【事件の表示】
　特許第３３３６２２３号「洗浄システム及び洗浄方法」の請求項１、２、９、１０に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３３３６２２３号の請求項１、８、９に係る特許を維持する。
【理　由】
第１　手続の経緯
　特許第３３３６２２３号の請求項１ないし１０に係る発明は、平成９年４月１５日に特許出願され、平成１４年８月２日にその特許権の設定登録がされ、その後特許異議申立人東谷満により請求項１、２、９、１０に係る特許に対して特許異議の申立てがなされ、取消しの理由が通知され、その指定期間内である平成１５年９月１６日に訂正請求（後日取り下げ）がなされた後、再度の取消しの理由が通知され、その指定期間内である平成１６年４月２３日に訂正請求がなされたものである。
　
第２ 　訂正の適否についての判断
１　訂正の内容
　特許権者が訂正請求で求める訂正の内容は、以下の訂正事項ａないしｂに示すとおりのものである。
（１）訂正事項ａ
　設定登録時の願書に添付した明細書（以下「特許明細書」という。）の特許請求の範囲の
ア　請求項１の
「【請求項１】被処理体を収納自在な洗浄槽と，所定の処理温度Ｔに温度調整された薬液を該洗浄槽に供給する薬液供給手段と，洗浄槽に純水を供給する純水供給手段と，少なくとも該純水供給手段によって洗浄槽内に純水が供給されている間は洗浄槽内から排出された薬液を回収しておく薬液回収タンクとを備えた洗浄システムにおいて，前記薬液回収タンク内の薬液を洗浄槽内に供給した際に薬液の温度が処理温度Ｔとなるように，薬液の温度を調整する温度調整手段を設けたことを特徴とする洗浄システム。」を
「【請求項１】被処理体を収納自在な洗浄槽と，所定の処理温度Ｔに温度調整された薬液を該洗浄槽に供給する薬液供給手段と，洗浄槽に純水を供給する純水供給手段と，少なくとも該純水供給手段によって洗浄槽内に純水が供給されている間は洗浄槽内から排出された薬液を回収しておく薬液回収タンクとを備えた洗浄システムにおいて，前記薬液回収タンク内の薬液を洗浄槽内に供給した際に薬液の温度が処理温度Ｔとなるように，薬液の温度を調整する温度調整手段を設け
，前記温度調整手段により，前記薬液回収タンク内に薬液を回収した待機状態では，前記薬液の温度が前記処理温度Ｔよりも高い温度Ｔ
１
になるように温度調整し，前記温度調整手段により，前記洗浄槽内に薬液を循環させて洗浄を行う際には，洗浄槽内の薬液の温度が処理温度Ｔになった時点で，加熱温度を温度Ｔ
１
から処理温度Ｔに切り替える
，
　なお、下線は、訂正箇所を明確化するために当審で付したものであり、以下の訂正事項についても同様である。
イ　請求項２を削除する。
ウ　請求項３ないし８の
「【請求項３】　前記薬液回収タンク内の薬液を循環流通させる循環回路を形成すると共に，薬液回収タンクと該循環回路にそれぞれ温度調整手段を配置し，薬液の温度が，前記温度Ｔ１よりも低い温度Ｔ２（Ｔ１＞Ｔ２）よりも高くなったときはそれら温度調整手段の一方のみで加熱を行い，薬液の温度が温度Ｔ２よりも低くなったときはそれら温度調整手段の両方で加熱を行うように構成したことを特徴とする請求項１又は２に記載の洗浄システム。
　【請求項４】　前記薬液回収タンクの温度調整手段と前記循環回路の温度調整手段の温度調整容量が異なることを特徴とする請求項３に記載の洗浄システム。
　【請求項５】　前記温度温度Ｔ２よりも高くなったときに加熱を行う一方の温度調整手段の容量を，他方の温度調整手段の容量より大きくすることを特徴とする請求項４に記載の洗浄システム。
　【請求項６】　前記薬液回収タンク内の薬液を洗浄槽内へ循環を開始した後は，前記循環回路の温度調整手段の加熱温度が処理温度Ｔに切り替わることを特徴とする，請求項３，４又は５の何れかに記載の洗浄システム。
　【請求項７】　被処理体を洗浄槽で処理している間は，薬液を洗浄槽と前記循環回路との間を循環させ，前記薬液回収タンク内の温度調整手段は停止させるように構成されていることを特徴とする請求項３，４，５又は６の何れかに記載の洗浄システム。
　【請求項８】　前記洗浄槽への薬液の供給は，被処理体を洗浄槽内に収納する直前に行うことを特徴とする１，２，３，４，５，６又は７の何れかに記載の洗浄システム。」を
「【請求項
２
１
　【請求項
３
２
　【請求項
４
３
　【請求項
５
２，３又は４
　【請求項
６
２，３，４又は５
　【請求項
７
１，２，３，４，５又は６
エ　請求項９の
「【請求項９】　被処理体を収納自在な洗浄槽内において，所定の処理温度Ｔに温度調整された薬液を使用して被処理体を薬液洗浄する状態と，純水を使用して被処理体を純水洗浄する状態とに切換えて洗浄する洗浄方法において，薬液洗浄処理の前までに，薬液の温度を前記処理温度Ｔと異なる温度Ｔ１に調整しておき，薬液洗浄を行う際にこの温度Ｔ１に調整された薬液を洗浄槽に供給することにより，処理槽内に供給された際に薬液の温度が処理温度Ｔとなるようにしたことを特徴とする洗浄方法。」を
「【請求項
８
より高い
，洗浄槽内の薬液の温度が処理温度Ｔになった時点で，加熱温度を温度Ｔ
１
から処理温度Ｔに切り替える
，
オ　請求項１０の
「【請求項１０】　前記洗浄槽内で純水洗浄が行われている間に薬液を調整することを特徴とする請求項９に記載の洗浄方法。」を
「【請求項
９
の温度
８
（２）訂正事項ｂ
　特許明細書の発明の詳細な説明の
カ　段落【００１０】の「・・請求項１の発明は，・・温度調整手段を設けたことを特徴とする。この請求項１の洗浄システムにおいては，請求項２に記載したように，薬液回収タンク内の薬液の温度が処理温度Ｔよりも高い温度Ｔ１なるように温度調整を行い，その後に洗浄槽内に供給することが好ましい。」を「・・
本発明によれば
，前記温度調整手段により，前記薬液回収タンク内に薬液を回収した待機状態では，前記薬液の温度が前記処理温度Ｔよりも高い温度Ｔ
１
になるように温度調整し，前記温度調整手段により，前記洗浄槽内に薬液を循環させて洗浄を行う際には，洗浄槽内の薬液の温度が処理温度Ｔになった時点で，加熱温度を温度Ｔ
１
から処理温度Ｔに切り替える
，洗浄システムが提供される
キ　段落【００１１】の「また，この請求項１の洗浄システムにおいて，請求項３に記載したように前記薬液回収タンク内の薬液を循環流通させる循環回路を形成すると共に，・・ように構成することが好ましい。また，請求項４に記載したように薬液回収タンクの温度調整手段と・・異なるようにし，更に，請求項５に記載したように前記温度温度Ｔ２よりも高くなったときに・・するのが良い。」を「
前記
しても良い
，薬
前記
ク　段落【００１２】の「請求項６に記載したように」及び「請求項７に記載したように」を削除する。
ケ　段落【００１３】の「また，請求項９の発明は，・・前記処理温度Ｔと異なる温度Ｔ１に調整しておき，・・薬液の温度が処理温度Ｔとなるように構成したことを特徴とする。この請求項９の洗浄方法においては，請求項１０に記載したように洗浄槽内で・・することが好ましい。」を「また，
本
よりも高い
し，洗浄槽内の薬液の温度が処理温度Ｔになった時点で，加熱温度を温度Ｔ
１
から処理温度Ｔに切り替える
この
　
２　訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
（１）訂正事項ａについて
　上記訂正事項ａは、訂正前の請求項１に記載の「温度調整手段」について、訂正前の請求項２記載の事項及び特許明細書の段落【００４６】記載の「薬液回収タンク５３内に貯えられた薬液を，所定の処理温度Ｔよりも高い温度Ｔ１にまで加熱し，温度Ｔ１の状態で一定に維持している。更に，洗浄槽２２内に薬液を循環させて洗浄を行う際には，洗浄槽２２内の薬液の温度が処理温度Ｔになった時点で，ヒータ５９の加熱温度を温度Ｔ１から処理温度Ｔに切り替える。」旨の事項を付加し、訂正前の請求項２を削除し、訂正前の請求項９の記載について、「温度Ｔ１」を「処理温度Ｔよりも高い」ものに限定し、特許明細書の段落【００３６】記載の「洗浄槽２２内の薬液の温度が処理温度Ｔになった時点で，ヒータ５９の加熱温度を温度Ｔ１から処理温度Ｔに切り替える」旨の事項を付加し、訂正前の請求項１０に記載の「薬液を調整」を「薬液の温度を調整」に限定し、さらに、上記訂正前の請求項２の削除に伴い、訂正前の請求項３ないし１０を請求項２ないし９に繰り上げることを求めるものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするもの、又は明りょうでない記載の釈明を目的とするものであって、新規事項の追加に該当せず、かつ、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。
（２）訂正事項ｂについて
　訂正事項ｂは、発明の詳細な説明における課題を解決するための手段の記載について、上記訂正事項ａと整合を図るものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とするものであって、新規事項の追加に該当せず、かつ、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。
　
３　独立特許要件
　上記請求項３ないし８に係る訂正は、訂正前の請求項２の削除に伴い、訂正前の請求項３ないし８を請求項２ないし７に繰り上げるものであるが、当該訂正は、特許異議の申立てがなされていない請求項に係る訂正であり、請求項３ないし８が引用する請求項１に係る訂正が、特許請求の範囲の減縮を目的としたものに該当するから、訂正明細書の請求項２ないし７に記載された発明（以下「訂正発明２」等という。）の独立特許要件について、以下検討する。
　訂正発明２ないし７は、訂正明細書の特許請求の範囲の請求項２ないし７に記載された事項により特定されるとおりのものであって、訂正明細書の請求項１に記載された発明を特定する事項を全て含むものである。
　そして、当該請求項１に記載された発明が、下記「第３　６　（１）」のように、特許異議申立人が提出した甲各号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものといえないから、同様の理由により、訂正発明２ないし７は、特許異議申立人が提出した甲各号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものということができない。
　したがって、訂正発明２ないし７は、特許出願の際独立して特許を受けることができるものである。
　
４　むすび
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法第１２０条の４第２項並びに同条第３項において準用する同法第１２６条第２項、第３項及び第４項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
第３　特許異議申立てについての判断
１　特許異議申立ての理由の概要（特許法第２９条第１項第３号，同条第２項違反について）
　特許異議申立人は、証拠として甲第１号証（実願平５―３５８０８号（実開平７−７１３７号）のＣＤ−ＲＯＭ）、甲第２号証（特開平６−２８３４９９号公報）及び甲第３号証（特開平９−４５６５６号公報）を提出し、請求項１、２、９、１０に係る発明は、甲第１号証に記載された発明であるか、甲第１ないし３号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであり、請求項１、２、９、１０に係る特許は、特許法第２９条第１項第３号又は同法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであるから、取り消すべきである旨主張している。
　
２　取消しの理由の概要（特許法第３６条第６項第２号違反について）
　取消しの理由の概要は、上記特許異議申立ての理由に加え、訂正後の請求項２について、「『前記温度Ｔ１』との記載は、同記載の前に温度Ｔ１が記載されておらず、不明りょう」であるから、特許請求の範囲の記載に不備がある、というにある。
　
３　本件発明
　上記第２で示したとおり上記訂正が認められるから、本件の請求項１ないし９に係る発明は、訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１ないし９に記載された事項により特定されるとおりのものである（上記「第２　１　（１）訂正事項ａ」を参照。）。
　そして、特許異議の申立てがなされた本件の請求項１、２、９、１０の中、請求項２は削除されたので、残りの請求項１、９、１０は、訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１、８、９に対応していることになる。そこで、訂正明細書の請求項１、８、９に係る発明を以下「本件発明１」等という。
　
４　特許法第３６条第６項第２号違反について
　上記訂正により、訂正後の請求項２は、独立請求項から請求項１を引用するものとなったから、特許法第３６条第６項第２号違反との取消しの理由は解消している。
　
５　甲第１ないし３号証記載の発明（事項）
　特許異議申立人東谷満が提出した甲第１ないし３号証には、以下の事項が記載されていると認める。
（１）甲第１号証
　特に、公報第２頁左欄第２−１３行、第１０頁第９−１３行、第１３頁第２３−２４行、第１３頁第２９行−第１４頁第８行、第１４頁第２３−２８行、第１５頁第１３−１８行、及び図２の記載からみて、甲第１号証には、次の「洗浄システム」の発明（以下「甲第１号証記載の発明１」という。）と「洗浄方法」の発明（以下「甲第１号証記載の発明２」という。）が記載されているものと認める。
［甲第１号証記載の発明１］
　被処理体（基板）を収納自在な洗浄槽（基板処理槽１３）と，所定の処理温度Ｔに温度調整された薬液（薬液７）を該洗浄槽（基板処理槽１３）に供給する薬液供給手段（薬液供給配管１７等）と，洗浄槽（基板処理槽１３）に純水を供給する純水供給手段（純水供給配管３３等）と，少なくとも該純水供給手段（純水供給配管３３等）によって洗浄槽（基板処理槽１３）内に純水が供給されている間は洗浄槽（基板処理槽１３）内から排出された薬液（薬液７）を回収しておく薬液回収タンク（昇温槽１５）とを備えた洗浄システム（基板処理装置用処理液供給・回収装置）において，前記薬液回収タンク（昇温槽１５）内の薬液（薬液７）を洗浄槽（基板処理槽１３）内に供給した際に薬液（薬液７）の温度が処理温度Ｔとなるように，薬液（薬液７）の温度を調整する温度調整手段（ヒータ１６）を設けた洗浄システム（基板処理装置用処理液供給・回収装置）。
［甲第１号証記載の発明２］
　被処理体（基板）を収納自在な洗浄槽（基板処理槽１３）内において，所定の処理温度Ｔに温度調整された薬液（薬液７）を使用して被処理体（基板）を薬液洗浄する状態と，純水を使用して被処理体（基板）を純水洗浄する状態とに切換えて洗浄する洗浄方法において，薬液洗浄処理の前までに，薬液（薬液７）の温度を一定の温度に調整しておき，薬液洗浄を行う際にこの温度に調整された薬液（薬液７）を洗浄槽（基板処理槽１３）に供給することにより，薬液（薬液７）が洗浄槽（基板処理槽１３）内に供給された際に薬液（薬液７）の温度が処理温度Ｔとなるようにした洗浄方法。
　
（２）甲第２号証
　特に、公報第２頁左欄第２−１５行、第４頁右欄第３２−３６行、第５頁左欄第２９−３０行、第５頁右欄第１５−１９行、及び図１〜２の記載からみて、甲第２号証には、次の発明（以下「甲第２号証記載の発明」という。）が記載されているものと認める。
　被処理体（ウエハ１）を収納自在な洗浄槽（薬液槽２）と，所定の処理温度Ｔに温度調整された薬液（薬液４）を該洗浄槽（薬液槽２）に供給する薬液供給手段（連結管４１等）と，洗浄槽（薬液槽２）内から排出された薬液（薬液４）を回収しておく薬液回収タンク（薬液一時回収タンク４０）とを備えた洗浄システム（ウエット処理装置）において，前記薬液回収タンク（薬液一時回収タンク４０）内の薬液（薬液４）を洗浄槽（薬液槽２）内に供給した際に薬液（薬液４）の温度が処理温度Ｔとなるように，薬液（薬液４）の温度を調整する温度調整手段（温度調節器８）を設けた洗浄システム（ウエット処理装置）。
　
（３）甲第３号証
　特に、公報第３頁左欄第４９−５０行、公報第３頁右欄第２０−２２行、第３頁右欄第３６−４０行、第４頁左欄第４５−４８行、第４頁右欄第１−２６行、及び図１の記載からみて、甲第３号証には、次の発明（以下「甲第３号証記載の発明」という。）が記載されているものと認める。
　被処理体（半導体ウエハ１）を収納自在な洗浄槽（カップ３）と，所定の処理温度Ｔに温度調整された薬液を該洗浄槽（カップ３）に供給する薬液供給手段（配管１５等）と，洗浄槽（カップ３）内から排出された薬液を回収しておく薬液回収タンク（薬液槽６）とを備えた洗浄システム（半導体製造装置）において，前記薬液回収タンク（薬液槽６）内の薬液を洗浄槽（カップ３）内に供給した際に薬液の温度が処理温度Ｔとなるように，薬液の温度を調整する温度調整手段（ヒータ７）を設けた洗浄システム（半導体製造装置）。
　
６ 対比・判断
（１）本件発明１について
　本件発明１と、甲第１号証記載の発明１とを対比すると、両者は、次の点で相違し、その余の点で一致している。
＜相違点１＞
　温度調整手段により、前者は、「薬液回収タンク内に薬液を回収した待機状態では，薬液の温度が処理温度Ｔよりも高い温度Ｔ１になるように」温度調整し、かつ、「洗浄槽内に薬液を循環させて洗浄を行う際には，洗浄槽内の薬液の温度が処理温度Ｔになった時点で，加熱温度を温度Ｔ１から処理温度Ｔに切り替える」のに対し、後者の温度調節手段は、そのように特定されていない点。
　上記相違点１について、以下検討する。
＜相違点１について＞
　上記相違点１に係る事項、すなわち、温度調節手段により、「薬液回収タンク内に薬液を回収した待機状態では，薬液の温度が処理温度Ｔよりも高い温度Ｔ１になるように」温度調整し，かつ、「洗浄槽内に薬液を循環させて洗浄を行う際には，洗浄槽内の薬液の温度が処理温度Ｔになった時点で，加熱温度を温度Ｔ１から処理温度Ｔに切り替える」ことは、甲第２ないし３号証にも記載されていない。
　そして、本件発明１は、上記相違点１に係る事項により、特許明細書の段落【００５７】記載の「洗浄槽２２の内槽５０から回収した薬液を加熱し再利用する際に，薬液回収タンク５３内のヒータ６８と循環回路５４に配置されたヒータ５９を用いて，処理温度Ｔよりも高い温度Ｔ１に加熱しておくことにより，洗浄槽２２への供給直後の薬液温度の低下を防止することができるようになる。その結果，洗浄槽２２内へ薬液を充填した直後から最適な温度Ｔに加熱された薬液で効率の良い洗浄を行うことができ，洗浄時間も短縮できるので，半導体デバイスの製造における歩留まりが向上する。」という、甲第１ないし３号証に記載の発明から予測することができない格別な作用効果を奏するものと認められる。
　したがって、本件発明１は、甲第１号証記載の発明１であるということができないばかりでなく、甲第１ないし３号証記載の発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものということもできない。
　
（２）本件発明８、９について
　本件発明８と、甲第１号証記載の発明２とを対比すると、両者は、次の点で相違し、その余の点で一致している。
＜相違点２＞
　前者は、「薬液洗浄処理の前までに，薬液の温度を前記処理温度Ｔより高い温度Ｔ１に調整しておき，薬液洗浄を行う際にこの温度Ｔ１に調整された薬液を洗浄槽に供給する」ことにより，処理槽内に供給された際に薬液の温度が処理温度Ｔとなるようにし、かつ、「洗浄槽内の薬液の温度が処理温度Ｔになった時点で，加熱温度を温度Ｔ１から処理温度Ｔに切り替える」のに対し、後者は、処理槽内に供給された際に薬液の温度が処理温度Ｔとなるようにすることについて、そのように特定されていない点。
　上記相違点２について、以下検討する。
＜相違点２について＞
　上記相違点２に係る事項、すなわち、「薬液洗浄処理の前までに，薬液の温度を前記処理温度Ｔより高い温度Ｔ１に調整しておき，薬液洗浄を行う際にこの温度Ｔ１に調整された薬液を洗浄槽に供給する」ことにより，処理槽内に供給された際に薬液の温度が処理温度Ｔとなるようにし、かつ、「洗浄槽内の薬液の温度が処理温度Ｔになった時点で，加熱温度を温度Ｔ１から処理温度Ｔに切り替える」ことは、甲第２ないし３号証にも記載されていない。
　そして、本件発明８は、上記相違点２に係る事項により、特許明細書の段落【００５７】記載の「洗浄槽２２の内槽５０から回収した薬液を加熱し再利用する際に，薬液回収タンク５３内のヒータ６８と循環回路５４に配置されたヒータ５９を用いて，処理温度Ｔよりも高い温度Ｔ１に加熱しておくことにより，洗浄槽２２への供給直後の薬液温度の低下を防止することができるようになる。その結果，洗浄槽２２内へ薬液を充填した直後から最適な温度Ｔに加熱された薬液で効率の良い洗浄を行うことができ，洗浄時間も短縮できるので，半導体デバイスの製造における歩留まりが向上する。」という、甲第１ないし３号証に記載の発明から予測することができない格別な作用効果を奏するものと認められる。
　したがって、本件発明８は、甲第１号証記載の発明２であるということができないばかりでなく、甲第１ないし３号証記載の発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものということもできない。
　そして、本件発明９は、本件発明８を更に限定したものであるから、上記と同様の理由により、甲第１号証記載の発明２であるということができないばかりでなく、甲第１ないし３号証記載の発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものということもできない。
　
７　むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、本件の請求項１、８、９に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件の請求項１、８、９に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１６年６月１７日（２００４．６．１７）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
洗浄システム及び洗浄方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　被処理体を収納自在な洗浄槽と，所定の処理温度Ｔに温度調整された薬液を該洗浄槽に供給する薬液供給手段と，洗浄槽に純水を供給する純水供給手段と，少なくとも該純水供給手段によって洗浄槽内に純水が供給されている間は洗浄槽内から排出された薬液を回収しておく薬液回収タンクとを備えた洗浄システムにおいて，
　前記薬液回収タンク内の薬液を洗浄槽内に供給した際に薬液の温度が処理温度Ｔとなるように，薬液の温度を調整する温度調整手段を設け
，
　前記温度調整手段により，前記薬液回収タンク内に薬液を回収した待機状態では，前記薬液の温度が前記処理温度Ｔよりも高い温度Ｔ１になるように温度調整し，
　前記温度調整手段により，前記洗浄槽内に薬液を循環させて洗浄を行う際には，洗浄槽内の薬液の温度が処理温度Ｔになった時点で，加熱温度を温度Ｔ１から処理温度Ｔに切り替えることを特徴とする，洗浄システム。
　【請求項２】　
前記薬液回収タンク内の薬液を循環流通させる循環回路を形成すると共に，薬液回収タンクと該循環回路にそれぞれ温度調整手段を配置し，薬液の温度が，前記温度Ｔ１よりも低い温度Ｔ２（Ｔ１＞Ｔ２）よりも高くなったときはそれら温度調整手段の一方のみで加熱を行い，薬液の温度が温度Ｔ２よりも低くなったときはそれら温度調整手段の両方で加熱を行うように構成したことを特徴とする，請求項１に記載の洗浄システム。
　【請求項３】　
前記薬液回収タンクの温度調整手段と前記循環回路の温度調整手段の温度調整容量が異なることを特徴とする請求項２に記載の洗浄システム。
　【請求項４】　
前記温度Ｔ２よりも高くなったときに加熱を行う一方の温度調整手段の容量を，他方の温度調整手段の容量より大きくすることを特徴とする請求項３に記載の洗浄システム。
　【請求項５】　
前記薬液回収タンク内の薬液を洗浄槽内へ循環を開始した後は，前記循環回路の温度調整手段の加熱温度が処理温度Ｔに切り替わることを特徴とする，請求項２，３又は４の何れかに記載の洗浄システム。
　【請求項６】　
被処理体を洗浄槽で処理している間は，薬液を洗浄槽と前記循環回路との間を循環させ，前記薬液回収タンク内の温度調整手段は停止させるように構成されていることを特徴とする請求項２，３，４又は５の何れかに記載の洗浄システム。
　【請求項７】　
前記洗浄槽への薬液の供給は，被処理体を洗浄槽内に収納する直前に行うことを特徴とする１，２，３，４，５又は６の何れかに記載の洗浄システム。
　【請求項８】　
被処理体を収納自在な洗浄槽内において，所定の処理温度Ｔに温度調整された薬液を使用して被処理体を薬液洗浄する状態と，純水を使用して被処理体を純水洗浄する状態とに切換えて洗浄する洗浄方法において，薬液洗浄処理の前までに，薬液の温度を前記処理温度Ｔよりも高い温度Ｔ１に調整しておき，薬液洗浄を行う際にこの温度Ｔ１に調整された薬液を洗浄槽に供給することにより，処理槽内に供給された際に薬液の温度が処理温度Ｔとなるようにし，洗浄槽内の薬液の温度が処理温度Ｔになった時点で，加熱温度を温度Ｔ１から処理温度Ｔに切り替えることを特徴とする，洗浄方法。
　【請求項９】　
前記洗浄槽内で純水洗浄が行われている間に薬液の温度を調整することを特徴とする請求項８に記載の洗浄方法。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の属する技術分野】
　本発明は，１つの洗浄槽内において複数の洗浄液を使用して被処理体の洗浄処理ができる，いわゆるワンバス方式（単槽式，単一槽，１槽多薬式などとも呼称される）の洗浄システムに関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　例えば，半導体デバイスの製造工程においては，半導体ウェハ（以下，「ウェハ」という）表面のパーティクル，有機汚染物，金属不純物等のコンタミネーションを除去するために洗浄システムが使用されている。その中でもウェハを洗浄槽内の洗浄液に浸漬させて洗浄を行う洗浄システムは，ウェハに付着したパーティクルを効果的に除去できる長所がある。
　【０００３】
　この洗浄システムは，連続バッチ処理を可能とするため，例えば２５枚のウェハをキャリアから取り出すローダと，このローダによって取り出されたキャリア２個分の５０枚のウェハを一括して搬送する搬送装置と，この搬送装置によって搬送される５０枚のウェハを，各種の薬液を用いてバッチ式に洗浄するための洗浄槽と，洗浄処理の終了したウェハを再びキャリア内に収納させるアンローダを備えている。
　【０００４】
　最近では，洗浄システム全体の設置スペースのコンパクト化やトータルコストの低減といった複合的な要望により，各処理ごとに薬液槽と純水洗浄槽が交互に配列する多槽式の洗浄槽とは違い，ワンバス方式の洗浄槽を利用した洗浄システムが注目されている。このワンバス方式の洗浄槽は，１種類または２種類以上の薬液と純水とを１つの洗浄槽内に各処理毎に供給し排出する機能をもった，いわゆる複数処理を単一の槽で行うものである。
　【０００５】
　このワンバス方式の洗浄システムは，薬液処理終了後において薬液を洗浄槽内から回収するための薬液回収タンクを有している。そして，この薬液回収タンクに洗浄槽内から回収した薬液を一時的に溜めておいて，その間に洗浄槽に純水を供給し，純水洗浄が行われる。そして，純水洗浄の終了後，薬液回収タンクに溜めておいた薬液を再び洗浄槽内に供給してウェハを洗浄することにより，薬液を再利用するように構成されている。
　【０００６】
　またウェット型の洗浄システムにおいては，所定の処理温度Ｔに加熱した薬液を使用することにより，常温の薬液を使用した場合に比べて高い洗浄能力で効率の良い洗浄を行っている。例えば，硫酸（Ｈ２ＳＯ４）と過酸化水素水（Ｈ２Ｏ２）を混合した薬液（ＳＰＭ）で有機物を洗浄する場合には，約１００℃〜１５０℃程度に加熱した薬液が使用されている。また，アンモニア（ＮＨ４ＯＨ）と過酸化水素（Ｈ２Ｏ２）を混合した薬液（ＡＰＭ）でパーティクルや有機物などを洗浄する場合には，約４０℃〜９０℃程度に加熱した薬液が使用されている。また，塩酸（ＨＣｌ）と過酸化水素水（Ｈ２Ｏ２）を混合した薬液（ＨＰＭ）で金属などを洗浄する場合には，約５０℃〜９０℃程度に加熱した薬液が使用されている。そして，ワンバス方式の洗浄システムでは，純水洗浄が行われている間に，予め薬液回収タンクに回収した薬液をヒータで所定の処理温度Ｔに加熱しておき，純水洗浄の終了後に，その加熱しておいた薬液を洗浄槽内に供給することにより洗浄能力と洗浄効率の向上をはかっている。
　【０００７】
　【発明が解決しようとする課題】
　ところで，以上のようなワンバス方式の洗浄システムで行われるウェハのリンス処理は，通常は室温程度の水温を有する純水を洗浄槽内に供給し，ウェハ表面や洗浄槽内に残存する薬液等を洗い流すことにより行われる。このため，純水洗浄を終了した時点では，純水で熱を奪われたことによって，洗浄槽の温度が常温近くまで冷却された状態となる。そして，このように洗浄槽が常温近くまで冷却された状態で，次の洗浄を行うための薬液が薬液回収タンクから再び洗浄槽内に供給される。
　【０００８】
　このため，薬液回収タンクに回収した薬液をせっかく所定の処理温度Ｔに加熱しておいたにもかかわらず，薬液を洗浄槽内に供給した際に薬液の熱が処理槽の昇温に費やされて奪われることとなり，薬液の温度が所定の処理温度Ｔよりも低い温度になってしまうといった問題を生ずる。このように洗浄槽内に供給した薬液の温度が低下すると，再び薬液を所定の処理温度Ｔまで昇温させるのに時間がかかり，設定温度に達するまでウェハを洗浄槽内に収納できないか，薬液の供給の直後においては洗浄槽内に収納したウェハの効率の良い洗浄ができなくなってしまう。その結果，洗浄システム全体の洗浄処理時間が長くなり，温度調整手段に係るエネルギーやコストの増大及びスループットの低下を招くこととなる。
　【０００９】
　よって本発明の目的は，ワンバス方式の洗浄システムにおいて，洗浄槽へ薬液を供給した直後において，薬液の温度が所定の処理温度Ｔとなるような手段を提供することにある。
　【００１０】
　【課題を解決するための手段】
　以上の課題を解決するために，本発明によれば，被処理体を収納自在な洗浄槽と，所定の処理温度Ｔに温度調整された薬液を該洗浄槽に供給する薬液供給手段と，洗浄槽に純水を供給する純水供給手段と，少なくとも該純水供給手段によって洗浄槽内に純水が供給されている間は洗浄槽内から排出された薬液を回収しておく薬液回収タンクとを備えた洗浄システムにおいて，前記薬液回収タンク内の薬液を洗浄槽内に供給した際に薬液の温度が処理温度Ｔとなるように，薬液の温度を調整する温度調整手段を設け
，前記温度調整手段により，前記薬液回収タンク内に薬液を回収した待機状態では，前記薬液の温度が前記処理温度Ｔよりも高い温度Ｔ１になるように温度調整し，前記温度調整手段により，前記洗浄槽内に薬液を循環させて洗浄を行う際には，洗浄槽内の薬液の温度が処理温度Ｔになった時点で，加熱温度を温度Ｔ１から処理温度Ｔに切り替えることを特徴とする，洗浄システムが提供される。
　【００１１】
　
前記薬液回収タンク内の薬液を循環流通させる循環回路を形成すると共に，薬液回収タンクと該循環回路にそれぞれ温度調整手段を配置し，薬液の温度が，前記温度Ｔ１よりも低い温度Ｔ２（Ｔ１＞Ｔ２）よりも高くなったときはそれら温度調整手段の一方のみで加熱を行い，薬液の温度が温度Ｔ２よりも低くなったときはそれら温度調整手段の両方で加熱を行うように構成しても良い。また，
更に，
温度
　【００１２】
　
また，
また，
　【００１３】
　また，
本発明は，
よりも高い
し，洗浄槽内の薬液の温度が処理温度Ｔになった時点で，加熱温度を温度Ｔ１から処理温度Ｔに切り替えることを特徴とする。この洗浄方法においては，
　【００１４】
　【発明の実施の形態】
　以下，本発明の実施の形態について説明すると，本実施形態はキャリア単位でのウェハの搬入，洗浄，乾燥，キャリア単位での搬出までを一貫して行うように構成された洗浄システムとして構成されたものである。図１は，本発明の好ましい実施の形態を説明するための洗浄システム１の斜視図である。
　【００１５】
　この洗浄システム１は，洗浄前のウェハＷをキャリアＣ単位で搬入して洗浄に付するまでの動作を行う搬入・取出部２と，この搬入・取出部２から搬出されたウェハＷを洗浄，乾燥する洗浄乾燥処理部３と，この洗浄乾燥処理部３で洗浄，乾燥されたウェハＷをキャリアＣ単位で搬出する装填・搬出部４の三つの箇所に大別することができる。
　【００１６】
　搬入・取出部２には，洗浄前のウェハＷを例えば２５枚収納したキャリアＣを搬入して載置させる搬入部５と，この搬入部５の所定位置に送られたキャリアＣを，隣接するローダ６へ一度に適宜数（例えば２個）ずつ移送するための移送装置７が設けられている。
　【００１７】
　洗浄乾燥処理部３には，その前面側（図１における手前側）に，２つの搬送装置１１，１２が配列されており，これら各搬送装置１１，１２は，それぞれ所定の距離分，洗浄システム１の長手方向に沿ってスライド自在である。各搬送装置１１，１２には，それぞれ対応するウェハチャック１３，１４が装備されており，これら搬送装置１１，１２のウェハチャック１３，１４によって，キャリアＣの２つ分のウェハＷ（例えば５０枚）を一括して保持して移動することで，搬入・取出部２から洗浄乾燥処理部３，装填・搬出部４の順にウェハＷを一括して搬送することが可能である。
　【００１８】
　前記した装填・搬出部４には，ローダ６と同一構成のアンローダ８と，搬入部５と同一構成の搬出部９，及び移送装置７と同一構成の移送装置（図示せず）が各々設けられている。
　【００１９】
　洗浄乾燥処理部３には，ローダ６側から順に，搬送装置１１のウェハチャック１３を洗浄，乾燥するためのチャック洗浄・乾燥槽２１，ウェハＷに付着している不純物質に対して薬液による除去し純水洗浄を行う洗浄槽２２，洗浄槽２２で使用された薬液とは異なった薬液によってウェハＷに付着している不純物を除去し，その後純水洗浄する洗浄槽２４，更に異なった薬液で処理して純水を行う洗浄槽２６，そして前記各洗浄槽で不純物が除去されたウェハＷを，例えばイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）蒸気を用いて乾燥させるための乾燥槽２８が各々配列されている。
　【００２０】
　なお以上の配列や洗浄槽の組合わせは，ウェハＷに対する処理，洗浄の種類によって任意に組み合わせることができる。例えば，ある洗浄槽を減じたり，逆にさらに他の洗浄槽を付加してもよい。例えば前記各洗浄槽２２，２４，２６での処理が終わった後に，純水洗浄のみを行う適宜の純水洗浄槽を，これら洗浄槽の次に設置してもよい。
　【００２１】
　上記搬送装置１１，１２は何れも同様の構成を備えているので，例えばチャック洗浄・乾燥槽２１，洗浄槽２２及び洗浄槽２４の相互間でウェハＷを搬送させる搬送装置１１を例にして説明すると，搬送装置１１のウェハチャック１３は，図２に示すように，キャリアＣ二つ分の複数枚のウェハＷ，即ち，この実施の形態においては５０枚のウェハＷを一括して把持する左右一対の把持部３０ａ，３０ｂを備えている。
　【００２２】
　把持部３０ａ，３０ｂは左右対称形であり，左右対称に回動して開脚，閉脚するように構成されている。把持部３０ａ，３０ｂは搬送装置１１の支持部３１に支持されており，支持部３１内の駆動機構により，回動自在（θ方向）に，また前後方向（Ｙ方向）に移動自在に構成されている。この支持部３１は，駆動機構３２によって上下方向（Ｚ方向）に移動し，また，駆動機構３２自体は，長手方向（Ｘ方向）に移動自在な搬送ベース３４の上部に取り付けられている。
　【００２３】
　把持部３０ａ，３０ｂには，ウェハＷの周縁部が所定の等間隔に挿入される把持溝が，例えば５０本ずつ形成されている把持棒３３ａ，３３ｂ，３４ａ，３４ｂが図２で示すように上下２段に平行に渡されている。支持部３１の回動により把持部３０ａ，３０ｂを閉脚させ，把持棒３３ａ，３３ｂ，３４ａ，３４ｂの間でウェハＷの周辺部を一括把持する。そして，その状態で複数枚のウェハＷを所望の位置に搬送することができる。なお，搬送装置１２のウェハチャック１４も同一の構成を有している。
　【００２４】
　一方，チャック洗浄・乾燥処理槽２１を除く他の各洗浄槽２２，２４，２６の底部には，各槽内でウェハＷを同士を所定の等間隔に保ちつつ立てた状態で整列させて保持するためのボート部４０がそれぞれ設置されている。このボート４０部はウェハＷの下部を支持するための，三本の平行な保持棒４１，４２，４３が図２で示すように備えられている。これら保持棒の表面には，ウェハＷの周縁部が挿入される保持溝がそれぞれ５０個ずつ形成されている。
　【００２５】
　そして，前述の把持部３０ａ，３０ｂによって一括して把持された５０枚のウェハＷは，ウェハチャック１３の下降に伴いボート４０部の保持棒４１，４２，４３の保持溝にそれぞれ嵌入される。そして，支持部３１の回動により把持部３０ａ，３０ｂを開脚し，ウェハＷの把持状態を開放し，第１洗浄槽２２内にウェハＷを収納する。その後，ウェハチャック１３は上昇し第１洗浄槽２２から上方に退避し，ボート部４０上に受け渡されたウェハＷに対する所定の洗浄処理が行われる。
　【００２６】
　また，後述するように洗浄槽２２における所定の処理が終了すると，ウェハチャック１３の下降に伴って把持部３０ａ，３０ｂが洗浄槽２２内に挿入される。そして，支持部３１の回動により把持部３０ａ，３０ｂが閉脚する。そして，ボート部４０の保持棒４１，４２，４３上に保持された５０枚のウェハＷを一括して把持する。その後，ウェハチャック１３が上昇し上方に退避する。それに伴い５０枚のウェハＷは一括して第１洗浄槽２２から取り出され，次の槽に搬入されていく。
　【００２７】
　次に，各洗浄槽２２，２４，２６はいずれも同様の構成を有しているので，図３〜５を参照にして，アンモニア（ＮＨ４ＯＨ）と過酸化水素水（Ｈ２Ｏ２）と純水を混合し，処理温度Ｔ（例えば８０℃）に加熱した薬液を用いてウェハＷを洗浄処理（ＡＰＭ処理）し，更に常温の純水を用いてウェハＷを純水洗浄（リンス洗浄）する洗浄槽２２について代表して説明する。
　【００２８】
　図３に示すように，洗浄槽２２はウェハＷを収納するのに充分な大きさを有する箱形の内槽５０と外槽５１から構成されている。内槽５０の上面は開口しており，この上面の開口部を介してウェハＷが内槽５０の内部に挿入される。外槽５１は，内槽５０の上端からオーバーフローした薬液を受けとめるように，内槽５０の開口部を取り囲んで装着されている。
　【００２９】
　洗浄後に洗浄槽２２内の薬液を回収して再利用を行うために，薬液を一時的に溜めておく手段として薬液回収タンク５３が設けられている。即ち，洗浄槽２２の内層５０の底部には，開閉弁４５を介して回収回路４６が接続されており，開閉弁４５と回収回路４６の途中に配置されている三方弁４７を切換操作することによって，内層５０内の薬液を薬液回収タンク５３内に自重で落下させて回収できるように構成されている。一方，外層５１の底部には，開閉弁４８を介して回収回路４６が接続されており，同様に三方弁４７を切換操作することによって，外層５１内の薬液を薬液回収タンク５３内に自重で落下させて回収できるように構成されている。
　【００３０】
　また，このようにして薬液回収タンク５３内に回収された薬液を薬液回収タンク５３の下方から取り出し，所定の処理を施した後，薬液を再び薬液回収タンク５３の上方に戻して循環させる循環回路５４が形成されている。この循環回路５４には，三方弁５５，三方弁５６，ポンプ５７，ダンパ５８，ヒータ５９，フィルタ６０，三方弁６１が順に配列されている。そしてポンプ５７の稼働により，薬液回収タンク５３の下方から循環回路５４内に薬液を流入させ，ヒータ５９によって所定の温度に加熱し，フィルタ６０によって薬液中の不純物を除去した後，再び薬液回収タンク５３の上方より薬液を吐き出して循環させるように構成されている。
　【００３１】
　このように，薬液を薬液回収タンク５３と循環回路５４との間を循環流通させる間は，ヒータ５９は前述の処理温度Ｔよりも高い温度Ｔ１（例えば９０℃）に薬液を加熱するように構成されている。そして，循環回路５４内に流れる薬液の温度が温度Ｔ１近くになると自動的にヒータ５９の加熱が弱まる或いは停止するように構成されている。
　【００３２】
　また，薬液回収タンク５３の上方には，不足したアンモニア（ＮＨ４ＯＨ），過酸化水素水（Ｈ２Ｏ２）及び純水を適宜必要に応じて補充する薬液供給源６２，６３及び純水供給源６４が設けられている。これら薬液供給源６２，６３及び純水供給源６４は，各開閉弁６５，６６，６７の切換操作により，薬液回収タンク５３内に各薬液及び純水を供給するように構成されている。
　【００３３】
　また，薬液回収タンク５３内部にもヒータ６８が配置されている。そして，薬液を薬液回収タンク５３と循環回路５４との間を循環流通させる間は，このヒータ６８は，先に説明した循環回路５４に設けられているヒータ５９の加熱温度Ｔ１よりも低い温度Ｔ２（例えば８５℃）に薬液を加熱するように構成されている。そして，薬液回収タンク５３内の薬液の温度が温度Ｔ２近くになると自動的にヒータ６８の加熱が弱まる或いは停止するように構成されている。また図示はしないが，薬液回収タンク５３内部の薬液の液量や濃度を検出するための薬液センサが設けられている。
　【００３４】
　ここで，先に説明した薬液回収タンク５３の内部に配置されたヒータ６８と，循環回路５４内に配置されたヒータ５９とは容量が異なるように構成されており，薬液の温度を温度Ｔ１に調整するヒータ５９の容量は，薬液の温度を温度Ｔ２に調整するヒータ６８の容量よりも大きくするように構成されている。
　【００３５】
　一方，循環回路５４の途中に配置された三方弁６１には，温度Ｔ１に加熱された薬液を洗浄槽２２に供給する手段としての供給回路６９が接続されている。この供給回路６９の先端には，図４に示すように内槽５０の底部に配置された一対のジェットノズル７０が取り付けられている。そして，図５に示すように，ジェットノズル７０は円筒形状を有しており，その周面に穿設された複数の吹き出し孔７１から，ボート４０部上に保持されたウェハＷの表面に向かって上向きに薬液を噴射するように構成されている。また，循環回路５４の途中に配置された三方弁５６には，内層５０から外層５１へオーバーフローした薬液を再び循環回路５４内に戻すための排出回路７２が接続されている。
　【００３６】
　そして，後述するように洗浄槽２２内に薬液を循環させて洗浄を行う際には，これら三方弁６１，５６を切り替えることにより，ポンプ５７の稼働によって循環回路５４内を循環させてヒータ５９及びフィルタ６０で調整した薬液を，供給回路６９を介してジェットノズル７０から噴出させることにより，内槽５０内のボート４０上に保持されたウェハＷの表面に薬液を供給し，また，内層５０から外層５１へオーバーフローした薬液は，排出回路７２から循環回路５４へ再び戻すように構成されている。なお，このように洗浄槽２２内に薬液を循環させて洗浄を行っている場合は，洗浄槽２２内の薬液の温度が処理温度Ｔになった時点で，ヒータ５９の加熱温度を温度Ｔ１から処理温度Ｔに切り替えるように構成されている。また，薬液回収タンク５３内の薬液は洗浄槽２２へ供給され，薬液回収タンク５３内部は空となるので，ヒータ６８の加熱は停止するように構成されている。
　【００３７】
　更に，純水を洗浄槽２２に供給する手段としての純水供給源７３が，供給回路６９の途中に配置された三方弁７４に接続されている。この三方弁７４の切換操作によって純水供給源７３からの純水が洗浄槽２２へ供給されるようになっている。また，純水供給源７３から内層５０内に供給されて内層５０から外層５１へオーバーフローした純水を，開閉弁７５を備えるサンプリング回路７６へ流入させることができるようになっている。このサンプリング回路７６には，サンプリング回路７６内に流入させることによりサンプリングした純水の電気伝導度を測定する比抵抗計７７が設けられている。
　【００３８】
　その他，外層５１の底部に接続された回収回路４６の途中には，排液回路７８が三方弁７９を介して接続されており，三方弁７９の切換操作によって，外層５１内に残った薬液や純水を排液できるように構成されている。また，薬液回収タンク５３の底部にも，薬液回収タンク５３内に残った薬液を排出するための，開閉弁８０を備える排液回路８１が接続されている。更に，内層５０底部に接続された回収回路４６の途中に配置されている三方弁４７にも排液回路８５が接続されており，三方弁４７の切換操作によって，内層５０内に残った純水を排液できるように構成されている。
　【００３９】
　内層５０内には，洗浄槽に充填された薬液の温度を測定するための温度計９０が備えられており，温度計９０はコントローラ９１に接続されている。このコントローラ９１は，ヒータ５９，ヒータ６８にも接続されており，温度計９０が検出した洗浄槽内の薬液の温度の値はコントローラ９１へ送信され，コントローラ９１はこの送信を基に所定の制御信号をヒータ５９，ヒータ６８に送信し，これらの加熱を制御するように構成されている。
　【００４０】
　なお，その他の洗浄槽２４，２６も洗浄槽２２と同様の構成を備えており，洗浄槽２４，２６内において種々の薬液を用いてウェハＷを洗浄し，更に純水によって純水洗浄するように構成されている。
　【００４１】
　次に，このように構成された洗浄システム１におけるウェハＷの処理工程を説明する。
　【００４２】
　まず，図示しない搬送ロボットが未だ洗浄されていないウェハＷを例えば２５枚ずつ収納したキャリアＣを搬入・取出部２の搬入部５に載置する。そして，この搬入部５に載置されたキャリアＣを移送装置７によって隣接するローダ６へ移送する。ローダ６では，例えばキャリアＣ二個分の５０枚のウェハＷをキャリアＣから取り出し，更にオリフラ合わせした状態で５０枚のウェハＷを整列待機させる。
　【００４３】
　続いて，既にチャック洗浄・乾燥槽２１において洗浄および乾燥処理された搬送装置１１のウェハチャック１３が，ローダ６に整列している待機状態のウェハＷの上方に移動し，その整列されたウェハＷをウェハチャック１３により５０枚単位で一括して把持する。そして，それらウェハＷを洗浄槽２２，２４，２６に順次搬送する。こうして，ウェハＷ表面に付着している有機汚染物，パーティクル等の不純物質を除去するための洗浄を行う。
　【００４４】
　ここで，代表して洗浄槽２２での洗浄処理を説明する。先ず洗浄層２２内にウェハＷが挿入される前の待機状態においては，洗浄層２２の内槽５０内には，三方弁７４の切換操作によって純水供給源７３からの純水が供給回路６９及びジェットノズル７０を経て供給されている。但し，この待機状態では純水供給源７３から供給される純水の流量は３リットル／ｍｉｎ〜４リットル／ｍｉｎの節水状態となっている。そして，内層５０から外層５１にオーバーフローした純水は，開閉弁７９が開かれていることにより排液回路７８より排液される。このようにウェハＷの投入待機の間，洗浄槽２２内部では純水が供給し続けられている。
　【００４５】
　一方，薬液回収タンク５３内には，既に洗浄槽２２から回収された薬液が充填されており，必要に応じて薬液供給源６２，６３及び純水供給源６５から，アンモニア（ＮＨ４ＯＨ），過酸化水素水（Ｈ２Ｏ２）及び純水が適宜供給され，薬液の濃度が調整される。そしてこの待機状態では，ポンプ５７の稼働によって循環回路５４に流入した薬液を再び薬液回収タンク５３内に循環させており，このように薬液が薬液回収タンク５３と循環回路５４を循環流通している間に，薬液はヒータ５９，６８によって加熱され，更にフィルタ６０によって濾過される。
　【００４６】
　この場合，薬液の温度が前記温度Ｔ２よりも低い場合は循環回路５４に設けられたヒータ５９と薬液回収タンク５３内に設けられたヒータ６８の両方で加熱を行う。そして，薬液の温度が温度Ｔ２以上である場合は，薬液回収タンク５３内のヒータ６８の加熱を停止し，循環回路５４のヒータ５９のみで薬液を前記温度Ｔ１になるまで加熱する。こうして，薬液回収タンク５３内に貯えられた薬液を，所定の処理温度Ｔよりも高い温度Ｔ１にまで加熱し，温度Ｔ１の状態で一定に維持している。更に，洗浄槽２２内に薬液を循環させて洗浄を行う際には，洗浄槽２２内の薬液の温度が処理温度Ｔになった時点で，ヒータ５９の加熱温度を温度Ｔ１から処理温度Ｔに切り替える。
　【００４７】
　そして洗浄層２２内にウェハＷが収納される直前に，先ず，供給回路６９に設けられた三方弁７４が切換操作されて純水供給源７３からの純水の供給が停止する。そして，開閉弁４５が開き，三方弁４７が切換操作されて，内層５０内に残った純水が回収回路４６から排液回路８５へと流入し排液される。また，外層５１内に残った純水は，開閉弁４８が開き三方弁７９の切換操作によって，回収回路４６から排液回路７８を経て排液される。こうして内層５０内と外層５１内から純水が除去され，排液が終了すると開閉弁４５，４８は閉じられた状態に戻る。
　【００４８】
　次に，三方弁６１が切換操作され，それまで循環回路５４と薬液回収タンク５３を循環していた薬液が，温度Ｔ１に加熱された状態で供給回路６９を経て内層５０内に供給される。そして，薬液回収タンク５３内の薬液のほぼ全部が内層５０内に供給され，内槽５０から外槽５１にオーバーフローする状態となると，三方弁５６が切換操作され，内槽５０から外槽５１にオーバーフローした薬液が排出回路７２から循環回路５４へ戻る状態となる。そして，ポンプ５７の稼働によって循環回路５４を流れる薬液が供給回路６９，内層５０，外槽５１，排出回路７２の順に流れて循環する。こうして，循環回路５４にてヒータ５９及びフィルタ６０によって調整された薬液が，連続的に洗浄槽２２に供給されるようになる。
　【００４９】
　ところで，このように薬液回収タンク５３内の薬液を洗浄槽２２に供給する直前までは，先に説明したように，内層５０及び外槽５１には純水供給源７３からの純水が供給されていたことにより，内層５０及び外槽５１の温度は常温近くまで冷却された状態となっている。このため，循環回路５４と薬液回収タンク５３において温度Ｔ１に加熱した薬液を洗浄槽２２に供給した当初においては，薬液の熱は内層５０及び外槽５１の昇温に費やされ，薬液の温度は処理温度Ｔにまで低下することとなる。これにより，洗浄槽２２への薬液の供給直後において，内層５０及び外槽５１内を処理に最適な温度Ｔに加熱された薬液で満たすことが可能となる。こうして，三方弁６１，５６を順次切り替えることによって，循環回路５４に設けられているポンプ５７の稼働で，薬液を供給回路６９，内層５０，外槽５１，排出回路７２の順に流れる循環流を形成する。なお，このように洗浄槽２２内への薬液の循環を開始した後は，循環回路５４に設けられたヒータ５９の加熱温度は温度Ｔ１から処理温度Ｔに設定が切り替えられる。また，薬液回収タンク５３内部は空となるので，ヒータ６８の加熱は停止することとなる。
　【００５０】
　次に，こうして洗浄槽２２内への薬液の循環を開始した直後に，５０枚のウェハＷを保持した搬送装置１１のウェハチャック１３が洗浄槽２２内に下降する。そしてウェハＷを洗浄槽１２内のボート４０に受け渡し，内層５０の底部に配置されたジェットノズル７１から上向きに噴射した薬液をウェハＷの表面に上昇流として供給することにより，内槽５０内のボート４０上に保持されたウェハＷの表面に対する均一な洗浄を行う。
　【００５１】
　そして所定の時間が経過し，薬液処理が終了すると，開閉弁４５と開閉弁４８とが開いて三方弁４７が切換操作され，内層５０内と外層５１内の薬液は回収回路４６を経て薬液回収タンク５３に回収される。回収後，薬液回収タンク５３内の図示しない薬液センサにより，薬液処理で消費した薬液量が検出される。そして，不足した薬液を補うべく薬液供給源６２，６３及び純水供給源６４から各薬液及び純水が適宜供給される。そして，三方弁６１，５６の切換によって薬液は再び薬液回収タンク５３と循環回路５４との間を循環流通し，薬液の温度は温度
Ｔ１まで加熱される。
　【００５２】
　また，薬液処理が終了後，洗浄槽２２ではウェハＷの純水洗浄が開始される。即ち，三方弁７４の切換操作によって純水供給源７３からの純水が供給回路６９及びジェットノズル７０を経て内槽５０の底部から噴射を開始して，ウェハＷ及び内槽５０の表面に付着した薬液を洗い流す。そして，内層５０から外層５１にオーバーフローした純水は，三方弁７９の切換操作によって排液回路７８より排液される。ただし，先に説明した如き節水状態（流量が３リットル／ｍｉｎ〜４リットル／ｍｉｎ）でウェハＷの挿入を待機していた状態とは異なり，この純水洗浄の間は，純水供給源７３から供給される純水の流量は２０リットル／ｍｉｎ〜４０リットル／ｍｉｎとして，比較的大量の純水を用いて薬液を洗い流すのがよい。そして，適宜の時期に開閉弁７５が開き，外槽５１からサンプリングされた純水がサンプリング回路７６へと流入し，比抵抗計７７により純水の濃度が測定される。そして，純水の比抵抗値が所定の値に達すると，洗浄槽２２における純水洗浄が終了する。
　【００５３】
　その後，搬送装置１１のウェハチャック１３が洗浄槽２２の内槽６０内に下降し，ボート部４０上に保持された５０枚のウェハＷを一括して把持して上昇する。こうして５０枚のウェハＷを一括して洗浄槽２２の内槽５０内から取り出し，次の洗浄槽２４へ搬送する。そして，以後各洗浄槽２４，２６においても同様の洗浄処理が順次行われていく。そして，最後にウェハＷは乾燥槽２８において乾燥され，装填・搬出部４を介してキャリアＣ単位で装置外に搬出される。
　【００５４】
　内槽５０内からウェハＷが取り出されて一連の洗浄処理が終了すると，純水供給源７３から供給される純水の流量は３リットル／ｍｉｎ〜４リットル／ｍｉｎの節水状態に戻り，再び待機状態になる。そして，次のウェハＷの薬液処理が実施される直前に，再び洗浄槽２２から純水が排液され，温度Ｔ１に加熱された薬液が再び洗浄槽２２に供給される。こうして，洗浄処理が繰り返されることになる。
また，繰り返し使用された薬液を排液して新しい薬液を使用するような薬液の交換時期の場合には，交換前の薬液循環処理中に薬液回収タンク５３に予め新しい薬液を供給して温度Ｔ１に加熱しておくこともできる。その場合は，新しい薬液で洗浄処理が繰り返されることになる。
　【００５５】
　なお従来は，一連のウェハＷの洗浄処理が終了すると，すぐに洗浄槽２２から純水が排液され，薬液が洗浄槽２２に供給された状態で，次の洗浄処理が行われるウェハＷの挿入を待機していた。その結果，ウェハＷの待機中に洗浄槽２２から薬液が蒸発して液量が減少するといった問題や，薬液が洗浄槽２２の内壁や供給回路６９内壁等に染み込んでしまう機会が多く発生し，薬液洗浄後において行われる純水洗浄に悪影響を及ぼしていた。本実施の形態で説明したように，純水洗浄後は洗浄槽２２内の純水をすぐに排出せず，純水供給源７３からの供給を節水状態に切り替えておき，次のウェハＷが洗浄槽２２内に収納される直前に薬液の供給を行うようにすれば，前述したような薬液の蒸発や染み込みといった問題を回避できるようになる。
　【００５６】
　また，洗浄槽２２の外槽５１の上方には，図６に示すように純水を貯えた純水タンク９５を設けても良い。この純水タンク９５は，開閉弁９６の切換操作により，純水が外槽５１へ直接に供給されるようになっている。ここで，落雷，地震などの天災による工場の停電や機械の故障などといった事故より，ウェハＷの薬液洗浄の途中において洗浄槽２２の稼働が停止してしまう場合がある。この場合には，洗浄槽２２内において長時間に渡ってウェハＷが薬液で浸漬されることになり，ウェハＷを用いた半導体デバイスの製造に悪影響を及ぼす恐れがある。そこで，ウェハＷの薬液洗浄中に事故が生じた場合には，開閉弁４５を開き，三方弁７４を切換操作することにより，薬液を槽内から排液すると共に純水供給源７３からの純水を供給回路６９及びジェットノズル７０を経て内槽５０内に供給するのが好ましい。また，開閉弁４５，９６を開き，純水タンク９５から純水を供給すると共に薬液を槽内から排液するように構成しても良い。こうして，洗浄槽２２内を薬液から純水へ置換することにより，ウェハＷの救済を行えるようになる。
　【００５７】
　かくして，この実施の形態の洗浄システム１によれば，洗浄槽２２の内槽５０から回収した薬液を加熱し再利用する際に，薬液回収タンク５３内のヒータ６８と循環回路５４に配置されたヒータ５９を用いて，処理温度Ｔよりも高い温度Ｔ１に加熱しておくことにより，洗浄槽２２への供給直後の薬液温度の低下を防止することができるようになる。その結果，洗浄槽２２内へ薬液を充填した直後から最適な温度Ｔに加熱された薬液で効率の良い洗浄を行うことができ，洗浄時間も短縮できるので，半導体デバイスの製造における歩留まりが向上する。なお，洗浄液としてアンモニア（ＮＨ４ＯＨ），過酸化水素水（Ｈ２Ｏ２），純水を混合した薬液を用いたＡＰＭ処理を行う洗浄槽２２について主たる説明を行ったが，本発明は，他の薬液を用いて洗浄処理を行う例えば洗浄槽２４，２６にも同様に適用でき，更に，その他の各種薬液を用いて処理を行う方法や装置にも適用することが可能である。また，処理温度Ｔ，温度Ｔ１，Ｔ２は各種薬液の使用や洗浄槽の熱容量などに応じて適宜の温度に設定される。つまり，処理温度Ｔが室温より低い場合は，Ｔ１＜Ｔ２，Ｔ１＜Ｔの関係に温度が設定され，薬液回収タンク５３内の薬液の温度が処理温度Ｔよりも低い温度Ｔ１に温度調整される。このように温度が設定された場合には，薬液の温度が温度Ｔ１よりも高い温度Ｔ２よりも高くなった時には，温度調整手段の両方で温度調整され，薬液の温度が温度Ｔ２よりも低くなった時には，温度調整手段の片方で温度調整が行われる。なお，以上の実施形態では，一例としてウェハＷを洗浄する洗浄システム１について主たる説明を行ったが，本発明は，ＬＣＤ基板の如き被処理体を扱う洗浄システムなどに適応させることも可能である。
　【００５８】
　【本発明の効果】
　本発明によれば，洗浄システムにおいて，洗浄槽へ供給された薬液を直ぐに所定の処理温度に適合でき，温度調整手段に係るエネルギーやコストの省力化と，洗浄処理時間を短縮させることが可能となる。従って本発明によれば，例えば半導体デバイスの製造における歩留まりを向上させることができるようになる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　本発明の実施の形態にかかる洗浄システムの斜視図である。
　【図２】
　搬送装置を拡大して示す斜視図である。
　【図３】
　洗浄槽と薬液回収タンクとを結ぶ回路系統の概略図である。
　【図４】
　内槽の構成を概略的に示す断面図である。
　【図５】
　ジェットノズルの斜視図である。
　【図６】
　洗浄槽の上方に設けた純水タンクの説明図である。
　【符号の説明】
　Ｗ　　ウェハ
　１　　洗浄システム
　２２　洗浄槽
　５０　内層
　５１　外層
　５３　薬液回収タンク
　５４　循環回路
　５９　ヒータ
　６８　ヒータ
　７０　ジェットノズル