【事件の表示】
　特許第３２４７４９１号「プラズマ処理装置」の請求項１に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３２４７４９１号の請求項１に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
　特許第３２４７４９１号の手続の経緯は、以下のとおりである。
　出願　　　　　　　　　　平成５年５月１９日
　設定登録　　　　　　　　平成１３年１１月２日
　特許異議の申立て（請求項１に対して）平成１４年７月１５日
　　（生原悟）
　取消理由通知（起案日）　平成１４年１０月４日
　意見書、訂正請求書　　　平成１４年１２月１２日
　
　
２．訂正の適否についての判断
（１）訂正の内容
　特許権者が求めている、平成１４年１２月１２日付け訂正請求書に添付された訂正明細書における訂正の内容は以下のとおりである。
訂正事項ａ．特許請求の範囲の請求項１を次のとおり訂正する。
「【請求項１】　真空引き可能になされた処理容器内に相対向させて配置された２つの電極のいずれか一方に被処理体を保持させると共に前記２つの電極間に高周波電力を印加して前記被処理体に対してプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、前記２つの電極の少なくともいずれか一方の電極の近傍に、接地強化用の接地電極を形成し、絶縁体と絶縁気体層のそれぞれを前記接地電極と前記電極との間の略全面に渡って介在させるように構成したことを特徴とするプラズマ処理装置。」
　
訂正事項ｂ．明細書中の【０００７】段落を次の通り訂正する。
「【０００７】
【課題を解決するための手段】
　本発明は、上記問題点を解決するために、真空引き可能になされた処理容器内に相対向させて配置された２つの電極のいずれか一方に被処理体を保持させると共に前記２つの電極間に高周波電力を印加して前記被処理体に対してプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、前記２つの電極の少なくともいずれか一方の電極の近傍に、接地強化用の接地電極を形成し、絶縁体と絶縁気体層のそれぞれを前記接地電極と前記電極との間の略全面に渡って介在させるように構成したものである。」
　
（２）訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
ア．訂正事項ａについて
　上記訂正事項ａは、特許明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載された発明において、「前記接地電極と前記電極との間に絶縁体と絶縁気体層とを介在」を「絶縁体と絶縁気体層のそれぞれを前記接地電極と前記電極との間の略全面に渡って介在」と訂正したものであり、「絶縁体」と「絶縁気体層」との配置状態をより具体化して限定しようとするものであり、この構成は、明細書【００１５】段落、【００１６】段落、図１及び図２に記載されていたものである。
　したがって、上記訂正は、特許請求の範囲の減縮に該当するものである。
イ．訂正事項ｂについて
　上記訂正事項ｂは、訂正された特許請求の範囲の請求項１の記載との整合を図るためのものであり、明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
　
　そして、いずれも、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内であり、新規事項の追加に該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　
（３）むすび
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、平成１１年改正前の特許法第１２０条の４第３項において準用する平成６年法律第１１６号による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書、第２項及び第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
　
２．特許異議の申立てについての判断
（１）本件発明
　　上記のとおり、訂正は認められるから、本件請求項１に係る発明は、訂正された特許明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものである。
「【請求項１】　真空引き可能になされた処理容器内に相対向させて配置された２つの電極のいずれか一方に被処理体を保持させると共に前記２つの電極間に高周波電力を印加して前記被処理体に対してプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、前記２つの電極の少なくともいずれか一方の電極の近傍に、接地強化用の接地電極を形成し、絶縁体と絶縁気体層のそれぞれを前記接地電極と前記電極との間の略全面に渡って介在させるように構成したことを特徴とするプラズマ処理装置。」
　
（２）異議申立の理由及び取消理由通知の理由の概要
　特許異議申立人生原悟は、証拠として甲第１号証（特開昭６１−２９５３７６号公報）を提出し、本件請求項１に係る発明の特許は、甲第１号証に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号の規定する発明に該当し、本件請求項１に係る発明の特許を取り消すべきであると主張している。
　また、取消理由通知の理由の概要も、上記異議申立の理由の概要と同様である。
　
（３）取消理由通知で引用された刊行物に記載の発明
　当審で通知した取消理由で引用した刊行物１（特開昭６１−２９５３７６号公報（特許異議申立人生原悟の提出した甲第１号証））には、「堆積膜の形成装置」（発明の名称）に関して、
「第５図は、従来の円筒状基体への堆積膜の形成装置の１例を示す断面略図である。
　図中、５１はシールドボツクスであつて、絶縁物５１Ａおよび５１Ｂを介して、その内側に有底の円筒構造を有する保持電極５２が設けられている。シールドボツクス５１はアースされ、保持電極５２はこのシールドボツクス５１と絶縁されている。しかもこのシールドボツクス５１によつて、後述するように保持電極５２に供給された高周波が外に漏れることを防止する。」（第２頁左上欄第１９行〜同頁右上欄第８行）こと、
「保持電極５２（シールドボツクス１）は密閉構造を形成する。」（第２頁左下欄第４〜６行）こと、
「保持電極５２の上端部内周壁および下端部内周壁にはテーパ面５２Ａおよび５２Ｂが各々形成されている。このテーパ面５２Ａおよび５２Ｂにはガスを排気するための排気口５２Ｃおよび５２Ｄが貫通して設けられている。」（第２頁左下欄第１４〜１８行）こと、
「円筒状基体７４はその本体７４Ａの外側に電子写真用感光体ドラムを形成するための円筒状支持体７５を取り外し可能に嵌合固定してある。」（第３頁右上欄第３〜５行）こと、
「カセツト７０は、保持電極５２と電気的に接触してカソード電極を構成し、一方、カセツト７０内に絶縁支持された円筒状基体７４はロツド５３を介してアースされる。」（第３頁左下欄第１５〜１８行）こと、
「保持電極５２およびカセツト７０に高周波電力を供給することによつて放電を生起し、反応ガスを分解することによつて、円筒状支持体７５の外周面上に、例えばアモルフアス・シリコンの膜を堆積する。」（第３頁右下欄第５〜９行）こと、
「円筒状基体７５はアノード電極とされる」（第４頁右上欄第１８行）ことが、図５、図６と共に記載されている。
　
（４）対比・判断
　本件請求項１に係る発明と上記刊行物１に記載の発明とを対比すると、特許異議申立人は、上記刊行物１の「保持電極５２」、「シールドボツクス５１」、「絶縁物５１Ａおよび５１Ｂ」、「カセツト７０および円筒状基体」が、それぞれ本件請求項１に係る発明の「真空引き可能になされた処理容器」、「接地電極」、「絶縁体」、「２つの電極」に相当すると主張しているが、この主張が正しいとしても、上記刊行物１には、本件請求項１に係る発明の「絶縁体と絶縁気体層のそれぞれを前記接地電極と前記電極との間の略全面に渡って介在させるように構成したこと」は、記載されていない。
　したがって、本件請求項１に係る発明は、上記刊行物１に記載された発明であるとはいえない。
　
　
３．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、本件請求項１に係る発明の特許を取り消すことができない。
　そして、他に本件請求項１に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　したがって、本件請求項１に係る発明についての特許は拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものと認めない。
　よって、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第２項の規定により、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１６年２月３日（２００４．２．３）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
プラズマ処理装置
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　真空引き可能になされた処理容器内に相対向させて配置された２つの電極のいずれか一方に被処理体を保持させると共に前記２つの電極間に高周波電力を印加して前記被処理体に対してプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、前記２つの電極の少なくともいずれか一方の電極の近傍に、接地強化用の接地電極を形成し、
絶縁体と絶縁気体層のそれぞれを前記接地電極と前記電極との間の略全面に渡って
　【請求項２】　前記２つの電極の内の下部電極である接地電極と、前記処理容器の底部との間には接地を強化するための金属ベースが介在されていることを特徴とする請求項１記載のプラズマ処理装置。
　【請求項３】　真空引き可能になされた処理容器内に相対向させて配置された２つの電極のいずれか一方に被処理体を保持させると共に前記２つの電極の双方に高周波電力を印加して前記被処理体に対してプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、前記２つの電極のそれぞれの近傍に、接地強化用の接地電極を形成し、前記接地電極と前記各電極との間にそれぞれ絶縁体を介在させ、前記２つの電極の内の下部電極である接地電極と、前記処理容器の底部との間には接地を強化するための金属ベースが介在されるように構成したことを特徴とするプラズマ処理装置。
　【請求項４】　前記２つの電極の内の少なくともいずれか一方の電極の絶縁体と前記接地電極との間に、絶縁気体層を形成したことを特徴とする請求項３記載のプラズマ処理装置。
　【請求項５】　前記２つの電極の内の上部電極の下端部と、前記上部電極に対応する接地電極の下端部とは略同一平面になされていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
　【請求項６】　前記上部電極に対応する接地電極の下面には、プラズマに対する保護層が形成されていることを特徴とする請求項２または５記載のプラズマ処理装置。
　【請求項７】　真空引き可能になされた処理容器内に相対向させて配置された２つの電極のいずれか一方に被処理体を保持させると共に前記２つの電極間に高周波電力を印加して前記被処理体に対してプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、前記２つの電極の内の下部電極の近傍に、接地強化用の接地電極を形成し、前記接地電極と前記下部電極との間に絶縁体を介在させ、前記下部電極の接地電極と、前記処理容器の底部との間には接地を強化するための金属ベースが介在されるように構成したことを特徴とするプラズマ処理装置。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】
　本発明は、プラズマ処理装置の改良に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　一般に、半導体製品の製造工程においては、半導体ウエハにＣＶＤ処理、エッチング処理、スパッタ処理等を施すことが行われるが、このような各種の処理を施す装置としてプラズマ処理装置が用いられる場合がある。
　この種の従来のプラズマ処理装置の一例としては、例えばアルミニウム等よりなる処理容器内に２つの平板型の電極を平行に設置し、その内の上部電極に高周波電源としてＲＦパワーを印加し、他方、下部電極にウエハを支持させてこれを接地するようになっている。そして、両電極間にエッチングガスを導入してプラズマを誘起し、ウエハにプラズマ処理を施すようになっている。
　【０００３】
　【発明が解決しようとする課題】
　ところで、プラズマ処理を行う場合には、上下の電極間に電気的放電を発生させてプラズマを立てるのであるが、一部の放電が上部電極と接地されている処理容器の内壁との間においても発生してしまうことが避けられなかった。
　一般的に、高周波電源によるプラズマの発生するような放電現象の開始条件としては、高周波電源のインピーダンスと、放電が行われる系のインピーダンスとがマッチングする必要があるが、上述のように上部電極と容器内壁との間に放電現象が発生するとこの部分のインピーダンスが変動し、放電系全体のインピーダンスが安定しないことからプラズマ放電を安定させるために時間を要してしまい、従って、ウエハのプラズマ処理を効率的に行うことができない場合があった。
　【０００４】
　また、処理容器の内壁は、これを構成するアルミニウムがハロゲンガスにより腐食されるのを防止して耐食性を向上させるためにアルマイト（Ａｌ２Ｏ３）処理が施されてはいるが、上述したような放電現像によりターゲットとなる容器内壁のアルマイトが次第に薄くなり、そのために処理容器全体を早めに交換しなければならないという改善点を有していた。
　【０００５】
　そこで、上記問題点を解決するために本発明者は先の出願（特願平４−１５７４６９号）において、電極の外周側にこれと逆極性となる補助電極を配置した構造のプラズマ処理装置を提案した。これにより、従来にあっては不要な放電現象が電極と容器内壁との間に生じてインピーダンスが早期には安定しなかったが、この不要な放電現象をより近い所に位置する補助電極との間で生ぜしめるようにしたので、早期にインピーダンスを安定化させることがある程度可能となった。
　【０００６】
　しかしながら、この場合にはウエハを支持するサセプタは一応接地（グランド）されてはいるが、その接地ラインにおいてある程度のインピーダンスを有しているために十分な接地とは言えず、従って、不要な放電が未だ例えば容器側壁との間で発生するという問題点があった。
　この傾向は、特に、高周波電力を上部電極及び下部電極の相方に印加する場合には顕著となり、大きな問題となっている。
　本発明は、以上のような問題点に着目し、これを有効に解決すべく創案されたものである。本発明の目的は、接地を強化してインピーダンスの安定を早期に図ることができるプラズマ処理装置を提供することにある。
　【０００７】
　【課題を解決するための手段】
　本発明は、上記問題点を解決するために、真空引き可能になされた処理容器内に相対向させて配置された２つの電極のいずれか一方に被処理体を保持させると共に前記２つの電極間に高周波電力を印加して前記被処理体に対してプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、前記２つの電極の少なくともいずれか一方の電極の近傍に、接地強化用の接地電極を形成し、
絶縁体と絶縁気体層のそれぞれを前記接地電極と前記電極との間の略全面に渡って
　【０００８】
　【作用】
　本発明は、以上のように構成したので、少なくともいずれか一方の電極の近傍には、接地強化用の接地電極が設けられているので、接地ラインの全体としてのインピーダンスが低下してグランドが強化される。従って、不要な電荷をこの接地電極に逃がすことによりプラズマ放電が局部的に集中したり、或いは容器側壁に飛んだりすることを抑制することが可能となる。
　【０００９】
　【実施例】
　以下に、本発明に係るプラズマ処理装置の一実施例を添付図面に基づいて詳述する。
　図１は本発明に係るプラズマ処理装置の一実施例を示す断面図である。本発明においては、プラズマ処理装置としてプラズマエッチング装置を例にとって説明する。
　図示するようにこのプラズマエッチング装置は、例えばアルミニウム等の導体により筒体状に成形された処理容器２を有しており、この処理容器２は接地されている。この処理容器２内には、上下方向に例えば２０〜３０ｍｍ程度離間された一対の電極、すなわち上部電極４と下部電極６とが平行に配置されており、これら電極間がプラズマ処理空間Ｓとして構成される。
　【００１０】
　この上部電極４は、例えばアモルファスカーボン或いはアルミニウム等により円柱状に成形されており、その側部には係合凹部８が形成されている。そして、この上部電極４の側部全体は、例えばセラミック或いは石英等よりなる電気的絶縁体１０により被われており、上部電極全体が処理容器２側に支持されている。
　この上部電極４は、例えば可変コンデンサ等を含むマッチングユニット１２を介して例えば４０ＭＨｚの高周波を発生する第１の高周波電源１４が接続されており、上部電極４に対して高周波電力を印加するように構成されている。
　【００１１】
　また、上部電極４の中央部には、エッチングガス源１６からエッチングガスを導入するためのガス導入路１８が形成されると共にその先端は水平方向へ拡大されたガス供給ヘッド２０へ連通されている。そして、上部電極４の下端部には、上記ガス供給ヘッド２０と処理空間Ｓを連通させる多数、例えば６００〜７００個のガス噴出孔２２が形成されており、処理空間Ｓへエッチングガスを供給し得るように構成されている。この上部電極４内には、その周方向に沿って冷媒を流すための上部冷却ジャケット２４が形成されており、処理時に加熱される上部電極を冷却するようになっている。
　【００１２】
　また、この上部電極４の側部には、絶縁体１０を介して例えばアルミニウム等よりなるリング状の接地強化用の第１の接地電極２６が処理容器８の側壁との間で設けられており、この接地電極２６は確実に接地されている。従来装置においては、この部分は、石英やテフロン樹脂等の絶縁部材により構成されていたが、本実施例においては上述のように接地電極２６を形成するようにしたので、不要な放電は処理容器２の壁面ではなく、これよりも近い接地電極２６に向けて発生するようになる。
　【００１３】
　この第１の接地電極２６の下面であって処理空間Ｓに臨む面は、例えばアルマイト処理が施されており、プラズマ放電によりこの接地電極２６がダメージを受けることを防止するために、耐食性、絶縁性の良好な例えばＡｌ２Ｏ３よりなる保護層２８が形成されている。そして、この接地電極２６の下端部は、その内側に位置する上部電極４の下端部と略同一平面となるように設定されており、不要な付着物が発生することを防止している。
　また、この第１の接地電極２６は、処理容器２の天井部２Ａを取り外すことにより、上方向へ挿脱可能になされており、必要時にはこの接地電極２６を容易に交換し得るように構成されている。
　【００１４】
　一方、サセプタとしての下部電極６は、上記上部電極４と同様な例えばアモルファスカーボン等により略円柱状に成形されており、その上端平面部に被処理体である、例えば半導体ウエハＷを載置し得るようになされている。そして、この下部電極６の上部周辺部にはリング状のクランパ部材３０が設けられており、ウエハＷの周縁部と係合してこれを下部電極６へ固定し得るように構成されている。
　【００１５】
　この下部電極６には、処理容器の下部より貫通された、例えば絶縁性の管３２が連結されており、この中に下部電極６に接続した配線３４を挿通させると共にこの配線３４にマッチングユニット３６及び例えば１３．５６ＭＨｚの第２の高周波電源３８が接続される。従って、本実施例にあっては、上部電極４と下部電極６の相互に高周波電力が供給されて、いわゆるトップアンドボトム方式のプラズマ処理装置として構成される。尚、この絶縁性の管３２自体を導体で形成し、これに表皮効果により高周波電力を流すようにしてもよい。この場合には、この管３２と管３２が貫通する各部材との間の絶縁性を確保するように構成する。
　そして、下部電極６の下部は、例えば厚さが数１０ｍｍのセラミックス等よりなる絶縁体４０を介して本発明の特長とする接地強化用の第２の接地電極４２が設けられ、この電極４２は確実に接地される。この第２の接地電極４２は、例えば厚さが数１０ｍｍの良導体のアルミニウム等よりなり、下部電極６の略下部全体を、上記絶縁体４０を介して被うように容器状に成形される。
　【００１６】
　また、絶縁体４０の下面と第２の接地電極４２の上面との間には、僅かな間隙Ｓ１が形成され、この絶縁体４０の周縁部下面と第２の接地電極４２の周縁部上端との間にはＯリング４４が環状に介在されて間隙Ｓ１内をシールしている。そして、間隙Ｓ１には、その下方より絶縁用気体を導入するための気体導入通路４６が連結されており、この間隙Ｓ１に例えば１気圧の空気を充填することにより上記下部電極６と第２の接地電極４２との間の絶縁性を向上させるための絶縁気体層４８が形成される。
　【００１７】
　この下部電極６の下部には金属ベース５０が介設されると共にこの下部は、容器に取り付けられた環状のチャンバボトムリング５２により支持されている。金属ベース５０内には、例えば金属性のシールベローズ５４が収容されると共にこの金属ベース５０は例えば導電性部材であるアルミニウム部材を、相互に面接触となるように複数個組み合わせて構成されており、全体として接地ラインにおけるインピーダンスを可能な限り小さくして接地を強力なものとしている。
　【００１８】
　また、上記下部電極６内には、その周方向に沿って冷媒を流すための下部冷却ジャケット５６が形成されており、このジャケット５６には、下方より冷却用の冷媒を導入及び排出するための冷媒導入通路５８及び冷媒排出通路（図示せず）が接続されている。
　そして、処理容器２の側壁には、容器内の雰囲気を排出するための排気通路６０が接続される。
　【００１９】
　また、処理容器２の側壁には、ゲート弁６２を介して内部に搬送アーム６４を有するロードロック室６６が連通されており、上記処理容器２内の真空を破ることなくウエハＷの搬入及び搬出を行い得るように構成されている。また、このロードロック室６６の反対側壁にもゲート弁６８が設けられており、図示しないウエハ搬送系との間でウエハの受け渡しを行うようになっている。
　【００２０】
　次に、以上のように構成された本実施例の動作について説明する。
　まず、ロードロック室６６内及び処理容器２内はともに真空状態になされており、ロードロック室６６内の搬送アーム６４に保持された未処理のウエハＷは、ゲート弁６２を介して処理容器２内に搬入され、このウエハＷは下部電極６上にクランパ部材３０により確実に固定される。
　【００２１】
　そして、ガス導入通路１８へエッチングガスを送り込むことにより上部電極４に設けたガス噴出孔２２より処理容器２内へ所定のエッチングガスを導入させると共に排気通路６０を介して処理容器２内を真空引きしてこの容器２内を所定の低圧雰囲気に維持しつつ上部電極４に第１の高周波電源１４より例えば４０ＭＨｚの高周波を、下部電極６に第２の高周波電源３８より、例えば１３．５６ＭＨｚの高周波電力をそれぞれ印加する。これにより、上部電極４と下部電極６との間にプラズマ放電が発生し、処理空間Ｓ内にエッチングガスからプラズマが誘起され、生成したプラズマ中のラジカルをウエハＷの表面に付着させて化学的反応によるエッチングを行うと共にプラズマ中で分解したイオンを両電極４、６間に形成される電界によって加速してウエハＷに衝突させ、例えばポリシリコン膜のエッチングを行う。
　【００２２】
　ところで、上部及び下部電極４、６間に放電を生ぜしめてプラズマを立ち上げるときには、各高周波電源１４、３８の有するインピーダンスと放電系、例えば上部及び下部電極間で形成される容量性のインピーダンス、上部電極４とこの外周側に配置した第１の接地電極２６との間に形成される容量性のインピーダンス、下部電極６とこの外周側に配置した第２の接地電極４２との間に形成される容量性のインピーダンス或いは更に遠い所に位置する容器壁との間に形成される容量性のインピーダンス等の結合インピーダンスが等しくなければ安定して放電が生じないので、放電開始時においては各高周波電源１４、３８に直列接続した例えば可変コンデンサよりなるマッチングユニット１２、３６を適宜調整し、インピーダンスのマッチングが行われる。この場合、本実施例においては、メインの放電７０は従来装置と同様に上部及び下部電極４、６間において生ずるが、避けることのできない好ましくない不要な各放電７２、７４は、上部電極４と容器壁よりも近くに設けられた第１の接地電極２６との間及び下部電極６と容器壁よりも近くに設けられた第２の接地電極４２との間でそれぞれ生じることになる。
　【００２３】
　このように、上部電極４及び下部電極６の近傍に容器内壁よりも近い所にそれぞれ第１及び第２の接地電極２６、４２を配置して接地を強化することにより、これらの間に不要な放電７２、７４を発生させるようにしたので、放電開始時におけるマッチングのリターン効率が良好となり、インピーダンスが変動することなくこれを迅速に安定化させることが可能となる。従って、マッチングユニット１２、３６によるインピーダンス調整を従来装置の場合と比較して迅速に行うことができ、直ちにエッチング処理に移行することができるので、エッチング処理効率を大幅に向上させることができる。
　【００２４】
　また、第１の接地電極２６の下面は、アルマイト処理されて保護層２８が形成されているので不要な放電７２が生じても、第１の接地電極２６がダメージを受けることは少なく、また、この保護層２８が放電により薄くなってきた場合には、この第１の接地電極２６自体を簡単に交換することができ、従来装置のように処理容器自体を交換しなければならない場合と比較して、そのメンテナンス効率を大幅に向上させることができる。
　【００２５】
　また、下部電極６に関しては、上述のように絶縁体４０を介してその下部を第２の接地電極４２で被ってグランドを強化しているので、下部電極６の不要な電荷が所定の誘電率を有するセラミック製の絶縁体４０を介して或いは不要な放電７４として両部材間に直接放電が生じることにより第２の接地電極４２から逃げることになる。従って、インピーダンス調整を迅速に行うことができるのみならず、安定したプラズマ放電を維持することが可能となる。この場合、第２の接地電極４２の下部を支持する金属ベース５０における各パーツの面接触を大きく取っているので、接地ラインにおけるインピーダンスが低下し、各パーツ間の電位差が小さくなり、一層グランドを強化することが可能となる。
　【００２６】
　また、絶縁体４０とこの下部を被う第２の接地電極４２との間隙Ｓには、例えば１気圧の気体（空気）を充填した絶縁気体層４８を介在させたのでこれらの間の絶縁性を一層良好にすることが可能となる。このように、間隙Ｓ１に１気圧の気体を導入したので、もしこの部分に処理ガスがリークしてきても不要なプラズマが立つこともなく、この点よりもプラズマ処理空間Ｓに安定したプラズマを立てることができる。
　【００２７】
　上記実施例にあっては、上部電極４に４０ＭＨｚの高周波を、下部電極６に１３．５６ＭＨｚの高周波をそれぞれ印加したが、これらの周波数の組は限定されず、例えば、上部電極の周波数と下部電極の周波数の組をそれぞれ、例えば１ＭＨｚと３８０ＫＨｚ、１３．５６ＭＨｚと１３．５６ＭＨｚ、３８０ＫＨｚと３８０ＫＨｚ等のように種々変更することができる。
　【００２８】
　尚、上記実施例にあっては、上部電極４と下部電極６の相方に高周波電源を印加する、いわゆるトップアンドボトム方式の場合について説明したが、これに限定されず、例えば図２に示すように下部電極６のみに高周波電源を印加して上部電極４は接地する、いわゆるボトムオンリー方式や、この逆に上部電極４のみに高周波電源を印加して下部電極６は接地する、いわゆるトップオンリー方式にも適用し得るのは勿論である。
　尚、上記実施例においては、プラズマ処理装置としてプラズマエッチング装置を例にとって説明したが、本発明はこれに限定されず、他のプラズマ処理装置、例えばプラズマアッシング装置、プラズマＣＶＤ装置、プラズマスパッタ装置等にも適用し得るのは勿論である。
　【００２９】
　【発明の効果】
　以上説明したように、本発明のプラズマ処理装置によれば次のような優れた作用効果を発揮させることができる。
　接地電極を設けることにより接地の強化を図ることができ、従って放電開始時におけるインピーダンスの安定化を容易に図ることができるので、プラズマ処理に要する時間を大幅に短くすることができ、プラズマ処理効率を大幅に向上させることができる。
　また、接地の強化により接地ラインのインピーダンスを抑制することができ、従って不要な電荷乃至放電を吸収することができるので、安定したプラズマを立てることができる。
　また、上部電極の下面とこの接地電極の下端部とを略同一平面とすることにより、この表面部分に不要な付着物が発生することを防止することができる。
　更に、下部電極の接地電極の下部と容器底部との間に金属ベースを介在させることにより、一層グランドを強化することができる。
　また、上部電極の接地電極の下面に保護層を設けることにより、プラズマによりこの接地電極がダメージを受けることを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　本発明に係るプラズマ処理装置の一実施例を示す断面図である。
　【図２】
　本発明に係るプラズマ処理装置の他の実施例を示す断面図である。
　【符号の説明】
　２　　　　処理容器
　４　　　　上部電極
　６　　　　下部電極
　１０　　　電気的絶縁体
　１４　　　第１の高周波電源
　２６　　　第１の接地電極
　３８　　　第２の高周波電源
　４０　　　絶縁体
　４２　　　第２の接地電極
　４８　　　絶縁気体層
　７０　　　メイン放電
　７２，７４　　不要な放電
　Ｗ　　　　半導体ウエハ（被処理体）