【事件の表示】
　特許第３２８４８１６号「固体撮像装置」の請求項１ないし４に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第３２８４８１６号の請求項１ないし４に係る特許を維持する。
【理　由】
１．本件発明
　特許第３２８４８１６号（平成７年３月２２日出願、平成１４年３月８日登録。）の請求項１乃至４に係る発明は、その特許請求の範囲の請求項１乃至４に記載された以下のとおりのものである。
　
　請求項１
　「複数の画素が行列状に配列され、
　前記画素の信号を水平スイッチを介して水平信号線に流し、
　前記水平信号線の端に接続された信号検出手段により信号を出力する固体撮像装置であって、
　前記水平スイッチを構成する絶縁ゲート型電界効果トランジスタが、該トランジスタの前記水平信号線に接続される第１主電極と他の第２主電極との間のチャネルを該第１主電極から見て少なくとも２方向に形成するように構成されて成ることを特徴とする固体撮像装置。」
　請求項２
　「水平の隣り合う画素に対応した前記水平スイッチが、前記水平信号線を挟んでその両側に配置されて成ることを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置。」
　請求項３
　「複数本の前記水平信号線を有し、水平の画素に対応した前記水平スイッチが前記夫々の水平信号線に振り分けられて接続されて成ることを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置。」
　請求項４
　「複数本の前記水平信号線を有し、水平ラインの画素に対応した前記水平スイッチが、前記複数本の水平信号線の夫々に振り分けられ、且つ各水平信号線を挟んでその両側に配置されて成ることを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置。」
　
２．異議申立ての理由の概要
　異議申立人加藤修一は、請求項１乃至４に係る発明は、甲第１号証（特開平１−２７０４６１号公報）、甲第２号証（特開昭６４−１２５７７号公報）及び、甲第３号証（特開平５−４８３８９号公報）に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項１乃至４に係る発明の特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反するものであって、同法第１１３条第１項第２号の規定により取り消されるべきものであると主張し、また、異議申立人山田保則は、請求項１に係る発明は、甲第１号証（木内雄二著「イメージセンサの基礎と応用」、１９９１年１２月２５日　日刊工業新聞社発行、第１３３頁〜第１３５頁）、甲第２号証（菅野卓雄監修　飯塚哲哉編「ＣＭＯＳ超ＬＳＩの設計」、１９８９年４月２５日　株式会社培風館発行、第１５０頁〜第１５１頁）及び、甲第３号証（平間恒著「ＩＣ化設計入門」、昭和５８年１１月３０日　日刊工業新聞社発行、第１３２頁〜第１３３頁）に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項１に係る発明の特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反するものであって、同法第１１３条第１項第２号の規定により取り消されるべきものであり、また、請求項３に係る発明は、甲第１号証（木内雄二著「イメージセンサの基礎と応用」、１９９１年１２月２５日　日刊工業新聞社発行、第１３３頁〜第１３５頁）、甲第２号証（菅野卓雄監修　飯塚哲哉編「ＣＭＯＳ超ＬＳＩの設計」、１９８９年４月２５日　株式会社培風館発行、第１５０〜１５１頁）、甲第３号証（平間恒著「ＩＣ化設計入門」、昭和５８年１１月３０日　日刊工業新聞社発行、第１３２頁〜第１３３頁）及び、第４号証（特開平６−３１１４３２号公報）に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項３に係る発明の特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反するものであって、同法第１１３条第１項第２号の規定により取り消されるべきものであると主張している。
　
３．異議申立人が提出した甲各号証記載の発明
（１）異議申立人加藤修一が提出した甲第１号証には、ＦＩＧ．１，ＦＩＧ．２，ＦＩＧ．４、及びＦＩＧ．８とともに、以下のことが記載されている。
  「作像装置１０の面積の最大の部分を占めるのがセンサ・アレイ１２であり、これは行及び列に分けて配置した非常に多数のセンサ素子（後で説明する）で構成することが好ましい。」（第４頁右下欄第１３行〜第１７行）
　「センス線５０がバッファ５４に接続され、センス線５２がバッファ５６に接続される。バッファ５４の出力が抵抗５８に接続される。同様にバッファ５６の出力が抵抗６０に接続される。抵抗５８，６０は節６２で接続されている。出力信号が端子Ｖｏに現れる。」（第５頁左下欄第１８行〜同頁右下欄第３行）
　ＦＩＧ．２には記憶キャパシタ１０８，１５０，センス線スイッチング・トランジスタ１１２，１５４，センス線５０，５２が示されるとともに、「節１０６がセンス線スイッチング・トランジスタ１１２を介して第１のセンス線５０に接続される。」（第７頁右上欄第１行〜第３行）
　「列７１に隣合う列１５１に対して、保持キャパシタ１５０が設けられている。保持キャパシタ１５０が節１５２に接続される。センス線スイッチング・トランジスタ１５４が節１５２を第２のセンス線５２に接続する様に作用する。」（第７頁左下欄第２０行〜同頁右下欄第５行）
　「第２図の場合と同じく、第１のセンス線スイッチング・トランジスタ１１２はキャパシタ１０８を第１のセンス線５０に接続する様に作用し得る。第２のセンス線スイッチング・トランジスタ２７６を設けて、節２７２を第２のセンス線２７８に接続する。」（第１１頁左下欄第１２行〜第１７行）
　
　同甲第２号証には、第１図及び、第２図とともに、以下のことが記載されている。
　「所望の基板上に堆積された半導体薄膜と、該半導体薄膜の少なくとも一方の面にゲート絶縁膜を介して配設されたゲート電極と、前記半導体薄膜のいずれか一方の面に配設されたソースおよびゲート電極とを有する薄膜トランジスタにおいて、前記ソース、前記ドレインおよび前記ゲート電極をそれぞれ共有する偶数個の前記薄膜トランジスタをチャネル方向に並列に設置することを特徴とする薄膜トランジスタ。」（特許請求の範囲）
　「本発明によれば、所定の基板上に堆積された半導体薄膜と、この半導体薄膜の少くとも一方の面にゲート絶縁膜を介して配設されたゲート電極と半導体薄膜のいずれか一方の面に配設されたソースおよびゲート電極とを有するＴＦＴにおいて、ソース、ドレインおよびゲート電極をそれぞれ共有する偶数個の薄膜トランジスタをチャネル方向に並列に設置することにより、電極パターニング時にマスクアライメントがチャネル方向にずれても、ゲート電極とソースおよびドレイン電極間のオーバーラップ部の面積は変わることなく、それぞれ各電極間に発生する寄生容量は一定の大きさで、出力信号中に加わるオフセット成分は大きなバラツキを示さなくなり、良好なＴＦＴ特性が得られるようになる。」（第２頁左上欄第１４行〜同頁右上欄第８行）
　
　同甲第３号証には、第１図乃至第３図とともに、以下のことが記載されている。
　「ＭＯＳトランジスタにて構成されたアナログスイッチとキャパシタとから成るスイッチトキャパシタ回路において、
前記ＭＯＳトランジスタを全体として電流密度が同じとなるように複数個に分割して並列接続し、そのソース又はドレインの拡散面積が小さくなる側を前記キャパシタに接続することを特徴とするスイッチトキャパシタ回路。」（特許請求の範囲請求項１）
　「本発明のスイッチトキャパシタ回路においては、キャパシタと接続されるソース又はドレインの拡散エリアの面積に依存する寄生キャパシタンス値が低減され、回路出力のオフセット電圧を低減することができる。」（第２欄第３５行〜第３８行）
　
（２）異議申立人山田保則が提出した甲第１号証には、図７．２２（ＭＯＳ型固体撮像素子の基本構成）とともに、
  「垂直走査器のある段でのパルスによって、その段のＭＯＳトランジスタがすべてオンになり、蓄積されていた信号電荷が並列に垂直信号線（水平走査線ともいわれる）に流れ出る。
　各垂直信号線の先に水平スイッチングＭＯＳトランジスタ（ＳＭＯＳ）があり、水平走査器のパルスが左から右へ送られていくのにつれて、順繰りにＳＭＯＳをオンしていき、垂直信号線にあった信号電荷が信号出力線を通って外部に取り出される。」（第１３４頁第８行〜第１３５頁第１行）ことが記載され、
　同甲第２号証には、図４．８０（ＣＭＯＳインバータのレイアウト例）とともに、
　「ドレイン接合面積はなるべく小さくするのが重要である。これはドレイン容量を減じ、負荷容量を減ずるためである。ドレイン容量を小さくする１つの手法に図４．８０のようなＭＯＳＦＥＴの分割並列接続がある。このようにすれば、分割しない場合に比しドレイン面接はほぼ半分になる。」（第１５１頁第３行〜第７行）ことが記載され、
　同甲第３号証には、第１３３頁に「図５．４３ＭＯＳＦＥＴの基本的構造を示す模式図」として、ドレインの周囲にソースを形成したＭＯＳＦＥＴの平面図が記載されている。
　また、同甲第４号証には、図１，及び図２とともに、以下のことが記載されている。
　「【００１３】まず図１に基づいて、水平選択用スイッチ及びリセットスイッチ部分の構成について説明する。この実施例では、２本の信号読み出し線１１５，１１６が設けられており、垂直ソース選択線１２０−１，１２０−２，・・・１２０−４は、それぞれ水平選択用スイッチ１２１−１，１２１−２，・・・１２１−４を介して、１列毎に交互に異なる信号読み出し線１１５，１１６に接続されている。またリセットスイッチ１２２−１，１２２−２，・・・１２２−４は、それぞれ非選択時に、垂直ソース選択線１２０−１，１２０−２，・・・１２０−４を、１列毎に交互に異なるリセット線１１７，１１８を介して接地するようになっている。
【００１４】次に、本実施例における水平選択用スイッチ及びリセットスイッチのレイアウト及びプロセスフローについて、図２及び図３を用いて説明する。ｎ型基板上に形成したｐ型のウエル１００上に、絶縁膜を介してポリシリコン１０３，１０４，１０５，１０６を形成し、ポリシリコン１０３，１０４，１０５，１０６に対して反転自己整合的に、活性領域１０１及び１０２にｎ+ 領域を形成する。これにより活性領域１０１，１０２内の、ポリシリコン１０３，１０４，１０５，１０６に覆われていない部分に、ｎ+ 領域が形成される。第１の層間絶縁膜１３０を全体に形成した後、コンタクト１１１−１，１１１−２，１１２−１，１１２−２，１１３，１１４の第１の層間絶縁膜１３０を除去する。その後アルミニウム等による第１の金属配線を施すことによって、信号読み出し線１１５，１１６、リセット線１１７，１１８が形成される。更に第２の層間絶縁膜１３１を全体に形成した後、コンタクト１１９−１，１１９−２，・・・１１９−４の第１及び第２の層間絶縁膜１３０及び１３１を除去する。その後アルミニウム等による第２の金属配線を施すことによって、垂直ソース選択線１２０−１，１２０−２，・・・１２０−４が形成される。このとき、第２の金属配線で直接にｎ+ 領域とのコンタクトを形成することが困難な場合は、中間に第１の金属配線を介することで解決される。
【００１５】このような構成のレイアウトにより、各水平選択用スイッチ及び各リセットスイッチは、それぞれ次のような部材で構成されたＮＭＯＳＦＥＴに対応する。すなわち図１における水平選択用スイッチ１２１−１は、コンタクト１１９−１，ポリシリコン１０３，コンタクト１１１−１で構成されるＮＭＯＳＦＥＴに対応し、水平選択用スイッチ１２１−２は、コンタクト１１９−２ ，ポリシリコン１０３ ，コンタクト１１２−１で構成されるＮＭＯＳＦＥＴに対応する。また水平選択用スイッチ１２１−３は、コンタクト１１９−３，ポリシリコン１０６，コンタクト１１１−２で構成されるＮＭＯＳＦＥＴに対応し、水平選択用スイッチ１２１−４は、コンタクト１１９−４，ポリシリコン１０６，コンタクト１１２−２で構成されるＮＭＯＳＦＥＴに対応する。リセットスイッチ１２２−１は、コンタクト１１９−１，ポリシリコン１０４，コンタクト１１３で構成されるＮＭＯＳＦＥＴに対応し、リセットスイッチ１２２−２は、コンタクト１１９−２，ポリシリコン１０４，コンタクト１１４で構成されるＮＭＯＳＦＥＴに対応する。またリセットスイッチ１２２−３は、コンタクト１１９−３，ポリシリコン１０５，コンタクト１１３で構成されるＮＭＯＳＦＥＴに対応し、リセットスイッチ１２２−４は、コンタクト１１９−４，ポリシリコン１０５，コンタクト１１４で構成されるＮＭＯＳＦＥＴに対応する。
【００１６】以上のように、本実施例によれば、２本の信号読み出し線１１５，１１６に対し、それぞれ独立の活性領域１０１，１０２とリセット線１１７，１１８を設け、信号読み出し線１１５，１１６及びリセット線１１７，１１８と垂直ソース選択線１２０−１，・・・１２０−４とを接続するスイッチ群１２１−１，・・・１２１−４，１２２−１，・・・１２２−４を、各信号読み出し線及び各リセット線で垂直方向に独立に構成することにより、水平方向の１画素のピッチ内にレイアウトするＭＯＳＦＥＴからなるスイッチの数を１つとすることが可能となる。」
「【００１９】
【発明の効果】以上実施例に基づいて説明したように、本発明によれば、複数の信号読み出し線に対し、それぞれ独立にリセット線を設けたので、信号読み出し線及びリセット線と垂直ソース選択線とを接続する選択スイッチ及びリセットスイッチを、各信号読み出し線及びリセット線に対して空間的に独立に構成することができ、これにより１画素のピッチの間にレイアウトする選択スイッチあるいはリセットスイッチの数を削減することが可能となり、水平方向の画素ピッチの縮小化を図ることができる。」
 　
４．対比・判断
（１）請求項１に係る発明について
　請求項１に係る発明と異議申立人加藤修一及び山田保則が提出した甲各号証に記載された発明とを対比すると、甲各号証のいずれにも、請求項１に係る発明の、「前記水平スイッチを構成する絶縁ゲート型電界効果トランジスタが、該トランジスタの前記水平信号線に接続される第１主電極と他の第２主電極との間のチャネルを該第１主電極から見て少なくとも２方向に形成するように構成されて成ること」について記載も示唆もされていない。
　したがって、本件請求項１に係る発明は、上記甲各号証に記載された発明から当業者が容易に推考しうるものではない。
　
（２）請求項２乃至４に係る発明について　
　請求項２乃至４に係る発明は、請求項１に係る発明を更に限定したものであるから、上記請求項１に係る発明についての判断と同様の理由により、上記甲各号証に記載された発明から当業者が容易に推考しうるものではない。
　以上のとおり、請求項１乃至４に係る発明は、異議申立人加藤修一、山田保則が提出した甲各号証に記載された発明から当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
（３）異議申立人の主張について
（３）−１　異議申立人加藤修一は、本件請求項１に係る発明の「前記水平スイッチを構成する絶縁ゲート型電界効果トランジスタが、該トランジスタの前記水平信号線に接続される第１主電極と他の第２主電極との間のチャネルを該第１主電極から見て少なくとも２方向に形成するように構成されて成ること」については、甲第２号証に、ＴＦＴにおいて、電極パターンニング時にマスクアライメントがチャネル方向にずれても、ゲート電極とソースおよびドレイン電極間のオーバーラップ部の面積が変わらないようにするために、ソース、ドレインおよびゲート電極をそれぞれ共有する偶数個の薄膜トランジスタをチャネル方向に並列に設置することが記載され、また、甲第３号証に、スイッチトキャパシタ回路において、キャパシタと接続されるソース又はドレインの拡散エリアの面積に依存する寄生キャパシタンス値を低減し、回路出力のオフセット電圧を低減するために、スイッチトキャパシタ回路において、前記ＭＯＳトランジスタを全体として電流密度が同じとなるように複数個に分割して並列接続し、そのソース又はドレインの拡散面積が小さくなる側を前記キャパシタに接続することが記載されているので、甲第２号証又は甲第３号証に記載される技術的事項を、甲第１号証に記載されたイメージ・センサ・アレイの水平スキャナに適用することにより、当業者が容易に本件請求項１に係る発明とすることができる旨の主張をしている。
　しかしながら、甲第１号証には、センス線スイッチング・トランジスタ１１２が節１０６をセンス線５０に接続するように作用することが記載されているものの、センス線スイッチング・トランジスタ１１２とセンス線５０との接続部の面積に依存する寄生容量についての記載がなく、さらに、センス線とセンス線スイッチング・トランジスタとの接続部に起因する寄生容量がセンス線に対して発生する点についての記載もないので、固体撮像素子の電荷検出回路の検出感度の低下を防止するために、本件請求項１に係る発明の如く、「前記水平スイッチを構成する絶縁ゲート型電界効果トランジスタが、該トランジスタの前記水平信号線に接続される第１主電極と他の第２主電極との間のチャネルを該第１主電極から見て少なくとも２方向に形成するように構成」することは、甲第２号証及び甲第３号証に記載された技術的事項を参酌したとしても、当業者が容易に発明をすることができたものとは認められない。
　したがって、甲各号証に記載された発明から当業者が容易に発明をすることができたものとする異議申立人の主張は根拠がない。
　
（３）−２　異議申立人山田保則は、本件請求項１に係る発明の「前記水平スイッチを構成する絶縁ゲート型電界効果トランジスタが、該トランジスタの前記水平信号線に接続される第１主電極と他の第２主電極との間のチャネルを該第１主電極から見て少なくとも２方向に形成するように構成されて成ること」については、甲第２号証に、ＣＭＯＳインバータにおいて、ドレイン容量を減少させるために、ＭＯＳＦＥＴを分割並列接続とすることが記載され、また、甲第３号証に、「ＭＯＳＦＥＴの基本的構造を示す模式図」として、ドレインの周囲にソースを形成したＭＯＳＦＥＴの平面図が記載されているので、甲第２号証又は甲第３号証に記載される技術的事項を、甲第１号証に記載されたＭＯＳ型固体撮像素子に適用することにより、当業者が容易に本件請求項１に係る発明とすることができる旨の主張をしている。
　しかしながら、甲第１号証には、ＭＯＳ型固体撮像素子において、出力線と垂直信号線とを水平スイッチＳ−ＭＯＳトランジスタにより接続させるように作用するものであると認められるが、水平スイッチＳ−ＭＯＳトランジスタと出力線との接続部の面積に依存する寄生容量についての記載がなく、さらに、水平スイッチＳ−ＭＯＳトランジスタと出力線との接続部に起因する寄生容量が出力線に対して発生する点についての記載もないので、固体撮像素子の電荷検出回路の検出感度の低下を防止するために、本件請求項１に係る発明の如く、「前記水平スイッチを構成する絶縁ゲート型電界効果トランジスタが、該トランジスタの前記水平信号線に接続される第１主電極と他の第２主電極との間のチャネルを該第１主電極から見て少なくとも２方向に形成するように構成」することは、甲第２号証及び甲第３号証に記載された技術的事項を参酌したとしても、当業者が容易に発明をすることができたものとは認められない。
　したがって、甲各号証に記載された発明から当業者が容易に発明をすることができたものとする異議申立人の主張は根拠がない。
　　
５．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠によっては請求項１乃至４に係る発明の特許を取り消すことはできない。
　また、他に請求項１乃至４に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。 　　  　　
【異議決定日】
平成１６年１月１５日（２００４．１．１５）