請求の範囲の拡張・変更の存否
　上記訂正ア．は、
　請求項１に係る発明を特定する事項である第１及び第２のスイッチング素子を「それぞれ第１及び第２のダイオード」と限定し、
　複数の高周波スイッチを「それぞれ、前記第１のポートと前記第２のポートを結ぶ経路に直列に前記第１のダイオードが、前記第１のポートと前記第２のポートを結ぶ経路とグランドとの間に前記第２のダイオードがそれぞれ接続されるもの」と限定し、
　共通の第１の制御電源による制御を「全ての前記第１及び第２のダイオードが同時にオンまたはオフするように制御する」と限定するものであって、
　
　また、請求項２に係る発明を特定する事項である第１及び第２のスイッチング素子を「それぞれ第１及び第２のダイオード」と限定し、
　複数の高周波スイッチを「それぞれ、前記第１のポートと前記第２のポートを結ぶ経路に直列に前記第１のダイオードが、前記第１のポートと前記第２のポートを結ぶ経路とグランドとの間に前記第２のダイオードがそれぞれ接続されるもの」と限定し、
　共通の第１の制御電源と共通の第２の制御電源による制御を「全ての前記第１及び第２のダイオードが同時にオンまたはオフするように制御する」と限定するものであって、
　　
　特許請求の範囲の減縮を目的とした明細書の訂正に該当し、新規事項の追加に該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　
　また、上記の訂正イ．は、特許請求の範囲の請求項１の訂正と整合性を持たせて明りょうにするためのものであり、明りょうでない記載の釈明を目的とした明細書の訂正に該当する。
　
　また、上記の訂正ウ．は、特許請求の範囲の請求項２の訂正と整合性を持たせて明りょうにするためのものであり、明りょうでない記載の釈明を目的とした明細書の訂正に該当する。
（３）むすび
　上記訂正は、特許法第１２０条の４第２項及び同条第３項おいて準用する同法第１２６条第２から４項の規定に適合するので、この訂正を認める。
　
３．特許異議の申立てについての判断
（１） 申立についての概要
　申立人小幡良二は、下記の甲第１乃至甲第４号証より、請求項１乃至７に係る発明の特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであるから取り消すべき旨主張している。
　
甲第１号証：特開平７−５８６５９号公報（ａ）
甲第２号証：中井，積層セラミック応用高周波ＳＭＤ部品，ＴＨＥ　ＨＯＴＬＩＮＥ，１９９８年４月，Ｖｏｌ．２７　ｐ．５−１０（ｂ）
甲第３号証：実願昭５８−６２２３９号（実開昭５９−１６９１５１号公報）の願書に添付した明細書及び図面の内容を撮影したマイクロフィルム（ｃ）
甲第４号証：特開平１０−３０８６０２号公報（ｄ）
　
（２） 請求項１乃至請求項７に係る発明
　本件特許第第３３０４８９８号の請求項１乃至請求項７に係る発明は、訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１乃至請求項７に記載された事項により特定されるとおりのものである。（上記、２．（１）訂正の内容参照。）
　
（３） 請求項１に係る発明について
　当審が通知した取消しの理由に引用された刊行物１（甲第２号証：中井，積層セラミック応用高周波ＳＭＤ部品，ＴＨＥ　ＨＯＴＬＩＮＥ，１９９８年４月，Ｖｏｌ．２７　ｐ．５−１０（ｂ））には、以下の事項が記載されている。
ア．「最近、欧米ではデュアルバンドとかトリプルバンドといったマルチバンドの携帯電話の開発が急速に進められています。」（第９頁中欄第２行〜５行）
　
イ．「図１３（Ｐ．１０）にＧＳＭとＤＣＳ１８００の代表的ブロック図を示しています。」（第９頁右欄第９行〜１０行）
　
ウ．「今後の方向としてダイプレクサは、やはりさらなる小型化をはかるとともに図１３（Ｐ．１０）のブロック図に示したようなダイプレクサを核とし、セラミック積層システムの長所を生かしてアンテナ回路部を集積したフロントエンドモジュールなどの開発も進めていく予定です。」（第９頁右欄第３３行〜３９行）
　
エ．デュアルバンド携帯電話の代表的ブロック図（図１３）には、ダイプレクサ（Ｄｉｐｌｅｘｅｒ）、ローパスフィルタ（ＬＰＦ）、ＤＣＳ用のＴ／Ｒスイッチ、ＧＳＭ用のＴ／Ｒスイッチを備えたフロントエンドモジュール（Ｆｒｏｎｔ　Ｅｎｄ　Ｍｏｄｕｌｅ）が記載されており、
　図１３を参照すると、フロントエンドモジュールは、３ポートのダイプレクサ、３ポートのＤＣＳ用のＴ／Ｒスイッチ、３ポートのＧＳＭ用のＴ／Ｒスイッチを備え、ダイプレクサとＤＣＳ用のＴ／Ｒスイッチとの間にローパスフィルタＬＰＦを接続し、ＤＣＳ用のＴ／ＲスイッチのＲポートがＤＣＳ用のバンドパスフィルタＢＰＦを介して受信部ＤＣＳ／ＲＸに接続され、ＤＣＳ用のＴ／ＲスイッチのＴポートがＤＣＳ用のローパスフィルタＬＰＦを介して受信部ＤＣＳ／ＴＸに接続され、ＧＳＭ用のＴ／ＲスイッチのＲポートがＧＳＭ用のバンドパスフィルタＢＰＦを介して受信部ＧＳＭ／ＲＸに接続され、ＧＳＭ用のＴ／ＲスイッチのＴポートがＧＳＭ用のローパスフィルタＬＰＦを介して受信部ＤＣＳ／ＴＸに接続されることが記載されている。
　
　上記ア．〜エ．の事項を参照すると、刊行物１には、
　３ポートのダイプレクサ、３ポートのＤＣＳ用のＴ／Ｒスイッチ、３ポートのＧＳＭ用のＴ／Ｒスイッチを備え、ダイプレクサとＤＣＳ用のＴ／Ｒスイッチとの間にローパスフィルタＬＰＦを接続し、ＤＣＳ用のＴ／ＲスイッチのＲポートがＤＣＳ用のバンドパスフィルタＢＰＦを介して受信部ＤＣＳ／ＲＸに接続され、ＤＣＳ用のＴ／ＲスイッチのＴポートがＤＣＳ用のローパスフィルタＬＰＦを介して受信部ＤＣＳ／ＴＸに接続され、ＧＳＭ用のＴ／ＲスイッチのＲポートがＧＳＭ用のバンドパスフィルタＢＰＦを介して受信部ＧＳＭ／ＲＸに接続され、ＧＳＭ用のＴ／ＲスイッチのＴポートがＧＳＭ用のローパスフィルタＬＰＦを介して受信部ＤＣＳ／ＴＸに接続される携帯電話用のフロントエンドモジュールの発明（以下、「刊行物１記載の発明」という。）が記載されている。
　
　また、同じく刊行物２（特開平９−２９４０４２号公報）には、以下の事項が記載されている。
「【請求項１】 絶縁層を積層一体化して構成される積層体であって、内部にパターン電極が形成されて、少なくとも２個のインダクタンス成分及び２個のコンデンサ成分が構成され、該インダクタンス成分とコンデンサ成分とが接続されたノッチ回路が内部に少なくとも２個構成された積層体から成り、該２個のノッチ回路の一端どおしが接続されてなる分波回路が内部に構成されていることを特徴とする積層型分波器。
【請求項２】 前記ノッチ回路が、インダクタンス成分とコンデンサ成分との並列回路であることを特徴とする請求項１記載の分波器。
【請求項３】 前記２個のノッチ回路の一端どうしを接続した端部をアンテナ側に接続し、前記２個のノッチ回路のそれぞれの他端を、二つの周波数帯の通信回路側のそれぞれに接続するように構成された請求項１記載の積層型分波器を用いたデュアルバンド携帯電話端末機。」
　
　上記の事項を参照すると、刊行物２には、
　絶縁層を積層一体化して構成される積層体であって、内部にパターン電極が形成されて、少なくとも２個のインダクタンス成分及び２個のコンデンサ成分が構成され、該インダクタンス成分とコンデンサ成分とが接続されたノッチ回路が内部に少なくとも２個構成された積層体から成り、該２個のノッチ回路の一端どおしが接続されてなる分波回路が内部に構成されている積層型分波器において、前記ノッチ回路が、インダクタンス成分とコンデンサ成分との並列回路であり、前記２個のノッチ回路の一端どうしを接続した端部をアンテナ側に接続し、前記２個のノッチ回路のそれぞれの他端を、二つの周波数帯の通信回路側のそれぞれに接続するように構成された積層型分波器を用いたデュアルバンド携帯電話端末機の発明（以下、「刊行物２記載の発明」という。）が記載されている。
　
　同じく、刊行物３（特開平８−９７７４３号公報）には、以下の事項が記載されている。
ア．「【請求項１】複数の誘電体層を積層してなる多層基板の外面に高周波デバイスを搭載し、少なくとも前記多層基板の外面または前記誘電体層上に、グランド電極および前記高周波デバイスに接続した信号ラインとを形成し、前記信号ラインと同一平面上には、前記信号ラインと前記グランド電極間に接続した第１の伝送線路を形成し、該第１の伝送線路を介して前記高周波デバイスにバイアス電圧をかけてなる高周波部品と、少なくとも前記多層基板の外面または前記誘電体層上に第２の伝送線路を形成してなり、前記高周波部品に対し、前記第２の伝送線路を前記信号ラインにより接続するフィルタ部品とを備えたことを特徴とする、複合高周波部品。
【請求項２】前記高周波デバイスとしてダイオードを用い、また前記伝送線路としてストリップラインを用い、さらに前記高周波部品を高周波スイッチ部品としたことを特徴とする、請求項１に記載の複合高周波部品。
【請求項３】前記フィルタ部品としてローパスフィルタ部品を用いたことを特徴とする、請求項１または請求項２のいずれかに記載の複合高周波部品。」
　
イ．「【０００３】高周波部品の一例として、高周波スイッチ部品１の回路図を図１１に示す。…送信回路ＴＸには、コンデンサＣ１を介して、高周波デバイスであるダイオードＤ１のアノードが接続される。…ストリップラインＬ１とコンデンサＣ４との中間点には、コントロール端子Ｖｃ１が接続される。コントロール端子Ｖｃ１には、高周波スイッチ部品１の切り換えを行うためのコントロール回路が接続される。」
　
ウ．「【０００４】アンテナＡＮＴに接続されたコンデンサＣ２には、…受信回路ＲＸが接続される。…また、ストリップラインＬ２とコンデンサＣ３との中間点には、高周波デバイスであるダイオードＤ２のアノードが接続される。そして、ダイオードＤ２のカソードは、コンデンサＣ５を介し、グランドに接地される。さらに、ダイオードＤ２とコンデンサＣ５との中間点には、コントロール端子Ｖｃ２が接続される。コントロール端子Ｖｃ２には、コントロール端子Ｖｃ１と同様に、高周波スイッチ部品１の切り換えを行うためのコントロール回路が接続され、高周波スイッチ部品１の回路を構成している。」
　
　上記ア．〜ウ．の事項を参照すると、刊行物３には、
　フィルタと高周波スイッチ部品を多層基板に積層一体化した複合高周波部品において、
　前記高周波スイッチ部品は、ダイオードＤ１，Ｄ２、ストリップラインＬ、コンデンサで構成され、
　送信回路ＴＸには、ダイオードＤ１が接続されてコントロール端子Ｖｃ１が接続され、
　受信回路ＴＸの経路とグランドとの間にダイオードＤ２が接続されてコントロール端子Ｖｃ２が接続され、
　コントロール端子Ｖｃ１、Ｖｃ２にコントロール回路が接続された複合高周波部品の発明（以下、「刊行物３記載の発明」という。）が記載されている。
　
　同じく、刊行物４（甲第１号証：特開平７−５８６５９号公報）には、以下の事項が記載されている。
ア．「【００１７】高周波スイッチ回路２は、図２に示すようにダイオードＤ１およびＤ２をスイッチング素子とするダイオードスイッチ回路にて構成し、…高電位信号を制御信号として端子Ａに印加してダイオードＤ２をオン状態に制御し、バンドパスフィルタ１からの出力を高周波増幅器３に導き、…高電位信号を制御信号として端子Ｂに印加してダイオードＤ１をオン状態に制御して電力増幅器６からの出力をバンドパスフィルタ１に導く。」
　
イ．「【００１８】高周波スイッチ回路１２も図２と同様に、ダイオードＤ１およびＤ２をスイッチング素子とするダイオードスイッチ回路にて構成し、…高電位信号を制御信号としてとして端子（Ａ）に印加してダイオードＤ１をオン状態に制御し、電力増幅器１６からの出力をバンドパスフィルタ１１に導き、…高電位信号を制御信号として端子（Ｂ）に印加してダイオードＤ２をオン状態に制御してバンドパスフィルタ１１からの出力を高周波増幅器１３に導く。」
　
ウ．「【００２１】スイッチ制御回路１８は、図４に示すように無線送受信機を制御するマイクロコンピュータ１９から、…トランジスタＱ１をオン状態に制御し、…高周波スイッチ回路２、１０、１２および中間周波スイッチング回路６の端子Ａ（Ａ）に印加して、バンドパスフィルタ１の出力を高周波増幅器３に導き、電力増幅器１６からの出力をバンドパスフィルタ１１に導…くように制御する。」
　
エ．「【００２２】また、スイッチ制御回路１８は、…トランジスタＱ２をオン状態に制御し、…高周波スイッチ回路２、１０、１２および中間周波スイッチング回路６の端子Ｂ（Ｂ）に印加して、バンドパスフィルタ１１の出力を高周波増幅器１３に導き、電力増幅器６からの出力をバンドパスフィルタ１に導き、…制御する。」
　　
　上記ア．〜エ．の事項を参照すると、刊行物４には、
　スイッチ制御回路１８は、トランジスタＱ２をオン状態に制御して高周波スイッチ２の端子Ｂに印加し、高周波スイッチ回路２のダイオードＤ１をオン状態に制御して電力増幅器６からの出力をバンドパスフィルタ１に導くとともに、トランジスタＱ１をオン状態に制御して高周波スイッチ１２の端子（Ａ）に印加し、高周波スイッチ回路１２のダイオードＤ１をオン状態に制御して電力増幅器１６からの出力をバンドパスフィルタ１１に導き、
　また、スイッチ制御回路１８は、トランジスタＱ１をオン状態に制御して高周波スイッチ２の端子Ａに印加し、バンドパスフィルタ１の出力を高周波増幅器３に導くとともに、トランジスタＱ２をオン状態に制御して高周波スイッチ回路１２の端子（Ｂ）に印加して、バンドパスフィルタ１１の出力を高周波増幅器１３に導く無線送受信機の発明（以下、「刊行物４記載の発明」という。）が記載されている。
　
　同じく、刊行物５（甲第４号証：特開平１０−３０８６０２号公報）には、以下の事項が記載されている。
「【００１４】図１の（ｂ）は、上記２分岐スイッチ（ＳＰＤＴ）１０３の一回路例を示している。…
【００１５】…インダクタ１２２及び１１９は高周波信号ラインから直流ラインを分離するためのチョークコイルである。
【００１６】…インダクタ１１３及び１１５は高周波信号ラインから直流ラインを分離するためのチョークコイルである。」
　
　上記事項を参照すると、刊行物５には、２分岐スイッチのインダクタンス素子としてチョークコイルを採用することが記載されている。
　
　そこで、請求項１に係る発明と刊行物１記載の発明とを対比すると、
　
（１）対比　
ア．刊行物１記載の発明の「３ポートのダイプレクサ」は、請求項１に係る発明の「第１から第３のポートを有するダイプレクサ」に対応する。
　
イ．刊行物１記載の発明の「３ポートのＤＣＳ用のＴ／Ｒスイッチ」、「３ポートのＧＳＭ用のＴ／Ｒスイッチ」は、請求項１に係る発明の「第１から第３のポートを有する複数の高周波スイッチ」に対応する。
　
ウ．刊行物１記載の発明の「ＤＣＳ用のローパスフィルタＬＰＦ、バンドパスフィルタＢＰＦ」は、請求項１に係る発明の「第１のフィルタ、第２のフィルタ」に対応する。
　
エ．刊行物１記載の発明の「ダイプレクサ」と「複数のＴ／Ｒスイッチ」と「複数のフィルタ」の接続と切り換えの関係は、請求項１に係る発明の「ダイプレクサ」と「複数の高周波スイッチ」と「複数のフィルタ」の接続と切り換えの関係と同等である。
　　
オ．刊行物１記載の発明の「フロントエンドモジュール」は、携帯電話用の高周波信号を扱う複合部品であるから、請求項１に係る発明の「複合高周波部品」に対応する。
　　
　したがって、両者は、以下の点で一致し、以下の各点で相違する。
　
＜一致点＞
　第１から第３のポートを有するダイプレクサと、第１から第３のポートを有する複数の高周波スイッチと、第１、第２のポートを有する複数のフィルタを備え、
　前記ダイプレクサの第１のポートがアンテナに接続され、前記ダイプレクサの第２、第３のポートがそれぞれ前記複数の高周波スイッチの第１のポートに接続されるか、または、前記複数のフィルタを介して接続され、前記複数の高周波スイッチの第２のポートがそれぞれ送信部に接続され、前記複数の高周波スイッチの第３のポートがそれぞれ受信部に接続されており、
　前記複数のフィルタは、前記複数の高周波スイッチの第１のポートもしくは第２のポートに接続されている複合高周波部品。
　
＜相違点＞
（ア） ダイプレクサ、高周波スイッチ、フィルタが、
　請求項１に係る発明では、
　ダイプレクサが、第１のインダクタンス素子、及び第１のキャパシタンス素子で構成され、
　高周波スイッチが、第１及び第２のスイッチング素子、第２のインダクタンス素子、及び第２のキャパシタンス素子で構成され、前記第１のスイッチング素子が前記複数の高周波スイッチの第２のポート側に配置され、前記第２のスイッチング素子が前記複数の高周波スイッチの第３のポート側に配置されて、該第１のポートが該第２、第３のポートのいずれかに切り換えられる構成を備え、
　フィルタが、第３のインダクタンス素子、及び第３のキャパシタンス素子で構成されているのに対し、
　刊行物１記載の発明では、ダイプレクサ、高周波スイッチ、フィルタの具体的な構成について特定されていない点。
　
（イ）第１及び第２のスイッチング素子が、
　請求項１に係る発明では、それぞれ第１及び第２のダイオードであるのに対し、
　刊行物１記載の発明では、上記の特定はない点。
　
（ウ）複数の高周波スイッチが、
　請求項１に係る発明では、それぞれ、前記第１のポートと前記第２のポートを結ぶ経路に直列に前記第１のダイオードが、前記第１のポートと前記第２のポートを結ぶ経路とグランドとの間に前記第２のダイオードがそれぞれ接続されるものであるのに対し、
　刊行物１記載の発明では、上記の特定はない点。
　
（エ）複数の高周波スイッチのオン・オフが、
　請求項１に係る発明では、
　前記複数の高周波スイッチの第２のポート側に接続される共通の第１の制御電源で全ての前記第１及び第２のダイオードが同時にオンまたはオフするように制御されるのに対し、
　刊行物１記載の発明では、複数の高周波スイッチの制御について特定されていない点。
　
（２）判断
　上記の相違点（ア）については、
　刊行物２又は刊行物３記載の発明を参照すると、
　第１のインダクタンス素子、及び第１のキャパシタンス素子で構成された３ポートのダイプレクサ、
　第１及び第２のスイッチング素子、第２のインダクタンス素子、及び第２のキャパシタンス素子で構成され、前記第１のスイッチング素子が前記複数の高周波スイッチの第２のポート側に配置され、前記第２のスイッチング素子が前記複数の高周波スイッチの第３のポート側に配置されて、該第１のポートが該第２、第３のポートのいずれかに切り換えられる３ポートの高周波スイッチ、
　及び、第３のインダクタンス素子、及び第３のキャパシタンス素子で構成される２ポートのフィルタ、
　は何れも、この出願の時点では、公知技術であって、
　刊行物１記載の発明のダイプレクサ、高周波スイッチ、フィルタとして、上記の各公知技術を採用することは当業者が容易に想到することができたものである。
　
　また、上記（イ）の相違点については、
　刊行物３には、高周波スイッチ部品にダイオードＤ１，Ｄ２を設けることか記載され、また、刊行物４には、ダイオードＤ１およびＤ２高周波スイッチ回路のスイッチング素子として用いることが記載されているから、
　
　刊行物３又は刊行物４の記載を参照すれば、
　高周波スイッチの第１及び第２のスイッチング素子を、それぞれ第１のダイオード及び第２のダイオードとすることは当業者が容易に想到することができたことである。
　
　また、上記（ウ）の相違点については、
　刊行物３には、
　フィルタと高周波スイッチ部品を多層基板に積層一体化した複合高周波部品が記載され、
　高周波スイッチ部品は、ダイオードＤ１，Ｄ２、ストリップラインＬ、コンデンサで構成され、
　送信回路ＴＸには、ダイオードＤ１が接続されてコントロール端子Ｖｃ１が接続され、受信回路ＴＸの経路とグランドとの間にダイオードＤ２が接続されてコントロール端子Ｖｃ２が接続され、コントロール端子Ｖｃ１、Ｖｃ２にコントロール回路が接続されたフィルタと高周波スイッチ部品を多層基板に積層一体化した複合高周波部品が記載されているから、
　
　刊行物３記載の発明を参照すれば、
　刊行物１記載の発明の、ＧＳＭ用のＴ／Ｒスイッチ及びＤＣＳ用のＴ／Ｒスイッチのそれぞれに、刊行物３に記載された高周波スイッチ部品を採用することにより
　複数の高周波スイッチの、それぞれが、前記第１のポートと前記第２のポートを結ぶ経路に直列に前記第１のダイオードが、前記第１のポートと前記第２のポートを結ぶ経路とグランドとの間に前記第２のダイオードがそれぞれ接続されるようにすることは、当業者が容易に想到することができたことである。
　
　しかしながら、上記の相違点（エ）については、刊行物１乃至刊行物５、あるいは、他の甲各号証には記載も示唆もされておらず、また、各刊行物に記載された発明に基いて当業者が容易に想到することができたものとはいえないものである。
　
　例えば、
　刊行物３には、上記のように、第１のポートと第２のポートを結ぶ経路に直列に前記第１のダイオードが、前記第１のポートと前記第２のポートを結ぶ経路とグランドとの間に前記第２のダイオードがそれぞれ接続される高周波スイッチが開示されているものの、
　
　刊行物３記載の高周波スイッチは、１つの周波数の信号の送受信を行うためのものに過ぎず、
　複数の高周波スイッチを備えておらず、複合高周波部品の複数の高周波スイッチをどのように制御するかについては具体的構成を備えていないものである。
　
　また、高周波スイッチのダイオードＤ１とダイオードＤ２とは、それぞれに対応した異なるコントロール端子Ｖｃ１とＶｃ２により制御されており、　　
　第１及び第２のダイオードを同時にオン・オフする場合にこれを共通の第１の制御電極で制御する構成とは異なるものである。
　
　即ち、刊行物３には、複数の高周波スイッチのオン・オフを高周波スイッチの第２のポート側に接続される共通の第１の制御電源で制御することは開示されていない。
　
　一方、
　刊行物４には、
　スイッチ制御回路１８は、トランジスタＱ２をオン状態に制御して高周波スイッチ２の端子Ｂに印加し、ダイオードＤ１をオン状態に制御して電力増幅器６からの出力をバンドパスフィルタ１に導くとともに、トランジスタＱ１をオン状態に制御して高周波スイッチ１２の端子（Ａ）に印加し、ダイオードＤ１をオン状態に制御して電力増幅器１６からの出力をバンドパスフィルタ１１に導く無線送受信機が記載されているが、
　
　刊行物４記載の発明の高周波スイッチは、
　上記の相違点（ウ）の、それぞれ、前記第１のポートと前記第２のポートを結ぶ経路に直列に前記第１のダイオードが、前記第１のポートと前記第２のポートを結ぶ経路とグランドとの間に前記第２のダイオードがそれぞれ接続される構成を備えていないものである。
　
　また、刊行物４記載の発明の一部の構成のみを抽出すれば、
　スイッチ制御回路１８は、複数の高周波スイッチの送信部に接続される第２のポート側に配置されたスイッチング素子であるダイオードＤ１を制御する共通の第１の制御電源に対応した構成があるものの、
　
　例えば、ｆｂの送信中に、
　高周波スイッチ回路２のダイオードＤ１がオンになっているときに、同じ高周波スイッチ回路２内のダイオードＤ２はオフとなっていて、第１及び第２のダイオードが同時にオンまたはオフするように構成されておらず、
　また、ｆｂの送信中に、高周波スイッチ回路２のダイオードＤ１がオンになっているときに、他の高周波スイッチ回路１２ではダイオードＤ１がオフになるようになっており、
　複数の高周波スイッチである高周波スイッチ回路２と高周波スイッチ回路１２の送信部に接続されたダイオードが同時にオンになるように構成されていない。
　
　即ち、
　高周波スイッチ内の第１及び第２のダイオードを同時にオンまたはオフするように制御することも開示されておらず、
　また、複数の高周波スイッチの第１及び第２のダイオードを同時にオンまたはオフするように制御することも開示されていないものである。
　
　したがって、刊行物３記載の発明及び刊行物４記載の発明を組みあわせても、上記の相違点（エ）の、複数の高周波スイッチのオン・オフが、前記複数の高周波スイッチの第２のポート側に接続される共通の第１の制御電源で全ての前記第１及び第２のダイオードが同時にオンまたはオフするように制御される構成とはならず、
　刊行物１記載の発明に刊行物３又は刊行物４記載の発明を組みあわせて、請求項１に係る発明を当業者が容易に発明することができたとすることはできない。
　
　なお、上記の相違点（エ）は、
　「〜同時にオンまたはオフするように制御される」という単なる使用方法或いは制御方法を述べたものではなく、
　複数の高周波スイッチのオン・オフの制御を、「複数の高周波スイッチの第２のポート側に接続される共通の第１の制御電極により制御する」という点で制御電極を特定し、また、「全ての第１及び第２のダイオードが制御される」という点で、複数の高周波スイッチのそれぞれの送信部に接続された第１のダイオードと受信部に接続された第２のダイオードという制御の対象を特定したものであって、
　
　請求項１に係る発明の複合高周波部品の具体的な構成及び制御に関して、複数の高周波スイッチのオン・オフと、制御電極と各ダイオードのオン・オフとの関係を特定した複合高周波部品の構成であると認められる。
　
　そして、請求項１に係る発明は、上記の（エ）の構成を採ることにより、「送信時に、高周波スイッチを同時にオンすることができ、したがって、送信時における高周波スイッチの高調波歪みを小さくすることができ、複合高周波部品の特性を向上させることができる。」という明細書記載の作用効果を奏するものである。
　
　してみると、請求項１に係る発明は、刊行物１乃至刊行物５に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものとすることができない。
　また、異議申立人が提出した他の証拠を参照しても、請求項１に係る発明は、各刊行物に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものとすることができない。
　
（４） 請求項２に係る発明について
　請求項２に係る発明と請求項１に係る発明とを比較すると、
　複数の高周波スイッチのオン・オフが、
　請求項１に係る発明では、前記複数の高周波スイッチの第２ポート側に接続される共通の第１の制御電源で…制御されるのに対し、
　請求項２に係る発明では、前記複数の高周波スイッチの第２ポート側に接続される共通の第１の制御電源と、前記前記複数の高周波スイッチの第３ポート側に接続される共通の第２の制御電源とで…制御されるの点が相違する。
　
　そして、上記の相違により、
　刊行物２記載の発明と刊行物１記載の発明とを対比すると、
　請求項１に係る発明と同様の相違点（ア）〜（ウ）と、以下の相違点（エ’）で相違している。
　
（エ’）複数の高周波スイッチのオン・オフが、
　請求項２に係る発明では、
　前記複数の高周波スイッチの第２のポート側に接続される共通の第１の制御電源と、前記前記複数の高周波スイッチの第３ポート側に接続される共通の第２の制御電源とで全ての前記第１及び第２のダイオードが同時にオンまたはオフするように制御されるのに対し、
　刊行物１記載の発明では、複数の高周波スイッチの制御について特定されていない点。
　
　相違点（ア）〜（ウ）については、請求項１に係る発明の場合と同様に、当業者が容易に想到することができたものである。
　
　しかしながら、上記の相違点（エ’）については、刊行物１乃至刊行物５、あるいは、他の甲各号証には記載も示唆もされておらず、また、各刊行物に記載された発明に基いて当業者が容易に想到することができたものとはいえないものである。
　
　例えば、
　刊行物３には、上記のように、第１のポートと第２のポートを結ぶ経路に直列に前記第１のダイオードが、前記第１のポートと前記第２のポートを結ぶ経路とグランドとの間に前記第２のダイオードがそれぞれ接続される高周波スイッチが開示されているものの、
　
　刊行物３には、複数の高周波スイッチのオン・オフを高周波スイッチの第２のポート側に接続される共通の第１の制御電源で制御することは開示されていない。
　
　一方、
　刊行物４には、
　スイッチ制御回路１８は、トランジスタＱ２をオン状態に制御して高周波スイッチ２の端子Ｂに印加し、ダイオードＤ１をオン状態に制御して電力増幅器６からの出力をバンドパスフィルタ１に導くとともに、トランジスタＱ１をオン状態に制御して高周波スイッチ１２の端子（Ａ）に印加し、ダイオードＤ１をオン状態に制御して電力増幅器１６からの出力をバンドパスフィルタ１１に導く無線送受信機が記載されているが、
　高周波スイッチ内の第１及び第２のダイオードを同時にオンまたはオフするように制御することも開示されておらず、
　また、複数の高周波スイッチの第１及び第２のダイオードを同時にオンまたはオフするように制御することも開示されていないものである。
　
　したがって、刊行物３記載の発明及び刊行物４記載の発明を組みあわせても、上記の相違点（エ’）の、複数の高周波スイッチのオン・オフが、前記複数の高周波スイッチの第２のポート側に接続される共通の第１の制御電源と、前記前記複数の高周波スイッチの第３ポート側に接続される共通の第２の制御電源とで全ての前記第１及び第２のダイオードが同時にオンまたはオフするように制御される構成とはならず、
　また、刊行物１記載の発明に刊行物３又は刊行物４記載の発明を組みあわせて、請求項１に係る発明を当業者が容易に発明することができたとすることはできない。
　
　そして、請求項２に係る発明は、上記の（エ’）の構成を採ることにより、「送信時に、高周波スイッチを確実に同時にオンすることができ、したがって、送信時における高周波スイッチの高調波歪みを小さくすることができ、複合高周波部品の特性を向上させることができる。」という明細書記載の作用効果を奏するものと認められる。
　
　してみると、請求項２に係る発明は、刊行物１乃至刊行物５に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものとすることができない。
　また、異議申立人が提出した他の証拠を参照しても、請求項２に係る発明は、各刊行物に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものとすることができない。
　
（５） 請求項３乃至請求項７に係る発明について
　請求項３乃至請求項７に係る発明は、請求項１に係る発明又は請求項２に係る発明の構成要件を全て含み、さらに他の構成要件を付加したものに相当するから、上記（３）又は（４）で説示したと同様の理由により、各刊行物に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものとすることができない。
　
（６） むすび
　以上のとおりであるから、請求項１乃至請求項７に係る発明は、特許異議の申立ての理由及び証拠によっては取り消すことはできない。
　また、他に請求項１乃至請求項７に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１５年９月３０日（２００３．９．３０）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
複合高周波部品及びそれを用いた移動体通信装置
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　第１から第３のポートを有するとともに、第１のインダクタンス素子、及び第１のキャパシタンス素子で構成されたダイプレクサと、第１から第３のポートを有するとともに、第１及び第２のスイッチング素子、第２のインダクタンス素子、及び第２のキャパシタンス素子で構成され、該第１のポートを該第２、第３のポートのいずれかに切り換える複数の高周波スイッチと、第１、第２のポートを有するとともに、第３のインダクタンス素子、及び第３のキャパシタンス素子で構成された複数のフィルタを備え、
　前記ダイプレクサの第１のポートがアンテナに接続され、前記ダイプレクサの第２、第３のポートがそれぞれ前記複数の高周波スイッチの第１のポートに接続されるか、または、前記複数のフィルタを介して接続され、前記複数の高周波スイッチの第２のポートがそれぞれ送信部に接続され、前記複数の高周波スイッチの第３のポートがそれぞれ受信部に接続されており、
　前記複数のフィルタは、前記複数の高周波スイッチの第１のポートもしくは第２のポートに接続されており、
　
前記第１及び第２のスイッチング素子はそれぞれ第１及び第２のダイオードであり、
　
前記複数の高周波スイッチはそれぞれ、前記第１のポートと前記第２のポートを結ぶ経路に直列に前記第１のダイオードが、前記第１のポートと前記第３のポートを結ぶ経路とグランドとの間に前記第２のダイオードがそれぞれ接続されるものであり、
　前記複数の高周波スイッチのオン・オフが、前記複数の高周波スイッチの第２のポート側に接続される共通の第１の制御電源で
全ての前記第１及び第２のダイオードが同時にオンまたはオフするように
　【請求項２】　第１から第３のポートを有するとともに、第１のインダクタンス素子、及び第１のキャパシタンス素子で構成されたダイプレクサと、第１から第３のポートを有するとともに、第１及び第２のスイッチング素子、第２のインダクタンス素子、及び第２のキャパシタンス素子で構成され、該第１のポートを該第２、第３のポートのいずれかに切り換える複数の高周波スイッチと、第１、第２のポートを有するとともに、第３のインダクタンス素子、及び第３のキャパシタンス素子で構成された複数のフィルタを備え、
　前記ダイプレクサの第１のポートがアンテナに接続され、前記ダイプレクサの第２、第３のポートがそれぞれ前記複数の高周波スイッチの第１のポートに接続されるか、または、前記複数のフィルタを介して接続され、前記複数の高周波スイッチの第２のポートがそれぞれ送信部に接続され、前記複数の高周波スイッチの第３のポートがそれぞれ受信部に接続されており、
　前記複数のフィルタは、前記複数の高周波スイッチの第１のポートもしくは第２のポートに接続されており、
　
前記第１及び第２のスイッチング素子はそれぞれ第１及び第２のダイオードであり、
　
前記複数の高周波スイッチはそれぞれ、前記第１のポートと前記第２のポートを結ぶ経路に直列に前記第１のダイオードが、前記第１のポートと前記第３のポートを結ぶ経路とグランドとの間に前記第２のダイオードがそれぞれ接続されるものであり、
　前記複数の高周波スイッチのオン・オフが、前記複数の高周波スイッチの第２のポート側に接続される共通の第１の制御電源と、前記複数の高周波スイッチの第３のポート側に接続される共通の第２の制御電源とで
全ての前記第１及び第２のダイオードが同時にオンまたはオフするように
　【請求項３】　前記複数のフィルタが、前記複数の高周波スイッチと前記送信部との間に配置されることを特徴とする請求項１あるいは請求項２に記載の複合高周波部品。
　【請求項４】　前記第１及び第２のスイッチング素子、前記第１乃至第３のインダクタンス素子、及び前記第１乃至第３のキャパシタンス素子が、セラミックスからなる複数のシート層を積層してなるセラミック多層基板に内蔵、もしくは搭載されるとともに、前記セラミック多層基板に形成される接続手段によって接続され、
　前記受信部に接続される複数の外部端子が、グランドとなる外部端子を挟んで、前記セラミック多層基板の側面に設けられることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の複合高周波部品。
　【請求項５】　前記高周波スイッチを構成する前記第１及び第２のスイッチング素子が、前記セラミック多層基板に搭載され、前記ダイプレクサを構成する第１のキャパシタンス素子が、前記ダイプレクサを構成する第１のインダクタンス素子を介して、前記セラミック多層基板の積層方向に配置され、前記フィルタを構成する第３のキャパシタンス素子が、前記フィルタを構成する第３のインダクタンス素子を介して、前記セラミック多層基板の積層方向に配置されることを特徴とする請求項４に記載の複合高周波部品。
　【請求項６】　前記複数の高周波スイッチを構成する第２のインダクタンス素子がチョークコイルからなり、該チョークコイルが前記セラミック多層基板に搭載されることを特徴とする請求項４あるいは請求項５のいずれかに記載の複合高周波部品。
　【請求項７】　請求項１乃至請求項６のいずれかに記載の複合高周波部品を用いたことを特徴とする移動体通信装置。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の属する技術分野】
　本発明は、複合高周波部品及びそれを用いた移動体通信装置に関し、特に、複数の異なる移動体通信システムに利用可能な複合高周波部品及びそれを用いた移動体通信装置に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　現在、ヨーロッパでは、移動体通信装置として、複数の周波数帯域、例えば１．８ＧＨｚ帯を使用したＤＣＳ（Ｄｉｇｉｔａｌ　Ｃｅｌｌｕｌａｒ　Ｓｙｓｔｅｍ）と９００ＭＨｚ帯を使用したＧＳＭ（Ｇｌｏｂａｌ　Ｓｙｓｔｅｍ　ｆｏｒ　Ｍｏｂｉｌｅ　ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓ）とで動作が可能なデュアルバンド携帯電話器が提案されている。
　【０００３】
　図９は、従来の移動体通信装置であるデュアルバンド携帯電話器の構成の一部を示すブロック図であり、１．８ＧＨｚ帯のＤＣＳと９００ＭＨｚ帯のＧＳＭとを組み合わせた一例を示したものである。デュアルバンド携帯電話器は、アンテナ１、ダイプレクサ２、及び２つの信号経路ＤＣＳ系３、ＧＳＭ系４を備える。
　【０００４】ダイプレクサ２は、送信の際にはＤＣＳ系３あるいはＧＳＭ系４の送信信号を結合し、受信の際にはＤＣＳ系３あるいはＧＳＭ系４に受信信号を分配する役目を担う。ＤＣＳ系３は、送信部Ｔｘｄと受信部Ｒｘｄとに分離する高周波スイッチ３ａ、ＤＣＳの２次高調波及び３次高調波を減衰させる低域通過フィルタ３ｂからなり、ＧＳＭ系４は、送信部Ｔｘｇと受信部Ｒｘｇとに分離する高周波スイッチ４ａ、ＧＳＭの３次高調波を減衰させる低域通過フィルタ４ｂからなる。
　【０００５】
　なお、高周波スイッチ３ａ，４ａには、これらのオン・オフを制御する制御電源Ｖｃ６１，Ｖｃ６２がそれぞれ別々に設けられている。
　【０００６】
　ここで、デュアルバンド携帯電話器の動作についてＤＣＳ系３を用いる場合を例に挙げて説明する。送信の際には、高周波スイッチ３ａにて送信部Ｔｘｄをオンにして送信部Ｔｘｄからの送信信号を低域通過フィルタ３ｂに送り、低域通過フィルタ３ｂを通過した送信信号をダイプレクサ２で合波し、アンテナ１から送信する。一方、受信の際には、アンテナ１から受信した受信信号をダイプレクサ２で分波し、アンテナ１からの受信信号を低域通過フィルタ３ｂに送り、高周波スイッチ３ａにて受信部Ｒｘｄをオンにして低域通過フィルタ３ｂを通過した受信信号を受信部Ｒｘｄに送る。なお、ＧＳＭ系４を用いる場合にも同様の動作にて送受信される。
　【０００７】
　【発明が解決しようとする課題】
　ところが、上記の従来の移動体通信装置の１つであるデュアルバンド携帯電話器によれば、ＤＣＳ系、ＧＳＭ系の高周波スイッチのオン・オフを高周波スイッチの送信部側に接続した別々の２つの制御電源のみで制御するため、送信時に、ＤＣＳ系の高周波スイッチとＧＳＭ系の高周波スイッチとが異なる動作をするため、オフ側の高周波スイッチが歪むという問題があった。また、送信時の高周波スイッチの制御が複雑になるという問題もあった。
　【０００８】
　本発明は、このような問題点を解決するためになされたものであり、送信時の歪みを抑制し、送信時の制御を簡略することができる複合高周波部品及びそれを用いた移動体通信装置を提供することを目的とする。
　【０００９】
　【課題を解決するための手段】
　上述する問題点を解決するため本発明の複合高周波部品は、第１から第３のポートを有するとともに、第１のインダクタンス素子、及び第１のキャパシタンス素子で構成されたダイプレクサと、第１から第３のポートを有するとともに、第１及び第２のスイッチング素子、第２のインダクタンス素子、及び第２のキャパシタンス素子で構成され、該第１のポートを該第２、第３のポートのいずれかに切り換える複数の高周波スイッチと、第１、第２のポートを有するとともに、第３のインダクタンス素子、及び第３のキャパシタンス素子で構成された複数のフィルタを備え、前記ダイプレクサの第１のポートがアンテナに接続され、前記ダイプレクサの第２、第３のポートがそれぞれ前記複数の高周波スイッチの第１のポートに接続されるか、または、前記複数のフィルタを介して接続され、前記複数の高周波スイッチの第２のポートがそれぞれ送信部に接続され、前記複数の高周波スイッチの第３のポートがそれぞれ受信部に接続されており、前記複数のフィルタは、前記複数の高周波スイッチの第１のポートもしくは第２のポートに接続されており、
前記第１及び第２のスイッチング素子はそれぞれ第１及び第２のダイオードであり、前記複数の高周波スイッチはそれぞれ、前記第１のポートと前記第２のポートを結ぶ経路に直列に前記第１のダイオードが、前記第１のポートと前記第３のポートを結ぶ経路とグランドとの間に前記第２のダイオードがそれぞれ接続されるものであり、
全ての前記第１及び第２のダイオードが同時にオンまたはオフするように
　【００１０】
　また、第１から第３のポートを有するとともに、第１のインダクタンス素子、及び第１のキャパシタンス素子で構成されたダイプレクサと、第１から第３のポートを有するとともに、第１及び第２のスイッチング素子、第２のインダクタンス素子、及び第２のキャパシタンス素子で構成され、該第１のポートを該第２、第３のポートのいずれかに切り換える複数の高周波スイッチと、第１、第２のポートを有するとともに、第３のインダクタンス素子、及び第３のキャパシタンス素子で構成された複数のフィルタを備え、前記ダイプレクサの第１のポートがアンテナに接続され、前記ダイプレクサの第２、第３のポートがそれぞれ前記複数の高周波スイッチの第１のポートに接続されるか、または、前記複数のフィルタを介して接続され、前記複数の高周波スイッチの第２のポートがそれぞれ送信部に接続され、前記複数の高周波スイッチの第３のポートがそれぞれ受信部に接続されており、前記複数のフィルタは、前記複数の高周波スイッチの第１のポートもしくは第２のポートに接続されており、
前記第１及び第２のスイッチング素子はそれぞれ第１及び第２のダイオードであり、前記複数の高周波スイッチはそれぞれ、前記第１のポートと前記第２のポートを結ぶ経路に直列に前記第１のダイオードが、前記第１のポートと前記第３のポートを結ぶ経路とグランドとの間に前記第２のダイオードがそれぞれ接続されるものであり、
全ての前記第１及び第２のダイオードが同時にオンまたはオフするように
　【００１１】
　また、前記複数のフィルタが、前記複数の高周波スイッチと前記送信部との間に配置されることを特徴とする。
　【００１２】
　また、前記第１及び第２のスイッチング素子、前記第１乃至第３のインダクタンス素子、及び前記第１乃至第３のキャパシタンス素子が、セラミックスからなる複数のシート層を積層してなるセラミック多層基板に内蔵、もしくは搭載されるとともに、前記セラミック多層基板に形成される接続手段によって接続され、前記受信部に接続される複数の外部端子が、グランドとなる外部端子を挟んで、前記セラミック多層基板の側面に設けられることを特徴とする。
　【００１３】
　また、前記高周波スイッチを構成する前記第１及び第２のスイッチング素子が、前記セラミック多層基板に搭載され、前記ダイプレクサを構成する第１のキャパシタンス素子が、前記ダイプレクサを構成する第１のインダクタンス素子を介して、前記セラミック多層基板の積層方向に配置され、前記フィルタを構成する第３のキャパシタンス素子が、前記フィルタを構成する第３のインダクタンス素子を介して、前記セラミック多層基板の積層方向に配置されることを特徴とする。
　【００１４】
　また、前記複数の高周波スイッチを構成する第２のインダクタンス素子がチョークコイルからなり、該チョークコイルが前記セラミック多層基板に搭載されることを特徴とする。
　【００１５】
　本発明の移動体通信装置は、上記に記載の複合高周波部品を用いたことを特徴とする。
　【００１６】
　本発明の複合高周波部品によれば、高周波スイッチのオン・オフを、高周波スイッチの送信部側に接続される共通の第１の制御電源、及び高周波スイッチの受信部側に接続される共通の第２の制御電源で制御するため、高周波スイッチの制御を簡略化することができる。
　【００１７】
　本発明の移動体通信装置によれば、制御を簡略化した高周波スイッチを有する複合高周波部品を用いるため、移動体通信装置の送信、受信の制御を簡略化することができる。
　【００１８】
　【発明の実施の形態】
　以下、図面を参照して本発明の実施例を説明する。図１は、本発明の複合高周波部品の第１の実施例の回路図である。複合高周波部品１０は、ダイプレクサ２、ＤＣＳ系３をなす高周波スイッチ３ａ、フィルタ３ｂ及びＧＳＭ系４をなす高周波スイッチ４ａ、フィルタ４ｂからなる。
　【００１９】
　そして、ダイプレクサ２の第１のポートＰ１１にはアンテナ１が、第２のポートＰ１２にはＤＣＳ系３のフィルタ３ｂの第１のポートＰ３１ｄが、第３のポートＰ１３にはＧＳＭ系４のフィルタ４ｂの第１のポートＰ３１ｇがそれぞれ接続される。
　【００２０】
　また、ＤＣＳ系３において、フィルタ３ｂの第２のポートＰ３２ｄには高周波スイッチ３ａの第１のポートＰ２１ｄが接続され、高周波スイッチ３ａの第２のポートＰ２２ｄには送信部Ｔｘｄが、第３のポートＰ２３ｄには受信部Ｒｘｄがそれぞれ接続される。
　【００２１】
　さらに、ＧＳＭ系４において、フィルタ４ｂの第２のポートＰ３２ｇには高周波スイッチ４ａの第１のポートＰ２１ｇが接続され、高周波スイッチ４ａの第２のポートＰ２２ｇには送信部Ｔｘｇが、第３のポートＰ２３ｇには受信部Ｒｘｇがそれぞれ接続される。
　【００２２】
　ダイプレクサ２は、第１のインダクタンス素子である第１のインダクタＬ１１，Ｌ１２、及び第１のキャパシタンス素子である第１のコンデンサＣ１１〜Ｃ１５で構成される。
　【００２３】
　そして、第１のポートＰ１１と第２のポートＰ１２との間に第１のコンデンサＣ１１，Ｃ１２が直列接続され、それらの接続点が第１のインダクタＬ１１及び第１のコンデンサＣ１３を介して接地される。
　【００２４】
　また、第１のポートＰ１１と第３のポートＰ１３との間に第１のインダクタＬ１２と第１のコンデンサＣ１４とからなる並列回路が接続され、その並列回路の第３のポートＰ２３側が第１のコンデンサＣ１５を介して接地される。
　【００２５】
　高周波スイッチ３ａ（４ａ）は、第１及び第２のスイッチング素子である第１及び第２のダイオードＤ１ｄ，Ｄ２ｄ（Ｄ１ｇ，Ｄ２ｇ）、第２のインダクタンス素子である第２のインダクタＬ２１ｄ〜Ｌ２３ｄ（Ｌ２１ｇ〜Ｌ２３ｇ）、及び第２のキャパシタンス素子である第２のコンデンサＣ２１ｄ〜Ｃ２３ｄ（Ｃ２１ｇ〜Ｃ２３ｇ）で構成される。なお、第２のインダクタＬ２１ｄ（Ｌ２１ｇ）は並列トラップコイルであり、第２のインダクタＬ２２ｄ（Ｌ２２ｇ）はチョークコイルである。
　【００２６】
　そして、第１のポートＰ２１ｄ（Ｐ２１ｇ）と第２のポートＰ２２ｄ（Ｐ２２ｇ）との間にカソードが第１のポートＰ２１ｄ（Ｐ２１ｇ）側になるように第１のダイオードＤ１ｄ（Ｄ１ｇ）が接続され、第１のダイオードＤ１ｄ（Ｄ１ｇ）には第２のインダクタＬ２１ｄ（Ｌ２１ｇ）と第２のコンデンサＣ２１ｄ（Ｃ２１ｇ）とからなる直列回路が並列に接続される。
　【００２７】
　また、第１のダイオードＤ１ｄ（Ｄ１ｇ）の第２のポートＰ２２ｄ（Ｐ２２ｇ）側、すなわちアノードは第２のインダクタＬ２２ｄ（Ｌ２２ｇ）及び第２のコンデンサＣ２２ｄ（Ｃ２２ｇ）を介して接地され、第２のインダクタＬ２２ｄ（Ｌ２２ｇ）と第２のコンデンサＣ２２ｄ（Ｃ２２ｇ）との接続点には、高周波スイッチ３ａ（４ａ）のオン・オフを制御する共通の第１の制御電源Ｖｃ１が接続される。
　【００２８】
　さらに、第１のポートＰ２１ｄ（Ｐ２１ｇ）と第３のポートＰ２３ｄ（Ｐ２３ｇ）との間に第２のインダクタＬ２３ｄ（Ｌ２３ｇ）が接続され、第２のインダクタＬ２３ｄ（Ｌ２３ｇ）の第３のポートＰ２３ｄ（Ｐ２３ｇ）側は第２のダイオードＤ２ｄ（Ｄ２ｇ）及び第２のコンデンサＣ２３ｄ（Ｃ２３ｇ）を介して接地され、第２のダイオードＤ２ｄ（Ｄ２ｇ）のアノードと第２のコンデンサＣ２３ｄ（Ｃ２３ｇ）との接続点は抵抗Ｒｄ（Ｒｇ）を介して接地される。
　【００２９】
　フィルタ３ｂ（４ｂ）は、第３のインダクタンス素子である第３のインダクタＬ３１ｄ（Ｌ３１ｇ）、及び第３のキャパシタンス素子である第３のコンデンサＣ３１ｄ，Ｃ３２ｄ（Ｃ３１ｇ，Ｃ３２ｇ）で構成される。
　【００３０】
　そして、第１のポートＰ３１ｄ（Ｐ３１ｇ）と第２のポートＰ３２ｄ（Ｐ３２ｇ）との間に第３のインダクタＬ３１ｄ（Ｌ３１ｇ）が直列接続され、第３のインダクタＬ３１ｄ（Ｌ３１ｇ）には第３のコンデンサＣ３１ｄ（Ｃ３１ｇ）が並列に接続される。
　【００３１】
　また、第３のインダクタＬ３１ｄ（Ｌ３１ｇ）の第２のポートＰ３２ｄ（Ｐ３２ｇ）側は第３のコンデンサＣ３２ｄ（Ｃ３２ｇ）を介して接地される。
　【００３２】
　ここで、図１の回路構成を有する複合高周波部品１０の動作について説明する。まず、ＤＣＳ系３（１．８ＧＨｚ帯）の送信信号、あるいはＧＳＭ系４（９００ＭＨｚ帯）の送信信号を送信する場合には、ＤＣＳ系３の高周波スイッチ３ａ、及びＧＳＭ系４の高周波スイッチ４ａの送信部Ｔｘｄ，Ｔｘｇ側に接続される共通の第１の制御電源Ｖｃ１から制御電圧３Ｖを印加してＤＣＳ系３の高周波スイッチ３ａの第１及び第２のダイオードＤ１ｄ，Ｄ２ｄ、及びＧＳＭ系４の高周波スイッチ４ａの第１及び第２のダイオードＤ１ｇ，Ｄ２ｇをオンすることにより、ＤＣＳ系３の送信信号が高周波スイッチ３ａ、フィルタ３ｂ及びダイプレクサ２を、あるいはＧＳＭ系４の送信信号が高周波スイッチ４ａ、フィルタ４ｂ及びダイプレクサ２を通過し、アンテナ１からそれぞれ送信される。
　【００３３】
　なお、ダイプレクサ２により、ＤＣＳ系３の送信信号がＧＳＭ系４に、ＧＳＭ系４の送信信号がＤＣＳ系３にそれぞれ回り込まず、アンテナ１にのみ流れるようにしている。また、ＤＣＳ系３のフィルタ３ｂではＤＣＳ系３の２次高調波及び３次高調波を、ＧＳＭ系４のフィルタ４ｂではＧＳＭ系４の３次高調波をそれぞれ減衰させている。
　【００３４】
　次いで、ＤＣＳ系３及びＧＳＭ系４の受信信号を受信する場合には、ＤＣＳ系３の高周波スイッチ３ａの送信部Ｔｘｄ側、及びＧＳＭ系４の高周波スイッチ４ａの送信部Ｔｘｇ側に接続される共通の第１の制御電源Ｖｃ１から制御電圧０Ｖを印加してＤＣＳ系３の高周波スイッチ３ａの第１及び第２のダイオードＤ１ｄ，Ｄ２ｄ、及びＧＳＭ系４の高周波スイッチ４ａの第１及び第２のダイオードＤ１ｇ，Ｄ２ｇをオフすることにより、ＤＣＳ系３の受信信号がＤＣＳ系３の受信部Ｒｘｄに、ＧＳＭ系４の受信信号がＧＳＭ系４の受信部Ｒｘｇにのみ流れるようにしている。
　【００３５】
　なお、ダイプレクサ２により、ＤＣＳ系３の受信信号がＧＳＭ系４に、ＧＳＭ系４の受信信号がＤＣＳ系４に、それぞれ回り込まないようにしている。
　【００３６】
　図２は、図１の回路構成を有する複合高周波部品の要部分解斜視図である。複合高周波部品１０は、セラミック多層基板１１を含み、セラミック多層基板１１には、図示していないが、ダイプレクサ２を構成する第１のインダクタＬ１１，Ｌ１２、第１のコンデンサＣ１１〜Ｃ１５、ＤＣＳ系３の高周波スイッチ３ａ、フィルタ３ｂを構成する第２及び第３のインダクタＬ２１ｄ，Ｌ２３ｄ，Ｌ３１ｄ、第２及び第３のコンデンサＣ２１ｄ，Ｃ２２ｄ，Ｃ３１ｄ，Ｃ３２ｄ、並びに、ＧＳＭ系４の高周波スイッチ４ａ、フィルタ４ｂを構成する第２及び第３のインダクタＬ２１ｇ，Ｌ２３ｇ，Ｌ３１ｇ、第２及び第３のコンデンサＣ２１ｇ，Ｃ２２ｇ，Ｃ３１ｇ，Ｃ３２ｇがそれぞれ内蔵される。
　【００３７】
　また、セラミック多層基板１１の表面には、チップ部品からなるＤＣＳ系３の高周波スイッチ３ａを構成する第１及び第２のダイオードＤ１ｄ，Ｄ２ｄ、第２のインダクタ（チョークコイル）Ｌ２２ｄ、第２のコンデンサＣ２３ｄ及び抵抗Ｒｄ、並びに、ＧＳＭ系４の高周波スイッチ４ａを構成する第１及び第２のダイオードＤ１ｇ，Ｄ２ｇ、第２のインダクタ（チョークコイル）Ｌ２２ｇ、第２のコンデンサＣ２３ｇ及び抵抗Ｒｇがそれぞれ搭載される。
　【００３８】
　さらに、セラミック多層基板１１の側面から底面に架けて、１２個の外部端子Ｔａ〜Ｔｌがスクリーン印刷などでそれぞれ形成される。これらの外部端子Ｔａ〜Ｔｌのうち、５個の外部端子Ｔａ〜Ｔｅはセラミック多層基板１１の一方長辺側、５個の外部端子Ｔｇ〜Ｔｋはセラミック多層基板１１の他方長辺側、残りの２個の外部端子Ｔｆ，Ｔｌはセラミック多層基板１１の相対する短辺のそれぞれの側にスクリーン印刷などにより形成される。
　【００３９】
　そして、これらの外部端子Ｔａ〜Ｔｌは、ダイプレクサ２の第１のポートＰ１１、高周波スイッチ３ａ，３ｂの第２及び第３のポートＰ２２ｄ，Ｐ２３ｄ，Ｐ２２ｇ，Ｐ２３ｇ、高周波スイッチ３ａ，３ｂの第１の制御電源Ｖｃ１に接続される端子、並びにグランド端子となる。
　【００４０】
　また、セラミック多層基板１１上には第１及び第２のダイオードＤ１ｄ，Ｄ１ｇ，Ｄ２ｄ，Ｄ２ｇ、第２のインダクタＬ２２ｄ，Ｌ２２ｇ、第２のコンデンサＣ２３ｄ，Ｃ２３ｇ、及び抵抗Ｒｄ、Ｒｇを覆うように金属キャップ１２が被せられる。
　【００４１】
　図３（ａ）〜図３（ｈ）、図４（ａ）〜図４（ｆ）は、図２の複合高周波部品のセラミック多層基板を構成する各シート層の上面図及び下面図である。セラミック多層基板１１は、酸化バリウム、酸化アルミニウム、シリカを主成分としたセラミックスからなる第１〜第１３のシート層１１ａ〜１１ｍを上から順次積層し、１０００℃以下の焼成温度で焼成することにより形成されるそして、第１のシート層１１ａの上面には、セラミック多層基板１１の表面に搭載される第１及び第２のダイオードＤ１ｄ，Ｄ１ｇ，Ｄ２ｄ，Ｄ２ｇ、第２のインダクタＬ２２ｄ，Ｌ２２ｇ、第２のコンデンサＣ２３ｄ，Ｃ２３ｇ及び抵抗Ｒｄ，Ｒｇを実装するためのランドＬａがスクリーン印刷などで印刷され、形成される。
　【００４２】
　また、第３及び第１０のシート層１１ｃ，１１ｊの上面には、導体層からなるストリップライン電極ＳＬ１〜ＳＬ８がスクリーン印刷などで印刷され、形成される。さらに、第４〜第８及び第１２のシート層１１ｄ〜１１ｈ，１１ｌの上面には、導体層からなるコンデンサ電極Ｃｐ１〜Ｃｐ１８がスクリーン印刷などで印刷され、形成される。
　【００４３】
　また、第７、第９、第１１及び第１３のシート層１１ｇ，１１ｉ，１１ｋ，１１ｍの上面には、導体層からなるグランド電極Ｇ１〜Ｇ４がスクリーン印刷などで印刷され、形成される。さらに、第１３のシート層１１ｍの下面（図４（ｆ））には、外部端子Ｔａ〜Ｔｌがスクリーン印刷などで印刷され、形成される。
　【００４４】
　また、第１〜第１１のシート層１１ａ〜１１ｋには、所定の位置に、ランドＬａ、ストリップライン電極ＳＬ１〜ＳＬ８、ストリップライン電極ＳＬ１〜ＳＬ８、及びグランド電極Ｇ１〜Ｇ４を接続するためのビアホール電極ＶＨａ〜ＶＨｋが設けられる。
　【００４５】
　この際、ダイプレクサ２の第１のインダクタＬ１１，Ｌ１２がストリップライン電極ＳＬ６，ＳＬ７で形成される。また、ＤＣＳ系３の高周波スイッチ３ａの第２のインダクタＬ２１ｄ，Ｌ２３ｄがストリップライン電極ＳＬ２，ＳＬ４で、ＤＣＳ系３のフィルタ３ｂの第３のインダクタＬ３１ｄがストリップライン電極ＳＬ８で、それぞれ形成される。
　【００４６】
　さらに、ＧＳＭ系４の高周波スイッチ４ａの第２のインダクタＬ２１ｇ，Ｌ２３ｇがストリップライン電極ＳＬ１，ＳＬ３で、ＧＳＭ系４のフィルタ４ｂの第３のインダクタＬ３１ｇがストリップライン電極ＳＬ５で、それぞれ形成される。
　【００４７】
　また、ダイプレクサ２の第１のコンデンサＣ１１がコンデンサ電極Ｃｐ６，Ｃｐ９で、第１のコンデンサＣ１２がコンデンサ電極Ｃｐ３，Ｃｐ６で、第１のコンデンサＣ１３がコンデンサ電極Ｃｐ１７とグランド電極Ｇ４とで、第１のコンデンサＣ１４がコンデンサ電極Ｃｐ９，Ｃｐ１１で、第１のコンデンサＣ１５がコンデンサ電極Ｃｐ１６とグランド電極Ｇ４とで、それぞれ形成される。
　【００４８】
　さらに、ＤＣＳ系３の高周波スイッチ３ａの第２のコンデンサＣ２１ｄがコンデンサ電極Ｃｐ５，Ｃｐ８で、第２のコンデンサＣ２２ｄがコンデンサ電極Ｃｐ１３とグランド電極Ｇ２とで、それぞれ形成される。また、ＤＣＳ系３のフィルタ３ｂの第３のコンデンサＣ３１ｄがコンデンサ電極Ｃｐ８，Ｃｐ１２で、第３のコンデンサＣ３２ｄがコンデンサ電極Ｃｐ１８とグランド電極Ｇ４とで、それぞれ形成される。
　【００４９】
　また、ＧＳＭ系４の高周波スイッチ４ａの第２のコンデンサＣ２１ｇがコンデンサ電極Ｃｐ４，Ｃｐ７で、第２のコンデンサＣ２２ｇがコンデンサ電極Ｃｐ１３とグランド電極Ｇ２とで、それぞれ形成される。また、ＧＳＭ系４のフィルタ４ｂの第３のコンデンサＣ３１ｇがコンデンサ電極Ｃｐ７，Ｃｐ１０で、第３のコンデンサＣ３２ｇがコンデンサ電極Ｃｐ１５とグランド電極Ｇ４とで、それぞれ形成される。
　【００５０】
　上述の第１の実施例の複合高周波部品によれば、ＤＣＳ系及びＧＳＭ系の高周波スイッチのオン・オフを送信部側に接続される共通の第１の制御電源で制御するため、送信時に、ＤＣＳ系及びＧＳＭ系の高周波スイッチを同時にオンすることができる。したがって、送信時における高周波スイッチの高調波歪みを小さくすることができ、複合高周波部品の特性を向上させることができる。
　【００５１】
　また、高周波スイッチの制御を簡略化することができるため、この複合高周波部品を搭載した移動体通信装置の送信、受信の制御を簡略化することができる。
　【００５２】
　さらに、第１の制御電源が１つになるため、この複合高周波部品を実装するプリント基板などの実装基板上の配線、配置などが簡単になり、実装基板の小型化が実現する。これに伴い、この複合高周波部品を搭載した移動体通信装置の小型化を実現することができる。
　【００５３】
　また、複合高周波部品をなすダイプレクサ、高周波スイッチ及びフィルタを、セラミックスからなる複数のシート層を積層してなるセラミック多層基板に一体化するため、ダイプレクサと高周波スイッチとの間の整合調整が容易となり、ダイプレクサと高周波スイッチとの間の整合調整を行なう整合回路が不要となる。したがって、複合高周波部品の小型化が可能となる。ちなみに、１つのダイプレクサ、２つの高周波スイッチ、及び２つのフィルタを６．７ｍｍ×５ｍｍ×２ｍｍの大きさに一体化することが可能となった。
　【００５４】
　さらに、ダイプレクサが、第１のインダクタ、及び第１のコンデンサで構成され、高周波スイッチが、ダイオード、第２のインダクタ、及び第２のコンデンサで構成され、フィルタが、第３のインダクタ、及び第３のコンデンサで構成されるとともに、それらがセラミック多層基板に内蔵、あるいは搭載され、セラミック多層基板の内部に形成される接続手段によって接続されるため、複合高周波部品が１つのセラミック多層基板で構成でき、小型化が実現できる。加えて、部品間の配線による損失を改善することができ、その結果、複合高周波部品全体の損失を改善することが可能となる。
　【００５５】
　また、波長短縮効果により、インダクタとなるストリップライン電極の長さを短縮することができるため、これらのストリップライン電極の挿入損失を向上させることができる。その結果、複合高周波部品の小型化及び低損失化を実現することができる。したがって、この複合高周波部品を搭載する移動体通信装置の小型化及び高性能化も同時に実現できる。
　【００５６】
　図５は、本発明の複合高周波部品の第２の実施例の回路図である。複合高周波部品３０は、ダイプレクサ２、ＤＣＳ系３をなす高周波スイッチ３１ａ、フィルタ３ｂ及びＧＳＭ系４をなす高周波スイッチ４１ａ、フィルタ４ｂからなる。
　【００５７】
　このうち、ダイプレクサ２、ＤＣＳ系３のフィルタ３ｂ及びＧＳＭ系４のフィルタ４ｂの構成は、図１の第１の実施例の複合高周波部品１０と同じである。
　【００５８】
　高周波スイッチ３１ａ（４１ａ）は、第１及び第２のスイッチング素子である第１及び第２のダイオードＤ１ｄ，Ｄ２ｄ（Ｄ１ｇ，Ｄ２ｇ）、第２のインダクタンス素子である第２のインダクタＬ２１ｄ〜Ｌ２３ｄ（Ｌ２１ｇ〜Ｌ２３ｇ）、及び第２のキャパシタンス素子である第２のコンデンサＣ２１ｄ〜Ｃ２３ｄ（Ｃ２１ｇ〜Ｃ２３ｇ）で構成される。なお、第２のインダクタＬ２１ｄ（Ｌ２１ｇ）は並列トラップコイルであり、第２のインダクタＬ２２ｄ（Ｌ２２ｇ）はチョークコイルである。
　【００５９】
　そして、第１のポートＰ２１ｄ（Ｐ２１ｇ）と第２のポートＰ２２ｄ（Ｐ２２ｇ）との間にカソードが第１のポートＰ２１ｄ（Ｐ２１ｇ）側になるように第１のダイオードＤ１ｄ（Ｄ１ｇ）が接続され、第１のダイオードＤ１ｄ（Ｄ１ｇ）には第２のインダクタＬ２１ｄ（Ｌ２１ｇ）と第２のコンデンサＣ２１ｄ（Ｃ２１ｇ）とからなる直列回路が並列に接続される。
　【００６０】
　また、第１のダイオードＤ１ｄ（Ｄ１ｇ）の第２のポートＰ２２ｄ（Ｐ２２ｇ）側、すなわちアノードは第２のインダクタＬ２２ｄ（Ｌ２２ｇ）及び第２のコンデンサＣ２２ｄ（Ｃ２２ｇ）を介して接地され、第２のインダクタＬ２２ｄ（Ｌ２２ｇ）と第２のコンデンサＣ２２ｄ（Ｃ２２ｇ）との接続点には、高周波スイッチ３１ａ（４１ａ）のオン・オフを制御する共通の第１の制御電源Ｖｃ１が接続される。
　【００６１】
　さらに、第１のポートＰ２１ｄ（Ｐ２１ｇ）と第３のポートＰ２３ｄ（Ｐ２３ｇ）との間に第２のインダクタＬ２３ｄ（Ｌ２３ｇ）が接続され、第２のインダクタＬ２３ｄ（Ｌ２３ｇ）の第３のポートＰ２３ｄ（Ｐ２３ｇ）側は第２のダイオードＤ２ｄ（Ｄ２ｇ）及び第２のコンデンサＣ２３ｄ（Ｃ２３ｇ）を介して接地され、第２のダイオードＤ２ｄ（Ｄ２ｇ）のアノードと第２のコンデンサＣ２３ｄ（Ｃ２３ｇ）との接続点には、抵抗Ｒｄ（Ｒｇ）を介して、高周波スイッチ３１ａ（４１ａ）のオン・オフを制御する共通の第２の制御電源Ｖｃ２が接続される。
　【００６２】
　ここで、図５の回路構成を有する複合高周波部品２０の動作について説明する。まず、ＤＣＳ系３（１．８ＧＨｚ帯）の送信信号、あるいはＧＳＭ系４（９００ＭＨｚ帯）の送信信号を送信する場合には、ＤＣＳ系３の高周波スイッチ３１ａ、及びＧＳＭ系４の高周波スイッチ４１ａの送信部Ｔｘｄ，Ｔｘｇ側に接続される共通の第１の制御電源Ｖｃ１から制御電圧３Ｖを印加し、ＤＣＳ系３の高周波スイッチ３１ａ、及びＧＳＭ系４の高周波スイッチ４１ａの受信部Ｒｘｄ，Ｒｘｇ側に接続される共通の第２の制御電源Ｖｃ２から制御電圧０Ｖを印加してＤＣＳ系３の高周波スイッチ３１ａの第１及び第２のダイオードＤ１ｄ，Ｄ２ｄ、及びＧＳＭ系４の高周波スイッチ４１ａの第１及び第２のダイオードＤ１ｇ，Ｄ２ｇを確実にオンすることにより、ＤＣＳ系３の送信信号が高周波スイッチ３１ａ、フィルタ３ｂ及びダイプレクサ２を、あるいはＧＳＭ系４の送信信号が高周波スイッチ４１ａ、フィルタ４ｂ及びダイプレクサ２を通過し、アンテナ１からそれぞれ送信される。
　【００６３】
　なお、ダイプレクサ２により、ＤＣＳ系３の送信信号がＧＳＭ系４に、ＧＳＭ系４の送信信号がＤＣＳ系３にそれぞれ回り込まず、アンテナ１にのみ流れるようにしている。また、ＤＣＳ系３のフィルタ３ｂではＤＣＳ系３の２次高調波及び３次高調波を、ＧＳＭ系４のフィルタ４ｂではＧＳＭ系４の３次高調波をそれぞれ減衰させている。
　【００６４】
　次いで、ＤＣＳ系３及びＧＳＭ系４の受信信号を受信する場合には、ＤＣＳ系３の高周波スイッチ３１ａの送信部Ｔｘｄ側、及びＧＳＭ系４の高周波スイッチ４１ａの送信部Ｔｘｄ側に接続される共通の第１の制御電源Ｖｃ１から制御電圧０Ｖを印加し、ＤＣＳ系３の高周波スイッチ３１ａの受信部Ｒｘｄ側、及びＧＳＭ系４の高周波スイッチ４１ａの受信部Ｒｘｇ側に接続される共通の第２の制御電源Ｖｃ２から制御電圧３Ｖを印加してＤＣＳ系３の高周波スイッチ３１ａの第１及び第２のダイオードＤ１ｄ，Ｄ２ｄ、及びＧＳＭ系４の高周波スイッチ４１ａの第１及び第２のダイオードＤ１ｇ，Ｄ２ｇを確実にオフすることにより、ＤＣＳ系３の受信信号がＤＣＳ系３の受信部Ｒｘｄに、ＧＳＭ系４の受信信号がＧＳＭ系４の受信部Ｒｘｇにのみ流れるようにしている。
　【００６５】
　なお、ダイプレクサ２により、ＤＣＳ系３の受信信号がＧＳＭ系４に、ＧＳＭ系４の受信信号がＤＣＳ系４に、それぞれ回り込まないようにしている。
　【００６６】
　上述の第２の実施例の複合高周波部品によれば、ＤＣＳ系及びＧＳＭ系の高周波スイッチのオン・オフを送信部側に接続される共通の第１の制御電源と、受信部側に接続される共通の第２の制御電源とで制御するため、送信時に、ＤＣＳ系及びＧＳＭ系の高周波スイッチの第１及び第２のダイオードの全てを確実にオンにし、ＤＣＳ系及びＧＳＭ系の高周波スイッチを確実に同時にオンすることができる。したがって、送信時における高周波スイッチの高調波歪みをより小さくすることができ、複合高周波部品の特性をより向上させることができる。
　【００６７】
　また、第１及び第２の制御電源がそれぞれ１つになるため、この複合高周波部品を実装するプリント基板などの実装基板上の配線、配置などが簡単になり、実装基板の小型化が実現する。これに伴い、この複合高周波部品を搭載した移動体通信装置の小型化を実現することができる。
　【００６８】
　図６は、本発明の複合高周波部品の第３の実施例の回路図である。複合高周波部品３０は、第１の実施例の複合高周波部品１０（図１）と比較してＤＣＳ系３をなすフィルタ３ｂ、及びＧＳＭ系４をなすフィルタ４ｂの配置位置が異なる。
　【００６９】
　すなわち、ＤＣＳ系３をなすフィルタ３ｂが高周波スイッチ３ａと送信部Ｔｘｄとの間に、ＧＳＭ系４をなすフィルタ４ｂが高周波スイッチ４ａと送信部Ｔｘｇとの間にそれぞれ配置される。
　【００７０】
　上述の第３の実施例の複合高周波部品によれば、フィルタが高周波スイッチと送信部との間に配置されるため、送信時に、送信部にある高出力増幅器の歪みをこのフィルタで減衰させることができる。したがって、受信部側の挿入損失を改善することができる。
　【００７１】
　図７は、本発明の複合高周波部品の第４の実施例の外観を示す要部分解斜視図である。複合高周波部品４０は、第１の実施例の複合高周波部品１０（図１）と比較してＤＣＳ系３及びＧＳＭ系４をなす高周波スイッチ３ａ，４ａを構成する並列トラップコイルＬ２１ｄ，Ｌ２１ｇ及びチョークコイルＬ２２ｄ，Ｌ２２ｇがチップコイルからなり、それらがセラミック多層基板１１上に搭載される点で異なる。
　【００７２】
　上述の第４の実施例の複合高周波部品によれば、高周波スイッチの並列トラップコイル及びチョークコイルがＱ値の高いチップコイルからなるため、周波数帯の異なる複数のシステムに対しても同形状のチップコイルを使用することができる。したがって、周波数帯域の変更による設計変更が容易になるため、短時間で設計変更ができ、その結果、製造コストの低減が実現できる。
　【００７３】
　また、並列トラップコイル及びチョークコイルのＱ値が高くなるため、通過帯域が広帯域になるとともに、より低損失が実現できる。
　【００７４】
　図８は、移動体通信機であるデュアルバンド携帯電話器の構成の一部を示すブロック図であり、１．８ＧＨｚ帯のＤＣＳと９００ＭＨｚ帯のＧＳＭとを組み合わせた一例を示したものである。デュアルバンド携帯電話器５０は、アンテナ１及び複合高周波部品１０（図１）を備える。
　【００７５】
　そして、複合高周波部品１０のポートＰ１１にはアンテナ１が、ポートＰ２２ｄ，Ｐ２３ｄ，Ｐ２２ｇ，Ｐ２３ｇには、ＤＣＳ系の送信部Ｔｘｄ、ＤＣＳ系の受信部Ｒｘｄ、ＧＳＭ系の送信部Ｔｘｇ、ＧＳＭ系の受信部Ｒｘｇが、それぞれ接続される。
　【００７６】
　上述のデュアルバンド携帯電話器によれば、小型でかつ高周波歪みの少ない複合高周波部品を用いているため、この複合高周波部品を搭載する移動体通信装置の小型化及び高性能化が実現できる。
　【００７７】
　なお、上記の複合高周波部品の第１〜第４の実施例において、デュアルバンドが、ＤＣＳとＧＳＭとの組み合わせである場合について説明したが、ＤＣＳとＧＳＭとの組み合わせに限定されるものではなく、例えば、ＰＣＳ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ　Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎ　Ｓｅｒｖｉｃｅｓ）とＡＭＰＳ（Ａｄｖａｎｃｅｄ　Ｍｏｂｉｌｅ　Ｐｈｏｎｅ　Ｓｅｒｖｉｃｅｓ）との組み合わせ、ＤＥＣＴ（Ｄｉｇｉｔａｌ　Ｅｕｒｏｐｅａｎ　Ｃｏｒｄｌｅｓｓ　Ｔｅｌｅｐｈｏｎｅ）とＧＳＭとの組み合わせ、ＰＨＳ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ　Ｈａｎｄｙ‐ｐｈｏｎｅ　Ｓｙｓｔｅｍ）とＰＤＣ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ　Ｄｉｇｉｔａｌ　Ｃｅｌｌｕｌａｒ）との組み合わせ、などに使用することができる。
　【００７８】
　また、２系統の信号経路を有する場合について説明したが、３系統以上の信号経路を有する場合についても同様の効果が得られる。
　【００７９】
　さらに、上記の移動体通信機の実施例において、移動体通信機であるデュアルバンド携帯電話器に図１の複合高周波部品が使用される場合について説明したが、図５〜図７の複合高周波部品を使用しても同様の効果が得られる。
　【００８０】
　【発明の効果】
　請求項１の複合高周波部品によれば、複数の高周波スイッチのオン・オフを送信部側に接続される共通の第１の制御電源で制御するため、送信時に、複数の高周波スイッチを同時にオンすることができる。したがって、送信時における高周波スイッチの高調波歪みを小さくすることができ、複合高周波部品の特性を向上させることができる。
　【００８１】
　また、高周波スイッチの制御を簡略化することができるため、この複合高周波部品を搭載した移動体通信装置の送信、受信の制御を簡略化することができる。
　【００８２】
　さらに、第１の制御電源が１つになるため、この複合高周波部品を実装するプリント基板などの実装基板上の配線、配置などが簡単になり、実装基板の小型化が実現する。これに伴い、この複合高周波部品を搭載した移動体通信装置の小型化を実現することができる。
　【００８３】
　請求項２の複合高周波部品によれば、複数の高周波スイッチのオン・オフを送信部側に接続される共通の第１の制御電源と、受信部側に接続される共通の第２の制御電源とで制御するため、送信時に、複数の高周波スイッチの第１及び第２のダイオードの全てを確実にオンにし、ＤＣＳ系及びＧＳＭ系の高周波スイッチを確実に同時にオンすることができる。したがって、送信時における高周波スイッチの高調波歪みをより小さくすることができ、複合高周波部品の特性をより向上させることができる。
　【００８４】
　また、第１及び第２の制御電源がそれぞれ１つになるため、この複合高周波部品を実装するプリント基板などの実装基板上の配線、配置などが簡単になり、実装基板の小型化が実現する。これに伴い、この複合高周波部品を搭載した移動体通信装置の小型化を実現することができる。
　【００８５】
　請求項３の複合高周波部品によれば、フィルタが高周波スイッチと送信部との間に配置されるため、送信部に構成する高出力増幅器による送信信号の歪みを減衰させることができる。したがって、受信部の挿入損失を改善することができる。
　【００８６】
　請求項４及び請求項５の複合高周波部品によれば、複合高周波部品をなすダイプレクサ、高周波スイッチ及びフィルタが、セラミックスからなる複数のシート層を積層してなるセラミック多層基板に内蔵、あるいは搭載されるため、ダイプレクサと高周波スイッチとの間の整合調整が容易となり、ダイプレクサと高周波スイッチとの間、及び高周波スイッチとフィルタとの間に整合調整を行なう整合回路を設ける必要がなくなる。
　【００８７】
　したがって、部品点数を減らすことができるため、複数の信号経路を有するマイクロ波回路を形成する回路基板の小型化が可能となる。
　【００８８】
　また、請求項４及び請求項５の複合高周波部品によれば、ダイプレクサが、第１のインダクタンス素子、及び第１のキャパシタンス素子で構成され、高周波スイッチが、スイッチング素子、第２のインダクタンス素子、及び第２のキャパシタンス素子で構成され、フィルタが、第３のインダクタンス素子、及び第３のキャパシタンス素子で構成されるとともに、それらがセラミック多層基板に内蔵、あるいは搭載され、セラミック多層基板に形成される接続手段によって接続されるため、複合高周波部品が１つのセラミック多層基板で構成でき、小型化が実現できる。加えて、部品間の配線による損失を改善することができ、その結果、複合高周波部品全体の損失を改善することが可能となる。
　【００８９】
　また、波長短縮効果により、各インダクタンス素子となるストリップライン電極の長さを短縮することができるため、これらのストリップライン電極の挿入損失を向上させることができる。その結果、複合高周波部品の小型化及び低損失化を実現することができる。
　【００９０】
　請求項６の複合高周波部品によれば、複数の高周波スイッチを構成する第２のインダクタンス素子のうち、チョークコイル及び並列トラップコイルがチップコイルであるため、高周波スイッチを低損失に設計できるとともに、広帯域化が可能となる。
　【００９１】
　請求項７の移動体通信装置によれば、小型でかつ高周波歪みの少ない複合高周波部品を用いているため、この複合高周波部品を搭載する移動体通信装置の小型化及び高性能化が実現できる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　本発明の複合高周波部品に係る第１の実施例の回路図である。
　【図２】
　図１の複合高周波部品の要部分解斜視図である。
　【図３】
　図２の複合高周波部品のセラミック多層基板を構成する（ａ）第１のシート層〜（ｈ）第８のシートの上面図である。
　【図４】
　図２の複合高周波部品のセラミック多層基板を構成する（ａ）第９のシート層〜（ｅ）第１３のシートの上面図及び（ｆ）第１３のシートの下面図である。
　【図５】
　本発明の複合高周波部品に係る第２の実施例の回路図である。
　【図６】
　本発明の複合高周波部品に係る第３の実施例の回路図である。
　【図７】
　本発明の複合高周波部品に係る第４の実施例の要部分解斜視図である。
　【図８】
　図１の複合高周波部品を用いた移動体通信機の構成の一部を示すブロック図である。
　【図９】
　従来の移動体通信機の構成の一部を示すブロック図である。
　【符号の説明】
　１０，２０，３０，４０　　　複合高周波部品
　２　　　ダイプレクサ
　３，４　　　信号経路（ＤＣＳ系、ＧＳＭ系）
　３ａ，４ａ，３１ａ，４１ａ，３２ａ，４２ａ　　　高周波スイッチ
　３ｂ，４ｂ　　　フィルタ
　１１　　　セラミック多層基板
　１１ａ〜１１ｍ　　　シート層
　５０　　　移動体通信機（デュアルバンド携帯電話器）
　Ｃ１１〜Ｃ１５　　　第１のキャパシタンス素子
　Ｃ２１ｄ〜Ｃ２３ｄ，Ｃ２１ｇ〜Ｃ２３ｇ　　　第２のキャパシタン素子
　Ｃ３１ｄ，Ｃ３２ｄ，Ｃ３１ｇ，Ｃ３２ｇ　　　第３のキャパシタン素子
　Ｄ１ｄ，Ｄ１ｇ　　　第１のスイッチング素子
　Ｄ２ｄ，Ｄ２ｇ　　　第２のスイッチング素子
　Ｌ１１，Ｌ１２　　　第１のインダクタ素子
　Ｌ２１ｄ〜Ｌ２３ｄ，Ｌ２１ｇ〜Ｌ２３ｇ　　　第２のインダクタ素子
　Ｌ３１ｄ，Ｌ３１ｇ　　　第３のインダクタ素子
　Ｖｃ１　　　第１の制御電源
　Ｖｃ２　　　第２の制御電源