【事件の表示】
　特許第３３３６８９７号「気相成長装置用サセプター」の請求項１、２に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３３３６８９７号の請求項１ないし２に係る特許を維持する。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯
　本件特許第３３３６８９７号の発明についての出願は、平成９年２月７日に特許出願され、平成１４年８月９日にその発明について特許権の設定登録がなされ、その後、渡部賢一より特許異議の申立てがなされ、取消理由が通知され、その指定期間内である平成１６年８月２日に訂正請求がなされたものである。
　    
II．訂正の適否について
１．訂正の内容
（１）訂正事項ａ
　請求項１中の「貫通する孔部を設けた気相成長装置用サセプター。」を、「貫通するガス排出孔部を設け、前記ガス排出孔部として、楕円状や小径の貫通孔部を多数周配置した気相成長装置用サセプター。」と訂正する。
（２）訂正事項ｂ    
　請求項２中の「請求項１において、貫通する孔部が」を、「気相成長装置に使用するサセプターにおいて、ウェーハを載せるための凹部であるウェーハポケット内の最外周部に裏面に貫通するガス排出孔部を設け、前記ガス排出孔部が」と訂正する。
（３）訂正事項ｃ 
　明細書段落【００１１】を、「すなわち、この発明は、気相成長装置に使用するサセプターにおいて、ウェーハを載せるための凹部であるウェーハポケット内の最外周部に裏面に貫通するガス排出孔部を設けたことを特徴とする気相成長装置用サセプターである。前記ガス排出孔部として、楕円状や小径の貫通孔部を多数周配置するか、前記ガス排出孔部が溝状で複数本を周配置することができる。」と訂正する。
（４）訂正事項ｄ 
　明細書段落【００１３】を、「この発明によるサセプター５は、半導体ウェーハ８を載せるためのウェーハポケット６内の最外周部に円弧溝状の貫通孔部（ガス排出孔部）７を周配置してある。なお、ウェーハポケット６の平面部は、被覆したＳｉＣのままである。」と訂正する。
　
２．訂正の目的の適否、新規事項の有無、及び特許請求の範囲の拡張・変更の存否
　上記訂正事項ａは、請求項１において、裏面に貫通する「孔部」を「ガス排出孔部」とし、そのガス排出孔部を「楕円状や小径の貫通孔部を多数周配置した」ものに限定するものであって、特許請求の範囲の減縮を目的とする訂正である。そして、ガス排出孔部とする点は、明細書段落【００１４】での図１ａの説明として記載された「サセプター５のウェーハポケット６内の最外周部に貫通孔部７を配置することにより、ウェーハ８表面からの局所的なガス流れが形成され、ウェーハ８裏面から放出されたボロン種がウェーハ８表面へまわり込むことなく排出される。」により裏付けられている。又貫通する孔部を楕円状や小径の貫通孔部を多数周配置したものとする点は、明細書段落【００１７】の「サセプターの貫通孔部は、上述の実施例に示すごとき円弧溝状の貫通孔部のほか、楕円状や小径の貫通孔部を多数周配置するなど、種々の構成が採用できる。」との記載により裏付けられている。
　上記訂正事項ｂは、請求項２において、請求項１を引用する従属形式の記載を独立請求項とし、かつ貫通する「孔部」を明細書段落【００１４】の記載に基づき「ガス排出孔部」とするものであって、特許請求の範囲の減縮を目的とする訂正である。
　更に、訂正事項ｃ、ｄは、上記特許請求の範囲の訂正に基づいて該訂正後の請求項の記載と整合するよう発明の詳細な説明の記載を訂正するものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とする訂正である。
　したがって、訂正事項ａ〜ｄは、特許請求の範囲の減縮ないし明りょうでない記載の釈明を目的とした明細書の訂正に該当する。又該訂正は、願書に添付した明細書に記載された事項の範囲内のものであり、また実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　
３．むすび
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法第１２０条の４第２項及び同条第３項において準用する特許法第１２６条第２項から第４項までの規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
III．特許異議申立てについて
１．特許異議申立ての概要
　特許異議申立人は、証拠として下記の甲第１〜３号証を提出して、訂正前の請求項１、２に係る発明は、甲第１、２号証に記載された発明であるか、甲第１〜３号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、該発明の特許は、特許法第２９条第１、２項の規定に違反してされたものであり、これを取り消すべき旨主張する。
　　　　　　　　　　　　　　　　記
　　甲第１号証：特開平８−８１９８号公報
　　甲第２号証：特開平１−１２２９９４号公報
　　甲第３号証：特開平１−１６１７１２号公報
      　    　
２．本件発明
　本件特許の請求項１、２に係る発明（以下、それぞれ「本件発明１」、「本件発明２」という）は、上記のとおり訂正が認められたから、平成１６年８月２日付の訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１、２に記載された事項により特定される次のとおりのものである。
「【請求項１】　気相成長装置に使用するサセプターにおいて、ウェーハを載せるための凹部であるウェーハポケット内の最外周部に裏面に貫通するガス排出孔部を設け、前記ガス排出孔部として、楕円状や小径の貫通孔部を多数周配置した気相成長装置用サセプター。
　【請求項２】　気相成長装置に使用するサセプターにおいて、ウェーハを載せるための凹部であるウェーハポケット内の最外周部に裏面に貫通するガス排出孔部を設け、前記ガス排出孔部が溝状で複数本を周配置した気相成長装置用サセプター。」
　　     
３．甲第１〜３号証の記載事項
（１）甲第１号証：特開平８−８１９８号公報
（１ａ）「【請求項１】サセプターの表面および／または裏面側に加熱手段を設けた枚葉式の気相成長装置に使用するサセプターにおいて、ウェーハを載せる載置面が平坦面からなり、載置面にウェーハをローディングする際のウェーハとの間のガスを抜くための貫通孔を複数設けたことを特徴とする気相成長装置用サセプター。」（【請求項１】）
（１ｂ）「【０００９】従来は、ウェーハの滑りを防止するために設けたロローレット形状により、ウェーハの載置表面は拡大すると四角錐の頂点を削ったような形状の連続となっているのに対して、この発明では図２に示すようにサセプター１０のウェーハを載置するザグリ部１１を平坦な面となして、ウェーハとサセプターとの間のガスを抜くために、同ザグリ部１１に多数の貫通孔１２を設けてある。装置内でのサセプター自体も裏面側の一部が開放されることにより、ウェーハとサセプターとの間のガスが迅速に貫通孔１２より飛散する。また、サセプター１０の貫通孔１２はその表面側に面取りを行い異常な突起が載置表面上に発生しないように構成してある。
【００１０】貫通孔１２の配置は、ウェーハ面内の温度分布への影響を考えて、ザグリ部１１面内に一様に多数の孔を設けることが望ましい。例えば、サセプター１０の円中心から周方向に均等配置した放射線上に所要数の貫通孔を設ける、すなわち、図ではザグリ部１１を８等分するような８本の線上に各２ヶ所計１６ヶ所の貫通孔１２を配設するごとく、均等配置が好ましい。また、貫通孔の領域の面積が大きくなるとウェーハ裏面のエッチングやデポが大きくなり、外観上の品質が悪くなる。発明者の実験の結果、貫通孔の全面積はザグリ部の面積の５〜１０％にするとウェーハの滑りもなく、裏面へ与える影響も少ないことがわかった。さらに、貫通孔の大きさはサセプターの外径と前記のウェーハ載置面の面積に占める貫通孔の全面積比を考慮して適宜選定すると良い。例えば、６インチ用サセプターで図示の１６ヶ所の貫通孔１２を設ける例を考えると、直径１０mmとした場合、貫通孔１２の全面積はザグリ部１１の面積の約７％となる。」（【０００９】【００１０】）が記載されている。
　
（２）甲第２号証：特開平１−１２２９９４号公報
（２ａ）「（１）気相成長炉内に成長用ガスを導き半導体基板表面に半導体単結晶層を形成する気相成長法において、気相成長炉内に、互いに対向して設けられた複数のサセプターの面上に半導体基板を載置し、前記サセプターを直接通電加熱することにより前記半導体基板表面に、半導体単結晶層を成長させることを特徴とする半導体単結晶の化学気相成長法。」（特許請求の範囲（１））
（２ｂ）「第３図のように直径４インチから８インチまでのシリコンウエハー１０をサセプター凹み７にセットし、凹み７上部に斜めに開けた孔１１よりＳｉＣコートされたグラファイト製治具１２を挿入してシリコンウエハー１０を固定し、落下防止とサセプター６との密着性向上を計った。」（３頁左上欄３〜８行）が記載されている。
　
（３）甲第３号証 ：特開平１−１６１７１２号公報
（３ａ）「（１）半導体基板を載置するサセプタを有し、エアピンセットにより該半導体基板のロード、アンロードを行う気相成長装置において、前記半導体基板を載置するサセプタに、前記エアピンセットの先端部が係入し、該半導体基板の裏面に吸着することを可能にする溝部が形成されてなることを特徴とする気相成長装置。」（特許請求の範囲（１））
（３ｂ）実施例の説明として、「上記サセプタ１２は、外径３２０mm、厚さ５〜７mm程度の円板状に形成されており、その側部にはエアピンセットの先端部が係入する幅１０mm、長さ２０mm程度の大きさの切欠き部１３か形成され、この切欠き部１３上に半導体基板１１の端部がかかるよう載置される。」（２頁右下欄１１〜１６行）が記載されている。
　
４．当審の判断　
（4-1）本件各発明は、気相成長装置用サセプターにおいて、エピタキシャル層中のドーパント濃度がウェーハ外周部において上昇する現象を防止できるサセプターの構成を目的とし、裏面放出されるドーパント種のウェーハ表面への回り込みを防止できる気相成長装置用サセプターの提供を目的として、ウェーハポケット内においてウェーハ外周部側に裏面へ貫通する孔を設けることにより、サセプターの上面から下面への流れが形成され、これにともなって裏面放出されるドーパント種のウェーハ表面への回り込みが防止され、よって、エピタキシャル層外周部におけるドーパント濃度の上昇を抑制することができることを知見し（特許明細書【０００９】【００１０】）、ウェーハを載せるための凹部であるウェーハポケット内の最外周部に裏面に貫通するガス排出孔部を設け、本件発明１では前記ガス排出孔部として、楕円状や小径の貫通孔部を多数周配置したこと、本件発明２では前記ガス排出孔部が溝状で複数本を周配置したことを特徴とするものである。
　
（4-2）本件発明１について
　これに対して、甲第１号証には、気相成長装置に使用するサセプターにおいて、ウェーハを載せる載置面が平坦面からなり、載置面にウェーハをローディングする際のウェーハとの間のガスを抜くための貫通孔を複数設けたこと（上記摘記事項（１ａ））、及び貫通孔１２の配置は、ウェーハ面内の温度分布への影響を考えて、ザグリ部１１面内に一様に多数の孔を設けることが望ましいこと（上記摘記事項（１ｂ））は記載されている。
　しかし、当該貫通孔は、載置面にウェーハをローディングする際のウェーハとの間のガスを抜くため、ザグリ部面内に一様に設けるものであって、本件発明１で云う裏面放出されるドーパント種のウェーハ表面への回り込みを防止するために、ウェーハポケット内の最外周部に楕円状や小径の貫通孔部を多数周配置したこととは構成が異なる。
　甲第２号証には、シリコンウエハーの落下防止とサセプターとの密着性向上のため、シリコンウエハーをサセプター凹みにセットし、凹み上部に斜めに開けた孔１１よりＳｉＣコートされたグラファイト製治具１２を挿入してシリコンウエハーを固定すること（上記摘記事項（２ｂ））が、即ちサセプターの使用時には斜めに開けた孔にグラファイト製治具を挿入してシリコンウエハーを固定することは記載されている。また、甲第３号証には、エアピンセットにより半導体基板のロード、アンロードを行う気相成長装置において、半導体基板を載置するサセプタに、エアピンセットの先端部が係入し、半導体基板の裏面に吸着することを可能にする溝部が形成されていること（上記摘記事項（３ａ））は記載されている。
　しかし、いずれも本件発明１で云う裏面放出されるドーパント種のウェーハ表面への回り込みを防止するために、ウェーハポケット内の最外周部に楕円状や小径の貫通孔部を多数周配置したこととは構成が異なる。
　そして、本件発明１と甲第１〜３号証に記載された発明との上記した構成上の相違が、技術的に意味がないとすることもできないから、本件発明１は、甲第１〜３号証に記載された発明であるとすることはできない。
　
　更に、甲第１〜３号証には、本件発明１で云う裏面放出されるドーパント種のウェーハ表面への回り込みを防止するという技術課題の記載ないし示唆がない上、これら甲第１〜３号証の記載から本件発明１を当業者が容易に構成し得るものではない。
　そして、本件発明１は、上記した構成により明細書に記載されたウェーハを載置するためのウェーハポケット内の最外周部にサセプターの裏面に貫通する貫通孔部を配置し、成膜したエピタキシャル膜における膜外周部のドーパント濃度の上昇を抑制でき、特に、ウェーハのドーパント濃度より低濃度のエピタキシャル成長を行う場合に顕著にみられるウェーハ外周部においてエピタキシャル層中のドーパント濃度が上昇する現象を防止できるという甲第１〜３号証の記載からは予測することのできない顕著な効果を奏しているものである。
　したがって、本件発明１は、甲第１〜３号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
（4-3）本件発明２について
　本件発明２は、本件発明１とは「ガス排出孔部」が溝状で複数本を周配置した点で異なっている。
　しかし、甲第１〜３号証の記載は、上記（4-2）で示したとおりいずれも本件発明２の技術思想とは異なり、また課題を解決するためにウェーハポケット内の最外周部にガス排出孔部が溝状で複数本を周配置したこととは構成が異なる。また、甲第１〜３号証には本件発明２で云う技術課題の記載ないし示唆がない以上、これら甲第１〜３号証の記載から本件発明２を当業者が容易に構成し得るものではない。　
　そして、本件発明２は、上記したとおりの顕著な効果を奏しているものである。
　したがって、本件発明２は、甲第１〜３号証に記載された発明ではなく、又甲第１〜３号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
IV．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議の申立ての理由によっては、本件請求項１、２に係る発明の特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件請求項１、２に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１６年８月１７日（２００４．８．１７）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
気相成長装置用サセプター
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】気相成長装置に使用するサセプターにおいて、ウェーハを載せるための凹部であるウェーハポケット内の最外周部に裏面に貫通する
ガス排出
、
　前記ガス排出孔部として、楕円状や小径の貫通孔部を多数周配置し
　【請求項２】
気相成長装置に使用するサセプターにおいて、ウェーハを載せるための凹部であるウェーハポケット内の最外周部に裏面に貫通するガス排出孔部を設け、
　前記ガス排出
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の属する技術分野】この発明は、半導体ウェーハへエピタキシャル膜を成長させるための気相成長装置に使用するサセプターの改良に係り、ウェーハを載置するためのウェーハポケット内の最外周部にサセプターの裏面に貫通する貫通孔部を配置し、成膜したエピタキシャル膜における膜外周部のドーパント濃度の上昇を抑制した気相成長装置用サセプターに関する。
　【０００２】
　【従来の技術】半導体ウェーハへエピタキシャル膜を成長させる気相成長装置には、従来より円形平板上のサセプターを下側から加熱する縦型気相成長装置や、樽型のサセプターを側面のランプにより加熱するバレル型気相成長装置が多用され、さらに、すぐれた品質のエピタキシャル膜が得られる枚葉型気相成長装置がある。
　【０００３】例えば、枚葉型気相成長装置は、石英製の通路状のチャンバー内に、黒鉛の母材にＳｉＣをコートした円盤状のサセプター上に半導体ウェーハを載せて装填し、チャンバー外面に配置したヒーターにて半導体ウェーハを加熱してチャンバー内を通過する各種原料ガスと反応させ、半導体ウェーハへピタキシャル膜を成長させる。
　【０００４】図３に示すように、前記サセプター５は主に炭化珪素（ＳｉＣ）を被覆した高純度黒鉛材からなり、その表面に例えば、シリコンウェーハを収めるためにウェーハ８より一回り大きく、深さがｌｍｍ程度のウェーハポケット６と呼ばれるくぼみが形成されている。このウェーハポケット６内にウェーハ８を載せて所定温度にて原料ガス流中にサセプターを保持することによりウェーハ８表面へのシリコンエピタキシャル層９の成長を行わせる。
　【０００５】また、ウェーハポケット内表面は、いわゆるローレットというメッシュ状の浅い細溝が形成されてウェーハを多数の凸部と接触支持させる構成や、ウェーハの外周部のみで接触するようにテーパー面としたり、あるいは表面に被覆した炭化珪素の面粗度がウェーハ裏面よりもはるかに粗いことを利用するなど、ポケット内表面とウェーハの面接触をできるだけ減らすように種々工夫が施されてきた。
　【０００６】
　【発明が解決しようとする課題】原料ガスとしては、主に水素希釈したクロロシラン系ガスにジボラン（Ｐ型）やホスフィン（Ｎ型）のドーパント原料ガスが添加されて使用され、ウェーハ表面において、熱ＣＶＤ反応によるシリコンエピタキシーとともに副生成物としてＨＣｌが生成する。従って、ウェーハ表面においてはシリコンエピタキシーが進行するが、ウェーハ裏面においては主にガス拡散による回り込みにより、Ｓｉ−Ｈ−Ｃｌ系雰囲気が形成されミクロ的に析出／エッチング反応が発生する。
　【０００７】例えば、ドーパント濃度Ｐ＋＋型（比抵抗５ｍΩｃｍ）のウェーハに対し、Ｐ型（比抵抗１Ωｃｍ）膜のエピタキシャル成長を行うごとく、ウェーハのドーパント濃度より低濃度のエピタキシャル成長を行う場合、図４のグラフのｘ軸にウェーハ半径方向、ｙ軸にドーパント濃度を示すようにエピタキシャル層中のドーパント濃度がウェーハ外周部において上昇する現象が見られる。
　【０００８】かかる現象の原因は、図３に示すごとく、ウェーハ８裏面におけるＳｉ−Ｈ−Ｃｌ系雰囲気でウェーハ８中のドーパント種の放出が起こり、表面へのガス拡散１１により回り込み、局所的に気相中のドーパント濃度が上昇するものと思われる。この結果、エピタキシャル層のドーパント濃度がスペック外となる領域が発生し、デバイスの歩留まり低下を招いている。
　【０００９】この発明は、ウェーハのドーパント濃度より低濃度のエピタキシャル成長を行う場合に顕著である、エピタキシャル層中のドーパント濃度がウェーハ外周部において上昇する現象を防止できるサセプターの構成を目的とし、裏面放出されるドーパント種のウェーハ表面への回り込みを防止できる気相成長装置用サセプターの提供を目的としている。
　【００１０】
　【課題を解決するための手段】発明者は、気相成長装置用サセプターにおいて、裏面放出されるドーパント種のウェーハ表面への回り込みを妨げるようなガス流れを形成することにより前述の局所的濃度分布を低減することが可能であることに着目し、サセプターの構成について種々検討した結果、ウェーハポケット内においてウェーハ外周部側に裏面へ貫通する孔を設けることにより、サセプターの上面から下面への流れが形成され、これにともなって裏面放出されるドーパント種のウェーハ表面への回り込みが防止され、よって、エピタキシャル層外周部におけるドーパント濃度の上昇を抑制することができることを知見し、この発明を完成した。
　【００１１】すなわち、この発明は、気相成長装置に使用するサセプターにおいて、ウェーハを載せるための凹部であるウェーハポケット内の最外周部に裏面に貫通する
ガス排出
　
前記ガス排出孔部として、楕円状や小径の貫通孔部を多数周配置するか、前記ガス排出孔部が溝状で複数本を周配置することができる。
　【００１２】
　【発明の実施の形態】図１ａはこの発明によるサセプターを用いた気相成長装置を示す説明図であり、ｂはこの発明によるサセプターの縦断面を半径ｒ方向に示す説明図である。図１ａの気相成長装置は、石英製の通路状のチャンバー１内に、黒鉛の母材にＳｉＣをコートした円盤状のサセプター５上に半導体ウェーハ８を載せて装填し、チャンバー１外面に配置したヒーター（図示せず）にて半導体ウェーハ８を加熱してチャンバー１内を水平に通過する原料ガス１０と反応させ、半導体ウェーハ８表面にエピタキシャル膜９を成長させる。
　【００１３】この発明によるサセプター５は、半導体ウェーハ８を載せるためのウェーハポケット６内の最外周部に円弧溝状の貫通孔部
（ガス排出孔部）
　【００１４】図１ａにおいて、原料ガス１０はチャンバー１のガス導入口２からガス排出口３へと水平方向に導入移動させるが、主にウェーハ８表面側へ原料ガス１０が供給、加熱され、またエピタキシャル反応での副生成ガスの生成により、ガスの体積膨張が発生することが考えられる。ところで、サセプター５のウェーハポケット６内の最外周部に貫通孔部７を配置することにより、ウェーハ８表面からの局所的なガス流れが形成され、ウェーハ８裏面から放出されたボロン種がウェーハ８表面へまわり込むことなく排出される。
　【００１５】さらに、サセプター５に対し、原料ガス流れをウェーハ表面に対し吹き付ける向きにすることで、ウェーハ表面からウェーハ裏面への貫通孔を経由したガス流れが促進され、効果を増加させることが可能となる。また、チャンバー１のサセプター５裏面側にもガス排出口４を設けることでウェーハ８表面からウェーハ８裏面へ貫通孔部７を経由したガス流れ１２が促進され、効果を増大させることが可能である。
　【００１６】以上、枚葉式気相成長装置を例に説明したが、この発明において、対象とする気相成長装置は、縦型気相成長装置、バレル型気相成長装置など公知のいずれの形式の気相成長装置であっても、サセプターに収納したウェーハ表面に対して平行なガス流れが発生するように構成されており、この発明のサセプターの適用が可能であり、上述の作用効果を奏する。
　【００１７】この発明によるサセプターの貫通孔部は、上述の実施例に示すごとき円弧溝状の貫通孔部のほか、楕円状や小径の貫通孔部を多数周配置するなど、種々の構成が採用できる。また、サセプター中央部において支持する枚葉式の場合は、ウェーハポケットより外周部の重さに構造上耐えるだけの接続部を残してできるだけ多くの貫通孔部を設けるほうが、ウェーハ裏面から放出されたボロン種の導出効果が高い。同様に枚葉式以外の装置用のサセプターの場合も、ウェーハ重量を考慮した上で構造強度が維持できる接合部を残してできるだけ多くの貫通孔部を設けるとよい。さらに、貫通孔部のウェーハ径方向の幅（径）については、加熱などを考慮して最大、ウェーハ外周部までとすることが望ましい。
　【００１８】
　【実施例】図１に示すランプ加熱方式の横型枚葉式気相成長装置により、直径２００ｍｍ、比抵抗５ｍΩｃｍ、Ｐ＋＋型（１００）のシリコン半導体基板を用い、水素希釈ＳｉＨＣ１３をシリコンソースとして、反応温度１１５０℃で、厚さ約１０μｍのエピタキシャル膜を成長させた。このときサセプターに、この発明の貫通孔部を有するサセプターを用いた場合と、貫通孔部のない従来のサセプター（図３）を用いた従来例の場合を実施した。
　【００１９】この発明のサセプターは、図２ａ，ｂに示すごとく、いずれもウェーハポケット６内の最外周部に円弧溝状の貫通孔部７を周配置してあり、図２ａは周方向に７５ｍｍの接続部を残して４か所に貫通孔部７を設けてあり、図２ｂは周方向に５ｍｍの接続部を残して４か所に貫通孔部７を設けてあり、全周長さに対する貫通孔部長さはそれぞれ、約５０％、９０％であった。
　【００２０】成膜したエピタキシャル膜における膜外周部のドーパント濃度の上昇率は、表１並びに図４に示すごとく、図３の従来例の場合に比較して、この発明の場合、図２ａ、図２ｂと全周長さに対する貫通孔部長さが長いほどドーパント濃度の上昇が少ないことが分かる。
　【００２１】
　【表１】
　【００２２】
　【発明の効果】この発明は、ウェーハを載置するためのウェーハポケット内の最外周部にサセプターの裏面に貫通する貫通孔部を配置し、成膜したエピタキシャル膜における膜外周部のドーパント濃度の上昇を抑制でき、特に、ウェーハのドーパント濃度より低濃度のエピタキシャル成長を行う場合に顕著にみられるウェーハ外周部においてエピタキシャル層中のドーパント濃度が上昇する現象を防止できる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】ａはこの発明によるサセプターを用いた気相成長装置を示す説明図であり、ｂはこの発明によるサセプターの縦断面を半径ｒ方向に示す説明図である。
　【図２】ａ，ｂはこの発明によるサセプターの半分を示す上面説明図である。
　【図３】従来のサセプターの縦断面を半径ｒ方向に示す説明図である。
　【図４】ｘ軸にウェーハ半径方向、ｙ軸にドーパント濃度を示すグラフである。
　【符号の説明】
　１　チャンバー
　２　ガス導入口
　３，４　ガス排出口
　５　サセプター
　６　ウェーハポケット
　７　貫通孔部
　８　ウェーハ
　９　エピタキシャル層
　１０　原料ガス
　１１　ガス拡散
　１２　ガス流れ
　【表１】