【事件の表示】
　特許第３１６４９５６号「ＣＶＤにより大面積のガラス基板上に高堆積速度でアモルファスシリコン薄膜を堆積する方法」の請求項１ないし９に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３１６４９５６号の請求項１ないし８に係る特許を維持する。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯
　本件特許第３１６４９５６号の発明についての出願は、平成６年１月２８日（パリ条約による優先権主張、平成５年１月２８日、米国）の出願であって、平成１３年３月２日にその発明について特許権の設定登録がなされ、その後、平井貞雄及び松原いづみより特許異議の申立がなされ、取消理由が通知され、その指定期間内である平成１５年７月１４日に異議意見書が提出され、さらに取消理由が通知され、その指定期間内である平成１６年３月１１日に訂正請求がなされたものである。
　
II．訂正の適否について
１．訂正の内容
（１）訂正事項ａ
　訂正前の請求項１中の「アモルファスシリコン膜を堆積する」を「アモルファスシリコン膜をガラス基板とガラス基板の上方に載置されたガスマニホールドの間の間隔を調整する機能を用いて堆積する」と、又「堆積速度が、毎分３００〜３０００オングストロームの範囲で得られるように、ガスマニホールドと基板の間隔を維持する」を「堆積速度が、毎分５００〜３０００オングストロームの範囲で得られるように、ガスマニホールドと前記ガラス基板の間隔を調整する」と訂正する。
（２）訂正事項ｂ
　訂正前の請求項１中の「被処理基板」を「被処理ガラス基板」と、同「ｂ）基板」を「ｂ）前記ガラス基板」と、同「ｃ）前記基板」を「ｃ）前記ガラス基板」と訂正し、又訂正前の請求項２、７中の「前記基板」を訂正後の請求項２、６中の「前記ガラス基板」と訂正する。更に訂正前の請求項２における「請求項１に記載の方法。」を「請求項１に記載の堆積方法。」と訂正する。
　なお、上記「請求項１に記載の堆積方法。」と訂正する点は、訂正請求書の「（３）訂正の要旨」欄にはないが、添付された全文訂正明細書において訂正されているので訂正事項として認定した。　
（３）訂正事項ｃ
　請求項５を削除するとともに、訂正前の請求項６〜９を１つづつ繰り上げて、請求項５〜８とし、訂正後の請求項６、７の従属請求項をそれぞれ請求項５、６と訂正する。
　
２．訂正の目的の適否、新規事項の有無、及び特許請求の範囲の拡張・変更の有無の存否
（１）訂正事項ａにおいて、アモルファスシリコン膜を、「ガラス基板とガラス基板の上方に載置されたガスマニホールドの間の間隔を調整する機能を用いて」堆積した点は、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当し、この点は特許明細書の段落【００１６】に記載され、またガスマニホールドとガラス基板の「間隔を調整」した点は、上記の点との整合を図ったものであり、明りょうでない記載の釈明に該当し、さらに堆積速度を「毎分５００〜３０００オングストロームの範囲」にした点は、特許請求の範囲の減縮に該当し、この点は特許明細書の段落【００２６】に記載されている。
（２）訂正事項ｂにおいて、「基板」を「ガラス基板」とした点は、特許請求の範囲の減縮に該当し、この点は特許明細書の段落【００１２】等に記載されている。
（３）訂正事項ｃにおいて、請求項５を削除した点は、特許請求の範囲の減縮に該当し、また訂正前の請求項６〜９を請求項５〜８に繰り上げ、訂正後の請求項６、７の従属請求項をそれぞれ請求項５、６と訂正した点は、明りょうでない記載の釈明に該当する。
　
　そして、訂正事項ａ〜ｃは、いずれも願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内のものであり、また実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　
３．むすび
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法第１２０条の４第３項において準用する平成６年法律第１１６号による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書、第２項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
III．異議申立について
１．異議申立の概要
（１）申立人平井貞雄の場合
　申立人は、証拠として下記の甲第１〜６号証を提出して、訂正前の請求項１〜９に係る発明は、甲第１号証に記載された発明であるか、または甲第１〜６号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件請求項１〜９に係る発明の特許は、特許法第２９条第１項または第２項の規定に違反してされたものであり、並びに本件請求項１〜９に係る発明の特許は、明細書に記載不備があり、同法第３６条第４、５項に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものであるから、これを取り消すべき旨主張している。
　甲第１号証：特開昭６３−２２３１７８号公報
　甲第２号証：「’９３　最新液晶プロセス技術」　平成４年１０月１日　　　　　　　　株式会社プレスジャーナル発行、４１頁
　甲第３号証：「電子技術総合研究所彙報第５１巻第５、６号」　昭和６２　　　　　　　年６月２０日株式会社オーム社発行、３７０〜３７７頁
　甲第４号証：特開平３−１４９５２５号公報
　甲第５号証：平成１１年８月９日提出の意見書
　甲第６号証：平成１０年９月２９日提出の意見書
　
（２）申立人松原いづみの場合
　申立人は、証拠として下記の甲第１〜９号証を提出して、訂正前の請求項１〜９に係る発明は、甲第１〜９号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件請求項１〜９に係る発明の特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであり、並びに本件請求項１〜９に係る発明の特許は、明細書に記載不備があり、同法第３６条第４、５項に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものであり、また特許明細書に記載した事項には、願書に最初に添付した明細書または図面に記載した事項の範囲内ではないものがあるから、本件請求項１〜９に係る発明の特許は、同法第１７条の２第２項に規定する要件を満たしていない補正をした特許出願に対してされたものであり、これを取り消すべき旨主張している。
　甲第１号証：特開平２−２５０７４号公報
　甲第２号証：特開昭５６−１０５６２７号公報
　甲第３号証：特開平２−１８４０８２号公報
　甲第４号証：特開平１−１３９７７１号公報
　甲第５号証：特開平２−７４２０号公報
　甲第６号証：特開平２−１４５６８号公報
　甲第７号証：特開平４−３６７２２１号公報
　甲第８号証：特開平２−４９４７０号公報
　甲第９号証：特開平３−１４９５２５号公報
　
２．本件発明
　上記のとおり訂正は認められるから、本件特許の請求項１〜８に係る発明（以下、「本件発明１」〜「本件発明８」という。）は、訂正明細書に記載された、以下のとおりのものである。
　「【請求項１】  薄膜トランジスタのためアモルファスシリコン膜をガラス基板とガラス基板の上方に載置されたガスマニホールドの間の間隔を調整する機能を用いて堆積するプラズマ化学気相堆積の方法であって、
ａ）その内部で基板支持体上に被処理ガラス基板が載置される真空チャンバを与え、該真空チャンバ内の圧力を０．５〜１．５トールに維持し、
ｂ）前記ガラス基板を２７０〜３５０℃に維持し、
ｃ）前記ガラス基板の上方に載置されるガスマニホールドから、モノシランガスと水素ガスを、チャンバ内に通過させ、
ｄ）堆積速度が、毎分５００〜３０００オングストロームの範囲で得られるように、ガスマニホールドと前記ガラス基板の間隔を調整するプラズマ化学気相堆積方法。
【請求項２】  前記ｃ）の前に、前記ガラス基板の表面が水素プラズマに曝露される請求項１に記載の堆積方法。
【請求項３】  前記ｃ）の前に、約５００オングストローム／分よりも低い堆積速度で、アモルファスシリコンの第１の層が堆積される請求項１に記載の方法。
【請求項４】  前記アモルファスシリコンの第１の層の厚さが、約５００オングストローム以下である請求項３に記載の方法。
【請求項５】  前記ガラス基板上にパターン化されたゲート層を有する請求項１に記載の方法。
【請求項６】  前記ガラス基板が、前記パターン化ゲート層の上にゲート絶縁層を有する請求項５に記載の方法。
【請求項７】  前記ゲート絶縁層がシリコン窒化物である請求項６に記載の方法。
【請求項８】　ｎ＋ドープアモルファスシリコンの薄い層が、該アモルファスシリコン膜の上に堆積される請求項１に記載の堆積方法。」  
　
３．当審が平成１５年９月２日付で通知した取消理由において引用された各刊行物の記載事項
（１）刊行物１：（特開平２−２５０７４号公報、申立人松原いづみの甲第１号証）
　刊行物１には、薄膜トランジスタ及び薄膜トランジスタの製造方法に関し、次の事項が記載されている。
　「第２図は、・・・従来の薄膜トランジスタを示す断面図であり、図において、（１）は例えばガラス等の絶縁性基板、（２）はゲート電極、（３ａ）、（３ｂ）はゲート絶縁膜、（４）はシリコン系半導体層で、例えばアモルファスシリコン層、・・・である。」（１頁右下欄１５行〜２頁左上欄３行）、
　「第１図はこの発明の一実施例による半導体レーザを示す断面図であり、（３ｂ）は絶縁層、（４ａ）は絶縁層（３ｂ）上に形成された第１のシリコン系半導体層、（４ｂ）は第１の半導体層（４ａ）上に形成された第２のシリコン系半導体層である。この実施例においては通常の化学気相成膜法により真空中で絶縁層（３ｂ）上に第１の半導体層（４ａ）を形成した後、真空を破ることなく第２の半導体層（４ｂ）を形成している。導入するガスはシランガス（ＳｉＨ４）と水素ガス（Ｈ２）の混合ガスを用いている。半導体層の形成条件は、・・・反応ガス圧１３０ｐａ、基板温度２５０℃である。高周波電力値は、第１の半導体層（４ａ）形成時の値を第２の半導体層（４ｂ）形成時の値の１／３としている。第１の半導体層（４ａ）形成時の高周波電力値の方が、第２の半導体層（４ｂ）形成時の高周波電力値よりも小さいという特徴のため、第３図、第４図より明らかなように、第１の半導体層（４ａ）は、第２の半導体層（４ｂ）に比較して成膜速度は低いが、絶縁層（３ｂ）と良好な界面を形成し、高い電界効果移動度を有する。一方、半導体層全体を第１の半導体層形成時の条件で製造する場合よりも大幅に成膜速度を短縮できる。」（３頁左上欄６行〜右上欄８行）、
　その実際の値について、「この実施例での実際の値は次の通りである。第１の半導体層（４ａ）のみで、半導体層を３０００Å形成した場合の・・・成膜時間は１時間であった。第２の半導体層（４ｂ）のみで半導体層を３０００Å形成した場合の・・・成膜時間は９分であった。第１の半導体層（４ａ）を２００Å形成した後に第２の半導体層（４ｂ）を２８００Å形成した場合の・・・成膜時間は１２分２０秒であった。」（３頁左下欄１〜１１行）
　
（２）刊行物２：（特開平１−１３９７７１号公報、同申立人の甲第４号証）
　刊行物２には、窒化珪素、酸化珪素及びオキシ窒化珪素のような物質のプラズマ促進された化学的蒸着に関し、第１図には、化学的蒸着に使用されるガス入口マニホールド１１を含む平行プレートＣＶＤ（化学的蒸着）反応器１０が示され、その反応器１０の記載によれば、サスセプター１２及びサスセプターの上面上に支持されるウエハーの上方に載置されるガス入口マニホールドフェースプレート３０から、ガスをチャンバ内に通過させ、反応器１０に幅広い加工能力を与えるようにマニホールドフェースプレート３０とサスセプター１２上に支持されたウエハー１４との間の間隔を狭く維持することが認められる。
　また、該ガス入口マニホールドフェースプレート３０の他のＣＶＤ反応器への適用について、「第１図に示したガス入口マニホールド１１及びフェースプレート３０の使用により、上述の平行プレート反応器１０加工能力は増大され、また一般に他のＣＶＤ反応器及び特に他の平行プレート反応器の加工能力が増大されるであろう。」（４頁右下欄１８行〜５頁左上欄３行）と記載されている。
　
（３）刊行物３：（特開平２−７４２０号公報、同申立人の甲第５号証）
　刊行物３には、被水素化処理部とアモルファスシリコン部が設けられた半導体装置の製造方法に関し、第１図、第２図、及び関連記載によれば、基板上に設けられた電極９ａの表面を水素プラズマ処理した後、その表面にプラズマＣＶＤ法によりアモルファスシリコン部１０を形成することが示されている。
　
（４）刊行物４：（特開平２−４９４７０号公報、同申立人の甲第８号証）
　刊行物４には、薄膜トランジスタの製造方法に関し、次の事項が記載されている。
　「第３図（ａ）に見られるように、ガラス基板のような透明絶縁性のＴＦＴ基板Ｐ上に、Ｔｉ膜をスパッタ法により約７０ｎｍの厚さに成膜した後、これをパターニングしてゲート電極Ｇを形成する。次いで、反応槽内に上記ＴＦＴ基板Ｐを入れ、シランとアンモニアを原料ガスとするＰ−ＣＶＤ法により、同図（ｂ）に見られる如く、ＳｉＮ：Ｈ膜１を約３００ｎｍの厚さに形成する。・・・更に同図（ｃ）に示すように、動作半導体層であるａ−Ｓｉ：Ｈ層３をシランガスを用いて形成し、保護膜であるＳｉＯ２膜４をシランガスと亜酸化窒素（Ｎ２Ｏ）ガスを用いて形成する。次に同図（ｄ）に示す如く、上記ＳｉＯ２膜４上にポジ型のレジスト膜・・・を塗布し、これをＴＦＴ基板Ｐの背面から露光して、ゲート電極Ｇに位置整合したレジスト膜を形成し、これをマスクとして上記ＳｉＯ２膜４の露出部を除去し、次いで、ｎ＋ａ−Ｓｉ：Ｈ層５とその上にＴｉ膜６を形成した後、リフトオフ法により上記ｎ＋ａ−Ｓｉ：Ｈ層５とＴｉ膜６の不要部を除去して、ソース電極Ｓとドレイン電極Ｄを形成し、本実施例による逆スタガード型のＴＦＴが完成する。」（３頁左上欄１０行〜右上欄１５行）、
　該記載におけるＳｉＮ：Ｈ膜１の作用について、「ゲート絶縁膜であるＳｉＮ：Ｈ膜１」（２頁右下欄２行）と記載され、また、ａ−Ｓｉ：Ｈ層３の形成手段について、「シランを原料とするＰ−ＣＶＤ法による動作半導体層であるａ−Ｓｉ：Ｈ層３の形成」（２頁右下欄５〜７行）と記載されている。
　
（５）刊行物５：（特開平３−１４９５２５号公報、同申立人の甲第９号証）
　刊行物５には、アモルファスシリコン薄膜トランジスタ用の絶縁構造に関し、次の事項が記載されている。
　「本発明によれば、改良した多重層ゲート絶縁／誘電体構造を有するＦＥＴを形成するには、まず、好ましくはスパッタリングによって基板３４′上にゲート金属層２４′（第５図）を堆積する。この基板は好ましくはガラスパネル３４′ａの上に酸化シリコン等のような光透過絶縁材から成る層３４′ｂを堆積したものである。ゲート金属層２４′はパターン形成されエッチングされて、ゲート電極、走査線および・・・冗長なゲート金属部を形成する。」（８頁右下欄１４行〜９頁左上欄３行）、
　その多重層ゲート絶縁／誘電体構造の材料について、「約１０００−３０００オングストロームの厚さを有するＳｉＮの第１の層５４は好ましくはＰＥＣＶＤ法によってゲート金属層２４′上に堆積される。」（９頁左上欄２０行〜右上欄３行）及び「約２００オングストローム以下の厚さを有する第２の薄いＳｉＮ層５６が第１のＳｉＮ層の上に（好ましくはＰＥＣＶＤ法によって）堆積される。」（９頁右上欄９〜１２行）と記載されている。
　アモルファスシリコン薄膜について、「第５図を再び参照すると、半導体材料、好ましくはアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）の層３８′がＰＥＣＶＤによってＳｉＮ層５６上に堆積され、半導体材料、好ましくはＮ＋導電率を有するようにドープ処理されたａ−Ｓｉから成る第２の層４０′が第１のａ−Ｓｉ層３８′上に堆積される。」（１０頁左上欄１４〜１９行）と記載されている。
　
４．当審の判断
４−１．特許法第２９条第２項違反について
（１）本件発明１について
　上記「（１）刊行物１」の記載をまとめると、刊行物１には、「薄膜トランジスタの製造するための、絶縁性基板上に第２の半導体膜を堆積する通常の化学気相成膜法であって、反応ガス圧１３０ｐａ（０．９７５トール）、基板温度２５０℃として、モノシランガスと水素ガスを用いることにより、第２の半導体膜を堆積し、第２の半導体膜の堆積速度が９分で３０００Åとなるようにした化学気相成膜法」が記載されている。
　そこで、本件発明１と刊行物１に記載の発明とを対比すると、刊行物１に記載の「第２の半導体膜」は、本件発明１の「アモルファスシリコン膜」に相当する。また刊行物１の従来技術には、薄膜トランジスタを形成する基板として「ガラス基板」が記載され、上記の「絶縁性基板」には「ガラス基板」が含まれることは明らかであるから、この「絶縁性基板」は本件発明１の「ガラス基板」に相当する。また刊行物１に記載の「通常の化学気相成膜法」としてプラズマ化学気相成膜法は周知の手段であるから、この「通常の化学気相成膜法」は本件発明１の「プラズマ化学気相堆積」に相当する。さらに刊行物１に記載の化学気相成膜法は、真空下で行っている以上、真空チャンバ内の基板支持体上に基板を載置した状態で実施していることは当然のことである。
　
　そうすると、両者は、「薄膜トランジスタのためアモルファスシリコン膜を堆積するプラズマ化学気相堆積の方法であって、その内部で基板支持体上に被処理ガラス基板が載置される真空チャンバを与え、該真空チャンバ内の圧力を０．５〜１．５トールの内の０．９７５トールに維持し、モノシランガスと水素ガスを、チャンバ内に通過させた、プラズマ化学気相堆積方法」の点で一致するものの、次の点で相違する。
　
相違点ａ：基板温度について、本件発明１は２７０℃〜３５０℃であるのに対し、刊行物１に記載の方法は２５０℃である点。
相違点ｂ：基板とガスマニホールドの間隔の調整について、本件発明１は、ガラス基板とガラス基板の上方に載置されたガスマニホールドの間の間隔を調整する機能を用いて堆積しているのに対し、刊行物１に記載の方法はガスマニホールドを用いて堆積することが不明である点。
相違点ｃ：成膜ガスについて、本件発明１は、ガラス基板の上方に載置されるガスマニホールドからモノシランガスと水素ガスをチャンバ内に通過させているのに対し、刊行物１に記載のモノシランガスと水素ガスは、そのような方法でチャンバ内を通過させていることが不明である点。
相違点ｄ：堆積速度について、本件発明１は堆積速度が毎分５００〜３０００オングストロームの範囲であるのに対し、刊行物１に記載の第２の半導体層の堆積速度は、９分間で３０００Å、すなわち毎分３３３Åで形成している点。
　
　そこで上記相違点について次に検討する。
相違点ａ、ｂ、ｄについて
　刊行物２には、ガスマニホールドを用いたプラズマ化学気相堆積法により基板上に窒化珪素を堆積する場合において、マニホールドフェースプレートとウエハーとの間の可変の狭い間隔、並びに高圧力可能性、広い圧力範囲などを全て結合して、反応器に幅広い加工能力を与えることが記載され、マニホールドと基板との間の間隔の調整、反応器内の高圧力などにより、堆積速度能力を増すことが示唆されているものの、刊行物２に記載のプラズマ化学気相堆積法は基板上に窒化珪素を堆積するものであって、本件発明１のように、薄膜トランジスタのためのアモルファスシリコン膜をガラス基板に堆積するプラズマ化学気相堆積法ではない。
　そうすると、刊行物１に記載の薄膜トランジスタのためアモルファスシリコン膜を堆積するプラズマ化学気相堆積法において、刊行物２に記載のガスマニホールドを用いたプラズマ化学気相堆積法を適用する場合に、マニホールドと基板との間の間隔の調整、反応器内の高圧力などにより、堆積速度能力を増す方法を、そのまま刊行物１に記載のプラズマ気相堆積法に採用することはできないし、ましてや本件発明１のように、真空チャンバ内の圧力を０．５〜１．５トールに維持し、ガラス基板を２７０〜３５０℃に維持した上で、さらに堆積速度が、毎分５００〜３０００オングストロームの範囲で得られるように、ガスマニホールドと前記ガラス基板の間隔を調整することを容易に想到することはできない。
　そして、本件発明１は、堆積速度が、シランガスの高速流を伴い、かつ圧力、ＲＦ電力、ガス流速、電極間隔、及び基板温度を含む処理パラメータを最大限最適化することにより達成されるとともに、温度と圧力及び可変間隔を有するＣＶＤ反応装置により、従来の方法と反応装置の堆積速度に対して、堆積速度で１桁の改善が生じるという明細書に記載の顕著な効果を奏するものである。
　したがって、相違点ｃについては検討するまでもなく、本件発明１は、刊行物１、２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることはできない。
　
（２）本件発明２〜８について
　本件発明２、３、５、８は請求項１を引用し、本件発明４は請求項３を引用し、本件発明６は請求項５を引用し、本件発明７は請求項６を引用する発明であって、本件発明２〜８は、いずれも本件発明１の構成をすべて含むものであり、本件発明１が上記刊行物１、２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができない以上、本件発明２〜８についても刊行物１、２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることはできない。
　
　そして、本件発明１〜８は、刊行物３〜５の記載をみても、刊行物１〜５に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることはできない。
　
４−２．特許法第３６条第４、５項違反について
（１）申立人平井貞雄の主張
　申立人は申立書１５頁１８行〜２０頁３行において、本件特許明細書の請求項１〜４、６、８、９の記載、及び発明の詳細な説明の記載には不備がある旨の主張をしている。即ち、請求項１のｄ）堆積速度が所定の範囲になるように、ガスマニホールドと基板の間隔を維持する構成が不明確であり、かつ容易に実施することができる程度に記載されておらず、請求項４の第１の層の厚さが、約５００オングストローム以下である点、請求項８のゲート絶縁層がシリコン窒化物である点、請求項９のｎ＋ドープアモルファスシリコンの薄い層が、該アモルファスシリコン膜の上に堆積される点は、明細書中に記載されておらず、また各請求項には発明の構成に欠くことのできない事項が記載されていない不備がある旨主張している。
　しかしながら、訂正後の請求項１の「堆積速度が、毎分５００〜３０００オングストロームの範囲で得られるように、〜間隔を調整する」記載について、堆積速度は特許明細書の段落【００２６】に記載されており、また特許明細書の段落【００１０】〜【００１２】、段落【００２６】には、温度と圧力及び間隔を変更することにより堆積速度を改善することが記載され、また段落【００１６】には、昇降装置によって間隔を調節することができ、この間隔は通常約２５．４ｍｍに保持されていることが記載され、さらに実施例１、２には、間隔を２５．４ｍｍとすることが記載されているから、特許明細書には、請求項１の構成自体明確に、また間隔の調整についても当業者が容易にその実施をすることができる程度に記載されているものである。
　また、訂正後の請求項４の「第１の層の厚さが、約５００オングストローム以下である」記載については、段落【００１３】には、低堆積速度でのアモルファスシリコンの薄い層が本発明の高堆積速度で堆積される前に堆積される厚みとして「およそ１０００オングストロームかそれより小さい」と記載され、元々およそ１０００オングストロームより小さいという前提があり、実施例２の段落【００３１】に、「第１の層を厚さ５００オングストロームで堆積」すること、段落【００２３】には、「アモルファスシリコン薄膜は、３００〜３０００オングストロームという適正な厚みにする」ことが記載されているから、約５００オングストローム以下とすることも特許明細書に開示されていることになる。
　さらに、訂正後の請求項７（訂正前の請求項８）の「ゲート絶縁層がシリコン窒化物である」は特許明細書の実施例１に記載され、訂正後の請求項８（訂正前の請求項９）の「ｎ＋ドープアモルファスシリコンの薄い層が、該アモルファスシリコン膜の上に堆積される」は段落【００４１】に記載されている。
　したがって、申立人の主張はいずれも採用できない。
　
（２）申立人松原いづみの主張
　申立人は申立書４５頁１７行〜４９頁２６行において、本件特許明細書の請求項１、３、４の記載には不備がある旨の主張をしている。即ち、請求項１の堆積速度を増大させるべく電力、ガス流量が明確でなく、請求項３の約５００オングストローム／分よりも低い堆積速度である点、請求項４の第１の層の厚さが、約５００オングストローム以下である点は、明細書中に記載されていない不備がある旨主張している。
　しかしながら、請求項１の記載については、特許明細書の実施例１、２には電力値が一定で、圧力と基板温度を増大させると堆積速度が増大する記載がある。
　また、請求項３の記載については、特許明細書の段落【０００５】には、従来の方法では約１００〜３００オングストローム／分の堆積速度であることが記載され、段落【００２６】には、「従来の方法と反応装置が約１分当り１００〜３００オングストロームの堆積速度であるのと相違して」、本発明では「１分当り５００〜３０００オングストロームの堆積速度すなわち、堆積速度で１桁の改善が生じる。」と記載されている。これに対して、低堆積速度については、段落【００１３】に、「厚みがおよそ１０００オングストロームかそれよりも小さい低堆積速度（１０００オングストローム／分又は、これよりも小さい）」とあり、元々１０００オングストローム／分よりも小さいという前提があり、実施例２の段落【００３２】には、低堆積速度につき「堆積速度は４８０オングストローム／分」と記載されているから、本発明の堆積速度とは異なる従来の堆積速度に相当する低堆積速度が「約５００オングストローム／分よりも低い」堆積速度であることは実質的に示されているものと認められる。
　また、請求項４の「第１の層の厚さが、約５００オングストローム以下である」記載については、上記（１）で示したと同じく段落【００１３】、実施例２の段落【００３１】、段落【００２３】の記載からすれば、約５００オングストローム以下とすることは特許明細書に開示されているといえる。
　したがって、申立人の主張はいずれも採用できない。
　
４−３．特許法第１７条の２第２項違反について
　申立人松原いづみは、本件特許明細書には、出願当初の明細書に記載した事項の範囲内でない記載がある旨の主張をしている。即ち、請求項３の約５００オングストローム／分よりも低い堆積速度である点、請求項４の第１の層の厚さが、約５００オングストローム以下である点は、出願当初の明細書に記載した事項の範囲内での補正ではない。
　しかしながら、請求項３の約５００オングストローム／分よりも低い堆積速度である点は、上記「４−２．（２）」で示したと同じく出願当初の明細書の【０００５】【００１３】【００２６】【００３２】に記載されたことにより、請求項４の第１の層の厚さが、約５００オングストローム以下である点は、出願当初の明細書の請求項５に「第１の層は、約１０００オングストロームの厚みになるまでは低堆積方法を・・・用いて」と記載され、さらに上記「４−２．（２）」で示したと同じく出願当初の明細書の【００１３】【００３１】【００２３】に記載されたことにより、出願当初の明細書に記載されている事項の範囲内であると認められるから、補正が新規事項に該当するものではない。
　したがって、申立人の主張は採用できない。
　
　また、その他の異議申立の理由及び証拠は、本件発明１〜８を取り消すべき理由として採用することができない。
　
IV．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議の申立の理由及び証拠によっては、本件発明１〜８に係る特許が拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものであるとする理由を発見しない。
　また、他に本件発明１〜８に係る特許が拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものであるとする理由を発見しない。
　よって、平成６年法律第１１６号附則第１４条の規定に基づく、平成７年政令第２０５号第４条第２項の規定により、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１６年５月３１日（２００４．５．３１）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
ＣＶＤにより大面積のガラス基板上に高堆積速度でアモルファスシリコン薄膜を堆積する方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　薄膜トランジスタのためアモルファスシリコン膜を
ガラス基板とガラス基板の上方に載置されたガスマニホールドの間の間隔を調整する機能を用いて
ａ）その内部で基板支持体上に被処理
ガラス
ｂ）
前記ガラス
ｃ）前記
ガラス
ｄ）堆積速度が、毎分
５００
前記ガラス
調整
　【請求項２】　前記Ｃ）の前に、前記
ガラス
　【請求項３】　前記Ｃ）の前に、約５００オングストローム／分よりも低い堆積速度で、アモルファスシリコンの第１の層が堆積される請求項１に記載の方法。
　【請求項４】　前記アモルファスシリコンの第１の層の厚さが、約５００オングストローム以下である請求項３に記載の方法。
　
【請求項５】
　
【請求項６】
ガラス
　
【請求項７】
　
【請求項８】
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】
　本発明は、大面積のガラス基板上にアモルファスシリコン薄膜を堆積することに関する。さらに詳しくは本発明は、化学気相成長により、活性アモルファスシリコン薄膜の堆積に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　液晶セルの製造において、２枚のガラス基板は、その間にサンドイッチされている液晶物質の層によって互いに結合されている。ガラス基板は、液晶物質の配向を変えるための電源に接続できる導電膜（これは、ＩＴＯ膜のように少なくとも透明である必要がある）を有している。液晶セルの様々な領域には、導電膜の適正なパターニング（Ｐａｔｔｅｒｎｉｎｇ）によってアクセスすることができる。ごく最近では、薄膜トランジスタは、液晶セルの各領域に別々に、かつ高速でアドレスするために用いられてきた。このような液晶セルは、テレビやコンピュータのモニタのようなアクティブマトリクスディスプレイに有用である。
　【０００３】
　液晶モニタの解像度に対する要望が増大するにつれて、画素と称される液晶セルの多くの領域に個別にアドレスすることが望まれている。それ故、最近のディスプレイでは、約１００万画素もあり、各画素に個別にアドレスができるよう、ガラス基板の上には少なくとも同数のトランジスタが形成される必要がある。
　【０００４】
　異なるタイプの薄膜状トランジスタが最近では使用されているが、その殆どは、上面にアモルファスシリコン層を有するパターン化されたゲート金属の上にゲート絶縁層を堆積する必要がある。金属接点は、アモルファスシリコンとアルミニウム接点の被覆層との間の接触を改善するため、上部にドープ（ｄｏｐｅ）シリコンの薄い層を持つことができるアモルファスシリコン層の上に堆積されている。
　【０００５】
　グロー放電又はプラズマ型処理によりアモルファスシリコン層を堆積する方法が知られている。しかし、膜の堆積速度は例えば、１分間につき約１００〜３００オングストロームと全く低い。そのため、厚さが約５０００オングストローム程度までの膜は、薄膜トランジスタ製造のために必要とされるが、これには、比較的長い堆積時間が要求され、これらの膜の製造コストは増大する。コストを低減するためにＣＶＤ膜の堆積速度を改善することは望ましいことである。
　【０００６】
　例えば、寸法が約３５０×４５０×１．１ｍｍという大きな寸法と重量のあるガラス基板であると、通常、その上に薄膜を堆積するために大きな反応チャンバーが必要となる。そして、これら薄膜の連続する堆積のため基板を１つの反応チャンバーから他の反応チャンバーに移送するために、大型でしばしばスピードが遅い移送装置が必要となる。しかし、真空システムは、最近では複数の基板を真空下にあらしめると共に、これらをまとめてＣＶＤ温度に加熱でき、これらを特別に設計されたＣＶＤチャンバーに１つずつ移動できるマルチチャンバーによって作られてきた。上記ＣＶＤチャンバーは薄膜、特には、アモルファスシリコンの薄膜を堆積でき、冷却チャンバーに移送して戻すことができ、これらは真空環境を破ることなくなされる。
　【０００７】
　【発明が解決しようとする課題】
　しかし、このようなシステムの効率を最大にするためには、システム内でのガラス基板の休止時間（ｉｄｌｅ　ｔｉｍｅ）が最小であるべきである。
　【０００８】
　こうしてアモルファスシリコン薄膜の堆積速度を改良することは、膜の堆積の厚さを約５０００オングストロームまで上げるのに必要とされる時間を減少するために強く望まれている。
　【０００９】
　【課題を解決するための手段】
　本発明者は、一般的に従来方法よりも速い堆積速度で、アモルファスシリコン薄膜を堆積する方法を見出した。この方法が上述のような真空システムに使用されるとき、薄膜の堆積のために必要とされる時間は、大幅に減少され、それにより、トランジスタを形成するため大面積のガラス基板の全体の製造効率が改良される。
　【００１０】
　改良された堆積速度は、ガス流速、圧力、ＲＦ電力、基板温度及びガスマニホールドと基板との間隙を含む処理パラメータを最大限活用することによって達成される。
　【００１１】
　高堆積速度のアモルファスシリコン層のもつトランジスタ諸特性は、基板層の界面を調整することにより改善される。つまり、上記の諸特性は本発明の高堆積速度でのアモルファス堆積の前に、その表面を短時間水素プラズマにさらすか、又は、本発明の高堆積速度での堆積方法によってアモルファスシリコンを堆積する前に低堆積速度でアモルファスシリコンの最初の層を形成することにより改善される。
　【００１２】
　【実施例】
　本発明者は、前もって形成されたゲート金属領域と、ＣＶＤ法により改善された堆積速度の下で堆積されたゲート絶縁層を有する大面積のガラス基板上にアモルファスシリコン膜を堆積できる方法を見出した。この改善された堆積速度は、シランガスの高流速を伴ない、かつ圧力、ＲＦ電力、ガス流速、電極間隙、及び基板温度を含む処理パラメータを最大限最適化することにより達成される。
　【００１３】
　これらの膜で製造される装置のトランジスタ諸特性を改善するために、アモルファスシリコンと基板との界面に影響を与える２つの手段つまり、２つのアモルファスシリコン堆積層と、アモルファスシリコン堆積前の水素プラズマの安定性が開発されている。前記２つの層の実現において、厚みがおよそ１０００オングストロームかそれよりも小さい低堆積速度（１０００オングストローム／分又は、これよりも小さい）のアモルファスシリコンの薄い層が、本発明の高堆積速度で堆積される前に堆積される。水素プラズマの安定性の実現において、水素プラズマは、本発明の高堆積速度でアモルファスシリコンの堆積が実行される直前に、約１０秒程度の短い時間流される。
　【００１４】
　ワン等（Ｗａｎｇ　ｅｔ　ａｌ）の米国特許第４，８９２，７５３には、本ＣＶＤプロセスを実施するに適した特徴を有するところの、プラズマ増強型ＣＶＤ反応装置について説明されている。この反応装置は、半導体ウエハの処理については説明されているけれども、適切な寸法調整については、現在の大面積のガラス基板に適用するであろう。
　【００１５】
　この反応装置につき、図１を参照してさらに説明する。
　【００１６】
　図１は、通常はアルミニウムで作製されていて、かつ反応領域１２を有する真空チャンバー１０の切断面図である。基板１４は、サセプタ内に埋設された抵抗発熱体により加熱されるような適当な支持具又はサセプタ１６で支持されている。基板１４の上方には、前駆体反応ガス、キャリアガスおよび、パージガスをガス入口１９から反応領域１２に供給するガスマニホールドプレート１８が存在している。基板１４とガスマニホールド１８との間の間隙−ｄ−は昇降装置４０によって調節することができる。ガスマニホールドと基板との間の間隙調整機能により、ガラス基板の上に必要とされる膜均一性を保持しつつ、広範囲にわたる堆積条件を最大限最適化することが可能となる。基板１４とガスマニホールドプレート１８の間の間隙−ｄ−は通常約２５．４ｍｍ（約１インチ）に保持されている。
　【００１７】
　昇降装置４０は２つの機能を有している。チャンバー（図示せず）に近い位置にあるロボットで操作される基板支持アーム２０により基板１４がチャンバー１０内に移送されたとき、チャンバー内の当該基板１４の位置は、当該点線１４Ａで示されている。このとき、リフトピン４１は当該基板を支持するため持上げられている。その後、昇降装置４０はサセプタ１６と基板１４を処理位置に持ち上げる。処理中は閉塞自在な開口３０は、ロボットの支持アーム２０により基板１４の出し入れができるように開口されている。処理中は、閉塞可能な開口３０はピストン駆動のスリットバルブ３２により閉じられている。
　【００１８】
　ガスマニホールドプレート１８は、当該プレート１８の上に均等に分配された複数の貫通孔を有する板である。ここで使用可能なマニホールドプレート１８は、全体の面積が、基板１４と略同じサイズの板に約１００００個の開口を有する。
　【００１９】
　ガスマニホールドプレート１８は、ガス分配システムの一部であって、このガス分配システムは、プロセスガスを基板１４を横切って、かつ基板の端部に向けて外側に放射状に流し、排出口２２から排出するようになっている。遮へい板やシャドウ・フレーム２４は、基板１４の端部の上に堆積がなされないようにするためにある。
　【００２０】
　ガスマニホールド１８の温度は、当該ガスマニホールド１８上での反応固形生成物の堆積を最小限に抑えるよう調整されている。
　【００２１】
　ＲＦ電力の供給とネットワーク（図示せず）のマッチングにより、反応領域１２において、前駆体ガス（Ｐｒｅｃｕｒｓｏｒ　ｇａｓｅｓ）からプロセスガス（Ｐｒｏｃｅｓｓ　ｇａｓｅｓ）のプラズマを生成し、かつ維持できる。１３．５６ＭＨＺの高周波ＲＦ電力が使用されるのが好ましいが、これは決定的なことではなく、これよりも低周波数を使用してもよい。さらに、ガスマニホールドプレート１８は、サセプタ又は基板支持具１６が接地されているときにＲＦ駆動される。チャンバーの壁は保護用セラミック材で覆われている。このデザインは、ガスマニホールドプレート１８と支持具１６との間の高度のプラズマ閉じ込めを許容し、それにより、反応種の濃度及び対象の薄膜の堆積速度を増大することができる。
　【００２２】
　ガスマニホールドプレートと基板との間の間隙−ｄ−を比較的小さく維持することにより、チャンバー自体を一層小さくでき、堆積処理が一層コントロールし易くなり、さらに、反応領域１２の小さい容積が当該反応領域１２に供給されたガス成分における急速な変化を許容し、反応ガスやパージガスは引き続いて行なわれる堆積の間に急速に取り除かれ、取り換えられる。
　【００２３】
　本発明では、アモルファスシリコン薄膜は、水素キャリアガス（５００から２０００ｓｃｃｍ）中の前駆体ガス（１００から１５００ｓｃｃｍ）としてシランガスを用いて堆積される。本発明者等は、予期しないことにアモルファスシリコン薄膜は、３００〜３０００オングストロームという適正な厚みにするための或条件の下で急速な速度で堆積されることを見出した。
　【００２４】
　アモルファスシリコン膜の品質は、ＩＲ吸収により測定されるような膜中の水素結合（ｂｏｎｄｉｎｇ）によって測定される。Ｓｉ−Ｈの２０００ｃｍ−１でのピーク位置と、全幅の半分が最大１１０ｃｍ−１以下の半分であることが良品質のアモルファスシリコン膜であることを示している。高品質のアモルファスシリコン膜は、オフモードにおけるしきい値電圧、電子移動性及び漏れ電流などのような良いトランジスタ電気特性を産み出すにちがいない。
　【００２５】
　ガラス板の温度は、効率的な堆積のために十分高温でなければならないが、当該大面積のガラス基板が曲がるおそれがあるときは、約４５０℃以下に維持されなければならない。通常約２７０〜３５０℃の堆積温度は、アモルファスシリコン薄膜のために維持される。
　【００２６】
　この堆積方法の圧力は、従来方法のそれよりも幾分高く維持されるが、本発明者等は、これは、高堆積速度の達成に寄与するものであると信じている。通常、反応チャンバー内の圧力は、約０．５Ｔｏｒｒ以上に維持されるべきであり、望ましくは約０．８〜１．５Ｔｏｒｒに維持されるのがよい。いずれにしても、上記の温度と圧力及び上述された可変間隙を有するＣＶＤ反応装置により、従来の方法と反応装置が約１分当り１００〜３００オングストロームの堆積速度であるのと相違して、１分当り５００〜３０００オングストロームの堆積速度すなわち、堆積速度で１桁の改善が生じる。
　【００２７】
　本発明は、つぎの実施例においてさらに説明されるが、当該発明は、そこでの詳細な説明に制限されない。
　【００２８】
　実施例１
　上面にアレイ状に堆積されており、かつ前もって選択されたパターンのゲート金属パッドを有し、また、その上に約２５００オングストロームの厚さのシリコン酸化層を有し、またその上に約５００オングストローム厚のシリコン窒化層を有する３６０×４５０×１．１ｍｍ厚のガラス基板は、ＣＶＤチャンバーに入れられて真空の下におかれた。基板が水素流入の下で３２０℃まで加熱され、アモルファスシリコン薄膜は、以下の条件の下で堆積された。
　【００２９】
　　ＳｉＨ４　　　　　　　２７５　ｓｃｃｍ
　　Ｈ２　　　　　　　　　１５５０　ｓｃｃｍ
　　電力　　　　　　　　　３００　ｗａｔｔｓ
　　圧力　　　　　　　　　１．２　Ｔｏｒｒ
　　間隙　　　　　　　　　２５．４ｍｍ（１０００　ｍｉｌｓ）
　　サセプタ温度　　　　　３９７℃
　　基板温度　　　　　　　３２０℃
　アモルファスシリコン堆積速度は、９４４オングストローム／分であり、膜は３０００オングストローム厚に堆積された。この膜の応力は−６．９×１０９ダイン／ｃｍ２であると測定された。Ｓｉ−Ｈピーク位置は２０００ｃｍ−１であり、ピーク幅は１２０ｃｍ−１より小であった。
　【００３０】
　上記の基板で製造された完成トランジスタはテストされた。そして、しきい値電圧、オフモードにおける移動度及び漏れ電流を含む満足しうるデバイス特性を有することが見い出された。またこれらの特性は、従来の堆積装置と方法を用いて達成される特性に匹敵した。
　【００３１】
　実施例２
　低堆積速度プロセス
　実施例１の工程は、アモルファスシリコンの２つの層を、同一のチャンバー内で連続して堆積することを除いて続行された。第１の層は、次の条件を用いて５００オングストロームの厚さに堆積された。
　【００３２】
　　ＳｉＨ４　　　　　　　　２７５　ｓｃｃｍ
　　Ｈ２　　　　　　　　　１５５０　ｓｃｃｍ
　　電力　　　　　　　　　　３００　ｗａｔｔｓ
　　圧力　　　　　　　　　　０．８　Ｔｏｒｒ
　　間隙　　　　　　　　　　２５．４ｍｍ（１０００　ｍｉｌｓ）
　　サセプタ温度　　　　　　　３９７℃
　　基板温度　　　　　　　　３１０℃
　堆積速度は、４８０オングストローム／分であった。この方法で堆積された膜は、ＩＲ吸収によって測定されるとき良品質であった。
　【００３３】
　急速堆積速度プロセス
　第２の層は次の条件を使用して、上記の層の上に全体で３０００オングストロームの厚さに堆積された。
　【００３４】
　　ＳｉＨ　　　　　　　　１３２０　ｓｃｃｍ
　　Ｈ２　　　　　　　　　１５５０　ｓｃｃｍ
　　電力　　　　　　　　　　９００　ｗａｔｔｓ
　　圧力　　　　　　　　　　０．８　Ｔｏｒｒ
　　間隙　　　　　　　　　２５．４ｍｍ（１０００　ｍｉｌｓ）
　　サセプタ温度　　　　　　３９７℃
　　基板温度　　　　　　　　３１０℃
　この方法での堆積速度は、３１００オングストローム／分であった。またこの方法で処理された膜は、ＩＲ吸収で測定されるときに良品質であった。
　【００３５】
　この２つのアモルファスシリコンの層で製造された半導体装置は、実施例１や従来の堆積装置及び方法に匹敵する電気特性を有しており、しかも非常に高速度で堆積された。
　【００３６】
　実施例３
　実施例１の工程は、水素プラズマの安定化ステップが、実施例２の高堆積速度方法を使用して３０００オングストロームの堆積を行なう前に実行されることを除いて、続行された。水素プラズマの安定化は、次の条件の下で１０秒間実行された。
　【００３７】
　　Ｈ２　　　　　　　　　　　１５５０　ｓｃｃｍ
　　電力　　　　　　　　　　　　３００　ｗａｔｔｓ
　　圧力　　　　　　　　　　　　０．８　Ｔｏｒｒ
　　間隙　　　　　　　　　　２５．４ｍｍ（１０００　ｍｉｌｓ）
　　サセプタ温度　　　　　　　　３９７℃
　　基板温度　　　　　　　　　　３１０℃
　条件が、例えばシランガスが流れ始め、かつ電力が９００ワットまで増加されるなどの堆積ステップに用いられる諸条件にと変化している間、プラズマは滞留した。
　【００３８】
　水素プラズマの安定化と、アモルファスシリコンの急速堆積速度とを使用して製造された装置は、実施例１や従来の堆積装置と方法によって製造された装置に匹敵する電気的特性を有していた。
　【００３９】
　こうして圧力、電力および前駆体ガスのガス流速を変化させることによって堆積速度は変わった。通常は、より高いシラン：水素の比率が堆積速度を増加させる。
　【００４０】
　必要ならば、アモルファスシリコン層は、本願優先権主張の基礎となった米国特許出願と同時に出願されたロウ（Ｌａｗ　ｅｔ　ａｌ）等の米国特許出願第０８／０１０１０９号同時係属出願である“シリコン窒化薄膜を堆積する方法”の中で説明されている方法すなわち、“ガス流入マニホールドと基板との間に接近した間隙を有する真空チャンバーの内部において、温度が約３００〜３５０℃、圧力が少なくとも約０．８Ｔｏｒｒのもとで、上記基板上にシラン、アンモニアを含む前駆体ガス（Ｐｒｅｃｕｒｓｏｒ　ｇａｓ）から絶縁用シリコン窒化膜を堆積することを含む化学気相成長方法”によって堆積されたシリコン窒化層の上に堆積することができる。
　【００４１】
　必要に応じて、ｎ＋がドープされた薄いアモルファスシリコン層は、アモルファスシリコンと、その次に堆積されたアルミニウムコンタクト間の抵抗を低減するために、ここに説明されているように堆積されたアモルファスシリコン層の上に堆積することができる。これは、水素流に０．５％容量として２５０ｓｃｃｍのＰＨ３を加えて反応ガス混合物にすることを除き、実施例１の工程に続けてなされる。
　【００４２】
　上記のＣＶＤ法は、半導体基板の多段階製法のために知られているシステム、例えばメイダン等（Ｍａｙｄａｎ　ｅｔ　ａｌ）による米国特許第４９５１６０１又は、薄膜トランジスタの製造のため大面積ガラス基板上に多層を堆積するために設計された真空システム等に開示されているシステムに利用できる。なお、この真空システムは、ノーマン・ターナ等による米国特許出願第０８／０１０６８４号“生産性が改善された真空処理装置”及び同時に出願され引用形式で組込まれた米国特許出願第０８／０１０６８３号“大面積のガラス板を加熱及び冷却する方法及び装置”の中で説明されている。この真空システムについては、図２を参照して以下に説明する。
　【００４３】
　図２は、大面積のガラス基板上に複数膜を堆積するための真空システムの平面図である。
　【００４４】
　図２を参照すると、堆積システム１１１は大面積のガラス基板上に複数の薄膜を堆積するため一連のチャンバーを備えている。カセット１１２Ａ，１１２Ｂ，１１２Ｃ，１１２Ｄは、その上に大きなガラス基板を貯蔵するため複数の棚を内包している。ロボット１１４は、１回に１つのガラス基板をカセット１１２から２つの連結冷却及びロードロックチャンバー１１６Ａ，１１６Ｂの内の１つに、閉塞自在な開口１１７を通じて大気に移送するのに用いられる。また、システム１００は、ガラス基板を堆積温度まで上げる加熱チャンバー１１８を含んでいる。２つの冷却／ロードロックチャンバー１１６及び加熱加熱チャンバー１１８と共に、一連の４つのＣＶＤチャンバー１２０，１２２，１２４，１２６は、これらと真空トランスファチャンバー１２８を画成する。冷却／ロードロックチャンバー１１６Ａと１１６Ｂと加熱チャンバー１１８は、垂直方向に索引（ｉｎｄｅｘ）できる昇降装置（図示せず）に搭載されたカセットを保持している。これらの加熱及び冷却カセットは、ガラス基板が加熱され又は冷却されている間、当該ガラス基板をその内部で支持するために熱伝導性の棚を有している。
　【００４５】
　ロボット１１４が、ガラス基板をカセット１１２から冷却／ロードロックチャンバー１１６Ａのカセットの中に移送した後、他のガラス基板がロボット１１４によって冷却チャンバーカセット１１６Ａに移送されている時は、昇降装置は１つの棚の高さ分だけカセットを持上げ（又は持下げ）る。チャンバー１１６Ａのカセットの中にすべての棚が充填されたとき、閉塞自在な開口１１７は閉じられ、チャンバー１１６Ａ内は排気される。望ましい圧力に達したとき、トランスファーチャンバー１２８に近い閉塞自在な開口１３１は開放される。トランスファーロボット（図示せず）は、全てのガラス基板を冷却／ロードロックチャンバー１１６Ａから、その内部でガラス基板が堆積温度近くまで加熱されている加熱チャンバー１１８の中にあるカセットに移送する。加熱チャンバー１１８内のカセットと冷却チャンバーカセット１１６Ａは、それぞれの移送の後、トランスファチャンバー１２８内にあるトランスファーロボットに別の棚を存在させるため、持上げられ又は下げられる。
　【００４６】
　ガラス基板が堆積温度に達したとき、トランスファーロボットは、ガラス基板を予め選択された順序で１つまたは２つ以上のＣＶＤチャンバー１２０，１２２，１２４又は１２６へ次々と移送する。例えば、第１番目のシリコン窒化物の薄膜は、ＣＶＤチャンバー１２０内で堆積される。第２番目のアモルファスシリコンの薄膜はＣＶＤチャンバー１２２内で堆積される。第３番目のドープされたアモルファスシリコン薄膜はＣＶＤチャンバー１２４内でドープされ第４番目も同様に行なわれる。予め選択された全ての堆積が行なわれたとき、トランスファーロボットは、処理されたガラス基板を冷却／ロードロックチャンバー１１６Ａに移送して戻す。閉塞自在な開口１３１は、冷却／ロードロックチャンバー１１６Ａ内のすべての棚が満されたときには閉じられる。同時に、ロボット１１４は、他の一群の（ｂａｔｃｈ　ｏｆ）ガラス基板を、別のカセット１１２ｃから冷却／ロードロックチャンバ１１６Ｂの中のカセット１１２ｃに移送し、装填が完了したときに、チャンバー１１６Ｂを排気する。
　【００４７】
　冷却／ロードロックチャンバー１１６Ａ内の処理されたすべてのガラス基板が室温近くまで冷やされたとき、チャンバー１１６Ａは、大気圧と同じにされ、閉塞し得る開口１１７は開放されて、ロボット１１４は今処理されて冷却されたガラス基板を脱着（ｕｎｌｏａｄ）カセット１１２に戻る。
　【００４８】
　こうして、システム１００は作業を続行できるように作られている。ガラス基板の一連の（ｂａｔｃｈ　ｏｆ）加熱及び冷却という組合わせと、例えば数分という比較的長い時間を要する作業と、例えば１分以下という比較的短い時間がかかる単一基板ＣＶＤ方法によりシステム１００の生産性と作業効率を最大にすることができる。
　【００４９】
　本発明は、いくつかの具体例と実施例によって説明されているが、本発明はそれに限定されることを意味しない。ここでのＣＶＤ法は、実用的な堆積速度のもとで、高品質の膜を得るために、ガス流速、圧力及び温度を調整できる他のチャンバーを使用して実施することができる。
　【００５０】
　【発明の効果】
　以上説明したように、本発明によると、ガラス基板上にアモルファスシリコン膜を堆積するに際し、従来方法で用いられているよりも高圧力を操作すると共に、この圧力及び温度を含む堆積パラメータを最大限活用することにより高品質のアモルファスシリコン膜を高堆積速度で製造することができる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　大面積のガラス基板上にアモルファスシリコン薄膜を堆積するのに有効なＣＶＤ反応装置の横断面図である。
　【図２】
　図１のＣＶＤ反応装置を含むガラス基板を製造するための真空システムの平面図である。
　【符号の説明】
　１４…ガラス基板、１８…ガスマニホールドプレート、１１６Ａ，１１６Ｂ…ロードロックチャンバー、１１８…加熱チャンバー、１２０，１２２，１２４，１２６…ＣＶＤチャンバー。