【事件の表示】
　特許第３２７０８１３号「半導体装置とその製造方法」の請求項１、３、４、６、９、１１、１４に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３２７０８１３号の請求項１、２に係る特許を取り消す。
　同請求項３、５に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
　本件特許は、特許法第４１条に基づく優先権主張を伴う平成8年７月１１日（優先日、平成７年７月１１日）に出願されたものであって、平成１４年１月１８日に請求項１〜１４に係る発明につき特許権の設定登録がなされた後、平成１４年１０月１日に特許異議申立人である渡辺紀子より、請求項１、３、４、６、９、１１、１４に係る特許について特許異議の申立がなされ、取消の理由が通知され、その指定期間内である平成１５年８月８日に訂正請求がなされたものである。
　
２．訂正の適否についての判断
（１）訂正の内容
訂正事項ａ．特許請求の範囲全体を次のとおりに訂正する。
「【請求項１】ＬＳＩのベアチップ部品とプリント基板とで構成されて、該ベアチップ部品のチップ電極を該プリント基板の基板電極と電気的に接続しつつ、該ベアチップ部品と該プリント基板とを加熱硬化型の接着剤を使って固着することで構成される半導体装置において、
　上記チップ電極上に配設される突出電極と、上記接着剤を硬化させるための加熱の際に、その加熱により上記接着剤が硬化を開始する前に該突出電極により押圧されることで上記基板電極に形成されるプリント基板内部に凹む形状を示す凹みとを有することで、
　上記基板電極の上記チップ電極に対応する部分が、プリント基板内部に凹む形状を示すとともに、上記チップ電極に、該凹形状に圧着する突出電極を配設するように構成されることを、
　特徴とする半導体装置。
【請求項２】ＬＳＩのベアチップ部品とプリント基板とで構成される半導体装置の製造方法において、
　ベアチップ部品のチップ電極に突出電極を形成する第１の処理過程と、
　プリント基板のベアチップ部品載置位置に加熱硬化型の接着剤を塗布する第２の処理過程と、
　第１の処理過程で形成された突出電極とプリント基板の基板電極との位置を合わせつつ、ベアチップ部品を接着剤の塗布されたプリント基板に載置する第３の処理過程と、
　ベアチップ部品とベアチップ部品の載置されたプリント基板とを加熱することでプリント基板を温度上昇させ、それに合わせて、該ベアチップ部品をプリント基板の基板電極が凹むまでプリント基板に押圧するとともに、その押圧中に、その加熱に従って接着剤を硬化させる第４の処理過程とを備えることを、
　特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】ＬＳＩのベアチップ部品とプリント基板とで構成される半導体装置の製造方法において、
　ベアチップ部品のチップ電極に突出電極を形成する第１の処理過程と、
　プリント基板のベアチップ部品載置位置に加熱硬化型の接着剤を塗布する第２の処理過程と、
　第１の処理過程で形成された突出電極とプリント基板の基板電極との位置を合わせつつ、ベアチップ部品を接着剤の塗布されたプリント基板に載置する第３の処理過程と、
　ベアチップ部品とベアチップ部品の載置されたプリント基板とを加熱することでプリント基板を温度上昇させ、それに合わせて、該ベアチップ部品をプリント基板の基板電極が凹むまでプリント基板に押圧するとともに、その押圧中に、その加熱に従って接着剤を硬化させる第４の処理過程とを備え、
　かつ、第４の処理過程で、プリント基板の基板電極の持つ幅及び長さを測定することで、該幅及び長さに合わせた押圧力を特定して、その特定した圧力に従ってベアチップ部品をプリント基板に押圧するよう処理することを、
　特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】ＬＳＩのベアチップ部品とプリント基板とで構成される半導体装置の製造方法において、
　ベアチップ部品のチップ電極に突出電極を形成する第１の処理過程と、
　プリント基板のベアチップ部品載置位置に加熱硬化型の接着剤を塗布する第２の処理過程と、
　第１の処理過程で形成された突出電極とプリント基板の基板電極との位置を合わせつつ、ベアチップ部品を接着剤の塗布されたプリント基板に載置する第３の処理過程と、
　ベアチップ部品とベアチップ部品の載置されたプリント基板とを加熱することでプリント基板を温度上昇させ、それに合わせて、該ベアチップ部品をプリント基板の基板電極が凹むまでプリント基板に押圧するとともに、その押圧中に、その加熱に従って接着剤を硬化させる第４の処理過程とを備え、
　かつ、第４の処理過程で、最初、押圧力を小さく設定してベアチップ部品をプリント基板に押圧し、続いて、接着剤の硬化が開始する前までに、押圧力を増加させ所定の値に設定してベアチップ部品をプリント基板に押圧するよう処理することを、
　特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】ＬＳＩのベアチップ部品とプリント基板とで構成される半導体装置の製造方法において、
　ベアチップ部品のチップ電極に突出電極を形成する第１の処理過程と、
　プリント基板のベアチップ部品載置位置に加熱硬化型の接着剤を塗布する第２の処理過程と、
　第１の処理過程で形成された突出電極とプリント基板の基板電極との位置を合わせつつ、ベアチップ部品を接着剤の塗布されたプリント基板に載置する第３の処理過程と、
　ベアチップ部品とベアチップ部品の載置されたプリント基板とを加熱することでプリント基板を温度上昇させ、それに合わせて、該ベアチップ部品をプリント基板の基板電極が凹むまでプリント基板に押圧するとともに、その押圧中に、その加熱に従って接着剤を硬化させる第４の処理過程とを備え、
　かつ、第４の処理過程で、突出電極のつぶれを考慮しつつ基板電極の凹み量を測定して、該凹み量が規定値となるようにとベアチップ部品をプリント基板に押圧するよう処理することを、
　特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】請求項５記載の半導体装置の製造方法において、
　第４の処理過程の処理に先立って、突出電極に押圧力を加えることで、該突出電極の高さがそれ以上変形を受けないようにする処理過程を備えることを、
　特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項５又は６記載の半導体装置の製造方法において、
　第４の処理過程で、プリント基板の温度上昇に合わせて段階的に押圧力を大きくしながら、基板電極の凹み量が規定値となるようにとベアチップ部品をプリント基板に押圧するよう処理することを、
　特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】請求項２記載の半導体装置の製造方法において、
　第２の処理過程の処理に先立って、第２の処理過程で塗布する接着剤を真空中で回転させることで該接着剤の中に含まれる気泡を除去する処理過程を備えることを、
　特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】請求項２記載の半導体装置の製造方法において、
　第２の処理過程で、接着剤の塗布位置として、ベアチップ部品載置位置の中心点及び端点、あるいは、それらの点を含む複数の位置を塗布位置として設定するとともに、該中心点から遠のくに応じて接着剤の塗布量を減少させていく形態に従って、該塗布位置に接着剤を塗布するよう処理することを、
　特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】請求項２記載の半導体装置の製造方法において、
　第３の処理過程の処理に先立って、プリント基板の基板電極の面精度を粗くする処理過程を備えることを、
　特徴とする半導体装置の製造方法。」
　
訂正事項ｂ．発明の詳細な説明を以下のとおりに訂正する。
　明細書の段落【００１８】を「【課題を解決するための手段】
　図１に、本発明の半導体装置製造方法により製造される本発明の半導体装置の構成と、本発明に関連する半導体装置製造方法により製造される本発明に関連する半導体装置の構成とを図示する。
　図中、１０は半導体装置であって、ＬＳＩのベアチップ部品１とプリント基板２とで構成されて、ベアチップ部品１のチップ電極３をプリント基板２の基板電極６と電気的に接続しつつ、ベアチップ部品１とプリント基板２とを接着剤７を使って固着することで構成されるものである。」と訂正する。
　明細書の段落【００１９】を「図１（ａ）に図示する半導体装置１０は、本発明に関連する半導体装置製造方法により製造されることになる本発明に関連する半導体装置であって、基板電極６のチップ電極３に対応する位置に、導電性を有する導電性弾性体８を配設するとともに、チップ電極３に、導電性弾性体８に圧着する突出電極４を配設する構成を採る。」と訂正する。
　明細書の段落【００２４】を「一方、図１（ｂ）に図示する半導体装置１０（請求項１に記載する本発明の半導体装置１０である）は、本発明の半導体装置製造方法により製造されることになる本発明の半導体装置であって、基板電極６のチップ電極３に対応する部分が、プリント基板２の内部に凹む形状を示すとともに、チップ電極３に、その凹形状に圧着する突出電極４を配設する構成を採る。」と訂正する。
　明細書の段落【００２５】を「この図１（ｂ）に図示する半導体装置１０は、チップ電極３に突出電極４を形成し、プリント基板２のベアチップ部品載置位置に加熱硬化型の接着剤を塗布し、突出電極４と基板電極６との位置を合わせつつ、ベアチップ部品１を接着剤の塗布されたプリント基板２に載置し、ベアチップ部品１とベアチップ部品１の載置されたプリント基板２とを加熱することでプリント基板２を温度上昇させ、それに合わせて、ベアチップ部品１を基板電極６が凹むまでプリント基板２に押圧するとともに、その押圧中に、塗布した接着剤を硬化させることで製造できる。」と訂正する。
　明細書の段落【００２８】の「本発明の半導体装置製造方法に製造される」を「本発明の半導体装置製造方法により製造される」と訂正する。
　明細書の段落【００４５】の「一実施例」を「一例」に、「この実施例」を「この一例」に訂正する。
　明細書の段落【００５３】の「ここで、この図１（ａ）に示す構造を持つ半導体装置１０が、請求項１に記載する本発明の半導体装置１０に相当する。」の記載を削除する。
　明細書の段落【００５７】の「請求項３に記載する」を「請求項１に記載する」と訂正する。
　明細書の段落【００５９】の末尾に行を替えて「ここで、基板電極６を一度に規定値まで凹ませるのではなくて、プリント基板２の弾性率が高いことでその凹み量を実現するのに大きな荷重が要求されることになるときには、接着剤に対する加熱処理時の低い温度のときに、ある程度凹ませ、接着剤の硬化開始前の高い温度のときに、温度上昇に伴ってプリント基板２の弾性率が低下することを利用して、最終的な凹み量が実現できるようにと凹ませるようにしてもよい。」を追加する。
　明細書の段落【００８６】の「例えば、実施例では、ベアチップ部品１とプリント基板２とを接合するための接着剤として、加熱硬化タイプのものを用いることを想定したが、本発明はこれに限られることなく、ＵＶ硬化タイプのような別のものを用いる場合にもそのまま適用できるのである。」の記載を削除する。
　
訂正事項ｃ．図面の簡単な説明を以下のとおりに訂正する。
　【図８】の記載を「本発明に関連する半導体装置の製造方法の説明図である。」に、【図９】の記載を「本発明に関連する半導体装置の製造方法の説明図である。」に、【図１１】の記載を「本発明に関連する半導体装置の製造方法の説明図である。」に、【図１２】の記載を「本発明に関連する半導体装置の製造方法の説明図である。」に訂正する。
　
訂正事項ｄ．図面を以下のとおりに訂正する。
　【図８】、【図９】、【図１１】、【図１２】の図面を訂正する（図面についての説明の記載を削除する）。
　
（２）訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の適否
訂正事項ａについての検討　
　訂正前の請求項１、２、６及び１４を削除することは、特許請求の範囲の減縮を目的とした明細書の訂正に該当する。
　請求項１は、訂正前の請求項３に対応しており、訂正前の請求項３において、特許明細書【００８６】の記載に基づいて「接着剤」を「加熱硬化型の接着剤」に、特許明細書【００８５】及び【００６７】の記載に基づいて「上記基板電極の上記チップ電極に対応する部分が、プリント基板内部に凹む形状を示す」を「上記チップ電極上に配設される突出電極と、上記接着剤を硬化させるための加熱の際に、その加熱により上記接着剤が硬化を開始する前に該突出電極により押圧されることで上記基板電極に形成されるプリント基板内部に凹む形状を示す凹みとを有することで、上記基板電極の上記チップ電極に対応する部分が、プリント基板内部に凹む形状を示す」に具体的に限定し、また「する構成を採ること」を「するように構成されること」にする訂正であり、前二者は特許請求の範囲の減縮を目的とした明細書の訂正に、後者は明りょうでない記載の釈明を目的とした明細書の訂正に該当する。
　請求項２は、訂正前の請求項４に対応しており、訂正前の請求項４において、特許明細書【００８６】の記載に基づいて「接着剤」を「加熱硬化型の接着剤」に、特許明細書【００８５】及び【００６７】の記載に基づいて「第３の処理過程で載置したベアチップ部品をプリント基板の基板電極が凹むまでプリント基板に押圧するとともに、その押圧中に、第２の処理過程で塗布した接着剤を硬化させる第４の処理過程」を「ベアチップ部品とベアチップ部品の載置されたプリント基板とを加熱することでプリント基板を温度上昇させ、それに合わせて、該ベアチップ部品をプリント基板の基板電極が凹むまでプリント基板に押圧するとともに、その押圧中に、その加熱に従って接着剤を硬化させる第４の処理過程」に具体的に限定するものであり、特許請求の範囲の減縮を目的とした明細書の訂正に該当する。
　請求項３は、訂正前の請求項９に対応しており、訂正前の請求項９において、「プリント基板の基板電極の形状値を測定することで、該形状値に合わせた押圧力を特定して」を特許明細書【００７５】の記載に基づいて「プリント基板の基板電極の持つ幅及び長さを測定することで、該幅及び長さに合わせた押圧力を特定して」に訂正し、引用する請求項を請求項２とし、その特定事項を具体的に記載するものであり、前者は明りょうでない記載の釈明を目的とした訂正に、後者は特許請求の範囲の減縮を目的とした明細書の訂正に該当する。
　請求項４及び５は、順に訂正前の請求項１０及び１１に対応しており、両者とも引用する請求項を請求項２とし、その特定事項を具体的に記載するものであり、明りょうでない記載の釈明及び特許請求の範囲の減縮を目的とした明細書の訂正に該当する。
　請求項６は、訂正前の請求項１２に対応しており、引用する請求項における減縮を伴うものであり、明りょうでない記載の釈明及び特許請求の範囲の減縮を目的とした明細書の訂正に該当する。
　請求項７は、訂正前の請求項１３に対応しており、訂正前の請求項１３において、「接着剤を加熱硬化させる構成を採るときには」を削除するものであるが、引用する請求項５及び６のいずれにおいても、接着剤を加熱硬化させることを必須の特定事項としているため、当該事項を削除することは、明りょうでない記載の釈明を目的とした明細書の訂正に該当し、また、引用する請求項５及び６における減縮も伴っているため、特許請求の範囲の減縮を目的とした明細書の訂正にも該当する。
　請求項８は、訂正前の請求項５に対応しており、引用する請求項における減縮を伴うものであり、明りょうでない記載の釈明及び特許請求の範囲の減縮を目的とした明細書の訂正に該当する。
　請求項９及び１０は、順に訂正前の請求項７及び８に対応しており、引用する請求項を請求項２に限定するものであり、明りょうでない記載の釈明及び特許請求の範囲の減縮を目的とした明細書の訂正に該当する。
　そして、上記訂正事項は、いずれも願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内であり、実質上特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
　
訂正事項ｂ〜ｄについての検討
　訂正事項ｂ〜ｄは、上記特許請求の範囲の訂正に伴い、特許請求の範囲と発明の詳細な説明、図面の簡単な説明及び図面との整合をとるためのものであり、いずれも明りょうでない記載の釈明を目的とした明細書及び図面の訂正に該当する。
　そして、訂正事項ｂ〜ｄは、いずれも願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内であり、実質上特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
　
（３）独立特許要件
　訂正明細書の請求項４、６、７、８、９及び１０は、上記のとおり、順に特許異議の申立がされていない訂正前の請求項１０、１２、１３、５、７及び８に対応しており、これらについての訂正は特許請求の範囲の減縮を目的とした明細書の訂正にも該当するから、訂正明細書の請求項４、６、７、８、９及び１０の独立特許要件について検討する。
　訂正明細書の請求項４、６、７、８、９及び１０に係る発明は、訂正明細書の特許請求の範囲（（１）訂正の内容、訂正事項ａ参照）の請求項４、６、７、８、９及び１０に記載された事項により特定されたとおりのものである。
請求項４について
　請求項４に係る発明は、請求項２に係る発明で特定される事項にさらに「かつ、第４の処理過程で、最初、押圧力を小さく設定してベアチップ部品をプリント基板に押圧し、続いて、接着剤の硬化が開始する前までに、押圧力を増加させ所定の値に設定してベアチップ部品をプリント基板に押圧するよう処理すること」を追加した発明であるが、当該追加された事項について検討する。ここで、第４処理過程とは「ベアチップ部品とベアチップ部品の載置されたプリント基板とを加熱することでプリント基板を温度上昇させ、それに合わせて、該ベアチップ部品をプリント基板の基板電極が凹むまでプリント基板に押圧するとともに、その押圧中に、その加熱に従って接着剤を硬化させる第４の処理過程」であり、この過程でベアチップ部品をプリント基板に押圧する際に「最初、押圧力を小さく設定してベアチップ部品をプリント基板に押圧し、続いて、接着剤の硬化が開始する前までに、押圧力を増加させ所定の値に設定してベアチップ部品をプリント基板に押圧するよう処理する」ことについては、申立人が提示した本件特許出願の優先日前に頒布された刊行物である刊行物１、３〜５（下記３．（１）参照）には、下記３．（３）のように、記載も、示唆もされておらず、請求項４に係る発明はこれにより訂正明細書記載の「最初は小さな荷重であるために、基板電極６の凹みがほとんど発生しない。そのときには、ベアチップ部品１とプリント基板２との間の隙間は大きく、しかも、温度上昇により接着剤の粘性が低下している。従って、接着剤に含まれる気泡が出やすい状態にある。その後、接着剤の硬化が開始する前までに、荷重を所定の大きさまで大きくすることで、必要とされる基板電極６の凹み量を実現する。このとき、出やすい状態にある気泡が、接着剤とともに押し出される形で取り除かれることになる。」（【００７９】）という格別顕著な効果を奏するものである。
　したがって、請求項４に係る発明は、刊行物１、３〜５に記載の発明ではなく、また刊行物１、３〜５に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明することができたものでもない。また、他に、請求項４に係る発明が特許出願の際に、独立して特許を受けることができないとする理由を発見しない。よって、請求項４に係る発明は、特許出願の際、独立して特許を受けることができるものである。
　
請求項６について
　請求項６に係る発明は、請求項５を引用して、請求項５に係る発明をさらに具体化、限定するものであり、請求項５に係る発明は、下記の３．（４）対比・判断（４−１）で記載されているように、刊行物１、３〜５に記載の発明ではなく、また刊行物１、３〜５に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明することができたものでもないから、請求項６についても、刊行物１、３〜５に記載の発明ではなく、また刊行物１、３〜５に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明することができたものでもない。また、他に、請求項６に係る発明が特許出願の際に、独立して特許を受けることができないとする理由を発見しない。よって、請求項６に係る発明は、特許出願の際、独立して特許を受けることができるものである。
　
請求項７について
　請求項７に係る発明は、請求項５又は６を引用して、請求項５又は６に係る発明をさらに具体化、限定するものであり、請求項５及び６は上記のとおり、刊行物１、３〜５に記載の発明ではなく、また刊行物１、３〜５に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明することができたものでもないから、請求項７についても、刊行物１、３〜５に記載の発明ではなく、また刊行物１、３〜５に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明することができたものでもない。また、他に、請求項７に係る発明が特許出願の際に、独立して特許を受けることができないとする理由を発見しない。よって、請求項７に係る発明は、特許出願の際、独立して特許を受けることができるものである。
　
請求項８について
　請求項８に係る発明は、請求項２を引用して、さらに「第２の処理過程の処理に先立って、第２の処理過程で塗布する接着剤を真空中で回転させることで該接着剤の中に含まれる気泡を除去する処理過程を備えること」を追加した発明であるが、当該追加された事項について検討する。ここで、第２の処理過程とは「プリント基板のベアチップ部品載置位置に加熱硬化型の接着剤を塗布する第２の処理過程」であり、この過程の処理に先だって「第２の処理過程で塗布する接着剤を真空中で回転させることで該接着剤の中に含まれる気泡を除去する処理過程を備えること」については、申立人が提示した本件特許出願の優先日前に頒布された刊行物である刊行物１、３〜５（下記３．（１）参照）には、下記３．（３）のように、記載も、示唆もされておらず、請求項８に係る発明はこれにより訂正明細書記載の「これにより、シリンジ２１１に充填される接着剤に含まれる気泡は、遠心分離作用と減圧作用とに従って、中空部材２２２の開口２２１に向かって移動することで、接着剤から除去されることになる」（【００３９】）、「ベアチップ部品１に荷重を加えるときに、接着剤に含まれる気泡を積極的に取り除くために、２段階の荷重印加処理を実行することがある」（【００７７】）という格別顕著な効果を奏するものである。
　したがって、請求項８に係る発明は、刊行物１、３〜５に記載の発明ではなく、また刊行物１、３〜５に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明することができたものでもない。また、他に、請求項８に係る発明が特許出願の際に、独立して特許を受けることができないとする理由を発見しない。よって、請求項８に係る発明は、特許出願の際、独立して特許を受けることができるものである。
　
請求項９について
　請求項９に係る発明は、請求項２を引用して、さらに「第２の処理過程で、接着剤の塗布位置として、ベアチップ部品載置位置の中心点及び端点、あるいは、それらの点を含む複数の位置を塗布位置として設定するとともに、該中心点から遠のくに応じて接着剤の塗布量を減少させていく形態に従って、該塗布位置に接着剤を塗布するよう処理すること」を追加した発明であるが、当該追加された事項について検討する。ここで、第２の処理過程とは上記のとおりであり、この過程で「接着剤の塗布位置として、ベアチップ部品載置位置の中心点及び端点、あるいは、それらの点を含む複数の位置を塗布位置として設定するとともに、該中心点から遠のくに応じて接着剤の塗布量を減少させていく形態に従って、該塗布位置に接着剤を塗布するよう処理すること」については、申立人が提示した本件特許出願の優先日前に頒布された刊行物である刊行物１、３〜５（下記３．（１）参照）には、下記３．（３）のように、記載も、示唆もされておらず、請求項９に係る発明はこれにより訂正明細書記載の「この構成を採ることで、図２３に示すように、気泡を巻き込まずにベアチップ部品載置位置の端点まで綺麗に接着剤が塗布されることになる」（【００７３】）という格別顕著な効果を奏するものである。
　したがって、請求項９に係る発明は、刊行物１、３〜５に記載の発明ではなく、また刊行物１、３〜５に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明することができたものでもない。また、他に、請求項９に係る発明が特許出願の際に、独立して特許を受けることができないとする理由を発見しない。よって、請求項９に係る発明は、特許出願の際、独立して特許を受けることができるものである。
　
請求項１０について
　請求項１０に係る発明は、請求項２を引用して、さらに「第３の処理過程の処理に先立って、プリント基板の基板電極の面精度を粗くする処理過程を備えること」を追加した発明であるが、当該追加された事項について検討する。ここで、第３の処理過程とは「第１の処理過程で形成された突出電極とプリント基板の基板電極との位置を合わせつつ、ベアチップ部品を接着剤の塗布されたプリント基板に載置する第３の処理過程」であり、この過程の処理に先立って「プリント基板の基板電極の面精度を粗くする処理過程を備えること」については、申立人が提示した本件特許出願の優先日前に頒布された刊行物である刊行物１、３〜５（下記３．（１）参照）には、下記３．（３）のように、記載も、示唆もされておらず、請求項１０に係る発明はこれにより訂正明細書記載の「接着剤の塗布工程の前に、プリント基板２の基板電極６の表面に凹凸を形成する表面処理工程を持つことで、突出電極４と基板電極６との間の電気的接続の信頼性を高める」（【００６９】）という格別顕著な効果を奏するものである。
　したがって、請求項１０に係る発明は、刊行物１、３〜５に記載の発明ではなく、また刊行物１、３〜５に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明することができたものでもない。また、他に、請求項１０に係る発明が特許出願の際に、独立して特許を受けることができないとする理由を発見しない。よって、請求項１０に係る発明は、特許出願の際、独立して特許を受けることができるものである。
　
（４）むすび
　したがって、上記訂正は、特許法第１２０条の４第２項及び同条第３項において準用する特許法第１２６条第２項から第４項までの規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
３．特許異議の申立についての判断
（１）取消理由の概要
　取消理由の概要は、
「１）本件特許の訂正前の請求項１、３、４及び１４に係る発明は、その優先日の前に日本国内において頒布された刊行物である特開平４−８２２４１号公報（異議申立書の甲第１号証、以下「刊行物１」という。）に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項の規定に違反して特許されたものである。
２）本件特許の訂正前の請求項１、３、４、６、９、１１及び１４に係る発明は、その優先日の前に日本国内において頒布された刊行物である刊行物１、特開平５−２１８１３６号公報（同上甲第３号証、以下「刊行物３」という。）及び特開平６−２８３５３７号公報（同上甲第４号証、以下「刊行物４」という。）、並びにその出願日の前に日本国内において頒布された刊行物である特開平８−１５３７５２号公報（同上甲第２号証、以下「刊行物２」という。）に記載された発明に基づいて、その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定に違反して特許されたものである。
３）本件特許は、明細書の記載が次の（イ）及び（ロ）の点で、特許法第３６条第４及び６項に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである。
（イ）訂正前の請求項９に「基板電極の形状値を測定することで、該形状値に合わせた押圧力を特定し」と記載されているが、形状値の定義が不明確であり、当該構成について当業者がその実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載されていない。
（ロ）訂正前の請求項１４に「大きな弾性変形を示す材料」と記載されているが、「大きな」との比較基準が不明確であり、当該構成について当業者がその実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載されていない。」というものである。
　しかしながら、上述のとおり、訂正前の請求項１、６及び１４は削除され、訂正前の請求項３、４、９及び１１は、順に請求項１、２、３及び５に訂正されたので、上記取消理由を、訂正された請求項１〜１０と対応させて整理すると、次のとおりである。ここで、優先権が認められない訂正前の請求項６が削除されたため、優先日の前に頒布されていない刊行物２については以下取り上げない。
１）’本件特許の請求項１及び２に係る発明は、その優先日の前に日本国内において頒布された刊行物１に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項の規定に違反して特許されたものである。
２）’本件特許の請求項１、２、３及び５に係る発明は、その優先日の前に日本国内において頒布された刊行物である刊行物１、３及び４に記載された発明に基づいて、その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定に違反して特許されたものである。
３）’本件特許は、明細書の記載が上記（イ）の点で、特許法第３６条第４及び６項に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである。
　特許異議申立書では、証拠方法として上記刊行物１〜４以外にも、その優先日の前に日本国内において頒布された刊行物として特開平２−２８５６５０号公報（異議申立書の甲第５号証、以下「刊行物５」という。）を提示している。
　
（２）本件特許に係る発明
　上記「２．訂正に適否についての判断」で示したように上記訂正が認められるから、訂正後の本件請求項１〜１０に係る発明（以下、「本件発明１」〜「本件発明１０」という。）は、上記訂正請求に係る訂正明細書の特許請求の範囲（（１）訂正の内容、訂正事項ａ参照）の請求項１〜１０に記載された事項に特定されるとおりのものである。
　
（３）刊行物１、３〜５の記載事項
　刊行物１には、以下の事項が記載されている。
（１ａ）「本発明の一実施例を第１図〜第２図と共に説明する。まず第１図（ａ）の様にセラミック、ガラス、ガラスエポキシ等によりなる配線基板１０の基材１１の後に半導体素子１２が固着される領域に基板配線１３及び配線基板１０の絶縁性樹脂層１４を含み接着用絶縁性樹脂１５を塗布する。この時、基板配線１３及び配線基板１０の絶縁性樹脂層１４は次の様にして形成する。まず、配線基板１０の基材１１の絶縁性樹脂層１４をスピンナー等を用いて塗布し、次に基板配線１３としてＣｒ−Ａｕ，Ａｌ，Ｃｕ，ＩＴＯ等をスパッタリング法、蒸着法により基板配線用金属を配線基板１０の基材１１の絶縁性樹脂層１４の上に堆積した後フォト・リソ技術によりレジストを基板配線１３を形成する部分に残し基板配線用金属をエッチングするか、又は印刷法等の方法を用いて形成する。絶縁性樹脂１４はゴム等の樹脂であり、厚みは、０．１〜５０μｍ程度である。又、接着用絶縁性樹脂１５は紫外線硬化型又は熱硬化型のゴム、エポキシ、シリコーン、アクリルポリイミド等の樹脂であり、厚みは０．５〜５０μｍ程度である。
　次に第１図（ｂ）の様に半導体素子１２の突起電極１６を基板配線１３と一致させ、半導体素子１２を加圧し、配線基板１０の基材１１に押し当てる。この時の突起電極１６近傍の状態は第２図（ａ）の様に、半導体素子１２のアルミ電極１７上に電気めっき法等により形成したＡｕ，Ａｇ，Ｃｕよりなる突起電極１６は、配線基板１０の基材１１の基板配線１３に押し当てられて突起電極１６と基板配線１３の間の紫外線硬化型あるいは熱硬化型の接着用絶縁性樹脂１５は押し出され突起電極１６と基板配線１３は電気的な接続を得る。そして、この時、突起電極１６により基板配線１３と絶縁性樹脂層１４は押され凹形状に弾性変形する。従来は配線基板の絶縁性樹脂層が無い為、基板配線と半導体素子の突起電極の接続は接着用絶縁性樹脂の収縮力のみを使用したものであった。
　次に第１図（ｂ）に示す様に半導体素子１２を加圧し、基板配線１３と絶縁性樹脂層１４の変形を保持した状態で接着用絶縁性樹脂１５を紫外線硬化型ならば紫外線を加え熱硬化型ならば熱を加え硬化させ、その後加圧を解除し半導体素子１２を配線基板１０の基材１１に固着する。この時、半導体素子１２の突起電極１６と基板配線１３は常温においては、第２図（ａ）に示す様に紫外線硬化型或は熱硬化型の接着用絶縁性樹脂１５の収縮力Ｓと基板配線１３と絶縁性樹脂層１４の変形により発生する弾性回復力が働くため、電気的に接触した状態で保持することが出来る。又、高温にいて接着用絶縁性樹脂１５が第２図（ｂ）に示す様に接着用絶縁性樹脂１５の初期厚Ｌ０がΔＬだけ膨張したとしても、基板配線１３と絶縁性樹脂層１４の弾性回復可能量ＬｄをΔＬより大きくすることにより基板配線１３と突起電極１６は接触を保持し電気的な接続を保つ。」（第２頁左下欄第１１行〜第３頁５行）
（１ｂ）「本発明は半導体装置、特に多端子、狭チップのＩＣ，ＬＳＩのパッケージング構造に関するものである。」（第１頁左欄第１６〜１８行）
　刊行物３には、以下の事項が記載されている。
（３ａ）「本発明は上記のように、半導体チップ及び基板を加熱，加圧することにより、
仮接続する・・・」（【０００８】）
　刊行物４には、以下の事項が記載されている。
（４ａ）「次に、図２(b)に示すように、半導体装置(ＩＣ基板)１を平面土台６に対して押圧しながら前記平面土台６内蔵の超音波発振器を作動させ、平面土台６をＸ−Ｙ平面で振動させる。半導体装置(ＩＣ基板)１が押圧される方向は、Ｘ−Ｙ平面に対して垂直な方向である。半導体装置(ＩＣ基板)１を押圧することによってバンプ３の高さが揃えられ(レベリングされ)、同時に平面土台６が振動することにより、研磨シート５によってバンプ３の先端部には凹凸面４が形成される。振動の方向はＸ−Ｙ平面内であれば、どのような方向であっても構わない。半導体装置(ＩＣ基板)１を平面土台６に対して押圧する強さはバンプ３の材質に応じて選択することができるが、例えばＡuバンプの場合には１バンプ当たり50ｇとしている。」（【００３９】）
　刊行物５には、以下の事項が記載されている。
（５ａ）「配線基板１の半導体素子３の電極４が固着された領域は、加圧ステージ５の凹部６の空洞の存在により弾性変形を引き起こした状態で固着される。」（第３頁右上欄第１３〜１６行）
　
（４）対比・判断
（４−１）本件発明１及び２について
　本件発明１と刊行物１記載の発明とを対比すると、摘記事項（１ｂ）を参照するに、摘記事項（１ａ）における「半導体素子」は、本件発明１の「ＬＳＩのベアチップ部品」に相当している。また、摘記事項（１ａ）における「配線基板」、「アルミ電極」、「基板配線」は、順に本件発明１の「プリント基板」、「チップ電極」、「基板電極」に相当しており、摘記事項（１ａ）における突起電極は、摘記事項（１ａ）の「次に第１図（ｂ）の様に半導体素子１２の突起電極１６を基板配線１３と一致させ、半導体素子１２を加圧し、配線基板１０の基材１１に押し当てる。・・・そして、この時、突起電極１６により基板配線１３と絶縁性樹脂層１４は押され凹形状に弾性変形する。」との記載から、本件発明１の「凹形状に圧着する突出電極」に相当しているから、両者は「ＬＳＩのベアチップ部品とプリント基板とで構成されて、該ベアチップ部品のチップ電極を該プリント基板の基板電極と電気的に接続しつつ、該ベアチップ部品と該プリント基板とを加熱硬化型の接着剤を使って固着することで構成される半導体装置において、上記チップ電極に、凹形状に圧着する突出電極を配設するように構成される半導体装置」の点で一致しているが、刊行物１には本件発明１の「上記チップ電極上に配設される突出電極と、上記接着剤を硬化させるための加熱の際に、その加熱により上記接着剤が硬化を開始する前に該突出電極により押圧されることで上記基板電極に形成されるプリント基板内部に凹む形状を示す凹みとを有することで、上記基板電極の上記チップ電極に対応する部分が、プリント基板内部に凹む形状を示す」が明示されていない点で一応相違する。
　上記相違点について検討するに、摘記事項（１ａ）の「まず第１図（ａ）の様に・・・よりなる配線基板１０の基材１１・・・及び配線基板１０の絶縁性樹脂層１４」との記載から、刊行物１記載の発明では、配線基板１０は基材１１と絶縁性樹脂層１４とで構成されていることは明らかである。してみると、摘記事項（１ａ）の「次に第１図（ｂ）の様に半導体素子１２の突起電極１６を基板配線１３と一致させ、半導体素子１２を加圧し、配線基板１０の基材１１に押し当てる。この時の突起電極１６近傍の状態は第２図（ａ）の様に、半導体素子１２のアルミ電極１７上に電気めっき法等により形成したＡｕ，Ａｇ，Ｃｕよりなる突起電極１６は、配線基板１０の基材１１の基板配線１３に押し当てられて突起電極１６と基板配線１３の間の紫外線硬化型あるいは熱硬化型の接着用絶縁性樹脂１５は押し出され突起電極１６と基板配線１３は電気的な接続を得る。そして、この時、突起電極１６により基板配線１３と絶縁性樹脂層１４は押され凹形状に弾性変形する。」において、「絶縁性樹脂１４は押され凹形状に弾性変形する」ことは、絶縁性樹脂層１４は配線基板１０を構成するものであるから、配線基板１０の内部に凹む形状を形成することに等しい。また、摘記事項（１ａ）には「次に第１図（ｂ）に示す様に半導体素子１２を加圧し、基板配線１３と絶縁性樹脂層１４の変形を保持した状態で接着用絶縁性樹脂１５を・・・熱硬化型ならば熱を加え硬化させ、その後加圧を解除し」と記載されており、上記配線基板１０の内部に凹む形状は、接着剤を硬化させるための加熱の際に、その加熱により上記接着剤が硬化を開始する前に該突出電極により押圧されることによっても形成されていることを示している。ここで、半導体素子、配線基板、アルミ電極、基板配線は、上記のとおり順に本件発明１のＬＳＩのベアチップ部品、プリント基板、チップ電極、基板電極に相当しているから、摘記事項（１ａ）には、「上記チップ電極上に配設される突出電極と、上記接着剤を硬化させるための加熱の際に、その加熱により上記接着剤が硬化を開始する前に該突出電極により押圧されることで上記基板電極に形成されるプリント基板内部に凹む形状を示す凹みとを有することで、上記基板電極の上記チップ電極に対応する部分が、プリント基板内部に凹む形状を示す」ことが示されていることになる。
　よって、本件発明１は、刊行物１記載の発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当する。
　
　本件発明２と刊行物１記載の発明とを対比すると、上記のとおり摘記事項（１ａ）における「半導体素子」、「配線基板」、「アルミ電極」、「基板配線」は、順に本件発明２の「ＬＳＩのベアチップ部品」、「プリント基板」、「チップ電極」、「基板電極」であり、摘記事項（１ａ）の「半導体素子１２のアルミ電極１７上に電気めっき法等により形成したＡｕ，Ａｇ，Ｃｕよりなる突起電極１６」、「配線基板１０の基材１１の後に半導体素子１２が固着される領域に基板配線１３及び配線基板１０の絶縁性樹脂層１４を含み接着用絶縁性樹脂１５を塗布する」、「半導体素子１２の突起電極１６を基板配線１３と一致させ、半導体素子１２を加圧し、配線基板１０の基材１１に押し当てる」、「半導体素子１２を加圧し、配線基板１０の基材１１に押し当てる。・・・そして、この時、突起電極１６により基板配線１３と絶縁性樹脂層１４は押され凹形状に弾性変形する。・・・次に第１図（ｂ）に示す様に半導体素子１２を加圧し、基板配線１３と絶縁性樹脂層１４の変形を保持した状態で接着用絶縁性樹脂１５を・・・熱硬化型ならば熱を加え硬化させ、その後加圧を解除し半導体素子１２を配線基板１０の基材１１に固着する」との記載は、順に本件発明２の「ベアチップ部品のチップ電極に突出電極を形成する第１の処理過程」、「プリント基板のベアチップ部品載置位置に加熱硬化型の接着剤を塗布する第２の処理過程」、「第１の処理過程で形成された突出電極とプリント基板の基板電極との位置を合わせつつ、ベアチップ部品を接着剤の塗布されたプリント基板に載置する第３の処理過程」、「加熱に合わせて、該ベアチップ部品をプリント基板の基板電極が凹むまでプリント基板に押圧するとともに、その押圧中に、その加熱に従って接着剤を硬化させる第４の処理過程」に相当している。してみれば、両者は「ＬＳＩのベアチップ部品とプリント基板とで構成される半導体装置の製造方法において、ベアチップ部品のチップ電極に突出電極を形成する第１の処理過程と、プリント基板のベアチップ部品載置位置に加熱硬化型の接着剤を塗布する第２の処理過程と、第１の処理過程で形成された突出電極とプリント基板の基板電極との位置を合わせつつ、ベアチップ部品を接着剤の塗布されたプリント基板に載置する第３の処理過程と、加熱に合わせて、該ベアチップ部品をプリント基板の基板電極が凹むまでプリント基板に押圧するとともに、その押圧中に、その加熱に従って接着剤を硬化させる第４の処理過程とを備える半導体装置の製造方法」である点で一致しているが、刊行物１にはその加熱の態様について具体的に記載されていないが、本件発明２では「ベアチップ部品とベアチップ部品の載置されたプリント基板とを加熱することでプリント基板を温度上昇させ」るとしている点で相違する。
　上記相違点について検討するに、摘記事項（３ａ）における「半導体チップ」、「基板」は、順に本件発明２における「ベアチップ部品」、「プリント基板」に相当しており、刊行物３に記載されているように、ベアチップ部品とプリント基板の接続を行う際に必要とされる加熱を、「ベアチップ部品とベアチップ部品の載置されたプリント基板とを加熱する」ことで行うことは本件特許の優先日前に当業者において周知・慣用手段であることを考慮すると、刊行物１記載の発明において、ベアチップ部品とプリント基板を接続させるためのその間にある接着剤を加熱させる態様として、「ベアチップ部品とベアチップ部品の載置されたプリント基板とを加熱する」ことで行うことは当業者が容易になし得ることであり、プリント基板を加熱する以上、プリント基板の温度が上昇することも当然の現象である。
　よって、本件発明２は、刊行物１記載の発明及び周知・慣用技術に基づいて、当業者が容易に発明することができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
（４−２）本件発明３及び５について
　本件発明３は、本件発明２に特定される事項にさらに「かつ、第４の処理過程で、プリント基板の基板電極の持つ幅及び長さを測定することで、該幅及び長さに合わせた押圧力を特定して、その特定した圧力に従ってベアチップ部品をプリント基板に押圧するよう処理すること」を追加した発明であるので、当該追加された事項について検討する。ここで、第４処理過程とは「ベアチップ部品とベアチップ部品の載置されたプリント基板とを加熱することでプリント基板を温度上昇させ、それに合わせて、該ベアチップ部品をプリント基板の基板電極が凹むまでプリント基板に押圧するとともに、その押圧中に、その加熱に従って接着剤を硬化させる第４の処理過程」であり、この過程でベアチップ部品をプリント基板に押圧する際の圧力を「プリント基板の基板電極の持つ幅及び長さを測定することで、該幅及び長さに合わせた押圧力を特定して、その特定した圧力に従った」ものにすることについては、刊行物１、３〜５に記載も、示唆もされておらず、本件発明３はこれにより訂正明細書記載の「本発明では、予め、プリント基板２の種類毎に、基板電極６の持つ幅／長さに応じた荷重と基板電極６の凹み量（沈み込み量）との間の関係を測定して、この結果から、単位面積当たりの荷重と基板電極６の凹み量との相関関係を得ておく。そして、チップボンダー装置２３のオプティカルプローブ２３２を使って、処理対象となるプリント基板２の基板電極６の持つ幅／長さを測定して、その測定値と、予め求めておいた相関関係とから、ベアチップ部品１に印加する荷重を決定していくことで、基板電極６に応じた荷重処理を実行する構成を採っている。この荷重印加処理により、プリント基板２のロットが異なることで、基板電極６の幅が変わる場合に、それに適合した荷重を印加することが可能になって、どのような場合にも、必要とされる基板電極６の凹み量を実現できるようになる。」（【００７５】【００７６】）という格別顕著な効果を奏するものである。
　よって、本件発明３は、刊行物１、３〜５記載の発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　本件発明５は、本件発明２に特定される事項にさらに「かつ、第４の処理過程で、突出電極のつぶれを考慮しつつ基板電極の凹み量を測定して、該凹み量が規定値となるようにとベアチップ部品をプリント基板に押圧するよう処理すること」を追加した発明であるので、当該追加された事項について検討する。ここで、第４処理過程とは上記のとおりであり、この過程でベアチップ部品をプリント基板に押圧する際の圧力を「突出電極のつぶれを考慮しつつ基板電極の凹み量を測定して、該凹み量が規定値となるように」することについては、刊行物１、３〜５に記載も、示唆もされておらず、本件発明５はこれにより訂正明細書記載の「本発明では、図２５に示すような、突出電極４にかかる荷重と、そのときの突出電極４の高さとの対応関係を得ておく構成を採って、ベアチップ部品１を吸着したボンディングヘッド２３４をプリント基板２に向かって押し下げていくとともに、ロードセル２３５でそのときの荷重を測定する。そして、ロードセル２３５が荷重印加を感知した位置を原点として、更に、ボンディングヘッド２３４を押し下げていく。このとき、ロードセル２３５に加わる荷重をｆとするならば、図２５の対応関係に従って、突出電極４のつぶれ量はα（ｆ）として求まるので、基板電極６の凹み量は、エンコーダ２３６の出力値から、この突出電極５のつぶれ量α（ｆ）を差し引いた値として求まるので、このようにして求まる凹み量が、規定値となるまでボンディングヘッド２３４を押し下げていく。これにより、基板電極６の凹み量が一定となるように制御できることになる。」（【００８２】【００８３】）という格別顕著な効果を奏するものである。
　よって、本件発明５は、刊行物１、３〜５記載の発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
（４−３）取消理由３）について
　取消理由３）の（イ）については、「基板電極の形状値を測定することで、該形状値に合わせた押圧力を特定し」が「プリント基板の基板電極の持つ幅及び長さを測定することで、該幅及び長さに合わせた押圧力を特定し」と訂正されたことで解消された。
　
（５）むすび
　以上のとおり、本件発明１は刊行物１記載の発明であるから、本件発明１についての特許は特許法第２９条第１項の規定に違反してされたものであり、本件発明２は刊行物１記載の発明及び周知・慣用技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件発明２についての特許は特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであるので、同法第１１３条第２号に該当し、取り消されるべきものである。
　また、本件発明３、５についての特許は、特許異議申立の理由及び証拠方法によって取り消すことはできず、他に取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１５年１０月１７日（２００３．１０．１７）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
半導体装置とその製造方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　ＬＳＩのベアチップ部品とプリント基板とで構成されて、該ベアチップ部品のチップ電極を該プリント基板の基板電極と電気的に接続しつつ、該ベアチップ部品と該プリント基板とを
加熱硬化型の
　
上記チップ電極上に配設される突出電極と、上記接着材を硬化させるための加熱の際に、その加熱により上記接着剤が硬化を開始する前に該突出電極により押圧されることで上記基板電極に形成されるプリント基板内部に凹む形状を示す凹みとを有することで、
　上記基板電極の上記チップ電極に対応する部分が、プリント基板内部に凹む形状を示すとともに、上記チップ電極に、該凹形状に圧着する突出電極を配設す
るように構成されるこ
　特徴とする半導体装置。
　【請求項２】　ＬＳＩのベアチップ部品とプリント基板とで構成される半導体装置の製造方法において、
　ベアチップ部品のチップ電極に突出電極を形成する第１の処理過程と、
　プリント基板のベアチップ部品載置位置に
加熱硬化型の
　第１の処理過程で形成された突出電極とプリント基板の基板電極との位置を合わせつつ、ベアチップ部品を接着剤の塗布されたプリント基板に載置する第３の処理過程と、
　
ベアチップ部品とベアチップ部品の載置されたプリント基板とを加熱することでプリント基板を温度上昇させ、それに合わせて、該ベ
に、その加熱に従って接
　特徴とする半導体装置の製造方法。
　【請求項３】　ＬＳＩのベアチップ部品とプリント基板とで構成される半導体装置の製造方法において、
　ベアチップ部品のチップ電極に突出電極を形成する第１の処理過程と、
　プリント基板のベアチップ部品載置位置に
加熱硬化型の
　第１の処理過程で形成された突出電極とプリント基板の基板電極との位置を合わせつつ、ベアチップ部品を接着剤の塗布されたプリント基板に載置する第３の処理過程と、
　
ベアチップ部品とベアチップ部品の載置されたプリント基板とを加熱することでプリント基板を温度上昇させ、それに合わせて、該ベ
に、その加熱に従って接
え、
　
かつ、第
の持つ幅及び長さを
該幅及び長さに
　特徴とする半導体装置の製造方法。
　【請求項４】　ＬＳＩのベアチップ部品とプリント基板とで構成される半導体装置の製造方法において、
　ベアチップ部品のチップ電極に突出電極を形成する第１の処理過程と、
　プリント基板のベアチップ部品載置位置に
加熱硬化型の
　第１の処理過程で形成された突出電極とプリント基板の基板電極との位置を合わせつつ、ベアチップ部品を接着剤の塗布されたプリント基板に載置する第３の処理過程と、
　
ベアチップ部品とベアチップ部品の載置されたプリント基板とを加熱することでプリント基板を温度上昇させ、それに合わせて、該ベ
に、その加熱に従って接
え、
　
かつ、第
　特徴とする半導体装置の製造方法。
　【請求項５】　ＬＳＩのベアチップ部品とプリント基板とで構成される半導体装置の製造方法において、
　ベアチップ部品のチップ電極に突出電極を形成する第１の処理過程と、
　プリント基板のベアチップ部品載置位置に
加熱硬化型の
　第１の処理過程で形成された突出電極とプリント基板の基板電極との位置を合わせつつ、ベアチップ部品を接着剤の塗布されたプリント基板に載置する第３の処理過程と、
　
ベアチップ部品とベアチップ部品の載置されたプリント基板とを加熱することでプリント基板を温度上昇させ、それに合わせて、該ベ
に、その加熱に従って接
え、
　
かつ、第
　特徴とする半導体装置の製造方法。
　【請求項６】　請求項
５
　第４の処理過程の処理に先立って、突出電極に押圧力を加えることで、該突出電極の高さがそれ以上変形を受けないようにする処理過程を備えることを、
　特徴とする半導体装置の製造方法。
　【請求項７】　請求項
５
６
　
第
　特徴とする半導体装置の製造方法。
　【請求項８】　請求項
２
　第２の処理過程の処理に先立って、第２の処理過程で塗布する接着剤を真空中で回転させることで該接着剤の中に含まれる気泡を除去する処理過程を備えることを、
　特徴とする半導体装置の製造方法。
　【請求項９】　請求項
２
　第２の処理過程で、接着剤の塗布位置として、ベアチップ部品載置位置の中心点及び端点、あるいは、それらの点を含む複数の位置を塗布位置として設定するとともに、該中心点から遠のくに応じて接着剤の塗布量を減少させていく形態に従って、該塗布位置に接着剤を塗布するよう処理することを、
　特徴とする半導体装置の製造方法。
　【請求項１０】　請求項
２
　第３の処理過程の処理に先立って、プリント基板の基板電極の面精度を粗くする処理過程を備えることを、
　特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の属する技術分野】
　本発明は、ＬＳＩのベアチップ部品とプリント基板とで構成される半導体装置と、その半導体装置の製造方法とに関し、特に、信頼性と生産性の向上を実現する半導体装置と、その半導体装置の製造方法とに関する。
　【０００２】
　電子機器メーカは、半導体メーカからＬＳＩを購入し、それをプリント基板に実装していくことで電子機器を製造していくことになる。
　最近、電子機器に対する小型化の要求が一層強くなってきており、これから、電子機器メーカは、半導体メーカから、パッケージされていないＬＳＩのベアチップ部品（電極のみがシリコン基板上に形成されている裸のＬＳＩ部品）を購入して、それをプリント基板上に実装していくようにしている。
　【０００３】
　このベアチップ部品の実装方法として、ベアチップ部品を、その電極がプリント基板の電極と同一方向を向く姿勢でプリント基板に固着する構成を採って、ワイヤボンディングによりベアチップ部品の電極とプリント基板の電極とを電気接続することでプリント基板に実装するという方法と、ベアチップ部品の電極とプリント基板の電極とを接合しつつ、ベアチップ部品をプリント基板に固着することでプリント基板に実装するという方法とがある。
　【０００４】
　この後者の実装方法はフェイスダウンマウントと呼ばれ、前者の実装方法に比べて、ベアチップ部品を高密度に実装できるという利点があるものの、信頼性や生産性が低いという欠点がある。
　【０００５】
　これから、電子機器の一層の小型化を図るためにも、このフェイスダウンマウントの欠点の解決を図ることで、高密度実装を実現するとともに、高い信頼性と生産性を実現するベアチップ部品の実装方法を確立していく必要がある。
　【０００６】
　【従来の技術】
　図２６に、フェイスダウンマウントに従って実装されるＬＳＩのベアチップ部品とプリント基板とで構成される半導体装置の構造の一例を図示する。
　【０００７】
　この図に示すように、フェイスダウンマウントに従って実装されるベアチップ部品１とプリント基板２とで構成される半導体装置では、ベアチップ部品１のチップ電極３にバンプと呼ばれる突出電極４を設け、その突出電極４に導電ペースト５を付着させ、その導電ペースト５の付着させた突出電極４をプリント基板２の基板電極６に当接させた状態で、ベアチップ部品１とプリント基板２とを接着剤７で固着する構成を採っている。
　【０００８】
　ちなみに、ベアチップ部品１は、例えば、大きさが１０ｍｍ×１０ｍｍ程度で、厚さが０．４ｍｍ程度のシリコン基板で構成されて、その外周に、大きさが１００μｍ×１００μｍ程度で、高さが数μｍ程度のアルミ等で構成されるチップ電極３を２００〜３００個配置している。なお、ベアチップ部品１とプリント基板２との間の隙間は８０μｍ程度、突出電極４の高さは５０μｍ程度、基板電極６の高さは２５μｍ程度である。
　【０００９】
　このような半導体装置は、従来では、図２７に示す製造手順で製造されていた。
　すなわち、先ず最初に、ベアチップバンプ形成工程で、ワイヤボンディング方式により、キャピラリの先端に突出させた金線の先端を放電によって溶融させてボールを形成して、それを超音波振動を使ってベアチップ部品１のチップ電極３に接合させてから、ボールのネック部で金線を切断することで、ベアチップ部品１のチップ電極３の上に、大きさが６０μｍ程度のボール状の突出電極４を形成する。
　【００１０】
　続いて、バンプレベリング工程で、ベアチップ部品１を平滑なガラス基板に軽く押し当てることで、突出電極４の切断部分の高さのバラツキを除去して突出電極４の高さを揃える。
　【００１１】
　続いて、導電ペースト転写工程で、ガラス基板の上に、導電ペースト（接着剤に金属片の混入したもので構成される）を１５μｍ程度の厚さで塗布し、ベアチップ部品１を、その導電ペーストの塗布されたガラス基板に当接させることで、突出電極４の端面に導電ペースト５を転写し、その後でベアチップ部品１をある程度の時間加熱することで、突出電極４に付着させた導電ペースト５を半硬化させる。なお、導電ペースト５がＵＶ硬化特性を示す場合には、紫外線を照射することで半硬化させることになる。
　【００１２】
　続いて、マウント工程で、ベアチップ部品１を、接着剤塗布工程により接着剤の塗布されたプリント基板２に位置決めしてから、その状態を保持しつつ、所定時間加熱することで、ベアチップ部品１とプリント基板２との間の接着剤７を硬化させるとともに、導電ペースト５を完全に硬化させることで、半導体装置を完成させることになる。なお、導電ペースト５や接着剤７がＵＶ硬化特性を示す場合には、紫外線を照射することで硬化させることになる。
　【００１３】
　【発明が解決しようとする課題】
　このように、従来では、ベアチップ部品１のチップ電極３に突出電極４を形成して、それをプリント基板２の基板電極６に当接させつつ、ベアチップ部品１とプリント基板２とを接着剤７で固着する構成を採るときにあって、導電ペースト５を使って、突出電極４と基板電極６との間の電気接続の信頼性を確保するという構成を採っていた。
　【００１４】
　しかしながら、このように導電ペースト５を使う構成を採っていると、導電ペースト転写工程とマウント工程とでそれぞれ加熱処理を行わなくてはならないことから、半導体装置の生産性が悪いという問題点があった。
　【００１５】
　そして、導電ペースト転写工程で、ガラス基板に導電ペーストを塗布し、それを突出電極４に転写しなくてはならないことから、半導体装置の生産性が悪いという問題点があった。しかも、この導電ペーストの塗布は、薄くかつ均一に行わなければならないが、導電ペーストに混入されている金属片が均一塗布の邪魔をしたり、導電ペーストの塗布量が多いと、隣接するチップ電極３が電気的に接触してしまうなど、この塗布の制御は極めて難しい作業の１つとなっている。
　【００１６】
　更に、ガラスエポキシ樹脂等の樹脂で構成されるプリント基板２の熱膨張率は、シリコンで構成されるベアチップ部品１の熱膨張率に比べて数倍も大きく、これから、温度変化に伴って、導電ペースト５と基板電極６との接合を引き剥がす力が発生し、接着剤７で固定していてもその力を吸収できないことで、電気接続の断線や半断線を起こすことがあるという問題点があった。
　【００１７】
　本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであって、信頼性と生産性の向上を実現するベアチップ部品とプリント基板とで構成される半導体装置を提供することを目的とするとともに、その半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
　【００１８】
　【課題を解決するための手段】
　図１に、本発明の半導体装置製造方法に
より
本発明の
成と、本発明に関連する半導体装置製造方法により製造される本発明に関連する半導体装置の構成とを
　図中、１０
は半
　【００１９】
　図１（ａ）に図示する半導体装置１０
は、本発明に関連する半導体装置製造方法により製造されることになる本発明に関連する半導体装置であって、基
　【００２０】
　この図１（ａ）に図示する半導体装置１０は、チップ電極３に突出電極４を形成し、基板電極６に導電性弾性体８を形成するとともに、その形成した導電性弾性体８を加熱加圧することで、その形状を規定のものに変形し、プリント基板２のベアチップ部品載置位置に接着剤を塗布し、突出電極４を導電性弾性体８に圧着させつつ、ベアチップ部品１をプリント基板２に押圧するとともに、その押圧中に、塗布した接着剤を硬化させることで製造できる。
　【００２１】
　この図１（ａ）に図示する半導体装置１０では、導電性弾性体８が導電性と弾性とを有するので、ベアチップ部品１がプリント基板２から離れる方向に変位したとしても、図２（ａ）に示すように、弾性変形した導電性弾性体８が元の形に戻ろうとするので、突出電極４が導電性弾性体８と隙間を持つことなく噛み合い、その結果、導電ペーストを使わなくても、また、突出電極４のレベリングを行わなくても、チップ電極３と基板電極６との間の電気的接続が確実に確保される。
　【００２２】
　更に、ベアチップ部品１の熱膨張率とプリント基板２の熱膨張率との違いにより、ベアチップ部品１とプリント基板２との間に横ずれが生じたとしても、導電性弾性体８が元の形に戻ろうとするので、突出電極４が導電性弾性体８と隙間を持つことなく噛み合い、その結果、温度が変化しても、チップ電極３と基板電極６との間の電気的接続が確実に確保される。
　【００２３】
　しかも、導電性弾性体８を凹形状したり凸形状にすると、突出電極４と導電性弾性体８との間の接触面積が増大することから、チップ電極３と基板電極６との間の電気的接続が確実に確保される。
　【００２４】
　一方、図１（ｂ）に図示する半導体装置１０（請求項
１
は、本発明の半導体装置製造方法により製造されることになる本発明の半導体装置であって、基
　【００２５】
　この図１（ｂ）に図示する半導体装置１０は、チップ電極３に突出電極４を形成し、プリント基板２のベアチップ部品載置位置に
加熱硬化型の
し、ベアチップ部品１とベアチップ部品１の載置されたプリント基板２とを加熱することでプリン卜基板２を温度上昇させ、それに合わせて、ベ
に、その加熱に従って塗
　【００２６】
　この図１（ｂ）に図示する半導体装置１０では、基板電極６がプリント基板２の内部に凹む形状を持ち、ベアチップ部品１がプリント基板２から離れる方向に変位したとしても、図２（ｂ）に示すように、プリント基板２の弾性により、その凹形状部分が元の形状に戻ろうとするので、突出電極４が基板電極６と隙間を持つことなく噛み合い、その結果、導電ペーストを使わなくても、また、突出電極４のレベリングを行わなくても、チップ電極３と基板電極６との間の電気的接続が確実に確保される。
　【００２７】
　更に、ベアチップ部品１の熱膨張率とプリント基板２の熱膨張率との違いにより、ベアチップ部品１とプリント基板２との間に横ずれが生じたとしても、基板電極６の凹形状部分が突出電極４の動きを抑制するように作用するので、温度が変化しても、チップ電極３と基板電極６との間の電気的接続が確実に確保される。
　【００２８】
　しかも、突出電極４と基板電極６の接触面積が増大することから、チップ電極３と基板電極６との間の電気的接続が確実に確保される。
　このように、本発明の半導体装置製造方法に
より
　【００２９】
　【発明の実施の形態】
　以下、実施の形態に従って本発明を詳細に説明する。
　図３に、本発明の半導体装置製造方法を実現する製造ラインの一例を図示する。
　【００３０】
　この図に示すように、本発明の半導体装置製造方法を実現する製造ラインは、バンプボンダー装置２０と、ディスペンサ装置２１と、遠心真空脱泡装置２２と、チップボンダー装置２３とで構成される。
　【００３１】
　バンプボンダー装置２０は、搬送ラインからベアチップ部品１を受け取ると、そのベアチップ部品１のチップ電極３にバンプと呼ばれる突出電極４を形成するものである。
　【００３２】
　このバンプボンダー装置２０は、図４に示すように、ベアチップ部品１を固定するＸＹステージ２００と、突出電極４の材料となる金線を収納する金線収納箱２０１と、金線収納箱２０１から供給される金線をベアチップ部品１のチップ電極３の位置にガイドするキャピラリー２０２と、キャピラリー２０２に供給される金線を引っ張り上げることでキャピラリー２０２に供給される金線にテンションを加えるテンションクランパ２０３と、ベアチップ部品１のチップ電極３に融着した金線を引っ張り上げることで金線を切断するカットクランパ２０４と、ベアチップ部品１のチッブ電極３の位置を検出するＣＣＤカメラ２０５とを備えるとともに、図示しないトーチユニットと超音波発振器とを備える。
　【００３３】
　ここで、金線収納箱２０１／キャピラリー２０２／テンションクランパ２０３／カットクランパ２０４／ＣＣＤカメラ２０５／トーチユニットは、一体的なボンディングヘッドを構成して、図示しない機構によりＸＹ方向に移動可能となるように構成されている。
　【００３４】
　このように構成されるバンプボンダー装置２０では、ベアチップ部品１のチップ電極３の位置決めが完了すると、図示しないトーチユニットを金線の先端に移動させて放電を行うことで金線の先端にボールを形成し、続いて、そのボールをキャピラリー２０２でもってチップ電極３に当接させてから、超音波発振器を使ってキャピラリー２０２を超音波振動させることで、そのボールをチップ電極３に融着し、続いて、カットクランパ２０４を使って金線を引っ張り上げてボールと金線とを切断することで、ベアチップ部品１のチップ電極３の上に、大きさが６０μｍ程度のボール状の突出電極４を形成するのである。
　【００３５】
　また、ディスペンサ装置２１は、搬送ラインからプリント基板２を受け取ると、そのプリント基板２の上に接着剤を塗布するものである。
　このディスペンサ装置２１は、図５に示すように、プリント基板２を固定してそれをＸＹ方向に移動するＸＹテーブル２１０と、接着剤の充填されたシリンジ２１１を保持するホルダ２１２と、シリンジ２１１に充填された接着剤をプリント基板２に微量吐出する吐出針２１３と、シリンジ２１１を上下に移動させるヘッド２１４とを備えるとともに、図示しない押圧機構を備える。
　【００３６】
　このように構成されるディスペンサ装置２１では、プリント基板２の位置決めが完了すると、図示しない押圧機構を使ってシリンジ２１１に充填された接着剤を押し出すことで、プリント基板２に接着剤を塗布するのである。
　【００３７】
　また、遠心真空脱泡装置２２は、搬送ラインからシリンジ２１１に充填（僅かな隙間を介して外部と連通している）された接着剤を受け取ると、接着剤の中に含まれる気泡を除去して、ディスペンサ装置２１に供給するものである。
　【００３８】
　この遠心真空脱泡装置２２は、図６に示すように、接着剤の充填された２つのシリンジ２１１を固定する回転体２２０と、回転体２２０に固定されるシリンジ２１１を接続する開口２２１を持つ中空部材２２２と、回転体２２０を回転させるモータ２２３と、回転体２２０を気密性を保ちつつ収納する減圧チャンバ２２４と、減圧チャンバ２２４を開く蓋体２２５と、減圧チャンバ２２４を吸引することで減圧チャンバ２２４の内部圧力を減圧する減圧源２２６とを備える。
　【００３９】
　このように構成される遠心真空脱泡装置２２では、接着剤の充填された２つのシリンジ２１１が回転体２２０に固定され、中空部材２２２による接続が完了すると、減圧源２２６を使って減圧チャンバ２２４の内部圧力を減圧するとともに、モータ２２３を使って回転体２２０を回転させる。これにより、シリンジ２１１に充填される接着剤に含まれる気泡は、遠心分離作用と減圧作用とに従って、中空部材２２２の開口２２１に向かって移動することで、接着剤から除去されることになる。
　【００４０】
　また、チップボンダー装置２３は、搬送ラインを介してバンプボンダー装置２０からベアチップ部品１を受け取るとともに、搬送ラインを介してディスペンサ装置２１から接着剤の塗布されたプリント基板２を受け取ると、ベアチップ部品１とプリント基板２とを接合することで本発明の半導体装置１０を製造するものである。
　【００４１】
　このチップボンダー装置２３は、図７に示すように、ベアチップ部品１を載置してその傾きを粗く修正するオリエンター２３０と、オリエンター２３０にベアチップ部品１をセットするピックアップヘッド２３１と、ベアチップ部品１の回路面の画像や、プリント基板２の基板面の画像を撮像するオプティカルプローブ２３２と、プリント基板２を固定するステージ２３３と、オリエンター２３０に載置されるベアチップ部品１をピックして、ステージ２３３に固定されるプリント基板２に接合するボンディングヘッド２３４と、ボンディングヘッド２３４の押圧力を測定するロードセル２３５と、ボンディングヘッド２３４の移動量を測定するエンコーダ２３６とを備える。ここで、ボンディングヘッド２３４は、ベアチップ部品１を加熱する加熱機構を持つとともに、ステージ２３３は、プリント基板２を加熱する加熱機構を持つ。
　【００４２】
　このように構成されるチップボンダー装置２３では、オリエンター２３０を使ってベアチップ部品１の姿勢を規定のものに粗くセットすると、ボンディングヘッド２３４を移動させてベアチップ部品１をピックさせ、そのピックさせたベアチップ部品１をステージ２３３の位置まで移動させてから、ベアチップ部品１とプリント基板２との間にオプティカルプローブ２３２を挿入して位置合わせを行った後、ベアチップ部品１をプリント基板２に押し付けつつ加熱することで、プリント基板２に塗布された接着剤を硬化させて半導体装置１を製造することになる。
　【００４３】
　次に、このように構成される製造ラインを使って実現される半導体装置１０の製造方法について詳細に説明する。
　最初に、図１（ａ）に図示した構造を持つ半導体装置１０の製造方法について説明する。
　【００４４】
　図１（ａ）に図示した構造を持つ半導体装置１０は、基板電極６のチップ電極３に対応する位置に、導電性を有する導電性弾性体８を配設するとともに、チップ電極３に、導電性弾性体８と圧着する突出電極４を配設する構成を採ることを特徴とする。
　【００４５】
　図８に、この半導体装置１０の製造方法の
一例
　この
一例
　【００４６】
　この突出電極４の形成と並行して、プリント基板２の基板電極６に導電性弾性体８を形成する。
　この導電性弾性体８の形成は、図９に示すように、例えば、バンプボンダー装置２０を使い、金等の展性の高い金属をワイヤボンディングや溶接加工で基板電極６に接合した後、キャピラリーやウェッジにより上面を加圧加熱加工して凹形状とすることで形成されたり、凹形状を持つ導電性ゴムを基板電極６に接合することで形成される。
　【００４７】
　なお、導電性弾性体８の形状を凹形状とするのは、変形やかみ合わせによる広い接合面積を得るためであり、従って、突出電極４が凸形状のときには、それに合わせて、図１０（ａ）に示すような凹形状や、図１０（ｂ）に示すような楔形の凹形状を示すように形成されるが、突出電極４が凹形状のときには、図１０（ｃ）に示すような凸形状を示すように形成されることになる。
　【００４８】
　導電性弾性体８を形成すると、続いて、ディスペンサ装置２１を使って、プリント基板２に接着剤を塗布する。
　このようにして、ベアチップ部品１のチップ電極３に突出電極４を形成するとともに、プリント基板２の基板電極６に導電性弾性体８を形成し、更に、プリント基板２に接着剤を塗布すると、続いて、突出電極４と導電性弾性体８とを圧接圧着接続しつつ、ベアチップ部品１をプリント基板２にマウントして、加熱作業を行うことで接着剤を硬化させ、その後、荷重を開放することで図１（ａ）に図示した構造を持つ半導体装置１０の製造を完了する。
　【００４９】
　このように、図１（ａ）に図示した構造を持つ半導体装置１０は、導電ペーストを用いずに製造できるとともに、突出電極４のレベリングを行わなくても製造（行ってもよい）できることから、生産性よく製造できるようになる。
　【００５０】
　そして、ベアチップ部品１がプリント基板２から離れる方向に変位したとしても、弾性変形した導電性弾性体８が元の形に戻ろうとするので、突出電極４が導電性弾性体８と隙間を持つことなく噛み合い、その結果、導電ペーストを使わなくても、チップ電極３と基板電極６との間の電気的接続が確実に確保される。
　【００５１】
　更に、ベアチップ部品１の熱膨張率とプリント基板２の熱膨張率との違いにより、ベアチップ部品１とプリント基板２との間に横ずれが生じたとしても、弾性変形した導電性弾性体８が元の形に戻ろうとするので、突出電極４が導電性弾性体８と隙間を持つことなく噛み合い、その結果、温度が変化しても、チップ電極３と基板電極６との間の電気的接続が確実に確保される。
　【００５２】
　図８に示した製造方法では、導電性弾性体８をプリント基板２の基板電極６に形成する構成を採ったが、図１１（ａ）に示すように、突出電極４に対応付けられるプリント基板２の位置にゴムや樹脂等の弾性体９を配設するとともに、基板電極６としてフレキシブルプリント配線板６ａを使用する構成を採って、導電ぺーストを用いずに、突出電極４をフレキシブルプリント配線板６ａに押圧して、ベアチップ部品１をプリント基板２にフェイスダウン接合する構成を採ることでも、同様の効果を発揮できることになる。
　【００５３】
　この構成は、突出電極４の形状が凸形にも凹形にも適用できるものであり、弾性体９とフレキシブルプリント配線板６ａは、導電性弾性体８を形成する代わりに、その形成工程で形成することになる。ここで、突出電極４とフレキシブルプリント配線板６ａとの間の接合面積を広めるために、フレキシブルプリント配線板６ａの形状を、加熱折曲加工を使って突出電極４の形状に合わせるようにすることが好まし
い。
　【００５４】
　また、図８に示した製造方法では、導電性弾性体８をプリント基板２の基板電極６に形成する構成を採ったが、図１１（ｂ）に示すように、導電性弾性体８を形成せずに、基板電極６の弾性を利用する構成を採って、導電ペーストを用いずに、突出電極４を基板電極６に押圧して、ベアチップ部品１をプリント基板２にフェイスダウン接合する構成を採ることでも、同様の効果を発揮できることになる。
　【００５５】
　この構成を採る場合には、図１２に示すように、ベアチップ部品１のチップ電極３に突出電極４を形成し、プリント基板２に接着剤を塗布してから、ベアチップ部品１を押圧しつつプリント基板２にマウントし、加熱作業により接着剤を硬化させることで製造することになる。
　【００５６】
　この構成は、突出電極４の形状が凸形のときに適用することが好ましい。なお、このときに使用するプリント基板２としては、弾性変形の大きいものを使用することが好ましく、更に具体的に説明するならば、ガラス繊維が少なく樹脂成分の多い材料で、その樹脂のガラス転移温度が接着剤の加熱硬化温度より高く、そして、熱膨張率が小さく、接着剤の加熱硬化時の寸法安定性が高いものといったものを用いることが好ましい。
　【００５７】
　次に、図１（ｂ）に図示した構造を持つ半導体装置１０（請求項
１
　図１（ｂ）に図示した構造を持つ半導体装置１０は、基板電極６のチップ電極３に対応する部分が、基板内部に凹む形状を示すとともに、チップ電極３に、その凹形状に圧着する突出電極４を配設する構成を採ることを特徴とするものである。
　【００５８】
　図１３に、この構造を持つ半導体装置１０の製造方法の一実施例を図示する。
　この実施例に従って、図１（ｂ）に図示した構造を持つ半導体装置１０を製造する場合には、先ず最初に、バンプボンダー装置２０を使って、ベアチップ部品１のチップ電極３に突出電極４を形成する。
　【００５９】
　この突出電極４の形成と並行して、ディスペンサ装置２１を使って、プリント基板２に接着剤を塗布する。
　このようにして、ベアチップ部品１のチップ電極３に突出電極４を形成するとともに、プリント基板２に接着剤を塗布すると、続いて、チップボンダー装置２３を使って、突出電極４と基板電極６の位置を正確に合わせつつ、ベアチップ部品１をプリント基板２に載置してから、基板電極６が凹むようになるまで、ベアチップ部品１に荷重を加えることでベアチップ部品１をプリント基板２に押し付け、その状態で加熱処理を行うことで、ベアチップ部品１とプリント基板２との間の接着剤を硬化させ、その後、荷重を開放することで図１（ｂ）に図示した構造を持つ半導体装置１０の製造を完了する。
　
ここで、基板電極６を一度に規定値まで凹ませるのではなくて、プリント基板２の弾性率が高いことでその凹み量を実現するのに大きな荷重が要求されることになるときには、接着剤に対する加熱処理時の低い温度のときに、ある程度凹ませ、接着剤の硬化開始前の高い温度のときに、温度上昇に伴ってプリント基板２の弾性率が低下することを利用して、最終的な凹み量が実現できるようにと凹ませるようにしてもよい。
　【００６０】
　このように、図１（ｂ）に図示した構造を持つ半導体装置１０は、導電ペーストを用いずに製造できるとともに、突出電極４のレベリングを行わなくても製造（行ってもよい）できることから、生産性よく製造できるようになる。
　【００６１】
　そして、ベアチップ部品１がプリント基板２から離れる方向に変位したとしても、プリント基板２の弾性により、突出電極４と接合する基板電極６の凹形状部分が元の形状に戻ろうとするので、突出電極４が基板電極６と隙間を持つことなく噛み合い、その結果、導電ペーストを使わなくても、チップ電極３と基板電極６との間の電気的接続が確実に確保される。
　【００６２】
　更に、ベアチップ部品１の熱膨張率とプリント基板２の熱膨張率との違いにより、ベアチップ部品１とプリント基板２との間に横ずれが生じたとしても、基板電極６の凹形状部分が突出電極４の動きを抑制するように作用するので、温度が変化しても、チップ電極３と基板電極６との間の電気的接続が確実に確保される。
　【００６３】
　しかも、突出電極４と基板電極６の接触面積が増大することから、チップ電極３と基板電極６との間の電気的接続が確実に確保される。
　この図１（ｂ）に図示した構造を持つ半導体装置１０は、プリント基板２の弾性も利用して、チップ電極３と基板電極６との間の電気的接続の確保を実現する構成を採っている。これから、プリント基板２としては、十分な弾性変形を示す材料で製造されているものを使用することが好ましい。材料は、ガラス転移温度以上になると塑性変形が大きくなることから、ガラス転移温度と接着剤の加熱硬化時に加わる温度との差の大きい材料、すなわち、高いガラス転移温度の材料で製造されているプリント基板２を用いることが好ましい。
　【００６４】
　なお、この実施例では、ワイヤボンディング技術により突出電極４を形成する構成を採ったが、メッキ技術や転写技術等のような別の技術を用いて突出電極４を形成する方法を採ることも可能である。また、突出電極４は、金バンプのような金属バンプに限られものではなく、樹脂バンプであってもよい。
　【００６５】
　図１４及び図１５に、図１（ｂ）に図示した構造を持つ半導体装置１０の製造方法の他の実施例を図示する。
　これらの実施例では、プリント基板２に塗布する接着剤の中に含まれる気泡を除去する処理工程を持っていることを特徴とする。接着剤に気泡が含まれていると、ベアチップ部品１とプリント基板２との間の接合力が弱くなるとともに、接着剤の塗布量のコントロールが難しくなるので、これらの実施例では、プリント基板２に塗布する接着剤の中に含まれる気泡を除去する処理工程を持つのである。
　【００６６】
　図１４に示す実施例では、図１３の実施例で実行する接着剤の塗布工程の前に、遠心真空脱泡装置２２を使って、プリント基板２に塗布する接着剤に含まれる気泡を除去する脱泡工程を持つことで、プリント基板２に塗布する接着剤に含まれる気泡を除去する構成を採っている。
　【００６７】
　一方、図１５に示す実施例では、図１４の実施例で実行する接着剤の塗布工程の後に、チップボンダー装置２３のステージ２３３の持つプリント基板２の加熱機構を使って、接着剤の塗布されたプリント基板２を一時的に加熱する加熱工程を持つことで、接着剤塗布の際に混入する気泡を除去する構成を採っている。
　【００６８】
　すなわち、図１６に示すように、プリント基板２の表面に凹凸があることで、接着剤をプリント基板２に塗布するときに、その凹凸に気泡が溜まることを考慮して、接着剤の塗布されたプリント基板２を一時的に加熱することで接着剤の粘性を下げ、これにより、その凹凸に溜まった気泡を取り除くように処理しているのである。
　【００６９】
　図１７に、図１（ｂ）に図示した構造を持つ半導体装置１０の製造方法の他の実施例を図示する。
　この実施例では、図１３の実施例で実行する接着剤の塗布工程の前に、プリント基板２の基板電極６の表面に凹凸を形成する表面処理工程を持つことで、突出電極４と基板電極６との間の電気的接続の信頼性を高める構成を採ることを特徴とする。
　【００７０】
　すなわち、図１８に示すように、基板電極６の表面の金メッキに数μｍ程度の凹凸を形成して、その凹凸に突出電極４の金バンプを噛み合わせることで、突出電極４と基板電極６との間の電気的接続の信頼性を高めたり、あるいは、基板電極６の表面が薄い場合若しくは金メッキされていない場合にも、基板電極６の表面に数μｍ程度の凹凸を形成して、その凹凸に突出電極４の金バンプ等を噛み合わせることで、突出電極４と基板電極６との間の電気的接続の信頼性を高める構成を採るのである。
　【００７１】
　この基板電極６の表面処理は、図１９（ａ）に示すように、チップボンダー装置２３のボンディングヘッド２３４に、表面に数μｍ程度の凹凸のあるＳＵＳ板やセラミック板を吸着させて、それをプリント基板２に押し付けることで実行したり、図１９（ｂ）に示すように、先端に数μｍ程度の凹凸を持つキャピラリー２０２をバンプボンダー装置２０に取り付けて、それを基板電極６に殴打していくことで実行したり、図２０（ａ）に示すように、チップボンダー装置２３のボンディングヘッド２３４に、数μｍ程度の高硬度の粒子を取り付けたＳＵＳ板を吸着させて、それをプリント基板２に押し付けることで実行したり、図２０（ｂ）に示すように、プリント基板２の表面に数μｍ程度の高硬度の粒子を散布し、その上から平坦なＳＵＳ板を取り付けたチップボンダー装置２３のボンディングヘッド２３４をプリント基板２に押し付けた後、溶剤等を使って散布した粒子を取り除くことで実行することになる。
　【００７２】
　次に、図１３等に示した製造方法で実行する接着剤の塗布処理について詳細に説明する。
　従来では、プリント基板２に接着剤を塗布する場合、ディスペンサ装置２１を使って、ベアチップ部品１の載置位置の中心部分に接着剤を塗布する構成を採っていた。しかしながら、このような塗布方法に従っていると、図２１に示すように、ベアチップ部品１の端点位置に接着剤が塗布されないという問題点があった。すなわち、中心位置に塗布された接着剤は、ベアチップ部品１の押し付けに応答して円状に広がっていくことで、ベアチップ部品１の端点位置に到達する前に部品外に飛び出していくことになるが、その飛び出し方向の流路抵抗がそれ以降小さくなることでその方向にのみ飛び出していくことになることから、ベアチップ部品１の端点位置に接着剤が塗布されないという問題点があった。
　【００７３】
　そこで、本発明では、図２２に示すように、ベアチップ部品載置位置の中心点と、ベアチップ部品載置位置の４つの端点と、その中心点とそれらの端点との間の４つの中間点とを塗布位置として設定するとともに、中心点より中間点の塗布量を減少させ、中間点より端点の塗布量を減少させていく形態でもって、それらの塗布位置に接着剤を塗布していく構成を採る。この構成を採ることで、図２３に示すように、気泡を巻き込まずにベアチップ部品載置位置の端点まで綺麗に接着剤が塗布されることになる。なお、中間点への接着剤塗布を省略することも可能であり、更に多くの中間点を塗布位置として設定することも可能である。
　【００７４】
　次に、図１３等に示した製造方法のマウント工程で実行する荷重印加処理について説明する。
　本発明では、ベアチップ部品１をプリント基板２に載置してから、基板電極６が凹むようになるまで、ベアチップ部品１に荷重を加えることでベアチップ部品１をプリント基板２に押し付け、その状態で加熱処理を行うことで、ベアチップ部品１とプリント基板２との間の接着剤を硬化させ、その後、荷重を開放することで図１（ｂ）に図示した構造を持つ半導体装置１０を製造する。このベアチップ部品１に対する荷重の印加は、正確に行う必要がある。
　【００７５】
　そこで、本発明では、予め、プリント基板２の種類毎に、基板電極６の持つ幅／長さに応じた荷重と基板電極６の凹み量（沈み込み量）との間の関係を測定して、この結果から、単位面積当たりの荷重と基板電極６の凹み量との相関関係を得ておく。そして、チップボンダー装置２３のオプティカルプローブ２３２を使って、処理対象となるプリント基板２の基板電極６の持つ幅／長さを測定して、その測定値と、予め求めておいた相関関係とから、ベアチップ部品１に印加する荷重を決定していくことで、基板電極６に応じた荷重処理を実行する構成を採っている。
　【００７６】
　この荷重印加処理により、プリント基板２のロットが異なることで、基板電極６の幅が変わる場合に、それに適合した荷重を印加することが可能になって、どのような場合にも、必要とされる基板電極６の凹み量を実現できるようになる。なお、処理対象となるプリント基板２の基板電極６の持つ幅／長さの測定は、複数点で行って平均値を求めていくことなどにより行う。この際、基板電極６の幅のバラツキが大きなものとなる端部と中央部を含めるのが好ましい。
　【００７７】
　更に、本発明では、ベアチップ部品１に荷重を加えるときに、接着剤に含まれる気泡を積極的に取り除くために、２段階の荷重印加処理を実行することがある。
　【００７８】
　すなわち、図２４に示すように、ベアチップ部品１に荷重を加える場合に、加熱による温度上昇が規定値に到達するまでの間は、ベアチップ部品１に対して小さな荷重を加え、温度値が規定値に到達した後からは、ベアチップ部品１に対して、必要とされる基板電極６の凹み量を実現する大きな荷重を加えるというように、最初は低荷重を加えその後大きな荷重を加えるという２段階の荷重印加処理を実行する構成を採ることがある。ここで、荷重の切り替えタイミングを時間を使って制御することも可能である。
　【００７９】
　この構成を採ると、最初は小さな荷重であるために、基板電極６の凹みがほとんど発生しない。そのときには、ベアチップ部品１とプリント基板２との間の隙間は大きく、しかも、温度上昇により接着剤の粘性が低下している。従って、接着剤に含まれる気泡が出やすい状態にある。その後、接着剤の硬化が開始する前までに、荷重を所定の大きさまで大きくすることで、必要とされる基板電極６の凹み量を実現する。このとき、出やすい状態にある気泡が、接着剤とともに押し出される形で取り除かれることになる。
　【００８０】
　更に、本発明では、ベアチップ部品１に印加する荷重が一定となるように制御する方法を採るのではなくて、基板電極６の凹み量を検出することでその凹み量が一定となるように制御する構成を採ることがある。
　【００８１】
　この基板電極６の凹み量は、チップボンダー装置２３のエンコーダ２３６を使って測定できることになるが、この場合、突出電極４のつぶれ量を考慮する必要がある。すなわち、チップボンダー装置２３のエンコーダ２３６で測定される凹み量には、突出電極４のつぶれ量が含まれているので、その測定した凹み量からそのつぶれ量を差し引いたものが、本来の基板電極６の凹み量となる。
　【００８２】
　そこで、本発明では、図２５に示すような、突出電極４にかかる荷重と、そのときの突出電極４の高さとの対応関係を得ておく構成を採って、ベアチップ部品１を吸着したボンディングヘッド２３４をプリント基板２に向かって押し下げていくとともに、ロードセル２３５でそのときの荷重を測定する。
　【００８３】
　そして、ロードセル２３５が荷重印加を感知した位置を原点として、更に、ボンディングヘッド２３４を押し下げていく。このとき、ロードセル２３５に加わる荷重をｆとするならば、図２５の対応関係に従って、突出電極４のつぶれ量はα（ｆ）として求まるので、基板電極６の凹み量は、エンコーダ２３６の出力値から、この突出電極５のつぶれ量α（ｆ）を差し引いた値として求まるので、このようにして求まる凹み量が、規定値となるまでボンディングヘッド２３４を押し下げていく。これにより、基板電極６の凹み量が一定となるように制御できることになる。
　【００８４】
　ここで、この構成では、基板電極６を凹ませるときに、同時に、突出電極４についても変形していく構成を採ったが、前もって、突出電極４がそれ以上変形しない荷重（図２５中のＦ１）を求めておいて、ベアチップ部品１の突出電極４にこの荷重値Ｆ１を印加することで、ベアチップ部品１をそれ以上変形しないようにしてからチップボンダー装置２３にセットしていくようにしてもよい。このようにすると、チップボンダー装置２３のエンコーダ２３６を見るだけで、基板電極６の凹み量が一定となるように制御できることになる。
　【００８５】
　また、この構成では、基板電極６を一度に規定値まで凹ませる構成を採ったが、プリント基板２の弾性率が高いことでその凹み量を実現するのに大きな荷重が要求されることになるときには、接着剤に対する加熱処理時の低い温度のときに、ある程度凹ませ、接着剤の硬化開始前の高い温度のときに、温度上昇に伴ってプリント基板２の弾性率が低下することを利用して、最終的な凹み量が実現できるようにと凹ませる構成を採ってもよい。この構成を採ると、上述したように、接着剤中に含まれる気泡を除去する効果も期待できる。
　【００８６】
　図示実施例に従って本発明を説明したが、本発明はこれに限られるものではな
い。
　【００８７】
　【発明の効果】
　以上説明したように、本発明により製造される半導体装置によれば、ベアチップ部品とプリント基板とをフェイスダウンで接合する構成を採るときにあって、導電ペーストを使用することなく製造できることから、高い生産性で製造できるようになるとともに、ベアチップ部品とプリント基板との電気的接続を確実なものにできることから、高い信頼性を実現できるようになる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　本発明により製造される半導体装置の説明図である。
　【図２】
　本発明により製造される半導体装置の説明図である。
　【図３】
　半導体装置の製造ラインの説明図である。
　【図４】
　バンプボンダー装置の説明図である。
　【図５】
　ディスペンサ装置の説明図である。
　【図６】
　遠心真空脱泡装置の説明図である。
　【図７】
　チップボンダー装置の説明図である。
　【図８】
　
本発明に関連する半導体装置の製造方法の説明図である。
　【図９】
　
本発明に関連する半導体装置の製造方法の説明図である。
　【図１０】
　導電性弾性体の説明図である。
　【図１１】
　
本発明に関連する半導体装置の製造方法の説明図である。
　【図１２】
　
本発明に関連する半導体装置の製造方法の説明図である。
　【図１３】
　本発明の一実施例である。
　【図１４】
　本発明の他の実施例である。
　【図１５】
　本発明の他の実施例である。
　【図１６】
　脱泡処理の説明図である。
　【図１７】
　本発明の他の実施例である。
　【図１８】
　表面処理の説明図である。
　【図１９】
　表面処理の説明図である。
　【図２０】
　表面処理の説明図である。
　【図２１】
　従来の接着剤塗布の説明図である。
　【図２２】
　本発明の接着剤塗布の説明図である。
　【図２３】
　本発明の接着剤塗布の説明図である。
　【図２４】
　本発明の荷重処理の説明図である。
　【図２５】
　突出電極の高さと荷重との対応関係図である。
　【図２６】
　半導体装置の構造図である。
　【図２７】
　従来技術の説明図である。
　【符号の説明】
　１　　ベアチップ部品
　２　　プリント基板
　３　　チップ電極
　４　　突出電極
　６　　基板電極
　７　　接着剤
　８　　導電性弾性体
　１０　半導体装置
【図面】