【事件の表示】
　特許第３１６５７７９号「サブマウント」の請求項１に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３１６５７７９号の請求項１に係る特許を取り消す。
【理　由】
［１］手続の経緯
　本件特許第３１６５７７９号の請求項１に係る発明についての出願は、平成７年７月１８日に特許出願され、平成１３年３月２日にその発明について特許権の設定登録がなされたところ、当該請求項１に係る発明の特許について、京セラ株式会社（以下、「異議申立人Ａ」という。）、森田昭司（以下、「異議申立人Ｂ」という。）、安藤つる子（以下、「異議申立人Ｃ」という。）より、特許異議の申立てがなされ、取消理由が通知され、その指定期間内である平成１５年４月１４日に訂正請求がなされたものである。
　　
［２］訂正の適否についての判断
（１）訂正事項
（１−１）訂正事項ａ
　本件特許に係る願書に添付した明細書（以下、「特許明細書」という。）の特許請求の範囲の請求項１に記載された「金属ビアホール」を「銅ビアホール」と訂正する。
　　
（１−２）訂正事項ｂ
　特許明細書の段落【００１０】、【００１１】、【００１７】〜【００２３】、【００２５】、【００２６】の「金属ビアホール」を「銅ビアホール」と訂正する。
　　
（１−３）訂正事項ｃ
  特許明細書の段落【００１６】の記載を「本発明において、銅ビアホールは、スルーホール内部を銅で充填したものである。銅ビアホールは電気導電性が高いため、ポストファイア法（Ｐｏｓｔ−ｆｉｒｅ法）で形成される場合に好適である。」と訂正する。
　　
（１−４）訂正事項ｄ
  特許明細書の段落【００１９】〜【００２１】の「金属ペースト」を「銅ペースト」と訂正する。
　　
（１−５）訂正事項ｅ
  特許明細書の段落【００２０】の「金属ペースト充填後の焼成温度は金属ペーストの種類により異なるが、」を「銅ペースト充填後は」と訂正する。
　　
（１−６）訂正事項ｆ
  特許明細書の段落【００２１】の「金属粉末」を「銅粉末」と訂正する。
　　
（１−７）訂正事項ｇ
  特許明細書の段落【００２８】の「実施例１…………………」以下の記載を削除する。
　　
（１−８）訂正事項ｈ
  特許明細書の段落【００２９】〜【００３４】の記載を削除する。
　　
（１−９）訂正事項ｉ
  特許明細書の段落【００３５】の「実施例３」「図４」をそれぞれ「実施例１」「図２」と訂正し、段落番号【００３５】を【００２９】に繰り上げる。
　　
（１−１０）訂正事項ｊ
 特許明細書の段落番号【００３６】を【００３０】に繰り上げ、該段落の記載の一部である「更に、実施例１と同様に光半導体装置に対してヒートサイクル試験を実施したところ、前記抵抗値の平均は０．０１３Ωで導通不良は無く、ヒートサイクル前の抵抗値の平均とほとんど変化は無かった。」を「更に、半導体レーザー素子とヒートシンクをボンディングし組み立てたサブマウント（以下光半導体装置と呼ぶ）に−５０℃：３０分保持’１２５℃：３０分保持を１サイクルとするヒートサイクル試験を１，０００サイクル行った。その後１００個の半導体レーザーのサブマウントの上面（表面側）とヒートシンク上面の位置で抵抗を測定したところ、前記抵抗値の平均は０．０１３Ωで導通不良は無く、ヒートサイクル前の抵抗値の平均とほとんど変化は無かった。」と訂正し、段落【００３０】から分割して段落【００３１】とする。
　　
（１−１１）訂正事項ｋ
 特許明細書の段落【００３７】〜【００３９】の記載を削除する。
　　
（１−１２）訂正事項ｌ
  特許明細書の段落【００４０】の「実施例５」「実施例３」をそれぞれ「実施例２」「実施例１」と訂正し、段落番号【００４０】を【００３２】に繰り上げる。
　　
（１−１３）訂正事項ｍ
  特許明細書の段落【００４１】の「実施例１と同様にして………………」以下の記載を「沈降法による平均粒径が１．６０μｍで、比表面積が２．５ｍ２／ｇ、比表面積から算出される平均粒径が０．７４μｍの窒化アルミニウム粉末１００重量部に焼結助剤として、比表面積１２．５ｍ２／ｇの酸化イットリウム粉末５重量部、有機バインダー及び分散剤としてメタクリル酸ブチル１５重量部、可塑剤としてジオクチルフタレート５重量部を添加し、トルエンを溶剤としてボールミルで混合した。このスラリーを脱泡後、ドクターブレード法により厚さ０．６ｍｍのシート状に成形した。このグリーンシートから長さ６４ｍｍ、幅６４ｍｍのシートを切り出し、窒素雰囲気中８００℃で脱脂し、その後、脱脂体を窒化アルミニウムセッターに入れ、窒素雰囲気中１，８５０℃で８時間加熱することにより、長さ５４ｍｍ、幅５４ｍｍ、厚さ０．４ｍｍの銅ビアホールの無い窒化アルミニウム基板を得た。該基板を厚さ０．２５ｍｍの両面鏡面仕上げ（表面粗さＲａ：０．０３,,ｍ）に加工し、表裏両面に導電層（第１層／第２層／第３層＝Ｔｉ：０．１μｍ／Ｐｔ：０．２μｍ／Ａｕ：０．５μｍ）をスパッタ法により形成後、表面にＡｕＳｎ（Ａｕ＝８０ｗｔ％）ハンダ（厚み５μｍ）を金属マスクを用いた蒸着法によりパターン形成した。次に、導電層及びハンダ層の形成された前記基板を長さ０．８ｍｍ、幅０．７ｍｍにダイシングカットしてサブマウントを作製した。」と訂正し、段落番号【００４１】を【００３３】に繰り上げる。
　　
（１−１４）訂正事項ｎ
  特許明細書の段落【００４２】の「このサブマウントの１００個を実施例１と同様に、半導体レーザー素子とヒートシンクをサブマウントにボンディングした。」を「このサブマウントの１００個を表面側に形成したハンダ層により半導体レーザー素子をボンディングした後、サブマウントの裏面側をＡｕＳｎ（Ａｕ＝８０ｗｔ％）ハンダにて銅製のヒートシンクへボンディングした。」と訂正し、段落番号【００４２】を【００３４】に繰り上げる。
　　
（１−１５）訂正事項ｏ
  特許明細書の段落番号【００４３】を【００３５】に繰り上げる。
　　
（１−１６）訂正事項ｐ
  特許明細書の段落【００４４】の「実施例２と同様にして、長さ５４ｍｍ、幅５４ｍｍ、厚さ０．４ｍｍのスルーホール径１５０μｍを有する窒化アルミニウム基板を形成した。」を「比較例と同じようにして作製した長さ６４ｍｍ、幅６４ｍｍ、厚さ０．６ｍｍの窒化アルミニウムのグリーンシートにパンチで直径が２００μｍのスルーホールを１，０３６個形成し、その後、比較例１と同一条件で脱脂・焼成し、長さ５４ｍｍ、幅５４ｍｍ、厚さ０．４ｍｍのスルーホール径１５０μｍを有する窒化アルミニウム基板を得た。」と訂正し、段落番号【００４４】を【００３６】に繰り上げる。
　　
（１−１７）訂正事項ｑ
  特許明細書の段落【００４５】の「実施例２と同様にして」の記載を削除し、段落番号【００４５】を【００３７】に繰り上げる。
　　
（１−１８）訂正事項ｒ
  特許明細書の段落番号【００４６】を【００３８】に繰り上げる。
　　
（１−１９）訂正事項ｓ
  特許明細書の【図面の簡単な説明】の
「【図１】図１は、本発明のサブマウントの一実施例を示す概略図である。
【図２】図２は、本発明のサブマウントの他の実施例を示す概略図である。
【図３】図３は、本発明のサブマウントの他の実施例を示す概略図である。
【図４】図４は、本発明のサブマウントの他の実施例を示す概略図である。
【図５】図５は、本発明のサブマウントの他の実施例を示す概略図である。」を
「【図１】図１は、本発明のサブマウントの一実施例を示す概略図である。
【図２】図２は、本発明のサブマウントの他の実施例を示す概略図である。」と訂正し、
【符号の説明】の「３　金属ビアホール」を「３　銅ビアホール」と訂正し、「４　窒化アルミニウム基板」「６　タングステンビアホール」「７　モリブデンチタニウムビアホール」を削除する。
　　
（１−２０）訂正事項ｔ
  図面の図２、図３、図５を削除し、図４を図２とする。
　　
（２）訂正の目的の適否、新規事項の追加の有無、及び拡張・変更の存否
（２−１）訂正事項ａについて
　訂正事項ａは、特許明細書の請求項１に記載された「金属ビアホール」をより下位概念である「銅ビアホール」に限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮に該当する。
　そして、当該「銅ビアホール」は、訂正前の特許明細書の段落【００１６】に、「金属ビアホールがポストファイア法（Ｐｏｓｔ−ｆｉｒｅ法）で形成される場合は、銅、銀、金、ニッケル、パラジウムの少なくとも１種が、電気導電性が高いため好適に使用される。」と、また段落【００３５】に、「銅ビアホール径１００μｍを有するアルミナ基板を作製した。このアルミナ基板を用いて図４に示すサブマウントを作製した。」と記載されていたものであるから、当該訂正事項は、特許明細書又は図面の範囲内においてした訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　　
（２−２）訂正事項ｂ〜ｆについて
　訂正事項ｂ〜ｆは、訂正事項ａの訂正に伴い、特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明の記載との整合をとるため、発明の詳細な説明における「金属ビアホール」又はその関連する「金属」についての記載を、「銅ビアホール」又はその関連する「銅」についてのみに訂正するものであるから、明りょうでない記載の釈明に該当する。また、当該訂正は、特許明細書又は図面の範囲内においてした訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　　
（２−３）訂正事項ｇ〜ｔについて
　訂正事項ｇ〜ｔは、訂正事項ａの訂正に伴い、特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明及び図面の記載との整合をとるため、実施例及び図面の「銅ビアホール」以外の「金属ビアホール」についてのものを削除するとともに、実施例番号、段落番号、図面番号を繰り上げ、また、同削除に伴い、同削除箇所を引用しない記載に訂正するものであるから、明りょうでない記載の釈明に該当する。また、当該訂正は、特許明細書又は図面の範囲内においてした訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　　
（３）むすび
　以上のとおりであるから、本件訂正は、特許法第１２０条の４第２項、及び同条第３項において準用する特許法第１２６条第２項から第４項までの規定に適合するので、当該訂正を認める。
　　
［３］特許異議の申立てについての判断
（１）本件発明
　上述したように本件訂正は適法なものであるから、本件特許の請求項１に係る発明（以下、「本件発明」という。）は、訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される次のとおりのものと認める。
「絶縁基板の相対する両面に導電パターンが形成され、該両面に存在する導電パターンの少なくとも一部が銅ビアホールにより電気的に互いに接続されてなるサブマウント。」
　　
（２）引用刊行物に記載された発明
　当審で通知した取消理由で引用した、本件特許に係る出願の出願前に頒布された刊行物３、１、２、１０、１１（以下、「引用例１」〜「引用例５」という。）には、それぞれ以下の事項が記載されている。
引用例１：特開平５−４８２１３号公報
（異議申立人Ａが提出した甲第３号証、異議申立人Ｂが提出した甲第４号証、異議申立人Ｃが提出した甲第１号証）
引用例２：特開平７−３８２０７号公報
（異議申立人Ａが提出した甲第１号証）
引用例３：「エレクトロニクス実装技術」１月号，Ｖｏｌ．１０，Ｎｏ．１，平成５年１２月２０日，株式会社情報調査会発行，第７７〜８０頁，「レーザダイオード用超微細薄膜ヒートシンク」
（異議申立人Ａが提出した甲第２号証）
引用例４：特開平５−１０２３４２号公報
（異議申立人Ｂが提出した甲第８号証）
引用例５：特開平７−７２３７号公報
（異議申立人Ｃが提出した甲第２号証）
　　
（２−１）引用例１：特開平５−４８２１３号公報
  引用例１には、「半導体レーザー発振素子とヒートシンクと前記両者の間に位置する絶縁材のサブマウントよりなる半導体レーザーに於いて、前記サブマウントにスルホールを設け、このスルホールの内面にメタライズ層を形成して、半導体レーザー発振素子とヒートシンクの導通をとったことを特徴とする半導体レーザーのサブマウント。」（特許請求の範囲）、
「図１に示す長さ75mm、幅75mm、厚さ 0.3mmの鏡面仕上げ（表面粗さＲａ1000Å程度）のＡｌＮ基板１に、図２に示すようにレーザー加工にて直径 0.1mmのスルホール６を１mmピッチにて4900個穿設した。次に図３に示すようにＡｌＮ基板１の表裏両面にＲＦ 500Ｗ、３分間のスパッタエッチングをした後にＴｉ（1000Å）／Ｐｔ（3000Å）／Ａｕ（2000Å）をスパッタ法（ＤＣ１ＫＷ）によりコーティングしてメタライズ層２を形成すると共にスルホール６の内面にもコーティングしてメタライズ層２を形成して表裏両面の導通をとった。この時のスパッタ処理は、Ｔｉ、Ｐｔ、Ａｕ夫々ＤＣ１ＫＷであり、到達真空度５×10-6Ｔｏｒｒ、Ａｒガス圧３×10-3Ｔｏｒｒである。次いでこの表面及びスルホール６の内面にメタライズ層２を形成したＡｌＮ基板１を、図４に示すようにダイサーにてスルホール６を１個ずつ中心に据えて一辺 1.0mmの方形にカットしてサブマウント７を作成した。このサブマウント７を図５に示すようにヒートシンク４の表面にＡｕＳｎ20wt％の半田にてボンディングし、サブマウント７の表面にレーザー発振素子３をＡｕＳｎ20wt％の半田にてボンディングした。」（段落【０００７】）、
「本発明の半導体レーザーのサブマウントは、スルホールを設け、このスルホールの内面にメタライズ層を形成して、両面のレーザー発振素子とヒートシンクの導通をとっているので、従来のようなワイヤーによるボンディングは不要であり、またバレルコーティングも必要がなく、組立時の工数が削減され、ワイヤー断線による導通不良が解消される。また加工工程上、最終工程でダイシングカットを行うこととなるので、最後までＡｌＮ基板の状態で取り扱うことができ、品質、性能の安定したものを得ることができる。」（段落【００１０】）と記載され、
そして、上述の記載内容に対応させて、図１〜５が示されている。
　　
（２−２）引用例２：特開平７−３８２０７号公報
　引用例２には、「本発明はレーザ素子のような電子部品に関し、特にダイヤモンドフィルムサブマウントと集積素子（レーザ素子）を含む組立体の形成方法に関する。」（段落【０００１】）、
「自立型ダイヤモンドフィルムは、金属製ダイの上に形成され、レーザ素子がその上に形成されるサブマントである。このレーザ動作の間、レーザ素子に電気的に接触し、また熱的なヒートシンクとなることができる。特に、ダイヤモンドフィルムは、シリコンまたは金属基板の上にＣＶＤプロセスにより成長し」（段落【０００２】）、
「絶縁性（好ましくは伝熱性）基板（例えば、ＣＶＤダイヤモンドフィルムサブマント）に、凹領域をパターン化して、異方性エッチングをし、その後、電子部品（例えば、レーザ素子）を凹領域内に機械的に自己整合し結合する」（段落【０００５】）、
「このダイヤモンドフィルム２０は、上部表面と底部表面の間に伸びる貫通孔を有し、それは金属パッド１２を金属コーティング２３さらには金属プラットフォームに電気的に接続するために、導電体１９でもって充填されている。別法として、この貫通孔の壁を黒鉛化処理して導電性としてもよい。あるいはこの黒鉛化処理された貫通孔を導電子プラグでもって充填してもよい。」（段落【００１３】）、
「貫通孔が、凹領域の底部表面からダイヤモンドフィルムの底部表面にまでレーザドリルによって孔が開けられる。かくして、貫通孔の壁は黒鉛化されて、電気的導電性を有するようになる。さらに高い導電性を与えるために（すなわち、無視可能な電気的抵抗性を与えるために）、この貫通孔は金属、例えば、Ｗ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ａｕのような材料でもってメッキまたは低圧ＣＶＤにより充填し導電体１９を形成する。ダイヤモンドフィルム２０の底部表面は金属コーティング２３により、その後金属化される。ダイヤモンドフィルム２０の上部表面全体は、凹領域の底部表面と垂直側壁セグメント２１、２２とを含めて、その後Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ金属層により約0.5μmの厚さまでコーティングされる。」（段落【００１７】〜【００１８】）と記載されるとともに、上述の記載内容に対応させて、図１〜３が示されている。
　　
（２−３）引用例３：「エレクトロニクス実装技術」１月号，Ｖｏｌ．１０，Ｎｏ．１，平成５年１２月２０日，株式会社情報調査会発行，第７７〜８０頁，「レーザダイオード用超微細薄膜ヒートシンク」
　引用例３には、「図１に、薄膜ヒートシンクを用いた実装の一例を示す。ＬＤチップは、図１に示したようにヒートシンクを介してステムに実装される。この意味で、ヒートシンクは別名サブマウントとも呼ばれている。‥‥‥‥ヒートシンクの上下面には通常，Ａｕのメタライズが施される。さらに，上面にはチップの接続や配線のため，はんだパターンや導体パターンといったメタライズパターンも形成される。」（第７７頁右欄２〜１１行）、
「ＡｌＮセラミックスをＬＤ用ヒートシンクとして用いるためには、セラミックス表面をメタライズすることが必要となる。‥‥‥‥ＬＤ用ヒートシンクの表面は、ＬＤチップのはんだ接合やワイヤボンディングのためにＡｕメタライズ膜が必要とされるが、ＡｌＮ表面にＡｕ膜を直接スパッタリングしただけでは十分な密着強度が得られず、通常はＡｌＮ／Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕの３層のメタライズ膜構成が採用される。ここで、Ｔｉ層はＡｌＮとメタライズ膜との密着を高める接着層であり、Ｐｔ層はＴｉとＡｕの拡散を防止するバリヤ層である。」（第７８頁左欄９〜２１行）、
「メタライズされた基板は、種々の方法でパターニングが可能である。」（第７９頁左欄２２〜２３行）、
「現在当社では側面メタライズやＷ（タングステン）バイアによる上下面導通ヒートシンクの開発，また拡張シート上でのダイシングの検討なども行っている。」（第８０頁右欄２８〜３１行）と記載されている。
　　
（２−４）引用例４：特開平５−１０２３４２号公報
　引用例４には、「【請求項２５】複数のセラミックシートを含み、さらに、ａ）該セラミックシートが複数のバイアを含み、‥‥‥‥‥‥‥‥‥ｃ）該バイアの少なくとも一部が金属化物質を含む多層セラミックデバイス。」（特許請求の範囲）、
「金属の充填されたバイアホールは導電体となり、種々のパターン化した金属化層間の望ましい電気的相互接続を行う。」（段落【０００４】）、
「バイアは多層間の電気的相互接続を可能にする。バイアはまた、デバイス表面に置かれた発熱成分のヒートシンクとして、または該成分の電気接地として働らくこともできる。バイアは、セラミック層中に機械的にパンチする工具を用いてつくるのがもっとも一般的である。」（段落【０００６】）、
「充填されたバイアを有するシートを一旦乾燥すると、技術的に公知のように、表面ならびに残留バイアに金属化を施すことができる。バイアの金属化は表面の金属化よりも先に行うかまたは同じ段階で行うことができる。典型的には、金属化は前記のスクリーン印刷法を用いて行う。含金属ペーストはタングステン、モリブデン、パラジウム、白金、銀、金等またはそれらの混合物を含むかもしれない。含金属ペーストは、場合により、セラミック物質のような充填剤を含むことができる。高アルミナセラミックの場合に、共焼成含金属は通常、タングステンやモリブデンのような耐火性金属である。低温ガラス−セラミック共焼成系は銅含金属を用いるかまたは銀と金のような低温金属もしくは白金−銀および白金−金のような合金を使用することができる。選択は焼結処理に用いる雰囲気による。」（段落【００４２】〜【００４４】）、
「バイアを不導電性充填剤かまたは含金属で完全に充填するのは好ましい‥‥‥‥‥‥‥‥‥充填されたバイアは気密封止をもたらし、内部ボイドの起る可能性を極力少なくし、さらに金属化パターンをスクリーン印刷するのに良好な表面を与えることができる。」（段落【００４６】）と記載されるとともに、図１が示されている。
　　
（２−５）引用例５：特開平７−７２３７号公報
　引用例５には、「【請求項１】セラミックス製の絶縁基材（２）と金属製の導体層（３）とからなるセラミックス基板（１）において、前記絶縁基材（２）の表面粗さ（Ｒa1）が０．０１μｍ〜５μｍの範囲内であり、前記導体層（３）の表面粗さ（Ｒa2）が０．００２μｍ〜２μｍの範囲内であることを特徴とするセラミックス基板。
‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥
【請求項４】前記導体層（２）を構成する金属は、タングステン、モリブデン、銅から選択される少なくともいずれかであることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のセラミックス基板。」（特許請求の範囲）、
「従来より、発熱量の大きい電子部品等を実装するための基板等として、各種のセラミックス基板が製造されている。」（段落【０００２】）、
「図４には、従来におけるセラミックス基板１０が例示されている。このセラミックス基板１０を構成する絶縁基材１１には、表裏の導通を図るためのスルーホール１２を構成するスルーホール形成用孔１３が形成されている。前記スルーホール形成用孔１３内には、導電性金属ペーストが充填されることにより、スルーホール内導体層１４が形成されている。そして、セラミックス基板１０の表面には、導体パターン１５が形成されている。また、前記導体パターン１５と、スルーホール形成用孔１３の開口部から露出しているスルーホール内導体層１４の端面とは、面接触により電気的に接続した状態となっている。」（段落【０００４】）、
「絶縁基材を構成するセラミックスは、ＡｌＮ，Ａｌ２Ｏ３，３Ａｌ２Ｏ３・２ＳｉＯ２から選択される少なくともいずれか、望ましくはＡｌＮであることが望ましい。その理由は、電子部品等搭載するための基板に要求される高い熱伝導性を有するばかりでなく、後述する諸方法によって表面粗さの好適範囲に容易に調節することができるからである。また、ここに列挙したセラミックス以外にも、例えば窒化ホウ素（ＢＮ）、酸化ベリリウム（ＢｅＯ）、炭化珪素（ＳｉＣ）、窒化珪素（Ｓｉ３Ｎ４）等のセラミックスであっても良い。導体層を構成する金属は、Ｗ，Ｍｏ，Ｃｕから選択される少なくともいずれかであることが望ましく、特にはＷであることが良い。その理由は、これらをペースト状にして印刷することにより、絶縁基材に容易に導体層を形成することができるからである。」（段落【００２４】〜【００２６】）と記載されるとともに、図１〜５が示されている。
　　
（３）対比・判断
 上記（２−１）に摘記した事項を総合すると、引用例１には、ＡｌＮ基板にスルーホールを設け、該基板の表裏両面にＴｉ／Ｐｔ／Ａｕのメタライズ層を形成し、且つ該スルーホール内面にも同様のメタライズ層を形成し、該スルーホール内面のメタライズ層により上記表裏両面の導通をとったサブマウントの発明が記載されているといえる。 
　そこで、本件発明と引用例１に記載された発明とを対比すると、後者における「ＡｌＮ基板」、「表裏両面にＴｉ／Ｐｔ／Ａｕのメタライズ層を形成し」、「表裏両面の導通をとった」はそれぞれ、前者における「絶縁基板」、「相対する両面に導電パターンが形成され」、「両面に存在する導電パターンの少なくとも一部が‥‥‥電気的に互いに接続されてなる」に相当し、両者は、「絶縁基板の相対する両面に導電パターンが形成され、該両面に存在する導電パターンの少なくとも一部が、該絶縁基板を貫通する孔の導電体により電気的に互いに接続されてなるサブマウント。」の点で一致し、以下の相違点（イ）のみで相違する。
相違点（イ）：サブマウントの絶縁基板を貫通する孔の導電体が、本件発明では、銅ビアホールであるのに対して、引用例１に記載された発明では、内面にメタライズ層を有するスルーホールである点。
　　
　続いて、上記相違点（イ）について以下検討する。
　引用例２には、「上部表面と底部表面の間に伸びる貫通孔を有し、それは‥‥‥‥‥導電体１９でもって充填されている。‥‥‥‥‥黒鉛化処理された貫通孔を導電子プラグでもって充填してもよい。」（段落【００１３】）、「この貫通孔は金属、例えば、Ｗ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ａｕのような材料でもってメッキまたは低圧ＣＶＤにより充填し導電体１９を形成する。」（段落【００１７】が記載され、また、引用例３には、「ヒートシンクは別名サブマウントとも呼ばれ‥‥‥‥ヒートシンクの上下面には通常，Ａｕのメタライズが施される。さらに，上面にはチップの接続や配線のため，はんだパターンや導体パターンといったメタライズパターンも形成される。」（第７７頁右欄４〜１１行）、「Ｗ（タングステン）バイアによる上下面導通ヒートシンク」（第８０頁右欄２９〜３０行）が記載され、引用例２、３には、サブマウントの絶縁基板両面の導電パターンを各種金属ビアホールで電気的に接続することが記載されている。また、発熱部品を搭載する熱伝導性の絶縁基板両面の導電パターンを電気的に接続する銅ビアホールは、引用例４、５に記載されるように本件出願前周知であり、そして、該銅ビアホールと上記サブマウントの各種金属ビアホールとは、発熱部品を搭載する熱伝導性の絶縁基板の貫通孔に充填され、該基板両面の導電パターンを電気的に接続するという基本的な構造及び機能において格別な差異はなく、該銅ビアホールを上記各種金属ビアホールと同様にサブマウントに適用できることは、当業者であれば普通に予測できるので、引用例１に記載されたサブマウントのスルーホール内面のメタライズ層を銅ビアホールに換えることは、当業者が容易に想到できることである。
　また更に、これによって奏される本件発明の効果も、引用例１〜５の記載から普通に予測できる程度のものであって、格別なものはみられない。
　してみると、本件発明は、引用例１〜５に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　　
［４］むすび
　以上のとおりであるから、本件発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本件発明についての特許は拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものと認める。
　よって、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第２項の規定により、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１５年８月１１日（２００３．８．１１）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
サブマウント
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】絶縁基板の相対する両面に導電パターンが形成され、該両面に存在する導電パターンの少なくとも一部が
銅ビアホール
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の属する技術分野】
　本発明は、半導体レーザー素子をヒートシンクにマウントする絶縁基板に係り、特に、半導体レーザー素子とヒートシンク間に導電性を有する新規の半導体レーザー素子用のサブマウントに関する。詳しくは、高い信頼性を有し且つ小型化が可能なサブマウントを提供するものである。
　【０００２】
　【従来の技術】
　サブマウントとは、半導体レーザー素子とヒートシンク（銅等の金属製ブロック）の間に位置する絶縁基板であり、半導体レーザー素子から発生される熱をヒートシンク側へ効率よく伝達出来る性能を持つものである。
　【０００３】
　従来の半導体レーザー素子用のサブマウントは、（Ａ）絶縁基板の両面に導電パターンを有し、基板側面には導電層が形成されていないものであった。そして、片面に半導体レーザー素子を、他の片面にヒートシンクをハンダ等によりボンディングしていた。サブマウントの基板自体は絶縁体のため導電性は無く、かつ、基板側面は導電層が形成されていないことにより導電性が無いため、基板の上下面間は導電性がなかった。基板の上下面の導通が必要な場合は半導体レーザー素子側の基板上の導電パターンとヒートシンクの表面にワイヤーをボンディングして導通をとっていた。
　【０００４】
　また、別のタイプの従来のサブマウントは、（Ｂ）絶縁基板の両面に導電パターンを有し、かつ、基板側面の一部又は全部に導電層が形成されているもので（以下、側面メタライズ層と呼ぶ）、片面に半導体レーザー素子を、他の片面にヒートシンクをハンダ等によりボンディングして、上下面の導通が必要な部分は側面メタライズ層により導通をとっていた。
　【０００５】
　あるいは別のタイプの従来のサブマウントは、（Ｃ）絶縁基板の両面に導電パターンを有し、かつ内壁に導電層が形成されたスルーホールを有するもので、片面に半導体レーザー素子を、他の片面にヒートシンクをハンダ等によりボンディングし、上下面の導通が必要な部分はスルーホール内に形成された導電層によって導通をとっていた。
　【０００６】
　【発明が解決しようとする課題】
　しかしながら、（Ａ）の場合は、ワイヤーの断線が生じることがあり、また、ワイヤーボンディングするためのスペース確保が必要となる。ワイヤーの断線は信頼性を低下し、スペースの確保は小型化を阻害することになる。
　【０００７】
　（Ｂ）の場合は、片面をヒートシンク面にハンダ等でボンディングした際、前記ハンダ等が側面メタライズ層を通じてはい上がり、半導体レーザー素子にダメージを与えたり、前記ハンダ等が側面メタライズ層に濡れ広がる際に、前記側面メタライズ層に拡散することによりハンダを含まないメタライズ層の厚みが薄くなる現象を生じ、上下面の導通抵抗が増大するために信頼性を著しく低下させる問題がある。さらに、側面メタライズ層があるために、周囲の部品に接触する恐れがあり小型化を阻止することになる。
　【０００８】
　（Ｃ）の場合は、片面をヒートシンク面にハンダ等でボンディングした際、前記ハンダ等がスルーホール内の導電層を通じてはい上がり、半導体レーザー発振素子にダメージを与えたり、前記ハンダ等がスルーホール内の導体層に濡れ広がる際に、前記スルーホール内の導体層に拡散することによりハンダを含まないメタライズ層の厚みが薄くなる現象を生じ、上下面の導通抵抗が増大するために信頼性に問題がある。また、スルーホール上には半導体レーザー発振素子がボンディング出来ないためにスルーホールを設けるためのスペースの確保が必要となりサブマウントが大型化してしまう。
　【０００９】
　以上の状況から従来の技術に代わる高い信頼性を有し小型化が可能な新規構造のサブマウントが求められている。
　【００１０】
　【課題を解決するための手段】
　本発明者等は、上記技術課題を解決すべく鋭意研究を行ってきた結果、
銅ビアホール
　【００１１】
　即ち、本発明は、絶縁基板の相対する両面に導体パターンが形成され、該両面に存在する導電パターンの少なくとも一部が
銅ビアホール
　【００１２】
　本発明のサブマウントについて、代表的な構造を図１に示す。
　【００１３】
　本発明でサブマウントの本体である絶縁基板は、公知のものを特に制限なく使用できる。具体的には、窒化アルミニウム、酸化ベリリウム、炭化珪素、アルミナ、ムライト、窒化ホウ素、ホウケイ酸ガラス等が使用される。その中で、窒化アルミニウムは熱伝導率が高いために半導体レーザー素子から発生する熱を効率よくヒートシンクへ逃がすと共に半導体レーザー素子の代表的な材質であるＳｉと熱膨張係数が近い等のため好適に使用される。その場合、基板の熱伝導率は高い方が好適で１７０Ｗ／ｍＫ以上、さらに、好ましくは２００Ｗ／ｍＫ以上が半導体レーザー素子の信頼性が高くなるために好適に使用される。
　【００１４】
　本発明において絶縁基板の両面に形成される導電パターンは導電性を有するものなら特に限定されないが、通常金属が使用される。該金属としては公知のものが特に制限なく使用されるが、チタニウム、クロム、モリブデン、タングステン、タングステンチタニウム、アルミニウム、ニッケルクロム、タンタル、窒化タンタルは絶縁基板との密着性が良好なため、好適に使用される。
　【００１５】
　これら金属は、単独で用いても良いし、または、２種類以上組み合わせて用いても良い。また、導電パターンは単層でも良いし、２層以上積層して形成することもできる。２層以上積層して形成する場合は、前記した金属が絶縁基板との密着性が良好なため、絶縁基板に直接に接する第１層に好適に使用できる。第１層上に積層する第２層にも公知の金属を使用できるが、中でも、銅、ニッケル、パラジウム、白金、金の少なくとも１種が電気導電性が良好なため好適に使用される。更に、第２層上に第３層を積層する場合、第３層としては公知の金属が使用でき、例えば、金、銀、パラジウム、白金の少なくとも１種類が電気導電性に加え、耐食性が良好なため好適に使用される。また、最上層の金属層上に、例えば、鉛・すず系ハンダ、金・すず系ハンダ、金・シリコン系ハンダ、金・ゲルマニウム系ハンダの少なくとも１種類のハンダ層を積層、パターニングしてもよい。さらに、前記最上層の金属層と前記ハンダ層の中間にハンダ材の拡散防止層を設けてもよい。なお、該拡散防止層としては、白金、タングステン、タングステンチタニウム、モリブデンが拡散防止能が高いため好適に使用される。
　【００１６】
　本発明において、
銅ビアホール
銅
銅ビアホールは電気導電性が高いため、ポストファイア法（Ｐｏｓｔ−ｆｉｒｅ法）で形成される場合に好適である。
　【００１７】
　本発明において、
銅ビアホール
銅ペースト
銅ビアホール
銅ビアホール
　【００１８】
　本発明のサブマウントは、
銅ビアホール
銅ビアホール
　【００１９】
　コファイア法の場合、焼成前のグリーンシートにパンチング等でスルーホールをあけ、該スルーホール内に
銅ペースト
銅ビアホール
絶縁基板を得る。
　【００２０】
　ポストファイア法の場合、グリーンシートにパンチング等でスルーホールをあけ脱脂、焼成することによりスルーホールを有する絶縁基板を得る。あるいは、グリーンシートまたはプレス体を脱脂、焼成して絶縁基板を得、該絶縁基板にレーザー加工または、超音波加工等でスルーホールを形成し、その後、
銅ペースト
銅ビアホール
銅ペースト充填後は
　【００２１】
　
銅ビアホール
銅ペースト
銅粉末
銅ペースト
銅粉末
　【００２２】
　このようにして得られた
銅ビアホール
　【００２３】
　本発明では、このようにして得られた
銅ビアホール
　【００２４】
　本発明で用いられる導電パターンの形状は、用途に応じて任意に選ぶことができ、導電層をパターンニングすることにより導電パターンが形成される。パターニングの方法はサブマウントの用途に応じて適宜公知の技術が採用できる。具体的には、メタルマスク法、湿式エッチング法、ドライエッチング法等の方法が採用される。例えば、メタルマスク法でパターニングする場合は、前記絶縁基板の上に、あらかじめ所定のパターンが形成されたメタルマスクを固定して、前記のスパッタ法等によって導電パターンを形成するものである。また、ドライエッチング法で導電パターンを形成する場合は、前記のスパッタ法等によって導電層が形成された前記絶縁基板に、フォトレジスト等を用いて所定のパターンを導電層上に形成し、イオンミリング等で導電層を除去後、レジストを剥離することによってパターニングが行われる。
　【００２５】
　前記のようにして得られた基板両面に導電パターンが形成された
銅ビアホール
銅ビアホール部
　【００２６】
　【発明の効果】
　上記の様に、本発明のサブマウントは絶縁基板の相対する両面に導体パターンが形成され、両面に存在する導電パターンの少なくとも一部が
銅ビアホール
銅ビアホール
　【００２７】
　【実施例】
　以下に、本発明を更に具体的に説明するために実施例を示すが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
　【００２８】
　なお、比表面積から求められる平均粒径Ｄ１は下記式により算出した。
　　Ｄ１（μｍ）＝６／Ｓ×３．２６
　　ここでＳ：ＡｌＮ粉末比表面積（ｍ２／ｇ）
　また、沈降法による平均粒径Ｄ２は堀場製作所製遠心粒度分布装置ＣＡＰＡ５００で測定した。
　【００２９】
　
実施例　１
　市販の長さ５０ｍｍ、幅５０ｍｍ、厚さ０．６ｍｍのアルミナ基板（熱伝導率１７Ｗ／ｍＫ）をレーザー加工で直径が１００μｍのスルーホールを３，６００個形成し、銅ペーストをスルーホール内に充填した。窒素雰囲気中で９００℃、１０分間焼成後、長さ５０ｍｍ、幅５０ｍｍ、厚さ０．６ｍｍの銅ビアホール径１００μｍを有するアルミナ基板を形成した。このアルミナ基板を用いて
図２
　【００３０】
　このサブマウントの表面側と裏面側の間で抵抗を１００箇所測定したところ、抵抗値の平均は０．０１０Ωであった。さらに、このサブマウントを表面側にＰｂＳｎハンダ（Ｓｎ＝６０ｗｔ％）にて半導体レーザー素子をボンディングした後、サブマウントの裏面側に形成されたＡｕＧｅ（Ａｕ＝８８ｗｔ％）ハンダにてヒートシンクへボンディングした。１００個の半導体レーザーのサブマウントの上面（表面側）とヒートシンク上面の間で抵抗を測定したところ、抵抗値の平均は０．０１２Ωで導通不良は無く、ボンディング前の抵抗値の平均と比べてほとんど変化はなかった。また、半導体レーザー素子を駆動させた結果、全て正常に動作し、歩留りは１００％であった。
　【００３１】
　更に、
半導体レーザ素子とヒートシンクをボンディングし組み立てたサブマウント（以下光半導体装置と呼ぶ）に−５０℃：３０分保持’１２５℃：３０分保持を１サイクルとするヒートサイクル試験を１，０００サイクル行った。その後１００個の半導体レーザーのサブマントの上面（表面側）とヒートシンク上面の位置で抵抗を測定した
　【００３２】
　
実施例　２
　
実施例１
実施例１
実施例１
　【００３３】
　比較例　１
　
沈降法による平均粒径が１．６０μｍで、比表面積が２．５ｍ２／ｇ、比表面積から算出される平均粒径が０．７４μｍの窒化アルミニウム粉末１００重量部に焼結助剤として、比表面積１２．５ｍ２／ｇの酸化イットリウム粉末５重量部、有機バインダー及び分散剤としてメタクリル酸ブチル１５重量部、可塑剤としてジオクチルフタレート５重量を添加し、トルエンを溶剤してボールミルで混合した。このスラリーを脱泡後、ドクターブレード法により厚さ０．６ｍｍのシート状に成形した。このグリーンシートから長さ６４ｍｍ、幅６４ｍｍのシートを切り出し、窒素雰囲気中８００℃で脱脂し、その後、脱脂体を窒化アルミニウムセッターに入れ、窒素雰囲気１，８５０℃で８時間加熱することにより、
銅ビアホール
表裏両面に導電層（第１層／第２層／第３層＝Ｔｉ：０．１μｍ／Ｐｔ：０．２μｍ／Ａｕ：０．５μｍ）をスパッタ法により形成後、表面にＡｕＳｎ（Ａｕ＝８０ｗｔ％）ハンダ（厚み５μｍ）を金属マスクを用いた蒸着法によりパターン形成した。次に、導電層及びハンダ層の形成された前記基板を、
　【００３４】
　
このサブマウントの１００個を表面側に形成したハンダ層により半導体レーザー素子をボンディングした後、サブマウントの裏面側をＡｕＳｎ（Ａｕ＝８０ｗｔ％）ハンダにて銅製のヒートシンクへボンディングした。
　【００３５】
　これら１００個の半導体レーザーのサブマウントの上面とヒートシンク上面の間で抵抗を測定したところ、抵抗値の平均は０．１Ωであり、半導体レーザー素子を駆動させたところ、歩留まりは１００％であった。しかし、実施例１と同様にヒートサイクル試験を実施した所、金ワイヤーが断線する導通不良が１００個中５個もあった。
　【００３６】
　比較例　２
　
比較例１と同じようにして作製した長さ６４ｍｍ、幅６４ｍｍ、厚さ０．６ｍｍの窒化アルミニウムのグリーンシートにパンチで直径が２００μｍのスルーホールを１，０３６個形成し、その後、比較例１と同一条件で脱脂・焼成し、長さ５４ｍｍ、幅５４ｍｍ、厚さ０．４ｍｍのスルーホール径１５０μｍを有する窒化アルミニウム基板を得た。
　【００３７】
　このサブマウントの表面側と裏面側の間で抵抗を１００箇所測定したところ、スルーホールを有するサブマウントの抵抗値の平均は０．０９Ωであった。
さらに、ＰｂＳｎハンダ
　【００３８】
　さらに、１００個の半導体レーザー素子を駆動させた結果、従来例のスルーホールを有するサブマウントは、抵抗値が１Ωを越えたものは全く動作しなかった。また、抵抗値が１Ω以下であっても０．５Ωを越えたもの３個は所定の出力に達しなかった。よって、歩留りは８７％であった。
【図面の簡単な説明】
　【図１】図１は、本発明のサブマウントの一実施例を示す概略図である。
　【図２】図２は、本発明のサブマウントの他の実施例を示す概略図である。
　【符号の説明】
　１　絶縁基板
　２　導電層
　３　
銅ビアホール
　５　ハンダ層
　８　アルミナ基板
　９　銅ビアホール
【図面】