(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
外部光コネクタを受容する光レセプタクルと、
半導体光素子と、第１のスタックコネクタと、を搭載したアセンブリ基板と、
該アセンブリ基板に固定され、前記半導体光素子の光軸と前記外部光コネクタの光軸を一致させる光軸変換部品と、
前記半導体光素子と電気的に接続する回路と、第２のスタックコネクタと、を搭載するメイン回路基板と、
前記光レセプタクルと前記光軸変換部品とを光結合する内部ファイバと、
上筐体と下筐体を含み、前記上筐体に放熱機構が取り付けられ、前記上筐体と前記下筐体で形成される内部空間に前記光レセプタクル、前記アセンブリ基板、前記光軸変換部品、前記メイン回路基板及び前記内部ファイバを収容する筐体と、を備える光データリンクであって、
前記メイン回路基板は前記下筐体上に搭載されており、前記アセンブリ基板は前記上筐体に熱伝導性部材を介して搭載されており、前記メイン回路基板と前記アセンブリ基板は前記第１のスタックコネクタと前記第２のスタックコネクタとの嵌合によって電気的に接続されている、光データリンク。
【請求項２】
前記半導体光素子は複数であり、
前記光軸変換部品は、前記複数の半導体光素子それぞれと光結合するレンズ要素を有し、
前記内部ファイバは、アレイファイバを有し、該アレイファイバの一端に、前記光レセプタクルと係合する第１のＭＴ（Mechanically Transferable）フェルールと、前記光軸変換部品に係合する第２のＭＴフェルールを有する、請求項１の光データリンク。
【請求項３】
前記アセンブリ基板は、前記光軸変換部品を囲むホルダを搭載し、
前記第２のＭＴフェルールは前記ホルダに係合するクリップにより前記光軸変換部品との係合が保持されている、請求項２の光データリンク。
【請求項４】
前記クリップは、四辺形状の主面と、該主面の一辺に形成された第１のフックと、前記一辺と対向する辺の両端それぞれから延び出す一対のアームと、該アームそれぞれの先端に形成された第２のフックとを備えており、前記第１のフックが前記ホルダに係合し、前記第２のフックが前記第２のＭＴフェルールと係合している、請求項３に記載の光データリンク。
【請求項５】
前記ホルダは、前記クリップと係合する一つの壁と、該壁から同じ方向に延び出す一対の側壁と、を有し、該一対の側壁それぞれの対向する面に凸部を有し、
前記光軸変換部品は、前記側壁の前記凸部と対向する位置に該凸部を受容する凹部を有している、請求項３または４に記載の光データリンク。
【請求項６】
前記ホルダは、前記アセンブリ基板と前記メイン回路基板の間隔を規定している、請求項３〜５のいずれか１項に記載の光データリンク。
【請求項７】
前記アセンブリ基板の前記メイン回路基板に対する位置は、前記第１のスタックコネクタと前記第２のスタックコネクタとの嵌合によって決定されている、請求項１〜５のいずれか１項に記載の光データリンク。
【請求項８】
前記第１のスタックコネクタは、前記光軸変換部品が固定されている前記アセンブリ基板の面と同一の面上に、前記光軸変換部品の位置に対して前記光レセプタクルの反対側に実装されている、請求項１〜７のいずれか１項に記載の光データリンク。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光データリンクに関し、特に、光通信用の半導体光素子が搭載されたアセンブリ基板を備える光データリンクに関する。
【背景技術】
【０００２】
光通信機能を有する光データリンクのうち、光信号の送信機能と受信機能の両方を有するものは光トランシーバと呼ばれる。光トランシーバには、半導体光素子として、発光素子であるレーザダイオード（Laser Diode：ＬＤ）、受光素子であるフォトダイオード（Photo Diode：ＰＤ）が搭載される。また、これら半導体光素子を駆動させたりするための電子デバイスも光トランシーバに搭載される。高速光通信では、上述の半導体光素子や電子デバイスからの発熱が大きいので、蓄熱を避けるために放熱する必要がある。
【０００３】
送信と受信で各１レーン（チャンネル）を有するタイプの光トランシーバなどでは、例えば、以下のようにして筐体を介して放熱が行われる。この種の光トランシーバでは、半導体光素子は所謂ＣＡＮ型パッケージやバタフライ型パッケージの光サブアセンブリ（ＯＳＡ：Optical Sub Assembly）に内蔵され、該ＯＳＡが光トランシーバの筐体に収納される。ＯＳＡと筐体との間には、例えば熱伝導シートが挟み込まれ、ＯＳＡと光トランシーバの筐体とが熱的に接触している。これにより、ＯＳＡ内で発生した熱を、光トランシーバの筐体を介して放熱できる。
【０００４】
近年では、送信と受信でそれぞれ複数レーンを有する光トランシーバが開発されている。例えば、光トランシーバの標準規格であるＱＳＦＰ（Quad Small Form-factor Pluggable）に準拠した光トランシーバは４レーンの光信号を並行して送受信する機能を有する。このような光トランシーバでは、ＬＤやＰＤ等の半導体光素子はＯＳＡの中に内蔵されるのではなくプリント回路基板上に搭載される。
【０００５】
特許文献１または２に開示の光トランシーバでは、回路基板に切欠きが形成され、該切欠きを回路基板の裏面側から塞ぐ金属製のベースが設けられている。このベース上に半導体光素子やドライバ等の電子デバイスが搭載される。ベースは、回路基板を光トランシーバ内に収容した際に、熱伝導シート等を介して光トランシーバの筐体に熱的に接触している。そのため、半導体発光素子や電子デバイスで発生した熱がベース及び光トランシーバの筐体を介して放出できる。なお、特許文献１または２に開示の光トランシーバでは、筐体が上筐体と下筐体の２体構造となっており、発光素子側のベースは下筐体に、受光素子側のベースは上筐体にそれぞれ熱伝導シートを介して接触している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１１−１０７２０１号公報
【特許文献２】特開２０１３−２２５１６０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかし、特許文献１及び２の光トランシーバでは、金属製のベース上に半導体光素子や電子デバイスを搭載するため、電気接続のための制約がある。例えば特許文献１の光トランシーバでは配線ピッチ変換用基板を設ける必要がある。そのため、ワイヤリングの手間がかかる等、コスト面で改善の余地がある。また、光トランシーバの規格では、大気中に放熱を行う放熱機構が上筐体に接触している。したがって、主な発熱源は受光素子側ではなく発光素子側であるので、発光素子側を下筐体側とする特許文献１及び２の光トランシーバでは放熱経路が長く、放熱面で改善の余地がある。
【０００８】
本発明は、上述のごとき実情に鑑み、半導体光素子が回路基板に搭載された光データリンクであって、半導体光素子等で発生した熱を効率的に低コストで放出することができるものを提供することをその目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の光データリンクは、外部光コネクタを受容する光レセプタクルと、半導体光素子と、第１のスタックコネクタと、を搭載したアセンブリ基板と、該アセンブリ基板に固定され、前記半導体光素子の光軸と前記外部光コネクタの光軸を一致させる光軸変換部品と、前記半導体光素子と電気的に接続する回路と、第２のスタックコネクタと、を搭載するメイン回路基板と、前記光レセプタクルと前記光軸変換部品とを光結合する内部ファイバと、上筐体と下筐体を含み、前記上筐体に放熱機構が取り付けられ、前記上筐体と前記下筐体で形成される内部空間に前記光レセプタクル、前記アセンブリ基板、前記光軸変換部品、前記メイン回路基板及び前記内部ファイバを収容する筐体と、を備える光データリンクであって、前記メイン回路基板は前記下筐体上に搭載されており、前記アセンブリ基板は前記上筐体に熱伝導性部材を介して搭載されており、前記メイン回路基板と前記アセンブリ基板は前記第１のスタックコネクタと前記第２のスタックコネクタとの嵌合によって電気的に接続されている。
【００１０】
半導体光素子が複数である場合、光軸変換部品が、複数の半導体光素子それぞれと光結合するレンズ要素を有し、内部ファイバが、アレイファイバを有し、該アレイファイバの一端に、光レセプタクルと係合する第１のＭＴ（Mechanically Transferable）フェルールと、光軸変換部品に係合する第２のＭＴフェルールを備えてもよい。
アセンブリ基板に光軸変換部品を囲むホルダを搭載し、ホルダに係合するクリップによって第２のＭＴフェルールと光軸変換部品との係合を保持することができる。
クリップが、四辺形の主面と、該主面の一辺に形成された第１のフックと、上記一辺と対向する辺の両端それぞれから延び出す一対のアームと、該アームそれぞれの先端に形成された第２のフックとを備えており、第１のフックがホルダに係合し、第２のフックが第２のＭＴフェルールと係合することができる。
【００１１】
ホルダが、クリップと係合する一つの壁と、該壁から同じ方向に延び出す一対の側壁と、を有し、該一対の側壁それぞれの対向する面に凸部を有し、光軸変換部品が、側壁の凸部と対向する位置に該凸部を受容する凹部を有しているとよい。
ホルダがアセンブリ基板とメイン回路基板の間隔を規定するものであることが好ましい。
アセンブリ基板のメイン回路基板に対する位置は、第１のスタックコネクタと第２のスタックコネクタとの嵌合によって決定されていることが望ましい。
第１のスタックコネクタは、光軸変換部品が固定されているアセンブリ基板の面と同一の面上に、光軸変換部品の位置に対して光レセプタクルの反対側に実装されていることが好ましい。
【発明の効果】
【００１２】
本発明に係る光データリンクによれば、半導体光素子等で発生した熱を効率的に低コストで放出することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明に係る光データリンク（光トランシーバ）の一例を示す外観図である。
【図２】図１の光トランシーバの内部の様子を示す図である。
【図３】図１の光トランシーバの内部の様子を示す断面図である。
【図４】アセンブリ基板及び光軸変換部品を説明する図である。
【図５】アセンブリ基板及び光軸変換部品を説明する図である。
【図６】アセンブリ基板及び光軸変換部品を説明する図である。
【図７】ホルダ及び光軸変換部品が搭載されたアセンブリ基板の斜視図である。
【図８】クリップの斜視図である。
【図９】ホルダ及びクリップによってＭＴフェルール及び光軸変換部品が固定されたアセンブリ基板を前方下方から見た様子を示す図である。
【図１０】ホルダ及びＭＴフェルールのアセンブリ基への固定方法を説明する図である。
【図１１】ＭＰＯ（Multifiber Push-On）クリップ６及びＭＴフェルール１１ａが下筐体５に搭載された状態を後方上方から見た様子を示す斜視図である
【図１２】シールド板の後面図である。
【図１３】ＭＴフェルールとシールド板とを一体にした状態の後面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、図面を参照しながら、本発明に係る光データリンクの好適な実施の形態について説明する。なお、本発明はこれらの例示に限定されるものではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内ですべての変更が含まれることを意図する。また、以下の説明において、異なる図面においても同じ符号を付した構成は同様のものであるとして、その説明を省略する場合がある。
【００１５】
図１は本発明に係る光データリンクの一例を示す外観図である。
図の光データリンク１は、光通信用のホスト装置に対して挿抜可能に取り付けられると共に、信号光の送受信機能を有する所謂プラガブル（活線挿抜）型光トランシーバであり、複数レーンの光信号を並行して送受信するものである。以下、光データリンク１を光トランシーバ１という。
【００１６】
光トランシーバ１は、光電変換機能を有する半導体光素子やレーザドライバ等の電子デバイスが搭載された後述のアセンブリ基板や、他の多数の電子デバイスを実装したメイン回路基板２を、筐体３で保護している。筐体３は、メイン回路基板２を挟んで上筐体４と下筐体５とに分割される。メイン回路基板２は下筐体５上に搭載される。上筐体４と下筐体５は、放熱性や電磁波放射抑制を考慮して、例えば、アルミニウムや亜鉛合金等の金属によるダイキャスト製とされる。
【００１７】
また、光トランシーバ１は、光ケーブル（図示せず）の先端に付属するＭＰＯコネクタを受容する光レセプタクルであるＭＰＯクリップ６を一端に有し、さらに、筐体３の側面に沿ってスライド移動可能なスライダ７と、該スライダ７に連結されユーザに操作されるプルタブ８とを有する。以下では、光トランシーバのプルタブ８側やＭＰＯクリップ６側を前方側、反対側を後方側として説明する。
【００１８】
スライダ７の後端部には、側方に延び出す突起７１が形成されている。また、スライダ７は、上記後端部の近傍に折り曲げ加工が施されている。これにより、光トランシーバ１がホスト装置のケージ（図３の符号５０参照）に装着された状態において、すなわち、通常状態において、突起７１を含む先端部分が筐体３の側壁の凹部３１内に収まり、突起７１が筐体３より外側に突出することがない。
【００１９】
上述のように、光トランシーバ１がホスト装置のケージに装着された状態において、突起７１が筐体３より外側に突出しておらず、ホスト装置のケージの係合片と筐体３の凹部３１の後壁３１ａとが係合しており、光トランシーバ１がホスト装置のケージにラッチして固定されている。ラッチされている光トランシーバ１を取り外すためにユーザがプルタブ８を手前に引き、スライダ７が手前にスライドすると、スライダ７の突起７１を含む後端部分が外側に押し出される。これにより、ホスト装置のケージの係合片と筐体３の凹部３１の後壁３１ａとの係合が解除される。
【００２０】
図２及び図３は、図１の光トランシーバ１の内部の様子を示す図であり、図２は光トランシーバ１の斜視図、図３はヒートシンク６０が上部に設けられたケージ５０に装着された状態の光トランシーバ１の前方部の断面図である。図２では、上筐体４やスライダ７、プルタブ８の図示が省略され、図３ではプルタブ８が省略されている。光トランシーバ１は、図２及び図３に示すように、上筐体４と下筐体５で形成される内部空間に、前述のメイン回路基板２及びＭＰＯクリップ６の他に、アセンブリ基板９、光軸変換部品１０、内部ファイバ１１、ホルダ１２、クリップ１３を収容する。
【００２１】
アセンブリ基板９は、後述するようにＬＤ等の半導体光素子及びドライバ等の電気デバイスを基板本体９ａ上に搭載してなるものである。このアセンブリ基板９は、基板本体９ａの各種部品が実装される実装面９ｂの裏面９ｈが、放熱ゲル１４を介して上筐体４に熱的に接触する。放熱ゲル１４は高熱伝導率を有するゲル状の熱伝導性部材である。また、アセンブリ基板９と上筐体４との間には、放熱ゲル１４が所定範囲外に広がることを防ぐ枠状部材１５が設けられている。枠状部材１５は、電気的絶縁性のある弾性体から成る。
【００２２】
光軸変換部品１０は、アセンブリ基板９上の半導体光素子の光軸と、ＭＰＯクリップ６に装着されるＭＰＯコネクタのＭＴ（Mechanically Transferable）フェルールの光軸とを一致させるためのものである。この光軸変換部品１０は、ホルダ１２に周囲を囲まれてアセンブリ基板９に搭載される。
【００２３】
内部ファイバ１１は、ＭＰＯクリップ６に装着されるＭＰＯコネクタのＭＴフェルールと光軸変換部品１０を光結合させるためのものであり、並列された複数の光ファイバの両端にＭＴフェルール１１ａ，１１ｂを有する。各光ファイバは別体でよく、また、一体となったアレイファイバであってもよい。内部ファイバ１１は、ＭＴフェルール１１ａ，１１ｂ間を余長部を残す光ファイバで接続しているので、ＭＰＯクリップ６に係合固定されるＭＴフェルール１１ａと、光軸変換部品１０に係合固定されるＭＴフェルール１１ｂとの相対的な位置バラつきを吸収することができる。
【００２４】
ホルダ１２は、アセンブリ基板９とメイン回路基板２との間の距離が所定位置以下となることを防ぐ、すなわち両基板９，２の間隔を規定しているスペーサであり、また、クリップ１３と協働してＭＴフェルール１１ｂを光軸変換部品１０すなわちアセンブリ基板９に固定する。
【００２５】
光トランシーバ１をケージ５０に装着すると、上筐体４に放熱機構であるヒートシンク６０が当接する。この上筐体４に対して、上述のように、アセンブリ基板９の放熱面すなわち基板本体９ａの裏面９ｈが放熱ゲル１４を介して熱的に接触する。したがって、光トランシーバ１では、アセンブリ基板９に搭載された半導体光素子等の熱源からヒートシンク６０までの熱的な経路が短いので熱源で発生した熱を効率的に放出することができる。
【００２６】
また、アセンブリ基板９を上筐体４側に搭載することで、アセンブリ基板９をより後方に設けることができるので、後方に設けられているヒートシンク６０の直下にアセンブリ基板９を搭載することができ、放熱効率を向上させることができる。なお、放熱効率をより向上させるために、アセンブリ基板９の基板本体９ａの面積は広いことが好ましい。
【００２７】
光トランシーバ１では、メイン回路基板２とアセンブリ基板９との電気接続のために両基板２，９には面接続コネクタすなわちスタックコネクタ２ａ、９ｋが設けられている。スタックコネクタ２ａ，９ｋを嵌合させることで上記電気接続が得られる。また、光トランシーバ１では、メイン回路基板２に対するアセンブリ基板９の相対的位置は、上述のスタックコネクタ２ａ，９ｋの嵌合のみによって決定される。
【００２８】
図４〜図６は、アセンブリ基板９及び光軸変換部品１０を説明する図であり、図４（Ａ）は光軸変換部品１０が取り付けられた状態のアセンブリ基板９を前方下方から見た斜視図、図４（Ｂ）は同状態のアセンブリ基板９の断面図、図５（Ａ）は光軸変換部品１０の反射面１０ａの断面図、図５（Ｂ）は光軸変換部品１０を前方上方から見た斜視図である。図６は、アセンブリ基板９を前方下方から見た斜視図である。
【００２９】
図４に示すように、アセンブリ基板９の基板本体９ａの実装面９ｂ上には、ＬＤがアレイ状に設けられたＬＤチップ９ｃが搭載されている。本例のＬＤチップ９ｃのＬＤは、面発光型ＬＤ（ＶＣＳＥＬ：Vertical Cavity Surface Emitting LD）であり、アセンブリ基板９の実装面９ｂに垂直な方向に信号光を出射する。各ＬＤはほぼ同じ波長の光を出射する。光トランシーバ１は、原則として波長多重光通信を意図しない。
【００３０】
また、アセンブリ基板９の実装面９ｂには、外部光コネクタであるＭＰＯコネクタからの光信号を受信するＰＤがアレイ状に設けられたＰＤチップ９ｄ（図６参照）がＬＤチップ９ｃと横一列に搭載されている。さらに、ＬＤチップ９ｃの各ＬＤが出射した光の強度をモニタするＰＤがアレイ状に設けられたｍＰＤアレイ９ｅがＬＤチップ９ｃの前方側に該ＬＤチップ９ｃに沿って設けられている。
【００３１】
なお、アセンブリ基板９の実装面９ｂには、高周波でＬＤチップ９ｃを安定に駆動するためにＬＤチップ９ｃやＰＤチップの近くに実装すべき素子、例えば、ＬＤチップ９ｃを駆動するレーザドライバ９ｆや、ＰＤチップからの出力電流を増幅するプリアンプやメインアンプなども実装されている。
【００３２】
光軸変換部品１０は、ＬＤチップ９ｃ等の半導体光素子全体を覆い、アセンブリ基板９の基板本体９ａに取り付けられる。光軸変換部品１０には、アセンブリ基板９の実装面に対して４５°の角度をなす反射面１０ａが設けられている。また、光軸変換部品１０には、拡散光をコリメート光にするためやコリメート光を収束光とするためのレンズ要素である光学レンズ群１０ｂ〜１０ｄが設けられている。この光軸変換部品１０は、樹脂モールドにより作製される。また、光軸変換部品１０には、反射面１０ａを透過した光を反射するミラー１６が取り付けられている。
【００３３】
ＬＤチップ９ｃの各ＬＤから出射された送信用の信号光は、基本的に、光学レンズ群１０ｂにより、コリメート光に変換され、反射面１０ａで反射されその光軸を９０度変換され、前方すなわちＭＰＯクリップ６側に向かう。そして、前方に向かった光は、前方側の光学レンズ群１０ｄによって、光軸変換部品１０に接続されている内部ファイバ１１のＭＴフェルール１１ｂのファイバ端に集光される。
【００３４】
なお、光軸変換部品１０の反射面１０ａには図５（Ａ）に示すようにブリップ（blip、小突起）１０ｅが設けられている。したがって、ＬＤチップ９ｃの各ＬＤから出射され光学レンズ群１０ｂによってコリメート光とされた信号光のうちブリップ１０ｅに入射した光は、ブリップ１０ｅで屈折してミラー１６に向かい、該ミラー１６で反射される。反射された光は、アセンブリ基板９の実装面９ｂの方向に向かい、再度光軸変換部品１０に入射し、光学レンズ群１０ｃによって、ｍＰＤアレイ９ｅの対応するＰＤに集光される。このようにブリップ１０ｅを設けることによって、ＬＤチップ９ｃのＬＤからの送信用の信号光の出射強度を、ＬＤチップ９ｃと同じく実装面９ｂに実装されたｍＰＤアレイ９ｅで検知することが可能となっている。
【００３５】
なお、ＭＰＯクリップ６に装着されたＭＰＯコネクタのファイバ端から出射された受信用の信号光は、内部ファイバ１１を介して、光軸変換部品１０に前方から入射される。入射された信号光は、前方側の光学レンズ群１０ｄによってコリメート光に変換され、反射面１０ａで反射され（ブリップ１０ｅに入射したものを除く）その光軸を９０度変換され、アセンブリ基板９の実装面９ｂの方向に向かい、光学レンズ群１０ｂによってＰＤチップ９ｄの対応するＰＤに集光される。
【００３６】
また、光軸変換部品１０には、図５（Ｂ）に示すように、前方に突出する一対のガイドピン１０ｆが前面に設けられている。光軸変換部品１０の前面の光学レンズ群１０ｄと、内部ファイバ１１のＭＴフェルール１１ｂのファイバ端とのアライメントは、上述のガイドピン１０ｆをＭＴフェルール１１ｂに設けられた位置決め孔（不図示）に挿入することで行われる。
【００３７】
さらに、光軸変換部品１０には、上方に突出する一対のガイドピン１０ｇが上面に設けられている。また、アセンブリ基板９の基板本体９ａには、図６に示すように、上記ガイドピン１０ｇと対応する位置に位置決め孔９ｇが設けられている。光軸変換部品１０の下面の２列の光学レンズ群１０ｂ，１０ｃと、アセンブリ基板９のＬＤチップ９ｃ等の半導体光素子とのアライメントは、上述のガイドピン１０ｇを位置決め孔９ｇに挿入することで行われる。
【００３８】
そして、アセンブリ基板９の基板本体９ａには、複数のパッド９ｉが２列に渡って設けられている。この位置は図５に示す光軸変換部品１０の底面に形成された座１０ｈに対応している。基板本体９ａには複数の部品９ｃ，９ｄ，９ｆが搭載されるが、これら部品はいずれも金属製の所謂ダイパッドを介して基板９上に搭載される。パッド９ｉはこれらダイパッドと同時に形成され同様の厚みを有しているので、部品９ｃ〜９ｆの搭載レベルと光軸変換部品１０の搭載レベル（搭載基準面）が一致することになり、光軸変化部品１０内での光軸の設計仕様が維持される。光軸変換部品１０、あるいはその座１０ｈを、このダイパッド厚を見込んだ高さで設計すれば、光軸変換部品１０内での光軸は設計仕様を維持するのであるが、ダイパッドの厚さは製造過程でばらつくため、必ずしも設計仕様が維持されることにはならない。そこで、本実施の形態では、ダイパッドの製造過程で同時に作製されるパッド９ｉを座１０ｈの下に敷くことで、変換部品１０内での光軸の設計仕様を維持することした。
【００３９】
また、光トランシーバ１では、基板本体９ａの裏面９ｈに原則として部品を搭載しないことにより、該裏面９ｈ全体を上筐体４に熱的に接触させることができるので、より効率的に放熱することが可能である。なお、アセンブリ基板９の実装面９ｂの後部には、電気接続用のスタックコネクタ９ｋが設けられている。
【００４０】
ＭＴフェルール１１ｂと光軸変換部品１０との接続に関し、図７〜図９を用いて説明する。図７は、ホルダ１２及び光軸変換部品１０が搭載されたアセンブリ基板９を前方下方から見た様子を示す図である。図８は、クリップ１３を前方上方から見た様子を示す斜視図である。図９は、ホルダ１２及びクリップ１３によってＭＴフェルール１１ｂ及び光軸変換部品１０が固定されたアセンブリ基板９を前方下方から見た様子を示す図である。図９では、メイン回路基板２側のスタックコネクタ２ａも図示されている。
【００４１】
ホルダ１２は、図７に示すように、コの字の平面形状を有し、コの字の各辺で囲まれた内部空間部分に光軸変換部品１０を収納する。コの字の横棒に相当するホルダ１２の一対の側壁１２ａは、光軸変換部品１０の側面に沿って前後方向に延在する。コの字の縦棒部分に相当する後壁１２ｂは側壁１２ａの後端を連結する。言い換えると、後壁１２ｂから同じ方向に延び出す一対の側壁１２ａが形成されている。
【００４２】
後壁１２ｂの高さは側壁１２ａの高さよりも低く設定されており、クリップ１３を固定したときにクリップ１３が側壁１２ａより突出することがない（図９参照）。また、側壁１２ａ及び後壁１２ｂの後端には、クリップ１３の後述の後方フックが係合する凹部１２ｃが設けられている。ホルダ１２は樹脂モールドにより作製される。
【００４３】
クリップ１３は、図８に示すように、光軸変換部品１０の下面を覆う主面１３ａを有する。四辺形状の主面１３ａの後辺には、上方に延び出す後部フック（本発明の「第１のフック」に相当）１３ｂが設けられている。また、クリップ１３は、主面１３ａの前辺の両端それぞれから、前方に延び出す一対のアーム１３ｃを有する。アーム１３ｃは主面１３ａと垂直である。アーム１３ｃそれぞれの前端には前部フック（本発明の「第２のフック」に想到）１３ｄが設けられている。さらに、クリップ１３の主面１３ａは、アーム１３ｃの根元部分に切り込み１３ｅが設けられている。クリップ１３は金属板を板金加工して作製される。
【００４４】
クリップ１３の後部フック１３ｂは、ホルダ１２の後端の凹部１２ｃと係合する（図３参照）。また、図９に示すように、クリップの両アーム１３ｃ間にＭＴフェルール１１ｂが位置する。このＭＴフェルール１１ｂの後端は光軸変換部品１０の前端と係合しており、クリップ１３の前部フック１３ｄは、ＭＴフェルール１１ｂの前面に係合し該フェルール１１ｂを後方に向け付勢する。これにより、ＭＴフェルール１１ｂの後端と光軸変換部品１０の前端との係合状態を保持すると共により確かなものとしている。
【００４５】
切り込み１３ｅは、ＭＴフェルール１１ｂの後端と光軸変換部品１０の前端との係合部分に位置し、両者の係合状態を切り込み１３ｅから確認することができる。なお、クリップ１３のアーム１３ｃの高さは、ホルダ１２の側壁１２ａの高さ以下となっており、クリップ１３を取り付けたアセンブリ基板９を光トランシーバ１内に組み込んだときにアーム１３ｃがメイン回路基板２に接触しない。
【００４６】
図１０は、ホルダ１２及びＭＴフェルール１１ｂのアセンブリ基板９への固定方法を説明する図である。ホルダ１２をアセンブリ基板９に固定する際、まず、アセンブリ基板９に光軸変換部品１０をアライメントしてから接着剤により固定する。アライメントは、前述の図５（Ｂ）及び図６を用いて説明したように、アセンブリ基板９の基板本体９ａの位置決め孔９ｇと光軸変換部品１０のガイドピン１０ｇとにより行う。その後、ホルダ１２の一対の側壁１２ａそれぞれの対向する面に設けられた顎部（本発明の「凸部」に相当）１２ｄを光軸変換部品１０の側部に設けられた凹部１０ｈと係合させ、ホルダ１２をアセンブリ基板９上に載置する、これにより光軸変換部品１０に対するホルダ１２の位置及び向きが決定される。この状態でホルダ１２をアセンブリ基板９に接着剤等を用いて固定する。なお、光軸変換部品１０の凹部１０ｈは、顎部１２ｄと対向する位置に該顎部１２ｄを受容する。
【００４７】
上述のようにホルダ１２をアセンブリ基板９に固定してから、ＭＴフェルール１１ｂを光軸変換部品１０に前方から係合させ、クリップ１３を取り付けることでＭＴフェルール１１ｂが光軸変換部品１０すなわちアセンブリ基板９に固定される。なお、クリップ１３を取り付けてからＭＴフェルール１１ｂを光軸変換部品１０に係合させてもよい。
【００４８】
図３を参照し、図１１〜図１３を用いて、ＭＰＯクリップ６に装着されるＭＰＯコネクタのＭＴフェルールと光トランシーバ１内のＭＴフェルール１１ａについて説明する。図１１は、ＭＰＯクリップ６及びＭＴフェルール１１ａが下筐体５に搭載された状態を後方上方から見た様子を示す斜視図である。図１２は、シールド板１１ｃの後面図であり、また、該シールド板１１ｃが設けられるＭＴフェルール１１ａが破線で示されている。図１３は、ＭＴフェルールとシールド板とを一体にした状態の後面図である。
【００４９】
図３を参照すると、ＭＰＯクリップ６は上筐体４と下筐体５に挟まれて固定される。ＭＰＯクリップ６は、内部ファイバ１１の前端のＭＴフェルール１１ａを保持する。ＭＴフェルール１１ａの前方はＭＰＯクリップ６に係合され、後方には金属製のシールド板１１ｃが設けられる。また、ＭＴフェルール１１ａを光トランシーバ１内に組み込む際には、ＭＰＯクリップ６とシールド板１１ｃとの間にＭＴフェルール１１ａの周囲を覆う環状部材１７が設けられる。
【００５０】
ＭＴフェルール１１ａには、両側部に設けられた孔１１ｈ（図１２参照）にガイドピン１１ｄが挿通されている。ガイドピン１１ｄは、前端がＭＰＯクリップ６内に露出し、後端が図１１に示すようにシールド板１１ｃより後方に露出する。このガイドピン１１ｄは括れ部（不図示）が設けられており、該括れ部によって以下に説明するようにシールド板１１ｃにガイドピン１１ｄが固定されているので、ガイドピン１１ｄの前端がＭＰＯクリップ６内にさらに突出することはない。
【００５１】
シールド板１１ｃには、図１２に示すように、その中央にＭＴフェルール１１ａの中央部に相当する箇所に矩形の開口１１ｅを備え、この開口１１ｅから外辺に至るスリット１１ｆが形成されている。開口１１ｅの両端には、ＭＴフェルール１１ａのガイドピン１１ｄに至る位置まで伸びる切込み１１ｇが形成されている。切込み１１ｇの紙面上下方向の幅は、ガイドピン１１ｄの括れ部の径よりも大きく、それ以外の部分の径よりも小さい。
【００５２】
シールド板１１ｃをＭＴフェルール１１ａに組付けるときは、図１３を参照すると、まずガイドピン１１ｄの括れ部を切込み１１ｇの奥まで差し込み、ガイドピン１１ｄをＭＴフェルール１１ａ側ではなく、シールド板１１ｃ側に取り付けておく。そして、内部ファイバ１１をそのアレイの方向に沿って、シールド板１１ｃのスリット１１ｅから挿して開口１１ｅまで通す。その位置で両者の相対位置を９０°回転すると内部ファイバ１１のアレイ方向と、シールド板１１ｃの開口１１ｅの長手方向が一致する。その状態でシールド板１１ｃをＭＴフェルール１１ａの根本まで運び、ＭＴフェルール１１ａの根本に設けられているガイド部をシールド板１１ｃの開口１１ｅに挿入すると共に、シールド板１１ｃに取り付けられたガイドピン１１ｄをＭＴフェルール１１ａの孔１１ｈに挿入する。その状態でＭＴフェルール１１ａとシールド板１１ｃを下筐体５に装着する。
【００５３】
ＭＰＯクリップ６に挿入されたＭＰＯコネクタのＭＴフェルール（以下、外部ＭＴフェルール）はＭＴフェルール（以下、内部ＭＴフェルール）１１ａと当接する。
（１）外部ＭＴフェルールを内部ＭＴフェルール１１ａに突き合わせる力は強いが（そうしないと両者間の光結合が十分とはならない）、（２）両者を引き離す際にガイドピン１１ｄを介して内部ＭＴフェルール１１ａを外部に引き出そうとする力は小さい。
上記（１）、（２）の力は以下説明するように光トランシーバ１には影響しない。
【００５４】
光トランシーバ１（図３及び図１１参照）では、内部ＭＴフェルール１１ａの後面がシールド板１１ｃに密に接しており、かつ、前方からの力に対してはシールド板１１ｃの両側部が下筐体５の後方側ストッパ５ａに押し付けられる。また、上述のようにガイドピン１１ｄはその括れ部がシールド板１１ｃに保持されている。したがって、上記（１）の力は、シールド板１１ｃを介して下筐体５で受け止めることができる。
【００５５】
さらに、光トランシーバ１では、前方への力に対してはシールド板１１ｃが環状部材１７を介して上筐体４及び下筐体５の前方側ストッパ４ａ，５ｂに押し付けられる。したがって、上記（２）の力は、シールド板１１ｃ及び環状部材１７を介して上筐体４及び下筐体５で受け止めることができる。なお、上記（２）の力はそもそも小さいものである。
【００５６】
以下、光トランシーバ１が有する効果について図３を参照してさらに説明する。
前述したように、光トランシーバ１では、半導体光素子等の発熱体はアセンブリ基板９に搭載され該アセンブリ基板９は上筐体４に熱的に接触して筐体３内に搭載される。
【００５７】
仮に従来の形態と同様にアセンブリ基板９を下筐体５に搭載したとすると、アセンブリ基板９上の素子で発生した熱は、下筐体５に放熱され、上筐体４に伝わり、上筐体４と当接するヒートシンク６０から外部に放熱される。実際には、他の経路（例えば下筐体５から直接外部に放出される等）も想定されるが、ヒートシンク６０を介した経路が最も放熱効率が高い。しかし、アセンブリ基板９を下筐体５に搭載する従来の形態では、ヒートシンク６０までの熱的な経路長が長くなってしまう。また、放熱経路上に存在する上筐体４の側壁部分などの厚さを厚くすることで放熱効率を上げることができるが、外形が標準で決められている光トランシーバ１の場合、このことは内部空間の狭小化と同意であり、設計上厚くすることは憚られる。したがって、従来の形態では十分な放熱効率を確保するのが難しかった。それに対し、下筐体５を介さずにアセンブリ基板９を上筐体４に熱的に接触させる光トランシーバ１では、放熱経路が従来の形態に比べ非常に短いので高放熱効率を得ることができる。
【００５８】
なお、上筐体４とアセンブリ基板９は、前者はフレームグランドに電気的に接続され、後者（より具体的には後者の裏面の放熱パターン９ｊ（図６参照））は信号グランドに接続されるため、電気的な絶縁を確保することが必要である。光トランシーバ１では、放熱ゲル１４を所定の位置に留めるため、上筐体４とアセンブリ基板９の間に枠状部材１５を設け、該枠状部材１５で放熱ゲル１４を囲む構造を採用しており、且つ、この枠状部材１５を電気的な絶縁体で構成している。そのため、アセンブリ基板９と上筐体４とを電気的に絶縁できるようになっている。
【００５９】
枠状部材１５は弾性体であり、上筐体４とアセンブリ基板９との間に挟まれる。したがって、挟まれて変形したことに対する枠状部材１５の反発力がアセンブリ基板９に加わる。しかし、この反発力によってアセンブリ基板９が変位したとしても、光トランシーバ１では、ＭＰＯクリップに固定されたＭＴフェルール１１ａとアセンブリ基板９に対して固定されたＭＴフェルール１１ｂとの光結合に影響を与えることはない。両ＭＴフェルール１１ａ，１１ｂ間が余長部を有する光ファイバで接続されているからである。両ＭＴフェルール１１ａ，１１ｂ間が光トランシーバ１とは異なりリジッドに接続されていた場合、アセンブリ基板９が変位したときに上記光結合は影響を受けてしまう。
【００６０】
以上の例では、アセンブリ基板９とメイン回路基板２との電気接続にスタックコネクタ２ａ、９ｋを用いていたが、これに代えてフレキシブルプリント回路基板（ＦＰＣ：Flexible Print Circuit board）を用いるようにしてもよい。ただし、スタックコネクタ２ａ，９ｋを用いることで以下の効果がある。
【００６１】
スタックコネクタ２ａ，９ｋは、アセンブリ基板９の基板本体９ａ等を構成するプリント回路基板上に表面実装され、それぞれの基板上に形成された配線と接続される。スタックコネクタ２ａ，９ｋは、上述のように表面実装可能であり、ＦＰＣの端子間隔０．５ｍｍ〜０．６５ｍｍといった狭ピッチよりさらに狭い０．２５〜０．４０ｍｍピッチも採用することができるので、他の素子に対する実装領域を広げることができる。スタックコネクタ２ａ，９ｋ同士の接続はスナップフィット方式で行われる。
【００６２】
アセンブリ基板９とメイン回路基板２との間隔は、スタックコネクタ２ａ，９ｋの嵌合高さにより決定される。スタックコネクタ２ａ、９ｋを伝播する信号線の品質維持のためには、スタックコネクタ２ａ，９ｋ内部での接続距離を短くすることが必要で、嵌合高さは１．５ｍｍ〜２．０ｍｍ程度が適当である。アセンブリ基板９に搭載される光軸変換部品１０の厚さよりスタックコネクタ２ａ，９ｋの嵌合高さを上述の範囲で十分高く設定すると、メイン回路基板２をＭＰＯクリップ６付近まで延長しても、メイン回路基板２が光軸変換部品１０やホルダ１２等と接触することがない。このようにメイン回路基板２を延長すれば実装面積を拡大することができる。また、スタックコネクタの接続では、ＦＰＣ接続で必要な半田接合が不要となり、組み立て性も向上する。
【００６３】
なお、以上の例では、アセンブリ基板９と上筐体４との間に用いる光熱伝導率を有する熱伝導性部材としてゲル状のものを用いたがシート状のもの（熱伝導性シート）を用いてもよい。
【符号の説明】
【００６４】
１…光データリンク（光トランシーバ）、１０…光軸変換部品、１１…内部ファイバ、１１ａ，１１ｂ…ＭＴフェルール、１２…ホルダ、１３…クリップ、１４…放熱ゲル、１５…枠状部材、２…メイン回路基板、３…筐体、４…上筐体、５…下筐体、６…ＭＰＯクリップ、７…スライダ、８…プルタブ、９…アセンブリ基板、９ｂ…実装面、９ｃ…ＬＤチップ、９ｄ…ＰＤチップ、９ｅ…ｍＰＤアレイ、９ｆ…ドライバ、９ｉ…サーマルビア、９ｊ…放熱パターン、６０…ヒートシンク。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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