【事件の表示】
　特許第３０６２６２７号「高赤外感度を有する超小型構造体」の請求項１ないし８、１２に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３０６２６２７号の請求項１ないし８、１２に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
　特許出願　　平成４年７月８日
　特許権設定登録　　平成１２年５月１２日
　特許異議申立て（申立人、小田さち子、請求項１−８，１２に対して）　　平成１３年１月１２日
　第１回取消理由通知（発送日）　　平成１３年５月１８日
　第１回訂正請求　　平成１３年１１月１９日
　第２回取消理由通知、訂正拒絶理由通知（発送日）　　平成１５年４月８日
　第１回訂正請求取り下げ、第２回訂正請求　　平成１５年１０月８日
２．訂正の適否
（１）訂正の内容
　特許明細書を平成１５年１０月８日付け訂正請求書に添付した訂正明細書のとおり訂正するもので、以下の訂正事項ａ−ｆよりなる。
訂正事項ａ
　請求項１において「前記上段部における所定の赤外波長帯域」とある記載を「前記上段部における９〜１４ミクロンの赤外波長帯域」と訂正する。
訂正事項ａ’
　明細書の「８乃至１４ミクロンの波長範囲にわたって」（特許公報第４欄１３行）とある記載を「９乃至１４ミクロンの波長範囲にわたって」と訂正する。
訂正事項ｂ
　請求項１−１４において、「マイクロブリッジ赤外線検出器構造体」とある記載を「マイクロブリッジ熱形赤外線検出器構造体」と訂正する。
訂正事項ｃ
　請求項１において、「前記下段部と前記上段部との間に断熱ギャップ」とある記載を「前記下段部と前記上段部との間には上段部と下段部との間の熱の伝達を防止するための空隙」と訂正し、「距離で定まる前記断熱ギャップ」とある記載を「距離で定まる前記空隙」と訂正する。
訂正事項ｃ’
　ｃ’−１．明細書の「エアギャップ厚さ」（特許公報、第４欄３７行）を「空隙の厚さ」と訂正する。
　ｃ’−２．明細書の「エアギャップ」（特許公報、第５欄２５行、２６行、等１１箇所）を「空隙」と訂正する。
　ｃ’−３．明細書の「エアギャップ距離」（特許公報、第６欄４６行、第７欄２行）を「空隙の距離」と訂正する。
　ｃ’−４．明細書の「エアギャップ間隔」（特許公報、第８欄３行、第７欄４２行、第８欄４８行）を「空隙の間隔」と訂正する。
　ｃ’−５．明細書の「ギャップ」（特許公報、第５欄１７行）を「間隙」と訂正する。
　ｃ’−６．明細書の表１の「エアギャップ」を「空隙」と訂正する。
訂正事項ｄ
　請求項１において、「前記上段部と前記下段部との距離で定まる」とある記載を「前記上段部の下面と前記下段部の上面との距離で定まる」と訂正する。
訂正事項ｅ
　請求項５において、「前記赤外線反射手段は、ＡＵ，ＰＴ，ＡＬからなるグループから選択した」とある記載を「前記赤外線反射手段は、Ａｕ，Ｐｔ，Ａｌからなるグループから選択した」と訂正する。
訂正事項ｆ
　明細書の「窒化ケイ素（ＳＩＮ）」（特許公報、第５欄５行）、「ＳＩＮ層」（特許公報、第７欄４行、５行、７行）をそれぞれ「窒化ケイ素（ＳｉＮ）」、「ＳｉＮ層」と訂正する。
　上記訂正により、明細書の請求項１−１４の記載は次のとおりのものとなる。
　請求項１
　半導体サブストレートに設けられ、この半導体サブストレートの表面上の下段部と、この下段部の直ぐ上に前記下段部から離間して設けられたマイクロブリッジ構造の上段部とを有しているピクセルを備え、
　前記下段部には、集積回路手段と、それも覆っている、赤外線を反射する赤外線反射手段とが設けられ、
　前記上段部はマイクロブリッジをなす誘電体層を有し、
　このマイクロブリッジをなす誘電体層には温度に応答する感温性手段が設けられ、この感温性手段は第１及び第２の端子を有し、そして、前記マイクロブリッジをなす誘電体層は、それの下方に延びる延長部で構成される誘電体脚部により前記下段部の上方に支持され、もって、前記下段部と前記上段部との間には上段部と下段部との間の熱の伝達を防止するための空隙が形成されており、
　前記第１および第２の端子は前記誘電体脚部に沿う経路で前記集積回路手段に接続されており、
　前記上段部を通過して前記下段部の前記赤外線反射手段に至った赤外線放射が前記上段部に向けて反射され、赤外線放射が前記上段部において強まって前記上段部における９〜１４ミクロンの赤外波長帯域での赤外線吸収が最適化されるよう、前記上段部の下面と前記下段部の上面との距離で定まる前記空隙の間隔はほぼ１〜２ミクロンであることを特徴とする、マイクロブリッジ熱形赤外線検出器構造体。
　請求項２
　請求項１記載のマイクロブリッジ熱形赤外線検出器構造体において、
　前記マイクロブリッジをなす誘電体層は、前記感温手段の下の第１の誘電体層と、この第１の誘電体層および前記感温性手段の上の第２の誘電体層とを含むことを特徴とするマイクロブリッジ熱形赤外線検出器構造体。
　請求項３
　請求項１記載のマイクロブリッジ熱形赤外線検出器構造体において、前記感温性手段は、薄膜抵抗素子であり、
　前記上段部は、前記薄膜抵抗素子を覆う吸収材層を含み、
　前記空隙は、前記赤外線反射手段からの反射された赤外線放射が前記吸収材層で強まって、前記上段部での赤外線放射の吸収が最適化されるよう選択されていることを特徴とするマイクロブリッジ熱形赤外線検出器構造体。
　請求項４
　請求項１記載のマイクロブリッジ熱形赤外線検出器構造体において、前記赤外線反射手段は金属薄膜コーティングであることを特徴とするマイクロブリッジ熱形赤外線検出器構造体。
　請求項５
　請求項１記載のマイクロブリッジ熱形赤外線検出器構造体において、前記赤外線反射手段は、Ａｕ，Ｐｔ，Ａｌからなるグループから選択した金属の金属薄膜コーティングであることを特徴とするマイクロブリッジ熱形赤外線検出器構造体。
　請求項６
　請求項２記載のマイクロブリッジ熱形赤外線検出器構造体において、前記第１および第２の誘電体層は、窒化シリコンであることを特徴とするマイクロブリッジ熱形赤外線検出器構造体。
　請求項７
　請求項１記載のマイクロブリッジ熱形赤外線検出器構造体において、前記感温性手段は、薄膜抵抗素子であることを特徴とするマイクロブリッジ熱形赤外線検出器構造体。
　請求項８
　請求項７記載のマイクロブリッジ熱形赤外線検出器構造体において、前記薄膜抵抗素子の材料が、酸化バナジウム及び酸化チタンから成るグループの中から選択されることを特徴とするマイクロブリッジ熱形赤外線検出器構造体。
　請求項９
　請求項７記載のマイクロブリッジ熱形赤外線検出器構造体において、前記薄膜抵抗素子の材料が、Ｖ２O3であることを特徴とするマイクロブリッジ熱形赤外線検出器構造体。
　請求項１０
請求項７記載のマイクロブリッジ熱形赤外線検出器構造体において、前記薄膜抵抗素子の材料が、半導体相で動作するＶ２O3であることを特徴とするマイクロブリッジ熱形赤外線検出器構造体。
　請求項１１
　請求項５記載のマイクロブリッジ熱形赤外線検出器構造体において、前記金属薄膜コーティングはほぼ５０ｎｍの厚さであることを特徴とするマイクロブリッジ熱形赤外線検出器構造体。
　請求項１２
　請求項６記載のマイクロブリッジ熱形赤外線検出器構造体において、前記第１の誘電体層はその厚さが１００ｎｍのオーダーであり、前記第２の誘電体層はその厚さが２５０ｎｍのオーダーである、ことを特徴とするマイクロブリッジ熱形赤外線検出器構造体。
　請求項１３
　請求項８記載のマイクロブリッジ熱形赤外線検出器構造体において、前記薄膜抵抗素子はその厚さが５０〜７５ｎｍのオーダーであることを特徴とするマイクロブリッジ熱形赤外線検出器構造体。
　請求項１４
　請求項３記載のマイクロブリッジ熱形赤外線検出器構造体において、前記吸収材層はその厚さが３０ｎｍのオーダーであることを特徴とするマイクロブリッジ熱形赤外線検出器構造体。
（２）訂正の目的の適否、新規事項の有無、及び特許請求の範囲の拡張・変更の存否についての判断
　訂正事項ａは、請求項１−１４に記載された発明について、赤外線吸収が最適化される「所定の赤外波長帯域」を「９〜１４ミクロンの赤外波長帯域」と限定するものであり、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　訂正事項ａ’は、訂正事項ａにより訂正された特許請求の範囲の記載との整合を図るため明細書の記載を訂正するものであり、明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
　訂正事項ｂは、請求項１−１４に記載された発明について、「マイクロブリッジ赤外線検出器構造体」を「マイクロブリッジ熱形赤外線検出器構造体」と限定するものであり、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　訂正事項ｃは、請求項１−１４に記載された発明について、ピクセルの上段部と下段部の間の「断熱ギャップ」が空隙である旨の限定をするものであり、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　訂正事項ｃ’は　訂正事項ｃにより訂正された特許請求の範囲の記載との整合を図るため明細書の記載を訂正するものであり、明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
　訂正事項ｄは、請求項１−１４に記載された発明について、「ピクセルの上段部と下段部との間の距離」が「ピクセルの上段部の下面と下段部の上面との間の距離」であることを明りょうにするためのものであり、明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
　訂正事項ｅ、ｆは、誤記の訂正を目的とするものである。
　訂正事項ａ−ｆは、いずれも、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてするものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
（３）独立特許要件についての判断
　請求項９−１１，１３，１４に係る訂正は、特許異議の申立てがされていない請求項についての訂正であって、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであるから、訂正後の請求項９−１１，１３，１４に係る発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否かについて検討する。
　訂正後の請求項９−１１，１３，１４　に係る発明は、訂正明細書の特許請求の範囲の請求項９−１１，１３，１４に記載されたとおりのものであって（上記（１）訂正の内容参照。）、同請求項１に係る発明の構成要件をすべて含むものである。
　そして、請求項１に係る発明は、下記４．（２）に示すように刊行物１−７に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではなく、また、下記４．（３）に示すように請求項１に係る発明の特許は、特許法第３６条第４−６項に規定する要件を満たさない特許出願に対してされたものではないから、請求項９−１１，１３，１４に係る発明も同様に判断される。
　また、他に請求項９−１１，１３，１４に係る発明が特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるとする理由を発見しない。
（４）むすび
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法第１２０条の４第３項で準用する平成６年法律第１１６号による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書、第２項、及び第３項の規定に適合するので当該訂正を認める。
３．特許異議の申立ての概要
　申立人は、証拠として、甲第１−７号証を提出して、請求項１−８，１２に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、また、請求項１の記載では発明の課題を解決することができない場合も含まれてしまうことになり、特許明細書は、特許法第３６条に規定する要件を満たしていないものであるから、請求項１−８，１２に係る発明についての特許は取り消されるべきであると主張している。
４．特許異議の申立てについての判断
（１）請求項１−８，１２に係る発明
　請求項１−８，１２に係る発明は、特許請求の範囲の請求項１−８，１２に記載されたとおりのものである（上記２．（１）訂正の内容参照）。
（２）特許法第２９条第２項違反について
　ａ．引用刊行物
　第１回及び第２回取消理由で引用した刊行物は次のとおりのものである。
刊行物１：特表平４−５００４３７号公報（甲第１号証）
刊行物２：特開平２−１９６９２９号公報（甲第２号証）
刊行物３：A.D.Parsons and D.J.Pedder 「Thin-film infrared absorber structures for advanced thermal detectors 」J.Vac.Sci.Technol.A6(3),May/Jun 1988 pp.1686-1689（甲第３号証）
刊行物４：米国特許第４，４７２，２３９号明細書（甲第４号証）
刊行物５：E.C.Jelks, R.M.Walser, R.W.Bene and W.H.Neal II「Response of thermal filaments in VO2 to laser-produced thermal perturbations」 Appl.Phys.Lett.Vol.26,No.7, 1 April 1975  pp.355-357（甲第５号証）
刊行物６：D.P.Partlow, S.R.Gurkovich, K.C.Radford,and L.J.Denes「Switchable vanadium oxide films by a sol-gel process」J.Appl.Phys. 70(1),1 July 1991  pp.443-452（甲第６号証）
刊行物７：社団法人日本電子工業振興協会「シリコン系アモルファス半導体データブック」昭和６０年３月発行 pp.181-182,192（甲第７号証）
　ｂ．引用刊行物に記載された発明
　刊行物１には、電磁放射線感知アレイに関する発明が記載されており、以下のような記載がある。
　第１頁、左下欄、請求の範囲１
「基板と、上記基板中の電磁放射線検出器のセルアレイであって、前記各セルはセルの一部にまたがる保持する電磁放射線感度ブリッジ構造を有し、通常ブリッジ構造と基板の間の熱絶縁ギャップが形成されるように形づくられ、ブリッジによって吸収される電磁放射線の量に従って変更する定義された特性を有する上記ブリッジ構造、及び
　各上記セルの上記の定義された特性を監視する手段を有することを特徴とする２次元の電磁放射（電磁放射線）感知アレイ。」
　第５頁、右上欄１２−１５行
「赤外線検出器の他のタイプはボロメータである。ボロメータにおける放射線を吸収するエネルギーは、検出素子の温度を上昇させ、その電気抵抗を変化させる。」
　第６頁、左下欄１４−１７行
「検出器のブリッジは、感度を増加するように電磁放射線吸収物質層によってコートされるのが望ましい。各検出器セルの読み出し回路は、基板領域を保護するように、少なくとも一部が各ブリッジの下にある基板上に配置されるのが望ましい。」
　第８頁、１−４行
「中央径間３４と前記基板の間の垂直エアギャップの隙間は、約２ミクロン乃至５ミクロンあるのが望ましく、これは抵抗から基板への熱伝導損を防止するのに十分なものである。」
　第８頁、右上欄１５−１７行
「図６に示される他の実施例においては、抵抗ブリッジはＳｉＯ２のような絶縁物質のベースブリッジ３８から形成され、ベースブリッジ３８上には薄い抵抗層４０を有する。」
　第８頁、右上欄２４行−右下欄２行
「抵抗層４０は、例えば、カーボンブラックまたはゴールドブラックのような高温度の放射性物質４２の層によって被膜しても良く、ブリッジの放射効率が改善される。」
　第８頁、左下欄５−１２行
「基板上の空間を維持し抵抗ブリッジの為の領域を更に解放する為に、ドライブ回路３２は、図７に示すようにブリッジの下に配置されるのが望ましい。適当な動作温度でドライブ回路を維持する為に、図８に示されるような第２ブリッジ４４の手段によって、ドライブ回路を抵抗の熱から防いでも良い。この第２ブリッジは、抵抗ブリッジ３０及びドライブ回路３２から離間され、アルミニウムのような熱反射性の物質から形成される。」
　第８頁、左下欄１６−１９行
「図９は、分離されている反射性のブリッジ４４を変更したものである。この実施例では、ＳｉＯ２のような電気絶縁層４６がドライブ回路３２の上に設置され、絶縁層の上のアルミニムのような熱反射層４８下に配置されるものである。」　第９頁、左下欄９−１１行
「薄いメタル層、通常１００オングストロームの厚さのオーダのものは、それぞれの支持脚に設置され、下にある読み出し回路と中央径間の間の電気分路を供給する。」
　刊行物２には、赤外線検出器に関する発明が記載されており、以下のような記載がある。
　第１頁、左下欄、特許請求の範囲
「（ａ）第１面の近傍にボロメータ回路素子のアレイを有する基板；および
（ｂ）抵抗のアレイであって、上記の抵抗の各々は上記の面との間に間隙を有し、放射を受ける方向を向き、上記の回路素子の対応する組の上に位置すると共にこれと電気的に接続されている上記の抵抗のアレイによって構成されることを特徴とするスペクトル範囲の放射を検出するボロメータのアレイ。」
　第１頁、右下欄９−１４行
「赤外線検出器は、走査型またはスターリング・アレイ（staring array）型、低温（一般に液体窒素の温度）または非冷却検出器、３ないし５ミクロンまたは８ないし１２ミクロン分光感度範囲、および光子または熱的検出機構、のように種々の方法で分類できる。」
　第２頁、左下欄１９行−右下欄１０行
「（発明の概要）
　本発明は、高感度抵抗材料と共に幾何学的に高い集積度を有するモノリシック・アレイのボロメータの形態をした赤外線放射イメージ装置を提供する。好適な実施例では、抵抗材料として、赤外線吸収体を被覆した水素と化合させた非結晶シリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）を使用し、シリコン検出回路上にこの抵抗材料を浮かせる構成を採用している。浮かされた抵抗材料とこの下に横たわる反射性の基板間の距離は、赤外線スペクトル帯中央における波長の４分の１で、高い赤外線吸収性を与える。」
　第３頁、右上欄１７行−左下欄１２行
「第４ａ−ｂ図は、ボロメータ１４０の概略縦断面図であり、第５図は平面図である。第５ｂは個々のボロメータの配置を示すアレイ１０６の一部を示す平面図である。ボロメータ１４０は、厚さが１，７００Åで５０平方ミクロンのスタック１４４を有し、このスタック１４４はシリコン二酸化物（酸化物）の上部５００Å層１４６、窒化チタン（ＴｉＮ）の１００Å層、２×１０１８／ｃｍ３のキャリア濃度にボロンを添加した水素と化合された非結晶シリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）１５０のａ５００Å層、他のＴｉＮの層１５２および底部の５００Åの層によって構成される。スタック１４４は、スタック１４４の対角線上反対側の角に位置する２つのチタン・タングステン（Ｔｉ：Ｗ）の相互接続１５６と１５８によって基板１４２上に支持される。」
　第７頁、左上欄１４行−右上欄１８行
「第４ａないしｂ図に示すように、酸化物層１９０は負荷抵抗ＲＬおよびバッファ・アンプ１２０更にシリコン基板１４２の残りの部分をアルミ・アース面１９２から覆い、絶縁している。アルミ・アース面１９２とスタック１４４との距離は、８ないし１２ミクロンの波長範囲での検出の場合約２．５ミクロンで、このグランド面１９２と堆積層１４４との距離は、上記範囲の中央周波数の４分の１波長である。第４ａ図はアース面１９２を平坦なものとして模式的に示すが、第４ｂ図では基板の下に横たわる回路（ＣＭＯＳ）の幾つかを示し、アース面１９２のわずかな凹凸（数百Å）を指示している。ＴｉＮ層１４８および１５２は、暖かい人体１１６を有する場面から入射される赤外線放射の吸収を行い、非結晶シリコンは赤外線を透過させる。アース面１９２とスタック１４４との４分の１波長の距離は、下に横たわる４分の１波長の真空間隙およびアース面反射器と共に、薄くて半透明のＴｉＮ１４８および１５２における自由キャリア吸収用の４分の１波長吸収するフィルタを形成する。アース面１９２の凹凸の吸収に対する影響は微少である。なお、吸収フィルタとして真空間隙を使用すると、間隙中に誘電体を使用した場合と比較しスタック１４４の熱容量が制限されることに留意すること。」
　第１１頁、右下欄１−１１行
「２３．好適な実施例は、シリコン基板（１４２）上に形成されたボロメータのモノリシック非冷却赤外線検出器のアレイを有し、このボロメータは酸化物（１４６）、ＴｉＮ（１４８）、ａ−Ｓｉ：Ｈ（１５０）、ＴｉＮ（１５２）、赤外線吸収器を形成するＴｉＮを有する酸化物（１５４）および抵抗接点のスタックを有し、ａ−Ｓｉ：Ｈと抵抗は抵抗値の高い温度係数を有し、抵抗は金属相互接続（１５４および１５６）によってシリコン基板（１４２）上に懸垂され、関連処理回路が抵抗の下のシリコン基板（１４２）内に形成される。」
　刊行物３には、熱形赤外線検出器に適用される金属吸収層／誘電体層／金属反射膜の多層構造からなる赤外線吸収体について、８−１４μｍの波長帯域で誘電体の屈折率を１．８とした場合、実効吸収率を９４％以上にするには、金属吸収層のシート抵抗Ｒｆ、誘電体の厚さｄに対して、Ｒｆ＝３５０±６０Ω／ｓｑ、ｄ＝１．３９±０．１１μｍの条件を満たせばよいことが記載されている。
　刊行物４には、流れ検出、可燃性ガス検知等に適用される半導体装置に関する発明が記載されており、図２に示された実施例では、抵抗素子１６と誘電体層１２、１８からなるセンシング部材３２が空洞層２０上にセンシング部材３２の一端３６のみ半導体表面１４に接続された片持梁構造で形成されたものが示されている（第３欄５７行−第４欄２行）。
　また、部材３２は、厚さ８００Å程度の抵抗素子１６、各々数千Å程度の厚さである誘電体層１２，１８を含めて０．８−１．２ミクロンの厚さであること（第４欄４５−５０行）、抵抗素子は、パーマロイや単結晶酸化亜鉛のような焦電型物質が適当であること（第１４欄１３−３８行）、誘電体層１２，１８は窒化シリコンであること（第１５欄５−１２行、１６−２０行）が記載されている。
　刊行物５には、ＶＯ２薄膜が５０〜８０°Ｃの温度範囲で電気伝導率が２−３桁変化すること、熱検出器に適用できることが記載されている。
　刊行物６には、ＶＯ２薄膜が波長８〜１４μｍの赤外光を吸収することが記載されている。
　刊行物７には、Ｓｉ−Ｎ結合がほぼ１２μｍを中心とする帯域の赤外光を吸収することが記載されている。
　ｃ．判断
　請求項１に係る発明は、「感温性手段が設けられた誘電体層を有するマイクロブリッジ構造の上段部と赤外線反射手段が設けられた下段部とを有するピクセルを備えたマイクロブリッジ熱形赤外線検出器構造体」において、「９〜１４ミクロンの帯域での吸収が最適化されるよう、上段部の下面と下段部の上面との距離で定まる空隙の間隔をほぼ１〜２ミクロン」とすることを特徴とするものであるが、刊行物１−７のいずれにも、上記空隙をほぼ１〜２ミクロンとすることについては記載がなく示唆されてもいない。
　刊行物１には、マイクロブリッジ構造の上段部と下段部とを有する赤外線発生素子又は赤外線検出器が記載されているが、赤外線検出器において下段部に赤外線反射手段を設けることや上段部と下段部との間隔を赤外線の吸収が最適化されるように定めることについては何ら記載がなく示唆されてもいない。
　刊行物２には、マイクロブリッジ構造の上段部と赤外線反射手段が設けられた下段部とを有する赤外線検出器において、上段部の下面と下段部の上面との距離で定まる空隙の間隔を帯域の中央周波数の４分の１とすること、８〜１２ミクロンの波長範囲での検出の場合約２．５ミクロンとすることが開示されているが、この開示は９〜１４ミクロンの帯域で空隙の間隔をほぼ１〜２ミクロンとすることを示唆するものではない。
　刊行物３には、金属吸収層と金属反射膜の間隙を満たす誘電体層（屈折率１．８）の厚さを８−１４μｍの波長範囲で約１．４μｍとすることが開示されているが、この開示は、誘電体層を空隙とし厚さをほぼ１〜２ミクロンとすることを示唆するものではないし、この開示を刊行物１又は２に記載されたマイクロブリッジ構造の上段部と下段部とを有する赤外線検出器に適用しても、９〜１４ミクロンの帯域での吸収が最適化されるよう、上段部の下面と下段部の上面との距離で定まる空隙の間隔をほぼ１〜２ミクロンとする構成が容易に得られるものではない。
　刊行物４−７には、感温性手段が設けられた上段部と赤外線反射手段が設けられた下段部とを有する赤外線検出器において、上段部の下面と下段部の上面との距離で定まる空隙の間隔を吸収が最適化されるように定めることについて何等の記載もない。
　したがって、請求項１に係る発明は、刊行物１−７に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　請求項２−８，１２に係る発明は、請求項１に係る発明の構成要件をすべて含み、さらに他の構成要件を付加したものであるから 同様の理由により、刊行物１−７に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
（３）特許法第３６条違反について
　異議申立人は、「８〜１４μｍの帯域で８０％以上の吸収度を達成する」という本件発明の課題を解決するためには、断熱ギャップの間隔の他に、波長帯域や誘電体層の膜厚等を限定する必要があるにもかかわらず、請求項１では、断熱ギャップを１〜２μｍと規定するだけで、波長帯域や誘電体層の膜厚等について限定されていないから、課題を解決することができない場合も含まれてしまうことになる、と主張している。
　しかしながら、請求項１は上記のように訂正されたので、波長帯域が限定され、断熱ギャップに関する構成も明りょうにされた。そして、明細書及び図面の記載からみて、訂正後の請求項１に係る発明及び請求項１に係る発明の構成要件をすべて含む請求項２−８，１２に係る発明が「９〜１４ミクロンの波長範囲で約８０％以上の吸収度を達成する」ことができることは、当業者が容易に理解できることである。
　したがって、請求項１−８，１２に係る発明の特許は、特許法３６条第４−６項に規定する要件を満たさない特許出願に対してされたものではない。
５．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、請求項１−８，１２に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　また、他に請求項１−８，１２に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１６年３月３０日（２００４．３．３０）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
高赤外感度を有する超小型構造体
【発明の詳細な説明】
　　　発明の分野
　本発明は、約８０％以上の吸収度レベルを達成することができ、かつ
９乃至１４ミクロン
　　　発明の背景及び概要
　本発明は、本発明と同じ譲受人に譲渡された「熱センサ」という名称の１９８６年７月１６日出願の同時係属になる米国特許出願一連番号第８８７，４９５号の発明を改良したものである。この出願の開示内容は、参照することによって本願中に組み込まれる。上記出願の発明は、集積素子及びバス線が形成されたシリコン表面の上方の第２の平面に検出器マイクロブリッジを配置することによって達成される高集積度（ｆｉｌｌ　ｆａｃｔｅｒ）の赤外線マイクロブリッジ構造用のセンサアレイのピクセルサイズ・センサに関するものである。本発明は、このようなセンサの感度を高めるための構造の改良にある。
　　　図面の簡単な説明
　図１及び２は、それぞれ本発明による超小型構造体の正面図及び上面図である。
　図３は、８及至１４ミクロンの範囲を含む選択された波長範囲にわたる本発明のデバイスの全吸収度対波長の関係をプロットしたグラフである。
　図４は、抵抗層の透光度、吸収度及び反射率を示すグラフである。
　図５は、吸収度対
空隙の
　図６は、構造全体の吸収度対金属吸収材厚さの関係を示すグラフである。
　図７は、Ｓｉ３Ｎ４の光学的性質の測定結果を示すグラフである。
　　　詳細な説明
　本発明による２レベル型マイクロブリッジ・ボロメータ・ピクセル１０の一実施例の断面図を図１に示す。このデバイス１０は、２つのレベル、すなわち上段のマイクロブリッジ検出器レベル１１及び下段レベル１２を有する。下段レベルは、単結晶シリコン・サブストレートのような表面が平らな半導体サブストレート１３を有する。シリコン・サブストレートの表面１４には、通常のシリコンＩＣ技術によってダイオード、バス線、接続配線及びコンタクト・パット（具体的には図示されていない）のような集積回路１５の通常の素子が作り込まれている。このＩＣには、窒化ケイ素の保護層１６が塗工されている。
　上段の検出器レベル１１は、窒化ケイ素（
ＳｉＮ
間隙
空隙
空隙
　図２は、上段の検出器レベル１１の上面図である。この図は、薄膜抵抗層２１が見えるように、その上層の吸収材コーティング層２３及び上側窒化ケイ素層２２が透明であるかの如く描いてある。本発明の一実施例においては、抵抗層２１の材料は酸化バナジウム、好ましくはＶ２Ｏ３である。酸化バナジウムは、温度による抵抗変化が非常に大きく、これを用いると高感度のマイクロボロメータ動作が可能になる。また、酸化バナジウムは、８〜１４ミクロンの範囲のＩＲに対する反射率が低い。この実施例においては、Ｖ２Ｏ３は半導体相で使用される。その被着は、５０〜７５ｎｍというような非常に薄い層を被着することが可能なイオンビーム・スパッタ法によることが望ましい。このようにこの実施例でＶ２Ｏ３が反射材として選ばれたのは、比較的抵抗温度係数（ＴＣＲ）が高いことと相俟って、ＩＲ反射率が低いことによる。抵抗層２１の端部には、抵抗性経路２１ａ及び２１ｂが設けられ、これらの経路は下方に延びる窒化ケイ素層２０’及び２２’に埋込まれた形で斜面部（傾斜支持部）３０沿いに下方に延びて、下段レベルのコンタクト・パッド３１及び３２と電気的に接続されている。
　また、やはり図２に示すように、窒化ケイ素層２０及び２２には、これらの層を貫通させて、検出器の平面の下側からホスガラス（ｐｈｏｓ−ｇｌａｓｓ）を溶解させて取り除くための流出口として窓状開口部３５，３６及び３７が形成されている。上記の傾斜支持部は、上段レベル（検出器レベル）１１に対して十分な支持強度と断熱性を持つように形成すればよい。
　基本的に個別の検出器ピクセルについて説明するが、本発明は、撮像用検出器アレイまたはモザイク検出器アレイを形成するよう多数のピクセルを隣接させて配列したｘｙピクセルアレイ・アセンブリに使用するためのものである。ピクセルアレイ・アセンブリの各ピクセルが占める面積は、例えば一辺約５０ミクロンである。
　次に、上段レベルを形成するための一連のステップをやはり図１を参照しつつ説明する。下段レベル１２の形成過程で窒化ケイ素層１６を被着した後、Ｐｔ（白金）またはＡｕ（金）等の金属薄膜のような反射材の薄膜層（反射層）１８を被着する。次に、上段レベルの形成工程に移る。ここで説明する実施例の検出器は、８〜１４ミクロンの赤外線波長で使用するためのものである。反射層１８は下段レベル１２上にある。反射層１８と上段レベル１１との間の垂直距離は、層１８から上向きに反射される赤外線が広い波長範囲（８〜１４ミクロン）及び発射器の検出器構造との間のエアギャップ間隔に対して十分な吸収が達成されるような干渉性を有するように選択される。
　次に、約１〜２ミクロンの範囲の厚さのホスガラスの層または他の容易に溶解可能な材料の層を被着する。その上記斜面部３０及び３０’に対応する部分は、斜面に対する被着上の問題をなくすために十分な丸みを付ける。次に、上段レベルの窒化ケイ素層（ベース）２０を被着し、薄膜抵抗層２１を被着し、その端部を斜面沿いに下段レベルのコンタクト・パッドに接続した後、これら層２１及び２０の上に窒化ケイ素層（パッシベーション層）２２を被着する。この後、上段レベルの最上層として金属薄膜の吸収材コーティング層２３（約１５〜４０Ａ）を被着する。次に、前述のスロット（窓状開口部）３５，３６及び３７を形成し、検出器のある平面の下側からホスガラスを溶解させて取り除く。前に述べたように、上記の積層構造を形成する前にサブストレート上にＰｔ、Ａｕまたは他の薄膜反射層１８を被着することによって、吸収材コーティング層を透過した赤外線を薄膜反射層から逆に吸収材コーティング層へ反射させることができる。
　構造全体の光学的性質は、適切な光学的性質及び電気的性質を有する光学材料を注意深く選択することによって達成される。最上層の薄膜は、赤外線をほとんど反射しないものでなければならず、かつ吸収されなかった赤外線の相当部分を
空隙の距離
　検出器構造における吸収を最適化するためには、全ての吸収層の厚さ及び
空隙の距離
ＳｉＮ層
ＳｉＮ層
ＳｉＮ層
空隙
　この２レベル構造においては、熱質量（熱容量）が小さい検出器構造１１は、
空隙
空隙の間隔
　検出器でこのような光の干渉を起こさせるためには、赤外線を反射する他の薄膜が検出器構造中へ入り込むのを避けなければならない。高いＴＣＲと低いＩＲ反射率を有するＡＢｘの使用は（図４）、これらの条件を満たすのに理想的である。このように、上記のような吸収現像を高いＴＣＲと低い反射率を持つ検出器材料を有する検出器構造と組み合わせることによって、上記の干渉効果を起こさせることができる。
　検出器の吸収度は構造中の
空隙
空隙
空隙
空隙
空隙
　
空隙の間隔
空隙
空隙
　次に、図６には、金属薄膜吸収材層の厚さを各々３ｎｍ及び５ｎｍとした時に、検出器構造の吸収層の全吸収度が８〜１４ミクロンのＩＲ波長に対してどう変化するかを示すグラフが描かれている。この薄膜積層構造において、窒化ケイ素層（Ｓｉ３Ｎ４）層２２は厚さ２５０ｎｍ、薄膜抵抗層２１は厚さ７５ｎｍ、窒化ケイ素層（Ｓｉ３Ｎ４層）２０は厚さ１００ｎｍであり、また
空隙の間隔
　図７に、窒化ケイ素層２０及び２２（厚さ８００Å）の反射率Ｒ、透光度Ｔ及び吸収度Ａ等の光学的性質の測定値を、縦座標に各測定値（信号％）、横座標にＩＲ波長を取って示す。この図から明らかなように、波長８ミクロン及び１４ミクロンにおける透光度Ｔは極めて高く（それぞれ約９０％と８０％）、８ミクロン及び１４ミクロンの反射率Ｒはいずれも１０％よりかなり低くなっている。
（５７）【特許請求の範囲】
１．半導体サブストレートに設けられ、この半導体サブストレートの表面上の下段部と、この下段部の直ぐ上に前記下段部から離間して設けられたマイクロブリッジ構造の上段部とを有しているピクセルを備え、
　前記下段部には、集積回路手段と、それも覆っている、赤外線を反射する赤外線反射手段とが設けられ、
　前記上段部はマイクロブリッジをなす誘電体層を有し、
　このマイクロブリッジをなす誘電体層には温度に応答する感温性手段が設けられ、この感温性手段は第１及び第２の端子を有し、そして、前記マイクロブリッジをなす誘電体層は、それの下方に延びる延長部で構成される誘電体脚部により前記下段部の上方に支持され、もって、前記下段部と前記上段部との間
には上段部と下段部との間の熱の伝達を防止するための空隙
　前記第１および第２の端子は前記誘電体脚部に沿う経路で前記集積回路手段に接続されており、
　前記上段部を通過して前記下段部の前記赤外線反射手段に至った赤外線放射が前記上段部に向けて反射され、赤外線放射が前記上段部において強まって前記上段部における
９〜１４ミクロン
の下面
の上面
空隙
、マ
熱形
２．請求項１記載のマイクロブリッジ
熱形
　前記マイクロブリッジをなす誘電体層は、前記感
温手
熱形
３．請求項１記載のマイクロブリッジ
熱形
　前記上段部は、前記薄膜抵抗素子を覆う吸収材層を含み、
　前記
空隙
るこ
熱形
４．請求項１記載のマイクロブリッジ
熱形
熱形
５．請求項１記載のマイクロブリッジ
熱形
Ａｕ，Ｐｔ，Ａｌ
熱形
６．請求項２記載のマイクロブリッジ
熱形
熱形
７．請求項１記載のマイクロブリッジ
熱形
熱形
８．請求項７記載のマイクロブリッジ
熱形
熱形
９．請求項７記載のマイクロブリッジ
熱形
熱形
１０．請求項７記載のマイクロブリッジ
熱形
熱形
１１．請求項５記載のマイクロブリッジ
熱形
熱形
１２．請求項６記載のマイクロブリッジ
熱形
熱形
１３．請求項８記載のマイクロブリッジ
熱形
るこ
熱形
１４．請求項３記載のマイクロブリッジ
熱形
るこ
熱形