【事件の表示】
　特許第３３０９０７９号「被膜形成装置及び被膜形成方法」の請求項１、２に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３３０９０７９号の請求項１ないし２に係る特許を維持する。
【理　由】
I．手続の経緯
平成　１年　９月１３日　特願平１−２３８１４２号（本件の親の親出願）出願
同　　８年　８月２７日　特願平８−２２４９２５号（本件の親出願）分割出願
同  １１年　２月　２日　本件分割出願
同　１４年　５月１７日　特許権の設定の登録（請求項の数　２）
同　１５年　１月１７日　申立人松本佳世子による特許異議の申立て
同　１５年　１月２８日　申立人上原克敏による特許異議の申立て
同　１５年　１月２８日　申立人山下千代子による特許異議の申立て
同　１５年　１月２９日　申立人泉和武による特許異議の申立て
同　１５年　４月１０日　第１回目の取消理由の通知（発送日：同年４月２２日）
同　１５年１２月１０日　第２回目の取消理由の通知（発送日：同年１２月１９日）
同　１６年　２月１２日　訂正の請求
同　１６年　３月１６日　申立人松本佳世子より上申書の提出
同　１６年　３月１６日　訂正拒絶理由の通知（取消理由の通知を兼ねる）
　　　　　　　　　　　　（発送日：同年３月２６日）
同　１６年　４月１２日　平成１６年２月１２日にした訂正の請求の取下げ
同　１６年　４月１２日  訂正の請求
　
II．訂正の適否についての判断
１．訂正の内容
（１）訂正事項ａ
　設定登録時の願書に添付した明細書又は図面（以下、「本件特許明細書」という。）の特許請求の範囲に、
「【請求項１】　ガラス基板や半導体ウェハー等の被処理物表面に被膜を形成する装置において、この装置は被処理物の搬送ラインに沿って、上流側から下流側に向かって、被膜となる液体を被処理物表面に均一に拡げる塗布装置、被処理物表面に塗布した塗布液をある程度乾燥させる減圧乾燥装置、被処理物の表面から廻り込んで付着し、ある程度乾燥せしめられた余分な塗布液を除去する洗浄装置及び加熱装置を順次配置したことを特徴とする被膜形成装置。
【請求項２】　ガラス板や半導体ウェハー等の被処理物の搬送ラインに沿って、上流側から下流側に向かって、塗布装置、減圧乾燥装置、洗浄装置及び加熱装置を配置した被膜形成ラインによる被膜形成方法であって、この被膜形成方法は、塗布装置にて表面に塗布液が塗布された被処理物を減圧乾燥装置に送り込み、この減圧乾燥装置において、被処理物表面に塗布された塗布液をある程度乾燥せしめ、次いでこのある程度塗布液が乾燥せしめられた被処理物を洗浄装置に送り込み、被処理物の表面から廻り込んで付着し、ある程度乾燥せしめられた余分な塗布液を除去し、次いで被処理物を加熱装置まで搬送して塗布液を被膜に形成することを特徴とする被膜形成方法。」
と記載されるのを、
「【請求項１】　ガラス基板や半導体ウェハー等の被処理物表面に被膜を形成する装置において、この装置は被処理物の搬送ラインに沿って、上流側から下流側に向かって、被膜となる液体を被処理物表面に均一に拡げる塗布装置、被処理物表面に塗布した塗布液を
簡単に洗浄液に溶解するとともに裏面への廻り込みを防止できる程度まで
た余
【請求項２】　ガラス板や半導体ウェハー等の被処理物の搬送ラインに沿って、上流側から下流側に向かって、塗布装置、減圧乾燥装置、洗浄装置及び加熱装置を配置した被膜形成ラインによる被膜形成方法であって、この被膜形成方法は、塗布装置にて表面に塗布液が塗布された被処理物を減圧乾燥装置に送り込み、この減圧乾燥装置において、被処理物表面に塗布された塗布液を、
簡単に洗浄液に溶解するとともに裏面への廻り込みを防止できる程度まで
の被
した
と訂正する。
　なお、下線は、訂正個所を明確化するために、当審で付したものである。（訂正事項ｂ，ｃも同様。）
（２）訂正事項ｂ
　本件特許明細書の段落【０００７】に、
「また、請求項１に係る被膜形成装置は、ガラス基板や半導体ウェハー等の被処理物表面に被膜を形成する装置において、この装置は被処理物の搬送ラインに沿って、上流側から下流側に向かって、被膜となる液体を被処理物表面に均一に拡げる塗布装置、被処理物表面に塗布した塗布液をある程度乾燥させる減圧乾燥装置、被処理物の表面から廻り込んで付着し、ある程度乾燥せしめられた余分な塗布液を除去する洗浄装置及び加熱装置を順次配置した。」
と記載されるのを、
「上記課題を解決すべく請求項１に係る被膜形成装置は、ガラス基板や半導体ウェハー等の被処理物表面に被膜を形成する装置において、この装置は被処理物の搬送ラインに沿って、上流側から下流側に向かって、被膜となる液体を被処理物表面に均一に拡げる塗布装置、被処理物表面に塗布した塗布液を
簡単に洗浄液に溶解するとともに裏面への廻り込みを防止できる程度まで
た余
と訂正する。
（３）訂正事項ｃ
　本件特許明細書の段落【０００９】に、
「また、請求項２に係る被膜形成装置は、ガラス板や半導体ウェハー等の被処理物の搬送ラインに沿って、上流側から下流側に向かって、塗布装置、減圧乾燥装置、洗浄装置及び加熱装置を配置した被膜形成ラインによる被膜形成方法であって、この被膜形成方法は、塗布装置にて表面に塗布液が塗布された被処理物を減圧乾燥装置に送り込み、この減圧乾燥装置において、被処理物表面に塗布された塗布液をある程度乾燥せしめ、次いでこのある程度塗布液が乾燥せしめられた被処理物を洗浄装置に送り込み、被処理物の表面から廻り込んで付着し、ある程度乾燥せしめられた余分な塗布液を除去し、次いで被処理物を加熱装置まで搬送して塗布液を被膜に形成するようにした。」
と記載されるのを、
「また、請求項２に係る被膜形成
方法
簡単に洗浄液に溶解するとともに裏面への廻り込みを防止できる程度まで
の被
した
と訂正する。
　
２．訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
（１）訂正事項ａについて
　本件特許明細書の段落【０００５】には、「【発明が解決しようとする課題】　しかしながら、被処理物の裏面を洗浄液によって裏面に廻り込んだ塗布液を除去しても、またすぐに表面側から塗布液が廻り込んでしまう。逆に、表面側の塗布液を完全に乾燥させ塗布液が廻り込まないようにしてから洗浄すると、洗浄に極めて長時間を要することになる。また、被処理物の表面に塗布した塗布液を全く乾燥させない状態で搬送すると、表面に塗布した塗布液が搬送の振動で波打ったり、塗布液が落下することになる。」と記載され、また、段落【００２１】には、「・・・本発明によれば、被処理物表面に塗布した塗布液を、ある程度乾燥せしめた後に、余分な塗布液を除去したり、搬送するようにしたので、表面に塗布された塗布液が搬送の振動で波打ったり、表面に塗布した塗布液が裏面に過度に廻り込んだり、更には裏面に廻り込んだ塗布液が落下することを防止でき、しかも完全に乾燥させていないので、簡単に溶媒（洗浄液）に溶解し、裏面洗浄の時間を短縮することができる。」と記載されている。
　そうすると、上記訂正事項ａは、本件特許明細書に記載された事項の範囲内において、「ある程度乾燥」という記載の不備を解消するものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とした明細書の訂正に該当するものであって、新規事項の追加に該当せず、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。
（２）訂正事項ｂ，ｃについて
　上記訂正事項ｂ，ｃは、上記訂正事項ａと整合を図るものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とした明細書の訂正に該当するものであって、新規事項の追加に該当せず、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。
　
３．訂正の適否についてのむすび
　以上のとおりであるから、上記訂正は特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、平成１１年改正前の特許法第１２０条の４第３項において準用する平成６年法律第１１６号による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書き及び第２項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
III．特許異議の申立てについての判断
１．当審の通知した取消理由及び各申立人の申し立てた異議理由
（１）当審の通知した第２回目の取消理由
〈特許法第３６条第５項第２号違反〉
　特許請求の範囲の請求項１、２に記載される「ある程度乾燥」という用語では、どの程度の乾燥を意味するのか不明りょうである。
〈特許法第２９条第２項違反〉
　請求項１、２に係る発明は、以下の刊行物記載の発明（事項）及び周知例に示される周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　刊行物１：特開昭５７−１５９０２４号公報
　刊行物２：特開昭５２−１２３１７２号公報
　刊行物３：実願昭６２−４３８９７号（実開昭６３−１５２６８４号）
　　　　　　のマイクロフィルム
　刊行物４：特開昭６４−２２３７５号公報
　刊行物５：特開昭６３−２３４５３０号公報
　周知例１：特開平１−１３０５２５号公報（以下、「刊行物６」という。）
　周知例２：特開昭６２−２２４３１号公報（以下、「刊行物７」という。）
（２）申立人松本佳世子による申立ての異議理由
　請求項１、２に係る発明は、甲第１〜４号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　甲第１号証：米国特許第４５１０１７６号明細書（以下、「刊行物８」という。）
　甲第２号証：特開平６３−２３４５３０号公報（刊行物５）
　甲第３号証：特開平１−１１９０２４号公報（以下、「刊行物９」という。）
　甲第４号証：特開平１−１３０５２５号公報（刊行物６）
（３）申立人上原克敏による申立ての異議理由
　請求項１、２に係る発明は、甲第１〜６号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　甲第１号証：特開昭５８−９８９２５号公報（以下、「刊行物１０」という。）
　甲第２号証：特開昭６２−２２４３１号公報（刊行物７）
　甲第３号証：特開昭５２−１２３１７２号公報（刊行物２）
　甲第４号証：特開昭５３−６１４０５号公報（以下、「刊行物１１」という。）
　甲第５号証：特開昭６２−１９８１２２号公報（以下、「刊行物１２」という。）
　甲第６号証：特開昭６３−２３４５３０号公報（刊行物５）
（４）申立人山下千代子による申立ての異議理由
〈特許法第３６条第４項及び第５項第２号違反〉
　特許請求の範囲の請求項１、２に記載される「ある程度乾燥」なる用語の意味が不明りょうであり、また、発明の詳細な説明に記載される「ある程度乾燥せしめる」との記載では、乾燥の具体的程度が不明なため、当業者が容易にその発明の実施をすることができない。
〈特許法第２９条第２項違反〉
　請求項１、２に係る発明は、甲第３〜５号証に記載された発明及び甲第６〜９号証に示される周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　甲第３号証：特開昭６３−２３４５３０号公報（刊行物５）
　甲第４号証：特開昭５８−９８９２５号公報（刊行物１０）
　甲第５号証：米国特許第４５１０１７６号明細書（刊行物８）
　甲第６号証：特開平１−１３０５２５号公報（刊行物６）
　甲第７号証：特開昭６０−２１５２２号公報（以下、「刊行物１３」という。）
　甲第８号証：特開昭６３−２２９８２９号公報（以下、「刊行物１４」という。）
　甲第９号証：特開昭６３−５２４１０号公報（以下、「刊行物１５」という。）
〈分割要件〉
　請求項１、２に係る発明は親の親出願（特願平１−２３８１４２号）、親出願（特願平８−２２４９２５号）の発明と同一であるから、本願は分割要件を満たしていない。
　それ故、本願は現実の出願日である平成１１年２月２日に出願されたことになり、請求項１、２に係る発明は、その出願前に公知の刊行物である特開平３−１０１８６６号公報（親の親出願の公開公報）、特開平９−１６４３６４号公報（親出願の公開公報）に記載された発明であるか、又は、同発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
（５）申立人泉和武による申立ての異議理由
〈特許法第２９条第１項第３号又は第２項違反〉
　請求項１、２に係る発明は、甲第１，２号証に記載された発明であるか、又は、甲第１，２号証に記載された発明及び甲第３〜７号証に示される周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　甲第１号証：特開昭６３−２３４５３０号公報（刊行物５）
　甲第２号証：米国特許第４５１０１７６号明細書（刊行物８）
  甲第３号証：特開昭６２−２２４３１号公報（刊行物７）
  甲第４号証：特開昭６０−２１５２２号公報（刊行物１３）
  甲第５号証：特開昭６３−２２９８２９号公報（刊行物１４）
  甲第６号証：特開昭６３−５２４１０号公報（刊行物１５）
  甲第７号証：特開平１−１３０５２５号公報（刊行物６）
　
２．本件発明
　上記II．で示したように上記訂正が認められるから、本件の請求項１、２に係る発明（以下、それぞれ「本件発明１」、「本件発明２」という。）は、上記訂正請求に係る訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１、２に記載されたとおりのものである。
　
３．特許法第３６条第４項及び第５項第２号違反について
　上記の訂正によって、当審の通知した第２回目の取消理由及び申立人山下千代子による申立ての異議理由における特許法第３６条第５項第２号違反は解消している。また、乾燥の程度は、「簡単に洗浄液に溶解するとともに裏面への廻り込みを防止できる程度」という乾燥の作用によって特定されているから、乾燥の程度は不明ではなく、したがって、本願明細書の記載は特許法第３６条第４項の規定を満たしていないとする、申立人山下千代子の主張は採用することができない。
　
４．分割要件について
〈親の親出願との関係について〉
　親の親出願の請求項１に係る発明は、その設定登録時の願書に添付した明細書の特許請求の範囲に記載された次のとおりのものと認める。
　「ガラス板や半導体ウェハー等の被処理物表面に被膜を形成する装置において、この装置は被処理物の搬送ラインに沿って、上流側から下流側に向って、被膜となる液体を被処理物表面に均一に拡げる塗布用スピンナー、減圧乾燥装置及び被処理物の裏面洗浄用スピンナーを順次配置したことを特徴とする被膜形成装置。」
　そこで、本件発明１と上記親の親出願の請求項１に係る発明とを対比すると、両者は、前者が、「加熱装置」を発明の構成に欠くことができない事項としているのに対し、後者は、「加熱装置」を発明の構成に欠くことができない事項としていない点、前者は、「減圧乾燥装置」における塗布液の乾燥の程度を「塗布液を簡単に洗浄液に溶解するとともに裏面への廻り込みを防止できる程度まで」と特定しているのに対して、後者は、乾燥の程度を特定していない点、等で相違することは明らかである。
　次に、本件発明２と上記親の親出願の請求項１に係る発明とを対比すると、両者は、前者が、「被膜形成方法」という方法の発明であるのに対して、後者が「被膜形成装置」という装置の発明である点、前者が、「加熱装置」及び「被処理物を加熱装置まで搬送して塗布液を被膜に形成する」を発明の構成に欠くことができない事項としているのに対し、後者は、それらを発明の構成に欠くことができない事項としていない点、前者は、「減圧乾燥装置」における塗布液の乾燥の程度を「塗布液を、簡単に洗浄液に溶解するとともに裏面への廻り込みを防止できる程度まで」と特定しているのに対して、後者は、乾燥の程度を特定していない点、等で相違することは明らかである。
　したがって、本件発明１，２が親の親出願の発明と同一であって、本願が分割要件を満たしていないことを前提とする、申立人山下千代子の主張は採用することができない。
〈親出願との関係について〉
　親出願の請求項１に係る発明は、平成１６年　１月１６日付けの訂正請求により訂正された願書に添付した明細書の特許請求の範囲に記載された次のとおりのものと認める。
「ガラス板や半導体ウェハー等の被処理物の搬送ラインに沿って、上流側から下流側に向かって、塗布装置、減圧乾燥装置及び洗浄装置を配置した被膜形成ラインによる被膜形成方法であって、この被膜形成方法は、塗布装置にて表面に塗布液が塗布された被処理物を減圧乾燥装置に送り込み、この減圧乾燥装置において、被処理物表面に塗布された塗布液を、簡単に洗浄液に溶解するとともに裏面への廻り込みを防止できる程度まで乾燥せしめ、次いでこの被処理物を洗浄装置に送り込み、被処理物の表面から廻り込んで付着した余分な塗布液を除去するようにしたことを特徴とする被膜形成方法。」
　そこで、本件発明１と上記親出願の請求項１に係る発明とを対比すると、両者は、前者が、「被膜形成装置」という装置の発明であるのに対して、後者が「被膜形成方法」という方法の発明である点、前者が、「加熱装置」を発明の構成に欠くことができない事項としているのに対し、後者は、「加熱装置」を発明の構成に欠くことができない事項としていない点、等で相違することは明らかである。
　次に、本件発明２と上記親出願の請求項１に係る発明とを対比すると、両者は、前者が、「加熱装置」及び「被処理物を加熱装置まで搬送して塗布液を被膜に形成する」を発明の構成に欠くことができない事項としているのに対し、後者は、それらを発明の構成に欠くことができない事項としていない点、で相違することは明らかである。
　なお、申立人山下千代子は、「『加熱装置』を付加する点については、・・・甲第３号証、甲第６号証にも示されるとおり、『周知技術の付加であって、かつ新たな効果を奏さない』ものに過ぎない。したがって、・・・実質同一であることは明白である。」（特許異議申立書第２１頁第２０〜２８行、第２３頁第６〜１３行）と主張しているが、ここで示された周知例（甲第３，６号証）は、上記親出願の請求項１に係る発明や本件発明１，２とは、技術の前提が異なるものであり、上記親出願の請求項１に係る発明を前提とした場合において、「（加熱装置を付加する点が）周知技術の付加であって、かつ新たな効果を奏さない」ものであることを立証するものではない。また、他に、上記親出願の請求項１に係る発明を前提とした場合において、「（加熱装置を付加する点が）周知技術の付加であって、かつ新たな効果を奏さない」とする根拠は見当たらない。
　したがって、本件発明１，２が親出願の発明と同一であって、本願が分割要件を満たしていないことを前提とする、申立人山下千代子の主張は採用することができない。
　
５．特許法第２９条第１項第３号及び同条第２項違反について
５−１．刊行物１（特開昭５７−１５９０２４号公報）記載の発明（事項）
　刊行物１には、第２頁左上欄８行〜１１行、第２頁左上欄第１２行〜右下欄第２行、第３頁左上欄第１２行〜右上欄第７行、第４頁左上欄４行〜同頁右上欄１７行の記載及び図１〜４の記載からみて、次の発明が記載されているものと認められる。
「シリコンウエハを自動スピンコータにおいてフオトレジストでコーテイングする装置であって、このコーテイングする装置は、自動スピンコータにて表面にフオトレジストをコーテイングし、そのコーティングされたシリコンウエハを、自動スピンコータ上でスパンしてほとんど乾かし、次いでノズル２４からＡＺシンナのような溶液の噴流を約１０秒間該ウエハの周縁に向けて当て、シリコンウエハの傾斜部及び該ウエハの縁から約１／８乃至３／１６インチ後方の部分のほとんど乾かされたフオトレジストをほぼ完全に除去するようにしたシリコンウエハを自動スピンコータにおいてフオトレジストでコーテイングする装置」（以下、「刊行物１記載の発明Ａ」という。）
「シリコンウエハを自動スピンコータにおいてフオトレジストでコーテイングする方法であって、このコーテイングする方法は、自動スピンコータにて表面にフオトレジストがコーテイングされたシリコンウエハを、自動スピンコータ上でスパンしてほとんど乾かし、次いで自動スピンコータ上のＡＺシンナのような溶液の噴流を約１０秒間該ウエハの周縁に向けて当て、シリコンウエハの傾斜部及び該ウエハの縁から約１／８乃至３／１６インチ後方の部分のほとんど乾かされたフオトレジストをほぼ完全に除去するようにしたシリコンウエハを自動スピンコータにおいてフオトレジストでコーテイングする方法」（以下、「刊行物１記載の発明Ｂ」という。）
　
５−２．対比・判断
（１）本件発明１について
　本件発明１と上記の刊行物１記載の発明Ａとを対比すると、後者の「シリコンウエハ」は、その技術的意義からみて、前者の「ガラス板や半導体ウェハー等の被処理物」に相当し、以下同様にして、後者の「フオトレジスト」は前者の「被膜となる液体」に、後者の「表面にフオトレジストをコーテイングし」は前者の「被膜となる液体を被処理物表面に均一に拡げ」に、それぞれ相当する。
　そして、後者の「シリコンウエハを自動スピンコータにおいてフオトレジストでコーテイングする装置」と前者の「ガラス基板や半導体ウェハー等の被処理物表面に被膜を形成する装置」とは、「被処理物に被膜を形成する装置」の限りで、後者の「自動スピンコータにて表面にフオトレジストをコーテイングし」と前者の「被膜となる液体を被処理物表面に均一に拡げる」とは、「被膜となる液体を被処理物表面に均一に拡げる機能を果たす」限りにおいて、後者の「そのコーティングされたシリコンウエハを、自動スピンコータ上でスパンしてほとんど乾かし」と前者の「被処理物表面に塗布した塗布液を簡単に洗浄液に溶解するとともに裏面への廻り込みを防止できる程度まで乾燥させる」とは、「被処理物表面に塗布した塗布液を乾燥させる機能を果たす」限りにおいて、後者の「ノズル２４からＡＺシンナのような溶液の噴流を約１０秒間該ウエハの周縁に向けて当て、シリコンウエハの傾斜部及び該ウエハの縁から約１／８乃至３／１６インチ後方の部分のほとんど乾かされたフオトレジストをほぼ完全に除去する」と前者の「被処理物の表面から廻り込んで付着した余分な塗布液を除去する」とは、「被処理物の表面から廻り込んで付着し、乾燥せしめられた余分な塗布液を除去する」の限りにおいて一致している。
　そうすると、両者の一致点及び相違点は以下のとおりである。
〈一致点〉
　被処理物に被膜を形成する装置において、この被膜を形成する装置は、被膜となる液体を被処理物表面に均一に拡げて塗布し、被処理物表面に塗布した塗布液を乾燥させ、次いで被処理物の表面から廻り込んで付着し、乾燥せしめられた余分な塗布液を除去する機能を果たすものである、被処理物に被膜を形成する装置
〈相違点１〉
　前者は、被処理物の搬送ラインに沿って、上流側から下流側に向かって、塗布装置、乾燥装置、洗浄装置及び加熱装置を順次配置したものであるのに対して、後者は、そのように構成されていない点。
〈相違点２〉
　塗布液を乾燥させる機能を果たすために、前者は、減圧乾燥装置を配置しているのに対して、後者は、コーティングされたシリコンウエハを、自動スピンコータ上でスパンしてほとんど乾かすものである点。
〈相違点３〉
　前者は、被処理物表面に塗布した塗布液を簡単に洗浄液に溶解するとともに裏面への廻り込みを防止できる程度まで乾燥させるのに対して、後者は、塗布液をほとんど乾燥させる点。
　
　そこで、上記〈相違点３〉について検討するに、当該相違点に係る本件発明１の構成である、「被処理物表面に塗布された塗布液を、簡単に洗浄液に溶解するとともに裏面への廻り込みを防止できる程度まで乾燥させる」ことは、刊行物２〜１５のいずれにも記載も示唆もされていない。そして、本件発明１は、上記の構成を採ることによって、「表面に塗布された塗布液が搬送の振動で波打ったり、表面に塗布した塗布液が裏面に過度に廻り込んだり、更には裏面に廻り込んだ塗布液が落下することを防止でき、しかも完全に乾燥させていないので、簡単に溶媒（洗浄液）に溶解し、裏面洗浄の時間を短縮することができる。」（訂正明細書の段落【００２１】を参照）という顕著な作用効果を奏するものと認められる。
　したがって、〈相違点１〉、〈相違点２〉について検討するまでもなく、本件発明１は、刊行物１〜１５記載の発明（事項）でなく、また、刊行物１〜１５記載の発明（事項）に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものでもない。
　
（２）本件発明２について
　本件発明２と上記の刊行物１記載の発明Ｂとを対比すると、後者の「シリコンウエハ」は、その技術的意義からみて、前者の「ガラス板や半導体ウェハー等の被処理物」に相当し、以下同様にして、後者の「フオトレジスト」は前者の「塗布液」に、後者の「コーテイング」は前者の「塗布」に、それぞれ相当する。そして、後者の「自動スピンコータにて表面にフオトレジストがコーテイングされ」ることと前者の「塗布装置にて表面に塗布液が塗布され」ることとは、「表面に塗布液が塗布される」ことの限りで、後者の「自動スピンコータ上でスパンしてほとんど乾か」すことと前者の「減圧乾燥装置において、被処理物表面に塗布された塗布液を、簡単に洗浄液に溶解するとともに裏面への廻り込みを防止できる程度まで乾燥せしめ」ることとは、「被処理物表面に塗布された塗布液を乾燥せしめる」ことの限りで、また、後者の「自動スピンコータ上のＡＺシンナのような溶液の噴流を約１０秒間該ウエハの周縁に向けてウエハの傾斜部及び該ウエハの縁から約１／８乃至３／１６インチ後方の部分のほとんど乾かされたフオトレジストをほぼ完全に除去する」ことと前者の「被処理物の表面から廻り込んで付着した余分な塗布液を除去する」こととは、「被処理物の表面から廻り込んで付着した余分な塗布液を除去する」ことの限りで、それぞれ一致する。そして、後者の「シリコンウエハを自動スピンコータにおいてフオトレジストでコーテイングする方法」と前者の「ガラス板や半導体ウェハー等の被処理物の搬送ラインに沿って、上流側から下流側に向かって、塗布装置、減圧乾燥装置、洗浄装置及び加熱装置を配置した被膜形成ラインによる被膜形成方法」とは、「被処理物に塗布液を塗布し、乾燥し、次いで洗浄する被膜形成方法」の限りで一致する。
　そうすると、両者の一致点及び相違点は以下のとおりである。
〈一致点〉
　被処理物に塗布液を塗布し、乾燥し、次いで洗浄する被膜形成方法であって、この被膜形成方法は、被処理物表面に塗布された塗布液を乾燥せしめ、次いで被処理物の表面から廻り込んで付着した余分な塗布液を除去するようにした被膜形成方法。
〈相違点４〉
　前者は、「被処理物の搬送ラインに沿って、上流側から下流側に向かって、塗布装置、減圧乾燥装置、洗浄装置及び加熱装置を配置した被膜形成ラインによる被膜形成方法であって、塗布された被処理物を減圧乾燥装置に送り込み、ある程度塗布液が乾燥せしめられた被処理物を洗浄装置に送り込み、余分な塗布液を除去し、次いで被処理物を加熱装置まで搬送して塗布液を被膜に形成する」のに対して、後者は、「シリコンウエハを自動スピンコータにおいてフオトレジストでコーテイングする」ものである点、すなわち、前者では、加熱の工程を有していて、塗布、乾燥、洗浄、加熱の各工程で、塗布、乾燥、洗浄、加熱をそれぞれ行う装置が、被処理物の搬送ラインに沿って、上流側から下流側に向かって配置した被膜形成ラインを構成し、塗布後、乾燥後及び洗浄後の被処理物を、乾燥、洗浄及び加熱を行う装置にそれぞれ送り込むのに対して、後者は、そのように構成されていない点。
〈相違点５〉
　前者は乾燥工程を減圧乾燥装置で行うのに対して、後者はそのように構成されていない点。
〈相違点６〉
　余分な塗布液を除去する前に、前者は、被処理物表面に塗布された塗布液を、簡単に洗浄液に溶解するとともに裏面への廻り込みを防止できる程度まで乾燥せしめるのに対して、後者は、塗布液をほとんど乾燥せしめる点。
　
　そこで、上記〈相違点６〉について検討するに、当該相違点に係る本件発明２の構成である、余分な塗布液を除去する前に、「被処理物表面に塗布された塗布液を、簡単に洗浄液に溶解するとともに裏面への廻り込みを防止できる程度まで乾燥せしめ」ることは、刊行物２〜１５のいずれにも記載も示唆もされていない。そして、本件発明２は、上記の構成を採ることによって、「表面に塗布された塗布液が搬送の振動で波打ったり、表面に塗布した塗布液が裏面に過度に廻り込んだり、更には裏面に廻り込んだ塗布液が落下することを防止でき、しかも完全に乾燥させていないので、簡単に溶媒（洗浄液）に溶解し、裏面洗浄の時間を短縮することができる。」（訂正明細書の段落【００２１】を参照）という顕著な作用効果を奏するものと認められる。
　したがって、〈相違点４〉、〈相違点５〉について検討するまでもなく、本件発明２は、刊行物１〜１５記載の発明（事項）でなく、また、刊行物１〜１５記載の発明（事項）に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものでもない。
　
６．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、本件発明についての特許は、拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものとは認めることができない。
　また、他に、本件発明についての特許は、拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものと認めるべき理由を発見しない。
　したがって、本件発明についての特許を取り消すことはできない。
　よって、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第２項の規定により、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１６年４月１６日（２００４．４．１６）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
被膜形成装置及び被膜形成方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　ガラス基板や半導体ウェハー等の被処理物表面に被膜を形成する装置において、この装置は被処理物の搬送ラインに沿って、上流側から下流側に向かって、被膜となる液体を被処理物表面に均一に拡げる塗布装置、被処理物表面に塗布した塗布液を
簡単に洗浄液に溶解するとともに裏面への廻り込みを防止できる程度まで
た余
　【請求項２】　ガラス板や半導体ウェハー等の被処理物の搬送ラインに沿って、上流側から下流側に向かって、塗布装置、減圧乾燥装置、洗浄装置及び加熱装置を配置した被膜形成ラインによる被膜形成方法であって、この被膜形成方法は、塗布装置にて表面に塗布液が塗布された被処理物を減圧乾燥装置に送り込み、この減圧乾燥装置において、被処理物表面に塗布された塗布液を、
簡単に洗浄液に溶解するとともに裏面への廻り込みを防止できる程度まで
の被
した
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の属する技術分野】
　本発明はガラス板や半導体ウェハー等の表面に各種被膜を形成する方法に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　液晶基板として用いるガラス板にはガラス中のナトリウムが液晶に悪影響を及ぼすのを防止したり、ガラス板の屈折率を調整するため、ガラス板表面に所定の性質を有する被膜を形成している。斯かる被膜を形成するには、被処理物の表面に被膜形成用の塗布液を滴下し、これをスピンナーによって均一に拡げ、次いで加熱することで被膜とするようにしている。
　【０００３】
　上述した従来の装置において、スピンナーによって被膜形成用の液体を被処理物表面に塗布する場合、被処理物の外端部まで拡がった塗布液の一部が被処理物の裏面まで廻り込んでそのまま固まってしまう。
　【０００４】
　斯かる不利を解消するため、従来にあってはスピンナー装置と同一箇所において、被処理物の裏面に洗浄液を吹き付け、裏面まで廻り込んだ塗布液を除去するようにしている。
　【０００５】
　【発明が解決しようとする課題】
　しかしながら、被処理物の裏面を洗浄液によって裏面に廻り込んだ塗布液を除去しても、またすぐに表面側から塗布液が廻り込んでしまう。
　逆に、表面側の塗布液を完全に乾燥させ塗布液が廻り込まないようにしてから洗浄すると、洗浄に極めて長時間を要することになる。
　また、被処理物の表面に塗布した塗布液を全く乾燥させない状態で搬送すると、表面に塗布した塗布液が搬送の振動で波打ったり、塗布液が落下することになる。
　【０００６】
　【０００７】
　【課題を解決するための手段】
　
上記課題を解決すべく
簡単に洗浄液に溶解するとともに裏面への廻り込みを防止できる程度まで
た余
　【０００８】
　【０００９】
　また、請求項２に係る被膜形成
方法
簡単に洗浄液に溶解するとともに裏面への廻り込みを防止できる程度まで
の被
た余
　【００１０】
　【発明の実施の形態】
　以下に本発明の実施の形態を添付図面に基づいて説明する。ここで、図１は本発明方法の実施に用いる被膜形成装置の平面図、図２は図１のＡ−Ａ線断面図である。
　【００１１】
　被膜形成装置はガラス板や半導体ウェハー等の被処理物Ｗの搬送ラインの一部を構成し、被処理物Ｗの投入部１の下流側に塗布用スピンナー２を配置し、この塗布用スピンナー２の下流側に減圧乾燥装置３を配置し、この減圧乾燥装置３の下流側に被処理物Ｗの裏面洗浄用スピンナー４を配置し、更に裏面洗浄用スピンナー４の下流側にホットプレート５を配置し、投入部１からホットプレート５に至るまでは搬送装置６によって被処理物Ｗを搬送し、ホットプレート５の部分においては搬送装置７によって被処理物Ｗを搬送するようにしている。
　【００１２】
　また、前記塗布用スピンナー２はカップ状をなすケーシング２０の中央に筒部２１を設け、この筒部２１に下方からモータによって回転せしめられるチャック２２を挿入し、このチャック２２の上方にはチャック２２に吸着保持された被処理物Ｗの表面に被膜形成用の液体を滴下するノズル２３を臨ませている。
　【００１３】
　また、前記洗浄用スピンナー４はケーシング４０の中央にチャック４２を挿入する筒部４１を設けるとともに、この筒部４１の上部に洗浄液噴出ノズル４３を対向して一対設けている。
　【００１４】
　一方、ホットプレート５は搬送方向に沿って３台配置され、各ホットプレート５は搬送方向と直交する方向に３分割され、各分割体５０…間に隙間５１を形成し、この隙間５１に薄板状バー５２を臨ませ、この薄板状バー５２をガイドロッド５３に沿って移動するシリンダユニット５４に取り付けている。
　【００１５】
　而してシリンダユニット５４に伸長動をなさしめることで薄板状バー５２の上端がホットプレート５の隙間５１から突出してホットプレート５上の被処理物Ｗを持ち上げ、この状態でガイドロッド５３に沿ってシリンダユニット５４とともに薄板状バー５２を下流側へ移動し、次いでシリンダユニット５４を圧縮し薄板状バー５２の上端をホットプレート５上面より下げることで、被処理物Ｗを下流側のホットプレート５に移し換える。このようなクランク動を繰り返すことで順次下流側のホットプレートに移し換える。
　【００１６】
　更に前記搬送装置６は被膜形成装置の一側に沿ってレール６０を設けこのレール６０に夫々独立して動作し得る移動体６１…を係合し、この移動体６１から被膜形成装置の上方に昇降自在な水平バー６２を延出し、この水平バー６２に支持爪６３を取り付けている。
　【００１７】
　以上において被処理物Ｗの表面に被膜を形成する方法を以下に述べる。
　先ず投入部１まで搬送されてきた被処理物Ｗを搬送装置６を用いて塗布用スピンナー２のチャック２２上に移載する。この場合、被処理物はその前後端下面を一対の水平バー６２，６２の支持爪６３にて係止された状態で移される。
　【００１８】
　この後ノズル２３からチャック２２上に保持されている被処理物２表面の中央に被膜形成用の塗布液を滴下し、チャックを回転せしめることで被処理物Ｗ表面に塗布液を均一に拡げる。この時、被処理物Ｗの外端部下面には被膜形成用の液体の一部が廻り込んでいるがそのまま減圧乾燥装置３に搬送してある程度まで乾燥せしめる。
　【００１９】
　次いで搬送装置６によって被処理物を洗浄用スピンナー４のチャック４２上に移載し、チャック４２で吸着した状態で被処理物Ｗを高速回転せしめるとともに下面にノズル４３から洗浄液を噴出し、下面に廻り込んである程度固まった塗布液を洗い落とす。
　【００２０】
　この後、被処理物Ｗをホットプレート５上に送りだし、加熱によって被処理物Ｗ表面に被膜を形成する。
　【００２１】
　【発明の効果】
　以上に説明したように本発明によれば、被処理物表面に塗布した塗布液をある程度乾燥せしめた後に、余分な塗布液を除去したり、搬送するようにしたので、表面に塗布された塗布液が搬送の振動で波打ったり、表面に塗布した塗布液が裏面に過度に廻り込んだり、更には裏面に廻り込んだ塗布液が落下することを防止でき、しかも完全に乾燥させていないので、簡単に溶媒（洗浄液）に溶解し、裏面洗浄の時間を短縮することができる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　本発明方法の実施に用いる被膜形成装置の平面図
　【図２】
　図１のＡ−Ａ線断面図
　【符号の説明】
　２…塗布装置（塗布用スピンナー）、３…減圧乾燥装置、４…洗浄装置（洗浄用スピンナー）、５…ホットプレート、６，７…搬送装置、２２，４２…チャック、Ｗ…被処理物。