【事件の表示】
　特許第３１３５８４６号「被膜形成方法」の請求項１に係る発明についての特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３１３５８４６号の請求項１に係る発明についての特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
　平成　１年　９月１３日　親出願（特願平１―２３８１４２号）
　同　　８年　８月２７日　本件分割出願（特願平８―２２４９２５号）
　同　１２年１２月　１日　特許権の設定の登録（請求項の数　１）
　同　１３年　８月１４日　申立人志賀孝による特許異議の申立て
　同　１３年　８月１６日　申立人松本佳世子による特許異議の申立て
　同　１３年　８月１７日　申立人山下千代子による特許異議の申立て
　同　１３年１０月１９日  第１回目の取消理由の通知
　同　１４年　１月２８日　異議の決定（「特許第３１３５８４６号の請求項１に係る発明についての特許を取り消す。」）
　同　１４年　３月１５日　出訴（平成１４年（行ケ）第１３０号）
　同　１５年　６月　５日　判決言渡（「特許庁が異議２００１―７２２４６号事件について平成１４年１月２８日にした特許取消決定を取り消す。」）
　同　１５年１１月　５日　第２回目の取消理由の通知
　同　１６年　１月１６日　訂正請求
　
２．訂正の適否
（１）訂正の内容
〈訂正事項ａ〉
　設定登録時の願書に添付した明細書又は図面（以下、「本件特許明細書」という。）の特許請求の範囲の請求項１に記載される、
「ガラス板や半導体ウェハー等の被処理物の搬送ラインに沿って、上流側から下流側に向かって、塗布装置、減圧乾燥装置及び洗浄装置を配置した被膜形成ラインによる被膜形成方法であって、この被膜形成方法は、塗布装置にて表面に塗布液が塗布された被処理物を減圧乾燥装置に送り込み、この減圧乾燥装置において、被処理物表面に塗布された塗布液を
ある程度
ある程度塗布液が乾燥せしめられた
、ある程度乾燥せしめられた
「ガラス板や半導体ウェハー等の被処理物の搬送ラインに沿って、上流側から下流側に向かって、塗布装置、減圧乾燥装置及び洗浄装置を配置した被膜形成ラインによる被膜形成方法であって、この被膜形成方法は、塗布装置にて表面に塗布液が塗布された被処理物を減圧乾燥装置に送り込み、この減圧乾燥装置において、被処理物表面に塗布された塗布液を
、簡単に洗浄液に溶解するとともに裏面への廻り込みを防止できる程度まで
　
た
〈訂正事項ｂ〉
　本件特許明細書の段落【０００６】に記載される、
「・・・被処理物表面に塗布された塗布液をある程度まで乾燥せしめ、次いでこのある程度塗布液が乾燥せしめられた被処理物を洗浄装置に送り込み、被処理物表面に既に廻り込んでいる塗布液を除去するようにした。このように本発明によれば、被処理物に塗布した液体がある程度乾燥した後に、裏面洗浄を行なうので、塗布した液体が再び裏面に廻り込むことがない。ここで、「ある程度乾燥せしめる」とは所謂「生乾き」状態を指し、完全乾燥を含まないのは、発明の目的から当然である。」を、
「・・・被処理物表面に塗布された塗布液を、簡単に洗浄液に溶解するとともに裏面への廻り込みを防止できる程度まで乾燥せしめ、次いでこの被処理物を洗浄装置に送り込み、被処理物の表面から廻り込んで付着した余分な塗布液を除去するようにした。このように本発明によれば、被処理物に塗布した液体がある程度乾燥した後に、裏面洗浄を行うので、塗布した液体が再び裏面に廻り込むことがない。ここで、「ある程度乾燥せしめる」とは所謂「生乾き」状態を指し、完全乾燥を含まないのは、発明の目的から当然である。」と訂正する。
　
（２）訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　上記訂正事項ａに関して、本件特許明細書の段落【０００６】には、「・・・本発明によれば、被処理物に塗布した液体がある程度乾燥した後に、裏面洗浄を行なうので、塗布した液体が再び裏面に廻り込むことがない。」と記載され、また、段落【００１８】には、「・・・本発明によれば、・・・塗布装置にて被処理物に塗布された塗布液を、減圧乾燥装置にて所謂生乾きの状態にして洗浄装置に送り込むようにしたので、表面に塗布された塗布液が搬送の振動で波打ったり、表面に塗布した塗布液が裏面に過度に廻り込んだり、更には裏面に廻り込んだ塗布液が落下することを防止でき、しかも完全に乾燥させていないので、簡単に溶媒（洗浄液）に溶解し、裏面洗浄の時間を短縮することができる。」と記載されている。そうすると、上記訂正事項ａは、本件特許明細書に記載された事項の範囲内において、「ある程度乾燥」という記載の不備を解消するものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とした明細書の訂正に該当するものであって、新規事項の追加に該当せず、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。
　そして、上記訂正事項ｂは、上記訂正事項ａと整合を図るものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とした明細書の訂正に該当するものであって、新規事項の追加に該当せず、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。
　
（３）むすび
　以上のとおりであるから、上記訂正は特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、平成１１年改正前の特許法第１２０条の４第３項において準用する平成６年法律第１１６号による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書き及び第２項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
３．特許異議の申立てについての判断
（１）当審の通知した取消理由及び各申立人の申し立てた異議理由
（イ）当審の通知した第２回目の取消理由
〈特許法第３６条第５項第２号違反〉
　特許請求の範囲の請求項１に記載される「ある程度乾燥」という用語では、どの程度の乾燥を意味するのか不明りょうである。
〈特許法第２９条第２項違反〉
　請求項１に係る発明は、以下の刊行物記載の発明（事項）及び周知例に示される周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　刊行物１：特開昭５７−１５９０２４号公報
　刊行物２：特開昭５２−１２３１７２号公報
　刊行物３：実願昭６２−４３８９７号（実開昭６３−１５２６８４号）のマイクロフィルム
　刊行物４：特開昭６４−２２３７５号公報
　刊行物５：特開昭６３−２３４５３０号公報
　周知例１：特開平１−１３０５２５号公報（以下、「刊行物６」という。）
　周知例２：特開昭６２−２２４３１号公報（以下、「刊行物７」という。）
（ロ）当審の通知した第１回目の取消理由
　請求項１に係る発明は、以下の刊行物記載の発明（事項）に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　特開昭６３−２３４５３０号公報（刊行物５）
　特開昭５２−１２３１７２号公報（刊行物２）
　米国特許第４５１０１７６号明細書（以下、「刊行物８」という。）
　「マグローヒル科学技術用語大辞典」株式会社日刊工業新聞社、昭和５４年４月３０日第１版第２刷発行、第７４９〜７５０頁（以下、「刊行物９」という。）
　「テーマコード４Ｄ０７５のＦターム説明」（以下、「刊行物１０」という。）
　特開昭６２−２２４３１号公報（刊行物７）
　特開昭６０−２１５２２号公報（以下、「刊行物１１」という。）
　特開昭６３−２２９８２９号公報（以下、「刊行物１２」という。）
　特開昭６３−５２４１０号公報（以下、「刊行物１３」という。）
　「電子材料」第２６巻第３号、株式会社工業調査会、昭和６２年３月１日発行、第９６頁〜第９９頁（以下、「刊行物１４」という。）
　特開平１−１３０５２５号公報（刊行物６）
（ハ）申立人志賀孝による申立ての異議理由
　請求項１に係る発明は、甲第１号証に記載された発明、又は、甲第１、２号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　甲第１号証：特開昭５２−１２３１７２号公報（刊行物２）
　甲第２号証：特開昭６２−２２４３１号公報（刊行物７）
（ニ）申立人松本佳世子による申立ての異議理由
　請求項１に係る発明は、甲第１〜４号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　甲第１号証：米国特許第４５１０１７６号明細書（刊行物８）
　甲第２号証：特開平１−１３０５２５号公報（刊行物６）
　甲第３号証：特開昭６３−２３４５３０号公報（刊行物５）
　甲第４号証：特開昭６３−２７８０５７号公報（以下、「刊行物１５」という。）
（ホ）申立人山下千代子による申立ての異議理由
〈特許法第３６条第４項及び第５項第２号違反〉
　特許請求の範囲の請求項１に記載される「ある程度乾燥」という用語では、どの程度の乾燥を意味するのか不明りょうであり、また、発明の詳細な説明に記載される「ある程度まで乾燥せしめる」、「所謂生乾きの状態にして」との記載では、乾燥の程度が不明である。
〈特許法第２９条の２違反〉
　請求項１に係る発明は、甲第４号証として提示した特開平２−７５３７６号公報（以下、「刊行物１７」という。）に記載された発明と同一である。
〈特許法第２９条第２項違反〉
  請求項１に係る発明は、甲第９号証に記載された発明及び甲第５〜８号証に示される周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　甲第５号証：特開昭６０−２１５２２号公報（刊行物１１）  
　甲第６号証：特開昭６３−２２９８２９号公報（刊行物１２）
　甲第７号証：特開昭６３−５２４１０号公報（刊行物１３）
　甲第８号証：「電子材料」第２６巻第３号、株式会社工業調査会、昭和６２年３月１日発行、第９６頁〜第９９頁（刊行物１４）
　甲第９号証：特開昭５８−９８９２５号公報（以下、「刊行物１６」という。）
〈分割要件〉
  請求項１に係る発明は親出願の発明と同一であるから、本願は分割要件を満たしておらず、しかも、請求項１に係る発明は、特開平３−１０１８６６号公報に記載された発明であるか、又は、同発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（２）本件発明
　上記２．で示したように上記訂正が認められるから、本件の請求項１に係る発明（以下、「本件発明」という。）は、上記訂正請求に係る訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載されたとおりのものである。
　
（３）特許法第３６条第４項及び第５項第２号違反について
　上記の訂正によって、当審の通知した第２回目の取消理由及び申立人山下千代子による申立ての異議理由における特許法第３６条第５項第２号違反は解消している。
　また、乾燥の程度は、「簡単に洗浄液に溶解するとともに裏面への廻り込みを防止できる程度」という乾燥の作用によって特定されているから、乾燥の程度は不明ではなく、したがって、本願明細書の記載は特許法第３６条第４項の規定を満たしていないとする、申立人山下千代子の主張は採用することができない。
　
（４）分割要件について
　親出願の請求項１に係る発明は、その設定登録時の願書に添付した明細書の特許請求の範囲に記載された次のとおりのものと認める。
「ガラス板や半導体ウェハー等の被処理物表面に被膜を形成する装置において、この装置は被処理物の搬送ラインに沿って、上流側から下流側に向って、被膜となる液体を被処理物表面に均一に拡げる塗布用スピンナー、減圧乾燥装置及び被処理物の裏面洗浄用スピンナーを順次配置したことを特徴とする被膜形成装置。」
　そこで、本件発明と上記親出願の請求項１に係る発明とを対比すると、両者は、前者が「被膜形成方法」という方法の発明であるのに対して、後者が「被膜形成装置」という装置の発明である点、前者が減圧乾燥装置における塗布液の乾燥の程度を「塗布液を、簡単に洗浄液に溶解するとともに裏面への廻り込みを防止できる程度まで」と特定しているのに対して、後者が乾燥の程度を特定していない点、等で相違することは明らかである。
　したがって、請求項１に係る発明が親出願の発明と同一であって、本願が分割要件を満たしていないことを前提とする、申立人山下千代子の主張は採用することができない。
　
（５）特許法第２９条第１項第３号及び同条第２項違反について
（イ）刊行物１には、その第２頁左上欄８行〜１１行、第４頁左上欄４行〜同頁右上欄１７行及び図１〜４の記載からみて、
「シリコンウエハを自動スピンコータにおいてフオトレジストでコーテイングする方法であって、このコーテイングする方法は、自動スピンコータにて表面にフオトレジストがコーテイングされたシリコンウエハを、自動スピンコータ上でスパンしてほとんど乾かし、次いで自動スピンコータ上でＡＺシンナのような溶液の噴流を約１０秒間該ウエハの周縁に向けて当て、シリコンウエハの傾斜部及び該ウエハの縁から約１／８乃至３／１６インチ後方の部分のほとんど乾かされたフオトレジストをほぼ完全に除去するようにした、シリコンウエハを自動スピンコータにおいてフオトレジストでコーテイングする方法」の発明（以下、「刊行物１記載の発明」という。）が記載されているものと認められる。
　そこで、本件発明と上記の刊行物１記載の発明とを対比すると、後者の「シリコンウエハ」は、その技術的意義からみて、前者の「ガラス板や半導体ウェハー等の被処理物」に相当し、以下同様にして、後者の「フオトレジスト」は前者の「塗布液」に、後者の「コーテイング」は前者の「塗布」に、それぞれ相当する。そして、後者の「自動スピンコータにて表面にフオトレジストがコーテイングされ」ることと前者の「塗布装置にて表面に塗布液が塗布され」ることとは、「表面に塗布液が塗布される」ことの限りで、後者の「自動スピンコータ上でスパンしてほとんど乾か」すことと前者の「減圧乾燥装置において、被処理物表面に塗布された塗布液を、簡単に洗浄液に溶解するとともに裏面への廻り込みを防止できる程度まで乾燥せしめ」ることとは、「被処理物表面に塗布された塗布液を乾燥せしめる」ことの限りで、それぞれ一致し、また、後者の「自動スピンコータ上のＡＺシンナのような溶液の噴流を約１０秒間該ウエハの周縁に向けてウエハの傾斜部及び該ウエハの縁から約１／８乃至３／１６インチ後方の部分のほとんど乾かされたフオトレジストをほぼ完全に除去する」は前者の「被処理物の表面から廻り込んで付着した余分な塗布液を除去する」ことに相当する。したがって、後者の「シリコンウエハを自動スピンコータにおいてフオトレジストでコーテイングする方法」と前者の「ガラス板や半導体ウェハー等の被処理物の搬送ラインに沿って、上流側から下流側に向かって、塗布装置、減圧乾燥装置及び洗浄装置を配置した被膜形成ラインによる被膜形成方法」とは、「被処理物に塗布液を塗布し、乾燥し、次いで洗浄する被膜形成方法」の限りで一致する。
　そうすると、両者の一致点及び相違点は以下のとおりである。
〈一致点〉被処理物に塗布液を塗布し、乾燥し、次いで洗浄する被膜形成方法であって、この被膜形成方法は、被処理物表面に塗布された塗布液を乾燥せしめ、次いで被処理物の表面から廻り込んで付着した余分な塗布液を除去するようにした被膜形成方法。
〈相違点１〉前者は、「被処理物の搬送ラインに沿って、上流側から下流側に向かって、塗布装置、減圧乾燥装置及び洗浄装置を配置した被膜形成ラインによる被膜形成方法であって、塗布された被処理物を減圧乾燥装置に送り込み、減圧乾燥装置において乾燥せしめられた被処理物を洗浄装置に送り込む」のに対して、後者は、「シリコンウエハを自動スピンコータにおいてフオトレジストでコーテイングする」とし、すなわち、前者では、塗布、乾燥、洗浄の各工程で、塗布、乾燥、洗浄をそれぞれ行う装置が、被処理物の搬送ラインに沿って、上流側から下流側に向かって配置した被膜形成ラインを構成し、塗布後及び乾燥後の被処理物を、乾燥及び洗浄を行う装置にそれぞれ送り込むのに対して、後者は、そのように設けていない点。
〈相違点２〉前者は乾燥工程を減圧乾燥装置で行うのに対して、後者は乾燥工程における圧力の程度が明らかではない点。
〈相違点３〉余分な塗布液を除去する前に、前者は、被処理物表面に塗布された塗布液を、簡単に洗浄液に溶解するとともに裏面への廻り込みを防止できる程度まで乾燥せしめるのに対して、後者は、塗布液をほとんど乾燥せしめる点。
　そこで、上記相違点３について検討するに、当該相違点に係る本件発明の構成である、余分な塗布液を除去する前に、「被処理物表面に塗布された塗布液を、簡単に洗浄液に溶解するとともに裏面への廻り込みを防止できる程度まで乾燥せしめ」ることは、刊行物２〜１６のいずれにも記載も示唆もされていない。そして、本件発明は、上記の構成を採ることによって、「表面に塗布された塗布液が搬送の振動で波打ったり、表面に塗布した塗布液が裏面に過度に廻り込んだり、更には裏面に廻り込んだ塗布液が落下することを防止でき、しかも完全に乾燥させていないので、簡単に溶媒（洗浄液）に溶解し、裏面洗浄の時間を短縮することができる。」（訂正明細書の段落【００１８】を参照）という顕著な作用効果を奏するものと認められる。
　したがって、相違点１、２について検討するまでもなく、本件発明は、刊行物１〜１６記載の発明（事項）でなく、また、刊行物１〜１６記載の発明（事項）に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものでもない。　
（６）特許法第２９条の２違反について
　刊行物１７（特開平２−７５３７６号公報）には、
「ガラス基板９の搬送ラインに沿って、上流側から下流側に向かって、塗布ユニット１、乾燥ユニット２及び裏面洗浄ユニット３を配置した塗布装置による塗布方法であって、この塗布方法は、塗布ユニット１にて表面にフォトレジストが塗布されたガラス基板９を乾燥ユニット２に送り込み、この乾燥ユニット２において、ガラス基板９表面に塗布されたフォトレジストを乾燥せしめ、次いでこのガラス基板９を裏面洗浄ユニット３に送り込み、ガラス基板９の表面から廻り込んで付着した余分なフォトレジストを除去するようにした塗布方法」の発明（以下、「先願発明」という。）が記載されているものと認められる。
　そこで、本件発明と先願発明とを対比すると、後者の「ガラス基板９」が前者の「ガラス板や半導体ウェハー等の被処理物」に、後者の「塗布ユニット１」が前者の「塗布装置」に、後者の「裏面洗浄ユニット３」が前者の「洗浄装置」に、後者の「塗布装置」が前者の「被膜形成ライン」に、後者の「塗布方法」が前者の「被膜形成方法」に、それぞれ相当することは明らかである。また、後者の「乾燥ユニット２」と前者の「減圧乾燥装置」とは、「乾燥装置」の限りで共通する。
　そうすると、両者は、「ガラス板や半導体ウェハー等の被処理物の搬送ラインに沿って、上流側から下流側に向かって、塗布装置、乾燥装置及び洗浄装置を配置した被膜形成ラインによる被膜形成方法であって、この被膜形成方法は、塗布装置にて表面に塗布液が塗布された被処理物を乾燥装置に送り込み、この乾燥装置において、被処理物表面に塗布された塗布液を乾燥せしめ、次いでこの被処理物を洗浄装置に送り込み、被処理物の表面から廻り込んで付着した余分な塗布液を除去するようにした被膜形成方法」で一致するが、以下の点で相違する。
〈相違点〉前者は、乾燥装置が減圧乾燥装置であって、該乾燥装置において、塗布液を、簡単に洗浄液に溶解するとともに裏面への廻り込みを防止できる程度まで乾燥せしめるのに対して、後者は、乾燥装置が減圧乾燥装置か否か、また、乾燥の程度が特定されていない点。
　そして、本件発明は、上記相違点に係る前者の構成を採ることにより、上述したとおりの顕著な作用効果を奏するものと認められる。
　したがって、本件発明は、先願発明と同一であるとすることはできない。
　
（７）むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、本件発明についての特許は、拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものとは認めることができない。
　また、他に、本件発明についての特許は、拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものと認めるべき理由を発見しない。
　したがって、本件発明についての特許を取り消すことはできない。
　よって、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第２項の規定により、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１４年１月２８日（２００２．１．２８）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
被膜形成方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　ガラス板や半導体ウェハー等の被処理物の搬送ラインに沿って、上流側から下流側に向かって、塗布装置、減圧乾燥装置及び洗浄装置を配置した被膜形成ラインによる被膜形成方法であって、この被膜形成方法は、塗布装置にて表面に塗布液が塗布された被処理物を減圧乾燥装置に送り込み、この減圧乾燥装置において、被処理物表面に塗布された塗布液を、
簡単に洗浄液に溶解するとともに裏面への廻り込みを防止できる程度まで
の被
た余
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の属する技術分野】
　本発明はガラス板や半導体ウェハー等の表面に各種被膜を形成する方法に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　液晶基板として用いるガラス板にはガラス中のナトリウムが液晶に悪影響を及ぼすのを防止したり、ガラス板の屈折率を調整するため、ガラス板表面に所定の性質を有する被膜を形成している。
　斯かる被膜を形成するには、被処理物の表面に被膜形成用の塗布液を滴下し、これをスピンナーによって均一に拡げ、次いで加熱することで被膜とするようにしている。
　【０００３】
　上述した従来の装置において、スピンナーによって被膜形成用の液体を被処理物表面に塗布する場合、被処理物の外端部まで拡がった塗布液の一部が被処理物の裏面まで廻り込んでそのまま固まってしまう。
　【０００４】
　斯かる不利を解消するため、従来にあってはスピンナー装置と同一箇所において、被処理物の裏面に洗浄液を吹き付け、裏面まで廻り込んだ塗布液を除去するようにしている。
　【０００５】
　【発明が解決しようとする課題】
　しかしながら、被処理物の裏面を洗浄液によって裏面に廻り込んだ塗布液を除去しても、またすぐに表面側から塗布液が廻り込んでしまう。
　逆に、表面側の塗布液を完全に乾燥させ塗布液が廻り込まないようにしてから洗浄すると、洗浄に極めて長時間を要することになる。
　【０００６】
　【課題を解決するための手段】
　上記課題を解決すべく本発明に係る被膜形成方法は、ガラス板や半導体ウェーハ等の被処理物の搬送ラインに沿って、上流側から下流側に向かって、塗布装置、減圧乾燥装置及び洗浄装置を配置した被膜形成ラインによる被膜形成方法を前提とし、前記塗布装置にて表面に塗布液が塗布された被処理物を減圧乾燥装置に送り込み、この減圧乾燥装置において、被処理物表面に塗布された塗布液を
、簡単に洗浄液に溶解するとともに裏面への廻り込みを防止できる
の被
の表面から廻り込んで付着した余分な
　【０００７】
　【発明の実施の形態】
　以下に本発明の実施の形態を添付図面に基づいて説明する。ここで、図１は本発明方法の実施に用いる被膜形成装置の平面図、図２は図１のＡ−Ａ線断面図である。
　【０００８】
　被膜形成装置はガラス板や半導体ウェハー等の被処理物Ｗの搬送ラインの一部を構成し、被処理物Ｗの投入部１の下流側に塗布用スピンナー２を配置し、この塗布用スピンナー２の下流側に減圧乾燥装置３を配置し、この減圧乾燥装置３の下流側に被処理物Ｗの裏面洗浄用スピンナー４を配置し、更に裏面洗浄用スピンナー４の下流側にホットプレート５を配置し、投入部１からホットプレート５に至るまでは搬送装置６によって被処理物Ｗを搬送し、ホットプレート５の部分においては搬送装置７によって被処理物Ｗを搬送するようにしている。
　【０００９】
　また、前記塗布用スピンナー２はカップ状をなすケーシング２０の中央に筒部２１を設け、この筒部２１に下方からモータによって回転せしめられるチャック２２を挿入し、このチャック２２の上方にはチャック２２に吸着保持された被処理物Ｗの表面に被膜形成用の液体を滴下するノズル２３を臨ませている。
　【００１０】
　また、前記洗浄用スピンナー４はケーシング４０の中央にチャック４２を挿入する筒部４１を設けるとともに、この筒部４１の上部に洗浄液噴出ノズル４３を対向して一対設けている。
　【００１１】
　一方、ホットプレート５は搬送方向に沿って３台配置され、各ホットプレート５は搬送方向と直交する方向に３分割され、各分割体５０…間に隙間５１を形成し、この隙間５１に薄板状バー５２を臨ませ、この薄板状バー５２をガイドロッド５３に沿って移動するシリンダユニット５４に取り付けている。
　【００１２】
　而してシリンダユニット５４に伸長動をなさしめることで薄板状バー５２の上端がホットプレート５の隙間５１から突出してホットプレート５上の被処理物Ｗを持ち上げ、この状態でガイドロッド５３に沿ってシリンダユニット５４とともに薄板状バー５２を下流側へ移動し、次いでシリンダユニット５４を圧縮し薄板状バー５２の上端をホットプレート５上面より下げることで、被処理物Ｗを下流側のホットプレート５に移し換える。このようなクランク動を繰り返すことで順次下流側のホットプレートに移し換える。
　【００１３】
　更に前記搬送装置６は被膜形成装置の一側に沿ってレール６０を設けこのレール６０に夫々独立して動作し得る移動体６１…を係合し、この移動体６１から被膜形成装置の上方に昇降自在な水平バー６２を延出し、この水平バー６２に支持爪６３を取り付けている。
　【００１４】
　以上において被処理物Ｗの表面に被膜を形成する方法を以下に述べる。
　先ず投入部１まで搬送されてきた被処理物Ｗを搬送装置６を用いて塗布用スピンナー２のチャック２２上に移載する。この場合、被処理物はその前後端下面を一対の水平バー６２，６２の支持爪６３にて係止された状態で移される。
　【００１５】
　この後ノズル２３からチャック２２上に保持されている被処理物２表面の中央に被膜形成用の塗布液を滴下し、チャックを回転せしめることで被処理物Ｗ表面に塗布液を均一に拡げる。この時、被処理物Ｗの外端部下面には被膜形成用の液体の一部が廻り込んでいるがそのまま減圧乾燥装置３に搬送してある程度まで乾燥せしめる。
　【００１６】
　次いで搬送装置６によって被処理物を洗浄用スピンナー４のチャック４２上に移載し、チャック４２で吸着した状態で被処理物Ｗを高速回転せしめるとともに下面にノズル４３から洗浄液を噴出し、下面に廻り込んである程度固まった塗布液を洗い落とす。
　【００１７】
　この後、被処理物Ｗをホットプレート５上に送りだし、加熱によって被処理物Ｗ表面に被膜を形成する。
　【００１８】
　【発明の効果】
　以上に説明したように本発明によれば、被処理物の搬送ラインの上流側から下流側に向かって、塗布装置、減圧乾燥装置及び洗浄装置を配置した被膜形成ラインによって被膜を形成するにあたり、塗布装置にて被処理物に塗布された塗布液を、減圧乾燥装置にて所謂生乾きの状態にして洗浄装置に送り込むようにしたので、表面に塗布された塗布液が搬送の振動で波打ったり、表面に塗布した塗布液が裏面に過度に廻り込んだり、更には裏面に廻り込んだ塗布液が落下することを防止でき、しかも完全に乾燥させていないので、簡単に溶媒（洗浄液）に溶解し、裏面洗浄の時間を短縮することができる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　本発明方法の実施に用いる被膜形成装置の平面図
　【図２】
　図１のＡ−Ａ線断面図
　【符号の説明】
　２…塗布装置（塗布用スピンナー）、３…減圧乾燥装置、４…洗浄装置（洗浄用スピンナー）、５…ホットプレート、６，７…搬送装置、２２，４２…チャック、Ｗ…被処理物。