【事件の表示】
　特許第３３０４９０１号「複合高周波部品及びそれを用いた移動体通信装置」の請求項１ないし３に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３３０４９０１号の請求項１ないし３に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
　特許第３３０４９０１号の請求項１ないし３に係る発明についての出願は、平成１０年１１月２７日に特許出願され、平成１４年５月１０日に特許権の設定登録がされ、その後、その特許について、異議申立人吉田保より特許異議の申立てがなされ、取消しの理由が通知され、その指定期間内である平成１５年６月２３日に訂正請求がなされた後、再度取消しの理由が通知され、その指定期間内である平成１５年１０月３１日に訂正請求がなされたものである。
　
２．訂正の適否についての判断
（１）訂正の内容
　特許権者が求めている訂正の内容は以下のとおりである。　　　
ア．訂正事項ａ
　特許第３３０４９０１号発明の明細書中の特許請求の範囲を以下のとおりに訂正する。
「【特許請求の範囲】
　【請求項１】　近接した周波数の信号を送受信する第１及び第２の通信システムと、該第１及び第２の通信システムと異なる周波数の信号を送受信する第３の通信システムとに対応したフロントエンド部を構成する複合高周波部品であって、
　第１から第３のポートを有するとともに、第１のインダクタンス素子、及び第１のキャパシタンス素子で構成されたダイプレクサと、第１から第３のポートを有するとともに、第１及び第２のスイッチング素子、第２のインダクタンス素子、及び第２のキャパシタンス素子で構成され、該第１のポートを該第２、第３のポートのいずれかに切り換える第１乃至第３の高周波スイッチと、第１、第２のポートを有するとともに、第３のインダクタンス素子、及び第３のキャパシタンス素子で構成された第１及び第２のフィルタを備え、
　前記ダイプレクサの第１のポートがアンテナに接続され、前記ダイプレクサの第２のポートが前記第１の高周波スイッチの第１のポートに接続されるか、または、前記第１のフィルタを介して接続され、前記ダイプレクサの第３のポートが前記第３の高周波スイッチの第１のポートに接続されるか、または、前記第２のフィルタを介して接続され、前記第１の高周波スイッチの第２のポートが第１、第２の通信システム共通の送信部に接続され、前記第１の高周波スイッチの第３のポートが前記第２の高周波スイッチの第１のポートに接続され、前記第２の高周波スイッチの第２のポートが前記第１の通信システムの受信部に接続され、前記第２の高周波スイッチの第３のポートが前記第２の通信システムの受信部に接続され、前記第３の高周波スイッチの第２のポートが第３の通信システムの送信部に接続され、前記第３の高周波スイッチの第３のポートが前記第３の通信システムの受信部に接続されており、
　前記第１のフィルタは、前記第１の高周波スイッチの第１のポートもしくは第２のポートに接続され、前記第２のフィルタは、前記第３の高周波スイッチの第１のポートもしくは第２のポートに接続されており、
　前記第１及び第２のスイッチング素子、前記第１乃至第３のインダクタンス素子、及び前記第１乃至第３のキャパシタンス素子が、セラミックスからなる複数のシート層を積層してなるセラミック多層基板に内蔵、あるいは搭載され、前記セラミック多層基板に形成される接続手段によって接続される複合高周波部品であって、
　前記第１及び第２の高周波スイッチはそれぞれ、第１のポートと第２のポートを結ぶ経路に直列に前記第１のダイオードが、第１のポートと第３のポートを結ぶ経路にシャントに第２のダイオードが接続され、
　前記第１及び第２のダイオードを直列に結ぶ回路の一端側及び他端側にそれぞれ第１及び第２の制御端子が接続され、前記第１及び第２のダイオードを共に順バイアスして第１のポートを第２のポートに接続し、前記第１及び第２のダイオードを共に逆バイアスにして第１のポートを第３のポートに接続するものであり、
　前記第１の高周波スイッチの第１のポートを第２のポートに接続しているときに、前記第２の高周波スイッチの前記第１及び第２のダイオードを逆バイアスにすることを特徴とする複合高周波部品。
　【請求項２】　前記第１、第２および第３の通信システムは、それぞれＤＣＳ、ＰＣＳおよびＧＳＭであることを特徴とする請求項１に記載の複合高周波部品。
　【請求項３】　請求項１または請求項２のいずれかに記載の複合高周波部品を用いたことを特徴とする移動体通信装置。」
　
イ．訂正事項ｂ
　特許第３３０４９０１号発明の明細書中の【０００９】欄を次のとおりに訂正する。
「【０００９】
　【課題を解決するための手段】
　上述する問題点を解決するため本発明の複合高周波部品は、近接した周波数の信号を送受信する第１及び第２の通信システムと、該第１及び第２の通信システムと異なる周波数の信号を送受信する第３の通信システムとに対応したフロントエンド部を構成する複合高周波部品であって、
　第１から第３のポートを有するとともに、第１のインダクタンス素子、及び第１のキャパシタンス素子で構成されたダイプレクサと、第１から第３のポートを有するとともに、第１及び第２のスイッチング素子、第２のインダクタンス素子、及び第２のキャパシタンス素子で構成され、該第１のポートを該第２、第３のポートのいずれかに切り換える第１乃至第３の高周波スイッチと、第１、第２のポートを有するとともに、第３のインダクタンス素子、及び第３のキャパシタンス素子で構成された第１及び第２のフィルタを備え、
　前記ダイプレクサの第１のポートがアンテナに接続され、前記ダイプレクサの第２のポートが前記第１の高周波スイッチの第１のポートに接続されるか、または、前記第１のフィルタを介して接続され、前記ダイプレクサの第３のポートが前記第３の高周波スイッチの第１のポートに接続されるか、または、前記第２のフィルタを介して接続され、前記第１の高周波スイッチの第２のポートが第１、第２の通信システム共通の送信部に接続され、前記第１の高周波スイッチの第３のポートが前記第２の高周波スイッチの第１のポートに接続され、前記第２の高周波スイッチの第２のポートが前記第１の通信システムの受信部に接続され、前記第２の高周波スイッチの第３のポートが前記第２の通信システムの受信部に接続され、前記第３の高周波スイッチの第２のポートが第３の通信システムの送信部に接続され、前記第３の高周波スイッチの第３のポートが前記第３の通信システムの受信部に接続されており、
　前記第１のフィルタは、前記第１の高周波スイッチの第１のポートもしくは第２のポートに接続され、前記第２のフィルタは、前記第３の高周波スイッチの第１のポートもしくは第２のポートに接続されており、
　前記第１及び第２のスイッチング素子、前記第１乃至第３のインダクタンス素子、及び前記第１乃至第３のキャパシタンス素子が、セラミックスからなる複数のシート層を積層してなるセラミック多層基板に内蔵、あるいは搭載され、前記セラミック多層基板に形成される接続手段によって接続される複合高周波部品であって、
　前記第１及び第２の高周波スイッチはそれぞれ、第１のポートと第２のポートを結ぶ経路に直列に前記第１のダイオードが、第１のポートと第３のポートを結ぶ経路にシャントに第２のダイオードが接続され、
　前記第１及び第２のダイオードを直列に結ぶ回路の一端側及び他端側にそれぞれ第１及び第２の制御端子が接続され、前記第１及び第２のダイオードを共に順バイアスして第１のポートを第２のポートに接続し、前記第１及び第２のダイオードを共に逆バイアスにして第１のポートを第３のポートに接続するものであり、
　前記第１の高周波スイッチの第１のポートを第２のポートに接続しているときに、前記第２の高周波スイッチの前記第１及び第２のダイオードを逆バイアスにすることを特徴とする。」
　
ウ．訂正事項ｃ
　特許第３３０４９０１号発明の明細書中の【００１０】欄を次のとおりに訂正する。
「【００１０】
　また、前記第１、第２および第３の通信システムは、それぞれＤＣＳ、ＰＣＳおよびＧＳＭであることを特徴とする。」
　
エ．訂正事項ｄ
　特許第３３０４９０１号発明の明細書中の【００５８】欄を次のとおりに訂正する。
「【００５８】
　　【発明の効果】
　請求項１、２の複合高周波部品によれば、複合高周波部品をなすダイプレクサが、第１のインダクタンス素子、第１のキャパシタンス素子で構成され、第１乃至第３の高周波スイッチが、第１及び第２のスイッチング素子、第２のインダクタンス素子、第２のキャパシタンス素子で構成され、第１及び第２のフィルタが、第３のインダクタンス素子、第３のキャパシタンス素子で構成されるとともに、それらがセラミック多層基板に内蔵、あるいは搭載され、セラミック多層基板に形成される接続手段によって接続されるため、それぞれの部品の整合特性、減衰特性、あるいはアイソレーション特性を確保することができ、それに伴い、ダイプレクサと第１及び第３の高周波スイッチの間の整合回路が不要となる。また、複合高周波部品が１つのセラミック多層基板で構成でき、部品点数を減らすことができるため、小型化が実現できる。加えて、部品間の配線による損失を改善することができ、その結果、複合高周波部品全体の損失を改善することが可能となる。さらに、波長短縮効果により、各インダクタンス素子となるストリップライン電極の長さを短縮することができるため、これらのストリップライン電極の挿入損失を向上させることができる。その結果、複合高周波部品の小型化及び低損失化を実現することができる。」
　
オ．訂正事項ｅ
　特許第３３０４９０１号発明の明細書中の【００６０】欄を削除する。
　
（２）訂正の目的の適否、新規事項の有無、及び特許請求の範囲の拡張・変更の存否
　上記訂正事項ａは、
　特許明細書の、特許請求の範囲の請求項１に関して、「近接した周波数の信号を送受信する第１及び第２の通信システムと、該第１及び第２の通信システムと異なる周波数の信号を送受信する第３の通信システムとに対応したフロントエンド部を構成する複合高周波部品であって、」という記載、及び「前記第１及び第２の高周波スイッチはそれぞれ、第１のポートと第２のポートを結ぶ経路に直列に前記第１のダイオードが、第１のポートと第３のポートを結ぶ経路にシャントに第２のダイオードが接続され、
　前記第１及び第２のダイオードを直列に結ぶ回路の一端側及び他端側にそれぞれ第１及び第２の制御端子が接続され、前記第１及び第２のダイオードを共に順バイアスして第１のポートを第２のポートに接続し、前記第１及び第２のダイオードを共に逆バイアスにして第１のポートを第３のポートに接続するものであり、
　前記第１の高周波スイッチの第１のポートを第２のポートに接続しているときに、前記第２の高周波スイッチの前記第１及び第２のダイオードを逆バイアスにする」という記載を追加するものであるが、
　前者は、特許明細書の【０００３】、【００１５】の記載に基づいて、請求項１に係る発明を特定する事項である第１，第２及び第３の通信システムで扱う周波数の関連性を限定し、また、各通信システムに対応したフロントエンド部を構成する点を限定するものであり、
　また、後者は、特許明細書の【００２３〜００２６】、【００３１】、【００３７】、【００３８】、【００４１〜００４４】の記載に基づいて、請求項１に係る発明を特定する事項である第１の高周波スイッチ及び第２の高周波スイッチの構成及び動作を限定するものである。
　また、請求項２に関して、「前記第１、第２及び第３の通信システムは、それぞれＤＣＳ、ＰＣＳおよびＧＳＭである」という記載に変更するものであるが、この点は、特許明細書の【０００３】、【００１５】の記載に基づいて、請求項２が引用する請求項１を特定する事項である第１，第２及び第３の通信システムをより具体的に限定するものである。
　
　したがって、上記訂正事項ａは、特許請求の範囲の減縮を目的とした明細書の訂正に該当するものであって、新規事項の追加に該当せず、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　
　また、上記の訂正事項ｂ〜ｅは、特許請求の範囲の訂正と整合性を持たせて明りょうにするためのものであり、明りょうでない記載の釈明を目的とした明細書の訂正に該当する。
　
（３）むすび
　上記の訂正は、特許法第１２０条の４第２項及び同条第３項おいて準用する同法第１２６条第２から４項の規定に適合するので、この訂正を認める。
　
３．特許異議の申立てについての判断
（１）申立についての概要
　申立人吉田保は、本件請求項１〜請求項３に係る発明は、その出願前に頒布された刊行物である、甲第１号証〜甲第３号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件発明の特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであるから取り消すべき旨主張している。
　
甲第１号証：特開平９−２９４０４２号公報
甲第２号証：特開平８−９７７４３号公報
甲第３号証：実開平１−１０３９３０号公報
　
（２）請求項１乃至請求項３に係る発明
　本件特許第第３３０４９０１号の請求項１乃至請求項３に係る発明は、訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１乃至請求項３に記載された事項により特定されるとおりのものである。（上記、２．（１）訂正の内容参照。）
　
（３）引用刊行物に記載された発明
　当審が通知した取消しの理由に引用された刊行物は以下のとおりである。
　　　記：引用刊行物
刊行物１：中井，積層セラミック応用高周波ＳＭＤ部品，ＴＨＥ　ＨＯＴＬＩＮＥ，１９９８年４月，Ｖｏｌ．２７　ｐ．５−１０
刊行物２：特開平１０−２００９６４号公報
刊行物３：特開平１０−３２５２１号公報
刊行物４：特開平９−２９４０４２号公報（甲第１号証）
刊行物５：特開平８−９７７４３号公報（甲第２号証）
　
（ａ）上記刊行物１には、以下の事項が記載されている。
ア．「最近、欧米ではデュアルバンドとかトリプルバンドといったマルチバンドの携帯電話の開発が急速に進められています。」（第９頁中欄第２行〜５行）
　
イ．「図１３（Ｐ．１０）にＧＳＭとＤＣＳ１８００の代表的ブロック図を示しています。」（第９頁右欄第９行〜１０行）
　
ウ．「今後の方向としてダイプレクサは、やはりさらなる小型化をはかるとともに図１３（Ｐ．１０）のブロック図に示したようなダイプレクサを核とし、セラミック積層システムの長所を生かしてアンテナ回路部を集積したフロントエンドモジュールなどの開発も進めていく予定です。」（第９頁右欄第３３行〜３９行）
　
エ．デュアルバンド携帯電話の代表的ブロック図（図１３）には、ダイプレクサ（Ｄｉｐｌｅｘｅｒ）、ローパスフィルタ（ＬＰＦ）、ＤＣＳ用のＴ／Ｒスイッチ、ＧＳＭ用のＴ／Ｒスイッチを備えたフロントエンドモジュール（Ｆｒｏｎｔ　Ｅｎｄ　Ｍｏｄｕｌｅ）が記載されており、
　図１３を参照すると、フロントエンドモジュールは、３ポートのダイプレクサ、３ポートのＤＣＳ用のＴ／Ｒスイッチ、３ポートのＧＳＭ用のＴ／Ｒスイッチを備え、ダイプレクサとＤＣＳ用のＴ／Ｒスイッチとの間にローパスフィルタＬＰＦを接続し、ＤＣＳ用のＴ／ＲスイッチのＲポートがＤＣＳ用のバンドパスフィルタＢＰＦを介して受信部ＤＣＳ／ＲＸに接続され、ＤＣＳ用のＴ／ＲスイッチのＴポートがＤＣＳ用のローパスフィルタＬＰＦを介して受信部ＤＣＳ／ＴＸに接続され、ＧＳＭ用のＴ／ＲスイッチのＲポートがＧＳＭ用のバンドパスフィルタＢＰＦを介して受信部ＧＳＭ／ＲＸに接続され、ＧＳＭ用のＴ／ＲスイッチのＴポートがＧＳＭ用のローパスフィルタＬＰＦを介して受信部ＤＣＳ／ＴＸに接続されることが記載されている。
　
　上記ア．〜エ．の事項を参照すると、刊行物１には、
　３ポートのダイプレクサ、３ポートのＤＣＳ用のＴ／Ｒスイッチ、３ポートのＧＳＭ用のＴ／Ｒスイッチを備え、ダイプレクサとＤＣＳ用のＴ／Ｒスイッチとの間にローパスフィルタＬＰＦを接続し、ＤＣＳ用のＴ／ＲスイッチのＲポートがＤＣＳ用のバンドパスフィルタＢＰＦを介して受信部ＤＣＳ／ＲＸに接続され、ＤＣＳ用のＴ／ＲスイッチのＴポートがＤＣＳ用のローパスフィルタＬＰＦを介して受信部ＤＣＳ／ＴＸに接続され、ＧＳＭ用のＴ／ＲスイッチのＲポートがＧＳＭ用のバンドパスフィルタＢＰＦを介して受信部ＧＳＭ／ＲＸに接続され、ＧＳＭ用のＴ／ＲスイッチのＴポートがＧＳＭ用のローパスフィルタＬＰＦを介して受信部ＤＣＳ／ＴＸに接続される携帯電話用のフロントエンドモジュールの発明（以下、「刊行物１記載の発明」という。）が記載されている。
　
（ｂ）上記刊行物２には、以下の事項が記載されている。
ア．「【請求項１】複数の周波数において供給される複数のサービスを含む通信システムにおける使用のための無線電話として使用するユーザ端末であって、共通アンテナを具備するとともに、前記複数のサービスのうちの選択可能なものにアクセスするように選択的に作動可能であり、前記共通アンテナが、前記複数のサービスの内の少なくとも１つの周波数に整合され、前記ユーザ端末が、前記共通アンテナにより、前記複数のサービスの内の前記少なくとも１つのものに対して整合されたアンテナとして機能し、かつ、前記複数のサービスのうちの前記共通アンテナが整合されていない周波数を有するものに対しては、整合していないアンテナとして機能するように作動可能であることを特徴とするユーザ端末。
【請求項２】前記複数のサービスの内の少なくとも１つの他のサービスの選択に応じ
て、該複数のサービスの内の前記少なくとも１つの他のサービスの周波数に向けて、
前記共通アンテナが整合される周波数を変更するチューニング手段を具備することを
特徴とする請求項１記載のユーザ端末。」（【特許請求の範囲】欄）
　
イ．「【発明の属する技術分野】この発明は通信システムのためのユーザ端末に関する。特に、この発明は、１つ以上の無線電話サービスが利用できる環境における使用のた
めの、無線電話機の形態をしたユーザ端末に関する。」（【０００１】欄）
　
ウ．「まず、図１を参照する。無線電話受話器１は、アンテナ３と、受話口５と、マイクロフォン７と、キーボード９と、ディスプレイ１１とを具備している。キーボード９上に見られる通常のボタンに加えて、サービス選択ボタン１３も設けられている。与えられた例において、ボタン１３は、衛星通信、ＧＳＭ通信、ＤＣＳ通信またはＰＣＳ通信ように受話器１を選択的に作動させ得る。これらの選択可能なサービスは、それ自身の個別の周波数で作動する。例えば、衛星通信は、送信が１９８５ＭＨｚ〜２０１５ＭＨｚの間で起こり、受信が２１７０ＭＨｚ〜２２００ＭＨｚの間で起こる周波数帯を割り当てられている。ＧＳＭ通信は、９００ＭＨｚに近い周波数帯で生ずる。ＤＣＳ通信は、１８００ＭＨｚに近い周波数帯で生ずる。ＰＣＳ通信は、１９００ＭＨｚに近い周波数帯で生ずる。受話器１は、これらおよび他の選択可能なサービスに、全てのサービスに共通のアンテナ３４を用いて作用する。当業者であれば、この発明を使用することができる、受話器１との関連において言及しなかった他の多くの異なるサービスがあることに気付くであろう。」（【００１７】欄、図１）
　
エ．「スイッチ制御装置９５は、指令復号器８５の出力に応じる、複数の個別に作動可能なスイッチ１０７を具備している。これらのスイッチ１０７は、主整合ネットワーク７１に作用するようにそれぞれ作動可能な多くの固定素子および変動素子の中からそれぞれ１つを選択するように、各々作動可能である。」（【００３５】欄）
　
オ．「…例えば、選択されたサービスは、非常に近接しているために単一の整合調節動作のみが必要な送信および受信周波数を有してもよい。この場合において、第７のテストは、制御を第４の動作１２５に移行させ、そこで、通信動作が実行されかつ上述したようにルーチンから出る。同様に、選択されたサービスが、別々の整合調節を必要とするそのような多様な送信および受信周波数を有してもよく、整合調節の両方の設定が完了する。この場合も、制御は、第４の動作１２５に移行される。これに代えて、一方がまだ実行されていない整合調節の２つの動作が必要とされてもよい。この場合には、制御は、さらなる整合調節が完了されるように、第２の動作１１９に移行される。」（【００６２】欄）
　
カ．「第４の動作１２５の実行において、制御プロセッサ３５は、非常に離れた送信および受信周波数が必要とされる場合には、アンテナ３の整合を、送信時には（所望により）送信周波数に調節し、受信時には（所望により）受信周波数に調節する。」（【００６３】欄）
　
　上記ア．〜カを参照すると、刊行物２には、
　１８００ＭＨｚに近い周波数帯のＤＣＳ通信、１９００ＭＨｚに近い周波数帯のＰＣＳ通信、及び、９００ＭＨｚに近い周波数帯のＧＳＭ通信を含む、複数の周波数において供給される複数のサービスを含む通信システムにおける使用のための無線電話として使用するユーザ端末であって、
　共通アンテナを具備するとともに、
　前記複数のサービスのうちの選択可能なものにアクセスするように選択的に作動可能であり、前記共通アンテナが、前記複数のサービスの内の少なくとも１つの周波数に整合されるユーザ端末において、
　スイッチ制御装置は、指令復号器の出力に応じて、複数の個別に作動可能なスイッチ１０７を制御し、これらのスイッチは、主整合ネットワークに作用するようにそれぞれ作動可能な多くの固定素子および変動素子の中からそれぞれ１つを選択するように、各々作動可能であり、
　選択されたサービスは、非常に近接しているために単一の整合調節動作のみが必要な送信および受信周波数を有してもよく、
　また、非常に離れた送信および受信周波数が必要とされる場合には、アンテナの整合を、送信時には（所望により）送信周波数に調節し、受信時には（所望により）受信周波数に調節するユーザ端末の発明（以下、「刊行物２記載の発明」という。）が記載されている。
　
（ｃ）上記刊行物３には、以下の事項が記載されている。
ア．「【従来の技術】図５に、一般的なデュプレクサのブロック図を示す。このデュプレクサ１は、一つのアンテナＡＮＴを送信Ｔｘと受信Ｒｘに共用させるため、送信時には送信出力から受信機を保護し、受信時には受信信号を受信機へ供給するための複合高周波部品であり、小形化、表面実装形態化されたフィルタＦ１、Ｆ２、スイッチＳＷ等の電子部品を高密度化したプリント配線基板に実装することで、小形化、軽量化が実現されてきた。」（第２頁左欄第２０行〜２７行、図５）
　
イ．「図４に示すように、受信回路Ｒｘ側に１つの高周波スイッチＳＷと通過帯域の異なる２つの帯域通過フィルタであるＳＡＷフィルタＦ２、Ｆ３を有してもよい。この場合には、例えば、ＳＡＷフィルタＦ２に通過帯域が８００ＭＨｚの帯域通過フィルタ、Ｆ３に通過帯域が１．５ＧＨｚの帯域通過フィルタを用いることにより、８００ＭＨｚのＰＤＣ８００（Personal Digital Cellular 800)、１．５ＧＨｚのＰＤＣ１５００の２つのシステムの電波を受信することができる。」（第３頁右欄第２３行〜３６行、図４）
　
ウ．「【００１２】高周波スイッチＳＷとＬＣフィルタＦ１を接続する高周波スイッチＳＷの第１のポートＰ１は、ダイオードＤ１のアノードに接続される。また、ダイオードＤ１のアノードは、伝送線路ＳＴＬ１及びコンデンサＣ１を介して接地される。さらに、伝送線路ＳＴＬ１とコンデンサＣ１との接続点は、制御端子Ｖ１に接続される。ダイオードＤ１のカソードは、アンテナ用外部電極ＡＮＴを接続する第２のポートＰ２に接続される。
【００１３】さらに、第２のポートＰ２には、伝送線路ＳＴＬ２の一端が接続され、この伝送線路ＳＴＬ２の他端は、ＳＡＷフィルタＦ２が接続される第３のポートＰ３に接続される。また、伝送線路ＳＴＬ２の他端は、ダイオードＤ２とコンデンサＣ２との直列回路を介して接地される。さらに、ダイオードＤ２とコンデンサＣ２との接続点には、制御端子Ｖ２に接続される。」（第２頁右欄第３５行〜４９行）
　
　上記ア．〜ウ．の事項及び図４を参照すると、刊行物３には、
　多層基板１上に形成されたデュプレクサにおいて、３ポートを有するとともに、第１及び第２のダイオードＤ１，Ｄ２と、伝送線路ＳＴＬ、コンデンサＣで構成され、第１のポートを第２、第３のポートに切り換える複数の高周波スイッチＳＷを備え、第１の高周波スイッチＳＷの第１のポートが、アンテナＡＴに接続され、第２のポートがフィルタＦ１を介して送信部Ｔｘに接続され、第３のポートが第２の高周波スイッチの第１のポートに接続され、
第２の高周波スイッチＳＷの第２のポートがフィルタＦ２を介して第１の受信部に接続され、第３のポートがフィルタＦ３を介して第２の受信部に接続されるデュプレクサの発明が記載されている。
　
（ｄ）上記刊行物４には、以下の事項が記載されている。
「【請求項１】 絶縁層を積層一体化して構成される積層体であって、内部にパターン電極が形成されて、少なくとも２個のインダクタンス成分及び２個のコンデンサ成分が構成され、該インダクタンス成分とコンデンサ成分とが接続されたノッチ回路が内部に少なくとも２個構成された積層体から成り、該２個のノッチ回路の一端どおしが接続されてなる分波回路が内部に構成されていることを特徴とする積層型分波器。
【請求項２】 前記ノッチ回路が、インダクタンス成分とコンデンサ成分との並列回路であることを特徴とする請求項１記載の分波器。
【請求項３】 前記２個のノッチ回路の一端どうしを接続した端部をアンテナ側に接続し、前記２個のノッチ回路のそれぞれの他端を、二つの周波数帯の通信回路側のそれぞれに接続するように構成された請求項１記載の積層型分波器を用いたデュアルバンド携帯電話端末機。」
　
　上記を参照すると、刊行物４には、
　絶縁層を積層一体化して構成される積層体であって、内部にパターン電極が形成されて、少なくとも２個のインダクタンス成分及び２個のコンデンサ成分が構成され、該インダクタンス成分とコンデンサ成分とが接続されたノッチ回路が内部に少なくとも２個構成された積層体から成り、該２個のノッチ回路の一端どおしが接続されてなる分波回路が内部に構成され、前記ノッチ回路が、インダクタンス成分とコンデンサ成分との並列回路であり、前記２個のノッチ回路の一端どうしを接続した端部をアンテナ側に接続し、前記２個のノッチ回路のそれぞれの他端を、二つの周波数帯の通信回路側のそれぞれに接続するように構成された積層型分波器を用いたデュアルバンド携帯電話端末機の発明（以下、「刊行物４記載の発明」という。）が記載されている。
　
（ｅ）上記刊行物５には、以下の事項が記載されている。
「【請求項１】複数の誘電体層を積層してなる多層基板の外面に高周波デバイスを搭載し、少なくとも前記多層基板の外面または前記誘電体層上に、グランド電極および前記高周波デバイスに接続した信号ラインとを形成し、前記信号ラインと同一平面上には、前記信号ラインと前記グランド電極間に接続した第１の伝送線路を形成し、該第１の伝送線路を介して前記高周波デバイスにバイアス電圧をかけてなる高周波部品と、少なくとも前記多層基板の外面または前記誘電体層上に第２の伝送線路を形成してなり、前記高周波部品に対し、前記第２の伝送線路を前記信号ラインにより接続するフィルタ部品とを備えたことを特徴とする、複合高周波部品。
【請求項２】前記高周波デバイスとしてダイオードを用い、また前記伝送線路としてストリップラインを用い、さらに前記高周波部品を高周波スイッチ部品としたことを特徴とする、請求項１に記載の複合高周波部品。
【請求項３】前記フィルタ部品としてローパスフィルタ部品を用いたことを特徴とする、請求項１または請求項２のいずれかに記載の複合高周波部品。」
　
　上記を参照すると、刊行物５には、
　複数の誘電体層を積層してなる多層基板の外面に高周波デバイスを搭載し、少なくとも前記多層基板の外面または前記誘電体層上に、グランド電極および前記高周波デバイスに接続した信号ラインとを形成し、前記信号ラインと同一平面上には、前記信号ラインと前記グランド電極間に接続した第１の伝送線路を形成し、該第１の伝送線路を介して前記高周波デバイスにバイアス電圧をかけてなる高周波部品と、少なくとも前記多層基板の外面または前記誘電体層上に第２の伝送線路を形成してなり、前記高周波部品に対し、前記第２の伝送線路を前記信号ラインにより接続するフィルタ部品とを備え、前記高周波デバイスとしてダイオードを用い、また前記伝送線路としてストリップラインを用い、さらに前記高周波部品を高周波スイッチ部品とし、前記フィルタ部品としてローパスフィルタ部品を用いた複合高周波部品の発明（以下、「刊行物５記載の発明」という。）が記載されている。
　 
（４）請求項１に係る発明について
　・対比
　請求項１に係る発明と刊行物１記載の発明とを対比すると、
ア．刊行物１記載の発明の「ＤＣＳ」、「ＧＳＭ」は、請求項１に係る発明の「第１の通信システム」、「第３の通信システム」に相当する。
　
イ．刊行物１記載の発明の「３ポートのダイプレクサ」、「ＧＳＭ用のＴ／Ｒスイッチ」は、請求項１に係る発明の「ダイプレクサ」、「第３の高周波スイッチ」に相当する。
　
ウ．刊行物１記載の発明の「ＤＣＳ用のＴ／Ｒスイッチの第１のポート」は、ローパスフィルタＬＰＦを介してダイプレクサに接続されるので、請求項１に係る発明の「ダイ１の高周波スイッチの第１のポート」に相当する。
　
エ．刊行物１記載の発明の「ＤＣＳ用のＴ／ＲスイッチのＴポート」は、ＤＣＳの送信部ＤＣＳ／ＴＸに接続されるので、第１の通信システムの送信部に接続される点では、請求項１に係る発明の「第１の高周波スイッチの第２のポート」と一致する。　
　
オ．刊行物１記載の発明の「ＤＣＳ用のローパスフィルタＬＰＦ、バンドパスフィルタＢＰＦ」は、請求項１に係る発明の「第１のフィルタ、第２のフィルタ」に相当する。
　
カ．刊行物１記載の発明の「フロントエンドモジュール」は、携帯電話用の高周波信号を扱う複合部品であるから、請求項１に係る発明の「複合高周波部品」に対応する。
　　
　したがって、両者は、以下の点で一致し、以下の各点で相違していると認められる。
　
＜一致点＞
　第１から第３のポートを有するとともに、第１のインダクタンス素子、及び第１のキャパシタンス素子で構成されたダイプレクサと、第１から第３のポートを有するとともに、第１及び第２のスイッチング素子、第２のインダクタンス素子、及び第２のキャパシタンス素子で構成され、該第１のポートを該第２、第３のポートのいずれかに切り換える第１及び第３の高周波スイッチと、第１、第２のポートを有するとともに、第３のインダクタンス素子、及び第３のキャパシタンス素子で構成された第１及び第２のフィルタを備え、
　前記ダイプレクサの第１のポートがアンテナに接続され、前記ダイプレクサの第２のポートが前記第１の高周波スイッチの第１のポートに接続されるか、または、前記第１のフィルタを介して接続され、前記ダイプレクサの第３のポートが前記第３の高周波スイッチの第１のポートに接続されるか、または、前記第２のフィルタを介して接続され、前記第１の高周波スイッチの第２のポートが第１通信システムの送信部に接続され、前記第３の高周波スイッチの第２のポートが第３の通信システムの送信部に接続され、前記第３の高周波スイッチの第３のポートが前記第３の通信システムの受信部に接続されており、
　前記第１のフィルタは、前記第１の高周波スイッチの第１のポートもしくは第２のポートに接続され、前記第２のフィルタは、前記第３の高周波スイッチの第１のポートもしくは第２のポートに接続されている複合高周波部品。
　
＜相違点＞
（ア） 複合高周波部品が、
　請求項１に係る発明では、近接した周波数の信号を送受信する第１及び第２の通信システムと、該第１及び第２の通信システムと異なる周波数の信号を送受信する第３の通信システムとに対応したフロントエンド部を構成するのに対し、
　刊行物１記載の発明では、ＤＣＳとＧＳＭの２つの通信システムに対応した高周波部品である点。
　
（イ）請求項１に係る発明では、
　第２の高周波スイッチを備え、
　第１の高周波スイッチの第２のポートが第１、第２の通信システム共通の送信部に接続され、前記第１の高周波スイッチの第３のポートが前記第２の高周波スイッチの第１のポートに接続され、前記第２の高周波スイッチの第２のポートが前記第１の通信システムの受信部に接続され、前記第２の高周波スイッチの第３のポートが前記第２の通信システムの受信部に接続されているのに対し、
　刊行物１記載の発明では、
　第２の高周波スイッチを備えておらず、前記第１の高周波スイッチの第２のポートは第１の通信システムの送信部のみに接続され、前記第１の高周波スイッチの第３のポートが、直接、前記第１の通信システムの受信部に接続されている点。
　　
（ウ）請求項１に係る発明では、
　前記第１及び第２のスイッチング素子、前記第１乃至第３のインダクタンス素子、及び前記第１乃至第３のキャパシタンス素子が、セラミックスからなる複数のシート層を積層してなるセラミック多層基板に内蔵、あるいは搭載され、前記セラミック多層基板に形成される接続手段によって接続されるのに対し、
　刊行物１記載の発明では、ダイプレクサ＋ローパスフィルタ、あるいは、フロントモジュールは、開発中（Ｕｎｄｅｒ　Ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ）である点。
　
（エ）請求項１に係る発明では、
　前記第１及び第２の高周波スイッチはそれぞれ、第１のポートと第２のポートを結ぶ経路に直列に前記第１のダイオードが、第１のポートと第３のポートを結ぶ経路にシャントに第２のダイオードが接続され、
　前記第１及び第２のダイオードを直列に結ぶ回路の一端側及び他端側にそれぞれ第１及び第２の制御端子が接続され、前記第１及び第２のダイオードを共に順バイアスして第１のポートを第２のポートに接続し、前記第１及び第２のダイオードを共に逆バイアスにして第１のポートを第３のポートに接続するものであり、
　前記第１の高周波スイッチの第１のポートを第２のポートに接続しているときに、前記第２の高周波スイッチの前記第１及び第２のダイオードを逆バイアスにするのに対し、
　刊行物１記載の発明では、第２の高周波スイッチを備えておらず、第１及び第２の高周波スイッチの具体的な構造及び動作の特徴を備えていない点。
　
・判断
　上記の相違点（ア）については、
　刊行物１には、ＤＣＳとＧＳＭの２つの通信システムに対応した高周波部品が記載され、トリプルバンドといったマルチバンドの携帯電話の開発が急速に進められていること、及び、フロントエンドモジュールなどの開発も進めていくことが記載されているから、
　刊行物１の記載を参照すれば、トリプルバンドのフロントエンドモジュールを開発することは当業者が容易に想到することができたことである。
　
　また、刊行物２には、
　１８００ＭＨｚに近い周波数帯のＤＣＳ通信、１９００ＭＨｚに近い周波数帯のＰＣＳ通信、及び、９００ＭＨｚに近い周波数帯のＧＳＭ通信を含む、複数の周波数において供給される複数の通信システムにおける無線電話用ユーザ端末が記載され、
　
　刊行物２には、ＤＣＳ信号とＰＣＳ信号の周波数が非常に近接していること、及び、ＤＣＳ信号とＰＣＳ信号、及び、ＧＳＭ信号の周波数が離れたことが開示されているから、
　
　刊行物２記載の発明を参照すれば、
　開発するトリプルバンドのフロントエンドモジュールを、近接した周波数の信号を送受信する第１及び第２の通信システムと、異なる周波数の信号を送受信する第３の通信システムに対応したフロントエンド部とすることは、当業者が容易に想到することができたことである。
　
　また、上記の相違点（イ）については、
　刊行物１記載の発明は、第１の通信システム（ＤＣＳ）と第３の通信システム（ＧＳＭ）の、２つの通信システムに対応するためのデュアルバンド携帯電話用のフロントエンドモジュールであり、２つの高周波スイッチは、いずれも、３ポートの高周波スイッチであり、トリプルバンドの場合にも、既存の３ポートの高周波スイッチを転用することは当業者が容易に想到することかできたことである。
　
　そして、刊行物３には、
　多層基板１上に形成されたデュプレクサにおいて、３ポートを有するとともに、第１及び第２のダイオードＤ１，Ｄ２と、伝送線路ＳＴＬ、コンデンサＣで構成され、第１のポートを第２、第３のポートに切り換える複数の高周波スイッチＳＷを備え、第１の高周波スイッチＳＷの第１のポートがアンテナＡＴに接続され、第２のポートがフィルタＦ１を介して送信部Ｔｘに接続され、第３のポートが第２の高周波スイッチの第１のポートに接続され、
　第２の高周波スイッチＳＷの第２のポートがフィルタＦ２を介して第１の受信部に接続され、第３のポートがフィルタＦ３を介して第２の受信部に接続されるデュプレクサの発明が記載され、
　
　刊行物３には、３ポートの高周波スイッチＳＷを２個接続し、第１の高周波スイッチＳＷの第３のポートを第２の高周波スイッチＳＷの第１のポートに接続するようにして、第１の通信システムに第２の通信システムを付加して、送信を兼用し、受信を分離する構成が開示されているから、
　
　刊行物３記載の発明を参照すれば、
　刊行物１記載の発明をトリプルバンドに変更する際に、第１の高周波スイッチを、第１及び第２の高周波スイッチとし、
　第１の高周波スイッチの第２のポートを第１、第２の通信システム共通の送信部に接続し、前記第１の高周波スイッチの第３のポートを前記第２の高周波スイッチの第１のポートに接続し、前記第２の高周波スイッチの第２のポートを前記第１の通信システムの受信部に接続し、前記第２の高周波スイッチの第３のポートを前記第２の通信システムの受信部に接続して、新たな通信システムに対応できるようにすることは、当業者が容易に想到することができたことである。
　
　また、上記の相違点（ウ）については、
　刊行物４には、セラミックス多層基板にインダクタンス素子、キャパシタンス素子が内蔵され、前記セラミック多層基板に形成される接続手段によって接続されたダイプレクサの高周波部品が記載され、
　また、刊行物５には、セラミックス多層基板に、スイッチング素子、インダクタンス素子、キャパシタンス素子が内蔵、あるいは、搭載され、前記セラミック多層基板に形成される接続手段によって接続された高周波スイッチとフィルタの高周波部品が記載されており、
　
　刊行物４又は刊行物５には、セラミックス多層基板に、スイッチング素子、インダクタンス素子、キャパシタンス素子が内蔵、あるいは、搭載され、前記セラミック多層基板に形成される接続手段によって接続された高周波部品が開示されているから、
　
　刊行物４又は刊行物５記載の発明を参照すれば、
　刊行物１記載の複合高周波部品を、トリプルバンドの複合高周波部品とする場合にも、セラミックス多層基板に、スイッチング素子、インダクタンス素子、キャパシタンス素子が内蔵、あるいは、搭載された高周波部品とすることは、当業者が容易に着想することができたものである。
　
　しかしながら、上記の相違点（エ）については、刊行物３の図１及び刊行物５の図１に「前記第１及び第２の高周波スイッチはそれぞれ、第１のポートと第２のポートを結ぶ経路に直列に前記第１のダイオードが、第１のポートと第３のポートを結ぶ経路にシャントに第２のダイオードが接続される」構成、及び「前記第１及び第２のダイオードを直列に結ぶ回路の一端側及び他端側にそれぞれ第１及び第２の制御端子が接続される」構成が記載されているものの、
　刊行物３には、第１及び第２の制御端子により高周波スイッチの第１及び第２のダイオードをどのように制御するかについての開示はなく、また、刊行物５には、例えば【０００５】、【０００６】欄を参照すると、１つの高周波スイッチについて、送信時にダイオードＤ１，Ｄ２に対し順方向のバイアス電圧を印加し、受信時に逆方向のバイアス電圧を印加することが示されているのみであって、第１の高周波スイッチと第２の高周波スイッチの関係をどのように制御するかについての開示はない。
　
　即ち、刊行物３又は刊行物５には、
　請求項１に係る発明の「前記第１の高周波スイッチの第２のポートが第１、第２の通信システム共通の送信部に接続され、前記第１の高周波スイッチの第３のポートが前記第２の高周波スイッチの第１のポートに接続され、前記第２の高周波スイッチの第２のポートが前記第１の通信システムの受信部に接続され、前記第２の高周波スイッチの第３のポートが前記第２の通信システムの受信部に接続される」関係にある第１の高周波スイッチと第２の高周波スイッチに関して、
「前記第１の高周波スイッチの第１のポートを第２のポートに接続しているときに、前記第２の高周波スイッチの前記第１及び第２のダイオードを逆バイアスにする」構成は、記載も示唆もされていないものであつ。
　また、上記の構成は、他の引用刊行物にも記載されておあらず、各刊行物に記載された発明に基づいて当業者が容易に想到することができたとは言えない。
　
　また、異議申立人が提出した他の証拠を参照しても、請求項１に係る発明は、各刊行物に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものとすることができない。
　
（５）請求項２及び請求項３に係る発明について
　請求項２及び請求項３に係る発明は、請求項１に係る発明の構成要件を全て含み、さらに他の構成要件を付加したものに相当するから、上記（４）で説示したと同様の理由により、各刊行物に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものとすることができない。
　
（６） むすび
　以上のとおりであるから、請求項１乃至請求項３に係る発明は、特許異議の申立ての理由及び証拠によっては取り消すことはできない。
　また、他に請求項１乃至請求項３に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１５年１１月２８日（２００３．１１．２８）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
複合高周波部品及びそれを用いた移動体通信装置
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　近接した周波数の信号を送受信する第１及び第２の通信システムと、該第１及び第２の通信システムと異なる周波数の信号を送受信する第３の通信システムとに対応したフロントエンド部を構成する複合高周波部品であって、
　第１から第３のポートを有するとともに、第１のインダクタンス素子、及び第１のキャパシタンス素子で構成されたダイプレクサと、第１から第３のポートを有するとともに、第１及び第２のスイッチング素子、第２のインダクタンス素子、及び第２のキャパシタンス素子で構成され、該第１のポートを該第２、第３のポートのいずれかに切り換える第１乃至第３の高周波スイッチと、第１、第２のポートを有するとともに、第３のインダクタンス素子、及び第３のキャパシタンス素子で構成された第１及び第２のフィルタを備え、
　前記ダイプレクサの第１のポートがアンテナに接続され、前記ダイプレクサの第２のポートが前記第１の高周波スイッチの第１のポートに接続されるか、または、前記第１のフィルタを介して接続され、前記ダイプレクサの第３のポートが前記第３の高周波スイッチの第１のポートに接続されるか、または、前記第２のフィルタを介して接続され、前記第１の高周波スイッチの第２のポートが第１、第２の通信システム共通の送信部に接続され、前記第１の高周波スイッチの第３のポートが前記第２の高周波スイッチの第１のポートに接続され、前記第２の高周波スイッチの第２のポートが前記第１の通信システムの受信部に接続され、前記第２の高周波スイッチの第３のポートが前記第２の通信システムの受信部に接続され、前記第３の高周波スイッチの第２のポートが第３の通信システムの送信部に接続され、前記第３の高周波スイッチの第３のポートが前記第３の通信システムの受信部に接続されており、
　前記第１のフィルタは、前記第１の高周波スイッチの第１のポートもしくは第２のポートに接続され、前記第２のフィルタは、前記第３の高周波スイッチの第１のポートもしくは第２のポートに接続されており、
　前記第１及び第２のスイッチング素子、前記第１乃至第３のインダクタンス素子、及び前記第１乃至第３のキャパシタンス素子が、セラミックスからなる複数のシート層を積層してなるセラミック多層基板に内蔵、あるいは搭載され、前記セラミック多層基板に形成される接続手段によって接続される
複合高周波部品であって、
　
前記第１及び第２の高周波スイッチは、第１のポートと第２のポートを結ぶ経路に直列に第１のダイオードが、第１のポートと第３のポートを結ぶ経路にシャントに第２のダイオードが接続され、前記第１及び第２のダイオードを直列に結ぶ回路の一端側及び他端側にそれぞれ第１及び第２の制御端子が接続され、前記第１及び第２のダイオードを共に順バイアスにして第１のポートを第２のポートに接続し、前記第１及び第２のダイオードを共に逆バイアスにして第１のポートを第３のポートに接続するものであり、
　
前記第１の高周波スイッチの第１のポートを第２のポートに接続しているときに、前記第２の高周波スイッチの前記第１及び第２のダイオードを逆バイアスにする
　【請求項２】　前記第１、第２および第３の通信システムは、それぞれＤＣＳ、ＰＣＳおよびＧＳＭであることを特徴とする請求項１に記載の複合高周波部品。
　【請求項３】　請求項１または請求項２のいずれかに記載の複合高周波部品を用いたことを特徴とする移動体通信装置。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の属する技術分野】
　本発明は、複合高周波部品及びそれを用いた移動体通信装置に関し、特に、３つの異なる通信システムに利用可能な複合高周波部品及びそれを用いた移動体通信装置に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　現在、移動体通信装置として、複数の周波数帯域、例えば１．８ＧＨｚ帯を使用したＤＣＳ（Ｄｉｇｉｔａｌ　Ｃｅｌｌｕｌａｒ　Ｓｙｓｔｅｍ）及びＰＣＳ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ　Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎ　Ｓｅｒｖｉｃｅｓ）と９００ＭＨｚ帯を使用したＧＳＭ（Ｇｌｏｂａｌ　Ｓｙｓｔｅｍ　ｆｏｒ　Ｍｏｂｉｌｅ　ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓ）とで動作が可能なトリプルバンド携帯電話器が提案されている。
　【０００３】
　図５は、一般的なトリプルバンド携帯電話器のフロントエンド部を示すブロック図であり、近接した周波数を備える第１及び第２の通信システムに１．８ＧＨｚ帯のＤＣＳ及びＰＣＳ、それらと周波数が異なる第３の通信システムに９００ＭＨｚ帯のＧＳＭとした場合の一例を示したものである。
　【０００４】
　トリプルバンド携帯電話器のフロントエンド部は、アンテナ１、ダイプレクサ２、第１乃至第３の高周波スイッチ３〜５、第１及び第２のフィルタ６，７を備える。ダイプレクサ２は、送信の際にはＤＣＳ、ＰＣＳあるいはＧＳＭの送信信号を結合し、受信の際にはＤＣＳ、ＰＣＳあるいはＧＳＭに受信信号を分配する役目を担う。第１の高周波スイッチ３は、ＤＣＳ及びＰＣＳの送信部側とＤＣＳ及びＰＣＳの受信部側とを切り換え、第２の高周波スイッチ４は、ＤＣＳの受信部Ｒｘｄ側とＰＣＳの受信部Ｒｘｐ側とを切り換え、第３の高周波スイッチ５は、ＧＳＭの送信部Ｔｘｇ側と受信部Ｒｘｇ側とを切り換える役目を担う。第１のフィルタ６は、ＤＣＳ、ＰＣＳの送受信信号を通過させ、２次高調波及び３次高調波を減衰させ、第２のフィルタ７は、ＧＳＭの送受信信号を通過させ、３次高調波を減衰させる役目を担う。
　【０００５】
　ここで、トリプルバンド携帯電話器の動作について、まず、ＤＣＳの場合を説明する。送信の際には、第１の高周波スイッチ３にてＰＣＳと共通の送信部Ｔｘｄｐをオンにして送信部Ｔｘｄｐからの送信信号を第１のフィルタ６に送り、第１のフィルタ６を通過した送信信号をダイプレクサ２で合波し、アンテナ１から送信する。受信の際には、アンテナ１から受信した受信信号をダイプレクサ２で分波し、アンテナ１からの受信信号をＤＣＳ、ＰＣＳ側の第１のフィルタ６に送り、第１の高周波スイッチ３にて受信部側をオンにして第１のフィルタ６を通過した受信信号を第２の高周波スイッチ４に送り、第２の高周波スイッチ４にてＤＣＳの受信部Ｒｘｄをオンにして第２の高周波スイッチ４を通過した受信信号をＤＣＳの受信部Ｒｘｄに送る。なお、ＰＣＳを用いる場合にも同様の動作にて送受信される。
　【０００６】
　続いて、ＧＳＭの場合を説明する。送信の際には、第３の高周波スイッチ５にて送信部Ｔｘｇをオンにして送信部Ｔｘｇからの送信信号を第２のフィルタ７に送り、第２のフィルタ７を通過した送信信号をダイプレクサ２で合波し、アンテナ１から送信する。受信の際には、アンテナ１から受信した受信信号をダイプレクサ２で分波し、アンテナ１からの受信信号をＧＳＭ側の第２のフィルタ７に送り、第３の高周波スイッチ５にて受信部Ｒｘｇをオンにして第２のフィルタ７を通過した受信信号を受信部Ｒｘｇに送る。
　【０００７】
　【発明が解決しようとする課題】
　ところが、上記の従来の移動体通信装置の１つであるトリプルバンド携帯電話器によれば、アンテナ、ダイプレクサ、及びＤＣＳ系、ＧＳＭ系を構成する高周波スイッチ、フィルタがディスクリートで１つ、１つ回路基板上に実装されるため、それぞれの部品の整合特性、減衰特性、あるいはアイソレーション特性を確保するために、ダイプレクサと高周波スイッチとの間に整合回路を付加する必要がある。そのため、部品点数の増加、それにともなう実装面積の増加により、回路基板が大型化し、その結果、トリプルバンド携帯電話器（移動体通信装置）が大型化するという問題があった。
　【０００８】
　本発明は、このような問題点を解決するためになされたものであり、整合回路が不要で、かつ回路の小型化が可能な複合高周波部品及びそれを用いた移動体通信装置を提供することを目的とする。
　【０００９】
　【課題を解決するための手段】
　上述する問題点を解決するため本発明の複合高周波部品は、近接した周波数の信号を送受信する第１及び第２の通信システムと、該第１及び第２の通信システムと異なる周波数の信号を送受信する第３の通信システムとに対応したフロントエンド部を構成する複合高周波部品であって、第１から第３のポートを有するとともに、第１のインダクタンス素子、及び第１のキャパシタンス素子で構成されたダイプレクサと、第１から第３のポートを有するとともに、第１及び第２のスイッチング素子、第２のインダクタンス素子、及び第２のキャパシタンス素子で構成され、該第１のポートを該第２、第３のポートのいずれかに切り換える第１乃至第３の高周波スイッチと、第１、第２のポートを有するとともに、第３のインダクタンス素子、及び第３のキャパシタンス素子で構成された第１及び第２のフィルタを備え、前記ダイプレクサの第１のポートがアンテナに接続され、前記ダイプレクサの第２のポートが前記第１の高周波スイッチの第１のポートに接続されるか、または、前記第１のフィルタを介して接続され、前記ダイプレクサの第３のポートが前記第３の高周波スイッチの第１のポートに接続されるか、または、前記第２のフィルタを介して接続され、前記第１の高周波スイッチの第２のポートが第１、第２の通信システム共通の送信部に接続され、前記第１の高周波スイッチの第３のポートが前記第２の高周波スイッチの第１のポートに接続され、前記第２の高周波スイッチの第２のポートが前記第１の通信システムの受信部に接続され、前記第２の高周波スイッチの第３のポートが前記第２の通信システムの受信部に接続され、前記第３の高周波スイッチの第２のポートが第３の通信システムの送信部に接続され、前記第３の高周波スイッチの第３のポートが前記第３の通信システムの受信部に接続されており、前記第１のフィルタは、前記第１の高周波スイッチの第１のポートもしくは第２のポートに接続され、前記第２のフィルタは、前記第３の高周波スイッチの第１のポートもしくは第２のポートに接続されており、前記第１及び第２のスイッチング素子、前記第１乃至第３のインダクタンス素子、及び前記第１乃至第３のキャパシタンス素子が、セラミックスからなる複数のシート層を積層してなるセラミック多層基板に内蔵、あるいは搭載され、前記セラミック多層基板に形成される接続手段によって接続される
複合高周波部品であって、前記第１及び第２の高周波スイッチは、第１のポートと第２のポートを結ぶ経路に直列に第１のダイオードが、第１のポートと第３のポートを結ぶ経路にシャントに第２のダイオードが接続され、前記第１及び第２のダイオードを直列に結ぶ回路の一端側及び他端側にそれぞれ第１及び第２の制御端子が接続され、前記第１及び第２のダイオードを共に順バイアスにして第１のポートを第２のポートに接続し、前記第１及び第２のダイオードを共に逆バイアスにして第１のポートを第３のポートに接続するものであり、前記第１の高周波スイッチの第１のポートを第２のポートに接続しているときに、前記第２の高周波スイッチの前記第１及び第２のダイオードを逆バイアスにする
　【００１０】
　また、前記第１、第２および第３の通信システムは、それぞれＤＣＳ、ＰＣＳおよびＧＳＭであることを特徴とする。
　【００１１】
　【００１２】
　本発明の移動体通信装置は、上記に記載の複合高周波部品を用いたことを特徴とする。
　【００１３】
　本発明の複合高周波部品によれば、複合高周波部品をなすダイプレクサ、第１乃至第３の高周波スイッチ、並びに第１及び第２のフィルタを、セラミックスからなる複数のシート層を積層してなるセラミック多層基板に一体化するため、それぞれの部品の整合特性、減衰特性、あるいはアイソレーション特性を確保することができ、それに伴い、ダイプレクサと第１及び第３の高周波スイッチとの間の整合回路が不要となる。
　【００１４】
　本発明の移動体通信装置によれば、整合回路が不要である複合高周波部品を用いるため、３つの通信システムに対応したフロントエンド部を構成する回路基板が小型になる。
　【００１５】
　【発明の実施の形態】
　以下、図面を参照して本発明の実施例を説明する。図１は、本発明の複合高周波部品の第１の実施例の回路図である。複合高周波部品１０は、図５のブロック図に示したダイプレクサ２、第１乃至第３の高周波スイッチ３〜５、第１及び第２のフィルタ６，７からなり、第１乃至第３の通信システムであるＤＣＳ（１．８ＧＨｚ帯）、ＰＣＳ（１．８ＧＨｚ帯）、ＧＳＭ（９００ＭＨｚ帯）に対応したフロントエンド部の一部を構成する。
　【００１６】
　そして、ダイプレクサ２の第１のポートＰ２１にはアンテナ１が、第２のポートＰ２２には第１のフィルタ６の第１のポートＰ６１が、第３のポートＰ２３には第２のフィルタ７の第１のポートＰ７１がそれぞれ接続される。
　【００１７】
　また、第１のフィルタ６の第２のポートＰ６２には第１の高周波スイッチ３の第１のポートＰ３１が接続され、第１の高周波スイッチ３の第２のポートＰ３２にはＤＣＳとＰＣＳとの共通の送信部Ｔｘｄｐが、第３のポートＰ３３には第２の高周波スイッチ４の第１のポートＰ４１がそれぞれ接続される。
　【００１８】
　さらに、第２の高周波スイッチ４の第２のポートＰ４２にはＤＣＳの受信部Ｒｘｄが、第３のポートＰ４３にはＰＣＳの受信部Ｒｘｐがそれぞれ接続される。
　【００１９】
　また、第２のフィルタ７の第２のポートＰ７２には第３の高周波スイッチ５の第１のポートＰ５１が接続され、第３の高周波スイッチ５の第２のポートＰ５２にはＧＳＭの送信部Ｔｘｇが、第３のポートＰ５３にはＧＳＭの受信部Ｒｘｇがそれぞれ接続される。
　【００２０】
　ダイプレクサ２は、第１のインダクタンス素子である第１のインダクタＬ１１，Ｌ１２、及び第１のキャパシタンス素子である第１のコンデンサＣ１１〜Ｃ１５で構成される。
　【００２１】
　そして、第１のポートＰ２１と第２のポートＰ２２との間に第１のコンデンサＣ１１，Ｃ１２が直列接続され、それらの接続点が第１のインダクタＬ１１及び第１のコンデンサＣ１３を介して接地される。
　【００２２】
　また、第１のポートＰ２１と第３のポートＰ２３との間に第１のインダクタＬ１２と第１のコンデンサＣ１４とからなる並列回路が接続され、その並列回路の第３のポートＰ２３側が第１のコンデンサＣ１５を介して接地される。
　【００２３】
　第１の高周波スイッチ３は、第１のスイッチング素子である第１及び第２のダイオードＤ１，Ｄ２、第２のインダクタンス素子である第２のインダクタＬ２１〜Ｌ２３、及び第２のキャパシタンス素子である第２のコンデンサＣ２１〜Ｃ２３で構成される。
　【００２４】
　そして、第１のポートＰ３１と第２のポートＰ３２との間にカソードが第１のポートＰ３１側になるように第１のダイオードＤ１が接続され、第１のダイオードＤ１には第２のインダクタＬ２１と第２のコンデンサＣ２１とからなる直列回路が並列に接続される。
　【００２５】
　また、第１のダイオードＤ１の第２のポートＰ３２側、すなわちアノードは第２のインダクタＬ２２及び第２のコンデンサＣ２２を介して接地され、第２のインダクタＬ２２と第２のコンデンサＣ２２との接続点には第１の制御端子Ｖｃ３１が設けられる。
　【００２６】
　さらに、第１のポートＰ３１と第３のポートＰ３３との間に第２のインダクタＬ２３が接続され、第２のインダクタＬ２３の第３のポートＰ３３側は第２のダイオードＤ２及び第２のコンデンサＣ２３を介して接地され、第２のダイオードＤ２のカソードと第２のコンデンサＣ２３との接続点に抵抗Ｒを介して第２の制御端子Ｖｃ３２が設けられる。
　【００２７】
　この際、第１のダイオードＤ１に並列に接続される第２のインダクタＬ２１は並列トラップコイルであり、第２のインダクタＬ２２はチョークコイルである。
　【００２８】
　第１のフィルタ６は、第３のインダクタンス素子である第３のインダクタＬ３１、及び第３のキャパシタンス素子である第３のコンデンサＣ３１，Ｃ３２で構成される。
　【００２９】
　そして、第１のポートＰ６１と第２のポートＰ６２との間に第３のインダクタＬ３１が直列接続され、第３のインダクタＬ３１には第３のコンデンサＣ３１が並列に接続される。
　【００３０】
　また、第３のインダクタＬ３１の第２のポートＰ６２側は第３のコンデンサＣ３２を介して接地される。
　【００３１】
　なお、第２及び第３の高周波スイッチ４，５は、第１の高周波スイッチ３と同様の構成であり、第２のフィルタ７は第１のフィルタ６と同様の構成である。
　【００３２】
　図２は、図１の回路構成を有する複合高周波部品の要部分解斜視図である。複合高周波部品１０は、セラミック多層基板１１を含み、セラミック多層基板１１には、図示していないが、ダイプレクサ２を構成する第１のインダクタＬ１１，Ｌ１２、第１のコンデンサＣ１１〜Ｃ１５、第１の高周波スイッチ３の第２のインダクタＬ２１，Ｌ２３、第２のコンデンサＣ２１，Ｃ２２、第２の高周波スイッチ４の第２のインダクタＬ２１，Ｌ２３、第２のコンデンサＣ２１，Ｃ２２、第３の高周波スイッチ５の第２のインダクタＬ２１，Ｌ２３、第２のコンデンサＣ２１，Ｃ２２、第１のフィルタ６を構成する第３のインダクタＬ３１、第３のコンデンサＣ３１，Ｃ３２、第２のフィルタ７を構成する第３のインダクタＬ３１、第３のコンデンサＣ３１，Ｃ３２がそれぞれ内蔵される。
　【００３３】
　また、セラミック多層基板１１の表面には、チップ部品からなる第１の高周波スイッチ３を構成する第１及び第２のダイオードＤ１，Ｄ２、第２のインダクタ（チョークコイル）Ｌ２２、第２のコンデンサＣ２３、抵抗Ｒ、第２の高周波スイッチ４を構成する第１及び第２のダイオードＤ１，Ｄ２、第２のインダクタ（チョークコイル）Ｌ２２、第２のコンデンサＣ２３、抵抗Ｒ、第３の高周波スイッチ５を構成する第１及び第２のダイオードＤ１，Ｄ２、第２のインダクタ（チョークコイル）Ｌ２２、第２のコンデンサＣ２３、抵抗Ｒがそれぞれ搭載される。
　【００３４】
　さらに、セラミック多層基板１１の側面から底面に架けて、１４個の外部端子Ｔａ〜Ｔｎがスクリーン印刷などでそれぞれ形成される。これらの外部端子Ｔａ〜Ｔｎのうち、６個の外部端子Ｔａ〜Ｔｆはセラミック多層基板１１の一方長辺側、６個の外部端子Ｔｈ〜Ｔｍはセラミック多層基板１１の他方長辺側、残りの２個の外部端子Ｔｇ，Ｔｎはセラミック多層基板１１の相対する短辺のそれぞれの側にスクリーン印刷などにより形成される。
　【００３５】
　そして、外部端子Ｔａ〜Ｔｎは、それぞれ、ダイプレクサ２の第１のポートＰ２１、第１の高周波スイッチ３の第２のポートＰ３２、第２及び第３の高周波スイッチ４，５の第２及び第３のポートＰ４２，Ｐ４３，Ｐ５２，Ｐ５３、第１〜第３の高周波スイッチ３〜５の第１及び第２の制御端子Ｖｃ３１，Ｖｃ３２，Ｖｃ４１，Ｖｃ４２，Ｖｃ５１，Ｖｃ５２、グランド端子となる。
　【００３６】
　また、セラミック多層基板１１上には、セラミック多層基板１１の表面を覆うように金属キャップ１２が被せられる。この際、金属キャップ１２とセラミック多層基板１１の相対する短辺のそれぞれの側に設けられるグランド端子となる外部端子Ｔｇ，Ｔｎとは接続される。
　【００３７】
　ここで、図１の回路構成を有する複合高周波部品１０の動作について説明する。まず、ＤＣＳあるいはＰＣＳ（１．８ＧＨｚ帯）の送信信号を送信する場合には、第１の高周波スイッチ３において第１の制御端子Ｖｃ３１に１Ｖを、第２の制御端子Ｖｃ３２に０Ｖをそれぞれ印加して第１の高周波スイッチ３の第１のポートＰ３１と第２のポートＰ３２とを接続することにより、ＤＣＳあるいはＰＣＳの送信信号が第１の高周波スイッチ３、第１のフィルタ６及びダイプレクサ２を通過し、アンテナ１から送信される。この際、第１のフィルタ６はＤＣＳ、ＰＣＳの送信信号を通過させ、２次高調波及び３次高調波を減衰させている。
　【００３８】
　なお、第２及び第３の高周波スイッチ４，５において第１の制御端子Ｖｃ４１，Ｖｃ５１に０Ｖを、第２の制御端子Ｖｃ４２，Ｖｃ５２に１Ｖをそれぞれ印加して第２及び第３の高周波スイッチ４，５を遮断している。
　【００３９】
　次いで、ＧＳＭ（９００ＭＨｚ帯）の送信信号を送信する場合には、第３の高周波スイッチ５において第１の制御端子Ｖｃ５１に１Ｖを、第２の制御端子Ｖｃ５２に０Ｖをそれぞれ印加して第３の高周波スイッチ５の第１のポートＰ５１と第２のポートＰ５２とを接続することにより、ＧＳＭの送信信号が第３の高周波スイッチ５、第２のフィルタ７及びダイプレクサ２を通過し、アンテナ１から送信される。この際、第２のフィルタ７はＧＳＭの送信信号を通過させ、３次高調波を減衰させている。
　【００４０】
　なお、第１及び第２の高周波スイッチ３，４において第１の制御端子Ｖｃ３１，Ｖｃ４１に０Ｖを、第２の制御端子Ｖｃ３２，Ｖｃ４２に１Ｖをそれぞれ印加して第１及び第２の高周波スイッチ３，４を遮断している。
　【００４１】
　次いで、ＤＣＳの受信信号を受信する場合には、第１の高周波スイッチ３において第１の制御端子Ｖｃ３１に０Ｖを、第２の制御端子Ｖｃ３２に１Ｖをそれぞれ印加して第１の高周波スイッチ３の第１のポートＰ３１と第３のポートＰ３３とを接続し、第２の高周波スイッチ４において第１の制御端子Ｖｃ４１に０Ｖを、第２の制御端子Ｖｃ４２に１Ｖをそれぞれ印加して第２の高周波スイッチ４の第１のポートＰ４１と第３のポートＰ４３とを接続することにより、アンテナ１から受信されたＤＣＳの受信信号がダイプレクサ２、第１のフィルタ６、並びに第１及び第２の高周波スイッチ３，４を通過し、ＤＣＳの受信部Ｒｘｄに送られる。この際、第１のフィルタ６はＤＣＳの受信信号を通過させ、２次高調波及び３次高調波を減衰させている。
　【００４２】
　なお、第３の高周波スイッチ５において第１の制御端子Ｖｃ５１に０Ｖを、第２の制御端子Ｖｃ５２に１Ｖをそれぞれ印加して第３の高周波スイッチ５を遮断している。
　【００４３】
　次いで、ＰＣＳの受信信号を受信する場合には、第１の高周波スイッチ３において第１の制御端子Ｖｃ３１に０Ｖを、第２の制御端子Ｖｃ３２に１Ｖをそれぞれ印加して第１の高周波スイッチ３の第１のポートＰ３１と第３のポートＰ３３とを接続し、第２の高周波スイッチ４において第１の制御端子Ｖｃ４１に１Ｖを、第２の制御端子Ｖｃ４２に０Ｖをそれぞれ印加して第２の高周波スイッチ４の第１のポートＰ４１と第２のポートＰ４２とを接続することにより、アンテナ１から受信されたＰＣＳの受信信号がダイプレクサ２、第１のフィルタ６、並びに第１及び第２の高周波スイッチ３，４を通過し、ＰＣＳの受信部Ｒｘｐに送られる。この際、第１のフィルタ６はＰＣＳの受信信号を通過させ、２次高調波及び３次高調波を減衰させている。
　【００４４】
　なお、第３の高周波スイッチ５において第１の制御端子Ｖｃ５１に０Ｖを、第２の制御端子Ｖｃ５２に１Ｖをそれぞれ印加して第３の高周波スイッチ５を遮断している。
　【００４５】
　次いで、ＧＳＭの受信信号を受信する場合には、第３の高周波スイッチ５において第１の制御端子Ｖｃ５１に０Ｖを、第２の制御端子Ｖｃ５２に１Ｖをそれぞれ印加して第３の高周波スイッチ５の第１のポートＰ５１と第３のポートＰ５３とを接続することにより、アンテナ１から受信されたＧＳＭの受信信号がダイプレクサ２、第２のフィルタ７、及び第３の高周波スイッチ５を通過し、ＧＳＭの受信部Ｒｘｇに送られる。この際、第２のフィルタ７はＧＳＭの受信信号を通過させ、３次高調波を減衰させている。
　【００４６】
　なお、第１及び第２の高周波スイッチ３，４において第１の制御端子Ｖｃ３１，Ｖｃ４１に０Ｖを、第２の制御端子Ｖｃ３２，Ｖｃ４２に１Ｖをそれぞれ印加して第１及び第２の高周波スイッチ３，４を遮断している。
　【００４７】
　上述の第１の実施例の複合高周波部品によれば、複合高周波部品をなすダイプレクサ、第１乃至第３の高周波スイッチ、並びに第１及び第２のフィルタを、セラミックスからなる複数のシート層を積層してなるセラミック多層基板に一体化するため、それぞれの部品の整合特性、減衰特性、あるいはアイソレーション特性を確保することができ、それに伴い、ダイプレクサと第１及び第３の高周波スイッチとの間の整合回路が不要となる。
　【００４８】
　したがって、複合高周波部品の小型化が可能となる。
ちなみに、ダイプレクサ、第１乃至第３の高周波スイッチ、並びに第１及び第２のフィルタを６．３ｍｍ×５ｍｍ×２ｍｍの大きさのセラミック多層基板に一体化することが可能となった。
　【００４９】
　また、ダイプレクサが、第１のインダクタ、第１のコンデンサで構成され、第１乃至第３の高周波スイッチが、第１及び第２のダイオード、第２のインダクタ、第２のコンデンサで構成され、第１及び第２のフィルタが、第３のインダクタ、第３のコンデンサで構成されるとともに、それらがセラミック多層基板に内蔵、あるいは搭載され、セラミック多層基板の内部に形成される接続手段によって接続されるため、複合高周波部品が１つのセラミック多層基板で構成でき、小型化が実現できる。加えて、部品間の配線による損失を改善することができ、その結果、複合高周波部品全体の損失を改善することが可能となる。
　【００５０】
　さらに、波長短縮効果により、インダクタとなるストリップライン電極の長さを短縮することができるため、これらのストリップライン電極の挿入損失を向上させることができる。その結果、複合高周波部品の小型化及び低損失化を実現することができる。したがって、この複合高周波部品を搭載する移動体通信装置の小型化及び高性能化も同時に実現できる。
　【００５１】
　図３は、本発明の複合高周波部品の第２の実施例のブロック図である。
複合高周波部品２０は、第１の実施例の複合高周波部品１０（図１）と比較して第１及び第２のフィルタ６，７の配置位置が異なる。
　【００５２】
　すなわち、第１のフィルタ６が第１の高周波スイッチ３とＤＣＳ、ＰＣＳの共通の送信部Ｔｘｄｐとの間に、第２のフィルタ７が第３の高周波スイッチ４とＧＳＭの送信部Ｔｘｇとの間にそれぞれ配置される。
　【００５３】
　上述の第２の実施例の複合高周波部品によれば、フィルタが高周波スイッチと送信部との間に配置されるため、送信の際に、送信部にある高出力増幅器の歪みをこのフィルタで減衰させることができる。したがって、受信側の挿入損失を改善することができる。
　【００５４】
　図４は、移動体通信機であるトリプルバンド携帯電話器の構成の一部を示すブロック図であり、１．８ＧＨｚ帯のＤＣＳ及びＰＣＳと９００ＭＨｚ帯のＧＳＭとを組み合わせた一例を示したものである。トリプルバンド携帯電話器３０は、アンテナ１及び複合高周波部品１０（図１）を備える。
　【００５５】
　そして、複合高周波部品１０のポートＰ１１にはアンテナ１が、ポートＰ３２，Ｐ４２，Ｐ４３，Ｐ５２，Ｐ５３には、ＤＣＳ、ＰＣＳの共通の送信部Ｔｘｄｐ、ＰＣＳの受信部Ｒｘｐ、ＤＣＳの受信部Ｒｘｄ、ＧＳＭの送信部Ｔｘｇ、ＧＳＭの受信部Ｒｘｇが、それぞれ接続される。
　【００５６】
　上述のトリプルバンド携帯電話器によれば、小型でかつ低損失の複合高周波部品を用いているため、この複合高周波部品を搭載する移動体通信装置の小型化及び高性能化が実現できる。
　【００５７】
　なお、複合高周波部品１０に複合高周波部品２０（図３）を用いても同様の効果が得られる。
　【００５８】
　【発明の効果】
　請求項１、２の複合高周波部品によれば、複合高周波部品をなすダイプレクサが、第１のインダクタンス素子、第１のキャパシタンス素子で構成され、第１乃至第３の高周波スイッチが、第１及び第２のスイッチング素子、第２のインダクタンス素子、第２のキャパシタンス素子で構成され、第１及び第２のフィルタが、第３のインダクタンス素子、第３のキャパシタンス素子で構成されるとともに、それらがセラミック多層基板に内蔵、あるいは搭載され、セラミック多層基板に形成される接続手段によって接続されるため、それぞれの部品の整合特性、減衰特性、あるいはアイソレーション特性を確保することができ、それに伴い、ダイプレクサと第１及び第３の高周波スイッチの間の整合回路が不要となる。また、複合高周波部品が１つのセラミック多層基板で構成でき、部品点数を減らすことができるため、小型化が実現できる。加えて、部品間の配線による損失を改善することができ、その結果、複合高周波部品全体の損失を改善することが可能となる。さらに、波長短縮効果により、各インダクタンス素子となるストリップライン電極の長さを短縮することができるため、これらのストリップライン電極の挿入損失を向上させることができる。その結果、複合高周波部品の小型化及び低損失化を実現することができる。
　【００５９】
　【００６０】
　【００６１】
　【００６２】
　【００６３】
　請求項３の移動体通信装置によれば、小型でかつ低損失の複合高周波部品を用いているため、この複合高周波部品を搭載する移動体通信装置の小型化及び高性能化が実現できる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　本発明の複合高周波部品に係る第１の実施例の回路図である。
　【図２】
　図１の複合高周波部品の要部分解斜視図である。
　【図３】
　本発明の複合高周波部品に係る第２の実施例の回路図である。
　【図４】
　図１の複合高周波部品を用いた移動体通信機の構成の一部を示すブロック図である。
　【図５】
　一般的なトリプルバンド携帯電話器（移動体通信装置）のフロントエンド部の構成を示すブロック図である。
　【符号の説明】
　１０，２０　　　複合高周波部品
　２　　　ダイプレクサ
　３〜５　　　第１〜第３の高周波スイッチ
　６，７　　　第１、第２のフィルタ
　１１　　　セラミック多層基板
　３０　　　移動体通信機（トリプルバンド携帯電話器）
　Ｃ１１〜Ｃ１５，Ｃ２１〜Ｃ２３，Ｃ３１，Ｃ３２　　　第１〜第３のキャパシタンス素子
　Ｄ１，Ｄ２　　　第１、第２のスイッチング素子
　Ｌ１１，Ｌ１２，Ｌ２１〜Ｌ２３，Ｌ３１　　　第１〜第３のインダクタ素子
　Ｔｘｄｐ，Ｔｘｇ　　　送信部
　Ｒｘｄ，Ｒｘｐ，Ｒｘｇ　　　受信部