【事件の表示】
　特許第３４０２３６９号「発振器モジュール」の請求項１に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３４０２３６９号の請求項１に係る特許を維持する。
【理　由】
第１．手続の経緯
　特許第３４０２３６９号の請求項１、２に係る発明についての出願は、平成３年１１月１１日に特許出願され、平成１５年２月２８日にその発明について特許権の設定登録がなされ、その後、その特許について、特許異議申立人　池田英治より特許異議の申立てがなされ、取消の理由が通知され、その指定期間内である平成１６年６月１５日に訂正請求がなされたものである。
　
第２．訂正の適否の検討
１．訂正内容
（１）訂正事項ａ
　特許請求の範囲の請求項１の記載について、
「共振導体（２）の他方側（上側）の共振導体と対向する部分には、ＧＮＤパターンを設定しないで、誘電体層（１−１、１−２）を設けると共に、」とあるのを、「共振導体（２）の他方側（上側）には誘電体層（１−１、１−２）を設け、該誘電体層の前記共振導体と対向する部分には、ＧＮＤパターンを設けず、残りの部分にＧＮＤパターンを配置すると共に、」と訂正する。
（２）訂正事項ｂ
　特許請求の範囲の請求項１の記載について、
「前記発振用トランジスタ（Ｔｒ１）を、バッファ部とは分離して実装し、この発振用トランジスタ（Ｔｒ１）の周辺部にストリップ共振器の共振導体（２）を設定した」とあるのを、「前記発振用トランジスタ（Ｔｒ１）を、バッファ部とは分けて、前記共振導体とは別の誘電体層上で離した位置に実装し、かつ、この発振用トランジスタ（Ｔｒ１）を、前記共振導体（２）に対し、前記バッファ部より近い位置に設定した」と訂正する。
　
２．訂正の適否について
（１）訂正事項ａについて
　訂正事項ａは、本件特許明細書又は図面に記載した事項の範囲内において、特許請求の範囲の請求項１に記載された「共振導体（２）の他方側（上側）」について、「共振導体（２）の他方側（上側）には誘電体層（１−１、１−２）を設け、該誘電体層の前記共振導体と対向する部分には、ＧＮＤパターンを設けず、残りの部分にＧＮＤパターンを配置する 」と限定する訂正を求めるものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであって、新規事項の追加に該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張し、変更するものではない。
（３）訂正事項ｂについて
　訂正事項ｂは、本件特許明細書又は図面に記載した事項の範囲内において、特許請求の範囲の請求項１に記載された「発振用トランジスタ（Ｔｒ１）」の配置について、「前記発振用トランジスタ（Ｔｒ１）を、バッファ部とは分けて、前記共振導体とは別の誘電体層上で離した位置に実装し、かつ、この発振用トランジスタ（Ｔｒ１）を、前記共振導体（２）に対し、前記バッファ部より近い位置に設定した」と構成を限定することにより明りょうとする訂正を求めるものであるから、特許請求の範囲の減縮、及び明りょうでない記載の釈明と目的とするものであって、新規事項の追加に該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張し、変更するものではない。
　
３．まとめ
　したがって、上記訂正請求は、特許法第１２０条の４第２項、及び同条第３項で準用する同法１２６条第２項及び３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
第３．特許異議申立について
１．特許異議申立の理由の概要
　特許異議申立人　池田英治は下記の証拠を提出し、特許第３４０２３６９号の請求項１に係る発明の特許は、以下の理由により取消されるべきものである旨主張する。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　記
　特願平２−７３０１１号（特開平３−２７２２０４号公報）（甲第１号証）
　特願平３−８１３８４号（特開平４−２９２００３号公報）（甲第２号証）
　特開昭６３−２０９３０５号公報（甲第３号証）
　特開平２−２３５４１１号公報（甲第４号証）
　実願昭５８−１０８７６７号（実開昭６０−１７００６号）のマイクロフィルム（甲第５号証）
（１）特許法第２９条の２違反に関して
　請求項１係る発明は、甲第１号証又は甲第２号証の願書に最初に添付した明細書又は図面（以下、「先願明細書１」、「先願明細書２」という。）に記載された発明と同一であるので、請求項１に係る発明の特許は、特許法第２９条の２第１項の規定に違反してなされたものである。
　
（２）特許法第２９条第２項違反に関して
　請求項１係る発明は、甲第３号証ないし甲第５号証に記載された発明から当業者であれば容易に発明をすることできたものであるから、請求項１係る発明の特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものである。
　
（３）特許法第３６条違反に関して
　請求項１に係る発明は記載が不備であるから、請求項１に係る発明の特許は、特許法第３６条第６項の規定に適合していない出願になされたものである。
　
２．本件特許発明
　上記第２．３．で示したように上記訂正請求は認められるから、本件特許の請求項１係る発明（以下、「本件特許発明」という。）は、平成１６年６月１５日付けの訂正請求により訂正された訂正明細書の特許請求の範囲に記載された次の事項により特定されるものである。
 「ストリップラインによるストリップ共振器を具備すると共に、
　少なくとも、前記ストリップ共振器の共振導体（２）を、多層基板の内部に設定した発振器モジュールであって、
　多層基板の積層方向に対し、
　共振導体（２）の一方側（下側）には、誘電体層（１−３）を介してＧＮＤパターン（３−２）を設定し、
　共振導体（２）の他方側（上側）には誘電体層（１−１、１−２）を設け、該誘電体層の前記共振導体と対向する部分には、ＧＮＤパターンを設けず、残りの部分にＧＮＤパターンを配置すると共に、
　前記発振器を、ストリップ共振器及び発振用トランジスタ（Ｔｒ1 ）を含む発振部と、バッファ部とで構成し、前記発振用トランジスタ（Ｔｒ1 ）を、バッファ部とは分けて、前記共振導体とは別の誘電体層上で離した位置に実装し、かつ、この発振用トランジスタ（Ｔｒ１）を、前記共振導体（２）に対し、前記バッファ部より近い位置に設定したことを特徴とする発振器モジュール。」
　
３．特許法第３６条違反に関して
　本件特許発明については、上記訂正により、異議申立人が主張する明細書に関する記載の不備が解消されたので、特許法第３６条第４項または第６項に規定する要件を満たさない出願に対してなされたものとすることができない。
　
４．特許法第２９条の２違反に関して
（１）先願明細書１に関して
　当審で通知した取消理由に引用した先願明細書１（特願平２−７３０１１号（特開平３−２７２２０４号公報）（甲第１号証））には、第１図ないし第３図の記載とともに、「本発明は、各種通信機器に使用される電圧制御発振器に関するものである。」（１頁左下欄１２行ないし１３行）、「第１図に示すように、本実施例では第１図（ａ）の誘電体４層基板１の表面層に設けた発振部品２とスルーホール３によって電気的に接続した第１図（ｂ）の２層目の共振用スパイラル状電極４により発振回路を構成し、又第１図（ｄ）の表面層にはバッファ部品５によりバッファ回路を構成し、第１図（ｃ）の３層目には発振回路とバッファ回路を電気的に接続するスルーホール６の周囲を除いて前面にアース電極７を形成している。」（２頁左上欄５行ないし１３行）の記載がある。
　これらの記載によれば、先願明細書１には
「共振用スパイラル状電極４による共振器を具備すると共に、前記共振器の共振用スパイラル状電極４を多層基板の内部に設定した発振器モジュールであって、
　共振用スパイラル状電極４を誘電体で挟み、その下側のみにアース電極７を設け、発振器とバッファ部とを分離実装した発振器モジュール。」の発明（以下、「先願発明１」という。）が開示されているものと認められる。
　
（２）先願明細書２に関して
　当審で通知した取消理由に引用した先願明細書２（特願平３−８１３８４号（特開平４−２９２００３号公報）（甲第２号））には、第１図ないし第３図、第１１図の記載とともに、
「【従来の技術】ところで、図１１は従来のストリップライン共振器をそなえた発振器を示す摸式的斜視図であり、この図１１において、６はトランジスタ、７は直流カット部材、８はコンデンサ、９は抵抗で、これらは、金属箔等で形成されたストリップライン１３で接続されている。」（２頁左欄２７行ないし３２行）、
「【００１９】（ａ）第一実施例の説明
　図３は本発明の第一実施例を示す要部の摸式的斜視図で、この図３において、１は発振器であり、この発振器１はストリップライン共振器２を有している。そして、この発振器１は、例えばガラスエポキシ樹脂製の基板１４を基礎として形成され、基板１４は多層の基板として形成されている。」（３頁左欄５行ないし１１行）、
「【００２０】ここで、ストリップライン共振器２は、その長さを、共振波の１／４波長に対応するように形成されており、更にこのストリップライン共振器２は、多層基板の内部に配設されている。」（３頁左欄１２行ないし１５行）、
「【００２１】３はスルーホールで、このスルーホール３は、基板１４に形成された孔３Ａの内壁部に、導電層を形成することにより構成され、その下端を、基板１４の下面に設けられたグランド１５に接続されている。」（３頁左欄１６行ないし１９行）、
　これらの記載によれば、先願明細書２には、
「ストリップラインによるストリップライン共振器２を具備すると共に、ストリップライン共振器２を多層基板の内部に設定した発振器モジュールであって、ストリップライン共振器２をガラスエポキシ樹脂製の上層基板１４Ａと下層基板１４Ｂで挟み、下層基板１４Ｂの下面にグランド１５を設け、発振部を実装した発振器モジュール。」の発明（以下、「先願発明２」という。）が開示されているものと認められる。
　
（３）対比・判断
　そこで本件特許発明と先願発明１、２とを対比すると、先願発明１、２には、「共振導体（２）の他方側（上側）に」設けられた「誘電体層の前記共振導体と対向する部分には、ＧＮＤパターンを設けず、残りの部分にＧＮＤパターンを配置する」構成を備えていない。
　したがって、本件特許発明は先願明細書１、２に記載された発明ではない。
　
５．特許法第２９条第２項違反に関して
（１）引用刊行物　
　ａ）当審で通知した取消理由に引用した刊行物１（特開昭６３−２０９３０５号公報（甲第３号証））には、第１図ないし第４図とともに「本発明は無線通信分野で、特に小型で高安定であり、しかも耐振性を必要とする送信機及び受信機の局部発信源として用いられる発信器に関するものである。」（１頁左下欄下から４行ないし末行）、「第３図は従来の発信器の回路構成を示すものである。第３図に示すように、ストリップ型の共振器部１、駆動回路部２、増幅器３のそれぞれが結合容量４によって接続されている。」（１頁右下欄１０行ないし１３行）、「本発明は、少なくとも複数の層からなる多層基板を用い、その上下層には接地層を設け、その中間層にストリップ型共振器を設け、されに前記層を除く外層に回路部を実装したものである。」（２頁右上欄３行ないし６行）、「第１図、第２図に示すように、５層基板上に発信器の駆動回路部として第１層１２Ａに回路パターン７を配し、又共振器部は第３層１２Ｃにマイクロストリップ型の線路９を配し、さらにその上下層である第２、第４層１２Ｂ、１２Ｄは誘電体１２（例えばガラスエポキシ材）を介し接地層８、１０を設けトリプレート構造とする。第５層１２Ｅは本実施例では回路パターン１１を設け、増幅回路等が配置されている。（しかし、実際には接地層あるいは除去してもよい。）」（２頁右上欄１８行ないし左下欄７行）、「以上の構成の様に、発振器を多層基板を用い、かつ共振器部の線路９を内部に設置することにより、外部とのしゃ蔽効果は大となり、又従来の共振器とシールドケース間の空間が本実施例では誘電体１２によってうめられているため、耐振効果も得られる。」（２頁左下欄８行ないし１３行）の記載があり、こられの記載によれば、引用刊行物１には、
「５層基板上に発信器の駆動回路部として第１層１２Ａに回路パターン７を配し、共振器部は第３層１２Ｃにマイクロストリップ型の線路９を配し、その上下層である第２、第４層１２Ｂ、１２Ｄは誘電体１２（例えばガラスエポキシ材）を介し接地層８、１０を設けトリプレート構造とし、第５層１２Ｅは回路パターン１１を設け、増幅回路等が配置される発振器。」の発明（以下、「刊行物１に記載された発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
　ｂ）同じく、当審で通知した取消理由に引用した刊行物２（特開平２−２３５４１１号公報（甲第４号証））には、「一般にトリプレートラインは、誘電体層内に設けた導電電極と両サイドに設けたアース電極との間の電磁界分布が一様であるが、片方もしくは両方のアース電極に欠損部ができることの一様性からずれよってトリプレートラインのインピーダンスが変化する即ちインピーダンスの変化はインダクタンスの変化として共振周波数が変ることになる。」（２頁右上欄１２行ないし１９行」、「銅箔等良導体よりなるリング形状をしたトリプレートスプリットリング共振子１の両側をガラスエポキシプリント基板等の絶縁誘電体層８でサンドイッチし、その外側に銅箔等より成るアース電極６，７を設けてある。このアース電極６，７の片側に種々の大きさのスリット５が設けてある。」（２頁左下欄１４行ないし２０行）、「スリット５によって形成されている種々の大きさの島形状の細くなった首部分から全部又は一部分アース電極箔をけずり取ることによってインダクタンスが増大する。」（２頁右下欄６行ないし９行）の記載があり、これらの記載によれば、刊行物２には、「銅箔等良導体よりなるリング形状をしたトリプレートスプリットリング共振子１の両側をガラスエポキシプリント基板等の絶縁誘電体層８でサンドイッチし、その外側に銅箔等より成るアース電極６，７を設けた電圧制御発振器において、共振子１の上側に誘電体層８を介して形成されたアース電極６にスリット５を設け、さらにそのスリット面積（アース電極箔の削り量）を増やすことによってインピーダンスの増大を図る」ようにした発明（以下、「刊行物２に記載された発明」という。）が開示されているものと認められる。
　
　ｃ）同じく、当審で通知した取消理由に引用した刊行物３（実願昭５８−１０８７６７号（実開昭６０−１７００６号）のマイクロフィルム（甲第５号証））には、第１図および第２図とともに、「１．考案の名称　ストリップライン装置」（１頁２行ないし３行）、「各図において、１は一方の誘電体基板、２は他方の誘電体基板、３は基板１、２間において基板１の表面上に設けられたストリップライン中心導体、４は基板１の他方表面側に設けられたアース導体である。」（１頁１８行ないし２頁第３行）の記載があり、これらの記載によれば、刊行物３には、ストリップライン中心導体３の上側の誘電体基板２にはアース導体を設けていないストリップライン装置の発明（以下、刊行物３に記載された発明」という。）が開示されているものと認められる。
　
（２）対比
　ａ．本件特許発明について
　本件特許発明と刊行物１に記載された発明とを対比すると、
（１）刊行物１に記載された発明の「マイクロストリップ型の線路９」、「発振器」、「第３層１２Ｃ」、「接地層１０」、「第２層１２Ｂ」、それぞれ、本件特許発明の「共振導体（２）」、「発振器モジュール」、「誘電体層（１−３）」、「ＧＮＤパターン（３−２）」、「誘電体層（１−１、１−２）」に相当する。
（２）刊行物１に記載された発明の「共振器部１、トランジスタを含む駆動回路部２、結合容量４」は、本件特許発明の「ストリップ共振器及び発振用トランジスタ（Ｔｒ1 ）を含む発振部」に相当する。
（３）刊行物１に記載された発明の「増幅部３」は、本件特許発明の「バッファ部」に相当する。
（４）また、刊行物１の第１図ないし第３図の記載を参酌すれば、刊行物１に記載された発明は、駆動回路部２に含まれるトランジスタの周辺部にストリップ型共振器の線路９を設定しているといえる。
　したがって、本件特許発明と刊行物１に記載された発明とは、以下の点で一致ないし相違する。
　
　［一致点］
　ストリップラインによるストリップ共振器を具備すると共に、前記ストリップ共振器の共振導体を、多層基板の内部に設定した発振器モジュールであって、多層基板の積層方向に対し、共振導体の一方側（下側）には、誘電体層を介してＧＮＤパターンを設定し、共振導体の他方側（上側）には誘電体層を設け、前記発振器を、ストリップ共振器及び発振用トランジスタを含む発振部と、バッファ部とで構成し、前記発振用トランジスタを、バッファ部とは分けて、前記共振導体とは別の誘電体層上で離した位置に実装したこと発振器モジュール。
　
　［相違点］
　ア）本件特許発明は、共振導体（２）の他方側（上側）に設けられる「誘電体層の前記共振導体と対向する部分には、ＧＮＤパターンを設けず、残りの部分にＧＮＤパターンを配置する」のに対して、刊行物１に記載された発明は、共振導体の他方側（上側）の共振導体と対向する部分には、ＧＮＤパターンが設けられている点。
　イ）本件特許発明は、発振用トランジスタ（Ｔｒ１）を、共振導体（２）に対し、バッファ部より近い位置に設定しているの対して、刊行物１に記載された発明は、そのような位置に設定されているか否か明確でない点。
　
（３）判断
　そこで、上記相違点について検討するに、刊行物２、３には、共振導体（２）の他方側（上側）に設けられる「誘電体層の前記共振導体と対向する部分には、ＧＮＤパターンを設けず、残りの部分にＧＮＤパターンを配置する」構成の開示も示唆もない。また、この構成が周知・慣用の技術であるともいえないことから、本件特許発明は、刊行物１ないし３に記載された発明から当業者であれば容易に発明をすることができたものとすることはできない。
　
（４）まとめ
　したがって、本願の請求項１に係る発明の特許は、刊行物１ないし３に記載された発明から当業者であれば容易に発明をすることができたものとすることはできない。
　
第４．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、特許第３４０２３６９号の請求項１に係る発明についての特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明についての特許を取り消すべき理由も発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１６年７月２１日（２００４．７．２１）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
発振器モジュール
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　ストリップラインによるストリップ共振器を具備すると共に、
　少なくとも、前記ストリップ共振器の共振導体（２）を、多層基板の内部に設定した共振器モジュールであって、
　多層基板の積層方向に対し、
　共振導体（２）の一方側（下側）には、誘電体層（１−３）を介してＧＮＤパターン（３−２）を設定し、
　共振導体（２）の他方側（上側）
には誘電体層（１−１、１−２）を設け、該誘電体層の前記共振導体と対向する部分には、ＧＮＤパターンを設けず、残りの部分にＧＮＤパターンを配置する
　前記発振器を、ストリップ共振器及び発振用トランジスタ（Ｔｒ１）を含む発振部と、バッファ部とで構成し、前記発振用トランジスタ（Ｔｒ１）を、バッファ部とは
分けて、前記共振導体とは別の誘電体層上で離した位置に実装し、かつ、
を、前記共振導体（２）に対し、前記バッファ部より近い位置に
　【請求項２】　前記多層基板の表面の一部であって、
　前記共振導体（２）と、積層方向で一部が重なる位置に、トリミング用のＧＮＤパターン（１１）を設定し、
　該トリミング用のＧＮＤパターン（１１）をトリミングすることによりストリップ共振器の調整ができるようにしたことを特徴とする請求項１記載の発振器モジュール。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】
　本発明は、ＶＣＯ（電圧制御発振器）等の発振器モジュールに関し、更に詳しくいえば、ストリップラインを共振器として用いた発振器モジュールに関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　図７は従来例の説明図であり、図７ＡはＶＣＯ（電圧制御発振器）の回路例、図７Ｂはマイクロストリップラインの説明図、図７Ｃはトリプレート型ストリップラインの説明図である。
　【０００３】
　また図８は従来のＶＣＯモジュール例であり、図８ＡはＶＣＯモジュール例１の斜視図、図８ＢはＶＣＯモジュール例２の分解斜視図である。
　図中、Ｒ１〜Ｒ８は抵抗、Ｃ１〜Ｃ１１はコンデンサ、Ｌ１、Ｌ２はコイル、ＣＶはバラクタダイオード（可変容量ダイオード）、ＳＬはストリップライン、ＣＴは制御電圧入力端子、ＯＵＴは出力端子、Ｖｃｃは電源、Ｔｒ１、Ｔｒ２はトランジスタを示す。
　【０００４】
　また、１、１−１〜１−３は誘電体層、２は共振導体、３、３−１、３−２はＧＮＤ電極、４は部品（ディスクリート部品）、５はスルーホール電極、６は余白を示す。
　【０００５】
　従来、発振器として、例えば図７Ａに示したようなＶＣＯ（電圧制御発振器）が知られていた。
　このＶＣＯは、発振部とバッファ部とから成り、発振部とバッファ部は、結合用のコンデンサＣ７を介し結合されている。
　【０００６】
　この例では、発振部は、トランジスタＴｒ１、ストリップラインＳＬ、バラクタダイオード（可変容量ダイオード）ＣＶ、コンデンサＣ１〜Ｃ６、抵抗Ｒ１〜Ｒ４、コイルＬ１で構成され、バッファ部は、トランジスタＴｒ２、コンデンサＣ８〜Ｃ１１、抵抗Ｒ５〜Ｒ８、コイルＬ２で構成されている。
　【０００７】
　そして、発振部の制御電圧入力端子ＣＴに制御電圧を入力すると、該制御電圧に応じた周波数で発振し、出力端子ＯＵＴからＶＣＯの出力信号を取り出すことができる。
　【０００８】
　ところで、前記のストリップラインＳＬは、共振器（ストリップ共振器）を構成しており、基板への実装形態として、図７Ｂ、図７Ｃのようなものがある。図７Ｂは、基板を構成する誘電体層１の表面に共振導体２を形成し、裏面にＧＮＤパターンを形成したマイクロストリップラインの例である。
　【０００９】
　また、図７Ｃは、多層基板に共振導体２を内蔵し、その両側をＧＮＤパターン３−１、３−２で挟んだトリプレート型のストリップラインとした例である。即ち、多層基板を構成する第１の誘電体層１−１上にＧＮＤパターン３−１を形成し、第２の誘電体層１−２上に共振導体２を形成し、第２の誘電体層１−２の裏面にＧＮＤパターン３−２を形成することにより、共振導体２を、誘電体層を介して両側からＧＮＤパターンで挟んだトリプレート型のストリップラインとしたものである。
　【００１０】
　前記図７Ｂの実装形態によるＶＣＯモジュールの例を図８Ａに示す。このＶＣＯモジュールは、基板（単板、あるいは多層基板）を構成する誘電体層１の表面に、共振導体２を（厚膜印刷）形成し、更に他のトランジスタ、抵抗等の部品４（ディスクリート部品）を実装する。そして、前記誘電体層１の裏面にＧＮＤパターン３を（厚膜印刷）形成したものである。
　【００１１】
　また、図７Ｃの実装形態によるＶＣＯモジュールの例を図８Ｂに示す。このモジュールは、多層基板を構成する第１の誘電体層１−１上に、トランジスタ、抵抗等の部品４（ディスクリート部品）を実装し、第２の誘電体層１−２上にＧＮＤパターン３−１を形成し、第３の誘電体層１−３上に共振導体２を形成すると共に、該第３の誘電体層１−３の裏面にＧＮＤパターン３−２を形成したものである。
　【００１２】
　なお、ＧＮＤパターン３−１の一部には余白６（導体のない部分）を設け、その中にスルーホール電極５を設ける。そして、このスルーホール電極５を中継点として、共振導体２と部品４との間をブラインドスルーホール（内部が導体で満たされたスルーホール）によって接続する。
　【００１３】
　【発明が解決しようとする課題】
　上記のような従来のものにおいては、次のような課題があった。
　（１）図８Ａに示したＶＣＯモジュールにおける共振器（図７Ｂ参照）では、構造的に容量成分を小さくできるため、共振器のラインインピーダンスＺ０（Ｚ０
成分をＬ、伝送路の直列抵抗ｒｓ、信号の媒質内波長をλｇとした場合、伝送路のＱは次式で表される。
　【００１４】
　　Ｑ＝（π／λｇ）・（２Ｚ０／ｒｓ）
　従って、前記のように、ラインインピーダンスＺ０を大きくとれると、伝送路のＱを高くすることができる。
　【００１５】
　その結果、伝送路のＱを高くすることができる。
　また、共振導体は、基板の表面に形成されていて、上側に何もないため、トリミングによる調整等が容易にできると共に、基板も薄くできる。
　【００１６】
　しかし、その反面、共振導体が半分空気中に出ているため、波長短縮の面では
抗成分（ｒｓ）が大きくなり、Ｑが劣化する。また、スペースファクタが大きいため、ＶＣＯモジュールが大型化する。このため、小型で高Ｑの共振器を得るのは困難である。
　【００１７】
　（２）図８Ｂに示したＶＣＯモジュールにおける共振器（図７Ｃ参照）では、構造的にＣ（容量）成分が大きくなりやすい（共振導体と、その両側のＧＮＤパターンとの間に容量成分がある）ため、共振器のラインインピーダンスＺ０は大きくしずらくなり、Ｑが低くなりやすい。従って、共振導体の両側の誘電体層を厚く設定する必要があり、ＶＣＯモジュールが厚くなる。
　【００１８】
でき、共振導体を短くできる分直列抵抗（ｒｓ）を低くできるので、Ｑが高くなる。
　【００１９】
　しかし、その反面、共振導体が誘電体層中に内蔵されているため、共振器の調整が困難である。
　本発明は、このような従来の課題を解決し、マイクロストリップ共振器を具備した発振器モジュールを小型化し、高Ｑ化すると共に、共振周波数の調整を容易にすることを目的とする。
　【００２０】
　【課題を解決するための手段】
　図１は本発明の原理図であり、（Ａ）図は、第１の原理図（請求項１、２に対応）、（Ｂ）図は第２の原理図（請求項３に対応）である。
　【００２１】
　図中、図７、図８と同符号は同一のものを示す。また、３−１ＡはＧＮＤパターン、１１はトリミング用の電極パターンを示す。
　本発明は上記の課題を解決するため、次のように構成した。
　【００２２】
　（１）ストリップラインによるストリップ共振器を具備すると共に、少なくとも、前記ストリップ共振器の共振導体２を、多層基板の内部に設定した発振器モジュールであって、多層基板の積層方向に対し、共振導体２の一方側（下側）には、誘電体層１−３を介してＧＮＤパターン３−２を設定し、共振導体の他方側（上側）の共振導体と対向する部分には、ＧＮＤパターンを設定しないで誘電体層１−１、１−２を設けると共に、発振器を、ストリップ共振器及び発振用トランジスタを含む発振部と、バッファ部とで構成し、前記発振用トランジスタを、バッファ部とは分離して実装し、この発振用トランジスタの周辺部に、ストリップ共振器の共振導体２を設定した。
　【００２３】
　【００２４】
　（２）前記構成（１）において、多層基板の表面の一部であって、前記共振導体２と、積層方向で一部が重なる位置に、トリミング用のＧＮＤパターン１１を設定し、該トリミング用のＧＮＤパターン１１をトリミングすることにより、ストリップ共振器の調整ができるようにした。
　【００２５】
　【作用】
　上記構成に基づく本発明の作用を、図１を参照しながら説明する。
　図１（Ａ）では、ストリップ共振器の共振導体２の下側には、第３の誘電体層１−３を介してＧＮＤパターン（ベタＧＮＤパターン）３−２が設定してある。しかし、共振導体２の上側には、第１、第２の誘電体層１−１、１−２が積層されているがＧＮＤパターンは設定されていない。
　【００２６】
　なお、第２の誘電体層１−２上に設けたＧＮＤパターン３−１Ａは、共振導体２が外部から悪影響を受けないようにするためのものであって、共振導体２の上側（積層方向）の共振導体と対向する部分には実質的に設定されていない。
　【００２７】
　このようにすると、構造的にＣ成分を小さくできる（共振導体２の両側にＧＮＤパターンがある場合と比べて）ため、ラインインピーダンスを大きくとれる。従って、伝送路のＱを高くできる。また、共振導体２の両側に誘電体層があるた
　【００２８】
　従って、小型で高Ｑのストリップ共振器を具備した発振器モジュールが得られる。更に、前記構成（２）のようにすれば、共振導体２は、外部からの電圧変動や、その他の影響を受けにくくなるため、良好な発振特性が得られる。
　【００２９】
　図１（Ｂ）では、第１の誘電体層１−１上（多層基板の表面）に、トリミング用のＧＮＤパターン１１を設定し、ブラインドスルーホール１３によって、第２の誘電体層１−２上に形成したＧＮＤパターン３−１Ａと接続してある。共振周波数の調整時には、前記ＧＮＤパターン１１のトリミングを行って調整する。このようにすると、共振導体２を、多層基板の内部に設定しても、ストリップ共振器の共振周波数の調整が可能となる。
　【００３０】
　【実施例】
　以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
　（第１実施例の説明）
　図２〜図３は、本発明の第１実施例を示した図であり、図２はＶＣＯモジュールの分解斜視図、図３は図２のＸ−Ｙ線断面図である。
　【００３１】
　図中、図１、図７、図８と同符号は同一のものを示す。また、８は配線パターン、９は余白、１０は側面のＧＮＤ電極、３−１ＡはＧＮＤパターン、１−１〜１−５は誘電体層を示す。
　【００３２】
　第１実施例は、図７Ａに示した回路構成のＶＣＯ（電圧制御発振器）を、多層基板に実装してＶＣＯモジュールとした例である。多層基板としては、第１〜第５の誘電体層１−１〜１−５を用いている。
　【００３３】
　図７Ａに示したように、ＶＣＯは発振部とバッファ部とで構成されており、該バッファ部では、ＶＣＯの出力側の電圧変動等が発振部に悪影響を与えないようにしている。このような発振部とバッファ部を実装する際は、両者を分けて配置する。
　【００３４】
　即ち、発振部は、トランジスタＴｒ１の周辺部に配置し、バッファ部はトランジスタＴｒ２の周辺部に配置して実装する。図２、図３では、図の左側に発振部を配置し、右側にバッファ部を配置している。
　【００３５】
　図２、図３に示したように、多層基板の第１の誘電体層１−１上には、トランジスタＴｒ１、Ｔｒ２やその他の部品４（ディスクリート部品）を実装し、第２の誘電体層１−２上にはコイルＬ２や配線パターン８等を形成する（厚膜印刷）。
　【００３６】
　第３の誘電体層１−３上には、余白９を残して、他の部分にＧＮＤパターン３−１Ａを形成（厚膜印刷）し、第４の誘電体層１−４上に共振導体２を形成（厚膜印刷）すると共に、第５の誘電体層１−５上には、ＧＮＤパターン（ベタＧＮＤパターン）３−２を形成（厚膜印刷）する。
　【００３７】
　また前記各パターンは、それぞれ誘電体層の端部まで導体パターンで引き出しておき、ＧＮＤ側を側面に形成したＧＮＤ電極１０に接続することにより、ＳＭＤ（表面実装部品）とする。なお、図３では、側面電極として、ＧＮＤ電極１０を１つだけ図示してあるが、実際には、ＧＮＤ電極の外、制御電圧入力端子、出力端子等、複数の電極を設けてあり、所定の電極に接続する。
　【００３８】
　前記共振導体２は、図７Ａに示したストリップラインＳＬによる共振器を構成する導体であり、例えば図２のような形状にパターニングする。余白９は、前記の共振導体２の形状にほぼ一致する形状（共振導体２よりも多少大きめ）にすると共に、該共振導体２の上側に形成する。
　【００３９】
　即ち、各誘電体層１−１〜１−５を積層した際、共振導体２の上側（積層方向）にＧＮＤパターン３−１Ａが存在しないようにする。従って、ＧＮＤパターン３−１Ａは、前記の余白９の部分を残し、他の部分にパターニングする。
　【００４０】
　なお、共振導体２の一端（ＧＮＤ側）は第４の誘電体層１−４の端部まで引き出してＧＮＤ電極１０（図３参照）に接続するが、他端（図２のＰ点）は図７Ａの点Ｐに相当する部分であり、コンデンサＣ２、Ｃ３（この例ではディスクリート部品４）と接続する。
　【００４１】
　このため、第２、第３の誘電体層１−２、１−３上にスルーホール電極５を形成しておき、これらのスルーホール電極５を中継点として、第１の誘電体層１−１上のコンデンサＣ２、Ｃ３と、共振導体２のＰ点との間を、ブラインドスルーホール（内部が導体で満たされたスルーホール）により接続する。
　【００４２】
　前記のように、共振導体２の下側には誘電体層を介してＧＮＤパターン３−２を設け、共振導体２の上側にはＧＮＤパターンを設けずに、誘電体層のみを設けてマイクロストリップ共振器を構成する。
　【００４３】
　そして、前記の共振器は、発振部のトランジスタＴｒ１の周辺部（下側も含めて）に配置する。即ち、発振部は、トランジスタＴｒ１の周辺部に配置し、バッファ部はトランジスタＴｒ２の周辺部に配置し、両者を分けて実装する。
　【００４４】
　このようにすれば、発振部、特にマイクロストリップ共振器が、外部からの影響を受けにくくなる。
　（第２実施例の説明）
　図４は、第２実施例におけるＶＣＯモジュールの断面図である。図中、図１〜図３と同符号は同一のものを示す。また、１−１Ｌ〜１−３Ｌ及び１−６Ｌ、１−７Ｌは低誘電体層（低誘電率の誘電体層）、１−５Ｈ、１−６Ｈは高誘電体層（高誘電率の誘電体層）を示す。
　【００４５】
　第２実施例は、マイクロストリップ共振器の共振導体２を、その両側から高誘電体層１−４Ｈ、１−５Ｈで挟むことにより、波長短縮を行い、高Ｑの共振器を得るようにした例であり、他の構成は、図２、図３に示した第１実施例と同じである。
　【００４６】
　図４に示したように、マイクロストリップ共振器を構成する共振導体２は、高誘電体層１−４Ｈ、１−５Ｈで挟むようにして形成する。また、この高誘電体層１−４Ｈ、１−５Ｈの上側には低誘電体層１−１Ｌ〜１−３Ｌを設け、下側には低誘電体層１−６Ｌ、１−７Ｌを設け、これらの低誘電体層には、第１実施例と同じようにパターニングを行う。
　【００４７】
　即ち、低誘電体層１−１Ｌ〜１−３Ｌ上の構成は、図２の第１〜第３の誘電体層１−１〜１−３上の構成（パターニング形状等）と同じであり、低誘電体層１−７Ｌ上の構成は、図２の第５の誘電体層１−５上の構成と同じである。なお、この例では低誘電体層１−６Ｌ上には何もパターニングしない。
　【００４８】
　（第３実施例）
　図５、図６は第３実施例を示した図であり、図５はＶＣＯモジュールの分解斜視図、図６は図５のＳ−Ｔ線断面図である。図中、図１〜図４と同符号は同一のものを示す。また、１１はトリミング用のＧＮＤパターン、１２は中継用の配線パターン、１３はブラインドスルーホールを示す。
　【００４９】
　第３実施例は、多層基板の表面にトリミング用のＧＮＤパターン１１を形成し、マイクロストリップ共振器の調整ができるようにした例である。なお、図５、図６では、トランジスタ等を図示省略してあるが、トリミング用のＧＮＤパターン１１以外の構成は、ほぼ図２、図３に示した第１実施例と同じである。
　【００５０】
　図５、図６に示したように、第１の誘電体層１−１上には、トリミング用のＧＮＤパターン１１を設けるが、この位置としては、共振導体２のＰ点側（ＧＮＤ側と反対側で、図７ＡのＰ点に対応する位置）の上方とする。この場合、多層基板の積層方向において、共振導体２のＰ点側と、トリミング用のＧＮＤパターン１１とが重なるようにパターニングを行う。
　【００５１】
　そして、第３の誘電体層１−３上に形成したＧＮＤパターン３−１Ａと、前記トリミング用のＧＮＤパターン１１との間を、第２の誘電体層１−２上に形成したスルーホール電極５を介してブラインドスルーホール１３によって接続する。
　【００５２】
　また、第４の誘電体層１−４上に形成した共振導体２のＰ点側は、第３の誘電体層１−３上に形成したスルーホール電極５、第２の誘電体層１−２上に形成した中継用の配線パターン１２を介して、ブラインドスルーホールによって第１の誘電体層１−１上に引き出し、コンデンサＣ２、Ｃ３（図７Ａ参照）に接続する。
　【００５３】
　このような構成のＶＣＯモジュールにおいて、マイクロストリップ共振器の調整を行うには、トリミング用のＧＮＤパターン１１の一部をトリミングすればよい。この場合、共振導体２とトリミング用のＧＮＤパターン１１との間には容量成分を持つので、トリミング用のＧＮＤパターン１１をトリミングすると、前記の容量成分が変化し、その結果、マイクロストリップ共振器の共振周波数が調整できる。
　【００５４】
　（他の実施例）
　以上実施例について説明したが、本発明は次のようにしても実施可能である。
　（１）ＶＣＯに限らず、他の発振器にも適用可能である。
　【００５５】
　（２）発振器を構成する抵抗、コイル、コンデンサ等の内、任意の素子を厚膜パターンで構成することも可能である。
　（３）実施例においては、共振導体の上部対向部分にはＧＮＤパターンを全く配置しない構造としたが、パターン設計上、若しくは、製法上のパターン精度ズレから、一部のＧＮＤパターンがわずかに共振導体にかかる様な場合を本発明は除外するものではない。
　【００５６】
　【発明の効果】
　以上説明したように、本発明によれば次のような効果がある。
　（１）共振導体の上側には、ＧＮＤパターンがなく、誘電体層が設けてあるため、Ｃ成分を小さくできる。
　【００５７】
　その結果、ラインインピーダンスを大きくできるので、共振器のＱを高くできる。
波長短縮が期待でき、共振導体の直列抵抗成分（ｒｓ）が小さくできるため共振器のＱを高くできる。従って、小型で高Ｑの発振器モジュールが得られる。
　【００５８】
　（３）トリプレート型ストリップライン共振器を用いた場合に比べ基板の誘電体層を薄くしてもＣ成分を小さく設定できるので伝送路のＱを低下させなくて済む。
　【００５９】
　（４）基板の薄型化ができるので基板焼成時の脱バインダー等の工程及び焼結工程を短くすることが可能となり基板の製造コストを下げることができる。
　（５）共振導体を多層基板の内部に設定しても、共振周波数の調整が容易となる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　本発明の原理図である。
　【図２】
　本発明の第１実施例におけるＶＣＯモジュールの分解斜視図である。
　【図３】
　図２のＸ−Ｙ線断面図である。
　【図４】
　第２実施例におけるＶＣＯモジュールの断面図である。
　【図５】
　第３実施例におけるＶＣＯモジュールの分解斜視図である。
　【図６】
　図５のＳ−Ｔ線断面図である。
　【図７】
　従来例の説明図である。
　【図８】
　従来のＶＣＯモジュール例である。
　【符号の説明】
　１−１〜１−３　第１〜第３の誘電体層
　２　共振導体
　３−１Ａ、３−２　ＧＮＤパターン
　１１　トリミング用のＧＮＤパターン
　１３　ブラインドスルーホール