【事件の表示】
　特許第３２９１４５７号「半導体装置の製造方法及び液晶表示装置の製造方法」の請求項１ないし２４に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３２９１４５７号の請求項１ないし４に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
　本件特許第３２９１４５７号の請求項１乃至４に係る発明についての出願は、平成９年１０月１３日になされ、平成１４年３月２２日にその特許の設定登録がなされ、その後、広瀬祥次より請求項１乃至２４に係る発明について特許異議の申立てがなされ、平成１５年６月２０日付けで取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１５年９月１日に訂正請求がなされ、更に、平成１５年１０月２０日付けで訂正拒絶理由通知がなされ、その指定期間内である平成１５年１２月２５日に手続補正書が提出されたものである。
　
２．訂正の適否についての判断
（１）訂正請求に対する補正の適否について
　平成１５年１２月２５日付けの訂正請求に対する手続補正の要旨は、請求項３における「ランプを用いたＲＴＡ法にて基板の液晶を駆動するスイッチング素子を形成する液晶表示装置の製造方法において、前記ＲＴＡ法による前記基板の加熱処理前に、前記基板の搬送方向に順に設けられ、且つ前記搬送方向に順に加熱温度が高くなるような異なる加熱温度に設定された複数の予備加熱手段にて順次前記基板を段階的に昇温するように加熱することを特徴とする半導体装置の製造方法。」を「ランプを用いたＲＴＡ法にて基板上の液晶を駆動するスイッチング素子を形成する液晶表示装置の製造方法において、前記ＲＴＡ法による前記基板の加熱処理前に、前記基板の搬送方向に順に設けられ、且つ前記搬送方向に順に加熱温度が高くなるような異なる加熱温度に設定された複数の予備加熱手段にて順次前記基板を段階的に昇温するように加熱することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。」と補正するものである。
　そして、「基板の液晶」を「基板上の液晶」とするとともに、「特徴とする半導体装置の製造方法」を「特徴とする液晶表示装置の製造方法」とすることは、訂正拒絶理由通知で指摘した訂正事項ｅ及び訂正事項ｆの削除に相当する。
　また、「【００１４】請求項４に記載の液晶表示装置の製造方法は、請求項３に記載の液晶表示装置の製造方法において、更に前記ＲＴＡ法による前記基板の加熱処理後に、段階的に降温するように配置した複数の冷却基板にて順次前記基板を冷却するものである。」を、「【００１３】請求項４に記載の液晶表示装置の製造方法は、請求項３に記載の液晶表示装置の製造方法において、更に前記ＲＴＡ法による前記基板の加熱処理後に、段階的に降温するように配置した複数の冷却基板にて順次前記基板を冷却するものである。」とする補正は、誤記の訂正である。
　
　よって、訂正請求の補正は、訂正請求書の要旨を変更するものでなく、特許法第１２０条の４第３項で準用する特許法第１３１条第２項の規定に適合するから、以下補正された訂正請求書に基づいて検討する。
　
（２）訂正の内容　
　訂正事項ａ
　特許請求の範囲の請求項１の「ランプを用いたＲＴＡ法にて基板上に半導体素子を形成する半導体装置の製造方法において、前記ＲＴＡ法による前記基板の加熱処理前に、異なる加熱温度に設定された複数の予備加熱手段にて順次前記基板を段階的に昇温するように加熱することを特徴とする半導体装置の製造方法。」を、
「ランプを用いたＲＴＡ法にて基板上に半導体素子を形成する半導体装置の製造方法において、前記ＲＴＡ法による前記基板の加熱処理前に、前記基板の搬送方向に順に設けられ、且つ前記搬送方向に順に加熱温度が高くなるような異なる加熱温度に設定された複数の予備加熱手段にて順次前記基板を段階的に昇温するように加熱することを特徴とする半導体装置の製造方法。」と訂正する。
　訂正事項ｂ 
　特許請求の範囲の請求項２，請求項５，請求項７乃至２４を削除する。
　訂正事項ｃ
　特許請求の範囲の請求項３の「前記ＲＴＡ法による前記基板の加熱処理後に、段階的に降温するように配置した冷却手段にて順次前記基板を冷却することを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置の製造方法。」を、
「前記ＲＴＡ法による前記基板の加熱処理後に、段階的に降温するように配置した冷却手段にて順次前記基板を冷却することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。」と訂正する。
　訂正事項ｄ
　特許請求の範囲の請求項４の一部の「前記ＲＴＡ法による前記基板の加熱処理前に、異なる加熱温度に設定された複数の予備加熱手段にて順次前記基板を段階的に昇温するように加熱すること」を、
「前記ＲＴＡ法による前記基板の加熱処理前に、前記基板の搬送方向に順に設けられ、且つ前記搬送方向に順に加熱温度が高くなるような異なる加熱温度に設定された複数の予備加熱手段にて順次前記基板を段階的に昇温するように加熱すること」と訂正する。
　訂正事項ｇ
　特許請求の範囲の請求項６の「前記ＲＴＡ法による前記基板の加熱処理後に、段階的に降温するように配置した冷却手段にて順次前記基板を冷却することを特徴とする請求項４又は５に記載の液晶表示装置の製造方法。」を、
　「前記ＲＴＡ法による前記基板の加熱処理後に、段階的に降温するように配置した冷却手段にて順次前記基板を冷却することを特徴とする請求項３に記載の液晶表示装置の製造方法。」と訂正する。
　訂正事項ｈ
　特許請求の範囲の請求項３、４、６を、それぞれ請求項２、３、４に繰り上げる。
　訂正事項ｉ
　明細書の第１１段落の「【課題を解決するための手段】請求項１に記載の半導体装置の製造方法は、ランプを用いたＲＴＡ法にて基板上に半導体素子を形成する半導体装置の製造方法において、前記ＲＴＡ法による前記基板の加熱処理前に、段階的に昇温するように配置した複数の予備加熱基板にて順次前記基板を予備加熱するものである。」を、
　「【課題を解決するための手段】請求項１に記載の半導体装置の製造方法は、ランプを用いたＲＴＡ法にて基板上に半導体素子を形成する半導体装置の製造方法において、前記ＲＴＡ法による前記基板の加熱処理前に、前記基板の搬送方向に順に設けられ、且つ前記搬送方向に順に加熱温度が高くなるような異なる加熱温度に設定された複数の予備加熱手段にて順次前記基板を段階的に昇温するように加熱するものである。」と訂正する。
　訂正事項ｊ
　明細書の第１２段落の「請求項２に記載の半導体装置の製造方法は、請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、更に前記ＲＴＡ法による前記基板の加熱処理後に、段階的に降温するように配置した複数の冷却基板にて順次前記基板を冷却するものである。
　請求項３に記載の液晶表示装置の製造方法は、ランプを用いたＲＴＡ法にて基板上に液晶を駆動するスイッチング素子を形成する液晶表示装置の製造方法において、前記ＲＴＡ法による前記基板の加熱処理前に、段階的に昇温するように配置した複数の予備加熱基板にて順次前記基板を予備加熱するものである。」を、
「請求項２に記載の半導体装置の製造方法は、請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、更に前記ＲＴＡ法による前記基板の加熱処理後に、段階的に降温するように配置した複数の冷却基板にて順次前記基板を冷却するものである。
　請求項３に記載の液晶表示装置の製造方法は、ランプを用いたＲＴＡ法にて基板上に液晶を駆動するスイッチング素子を形成する液晶表示装置の製造方法において、前記ＲＴＡ法による前記基板の加熱処理前に、前記基板の搬送方向に順に設けられ、且つ前記搬送方向に順に加熱温度が高くなるような異なる加熱温度に設定された複数の予備加熱手段にて順次前記基板を段階的に昇温するように加熱するものである。」と訂正する。
　
（３）訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否について
　訂正事項ａについて
　訂正事項ａは、請求項１において、「異なる温度に設定された複数の予備加熱手段」に「前記基板の搬送方向に順に設けられ、且つ前記搬送方向に順に加熱温度が高くなるような」との技術的限定を付したものであるところ、明細書の第２６段落には、「基板１は、同図右から左に向かってローラー３０３により、搬送速度１５ｍｍ／ｓｅｃで搬送される。また基板１は予め基板を加熱する第１、第２及び第３のプレヒート（予備加熱）基板３０４、３０５、３０６によって順次加熱される。これらの各プレヒート基板３０４、３０５、３０６は、基板１の熱歪みによるひび割れが発生しないようにするために、順にプレヒート基板温度が高くなるように設定してある。」と記載されており、「搬送方向」なる技術用語は記載されていないものの、複数の予備加熱手段が、基板の搬送される方向に順に設けられるとともに、搬送される方向に「順にプレヒート基板温度が高くなるように設定」することが記載されているので、「前記基板の搬送方向に順に設けられ、且つ前記搬送方向に順に加熱温度が高くなるような」異なる加熱温度に設定された複数の予備加熱手段を備えたものとすることは、発明特定事項を限定したものと認められ、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　訂正事項ｂについて
　訂正事項ｂは、請求項を削除する訂正であり、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　訂正事項ｃについて
　訂正事項ｃは、請求項２の削除に伴い、引用すべき請求項が請求項１のみとなったことによる訂正であって、明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
　訂正事項ｄについて
　訂正事項ｄは、請求項４において、「異なる加熱温度に設定された複数の予備加熱手段」を、「前記基板の搬送方向に順に設けられ、且つ前記搬送方向に順に加熱温度が高くなるような異なる加熱温度に設定された複数の予備加熱手段」と技術的に限定するものであるところ、訂正前の明細書の第２６段落には、「基板１は、同図右から左に向かってローラー３０３により、搬送速度１５ｍｍ／ｓｅｃで搬送される。また基板１は予め基板を加熱する第１、第２及び第３のプレヒート（予備加熱）基板３０４、３０５、３０６によって順次加熱される。これらの各プレヒート基板３０４、３０５、３０６は、基板１の熱歪みによるひび割れが発生しないようにするために、順にプレヒート基板温度が高くなるように設定してある。」と記載されており、「搬送方向」なる技術用語は記載されていないものの、複数の予備加熱手段が、基板の搬送させる方向に順に設けられるとともに、搬送される方向に「順にプレヒート基板温度が高くなるように設定」することが記載されているので、「前記基板の搬送方向に順に設けられ、且つ前記搬送方向に順に加熱温度が高くなるような」異なる加熱温度に設定された複数の予備加熱手段を備えたものは発明特定事項を限定したものと認められ、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。　
　訂正事項ｇについて
　訂正事項ｇは、請求項４の削除に伴い、引用すべき請求項が訂正後においては、一つの請求項のみとなったことによる訂正であって、明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
　訂正事項ｈ
　訂正事項ｈは、請求項２及び請求項４の削除に伴い、請求項を繰り上げるものであり、明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
　訂正事項ｉについて
　訂正事項ｉは、明細書の第１１段落において、請求項１に係る発明についての訂正に対応して、「前記基板の搬送方向に順に設けられ、且つ前記搬送方向に順に加熱温度が高くなるような」なる記載を追加するものであって、明細書の明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
　訂正事項ｊについて
　訂正事項ｊは、明細書の第１２段落において、請求項４に係る発明についての訂正に対応して、「前記基板の搬送方向に順に設けられ、且つ前記搬送方向に順に加熱温度が高くなるような」なる記載を追加するものであって、明細書の明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
　
　よって、訂正事項ａ乃至ｄ、及びｇ乃至ｊは、特許請求の範囲の減縮、誤記の訂正又は明りょうでない記載の釈明を目的とするものであって、特許法第１２０条の４第２項第１号乃至第３号のいずれかの規定に適合するものであると共に、上記各訂正事項は願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内のものであって、かつ、実質上特許請求の範囲を拡張又は変更するものでもない。
　　
（４）むすび
　以上のとおりであるから、本件訂正請求は、特許法第１２０条の４第２項及び第３項で準用する特許法第１２６条第２項から第４項までの規定に適合するから、本件訂正請求を認める。　
　
３．特許異議申立について
（３−１）特許異議申立ての概要
　特許異議申立人は、証拠として以下の甲第１号証乃至甲第３号証を提出し、訂正前の請求項１乃至２４に係る発明は、甲第１号証乃至第第３号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、訂正前の請求項１乃至２４に係る発明についての特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであるから、これらを取り消すべき旨主張する。
　
（１）甲第１号証：K.Hirano,et.al:　”Low Temperature Activation method of Poly-Si films using Rapid Thermal Annealing,” IS＆T and SPIE, 10-11, Feb. 1997
（２）甲第２号証：Y.Morimoto, et. al:”A 2.4-in. Driver-Integrated Full-Color Quarter VGA(320×3×240) Poly-Si TFT LCD by a Novel Low Temperature Proccess Using a Combination of ELA  and RTA Technology、”IEDM 95-837, pp.33.5.1-33.5.4
（３）甲第３号証：特開平９−５１１００号公報
　
（３−２）本件発明
　本件特許第３２９１４５７号の請求項１乃至４に係る発明は、上記のとおり訂正が認められたから、平成１５年９月１日付けの訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１乃至４に記載された以下のとおりのもの（以下「本件発明１」乃至「本件発明４」という。）である。（２．訂正の適否についての判断、（２）訂正の内容、訂正事項ａ乃至訂正事項ｄ及び、訂正事項ｇ乃至訂正事項ｊ参照）
　
【請求項１】ランプを用いたＲＴＡ法にて基板上に半導体素子を形成する半導体装置の製造方法において、前記ＲＴＡ法による前記基板の加熱処理前に、前記基板の搬送方向に順に設けられ、且つ前記搬送方向に順に加熱温度が高くなるような異なる加熱温度に設定された複数の予備加熱手段にて順次前記基板を段階的に昇温するように加熱することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】前記ＲＴＡ法による前記基板の加熱処理後に、段階的に降温するように配置した冷却手段にて順次前記基板を冷却することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】ランプを用いたＲＴＡ法にて基板上の液晶を駆動するスイッチング素子を形成する液晶表示装置の製造方法において、前記ＲＴＡ法による前記基板の加熱処理前に、前記基板の搬送方向に順に設けられ、且つ前記搬送方向に順に加熱温度が高くなるような異なる加熱温度に設定された複数の予備加熱手段にて順次前記基板を段階的に昇温するように加熱することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項４】前記ＲＴＡ法による前記基板の加熱処理後に、段階的に降温するように配置した冷却手段にて順次前記基板を冷却することを特徴とする請求項３に記載の液晶表示装置の製造方法。
　
（３−３）各刊行物の記載事項
（１）甲第１号証：K.Hirano,et.al:　”Low Temperature Activation method of Poly-Si films using Rapid Thermal Annealing,” IS＆T and SPIE, 10-11, Feb. 1997
　本願の出願日前である１９９７年２月に米国で頒布された甲第１号証には、以下の事項が記載されている。
・「６００℃以下の低温プロセスを利用した多結晶シリコン薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）は、集積された駆動回路を備えた低価格で高性能の液晶表示装置（ＬＣＤ）を実現するために積極的に開発が進められている。」（１/８頁本文第１０〜１２行）　（注）１/８等の頁数は異議申立人が付したものである。
・「複数のアモルファスシリコン膜（厚さ：５０ｎｍ）を、成長温度５８０℃で減圧化学気相成長（ＬＰＣＶＤ）法を用いてＳｉＯ２バッファ層と共に・・・ガラス基板に形成した。アモルファスシリコン膜は・・・エキシマレーザアニール法で結晶化させた。リンイオンドーピングを・・・行った。」（１/８頁本文第２３〜２６行）
・「図１は、この実験で用いたＲＴＡ装置の構成を示す。この装置はリフレクタにより光を焦点に集める２つのキセノンアークランプと、複数の予備加熱プレートにより主に構成されている。リフレクタは、アニールの効果を増大させるためにガラス基板の表面に焦点を持っていた。これらの予備加熱プレートは、ＲＴＡプロセス中にガラス基板における熱的ひずみの広がりを抑制した。・・・複数のトップゲート構造のｎチャネル多結晶シリコンＴＦＴが、イオン注入とＲＴＡ法を組み合わせた新規なプロセスを用いて製造された。」（２/８頁第３〜９行）
・図１には、複数の予備加熱プレート（pre-heating　plates）に相当する予備加熱手段（preheater）と、１対のアークランプ及び１対のリフレクタと、冷却手段（postcooler）と、予備加熱手段と冷却手段のそれぞれに１対のローラー（roller）を備えた、ガラス基板の熱処理のためのＲＴＡ装置の構造が記載されている。（２/８頁１図）
・「ソース及びドレイン領域のためのイオン注入をした後に、不純物をＲＴＡ法により活性化させた。」（３/８頁第１〜２行）
　  
（２）甲第２号証：Y.Morimoto, et. al:”A 2.4-in. Driver-Integrated Full-Color Quarter VGA(320×3×240) Poly-Si TFT LCD by a Novel Low Temperature Proccess Using a Combination of ELA  and RTA Technology、”IEDM 95-837, pp.33.5.1-33.5.4
　また、本願の出願日前である１９９５年に米国で頒布された甲第２号証には、以下の事項が記載されている。
・「ＴＦＴ構造は、従来のトップゲート型である。新しく開発された製造プロセスが図１に示されている。」（ｐ３３．５．１．左欄第２９〜３０行）
・「ソース及びドレイン領域形成のためのイオン注入の後、ＲＴＡを、ソース及びドレイン領域における不純物を活性化させ、同時に、ＷＳｉ２ポリサイド膜からシリサイド膜を形成するために行った。
　この処理には、・・・キセノンアークランプと・・・ランプ放射エネルギを焦点に集めるためのレフレクタ・・・を備えたＲＴＡシステムを用いた。基板は、熱衝撃を防ぐために予備加熱ゾーンで、温度を徐々にあげられ、アークランプの下でのスキャンによってプロセス温度まで加熱される。」（ｐ３３．５．２．左欄第２行〜同欄第１２行）
　　　
（３）甲第３号証：特開平９−５１１００号公報
　本願の出願日前である平成９年２月１８日に国内で頒布された甲第３号証には、以下の事項が記載されている。
・「アクティブマトリクス方式ＬＣＤの画素駆動用素子（画素駆動用トランジスタ）として、透明絶縁基板上に形成された多結晶シリコン膜を能動層に用いた薄膜トランジスタ・・・の開発が進められている。」（明細書０００２）
・「工程１０（図１０参照）：この状態で、ＲＴＡ（Rapid　Thermal　Annealing）法による急速加熱を行う。即ち、図１５において、１０５はシート状のアニール光を発する光源であり、キセノン（Ｘｅ）アークランプ１０６とそれを包む反射鏡１０７を１組として、これを上下に相対向させることにより構成している。１０８、１０８は基板１を搬送するためのローラー、１０９は予熱用のプリヒーター、１１０は加熱後の基板が急激に冷却されてひび割れしないようにするための補助ヒーターである。」（明細書００３１）
 　
（３−４）対比判断
　本件発明１について
　本件発明１と甲第１号証乃至甲第３号証に記載の発明とを対比すると、甲第１号証乃至甲第３号証には、本件発明１の発明を特定するために必要と認める事項である、 ランプを用いたＲＴＡ法にて基板上に半導体素子を形成する半導体装置の製造方法において、「前記基板の搬送方向に順に設けられ、且つ前記搬送方向に順に加熱温度が高くなるような異なる加熱温度に設定された複数の予備加熱手段にて順次前記基板を段階的に昇温するように加熱する」工程について記載も示唆もされていない。
　そして、本件発明は、上記の工程を備えることにより、
「ＲＴＡを施す急激な基板温度の変化による基板の熱歪みによる割れの発生を抑制することができるとともに、スループットの向上が図れる。」という明細書記載の効果（段落００６０参照）を奏するものである。
　したがって、本件発明１が、甲第１号証乃至甲第３号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであると認めることはできない。
　
　本件発明２について
　本件発明２は、本件発明１の構成を前提とするものであるから、本件発明１の場合と同様の理由により、本件発明２が、甲第１号証乃至甲第３号証に記載された発明から当業者が容易に発明をすることができたものとすることができない。
　
　本件発明３について
　本件発明３と甲第１号証乃至甲第３号証に記載の発明とを対比すると、甲第１号証乃至甲第３号証には、本件発明３の発明を特定するために必要と認める事項である、ランプを用いたＲＴＡ法にて基板上の液晶を駆動するスイッチング素子を形成する液晶表示装置の製造方法において、「前記基板の搬送方向に順に設けられ、且つ前記搬送方向に順に加熱温度が高くなるような異なる加熱温度に設定された複数の予備加熱手段にて順次前記基板を段階的に昇温するように加熱する」工程について記載も示唆もされていない。
　そして、本件発明は、上記の工程を備えることにより、
「基板の熱歪みによる割れの発生を抑制することができるとともに、スループットの向上が図れる。」という明細書記載の効果（段落００６１参照）を奏するものである。
　したがって、本件発明３が、甲第１号証乃至甲第３号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであると認めることはできない。
　　
　本件発明４について
　本件発明４は、本件発明３の構成を前提とするものであるから、本件発明１の場合と同様の理由により、本件発明２が、甲第１号証乃至甲第３号証に記載された発明から当業者が容易に発明をすることができたものとすることができない。　
　
４．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議の申立ての理由及び証拠によっては、本件請求項１〜４に係る発明についての特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件請求項１〜４に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。 　　
【異議決定日】
平成１６年３月１５日（２００４．３．１５）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
半導体装置の製造方法及び液晶表示装置の製造方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　ランプを用いたＲＴＡ法にて基板上に半導体素子を形成する半導体装置の製造方法において、前記ＲＴＡ法による前記基板の加熱処理前に、
前記基板の搬送方向に順に設けられ、且つ前記搬送方向に順に加熱温度が高くなるような異なる加熱温度に設定され
　【請求項
２
１
　【請求項３】　ランプを用いたＲＴＡ法にて基板
上
前記基板の搬送方向に順に設けられ、且つ前記搬送方向に順に加熱温度が高くなるような異なる加熱温度に設定され
液晶表示
　【請求項
４
３
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の属する技術分野】
　本発明は、基板上に半導体素子を備えた半導体装置の製造方法、及び液晶を駆動するスイッチング素子を備えた液晶表示装置の製造方法に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　近年、アクティブマトリクス方式ＬＣＤ（Ｌｉｑｕｉｄ　Ｃｒｙｓｔａｌ　Ｄｉｓｐｌａｙ：液晶表示装置）の画素駆動素子として透明絶縁基板上に形成されたｐ−Ｓｉ膜を能動層として用いた薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ　Ｆｉｌｍ　Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ、以下、「ＴＦＴ」と称する。）の開発が進められている。
　【０００３】
　多結晶シリコン（Ｐｏｌｙ　Ｓｉｌｉｃｏｎ　Ｔｈｉｎ　Ｆｉｌｍ：以下、「ｐ−Ｓｉ」と称する。）ＴＦＴは、非晶質シリコン（Ａｍｏｒｐｈｏｕｓ　Ｓｉｌｉｃｏｎ：以下、「ａ−Ｓｉ」と称する。）膜を能動層としたａ−ＳｉＴＦＴに比べ、電界移動度が大きく駆動能力が高いという利点を有するため、ｐ−ＳｉＴＦＴを用いれば高性能のＬＣＤを実現できる上に、画素部だけでなく周辺駆動回路までを同一基板上に一体に形成することができる。
　【０００４】
　このようなｐ−ＳｉＴＦＴにおいて、能動層としてのｐ−Ｓｉ膜にソース領域及びドレイン領域を形成するために、両領域にイオン注入を行った後にその活性化のために熱処理を行っている。
　図１３に従来のソース領域及びドレイン領域のイオン注入後の活性化工程の工程断面図を示す。
　【０００５】
　工程Ａ（図１３（ａ））：絶縁基板１上に、高融点金属からなるゲート電極２を形成し、そのゲート電極２の上に、絶縁性薄膜３、４及びａ−Ｓｉ膜を形成する。そのａ−Ｓｉ膜をレーザにて溶融再結晶化することにより、ｐ−Ｓｉ膜６を形成する。次いでそのｐ−Ｓｉ膜６の上に、ＳｉＯ２膜を全面に形成し、ホトリソ技術及びドライエッチング技術によりストッパ７を形成する。そのストッパ７をマスクとして、前記ｐ−Ｓｉ膜６にイオン注入を行う。そうすることにより、ｐ−Ｓｉ膜６にソース領域６ｓ及びドレイン領域６ｄを形成する。
　【０００６】
　この後に、注入したイオンを活性化させるために加熱処理を施す。加熱処理には、ＲＴＡ法や、加熱炉による加熱法等がある。ＲＴＡ（Ｒａｐｉｄ　Ｔｈｅｒｍａｌ　Ａｎｎｅａｌｉｎｇ：短時間アニール）法は、ランプを用いたランプＲＴＡ法と、レーザ法、例えばエキシマレーザを用いたＥＬＡ（Ｅｘｃｉｍｅｒ　Ｌａｓｅｒ　Ａｎｎｅａｌｉｎｇ：エキシマレーザアニール）法とがある。
　【０００７】
　ＥＬＡ法ではレーザ光のビームサイズが０．５ｍｍ×１５０ｍｍ程度と比較的小さいためスループットが小さい。また、発振波長が短いため、ゲート電極材料にも吸収されやすく、また発振パルスの時間幅が１０〜３０ｎｓと比較的短いため膜の昇温されている時間が極めて短いので充分な活性化ができない。十分な活性化を行うためには、ｐ−Ｓｉ膜を昇温する必要があることから、ゲート電極の材料、サイズ及びパターン密度の影響を受けやすく、特にトップゲート型構造の場合には、ゲート電極を溶かしたりアブレーションにより飛ばしてしまう可能性がある。
　【０００８】
　また、ランプを用いたＲＴＡ法を用いた場合には、発光波長が比較的ブロードであるキセノンアークランプのランプ光を幅１０ｍｍ×長さ４００ｍｍ以上の大きなビームにて用いていることから、材料による光の吸収効率の差が出にくく、また照射時間が比較的長いためＥＬＡほどｐ−Ｓｉ膜を昇温する必要がない。このため、スループットが高く且つゲート電極構造の影響を受けにくい。
　【０００９】
　しかしながら、ＲＴＡ法を用いて半導体層の活性化を行う場合、照射ビームのサイズが大きく照射時間も長いことから、半導体層を形成したガラス基板の温度も非常に高くなるため、ランプの出力を大きくしすぎると光照射部分の基板温度が高くなり、照射部分以外との温度差が大きくなりすぎて熱歪みによる基板割れが生じるという欠点があった。
　【００１０】
　【発明が解決しようとする課題】
　そこで本発明は、上記の従来の欠点に鑑みて為されたものであり、熱歪みによる基板割れを防止するとともに、スループットが高い半導体装置の製造方法及び液晶表示装置の製造方法を提供することを課題とする。
　【００１１】
　【課題を解決するための手段】
　請求項１に記載の半導体装置の製造方法は、ランプを用いたＲＴＡ法にて基板上に半導体素子を形成する半導体装置の製造方法において、前記ＲＴＡ法による前記基板の加熱処理前に、
前記基板の搬送方向に順に設けられ、且つ前記搬送方向に順に加熱温度が高くなるような異なる加熱温度に設定された数の予備加熱手段にて順次前記基板を段階的に昇温するように加熱
　【００１２】
　請求項２に記載の半導体装置の製造方法は、請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、更に前記ＲＴＡ法による前記基板の加熱処理後に、段階的に降温するように配置した複数の冷却基板にて順次前記基板を冷却するものである。
　請求項３に記載の液晶表示装置の製造方法は、ランプを用いたＲＴＡ法にて基板上に液晶を駆動するスイッチング素子を形成する液晶表示装置の製造方法において、前記ＲＴＡ法による前記基板の加熱処理前に、
前記基板の搬送方向に順に設けられ、且つ前記搬送方向に順に加熱温度が高くなるような異なる加熱温度に設定された複数の予備加熱手段にて順次前記基板を段階的に昇温するように加熱
　【００１
３
　請求項４に記載の液晶表示装置の製造方法は、請求項３に記載の液晶表示装置の製造方法において、更に前記ＲＴＡ法による前記基板の加熱処理後に、段階的に降温するように配置した複数の冷却基板にて順次前記基板を冷却するものである。
　【００１４】
　【発明の実施の形態】
＜第１の実施の形態＞
　本発明の半導体装置の製造方法及び液晶表示装置の製造方法について以下に説明する。
　図１乃至図３に本発明の半導体装置の製造方法の製造工程断面図を示す。
　【００１５】
　工程１（図１（ａ））：石英ガラス、無アルカリガラス等からなる絶縁基板１上に、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）などの高融点金属からなる金属膜２をスパッタ法を用いて１５００Å形成し、ホトリソグラフィ技術及びＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ　Ｉｏｎ　Ｅｔｃｈｉｎｇ：活性化イオンエッチング）法によるドライエッチング技術を用いて所定形状に加工して、ゲート電極２を形成する。
　【００１６】
　工程２（図１（ｂ））：そのゲート電極２の上に、絶縁性薄膜としてＳｉＯ２膜３及びＳｉＮ膜４をこの順に常圧ＣＶＤ法または減圧ＣＶＤ法を用いて形成温度３５０℃で、それぞれ膜厚１３００、５００Å形成する。その絶縁性薄膜の上に、減圧ＣＶＤ法にてモノシランガスを熱分解して５５０℃以下の温度でａ−Ｓｉ膜５を４００Å形成する。
　【００１７】
　工程３（図１（ａ））：前記ａ−Ｓｉ膜５の表面にＫｒＦエキシマレーザビームを走査しながら照射してアニール処理を行って、ａ−Ｓｉ膜５を溶融再結晶化することにより、ｐ−Ｓｉ膜６を形成する。
　このときのレーザー照射条件は、アニール雰囲気：１Ｅ（−４）Ｐａ以下、基板温度：室温乃至６００℃、照射エネルギー密度：１００乃至５００ｍＪ／ｃｍ２、走査速度：１乃至１０ｍｍ／ｓｅｃ（実際には、０．１乃至１００ｍｍ／ｓｅｃの範囲の走査速度の設定が可能）である。
　【００１８】
　レーザービームとしては、波長λ＝３０８ｎｍのＸｅＣｌエキシマレーザーを使用してもよく、また、波長λ＝１９３ｎｍのＡｒＦエキシマレーザーを使用してもよい。このときのレーザー照射条件は、いずれもアニール雰囲気：１Ｅ（−４）Ｐａ以下、基板温度：室温乃至６００℃、照射エネルギー密度：１００乃至５００ｍＪ／ｃｍ２、走査速度：１乃至１０ｍｍ／ｓｅｃ（実際には、０．１乃至１００ｍｍ／ｓｅｃの範囲の走査速度の設定が可能）である。
　【００１９】
　上述のいずれのレーザービームを用いても、照射エネルギー密度及び照射回数に比例して、ｐ−Ｓｉの粒径は大きくなるので、所望の大きさの粒径が得られるように、エネルギー密度を調整すればよい。
　本実施例では、エキシマレーザアニールに、高スループットレーザ照射法を用いた。
　【００２０】
　図５において、２０１はＫｒＦエキシマレーザ、２０２はこのレーザ２０１からのレーザビームを反射する反射鏡、２０３は反射鏡２０１からのレーザビームを所定の状態に加工し、基板に照射するレーザビーム制御光学系である。
　このような構成において、高スループットレーザ照射法とは、レーザビーム制御光学系２０３によってシート状（１５０ｍｍ×０．５ｍｍ）に加工されたレーザビームを、複数パルスの重ね合わせにより照射する方法で、ステージ走査とパルスレーザ照射を完全に同期させ、きわめて高精度な重複でレーザを照射することによりスループットを高めるものである。
　【００２１】
　工程４（図１（ｄ））：前記ｐ−Ｓｉ膜６の上に、ＣＶＤ法にて、ＳｉＯ２膜７を全面に形成し、その上にレジスト膜８を全面に形成した後、前記絶縁基板１側（図１（ｄ）において、図の下方向）から露光する、いわゆるセルフアラインの背面露光によって前記ゲート電極２によって遮光される部分にのみレジスト膜８を残す。
　【００２２】
　工程５（図２（ｅ））：そして、ＲＩＥ法によるドライエッチング技術により、レジスト膜８で覆っていない領域のＳｉＯ２膜７を除去して、ＳｉＯ２によるストッパ９を形成する。このストッパ９は、後のＬＤＤ構造を形成する際のイオンドーピングによるイオンを遮蔽するためのマスクとして機能する。
　そのストッパ９をマスクとして、前記ｐ−Ｓｉ膜６に対してＰ型またはＮ型のイオンを注入する。
　【００２３】
　即ち、形成すべきＴＦＴのタイプに応じて、ストッパ９に覆われていないｐ−Ｓｉ膜６にＰ型またはＮ型のイオンを注入する。
　Ｐチャネル型のＴＦＴを形成する場合には、ボロン（Ｂ）等のＰ型イオンを注入し、Ｎチャネル型のＴＦＴを形成する場合には、リン（Ｐ）等のＮ型イオンを注入する。これにより、能動層であるｐ−Ｓｉ膜６のストッパ９で覆われた部分がチャネル領域６ｃとなり、その両側の部分がソース領域６ｓ及びドレイン領域６ｄとなる。
　【００２４】
　工程６（図２（ｆ））：ソース領域６ｓ及びドレイン領域６ｄが形成されたｐ−Ｓｉ膜６にランプを用いたＲＴＡ法による急速アニールを行う。
　基板のＲＴＡ法によるアニールにより、ソース領域６ｓ及びドレイン領域６ｄ内の不純物イオンが活性化される。そして、ストッパ９及びゲート電極２の両側に所定の幅を残してｐ−Ｓｉ膜６を島状にパターニングし、各ＴＦＴを分離独立させる。このとき、周辺領域のｐ−Ｓｉ膜６及びＳｉＯ２膜１０も同時に除去する。
　【００２５】
　ランプを用いたＲＴＡ法による急速あにーるについて説明する。
　図６に本発明のランプを用いたＲＴＡ法による急速アニール装置を示す。
　同図に示す如く、シート状の光を発する光源は、キセノン（Ｘｅ）アークランプ３０１とそれを覆って設けられた反射鏡３０２を備えたものを１組として、これを上下に相対向して設けられている。
　【００２６】
　基板１は、同図右から左に向かってローラー３０３により、搬送速度１５ｍｍ／ｓｅｃで搬送される。また基板１は予め基板を加熱する第１、第２及び第３のプレヒート（予備加熱）基板３０４、３０５、３０６によって順次加熱される。これらの各プレヒート基板３０４、３０５、３０６は、基板１の熱歪みによるひび割れが発生しないようにするために、順にプレヒート基板温度が高くなるように設定してある。これらの各プレヒート基板の温度は、基板１に歪みが入ったり割れたりしない温度に設定すればよい。具体的には、本実施例においては、第１のプレヒート基板３０４が４００℃、第２のプレヒート基板３０５が４８０℃、第３のプレヒート基板３０６が５８０℃に設定してある。
　【００２７】
　第３のプレヒート基板３０６を通過した後、前記キセノンアークランプ（幅１０ｍｍ×長さ４００ｍｍ）３０１により急速アニールが行われる。
　このときのＲＴＡ法による加熱条件は、光源：Ｘｅアークランプ、雰囲気：Ｎ２、加熱時間：０．５乃至１秒で、加熱温度は６５０℃である。
　ＲＴＡを施した後に、図中において更に右に搬送された基板１は、急速加熱後の急激な基板の冷却によるひび割れが発生しないようにするための補助ヒート基板３０７で一旦５８０℃まで降温した後に自然冷却される。もちろん、上述の如く、ＲＴＡを施す前と同様にＲＴＡを施した後も、段階的に温度を低くした冷却基板３０７、３０８、３０９を複数設けてＲＴＡを施した基板を搬送ローラー３０３で順に搬送して冷却することも可能である。具体的には、ＲＴＡを施した直後の第１の冷却基板３０７の温度が５８０℃、次の第２の冷却基板３０８が４８０℃、更に次の第３の冷却基板３０９の温度を４００℃に設定してもよい。
　【００２８】
　工程７（図２（ｇ））：ｐ−Ｓｉ膜６上にＳｉＯ２膜１０及び窒化シリコン（ＳｉＮ）膜１１をＣＶＤ法を用いて積層し、ＳｉＯ２膜１０及びＳｉＮ膜１１の２層からなる層間絶縁膜１２を形成する。ＳｉＯ２膜１０の厚みは５００Å、ＳｉＮ膜１１の厚みは３０００Åである。ＳｉＯ２膜１０及びＳｉＮ膜１１を形成した後、窒素雰囲気中で１時間、４００℃で加熱し、ＳｉＮ膜１１内に含まれる水素イオンをｐ−Ｓｉ膜６へ導入する。これにより、ｐ−Ｓｉ膜６内の結晶欠陥が水素イオンで埋められる。
　【００２９】
　工程８（図２（ｈ））：前記ソース領域６ｓ及びドレイン領域６ｄに対応した位置に層間絶縁膜１２を貫通する第１のコンタクトホール１３を前記ｐ−Ｓｉ層６に到達するように形成し、この第１のコンタクトホール１３部分に、アルミニウム等の金属からなるソース電極１４ｓ及びドレイン電極１４ｄを形成する。このソース電極１４ｓ及びドレイン電極１４ｄの形成は、例えば、第１のコンタクトホール１３が形成されたＳｉＮ膜１１上にスパッタリングしたアルミニウムをパターニングすることで形成される。
　【００３０】
　こうして、半導体素子であるｐ−ＳｉＴＦＴが形成される。
　以下に、このｐ−ＳｉＴＦＴを用いた液晶表示装置について説明する。
　図３に、液晶表示装置の製造方法を説明する製造工程図を示す。
　上述の工程８までの工程によって作製されたｐ−ＳｉＴＦＴに更に以下の工程を加えることにより液晶表示装置を作製する。
　【００３１】
　工程９（図３（ｉ））：ソース電極１４ｓ及びドレイン電極１４ｄが形成された層間絶縁膜１２及び各電極上に平坦化膜１５を形成して表面を平坦化する。この平坦化膜１５は、アクリル樹脂溶液を塗布し、焼成してアクリル樹脂層２６を形成してなっており、このアクリル樹脂層は、ストッパ９やソース電極１４ｓ、ドレイン電極１４ｄによる凹凸を埋めて表面を平坦化することができる。
　【００３２】
　さらに、ソース電極１４ｓ上に前記平坦化膜１５であるアクリル樹脂層を貫通する第２のコンタクトホール１６を形成し、この第２のコンタクトホール１６部分に、ソース電極１４ｓに接続されてアクリル樹脂層上に広がる表示電極１７を形成する。この表示電極１７は、第２のコンタクトホール１６が形成された平坦化膜１５上に透明導電膜、例えばＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｈｉｎ　Ｏｘｉｄｅ：酸化インジウム錫）を積層し、そして、その透明導電膜上にレジスト膜を塗布した後、所定の電極パターンを形成し、エッチングガスとして、ＨＢｒガス及びＣｌ２を用いてドライエッチング法、例えばＲＩＥ法によって露出した透明導電膜をエッチングすることにより形成される。
　【００３３】
　工程１０（図３（ｊ））：表示電極１７及び平坦化膜１５上に、ポリイミド、ＳｉＯ２等からなり、液晶を配向させる配向膜１８を、印刷法またはスピンナー法にて形成する。
　こうして、液晶を駆動させるＴＦＴをスイッチング素子とした液晶表示装置の片側のＴＦＴ基板が完成する。
　【００３４】
　次に、図４に液晶表示装置の一部断面図を示す。
　同図に示す如く、石英ガラスまたは無アルカリガラスからなる絶縁基板である対向電極基板２０上に、順にＩＴＯ膜等の透明導電膜からなる対向電極２１を基板全面に形成した後、その上に液晶を配向するためのポリイミド、ＳｉＯ２等からなる配向膜２２を形成する。
　【００３５】
　こうして、上述のＴＦＴ基板１に対向した位置に対向電極基板２０を設け、ＴＦＴ基板と対向電極基板との間であってそれらの周辺に、接着性を有する樹脂からなるシール剤２３を用いて両基板を接着し、両基板間に液晶２４を充填して液晶表示装置が完成する。
＜第２の実施の形態＞
　以下に、本発明の半導体装置の製造方法及び液晶表示装置の製造方法を、トップゲート型の半導体装置に用いた場合について説明する。
　【００３６】
　図７及び図８に本発明の半導体装置の製造方法を説明する製造工程図を示す。
　まず、半導体装置の製造方法について説明する。
　工程１（図７（ａ））：石英ガラス、無アルカリガラス等からなる絶縁基板３１上に、絶縁性薄膜であるＳｉＯ２膜３２及びＳｉＮ膜３３をこの順に常圧ＣＶＤ法または減圧ＣＶＤ法を用いて形成温度３５０℃で、それぞれ膜厚１３００、５００Å形成する。その絶縁性薄膜の上に、減圧ＣＶＤ法にてモノシランガスを熱分解して５５０℃以下の温度でａ−Ｓｉ膜３４を４００Å形成する。
　【００３７】
　そして、そのａ−Ｓｉ膜３４の表面にＫｒＦエキシマレーザビームを走査しながら照射してアニール処理を行って、ａ−Ｓｉ膜３４を溶融再結晶化することにより、ｐ−Ｓｉ膜を形成する。このｐ−Ｓｉ膜３５がｐ−ＳｉＴＦＴの能動層となる。
　このときのレーザー照射条件は、アニール雰囲気：１Ｅ（−４）Ｐａ以下、基板温度：室温乃至６００℃、照射エネルギー密度：１００乃至５００ｍＪ／ｃｍ２、走査速度：１乃至１０ｍｍ／ｓｅｃ（実際には、０．１乃至１００ｍｍ／ｓｅｃの範囲の走査速度の設定が可能）である。
　【００３８】
　レーザービームとしては、波長λ＝３０８ｎｍのＸｅＣｌエキシマレーザーを使用してもよく、また、波長λ＝１９３ｎｍのＡｒＦエキシマレーザーを使用してもよい。このときのレーザー照射条件は、いずれもアニール雰囲気：１Ｅ（−４）Ｐａ以下、基板温度：室温乃至６００℃、照射エネルギー密度：１００乃至５００ｍＪ／ｃｍ２、走査速度：１乃至１０ｍｍ／ｓｅｃ（実際には、０．１乃至１００ｍｍ／ｓｅｃの範囲の走査速度の設定が可能）である。
　【００３９】
　上述のいずれのレーザービームを用いても、照射エネルギー密度及び照射回数に比例して、ｐ−Ｓｉの粒径は大きくなるので、所望の大きさの粒径が得られるように、エネルギー密度を調整すればよい。
　工程２（図７（ｂ））：前記ｐ−Ｓｉ膜３５の上に、ＣＶＤ法にて、ＳｉＯ２からなるゲート絶縁膜３６を全面に形成し、ホトリソ技術及びＲＩＥ法によるドライエッチング技術により、ＳｉＯ２膜及び前記ｐ−ｓｉ膜を所定の形状に加工する。
　【００４０】
　工程３（図７（ｃ））：前記ゲート絶縁膜３６上に、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）などの高融点金属からなる金属膜３７をスパッタ法を用いて１５００Å形成し、ホトリソグラフィ技術及びＲＩＥ法によるドライエッチング技術を用いて所定形状に加工してゲート電極３７を形成する。
　なお、このゲート電極形成と同時に、このゲート電極に繋がっておりゲート信号を供給するゲート信号ラインも形成する（図示せず）。
　【００４１】
　前記ゲート電極３７をマスクとして、前記ｐ−Ｓｉ膜３５に対してＰ型またはＮ型のイオンを注入する。
　即ち、形成すべきＴＦＴのタイプに応じて、ゲート電極３７に覆われていないｐ−Ｓｉ膜３５にＰ型またはＮ型のイオンを注入する。
　Ｐチャネル型のＴＦＴを形成する場合には、ボロン（Ｂ）等のＰ型イオンを注入し、Ｎチャネル型のＴＦＴを形成する場合には、リン（Ｐ）等のＮ型イオンを注入する。これにより、ゲート電極の下層のｐ−Ｓｉ膜１７のうち、ゲート電極直下はチャネル領域３５ｃとなり、ゲート電極両側の部分がソース領域３５ｓ及びドレイン領域３５ｄとなる。
　【００４２】
　工程５（図８（ｄ））そして、ソース領域３５ｓ及びドレイン領域３５ｄが形成されたＰ−Ｓｉ膜３５にランプを用いたＲＴＡ法による急速アニールを行う。
　前述の図６に示す如く、シート状の光を発する光源は、キセノン（Ｘｅ）アークランプとそれを覆って設けられた反射鏡を備えたものを１組として、これを上下に相対向して設けられている。
　【００４３】
　基板は、同図右から左に向かってローラーにより、搬送速度１５ｍｍ／ｓｅｃで搬送される。また基板は予め基板を加熱する第１、第２及び第３のプレヒート（予備加熱）基板によって順次加熱される。これらの各プレヒート基板は、基板の冷却によるひび割れが発生しないようにするために、順にプレヒート基板温度が高くなるように設定してある。具体的には、第１のプレヒート基板が４００℃、第２のプレヒート基板が４８０℃、第３のプレヒート基板が５８０℃に設定してある。
　【００４４】
　第３のプレヒート基板を通過した後、前記アークキセノンランプ（幅１０ｍｍ×長さ４００ｍｍ）により急速アニールが行われる。
　このときのＲＴＡ法による加熱条件は、光源：Ｘｅアークランプ、雰囲気：Ｎ２、加熱時間：０．５乃至１秒で、加熱温度は６５０℃である。
　ＲＴＡを施した後に、図中において更に右に搬送された基板は、急速加熱後の急激な基板の冷却によるひび割れが発生しないようにするための補助ヒート基板で５８０℃に加熱された後に自然冷却される。もちろん、上述の如く、ＲＴＡを施す前と同様に段階的に温度を低くした基板を複数設けて順に冷却することも可能である。
　【００４５】
　基板のＲＴＡ法によるアニールにより、ソース領域３５ｓ及びドレイン領域３５ｄ内の不純物イオンが活性化される。
　工程６（図８（ｅ））：その後、ｐ−Ｓｉ膜３５を含む基板全面に、ＳｉＯ２膜３８及びＳｉＮ膜３９をＣＶＤ法を用いて積層し、ＳｉＯ２膜３８及びＳｉＮ膜３９の２層からなる層間絶縁膜を形成する。ＳｉＯ２膜３８の厚みは５００Å、ＳｉＮ膜３９の厚みは３０００Åである。ＳｉＯ２膜３８及びＳｉＮ膜３９を形成した後、窒素雰囲気中で１時間、４００℃で加熱し、ＳｉＮ膜３８内に含まれる水素イオンをｐ−Ｓｉ膜３５へ導入する。これにより、ｐ−Ｓｉ膜２５内の結晶欠陥が水素イオンで埋められる。
　【００４６】
　工程７（図８（ｆ））：前記ソース領域３５ｓ及びドレイン領域３５ｄに対応した位置に層間絶縁膜を貫通する第１のコンタクトホール４０を前記ｐ−Ｓｉ層３５に到達するよう形成し、この第１のコンタクトホール４０部分に、アルミニウム等の金属からなるソース電極４１ｓ及びドレイン電極４１ｄを形成する。このソース電極４１ｓ及びドレイン電極４１ｄの形成は、例えば、第１のコンタクトホール４０が形成されたＳｉＮ膜上にスパッタリングしたアルミニウムをパターニングすることで形成される。
　【００４７】
　こうして、半導体素子であるｐ−ＳｉＴＦＴが形成される。
　以下に、このｐ−ＳｉＴＦＴを用いた液晶表示装置について説明する。
　図９に、液晶表示装置の製造方法を説明する製造工程図を示す。
　上述の工程７までの工程によって作製されたｐ−ＳｉＴＦＴに更に以下の工程を加えることにより液晶表示装置を作製することができる。
　【００４８】
　工程８（図９）：ソース電極４１ｓ及びドレイン電極４１ｄが形成された層間絶縁膜及び各電極上に平坦化膜を形成して表面を平坦化する。この平坦化膜４２は、アクリル樹脂溶液を塗布し、焼成してアクリル樹脂層を形成してなっており、このアクリル樹脂層２６は、ゲート電極３７やソース電極４１ｓ、ドレイン電極４１ｄによる凹凸を埋めて表面を平坦化することができる。
　【００４９】
　さらに、ソース電極４１ｓ上に前記平坦化膜であるアクリル樹脂層を貫通する第２のコンタクトホール４３を形成し、この第２のコンタクトホール４３部分に、ソース電極４１ｓに接続されてアクリル樹脂層上に広がる表示電極４４を形成する。この表示電極２８は、第２のコンタクトホール４３が形成されたアクリル樹脂層上に透明導電膜、例えばＩＴＯを積層し、そして、その透明導電膜上にレジスト膜を塗布した後、所定の電極パターンを形成し、エッチングガスとして、ＨＢｒガス及びＣｌ２ガスを用いてドライエッチング法、例えばＲＩＥ法によって露出した透明導電膜をエッチングすることにより形成される。
　【００５０】
　表示電極及び平坦化膜上に、ポリイミド、ＳｉＯ２等からなり、液晶を配向させる配向膜４５を、印刷法またはスピンナー法にて形成する。
　こうして、液晶表示装置の片側のＴＦＴ基板が完成する。
　次に、図１０に液晶表示装置の一部断面図を示す。
　同図に示す如く、石英ガラスまたは無アルカリガラスからなる絶縁基板である対向電極基板４６上に、順にＩＴＯ膜等の透明導電膜からなる対向電極４７を基板全面に形成した後、その上に液晶を配向するためのポリイミド、ＳｉＯ２等からなる配向膜４８を形成する。
　【００５１】
　こうして、上述のＴＦＴ基板に対向した位置に対向電極基板を設け、ＴＦＴ基板と対向電極基板との間であってそれらの周辺に、接着性を有する樹脂からなるシール剤を用いて両基板を接着し、両基板間に液晶５０を充填して液晶表示装置が完成する。
　以下に、上述の本発明の第１及び第２の実施の形態におけるアクティブマトリクス型ＬＣＤに適用した場合のブロック構成について説明する。
　【００５２】
　図１１にアクティブマトリクス型ＬＣＤに適用した場合のブロック構成図を示す。
　表示画素部１００には各走査線（ゲート配線）Ｇ１・・・Ｇｎ，Ｇｎ＋１・・・Ｇｍと各データ配線（ドレイン線）Ｄ１・・・Ｄｎ，Ｄｎ＋１・・・Ｄｍとが配置されている。各ゲート配線とデータ配線とはそれぞれ直交し、その直交部分に表示画素１０１が設けられている。そして、各ゲート配線はゲートドライバ１０２に接続されゲート信号（走査信号）が印加されるようになっている。また各ドレイン配線はドレインドライバ（データドライバ）１０３に接続され、データ信号（ビデオ信号）が印加されるようになっている。これらのドライバ１０２、１０３によって周辺駆動回路１０４が構成されている。
　【００５３】
　そして、各ドライバ１０２、１０３のうち少なくともいずれか一方を表示画素部１００と同一基板上に形成したＬＣＤは一般にドライバー体型（ドライバ内蔵型）ＬＣＤと呼ばれている。なお、ゲートドライバが表示画素部１００の両端に設けられている場合もある。また、ドレインドライバ１０３が表示画素部１００の両端に設けられている場合もある。
　【００５４】
　この周辺駆動回路１０４のスイッチング用素子にも前記ｐ−ＳｉＴＦＴと同等の製造方法で作製したｐ−ＳｉＴＦＴを用いており、ｐ−ＳｉＴＦＴの作製に並行して、同一基板上に形成される。なお、この周辺駆動回路用のｐ−ＳｉＴＦＴは、ＬＤＤ構造ではなく、通常のシングルドレイン構造を採用している（もちろんＬＤＤ構造であってもよい）。
　【００５５】
　また、この周辺駆動回路のｐ−ＳｉＴＦＴは、ＣＭＯＳ構造に形成することにより、各ドライバとしての寸法の縮小化を実現している。
　図１２にゲート配線Ｇｎとドレイン配線Ｄｎとの直交部分に設けられている表示画素１０１の等価回路を示す。
　表示画素１０１は画素駆動素子としてのＴＦＴ、液晶セルＬＣ、補助容量Ｃｓから構成される。ゲート配線ＧｎにはＴＦＴのゲートが接続され、ドレイン配線ＤｎにはＴＦＴのドレインが接続されている。そして、ＴＦＴのソースには、液晶セルＬＣの表示電極（画素電極）と補助容量（付加容量）Ｃｓとが接続されている。
　【００５６】
　この液晶セルＬＣと補助容量Ｃｓとにより、信号蓄積素子が構成される。液晶セルＬＣの共通電極（表示電極の反対側の電極）には電圧Ｖｃｏｍが印加されている。一方、補助容量Ｃｓにおいて、ＴＦＴのソースと接続される側の反対側の電極には定電圧ＶＲが印加されている。この液晶セルＬＣの共通電極は、文字通り全ての表示画素１０１に対して共通した電極となっている。なお、補助容量Ｃｓにおいて、ＴＦＴのソースと接続される側の反対側の電極は、隣のゲート配線Ｇｎ＋１と接続されている場合もある。
　【００５７】
　このように構成された表示画素１０１において、ゲート配線Ｇｎを正電圧にしてＴＦＴのゲートに正電圧を印加すると、ＴＦＴがオンとなる。すると、ドレイン配線Ｄｎに印加されたデータ信号で、液晶セルＬＣの静電容量と補助容量Ｃｓとが充電される。反対に、ゲート配線Ｇｎを負電圧にしてＴＦＴのゲートに負電圧を印加すると、ＴＦＴがオフとなり、その時点でドレイン配線Ｄｎに印加されていた電圧が、液晶セルＬＣの静電容量と補助容量Ｃｓとによって保持される。このように、画素へ書き込みたいデータ信号をドレイン配線Ｄｎを与えてゲート配線の電圧を制御することにより、表示画素に任意のデータ信号を保持させておくことができる。その表示画素の保持しているデータ信号に応じて液晶セルＬＣの透過率が変化し、表示画素が表示される。
　【００５８】
　ここで、表示画素の特性として重要なものに、書き込み特性と保持特性とがある。書き込み特性に対して要求されるのは、表示画素部の仕様から定められた単位時間内に、信号蓄積素子（液晶セルＬＣおよび補助容量Ｃｓ）に対して所望のビデオ信号電圧を充分に書き込むことができるかどうかという点である。また、保持特性に対して要求されるのは、信号蓄積素子に一旦書き込んだビデオ信号電圧を必要な時間だけ保持することができるかという点である。
　【００５９】
　補助容量Ｃｓが設けられているのは、信号蓄積素子の静電容量を増大させて書き込み特性及び保持特性を向上させるためである。即ち、液晶セルＬＣは、その構造上、静電容量の増大には限界がある。そこで、補助容量Ｃｓによって液晶セルＬＣの静電容量の不足分を補うわけである。
　【００６０】
　【発明の効果】
　請求項１に記載の半導体装置の製造方法によれば、ランプを用いたＲＴＡ法にて基板上に半導体素子を形成する半導体装置の製造方法において、前記ＲＴＡ法による前記基板の加熱処理前に、段階的に昇温するように配置した複数の予備加熱基板にて順次前記基板を予備加熱するものであるので、ＲＴＡを施す急激な基板温度の変化による基板の熱歪みによる割れの発生を抑制することができるとともに、スループットの向上が図れる。
　【００６１】
　請求項２に記載の半導体装置の製造方法は、請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、更に前記ＲＴＡ法による前記基板の加熱処理後に、段階的に降温するように配置した複数の冷却基板にて順次前記基板を冷却するものであるので、基板の熱歪みによる割れの発生を抑制することができる。
　請求項３に記載の液晶表示装置の製造方法は、ランプを用いたＲＴＡ法にて基板上に液晶を駆動するスイッチング素子を形成する液晶表示装置の製造方法において、前記ＲＴＡ法による前記基板の加熱処理前に、段階的に昇温するように配置した複数の予備加熱基板にて順次前記基板を予備加熱するものであるので、基板の熱歪みによる割れの発生を抑制することができるとともに、スループットの向上が図れる。
　【００６２】
　請求項４に記載の液晶表示装置の製造方法は、更に前記ＲＴＡ法による前記基板の加熱処理後に、段階的に降温するように配置した複数の冷却基板にて順次前記基板を冷却するものであるので、基板の熱歪みによる割れの発生を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　本発明の第１の実施の形態を示す製造工程断面図である。
　【図２】
　本発明の第１の実施の形態を示す製造工程断面図である。
　【図３】
　本発明の第１の実施の形態を示す製造工程断面図である。
　【図４】
　本発明の第１の実施の形態を示す製造工程断面図である。
　【図５】
　本発明の半導体装置の製造方法に用いるレーザ照射装置の斜視図である。
　【図６】
　本発明のＲＴＡを施すＲＴＡ装置の断面である。
　【図７】
　本発明の第２の実施の形態を示す製造工程断面図である。
　【図８】
　本発明の第２の実施の形態を示す製造工程断面図である。
　【図９】
　本発明の第２の実施の形態を示す製造工程断面図である。
　【図１０】
　本発明の第２の実施の形態を示す製造工程断面図である。
　【図１１】
　本発明の液晶表示装置の製造方法によって製造した液晶表示装置のブロック構成図である。
　【図１２】
　本発明の液晶表示装置の製造方法によって製造した液晶表示装置の等価回路図である。
　【図１３】
　従来の半導体装置の製造工程を示す製造工程断面図である。
　【符号の説明】
　１　　　　　絶縁基板
　３０１　　　キセノンアークランプ
　３０２　　　搬送ローラー
　３０４　　　プレヒート基板
　３０５　　　プレヒート基板
　３０６　　　プレヒート基板
　３０７　　　冷却基板
　３０８　　　冷却基板
　３０９　　　冷却基板