(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
物体の加熱表面を少なくとも１００℃の処理温度まで加熱する加熱システムであって、当該加熱システムは半導体光源を有し、当該加熱システムは、前記加熱表面を構成する複数の面積要素の各々を少なくとも５０個の半導体光源からの重なり合う光で同時に加熱するように適応され、
前記半導体光源は垂直共振器面発光レーザであり、当該加熱システムは、ウエハの処理表面の第１部分の第１局所温度の、前記処理表面の前記第１部分とは異なる前記ウエハの前記処理表面の第２部分の第２局所温度からの逸脱が、０．５％未満であるように、前記加熱表面を加熱するように適応され、前記半導体光源は、複数のサブモジュールにて構成され、当該加熱システムは電気ドライバを有し、前記電気ドライバは、１つのサブモジュールの全ての半導体光源を同時に駆動するように適応され、前記複数のサブモジュール及び／又は前記電気ドライバは、前記ウエハの前記処理表面が、定められた温度に均一に加熱されるように構成される、
ことを特徴とする加熱システム。
【請求項２】
当該加熱システムは少なくとも、少なくとも１つのサブモジュールを有する第１グループのサブモジュールと、少なくとも１つのサブモジュールを有する第２グループのサブモジュールとを有し、前記第１グループのサブモジュールは、前記加熱表面の全体を加熱するように適応され、前記第２グループのサブモジュールの前記少なくとも１つのサブモジュールは、前記加熱表面の一部を加熱するように適応され、前記電気ドライバは、前記第２グループのサブモジュールの前記少なくとも１つのサブモジュールを、前記第１グループのサブモジュールのサブモジュールとは独立に駆動するように適応される、請求項１に記載の加熱システム。
【請求項３】
前記第２グループのサブモジュールは、２つ、３つ、４つ、又はそれより多くのサブモジュールを有し、前記加熱表面の全体を前記第２グループのサブモジュールのサブモジュールによって加熱することができるように、前記第２グループのサブモジュールの各サブモジュールが、前記加熱表面の相異なる部分を加熱するように適応され、前記電気ドライバは、前記第２グループのサブモジュールの各サブモジュールを、前記第２グループのサブモジュールのその他のサブモジュールから独立に駆動するように適応される、請求項２に記載の加熱システム。
【請求項４】
前記第２グループのサブモジュールは、２つ、３つ、４つ、又はそれより多くのサブモジュールを有し、前記第２グループのサブモジュールの各サブモジュールが、前記加熱表面の全体を加熱するように適応され、前記第２グループのサブモジュールのサブモジュールは、前記加熱表面上に異なる強度分布を提供するように適応され、前記電気ドライバは、前記第２グループのサブモジュールの各サブモジュールを、前記第２グループのサブモジュールのその他のサブモジュールから独立に駆動するように適応される、請求項２に記載の加熱システム。
【請求項５】
前記物体の温度分布の均一性をモニタすることができるように、前記第１グループのサブモジュール及び／又は前記第２グループのサブモジュールの、サブモジュールの少なくとも一部が、それぞれのサブモジュールによって照らされる前記加熱表面の部分の温度を決定するように適応された少なくとも１つの温度センサを有する、請求項３又は４に記載の加熱システム。
【請求項６】
前記温度センサは、前記半導体光源によって放射される光の波長とは異なる波長で前記温度を測定する光学センサである、請求項５に記載の加熱システム。
【請求項７】
当該加熱システムは、少なくとも５００００個の半導体光源を有する、請求項１に記載の加熱システム。
【請求項８】
当該加熱システムは、前記半導体光源によって提供される強度分布が前記物体の前記加熱表面を走査するように適応される、請求項１に記載の加熱システム。
【請求項９】
当該加熱システムは、前記物体の第１の温度分布を提供する加熱モジュールを有し、前記処理温度での均一な温度分布を提供するように前記加熱モジュール及び前記半導体光源が適応される、請求項１に記載の加熱システム。
【請求項１０】
請求項１乃至９の何れか一項に記載の加熱システムと反応炉チャンバとを有するウエハ処理用の反応炉であって、前記加熱システムが、前記反応炉チャンバ内の少なくとも一枚のウエハを加熱するように適応される、反応炉。
【請求項１１】
前記反応炉チャンバは、少なくとも１つの反応炉ウィンドウを有し、前記加熱システムは、前記反応炉ウィンドウを介して光を照射することによって前記ウエハを加熱するように適応される、請求項１０に記載の反応炉。
【請求項１２】
前記反応炉チャンバは、サブモジュールごとに１つの反応炉ウィンドウを有する、請求項１１に記載の反応炉。
【請求項１３】
物体の加熱表面を少なくとも１００℃の処理温度まで加熱する方法であって、当該方法は、
物体の加熱表面を用意するステップと、
垂直共振器面発光レーザである複数の半導体光源を用意するステップと、
前記複数の半導体光源を複数のサブモジュールにて構成するステップと、
電気ドライバを用意するステップと、
１つのサブモジュールの全ての半導体光源を同時に駆動するように、前記電気ドライバを適応させるステップと、
前記複数のサブモジュール及び／又は前記電気ドライバを整備することによって、ウエハの処理表面の第１部分の第１局所温度の、前記処理表面の前記第１部分とは異なる前記ウエハの前記処理表面の第２部分の第２局所温度からの逸脱が、０．５％未満であるように前記加熱表面を加熱するよう、加熱システムを適応させるステップと、
前記ウエハの前記処理表面が、定められた温度に均一に加熱されるよう、前記加熱表面を構成する複数の面積要素の各々を少なくとも５０個の半導体光源からの重なり合う光で同時に加熱するステップと、
を有する方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＯＬＥＤ基板、半導体ウエハ、又はこれらに類するもののような物体を直接的あるいは間接的に加熱するための、半導体光源を有する加熱システムに関する。本発明は更に、対応する物体加熱方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機及び無機の半導体構造の堆積は、可能な限り均一な温度分布を必要とする。例えば半導体ウエハにわたっての、幾分の処理温度のバラつきが、成長条件を変化させ、ひいては、成長された半導体層の特性を変化させる。一例は、可視光を発光するＧａＮに基づくＬＥＤの成長である。結果としてコストのかかる製品瓶分けを必要とするＬＥＤの波長ずれを回避するためには、１０００℃を超える成長温度が０．５℃の範囲内で維持されなければならない。
【０００３】
特許文献１（ＵＳ８２２２５７４Ｂ２）は、例えば、急速熱プロセスの間に基板の均一な加熱又は冷却を達成するための装置および対応する方法を開示している。その装置は、エッジリングを加熱又は冷却してエッジリングの温度を制御するために、エッジリングに隣接する熱質量又はプレートを含んでいる。エッジリング及び／又は基板を加熱するためにレーザダイオードのような熱源が用いられ得る。その装置の加熱プロセスの信頼性及び均一性は依然として満足できるものではない。
【０００４】
特許文献２（ＵＳ２０１０／００３８８３３Ａ１）は、熱生成による発光量の低下に起因する光エネルギー効率の低下という問題なしで安定した性能を維持することができる多数のＬＥＤを有するアニール装置を開示している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】米国特許第８２２２５７４号明細書
【特許文献２】米国特許出願公開第２０１０／００３８８３３号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
故に、本発明の１つの目的は、改善された加熱システム、そのような加熱システムを有する改善された反応炉、及び対応する加熱方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
第１の態様によれば、物体の加熱表面を少なくとも１００℃の処理温度まで加熱する加熱システムが提供される。加熱システムは半導体光源を有し、加熱システムは、少なくとも５０個の半導体光源からの放射を同時に受けることによって、加熱表面の面積要素を加熱するように適応される。
【０００８】
面積要素が特定の半導体光源によって加熱されるのは、その面積要素がその特定の半導体光源から受ける強度が、その特定の光源によって放射される最大強度の１／ｅ２（ｅはオイラー数（ネイピア数）２．７１…）である場合である。
【０００９】
加熱システムは、半導体構造を処理するための反応炉の一部とし得る。加熱システムは、反応炉の反応炉チャンバにインテグレートされ得る。それに代えて、加熱システムは、反応炉チャンバの外部に位置付けられてもよい。
【００１０】
物体は、ＯＬＥＤ基板（ガラスやプラスチックのウエハ又はフォイルなど）、半導体ウエハ（Ｓｉ、ＧａＡｓなど）、又は半導体層を処理するためにそのようなウエハの１つ以上が上に置かれ得るサセプタのようなキャリアとし得る。処理温度は、プラスチック又はＳｉウエハのような、処理される材料に強く依存する。ＯＬＥＤでは、１００℃、１５０℃又は２００℃の処理温度が好ましいことがある。ＧａＡｓの処理は、５００℃よりも高い処理温度を必要とすることがあり、そこでは、ＬＥＤ製造に使用されるＩｎＧａＮ層の処理が、１０００℃よりも高い処理温度さえ必要とすることがある。
【００１１】
垂直共振器面発光レーザのような半導体光源が、物体の加熱表面を照らすために使用される。半導体光源によって供給される光エネルギーが、処理表面を所望の温度まで加熱する。処理表面は、少なくとも部分的に加熱表面と同じであり得る。この場合、ウエハの処理表面が、半導体光源によって直接的に照らされ得る。それに代えて、加熱表面と処理表面とが別々の表面であってもよい。例えば、ウエハの裏面が半導体光源によって照らされ、ウエハの前面（フロント面）が処理表面を有し得る。また、一枚以上のウエハが、グラファイトのサセプタのようなキャリア上に配置されることがある。キャリアの片面の少なくとも一部が、キャリアの反対側に供されたウエハが所望温度まで間接的に加熱されるように、半導体光源によって照らされ得る。加熱システムは、加熱表面の面積要素を少なくとも５０個の半導体光源で同時に照らすことによって、処理表面の均一な温度分布を提供し得る。半導体光源によって放射された光が、加熱表面で重なり合う。単一の半導体光源一つ一つの特性の違いが加熱表面でぼやけ得ることで、処理表面にわたっての均一な温度分布が可能にされ得る。さらに、１つの半導体光源の不具合は、半導体光源によって面積要素に供給される光パワーの小さい変化しか生じさせないので、加熱システムの信頼性が向上され得る。故に、１つの時間的瞬間に加熱表面の面積要素を加熱するのに１００、２００、５００、１０００個の、又はそれより多くの半導体光源を設けることが有利となり得る。光源数の増加は、単一の半導体光源に関するパワー要求を低減し得る。この場合、８００℃、９００℃、又は更には１０００℃超の処理温度を持つ高温用途にあっても、中出力（ミディアムパワー）の半導体光源を使用することが可能であり得る。
【００１２】
半導体光源は、加熱表面の走査を必要とするように、１つの時間的瞬間において加熱表面の一部のみを加熱してもよい。物体及び半導体光源を互いに対して移動させることによって、半導体光源によって照らされる面積要素が変化する。他の例では、半導体光源によって放射された光の反射光によって加熱表面が照らされ得るよう、ミラーのような光学素子が動くように構成され得る。
【００１３】
他の静的な一手法においては、加熱表面の全ての面積要素がそれぞれの時間的瞬間に少なくとも５０個の半導体光源によって照らされるようにして、加熱表面の全体が１つの時間的瞬間で加熱され得るように、加熱表面のサイズと半導体光源の数との関係が選定され得る。この静的手法は、半導体光源によって放射される照射ビームを動かすための高価で場合により間違いを起こしやすい機械的装置を必要としないという利点を有し得る。さらに、加熱表面を加熱することの動的な側面がない、又は殆どない。故に、処理表面にわたる均一な温度分布を提供することがいっそう容易であり得る。
【００１４】
垂直共振器面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ）は、非常によく似た特性を持つ多数のＶＣＳＥＬが一度に処理され得るように、ウエハスケールで並行して製造及びテストされることができる。ＶＣＳＥＬは、例えば高出力（ハイパワー）用途に非常によく適したものである端面発光レーザよりも、小さい出力を放射する。ＶＣＳＥＬは、故に、少なくとも５０個のＶＣＳＥＬが加熱表面の面積要素を照らすように多数のＶＣＳＥＬが配列される場合に有利であり得る。
【００１５】
加熱システムは、ウエハの処理表面の第１部分の第１局所温度の、処理表面の第１部分とは異なるウエハの処理表面の第２部分の第２局所温度からの逸脱が、０．５％未満であるように、加熱表面を加熱するように適応され、それにより、ウエハの処理表面が、例えば半導体層を処理するために意図した温度へと均一に加熱されるようになる。意図した温度は、加熱表面と処理表面とが同じでない場合には、処理温度と僅かに異なり得る。
【００１６】
温度分布の均一性は、例えば半導体層の成長条件に関して、ひいては、それら半導体層の一部を有する最終的な半導体デバイスの特性に関して肝要である。加熱表面の面積要素が少なくとも５０個の半導体光源によって加熱されるようにして、多数の半導体光源の放射をぼかすことは、そのような均一な温度分布を可能にし得る。単一の半導体光源同士の不一致が均される。この平均化は、加熱表面の全体が１つの時間的瞬間で照らされる場合に特に有利であり得る。この場合、半導体光源の局所的な相違は役割を果たさなくなり得る。加熱表面における熱分布は、この場合、ウエハの処理表面上の任意の２つの、異なる、重なり合わない面積要素が基本的に同じ温度を持つほどに均一になり得る。双方の面積要素の間で、温度は、０．２％未満のみ、好ましくは０．１％未満のみ、より好ましく０．０５％未満のみ逸脱し得る。これが意味することは、加熱表面の面積要素を少なくとも５０個の半導体光源によって照らすことにより、例えば、１０００℃の処理温度において、処理表面の任意の２つの面積要素間で、２℃未満、好ましくは１℃未満、より好ましくは０．５℃未満の温度逸脱が達成され得るということである。
【００１７】
半導体光源は、複数のサブモジュールにて構成され、加熱システムは電気ドライバを有し、電気ドライバは、１つのサブモジュールの全ての半導体光源を同時に駆動するように適応される。
【００１８】
サブモジュールは、加熱表面の１つの面積要素を加熱する半導体光源の数を更に増大させるため、加熱領域の全体を加熱するように適応され得る。それに代えて、あるいは加えて、全てのサブモジュールが一緒になって加熱表面の全体を加熱するように適応されるよう、異なるサブモジュールが加熱表面の異なる面積要素を照らすように適応されてもよい。後者は、加熱表面の異なる面積要素に異なる光パワーを供給することによって補償されることが可能な不均一性を生じさせ得る加熱表面の又は加熱表面周りの局所的効果が存在する場合に、有利であり得る。この場合、電気ドライバは、個々のサブモジュールによって放射される光パワーを異ならせるために、異なるサブモジュールが独立に駆動され得るように構成され得るが、全てのサブモジュールが共通に駆動されるとともに、サブモジュール群が幾何学的境界条件によって生じる熱消散を補償するように構成されることも可能であり得る。サブモジュールは、例えば、加熱表面の同じ面積要素を加熱する異なる数の半導体光源を有し得る。
【００１９】
サブモジュール群は、同じ又は異なる強度分布を提供し得る。円形の加熱表面の場合、円形加熱表面の中心を加熱するための円形の強度分布を持つ第１のサブモジュールを設けることが有利であり得る。第１のサブモジュールによって照らされる加熱表面の中心の周りのリングを加熱するよう、リング状の強度分布を持つ第２のサブモジュールが使用され得る。リング状の強度分布を用いることで、例えば、物体の、リング形状の懸架（サスペンション）によって生じ得る熱消散を補償し得る。他の例では、強度分布は、例えば六角形の形状を有していてもよく、複数の異なるサブモジュールによって照らされる六角形パターン（亀甲模様）の面積要素によって加熱表面がカバーされるようにし得る。六角形パターンは、加熱表面全体の均一な加熱を提供するための局所加熱を可能にし得る。
【００２０】
他の一実施形態によれば、加熱システムは少なくとも、少なくとも１つのサブモジュールを有する第１グループのサブモジュールと、少なくとも１つのサブモジュールを有する第２グループのサブモジュールとを有し、第１グループのサブモジュールは、加熱表面の全体を加熱するように適応され、第２グループのサブモジュールの少なくとも１つのサブモジュールは、加熱表面の一部を加熱するように適応され、電気ドライバは、第２グループのサブモジュールの少なくとも１つのサブモジュールを、第１グループのサブモジュールのサブモジュールとは独立に駆動するように適応される。
【００２１】
第１グループのサブモジュールは、この場合、加熱表面の基礎加熱を提供するように適応され得る。故に、電気ドライバのアーキテクチャを単純にするために、電気ドライバによって第１グループのサブモジュールのサブモジュール群を共通駆動することが有利であり得る。これらのサブモジュールは、加熱表面の異なる面積要素を加熱するように適応されてもよく、且つ／或いは、異なるサブモジュールによって加熱される面積要素が重なり合ってもよい。さらには、第１グループのサブモジュールの各サブモジュールが、加熱表面の全体を加熱するように適応されることが有利であり得る。第１グループのサブモジュールのサブモジュール群の強度分布を重ね合わせることにより、１つの面積要素を照らす半導体光源の数が増加され得る。故に、第１グループのサブモジュールの各サブモジュールが、加熱表面の全体を照らし得る。第１グループのサブモジュールは、加熱表面を処理温度まで加熱するのに必要な総加熱パワーのうちの７０％、８０％、９０％、又はそれより多くを供給し得る。これらのサブモジュールによって放射される光分布は、マイクロレンズアレイ及び／又はレンズ構成のような光学素子によって適応されてもよい。
【００２２】
第２グループのサブモジュールは、残りの加熱パワーを供給するように適応され得る。第２グループのサブモジュールは、加熱表面全体を順次に照らすための走査構成と組み合わせて、１つのサブモジュールを有し得る。走査構成は、加熱表面を持つ物体に対して第２グループのサブモジュールのこのサブモジュールが移動するように第２グループのサブモジュールのこのサブモジュールを担持する機械的なキャリア素子を有し得る。それに代えて、あるいは加えて、第２グループのサブモジュールのこのサブモジュールによって放射される光パワーを、加熱表面を横切って動かすために、可動ミラーを有する機械的構成が設けられてもよい。また、第２グループのサブモジュールのこのサブモジュールによって加熱表面上に提供される強度分布を変化させるように、例えば可動レンズのような適応可能な光学構成が用いられてもよい。第２グループのサブモジュールのこのサブモジュールは、残りの光パワーを供給するとともに、必要に応じて、物体の構成（特には、物体をマウントするために必要とされ得る懸架）によって発生し得る熱消散を補償し得る。加熱表面の特定の面積要素に光パワーを供給するのに必要な強度分布及び走査方法は、熱シミュレーション及び／又は校正実行によって決定され得る。
【００２３】
他の例では、第２グループのサブモジュールは、２つ、３つ、４つ、又はそれより多くのサブモジュールを有し、加熱表面の全体を第２グループのサブモジュールのサブモジュールによって加熱することができるように、第２グループのサブモジュールの各サブモジュールが、加熱表面の基本的に相異なる部分を加熱するように適応され、電気ドライバは、第２グループのサブモジュールの各サブモジュールを、第２グループのサブモジュールのその他のサブモジュールから独立に駆動するように適応される。
【００２４】
第２グループのサブモジュールのサブモジュール群は、加熱表面を処理温度へと均一に加熱するための残りの光パワーを供給し得る。これらのサブモジュールのうちの１つ以上は、第１グループのサブモジュールのサブモジュール群によって発生される加熱表面の局所的な加熱又は冷却を補償するために、異なるパワーレベルで駆動され得る。
【００２５】
加熱表面に投射される第２グループのサブモジュールのうちの１つ以上のサブモジュールの光分布は、例えば、第２グループのサブモジュールのサブモジュール群によって提供される強度分布の境界領域における強度の変化を補償することができるように、部分的に重なり合ってもよい。強度分布の重なりは更に、強度を局所的に増大させることによって、例えば懸架によって発生され得る局所的な熱消散を補償するために使用され得る。
【００２６】
それに代えて、あるいは加えて、第２グループのサブモジュールは、２つ、３つ、４つ、又はそれより多くのサブモジュールを有し、第２グループのサブモジュールの各サブモジュールが、加熱表面の全体を加熱するように適応され、第２グループのサブモジュールのサブモジュールは、加熱表面上に異なる強度分布を提供するように適応され、電気ドライバは、第２グループのサブモジュールの各サブモジュールを、第２グループのサブモジュールのその他のサブモジュールから独立に駆動するように適応される。
【００２７】
物体の幾何学構成、そして更には、幾何学構成及び材料に関係する境界条件を考慮に入れることにより、全てのグループからのその他全てのサブモジュールと組み合わさって加熱表面にわたる均一な温度分布を提供するように、例えば上述の円形及びリング状の強度分布のような異なる強度分布が用いられ得る。
【００２８】
所定の処理温度での加熱表面の温度分布をシミュレーション及び／又は校正測定によって決定する労力は高いものであることがある。また、材料の組成又は幾何学構成における揺らぎ又は境界条件の変化を考慮に入れることが困難であることがある。故に、半導体光源を制御するために、加熱表面の特定の面積要素の温度を測定する温度センサを設けることが有利であり得る。電気ドライバによって１つの半導体光源のサブグループを制御するための制御パラメータを提供するため、そのサブグループに１つ以上の温度センサが割り当てられ得る。例えば、ウエハのような物体をマウントするための懸架又はサセプタの位置に、熱電対が設けられ得る。懸架の隣での物体の局所温度を測定するように、熱電対又は複数の熱電対の配列が適応され得る。測定された温度は、例えば、加熱表面のそれぞれの面積要素を加熱する半導体光源のサブグループの駆動パラメータを適応させることによって、懸架によって生じ得る熱消散を補償するために使用され得る。例えば、サセプタの加熱表面の温度分布を測定するために、加熱表面にわたる多数の温度センサをサセプタに備えることが可能であり得る。加熱表面のそれぞれの面積要素を加熱するサブモジュールに、これらの熱電対のうちの１つ以上が割り当てられ得る。故に、加熱表面の温度分布をモニタして、温度分布の不均一性を補正するために、特定の半導体光源及び／又は１つ以上のサブモジュールの加熱パワーを直ちに適応させることが可能であり得る。
【００２９】
加熱表面又はその付近に設けられたセンサによる温度測定は、特に物体がウエハそれ自体である場合に、困難であることがある。故に、加熱表面の温度分布を決定するためにパイロメータのような光学式の温度センサを用いることが有利であり得る。光学温度センサは、電気ドライバを介してそれぞれの半導体光源又はサブモジュールに結合され得る別個のデバイスとし得る。それに代えて、あるいは加えて、１つ以上のサブモジュールに光学温度センサをインテグレートすることが有利であり得る。光学温度センサは、それぞれの温度センサを有するサブモジュールによって加熱される加熱表面の面積要素から温度情報を受け取る。
【００３０】
故に、加熱システムの更なる一実施形態において、物体の温度分布の均一性をモニタすることができるように、第１グループのサブモジュール及び／又は第２グループのサブモジュールの、サブモジュールの少なくとも一部が、それぞれのサブモジュールによって照らされる加熱表面の部分の温度を決定するように適応された少なくとも１つの温度センサを有する。加熱表面の１つの位置の温度を測定することには、第１グループのサブモジュールの１つのサブモジュールのみがこのような温度センサ（特には光学温度センサ）を有すれば十分であり得る。この位置の大きさは、サブモジュールによって放射された光を投射するために使用される光学系又は独立／追加の光学系によって決定され得る。この位置は、更には、ほぼ点状であってもよいし、あるいはその逆で、それぞれのサブモジュールによって照らされる面積要素の全体近くを有していてもよい。第２グループのサブモジュールの幾つかのサブモジュール又は更には全てのサブモジュールは、有利には、第２グループのサブモジュールのそれぞれのサブモジュールによって照らされる加熱表面の面積要素の温度を決定するために１つ以上の温度センサを有し得る。複数の異なるサブモジュールが加熱表面上で重なり合う強度分布を有する場合、第２グループのサブモジュールのサブモジュール群のうちの一部のみが例えば光学温度センサを有すれば十分であり得る。第２グループのサブモジュールの全てのサブモジュールが加熱表面の本質的に異なる面積領域に光を放つ場合には、加熱表面の温度分布の完全なモニタリング、及びそれに対応した、温度差を最小化するための第２グループのサブモジュールのサブモジュール群の駆動方式を可能にするために、全てのサブモジュールが光学温度センサを有することが有利であり得る。
【００３１】
半導体光源は、限られた波長スペクトルの光を放射する。故に、温度センサが、半導体光源によって放射される光の波長とは異なる波長で温度を測定する光学センサであることが有利であり得る。半導体光源は、１つの特定の波長で、又は２つ、３つ、４つ、若しくはそれより多くの波長で光を放射し得る。半導体光源は、更には、規定の波長範囲内で光を放射してもよい。
【００３２】
半導体光源は、光スペクトルの赤色部分又は赤外部分で光を放射し得る。例えば、ＶＣＳＥＬのような半導体レーザが、半導体光源として使用され得る。ＶＣＳＥＬは、８００ｎｍと１２００ｎｍとの間の波長範囲内の基本的に単一波長でレーザ光を放射し得る。光学温度センサは、例えば、５００ｎｍ若しくは７００ｎｍの波長、又はＶＣＳＥＬの発光波長よりも長い波長で、加熱表面の温度を測定し得る。故に。例えば８５０ｎｍといった波長でのＶＣＳＥＬの発光は、温度の光学的検出を妨げない。単純な一例において、長波長に感度があり（例えば、光学的ロングパスフィルタを備える）且つＶＣＳＥＬアセンブリの一部である（すなわち、一緒にされたマウント表面上で或る数のＶＣＳＥＬチップを置き換える）フォトダイオードによって、パイロメータを実現することができる。
【００３３】
温度を測定するのに使用される波長又は波長域は、物体の材料、特には加熱表面の材料に応じて選定され得る。例えば、薄いＧａＡｓ又はＳｉのウエハは、赤外スペクトルで透明に近く、それ故に、処理表面に成長された層による負の影響を回避するために、およそ７００ｎｍの、より短波長での測定が好ましいとし得る。また、赤外放射線を阻止するフィルタが、より短波長での測定をもたらしてもよい。
【００３４】
処理表面と加熱表面とが少なくとも部分的に一致しない場合には、加えて処理表面の温度分布をモニタし得ることが更に有利であり得る。この場合、処理表面をモニタすることで、処理表面の温度分布の均一性を更に高め得る。
【００３５】
加熱システムは、有利な一実施形態において、少なくとも５００００個、１０００００個、５０００００個、又はそれより多くの半導体光源を有し得る。規定の面積サイズの加熱表面を加熱することにいっそう多くの半導体光源を使用することは、加熱表面の１つの面積要素を加熱する半導体光源の数を増加させる。加熱表面のそれぞれの面積要素を加熱するために放射されるトータルの光パワーと比較して、１つの半導体光源の機能不良は無視し得るものであり得るので、加熱システムの信頼性が向上され得る。
【００３６】
半導体光源は高価であることがあるので、加熱システムが、物体の加熱表面の第１の温度分布を提供する加熱モジュールを有するとともに、半導体光源が、処理温度での均一な温度分布を提供するように適応されることが有利であり得る。加熱モジュールは、処理温度に近い温度まで加熱表面を加熱するために、例えばハロゲンランプのようなコンベンショナルな加熱装置を有し得る。半導体光源は、加熱モジュール及び／又は幾何学的境界条件によって発生され得る不均一性を補償するために使用される。半導体光源は、加熱表面の温度の局所的な違いを補償するために、上述の第２グループのサブモジュールのサブモジュール群のような、複数のサブモジュールにて構成され得る。半導体光源とのコンベンショナルな加熱モジュールの組み合わせは、半導体光源のみを有する加熱システムよりも安価であり得る。このような組み合わせシステムの１つの欠点は、例えばハロゲンランプのブロードな発光によって、光学温度センサによる温度測定が妨げられてしまい得ることである。
【００３７】
ウエハ処理用の反応炉は、上述の加熱システムと反応炉チャンバとを有することができ、加熱システムは、反応炉チャンバ内の少なくとも一枚のウエハを加熱するように適応される。加熱システムは、反応炉チャンバの内部に位置付けられ得る。加熱システムを物体から分離することが有利であり得る。半導体光源によって放射される光に対して光透過性であるが、より長波長の物体からの熱放射に対しては反射性であるコーティングを備えたガラスプレートが、熱的な分離を支援し、故に、必要とされる加熱パワーを低減し得る。更なる分離が、反応炉チャンバと加熱システムの半導体光源との間の直接的なガス流を回避し得る。これは、なおも反応炉チャンバの内部でありながら、すなわち、同じ低圧下でありながら、メンブレンのような構造と２つの別々の真空系とによって実現され得る。
【００３８】
他の例では、反応炉チャンバの外部に加熱システムを配置することが有利であることがある。この場合、反応炉チャンバは少なくとも１つの反応炉ウィンドウを有し、加熱システムは、反応炉ウィンドウを介して光を照射することによってウエハを加熱するように適応される。反応炉チャンバからの加熱システムの完全な分離は、例えば、反応炉チャンバ内の状態に合わせて加熱システムを適応させる必要がないという利点を有し得る。また、加熱システムのみに関係するメンテナンス処理が、反応炉チャンバから独立になり、例えば、反応炉チャンバ内の真空を維持することができる。例えばＭＯＣＶＤ又はＭＢＥにおいてのような堆積システムの再校正が不要となることがあり、メンテナンス処理に必要な時間が短縮され得る。
【００３９】
半導体光源は比較的小さい立体角内に光を放射するので、ＶＣＳＥＬのような半導体光源は、このような反応炉ウィンドウと有利に組み合わされ得る。ＶＣＳＥＬは１０°未満の半発散角を有し、それ故に、追加の光学系を用いずに、半導体光源を反応炉チャンバの外部に配置することが可能であり得る。発散角は、半導体光源によって放射される強度が、特定の光源によって放射される最大強度の１／ｅ２まで低下する角度として定義される（ｅはオイラー数（ネイピア数）２．７１…）。反応炉ウィンドウは更には、複数のサブモジュールにて構成され得るそれぞれの半導体光源によって放射された強度分布を物体の加熱表面に投射する光学素子として用いられてもよい。反応炉ウィンドウの形状の幾何学構成に合わせて、サブモジュールの幾何学構成が適応され得る。例えば、円形配列で半導体光源を有するサブモジュールが、付加的にレンズとしても構成され得る円形の反応炉ウィンドウと組み合わされ得る。反応炉チャンバは、サブモジュールごとに１つの反応炉ウィンドウを有していてもよい。
【００４０】
本発明の更なる一態様によれば、物体の加熱表面を少なくとも１００℃の処理温度まで加熱する方法が提供される。この方法は、
物体の加熱表面を用意するステップと、
垂直共振器面発光レーザである複数の半導体光源を用意するステップと、
上記複数の半導体光源を複数のサブモジュールにて構成するステップと、
電気ドライバを用意するステップと、
１つのサブモジュールの全ての半導体光源を同時に駆動するように、電気ドライバを適応させるステップと、
上記複数のサブモジュール及び／又は電気ドライバを整備することによって、ウエハの処理表面の第１部分の第１局所温度の、処理表面の第１部分とは異なるウエハの処理表面の第２部分の第２局所温度からの逸脱が、０．５％未満であるように加熱表面を加熱するよう、加熱システムを適応させるステップと、
ウエハの処理表面が、定められた温度に均一に加熱されるよう、加熱表面の面積要素を少なくとも５０個の半導体光源で同時に加熱するステップと
を有する。
【００４１】
この方法は、物体の加熱表面の均一で信頼性ある加熱を可能にし得る。
【００４２】
この方法は更に、
加熱表面の異なる面積要素の温度を測定する温度センサを設けるステップと、
加熱表面の異なる面積要素の温度を測定するステップと、
物体の加熱表面の温度差が低減されるように、温度センサによって測定された温度により半導体光源を制御するステップと
を有する。
【００４３】
理解されるべきことには、請求項１の加熱システム及び請求項１５の方法は、特に、従属項に規定されるような、同様及び／又は同質の実施形態を有する。
【００４４】
理解されるべきことには、それぞれの独立項との従属項の如何なる組み合わせも本発明の一好適実施形態とすることができる。とりわけ、請求項１０乃至１２にて請求される反応炉が、請求項１乃至９のうちの何れかの加熱システムと組み合わされてもよい。
【００４５】
更なる有利な実施形態は以下に規定される。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
本発明のこれら及びその他の態様が、以下に記載される実施形態を参照して明らかになる。
【００４７】
ここに、添付の図面を参照して、実施形態に基づいて、例として、本発明を説明する。図面は以下を示す。
【図１】加熱システムの第１の実施形態の主な略図を示している。
【図２】光円錐を重ねることの原理を例示する主な略図を示している。
【図３】加熱システムの第２の実施形態の主な略図を示している。
【図４】加熱システムの第３の実施形態の断面の主な略図を示している。
【図５】加熱システムの第３の実施形態の上面図の主な略図を示している。
【図６】図４及び５に示した第１グループのサブモジュールのうちの１つのサブモジュールによって提供される強度プロファイルを示している。
【図７】第１の実施形態に従った第２グループのサブモジュールのうちの１つのサブモジュールによって提供される強度プロファイルを示している。
【図８】第２の実施形態に従った第２グループのサブモジュールのうちの１つのサブモジュールによって提供される強度プロファイルを示している。
【図９】反応炉の第１の実施形態の主な略図を示している。
【図１０】反応炉の第２の実施形態の主な略図を示している。
【図１１】第１の実施形態に従ったサブモジュールの配列の主な略図を示している。
【図１２】第２の実施形態に従ったサブモジュールの配列の主な略図を示している。
【図１３】加熱システムの第４の実施形態の主な略図を示している。
【図１４】加熱システムの第５の実施形態の主な略図を示している。
【図１５】物体の加熱表面を加熱する方法の方法ステップの主な略図を示している。  図面においては、全体を通して、似通った参照符号が同様のオブジェクトを表す。
【発明を実施するための形態】
【００４８】
以下、本発明の様々な実施形態を図面により説明する。
【００４９】
図１は、加熱システム１００の第１の実施形態の断面の主な略図を示している。加熱システムは、ＶＣＳＥＬのような多数の半導体光源１１５を備えた１つのサブモジュール１１０を有している。ＶＣＳＥＬは、物体１５０に対してレーザ光を放射する。物体１５０は、ＶＣＳＥＬの発光面に対して距離Ａの位置に直径Ｄを持つ加熱表面１８０を有している。加熱表面１８０は、ＶＣＳＥＬに隣接した物体１５０の上面の全体には及んでいない。加熱表面１８０の面積要素（エリアエレメント）が少なくとも５０個のＶＣＳＥＬによって照らされるように、距離Ａ、ＶＣＳＥＬ同士の間のピッチ、及びＶＣＳＥＬの半発散角αが整備される。発散角は、半導体光源によって放射される強度が、特定の光源によって放射される最大強度の１／ｅ２まで低下する角度として定義される（ｅはオイラー数（ネイピア数）２．７１…）。
【００５０】
ピッチｐを持つ正方形配列の光源では、これは、式：π（Ａ・ｔａｎα）２＞５０ｐ２を満足することによって達成されることができる。加熱表面１８０の面積要素群は、この場合、加熱表面１８０の中心の周りの同心円及びリングである。
【００５１】
図２は、光円錐（光コーン）を重ねることの原理を例示する原理的な略図を示している。この図は、サブモジュール１１０の或る区画のみを示している。サブモジュール１１０の半導体光源１１５は、ピッチｐを持つ方形パターンで配列されている。半導体光源は、発散角αで光を放射する。少なくとも５０個の隣接する半導体光源１１５の光が重なり合う距離Ａにおける、１つの半導体光源１１５によって放射される光の円錐の半径Ｒは、サブモジュール１１０上の５０個よりも遥かに多い光源１１５の略均一な分布を仮定して、およそ、
Ｒ＝√（５０／π）・ｐ
である。
【００５２】
加熱表面を有する物体１５０が置かれなければならない最小距離Ａは、
Ａ＝Ｒ／ｔａｎ（α）
によって決定される。
【００５３】
物体が置かれなければならない最小距離は、故に、発散角αと半導体光源のピッチｐとによって決定される。上に与えた例は、単に例示目的で説明された１つの具体例である。計算は、半導体光源の配列や、半導体光源（ＶＣＳＥＬ、ＶＣＳＥＬアレイ）の強度分布などに依存する。発散角は、例えば、各半導体光源１１５の光をコリメートするマイクロレンズアレイを設けることによって影響され得る。
【００５４】
図３は、加熱システム１００の第２の実施形態の主な略図を示している。加熱システム１００は、物体１５０の加熱表面１８０の視点から示されている。それぞれの半導体光源から加熱表面によって受け取られる最大強度の１／ｅ２が受け取られる線を表す点線の円によって、１つの半導体光源１１５によって照らされる加熱表面１８０の領域３００が指し示されている。半導体光源１１５が、サブモジュール１１０上の正方形として指し示されている。加熱表面１８０の中心の位置又はその付近の面積要素（例えば、正方形のうちの１つ）を取ると、５０個よりも遥かに多い半導体光源１１５によって放射された光が加熱表面１８０のそれぞれの面積要素で重なり合うことは明らかである。均一な照明を提供するためのサブモジュール１１０の最小サイズは、この実施形態において、加熱表面１８０の直径と領域３００の直径との和以上でなければならない。半導体光源１１５によって放射された、加熱表面に当たらない光は、物体１５０の残りの表面（このような残りの表面が存在する場合）に当たることができ、あるいは、この光を吸収するために更なるマスクが使用され得る。これに代えて、あるいは加えて、サブモジュール１１０の周縁で放射された光を加熱表面１８０の周縁付近に導くマイクロレンズアレイが設けられ得る。マイクロレンズアレイは、この場合、加熱表面１８０にわたる強度が基本的に一定であるように適応され得る。
【００５５】
図４は、加熱システムの第３の実施形態の断面の主な略図を示している。図５は、図４に示した加熱システム１００の上面図を示しており、破線５１０は、図４に示した断面のラインを指し示している。多数の半導体光源を有する２つのグループのサブモジュール１１０が示されている。第１グループのサブモジュール４１０の各サブモジュール１１０は、点線によって指し示すように、物体１５０の加熱表面１８０の全体に及ぶ光を放射する。第１グループのサブモジュール４１０のうちの１つのサブモジュール１１０によって提供される強度プロファイル６２０の理想化した例を図６に示す。加熱表面１８０の直径Ｄにわたって、強度が基本的に一定である。実際には、強度プロファイルは台形になることがあり、故に、一定強度の領域が加熱表面１８０の全体をカバーしなければならない。第２グループのサブモジュール４２０のサブモジュール１１０は、破線によって指し示すように、物体１５０の加熱表面１８０の一部のみに及ぶ光を放射する。第２グループのサブモジュール４２０のうちの１つのサブモジュール１１０によって提供される強度プロファイル７２０の理想化した例を図７に示す。加熱表面１８０の直径Ｄの半分にわたって、強度が基本的に一定である。この実施形態では、基本的に長方形の強度プロファイルが図７に示すように加熱表面１８０に投射されるように、方形サブモジュール１１０のニアフィールド発光を投影するのには、単純な光学系で十分であり得る。そのような光学系及び更に洗練された光学系は当業者に周知である。光学素子は、幾何学的な境界条件及び意図する強度プロファイルに応じて選定され得る。第２グループのサブモジュール４２０のうちの異なるサブモジュール１１０が、加熱表面１８０の隣接する面積要素が照らされるように構成される。全体として、加熱表面１８０の全体が、第２グループのサブモジュール４２０のサブモジュール１１０によって照らされる。サブモジュール１１０は、加熱システム１００に統合された電気ドライバ４５０によって電力供給される。第１グループのサブモジュール４１０のサブモジュール１１０は、共通に駆動され、加熱表面１８０を処理温度まで加熱するのに必要な光パワーのおよそ９５％を供給する。残りの光パワーが、第２グループのサブモジュール４２０のサブモジュール１１０によって供給される。第２グループのサブモジュール４２０のサブモジュール１１０は、加熱表面１８０の異なる面積要素間の温度差を最小にすることができるように、電気ドライバ４５０によって独立に駆動される。そのような温度差は、例えば、物体１５０の周縁での懸架（サスペンション）（図示せず）によって発生され得る。加熱表面の一定温度を提供するために第２グループのサブモジュール４２０のサブモジュールが微調整を提供しさえすればよいように、第１グループのサブモジュール４１０によって多くのパワー（例えば、９８％又は９９％）を提供することが更に有利であり得る。
【００５６】
図８は、第２の実施形態に従った第２グループのサブモジュール４２０のうちの１つのサブモジュール１１０によって提供される強度プロファイル８２０を示している。この強度プロファイルは、加熱表面１８０の中心で最大値を有するとともに、加熱表面１８０の周縁でのゼロ強度まで減少している。第２グループのサブモジュール４２０のその他のサブモジュール１１０が、加熱表面１８０の中心周りに対称的に配置された２つの最大値を有するリング形状の強度プロファイルを放つ。強度プロファイルは、この場合、円形のサセプタに合わせて適応される。第２グループのサブモジュール４２０の様々なサブモジュール１１０によって供給される光パワーは、サセプタを取り付けるリング形状の懸架（図示せず）によって引き起こされ得る熱損失を補償するために変化され得る。一般に、強度プロファイルは、１つのサブモジュール１１０内の半導体光源１１５の配列（単一の半導体光源１１５間の距離、半導体光源１１５の可変密度など）、物体１５０（形状、材料、構造など）及び懸架のような支持素子によって与えられる境界条件を合致させるための光学素子（マイクロレンズアレイ、レンズなど）、及びこれらに類するものによって適応されなければならない。一般に、加熱表面１８０の温度逸脱を生じさせ得る各影響因子（例えば、ガス流）が考慮に入れられなければならない。また、加熱表面１８０において均一な温度分布を提供するために、サブモジュール１１０同士の相対的な配置が用いられてもよい。
【００５７】
図９は、加熱システム１００を有する反応炉の第１の実施形態の主な略図を示している。加熱システム１００は、図４及び５に示した加熱システムと同様であり、電気ドライバ４５０によって独立に駆動されるサブモジュール１１０を有している。全ての第２のサブモジュール１１０が、それぞれのサブモジュール１１０によって照らされる加熱表面１８０の面積要素の表面温度を測定するための温度センサ１１８（パイロメータ）を有している。サブモジュール１１０は、およそ８５０ｎｍの波長のレーザ光を放射するＶＣＳＥＬアレイを有する。レーザ光は、反応炉チャンバ９１０の反応炉ウィンドウ９２０と、熱放射による熱損失を抑制するための、レーザ波長では透明であるが、より短い波長では反射性であるコーティングされたガラスプレート９７０とを通る。物体１５０は、この場合、上にウエハ９６０が置かれるサセプタ９５０である。サセプタ９５０及びウエハ９６０は、反応炉チャンの中に配置される。サブモジュール１１０によって放射されたレーザ光が、ウエハ９６０が置かれた表面とは反対側のサセプタ９５０の下面で吸収される。サセプタ９５０の下面は、加熱表面１８０と同じである。サブモジュール群１１０が、重なり合う強度プロファイルを持つレーザ光を放射し、それらの強度プロファイルは、加熱表面１８０の均一な加熱が実現されるように整備される。加熱表面１８０が処理温度まで加熱され、グラファイトからなるとし得るサセプタ９５０を介して間接的に、ウエハ９６０が加熱される。加熱表面の温度の均一性が、７００ｎｍの波長で動作するパイロメータによって制御される。パイロメータによって提供される入力に基づき、電気ドライバによってサブモジュール１１０が制御される。加熱表面１８０の、及びその結果としてのウエハ９６０の上面の処理表面の、均一で安定した温度に至るとすぐに、半導体層の堆積が始まる。
【００５８】
図１０は、加熱システム１００を備えた反応炉の第２の実施形態の主な略図を示している。サブモジュール１１０は、およそ８５０ｎｍの波長のレーザ光を放射するＶＣＳＥＬアレイを有する。レーザ光は、反応炉チャンバ９１０の反応炉ウィンドウ９２０を通って、ウエハ９６０の処理表面９８０に当たる。処理表面９８０は、この場合（図９に示した実施形態とは異なり）、加熱表面１８０と基本的に同じである。ウエハ９６０は、懸架９９５によってマウントされる。ウエハの主たる加熱は、従来からのハロゲンランプを有する加熱モジュール９９０によって提供される。加熱モジュール９９０は、レーザ光を吸収する処理表面９８０に対してウエハの反対側で、反応炉チャンバの中に配置される。
【００５９】
局所的な温度バラつきを補償し得るように、各サブモジュール１１０が、電気ドライバによって個別に駆動されて、加熱表面１８０の定められた面積要素に対してレーザ光を放射する。第１のサブモジュール１１０によって照らされる面積要素が、第２のサブモジュール１１０によって照らされる面積要素と、僅かに重なるのみでもよい。面積要素が小さいほど、処理表面９８０の温度の均一性の制御が良好となり得る。面積要素は相異なるサイズを有していてもよい。何故なら、熱消散を生じさせ得る懸架のような構造要素の近くでの温度制御の方が、ウエハの中心近くの幾つかの面積要素よりも重要であり得るからである。
【００６０】
図１１は、第１の実施形態に従ったサブモジュール１１０の配列の主な略図を示している。この加熱システム１００のサブモジュール１１０は、円形状を有するとともに、規則的なパターンで設けられている。これらのサブモジュールの各々が、電気ドライバ４５０によって個々に給電される。サブモジュールの駆動方式は、例えばパルス駆動を用いて、物体内の熱流を考慮に入れてもよい。例えば、隣接し合うサブモジュールが同時に光を放射しないようにしてもよい。後者は、例えば、図９に示したようなサセプタを介しての処理表面の間接加熱の場合に有利となり得る。
【００６１】
図１２は、第２の実施形態に従ったサブモジュール１１０の配列の主な略図を示している。これらのサブモジュールは、長方形の形状を有しており、長方形の長辺で放射状に配列されている。長方形の中心線が、円形の加熱システム１００の中心を指す。加熱表面１８０の均一な加熱を可能にするために光学素子が設けられる。
【００６２】
図１３は、加熱システム１００の第４の実施形態の主な略図を示している。定められた強度プロファイルを物体１５０の加熱表面１８０上に提供するために、半導体光源１１５を備えたサブモジュール１１０が光学素子１１６（凸レンズ）と組み合わされる。
【００６３】
図１４は、加熱システム１００の第５の実施形態の主な略図を示している。定められた強度プロファイルを物体１５０の加熱表面１８０上に提供するために、半導体光源１１５（ＶＣＳＥＬ）を備えたサブモジュール１１０が、マイクロ光学素子１１７（マイクロレンズアレイ）及び光学素子１１６（凸レンズ）と組み合わされる。マイクロレンズアレイを使用することで、例えば、物体１５０までの距離を延長させ得るように放射レーザ光の発散角を変化させ得る。
【００６４】
図１５は、物体１５０の加熱表面１８０を加熱する方法の方法ステップの主な略図を示している。ステップ１４１０にて、物体１５０の加熱表面１８０が用意される。ステップ１４２０にて、半導体光源１１５が用意される。ステップ１４３０にて、加熱表面１８０の面積要素が少なくとも５０個の半導体光源１１５の光を同時に受けるようにして、加熱表面１８０が、半導体光源１１５によって放射された光によって加熱される。
【００６５】
図面及び以上の記載にて本発明を詳細に図示して説明してきたが、これらの図示及び説明は、限定的なものではなく、例示的あるいは典型的なものとみなされるべきである。
【００６６】
本開示を読むことにより、その他の変更が当業者に明らかになる。それらの変更は、技術的に既知であり且つここで既に述べた特徴に代えて又は加えて使用され得るような、その他の特徴を含んでいてもよい。
【００６７】
開示の実施形態への変形が、図面、本開示及び添付の請求項の検討から、当業者によって理解されて実現され得る。請求項において、用語“有する”はその他の要素又はステップを排除するものではなく、不定冠詞“ａ”又は“ａｎ”は複数の要素又はステップを排除するものではない。特定の複数の手段が相互に異なる従属項に記載されているという単なる事実は、それらの手段の組合せが有利に使用され得ないということを指し示すものではない。
【００６８】
請求項中の如何なる参照符号も、その範囲を限定するものとして解されるべきでない。
【符号の説明】
【００６９】
１００    加熱システム
１１０    サブモジュール
１１５    半導体光源
１１６    光学素子
１１７    マイクロ光学素子
１１８    温度センサ
１５０    物体
１８０    加熱表面
３００    １つの半導体光源によって照らされる加熱表面の領域
４１０    第１グループのサブモジュール
４２０    第２グループのサブモジュール
４５０    電気ドライバ
５１０    断面を指し示すライン
６００    強度
６１０    物体の加熱表面を横切る断面
６２０    第１グループのサブモジュールのうちの１つのサブモジュールによって提供される強度プロファイル
７２０    第１の実施形態に従った第２グループのサブモジュールのうちの１つのサブモジュールによって提供される強度プロファイル
８２０    第２の実施形態に従った第２グループのサブモジュールのうちの１つのサブモジュールによって提供される強度プロファイル
９１０    反応炉チャンバ
９２０    反応炉ウィンドウ
９５０    サセプタ
９６０    ウエハ
９７０    コーティングされたガラスプレート
９８０    処理表面
９９０    加熱モジュール
９９５    懸架
１４１０  物体の加熱表面を用意する方法ステップ
１４２０  半導体光源を用意する方法ステップ
１４３０  加熱表面の面積要素を加熱する方法ステップ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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