【事件の表示】
　特許第３２８７１１９号「シリカ系絶縁膜形成用塗布液」の請求項１に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第３２８７１１９号の請求項１に係る特許を維持する。
【理　由】
（Ｉ）手続きの経緯
　本件特許第３２８７１１９号の請求項１に係る発明は、平成６年７月１３日に特許出願がなされ、平成１４年３月１５日に特許権の設定登録がなされたところ、前記請求項１に係る発明の特許について、ジェイエスアール株式会社（以下、「申立人」という。）から、特許異議の申立がなされたものである。
　
（ＩＩ）特許異議申立について
（ＩＩ−１）本件発明
　本件の請求項１に係る発明（以下、「本件発明」という。）は、前記設定登録時の明細書の請求項１に記載された次のとおりのものである。
【請求項１】一般式Ｒ１　４−ｎ　Ｓｉ（ＯＲ２　）ｎ　（式中、Ｒ１　及びＲ２は、独立に、炭素数１〜６個を有するアルキル基又は炭素数６〜１０個を有するアリール基を表し、ｎは２〜４の整数を表す。）で表わされる有機シリコン化合物の中から選ばれた少なくとも２種（ただし、Ｓｉ（ＯＲ２　）４　及びＲ１　２　Ｓｉ（ＯＲ２　）２　のみから選ばれた二種以上を除く。）を加水分解縮合して得られるシロキサン系プレポリマーと有機溶媒とから成るシリカ系絶縁膜形成用塗布液において、該プレポリマーの重量平均分子量が２０００〜４０００であり、かつ該塗布液の導電率が０．１〜１００μｓ／ｃｍであることを特徴とするシリカ系絶縁膜形成用塗布液。
　
（ＩＩ−２）特許異議申立の理由
　申立人は、甲第１号証（特開平４−５５４７６号公報）および甲第２号証（特開平３−２２１５７７号公報）を提示して、本件発明は、甲第１号証、または、甲第１号証と甲第２号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
　　　　
（ＩＩ−３）甲各号証の記載
甲第１号証（特開平４−５５４７６号公報）：
「下記（ａ）、（ｂ）および（ｃ）を主成分として用い、全体の導電率が最小値または最小値よりも３μＳ／ｃｍ以内（ただし、このときのｐＨ値は最小値のときのｐＨ値よりも酸性側にくるようにする。）になるように無機系コーティング材を調製する無機コーティング材の製造方法。（ａ）下記一般式Ａにおいてｎ＝０で表されるケイ素化合物および／またはコロイド状シリカ２０〜２００重量部。（ｂ）下記一般式Ａにおいてｎ＝１で表されるケイ素化合物１００部。（ｃ）下記一般式Ａにおいてｎ＝２で表されるケイ素化合物３０〜８０部。Ｒ１ｎＳｉ（ＯＲ２）４−ｎ　・・・Ａ（ただし、Ａ式中、Ｒ１およびＲ２はそれぞれアルキル基であり、Ｒ１およびＲ２がそれぞれ複数個の場合には、すべてのＲ１またはＲ２が同じ基であってもよい。）」（特許請求の範囲参照、但し、「Ａ」は丸数字１と記載されている。）、
「高硬度な塗膜を得るためには、このプレポリマーの重量平均分子量Ｍｗが・・・６００〜１５００である必要がある。前記レポリマーの分子量が前記範囲よりも小さいときには、・・・焼付け後に塗膜にクラックが発生しやすくなる傾向になる。また、前記範囲よりも大きいときには、反応が遅すぎて硬化しにくいか、または、硬化しても柔らかい塗膜になったり、塗膜のレベリング性が非常に悪いものとなる傾向にある。」（２頁左上欄７〜１８行参照）、
「導電率が上記範囲を外れている場合、コーティング材に塩基性試薬あるいは酸性試薬を加えて処理してやるのである。つまり、導電率を下げてやることにより、たとえば、Ｍｗ＝６００〜１５００の分子量の範囲内で長期間にわたり、安定して使用することができる。その際、導電率の値が最小値であるように調整されたコーティング材は、特に安定で長期間の貯蔵が可能である。また、導電率の値が最小値から３μＳ／ｃｍ以内の酸性側（すなわち、導電率最小値のときのｐＨ値よりも小さいｐＨ値を示す）の範囲でも比較的安定にコーティング材を保つことができる。」（２頁右下欄１６行〜３頁左上欄８行参照）、
「実施例のコーティング材は、導電率が・・・に調整されており、液調整４ヶ月後の分子量が１５００以下であった。これに対し、比較例のコーティング材は、導電率が上記範囲に調整されておらず、液調整後の分子量が１５００を超えており、塗膜の状態も悪かっった。」（５頁左下欄１〜１０行参照）、
「この発明にかかる無機系コーティング材の製造方法は、液全体の導電率が最小値または最小値より３μｓ／ｃｍ以内（・・・）になるように調製するので、長期間保存してもプレポリマーの分子量をＭｗ＝６００〜１５００以内にとどめることができる。プレポリマーの分子量Ｍｗ＝６００〜１５００であると、この発明により得られるコーティング剤は、塗膜にクラックがより発生しにくかったり、反応が遅すぎなかったり、柔らかい塗膜になりにくかったり、塗膜のレベリング性がよくなったりする。」（５頁左下欄１２行〜同頁右下欄３行参照）。
甲第２号証（特開平３−２２１５７７号公報）：
「一般式（ａ）：Ｓｉ（ＯＲ１）４で示されるテトラアルコキシシラン，一般式（ｂ）：Ｒ２Ｓｉ（ＯＲ３）３で示されるアルキルトリアルコキシシラン又はアリールトリアルコキシシラン，および一般式（ｃ）：Ｒ４Ｒ５Ｓｉ（ＯＲ６）２で示されるジアルキルジアルコキシシラン又はジアリールジアルコキシシラン（式中，Ｒ１〜Ｒ６は炭素原子１〜６個を有するアルキル基，又は炭素原子６〜１０個を有するアリール基であり，同一でも異なっていてもよい。）をモル分率が（ａ）０．１４〜０．５０，（ｂ）０．０３〜０．６６，（ｃ）０．１１〜０．６６の割合で加水分解縮合せしめたシロキサン系プレポリマーであり，かつ該プレポリマーの重量平均分子量が１０００以上４０００以下であるシロキサン系プレポリマーと有機溶剤とからなることを特徴とする絶縁膜形成用塗布液」（特許請求の範囲第１項）、
「本発明塗布液は、四官能、三官能、二官能性のアルコキシシランから得られたシロキサンプレポリマーの重量平均分子量を１０００以上４０００以下の範囲に制御することによって、焼成時に流動性のあるポリマーを形成することができる。その結果２μｍ以下の微細なパターンに於いても、段差上の膜厚を薄くすると同時に、非常に良好な平坦性を得ることが可能となり、超高集積回路が歩留りよく製造できるようになった。」（６頁左下欄２〜１０行）。
　
（ＩＩ−４）対比・判断
　本件発明は、前記したように、特定のシロキサン系プレポリマーと有機溶媒とから成るシリカ系絶縁膜形成用塗布液であって、「プレポリマーの重量平均分子量が２０００〜４０００」（以下、構成Ａという。）であり、「塗布液の導電率が０．１〜１００μｓ／ｃｍ」（以下、構成Ｂという。）であることを特徴とするものである。
　
　これに対して、甲第１号証には、本件発明と同様のシロキサン系プレポリマーを含有する無機系コーティング材について記載され、前記コーティング材の導電率や前記プレポリマーの重量平均分子量が記載されている。
　しかし、甲第１号証における、前記プレポリマーの重量平均分子量の記載は、前記したように、「高硬度な塗膜を得るためには、このプレポリマーの重量平均分子量Ｍｗが・・・６００〜１５００である必要がある。・・・前記範囲よりも大きいときには、・・・塗膜のレベリング性が非常に悪いものとなる傾向にある。」とされ、「この発明にかかる無機系コーティング材の製造方法は、・・・、長期間保存してもプレポリマーの分子量をＭｗ＝６００〜１５００以内にとどめることができる。プレポリマーの分子量Ｍｗ＝６００〜１５００であると、・・・、塗膜にクラックがより発生しにくかったり、反応が遅すぎなかったり、柔らかい塗膜になりにくかったり、塗膜のレベリング性がよくなったりする。」とされており、前記無機系コーティング材において、プレポリマーの重量平均分子量を２０００〜４０００とすることを示唆しているとすることはできない。
　また、前記した導電率の記載は、プレポリマーの重量平均分子量を６００〜１５００とするために有効とされる導電率を示すものであり、当該分子量の範囲外である２０００〜４０００については、導電率の調整が真に有効であるか否かについてさえも示唆するものでないから、前記した導電率の記載が、プレポリマーの重量平均分子量を２０００〜４０００とした場合に導電率を０．１〜１００μｓ／ｃｍとすることを示唆しているとすることはできない。
　したがって、本件発明の前記構成Ａおよび構成Ｂは、甲第１号証に示唆されるものでない。
　
　甲第２号証には、重量平均分子量が１０００〜４０００のシロキサン系プレポリマーと有機溶媒とから成るシリカ系絶縁膜形成用塗布液が記載され、プレポリマーの形成成分として本件発明と同様の成分を使用することが記載されている。
　しかし、前記塗布液の導電率については記載するところがなく、当該導電率を特定の範囲に調整することを示唆する記載もない。
　したがって、甲第２号証の記載が、本件発明の前記構成Ｂを示唆しているとすることはできない。
　
　よって、甲第１号証と甲第２号証の記載を総合しても、本件発明の前記構成Ｂが当業者に容易に想到できる構成であるとすることはできない。
　そして、本件発明は、前記構成Ｂを他の構成とともに採用することにより、明細書に実施例および比較例を用いて説明されているとおりの、平坦化度に関する効果を奏したものである。
　
　してみると、本件発明は、甲第１号証および甲第２号証に記載された発明を総合しても、当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることはできない。
　
（ＩＩ−５）むすび
　以上のとおりであるから、特許異議の申立ての理由および証拠によっては、本件発明に係る特許が拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものであるとすることはできない。
　また、他に本件発明に係る特許が拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものであるとする理由を発見しない。
　よって、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第２項の規定により、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１６年２月２７日（２００４．２．２７）