【事件の表示】
　特許第３３１２６５３号「フォトマスク」の請求項１乃至８に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第３３１２６５３号の請求項１乃至８に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
　本件特許第３３１２６５３号の請求項１乃至８に係る発明は、平成２年１２月２６日に特許出願され、平成１４年５月３１日にその特許権の設定登録がなされ、その後、斎藤順一より特許異議の申立がされ、取消の理由が通知され、その指定期間内である平成１５年７月７日に特許異議意見書が提出され、さらに、審尋に対し、被請求人から平成１５年１２月２６日付けの回答書が提出されたものである。
　
２．本件特許発明
　本件特許第３３１２６５３号（平成２年１２月２６日出願、平成１４年５月３１日設定登録）の請求項１乃至８に係る発明は（以下、「本件発明１」、・・・、「本件発明８」という。）、特許明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲に記載された次のとおりのものと認める。
【請求項１】照明光に対して透明な基板上に、遮光性の材質を配置することによって形成されたパターンを有するフォトマスクであって、前記パターンは、前記照明光に対する所定の透過率を持たせた所定厚さの遮光性の材質の第１層で形成された第１部分と、遮光性の材質の前記第１層に更に遮光性の材質の第２層を重ねて形成され、前記第１部分に隣り合う位置に配置される第２部分と、不要な反射を低減させるための反射防止手段とを備え、前記第１層は位相シフト層を含む複数層構造であることを特徴とするフォトマスク。
【請求項２】請求項１のフォトマスクにおいて、前記第１部分は、遮光性の材質を所定の厚さに形成することによって、前記遮光性の材質に前記所定の透過率を持たせて形成されることを特徴とするフォトマスク。
【請求項３】請求項１又は２のフォトマスクにおいて、前記第１層を形成する遮光性材質と、前記第２層を形成する遮光性材質とが異なることを特徴とするフォトマスク。
【請求項４】請求項３のフォトマスクにおいて、前記第１層を形成する遮光性材質がクロムであり、前記第２層を形成する遮光性材質がタングステン・シリサイドであることを特徴とするフォトマスク。
【請求項５】請求項１乃至４いずれかのフォトマスクにおいて、前記反射防止手段が、前記第２層の表面、および、前記第１層の表面に形成された反射防止膜であることを特徴とするフォトマスク。
【請求項６】請求項５のフォトマスクにおいて、前記反射防止膜は、酸化クロム、又は、二酸化珪素で形成されることを特徴とするフォトマスク。
【請求項７】請求項１乃至６いずれかのフォトマスクは、さらに、エッチング防止手段を有することを特徴とするフォトマスク。
【請求項８】　請求項１乃至７いずれか一項記載のフォトマスク上に形成された前記パターンは回路パターンであって、前記フォトマスクに前記照明光を照射して基板上に前記パターンの像を形成することによって、前記パターンを前記基板上に転写する工程を含む回路素子製造方法。
　
２．特許異議申立ての理由の概要
　異議申立人の異議申立書における主張は、概要以下のとおりである。
（１）特許法第２９条の２違反
　本件発明１〜８は、本件特許の出願の日前に出願され、本件特許出願後に公開された先願明細書である甲第１号証（特開平４−２５８４１号公報）に記載された発明である。
（２）特許法第２９条第１項第３号又は第２項違反
　本件発明１〜８は、甲第２号証（米国特許第４８９０３０９号明細書）又は甲第３号証（特開平２−２１１４５１号公報）に記載された発明であり、または甲第２号証及び／又は甲第３号証記載の発明に基づき、当業者ならば容易に発明し得るものである。
（３）特許法第３６条第３項、第４項違反
　本件特許明細書は、特許法第３６条第３項、第４項に規定する要件を満たしていない。
（４）要旨変更を前提とした特許法第２９条第１項第３号又は第２項違反
　本件特許出願の平成１４年３月６日付の手続補正が要旨変更であることを前提として、本件発明１〜８は、甲第１０号証（特開平７−１２８８４０号公報）または本件特許出願の公開公報である特開平４−２２３４６４号公報に記載された発明であり、または、甲第１０号証及び／又は特開平４−２２３４６４号公報記載の発明に基づき、当業者ならば容易に発明し得るものである。
　
３．引用刊行物記載の発明
　当審が通知した取消しの理由に引用した本件特許の出願の日前に出願され、本件特許出願後に公開された先願明細書である甲第１号証（特開平４−２５８４１号公報）には以下の事項が記載されている。
（ａ１）「特許請求の範囲
（１）主開口部と、前記主開口部に対する透過光の位相及び透過率が異なる補助開口部とを備えたマスク装置。
（２）補助開口部の透過光の位相が主開口部に比べて１８０°異なるとともに、光透過率が小さいことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のマスク装置。」（第１頁「特許請求の範囲」）
（ａ２）「第１図は、本発明の一実施例におけるマスク装置の構成図を示すものである。第１図において、２１は回路パタンを転写する主開口部、３１は主開口部２１による回折光を低減する本発明による補助開口部である。」（第２頁左上欄１４−１８行）
（ａ３）「第３図（ｂ）は、本発明によるマスク装置による０．６μｍの正方形パタンの開口部の投影像の、第１図のａ−ｂ切辺に於ける像面強度のシミュレーション結果を示す。本発明によるマスク装置によって、マスクパタンの開口部の転写像の光強度のコントラストを著しく改善できる。」（第２頁右上欄第１２−１７行）
　　
　また、当審が通知した取消しの理由に引用された甲第２号証（米国特許第４８９０３０９号明細書）の第６コラム第７行−２２行には、要約すると以下の事項が記載されている。
（ｂ１）「ガラスや石英の基板１４に、掘り込み部１６を形成して紫外線を減衰させずに通過させる透過部（開口部）とし、この掘り込み部１６以外の領域の表面に非常に薄い金属薄膜１５を形成し、この金属薄膜１５を形成した部分を、通過紫外線の位相をずらすとともに通過紫外線を減衰させる位相シフト部分にした位相シフトマスク」
　
　同じく、当審が通知した取消しの理由に引用された甲第３号証（特開平２−２１１４５１号公報）には、以下の事項が記載されている。
（ｃ１）「リソグラフィ光を遮る様に設けられたマスク層と、このマスク層に隣接して設けられた第１の透過領域と、この第１の透過領域に隣接し前記第１の透過領域を透過するリソグラフィ光に対して位相が１８０°シフトする様に設けられた第２の透過領域とを具備したことを特徴とする露光マスク。」（第１頁左下欄第６〜１１行、特許請求の範囲の請求項１）、
（ｃ２）「第３図は、本発明の第２の実施例の位相シフト法を用いた露光マスクの断面図である。
　リソグラフィ光が透過するマスク基板８上には、リソグラフィ光の位相をシフトさせる位相シフタ９が形成されている。更に、このシフタ９上には所定のパターンを得るためにはマスク層１０が形成されている。以上の様に形成された露光マスクにおいて、露出した位相シフト９の部分が第１の透過領域となり露出したマスク基板８の部分が第２の透過領域になっている。また、光源の波長をλ、位相シフタ９の屈折率をｎとすると、第１の透過領域である位相シフタ９を透過するリソグラフィ光に対して、第２の透過領域であるマスク基板８を透過するリソグラフィ光の位相を１８０°シフトさせた場合、この位相シフタ９の厚さはλ／２（ｎ−１）となる。例えば、マスク基板８が石英、位相シフタ９がＳｉＯ２膜、光源をｉ線とした場合、４０００Å程度となる。
　以上の様にして形成された露光マスクを用いてウェハを露光すると、第３図の破線に示す様に、位相シフタ９を通過するリソグラフィ光の光強度分布とマスク基板８を通過するリソグラフィ光の光強度分布とは位相が１８０°ずれている為、これらを重ね合わせることにより形成された光強度分布は、位相シフタ９真下で極めて低下し、トータルでみると実線に示す様にシャープなものが得られる。よって、解像度は、従来の０．６μｍ程度のものが約半分の０．３μｍ程度になる。」（第５頁左下欄９行〜右下欄１６行）
　
４．対比・判断
（１）特許法第２９条の２違反について
　先願明細書（甲第１号証の特開平４−２５８４１号公報参照）には、半導体露光装置におけるマスク装置として、通過光の位相を主開口部に比べて１８０°異ならせる所定の屈折率を有する補助開口部を有することが記載され、また、マスクとして機能を考慮すれば補助開口部の外側領域が遮光部を構成するもの解するのが相当であるから、遮光部（本件発明に係る第２部分に相当）と位相シフト機能を奏する補助開口部（本件発明における第１部分に相当）が隣り合う位置に配設されることが記載されており、その点において本件発明１の構成要件の一部と合致するものであるが、先願明細書には本件発明１が具備する「遮光性の材質の第１層に更に遮光性の材質の第２層を重ねて形成」し、「不要な反射を低減させるための反射防止手段とを備え」、かつ、「第１層は位相シフト層を含む複数層構造である」構成を具備しておらず、また、それらの構成を示唆する記載も見いだせない。
　してみると、本件発明１は、先願明細書に記載された発明と同一であるとすることはできない。
　また、本件発明２〜８は、いずれも請求項１を引用するものであるから、本件発明１に対するものと同様な理由により、先願明細書に記載された発明と同一であるとすることはできない。
　
（２）特許法第２９条第１項第３号又は第２項違反について
　甲第２号証刊行物には、基板１４に、掘り込み部１６を形成して紫外線を減衰させずに通過させる透過部（開口部）と、これに隣接して通過紫外線の位相をずらすとともに通過紫外線を減衰させる位相シフト部を形成した位相シフトマスクが開示されており、また、甲第３号証には、リソグラフィ光が透過するマスク基板８上に位相シフタ９及びマスク層を積層した露光マスクが開示されているが、いずれの刊行物にも、本件発明１が具備する「所定の透過率を持たせた所定厚さの遮光性の材質の第１層が位相シフト層を含む複数層構造である」構成、及び「不要な反射を低減させるための反射防止手段」を具備しておらず、また、それらの、構成を示唆する記載も見いだせない。
　そして、本件発明１は、かかる点により「パターンの第１部分と第２部分とで光の透過率を変化させることにより、パターンの像の暗部に生じる光の強度を減少させることができる。また、反射防止手段を備えることにより、パターンでの不要の反射を防止することができる。さらに、透光部の層を１層だけでなく、さらに多くの層を重ねることにより、透光部の光透過率を位置により変化させることも可能である。また、複数の層の一部を位相シフト材料の薄膜に変えることにより、位相シフト用マスク（エッジ強調型、若しくは遮光効果強調型）の効果を持たせることも可能である。特に、中間層を位相シフターとして用いるようにすると、位相シフター等の膜厚管理を成膜時に行なうことができ、好都合である。またこのとき、所定の光透過率を有する透光部との組み合わせにより位相シフターの部分の透過光の強度を減少させることができるため、パターンの像のコントラストを強めることが可能である。さらに、従来の技術による位相シフト用マスクと同様の効果を得るための位相シフター部分の面積、乃至は線幅を大きくすることができるので、マスクパターンの製造時における欠陥が発生する可能性が小さくなるという利点もある。」という作用・効果を生じるものと認められる。
　してみると、本件発明は１、甲第２号証刊行物又は甲第３号証刊行物に記載された発明と同一とは認められず、また、甲第２号証刊行物及び／又は甲第３号証刊行物に記載された発明に基づき容易に発明することができたものとすることはできない。
　
（３）特許法第３６条第３項、第４項違反
［異議申立人の主張］
　異議申立人は、異議申立書において本件特許明細書に記載不備がある旨主張しているが、その概要は次のとおりである。
ア．本件発明１に記載の「所定の透過率」、「所定の厚さ」及び「所定の透過率を持たせた所定厚さの遮光性の材質の第１層」は、その技術的意味が不明瞭であり、また、「不要な反射を低減させるための反射防止手段」は無意味な規定であり記載不備である。
イ．詳細な説明に記載の実施例において、透過率を１％程度（段落【００２１】）及び４０％（段落【００２６】）とした例があげられているが、その根拠が不明である。
ウ．本件明細書の段落【００２４】〜【００２８】及び【００２９】の記載が不備である。
［当審の判断］
ア．について
　本件発明１では、フォトマスクの第１層の材質は、「照明光に対する所定の透過率を持たせた所定厚さの遮光性の材質」と規定されているが、ここで「所定の透過率」及び「所定の厚み」とは、遮光性の材質が透明なものではなく、一定の透過率と一定の厚みをもつことを特定しているものであり、技術的意味が不明であるとはいえない。
　また、反射防止部材は、明細書の段落番号【００１９】の記載によれば、複数の層で構成された遮光層のうちの表面の層、若しくは透光層のうちのガラス基板に接する層の少なくとも一方を酸化クロム等の反射防止材で形成してもよいことが記載されているから、本件発明１において、「不要な反射を低減させるための反射防止手段とを備え」る点が、技術的に不明瞭とはいえず、また、その作用効果からみて無意味な規定ということもできない。
イ．について
　本件発明は第１層に所定の透過率をもたせることを一つの構成要件としているものであり、透過率を１％程度（段落【００２１】）及び４０％（段落【００２６】）とする実施例と矛盾するものではなく、この構成により他の構成要件と相俟って明細書記載の作用効果を奏するものである。したがって、上記数値の根拠が記載されていないからといって、当業者が容易に本件発明を実施することはできないとまではいえない。
ウ．について
　異議申立人は、本件明細書の段落番号【００２０】に層Ｂの幅が０．６μｍと記載されているのに対し、段落番号【００２３】には「層Ｂは幅０．５μｍの開口部を有し」と記載され、そうすると開口部の両脇の遮光層の幅が０．０５μｍとなり、非現実的であると主張するが、段落番号【００２０】に記載の数値は従来技術に係るフォトマスクの数値であり、本件発明に関するものではなく、異議申立人の主張は採用できない。
　また、異議申立人は、本件発明に係る効果の記載が不明瞭等である等主張するが、いずれも当業者が容易に本件発明を実施することはできないとまではいえない。
　したがって、本件明細書は記載不備があり、特許法第３６条第３項及び第４項に違反しているという異議申立人の主張は採用することができない。
　
（４）要旨変更を前提とした特許法第２９条第１項第３号又は第２項違反　
　平成１４年３月６日付けの手続補正が要旨変更にあたるか否かを検討する。
　上記補正により、特許請求の範囲の請求項１の記載は、「照明光に対して透明な基板上に、遮光性の材質を配置することによって形成されたパターンを有するフォトマスクであって、前記パターンは、前記照明光に対する所定の透過率を持たせた所定厚さの遮光性の材質の第１層で形成された第１部分と、遮光性の材質の前記第１層に更に遮光性の材質の第２層を重ねて形成され、前記第１部分に隣り合う位置に配置される第２部分と、不要な反射を低減させるための反射防止手段とを備え、前記第１層は位相シフト層を含む複数層構造であることを特徴とするフォトマスク。」に補正された。
　異議申立人は、要するに「第１部分に隣り合う位置に配置される第２部分」との記載は、願書に最初に添附した明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてなされたものではない旨主張する。
　検討するに、当初の明細書の段落番号【０００７】には、「半導体素子製造用のフォトマスクにおける回路パターンは、結像状態（回路パターンの像のコントラスト）に影響を与えない部分（回路パターンの中央部付近）と、光透過部（ガラス基板部）に隣接した、結像状態に影響を与える部分（回路パターンのエッジ付近）とに分けられる。この回路パターンの像の結像状態（コントラスト）を向上させるためには、回路パターンのエッジ付近に所定の光透過率を持たせれば良い。因みにこの光透過率は、遮光材の吸光度と膜厚とにより決まるものである。」と記載されている。これによれば、回路パターンは、結像状態に影響を与えない部分（回路パターンの中央部付近すなわち第１部分（当審注））と、結像状態に影響を与える部分（回路パターンのエッジ付近すなわち第２部分（当審注））とに分けられることが解る。さらに、図１〜図３を参酌すれば、ジャイロパターンは第１部分と第２部分からなり、それらが隣接する関係であることが解る。してみれば、上記手続補正に係る「第１部分に隣り合う位置に配置される第２部分」は、願書に最初に添附した明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてなされたものである。
　よって、異議申立人の主張は採用することはできず、同時に要旨変更を前提として、本件発明１乃至８が特許法第２９条第１項第３号又は第２項違反とする異議申立人の主張は理由がない。
　
５．むすび
　以上のとおりであるから、本件請求項１乃至８に係る発明の特許は、特許異議申立ての理由及び証拠によっては取り消すことはできない。
　また、他に本件請求項１乃至８に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１６年２月２０日（２００４．２．２０）