【事件の表示】
　特許第３２５５０５１号「光学的情報記録用媒体」の請求項１、４、６に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３２５５０５１号の請求項１、４、６に係る特許を維持する。
【理　由】
１　経緯及び特許異議申立、取消理由の概要
（１）　経緯
　特許出願　　　　　　　　　　　　　　　　平成　８年１２月　５日
　設定登録（特許第３２５５０５１号）　　　平成１３年１１月３０日
　特許異議申立（小寺成子）　　　　　　　　平成１４年　８月１２日
　取消理由通知　　　　　　　　　　　　　　平成１５年　２月１３日
　特許異議意見書・訂正請求書　　　　　　　平成１５年　４月２５日
　
（２）　特許異議申立の概要
　特許異議申立人小寺成子は、
「甲第１号証（Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｖｏｌ．３１，ｐ４６１〜４６５（１９９２））
　甲第２号証（Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｖｏｌ．３２，ｐ５２２６〜５２２９（１９９３））
　甲第３号証（Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｖｏｌ．３２，ｐ５２４１〜５２４７（１９９３））
　甲第４号証（Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｖｏｌ．３５，ｐ５００〜５０１（１９９６））
　甲第５号証（特開平　８−２７９１７８号公報）
　甲第６号証（特開平　８−２６７９２６号公報）
　甲第７号証（特開平　８−３０６０４３号公報）
　甲第８号証（特開平　７−１８６５４１号公報）
　甲第９号証（特開平　８−３１５４２５号公報）
　甲第１０号証（特開平８−３２１０７７号公報）」
を提出し、請求項１，４，６に係る発明は、甲第１〜１０号証記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるので、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けられないものであるから、取り消されるべきであると主張している。
　また、請求項１，４，６に係る発明は、発明の詳細な説明に記載されていないものであるから、特許法第３６条第６項に規定する要件を満たさないから、取り消すべきであると主張している。
　
（３）　取消理由の概要
　請求項１，４，６に係る発明は、甲第１〜１０号証記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるので、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けられないものであるから、取り消されるべきであるというものである。
　
２　訂正請求について
（１）　訂正請求の概要
ａ　訂正事項ａ　
【特許請求の範囲】【請求項１】の一部の文言を訂正するものであるが、結局のところ、
「トラックピッチが１．６±０．１μｍで、蛇行する案内溝を設けた基板上に下部保護層、相変化型記録層、上部保護層、反射層をこの順に設け、反射率が１５％以上２５％以下の結晶状態を未記録状態とし反射率１０％未満の非晶質状態を記録状態として、案内溝内に基板の記録層とは反対側の面より波長７８０±３０ｎｍの集束光を用いて光強度の２値以上の変調により、非晶質マークの記録・再生・消去を行う光学的情報記録用媒体において、
記録層がＭｗ（ＳｂｚＴｅ１−ｚ）１−ｗ（０≦ｗ＜０．３、０．５＜ｚ＜０．９、ＭはＩｎ，Ｇａ，Ｚｎ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｓｉ，Ｃｕ，Ａｕ，Ａｇ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｐｂ，Ｃｒ，Ｃｏ，Ｏ，Ｓ，Ｓｅからなる群より選ばれる少なくとも１種）合金薄膜であり、その膜厚が１５ｎｍ以上３０ｎｍ以下であり、
下部保護層の膜厚が７０ｎｍ以上１５０ｎｍ未満であり結晶状態の反射率が極小値となる膜厚より０ｎｍを超えて３０ｎｍ以下厚く、さらに案内溝の深さが２５ｎｍ以上４５ｎｍ以下、幅が０．４μｍ以上０．６μｍ以下であることを特徴とする光学的情報記録用媒体。」を、
「トラックピッチが１．６±０．１μｍで、蛇行する案内溝を設けた基板上に下部保護層、相変化型記録層、上部保護層、反射層をこの順に設け、反射率が１５％以上２５％以下の結晶状態を未記録状態とし反射率１０％未満の非晶質状態を記録状態として、案内溝内に基板の記録層とは反対側の面より波長７８０±３０ｎｍの集束光を用いて光強度の２値以上の変調により、非晶質マークの記録・再生・消去を行う光学的情報記録用媒体において、
記録層がＭｗ（ＳｂｚＴｅ１−ｚ）１−ｗ（０≦ｗ＜０．３、０．５＜ｚ＜０．９、ＭはＩｎ，Ｇａ，Ｚｎ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｓｉ，Ｃｕ，Ａｕ，Ａｇ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｐｂ，Ｃｒ，Ｃｏ，Ｏ，Ｓ，Ｓｅからなる群より選ばれる少なくとも１種である。但し、ＭをＩｎ及びＡｇとする場合においては、ＡｇとＩｎとの合計量が１３ａｔ％を超えることはない。）合金薄膜であり、その膜厚が１５ｎｍ以上３０ｎｍ以下であり、
下部保護層の膜厚が７０ｎｍ以上１５０ｎｍ未満であり結晶状態の反射率が極小値となる膜厚より０ｎｍを超えて３０ｎｍ以下厚く、さらに案内溝の深さが２５ｎｍ以上４５ｎｍ以下、幅が０．４μｍ以上０．６μｍ以下であることを特徴とする光学的情報記録用媒体。」と訂正する。
　
ｂ　訂正事項ｂ
【発明の詳細な説明】【００２０】において、
「記録層がＭｗ（ＳｂｚＴｅ１−ｚ）１−ｗ（０≦ｗ＜０．３、０．５＜ｚ＜０．９、ＭはＩｎ，Ｇａ，Ｚｎ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｓｉ，Ｃｕ，Ａｕ，Ａｇ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｐｂ，Ｃｒ，Ｃｏ，Ｏ，Ｓ，Ｓｅからなる群より選ばれる少なくとも１種」を、
「記録層がＭｗ（ＳｂｚＴｅ１−ｚ）１−ｗ（０≦ｗ＜０．３、０．５＜ｚ＜０．９、ＭはＩｎ，Ｇａ，Ｚｎ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｓｉ，Ｃｕ，Ａｕ，Ａｇ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｐｂ，Ｃｒ，Ｃｏ，Ｏ，Ｓ，Ｓｅからなる群より選ばれる少なくとも１種である。但し、ＭをＩｎ及びＡｇとする場合においては、ＡｇとＩｎとの合計量が１３ａｔ％を超えることはない。」と訂正する。
　
（２）　訂正の可否
ａ　請求項１は、特許異議申立てで取り消すべきとされた請求項であるところ、上記（１）ａの訂正事項ａは請求項の限定的減縮に該当する。
　同じく（１）ｂの訂正事項ｂは、明りょうでない記載の釈明に該当する。
　
ｂ　ところで、請求項２、５はそれ自体の文言は何ら訂正されていないが、請求項１を引用する従属形式の請求項であり、請求項１が限定的減縮されたので、請求項２、５も必然的に限定的減縮されたことになる。
　
ｃ　請求項３、４、６については、それ自体の文言は何ら訂正されていない。請求項３は独立した請求項である。請求項４、６は特許異議申立てで取り消すべきとされた請求項であるところ、請求項１を引用する従属形式の請求項であり、請求項１が限定的減縮されたので、請求項４、６も必然的に限定的減縮されたことになる。
　
ｄ　してみると、この訂正において、請求項２、５の訂正は特許法第第１２０条の４第３項で読み替えた第１２６条第４項に該当し、訂正された請求項２に記載された発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるかについて以下項を改めて検討する。
　以下、訂正に係る発明を請求項に応じて訂正発明１，２，３，４，５，６という。
　
（３）　訂正発明２、５の独立特許性の有無
（３−１）　訂正発明１について
ａ　訂正発明１は、上記の２（１）ａで述べた
「蛇行する案内溝を設けた基板上に下部保護層、相変化型記録層、上部保護層、反射層をこの順に設け、反射率が１５％以上２５％以下の結晶状態を未記録状態とし反射率１０％未満の非晶質状態を記録状態として、案内溝内に基板の記録層とは反対側の面より集束光を用いて光強度の２値以上の変調により、非晶質マークの記録・再生・消去を行う光学的情報記録用媒体において、
記録層がＭｗ（ＳｂｚＴｅ１−ｚ）１−ｗ（０≦ｗ＜０．３、０．５＜ｚ＜０．９、ＭはＩｎ，Ｇａ，Ｚｎ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｓｉ，Ｃｕ，Ａｕ，Ａｇ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｐｂ，Ｃｒ，Ｃｏ，Ｏ，Ｓ，Ｓｅからなる群より選ばれる少なくとも１種である。但し、ＭをＩｎ及びＡｇとする場合においては、ＡｇとＩｎとの合計量が１３ａｔ％を超えることはない。）合金薄膜であり、その膜厚が１５ｎｍ以上３０ｎｍ以下であり、下部保護層の膜厚が、結晶状態の反射率が極小値となる膜厚より０ｎｍを超えて３０ｎｍ以下厚いことを特徴とする光学的情報記録用媒体。」である。
　
ｂ　引用例記載事項
　甲第１号証〜甲第４号証は、英文であり、その翻訳文が添付されていないものであるが、職権により次のように認定した。
　
甲第１号証
「〔表題〕 完全消去相変化光ディスク
〔アブストラクト〕
　新規４元系材料Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅを活性層に使用した相変化光ディスクについて報告する。このディスクは、記録信号の“完全消去”を達成した。２−　パス記録−消去モードで線速７ｍ／ｓ、記録パワー１１ｍＷの条件でキャリヤー−ノイズ比が４７ｄＢ、消去比−４７ｄＢを達成した。１パス記録モードでは、４０ｄＢを超えるキャリヤー−ノイズ比が得られ、この記録信号は完全に消去された。オーバーライティングのためのピークパワーとバイアスパワーは、それぞれ１０ｍＷと５ｍＷである。記録マークの幅が狭いこと及び大きな結晶粒が記録マークの周辺に見られない事実が高消去性の大きな原因であると考えられる。また細かな結晶粒が初期化された活性層に存在することが高感度に有利に働いていることを我々は発見した。
〔図１〕 相変化光ディスクの断面図
　図１における最下層は、プレグルーブを有するポリカーボネート基板である。
　
甲第２号証
〔表題〕　コンパクトディスク線速におけるＩｎ−Ａｇ−Ｔｅ−Ｓｂ相変化記録媒体
〔アブストラクト〕
　現行のコンパクトディスク（ＣＤ）線速におけるＩｎ−Ａｇ−Ｔｅ−Ｓｂ相変化記録媒体の実行可能性について検討した。以前我々が報告した記録層について０．５原子％ＶをドープしたＩｎ３．８Ａｇ１２．４Ｔｅ２８．８Ｓｂ５５．０の組成物を使用した。オーバーライティングの繰り返し特性を改良するため、ディスク構造を修正してディスクの冷却速度が上がるようにした。その結果、ＥＦＭモデュレーション信号のパルストレイン分割で与えたとき、オーバーライティング２０００回繰り返しで、３０ｎｓ未満の記録ジッタ、６０を超えるモデュレーションが得られた。
　
〔第５２２７頁左欄第２９行〕
　０．５原子％のＶをドーブしたＩｎ３．８Ａｇ１２．４Ｔｅ２８．８Ｓｂ５５．０　
〔図１〕ディスク構造
　図１における、最上層は表面保護層であり、最下層は、ＰＣ基板である。
　
甲第３号証
〔表題〕 完全消去相変化光デイスクＩＩ：ＣＤ線速及び２倍ＣＤ線速におけるＡｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ混合相系の書換可能コンパクトディスクへの応用
〔アブストラクト〕
　ＣＤ線速（ＣＤ１Ｘ）及び２倍ＣＤ線速（ＣＤ２Ｘ）の両方で高性能の書換可能コンパクトディスクを得るために、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系の相変化光ディスクを開発した。ＥＦＭモデュレーションの１パスオーバーライティングモードにおいて、高キャリア−ノイズ比、広いパワーマージン、及び高消去比が両方の線速で得られた。安定性に関しては、１．５ｍＷのリードパワーで１０６サイクルのリードアウトテストで満足行く結果が得られた。結論としては、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系の相変化光ディスクはＣＤ１Ｘ及びＣＤ２Ｘにおいて好ましく使用できる、ということ。またＡｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系の相変化プロセスも検討した。Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系の規則正しく配列された時の化学構造は、（Ａｇ−Ｓｂ−Ｔｅ）ｘ（Ｉｎ１−ｙＳｂｙ）１−ｘであることが分かった。
　
〔図８〕 オーバーライト特性を評価するためのディスクの断面図
　図８における最上層は紫外線硬化樹脂であり、最下層はポリカーボネートである。
　
〔図９〕　ＥＦＭ変調の３Ｔ及び１１Ｔ信号のマルチパルスパターン
（なお、図中のＰｐはピークパワー、Ｐｂはバイアスパワーである）
図９の上の波形は入力信号であり、下の波形はレーザ出力である。
　
甲第４号証
〔表題〕Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ相変化記録材料の消去可能コンパクトディスク（ＣＤ−Ｅ）　　
〔アブストラクト〕
　このコンパクトディスク（ＣＤ−Ｅ）はＡｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ相変化記録材料で開発された。このディスクは現行のＣＤの２倍速で記録されるように設計された。このＣＤ−Ｅディスクは１０００回のオーバーライトサイクルでも高モデュレーション、高感度及び広いパワーマージンを持ち、高い信頼性を有する。このＣＤ−ＥはＣＤ−ＲＯＭプレーヤーで読み出し可能であり、また低モデュレーションのＣＤ−Ｒレコーダーで記録可能である。
〔５００頁左欄２１〜２４行〕
ＣＤ−Ｅディスクの層構造は次の通りである：プレグループを有するディスク基板／誘電体層／Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ記録層／誘電体層／反射層／紫外線硬化樹脂
　
〔図１〕　ＣＤ−Ｅの記録ストラテジ
　図１の左側は、上から記録パワー（Ｐｗ）、消去パワー（Ｐｅ）、バイアスパワー（Ｐｂ）であり、上側は左から先頭パルス、マルチパルス、最終パルスである。
　
　甲第５号証〜甲第１０号証には次の記載がある。
甲第５号証
【００３４】ここでは、書換え可能な光ディスクとして、図１と同様な構造をもつものとし、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−ＴｅとＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅとの２種類の記録層４に対してそれぞれ評価に最適な組成及び各層の膜厚に調整された作製条件の異なる相変化型光ディスク１を用意する。そして、第一の実施例と同様なランダムパターンを記録信号とし、それら層構造が各々異なる相変化型光ディスク１を、前記市販のＣＤプレーヤーに装着して再生を行って、記録信号特性を評価した。その結果、記録感度及び記録の繰返し数において、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅを記録層４とした方が優れた信号特性を示した。
　
甲第６号証
【００５７】＜実施例１＞射出成形によりグルーブを同時形成した直径１３３ｍｍ、厚さ１．２ｍｍのディスク状ポリカーボネート基板の表面に、下部誘電体層、記録層、上部誘電体層、反射層および保護層を形成して、図１の構成を有する光記録ディスクサンプルとした。
【００５８】下部誘電体層は、ＺｎＳおよびＳｉＯ２をターゲットとしてスパッタ法により形成した。ＳｉＯ２／（ＺｎＳ＋ＳｉＯ２）は１５モル％とした。下部誘電体層の厚さは１２０ｎｍとした。
【００５９】記録層は、ＲＦスパッタにより形成した。スパッタターゲットには、Ｓｂターゲットの表面にＡｇ、Ｉｎ、ＴｅおよびＳｉの各チップを貼ったものを用いた。記録層の厚さは２５ｎｍとした。記録層の組成をＩＣＰにより測定したところ、｛（ＡｇａＳｂｂＴｅｃ）１−ｄＩｎｄ｝１−ｅＳｉｅにおいて、ａ＝０．１２３、ｂ＝０．５４４、ｃ＝０．３３３、ｄ＝０．０５、ｅ＝０．０１７であった。
【００６０】上部誘電体層は、下部誘電体層と同様にして形成した。上部誘電体層の厚さは２２ｎｍとした。
【００６１】反射層はＡｌ−Ｎｉをターゲットに用いてスパッタ法により形成し、厚さは１００ｎｍとした。
【００６２】保護層は、紫外線硬化型樹脂をスピンコート法により塗布後、紫外線照射により硬化して形成した。硬化後の保護層厚さは５μｍであった。
【００６３】このサンプルの記録層をバルクイレーザにより初期化した。初期化後の記録層を透過型電子顕微鏡、ＥＰＭＡおよびＸ線マイクロアナリシスにより解析したところ、結晶質はＡｇＳｂＴｅ２相、Ｓｂ相，ＳｂＳｉ相およびＩｎＴｅ相の混相であった。
【００６４】次いで、記録パワーを１２ｍＷ、バイアスパワーを６ｍＷとし、３．３８ＭＨｚ　の信号を繰り返しオーバーライトし、オーバーライト可能（２５ｄＢ以上の消去が可能）な最高線速度を調べた。その結果、このサンプルのオーバーライト可能な最高線速度は、１２ｍ／ｓであった。
【００６５】次に、このサンプルに線速度１２ｍ／ｓで３．３８ＭＨｚの信号を記録し、その再生信号のＣ／Ｎを測定した。なお、レーザビームの波長は、６８０ｎｍとした。そして、記録後、８０℃・８０％ＲＨの条件下で保存して、記録層の信頼性を調べた。その結果、このサンプルでは５０００時間以上にわたってＣ／Ｎの劣化は認められなかった。
【００６６】＜比較例１＞記録層の組成を（ＡｇａＳｂｂＴｅｃ）１−ｄＩｎｄ（ａ、ｂ、ｃ、ｄは実施例１と同一）とし、これ以外は実施例１と同様にして比較サンプルを作製した。この比較サンプルの記録層は、実施例１のサンプルの記録層からＳｉを除いたものである。この比較サンプルについても、実施例１と同様にしてオーバーライト可能な最高線速度を求めたところ、２．８ｍ／ｓ　であった。比較例１と実施例１との比較から、主組成のＡｇ、Ｓｂ、Ｔｅ、Ｉｎの比率を変更することなくＳｉを添加するだけで、オーバーライト可能な線速度が著しく高くなり、しかも、高信頼性が得られることがわかる。
【００６７】＜比較例２＞記録層の組成を｛（ＡｇａＳｂｂＴｅｃ）１−ｄＩｎｄ｝１−ｅＶｅ（ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅは実施例１と同一）とし、これ以外は実施例１と同様にして比較サンプルを作製した。この比較サンプルの記録層は、実施例１のサンプルの記録層のＳｉをＶに替えたものである。この比較サンプルについても、実施例１と同様にしてオーバーライト可能な最高線速度を求めたところ、１．４ｍ／ｓであった。
【００６８】なお、実施例１のサンプルの記録層のＳｉの少なくとも一部を、Ｇｅ、ＳｎおよびＰｂの少なくとも１種に替えた場合でも、オーバーライト可能な最高線速度が向上することが認められた。
【００６９】また、実施例１で作製したサンプルにおいて、記録層のＳｂの少なくとも一部をＢｉに替えた場合、Ａｇの少なくとも一部をＡｕに替えた場合、Ｔｅの少なくとも一部をＳｅに替えた場合、Ｉｎの一部をＡｌおよび／またはＰに替えた場合のいずれにおいても、Ｓｉ添加の効果が得られた。ただし、Ｂｉ置換量がＳｂの８０原子％を超えると、記録層の吸収係数が高くなって光学的に取り得る結晶−非晶質間の反射率差が小さくなり、変調度が減少してしまった。
【００７０】また、実施例１のサンプルの記録層に、含有率が０．５原子％となるようにＶを添加したところ、オーバーライト可能な最高線速度はやや低下したが、信頼性の向上が認められた。
　
甲第７号証
【００２６】本発明の各実施例の構成は、例えば基板５としてＰＣ（ポリカーボネート：屈折率１．５８）を使用し、その上に下部保護層６としてＺｎＳ．ＳｉＯ２を９０ｎｍ形成し、その上に記録層７としてＡｇＩｎＳｂＴｅを２０ｎｍ形成し、その上に上部保護層８としてＺｎＳ．ＳｉＯ２を２５ｎｍ形成し、その上に放熱層９としてＡｌ合金（Ａｌ−Ｔｉ：１ｗｔ％）を１００ｎｍ形成し、その上に最上部のＵＶ保護層１０としてＵＶ硬化型樹脂を形成した構成である。
　
甲第８号証
【００１１】また、光学的観点から言えば、使用する電磁波の波長をλ、耐熱性保護層の屈折率をｎとすれば、膜厚がλ／４ｎ毎の周期で同一の光学的条件が現われる。従って、最適な最小膜厚を仮にｄ０・ｎとすると、ｄ０＋ｍ・（λ／４ｎ）（ｍ＝１、２、３．．．）……（Ｉ）に従って最適条件が得られる。・・・
　
甲第９号証
【請求項３】 基板上に下層保護膜、記録膜、上層保護膜および反射膜が順次形成された書換可能な光情報記録媒体において、前記基板上に、深さが１６ｎｍ以上７４ｎｍ未満であり、断面台形のプリグルーブが形成されていることを特徴とする光情報記録媒体。
【請求項４】 前記プリグルーブの側面と前記基板の表面に立てた法線とがなす角度が０度より大きく１０度以下であって、前記プリグルーブの深さが２６ｎｍ以上７４ｎｍ未満であることを特徴とする請求項３に記載の光情報記録媒体。
【請求項５】 前記プリグルーブの幅が０．３μｍ以上０．５μｍ以下であって、深さが３１ｎｍより大きく３７ｎｍより小さいことを特徴とする請求項４に記載の光情報記録媒体。
【請求項６】 前記角度が１０度より大きく２０度以下であって、前記プリグルーブの深さが２４ｎｍ以上６７ｎｍ以下であることを特徴とする請求項３に記載の光情報記録媒体。
【請求項７】 前記プリグルーブの幅が０．３μｍ以上０．５μｍ以下であって、深さが２８ｎｍより大きく３５ｎｍ以下であることを特徴とする請求項６に記載の光情報記録媒体。
　
甲第１０号証
【００１７】ラジアルコントラストはグルーブ反射率とランド部反射率の大きさの関係を規定する。グルーブの反射率がランド部の反射率よりある程度小さい必要があり、ＣＤと同じ１．６μｍのトラックピッチの場合、溝幅は０．７μｍ以下が好ましい。その結果、溝幅には適当な範囲があり、０．３〜０．７μｍであることが好ましく、０．４〜０．６μｍが特に好ましい。
【００１８】プッシュプル信号についてはＣＤで用いられている通常の溝深さ（即ち、５０〜８０ｎｍ）の溝を用いるとＣＤのプッシュプル信号の規格値より大きくなるためトラッキングが難しくなる。逆に溝が浅すぎると信号は小さくなるので好ましくない。溝深さは１５〜３５ｎｍが良く、２０〜３０ｎｍがより好ましい。
　
ｃ　訂正発明１と引用例との対比・判断
　Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅの成分が明記されているのは、甲第１号証、甲第２号証、甲第６号証である。
　甲第１号証には、　甲第１号証のＦｉｇ．１には、「Ａｇ１１Ｉｎ１１Ｓｂ５５Ｔｅ２３」と記載されている。Ａｇ＋Ｉｎは２２ａｔ％である。
　甲第２号証の第５２２７頁左欄第２９行には、「０．５ａｔ％ＶドープのＡｇ１２．４Ｉｎ３．８Ｓｂ５５．０Ｔｅ２８．８」と記載されている。Ａｇ＋Ｉｎは２２ａｔ％である。
　甲第３号証の第５２４１頁右欄第２７行には、「Ａｇ０．０８，Ｉｎ０．１３，Ｓｂ０．４９，ａｎｄＴｅ０．３０」と記載されている。Ａｇ＋Ｉｎは２１ａｔ％である。
　甲第６号証の実施例１には、「｛（ＡｇａＳｂｂＴｅｃ）１−ｄＩｎｄ｝１−ｅＳｉｅにおいて、ａ＝０．１２３、ｂ＝０．５４４、ｃ＝０．３３３、ｄ＝０．０５、ｅ＝０．０１７の組成」が記載されている。即ち、Ａｇ０．１１５Ｉｎ０．０４９Ｓｂ０．５０８Ｔｅ０．３１１Ｓｉ０．０１７であり、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅのみの原子比は、Ａｇ０．１１７Ｉｎ０．０５０Ｓｂ０．５１７Ｔｅ０．３１６となる。Ａｇ＋Ｉｎは１６．７ａｔ％である。
　また、比較例１には、「（ＡｇａＳｂｂＴｅｃ）１−ｄＩｎｄにおいて、ａ＝０．１２３、ｂ＝０．５４４、ｃ＝０．３３３、ｄ＝０．０５の組成」が記載されており、Ａｇ０．１１７Ｉｎ０．０５Ｓｂ０．５１７Ｔｅ０．３１６となる。Ａｇ＋Ｉｎは１６．７ａｔ％である。
　比較例２には、「｛（ＡｇａＳｂｂＴｅｃ）１−ｄＩｎｄ｝１−ｅＶｅにおいて、ａ＝０．１２３、ｂ＝０．５４４、ｃ＝０．３３３、ｄ＝０．０５、ｅ＝０．０１７の組成」が記載されている。即ち、Ａｇ０．１１５Ｉｎ０．０４９Ｓｂ０．５０８Ｔｅ０．３１１Ｖ０．０１７であり、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅのみの原子比は、Ａｇ０．１１７Ｉｎ０．０５０Ｓｂ０．５１７Ｔｅ０．３１６となる。Ａｇ＋Ｉｎは１６．７ａｔ％である。
　甲第１号証，甲第２号証，甲第３号証，甲第６号証のいずれも、Ａｇ＋Ｉｎが、１３％を越えており、訂正発明１と同一でない。しかも、訂正発明１は、ＡｇとＩｎとの合計量が１３ａｔ％を超えることはないとすることで、オーバーライト時に偏析が生じにくくなるという特許明細書記載の効果を奏する。
　また、甲第５号証には、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅの記録層が示されるが、具体的な成分範囲はなく、訂正発明１と同一とはいえない。
　更に、訂正発明１は甲第１号証〜甲第１０号証記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるともいえない。また他に登録を取り消すべき理由を発見しない。
　従って、訂正発明１は、独立して特許を受けることができるものである。
　
（３−２）　訂正発明２、５について
　訂正発明２は訂正発明１を引用する従属形式の請求項であり、訂正発明１は、独立して特許を受けることができるものである以上、訂正発明２、５も、独立して特許を受けることができるものである。
　
（３−３）　訂正発明５について
　訂正発明５は請求項１〜４を引用する従属形式の請求項である。
　訂正発明１，２，３については述べたので、訂正発明４について検討する。
　訂正された請求項４に係る発明（以下、訂正発明４という。）は、請求項１〜３のいずれかを引用する従属形式の請求項であり、独立特許要件を有する訂正発明１，２を引用しており、また、異議申し立てされていない請求項３を引用しているのであるから、訂正発明４もまた独立特許要件を有する。
　従って、訂正発明５も独立特許要件を有する。
　
（４）　訂正請求のまとめ
　従って、訂正を認める。
　
３　異議申立について
（１）　請求項１について
　訂正発明１が甲第１号証〜甲第１０号証記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるともいえないことは、上記２（３）（３−１）において述べた。
　
（２）　請求項４について
　訂正発明４が甲第１号証〜甲第１０号証記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるともいえないことは、上記２（３）（３−３）において述べた。
　
（３）　請求項６について
　訂正された請求項６に係る発明（以下、訂正発明６という。）は、独立特許要件を有する訂正発明１，２，４を引用しており、また、異議申し立てされていない請求項３，５を引用しているのであるから、訂正発明６もまた独立特許要件を有する。
　
（４）特許法第３６条第６項違反について
　特許異議申立人は、発明の詳細な説明に記載されたものと十分に一致していないから、違反すると主張している。
　特許法第３６条第６項には、詳細な説明に記載したものであること、明確であること、記載が簡潔であることなどを規定している。
　「ウオブルの蛇行」という言葉は、ウオブルという蛇行の意味と認められる。確かに特許請求の範囲請求項１には、「蛇行する案内溝」と記載されるのみであるが、それ自体の言葉は「蛇行する案内溝」を意味することであると明確である。
　従って、「蛇行する案内溝」とした記載は明確であり、特許法第３６条第６項違反はない。
　
４　まとめ
　訂正発明１，４，６はいずれも甲第１号証〜甲第１０号証記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるともいえないし、また特許法第３６条第６項違反はないので、特許異議申立人の主張、及び、取消理由は理由がない。
　よって結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１５年１２月１２日（２００３．１２．１２）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
光学的情報記録用媒体
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　トラックピッチが１．６±０．１μｍで、蛇行する案内溝を設けた基板上に下部保護層、相変化型記録層、上部保護層、反射層をこの順に設け、反射率が１５％以上２５％以下の結晶状態を未記録状態とし反射率１０％未満の非晶質状態を記録状態として、案内溝内に基板の記録層とは反対側の面より波長７８０±３０ｎｍの集束光を用いて光強度の２値以上の変調により、非晶質マークの記録・再生・消去を行う光学的情報記録用媒体において、記録層がＭｗ（ＳｂｚＴｅ１−ｚ）１−ｗ（０≦ｗ＜０．３、０．５＜ｚ＜０．９、ＭはＩｎ，Ｇａ，Ｚｎ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｓｉ，Ｃｕ，Ａｕ，Ａｇ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｐｂ，Ｃｒ，Ｃｏ，Ｏ，Ｓ，Ｓｅからなる群より選ばれる少なくとも１種
である。但し、ＭをＩｎ及びＡｇとする場合においては、ＡｇとＩｎとの合計量が１３ａｔ％を超えることはない。
　【請求項２】　下部保護層が厚さ７０ｎｍ以上、９０ｎｍ以下の（ＺｎＳ）１−Ｘ（ＳｉＯ２）Ｘ０．１３≦Ｘ≦０．１７であり、上部保護層が厚さ２０ｎｍ以上、３０ｎｍ以下の（ＺｎＳ）１−Ｙ（ＳｉＯ２）Ｙ、０．１８≦Ｙ≦０．２２である請求項１記載の光学的情報記録用媒体。
　【請求項３】　トラックピッチが１．６±０．１μｍで、蛇行する案内溝を設けた基板上に第一下部保護層、第二下部保護層、相変化型記録層、上部保護層、反射層をこの順に設け、反射率が１５％以上２５％以下の結晶状態を未記録状態とし反射率１０％未満の非晶質状態を記録状態として、案内溝内に基板の記録層とは反対側の面より波長７８０±３０ｎｍの集束光を用いて光強度の２値以上の変調により、非晶質マークの記録・再生・消去を行う光学的情報記録用媒体において、記録層がＭｗ（ＳｂｚＴｅ１−ｚ）１−ｗ（０≦ｗ＜０．３、０．５＜ｚ＜０．９、ＭはＩｎ，Ｇａ，Ｚｎ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｓｉ，Ｃｕ，Ａｕ，Ａｇ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｐｂ，Ｃｒ，Ｃｏ，Ｏ，Ｓ，Ｓｅのうち少なくとも１種）合金薄膜であり、その膜厚が１５ｎｍ以上３０ｎｍ以下であり、第一下部保護層の屈折率と基板の屈折率との差が０．０５未満であり、第二下部保護層の膜厚が結晶状態の反射率が極小値となる最小膜厚より０ｎｍを超えて３０ｎｍ以下薄く、かつ第一下部保護層と第二下部保護層の合計膜厚が７０ｎｍ以上１５０ｎｍ未満であり、さらに案内溝の深さが２５ｎｍ以上４５ｎｍ以下、幅が０．４μｍ以上０．６μｍ以下であることを特徴とする光学的情報記録用媒体。
　【請求項４】　案内溝の深さが３０ｎｍ以上４０ｎｍ以下、幅が０．４５μｍ以上０．５５μｍ以下である請求項１乃至３のいずれかに記載の光学的情報記録用媒体。
　【請求項５】　下部保護層の膜厚又は第一下部保護層と第二下部保護層の合計の膜厚が７０ｎｍ以上９０ｎｍ以下であり、上部保護層の膜厚が１０ｎｍ以上３０ｎｍ以下であり、反射層が５０ｎｍ以上２００ｎｍ以下のＡｌ１−ＶＭＶ、０．００５≦Ｖ≦０．０５、ＭはＴａ又はＴｉである請求項１乃至４のいずれかに記載の光学的情報記録用媒体。
　【請求項６】　相変化型記録層がＡｇαＩｎβＳｂγＴｅη、３＜α＜１０、３＜β＜８、５５＜γ＜６５、２５＜η＜３５、６＜α＋β＜１３、α＋β＋γ＋η＝１００である請求項１乃至５のいずれかに記載の光学的情報記録用媒体。
　【請求項７】　相変化型記録層がＭｚＧｅｙ（ＳｂｘＴｅ１−ｘ）１−ｙ−ｚ（ただし、ＭはＡｇもしくはＺｎの少なくとも１種であり、０．６０≦ｘ≦０．８５、０．０１≦ｙ≦０．２０、０．０１≦ｚ≦０．１５、０．０２≦ｙ＋ｚ＜０．３０である）なる組成を有する請求項１乃至５のいずれかに記載の光学的情報記録用媒体。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の属する技術分野】
　書き換え可能な相変化媒体を利用した、高密度記録可能な光ディスクに関する。詳しくは、低反射率ながらＣＤフォーマットと互換性がとれるよう溝信号が限定され、かつ高コントラストで、多数回のデータの書き換えに対し劣化の少ない相変化媒体に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　近年、情報量の増大に伴い高密度でかつ高速に大量のデータの記録・再生ができる記録媒体が求められているが、光ディスクはまさにこうした用途に応えるものとして期待されている。
　光ディスクには一度だけ記録が可能な追記型と、記録・消去が何度でも可能な書き換え型がある。
　【０００３】
　書き換え型光ディスクとしては、光磁気効果を利用した光磁気記録媒体や、可逆的な結晶状態の変化に伴う反射率変化を利用した相変化媒体があげられる。
　相変化媒体は外部磁界を必要とせず、レーザー光のパワーを変調するだけで記録・消去が可能であり、記録・再生装置を小型化できるという利点を有する。
　さらに、現在主流の８００ｎｍ程度の波長での記録消去可能な媒体から、特に記録層等の材料を変更することなく短波長光源による高密度化が可能であるといった利点を有する。
　【０００４】
　このような、相変化型の記録層材料としては、カルコゲン系合金薄膜を用いることが多い。
　例えば、ＧｅＳｂＴｅ系、ＩｎＳｂＴｅ系、ＧｅＳｎＴｅ系、ＡｇＩｎＳｂＴｅ系合金があげられる。
　現在、実用化されている書換可能相変化型記録媒体では、未記録・消去状態を結晶状態とし、非晶質のビットを形成する。
　【０００５】
　非晶質ビットは記録層を融点より高い温度まで加熱し、急冷することによって形成される。
　記録層のこのような加熱処理による蒸発・変形を防ぐため、通常は、記録層の上下を耐熱性でかつ化学的にも安定な誘電体保護膜で挟みこむ。
　記録過程においては、この保護層は記録層からの熱拡散を促し過冷却状態を実現して非晶質ビットの形成にも寄与している。
　【０００６】
　さらに、上記サンドイッチ構造の上部に金属反射層を設けた４層構造とすることで、熱拡散をさらに促し、非晶質ビットを安定に形成せしめるのが普通である。
　消去（結晶化）は、記録層の結晶化温度よりは高く、融点よりは低い温度まで記録層を加熱して行う。
　【０００７】
　この場合、上記誘電体保護層は、記録層を固相結晶化に十分な高温に保つ蓄熱層として働く。
　いわゆる１ビームオーバーライト可能な相変化媒体においては、上記、消去と再記録過程を１つの集束光ビームの強度変調のみによって行うことが可能である（Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，２６（１９８７），ｓｕｐｐｌ．２６−４，ｐｐ．６１−６６）。
　【０００８】
　１ビームオーバーライト可能な相変化媒体では、記録媒体の層構成及びドライブの回路構成が簡単になる。このため、安価で高密度な大容量記録システムとして注目されている。
　近年、書換可能なコンパクトディスク（ＣＤ−Ｅｒａｓａｂｌｅ、ＣＤ−Ｅ）が提唱されている（「ＣＤ−ＲＯＭ　ｐｒｏｆｅｓｓｉｏｎａｌ」誌（米国）、１９９６年９月号、２９−４４ページ、あるいは、相変化光記録シンポジウム予稿集、１９９５年、４１−４５ページ）。
　【０００９】
　ＣＤ−Ｅでは、７０％以上という高反射率まで含めたＣＤとの互換性は困難であるものの、１５〜２５％の範囲内では、記録信号及び溝信号の点でＣＤとの互換性が確保でき、少なくとも、反射率の低いことをカバーするための増幅系を再生系に付加すれば、現行ＣＤドライブ技術の範疇で互換性を確保できる。
　図１にその模式図を示したが、ＣＤ−Ｅでは、基板１に溝２を設け、溝内記録を行うが、この溝２にはアドレス情報を含む蛇行を使用するものと考えられる（特開平５ー２１０８４９号公報）。
　【００１０】
　蛇行は搬送波周波数２２．０５ｋＨｚで周波数（ＦＭ）変調されており、その振幅（Ｗｏｂｂｌｅ　Ａｍｐｌｉｔｕｄｅ）は溝ピッチ１．６μｍにくらべて非常に小さく３０ｎｍ程度である。
　この蛇行はウオブル（Ｗｏｂｂｌｅ）といわれ、蛇行を周波数変調し、あるトラックの特定の位置のアドレス情報を組み込んだものをＡＴＩＰ信号（Ａｂｓｏｌｕｔｅ　Ｔｉｍｅ　Ｉｎ　Ｐｒｅ−ｇｒｏｏｖｅ）といい、記録可能なライトワンスディスク（ＣＤ−Ｒｅｃｏｒｄａｂｌｅ、ＣＤ−Ｒ）で既に利用されている（「ＣＤファミリー」、中島平太郎・井橋孝夫・小川博司共著、オーム社（１９９６）、第４章）。
　【００１１】
　【発明が解決しようとする課題】
　上記相変化媒体の記録プロセスでは、記録層を溶融せしめるとともに、数十ナノ秒以内に融点以下に急冷するという、過激な熱サイクルが生じる。
　いくら誘電体保護層で覆われているといっても、数千−数万回の繰り返しオーバーライトで微小な変形や、偏析が蓄積し、ついには、光学的に認識できる、ノイズの上昇や、ミクロンオーダーの局所欠陥の発生につながる（Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，７８（１９９５），ｐｐ６９８０−６９８８）。
　【００１２】
　記録層や保護層材料、あるいは層構成を工夫する事で、大幅な改善はなされているものの、本質的に書き換え可能回数に上限が有り、それは、通常の磁気記録媒体や光磁気記録媒体にくらべて１桁以上少ない。
　前述の低反射率ＣＤ−Ｅ媒体では、記録条件としてＣＤ線速の高々６倍という低線速、かつマーク長変調記録を行うため、繰り返しオーバーライト耐久性の観点からはより厳しい方向である。
　【００１３】
　加えて、本発明者らの検討によれば、ＣＤドライブとの溝信号の互換性を確保するための溝形状は、相変化媒体の繰り返しオーバーライト耐久性を低下させる方向であることが明らかになった。
　すなわち、波長７８０ｎｍの集束光でトラッキングサーボ（プッシュプル及び３ビーム法）に支障がない溝形状の範囲（深さ２０〜１００ｎｍ、幅０．２〜０．８μｍ）では、溝内記録をした場合に、ＣＤ−ＲＯＭと互換性を取るために、記録後のプッシュプル信号をＲＯＭ規格と同程度（０．０４〜０．０９前後）にするためには、溝深さが６０ｎｍ未満、幅が０．３〜０．６μｍの範囲に限られる（特開平８−２１２５５０号公報、ただし、この特許では繰り返しオーバーライト耐久性に関してはいっさい考慮されていない）。
　【００１４】
　この関係は、相変化媒体の層構成にほとんど依存しない、実質的に溝形状のみによって決まるパラメータである。
　一方で、溝幅が狭く・深い方が繰り返しオーバーライト耐久性にすぐれるという傾向がある。
　本発明者等の検討によれば、繰り返しオーバーライト耐久性は溝深さが５０ｎｍより浅くなると急激に劣化することがわかった。
　【００１５】
　従って、従来型のＣＤと溝信号の互換性をとろうとすると、オーバーライト耐久性をある程度犠牲にしなければならなくなるが、その犠牲は最小限にとどめたい。
　一方、上記溝信号からくる制限とともに、相変化媒体を利用したＣＤ−Ｅ媒体では、繰り返しオーバーライトによりウオブル信号が記録信号に漏れこむという新たな劣化現象が見出された。
　【００１６】
　浅溝化によるオーバーライト耐久性を解消するために、細溝化を指向すると、記録光ビーム端が溝壁に熱ダメージを与えるために、ウオブル信号に由来する信号の劣化が促進されると考えられる。
　さらに、溝底部も記録層の発熱により変形を生じる。
　下部保護層は、熱絶縁効果により基板表面の温度上昇を抑制するとともに、機械的に基板変形を押え込む機能があるので、その熱伝導、機械物性からＺｎＳ：ＳｉＯ２混合膜等が広く用いられる。
　【００１７】
　本発明者らの検討によれば、ＣＤ規格との互換性をとるための光学的要件から、下部保護層膜厚に課される制限から、繰り返しオーバーライト耐久性と生産性をともに満足することは極めて困難であることがわかった。
　上述のようなＣＤ規格との互換性確保のために課される付加的条件により、繰り返し可能回数はさらに１桁以上少なくなり、数千回程度となる。
　【００１８】
　ウオブルは、書き換え可能なＣＤにおいても情報が記録されるべき未記録領域を検出する上で必須のアドレス情報を付与するために必須の手法である。
　書き換え可能ＣＤ媒体で、光磁気ディスクのようなセクター単位での記録書き換えを行うような使用方法は、まだ確立されていないが、その場合には特定のセクターへの書き換え回数が１０００回を越えることは十分考えられ、上記オーバーライトによる劣化の問題は一層深刻なものとなる。
　【００１９】
　現行ＣＤドライブとできるだけ互換性を取りつつ、繰り返しオーバーライト耐久性を改善することが信頼性の高いＣＤ−Ｅを実現するために、緊急の課題であった。
　【００２０】
　【課題を解決するための手段】
　すなわち、本発明の要旨は、トラックピッチが１．６±０．１μｍで、蛇行する案内溝を設けた基板上に下部保護層、相変化型記録層、上部保護層、反射層をこの順に設け、反射率が１５％以上２５％以下の結晶状態を未記録状態とし反射率１０％未満の非晶質状態を記録状態として、案内溝内に基板の記録層とは反対側の面より波長７８０±３０ｎｍの集束光を用いて光強度の２値以上の変調により、非晶質マークの記録・再生・消去を行う光学的情報記録用媒体において、記録層がＭｗ（ＳｂｚＴｅ１−ｚ）１−ｗ（０≦ｗ＜０．３、０．５＜ｚ＜０．９、ＭはＩｎ，Ｇａ，Ｚｎ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｓｉ，Ｃｕ，Ａｕ，Ａｇ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｐｂ，Ｃｒ，Ｃｏ，Ｏ，Ｓ，Ｓｅからなる群より選ばれる少なくとも１種
である。但し、ＭをＩｎ及びＡｇとする場合においては、ＡｇとＩｎとの合計量が１３ａｔ％を超えることはない。
　【００２１】
　あるいは、トラックピッチが１．６±０．１μｍで、蛇行する案内溝を設けた基板上に第一下部保護層、第二下部保護層、相変化型記録層、上部保護層、反射層をこの順に設け、反射率が１５％以上２５％以下の結晶状態を未記録状態とし反射率１０％未満の非晶質状態を記録状態として、案内溝内に基板の記録層とは反対側の面より波長７８０±３０ｎｍの集束光を用いて光強度の２値以上の変調により、非晶質マークの記録・再生・消去を行う光学的情報記録用媒体において、記録層がＭｗ（ＳｂｚＴｅ１−ｚ）１−ｗ（０≦ｗ＜０．３、０．５＜ｚ＜０．９、ＭはＩｎ，Ｇａ，Ｚｎ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｓｉ，Ｃｕ，Ａｕ，Ａｇ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｐｂ，Ｃｒ，Ｃｏ，Ｏ，Ｓ，Ｓｅのうち少なくとも１種）合金薄膜であり、その膜厚が１５ｎｍ以上３０ｎｍ以下であり、第一下部保護層の屈折率と基板の屈折率との差が０．０５未満であり、第二下部保護層の膜厚が結晶状態の反射率が極小値となる最小膜厚より０ｎｍを超えて３０ｎｍ以下薄く、かつ第一下部保護層と第二下部保護層の合計膜厚が７０ｎｍ以上１５０ｎｍ未満であり、さらに案内溝の深さが２５ｎｍ以上４５ｎｍ以下、幅が０．４μｍ以上０．６μｍ以下であることを特徴とする光学的情報記録用媒体を提供することである。
　【００２２】
　本発明は相変化媒体を利用したＣＤ−Ｅ（書換可能コンパクトディスク、ＣＤ−Ｅｒａｓａｂｌｅ）の開発過程において、溝信号の互換性に留意し、ＡＴＩＰ信号を記載するためのウオブルを形成することにより、繰り返しオーバーライト時の劣化が促進されることを見出したことに起因する。
　詳細な評価結果の説明に入る前に、本発明に用いられるような相変化媒体の構造及び記録方法について説明しておく。
　【００２３】
　本発明の光学的記録用媒体は、基板には、ポリカーボネート、アクリル、ポリオレフィンなどの透明樹脂、あるいはガラスを用いることができる。
　なかでも、ポリカーボネート樹脂はＣＤにおいて最も広く用いられている実績もあり、安価でもあるので最も好ましい。
　相変化型記録層は、その上下を保護層で被覆されていることが望ましい。
　【００２４】
　さらに望ましくは図２に示すように、基板１／誘電体下部保護層３／記録層４／誘電体上部保護層５／反射層６の構成を有し、その上を紫外線もしくは熱硬化性の樹脂で被覆（保護コート層７）されていることが望ましい。
　記録層４、保護層３，５、反射層６はスパッタリング法などによって形成される。
　【００２５】
　記録膜用ターゲット、保護膜用ターゲット、必要な場合には反射層材料用ターゲットを同一真空チャンバー内に設置したインライン装置で膜形成を行うことが各層間の酸化や汚染を防ぐ点で望ましい。
　記録時の高温による変形を防止するため、基板１表面には下部保護層３が、記録層４上には上部保護層５が、通常は、１０から５００ｎｍの厚さに設けられている。
　【００２６】
　誘電体等からなる保護層の厚みが１０ｎｍ未満であると、基板１や記録膜４の変形防止効果が不十分であり、保護層としての役目をなさない傾向がある。
　５００ｎｍを超えると誘電体自体の内部応力や基板１との弾性特性の差が顕著になって、クラックが発生しやすくなる。
　より好適には保護層の厚みは１０ｎｍ以上、３０ｎｍ以下である。
　【００２７】
　上下の保護層の材料としては、屈折率、熱伝導率、化学的安定性、機械的強度、密着性等に留意して決定される。
　一般的には透明性が高く高融点であるＭｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｙ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｙｂ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｚｎ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｐｂ等の酸化物、硫化物、窒化物やＣａ，Ｍｇ，Ｌｉ等のフッ化物を用いることができる。
　【００２８】
　これらの酸化物、硫化物、窒化物、フッ化物は必ずしも化学量論的組成をとる必要はなく、屈折率等の制御のために組成を制御したり、混合して用いることも有効である。
　繰り返し記録特性を考慮すると誘電体混合物がよい。
　より具体的にはＺｎＳや希土類硫化物と酸化物、窒化物、炭化物等の耐熱化合物の混合物が挙げられる。
　【００２９】
　これらの保護層の膜密度はバルク状態の８０％以上であることが機械的強度の面から望ましい（Ｔｈｉｎ　Ｓｏｌｉｄ　Ｆｉｌｍｓ，第２７８巻（１９９６年）、７４−８１ページ）。混合物誘電体薄膜を用いる場合には、バルク密度として下式の理論密度を用いる。
　　ρ（バルク密度）＝Σｍｉ（各成分ｉのモル濃度）ρｉ（単独のバルク密度）
　本発明においては、特に下部保護層に関しては、下部保護層を単層で形成する場合にはその膜厚を７０ｎｍ以上、１５０ｎｍ未満、好ましくは７０ｎｍ以上、９０ｎｍ以下とする。好ましくい材質としては（ＺｎＳ）１−Ｘ（ＳｉＯ２）Ｘ０．１３≦Ｘ≦０．１７であり、一方上部保護層の好ましい態様としては、厚さ２０ｎｍ以上、３０ｎｍ以下の（ＺｎＳ）１−ｙ（ＳｉＯ２）ｙ、０．１８≦ｙ≦０．２２である。
　【００３０】
　また、下部保護層を２層構造にする場合には、基板側にある第一下部保護層の屈折率と基板の屈折率の差が０．０５未満であり、かつ記録層側の第二下部保護層の膜厚は、結晶状態の時の反射率が極小値になる最小膜厚より０ｎｍを超えて３０ｎｍ以下薄く、かつ第一下部保護層と第二下部保護層を合わせた膜厚を７０ｎｍ以上、１５０ｎｍ未満、好ましくは７０ｎｍ以上、９０ｎｍ以下とするのが良い。
　【００３１】
　本発明の媒体の記録層は相変化型の記録層であり、その厚みは１５ｎｍから３０ｎｍの範囲である。
　ＣＤと互換性をとれるほどのコントラストを得るためにこの範囲が好適である。１５ｎｍ未満では反射率が低くなりすぎ、３０ｎｍより厚いと熱容量が大きくなり記録感度が悪くなる。
　【００３２】
　記録層としては後述の光学特性の制限から、Ｓｂ７０Ｔｅ３０共晶点近傍のＳｂＴｅ合金を主成分とする、Ｍｗ（ＳｂｚＴｅ１−ｚ）１−Ｗ（０≦ｗ＜０．３、０．５＜ｚ＜０．９、ＭはＩｎ，Ｇａ，Ｚｎ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｓｉ，Ｃｕ，Ａｕ，Ａｇ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｐｂ，Ｃｒ，Ｃｏ，Ｏ，Ｓ，Ｓｅのうち少なくとも１種）合金薄膜が用いられる。
　【００３３】
　この合金薄膜は結晶・非晶質いずれの状態も安定でかつ、両状態間の高速の相転移が可能である。
　さらに、繰り返しオーバーライトを行った時に偏析が生じにくいといった利点があり、最も実用的な材料である。
　より具体的で好ましい例として、ＡｇαＩｎβＳｂγＴｅη、３＜α＜１０、３＜β＜８、５５＜γ＜６５、２５＜η＜３５、６＜α＋β＜１３、α＋β＋γ＋η＝１００なる組成を有する記録層があげられる。
　【００３４】
　本発明者らの検討によれば、上記のように組成を限定することにより、特にＣＤ−Ｅとして高々ＣＤ線速の６倍速程度でオーバーライトする場合に、繰り返しオーバーライト耐久性と経時安定性にすぐれた組成として選択的に用いることができることがわかった。
　線速依存性は主成分であるＳｂとＴｅによって決まり、Ｓｂが６５ａｔ．％（原子％）を超えて含まれると低線速での非晶質マーク形成が困難になり、５５ａｔ．％未満では結晶化速度が遅すぎて十分消去できない。
　【００３５】
　この範囲内でＳｂ／Ｔｅ比が大きいほど結晶化速度が速くなるが、層構成によって決まる熱分布を考慮して最適な組成が選ばれる。
　Ｉｎは結晶化温度を上昇させて経時安定性を高める効果があり、室温での保存安定性を確保するためには少なくとも３ａｔ．％以上は必要である。
　８ａｔ．％を超えて含まれると相分離が生じ易く、繰りしオーバーライトにより偏析が起きやすくなるため好ましくない。
　【００３６】
　Ａｇは成膜直後の非晶質膜の初期化を容易にするために用いられる。
　初期化方法にもよるが１０ａｔ．％以下の添加で十分であり、多すぎるとかえって経時安定性を損ねるので好ましくない。
　また、ＡｇとＩｎをあわせて１３ａｔ．％を超えることは繰り返しオーバーライト時に偏析を生じ易いので好ましくない。
　【００３７】
　もう一種の好適な記録層の例としてＭｚＧｅｙ（ＳｂｘＴｅ１−ｘ）１−ｙ−ｚ（ただし、ＭはＡｇもしくはＺｎの少なくとも１種であり、０．６０≦ｘ≦０．８５、０．０１≦ｙ≦０．２０、０．０１≦ｚ≦０．１５、０．０２≦ｙ＋ｚ＜０．３０である）なる組成を有する合金があげられる。
　これは上記のＡｇＩｎＳｂＴｅ合金における低融点金属ＩｎおよびＩｎ化合金の析出のしやすさを改善することができる。
　【００３８】
　反射層を設けるのは、光学的な干渉効果をより積極的に利用して信号振幅を大きくするためと、放熱層として機能することで非晶質マークの形成に必要な過冷却状態が得られやすいようにするためである。
　このため、反射層としては、高反射率、高熱伝導率の金属が望ましく、具体的にはＡｕ，Ａｇ，Ａｌ等があげられる。しかしながら、より光学的な設計の自由度を増すために、Ｓｉ，Ｇｅ等の半導体を用いることもある。
　【００３９】
　経済的、および耐蝕性の観点からはＡｌにＴａ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｍｇ，Ｚｒ，Ｖ，Ｎｂ等を０．５ａｔ．％以上、５ａｔ．％以下添加したＡｌ合金が望ましい。
　特に好ましくはＴａとＴｉである。
　一般的にＡｌに混合する不純物量が多いと熱伝導が低下する性質を利用して熱伝導率を制御する。
　【００４０】
　特に、Ｔａの添加は高耐蝕性材料が得られる（特開平１−１６９７５１号公報）。また、最大５ａｔ．％までの低下により純Ａｌの１／３〜１／４まで熱伝導率を広範に制御できるという利点もある。
　反射層の組成及び膜厚は、非晶質形成のために上部保護層を介して冷却する冷却速度を制御する観点から最適化される。
　【００４１】
　厚くしすぎると感度の低下を招くので２００ｎｍ以下が望ましい。５０ｎｍ未満では冷却効果が不十分になりやすい。また、反射層の冷却効果を有効に利用するためには、上部保護層膜厚は２０ｎｍ以上３０ｎｍ以下が望ましい。
　より具体的に好ましい例として、記録感度を低下させず、十分な冷却効果を得るための層構成として、上部保護層膜厚は２５ｎｍ以上、３０ｎｍ以下と厚めで、反射層に高熱伝導率のＡｌ１−ｖＴａｖ、０．０１≦ｖ≦０．０２を５０ｎｍ以上、１５０ｎｍ以下設けるとよい。
　【００４２】
　記録層及び保護層の厚みについてより詳しく説明する。
　機械的強度、信頼性の面からの制限の他に、多層構成に伴う干渉効果も考慮して、レーザー光の吸収効率が良く、記録信号の振幅、すなわち記録状態と未記録状態のコントラストが大きくなるように選ばれる。
　ＣＤ−Ｅとして互換性を確保するためには、ＣＤ規格で定められる変調度を高くとらねばならない。
　【００４３】
　変調度は、図３に示されるようにＥＦＭ信号を記録したときのＤＣ再生信号（直流成分を含む再生信号）において、１１Ｔマークのトップの信号強度Ｉｔｏｐと、信号振幅Ｉ１１との比Ｉ１１／Ｉｔｏｐとして定義される。
　Ｉｔｏｐは実際上、未記録部（結晶状態）の溝内での反射率に相当する。
　Ｉ１１は相変化媒体の結晶部分と非晶質部分から反射光の強度差及び位相差が問題となる。
　【００４４】
　反射光の強度差は基本的に結晶状態と非晶質状態の反射率差で決まる。
　一方、幅１μｍ程度より狭い溝内に記録した非晶質マークを、同程度の径の集束光ビームで読み出した場合には平面波の干渉を考慮しなければならない。
　すなわち、非晶質マークと結晶状態の反射光の間の位相差を考慮する必要がある。
　【００４５】
　位相差δは前述の多層構成を有する記録媒体を、基板裏面側から再生光ビームを入射して反射光を読み取る場合の、次式
　　δ＝（結晶領域を通過した反射波の位相）−（非晶質領域を通過した反射波の位相）
によって定義される（図４参照）。
　δが負の場合は非晶質状態の位相が進み、δが正の場合は結晶状態の位相が進んでいることを意味する。
一方、グルーブ記録を行う場合、下式で表される溝深さによる位相差が生じる。
　　Φ＝（グルーブ部からの反射波の位相）−（ランド部からの反射波の位相）
基板面入射光から見て、ランド部の方が遠くに有り位相が進むからΦ＜０である。さきのδにΦが加わると、集束光ビーム内で局所的な平面波の干渉が起こって、溝内に記録された非晶質部の反射率が下がり、単なる結晶状態と非晶質状態の反射率差以上にコントラストがとれる場合がある。このための条件は
　　−π＜δ＜０
である。
　【００４６】
　ただし、位相は２πの周期で既約化できる。
　本発明における基板上に下部保護層、記録層、上部保護層、反射層を設けた４層構成においては、下部保護層膜厚依存性が最も顕著である。
　図５に典型的な４層構成における反射率及び結晶と非晶質の位相差の計算例を示した。
　【００４７】
　図５（ａ）は本発明記録層材料の例としてＡｇ５Ｉｎ６Ｓｂ６０Ｔｅ２９記録層の場合、図５（ｂ）は有望な相変化媒体材料であるが本発明には適さないＧｅ２２Ｓｂ２５Ｔｅ４３記録層の場合である。
　各層の屈折率は実測値を用いている。
　また、記録層、上部保護層、反射層はそれぞれ、２０ｎｍ、２２．５ｎｍ、２００ｎｍとした。
　【００４８】
　下部保護層依存性を見る限り、通常は振幅の変化は小さく、分母であるＩｔｏｐ、すなわち結晶状態の反射率に強く依存する。
　したがって、結晶状態反射率は可能な限り低いことが望ましい。
　図５の計算例ではｎ＝２．１の（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０を想定したが、第１の極小値ｄ１では６０ｎｍ以上、８０ｎｍ以下、第２の極小値ｄ２では２５０ｎｍ以上、２７０ｎｍ以下になる。
　【００４９】
　以後は周期的に変化する。
　結晶状態の反射率が極小となる下部保護層膜厚は反射率が高い記録層であれば実質上、保護層の屈折率のみで決まる。
　この点は図５（ａ），（ｂ）いずれにおいてもほぼ同じ極小点となることからわかる。
　【００５０】
　ｄ１、ｄ２に２．１／ｎをかければ、ほぼ他の屈折率ｎにおける極小点膜厚が得られるが、通常ｎ＝１．８〜２．３であるから、ｄ１は高々８５ｎｍ程度である。
　下部保護層屈折率が１．８よりも小さいと極小点における反射率が増加して変調度が著しく低下し、０．５未満となるので好ましくない。
　【００５１】
　逆に、２．３以上とすると、極小点の反射率が低くなりすぎ２０％を達成できず、フォーカスやトラッキングサーボが困難になるので好ましくない。
　さて、位相差は前述のように非晶質状態の位相差が進むことが望ましいが、あまり影響が大きいと記録と同時に溝形状が変化するのと同等の効果が生じるのでサーボが不安定になり易い。
　【００５２】
　特に、溝深さによる位相Φと結晶と非晶質の位相差δの和がπとなる近傍では、プッシュプル信号が得にくくなるので好ましくない。
　溝深さによる位相差は本発明の場合、高々０．０８πである。位相差δは０．５π未満であることが望ましい。
　記録層の膜厚２０ｎｍ付近では図５（ｂ）では、結晶状態反射率の極小点近傍で位相差δがπに近くなるので好ましくない。
　【００５３】
　また、下部保護層膜厚の変化に対して、位相差δが急激に変化することも好ましくない。
　Ｇｅ２２Ｓｂ２５Ｔｅ４３記録層は、相変化媒体として有望なＧｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５組成近傍でありながら、反射率極小点を利用する本発明記録媒体には適さないことがわかる。
　【００５４】
　Ｓｂ７０Ｔｅ３０共晶点近傍組成に高々３０原子％程度の添加元素を加えた本発明記録層では、図５（ａ）とほぼ類似の光学特性が発揮される。
　これは、従来ＧｅＴｅ−Ｓｂ２Ｔｅ３擬似２元合金で提唱された他の発明と本発明との着眼点の大きな差である。
　一般に、誘電体保護膜はＺｎＳ：ＳｉＯ２のような混合膜であろうと、Ｔａ２Ｏ５のような化合物であろうと、金属膜に比べでスパッタ法による成膜レートが極めて遅く、数分の１以下である。
　【００５５】
　このため図５における第２の極小値となる膜厚は成膜時間がかかり好ましくない。
　生産性の観点からは下部保護層膜厚は１５０ｎｍ未満にとどめるのが望ましい。なぜなら、現状では誘電体保護層のスパッタ法による成膜速度は高々１５ｎｍ／秒であり、その成膜に１０秒以上かけることはコストを上昇させるからである。
　【００５６】
　また、膜厚変動の許容値が厳しくなるので生産上好ましくない。すなわち、図５からわかるように、反射率は所望の膜厚ｄ０からΔｄずれると、第１の極小値ｄ１近傍であろうが、第２の極小値ｄ２近傍であろうが同じだけ変動する。
　一方、製造上膜厚分布はｄ０に対して何％かで決まり、通常はｄ０±２〜３％が均一性の限度である。
　【００５７】
　従って、ｄ０が薄いほど膜厚の変動幅Δｄは小さくなり、ディスク面内あるいはディスク間の反射率変動を抑制できるので有利である。
　基板自公転機構を有しない安価な静止対向タイプのスパッタ装置では、結果として大量生産可能な第１の極小値ｄ１近傍の膜厚を採用さざるを得ない。
　一方、基板変形を抑制するためには、ある程度の下部保護層膜厚が必要である。
　【００５８】
　図６に繰り返しオーバーライト耐久性の下部保護層膜厚依存性を示した。
　溝幅は０．５５μｍでほぼ一定である。
　下部保護層膜厚が７０ｎｍ未満になると、耐久性が急激に悪化する。
　特に、繰り返し回数が数百回未満の初期に急激にジッタが増加する。
　繰り返し初期のジッタの悪化は、下部保護層膜厚に著しく依存する。
　【００５９】
　本発明者らの原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）による観察によれば、この初期劣化は基板表面が２〜３ｎｍ程度へこむ変形によるものであることがわかった。
　基板変形を抑制するためには、記録層の発熱を伝えないために熱絶縁効果があり、かつ、機械的に変形を押え込むような保護層膜厚が必要であり、この種の媒体に必要とされる最低１０００回の耐久性を達成するためには、７０ｎｍ以上好ましくは８０ｎｍ以上が必要であることがわかる。
　【００６０】
　従って、高変調度を維持しつつ、この種の書き換え可能媒体に最低限必要とされる、１０００回のオーバーライト耐久性が実現するためには、Ｉｔｏｐを極小値近傍に保ちつつできるだけ厚い膜厚を狙う必要がある。
　この際、図５からわかるように位相差δは振幅が取れない方向に動くが、たとえ結晶状態の位相が進むδ＞０の状態になっても、｜δ｜＜０．５πであれば問題無い。
　【００６１】
　δ＞０．５πとなると位相差の悪影響を及ぼし、反射率差から期待される振幅がとれない。このための要件は第１の極小点ｄ１より０〜３０ｎｍ以内の膜厚を採用することである。
　本発明のもう一つの形態として、上記位相差を積極的に利用する方法がある。光学的には同一反射率差に対して変調度が大きくとれ好ましい方向である。
　【００６２】
　このために反射率の極小点より０ｎｍを超え３０ｎｍ以下薄い下部保護層を用いるのが好ましい。
　しかし、図６から明らかに繰り返しオーバーライト耐久性が不足している。
　これを解決するためには、図７に示すように下部保護層３を第一下部保護層３’と第二下部保護層３”の２層に分割するのが良い。
　【００６３】
　第二下部保護層３”より上の層構成の設計は光学的な特性を優先して設計し、第二下部保護層３”の膜厚を反射率の極小点より０ｎｍを超え、３０ｎｍ以下、好ましくは２〜３０ｎｍ薄くする。
　下部保護層３は第一下部保護層３’と第二下部保護層３”の合計膜厚として７０ｎｍ以上として機械的強度を増し、繰り返しオーバーライト耐久性を改善するために用いる。
　【００６４】
　この際、第一下部保護層の屈折率ｎ１を基板の屈折率ｎｓｕｂとほぼ等しくすることにより、光学的設計とは切り離して自由に膜厚を設計できるようにする。
　すなわち、光学的要件と耐久性要件を実際上独立して最適化できる。ｎ１とｎｓｕｂは全く等しいのが理想であるが、その差が０．０５未満であれば実際上問題はない。
　【００６５】
　代表的なポリカーボネート樹脂基板のｎｓｕｂは１．５５であるから、ｎ１として１．５から１．６の誘電体を用いるのがよい。
　そのための材料としては具体的にはＳｉＯ２やＺｎＳとＭｇＦ２もしくはＣａＦ２との混合物がある。
　ＳｉＯ２、ＳｉＣ、Ｙ２Ｏ３の混合物、ＺｎＳ、ＳｉＯ２、ＭｇＦ２もしくはＣａＦ２の混合物がそれ自身の耐久性に優れており、より好ましい。
　【００６６】
　こうして高変調度と生産性及び繰り返しオーバーライト耐久性のバランスに配慮した層構成を採用することで記録信号品質は低反射率であることを除いて、実質上ＣＤ互換性を維持できる。
　以下では、溝信号の互換性を考慮した場合に、溝形状に由来する繰り返しオーバーライトによる劣化現象が問題となることを実験例によって示す。
　【００６７】
　直径１２０ｍｍ、厚さ１．２ｍｍの射出成形されたポリカーボネート基板上に、溝ピッチは１．６μｍで、溝幅は約０．５μｍ、深さは約４０ｎｍの溝をスパイラル上に設けた。
　溝には２２．０５ｋＨｚの信号で、溝横断方向にウオブルを形成している。
　ウオブル振幅は２７ｎｍ、２０ｎｍ、１３．５ｎｍ、０ｎｍ（ウオブルなし）の４種類とした。
　【００６８】
　ウオブル振幅はＣＤ−Ｒ規格で定められた測定法によるが、絶対値そのものは参照値で、相対的な大きさを管理できればよい。
　この基板上に、下部保護層として（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０（ｍｏｌ％）を１００ｎｍ、その上に記録層としてＡｇ５Ｉｎ６Ｓｂ６１Ｔｅ２８を２０ｎｍ、上部保護層として（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０を２０ｎｍ、反射層としてＡｌ９７．５Ｔａ２．５を１００ｎｍ順次積層し、この上に紫外線硬化樹脂（ＳＤ３１８、大日本インキ製）を数μｍコートして相変化媒体を作成した。
　【００６９】
　なお、記録は溝内に行い、結晶領域中に非晶質マークを形成した。
　この媒体に対して、いわゆるＣＤの２倍速（２．８ｍ／ｓ）で図８（ａ）に示すような基準クロック周期Ｔに対して３Ｔから１１Ｔの長さのマーク長を記録するＥＦＭランダム信号を用い繰り返しオーバーライトを行った。
　ＥＦＭ信号はＣＤ規格において用いられる。
　【００７０】
　記録は各長さの信号を図８（ｂ）に示すパルスに分割する方法を用いており、記録パワーＰｗは１１ｍＷ、消去パワーＰｅは６ｍＷ、バイアスパワーＰｂは０．８ｍＷである。
　信号品質はもっとも厳しい３Ｔジッタで評価した。
　結果を図９に示す。
　【００７１】
　ジッタは２倍速では１７．５ｎｓｅｃ程度より小さいことがＣＤの規格上必要である。
　図９から明らかなように、ウオブル振幅のない溝では１００００回のオーバーライト後もほとんどジッタの劣化はないが、ウオブル振幅の増大とともに、劣化が著しくなり、１０００回程度で劣化が著しくなることがわかる。
　【００７２】
　上記、ウオブルの存在による劣化促進のメカニズムは必ずしも明らかではないが、図１０に示すように、記録用光ビーム９の一部が溝の側壁１０に照射されやすくなるためではないかと考えられる。
　すなわち、トラッキングサーボがかかった集束光ビーム９はウオブルの蛇行には追従せず、溝中心部を直進して行く。
　【００７３】
　溝壁１０の蛇行があれば、図１０のように光ビーム９が、わずかではあるが溝壁１０に照射されやすくなる（図１０はウオブル振幅を誇張して描いてあるが、この傾向は正しいと考えられる）。
　溝壁１０は薄膜の密着性が悪い溝壁部や溝角部で応力集中が起きやすい等により繰り返しオーバーライト時の熱ダメージによる劣化が起きやすいと考えられるので、ここに光ビームの一部でも照射されれば、劣化は促進されると考えられる。図１１はウオブル振幅及び溝深さはそれぞれ２０ｎｍ，３１ｎｍで一定とし、溝幅を変化させた場合の繰り返しオーバーライト耐久性を示した。
　【００７４】
　測定方法及び層構成は図９と同様に行った。
　初期ジッタはいずれも１０ｎｓｅｃ程度である。
　相変化媒体の溝記録では深溝、細溝であるほど耐久性が良いという傾向があるが、ウオブルが存在する場合、溝幅が狭すぎるとかえって上述の溝壁部の劣化現象が顕著になるため劣化が著しいことがわかる。
　【００７５】
　すなわち、繰り返しオーバーライト耐久性の面から溝幅に制限があり、０．４μｍ以上０．６μｍ以下であることが望ましい。
　より好ましくは０．４５μｍ以上、０．５５μｍ以下である。
　ＣＤの互換性の観点からは、たとえば特開平８−２１２５５０号公報に開示されたような溝信号に配慮する必要がある。
　【００７６】
　この特許で好ましいとして具体的に開示されている溝形状は、溝深さ５０〜６０ｎｍ、溝幅０．３〜０．６μｍである。
　本発明者らの検討によれば、上記変調度、生産性、繰り返しオーバーライト耐久性を考慮した層構成においては、溝深さが４５ｎｍ未満でなければ、記録後のプッシュプル値が０．１より過剰に大きくなりやすい、記録後のラジアルコントラスト値が０．６以上と記録前の値０．１〜０．２に比べて過剰に大きくなり、サーボの安定性に問題が生じることがわかった。
　【００７７】
　ここでラジアル・コントラストＲＣは以下のように定義される。
　　ＲＣ＝２（ＩＬ−ＩＧ）／（ＩＬ＋ＩＧ）
　ここで、ＩＬ、ＩＧはそれぞれランド部、グルーブ部にの反射光強度である。
　反射光強度はトラック中心にたいして左右に配置された光検出器の和信号Ｉ１＋Ｉ２である。
　【００７８】
　実際はフォーカスサーボのみをかけて得られるトラック横断信号の溝部とランド部強度を測定する。
　記録前後で定義されるが、記録後のラジアル・コントラストは記録による反射率低下部の信号強度を低域通過フィルタによって平均化した強度を用いる。
　一方、記録後のプッシュプル値ＰＰａは、やはり、差信号の平均値を用いて、
　　ＰＰａ＝（Ｉ１−Ｉ２）／Ｉｔｏｐ
で定義される。
　【００７９】
　いずれも一般的な定義（「コンパクトディスク読本」、中島平太郎、小川博司共著、オーム社、第１版、第６章６節等に詳しい解説がある）であるが、より詳しくは、ＣＤの規格書（レッドブック、オレンジブック）に明記されている。
　同じＣＤ互換の書換媒体でありながら、前記特許ではドライブ設計に関わる溝信号等を規定しているが、それ実施するためのディスクの具体的構成については実施例における下部保護層膜厚がすべて２００ｎｍである。
　【００８０】
　このため、具体的に例示されている溝深さの推奨値が５０〜６０ｎｍと深めになっている。
　前記公開特許との差違が生じるのは下部保護層膜厚が本発明範囲を超えて厚いことによると考えられる。
　すなわち、下部保護層膜厚が厚いと、溝が埋められて記録層面で見た溝形状が実質上浅くなるため、溝形状を深めに設定する必要があったと考えられる。
　【００８１】
　本発明は光学特性のみならず、信頼性・生産性のバランスを考慮して記録媒体の層構成と溝形状をセットで設計した点で、　上記公知文献とは全体的な設計思想に大きな相違が存在し、結果として実施の態様に差が生じたと言わざるをえない。
　一方、溝深さを浅くしすぎるとスタンパ製造や基板の成形が困難になる、あるいはラジアル・コントラストやプッシュプルの下限規格を下回るため、２５ｎｍより浅くはできない。
　【００８２】
　図６に示す繰り返しオーバーライト耐久性の溝深さ依存性を考慮すれば３０〜４０ｎｍであることが一層望ましい。
　溝幅は記録後のラジアル・コントラストの観点から０．４５μｍ以上、ウオブルと溝形状に関したオーバーライト耐久性の観点から０．６μｍ以下であることが望ましい。
　【００８３】
　０．６μｍより広いと相変化媒体一般の現象として、また、０．４μｍより狭いとウオブルの存在によるオーバーライト耐久性による劣化が著しくなるので好ましくない。
　より好ましくは０．４５μｍ以上０．５５μｍ以下である。
　本発明は、低反射率ながらＣＤと互換性のある書き換え可能媒体を意図したために生じる種々の制約を克服し、単なる最適化の手順を超えてトレードオフ要因間のバランスをとるための具体的方策を見出したものである。
　個々の要素のみに注目すれば先行する相変化媒体技術を飛躍的に超えるものではないが、ＣＤ互換書き換え可能媒体の産業上の利用価値は大きい。
　【００８４】
　【実施例】
　以下、ＣＤとの互換性を考慮しつつ高信頼性、高生産性を達成したＣＤ−Ｅ媒体の具体例について実施例を用いて説明するが、本発明は、その要旨を越えない限り以下の実施例に限定されるものではない。
　【００８５】
　実施例１、比較例１
　表１、２には、ウオブル振幅は一定とし、溝幅及び溝深さを変化させた場合の繰り返しオーバーライト耐久性、光学特性、溝信号特性をまとめた。
　表１は本発明入範囲の実施例、表２は範囲外の比較例である。
　実験に用いた層構成は下部保護層（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０が８０ｎｍ、Ａｇ５Ｉｎ５Ｓｂ６０Ｔｅ３０記録層２０ｎｍ、上部保護層（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０が２３ｎｍ、反射層Ａｌ９８Ｔａ２が１００ｎｍである。
　【００８６】
　（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０保護層の膜密度は３．５ｇ／ｃｍ３で理論的バルク密度３．７２ｇ／ｃｍ３の９４％であった。すべての薄膜はスパッタ法で真空を解除せずに作成した。
　また、基板は射出成形で作成した。
　各層組成は蛍光Ｘ線分析、原子吸光分析、Ｘ線励起光電子分光法等を組み合わせて確認した。
　成膜直後の記録層は非晶質であり、バルクイレーザー（日立コンピュータ機器、ＰＯＰ１２０、商品名）により線速３ｍ／ｓで初期化パワー５００ｍＷを照射して全面結晶化させ初期（未記録）状態とした。
　【００８７】
　このパワーでは記録層はいったん溶融して再凝固する再に結晶化していると考えられる。
　下部保護層膜厚は図５の反射率の極小点ｄ１＝７５ｎｍより５ｎｍ厚くしている。
　基板は厚さ１．２ｍｍのポリカーボネート基板で、射出成形により１．６μｍピッチで振幅、周期、変調信号等ＣＤ−Ｒ規格（オレンジブック、パート２）に準じたウオブルが形成されている。
　【００８８】
　記録には図８のパルスストラテジーを用いた。
　記録パワーＰｗと消去パワーＰｅ、バイアスパワーＰｂはそれぞれ１２ｍＷ、６ｍＷ、０．８ｍＷとした。
　このパワー近傍において最も良好なジッタが得られた。
　記録用光学ヘッドは波長７８０ｎｍ、ＮＡ＝０．５５であり、記録時の線速はいわゆるＣＤ線速の２倍速（２．４ｍ／ｓ）である。
　【００８９】
　オーバーライト耐久性の回数とは２倍速で繰り返しオーバーライトしたときに３ＴマークのジッタがＣＤ規格の上限値である１７．５ｎｓｃ以下に保たれる回数とした。
　また、同表には記録後のラジアルコントラスト値ＲＣｂ、ＲＣａも記入されているが、深溝化で溝深さが４５ｎｍを超すとＲＣａが０．６を上回るようになり好ましくない。
　【００９０】
　また５０ｎｍより深くなると記録後のプッシュプルＰＰａが０．１を上回るようになり好ましくない。
　また、溝内反射率が低下して、１５％ぎりぎりもしくはそれ以下となり、トラッキングサーボが不安定になった。
　溝幅は０．４〜０．６μｍの範囲でないと繰り返しオーバーライト回数１０００回が達成できない。
　溝深さが２５ｎｍ未満であると記録前後のラジアルコントラスト比が０．３を大きく下回り、また繰り返しオーバーライト回数も５００−６００回未満となり好ましくない。
　【００９１】
　実施例２、比較例２
　実施例２及び比較例２では、下部保護層を反射率の極小近傍（７５ｎｍ、及び２５０ｎｍ）となる２つの膜厚８０ｎｍ（実施例２）と、２６０ｎｍ（比較例２）でディスクを作成した。いずれも同一スパッタ装置内で作成した。
　保護層の膜密度はバルクの約９３％であった。
　【００９２】
　記録層Ａｇ５Ｉｎ６Ｓｂ５９Ｔｅ３０の膜厚は２０ｎｍ、上部保護層膜厚は２３ｎｍ、反射層は１００ｎｍである。
　光学的には同等の特性が得られる。
　しかし、反射率分布を測定した結果、図１２、図１３に示すように、明らかに比較例２の２６０ｎｍの方がディスク面内の反射率分布が大きいという結果が得られた。
　【００９３】
　ここで図１２、図１３はそれぞれ実施例２、比較例１のディスクの反射率の半径方向分布を示す。
　図中、中央の折れ線は各半径における平均値、上下の点折れ線は各半径における最大値と最小値を示す。
　変動率がわかりやすいように全測定点の平均値を＜Ｒｔｏｐ＞として、＜Ｒｔｏｐ＞で規格化している。
　【００９４】
　周方向分布も含めると比較例２では平均値＋１１％、−７％の範囲になった。一方、実施例１では平均値±６％に収まった。
　本実験ではスパッタ成膜装置において平均値±約３％の膜厚分布を生じているので、各々±約２．５ｎｍ、８ｎｍの分布を含んでいる。
　これは現状の静止対向型スパッタ装置では極めて良好な部類の分布である。
　【００９５】
　一方、いずれの膜厚でも同一の膜厚変化Δｄに対して同じだけ反射率が変化するから、±約８ｎｍも分布がある比較例２の場合は反射率分布が大きくなる。
　反射率分布は同一ディスク面内では±１０％に入るのが光ディスクでは望ましい。この観点から、また、成膜時間・材料コストも約１／３になることから、生産性の観点からは明らかに最初の極小点近傍の下部保護層膜厚を用いることが望ましいことが確認された。
　【００９６】
　実施例３
　Ａｇ５Ｉｎ５Ｓｂ５９Ｔｅ３１記録層を２０ｎｍ、（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０上部保護層を２３ｎｍ、Ａｌ９８Ｔａ２反射層を１００ｎｍとし、下部保護層ＺｎＳ：ＳｉＯ２の組成及び膜厚依存性を検討した。
　溝深さは３５ｎｍ、溝幅は０．５３μｍである。
　【００９７】
　ＺｎＳ：ＳｉＯ２混合膜の屈折率ｎａｂは、ＺｎＳ（屈折率ｎａ＝２．３）、ＳｉＯ２（屈折率ｎｂ＝１．４５）のモル比に比例して決まる。すなわち、（ＺｎＳ）１−ｍ（ＳｉＯ２）ｍなる組成に対して、
　　ｎａｂ＝ｎａ（１−ｍ）＋ｎｂｍ
である。
　【００９８】
　図１４にｍ＝０．１５、０．２０、０．２５の場合の、第１の反射率極小点近傍での反射率及び変調度の下部保護層膜厚依存性を示した。
　変調度については図中各点の近くに数値で示している。
　ＳｉＯ２のモル比が大きくなり、屈折率が低下すると極小点における反射率が増加する。
　【００９９】
　この場合変調度を大きく低下させずに厚膜化できる範囲が狭くなり、高々５ｎｍ程度である。
　一方、ＳｉＯ２を減らしてｍ＝０．１５とし屈折率を大きくすると、溝内反射率１５％を維持するためにはむしろ極小点をはずす必要がある。
　１０〜２０ｎｍ厚膜化する余地が生じ、同一の反射率・変調度を維持しつつ、オーバーライト耐久性を向上できる。
　【０１００】
　図６で示したようにこの膜厚領域では５ｎｍでも厚膜化した方が耐久性に有利である。
　実際、図１５に図１４中に１、２、３として示した下部保護層における繰り返しオーバーライト耐久性を図１１と同様に評価した結果を示す。
　特に、図中３で示した下部保護層が光学的特性、繰り返しオーバーライト耐久性のバランスがとれ、本発明の好適な例であることがわかる。
　【０１０１】
　ただし、保護層自身の耐久性はｍ＝０．２０がベストであり、ｍとして０．１未満は好ましくない。
　また、ｍが０．３より大であると経時安定性に問題があるのでやはり好ましくない。
　上下の保護層とも同一組成を用いるか、下部保護層は０．１３≦ｍ≦０．１７、上部保護層は０．１８≦ｍ≦０．２２として若干組成差（屈折率差）をつけるかは、光学的要件の厳しさにより適宜選択できる。
　【０１０２】
　実施例４
　実施例１（ｂ）の基板及び層構成において、記録層のみをＺｎ３Ｇｅ８Ｓｂ６１Ｔｅ２８合金層に変更して同様にディスクを作成し、バルクイレーザーで初期化した後、図８の記録パルスストラテジーを照射してＣＤの２倍速でのオーバーライトを行った。Ｐｗ＝１３ｍＷ，Ｐｅ＝６．５ｍＷ、Ｐｂ＝０．８ｍＷの時、ジッタはクロック周期Ｔ＝１１５ｎｓｅｃの１０％未満、変調度は０．７０、反射率は１８．１％、ＰＰａ＝０．０７６、ＲＣｂ＝０．１６、ＲＣａ＝０．５１（ＲＣｂ／ＲＣａ＝０．３１）を得た。繰り返しオーバーライト耐久性は２０００回以上であった。
　【０１０３】
　【表１】
　【０１０４】
　【表２】
【図面の簡単な説明】
　【図１】　ウォブルの説明図である。
　【図２】　本発明に関わる光学的記録用媒体の一例を示す説明図である。
　【図３】　変調度の説明のための図である。
　【図４】　位相差δの説明図である。
　【図５】　４層構成における反射率と、結晶と非晶質の位相差の説明図である。
　【図６】　オーバーライト耐久性と、下部保護層膜厚の関係を説明する図である。
　【図７】　本発明に関わる光学的記録用媒体の一例を示す説明図である。
　【図８】　ＥＦＭランダム信号の一例を示す図である。
　【図９】　ウォブル振幅によるオーバーライト特性の変化を説明するための図である。
　【図１０】　ウォブルと記録用光ビームの関係の説明図である。
　【図１１】　溝幅によるオーバーライト特性の変化を説明するための図である。
　【図１２】　本発明の実施例におけるディスクの反射率の分布の説明図である。
　【図１３】　本発明の比較例におけるディスクの反射率の分布の説明図である。
　【図１４】　反射率と変調度の下部保護層膜厚依存性を説明する図である。
　【図１５】　下部保護層膜厚に対するオーバーライト耐久性を説明する図である。
　【符号の説明】　
　１　基板
　２　溝
　３　下部保護層
　４　記録層
　５　上部保護層
　６　反射層
　７　保護コート層