【事件の表示】
　特許第３２１７６９６号「ディスクバルブ」の請求項１に係る特許に対する特許異議申立てについて、平成１４年１２月１８日付けでなされた取消決定に対し、東京高等裁判所において決定取消の判決があったので、さらに審理のうえ、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第３２１７６９６号の請求項１に係る特許を維持する。
【理　由】
１
　特許第３２１７６９６号の請求項１に係る発明についての出願は、平成８年４月２６日に特許出願され、平成１３年８月３日にその発明について特許権の設定登録がなされ、その後、その特許について、特許異議の申立てがなされ、平成１４年１２月１８日付けでその特許の取消決定がなされ、その後東京高等裁判所に出訴され［平成１５年（行ケ）第４８号］、その訴訟係属中に願書に添付した明細書を訂正することについての訂正の審判（訂正２００３年審判第３９０６８号）が請求され、その訂正を認める審決がなされ、それに伴い、決定取消の判決があり（平成１５年７月１６日判決言渡）、同判決は確定した。
　
２
　異議申立人は、以下の刊行物１ないし５から、請求項１に係る発明は特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであるから、請求項１に係る発明の特許を取り消すべき旨主張している。
　甲第１号証：特公平７―９０７号公報
　甲第２号証：特開平２―１４９６７３号公報　
　甲第３号証：特開平４―２７８６号公報
　甲第４号証：特開平３―２９０３８４号公報
　甲第５号証：特開平８―６０３６５号公報
　また、取消決定の取消理由においては、上記甲第１号証（刊行物１），甲第５号証（刊行物２）及び甲第２号証（周知例１）に加えて、さらに、以下の周知例２ないし５を提示している。
　周知例２：特開平７−１８０７７４号公報
　周知例３：特開平６−２６５０３０号公報
　周知例４：特開平６−２２７８８２号公報
　周知例５：特開平５−４４８６１号公報
　
３
 (
1
　本件発明は、本件最後に訂正が請求された前記訂正の審判（訂正２００３年審判第３９０６８号）での訂正明細書の請求項１に係る発明であって、その特許請求の範囲の請求項１に記載された事項によって特定されるとおりの次のものと認められる。
「【請求項１】　互いに摺動する２枚の弁体のうち少なくとも一方の弁体をアルミナセラミックスにより形成し、その表面にＴｉ膜、Ｓｉ膜の順序で積層した中間層を介してダイヤモンド状硬質炭素膜を被着することにより摺接面を形成したディスクバルブであって、上記一方の弁体の中心線平均粗さ（Ｒ ａ）を０．１２μｍ以下とし、上記Ｔｉ膜及びＳｉ膜の各膜厚みをぞれぞれ０．１５μｍ以上とするとともに、上記中間層全体の膜厚みを０．８μｍ以下とし、かつ上記中間層及びダイヤモンド状硬質炭素膜の全体の膜厚みを３μｍ以下とし、更に前記ダイヤモンド状硬質炭素膜中にＴｉ及びＳｉが含まれていることを特徴とするディスクバルブ。」
　
 (
2
［
］
　【請求項１】には、
「湯または水あるいは両者の水栓を構成するセラミックス製又は金属製のバルブの摺動面に於いて、摺動面を構成する２面のうちのいずれか一方または両方の面に、ダイヤモンド状炭素膜（別名ｉ−Ｃａｒｂｏｎ）の薄膜を、金属またはその炭化物，窒化物，炭窒化物から選ばれる少なくとも１種類以上の薄膜を介在して設けてなることを特徴とする水栓バルブ部材。」と記載され、
　【０００８】には、
「【課題を解決するための手段】本発明は優れた潤滑性，優れた耐摩耗性を有するｉ−Ｃをセラミックスバルブ表面により強固に密着させるようにした水栓バルブ部材の発明とその製造方法の発明に関するものである。」と、
　【００１０】には、
「一般に、セラミックスバルブ表面に、目的とする薄膜を気相蒸着させるにあたり、蒸着温度が高く、セラミックスバルブと薄膜との熱膨張差、薄膜がそれ故にうける内部歪が主要な原因となって密着が阻害される。本発明は、これらの薄膜とセラミックスバルブの間に歪の吸収材としての傾斜膜を設けることで、上記の欠点を解決するものである。」と、
　【実施例】中【００１２】【００１３】【００１５】【００１６】には、
「【００１２】
【実施例】以下、本発明を実施例により、詳しく説明する。図１，及び図２に示した水栓のセラミックバルブ１，２をアルミナ含有量９２％，残部がＳｉＯ2，ＭｇＯ，ＴｉＯ2で構成をされた材料で作製した。（以後、図１の（Ａ）の形状のセラミックバルブ１を「固定側」、図１の（Ｂ）の形状のセラミックバルブ２を「可動側」と呼ぶ）作製後、摺動面をダイヤモンド砥粒を用いて、ラップ盤にて研磨仕上げを行い、鏡面に研磨した。
【００１３】このアルミナ製バルブの摺動面に、ダイヤモンド状炭素膜を生成させるが生成法としては、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition)法とＰＶＤ（Physical VaporDeposition)法に大別されるが、今回は、ＰＶＤ法の１種であるマグネトロンスパッタ法により、実施した。
【００１５】次に、マグネトロンカソードを直流電源に接続し、直流放電をさせ、カソード表面に取り付けたチタンターゲットをスパッタさせた。放電ガスとしては、アルゴンガスを５×１０-3mbarの圧力になるよう導入し、反応性ガスとして窒素とアセチレンを使用した。処理品をイオンでボンハードしながら、膜を堆積するためにこの間には、２５０〜３５０Ｗ高周波を、処理品にかけておいた。反応性ガスの窒素とアセチレンは、膜構成が処理品基材側から、金属チタン〜ＴｉＮ〜ＴｉＣＮ〜ＴｉＣの、いわゆる傾斜膜となるように流量を調整変化させた。
【００１６】最後に窒素流量をゼロとし、アセチレンの流量を増大させ、圧力７．５×１０-3mbarの状態にするとチタンターゲットの表面は、グラファイトやダイヤモンド状炭素膜で完全に覆われた状態となり、この状態を維持することによって、処理品上にダイヤモンド状炭素膜を堆積させた。膜厚みは全厚み１．５μｍであり、傾斜膜が０．５μｍダイヤモンド状炭素膜が１．０μｍであり、堆積時間は３５分であった。」と記載されている。
　
　上記の記載から、甲第１号証には、以下のとおりの発明が記載されていると認められる。（以下、〈〉内には、表現上本件発明にて相当している事項の用語を示す。）
「
」
　
［
］
　カーボン硬質膜を被覆した部材に関する発明で、第２頁左上欄１８行ないし右上蘭９行には、
「〔課題を解決するための手段〕
　このため本発明は、ステンレス板をはじめとする各種金属部材や超硬部材、および絶縁部材上へ低温度でのＰ−ＣＶＤ法によって形成されるカーボン硬質膜を密着性良く強固に形成する手段として、部材とカーボン硬質膜との間に、両者の密着性を著しく改善するチタニウム、アルミニウム、あるいは鉄の少なくとも１種からなる第１中間層、第１中間層と第２中間層の固溶体層、シリコンからなる第２中間層を順次、積層構造とすることによってカーボン硬質膜のコーティングを可能にするものである。」と記載されている。
　
［
］
　　アルミ酸化物、すなわちアルミナを主成分とする貴石の表面に、イオンプレーティングやスパッタリングなどの表面処理によってチタンなどの導電性の薄膜をコーティングする工程を含む貴石の被覆方法が示されている。
　
［
］
　請求項１には、非酸化物系セラミック焼結体の基材の少なくとも１面にＴiを被覆することが開示され、明細書中には、その被覆膜の膜厚を「耐塑性変形性及び耐剥離性から 1.0μｍ以下が好ましく、基材と内層との密着性の強度をも加味すると、より好ましくは0.1〜0.5μｍ厚さである。」と記載されている。
　
［
］
　【請求項１】には、
「タングステンカ−バイド、タンタルカ−バイド等の超硬材である基材上に、乾式メッキによるチタン、またはクロムの第１層と、該第１層の表面に、乾式メッキによるシリコン、またはゲルマニウムの第２層とよりなる中間層と、該中間層の表面に、乾式メッキによる硬質カ−ボン膜の第３層とよりなることを特徴とする超硬基材上の硬質カ−ボン膜。」と、
　【０００４】【課題を解決するための手段】には、
「超硬基材上にＰＶＤ法（ｐｈｙｓｉｃａｌ　ｖａｐｏｕｒ　ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ法）によりチタン膜、またはクロム膜を形成して第１層とし、該第１層の表面にゲルマニウム膜、またはシリコン膜をＰＶＤ法により形成して第２層とし、該第１層と第２層とより成る中間層の表面に、硬質カ−ボン膜をプラズマＣＶＤ法（ｃｈｅｍｉｃａｌ　ｖａｐｏｕｒ　ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ法）により形成する事を特徴とする。」と、
　【０００５】【作用】には、
「本発明における超硬基材上の硬質カ−ボン膜は、超硬基材と硬質カ−ボン膜との間に前記の中間層を設ける事により、硬質カ−ボン膜の持つ１０10ｄｙｎという高い内部応力を緩和し、硬質カ−ボン膜の超硬基材に対する密着力を向上させ、耐スクラッチ性の向上、およびチッピングによる剥がれを防ぐ事が可能となる。」と、
　【０００６】【実施例】には、
「チタンより成る第１層２を０．２μｍ形成し、次に該第１層の表面にＰＶＤ法を用い、シリコンより成る第２層３を０．５μｍ形成する。」（２欄３３行ないし３５行）と、
　【０００７】末尾には、
「生産性と経済性をを考えれば、第３層５の硬質カ−ボン膜は、０．５〜３μｍの厚さであることが好ましい。」と、
記載されている。
　
［
］
　【０００１】には、
「【産業上の利用分野】本発明は、特に水栓、或いは湯水混合栓に使用される可動弁体と固定弁体とからなるディスクバルブに関するものである。」と記載され、
　【００２２】には、
「ところで、図２に示す可動弁体２０の摺接面２１は、表面粗さ（Ｒａ）０．２μｍ以下の面に形成する。これは、表面粗さが０．２μｍより大きいと、摺動時に固定弁体３０の摺接面３１を磨耗させてしまうからであり、好ましくは表面粗さ（Ｒａ）０．１μｍ以下の滑らかな面とすることが望ましい。」と記載され、
　【００３９】には、
「又、他方を固定弁体３０とし、基体３４の表面を中心線平均粗さで０．１５〜０．４μｍ、且つ平坦度１μｍ以下となるようにそれぞれ研摩加工を施し、さらに、ベンゼン（Ｃ6 Ｈ6 ）ガスをフィラメントでイオン化した炭素イオンをイオン加速器により基体３４の表面に蒸着させ、０．４〜１．０μｍの厚み幅ｈを有する非晶質硬質炭素膜３３を形成する。そして、上記可動弁体２０及び固定弁体３０の互いの摺接面２１，３１を摺接させれば本発明に係るフォーセットバルブを得ることができる。」と記載されている。
　
［
］
　【０００１】には、
「【産業上の利用分野】本発明は、例えば湯水混合栓に用いられる可動弁体と固定弁体からなるセラミック製ディスクバルブに関するものである。」と記載され、
　【００２０】には、
「また、その摺動面２１は、中心線平均粗さ（Ｒａ）０．５μｍ以下の滑らかな面となっている。これは、摺動時に固定弁体３０側の摺動面３１を摩耗させないようにするためであり、好ましくは表面粗さ（Ｒａ）０．１μｍ以下、さらには表面粗さ（Ｒａ）０．０２μｍ以下の極めて滑らかな鏡面とすることが好ましい。」と記載されている。
　
［
］
　【０００１】には、
「【産業上の利用分野】本発明は、湯水混合栓に用いるに好適な、グリース等の潤滑剤不要のセラミックバルブ用部材及びその製造方法に関する。」と記載され、
　【００２０】には、
「本発明に基づく実施例を更に詳細に説明する。
実施例１
　純度９７％のアルミナ基体１２上に、８００℃の温度条件で、プラズマＣＶＤ法により非晶質の炭化ケイ素製中間層１３を１μｍ厚に形成した。そして、この中間層１３の上に、非晶質カーボン製の表層１４を同じくプラズマＣＶＤ法によって形成し、セラミックバルブ用部材とした。上記アルミナ基体１２のＲａは０．１μｍ、表層１４のＲａは０．２５μｍであった」と記載されている。
　
［
］
　【要約】には、
「【目的】　摺接面からの水漏れを防ぎ、かつ固定ディスクに対する可動ディスクの摺動移動が良好なものとなる水栓用セラミックディスクの提供を目的とする。
　【構成】　固定ディスク３の摺接面Ｐ３は表面粗さ０．１５μｍＲａ以下に仕上げられており、一方、可動ディスク４の摺接面Ｐ４は表面粗さ０．２〜０．４μｍＲａの範囲で、かつ０．０５μｍＲａ以下の部分が２０〜４０％程度存在するように仕上げられている。」と記載されている。
　
 (
3
　本件発明と甲第１号証（刊行物１）に記載された発明とを比較すると、
「
」
　しかし、本件発明においては、Ｔｉ膜とダイヤモンド状硬質炭素膜の間にＳｉ膜を介しているに対して、刊行物１には、金属チタン傾斜膜のみでＳｉ膜がない点と、ダイヤモンド状硬質炭素膜中にＴｉ及びＳｉが含まれている点とが記載されていない。
　甲第５号証（刊行物２）には、プラズマＣＶＤ法による硬質カ−ボン膜〈ダイヤモンド状硬質炭素膜〉を形成する際の中間層としてチタン膜を第１層、シリコン膜を第２層とする技術が示されているが、硬質カ−ボン膜〈ダイヤモンド状硬質炭素膜〉中にＴｉ及びＳｉが含まれている点は記載されていない。
　また、甲第２号証（周知例１）ないし甲第４号証及び周知例２ないし５については、ダイヤモンド状硬質炭素膜についての具体的な組成が示されたものはなく、周知例２にベンゼン（Ｃ6 Ｈ6 ）ガスを用いた例が示されているだけである。
　してみると、上記甲第１号証ないし甲第５号証及び各周知例のいずれにも、「ダイヤモンド状硬質炭素膜中にＴｉ及びＳｉが含まれている」点の記載及び当該記載を示唆する記載がない。
　そして、「ダイヤモンド状硬質炭素膜中にＴｉ及びＳｉが含まれている」点の構成を採用することにより、ダイヤモンド状硬質炭素膜中の残留応力を効果的に低減することができ、Ｔｉ膜及びＳｉ膜とで構成される中間層との馴染みが良好となり、一方弁体との密着力を高くすることができるという格別な効果を奏するものであるから、本件発明は上記甲第１号証ないし甲第５号証及び各周知例に基づいて、当業者が容易に想到することができたということはできない。
　したがって、本件発明の特許は、証拠として提出された各刊行物及び周知例から当業者が容易に考えることができないものであるから、特許を受けることができない発明とはいえない。
　
 (
4
　以上のとおりであるから、特許異議申立人が主張する理由及び提出された証拠によっては、本件発明についての特許を取り消すことができない。
　また、他に本件発明についての特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１４年１２月１８日（２００２．１２．１８）