【事件の表示】
　特許第３１９９６７２号「電子部品収納用パッケージ」の請求項１に係る発明についての特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３１９９６７２号の請求項１に係る発明についての特許を維持する。
【理　由】
　
Ｉ．訂正の適否
　
１．訂正の内容
　訂正事項ａ：請求項１に「接続されている」とある記載を、「接続されているとともに、前記メタライズ金属層の外周辺より少なくとも３０μmの幅の領域にロウ材が存在しないロウ材の非接触領域が形成されている」に訂正する。
　訂正事項ａの２：段落0008に「接続されている」とある記載を、「接続されているとともに、前記メタライズ金属層の外周辺より少なくとも３０μmの幅の領域にロウ材が存在しないロウ材の非接触領域が形成されている」に訂正する。
　訂正事項ａの３：段落0030に「ロウ材９を介して取着する場合、…ロウ材の非接触領域Ｂを形成しておくと」とある記載を、「ロウ材９を介して取着するが、…ロウ材の非接触領域Ｂを形成しているので、」に訂正する。
　訂正事項ａの４：段落0031に「３０μmの幅の領域に形成しておくことが好ましい。」とある記載を、「３０μmの幅の領域に形成する。」に訂正する。
　訂正事項ｂ：段落0030に「熱膨張係量」とある記載を、「熱膨張係数」に訂正する。
　
２．訂正の目的の適否、新規事項の有無および拡張・変更の存否　
　訂正事項ａは、請求項１に、特定幅のロウ材の非接触領域を形成することを追加するものであるから、特許請求の範囲の減縮に当たる。訂正事項ａの２〜４は、訂正事項ａに伴い明細書の記載を整合させるものであるから、明りょうでない記載の釈明に当たる。訂正事項ｂは、誤記の訂正に当たる。
　又、訂正事項ａ及びａの２〜４は、訂正前の明細書の段落0030〜0032の記載に基づいており、訂正事項ｂは、単に明らかな誤記を正したものであるから、これらの訂正事項は、いずれも、願書に添付した明細書及び図面に記載した事項の範囲内でなされており、又、実質上特許請求の請求の範囲を拡張、変更するものでもない。
　
３．むすび
　よって、上記訂正は特許法第１２０条の４第２項及び同条第３項で準用する特許法第１２６条第２〜４項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
　
II．特許異議申立てについて
　
１．申立ての理由の概要　
　特許異議申立人月岡恵子（以下、「申立人」という。）は、証拠として下記甲第１〜４号証を提示して、本件請求項１に係る発明は、甲第１号証に記載された発明であるか、又は、甲第２〜４号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件請求項１に係る発明についての特許は、特許法第２９条第１項第３号又は同条第２項の規定により特許を受けることができない旨主張する。
　　　　　　　　　　　　　　　　　記
　甲第１号証：特開平６-３５０３９０号公報
　甲第２号証：特許第２５６５３５９号公報
　甲第３号証：特開平９-２３２３５１号公報
　甲第４号証：特開平６-１９６５７７号公報
　
２．訂正後の発明　
　上記Ｉのとおり、訂正が認められる結果、訂正後の本件請求項１に係る発明（以下、「本件発明」という。）は、訂正明細書の請求項１に記載された以下の事項により特定されるとおりのものである。
「【請求項１】 上面外周部に四角形状の枠部を有するセラミックス基体と、該セラミックス基体に形成されたメタライズ配線層と．前記セラミックス基体の枠部上面に被着され、表面がメッキ金属層で被覆されている方形環状のメタライズ金属層と、該メタライズ金属層にロウ付けされた金属枠体と、該金属枠体に溶接される金属製蓋体とから成り、前記方形環状のメタライズ金属層はその４隅が枠部内部に配された貫通導体を介してメタライズ配線層に接続されているとともに、前記メタライズ金属層の外周辺より少なくとも３０μｍの幅の領域にロウ材が存在しないロウ材の非接触領域が形成されていることを特徴とする電子部品収納用パッケージ。」
　
３．甲各号証に記載の事項　
〈甲第１号証〉
　イ．「第１の誘電体部材Ｉ
　誘電率ε１の誘電体で形成され、高さがｈ１で矩形状の枠状の部材であり、その４隅にはスルーホール３１が形成されている。そして、枠状の部材の上面には、金属性蓋体Vを接着するための金属層３２が形成されている。」（【００４８】）
　ロ．「第２の誘電体部材II
　誘電率ε１の誘電体で形成され、高さがｈ２の第１の誘電体部材Ｉより枠の幅が広い矩形状の枠状の部材であり、その４隅にはスルーホール３３が形成されている。そして、この幅が広い枠状の部材の上面には、入力側導電体配線層３４、出力側導電体配線層３５と、ボンディングパッド３６、３７、３８、３９が形成されている。」（【００４９】）
　ハ．「第３の誘電体部材III
　誘電率ε２の誘電体で形成され、高さがｈ３の矩形板状の部材であり、その上面と長辺方向の側面に接地導体となる導電体層４０が形成されている。そして、短辺方向の側面には導電体配線層４１が形成されている。」（【００５０】）
　ニ．「前に説明した第１の誘電体部材Ｉ、第２の誘電体部材II、第３の誘電体部材III、第４の誘電体部材IVを積層、…(略)…熱処理を加えることによって、第１の誘電体部材Ｉ、第２の誘電体部材II、第３の誘電体部材III、第４の誘電体部材IV相互間を接着するとともに、…(略)…また、スルーホール３１とスルーホール３３の中に導電体を充填して金属層３２と導電体層４０の間を接続する。」（【００５３】）
　ホ．「最後に、厚さ０，２mmの金属製蓋体Ｖによって封止する。」（【００５５】）
　ヘ．弾性表波フィルタの分解状態（Ａ）と組み立て状態（Ｂ）を図解する説明図（【図６】）
〈甲第２号証〉
　ト．「セラミック基板上にセラミック枠体を一体に備えて、そのセラミック枠体とセラミック基板の内部にグランドに電気的に導通する導体を充填した複数本のヴィアホールをセラミック枠体内空間周囲を囲むように備える…(略)…高周波素子用パッケージ。」（【請求項１】）
　チ．高周波素子用パッケージの平面図（【第１図】，セラミック枠体４の４隅にもヴィアホール５が形成されている状態が示されている。）。
　リ．「セラミック枠体４上面をキャップ（図示せず。）で一体に覆うとともに、キャップ周囲をセラミック枠体４上面のメタライズ層１０にろう材を用いて一体に被着して、セラミック枠体内空間４ａに高周波素子の半導体チップ等を封止する。」（第３頁第５欄第３５〜４０行）
〈甲第３号証〉
　ヌ．「チップキャリア１０２は直方体形状を有しており、第１乃至第３のセラミック基板１０５〜１０７を積層した構造を有している。」（【０００６】）
　ル．「各キャビティ部１３３、１３６の形状は、平面視した状態で矩形状とされていた。また、基板本体１０７ａの四隅には切欠部１３８a〜１３８ｄが形成されており、各切欠部１３８a〜１３８ｄにはキャップ接続配線１３９a〜１３９ｄ（梨地で示す）が夫々形成されている。このキャップ接続配線１３９a〜１３９ｄは、上面配線膜と電気的に接続された構成とされている。」（【００１２】）
　ヲ．「キャップ１０４は、第３のセラミック基板１０７に形成されたキャビティ部１３６を覆うように封止面１３７に金（Ａu）−錫（Ｓn）や錫（Ｓn）−鉛（Ｐb）等の封止材（半田）により上面配線膜と電気的導通を図った状態で溶接される。」（【００１５】）
　ワ．電子素子用パッケージの分解斜視図（【図１２】）。
〈甲第４号証〉
　カ．「ＳＡＷフィルターや発光素子等の小型電子素子を収容するための電子素子収納用パッケージは、…(略)…アルミナセラミックス等の電気絶縁材料から成り、…(略)…配線用メタライズ層１３を有する絶縁基体１１と、同じくアルミナセラミックス等の電気絶縁材料から成り、前記絶縁基体１１の上面外周部に接合され、上面に金属製蓋体が接合される封止用メタライズ層１４を有する絶縁枠体１２とから構成されて」（【０００２】）
　ヨ．「側面に切欠部を有し、上面から前記切欠部を介して下面にかけて導出する配線用メタライズ層を有する絶縁基体と、前記絶縁基体の上面外周部に接合され、側面に切欠部を有し、上面に封止用メタライズ層を有する絶縁枠体とから成る電子素子収納用パッケージ」（【請求項１】）
　タ．「該切欠部２bは後述する封止用メタライズ層６と配線用メタライズ層４とを接続させる接続用メタライズ層７の通路として作用を為す。」（【００２３】）
　レ．「封止用メタライズ層６に金属枠体を銀ろう等のろう材を介して接合させ、該金属枠体に金属製の蓋体８をシームウェルト法により溶接し接合させてもよい。」（【００２９】）
　ソ．「上述の実施例では絶縁基体１の切欠部１ｂ及び絶縁枠体２の切欠部２ｂがいずれも絶縁基体１及び絶縁枠体２の各辺中央部に形成されているか、各辺中央部に限定されるものではなく、絶縁基体１及び絶縁枠体２の角部に形成しても良い。」（【００３１】）
　
４．対比・判断　
　本件発明は、前記II．２で認定したとおりの構成からなるものであるところ、甲第１〜４号証には、上記３で摘記した事項が記載されていることが認められるものの、本件発明の構成の一部をなす「メタライズ金属層の外周辺より少なくとも３０μｍの幅の領域にロウ材が存在しないロウ材の非接触領域が形成されていること」については、いずれの甲号証にも記載されてなく、又、示唆もない。　
　そして、本件発明は、非接触領域に関する上記構成が加わることにより、「セラミックス基体１の枠部２上面に被着させたメタライズ金属層７にロウ付けされている金属枠体８に金属製蓋体３を溶接により取着する際、金属枠体８のみが高温となって金属枠体８とセラミックス基体１の枠部２との間に両者の熱膨張係数の相違に伴う大きな応力が発生したとしてもその応力はメタライズ金属層７の外周辺より３０μｍ以上離れた位置に作用して外周辺に集中作用することはなく、その結果、メタライス金属層７がその外周辺においてセラミックス基体１の枠部２上面より剥離するのが有効に防止され、これによってセラミックス基体１の枠部２上面にメタライズ金属層７を強固に被着させておくことかできるとともにメタライズ金属層７に金属枠体８を強固にロウ付け取着することができ、容器の気密封止を完全として容器の内部に収容する半導体素子４を長期間にわたり正常、かつ安定に作動させることが可能となる。」（【００３０】）という、明細書記載の効果を奏する。
　よって、本件発明は、甲第１〜４号証に記載された発明であるとはいえないし、又、これら甲第１〜４号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるともいえない。
　
５．むすび　
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、本件発明についての特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明についての特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１６年３月３０日（２００４．３．３０）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
電子部品収納用パッケージ
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　上面外周部に四角形状の枠部を有するセラミックス基体と、該セラミックス基体に形成されたメタライズ配線層と、前記セラミックス基体の枠部上面に被着され、表面がメッキ金属層で被覆されている方形環状のメタライズ金属層と、該メタライズ金属層にロウ付けされた金属枠体と、該金属枠体に溶接される金属製蓋体とから成り、前記方形環状のメタライズ金属層はその４隅が枠部内部に配された貫通導体を介してメタライズ配線層に接続されている
とともに、前記メタライズ金属層の外周辺より少なくとも３０μｍの幅の領域にロウ材が存在しないロウ材の非接触領域が形成されている
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の属する技術分野】
　本発明は半導体素子や水晶振動子、弾性表面波素子等の電子部品を収容するための電子部品収納用パッケージに関するものである。
　【０００２】
　【従来の技術】
　従来、半導体素子や水晶振動子、弾性表面波素子等の電子部品を収容するための電子部品収納用パッケージは、一般に酸化アルミニウム質焼結体等の電気絶縁材料から成り、上面外周部に四角形状の枠部を有するセラミックス基体と、該セラミックス基体に形成され、枠部内側から外側にかけて導出するタングステン、モリブデン、マンガン等の高融点金属粉末から成るメタライズ配線層と、セラミックス基体の枠部上面に取着され、鉄ーニッケルーコバルト合金や鉄ーニッケル合金等から成る金属製蓋体とから構成されており、セラミックス基体の枠部内側に半導体素子や水晶振動子等の電子部品を収容するとともに該電子部品の各電極をボンディングワイヤを介して所定のメタライズ配線層に接続し、しかる後、セラミックス基体の枠部上面に金属製蓋体を溶接し、セラミックス基体と金属製蓋体とから成る容器内部に電子部品を気密に封止することによって最終製品としての電子装置となる。
　【０００３】
　なお、前記従来の電子部品収納用パッケージは通常、酸化アルミニウム質焼結体から成るセラミックス基体の枠部上面に鉄ーニッケルーコバルト合金や鉄ーニッケル合金等の金属材料から成る金属枠体を予め銀ロウ等のロウ材を介して取着させておき、該金属枠体に金属製蓋体をシームウエルド法等により溶接させることによって金属製蓋体はセラミックス基体の上面に取着され、これによってセラミックス基体と金属製蓋体とから成る容器の内部が気密に封止される。
　【０００４】
　また前記セラミックス基体の枠部上面への金属枠体の取着はまずセラミックス基体の枠部上面に金属枠体より若干大きめの面積にタングステン、モリブデン、マンガン等の高融点金属粉末から成る方形環状のメタライズ金属層を従来周知のスクリーン印刷法等の厚膜手法を採用することによって被着形成しておき、次に前記メタライズ金属層の表面に電解メッキ法によりニッケル、金等から成るメッキ金属層を被着させ、しかる後、前記メタライズ金属層上に銀ロウ等のロウ材と金属枠体とを順次載置させ、最後に前記ロウ材に約８００℃の温度を印加し、ロウ材を加熱溶融させることによって行われる。
　【０００５】
　前記方形環状をなすメタライズ金属層の表面にニッケル、金等から成るメッキ金属層を被着させるのはメタライズ金属層とロウ材との濡れ性を向上させるためであり、方形環状をなすメタライズ金属層の１つ、もしくは２つの隅部をセラミックス基体の枠部内部に配した貫通導体を介してメタライズ配線層に接続させておき、メタライズ配線層の表面に、該メタライズ配線層の耐蝕性、電子部品との電気的接続性を良好とするためのニッケルや金等を電解メッキ法により被着させる際に同時に方形環状をなすメタライズ金属層表面にもニッケルや金等のメッキ金属層が被着されるようになっている。
　【０００６】
　【発明が解決しようとする課題】
　しかしながら、従来の電子部品収納用パッケージは方形環状をなすメタライズ金属層とメタライズ配線層とがメタライズ金属層の１つ、もしくは２つの隅部に配された貫通導体を介して接続されているため、金属枠体に金属製蓋体を溶接する際、金属枠体に発生した熱の一部が貫通導体を介しメタライズ金属層からメタライズ配線層に流れてメタライズ金属層の貫通導体が存在する部分と存在しない部分との間で熱分布に傾斜が招来し、この熱分布の傾斜に伴ってメタライズ金属層とセラミックス基体との間に発生する熱応力に大きなバラツキが発生するとともに該熱応力のバラツキによってセラミックス基体にクラックや割れ等が発生してしまい、その結果、容器の気密封止が破れ、容器内部に収容する電子部品を長期間にわたり正常かつ安定に作動させることができないという欠点を有していた。
　【０００７】
　本発明は上記欠点に鑑み案出されたもので、その目的は容器の気密封止を完全とし、容器の内部に収容される電子部品を長期間にわたり正常、かつ安定に作動させることができる電子部品収納用パッケージを提供することにある。
　【０００８】
　【課題を解決するための手段】
　本発明は、上面外周部に四角形状の枠部を有するセラミックス基体と、該セラミックス基体に形成されたメタライズ配線層と、前記セラミックス基体の枠部上面に被着され、表面がメッキ金属層で被覆されている方形環状のメタライズ金属層と、該メタライズ金属層にロウ付けされた金属枠体と、該金属枠体に溶接される金属製蓋体とから成り、前記方形環状のメタライズ金属層はその４隅が枠部内部に配された貫通導体を介してメタライズ配線層に接続されている
とともに、前記メタライズ金属層の外周辺より少なくとも３０μｍの幅の領域にロウ材が存在しないロウ材の非接触領域が形成されている
　【０００９】
　本発明の電子部品収納用パッケージによれば、方形環状をなすメタライズ金属層とメタライズ配線層とが、メタライズ金属層の４隅で貫通導体を介して接続されていることから金属枠体に金属製蓋体を溶接する際、金属枠体に発生した熱の一部が貫通導体を介しメタライズ金属層からメタライズ配線層に流れたとしてもメタライズ金属層の熱分布に大きな傾斜を招来することはなく、その結果、メタライズ金属層とセラミックス基体との間に発生する熱応力は全体にわたって略均等となり、セラミックス基体にクラックや割れ等が発生するのを有効に防止して容器の気密封止を完全とし、容器内部に収容する電子部品を長期間にわたり正常かつ安定に作動させることが可能となる。
　【００１０】
　【発明の実施の形態】
　次に本発明を添付図面に基づき詳細に説明する。図１乃至図３は本発明の電子部品収納用パッケージを半導体素子を収容するパッケージに適用した場合の一実施例を示し、１は上面外周部に四角形状の枠部２を有するセラミックス基体、３は金属製蓋体である。この枠部２を有するセラミックス基体１と金属製蓋体３とで内部に半導体素子４を収容するための容器が構成される。
　【００１１】
　前記上面外周部に枠部２を有するセラミックス基体１は酸化アルミニウム質焼結体やムライト質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体、炭化珪素質焼結体、ガラスセラミックス焼結体から成り、その枠部２内側のセラミックス基体１上面中央部には半導体素子４が載置される載置部１ａが設けてあり、該載置部１ａには半導体素子４がロウ材、ガラス、樹脂等の接着剤を介して取着される。
　【００１２】
　前記上面外周部に枠部２を有するセラミックス基体１は例えば、酸化アルミニウム質焼結体から成る場合、酸化アルミニウム、酸化珪素、酸化マグネシウム、酸化カルシウム等に適当な有機溶剤、溶媒を添加混合して泥漿状となすとともにこれを従来周知のドクターブレード法やカレンダーロール法を採用することによってグリーンシート（生シート）を形成し、しかる後、前記グリーンシートに適当な打ち抜き加工を施すとともに複数枚積層し、高温（約１８００℃）で焼成することによって製作される。
　【００１３】
　また前記セラミックス基体１には枠部２の内側からセラミックス基体１の下面にかけて導出する複数個のメタライズ配線層５が被着形成されており、該メタライズ配線層５の枠部２内側には半導体素子４の電極がボンデイングワイヤ６を介して電気的に接続され、またセラミックス基体１の下面に導出した部位は外部電気回路基板の配線導体（不図示）が半田等を介して電気的に接続される。
　【００１４】
　前記セラミックス基体１に設けた複数個のメタライズ配線層５はタングステン、モリブデン、マンガン等の金属粉末から成り、該メタライズ配線層５は半導体素子４の各電極を所定の外部電気回路に電気的に接続する作用をなす。
　【００１５】
　前記メタライズ配線層５は例えば、タングステン等の金属粉末に有機溶剤、溶媒を添加混合して得た金属ペーストをセラミックス基体１となるグリーンシートに予め従来周知のスクリーン印刷法により所定パターンに印刷塗布しておくことによって枠部２内側からセラミックス基体１の下面にかけて所定パターンに被着導出される。
　【００１６】
　前記メタライズ配線層５はまたその露出する外表面にニッケル、金等の耐蝕性に優れ、且つロウ材と濡れ性の良い金属から成る第１メッキ金属層１０が電解メッキ法によリ１．０乃至２０．０μｍの厚みに被着されており、該第１メッキ金属層１０によってメタライズ配線層５は酸化腐食が有効に防止されるとともにメタライズ配線層５とボンデイングワイヤ６との接続及びメタライズ配線層５と外部電気回路基板の配線導体との接続が強固なものとなるようになっている。
　【００１７】
　前記第１メッキ金属層１０は、例えば、ニッケルで形成されている場合、硫酸ニッケル２４０グラム／リットル、塩化ニッケル４５グラム／リットル、ほう酸３０グラム／リットルから成るニッケルメッキ浴中にメタライズ配線層５を浸漬させ、しかる後、メタライズ配線層５に電解メッキに必要な所定の電界を印加し、メタライズ配線層５表面にニッケルを析出させることによって形成さる。
　【００１８】
　なお、前記第１メッキ金属層１０はその厚みが１．０μｍ未満であるとメタライズ配線層５の耐蝕性及びロウ材濡れ性が大きく向上せず、また２０．０μｍを超えると第１メッキ金属層１０を形成する際に、第１メッキ金属層１０の内部に大きな応力が発生内在し、該内在応力によってメタライズ配線層５より剥離し易くなる。従って、前記第１メッキ金属層１０はその厚みを１．０乃至２０．０μｍの範囲としておくことが好ましい。
　【００１９】
　また前記セラミックス基体１の枠部２上面には方形環状のメタライズ金属層７が被着形成されているとともに該方形環状のメタライズ金属層７はその４隅において枠部２の内部に配した貫通導体１２を介してメタライズ配線層５に電気的に接続されている。
　【００２０】
　前記メタライズ金属層７はセラミックス基体１の枠部２上面に金属枠体８をロウ材９を介してロウ付け取着する際の下地金属層として作用し、該メタライズ金属層７には金属枠体８がロウ材９を介してロウ付けされ、また貫通導体１２はメタライズ配線層５とメタライズ金属層７とを電気的に接続し、メタライズ配線層５の露出表面に電解メッキ法により第１メッキ金属層１０を形成する際に、同時にメタライズ金属層７の露出表面にも第２メッキ金属層１１が形成されるようになす。
　【００２１】
　前記メタライズ金属層７及び貫通導体１２はタングステン、モリブデン、マンガン等の高融点金属粉末から成り、タングステン等の金属粉末に適当な有機溶剤、溶媒を添加混合して得た金属ペーストをセラミックス基体１と成るグリーンシートの表面及びグリーンシートに穿孔したスルーホール内に従来周知のスクリーン印刷法等により予め所定厚み、所定パターンに印刷塗布及び充填しておくことによってセラミックス基体１の枠部２上面及び枠部２内部に各々形成される。
　【００２２】
　なお、前記貫通導体１２はその径が０．０５ｍｍ乃至０．３ｍｍ程度であり、０．０５ｍｍ未満であると貫通導体となる金属ペーストが充填されるスルーホールを絶縁基体１となるセラミックグリーンシートに形成することが困難となり、また、０．３ｍｍを超えると絶縁基体１の枠部２となるセラミックグリーンシートにスルーホールを穿孔する際、該枠部２となるセラミックグリーンシートにクラックが発生して絶縁基体１と蓋体３とから成る容器の気密が損なわれてしまう危険性がある。従って、前記貫通導体１２はその径を０．０５乃至０．３ｍｍの範囲としておくことが好ましい。
　【００２３】
　更に前記メタライズ金属層７はその露出する外表面にニッケル、金等から成る第２メッキ金属層１１が電解メッキ法によって被着されており、該第２メッキ金属層１１はメタライズ金属層７の耐蝕性及びロウ材の濡れ性を向上させる作用をなし、第２メッキ金属層１１によってメタライズ金属層７へのロウ材９を介しての金属枠体８の取着が強固となる。
　【００２４】
　前記第２メッキ金属層１１はメタライズ金属層７とメタライズ配線層５とを枠部２の内部に設けた貫通導体１２を介して電気的に接続しておき、メタライズ配線層５の表面に電解メッキ法により第１メッキ金属層１０を形成する際に同時にメタライズ金属層７の表面に被着される。
　【００２５】
　前記第２メッキ金属層１１はその厚みが１．０μｍ未満であるとメタライズ金属層７の耐蝕性及びロウ材濡れ性が大きく向上せず、また２０．０μｍを超えると第２メッキ金属層１１を形成する際に、第２メッキ金属層１１の内部に大きな応力が発生内在し、該内在応力によってメタライズ金属層７より剥離し易くなる。従って、前記第２メッキ金属層１１はその厚みを１．０乃至２０．０μｍの範囲としておくことが好ましい。
　【００２６】
　また前記メタライズ金属層７にロウ材９を介してロウ付けされる金属枠体８は金属製蓋体３をセラミックス基体１に取着する際の下地金属部材として作用し、金属枠体８に金属製蓋体３をシームウエルド法等により溶接することによって金属製蓋体３はセラミックス基体１の枠部２上に取着される。この場合、方形環状をなすメタライズ金属層７とメタライズ配線層５とが、メタライズ金属層７の４隅で貫通導体１２を介して接続されていることから金属枠体８に金属製蓋体２を溶接する際、金属枠体８に発生した熱の一部が貫通導体１２を介しメタライズ金属層７からメタライズ配線層５に流れたとしてもメタライズ金属層７の熱分布に大きな傾斜を招来することはなく、その結果、メタライズ金属層７とセラミックス基体１との間に発生する熱応力は全体にわたって略均等となり、セラミックス基体１にクラックや割れ等が発生することはない。
　【００２７】
　前記金属枠体８は鉄ーニッケルーコバルト合金や鉄ーニッケル合金等の金属材料から成り、例えば、鉄ーニッケルーコバルトのインゴット（塊）に圧延加工法、プレス打ち抜き加工法等、従来周知の金属加工法を施すことによって所定の枠状に形成され、銀ロウ等のロウ材９によってメタライズ金属層７上に取着される。
　【００２８】
　前記金属枠体８のメタライズ金属層７上への取着は、メタライズ金属層７上に板状のロウ材９と金属枠体８とを順次、載置させ、しかる後、これを約９００℃の温度に加熱し、ロウ材９を溶融させることによって行われる。
　【００２９】
　また前記メタライズ金属層７上にロウ材９を介して取着された金属枠体８は、図３に示すように、金属枠体８の側面とメタライズ金属層７の上面との間にロウ材９の溜まり部Ａが形成されており、該ロウ材９の溜まり部Ａによって、メタライズ金属層７に対する金属枠体８のロウ付け取着強度が高いものとなっている。
　【００３０】
　更に前記メタライズ金属層７に金属枠体８をロウ材９を介して取着する
が
いるので、
数
　【００３１】
　なお、前記ロウ材の非接触領域Ｂはメタライズ金属層７の外周辺より３０μｍ未満の幅の領域であると金属枠体８に金属製蓋体３を溶接により取着する際に発生する応力がメタライズ金属層７の外周辺に集中作用し、メタライズ金属層７がセラミックス基体１の枠部２上面より剥離してしまう危険性がある。従って、メタライズ金属層７がセラミックス基体１の枠部２上面より剥離しないようにするには前記ロウ材の非接触領域Ｂはメタライズ金属層７の外周辺より少なくとも３０μｍの幅の領域に形成
する
　【００３２】
　また前記ロウ材の非接触領域Ｂはメタライズ金属層７の上面に金属枠体８をロウ材９を介してロウ付け取着する際、予めメタライズ金属層７上面の外周辺より少なくとも３０μｍの幅の領域にカーボンインクやアルミナ粉末ペースト等を塗布しておくことによって、或いはメタライズ金属層７の上面に金属枠体８をロウ材９でロウ付け取着した後、メタライズ金属層７上面の外周辺より少なくとも３０μｍの幅の領域に被着しているロウ材９をシアン化ナトリウムやシアン化カリウム等を含むシアン系のロウ材剥離液で除去することによって形成することができる。
　【００３３】
　かくして上述のパッケージによればセラミックス基体１の枠部２内側に位置する載置部１ａに半導体素子４をロウ材、ガラス、樹脂等の接着剤を介して取着するとともに該半導体素子４の各電極をボンデイングワイヤ６を介してメタライズ配線層５に電気的に接続し、しかる後、セラミックス基体１の枠部２上面にロウ付けした金属枠体８に金属製蓋体３をシームウエルド法等により溶接し、上面外周部に枠部２を有するセラミックス基体１と金属製蓋体３とから成る容器内部に半導体素子４を気密に封止することによって最終製品としての電子装置となる。
　【００３４】
　なお、本発明は上述したパッケージに限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種々の変更は可能であり、例えば、上述の実施例ではセラミックス基体１の下面に導出するメタライズ配線層５を直接、外部電気回路基板の配線導体に接続すると説明したが、メタライズ配線層５に外部リード端子を予めロウ付けしておき、該外部リード端子を外部電気回路に接続させることによって容器の内部に収容される電子部品を外部電気回路に接続されるようにしておいてもよい。
　【００３５】
　【発明の効果】
　本発明の電子部品収納用パッケージによれば、方形環状をなすメタライズ金属層とメタライズ配線層とが、メタライズ金属層の４隅で貫通導体を介して接続されていることから金属枠体に金属製蓋体を溶接する際、金属枠体に発生した熱の一部が貫通導体を介しメタライズ金属層からメタライズ配線層に流れたとしてもメタライズ金属層の熱分布に大きな傾斜を招来することはなく、その結果、メタライズ金属層とセラミックス基体との間に発生する熱応力は全体にわたって略均等となり、セラミックス基体にクラックや割れ等が発生するのを有効に防止して容器の気密封止を完全とし、容器内部に収容する電子部品を長期間にわたり正常かつ安定に作動させることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】　本発明の電子部品収納用パッケージを半導体素子を収容するパッケージに適用した場合の一実施例を示す断面図ある。
　【図２】　図１に示すパッケージのメタライズ金属層の平面図である。
　【図３】　図１に示すパッケージの部分拡大断面図である。
　【符号の説明】
　１・・・・・セラミックス基体
　２・・・・・枠部
　３・・・・・金属製蓋体
　４・・・・・半導体素子（電子部品）
　５・・・・・メタライズ配線層
　７・・・・・メタライズ金属層
　８・・・・・金属枠体
　９・・・・・ロウ材
　１１・・・・第２メッキ金属層
　１２・・・・貫通導体