【事件の表示】
　特許第３３３２４６７号「多結晶半導体の製造方法」の請求項１乃至３に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第３３３２４６７号の請求項１乃至３に係る特許を維持する。
【理　由】
（１）手続きの経緯
　本件特許第３３３２４６７号の請求項１乃至３に係る発明についての特許は、平成５年４月６日に特許出願され、平成１４年７月２６日にその特許権の設定登録がなされ、その後、特許異議の申立てがなされたものである。
　
（２）本件発明
　本件発明は、特許明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１乃至３に記載された次のとおりのものである。
「【請求項１】ガラス基板上にテンシルな膜とコンプレッシブな膜の積層膜からなるバッファ層を設け、このバッファ層上に非晶質半導体膜を形成し、この非晶質半導体膜に高エネルギービームを照射して多結晶半導体膜を形成することを特徴とする多結晶半導体の製造方法。（以下、「本件発明１」という。）
【請求項２】上記のバッファ層を構成する複数の膜の少なくとも一つは、不純物拡散阻止効果が高いＷＯ３或いはＭｏＯ３膜からなることを特徴とする請求項１に記載の多結晶半導体の製造方法。（以下、「本件発明２」という。）
【請求項３】基板を加熱した状態で非晶質半導体膜に高エネルギービームを照射して多結晶半導体膜を形成することを特徴とする請求項１または２に記載の多結晶半導体の製造方法。（以下、「本件発明３」という。）
　
（３）特許異議申立ての理由の概要
　特許異議申立人中川徹は、証拠として甲第１号証（特開平４−２８６３１８号公報）、甲第２号証（特開平２−１５９７６６号公報）及び参考資料１（特開昭５８−２０８１９７号公報）を提出し、本件発明１乃至３は、甲第１乃至２号証に記載された発明に基いて容易に発明をすることができたものであるから、本件発明１乃至３は、特許法第２９条第２項の規定に違反して、特許を受けることができないものであると主張している。
　
（４）甲各号証記載の発明
　甲第１号証には、「多結晶半導体薄膜及びその製造方法と製造装置」が図面とともに開示されている。そして公報の段落０００３〜０００４には、
「【発明が解決しようとする課題】
　上記従来技術は、レ−ザアニ−ル時に薄膜中に酸素原子、炭素その他の異物が混入するコンタミ現象や自然酸化膜の形成防止に関しては考慮されているが、得られた多結晶半導体薄膜の結晶粒径の均一性の保持や結晶粒の膜厚方向の分布に関して配慮がされていない。そのため、これを用いて多数の薄膜半導体装置を製造した場合、その電気特性のばらつきが生ずる。
　本発明の課題は、多結晶半導体薄膜の電気特性のばらつきを減少させるにある」と記載され、
段落００１１には、
「実施例３
　本発明を薄膜トランジスタ（TFT）形成プロセスに適用した場合について述べる。ガラス基板上にゲ−ト電極となるCr膜２をスパッタ法により厚さ120nm堆積し、ホトエッチング工程によりゲ−ト電極パタ−ンにパタ−ニングする(図４)。その後、プラズマCVD法により、ゲ−ト絶縁膜としてのSiＮ膜３及び半導体能動層としての非晶質シリコン膜４を連続して堆積させる(図５)。SiＮ膜３の形成条件は、基板温度350℃、ガス流量はSiＨ４　10sccm、ＮＨ３　60sccm、Ｎ２ 200sccmとし、膜厚350nm堆積した。非晶質シリコン膜４の形成条件は基板温度300℃、ガス流量はＨ２ 200sccm、SiＨ４ 70sccmとし、膜厚100nm堆積した。その後、熱処理して水素含有量を減少させてから図１に示した装置を用いて、本発明の方法により結晶化を行った。冷却機構22で室温以下に冷却したＡrガスをサンプル表面に吹き付け、基板加熱温度を300℃、XeClエキシマレ−ザの照射エネルギ−を260mJ/cm２として、非晶質シリコン膜４に基板側が高く表面側が低くなる温度勾配を形成した。非晶質シリコン膜４が結晶化されて多結晶シリコン膜５となった後の構造断面図を図６に示す。その後、n型シリコン膜６をプラズマCVD法により230℃で40nm堆積し、所定のパタ−ンにホトエッチングによりパタ−ニングした。そして、ソ−ス・ドレイン電極としてスパッタ法により100℃でＣr膜７を60nm、Ａl膜８を370nm形成した。上記プロセスの後、ホトエッチング工程により、まずＡl膜８及びＣr膜７をソ−ス・ドレイン電極パタ−ンとなるように選択除去し、次にn型シリコン膜６をドライエッチングにより除去し、チャネル領域を形成した。この時の構造断面図を図7に示す。」と記載され、
段落００１４には、
「上記各実施例では、レーザアニール時の基板加熱温度は、いずれも３００℃であるが、加熱温度は、レーザアニール時に結晶化しようとしている膜からの上下方向(基板と垂直の方向)への放熱量がほぼ均一になるように設定すればよい。また、雰囲気ガス供給系１５から不活性ガス等の非酸化性ガスを供給する際に、冷却機構２２でそのガスを冷却し、結晶化しようとしている膜の表面側からの放熱を促進することによって基板の加熱と合わせて膜からの放熱量を制御することができる。ただし、基板の加熱温度は、基板としてガラスが用いられている場合は歪点以下(例えばコーニング７０５９ガラスで約６００℃以下)、シリコン基板の場合はその融点以下に押さえる必要がある。」と記載されている。
　甲第２号証には、「薄膜トランジスタ」が図面とともに開示されている。そして公報の特許請求の範囲には、
「絶縁性基板（１）上に、ゲート電極（２），ゲート絶縁膜（Ｇ），動作半導体層（３），ソース・ドレイン電極（５）がその順に積層されてなるトランジスタ構成において、
前記ゲート絶縁膜（Ｇ）を、内部応力の異なる少なくとも２種の絶縁膜（Ｇｉ）を積層し、且つ各絶縁膜の応力と厚さの積が、ほぼ相殺し合うように構成したことを特徴とする薄膜トランジスタ。」と記載され、
同公報の２頁左上欄１９行〜左下欄１０行には、
「〔発明が解決しようとする課題〕
  ところが、従来は製造方法の検討などにより、ゲート絶縁膜の内部応力を低くすることはできても、良好な絶縁性が得られないなどの問題があり、低応力で絶縁性の良好な膜が得られる成膜条件を見つけるのは難しかった。
  本発明は上記問題を解消して、他に悪影響を及ぼすことなしに、ゲート絶縁膜のクラック発生を防止することを目的とする。
〔課題を解決するための手段〕
  本発明の構成および原理を第１図（ａ），（ｂ）により説明する。
  本発明は、第１図（ａ）に示す絶縁性基板１上にマトリクス状に配列された薄膜トランジスタのゲート絶縁膜Ｇを、第２図（ｂ）に示すように複数の絶縁膜Gi（但しｉ＝1,2,…ｎ）の積層膜とし、且つ、各絶縁膜Giの内部応力σｉと厚さdiの積の和が略０となるよう構成した。
  なお同図において、２はゲート電極、３は動作半導体層で例えばアモルファスシリコン（ａ−Si）層、４はコンタクト層で例えばn＋a−Si層、５はソース・ドレイン電極である。
〔作  用〕
  上記ゲート絶縁膜Ｇを、内部応力が引張応力となる絶縁膜と圧縮応力となる絶縁膜とを組合せて積層すると、引張応力と圧縮応力とでは作用する方向が反対となるので、各絶縁膜Giの内部応力が相殺し合い、ゲート絶縁膜Ｇ全体の合成された応力を小さくし、きわめて０に近づけることができる。
  即ち、ゲート絶縁膜Ｇ全体の応力σは、各絶縁膜Giの内部応力σｉと厚さdiにより下記式によって表される」と記載され、
同公報の３頁右下欄６行〜１３行には、
「発明の効果〕
  以上説明した如く、本発明によれば、ゲート絶縁膜自体の見かけ上の応力がきわめて小さくなるとともに、ゲート絶縁膜を構成する各絶縁膜の一層当たりの膜応力が小さくなるので、ゲート絶縁膜にクラックが発生せず、薄膜トランジスタ特性の劣化を防止でき、信頼性および製造歩留りが向上する。」と記載されている。
　
（５）対比・当審の判断
＜本件発明１について＞
　甲第１、２号証記載の発明と本件発明１とを対比すると、
甲第１号証には、ガラス基板上にゲート絶縁膜を設け、このゲート絶縁膜上に非晶質半導体膜を形成し、この非晶質半導体膜に高エネルギービームを照射して多結晶半導体膜を形成する多結晶半導体の製造方法が記載され、甲第２号証には、ガラス基板上にテンシルな膜とコンプレッシブな膜の積層膜からなるゲート絶縁膜を設け、このゲート絶縁膜上に非晶質半導体膜を形成する薄膜トランジスタの製造方法が記載されているが、
甲第１、２号証には、本件発明１の課題とする、バッファ層にクラックが入らないようにした上で、レーザー照射により非晶質半導体膜から多結晶半導体膜に変換された高移動度の多結晶半導体膜（ポリＳｉ膜）を形成する点については記載も示唆もされていない。
（甲第２号証のものは、薄膜トランジスタのゲート絶縁膜のクラック発生の防止を目的とするものに過ぎず、その上に非晶質半導体を再結晶化した多結晶半導体形成するための、バッファ層としての使用を示唆するものではない。）
　そして本件発明１は、上記の課題に基づいて請求項１記載の構成とすることにより、「ガラス基板に熱ダメージを与えない程度の比較的厚い膜厚を有しながら、その膜厚が厚いことによる内部応力の増大がないバッファ層を具備した非晶質半導体形成基板を提供すると共に、この非晶質半導体形成基板を用いて高品質、高移動度な多結晶半導体形成基板を製造する」（段落０００６参照）という、明細書記載の作用効果を奏するものである。
　よって、本件発明１が甲第１乃至２号証に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることはできない。
＜本件発明２乃至３について＞
　本件発明２乃至３は、本件発明１の構成を前提とするものであるから、本件発明１の場合と同様の理由により、本件発明２乃至３が甲第１乃至２号証に記載された発明に基いて、容易に発明をすることができたものであるとすることはできない。
　なお参考資料１を参酌しても、本件発明１乃至３についての上記の結論は、変わらない。
　
（６）むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、本件請求項１乃至３に係る発明についての特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件請求項１乃至３に係る発明についての特許を取り消すべき理由を発見しない。
　
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１５年１２月５日（２００３．１２．５）