【事件の表示】
　特許第３１９２２４９号「ガス及び湿気バリアー膜及びその製造方法」の請求項１ないし５に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３１９２２４９号の請求項１ないし２に係る特許を維持する。
【理　由】
I．手続の経緯
　本件特許第３１９２２４９号の請求項１〜５に係る発明についての出願は、平成４年１０月２７日に特許出願され、平成１３年５月２５日にその発明について特許の設定登録がなされ、その後、特許異議の申立がなされ、取消の理由が通知され、その指定期間内である平成１４年８月２７日付けで訂正請求（その後取り下げ）がなされ、再度取消の理由が通知され、その指定期間内である平成１５年９月１２日付けで訂正請求（方式不備により手続補正書を平成１５年１１月１９日に提出）がなされたものである。
II．訂正請求について
　１．訂正の内容
　訂正事項ａ
　特許請求の範囲の請求項１〜５を、次のとおり訂正する。
「【請求項１】高分子フィルムの片面又は両面に厚み２００〜６００ÅのＳｉＯｘ（ただし、１．３≦ｘ≦１．８）層が、水平磁束密度５００〜１０００ガウスのカソードを使用し、５ｍＴｏｒｒ以下のアルゴンガス圧下、ターゲット単位面積当たり１．６５〜５．０Ｗ／ｃｍ２の電力を投入した高周波マグネトロンスパッタ法により形成されてなり、酸素透過率が１．０ｃｍ３／ｍ２／ｄａｙ以下及び蒸気透過率が０．２ｇ／ｍ２／ｄａｙ以下であり、かつ、５５０ｎｍの光線透過率が８０％以上である、フィルム液晶又はエレクトロルミネッセンス素子用基板用のガス及び湿気バリアー膜。
【請求項２】高分子フィルム上の片面又は両面に、水平磁束密度５００〜１０００ガウスのカソードを使用し、５ｍＴｏｒｒ以下のアルゴンガス圧下、ターゲット単位面積当たり１．６５〜５．０Ｗ／ｃｍ２の電力を投入した高周波マグネトロンスパッタ法により、厚み２００〜６００ÅのＳｉＯｘ（ただし、１．３≦ｘ≦１．８）層を形成させることを特徴とする、請求項１記載のガス及び湿気バリアー膜を製造する方法。」
　訂正事項ｂ
　明細書の段落【０００１】の記載である「本発明のバリアー膜は、食品包装・・・利用される。」を
「本発明のバリアー膜は、フィルム液晶又はエレクトロルミネッセンス素子用基板に利用される。」と訂正する。
　訂正事項ｃ
　明細書の段落【０００４】の記載である「酸素透過率が２ｃｍ３／ｍ２／ｄａｙ以下及び／又は水蒸気透過率が１ｇ／ｍ２／ｄａｙ以下であるガス及び湿気バリアー膜を提供するものである。」を「酸素透過率が１．０ｃｍ３／ｍ２／ｄａｙ以下及び水蒸気透過率が０．２ｇ／ｍ２／ｄａｙ以下であり、かつ、５５０ｎｍの光線透過率が８０％以上であるガス及び湿気バリアー膜を提供するものである。」と訂正する。
　訂正事項ｄ
　明細書の段落【０００５】の記載である「本発明は、高分子フィルムの片面又は両面にＳｉＯｘ（ただし、１．０≦ｘ≦１．８）層が形成されてなり、酸素透過率が２ｃｍ３／ｍ２／ｄａｙ以下及び／又は水蒸気透過率が１ｇ／ｍ２／ｄａｙ以下であるガス及び湿気バリアー膜、及びその製造方法を内容とする。」を「本発明は、高分子フィルムの片面又は両面に厚み２００〜６００ÅのＳｉＯｘ（ただし、１．３≦ｘ≦１．８）層が、水平磁束密度５００〜１０００ガウスのカソードを使用し、５ｍＴｏｒｒ以下のアルゴンガス圧下、ターゲット単位面積当たり１．６５〜５．０Ｗ／ｃｍ２の電力を投入した高周波マグネトロンスパッタ法により形成されてなり、酸素透過率が１．０ｃｍ３／ｍ２／ｄａｙ以下及び水蒸気透過率が０．２ｇ／ｍ２／ｄａｙ以下であり、かつ、５５０ｎｍの光線透過率が８０％以上である、フィルム液晶又はエレクトロルミネッセンス素子用基板用のガス及び湿気バリアー膜、及びその製造方法を内容とする。」と訂正する。
　訂正事項ｅ
　明細書の段落【０００６】の記載である「希士類磁石を使用して少なくとも４００ガウス、好ましくは５００〜１０００ガウスに高めることにより」を「希士類磁石を使用して５００〜１０００ガウスに高めることにより」と訂正する。
　訂正事項ｆ
　明細書の段落【０００７】の記載である「ＳｉＯｘのｘの値としては１〜１．８の範囲である。」を「ＳｉＯｘのｘの値としては１．３〜１．８の範囲である。」と訂正し、「ＳｉＯｘの層の厚みは２００Å〜３０００Åの範囲が好ましい。２００Å未満ではバリアー性が不十分となり３０００Åを越えるとクラックが発生し易くなる。」を「ＳｉＯｘの層の厚みは２００Å〜６００Åの範囲である。２００Å未満ではバリアー性が不十分となり６００Åを越えるとクラックが発生し易くなる。」と訂正する。
　訂正事項ｇ
　明細書の段落【０００９】の記載である「５ｍＴｏｒｒ以下が好ましく、３ｍＴｏｒｒ以下が更に好ましい。」を「５ｍＴｏｒｒ以下であり、３ｍＴｏｒｒ以下が好ましい。」と訂正し、「０．１〜５．０Ｗ／ｃｍ２の範囲で可能である。」を「０．６５〜５．０Ｗ／ｃｍ２の範囲である。」と訂正する。
　訂正事項ｈ
　明細書の段落【００２０】の表４の記載である「投入パワー　℃」を「投入パワー　Ｗ」と訂正する。
　訂正事項ｉ
　明細書の段落【００２６】の表７の記載である「膜厚み」を「膜厚み　Å」と訂正する。
　訂正事項ｊ
　明細書の段落【００１３】の記載である「実施例２，３」を「実施例２，比較例１」と訂正し、段落【００１４】の表１の記載である「実施例３」を「比較例１」と訂正し、段落【００１５】の記載である「実施例４」を「比較例２」と訂正し、段落【００１６】の表２の記載である「実施例４」を「比較例２」と訂正し、段落【００１７】の記載である「実施例５，６」を「実施例３，４」と訂正し、段落【００１８】の表の記載である「実施例５，実施例６」を「実施例３，実施例４」と訂正し、段落【００１９】の記載である「実施例７，８，９，１０，１１」を「比較例３、比較例４、比較例５、実施例５、実施例６」と訂正し、段落【００２０】の表の記載である「実施例７、実施例８、実施例９、実施例１０、実施例１１」を「比較例３、比較例４、比較例５、実施例５、実施例６」と訂正し、段落【００２１】の記載である「比較例１、実施例１２」を「比較例６、実施例７」と訂正し、段落【００２２】の表の記載である「比較例１、実施例１２」を「比較例６、実施例７」と訂正し、段落【００２３】の記載である「実施例１３、１４、１５、比較例２」を「比較例７、実施例８、９、比較例８」と訂正し、段落【００２４】の表の記載である「実施例１３、実施例１４、実施例１５、比較例２」を「比較例７、実施例８、実施例９、比較例８」と訂正し、段落【００２５】の記載である「実施例１６、１７、１８、１９」を「実施例１０、１１、比較例９、１０」と訂正し、段落【００２６】の表の記載である「実施例１６、実施例１７、実施例１８、実施例１９」を「実施例１０、実施例１１、比較例９、比較例１０」と訂正する。
２．訂正の可否
　訂正事項ａは、明細書段落【０００７】の記載、段落【００２６】の記載によるものであり、特許請求の範囲の減縮を目的とした訂正に該当する。
　また、訂正事項ｂ〜ｇ、ｊは、特許請求の範囲の記載を訂正することにより生じた、発明の詳細な説明中の記載との整合を図るためのものであり、明りょうでない記載の釈明を目的とする訂正に該当する。
　訂正事項ｈは、誤記の訂正に該当するものであり、訂正事項ｉは、明りょうでない記載の釈明に該当するものといえる。
　そして、いずれの訂正事項も、明細書に記載した事項の範囲内の訂正であり、新規事項の追加に該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張し、または変更するものではない。
３．むすび
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法等の一部を改正する法律（平成六年法律第百十六号）附則第六条第一項の規定によりなお従前の例によるとされる、特許法第１２０条の４第３項において準用する改正前の同法第１２６条第１項ただし書き、第２項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
III．本件発明
　訂正後の請求項１〜２に係る発明は、訂正明細書の請求項１〜２に記載された、次のとおりのものである。
「【請求項１】高分子フィルムの片面又は両面に厚み２００〜６００ÅのＳｉＯｘ（ただし、１．３≦ｘ≦１．８）層が、水平磁束密度５００〜１０００ガウスのカソードを使用し、５ｍＴｏｒｒ以下のアルゴンガス圧下、ターゲット単位面積当たり１．６５〜５．０Ｗ／ｃｍ２の電力を投入した高周波マグネトロンスパッタ法により形成されてなり、酸素透過率が１．０ｃｍ３／ｍ２／ｄａｙ以下及び蒸気透過率が０．２ｇ／ｍ２／ｄａｙ以下であり、かつ、５５０ｎｍの光線透過率が８０％以上である、フィルム液晶又はエレクトロルミネッセンス素子用基板用のガス及び湿気バリアー膜。
【請求項２】高分子フィルム上の片面又は両面に、水平磁束密度５００〜１０００ガウスのカソードを使用し、５ｍＴｏｒｒ以下のアルゴンガス圧下、ターゲット単位面積当たり１．６５〜５．０Ｗ／ｃｍ２の電力を投入した高周波マグネトロンスパッタ法により、厚み２００〜６００ÅのＳｉＯｘ（ただし、１．３≦ｘ≦１．８）層を形成させることを特徴とする、請求項１記載のガス及び湿気バリアー膜を製造する方法。」
IV．特許異議申立について
１．特許異議申立の概要
　特許異議申立人　尾池工業株式会社は、甲第１号証（月刊コンバーテック　第２０巻第６号（１９９２年６月１５日発行）７６頁〜８２頁：刊行物１）、甲第２号証（ＰＰＳレポート　第１巻第３９号（１９９１年４月２５日）第２頁〜７頁：刊行物２）、甲第３号証（月刊コンバーテック　第２０巻第８号（１９９２年８月１５日発行）２頁〜８頁：刊行物３）、甲第４号証（The Second LEYBOLD Symposium on Vacuum Web Coating for Packing Materials　（１９９２，Ｍａｙ，１２−１４）：刊行物４）を提出して、訂正前の請求項１〜３に係る発明は、前記甲第１号証、甲第２号証又は甲第３号証に記載された発明であるから、訂正前の請求項１〜３に係る発明の特許は、特許法第２９条第１項の規定に違反してされたものであり、また、訂正前の請求項３に係る発明は、甲第１〜２号証に記された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることが出来たものであるから、訂正前の請求項３に係る発明の特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであるから、取り消されるべき旨主張し、
　特許異議申立人　東洋紡績株式会社は、甲第１号証（特開平１−２０２４３５号公報：刊行物５）、甲第２号証（特開平３−２７８９４６号公報：刊行物６）、甲第３号証（特開平４−９９２６３号公報：刊行物７）を提出して、訂正前の請求項１〜３に係る発明は、前記甲第１号証、甲第２号証又は甲第３号証に記載された発明であるから、訂正前の請求項１〜３に係る発明の特許は、特許法第２９条第１項の規定に違反してされたものであるから、取り消されるべき旨主張し、
　特許異議申立人　株式会社　コーエンは、甲第１号証（特許第２９２５２２６号公報：刊行物８）、甲第２号証（Society of vacuum coaters, 33rd Annual technical conference proceedings (1990)p.184-193：刊行物９）、甲第３号証（特公平６−３３４５４号公報：刊行物１０）、甲第４号証（J. Apple. Phys.,p.3356-p.3364, 71(7), 1 April (1992)：刊行物１１）、甲第５号証（金原「薄膜の基本技術」第２版、第７６頁〜７９頁、１９９２年３月２５日、（財）東京大学出版会発行：刊行物１２）を提出して、訂正前の請求項１〜５に係る発明は、甲第１〜５号証に記された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることが出来たものであるから、訂正前の請求項１〜５に係る発明の特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであるから、取り消されるべき旨主張し、
　特許異議申立人　石原庸男は、甲第１号証（特開平４−１６５０６４号公報：刊行物１３）、甲第２号証（特開平４−８９２３６号公報：刊行物１４）、甲第３号証（特開平３−２３９５３７号公報：刊行物１５）、甲第４号証（特開平３−２０３６３４号公報：刊行物１６）を提出して、訂正前の請求項１〜３に係る発明は、前記甲第１〜３号証に記載された発明であるから、訂正前の請求項１〜３に係る発明の特許は、特許法第２９条第１項の規定に違反してされたものであり、また、訂正前の請求項４〜５に係る発明は、甲第１〜４号証に記された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることが出来たものであるから、訂正前の請求項４〜５に係る発明の特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであるから、取り消されるべき旨主張し、
　特許異議申立人　村戸良至は、甲第１号証（特開平２−１３０１３９号公報：刊行物１７）、甲第２号証（特開平３−１００１６４号公報：刊行物１８）、甲第３号証（特開昭６１−１９３１２７号公報：刊行物１９）、甲第４号証（特開平２−２３２３５８号公報：刊行物２０）を提出して、訂正前の請求項１〜３に係る発明は、前記甲第１〜２号証に記載された発明であるから、訂正前の請求項１〜３に係る発明の特許は、特許法第２９条第１項の規定に違反してされたものであり、また、訂正前の請求項１〜５に係る発明は、甲第１〜４号証に記された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることが出来たものであるから、訂正前の請求項１〜５に係る発明の特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであるから、取り消されるべき旨主張し、
　特許異議申立人　三菱化学株式会社は、甲第１号証（コンバーテック１９９０年６月号、３０〜３６頁：刊行物２１）、甲第２号証（特開平２−３４３２８号公報：刊行物２２）、甲第３号証（特公昭５３−１２９５３号公報：刊行物２３）、甲第４号証（金原「スパタリング現象」第１６１頁〜１６２頁、１９８５年３月５日、（財）東京大学出版会発行：刊行物２４）を提出して、訂正前の請求項１〜３に係る発明は、前記甲第１〜３号証に記載された発明であるから、訂正前の請求項１〜３に係る発明の特許は、特許法第２９条第１項の規定に違反してされたものであり、また、訂正前の請求項１〜５に係る発明は、甲第１〜４号証に記された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることが出来たものであるから、訂正前の請求項１〜５に係る発明の特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであるから、取り消されるべき旨主張している。
２．特許異議申立についての判断
　訂正後の請求項１〜２に係る発明が、各刊行物に記載された発明であるか否か、又、各刊行物に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたか否かについて検討する。
（１）各刊行物に記載の事項
　刊行物１（特許異議申立人　尾池工業株式会社の提出した甲第１号証）には、「食品包装とガスバリヤー性（３）」と題し、以下の事項が記載されている。
「後者には、厚さ、５〜３００μのフレキシブルフィルムの少なくとも片面に、一般式ＳｉｘＯｙ（ｘ＝１，２　ｙ＝１，２，３）の組成の珪素化合物を厚さ１００〜３００Åの透明薄膜層として設けた、高度の耐通気性と耐防湿性を有する透明フレキシブルフィルムの開示がある。」（７６頁左欄下から１０〜４行）
「ＳｉＯｘ蒸着ＰＥＴフイルムは黒色のＳｉＯをＥＢ等で加熱昇華させ、酸素雰囲気下で、冷却ドラム上でＰＥＴフイルム上に蒸着させることによって製造する。
　ＳｉＯｘのＸと酸素透過度との関係は図１４に示すとおり、Ｘの値が増加すると色は薄くなるが、バリヤー性がおちる。そのため、工業的には通常、Ｘの値は１．５〜１．８の間にある。」（７６頁右欄１１行〜７７頁左欄２行）
「日本真空技術（・・・）は、蒸発源に、ＥＢではなく、特殊な抵抗加熱蒸発源を使用することで、ＥＢ加熱では問題となる発熱量の不安定などが無いシステムを開発した。・・・１ｃｃ／ｍ２／ｄａｙ・ａｔｍ以下の酸素バリヤーを得るには１０００〜１５００Åの膜厚が必要になるとしている。」（７７頁中央欄９行〜右欄９行）
　また、表９には、Ｔｏｙｏ　ＧＴについて　ＳｉＯ１．５を片面に蒸着した場合の酸素透過率が０．１ｃｃ／１００ｓｑ．ｉｎ．２４ｈｒ（１．５５ｃｃ／ｍ２・２４ｈｒ）、Ｔｏｐｐａｎ　ＧＬについて　ＳｉＯ１．５を片面に蒸着した場合の酸素透過率が０．０１ｃｃ／１００ｓｑ．ｉｎ．２４ｈｒ（０．１５５ｃｃ／ｍ２・２４ｈｒ）、 Ｔｏｙｏ　ＧＴについてＳｉＯ１．５を両面に蒸着した場合の水蒸気透過率が０．０１ｇ／１００ｓｑ．ｉｎ．２４ｈ（０．１５５ｇ／ｍ２・２４ｈｒ）、ＴｒａｎＳｐａｃｋについてＳｉＯ１．８を片面に蒸着した場合の酸素透過率が０．０５ｇ／１００ｓｑ．ｉｎ．２４ｈ（０．７５５ｇ／ｍ２・２４ｈｒ）であることが記載（７７頁）されている。
　刊行物２（特許異議申立人　尾池工業株式会社の提出した甲第２号証）には、「海外パッケージング事情」と題し、以下の事項が記載されている。
「シリカ蒸着ＰＥＴフイルムの開発状況　食品工業においては、ハイバリア性フイルムを要求している。酸素透過度０．１ｃｃ／２４ｈｒｓ以下、水蒸気透過度０．１ｇ／２４ｈｒｓ以下、リサイクリング可能であり、」（２頁左欄１〜４行）
「ＳｉＯｘ蒸着ＰＥＴパッケージはハイバリア性であり、リサイクリング可能であり、」（２頁左欄２３〜２４行）
「ＥＢ（エレクトロンビーム）によるシリカ蒸着ＰＥＴフィルム
ＳｉＯｘなどの金属酸化物をＰＥＴフィルムに蒸着すると、透明なバリア性フィルムができることは１９６４年から知られていた。・・・ＥＢをＳｉＯの表面に均一にスキャン（走査）させると、ＳｉＯ蒸気が均一に発生し、コンピュータコントロールとあいまって、ＳｉＯｘが均一に蒸着したＰＥＴフィルムを製造することができる。」（２頁右欄）
「しかしＳｉＯの場合には、ＳｉＯは固体のままＥＢにより加熱されて、真空中に蒸気が発生する、いわゆる昇華によりＳｉＯが蒸気となり酸素雰囲気中でドラム上の冷却されたＰＥＴフィルムにＳｉＯｘ（ｘ＝１．５〜１．８）の形で蒸着する。・・・ＳｉＯは黒色、ＳｉＯ２は無色であり、ＳｉＯ１．５は黄褐色、ＳｉＯ１．８は黄色である。ガスバリア性はＳｉＯ１．５がＳｉＯ１．８よりもはるかに優れている。」（３頁左欄１４〜２５行）
「高濃度酸素雰囲気下においてＰＥＴフィルムにＳｉＯ２として蒸着した場合も、ＳｉＯ２をスパッタリング法によってＰＥＴフィルム上に蒸着した場合も同じである。（ただしスパッタリングの方法によっては、ＰＥＴ上のＳｉＯ２がより緻密な構造をとり、酸素透過度が低下する）。」（４頁左欄下から１６〜１１行）
「Ａｉｒｃｏ社は、ＳｉＯ２プラズマ蒸着法を更に発展させ、・・・（ＰＥＣＶＤ）プロセスを開発した。このプロセスによりＳｉＯ２を蒸着したハイバリア性無色透明ＰＥＴフィルムを、ＱＬＦ（・・・）と言う。・・・ＱＬＦ法によるＰＥＴフィルム上に蒸着されるＳｉＯｘの値は１．７以上であり、一般のＥＢ法による蒸着のｘが１．７以下とは異なる。
　ＱＬＦフィルムは無色透明であり、蒸着厚みは６００Å以下である。」（５頁右欄２６行〜６頁５行）
　また、７頁の表３．には、ＱＬＦ両面ＳｉＯ２について、酸素透過度０．０８，水蒸気透過度０．０８、着色　無色透明との結果が記載されている。
　刊行物３（特許異議申立人　尾池工業株式会社の提出した甲第３号証）には、「透明蒸着ハイバリアーケイ素酸化物蒸着フイルム「ＭＯＳ」」と題し、以下の事項が記載されている。
「２．ＳｉＯｘの蒸着技術
　シリコンモノオキサイド（ＳｉＯｘ）の蒸着は、元来が光学用途分野での反射防止膜として開発され、その歴史は長い。
　しかしながら、包装材料分野で使用するとなると、ベース（基板）がプラスチックフイルムであり、かつ、連続蒸着という従来の蒸着技術にプラスアルファーの製造技術を加味する必要がある。
現在実際に蒸着されている方法としては、
〈１〉（注：原文はまるに数字であるが文書作成上〈〉に変える、以下同じ）抵抗加熱による蒸着
〈２〉高周波誘導加熱による蒸着
〈３〉ＥＢ加熱による蒸着
〈４〉ＣＶＤによる蒸着
等が知られている。〈４〉のＣＶＤ法は蒸着ではないが薄膜形成技術の一種で、」（２頁中央欄９〜２５行）
「酸素及び水蒸気のバリアー性はＳｉＯｘ蒸着膜厚約５００Åまでは膜厚増加と共に向上し、その挙動はアルミ蒸着の場合と類似している。蒸着膜圧は５００Å以上では、ほとんどバリアー性の向上は認められない。
　波長５００ｎｍにおける光線透過率は、ＳｉＯｘ５００Å程度の蒸着膜厚の時、約１０％低下し、微黄褐色を帯びて見えるが、包装材料として、内容物を透視するのに支障はない。なお、光学特性は、蒸着によって形成されるケイ素酸化物の酸化度、すなわち、ＳｉＯｘのｘの値によっても影響されるものであり、上記のように蒸着膜厚によって一義的に決まるものではない。」（３頁左欄２〜１７行）
　また、表２には、ＭＯＳ−ＴＲについて、平行光線透過率が８２，酸素透過率が１．７、透湿度が１．８であることが記載されている。
　刊行物４（特許異議申立人　尾池工業株式会社の提出した甲第４号証）には、１．にバリア膜について記載され、２．２にその蒸着技術として、ＰＣＶＤ、金属の反応蒸着、熱加熱による金属酸化物の蒸着またはＥＢによる蒸着が記載され、２．５に抵抗または誘導加熱によるＳｉＯの蒸着についてＳｉＯｘのｘが１．５＜ｘ＜１．８であること、好ましいバリア特性を有することが記載されている。
　刊行物５（特許異議申立人　東洋紡績株式会社の提出した甲第１号証）には、以下の記載がされている。
「プラスチック基材と、該プラスチック基材の片面に設けられた、ケイ素原子と酸素原子の比が１：０．３〜１．８であるケイ素酸化物の透明薄膜層とからなるバリヤー性を有する透明な電子レンジ用包装材料。」（補正された特許請求の範囲１）
「本発明はバリヤー性を有する透明な電子レンジ用包装材料に関する。」（「産業上の利用分野」）
「透明薄膜層の厚さは４００〜３０００Åの範囲が好ましい。・・・かかるケイ素酸化物の透明薄膜層の形成には真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法などの物理蒸着（ＰＶＤ）法あるいは化学蒸着（ＣＶＤ）法などが適宜用いられる。」（２頁右下欄２〜１０行）
「本発明の電子レンジ包装材料は、透明であると共に高度なバリヤー性を有する。すなわち、酸素透過率が２．０ｃｃ／ｍ２・２４ｈｒｓ以下でかつ水分透過率が３．０ｇ／ ｍ２・２４ｈｒｓ以下である。したがって、本発明の包装材料で包装した食品は長期保存できる。」（３頁左上欄１５〜１８行）
　刊行物６（特許異議申立人　東洋紡績株式会社の提出した甲第２号証）には、以下の記載がされている。
「耐熱性のプラスチック基材の少なくとも片面に耐熱温度が１３０℃以上のアンカーコート層を設け、該アンカーコート層上に金属酸化物蒸着膜を設けてなる透視性を有する高ガスバリヤー性レトルト食品用包装材料。」（特許請求の範囲１）
「組成式ＳｉＯｘで表わされるケイ素酸化物蒸着膜としては、ｘの値が０．３〜１．８、なかんずく０．７〜１．８のものが好ましい。・・・蒸着膜の厚さは４×ｌ０２〜３×１０３Åの範囲が好ましい。・・・蒸着膜の形成には真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法などの物理蒸着（ＰＶＤ）法あるいは化学蒸着（ＣＶＤ）法などが適宜採用される。」（３頁左上欄１８行〜右上欄１３行）
「本発明のレトルト食品用包装材料は透視性を有すると共に高度なガスバリヤー性を有する。すなわち、酸素透過度が２．０ｃｃ／ｍ２・２４ｈｒｓ以下でかつ水蒸気透過度が３．０ｇ／ ｍ２・２４ｈｒｓ以下であり、しかも高温加熱処理によっても前記高ガスバリヤー性、および層間剥離強度がほとんど低下しないという特徴がある。」（３頁左下欄１６行〜右下欄２行）
　刊行物７（特許異議申立人　東洋紡績株式会社の提出した甲第３号証）には、以下の記載がされている。
「合成樹脂系フイルム（Ａ）の少なくとも片面に酸化珪素系（ＳｉＯｘ、ｘ＝１．０〜２．０）薄膜層（Ｂ）・・・を設けることを特徴とする積層フイルム。」（特許請求の範囲１）
「その形成には高周波加熱真空蒸着や電子ビーム加熱蒸着などが使われる。
　珪素酸化物蒸着膜の厚さとしては特に制限はないが、その製品の用途と所望される性能などによって適宜選択決定されるが、ガスバリヤー性と耐屈曲性などを考慮して通常は１００〜３０００Å程度の範囲から、好ましくは２００〜１０００Å程度の範囲から選ばれる。」（３頁右上欄３〜１０行）
　そして表１には、実施例２において、可視平行光線透過率（波長５５０ｎｍ）７６，酸素ガス透過率（２５℃，ＤＲＹ）０．３、透湿度（４０℃、９０％ＲＨ）０．３の各値が記載されている。
　刊行物８（特許異議申立人　株式会社　コーエンの提出した甲第１号証）（刊行物６は、刊行物８の公開公報である。）については、刊行物６に記載された内容とほぼ同じことが記載されている。
　刊行物９（特許異議申立人　株式会社　コーエンの提出した甲第２号証）に記載された事項は、「透明ガスバリアの技術」に関するものであり（第１８４頁左欄第２段落第２〜４行）、プラスチック上に蒸着、スパッタリング、及び、プラズマ改善化学蒸着それぞれの方法によりＳｉＯｘ皮膜を形成した実験結果が報告されている（第１８４頁左欄第３段落第１５〜１９行）。
　また、「Ｂ．スパッタリング」として、二酸化シリコンのスパッタリングは、陰極鉱物のＲＦ励起を組み込んだ複合システムが必要なので問題がある。この問題は、新しく導入された・・・マグネトロン源を用いることにより克服された。Ｃ−ＭＡＧ回転マグネトロン陰極に取り付けられたプラズマスプレイシリコーンターゲットを、エアルコ　ＩＬＳ−１６００　負荷固定拡散ポンプスパッタリングシステム内で直流電位によりスパッタリングした（図１）。プラスチック基材はガラス製サンプル保持器に載せ、サンプルをローラー式コンベアでシステム内外に移送した。これらの堆積の運転条件を表３に示す、と記載されている（第１８４頁右欄第２段落第１〜１８５頁左欄９行）。
　また、表４には、プラズマ改善化学蒸着により、厚さ６５０ÅのＳｉＯｘ膜（ｘ＝１．８）を片面被覆した時に酸素透過率が０．０２ｃｃ／１００ｉｎ２／ｄａｙ（０．３１ｃｃ／ｍ２／ｄａｙ）であり、厚さ５１０ÅのＳｉＯｘ膜（ｘ＝１．８）を片面被覆した時に酸素透過率が０．０４ｃｃ／１００ｉｎ２／ｄａｙ（０．６２ｃｃ／ｍ２／ｄａｙ）であったことが記載されている。また、表８には、プラズマ改善化学蒸着によりＳｉＯｘ膜を片面被覆した時に酸素透過率が０．０６ｃｃ／１００ｉｎ２／ｄａｙ未満（０．９３ｃｃ／ｍ２／ｄａｙ未満）であり、ＳｉＯｘ膜を両面被覆した時に酸素透過率が０．００５ｃｃ／１００ｉｎ２／ｄａｙ（０．０７８ｃｃ／ｍ２／ｄａｙ）であったことが記載されている。
　また、表９には、プラズマ改善化学蒸着によりＳｉＯｘ膜を片面被覆した時に水蒸気透過率が０．０５ｇ／１００ｉｎ２／ｄａｙ（０．７８ｇ／ｍ２／ｄａｙ）であったことが記載されている。
　刊行物１０（特許異議申立人　株式会社　コーエンの提出した甲第３号証）には、マグネトロンを用いて特に磁性材料を高速且つ均一にコーティングするためのスパッタリング装置に関することが記載されている。
　刊行物１１（特許異議申立人　株式会社　コーエンの提出した甲第４号証）には、ＩＴＯ膜のスパッタリングに関するものであり、カソード表面の磁場強度を１４０ガウスから４８０ガウスに増加させることにより、スパッタ電圧を５４０Ｖから３３０Ｖに下げ、それに伴い室温抵抗を減少させることが記載されている。
　刊行物１２（特許異議申立人　株式会社　コーエンの提出した甲第５号証）には、以下の事項が記載されている。
「スパタリング法で、化合物ターゲットを用いて薄膜化合物を作ると、できた薄膜の成分がターゲットの化合物の成分からずれることが多い。たとえば、ＳｉＯ２のような酸化物のターゲットをＲＦスパタリング法でスパタリングを起こさせると、できた薄膜の成分　は一般にＳｉＯ２−ｘ（ｘ＞０）で表されるような酸素の足りない状態になる。・・・そこで酸化物のスパタリングでは、放電ガスのＡｒの中にＯ２を適当に混合してＯ２を補い、ターゲットの成分と同じ組成の薄膜を作るようにするのが普通である。」（７６頁下から８行〜７７頁１行）
「装置自体は、特殊なものではなく、直流、高周波、マグネトロン、イオンビームなど各種の方法に適用できる。」（７７頁１５〜１６行）
　刊行物１３（特許異議申立人　石原庸男の提出した甲第１号証）には、以下の記載がされている。
「（１）金属ケイ素を原料として、カーボンルツボを用いた反応性蒸着法により、プラスチックフィルムから成る基体の少なくとも一方の面にＳｉＯｘ（ｘ＝１．０〜２．０）で表される酸化ケイ素膜を設けることを特徴とする透明ガスバリアフィルムの製造方法。
（２）酸素を含む混合ガスを真空系内に導入しながら反応性蒸着を行うことを特徴とする特許請求の範囲第（１）項記載の透明ガスバリアフィルムの製造方法。」（特許請求の範囲１，２）
「本発明のプラスチックフイルムの光線透過率は、包装内容物の視認性と美観のため重要であり、白色光線での全光線透過率が少なくとも４０％以上・・・最も好ましくは８０％以上であることが望ましい。」（２頁左下欄１３〜１７行）
「得られたＳｉＯｘ膜のｘは光線透過率や酸素透過率・水蒸気透過率等のガスバリア性に大きく影響し、ｘ＝１．０未満では光線透過率が低く、ｘ＝２．０を超えるとガスバリア性がまったく得られない。好ましくはｘ＝１．５〜２．０・・・ｘ＝１．７〜１．９の範囲である。・・・ケイ素酸化物層の膜厚としては、ガスバリア性および可とう性などの点で、２００〜３０００Åの範囲が好ましい。・・・最も好ましくは７００〜１３００Åであることが望ましい。」（３頁右上欄６〜左下欄４行）
　そして、実施例１として、膜厚１０００Å、光線透過率８８％、水蒸気透過率０．９（ｇ／ｍ２ｄａｙ）、酸素透過率０．９（ｃｃ・ｍ２ｄａｙ）の各値が示されている。
　刊行物１４（特許異議申立人　石原庸男の提出した甲第２号証）には、以下の記載がされている。
「１　プラスチック基材上に、蒸着工程の２回以上のくり返しにより、ケイ素酸化物の蒸着膜が２層以上積層された積層蒸着膜層が設けられてなることを特徴とする高バリヤー性を有する包装材料。」（特許請求の範囲１）
「ケイ素酸化物の蒸着工程をくり返すことでえられた積層蒸着膜層のトータルの厚さは、２００ｎｍ以下、とくにカールが過多となるのを防ぐ目的から１５０ｎｍ以下が好ましい。一方トータルの厚さが４０ｎｍ未満では充分なバリヤー性能がえられない。
　前記積層蒸着膜層におけるケイ素酸化物の組成は、ケイ素原子と酸素原子の比の平均値が１：１〜１．８、なかんずく、１：１．３〜１．７であるのが好ましい。」（２頁右下欄１１〜２０行）
「本発明の包装用材料は高度なバリヤー性を有する。すなわち、酸素透過率１．５ｍｌ／ｍ２・２４ｈｒｓ・ａｔｍ以下でかつ水分透過率が２ｇ／ｍ２・２４ｈｒｓである。」（３頁右下欄１〜５行）
　刊行物１５（特許異議申立人　石原庸男の提出した甲第３号証）には、以下の記載がされている。
「（１）透明なフィルム基材上に、珪素酸化物からなる透明な第一層と、シランカップリング剤からなる透明な第二層とが設けられていることを特徴とする透明耐透湿性フィルム。」（特許請求の範囲１）
「この発明は、食品や薬品などの包装材料、ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子の保護材料などに用いられる透明耐透湿性フィルムに関する。」（産業上の利用分野）
「このフイルム基材上に第一層として設けられる透明な珪素酸化物の層は、一般にＳｉｘＯｙ（ｘ＝１〜２、ｙ＝０〜３）で表されるものであって、通常Ｓｉ、ＳｉＯ、ＳｉＯ２、Ｓｉ２Ｏ２の形の混合物として存在することが多い。
　この珪素酸化物の層は、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法などの公知の各種方法で形成することができる。」（２頁右上欄１６行〜左下欄３行）  
　そして、実施例１において、厚さが５０μｍのＰＥＴの片面に、蒸着材料としてのＳｉＯを、エレクトロンビーム加熱法により、真空蒸着して、厚さが１，０００Åの珪素酸化物からなる透明な第１層を形成し、シランカップリング剤を塗布し、第２層とし、これに厚さが５０μｍのポリエチレン系感熱性接着剤層を形成したことが記載されている。
　刊行物１６（特許異議申立人　石原庸男の提出した甲第４号証）には、以下の記載がされている。
「（１）下記のとおり定義される第１層（Ａ）、第２層（Ｂ）及び第３層（Ｃ）からなり、第１層の一方面に第２層が、第１層の他方の面に第３層が接合されていることを特徴とする高剛性防湿フイルム。
（ａ）第１層（Ａ）は、ケン化度９９モル％以上のポリビニルアルコールよりなる基体フイルムとその少なくとも片面に形成された透明なケイ素酸化物薄膜とより構成される透明積層フイルムの単層体または積層体からなる。
（ｂ）第２層（Ｂ）は、・・・少なくとも片面には透明なケイ素酸化物薄膜が形成され、・・・高剛性フイルムを少なくとも１層含み、その内の１層は・・・最外層に位置している。・・・（ｃ）第３層（Ｃ）は、シール可能な樹脂層からなる。
・・・
（４）ケイ素酸化物薄膜は、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーディング法のいずれかの方法によって形成されたものであることを特徴とする請求項第１項ないしは第３項のいずれかに記載の高剛性防湿フィルム。」（特許請求の範囲１，４項）
「本発明は・・・透明で且つ高い剛性を有し、水蒸気等のガスをほとんど透過しない高度な防湿性能を有する積層プラスチックフイルムに関するものである。
　本発明の防湿フイルムは、液晶ディスプレイのバックライト用ＥＬ素子等のパッケージフイルムとして好適である。」（２頁左上欄１１行〜１８行）
「ＳＯ薄膜の厚さは、１００〜５０００Åの範囲で選ぶのがよい。」（４頁左上欄１３行）
　そして、実施例１において、ＰＶＡ基材フイルムの片面に厚さ１０００Åのケイ素酸化物の透明な薄膜を電子ビーム加熱方式で、純度９９．９％の一酸化ケイ素（ＳｉＯ）を加熱蒸発させて、形成させて透明積層フイルム（Ａ）としたことが記載されている。
　刊行物１７（特許異議申立人　村戸良至の提出した甲第１号証）には、以下の記載がされている。
「（１）厚さ５〜３００μのポリエステルフィルムの少なくとも片面に・・・熱処理した後、一般式
　ＳｉｘＯｙ（ｘ＝１，２，３，ｙ＝０，１，２，３，４）
なる組成の珪素化合物で厚さ１００〜３０００Åの透明蒸着薄膜層を設けた高度の耐透気性と耐透湿性を有するポリエステル蒸着フィルム。」（特許請求の範囲）
「従来、種々のフレキシブルプラスチックフイルムが包装分野、電気材料分野、雑貨分野、繊維分野などに広く用いられている。」（１頁左下欄下から２行〜右下欄１行）
「かかる食品への包装材料に対し透明フレキシブルにして透気性、透湿性に対し高度のバリヤー性を有するフイルムでレトルト処理後においてもそのバリヤー性を損なわないおよび電子レンジ対応可能な包装材料の出現は強く渇望されているところである。本発明はそれらの諸問題を解決したものである。・・・
　本発明は・・・オルガノシラン系化合物からなるプライマーをポリエステルフイルムに塗布、乾燥し、熱処理した後、珪素化合物の非常に薄い膜を真空蒸着法により連続的に蒸着することによって著しい効果を有するフイルムが得られることを見出したものである。」（２頁左上欄８行〜右上欄４行）
　また、実施例においては、フイルム用高周波誘導加熱方式の蒸着機に設置し、１０−４Ｔｏｏｒの真空下で一酸化珪素を蒸着したことが記載され、第１表によれば、レトルト前の水蒸気透過率が０．９ｇ／ｍ２・２４ｈｒｓ、酸素透過率が０．８ｃｃ／ｍ２・２４ｈｒｓの値が得られたことが記載されている。
　刊行物１８（特許異議申立人　村戸良至の提出した甲第２号証）には、以下の記載がされている。
「透明プラスチックフィルムの少なくとも片面に、一酸化ケイ素を蒸着源として用い、減圧下の酸素雰囲気で反応蒸着によりＳｉＯｘ（ｘは１．８〜２．０）で表される実質的に二酸化ケイ素の薄膜を設けることを特徴とする透明ガスバリアフィルムの製法。」（特許請求の範囲）
「本発明は、透明性、ガスバリア性、耐レトルト性にすぐれ、食品、医薬品、電子材料などの気密性を必要とする包装材料として有用なガスバリアフイルムの製法に関する。」（１頁左下欄、産業上の利用分野の項）
「一酸化ケイ素を蒸着源として蒸着した場合、・・・膜が茶褐色となり透明とならない。
　ケイ素を蒸着材料として酸素雰囲気中で蒸着する方法では、・・・良好な膜質の膜が得られない。・・・
　本発明は、透明プラスチックフイルムの少なくとも片面に、一酸化ケイ素を蒸着源として用い、減圧下の酸素雰囲気で反応蒸着によりＳｉＯｘ（Ｘは１．８〜２．０の数）で表される実質的に二酸化ケイ素薄膜を設けることを特徴とする透明ガスバリアフイルムの製法である。」（１頁右下欄末行〜２頁左上欄１４行）
　また、実施例の表２には、レトルト前の酸素透過率が０．７ｃｃ／ｄａｙ・ａｔｍ、０．８ｃｃ／ｄａｙ・ａｔｍの値であることが記載されている。
　刊行物１９（特許異議申立人　村戸良至の提出した甲第３号証）には、以下の記載がされている。
「本発明は、ＴＮ（ツイスト・ネマティック）型液晶表示素子として使用する偏光膜一体型透明導電性フイルムに関するものである。」（「産業上の利用分野」の項）
「図中（３）は透明性を有する絶縁層で、ポリサルフォン系フイルムを用いた液晶表示素子の欠点である水蒸気および酸素の透過、およびイオン性物質の移行を防止するための層である。具体的にはＳｉＯｘ（ｘ＝１〜２）、・・・の透明金属酸化物群から少なくとも一種が選ばれる。これらの金属酸化物層の厚さはとくに限定しないが１００〜５０００Åの範囲が好ましい。」（２頁右下欄５〜１３行）
「絶縁層（３）、透明導電性物質層（４）、および紫外線吸収層（５）を積層する方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、プラズマＣＶＤ法等の一般的な薄膜形成技術が利用できるが、特にＲＦマグネトロンスパッタリング法が適している」（３頁右上欄７〜１２行）
　刊行物２０（特許異議申立人　村戸良至の提出した甲第４号証）には、以下の記載がされている。
「本発明は、液晶ディスプレーの表示素子等に用いるＩｎ−Ｏ或いはＩｎ−Ｓｎ−Ｏ系透明導電膜（ＩＴＯ膜と称する）の製造方法およびその製造装置に関する。」（１頁右下欄９〜１２行）
「従来、この種の透明導電膜の製造方法としては塗布法、真空蒸着法、気相反応法、ＤＣ或いはＲＦ２極スパッタ法、ＤＣ或いはＲＦマグネトロンスパッタ法等のスパッタ法等が知られているが、これらの製造方法のうちスパッタ法は大型基板上に透明導電膜を均一に形成出来るため多く使われている。」（１頁右下欄１４〜２０行）
「スパッタ電圧を低下させるのには、・・・ターゲット表面の磁界強度に影響を受け易く、該磁界強度を増加させるとプラズマ密度が大きくなり、その結果スパッタ電圧が低下するので、ターゲット表面での平行磁界密度を４０００ｅ以上に保持した状態でスパッタをすればよい。」（２頁左下欄６〜１４行）
「スパッタガスとしては例えばアルゴンガス等の不活性ガスに酸素ガスを添加した混合ガスが挙げられ、不活性ガスにアルゴンガスを用いるときはその混合ガス圧は一般には１０−３Ｔｏｒｒ台程度とし、酸素ガス分圧は一般には１０−５Ｔｏｒｒ台程度とする。」（２頁右下欄６〜１１行）
「ターゲット表面近傍において・・・負イオンが・・・加速されて基板に突入するので、成膜中の透明・・・膜にミクロ的なダメージを発生させてしまう。・・・電気抵抗率が上昇する。」（３頁左上欄３〜１５行）
　刊行物２１（特許異議申立人　三菱化学株式会社の提出した甲第１号証）には、以下の記載がされている。
「透明バリヤー性が要求される分野としては食品包装分野、医薬品包装分野、電子材料分野などであるが本報では食品包装分野に関する展開を重点的に述べる。」（３０頁中央欄３〜７行）
「シリカのような昇華性物質を蒸着するには、従来からアルミ蒸着に使用されている高周波誘導加熱や抵抗加熱による蒸着装置を適宜改造して使用するか、ＥＢ蒸着などに代表される高融点材料用蒸発源を使用する。またスパッタリング法やイオンプレーティング法なども用いることができる。実際、工業的に採算も考慮した蒸着を行うにはどのようにするのが最良であるかは、今後の大きな課題である。」（３１頁左欄１８〜２７行）
「透明性
　図４にシリカ蒸着フイルムの分光特性を示した。肉眼的にはＳｉＯ１＋ｘの特色である微黄褐色を帯びて見える。マイクロウエーブに対しては透明で電子レンジ適応できる。（３２頁中央欄７．１の項）
「酸素バリヤー性と水蒸気バリヤー性が同じような値を示すのが無機蒸着フイルムの特徴であり、有機のプラスチックフイルムと異なる点である。」（３２頁右欄７．２の項）　
　そして、ＧＴフイルムについて、酸素透過率が１．０〜２．０ｍｌ／ｍ２，２４ｈｒ，２５℃，８５％Ｒｈ、透湿度が１．０〜３．０ｇ／ｍ２，２４ｈｒ，４０℃，９０％Ｒｈであること、および欠点として使用ノウハウを要することが記載されている（３２頁表２参照）。
　刊行物２２（特許異議申立人　三菱化学株式会社の提出した甲第２号証）には、以下の記載がされている。
「１．プラスチックフィルムの片面に、ケイ素酸化物の薄膜層が形成された積層フイルムであって、・・・ガスバリヤ性積層フイルム。
２．ケイ素酸化物の薄膜層が、真空蒸着法、スパッタリング法、またはイオンプレーティング法のいずれかにより形成されたものである請求項１記載のガスバリヤ性積層フィルム。」（特許請求の範囲１，２）
「ガスバリヤ性にすぐれた積層プラスチックフイルムに関し、より詳細には、水蒸気および酸素に対する高度なガスバリヤ性を有すると共に、透明性を示す各種の包装材料に好適な積層プラスチックフイルムに関する。」（１頁右下欄６〜１０行）
「プラスチックフイルムに形成されるケイ素酸化物の薄膜層の厚さは、３〜７００ｎｍ、好ましくは５〜５００ｎｍである。５ｎｍ未満では、ガスバリヤ性が不十分であり・・・５００ｎｍを超えるとフイルムに反りが生じたり、薄膜層に亀裂や剥離などが生じて」（３頁右上欄１４〜２０行）
「透明度　肉眼で評価し、良好な透明度を示すものには◎で結果に表示した。」（５頁右上欄１６〜１８行）
　そして、実施例１において、「電子ビーム加熱方式で純度一酸化ケイ素（ＳｉＯ）を加熱蒸発させ、ポリビニルアルコールフイルムの片面に厚さ１００ｎｍのケイ素酸化物の透明な薄膜層を形成させて、ガスバリヤ性積層フイルムを得た。」と記載され、実施例１には、酸素透過度が０．２以下（ｃｃ／ｍ２・２４ｈｒ・ａｔｍ）であり、透湿度が１．５（ｇ／ｍ２・２４ｈｒ）で、透明性◎のガスバリヤ性フィルムが示され、実施例３には、酸素透過度が０．２（ｃｃ／ｍ２・２４ｈｒ・ａｔｍ）以下であり、透湿度が０．１（ｇ／ｍ２・２４ｈｒ）で、透明性◎のガスバリヤ性フィルムが示されている（７頁第１、２表参照）。
　刊行物２３（特許異議申立人　三菱化学株式会社の提出した甲第３号証）には、以下の記載がされている。
「１　厚さ５〜３００μのフレキシブルプラスチックフィルムの少なくとも片面に一般式ＳｉｘＯｙ（ｘ＝１、２、ｙ＝１、２、３）なる組成の珪素化合物の厚さ１００〜３０００Åの透明薄膜層を設けた高度の耐透気性と耐透湿性を有する透明フレキシブルプラスチックフィルム。」（特許請求の範囲）
「片面または両面に、連続的な真空蒸着によって一般式ＳｉｘＯｙ（ｘ＝１、２、ｙ＝１、２、３）なる組成の珪素化合物の厚さ１００〜３０００Åの透明薄膜を設けたことを特徴とする高度の耐透気性と耐透湿性を有し食品包装その他の包装材料として特に適する」（１欄下から５行〜２欄１行）
　そして、実施例３において、ベースフィルムとして二軸延伸ナイロン６を用い、フイルム用高周波誘導加熱方式の蒸着機に設置し、酸素透過率１．２ｃｃ／ｍ２、２４ｈｒｓ、水蒸気透過率０．７ｇ／ｍ２、２４ｈｒｓであるもの、また、両面蒸着二軸延伸ナイロン６のもので、酸素透過率０ｃｃ／ｍ２、２４ｈｒｓ、水蒸気透過率０．３ｇ／ｍ２、２４ｈｒｓであるものも示されている（４頁）。
　刊行物２４（特許異議申立人　三菱化学株式会社の提出した甲第４号証）には、平板（ｐｌａｎｎａｒ）型マグネトロン・スパタリング装置について、磁束密度が０．０２〜０．０５Ｔ程度のものが多いこと、また、磁石の材料として、Ｂａ−フェライト、アルニコ合金、Ｃｏ‐希土類合金などが使用される旨が記載されている（１６１ページ下から１〜４行参照）。
（２）判断
【１】訂正後の請求項１に係る発明（以下、訂正発明という。）について、
（イ）訂正発明が各刊行物に記載された発明であるか否かについて、
　★刊行物１には、食品包装に使用されるガスバリヤー膜について、ＳｉＯｘのｘとして、ｘの値が１．５〜１．８の間にあるバリア膜について記載されている。
　しかしながら、刊行物１に記載されたガスバリヤー膜は、訂正発明が構成要件としている「厚み２００〜６００ÅのＳｉＯｘ（ただし、１．３≦ｘ≦１．８）層が、水平磁束密度５００〜１０００ガウスのカソードを使用し、５ｍＴｏｒｒ以下のアルゴンガス圧下、ターゲット単位面積当たり１．６５〜５．０Ｗ／ｃｍ２の電力を投入した高周波マグネトロンスパッタ法により形成」されたＳｉＯｘ膜というものではない。また、刊行物１のガスバリア膜についても「フィルム液晶又はエレクトロルミネッセンス素子用基板用」に適用できることまでは記載がない。
　したがって、訂正発明は、刊行物１に記載された発明であるということはできない。
　★刊行物２には、食品工業において、ＳｉＯｘのｘとして、ｘの値が１．５〜１．８の間にあるＰＥＴフィルムバリア膜について記載され、また、酸素透過度０．１ｃｃ／２４ｈｒｓ以下、水蒸気透過度０．１ｇ／２４ｈｒｓ以下のハイバリア性フイルムが要求されていることが記載されている。
　しかしながら、刊行物２に記載のハイバリア性フイルムは、訂正発明が構成要件としている「厚み２００〜６００ÅのＳｉＯｘ（ただし、１．３≦ｘ≦１．８）層が、水平磁束密度５００〜１０００ガウスのカソードを使用し、５ｍＴｏｒｒ以下のアルゴンガス圧下、ターゲット単位面積当たり１．６５〜５．０Ｗ／ｃｍ２の電力を投入した高周波マグネトロンスパッタ法により形成され」たものであることも、「かつ、５５０ｎｍの光線透過率が８０％以上である」ＳｉＯｘ膜というものでもない。また、ガスバリア膜についても、刊行物２には「フィルム液晶又はエレクトロルミネッセンス素子用基板用」に適用できることまでは記載がない。
　したがって、訂正発明は、刊行物２に記載された発明であるということはできない。
　★刊行物３には、ＳｉＯｘの蒸着されたプラスチックフイルムに関して記載がされており、蒸着方法として、抵抗加熱による蒸着、高周波誘導加熱による蒸着、ＥＢ加熱による蒸着、ＣＶＤによる蒸着が挙げられている。
　しかしながら、刊行物３には、訂正発明が構成要件としている「厚み２００〜６００ÅのＳｉＯｘ（ただし、１．３≦ｘ≦１．８）層が、水平磁束密度５００〜１０００ガウスのカソードを使用し、５ｍＴｏｒｒ以下のアルゴンガス圧下、ターゲット単位面積当たり１．６５〜５．０Ｗ／ｃｍ２の電力を投入した高周波マグネトロンスパッタ法により形成されてなり、酸素透過率が１．０ｃｍ３／ｍ２／ｄａｙ以下及び蒸気透過率が０．２ｇ／ｍ２／ｄａｙ以下であり、かつ、５５０ｎｍの光線透過率が８０％以上である」ＳｉＯｘ膜というものが記載されているとはいえない。また、ガスバリア膜についても、刊行物３には「フィルム液晶又はエレクトロルミネッセンス素子用基板用」に適用できることまでは記載がない。
　したがって、訂正発明は、刊行物３に記載された発明であるということはできない。
　★刊行物４には、ＳｉＯの蒸着についてＳｉＯｘのｘが１．５＜ｘ＜１．８であると好ましいバリア特性を有することが記載され、その蒸着技術として、ＰＣＶＤ、金属の反応蒸着、熱加熱による金属酸化物の蒸着またはＥＢによる蒸着が記載されている。
　しかしながら、刊行物４に記載の蒸着膜は、訂正発明が構成要件としている「厚み２００〜６００ÅのＳｉＯｘ（ただし、１．３≦ｘ≦１．８）層が、水平磁束密度５００〜１０００ガウスのカソードを使用し、５ｍＴｏｒｒ以下のアルゴンガス圧下、ターゲット単位面積当たり１．６５〜５．０Ｗ／ｃｍ２の電力を投入した高周波マグネトロンスパッタ法により形成されてなり、酸素透過率が１．０ｃｍ３／ｍ２／ｄａｙ以下及び蒸気透過率が０．２ｇ／ｍ２／ｄａｙ以下であり、かつ、５５０ｎｍの光線透過率が８０％以上である」ＳｉＯｘ膜というものではない。また、ガスバリア膜についても、刊行物４には「フィルム液晶又はエレクトロルミネッセンス素子用基板用」に適用できることまでは記載がない。
　したがって、訂正発明は、刊行物４に記載された発明であるということはできない。
★刊行物５には、プラスチック基材の片面に設けられた、ケイ素原子と酸素原子の比が１：０．３〜１．８であるケイ素酸化物の透明薄膜層とからなるバリヤー性を有する透明な電子レンジ用包装材料について記載され、バリヤー性を有する透明な電子レンジ用包装材料に適するものであること、透明薄膜層の厚さは４００〜３０００Åの範囲が好ましいこと、ケイ素酸化物の透明薄膜層の形成には真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法などの物理蒸着（ＰＶＤ）法あるいは化学蒸着（ＣＶＤ）法などが適宜用いられることが記載されている。
　しかしながら、刊行物５に記載された包装材料は、訂正発明が構成要件としている「厚み２００〜６００ÅのＳｉＯｘ（ただし、１．３≦ｘ≦１．８）層が、水平磁束密度５００〜１０００ガウスのカソードを使用し、５ｍＴｏｒｒ以下のアルゴンガス圧下、ターゲット単位面積当たり１．６５〜５．０Ｗ／ｃｍ２の電力を投入した高周波マグネトロンスパッタ法により形成されてなり、酸素透過率が１．０ｃｍ３／ｍ２／ｄａｙ以下及び蒸気透過率が０．２ｇ／ｍ２／ｄａｙ以下であり、かつ、５５０ｎｍの光線透過率が８０％以上である」ＳｉＯｘ膜というものではない。また、ガスバリア膜についても、刊行物５には「フィルム液晶又はエレクトロルミネッセンス素子用基板用」に適用できることまでは記載がない。
　したがって、訂正発明は、刊行物５に記載された発明であるということはできない。
★刊行物６には、組成式がＳｉＯｘで表わされるケイ素酸化物蒸着膜について記載され、ｘの値が０．３〜１．８であること、蒸着膜の厚さは４×ｌ０２〜３×１０３Åの範囲が好ましいこと、蒸着膜の形成には真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法などの物理蒸着（ＰＶＤ）法あるいは化学蒸着（ＣＶＤ）法などが適宜採用されることが記載されている。また、刊行物６の発明はレトルト食品用包装材料として透視性を有すると共に高度なガスバリヤー性を有し、それは、酸素透過度が２．０ｃｃ／ｍ２・２４ｈｒｓ以下でかつ水蒸気透過度が３．０ｇ／ ｍ２・２４ｈｒｓ以下であること、具体的には、酸素透過度が０．４、水蒸気透過度が０．７であることが記載されている。
　しかしながら、刊行物６に記載の包装材料は、訂正発明が構成要件としている「厚み２００〜６００ÅのＳｉＯｘ（ただし、１．３≦ｘ≦１．８）層が、水平磁束密度５００〜１０００ガウスのカソードを使用し、５ｍＴｏｒｒ以下のアルゴンガス圧下、ターゲット単位面積当たり１．６５〜５．０Ｗ／ｃｍ２の電力を投入した高周波マグネトロンスパッタ法により形成されてなり、酸素透過率が１．０ｃｍ３／ｍ２／ｄａｙ以下及び蒸気透過率が０．２ｇ／ｍ２／ｄａｙ以下であり、かつ、５５０ｎｍの光線透過率が８０％以上である」ＳｉＯｘ膜というものではない。また、ガスバリア膜についても、刊行物６には「フィルム液晶又はエレクトロルミネッセンス素子用基板用」に適用できることまでは記載がない。
　したがって、訂正発明は、刊行物６に記載された発明であるということはできない。
★刊行物７には、合成樹脂系フイルムの少なくとも片面に酸化珪素系（ＳｉＯｘ、ｘ＝１．０〜２．０）の薄膜層が設けられた積層フイルムについて記載され、その形成には高周波加熱真空蒸着や電子ビーム加熱蒸着などが使われることが記載され、珪素酸化物蒸着膜の厚さとしては製品の用途と所望される性能などによって適宜選択決定されること、ガスバリヤー性と耐屈曲性などを考慮して通常は１００〜３０００Å程度の範囲から選ばれることが記載されている。そして可視平行光線透過率（波長５５０ｎｍ）７６，酸素ガス透過率（２５℃，ＤＲＹ）０．３、透湿度（４０℃、９０％ＲＨ）０．３の各値が記載されている。
　しかしながら、刊行物７に記載された積層フイルムは、訂正発明が構成要件としている「厚み２００〜６００ÅのＳｉＯｘ（ただし、１．３≦ｘ≦１．８）層が、水平磁束密度５００〜１０００ガウスのカソードを使用し、５ｍＴｏｒｒ以下のアルゴンガス圧下、ターゲット単位面積当たり１．６５〜５．０Ｗ／ｃｍ２の電力を投入した高周波マグネトロンスパッタ法により形成されてなり、酸素透過率が１．０ｃｍ３／ｍ２／ｄａｙ以下及び蒸気透過率が０．２ｇ／ｍ２／ｄａｙ以下であり、かつ、５５０ｎｍの光線透過率が８０％以上である」ＳｉＯｘ膜というものではない。また、ガスバリア膜についても、刊行物７には「フィルム液晶又はエレクトロルミネッセンス素子用基板用」に適用できることまでは記載がない。
　したがって、訂正発明は、刊行物７に記載された発明であるということはできない。
★刊行物８については、実質的に刊行物６で述べたと同様であって、刊行物８には、訂正発明については記載されていない。
★刊行物９には、プラスチック上に蒸着、スパッタリング、プラズマ改善化学蒸着の方法によりＳｉＯｘ皮膜を形成すること、表４には、プラズマ改善化学蒸着により、厚さ６５０ÅのＳｉＯｘ膜（ｘ＝１．８）を片面被覆した時に酸素透過率が０．０２ｃｃ／１００ｉｎ２／ｄａｙ（０．３１ｃｃ／ｍ２／ｄａｙ）であり、厚さ５１０ÅのＳｉＯｘ膜（ｘ＝１．８）を片面被覆した時に酸素透過率が０．０４ｃｃ／１００ｉｎ２／ｄａｙ（０．６２ｃｃ／ｍ２／ｄａｙ）であったことが記載され、表８には、プラズマ改善化学蒸着によりＳｉＯｘ膜を片面被覆した時に酸素透過率が０．０６ｃｃ／１００ｉｎ２／ｄａｙ未満（０．９３ｃｃ／ｍ２／ｄａｙ未満）であり、ＳｉＯｘ膜を両面被覆した時に酸素透過率が０．００５ｃｃ／１００ｉｎ２／ｄａｙ（０．０７８ｃｃ／ｍ２／ｄａｙ）であったことが記載され、表９には、プラズマ改善化学蒸着によりＳｉＯｘ膜を片面被覆した時に水蒸気透過率が０．０５ｇ／１００ｉｎ２／ｄａｙ（０．７８ｇ／ｍ２／ｄａｙ）であったことが記載されている。
　しかしながら、刊行物９に記載された蒸着膜は、訂正発明が構成要件としている「厚み２００〜６００ÅのＳｉＯｘ（ただし、１．３≦ｘ≦１．８）層が、水平磁束密度５００〜１０００ガウスのカソードを使用し、５ｍＴｏｒｒ以下のアルゴンガス圧下、ターゲット単位面積当たり１．６５〜５．０Ｗ／ｃｍ２の電力を投入した高周波マグネトロンスパッタ法により形成されてなり、酸素透過率が１．０ｃｍ３／ｍ２／ｄａｙ以下及び蒸気透過率が０．２ｇ／ｍ２／ｄａｙ以下であり、かつ、５５０ｎｍの光線透過率が８０％以上である」ＳｉＯｘ膜というものではない。また、ガスバリア膜についても、刊行物９には「フィルム液晶又はエレクトロルミネッセンス素子用基板用」に適用できることまでは記載がない。
　したがって、訂正発明は、刊行物９に記載された発明であるということはできない。
★刊行物１０には、マグネトロンを用いて特に磁性材料を高速且つ均一にコーティングするためのスパッタリング装置に関することが記載されている。
　しかしながら、刊行物１０には、訂正発明が構成要件としている「厚み２００〜６００ÅのＳｉＯｘ（ただし、１．３≦ｘ≦１．８）層が、水平磁束密度５００〜１０００ガウスのカソードを使用し、５ｍＴｏｒｒ以下のアルゴンガス圧下、ターゲット単位面積当たり１．６５〜５．０Ｗ／ｃｍ２の電力を投入した高周波マグネトロンスパッタ法により形成されてなり、酸素透過率が１．０ｃｍ３／ｍ２／ｄａｙ以下及び蒸気透過率が０．２ｇ／ｍ２／ｄａｙ以下であり、かつ、５５０ｎｍの光線透過率が８０％以上である」ＳｉＯｘ膜とすることについては記載がない。また、ガスバリア膜についても、刊行物１０には「フィルム液晶又はエレクトロルミネッセンス素子用基板用」に適用できることまでは記載がない。
　したがって、訂正発明は、刊行物１０に記載された発明であるということはできない。
★刊行物１１には、ＩＴＯ膜のスパッタリングに関するものであり、カソード表面の磁場強度を１４０ガウスから４８０ガウスに増加させることにより、スパッタ電圧を５４０Ｖから３３０Ｖに下げ、それに伴い室温抵抗を減少させることが記載されている。
　しかしながら、刊行物１１には、訂正発明が構成要件としている「厚み２００〜６００ÅのＳｉＯｘ（ただし、１．３≦ｘ≦１．８）層が、水平磁束密度５００〜１０００ガウスのカソードを使用し、５ｍＴｏｒｒ以下のアルゴンガス圧下、ターゲット単位面積当たり１．６５〜５．０Ｗ／ｃｍ２の電力を投入した高周波マグネトロンスパッタ法により形成されてなり、酸素透過率が１．０ｃｍ３／ｍ２／ｄａｙ以下及び蒸気透過率が０．２ｇ／ｍ２／ｄａｙ以下であり、かつ、５５０ｎｍの光線透過率が８０％以上である」ＳｉＯｘ膜とすることについては記載がない。また、ガスバリア膜についても、刊行物１１には「フィルム液晶又はエレクトロルミネッセンス素子用基板用」に適用できることまでは記載がない。
　したがって、訂正発明は、刊行物１１に記載された発明であるということはできない。
★刊行物１２には、ＳｉＯ２のような酸化物のターゲットをＲＦスパタリング法でスパタリングを起こさせるとできた薄膜の成分は一般にＳｉＯ２−ｘ（ｘ＞０）で表されるような酸素の足りない状態になるので、酸化物のスパタリングでは、放電ガスのＡｒの中にＯ２を適当に混合してＯ２を補い、ターゲットの成分と同じ組成の薄膜を作るようにするのが普通であることが記載されている。
　しかしながら、刊行物１２には、訂正発明が構成要件としている「厚み２００〜６００ÅのＳｉＯｘ（ただし、１．３≦ｘ≦１．８）層が、水平磁束密度５００〜１０００ガウスのカソードを使用し、５ｍＴｏｒｒ以下のアルゴンガス圧下、ターゲット単位面積当たり１．６５〜５．０Ｗ／ｃｍ２の電力を投入した高周波マグネトロンスパッタ法により形成されてなり、酸素透過率が１．０ｃｍ３／ｍ２／ｄａｙ以下及び蒸気透過率が０．２ｇ／ｍ２／ｄａｙ以下であり、かつ、５５０ｎｍの光線透過率が８０％以上である」ＳｉＯｘ膜とすることについては記載がない。また、ガスバリア膜についても、刊行物１２には「フィルム液晶又はエレクトロルミネッセンス素子用基板用」に適用できることまでは記載がない。
　したがって、訂正発明は、刊行物１２に記載された発明であるということはできない。
★刊行物１３には、金属ケイ素を原料として、カーボンルツボを用いた反応性蒸着法により、プラスチックフィルムから成る基体の少なくとも一方の面にＳｉＯｘ（ｘ＝１．０〜２．０）で表される酸化ケイ素膜を設けるに際し、酸素を含む混合ガスを真空系内に導入しながら反応性蒸着を行う透明ガスバリアフィルムの製造方法に関して記載され、ケイ素酸化物層の膜厚としては、ガスバリア性および可とう性などの点で、２００〜３０００Åの範囲が好ましいことが記載され、実施例１において、膜厚１０００Å、光線透過率８８％、水蒸気透過率０．９ｇ／ｍ２ｄａｙ、酸素透過率０．９ｃｃ・ｍ２ｄａｙの値を有する透明ガスバリアフイルムが記載されている。
　しかしながら、刊行物１３に記載された透明ガスバリアフイルムは、訂正発明が構成要件としている「厚み２００〜６００ÅのＳｉＯｘ（ただし、１．３≦ｘ≦１．８）層が、水平磁束密度５００〜１０００ガウスのカソードを使用し、５ｍＴｏｒｒ以下のアルゴンガス圧下、ターゲット単位面積当たり１．６５〜５．０Ｗ／ｃｍ２の電力を投入した高周波マグネトロンスパッタ法により形成されてなり、酸素透過率が１．０ｃｍ３／ｍ２／ｄａｙ以下及び蒸気透過率が０．２ｇ／ｍ２／ｄａｙ以下であり、かつ、５５０ｎｍの光線透過率が８０％以上である」ＳｉＯｘ膜というものではない。また、ガスバリア膜についても、刊行物１３には「フィルム液晶又はエレクトロルミネッセンス素子用基板用」に適用できることまでは記載がない。
　したがって、訂正発明は、刊行物１３に記載された発明であるということはできない。
★刊行物１４には、ケイ素酸化物の蒸着工程をくり返すことで積層蒸着膜層のトータルの厚さが、４０〜２００ｎｍの以下で、ケイ素原子と酸素原子の比の平均値が１：１〜１．８であって、具体的な値として酸素透過率０．４ｍｌ／ｍ２・２４ｈｒｓ・ａｔｍ、水分透過率が２ｇ／ｍ２・２４ｈｒｓを有する高度なバリヤー性の包装用材料に関して記載されている。
　しかしながら、刊行物１４に記載された包装材料は、訂正発明が構成要件としている「厚み２００〜６００ÅのＳｉＯｘ（ただし、１．３≦ｘ≦１．８）層が、水平磁束密度５００〜１０００ガウスのカソードを使用し、５ｍＴｏｒｒ以下のアルゴンガス圧下、ターゲット単位面積当たり１．６５〜５．０Ｗ／ｃｍ２の電力を投入した高周波マグネトロンスパッタ法により形成されてなり、酸素透過率が１．０ｃｍ３／ｍ２／ｄａｙ以下及び蒸気透過率が０．２ｇ／ｍ２／ｄａｙ以下であり、かつ、５５０ｎｍの光線透過率が８０％以上である」ＳｉＯｘ膜というものではない。また、ガスバリア膜についても、刊行物１４には「フィルム液晶又はエレクトロルミネッセンス素子用基板用」に適用できることまでは記載がない。
　したがって、訂正発明は、刊行物１４に記載された発明であるということはできない。
★刊行物１５には、透明なフィルム基材上に、珪素酸化物からなる透明な第一層と、シランカップリング剤からなる透明な第二層とが設けられた、食品や薬品などの包装材料、ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子の保護材料などに用いられる透明耐透湿性フィルムに関して記載され、フイルム基材上に第一層として設けられる透明な珪素酸化物の層として、ＳｉｘＯｙ（ｘ＝１〜２、ｙ＝０〜３）で表されるもので、珪素酸化物の層は、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法などの公知の各種方法で形成することができることが記載され、実施例において、蒸着材料としてのＳｉＯを、エレクトロンビーム加熱法により、真空蒸着して、厚さが１，０００Åの珪素酸化物からなる透明な第１層を形成し、シランカップリング剤を塗布し、第２層とし、これに厚さが５０μｍのポリエチレン系感熱性接着剤層を形成したことが記載されている。
　しかしながら、刊行物１５に記載された蒸着フイルムは、訂正発明が構成要件としている「厚み２００〜６００ÅのＳｉＯｘ（ただし、１．３≦ｘ≦１．８）層が、水平磁束密度５００〜１０００ガウスのカソードを使用し、５ｍＴｏｒｒ以下のアルゴンガス圧下、ターゲット単位面積当たり１．６５〜５．０Ｗ／ｃｍ２の電力を投入した高周波マグネトロンスパッタ法により形成されてなり、酸素透過率が１．０ｃｍ３／ｍ２／ｄａｙ以下及び蒸気透過率が０．２ｇ／ｍ２／ｄａｙ以下であり、かつ、５５０ｎｍの光線透過率が８０％以上である」ＳｉＯｘ膜というものではない。
　したがって、訂正発明は、刊行物１５に記載された発明であるということはできない。
★刊行物１６には、（ａ）第１層（Ａ）が、ケン化度９９モル％以上のポリビニルアルコールよりなる基体フイルムの少なくとも片面に透明なケイ素酸化物薄膜が形成され、第２層（Ｂ）が、少なくとも片面に透明なケイ素酸化物薄膜が形成された高剛性フイルムを少なくとも１層含み、第３層（Ｃ）が、シール可能な樹脂層からなる、第１層の一方面に第２層が、第１層の他方の面に第３層が接合されている高剛性防湿フイルムが記載され、ケイ素酸化物薄膜は、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーディング法のいずれかの方法によって形成されるものであること、高剛性防湿フィルムは透明で且つ高い剛性を有し、水蒸気等のガスをほとんど透過しない高度な防湿性能を有する積層プラスチックフイルムであり、液晶ディスプレイのバックライト用ＥＬ素子等のパッケージフイルムとして好適であること、ＳＯ薄膜の厚さは、１００〜５０００Åの範囲で選ぶのがよいことが記載され、実施例１において、ＰＶＡ基材フイルムの片面に厚さ１０００Åのケイ素酸化物の透明な薄膜を電子ビーム加熱方式で、純度９９．９％の一酸化ケイ素（ＳｉＯ）を加熱蒸発させて、形成させて透明積層フイルム（Ａ）としたことが記載されている。
　しかしながら、刊行物１６に記載された蒸着膜は、訂正発明が構成要件としている「厚み２００〜６００ÅのＳｉＯｘ（ただし、１．３≦ｘ≦１．８）層が、水平磁束密度５００〜１０００ガウスのカソードを使用し、５ｍＴｏｒｒ以下のアルゴンガス圧下、ターゲット単位面積当たり１．６５〜５．０Ｗ／ｃｍ２の電力を投入した高周波マグネトロンスパッタ法により形成されてなり、酸素透過率が１．０ｃｍ３／ｍ２／ｄａｙ以下及び蒸気透過率が０．２ｇ／ｍ２／ｄａｙ以下であり、かつ、５５０ｎｍの光線透過率が８０％以上である」ＳｉＯｘ膜というものではない。
　したがって、訂正発明は、刊行物１６に記載された発明であるということはできない。
★刊行物１７には、ポリエステルフィルムの少なくとも片面にＳｉｘＯｙ（ｘ＝１，２，３，ｙ＝０，１，２，３，４）なる組成の珪素化合物で厚さ１００〜３０００Åの透明蒸着薄膜層を設けた高度の耐透気性と耐透湿性を有するポリエステル蒸着フィルムについて記載されており、食品への包装材料に対し透明フレキシブルにして透気性、透湿性に対し高度のバリヤー性を有するフイルムでレトルト処理後においてもそのバリヤー性を損なわないおよび電子レンジ対応可能な包装材料をもたらすものであること、オルガノシラン系化合物からなるプライマーをポリエステルフイルムに塗布、乾燥し、熱処理した後、珪素化合物の非常に薄い膜を真空蒸着法により連続的に蒸着することによって著しい効果を有するフイルムが得られることが記載され、実施例においては、フイルム用高周波誘導加熱方式の蒸着気により、一酸化珪素を蒸着し、第１表によれば、レトルト前の水蒸気透過率が０．９ｇ／ｍ２・２４ｈｒｓ、酸素透過率が０．８ｃｃ／ｍ２・２４ｈｒｓの値が得られたことが記載されている。
　しかしながら、刊行物１７に記載された包装材料は、訂正発明が構成要件としている「厚み２００〜６００ÅのＳｉＯｘ（ただし、１．３≦ｘ≦１．８）層が、水平磁束密度５００〜１０００ガウスのカソードを使用し、５ｍＴｏｒｒ以下のアルゴンガス圧下、ターゲット単位面積当たり１．６５〜５．０Ｗ／ｃｍ２の電力を投入した高周波マグネトロンスパッタ法により形成されてなり、酸素透過率が１．０ｃｍ３／ｍ２／ｄａｙ以下及び蒸気透過率が０．２ｇ／ｍ２／ｄａｙ以下であり、かつ、５５０ｎｍの光線透過率が８０％以上である」ＳｉＯｘ膜というものではない。また、ガスバリア膜についても、刊行物１７には「フィルム液晶又はエレクトロルミネッセンス素子用基板用」に適用できることまでは記載がない。
　したがって、訂正発明は、刊行物１７に記載された発明であるということはできない。
★刊行物１８には、透明プラスチックフイルムの少なくとも片面に、一酸化ケイ素を蒸着源として用い、減圧下の酸素雰囲気で反応蒸着によりＳｉＯｘ（Ｘは１．８〜２．０の数）で表される実質的に二酸化ケイ素薄膜を設けた食品、医薬品、電子材料などの気密性を必要とする包装材料として有用な透明ガスバリアフイルムに関して記載されている。
　しかしながら、刊行物１８に記載された透明ガスバリアフイルムは、訂正発明が構成要件としている「厚み２００〜６００ÅのＳｉＯｘ（ただし、１．３≦ｘ≦１．８）層が、水平磁束密度５００〜１０００ガウスのカソードを使用し、５ｍＴｏｒｒ以下のアルゴンガス圧下、ターゲット単位面積当たり１．６５〜５．０Ｗ／ｃｍ２の電力を投入した高周波マグネトロンスパッタ法により形成されてなり、酸素透過率が１．０ｃｍ３／ｍ２／ｄａｙ以下及び蒸気透過率が０．２ｇ／ｍ２／ｄａｙ以下であり、かつ、５５０ｎｍの光線透過率が８０％以上である」ＳｉＯｘ膜というものではない。また、ガスバリア膜についても「フィルム液晶又はエレクトロルミネッセンス素子用基板用」に適用できることまでは記載がない。
　したがって、訂正発明は、刊行物１８に記載された発明であるということはできない。
★刊行物１９には、液晶表示素子として使用する偏光膜一体型透明導電性フイルムに関して記載され、透明性を有する絶縁層はＳｉＯｘ（ｘ＝１〜２）の透明金属酸化物からなるもので、水蒸気および酸素の透過、およびイオン性物質の移行を防止するための層であって、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、プラズマＣＶＤ法等の一般的な薄膜形成技術が利用できるが、特にＲＦマグネトロンスパッタリング法が適していることが記載されている。
　しかしながら、刊行物１９に記載の蒸着膜は、訂正発明が構成要件としている「厚み２００〜６００ÅのＳｉＯｘ（ただし、１．３≦ｘ≦１．８）層が、水平磁束密度５００〜１０００ガウスのカソードを使用し、５ｍＴｏｒｒ以下のアルゴンガス圧下、ターゲット単位面積当たり１．６５〜５．０Ｗ／ｃｍ２の電力を投入した高周波マグネトロンスパッタ法により形成されてなり、酸素透過率が１．０ｃｍ３／ｍ２／ｄａｙ以下及び蒸気透過率が０．２ｇ／ｍ２／ｄａｙ以下であり、かつ、５５０ｎｍの光線透過率が８０％以上である」ＳｉＯｘ膜というものではない。
　したがって、訂正発明は、刊行物１９に記載された発明であるということはできない。
★刊行物２０には、液晶ディスプレーの表示素子等に用いるＩｎ−Ｏ或いはＩｎ−Ｓｎ−Ｏ系透明導電膜の製造方法およびその製造装置に関して記載されている。
　しかしながら、刊行物２０には、訂正発明が構成要件としている「厚み２００〜６００ÅのＳｉＯｘ（ただし、１．３≦ｘ≦１．８）層が、水平磁束密度５００〜１０００ガウスのカソードを使用し、５ｍＴｏｒｒ以下のアルゴンガス圧下、ターゲット単位面積当たり１．６５〜５．０Ｗ／ｃｍ２の電力を投入した高周波マグネトロンスパッタ法により形成されてなり、酸素透過率が１．０ｃｍ３／ｍ２／ｄａｙ以下及び蒸気透過率が０．２ｇ／ｍ２／ｄａｙ以下であり、かつ、５５０ｎｍの光線透過率が８０％以上である」ＳｉＯｘ膜とすることについては記載がない。また、ガスバリア膜についても、刊行物２０には「フィルム液晶又はエレクトロルミネッセンス素子用基板用」に適用できることまでは記載がない。
　したがって、訂正発明は、刊行物２０に記載された発明であるということはできない。
★刊行物２１には、シリカのような昇華性物質を蒸着するには、従来からアルミ蒸着に使用されている高周波誘導加熱や抵抗加熱による蒸着装置を適宜改造して使用するか、ＥＢ蒸着などに代表される高融点材料用蒸発源を使用すること、またスパッタリング法やイオンプレーティング法なども用いることができることが記載されている。また、工業的に採算も考慮した蒸着を行うにはどのようにするのが最良であるかは、今後の大きな課題であることも記載されている。さらに、シリカ蒸着膜であるＧＴフイルムについて、酸素透過率が１．０〜２．０ｍｍｌ／ｍ２，２４ｈｒｓ，２５℃，透湿度が１．０〜３．０ｇ／ｍ２，２４ｈｒｓであることが記載されているが、欠点として使用ノウハウを要することが記載されている。
　そうすると、刊行物２１には、訂正発明が構成要件としている「厚み２００〜６００ÅのＳｉＯｘ（ただし、１．３≦ｘ≦１．８）層が、水平磁束密度５００〜１０００ガウスのカソードを使用し、５ｍＴｏｒｒ以下のアルゴンガス圧下、ターゲット単位面積当たり１．６５〜５．０Ｗ／ｃｍ２の電力を投入した高周波マグネトロンスパッタ法により形成されてなり、酸素透過率が１．０ｃｍ３／ｍ２／ｄａｙ以下及び蒸気透過率が０．２ｇ／ｍ２／ｄａｙ以下であり、かつ、５５０ｎｍの光線透過率が８０％以上である」ＳｉＯｘ膜について記載されているということはできない。また、ガスバリア膜についても、刊行物２１には「フィルム液晶又はエレクトロルミネッセンス素子用基板用」に適用できることまでは記載がない。
　したがって、訂正発明は、刊行物２１に記載された発明であるということはできない。
★刊行物２２には、プラスチックフィルムの片面に、ケイ素酸化物の薄膜層が形成されたガスバリヤ性積層フイルムについて、ケイ素酸化物の薄膜層が、真空蒸着法、スパッタリング法、またはイオンプレーティング法のいずれかにより形成されたものであること、ケイ素酸化物の薄膜層の厚さは、３〜７００ｎｍであること、具体的に酸素透過度が０．２（ｃｃ／ｍ２／・２４ｈｒｓ・ａｔｍ）以下であり、透湿度が１．５（ｇ／ｍ２・２４ｈｒｓ・ａｔｍ）以下で、透明性の良いガスバリヤ性フィルムについて記載されている。
　しかしながら、刊行物２２には、訂正発明が構成要件としている「厚み２００〜６００ÅのＳｉＯｘ（ただし、１．３≦ｘ≦１．８）層が、水平磁束密度５００〜１０００ガウスのカソードを使用し、５ｍＴｏｒｒ以下のアルゴンガス圧下、ターゲット単位面積当たり１．６５〜５．０Ｗ／ｃｍ２の電力を投入した高周波マグネトロンスパッタ法により形成されてなり、酸素透過率が１．０ｃｍ３／ｍ２／ｄａｙ以下及び蒸気透過率が０．２ｇ／ｍ２／ｄａｙ以下であり、かつ、５５０ｎｍの光線透過率が８０％以上である」ＳｉＯｘ膜というものではない。また、刊行物２２には「フィルム液晶又はエレクトロルミネッセンス素子用基板用」に適用できることまでは記載がない。
　したがって、訂正発明は、刊行物２２に記載された発明であるということはできない。
★刊行物２３には、厚さ５〜３００μのフレキシブルプラスチックフィルムの少なくとも片面に一般式ＳｉｘＯｙ（ｘ＝１、２、ｙ＝１、２、３）なる組成の珪素化合物の厚さ１００〜３０００Åの透明薄膜層を設けた高度の耐透気性と耐透湿性を有する透明フレキシブルプラスチックフィルムについて記載され、連続的な真空蒸着によって一般式ＳｉｘＯｙ（ｘ＝１、２、ｙ＝１、２、３）なる組成の珪素化合物の厚さ１００〜３０００Åの透明薄膜を設けた高度の耐透気性と耐透湿性を有し食品包装その他の包装材料として適するフイルムが記載され、具体的に、ベースフィルムとして二軸延伸ナイロン６を用い、フイルム用高周波誘導加熱方式の蒸着機に設置し、酸素透過率１．２ｃｍ３／ｍ２／ｄａｙ以下、水蒸気透過率０．７ｃｃ／ｍ２／ｄａｙであるものが、また、両面蒸着二軸延伸ナイロン６のもので、酸素透過率０ｃｍ３／ｍ２／ｄａｙ、水蒸気透過率０．３ｇ／ｍ２／ｄａｙのものが記載されている。
　しかしながら、刊行物２３に記載された透明フレキシブルプラスチックフィルムは、訂正発明が構成要件としている「厚み２００〜６００ÅのＳｉＯｘ（ただし、１．３≦ｘ≦１．８）層が、水平磁束密度５００〜１０００ガウスのカソードを使用し、５ｍＴｏｒｒ以下のアルゴンガス圧下、ターゲット単位面積当たり１．６５〜５．０Ｗ／ｃｍ２の電力を投入した高周波マグネトロンスパッタ法により形成されてなり、酸素透過率が１．０ｃｍ３／ｍ２／ｄａｙ以下及び蒸気透過率が０．２ｇ／ｍ２／ｄａｙ以下であり、かつ、５５０ｎｍの光線透過率が８０％以上である」ＳｉＯｘ膜というものではない。また、刊行物２３には「フィルム液晶又はエレクトロルミネッセンス素子用基板用」に適用できることまでは記載がない。
　したがって、訂正発明は、刊行物２３に記載された発明であるということはできない。
★刊行物２４には、平板型マグネトロン・スパタリング装置を用いた蒸着膜について記載されているが、「酸素透過率が１．０ｃｍ３／ｍ２／ｄａｙ以下及び蒸気透過率が０．２ｇ／ｍ２／ｄａｙ以下であり、かつ、５５０ｎｍの光線透過率が８０％以上である」ＳｉＯｘ膜とすることについては記載がない。
　したがって、訂正発明は、刊行物２４に記載された発明であるということはできない。
（ロ）訂正発明が各刊行物に記載された発明に基づいて容易に発明をすることができたか否かについて、
　刊行物４、７、１３、１４、１７、１８、２３には、高周波マグネトロンスパッタ法に関しては何等記載がされていない。また、刊行物５，６、９、１０、１１、１５、１６にはスパッタリング法による蒸着膜の製法に関して記載されているが、具体的に得られるものの性質及びそれを得るための具体的な条件については記載がない。
　さらに、刊行物１２には、ＳｉＯ２のような酸化物のターゲットをＲＦスパタリング法でスパタリングを起こさせると、できた薄膜の成分は一般にＳｉＯ２−ｘ（ｘ＞０）で表されるような酸素の足りない状態になるので、酸化物のスパタリングでは、放電ガスのＡｒの中にＯ２を適当に混合してＯ２を補い、ターゲットの成分と同じ組成の薄膜を作るようにするのが普通であることが記載されているが、具体的に得られるもの及びそれを得るための条件については記載がないし、刊行物２０には、スパッタガスとしては例えばアルゴンガス等の不活性ガスに酸素ガスを添加した混合ガスが挙げられ、混合ガス圧は一般には１０−３Ｔｏｒｒ台程度とすることが記載されているが、得られる薄膜がケイ素化合物の蒸着薄膜に関するものではないし、そのような物を得る条件も記載がないし、刊行物２２には、プラスチックフィルムの片面に、ケイ素酸化物の薄膜層が形成されたガスバリヤ性積層フイルムについて、ケイ素酸化物の薄膜層が、スパッタリング法により形成できることが示されているが、具体的に得られるもの及びそれを得るための具体的な条件については何等記載がないし、刊行物２４に記載のものは、平板型マグネトロン・スパタリング装置を用いた蒸着膜について記載されたものであって、ケイ素化合物の蒸着薄膜に関しては記載がない。
　そして、刊行物１、２、３には、ケイ素化合物の蒸着膜については、その蒸着を行う方法により、得られる蒸着膜の性質も異なることが記載されているのである。
　そうすると、刊行物１〜２４に記載された事項を総合してみても、訂正発明が構成要件としている「厚み２００〜６００ÅのＳｉＯｘ（ただし、１．３≦ｘ≦１．８）層が、水平磁束密度５００〜１０００ガウスのカソードを使用し、５ｍＴｏｒｒ以下のアルゴンガス圧下、ターゲット単位面積当たり１．６５〜５．０Ｗ／ｃｍ２の電力を投入した高周波マグネトロンスパッタ法により形成されてなり、酸素透過率が１．０ｃｍ３／ｍ２／ｄａｙ以下及び蒸気透過率が０．２ｇ／ｍ２／ｄａｙ以下であり、かつ、５５０ｎｍの光線透過率が８０％以上である」ＳｉＯｘ膜とすることは、当業者が容易に予測できる事項ということはできない。
　そして、訂正発明は、請求項１に記載の構成を採用することにより、本件特許明細書の段落【００２７】に記載された格別の効果を奏するものといえる。
（３）むすび
　したがって、訂正発明は、前記各刊行物に記載された発明ということはできないし、前記各刊行物に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
【２】訂正後の請求項２に係る発明について、
　訂正後の請求項２に係る発明は、訂正発明に係るガス及び湿気バリアー膜を製造する方法に係るものであるから、訂正発明について述べた理由と同様に、訂正後の請求項２に係る発明は、前記各刊行物に記載された発明ということはできないし、前記各刊行物に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
V．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立の理由及び証拠によっては、本件訂正後の請求項１〜２に係る発明についての特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件訂正後の請求項１〜２に係る発明についての特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１６年１月１６日（２００４．１．１６）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
ガス及び湿気バリアー膜及びその製造方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　高分子フィルムの片面又は両面に厚み２００〜６００ÅのＳｉＯｘ（ただし、１．３≦ｘ≦１．８）層が、水平磁束密度５００〜１０００ガウスのカソードを使用し、５ｍＴｏｒｒ以下のアルゴンガス圧下、ターゲット単位面積当たり１．６５〜５．０Ｗ／ｃｍ２の電力を投入した高周波マグネトロンスパッタ法により形成されてなり、酸素透過率が１．０ｃｍ３／ｍ２／ｄａｙ以下及び水蒸気透過率が０．２ｇ／ｍ２／ｄａｙ以下であり、かつ、５５０ｎｍの光線透過率が８０％以上である、フィルム液晶又はエレクトロルミネッセンス素子用基板用のガス及び湿気バリアー膜。
　【請求項２】　高分子フィルム上の片面又は両面に、水平磁束密度５００〜１０００ガウスのカソードを使用し、５ｍＴｏｒｒ以下のアルゴンガス圧下、ターゲット単位面積当たり１．６５〜５．０Ｗ／ｃｍ２の電力を投入した高周波マグネトロンスパッタ法により、厚み２００〜６００ÅのＳｉＯｘ（ただし、１．３≦ｘ≦１．８）層を形成させることを特徴とする、請求項１記載のガス及び湿気バリアー膜を製造する方法。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】本発明は、ガス及び湿気バリアー膜及びその製造方法に関し、更に詳しくは、酸素透過率及び湿気透過率の著しく改善されたバリアー膜及びその製造方法に関する。本発明のバリアー膜は、フィルム液晶又はエレクトロルミネッセンス素子用基板に利用される。
　【０００２】
　【従来の技術】高分子フィルムは、酸素等のガス、水蒸気等の湿気に対してバリアー性の不十分なものが少なくない。そのため、ガス又は湿気バリヤー性が要求される用途に対しては、ガス又は湿気バリヤー性の優れた他の材料をラミネートしたり、コーティングして使用される。前者のラミネートの例としては、各種炭化水素系の高分子フィルム、酢酸ビニル−ビニルアルコール共重合体フィルム等をラミネートしたものがよく知られている。この場合、必要なバリヤー性を確保するためには、一般に１０ミクロン程度の厚みを要する。しかも酸素と水蒸気の両方を遮蔽するためには上記各々のバリアー性の高分子フィルムを積層する必要があり、全体の厚みはかなり増大するため、もとのフィルムの優れた特性が損なわれることが多く、またコストも増大する。後者のコーティングの例としては、各種金属酸化物、窒化物が検討されてきた。特にＳｉＯｘはふるくから検討され、高速生産性の観点から蒸着法が主に検討されてきた。ＳｉＯｘのｘは小さい方がバリヤー性が優れているが、透明性は低下する。そこで、ｘ＝１．７前後のＳｉＯｘ膜が良いとされてきたが、例えば酸素透過率２ｃｍ３／ｍ２／ｄａｙ以下、水蒸気透過率１ｇ／ｍ２／ｄａｙ以下のレベルは達成されていない。
　【０００３】スパッタリング法は蒸着法に比べ優れたバリヤー性を示す。高周波マグネトロンスパッタ法が使用され、金属シリコンをターゲットに用いて酸素雰囲気中でスパッタ、またはＳｉＯｘターゲットを用いてそのままスパッタする。ターゲットの背後にはフェライト磁石を配置し、ターゲットの表面には２５０ガウス程度の水平磁束密度が現れ、マグネトロン放電が起こり、スパッタリングが行われる。アルゴンガス圧は低い方が好ましく数ｍＴｏｒｒで行なわれる。基板温度の影響は小さい。スパッタリング法は、蒸着法に比べれば生産性が劣るが、使用目的によってはスパッタリング法が適している場合がある。例えば、透明導電膜ＩＴＯをスパッタリングにより形成するような場合、下地バリアー膜、ＩＴＯを同一スパッタリング装置で一度に形成する方が経済的である。液晶表示素子として使用する場合には、酸素透過率２ｃｍ３／ｍ２／ｄａｙ以下、水蒸気透過率１ｇ／ｍ２／ｄａｙ以下が要求されるが、現在までのスパッタリング法では、このような低い値は達成されていない。最近、プラズマＣＶＤ法による新たな方法が報告されているが、まだ技術的には完成していない。
　【０００４】
　【発明が解決しようとする課題】本発明は、ガス及び湿気両方のバリアー性を有し、しかも酸素透過率が１．０ｃｍ３／ｍ２／ｄａｙ以下及び水蒸気透過率が０．２ｇ／ｍ２／ｄａｙ以下であり、かつ、５５０ｎｍの光線透過率が８０％以上であるガス及び湿気バリアー膜を提供するものである。
　【０００５】
　【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記問題を解決するために鋭意研究を重ねた結果、高磁束密度カソードを使用した高周波マグネトロンスパッタリング法で作成した特定の組成のＳｉＯｘ膜を使用することにより、高いガス及び湿気バリアー性と高い透明性とを同時に得られることがわかり本発明に到った。すなわち、本発明は、高分子フィルムの片面又は両面に厚み２００〜６００ÅのＳｉＯｘ（ただし、１．３≦ｘ≦１．８）層が、水平磁束密度５００〜１０００ガウスのカソードを使用し、５ｍＴｏｒｒ以下のアルゴンガス圧下、ターゲット単位面積当たり１．６５〜５．０Ｗ／ｃｍ２の電力を投入した高周波マグネトロンスパッタ法により形成されてなり、酸素透過率が１．０ｃｍ３／ｍ２／ｄａｙ以下及び水蒸気透過率が０．２ｇ／ｍ２／ｄａｙ以下であり、かつ、５５０ｎｍの光線透過率が８０％以上である、フィルム液晶又はエレクトロルミネッセンス素子用基板用のガス及び湿気バリアー膜、及びその製造方法を内容とする。
　【０００６】本発明のガス及び湿気バリアー膜の作成方法を以下に述べる。スパッタリング装置としては、高周波マグネトロンスパッタリング装置を使用する。マグネトロンスパッタリング装置のカソードにはターゲットの背面にマグネットが組み込まれており、普通非磁性体ターゲットに対してはフェライト磁石が使用され、ターゲット表面の水平磁束密度は２００〜３００ガウスに設定されている。しかし、これでは十分なバリアー性は達成されず、希士類磁石を使用して５００〜１０００ガウスに高めることにより優れたバリヤー性を達成することができる。希士類磁石としてはＳｍ−Ｃｏ合金、Ｎｄ−Ｆｅ合金等が使用される。
　【０００７】ターゲットとしては、金属Ｓｉを酸素雰囲気中でスパッタリングしてもよいが、酸化物ターゲットＳｉＯｘを使用した方が組成の均一な膜が得られるので好ましい。勿論、若干の酸素含有量を調節するために少量の酸素を追加導入することは差し支えない。ＳｉＯｘのｘの値としては１．３〜１．８の範囲である。１．８を越えるとバリアー性が低下する。またｘが１に近いと近紫外領域の吸収がおこり黄色着色をおこすので、透明なバリアー膜を得るにはｘは１．３以上とする。得られる膜の組成とターゲットの組成はほぼ一致させることができ、ターゲットの組成も好ましくは１．０〜１．８、更に好ましくは１．３〜１．８である。ＳｉＯｘの層の厚みは２００Å〜６００Åの範囲である。２００Å未満ではバリアー性が不十分となり６００Åを越えるとクラックが発生し易くなる。ＳｉＯｘ層は、高分子フィルムの片面又は両面のいずれにも形成することができる。
　【０００８】高分子フィルムとしては特に制限されないが、例えばポリエチレンテレフタレート、ポリアリレート、ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリスルフォン、ポリエーテルスルフォン、ポリエーテルケトン等が挙げられ、これらは単独又は２種以上混合して用いられる。透明なバリアー膜を得るには透明のフィルムを用いる。高分子フィルムにスパッタリングする前に、付着力向上のための前処理を施すことが好ましい。例えば有機溶媒による洗浄、プラズマ処理、付着力向上のためのプライマー処理等が可能である。特にプラズマ処理はスパッタリング法にとって現実的な方法であり、スパッタ膜の付着力は、前処理を行なわない場合に比べしばしば数倍にも達する。
　【０００９】基板温度は、そのフィルムのガラス転移温度まで設定可能であるが、バリヤー性の観点からは低温の方が有利であり、フィルム裏面より水冷、場合によっては冷媒による冷却が好ましい。アルゴンガス圧は低い程バリヤー性の優れた膜は得られ、５ｍＴｏｒｒ以下であり、３ｍＴｏｒｒ以下が好ましい。１ｍＴｏｒｒ前後でスパッタして得た膜が最も好ましいが、それ以下では放電が不安定になる。スパッタリング法投入電力は、ターゲット単位面積当たりで１．６５〜５．０Ｗ／ｃｍ２の範囲である。大きいほど高速製膜でき、上限はターゲットの冷却速度に律される。
　【００１０】以上のごとく最適化された条件下に作成されたＳｉＯｘ膜は、例えば３００Åの膜厚みで酸素透過率が１．０ｃｍ３／ｍ２／ｄａｙ以下、水蒸気透過率が０．２ｇ／ｍ２／ｄａｙ以下のものを得ることも可能である。両面化すれば酸素透過率が０．１ｃｍ３／ｍ２／ｄａｙ以下、水蒸気透過率が０．１ｇ／ｍ２／ｄａｙ以下も可能である。また４００〜８００ｎｍの領域で８０％以上の光線透過率を示すバリアー膜が得られる。さらにＳｉＯｘの付着力が優れ、折り曲げに対しても割れを生じない。また高い耐熱性を持っている。
　【００１１】
　【実施例】以下、本発明を実施例に基づいて更に具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、光線透過率、水蒸気透過率、酸素透過率及び膜厚の測定方法は次の通りである。光線透過率は、分光光度計を使用して、可視光領域３００〜８００ｎｍの透過率を測定することにより各波長毎に求められる。また簡易的には５５０ｎｍの透過率で代表することも多い。水蒸気透過率についてはＪＩＳ　Ｚ−２０８に従い、４０℃、ＲＨ９０％の条件で測定した。酸素透過率についてはＭＯＤＥＲＮ　ＣＯＮＴＲＯＬ社製、酸素透過率測定装置ＯＸ−ＴＲＡＮ１００を使用して求めた。膜厚はガラス基板状に製膜した膜について触針式段差計により測定し、同一条件で高分子フィルムにスパッタ製膜し必要膜厚みを得た。
　【００１２】実施例１
基板フィルムとして、厚さ７５ミクロンのポリアリレートフィルム〔鐘淵化学工業株式会社製“エルメック”（登録商標）〕を用い、該フィルムの片面に厚み３００Åの酸化シリコンを高周波マグネトロンスパッタリング法により成膜した。ターゲットは直径６インチのＳｉＯ１．５を使用した。カソードのマグネットとしてはＳｍ−Ｃｏ合金を使用し、ターゲット表面の水平磁束密度は５００ガウスであった。基板は裏面より金属板を隔てて水冷した。２ｘ１０−６Ｔｏｒｒまで排気し、その状態からアルゴンガスを毎分１０ｃｍ３導入し、弁の開度を調節して圧力１ｍＴｏｒｒとした。４００Ｗ（２．２Ｗ／ｃｍ２）の高周波電力を投入し、１．５分間スパッタリングし、厚み３００ÅのＳｉＯ１．５膜を得た。可視領域での光線透過率を図１に示した。４００〜６００ｎｍ領域でほぼ９０％以上の光線透過率を示し、５５０ｎｍの光線透過率は９２％であった。水蒸気透過率は０．１１ｇ／ｍ２／ｄａｙ以下、酸素透過率は０．４０ｃｍ３／ｍ２／ｄａｙであった。
　【００１３】実施例２、比較例１
アルゴンガス圧力を変えた以外は実施例１と同様にして製膜した。その結果を表１に示した。ガス圧は低いほどガスバリヤー性が優れていることがわかる。
　【００１４】
　【表１】
　【００１５】比較例２
酸素ガスを添加導入した以外は実施例１と同様にして製膜した。その結果を表２に示した。
　【００１６】
　【表２】
　【００１７】実施例３、４
スパッタリング中の基板の温度を変えた以外は実施例１と同様にして製膜した。その結果を表３に示した。基板温度の影響は少ないが、低温の方がバリアー性が高いことがわかる。
　【００１８】
　【表３】
　【００１９】比較例３、４、５、実施例５、６
投入高周波パワーを変えた以外は実施例１と同様に成膜した。その結果を表４に示した。パワーは高い方が、バリアー性が優れることがわかる。
　【００２０】
　【表４】
　【００２１】比較例６、実施例７
カソード磁石をそれぞれフェライト、Ｎｄ−Ｆｅ合金に変えた以外は実施例１と同様に成膜した。その結果を表５に示した。磁石は磁束密度が高いほどバリアー性が優れることがわかる。
　【００２２】
　【表５】
　【００２３】比較例７、実施例８、９、比較例８
ターゲットの組成を変えた以外は実施例１と同様に成膜した。その結果を表６に示した。ｘは１．０〜１．８の領域で優れたバリアー性を示す。またｘが１．３〜１．８の領域で優れたバリアー性と透明性を示す。
　【００２４】
　【表６】
　【００２５】実施例１０、１１、比較例９、１０
ＳｉＯｘ膜の厚みを変え、または両面にＳｉＯｘ膜を形成した以外は実施例１と同様に成膜した。その結果を表７に示した。膜厚を変えても、また高分子フィルムの両面にＳｉＯｘ膜を形成しても優れたバリアー性を及び透明性を示すことがわかる。
　【００２６】
　【表７】
　【００２７】
　【発明の効果】本発明のガス及び湿気バリアー膜は極めて高いガス及び湿気バリアー性を有し、更にＳｉＯｘの組成を選択することにより、高い透明性を有する。また、本発明のバリアー膜は透明導電膜等と同時に連続的に成膜することができ、従来のラミネート型バリアーフィルム等に比べ安価である。
【図面の簡単な説明】
　【図１】実施例１で得られたバリアー膜の可視光領域での透過率を示す。