【事件の表示】
　特許第３３８１９０９号「ウエハ加熱用セラミックヒータ」の請求項１ないし６に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３３８１９０９号の請求項１ないし３に係る特許を取り消す。
【理　由】
１．手続の経緯
　特許第３３８１９０９号の発明についての出願は、平成１２年８月７日（優先権主張日　平成１１年８月１０日）に出願され、平成１４年１２月２０日にその発明について特許権の設定登録がなされ、その後、特許異議申立人　森田昭司、北垣哲郎より特許異議の申立てがなされ、取消しの理由が通知がなされ、その指定期間内である平成１６年５月１８日に特許異議意見書とともに、訂正請求がなされたものである。
　
２．訂正の適否についての判断
（１）訂正の内容
・訂正事項１
　願書に添付された明細書（以下、「特許明細書」という。）の
「【請求項１】　円板形状のセラミック基板の表面または内部に発熱体を設けてなる半導体製造・検査装置用セラミックヒータにおいて、
前記発熱体は、同心円形状または渦巻き形状のパターンと、屈曲線からなるパターンの発熱体が混成して形成されていることを特徴とする半導体製造・検査装置用セラミックヒータ。
【請求項２】　円板形状のセラミック基板の表面または内部に発熱体を設けてなる半導体製造・検査装置用セラミックヒータにおいて、
前記発熱体は、同心円形状または渦巻き形状のパターンと、屈曲線の繰り返しパターンの発熱体が混成して形成されていることを特徴とする半導体製造・検査装置用セラミックヒータ。
【請求項３】　円板形状のセラミック基板の少なくとも外周部分に、屈曲線からなるパターン、または、屈曲線の繰り返しパターンの発熱体が形成されてなる請求項１または２に記載の半導体製造・検査装置用セラミックヒータ。」を、
「【請求項１】　円板形状のセラミック基板の表面または内部に発熱体を設けてなり、前記セラミック基板には、有底孔が形成され、該有底孔に測温素子が挿入されたセラミックヒータにおいて、
前記発熱体のパターンは、同心円形状もしくは渦巻き形状のパターンおよび屈曲線の繰り返しからなるパターンが混成して形成されてなるとともに、それぞれの回路に分割されてなり、
前記屈曲線の繰り返しからなるパターンは、外周部分に形成されてなることを特徴とするウェハ加熱用セラミックヒータ。」
と訂正する。
・訂正事項２
　特許明細書の
「【請求項４】　前記セラミック基板は、非酸化物セラミックである請求項１〜３のいずれか１に記載の半導体製造・検査装置用セラミックヒータ。」を、
「【請求項２】　前記セラミック基板は、非酸化物セラミックからなる請求項１に記載のウェハ加熱用セラミックヒータ。」
と訂正する。
・訂正事項３
　特許明細書の
「【請求項５】　前記セラミック基板は、窒化物セラミックである請求項１〜３のいずれか１に記載の半導体製造・検査装置用セラミックヒータ。」を、
「【請求項３】　前記セラミック基板は、窒化物セラミックからなる請求項１に記載のウェハ加熱用セラミックヒータ。」
と訂正する。
・訂正事項４
　特許明細書の
「【請求項６】　前記セラミック基板は、炭化物セラミックである請求項１〜３のいずれか１に記載された半導体製造・検査装置用セラミックヒータ。」
を削除する。
・訂正事項５
　特許明細書の
「【発明の名称】　半導体製造・検査装置用セラミックヒータ」を、
「【発明の名称】　ウェハ加熱用セラミックヒータ」
と訂正する。
・訂正事項６
　特許明細書の
「【発明の属する技術分野】　本発明は、半導体産業において使用されるセラミックヒータに関する。」を、
「【発明の属する技術分野】　本発明は、半導体産業において使用されるウェハ加熱用セラミックヒータに関する。」
と訂正する。
・訂正事項７
　特許明細書の
「【００１４】　すなわち、本発明のセラミックヒータは、円板形状のセラミック基板の表面または内部に抵抗発熱体を設けてなるセラミックヒータにおいて、
上記抵抗発熱体は、同心円形状または渦巻き形状のパターンと、屈曲線からなるパターンまたは屈曲線の繰り返しパターンの抵抗発熱体とが混成して形成されていることを特徴とする。
本発明においては、円板状のセラミック基板の少なくとも外周部分には、屈曲線の繰り返しパターンの抵抗発熱体が形成されていることが好ましい。　」を、
「【００１４】　すなわち、本発明のウェハ加熱用セラミックヒータは、円板形状のセラミック基板の表面または内部に発熱体を設けてなり、上記セラミック基板には、有底孔が形成され、該有底孔には測温素子が挿入されたセラミックヒータにおいて、上記発熱体のパターンは、同心円形状もしくは渦巻き形状のパターンおよび屈曲線の繰り返しからなるパターンが混成して形成されてなるとともに、それぞれの回路に分割されてなり、上記屈曲線の繰り返しからなるパターンは、外周部分に形成されてなることを特徴とする。」
と訂正する。
・訂正事項８
　特許明細書の
「【００１５】【発明の実施の形態】本発明のセラミックヒータは、円板形状のセラミック基板の表面または内部に抵抗発熱体を設けてなるセラミックヒータにおいて、
上記抵抗発熱体は、同心円形状または渦巻き形状のパターンと、屈曲線からなるパターンまたは屈曲線の繰り返しパターンの抵抗発熱体とが混成して形成されていることを特徴とする。」を、
「【００１５】【発明の実施の形態】本発明のウェハ加熱用セラミックヒータは、円板形状のセラミック基板の表面または内部に発熱体を設けてなり、上記セラミック基板には、有底孔が形成され、該有底孔に測温素子が挿入されたセラミックヒータにおいて、上記発熱体は、同心円形状もしくは渦巻き形状のパターンおよび屈曲線の繰り返しからなるパターンが混成して形成されてなるとともに、それぞれの回路に分割されてなり、上記屈曲線の繰り返しからなるパターンは、外周部分に形成されていることを特徴とする。」
と訂正する。
・訂正事項９
　特許明細書の
「【００１６】本発明のセラミックヒータによれば、上記抵抗発熱体は、同心円形状または渦巻き形状のパターンと、屈曲線からなるパターンまたは屈曲線の繰り返しパターンの抵抗発熱体とが混成して形成されているので、セラミック基板の全体に同心円形状または渦巻き形状のパターンの抵抗発熱体が形成されている場合と比較して外周部分の温度の低下を抑えることができ、ウエハ加熱面全体の温度が均一になる結果、半導体ウエハ等を均一に加熱することができる。」を、
「【００１６】本発明のセラミックヒータによれば、上記発熱体のパターンは、同心円形状もしくは渦巻き形状のパターンおよび屈曲線の繰り返しからなるパターンが混成して形成され、上記屈曲線の繰り返しからなるパターンが外周部分に形成されているので、セラミック基板の全体に同心円形状または渦巻き形状のパターンの抵抗発熱体が形成されている場合と比較して外周部分の温度の低下を抑えることができ、ウエハ加熱面全体の温度が均一になる結果、半導体ウエハ等を均一に加熱することができる。」
と訂正する。
・訂正事項１０
　特許明細書の
「【００９０】（実施例２）
（１）窒化アルミニウム粉末（トクヤマ社製、平均粒径１．１μｍ）１００重量部、酸化イットリウム（Ｙ2Ｏ3：イットリア、平均粒径０．４μｍ）４重量部、アクリル系樹脂バインダ１１．５重量部、分散剤０．５重量部および１−ブタノールとエタノールとからなるアルコール５３重量部を混合したペーストを用い、ドクターブレード法により成形を行って、厚さ０．４７ｍｍのグリーンシートを作製した。」を、
「【００９０】（参考例１）
（１）窒化アルミニウム粉末（トクヤマ社製、平均粒径１．１μｍ）１００重量部、酸化イットリウム（Ｙ2Ｏ3：イットリア、平均粒径０．４μｍ）４重量部、アクリル系樹脂バインダ１１．５重量部、分散剤０．５重量部および１−ブタノールとエタノールとからなるアルコール５３重量部を混合したペーストを用い、ドクターブレード法により成形を行って、厚さ０．４７ｍｍのグリーンシートを作製した。」
・訂正事項１１
　特許明細書の
「【００９８】（実施例３）
(1)ＳｉＣ粉末（平均粒径：０．３μｍ）１００重量部、焼結助剤のＢ4Ｃを０．５重量部、アクリル系バインダ１２重量部およびアルコールからなる組成物のスプレードライを行い、顆粒状の粉末を作製した。
(2)次に、この顆粒状の粉末を金型に入れ、平板状に成形して生成形体（グリーン）を得た。」を、
「【００９８】（実施例２）
(1)ＳｉＣ粉末（平均粒径：０．３μｍ）１００重量部、焼結助剤のＢ4Ｃを０．５重量部、アクリル系バインダ１２重量部およびアルコールからなる組成物のスプレードライを行い、顆粒状の粉末を作製した。
(2)次に、この顆粒状の粉末を金型に入れ、平板状に成形して生成形体（グリーン）を得た。」
と訂正する。
・訂正事項１２
　特許明細書の
「【０１０８】次に、実施例および比較例で得られたセラミックヒータに通電し、中心部分の温度を２００℃まで上昇させ、中心部分と外周部（外周端部から中心に向かって２０ｍｍの点）との温度差ΔＴを測定した。また、２００℃まで昇温させるための時間を測定した。」を、
「【０１０８】次に、実施例、参考例および比較例で得られたセラミックヒータに通電し、中心部分の温度を２００℃まで上昇させ、中心部分と外周部（外周端部から中心に向かって２０ｍｍの点）との温度差ΔＴを測定した。また、２００℃まで昇温させるための時間を測定した。」
と訂正する。
・訂正事項１３
特許明細書の   
「【０１０９】その結果、実施例１〜３および試験例で得られたセラミックヒータでは、ΔＴ＝０．５℃（実施例１）、ΔＴ＝０．５℃（実施例２）、ΔＴ＝０．４℃（実施例３）、ΔＴ＝０．８℃（試験例）と中心部分と外周部分の温度差は余りなかったが、比較例１で得られたセラミック「ヒータでは、ΔＴ＝３℃と中心部分と外周部分とで大きな温度差が発生した。」を、
「【０１０９】その結果、実施例１〜２、参考例１および試験例で得られたセラミックヒータでは、ΔＴ＝０．５℃（実施例１）、ΔＴ＝０．５℃（参考例１）、ΔＴ＝０．４℃（実施例２）、ΔＴ＝０．８℃（試験例）と中心部分と外周部分の温度差は余りなかったが、比較例１で得られたセラミック「ヒータでは、ΔＴ＝３℃と中心部分と外周部分とで大きな温度差が発生した。」
と訂正する。
・訂正事項１４
　特許明細書の
「【０１１０】また、２００℃までの昇温時間は、実施例１３および試験例において、３０秒（実施例１）、３２秒（実施例２）、４０秒（実施例３）、５分（試験例）であったが、比較例１でも３０秒であった。
以上の結果より、昇温時間などを考慮すると、酸化物セラミックよりも非酸化物
セラミックを採用する方が有利であることが判明した。」を、
「【０１１０】また、２００℃までの昇温時間は、実施例１〜２、参考例１および試験例において、３０秒（実施例１）、３２秒（実施例２）、４０秒（実施例３）、５分（試験例）であったが、比較例１でも３０秒であった。
以上の結果より、昇温時間などを考慮すると、酸化物セラミックよりも非酸化物
セラミックを採用する方が有利であることが判明した。」
と訂正する。
　
（２）訂正の目的の適否、新規事項の有無、及び特許請求の範囲の拡張・変更の存否
・訂正事項１について
　特許明細書の段落【０００１】には、「本発明は、半導体産業において使用されるセラミックヒータに関する」と記載されていること、段落【０００７】には、「セラミックヒータ３０を用いて、半導体ウェハ等を加熱しようとすると」と記載されていること、段落【００１３】には、「半導体ウェハ等を全体的に均一に加熱すること」と記載されていることから、訂正事項１の「ウェハ加熱用セラミックヒータ」という構成は、特許明細書に記載されている範囲内において、「半導体製造装置・検査装置用セラミックヒータ」を下位概念の構成に限定したものであるし、また、特許明細書の段落【００２６】には、「熱電対等の測温素子を埋め込むための有底孔７４も形成されている。」と記載されていること、段落【００３３】には、「図１に示したように少なくとも２以上の回路に分割されていることが望ましい。回路を分割することにより、」と記載されていること、から訂正事項１の訂正は、特許明細書に記載されている範囲内において、特許請求の範囲の減縮を目的とした明細書の訂正に該当するものであって、新規事項の追加に該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。
・訂正事項２、３について
　訂正事項２、３の訂正は、訂正事項１の訂正に伴い、請求項番号を繰り上げるとともに、引用請求項の発明と整合を図るものであるから、特許明細書に記載されている範囲内において、明りょうでない記載の釈明を目的とした明細書の訂正に該当する。
・訂正事項４について
　訂正事項４の訂正は、請求項を削除するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とした明細書の訂正に該当する。
・訂正事項５ないし１４について
　訂正事項４ないし１４の訂正は、訂正事項１の訂正に伴って、訂正事項１と特許明細書の整合を図るものであるから、特許明細書の範囲内において、明りょうでない記載の釈明を目的とした明細書の訂正に該当する。
　
（３）むすび
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法第１２０条の４第２項及び第３項で準用する特許法第１２６条第２項から第４項までの規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
３．特許異議の申立てについての判断
（１）本件発明
　上記２．で示したように訂正が認められるから、本件の請求項１ないし３に係る発明（以下、それぞれを「本件発明１」、「本件発明２」、「本件発明３」という。）は、上記訂正に係る訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１ないし３に記載された事項に特定されるとおりのものである（上記２．（１）訂正事項１、（２）訂正事項２、（３）訂正事項３を参照）。
　
（２）引用刊行物
　当審で通知した取消しの理由で引用した刊行物は次のものである。
　刊行物１：特許２５３３６７９号公報（異議申立人北垣哲郎が提出した甲第１号証）
　刊行物２：特開平１１−１８５９４０号公報（同じく甲第２号証）
　刊行物３：特開昭６３−６２１８０号公報（異議申立人森田昭司が提出した甲第６号証）
　刊行物４：特開平１１−７４０６４号公報（同じく甲第３号証）
　
（３）引用刊行物に記載されている事項
　刊行物１には、半導体製造装置等に使用できる盤状セラミックヒータに関して、
「円盤状窒化珪素焼結体２の内部に、この焼結体２の焼結温度よりも高い融点を有する金属からなる膜状抵抗発熱体３を印刷により形成する。」（５欄１４行〜同１６行）こと、
「抵抗発熱体３は、例えば、第４図、第５図に示すようなパターンに形成する。第４図に示す例では、膜状抵抗発熱体の端部３ａを円盤状焼結体２の外周部から中央部へと向って形成し、円形の内周電極３ｂを設け、この内周電極３ｂの内側に中央発熱部３ｃを設け、中央発熱部３ｃの端を連結部３ｂに接続し、連結部３ｄに接続し、連結部３ｄのヒーター外周側端部からヒーター外周部全体に亘って円形の外周電極３ｅを形成した。そして、内周電極３ｂと外周電極３ｅとの間の領域に、全体として扇状形状の配線パターン３ｆを複数形成し、この領域を複数の扇形配線パターン３ｆで埋める（第４図では、見易くするため、一部でパターン３ｆを図示省略した。）これにより、主として、内周電極３ｂの内側は中央発熱部３ｃで加熱し、内周電極３ｂと外周電極３ｅとの間は、複数の扇形配線パターン３ｆで加熱する。また、第５図の例でも、内周電極３ｂと外周電極３ｅとの間に、やはり全体として扇形の配線パターン３ｇを複数個形成し、電極３ｂと３ｅとの間を埋めている（パターン３ｇは一部図示省略している。）」（５欄２３行〜同３９行）こと、
「８はこのような容器１８のフランジ１０の壁面を貫通して容器１８の内部へと挿入された中空シースであり、セラミックヒーター１（１１）に接合されている。中空シース８の内部に、ステンレスシース付きの熱電対９が挿入されている。」（６欄６行〜同１０行）こと、
「窒化珪素焼結体の緻密化が促進され、膜状の抵抗体からの熱が基体内を伝導し易くなり、ヒーターの加熱面の均熱性が向上するとと共に、ヒーター全体としての耐熱性が高く、高温で長期間使用できる。」（１２欄１７行〜同２０行）こと、
が記載されている。
　また、図面の第１図、第２図には、窒化珪素焼結体２内部に抵抗発熱体３を設けたものが示されており、第４図には、円形発熱線端部を折り返した中央発熱部３ｃの外周部に屈曲発熱線の扇状配線パターン３ｆを形成したものが示されており、第５図にも、円形発熱線端部を折り返した中央発熱部３ｃの外周部に屈曲発熱線の扇状の配線パターン３ｇを形成したものが示されている。
　刊行物２には、半導体素子製造用セラミックヒータに関して、
「この発熱抵抗体３は、図２の例では、円板状のセラミック絶縁基板２内に同心円状に８層の抵抗線１１が配列されている。」（３欄１９行〜同２１行）こと、
「図２によれば、中心部に設けられ、直流電源と電気的に接続される正電極端子１２、１４、負電極端子１３、１５から、放射状に正給電線１６、１８、負給電線１７、１９が設けられ、略同心円状に配列された抵抗線１１と電気的に接続されている。」（３欄３０行〜同３５行）こと、
「本発明のセラミックヒータにおいて、セラミック絶縁基板は、Ａｌ２Ｏ３、Ｓｉ３Ｎ４、炭化珪素、ＡｌＮなどのセラミック材料が用いられ、特に均熱性を図る上では、熱伝導率が８０Ｗ／ｍ・Ｋ以上のセラミック材料によって形成することが望ましい。」（５欄１５行〜同１９行）こと、
が記載されている。
　刊行物３には、基板加熱用ヒータに関して、
「従来のヒータ４の平面形状は例えば第３図に示すようなものであり、」（２頁上段左欄７行〜同８行）ということ、
「このヒータ１４は、外側から中心に向けて例えば左巻きの渦巻き状をしている第１のヒータ１４ａと、中心から外側に向けて上記とは反対の渦巻き状をしている第２のヒータ１４ｂが、互いに同じピッチで途中で接触しないように巻かれたものであり、」（２頁下段左欄５行〜同１０行）ということ、
が記載されている。
　刊行物４には、ウェハ加熱装置に関して、
「半導体装置の製造工程におけるプラズマＣＶＤ、減圧ＣＶＤ、光ＣＶＤ、ＰＶＤなどの成膜装置や、プラズマエッチング、光エッチングのどのエッチング装置に用いられるウェハ加熱装置に関するものである。」（段落【０００１】）こと、
「このウェハ加熱装置１は、円盤状をした緻密質のセラミック基体２からなり、上面をウェハＷの保持面３とするとともに、その内部に抵抗発熱体４を埋設してある。セラミック基体２の厚みＴは通常５〜２５ｍｍ程度で、上記保持面３と反対側の下面を基準面５とし、この基準面５から上記セラミック２の厚さＴの０．０２〜０．６倍の距離に前記抵抗発熱体４を配置してある。」（段落【００１６】）こと、
「この抵抗発熱体４のヒーターパターンは、図３に示すように中央から外周へ向かう渦巻き状とし、抵抗発熱体４の存在領域Ｐが略円形となるように構成してあり、略円盤状をしたウェハを均一に加熱することができる。」（段落【００１７】）こと、
が記載されている。
　
（４）対比・判断
・本件発明１について
　本件発明１と刊行物１記載の発明とを対比して検討する。
　上記摘示事項からみて、刊行物１には、
「円盤状窒化珪素焼結体２の内部に膜状抵抗発熱体３を設けてなり、前記円盤状窒化珪素焼結体２に接合された中空シース８の内部に熱電対９が挿入されたセラミックヒータにおいて、
前記発熱体３は、中央発熱部３ｃおよび複数の扇形形状配線パターン３ｆ、３ｇからなるパターンが混成して形成されてなるとともに、中央発熱部３ｃと複数の扇形形状配線パターン３ｆ、３ｇとを内周電極３ｂと外周電極３ｅとに連結されるように接続されてなり、
前記複数の扇形形状配線パターン３ｆ、３ｇは、内周電極３ｂと外周電極３ｅとの間に形成されている円盤状セラミックヒータ。」
の発明が記載されているものと認められる。
　そして、図面の第４図、第５図からみて、、該中央発熱部３ｃの形状は、円形の折り返しパターンと認められ、該扇状配線パターン３ｆ、３ｇは、屈曲線の繰り返してなるパターンと認められる。また、本件発明１の構成要件である「外周部分」とは、訂正明細書の段落【００３１】の記載によれば、「内部とは、ヒータ板１１の中心から半径１／３までの範囲の円形部分をいい、その他の部分を外周部分という。」ことであるから、該扇状配線パターン３ｆ、３ｇが、本件発明１でいう外周部分に形成されているものと認められ、さらに、該円盤状セラミックヒータの用途についても、ウェハーを加熱することが挙げられている。
　
　そうすると、刊行物１に記載された「円盤状窒化珪素焼結体２の内部」、「膜状抵抗発熱体３」、（円形の折り返しパターンの）「中央発熱部３ｃ」、「複数の扇形配線パターン３ｆ、３ｇ」は、それぞれ本件発明１の「円板状のセラミック基板の内部」、「発熱体」、（同心円形状または渦巻き形状の）「パターン」、「屈曲線の繰り返しからなるパターン」に相当しているから、両者は、次の点で一致している。
　
「円板形状のセラミック基板の内部に発熱体を設けてなり、前記セラミック基板に測温素子が挿入されたセラミックヒータにおいて、
前記発熱体のパターンは、円形のパターンおよび屈曲線の繰り返しからなるパターンが混成して形成されてなるとともに、前記屈曲線の繰り返しからなるパターンは、外周部分に形成されてなることを特徴とするウェハ加熱用セラミックヒータ。」
　
　しかし、次の点において相違しているものと認められる。
　相違点１：発熱体が、本件発明１では、「円板形状のセラミック基板の表面又は内部に」に設けられているのに対し、刊行物１に記載されたものには、セラミック基板内部のみしか示されていない点。
　相違点２：測温素子が、本件発明１では、「前記セラミック基板には、有底孔が形成され、該有底孔に」測温素子が挿入されるのに対し、刊行物１に記載されたものは、「セラミック基板に接合された中空シース８の内部に」熱電対９が挿入されている点。
　相違点３：円形のパターンが、本件発明１では、「同心円形状または渦巻き形状のパターン」であるのに対し、刊行物１に記載されたものは、円形の折り返しパターンである点。
　相違点４：円形のパターンおよび屈曲線の繰り返しからなるパターンが、本件発明１では、「それぞれの回路に分割されて」いるのに対し、刊行物１に記載されたものは、それぞれのパターンの回路は、内周電極３ｂと外周電極３ｅとに連結されるように接続されている点。
　
　そこで、この相違点を検討する。
・相違点１について
　半導体ウェハ加熱用セラミックヒータとして、発熱体をセラミック基板の表面に設けることも、例えば、特開平５−３２６１１２号公報、特開平１１−４０３３０号公報に示されるように周知であり、発熱体をセラミック基板の表面に設けるか、内部に設けるかは当業者が適宜採用し得たものと認められる。
・相違点２について
　刊行物１に示された中空シース８は、熱電対９の保護管と認められるから、これら一体のものを測温素子とみれば、刊行物１に示されたものも、セラミック基板の有底孔に測温素子が挿入されたものと認められるし、また、セラミック基板の有底孔に測温素子である熱電対を直接固定することも、例えば特開平６−１７６８５５号公報に示されているように周知なものといえるから、相違点２の構成も、刊行物１に記載されたもの、前記周知なものから当業者が容易に想到し得たものと認められる。
・相違点３について
　刊行物１に記載された円形の折り返しパターンが、本件発明１の実施例に示された同心円形状のパターンとは相違するものの、刊行物２の図２、図４には、本件発明１のパターンとは異なる円形状のパターンを同心円状と称していることから、刊行物１に示されたものも、同心円形状と解しても差し支えがあるとは認められない。また、渦巻き形状のパターンも、例えば、刊行物３、４に示すように周知なものといえるから、相違点３の構成は、刊行物１ないし４に記載されたものから容易に想到し得たものと認められる。
・相違点４について
　セラミック基板に設けられた発熱体パターンの両端部を端子に接続し、発熱体パターンの回路を分割することは、例えば、特開平７−２０１４５８号公報、特開平１１−４０３３０号公報に示されるように周知技術であると認められるから、同心円形状もしくは渦巻き形状のパターンおよび屈曲線の繰り返しからなるパターンを、それぞれの回路に分割することは、これらの周知技術によって当業者が容易に想到し得たものと認められる。
　
　なお、この点について、特許権者は、平成１６年５月１８日付け特許異議意見書において、「扇状配線パターン３ｆは、外周電極３ｅと内周電極３ｂとの間で並列接続されています。そして、上述の説明から考えて、図４（あるいは図５）の発熱体回路は、添付する参考図２（ａ）に記載されているように、内部発熱体３ｃと外周の発熱体３ｆ（３ｇ）は、一つの回路に組み込まれており、本件特許発明のように回路を分割して独立制御することは不可能であります。従って、この刊行物１の技術を本件発明のように内部と外周をそれぞれ独立制御する技術に適用するには、技術的阻害事由を有していると言わなければなりません。本件特許発明は、内部（中心部分）と外周部分を独立制御した場合に生じる加熱面の制御困難性、その結果生じる温度不均一性という問題を、渦巻き等のパターンの外周に屈曲線の繰り返しからなるパターンを配置することで解決したものであり、そのような本件特許発明の効果はこの刊行物１から予測できるものではありません。」（特許異議意見書５頁６行〜同１９行）、「この甲第２号証などは、同心円の発熱体パターンを複数回路に分割した図面が記載されていますが、このパターンは、比較例に相当し、実施例と比較例との対比からも理解できるように、本件特許発明のほうが温度均一性において優れています。さらに、仮に複数回路に分割することが、公知、周知であったとしても、本発明はその公知、周知技術において生じる問題を解決しているのであり、回路を複数に分割することが周知、公知であったとしても、そのことを理由に本発明の特許性を否定することはできません。」（特許異議意見書１０頁９行〜同１７行）と主張しているが、刊行物１に記載されたものは、「配線パターン３ｆ又は３ｇのうちいずれかが断線しても、全体としてある程度の均熱性を保持でき、従ってヒーターとして使用できる。」（７欄２４行〜同２６行）というように、配線パターン（発熱体パターン）３ｆ又は３ｇに断線が生じても、セラミックヒータがヒータとして機能するようにしたものであるから、セラミック基板自体において、配線パターン（発熱体パターン）３ｆ又は３ｇが内周電極３ｂと外周電極３ｅとに結線されているものであって、そのような断線が生じても、セラミックヒータ自体にヒータとしての機能をもたせない原始的な構成においては、該内周電極・外周電極のような共通電極等に結線することなく、それぞれの発熱体パターンの回路を分割したままとすることは、例えば、特開平７−２０１４５８号公報、特開平１１−４０３３０号公報、に示される各発熱体パターンをそれぞれ独立して端子に接続する周知技術を参酌すれば、当業者が容易になし得たものであり、その周知技術を適用することに阻害要因が存在するとは認められないし、各発熱体パターン（同心円形状のパターン及び屈曲線の繰り返しパターン）を備えたものが、刊行物１に記載されているから、特許権者の主張は採用できない。
　　
　そして、本件発明１の効果も、刊行物１ないし４及び周知事項から当業者が予測し得たものであり、格別のものとは認められない。
　
　したがって、本件発明１は、上記刊行物１ないし４に記載された発明及び周知事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものと認める。
　
・本件発明２について
　本件発明２は、本件発明１のセラミック基板を、「非酸化物セラミック」と限定したものであるが、刊行物１に記載されたものは、「窒化珪素焼結体」であるから、「非酸化物セラミック」ということができる。
　そうすると、本件発明２は、刊行物１に記載されたものとを対比すると、本件発明１で検討したように、前記相違点１ないし４において相違しているものと認められるものの、その相違点１ないし４は、刊行物１ないし４に記載された発明及び周知事項から当業者が容易に想到し得たものと認められる。
　
　そして、本件発明２の効果も、刊行物１ないし４に記載された発明及び周知事項から、当業者が予測し得たものと認められる。
　
　したがって、本件発明２は、上記刊行物１ないし４に記載された発明及び周知事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものと認める。
　
・本件発明３について
　本件発明３は、本件発明１のセラミック基板を、「窒化物セラミック」と限定したものであるが、刊行物１に記載されたものは、「窒化珪素焼結体」であるから、「窒化物セラミック」ということができる。
　そうすると、本件発明３は、刊行物１に記載されたものとを対比すると、本件発明１で検討したように、前記相違点１ないし４において相違しているものと認められるものの、その相違点１ないし４は、刊行物１ないし４に記載された発明及び周知事項から当業者が容易に想到し得たものと認められる。
　
　そして、本件発明３の効果も、刊行物１ないし４に記載された発明及び周知事項から当業者が予測し得たものと認められる。
　
　したがって、本件発明３は、上記刊行物１ないし４に記載された発明及び周知事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものと認める。
　
（５）むすび
　以上のとおりであるから、本件発明１ないし３についての特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであるから、特許法第１１３条第２号に該当し、取り消されるべきものである。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１６年７月１日（２００４．７．１）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
ウエハ加熱用
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】円板形状のセラミック基板の表面または内部に発熱体を設けてな
り、前記セラミック基板には、有底孔が形成され、該有底孔に測温素子が挿入された
前記発熱体
のパターンは、
もしくは
および
の繰り返し
なるとともに、それぞれの回路に分割されてなり、
前記屈曲線の繰り返しからなるパターンは、外周部分に形成されてなる
ウエハ加熱用
　【請求項
２
からなる
ウエハ加熱用
　【請求項
３
からなる
ウエハ加熱用
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体産業において使用される
ウエハ加熱用
　【０００２】
　【従来の技術】
半導体製品は、半導体ウエハ上に感光性樹脂をエッチングレジストとして形成し、半導体ウエハのエッチングを行う工程等を経て製造される。
この感光性樹脂は液状であり、スピンコーターなどを用いて半導体ウエハ表面に塗布されるのであるが、塗布後に溶剤等を飛散させるため乾燥させなければならず、塗布した半導体ウエハをヒータ上に載置して加熱することになる。
従来、このような用途に使用される金属製のヒータとしては、アルミニウム板の裏面に抵抗発熱体を配置したものが採用されている。
　【０００３】
ところが、このような金属製のヒータは、以下のような問題があった。
まず、金属製であるため、ヒータ板の厚みは、１５ｍｍ程度と厚くしなければならない。なぜなら、薄い金属板では、加熱に起因する熱膨張により、反り、歪み等が発生してしまい、金属板上に載置した半導体ウエハが破損したり傾いたりしてしまうからである。しかしながら、ヒータ板の厚みを厚くすると、ヒータの重量が重くなり、また、かさばってしまうという問題があった。
　【０００４】
また、抵抗発熱体に印加する電圧や電流量を変えることにより、加熱温度を制御するのであるが、金属板が厚いために、電圧や電流量の変化に対してヒータ板の温度が迅速に追従せず、温度制御しにくいという問題もあった。
　【０００５】
そこで、特開平９−３０６６４２号公報、特開平４−３２４２７６号公報等に記載されているように、基板として、熱伝導率が高く、強度も大きい非酸化物セラミックである窒化アルミニウムを使用し、この窒化アルミニウム基板の表面または内部に抵抗発熱体が形成されたセラミックヒータが提案されている。
　【０００６】
図５は、従来のセラミックヒータを模式的に示した底面図である。
このセラミックヒータ３０では、抵抗発熱体３２が、ヒータ板３１の底面に、図５に示したように同心円形状のパターンで形成されている。なお、３３は抵抗発熱体３２の末端に接合された電源等と接続のための外部端子であり、半導体ウエハを加熱する面（以下、ウエハ加熱面という）は、抵抗発熱体３２が設けられた面と反対側の面である。なお、抵抗発熱体３２は、渦巻き状に形成されている場合もある。
　【０００７】
　【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このような同心円形状または渦巻き状のパターンに抵抗発熱体３２が形成されたセラミックヒータ３０を用いて、半導体ウエハ等を加熱しようとすると、抵抗発熱体パターンの密度が全体に均一でも、ウエハ加熱面全体の温度が均一にならず、その結果、加熱された半導体ウエハに中心部分と外周部分とで温度差が生じるという問題があった。
　【０００８】
上記問題点につき、図６を用いて説明すると、熱が同心円の抵抗発熱体からヒータ板を伝達する場合、小さい円からなる抵抗発熱体ｌ１からの熱伝達領域よりも大きい円からなる抵抗発熱体ｌ２からの熱伝達領域の方が大きく、ヒータ板表面温度を均一にするために必要な熱量は抵抗発熱体ｌ１よりも抵抗発熱体ｌ２の方が大きくなる。
　【０００９】
このため、同じパターンで抵抗発熱体を形成し、同じ電力を投入したのでは、加熱対象物に温度の不均一が生ずるものと考えられる。このため、中心部分と外周部分で投入電力を変える必要があるが、微妙な制御が困難であった。
　【００１０】
　【課題を解決するための手段】
本発明者は、このような従来技術の問題について鋭意検討した結果、熱の伝達方向をヒータ板の直径方向だけでなく、ランダムにすることによって、ヒータ板の温度を均一にできることを見出した。
　【００１１】
また、抵抗発熱体は印刷で形成するため、同心円や渦巻きパターンでは、印刷方向と抵抗発熱体の形成方向とがほぼ垂直になる部分と平行になる部分とが生じ、印刷方向に垂直な部分と平行な部分では厚さにバラツキが発生してしまい、これが原因で抵抗値が変わってしまい、温度バラツキが生じてしまうことも上記問題点の原因であることを見出した。
　【００１２】
例えば、図７に示した抵抗発熱体４２では、印刷方向と抵抗発熱体の形成方向が直角に近くなる領域Ａのパターンでは、抵抗発熱体の厚さは厚く、一方、印刷方向と抵抗発熱体の形成方向が平行に近くなる領域Ｂのパターンでは、抵抗発熱体の厚さは薄くなる傾向がある。
従って、領域Ａでは抵抗値が低く、領域Ｂでは抵抗値が高くなる。
　【００１３】
以上の知見から、本発明では、同心円または渦巻き状のパターンと屈曲線の繰り返しパターンを組み合わせて抵抗発熱体を形成し、具体的には、円板状のセラミック基板の内部（中心部分）には、従来と同様の同心円形状等のパターンの抵抗発熱体を形成し、外周部分には、同心円形状とは異なる、屈曲線形状の抵抗発熱体を形成することにより、熱の伝達方向をランダムにして、半導体ウエハ等を全体的に均一に加熱することができることを見いだし、本発明を完成するに至った。
　【００１４】
すなわち、本発明の
ウエハ加熱用
り、上記セラミック基板には、有底孔が形成され、該有底孔に測温素子が挿入された
上記発熱体
のパターンは、
もしくは
および
の繰り返し
なるとともに、それぞれの回路に分割されてなり、上記屈曲線の繰り返しからなるパターンは、外周部分に形成されてなる
　【００１５】
　【発明の実施の形態】
本発明の
ウエハ加熱用
り、上記セラミック基板には、有底孔が形成され、該有底孔に測温素子が挿入された
上記発熱体
のパターンは、
もしくは
および
の繰り返し
なるとともに、それぞれの回路に分割されてなり、上記屈曲線の繰り返しからなるパターンは、外周部分に形成されてなる
　【００１６】
本発明のセラミックヒータによれば、上記発熱体
のパターンは、
もしくは
および
の繰り返し
上記屈曲線の繰り返しからなるパターンが外周部分に形成されて
　【００１７】
図８は、屈曲線の繰り返しパターンからなる抵抗発熱体５２を模式的に示した平面図であるが、このような屈曲線からなるパターン、または、屈曲線の繰り返しパターンでは、屈曲部分で、印刷方向と抵抗発熱体の形成方向とがほぼ垂直になる部分Ｃと、平行になる部分Ｄとが生じるため、全体としては発熱量が均一になる。このため抵抗発熱体５２の抵抗値のバラツキにより発生する温度バラツキも低減させることができる。
　【００１８】
本発明のセラミックヒータを構成するセラミック基板は、窒化物セラミックまたは炭化物セラミックなどの非酸化物セラミックや酸化物セラミックからなるが、非酸化物セラミック基板の表面に絶縁層として酸化物セラミックを形成することもできる。
　【００１９】
窒化物セラミックは酸素固溶等により、高温で体積抵抗値が低下しやすく、また炭化物セラミックは特に高純度化しない限り導電性を有しており、酸化物セラミックを絶縁層として形成することにより、高温時あるいは不純物を含有していても回路間の短絡を防止して温度制御性を確保できるからである。
　【００２０】
また、非酸化物セラミックは、熱伝導率が高く、迅速に昇温、降温が行われるため有利である。一方、非酸化物セラミックは、熱伝導率が高いため、抵抗発熱体パターンに起因する温度のバラツキが生じやすいため、本発明のようなパターンの抵抗発熱体を形成することにより、酸化物セラミックに比べて、より温度均一化の効果が大きく、本発明の構成が特に有利である。
　【００２１】
セラミック基板の加熱面の反対側面（底面）の表面の面粗度は、Ｒａで０．０１〜２０μｍ、Ｒｍａｘで０．１〜２００μｍであることが望ましい。
上記セラミック基板を構成する窒化物セラミックとしては、金属窒化物セラミック、例えば、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、窒化ホウ素、窒化チタン等が挙げられる。
また、上記炭化物セラミックとしては、金属炭化物セラミック、例えば、炭化ケイ素、炭化ジルコニウム、炭化チタン、炭化タンタル、炭化タングステン等が挙げられる。なお、セラミック基板として酸化物セラミックを使用してもよく、アルミナ、シリカ、コージェライト、ムライト、ジルコニア、ベリリアなどを使用できる。
　【００２２】
上記窒化物セラミック、炭化物セラミック、酸化物セラミックは、単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
これらのなかでは、窒化物セラミックが好ましく、窒化アルミニウムが最も好ましい。熱伝導率が１８０Ｗ／ｍ・Ｋと最も高いからである。
　【００２３】
また、上記窒化物セラミック、炭化物セラミックのような非酸化物セラミック基板は、熱伝導率が高く、ヒータ板の表面温度を抵抗発熱体の温度変化に迅速に追従させることができ、ウエハ加熱面の温度を良好に制御することができるとともに、機械的な強度が大きいので、ヒータ板が反ったりすることはなく、その上に載置した半導体ウエハが破損するのを防止することができる。
　【００２４】
図１は、本発明のセラミックヒータの一例を模式的に示す底面図であり、図２はその一部を示す部分拡大断面図である。
窒化物セラミック、炭化物セラミック、酸化物セラミックなどからなるセラミック基板（以下、窒化物等のセラミック基板ともいう）からなるヒータ板１１は、円板状に形成されており、セラミック基板（以下、ヒータ板ともいう）１１のウエハ加熱面１１ｂの全体の温度が均一になるように加熱するため、ヒータ板１１の底面１１ａの内部には同心円形状のパターンの抵抗発熱体１２ａが形成され、一方、ヒータ板１１の外周部分には、屈曲線の繰り返しパターンの抵抗発熱体１２ｂが形成されている。
　【００２５】
そして、内側の抵抗発熱体１２ａは、互いに近い二重の同心円同士が１組として、１本の線になるように接続され、その両端に入出力の端子となる外部端子１３が金属被覆層１７を介して接続されている。また、中央に近い部分には、半導体ウエハ１９を支持する支持ピン１６を挿通するための貫通孔１５が形成され、さらに、測温素子を挿入するための有底孔１４が形成されている。
　【００２６】
なお、図１〜２に示したセラミックヒータ１０においては、抵抗発熱体１２はヒータ板１１の底部に設けられているが、図３に示したように、抵抗発熱体７２がヒータ板１１の内部に設けられていてもよい。抵抗発熱体７２をヒータ板１１の内部に設ける場合にも、抵抗発熱体１２のパターンは、底面に設ける場合と同様に形成する。なお、抵抗発熱体７２をヒータ板１１の内部に設けた場合には、スルーホール７６およびろう材（図示せず）を介して外部端子７３が接続される。また、ヒータ板１１には、リフターピン１６を挿通することができるように、貫通孔７５が形成され、熱電対等の測温素子を埋め込むための有底孔７４も形成されている。
　【００２７】
本発明のセラミックヒータ１０では、ヒータ板の材料として、窒化物等のセラミックを用いているが、これは、熱膨張係数が金属より小さく、薄くしても、加熱により反ったり、歪んだりしないため、ヒータ板１１を薄くて軽いものとすることができるからである。
　【００２８】
また、ヒータ板１１の熱伝導率が高く、またヒータ板自体薄いため、ヒータ板１１の表面温度が、抵抗発熱体の温度変化に迅速に追従する。即ち、電圧、電流量を変えて抵抗発熱体の温度を変化させることにより、ヒータ板１１の表面温度を良好に制御することができるのである。
　【００２９】
上記セラミックヒータのヒータ板１１の厚さは、０．５〜５ｍｍが好ましい。０．５ｍｍより薄いと、強度が低下するため破損しやすくなり、一方、５ｍｍより厚くなると、熱が伝搬しにくくなり、加熱の効率が悪くなる。
　【００３０】
図１〜２に示したセラミックヒータでは、内部に同心円形状の抵抗発熱体１２ａが形成されているが、この抵抗発熱体は渦巻き形状でもよい。一方、外周部分には、屈曲線の繰り返しパターンの抵抗発熱体１２ｂが形成されているが、屈曲線の屈曲の繰り返しの程度は、単位長さ当たり数が多くてもよい。すなわち図１に示した抵抗発熱体１２ｂの屈曲の回数がもっと多いものであってもよい。
　【００３１】
また、図１では、屈曲線からなる抵抗発熱体１２ｂは、直線に近い部分が、外周部に描いた破線Ａをほぼ垂直に横切るように形成されているが、これとは逆に、直線に近い部分が破線Ａとほぼ平行になるような小さな屈曲線が、円周方向に平行して多数形成されていてもよい。
なお、内部とは、ヒータ板１１の中心から半径の１／３までの範囲の円形部分をいい、その他の部分を外周部分という。
　【００３２】
また、本発明では、少なくとも外周部分に屈曲線の繰り返しパターンを有していればよいので図４に示すように内部の渦巻きパターンおよび／または同心円パターンからなる抵抗発熱体２２ａ、２２ｃの間に屈曲線の繰り返しパターンからなる抵抗発熱体２２ｂ、２２ｄを有していてもよい。
さらに、図９に示すように、ヒータ板６１底面の外周部分に同心円状パターンからなる抵抗発熱体６２ａの間に、屈曲線の繰り返しパターンからなる抵抗発熱体６２ｂが挟まれたパターンが形成され、内部に同心円状パターン６２ｃ、６２ｄが形成されたものであってもよい。
　【００３３】
窒化物等のセラミック基板の表面または内部に形成される抵抗発熱体１２は、図１に示したように少なくとも２以上の回路に分割されていることが望ましい。回路を分割することにより、各回路に投入する電力を制御して発熱量を変えることができ、半導体ウエハの加熱面の温度を調整することができるからである。
　【００３４】
抵抗発熱体１２をヒータ板１１の表面に形成する場合には、金属粒子を含む導電ペーストをヒータ板１１の表面に塗布して所定パターンの導体ペースト層を形成した後、これを焼き付け、ヒータ板１１の表面で金属粒子を焼結させる方法が好ましい。なお、金属の焼結は、金属粒子同士および金属粒子とセラミックとが融着していれば充分である。
　【００３５】
ヒータ板１１の表面に抵抗発熱体を形成する場合には、抵抗発熱体の厚さは、１〜３０μｍが好ましく、１〜１０μｍがより好ましい。また、ヒータ板１１の内部に抵抗発熱体を形成する場合には、その厚さは、１〜５０μｍが好ましい。
　【００３６】
また、ヒータ板１１の表面に抵抗発熱体を形成する場合には、抵抗発熱体の幅は、０．１〜２０ｍｍが好ましく、０．１〜５ｍｍがより好ましい。また、ヒータ板１１の内部に抵抗発熱体を形成する場合には、抵抗発熱体の幅は、５〜２０μｍが好ましい。
　【００３７】
抵抗発熱体１２は、その幅や厚さにより抵抗値に変化を持たせることができるが、上記した範囲が最も実用的である。抵抗値は、薄く、また、細くなる程大きくなる。抵抗発熱体１２は、ヒータ板１１の内部に形成した場合の方が、厚み、幅とも大きくなるが、抵抗発熱体１２を内部に設けると、加熱面と抵抗発熱体１２との距離が短くなり、表面の温度の均一性が低下するため、抵抗発熱体自体の幅を広げる必要があること、内部に抵抗発熱体１２を設けるために、窒化物等のセラミック等との密着性を考慮する必要性がないため、タングステン、モリブデンなどの高融点金属やタングステン、モリブデンなどの炭化物を使用することができ、抵抗値を高くすることが可能となるため、断線等を防止する目的で厚み自体を厚くしてもよい。そのため、抵抗発熱体１２は、上記した厚みや幅とすることが望ましい。
　【００３８】
抵抗発熱体１２は、断面形状が矩形であっても楕円であってもよいが、偏平であることが望ましい。偏平の方がウエハ加熱面に向かって放熱しやすいため、加熱面の温度分布ができにくいからである。
断面のアスペクト比（抵抗発熱体の幅／抵抗発熱体の厚さ）は、１０〜５０００であることが望ましい。
この範囲に調整することにより、抵抗発熱体１２の抵抗値を大きくすることができるとともに、加熱面の温度の均一性を確保することができるからである。
　【００３９】
抵抗発熱体１２の厚さを一定とした場合、アスペクト比が上記範囲より小さいと、ヒータ板１１のウエハ加熱方向への熱の伝搬量が小さくなり、抵抗発熱体１２のパターンに近似した熱分布が加熱面に発生してしまい、逆にアスペクト比が大きすぎると抵抗発熱体１２の中央の直上部分が高温となってしまい、結局、抵抗発熱体１２のパターンに近似した熱分布が加熱面に発生してしまう。従って、温度分布を考慮すると、断面のアスペクト比は、１０〜５０００であることが好ましいのである。
　【００４０】
抵抗発熱体１２をヒータ板１１の表面に形成する場合は、アスペクト比を１０〜２００、抵抗発熱体１２をヒータ板１１の内部に形成する場合は、アスペクト比を２００〜５０００とすることが望ましい。
抵抗発熱体１２は、ヒータ板１１の内部に形成した場合の方が、アスペクト比が大きくなるが、これは、抵抗発熱体１２を内部に設けると、加熱面と抵抗発熱体１２との距離が短くなり、表面の温度均一性が低下するため、抵抗発熱体１２自体を偏平にする必要があるからである。
　【００４１】
抵抗発熱体１２をヒータ板１１の内部に偏芯して形成する場合の位置は、ヒータ板１１の加熱面に対向する面（底面）に近い位置で、加熱面から底面までの距離に対して５０％を超え、９９％までの位置とすることが望ましい。
５０％以下であると、加熱面に近すぎるため、温度分布が発生してしまい、逆に、９９％を超えると、ヒータ板１１自体に反りが発生して、半導体ウエハが破損するからである。
　【００４２】
また、抵抗発熱体１２をヒータ板１１の内部に形成する場合には、抵抗発熱体形成層を複数層設けてもよい。この場合は、各層のパターンは、相互に補完するようにどこかの層に抵抗発熱体１２が形成され、ウエハ加熱面の上方から見ると、どの領域にもパターンが形成されている状態が望ましい。このような構造としては、例えば、互いに千鳥の配置になっている構造が挙げられる。
なお、抵抗発熱体１２をヒータ板１１の内部に設け、かつ、その抵抗発熱体１２を一部露出させてもよい。
　【００４３】
導体ペーストとしては特に限定されないが、導電性を確保するための金属粒子または導電性セラミックが含有されているほか、樹脂、溶剤、増粘剤などを含むものが好ましい。
　【００４４】
上記金属粒子としては、例えば、貴金属（金、銀、白金、パラジウム）、鉛、タングステン、モリブデン、ニッケルなどが好ましい。これらは、単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。これらの金属は、比較的酸化しにくく、発熱するに充分な抵抗値を有するからである。
上記導電性セラミックとしては、例えば、タングステン、モリブデンの炭化物などが挙げられる。これらは、単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
　【００４５】
これら金属粒子または導電性セラミック粒子の粒径は、０．１〜１００μｍが好ましい。０．１μｍ未満と微細すぎると、酸化されやすく、一方、１００μｍを超えると、焼結しにくくなり、抵抗値が大きくなるからである。
　【００４６】
上記金属粒子の形状は、球状であっても、リン片状であってもよい。これらの金属粒子を用いる場合、上記球状物と上記リン片状物との混合物であってよい。上記金属粒子がリン片状物、または、球状物とリン片状物との混合物の場合は、金属粒子間の酸化物を保持しやすくなり、抵抗発熱体１２と窒化物等のセラミック等との密着性を確実にし、かつ、抵抗値を大きくすることができるため有利である。
　【００４７】
導体ペーストに使用される樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂などが挙げられる。また、溶剤としては、例えば、イソプロピルアルコールなどが挙げられる。増粘剤としては、セルロースなどが挙げられる。
　【００４８】
導体ペーストには、上記したように、金属粒子に酸化物を添加し、抵抗発熱体１２を、金属粒子と酸化物とを焼結させたものとすることが望ましい。このように、酸化物を金属粒子とともに焼結させることにより、ヒータ板である窒化物等のセラミックと金属粒子とを密着させることができる。
　【００４９】
酸化物を混合することにより、窒化物等のセラミックと密着性が改善される理由は明確ではないが、金属粒子表面や窒化物等のセラミック、とりわけ非酸化物セラミックの表面は、わずかに酸化されて酸化膜が形成されており、この酸化膜同士が酸化物を介して焼結して一体化し、金属粒子と窒化物等のセラミックとが密着するのではないかと考えられる。
　【００５０】
上記酸化物としては、例えば、酸化鉛、酸化亜鉛、シリカ、酸化ホウ素（Ｂ２Ｏ３）、アルミナ、イットリアおよびチタニアからなる群から選ばれる少なくとも１種が好ましい。
　【００５１】
これらの酸化物は、抵抗発熱体１２の抵抗値を大きくすることなく、金属粒子と窒化物等のセラミックとの密着性を改善することができるからである。
　【００５２】
上記酸化鉛、酸化亜鉛、シリカ、酸化ホウ素（Ｂ２Ｏ３）、アルミナ、イットリア、チタニアの割合は、酸化物の全量を１００重量部とした場合、重量比で、酸化鉛が１〜１０、シリカが１〜３０、酸化ホウ素が５〜５０、酸化亜鉛が２０〜７０、アルミナが１〜１０、イットリアが１〜５０、チタニアが１〜５０であって、その合計が１００重量部を超えない範囲で調整されていることが望ましい。これらの範囲で、これらの酸化物の量を調整することにより、特に窒化物等のセラミックとの密着性を改善することができる。
　【００５３】
上記酸化物の金属粒子に対する添加量は、０．１重量％以上１０重量％未満が好ましい。また、このような構成の導体ペーストを使用して抵抗発熱体１２を形成した際の面積抵抗率は、１〜４５ｍΩ／□が好ましい。
　【００５４】
面積抵抗率が４５ｍΩ／□を超えると、印加電圧量に対して発熱量は大きくなりすぎて、ヒータ板の表面に抵抗発熱体１２を設けたヒータ板１１では、その発熱量を制御しにくいからである。なお、酸化物の添加量が１０重量％以上であると、面積抵抗率が５０ｍΩ／□を超えてしまい、発熱量が大きくなりすぎて温度制御が難しくなり、温度分布の均一性が低下する。
　【００５５】
抵抗発熱体１２がヒータ板１１の表面に形成される場合には、抵抗発熱体１２の表面部分に、金属被覆層１７が形成されていることが望ましい。内部の金属焼結体が酸化されて抵抗値が変化するのを防止するためである。形成する金属被覆層１７の厚さは、０．１〜１０μｍが好ましい。
　【００５６】
金属被覆層１７を形成する際に使用される金属は、非酸化性の金属であれば特に限定されないが、具体的には、例えば、金、銀、パラジウム、白金、ニッケルなどが挙げられる。これらは、単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。これらのなかでは、ニッケルが好ましい。
　【００５７】
抵抗発熱体１２には、電源と接続するための端子が必要であり、この端子は、半田を介して抵抗発熱体１２に取り付けるが、ニッケルは、半田の熱拡散を防止するからである。接続端子としては、例えば、コバール製の外部端子１３が挙げられる。
　【００５８】
なお、抵抗発熱体１２をヒータ板１１の内部に形成する場合には、抵抗発熱体表面が酸化されることがないため、被覆は不要である。抵抗発熱体１２をヒータ板１１内部に形成する場合、抵抗発熱体の一部が表面に露出していてもよく、抵抗発熱体１２を接続するためのスルーホールが端子部分に設けられ、このスルーホールに外部端子が接続、固定されていてもよい。
　【００５９】
外部端子１３を接続する場合、半田としては、銀−鉛、鉛−スズ、ビスマス−スズなどの合金を使用することができる。なお、半田層の厚さは、０．１〜５０μｍが好ましい。半田による接続を確保するのに充分な範囲だからである。
　【００６０】
また、図２に示したように、ヒータ板１１に貫通孔１５を設けてその貫通孔１５にリフターピン１６を挿入し、半導体ウエハを図示しない搬送機に渡したり、搬送機から半導体ウエハを受け取ったりすることができる。ヒータ板の抵抗発熱体形成面の反対側面が被加熱物の加熱面となる。
　【００６１】
本発明では、必要に応じてセラミック基板に熱電対を埋め込んでおくことができる。熱電対により抵抗発熱体の温度を測定し、そのデータをもとに電圧、電流量を変えて、温度を制御することができるからである。
熱電対の金属線の接合部位の大きさは、各金属線の素線径と同一か、もしくは、それよりも大きく、かつ、０．５ｍｍ以下がよい。このような構成によって、接合部分の熱容量が小さくなり、温度が正確に、また、迅速に電流値に変換されるのである。このため、温度制御性が向上してウエハの加熱面の温度分布が小さくなるのである。
上記熱電対としては、例えば、ＪＩＳ−Ｃ−１６０２（１９８０）に挙げられるように、Ｋ型、Ｒ型、Ｂ型、Ｓ型、Ｅ型、Ｊ型、Ｔ型熱電対が挙げられる。
　【００６２】
本発明におけるヒータ板は、その厚さは、５０ｍｍ以下、特に２０ｍｍ以下が望ましい。特にヒータ板の厚さが２０ｍｍを超えると、ヒータ板の熱容量が大きくなり、特に温度制御手段を設けて加熱、冷却すると、熱容量の大きさに起因して温度追従性が低下してしまうからである。
　【００６３】
また、本発明が解決する温度の不均一の問題は、厚さが２０ｍｍを超えるような厚いヒータ板では発生しにくいからである。
特に５ｍｍ以下が最適である。なお、厚みは、１ｍｍ以上が望ましい。
　【００６４】
本発明のヒータ板の直径は２００ｍｍ以上が望ましい。特に１２インチ（３００ｍｍ）以上であることが望ましい。次世代のシリコンウエハの主流となるからである。また、本発明が解決する温度不均一の問題は、直径が２００ｍｍ以下のヒータ板では発生しにくいからである。本発明では、被加熱物を直接加熱面に載置してもよく、５〜５０００μｍ離間させて加熱してもよい。
　【００６５】
次に、本発明のセラミックヒータの製造方法について説明する。
まず、ヒータ板１１の底面に抵抗発熱体が形成されたセラミックヒータ（図１〜２参照）の製造方法について説明する。
　【００６６】
（１）ヒータ板の作製工程
上述した窒化アルミニウムや炭化珪素などの窒化物等のセラミックの粉末に必要に応じてイットリア（Ｙ２Ｏ３）やＢ４Ｃ等の焼結助剤、Ｎａ、Ｃａを含む化合物、バインダ等を配合してスラリーを調製した後、このスラリーをスプレードライ等の方法で顆粒状にし、この顆粒を金型などに入れて加圧することにより板状などに成形し、生成形体（グリーン）を作製する。
　【００６７】
次に、生成形体に、必要に応じて、半導体ウエハを支持するためのリフターピンを挿入する貫通孔となる部分や熱電対などの測温素子を埋め込むための有底孔となる部分を形成する。
　【００６８】
次に、この生成形体を加熱、焼成して焼結させ、セラミック製の板状体を製造する。この後、所定の形状に加工することにより、ヒータ板１１を作製するが、焼成後にそのまま使用することができる形状としてもよい。加圧しながら加熱、焼成を行うことにより、気孔のないヒータ板１１を製造することが可能となる。加熱、焼成は、焼結温度以上であればよいが、窒化物セラミックや炭化物セラミックでは、１０００〜２５００℃である。また、酸化物セラミックでは、１５００℃〜２０００℃である。
　【００６９】
（２）ヒータ板に導体ペーストを印刷する工程
導体ペーストは、一般に、金属粒子、樹脂、溶剤からなる粘度の高い流動物である。この導体ペーストをスクリーン印刷などを用い、抵抗発熱体を設けようとする部分に印刷を行うことにより、導体ペースト層を形成する。抵抗発熱体は、ヒータ板全体を均一な温度にする必要があることから、図１に示すような同心円と屈曲線の組み合わせのパターンに印刷する。導体ペースト層は、焼成後の抵抗発熱体１２の断面が、方形で、偏平な形状となるように形成することが望ましい。
　【００７０】
（３）導体ペーストの焼成
ヒータ板１１の底面に印刷した導体ペースト層を加熱焼成して、樹脂、溶剤を除去するとともに、金属粒子を焼結させ、ヒータ板１１の底面に焼き付け、抵抗発熱体１２を形成する。加熱焼成の温度は、５００〜１０００℃が好ましい。導体ペースト中に上述した酸化物を添加しておくと、金属粒子、ヒータ板および酸化物が焼結して一体化するため、抵抗発熱体とヒータ板との密着性が向上する。
　【００７１】
（４）金属被覆層の形成
抵抗発熱体１２表面には、金属被覆層１７を設けることが望ましい。金属被覆層１７は、電解めっき、無電解めっき、スパッタリング等により形成することができるが、量産性を考慮すると、無電解めっきが最適である。
　【００７２】
（５）端子等の取り付け
抵抗発熱体１２のパターンの端部に電源との接続のための端子（外部端子１３）を半田で取り付ける。また、有底孔１４に銀ろう、金ろうなどで熱電対を固定し、ポリイミド等の耐熱樹脂で封止し、セラミックヒータの製造を終了する。
　【００７３】
次に、ヒータ板１１の内部に抵抗発熱体７２が形成されたセラミックヒータ（図３参照）の製造方法について説明する。
（１）ヒータ板の作製工程
まず、窒化物等のセラミックの粉末をバインダ、溶剤等と混合してペーストを調製し、これを用いてグリーンシートを作製する。
　【００７４】
上述した窒化物等のセラミック粉末としては、窒化アルミニウムなどを使用することができ、必要に応じて、イットリア等の焼結助剤、Ｎａ、Ｃａを含む化合物等を加えてもよい。
また、バインダとしては、アクリル系バインダ、エチルセルロース、ブチルセロソルブ、ポリビニルアルコールから選ばれる少なくとも１種が望ましい。
　【００７５】
さらに溶媒としては、α−テルピネオール、グリコールから選ばれる少なくとも１種が望ましい。
これらを混合して得られるペーストをドクターブレード法でシート状に成形してグリーンシートを作製する。グリーンシートの厚さは、０．１〜５ｍｍが好ましい。
　【００７６】
次に、得られたグリーンシートに、必要に応じて、半導体ウエハを支持するための支持ピンを挿入する貫通孔７５となる部分、熱電対などの測温素子を埋め込むための有底孔７４となる部分、抵抗発熱体を外部端子７３と接続するためのスルーホール７６となる部分等を形成する。後述するグリーンシート積層体を形成した後に、上記加工を行ってもよい。
　【００７７】
（２）グリーンシート上に導体ペーストを印刷する工程
グリーンシート上に、抵抗発熱体を形成するための金属ペーストまたは導電性セラミックを含む導電性ペーストを印刷する。この際の印刷パターンは、図１に示すような同心円と屈曲線の組み合わせのパターンとする。これらの導電ペースト中には、金属粒子または導電性セラミック粒子が含まれている。
　【００７８】
タングステン粒子またはモリブデン粒子の平均粒子径は、０．１〜５μｍが好ましい。平均粒子が０．１μｍ未満であるか、５μｍを超えると、導体ペーストを印刷しにくいからである。
このような導体ペーストとしては、例えば、金属粒子または導電性セラミック粒子８５〜８７重量部；アクリル系、エチルセルロース、ブチルセロソルブ、ポリビニルアルコールから選ばれる少なくとも１種のバインダ１．５〜１０重量部；および、α−テルピネオール、グリコールから選ばれる少なくとも１種の溶媒を１．５〜１０重量部を混合した組成物（ペースト）が挙げられる。
　【００７９】
（３）グリーンシートの積層工程
導体ペーストを印刷していないグリーンシートを、導体ペーストを印刷したグリーンシートの上下に積層する。
このとき、上側に積層するグリーンシートの数を下側に積層するグリーンシートの数よりも多くして、抵抗発熱体の形成位置を底面の方向に偏芯させる。
具体的には、上側のグリーンシートの積層数は２０〜５０枚が、下側のグリーンシートの積層数は５〜２０枚が好ましい。
　【００８０】
（４）グリーンシート積層体の焼成工程
グリーンシート積層体の加熱、加圧を行い、グリーンシートおよび内部の導体ペーストを焼結させる。加熱温度は、１０００〜２０００℃が好ましく、加圧の圧力は、１００〜２００ｋｇ／ｃｍ２が好ましい。加熱は、不活性ガス雰囲気中で行う。不活性ガスとしては、例えば、アルゴン、窒素などを使用することができる。
　【００８１】
なお、焼成を行った後に、測温素子を挿入するための有底孔を設けてもよい。有底孔は、表面研磨後に、サンドブラストなどをブラスト処理を行うことにより形成することができる。また、内部の抵抗発熱体と接続するためのスルーホール７６に外部端子７３を接続し、加熱してリフローする。加熱温度は、２００〜５００℃が好適である。
　【００８２】
さらに、測温素子としての熱電対などを銀ろう、金ろうなどで取り付け、ポリイミドなどの耐熱性樹脂で封止し、セラミックヒータの製造を終了する。
本発明のセラミックヒータは、静電チャック、ウエハプローバのチャックトップステージに使用することが可能である。
　【００８３】
　【実施例】
以下、本発明をさらに詳細に説明する。
（実施例１）
（１）窒化アルミニウム粉末（平均粒径：１．１μｍ）１００重量部、イットリア（平均粒径：０．４μｍ）４重量部、アクリルバインダ１２重量部およびアルコールからなる組成物のスプレードライを行い、顆粒状の粉末を作製した。
　【００８４】
（２）次に、この顆粒状の粉末を金型に入れ、平板状に成形して生成形体（グリーン）を得た。
　【００８５】
（３）加工処理の終った生成形体を１８００℃、圧力：２０ＭＰａでホットプレスし、厚さが３ｍｍの窒化アルミニウム板状体を得た。
次に、この板状体から直径２１０ｍｍの円板体を切り出し、セラミック製の板状体（ヒータ板１１）とした。この成形体にドリル加工を施し、半導体ウエハの支持ピンを挿入する貫通孔１５となる部分、熱電対を埋め込むための有底孔１４となる部分（直径：１．１ｍｍ、深さ：２ｍｍ）を形成した。
　【００８６】
（４）上記（３）で得たヒータ板１１に、スクリーン印刷にて導体ペーストを印刷した。印刷パターンは、図１に示したような同心円と屈曲線の組み合わせのパターンとした。なお、これは図４に示したセラミックヒータ２０のようなパターンとしてもよい。
導体ペーストとしては、プリント配線板のスルーホール形成に使用されている徳力化学研究所製のソルベストＰＳ６０３Ｄを使用した。
この導体ペーストは、銀−鉛ペーストであり、銀１００重量部に対して、酸化鉛（５重量％）、酸化亜鉛（５５重量％）、シリカ（１０重量％）、酸化ホウ素（２５重量％）およびアルミナ（５重量％）からなる酸化物を７．５重量部含むものであった。また、銀粒子は、平均粒径が４．５μｍで、リン片状のものであった。
　【００８７】
（５）次に、導体ペーストを印刷したヒータ板１１を７８０℃で加熱、焼成して、導体ペースト中の銀、鉛を焼結させるとともにヒータ板１１に焼き付け、抵抗発熱体１２を形成した。銀−鉛の抵抗発熱体は、厚さが５μｍ、幅２．４ｍｍ、面積抵抗率が７．７ｍΩ／□であった。なお、厚さのばらつきは、全体で±０．４μｍであるが、ばらつきが局在していない。
　【００８８】
（６）硫酸ニッケル８０ｇ／ｌ、次亜リン酸ナトリウム２４ｇ／ｌ、酢酸ナトリウム１２ｇ／ｌ、ほう酸８ｇ／ｌ、塩化アンモニウム６ｇ／ｌの濃度の水溶液からなる無電解ニッケルめっき浴に上記（５）で作製したヒータ板１１を浸漬し、銀−鉛の抵抗発熱体１２の表面に厚さ１μｍの金属被覆層（ニッケル層）１７を析出させた。
　【００８９】
（７）電源との接続を確保するための外部端子１３を取り付ける部分に、スクリーン印刷により、銀−鉛半田ペースト（田中貴金属製）を印刷して半田層を形成した。
ついで、半田層の上にコバール製の外部端子１３を載置して、４２０℃で加熱リフローさせ、外部端子１３を抵抗発熱体の表面に取り付けた。
（８）温度制御のための熱電対をはめ込み、セラミック接着剤（東亜合成製　アロンセラミック）を充填し、セラミックヒータ１０を得た。
　【００９０】
（
参考例１
（１）窒化アルミニウム粉末（トクヤマ社製、平均粒径１．１μｍ）１００重量部、酸化イットリウム（Ｙ２Ｏ３：イットリア、平均粒径０．４μｍ）４重量部、アクリル系樹脂バインダ１１．５重量部、分散剤０．５重量部および１−ブタノールとエタノールとからなるアルコール５３重量部を混合したペーストを用い、ドクターブレード法により成形を行って、厚さ０．４７ｍｍのグリーンシートを作製した。
　【００９１】
（２）次に、このグリーンシートを８０℃で５時間乾燥させた後、図３に示すシリコンウエハ１９を運搬等するためのリフターピン１６を挿入するための貫通孔７５となる部分、バイアホールとなる部分、および、スルーホール７６となる部分をパンチングにより形成した。
　【００９２】
（３）平均粒径１μｍのタングステンカーバイト粒子１００重量部、アクリル系バインダ３．０重量部、α−テルピネオール溶媒３．５重量部および分散剤０．３重量部を混合して導体ペーストＡを調整した。
平均粒径３μｍのタングステン粒子１００重量部、アクリル系バインダ１．９重量部、α−テルピネオール溶媒３．７重量部および分散剤０．２重量部を混合して導体ペーストＢを調整した。
　【００９３】
この導体ペーストＡをバイアホールとなる部分を形成したグリーンシート上にスクリーン印刷で印刷し、抵抗発熱体用の導体ペースト層を形成した。印刷パターンは、図９に示したような渦巻きパターンと部分的に屈曲するパターンとした。導体ペースト層の幅を１０ｍｍ、その厚さを１２μｍとした。なお、厚さのばらつきは、全体で±０．５μｍであるが、ばらつきが局在していない。
　【００９４】
続いて、導体ペーストＡをスルーホールとなる部分を形成したグリーンシート上にスクリーン印刷で印刷し、導体回路用の導体ペースト層を形成した。印刷の形状は帯状とした。
また、導体ペーストＢを、バイアホールとなる部分およびスルーホールとなる部分に充填した。
　【００９５】
上記処理の終わった導体ペースト層を印刷したグリーンシートの上に、導体ペーストを印刷していないグリーンシートを３７枚重ね、その下に、導体ペースト層を印刷したグリーンシートを重ねた後、更にその下に、導体ペーストを印刷していないグリーンシートを１２枚重ねて、１３０℃、８ＭＰａの圧力で積層した。
　【００９６】
（４）次に、得られた積層体を窒素ガス中、６００℃で５時間脱脂し、１８９０℃、圧力１５ＭＰａで１０時間ホットプレスし、厚さ３ｍｍのセラミック板状体を得た。これを２３０ｍｍの円板状に切り出し、内部に厚さ６μｍ、幅１０ｍｍの抵抗発熱体７２およびスルーホール７６を有するヒータ板１１とした。
　【００９７】
（５）次に、（４）で得られたヒータ板１１を、ダイヤモンド砥石で研磨した後、マスクを載置し、ＳｉＣ等によるブラスト処理で表面に熱電対のための有底孔７４を設けた。
（６）温度制御のための熱電対を有底孔７４に挿入し、シリカゾルを充填し、１９０℃で２時間硬化ゲル化させ抵抗発熱体７２およびスルーホール７６を有するセラミックヒータを得た。
　【００９８】
（実施例
２
（１）ＳｉＣ粉末（平均粒径：０．３μｍ）１００重量部、焼結助剤のＢ４Ｃを０．５重量部、アクリル系バインダ１２重量部およびアルコールからなる組成物のスプレードライを行い、顆粒状の粉末を作製した。
（２）次に、この顆粒状の粉末を金型に入れ、平板状に成形して生成形体（グリーン）を得た。
　【００９９】
（３）加工処理の終った生成形体を２１００℃、圧力：１８ＭＰａでホットプレスし、厚さが３ｍｍのＳｉＣ製のセラミック基板を得た。
次に、この板状体の表面から直径２１０ｍｍの円板体を切り出し、ヒータ板とした。
　【０１００】
ヒータ板に、ガラスペースト（昭栄化学工業製　Ｇ−５２３２Ｎ）を塗布して、１０００℃で１時間焼成してＳｉＣ製のセラミック基板の表面に、厚さ２μｍのＳｉＯ２膜を形成した。
この成形体にドリル加工を施し、シリコンウエハのリフターピンを挿入する貫通孔となる部分、熱電対を埋め込むための有底孔となる部分（直径：１．１ｍｍ、深さ：２ｍｍ）を形成した。
　【０１０１】
（４）上記（３）で得たヒータ板に、スクリーン印刷にて導体ペーストを印刷した。印刷パターンは、図１に示したような渦巻きと屈曲線の繰り返しの混成パターンとした。
　【０１０２】
導体ペーストとしては、以下の組成を使用した。すなわち、リン片状銀（昭栄化学工業製　Ａｇ−５４０）９０重量部、針状結晶の白金（昭栄化学工業製　Ｐｔ−４０１）１０重量部、シリカ７．５重量部、酸化硼素１．５重量部、酸化亜鉛６重量部、有機ビヒクルとして酢酸セルロース３０重量部からなるものであった。
　【０１０３】
（５）次に、導体ペーストを印刷したセラミック基板を７８０℃で加熱、焼成して、導体ペースト中の銀、白金を焼結させるとともに基板に焼き付け、抵抗発熱体を形成した。抵抗発熱体は、厚さが５μｍ、幅１０ｍｍ、面積抵抗率が０．１３Ω／□であった。なお、厚さのばらつきは、全体で±０．５μｍであるが、ばらつきが局在していない。
　【０１０４】
（６）硫酸ニッケル８０ｇ／ｌ、次亜リン酸ナトリウム２４ｇ／ｌ、酢酸ナトリウム１２ｇ／ｌ、ほう酸８ｇ／ｌ、塩化アンモニウム６ｇ／ｌの濃度の水溶液からなる無電解ニッケルめっき浴に上記（５）で作製した基板を浸漬し、銀−鉛の抵抗発熱体１２の表面に厚さ１μｍの金属被覆層（ニッケル層）１７を析出させた。
　【０１０５】
（７）電源との接続を確保するための端子を取り付ける部分に、スクリーン印刷により、銀−鉛半田ペースト（田中貴金属製）を印刷して半田層を形成した。
ついで、半田層の上にコバール製の端子ピンを載置して、４２０℃で加熱リフローさせ、外部端子１３を抵抗発熱体の表面に取り付けた。
（８）温度制御のための熱電対を有底孔にはめ込み、セラミック接着剤（東亜合成製　アロンセラミック）を埋め込んで固定しセラミックヒータを得た。
　【０１０６】
（試験例）アルミナ粉末（平均粒径：１．１μｍ）１００重量部、イットリア（平均粒径：０．４μｍ）４重量部、アクリルバインダ１２重量部およびアルコールからなる組成物のスプレードライを行い、顆粒状の粉末を作製したほかは、実施例１と同様にして、セラミックヒータを製造した。
　【０１０７】
（比較例１）
（１）抵抗発熱体のパターンが図５に示したセラミックヒータ３０と同じになるように導体ペーストを印刷したほかは、実施例１と同様にしてセラミックヒータを製造した。厚さは６μｍであるが、ばらつきは±０．４μｍであった。しかも厚さのばらつきが印刷方向に垂直方向では厚く、平行方向では薄く、局在化していた。
　【０１０８】
次に、実施例
、参考例
　【０１０９】
その結果、実施例１〜
２、参考例１
参考例１
２
　【０１１０】
また、２００℃までの昇温時間は、実施例１〜
２、参考例１
以上の結果より、昇温時間などを考慮すると、酸化物セラミックよりも非酸化物セラミックを採用する方が有利であることが判明した。
　【０１１１】
　【発明の効果】
以上説明したように本発明のセラミックヒータによれば、中心部分には、同心円形状または渦巻き形状のパターンの発熱体が形成され、一方、外周部分には、屈曲線の繰り返しパターンの発熱体が形成されているので、ウエハ加熱面における外周部分の温度の低下を抑えることができ、加熱対象である半導体ウエハ全体を均一に加熱することができる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】本発明のセラミックヒータの一例を模式的に示す底面図である。
　【図２】図１に示したセラミックヒータの一部を模式的に示す部分拡大断面図である。
　【図３】本発明に係るセラミックヒータであって、ヒータ板の内部に抵抗発熱体が形成されたものの一部を模式的に示す部分拡大断面図である。
　【図４】本発明のセラミックヒータにおける抵抗発熱体パターンの他の一例を模式的に示す底面図である。
　【図５】従来のセラミックヒータを模式的に示す底面図である。
　【図６】従来のセラミックヒータの熱伝導の状態を示した模式図である。
　【図７】渦巻き形状の抵抗発熱体のパターンを印刷する様子を示す説明図である。
　【図８】屈曲形状の抵抗発熱体のパターンを印刷する様子を示す説明図である。
　【図９】部分屈曲パターンと渦巻きパターンとが混成された抵抗発熱体のパターンを示す底面図である。
　【符号の説明】
　１０、２０　セラミックヒータ
　１１、６１　ヒータ板
　１１ａ　底面
　１１ｂ　ウエハ加熱面
　１２ａ、１２ｂ、２２ａ、２２ｂ、２２ｃ、２２ｄ　抵抗発熱体
　４２、５２、６２ａ、６２ｂ、６２ｃ、６２ｄ、７２　抵抗発熱体
　１３、７３　外部端子
　１４、７４　有底孔
　１５、７５　貫通孔
　１６　リフターピン
　１７　金属被覆層
　１９　半導体ウエハ
　７６　スルーホール