【事件の表示】
　特許第３２４３２５８号「プラズマＣＶＤ装置」の請求項１、２に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３２４３２５８号の請求項１、２に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
　特許第３２４３２５８号の請求項１及び２に係る発明は、平成３年３月１４日に特許出願され、平成１３年１０月１９日に特許権の設定登録がなされ、その後、請求項１及び２に係る特許について特許異議申立人山口雅行より特許異議申立てがなされ、取消理由が通知され、その指定期間内である平成１４年１１月２５日に訂正請求（後日取り下げ）がなされた後、再度の取消理由が通知され、その指定期間内である平成１６年６月１日に訂正請求がなされたものである。
　
２．訂正の適否についての判断
２−１．訂正の内容
　平成１６年６月１日になされた訂正請求は、願書に添付された明細書（以下、「特許明細書」という。）を訂正請求書に添付された明細書（以下、「訂正明細書」という。）のとおりに訂正することを求めるもので、その内容は以下のとおりである。
ａ．特許請求の範囲の請求項１を、「第１の膜を成膜する所定数の反応室と、成膜した膜厚量を累積して積算し管理する累積積算膜厚管理部を有し、前記第１の膜とは異なる第２の膜を成膜し、前記第１の膜を成膜する反応室よりクリーニングの必要頻度が高いとともにこの第１の膜を成膜する所定数の反応室より多い数の反応室とを具備し、前記第２の膜を成膜する反応室のいずれか一のみを選択的に用いて前記第２の膜を成膜し、この第２の膜を成膜するいずれか一の反応室の前記累積積算膜厚管理部によって管理している累積して成膜した前記第２の膜の膜厚量が所定の量に達すると、前記第２の膜を成膜する反応室のいずれか他のみを選択的に用いて前記第２の膜を成膜することを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。」と訂正する。
ｂ．特許請求の範囲の請求項２を、「第２の膜を成膜する反応室は、第１の膜を成膜する反応室より後工程に設けられることを特徴とする請求項１記載のプラズマＣＶＤ装置。」と訂正する。
ｃ．明細書の【０００７】段落を、「【課題を解決するための手段】本発明のプラズマＣＶＤ装置は、第１の膜を成膜する所定数の反応室と、成膜した膜厚量を累積して積算し管理する累積積算膜厚管理部を有し、前記第１の膜とは異なる第２の膜を成膜し、前記第１の膜を成膜する反応室よりクリーニングの必要頻度が高いとともにこの第１の膜を成膜する所定数の反応室より多い数の反応室とを具備し、前記第２の膜を成膜する反応室のいずれか一のみを選択的に用いて前記第２の膜を成膜し、この第２の膜を成膜するいずれか一の反応室の前記累積積算膜厚管理部によって管理している累積して成膜した前記第２の膜の膜厚量が所定の量に達すると、前記第２の膜を成膜する反応室のいずれか他のみを選択的に用いて前記第２の膜を成膜するものである。」と訂正する。
ｄ．明細書の【０００８】段落を、「【作用】本発明のプラズマＣＶＤ装置は、第１の膜を成膜する反応室より、クリーニングの必要頻度が高い第２の膜を成膜する反応室の数を多くし、これら第２の膜を成膜する反応室のいずかを選択的に用いて第２の膜を成膜することにより、クリーニングの必要頻度が高い第２の膜を成膜する反応室の数が多いので、装置のクリーニングのための停止回数が少なくなる。また、第２の膜を成膜する反応室の累積積算膜厚管理部にてこの反応室で成膜する第２の膜の膜厚量を累積して積算し管理し、いずれか一の反応室のみを選択的に用いて第２の膜を成膜し、このいずれか一の反応室の累積積算膜厚管理部によって管理している累積して成膜した第２の膜の膜厚量が所定の量に達すると、第２の膜を成膜する反応室のいずれか他のみを選択的に用いて第２の膜を成膜する。」と訂正する。
ｅ．明細書の【００１６】段落を、「【発明の効果】本発明のプラズマＣＶＤ装置によれば、第１の膜を成膜する反応室より、クリーニングの必要頻度が高い第２の膜を成膜する反応室の数を多くし、これら第２の膜を成膜する反応室のいずかを選択的に用いて第２の膜を成膜することにより、クリーニングの必要頻度が高い第２の膜を成膜する反応室の数が多いので、装置のクリーニングのための停止回数が少なくなり稼働率を向上でき、また、第２の膜を成膜する反応室の累積積算膜厚管理部にてこの反応室で成膜する第２の膜の膜厚量を累積して積算し管理し、いずれか一の反応室のみを選択的に用いて第２の膜を成膜し、このいずれか一の反応室の累積積算膜厚管理部によって管理している累積して成膜した第２の膜の膜厚量が所定の量に達すると、第２の膜を成膜する反応室のいずれか他のみを選択的に用いて第２の膜を成膜できる。」と訂正する。
２−２．訂正の目的の適否、新規事項の有無、及び拡張・変更の存否
　訂正事項ａは、以下の３つの訂正事項を含むものである。
ａ−１．特許明細書の請求項１に記載の４箇所の「一の膜」を「第１の膜」と訂正し、「他の膜」を「第２の膜」と訂正する。
ａ−２．特許明細書の請求項１に記載の「膜厚の堆積を管理する累積積算膜厚管理部」を「成膜した膜厚量を累積して積算し管理する累積積算膜厚管理部」と訂正する。
ａ−３．特許明細書の請求項１に記載の「具備したこと」を、「具備し、前記第２の膜を成膜する反応室のいずれか一のみを選択的に用いて前記第２の膜を成膜し、この第２の膜を成膜するいずれか一の反応室の前記累積積算膜厚管理部によって管理している累積して成膜した前記第２の膜の膜厚量が所定の量に達すると、前記第２の膜を成膜する反応室のいずれか他のみを選択的に用いて前記第２の膜を成膜すること」と訂正する。
　そして、訂正事項ａ−１及びａ−２は、明りょうでない記載の釈明を目的とする訂正に該当し、訂正事項ａ−３は、「前記第２の膜を成膜する反応室のいずれか一のみを選択的に用いて前記第２の膜を成膜し、この第２の膜を成膜するいずれか一の反応室の前記累積積算膜厚管理部によって管理している累積して成膜した前記第２の膜の膜厚量が所定の量に達すると、前記第２の膜を成膜する反応室のいずれか他のみを選択的に用いて前記第２の膜を成膜すること」という新たな構成要件を付加するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とする訂正に該当すると云える。また、訂正事項ａ−１、ａ−２及びａ−３は、特許明細書【００１０】段落及び【００１２】段落に記載された事項に基づくものであるから、特許明細書に記載された事項の範囲内で明細書の記載を訂正するものであると云える。さらに、訂正事項ａ−１、ａ−２及びａ−３は、本件の請求項１に係る発明の課題に変更を及ぼすというものでもないので、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。
　訂正事項ｂは、明りょうでない記載の釈明を目的とする訂正に該当すると云える。また、この訂正事項ｂは、特許明細書の記載に基づくものであって、新規事項の追加に該当せず、しかも実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。
　訂正事項ｃ乃至ｅは、訂正事項ａ及びｂによる特許請求の範囲の訂正に伴い発明の詳細な説明の記載を訂正するものであるから、明りょうでない記載の釈明に該当する。また、この訂正事項ｃ乃至ｅは、特許明細書の記載に基づくものであって、新規事項の追加に該当せず、しかも実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。
２−３．むすび
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号。以下「平成６年改正法」という。）附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、特許法第１２０条の４第３項において準用する平成６年改正法による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書及び第２項の規定に適合するので、当該訂正を認める。　
　
３．特許異議申立てについて
３−１．本件発明
　特許第３２４３２５８号の請求項１及び２に係る発明（以下、「本件発明１」及び「本件発明２」という。）は、訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１及び２に記載された次のとおりのものである。
「【請求項１】第１の膜を成膜する所定数の反応室と、成膜した膜厚量を累積して積算し管理する累積積算膜厚管理部を有し、前記第１の膜とは異なる第２の膜を成膜し、前記第１の膜を成膜する反応室よりクリーニングの必要頻度が高いとともにこの第１の膜を成膜する所定数の反応室より多い数の反応室とを具備し、前記第２の膜を成膜する反応室のいずれか一のみを選択的に用いて前記第２の膜を成膜し、この第２の膜を成膜するいずれか一の反応室の前記累積積算膜厚管理部によって管理している累積して成膜した前記第２の膜の膜厚量が所定の量に達すると、前記第２の膜を成膜する反応室のいずれか他のみを選択的に用いて前記第２の膜を成膜することを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。
【請求項２】第２の膜を成膜する反応室は、第１の膜を成膜する反応室より後工程に設けられることを特徴とする請求項１記載のプラズマＣＶＤ装置。」
３−２．取消理由通知
　当審が通知した取消理由は、本件発明１及び２は、いずれも、下記の刊行物１及び３、又は刊行物２及び３に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであり、本件発明１及び２に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであるから、取り消すべきものであるというものである。
　刊行物１：特開昭５８−１８２２２０号公報
　　　　　　　　　（特許異議申立人が提出した甲第１号証）
　刊行物２：特開昭６０−６４４２６号公報
　　　　　　　　　（特許異議申立人が提出した甲第２号証）
　刊行物３：特開平１−２３１９３６号公報
　　　　　　　　　（特許異議申立人が提出した甲第４号証）
３−３．各刊行物に記載された事項
（１）刊行物１には、図面と共に以下の事項が記載されている。
１−ア．「１．タンデムアモルファス光起電力セルを連続的に製造する為の多重チヤンバー装置であつて、各セルは少なくとも２つの３層ユニットからなる１つの総厚みを有し、各ユニットは１つの中間真性層の反対側に各々作用的に随伴した１つのＰ型層及び１つのｎ型層を含んでいるものにおいて；基板材料（１１）と；各セルユニットの三つの沈積層を形成する為に各三つ組連続体の終端へのＰ型層（１６ａ〜ｃ）及びｎ型層（２０ａ〜ｃ）の沈積と、各三つ組連続体のＰ型層とｎ型層の間の真性層（１８ａ〜ｃ）の沈積とを行うべく順次配置された、タンデムセル（１０）の各３層ユニットの為の三つ組の沈積チャンバー（２８，３０，３２，３４，３６，３８）と；各三つ組体沈積チャンバーを通つて基板材料を連続的に移動させる為の手段（６０）と；３層ユニットの相続く層を基板材料上及びそこに先行して沈積された層上へ沈積させる為の手段と；・・・３層体の各層を沈積させる為に予め選択された反応ガス混合物を各チャンバー内へ導入する為の手段と；各先行する三つ組のチャンバーの第３のチャンバー（３２）中のガス混合物と隣接する後続の三つ組のチャンバーの第１のチャンバー（３８）内のガス混合物との相互汚染を実質的に防止する為の手段（４０）と；各三つ組のチャンバーの第２のチャンバー中のガス混合物を各三つ組のチャンバーの第１及び第３のチャンバー内のガス混合物から実質的に隔離する為の手段（５８ｄ，５８ｅ，５８ｈ，５８ｉ）と；の組合せからなり、各セルが３つのアモルファス層から形成された相続く３層ユニットを有するようなタンデム光起電力セルを複数個連続的に基板材料上に製造することを特徴とする前記装置。」（特許請求の範囲　第１項）
１−イ．「６．特許請求の範囲第１項から同第５項までの何れか１項に記載の装置において、・・・前記装置。
７．特許請求の範囲第６項記載の装置において、各沈積チャンバーに随伴した沈積手段が更に１つの陰極（８８ａ〜ｈ）と１つの無線周波数発信器（９２ａ〜ｈ）と１つのチューナー（９０ａ〜ｈ）とを含むグロー放電型沈積手段であって、それによって反応ガス混合物が解離されることを特徴とする前記装置。」（特許請求の範囲　第６及び７項）
１−ウ．「装置は次のものにより構成される：基板１１が通過する間に、基板の沈積表面上にｐ型導電性のアモルファス半導体層を沈積させる第１沈積チャンバー２８；基板１１が通過する間に、基板の沈積表面上のｐ型半導体層の上に基礎アモルファス半導体層を沈積する第２の沈積チャンバー３０；基板１１が通過する間に、基板の沈積表面上の基礎アモルファス半導体層の上に、ｎ型導電性の半導体層を沈積させる第３の沈積チャンバー３２；基板１１が通過する間に、基板の沈積表面上のｎ型半導体層の上に、ｐ型導電性の第２のアモルファス半導体層を沈積させる第４の沈積チャンバー３４；基板１１が通過する間に基板の沈積表面上の第２のｐ型半導体層の上に第２の基礎アモルファス半導体層を沈積させる第５の沈積チャンバー３６；基板１１が通過する間に、基板１１の沈積表面上の第２の基礎アモルファス半導体層の上に第２のｎ型アモルファス半導体層を沈積させる第６沈積チャンバー３８。」（第１５頁右下欄７行〜第１６頁左上欄５行）
１−エ．「それぞれの沈積チャンバー内を通過する経路の長さは、それぞれ与えられたチャンバー内で沈積されるｐ型層、基礎層、ｎ型層の厚さと比例するので、基板上に所望の厚さの層を沈積させるためには、（１）個々の沈積チャンバー内の基板の通過経路を増減するか（２）基板材料のウエブの速度を増減することが可能であることもまた明らかであろう。」（第１６頁左上欄１７行〜同頁右上欄４行）
１−オ．「第２沈積チャンバーは、長さにおいて約１００インチの広がりを有することに注意せよ。もしもその長さの単一カソードが実際にその中に入れられたとすると・・・相応に大きな損失を伴って生じてしまう。従って、より小さなカソードを複数用いることが採用された。簡単のために、第５図にはたった２つのカソード８８ｃと８８ｄが示されているが・・・実際には３個のそのようなカソードが基礎沈積チャンバー３０内に間隔を取って設けられていることが理解されるべきである。ひとつの沈積チャンバー内の隣接カソード間の距離は、重要であると思われていたが、驚くべきことにそのような隣接カソード間の距離は、逆に沈積された半導体層の質に影響を与えないということがつきとめられた。特に、３個の隔てられたカソードによって沈積された半導体は、単一の長く延びたカソードによって沈積された半導体物質と実質的に同じ特質を有していた。」（第２８頁左下欄１６行〜同頁右下欄１６行）
１−カ．「それぞれの沈積チャンバーは、少なくとも部分的に、それぞれのカソードを、取り囲んで反応ガス混合物がカソード部分にとじこめられるように、シールドを設けるようにしてもよい。」（第２９頁左上欄２〜５行）
１−キ．「第１沈積チャンバー２８内の約３０インチのカソードは、１００〜２００オングストロームの厚さを有するｐ型半導体層を作る。第２沈積チャンバー内での全体で約１００インチのカソードは、基礎半導体層の２０００〜３０００オングストロームの厚さをもたらす。第３沈積チャンバー３２内の約１２インチのカソードは、５０〜１００オングストロームのｎ型半導体層を作る。第４沈積チャンバー３４内の約１２インチのカソードは、５０〜１５０オングストロームの厚さのｐ型半導体を作る。第５沈積チャンバー３６内の約３０インチのカソードは、１０００オングストロームの厚さの基礎半導体層を作る。第６沈積チャンバー３８内の約１２インチのカソードは、約５０〜１００オングストロームの厚さのｎ型合金層を作る。」（第２９頁右上欄５〜２０行）
１−ク．「Ｎ．電気的ステーション
　Ｆｉｇ８は、この発明のグロー放電沈積装置２６を形成するために組合わせられる多重チャンバーの模式図を示し、前述したように：ガスゲート５８ａ−５８ｉ；・・・基板；・・・アイドラーローラ・・・；調整器９０ａ−９０ｈによって制御される電源９２ａ−９２ｈに付随するカソード８８ａ−８８ｈ；チャンバーから浄化器１４８に有害な反応ガス混合物を排気するためのポンプシステムＡ−Ｅ；・・・を示す。Ｆｉｇ８は、ブラックボックスの形で、操作コンソール１５０及び電気制御キャビネット１５２を付加している。操作コンソール１５０は、・・・合金層厚さモニター；を含み、スペクトロメータ制御装置；真空圧力制御装置；反応ガス流制御装置；反応ガス制御装置；及びオン−オフスイッチを制御する。電気的制御キャビネット１５２は主遮断スイッチ、ヒュズ、変成器、ヒータ制御装置、モータ起動装置、及びシーケンス連動制御装置を含む。」（第３５頁右下欄５行〜第３６頁左上欄１３行）
１−ケ．「Ｆｉｇ１１には、この発明の沈積装置２６の２８のような１つの沈積チャンバーの断面を示している。沈積チャンバー２８は、・・・反応ガスをプラズマ領域に閉じこめるシールド３１、カソード８８、・・・着脱可能なパウダートラップ３７を含む。・・・加熱された反応ガスはパウダートラップの遮蔽板３７ｄに接触するので、シラン粉のような粉が形成され沈積チャンバー２８の壁上に進入したり付着したりせず遮蔽板上に集められる。このように沈積装置２８の周期的清掃及びその装置が大変容易になる。千フィートの長さの基板材料の沈積工程に続いてチャンバーを開くと、パウダートラップ３７は直ちにチャンバーからはずされ、清掃されたトラップと交換される。このようにして、清掃工程は（１）沈積装置の使用不能時間を減じ、（２）チャンバーの内壁上に集まるパウダーの量を最小にするように単純化される。」（第３７頁右上欄１行〜同頁左下欄１８行）
（２）刊行物２には、図面と共に以下の事項が記載されている。
２−ア．「（４）仕切り板によって複数の連続した反応室に区切られた反応容器と、それぞれの反応容器の器壁の一部に設けられた励起光入射用窓と、前記励起光入射用窓を通して反応容器内に励起光を照射する手段と、前記仕切り板を開閉する手段と、前記仕切り板が開かれている間に、ある反応室内に装填されている被膜形成基板を、外気にさらすことなしに、下流側の他の反応室へ移送する手段と、反応室内に装填されている被膜形成基板を予定温度まで加熱する手段と、被膜形成基板が反応室に装填されている反応シーケンスにおいて、当該反応室に予定の反応ガスを供給して、前記基板上に予定の反応生成物薄膜を形成する手段と、被膜形成基板が反応室に装填されていない反応シーケンスにおいて、当該反応室にエッチングガスを供給して、前記励起入射用窓の内面に堆積された反応生成物をエッチング除去する手段と、各反応室内のガスを吸引する排気手段とを具備したことを特徴とする気相反応薄膜形成装置。」（特許請求の範囲　第４項）
２−イ．「反応容器２１の励起光入射窓２２Ａの内面にも、気相反応による生成物の膜が堆積し、励起光の透過が悪くなる。しかも、光化学反応の速度は励起光の照射強度に依存するため、シリコンウエハ２５の表面よりも反応容器の光入射窓２２Ａの内面に反応生成物膜が堆積しやすいという傾向がある。前記気相反応による生成物の膜は、励起光に対しては不透明である。このように励起光に対して不透明な膜が、光入射窓２２Ａの内面に堆積すると、シリコンウエハ２５に到達する励起光の照射強度が低下するので、前記シリコンウエハ２５上の反応速度は著しく減少し、ついには反応が停止されてしまう。このため所望の膜厚を得るのに必要な反応時間が長くなるばかりでなく、著しい場合には所望の膜厚が得られなくなるという欠点がある。」（第３頁左上欄１３行〜同頁右上欄１１行）
２−ウ．「実施例２
　第３図は、本発明による方法を実施するのに適した膜形成装置の、反応系の第２の実施例を示す概略側断面図である。・・・反応容器７１は、長さ方向に連続した５つの反応室７１−Ａ〜７１−Ｅに、・・・区切られている。」（第５頁右上欄３〜１１行）
２−エ．「この実施例による反応シーケンスの一例を第１表に示す。この表から明らかなように、反応シーケンスの第１段階では、・・・を、第１の薄膜形成基板２５として第１の反応室に導入し、その表面上にｎ型シリコン膜を形成した。・・・５分間の反応により、基板２５上に約４５０〜６００Åのｎ型シリコン膜が形成できた。・・・反応シーケンスの第２段階では、該基板２５を、・・・第２の反応室７１−Ｂに移送した。そこで、先に形成されたｎ型シリコン膜の上面に、ｉ型シリコン膜を積層形成した。・・・このシーケンスで形成されたｉ型シリコン膜の厚さは、前記ｎ型シリコン膜とほぼ同じであった。・・・一方、前記のように、第２反応室７１−Ｂにおいて、第１の基板２５上にｉ型シリコン膜を形成している間に、第１の反応室７１−Ａには・・・を供給し、光入射用石英ガラス板７３−Ａの内面の堆積物（シリコン膜）をエッチング除去して清浄化した。反応シーケンスの第３段階では、第１の基板を第３の反応室７１−Ｃへ移送すると共に、第１の反応室７１−Ａには、新たに第２の基板を導入した。そして、第１及び第３の反応室７１−Ａ、７１−Ｃでは、それぞれｎ型、ｉ型のシリコン膜形成反応を行なわせ、第２の反応室７１−Ｂでは、光入射用石英ガラス板７３−Ｂの内面の堆積物のエッチング除去を実施した。この場合、第１反応室７１−Ａの光入射用石英ガラス板７３−Ａの内面は、先の第２シーケンスでエッチングによって清浄化されているので、第１段階におけると全く同じ条件でｎ型シリコン膜を形成することができた。以後同様にして、第１表の反応シーケンス４，５，６を繰り返すことによって、基板２５を順次下流側の反応室へ移送し、所望膜厚のｉ層およびｐ層を積層形成することができる。この実施例では、それぞれの反応室についてみると、光ＣＶＤ法によるシリコン膜形成工程と、前記反応の結果、光入射用石英ガラス板の内面に堆積したシリコン膜のエッチング除去工程とが、交互に繰り返されるので、光ＣＶＤ法を実施するシーケンスでは、光入射用石英ガラス板は初期状態にまで清浄化されており、全く同じ条件で光ＣＶＤ法を連続して実施することができる。なお、本実施例で、ｉ型シリコン膜の形成に３つの連続した反応室を用いたのは・・・約２０００Åの膜厚を効率よく堆積させるため、３回のデポジションに分けたためである。」（第５頁右下欄１５行〜第７頁左上欄４行）として、第６頁左上欄には、第１表として、シーケンス１〜６において反応室７１−Ａ〜７１−Ｅで行われる処理、即ちｎ層形成、ｉ層形成、ｐ層形成の基板処理又はエッチングが記載されている。
（３）刊行物３には、図面と共に以下の事項が記載されている。
３−ア．「反応炉例えば半導体ウエハを熱処理反応させるＣＶＤ、拡散炉等では、プロセス中にウエハ以外の反応容器等に反応生成物が付着し・・・半導体製品の歩留まりが悪化するので、定期的に反応管等を洗浄する必要があった。」（第１頁左下欄１６行〜同頁右下欄１行）
３−イ．「シリコン気相エピタキシャル成長プロセスは、第４図に示すオペレーションタイム（Ｔ）に実行される各種プロセスより実施され、・・・本発明の洗浄方法は、このプロセスが終了後、例えば２００℃〜５００℃程度に降温された後にドライエッチングタイム（Ｄ）として実行される。なお、このような洗浄の仕方としては、下記の２通りの方法が考えられる。
（１）・・・
（２）｛ΣＴｉ（ｉ＝１〜ｎ）＋Ｄ｝を一つのパターンとしてとらえ、これを繰り返すもので、ｎ回のデポジションで付着した膜を、一回のドライエッチングタイム（Ｄ）でエッチングして初期状態に戻す方法である。」（第４頁右下欄２〜２０行）
３−ウ．「このような洗浄は、上記シリコン気相エピタキシャル成長装置の反応炉にのみ適用されるものではなく、第５図、第６図に示すように、ＣＶＤプロセス、酸化プロセスにも同様に適用することができる。」（第５頁左下欄７〜１１行）
３−４．対比、判断
（１）本件発明１について
　上記３−３で摘記した記載事項１−ア〜ケからみて、刊行物１には連続的に移動する基板材料上にＰ型層、中間真性層、ｎ型層を順次沈積させてアモルファス光起電力セルを連続的に製造するための装置が記載されており、記載事項１−イ、ク、ケからみて、各層を沈積する手段がプラズマＣＶＤ法であることは明らかであるから、刊行物１には「プラズマＣＶＤ装置」が記載されていると云える。そして、記載事項１−ア、ウからみて、上記装置は、Ｐ型層を沈積する為のチャンバーと、中間真性層を沈積する為のチャンバーと、ｎ型層を沈積する為のチャンバーとを具備しており、記載事項１−エ、オ、キからみて、中間真性層は他の層より厚く、中間真性層を沈積する為のチャンバーは他の層を沈積するためのチャンバーより長いため、中間真性層を沈積する為のチャンバーは複数のカソードを具備しており、記載事項１−カからみて、該複数のカソードにはそれぞれのカソードを取り囲んで反応ガス混合物混合物がカソード部分に閉じこめられるようにシールドが設けられていると云える。さらに、記載事項１−クからみて、上記装置は、合金層厚さモニターを含む操作コンソールを具備したものである。そこで、最初のＰ型層及び中間真性層の沈積に着目して記載事項１−ア〜ケを総合して整理すると、刊行物１には次の発明が記載されていると云える。
「Ｐ型層を沈積する為のチャンバーと、中間真性層を沈積する為のチャンバーとを具備し、合金層厚さモニターを含む操作コンソールを具備したプラズマＣＶＤ装置であって、Ｐ型層より厚い中間真性層を沈積する為のチャンバーは複数のカソードを具備しており、それぞれのカソードを取り囲んで反応ガス混合物が該カソード部分にとじこめられるようにシールドが設けられているプラズマＣＶＤ装置。」
　本件発明１と刊行物１に記載された発明を対比すると、後者における「Ｐ型層」、「中間真性層」は、前者における「第１の膜」、「第２の膜」に相当し、後者における「チャンバー」は、前者における「反応室」に相当し、後者における「沈積」は、前者における「成膜」に相当する。そして、後者における「Ｐ型層」と「中間真性層」は異なるものであることは明らかであるから、両者は、
「第１の膜を成膜する所定数の反応室と、前記第１の膜とは異なる第２の膜を成膜する反応室を具備するプラズマＣＶＤ装置。」
で一致し、次の点で相違する。
（ｉ）前者は、第２の膜を成膜する反応室が、成膜した膜厚量を累積して積算し管理する累積積算膜厚管理部を有するのに対し、後者は、プラズマＣＶＤ装置が合金層厚さモニターを含む操作コンソールを具備するものではあるが、第２の膜を成膜する反応室にかかる累積積算膜厚管理部を有するものではない点。
（ii）前者は、第２の膜を成膜する反応室が、第１の膜を成膜する反応室よりクリーニングの必要頻度が高いのに対し、後者はかかる点が明確でない点。
（iii）前者は、第２の膜を成膜する反応室が、第１の膜を成膜する所定数の反応室より多い数であるのに対し、後者は、第２の膜を成膜する反応室内にシールドで取り囲まれた複数のカソードを有するものではあるが、シールドで取り囲まれた部分がそれ自体で反応室を構成するとは必ずしも云えないため、第２の膜を成膜する反応室が第１の膜を成膜する反応室より多いとは云えない点。
（iv）前者は、第２の膜を成膜する反応室のいずれか一のみを選択的に用いて第２の膜を成膜し、この第２の膜を成膜するいずれか一の反応室の累積積算膜厚管理部によって管理している累積して成膜した第２の膜の膜厚量が所定の量に達すると、第２の膜を成膜する反応室のいずれか他のみを選択的に用いて第２の膜を成膜するものであるのに対し、後者は、かかる特定がない点。
　そこで、これらの相違点について刊行物２及び３に記載された事項を検討する。
　上記３−３で摘記した記載事項２−ア〜エからみて、刊行物２には、基板上にｎ型シリコン膜、ｉ型シリコン膜及びｐ型シリコン膜を順次形成する気相反応薄膜形成装置が記載されており、該気相反応が光ＣＶＤ法であることは記載事項２−エにも記載されているところであるから、刊行物２には、「光ＣＤＶ装置」が記載されていると云える。そして、記載事項２−エからみて、ｉ型シリコン膜の膜厚がｎ型シリコン膜及びｐ型シリコン膜より厚く、ｎ型シリコン膜及びｐ型シリコン膜を形成するための反応室よりｉ型シリコン膜を形成するための反応室の数が多いことは明らかであるから、ｎ型シリコン膜及びｉ型シリコン膜の形成に着目して記載事項２−ア〜エを総合して整理すると、刊行物２には次の発明が記載されていると云える。
「ｎ型シリコン膜を形成する反応室と、ｉ型シリコン膜を形成する反応室とを具備する光ＣＶＤ装置であって、ｎ型シリコン膜より厚いｉ型シリコン膜を形成する上記ｉ型シリコン膜を形成する反応室は、上記ｎ型シリコン膜を形成する反応室より多い数の反応室を有し、反応室に基板が装填されている反応シーケンスにおいて光ＣＶＤ法により基板上に薄膜を形成すると共に、反応室に基板が装填されていない反応シーケンスにおいて光入射窓の内面に堆積された反応生成物質薄膜をエッチングにより除去する反応シーケンスを繰り返す光ＣＶＤ装置。」
　刊行物２に記載された発明における「ｎ型シリコン膜」、「ｉ型シリコン膜」は、それぞれ、本件発明１における「第１の膜」、「第２の膜」に相当し、刊行物２に記載された発明における「ｎ型シリコン膜」、「ｉ型シリコン膜」は互いに異なるものであることは明らかであるから、刊行物２には、「光ＣＶＤ装置」についてではあるが、「第１の膜を成膜する所定数の反応室と、前記第１の膜とは異なる第２の膜を成膜し、この第１の膜を成膜する所定数の反応室より多い数の反応室とを具備すること」は記載されていると云える。しかし、刊行物２には、上記相違点（ｉ）で挙げた本件発明１の構成要件である、第２の膜を形成する反応室が、成膜した膜厚量を累積して積算し管理する累積積算膜厚管理部を有することは記載されておらず、また、相違点（ii）で挙げた本件発明１の構成要件である、第２の膜を形成する反応室が、第１の膜を成膜する反応室よりクリーニングの必要頻度が高いことも明確でない。さらに、刊行物２には、相違点（iv）で挙げた本件発明１の構成要件である、第２の膜を成膜する反応室のいずれか一のみを選択的に用いて第２の膜を成膜し、この第２の膜を成膜するいずれか一の反応室の累積積算膜厚管理部によって管理している累積して成膜した第２の膜の膜厚量が所定の量に達すると、第２の膜を成膜する反応室のいずれか他のみを選択的に用いて第２の膜を成膜することについては、記載も示唆もされていない。
　また、刊行物３には、記載事項３−ア〜ウからみて、「ＣＶＤプロセスにおいてウエハ以外の反応容器等に付着した反応生成物を除去し、反応容器を洗浄するために、ｎ回のデポジションで付着した膜を一回のドライエッチングタイム（Ｄ）でエッチングすること」が記載されているとは云える。しかし、刊行物３の記載事項を検討しても、上記相違点（iv）で挙げた本件発明１の構成要件である、第２の膜を成膜する反応室のいずれか一のみを選択的に用いて第２の膜を成膜し、この第２の膜を成膜するいずれか一の反応室の累積積算膜厚管理部によって管理している累積して成膜した第２の膜の膜厚量が所定の量に達すると、第２の膜を成膜する反応室のいずれか他のみを選択的に用いて第２の膜を成膜することは、記載も示唆もされていない。
　してみると、刊行物２及び３を検討しても、上記相違点（iv）で挙げた本件発明１の構成要件である、第２の膜を成膜する反応室のいずれか一のみを選択的に用いて第２の膜を成膜し、この第２の膜を成膜するいずれか一の反応室の累積積算膜厚管理部によって管理している累積して成膜した第２の膜の膜厚量が所定の量に達すると、第２の膜を成膜する反応室のいずれか他のみを選択的に用いて第２の膜を成膜することは、記載も示唆もされていない。
　そして、本件発明１は、上記相違点（iv）で挙げた本件発明１の構成要件により本件訂正明細書に記載された効果を奏するものである。
　してみると、他の相違点について詳細に検討するまでもなく、本件発明１は、刊行物１乃至３に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるとは云えない。
（２）本件発明２について
　本件発明２は、本件発明１をさらに限定したものであるから、本件発明１と同様、刊行物１乃至３に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるとは云えない。
３−５．その他の異議申立理由及び証拠について
　また、その他の異議申立理由及び証拠について検討しても、本件発明１及び２を取り消すべき理由として採用することはできない。　
３−６．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠方法によっては本件発明１及び２についての特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明１及び２についての特許を取り消すべき理由を発見しない。
　したがって、本件発明１及び２についての特許は拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものと認めない。
　よって、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第２項の規定により、上記のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１６年６月８日（２００４．６．８）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
プラズマＣＶＤ装置
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　
第１
　
成膜した
量を累積して積算し
第１
第２
第１
第１
、
　
前記第２の膜を成膜する反応室のいずれか一のみを選択的に用いて前記第２の膜を成膜し、この第２の膜を成膜するいずれか一の反応室の前記累積積算膜厚管理部によって管理している累積して成膜した前記第２の膜の膜厚量が所定の量に達すると、前記第２の膜を成膜する反応室のいずれか他のみを選択的に用いて前記第２の膜を成膜する
　ことを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。
　【請求項２】　
第２
第１
　ことを特徴とする請求項１記載のプラズマＣＶＤ装置。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】
　本発明は、たとえば薄膜トランジスタ等を製造するプラズマＣＶＤ装置に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　従来、たとえばアクティブマトリックス型液晶表示ディスプレイに用いる薄膜トランジスタの製造には、基板に複数の膜種の薄膜を連続的に形成するインライン型プラズマＣＶＤ装置が用いられている。このプラズマＣＶＤ装置は、図２に示すように、搬入室１、反応室２、搬出室３およびトレー搬送部４から構成される。また、トレー搬送部４には、基板着脱部５が形成されている。
　【０００３】
　そして、このトレー搬送部４に設けられた基板着脱部５ではトレーに基板を搭載し、搬入室１に基板に搭載したトレーを搬送する。搬入室１では、室内を低圧にしトレーを所定の温度まで加熱し反応室２に搬送する。また、反応室２は、予め真空加熱状態にしておき、トレーが搬送されると室内に反応ガスを導入し、一定圧力にコンダクタンスバルブ等により保持させた後、高周波放電により基板上に薄膜を形成して、所定時間の放電終了後、搬出室３に搬送する。そして、搬出室３では、真空状態でトレーを搬入し大気圧状態に室内圧力を変化させた後、トレー搬送部４にトレーを搬出する。この搬出されたトレーは、再び基板着脱部５に戻され基板取り外しが行なわれる。
　【０００４】
　【発明が解決しようとする課題】
　しかしながら、上記構成では反応室２での薄膜累積膜厚がある一定量を越えると、基板の成膜中に取込まれるゴミの量が異常に増加するため、歩留まりが著しく低下する。したがって、反応室２での薄膜の累積膜厚が一定量に達する以前に反応室２内のクリーニングをする必要がある。ところが、この作業にかかる時間は装置の稼働率低下の大きな要因になっていた。
　【０００５】
　また、複数の膜種を連続して順次異なる反応室２にて形成する場合、膜種によりクリーニングが必要となる累積膜厚量が異なるため、クリーニング実施時期が反応室２ごとに異なってしまうので、その都度、反応室２に対応して装置を停止させなくてはならない。
　【０００６】
　本発明は上記問題点に鑑みなされたもので、クリーニング頻度を減少させるとともに、装置稼働率を向上させ、しかも、歩留まりの低下を抑制するプラズマＣＶＤ装置を提供することを目的とする。
　【０００７】
　【課題を解決するための手段】
　本発明のプラズマＣＶＤ装置は、
第１
成膜した
量を累積して積算し
第１
第２
第１
第１
、前記第２の膜を成膜する反応室のいずれか一のみを選択的に用いて前記第２の膜を成膜し、この第２の膜を成膜するいずれか一の反応室の前記累積積算膜厚管理部によって管理している累積して成膜した前記第２の膜の膜厚量が所定の量に達すると、前記第２の膜を成膜する反応室のいずれか他のみを選択的に用いて前記第２の膜を成膜する
　【０００８】
　【作用】
　本発明のプラズマＣＶＤ装置は、
第１
第２
し、これら第２の膜を成膜する反応室のいずれかを選択的に用いて第２の膜を成膜
第２
第２
第２
量を累積して積算し
し、いずれか一の反応室のみを選択的に用いて第２の膜を成膜し、このいずれか一の反応室の累積積算膜厚管理部によって管理している累積して成膜した第２の膜の膜厚量が所定の量に達すると、第２の膜を成膜する反応室のいずれか他のみを選択的に用いて第２の膜を成膜す
　【０００９】
　【実施例】
　以下、本発明の一実施例を、一般に、ボトムゲート型のいわゆる逆スタガー構造といわれる、アクティブマトリックス液晶ディスプレイ用の薄膜トランジスタの製造用のインライン型プラズマＣＶＤ装置を用いて図面を参照して説明する。
　【００１０】
　このプラズマＣＶＤ装置は、図１に示すように、搬入室１１、加熱室１２、第１反応室１３、第１冷却室１４、第２反応室１５、第３反応室１６、第４反応室１７、第２冷却室１８、搬出室１９およびトレー搬送部２０が順次配設されて構成される。また、トレー搬送部２０には、基板着脱部２１が設けられている。さらに、第２反応室１５および第３反応室１６には、それぞれ累積積算膜厚管理部２２，２３が設けられ、これら累積積算膜厚管理部２２，２３は、放電時間の累積時間カウンタを使用している。そして、トレー搬送部２０に設けられた基板脱着部２１において、基板を搭載したトレーは搬入室１１に搬入され、大気圧状態から低圧状態にされた後、加熱室１２に低圧状態にて搬送され所定の温度、たとえば３００℃まで加熱される。その後、第１反応室１３において窒化シリコン膜（ＳｉＮｘ）を所定の膜厚、たとえば約２００ｎｍ成膜し、第１冷却室１４において約２５０℃まで低圧雰囲気中にて冷却され、第２反応室１５あるいは第３反応室１６のいずれかにおいてアモルファスシリコン（α−Ｓｉ）膜を所定の膜厚、たとえば約５０ｎｍ成膜し、第４反応室１７において窒化シリコン膜（ＳｉＮｘ）を所定の膜厚、たとえば約２００ｎｍ成膜する。そして、第２冷却室１８にて約１５０℃以下まで基板温度を冷却させ、搬出室１９に搬入され搬出室１９内を低圧状態から大気圧状態にした後、装置から搬出される。なお、第１反応室１３から搬出室１９までのトレーの移動は、低圧状態下にて行なわれる。
　【００１１】
　一般に、反応室は成膜すればするほど発塵が多くなり、ある累積膜厚を越えると急激的にその量が増加する。基板側での換算膜厚で窒化シリコンの場合約５０μｍ、アモルファスシリコンの場合約５μｍ程度の累積にて発塵が増大しクリーニングが必要となる。したがって、第１反応室１３および第４反応室１７は５０μｍ／２００ｎｍ＝２５０回、第２反応室１５および第３反応室１６は５μｍ／５０ｎｍ＝１００回成膜を実施したらクリーニングを要する。
　【００１２】
　上記実施例ではアモルファスシリコン用の反応を第２反応室１５または第３反応室１６の２室構成としているため１００回×２＝２００回の成膜実施にてクリーニングを実施すればよい。したがって、従来１００回に１回行なっていたクリーニングを、半分の２００回に１回に減らすことができる。また、第２反応室１５および第３反応室１６の累積積算膜厚管理部２２，２３により、装置のクリーニング直後は第２反応室１５を使用してアモルファスシリコン成膜を実施し、第２反応室１５の累積膜厚が５μｍに達した時点で、自動的に第３反応室１６にてアモルファスシリコン成膜が可能となるようにしている。さらに、第３反応室１６での累積膜厚が５μｍに達した時点で、クリーニング実施要求をＣＲＴなどに表示可能となっている。
　【００１３】
　なお、加熱室１２を設けずに、搬入室１１にて加熱を行なってもよく、また、第２冷却室１８を設けずに、搬出室１９にて冷却を行なってもよい。そして、膜種は窒化シリコンとアモルファスシリコンに限るものではなく、シリコンオキサイド（ＳｉＯｘ）等であってもよい。
　【００１４】
　さらに、累積積算膜厚管理部は第２反応室１５および第３反応室１６に設ける場合に限るものではなく、他の反応室にあってもよい。
　【００１５】
　また、同一膜を形成するための反応室の数は、発塵が急激に増加するまでの累積される膜厚および製品に必要な膜厚の関係から設定すればよい。
　【００１６】
　【発明の効果】
　本発明のプラズマＣＶＤ装置によれば、
第１
第２
し、これら第２の膜を成膜する反応室のいずれかを選択的に用いて第２の膜を成膜
第２の膜を成膜する
第２
第２
量を累積して積算し
し、いずれか一の反応室のみを選択的に用いて第２の膜を成膜し、このいずれか一の反応室の累積積算膜厚管理部によって管理している累積して成膜した第２の膜の膜厚量が所定の量に達すると、第２の膜を成膜する反応室のいずれか他のみを選択的に用いて第２の膜を成膜
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　本発明のプラズマＣＶＤ装置の一実施例を示すブロック図である。
　【図２】
　従来例のプラズマＣＶＤ装置を示すブロック図である。
　【符号の説明】
　１３　　第１反応室
　１５　　第２反応室
　１６　　第３反応室
　１７　　第４反応室
　２２，２３　　累積積算膜厚管理部