【事件の表示】
　特許第３３３９６４９号「ハーフトーン位相シフトフォトマスク用ブランクスの製造方法、及び、ハーフトーン位相シフトフォトマスクの製造方法」の請求項１ないし３、６ないし９、１３、１４に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３３３９６４９号の請求項１、２、４、５、６、８、及び９に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
　本件特許第３３３９６４９号の請求項１乃至１４に係る発明についての出願は、平成５年７月３０日に特許出願され、平成１４年８月１６日にそれらの発明について特許の設定登録がなされ、その後、その特許について、凸版印刷株式会社及び川上恒治より特許異議申立てがなされ、これを受けて平成１５年１２月２６日付けで取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１６年３月１１日に訂正請求書が提出されたが、この訂正請求はその後取り下げられ、さらに、平成１６年５月１４日付けで取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１６年６月１５日に訂正請求書が提出されたものである。
　
２．訂正の適否
（１）訂正の内容
１）訂正事項ａ
　特許請求の範囲の請求項１を削除する。
２）訂正事項ｂ
　特許請求の範囲の請求項２の記載の、
「【請求項２】  請求項１において、」とあるのを、
「【請求項１】  透明基板上にハーフトーン位相シフト層を有するハーフトーン位相シフトフォトマスク用ブランクスの製造方法であって、前記ハーフトーン位相シフト層の成膜工程と分離された別工程により前記ハーフトーン位相シフト層の組成、組織、構造の何れかを変えることによって、前記透明基板を１００％としたときの前記ハーフトーン位相シフト層の露光光に対する透過率を、１％から５０％の間に含まれる範囲内で変える方法において、」と訂正する。
３）訂正事項ｃ
　特許請求の範囲の請求項２の記載の、
「前記ブランクスを１５０℃以上の温度雰囲気中にさらす工程」とあるのを、
「前記ブランクスを１５０℃以上の温度雰囲気中にさらし、そのさらす時間を制御することにより透過率を調節する工程」と訂正する。
４）訂正事項ｄ
　特許請求の範囲の請求項３の記載の、
「【請求項３】  請求項１において、」とあるのを、
「【請求項２】  透明基板上にハーフトーン位相シフト層を有するハーフトーン位相シフトフォトマスク用ブランクスの製造方法であって、前記ハーフトーン位相シフト層の成膜工程と分離された別工程により前記ハーフトーン位相シフト層の組成、組織、構造の何れかを変えることによって、前記透明基板を１００％としたときの前記ハーフトーン位相シフト層の露光光に対する透過率を、１％から５０％の間に含まれる範囲内で変える方法において、」と訂正する。
５）訂正事項ｅ
　特許請求の範囲の請求項３の記載の、
「前記ブランクスを酸化性雰囲気中にさらす工程」とあるのを、
「前記ブランクスを酸化性プラズマ雰囲気中にさらし、そのさらす時間を制御することにより透過率を調節する工程」と訂正する。
６）訂正事項ｆ
　特許請求の範囲の請求項４の記載の、
「【請求項４】  請求項１において、」とあるのを、
「【請求項３】  透明基板上にハーフトーン位相シフト層を有するハーフトーン位相シフトフォトマスク用ブランクスの製造方法であって、前記ハーフトーン位相シフト層の成膜工程と分離された別工程により前記ハーフトーン位相シフト層の組成、組織、構造の何れかを変えることによって、前記透明基板を１００％としたときの前記ハーフトーン位相シフト層の露光光に対する透過率を、１％から５０％の間に含まれる範囲内で変える方法において、」と訂正する。
７）訂正事項ｇ
　特許請求の範囲の請求項５を削除する。
８）訂正事項ｈ
　特許請求の範囲の請求項６の記載の、
「【請求項６】  請求項１から５の何れか１項記載のハーフトーン位相シフトフォトマスク用ブランクスの製造方法」とあるのを、
「【請求項４】  請求項１から３の何れか１項記載のハーフトーン位相シフトフォトマスク用ブランクスの製造方法」と訂正する。
９）訂正事項ｉ
　特許請求の範囲の請求項７を削除する。
１０）訂正事項ｊ
　特許請求の範囲の請求項８の記載の、
「【請求項８】  請求項７において、」とあるのを、
「【請求項５】  透明基板上にハーフトーン位相シフト層を有するハーフトーン位相シフトフォトマスクの製造方法であって、その製造工程と分離された別工程により前記ハーフトーン位相シフト層の組成、組織、構造の何れかを変えることによって、前記ハーフトーン位相シフト層の開口部の透過率を１００％としたときの、ハーフトーン位相シフト部の露光光に対する透過率を、１％から５０％の間に含まれる範囲内で変える方法において、」と訂正する。
１１）訂正事項ｋ
　特許請求の範囲の請求項８の記載の、
「前記ハーフトーン位相シフトフォトマスクを１５０℃以上の温度雰囲気中にさらす工程」とあるのを、
「前記ハーフトーン位相シフトフォトマスクを１５０℃以上の温度雰囲気中にさらし、そのさらす時間を制御することにより透過率を調節する工程」と訂正する。
１２）訂正事項ｌ
　特許請求の範囲の請求項９の記載の、
「【請求項９】  請求項７において、」とあるのを、
「【請求項６】  透明基板上にハーフトーン位相シフト層を有するハーフトーン位相シフトフォトマスクの製造方法であって、その製造工程と分離された別工程により前記ハーフトーン位相シフト層の組成、組織、構造の何れかを変えることによって、前記ハーフトーン位相シフト層の開口部の透過率を１００％としたときの、ハーフトーン位相シフト部の露光光に対する透過率を、１％から５０％の間に含まれる範囲内で変える方法において、」と訂正する。
１３）訂正事項ｍ
　特許請求の範囲の請求項９の記載の、
「前記ハーフトーン位相シフトフォトマスクを酸化性雰囲気中にさらす工程」とあるのを、
「前記ハーフトーン位相シフトフォトマスクを酸化性プラズマ雰囲気中にさらし、そのさらす時間を制御することにより透過率を調節する工程」と訂正する。
１４）訂正事項ｎ
　特許請求の範囲の請求項１０の記載の、
「【請求項１０】  請求項７において、」とあるのを、
「【請求項７】  透明基板上にハーフトーン位相シフト層を有するハーフトーン位相シフトフォトマスクの製造方法であって、その製造工程と分離された別工程により前記ハーフトーン位相シフト層の組成、組織、構造の何れかを変えることによって、前記ハーフトーン位相シフト層の開口部の透過率を１００％としたときの、ハーフトーン位相シフト部の露光光に対する透過率を、１％から５０％の間に含まれる範囲内で変える方法において、」と訂正する。
１５）訂正事項ｏ
　特許請求の範囲の請求項１１を削除する。
１６）訂正事項ｐ
　特許請求の範囲の請求項１２を削除する。
１７）訂正事項ｑ
　特許請求の範囲の請求項１３の記載の、
「【請求項１３】」及び「請求項１から５の何れか１項記載のハーフトーン位相シフトフォトマスク用ブランクスの製造方法。」とあるのを、
それぞれ「【請求項８】」、「請求項１から３の何れか１項記載のハーフトーン位相シフトフォトマスク用ブランクスの製造方法。」と訂正する。
１８）訂正事項ｒ
　特許請求の範囲の請求項１４の記載の、
「【請求項１４】」及び「請求項６から１２の何れか１項記載のハーフトーン位相シフトフォトマスクの製造方法。」とあるのを、
それぞれ「【請求項９】」、「請求項４から７の何れか１項記載のハーフトーン位相シフトフォトマスクの製造方法。」と訂正する。
　
（２）訂正の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
１）訂正事項ａについて
　訂正事項ａは、特許請求の範囲の請求項１を削除するもので、特許請求の範囲の減縮に相当する。
２）訂正事項ｂについて
　訂正事項ｂは、請求項１を削除するに伴い、請求項２の記載形式を訂正すると共に、請求項番号を繰り上げるもの、特許請求の範囲の減縮、及び明りょうでない記載の釈明に相当する。
３）訂正事項ｃについて
　訂正事項ｃは、特許請求の範囲の請求項２における「前記ブランクスを１５０℃以上の温度雰囲気中にさらす工程」とあるのを、より明確化しかつ減縮するために、「前記ブランクスを１５０℃以上の温度雰囲気中にさらし、そのさらす時間を制御することにより透過率を調節する工程」に限定するもので、この「さらす時間を制御することにより透過率を調節する」点は、明細書の段落【００１４】における記載「この露光光透過率の変化量は、加熱温度、加熱時間、雰囲気等によって変わるので、これらを制御することによって、露光光透過率も制御することができる。」、及び、明細書の段落【００２６】における記載「別工程でそのハーフトーン位相シフト層の組成、組織、構造の何れかを変えることによって、１％から５０％の間に含まれる範囲内で任意に変えることができるので、ブランクス又はフォトマスク製造後に所望の露光光透過率に調節できる」、及び、明細書の段落【００３１】における記載「このハーフトーン位相シフトフォトマスク３０９を空気雰囲気の対流式オーヴンで２００℃に加熱したところ、ハーフトーン位相シフト部の波長３６５ｎｍ光の透過率は図５に示すように、加熱時間に応じて変化して行った。」との記載に基づくものである。
　したがって、本訂正は、特許請求の範囲の減縮、及び明りょうでない記載の釈明に相当する。
　また、上記訂正事項ｃは、願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものではない。
４）訂正事項ｄについて
　訂正事項ｄは、請求項１を削除するに伴い、請求項３の記載形式を訂正すると共に、請求項番号を繰り上げるものであり、本訂正は、特許請求の範囲の減縮、及び明りょうでない記載の釈明に相当する。
５）訂正事項ｅについて
　訂正事項ｅは、特許請求の範囲の請求項３における「前記ブランクスを酸化性雰囲気中にさらす工程」とあるのを、より明確化しかつ減縮するために、「前記ブランクスを酸化性プラズマ雰囲気中にさらし、そのさらす時間を制御することにより透過率を調節する工程」に限定するものであり、この「酸化性プラズマ雰囲気中にさらし、そのさらす時間を制御することにより透過率を調節する」点は、明細書の段落【００１５】における記載「この酸化性雰囲気は、上述のガスのプラズマであってもよい。この場合も、ハーフトーン位相シフト膜の組成、組織、構造等が変化するために、露光光透過率が変化する。この工程においても、露光光透過率の変化量は、雰囲気の種類、圧力等の処理条件や処理時間によって制御できる。」、及び、明細書の段落【００２６】における記載「別工程でそのハーフトーン位相シフト層の組成、組織、構造の何れかを変えることによって、１％から５０％の間に含まれる範囲内で任意に変えることができるので、ブランクス又はフォトマスク製造後に所望の露光光透過率に調節できる」、及び、明細書の段落【００３７】における記載「この多層ハーフトーン位相シフトフォトマスク５０７を以下の条件で１０分間酸素プラズマにさらしたところ、ハーフトーン位相シフト部の波長３６５ｎｍ光透過率は約１２％から約１７％へと変化した。」に基づく訂正である。
　したがって、本訂正は、特許請求の範囲の減縮、及び明りょうでない記載の釈明に相当する。
　また、上記訂正事項ｅは、願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものではない。
６）訂正事項ｆについて
　訂正事項ｆは、請求項１を削除するに伴い、請求項４の記載形式を訂正すると共に、請求項番号を繰り上げるものであり、本訂正は、特許請求の範囲の減縮、及び明りょうでない記載の釈明に相当する。
７）訂正事項ｇについて
　訂正事項ｇは、特許請求の範囲の請求項５を削除するものであり、特許請求の範囲の減縮に相当する。
８）訂正事項ｈについて
　訂正事項ｈは、請求項６の従属先の請求項１及び５の削除と請求項２〜４の項番号の繰り上げに対処するための訂正であり、本訂正は、特許請求の範囲の減縮、及び明りょうでない記載の釈明に相当する。
９）訂正事項ｉについて
　訂正事項ｉは、特許請求の範囲の請求項７を削除するものであり、特許請求の範囲の減縮に相当する。
１０）訂正事項ｊについて
　訂正事項ｊは、請求項７を削除するに伴い、請求項８の記載形式を訂正すると共に、請求項番号を繰り上げるものであり、特許請求の範囲の減縮、及び明りょうでない記載の釈明に相当する。
１１）訂正事項ｋについて
　訂正事項ｋは、特許請求の範囲の請求項８における「前記ハーフトーン位相シフトフォトマスクを１５０℃以上の温度雰囲気中にさらす工程」とあるのを、より明確化しかつ減縮するために、「前記ハーフトーン位相シフトフォトマスクを１５０℃以上の温度雰囲気中にさらし、そのさらす時間を制御することにより透過率を調節する工程」に限定するものであり、この「さらす時間を制御することにより透過率を調節する」点は、明細書の段落【００１４】における記載「この露光光透過率の変化量は、加熱温度、加熱時間、雰囲気等によって変わるので、これらを制御することによって、露光光透過率も制御することができる。」、及び、明細書の段落【００２６】における記載「別工程でそのハーフトーン位相シフト層の組成、組織、構造の何れかを変えることによって、１％から５０％の間に含まれる範囲内で任意に変えることができるので、ブランクス又はフォトマスク製造後に所望の露光光透過率に調節できる」、及び、明細書の段落【００３１】における記載「このハーフトーン位相シフトフォトマスク３０９を空気雰囲気の対流式オーヴンで２００℃に加熱したところ、ハーフトーン位相シフト部の波長３６５ｎｍ光の透過率は図５に示すように、加熱時間に応じて変化して行った。」との記載に基づく訂正である。
　したがって、本訂正は、特許請求の範囲の減縮、及び明りょうでない記載の釈明に相当する。
　また、上記訂正事項ｋは、願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものではない。
１２）訂正事項ｌについて
　訂正事項ｌは、請求項７を削除するに伴い、請求項９の記載形式を訂正すると共に、請求項番号を繰り上げるものであり、特許請求の範囲の減縮、及び明りょうでない記載の釈明に相当する。
１３）訂正事項ｍについて
　訂正事項ｍは、特許請求の範囲の請求項９における「前記ハーフトーン位相シフトフォトマスクを酸化性雰囲気中にさらす工程」とあるのを、より明確化しかつ減縮するために、「前記ハーフトーン位相シフトフォトマスクを酸化性プラズマ雰囲気中にさらし、そのさらす時間を制御することにより透過率を調節する工程」に限定するものであり、この「さらす時間を制御することにより透過率を調節する」点は、明細書の段落【００１５】における記載「この酸化性雰囲気は、上述のガスのプラズマであってもよい。この場合も、ハーフトーン位相シフト膜の組成、組織、構造等が変化するために、露光光透過率が変化する。この工程においても、露光光透過率の変化量は、雰囲気の種類、圧力等の処理条件や処理時間によって制御できる。」、及び、明細書の段落【００２６】における記載「別工程でそのハーフトーン位相シフト層の組成、組織、構造の何れかを変えることによって、１％から５０％の間に含まれる範囲内で任意に変えることができるので、ブランクス又はフォトマスク製造後に所望の露光光透過率に調節できる」、及び、明細書の段落【００３７】における記載「この多層ハーフトーン位相シフトフォトマスク５０７を以下の条件で１０分間酸素プラズマにさらしたところ、ハーフトーン位相シフト部の波長３６５ｎｍ光透過率は約１２％から約１７％へと変化した。」との記載に基づく訂正である。
　したがって、本訂正は、特許請求の範囲の減縮、及び明りょうでない記載の釈明に相当する。
　また、上記訂正事項ｍは、願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものではない。
１４）訂正事項ｎについて
　訂正事項ｎは、請求項７を削除するに伴い、請求項１０の記載形式を訂正すると共に、請求項番号を繰り上げるものであり、特許請求の範囲の減縮、及び明りょうでない記載の釈明に相当する。
１５）訂正事項ｏについて
　訂正事項ｏは、特許請求の範囲の請求項１１を削除するものであり、特許請求の範囲の減縮に相当する。
１６）訂正事項ｐについて
　訂正事項ｐは、特許請求の範囲の請求項１２を削除するものであり、特許請求の範囲の減縮に相当する。
１７）訂正事項ｑについて
　訂正事項ｑは、請求項１３の従属先の請求項１及び５の削除と請求項２〜４の項番号の繰り上げに対処するための訂正であり、特許請求の範囲の減縮、及び、同ただし書き第３号に規定する明りょうでない記載の釈明に相当する。
１８）訂正事項ｒについて
　訂正事項ｒは、請求項１４の従属先の請求項７、１１及び１２の削除と請求項６、８〜１０の項番号の繰り上げに対処するための訂正であり、特許請求の範囲の減縮、及び明りょうでない記載の釈明に相当する。
　
（３）独立特許要件について
　特許明細書の請求項４、５及び１０乃至１２の発明は、異議申立てされていないが、前記訂正請求により、請求項５、１１及び１２は削除され（上記訂正事項ｇ、ｏ、ｐ）、また、請求項４および請求項１０はそれぞれ請求項３及び請求項７に訂正され（上記訂正事項ｆ、ｎ）、いずれも実質上特許請求の範囲の減縮を目的とした訂正がなされている。ここで、訂正後の請求項３及び７（以下、「本件発明３」及び「本件発明７」という。）の独立特許要件の検討をする。
（ア）本件発明３
　本件発明３は、「ハーフトーン位相シフト層の成膜工程と分離された別工程により前記ハーフトーン位相シフト層の組成、組織、構造の何れかを変えることによって、前記透明基板を１００％としたときの前記ハーフトーン位相シフト層の露光光に対する透過率を、１％から５０％の間に含まれる範囲内で変える方法」において、「別工程が、前記ブランクスを還元性雰囲気中にさらす工程を含むこと」を特徴とするものであるが、刊行物１〜５には、前記前提となる構成及び本件発明３が特徴とする構成について、開示されていないばかりか、それを示唆する記載もない。したがって、本件発明３が刊行物１〜５に記載された発明に基づいて容易に発明することができたものとすることはできない。
　また、特願平５−２８５３２７号（特許第３０６４７６９号公報）（優先権主張番号；特願平４−３３５５２３号（優先日；平成４年１１月２１日）、優先権主張番号；特願平５−９１４４５号（優先日；平成５年４月１９日））に係る発明には、前記前提となる構成及び本件発明３が特徴とする構成についての記載がないばかりか、それを示唆する記載もない。したがって、本件発明３は、特願平５−２８５３２７号（特許第３０６４７６９号公報）に係る発明と同一であるとすることはできない。
　さらに、特願平５−２８５３２７号（特開平７−１４０６３５号）（優先権主張番号；特願平４−３３５５２３号（優先日；平成４年１１月２１日）、優先権主張番号；特願平５−９１４４５号（優先日；平成５年４月１９日））の願書に最初に添付された明細書又は図面、又は、特願平５−１０３４１６号（特開平６−７５３５９号）の願書に最初に添付された明細書又は図面には、上記本件発明３の前提となる構成及び本件発明３の特徴とする構成についての記載がないばかりか、それを示唆する記載もない。したがって、本件発明３は、特願平５−２８５３２７号（特開平７−１４０６３５号）の願書に最初に添付された明細書又は図面、又は、特願平５−１０３４１６号（特開平６−７５３５９号）の願書に最初に添付された明細書又は図面に記載された発明と同一であるとすることはできない。
　他に、本件特許３を取り消す理由を発見しないから、本件特許３が独立特許要件がないとすることはできない。
（イ）本件発明７
　本件発明７は、「製造工程と分離された別工程により前記ハーフトーン位相シフト層の組成、組織、構造の何れかを変えることによって、前記ハーフトーン位相シフト層の開口部の透過率を１００％としたときの、ハーフトーン位相シフト部の露光光に対する透過率を、１％から５０％の間に含まれる範囲内で変える方法」において、「別行程が、前記ハーフトーン位相シフトフォトマスクを還元性雰囲気中にさらす工程を含むこと」を特徴とするものであるが、刊行物１〜５には、前記前提となる構成及び本件発明７が特徴とする構成について、開示されていないばかりか、それを示唆する記載もない。したがって、本件発明７が刊行物１〜５に記載された発明に基づいて容易に発明することができたものとすることはできない。
　また、特願平５−２８５３２７号（特許第３０６４７６９号公報）に係る発明には、前記前提となる構成及び本件発明７の特徴とする構成についての記載がないばかりか、それを示唆する記載もない。したがって、本件特許７は、特願平５−２８５３２７号（特許第３０６４７６９号公報）に係る発明と同一であるとすることはできない。
　さらに、特願平５−２８５３２７号（特開平７−１４０６３５号）の願書に最初に添付された明細書又は図面、もしくは、特願平５−１０３４１６号（特開平６−７５３５９号）の願書に最初に添付された明細書又は図面には、上記本件発明７の前提となる構成及びその特徴とする構成についての記載がないばかりか、それを示唆する記載もない。したがって、本件発明７は、特願平５−２８５３２７号（特開平７−１４０６３５号）の願書に最初に添付された明細書又は図面、もしくは、特願平５−１０３４１６号（特開平６−７５３５９号）の願書に最初に添付された明細書又は図面に記載された発明と同一であるとすることはできない。
　他に、本件発明７を取り消す理由を発見しないから、本件発明７が独立特許要件がないとすることはできない。
　
（４）むすび
　したがって、本件訂正は、特許法第１２０条の４第２項に掲げる事項を目的とするものであり、同法第３項の規定により準用する同法第１２６条第２項から第４項の規定に適合するので、認められるべきものである。
　
３．特許異議申立についての判断
（１）本件発明１乃至９
　上記２．で示したように上記訂正は認められるから、本件特許の請求項１乃至９に係る発明（以下、「本件発明１」および「本件発明９」という。）は、訂正された特許明細書の特許請求の範囲の請求項１乃至９に記載された次のとおりのものである。
「【請求項１】  透明基板上にハーフトーン位相シフト層を有するハーフトーン位相シフトフォトマスク用ブランクスの製造方法であって、前記ハーフトーン位相シフト層の成膜工程と分離された別工程により前記ハーフトーン位相シフト層の組成、組織、構造の何れかを変えることによって、前記透明基板を１００％としたときの前記ハーフトーン位相シフト層の露光光に対する透過率を、１％から５０％の間に含まれる範囲内で変える方法において、前記別工程が、前記ブランクスを１５０℃以上の温度雰囲気中にさらし、そのさらす時間を制御することにより透過率を調節する工程を含むことを特徴とするハーフトーン位相シフトフォトマスク用ブランクスの製造方法。
【請求項２】  透明基板上にハーフトーン位相シフト層を有するハーフトーン位相シフトフォトマスク用ブランクスの製造方法であって、前記ハーフトーン位相シフト層の成膜工程と分離された別工程により前記ハーフトーン位相シフト層の組成、組織、構造の何れかを変えることによって、前記透明基板を１００％としたときの前記ハーフトーン位相シフト層の露光光に対する透過率を、１％から５０％の間に含まれる範囲内で変える方法において、前記別工程が、前記ブランクスを酸化性プラズマ雰囲気中にさらし、そのさらす時間を制御することにより透過率を調節する工程を含むことを特徴とするハーフトーン位相シフトフォトマスク用ブランクスの製造方法。
【請求項３】  透明基板上にハーフトーン位相シフト層を有するハーフトーン位相シフトフォトマスク用ブランクスの製造方法であって、前記ハーフトーン位相シフト層の成膜工程と分離された別工程により前記ハーフトーン位相シフト層の組成、組織、構造の何れかを変えることによって、前記透明基板を１００％としたときの前記ハーフトーン位相シフト層の露光光に対する透過率を、１％から５０％の間に含まれる範囲内で変える方法において、前記別工程が、前記ブランクスを還元性雰囲気中にさらす工程を含むことを特徴とするハーフトーン位相シフトフォトマスク用ブランクスの製造方法。
【請求項４】  請求項１から３の何れか１項記載のハーフトーン位相シフトフォトマスク用ブランクスの製造方法により製造されたハーフトーン位相シフトフォトマスク用ブランクスの前記ハーフトーン位相シフト層をパターニングすることを特徴とするハーフトーン位相シフトフォトマスクの製造方法。
【請求項５】  透明基板上にハーフトーン位相シフト層を有するハーフトーン位相シフトフォトマスクの製造方法であって、その製造工程と分離された別工程により前記ハーフトーン位相シフト層の組成、組織、構造の何れかを変えることによって、前記ハーフトーン位相シフト層の開口部の透過率を１００％としたときの、ハーフトーン位相シフト部の露光光に対する透過率を、１％から５０％の間に含まれる範囲内で変える方法において、前記別工程が、前記ハーフトーン位相シフトフォトマスクを１５０℃以上の温度雰囲気中にさらし、そのさらす時間を制御することにより透過率を調節する工程を含むことを特徴とするハーフトーン位相シフトフォトマスクの製造方法。
【請求項６】  透明基板上にハーフトーン位相シフト層を有するハーフトーン位相シフトフォトマスクの製造方法であって、その製造工程と分離された別工程により前記ハーフトーン位相シフト層の組成、組織、構造の何れかを変えることによって、前記ハーフトーン位相シフト層の開口部の透過率を１００％としたときの、ハーフトーン位相シフト部の露光光に対する透過率を、１％から５０％の間に含まれる範囲内で変える方法において、前記別工程が、前記ハーフトーン位相シフトフォトマスクを酸化性プラズマ雰囲気中にさらし、そのさらす時間を制御することにより透過率を調節する工程を含むことを特徴とするハーフトーン位相シフトフォトマスクの製造方法。
【請求項７】  透明基板上にハーフトーン位相シフト層を有するハーフトーン位相シフトフォトマスクの製造方法であって、その製造工程と分離された別工程により前記ハーフトーン位相シフト層の組成、組織、構造の何れかを変えることによって、前記ハーフトーン位相シフト層の開口部の透過率を１００％としたときの、ハーフトーン位相シフト部の露光光に対する透過率を、１％から５０％の間に含まれる範囲内で変える方法において、前記別工程が、前記ハーフトーン位相シフトフォトマスクを還元性雰囲気中にさらす工程を含むことを特徴とするハーフトーン位相シフトフォトマスクの製造方法。
【請求項８】  前記透明基板を１００％としたときの前記ハーフトーン位相シフト層の露光光に対する透過率を特定の値になるように予め作製した後に、所定の値に変化させることを特徴とする請求項１から３の何れか１項記載のハーフトーン位相シフトフォトマスク用ブランクスの製造方法。
【請求項９】  開口部を１００％としたときの前記ハーフトーン位相シフト部の露光光に対する透過率を、ブランクスのマスク化前、マスク作製中、あるいは、マスク作製後の任意の段階で、所定の値に変化させることを特徴とする請求項４から７の何れか１項記載のハーフトーン位相シフトフォトマスクの製造方法。」
　
（２）異議申立理由の概要
　異議申立人凸版印刷株式会社は理由１により、異議申立人川上恒治は理由２〜４により、本件特許発明は特許を受けることができない旨主張するところ、その理由１〜４の概要は次のとおりである。
［理由１］訂正前の請求項１、２、７及び８の発明は、刊行物１〜５に記載された発明および周知技術に基づいて容易に発明することができたものである。
刊行物１；特開平４−１３６８５４号公報
刊行物２；特開平１−１２９４３９号公報
刊行物３；特開平４−１２８３６４号公報
刊行物４；特開平３−２０３２２２号公報
刊行物５；「薄膜の作製・評価とその応用技術ハンドブック」株式会社フジ・テクノシステム、昭和５９年１１月５日発行
［理由２］
　訂正前の請求項１、２、７及び８の発明は、特願平５−２８５３２７号（特許第３０６４７６９号公報）（優先権主張番号；特願平４−３３５５２３号（優先日；平成４年１１月２１日）、優先権主張番号；特願平５−９１４４５号（優先日；平成５年４月１９日））に係る発明と同一であり、特許法第３９条第１項の規定により特許を受けることができない。
［理由３］
（ア）訂正前の請求項１〜３、６〜９、１３及び１４の発明は、特願平５−２８５３２７号（特開平７−１４０６３５号）（優先権主張番号；特願平４−３３５５２３号（優先日；平成４年１１月２１日）、優先権主張番号；特願平５−９１４４５号（優先日；平成５年４月１９日））の願書に最初に添付された明細書又は図面に記載された発明と同一であり、特許法第２９条の２の規定により特許を受けることができない。
（イ）訂正前の請求項１、３、６、７、９、１３及び１４の発明は、特願平５−１０３４１６号（特開平６−７５３５９号）の願書に最初に添付された明細書又は図面に記載された発明と同一であり、特許法第２９条の２の規定により特許を受けることができない。
［理由４］
　本件明細書は、特許請求の範囲及び発明の詳細な説明の記載が不備である。
　
（３）当審の判断
［理由１］
　本件発明１及び２は、「ハーフトーン位相シフト層の成膜工程と分離された別工程により前記ハーフトーン位相シフト層の組成、組織、構造の何れかを変えることによって、前記透明基板を１００％としたときの前記ハーフトーン位相シフト層の露光光に対する透過率を、１％から５０％の間に含まれる範囲内で変える方法」（本件発明１及び２の前提とする構成）において、「別工程が、前記ブランクスを１５０℃以上の温度雰囲気中にさらし、そのさらす時間を制御することにより透過率を調節する工程を含むこと」（本件発明１）、及び「別工程が、前記ブランクスを酸化性プラズマ雰囲気中にさらし、そのさらす時間を制御することにより透過率を調節する工程を含むこと」（本件発明２）をそれぞれの特徴とするものであるが、刊行物１〜５には、前記前提となる構成及びそれぞれの発明が特徴とする構成について、開示されていないばかりか、それを示唆する記載もない。したがって、本件発明１及び２が刊行物１〜５に記載された発明に基づいて容易に発明することができたものとすることはできない。
　また、本件発明５及び６は、「製造工程と分離された別工程により前記ハーフトーン位相シフト層の組成、組織、構造の何れかを変えることによって、前記ハーフトーン位相シフト層の開口部の透過率を１００％としたときの、ハーフトーン位相シフト部の露光光に対する透過率を、１％から５０％の間に含まれる範囲内で変える方法」（本件発明５及び６７の前提とする構成）において、「ハーフトーン位相シフトフォトマスクを１５０℃以上の温度雰囲気中にさらし、そのさらす時間を制御することにより透過率を調節する工程を含むこと」（本件発明５）、及び「ハーフトーン位相シフトフォトマスクを酸化性プラズマ雰囲気中にさらし、そのさらす時間を制御することにより透過率を調節する工程を含むこと」（本件発明６）をそれぞれの特徴とするものであるが、刊行物１〜５には、前記前提となる構成及びそれぞれの発明が特徴とする構成について、いずれの刊行物にも開示されていないばかりか、それを示唆する記載もない。したがって、本件発明５及び６が刊行物１〜５に記載された発明に基づいて容易に発明することができたものとすることはできない。
　また、本件発明４及び８は、請求項１乃至３の何れかを引用し、本件発明９は、請求項４乃至７の何れかを引用するものであるが、上記のとおり、本件発明１乃至３、及び４乃至７が刊行物１〜５に記載された発明及び周知技術に基づいて容易に発明することができたものとすることはできないから、それらを引用する本件発明４、８及び９も、刊行物１〜５に記載された発明に基づいて容易に発明することができたものとすることはできない。
［理由２］
　本件発明１、２、５及び６は、上記［理由１］で述べた前提となる構成及びそれぞれ発明の特徴とする構成を有するものであるが、特願平５−２８５３２７号（特許第３０６４７６９号公報）に係る発明には、前記前提となる構成及びそれぞれの発明の特徴とする構成についての記載がないばかりか、それを示唆する記載もない。したがって、本件発明１、２、５及び６、並びにそれらを引用する本件発明４、８及び９は、特願平５−２８５３２７号（特許第３０６４７６９号公報）に係る発明と同一であるとすることはできない。
［理由３］
　特願平５−２８５３２７号（特開平７−１４０６３５号）の願書に最初に添付された明細書又は図面、もしくは、特願平５−１０３４１６号（特開平６−７５３５９号）の願書に最初に添付された明細書又は図面には、上記本件特許の前提となる構成及びそれぞれの発明が特徴とする構成についての記載がないばかりか、それを示唆する記載もない。したがって、本件発明１、２、５及び６、並びにそれらを引用する本件発明４、８及び９は、特願平５−２８５３２７号（特開平７−１４０６３５号）の願書に最初に添付された明細書又は図面、もしくは、特願平５−１０３４１６号（特開平６−７５３５９号）の願書に最初に添付された明細書又は図面に記載された発明と同一であるとすることはできない。
［理由４］
　異議申立人川上恒治は、訂正前の請求項１及び請求項７の発明は、実施例による裏付けを欠き、発明の詳細な説明の記載の範囲を逸脱したものであり、特許法第３６条の規定に違反する旨主張するが、訂正前の請求項１及び請求項７は、平成１６年６月１５日付けの訂正請求により削除されたので、上記記載不備は解消された。
　また、平成１６年５月１４日付けの取消理由通知において指摘した明細書不備（同通知書の理由２）、すなわち特許請求の範囲に記載の「組成」、「組織」及び「構造」の定義及び技術的意味が不明瞭であるとした点は、平成１６年６月１５日付けの特許異議意見書において、それらの定義及び技術的な意味が明確にされたので、上記不備は解消された。
　
４．まとめ
　以上のとおりであるから、特許異議申立の理由及び証拠によっては、本件発明１、２、４、５、６、８、及び９についての特許を取り消すことはできない。
　また他にこれらの特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１６年７月１６日（２００４．７．１６）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
ハーフトーン位相シフトフォトマスク用ブランクスの製造方法、及び、ハーフトーン位相シフトフォトマスクの製造方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項
１
透明基板上にハーフトーン位相シフト層を有するハーフトーン位相シフトフォトマスク用ブランクスの製造方法であって、前記ハーフトーン位相シフト層の成膜工程と分離された別工程により前記ハーフトーン位相シフト層の組成、組織、構造の何れかを変えることによって、前記透明基板を１００％としたときの前記ハーフトーン位相シフト層の露光光に対する透過率を、１％から５０％の間に含まれる範囲内で変える方法
し、そのさらす時間を制御することにより透過率を調節する
　【請求項
２
透明基板上にハーフトーン位相シフト層を有するハーフトーン位相シフトフォトマスク用ブランクスの製造方法であって、前記ハーフトーン位相シフト層の成膜工程と分離された別工程により前記ハーフトーン位相シフト層の組成、組織、構造の何れかを変えることによって、前記透明基板を１００％としたときの前記ハーフトーン位相シフト層の露光光に対する透過率を、１％から５０％の間に含まれる範囲内で変える方法
プラズマ
し、そのさらす時間を制御することにより透過率を調節する
　【請求項
３
透明基板上にハーフトーン位相シフト層を有するハーフトーン位相シフトフォトマスク用ブランクスの製造方法であって、前記ハーフトーン位相シフト層の成膜工程と分離された別工程により前記ハーフトーン位相シフト層の組成、組織、構造の何れかを変えることによって、前記透明基板を１００％としたときの前記ハーフトーン位相シフト層の露光光に対する透過率を、１％から５０％の間に含まれる範囲内で変える方法
　【請求項
４
１
３
　【請求項
５
透明基板上にハーフトーン位相シフト層を有するハーフトーン位相シフトフォトマスクの製造方法であって、その製造工程と分離された別工程により前記ハーフトーン位相シフト層の組成、組織、構造の何れかを変えることによって、前記ハーフトーン位相シフト層の開口部の透過率を１００％としたときの、ハーフトーン位相シフト部の露光光に対する透過率を、１％から５０％の間に含まれる範囲内で変える方法
し、そのさらす時間を制御することにより透過率を調節する
　【請求項
６
透明基板上にハーフトーン位相シフト層を有するハーフトーン位相シフトフォトマスクの製造方法であって、その製造工程と分離された別工程により前記ハーフトーン位相シフト層の組成、組織、構造の何れかを変えることによって、前記ハーフトーン位相シフト層の開口部の透過率を１００％としたときの、ハーフトーン位相シフト部の露光光に対する透過率を、１％から５０％の間に含まれる範囲内で変える方法
プラズマ
し、そのさらす時間を制御することにより透過率を調節する
　【請求項
７
透明基板上にハーフトーン位相シフト層を有するハーフトーン位相シフトフォトマスクの製造方法であって、その製造工程と分離された別工程により前記ハーフトーン位相シフト層の組成、組織、構造の何れかを変えることによって、前記ハーフトーン位相シフト層の開口部の透過率を１００％としたときの、ハーフトーン位相シフト部の露光光に対する透過率を、１％から５０％の間に含まれる範囲内で変える方法
　【請求項
８
１
３
　【請求項
９
４
７
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】
　本発明は、ＬＳＩ、超ＬＳＩ等の高密度集積回路の製造に用いられるフォトマスクの製造方法及びそのフォトマスクを製造するためのフォトマスクブランクの製造方法に関し、特に、微細寸法の投影像が得られるハーフトーン位相シフトフォトマスク、この位相シフトフォトマスクを製造するためのハーフトーン位相シフトフォトマスク用ブランクスの製造方法に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　ＩＣ、ＬＳＩ、超ＬＳＩ等の半導体集積回路は、フォトマスクを使用したいわゆるリソグラフィー工程を繰り返すことによって製造されるが、特に微細寸法の形成には、例えば、特開昭５８−１７３７４４号公報、特公昭６２−５９２９６号公報等に示されているような位相シフトフォトマスクの使用が検討されている。位相シフトフォトマスクには様々な構成のものが提案されているが、その中でも、例えば米国特許第４，８９０，３０９号等に示されるような、いわゆるハーフトーン位相シフトフォトマスクが早期実用化の観点から注目を集め、特開平５−２２５９号公報、特開平５−１２７３６１号公報等のように、製造工程数の減少による歩留りの向上、コストの低減等が可能な構成、材料に関して、いくつかの提案がされてきている。
　【０００３】
　ここで、ハーフトーン位相シフトフォトマスクを図面に従って簡単に説明する。図３はハーフトーン位相シフトリソグラフィーの原理を示す図、図４は従来法を示す図である。図３（ａ）及び図４（ａ）はフォトマスクの断面図、図３（ｂ）及び図４（ｂ）はフォトマスク上の光の振幅、図３（ｃ）及び図４（ｃ）はウエーハー上の光の振幅、図３（ｄ）及び図４（ｄ）はウエーハー上の光強度をそれぞれ示し、１０１及び２０１は基板、２０２は１００％遮光膜、１０２は入射光の位相を実質的に１８０度ずらし、かつ、透過率が１乃至５０％である半透明膜、１０３及び２０３は入射光である。従来法においては、図４（ａ）に示すように、石英ガラス等からなる基板２０１上にクロム等からなる１００％遮光膜２０２を形成し、所望のパターンの光透過部を形成してあるだけであり、ウエーハー上での光強度分布は図４（ｄ）に示すように裾広がりとなり、解像度が劣ってしまう。一方、ハーフトーン位相シフトリソグラフィーでは、半透明膜１０２を透過した光とその開口部を透過した光とでは位相が実質的に反転するので、図３（ｄ）に示すように、ウエーハー上でパターン境界部での光強度が０になり、その裾広がりを抑えることができ、したがって、解像度を向上させることができる。
　【０００４】
　ここで、注目すべき点は、ハーフトーン以外のタイプの位相シフトリソグラフィーでは、遮光膜と位相シフター膜とが異なるパターンであるため、最低２回の製版工程を必要とするのに対し、ハーフトーン位相シフトリソグラフィーでは、パターンが一つであるため、製版工程は本質的に１回だけでよいという点であり、これがハーフトーン位相シフトリソグラフィーの大きな長所となっている。
　【０００５】
　ところで、ハーフトーン位相シフトフォトマスクの半透明膜１０２には、位相反転と透過率調整という２つの機能が要求される。この中、位相反転機能については、ハーフトーン位相シフト部を透過する露光光と、その開口部を透過する露光光との間で、位相が実質的に反転するようになっていればよい。ここで、ハーフトーン位相シフト層１０２を、例えばＭ．Ｂｏｒｎ，Ｅ．Ｗｏｌｆ著「Ｐｒｉｎｃｉｐｌｅｓ　ｏｆ　Ｏｐｔｉｃｓ」６２８〜６３２頁に示される吸収膜として扱うと、多重干渉を無視できるので、垂直透過光の位相変化φは、
により計算され、φがｎπ±π／３（ｎは奇数）の範囲に含まれるとき、上述の位相シフト効果が得られる。なお、式（１）で、φは基板上に（ｍ−２）層の多層膜が構成されているフォトマスクを垂直に透過する光が受ける位相変化であり、Ｘｋ，ｋ＋１はｋ番目の層と（ｋ＋１）番目の層との界面で起きる位相変化、ｕｋ、ｄｋはそれぞれｋ番目の層を構成する材料の屈折率と膜厚、λは露光光の波長である。ただし、ｋ＝１の層は基板、ｋ＝ｍの層は空気とする。
　【０００６】
　一方、ハーフトーン位相シフト効果が得られるための、ハーフトーン位相シフト部の露光光透過率は、転写パターンの寸法、面積、配置、形状等によって決定され、パターンによって異なる。実質的に、上述の効果を得るためには、ハーフトーン位相シフト部の露光光透過率を、パターンによって決まる最適透過率を中心として、最適透過率±数％の範囲内に含まれるようにしなければならない。通常、この最適透過率は、開口部を１００％としたときに、転写パターンによって１乃至５０％という広い範囲内で大きく変動する。すなわち、あらゆるパターンに対応するためには、様々な透過率を有するハーフトーン位相シフトフォトマスクが要求される。
　【０００７】
　実際には、位相反転機能と透過率調整機能とは、基板材料とハーフトーン位相シフト膜を構成する材料（多層の場合は、各層を構成する各材料）の複素屈折率（屈折率と消衰係数）と厚さとによって決定される。つまり、ハーフトーン位相シフト膜の膜厚を調整し、前記式（１）により求まる位相差φがｎπ±π／３（ｎは奇数）の範囲に含まれるように基板上に成膜したときの露光光透過率が１乃至５０％の範囲に含まれるような材料が、ハーフトーン位相シフトフォトマスクのハーフトーン位相シフト層として使える。このような材料としては、例えば特開平５−１２７３６１号公報に示されるクロム化合物等の、酸化物、窒化物、フッ化物、炭化物、塩化物等の化合物が知られている。これらの化合物は、その組成、組織、構造等によって上述の複素屈折率が変わるため、要求される透過率に応じて適切な膜を作成し、所望の透過率を持つハーフトーン位相シフトフォトマスクを得ることができる。
　【０００８】
　【発明が解決しようとする課題】
　しかしながら、上記式（１）より明らかなように、ハーフトーン位相シフト膜を構成する材料を決めてしまえば、位相を反転する機能を備えるための膜厚が決まってしまうので、ハーフトーン位相シフト膜の膜厚を変えることによってハーフトーン位相シフト部の透過率を調整することはできない。そのため、位相反転機能を維持しながら、様々な露光光透過率を持つハーフトーン位相シフトフォトマスクを作製するためには、様々なハーフトーン位相シフト膜用材料を用意する必要がある。また、ハーフトーン位相シフト膜を位相反転機能を担う層と透過率調整機能を担う層とに分けて積層構成し、透過率調整機能を担う膜の膜厚を調整することによって要求露光光透過率を得るという方法も考えられた。しかし、何れの場合においても、様々な要求露光光透過率に対してハーフトーン位相シフト膜用材料の選定、膜厚の最適化等、個別に対応しなければならず、大量生産が容易でないという問題があった。
　【０００９】
　さらに、上述の最適透過率は、多くの場合、パターンの寸法、面積、配置、形状等を基にした、マスクが使用される半導体製造プロセスのシュミレーションによって決定されるが、半導体製造プロセスには非常に多くのパラメーターがあり、最適露光光透過率をシュミレーションだけで求めることは困難な場合が多い。そのため、ハーフトーン位相シフトフォトマスクを作製した後、ハーフトーン位相シフト部の透過率を変更する必要性が生じることもあるが、従来、このような変更には対応できず、これもハーフトーン位相シフトフォトマスクを作製する上で大きな問題となっていた。
　【００１０】
　本発明はこのような状況に鑑みてなされたものであり、その目的は、ブランクス又はフォトマスク作製後においても、ハーフトーン位相シフト膜の露光光透過率を変えることができ、様々なパターンに対応でき、大量生産可能なハーフトーン位相シフトフォトマスク用ブランクスの製造方法とハーフトーン位相シフトフォトマスクの製造方法を提供することである。
　【００１１】
　【発明を解決するための手段】
　本発明は、上記の問題に鑑み、ブランクス作製後においても、露光光透過率を変えられ、様々なパターンに対応でき、大量生産可能なハーフトーン位相シフトフォトマスク用ブランクスを開発すべく研究の結果、完成に到ったものである。
　【００１２】
　すなわち、本発明は、透明基板上のハーフトーン位相シフト膜を有するハーフトーン位相シフトフォトマスク用ブランクスにおいて、このブランクスの製造工程、及び、このブランクスのマスク化工程から分離された別工程によって、露光光透過率を変えることができるハーフトーン位相シフトフォトマスク用ブランクスと、このブランクスのハーフトーン位相シフト膜をパターニングすることによって得られるハーフトーン位相シフトマスクに関する。この露光光透過率を変える工程は、ブランクス作製後マスク化前、マスク作製中、及び、マスク作製後のどの段階にも行うことができる。
　【００１３】
　ここで、一例として、前記したクロム化合物について、露光光透過率を変える工程を説明する。上述のように、これらの化合物膜が露光光に及ぼす位相変化と露光光透過率とは、膜厚の他に、膜を構成している材料の屈折率と消衰係数とによって決まる。ここで、屈折率と消衰係数とは、膜の組成、組織、構造によって決定される。ところが、屈折率は、成膜時にほぼ決まってしまい、その後大きく変わることがないのに対し、消衰係数は、膜の組成、組織、構造を変えるこのよって大きく変わることがある。ここで、位相変化は主として屈折率に、透過率は主として消衰係数に大きく依存するので、膜の組成、組織、構造を変えることによって、位相変化量を余り変えずに、露光光透過率を変えることが可能となる。本発明者等は、クロム化合物を主体とするハーフトーン位相シフト層を有するハーフトーン位相シフトフォトマスク及びそのためのブランクスは、１５０℃以上の高温にさらす工程、酸化性雰囲気中にさらす工程、還元雰囲気中にさらす工程等によって、位相反転機能を大きく損なうことなく、露光光透過率が変えられることを見出した。
　【００１４】
　１５０℃以上の高温処理工程とは、空気、酸素等の雰囲気中、あるいは、真空中でハーフトーン位相シフトフォトマスク又はそのためのブランクスを加熱する工程である。この際、例えば、雰囲気ガスの成分の一部が膜中に取り込まれる、逆に、膜組成の一部が外部に放出される、膜中の組織構造、結晶構造が変化する、あるいは、膜を構成している層構造が変化する等の、組成、組織、構造等の変化によって、露光光透過率が変化するものと考えられる。なお、この高温処理工程については、１５０℃以上で十分な効果が得られた。また、この露光光透過率の変化量は、加熱温度、加熱時間、雰囲気等によって変わるので、これらを制御することによって、露光光透過率も制御することができる。この高温処理には、例えばべーク炉、オーヴン、ホットプレート等、あらゆる加熱手段が使える。
　【００１５】
　酸化性雰囲気中にさらす工程とは、酸素、空気、水蒸気やこれらの混合体等の雰囲気中にハーフトーン位相シフトフォトマスク又はそのためのブランクスをさらす工程である。ここで、同時に、マスク又はブランクスを加熱してもよい。また、この酸化性雰囲気は、上述のガスのプラズマであってもよい。この場合も、ハーフトーン位相シフト膜の組成、組織、構造等が変化するために、露光光透過率が変化する。この工程においても、露光光透過率の変化量は、雰囲気の種類、圧力等の処理条件や処理時間によって制御できる。
　【００１６】
　還元性雰囲気中にさらす工程とは、水素等の雰囲気中にハーフトーン位相シフトフォトマスク又はそのためのブランクスをさらす工程である。ここで、同時に、マスク又はブランクスを加熱してもよい。また、この還元性雰囲気は、上述のガスのプラズマであってもよい。この場合も、ハーフトーン位相シフト膜の組成、組織、構造等が変化するために、露光光透過率が変化する。この工程においても、露光光透過率の変化量は、雰囲気の種類、圧力等の処理条件や処理時間によって制御できる。
　【００１７】
　さらに、これらの工程以外でも、従来のハーフトーン位相シフトフォトマスク用ブランクス作製工程から全く分離され、マスク加工中やマスク化終了後にも実施できる工程で、ハーフトーン位相シフト膜の組成、組織、構造を変えられる工程ならばよい。また、上述の例は、クロム化合物を主体とするハーフトーン位相シフト膜について説明したが、これは一例にすぎず、例えば、リチウム、マグネシウム、アルミニウム、珪素、カルシウム、スカンジウム、チタン、バナジウム、セレン、イットリウム、ジルコニウム、モリブデン、インジウム、錫、アンチモン、テルル、バリウム、ランタン、セリウム、ツリウム、ハフニウム、タンタル、タングステン、鉛等の元素の中の１つあるいは２つ以上の元素と他の元素との化合物からなるハーフトーン位相シフト膜についても同様に考えることができる。
　【００１８】
　すなわち、本発明のハーフトーン位相シフトフォトマスク用ブランクスの製造方法は、透明基板上にハーフトーン位相シフト層を有するハーフトーン位相シフトフォトマスク用ブランクスの製造方法において、前記ハーフトーン位相シフト層の成膜工程と分離された別工程により前記ハーフトーン位相シフト層の組成、組織、構造の何れかを変えることによって、前記透明基板を１００％としたときの前記ハーフトーン位相シフト層の露光光に対する透過率を、１％から５０％の間に含まれる範囲内で変えることを特徴とする方法である。
　【００１９】
　この場合、上記の別工程は、ブランクスを１５０℃以上の温度雰囲気中にさらす工程を含むか、酸化性雰囲気中にさらす工程を含むか、又は、還元性雰囲気中にさらす工程を含むことが望ましい。なお、ハーフトーン位相シフト層はクロム化合物を主体とする材料から構成することができる。
　【００２０】
　また、以上のような製造方法により製造されたハーフトーン位相シフトフォトマスク用ブランクスのハーフトーン位相シフト層をパターニングすることによりハーフトーン位相シフトフォトマスクを製造する方法を含むものである。
　【００２１】
　さらに、本発明のハーフトーン位相シフトフォトマスクの製造方法は、透明基板上にハーフトーン位相シフト層を有するハーフトーン位相シフトフォトマスクの製造方法において、その製造工程と分離された別工程により前記ハーフトーン位相シフト層の組成、組織、構造の何れかを変えることによって、前記ハーフトーン位相シフト層の開口部の透過率を１００％としたときの、ハーフトーン位相シフト部の露光光に対する透過率を、１％から５０％の間に含まれる範囲内で変えることを特徴とする方法である。
　【００２２】
　この場合も、上記の別工程は、フォトマスクを１５０℃以上の温度雰囲気中にさらす工程を含むか、酸化性雰囲気中にさらす工程を含むか、又は、還元性雰囲気中にさらす工程を含むことが望ましい。なお、ハーフトーン位相シフト層はクロム化合物を主体とする材料から構成することができる。
　【００２３】
　さらに、上記の別工程は、ハーフトーン位相シフト層のパターニングが終了した後に行うようにしてもよい。
　【００２４】
　また、本発明は、透明基板を１００％としたときのハーフトーン位相シフト層の露光光に対する透過率を特定の値になるように予め作製した後に、所定の値に変化させるこれらのハーフトーン位相シフトフォトマスク用ブランクスの製造方法を含むものである。
　【００２５】
　さらに、開口部を１００％としたときのハーフトーン位相シフト部の露光光に対する透過率を、ブランクスのマスク化前、マスク作製中、あるいは、マスク作製後の任意の段階で、所定の値に変化させるこれらのハーフトーン位相シフトフォトマスクの製造方法も含むものである。
　【００２６】
　【作用】
　本発明においては、ハーフトーン位相シフト層の露光光透過率を、その成膜工程、又は、フォトマスク製造工程と分離された別工程でそのハーフトーン位相シフト層の組成、組織、構造の何れかを変えることによって、１％から５０％の間に含まれる範囲内で任意に変えることができるので、ブランクス又はフォトマスク製造後に所望の露光光透過率に調節できるため、転写パターンの寸法、面積、配置、形状等によって最適なハーフトーン位相シフトフォトマスクを得ることができ、製造上極めて有利となる。
　【００２７】
　【実施例】
　以下、本発明のハーフトーン位相シフトフォトマスク用ブランクス、ハーフトーン位相シフトフォトマスク、及び、それらの製造方法の実施例について説明する。
〔実施例１〕
　露光光透過率を変えることができるハーフトーン位相シフトフォトマスクの実施例を図１の製造工程を説明するための図を参照にして説明する。図１（ａ）に示すように、鏡面研磨されたシリコンウエーハー３０１上に、スパッタリング法で、以下に示す通りの条件でクロム化合物膜３０２を約５０ｎｍの厚さに成膜し、偏光解析用サンプル３０７を得た。
　【００２８】
　　成膜装置　　　　：プレーナー型ＤＣマグネトロンスパッター装置
　　ターゲット　　　：金属クロム
　　ガス及び流量　　：炭酸ガス８０ｓｃｃｍ＋窒素ガス２０ｓｃｃｍ
　　スパッター圧力　：３ミリトール
　　スパッター電流　：６アンペア
　次に、市販の分光エリプソメーター（ソプラ社製ＥＳ−４Ｇ）で、このサンプル３０７の水銀灯ｉ線波長（３６５ｎｍ）での屈折率ｕ及び消衰係数ｋを測定したところ、それぞれｕ＝２．５８１、ｋ＝０．４４２であった。これを、前記のＭ．Ｂｏｒｎ，Ｅ．Ｗｏｌｆ著「Ｐｒｉｎｃｉｐｌｅｓ　ｏｆ　Ｏｐｔｉｃｓ」６２８〜６３２頁に示される金属膜として扱い、フォトマスクの基板として使われる高純度合成石英上に成膜したときに、３６５ｎｍの波長の透過光の位相を１８０度ずらすために必要な膜厚を計算したところ、１１７ｎｍであった。
　【００２９】
　そこで、図１（ｂ）に示すように、光学研磨され、よく洗浄された高純度合成石英基板３０３上に上述の成膜条件でクロム化合物膜３０４を約１２０ｎｍ成膜したところ、波長３６５ｎｍ光の透過率がおよそ１３％であるハーフトーン位相シフトフォトマスク用ブランクス３０８を得た。
　【００３０】
　次に、図１（ｃ）に示すように、このブランクス３０８上に常法の電子線リソグラフィー法又はフォトリソグラフィー法により、有機物を主成分とする所望のレジストパターン３０５を得て、次いで、図１（ｄ）に示すように、レジストパターン３０５から露出された半透明膜３０４を、ＣＨ２Ｃｌ２：Ｏ２＝１：２．５の混合ガス、圧力０．３トールの条件で、高周波プラズマ中にさらすことによって、選択的にドライエッチングを行い、所望の半透明膜パターン３０６を得た。最後に、残ったレジストを常法により剥離し、ハーフトーン位相シフト部の波長３６５ｎｍ光の透過率が１３％である図１（ｅ）に示すようなハーフトーン位相シフトフォトマスク３０９を得た。
　【００３１】
　次に、このハーフトーン位相シフトフォトマスク３０９を空気雰囲気の対流式オーヴンで２００℃に加熱したところ、ハーフトーン位相シフト部の波長３６５ｎｍ光の透過率は図５に示すように、加熱時間に応じて変化して行った。
　【００３２】
　なお、このハーフトーン位相シフトフォトマスク３０９は、透過率変化のどの過程においても、半透明膜３０４が除去された部分の寸法精度、断面形状、膜厚分布、透過率分布、膜の基板への密着性等は全て実用に供することができるものであった。
　【００３３】
〔実施例２〕
　露光光透過率を変えることができるハーフトーン位相シフトフォトマスクの別の実施例を図２の製造工程を説明するための図を参照にして説明する。実施例１と同様な方法で、予め偏光解析用サンプルを作製し、屈折率及び消衰係数を測定し、それより、波長３６５ｎｍの光を１８０度ずらすために必要な膜厚を計算した後、図２（ａ）に示すように、実際に合成石英基板５０１上に、以下の条件でクロム化合物膜５０２を、計算された膜厚で成膜したところ、波長３６５ｎｍの光の透過率は約２０％となった。
　【００３４】
　　成膜装置　　　　：プレーナー型ＤＣマグネトロンスパッター装置
　　ターゲット　　　：金属クロム
　　ガス及び流量　　：炭酸ガス２０ｓｃｃｍ＋窒素ガス８０ｓｃｃｍ
　　スパッター圧力　：３ミリトール
　　スパッター電流　：６アンペア
　次に、このクロム化合物膜５０２上に、以下の条件で金属クロム５０３を約１０ｎｍ成膜たところ、波長３６５ｎｍ光の透過率が約１２％である多層ハーフトーン位相シフトフォトマスク用ブランクス５０６を得た。
　【００３５】
　　成膜装置　　　　：プレーナー型ＤＣマグネトロンスパッター装置
　　ターゲット　　　：金属クロム
　　ガス及び流量　　：アルゴンガス１００ｓｃｃｍ
　　スパッター圧力　：３ミリトール
　　スパッター電流　：６アンペア
　次に、図２（ｂ）に示すように、このブランクス５０６上に常法の電子線リソグラフィー法又はフォトリソグラフィー法により、有機物を主成分とする所望のレジストパターン５０４を得て、次いで、図２（ｃ）に示すように、レジストパターン５０４から露出された多層半透明膜を、ＣＨ２Ｃｌ２：Ｏ２＝１：２．５の混合ガス、圧力０．３トールの条件で、高周波プラズマ中にさらすドライエッチングを一気に行い、所望の半透明膜パターン５０５を得た。最後に、残ったレジストを常法により剥離し、図２（ｄ）に示すような多層ハーフトーン位相シフトフォトマスク５０７を得た。
　【００３６】
　上記のクロム化合物を主体とする層５０２と金属クロム膜５０３とは、同じクロム原子を母体としているため、エッチング特性はほとんど同じであるので、この多層ハーフトーン位相シフトフォトマスク５０７の加工特性は、実施例１に示すような単層ハーフトーン位相シフトフォトマスクとほぼ同じである。
　【００３７】
　この多層ハーフトーン位相シフトフォトマスク５０７を以下の条件で１０分間酸素プラズマにさらしたところ、ハーフトーン位相シフト部の波長３６５ｎｍ光透過率は約１２％から約１７％へと変化した。
　【００３８】
　　プラズマ照射方法：平行平板型高周波プラズマ
　　ガス及び流量　　：酸素ガス１００ｓｃｃｍ
　　圧力　　　　　　：１０ミリトール
　　高周波電力　　　：１００ワット
　この多層ハーフトーン位相シフトフォトマスク５０７も、透過率変化の前後で、寸法精度、断面形状、膜厚分布、透過率分布、膜の基板への密着性等は全て実用に供することができるものであった。
　【００３９】
〔実施例３〕
　実施例１と同様な方法で得られた、ハーフトーン位相シフト部の波長３６５ｎｍの光の透過率が約１３％のハーフトーン位相シフトフォトマスクを以下の条件で３０分間水素プラズマにさらしたところ、波長３６５ｎｍ光透過率は約１３％から約５％へと変化した。
　【００４０】
　　プラズマ照射方法：平行平板型高周波プラズマ
　　ガス及び流量　　：水素ガス１００ｓｃｃｍ
　　圧力　　　　　　：１５ミリトール
　　高周波電力　　　：１５０ワット
　このハーフトーン位相シフトフォトマスクも、透過率変化の前後で、寸法精度、断面形状、膜厚分布、透過率分布、膜の基板への密着性等は全て実用に供することができるものであった。
　【００４１】
　【発明の効果】
　以上の説明から明らかなように、本発明のハーフトーン位相シフトフォトマスク用ブランクスの製造方法、及び、ハーフトーン位相シフトフォトマスクの製造方法によると、ハーフトーン位相シフト層の露光光透過率を、その成膜工程、又は、フォトマスク製造工程と分離された別工程でそのハーフトーン位相シフト層の組成、組織、構造の何れかを変えることによって、１％から５０％の間に含まれる範囲内で任意に変えることができるので、ブランクス又はフォトマスク製造後に所望の露光光透過率に調節できるため、転写パターンの寸法、面積、配置、形状等によって最適なハーフトーン位相シフトフォトマスクを得ることができ、製造上極めて有利となる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　本発明の実施例１の単層ハーフトーン位相シフトフォトマスクの製造工程を説明するための図である。
　【図２】
　実施例２の多層ハーフトーン位相シフトフォトマスクの製造工程を説明するための図である。
　【図３】
　ハーフトーン位相シフトリソグラフィーの原理を示す図である。
　【図４】
　従来法を示す図である。
　【図５】
　実施例１のハーフトーン位相シフト部の加熱時間と透過率変化の関係を示す図である。
　【符号の説明】
　１０１、２０１…基板
　１０２…位相反転半透明膜
　１０３及び２０３…入射光
　３０１…シリコンウエーハー
　３０２…クロム化合物膜
　３０３…高純度合成石英基板
　３０４…クロム化合物膜（半透明膜）
　３０５…レジストパターン
　３０６…半透明膜パターン
　３０７…偏光解析用サンプル
　３０８…単層ハーフトーン位相シフトフォトマスク用ブランクス
　３０９…単層ハーフトーン位相シフトフォトマスク
　５０１…高純度合成石英基板
　５０２…クロム化合物
　５０３…金属クロム
　５０４…レジストパターン
　５０５…半透明膜パターン
　５０６…多層ハーフトーン位相シフトフォトマスク用ブランクス
　５０７…多層ハーフトーン位相シフトフォトマスク