【事件の表示】
　特許第３３３９２４８号「表示装置」の請求項１ないし３に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３３３９２４８号の請求項１ないし３に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯・本件発明
　特許第３３３９２４８号の請求項１〜３に係る発明についての出願は、平成７年３月１４日に特許出願されたものであって、平成１４年８月１６日にその特許の設定の登録がなされ、その後、中川徹により特許異議の申立がなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内の平成１５年９月１２日付けで訂正請求がなされたものである。
　
２．訂正の適否について
２−１．訂正の内容
 訂正事項ａ
 特許明細書の特許請求の範囲の請求項１乃至請求項３を、以下の様に訂正する。
「【請求項１】中央の画面部及び周辺の駆動部を有する能動基板と、対向電極を有し所定の間隙を介して該能動基板に接合した対向基板と、該間隙に保持された電気光学物質とを備えたパネル構造を有し、
　前記画面部はマトリクス配置した画素電極及びスイッチング素子が集積形成されており、
　前記駆動部は該スイッチング素子を駆動する駆動回路が集積形成されており、
　前記駆動回路は該スイッチング素子を高速で水平走査する水平駆動回路と該スイッチング素子を低速で垂直走査する垂直駆動回路とを含んでおり、
　前記能動基板は、該画面部に含まれるスイッチング素子の上方に絶縁膜を介して金属膜からなるブラックマスクがパタニング形成されている一方、該駆動部に含まれる駆動回路の内水平駆動回路の上方からブラックマスクが除去され、垂直駆動回路の上方はブラックマスクで覆われており、
　更に、前記ブラックマスクは該水平駆動回路を構成する複数の回路要素の内の少なくとも一部の上方から選択的に除去されている事を特徴とする表示装置。
【請求項２】前記ブラックマスクは、該水平駆動回路を構成する回路要素である外部クロック信号の入力バッファ、該クロック信号のレベルシフタ及び該クロック信号により動作するシフトレジス夕の内少なくとも一部の上方から選択的に除去されている事を特徴とする請求項１記載の表示装置。
【請求項３】前記ブラックマスクは浮遊電位又は固定電位に保持されている事を特徴とする請求項１記載の表示装置。」
　なお、異議申立のなされていない請求項４，５については、実質上訂正がなされていないので、省略した。
　
　訂正事項ｂ
　特許明細書の段落０００６を、以下の様に訂正する。
「【０００６】
【課題を解決するための手段】
　上述した従来の技術の課題を解決する為以下の手段を講じた即ち、本発明にかかる表示装置は基本的な構成として、中央の画面部及び周辺の駆動部を有する能動基板と、対向電極を有し所定の間隙を介して該能動基板に接合した対向基板と、該間際に保持された電気光学物質とを備えたパネル構造を有する前記画面部はマトリクス配置した画素電極及びスイッチング素子が集積形成されている又、前記駆動部は該スイッチング素子を駆動する駆動回路が集積形成されており、前記駆動回路は該スイッチング素子を高速で水平走査する水平駆動回路と該スイッチング素子を低速で垂直駆動する垂直駆動回路とを含んでいる。本発明の特徴事項として、前記能動基板は、該画面部に含まれるスイッチング素子の上方に絶縁膜を介して金属膜からなるブラックマスクがパタニング形成されている一方、該駆動部に含まれる駆動回路の内水平駆動回路の上方からブラックマスクが除去され、垂直駆動回路の上方はブラックマスクで覆われており、更に、前記ブラックマスクは該水平駆動回路を構成する複数の回路要素の内の少なくとも一部の上方から選択的に除去されている。該水平駆動回路は一般的に外部クロック信号の入力バッファ、該クロック信号のレベルシフタ及び該クロック信号により動作するシフトレジスタを含んでいる。この場合、前記ブラックマスクはこれら回路要素のうちの少なくとも一部の上方から選択的に除去されているなお、前記ブラックマスクは浮遊電位又は固定電位に保持されている。」
　
２−２．訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否　
　上記訂正事項ａは、部分的にブラックマスクが除去される領域を「該駆動部に含まれる駆動回路の内水平駆動回路の上方からブラックマスクが除去され、垂直駆動回路の上方はブラックマスクで覆われており」と、又、ブラックマスクが水平駆動回路上から選択的に除去される領域を「前記ブラックマスクは該水平駆動回路を構成する複数の回路要素の内の少なくとも一部の上方から選択的に除去されている」と明確に限定したものである。
　これらの訂正は、特許明細書の段落００１３の３行〜５行にかけて記載された文言「この変形例では水平駆動回路８の一部のみからブラックマスク９が除去されており、垂直駆動回路７の上方は全てブラックマスク９で覆われている」及び特許明細書の段落０００６の１６行〜１７行にかけて記載された文言「この場合、前記ブラックマスクはこれら回路要素のうちの少なくとも一部の上方から選択的に除去されている。」を根拠とするものである。
　訂正後の請求項２には、駆動回路及びこれを構成する要素を「前記ブラックマスクは、該水平駆動回路を構成する回路要素である外部クロック信号の入力バッファ、該クロック信号のレベルシフタ及び該クロック信号により動作するシフトレジスタの内少なくとも一部の上方から選択的に除去されている」と具体的に限定したものである。
　この訂正は、特許明細書の段落０００６の１６行〜１７行にかけて記載された文言「この場合、前記ブラックマスクはこれら回路要素のうちの少なくとも一部の上方から選択的に除去されている」及び段落００１７の１４行〜３０行にかけて記載された文言「具体的には、水平駆動回路８は入力バッファＩＢ、レベルシフタＬＳ、シフトレジスタＳＲ、水平スイッチＨＳＷとから構成されている・・・第１実施例では枠領域に位置にする水平スイッチＨＳＷのみを金属材料からなるブラックマスクで被覆する一方、入力バッファＩＢ、レベルシフタＬＳ、シフトレジスタＳＲからはブラックマスクを意図的に除去している」を根拠とするものである。
　これら特許請求の範囲の訂正は、願書に添付した明細書に記載した事項の範囲内において成されたものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。加えて、本訂正は、取消理由通知書で不明瞭とされた部分をただすものであって、特許法第１２０条の４第２項３号に規定する明りょうでない記載の釈明に相当するものである。
　上記訂正事項ｂは、特許請求の範囲の訂正に伴い、それとの整合性を取る為に成されたものであるから、特許法第１２０条の４第２項第３号に規定する明りょうでない記載の釈明に相当するものである。
　
２−３．訂正の適否に対するむすび
　以上のとおり、本件訂正は、特許法第１２０条の４第２項及び第３項において準用する特許法第１２６条第２項及び第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
３．特許異議申立の理由及び取消理由通知の概要
　特許異議申立人は、証拠として甲第１号証（特開平５−１０７５５０号公報）および参考資料１（特開平３−２８１４２３号公報）を提出し、本件の請求項１に係る発明は、特許法第２９条第１項第３号の規定に該当し、また、請求項１乃至３に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定に該当するものであり、さらに、請求項１乃至３は不明確であり、明細書の詳細な説明に記載されたものではなく、特許法第３６条第６項第１，２号の規定に違反するから、本件の請求項１乃至３に係る発明の特許は取り消されるべきものである旨主張している。
　そして、上記と同趣旨の取消理由通知を平成１５年７月９日付けで通知した。
　
４．当審の判断
４−１．特許法第３６条違反について
　異議申立人は、下記の理由により、請求項１乃至３は、特許法第３６条第６項第１，２号の規定に違反する旨主張する。
（１）請求項１の「駆動回路の上方から部分的にブラックマスクが除去され」との記載は、駆動回路は水平駆動回路と垂直駆動回路を含む概念であることからみて、「ブラックマスクは該水平駆動回路の上方から選択的に除去されている」との関係が不明である。（なお、取消理由において、請求項１の記載では、駆動回路の上方の全面からブラックマスクが除去されているものを含むと解されることを付記した。）
（２）本件発明の実施例を示す図１乃至図３においては、水平駆動回路の上方から選択的にブラックマスクが除去されている構成が示されていない。
　
　しかしながら、訂正請求により、請求項１に記載された発明は、
　特許明細書の、
【０００６】中の「この場合、前記ブラックマスクはこれら回路要素のうちの少なくとも一部の上方から選択的に除去されている。」
【００１３】中の「この変形例では水平駆動回路８の一部のみからブラックマスク９が除去されており、垂直駆動回路７の上方は全てブラックマスク９で覆われている」
【００１７】中の「具体的には、水平駆動回路８は入力バッファＩＢ、レベルシフタＬＳ、シフトレジスタＳＲ、水平スイッチＨＳＷとから構成されている・・・第１実施例では枠領域に位置にする水平スイッチＨＳＷのみを金属材料からなるブラックマスクで被覆する一方、入力バッファＩＢ、レベルシフタＬＳ、シフトレジスタＳＲからはブラックマスクを意図的に除去している」
　との記載に基づいて、「該駆動部に含まれる駆動回路の内水平駆動回路の上方からブラックマスクが除去され、垂直駆動回路の上方はブラックマスクで覆われており」及び「前記ブラックマスクは該水平駆動回路を構成する複数の回路要素の内の少なくとも一部の上方から選択的に除去されている」と限定的に訂正された。
　これによって、請求項１に係る発明には、駆動回路の上方の全面からブラックマスクが除去されているものは含まれない（垂直駆動回路の上方はブラックマスクで覆われている）ことが明確になり、しかも、ブラックマスクは、水平駆動回路を構成する複数の回路要素の内の必要な回路要素の上方から選択的に除去されていることが明確になったから、特許を受けようとする発明が明確でないとはいえず、また、請求項１〜３に係る発明は、一部、図面に示されていない部分があるとしても、明細書の発明の詳細な説明に記載された発明である。
　よって、異議申立人の明細書の記載不備に関する主張は採用できない。
　
４−２．特許法第２９条違反について
（１）本件発明
　本件の請求項１〜３に係る発明（以下、「本件発明１」〜「本件発明３」という。）は、訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１〜３に記載された次のとおりのものである。
「【請求項１】　中央の画面部及び周辺の駆動部を有する能動基板と、対向電極を有し所定の間隙を介して該能動基板に接合した対向基板と、該間隙に保持された電気光学物質とを備えたパネル構造を有し、
　前記画面部はマトリクス配置した画素電極及びスイッチング素子が集積形成されており、
　前記駆動部は該スイッチング素子を駆動する駆動回路が集積形成されており、
　前記駆動回路は該スイッチング素子を高速で水平走査する水平駆動回路と該スイッチング素子を低速で垂直走査する垂直駆動回路とを含んでおり、
　前記能動基板は、該画面部に含まれるスイッチング素子の上方に絶縁膜を介して金属膜からなるブラックマスクがパタニング形成されている一方、該駆動部に含まれる駆動回路の内水平駆動回路の上方からブラックマスクが除去され、垂直駆動回路の上方はブラックマスクで覆われており、
　更に、前記ブラックマスクは該水平駆動回路を構成する複数の回路要素の内少なくとも一部の上方から選択的に除去されている事を特徴とする表示装置。
【請求項２】　前記ブラックマスクは、該水平駆動回路を構成する回路要素である外部クロック信号の入力バッファ、該クロック信号のレベルシフタ及び該クロック信号により動作するシフトレジスタの内少なくとも一部の上方から選択的に除去されている事を特徴とする請求項１記載の表示装置。
【請求項３】前記ブラックマスクは浮遊電位又は固定電位に保持されている事を特徴とする請求項１記載の表示装置。」
　
（２）甲第１号証記載の発明
　甲第１号証（特開平５−１０７５５０号公報）には、
「【特許請求の範囲】
【請求項１】
　表示領域と非表示領域とが設けられており、
　スイッチング素子とこのスイッチング素子の一つの電極に接続されている画素電極とが前記表示領域でマトリックス状に配列されている第１の基板と、
　この第１の基板に対向している第２の基板と、
　これら第１及び第２の基板間に保持されている液晶層とを有している液晶表示装置において、
　前記表示領域のうちの少なくとも前記画素電極以外の部分を遮光する第１の遮光層が前記第１の基板に設けられており、
　前記非表示領域を遮光する第２の遮光層が前記第２の基板に設けられていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３】
　前記スイッチング素子に信号を供給する駆動回路が前記非表示領域に設けられていることを特徴とする請求項２記載の液晶表示装置。」
「【００１３】
　本実施例は、薄膜トランジスタ２２で構成されており表示領域の薄膜トランジスタ１３を駆動するための駆動回路が集積されている領域２１を含む非表示領域では、Ｃｒから成る遮光層２７が絶縁基板２４に設けられており、非表示領域の絶縁基板１１には遮光層２３が設けられていない・・・」と記載されている。
　また、【図１】及び【図２】からは、第１の絶縁基板１１に、表示領域の薄膜トランジスタ１３の上方に絶縁膜を介して遮光層２３が画素電極１２を露出し、駆動回路が集積されている領域２１の上方を含む非表示領域から遮光層が除去されていることが見てとれる。
　
（３）対比・判断 
［本件発明１について］                 
　そこで、本件発明１と上記甲第１号証記載のもの（以下、「引用発明」という。）とを比較するに、引用発明の「表示領域」、「非表示領域」、「第１の基板」、「第２の基板」、「液晶層」、「第１の遮光層」は、本件発明１の「中央の画面部」、「周辺の駆動部」、「能動基板」、「対向基板」、「電気光学物質」、「ブラックマスク」に各々相当する。
　したがって、両者は、
「中央の画面部及び周辺の駆動部を有する能動基板と、対向電極を有し所定の間隙を介して該能動基板に接合した対向基板と、該間隙に保持された電気光学物質とを備えたパネル構造を有し、
　前記画面部はマトリクス配置した画素電極及びスイッチング素子が集積形成されており、
　前記駆動部は該スイッチング素子を駆動する駆動回路が集積形成されており、
　前記駆動回路は該スイッチング素子を水平走査する水平駆動回路と該スイッチング素子を垂直走査する垂直駆動回路とを含んでおり、
　前記能動基板は、該画面部に含まれるスイッチング素子の上方に絶縁膜を介してブラックマスクがパタニング形成されている表示装置。」
で一致し、少なくとも下記の点で相違する。
（相違点）本件発明１は、該駆動部に含まれる駆動回路の内水平駆動回路の上方からブラックマスクが除去され、垂直駆動回路の上方はブラックマスクで覆われており、更に、前記ブラックマスクは該水平駆動回路を構成する複数の回路要素の内少なくとも一部の上方から選択的に除去されているのに対して、引用発明は、駆動回路を含む全ての非表示領域からブラックマスクが除去されており、高速で水平走査する水平駆動回路と低速で垂直走査する垂直駆動回路については記載も示唆もない点。
　
　上記相違点に付き検討するに、請求項３に対する周知例として提出された参考資料１（特開平３−２８１４２３号公報）は空気調和装置に関するもので、本件発明とは全く関係のない資料であるし、他に本件発明１の上記相違点の構成が周知であるとすべき理由もない。そして、本件発明１は、上記相違点の構成を有することにより、本件特許明細書の【００１７】に記載された「ここで入力バッファＩＢ、レベルシフタＬＳ、シフトレジスタＳＲ等は高速動作する為寄生容量（浮遊容量）の影響を強く受ける一方、水平スイッチＨＳＷは浮遊容量の影響を余り受けない。この点に鑑み、第１実施例では枠領域に位置する水平スイッチＨＳＷのみを金属材料からなるブラックマスクで被覆する一方、入力バッファＩＢ、レベルシフタＬＳ、シフトレジスタＳＲからはブラックマスクを意図的に除去している。これにより、配線パタンとブラックマスクとの間で生じる容量カップリングを除去できる。」という引用発明とは異なる格別の効果を奏するものである。
　したがって、本件発明１は甲第１号証に記載された発明ではなく、またそれに基づいて当業者が容易に発明をすることができたものでもない。
　
［本件発明２，３について］                 
　本件発明２，３は、本件発明１の構成を全て引用し、さらに限定を付加するものであるから、上記本件発明１に対すると同様の理由により、甲第１号証に記載された発明ではなく、またそれに基づいて当業者が容易に発明をすることができたものでもない。
　
５．むすび
　以上のとおり、特許異議申立の理由及び証拠によっては、本件請求項１ないし３に係る発明の特許を取り消すことはできない。
　又、他に本件発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。 
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１５年９月２９日（２００３．９．２９）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
表示装置
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　中央の画面部及び周辺の駆動部を有する能動基板と、対向電極を有し所定の間隙を介して該能動基板に接合した対向基板と、該間隙に保持された電気光学物質とを備えたパネル構造を有し、
　前記画面部はマトリクス配置した画素電極及びスイッチング素子が集積形成されており、
　前記駆動部は該スイッチング素子を駆動する駆動回路が集積形成されており、
　
前記駆動回路は該スイッチング素子を高速で水平走査する水平駆動回路と該スイッチング素子を低速で垂直走査する垂直駆動回路とを含んでおり、
　前記能動基板は、該画面部に含まれるスイッチング素子の上方に絶縁膜を介して金属膜からなるブラックマスクがパタニング形成されている一方、該駆動部に含まれる駆動回路の
内水平駆動回路の
、垂直駆動回路の上方はブラックマスクで覆われて
　
更に、
を構成する複数の回路要素の内の少なくとも一部
　【請求項２】　前記ブラックマスクは、該
水平
回路要素である
　【請求項３】　前記ブラックマスクは浮遊電位又は固定電位に保持されている事を特徴とする請求項１記載の表示装置。
　【請求項４】　中央の画面部及び周辺の駆動部を有する能動基板と、対向電極を有し所定の間隙を介して該能動基板に接合した対向基板と、該間隙に保持された電気光学物質とを備えたパネル構造を有し、
　前記画面部は、マトリクス配置した画素電極及びスイッチング素子が集積形成されており、
　前記駆動部は、該スイッチング素子を駆動する為遮光性の配線パタンで内部結線された駆動回路が集積形成されており、
　前記能動基板は、該画面部に含まれるスイッチング素子の上方に絶縁膜を介して金属膜からなるブラックマスクがパタニング形成されている一方、該駆動部に含まれる駆動回路の上方に絶縁膜を介して該配線パタンと相補的な関係にあるブラックマスクが逆転パタニング形成されている事を特徴とする
　表示装置。
　【請求項５】　前記ブラックマスクは浮遊電位又は固定電位に保持されている事を特徴とする請求項４記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】
　本発明は、アクティブマトリクス型の液晶パネル等によって代表される表示装置に関する。より詳しくは、液晶パネルの周辺部に一体的に形成された駆動回路のブラックマスク構造に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　アクティブマトリクス型の液晶パネルは能動基板と対向基板とを所定の間隙を介して接合し、該間隙に液晶を保持した構造を有している。能動基板はマトリクス状に配置した画素電極と、これを個々に駆動する薄膜トランジスタ等のスイッチング素子とを有している。又、スイッチング素子を水平方向及び垂直方向にマトリクス駆動する為の周辺駆動回路も一体的に形成されている。薄膜トランジスタは第１層間絶縁膜により被覆されており、その上には薄膜トランジスタのソース領域と電気接続する配線パタンが設けられている。この配線パタンを被覆する様に第２層間絶縁膜が形成されており、その上には画素電極が設けられている。この画素電極は第２層間絶縁膜及び第１層間絶縁膜に開口したコンタクトホールを介して、薄膜トランジスタのドレイン領域に電気接続している。一方、対向基板の内表面には画素電極以外を遮閉するブラックマスクが形成されている。このブラックマスクは例えば遮光性を有する金属膜をパタニングしたものである。ブラックマスクにより囲まれた開口部が画素電極に整合する。このブラックマスクの凹凸を埋める為平坦化膜が成膜されており、その上に透明な対向電極が全面的に形成される。
　【０００３】
　【発明が解決しようとする課題】
　上述した従来例では、ブラックマスクは周辺部分のみ能動基板に形成されており、それ以外は全て対向基板側に設けられている。この為、対向基板と能動基板との精密な位置合わせが必要となる。対向基板と能動基板の位置合わせ精度と対向基板側のブラックマスク形成精度を相互に考慮してパタン設計する。この場合、予め位置合わせ誤差を吸収するマージンをとる必要があり、ブラックマスクのパタンを大きめな寸法に設定している。従って、画素の開口率が犠牲になるという課題がある。対向基板と能動基板の精密な位置合わせが必要とされる為、それに関わるアライメント装置も精密で高価なものになるという課題がある。
　【０００４】
　この問題に対処する為、能動基板側に全てのブラックマスクを形成する、所謂オンチップブラック構造が提案されている。この構造では、一般にブラックマスクとして有機材料が用いられている。しかしながら、黒色顔料等を分散した有機材料は遮光性が悪いという欠点がある。又、半導体製造の高精細な製造プロセスや製造装置をそのままブラックマスクの形成に転用する事が困難である。加えて、有機材料を用いたブラックマスクでは画素部の平坦化が難しく、液晶の配向やギャップ制御に不利である。
　【０００５】
　改良されたオンチップブラック構造では、ブラックマスクの材料として金属薄膜を用いた例も提案されている。この金属薄膜によるブラックマスクは画素電極が集積形成された画面部のみならず駆動回路が集成形成された周辺部にも及んでいる。しかしながら、金属材料でブラックマスクを形成すると、周辺の駆動回路との間で容量カップリングが生じ、誤動作や信号の伝達遅延が生じ、画像品位を低下させるという課題がある。
　【０００６】
　【課題を解決するための手段】
　上述した従来の技術の課題を解決する為以下の手段を講じた。即ち、本発明にかかる表示装置は基本的な構成として、中央の画面部及び周辺の駆動部を有する能動基板と、対向電極を有し所定の間隙を介して該能動基板に接合した対向基板と、該間隙に保持された電気光学物質とを備えたパネル構造を有する。前記画面部はマトリクス配置した画素電極及びスイッチング素子が集積形成されている。又、前記駆動部は該スイッチング素子を駆動する駆動回路が集積形成されて
おり、前記駆動回路は該スイッチング素子を高速で水平走査する水平駆動回路と該スイッチング素子を低速で垂直駆動する垂直駆動回路とを含んで
内水平駆動回路の
、垂直駆動回路の上方はブラックマスクで覆われて
更に、
を構成する複数の回路要素の内の少なくとも一部
水平
　【０００７】
　本発明の他の側面によれば、表示装置は基本的な構成として、中央の画面部及び周辺の駆動部を有する能動基板と、対向電極を有し所定の間隙を介して該能動基板に接合した対向基板と、該間隙に保持された電気光学物質とを備えたパネル構造を有している。前記画面部は、マトリクス配置した画素電極及びスイッチング素子が集積形成されている。前記駆動部は、該スイッチング素子を駆動する為遮光性の配線パタンで内部結線された駆動回路が集積形成されている。特徴事項として、前記能動基板は、該画面部に含まれるスイッチング素子の上方に絶縁膜を介して金属膜からなるブラックマスクがパタニング形成されている。一方、該駆動部に含まれる駆動回路の上方に絶縁膜を介して該配線パタンと相補的な関係にあるブラックマスクが逆転パタニング形成されている。なお、前記ブラックマスクは浮遊電位又は固定電位に保持されている。
　【０００８】
　【作用】
　本発明の第１側面によれば、表示装置の能動基板側にブラックマスクを金属材料で形成する際、周辺の駆動回路上には見切り板との合わせマージンとして必要な部分にのみブラックマスクを形成し、他の部分から除去する事により容量カップリングを低減させている。又、本発明の第２側面によれば、アクティブマトリクス型表示装置の能動基板側に金属膜からなるブラックマスクを形成する際、周辺駆動回路上に位置するブラックマスクのパタンを配線等に使用する金属膜と逆パタンになる関係でパタニングし、容量カップリングを低減化している。
　【０００９】
　【実施例】
　以下図面を参照して本発明の好適な実施例を詳細に説明する。図１は本発明にかかる表示装置の第１実施例を表わしたものであり、（１）は模式的な平面図、（２）は（１）に示したＡ−Ａ線に沿った模式的な断面図である。図示する様に、本表示装置は能動基板１と対向基板２とを備えている。能動基板１は中央の画面部３及び周辺の駆動部を有する。これに対し、対向基板２は対向電極（図示せず）を有し、所定の間隙を介して能動基板１に接合している。この間隙には液晶４等からなる電気光学物質が保持されている。画面部３はマトリクス配置した画素電極５及びスイッチング素子（図示せず）が集積形成されている。又、駆動部は外付けされる見切り板６により遮光されていると共に、スイッチング素子を駆動する垂直駆動回路７及び水平駆動回路８が集積形成されている。垂直駆動回路７はスイッチング素子を低速で垂直走査する一方、水平駆動回路８はスイッチング素子を高速で水平走査する。
　【００１０】
　本発明の特徴事項として、能動基板１は、画面部３に含まれるスイッチング素子の上方に絶縁膜を介して金属膜からなるブラックマスク９がパタニング形成されている一方、駆動部（周辺部）に含まれる垂直駆動回路７及び水平駆動回路８の上方から、容量カップリングを防止する為少なくとも部分的にブラックマスク９が除去されている。具体的には、能動基板１は見切り板６の取り付け誤差を吸収する為、画面部５を縁取り且つ周辺部の一部を包含する枠領域Ｂが設定されている。この場合、ブラックマスク９は、枠領域Ｂ内に位置する垂直駆動回路７及び水平駆動回路８の上方にまで延設してパタニング形成されている。但し、枠領域Ｂ外に位置する垂直駆動回路７及び水平駆動回路８の上方から少なくとも部分的に除去されている。
　【００１１】
　本発明のポイントは、能動基板側にブラックマスクを金属材料で成膜するオンチップブラック構造を作成する際、問題となる「駆動回路の寄生容量増大」を排除し、回路動作や画像品位に与える悪影響を解決する事である。この為、本発明にかかる表示装置は画面部３以外の周辺部には枠領域Ｂまでの部分にのみブラックマスク９を形成する。この枠領域Ｂは見切り板６とブラックマスク９を合わせる為に必要なマージンであり、通常数百μｍないし数ｍｍ程度の幅寸法を有している。即ち、この枠領域Ｂより外側に位置する駆動回路７，８の上方から、ブラックマスク９が除去されている。この様な構成にする事により、上述した「駆動回路の寄生容量増大」は、枠領域Ｂに形成された駆動回路７，８の部分に限った問題となる。この部分には回路の誤動作や画像品位低下に影響を及ぼす様な回路要素を配置しない様にしている。これらの回路要素には、例えば外部クロック信号の入力バッファ、該クロック信号のレベルシフタ及び該クロック信号により動作するシフトレジスタ等が含まれる。なお、ブラックマスク９は浮遊電位又は固定電位に保持される。枠領域Ｂ外に位置する垂直駆動回路７及び水平駆動回路８の部分には、ブラックマスク９が存在せず配線パタン上には透明な層間絶縁膜のみが配置している。従って、この層間絶縁膜をレーザ光等で除去する事により、駆動回路７，８の故障解析等が可能である。一方、対向基板２側にはブラックマスクを全く形成しない。従って、対向基板２と能動基板１を重ね合わせる際の精密なアライメントが不必要になる。又、対向基板２と能動基板１の重ね合わせマージンがなくなり、画素電極５の開口率が上昇する。加えて、対向基板２の製造コストが安くなる。即ち、本発明にかかる構成により、能動基板１上にブラックマスク９を成膜するオンチップブラック技術の利点を活用する一方、その問題点は排除する事が可能になった。
　【００１２】
　図２は、図１に示した第１実施例の変形を示す模式的な平面図である。基本的には第１実施例と同一の構造を有しており、対応する部分には対応する参照番号を付して理解を容易にしている。異なる点は、ブラックマスク９が垂直駆動回路７及び水平駆動回路８の一部を除いて、周辺部を含め能動基板１の表面に全面的に形成されている事である。この様にすると、能動基板１の表面が平坦化されるので、対向基板２と接合する際その間隙寸法を精密に制御できる。又、能動基板１と対向基板２との間に保持された液晶４の漏れ出し等も防ぐ事ができる。即ち、図２に示した変形例は、回路動作上寄生容量が問題となる必要最小限の部分のみからブラックマスク９を除去し、それ以外の領域には全面的にブラックマスク９を形成している。勿論、ブラックマスク９は画素電極５の上方からは除かれている。
　【００１３】
　図３は、図１に示した第１実施例の他の変形例を示す模式的な平面図である。この変形例も基本的には第１実施例と同様の構造を有しており、対応する部分には対応する参照番号を付して理解を容易にしている。この変形例では水平駆動回路８の一部のみからブラックマスク９が除去されており、垂直駆動回路７の上方は全てブラックマスク９で覆われている。前述した様に、水平駆動回路８は画面部３に含まれるスイッチング素子を高速で水平走査する一方、垂直駆動回路７はスイッチング素子を低速で垂直走査する。従って、ブラックマスク９との間の容量カップリングは水平駆動回路８側に大きな影響を及ぼす一方、垂直駆動回路７はさほど影響を受けない。この点に鑑み、この変形例では水平駆動回路８の必要とされる部分のみからブラックマスク９を除去している。なお、これらの変形例では水平駆動回路８及び垂直駆動回路７は夫々１個のみが能動基板１上に形成されている。しかしながら、本発明はこれに限られるものではなく、能動基板１の周辺部に上下一対の水平駆動回路８や、左右一対の垂直駆動回路７を設けた構造に対しても適用可能である事はいうまでもない。
　【００１４】
　図４は、図１に示した能動基板１の具体的な構成例を示す模式的な部分断面図である。特に、ブラックマスク９で被覆された駆動回路の一部を表わしている。図示を簡略化する為、一対のＰ型薄膜トランジスタ及びＮ型薄膜トランジスタからなるＣＭＯＳ構造を模式的に表わしている。このＣＭＯＳを多数個集積形成し、適宜配線パタンで接続する事により、所望の機能を備えた周辺駆動回路を構築できる。図示する様に、ガラスもしくは石英等からなる能動基板１の表面には多結晶シリコン等からなる半導体薄膜１１がアイランド状にパタニング形成されている。半導体薄膜１１の上にはゲート絶縁膜１４を介してゲート電極１２がパタニング形成されている。ゲート電極１２の両側に位置する半導体薄膜１１には不純物が高濃度で注入されており、ソース領域及びドレイン領域を形成する。Ｐ型の不純物を注入する事によりＰチャネル型の薄膜トランジスタを形成でき、Ｎ型の不純物を注入する事によりＮチャネル型の薄膜トランジスタが形成できる。ゲート電極１２はＰＳＧ等からなる第１層間絶縁膜１５により被覆されており、その表面にはアルミニウム等からなる配線パタン１３が形成されている。各配線パタン１３は第１層間絶縁膜１５に形成されたコンタクトホールを介して、各薄膜トランジスタのソース領域やドレイン領域に電気接続している。配線パタン１３は同じくＰＳＧ等からなる第２層間絶縁膜１６により被覆されている。その上にはブラックマスク９がパタニング形成されている。例えば、チタン、タングステン、アルミニウム等の金属材料をスパッタリング法又はＣＶＤ法等により成膜した後、所定の形状にパタニングしてブラックマスク９に加工する。このブラックマスク９はアクリル樹脂等からなる平坦化膜１７により被覆されている。
　【００１５】
　図５は図４に示した構造の変形を示す模式的な部分断面図である。両者で対応する部分には対応する参照番号を付して理解を容易にしている。この変形例では、平坦化膜１７の上にブラックマスク９が形成されている。この様にすれば、金属材料からなるブラックマスク９と同じく金属材料からなる配線パタン１３との間の距離が大きくなる為、容量カップリングが緩和できる。従って、駆動回路上に金属材料からなるブラックマスク９を部分的に設けた場合でも、「寄生容量の増大化」をある程度防止できる。
　【００１６】
　図６は、ブラックマスクが選択的に除去された部分に位置する駆動回路の構造を模式的に表わしたものである。基本的には、図４及び図５に示した構造と同一であり対応する部分には対応する参照番号を付して理解を容易にしている。図から明らかな様に、ブラックマスク９が選択的に除去されており、配線パタン１３の上には第２層間絶縁膜１６や平坦化膜１７しか存在しておらず、高速動作に悪影響を与える容量カップリングが生じない。この様に、駆動回路中で高速動作が行なわれる部分には、選択的にブラックマスクを除去して、「寄生容量の増大化」を防止している。
　【００１７】
　図７は、図１に示した表示装置の具体的な回路構成を示すブロック図である。本表示装置は行状に配線した複数のゲートラインＸと列状に配線した複数の信号ラインＹと両者の各交差部に設けられた複数の画素とを有している。この画素は微細な液晶セルＬＣからなり行列状に配置して画面部を構成する。個々の液晶セルＬＣに対応してこれを駆動する為のスイッチング素子として薄膜トランジスタＴｒが集積形成されている。又、補助容量Ｃｓも液晶セルＬＣと並列に接続されている。液晶セルＬＣは能動基板側に形成された画素電極と対向基板側に形成された対向電極と両電極との間に保持された液晶とから構成されている。薄膜トランジスタＴｒのゲート電極は対応するゲートラインＸに接続され、ソース電極は対応する信号ラインＹに接続され、ドレイン電極は対応する画素電極に接続されている。垂直駆動回路７は各ゲートラインＸを順次垂直走査して一水平期間毎に１行分の液晶セルＬＣを選択する。一方、水平駆動回路８は一水平期間内で各信号ラインＹを順次走査し、映像信号をサンプリングして選択された１行分の液晶セルＬＣ（画素）に点順次で映像信号を書き込む。具体的には、水平駆動回路８は入力バッファＩＢ、レベルシフタＬＳ、シフトレジスタＳＲ、水平スイッチＨＳＷとから構成されている。入力バッファＩＢは外部から水平スタート信号ＨＳＴ及び互いに逆相のクロック信号ＨＣＫ１，ＨＣＫ２を受け入れる。レベルシフタＬＳはこれらの信号をレベルシフトする。シフトレジスタＳＲはレベルシフトされたクロック信号ＨＣＫ１，ＨＣＫ２に応じて動作し、同じくレベルシフトされた水平スタート信号ＨＳＴを順次転送する事により、選択パルスＶ１，Ｖ２，Ｖ３，…，を出力する。各信号ラインＹは水平スイッチＨＳＷを介してビデオラインに接続されており、外部から映像信号の供給を受ける。シフトレジスタＳＲは順次選択パルスＶ１，Ｖ２，Ｖ３，…，を出力し各水平スイッチＨＳＷを順次開閉動作して、各信号ラインＹに映像信号をサンプリングする。ここで入力バッファＩＢ、レベルシフタＬＳ、シフトレジスタＳＲ等は高速動作する為寄生容量（浮遊容量）の影響を強く受ける一方、水平スイッチＨＳＷは浮遊容量の影響を余り受けない。この点に鑑み、第１実施例では枠領域に位置にする水平スイッチＨＳＷのみを金属材料からなるブラックマスクで被覆する一方、入力バッファＩＢ、レベルシフタＬＳ、シフトレジスタＳＲからはブラックマスクを意図的に除去している。これにより、配線パタンとブラックマスクとの間で生じる容量カップリングを除去できる。
　【００１８】
　図８は、図７に示した各種信号の波形を表わしている。容量カップリングの画像品位に及ぼす影響を考える時、映像信号サンプリング用の水平スイッチＨＳＷを開閉制御する選択パルスＶ１，Ｖ２，…，の遅延時間ΔＴとそのばらつきが問題になる。図示する様に、シフトレジスタはＨＣＫ１，ＨＣＫ２に応じて動作し、水平スタート信号ＨＳＴを順次転送してＶ１，Ｖ２，…，を出力する。従って、理論上Ｖ１，Ｖ２，…，は矩形波になるはずである。しかしながら、Ｖ１，Ｖ２，…，の実波形は浮遊容量の影響を受け遅延時間ΔＴが生じると共にその値もばらつく。これにより映像信号のサンプリングタイミングが変動する為、画像品位に悪影響を与える事になる。
　【００１９】
　図９は、実際に作成された表示装置のサンプル１，サンプル２，サンプル３について上述した遅延時間ΔＴを実測した結果を示すグラフである。サンプル１は駆動基板上に何等ブラックマスクを形成しないものである。サンプル２は画素部を除いて駆動回路を含み能動基板の全面にブラックマスクを成膜したものである。サンプル３は本発明に従って駆動回路の上方から選択的にブラックマスクを除去したものである。サンプル１に比較してサンプル２は電源電圧を１Ｖ動かした時のばらつきがかなり大きい。仕様上、電源電圧１Ｖ程度のマージンは必要であるにも関わらず、サンプル２では電源電圧の変動により遅延時間ΔＴに大きなばらつきが現われる。又、サンプル１に比べサンプル２は平均値で見ても遅延時間ΔＴが大きく、ゴースト等画像品位の低下が懸念される。これに対し、サンプル３はサンプル１と略同等の特性を示しており、問題ない事が分かる。
　【００２０】
　図１０は、図９に示したサンプル１、サンプル２、サンプル３の具体的な構成を示す模式的な平面図である。（１）はサンプル１を表わしており、能動基板１の表面にはブラックマスクが全く形成されていない。（２）はサンプル２を示しており、能動基板１の表面は画素電極５を除いてブラックマスク９により全面的に被覆されている。即ち、垂直駆動回路７及び水平駆動回路８も全てブラックマスク９により被覆されている。（３）はサンプル３を示しており、ブラックマスク９は画面部３に加えて、垂直駆動回路７及び水平駆動回路８の一部を被覆する様にパタニング形成されている。但し、垂直駆動回路７及び水平駆動回路８の高速動作部からはブラックマスク９が選択的に除去されている。
　【００２１】
　図１１は、本発明にかかる表示装置の第２実施例を表わしており、（Ａ）は部分断面図、（Ｂ）は部分平面図である。基本的には図４に示した第１実施例の断面構造と類似しており、対応する部分には対応する参照番号を付して理解を容易にしている。前述した様に、能動基板１には遮光性の配線パタン１３で内部結線された駆動回路が集積形成されている。具体的には、半導体薄膜１１を活性層としゲート電極１２を備えた無数の薄膜トランジスタが配線パタン１３により相互接続され駆動回路を構成している。特徴事項として、駆動回路の上方に第２層間絶縁膜１６を介して配線パタン１３と相補的な関係にあるブラックマスク９が逆転パタニング形成されている。なお、このブラックマスク９の表面はアクリル樹脂等からなる透明な平坦化膜１７により被覆されている。
　【００２２】
　この第２実施例のポイントは、能動基板１側にブラックマスク９を金属材料で形成する際に伴なう問題である「駆動回路の容量増大」を、ブラックマスク９のパタンを改善する事により抑制し、画像品位への悪影響を低減させる点にある。一般に、配線パタン１３はアルミニウム又はアルミニウム合金等の金属材料が用いられ、これらは本来遮光性を有している。そこで、ブラックマスク９を配線パタン１３とネガ／ポジが逆転する様にパタニングする。その際、光抜け防止の為のマージン２０が数百ｎｍないし数μｍ程度必要となる。しかしながら、駆動回路の上方にブラックマスク９を全面的に形成した場合と比較すると、ブラックマスク９と配線パタン１３が重なる面積を大幅に縮小化でき、ブラックマスク９によるカップリング容量の増大も相当程度抑制可能である。なお、ブラックマスク９は浮遊電位あるいは固定電位に保持される。又、この構造は配線パタン１３上に第２層間絶縁膜１６及び平坦化膜１７しか存在せず、従来通りこれらの膜をレーザ光で除去する事により、駆動回路に含まれる薄膜トランジスタの故障解析が可能である。一方、対向基板側にはブラックマスクを形成する必要がなくなり、能動基板と対向基板を重ね合わせる際のアライメント精度が緩和できる。
　【００２３】
　図１２は、参考としてブラックマスクを能動基板１上に形成していない構造を表わしている。なお、理解を容易にする為、図１１に示した第２実施例と対応する部分には対応する参照番号を付している。この参考例では能動基板１側にブラックマスクを形成しない為、この代わりに対向基板側にブラックマスクを形成する必要が生じる。
　【００２４】
　図１３は、図１１に示した第２実施例の変形を示す模式的な部分断面図及び部分平面図である。基本的には、図１１に示した第２実施例と同様の構造を有しており、対応する部分には対応する参照番号を付して理解を容易にしている。この変形例では、平坦化膜１７を形成した後、その上に金属膜をスパッタリング法又はＣＶＤ法で成膜し、これを選択的エッチングによりパタニングしてブラックマスク９を形成している。図１１に示した第２実施例と比べると、ブラックマスク９と配線パタン１３の垂直距離が大きくなり、駆動回路の浮遊容量やカップリング容量が低く抑えられ、画像品位に及ぼす悪影響をさらに小さくできる。但し、図１１に示した第２実施例に比べると、能動基板１の表面にブラックマスク９が露出しておりその分平坦性がなくなるので、液晶配向処理の為のラビングや基板間隙制御等に不利になる。又、配線パタン１３とブラックマスク９の距離が大きくなる為、光抜け防止の為のマージン２０も多少大きくする必要がある。
　【００２５】
　最後に図１４は他の参考例を示す模式的な部分断面図及び部分平面図である。基本的には、図１１に示した第２実施例と同一であり、対応する部分には対応する参照番号を付して理解を容易にしている。図１４の（Ａ）は駆動回路の上に第２層間絶縁膜１６を介してブラックマスク９を全面的に形成した構造である。これでは、駆動回路の容量を低減化できない。（Ｂ）は平坦化膜１７の上にブラックマスク９を全面形成した構造である。これでも、駆動回路の容量削減には不十分である。なお（Ｃ）は（Ａ）及び（Ｂ）に示した構造の平面形状を表わしている。図示する様に、駆動回路を構成する薄膜トランジスタはブラックマスク９により全面的に被覆されている。
　【００２６】
　【発明の効果】
　以上説明した様に、本発明によれば、能動基板は画面部に含まれるスイッチング素子の上方に絶縁膜を介して金属膜からなるブラックマスクがパタニング形成されている一方、駆動部に含まれる駆動回路の上方から容量カップリングを防止する為少なくとも部分的にブラックマスクが除去されている。あるいは、能動基板は画面部に含まれるスイッチング素子の上方に絶縁膜を介して金属膜からなるブラックマスクがパタニング形成されている一方、駆動部に含まれる駆動回路の上方に絶縁膜を介して配線パタンと相補的な関係にあるブラックマスクが逆転パタニング形成されている。この様に、駆動回路の上方において必要な部分にはブラックマスクを形成し、不必要もしくは弊害が生じる部分からブラックマスクを除去している。かかる構成により、駆動回路の容量を極力抑える事が可能になり、回路動作や画像品位への悪影響が低減するという効果がある。又、配線パタン上にブラックマスクを形成しない為、従来通り駆動回路を構成する薄膜トランジスタの故障解析等が可能である。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　本発明にかかる表示装置の第１実施例を示す平面図及び断面図である。
　【図２】
　第１実施例の変形を示す平面図である。
　【図３】
　第１実施例の他の変形を示す平面図である。
　【図４】
　第１実施例の具体的な構成を示す部分断面図である。
　【図５】
　同じく第１実施例の具体的な構成を示す部分断面図である。
　【図６】
　同じく第１実施例の具体的な構成を示す部分断面図である。
　【図７】
　第１実施例の具体的な回路構成例を示すブロック図である。
　【図８】
　図７に示した回路の動作説明に供する波形図である。
　【図９】
　本発明の効果を示すグラフである。
　【図１０】
　図９のグラフを測定する為に用いたサンプルを表わす平面図である。
　【図１１】
　本発明にかかる表示装置の第２実施例を示す模式的な部分断面図及び部分平面図である。
　【図１２】
　表示装置の参考例を示す部分断面図及び部分平面図である。
　【図１３】
　図１１に示した第２実施例の変形を示す部分断面図及び部分平面図である。
　【図１４】
　表示装置の他の参考例を示す部分断面図及び部分平面図である。
　【符号の説明】
　１　　能動基板
　２　　対向基板
　３　　画面部
　４　　液晶
　５　　画素電極
　６　　見切り板
　７　　垂直駆動回路
　８　　水平駆動回路
　９　　ブラックマスク
　１３　配線パタン
　Ｂ　　枠領域