(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光素子を搭載するための基板であって、
基体と、
前記基体の表面に間接的に配された第１の絶縁層と、
前記基体と前記第１の絶縁層との間に配された第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層上に配された電極パターンとを備え、
前記第１の絶縁層は、光を反射する樹脂層と、当該樹脂層内に配され、前記樹脂層より線膨張率が小さい網目状の構造体とからなり、
前記電極パターンは、複数の電極端子部と、当該電極端子部間を接続する配線部とからなり、
前記第１の絶縁層は、前記複数の電極端子部を露出させるように、前記配線部を覆っており、
前記第２の絶縁層は、第１の絶縁層より高い熱伝導性を有し、
前記第１の絶縁層は、前記第２の絶縁層より高い光反射性を有することを特徴とする基板。
【請求項２】
前記構造体は、ガラス材料からなり、
前記基体は金属材料からなることを特徴とする請求項１に記載の基板。
【請求項３】
前記構造体は、ポリエーテル・エーテル・ケトン樹脂又は芳香族ポリアミド繊維からなり、
前記基体は金属材料からなることを特徴とする請求項１に記載の基板。
【請求項４】
前記樹脂層は白色であって、セラミックス粒子を含む樹脂からなることを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載の基板。
【請求項５】
前記セラミックス粒子は、アルミナ、酸化チタン、シリカ、及びジルコニアのうち少なくとも一種類を含むことを特徴とする請求項４に記載の基板。
【請求項６】
前記樹脂は、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、フッ素樹脂、及びポリイミド樹脂のうち少なくとも一種類を含むことを特徴とする請求項４又は５に記載の基板。
【請求項７】
基板と、
前記基板上に搭載された発光素子と、
前記発光素子を被覆する封止樹脂とを備え、
前記基板は、基体と、前記基体の表面に間接的に配された第１の絶縁層と、
前記基体と前記第１の絶縁層との間に配された第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層上に配された電極パターンとを備え、
前記第１の絶縁層は、光を反射する樹脂層と、当該樹脂層内に配され、前記封止樹脂より線膨張率が小さい網目状の構造体とからなり、
前記電極パターンは、複数の電極端子部と、当該電極端子部間を接続する配線部とからなり、
前記第１の絶縁層は、前記複数の電極端子部を露出させるように、前記配線部を覆っており、
前記第２の絶縁層は、第１の絶縁層より高い熱伝導性を有し、
前記第１の絶縁層は、前記第２の絶縁層より高い光反射性を有することを特徴とする発光装置。
【請求項８】
前記構造体は、ガラス材料からなり、
前記基体は金属材料からなることを特徴とする請求項７に記載の発光装置。
【請求項９】
前記構造体は、ポリエーテル・エーテル・ケトン樹脂又は芳香族ポリアミド繊維からなり、
前記基体は金属材料からなることを特徴とする請求項７に記載の発光装置。
【請求項１０】
前記樹脂層は白色であって、セラミックス粒子を含む樹脂からなることを特徴とする請求項７〜９の何れか１項に記載の発光装置。
【請求項１１】
前記セラミックス粒子は、アルミナ、酸化チタン、シリカ、及びジルコニアのうち少なくとも一種類を含むことを特徴とする請求項１０に記載の発光装置。
【請求項１２】
前記樹脂は、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、フッ素樹脂、及びポリイミド樹脂のうち少なくとも一種類を含むことを特徴とする請求項１０又は１１に記載の発光装置。
【請求項１３】
請求項７〜１２の何れか１項に記載の発光装置を搭載したことを特徴とする照明装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光装置用基板と、この発光装置用基板を用いた発光装置に関する。特には、高い絶縁耐圧性と放熱性を兼ね備えた発光装置用基板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
発光装置用基板として基本的に備える必要がある性能としては、高反射率と、高放熱性と、絶縁耐圧と、長期信頼性とを挙げることができる。特に、高輝度照明に用いられる発光装置用基板には、高い絶縁耐圧性が必要とされる。【０００３】
従来から、発光装置用基板として、セラミックス基板、又は金属基体上に絶縁層として有機レジスト層を設けた基板を備えた発光装置などが知られている。以下、セラミックス基板と金属基体を用いた基板とのそれぞれの問題点を中心に説明する。【０００４】
（セラミックス基板）
例えば、セラミックス基板は、板状のセラミックス基体に電極パターンを形成して作製される。発光装置の高出力化傾向に伴って、発光素子を基板上に多数並べて、明るさを向上させることが追及された結果、年々、セラミックス基板は大型化の一途をたどってきた。【０００５】
具体的には、投入電力３０Ｗで使用される一般的なＬＥＤ（Light Emitting Diode、発光ダイオード）発光装置を、例えば、寸法６５０μｍ×６５０μｍ程度あるいはその前後のフェイスアップ型（活性層が実装面から遠方に位置する）青色ＬＥＤ素子を、中型サイズに分類される一つの基板に並べて実現する場合、１００個程度の青色ＬＥＤ素子が必要である。この数のＬＥＤ素子を並べるセラミックス基板としては、例えば、平面サイズで２０ｍｍ×２０ｍｍ以上、厚み１ｍｍ程度を用いたものがある。【０００６】
また、投入電力１００Ｗ以上の更に明るいＬＥＤ照明用発光装置を実現しようとした場合には、このような基板の大型化を基本とした技術開発の帰結として、４００個以上の青色ＬＥＤ素子を一挙に搭載することが可能である、少なくとも平面サイズで４０ｍｍ×４０ｍｍ以上のより大型のセラミックス基板が必要とされる。【０００７】
しかしながら、上述したようなセラミックス基板の大型化の要求に基づいて、セラミックス基板を大型化して商業ベースで実現しようとしても、セラミックス基板の強度と製造精度と製造コストとの３つの課題のため、商業ベースでの実現は困難であった。【０００８】
具体的には、セラミックス材料は、基本的に焼き物であるため、大型化するとセラミックス基板の強度に問題が生じる。この問題を克服するために基板を厚くすると、熱抵抗が高くなる（放熱性が悪くなる）と同時に、セラミックス基板の材料コストも上昇してしまうという新たな問題が生じてしまう。また、セラミックス基板を大型化すると、セラミックス基板の外形寸法ばかりでなく、セラミックス基板上に形成される電極パターンの寸法も狂いやすくなり、結果として、セラミックス基板の製造歩留が低下して、セラミックス基板の製造コストが上昇し易いという問題がある。【０００９】
このようなセラミックス基板の大型化に伴う問題に加えて、セラミックス基板への発光素子の搭載数の増加も問題となる。例えば、上記発光装置では、セラミックス基板１枚あたり実装される発光素子の数が４００個以上と非常に多くなり、製造歩留まりの低下の一因となっている。【００１０】
また、フェイスアップ型発光素子では、発光装置用基板の発光素子実装面から遠方側に活性層が位置するため、活性層までの熱抵抗が高く、更に発光素子を基板に固定するために使用するダイボンドペーストの影響を受け、活性層温度が上昇しやすい。セラミックス基板１枚あたりの発光素子集積数が多い高出力発光装置では、ベースとなる基板温度も高く、発光素子の活性層温度は、上記基板温度を加えて更に高くなり、発光素子の寿命低下が顕在化する。【００１１】
（金属基体を用いた基板）
一方、このようなセラミックス基板での上記問題点を克服する目的で、高出力発光装置用基板として、熱伝導性の高い金属基体を使用する場合がある。ここで、金属基体上に発光素子を搭載するためには、発光素子と接続する電極パターンを形成するためにも金属基体上に絶縁層を設けなくてはならない。【００１２】
発光装置用基板において、従来から、絶縁層として使用されているものとしては有機レジストが挙げられる。【００１３】
そして、高出力発光装置用基板で光利用効率を向上させるためには、上記絶縁層は、高い光反射性を有している必要がある。【００１４】
しかしながら、発光装置用基板において、従来から、絶縁層として使用されている有機レジストを用いる場合、十分な熱伝導性、耐熱性、耐光性が得られず、また、高出力発光装置用基板として必要な絶縁耐圧性が得られない。また、光の利用効率を向上させるためには、絶縁層を介して金属基体側に漏れる光を反射させる必要があるが、従来の有機レジストを絶縁層として用いた構成では十分な光反射性が得られない。【００１５】
そこで、金属基体を用いた基板にセラミックス系塗料を用いて絶縁体層を形成した基板が提案されている。【００１６】
このような金属基体表面にセラミックス系塗料を用いて光反射層兼絶縁体層を形成した発光装置用基板では反射率、耐熱性、耐光性の良好な発光装置用基板を実現できる。特許文献１には、セラミックス系塗料を基体に塗布する光反射層兼絶縁体層の形成方法が開示されている。【００１７】
また、下記特許文献４には、金属基板の表面にエアロゾルデポジション法（Aerosol Deposition method、以下、「ＡＤ法」とも記載する）によってセラミックス層を形成することが開示されている。【００１８】
さらに、下記特許文献５には、塗料を用いることなく、例えば、アルミナなどのセラミックスからなる絶縁層をベースである金属基体上にプラズマ溶射で形成し、光源用基板を製造する技術について開示されている。このようにプラズマ溶射でアルミナの絶縁層を形成した光源用基板は、電気的な絶縁耐圧性に優れた良好な光源用基板を実現できる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１９】
【特許文献１】日本国公開特許公報「特開昭５９‐１４９９５８号公報（１９８４年８月２８日公開）」
【特許文献２】日本国公開特許公報「特開２０１２‐１０２００７号公報（２０１２年５月３１日公開）」
【特許文献３】日本国公開特許公報「特開２０１２‐６９７４９号公報（２０１２年４月５日公開）」
【特許文献４】日本国公開特許公報「特開２００６‐３３２３８２号公報（２００６年１２月７日公開）」
【特許文献５】日本国公開特許公報「特開２００７‐３１７７０１号公報（２００７年１２月６日公開）」
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００２０】
しかしながら、金属基体表面に、樹脂あるいはガラス質をバインダーとするセラミックス系塗料により光反射層兼絶縁体層を形成した発光装置用基板は、反射率および放熱性に優れるものの、絶縁耐圧性が低いという問題がある。例えば、当該基板で投入電力１００Ｗ以上の明るいＬＥＤ照明用発光装置を実現しようとした場合、セラミックス基板とは違い、高輝度照明用途の発光装置用基板に必要とされる高い絶縁耐圧性能が確保できない。【００２１】
これに対し、金属基体表面にセラミックス系塗料を用いて光反射層兼絶縁体層を形成した発光装置用基板の場合には、充分な絶縁耐圧性能を確保すべく、上記光反射層兼絶縁耐圧層の厚みを厚くして必要とされる高い絶縁耐圧性能を安定的に確保しようとすると、今度は熱抵抗が高くなり、放熱性が低下するという問題が生じてしまう。【００２２】
これは、光反射層を形成するセラミックス系塗料の熱伝導率が一般に低いことによる。薄い膜厚で高い反射率を実現するため、使用するセラミックス粒子は、一般に反射率は高く、熱伝導率は低くなる傾向にある。更に、樹脂あるいはガラス質のように熱伝導率の低い物質をバインダーとして必要とするため、セラミックス系塗料だけで絶縁耐圧性と放熱性を両立することが困難である。【００２３】
また、上記特許文献４に開示されているＡＤ法でアルミナの絶縁層を形成した発光用基板、あるいは、上記特許文献５に開示されているプラズマ溶射でアルミナの絶縁層を形成した発光装置用基板は、電気的な絶縁耐圧性に優れ、放熱性も良好な発光装置用基板が形成される。【００２４】
アルミナ単独で、プラズマ溶射あるいはＡＤ法により形成した層の反射率は最大でも８５％であり、光反射率は良好であるものの、高輝度照明に使用される９０％〜９５％を超える反射率を得ることが出来ない。したがって、反射率が９０％以上、更には９５％以上必要である高輝度照明に用いられる発光装置用基板としては、反射率が低いという問題がある。【００２５】
以上のように、従来の金属を基体に用いた発光装置用基板においては、熱抵抗が低く放熱性に優れ、且つ、絶縁耐圧性、高い光反射性にも優れた基板は、少なくとも量産に適した形では存在しない。【００２６】
これは、活性層が発光素子上側に配置されたフェイスアップ型発光素子を使用する場合、逆に、発光素子下側に配置されたフリップチップ型発光素子を使用する場合を問わず、金属を基体に用いた発光装置用基板に共通の課題であった。【００２７】
このような課題を克服するために、例えば、フリップチップ型発光素子用基板として下記のような構造を試みた。【００２８】
すなわち、金属基体と、熱伝導性を有する第２絶縁層と、前記第２絶縁層の上に形成された配線パターンと、前記配線パターンの一部が露出するように、前記第２絶縁層の上及び前記配線パターンの残りの一部の上に形成された光反射性を有する第１絶縁層とを備え、更に、第２絶縁層の熱伝導率は第１絶縁層より高く、第１絶縁層の光反射率は第２絶縁層より高い構造とすることで、熱抵抗が低く放熱性に優れ、且つ、絶縁耐圧性、高い光反射性にも優れた基板を実現する可能が高いことが分かってきた。【００２９】
ここで、第２絶縁層としては、アルミナや窒化アルミニウムといったセラミックス粒子に代表される高い熱伝導性を有する無機固形物を含む、樹脂シートやガラス質層であってもよく、あるいは、溶射やＡＤ法（エアロゾルデポジション法）など、金属基体に向け、セラミックス粒子を高速で噴射し、セラミックス層を堆積させて形成した絶縁層であってもよい。第１絶縁層としては、酸化チタン、アルミナ、ジルコニアといったセラミックス粒子に代表される高い光反射率を有する無機固形物を含む、樹脂あるいはガラス質層であってもよい。【００３０】
ところで、前記発光装置用基板を用いた発光装置では、通常、発光装置用基板に搭載した発光素子は封止樹脂によって覆われている。これは、発光素子、光反射面、電極などを保護するばかりで出なく、封止樹脂に蛍光体粒子を混ぜ、発光色を調色する場合にも使用されるためである。【００３１】
ここで次のような課題が生じる。前記発光装置に熱膨張収縮が生じると、光反射性を有する前記第１絶縁層が、封止樹脂とともに下層から剥離することがある。通常、光反射性を有する前記第１絶縁層の厚みは、５０μｍ程度で充分な反射率が得られる。これに対し、封止樹脂の厚みは一般に０．５ｍｍ−１ｍｍ程度と１０倍以上厚い。第２絶縁層および配線パターンに対する第１絶縁層の密着強度に比べ、前記封止樹脂と前記第１絶縁層との密着強度の方が強く、更に、第２絶縁層、あるいは配線パターンに比べ、前記封止樹脂の線膨脹率が大きい場合には、体積の大きな封止樹脂の動きに引きずられて、前記第１絶縁層が下層から剥離するものと考えられる。【００３２】
同様の課題は、フェイスアップ型発光素子用に作られた発光装置用基板にも存在する。【００３３】
すなわち、金属基体と、熱伝導性を有する第２絶縁層と、前記第２絶縁層の上に形成された光反射性を有する第１絶縁層と、第１絶縁層の上に形成された配線パターンとを備え、更に、第２絶縁層の熱伝導率は第１絶縁層より高く、第１絶縁層の光反射率は第２絶縁層より高い構造とすることで、熱抵抗が低く放熱性に優れ、且つ、絶縁耐圧性、高い光反射性にも優れた発光装置用基板の場合である。【００３４】
この例にあっても、発光装置用基板上に配置した発光素子を樹脂により封止した発光装置にあっては、熱膨張収縮により封止樹脂に密着した第１絶縁層が第２絶縁層から剥離する場合がある。【００３５】
本発明の目的は、上記従来の問題点に鑑みなされたものであって、その目的は、絶縁耐圧性と光反射性とを備え、さらに量産性にも優れた発光素子を配するための基板及び当該基板を用いた発光装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００３６】
上記の課題を解決するために、本発明の一態様に係る基板は、発光素子を搭載するための基板であって、基体と、前記基体の表面に間接的に配された第１の絶縁層と、前記基体と前記第１の絶縁層との間に配された第２の絶縁層と、前記第２の絶縁層上に配された電極パターンとを備え、前記第１の絶縁層は、光を反射する樹脂層と、当該樹脂層内に配され、前記樹脂層より線膨張率が小さい網目状の構造体とからなり、前記電極パターンは、複数の電極端子部と、当該電極端子部間を接続する配線部とからなり、前記第１の絶縁層は、前記複数の電極端子部を露出させるように、前記配線部を覆っており、前記第２の絶縁層は、第１の絶縁層より高い熱伝導性を有し、前記第１の絶縁層は、前記第２の絶縁層より高い光反射性を有する。
【００３７】
上記の課題を解決するために、本発明の一態様に係る発光装置は、基板と、前記基板上に搭載された発光素子と、前記発光素子を被覆する封止樹脂とを備え、前記基板は、基体と、前記基体の表面に間接的に配された第１の絶縁層と、前記基体と前記第１の絶縁層との間に配された第２の絶縁層と、前記第２の絶縁層上に配された電極パターンとを備え、前記第１の絶縁層は、光を反射する樹脂層と、当該樹脂層内に配され、前記封止樹脂より線膨張率が小さい網目状の構造体とからなり、前記電極パターンは、複数の電極端子部と、当該電極端子部間を接続する配線部とからなり、前記第１の絶縁層は、前記複数の電極端子部を露出させるように、前記配線部を覆っており、前記第２の絶縁層は、第１の絶縁層より高い熱伝導性を有し、前記第１の絶縁層は、前記第２の絶縁層より高い光反射性を有する。
【発明の効果】
【００３８】
本発明の一態様によれば、絶縁耐圧性と光反射性とを備え、さらに量産性にも優れた発光素子を配するための基板を提供できるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】図２に示す面ＡＡに沿った断面図である。
【図２】実施形態１に係る発光装置の構成を示す平面図である。
【図３】（ａ）は実施形態１に係る照明装置の外観を示す斜視図であり、（ｂ）は上記照明装置の断面図である。
【図４】実施形態１に係る発光装置とヒートシンクとの外観を示す斜視図である。
【図５】実施形態１に係る上記基板の製造方法を説明するための断面図である。
【図６】実施形態１に係る上記基板の製造方法を説明するための断面図である。
【図７】実施形態１に係る上記基板の製造方法を説明するための断面図である。
【図８】実施形態１に係る上記基板の製造方法を説明するための断面図である。
【図９】実施形態１に係る上記基板の製造方法を説明するための断面図である。
【図１０】実施形態１に係る上記基板の製造方法を説明するための断面図である。
【図１１】実施形態１の変形例に係る発光装置の構成を表す断面図である。
【図１２】（ａ）は実施形態２に係る発光装置の構成を示す平面図であり、（ｂ）は（ａ）に示す面ＢＢに沿った断面図である。
【図１３】（ａ）は上記発光装置に設けられた基板の構成を示す平面図であり、（ｂ）は（ａ）に示す面ＣＣに沿った断面図であり、（ｃ）は上記断面図の部分拡大図である。
【図１４】実施形態２に係る上記基板の製造方法を説明するための断面図である。
【図１５】実施形態２に係る上記基板の製造方法を説明するための断面図である。
【図１６】実施形態２に係る上記基板の製造方法を説明するための断面図である。
【図１７】実施形態２に係る上記基板の製造方法を説明するための断面図である。
【図１８】実施形態２の比較例に係る基板の概略断面図である。
【図１９】（ａ）は実施形態３に係る基板の構成を示す平面図であり、（ｂ）は（ａ）に示す面ＤＤに沿った断面図であり、（ｃ）は上記断面図の部分拡大図である。
【発明を実施するための形態】
【００４０】
〔実施形態１〕
本発明の実施形態１について図１〜図１１に基づいて説明すれば、以下のとおりである。
【００４１】
（照明装置１の構成）
まず、図３及び図４を用いて、本実施の形態に係る発光装置４が用いられる照明装置１の構成について説明する。図３の（ａ）は実施形態１に係る照明装置１の外観を示す斜視図であり、（ｂ）は照明装置１の断面図である。照明装置１は、発光装置４と、発光装置４から発生する熱を放熱するためのヒートシンク２と、発光装置４から出射する光を反射するリフレクタ３とを備えている。発光装置４は、ヒートシンク２に装着して使用してもよい。図４は、実施形態１に係る発光装置４とヒートシンク２との外観を示す斜視図である。なお、図４は、係る発光装置４をヒートシンク２に配する場合の一例を示す。
【００４２】
図３及び図４に示すように、ヒートシンク２は、円柱の芯材と、当該芯材の表面に配された複数の板状部材とを備えている。ヒートシンク２は、平面視したとき、中心に配された芯材から複数の板状部材が放射状に伸びるように配された構成である。ヒートシンク２は、このように複数の板状部材を配することで、発光装置４から発生する熱の放熱効率を高めている。
【００４３】
リフレクタ３は、ヒートシンク２の一方の面である上面（芯材の頭頂部の表面）に配されている。リフレクタ３の内部の側面は、断面が放物線の一部をなすように湾曲している。発光装置４はリフレクタ３の内部であって底面に配されている。これにより、発光装置４から発光された光は、リフレクタ３の内部の側面にて反射され、効率よくリフレクタ３から出射方向へ出射する。さらに、発光装置４から発生した熱はヒートシンク２の複数の板状部材に伝わり、この複数の板状部材のそれぞれから放熱される。
【００４４】
（発光装置４の構成）
次に、図１及び図２を用い発光装置４の構成について説明する。図２は実施形態１に係る発光装置４の構成を表す平面図である、図１は、図２に示す面ＡＡに沿った断面図である。
【００４５】
図１および図２に図示されているように、発光装置４は、基板１０と、発光素子２０と、発光素子２０を封止する封止樹脂１６とを備えている。基板１０は、基体１２と、中間層（第２の絶縁層）１３と、電極パターン（配線パターン）１４と、絶縁層（第１の絶縁層）３０とを備えている。本実施の形態では、絶縁層３０は、メッシュ状（網目状）に編まれた構造材であるガラスシート（構造体）３１と、ガラスシート３１を覆う白色の反射層（樹脂層）３２とを有する。電極パターン１４は発光素子２０と接続するための複数の電極端子部１４ａと、少なくとも複数の電極端子部１４ａ間を接続する配線部１４ｂとを備えている。
【００４６】
発光素子２０は、電極端子部１４ａと接続されることで、電極パターン１４と電気的に接続されている。図２には、３行３列に配置された９個の発光素子（ＬＥＤチップ）２０を図示している。９個の発光素子２０は、電極パターン１４によって３列に並列接続されており該３列の各々に３個の発光素子２０の直列回路を有する接続構成（すなわち、３直列・３並列）となっている。もちろん、発光素子２０の個数は９個に限定されないし、３直列・３並列の接続構成を有していなくてもよい。
【００４７】
さらに、発光装置４は、枠体１５と、アノード電極（アノードランド、若しくは、アノードコネクタ）２１と、カソード電極（カソードランド、若しくは、カソードコネクタ）２２と、アノードマーク２３と、カソードマーク２４とを備えている。
【００４８】
枠体１５は、封止樹脂１６を堰き止める樹脂ダムの役割を有し、電極パターン１４および絶縁層３０の上に設けられた、アルミナフィラー含有シリコーン樹脂からなる円環状（円弧状）の枠である。枠体１５の材質はこれに限定されず、光反射性を有する絶縁性樹脂であればよい。その形状も、円環状（円弧状）に限定されるものではなく、任意の形状とすることができる。
【００４９】
封止樹脂１６は、透光性樹脂からなる封止樹脂層である。封止樹脂１６は、枠体１５によって囲まれた領域に充填されており、発光素子２０と、絶縁層３０とを封止している。また、封止樹脂１６は、蛍光体を含有している。蛍光体としては、発光素子２０から放出された１次光によって励起され、１次光よりも長い波長の光を放出する蛍光体が用いられる。
【００５０】
なお、封止樹脂１６に含有される蛍光体の構成は特に限定されるものではなく、所望の白色の色度等に応じて適宜選択することが可能である。例えば、昼白色や電球色の組み合わせとして、ＹＡＧ黄色蛍光体と（Ｓｒ、Ｃａ）ＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ赤色蛍光体との組み合わせ、ＹＡＧ黄色蛍光体とＣａＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ赤色蛍光体との組み合わせ等を用いることができる。また、高演色の組み合わせとして、（Ｓｒ、Ｃａ）ＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ赤色蛍光体とＣａ３（Ｓｃ、Ｍｇ）２Ｓｉ３Ｏ１２：Ｃｅ緑色蛍光体あるいはＬｕ３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅ緑色蛍光体との組み合わせ等を用いることができる。また、他の蛍光体の組み合わせを用いてもよいし、擬似白色としてＹＡＧ黄色蛍光体のみを含む構成を用いてもよい。
【００５１】
アノード電極２１およびカソード電極２２は、発光素子２０を駆動するための電流を発光素子２０に供給する電極であり、ランドの形態で設けられている。当該ランド部にコネクタを設置してアノード電極２１およびカソード電極２２をコネクタの形態で提供してもよい。アノード電極２１およびカソード電極２２は、発光装置４において図示しない外部電源と接続可能な電極である。そして、アノード電極２１およびカソード電極２２は、電極パターン１４を介して、発光素子２０と接続されている。
【００５２】
そして、アノードマーク２３およびカソードマーク２４は、それぞれ、アノード電極２１およびカソード電極２２に対する位置決めを行うための基準となるアラインメントマークである。また、アノードマーク２３およびカソードマーク２４は、それぞれ、アノード電極２１およびカソード電極２２の極性を示す機能を有している。
【００５３】
なお、アノード電極２１およびカソード電極２２の直下にある電極パターン１４の部分の厚みは、該直下以外の位置にある電極パターン１４の部分の厚み（図１の電極パターン１４のうち、絶縁層３０に覆われた部分である配線部１４ｂに対応）より大きくなっている。
【００５４】
詳細には、電極パターン１４の厚みは、アノード電極２１およびカソード電極２２の直下において、７０μｍ以上３００μｍ以下であり、該直下以外の位置において、３５μｍ以上２５０μｍ以下であることが好ましい。電極パターン１４が厚い方が、なかでも配線部１４ｂが厚い方が、発光装置４の放熱機能が高くなるところ、電極パターン１４の厚みが３００μｍを超えて、それ以上電極パターン１４あるいは配線部１４ｂを厚くした場合でも、発光素子２０の間隔を充分にあければ、熱抵抗が低下し、放熱性も向上する。たとえば、電極パターン１４の厚み３００μｍに対して、発光素子２０の間隔を２倍以上の６００μｍ以上とすると熱抵抗を下げることが可能である。このようにして発光素子間隔を充分に取ると、放熱性は向上するが、発光装置用基板あたりの発光素子搭載数は減ってしまう。実用的な限界の目安として、電極パターン１４の厚みは、アノード電極２１およびカソード電極２２の直下において、３００μｍ、それ以外の位置において２５０μｍ以下となるのであって、目的や用途によっては、これに限定されるものではない。
【００５５】
なお、電極パターン１４の底面積の総和は、電極パターン１４のうち発光素子２０を搭載する電極端子の面積総和に対して、少なくとも４倍以上となることが好ましい。電極パターン１４の熱伝導率に対し、図１に示した中間層１３の熱伝導率は金属と比較した場合には低いため、電極パターン１４が、中間層１３と接する部分の面積を充分に広く取ると、中間層１３を通過する熱が受ける熱抵抗を下げることが出来る。中間層１３の熱伝導率が１５Ｗ／（ｍ・℃）であることを前提に、上記面積の比を４倍以上としたが、中間層１３の熱伝導率がこれより低く、例えば、７．５Ｗ／（ｍ・℃）の場合には、上記面積の比を８倍以上とすることが望ましい。中間層１３の熱伝導率が低いほど、電極パターン１４の底面積の総和は可能な限り広く取ることが望ましい。
【００５６】
また、図２に示すように、基体１２の基体面方向の外形形状の一例は六角形であるが、基体１２の外形はこれに限るものではなく、任意の閉図形形状を採用することができる。さらに、閉図形形状は、閉図形の周が、直線のみ、または、曲線のみで構成された閉図形形状であっても良く、閉図形形状は、閉図形の周が、少なくとも１つの直線部および少なくとも１つの曲線部を含む閉図形形状であっても良い。また、閉図形形状は、凸図形形状に限定されず、凹図形形状であっても良い。例えば、直線のみで構成された凸多角形形状の例として、三角形、四角形、五角形、八角形等であってもよく、また、任意の凹多角形形状であっても良い。また、曲線のみで構成された閉図形形状の例として、円形形状または楕円形形状であってもよく、凸曲線形状または凹曲線形状等の閉図形形状であっても良い。さらに、少なくとも１つの直線部および少なくとも１つの曲線部を含む閉図形形状の例として、レーストラック形状などであっても良い。
【００５７】
（基板１０の構成）
以下、図１に基づいて、基板１０に備えられた各層について説明する。図１に図示されているように、基板１０には、金属材料からなる基体１２と、基体１２の一方側の面に形成された熱伝導性を有する中間層１３と、中間層１３の上に形成された電極パターン１４と、電極パターン１４の一部である電極端子部１４ａが露出するように、中間層１３の上および電極パターン１４の他の一部である配線部１４ｂ上に形成された光反射性を有する絶縁層３０とが備えられている。
【００５８】
＜金属材料からなる基体１２＞
実施形態１においては、金属材料からなる基体１２としてアルミニウム基体を用いる。アルミニウム基体としては、例えば、縦５０ｍｍ×横５０ｍｍ×厚み３ｍｍのアルミニウム板を用いることができる。基体１２にアルミニウムを用いる長所として、軽量で加工性に優れ、熱伝導率が高いことが挙げられる。また、アルミニウム基体には陽極酸化処理を妨げない程度のアルミニウム以外の成分が含まれていてもよい。なお、詳しくは後述するが、実施形態１においては、比較的低い温度で、基体１２上に、中間層１３と、電極パターン１４と、光反射性を有する絶縁層３０とを形成することができるので、金属材料からなる基体１２として６６０℃の融点を有する低融点金属であるアルミニウム基体を用いることができる。このような理由から、アルミニウム基体に限定されることはなく、例えば、銅基体、ステンレス基体あるいは鉄を材料として含む金属からなる基体なども用いることができ、金属材料からなる基体１２として選択できる材質の幅が広い。
【００５９】
＜熱伝導性を有する中間層１３＞
本実施形態においては、図１に図示されているように、（発光装置用）基板１０に高放熱性と、高い絶縁耐圧特性とを安定的に付与するために、熱伝導性のセラミックス絶縁体である中間層１３が、金属材料からなる基体１２と、電極パターン１４または光反射性を有する絶縁層３０との間に形成されている。
【００６０】
中間層１３は、金属材料からなる基体１２上に向けて、セラミックス粒子を高速で噴射させることにより堆積させ形成しており、良好な熱伝導性を有する絶縁層である。このような手法としては、プラズマ溶射、高速フレーム溶射などに代表される溶射や、ＡＤ法（エアロゾル・デポジション法）などが挙げられる。
【００６１】
また中間層１３を形成する別の手法としては、ガラス質や樹脂のようなバインダーを使用、セラミックス粒子からなる良好な熱伝導性を有する絶縁層としてもよい。具体的には、セラミックス粒子を含有する塗料を金属材料からなる基体１２に塗布したうえでガラス質あるいは樹脂を硬化させ形成しても良いし、セラミックス粒子を含有するシート状に成型した樹脂を金属材料からなる基体１２に貼り合せたうえで樹脂を硬化させ中間層１３を形成してもよい。
【００６２】
なお、上述したように、実施形態１においては、金属材料からなる基体１２として６６０℃の融点を有する低融点金属であるアルミニウム基体を用いているため、セラミックスの焼結体をアルミニウム基体上で直接焼結して、中間層１３を形成することはできないが、アルミニウム基体上に溶射やＡＤ法を用いてセラミックスからなる中間層１３を形成することは可能である。
【００６３】
ガラスや樹脂からなるバインダーを使用した、セラミックスからなる中間層１３を形成してもよい。
【００６４】
以上のように、高放熱性と、高い絶縁耐圧特性とを有する良好な中間層１３を（発光装置用）基板１０に形成することができるので、基板１０に高放熱性と、高い絶縁耐圧特性とを安定的に付与することができる。
【００６５】
なお、中間層１３の形成に用いられるセラミックスとしては、絶縁性も熱伝導率もバランス良く高いことからアルミナが望ましく、実施形態１においては、アルミナを用いた。しかしながら、これに限定されることはなく、アルミナの他にも、窒化アルミニウムや窒化ケイ素は、熱伝導率および絶縁耐圧性能がともに良好であることから好ましい。
【００６６】
さらに、炭化ケイ素は熱伝導率が高く、ジルコニアや酸化チタンは絶縁耐圧性能が高い。したがって、中間層１３の目的や用途に応じて、適宜使い分けることが好ましい。
【００６７】
なお、ここで言うセラミックスは、金属酸化物に限定されるものではなく、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、炭化ケイ素なども含む広義のセラミックス、すなわち、無機固形体材料全般を含む。これら無機固形体材料のうち、耐熱性、熱伝導性に優れた安定な物質であり、絶縁耐圧性に優れた物質であれば任意の物質であっても構わない。
【００６８】
また、中間層１３は、詳しくは後述する絶縁層３０よりも熱伝導率が高いことが望ましく、したがって、絶縁層３０よりも高い熱伝導率のセラミックス粒子を中間層１３で使用することが望ましい。
【００６９】
中間層１３と後述する絶縁層３０とは共に絶縁層であるが、光反射性を有する絶縁層３０は、光反射機能を確保できる必要最低限の厚みがあれば充分である。光反射性を有する絶縁層３０は、混合させるセラミックス材料とその量にも依存するが、概ね層厚１０μｍ〜１００μｍで反射率は飽和する。中間層１３の絶縁耐圧性も絶縁層の形成条件にもよるが、中間層１３は、その層厚が５０μｍ以上１０００μｍ以下で形成されることが好ましく、絶縁層３０は、その層厚が１０μｍ以上３００μｍ以下で形成されることが好ましい。また、絶縁層３０の厚みを中間層１３の厚みよりも薄くする事が望ましい。
【００７０】
中間層１３は、その層厚が５０μｍ〜５００μｍで形成されることが特に好ましい。また、例えば、中間層１３が１００μｍの厚さで形成されれば、中間層１３だけで最低でも１．５ｋＶ〜３ｋＶ以上の絶縁耐圧性を確保でき、５００μｍの厚さで形成されれば、中間層１３だけで最低でも７．５ｋＶ〜１５ｋＶの絶縁耐圧性を確保することができる。
【００７１】
ここでは、中間層１３に直接、電極パターン１４が形成されているため、基体１２と電極パターン１４との間の絶縁耐圧性が４ｋＶ〜５ｋＶ程度になるように中間層１３の層厚を設計することが求められる。少なくとも３００μｍの中間層１３の厚みがあれば４．５ｋＶの絶縁耐圧性を実現できる。
【００７２】
なお、溶射やＡＤ法を用いて形成したセラミックス層（中間層１３）の熱伝導率は、焼結によって形成されたセラミックス層の熱伝導率に近く、例えば、１０〜３０Ｗ/（ｍ・℃）の値である。しかしながら、ガラスや樹脂からなるバインダーを用いてセラミックス粒子を固めて形成した絶縁層では、ガラスや樹脂の低い熱伝導率の影響を受け、熱伝導率が通常１〜３Ｗ/（ｍ・℃）程度、高くても５Ｗ/（ｍ・℃）程度である。以上のように、溶射やＡＤ法を用いて形成したセラミックス層（中間層１３）の熱伝導率は、ガラスや樹脂からなるバインダーを用いてセラミックス粒子を固めて形成した絶縁体層の熱伝導率と比較して高い。
【００７３】
なお、中間層１３の内部は更に適宜複数の層から構成されていても良い。
【００７４】
＜電極パターン１４＞
中間層１３上に形成する電極パターン１４は、従来の電極パターンの形成方法で形成することが出来る。すなわち、電極パターンは、電極下地用の金属ペーストとメッキ層とで構成される。例えば、電極下地用の金属ペーストとしては、バインダーとして樹脂等の有機物を含有するペーストを使用し、前記金属ペーストを印刷、乾燥後、メッキ処理により、例えば、厚膜の銅からなる電極パターンを形成することが出来る。
【００７５】
実施形態１においては、中間層１３上に、プラズマ溶射により銅の厚膜の導電層を形成して、エッチングにより電極パターン１４を形成する。
【００７６】
図１に図示されているように、基板１０においては、中間層１３上に直接、プラズマ溶射で銅の導電層が形成されているので、中間層１３と電極パターン１４との密着性が良好である。バインダーとして樹脂等の有機物を含有する電極下地用の金属ペーストを使用する場合とは異なり、中間層１３と電極パターン１４との間に熱伝導率が低い高抵抗層を介在させることが無いので、良好な放熱性を有する基板１０を実現できる。
【００７７】
基板１０としての放熱性を上げるために、熱伝導率の高い電極パターン１４、とりわけ配線部１４ｂの層厚を厚くすることが有効であるが、プラズマ溶射を用いれば、厚膜導電層を容易に形成することが出来る。
【００７８】
最終的に電極パターン１４は導電層形成後にエッチングを用いて上記導電層から削り出すことにより形成する。銅の厚膜導電層であれば塩化第二鉄を用いて容易にエッチングすることが可能である。溶射では導電層表面に大きな凹凸が形成され易いので、エッチングを用いた電極パターン１４の削り出しには、研磨等による平坦化の前処理が必要となる場合が多い。
【００７９】
電極パターン１４となる導電層の形成は、プラズマ溶射以外の溶射、例えば、高速フレーム溶射、コールドスプレー法等であってもよい。溶射の代わりにＡＤ法で行なっても良い。また、スパッタリング法を用いた電極形成法を行ってもよい。しかしながら、スパッタリング法では、材料の利用効率が溶射等に比べて低いこと、高真空を必要とすることから、製造コストが上がってしまうという課題がある。
【００８０】
また中間層１３として、セラミックス粒子を含有するシート状に成型した樹脂を硬化させて使用する場合には、厚膜導電層として銅箔を用いてもよい。例えば、厚み１００μｍの銅箔と基体１２で、セラミックス粒子を含有するシート状に成型した樹脂を挟むように貼り合せ、前記樹脂を硬化させると、基体１２、セラミックス粒子を含有する樹脂による中間層１３、厚み１００μｍの銅による厚膜導電層の三者が貼り合わされた３層構造の基体が準備できる。電極パターン１４は前記銅の厚膜導電層から塩化第二鉄を用いてエッチングにより削り出すことが可能である。
【００８１】
このような手法によれば、中間層１３と電極パターン１４との密着性が良好であるばかりでなく、電極下地用の金属ペーストを使用する必要が無いため、中間層１３と電極パターン１４との間に熱伝導率が低い高抵抗層を介在させることが無いので、良好な放熱性を有する基板１０を実現できる。
【００８２】
このように、電極パターン１４の導電層を形成するには、中間層１３に適した手法を適宜選択すればよい。
【００８３】
なお、実施形態１においては、電極パターン１４を形成する導電層として、銅を形成したが、これに限定されることはなく、銀などの導電層を形成してもよい。
【００８４】
電極パターン１４の露出部分は、発光素子２０と電気的に接続される（導通させる）電極端子部１４ａと、外部配線または外部装置に接続されるアノード電極（アノードランド、若しくは、アノードコネクタ）２１およびカソード電極（カソードランド、若しくは、カソードコネクタ）２２に相当する部分と、アノードマーク２３及びカソードマーク２４に相当する部分である。なお、アノードマーク２３及びカソードマーク２４は、絶縁層３０の上に形成してもよい。
【００８５】
また、発光装置４と外部配線または外部装置との接続方法としては、半田付けにより、アノード電極２１およびカソード電極２２を外部配線又は外部装置に接続してもよいし、アノード電極（アノードランド、若しくは、アノードコネクタ）２１およびカソード電極（カソードランド、若しくは、カソードコネクタ）２２にそれぞれ接続されたコネクタを介して外部配線又は外部装置に接続してもよい。
【００８６】
＜光反射性を有する絶縁層３０＞
図１に図示されているように、基板１０においては、電極パターン１４の一部が露出するように、中間層１３の上および電極パターン１４の一部の上に光反射性を有する絶縁層３０が形成されている。
【００８７】
絶縁層３０は、メッシュ状（網目状）の構造材であるガラスシート３１と、発光素子２０からの光を反射させる白色の絶縁性の材料からなる反射層３２とを備えている。ガラスシート３１は反射層３２に覆われている。このように、絶縁層３０は、メッシュ状のガラスシート３１を有することで、中間層１３の上および電極パターン１４の一部の上に形成された反射層３２が、下層である中間層１３および電極パターン１４から剥離することを防ぐ効果が得られる。
【００８８】
実施形態１においては、反射層３２は、セラミックスを含む絶縁層により形成されており、その層厚は、基板１０の反射率を考慮して、例えば、層厚を１０μｍ〜５００μｍ程度とすることができる。この反射層３２の厚みの上限は、電極パターン１４の厚みにより制限されている。銅の電極パターン１４は露出していると、光を吸収してしまうので電極パターン１４のうち露出が必要な部分を除いて全て被覆するために反射層３２は十分な厚みが必要である。例えば、基板１０での放熱性を高める目的で電極パターン１４の厚みを３００μｍとする場合には、絶縁層３０もそれを覆うために３００μｍ以下の最適な厚みとすべきであり、電極パターン１４の厚みが５００μｍの場合には、反射層３２も５００μｍ以下の最適な厚みとすべきである。
【００８９】
上述した中間層１３に比べ、絶縁層３０の熱伝導率は低いため、反射層３２の層厚は、所望の反射率を得るために必要最小限の厚さとすることが好ましい。この目的を達成する厚さとしては、上記反射層３２の層厚を５０μｍ〜１００μｍ程度とすることが適当である。電極パターン１４の最大厚みが厚く、この厚みで充分に被覆できない場合には、中間層１３と反射層３２との間に第３の絶縁層を介在させても良く、この層の熱伝導率は反射層３２よりも高いことが望ましい。第３の絶縁層としては、ガラス系バインダーや樹脂バインダーに放熱性の良好なセラミックス粒子が含有する絶縁層であっても良く、溶射やＡＤ法などにより形成されるセラミックス層であっても良く、更には中間層１３と同じアルミナ層であっても良い。
【００９０】
実施形態１においては、光反射性を有する反射層３２は、光反射性セラミックス粒子である酸化チタン粒子およびアルミナを含有する絶縁層からなり、この絶縁層は樹脂バインダーを用い、樹脂の乾燥と熱硬化により形成されている。
【００９１】
絶縁層３０に組み込まれる構造材としてのメッシュ状に編まれたガラスシート３１の厚みは、使用されるガラス糸の概ね２倍である。すなわち、ガラス糸の太さが５０μｍであれば、２倍の１００μｍがガラスシート（ガラスクロス）の厚みになる。ここで５０μｍの太さのガラス糸は、太さ５０μｍのガラス繊維1本から出来ていてもよいし、それより細い、ガラス繊維を複数本撚り合せて直径５０μｍのガラス糸としてもよい。たとえば、太さ１０μｍのガラス繊維を２０本強、束ねて撚り合せ太さ５０μｍのガラス糸とすることで、引っ張りに対して強いガラス糸を作成することが出来る。ガラス繊維を撚り合せて作った糸を用いて作成したガラスシート３１は、樹脂の膨張収縮応力に対して耐性が強いためより好ましい。
【００９２】
ガラスシート３１の編み目の寸法を、発光素子２０の平面寸法よりも大きくとると、ガラスシートを中間層１３の上および電極パターン１４に敷くときに、電極パターン１４の電極端子部１４ａへ乗り上げるガラス糸の本数を少なくすることが出来る。絶縁層３０形成後も電極端子部１４ａへ乗り上げたままになっている糸は、研磨等によって除去しなければならない。
【００９３】
また、メッシュ状に編んだガラスシート３１に予め開口部を作製し、ガラスシートの糸が電極パターン１４の電極端子部１４ａと重ならず露出するようにしてもよい。
【００９４】
絶縁層３０を構成するメッシュ状の構造材の材質は、ガラスシート３１のようにガラスからなることが好ましい。ガラスは耐光性および耐熱性に優れているためである。なお、絶縁層３０を構成するメッシュ状の構造材の材質は、反射層３２より線膨張率が小さい材料、もしくは、発光装置として使用する場合に使用する封止樹脂１６より線膨脹率が小さい材料から構成されていればよく、ガラス以外にも、高耐熱性、高強度性を備えたポリエーテル・エーテル・ケトン樹脂（ＰＥＥＫ）や芳香族ポリアミド繊維（アラミド繊維）などから構成してもよい。代表的なアラミド繊維には、パラ系アラミド繊維として知られるポリパラフェニレン テレフタルアミド（poly-ｐ‐phenyleneterephthalamide）や、メタ系アラミド繊維として知られるポリメタフェニレン イソフタルアミド（poly-ｍ-phenyleneisophthalamide）などがある。更に、エポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂、フッ素系樹脂をメッシュ状に構成したものを絶縁層３０の構造材として使用してもよい。ガラスや樹脂以外では、メッシュ状に編んだ炭素繊維であってもよい。
【００９５】
樹脂は、通常ガラスよりも線膨脹率が大きいものの封止樹脂１６として広く使用されているシリコーン樹脂よりは線膨脹率が小さいために、絶縁層３０を構成するメッシュ状の構造材に適している。パラ系アラミド繊維や炭素繊維は繊維軸方向に対して極めて小さい負の線膨張係数を有し、高耐熱性、高強度性に優れるため、ガラス以外では、特に有用な絶縁層３０用の構造材である。
【００９６】
いずれにせよ、絶縁層３０では、メッシュ状に編まれたガラスシート３１からなる構造材が白色反射材である反射層３２で覆われている。このように、メッシュ状に編まれたガラスシート３１からなる構造材を用いることで、中間層１３の上および電極パターン１４の一部の上に形成された光反射性を有する反射層３２が下層から剥離するのを防ぐ効果が得られる。
【００９７】
さらに、絶縁層３０が有する、メッシュ状に編まれたガラスシート３１は、絶縁層３０に積層されている封止樹脂１６より線膨張率が小さい。このため、封止樹脂１６に引っ張られた絶縁層３０が下層から剥離することを防止することができる。これによっても、長期信頼性に優れた発光装置４を得ることができる。
【００９８】
光反射性を有する反射層３２の形成は、スプレー塗装を用いて形成しても良い。この手法では、スプレー塗装で原料を塗布した後、上記と同様に乾燥、硬化した後、反射層３２の一部を研磨して、電極パターン１４の一部である電極端子部１４ａを露出させて形成することができる。あるいは、ディスペンサー装置で原料を適量滴下した後、プレス機で圧力と温度を加えながら仮硬化した後、オーブンで更に高温に保持し硬化を進め形成してもよい。
【００９９】
光反射性を有する反射層３２の形成に先行して、適当な下塗り材(プライマー)あるいは、接着剤を用いて下層を下塗り処理してもよい。下塗り処理によりガラスシート３１を下層に仮留めすることで、スプレー塗装中、あるいは光反射性を有する反射層３２の硬化前に、メッシュ状に編まれたガラスシート３１からなる構造材が、下層から吹き飛ばされたり、剥がされたり、浮き上がったりすることを防止できる。
【０１００】
なお、下塗り材（プライマー）と反射層３２の原料を適宜混合し、接着剤の代用としてもよい。すなわち、前記混合物を下層に塗ったのちに、メッシュ状に編まれたガラスシート３１からなる構造材を下層に敷き、前記混合物を仮硬化させ前記ガラスシート３１を仮留したうえでスプレー塗装等を行い、最終的に光反射性を有する反射層３２を形成する。
【０１０１】
なお、実施形態１においては、光反射性セラミックス粒子として、酸化チタン粒子とアルミナ粒子の混合粒子を用いたが、これに限定されることはなく、これ以外にジルコニア粒子、シリカ（ＳｉＯ２）粒子や窒化アルミニウム粒子などを用いることもできる。
【０１０２】
そして、ここで言うセラミックスも、金属酸化物に限定されるものではなく、窒化アルミニウムなども含む広義のセラミックスであり、無機固形体材料全般を含む。これら無機固形体材料のうち、耐熱性に優れた安定な物質であり、光反射、光散乱に優れた物質であれば任意の物質であって構わない。唯一、光吸収が生じるセラミックス粒子は適当ではなく、具体的には、窒化ケイ素、炭化ケイ素などは、一般に黒色であり、反射層３２に使用するセラミックス粒子としては適当ではない。
【０１０３】
実施形態１においては、光反射性を有する反射層３２は、光反射性セラミックス粒子を含有する樹脂バインダーを用い形成されている。しかしながら、これに限定されることはなく、ガラス系バインダーを焼結し形成することもできる。ガラス系バインダーを焼結する方法としては、焼成温度が４００℃〜５００℃であるゾル・ゲル法を利用して、ガラス系バインダーを焼結し、反射層３２を形成することが出来る。
【０１０４】
金属材料からなる基体１２としてアルミニウム基体を用いていることから、焼成温度が４００℃〜５００℃であるゾル・ゲル法を利用して、ガラス系バインダーを焼結し、絶縁層３０を形成した。しかしながら、これに限定されることはなく、ゾル・ゲル法以外の方法を用いて、形成することもできる。
【０１０５】
例えば、あるいは、低融点ガラスの粒子を有機バインダーで固めたものを、再溶融させることでガラス質層を形成する方法がある。再溶融させるには、最低でも８００℃〜９００℃の温度が必要であるが、中間層１３として、アルミナに代表されるセラミックス層を用いている実施形態１においては、以下のように、金属材料からなる基体１２を高融点化した上であれば、このような高温のプロセスが必要となる絶縁層３０の形成法も用いることができる。
【０１０６】
すなわち、このような高温のプロセスは、アルミニウム基体の融点６６０℃を超えてしまうので、このような場合には、アルミニウムに適宜不純物を混ぜ、高融点化した合金材料を基体１２の材料として用いる必要がある。また、基体１２の材料として、銅を用いた場合には、銅の融点が１０８５℃であるため、このまま使用することも可能であるが、適宜不純物を混ぜて基体１２の融点を上げたうえで使用してもよい。
【０１０７】
ガラス質層は耐光性および耐熱性に優れているため、反射層３２の形成に用いることが可能であるが、実施形態１では、耐熱性および耐光性に優れた樹脂としてシリコーン樹脂を用いている。シリコーン樹脂以外であっても、例えば、エポキシ樹脂、フッ素樹脂、あるいはポリイミド樹脂をセラミックス粒子に対するバインダーとし、反射層３２を形成してもよい。耐熱性および耐光性の点ではガラス質に劣るものの、ゾル・ゲル法によるガラス合成よりも硬化温度は低く形成プロセスが容易であるため、シリコーン樹脂は高輝度照明用デバイスに頻繁に使用されている。
【０１０８】
なお、本実施形態における絶縁層３０の内部は更に適宜複数の層から構成されていても良い。このような構成によれば、絶縁層３０のうちで中間層１３に近い層に、熱伝導率の高い層を、反対側の層に光反射率の高い層を配置できるので、高反射率と、高放熱性と、絶縁耐圧性と、耐熱・耐光性を含む長期信頼性を兼ね備えた発光装置用の基板１０を実現できる。ただし、ここで言う熱伝導率および光反射率の高低は絶縁層３０内での相対比較である。
【０１０９】
＜発光素子２０＞
図１や図２に示したように、発光装置４では、発光素子２０が、基板１０に搭載され、封止樹脂１６により封止され、パッケージ化されている。ここでは、発光素子２０が、フリップチップボンディングにより、電極パターン１４の端子部分と電気的に接続されている。電気的接続を取るために、はんだやバンプあるいは金属ペーストなど一般的に用いられる手法を適用すればよい。
【０１１０】
なお、実施形態１においては、発光素子２０として、ＬＥＤ素子を用いているが、これに限定されることはなく、ＥＬ素子などを用いることもできる。また、実施形態１においては、発光素子２０をサファイア基板により形成している。
【０１１１】
（基板１０の製造工程）
以下、図５〜図１０を用いて、発光装置用の基板１０の製造工程について説明する。図５は実施形態１に係る基板１０の製造方法を説明する図であり、（ａ）は中間層１３が配された基体１２の断面図であり、（ｂ）は中間層１３が配された基体１２の平面図である。
【０１１２】
先ず、図５に図示されているように、基体１２として用いている厚さ３ｍｍのアルミニウム基体の一方側（中間層１３を形成する側）にプラズマ溶射を用いてアルミナ粒子を高速で噴射しアルミナからなる中間層１３を形成する。サンドブラストで基体１２の表面を粗面化し、密着性をあげるための前処理をしてから、セラミックス層（中間層１３）を形成してもよい。
【０１１３】
そして、図５に図示されているように、厚さ３００μｍの中間層１３を完成させる（中間層１３積層完了）。
【０１１４】
図６は実施形態１に係る基板１０の製造方法を説明する図であり、（ａ）は電極パターン１４が配された基体１２の断面図であり、（ｂ）は電極パターンが配された基体１２の平面図である。
【０１１５】
中間層１３が配された基体１２は、次に、金属導電層の形成工程に搬送される。当該金属導電層の形成工程において、中間層１３が配された基体１２の中間層１３上に、電極パターン１４となる金属導電層としての銅導電層を２００μｍの厚さで形成する。なお、実施形態１においては、プラズマ溶射よって上記金属導電層を形成するものとするが、プラズマ溶射以外の方法で上記金属導電層を形成してもよい。
【０１１６】
例えば、プラズマ溶射で形成された中間層１３に対してはプラズマ溶射で金属導電層を薄く形成したのちメッキ処理で銅からなる金属導電層を厚く析出させても良い。または、例えば、従来通り、金属ペーストの印刷やメッキの形成を用いて金属導電層を形成しても良い。
【０１１７】
それから、金属導電層の形成工程において金属導電層が配された基体１２は、次に、電極パターン形成工程に搬送される。そして、電極パターン形成工程において、中間層１３上に形成された銅からなる金属導電層に対し、公知のエッチング技術によりエッチングを施すことで、図６に示すように、電極パターン１４（電極端子部１４ａおよび配線部１４ｂ）を形成する。
【０１１８】
電極端子部１４ａは、発光素子搭載用の電極ポストであり、配線部１４ｂは隣接する電極端子部同士を電気的につなぎ合わせる配線である。
【０１１９】
なお、アノード電極（アノードランド、若しくは、アノードコネクタ）２１及びカソード電極（カソードランド、若しくは、カソードコネクタ）２２、アノードマーク２３及びカソードマーク２４の形成についても、先に述べた発光素子搭載用の電極端子部１４ａの形成と同様に形成すれば良い。
【０１２０】
図７は実施形態１に係る基板１０の製造方法を説明する図であり、（ａ）は、ガラスシート３１が配された基体１２の断面図であり、（ｂ）はガラスシート３１が配された基体１２の平面図である。
【０１２１】
電極パターン形成工程において電極パターン１４が形成された基体１２は、次に、反射層形成工程に搬送される。そして、反射層形成工程においては、先ず、中間層１３および電極パターン１４を覆うようにメッシュ状に編んだガラスシートを、電極パターン１４上及び露出する中間層１３上に配置する。このとき、図７に図示されているように、電極パターン１４のうち、発光素子搭載用の電極端子部１４ａに、メッシュ状に編んだガラスシート３１の開口部を一致させる。これにより、電極端子部１４ａ表面にガラスシート３１が配されないようにする。
【０１２２】
メッシュ状に編んだガラスシート３１の開口部は、図７のようにガラスシート３１に、予め穴を開けることで作っておいてもよい。または、メッシュの編み目の寸法を電極端子部１４ａの寸法よりも大きいものを使用し、編み目の中に電極端子部１４ａが配置されるようにガラスシート３１を用いてもよい。
【０１２３】
より具体的には、例えば１．０ｍｍ四方の平面サイズの発光素子２０に対しては、ガラスシート３１のガラス糸の直径が３０−１００μｍ、メッシュの編み目の寸法が、例えば、１．５ｍｍ以上４．０ｍｍ以下の範囲で最適なガラスシート３１を選択して使用すれば良い。発光素子２０の平面サイズより、メッシュの編み目の寸法が大きなガラスシート３１を選択することで、ガラスシート３１の縦糸あるいは横糸が電極パターン１４と重なることを回避することができる。
【０１２４】
逆に、平面サイズ１．０ｍｍ四方の発光素子２０に対し、ガラスシート３１のメッシュ寸法が細かく、例えば、０．５ｍｍ以下のものを使用するのであれば、発光素子２０が配されている位置に、開口部が対応するようにガラスシート３１に穴をあける必要が生じる。
【０１２５】
いずれにせよ、ガラスシート３１の糸が電極パターン１４の電極端子部１４ａと重ならず、電極端子部１４ａを露出させることが必要である。このようにして、電極パターン１４及び中間層１３上にガラスシート３１が配される。
【０１２６】
図８は実施形態１に係る基板１０の製造方法を説明する図であり、（ａ）は光反射性塗料が塗布されている基体１２の断面図であり、（ｂ）は光反射性塗料が塗布されている基体１２の平面図である。図９は実施形態１に係る基板１０の製造方法を説明する図であり、（ａ）は塗布された光反射性塗料を硬化した基体１２の断面図であり、（ｂ）は塗布された光反射性塗料を硬化した基体１２の断面図である。図１０は実施形態１に係る基板１０の製造方法を説明する図であり、（ａ）は反射層３２が形成された基体１２の断面図であり、反射層３２が形成された基体１２の平面図である。
【０１２７】
反射層形成工程においてガラスシート３１が配された基体１２に対し、同反射層形成工程において、次に、図８に示すように、中間層１３、電極パターン１４、メッシュ状に編んだガラスシート３１を覆うように、光反射性塗料３２ａをスプレーで塗布する。光反射性塗料３２ａは後に反射層３２となるものである。光反射性塗料３２ａは、スプレーで塗布する以外にも、スクリーン印刷を用いても、あるいは、ディスペンサーを用い、更に、プレス機で押し固めても、いずれの方法を用いてもよい。スプレー塗装やスクリーン印刷を用いた場合であってもプレス機で押しながら硬化することで、ガラスシート３１の浮き上がりを防ぎ、絶縁層３０と下層との密着性を確実なものとすることが出来る。このようにプレス機を使用する以外にも、既に説明した通り、反射層形成工程に先行して、適当な下塗り剤（プライマー）や接着剤を使用し、下塗り処理したうえでガラスシート３１を敷くことにより、反射層形成工程におけるガラスシート３１の浮き上がり等を防止してもよい。
【０１２８】
ここで用いた光反射性塗料３２ａに使用されているバインダーが樹脂であれば、１５０℃以上２５０℃以下で樹脂を硬化させる。これにより、塗布された光反射性塗料３２ａを硬化することができる。
【０１２９】
ここで、光反射性塗料３２ａ内にはメッシュ状のガラスシート３１が配されているため、光反射性塗料３２ａを硬化するために熱を加えたとしても、光反射性塗料３２ａと、その下地である電極パターン１４及び中間層１３との線形膨張の差異が緩和されるため、光反射性塗料３２ａが、電極パターン１４及び中間層１３から剥離し難い。このため、当該反射層形成工程における歩留り低下を防止することができる。
【０１３０】
次に、図１０に図示されるように、電極端子部１４ａを被覆する、硬化した光反射性塗料を除去する。これにより、電極端子部１４ａが露出し、反射層３２が形成される。すなわち、ガラスシート３１及び反射層３２からなる絶縁層３０が形成される。
【０１３１】
なお、スプレー塗装を用いて光反射性の反射層３２有する絶縁層３０を形成する本実施形態の場合には、電極端子部１４ａを、硬化した光反射性塗料３２ａの一部が覆っているため、これを研磨により除去して、電極端子部１４ａを露出させる工程が必要である。このようにして、基板１０が完成する。
【０１３２】
最後に、完成した基板１０に対し、発光素子２０としてのフリップチップタイプＬＥＤチップを、基板１０における電極パターン１４の電極端子部１４ａにフリップチップボンディングさせることで電気的に接続する。これにより、図１に図示した、発光素子２０を実装した基板１０を完成させることができる。発光素子２０と電極パターン１４との電気的接合は、Ａｕバンプ方式やはんだによる接合等を適切に行なえばよい。
【０１３３】
使用するはんだの種類によっては、必要に応じて、電極パターン１４の電極端子部１４ａをＡｕなどのめっきで覆っても良い。例えば、ＡｕＳｎはんだを使用する場合にはＡｕめっきが必要である。Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕなどのような多層メッキであってもよい。
【０１３４】
（実施形態１の変形例）
次に、図１１に基づいて、本実施形態に係る発光装置４の変形例について説明する。図１１は本実施形態に係る発光装置４の変形例である発光装置３０４の構成を表す断面図である。発光装置３０４は発光素子３２０と、発光素子３２０を封止する封止樹脂３１６と、基板３１０とを備えている。発光装置３０４用の基板３１０は、基体３１２と、溶射アルミナ層３１３Ｂと、平坦化層３１３Ｃと、電極パターン３１４と、絶縁層（第１の絶縁層）３３０とを備えている。絶縁層３３０は、メッシュ状に編まれた構造体であるガラスシート３３１と、ガラスシート３３１を含有し、発光素子３２０からの光を反射させる白色の絶縁性の材料からなる反射層３３２とを含む。
【０１３５】
基板３１０は、発光装置４の基板１０（図１参照）から、中間層１３に換えて、溶射アルミナ層（第２の絶縁層）３１３Ｂと、溶射アルミナ層３１３Ｂを被覆するアルミナ含有ガラス層である平坦化層（第２の絶縁層）３１３Ｃとを備える点で相違する。また、基板３１０は、発光装置４の基体１２に換えて表面に凹凸を有する基体３１２を備えている点で相違する。基板３１０の他の構成は基板１０と同様である。発光素子３２０は、発光素子２０と同様にフリップチップ型ＬＥＤチップである。ガラスシート３３１及び反射層３３２は、それぞれ、ガラスシート３１及び反射層３２それぞれと同様の構成及び材料からなる。
【０１３６】
中間層として機能する溶射アルミナ層３１３Ｂ上に電極パターン３１４を精度よく形成する場合には、中間層の表面が平坦であることが望ましい。しかし、溶射で形成されるアルミナ層３１３Ｂの表面は凹凸形状に形成されやすく、この凹凸形状は深さで見ると通常２０μｍ以上４０μｍ以下、あるいはこれ以上と大きい。このように、アルミナ層３１３Ｂの表面を研磨により平坦化し、中間層としてもよいが、アルミナ含有ガラス層からなる平坦化層３１３Ｃでアルミナ層３１３Ｂを被覆し、アルミナ層３１３Ｂの表面の凹凸を埋めて平坦面とする方がより簡便である。
【０１３７】
発光素子３２０を搭載する電極端子部を含む電極パターン３１４は、発光装置４の電極パターン１４と同様に形成することができる。このように銅の金属導電層である電極パターン３１４を形成する下地面を平坦面とすることで、電極パターン３１４のエッチングによる形成が安定して精度良く行なえる。
【０１３８】
（反射層３２に、バインダーとして樹脂を用いた場合）
図１に示したように、発光装置４においては、電極パターン１４及び中間層１３上に配された絶縁層３０は、メッシュ状に編まれたガラスシート３１からなる構造材と、当該構造体を覆う白色反射材である反射層３２とで構成されている。
【０１３９】
この反射層３２内に、メッシュ状に編まれたガラスシート３１からなる構造材を配することで、反射層３２が下層である電極パターン１４及び中間層１３から剥離するのを防ぐ効果が最も顕著に現れるのは、反射層３２に、バインダーとして樹脂を用いた場合であり、とりわけ、バインダーがシリコーン樹脂の場合である。この場合を代表例として説明する。
【０１４０】
樹脂はアルミナと比較して約５倍から１０倍、ときには１０倍以上の線膨脹率を有し、セラミックスからなる中間層１３の材料としてアルミナを使用し、電極パターン１４として銅を使用し、反射層３２のバインダーとしてシリコーン樹脂を使用した場合には、中間層１３および電極パターン１４と、反射層３２との線膨脹率の大きな違いから、中間層１３と反射層３２との境界や、電極パターン１４と反射層３２との境界にて剥離が生じやすい。ここで、樹脂よりも線膨脹率の小さなガラスを原料とするメッシュ状に編まれたガラスシート３１を、反射層３２内の構造材として使用すると、樹脂の膨張収縮はガラスシートのメッシュ構造からなる小区画（網目）に局在化されるとともに、ガラスシート３１の熱膨張収縮は樹脂よりも小さいことから、反射層３２の熱膨張収縮を抑制することが可能になる。結果として、反射層３２と中間層１３との境界や、反射層３２と電極パターン１４との間に働く熱膨張収縮に伴う応力が減少し、反射層３２が下層である中間層１３または電極パターン１４から剥離するのを防ぐ効果が生じる。
【０１４１】
同様の効果は、図２のように反射層３２が封止樹脂１６により被覆されている、発光装置４の場合に、より顕著に得られる。反射層３２に比べ、封止樹脂１６の線膨脹率が同等、もしくはそれ以上の場合に、反射層３２は封止樹脂１６の膨張収縮の影響を受け、応力が加わり易い。しかしながら、封止樹脂１６に使用する樹脂よりも線膨脹率の小さなガラスを原料とするメッシュ状に編まれたガラスシート３１を、反射層３２内の構造材として使用すると、前記の理由により、反射層３２と中間層１３との境界や、反射層３２と電極パターン１４とのに働く熱膨張収縮に伴う応力が減少し、封止樹脂１６に引っ張られた反射層３２が下層である中間層１３または電極パターン１４から剥離するのを防ぐ効果が生じる。あるいは、電極パターン１４を中間層１３から剥離するのを防ぐ効果が生じる。
【０１４２】
以上、具体例から見て来たように、メッシュ状に編まれたガラスシート３１を、反射層３２内の構造材として使用することで、剥離が抑制できるメカニズムは、（１）反射層３２の熱膨張収縮をガラスシート３１のメッシュ構造からなる小区画（網目）に局在化出来ることと、（２）反射層３２の線膨張率がガラスシート３１の線膨張率に引っ張られ、中間層１３や電極パターン１４の線膨脹率に近づくことの２点により、反射層３２と中間層１３との境界や、反射層３２と電極パターン１４との境界に働く熱応力が減少することに集約される。
【０１４３】
絶縁層３０として、反射層３２内にメッシュ状に編まれたガラスシート３１からなる構造材を用いることにより、本実施形態に係る基板１０は、高輝度照明を行う発光装置４用の基板１０として必要な、高い光反射率、低い熱抵抗（高い放熱性）、高い電気的絶縁耐圧性の３つを同時に満たす理想的な発光装置４用の基板１０を実現するにあたって、課題となっていた高い光反射率をもった反射層の剥離を克服し、長期信頼性を達成することに初めて成功した。
【０１４４】
以上から分かるように、本実施形態によれば、基板１０は、セラミックス層からなる中間層１３および銅からなる電極パターン１４を、アルミニウムからなる基体１２と反射層３２との間に設ける。このとき、反射層３２内に構造材としてメッシュ状に編まれたガラスシート３１を使用する。その結果、高反射率と、高放熱性と、高絶縁耐圧性に加え、長期信頼性、とりわけ、反射層３２の長期信頼性を兼ね備えた、高輝度照明に好適な発光装置４用基板１０となる。そして、本実施形態に係る基板１０よれば、このような発光装置用基板を、量産性に優れた形で提供することができる。そしてこの基板１０を用いた発光装置４や照明装置１は、量産性に優れていると共に、長期信頼性を有する高輝度照明を実現することができる。
【０１４５】
さらに、絶縁層３０が有する、メッシュ状に編まれたガラスシート３１は、絶縁層３０に積層されている封止樹脂１６より線膨張率が小さい。このため、封止樹脂１６に引っ張られた絶縁層３０が下層から剥離することを防止することができる。これによっても、長期信頼性に優れた発光装置４や照明装置１を得ることができる。
【０１４６】
このように、本実施形態の発光装置用基板および発光装置用基板の製造方法は、電極パターン１４の一部である電極端子部１４ａが露出するように、熱伝導性の高い中間層１３（第２の絶縁層）の上、及び電極パターン１４の残りの一部である配線部１４ｂの上に形成された光反射性を有する絶縁層３０（第１の絶縁層）を形成している。そして、絶縁層３０にはメッシュ状に編まれたガラスシート３１からなる構造材が組み込まれているので、絶縁層３０の剥離を防止することができ、長期信頼性が高く高反射率を有する発光装置用基板および発光装置用基板の製造方法を実現できる。
【０１４７】
以上のように、本実施形態に係る基板１０及び基板１０の製造方法によれば、高反射率と、高放熱性と、絶縁耐圧性と、耐熱・耐光性を含む長期信頼性を兼ね備え、更に量産性にも優れた発光装置用基板および発光装置用基板の製造方法を実現できる。
【０１４８】
〔実施形態２〕
本発明の実施形態２について、図１２〜図１７に基づいて説明すれば、以下のとおりである。なお、説明の便宜上、前記実施形態にて説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を省略する。
【０１４９】
（発光装置４Ａの構成）
照明装置１（図３参照）は、発光装置４に換えて、図１２に示す発光装置４Ａを備えていてもよい。図１２の（ａ）は実施形態２に係る発光装置４Ａの構成を表す平面図であり、（ｂ）は（ａ）に示す面ＢＢに沿った断面図である。
【０１５０】
発光装置４Ａは、ＬＥＤ素子やＥＬ（Electro-Luminescence）素子などからなる発光素子２０を複数、基板（発光装置用基板）１０Ａ上に実装したＣＯＢ（chip on board）タイプの発光装置である。なお、図１２では、簡略化のために便宜上発光素子２０の数を大幅に省略して描いている。また、図１２を含め、他の図面においても、寸法、形状、個数などは、必ずしも、実際の基板、発光素子、発光装置と同一ではない。
【０１５１】
基板１０Ａ上には封止樹脂１６の周縁に設けられて複数の発光素子２０の周囲を囲む円環状の枠体１５が設けられている。枠体１５の内側に封止樹脂１６を充填して発光素子２０が封止される。封止樹脂１６は、発光素子２０からの出射光により励起されて上記出射光を異なる波長の光に変換する蛍光体を含む。この構成により、発光装置４Ａは封止樹脂１６の表面にて面発光する。
【０１５２】
発光装置４Ａは発光素子２０が多数集積されているため、発光装置４Ａへの投入電力としては１０Ｗ、５０Ｗ、１００Ｗあるいは１００Ｗ以上などが用いられ、上記電力が投入された発光装置４Ａから高輝度の出射光が得られる。例えば、基板１０Ａ上に５００μｍ×８００μｍ程度の中型サイズの発光素子２０を集積して投入電力が１００Ｗ程度の大出力の発光装置４Ａを実現するには、発光素子２０を３００個から４００個程度と多数集積する必要がある。発光素子２０を多数集積することにより発光装置４Ａの発熱が大きくなるため、図４に示すような、発光装置４Ａ（図４では発光装置４）と比較して非常に体積の大きいヒートシンク２に、発光装置４Ａを装着することにより、発光装置４Ａからの高い放熱性を確保してもよい。
【０１５３】
発光素子２０としては、例えば、青色ＬＥＤチップ、紫色ＬＥＤチップ、紫外線ＬＥＤチップなどのＬＥＤチップを用いることができる。または、発光素子２０としてＥＬ素子を用いてもよい。
【０１５４】
封止樹脂１６に充填される蛍光体としては、例えば、青色、緑色、黄色、橙色、赤色のいずれか一色を発光する蛍光体あるいは任意の複数の蛍光体の組み合わせを用いることができる。これらにより、発光装置４Ａから所望の色の出射光を出射することができる。なお、封止樹脂１６の蛍光体を省き、発光波長の異なる青色、緑色および赤色の３色の発光素子２０を基板１０Ａ上に配列してもよいし、任意の２色の組み合せの発光素子２０を配列してもよいし、あるいは、単色の発光素子２０を配列してもよい。
【０１５５】
（基板１０Ａの構成）
以下、図１３に基づいて、基板１０Ａの構成について説明する。図１３の（ａ）は発光装置４Ａに設けられた基板１０の構成を示す平面図であり、（ｂ）は（ａ）に示す面ＣＣに沿った断面図であり、（ｃ）は上記断面図の部分拡大図である。
【０１５６】
基板１０Ａはその上に多数の発光素子２０（図１２参照）を配置させた発光装置４Ａ（図１２参照）に用いられるものである。
【０１５７】
基板１０Ａは、金属材料からなる基体１２を備えている。基体１２としてはアルミニウム基体を用いることができる。図１３（ｃ）に示すように、基体１２の表面上に、中間層１３、絶縁層３０及び電極パターン１４がこの順番に積層されている。絶縁層３０はメッシュ状のガラスシート３１と反射層３２とからなる。
【０１５８】
中間層１３は、図１に示した発光装置４と同様に、基体１２の表面を覆うように形成されている。絶縁層３０は、基体１２の表面における中間層１３の上面に形成されている。言い換えると、中間層１３は、絶縁層３０と基体１２との間に形成されている。
【０１５９】
絶縁層３０上には電極パターン１４が形成されている。電極パターン１４は図１３の（ａ）に示すように、正極電極パターン（配線パターン）１８および負極電極パターン（配線パターン）１９を有する。電極パターン１４は、金属導電層からなる下地の回路パターン（非図示）とそれを覆うメッキとから成る。電極パターン１４は、基板１０上に配置された発光素子２０（図１２参照）との電気的接続を取るための配線である。発光素子２０は、図１２の（ａ）に示すように、例えばワイヤにより電極パターン１４に接続され、絶縁層３０上にはフェイスアップ型の発光素子２０を搭載している。
【０１６０】
図１２の（ａ）に示すように、発光素子２０は、正極電極パターン１８および負極電極パターン１９に接続されている。正極電極パターン１８は、発光素子２０を、正極電極パターン１８を介して外部配線または外部装置に接続するための正極コネクタ２５に接続されている。負極電極パターン１９は、発光素子２０を、負極電極パターン１９を介して外部配線または外部装置に接続するための負極コネクタ２６に接続されている。正極コネクタ２５および負極コネクタ２６の代わりに、ランドにより構成し、半田付けにより、正極電極パターン１８および負極電極パターン１９を外部配線または外部装置に直接接続してもよい。
【０１６１】
なお、正極コネクタ２５および負極コネクタ２６により、正極電極パターン１８および負極電極パターン１９を外部配線または外部装置に接続する場合は、正極電極パターン１８および負極電極パターン１９にそれぞれランドを設けて、それらのランドを介して正極電極パターン１８と正極コネクタ２５とを接続し、および負極電極パターン１９と負極コネクタ２６とを接続してもよい。
【０１６２】
本実施形態に係る発光装置４Ａでは、熱伝導性のセラミックス絶縁体である中間層１３および光反射性のセラミックス絶縁体である反射層３２を有する絶縁層３０が、電極パターン１４と基体１２との間に絶縁層として形成される。さらに、中間層１３は、絶縁層３０と基体１２との間に形成される。中間層１３と絶縁層３０とを比較した場合、熱伝導率では、前者が後者に比べ高く、光反射率では、後者が前者よりも高くなっていることが望ましい。上記構成により、基板１０Ａは、高い熱伝導性と、高い絶縁耐圧性能と、高い反射率とを安定的に確保できる。また、絶縁層３０の厚みを中間層１３の厚みよりも薄くする事が望ましい。下記に各層について具体的に説明する。
【０１６３】
＜基体１２の具体構成＞
基体１２としては、例えば、縦５０ｍｍ、横５０ｍｍおよび厚み３ｍｍｔのアルミニウム板を用いることができる。基体１２にアルミニウムを用いる長所として、軽量で加工性に優れ、熱伝導率が高いことが挙げられる。基体１２には保護層１７の形成のための陽極酸化処理を妨げない程度のアルミニウム以外の成分が含まれていてもよい。
【０１６４】
なお、基体１２の材料としては上記に限らない。軽量で加工性に優れ、熱伝導率が高い金属材料であればよく、例えば、銅材料を基体の材料として使用することができる。銅以外の成分が含まれる銅の合金であっても良い。
【０１６５】
＜中間層１３の具体構成＞
中間層１３は、プラズマ溶射より基体１２にセラミックス層を積層することで形成され、絶縁性を有している。言い換えると、中間層１３は、プラズマ溶射により形成したセラミックスを含有する。また、後述するように、絶縁層３０は光反射機能を確保できる必要最低限の厚みとするため、基板１０Ａとして必要な絶縁耐圧性が不足する場合が考えられる。そこで、中間層１３は、その絶縁層３０だけでは不足する絶縁耐圧性を補強する。
【０１６６】
本実施形態の発光装置４Ａに係る中間層１３は、実施形態１に係る発光装置４の中間層１３と同様の機能を有し、同様の材料を用い、同様の方法で形成される。
【０１６７】
＜絶縁層３０の具体構成＞
絶縁層３０は、メッシュ状（網目状）の構造材であるガラスシート３１と、発光素子２０からの光を反射させる白色の絶縁性の材料からなる反射層３２とを備えている。反射層３２は、光反射性セラミックスを含有し絶縁性を有している。これにより、絶縁層３０は発光素子２０からの光を反射させる。絶縁層３０は電極パターン１４と中間層１３との間、言い換えると、電極パターン１４と基体１２との間に配されている。
【０１６８】
ガラスシート３１は反射層３２に覆われている。このように、絶縁層３０は、メッシュ状のガラスシート３１を有することで、中間層１３の上に形成された反射層３２が、下層である中間層１３から剥離することを防ぐ効果が得られる。とりわけ、絶縁層３０が、図１２に示す封止樹脂１６で被覆されている場合、中間層１３の上に形成された反射層３２が、熱膨張収縮する封止樹脂１６に引っ張られ、下層である中間層１３から剥離する虞が高まるが、絶縁層３０がメッシュ状のガラスシート３１を有することで、前記剥離を防ぐ効果が顕著に得られる。
【０１６９】
実施形態２においては、反射層３２は、セラミックスを含む絶縁層により形成されており、その層厚は、基板１０Ａの反射率を考慮して、例えば、層厚を１０μｍ〜１００μｍ程度とすることができる。実施形態２で作製される基板１０Ａは、絶縁層３０上に発光素子２０が直接戴置される基板であることから、放熱性を高めるため、層厚は、更に、５０μｍ以下とすることが好ましい。反射層３２は、ガラス系バインダー、または、耐光・耐熱性を備えた樹脂バインダーにセラミックス粒子を混ぜたうえ乾燥や焼成などにより硬化させて、セラミックス粒子を含む絶縁性反射層として基板１０Ａの最外層に形成される。実施形態２では、反射層３２は、光反射性セラミックスとシリコーン樹脂との混合層である。反射層３２は、光反射性セラミックス粒子として酸化チタンとアルミナを含有し、樹脂バインダーを用いて樹脂を硬化させることで形成している。
【０１７０】
ガラス系バインダーは、ゾル・ゲル反応でガラス粒子を合成するゾル状物質からなる。樹脂バインダーは、シリコーン樹脂以外であっても、耐熱性・耐光性に優れ透明性も高い、エポキシ樹脂、フッ素樹脂、あるいは、ポリイミド樹脂により構成されてもよい。ガラスバインダーと比較すると樹脂バインダーは、通常、硬化温度が低く製造が容易である。他方、ガラス系バインダーは、樹脂バインダーと比較して、耐熱性・耐光性に優れ熱伝導率が高いという特徴をもつ。
【０１７１】
本実施形態に係る発光装置４Ａの反射層３２は、実施形態１の光反射性を有する反射層３２と同様の機能を有し、同様の材料を用い、同様の方法で形成される。
【０１７２】
（基板１０Ａの製造工程）
次に、実施形態２に係る基板１０Ａの製造方法を、図１４〜図１７を用いて説明する。図１４は実施形態２に係る基板１０Ａの製造方法を説明する図であり、（ａ）は中間層１３が配された基体１２の断面図であり、（ｂ）は中間層１３が配された基体１２の平面図である。
【０１７３】
まず、図１４に示すように、アルミニウムからなる基体１２の表面に、中間層１３を形成する（中間層形成工程）。中間層１３は、プラズマ溶射によりアルミナ層を基体１２に積層することで形成する。
【０１７４】
図１５は実施形態２に係る基板１０Ａの製造方法を説明する図であり、（ａ）はガラスシート３１が配された基体１２の断面図であり、（ｂ）はガラスシート３１が配された基体１２の平面図である。図１６は実施形態２に係る基板１０Ａの製造方法を説明する図であり、（ａ）は光反射性塗料が塗布されている基体１２の断面図であり、（ｂ）は光反射性塗料が塗布されている基体１２の平面図である。図１７は実施形態２に係る基板１０Ａの製造方法を説明する図であり、（ａ）は反射層３２が形成された基体１２の断面図であり、（ｂ）は反射層３２が形成された基体１２の平面図である。
【０１７５】
中間層形成工程において中間層１３が形成された基体１２は、次に、反射層形成工程に搬送される。そして、図１５に示すように、反射層形成工程において、基体１２の表面における中間層１３の上面に、メッシュ状に編んだガラスシート３１を配置する。そして、図１６に示すように、反射層形成工程において、耐光・耐熱性を備えた樹脂バインダーに混ぜたセラミックス粒子からなる光反射性塗料３２ａを、中間層１３およびメッシュ状に編んだガラスシートを覆うように塗装する。光反射性塗料３２ａは、スプレーで塗布する以外にも、スクリーン印刷を用いても、あるいは、ディスペンサーを用い、更に、プレス機で押し固めても、いずれの方法を用いてもよい。スプレー塗装やスクリーン印刷を用いた場合であってもプレス機で押しながら硬化することで、ガラスシートの浮き上がりを防ぎ反射層３２と下層との密着性を確実なものとすることが出来る。このようにプレス機を使用する以外にも、既に実施形態１でも説明した通り、反射層形成工程に先行して、適当な下塗り剤（プライマー）や接着剤を使用し、下塗り処理したうえでガラスシート３１を敷くことにより、反射層形成工程におけるガラスシート３１の浮き上がり等を防止してもよい。ここで用いた塗料に使用されているバインダーが樹脂であれば、１５０℃〜２５０℃で樹脂を硬化させ、図１７に図示されるように光反射層を形成することが出来る。
【０１７６】
なお、反射層３２を形成する方法として、樹脂バインダーを用いる代わりに、ガラス系バインダーを用いて、ゾル・ゲル反応によりガラス質の合成を行うことで反射層３２を形成してもよい。さらに、ゾル・ゲル法以外では、低融点ガラスの粒子を有機バインダーで硬化したものを、再溶融することによりガラス質層を形成することで反射層３２を形成する方法も取りえる。低融点ガラスの粒子を有機バインダーで硬化したものを再溶融するには、最低でも８００℃〜９００℃の高温が必要である。本実施形態では、アルミナに代表されるセラミックス層を中間層１３として用いているため、このような高温の工程が必要となる反射層３２の形成方法を用いることもできる。
【０１７７】
ただし、このような高温は、基体１２に用いるアルミニウムの融点６６０℃を超えてしまう。そのため、基体１２に適宜不純物を混ぜ高融点化した合金材料を使用する必要がある。銅の融点は１０８５℃とアルミニウムの融点よりも高いため、基体１２に銅を使用すれば、低融点ガラスを再溶融する方法が使用可能であるが、当然、基体１２に適宜不純物を混ぜて基体を高融点化したうえで、低融点ガラスを再溶融する方法を使用してもよい。
【０１７８】
ガラスは耐光性、耐熱性が優れているため、反射層３２を形成する材料として好ましいが、耐熱性、耐光性に優れた樹脂、例えばシリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂またはフッ素樹脂をセラミックス粒子に対するバインダーとして用いてもよい。上記樹脂は、耐熱性、耐光性の点ではガラスに劣るものの、ガラス原料のゾル・ゲル反応によるガラス合成の硬化温度よりも、上記樹脂の硬化温度の方が低く、セラミックス粒子に対するバインダーとして樹脂を用いると、反射層３２の形成が容易となる。
【０１７９】
ここで、本実施形態に係る反射層形成工程においては、光反射性塗料３２ａ内にはメッシュ状のガラスシート３１が配されているため、光反射性塗料３２ａを硬化するために熱を加えたとしても、光反射性塗料３２ａと、その下地である中間層１３との熱収縮速度の差異が緩和されるため、光反射性塗料３２ａが、中間層１３から剥離し難い。このため、当該反射層形成工程における歩留り低下を防止することができる。
【０１８０】
そして、図１７に示す反射層３２まで形成した基体１２を用いて、最終的に図１３に示す基板１０Ａを得るには、反射層３２が形成された基体１２に対し、まず、基体１２の露出部を陽極酸化処理することでアルマイト層を形成し、更に封孔処理することで保護層１７（図１３の（ｃ）参照）を完成させる。
【０１８１】
次に、反射層３２の上面に、電極パターン１４の下地として、金属粒子を含有した樹脂からなる金属ペーストを用い、印刷などにより回路パターンを描き、乾燥させて、後に電極パターン１４となる下地回路パターンを形成する（下地回路パターン形成工程）。そして、メッキ処理により、下地回路パターン上に電極用金属を析出させることで、図１３の（ｃ）に示す通り電極パターン１４を形成する（電極パターン形成工程）。
【０１８２】
基体１２は、既に、セラミックスを含有する高反射率の反射層３２と、中間層１３と、アルミニウムの陽極酸化皮膜の保護層１７とにより被覆されている。そのため、電極パターン形成工程におけるメッキ処理で用いるメッキ液により、基体１２が侵食されることなく、下地回路パターン上にのみ、メッキ液から効率的に電極用金属を析出させることが可能となる。
【０１８３】
ここで、本実施形態に係る基板１０Ａが、従来の金属基体を有する基板と比べて、絶縁層３０が下層である中間層１３から剥離するのを防ぐことができるようになっている理由について以下に説明する。
【０１８４】
上述したように、絶縁層３０は、メッシュ状の構造材であるガラスシート３１と、それを覆う反射層３２とからなる。この反射層３２内に、メッシュ状に編まれたガラスシートからなる構造材を配することで、反射層３２が下層である中間層１３から剥離するのを防ぐ効果が最も顕著に現れるのは、反射層３２に、バインダーとして樹脂を用いた場合であり、とりわけ、バインダーがシリコーン樹脂の場合である。この場合を代表例として説明する。
【０１８５】
樹脂はアルミナと比較して約５倍から１０倍、ときには１０倍以上の線膨脹率を有し、セラミックスからなる中間層１３の材料としてアルミナを使用し、反射層３２のバインダーとしてシリコーン樹脂を使用した場合には、両層の線膨脹率の大きな違いから境界にて剥離が生じやすい。ここで、樹脂よりも線膨脹率の小さなガラスを原料とするメッシュ状に編まれたガラスシート３１を、反射層３２内の構造材として使用すると、樹脂の膨張収縮はガラスシートのメッシュ構造からなる小区画（網目）に局在化されるとともに、ガラスシート３１の熱膨張収縮は樹脂よりも小さいことから、反射層３２の熱膨張収縮を抑制することが可能になる。結果として、反射層３２と中間層１３の境界に働く熱膨張収縮に伴う応力が減少し、反射層３２が下層である中間層１３から剥離するのを防ぐ効果が生じる。
【０１８６】
同様の効果は、図１２のように反射層３２が封止樹脂１６により被覆されている、発光装置４Ａの場合に、より顕著に得られる。反射層３２に比べ、封止樹脂１６の線膨脹率が同等、もしくはそれ以上の場合に反射層３２は、封止樹脂１６の膨張収縮の影響を受け応力が加わり易い。しかしながら、封止樹脂１６に使用する樹脂よりも線膨脹率の小さなガラスを原料とするメッシュ状に編まれたガラスシート３１を、反射層３２内の構造材として使用すると、前記の理由により、反射層３２と中間層１３との境界に働く熱膨張収縮に伴う応力が減少し、封止樹脂１６に引っ張られた反射層３２が下層である中間層１３から剥離するのを防ぐ効果が生じる。
【０１８７】
以上、具体例から見て来たように、メッシュ状に編まれたガラスシート３１を、反射層３２内の構造材として使用することで、剥離が抑制できるメカニズムは、（１）反射層３２の熱膨張収縮をガラスシート３１のメッシュ構造からなる小区画（網目）に局在化出来ることと、（２）反射層３２の線膨張率がガラスシート３１の線膨張率に引っ張られ、中間層１３の線膨脹率に近づくことの２点により、反射層３２と中間層１３との境界に働く熱応力が減少することに集約される。
【０１８８】
反射層３２内にメッシュ状に編まれたガラスシート３１からなる構造材を用いることにより、実施形態２に係る基板１０Ａは、高輝度照明を行う発光装置４Ａ用の基板１０Ａとして必要な、高い光反射率、低い熱抵抗（高い放熱性）、高い電気的絶縁耐圧性の３つを同時に満たす理想的な発光装置用基板を実現するにあたって、課題となっていた高い光反射率をもった反射層の剥離を克服し、長期信頼性を達成することに初めて成功した。
【０１８９】
以上から分かるように、実施形態２に係る基板１０Ａは、セラミックス層からなる中間層１３を基体１２と反射層３２との間に設け、中間層１３と反射層３２とからなる絶縁層上に電極パターン１４を形成する。このとき、反射層３２内に構造材としてメッシュ状に編まれたガラスシート３１を使用する。その結果、高反射率と、高放熱性と、高絶縁耐圧性に加え、長期信頼性、とりわけ、反射層３２の長期信頼性を兼ね備えた、高輝度照明に好適な発光装置４Ａ用基板１０となる。そして、実施形態２に係る基板１０Ａによれば、このような発光装置用基板を、量産性に優れた形で提供することができる。そしてこの基板１０Ａを用いた発光装置４Ａや照明装置１は、量産性に優れていると共に、長期信頼性を有する高輝度照明を実現することができる。
【０１９０】
なお、実施形態２では基板１０の基体面に垂直な方向から見た外形形状を図１２に示す四角形としているが、基板１０の外形形状はこれに限るものではなく、任意の閉図形形状を採用することができる。また、閉図形形状は、閉図形の周が、直線のみ、または、曲線のみで構成された閉図形形状であっても良く、閉図形形状は、閉図形の周が、少なくとも１つの直線部および少なくとも１つの曲線部を含む閉図形形状であっても良い。また、閉図形形状は、凸図形形状に限定されず、凹図形形状であっても良い。例えば、直線のみで構成された凸多角形形状の例として、三角形、五角形、六角形、八角形等であってもよく、また、任意の凹多角形形状であっても良い。また、曲線のみで構成された閉図形形状の例として、円形形状または楕円形形状であってもよく、凸曲線形状または凹曲線形状等の閉図形形状であっても良い。さらに、少なくとも１つの直線部および少なくとも１つの曲線部を含む閉図形形状の例として、レーストラック形状などであっても良い。
【０１９１】
（比較例）
実施形態２の比較例について、図１８に基づいて説明すれば、以下のとおりである。図１８は実施形態２の基板１０Ａの比較例に係る基板４１０の断面図である。図１８では、基板４１０において、発光素子４２０を搭載した部分の近傍の部分拡大図を表している。基板４１０は表面に発光素子４２０が搭載され、上層に配されたセラミックス層４１３と、セラミックス層４１３の下層に配されたアルミニウムからなる基体４１２とを備える。セラミックス層４１３は、実施形態２における中間層１３同様に、プラズマ溶射によって形成している。
【０１９２】
金属基体上に溶射によりセラミックス層を形成するとその表面が荒れる場合が多い。これは、溶射に使用する材料粒子の粒径サイズが、１０〜５０μｍと比較的大きい粒子を使用することが主たる要因である。
【０１９３】
また、図１８に示すように、基体４１２とセラミックス層４１３との間の密着性を上げる目的で、基体４１２の表面をブラスト処理で凹凸にした後、溶射によりセラミックス層４１３を積層する場合には、積層後のセラミックス層４１３の表面に、ブラスト処理で出来た基体４１２の凹凸形状の影響が残る。最終的にセラミックス層４１３の表面に残る凹凸はおおむね２０μｍ〜４０μｍあるいはこれ以上と大きい。
【０１９４】
このように大きな凹凸形状を有する面に直接、発光素子４２０を搭載すると、図１８から明らかな通り、発光素子４２０と発光素子４２０を搭載するセラミックス層４１３とが充分接触せず、発光素子４２０及びセラミックス層４１３が高熱抵抗になるおそれがある。
【０１９５】
これに対して、実施形態２に係る基板１０Ａ（図１３の（ｃ）参照）に設けられた基体１２に形成した中間層１３と絶縁層３０の二層構造では、絶縁層３０の反射層３２の形成に用いた反射材を含む塗料で中間層１３に形成された凹凸面を平坦化しているため、最終的に絶縁層３０表面は平坦になっている。このため、図１８に示した比較例に係る基板４１０とは異なり、図１３の（ｃ）において絶縁層３０に直接搭載されている発光素子２０は、絶縁層３０との間に充分な接触を確保でき、発光素子２０及び中間層１３で充分な放熱性が確保でき、低熱抵抗となる。
【０１９６】
〔実施形態３〕
本発明の実施形態３について図１９に基づいて説明すれば、以下のとおりである。なお、説明の便宜上、前述した実施形態１、２にて説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を省略する。
【０１９７】
図１９の（ａ）は実施形態３に係る基板１０Ｂの構成を示す平面図であり、（ｂ）は（ａ）に示す面ＤＤに沿った断面図であり、（ｃ）は上記断面図の部分拡大図である。実施形態３に係る基板１０Ｂも、実施形態２に係る基板１０Ａと同様に、図１２の発光装置４Ａに適用可能であるし、図３の照明装置１に適用可能である。
【０１９８】
前述した実施形態２では、基体１２に、中間層１３、絶縁層３０、および、保護層１７が形成される。これに対して、実施形態３の基板１０Ｂでは、基体１２に、絶縁層３０、および、保護層１７が形成される。絶縁層３０は、基体１２の表面（上面）（図１９の（ｃ）参照）に形成される。基板１０Ｂは、実施形態２の基板１０Ａから、中間層１３を削除した構成である。
【０１９９】
上記構成により、絶縁層３０の絶縁性と熱伝導性を高めることで高輝度照明に適した発光装置用基板を提供することができる。ここでも、反射層３２内にメッシュ状に編まれたガラスシート３１からなる構造材を用いることにより、実施形態３に係る基板１０Ｂは、高輝度照明発光装置用基板として必要な、高い光反射率、低い熱抵抗（高い放熱性）を特徴とする発光装置用基板でありながら、高い光反射率をもった反射層の剥離を防止し、長期信頼性を達成することに成功した。
【０２００】
〔まとめ〕
本発明の態様１に係る基板１０・１０Ａ・１０Ｂ・３１０は、発光素子２０・３２０を搭載するための基板１０・１０Ａ・１０Ｂ・３１０であって、基体１２・３１２と、前記基体１２・３１２の表面に、直接、又は間接的に配された第１の絶縁層（絶縁層３０・３３０）とを備え、前記第１の絶縁層（絶縁層３０・３３０）は、光を反射する樹脂層（反射層３２・３３２）と、当該樹脂層（反射層３２・３３２）内に配され、前記樹脂層（反射層３２・３３２）より線膨張率が小さい網目状の構造体（ガラスシート３１・３３１）とからなることを特徴とする。
【０２０１】
前記構成によると、上記第１の絶縁層は、樹脂層より線膨張率が小さい網目状の構造体を有するため、第１の絶縁層が剥離することを防止することができる。これにより、絶縁耐圧性および光反射性を有すると共に、製造歩留り低下を防止することができるため、量産性に優れた、発光素子を配するための基板を提供することができる。
【０２０２】
本発明の態様１１に係る発光装置４・４Ａ・３０４は、基板１０・１０Ａ・１０Ｂ・３１０と、前記基板１０・１０Ａ・１０Ｂ・３１０上に搭載された発光素子２０・３２０と、前記発光素子２０・３２０を被覆する封止樹脂１６・３１６とを備え、前記基板１０・１０Ａ・１０Ｂ・３１０は、基体１２・３１２と、前記基体１２・３１２の表面に、直接、又は間接的に配された第１の絶縁層（絶縁層３０・３３０）とを備え、前記第１の絶縁層（絶縁層３０・３３０）は、光を反射する樹脂層（反射層３２・３３２）と、当該樹脂層（反射層３２・３３２）内に配され、前記封止樹脂１６・３１６より線膨張率が小さい網目状の構造体（ガラスシート３１・３３１）とからなることを特徴とする。
【０２０３】
前記構成によると、上記第１の絶縁層は、前記封止樹脂より線膨張率が小さい網目状の前記構造体を有するため、前記封止樹脂に引っ張られた前記第１の絶縁層が下層から剥離することを防止することができる。これにより、絶縁耐圧性および光反射性を有すると共に、長期信頼性に優れた発光装置を提供することができる。
【０２０４】
本発明の態様２に係る基板１０・１０Ａ・１０Ｂは、上記態様１において、前記構造体（ガラスシート３１）は、ガラス材料からなり、前記基体１２は金属材料からなることが好ましい。本発明の態様１２に係る発光装置４・４Ａ・３０４は、上記態様１１において、前記構造体（ガラスシート３１・３３１）は、ガラス材料からなり、前記基体１２・３１２は金属材料からなることが好ましい。
【０２０５】
上記構成によると、前記構造体の熱膨張収縮は前記樹脂層より小さいため、第１の絶縁層が剥離することを防止することができる。
【０２０６】
本発明の態様３に係る基板１０・１０Ａ・１０Ｂは、前記態様１において、前記構造体はポリエーテル・エーテル・ケトン樹脂又は芳香族ポリアミド繊維からなり、前記基体１２・３１２は金属材料からなってもよい。本発明の態様１３に係る発光装置は、前記態様１１において、前記構造体はポリエーテル・エーテル・ケトン樹脂又は芳香族ポリアミド繊維からなり、前記基体１２・３１２は金属材料からなってもよい。
【０２０７】
前記構成によると、前記樹脂層より線膨張率が小さい網目状の構造体を得ることができる。さらに、前記ポリエーテル・エーテル・ケトン樹脂又は芳香族ポリアミド繊維は、高耐熱性及び高強度性を備えているため、高耐熱性及び高強度性を備える前記構造体を得ることができる。
【０２０８】
本発明の態様４に係る基板１０・１０Ａは、前記態様１〜３において、前記基体１２・３１２と前記第１の絶縁層（絶縁層３０・３３０）との間に配された第２の絶縁層（中間層１３・アルミナ層３１３Ｂ及び平坦化層３１３Ｃ）を備えていることが好ましい。本発明の態様１４に係る発光装置４・４Ａ・３０４は、前記態様１１〜１３において、前記基体１２・３１２と前記第１の絶縁層（絶縁層３０・３３０）との間に配された第２の絶縁層（中間層１３・アルミナ層３１３Ｂ及び平坦化層３１３Ｃ）を備えていることが好ましい。前記構成により、高い絶縁耐圧性を得ることができる。
【０２０９】
本発明の態様５に係る基板１０・１０Ａは、前記態様４において、前記第２の絶縁層（中間層１３・アルミナ層３１３Ｂ及び平坦化層３１３Ｃ）上に配された電極パターン１４・３１４を備え、前記電極パターン１４・３１４は、複数の電極端子部１４ａと、当該電極端子部１４ａ間を接続する配線部１４ｂとからなり、前記第１の絶縁層（絶縁層３０・３３０）は、前記複数の電極端子部１４ａを露出させるように、前記配線部１４ｂを覆っていることが好ましい。本発明の態様１５に係る発光装置４・４Ａ・３０４は、前記態様１４において、前記第２の絶縁層（中間層１３・アルミナ層３１３Ｂ及び平坦化層３１３Ｃ）上に配された電極パターン１４を備え、前記電極パターン１４は、複数の電極端子部１４ａと、当該電極端子部１４ａ間を接続する配線部１４ｂとからなり、前記第１の絶縁層（絶縁層３０・３３０）は、前記複数の電極端子部１４ａを露出させるように、前記配線部１４ｂを覆っていることが好ましい。前記構成により、前記電極端子部に発光素子が導通するように配することができる。
【０２１０】
本発明の態様６に係る基板１０・１０Ａは、前記態様４又は５において、前記第２の絶縁層（中間層１３・アルミナ層３１３Ｂ及び平坦化層３１３Ｃ）は、前記第１の絶縁層（絶縁層３０・３３０）より高い熱伝導性を有し、前記第１の絶縁層（絶縁層３０・３３０）は、前記第２の絶縁層（中間層１３・アルミナ層３１３Ｂ及び平坦化層３１３Ｃ）より高い光反射性を有することが好ましい。本発明の態様１６に係る発光装置は、前記態様１４又は１５において、前記第２の絶縁層（中間層１３・アルミナ層３１３Ｂ及び平坦化層３１３Ｃ）は、前記第１の絶縁層（絶縁層３０・３３０）より高い熱伝導性を有し、前記第１の絶縁層（絶縁層３０・３３０）は、前記第２の絶縁層（中間層１３・アルミナ層３１３Ｂ及び平坦化層３１３Ｃ）より高い光反射性を有することが好ましい。前記構成によると、高い放熱性と高い光反射性とを有する基板を得ることができる。
【０２１１】
本発明の態様７に係る基板１０・１０Ａ・１０Ｂは、前記態様１〜６において、前記樹脂層（反射層３２・３３２）は白色であって、セラミックス粒子を含む樹脂からなることが好ましい。本発明の態様１７に係る発光装置４・４Ａ・３０４は、前記樹脂層（反射層３２・３３２）は白色であって、セラミックス粒子を含む樹脂からなることが好ましい。前記構成により、高い光反射性を得ることができる。
【０２１２】
本発明の態様８に係る基板１０・１０Ａ・１０Ｂは、前記態様７において、前記セラミックス粒子は、アルミナ、酸化チタン、シリカ、及びジルコニアのうち少なくとも一種類を含むことが好ましい。本発明の態様１８に係る発光装置４・４Ａ・３０４は、前記態様７において、前記セラミックス粒子は、アルミナ、酸化チタン、シリカ、及びジルコニアのうち少なくとも一種類を含むことが好ましい。前記構成により前記樹脂層を得ることができる。
【０２１３】
本発明の態様９に係る基板１０・１０Ａ・１０Ｂは、前記態様７又は８において、前記樹脂は、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、フッ素樹脂、及びポリイミド樹脂のうち少なくとも一種類を含むことが好ましい。本発明の態様１９に係る発光装置４・４Ａ・３０４は、前記態様１７又は１８において、前記樹脂は、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、フッ素樹脂、及びポリイミド樹脂のうち少なくとも一種類を含むことが好ましい。
【０２１４】
本発明の態様１０に係る発光装置４・４Ａ・３０４は、前記態様１〜９において、当該基板１０・１０Ａ・１０Ｂに配された発光素子２０とを備えていることが好ましい。前記構成により、量産性に優れた発光装置を得ることができる。
【０２１５】
本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。さらに、各実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を組み合わせることにより、新しい技術的特徴を形成することができる。
【産業上の利用可能性】
【０２１６】
本発明に係る発光素子を搭載するための基板は、各種発光装置用の基板として利用可能である。本発明に係る発光装置は、特に、高輝度ＬＥＤ発光装置として利用することができる。
【符号の説明】
【０２１７】
１  照明装置
４・４Ａ・３０４  発光装置
１０・１０Ａ・１０Ｂ・３１０  基板
１２・３１２  基体
１３  中間層（第２の絶縁層）
１４・３１４  電極パターン
１４ａ  電極端子部
１４ｂ  配線部
１６・３１６  封止樹脂
１７  保護層
１８  正極電極パターン
１９  負極電極パターン
２０・３２０  発光素子
３０・３３０  絶縁層（第１の絶縁層）
３１・３３１  ガラスシート（構造体）
３２・３３２  反射層（樹脂層）
３２ａ  光反射性塗料
３１３Ｂ  アルミナ層（第２の絶縁層）
３１３Ｃ  平坦化層（第２の絶縁層）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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