【事件の表示】
　特許第３３６０６１０号「検出方法及び検出装置及び研磨装置」の請求項１ないし６、８ないし１４に係る特許に対する特許異議の申立てについてした平成１６年２月２６日付けの決定に対し、東京高等裁判所において「特許庁が異議２００３−７１６３０号について平成１６年２月２６日にした決定中，『特許第３３６０６１０号の請求項１ないし３，５，８，９ないし１１，１４に係る特許を取り消す。』との部分を取り消す。」との判決（平成１６年（行ケ）第１４６号、平成１６年７月２０日判決言渡）があったので、更に審理の結果、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第３３６０６１０号の請求項１ないし３，５，８，９ないし１１，１４に係る特許を維持する。
【理　由】
第１　手続の経緯
　平成１０年　６月　１日　特許出願（優先権主張平成１０年５月２１日）
　同　１４年１０月１８日　特許権の設定の登録
　同　１５年　６月２４日　特許異議の申立て
　同　　　年　９月１８日　取消しの理由の通知
　同　　　年１２月　１日　訂正の請求（後日取下げ）
　同　１６年　２月２６日　特許異議の決定（「訂正を認める。特許第３３６０６１０号の請求項１ないし３、５、８、９ないし１１、１４に係る特許を取り消す。同請求項４、６ないし７、１２ないし１３に係る特許を維持する。」）
　同　　　年　４月１２日　出訴（平成１６年（行ケ）第１４６号）
　同　　　年　４月１９日　訂正の審判の請求（２００４−３９０７５号）
　同　　　年　６月　２日　審決確定（「特許第３３６０６１０号に係る明細書を本件審判請求書に添付された訂正明細書のとおり訂正することを認める。」）
　同　　　年　７月２０日　判決言渡（「特許庁が異議２００３−７１６３０号について平成１６年２月２６日にした決定中，「特許第３３６０６１０号の請求項１ないし３，５，８，９ないし１１，１４に係る特許を取り消す。」との部分を取り消す。」）
　
第２　本件発明
　上記第１で示したように上記訂正の審判による明細書の訂正は確定しているから、特許第３３６０６１０号の請求項１ないし３，５，８，９ないし１１，１４に係る発明（以下「本件発明１」等という。）は、上記訂正の審判の審判請求書に添付された訂正明細書、及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし３，５，８，９ないし１１，１４に記載された事項により特定される次のとおりのものである。
「【請求項１】　半導体装置製造工程における、デバイスパターンが存在し最上層が金属膜である複数の層を有する半導体素子表面の前記金属層の除去工程において、前記半導体素子表面の一部または全部に連続的に複数の波長成分を有する多成分波長光であるプローブ光を照射して得られる前記半導体素子表面からの反射光の分光特性の信号により前記除去工程の工程終了点を検出する方法であって、前記金属層の一部または全部にプローブ光を照射する第１の段階と、　前記除去工程の進行に伴い前記金属層の少なくとも一部が除去された状態において、前記プローブ光が前記デバイスパターンの最小単位の少なくとも数周期分を照射する第２の段階とを有し、前記第２の段階では、前記反射光は、前記プローブ光が照射されているデバイスパターンの前記複数の層の各層からの光波の重ね合わせとなり、前記分光特性の信号から演算されたパラメータを利用して、該パラメータが急激に変化するタイミングで工程終了点の判定を行うことを特徴とする検出方法。
　【請求項２】　半導体装置製造工程における、二次元的に分布した複数の積層薄膜パターンから成るデバイスパターンが存在する半導体素子表面の絶縁層あるいは電極層の除去工程において、前記半導体素子表面の一部または全部に連続的に複数の波長成分を有する多成分波長光であるプローブ光を照射して得られる前記半導体素子表面からの反射光の分光特性の信号により前記除去工程の工程終了点を検出する方法であって、前記プローブ光は前記デバイスパターンの最小単位の少なくとも数周期分を照射し、前記反射光は、前記プローブ光が照射されているデバイスパターンの前記積層薄膜の各層からの光波の重ね合わせであり、前記分光特性の信号から演算されたパラメータを利用して、該パラメータが急激に変化するタイミングで工程終了点の判定を行い、前記パラメータが、前記分光特性の信号の極大値、または極小値、または（極大値−極小値）、または（極小値／極大値）から選ばれた一つ以上であることを特徴とする検出方法。
　【請求項３】　半導体装置製造工程における、二次元的に分布した複数の積層薄膜パターンから成るデバイスパターンが存在する半導体素子表面の絶縁層あるいは電極層の除去工程において、前記半導体素子表面の一部または全部に連続的に複数の波長成分を有する多成分波長光であるプローブ光を照射して得られる前記半導体素子表面からの反射光の分光特性の信号により前記除去工程の工程終了点を検出する方法であって、前記プローブ光は前記デバイスパターンの最小単位の少なくとも数周期分を照射し、前記反射光は、前記プローブ光が照射されているデバイスパターンの前記積層薄膜の各層からの光波の重ね合わせであり、前記分光特性の信号から演算されたパラメータを利用して、該パラメータが急激に変化するタイミングで工程終了点の判定を行い、前記パラメータが、前記分光特性の信号の最大極大値、または最小極小値、または（最大極大値−最小極小値）、または（最小極小値／最大極大値）から選ばれた一つ以上であることを特徴とする検出方法。
　
　【請求項５】　前記パラメータが、前記分光特性の信号の適当なフーリエ変換の成分であることを特徴とする請求項１記載の検出方法。
　
　【請求項８】　請求項１〜７の検出方法から選ばれた二つ以上を併用して判定を行うことを特徴とする検出方法。
　【請求項９】　半導体装置製造工程における、デバイスパターンが存在し最上層が金属膜である複数の層を有する半導体素子表面の前記金属層の除去工程の工程終了点を前記半導体素子表面の一部または全部に連続的に複数の波長成分を有する多成分波長光であるプローブ光を照射して得られる反射光の分光特性の信号により検出する検出装置において、前記照射光源を有し、前記照射光源から発したプローブ光を前記半導体素子表面の一部または全部に照射し、前記半導体素子表面の一部または全部にて反射された反射光の分光特性を検出する測定光学系と、前記検出された分光特性の信号が入力される信号処理部と、を備え、前記測定光学系は、前記除去工程の進行に伴い前記金属層の少なくとも一部が除去された状態において、前記プローブ光が前記デバイスパターンの最小単位の少なくとも数周期分を照射し、前記反射光が前記プローブ光が照射されているデバイスパターンの前記複数の層の各層からの光波の重ね合わせとなるように構成され、前記信号処理部は、前記分光特性の信号からパラメータを演算し、このパラメータを利用して該パラメータが急激に変化するタイミングで研磨終了点を検出することを特徴とする検出装置。
　【請求項１０】　半導体装置製造工程における、二次元的に分布した複数の積層薄膜パターンから成るデバイスパターンが存在する半導体素子表面の絶縁層あるいは電極層の除去工程の工程終了点を前記半導体素子表面の一部または全部に連続的に複数の波長成分を有する多成分波長光であるプローブ光を照射して得られる反射光の分光特性の信号により検出する検出装置において、前記照射光源を有し、前記照射光源から発したプローブ光を前記半導体素子表面の一部または全部に照射し、前記半導体素子表面の一部または全部にて反射された反射光の分光特性を検出する測定光学系と、前記検出された分光特性の信号が入力される信号処理部と、を備え、前記測定光学系は、前記プローブ光が前記デバイスパターンの最小単位の少なくとも数周期分を照射し、前記反射光が前記プローブ光が照射されているデバイスパターンの前記積層薄膜の各層からの光波の重ね合わせとなるように構成され、前記信号処理部は、前記分光特性の信号から前記分光特性の信号の極大値、または極小値、または（極大値−極小値）、または（極小値／極大値）から選ばれた一つ以上をパラメータとして演算し、このパラメータを利用して該パラメータが急激に変化するタイミングで研磨終了点を検出することを特徴とする検出装置。
　【請求項１１】　半導体装置製造工程における、二次元的に分布した複数の積層薄膜パターンから成るデバイスパターンが存在する半導体素子表面の絶縁層あるいは電極層の除去工程の工程終了点を前記半導体素子表面の一部または全部に連続的に複数の波長成分を有する多成分波長光であるプローブ光を照射して得られる反射光の分光特性の信号により検出する検出装置において、前記照射光源を有し、前記照射光源から発したプローブ光を前記半導体素子表面の一部または全部に照射し、前記半導体素子表面の一部または全部にて反射された反射光の分光特性を検出する測定光学系と、前記検出された分光特性の信号が入力される信号処理部と、を備え、前記測定光学系は、前記プローブ光が前記デバイスパターンの最小単位の少なくとも数周期分を照射し、前記反射光が前記プローブ光が照射されているデバイスパターンの前記積層薄膜の各層からの光波の重ね合わせとなるように構成され、前記信号処理部は、前記分光特性の信号から前記分光特性の信号の最大極大値、または最小極小値、または（最大極大値−最小極小値）、または（最小極小値／最大極大値）から選ばれた一つ以上をパラメータとして演算し、このパラメータを利用して該パラメータが急激に変化するタイミングで研磨終了点を検出することを特徴とする検出装置。
　
　【請求項１４】　請求項９から１３のいずれか１項に記載の検出装置と研磨パッドと被研磨部材を保持する研磨ヘッドとを具え、前記研磨パッドと前記被研磨部材との間に相対運動を与えることにより前記被研磨部材を研磨する研磨装置。」
　
第３　特許異議の申立てについての判断
１　請求項１ないし３，５，８，９ないし１１，１４に係る特許に対する特許異議の申立ての理由の概要
　特許異議申立人大坪秀樹は、証拠として甲第２号証（特開昭５６−１１５９０５号公報）、甲第３号証（特開平７−２８０５２０号公報）、甲第４号証（特開平７−２３５５２０号公報）、甲第５号証（特開平９−７９８５号公報：以下「刊行物２」という。）及び甲第６号証（特開平７−２９４２２０号公報：以下「刊行物３」という。）を提出し、請求項１ないし３，５，８，９ないし１１，１４に係る特許は特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであるから、請求項１ないし３，５，８，９ないし１１，１４に係る特許を取り消すべきである、旨主張している。
　
２　請求項１ないし３，５，８，９ないし１１，１４に係る特許についての取消しの理由の概要
　取消しの理由の概要は、請求項１ないし３，５，８，９ないし１１，１４に係る発明は、当審が通知した取消しの理由に引用された、その出願前日本国内において頒布された特開平７−４９２１号公報（以下「刊行物１」という。）、及び上記の刊行物２ないし３に記載された発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項１ないし３，５，８，９ないし１１，１４に係る発明についての特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであり、同法第１１３条第１項第２号に該当し、取り消すべきものである、というにある。
　
３　刊行物１ないし３及び甲第２ないし４号証記載の発明（事項）
　当審が通知した取消しの理由に引用された刊行物１ないし３及び甲第２ないし４号証には、以下の事項が記載されていると認める。
（１） 刊行物１
ア　公報第２頁右欄第２３−３１行
「本発明は、例えば、半導体ウエハに形成された薄膜の膜厚を光学的に測定する膜厚測定装置およびその膜厚測定装置が組み込まれたポリシング装置に関する・・一般に、半導体ウエハにおいては、Ｓｉ基板上に種々の薄膜が形成されている。これらの膜厚はデバイスの諸特性に大きく影響するため、膜厚を所望の値にコントロールする技術が重要である。」
イ　公報第５頁左欄第２８−３４行
「本実施例においては、測定光として赤外線半導体レーザ１９が用いられているが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば、測定光として多波長の赤外光を用い、バンドパスフィルタによって波長を選択することも可能である。また、測定光として白色光を用いることや、光源として水銀ランプや重水素ランプ等を用いることが可能である。」
ウ　公報第７頁左欄第４５行−第８頁左欄第１２行
「図１４は本発明の第３実施例を示しており、図中の符号７１は膜厚測定装置である。この膜厚測定装置７１においては、測定光学系７２が、赤外線半導体レーザ７３、レンズ７４、７５、７６、投受光ファイバ７７、スリット板７８、反射ミラー７９、回折格子８０、及び、一次元撮像素子８１を有している。・・薄膜として前述の各実施例と同様にＳｉＯ２膜２９が採用されており、赤外線半導体レーザ７３は波長約１．２μｍ以上の赤外光を出力する。・・膜厚測定装置７１の作用を説明する。赤外線半導体レーザ７３から出射されたレーザ光８９は・・ウエハ１に入射する。ウエハ１に入射したレーザ光８９は、（Ｓｉ）基板２８とＳｉＯ２膜２９との界面、及び、ＳｉＯ２膜２９中で反射し、両反射光ｕ１、ｕ２が干渉する。・・干渉光９０は回折格子８０により分光され、・・一次元撮像素子８１に入射する。・・一次元撮像素子８１は入射光を光電変換し、各波長毎の光の強度に応じた信号を出力する。一次元撮像素子８１の出力信号はインタフェース８３を介して演算器８２に送られ、演算器８２は入力された信号と以下の (5)式に基づいてＳｉＯ２膜２９の厚さｄを演算する。・・図１６は、干渉光９０の波形（エネルギ反射率−波長の関係）を示している。さらに、ＳｉＯ２膜２９の厚さｄと干渉光９０との間には以下のような関係が在る。・・
【数７】
・・ここで、λm は図１６の干渉光９０の波形に現れた１つの反射率極大（または極小）を与える波長であり、λm-l はλm から波長の増加する方向に数えてｌ番目の反射率極大（または極小）を与える波長である。また、ｎはＳｉＯ２の屈折率、θはレーザ光８９のＳｉＯ２への入射角である。・・すなわち、この膜厚測定装置７１においても、前述の各実施例と同様に、ウエハ１をポリシングしながら膜厚をインプロセスで測定することができる。」
エ　公報第８頁左欄第２６−４０行
「図１７乃至図２０は本発明の第４の実施例を示す。この実施例は半導体製造プロセスにおいて、図１７（ａ）〜（ｃ）に示すように半導体ウエハ１００の表面を平坦化するプロセスである。・・上記プロセスにおいては、まず図１７（ａ）に示すようにＳｉ基板２８上にＳｉＯ２からなる絶縁膜２９ａが部分的に形成される。ついで、同図（ｂ）に示すように基板２８には回路パターンを形成する、アルミニウムなどの金属膜２９ｂがたとえばＣＶＤなどの手段によって設けられる。金属膜２９ｂは基板２８の絶縁膜２９ａ以外の部分だけでなく、この絶縁膜２９ａ上にも堆積するから、同図（ｃ）に示すように上記金属膜２９ｂをポリシングによって平坦化する。」
オ　公報第８頁右欄第２３行−第９頁左欄第１０行
「・・半導体ウエハ１００は基板２８を上側にし、しかも基板２８に形成された絶縁膜２９ａが上部回転テーブル３の窓１８に対向するよう位置決めされている。・・レーザ光２７の波長が１．２μｍ以上であれば、そのレーザ光２７は図１８に示すように基板２８を透過し、一部が絶縁膜２９ａで反射するとともに残りの一部は上記基板２８と絶縁膜２９ａを透過し、この絶縁膜２９ａを被覆した金属膜２９ｂで反射する。・・上記絶縁膜２９ａで反射した第１の反射光２７ａと、上記金属膜２９ｂで反射した第２の反射光２７ｂとは干渉して基板２８から出射し、・・光検出器２３で検出された干渉光２７ｃの強度に対応する出力の電気信号は増幅器２５で増幅されて演算器２６に入力される。この演算器２６は、ここに予め設定された設定値と上記干渉光２７ｃの強度とを比較し、干渉光２７ｃの強度が所定値以下になったときに、上記金属膜２９ｂのポリシングを終了させるようになっている。」
　したがって、上記記載事項（１）ア及びウ、並びに、絶縁層であるＳｉＯ２膜２９のポリシング工程が、半導体装置製造工程においては、デバイスパターンが存在し複数の層を有する半導体素子表面の、絶縁層の除去工程を意味することは、当業者において技術常識であること（必要であれば、上記記載事項（１）アの「一般に、半導体ウエハにおいては、Ｓｉ基板上に種々の薄膜が形成されている。これらの膜厚はデバイスの諸特性に大きく影響する・・」、上記記載事項（１）エの「Ｓｉ基板２８上にＳｉＯ２からなる絶縁膜２９ａが部分的に形成される。（ついで、・・基板２８には回路パターンを形成する、アルミニウム等の金属膜２９ｂがたとえばＣＶＤなどの手段によって設けられる。）」、下記記載事項（２）ウの「酸化物層５２の表面造作７２、７４、７６の１組が、その下の構造体７８、８０、８２と関連して例示される。」、及び、下記記載事項（６）アの「金属線は個々のデバイスを電気的に相互接続するためのものである。接続用金属線は更に、例えば酸化物のＣＶＤによって形成される絶縁物質の薄膜により次の相互接続レベルから絶縁される。」を参照。）からみて、刊行物１には、次の発明（以下「刊行物１記載の発明」という。）が記載されているものと認める。
［刊行物１記載の発明］
　半導体装置製造工程における、デバイスパターンが存在し最上層がＳｉＯ２膜２９である複数の層を有するウエハ１表面の前記ＳｉＯ２膜２９のポリシング工程において、前記ウエハ１表面の一部にレーザ光８９を照射して得られる前記ウエハ１表面からの反射光を分光した各波長毎の光の強度に応じた信号により前記ポリシング工程の終点を検出する方法であって、前記ＳｉＯ２膜２９の一部にレーザ光８９を照射する第１の段階と、前記ポリシング工程の進行に伴い前記ＳｉＯ２膜２９の一部が除去された状態において、前記レーザ光８９を照射する第２の段階とを有し、前記第２の段階では、前記反射光は、前記レーザ光８９が照射されている（Ｓｉ）基板２８とＳｉＯ２膜２９との界面、及び、ＳｉＯ２膜２９中で反射した反射光ｕ１、ｕ２の干渉光９０となり、前記信号の波形に現れた反射率極大（または極小）を与える２つの波長からＳｉＯ２膜の厚さｄを演算して、終点の判定を行う検出方法。
（２）刊行物２
ア　公報第６頁右欄第２５−３１行
「本発明は、研磨プロセスに関して正確性を向上し更に有用な情報を与えるために用いる事ができる終点の検出器及び方法を目指すものである。本発明の装置及び方法は、ＣＭＰプロセスの最中に、除去された材料の厚さ又はウエハ表面の平坦度をインシチュウに決定するための、干渉による技術を採用する。」
イ　公報第８頁左欄第２２−３２行
「条件によっては、パターニングされたウエハ上の構造体の上の膜厚を制御することが望ましい。この膜厚は、前述の平坦化によっていつも達成できるとは限らない。しかし、データ信号をフィルタにかけて、特定の膜厚が望ましい膜の下の特定の構造体や同様のサイズが与えられた構造体のグループに関する周波数以外の周波数をカットすることにより、この制御を得ることは充分可能である。本質的には、信号が一旦フィルタにかけられれば、ブランク酸化物のＣＭＰ終点を決定するための前述したあらゆる方法を、パターニングされたウエハに対して用いることが可能である。」
ウ　公報第１３頁左欄第３２行−第１３頁右欄第１９行
「図１１（ａ）〜（ｃ）には、酸化物層５２の表面造作７２、７４、７６の１組が、その下の構造体７８、８０、８２と関連して例示される。これらは、典型的なパターニングされたウエハ１４上に見られ、ＣＭＰプロセス中に変化していく。・・造作７２、７４、７６のそれぞれからの個々の反射の全てから部分的に成る結合された干渉信号は、前述の周期的な正弦波状信号ではなく、外見上ランダムな様式で変動するだろう。・・しかし、上述のように、造作７２、７４、７６の研磨速度は、平坦化のポイントに近付く傾向がある。従って、・・結合された干渉信号が周期的な正弦波の形態として認識できるようになる。従って、正弦波状の干渉信号が開始するときを検出することにより、パターニングされたウエハの表面が平坦化された時を決定することが可能となる。」
エ　公報第１５頁左欄第７−２３行
「レーザー干渉計によって発生するレーザービームのビームの直径（即ちスポット）及び波長を有利なように操作することが可能であることに更に注意すべきである。図１５の（ａ）及び（ｂ）に示されているように、用いる波長に対し最小可能なスポットに合わせたビーム等の幅の狭いビーム８４は、ウエハ１４の表面に対して、フォーカスできていない広いビーム８６よりも小さな領域をカバーする。この狭いビーム８４は、広いビームに比べて、表面の不均一９０による散乱（即ちビーム８８）を生じやすく、なぜなら、この広いビーム８６はウエハ１４の表面の更に広い面積に広がり、表面の不均一９０よりも大きな部分を包含するからである。従って、広いビームは積分効果を有することとなり、ウエハ１４の表面を移動するときには、反射干渉信号に極端な変動を生じさせにくい。従って、この理由から、ビームは広い方が好ましい。レーザービームの幅を広くするためには、周知の光学装置を用いることが可能である。」
（３）刊行物３
ア　公報第３頁左欄第１５−１８行
「本発明は、高速フーリエを変換の手法を用いて、多層膜厚の膜厚検出を高速に、かつ高精度に行うことを可能にする多層薄膜の薄膜検出方法および装置を提供することを目的とするものである。」
イ　公報第３頁右欄第１８−４１行
「次に、動作について説明する。まず、試料１０に対し、白色光源１からの白色光を光ファイバ２を介して垂直（θ＝０）に照射し、その反射光を光ファイバ３を介して分光器４に入射し分光し、マルチチャネルディテクタ５でその強度を検出し、得られた反射スペクトルを信号処理器７に入力する。・・この反射スペクトルを高速フーリエ変換（ＦＦＴという）すると線スペクトルになる。ＦＦＴをする理由は波長変数のままでは、スペクトルはブロードになり、後の処理が困難になるからである。」
（４）甲第２号証
ア　公報第３頁左上欄第７行−右上欄第１行
「第１図において白色光線をフイルムに照射すると，・・フイルムに入る前の光の放射エネルギーの波長強度分布（以下光のスペクトルという）がフイルムによって反射されることにより変化する。この変化は光線の入射角が一定ならばフイルムの厚みｄおよび屈折率ｎに依存する。したがってフイルムに白色の平行光線を照射し，フイルムにより反射された光のスペクトルを測定すればこれと予め測定したフイルムの屈折率からフイルムの厚みを求めることができる。」
（５）甲第３号証
ア　公報第５頁左欄第４−７行
「本発明の第１の目的は、被測定薄膜が着色していたり、複屈折性を有するものであっても、高精度に薄膜の膜厚を測定する方法および測定装置を提供することにある。」
イ　公報第５頁左欄第２６行−同頁右欄第１０行
「本発明の薄膜の膜厚測定方法の好ましい態様は、白色光を薄膜に照射し、前記白色光の前記薄膜による干渉光の分光強度を測定し、前記薄膜と同種でありかつ膜厚の異なる複数の薄膜による干渉光の平均分光強度に対する前記測定された分光強度の分光強度比に基づいて前記薄膜の膜厚を算出することを特徴としている。・・また、本発明の薄膜の膜厚測定方法の別の態様は、白色光を薄膜に照射し、前記白色光の前記薄膜による干渉光の分光強度を測定し、前記薄膜と同種でありかつ膜厚の異なる複数の薄膜による干渉光の平均分光強度と前記測定された分光強度との分光強度差に基づいて前記薄膜の膜厚を算出することを特徴としている。・・また、本発明の薄膜の膜厚測定方法の好ましい態様は、前記分光強度差の極値を与える複数の波長にもとづいて前記薄膜の膜厚を算出することを特徴としている。・・また、本発明の薄膜の膜厚測定方法の好ましい態様は、前記分光強度比の極値を与える複数の波長にもとづいて前記薄膜の膜厚を算出することを特徴としている。」
（６）甲第４号証
ア　公報第４頁左欄第１０−１７行
「ＶＬＳＩ配線技術では、デバイス回路を含む基板上に接続用金属線が形成される。これらの金属線は個々のデバイスを電気的に相互接続するためのものである。接続用金属線は更に、例えば酸化物のＣＶＤによって形成される絶縁物質の薄膜により次の相互接続レベルから絶縁される。相互接続レベルが異なる金属線を相互接続するために、絶縁層に孔が設けられて絶縁層間の電気的アクセスを可能にする。」
イ　公報第４頁右欄第１２−２２行
「図１は、高性能ＶＬＳＩ回路１４において、第１のメタライズ層１２と第２のメタライズ層（図示なし）との間に金属のコンタクト・バイア１０（図２）を形成する例を示す。金属のコンタクト・バイア１０はまた、あるメタライズ層では相互接続ワイヤも表わす。反応性イオン・エッチングによって層間誘電層１６にバイアが形成されると（またはワイヤ・パターンが形成されると）メタライズ層１８が全面に付着される（図１）。メタライズ層１８は次に、図２に示すような平坦な金属スタッド１０（またはワイヤ）が形成されるように研削される。」
ウ　公報第５頁左欄第２０−３１行
「本発明によれば、研磨機によるワークピースの研磨時に、その機械化学研磨過程をその場でモニタする装置は、回転可能な研磨盤に研磨スラリが供給され、研磨盤内に組込まれたウィンドウを備えるもので、研磨時にウィンドウがビューイング・パスを横切り、また研磨時にビューイング・パスに沿った検出領域を横切った際に、研磨盤の下側からワークピースの研磨面をその場で検査することができる。研磨盤の下側のウィンドウには反射測定手段が接続されて反射が測定され、反射測定手段は、その場の反射率を表わす反射信号を出力する。その場の反射率の所定の変化は、研磨過程の所定の条件に対応するものである。」
エ　公報第６頁右欄第３４−４２行
「光源７６は、白色光または多色の光源、レーザ、ＨｅＮｅレーザ、平行ダイオード・レーザ等、適当な光源からなる。光源７６は対応する入射光ビーム・パスに沿って充分に平行化された入射光ビーム７７を供給する。通常、ウエハ表面のビームは、直径が１ｍｍのオーダのビームであるが、所望の空間解像度に応じてこれより大きい或いは小さいビームも使用できる。大きいビームを使用すれば、チップのパターン・ファクタ変化による変動が小さくなる。」
　
４　本件発明１ないし３、５、８、９ないし１１、１４についての対比・判断
　本件発明１と、刊行物１記載の発明とを対比すると、以下の点で相違し、その余の点で一致しているものと認める。
［相違点１］
　前者では、最上層が、「金属膜」であるのに対し、後者では、ＳｉＯ２膜である点。
［相違点２］
　前者では、プローブ光が、「連続的に複数の波長成分を有する多成分波長光」であるのに対し、後者では、そうではない点。
［相違点３］
　前者では、プローブ光が、「デバイスパターンの最小単位の少なくとも数周期分」を照射し、反射光は、プローブ光が照射されているデバイスパターンの複数の層の各層からの光波の重ね合わせとなるのに対し、後者では、プローブ光を照射する範囲が不明である点。
［相違点４］
　前者では、パラメータを利用して、工程終了点の判定を行う際に、「パラメータが急激に変化するタイミングで」判定を行うのに対し、後者では、パラメータから膜の厚さを演算して判定を行っている点。
　そこで、上記相違点４について検討するに、上記相違点４に係る構成、すなわち、分光特性の信号から演算されたパラメータを利用して、「パラメータが急激に変化するタイミングで」工程終了点の判定を行う点については、刊行物１ないし３及び甲第２ないし４号証のいずれにも、記載も示唆もされていない。
　そして、本件発明１は、上記相違点４に係る構成を具備することにより、訂正明細書段落【００３１】記載の「分光反射特性の信号波形は、研磨前の状態である図３（ａ）から研磨終了時に図３（ｂ）のような形に変化した。ここで信号処理部１８は、適当なパラメータを演算し、このパラメータを研磨進行に対してモニターすることにより、研磨終了点の精度の良い判定が容易に可能になった。」、及び「研磨進行に伴って（研磨膜厚に対して）（最小値／最大値）の値をモニターすると、図４のように、研磨終了点（段差解消時）の前後域で最小値／最大値の値が急減し、この急減域の適当な点を検出することにより研磨終了点の精度の良い判定が容易に可能になった。」という格別な作用効果を奏するものと認められる。
　してみると、相違点１ないし３について検討するまでもなく、本件発明１は、刊行物１記載の発明、刊行物２ないし３及び甲第２ないし４号証に記載された事項から、当業者が容易に発明をすることができたものと云うことができない。
　さらに、本件発明１の上記相違点４に係る構成を具備する本件発明２ないし３及び９ないし１１、本件発明１を引用する本件発明５及び８、本件発明９を引用する本件発明１４も、同様の理由により、刊行物１記載の発明、刊行物２ないし３及び甲第２ないし４号証に記載された事項から、当業者が容易に発明をすることができたものと云うことができない。
　
５　むすび
　以上のとおりであるから、本件発明１ないし３、５、８、９ないし１１、１４に係る特許は、取消しの理由及び証拠、並びに特許異議申立ての理由及び証拠によっては取り消すことはできない。
　また、他に本件発明１ないし３、５、８、９ないし１１、１４に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１６年２月２６日（２００４．２．２６）