(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
水性媒体と、該水性媒体中に分散してなる有機微粒子と銀微粒子とを含有する銀微粒子分散物であって、
前記銀微粒子はノニオン性分散剤により前記水性媒体中に分散しており、
前記銀微粒子分散物を用いて形成した膜に対する水の接触角が６０°以上であり、
前記有機微粒子がポリエチレン化合物、ポリプロピレン化合物、及びパラフィン化合物から選ばれる化合物で構成され、該有機微粒子が少なくとも表面にノニオン性基を有し、
前記銀微粒子分散物中の前記有機微粒子の含有量が３〜２０質量％である、銀微粒子分散物。
【請求項２】
前記有機微粒子の平均粒径が２００ｎｍ以下である、請求項１に記載の銀微粒子分散物。
【請求項３】
前記有機微粒子の融点が６０〜２００℃である、請求項１又は２に記載の銀微粒子分散物。
【請求項４】
前記有機微粒子が、該有機微粒子を用いて形成した膜に対する水の接触角が６０°以上となる有機微粒子である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の銀微粒子分散物。
【請求項５】
前記銀微粒子の平均粒径が１０〜２００ｎｍである、請求項１〜４のいずれか１項に記載の銀微粒子分散物。
【請求項６】
前記銀微粒子分散物中、銀微粒子の含有量と有機微粒子の含有量の質量比が、銀微粒子／有機微粒子＝１００/１〜５/１である、請求項１〜５のいずれか１項に記載の銀微粒子分散物。
【請求項７】
前記有機微粒子が有する前記ノニオン性基が、ポリオキシアルキレン基、水酸基、アミド基、アミド結合、エステル結合、カーボネート基、ウレア基、及びウレタン基から選ばれる構造を含む、請求項１〜６のいずれか１項に記載の銀微粒子分散物。
【請求項８】
銀電極の形成に用いる、請求項１〜７のいずれか１項に記載の銀微粒子分散物。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか１項に記載の銀微粒子分散物を用いたインク組成物であって、前記インク組成物中の前記有機微粒子の含有量が３〜２０質量％である、インク組成物。
【請求項１０】
インクジェット印刷に用いる、請求項９に記載のインク組成物。
【請求項１１】
銀電極の形成に用いる、請求項９又は１０に記載のインク組成物。
【請求項１２】
請求項１〜８のいずれか１項に記載の銀微粒子分散物又は請求項９〜１１のいずれか１項に記載のインク組成物を用いて形成した銀電極。
【請求項１３】
請求項１２に記載の銀電極を有する薄膜トランジスタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、銀微粒子分散物、インク組成物、銀電極、及び薄膜トランジスタに関する。
【背景技術】
【０００２】
導体配線や電極（以下「導体配線等」という。）を形成する材料として銀微粒子が広く用いられている。銀微粒子を水性媒体中に分散させた状態で基材上に塗布し、これを焼き付け（焼結）、必要によりエッチング処理を施すことにより、所望の形状の導体配線等を形成することができる。
上記銀微粒子分散物を基材上に塗布する方法として、各種印刷方法による塗布、スピンコートによる塗布、ディスペンサーによる塗布等が知られている。銀微粒子分散物を印刷により塗布する場合には、銀微粒子分散物をインクとして用い、このインクが各種印刷方法により基板等に塗布される。なかでも、微細なパターンを精度良く形成することができ、工程が簡素でインクを無駄なく使用できることから、インクジェット印刷の利用が広がっている。【０００３】
インクジェット印刷に用いる銀微粒子分散物からなるインクには、吐出安定性を高めるために、銀微粒子の良好な分散安定性が求められる。
例えば特許文献１には、アニオン性基を表面に有する銀粒子がカチオン性基を有する特定構造のポリマーにより被覆されたマイクロカプセル化銀粒子が記載され、この銀粒子を含む水性分散物を用いたインクジェット用インクが良好な分散性と分散安定性を示すことが記載されている。【０００４】
また、通常の画像形成においても銀微粒子分散物からなるインクを用いる場合がある。例えば特許文献２には、インクを用いて形成した画像の光輝性と耐擦性を高めるために、銀微粒子とワックスを分散させたインクを用いることが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特許第４２０７１６１号公報
【特許文献２】特開２０１２−１３１８８１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
近年、電子部品の小型化により、導体配線等の微細化が進んでいる。例えば薄膜トランジスタにおいては、小型化に伴いソース電極とドレイン電極の距離が狭小化しており、電極の一部がイオン化して両電極間を移動し、両電極間が導通してしまうイオンマイグレーション（以下、単に「マイグレーション」ともいう。）が生じやすくなっている。かかる状況下、インクジェット印刷に用いる銀微粒子分散物には、良好な分散安定性に加え、形成した導体配線等のマイグレーションも抑えることが求められる。
本発明は、水性媒体中に銀微粒子が分散してなる銀微粒子分散物であって、銀微粒子の分散安定性に優れ、さらにこの分散物を用いて形成した導体配線等の導電性にも優れ、且つこの分散物を用いて形成した導体配線等のマイグレーションをも効果的に抑えることができる銀微粒子分散物を提供することを課題とする。また本発明は、この銀微粒子分散物を用いたインク組成物、このインク組成物を用いた銀電極、及びこの銀電極を有する薄膜トランジスタを提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者らは上記課題に鑑み鋭意検討を重ねた結果、銀微粒子をノニオン性分散剤により水性媒体中に分散させ、さらに特定の有機微粒子を分散状態で共存させることにより、銀微粒子の分散安定性が高まり、さらにこの銀微粒子分散物を用いて形成した導体配線等が優れた導電性を示すと共にマイグレーションも生じにくいことを見い出した。さらに、この銀微粒子分散物を用いて薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の電極を形成した際には良好なキャリア移動度を示し、ＴＦＴの電極として良好に機能することを見い出した。
本発明はこれらの知見に基づきさらに検討を重ね、完成されるに至ったものである。【０００８】
本発明の上記課題は以下の手段により解決された。
〔１〕
水性媒体と、この水性媒体中に分散してなる有機微粒子と銀微粒子とを含有する銀微粒子分散物であって、
上記銀微粒子はノニオン性分散剤により上記水性媒体中に分散しており、
上記銀微粒子分散物を用いて形成した膜に対する水の接触角が６０°以上であり、
上記有機微粒子がポリエチレン化合物、ポリプロピレン化合物、及びパラフィン化合物から選ばれる化合物で構成され、該有機微粒子が少なくとも表面にノニオン性基を有し、  上記銀微粒子分散物中の前記有機微粒子の含有量が３〜２０質量％である、銀微粒子分散物。
〔２〕
上記有機微粒子の平均粒径が２００ｎｍ以下である、〔１〕に記載の銀微粒子分散物。
〔３〕
上記有機微粒子の融点が６０〜２００℃である、〔１〕又は〔２〕に記載の銀微粒子分散物。
〔４〕
上記有機微粒子が、上記有機微粒子を用いて形成した膜に対する水の接触角が６０°以上となる有機微粒子である、〔１〕〜〔３〕のいずれか１つに記載の銀微粒子分散物。
〔５〕
上記銀微粒子の平均粒径が１０〜２００ｎｍである、〔１〕〜〔４〕のいずれか１つに記載の銀微粒子分散物。
〔６〕
上記銀微粒子分散物中、銀微粒子の含有量と有機微粒子の含有量の質量比が、銀微粒子／有機微粒子＝１００／１〜５/１である、〔１〕〜〔５〕のいずれか１つに記載の銀微粒子分散物。
〔７〕
上記有機微粒子が有する上記ノニオン性基が、ポリオキシアルキレン基、水酸基、アミド基、アミド結合、エステル結合、カーボネート基、ウレア基、及びウレタン基から選ばれる構造を含む、〔１〕〜〔６〕のいずれか１つに記載の銀微粒子分散物。
〔８〕
銀電極の形成に用いる、〔１〕〜〔７〕のいずれか１つに記載の銀微粒子分散物。
〔９〕
〔１〕〜〔８〕のいずれか１つに記載の銀微粒子分散物を用いたインク組成物であって、前記インク組成物中の前記有機微粒子の含有量が３〜２０質量％である、インク組成物。
〔１０〕
インクジェット印刷に用いる、〔９〕に記載のインク組成物。
〔１１〕
銀電極の形成に用いる、〔９〕又は〔１０〕に記載のインク組成物。
〔１２〕
〔１〕〜〔８〕のいずれか１つに記載の銀微粒子分散物又は〔９〕〜〔１１〕のいずれか１つに記載のインク組成物を用いて形成した銀電極。
〔１３〕
〔１２〕に記載の銀電極を有する薄膜トランジスタ。
【０００９】
本明細書において「〜」を用いて表される数値範囲は、「〜」前後に記載される数値を下限値及び上限値として含む範囲を意味する。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の銀微粒子分散物ないしインク組成物は、分散性及び分散安定性のいずれにも優れる。また、この銀微粒子分散物を用いて形成した導体配線等は導電性に優れ、マイグレーションの発生も効果的に抑えられる。
本発明の銀電極は、マイグレーションの発生が効果的に抑えられ、例えばＴＦＴの電極として好適に用いることができる。さらに本発明の薄膜トランジスタは本発明の電極を有してなり、電極のマイグレーションが抑えられて電極間の絶縁信頼性に優れると共に優れたキャリア移動度を示す。【００１１】
本発明の上記及び他の特徴及び利点は、適宜添付の図面を参照して、下記の記載からより明らかになるであろう。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の薄膜トランジスタの好ましい構造を模式的に示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
［銀微粒子分散物］
本発明の銀微粒子分散物の好ましい実施形態について説明する。
本発明の銀微粒子分散物は、水性媒体と、この水性媒体中に分散してなる有機微粒子と、ノニオン性分散剤により上記水性媒体中に分散してなる銀微粒子とを含有する。本明細書において、水性媒体中に「分散」しているとは、微粒子状となって水性媒体中に一様に（均質に）散在している状態をいう。
本発明の銀微粒子分散物中において銀微粒子は、その少なくとも一部が上記ノニオン性分散剤に覆われ、水性媒体中に分散している。すなわち本発明における銀微粒子は、アニオン性基を有する分散剤やカチオン性基を有する分散剤で水性媒体中に分散した銀微粒子ではない。また、本発明の銀微粒子分散物は、通常は各成分が均質に混じり合った組成物の形態である。
本発明の銀微粒子分散物は、さらに界面活性剤、乾燥防止剤（膨潤剤）、浸透促進剤、防腐剤、消泡剤、粘度調整剤、ｐＨ調整剤、キレート剤、銀以外の金属粒子等を含有してもよい。
本発明の銀微粒子分散物は、イオン性の成分を含まないことが好ましい。イオン性の成分とは、銀微粒子分散物中において、イオン化して帯電した基を有する成分を意味する。
本発明の銀微粒子分散物がイオン性の成分を含まないことにより、銀微粒子分散物を用いて形成した導体配線等の導電性をより高めることができ、さらに、マイグレーションの発生もより抑えて絶縁信頼性を高めることができる。
【００１４】
＜水性媒体＞
本発明の銀微粒子分散物に用いる水性媒体（以下、「水性媒体（ａ）」ということもある。）は、水、又は、水と水溶性有機溶媒との混合液である。銀微粒子分散物に含まれる水性媒体中、水の含有量は１０質量％以上が好ましく、２０〜１００質量％がより好ましく、３０〜１００質量％がさらに好ましく、５０〜９０質量％がさらに好ましい。
【００１５】
水としては、例えば蒸留水、イオン交換水、純水、超純水等が挙げられる。
水性媒体に含有されうる上記水溶性有機溶媒は、２０℃において水に対する溶解度が１０質量％以上であるものが好ましい。この水溶性有機溶媒として、例えば、アルコール、ケトン、エーテル化合物、アミド化合物、ニトリル化合物、スルホン化合物が挙げられる。
【００１６】
これらのうちアルコールとしては、例えば、エタノール、イソプロパノール、ｎ−ブタノール、ｔ−ブタノール、イソブタノール、ジアセトンアルコール、ジエチレングリコール、エチレングリコール、ジプロピレングリコール、プロピレングリコール、グリセリンが挙げられる。
また、ケトンとしては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、ジエチルケトン、メチルイソブチルケトンが挙げられる。
エーテル化合物としては、例えば、ジブチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサンが挙げられる。
アミド化合物としては、例えば、ジメチルホルムアミド、ジエチルホルムアミドが挙げられる。
ニトリル化合物としては、例えば、アセトニトリルが挙げられる。
スルホン化合物としては、例えば、ジメチルスルホキシド、ジメチルスルホン、スルホランが挙げられる。
【００１７】
本発明の銀微粒子分散物中の水性媒体の含有量は、１０〜９０質量％が好ましく、２０〜８５質量％がより好ましく、３０〜７０質量％がさらに好ましい。
【００１８】
＜銀微粒子＞
本発明の銀微粒子分散物に含有される銀微粒子は、常法により調製することができる。
例えば、硝酸銀（Ｉ）（ＡｇＮＯ３）やメタンスルホン酸銀（ＣＨ３ＳＯ３Ａｇ）等の銀化合物と、後述するノニオン性分散剤とを水中に溶解し、還元剤を添加し、撹拌しながら一定時間、銀イオンを還元することにより、銀微粒子を分散物として得ることができる。
【００１９】
上記還元剤に特に制限はなく、銀化合物を還元して銀微粒子を得るために用いられる従来公知の還元剤を用いることができる。なかでも、粒径が小さく且つ粒径の揃った銀微粒子を得る観点から、還元剤として、アルコール（好ましくはメタノール、エタノール、２−プロパノール、エチレングリコール、トリメチロールプロパン、Ｎ，Ｎ−ジエチルヒドロキシルアミン、又は３−アミノ−１−プロパノール）、ヒドロキシ基を有しないアミン（好ましくは、ヒドラジン、又はフェニルヒドラジン）、アスコルビン酸、ホルムアルデヒド、糖類等を用いることが好ましい。
【００２０】
銀微粒子の粒径は、使用する銀化合物、分散剤、還元剤の種類と配合比を適宜に調整し、さらに撹拌速度、温度、時間等を適宜に調整することにより調節することができる。
【００２１】
本発明の銀微粒子分散物中において、銀微粒子の平均粒径は水性媒体中に安定的に分散できれば特に制限はないが、低温融着性と印刷適性の観点から１０〜２００ｎｍであることが好ましく、１０〜１００ｎｍであることがより好ましく、２０〜１００ｎｍであることがさらに好ましく、２０〜８０ｎｍであることがさらに好ましく、２５〜７０ｎｍであることがさらに好ましく、３０〜６０ｎｍであることがさらに好ましく、３０〜５０ｎｍであることがさらに好ましい。銀微粒子の平均粒径を上記好ましい範囲内とすることにより、膜、配線、電極等を形成した際に、十分に低い体積抵抗値とすることができる。
本明細書における銀微粒子の平均粒径は、濃厚系粒径アナライザーＦＰＡＲ−１０００（製品名、大塚電子（株）製）を用いて測定される。具体的には、上記装置（ＦＰＡＲ−１０００）を用いて標準測定条件で測定し、キュムラント解析により平均粒径を求める。
また、銀微粒子分散物中の銀微粒子の粒径分布に関しては、特に制限はなく、広い粒径分布又は単分散性の粒径分布のいずれであってもよい。
【００２２】
本発明の銀微粒子分散物中の銀微粒子の含有量は、１０〜８０質量％であるのが好ましく、より好ましくは２０〜７０質量％、さらに好ましくは２０〜５０質量％、さらに好ましくは２０〜４０質量％である。上記の範囲内であれば、十分な厚みと導電性とを有する導体配線や導電膜を形成でき、また、各種の印刷方法に適した流動性の銀微粒子分散物を得ることができる。
【００２３】
＜ノニオン性分散剤＞
本発明の銀微粒子分散物において、銀微粒子はその表面の一部がノニオン性分散剤により覆われ、水性媒体中に分散している。本明細書においてノニオン性分散剤とは、親水性基としてノニオン性基（非イオン性基）を有し、イオン性の基を有さない分散剤を意味する。
上述した、銀化合物を還元して銀微粒子を得る際に、ノニオン性分散剤を共存させておくことにより、得られた銀微粒子を安定的に分散させることができる。
【００２４】
本発明に用いうるノニオン性分散剤は、水に対して溶解性を示すものであれば特に制限はないが、銀微粒子の分散性をより高める観点から、高分子化合物であることが好ましい。好ましいノニオン性分散剤の例として、ポリビニルピロリドン、ポリエチレングリコール、ポリエチレングリコール−ポリプロピレングリコール共重合体、ポリ（メトキシポリエチレングリコールモノ（メタ）アクリレート）、ポリ（ジメチルアミノエチル（メタ）アクリレート）またはそれらの共重合体を挙げることができる。
その重量平均分子量は、２０００〜５００００であることが好ましく、３０００〜５００００であることがより好ましく、３０００〜３００００であることがより好ましく、５０００〜３００００であってもよい。
本明細書において、重量平均分子量は、ゲル透過クロマトグラフ（ＧＰＣ）で測定される。ＧＰＣは、ＨＬＣ−８２２０ＧＰＣ（東ソー（株）製）を用い、カラムとして、ＴＳＫｇｅＬ  Ｓｕｐｅｒ  ＨＺＭ−Ｈ、ＴＳＫｇｅＬ  Ｓｕｐｅｒ  ＨＺ４０００、ＴＳＫｇｅＬ  Ｓｕｐｅｒ  ＨＺ２０００（東ソー（株）製、４．６ｍｍＩＤ×１５ｃｍ）の３本を直列に接続し、溶離液としてＴＨＦ（テトラヒドロフラン）を用いる。また、条件としては、試料濃度を０．３５質量％、流速を０．３５ｍｌ／ｍｉｎ、サンプル注入量を１０μｌ、測定温度を４０℃とし、ＩＲ検出器を用いて行なう。また、検量線は、東ソー（株）製「標準試料ＴＳＫ  ｓｔａｎｄａｒｄ，ｐｏｌｙｓｔｙｒｅｎｅ」：「Ｆ−４０」、「Ｆ−２０」、「Ｆ−４」、「Ｆ−１」、「Ａ−５０００」、「Ａ−２５００」、「Ａ−１０００」、「ｎ−プロピルベンゼン」の８サンプルから作製する。
【００２５】
本発明の銀微粒子分散物中、銀微粒子の含有量とノニオン性分散剤の含有量との比は、分散安定性の観点から、［銀微粒子の含有量］／［ノニオン性分散剤の含有量］＝５０／１〜１０/１（質量比）が好ましく、［銀微粒子の含有量］／［ノニオン性分散剤の含有量］＝５０／１〜２０/１がより好ましい。銀微粒子分散物中のノニオン性分散剤の含有量は下記方法で測定される。
銀微粒子分散物を遠心分離やクロスフローろ過等により銀微粒子と有機微粒子を分離した後、銀微粒子をＴＧ測定用アルミパンに５ｍｇとり、ホットプレートにて１５０℃、５分間加熱して水溶性溶剤を揮発させる。次いで、示差熱熱重量同時測定装置（ＴＧ／ＤＴＡ）（ＳＴＡ７０００シリーズ、日立ハイテク社製）を用いて、２０℃／分の昇温速度にて５００℃まで昇温し、重量減少した割合をノニオン性分散剤の含有率とし、銀微粒子分散物中のノニオン性分散剤の含有量を算出する。
【００２６】
＜有機微粒子＞
本発明の銀微粒子分散物中には、銀微粒子に加えて、さらに有機微粒子が分散している。本発明の銀微粒子分散物が有機微粒子を含有することにより、銀微粒子の分散性をより高めることができる。また、銀微粒子分散物を用いて膜、配線ないし電極を形成した際には、これらの疎水性を高めて水分に対するバリア性を付与し、マイグレーションが効果的に抑制されるものと推定される。しかもこの有機微粒子は、銀微粒子分散物を用いて形成した膜、配線ないし電極の導電性にはほとんど影響しない。
【００２７】
有機微粒子は、少なくともその表面にノニオン性基を有することが好ましく、このノニオン性基により水性媒体中に分散していることが好ましい。このノニオン性基中には、例えば、ポリオキシエチレン基、ポリオキシプロピレン基、ポリオキシブチレン基、ポリ（オキシエチレン−オキシプロピレン）基、及びポリオキシエチレン−ポリオキシプロピレン基等のポリオキシアルキレン基、水酸基、アミド基、アミド結合、エステル結合、カーボネート基、ウレア基、及びウレタン基から選ばれる構造が含まれることが好ましく、なかでもポリオキシアルキレン基が含まれることが好ましい。
有機微粒子がノニオン性基を有することは、有機微粒子を乾燥した膜を熱分解ＧＣ−ＭＳにより分析し、上記ノニオン性基由来のフラグメントを検出することにより確認することができる。
【００２８】
上記有機微粒子の物性としては、上記有機微粒子を用いて形成した膜に対する水（純水）の接触角が、６０°以上であることが好ましく、６０〜１１０°であることがより好ましく、７０〜１１０°であることがさらに好ましく、７５〜１１０°であることがさらに好ましく、８０〜１１０°であることがさらに好ましい。「有機微粒子を用いて形成した膜に対する水の接触角」とは、より具体的には、有機微粒子の濃度が２０質量％となるように水中に分散させた有機微粒子分散物を、清浄な５０ｍｍ角のガラス基板に、塗布後の有機微粒子の量が３０ｇ／ｍ２となるようにスピンコート（５００ｒｐｍ、３０秒）により塗布し、次いでオーブンにて２００℃、２時間加熱し、その後放冷して得た膜に対する純水（１μＬ）の接触角を意味する。接触角は、全自動接触角計  ＤＭ−９０１（協和界面化学）を用いて２５℃の温度下で測定される。
【００２９】
本発明に用いる有機微粒子は、融点が６０〜２００℃であることが好ましく、８０〜１６０℃であることがより好ましい。
【００３０】
有機微粒子を構成する有機化合物としては、例えば、ポリエチレン化合物、ポリプロピレン化合物、カルナバワックス、パラフィン化合物、ポリシロキサン化合物、及びエチレン酢酸ビニル共重合体化合物から選ばれる化合物が挙げられ、なかでもポリエチレン化合物、ポリプロピレン化合物及びポリシロキサン化合物から選ばれる化合物であることがより好ましい。有機微粒子を構成する上記有機化合物は、ノニオン性基で修飾されたものであることが好ましい。
このような有機微粒子として市販品を用いることもできる。例えば、ケミパール（三井化学社製）、ＡＱＵＡＣＥＲ（商品名、ＢＹＫ社製）、Ｐｏｌｉｇｅｎ（商品名、ＢＡＳＦ社製）、ザイクセン（商品名、住友精化社製）、ＴＥＧＯ  ＧＬＩＤＥ（商品名、ＥＶＯＮＩＫ社製）、ＵＬＴＲＡＬＵＢＥ（商品名、ｋｅｉｍ  ａｄｄｉｔｅｃ  Ｓｕｒｆａｃｅ  ＧｍｂＨ社製）等が商業的に入手可能であり、本発明の銀微粒子分散物に好適に用いることができる。上記で挙げた市販の有機微粒子を用いて形成した膜の水（純水）に対する接触角は６０〜１１０°の範囲内にある。
【００３１】
本発明に用いる有機微粒子の平均粒径は、５００ｎｍ以下であることが好ましく、より好ましくは１０〜５００ｎｍ、さらに好ましくは５０〜２００ｎｍ、さらに好ましくは７０〜１７０ｎｍ、さらに好ましくは８０〜１５０ｎｍである。
本明細書において有機微粒子の平均粒径は、上述の銀微粒子の平均粒径の測定方法と同様にして測定される値とする。
【００３２】
本発明の銀微粒子分散物中、有機微粒子の含有量は０．５〜３０質量％であることが好ましく、より好ましくは２〜２０質量％、さらに好ましくは３〜２０質量％であり、さらに好ましくは４〜１５質量％であり、さらに好ましくは５〜１０質量％である。
また、本発明の銀微粒子分散物中、銀微粒子の含有量と有機微粒子の含有量との比は、［銀微粒子の含有量］／［有機微粒子の含有量］＝１００／１〜５／１（質量比）が好ましく、［銀微粒子の含有量］／［有機微粒子の含有量］＝５０／１〜２０／１（質量比）がより好ましい。
【００３３】
＜銀微粒子分散物の物性＞
本発明の銀微粒子分散物の粘度は、銀微粒子や有機微粒子等の含有量にもよるが、通常は１〜２００ｍＰａ・ｓであり、２．５〜１００ｍＰａ・ｓであることがより好ましく、５〜５０ｍＰａ・ｓであることがさらに好ましく、５〜２０ｍＰａ・ｓであることがさらに好ましい。銀微粒子分散物の粘度はＴＶ−２２型粘度計（東機産業（株）社製）を用い、２５℃で測定したものである。
【００３４】
本発明の銀微粒子分散物のｐＨは、分散安定性の観点から、２５℃においてｐＨ５〜１０が好ましく、ｐＨ６〜１０がより好ましく、ｐＨ６〜８がさらに好ましい。
【００３５】
本発明の銀微粒子分散物は、銀微粒子分散物を用いて形成した膜に対する水（純水）の接触角が６０°以上であり、好ましくは６０〜１１０°、より好ましくは６５〜１０５°、さらに好ましくは７０〜１００°である。上記接触角を６０°以上とすることにより、形成した導体配線等のマイグレーションをより効果的に抑えることができる。「銀微粒子分散物を用いて形成した膜に対する水の接触角」とは、より具体的には、清浄な５０ｍｍ角のガラス基板に、銀微粒子の濃度を３０質量％に調整した銀微粒子分散物を、塗布後の銀微粒子の量が３０ｇ／ｍ２となるようにスピンコート（５００ｒｐｍ、３０秒）により塗布し、次いでオーブンにて２００℃、２時間加熱し、その後放冷して得た膜に対する純水（１μＬ）の接触角を意味する。この接触角は、全自動接触角計  ＤＭ−９０１（協和界面化学）を用いて２５℃の温度下で測定した値とする。銀微粒子分散物の濃度の調製は、純水による希釈、あるいは限外ろ過による濃縮により行う。
【００３６】
［インク組成物］
本発明のインク組成物は、本発明の銀微粒子分散物そのものでもよい。また、本発明の銀微粒子分散物を原料として用いて調製されるものであってもよい。より詳細には、少なくとも本発明の銀微粒子分散物と、水性媒体（以下、「水性媒体（ｂ）」という。）とを混合することにより、本発明のインク組成物を調製してもよい。また、場合によっては本発明の銀微粒子分散物を濃縮して本発明のインク組成物とすることもできる。本発明のインク組成物には、必要に応じて、界面活性剤、乾燥防止剤（膨潤剤）、浸透促進剤、紫外線吸収剤、防腐剤、防錆剤、消泡剤、粘度調整剤、ｐＨ調整剤、キレート剤等の添加剤を混合してもよい。また、銀微粒子１００質量部に対して１０質量部以下の量で、銀微粒子以外の金属微粒子を含んでもよい。銀微粒子以外の金属微粒子としては、例えば、銅、金、パラジウム、ニッケル、亜鉛、チタン、及びクロムから選ばれる金属の微粒子が挙げられる。インク組成物を得る際の各成分の混合方法に特に制限はなく、通常用いられる混合方法を適宜に選択し、本発明のインク組成物を得ることができる。
【００３７】
水性媒体（ｂ）は水性媒体（ａ）と同義であり、好ましい範囲も同じである。本発明のインク組成物中、水性媒体の含有量（水性媒体（ａ）と（ｂ）の含有量の合計）は、分散安定性と印刷適性の観点から、１０〜９０質量％が好ましく、２０〜８５質量％がより好ましく、３０〜７０質量％がさらに好ましい。
【００３８】
本発明のインク組成物中、銀微粒子の含有量は、印刷適性等の観点から、１０〜８０質量％であるのが好ましく、より好ましくは２０〜７０質量％、さらに好ましくは２０〜５０質量％、さらに好ましくは２０〜４０質量％である。
また、本発明のインク組成物中に分散している銀微粒子の平均粒径は、１０〜２００ｎｍであることが好ましく、１０〜１００ｎｍであることがより好ましく、２０〜１００ｎｍであることがさらに好ましく、２０〜８０ｎｍであることがさらに好ましく、２５〜７０ｎｍであることがさらに好ましく、３０〜６０ｎｍであることがさらに好ましく、３０〜５０ｎｍであることがさらに好ましい。インク組成物中の銀微粒子の平均粒径は、上述した、銀微粒子分散物中の銀微粒子の平均粒径の測定方法と同じ方法で測定される値とする。
【００３９】
本発明のインク組成物中に分散している有機微粒子の含有量は、０．５〜３０質量であることが好ましく、より好ましくは２〜２０質量％、さらに好ましくは３〜２０質量％であり、さらに好ましくは４〜１５質量％であり、さらに好ましくは５〜１０質量％である。
【００４０】
また、本発明のインク組成物中に分散している有機微粒子の平均粒径は、５００ｎｍ以下であることが好ましく、より好ましくは１０〜５００ｎｍ、さらに好ましくは５０〜２００ｎｍ、さらに好ましくは７０〜１７０ｎｍ、さらに好ましくは８０〜１５０ｎｍである。
【００４１】
上記インク組成物が含有しうる上記界面活性剤は、例えば表面張力調整剤として用いることができる。
上記界面活性剤としては、形成した導体配線の導電性やマイグレーション抑制の観点から、ノニオン性界面活性剤が好ましく、中でもアセチレングリコール誘導体（アセチレングリコール系界面活性剤）がより好ましい。
上記アセチレングリコール系界面活性剤としては、例えば、２，４，７，９−テトラメチル−５−デシン−４，７−ジオール及び２，４，７，９−テトラメチル−５−デシン−４，７−ジオールのアルキレンオキシド付加物等を挙げることができ、これから選ばれる少なくとも１種であることが好ましい。これらの化合物の市販品としては例えば、日信化学工業社のオルフィンＥ１０１０などのＥシリーズを挙げることができる。
【００４２】
上記界面活性剤は、インクジェット方式によりインク組成物の吐出を良好に行う観点から、インク組成物の表面張力を２０〜６０ｍＮ／ｍに調整できる範囲の量で含有させるのが好ましく、より好ましくはインク組成物の表面張力を２０〜４５ｍＮ／ｍ、更に好ましくは２５〜４０ｍＮ／ｍに調整できる範囲の量で含有させる。
表面張力は、Ａｕｔｏｍａｔｉｃ  Ｓｕｒｆａｃｅ  Ｔｅｎｓｉｏｍｅｔｅｒ  ＣＢＶＰ−Ｚ（協和界面科学株式会社製）を用いて２５℃の条件下で測定される。
【００４３】
本発明のインク組成物が界面活性剤を含む場合、界面活性剤の含有量は特に限定されないが、インク組成物中、０．１質量％以上が好ましく、より好ましくは０．１〜１０質量％であり、更に好ましくは０．２〜３質量％である。
【００４４】
本発明のインク組成物の粘度には特に限定はないが、２５℃での粘度が、１．２ｍＰａ・ｓ以上１５．０ｍＰａ・ｓ以下であることが好ましく、より好ましくは２ｍＰａ・ｓ以上１３ｍＰａ・ｓ未満であり、更に好ましくは２．５ｍＰａ・ｓ以上１０ｍＰａ・ｓ未満である。インク組成物の粘度は、上述した、銀微粒子分散物の粘度の測定方法と同じ方法で得られる値とする。
【００４５】
本発明のインク組成物のｐＨは、分散安定性の観点から、２５℃においてｐＨ６〜１１が好ましく、ｐＨ７〜１０がより好ましく、ｐＨ７〜９がさらに好ましい。
【００４６】
本発明のインク組成物は、これを基材上に塗布し、大気中、通常は１００℃〜２５０℃、好ましくは１２０℃〜２００℃で、通常は１分〜４時間、好ましくは５分〜２時間加熱して焼結することにより、導体配線、導電膜、銀電極などを形成することができる。本発明のインク組成物の塗布方法に特に制限はなく、公知のインク付与方法を用いることができる。例えば、スクリーン印刷法、ディップコーティング法、スプレー塗布法、スピンコーティング法、インクジェット法などの塗布法が挙げられる。中でも、インクの効率的使用、記録装置のコンパクト化、高速記録性の観点から、インク組成物をインクジェット方式によって付与することが好ましい。
【００４７】
インクジェット方式には、特に制限はなく、公知の方式、例えば、静電誘引力を利用してインクを吐出させる電荷制御方式、ピエゾ素子の振動圧力を利用するドロップオンデマンド方式（圧力パルス方式）、電気信号を音響ビームに変えインクに照射して放射圧を利用してインクを吐出させる音響インクジェット方式、インクを加熱して気泡を形成し、生じた圧力を利用するサーマルインクジェット方式等のいずれであってもよい。
また、インクジェット方式で用いるインクジェットヘッドは、オンデマンド方式でもコンティニュアス方式でも構わない。さらに上記インクジェット方式により記録を行う際に使用するインクノズル等についても特に制限はなく、目的に応じて、適宜選択することができる。
【００４８】
インクの塗布をインクジェット方式で実施する場合、高精細なパターンを形成する観点から、インクジェット方式により吐出されるインク組成物の液滴量が１．０〜２０ｐＬであることが好ましく、２．５〜１０ｐＬであることより好ましい。吐出されるインク組成物の液滴量は、吐出条件を適宜に調整して調節することができる。
【００４９】
［銀電極］
本発明の銀電極は、本発明の銀微粒子分散物ないしインク組成物を用いて形成される。より詳細には、上述した銀微粒子分散物ないしインク組成物を基板上に塗布して、大気中で加熱処理を施す（焼結する）ことにより本発明の銀電極を形成することができる。上記加熱処理を施すことにより、銀微粒子同士が互いに融着してグレインを形成し、さらにグレイン同士が接着・融着して銀層を形成する。また、上記加熱処理により有機微粒子が銀微粒子の間に適度に存在する状態で層が形成されるため、水分をほどよく弾き、銀のイオンマイグレーションが効果的に抑制されるものと推定される。
上記加熱処理の温度は、１００℃〜２５０℃が好ましく、１２０℃〜２００℃がより好ましい。また、上記加熱時間は、１分〜４時間が好ましく、５分〜２時間がより好ましい。
加熱処理の温度と時間を上記好ましい範囲内とすることにより、銀微粒子が十分に焼結され、所望の導電性（体積抵抗値）が得られやすい。
本発明の銀電極の体積抵抗値は、好ましくは２×１０−６〜５×１０−４Ωｃｍ、より好ましくは２×１０−６〜５×１０−５Ωｃｍである。
【００５０】
［薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）］
本発明のＴＦＴは、本発明の銀電極を有する。本発明のＴＦＴにおいて、本発明の銀電極は、ゲート電極、ソース電極及び／又はドレイン電極として用いられ、少なくともソース電極及びドレイン電極として用いられることが好ましい。
本発明のＴＦＴの好ましい実施形態を以下に説明するが、本発明のＴＦＴはこれらの態様に限定されるものではなく、少なくとも１つの電極が、本発明の銀微粒子分散物ないしインク組成物を用いて形成されていれば特に制限はない。
【００５１】
本発明のＴＦＴは、基板上に、ゲート電極と、半導体層と、上記ゲート電極と上記半導体層との間に設けられたゲート絶縁層と、上記半導体層に接して設けられ、上記半導体を介して連結されたソース電極及びドレイン電極とを有する。ゲート電極に電圧が印加されると、ソース電極−ドレイン電極間の半導体層と隣接する層との界面に電流の流路（チャネル）が形成される。すなわち、ゲート電極に印加される入力電圧に応じて、ソース電極とドレイン電極との間を流れる電流が制御される。
【００５２】
本発明のＴＦＴの好ましい構造を図面に基づいて説明する。各図面に示されるＴＦＴは、本発明の理解を容易にするための模式図であり、各部材のサイズないし相対的な大小関係等は説明の便宜上大小を変えている場合があり、実際の関係をそのまま示すものではない。また、本発明で規定する事項以外はこれらの図面に示された外形、形状に限定されるものでもない。例えば、図１（Ａ）及び（Ｂ）において、ゲート電極は必ずしも基板のすべてを覆っている必要はなく、基板の中央部分に設けられた形態も、本発明のＴＦＴの形態として好ましい。
図１（Ａ）〜（Ｄ）は、各々、本発明のＴＦＴの代表的な好ましい構造を模式的に表わす縦断面図である。図１（Ａ）〜（Ｄ）において、１は半導体層、２はゲート絶縁層、３はソース電極、４はドレイン電極、５はゲート電極、６は基板を示す。
また、図１（Ａ）は、ボトムゲート・ボトムコンタクト型、図１（Ｂ）は、ボトムゲート・トップコンタクト型、図１（Ｃ）はトップゲート・ボトムコンタクト型、図１（Ｄ）はトップゲート・トップコンタクト型のＴＦＴを示している。本発明のＴＦＴには上記４つの形態のすべてが包含される。図示を省略するが、各ＴＦＴの図面最上部（基板６に対して反対側）には、オーバーコート層が形成されている場合もある。
【００５３】
＜基板＞
基板は、ＴＦＴ及びその上に作製される表示パネル等を支持できるものであればよい。基板は、表面に絶縁性があり、シート状で、表面が平坦であれば特に限定されない。
【００５４】
基板の材料として、無機材料を用いてもよい。無機材料からなる基板として、例えば、ソーダライムガラス、石英ガラス等の各種ガラス基板や、表面に絶縁膜が形成された各種ガラス基板、表面に絶縁膜が形成された石英基板、表面に絶縁膜が形成されたシリコン基板、サファイヤ基板、ステンレス鋼、アルミニウム、ニッケル等の各種合金や各種金属からなる金属基板、金属箔、紙等を挙げることができる。
基板がステンレスシート、アルミ箔、銅箔又はシリコンウェハ等の導電性あるいは半導体性の材料で形成されている場合、通常は、表面に絶縁性の高分子材料あるいは金属酸化物等を塗布又は積層して用いられる。
【００５５】
また、基板の材料として、有機材料を用いてもよい。例えば、ポリメチルメタクリレート（ポリメタクリル酸メチル、ＰＭＭＡ）やポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリビニルフェノール（ＰＶＰ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリイミド、ポリアミド、ポリアセタール、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエチルエーテルケトン、ポリオレフィン、ポリシクロオレフィンに例示される有機ポリマーから構成された可撓性を有するプラスチック基板（プラスチックフィルム、プラスチックシートともいう）を挙げることができる。また雲母で形成したものも挙げることができる。
【００５６】
基板の厚みは、１０ｍｍ以下であるのが好ましく、２ｍｍ以下であるのがさらに好ましく、１ｍｍ以下であるのが特に好ましい。また、一方で、０．０１ｍｍ以上であるのが好ましく、０．０５ｍｍ以上であるのがさらに好ましい。
【００５７】
＜ゲート電極＞
ゲート電極は、ＴＦＴのゲート電極として用いられている従来公知の電極を用いることができる。また本発明の銀微粒子分散物ないしインク組成物を用いて形成することもできる。
ゲート電極を構成する導電性材料（電極材料ともいう）としては、特に限定されない。例えば、白金、金、銀、アルミニウム、クロム、ニッケル、銅、モリブデン、チタン、マグネシウム、カルシウム、バリウム、ナトリウム、パラジウム、鉄、マンガン等の金属；ＩｎＯ２、ＳｎＯ２、インジウム・錫酸化物（ＩＴＯ）、フッ素ドープ酸化錫（ＦＴＯ）、アルミニウムドープ酸化亜鉛（ＡＺＯ）、ガリウムドープ酸化亜鉛（ＧＺＯ）等の導電性金属酸化物；ポリアニリン、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリアセチレン、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリスチレンスルホン酸（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）等の導電性高分子；塩酸、硫酸、スルホン酸等の酸、ＰＦ６、ＡｓＦ５、ＦｅＣｌ３等のルイス酸、ヨウ素等のハロゲン原子、ナトリウム、カリウム等の金属原子等のドーパントを添加した上記導電性高分子、並びに、カーボンブラック、グラファイト粉、金属微粒子等を分散した導電性の複合材料等が挙げられる。これらの材料は、１種のみを用いても、２種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。
【００５８】
ゲート電極の形成方法に制限は無い。例えば、真空蒸着法等の物理蒸着法（ＰＶＤ）、化学蒸着法（ＣＶＤ法）、スパッタ法、印刷法（塗布法）、転写法、ゾルゲル法、メッキ法等により形成された膜を、必要に応じて所望の形状にパターンニングする方法が挙げられる。
また、ゲート電極を塗布法により形成することもできる。塗布法では、上記材料の溶液、ペースト又は分散液を調製、塗布し、乾燥、焼成、光硬化又はエージング等により、膜を形成し、又は直接電極を形成できる。
また、インクジェット印刷、スクリーン印刷、（反転）オフセット印刷、凸版印刷、凹版印刷、平版印刷、熱転写印刷、マイクロコンタクトプリンティング法等は、所望のパターニングが可能であり、工程の簡素化、コスト低減、高速化の点で好ましい。
スピンコート法、ダイコート法、マイクログラビアコート法、ディップコート法を採用する場合も、下記フォトリソグラフィー法等と組み合わせてパターニングすることができる。
【００５９】
ゲート電極の厚みは、任意であるが、１ｎｍ以上が好ましく、１０ｎｍ以上が特に好ましい。また、５００ｎｍ以下が好ましく、２００ｎｍ以下がより好ましい。
【００６０】
＜ゲート絶縁層＞
【００６１】
ゲート絶縁層は、絶縁性を有する層であれば特に限定されず、単層であってもよいし、多層であってもよい。
ゲート絶縁層は、絶縁性の材料で形成されるのが好ましく、絶縁性の材料として、例えば、有機高分子、無機酸化物等が好ましく挙げられる。
有機高分子及び無機酸化物等は、絶縁性を有するものであれば特に限定されず、薄膜、例えば厚み１μｍ以下の薄膜を形成できるものが好ましい。
有機高分子及び無機酸化物は、ぞれぞれ、１種を用いても、２種以上を併用してもよく、また、有機高分子と無機酸化物を併用してもよい。
【００６２】
有機高分子としては、特に限定されるものではないが、例えば、ポリビニルフェノール、ポリスチレン（ＰＳ）、ポリメチルメタクリレートに代表されるポリ（メタ）アクリレート、ポリビニルアルコール、ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）、ポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、ＣＹＴＯＰに代表される環状フルオロアルキルポリマー、ポリシクロオレフィン、ポリエステル、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルケトン、ポリイミド、エポキシ樹脂、ポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ）に代表されるポリオルガノシロキサン、ポリシルセスキオキサン又はブタジエンゴム等が挙げられる。また、上記の他にも、フェノール樹脂、ノボラック樹脂、シンナメート樹脂、アクリル樹脂、ポリパラキシリレン樹脂等の熱硬化性樹脂も挙げられる。
【００６３】
上記無機酸化物としては、特に限定されるものではないが、例えば、酸化ケイ素、窒化ケイ素（ＳｉＮＹ）、酸化ハフニウム、酸化チタン、酸化タンタル、酸化アルミニウム、酸化ニオブ、酸化ジルコニウム、酸化銅、酸化ニッケル等の酸化物、また、ＳｒＴｉＯ３、ＣａＴｉＯ３、ＢａＴｉＯ３、ＭｇＴｉＯ３、ＳｒＮｂ２Ｏ６のようなペロブスカイト、あるいはこれらの複合酸化物又は混合物等が挙げられる。ここで、酸化ケイ素としては、酸化シリコン（ＳｉＯＸ）の他に、ＢＰＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＡｓＳＧ、ＰｂＳＧ、酸化窒化シリコン（ＳｉＯＮ）、ＳＯＧ（スピンオングラス）、低誘電率ＳｉＯ２系材料（例えば、ポリアリールエーテル、シクロパーフルオロカーボンポリマー及びベンゾシクロブテン、環状フッ素樹脂、ポリテトラフルオロエチレン、フッ化アリールエーテル、フッ化ポリイミド、アモルファスカーボン、有機ＳＯＧ）を含む。
【００６４】
ゲート絶縁層を無機酸化物で形成する方法としては、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング又はＣＶＤ法等の真空成膜法を用いることができ、また成膜中に任意のガスを用いたプラズマやイオン銃、ラジカル銃等でアシストを行ってもよい。
【００６５】
＜半導体層＞
半導体層は、半導体性を示し、キャリアを蓄積可能な層である。半導体層には従来公知の有機又は無機の半導体化合物を広く用いることができる。
【００６６】
有機半導体としては、特に限定されず、有機ポリマー及びその誘導体、低分子化合物等が挙げられる。
本発明において、低分子化合物は、有機ポリマー及びその誘導体以外の化合物を意味する。すなわち、繰り返し単位を有さない化合物をいう。低分子化合物は、このような化合物である限り、分子量は特に限定されるものではない。
【００６７】
低分子化合物としては、例えば、縮合多環芳香族化合物が挙げられる。例えば、ナフタセン、ペンタセン（２，３，６，７−ジベンゾアントラセン）、ヘキサセン、ヘプタセン、ジベンゾペンタセン、テトラベンゾペンタセン等のアセン、アントラジチオフェン、ピレン、ベンゾピレン、ジベンゾピレン、クリセン、ペリレン、コロネン、テリレン、オバレン、クオテリレン、サーカムアントラセン、及び、これらの炭素原子の一部をＮ、Ｓ、Ｏ等の原子で置換した誘導体又は上記炭素原子に結合している少なくとも１つの水素原子をカルボニル基等の官能基で置換した誘導体（ペリキサンテノキサンテン及びその誘導体を含むジオキサアンタントレン系化合物、トリフェノジオキサジン、トリフェノジチアジン、ヘキサセン−６，１５−キノン等）、並びに、上記水素原子を他の官能基で置換した誘導体を挙げることができる。
【００６８】
また、銅フタロシアニンで代表される金属フタロシアニン、テトラチアペンタレン及びその誘導体、ナフタレン−１，４，５，８−テトラカルボン酸ジイミド、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−トリフルオロメチルベンジル）ナフタレン−１，４，５，８−テトラカルボン酸ジイミド、Ｎ，Ｎ’−ビス（１Ｈ，１Ｈ−ペルフルオロオクチル）、Ｎ，Ｎ’−ビス（１Ｈ，１Ｈ−ペルフルオロブチル）、Ｎ，Ｎ’−ジオクチルナフタレン−１，４，５，８−テトラカルボン酸ジイミド誘導体、ナフタレン−２，３，６，７−テトラカルボン酸ジイミド等のナフタレンテトラカルボン酸ジイミド、アントラセン−２，３，６，７−テトラカルボン酸ジイミド等のアントラセンテトラカルボン酸ジイミド等の縮合環テトラカルボン酸ジイミド、Ｃ６０、Ｃ７０、Ｃ７６、Ｃ７８、Ｃ８４等のフラーレン及びこれらの誘導体、ＳＷＮＴ等のカーボンナノチューブ、メロシアニン色素、ヘミシアニン色素等の色素とこれらの誘導体等を挙げることもできる。
【００６９】
さらに、ポリアントラセン、トリフェニレン、キナクリドンを挙げることができる。
【００７０】
また、低分子化合物としては、例えば、４，４’−ビフェニルジチオール（ＢＰＤＴ）、４，４’−ジイソシアノビフェニル、４，４’−ジイソシアノ−ｐ−テルフェニル、２，５−ビス（５’−チオアセチル−２’−チオフェニル）チオフェン、２，５−ビス（５’−チオアセトキシル−２’−チオフェニル）チオフェン、４，４’−ジイソシアノフェニル、ベンジジン（ビフェニル−４，４’−ジアミン）、ＴＣＮＱ（テトラシアノキノジメタン）、テトラチアフルバレン（ＴＴＦ）及びその誘導体、テトラチアフルバレン（ＴＴＦ）−ＴＣＮＱ錯体、ビスエチレンテトラチアフルバレン（ＢＥＤＴＴＴＦ）−過塩素酸錯体、ＢＥＤＴＴＴＦ−ヨウ素錯体、ＴＣＮＱ−ヨウ素錯体に代表される電荷移動錯体、ビフェニル−４，４’−ジカルボン酸、１，４−ジ（４−チオフェニルアセチリニル）−２−エチルベンゼン、１，４−ジ（４−イソシアノフェニルアセチリニル）−２−エチルベンゼン、１，４−ジ（４−チオフェニルエチニル）−２−エチルベンゼン、２，２”−ジヒドロキシ−１，１’：４’，１”−テルフェニル、４，４’−ビフェニルジエタナール、４，４’−ビフェニルジオール、４，４’−ビフェニルジイソシアネート、１，４−ジアセチニルベンゼン、ジエチルビフェニル−４，４’−ジカルボキシレート、ベンゾ［１，２−ｃ；３，４−ｃ’；５，６−ｃ”］トリス［１，２］ジチオール−１，４，７−トリチオン、α−セキシチオフェン、テトラチアテトラセン、テトラセレノテトラセン、テトラテルルテトラセン、ポリ（３−アルキルチオフェン）、ポリ（３−チオフェン−β−エタンスルホン酸）、ポリ（Ｎ−アルキルピロール）ポリ（３−アルキルピロール）、ポリ（３，４−ジアルキルピロール）、ポリ（２，２’−チエニルピロール）、ポリ（ジベンゾチオフェンスルフィド）を例示することができる。
【００７１】
半導体層を形成する無機半導体材料としては、特に限定されないが、その好ましい例として酸化物半導体が挙げられる。
酸化物半導体としては、金属酸化物からなるものであれば特に限定されない。酸化物半導体からなる半導体層は、酸化物半導体前駆体、すなわち熱酸化等の変換処理によって金属酸化物からなる半導体材料に変換される材料を用いて形成するのが好ましい。
酸化物半導体は特に限定されるものではないが、例えば、酸化インジウムガリウム亜鉛、酸化インジウムガリウム、酸化インジウムスズ亜鉛、酸化ガリウム亜鉛、酸化インジウムスズ、酸化インジウム亜鉛、酸化スズ亜鉛、酸化亜鉛、酸化スズ、例えば、ＩｎＧａＺｎＯｘ、ＩｎＧａＯｘ、ＩｎＳｎＺｎＯｘ、ＧａＺｎＯｘ、ＩｎＳｎＯｘ、ＩｎＺｎＯｘ、ＳｎＺｎＯｘ（いずれもｘ＞０）、ＺｎＯ、ＳｎＯ２が挙げられる。
【００７２】
上記酸化物半導体前駆体としては、例えば、金属の硝酸塩、金属のハロゲン化物、アルコキシドが挙げられる。上記酸化物半導体前駆体が含有する金属は、例えば、Ｌｉ、Ｂｅ、Ｂ、Ｎａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｋ、Ｃａ、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｒｂ、Ｓｒ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｉｒ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｃｓ、Ｂａ、Ｌａ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｔｌ、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕからなる群から選ばれる少なくとも１種が挙げられる。
酸化物半導体前駆体の具体例としては、例えば、硝酸インジウム、硝酸亜鉛、硝酸ガリウム、硝酸スズ、硝酸アルミニウム、塩化インジウム、塩化亜鉛、塩化スズ（２価）、塩化スズ（４価）、塩化ガリウム、塩化アルミニウム、トリ−ｉ−プロポキシインジウム、ジエトキシ亜鉛、ビス（ジピバロイルメタナト）亜鉛、テトラエトキシスズ、テトラ−ｉ−プロポキシスズ、トリ−ｉ−プロポキシガリウム、トリ−ｉ−プロポキシアルミニウムが挙げられる。
【００７３】
＜ソース電極、ドレイン電極＞
本発明のＴＦＴにおいて、ソース電極及びドレイン電極は、本発明の銀微粒子分散物ないしインク組成物を用いて形成されていることが好ましい。ソース電極及びドレイン電極が本発明の銀微粒子分散物ないしインク組成物を用いて形成されていない場合は、従来公知のソース電極、ドレイン電極を採用することできる。例えば、上記ゲート電極で説明した導電性材料等を用いることができる。
ソース電極及びドレイン電極は、それぞれ、上記ゲート電極の形成方法と同様の方法により形成することができる。
【実施例】
【００７４】
以下に実施例に基づき、本発明についてさらに詳細に説明するが、本発明がこれに限定して解釈されるものではない。【００７５】
［参考例１］  銀微粒子の調製（ノニオン性分散剤による分散）
分散剤としてポリビニルピロリドン（重量平均分子量３０００、シグマアルドリッチ社製）（７．３６ｇ）を水（１００ｍＬ）に溶解させた溶液ａを調製した。また、硝酸銀５０．００ｇ（２９４．３ｍｍｏｌ）を水（２００ｍＬ）に溶解させた溶液ｂを調製した。溶液ａと溶液ｂとを混合し、攪拌した。得られた混合液に、Ｎ，Ｎ−ジエチルヒドロキシルアミン濃度が８５質量％の水溶液（７８．７１ｇ）（Ｎ，Ｎ−ジエチルヒドロキシルアミンとして７５０．５ｍｍｏｌ）を室温でゆっくり滴下し、さらに、ポリビニルピロリドン（７．３６ｇ）を水（１０００ｍＬ）に溶解させた溶液を室温でゆっくり滴下した。得られた懸濁液を限外濾過ユニット（ザルトリウス・ステディム社製ビバフロー５０、分画分子量：１０万、ユニット数：４個）に通し、限外濾過ユニットから約５Ｌの滲出液がでるまで精製水を通過させて精製した。精製水の供給を止め、濃縮し、銀微粒子の分散液３０ｇを得た。この分散液中の固形分の含有量は５０質量％であった。また、固形分中の銀の含有量をＴＧ−ＤＴＡ（示差熱熱重量同時測定）（日立ハイテク社製、モデル：ＳＴＡ７０００シリーズ）により測定したところ、９６．０質量％であった。【００７６】
［参考例２］  銀微粒子の調製（イオン性分散剤による分散）
２０℃の温度下において、硫酸第一鉄を０．２５ｍｏｌ／Ｌ、クエン酸ソーダを０．５ｍｏｌ／Ｌの濃度で含む水溶液５００ｍＬに、濃度０．８３ｍｏｌ／Ｌの硝酸銀溶液１００ｍＬを３秒間かけて添加した。混合後、３００ｒｐｍで３０秒間攪拌した。この反応で生成した銀コロイド液を３０００ｒｐｍで遠心分離を行い、固形分を回収してこれを水に再分散させ、固形分濃度５０質量％の銀微粒子の分散液を得た。
なお、参考例２で得られた銀微粒子分散物において、クエン酸ソーダは銀微粒子の表面に存在し、イオン性分散剤として機能している。【００７７】
［参考例３］  銀微粒子の調製（イオン性高分子分散剤による分散）
硝酸銀６６．８ｇ、酢酸（和光純薬工業（株）製）１０ｇ、イオン性高分子分散剤（ＣＯＯＨ含有高分子）（ビックケミー・ジャパン（株）製、商品名：ディスパービック１９０、酸価１０ｍｇＫＯＨ／ｇ、有効成分４０％、主溶剤：水）０．７ｇを、純水１００ｇに投入し、激しく撹拌した。これに２−ジメチルアミノエタノール（和光純薬工業（株）製）１００ｇを徐々に加えた。７５℃で１．５時間撹拌後、球状銀粉が黒色沈殿物として生じた。デカンテーションによる上澄みの除去と水による希釈操作を繰り返し行い、吸引ろ過により沈殿物を回収し、純水により希釈して、カルボキシ基含有保護コロイドで保護された固形分濃度５０質量％の銀微粒子の分散液を得た。【００７８】
［参考例４］  ノニオン性高分子分散剤の合成と銀微粒子の調製
１００ｍＬの三口フラスコに、ブレンマーＰＭＥ−１０００を７ｇ（日油社製）、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノエチルメタクリレート（１ｇ）、２−ブタノン２０ｇを入れ、窒素気流下、８０℃まで加熱した。そこへ、パーブチルＯ（商品名、日油（株）製）４９．３ｍｇ、２−ブタノン１．０ｇを加え、４０時間攪拌した。反応終了後、室温まで冷却し、２−ブタノン１８．０ｇで希釈した。ヘキサンで再沈を行った後、分取クロマトグラフィーで分子量分画分取を行い、ノニオン性分散剤Ｚ（Ｍｗ＝１２０００、Ｍｎ＝１００００）を７．９ｇ得た。
上記参考例１において、ポリビニルピロリドンに代えて上記ノニオン性分散剤Ｚを用いたこと以外は、上記参考例１と同様にして、固形分濃度５０質量％の銀微粒子の分散液を得た。【００７９】
［参考例５］
上記参考例１において、ポリビニルピロリドン（重量平均分子量３０００、シグマアルドリッチ社製）をポリビニルピロリドン（重量平均分子量６０００、シグマアルドリッチ社製）に代えたこと以外は、上記参考例１と同様にして固形分濃度５０質量％の銀微粒子の分散液を得た。【００８０】
［参考例６］
上記参考例１において、ポリビニルピロリドン（重量平均分子量３０００、シグマアルドリッチ社製）をポリビニルピロリドン（重量平均分子量１５０００、シグマアルドリッチ社製）に代えたこと以外は、上記参考例１と同様にして固形分濃度５０質量％の銀微粒子の分散液を得た。【００８１】
［調製例１］  銀微粒子分散物（インク組成物）の調製
上記参考例１で得られた銀微粒子の分散液１ｇに、２−プロパノール０．２ｇ、界面活性剤としてオルフィンＥ−１０１０（商品名、日信化学工業社製）を０．０１ｇ、有機微粒子としてＡＱＵＡＣＥＲ５３９（ＢＹＫ社製）０．１ｇ（固形分として）を添加し、イオン交換水を適量添加し、銀濃度が３０質量％となるように銀微粒子分散物（インク組成物）を調製した。この銀微粒子分散物の表面張力は３０ｍＮ／ｍ、２５℃における粘度は８ｍＰａ・ｓであった。また、この銀微粒子分散物中、銀微粒子の含有量は３０質量％、有機微粒子の含有量は６質量％である。【００８２】
［調製例２〜１２］  銀微粒子分散物（インク組成物）の調製
上記調製例１において、ＡＱＵＡＣＥＲ５３９に代えて、下記表２に示す有機微粒子を用いたこと以外は、上記調製例１と同様にして銀微粒子分散物（インク組成物）を得た。
【００８３】
［調製例１４］
上記調製例１において、参考例１で得られた銀微粒子の分散液に代えて、参考例５で得られた銀微粒子を用いたこと以外は、上記調製例１と同様にして銀微粒子分散物（インク組成物）を得た。【００８４】
［調製例１５］
上記調製例１において、参考例１で得られた銀微粒子の分散液に代えて、参考例６で得られた銀微粒子を用いたこと以外は、上記調製例１と同様にして銀微粒子分散物（インク組成物）を得た。【００８５】
[調製例１６］
上記調製例１において、上記参考例１の銀微粒子の分散液に代えて、参考例４の銀微粒子を用いたこと以外は、上記調製例１と同様にして銀微粒子分散物（インク組成物）を得た。【００８６】
［比較調製例１］  銀微粒子分散物（インク組成物）の調製
上記調製例１において、ＡＱＵＡＣＥＲ５３９を添加しなかったこと以外は、上記調製例１と同様にして銀微粒子分散物（インク組成物）を得た。【００８７】
［比較調製例２］
上記調製例１において、上記参考例１で得られた銀微粒子の分散液１ｇに代えて、上記参考例２で得られた銀微粒子の分散液１ｇを用いたこと以外は、上記調製例１と同様にして銀微粒子分散物（インク組成物）を得た。【００８８】
[比較調製例３］
上記調製例１において、上記参考例１で得られた銀微粒子の分散液１ｇに代えて、上記参考例３で得られた銀微粒子の分散液１ｇを用いたこと以外は、上記調製例１と同様にして銀微粒子分散物（インク組成物）を得た。【００８９】
なお、上記調製例２〜１６、比較調製例１〜３で得られた各銀微粒子分散物は、いずれも表面張力が２５〜４０ｍＮ／ｍの範囲内にあり、２５℃における粘度は２．５〜１０ｍＰａ・ｓの範囲内にあった。【００９０】
＜銀微粒子分散物を用いて形成した膜に対する水の接触角の測定＞
５０ｍｍ角のガラス基板（コーニング社製、商品名：ＥＡＧＬＥ  ＸＧ）に、銀微粒子の濃度を３０質量％に調整した銀微粒子分散物を、塗布後の銀微粒子の量が３０ｇ／ｍ２となるようにスピンコート（５００ｒｐｍ、３０秒）により塗布し、次いでオーブンにて２００℃、２時間加熱し、その後放冷した後、得られた膜に対する純水（１μＬ）の接触角を、全自動接触角計  ＤＭ−９０１（商品名、協和界面科学社製）を用いて２５℃の温度下で測定した。結果を下記表１に示す。【００９１】
【表１】
0006509254.tif 000002
【００９２】
＜有機微粒子を用いて形成した膜に対する水の接触角の測定＞
５０ｍｍ角のガラス基板（コーニング社製、商品名：ＥＡＧＬＥ  ＸＧ）に、下記表２に示す有機微粒子を有機微粒子の濃度が２０質量％となるように水中に分散させた有機微粒子分散物を、塗布後の有機微粒子の量が３０ｇ／ｍ２となるようにスピンコート（５００ｒｐｍ、３０秒）により塗布した。次いでオーブンにて２００℃、２時間加熱し、その後放冷し、得られた膜に対する純水（１μＬ）の接触角を測定した。接触角は、全自動接触角計  ＤＭ−９０１（商品名、協和界面化学）を用いて２５℃の温度下で測定した。結果を下記表２に示す。【００９３】
【表２】
0006509254.tif 000003
【００９４】
＜銀微粒子及び有機微粒子の平均粒径の測定＞
粒径アナライザーＦＰＡＲ−１０００（商品名、大塚電子社製）を用いて、銀微粒子及び有機微粒子の各々について、キュムラント法により平均粒子径を求めた。【００９５】
［試験例１］  銀微粒子の分散安定性の評価
上記各調製例及び比較調製例で調製した銀微粒子分散物について、銀微粒子分散物の調製直後における銀微粒子の平均粒径Ｄ１と、２５℃で２週間静置した後における銀微粒子の平均粒径Ｄ２を求め、平均粒径の変動率を下記式により求めた。得られた変動率に基づき、分散安定性を下記評価基準により評価した。
平均粒径の変動率（％）＝１００×（Ｄ２−Ｄ１）／Ｄ１
【００９６】
−  評価基準  −
Ａ：変動率が１０％未満
Ｂ：変動率が１０％以上２０％未満
Ｃ：変動率が２０％以上【００９７】
［試験例２］  体積抵抗値の評価
導電性の指標として、体積抵抗値を測定した。
清浄な５０ｍｍ角のガラス基板（コーニング社製、商品名：ＥＡＧＬＥ  ＸＧ）に、上記各調製例及び比較調製例で調製した各銀微粒子分散物をスピンコート法により塗布し（５００ｒｐｍ、３０秒）、オーブンにて２００℃、２時間加熱した。得られた各塗布膜について、触針式膜厚計により求めた平均膜厚は３２０ｎｍであった。各塗布膜を放冷した後、ロレスタＧＰ  ＭＣＰ−Ｔ６１０型（商品名、三菱マテリアル製）にて体積抵抗値を測定した。【００９８】
［試験例４］  絶縁信頼性の評価
ＦＲ４ＦＲ−４グレードのガラスエポキシ基板ＮＩＫＡＰＬＥＸ（商品名、ニッカン工業社製）にＡＢＦ−ＧＸ１３（商品名、味の素ファインテクノ社製、層間絶縁材料）をラミネートした基板上に、上記調製例１で調製した銀微粒子分散物を、焼結後の膜厚が２００ｎｍになるようにＳＴＳ−２００（商品名、ワイディーメカトロソリューションズ社製）を用いてスプレーコーティング法により塗布した。その後、オーブンを用いて焼結し（２１０℃、１時間）、基板上に銀膜を形成した。形成された銀膜をフォトリソグラフィー法によりＬ（ライン）／Ｓ（スペース）＝５０／５０μｍの櫛形にエッチングし、櫛形状の銀膜（銀配線）を形成した。この時ドライフィルムレジストにはフォテックＨ−７０２５（商品名、日立化成社製）、銀エッチング液にはアグリップ９４０（商品名、メルテックス社製）を用いた。さらに、銀配線上にＣｙｔｏｐ  ＣＴＬ１０７ＭＫ（商品名、ＡＧＣ社製）を乾燥後の膜厚が１μｍになる様にスピンコートし、その後オーブンで１４０℃、２０分間乾燥させ、封止層を形成して、絶縁信頼性評価用の配線基板を作製した。【００９９】
上記配線基板の調製において、上記調製例１で調製した銀微粒子分散物を、上記調製例２〜１６、比較調製例１〜３の各々で調製した銀微粒子分散物に代えたこと以外は、上記配線基板の調製と同様にして１８種類の配線基板を調製した。【０１００】
得られた各配線基板について、湿度８５％、温度８５℃、圧力１．０ａｔｍ、電圧６０Ｖの条件で寿命試験（使用装置：エスペック社製、ＥＨＳ−２２１ＭＤ）を行った。具体的には、上記環境下で、隣り合った銀配線に上記電圧を印加した。そして、マイグレーションによって銀配線間が短絡するまでの時間（銀配線間の抵抗値が１×１０５Ωになるまでの時間Ｔ）を測定した。上記比較調製例１で調製した銀微粒子分散物を用いた場合の時間ＴをＴ１（基準）とし、下記評価基準により絶縁信頼性を相対評価した。【０１０１】
−  評価基準  −
Ａ：時間ＴがＴ１の５倍以上
Ｂ：時間ＴがＴ１の２倍以上５倍未満
Ｃ：時間ＴがＴ１より長くＴ１の２倍未満
Ｄ：時間ＴがＴ１より短い
結果を下記表３に示す。【０１０２】
【表３】
0006509254.tif 000004
【０１０３】
上記表３に示されるように、銀微粒子分散物ないしインク組成物が有機微粒子を含有しない場合、これを用いて形成した膜に対する水の接触角が本発明の規定よりも小さく、絶縁信頼性試験における評価に劣る結果となった（比較例１）。
また、銀微粒子の分散剤としてイオン性の分散剤を用いた銀微粒子分散物ないしインク組成物においても、これを用いて形成した膜に対する水の接触角が本発明の規定よりも小さく、絶縁信頼性試験の評価に劣る結果となった。さらに、イオン性の分散剤を用いた銀微粒子分散物ないしインク組成物を用いて形成した膜の体積抵抗値は高かった、すなわち、イオン性の分散剤を用いた銀微粒子分散物ないしインク組成物を用いて形成した膜や導体配線等は導電性に劣るものとなることがわかった（比較例２、３）。
これに対し本発明の銀微粒子分散物ないしインク組成物はいずれも分散安定性に優れ、且つ、これを用いて形成した膜に対する水の接触角は６０°以上となり、絶縁信頼性試験においても良好な結果を示した。さらに、本発明の銀微粒子分散物ないしインク組成物を用いて形成した膜の体積抵抗値は低く抑えられていることから、本発明の銀微粒子分散物ないしインク組成物を用いることで、導電性の高い膜や導体配線等を形成することができることもわかった。【０１０４】
［試験例４］  ＴＦＴの製造と移動度の評価
図１（Ａ）に示されるＴＦＴ（ボトムゲート・ボトムコンタクト型）を製造し、移動度を測定した。
ガラス基板（イーグルＸＧ：コーニング社製）６上に、ゲート電極となるアルミニウムを蒸着した（厚み：５０ｎｍ）。その上にゲート絶縁膜形成用組成物（ポリビニルフェノール／メラミン＝１質量部／１質量部のＰＧＭＥＡ（プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート）溶液（固形分濃度：２質量％））をスピンコートし、その後、１５０℃で６０分間ベークし、膜厚４００ｎｍのゲート絶縁層２を形成した。その上に、上記調製例１で調製した銀微粒子分散物を、インクジェット装置ＤＭＰ−２８３１（富士フイルムダイマティクス社製）を用いてソース電極及びドレイン電極のパターン（チャネル長４０μｍ、チャネル幅２００μｍ）に描画した。その後オーブンにて１８０℃、３０分ベークして焼結し、ソース電極３及びドレイン電極４を形成した。その上に２，８−ジフルオロ−５，１１−ビス（トリエチルシリルエチニル）アントラジチオフェン（ＡＬＤＲＩＣＨ社製）のトルエン溶液をスピンコートし、１４０℃で１５分間ベークを行い、厚み１００ｎｍの半導体層１を形成した。その上にＣｙｔｏｐ  ＣＴＬ−１０７ＭＫ（ＡＧＣ社製）をスピンコートし、１４０℃で２０分間ベークし、厚み２μｍの封止層（最上層、図１において図示しない。）を形成した。このようにして、図１（Ａ）に示されるＴＦＴ（ボトムゲート・ボトムコンタクト型）を５サンプル製造した。【０１０５】
上記ＴＦＴの作製において、上記調製例１で調製した銀微粒子分散物を、上記調製例２〜１６に代えたこと以外は、上記有機薄膜トランジスタの調製と同様にして、計１６種類の有機薄膜トランジスタを調製した。【０１０６】
得られた有機薄膜トランジスタの各電極と、半導体パラメータ・アナライザ（４１５５Ｃ、Ａｇｉｌｅｎｔ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ社製）に接続されたマニュアルプローバの各端子とを接続して、電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）の評価を行なった。具体的には、ドレイン電流−ゲート電圧（Ｉｄ‐Ｖｇ）特性を測定することにより電界効果移動度（ｃｍ２／Ｖ・ｓｅｃ）を算出した。その結果、すべてのＴＦＴにおいて電界効果移動度が０．０１〜１の範囲内となり、ＴＦＴとして良好に機能することがわかった。【０１０７】
本発明をその実施態様とともに説明したが、我々は特に指定しない限り我々の発明を説明のどの細部においても限定しようとするものではなく、添付の請求の範囲に示した発明の精神と範囲に反することなく幅広く解釈されるべきであると考える。【０１０８】
本願は、２０１４年１２月１０日に日本国で特許出願された特願２０１４−２４９６６２に基づく優先権を主張するものであり、これはここに参照してその内容を本明細書の記載の一部として取り込む。
【図１】
0006509254.tif 000005