【事件の表示】
　特許第３３３８３６０号「窒化ガリウム系半導体ウエハの製造方法」の請求項１、２に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３３３８３６０号の請求項１ないし３に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯・本件発明
　特許第３３３８３６０号の請求項１、２に係る発明についての出願は、平成１０年３月２３日に特許出願されたものであって、平成１４年８月９日にその特許の設定の登録がなされ、その後、竹宮　茂文により特許異議の申立がなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内の平成１５年１２月２５日付けで訂正請求がなされたものである。
２．訂正の適否について
２−１．訂正の内容
訂正事項ａ
特許明細書の特許請求の範囲の請求項１を、以下の様に訂正する。
「【請求項１】厚さが６０〜１５０μｍのサファイヤ基板の表面を溝によって複数の領域に分割する工程と、前記複数の領域を備えるサファイヤ基板の表面に窒化ガリウム系半導体を積層する工程を備え、前記溝の方向がサファイヤ基板の＜１０１０＞軸方向及び＜１１２０＞軸方向の少なくとも一方向に一致する方向であることを特徴とする窒化ガリウム系半導体ウエハの製造方法。」
訂正事項ｂ
特許明細書の特許請求の範囲の請求項３を、以下の様に訂正する。
「【請求項３】厚さが６０〜１５０μｍのサファイヤ基板の表面を溝によって複数の領域に分割する工程と、前記複数の領域を備えるサファイヤ基板の表面に窒化ガリウム系半導体を積層する工程を備え、前記溝の幅は、１０μｍ以上であることを特徴とする窒化ガリウム系半導体ウエハの製造方法。」
２−２．訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否　
　上記訂正事項ａについては、請求項１に記載された「溝」の方向を、より下位の概念である「サファイヤ基板の＜１０１０＞軸方向及び＜１１２０＞軸方向の少なくとも一方向に一致する方向である」と限定しようとするものであり、特許明細書の第7頁５行目〜１２行目〔段落番号２３〕及び、２４行目〜２８行目〔段落番号２５〕並びに、図１、図４の記載を根拠とするものである。この特許請求の範囲の訂正は、願書に添付した明細書に記載した事項の範囲内においてなされたものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではなく、特許法第１２０条の４第２項のただし書き第１号に規定する特許請求の範囲の減縮に相当するものである。
　上記訂正事項bについては、特許異議の申立がされていない請求項３記載の発明を従属形式から独立形式に変更したことにより、表現形式を明りょうにしたものであるから、特許法第１２０条の４第２項第３号に規定する明りょうでない記載の釈明に相当するものである。
２−３．訂正の適否に対するむすび
　以上のとおり、本件訂正は、特許法第１２０条の４第２項及び同条第３項において準用する特許法第１２６条第２項及び第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
３．特許異議申立の理由及び取消理由通知の概要
　特許異議申立人は、証拠として甲第１号証（特公昭６０−９６０号公報）および甲第２号証（特開平９−３１２４１８号公報）を提出し、本件の請求項１、２に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定に該当するものであり、さらに、請求項１には、発明の構成に欠くことのできない要件が記載されていないので、特許法第３６条の規定に違反するから、本件の請求項１、２に係る発明の特許は取り消されるべきものである旨主張している。
　そして、上記特許異議申立の理由のうち、特許法第２９条第２項による取消理由通知を平成１５年１０月２３日付けで通知した。
４．当審の判断
４−１．特許法第２９条違反について
（１）本件発明
　本件の請求項１、２に係る発明（以下、「本件発明１」、「本件発明２」という。）は、訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１、２に記載された次のとおりのものである。
「【請求項１】厚さが６０〜１５０μｍのサファイヤ基板の表面を溝によって複数の領域に分割する工程と、前記複数の領域を備えるサファイヤ基板の表面に窒化ガリウム系半導体を積層する工程を備え、前記溝の方向がサファイヤ基板の＜１０１０＞軸方向及び＜１１２０＞軸方向の少なくとも一方向に一致する方向であることを特徴とする窒化ガリウム系半導体ウエハの製造方法。」
「【請求項２】前記複数の領域の各々は、１０００ｍｍ2以下の面積であることを特徴とする請求項１記載の窒化ガリウム系半導体ウエハの製造方法。」
（２）甲各号証記載の発明
甲第１号証（特公昭６０−９６０号公報）には、図面とともに、
「基板上に格子状に表面凹凸領域を形成する工程と、前記凹凸領域を含む基板上に窒化ガリウムエピタキシャル層を一層以上成長させる工程と、熱燐酸系あるいは熱過飽和アルカリ液により前記凹凸領域上に形成された窒化ガリウムエピタキシャル層の一部または全部を除去して溝を形成する工程と、前記溝を覆って電極を形成する工程とを少なくとも有することを特徴とする窒化ガリウム発光素子アレイの製造方法。」(特許請求の範囲)、
「ＧａＮを気相成長させるにあたって前もって成長基板にスクライブラインのような傷をつけておくと、その部分に成長する結晶が特異な性質、例えばエッチングされやすいなど、を示すことが発明者によって見出された。そこで、このことを用いて・・・・・・。第２図でサファイア基板１２の表面にはスクライバなどで必要なピッチで傷５２が入れてある。」（第２頁左欄９〜１８行）が記載されている。
甲第２号証（特開平９−３１２４１８号公報）には、図面とともに、
「【請求項１】半導体または絶縁体からなる基板と、その上に形成された少なくとも１層の３族窒化物半導体(AlxGaYIn1-X-YN;０≦X ≦１，０≦Y ≦１, ０≦X+Y ≦１) から成る素子層と、前記基板において前記素子層が形成されている面と反対側の面に形成された少なくとも１層の半導体または絶縁体からなる裏面層を有することを特徴とする半導体素子。
【請求項４】前記基板がサファイアもしくは炭化珪素であることを特徴とする請求項１に記載の半導体素子。
【請求項５】　前記基板の厚さが３０〜３００μｍであることを特徴とする請求項１に記載の発光素子。」(特許請求の範囲)、
「【００２４】次に裏面層を形成した場合と形成しない場合の、試料の反りの測定結果について説明する。図６は裏面層を形成しない場合、図７は裏面層を形成した場合の試料の反りを示している。裏面層を形成しない場合は試料が大きく反っていることが分かる。このような反りは熱応力、特に素子層と基板との界面での応力を増大させ、結晶欠陥やクラックが発生しやすく、素子特性に悪影響を及ぼす。図７に示すように、裏面層を形成することでこのような反りはほとんどなくなり、結晶欠陥やクラックの発生を抑えることができる。」(段落２４)、
「【００２６】更に、基板としてはサファイアや炭化珪素を好ましく用いることができるが、ZnO やMgAl2O4 も用いることができる。また、基板の厚さは３０〜３００μｍが望ましい。３００μｍより厚いと各素子の切断がしにくく、３０μｍより薄いと機械的強度が小さく取扱が困難である。上記実施例は発光ダイオードについて説明したが、レーザダイオード、光電気変換素子、ＦＥＴやその他の半導体素子にも応用できる。」(段落２６)が記載されている。
（３）対比・判断 
［本件発明１について］ 
　そこで、本件発明１と上記甲第１号証記載のもの（以下、「引用発明１」という。）とを比較するに、両者は、「サファイヤ基板の表面を溝によって複数の領域に分割する工程と、前記複数の領域を備えるサファイヤ基板の表面に窒化ガリウム系半導体を積層する工程を備えた窒化ガリウム系半導体ウエハの製造方法。」で一致し、少なくとも、本件発明１は、溝の方向が、サファイヤ基板の＜１０１０＞軸方向及び＜１１２０＞軸方向の少なくとも一方向に一致する方向であるのに対して、引用発明１は、溝の方向については特に記載されていない点で相違している。
　ところで、甲第２号証は、「サファイア基板上に窒化ガリウム系半導体層を形成した半導体素子において、基板厚さを３０〜３００μｍとして、基板の切断性と取扱いを容易化したこと」を記載するのみで、切断時の溝形成方向については何ら記載されていないことから、上記相違点は、甲第２号証にも記載されていない。
　そして本件発明１は、上記相違点の構成を有することにより、本件特許明細書の【００２４】に記載された「割れやすい＜１０１０＞軸方向、あるいは＜１１２０＞軸方向に一致させて溝４を形成しておくことにより、仮に製造工程の途中に加わる力によって溝４部分から割れが発生したとしても、その割れの方向を溝４の範囲内とし、割れた後の大きさを平坦領域５程度に収めることができ、割れた半導体ウエハ１を比較的大きな片として残すことができる。その結果、半導体ウエハ１が粉々に割れてその後の製造工程が継続できなくなるといった不具合の発生を未然に防止することができる。」という格別の効果を奏するものである。
  したがって、本件発明１は、甲第１号証及び甲第２号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
［本件発明２について］ 
　本件発明２は、本件発明１の構成を全て引用し、さらに限定を付加すものであるから、上記本件発明１に対すると同様の理由により、甲第１号証及び甲第２号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
４−２．特許法第３６条違反について
　異議申立人は、請求項１の「前記複数の領域を備えるサファイヤ基板の表面に窒化ガリウム系半導体を積層する工程」では、サファイヤ基板の表面に形成する溝の幅は、それを狭くし過ぎると窒化ガリウム系半導体の結晶成長層が横方向に成長して溝の両側の結晶成長層が溝の上に橋を架けるようにつながってしまうこととなり、反り防止の効果をなし得ないので、請求項１には発明の構成に欠くことのできない事項が記載されておらず、「溝の幅を１０μｍ以上とすること、あるいは溝の両側の結晶成長層がつながらないようにすること」を記載すべき旨主張する。
　ところで、上記主張は、特許法第３６条第５項の規定違反を主張するものである。しかしながら、該規定は、特許法第１１３条第４号に規定する特許異議申立理由の対象外であるから、請求人の主張には理由がない。
　なお、上記理由が特許法第３６条第６項第１号に関して主張されたものとして、仮に検討すると、本件明細書段落００１８には、「前記溝４，４の幅を狭くし過ぎると、窒化ガリウム系半導体６の結晶成長層が横方向に成長して各溝４の両側の結晶成長層が溝４の上に橋を架けるようにつながってしまい、溝４がウエハ１に対する応力分断機能を十分発揮しないことがある。」
と記載され、溝を狭くし過ぎて、溝の両側の結晶成長層がつながってしまう場合には、応力分断機能を発揮しないことのあることが記載されているが、常にそうなることを記載するものではない。よって、溝の幅を１０μｍ以上とすること、あるいは溝の両側の結晶成長層がつながらないようにすることが必ずしも必要であるとはいえない。              
 
５．むすび
　以上のとおり、特許異議申立の理由及び証拠によっては、本件請求項１、２に係る発明の特許を取り消すことはできない。
　又、他に本件発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。 
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１６年１月１６日（２００４．１．１６）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
窒化ガリウム系半導体ウエハの製造方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　厚さが６０〜１５０μｍのサファイヤ基板の表面を溝によって複数の領域に分割する工程と、前記複数の領域を備えるサファイヤ基板の表面に窒化ガリウム系半導体を積層する工程を備え
、前記溝の方向がサファイヤ基板の＜１０１０＞軸方向及び＜１１２０＞軸方向の少なくとも一方向に一致する方向である
　【請求項２】　前記複数の領域の各々は、１０００ｍｍ２以下の面積であることを特徴とする請求項１記載の窒化ガリウム系半導体ウエハの製造方法。
　【請求項３】　
厚さが６０〜１５０μｍのサファイヤ基板の表面を溝によって複数の領域に分割する工程と、前記複数の領域を備えるサファイヤ基板の表面に窒化ガリウム系半導体を積層する工程を備え、
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の属する技術分野】
　本発明は、サファイヤ基板の表面に窒化ガリウム系半導体を積層した窒化ガリウム系半導体ウエハの製造方法に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　青色発光ダイオードや青色半導体レーザに適した材料としては、ＧａＮ，ＩｎＧａＮ，ＧａＡｌＮ等の窒化ガリウム系半導体が利用され、この窒化ガリウム系半導体を成長させる基板としては、サファイヤ基板が利用されている。
　【０００３】
　サファイヤ基板に窒化ガリウム系半導体を積層したウエハにおいては、両者の格子定数差や熱膨張率差が大きいため、サファイヤ基板の厚みが薄い場合はウエハに反りが生じる。ウエハに生じる反りが大きい場合は、その後の処理工程、例えば、窒化ガリウム系半導体の必要個所に電極を形成する工程において、ウエハの保持が困難になり、電極の形成に大きな支障を来すという問題がある。
　【０００４】
　そこで、例えば特開平６−２８３７５８号公報に開示されているように、基板として反りが生じにくい膜厚（３００〜８００μｍ）のサファイヤ基板を用い、その表面に窒化ガリウム系半導体を積層し、その上に電極パターンを形成した後、サファイヤ基板をその厚みが１００μｍとなるまで研摩している。へき開性を有していないサファイヤ結晶の性質上、通常はスクライブ装置によって切断することが困難な上記窒化ガリウム系半導体ウエハであっても、このようにサファイヤ基板を薄く研摩することによって、スクライブ装置による切断を容易にすることができる。
　【０００５】
　【発明が解決しようとする課題】
　ところが、上記のように厚膜のサファイヤ基板を用いると、窒化ガリウム系半導体、電極パターンを形成した後、サファイヤ基板を研摩する工程が必要となる。サファイヤ基板はモ−ス硬度が約９と非常に硬い材料であるため、研摩工程に要する時間が非常に長くなり、製造に要する時間が長くなるという問題がある。そのため、ウエハ、それを分割した後の素子のコスト上昇要因にもなるという問題が生じる。
　【０００６】
　そこで、本発明は上記の点を考慮し、ウエハの製造に要する時間を大幅に短縮することができる窒化ガリウム系半導体ウエハ、並びにその製造方法を提供することを主な課題とする。
　【０００７】
　【課題を解決するための手段】
　本発明は、ウエハの製造時間を短縮するためには、サファイヤ基板の研摩工程を省略することが最も有効であるとの見地に基づき成されたもので、種々検討の結果、研摩不要の薄いサファイヤ基板を用いても窒化ガリウム系半導体ウエハの反りを実用上支障のない範囲に抑制する構造を見いだした。
　【０００８】
　すなわち本発明の窒化ガリウム系半導体ウエハは、表面が溝によって複数の領域に分割されたサファイヤ基板の前記表面に窒化ガリウム系半導体を積層していることを基本的な特徴とする。
　【０００９】
　サファイヤ基板の表面が溝によって複数の領域に分割されているので、前記溝が、サファイヤ基板の表面に積層した窒化ガリウム系半導体の結晶成長の連続性を断ち切るように機能する。その結果、サファイヤ基板と窒化ガリウム系半導体の格子定数差や熱膨張率差に起因する応力発生範囲を、溝によって区切られた狭い領域に分割することができ、ウエハ全体の反りを小さく抑制することが可能になる。
　【００１０】
　ここで、溝によって分割する領域の面積が大きくなると、ウエハ全体の反りが大きくなり、その後の電極形成工程において、ウエハの保持を正常に行うことができなくなるが、溝によって分割する領域の面積を１０００ｍｍ２以下に設定すると、ウエハ全体の反りが小さく抑制され、電極形成工程において、ウエハの保持を正常に行うことができる。
　【００１１】
　サファイヤ基板の厚みは、厚くなり過ぎるとウエハの分割が困難になり、また、薄くなり過ぎると不所望時にウエハが分割され易くなるので、これらの問題が発生しにくい６０〜１５０μｍに設定される。
　【００１２】
　サファイヤ基板の表面に形成する溝の幅は、それを狭くし過ぎると窒化ガリウム系半導体の結晶成長層が横方向に成長して溝の両側の結晶成長層が溝の上に橋を架けるようにつながってしまうので、これを防ぐために１０μｍ以上に設定される。
　【００１３】
　【発明の実施の形態】
　以下本発明の実施例を、図面を参照して説明する。図１（ａ）は、本発明の一実施例を示す窒化ガリウム系半導体ウエハ１の模式的な平面図、同図（ｂ）は、同図（ａ）Ａ−Ａにおける模式的な断面図である。図２は、前記半導体ウエハ１の製造方法を示す模式的な断面図である。
　【００１４】
　以下、前記半導体ウエハ１の構造について、その製造方法とともに説明する。まず、図２（ａ）に示すように、直径が２インチ前後で、後工程において研摩を必要としない薄膜（例えば、厚さが６０〜１５０μｍ）のサファイヤ基板２を用意する。このサファイヤ基板２は、ラッピング及びポリッシングによってその表面３に鏡面処理が施されているものを用いる。
　【００１５】
　次に、このサファイヤ基板２をダイシング装置に装着して、（ｂ）に示すように、その表面３に溝４，４を形成する工程を行う。この工程によって、サファイヤ基板２の表面３には、溝４，４によって互いに分割された複数の平坦領域５，５が形成される。この例では、図１（ａ）に示すように、サファイヤ基板２の円形表面３に、その中心をとおってＸ−Ｙ方向に延びる２本の溝４（Ｘ），４（Ｙ）を形成することによって、各々の面積が４９０ｍｍ２程度の４つの平坦領域５を形成している。
　【００１６】
　次に、サファイヤ基板２の表面３に付着したダイシング屑等を除去するための洗浄、乾燥等の工程を適宜行った後、図２（ｃ）に示すように、この基板２の表面３に、ＧａＮ，ＩｎＧａＮ，ＧａＡｌＮ等の窒化ガリウム系半導体６を積層して形成する工程を行う。窒化ガリウム系半導体６の形成は、例えば有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）を用いて行うことができる。窒化ガリウム系半導体６は、サファイヤ基板２の表面３全体に形成されるが、例えば、図３に示すような青色発光に適した組成と厚みとするために全体の厚さが５μｍ前後に形成される。
　【００１７】
　このようにして図１に示す窒化ガリウム系半導体ウエハ１が製造される。このウエハ１は、薄膜のサファイヤ基板２の表面３に格子定数差や熱膨張率差が大きい窒化ガリウム系半導体６を結晶成長させているので、ウエハ１には、サファイヤ基板２側が凸となるような応力が加わる。しかしながら、サファイヤ基板２の表面３に形成した溝４，４が、窒化ガリウム系半導体６の結晶の連続性を断ち切るように作用することによって、サファイヤ基板２と窒化ガリウム系半導体６の界面に沿ってウエハ１を反らせようとする応力を溝４，４によって分断することができる。その結果、ウエハ１を反らせるような応力が作用する範囲を前記領域５，５単位と狭くすることができ、ウエハ１全面にそれを反らせる応力が作用する場合に比べて、ウエハ１の反りを大幅に少なくすることができる。
　【００１８】
　ここで、前記溝４，４の幅を狭くし過ぎると、窒化ガリウム系半導体６の結晶成長層が横方向に成長して各溝４の両側の結晶成長層が溝４の上に橋を架けるようにつながってしまい、溝４がウエハ１に対する応力分断機能を十分発揮しないことがある。そこで、溝４の幅を種々変更して検討した結果、溝４がウエハ１に対する応力分断機能を発揮するためには、その幅が１０μｍ以上必要なことが分かった。そこで、前記各溝４の幅は、１０μｍ以上に設定するのが好ましい。ここで、溝４，４の深さは、余り深くし過ぎるとウエハ１が不容易に割れやすくなり、余り浅くし過ぎると窒化ガリウム系半導体６によって容易に埋まり易くなるため、窒化ガリウム系半導体６の厚さよりも若干深く設定するのが好ましい。
　【００１９】
　また、溝４，４によって分割された平坦領域５，５の面積と、ウエハ１に発生する反りについても検討を行ったところ、平坦領域５の面積が大きくなると、ウエハ１に発生する反りも大きくなることが分かった。この反りによる影響を検討したところ、ウエハ１に対する後工程、具体的には、窒化ガリウム系半導体６に電極パターンを形成するためのフォトリソ工程において、それに用いるマスクアライナ−装置のウエハ台座に真空チャックを用いてウエハ１を装着する際、ウエハ１に発生した反りが小さい場合は、真空チャックによってウエハが弾性変形してウエハ台座に押しつけられる形でウエハを台座に正常に保持することができるが、ウエハ１に発生した反りが一定量を越えると、ウエハをウエハ台座に正常に保持することがでず、フォトリソ工程、すなわち電極形成を行うことができないという事態が発生した。
　【００２０】
　厚みが１００μｍで直径が２インチのサファイヤ基板２に窒化ガリウム系半導体６を積層したウエハ１について、溝４，４によって分割された平坦領域５の面積を種々変更して実験した結果、平坦領域５の１つの面積が１０００ｍｍ２以内であれば、上述したマスクアライナ−装置のウエハ台座にウエハ１を正常に保持することができたが、平坦領域５の１つの面積が１０００ｍｍ２を越えると、ウエハ台座にウエハ１を正常に保持することができないケースが多発した。したがって、サファイヤ基板２として、窒化ガリウム系半導体６を形成後に研摩をする必要がない薄膜のサファイヤ基板を用いる場合は、その表面３に溝４，４によって分割形成する平坦領域５の各々の面積を、１０００ｍｍ２以内に設定する必要がある。尚、平坦領域５の各々の面積をあまり狭く設定すると、形成に時間を要する溝４の数が増加して製造に要する時間が長くなるので、平坦領域５の最低面積は、溝４の形成に要する時間が、従来行っていた厚膜のサファイヤ基板の研摩に要する時間を越えないような範囲、例えば１００ｍｍ２以上に設定される。
　【００２１】
　上記のように製造された半導体ウエハ１は、その後、窒化ガリウム系半導体６に電極を形成する工程、複数のチップに分割する工程が行われて、図３に示すような半導体チップ７となる。ここで、電極パターンが形成された半導体ウエハ１の分割は、スクライブ装置を用いて、例えばサファイヤ基板２の裏面（もしくは表面３）にケガキ線を形成し、このケガキ線に沿って加圧することによるスクライブ分割法を用いて行うことができる。ここで、サファイヤ基板２の厚みが１５０μｍを越えると、分割工程においてケガキ線以外の方向にウエハが分割されやすくなり、また、サファイヤ基板２の厚みが６０μｍを下まわると、分割工程までの途中の工程において、半導体ウエハ１の取扱時に加わる力によって半導体ウエハ１が不用意に分割され易くなる。したがって、サファイヤ基板２の厚みは、６０〜１５０μｍに設定する必要がある。
　【００２２】
　上記実施例は、溝４をサファイヤ基板２の中心をとおって直交するように２本配置する場合を示したが、本発明はこれに限定されるものではなく、溝４の配置形態を他に変更することもできる。以下、図４を参照して、溝４の配置形態について説明する。
　【００２３】
　サファイヤ基板２は、六方晶系というサファイヤ結晶の性質上、へき開性を有していないが、図４（ａ）に示す＜１０１０＞軸方向及び＜１１２０＞軸方向は、他の方向に比べて割れ易い。そこで、前記溝４の形成方向を、この＜１０１０＞軸方向、あるいは＜１１２０＞軸方向に一致させて形成することができる。図４（ｂ）は、サファイヤ基板２の中心をとおるように、＜１０１０＞軸方向に一致させて３本の溝４を形成した場合を示し、図４（ｃ）は、サファイヤ基板２の中心をとおるように、＜１１２０＞軸方向に一致させて３本の溝４を形成した場合を示している。
　【００２４】
　半導体ウエハ１は、溝４の部分が他の部分に比べて薄いので、製造工程の途中に加わる力によって割れが発生する場合は、この溝４の部分が割れの出発点となり易い。しかしながら、上記のように、割れやすい＜１０１０＞軸方向、あるいは＜１１２０＞軸方向に一致させて溝４を形成しておくことにより、仮に製造工程の途中に加わる力によって溝４部分から割れが発生したとしても、その割れの方向を溝４の範囲内とし、割れた後の大きさを平坦領域５程度に収めることができ、割れた半導体ウエハ１を比較的大きな片として残すことができる。その結果、半導体ウエハ１が粉々に割れてその後の製造工程が継続できなくなるといった不具合の発生を未然に防止することができる。
　【００２５】
　尚、溝４の形成は、図４（ｂ），（ｃ）のように、＜１０１０＞軸方向、あるいは＜１１２０＞軸方向の一方のみに一致させて形成しても良いし、＜１０１０＞軸方向、あるいは＜１１２０＞軸方向を混在させて形成してもよい。したがって、図１（ａ）に示す溝４（Ｘ）は、＜１１２０＞軸方向に一致させ、同図に示す溝４（Ｙ）は、＜１０１０＞軸方向に一致させて形成するのが好ましい。
　【００２６】
　【発明の効果】
　以上のように本発明によれば、サファイヤ基板の表面が溝によって複数の領域に分割され、その上に窒化ガリウム系半導体を積層しているので、サファイヤ基板の表面に積層した窒化ガリウム系半導体の格子定数差や熱膨張率差に起因して発生する応力を溝によって分断し、応力発生範囲を、溝によって区切られた狭い領域に限定することができ、ウエハ全体の反りを小さく抑制することが可能になる。そのため、サファイヤ基板として研摩の必要がない薄膜のものを用いることができる。その結果、ウエハの製造に要する時間を大幅に短縮することができる窒化ガリウム系半導体ウエハ、並びにその製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　本発明の窒化ガリウム系半導体ウエハの一実施例を示し、（ａ）は模式的な平面図、（ｂ）は模式的な断面図である。
　【図２】
　（ａ）〜（ｃ）は、本発明の窒化ガリウム系半導体ウエハの製造方法の一実施例を示す模式的な断面図である。
　【図３】
　本発明の窒化ガリウム系半導体ウエハを用いて製造した半導体チップの実施例を示す模式的な断面図である。
　【図４】
　本発明の窒化ガリウム系半導体ウエハの他の実施例を示し、（ａ）はサファイヤ基板結晶格子と結晶軸の関係を示す説明図、（ｂ）（ｃ）はウエハの模式的な平面図である。
　【符号の説明】
　１　窒化ガリウム系半導体ウエハ
　２　サファイヤ基板
　４　溝
　５　平坦領域
　６　窒化ガリウム系半導体
　７　半導体チップ