【事件の表示】
　特許第３２０４８３６号「プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置」の請求項１ないし９に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３２０４８３６号の請求項１ないし５に係る特許を維持する。
【理　由】
【１】手続の経緯
　特許第３２０４８３６号の発明は、平成６年３月２５日に特許出願され、平成１３年６月２９日にその特許権の設定登録がなされ、その後、東谷　満より特許異議の申立てがなされ、平成１５年３月２７日付けで第１回目の取消理由が通知され、その指定期間内である平成１５年６月６日に訂正請求がなされたものであるが、さらにその後、平成１５年１１月２１日付けで第２回目の取消理由が通知され、その指定期間内である平成１５年１２月１８日付けで前記平成１５年６月６日の訂正請求が取下げられ、新たに平成１５年１２月１８日に訂正請求がなされたものである。
　　
【２】平成１５年１２月１８日付け訂正の適否判断
［１］訂正内容
［１-a］訂正事項a；特許請求の範囲の請求項１を、「気密な処理容器内にて真空雰囲気下でプラズマを発生させ、被処理体を処理するプラズマ処理方法において、
　気密な処理容器内に被処理体を搬入し、載置する工程と、
　この工程の後、処理ガスのプラズマを生起させる前に、前記処理容器内に不活性ガスを導入して１×１０-3〜１×１０-1Ｔｏｒｒである第一の圧力に設定し、誘導手段により前記処理容器内にて被処理体に不必要なプラズマ処理が行われない程度の時間だけ前記不活性ガスのプラズマを生起させ、処理ガスのプラズマ生起が容易になる環境に整える工程と、
　次いで前記処理容器内に処理ガスを導入して第二の圧力に設定し、前記誘導手段により前記処理容器内にて前記処理ガスのプラズマを生起させ、前記被処理体を処理する工程と、を具備し、
　処理ガスの導入は、不活性ガスのプラズマの生起中に行われ、
　処理ガスのプラズマを生起させた後に不活性ガスの導入を停止することを特徴とするプラズマ処理方法。」と訂正する。
［１-b］訂正事項b；特許請求の範囲の請求項２を、「気密な処理容器内にて真空雰囲気下でプラズマを発生させ、被処理体を処理するプラズマ処理方法において、
　気密な処理容器内に被処理体を搬入し、載置する工程と、
　この工程の後、処理ガスのプラズマを生起させる前に、前記処理容器内に不活性ガスを導入して第一の圧力に設定し、誘導手段により前記処理容器内にて被処理体に不必要なプラズマ処理が行われない程度の時間だけ前記不活性ガスのプラズマを生起させ、処理ガスのプラズマ生起が容易になる環境に整える工程と、
　次いで前記処理容器内に処理ガスを導入して第二の圧力に設定し、前記誘導手段により前記処理容器内にて前記処理ガスのプラズマを生起させ、前記被処理体を処理する工程と、を具備し、
　処理ガスの導入は、不活性ガスのプラズマの生起中に行われ、
　第一の圧力よりも第二の圧力の方が低く、第一の圧力は１×１０-3〜１×１０-1Ｔｏｒｒであることを特徴とするプラズマ処理方法。」と訂正する。
［１-c］訂正事項c；特許請求の範囲の請求項３を、「気密な処理容器内にて真空雰囲気下でプラズマを発生させ、被処理体を処理するプラズマ処理方法において、
　気密な処理容器内に被処理体を搬入し、載置する工程と、
　この工程の後、処理ガスのプラズマを生起させる前に、前記処理容器内に不活性ガスを導入して第一の圧力に設定し、誘導手段により前記処理容器内にて被処理体に不必要なプラズマ処理が行われない程度の時間だけ前記不活性ガスのプラズマを生起させ、処理ガスのプラズマ生起が容易になる環境に整える工程と、
　次いで前記処理容器内に処理ガスを導入して前記第一の圧力よりも低い第二の圧力に設定し、前記誘導手段により前記処理容器内にて前記処理ガスのプラズマを生起させ、前記被処理体を処理する工程と、を具備し、
　第一の圧力は１×１０-3〜１×１０-1Ｔｏｒｒであることを特徴とするプラズマ処理方法。」と訂正する。
［１-d］訂正事項d；特許請求の範囲の請求項４を、「気密な処理容器内にて真空雰囲気下でプラズマを発生させ、被処理体を処理するプラズマ処理方法において、
　気密な処理容器内に被処理体を搬入し、載置する工程と、
　この工程の後、処理ガスのプラズマを生起させる前に、前記処理容器内に不活性ガスを導入して第一の圧力に設定し、誘導手段により前記処理容器内にて被処理体に不必要なプラズマ処理が行われない程度の時間だけ前記不活性ガスのプラズマを生起させ、処理ガスのプラズマ生起が容易になる環境に整える工程と、
　次いで前記処理容器内に処理ガスを導入して前記第一の圧力よりも低い第二の圧力に設定し、前記誘導手段により前記処理容器内にて前記処理ガスのプラズマを生起させ、前記被処理体を処理する工程と、を具備し、
　第一の圧力は１×１０-3〜１×１０-1Ｔｏｒｒであり、処理ガスの導入は不活性ガスの導入を停止した後に行われることを特徴とするプラズマ処理方法。」と訂正する。
［１-e］訂正事項e；特許請求の範囲の請求項５を、「不活性ガスはＡｒ（アルゴン）、Ｘｅ（キセノン）、Ｋｒ（クリプトン）、Ｈｅ（ヘリウム）またはＮ2（窒素）のいずれかであることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか一つに記載のプラズマ処理方法。」と訂正する。
［１-f］訂正事項f；特許請求の範囲の請求項６から請求項９を削除する。
［１-g］訂正事項g；段落【0011】を、「本発明方法は、気密な処理容器内にて真空雰囲気下でプラズマを発生させ、被処理体を処理するプラズマ処理方法において、
　気密な処理容器内に被処理体を搬入し、載置する工程と、
　この工程の後、処理ガスのプラズマを生起させる前に、前記処理容器内に不活性ガスを導入して１×１０-3〜１×１０-1Ｔｏｒｒである第一の圧力に設定し、誘導手段により前記処理容器内にて被処理体に不必要なプラズマ処理が行われない程度の時間だけ前記不活性ガスのプラズマを生起させ、処理ガスのプラズマ生起が容易になる環境に整える工程と、
　次いで前記処理容器内に処理ガスを導入して第二の圧力に設定し、前記誘導手段により前記処理容器内にて前記処理ガスのプラズマを生起させ、前記被処理体を処理する工程と、を具備し、
　処理ガスの導入は、不活性ガスのプラズマの生起中に行われ、
　処理ガスのプラズマを生起させた後に不活性ガスの導入を停止することを特徴とする。
　他の発明は、気密な処理容器内にて真空雰囲気下でプラズマを発生させ、被処理体を処理するプラズマ処理方法において、
　気密な処理容器内に被処理体を搬入し、載置する工程と、
　この工程の後、処理ガスのプラズマを生起させる前に、前記処理容器内に不活性ガスを導入して第一の圧力に設定し、誘導手段により前記処理容器内にて被処理体に不必要なプラズマ処理が行われない程度の時間だけ前記不活性ガスのプラズマを生起させ、処理ガスのプラズマ生起が容易になる環境に整える工程と、
　次いで前記処理容器内に処理ガスを導入して第二の圧力に設定し、前記誘導手段により前記処理容器内にて前記処理ガスのプラズマを生起させ、前記被処理体を処理する工程と、を具備し、
　処理ガスの導入は、不活性ガスのプラズマの生起中に行われ、
　第一の圧力よりも第二の圧力の方が低く、第一の圧力は１×１０-3〜１×１０-1Ｔｏｒｒであることを特徴とする。
　更に他の発明は、気密な処理容器内にて真空雰囲気下でプラズマを発生させ、被処理体を処理するプラズマ処理方法において、
　気密な処理容器内に被処理体を搬入し、載置する工程と、
　この工程の後、処理ガスのプラズマを生起させる前に、前記処理容器内に不活性ガスを導入して第一の圧力に設定し、誘導手段により前記処理容器内にて被処理体に不必要なプラズマ処理が行われない程度の時間だけ前記不活性ガスのプラズマを生起させ、処理ガスのプラズマ生起が容易になる環境に整える工程と、
　次いで前記処理容器内に処理ガスを導入して前記第一の圧力よりも低い第二の圧力に設定し、前記誘導手段により前記処理容器内にて前記処理ガスのプラズマを生起させ、前記被処理体を処理する工程と、を具備し、
　第一の圧力は１×１０-3〜１×１０-1Ｔｏｒｒであることを特徴とする。
　更にまた他の発明は、気密な処理容器内にて真空雰囲気下でプラズマを発生させ、被処理体を処理するプラズマ処理方法において、
　気密な処理容器内に被処理体を搬入し、載置する工程と、
　この工程の後、処理ガスのプラズマを生起させる前に、前記処理容器内に不活性ガスを導入して第一の圧力に設定し、誘導手段により前記処理容器内にて被処理体に不必要なプラズマ処理が行われない程度の時間だけ前記不活性ガスのプラズマを生起させ、処理ガスのプラズマ生起が容易になる環境に整える工程と、
　次いで前記処理容器内に処理ガスを導入して前記第一の圧力よりも低い第二の圧力に設定し、前記誘導手段により前記処理容器内にて前記処理ガスのプラズマを生起させ、前記被処理体を処理する工程と、を具備し、
　第一の圧力は１×１０-3〜１×１０-1Ｔｏｒｒであり、処理ガスの導入は不活性ガスの導入を停止した後に行われることを特徴とする。
　本発明に用いられる不活性ガスとしては、Ａｒ（アルゴン）、Ｘｅ（キセノン）、Ｋｒ（クリプトン）、Ｈｅ（ヘリウム）またはＮ2（窒素）のいずれかを挙げることができる。」と訂正する。
［１-h］訂正事項h；発明の名称を、「プラズマ処理方法」と訂正する。
　　
［２］訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　上記訂正事項a〜dは、特許明細書の特許請求の範囲に記載されていた訂正前の請求項１を基にして、その従属項に記載されていた事項を付加して減縮した独立の請求項１〜４にしたものである。
　また、上記訂正事項eは、訂正前の請求項７(請求項１に従属)に記載されていた、不活性ガスの種類を特定して訂正後の請求項１〜４に対する従属項としたものである。
　そして、上記訂正事項a〜hは、特許請求の範囲の減縮を目的としたもの(a〜f)、および、明瞭でない記載の釈明(g)と誤記の訂正(h)に該当し、かつ、新規事項の追加にはあたらず、実質上特許請求の範囲を拡張し、または変更するものではない。
　　
［３］まとめ
　上述のとおりであるから、上記訂正は、特許法等の一部を改正する法律(平成６年法律第１１６号)附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、特許法第１２０条の４第３項において準用する平成６年法律第１１６号による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書、第２項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　　
【３】特許異議申立て理由の概要
　特許異議申立人　東谷　満は、次の甲第１〜４号証（以下「刊行物１〜４」という）を提示し、本件の請求項１，２，６，７に係る発明は、前記刊行物１に記載された発明と同一であるから、また本件の請求項１〜９に係る発明は、前記刊行物１〜４に記載された発明から容易に発明をすることができたものであるから、その請求項１〜９に係る特許は特許法第２９条の規定に違反してされたものであり、取り消されるべきであると主張している。
　さらに、本件特許は、特許法第３６条第５項及び第６項(第４項又は第５項第２号の錯誤)に規定する要件を満たしていない特許出願に対してなされたものであるから、取り消されるべきであると主張している。
　刊行物１；特開昭６１−２９２３１５号公報
　刊行物２；特開平１−２３９８５２号公報
　刊行物３；特開昭６２−９９４６２号公報
　刊行物４；特開平３−７９０２５号公報
　　
【４】本件特許発明
　本件については、上記【２】段落で示したように上記訂正が認められるから、本件の請求項１〜５に係る発明（以下「本件発明１〜５」という）は、上記の平成１５年１２月１８日付け訂正請求に係る訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１〜５に記載されたとおりの、
「【請求項１】気密な処理容器内にて真空雰囲気下でプラズマを発生させ、被処理体を処理するプラズマ処理方法において、
　気密な処理容器内に被処理体を搬入し、載置する工程と、
　この工程の後、処理ガスのプラズマを生起させる前に、前記処理容器内に不活性ガスを導入して１×１０-3〜１×１０-1Ｔｏｒｒである第一の圧力に設定し、誘導手段により前記処理容器内にて被処理体に不必要なプラズマ処理が行われない程度の時間だけ前記不活性ガスのプラズマを生起させ、処理ガスのプラズマ生起が容易になる環境に整える工程と、
　次いで前記処理容器内に処理ガスを導入して第二の圧力に設定し、前記誘導手段により前記処理容器内にて前記処理ガスのプラズマを生起させ、前記被処理体を処理する工程と、を具備し、
　処理ガスの導入は、不活性ガスのプラズマの生起中に行われ、
　処理ガスのプラズマを生起させた後に不活性ガスの導入を停止することを特徴とするプラズマ処理方法。
　【請求項２】気密な処理容器内にて真空雰囲気下でプラズマを発生させ、被処理体を処理するプラズマ処理方法において、
　気密な処理容器内に被処理体を搬入し、載置する工程と、
　この工程の後、処理ガスのプラズマを生起させる前に、前記処理容器内に不活性ガスを導入して第一の圧力に設定し、誘導手段により前記処理容器内にて被処理体に不必要なプラズマ処理が行われない程度の時間だけ前記不活性ガスのプラズマを生起させ、処理ガスのプラズマ生起が容易になる環境に整える工程と、
　次いで前記処理容器内に処理ガスを導入して第二の圧力に設定し、前記誘導手段により前記処理容器内にて前記処理ガスのプラズマを生起させ、前記被処理体を処理する工程と、を具備し、
　処理ガスの導入は、不活性ガスのプラズマの生起中に行われ、
　第一の圧力よりも第二の圧力の方が低く、第一の圧力は１×１０-3〜１×１０-1Ｔｏｒｒであることを特徴とするプラズマ処理方法。
　【請求項３】気密な処理容器内にて真空雰囲気下でプラズマを発生させ、被処理体を処理するプラズマ処理方法において、
　気密な処理容器内に被処理体を搬入し、載置する工程と、
　この工程の後、処理ガスのプラズマを生起させる前に、前記処理容器内に不活性ガスを導入して第一の圧力に設定し、誘導手段により前記処理容器内にて被処理体に不必要なプラズマ処理が行われない程度の時間だけ前記不活性ガスのプラズマを生起させ、処理ガスのプラズマ生起が容易になる環境に整える工程と、
　次いで前記処理容器内に処理ガスを導入して前記第一の圧力よりも低い第二の圧力に設定し、前記誘導手段により前記処理容器内にて前記処理ガスのプラズマを生起させ、前記被処理体を処理する工程と、を具備し、
　第一の圧力は１×１０-3〜１×１０-1Ｔｏｒｒであることを特徴とするプラズマ処理方法。
　【請求項４】気密な処理容器内にて真空雰囲気下でプラズマを発生させ、被処理体を処理するプラズマ処理方法において、
　気密な処理容器内に被処理体を搬入し、載置する工程と、
　この工程の後、処理ガスのプラズマを生起させる前に、前記処理容器内に不活性ガスを導入して第一の圧力に設定し、誘導手段により前記処理容器内にて被処理体に不必要なプラズマ処理が行われない程度の時間だけ前記不活性ガスのプラズマを生起させ、処理ガスのプラズマ生起が容易になる環境に整える工程と、
　次いで前記処理容器内に処理ガスを導入して前記第一の圧力よりも低い第二の圧力に設定し、前記誘導手段により前記処理容器内にて前記処理ガスのプラズマを生起させ、前記被処理体を処理する工程と、を具備し、
　第一の圧力は１×１０-3〜１×１０-1Ｔｏｒｒであり、処理ガスの導入は不活性ガスの導入を停止した後に行われることを特徴とするプラズマ処理方法。
　【請求項５】不活性ガスはＡｒ（アルゴン）、Ｘｅ（キセノン）、Ｋｒ（クリプトン）、Ｈｅ（ヘリウム）またはＮ2（窒素）のいずれかであることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか一つに記載のプラズマ処理方法。」である。
　　
【５】特許異議申立てに対する当審の判断
【５-1】刊行物１〜４の記載内容
　［１］刊行物１の記載内容
　刊行物１には、「気密な処理容器内にて真空雰囲気下でプラズマを発生させ、被処理体を処理するプラズマ処理方法において、
　気密な処理容器内に被処理体を搬入し、載置する工程と、
　この工程の後、処理ガスのプラズマを生起させる前に、前記処理容器内に不活性ガスを導入して所定の圧力に設定し、誘導手段により前記処理容器内にて被処理体に所定の時間だけ前記不活性ガスのプラズマを生起させ、
次いで前記処理容器内に処理ガスを導入して所定の圧力に設定し、前記誘導手段により前記処理容器内にて前記処理ガスのプラズマを生起させ、前記被処理体を処理する工程と、を具備するプラズマ処理方法」が示されている。
　［２］刊行物２の記載内容
　刊行物２には、「プラズマで励起しても単独では基体上に堆積しない第１のガス(希ガスや窒素原子を含むガス)を導入して励起後、
　励起により単独でも基体上に堆積する第２のガスを、励起された前記第１のガスと反応させ、反応により生成した反応生成物を基体上に堆積させる薄膜形成方法」が示されている。
　［３］刊行物３の記載内容
　刊行物３には、「光導電体の製造方法に関して、
　その成膜前にArプラズマのイオンボンバード法で基体の加熱を行うこと、
　また加熱という必要な処理を行っているだけで基体表面へのプラズマ処理をしていないこと、
　このとき、不活性ガスArの雰囲気圧力は1.0Torr、成膜時の反応ガスの圧力は0.5ないし0.3Torrとなっており、不活性ガスの圧力よりも反応ガスの圧力の方が低いこと」が示されている。
　［４］刊行物４の記載内容
　刊行物４には、「誘導手段によるプラズマ処理方法」が示されている。
　　
【５-2】特許法第２９条の規定違反について
　上記刊行物１〜４には、本件発明１〜５の構成要件の実質的内容としての、「処理ガスのプラズマを生起させる前に、処理容器内に不活性ガスを導入して１×１０-3〜１×１０-1Ｔｏｒｒである第一の圧力に設定し、誘導手段により前記処理容器内にて被処理体に不必要なプラズマ処理が行われない程度の時間だけ前記不活性ガスのプラズマを生起させ、処理ガスのプラズマ生起が容易になる環境に整える工程」に関して、なんらの記載も示唆もない。
　そして、本件発明１〜５は、前記の工程により、訂正明細書記載の「不活性ガスによるプラズマを先行して生起することにより、被処理体を処理する処理ガスのプラズマを容易に立ち上げ安定化させることが出来るので、プラズマによる被処理体の処理を安定させることが出来る」という作用効果を奏するものであるから、上記刊行物１〜４に記載された発明と同一であるとも、またそれらに基づいて当業者が容易に想到できたものともいえない。
　　
【５-3】特許法第３６条の規定要件不充足について
　本件訂正明細書の特許請求の範囲において、本件発明１〜５の構成要件の実質的内容として、「処理ガスのプラズマを生起させる前に、処理容器内に不活性ガスを導入して１×１０-3〜１×１０-1Ｔｏｒｒである第一の圧力に設定し、誘導手段により前記処理容器内にて被処理体に不必要なプラズマ処理が行われない程度の時間だけ前記不活性ガスのプラズマを生起させ、処理ガスのプラズマ生起が容易になる環境に整える工程」と規定された。
　すなわち、不活性ガスの圧力である第一の圧力が「１×１０-3〜１×１０-1Ｔｏｒｒ」と限定されたことにより、「処理容器内にて被処理体に不必要なプラズマ処理が行われない程度の時間だけ不活性ガスのプラズマを生起させ、処理ガスのプラズマ生起が容易になる環境に整える」ということの意味する内容が自明になった。
　したがって、本件の各請求項には、発明の構成に欠くことができない事項が必要十分に記載されていると認められる。
　よって、本件特許が、特許法第３６条に規定する要件を満たしていない特許出願に対してなされたものであるとはいえない。
　　
【６】むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由および証拠によっては、本件発明１〜５に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明１〜５に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１６年１月９日（２００４．１．９）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
プラズマ処理方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】
　気密な処理容器内にて真空雰囲気下でプラズマを発生させ、被処理体を処理するプラズマ処理方法において、
　気密な処理容器内に被処理体を搬入し、載置する工程と、
　この工程の後、処理ガスのプラズマを生起させる前に、前記処理容器内に不活性ガスを導入して
１×１０−３〜１×１０−１Ｔｏｒｒである
　次いで前記処理容器内に処理ガスを導入して第二の圧力に設定し、前記誘導手段により前記処理容器内にて前記処理ガスのプラズマを生起させ、前記被処理体を処理する工程と、を具備し
、
　処理ガスの導入は、不活性ガスのプラズマの生起中に行われ、
　処理ガスのプラズマを生起させた後に不活性ガスの導入を停止する
　【請求項２】
　気密な処理容器内にて真空雰囲気下でプラズマを発生させ、被処理体を処理するプラズマ処理方法において、
　気密な処理容器内に被処理体を搬入し、載置する工程と、
　この工程の後、処理ガスのプラズマを生起させる前に、前記処理容器内に不活性ガスを導入して第一の圧力に設定し、誘導手段により前記処理容器内にて被処理体に不必要なプラズマ処理が行われない程度の時間だけ前記不活性ガスのプラズマを生起させ、処理ガスのプラズマ生起が容易になる環境に整える工程と、
　次いで前記処理容器内に処理ガスを導入して第二の圧力に設定し、前記誘導手段により前記処理容器内にて前記処理ガスのプラズマを生起させ、前記被処理体を処理する工程と、を具備し、
　処理ガスの導入は、不活性ガスのプラズマの生起中に行われ、
　第一の圧力よりも第二の圧力の方が低く、第一の圧力は１×１０−３〜１×１０−１Ｔｏｒｒであることを特徴とするプラズマ処理方法。
　【請求項３】
　気密な処理容器内にて真空雰囲気下でプラズマを発生させ、被処理体を処理するプラズマ処理方法において、
　気密な処理容器内に被処理体を搬入し、載置する工程と、
　この工程の後、処理ガスのプラズマを生起させる前に、前記処理容器内に不活性ガスを導入して第一の圧力に設定し、誘導手段により前記処理容器内にて被処理体に不必要なプラズマ処理が行われない程度の時間だけ前記不活性ガスのプラズマを生起させ、処理ガスのプラズマ生起が容易になる環境に整える工程と、
　次いで前記処理容器内に処理ガスを導入して前記第一の圧力よりも低い第二の圧力に設定し、前記誘導手段により前記処理容器内にて前記処理ガスのプラズマを生起させ、前記被処理体を処理する工程と、を具備し、
　第一の圧力は１×１０−３〜１×１０−１Ｔｏｒｒであることを特徴とするプラズマ処理方法。
　【請求項４】
　気密な処理容器内にて真空雰囲気下でプラズマを発生させ、被処理体を処理するプラズマ処理方法において、
　気密な処理容器内に被処理体を搬入し、載置する工程と、
　この工程の後、処理ガスのプラズマを生起させる前に、前記処理容器内に不活性ガスを導入して第一の圧力に設定し、誘導手段により前記処理容器内にて被処理体に不必要なプラズマ処理が行われない程度の時間だけ前記不活性ガスのプラズマを生起させ、処理ガスのプラズマ生起が容易になる環境に整える工程と、
　次いで前記処理容器内に処理ガスを導入して前記第一の圧力よりも低い第二の圧力に設定し、前記誘導手段により前記処理容器内にて前記処理ガスのプラズマを生起させ、前記被処理体を処理する工程と、を具備し、
　第一の圧力は１×１０−３〜１×１０−１Ｔｏｒｒであり、処理ガスの導入は不活性ガスの導入を停止した後に行われることを特徴とするプラズマ処理方法。
　【請求項５】
　不活性ガスはＡｒ（アルゴン）、Ｘｅ（キセノン）、Ｋｒ（クリプトン）、Ｈｅ（ヘリウム）またはＮ２（窒素）のいずれかであることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか一つに記載のプラズマ処理方法。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】本発明はプラズマ処理方法に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】気密な処理容器内に設けられた半導体ウエハ又は、液晶ディスプレイ用の薄膜型トランジスタ（Ｔｈｉｎ　Ｆｉｌｍ　Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）を形成する基板に、プラズマによる処理を行うことで成膜処理又はエッチング処理を行い、半導体素子を形成するプラズマ処理が半導体製造の工程で行われ、特にそのプラズマ源として誘導手段、例えばコイルに高周波を印加することで、処理容器内にプラズマを生起する技術が、特開平２−２３５３３２号公報「プラズマ処理装置」、特開平３−７９０２５号公報「磁器結合された平面状のプラズマを生成するための装置並びこのプラズマ物品を処理する方法及び装置」、特開平４−２９０４２８号公報「ＵＨＦ／ＶＨＦ共振アンテナ供給源を用いたプラズマリアクタ及びその方法」、特開平５−２０６０７２号公報「誘導ＲＦ結合を用いたプラズマ加工装置とその方法」に述べられている。
　【０００３】これらの誘導手段に高周波電圧を印加してプラズマを生成するプラズマ処理装置では、１×１０−３Ｔｏｒｒから数Ｔｏｒｒの圧力領域ではもちろん容易にプラズマを生起できるが、この圧力領域よりも低い１×１０−３Ｔｏｒｒ以下の真空圧力では、良好にプラズマを生起することが困難である為、被処理体を処理する処理ガスを導入に際し、一度処理容器内の圧力を一例としては、ｎ×１０−２Ｔｏｒｒ（１≦ｎ≦９，ｎは整数）の比較的高い圧力に設定して、プラズマを生起後に真空排気により圧力をより低い圧力の所定の値、例えばｎ×１０−３Ｔｏｒｒ（１≦ｎ≦９，ｎは整数）の圧力に下げることにより、このｎ×１０−３Ｔｏｒｒの圧力下で被処理体のプラズマ処理を行う方法が知られていた。
　【０００４】しかし、この従来の方法では、処理ガスを導入してプラズマ生成を安定させるまでの状態が、処理ガスのプラズマを生起させた状態で圧力を変動させる為に被処理体のプラズマ処理結果に悪影響を与え、被処理体ごとに処理結果がバラつき、安定性を欠くという解決する課題があった。
　【０００５】又、誘導手段を用いるプラズマ処理装置は、プラズマを生成することのできる真空圧力範囲が数Ｔｏｒｒから１×１０−６Ｔｏｒｒと広範囲に広がっていることが特徴である。これに対し、従来より半導体製造工程におけるエッチング工程やＣＶＤ工程に用いられるプラズマ処理装置のプラズマ源として使用される平行平板型電極に高周波を印加する場合のプラズマを比較的容易に生起することのできる真空圧力範囲は、数Ｔｏｒｒから１×１０−２Ｔｏｒｒの範囲であり、１×１０−３Ｔｏｒｒ以下の低い真空圧力の領域でのプラズマ生成及び処理は困難であった。
　【０００６】半導体ウエハに形成される半導体素子の高集積化が進み、例えばメモリーチップが１６ＭＤＲＡＭから６４ＭＤＲＡＭ、２５６ＭＤＲＡＭとデザインルールがより５．０μから２．５μへと微細化してゆく過程で、プラズマ処理装置により低い真空圧力、例えば１×１０−２Ｔｏｒｒ乃至１×１０−６Ｔｏｒｒの真空圧力条件下でプラズマ処理を行うことで、微細な加工を実施することが求められようになって来た。
　【０００７】このことは、真空圧力をより低圧にすることで、電子の平均自由行程を伸ばし、被処理体に引き込まれるプラズマ中のイオン又は活性種の被処理体に対する垂直方向の成分をより有効に利用することで、例えばエッチング処理を用いてコンタクトホールを形成する際のコンタクトホールの入口方向のエッチング処理よりも深さ方向のエッチング処理の速度を速めるプラズマ処理を可能とするプラズマ処理装置が要求されて来たからである。
　【０００８】したがって、この様なより低い真空圧力、より具体的な圧力領域としては、１×１０−２Ｔｏｒｒ乃至１×１０−６Ｔｏｒｒでプラズマを生起するプラズマ源として、誘導手段に高周波を印加するプラズマ装置が求められている。
　【０００９】
　【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記のより低い真空圧力の領域においては、プラズマを点火して安定させることが、より高い真空圧力、例えば数Ｔｏｒｒ乃至１×１０−２Ｔｏｒｒの範囲に較べて困難であり、とりわけ、被処理体を処理する処理ガスをプラズマ化した立ち上げ時のプラズマの安定化が、被処理体の処理結果に大きく影響を与え、不安定な処理ガスのプラズマ立ち上げ時間が長びくと、被処理体ごとに処理結果が異なるという問題又は、同一の被処理体内の面内均一性が失われるという問題が発生し、解決を求められていた。
　【００１０】本発明の目的は、誘導手段に高周波電圧を印加することにより生成されるプラズマにより被処理体を処理するにあたって、プラズマの立ち上げを安定させる方法を提供することにある。
　【００１１】本発明方法は、気密な処理容器内にて真空雰囲気下でプラズマを発生させ、被処理体を処理するプラズマ処理方法において、
　気密な処理容器内に被処理体を搬入し、載置する工程と、
　この工程の後、処理ガスのプラズマを生起させる前に、前記処理容器内に不活性ガスを導入して
１×１０−３〜１×１０−１Ｔｏｒｒである
　次いで前記処理容器内に処理ガスを導入して第二の圧力に設定し、前記誘導手段により前記処理容器内にて前記処理ガスのプラズマを生起させ、前記被処理体を処理する工程と、を具備し
、
　処理ガスの導入は、不活性ガスのプラズマの生起中に行われ、
　処理ガスのプラズマを生起させた後に不活性ガスの導入を停止する
　
他の発明は、気密な処理容器内にて真空雰囲気下でプラズマを発生させ、被処理体を処理するプラズマ処理方法において、
　気密な処理容器内に被処理体を搬入し、載置する工程と、
　この工程の後、処理ガスのプラズマを生起させる前に、前記処理容器内に不活性ガスを導入して第一の圧力に設定し、誘導手段により前記処理容器内にて被処理体に不必要なプラズマ処理が行われない程度の時間だけ前記不活性ガスのプラズマを生起させ、処理ガスのプラズマ生起が容易になる環境に整える工程と、
　次いで前記処理容器内に処理ガスを導入して第二の圧力に設定し、前記誘導手段により前記処理容器内にて前記処理ガスのプラズマを生起させ、前記被処理体を処理する工程と、を具備し、
　処理ガスの導入は、不活性ガスのプラズマの生起中に行われ、
　第一の圧力よりも第二の圧力の方が低く、第一の圧力は１×１０−３〜１×１０−１Ｔｏｒｒであることを特徴とする。
　更に他の発明は、気密な処理容器内にて真空雰囲気下でプラズマを発生させ、被処理体を処理するプラズマ処理方法において、
　気密な処理容器内に被処理体を搬入し、載置する工程と、
　この工程の後、処理ガスのプラズマを生起させる前に、前記処理容器内に不活性ガスを導入して第一の圧力に設定し、誘導手段により前記処理容器内にて被処理体に不必要なプラズマ処理が行われない程度の時間だけ前記不活性ガスのプラズマを生起させ、処理ガスのプラズマ生起が容易になる環境に整える工程と、
　次いで前記処理容器内に処理ガスを導入して前記第一の圧力よりも低い第二の圧力に設定し、前記誘導手段により前記処理容器内にて前記処理ガスのプラズマを生起させ、前記被処理体を処理する工程と、を具備し、
　第一の圧力は１×１０−３〜１×１０−１Ｔｏｒｒであることを特徴とする。
　更にまた他の発明は、気密な処理容器内にて真空雰囲気下でプラズマを発生させ、被処理体を処理するプラズマ処理方法において、
　気密な処理容器内に被処理体を搬入し、載置する工程と、
　この工程の後、処理ガスのプラズマを生起させる前に、前記処理容器内に不活性ガスを導入して第一の圧力に設定し、誘導手段により前記処理容器内にて被処理体に不必要なプラズマ処理が行われない程度の時間だけ前記不活性ガスのプラズマを生起させ、処理ガスのプラズマ生起が容易になる環境に整える工程と、
　次いで前記処理容器内に処理ガスを導入して前記第一の圧力よりも低い第二の圧力に設定し、前記誘導手段により前記処理容器内にて前記処理ガスのプラズマを生起させ、前記被処理体を処理する工程と、を具備し、
　第一の圧力は１×１０−３〜１×１０−１Ｔｏｒｒであり、処理ガスの導入は不活性ガスの導入を停止した後に行われることを特徴とする。
　本発明に用いられる不活性ガスとしては、Ａｒ（アルゴン）、Ｘｅ（キセノン）、Ｋｒ（クリプトン）、Ｈｅ（ヘリウム）またはＮ２（窒素）のいずれかを挙げることができる。
　【００１２】
　【作用】　本発明のプラズマ処理方法によれば、気密な処理容器内に不活性ガスによるプラズマを先行して生起することにより、被処理体を処理する処理ガスのプラズマを容易に立ち上げ、安定させることが出来るので、被処理体のプラズマ処理を安定させることが出来る。
　【００１３】
　【実施例】最初に、本発明のプラズマ処理方法を実施するプラズマ処理装置の一実施例について、図面を参照して説明する。図１は、このプラズマ処理装置の一実施例の縦断面図である。
　【００１４】気密な処理容器１は、導電体、例えばアルミニウムにより形成され、シールド効果を得るために、電気的に例えば接地されている。又、このアルミニウムの内壁面は、絶縁膜である酸化膜が形成されている。前記処理容器１内の中央部に図示されない搬送装置により搬入され載置される被処理体２が設けられている。この被処理体２としては、例えば８インチ又は１２インチ径の半導体ウエハ、又は液晶表示装置を形成する薄膜型トランジスタを形成する例えば６００ｍｍ×６５０ｍｍ角のガラス基板がある。
　【００１５】この被処理体２は、予め定められた位置に仮固定、例えば静電チャック３の上に載置され、静電力により吸着保持される。この静電チャック３の構成は、銅箔をポリイミドの絶縁膜によりサンドイッチ構造にされて形成され、前記静電チャック３を取り付けた載置４を通り抜ける配線５及びこの配線５を取り囲んだ同軸構造の絶縁体６により、スイッチ７を介して静電チャック電圧を発生するための直流電圧を発生する直流電源８の一端に接続されている。
　【００１６】この直線電源８の他端はアースに接続され、直流電圧、例えば２ＫＶを前記静電チャック３に印加することで、前記被処理体２をプラズマ処理中吸着保持する構成されている。前記載置台４は、導電体、例えばアルミニウムで形成され、下部電極として機能する様構成されている。又、この載置台４の表面は吸着面として作用し、材質は絶縁膜である酸化膜が形成されている。前記載置台４の内部には、配線９が接続され、この配線９により更にマッチング回路１０を介して高周波電源１１が接続されている。
　【００１７】この高周波電源１１より供給される高周波、例えば数百ＫＨｚにより、前記載置台４は、プラズマ中のイオン又は活性種を被処理体２に対して垂直方向に引き込むことで、プラズマ処理速度を高める機能をする様に構成されている。
　【００１８】前記載置台４には、プラズマ処理中の被処理体２を所定の温度に保つ為に、前記載置台４の内部に温調された媒体を循環させることで温度制御する温度調整機構１２が設けられている。この温度調整機構１２に用いられる媒体としては、０℃〜常温としてはクーラント液が、−１８０℃〜＋１０℃の温度範囲では、温調された液体窒素が用いられ、前記載置台４の内部に形成されたジャケット及びタンクの中を循環することで、温度調整を行う様に構成されている。更に、前記載置台４の温調機構として上記温調された媒体の循環に加えて、セラミックヒータを積層させて、電圧を印加して過熱することで前記冷却手段の温調の精度をより高めることと、前記載置台４の載置面近傍に埋め込んだ熱電対による検温をフィールドバックさせることで前記温度調整機構１２のコントロールを行い、正確な温度コントロールを達成することが出来る様に構成されている。
　【００１９】前記載置台４は、処理容器１との間に絶縁台に、例えばセラミック板を設けることで電気的に絶縁されることで被処理体を載置する下部電極として機能する様に構成されている。更に、前記載置台４には垂直方向に上下動可能な３本のプッシャーピンが設けられ、前記静電チャック３を貫通して、このプッシャーピンが上昇し、被処理体２をこれら３本のプッシャーピンが受け取り下降することで、前記被処理体を静電チャック３の所定位置に載置する様に構成されている。
　【００２０】又、前記静電チャック３と被処理体２の裏面との間には、前記静電チャック３に設けられた開口４１よりバッククーリングガス、例えばＨｅガスをバッククーリングガス供給管４２を供給して、真空雰囲気中でプラズマ処理される被処理体２へ載置台４の温度を熱伝達する様に構成されている。このバッククーリングガスの熱伝達は主として、Ｈｅガスのガス圧により決定されるので、被処理体の裏面と載置面との間のわずかな空間の圧力を圧力調整するバッククーリングガスが静電チャック３を介して被処理体２の裏面側へ供給される様に構成されている。
　【００２１】又、前記静電チャック３上の前記被処理体２を載置した外周部には、フォーカスリング４０が前記被処理体２を取り囲んで、高さ方向では載置された前記被処理体２の被処理体面よりも高い高さを持ったドーナツ形状で設けられている。このフォーカスリングは、誘電体、例えば石英で形成し、プラズマを前記被処理面に集中させて、プラズマ処理の効率を高める働きをする様に構成されている。
　【００２２】次に、前記処理容器１の内部は、所定の真空圧、例えば数Ｔｏｒｒ乃至１×１０−８Ｔｏｒｒの所定圧力に設定可能な様に、前記処理容器１の底面に設けられた排気口１４に接続された排気管１５が、開閉可能なバルブ１６を介して排気手段１７に接続されて、この排気手段１７としては、ドライポンプにより排気し、予め定められた圧力でターボ分子ポンプに切り換えて排気するようになっている。更に、前記処理容器１の側壁には、開閉可能なゲートバルブ１８が設けられ、前記被処理体２には、このゲートバルブ１８を介して、処理容器１内へ搬入搬出される様に構成されている。
　【００２３】更に、前記処理容器１内の前記載置台４に載置され、前記静電チャック３により固定された被処理体２に対向配置して、ほぼ同じ大きさの平面を有し、多数の噴出子からなる開口によるシャワーヘッド１９が設けられている。このシャワーヘッド１９は、材質は誘電体、例えば石英により形成され、誘導手段により形成される電磁場に対して障害を与えない様に材質的に工夫されている。
　【００２４】このシャワーヘッド１９の開口部は、全体として被処理体２の被処理面より広い面積を持ち、その面積内に直径０．５〜２ｍｍ径の孔を隣り合う孔同士が等間隔で、例えば２〜１０ｍｍ間隔で並べられている。この様の構成により、このシャワーヘッド１９より供給されるガスが、被処理体２で被処理面に対して均一に供給される様に構成されている。このシャワーヘッド１９は、前記処理容器１の側壁を介して配管２０により開閉可能なバルブ２１に接続されている。更にこのバルブ２１には、マスフローコントローラ２２を介して、不活性ガス供給手段２３と、マスフローコントローラ２４を介して処理ガス供給手段２５とが、共通の配管２６に接続されることで各々共通配管されるように構成されている。前記不活性ガス供給手段２３からは不活性ガス、例えばＡｒ（アルゴン）、Ｘｅ（キセノン）Ｎ２（窒素）、Ｈｅ（ヘリウム）が供給される様に構成されている。
　【００２５】前記処理ガス供給手段２５からは、被処理体２のプラズマ処理内容に対応した単独又は複数の処理ガス、例えば２５６ＫＤＲＡＭから１ＭＤＲＡＭにかけて、ゲート電極およびビット線配線にＣＶＤによるＷＳＩｘ膜が多く使われてきており、４ＭＤＲＡＭ以降にも低抵抗の高融点金属シリサイドであるＷＳＩｘ膜が使われてきている。この高融点金属膜を形成するのに処理ガスとしてＳｉＨ４ガスを使った低温ＷＳＩｘ膜や、ＳｉＨ２Ｃｌ２ガスを使った高温ＷＳＩｘ膜の形成等のようにそれぞれの目的に応じて選択又は組み合わせすることが可能である。又、前記不活性ガス供給手段２３と、前記処理ガス供給手段２５とは、前記共通配管２６を介してそれぞれのガスを混合してシャワーヘッド１９を介して供給することが可能であるが、シャワーヘッド１９までそれぞれ独立した配管を設けて、前記シャワーヘッド１９内の複数の拡散板において始めてガスを混合する構成とすることも可能である。
　【００２６】更に、前記処理容器１を構成し、前記載置台４に載置され、ぜ静電チャック３により固定された被処理体２に対向した上部壁面は、誘電体２７の窓が設けられている。この誘電体２７は、材質としては例えば石英により形成され、サイズとしては前記被処理体２の被処理面により１０〜１００％面積が大きく、配置被処理面の対向領域で、被処理面をカバーする様に設けられている。
　【００２７】この誘電体２７は、前記処理容器１の外部に設けられる誘導手段による電磁場の障害とならない材質が望ましい。必要に応じて電磁場の制御を可能とする材質でも良い。電磁場の制御は、例えば中央部と周辺部とで均一化である。更に、生起されたプラズマを安定して維持するのに十分な形状である必要がある。前記処理容器１内へ真空圧力に応じた耐圧を持たす為、厚さ３０〜５０ｍｍの石英板を用いるが、大気圧との圧力差に耐えれなければ、この誘電体２７の両サイドにそれぞれ真空室を設けて差圧を少なくする技術を用いると良い。
　【００２８】更に、この誘電体２７の上部、すなわち前記被処理体２に対向配置して、誘導手段２８が設けられている。この手段２８は、例えばコイルであり、例えば平面コイルが望ましい。巻数は周波数にもよるが、１ターン程度で良い。この誘導手段２８には、電気配線２９を介してマッチング回路３０と更に高周波電源３１とが接続されている。
　【００２９】前記誘導手段２８としては、略平面状の渦巻型コイルが材質として、厚さ１〜５ｍｍの銅板又は外径３〜５ｍｍ、内径１〜４ｍｍの銅パイプをそれぞれ渦巻型に例えば１ターンだけ成形して得られるコイルにより形成されている。前記高周波電源３１としては、高周波１ＭＨｚ〜２００ＭＨｚを供給可能であり、更に低周波数百ＫＨｚと混合して供給することもプラズマ処理の内容に応じて可能である。
　【００３０】以上の様に、プラズマ処理装置は構成されている。次に、このプラズマ処理装置の動作について説明する。被処理体２は、処理容器１に搬入されるに先立って、通常ロードロックと呼ばれる図示しない真空予備室で所定の真空雰囲気、例えば１×１０−２Ｔｏｒｒの圧力下に置かれる。この真空予備室と処理容器１とはゲートバルブ１８を介して連通可能されている。
　【００３１】前記真空予備室との連通に先立ってゲートバルブ１８が閉じられた状態で、前記処理容器１内は、排気手段１７により所定の圧力、例えば約ｎ×１０−２Ｔｏｒｒ（１≦ｎ≦９、ｎは整数）まで真空排気する。次に図示しない前記真空予備室内に設けられた搬送装置、例えば搬送ロボットにより、前記被処理体２は、前記処理容器１内に搬入され、静電チャック３の上で、図示しない３本のリフトピンが上昇して、搬送ロボットによりこのリフトピンが受けとる。この３本のリフトピンが降下することにより、前記静電チャック３の上に前記被処理体２は載置される。次に、前記静電チャック３に直流電源８の直流電圧、例えば２ＫＶをスイッチ７をＯＮすることにより印加されている。
　【００３２】前記被処理体２に対向配置されたシャワーヘッド１９からは、不活性ガス供給手段により供給された不活性ガス、例えばＡｒ（アルゴン）ガスが導入される。前記処理容器１内の圧力は、所定の真空圧力、例えば１×１０−２Ｔｏｒｒになる様に排気手段１７とバルブ１５の制御により設定されている。
　【００３３】次に誘導手段２８に高周波電源３１より供給される高周波電圧、例えば１３．５６ＭＨｚが印加され、前記処理容器１内でプラズマが生起される。この不活性ガスのプラズマの生起は、所定の時間、例えば１〜１２０ｓｅｃの間の時間連続されると、不活性ガスの導入と、高周波電圧の誘導手段２８への印加が停止されることにより、前記プラズマは停止される。前記プラズマの生起時間は長時間は好ましくなく、数秒間、例えば１乃至３秒間が最も望ましい。何故ならば、長時間のプラズマ生起は、被処理体に不必要な処理を行うことになる。又、この数秒間の不活性ガスによるプラズマ生起後、処理装置を３０分間放置しても、その後の処理ガスのプラズマ生起が容易になる事実を本発明者は確認している。
　【００３４】本発明者は、この数秒間の不活性ガスのプラズマ化は、前記被処理体２の被処理面及び前記処理容器１の内壁面、前記載置台４の露出表面、前記フォーカスリング４０の表面等の電気的条件を、プラズマ生起に向けて整えるものと考えられている。
　【００３５】次に処理ガス供給手段２５より処理ガスを、例えばエッチングガスのＣＨＦ３を前記シャワーヘッド１９を介して前記処理容器１内に導入し、処理容器１内を所定のプロセス圧力、例えば１×１０−３Ｔｏｒｒに設定する様に排気手段１７とバルブ１６により真空排気する。処理ガスとしてはＣＶＤガス、スパッタガス、イオン注入ガスなど処理の種類に応じて選択する。
　【００３６】次に誘導手段２８に高周波電圧が印加され、前記処理容器１内に処理ガスのプラズマを生起する。又、載置台４には、高周波電源１１より高周波として１ＫＨＺ乃至２００ＫＨＺの周波数帯の中から選ばれた周波数、例えば１００ＫＨｚを印加する。次に、前記被処理体２の裏面側へ熱伝達を目的としたバッククーリングガス、例えばＨｅガスを前記静電チャック３に開口した開口４より供給し、載置台４の温度調整機構１２の温度を、前記被処理体２へ伝え、被処理体２を所定のプロセス温度に設定する。前記処理ガスのプラズマにより所定時間だけ被処理体２の処理を行う。
　【００３７】次に、被処理体２のプラズマ処理が終了したら、処理ガスの供給と誘導手段２８への高周波電圧の印加と載置台４への高周波電圧の印加とを停止し、プラズマを停止する。次の被処理体裏面へのバッククーリングガスの供給が停止され、次に静電チャック３への電圧印加が停止される。
　【００３８】その後、被処理体２の搬出工程を行う。即ち、前記処理容器１内の処理ガス及び反応生成物は、一度所定の真空圧力まで真空排気された後、シャワーヘッド１９より不活性ガス、例えばＮ２（窒素ガス）が供給し、所定の真空圧力、例えば１×１０−２ＴｏｒｒのＮ２ガス雰囲気に設定し、真空予備室の圧力に等しいか、わずか負圧に設定した後、ゲートバルブ１８が開口する。この時、図示しないリフトピンにより上昇された前記被処理体２は、図示しない搬送装置により保持され、前記真空予備室へ搬送される。
　【００３９】以上の様に、プラズマ処理装置は動作する。以上の説明においては、不活性ガスのプラズマを完全に停止した後、処理ガスを導入して処理ガスのプラズマを生起する例について述べた。この方法の優れた点は、処理ガスの導入時の真空圧力を不活性ガス導入時の真空圧力に依存することなく切り離して、処理ガスのプラズマ化を行うプロセス圧力に設定することが可能である為、処理ガスのプラズマの立ち上げの安定化が容易である点と、プロセス圧力が変動しないだけ、処理結果が被処理体ごとに異ならず、安定している点にある。
　【００４０】それに対して、処理ガスのプラズマ立ち上げの安定化に着目すれば、不活性ガスによるプラズマの停止前と、処理ガスの導入としてプラズマ発生後、即ち、不活性ガスと処理ガスのプラズマを重ね合わせることにより、不活性ガスのプラズマから、処理ガスのプラズマへと順次導入ガスの比較を切り換えることで最終的に１００％の処理ガスのプラズマ化を行うことも可能である。この場合も、最初の例と同じく、処理ガスの導入に先立って不活性ガスを導入しプラズマ化しておくことで、より低い真空圧力ｎ×１０−３Ｔｏｒｒ（１≦ｎ≦９、ｎは整数）〜ｎ×１０−８Ｔｏｒｒの領域でのプロセスガスのプラズマ生成の立ち上げが、不活性ガスの導入とそのプラズマ化を行う場合に比較して容易となる。
　【００４１】又、不活性ガスのプラズマ化はｎ×１０−２Ｔｏｒｒ付近でも数秒間でも十分に処理ガスのプラズマ立ち上げに効果があることが、実験により確かめられており、更にｎ×１０−２Ｔｏｒｒ付近の真空圧下で不活性ガスのプラズマ化を数秒間行った後、不活性ガスの導入を停止し、真空排気により所定の真空圧力、例えばｎ×１０−３Ｔｏｒｒを維持して、約３０分間経過した後、Ｎ×１０−３Ｔｏｒｒの圧力で処理ガスを導入してプラズマの立ち上げを行う実験においても、十分に容易にプラズマ生起できることを、本発明者は確認している。
　【００４２】次に、本発明のプラズマ処理方法の一実施例を図１に示した。プラズマ処理装置を用いて実施した場合のフローチャートを、図２を用いて説明する。図３は、このフローチャートに示されたプロセスを実施した時の処理容器１内の圧力の変化を示すグラフである。
　【００４３】図２において、ステップ１：処理容器１内に被処理体２を搬入し載置する。
ステップ２：ゲートバルブ１８を開口して、気密にされた処理容器１内を所定圧力、例えば１×１０−４Ｔｏｒｒまで排気手段１７により真空排気する。
ステップ３：不活性ガス供給手段２３より不活性ガス、例えばＡｒ（アルゴン）を導入して、処理容器１を所定の圧力、例えば１×１０−２Ｔｏｒｒまで真空排気する。
　【００４４】ステップ４：高周波電源３１より高周波電圧を誘導手段２８に印加し、数秒間プラズマを生起する。
ステップ５：不活性ガスの導入を停止し、同時に高周波電圧も印加を停止する。
ステップ６：処理ガスを処理ガス供給手段２５より、シャワーヘッド１９を介して処理容器１内へ導入する。
　【００４５】ステップ７：処理ガスを導入しながら、処理容器１内を所定圧力１×１０−３Ｔｏｒｒに設定する。
ステップ８：高周波電圧を誘導手段２８に印加し、処理容器１内にプラズマを生成する。
ステップ９：プラズマにより被処理体２を処理する。
ステップ１０：処理ガスの導入を停止し、同時に高周波電圧も印加を停止する。
　【００４６】以上のステップを実行することにより、不活性ガスのプラズマはステップ４乃至ステップ５に関し数秒間生起される。更に、処理ガスのプラズマ処理時間、例えば６０秒〜１２０秒間生成される。
　【００４７】以上述べたプラズマ処理方法の優れた点は、第１に処理ガスのプラズマの立ち上げを容易に行うことが出来、プラズマの生成を安定させることが出来る点にある。第２に優れた点は、不活性ガスによるプラズマ生起後、不活性ガスの導入が停止されているので、処理ガスに不活性ガスが混入して処理ガスの希釈が行われないので、均一なプラズマ処理を行うことができる点にある。
　【００４８】次に、本発明の第二の実施例について説明をする。誘導手段を用いたプラズマ処理装置は、プラズマを生成することの出来る真空圧力範囲が数Ｔｏｒｒから１×１０−６Ｔｏｒｒと広範囲に広がっているのが特徴である。しかし、１×１０−３Ｔｏｒｒより低い圧力において、処理ガスを導入してプラズマの立ち上げを行うことは困難である為、不活性ガスを比較的高い圧力、例えば数Ｔｏｒｒ乃至１×１０−２Ｔｏｒｒの範囲内の所定圧力でプラズマ化した後に、処理ガスのプラズマ化する技術については、先に述べた通りである。
　【００４９】しかし、処理ガスが不活性ガスにより希釈される点を除くと、不活性ガスによるプラズマを生成した状態で処理ガスを導入して順次、処理容器１内の雰囲気を処理ガスのプラズマに置き換え、同時に前記処理容器１内の圧力を所定の処理圧力、例えば１×１０−４Ｔｏｒｒに設定してゆくことで、比較的容易に処理ガスのプラズマを立ち上げて、被処理体２のプラズマ処理を行うことが出来る。
　【００５０】この実施例のフローチャートを図４に示す。このフローチャートも図１で示したプラズマ装置を用いて説明を行う。
　【００５１】図２に示した第一の実施例のフローチャートと、図４に示した第二の実施例との相異は、図４のステップ４において、誘導手段２８に高周波電圧を印加して、ステップ３において不活性ガスを導入した後、ステップ４においてプラズマを生起した後、このプラズマを維持しつつステップ６において処理ガスを導入する点にある。この間ステップ５において、不活性ガスのプラズマを維持しつつ、処理容器内の圧力は処理ガスによるプラズマ処理を行う所定圧力まで排気されるので、ステップ６において、処理ガスが導入される圧力は、前記所定圧に１×１０−３Ｔｏｒｒになっている。この様なステップを経由することで、処理ガスによるプラズマ処理の開始時の圧力が変動することなくプラズマも安定して生起できるので、処理内容を安定させることが出来る。
　【００５２】そして、次のステップにおいて、処理ガスの導入と交替して、不活性ガスの導入が停止され、プラズマは１００％処理ガスより生成される。以上のプラズマ処理方法によれば、誘導手段を用いたプラズマ生成を利用した処理装置は、従来の平行平板型対向電極を用いたプラズマ生成を利用した処理装置で達成が困難であった真空圧力領域、例えば１×１０−３Ｔｏｒｒ乃至１×１０−６Ｔｏｒｒにおいてもプラズマ処理を実施することが出来る。更に、第二の実施例の優れた点は、処理容器内に生起したプラズマを途中で停止させることなく、処理ガスによるプラズマに切り換えるので、不活性ガスによる処理ガスの希釈に応じたプラズマ処理の変化を選択出来ることにある。
　【００５３】以上プラズマ処理方法について述べたが、これらのプラズマ処理に用いられる不活性ガスとしては、Ａｒ（アルゴン），Ｘｅ（キセノン），Ｋｒ（クリプトン），Ｈｅ（ヘリウム），Ｎ２（窒素）ガスを、処理ガスの選択に応じて選ぶことが出来る。又、プラズマ処理としては、エッチング処理、成膜処理、アッシング処理があり、目的とする処理内容に応じて処理ガスを選択することが出来る。具体的なプラズマ処理と処理ガスについて、その代表的な例を以下に述べる。例えば、ガラス基板上に薄膜型トランジスター（Ｔｈｉｎ　Ｆｉｌｍ　Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）を形成して、このトランジスターの駆動により、画素電極と対向電極との間に封入された液晶をＯＮ／ＯＦＦして表示する液晶表示装置の前記薄膜型トランジスタの製造工程におけるプラズマ成膜処理とその成膜の種類と処理ガスとの一覧表を【表１】に示す。
　【表１】
又、前記液晶表示装置の前記薄膜型トランジスターの製造工程におけるエッチング処理の対象とその処理ガスの一覧表を【表２】に示す。
　【表２】
以上のプラズマ処理と処理ガスの例について述べたが、不活性ガスとしては、以上のプラズマ処理に対しては、Ａｒ（アルゴン）ガスを用いて、プラズマを先行に生起することが出来る。この不活性ガスの種類の選択は、処理ガスの種類とプラズマにより実行される処理内容に応じて、処理に悪影響を与えないガスを選択することが出来る。
　【００５４】次に本願発明の処理装置及び処理方法をクラスターツール型処理システムに適用した好適な実施例について図面を用いて説明する。図５は、クラスターツール型処理システムの断面模式図である。気密な共通搬送室１００内には、被処理体を搬送する搬送装置１０１が設けられている。前記共通搬送室１００の側壁には、複数のゲートバルブ、例えば３個のゲートバルブ１０２、１０３、１０４が開閉可能に設けられている。更に各々のゲートバルブ１０２、１０３、１０４には、気密な処理容器１０５、１０６、１０７が接続され、前記共通搬送室１００の周囲に放射状に配置され、ゲートバルブ１０２、１０３、１０４の開口により前記共通搬送室１００と前記処理容器１０５、１０６、１０７が選択的に各々連通可能に設けられている。
　【００５５】これらの処理容器１０５、１０６、１０７のうち少なくとも一つには、本願発明の誘導手段によりプラズマを生起することで被処理体を処理する処理装置を適用して構成することが出来る。従って、図５の処理容器１０５、１０６、１０７の各々の中央部には模式的に誘導手段１０８、１０９、１１０、例えば平面状の渦巻型コイルを図示している。又、処理容器１０５、１０６、１０７として従来多く用いられている平行平板型プラズマ処理装置や、熱ＣＶＤ装置、ＥＣＲ型プラズマ処理装置、スパッタリング装置、アッシング装置、エッチング装置等を目的とする処理内容に対応して組み込むことが出来ることは言うまでもない。
　【００５６】更に、前記処理容器１０５、１０６、１０７と前記共通搬送室１００との連通は、いずれか一つだけのゲートバルブを同時に開口する為、互いに処理内容が他の処理中の被処理体に影響を及ぼさない様に制御されている。更に、前記処理容器１０５、１０６、１０７の処理内容は、同じ処理の並列処理、すなわち複数の被処理体に対して同じ処理を行っても良いし、同一の被処理体を順次、例えば処理容器の順番を１０５、１０６、１０７に搬入・搬出して直列的につなげて一連の処理を実施することも可能である。この直列処理の具体的実施例としては、被処理体としてコーニング社製のガラス製基板上に３層の成膜、ａ−Ｓｉ膜（アモルファス・シリコン膜）、ＳｉＮｘ（窒化シリコン膜）、ｎ＋型ａ−Ｓｉ膜を形成して薄膜型トランジスターを製造するプラズマＣＶＤ装置があげられる。このプラズマＣＶＤ装置のプラズマ源に誘導手段を用いることで、広い面積の被処理体に均一なプラズマ処理を実施できる。この際に用いられる誘電体のクリーニング手段に、前に述べた第一実施例及び第二実施例の不活性ガス又は、そのプラズマを用いてクリーニングする手法を適用することが出来る。又、共通搬送室１００内の圧力よりも処理容器１０５、１０６、１０７内の真空圧力を低く設定することで、これらの処理容器内の処理ガスが他の処理容器や搬送装置に悪影響を与えない様に構成している。
　【００５７】共通搬送室１００の側壁に設けられたゲートバルブ１１１を介して予備真空室１１２が設けられ、ゲートバルブ１１１の開口により前記共通搬送室１００と連通可能に設けられている。この予備真空室１１２は、処理室１０５、１０６、１０７での処理に先立って被処理体を所定の温度まで加熱することで処理時間を短縮する目的の予備加熱処理や処理室で処理に伴って加熱された被処理体をカセットに収納したり、所定場所に載置する為に加熱された熱で接触部を傷めない所定温度まで冷却する処理を行う。
　【００５８】前記予備真空室１１２内は、前記処理室１０５、１０６、１０７及び前記共通搬送室１００内より高い圧力の所定の真空圧力、例えばｎ×１０−３Ｔｏｒｒ〜ｎ×１０−２Ｔｏｒｒの圧力に維持され予備加熱手段としては、被処理体の載置台に設けられた電気抵抗体による発熱を利用するものや、ランプによる被処理体の直接加熱等を利用するものがある。又、冷却手段としては、被処理体の載置台に冷媒例えばクーラントや、液体窒素を循環させることにより所定温度まで冷却可能である。更にこれらの予備加熱及び冷却を多層の段に組み入れて複数枚の被処理体を各々所定温度に処理することも適宜可能である。
　【００５９】前記共通搬送室１００内に設けられた搬送載置１０１は、前記予備真空室１１２と前記複数の処理容器１０５、１０６、１０７との間で被処理体の搬送を行う。更に、前記予備真空室１１２の側壁には、ゲートバルブ１１３が、前記ゲートバルブ１１１と対向配置されている。前記ゲートバルブ１１３を介して、前記予備真空室１１２は、気密な第２の搬送室１１４と連通可能に設けられている。この第２の搬送室１１４内には、第２の搬送装置１１５が設けられている。
　【００６０】更に、この第２の搬送室１１４の前記ゲートバルブ１１３と対向位置にある側壁には、ゲートバルブ１１５が設けられている。このゲートバルブ１１５を介して、前記第２の搬送室１１４は、カセット室１１６に連通可能に設けられている。このカセット室１１６内には、複数、例えば２５枚の被処理体を水平位置に収納可能なカセット１１７を少なくとも１つ載置する図示しない載置手段が設けられている。前記カセット室１１６の前記ゲートバルブの対向位置の側壁にはゲートバルブ１１８が設けられ、処理システムの外部と開口により連通可能に設けられている。
　【００６１】以上の様に構成された処理システムの動作について説明する。他の処理システム、例えば半導体製造工程からロボット（ＡＧＶ）等の自動搬送システムによりカセットに収納された被処理体が、カセットごとゲートバルブ１１８を介してカセット室１１６内の所定位置に設けられている載置台上に位置決めされ載置される。ゲートバルブ１１８が開口しカセット室１１６内が不活性ガス、例えばＮ２により置換されると、ゲートバルブ１１５が開口し、隣室の第２搬送室１１４内の第２の搬送装置１１５により、カセット１１７内の被処理体が枚葉ごとに搬出され、予備真空室１１２内の予備加熱手段の所まで搬送される。
　【００６２】次にゲートバルブ１１３が閉じて、予備真空室１１２内が所定圧力まで排気され、被処理体の予備加熱が完了すれば、ゲートバルブ１１１が開口し、搬送装置１０１が予備真空室１１２内に進入して来て被処理体を受け取り、共通搬送室１００内へ搬送し、ゲートバルブ１１１が閉じる。
　【００６３】次に共通搬送室１０１から、選択された処理容器１０５、１０６、１０７へ被処理体が搬送装置１０１により搬入され、所定の処理が順次実施される。次の処理の終了した被処理体は以上の逆のコースをたどって、カセット室１１６内の所定のカセット１１７内まで搬送され収納される。以上が一連の処理動作である。
　【００６４】以上の様に構成され動作する処理システムにおいて、処理装置内の誘電体への反応生成物等の付着に対するクリーニングの実施は、処理システム全体を停止したり、装置を分解したりすることが少なく、出来るだけ、処理と並行して実施されることが求められている。本願発明の処理方法をこの処理システムに適用することで、クラスター型処理システムの全体を停止しなくとも個々の処理装置内で、他の処理装置における被処理体の処理と並行してクリーニングを実施でき、生産効率の向上に多大な寄与をすることができる。
　【発明の効果】　本発明のプラズマ処理方法によれば、気密な処理用内に不活性ガスによるプラズマを先行して生起することにより、被処理体を処理する処理ガスのプラズマを容易に立ち上げ安定化させることが出来るので、プラズマによる被処理体の処理を安定させることが出来る。
【図面の簡単な説明】
　【図１】本発明のプラズマ処理方法を実施するプラズマ処理装置の一実施例を示す縦断面図である。
　【図２】本発明のプラズマ処理方法の一実施例を示すフローチャートである。
　【図３】図２に示したフローチャートに従ってプラズマ処理を行った時の処理容器内の圧力変化を示すグラフである。
　【図４】本発明のプラズマ処理方法の他の実施例を示すフローチャートである。
　【図５】本願のプラズマ処理装置を組み込んだクラスターツール型処理システムの一実施例を示する模式図である。
　【符号の説明】
　　１　処理容器
　　２　被処理体
　　３　静電チャック
　１９　シャワーヘッド
　２８　誘導手段
　３１　高周波電源