(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の方向に延在する複数の第１の導電層と、
第２の方向に延在する複数の第２の導電層と、
前記複数の第１の導電層と前記複数の第２の導電層との各々の交差に対応して配列された複数の副画素と、を備え、
前記複数の副画素の各々は、
発光素子の第３の導電層と、
複数のトランジスターと、を含み、
前記複数のトランジスターは、駆動トランジスターを含み、
前記複数のトランジスターは、前記第１の方向の幅が前記第２の方向の幅よりも狭い画素回路領域の内部に配置され、
前記複数の第１の導電層のうち１つの導電層は、前記複数の副画素のうち、前記第１の方向に隣り合う２つの副画素の各々に含まれる前記複数のトランジスターの少なくとも１つと電気的に接続され、
前記複数の副画素のうち、少なくとも２つの副画素の前記第３の導電層は、平面視で互いに異なる大きさであり、
前記少なくとも２つの副画素の前記第３の導電層のうち、最も大きい前記第３の導電層は、前記第１の方向の幅が前記第２の方向の幅よりも広く、かつ、前記複数の副画素のうち少なくとも１つの前記駆動トランジスターのドレインと重なり、
前記少なくとも２つの副画素の前記第３の導電層のうち、最も大きい前記第３の導電層と前記複数の副画素の各々の前記駆動トランジスターとの間に、第４の導電層が配置されている、
ことを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記複数の第１の導電層は、走査線である、
ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記少なくとも２つの副画素の前記第３の導電層のうち、最も大きい前記第３の導電層は、前記複数の副画素のうち少なくとも１つの前記駆動トランジスターと重なる、
ことを特徴とする請求項１または２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記第４の導電層は、前記第１の方向に沿って延在し、前記複数の副画素の各々の前記駆動トランジスターと重なる、
ことを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか一に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記第４の導電層は、前記複数の副画素の各々の前記駆動トランジスターに接続される電源配線である、
ことを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれか一に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記複数のトランジスターは発光制御トランジスターを含み、
前記少なくとも２つの副画素の前記第３の導電層のうち、最も大きい前記第３の導電層は、前記複数の副画素のうち少なくとも１つの前記発光制御トランジスターのドレインと重なる、
ことを特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれか一に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記複数の副画素のうち前記第２の方向において隣り合う２つの前記第３の導電層は、前記第２の方向において対向する辺が、平面視において、前記駆動トランジスターのゲート層の上に位置する、
ことを特徴とする請求項１ないし請求項６のいずれか一に記載の電気光学装置。
【請求項８】
前記少なくとも２つの副画素の前記第３の導電層のうち、最も大きい前記第３の導電層は、青色の表示色の副画素である、
ことを特徴とする請求項１ないし請求項７に記載の電気光学装置。
【請求項９】
請求項１ないし請求項８のいずれか一に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置、および電子機器の技術分野に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ヘッドマウントディスプレイのように虚像の形成を可能にする電子機器においては、発光素子としてＯＬＥＤ（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ）を用いた電気光学装置が用いられている。こうした電気光学装置では、特許文献１に記載されているように、カラー表示を実現する方法の１つとして、カラーフィルターを用いた方式が提案されている。
【０００３】
この方式は、白色発光のＯＬＥＤを光源として用い、赤色、緑色、青色の三原色のカラーフィルターを介して、赤色、緑色、青色の発光を得る方式である。ＯＬＥＤと三原色のいずれかの色のフィルターとを組み合わせて副画素とし、三原色の副画素を組み合わせて画素とする。そして、この画素をマトリクス状に配列して表示装置の画面を構成するが、この画素の配列方式として、同色の副画素を画面の縦方向（上下方向）または横方向（左右方向）に配列する方式が知られている。
【０００４】
しかしながら、白色発光のＯＬＥＤからの発光は拡散光である。また、ＯＬＥＤとカラーフィルターの間には、ＯＬＥＤを封止するための無機膜又は樹脂膜で構成された厚みのある透明層が存在する。そのため、カラーフィルター方式の電気光学装置では、ある副画素のＯＬＥＤからの発光の一部は、隣接する副画素のカラーフィルターを透過してしまい、画面を観察する角度によっては、混色が生じてしまう問題がある。
【０００５】
同色の副画素を画面の縦方向（上下方向）に配列する方式では、斜めから画面を観察しても、縦方向に関してはほとんど色ずれが生じない。一方、横（左右）方向については、斜めからパネルを観察した場合に、赤色と緑色が混色した光、赤色と青色が混色した光、緑色と青色が混色した光等の混色光が視認されるため、正面から観察した場合と比較して、色ずれが生じてしまう。
【０００６】
特許文献１は、赤色と緑色の副画素の反射電極を横方向（左右方向）に配列すると共に、青色の副画素の反射電極を、赤色と緑色の副画素の反射電極に対して縦方向（上下方向）に配列することを提案している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２０１３−２１１１４７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、特許文献１に記載の電気光学装置では、各色の副画素用の走査線が、縦方向（上下方向）に配列されることになり、一水平走査期間に選択する走査線数が増加することになる。その結果、一水平走査期間における各走査線の選択時間が短くなり、データ転送線から画素への書き込みが難しくなる可能性がある。
【０００９】
また、特許文献１のように、青色の副画素における反射層の横方向（左右方向）の幅が、赤色の副画素と緑色の副画素とを合わせた一画素における横方向（左右方向）の幅よりも短いため、青色の光がトランジスターに照射され、トランジスター特性が変化する可能性がある。
【００１０】
本発明は、例えば上記課題に鑑みてなされたものであり、少なくとも１つの色の副画素を横（左右）方向に配列する場合でも、発光層からの光がトランジスターに照射されることを防ぎ、かつ、各走査線の選択時間が短くなることを防ぐことができる電気光学装置、および該電気光学装置を備えた電子機器を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記課題を解決するために本発明の電気光学装置の一態様は、第１の方向に延在する複数の第１の導電層と、第２の方向に延在する複数の第２の導電層と、前記複数の第１の導電層と前記複数の第２の導電層との各々の交差に対応して配列された複数の副画素と、を備え、前記複数の副画素の各々は、発光素子の第３の導電層と、複数のトランジスターと、を含み、前記複数のトランジスターは、駆動トランジスターを含み、前記複数のトランジスターは、前記第１の方向の幅が前記第２の方向の幅よりも狭い画素回路領域の内部に配置され、前記複数の第１の導電層のうち１つの導電層は、前記複数の副画素のうち、前記第１の方向に隣り合う２つの副画素の各々に含まれる前記複数のトランジスターの少なくとも１つと電気的に接続され、前記複数の副画素のうち、少なくとも２つの副画素の前記第３の導電層は、平面視で互いに異なる大きさであり、前記少なくとも２つの副画素の前記第３の導電層のうち、最も大きい前記第３の導電層は、前記第１の方向の幅が前記第２の方向の幅よりも広く、かつ、前記複数の副画素のうち少なくとも１つの前記駆動トランジスターのドレインと重なる、ことを特徴とする。
【００１２】
この態様によれば、少なくとも２つの副画素の第３の導電層のうち、平面視において最も大きい第３の導電層は、第１の方向の幅が第２の方向の幅よりも広く、かつ、複数の副画素のうち少なくとも１つの駆動トランジスターのドレインと重なる。したがって、発光素子からの光が、平面視において最も大きな第３の導電層、例えば反射層によって遮られ、少なくとも１つの駆動トランジスターのドレインに照射されることを防止する。その結果、駆動トランジスターの特性を変化させず、発光素子が安定して駆動されることになる。
【００１３】
上述した電気光学装置の一態様において、前記複数の第１の導電層は、走査線であってもよい。この態様によれば、複数の副画素における複数のトランジスターは、第１の方向の幅が第２の方向の幅よりも狭い画素回路領域の内部に配置されており、走査線は第１の方向に延在するので、各副画素において走査線を共通化することが可能となる。したがって、走査線の数を増加させることなく、一水平走査期間における各走査線の選択時間が短くなることを防止する。
【００１４】
上述した電気光学装置の一態様において、前記少なくとも２つの副画素の前記第３の導電層のうち、最も大きい前記第３の導電層は、前記複数の副画素のうち少なくとも１つの前記駆動トランジスターと重なっていてもよい。この態様によれば、少なくとも２つの副画素の第３の導電層のうち、平面視において最も大きい第３の導電層は、複数の副画素のうち少なくとも１つの駆動トランジスターと重なる。したがって、発光素子からの光が、平面視において最も大きな第３の導電層、例えば反射層によって遮られ、少なくとも１つの駆動トランジスターに照射されることを防止する。その結果、駆動トランジスターの特性を変化させず、発光素子が安定して駆動されることになる。
【００１５】
上述した電気光学装置の一態様において、前記少なくとも２つの副画素の前記第３の導電層のうち、最も大きい前記第３の導電層と前記複数の副画素の各々の前記駆動トランジスターとの間に、第４の導電層が配置されていてもよい。この態様によれば、発光素子からの光は、平面視においても最も大きな第３の導電層だけでなく、第４の導電層、例えば電源配線によっても遮られ、駆動トランジスターに照射されることを防止する。その結果、駆動トランジスターの特性を変化させず、発光素子が安定して駆動されることになる。
【００１６】
上述した電気光学装置の一態様において、前記第４の導電層は、前記第１の方向に沿って延在し、前記複数の副画素の各々の前記駆動トランジスターと重なっていてもよい。この態様によれば、発光素子からの光は、平面視においても最も大きな第３の導電層だけでなく、第１の方向に沿って延在する第４の導電層、例えば電源配線によっても遮られ、複数の副画素の各々の駆動トランジスターに照射されることを防止する。その結果、複数の副画素における駆動トランジスターの特性を変化させず、複数の副画素における発光素子が安定して駆動されることになる。
【００１７】
上述した電気光学装置の一態様において、前記第４の導電層は、前記複数の副画素の各々の前記駆動トランジスターに接続される電源配線であってもよい。この態様によれば、発光素子からの光が、電源配線によっても遮られ、複数の副画素の各々の駆動トランジスターに照射されることを防止する。その結果、複数の副画素における駆動トランジスターの特性を変化させず、複数の副画素における発光素子が安定して駆動されることになる。
【００１８】
上述した電気光学装置の一態様において、前記複数のトランジスターは発光制御トランジスターを含み、前記少なくとも２つの副画素の前記第３の導電層のうち、最も大きい前記第３の導電層は、前記複数の副画素のうち少なくとも１つの前記発光制御トランジスターのドレインと重なっていてもよい。この態様によれば、発光素子からの光が、平面視において最も大きな第３の導電層によって遮られ、発光制御トランジスターに照射されることを防止する。その結果、発光制御トランジスターの特性を変化させず、発光素子が安定して駆動されることになる。
【００１９】
上述した電気光学装置の一態様において、前記複数の副画素のうち前記第２の方向において隣り合う２つの前記第３の導電層は、前記列方向において対向する辺が、平面視において、前記駆動トランジスターのゲート層の上に位置していてもよい。この態様によれば、第２の方向において隣り合う２つの第３の導電層の間には間隙が形成されるが、この間隙が駆動トランジスターの能動領域の上ではなく、ゲート層の上に位置する。したがって、駆動トランジスターの特性を変化させず、発光素子が安定して駆動されることになる。
【００２０】
上述した電気光学装置の一態様において、前記少なくとも２つの副画素の前記第３の導電層のうち、最も大きい前記第３の導電層は、青色の表示色の副画素であってもよい。この態様によれば、青色光が、第３の導電層、例えば反射層によって遮られ、駆動トランジスターに照射されることを防止する。その結果、駆動トランジスターの特性を変化させず、発光素子が安定して駆動されることになる。
【００２１】
次に、本発明に係る電子機器は、上述した本発明に係る電気光学装置を備える。そのような電子機器は、ＯＬＥＤ等の発光素子を備えた電気光学装置により、色ずれがなく、かつ、発光層からの光によるトランジスターの特性の変化がなく、しかもデータ転送線から画素への書き込みが確実に行われる画像品質の高い電子機器が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本発明の第１実施形態に係る電気光学装置を示す斜視図である。
【図２】同実施形態に係る電気光学装置の構成を示すブロック図である。
【図３】画素回路の構成を示す回路図である。
【図４】画素回路の構成を示す回路図である。
【図５】副画素の列方向の断面図である。
【図６】一画素単位の画素の行方向の断面図である。
【図７】基板上に形成される各要素の説明図である。
【図８】基板上に形成される各要素の説明図である。
【図９】基板上に形成される各要素の説明図である。
【図１０】基板上に形成される各要素の説明図である。
【図１１】基板上に形成される各要素の説明図である。
【図１２】基板上に形成される各要素の説明図である。
【図１３】基板上に形成される各要素の説明図である。
【図１４】基板上に形成される各要素の説明図である。
【図１５】本発明の第２実施形態に係る電気光学装置の基板上に形成される各要素の説明図である。
【図１６】基板上に形成される各要素の説明図である。
【図１７】基板上に形成される各要素の説明図である。
【図１８】基板上に形成される各要素の説明図である。
【図１９】基板上に形成される各要素の説明図である。
【図２０】基板上に形成される各要素の説明図である。
【図２１】本発明の第３実施形態に係る電気光学装置の基板上に形成される各要素の説明図である。
【図２２】基板上に形成される各要素の説明図である。
【図２３】基板上に形成される各要素の説明図である。
【図２４】基板上に形成される各要素の説明図である。
【図２５】基板上に形成される各要素の説明図である。
【図２６】基板上に形成される各要素の説明図である。
【図２７】一画素単位の画素の行方向の断面図である。
【図２８】副画素の列方向の断面図である。
【図２９】電子機器の例を示す説明図である。
【図３０】電子機器の他の例を示す説明図である。
【図３１】電子機器の他の例を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
本発明の実施形態を、図面を用いて説明する。なお、以下の図面においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。
【００２４】
＜第１実施形態＞
図１は、本発明の第１実施形態に係る電気光学装置１の構成を示す斜視図である。電気光学装置１は、例えばヘッドマウントディスプレイにおいて画像を表示するマイクロ・ディスプレイである。
図１に示すように、電気光学装置１は、表示パネル２と、表示パネル２の動作を制御する制御回路３とを備える。表示パネル２は、複数の画素回路と、当該画素回路を駆動する駆動回路とを備える。本実施形態において、表示パネル２が備える複数の画素回路及び駆動回路は、シリコン基板に形成され、画素回路には、発光素子の一例であるＯＬＥＤが用いられる。また、表示パネル２は、例えば、表示部で開口する枠状のケース８２に収納されるとともに、ＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ  Ｐｒｉｎｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔｓ）基板８４の一端が接続される。
ＦＰＣ基板８４には、半導体チップの制御回路３が、ＣＯＦ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｆｉｌｍ）技術によって実装されるとともに、複数の端子８６が設けられて、図示省略された上位回路に接続される。
【００２５】
図２は、本実施形態に係る電気光学装置１の構成を示すブロック図である。上述のとおり、電気光学装置１は、表示パネル２と、制御回路３とを備える。
制御回路３には、図示省略された上位回路よりデジタルの画像データＶｄａｔａが同期信号に同期して供給される。ここで、画像データＶｄａｔａとは、表示パネル２（厳密には、後述する表示部１００）で表示すべき画像の画素の階調レベルを例えば８ビットで規定するデータである。また、同期信号とは、垂直同期信号、水平同期信号、及び、ドットクロック信号を含む信号である。
【００２６】
制御回路３は、同期信号に基づいて、各種制御信号を生成し、これを表示パネル２に対して供給する。具体的には、制御回路３は、表示パネル２に対して、制御信号Ｃtrと、制御信号Ｓｅｌ（１）、Ｓｅｌ（２）、Ｓｅｌ（３）と、これらの信号に対して論理反転の関係にある制御信号／Ｓｅｌ（１）、／Ｓｅｌ（２）、／Ｓｅｌ（３）と、を供給する。
ここで、制御信号Ｃtrとは、パルス信号や、クロック信号、イネーブル信号など、複数の信号を含む信号である。
なお、制御信号Ｓｅｌ（１）、Ｓｅｌ（２）、Ｓｅｌ（３）を、制御信号Ｓｅｌと総称し、制御信号／Ｓｅｌ（１）、／Ｓｅｌ（２）、／Ｓｅｌ（３）を、制御信号／Ｓｅｌと総称する場合がある。
【００２７】
さらに、制御回路３は、画像データＶｄａｔａに基づいて、アナログの画像信号Ｖｉｄを生成する。具体的には、制御回路３には、画像信号Ｖｉｄの示す電位、及び、表示パネル２が備える発光素子（後述するＯＬＥＤ）の輝度を対応付けて記憶したルックアップテーブルが設けられる。そして、制御回路３は、当該ルックアップテーブルを参照することで、画像データＶｄａｔａに規定される発光素子の輝度に対応した電位を示す画像信号Ｖｉｄを生成し、これを表示パネル２に対して供給する。
【００２８】
図２に示すように、表示パネル２は、表示部１００と、これを駆動する駆動回路（データ転送線駆動回路５及び走査線駆動回路６）とを備える。
表示部１００には、表示すべき画像の画素に対応した画素回路１１０がマトリクス状に配列されている。詳細には、表示部１００において、Ｍ行の第１の導電層としての走査線２２が図において行方向（Ｘ方向）に延在して設けられている。また、３列毎にグループ化された（３Ｎ）列の第２の導電層としてのデータ転送線２６が図において列方向（Ｙ方向）に延在し、かつ、各走査線２２と互いに電気的な絶縁を保って設けられている。本実施形態において画素回路１１０は、Ｍ行×（３Ｎ）列でマトリクス状に配列されている。
【００２９】
ここで、Ｍ、Ｎは、いずれも自然数である。走査線２２及び画素回路１１０のマトリクスのうち、行（ロウ）を区別するために、図において上から順に１、２、３、…、（Ｍ−１）、Ｍ行と呼ぶ場合がある。同様にデータ転送線２６及び画素回路１１０のマトリクスの列（カラム）を区別するために、図において左から順に１、２、３、…、（３Ｎ−１）、（３Ｎ）列と呼ぶ場合がある。
ここで、データ転送線２６のグループを一般化して説明するために、１以上の任意の整数をｎと表すと、左から数えてｎ番目のグループには、（３ｎ−２）列目、（３ｎ−１）列目及び（３ｎ）列目のデータ転送線２６が属している、ということになる。
【００３０】
なお、同一行の走査線２２と、同一グループに属する３列のデータ転送線２６とに対応した３つの画素回路１１０は、それぞれＧ（緑）、Ｒ（赤）、Ｂ（青）の表示色の副画素に対応して、これらの３つの副画素が表示すべきカラー画像の一画素単位としての１ドットを表現する。すなわち、本実施形態では、ＲＧＢに対応したＯＬＥＤの発光によって１ドットのカラーを加法混色で表現する構成となっている。
【００３１】
走査線駆動回路６は、１個のフレームの期間内にＭ本の走査線２２を１行毎に順番に走査するための走査信号Ｇｗｒを、制御信号Ｃｔｒに従って生成する。ここで、１、２、３、…、Ｍ行目の走査線２２に供給される走査信号Ｇｗｒを、それぞれＧｗｒ（１）、Ｇｗｒ（２）、Ｇｗｒ（３）、…、Ｇｗｒ（Ｍ−１）、Ｇｗｒ（Ｍ）と表記している。
なお、走査線駆動回路６は、走査信号Ｇｗｒ（１）〜Ｇｗｒ（Ｍ）のほかにも、当該走査信号Ｇwrに同期した各種制御信号を行毎に生成して表示部１００に供給するが、図２においては図示を省略している。また、フレームの期間とは、電気光学装置１が１カット（コマ）分の画像を表示するのに要する期間をいい、例えば同期信号に含まれる垂直同期信号の周波数が１２０Ｈｚであれば、その１周期分の８．３ミリ秒の期間である。
【００３２】
データ転送線駆動回路５は、（３Ｎ）列のデータ転送線２６の各々と１対１に対応して設けられる（３Ｎ）個のデータ転送回路ＤＴ、各グループを構成する３列のデータ転送線２６毎に設けられるＮ個のデマルチプレクサーＤＭ、及び、データ信号供給回路７０を備える。
【００３３】
データ信号供給回路７０は、制御回路３より供給される画像信号Ｖｉｄと制御信号Ｃｔｒとに基づいて、データ信号Ｖｄ（１）、Ｖｄ（２）、…、Ｖｄ（Ｎ）を生成する。すなわち、データ信号供給回路７０は、データ信号Ｖｄ（１）、Ｖｄ（２）、…、Ｖｄ（Ｎ）を時分割多重した画像信号Ｖｉｄに基づいて、データ信号Ｖｄ（１）、Ｖｄ（２）、…、Ｖｄ（Ｎ）を生成する。そして、データ信号供給回路７０は、データ信号Ｖｄ（１）、Ｖｄ（２）、…、Ｖｄ（Ｎ）を、１、２、…、Ｎ番目のグループに対応するデマルチプレクサーＤＭに対して、それぞれ供給する。デマルチプレクサーＤＭは、制御回路３からの制御信号Ｓｅｌおよび制御信号／Ｓｅｌに応じてオン／オフし、各グループを構成する３列のデータ転送線２６に、データ信号を順番に供給するものである。
【００３４】
図３は、表示部１００内に位置する各副画素の画素回路１１０の回路図である。図３に例示される通り、画素回路１１０は、発光素子４５と、駆動トランジスターＴｄｒと、書込制御トランジスターＴｗｒと、容量素子Ｃと、発光制御トランジスターＴｅｌと、補償トランジスターＴｃｍｐとを含んで構成される。なお、本実施形態においては、画素回路１１０の各トランジスター（Ｔｄｒ，Ｔｅｌ，Ｔｗｒ，Ｔｃｍｐ）をＰチャネル型としたが、Ｎチャネル型のトランジスターを利用することも可能である。
【００３５】
発光素子４５は、有機ＥＬ材料（ＯＬＥＤ）の発光層を含む発光機能層４６を第１電極（陽極）Ｅ１と第２電極（陰極）Ｅ２との間に介在させた電気光学素子である。第１電極Ｅ１は画素回路１１０毎に個別に形成され、第２電極Ｅ２は複数の画素回路１１０にわたり連続する。図３から理解される通り、発光素子４５は、第４の導電層としての第１電源導電体（以下、電源配線とする）４１と、第２電源導電体４２とを連結する経路上に配置される。電源配線４１には、高位側の電源電位Ｖｅｌが供給される。第２電源導電体４２には、低位側の電源電位（例えば接地電位）Ｖｃｔが供給される。本実施形態の画素回路１１０は、いわゆるカップリング駆動方式と、いわゆる電流プログラミング方式とのいずれの方式によっても駆動することが可能である。まず、カップリング駆動方式による駆動について説明する。
【００３６】
発光制御トランジスターＴｅｌは、駆動トランジスターＴｄｒの一対の電流端のうちの他方（ドレインまたはソース）と発光素子４５の第１電極Ｅ１との導通状態（導通／非導通）を制御するスイッチとして機能する。駆動トランジスターＴｄｒは、自身のゲート−ソース間の電圧に応じた電流量の駆動電流を生成する。発光制御トランジスターＴｅｌがオン状態に制御された状態では、駆動電流が駆動トランジスターＴｄｒから発光制御トランジスターＴｅｌを経由して発光素子４５に供給されることで発光素子４５が駆動電流の電流量に応じた輝度で発光する。また、発光制御トランジスターＴｅｌがオフ状態に制御された状態では発光素子４５に対する駆動電流の供給が遮断されることで発光素子４５は消灯する。発光制御トランジスターＴｅｌのゲートは制御線２８に接続される。
【００３７】
補償トランジスターＴｃｍｐは、駆動トランジスターＴｄｒの閾値電圧の変動を補償する機能を有する。発光制御トランジスターＴｅｌがオフ状態で、書込制御トランジスターＴｗｒおよび駆動トランジスターＴｄｒがオン状態に制御された状態においては、次のような動作が行われる。補償トランジスターＴｃｍｐがオン状態に制御されると、駆動トランジスターＴｄｒのゲート電位とドレインまたはソース電位が等しくなり、駆動トランジスターＴｄｒはダイオード接続となる。このため、駆動トランジスターＴｄｒを流れる電流がゲートノードおよびデータ転送線２６を充電する。詳細には、電流が、電源配線４１→駆動トランジスターＴｄｒ→補償トランジスターＴｃｍｐ→データ転送線２６という経路で流れる。このため、駆動トランジスターＴｄｒがオン状態に制御されることによって互いに接続状態にあるデータ転送線２６およびゲートノードは、初期状態の電位から上昇する。ただし、上記経路に流れる電流は、駆動トランジスターＴｄｒの閾値電圧を｜Ｖｔｈ｜とすると、ゲートノードが電位（Ｖｅｌ−｜Ｖｔｈ｜）に近づくにつれて流れにくくなる。その結果、補償トランジスターＴｃｍｐがオフ状態とされる補償期間の終了に至るまでに、データ転送線２６およびゲートノードは電位（Ｖｅｌ−｜Ｖｔｈ｜）で飽和する。したがって、容量素子Ｃは、補償トランジスターＴｃｍｐがオフ状態とされる補償期間の終了に至るまでに駆動トランジスターＴｄｒの閾値電圧｜Ｖｔｈ｜を保持することになる。
【００３８】
本実施形態では、水平走査期間内に補償期間と書込期間を有しており、走査線駆動回路６は、各走査線２２に走査信号を供給することで複数の走査線２２の各々を水平走査期間毎に順次に選択する。走査線駆動回路６が選択した走査線２２に対応する各画素回路１１０の書込制御トランジスターＴｗｒはオン状態に遷移する。したがって、各画素回路１１０の駆動トランジスターＴｄｒもオン状態に遷移する。また、走査線駆動回路６は、各制御線２７に制御信号を供給することで複数の制御線２７の各々を補償期間毎に順次に選択する。走査線駆動回路６が選択した制御線２７に対応する各画素回路１１０の補償トランジスターＴｃｍｐはオン状態に遷移する。そして、容量素子Ｃは、補償トランジスターＴｃｍｐがオフ状態とされる補償期間の終了に至るまでに駆動トランジスターＴｄｒの閾値電圧｜Ｖｔｈ｜を保持する。走査線駆動回路６が各制御線２７に制御信号を供給することで各画素回路１１０の補償トランジスターＴｃｍｐをオフ状態に制御すると、データ転送線２６から駆動トランジスターＴｄｒのゲートノードに至るまでの経路はフローティング状態になる。しかし、容量素子Ｃによって（Ｖｅｌ−｜Ｖｔｈ｜）に維持される。次に、データ転送線駆動回路５は、外部回路から供給される画像信号が画素回路１１０毎に指定する階調に応じた階調電位（データ信号）を書込期間毎に容量素子Ｃｒｅｆに対して並列に供給する。そして、階調電位は容量素子Ｃｒｅｆを用いてレベルがシフトされ、その電位がデータ転送線２６と書込制御トランジスターＴｗｒとを経由して各画素回路１１０の駆動トランジスターＴｄｒのゲートに供給される。容量素子Ｃには駆動トランジスターＴｄｒの閾値電圧｜Ｖｔｈ｜を補償しつつ階調電位に応じた電圧が保持される。他方、書込期間での走査線２２の選択が終了すると、走査線駆動回路６は、各制御線２８に制御信号を供給することで当該制御線２８に対応する各画素回路１１０の発光制御トランジスターＴｅｌをオン状態に制御する。したがって、直前の書込期間で容量素子Ｃに保持された電圧に応じた駆動電流が駆動トランジスターＴｄｒから発光制御トランジスターＴｅｌを経由して発光素子４５に供給される。以上のように各発光素子４５が階調電位に応じた輝度で発光することで、画像信号が指定する任意の画像が表示部１１０に表示される。そして、駆動トランジスターＴｄｒから発光素子４５に供給される駆動電流は、閾値電圧の影響が相殺されているため、駆動トランジスターＴｄｒの閾値電圧が画素回路１１０毎にばらついても、そのばらつきが補償される。また、階調レベルに応じた電流が発光素子４５に供給されるので、表示画面の一様性を損なうような表示ムラの発生を抑えられる結果、高品位の表示が可能になる。
【００３９】
次に、図４を参照して電流プログラミング方式による駆動について説明する。走査線２２の走査信号がＬレベルになると、書込制御トランジスターＴｗｒがオン状態となる。また、制御線２７の制御信号がＬレベルになると、補償トランジスターＴｃｍｐがオン状態となる。したがって、駆動トランジスターＴｄｒは、ゲート電位と、発光制御トランジスターＴｅｌとの接続側のソース電位またはドレイン電位とが等しくなり、ダイオードとして機能する。そして、データ転送線２６のデータ信号がＬレベルになると、電流Ｉｄａｔａが、電源配線４１→駆動トランジスターＴｄｒ→補償トランジスターＴｃｍｐ→データ転送線２６という経路で流れる。また、そのときに、駆動トランジスターＴｄｒのゲートノードの電位に応じた電荷が容量素子Ｃに蓄積される。
【００４０】
制御線２７の制御信号がＨレベルになると、補償トランジスターＴｃｍｐはオフ状態となる。このとき、容量素子Ｃの両端の電圧は、電流Ｉｄａｔａが流れたときの電圧に保持される。制御線２８の制御信号がＬレベルとなると、発光制御トランジスターＴｅｌがオン状態となり、駆動トランジスターＴｄｒのソース・ドレイン間には、ゲート電圧に応じた電流Ｉｏｌｅｄが流れる。詳細には、この電流は、電源配線４１→駆動トランジスターＴｄｒ→発光制御トランジスターＴｅｌ→発光素子４５という経路で流れる。
【００４１】
ここで、発光素子４５に流れる電流Ｉｏｌｅｄは、駆動トランジスターＴｄｒのゲートノードと、電源配線４１との接続側のドレインノードまたはソースノードとの間の電圧で定まる。その電圧は、Ｌレベルの走査信号によって電流Ｉｄａｔａがデータ転送線２６に流れたときに、容量素子Ｃによって保持された電圧である。このため、制御線２８の制御信号がＬレベルになったときに、発光素子４５に流れる電流Ｉｏｌｅｄは、直前に流れた電流Ｉｄａｔａに略一致する。このように、電流プログラミング方式の駆動の場合には、電流Ｉｄａｔａによって発光輝度が規定される。なお、走査線２２は制御線２７と異なる配線としたが、走査線２２と制御線２７とを一本の配線としてもよい。
【００４２】
第１実施形態の電気光学装置１の具体的な構造を以下に詳述する。なお、以下の説明で参照する各図面では、説明の便宜のために、各要素の寸法や縮尺を実際の電気光学装置１とは相違させている。図５は、Ｇ（緑）の表示色の副画素を図１０に示すＩ−Ｉ’線で切断した断面図である。図６は、一画素単位の画素を図１０に示すII−II’線で切断した断面図である。図７ないし図１２は、電気光学装置１の各要素を形成する各段階での基板１０の表面の様子を、一画素単位の画素の１個分または２個分に着目して図示した平面図である。図７ないし図１２には、各要素の視覚的な把握を容易化する観点から、図５および図６と共通する各要素に図５および図６と同態様のハッチングが便宜的に付加されている。
【００４３】
図５ないし図７から理解される通り、珪素等の半導体材料で形成された基板１０の表面には、画素回路１１０の各トランジスター（Ｔｄｒ，Ｔｗｒ，Ｔｅｌ，Ｔｃｍｐ）の能動領域１０Ａ（ソース／ドレイン領域）が形成される。能動領域１０Ａにはイオンが注入される。画素回路１１０の各トランジスター（Ｔｄｒ，Ｔｗｒ，Ｔｅｌ，Ｔｃｍｐ）のアクティブ層はソース領域とドレイン領域との間に存在し、能動領域１０Ａとは別種類のイオンが注入されるが、便宜的に能動領域１０Ａと一体に記載している。図５ないし図７から理解される通り、能動領域１０Ａが形成された基板１０の表面は絶縁膜Ｌ０（ゲート絶縁膜）で被覆され、各トランジスターのゲート層ＧＴ（ＧＴｄｒ，ＧＴｗｒ，ＧＴｅｌ，ＧＴｃｍｐ）が絶縁膜Ｌ０の面上に形成される。各トランジスターのゲート層ＧＴは、絶縁膜Ｌ０を挟んでアクティブ層に対向する。
【００４４】
また、本実施形態においては、図７に示すように、Ｇ（緑）、Ｒ（赤）、Ｂ（青）の各副画素における複数のトランジスター（Ｔｄｒ，Ｔｗｒ，Ｔｅｌ，Ｔｃｍｐ）は、列方向（Ｙ方向）に沿って配置されている。なお、図７ないし図１２においては、Ｇ（緑）の各副画素における複数のトランジスターをＧｔｒとして示している。また、Ｒ（赤）の各副画素における複数のトランジスターをＲｔｒとして示している。さらに、Ｂ（青）の各副画素における複数のトランジスターをＢｔｒとして示している。
【００４５】
図５および図６から理解される通り、各トランジスターのゲート層ＧＴが形成された絶縁膜Ｌ０の面上には、複数の絶縁層Ｌ（ＬＡ〜ＬＥ）と複数の導電層（配線層）とを交互に積層した多層配線層が形成される。各絶縁層Ｌは、例えば珪素化合物（典型的には窒化珪素や酸化珪素）等の絶縁性の無機材料で形成される。なお、以下の説明では、導電層（単層または複数層）の選択的な除去により複数の要素が同一工程で一括的に形成される関係を「同層から形成される」と表記する。
【００４６】
絶縁層ＬＡは、各トランジスターのゲート層ＧＴが形成された絶縁膜Ｌ０の面上に形成される。図５、図６、および図８から理解される通り、絶縁層ＬＡの面上には、複数の中継電極ＱＢ（ＱＢ１，ＱＢ２，ＱＢ３，ＱＢ４，ＱＢ５，ＱＢ６，ＱＢ７，ＱＢ８）とが同層から形成される。
【００４７】
図５ないし図８から理解される通り、中継電極ＱＢ１は、絶縁膜Ｌ０と絶縁層ＬＡとを貫通する導通孔ＨＡ１を介して駆動トランジスターＴｄｒのドレイン領域またはソース領域を形成する能動領域１０Ａに導通する。
中継電極ＱＢ２は、絶縁層ＬＡを貫通する導通孔ＨＢ１を介して駆動トランジスターＴｄｒのゲート層ＧＴｄｒに導通する。また、中継電極ＱＢ２は、絶縁層ＬＡと絶縁膜Ｌ０とを貫通する導通孔ＨＡ４を介して書込制御トランジスターＴｗｒのソース領域またはドレイン領域を形成する能動領域１０Ａに導通する。
中継電極ＱＢ３は、絶縁膜Ｌ０と絶縁層ＬＡとを貫通する導通孔ＨＡ２を介して駆動トランジスターＴｄｒのドレイン領域またはソース領域を形成する能動領域１０Ａに導通する。中継電極ＱＢ３は、また、絶縁膜Ｌ０と絶縁層ＬＡとを貫通する導通孔ＨＡ６を介して補償トランジスターＴｃｍｐのドレイン領域またはソース領域を形成する能動領域１０Ａに導通する。さらに、中継電極ＱＢ３は、絶縁膜Ｌ０と絶縁層ＬＡとを貫通する導通孔ＨＡ８を介して発光制御トランジスターＴｅｌのドレイン領域またはソース領域を形成する能動領域１０Ａに導通する。
中継電極ＱＢ４は、絶縁層ＬＡを貫通する導通孔ＨＢ２を介して書込制御トランジスターＴｗｒのゲート層ＧＴｗｒに導通する。
【００４８】
中継電極ＱＢ５は、絶縁膜Ｌ０と絶縁層ＬＡとを貫通する導通孔ＨＡ３を介して書込制御トランジスターＴｗｒのドレイン領域またはソース領域を形成する能動領域１０Ａに導通する。中継電極ＱＢ５は、また、絶縁膜Ｌ０と絶縁層ＬＡとを貫通する導通孔ＨＡ５を介して補償トランジスターＴｃｍｐのドレイン領域またはソース領域を形成する能動領域１０Ａに導通する。
中継電極ＱＢ６は、絶縁層ＬＡを貫通する導通孔ＨＢ３を介して補償トランジスターＴｃｍｐのゲート層ＧＴｃｍｐに導通する。
中継電極ＱＢ７は、絶縁層ＬＡを貫通する導通孔ＨＢ４を介して発光制御トランジスターＴｅｌのゲート層ＧＴｅｌに導通する。
中継電極ＱＢ８は、絶縁膜Ｌ０と絶縁層ＬＡとを貫通する導通孔ＨＡ７を介して発光制御トランジスターＴｅｌのドレイン領域またはソース領域を形成する能動領域１０Ａに導通する。
【００４９】
図５および図６から理解されるように、絶縁層ＬＢは、複数の中継電極ＱＢ（ＱＢ１，ＱＢ２，ＱＢ３，ＱＢ４，ＱＢ５，ＱＢ６，ＱＢ７，ＱＢ８）が形成された絶縁層ＬＡの面上に形成される。図５、図６および図９から理解される通り、絶縁層ＬＢの面上には、電源配線４１と、走査線２２と、補償トランジスターＴｃｍｐの制御線２７と、発光制御トランジスターＴｅｌの制御線２８と、複数の中継電極ＱＣ（ＱＣ１，ＱＣ２）とが形成される。
【００５０】
第４の導電層としての電源配線４１は、多層配線層内の配線（図示略）を介して、高位側の電源電位Ｖｅｌが供給される実装端子（図示略）に導通する。なお、電源配線４１は、表示部１００の表示領域（図示略）内に形成される。また、図示を省略するが、表示領域の周辺領域内には別の電源配線が形成される。この電源配線は、多層配線層内の配線（図示略）を介して、低位側の電源電位Ｖｃｔが供給される実装端子（図示略）に導通する。電源配線４１および低位側の電源電位Ｖｃｔが供給される電源配線は、例えば銀やアルミニウムを含有する導電材料で例えば１００ｎｍ程度の膜厚に形成される。
また、電源配線４１は、図９から理解されるように、複数の画素回路１１０にわたり行方向（Ｘ方向）に直線状に延在する。つまり、電源配線４１は、平面視において、各色の副画素の駆動トランジスターＴｄｒと重なるように、行方向（Ｘ方向）に沿って配置される。
電源配線４１は、絶縁層ＬＢを貫通する導通孔ＨＣ１を介して、各色の副画素における駆動トランジスターＴｄｒのドレイン領域またはソース領域を形成する能動領域１０Ａに導通する。
また、電源配線４１は、絶縁層ＬＣにより、後述するデータ転送線２６からは電気的に絶縁される。
【００５１】
図６および図９から理解される通り、第１の導電層としての走査線２２は、複数の画素回路１１０にわたり行方向（Ｘ方向）に直線状に延在して設けられる。走査線２２は、絶縁層ＬＢを貫通する導通孔ＨＣ２を介して、各色の副画素の書込制御トランジスターＴｗｒのゲート層ＧＴｗｒに導通する。走査線２２は、絶縁層ＬＣにより、後述するデータ転送線２６からは電気的に絶縁される。
【００５２】
図６および図９から理解される通り、補償トランジスターＴｃｍｐの制御線２７は、複数の画素回路１１０にわたり行方向（Ｘ方向）に直線状に延在して設けられる。制御線２７は、絶縁層ＬＢを貫通する導通孔ＨＣ４を介して、各色の副画素の補償トランジスターＴｃｍｐのゲート層ＧＴｃｍｐに導通する。制御線２７は、絶縁層ＬＣにより、後述するデータ転送線２６からは電気的に絶縁される。
【００５３】
図６および図９から理解される通り、発光制御トランジスターＴｅｌの制御線２８は、複数の画素回路１１０にわたり行方向（Ｘ方向）に直線状に延在して設けられる。制御線２８は、絶縁層ＬＢを貫通する導通孔ＨＣ５を介して、各色の副画素の発光制御トランジスターＴｅｌのゲート層ＧＴｅｌに導通する。制御線２８は、絶縁層ＬＣにより、後述するデータ転送線２６からは電気的に絶縁される。
【００５４】
図６および図９から理解される通り、中継電極ＱＣ１は、絶縁層ＬＢを貫通する導通孔ＨＣ３を介して中継電極ＱＢ５に導通する。また、中継電極ＱＣ２は、絶縁層ＬＢを貫通する導通孔ＨＣ６を介して中継電極ＱＢ８に導通する。
【００５５】
絶縁層ＬＣは、電源配線４１と、走査線２２と、補償トランジスターＴｃｍｐの制御線２７と、発光制御トランジスターＴｅｌの制御線２８と、複数の中継電極ＱＣ（ＱＣ１，ＱＣ２）とが形成された絶縁層ＬＢの面上に形成される。図５、図６および図１０から理解される通り、絶縁層ＬＣの面上には、データ転送線２６と、複数の中継電極ＱＤ（ＱＤ１，ＱＤ２，ＱＤ３）とが形成される。
第２の導電層としてのデータ転送線２６は、複数の画素回路にわたり列方向（Ｙ方向）に直線状に延在し、絶縁層ＬＤにより、後述する反射層４３Ｂ，４３Ｇ，４３Ｒからは電気的に絶縁される。データ転送線２６は、図１０から理解される通り、絶縁層ＬＣを貫通する導通孔ＨＤ２を介して、中継電極ＱＣ１に導通する。つまり、データ転送線２６は、導通孔ＨＤ２、中継電極ＱＣ１、導通孔ＨＣ３、中継電極ＱＢ５、導通孔ＨＡ３、および導通孔ＨＡ５を介して、書込制御トランジスターＴｗｒと補償トランジスターＴｃｍｐのドレイン領域またはソース領域を形成する能動領域１０Ａに導通する。
【００５６】
図５、図６および図１０から理解される通り、中継電極ＱＤ１は、絶縁層ＬＣを貫通する導通孔ＨＤ１を介して、Ｂ（青）の表示色の副画素における中継電極ＱＣ２に導通する。したがって、中継電極ＱＤ１は、導通孔ＨＤ１と、中継電極ＱＣ２と、導通孔ＨＣ６と、中継電極ＱＢ８と、導通孔ＨＡ７とを介して、Ｂ（青）の表示色の副画素における発光制御トランジスターＴｅｌのドレイン領域またはソース領域を形成する能動領域１０Ａに導通する。
【００５７】
図５、図６および図１０から理解される通り、中継電極ＱＤ２は、絶縁層ＬＣを貫通する導通孔ＨＤ１を介して、Ｒ（赤）の表示色の副画素における中継電極ＱＣ２に導通する。したがって、中継電極ＱＤ１は、導通孔ＨＤ１と、中継電極ＱＣ２と、導通孔ＨＣ６と、中継電極ＱＢ８と、導通孔ＨＡ７とを介して、Ｒ（赤）の表示色の副画素における発光制御トランジスターＴｅｌのドレイン領域またはソース領域を形成する能動領域１０Ａに導通する。
【００５８】
図５、図６および図１０から理解される通り、中継電極ＱＤ３は、絶縁層ＬＣを貫通する導通孔ＨＤ１を介して、Ｇ（緑）の表示色の副画素における中継電極ＱＣ２に導通する。したがって、中継電極ＱＤ１は、導通孔ＨＤ１と、中継電極ＱＣ２と、導通孔ＨＣ６と、中継電極ＱＢ８と、導通孔ＨＡ７とを介して、Ｇ（緑）の表示色の副画素における発光制御トランジスターＴｅｌのドレイン領域またはソース領域を形成する能動領域１０Ａに導通する。
【００５９】
絶縁層ＬＤは、データ転送線２６と、複数の中継電極ＱＤ（ＱＤ１，ＱＤ２，ＱＤ３）とが形成された絶縁層ＬＣの面上に形成される。図５、図６および図１１から理解される通り、絶縁層ＬＤの面上には、第３の導電層としての反射層４３Ｂ，４３Ｇ，４３Ｒが形成される。反射層４３Ｂは、Ｂ（青）の表示色の副画素における反射層であり、反射層４３Ｇは、Ｇ（緑）の表示色の副画素における反射層である。また、反射層４３Ｒは、Ｒ（赤）の表示色の副画素における反射層である。
反射層４３Ｂは、図１１から理解されるように、平面視において、各色の副画素の駆動トランジスターＴｄｒと重なるように、行方向（Ｘ方向）に沿って配置される。したがって、反射層４３Ｂは、平面視において、Ｂ（青）の副画素の駆動トランジスターＴｄｒ、Ｒ（赤）の副画素の駆動トランジスターＴｄｒ、Ｇ（緑）の副画素の駆動トランジスターＴｄｒ、即ち、表示すべきカラー画像の一画素単位を構成する３つの駆動トランジスターＴｄｒと重なるように、行方向（Ｘ方向）に沿って配置される。
【００６０】
反射層４３Ｂは、絶縁層ＬＤを貫通する導通孔ＨＥ１を介して、中継電極ＱＤ１と導通する。つまり、反射層４３Ｂは、導通孔ＨＥ１、中継電極ＱＤ１、導通孔ＨＤ１、中継電極ＱＣ２、導通孔ＨＣ６、中継電極ＱＢ８、および導通孔ＨＡ７を介して、Ｂ（青）の副画素の発光制御トランジスターＴｅｌのドレイン領域またはソース領域を形成する能動領域１０Ａに導通する。
なお、図１１に示すように、平面視において、反射層４３Ｂ、４３Ｇ，４３Ｒの順序で反射層が設けられ、これらの反射層４３Ｂ、４３Ｇ，４３Ｒと重なる各色の副画素の複数のトランジスターが、一画素単位の画素における複数のトランジスターとなる。したがって、反射層４３Ｂは、列方向（Ｙ方向）において、一つ前の一画素単位の画素におけるＢ（青）の副画素の発光制御トランジスターＴｅｌのドレイン領域またはソース領域を形成する能動領域１０Ａに導通することになる。
【００６１】
反射層４３Ｒは、絶縁層ＬＤを貫通する導通孔ＨＥ２を介して、中継電極ＱＤ２と導通する。つまり、反射層４３Ｒは、導通孔ＨＥ２、中継電極ＱＤ２、導通孔ＨＤ１、中継電極ＱＣ２、導通孔ＨＣ６、中継電極ＱＢ８、および導通孔ＨＡ７を介して、Ｒ（赤）の副画素の発光制御トランジスターＴｅｌのドレイン領域またはソース領域を形成する能動領域１０Ａに導通する。
【００６２】
反射層４３Ｇは、絶縁層ＬＤを貫通する導通孔ＨＥ３を介して、中継電極ＱＤ３と導通する。つまり、反射層４３Ｇは、導通孔ＨＥ３、中継電極ＱＤ３、導通孔ＨＤ１、中継電極ＱＣ２、導通孔ＨＣ６、中継電極ＱＢ８、および導通孔ＨＡ７を介して、Ｇ（緑）の副画素の発光制御トランジスターＴｅｌのドレイン領域またはソース領域を形成する能動領域１０Ａに導通する。
【００６３】
反射層４３Ｂ、４３Ｇ，４３Ｒは、例えば銀やアルミニウムを含有する光反射性の導電材料で例えば１００ｎｍ程度の膜厚に形成される。反射層４３Ｂ、４３Ｇ，４３Ｒは、図１１に示すように、平面視において、各色の副画素のトランジスターと重なるように配置される。したがって、外光の侵入が反射層４３Ｂ、４３Ｇ，４３Ｒにより防止され、光照射に起因した各トランジスターの電流リークを防止できるという利点がある。
【００６４】
また、本実施形態においては、各色の副画素における複数のトランジスターは、列方向（Ｙ方向）に沿って配置されているが、各色の副画素における反射層４３Ｂ、４３Ｇ，４３Ｒは、行方向（Ｘ方向）に沿って配置されている。したがって、走査線２２を各色の副画素の書込制御トランジスターＴｗｒにおいて共通化しつつ、各色の副画素の表示領域を、行方向（Ｘ方向）に横長の形式にすることができる。
【００６５】
絶縁層ＬＥは、反射層４３Ｂ、４３Ｇ，４３Ｒが形成された絶縁層ＬＤの面上に形成される。絶縁層ＬＥの表面には、図５に例示される通り、中継電極ＱＥ１が形成される。
中継電極ＱＥ１は、絶縁層ＬＥを貫通する導通孔ＨＦ１を介して反射層４３Ｂ、４３Ｇ，４３Ｒに導通する。中継電極ＱＥ１は、画素電極導通部を構成する中継電極の一つであり、図５ないし図１１から理解される通り、反射層４３Ｂ、４３Ｇ，４３Ｒ、複数の中継電極、および複数の導通孔を介して、発光制御トランジスターＴｅｌのドレイン領域またはソース領域を形成する能動領域１０Ａに導通する。
【００６６】
図５に例示される通り、中継電極ＱＥ１が形成された絶縁層ＬＥの面上には光路調整層６０が形成される。光路調整層６０は、各画素回路１１０の共振構造の共振波長（すなわち表示色）を規定する光透過性の膜体である。表示色が同じ画素では、共振構造の共振波長は略同じであり、表示色が異なる画素では、共振構造の共振波長は異なるように設定される。
【００６７】
図５、図６および図１２に例示される通り、光路調整層６０の面上には、各色の副画素毎の第１電極Ｅ１が形成される。第１電極Ｅ１は、例えばＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）等の光透過性の導電材料で形成される。第１電極Ｅ１は、図３および図４を参照して前述した通り、発光素子４５の陽極として機能する略矩形状の電極（画素電極）である。第１電極Ｅ１は、図５、図６および図１２から理解される通り、光路調整層６０に形成された導通孔ＨＧ１を介して中継電極ＱＥ１に導通する。したがって、図５ないし図１２から理解される通り、第１電極Ｅ１は、光路調整層６０、反射層４３Ｂ、４３Ｇ，４３Ｒ、複数の中継電極、および複数の導通孔を介して、発光制御トランジスターＴｅｌのドレイン領域またはソース領域を形成する能動領域１０Ａに導通する。
【００６８】
第１電極Ｅ１が形成された光路調整層６０の面上には、図５、図６および図１２に例示される通り、基板１０の全域にわたり画素定義層６５が形成される。画素定義層６５は、例えば珪素化合物（典型的には窒化珪素や酸化珪素）等の絶縁性の無機材料で形成される。図１２から理解される通り、画素定義層６５により、各表示色の副画素における第１電極Ｅ１に対応する開口部が形成される。
開口部の大きさは、Ｂ（青）色の副画素の開口部の大きさが最も大きく、Ｇ（緑）色とＲ（赤）色の副画素の開口部の大きさは同じ大きさになっている。但し、表示色が異なる副画素間では、開口部の大きさを異なるようにしてもよい。
開口部は、列方向（Ｙ方向）には、Ｂ（青）色、Ｇ（緑）色、およびＲ（赤）色の副画素の順序で共通のピッチで配列される。また、同一色の副画素の開口部は、行方向（Ｘ方向）にわたり共通のピッチで配列される。
【００６９】
図５および図６に示すように、第１電極Ｅ１の上層には、発光機能層４６、第２電極Ｅ２、および封止体４７が積層され、以上の各要素が形成された基板１０の表面には封止基板（図示略）が例えば接着剤で接合される。封止基板は、基板１０上の各要素を保護するための光透過性の板状部材（例えばガラス基板）である。なお、封止基板の表面または封止体４７の表面に副画素の画素回路毎にカラーフィルターが形成される。カラーフィルターとしては、Ｂ（青）色のカラーフィルターＣＦＢ、Ｇ（緑）色のカラーフィルターＣＦＧ、およびＲ（赤）色のカラーフィルターＣＦＲが用いられる。
【００７０】
以上に説明した通り、本実施形態では、各色の副画素における複数のトランジスターは、列方向（Ｙ方向）に沿って配置されているので、走査線２２を各色の副画素の書込制御トランジスターＴｗｒにおいて共通化することが可能となり、一水平走査期間に選択する走査線２２の数を増加させることがない。その結果、一水平走査期間における各走査線２２の選択時間が短くなることを防ぎ、データ転送線２６から第１電極Ｅ１へデータを確実に書き込むことができる。
【００７１】
また、本実施形態では、各色の副画素における複数のトランジスターを列方向（Ｙ方向）に沿って配置しつつ、各色の副画素における反射層４３Ｂ，４３Ｇ，４３Ｒは、行方向（Ｘ方向）に沿って配置する。したがって、電気光学装置１の主光線が大きく傾斜する方向が、行方向（Ｘ方向）となるように摂設計されていた場合であっても、走査線２２の数を増加させることなく、同色の副画素を表示面の行方向（Ｘ方向）に配列することができる。その結果、斜めから表示面を観察しても、行方向（Ｘ方向）に関してはほとんど色ずれが生じない電気光学装置１が提供される。
【００７２】
本実施形態では、各色の副画素における反射層４３Ｂ，４３Ｇ，４３Ｒが、各色の副画素におけるトランジスターと重なるように、行方向（Ｘ方向）に沿って配置されている。したがって、発光機能層４６からの光がトランジスターに照射されることを防ぐことができ、トランジスターの特性を変化させることがない。特に、最も面積が大きい青色の副画素における反射層４３Ｂが、各色の副画素における駆動トランジスターＴｄｒに重なるように配置されている。したがって、細かな階調表示に影響を与える駆動トランジスターＴｄｒに対する発光機能層４６からの光の照射を確実に防ぎ、駆動トランジスターＴｄｒの特性の変化を防いで、正確な階調表示を可能とする。
【００７３】
本実施形態では、青色の副画素における反射層４３Ｂと、各色の副画素におけるトランジスターとの間には、各色の副画素における駆動トランジスターＴｄｒと重なるように行方向（Ｘ方向）に沿って配置された電源配線４１が設けられている。したがって、発光機能層４６からの光は、反射層４３Ｂだけでなく、他の配線よりも比較的な大きな面積の電源配線４１によっても遮られ、より一層確実に、駆動トランジスターＴｄｒに照射されることを防ぐことができる。したがって、細かな階調表示に影響を与える駆動トランジスターＴｄｒに対する発光機能層４６からの光の照射をより一層確実に防ぎ、駆動トランジスターＴｄｒの特性の変化を防いで、正確な階調表示を可能とする。
【００７４】
また、本実施形態では、各色の副画素における反射層４３Ｂ，４３Ｇ，４３Ｒと、各色の副画素における発光制御トランジスターＴｅｌとを接続する中継電極ＱＤ１，ＱＤ２，ＱＤ３は、電源配線４１が形成された層と、反射層４３Ｂ，４３Ｇ，４３Ｒが形成された層の間の層に形成されている。したがって、大きな電流が流れる中継電極ＱＤ１，ＱＤ２，ＱＤ３からのノイズが、電源配線４１によって遮られ、駆動トランジスターＴｄｒへのノイズの影響を抑えることができる。
【００７５】
本実施形態では、反射層４３Ｂの面積と、反射層４３Ｇ，４３Ｒの面積とは異なっている。反射層４３Ｂの面積が最も大きく、反射層４３Ｇ，４３Ｒの面積は互いに同じで、反射層４３Ｂの面積よりも小さくなっている。つまり、反射層４３Ｂ，４３Ｇ，４３Ｒのうち、少なくとも２つの反射層の面積が互いに異なるように設定されている。そして、各色の副画素における反射層４３Ｂ，４３Ｇ，４３Ｒと、各色の副画素における発光制御トランジスターＴｅｌとを接続する中継電極ＱＤ１，ＱＤ３，ＱＤ２は、最も面積が小さい反射層４３Ｇ，４３Ｒの下層に形成される。したがって、中継電極ＱＤ１，ＱＤ３，ＱＤ２の長さを短くすることができる。その結果、大きな電流が流れる中継電極ＱＤ１，ＱＤ３，ＱＤ２からのノイズを減少させ、当該ノイズによる駆動トランジスターＴｄｒへの影響を低く抑えることができる。
【００７６】
また、本実施形態では、中継電極ＱＤ１，ＱＤ２，ＱＤ３と、発光制御トランジスターＴｅｌとを接続する接続部である導通孔ＨＤ１は、平面視において、最も小さい反射層である反射層４３Ｇ，４３Ｒの近くの下層に位置している。この構成によっても、中継電極ＱＤ１，ＱＤ２，ＱＤ３の長さを短くすることができる。その結果、大きな電流が流れる中継電極ＱＤ１，ＱＤ２，ＱＤ３からのノイズを減少させ、当該ノイズによる駆動トランジスターＴｄｒへの影響を低く抑えることができる。
【００７７】
さらに、中継電極ＱＤ１，ＱＤ２，ＱＤ３は、データ転送線２６と同層に形成されており、行方向において隣り合う一のデータ転送線２６と、他のデータ転送線２６の間に位置している。したがって、データ転送線２６と中継電極ＱＤ１，ＱＤ２，ＱＤ３との間に寄生容量が形成される。寄生容量を低減するため、中継電極ＱＤ１，ＱＤ２，ＱＤ３は、隣り合う一のデータ転送線２６と、他のデータ転送線２６の略中央に位置することが好ましい。その結果、データ転送線２６へのデータの書き込み時間、および、データ転送線２６から第１電極Ｅ１のデータの書き込み時間を短縮することができる。
【００７８】
なお、上述した実施形態においては、図１０および図１１から理解されるように、中継電極ＱＤ１，ＱＤ２，ＱＤ３と、発光制御トランジスターＴｅｌとを接続する接続部である導通孔ＨＤ１の位置は、反射層４３Ｒの行方向の中心線からずれた位置に配置されている。
【００７９】
しかし、本発明は、このような構成に限定されるものではなく、例えば、図１３および図１４に示すように、中継電極ＱＤ１，ＱＤ２，ＱＤ３と、発光制御トランジスターＴｅｌとを接続する接続部である導通孔ＨＤ１の位置を、反射層４３Ｒの行方向の中心線上に配置してもよい。
図１３は図１０に対応する図であり、図１４は図１１に対応する図である。図１３および図１４から理解されるように、中継電極ＱＤ１，ＱＤ２，ＱＤ３と、発光制御トランジスターＴｅｌとを接続する接続部である導通孔ＨＤ１の位置は、反射層４３Ｒの行方向の中心線ＩＩＩ−ＩＩＩ’上に配置されている。このようにすることにより、中継電極ＱＤ１と中継電極ＱＤ３の長さを等しくすることができる。その結果、各副画素におけるバラツキを低く抑えることができる。また、中継電極ＱＤ１と中継電極ＱＤ３の長さを最も短くすることができるので、大きな電流が流れる中継電極ＱＤ１，ＱＤ２，ＱＤ３からのノイズを減少させ、当該ノイズによる駆動トランジスターＴｄｒへの影響を低く抑えることができる。
【００８０】
＜第２実施形態＞
次に、本発明の第２実施形態について、図１５ない図２０を参照しつつ説明する。図１５ないし図２０は、それぞれ第１実施形態の図７ないし図１２に対応する図である。第１実施形態との共通箇所については、同一符号を付して説明を省略する。
【００８１】
第１実施形態においては、図７に示すように、列方向（Ｙ方向に）に沿って、駆動トランジスターＴｄｒ、書込制御トランジスターＴｗｒ、補償トランジスターＴｃｍｐ、および発光制御トランジスターＴｅｌの順序で各副画素のトランジスターを配置した構成について説明した。
【００８２】
しかし、第２実施形態においては、図１５に示すように、列方向（Ｙ方向に）に沿って、発光制御トランジスターＴｅｌ、駆動トランジスターＴｄｒ、書込制御トランジスターＴｗｒ、および補償トランジスターＴｃｍｐの順序で各副画素のトランジスターを配置する。
【００８３】
また、第１実施形態においては、図１１に示すように、列方向（Ｙ方向に）に沿って、青色の副画素の反射層４３Ｂ、緑色の副画素の反射層４３Ｇ、および赤色の副画素の反射層４３Ｒの順序で各反射層を配置した。しかし、本実施形態においては、図１９に示すように、列方向（Ｙ方向に）に沿って、緑色の副画素の反射層４３Ｇ、青色の副画素の反射層４３Ｂ、および赤色の副画素の反射層４３Ｒの順序で各反射層を配置した。
【００８４】
図１５ないし図２０から理解されるように、本実施形態においても、各色の副画素における複数のトランジスターは、列方向（Ｙ方向）に沿って配置されている。したがって、走査線２２を各色の副画素の書込制御トランジスターＴｗｒにおいて共通化することが可能となり、一水平走査期間に選択する走査線２２の数を増加させることがない。その結果、一水平走査期間における各走査線２２の選択時間が短くなることを防ぎ、データ転送線２６から第１電極Ｅ１へデータを確実に書き込むことができる。
【００８５】
また、本実施形態においても、各色の副画素における複数のトランジスターを列方向（Ｙ方向）に沿って配置しつつ、各色の副画素における反射層４３Ｇ，４３Ｂ，４３Ｒは、行方向（Ｘ方向）に沿って配置する。したがって、電気光学装置１の主光線が大きく傾斜する方向が、行方向（Ｘ方向）となるように摂設計されていた場合であっても、走査線２２の数を増加させることなく、同色の副画素を表示面の行方向（Ｘ方向）に配列することができる。その結果、斜めから表示面を観察しても、行方向（Ｘ方向）に関してはほとんど色ずれが生じない電気光学装置１が提供される。
【００８６】
さらに、本実施形態においても、各色の副画素における反射層４３Ｂ，４３Ｇ，４３Ｒが、各色の副画素におけるトランジスターと重なるように、行方向（Ｘ方向）に沿って配置されている。したがって、発光機能層４６からの光がトランジスターに照射されることを防ぐことができ、トランジスターの特性を変化させることがない。特に、最も面積が大きい青色の副画素における反射層４３Ｂが、各色の副画素における駆動トランジスターＴｄｒに重なるように配置されている。したがって、細かな階調表示に影響を与える駆動トランジスターＴｄｒに対する発光機能層４６からの光の照射を確実に防ぎ、駆動トランジスターＴｄｒの特性の変化を防いで、正確な階調表示を可能とする。
なお、本実施形態においては、各色の副画素における反射層４３Ｂ，４３Ｇ，４３Ｒの面積は異なっている。青色の副画素における反射層４３Ｂの面積が最も大きく、赤色の副画素における反射層４３Ｒの面積は、反射層４３Ｂの面積よりも小さくなっている。そして、緑色の副画素における反射層４３Ｇの面積が最も小さくなっている。
【００８７】
また、本実施形態においても、青色の副画素における反射層４３Ｂと、各色の副画素におけるトランジスターとの間には、各色の副画素における駆動トランジスターＴｄｒと重なるように行方向（Ｘ方向）に沿って配置された電源配線４１が設けられている。したがって、発光機能層４６からの光は、反射層４３Ｂだけでなく、他の配線よりも比較的な大きな面積の電源配線４１によっても遮られ、より一層確実に、駆動トランジスターＴｄｒに照射されることを防ぐことができる。したがって、細かな階調表示に影響を与える駆動トランジスターＴｄｒに対する発光機能層４６からの光の照射をより一層確実に防ぎ、駆動トランジスターＴｄｒの特性の変化を防いで、正確な階調表示を可能とする。
【００８８】
図１８および図１９から理解されるように、本実施形態においても、中継電極ＱＤ１，ＱＤ２，ＱＤ３は、電源配線４１が形成された層と、反射層４３Ｇ，４３Ｂ，４３Ｒが形成された層の間の層に形成されている。したがって、大きな電流が流れる中継電極ＱＤ１，ＱＤ２，ＱＤ３からのノイズが、電源配線４１によって遮られ、駆動トランジスターＴｄｒへのノイズの影響を抑えることができる。
【００８９】
図１９から理解されるように、本実施形態においては、中継電極ＱＤ１，ＱＤ２，ＱＤ３と、発光制御トランジスターＴｅｌとを接続する接続部である導通孔ＨＤ１は、平面視において、最も面積小さい反射層である反射層４３Ｇの近くの下層に位置している。この構成によっても、中継電極ＱＤ１，ＱＤ２，ＱＤ３の長さを短くすることができる。その結果、大きな電流が流れる中継電極ＱＤ１，ＱＤ２，ＱＤ３からのノイズを減少させ、当該ノイズによる駆動トランジスターＴｄｒへの影響を低く抑えることができる。
また、本実施形態においては、図１９から理解されるように、中継電極ＱＤ１，ＱＤ２，ＱＤ３と、発光制御トランジスターＴｅｌとを接続する接続部である導通孔ＨＤ１は、列方向において隣り合う反射層４３Ｇと反射層４３Ｂとの間の位置に設けられている。したがって、図１８に示すように、少なくとも中継電極ＱＤ１，ＱＤ３の長さを均等化することができる。その結果、少なくとも隣り合う副画素間においては、中継電極の長さの違いによるバラツキを抑えることができる。
【００９０】
本実施形態においては、列方向（Ｙ方向に）に沿って、発光制御トランジスターＴｅｌの次に駆動トランジスターＴｄｒを配置している。したがって、中継電極ＱＤ１，ＱＤ２，ＱＤ３と、発光制御トランジスターＴｅｌとを接続する接続部である導通孔ＨＤ１の位置は、列方向（Ｙ方向に）に沿って配置される複数のトランジスターの列方向（Ｙ方向に）における端部以外の箇所に位置している。この構成が第１実施形態とは異なっている。このように構成することにより、画素コンタクト部となる導通孔ＨＤ１の位置を、反射層４３Ｇ，４３Ｂ，４３Ｒの配置と合わせやすくなる。その結果、同一の一画素単位内において、反射層４３Ｇ，４３Ｂ，４３Ｒによって、駆動トランジスターＴｄｒに対する発光機能層４６からの光の照射を防ぐことができる。
【００９１】
図１８から理解されるように、本実施形態においても、中継電極ＱＤ１，ＱＤ２，ＱＤ３は、データ転送線２６と同層に形成されており、行方向において隣り合う一のデータ転送線２６と、他のデータ転送線２６の間に位置している。したがって、データ転送線２６と中継電極ＱＤ１，ＱＤ２，ＱＤ３との間に寄生容量が形成される。寄生容量を低減するため、中継電極ＱＤ１，ＱＤ２，ＱＤ３は、隣り合う一のデータ転送線２６と、他のデータ転送線２６の略中央に位置することが好ましい。その結果、データ転送線２６へのデータの書き込み時間、および、データ転送線２６から第１電極Ｅ１のデータの書き込み時間を短縮することができる。
【００９２】
＜第３実施形態＞
次に、本発明の第３実施形態について、図２１ない図２８を参照しつつ説明する。本実施形態においては、各副画素のトランジスターは、駆動トランジスターＴｄｒ、発光制御トランジスターＴｅｌ、および書込制御トランジスターＴｗｒの３つのトランジスターで構成されている。
【００９３】
図２１ないし図２６は、本実施形態の電気光学装置１における基板１０上に形成される各要素を説明するための平面図である。図２７は、図２６におけるIV−IV’線を含む断面に対応した断面図である。図２８は、図２６におけるV−V’線を含む断面に対応した断面図である。なお、図２１ないし図２６は平面図であるが、各要素の視覚的な把握を容易化する観点から、図２７および図２８と共通する各要素に図２７および図２８と同態様のハッチングが便宜的に付加されている。
なお、図２１ないし図２６において、点線で示す長方形は、各副画素の反射層の位置を表している。
【００９４】
本実施形態は、図２１から理解されるように、各副画素の駆動トランジスターＴｄｒ、発光制御トランジスターＴｅｌ、および書込制御トランジスターＴｗｒのチャネル長方向が列方向（Ｙ方向）であり、発光制御トランジスターＴｅｌと書込制御トランジスターＴｗｒは、一直線状に並んで配置されている。
各副画素の駆動トランジスターＴｄｒに対して、発光制御トランジスターＴｅｌおよび書込制御トランジスターＴｗｒは、行方向（Ｘ方向）に配置されている。しかし、Ｇ（緑）、Ｒ（赤）、Ｂ（青）の各副画素単位で見た場合には、本実施形態においても、副画素における複数のトランジスターは、列方向（Ｙ方向）に沿って配置されている。
また、本実施形態においては、各トランジスターのゲート層ＧＴｄｒ，ＧＴｗｒ，ＧＴｅｌと、制御線等との接続部が、チャネル上の位置ではなく、行方向（Ｘ方向）にずれた位置に設けられている。
【００９５】
図２１、図２７および図２８から理解される通り、珪素等の半導体材料で形成された基板１０の表面には、画素回路１１０の各トランジスター（Ｔｄｒ，Ｔｗｒ，Ｔｅｌ）の能動領域１０Ａ（ソース／ドレイン領域）が形成される。能動領域１０Ａにはイオンが注入される。画素回路１１０の各トランジスター（Ｔｄｒ，Ｔｗｒ，Ｔｅｌ）のアクティブ層はソース領域とドレイン領域との間に存在し、能動領域１０Ａとは別種類のイオンが注入されるが、便宜的に能動領域１０Ａと一体に記載している。図２１、図２７および図２８から理解される通り、能動領域１０Ａが形成された基板１０の表面は絶縁膜Ｌ０（ゲート絶縁膜）で被覆され、各トランジスターのゲート層ＧＴ（ＧＴｄｒ，ＧＴｗｒ，ＧＴｅｌ）が絶縁膜Ｌ０の面上に形成される。各トランジスターのゲート層ＧＴは、絶縁膜Ｌ０を挟んでアクティブ層に対向する。
【００９６】
図２７および図２８から理解される通り、各トランジスターのゲート層ＧＴが形成された絶縁膜Ｌ０の面上には、複数の絶縁層Ｌ（ＬＡ〜ＬＦ）と複数の導電層（配線層）とを交互に積層した多層配線層が形成される。各絶縁層Ｌは、例えば珪素化合物（典型的には窒化珪素や酸化珪素）等の絶縁性の無機材料で形成される。なお、以下の説明では、導電層（単層または複数層）の選択的な除去により複数の要素が同一工程で一括的に形成される関係を「同層から形成される」と表記する。
【００９７】
絶縁層ＬＡは、各トランジスターのゲート層ＧＴが形成された絶縁膜Ｌ０の面上に形成される。図２１、図２７、および図２８から理解される通り、絶縁層ＬＡの面上には、発光制御トランジスターＴｅｌの制御線２８、走査線２２、および複数の中継電極ＱＢ（ＱＢ１０，ＱＢ１１，ＱＢ１２，ＱＢ１３，ＱＢ１４）が同層から形成される。
【００９８】
図２２、図２７および図２８から理解される通り、第１の導電層としての走査線２２は、複数の画素回路１１０にわたり行方向（Ｘ方向）に直線状に延在して設けられる。走査線２２は、絶縁層ＬＡを貫通する導通孔ＨＢ１２を介して、各色の副画素の書込制御トランジスターＴｗｒのゲート層ＧＴｗｒに導通する。走査線２２は、絶縁層ＬＢにより、後述するデータ転送線２６からは電気的に絶縁される。
【００９９】
図２２、図２７および図２８から理解される通り、発光制御トランジスターＴｅｌの制御線２８は、複数の画素回路１１０にわたり行方向（Ｘ方向）に直線状に延在して設けられる。制御線２８は、絶縁層ＬＡを貫通する導通孔ＨＢ１１を介して、各色の副画素の発光制御トランジスターＴｅｌのゲート層ＧＴｅｌに導通する。制御線２８は、絶縁層ＬＢにより、後述するデータ転送線２６からは電気的に絶縁される。
【０１００】
図２２、図２７および図２８から理解される通り、中継電極ＱＢ１０は、絶縁膜Ｌ０と絶縁層ＬＡとを貫通する導通孔ＨＡ１１を介して駆動トランジスターＴｄｒのドレイン領域またはソース領域を形成する能動領域１０Ａに導通する。
また、中継電極ＱＢ１０は、絶縁膜Ｌ０と絶縁層ＬＡとを貫通する導通孔ＨＡ１２を介して発光制御トランジスターＴｅｌのドレイン領域またはソース領域を形成する能動領域１０Ａに導通する。
中継電極ＱＢ１１は、絶縁層ＬＡを貫通する導通孔ＨＢ１０を介して駆動トランジスターＴｄｒのゲート層ＧＴｄｒに導通する。また、中継電極ＱＢ１１は、絶縁層ＬＡと絶縁膜Ｌ０とを貫通する導通孔ＨＡ１４を介して書込制御トランジスターＴｗｒのソース領域またはドレイン領域を形成する能動領域１０Ａに導通する。
中継電極ＱＢ１２は、絶縁膜Ｌ０と絶縁層ＬＡとを貫通する導通孔ＨＡ１０を介して駆動トランジスターＴｄｒのドレイン領域またはソース領域を形成する能動領域１０Ａに導通する。
中継電極ＱＢ１３は、絶縁膜Ｌ０と絶縁層ＬＡとを貫通する導通孔ＨＡ１３を介して駆動トランジスターＴｄｒのドレイン領域またはソース領域を形成する能動領域１０Ａに導通する。
中継電極ＱＢ１４は、絶縁膜Ｌ０と絶縁層ＬＡとを貫通する導通孔ＨＡ１５を介して書込制御トランジスターＴｗｒのドレイン領域またはソース領域を形成する能動領域１０Ａに導通する。
【０１０１】
図２３、図２７および図２８から理解されるように、絶縁層ＬＢは、制御線２８、走査線２２、および複数の中継電極ＱＢ（ＱＢ１０，ＱＢ１１，ＱＢ１２，ＱＢ１３，ＱＢ１４）が形成された絶縁層ＬＡの面上に形成される。絶縁層ＬＢの面上には、データ転送線２６と、複数の中継電極ＱＣ（ＱＣ１０，ＱＣ１１，ＱＣ１２）とが形成される。
【０１０２】
第２の導電層としてのデータ転送線２６は、複数の画素回路にわたり列方向（Ｙ方向）に直線状に延在し、絶縁層ＬＣにより、後述する反射層４３Ｂ，４３Ｇ，４３Ｒからは電気的に絶縁される。データ転送線２６は、図２３から理解される通り、データ転送線２６に対して行方向（Ｘ方向）に延在する中継電極ＱＣ１２と一体に形成されている。中継電極ＱＣ１２は、絶縁層ＬＢを貫通する導通孔ＨＣ１２を介して、書込制御トランジスターＴｗｒのソース領域またはドレイン領域を形成する能動領域１０Ａに導通する。
【０１０３】
図２３、図２７および図２８から理解される通り、中継電極ＱＣ１０は、絶縁層ＬＢを貫通する導通孔ＨＣ１０を介して中継電極ＱＢ１２に導通する。中継電極ＱＣ１１は、絶縁層ＬＢを貫通する導通孔ＨＣ１１を介して中継電極ＱＢ１３に導通する。
【０１０４】
絶縁層ＬＣは、データ転送線２６と、複数の中継電極ＱＣ（ＱＣ１０，ＱＣ１１，ＱＣ１２）とが形成された絶縁層ＬＢの面上に形成される。図２４、図２７および図２８から理解される通り、絶縁層ＬＣの面上には、第４の導電層としての電源配線４１と、中継電極ＱＤ１０が形成される。
【０１０５】
第４の導電層としての電源配線４１は、多層配線層内の配線（図示略）を介して、高位側の電源電位Ｖｅｌが供給される実装端子（図示略）に導通する。なお、電源配線４１は、表示部１００の表示領域（図示略）内に形成される。また、図示を省略するが、表示領域の周辺領域内には別の電源配線が形成される。この電源配線は、多層配線層内の配線（図示略）を介して、低位側の電源電位Ｖｃｔが供給される実装端子（図示略）に導通する。電源配線４１および低位側の電源電位Ｖｃｔが供給される電源配線は、例えば銀やアルミニウムを含有する導電材料で例えば１００ｎｍ程度の膜厚に形成される。
【０１０６】
また、電源配線４１は、図２４から理解されるように、中継電極ＱＤ１０が形成された部分を除き、全面に形成されている。つまり、電源配線４１は、平面視において、Ｒ（赤）色、Ｇ（緑）色、およびＢ（青）色の副画素の駆動トランジスターＴｄｒ、書込制御トランジスターＴｗｒ、および発光制御トランジスターＴｅｌと重なるように、副画素ごとに列方向（Ｙ方向）に沿って配置される。第１実施形態および第２実施形態においては、電源配線４１が各色の副画素の駆動トランジスターＴｄｒと重なるように配置されていた。しかし、本実施形態では、電源配線４１は、各色の副画素の全てのトランジスターと重なるように配置されている。
【０１０７】
電源配線４１は、絶縁層ＬＣを貫通する導通孔ＨＤ１０を介して、各色の副画素における駆動トランジスターＴｄｒのドレイン領域またはソース領域を形成する能動領域１０Ａに導通する。
電源配線４１は、絶縁層ＬＣにより、データ転送線２６からは電気的に絶縁される。
【０１０８】
電源配線４１には、図２４に示すように、中心部付近に開口部が形成されており、この開口部内に中継電極ＱＤ１０が形成される。中継電極ＱＤ１０は、絶縁層ＬＣを貫通する導通孔ＨＤ１１を介して中継電極ＱＣ１１に導通する。
【０１０９】
絶縁層ＬＤは、電源配線４１と、中継電極ＱＤ１０が形成された絶縁層ＬＣの面上に形成される。図２５、図２７および図２８から理解される通り、絶縁層ＬＤの面上には、第５の導電層としての中継電極ＱＥ１０，ＱＥ１１，ＱＥ１２が形成される。
【０１１０】
図２５、図２７および図２８から理解される通り、中継電極ＱＥ１０は、絶縁層ＬＤを貫通する導通孔ＨＥ１０を介して、Ｒ（赤）の表示色の副画素における中継電極ＱＤ１０に導通する。したがって、中継電極ＱＥ１０は、導通孔ＨＥ１０と、中継電極ＱＤ１０と、導通孔ＨＤ１１と、中継電極ＱＣ１１と、導通孔ＨＣ１１と、中継電極ＱＢ１３と、導通孔ＨＡ１３とを介して、Ｒ（赤）の表示色の副画素における発光制御トランジスターＴｅｌのドレイン領域またはソース領域に導通する。
【０１１１】
図２５、図２７および図２８から理解される通り、中継電極ＱＥ１１は、絶縁層ＬＤを貫通する導通孔ＨＥ１０を介して、Ｇ（緑）の表示色の副画素における中継電極ＱＤ１０に導通する。したがって、中継電極ＱＥ１１は、導通孔ＨＥ１０と、中継電極ＱＤ１０と、導通孔ＨＤ１１と、中継電極ＱＣ１１と、導通孔ＨＣ１１と、中継電極ＱＢ１３と、導通孔ＨＡ１３とを介して、Ｇ（緑）の表示色の副画素における発光制御トランジスターＴｅｌのドレイン領域またはソース領域に導通する。
【０１１２】
図２５、図２７および図２８から理解される通り、中継電極ＱＥ１２は、絶縁層ＬＤを貫通する導通孔ＨＥ１０を介して、Ｂ（青）の表示色の副画素における中継電極ＱＤ１０に導通する。したがって、中継電極ＱＥ１２は、導通孔ＨＥ１０と、中継電極ＱＤ１０と、導通孔ＨＤ１１と、中継電極ＱＣ１１と、導通孔ＨＣ１１と、中継電極ＱＢ１３と、導通孔ＨＡ１３とを介して、Ｂ（青）の表示色の副画素における発光制御トランジスターＴｅｌのドレイン領域またはソース領域に導通する。
【０１１３】
絶縁層ＬＥは、第５の導電層としての複数の中継電極ＱＥ１０，ＱＥ１１，ＱＥ１２が形成された絶縁層ＬＤの面上に形成される。図２６ないし図２８から理解される通り、絶縁層ＬＥの面上には、第３の導電層としての反射層４３Ｂ，４３Ｇ，４３Ｒが形成される。反射層４３Ｂは、Ｂ（青）の表示色の副画素における反射層であり、反射層４３Ｇは、Ｇ（緑）の表示色の副画素における反射層である。また、反射層４３Ｒは、Ｒ（赤）の表示色の副画素における反射層である。
図２６から理解されるように、反射層４３Ｂは、平面視において、各色の副画素の駆動トランジスターＴｄｒの少なくともドレイン領域と重なるように、行方向（Ｘ方向）に沿って配置される。
反射層４３Ｇは、平面視において、各色の副画素の駆動トランジスターＴｄｒのゲート層ＧＴｄｒと重なるように、行方向（Ｘ方向）に沿って配置される。
反射層４３Ｒは、平面視において、各色の副画素の駆動トランジスターＴｄｒの少なくともドレイン領域と重なるように、行方向（Ｘ方向）に沿って配置される。
【０１１４】
反射層４３Ｂは、絶縁層ＬＥを貫通する導通孔ＨＦ１２を介して、中継電極ＱＥ１２と導通する。つまり、反射層４３Ｂは、複数の導通孔と複数の中継電極を介して、Ｂ（青）の表示色の副画素における発光制御トランジスターＴｅｌのドレイン領域またはソース領域を形成する能動領域１０Ａに導通する。複数の導通孔とは、導通孔ＨＦ１２、導通孔ＨＥ１０、導通孔ＨＤ１１、導通孔ＨＣ１１、および導通孔ＨＡ１３である。また、複数の中継電極とは、中継電極ＱＥ１２、中継電極ＱＤ１０、中継電極ＱＣ１１、および中継電極ＱＢ１３である。
【０１１５】
反射層４３Ｇは、絶縁層ＬＥを貫通する導通孔ＨＦ１１を介して、中継電極ＱＥ１１と導通する。つまり、反射層４３Ｇは、複数の導通孔と複数の中継電極を介して、Ｇ（緑）の表示色の副画素における発光制御トランジスターＴｅｌのドレイン領域またはソース領域を形成する能動領域１０Ａに導通する。複数の導通孔とは、導通孔ＨＦ１１、導通孔ＨＥ１０、導通孔ＨＤ１１、導通孔ＨＣ１１、および導通孔ＨＡ１３である。また、複数の中継電極とは、中継電極ＱＥ１１、中継電極ＱＤ１０、中継電極ＱＣ１１、および中継電極ＱＢ１３である。
【０１１６】
反射層４３Ｒは、絶縁層ＬＥを貫通する導通孔ＨＦ１０を介して、中継電極ＱＥ１０と導通する。つまり、反射層４３Ｒは、複数の導通孔と複数の中継電極を介して、Ｒ（赤）の表示色の副画素における発光制御トランジスターＴｅｌのドレイン領域またはソース領域を形成する能動領域１０Ａに導通する。複数の導通孔とは、導通孔ＨＦ１０、導通孔ＨＥ１０、導通孔ＨＤ１１、導通孔ＨＣ１１、および導通孔ＨＡ１３である。また、複数の中継電極とは、中継電極ＱＥ１０、中継電極ＱＤ１０、中継電極ＱＣ１１、および中継電極ＱＢ１３である。
【０１１７】
なお、図２６に示すように、平面視において、反射層４３Ｂ、４３Ｇ，４３Ｒの順序で反射層が設けられ、これらの反射層４３Ｂ、４３Ｇ，４３Ｒと重なる各色の副画素の複数のトランジスターが、一画素単位の画素における複数のトランジスターとなる。
【０１１８】
反射層４３Ｂ、４３Ｇ，４３Ｒは、例えば銀やアルミニウムを含有する光反射性の導電材料で例えば１００ｎｍ程度の膜厚に形成される。反射層４３Ｂ、４３Ｇ，４３Ｒは、図２６に示すように、平面視において、各色の副画素のトランジスターと重なるように配置される。したがって、外光の侵入が反射層４３Ｂ、４３Ｇ，４３Ｒにより防止され、光照射に起因した各トランジスターの電流リークを防止できるという利点がある。
【０１１９】
また、本実施形態においては、各色の副画素における複数のトランジスターは、列方向（Ｙ方向）に沿って配置されているが、各色の副画素における反射層４３Ｂ、４３Ｇ，４３Ｒは、行方向（Ｘ方向）に沿って配置されている。したがって、走査線２２を各色の副画素の書込制御トランジスターＴｗｒにおいて共通化しつつ、各色の副画素の表示領域を、行方向（Ｘ方向）に横長の形式にすることができる。
【０１２０】
本実施形態における反射層の面積は、反射層４３Ｂと反射層４３Ｒの面積が同じであり、反射層４３Ｒの面積が最も小さく設定されている。
【０１２１】
絶縁層ＬＦは、反射層４３Ｂ、４３Ｇ，４３Ｒが形成された絶縁層ＬＥの面上に形成される。絶縁層ＬＦの表面には平坦化処理が実行される。平坦化処理には、化学機械研磨（CMP：Chemical Mechanical Polishing）等の公知の表面処理技術が任意に採用される。平坦化処理で高度に平坦化された絶縁層ＬＦの表面には、図２７に例示される通り、中継電極ＱＦ１０が形成される。
中継電極ＱＦ１０は、絶縁層ＬＦを貫通する導通孔ＨＧ１０を介して反射層４３Ｂ、４３Ｇ，４３Ｒに導通する。中継電極ＱＦ１０は、画素電極導通部を構成する中継電極の一つであり、図２１ないし図２８から理解される通り、反射層４３Ｂ、４３Ｇ，４３Ｒ、複数の中継電極、および複数の導通孔を介して、発光制御トランジスターＴｅｌのドレイン領域またはソース領域を形成する能動領域１０Ａに導通する。
【０１２２】
図２７に例示される通り、中継電極ＱＦ１０が形成された絶縁層ＬＦの面上には光路調整層６０が形成される。光路調整層６０は、各画素回路１１０の共振構造の共振波長（すなわち表示色）を規定する光透過性の膜体である。表示色が同じ画素では、共振構造の共振波長は略同じであり、表示色が異なる画素では、共振構造の共振波長は異なるように設定される。本実施形態では、図２８に示すように、Ｒ（赤）の表示色の副画素では光路調整層６０が３層に形成されている。また、Ｇ（緑）の表示色の副画素では光路調整層６０が２層に形成されている。そして、Ｂ（青）の表示色の副画素では光路調整層６０が１層に形成されている。
【０１２３】
図２７および図２８に例示される通り、光路調整層６０の面上には、各色の副画素毎の第１電極Ｅ１が形成される。第１電極Ｅ１は、例えばＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）等の光透過性の導電材料で形成される。第１電極Ｅ１は、図３および図４を参照して前述した通り、発光素子４５の陽極として機能する略矩形状の電極（画素電極）である。第１電極Ｅ１は、図２７から理解される通り、光路調整層６０に形成された導通孔ＨＨ１０を介して中継電極ＱＦ１０に導通する。したがって、第１電極Ｅ１は、光路調整層６０、反射層４３Ｂ、４３Ｇ，４３Ｒ、複数の中継電極、および複数の導通孔を介して、発光制御トランジスターＴｅｌのドレイン領域またはソース領域に導通する。
【０１２４】
第１電極Ｅ１が形成された光路調整層６０の面上には、図２７および図２８に例示される通り、基板１０の全域にわたり画素定義層６５が形成される。画素定義層６５は、例えば珪素化合物（典型的には窒化珪素や酸化珪素）等の絶縁性の無機材料で形成される。図示を省略するが、画素定義層６５により、各表示色の副画素における第１電極Ｅ１に対応する開口部が形成される。
開口部の大きさは、Ｂ（青）色の副画素とＲ（赤）の副画素の開口部の大きさが同じで、Ｇ（緑）色とＲ（赤）色の副画素の開口部が最も小さくなっている。但し、表示色が異なる副画素間では、開口部の大きさを異なるようにしてもよい。
開口部は、列方向（Ｙ方向）には、Ｂ（青）色、Ｇ（緑）色、およびＲ（赤）色の副画素の順序で共通のピッチで配列される。また、同一色の副画素の開口部は、行方向（Ｘ方向）ににわたり共通のピッチで配列される。
【０１２５】
図２７および図２８に示すように、第１電極Ｅ１の上層には、発光機能層４６、第２電極Ｅ２、および封止体４７が積層され、以上の各要素が形成された基板１０の表面には封止基板（図示略）が例えば接着剤で接合される。封止基板は、基板１０上の各要素を保護するための光透過性の板状部材（例えばガラス基板）である。なお、封止基板の表面または封止体４７の表面に副画素の画素回路毎にカラーフィルターが形成される。カラーフィルターとしては、Ｂ（青）色のカラーフィルターＣＦＢ、Ｇ（緑）色のカラーフィルターＣＦＧ、およびＲ（赤）色のカラーフィルターＣＦＲが用いられる。
【０１２６】
以上に説明した通り、本実施形態では、各色の副画素における複数のトランジスターは、列方向（Ｙ方向）に沿って配置されているので、走査線２２を各色の副画素の書込制御トランジスターＴｗｒにおいて共通化することが可能となり、一水平走査期間に選択する走査線２２の数を増加させることがない。その結果、一水平走査期間における各走査線２２の選択時間が短くなることを防ぎ、データ転送線２６から第１電極Ｅ１へデータを確実に書き込むことができる。
【０１２７】
また、本実施形態では、各色の副画素における複数のトランジスターを列方向（Ｙ方向）に沿って配置しつつ、各色の副画素における反射層４３Ｂ，４３Ｇ，４３Ｒは、行方向（Ｘ方向）に沿って配置する。したがって、電気光学装置１の主光線が大きく傾斜する方向が、行方向（Ｘ方向）となるように設計されていた場合であっても、走査線２２の数を増加させることなく、同色の副画素を表示面の行方向（Ｘ方向）に配列することができる。その結果、斜めから表示面を観察しても、行方向（Ｘ方向）に関してはほとんど色ずれが生じない電気光学装置１が提供される。
【０１２８】
本実施形態では、各色の副画素における反射層４３Ｂ，４３Ｇ，４３Ｒが、各色の副画素におけるトランジスターと重なるように、行方向（Ｘ方向）に沿って配置されている。したがって、発光機能層４６からの光がトランジスターに照射されることを防ぐことができ、トランジスターの特性を変化させることがない。特に、最も面積が大きい青色の副画素における反射層４３Ｂが、各色の副画素における駆動トランジスターＴｄｒの少なくともドレイン領域に重なるように配置されている。また、青色の副画素の反射層４３Ｂと同じ面積の赤色の副画素における反射層４３Ｒが、各色の副画素における駆動トランジスターＴｄｒの少なくともドレイン領域に重なるように配置されている。さらに、最も面積の小さい緑色の副画素における反射層４３Ｇが、各色の副画素における駆動トランジスターＴｄｒのゲート層ＧＴｄｒに重なるように配置されている。したがって、細かな階調表示に影響を与える駆動トランジスターＴｄｒに対する発光機能層４６からの光の照射を確実に防ぎ、駆動トランジスターＴｄｒの特性の変化を防いで、正確な階調表示を可能とする。
また、列方向において反射層４３Ｂと反射層４３Ｇと間、および、列方向において反射層４３Ｇと反射層４３Ｒと間には間隙が存在するが、これらの間隙は、駆動トランジスターＴｄｒの能動領域１０Ａの上ではなく、ゲート層ＧＴｄｒの上に位置するように配置されている。したがって、仮に、これらの間隙から光が漏れた場合であっても、駆動トランジスターＴｄｒの能動領域１０Ａには直接影響を与えないので、駆動トランジスターＴｄｒの特性の変化を防いで、正確な階調表示を可能とする。
【０１２９】
本実施形態では、各色の副画素における反射層４３Ｂ，４３Ｇ，４３Ｒと、各色の副画素における複数のトランジスターとの間には、各色の副画素における複数トランジスターと重なるように列方向（Ｙ方向）に沿って配置された電源配線４１Ｒ，４１Ｇ，４１Ｂが設けられている。したがって、発光機能層４６からの光は、反射層４３Ｂ，４３Ｇ，４３Ｒだけでなく、電源配線４１Ｒ，４１Ｇ，４１Ｂによって全面的に遮られ、より一層確実に、駆動トランジスターＴｄｒに照射されることを防ぐことができる。したがって、細かな階調表示に影響を与える駆動トランジスターＴｄｒに対する発光機能層４６からの光の照射をより一層確実に防ぎ、駆動トランジスターＴｄｒの特性の変化を防いで、正確な階調表示を可能とする。
【０１３０】
また、本実施形態では、各色の副画素における反射層４３Ｂ，４３Ｇ，４３Ｒと、各色の副画素における発光制御トランジスターＴｅｌとを接続する中継電極ＱＤ１，ＱＤ２，ＱＤ３は、電源配線４１が形成された層と、反射層４３Ｂ，４３Ｇ，４３Ｒが形成された層の間の層に形成されている。したがって、大きな電流が流れる中継電極ＱＤ１，ＱＤ２，ＱＤ３からのノイズが、電源配線４１によって遮られ、駆動トランジスターＴｄｒへのノイズの影響を抑えることができる。
【０１３１】
本実施形態では、反射層４３Ｂの面積と、反射層４３Ｇ，４３Ｒの面積とは異なっている。反射層４３Ｂと反射層４３Ｒの面積が最も大きく、反射層４３Ｇの面積が最も小さくなっている。つまり、反射層４３Ｂ，４３Ｇ，４３Ｒのうち、少なくとも２つの反射層の面積が互いに異なるように設定されている。そして、各色の副画素における反射層４３Ｂ，４３Ｇ，４３Ｒと、各色の副画素における発光制御トランジスターＴｅｌとを接続する中継電極ＱＥ１２，ＱＥ１１，ＱＥ１０は、最も面積が小さい反射層４３Ｇの下層に形成される。したがって、中継電極ＱＥ１２，ＱＥ１１，ＱＥ１０の長さを短くすることができる。その結果、大きな電流が流れる中継電極ＱＥ１２，ＱＥ１１，ＱＥ１０からのノイズを減少させ、当該ノイズによる駆動トランジスターＴｄｒへの影響を低く抑えることができる。
【０１３２】
また、本実施形態では、中継電極ＱＥ１２，ＱＥ１１，ＱＥ１０と、発光制御トランジスターＴｅｌとを接続する接続部である導通孔ＨＥ１０は、平面視において、最も小さい反射層である反射層４３Ｇの近くの下層に位置している。この構成によっても、中継電極ＱＥ１２，ＱＥ１１，ＱＥ１０の長さを短くすることができる。その結果、大きな電流が流れる中継電極ＱＥ１２，ＱＥ１１，ＱＥ１０からのノイズを減少させ、当該ノイズによる駆動トランジスターＴｄｒへの影響を低く抑えることができる。
【０１３３】
本実施形態においては、列方向（Ｙ方向に）に沿って、発光制御トランジスターＴｅｌの次に書込制御トランジスターＴｗｒを配置している。したがって、中継電極ＱＥ１２，ＱＥ１１，ＱＥ１０と、発光制御トランジスターＴｅｌとを接続する接続部である導通孔ＨＥ１０の位置は、列方向（Ｙ方向に）に沿って配置される複数のトランジスターの列方向（Ｙ方向に）における端部以外の箇所に位置している。このように構成することにより、画素コンタクト部となる導通孔ＨＥ１０の位置を、反射層４３Ｇ，４３Ｂ，４３Ｒの配置と合わせやすくなる。その結果、同一の一画素単位内において、反射層４３Ｇ，４３Ｂ，４３Ｒによって、駆動トランジスターＴｄｒに対する発光機能層４６からの光の照射を防ぐことができる。
【０１３４】
さらに、中継電極ＱＥ１２，ＱＥ１１，ＱＥ１０は、データ転送線２６とは異なる層に形成されている。したがって、データ転送線２６と他の層、特に電源配線４１との間に寄生容量が形成される。寄生容量を低減するため、中継電極ＱＥ１２，ＱＥ１１，ＱＥ１０は、隣り合う一のデータ転送線２６と、他のデータ転送線２６の略中央に位置することが好ましい。その結果、データ転送線２６へのデータの書き込み時間、および、データ転送線２６から第１電極Ｅ１のデータの書き込み時間を短縮することができる。
【０１３５】
＜変形例＞
本発明は、上述した各実施形態に限定されるものではなく、例えば、以下に述べる各種の変形が可能である。また、各実施形態及び各変形例を適宜組み合わせてもよいことは勿論である。
【０１３６】
（１）上述した実施形態では、反射層と、画素電極との間に、光路調整層を設けた構成について説明したが、本発明はこの構成に限定されるものではない。光路調整層を省略して、反射性を有する画素電極を用いる構成でもよい。この場合、第３の導電層は、反射層及び画素電極が一体として形成されたものであってもよい。
【０１３７】
（２）上述した実施形態では、ＯＬＥＤ上に、封止膜とカラーフィルターが積層された構成について説明したが、本発明はこの構成に限定されるものではない。対向基板にカラーフィルターが設けられる構成であってもよい。
【０１３８】
（３）上述した実施形態では、一画素単位の画素内においては、各色の副画素の開口部を、行方向（Ｘ方向）に延在するように設け、さらに同一色の副画素の開口部を、複数の一画素単位の画素にわたって、行方向（Ｘ方向）に共通のピッチで配列した。また、一画素単位の画素内においては、各色の副画素における開口部の行方向（Ｘ方向）の幅は等しくなるように配列した。つまり、各色の副画素における反射層が、各色の副画素における少なくとも１つのトランジスターと重なるように行方向（Ｘ方向）に沿って配列した。
しかし、本発明はこのような構成に限定されるものではない。例えば、少なくとも１つの色の副画素における反射層が、各色の副画素における少なくとも１つのトランジスターと重なるように行方向（Ｘ方向）に沿って配列してもよい。この場合には、他の色の副画素における反射層は、少なくとも１つの色の副画素における少なくとも１つのトランジスターと重なるように配列され、異なる色副画素における反射層が、行方向（Ｘ方向）に沿って配列される。
例えば、青色の副画素における開口部を、一画素単位の画素内にわたって行方向（Ｘ方向）に延在させ、行方向（Ｘ方向）の幅が最も大きくなるように構成する。そして、赤色の副画素における開口部と、緑色の副画素における開口部とを、一画素単位の画素内で行方向（Ｘ方向）に並べて配列するようにしてもよい。
【０１３９】
（４）上述した実施形態においては、反射層と駆動トランジスターとの間に、電源配線を配置したが、電源配線以外の金属製の配線を配置するようにしてもよい。金属製の配線を、反射層と駆動トランジスターとの間に配置することにより、駆動トランジスターの遮光を確実に行うことができる。
【０１４０】
（５）上述した実施形態においては電気光学材料の一例としてＯＬＥＤを取上げたが、それら以外の電気光学材料を用いた電気光学装置にも本発明は適用される。電気光学材料とは、電気信号（電流信号または電圧信号）の供給によって透過率や輝度といった光学的特性が変化する材料である。例えば、液晶、無機ＥＬや発光ポリマーなどの発光素子を用いた表示パネルに対しても上記実施形態と同様に本発明が適用され得る。また、着色された液体と当該液体に分散された白色の粒子とを含むマイクロカプセルを電気光学材料として用いた電気泳動表示パネルに対しても上記実施形態と同様に本発明が適用され得る。さらに、極性が相違する領域ごとに異なる色に塗り分けられたツイストボールを電気光学材料として用いたツイストボールディスプレイパネルに対しても上記実施形態と同様に本発明が適用され得る。黒色トナーを電気光学材料として用いたトナーディスプレイパネル、あるいはヘリウムやネオンなどの高圧ガスを電気光学材料として用いたプラズマディスプレイパネルなど各種の電気光学装置に対しても上記実施形態と同様に本発明が適用され得る。
【０１４１】
＜応用例＞
この発明は、各種の電子機器に利用され得る。図２９ないし図３１は、この発明の適用対象となる電子機器の具体的な形態を例示するものである。
【０１４２】
図２９は本発明の電気光学装置を採用した電子機器としてのヘッドマウントディスプレイのヘッドマウントディスプレイの外観を示す斜視図である。図２９に示されるように、ヘッドマウントディスプレイ３００は、外観的には、一般的な眼鏡と同様にテンプル３１０や、ブリッジ３２０、投射光学系３０１Ｌ、３０１Ｒを有する。図示を省略するが、ブリッジ３２０近傍であって投射光学系３０１Ｌ，３０１Ｒの奥側には、左眼用の電気光学装置１と、右眼用の電気光学装置１とが設けられる。
【０１４３】
図３０は、電気光学装置を採用した可搬型のパーソナルコンピューターの斜視図である。パーソナルコンピューター２０００は、各種の画像を表示する電気光学装置１と、電源スイッチ２００１やキーボード２００２が設置された本体部２０１０とを具備する。
【０１４４】
図３１は、携帯電話機の斜視図である。携帯電話機３０００は、複数の操作ボタン３００１およびスクロールボタン３００２と、各種の画像を表示する電気光学装置１とを備える。スクロールボタン３００２を操作することによって、電気光学装置１に表示される画面がスクロールされる。本発明はこのような携帯電話機にも適用可能である。
【０１４５】
なお、本発明が適用される電子機器としては、図２９ないし図３１に例示した機器のほか、携帯情報端末（ＰＤＡ：Ｐｅｒｓｏｎａｌ  Ｄｉｇｉｔａｌ  Ａｓｓｉｓｔａｎｔｓ）が挙げられる。その他にも、デジタルスチルカメラ，テレビ，ビデオカメラ，カーナビゲーション装置，車載用の表示器（インパネ），電子手帳，電子ペーパー，電卓，ワードプロセッサー，ワークステーション，テレビ電話，ＰＯＳ端末が挙げられる。さらに、プリンター，スキャナー，複写機，ビデオプレーヤー，タッチパネルを備えた機器等などが挙げられる。
【符号の説明】
【０１４６】
１…電気光学装置、２…表示パネル、３…制御回路、５…データ転送線駆動回路、６…走査線駆動回路、１０…基板、１０Ａ…能動領域、２２…走査線、２６…データ転送線、２７…制御線、２８…制御線、４１…第１電源導電体（電源配線）、４２…第２電源導電体、４５…発光素子、４６…発光機能層、６０…光路調整層、７０…データ信号供給回路、８２…ケース、８４…ＦＰＣ基板、８６…端子、１００…表示部、１１０…画素回路、Ｃｔｒ…制御信号、ＤＭ…デマルチプレクサー、ＤＴ…データ転送回路、Ｅ１…第１電極、Ｅ２…第２電極、ＨＡ１〜ＨＡ８…導通孔、ＨＡ１０〜ＨＡ１５…導通孔、ＨＢ１〜ＨＢ４…導通孔、ＨＢ１０〜ＨＢ１２…導通孔、ＨＣ１〜ＨＣ５…導通孔、ＨＣ１０〜ＨＣ１２…導通孔、ＨＤ１〜ＨＤ２…導通孔、ＨＤ１０〜ＨＤ１１…導通孔、ＨＥ１０…導通孔、ＨＦ１０〜ＨＦ１２…導通孔、ＨＧ１０…導通孔、ＨＨ１０…導通孔、ＧＴｃｍｐ…ゲート層、ＧＴｄｒ…ゲート層、ＧＴｅｌ…ゲート層、ＧＴｗｒ…ゲート層、Ｇｗｒ…走査信号、Ｌ０…絶縁膜、ＬＡ〜ＬＦ…絶縁層、ＱＢ１〜ＱＢ８…中継電極、ＱＢ１０〜ＱＢ１４…中継電極、ＱＣ１〜ＱＣ２…中継電極、ＱＣ１０〜ＱＣ１２…中継電極、ＱＤ１〜ＱＤ３…中継電極、ＱＤ１０…中継電極、ＱＥ１…中継電極、ＱＥ１０〜ＱＥ１１…中継電極、ＱＥ１２…中継電極、ＱＦ１０…中継電極、Ｓｅｌ…制御信号、／Ｓｅｌ…制御信号、Ｔｃｍｐ…補償トランジスター、Ｔｄｒ… 駆動トランジスター、Ｔｅｌ…発光制御トランジスター、Ｔｗｒ 書込制御トランジスター、Ｖｄａｔａ…画像データ、Ｖｄ…データ信号、Ｖｉｄ…画像信号。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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