【事件の表示】
　特許第３２８２５２０号「積層セラミックコンデンサ」の請求項１ないし３に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３２８２５２０号の請求項１ないし３に係る特許を維持する。
【理　由】
１．訂正の適否
（１）訂正の内容
　特許権者が求めている、平成１５年６月２４日付け訂正請求書に添付された訂正明細書における訂正の内容は以下のとおりである。
訂正事項ａ．特許請求の範囲の請求項１を次のとおり訂正する。
「【請求項１】　複数の誘電体セラミック層と、
　それぞれの端縁が前記誘電体セラミック層の両端面に露出するように前記誘電体セラミック層間に形成された複数の内部電極と、
　露出した前記内部電極に電気的に接続されるように設けられた外部電極とを含む積層セラミックコンデンサにおいて、
　前記誘電体セラミック層が、
　不純物として含まれるアルカリ金属酸化物の含有量が０．０２重量％以下のチタン酸バリウムと、酸化スカンジウムおよび酸化イットリウムの中から選ばれる少なくとも１種類の酸化物と、酸化マンガン、または酸化マンガンおよび酸化ニッケルとからなり、
　次の組成式、
（１−α−β）｛ＢａＯ｝ｍ・ＴｉＯ２＋αＭ２Ｏ３＋β（Ｍｎ１−ｘＮｉｘ）Ｏ
（ただし、Ｍ２Ｏ３は、Ｓｃ２Ｏ３、Ｙ２Ｏ３の中から選ばれる少なくとも１種類、α、β、ｍ、ｘ、は、
　　　０．００２５≦α≦０．０２０
　　　０．００２５≦β≦０．０４
　　　　　　　　β／α≦４
　　　　　　　　０≦ｘ＜１．０
　　　　１．０００＜ｍ≦１．０３５）
で表される主成分１００モルに対して、
　副成分として、酸化マグネシウムをＭｇＯに換算したとき、ＭｇＯ；０．５〜３．０モル添加含有し、
　さらに、酸化珪素をＳｉＯ２に換算したとき、ＳｉＯ２；０．２〜５．０モル添加含有した材料によって構成され、
　前記内部電極はニッケルまたはニッケル合金によって構成されることを特徴とする積層セラミックコンデンサ。」
　
訂正事項ｂ．明細書中の【００２１】段落を次のとおり訂正する。
「　　【００２１】
　　【課題を解決するための手段】
　本発明は上記のような目的に鑑みてなされたものである。
　本発明の積層セラミックコンデンサは、複数の誘電体セラミック層と、それぞれの端縁が前記誘電体セラミック層の両端面に露出するように前記誘電体セラミック層間に形成された複数の内部電極と、露出した前記内部電極に電気的に接続されるように設けられた外部電極を含む積層セラミックコンデンサにおいて、前記誘電体セラミック層が、不純物として含まれるアルカリ金属酸化物の含有量が０．０２重量％以下のチタン酸バリウムと、酸化スカンジウムおよび酸化イットリウムの中から選ばれる少なくとも１種類の酸化物と、酸化マンガン、または酸化マンガンおよび酸化ニッケルとからなり、次の組成式、
（１−α−β）｛ＢａＯ｝ｍ・ＴｉＯ＋αＭ２Ｏ３＋β（Ｍｎ１−ｘＮｉｘ）Ｏ
（ただし、Ｍ２Ｏ３は、Ｓｃ２Ｏ３、Ｙ２Ｏ３の中から選ばれる少なくとも１種類、α、β、ｍ、ｘ、は、
０．００２５≦α≦０．０２０
０．００２５≦β≦０．０４
β／α≦４
０≦ｘ＜１．０
１．０００＜ｍ≦１．０３５）
で表される主成分１００モルに対して、副成分として、酸化マグネシウムをＭｇＯに換算して０．５〜３．０モル、酸化珪素をＳｉＯ２に換算して０．２〜５．０モル添加含有し、前記内部電極はニッケルまたはニッケル合金によって構成されることに特徴がある。」
　
（２）訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
ア．訂正事項ａについて
　上記訂正事項ａは、特許明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載された発明において、「不純物として含まれるアルカリ金属酸化物の含有量が０．０２重量％以下のチタン酸バリウムと、酸化スカンジウム、酸化イットリウム、酸化マンガン、および酸化ニッケルからなり、」を「不純物として含まれるアルカリ金属酸化物の含有量が０．０２重量％以下のチタン酸バリウムと、酸化スカンジウムおよび酸化イットリウムの中から選ばれる少なくとも１種類の酸化物と、酸化マンガン、または酸化マンガンおよび酸化ニッケルとからなり、」と訂正するものであるが、誘電体セラミック層が、酸化スカンジウムと酸化イットリウムの双方を必須成分とするのか、それとも少なくとも一方が含まれていればよいのかが不明りょうであったものを、「酸化スカンジウムおよび酸化イットリウムの中から選ばれる少なくとも１種類の酸化物」からなると明確にし、また、酸化マンガンと酸化ニッケルについても、双方を必須成分とするのか否かが不明りょうであったものを、「酸化マンガン、または酸化マンガンおよび酸化ニッケル」からなると明確にしようとするものであり、【００２１】段落、【００２２】段落、【００２５】段落、【００４１】段落、【００４２】段落の記載に基づくものである。
　したがって、上記訂正事項ａは、明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
　
イ．訂正事項ｂについて
　上記訂正事項ｂは、訂正された特許請求の範囲の記載との整合を図るためのものであり、明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
　
　そして、いずれも、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内であり、新規事項の追加に該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　
（３）むすび
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法第１２０条の４第２項及び同条第３項において準用する特許法第１２６条第２項及び第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
　
２．特許異議の申立てについての判断
（１）本件発明
　　上記のとおり、訂正は認められるから、本件請求項１ないし３に係る発明は、訂正された特許明細書の特許請求の範囲の請求項１ないし３に記載された次のとおりのものである。
「【請求項１】　複数の誘電体セラミック層と、
　それぞれの端縁が前記誘電体セラミック層の両端面に露出するように前記誘電体セラミック層間に形成された複数の内部電極と、
　露出した前記内部電極に電気的に接続されるように設けられた外部電極とを含む積層セラミックコンデンサにおいて、
　前記誘電体セラミック層が、
　不純物として含まれるアルカリ金属酸化物の含有量が０．０２重量％以下のチタン酸バリウムと、酸化スカンジウムおよび酸化イットリウムの中から選ばれる少なくとも１種類の酸化物と、酸化マンガン、または酸化マンガンおよび酸化ニッケルとからなり、
　次の組成式、
（１−α−β）｛ＢａＯ｝ｍ・ＴｉＯ２＋αＭ２Ｏ３＋β（Ｍｎ１−ｘＮｉｘ）Ｏ
（ただし、Ｍ２Ｏ３は、Ｓｃ２Ｏ３、Ｙ２Ｏ３の中から選ばれる少なくとも１種類、α、β、ｍ、ｘ、は、
　　　０．００２５≦α≦０．０２０
　　　０．００２５≦β≦０．０４
　　　　　　　　β／α≦４
　　　　　　　　０≦ｘ＜１．０
　　　　１．０００＜ｍ≦１．０３５）
で表される主成分１００モルに対して、
　副成分として、酸化マグネシウムをＭｇＯに換算したとき、ＭｇＯ；０．５〜３．０モル添加含有し、
　さらに、酸化珪素をＳｉＯ２に換算したとき、ＳｉＯ２；０．２〜５．０モル添加含有した材料によって構成され、
　前記内部電極はニッケルまたはニッケル合金によって構成されることを特徴とする積層セラミックコンデンサ。
　　【請求項２】　前記外部電極は、導電性金属粉末とガラスフリットとを添加した導電性金属粉末の焼結層によって構成されていることを特徴とする請求項１に記載の積層セラミックコンデンサ。
　　【請求項３】  前記外部電極は、導電性金属粉末とガラスフリットとを添加した導電性金属粉末の焼結層からなる第１層と、その上のメッキ層からなる第２層とからなることを特徴とする請求項１または請求項２のいずれかに記載の積層セラミックコンデンサ。」
　
（２）取消理由通知で引用された刊行物等に記載の発明
　当審で通知した取消理由で引用した刊行物１（特開平６−３４２７３５号公報（申立人の提出した甲第１号証））には、「積層型セラミックチップコンデンサ」（発明の名称）に関して、
「【請求項１】　誘電体層と内部電極層とが交互に積層された構成のコンデンサチップ体を有する積層型セラミックチップコンデンサであって、
前記誘電体層が、主成分としてチタン酸バリウムを、副成分として酸化マグネシウムと、酸化イットリウムと、酸化バリウムおよび酸化カルシウムから選択される少なくとも１種と、酸化ケイ素とを含有し、チタン酸バリウムをＢａＴｉＯ３に、酸化マグネシウムをＭｇＯに、酸化イットリウムをＹ２Ｏ３に、酸化バリウムをＢａＯに、酸化カルシウムをＣａＯに、酸化ケイ素をＳｉＯ２にそれぞれ換算したとき、ＢａＴｉＯ３１００モルに対する比率が
ＭｇＯ：０．１〜３モル、
Ｙ２Ｏ３：１モル超５モル以下、
ＢａＯ＋ＣａＯ：２〜１２モル、
ＳｉＯ２：２〜１２モル
であることを特徴とする積層型セラミックチップコンデンサ。
【請求項２】　前記誘電体層が副成分として酸化マンガンを含有し、この酸化マンガンをＭｎＯに換算したとき、ＢａＴｉＯ３１００モルに対するＭｎＯの比率が０．５モル以下である請求項１に記載の積層型セラミックチップコンデンサ。
【請求項３】　前記内部電極層に含まれる導電材が、ＮｉまたはＮｉ合金である請求項１または２に記載の積層型セラミックチップコンデンサ。」、
「【００１５】図１に示されるように、本発明の積層型セラミックチップコンデンサ１は、誘電体層２と内部電極層３とが交互に積層された構成のコンデンサチップ体１０を有し、このコンデンサチップ体１０表面に、内部電極層３と導通する外部電極４を有する。コンデンサチップ体１０の形状に特に制限はないが、通常、直方体状とされる。また、その寸法にも特に制限はなく、用途に応じて適当な寸法とすればよいが、通常、（１．０〜５．６mm）×（０．５〜５．０mm）×（０．５〜１．９mm）程度である。内部電極層３は、その端面がコンデンサチップ体１０の対向する２表面に交互に露出するように積層され、外部電極４は、コンデンサチップ体１０の前記対向する２表面に形成され、所定のコンデンサ回路を構成する。」ことが記載されている。
　
　同刊行物２（特開平６−２２７８６１号公報（申立人の提出した甲第２号証））には、「誘電体磁器組成物」（発明の名称）に関し、
「【請求項１】　不純物として含まれるアルカリ金属酸化物の含有量が０．０４重量％以下のＢａＴｉＯ３と、Ｔｂ２Ｏ３，Ｄｙ２Ｏ３，Ｈｏ２Ｏ３，Ｅｒ２Ｏ３の中から選ばれる少なくとも１種類の希土類酸化物（Ｒｅ２Ｏ３）と、ＮｉＯとの配合比が、
ＢａＴｉＯ３ 　９２．０〜９９．４モル％、
Ｒｅ２Ｏ３　　　０．３〜４．０モル％、および
ＮｉＯ　　　　０．３〜４．０モル％
の範囲内にある主成分１００モル％に対し、
副成分として、
ＭｇＯ　０．２〜５．０モル％、および
ＭｎＯ　０．０５〜１．０モル％
を含有する、誘電体磁器組成物。
　　【請求項２】　さらに副成分として、ＳｉＯ２を３．０モル％以下含有する、請求項１の誘電体磁器組成物。」、
「【００１５】
【実施例】出発原料として、不純物として含まれるアルカリ金属酸化物の含有量が異なるＢａＴｉＯ３，希土類酸化物，ＮｉＯ，ＭｇＯ，ＭｎＯ，ＳｉＯ２，酸化物ガラスを準備した。これらの原料を表１に示す組成割合となるように秤量して、秤量物を得た。なお、試料番号１〜２１については、アルカリ金属酸化物の含有量が０．０３重量％のＢａＴｉＯ３を使用し、試料番号２２については、アルカリ金属酸化物の含有量が０．０５重量％のＢａＴｉＯ３を使用し、試料番号２３については、アルカリ金属酸化物の含有量が０．０７重量％のＢａＴｉＯ３を使用した。」、
「【００２５】主成分であるＢａＴｉＯ３の構成比率を９２．０〜９９．４モル％とするのは、構成比率が９２．０モル％未満の場合には、希土類元素およびＮｉＯの構成比率が多くなるため、試料番号４に示すように、絶縁抵抗値および誘電率の低下が生じ好ましくない。また、ＢａＴｉＯ３の構成比率が９９．４モル％を超える場合には、希土類元素およびＮｉＯの添加の効果がなく、試料番号３に示すように、高温部（キュリー点付近）の容量温度変化率が大きく（＋）側にはずれ好ましくない。さらに、ＢａＴｉＯ３中のアルカリ金属酸化物含有量を０．０４重量％以下とするのは、０．０４重量％を超えると、試料番号２２および２３に示すように、誘電率の低下が生じ、実用的でなくなり好ましくない。」ことが記載されている。
　
　同刊行物３（セラミックス材料技術集成編集委員会編「セラミックス材料技術集成」昭和５４年４月１０日　初版第１刷発行、（株）産業技術センター、ｐ．５４１−５５１（申立人の提出した甲第３号証））には、「また、誘電材料として望ましいＢａＴｉＯ３の組成などについて，Ｈｙａｔｔは次の点を挙げている．
　ｉ）成分のモル比，Ｂａ／Ｔｉは，なるべく１に近いこと．
　ii）ＳｉＯ２，Ａｌ２Ｏ３，Ｎａ２Ｏ，Ｋ２Ｏ，ＣＯ３，ＳＯ３，Ｐ２Ｏ５などの不純物は，それぞれ０．０５％以下であること．」（第５４９頁右欄第３〜７行）、「国産品（３）、Ｂａ／Ｔｉ比：１．０００±０．００５、Ｎａ２Ｏ：０．０１％以下」（第５５０頁表３．５の「国産品（３）」部分）が記載されている。
　
同刊行物４（特開平５−２９１０７６号公報（申立人の提出した甲第４号証））には、
「【請求項１】　Ｐｂ系複合ペロブスカイト型セラミックからなる誘電体中に内部電極が積層された積層セラミックコンデンサ素子に外部電極を形成するとともに、該外部電極にニッケルメッキなどの金属メッキを施してなる積層セラミックコンデンサの外部電極形成方法であって、Ａｇ粉末１００重量部と、軟化点が４００℃以下のＰｂＯ−Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２系ガラスフリット１８〜２７重量部とを含有する導電ペーストを、積層セラミックコンデンサ素子に塗布し、６００℃以下の温度で焼付けを行うことにより外部電極を形成することを特徴とする積層セラミックコンデンサの外部電極形成方法。」が記載されている。
　
同刊行物５（ニューケラス編集委員会編「ニューケラス３　積層セラミックコンデンサ」１９８８年９月２６日　初版発行、（株）学献社、ｐ．１０−１１（申立人の提出した甲第５号証））には、「Ｂａ／Ｔｉ＜１であれば，酸素分圧が下がると絶縁抵抗は著しく低下する．一方，Ｂａ／Ｔｉ＜１であれば，酸素分圧の影響は受けにくく，耐還元性のある材料となる．」（第１０頁左欄第３６〜３９行）ことが記載されている。
　
同刊行物６（（社）日本セラミックス協会編「セラミック工学ハンドブック」１９９３年５月３０日　１版２刷発行、技報堂出版（株）、ｐ．１８７８−１８７９（申立人の提出した甲第６号証））には、ＢａＴｉＯ３への副成分とその効果として、絶縁性を改良するためにＭｎ化合物を添加し、焼結性を促進するためにＳｉＯ２やＴｉＯ２を添加する旨（第１８７９頁表５．８）が記載されている。
　
（３）対比・判断
１）特許法第３６条について
　上記訂正が認められることにより、明細書の不備は解消している。
　したがって、本件請求項１に係る発明は、特許法第３６条第６項第２号の規定に違反するものではない。
　
２）特許法第２９条第２項について
　本件請求項１に係る発明と上記刊行物１に記載の発明とを対比すると、本件請求項１に係る発明は、誘電体セラミック層が、不純物として含まれるアルカリ金属酸化物の含有量が０．０２重量％以下のチタン酸バリウムを有するのに対して、刊行物１に記載の発明は、誘電体セラミック層が、チタン酸バリウムを有するものであるが、不純物として含まれるアルカリ金属酸化物の含有量が０．０２重量％以下である点については記載されていない点で、両者は相違している。
　この相違点について検討すると、刊行物２には、チタン酸バリウムを主成分とする誘電体磁器組成物において、誘電率の低下を抑えるために、アルカリ金属酸化物の含有量が０．０４％以下のＢａＴｉＯ３が用いられる旨が、記載されている。
　しかしながら、刊行物２に記載された誘電体磁器組成物は、ランタノイド系遷移金属元素の酸化物Ｒｅ２Ｏ３（ただし、ＲｅはＴｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒのうちの少なくとも１種）を必須成分として含有するのに対して、本件請求項１に係る発明は、Ｓｃ２Ｏ３、Ｙ２Ｏ３の中から選ばれる少なくとも１種類を含有するものであり、互いに構成成分が異なっている。このように、構成成分に違いがある場合、不純物としてのアルカリ金属酸化物がどのような影響を及ぼすかは不明であり、すなわち、不純物としてのアルカリ金属酸化物の影響は、その誘電体セラミックの構成成分、組成に依存するものであって、たとえ、ある特定組成の誘電体セラミックに対する結果が得られていようと、その結果を即、異なる組成の誘電体セラミックに適用することはできない。
　また、刊行物３には、「誘電材料として望ましいＢａＴｉＯ３の組成などについて、・・・Ｎａ２Ｏ，Ｋ２Ｏ・・・などの不純物は，それぞれ０．０５％以下であること．」、「国産品（３）、Ｂａ／Ｔｉ比：１．０００±０．００５、Ｎａ２Ｏ：０．０１％以下」であることが記載されているが、これらは一般的な誘電体材料についての記載であって、上述したように成分の違いにより、不純物としてアルカリ金属酸化物がどのような影響を及ぼすかが不明である。
　してみると、刊行物２、３の記載内容を刊行物１に適用して本件請求項１に係る発明を構成することは、当業者が容易に発明することができたものではない。
　なお、刊行物５、６には、本件請求項１に係る発明の上記相違点に関する記載又は示唆はない。
　そして、かかる点により、本件請求項１に係る発明は、誘電率が３０００以上あり、しかも誘電率の温度変化が小さく、絶縁抵抗も高く、高温下、高湿下での特性劣化のない優れた特性を示すという明細書記載の顕著な作用効果を奏するものである。
　したがって、本件請求項１に係る発明は、上記刊行物１、２、３、５、６に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとは認められない。
　
　また、本件請求項２ないし３に係る発明は、本件請求項１に係る発明を引用している発明であるので、刊行物４に「外部電極は、導電性金属粉末とガラスフリットとを添加した導電性金属粉末の焼結層によって構成されている」旨、「外部電極は、導電性金属粉末とガラスフリットとを添加した導電性金属粉末の焼結層からなる第１層と、その上のメッキ層からなる第２層とからなる」旨の記載があるとしても、本件請求項１に係る発明と同様の理由で、上記刊行物１〜６に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとは認められない。
　
　
３．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、本件請求項１ないし３に係る発明の特許を取り消すことができない。
　そして、他に本件請求項１ないし３に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１５年１０月１６日（２００３．１０．１６）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
積層セラミックコンデンサ
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　複数の誘電体セラミック層と、
　それぞれの端縁が前記誘電体セラミック層の両端面に露出するように前記誘電体セラミック層間に形成された複数の内部電極と、
　露出した前記内部電極に電気的に接続されるように設けられた外部電極とを含む積層セラミックコンデンサにおいて、
　前記誘電体セラミック層が、
　不純物として含まれるアルカリ金属酸化物の含有量が０．０２重量％以下のチタン酸バリウムと、酸化スカンジウム
および
の中から選ばれる少なくとも１種類の酸化物と
または酸化マンガン
と
　次の組成式、
　　（１−α−β）｛ＢａＯ｝ｍ・ＴｉＯ２＋αＭ２Ｏ３＋β（Ｍｎ１−ｘＮｉｘ）Ｏ
（ただし、Ｍ２Ｏ３は、Ｓｃ２Ｏ３、Ｙ２Ｏ３の中から選ばれる少なくとも１種類、α、β、ｍ、ｘ、は、
　　０．００２５≦α≦０．０２０
　　０．００２５≦β≦０．０４
　　　　　　　β／α≦４
　　　　　　　０≦ｘ＜１．０
　　　１．０００＜ｍ≦１．０３５）
で表される主成分１００モルに対して、
　副成分として、酸化マグネシウムをＭｇＯに換算したとき、ＭｇＯ；０．５〜３．０モル添加含有し、
　さらに、酸化珪素をＳｉＯ２に換算したとき、ＳｉＯ２；０．２〜５．０モル添加含有した材料によって構成され、
　前記内部電極はニッケルまたはニッケル合金によって構成されることを特徴とする積層セラミックコンデンサ。
　【請求項２】　前記外部電極は、導電性金属粉末とガラスフリットとを添加した導電性金属粉末の焼結層によって構成されていることを特徴とする請求項１に記載の積層セラミックコンデンサ。
　【請求項３】　前記外部電極は、導電性金属粉末とガラスフリットとを添加した導電性金属粉末の焼結層からなる第１層と、その上のメッキ層からなる第２層とからなることを特徴とする請求項１または請求項２のいずれかに記載の積層セラミックコンデンサ。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の属する技術分野】
　本発明は、電子機器に用いられるセラミックコンデンサ、特にニッケルあるいはニッケル合金からなる内部電極を有する積層セラミックコンデンサに関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　従来より、積層セラミックコンデンサの製造工程は、以下のようなものが一般的である。
　【０００３】
　まず、その表面に内部電極となる電極材料を塗布したシート状の誘電体セラミック層が準備される。誘電体セラミック層としては、たとえばＢａＴｉＯ３を主成分とする材料が用いられる。次にこの電極材料を塗布したシート状の誘電体セラミック層を積層して熱圧着し、一体化したものを自然雰囲気中において１２５０〜１３５０℃で焼成することで、内部電極を有するセラミック積層体が得られる。そして、このセラミック積層体の端面に、内部電極と導通する外部電極を焼き付けることにより、積層セラミックコンデンサが得られる。
　【０００４】
　従って、内部電極の材料としては、次のような条件を満たす必要がある。
１．セラミック積層体と内部電極とが同時に焼成されるので、セラミック積層体が焼成される温度以上の融点を有すること。
　【０００５】
２．酸化性の高温雰囲気中においても酸化されず、しかも誘電体セラミック層と反応しないこと。
　【０００６】
　このような条件を満足させる電極としては、白金、金、パラジウムあるいは銀−パラジウム合金などのような貴金属が用いられてきた。
　【０００７】
　しかしながら、これらの電極材料は優れた特性を有する反面、高価であった。そのため、積層セラミックコンデンサに占める電極材料費の割合は３０〜７０％にも達し、製造コストを上昇させる最大の要因となっていた。
　【０００８】
　貴金属以外に高融点をもつものとしてＮｉ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｗ、Ｍｏ等の卑金属があるが、これらの卑金属は高温の酸化性雰囲気中では容易に酸化されてしまい、電極としての役目を果たさなくなってしまう。そのため、これらの卑金属を積層セラミックコンデンサの内部電極として使用するためには、誘電体セラミックとともに中性または還元性雰囲気中で焼成する必要がある。しかしながら、従来の誘電体セラミック材料では、このような中性または還元性雰囲気で焼成すると著しく還元してしまい、半導体化してしまうという問題があった。
　【０００９】
　このような問題点を克服するために、たとえば特公昭５７−４２５８８号公報に示されるように、チタン酸バリウム固溶体において、バリウムサイト／チタンサイトの比を化学量論比より過剰にした誘電体セラミック材料や、特開昭６１−１０１４５９号公報のようにチタン酸バリウム固溶体にＬａ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｄｙ、Ｙ等の希土類酸化物を添加した誘電体セラミック材料が考えだされた。
　【００１０】
　また、誘電率の温度変化を小さくしたものとして、たとえば特開昭６２−２５６４２２号に示されるＢａＴｉＯ３−ＣａＺｒＯ３−ＭｎＯ−ＭｇＯ系の組成や、特公昭６１−１４６１１号のＢａＴｉＯ３−（Ｍｇ，Ｚｎ，Ｓｒ，Ｃａ）Ｏ−Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２系の組成の誘電体セラミック材料が提案されてきた。
　【００１１】
　このような誘電体セラミック材料を使用することによって、還元性雰囲気で焼成しても半導体化しないセラミック積層体を得ることができ、内部電極としてニッケル等の卑金属を使用した積層セラミックコンデンサの製造が可能になった。
　【００１２】
　【発明が解決しょうとする課題】
　近年のエレクトロニクスの発展に伴い電子部品の小型化が急速に進行し、積層セラミックコンデンサも小型化、大容量化の傾向が顕著になってきた。
　【００１３】
　そのため、誘電体セラミック材料の高誘電率化と誘電体層の薄層化が急激な勢いで進んでいる。したがって、高誘電率で、誘電率温度変化が小さく、信頼性に優れる誘電体セラミック材料に対する需要が大きくなっている。
　【００１４】
　しかしながら、特公昭５７−４２５８８号公報や、特開昭６１−１０１４５９号公報に示される誘電体セラミック材料は、大きな誘電率が得られるものの、得られたセラミック積層体の結晶粒が大きくなり、積層セラミックコンデンサにおける誘電体セラミック層の厚みが１０μｍ以下のような薄膜になると、１つの層中に存在する結晶粒の数が減少し、信頼性が低下してしまう問題があった。また、誘電率の温度変化も大きいという問題もあり、市場の要求に十分対応できているとはいえない。
　【００１５】
　一方、特開昭６２−２５６４２２号公報に示される誘電体セラミック材料では、誘電率が比較的高く、得られたセラミック積層体の結晶粒も小さく、誘電率の温度変化も小さいものの、ＣａＺｒＯ３や焼成過程で生成するＣａＴｉＯ３が、Ｍｎなどとともに二次相を生成しやすいため、高温での信頼性に問題があった。
　【００１６】
　特公昭６１−１４６１１号公報に示される誘電体セラミック材料では、得られる誘電率が２０００〜２８００であり、積層セラミックコンデンサの小型大容量化という点で不利であるという問題があった。さらに、ＥＩＡ規格で規定されている、温度範囲−５５℃〜＋１２５℃の間で静電容量の変化率が±１５％以内を満足し得ないという問題があった。
　【００１７】
　また、特開昭６３−１０３８６１号に開示されている非還元性誘電体セラミックでは、絶縁抵抗および容量の温度変化率が主成分であるＢａＴｉＯ３の結晶粒径に大きく影響を受け、安定した特性を得るための制御が困難である。さらに、絶縁抵抗値も静電容量値との積（ＣＲ積）で示した場合１０００〜２０００（Ω・Ｆ）であり、実用的であるとは言えなかった。
　【００１８】
　さらに、上記組成を始めとして、これまで提案されている非還元性誘電体セラミックでは、高温負荷寿命試験での絶縁抵抗の劣化については種々の改善がなされているものの、耐湿負荷試験での絶縁抵抗の劣化についてはあまり改善されていなかった。
　【００１９】
　上記の問題点を解決すべく、特開平０５−９０６６号、特開平０５−９０６７号、特開平０５−９０６８号の組成が提案されている。しかし、その後のさらなる小型大容量化の要求により、誘電体セラミック層の薄層化と並行して信頼性に対する市場要求がより厳しくなり、さらに信頼性に優れた薄層化対応の誘電体セラミック材料への要求が高まってきている。従って、高温、高湿下での信頼性特性に優れた小型大容量の積層セラミックコンデンサを提案する必要が生じてきた。
　【００２０】
　それゆえに、本発明の主たる目的は、誘電率が３０００以上、絶縁抵抗を静電容量との積（ＣＲ積）で表した場合に、室温及び１２５℃での絶縁抵抗が６０００ＭΩ・μＦ以上と高く、静電容量の温度特性がＪＩＳ規格で規定されているＢ特性及びＥＩＡ規格で規定されているところのＸ７Ｒ特性を満足し、さらには、高温負荷、耐湿負荷等の耐候性能に優れた、低コストの小型大容量の積層セラミックコンデンサを提供することにある。
　【００２１】
　【課題を解決するための手段】
　本発明は上記のような目的に鑑みてなされたものである。
　本発明の積層セラミックコンデンサは、複数の誘電体セラミック層と、それぞれの端縁が前記誘電体セラミック層の両端面に露出するように前記誘電体セラミック層間に形成された複数の内部電極と、露出した前記内部電極に電気的に接続されるように設けられた外部電極を含む積層セラミックコンデンサにおいて、前記誘電体セラミック層が、不純物として含まれるアルカリ金属酸化物の含有量が０．０２重量％以下のチタン酸バリウムと、酸化スカンジウム
および
の中から選ばれる少なくとも１種類の酸化物と
または酸化マンガン
　　（１−α−β）｛ＢａＯ｝ｍ・ＴｉＯ＋αＭ２Ｏ３＋β（Ｍｎ１−ｘＮｉｘ）Ｏ
（ただし、Ｍ２Ｏ３は、Ｓｃ２Ｏ３、Ｙ２Ｏ３の中から選ばれる少なくとも１種類、α、β、ｍ、ｘ、は、
　　０．００２５≦α≦０．０２０
　　０．００２５≦β≦０．０４
　　　　　　　β／α≦４
　　　　　　　０≦ｘ＜１．０
　　　１．０００＜ｍ≦１．０３５）
で表される主成分１００モルに対して、副成分として、酸化マグネシウムをＭｇＯに換算して０．５〜３．０モル、酸化珪素をＳｉＯ２に換算して０．２〜５．０モル添加含有し、前記内部電極はニッケルまたはニッケル合金によって構成されることに特徴がある。
　【００２２】
　また、本発明の積層セラミックコンデンサにおいては、前記外部電極は、導電性金属粉末とガラスフリットとを添加した導電性金属粉末の焼結層によって構成されていることが好ましい。また、前記外部電極は、導電性金属粉末とガラスフリットとを添加した導電性金属粉末の焼結層からなる第１層と、その上のメッキ層からなる第２層とからなることが好ましい。
　【００２３】
　【発明の実施の形態】
　以下、本発明の実施の形態について説明する。
本発明の積層セラミックコンデンサは、誘電体セラミック層の材料として、チタン酸バリウムと、酸化スカンジウム、酸化イットリウムの中から選ばれる少なくとも１種類の酸化物と、酸化マンガン、及び酸化ニッケルの組成比を上述したように調整し、酸化マグネシウム、及び酸化珪素を上述した範囲内に添加含有させた誘電体セラミック材料を用いることによって、還元性雰囲気中で焼成しても、その特性を劣化させることなく焼成することができ、静電容量の温度特性がＪＩＳ規格で規格されているＢ特性及びＥＩＡ規格で規定されているＸ７Ｒ特性を満足し、室温及び高温における絶縁抵抗が高く、信頼性が高い積層セラミックコンデンサを得ることができる。
　【００２４】
　また、得られる誘電体セラミック焼結体の結晶粒径が１μｍ以下と小さいため、１つの誘電体セラミック層中に存在する結晶粒の数を増やすことができ、積層セラミックコンデンサの誘電体層の厚みを薄くしても信頼性の低下を防ぐことができる。
　【００２５】
　なお、本発明においては、チタン酸バリウムと、酸化スカンジウム、酸化イットリウムの中から選ばれる少なくとも１種類の酸化物と、酸化マンガン、及び酸化ニッケルという誘電体セラミック材料の主成分のうち、そのチタン酸バリウム中に不純物として存在するＳｒＯ、ＣａＯ等のアルカリ土類金属酸化物、Ｎａ２Ｏ、Ｋ２Ｏ等のアルカリ金属酸化物、その他Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、等の酸化物の中で、特にＮａ２Ｏ、Ｋ２Ｏ等のアルカリ金属酸化物の含有量が電気的特性に大きく影響することを確認している。つまり、チタン酸バリウム中に不純物として存在するアルカリ金属酸化物量を０．０２重量％未満にすることで、３０００以上の誘電率が得られることを確認している。
　【００２６】
　また、誘電体セラミック層中に酸化珪素を添加させる理由は、焼成過程の比較的高温状態において、その焼成雰囲気をＮｉ／ＮｉＯの平衡酸素分圧付近の酸素分圧に調整することによって、焼結性が良くなるとともに、耐湿負荷特性が向上するからである。
　【００２７】
　上述したような誘電体セラミック材料を用いて誘電体セラミック層を形成すれば、内部電極として卑金属であるニッケルまたはニッケル合金を用いることができる。なお、内部電極には、セラミックと同じ組成材料にその他の酸化物を少量添加したもの等を用いることが可能である。
　【００２８】
　また、外部電極の組成は特に限定されるものではない。具体的には、例えば、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｄ、Ｃｕ、Ｃｕ合金等の種々の導電粉末と、Ｂ２Ｏ３−Ｌｉ２Ｏ−ＳｉＯ２−ＢａＯ系、Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２−ＢａＯ系、Ｌｉ２Ｏ−ＳｉＯ２−ＢａＯ系等の種々のガラスフリットとを配合した焼結層によって構成されていればよい。より好ましくは、この焼結層の上にメッキ層を被覆する場合であり、メッキ層はＮｉ、Ｃｕ等からなるメッキ層のみでもよいし、さらにその上に半田、錫等のメッキ層を有してもよい。
　【００２９】
　次に、本発明を実施例に基づき、さらに具体的に説明するが、本発明はかかる実施例のみに限定されるものではない。
　【００３０】
　【実施例】
　本発明の一実施例である積層セラミックコンデンサについて説明する。図１は本実施例の積層セラミックコンデンサの概略断面図、図２は本実施例の内部電極を有する誘電体セラミック層の概略平面図、図３は本実施例のセラミック積層体の分解斜視図を示す。
　【００３１】
　本発明に係る積層セラミックコンデンサ１は、図１に示すように、内部電極４を介在して複数枚の誘電体セラミック層２ａ、２ｂを積層して得られたセラミック積層体３の両端面に外部電極５及びニッケル、銅などのメッキ第１層６、半田、錫などのメッキ第２層７が形成された直方体形状のチップタイプである。
　【００３２】
　次に、本発明にかかる積層セラミックコンデンサ１の製造方法について、製造工程順に説明する。
　まず、セラミック積層体３を形成する。このセラミック積層体３は次のようにして製造される。図２に示すように、チタン酸バリウムと、酸化スカンジウム、酸化イットリウムの中から選ばれる少なくとも１種類の酸化物と、酸化マンガン、及び酸化ニッケル、酸化マグネシウム、及び酸化珪素を主成分とする酸化物からなる材料粉末をスラリー化してシート状とした誘電体セラミック層２（グリーンシート）を用意し、その一面にニッケル及びニッケル合金からなる内部電極４を形成する。なお、内部電極４を形成する方法は、スクリーン印刷などによる形成でも、蒸着、メッキ法による形成でもどちらでも構わない。
　【００３３】
　内部電極４を有する誘電体セラミック層２ｂは必要枚数積層され、図３に示す如く、内部電極４を有しない誘電体セラミック層２ａにて挟んで圧着し、積層体とする。その後、この積層された誘電体セラミック層２ａ、２ｂ、・・・、２ｂ、２ａを還元性雰囲気中、所定の温度にて焼成し、セラミック積層体３を形成する。
　【００３４】
　次に、セラミック積層体３の両端面に、内部電極４と接続するように、２つの外部電極５が形成される。この外部電極５の材料としては、内部電極４と同じ材料を使用することができる。また、銀、パラジウム、銀−パラジウム合金、銅、銅合金等が使用可能であり、また、これらの金属粉末にＢ２Ｏ３−ＳｉＯ２−ＢａＯ系ガラス、Ｌｉ２Ｏ−ＳｉＯ２−ＢａＯ系ガラスなどのガラスフリットを添加したものも使用されるが、積層セラミックコンデンサの使用用途、使用場所などを考慮に入れて、適当な材料が選択される。また、外部電極５は、材料となる金属粉末から構成される導電ペーストを、焼成により得たセラミック積層体３に塗布して、焼き付けることで形成されるが、焼成前に塗布して、セラミック積層体３と同時に形成してもよい。この後、外部電極５上にニッケル、銅などのメッキを施し、メッキ第１層６を形成する。最後に、このメッキ第１層６の上に半田、錫などのメッキ第２層７を形成し、チップ型の積層セラミックコンデンサ１が製造される。
　【００３５】
　以下では、より詳細な実施例について説明する。
　【００３６】
（実施例１）
　まず、出発原料として種々の純度のＴｉＣｌ４とＢａ（ＮＯ３）２とを準備して秤量した後、蓚酸により蓚酸チタニルバリウム（ＢａＴｉＯ（Ｃ２Ｏ４）・４Ｈ２Ｏ）として沈澱させ、沈殿物を得た。この沈澱物を１０００℃以上の温度で加熱分解させて表１の４種類のチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）を合成した。
　【００３７】
　次に純度９９％以上のＳｃ２Ｏ３、Ｙ２Ｏ３、ＭｎＯ、ＮｉＯ、ＭｇＯと酸化珪素をＳｉＯ２換算で２０重量％含有したコロイドシリカを準備した。
　【００３８】
　【表１】
　【００３９】
　これらの原料を表２に示す組成比となるように配合したのち、ボールミルにより湿式混合し、蒸発乾燥、整粒を行い、原料粉末を得た。
　【００４０】
　この原料粉末に、ポリビニルブチラール系バインダー及びエタノール等の有機溶剤を加えて、ボールミルにより湿式混合し、セラミックスラリーを調整した。しかる後、セラミックスラリーをドクターブレード法によりシート成形し、厚み１１μｍの矩形のグリーンシートを得た。次に、上記セラミックグリーンシート上に、Ｎｉを主体とする導電ペーストを印刷し、内部電極を構成するための導電ペースト層を形成した。
　【００４１】
　【表２】
　【００４２】
　【表３】
　【００４３】
　導電ペースト層が形成されたセラミックグリーンシートを導電ペーストの引き出されている側が互い違いとなるように複数枚積層し、積層体を得た。得られた積層体を、Ｎ２雰囲気中にて３５０℃の温度に加熱し、バインダを燃焼させた後、酸素分圧１０−８〜１０−１１ＭＰａのＨ２−Ｎ２−Ｈ２Ｏガスからなる還元性雰囲気中において表３に示す温度で２時間焼成し、セラミック焼結体を得た。
　【００４４】
　得られたセラミック焼結体表面を走査型電子顕微鏡にて、倍率１５００倍で観察し、グレインサイズを測定した。
　【００４５】
　焼成後、得られた焼結体の両端面にＢ２Ｏ３−Ｌｉ２Ｏ−ＳｉＯ２−ＢａＯ系のガラスフリットを含有する銀ペーストを塗布し、Ｎ２雰囲気中において６００℃の温度で焼き付け、内部電極と電気的に接続された外部電極を形成した。
　【００４６】
　上記のようにして得られた積層セラミックコンデンサの外形寸法は、幅；１．６ｍｍ、長さ；３．２ｍｍ、厚さ；１．２ｍｍであり、内部電極間に介在する誘電体セラミック層の厚みは８μｍである。
　【００４７】
　また、有効誘電体セラミック層の総数は、１９であり、一層当たりの対向電極の面積は、２．１ｍｍ２である。
　【００４８】
　静電容量（Ｃ）及び誘電体損失（ｔａｎδ）は、自動ブリッジ式測定器を用いて周波数１ＫＨｚ、１Ｖｒｍｓ、温度２５℃にて測定し、静電容量から誘電率（ε）を算出した。次に、絶縁抵抗（Ｒ）を測定するために、絶縁抵抗計を用い、１６Ｖの直流電圧を２分間印加して、２５℃での絶縁抵抗（Ｒ）を測定し、静電容量（Ｃ）と絶縁抵抗（Ｒ）との積、すなわちＣＲ積を求めた。また、温度変化に対する静電容量の変化率を測定した。
　【００４９】
　なお、温度変化に対する静電容量の変化率については、２０℃での静電容量を基準とした−２５℃と８５℃での変化率（ΔＣ／Ｃ２０℃）と、２５℃での静電容量を基準とした−５５℃と１２５℃での変化率（ΔＣ／Ｃ２５℃）および−５５℃〜１２５℃の範囲内で絶対値としてその変化率が最大である値（｜ΔＣ｜ｍａｘ）を示した。
　【００５０】
　また、高温負荷寿命試験として、各試料を３６個ずつ、温度１５０℃にて直流電圧を１００Ｖ印加して、その絶縁抵抗の経時変化を測定した。なお、高温負荷寿命試験は、各試料の絶縁抵抗値（Ｒ）が１０６Ω以下になったときの時間を寿命時間とし、その平均寿命時間を示す。
　【００５１】
　さらに、耐湿負荷試験として、各試料を７２個ずつ、２気圧（相対湿度１００％）、温度１２１℃にて直流電圧を１６Ｖ印加した場合において、２５０時間経過するまでに絶縁抵抗値（Ｒ）が１０６Ω以下になった試料の個数を示す。以上の結果を表４に示した。
　【００５２】
　【表４】
　【００５３】
　表１、表２、表３、表４から明かなように、本発明の積層セラミックコンデンサは誘電率εが３０００以上と高く、誘電体損失ｔａｎδは２．５％以下で、温度に対する静電容量の変化率が、−２５℃〜８５℃での範囲でＪＩＳ規格に規定されているＢ特性規格及び、−５５℃と１２５℃での範囲内でＥＩＡ規格に規定されているＸ７Ｒ特性規格を満足する。
　【００５４】
　しかも、２５℃での絶縁抵抗をＣＲ積で表したときに、６０００ＭΩ・μＦ以上と高い値を示す。また、平均寿命時間が３００時間以上と長く、耐湿負荷試験での不良の発生は認められない。
　【００５５】
　さらに、焼成温度も１３００℃以下と比較的低温で焼結可能であり、粒径についても１μｍ以下と小さい。なお、結晶粒径が１μｍ以下であることによって、１つの誘電体セラミック層中に存在する結晶粒の数を増やすことができ、積層セラミックコンデンサのセラミック積層体の厚みを薄くしても信頼性の低下を防止することができる。
　【００５６】
　ここで、本発明の組成限定理由について説明する。
　【００５７】
　（１−α−β）｛ＢａＯ｝ｍ・ＴｉＯ２＋αＭ２Ｏ３＋β（Ｍｎ１−ｘＮｉｘ）Ｏ（ただし、Ｍ２Ｏ３は、Ｓｃ２Ｏ３、Ｙ２Ｏ３の中から選ばれる少なくとも１種類）において、αを０．００２５≦α≦０．０２０の範囲に限定したのは、試料番号１のように、Ｍ２Ｏ３量αが０．００２５未満の場合には、静電容量の温度変化率が大きく、平均寿命時間が極端に短くなるからである。
　【００５８】
　一方、試料番号１８のようにＭ２Ｏ３量αが０．０２０を超えると、誘電率が３０００を越えず、２５℃、１２５℃での絶縁抵抗が低下し、平均寿命時間が短くなるとともに、耐湿負荷試験での不良が発生する。また、焼結温度も高くなるからである。
　【００５９】
　また、βを０．００２５≦β≦０．０４の範囲に限定したのは、試料番号２ように（Ｍｎ，Ｎｉ）Ｏ量βが０．００２５未満の場合には、還元性雰囲気で焼成したとき誘電体セラミックが還元され、半導体化して絶縁抵抗が低下してしまうからである。
　【００６０】
　一方、試料番号１９のように（Ｍｎ，Ｎｉ）Ｏ量βが０．０４を超える場合には、２５℃での絶縁抵抗が、６０００ＭΩ・μＦを満足せず、平均寿命時間が３００時間よりも短くなる。さらに、静電容量の温度変化率が大きくなり、ＥＩＡ規格のＸ７Ｒ特性を満足しなくなるからである。
　【００６１】
　また、ｘを０≦ｘ＜１．０の範囲に限定したのは、試料番号２０のように、ＮｉＯ量ｘが１．０の場合、２５℃での絶縁抵抗が、６０００ＭΩ・μＦを満足せず、平均寿命時間が３００時間よりも短くなるからである。
　【００６２】
　また、β／αをβ／α≦４の範囲に限定したのは、試料番号２１のように、Ｒｅ２Ｏ３量αと（Ｍｎ，Ｎｉ）Ｏ量βの比率β／αが４を越えると、静電容量の温度変化率が大きくなり、平均寿命時間が３００時間よりも短くなるからである。
　【００６３】
　また、ｍを１．０００＜ｍ≦１．０３５の範囲に限定したのは、試料番号３及び試料番号４のように、チタン酸バリウムのモル比ｍが１．０００以下の場合には、還元性雰囲気で焼成したとき、誘電体セラミックが還元され、半導体化して絶縁抵抗が低下してしまったり（試料番号３）、絶縁抵抗が低下し、平均寿命時間も短くなるため、セラミック積層体の厚みの薄層化に十分対応できない（試料番号４）からである。
　【００６４】
　一方、試料番号２２のように、モル比ｍが１．０３５を超えると焼結性が極端に悪くなるからである。
　【００６５】
　また、酸化マグネシウムをＭｇＯに換算して、０．５〜３．０モルの範囲に限定したのは、試料番号５のように、ＭｇＯの量が０．５モル未満の場合、絶縁抵抗が低下し、静電容量の温度変化率がＪＩＳ規格に規定されているＢ特性規格を満足するものの、ＥＩＡ規格に規定されているＸ７Ｒ特性規格を満足することができないからである。
　【００６６】
　一方、試料番号２３のようにＭｇＯ量が３．０モルより超えて含まれると焼結温度が高くなり、誘電率が３０００以下となり、耐湿負荷試験での不良率も極端に多くなるからである。
　【００６７】
　また、酸化珪素をＳｉＯ２に換算して、０．２〜５．０モルの範囲に限定したのは、試料番号６のように、ＳｉＯ２の量が０の場合、未焼結となるからである。また、試料番号７のように、ＳｉＯ２の量が０．２モル未満の場合、焼結温度が高くなるとともに、絶縁抵抗が低下し、耐湿負荷試験での不良率が極端に多くなるからである。
　【００６８】
　一方、試料番号２４のように、ＳｉＯ２の量が５．０モルを超えて含まれる場合には、誘電率が３０００を越えず、２５℃での絶縁抵抗が６０００ＭΩ・μＦを満足しないからである。
　【００６９】
　また、チタン酸バリウムに不純物として含有されるアルカリ金属酸化物の量が０．０２重量％を越える場合には、試料番号２５のように、誘電率の低下を生じるからである。
　【００７０】
　なお、上記実施例では、チタン酸バリウムとして、蓚酸法により作製した粉末を用いたが、これに限定するものではなく、アルコキシド法あるいは水熱合成法により作製されたチタン酸バリウム粉末を用いてもよい。これらの粉末を用いることにより、本実施例で示した特性よりも向上することも有り得る。
　【００７１】
　また、酸化スカンジウム、酸化イットリウム、酸化マンガン、および酸化ニッケルなども、酸化物粉末を用いたが、これに限定されるものではなく、本発明の範囲の誘電体セラミック層を構成するように配合すれば、アルコキシド、有機金属などの溶液を用いても、得られる特性を何等損なうものではない。
　【００７２】
　【発明の効果】
　本発明の積層セラミックコンデンサを用いれば、誘電体セラミック層が還元性雰囲気中で焼成しても還元されず、半導体化しない誘電体セラミック材料から構成されているので、電極材料として卑金属であるニッケル及びニッケル合金を用いることができ、１３００℃以下と比較的低温で焼成可能であるため、積層セラミックコンデンサのコストダウンを図ることが可能である。
　【００７３】
　また、このセラミック積層体組成物を用いた積層セラミックコンデンサでは、誘電率が３０００以上あり、しかもこのように高誘電率であるにもかかわらず、誘電率の温度変化が小さい。さらに、絶縁抵抗も高く、高温下、高湿下での特性劣化のない優れた特性を示す。
　【００７４】
　また、結晶粒径が１μｍ以下と小さく、誘電体層を薄層化しても、従来の積層セラミックコンデンサのように層中に存在する結晶粒の量が少なくならない。このため、信頼性が高く、しかも小型で大容量の積層セラミックコンデンサを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　本発明の一実施例である積層セラミックコンデンサの概略断面図。
　【図２】
　本発明の一実施例である内部電極を有する誘電体セラミック層の概略平面図。
　【図３】
　本発明の一実施例であるセラミック積層体の分解斜視図。
　【符号の説明】
　１　　　　積層セラミックコンデンサ
　２　　　　誘電体セラミック層
　２ａ　　　内部電極を有しない誘電体セラミック層
　２ｂ　　　内部電極を有する誘電体セラミック層
　３　　　　セラミック積層体
　４　　　　内部電極
　５　　　　外部電極
　６　　　　メッキ第１層
　７　　　　メッキ第２層