【事件の表示】
　特許第３３１８４９８号「半導体素子実装用回路基板」の請求項１、２に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第３３１８４９８号の請求項１、２に係る特許を取り消す。
【理　由】
I．手続きの経緯
　本件特許第３３１８４９８号の請求項１、２に係る発明は、平成８年１２月２７日に特許出願され、平成１４年６月１４日にその特許の設定登録がなされた後、本件請求項１、２に係る発明の特許に対して、特許異議申立人雨山範子（以下、「申立人」という）により平成１５年２月２６日付けで異議申し立てがなされ、平成１５年６月２５日付けで取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１５年９月２日付けで意見書の提出がなされたものである。
　
II．当審の判断
II．−１．本件発明
　本件請求項１、２に係る発明は、本件明細書の特許請求の範囲の請求項１、２に記載された次のとおりのものである。
「【請求項１】４０乃至４００℃に於ける熱膨張係数が８乃至２５ｐｐｍ／℃の絶縁基板と該絶縁基板表面に配設されたメタライズ配線層とを備えた配線基板の表面に、接続用電極を備えた半導体素子を載置し、前記配線基板のメタライズ配線層と前記半導体素子の接続用電極とをロウ付し、且つ前記配線基板と前記半導体素子との間に少なくとも熱硬化性樹脂を含む充填剤を注入、硬化して成る半導体素子実装配線基板であって、前記充填剤の硬化後の４０乃至４００℃に於ける熱膨張係数が２０乃至５０ｐｐｍ／℃、前記温度範囲に於けるヤング率が５乃至１０ＧＰａであることを特徴とする半導体素子実装配線基板。
【請求項２】前記熱硬化性樹脂が、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂のいずれかである請求項１記載の半導体素子実装配線基板。」（以下、「本件発明１、２」という）
　
II．−２．引用刊行物に記載された発明
　当審で通知した取消理由で引用した本件特許に係る出願の出願前に頒布された刊行物１、２（以下、「引用例１、２」という）には、以下の事項が記載されている。
（１）引用例１（特開平８−８３００号公報）には、
（１−１）「１．半導体集積回路が形成してなるＬＳＩチップと，該ＬＳＩチップの搭載される基板と、該基板と前記ＬＳＩチップとの対向する電極端子間に形成された電気的な接続部と、該電気的な接続部周囲の空隙部を充填するように形成されてなる樹脂層とを有するＬＳＩ実装構造体において、該樹脂の常温における縦弾性係数が５〜１０００ｋｇｆ／ｍｍ２で、かつ該樹脂の熱膨張係数が１８〜４０×１０−６／℃であることを特徴とする半導体集積回路実装用樹脂。
５．特許請求の範囲第１項もしくは第３項において、該電気的な接続部ははんだバンプであることを特徴とする半導体集積回路実装用樹脂。
７．特許請求の範囲第１項、第３項、第５項のいずれかにおいて、該樹脂はエポキシ樹脂もしくはシリコーン樹脂であることを特徴とする半導体集積回路実装用樹脂。」（特許請求の範囲１、５、７）が記載されている。
（１−１−ａ）ここで、「縦弾性係数５〜１０００ｋｇｆ／ｍｍ２」はヤング率に換算すれば「０．０４９〜９．８ＧＰａ」であり、「熱膨張係数１８〜４０×１０−６／℃」はそのまま「熱膨張係数１８〜４０ｐｐｍ／℃」と等価であると認められる。　
（１−２）「…略…表示デバイスの基板であるガラス板上に回路を形成し、ＬＳＩチップを搭載し、接続を行なうものである。このような技術は、液晶表示装置の他、エレクトロルミネッセンス、エレクトロクロミックなど平面ディスプレイ前半にわたって求められているものである。」（第２頁【０００４】欄）が記載されている。
（１−３）「本発明はＬＳＩチップを基板にフリップチップ法で実装し、樹脂補強してなるＬＳＩ実装構造体において、用いる樹脂の特性を最適化し、半田接続部の熱疲労破断を防ぐだけでなく、ＬＳＩチップに形成されている微細配線に加わる熱応力をも低減し、高い信頼性を有するＬＳＩ実装構造体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
　フリップチップ接続によって実装された実装構造が熱疲労によって破壊されるメカニズムとしては、実験及び解折などにより、ＬＳＩチップと基板との熱膨張の違いによる熱応力を半田バンプが受け、半田が繰返し歪みによって破断し、接続部の断線に到ることは良く知られた事実である。従って、これを解決する最も単純な方法はチップと基板の熱膨張係数を一致させることであるが、実用的に考えると汎用の基板材料が使えない事になり実現性に乏しい。」（第３頁【０００８】〜【０００９】欄）が記載されている。
（１−４）「本発明を実現するために用いられる樹脂としては未硬化の状態で流動性が有りチップと基板の摩擦にボイドなしで充填可能であり、加熱などの手段により硬化して所望の物性を示すものが用いられる。」（第３頁【００１９】欄）が記載されている。
（１−５）「（４）実装構造体の説明
　図６に示すように、予め蒸着法などにより接続端子面に半田バンプが設けられたＬＳＩチップを、その接続端子面を上向きにして予熱板上に載置する。半田の組成はＰｂ−５％ｓｎ（融点約３１０℃）であり、半田には予めロジン系フラシクスを塗布した。次にチップを配線基板上に接続装填する工程を図６を参照しながら説明する。まず、予熱ヒータ（１９）によりＬＳＩチップ側から全体を１００℃で基板に予熱す。しかる後、赤外線ランプ（１６）により半田バンプに赤外線を照射し、半田を溶融する。直ちに赤外線ランプ及び予備ヒータを切ると共に、冷却管（２０）に冷却水を流して冷却を行う。尚、半田の溶融時間は約１秒である。次に、樹脂補強の工程を図７を用いて説明する。こうして作製した実装構造体を溶剤で洗浄した後、チップ周辺に前記した樹脂組成物（１）をマイクロディスペンサなどにより所定量載置する。表面張力を利用して該樹脂をチップ（２）と基板（５）が作る間隙に完全に充填する。充填の様子は超音波法によって検査される。その後、表１あるいは表２に併記された条件で加熱硬化される。」（第４頁【００２９】〜【００３３】欄）が記載されている。
（１−６）「Ｅ−２の縦弾性係数７８０ｋｇｆ／ｍｍ２、熱膨張係数２６×１０−６／℃、及びＥ−４の縦弾性係数６９０ｋｇｆ／ｍｍ２、熱膨張係数２９×１０−６／℃」（第４頁【００３４】欄、明細書第５〜６頁【００３９】欄に、実施例１、２として記載された、Ｅ−２、Ｅ−４のデータ）が記載されており、各縦弾性係数は、ヤング率換算でそれぞれ、（Ｅ−２で、７．６ＧＰａ、Ｅ−４で、６．７ＧＰａ）であり、同様に、各熱膨張係数は、（Ｅ−２で、２６ｐｐｍ／℃、Ｅ−４で、２９ｐｐｍ／℃）である。
（１−７）「比較例及び実施例について、初期チェックを行なった後、上記した温度サイクル試験を実施し、基板周辺に設けられた端子を介して実装構造体の接続状態を調べた。温度サイクル条件は、−５５〜１５０℃で、−５５℃を３０ｍｍ、１５０℃を３０ｍｍの１時間１サイクルの周期である。同一の動作にある実装構造体を少なくとも１０個試験し、３種の実装構造体に断線が認められるまで試験を継続した。この時のサイクル数をＮｆ５０とした。Ｎｆ５０とはサンプル数に体して５０％のサンプルが破壊した時の寿命を示す。また、断線した実装構造体については、断面研磨などの方法により断線部位の特定を行い、断線モードを判定した。」（第５頁【００３７】欄）が記載されている。
（２）引用例２（特開昭５３−２１７７１号公報）には、
（２−１）「従来、取付基板としてセラミツク材を使用し、このセラミツク基板に半導体チツプをボンデイングする場合にはセラミツク自体に強度があることとセラミツクと半導体チツプとに熱膨張係数の差がそれほど大きくないため、基板にクラツクが発生したり或いは電子部品の破損という点についてそれほど問題はなかった。ところが、取付基板としてガラス材を使用し、このガラス基板に半導体チツプをボンデイングする場合には、ガラス基板の熱膨張係数（８０〜１００×１０−７／。ｃ）と半導体チツプの熱膨張係数（３０×１０−７／。ｃ）の差が大きいこと、ガラス基板自体の強度が低いことから、温度サイクルテストにおいてその歪により基板にクラツクが発生したり或いは電子部品が破損したりする不都合が生じていた。本発明はこのような不都合を解決するための取付け構成であり、図面にしたがって以下説明するに、１はガラス基板、２はガラス基板１上に設けられた配線導体、３は半導体チツプ、４はボンデイング用の半田である。そして、上記のガラス基板１と半導体チツプ３の間に、これらガラス基板１と半導体チツプ３に固着させた樹脂材からなる絶縁層５を形成したものである。前記絶縁層５は例えばエポキシ樹脂、シリコン樹脂、光硬化樹脂等の樹脂材で構成させ、熱膨張係数の差による歪をこの絶縁層５で吸収させることによりクラツクの発生、電子部品の破損を防止させたものである。」（第１図及び第１頁左下欄１５行〜第２頁左上欄３行）が記載されている。
　
II．−４．対比、判断
（１）本件発明１について、
　記載事項「II．−２（１）（１−４）」から、樹脂の各物性値は、硬化後のものを示していることは明らかであり、かつ、硬化後の樹脂である以上、その物性値が４０〜４００℃の範囲において変化するものではなく、かつ、この点について特許権者も認めているところであるから、記載事項「II．−２（１）（１−１）〜（１−７）」を総合すれば、引用例１には、「半導体集積回路を形成してなるハンダバンプ付きＬＳＩチップと、該ＬＳＩチップの搭載される回路を形成したガラス基板とがはんだバンプの溶融で接続され、当該基板と前記ＬＳＩチップとの対向する電極端子間に形成された電気的な接続部と、該電気的な接続部周囲の空隙部を充填後加熱硬化するように形成されてなるエポキシ樹脂層とを有するＬＳＩ実装構造体において、該樹脂の４０乃至４００℃における縦弾性係数が０．０４９〜９．８ＧＰａで、かつ該樹脂の前記温度範囲における熱膨張係数が１８〜４０ｐｐｍ／℃であることを特徴とする半導体集積回路実装用配線基板に使用する樹脂」の発明（以下、「引用例１の発明」という）が記載されているといえる。
　本件発明１と引用例１の発明とを対比すると、
　引用例１の発明の、「ガラス基板」、「チップの搭載される回路」、「ハンダバンプ付きＬＳＩチップ」、「基板とＬＳＩチップとの対向する電極端子間に形成された電気的な接続部」、「空隙部」は、本件発明１の、「絶縁基板」、「配線層」、「接続用電極を備えた半導体素子」、「配線層と前記半導体素子の接続用電極とを付し」、「配線基板と半導体素子との間」に相当し、また、両者における樹脂の縦弾性係数、熱膨張係数は、重複しているから、両者は、「絶縁基板と該絶縁基板表面に配設された配線層とを備えた配線基板の表面に、接続用電極を備えた半導体素子を付し、前記配線基板の配線層と前記半導体素子の接続用電極とを接続し、且つ前記配線基板と前記半導体素子との間に少なくとも熱硬化性樹脂を含む充填剤を注入、硬化して成る半導体素子実装配線基板であって、前記充填剤の硬化後の４０乃至４００℃における熱膨張係数が２０乃至４０ｐｐｍ／℃、前記温度範囲に於けるヤング率が５乃至９．８ＧＰａであることを特徴とする半導体素子実装配線基板。」で一致し、以下の点で相違している。
　相違点１：絶縁基板について、本件発明１では、「絶縁基板の４０乃至４００℃に於ける熱膨張係数が８乃至２５ｐｐｍ／℃」であるとしているのに対し、引用例１の発明では、「ガラス基板」を用いているものの、その熱膨張係数が明らかでない点。
　相違点２：配線基板が、本件発明１では、「メタライズ配線層を備えた」ものであるのに対し、引用例１の発明では、「回路を形成した基板」である点。
  相違点３：配線基板のメタライズ配線層と前記半導体素子の接続用電極との接続が、本件発明１では、「ロウ付」であるのに対し、引用例１の発明では、「はんだバンプの溶融」で行われている点。
  以下、検討する。
　相違点１について、
　引用例２の記載事項「３（２）（２−１）」によれば、引用例２には、ガラス基板の熱膨張係数は、（８０〜１００×１０−７／℃）と記載されているが、ガラスは元来４００℃以上の高融点を示すものであり、かつ、４０〜４００℃の範囲で熱膨張係数が格別変化するものでもないことは、当業者にとって自明であり、特許権者もこの点について反論もしていない。そうであれば、４０乃至４００℃に於ける熱膨張係数が８〜１０ｐｐｍ／℃としたガラス基板が記載されているといえる。しかも、ガラス基板の熱膨張係数と半導体チツプの熱膨張係数の差が大きいことから、温度サイクルテストにおいてその歪により基板にクラツクが発生したり或いは電子部品が破損したりする不都合を解決するために、両者の熱膨張係数差のによる歪みを吸収するという目的を達成する点において、両者は、軌を一にするものである。
　したがって、引用例１の発明におけるガラス基板に、引用例２に記載のガラス基板を適用することは当業者が容易になし得たことである。
  相違点２について、
　回路を形成した基板とメタライズ基板とは同義語であるから、両者に差異は認められない。
  相違点３について、
　はんだバンプの溶融接続も、ロウ付の一手段であるから両者に差異は認められない。
　また、本件発明１の効果も格別なものではない。
　したがって、本件発明１は、引用例１、２に記載の発明に基づいて当業者が容易になし得たものである。
（２）本件発明２について
　記載事項「３（１）（１−１）」によれば、引用例１には、「充填する樹脂が熱硬化性エポキシ樹脂」であることが記載されており、また、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂もともに半導体用の硬化樹脂として周知（一例として、特開昭６３−１７２７２０号公報、特開昭６３−１６０３６７号公報、特開昭６３−７２７１９号公報等参照）であるから、引用例１に当該周知の樹脂を適用して本件発明２を構成することは当業者が容易になし得たことである。
　また、本件発明２の効果も格別なものではない。
　したがって、本件発明２は、引用例１、２に記載の発明及び周知技術に基づいて当業者が容易になし得たものである。
　
III．むすび
　以上のとおりであるから、本件発明１、２は、上記引用例１、２および周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件発明１、２についての特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反して成されたものである。
　よって、本件発明１、２についての特許は、特許法第１１３条第２号に該当し、取り消されるべきものである。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１５年１０月６日（２００３．１０．６）