【事件の表示】
　特許第３２０２０１２号「圧電アクチュエータ、インクジェットヘッド及びインクジェット式記録装置」の請求項２、３、７、９、１０に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第３２０２０１２号の請求項２、３、７、９、１０に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
　特許第３２０２０１２号の請求項１ないし１０に係る発明の手続きの経緯は、以下のとおりである。
　出願（特願２０００−９１５３０号）平成１２年３月２９日
　設定登録　　　　　　　　　　　　　平成１３年６月２２日
　特許異議の申立て（鈴木正和）　　　平成１４年２月２７日
　　請求項２、３、７、９及び１０に対して
　取消理由通知　　　　　　　　　　　平成１４年６月２０日（起案日）
　意見書・訂正請求書　　　　　　　　平成１４年９月２日
　訂正請求取下書　　　　　　　　　　平成１６年８月３０日
　
２．特許異議の申立ての理由の概要及び取消理由通知の概要について
ア．申立ての理由の概要について
　特許異議申立人は、証拠として本件出願前国内において頒布された甲第１号証（米国特許第５８２０９４６号明細書）、甲第２号証（特開平６−３５０１５４号公報）、甲第３号証（特開平１０−２７０７６６号公報）、甲第４号証（特開平５−３２０８９４号公報）、甲第５号証（特開平１１−３０７８３３号）、甲第６号証（特開平１１−１９２７１３号公報）を提出し、本件請求項２、３、７、９及び１０に係る発明は、甲第１号証ないし甲第６号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第第２９条第２項の規定により特許を受けることができず、取り消されるべきものである旨主張している。
　また、特許異議申立人は、本件請求項２には、構成要件として、（前記圧電体膜は）「Ｐｂ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）＝１．１〜１．５」且つ「誘電損失が５％以下」であることが記載されており、請求項３、７、９及び１０も、請求項２に従属しているので、これらの構成要件を有している。しかしながら、本件特許明細書には、スパッタターゲットとしてＰｂＺｒ１−ｘＴｉｘＯ３（Ｚｒの含有量の少ないターゲットおよびＺｒの含有量の多いターゲット）を用いることしか記載されておらず、本件特許明細書を基にＰｂ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）比を得るためには、Ｐｂの揮発量を予測して、スパッタリングターゲットの組成、基板温度など種々の条件を設定しなければならず、更に、本件特許発明では、誘電損失を所定の値にすることが構成要件となっているが、誘電損失を所定の値にするためにどのような製造条件を取るべきかは明細書に何ひとつ記載がなく、まして、Ｐｂ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）比と誘電損失の両者を所望の値に合わせ込む方法はまったく不明であり、その製造条件を設定するためには、当業者に期待しうる程度を超える試行錯誤や複雑高度な実験等が必要である。したがって、本件特許明細書には、特許発明に係る圧電アクチュエータを当業者が容易に製造できるように記載されておらず、特許法第３６条第４項に違反する旨主張している。
　
イ．取消理由通知の概要について
　当審で通知した取消理由の概要は、以下の通りである。
「１．本件の下記の請求項に係る発明は、その出願前に国内において頒布された下記の刊行物に記載された発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術分野における通常の知識を有するものが、容易に発明をすることができたものと認められるから、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。
２．本件発明は、明細書及び図面の記載が下記の点で不備のため、特許法第３６条第４項に規定する要件を満たしていない。
　　　　　　　　　　　　　　　　　記
引用例１．米国特許第５８２０９４６号明細書（申立人の提出した甲第１号証）
引用例２．特開平６−３５０１５４号公報（申立人の提出した甲第２号証）
引用例３．特開平１０−２７０７６６号公報（申立人の提出した甲第３号証）
引用例４．特開平５−３２０８９４号公報（申立人の提出した甲第４号証）
引用例５．特開平１１−３０７８３３号公報（申立人の提出した甲第５号証）
引用例６．特開平１１−１９２７１３号公報（申立人の提出した甲第６号証）
引用例７．特開平１０−２３５８６４号公報（申立書（７−２）に記載の文献）
　
・請求項２、３、７、９、１０について
・理由１
・引用例１〜７
・備考
　引用例１〜６には、特許異議申立書　３　申立ての理由（５）証拠の説明の欄（第８頁第１行〜第１２頁最終行）に記載された発明が記載されており、また、引用例７には、申立書（７−２）に示されているように、スパッタ法により成膜されたＰＺＴ薄膜が（００１）面に強く配向している圧電アクチュエータが記載されている。
　そして、請求項２、３、７、９、１０に係る発明は、特許異議申立書　３　申立ての理由（６）本件特許発明と甲第１号証に記載された発明との対比、及び（７）相違点に対する検討（第１３頁第１行〜第２２頁第１８行）に記載された理由により、上記引用例１〜７に記載された発明に基づいて容易に発明できたものと認められる。
　
　
・請求項２、３、７、９、１０について
・理由２
・備考
　ア）特許異議申立書　３　申立ての理由（８）明細書の記載不備について（第２２頁第１９行〜第２６頁第１３行）に記載された理由により、本件請求項２、３、７、９、１０に係る発明に関連する発明の詳細な説明が、当業者がその実施をすることができる程度に明確かつ十分に、記載されておらず、不明瞭である。
　イ）明細書【００４８】段落に記載の「抗電界が２Ｖ／μｍ以上の圧電膜を備えることとしたので、分極の反転が起こりにくくな」ることと、「耐電圧性を向上させることができる。」こととの、因果関係に関する記載が不明瞭である。また、同様に、明細書【００４９】段落に記載の「誘電損失が５％以下の圧電膜を備えることとしたので、電圧印加時の発熱等の損失が低減」することと、「耐電圧性を向上させることができる。」こととの、因果関係に関する記載が不明瞭である。」
　
　
３．本件請求項２、３、７、９及び１０に係る発明
　本件請求項２、３、７、９及び１０に係る発明は、特許請求の範囲の請求項２、３、７、９及び１０に記載された次のとおりのものである。
「【請求項２】　上部電極と下部電極との間に圧電体が設けられてなる圧電アクチュエータであって、上記圧電体は、スパッタリング、ＣＶＤ法およびゾルゲル法のいずれか１の成膜方法により成膜されたＰｂ、Ｚｒ及びＴｉを含むペロブスカイト型構造を有する圧電膜で形成され、前記圧電膜は、Ｐｂ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）＝１．１〜１．５、膜厚が１μｍ〜１０μｍ、抗電界が２Ｖ／μｍ以上且つ誘電損失が５％以下である圧電アクチュエータ
　【請求項３】　Ｘ線回折ピークの強度が最大となる面が（００１）面である圧電膜によって形成されている請求項１または２のいずれか１記載の圧電アクチュエータ。
　【請求項７】　請求項１〜６のいずれか一つに記載の圧電アクチュエータにおいて、圧電膜は、Ｐｂ、Ｚｒ及びＴｉを含むペロブスカイト型構造を有する複数の圧電薄膜が積み重ねられて形成されている圧電アクチュエータ。
　【請求項９】　複数のノズル及び該各ノズルにそれぞれ連通する複数のインク室が形成されたヘッド本体部と、上記ヘッド本体部の各インク室にそれぞれ対応して設けられ、所定の記録信号を受けると該インク室のインクを上記ノズルから押し出すように変形するアクチュエータとを備えたインクジェットヘッドであって、上記アクチュエータは、請求項１〜８のいずれか一つに記載の圧電アクチュエータによって形成されているインクジェットヘッド。
　【請求項１０】　請求項９に記載のインクジェットヘッドと、上記インクジェットヘッドと記録媒体とを相対移動させる移動手段と、上記インクジェットヘッドに記録信号を供給する信号供給手段とを備えているインクジェット式記録装置。」
　
　
４．引用刊行物に記載された発明
　当審で通知した取消理由で引用した刊行物１（米国特許第５８２０９４６号明細書（申立人の提出した甲第１号証））には「本発明は、・・・特にＰｂ（Ｚｒ１−ｘＴｉｘ）Ｏ３（以下、ＰＺＴという）強誘電体薄膜を製造するための改善された方法に関するものであり、ＰＺＴ強誘電体薄膜は、圧電性、・・・などの性質を用いたデバイスや、・・・において、広く用いられている。」（第１欄第５〜９行）こと、「従来、ＰＺＴ系の強誘電体薄膜は、高い誘電率、卓越した圧電特性、・・・等を有しているため、マイクロアクチュエータ、・・・などに広く用いられてきた。・・・ここでは、半導体プロセスで広く使われている不揮発性の強誘電体ランダムアクセス・メモリ装置の材料としてＰＺＴ強誘電体薄膜を使った代表的な例を説明する。」（第１欄第１４〜２６行）こと、「誘電損失は低くなければならない」（第１欄第３３行）こと、「スパッタリング法は、薄膜の揮発性を調整することが難しいという欠点を持っていた。特に、Ｐｂ、Ｂｉなど、高い揮発性を有するものから構成される薄膜を用いるための堆積法は、非常に難しい。薄膜製造中の基板の温度を高くすると上記の困難が増加するため、より低い温度で堆積させる必要がある。加えて、電極と接触する界面に存在する酸素欠損又はＰｂ陽イオン欠損が空間電荷を形成し」（第１欄第４４〜５４行）、「揮発性成分によって・・・引き起こされる非化学量論的な欠損のため、・・・電流漏れしやすいことが知られている」（第２欄第５〜７行）こと、「ＰＺＴ薄膜を製造する際に、追加Ｐｂ成分を含有したバッファ層を挿入する」（第２欄第２６〜２７行）こと、「図１Ａ及び図１Ｂは、本発明に係るＰＺＴ強誘電体薄膜の断面図である。図１Ａは、バッファ層１１０及び１３０が、ＰＺＴ薄膜１２０の形成前と形成後にそれぞれ形成された構造を示している。図１Ｂは、バッファ層１１０がＰＺＴ薄膜１２０の形成前に形成された構造を示している。」（第２欄第５２〜５８行）こと、「１０ないし１００ｎｍの厚さを有する・・・下部バッファ層１１０及び上部バッファ層１３０を挿入する」（第２欄第６１〜６３行）こと、「下部バッファ層１１０を、スピンコート法又はディップコート法などのゾルゲル法によって基板１００上に形成する。・・・その後、ＰＺＴ薄膜１２０を、スパッタ法又はレーザーアブレーション法によって下部バッファ層上に形成する。そして、上部バッファ層１３０を、ゾルゲル法によってＰＺＴ薄膜上に形成する」（第３欄第５〜１６行）こと、「上部及び下部バッファ層１３０及び１１０の薄膜の成分は、スパッタ法により堆積されるＰＺＴ薄膜・・・と同じ成分であってもよい」（第３欄第２４〜２７行）こと、「ＰＺＴ薄膜は、・・・３５０ｎｍの厚さを有し・・・結晶レベルが高くなっている」（第３欄第４９〜５４行）こと、「抗電界：Ｅｃが、１０８（ｋＶ／ｃｍ）」（第４欄表１）について記載されている。
　
　同刊行物２（特開平６−３５０１５４号公報（申立人の提出した甲第２号証））には、「圧電体薄膜素子」に関して、「本発明は薄膜圧電振動子、液体噴射装置等の圧電素子、半導体記憶装置、・・・等に用いられる強誘電体薄膜装置に関する。」（段落【０００１】）こと、「特に、Ｐｂを含む化合物の場合、焼成、焼結、またはスパッタ法等の成膜時の高温処理時にＰｂＯの形で、Ｐｂが抜けやすく、化学量論的組成に制御することは、非常に困難である。」（段落【０００７】）こと、「（１００）面単結晶ＭｇＯ基板２０１に、高周波スパッタ法により、ＭｇＯ基板２０１の主面方向に対して＜１００＞配向のＰｔ下部電極２０２を形成する。」（段落【００４９】）こと、「次にＰＺＴ膜２０３を２μｍ、高周波スパッタ法により形成した。」（段落【００５１】）「スパッタは、ＡｒとＯ2雰囲気、７００℃の基板温度で行った。」（段落【００５２】）こと、「スパッタリングターゲットには、Ｐｂ１＋Ｙ（ＺｒＸＴｉ１−Ｘ）Ｏ３＋Ｙを用いた。」（段落【００５３】）こと、「ここで、Ｙ＝０．５、Ｘ＝０．６である。」（段落【００５４】）こと、「【００５５】高温スパッタにより、アズ−スパッタで、ペロブスカイト結晶構造のＰＺＴを得ることができた。」（段落【００５５】）こと、「次いで、ＰＺＴ膜上に膜厚１００ＡのＴｉ層２０４、及び膜厚２０００ＡのＡｕ電極２０５を順次蒸着し、特性を評価した。」（段落【００５６】）こと、「図６に、代表的なＰＺＴ薄膜のＸ線回折パターンを示す。」（段落【００５７】）こと、「図６に示された本実施例の過剰鉛組成比Ｙは、０．１０、Ｚｒ組成比Ｘは、０．６０であり、＜００１＞配向度は、９８％であった。
【００６０】ここで、＜００１＞配向度Ｐ（００１）は、Ｐ（００１）＝Ｉ（００１）／ΣＩ（ｈｋｌ）で表す。」（段落【００５９】）こと、「図８に、Ｚｒ組成比Ｘ＝０．６０に固定した場合の比誘電率εのＰｂＯ過剰組成比Ｙ依存性を示す。」（段落【００６９】）ことが、図１、図５、図６、図８と共に記載されている。
　
　同刊行物３（特開平１０−２７０７６６号公報（申立人の提出した甲第３号証））には、「強誘電体薄膜素子、圧電素子及びその製造方法」に関して、「Ｔｉ箔２は下部電極であり、Ｐｔ電極４は上部電極である。・・・ＰＺＴ薄膜層３が備えられている。この層厚は、２μｍ程度である。この材料は、所謂、結晶構造としてペロブスカイト構造を備えており、強誘電性を示す」（段落【００１３】）こと、「実施例３　膜厚：２０１９０Å、組成：Ｚｒ　０．３７、Ｔｉ　０．３、ｔａｎδ　ａｔ　１００ｋＨｚ：３７×１０−３（【表４】）」、「上記の実施の形態においては、薄膜製造方法として、ＭＯＣＶＤ法を採用したが、スパッタリング法、・・・等も使用できる」（段落【００２８】）ことが記載されている。
　
　同刊行物４（（特開平５−３２０８９４号公報（申立人の提出した甲第４号証））には、「鉛含有ペロブスカイト構造複合酸化物強誘電体薄膜製造用スパッタリングターゲット材およびその製法」に関して、「ＰＺＴ、ＰＬＺＴ強誘電体薄膜は、・・・振動子、・・・不揮発性のメモリー等に使用されており」（段落【０００１】）、「Ｐｂ１．３０Ｚｒ０．５２Ｔｉ０．４８Ｏｘのスパッタリングターゲット材を作製した」（段落【０００８】）、「このターゲット材を用い・・・基板温度４５０℃、雰囲気Ａｒ／Ｏ２＝４／１のスパッタ条件で成膜し、・・・膜厚３０００ÅのＰＺＴ強誘電体薄膜を作製した。ＰＺＴ薄膜はＸ線回折によりペロブスカイト相であった。膜の組成はＥＰＭＡ分析にＰｂ１．０２Ｚｒ０．５２Ｔｉ０．４８Ｏｘであった。・・・誘電損失ｔａｎδ＝２．８％であった」（段落【０００９】）ことが記載されている。
　
　同刊行物５（特開平１１−３０７８３３号公報（申立人の提出した甲第５号証））には、「圧電体素子、インクジェット式記録ヘッドおよびそれらの製造方法」に関して、「【０００２】圧電体素子は、二つの電極の間に圧電体層を備えている。圧電体層にはジルコン酸チタン酸鉛（ＰＺＴ）等の圧電性セラミックスが用いられる。これら化学式ＡＢＯ３で表される物質はペロブスカイト（perovskite）結晶構造を示すことが知られており、この結晶構造は電気機械変換作用を有する。」（段落【０００２】）こと、「正方晶系のＰＺＴなどの圧電性セラミックス結晶体における分極軸方向は（００１）面方位であり、菱形晶系のＰＺＴなどの圧電体セラミックス結晶体における分極軸方向は（１１１）面方位である。」（段落【０００４】）こと、「本圧電体素子４０は、図１に示すように、下部電極３２と上部電極４２との間に複数の薄膜層４１１〜４１ｎ（ｎは任意の自然数、例えば８とする）が積層された圧電体層４１を備えている。」（段落【００２０】）こと、「圧電体層４１全体の厚みは５００ｎｍ〜２０００ｎｍ程度が好ましい。」（段落【００２７】）こと、「圧電体素子４０の下部電極３２および上部電極４２間に低電圧（４Ｖ〜１５Ｖ程度）を印加すると大きな変位が圧電体素子４０に生ずる。・・・キャビティ内にはインクが充填されているので、瞬間的な圧力増加によってノズル穴１１からインクが押し出され、液滴として吐出される。」（段落【００３５】）こと、「圧電体層形成工程（図４（ｃ）（ｄ））：　圧電体層形成工程は、前記ゾルを用いて上部電極３２上に本発明の圧電体層４１を形成する工程である。薄膜層の形成を繰り返して薄膜層を所定層数積層し圧電体層４１にする。」（段落【００４４】）こと、「各薄膜層の形成工程を説明する。上記のようにして作成したゲルを一定の厚みに塗布する。塗布する厚みは１００ｎｍ以上であって２５０ｎｍ以下程度にすることが好ましい。ある程度以上の厚みに塗布しなければ積層に要する処理の回数が多くなり過ぎてスループットが得られないからである。また余りに厚く塗布するとできあがった圧電体層が厚くなりすぎ、製造時にクラック等を発生してしまうからである。」（段落【００４５】）こと、「例えば８層薄膜層を積層する」（段落【００４８】）ことが記載されており、また、図２には、複数のノズル穴（１１）及び該各ノズル穴にそれぞれ連通する複数のキャビティ（２１）が形成されたヘッド本体部が示されており、図３には、ヘッド本体部の各キャビティ（２１）にそれぞれ対応して設けられた圧電体素子（４０）が示されている。
　
　同刊行物６（特開平１１−１９２７１３号公報（申立人の提出した甲第６号証））には、「圧電体薄膜素子の製造方法、この圧電体薄膜素子を用いたインクジェット式記録ヘッド、並びにこの記録ヘッドを用いたインクジェット式プリンタ」に関して、「先ず、Ｐｂ（ＺｒｘＴｉ１−ｘ）Ｏ３＋ＹＰｂＯ（ここで、０．４０≦Ｘ≦０．６， ０≦Ｙ≦０．１）で示される２成分ＰＺＴの前駆体１５を、次に示すゾルゲル法を用いて形成する。」（段落【００２７】）こと、「【００３４】ペロブスカイト型のＰＺＴ結晶が形成される。」（段落【００３４】）こと、「圧電体薄膜の厚さが０．５μｍ以上であれば、例えば、インクジェット式記録ヘッドにおいて必要な圧電特性が得られるとともに、１０μｍ以下であれば、圧電体素子を高密度に形成することができる。好適には１乃至５μｍであり、さらに好適には２μｍである。」（段落【００５４】）こと、「次に、図３に示した圧電体素子を有するインクジェット式記録ヘッドが使用されるプリンタの構造を図４に説明する。プリンタは、・・・インクジェット式記録ヘッド、供給機構６、制御回路８が備えられている。」（段落【００６１】）こと、「供給機構は、モータ６００、ローラ６０１，６０２等の機械構造を備えている。モータは、制御回路から供給される駆動信号Ｓｄに対応して回転可能になっている。・・・ローラは、モータの回転力が伝達されると回転するようになっており、回転によりトレイに載置された用紙を引き込み、ヘッドによって印刷可能に供給するようになっている。」（段落【００６３】）こと、「制御回路は、・・・駆動信号を供給機構に供給したり、吐出信号をインクジェット式記録ヘッドに供給したりできるようになっている。」（段落【００６４】）ことが記載されている。また、図２には、ヘッド本体部の各インク室（３０）にそれぞれ対応して設けられ、所定の記録信号を受けると該インク室のインクを上記ノズルから押し出すように変形するアクチュエータ（２０，１５Ａ，１４）が示されており、図３には、複数のノズル（１１）及び該各ノズルにそえぞれ連通する複数の加圧室（２１）が形成されたヘッド本体部が示されている。
　
　同刊行物７（特開平１０−２３５８６４号公報（申立書（７−２）に記載の文献））には、スパッタ法により成膜されたＰＺＴ薄膜が（００１）面に強く配向している圧電アクチュエータが示されている。
　
　
５．対比・判断
ア．特許法第３６条第４項について
　本件請求項２に係る発明は、前記圧電膜は、Ｐｂ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）＝１．１〜１．５、膜厚が１μｍ〜１０μｍ、抗電界が２Ｖ／μｍ以上且つ誘電損失が５％以下である点に特徴があるが、特許明細書の発明の詳細な説明中に、このような数値の範囲を実現させるための製造方法が明確には記載されていない。
　しかしながら、本件特許明細書に開示されているスパッタリングを用いた薄膜形成技術の当業者にとっては、「Ｐｂ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）＝１．１〜１．５」、「膜厚が１μｍ〜１０μｍ」、「抗電界が２Ｖ／μｍ以上」、「誘電損失が５％以下」というようなパラメータさえ特定してあれば、ガス圧、成膜温度等の製造条件等を適宜変更して、上記パラメータの圧電膜を形成することは非常に簡単なことであり、本件の出願以前から広く一般的に行われていることと認められる。
　したがって、本件請求項２に係る発明及び本件請求項２に係る発明を直接的又は間接的に引用し、更に限定した発明である本件請求項３、７、９及び１０に係る発明に関する、明細書の発明の詳細な記載中に、不備は認められない。
　
イ．特許法第２９条第２項について
ａ．本件請求項２に係る発明について
　本件請求項２に係る発明と上記刊行物１〜７に記載の発明とを対比すると、上記刊行物１〜７には、本件請求項２に係る発明の構成要件である「膜厚が１μｍ〜１０μｍ、抗電界が２Ｖ／μｍ以上である」点について、記載も示唆もない。
　すなわち、刊行物１〜７の内、「抗電界」についての記載があるものは、刊行物１のみであり、刊行物１のＴＡＢＬＥ１には「抗電界が１０８ｋＶ／ｃｍ」である旨が記載されており、単位を替えると、この「抗電界」は、１０．８Ｖ／μｍになる。しかしながら、刊行物１の図１Ａには、バッファ層１１０及び１３０が、ＰＺＴ薄膜１２０の形成前と形成後にそれぞれ形成された構造を示しており、図１Ｂには、バッファ層１１０がＰＺＴ薄膜１２０の形成前に形成された構造を示しているので、上記ＴＡＢＬＥ１の「抗電界」の測定は、ＰＺＴ薄膜１２０の上下にバッファ層が形成されたものか、あるいは、ＰＺＴ薄膜１２０の下にバッファ層が形成されたもので行われているものと認められ、ＰＺＴ薄膜１２０そのものの「抗電界」値は不明である。
　また、刊行物１に記載のＰＺＴ薄膜は、３５０ｎｍの厚さを有しているが、本件請求項２に係る発明の膜厚が１μｍ〜１０μｍに比べて、はるかに薄いものである。
　そして、本件請求項２に係る発明は、「抗電界が２Ｖ／μｍ以上である」ことにより、擾乱があっても分極の反転が起こりにくくなり、圧電膜の劣化が抑制され、絶縁破壊は生じにくくなり、耐電圧性を向上させることができるという明細書記載の顕著な作用効果を奏するものである。
　したがって、本件請求項２に係る発明は、上記刊行物１〜７に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
　
ｂ．本件請求項３、７、９及び１０に係る発明について
　　本件請求項３、７、９及び１０に係る発明は、本件請求項２に係る発明を直接的又は間接的に引用し、更に限定した発明であるので、本件請求項２に係る発明と同様の理由で、刊行物１〜７に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとも認められない。
　
　
６．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、本件請求項２、３、７、９及び１０に係る発明の特許を取り消すことができない。
　そして、他に本件請求項２、３、７、９及び１０に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１６年９月３０日（２００４．９．３０）