【事件の表示】
　特許第３３５１６９４号「磁性メモリ」の請求項１に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３３５１６９４号の請求項１に係る特許を取り消す。
【理　由】
１．手続の経緯
　本件特許第３３５１６９４号の請求項１に係る発明は、平成８年１０月２８日に特許出願され、平成１４年９月２０日にその特許の設定登録がなされたところ、キヤノン株式会社により特許異議の申立てがなされ、平成１５年８月１８日付けで取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１５年１０月２８日に訂正請求がなされると共に意見書が提出されたものである。
　
２．訂正の適否についての判断
２−１．訂正の内容
　特許権者が求めている訂正の内容は、以下のとおりである。（なお、以下における記載「Ａｌ２Ｏ３」の「２」と「３」は下付き文字の「２」と「３」を表す。）
（ａ）訂正事項ａ
　特許請求の範囲の請求項１の記載
「非磁性基板上に、第１電極と、第１垂直磁気異方性層と、スペーサ層と、第２垂直磁気異方性層と、第２電極とが順次積層された磁性メモリにおいて、前記スペーサ層が、絶縁体のＡ１２Ｏ３からなることを特徴とする磁性メモリ。」
を、
「非磁性基板上に、第１電極と、第１垂直磁気異方性層と、スぺーサ層と、第２垂直磁気異方性層と、第２電極とが順次積層され、外部に情報記録用のワード線を前記第１及び第２垂直磁気異方性層の磁化容易軸に直交するように配置して、前記情報記録用のワード線に電流を流すことによって生じる磁界が前記第１及び第２垂直磁気異方性層に対して垂直に生じる磁性メモリにおいて、
　前記第２垂直磁気異方性層は、前記第１垂直磁気異方性層よりも保持力が小さく、かつ前記スペーサ層が、絶縁体のＡ１２Ｏ３からなることを特徴とする磁性メモリ。」
と訂正する。
（ｂ）訂正事項ｂ
段落【０００５】の記載
「本発明者は、かかる現象に着目し、非磁性層として絶縁体のＡ１２Ｏ３を使用し、非磁性層の上下両面に配置される磁性層として垂直磁気異方性を有する磁性膜を使用し、各層に垂直な方向に電流が流れるよう積層構造の上下に電極を配置すれば、従来のように、膜面内で磁化容易軸の向きを制御するという工程上の困難性を伴わずに、高いＳ／Ｎを達成することができ、しかも、センス電流を膜面に垂直な方向に流すことができるので、セルを並列に配置することによる感度向上も期待できるとの着想を得て本発明を完成した。すなわち、本発明によれば、非磁性基板上に、第１電極と、第１垂直磁気異方性層と、スペーサ層と、第２垂直磁気異方性層と、第２電極とが順次積層された磁性メモリにおいて、前記スペーサ層が、絶縁体のＡ１２Ｏ３からなることを特徴とする磁性メモリが提供される。」
を、
「本発明者は、かかる現象に着目し、非磁性層として絶縁体のＡ１２Ｏ３を使用し、非磁性層の上下両面に配置される磁性層として垂直磁気異方性を有する磁性膜を使用し、各層に垂直な方向に電流が流れるよう積層構造の上下に電極を配置すれば、従来のように、膜面内で磁化容易軸の向きを制御するという工程上の困難性を伴わずに、高いＳ／Ｎを達成することができ、しかも、センス電流を膜面に垂直な方向に流すことができるので、セルを並列に配置することによる感度向上も期待できるとの着想を得て本発明を完成した。すなわち、本発明によれば、非磁性基板上に、第１電極と、第１垂直磁気異方性層と、スペーサ層と、第２垂直磁気異方性層と、第２電極とが順次積層され、非磁性基板上に、第１電極と、第１垂直磁気異方性層と、スペーサ層と、第２垂直磁気異方性層と、第２電極とが順次積層され、非磁性基板上に、第１電極と、第１垂直磁気異方性層と、スペーサ層と、第２垂直磁気異方性層と、第２電極とが順次積層され、外部に情報記録用のワード線を前記第１及び第２垂直磁気異方性層の磁化容易軸に直交するように配置して、前記情報記録用のワード線に電流を流すことによって生じる磁界が前記第１及び第２垂直磁気異方性層に対して垂直に生じる磁性メモリにおいて、前記第２垂直磁気異方性層は、前記第１垂直磁気異方性層よりも保持力が小さく、かつ前記スぺーサ層が、絶縁体のＡ１２Ｏ３からなることを特徴とする磁性メモリが提供される。」
と訂正する。
（ｃ）訂正事項ｃ
段落【０００９】の記載
「【発明の効果】
　以上詳細に説明したとおり、本発明によれば、非磁性基板上に、第１電極と、第１垂直磁気異方性層と、スペーサ層と、第２垂直磁気異方性層と、第２電極とが順次積層された磁性メモリにおいて、前記スぺーサ層として、絶縁体のＡ１２Ｏ３からを利用することにより、磁性層の成膜過程における磁化容易軸の向きの制御が容易であり、また、抵抗の変化が大きく感度の高い磁性メモリを得ることが可能となる。」
を、
「【発明の効果】
　以上詳細に説明したとおり、本発明によれば、非磁性基板上に、第１電極と、第１垂直磁気異方性層と、スペーサ層と、第２垂直磁気異方性層と、第２電極とが順次積層され、外部に情報記録用のワード線を前記第１及び第２垂直磁気異方性層の磁化容易軸に直交するように配置して、前記情報記録用のワード線に電流を流すことによって生じる磁界が前記第１及び第２垂直磁気異方性層に対して垂直に生じる磁性メモリにおいて、前記第２垂直磁気異方性層は、前記第１垂直磁気異方性層よりも保持力が小さく、かつ前記スペーサ層が、絶縁体のＡ１２Ｏ３からなるので、磁性層の成膜過程における磁化容易軸の向きの制御が容易であり、また、抵抗の変化が大きく感度の高い磁性メモリを得ることが可能となる。」
と訂正する。
　
２−２．訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
（ａ）訂正事項ａについて
　上記訂正事項ａは、「順次積層された磁性メモリ」を、特許明細書の【発明の詳細な説明】の段落【０００６】の記載「上記の積層体の側方には、情報記録用ワード線７が、各磁性層３，５の磁化容易軸と直交するように（紙面に垂直な方向に）配置されている。」、段落【０００７】の記載「このような構成の磁性メモリにおいて、ワード線７に電流を流すと、電流に応じた磁界が発生し、第１及び第２の磁性層３及び５の磁化の向きを反転させ、情報の記録が行われる。図２は、図１の磁性メモリにおいて、ワード線７に紙面の表面から裏側へ向けて、十分な電流を流した状態を示す。このとき、ワード線７から発生する磁界は紙面上で時計回りであるため、第１及び第２の磁性層３及び５の向きは図中矢印で示したように、共に下向きとなる。…図３は、同じくワード線７に紙面の裏側から表側に向けて、保磁力の大きい第１の磁性層３の磁化の向きは反転させず、保磁力の小さい第２の磁性層５の磁化の向きのみを反転させる磁界を発生させるような電流を流した状態を示す。このとき、ワード線７から発生する磁界は紙面上で反時計回りであり、図中矢印で示したように、第２の磁性層５の磁化の向きのみ反転して上向きとなる。」及び図１〜３の記載に基いて、磁性メモリにおいて磁界を生じさせる構成とそれにより生じる磁界の態様を限定して、「順次積層され、外部に情報記録用のワード線を前記第１及び第２垂直磁気異方性層の磁化容易軸に直交するように配置して、前記情報記録用のワード線に電流を流すことによって生じる磁界が前記第１及び第２垂直磁気異方性層に対して垂直に生じる磁性メモリ」に訂正するものである。
　段落【０００７】に「磁界は第１及び第２垂直磁気異方性層に対して垂直に生じる」との文言上の記載はないが、段落【０００７】の記載を参酌して図１〜３に概略断面図が記載された磁性メモリをみると、ワード線７から発生される磁界は紙面上で時計回り或いは反時計回りであり、第１及び第２の垂直磁気異方性層３及び５の磁化の向きは図中矢印で示したような下向き又は上向きとなるのであるから、「磁界は第１及び第２垂直磁気異方性層に対して垂直に生じる」ことは自明である。
　また、上記訂正事項ａは、「前記スペーサ層が、絶縁体のＡｌ２Ｏ３からなる」を、特許明細書の【発明の詳細な説明】の段落【０００６】の記載「そして、これらの磁性層３，５は、その保磁力に差が設けられており、例えば、第１の磁性層３の保磁力が大きく、第２の磁性層５の保磁力が小さくなっている。このような保磁力の差は、例えば、Ｃｏ基合金の組成や成膜条件を変化させることによって容易に実現することができる。」、段落【０００７】の記載「図３は、同じくワード線７に紙面の裏側から表側に向けて、保磁力の大きい第１の磁性層３の磁化の向きは反転させず、保磁力の小さい第２の磁性層５の磁化の向きのみを反転させる磁界を発生させるような電流を流した状態を示す。」、段落【０００８】の記載「第１及び第２の磁性層３及び５は、スパッタリング法による成膜中の基板加熱温度を変化させることにより、第１の磁性層の保磁力を大きく、第２の磁性層の保磁力を小さくしてある。この磁性メモリについて、前述したようにワード線７に２種類の磁界を発生させるような電流を流すことにより情報の記録を行ったところ、高い感度及び高いＳ／Ｎ比を有することが確認された。」に基いて、第２垂直磁気異方性層の第１垂直磁気異方性層との保磁力の大小関係を限定して、「前記第２垂直磁気異方性層は、前記第１垂直磁気異方性層よりも保持力が小さく、かつ前記スペーサ層が、絶縁体のＡｌ２Ｏ３からなる」と訂正するものである。
　したがって、この訂正は、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであり、願書に最初に添付した明細書に記載した事項の範囲内の訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものではない。
（ｂ）訂正事項ｂについて
　上記訂正事項ｂは、【課題を解決するための手段】の記載を、上記訂正事項ａの特許請求の範囲の請求項１の記載の訂正に整合させる訂正を行うものである。
　したがって、この訂正は、明りょうでない記載の釈明を目的とするものであり、願書に最初に添付した明細書に記載した事項の範囲内の訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものではない。
（ｃ）訂正事項ｃについて
　上記訂正事項ｃは、【発明の効果】の記載を、上記訂正事項ａの特許請求の範囲の請求項１の記載の訂正に整合させる訂正を行うものである。
　したがって、この訂正は、明りょうでない記載の釈明を目的とするものであり、願書に最初に添付した明細書に記載した事項の範囲内の訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものではない。
　
２−３．むすび
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法等の一部を改正する法律（平成１５年法律第４７号）付則第２条第７項の規定によりなお従前の例によるとされる、平成１５年法律第４７号による改正前の特許法第１２０条の４第２項及び同条第３項において準用する同法第１２６条第２、３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
３．特許異議の申立てについての判断
３−１．本件発明
　本件請求項１に係る発明は、訂正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項（但し、該記載中の「保持力」は「保磁力」の誤記と認める。）によって特定されるとおりのものである。（２．２−１．（ａ）訂正事項ａを参照。）
　
３−２．特許異議の申立ての理由の概要
　特許異議申立人キヤノン株式会社は、本件請求項１に係る発明は、甲第１号証（特開平４−２３２９３号公報）、甲第２号証（「日本応用磁気学会誌、第２０巻、第２号」第３６９頁〜第３７２頁及び第７４０頁、１９９６年４月１日発行）に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、特許法第１１３条第２号の規定により取り消すべきものである旨主張している。
　
３−３．引用例に記載された発明
　当審が通知した取消理由において引用した特開平４−２３２９３号公報（以下「引用例１」という。）には、以下（Ａ）〜（Ｆ）の事項が記載されている。
（Ａ）「２つの磁性体が絶縁体層を介してトンネル接合されているメモリ素子と、前記トンネル接合素子と直列に接続されたトランスファーゲートと、前記磁性体の少なくとも１つに磁気的に結合できる程度に近接して配置された磁場発生回路とを有することを特徴とする磁気メモリセル。」（第１頁右下欄第８〜１４行）
（Ｂ）「第１５図は、本願発明の第７実施例に係るメモリセルの構成概念図であり、本発明の第３の発明に属する。６０，６２は磁性体であり、絶縁層６４を介してトンネル結合している。６６は磁場発生用コイルであり、６８，７０はそれぞれ、上記トンネル結合磁性素子７２、磁場発生用コイル６６と直列に結合されたスイッチングトランジスタである。リード線７４，７６は記録情報読み出し線であり、リード線７８，８０は情報記録．消去線である。また、リード線８２，８４はスイッチングトランジスタ用信号線である。絶縁層６４を介して磁性体６０，６２がトンネル結合したトンネル結合素子７２は、磁性体６０，６２間の磁気分極の相対関係に依存して、異なるコンダクタンスを持つ。」（第８頁右上欄第８行〜同頁左下欄第２行）
（Ｃ）「本メモリセルにデータを書き込む場合は次のようにして行う。例えば、上記トンネル結合素子７２を構成する磁性体６０及び６２の磁化が平行の場合を初期状態、反平行の場合をデータが書き込まれた状態として、これをバイナリーデータの０，１に対応させる。この対応は逆でもよい。初期状態にあるトンネル結合素子７２に、スイッチングトランジスタ７０を導通させることにより、コイル６６が発生する磁場によって、磁性体６２の磁化を逆転させる。また、データを消去する場合は、コイル６６により逆方向の磁場を発生させて、磁性体６２の磁化を再度逆転させて、初期状態に戻せばよい。」（第８頁右下欄第８〜２０行）
（Ｄ）「第１６図は、トンネル結合素子７２及び磁場発生コイル６６の構成例を示すものである。磁性体６０と６２、及び絶縁体６４によってトンネル結合素子を構成しており、軟磁性体８６と磁性体６２は磁気的に結合している。さらに、ハーフターンの導体８８に流れる電流により軟磁性体８６を磁化し、磁性体６２に磁場を印加する。例えば、このような構成とすることによりメモリセルを平面化、小型化することができる。」（第９頁左上欄第６〜１４行）
（Ｅ）「次に、上記磁気メモリに使用される磁性薄膜の第１の実施例を説明する。原子分率で２２％のＺｒ、残部が実質的にＣｏからなる合金ターゲットを用いて、ＲＦスパッタ装置により石英基盤上に１μｍの膜厚の薄膜を作成した。…この結果、得られた薄膜は膜面と垂直方向に容易磁化軸を持ち、…磁化特性を有していた。」（第９頁右上欄第１〜１８行）
（Ｆ）「次に、他の磁性薄膜の実施例を説明する。上記第１実施例と同様の方法で表１に示す組成の磁性薄膜を作製した。得られる薄膜の磁化容易軸は全て膜面と垂直方向であった。…この磁性薄膜においても大きな保持力を有するので、上記実施例と同様の効果がある。」（第９頁左下欄第６行〜同頁右下欄第２行）
　メモリにおいて、素子の電気的な接続のために電極を積層することが周知であり、上記（Ｅ）に、非磁性基板上（石英基盤上）に磁性薄膜を形成することも記載されているから、上記（Ａ）〜（Ｄ）の磁気メモリセルにおいて、非磁性基板上に第１電極と磁性体６２と絶縁体６４と磁性体６０と第２電極とを順次積層してトンネル結合素子７２を形成することは自明のことである。
　また、引用例１には、上記（Ｅ）、（Ｆ）のように、磁気メモリに使用される磁性薄膜の実施例として、膜面と垂直方向に容易磁化軸を持つもののみが提示されているから、上記（Ａ）〜（Ｄ）の磁気メモリセルにおいて、トンネル結合素子７２の磁性体６２、６０が垂直方向に容易磁化軸を持つことは明らかである。
　さらに、第１６図をみると、ハーフターンの導体８８の大部分は、垂直方向に磁化容易軸を持つ磁性体６２、６０の容易磁化軸と直交して配置されていることが看取される。
　上記（Ａ）〜（Ｄ）の磁気メモリセルは、上記（Ｄ）のように、ハーフターンの導体８８に流れる電流により軟磁性体８６を磁化し、軟磁性体８６に接続される磁性体６２に磁界（磁場）を印加するものであり、軟磁性体８６と磁性体６２との接続面においては磁界が磁性体６２の膜面内方向に平行ではあるが、磁性体６２の一方の膜面に極めて近接して磁性体６０が配置されていること、ハーフターンの導体８８に流れる電流により発生される磁界の磁力線は連続しており閉じていなければならないこと、発生される磁界により垂直方向に容易磁化軸を持つ磁性体６２の磁化が反転されることを勘案すれば、発生される磁界が、垂直方向に容易磁化軸を有する磁性体６２、６０の膜面内方向に対して垂直の成分を有することは自明である。
　したがって、上記（Ａ）〜（Ｆ）の記載事項及び図面の記載から、引用例１には、
「非磁性基板上に、第１電極と、垂直方向に容易磁化軸を持つ磁性体６２と、絶縁層６４と、垂直方向に容易磁化膜を持つ磁性体６０と、第２電極とが順次積層されて、垂直方向に容易磁化軸を持つ磁性体６２、６０が絶縁層６４を介してトンネル結合したトンネル結合素子７２を有し、
　トンネル結合素子７２は、垂直方向に容易磁化軸を持つ磁性体６２、６０の磁化が平行か反平行かに依存して、異なるコンダクタンスを持ち、情報を記憶するものであり、
　トンネル結合素子７２の外部に、垂直方向に容易磁化軸を持つ磁性体６２、６０の容易磁化軸と大部分が直交するようにハーフターンの導体８８を配置し、ハーフターンの導体８８に流れる電流により、磁性体６２に接続された軟磁性体８６を磁化して、垂直方向に容易磁化軸を有する磁性体６２、６０の膜面内方向に対して垂直の成分を有する磁界を発生させ、発生させた磁界によって垂直方向に容易磁化軸を持つ磁性体６２の磁化を逆転させる磁気メモリセル。」
との発明（以下「引用例１に記載された発明」という。）が記載されていると認められる。
　同じく引用した「日本応用磁気学会誌、第２０巻、第２号」第３６９頁〜第３７２頁及び第７４０頁、１９９６年４月１日発行（以下「引用例２」という。）には、以下（Ｇ）〜（Ｉ）の事項が記載されている。
（Ｇ）「一軸異方性を持つ強磁性膜は１８０°角度の異なる二つの安定状態がある．弱結合型サンドウィッチ膜では，２種類の磁性層が独立に振舞えるので，各々の一軸異方性膜の磁化方向で二通り，併せて零磁界下で四つの安定状態が存在する．これらの四つの安定状態はＦｉｇ．３（ｂ），（ｃ）のように４種類の磁化の組み合わせに対応している．言い換えると，これらの四つの状態のうちのどちらかをとることで，同図に示すように，四進数の記憶が可能である．」（３７１頁左欄第１３〜２１行）
（Ｈ）「ワンビットセルにおいて実験的に四進数ＧＭＲメモリーが動作することを確認した．その構造はＦｉｇ．１に示す二進数メモリーと同様であるが，近傍に設置したワード線が情報蓄積線と平行に配置されていることが異なる点である．ワード線に電流を流すと，容易軸方向に局部的な磁界が発生するが，この磁界は両磁性層の保持力の差を利用すれば四進数情報蓄積用の両磁性層への書き込みを別々に行うことができる．」（第３７１頁左欄第２２〜２８行）
（Ｉ）「上述までのＧＭＲメモリーでは…ＳＮ比が非常に低くなると考えられる．この問題点に対し，筆者らは高ＳＮ比が実現できるスピン・トンネリング・メモリーを考案した．スピン・トンネル接合（強磁性体／絶縁体／強磁性体）では，３ｄ電子がそのトンネル電流を担う．強磁性体の３ｄ電子は分極しており，フェルミ面での上向きスピンと下向きスピンの状態密度が異なる．したがって，強磁性トンネル接合では，スピンの向きを保持したまま電子がトンネルするならば，両電極の磁化の状態によりトンネル電流が変化する．我々はＣｏ／Ａｌ２Ｏ３／ＮｉＦｅのＣＣＰ（Ｃｕｒｒｅｎｔ‐Ｐｅｒｐｅｎｄｉｃｕｌａｒ−ｔｏ−Ｐｌａｎｅ結合を作製し，印加磁場に対して抵抗の変化を測定した結果，弱結合ＣＩＰ（ｃｕｒｒｅｎｔ−Ｉｎ−ｐｌａｎｅ）素子と全く同様の記憶メカニズム，すなわち部分駆動特性曲線の傾きの前歴磁化状態に対する依存牲が確認できた．このことによりハード層（Ｃｏ）を情報のメモリーにソフト層（ＮｉＦｅ）を読出しに用いることができる．このトンネリング接合に適する新たな構造としてＦｉｇ．５に示す構造を考案した．…このメモリー構造は，３節で述べた出力が相対的に低い四進数メモリーに対しても，有効である．」（第３７１頁右欄第２行〜第７３２頁左欄第２３行）
　上記（Ｇ）、（Ｈ）の記載事項及び図面の記載から、引用例２には、
　四進数ＧＭＲメモリーにおいて、情報を記録するためワード線に電流を流し磁性層の磁化容易軸方向に磁界を発生して２つの磁性層の磁化方向を設定するのに、両磁性層の保持力の差を利用して両磁性層の磁化方向を別々に設定すること
が記載されていると認められる。
　また、上記（Ｉ）の記載事項及び図面の記載から、引用例２には、
　スピン・トンネリング・メモリーにおいて、スピン・トンネル接合をなすための絶縁体としてＡｌ２Ｏ３を用いること
も記載されていると認められる。
　
３−４．対比
　本件請求項１に係る発明（以下「前者」という。）と引用例１に記載された発明（以下「後者」という。）とを対比すると、
（イ）後者の「容易磁化軸」は、前者の「磁化容易軸」に相当し、
（ロ）後者の「垂直方向に容易磁化軸を持つ磁性体６２」、「垂直方向に容易磁化軸を持つ磁性体６０」は、前者の「第１垂直磁気異方性層」、「第２垂直磁気異方性層」にそれぞれ相当し、
（ハ）後者の「絶縁層６４」は、その機能からみて、前者の「スペーサ層」に相当し、
（ニ）後者の「ハーフターンの導体８８」は、その機能からみて、前者の「情報記録用のワード線」と、情報記録用の導体として共通しており、
（ホ）後者の「磁気メモリセル」は、前者の「磁性メモリ」に相当している。
　したがって、両者は、
「非磁性基板上に、第１電極と、第１垂直磁気異方性層と、スぺーサ層と、第２垂直磁気異方性層と、第２電極とが順次積層され、外部に情報記録用の導体を前記第１及び第２垂直磁気異方性層の磁化容易軸に少なくとも大部分が直交するように配置して、前記情報記録用の導体に電流を流すことによって生じる磁界が前記第１及び第２垂直磁気異方性層に対して垂直の成分を有する磁性メモリにおいて、前記スペーサ層が、絶縁体からなることを特徴とする磁性メモリ。」
である点で一致し、以下の点で相違している。
［相違点１］
　前者は、磁界を生じる情報記録用の導体が第１及び第２垂直磁気異方性層の磁化容易軸に直交するように配置されるワード線であり、生じる磁界が第１及び第２垂直磁気異方性層に対して垂直に生じ、第２垂直磁気異方性層が第１垂直磁気異方性層よりも保磁力が小さいものであるのに対して、後者は、磁界を生じる情報記録用の導体が第１及び第２垂直磁気異方性層の磁化容易軸に大部分が直交するように配置されるハーフターンの導体であり、第１垂直磁気異方性層に接続される軟磁性体８６を介して磁界を生じさせており、生じる磁界が第１及び第２垂直磁気異方性層に対して垂直の成分を有しているが前者のように垂直には生じておらず、第２垂直磁気異方性層が第１垂直磁気異方性層よりも保磁力が小さいものでもない点。
［相違点２］
　前者のスペーサ層は、絶縁体のＡｌ２Ｏ３であるのに対して、後者のスペーサ層は、絶縁体ではあるが材質は不明である点。
　
３−５．判断
　［相違点１］について検討する。
　引用例２に、四進数ＧＭＲメモリーにおいて、情報を記録するためワード線に電流を流し磁性層の磁化容易軸方向に磁界を発生して２つの磁性層の磁化方向を設定するのに、両磁性層の保持力の差を利用して両磁性層の磁化方向を別々に設定することが記載されている。
　上記の引用例２に記載された事項が２つの磁性層の磁化が平行か反平行かに依存して情報を記憶する他の磁性メモリにも適用し得ることは明らかであるから、上記の引用例２に記載された事項を２つの磁性層の磁化が平行か反平行かに依存して情報を記憶する磁性メモリとして共通する後者に適用して、磁界を生じる情報記録用のワード線を配置して、磁界が第１及び第２垂直磁気異方性層の磁化容易軸方向に生じるようにし、すなわち、第１及び第２垂直磁気異方性層に対して垂直に生じるようにし、第２垂直磁気異方性層と第１垂直磁気異方性層とで保磁力に差があるものとすることは、当業者が容易に推考し得たことである。そして、その際に、生じさせる磁界の方向と垂直方向に導線を配置して電流を流し磁界を生じさせることが周知であり、また、第２垂直磁気異方性層と第１垂直磁気異方性層とで保磁力に差があるものとするのに第２垂直磁気異方性層が第１垂直磁気異方性層よりも保磁力が大きいものとするか小さいものとするかの何れかであり小さいものとすることは当業者が適宜に選択し得たことであるから、磁界を生じる情報記録用のワード線を第１及び第２垂直磁気異方性層の磁化容易軸に直交するように配置して、第１及び第２垂直磁気異方性層に対して垂直に生じるようにし、第２垂直磁気異方性層が第１垂直磁気異方性層よりも保磁力が小さいものとすることは、当業者が容易になし得たことである。
　［相違点２］について検討する。
　引用例２に、スピン・トンネリング・メモリーにおいて、トンネル結合（スピン・トンネル接合）をなすための絶縁体としてＡｌ２Ｏ３を用いることが記載されているから、後者において、上記の引用例２に記載された事項を適用して、スペーサ層の絶縁体としてＡｌ２Ｏ３を用いるようにすることは、当業者が容易になし得たことである。
　そして、本件請求項１に係る発明の効果も、引用例１、２に記載された発明及び周知の技術事項の効果から当業者が容易に予測し得た程度のものである。
　
４．むすび
　以上のとおりであるので、本件請求項１に係る発明は、引用例１、２に記載された発明及び周知の技術事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件請求項１に係る発明の特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであり、特許法等の一部を改正する法律（平成１５年法律第４７号）付則第２条第７号の規定によりなお従前の例によるとされる、平成１５年法律第４７号による改正前の特許法第１１３条第２号に該当し、取り消されるべきものである。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１６年１月３０日（２００４．１．３０）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
磁性メモリ
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】
　非磁性基板上に、第１電極と、第１垂直磁気異方性層と、スペーサ層と、第２垂直磁気異方性層と、第２電極とが順次積層され、
外部に情報記録用のワード線を前記第１及び第２垂直磁気異方性層の磁化容易軸に直交するように配置して、前記情報記録用のワード線に電流を流すことによって生じる磁界が前記第１及び第２垂直磁気異方性層に対して垂直に生じる
　
前記第２垂直磁気異方性層は、前記第１垂直磁気異方性層よりも保持力が小さく、かつ
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の属する技術分野】
　本発明は、磁性層の磁化の向きによって情報を記録する磁性メモリに関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　磁性層と非磁性層との積層膜が、磁性層の磁化の状態に応じて、その電気抵抗に大きな変化を生じる現象は、巨大磁気抵抗効果（ＧＭＲ効果）と呼ばれている。特開平７−６６０３３号公報には、この現象を利用した磁性メモリが提案されており、この磁性メモリにおいては、非磁性層を挟んで上下に形成された磁性層の磁化容易軸は、磁性層と同一面内に存在し、抵抗変化を検出するためのセンス電流は磁性層の膜面に対して平行に流れている。一方、十分なＳ／Ｎを得るために、磁化容易軸を情報記録時に電流を流すためのワード線と直交させることが一般的である。
　【０００３】
　【発明が解決しようとする課題】
　しかしながら、上記の磁性メモリにおいては、磁性層の膜面内に磁化容易軸を有するため、成膜過程でワード線と直交するように磁化容易軸の向きを制御する必要があるが、これは非常に困難である。例えば、磁性層の形状に異方性を与え、長手方向に磁化容易軸を有する形状磁気異方性を利用することなどが考えられるが、その場合は、記憶容量上の損失が発生するため実用的であるとは言い難い。さらに、このような磁性メモリの各セルは、同一のセンス線に対して直列に配置されているため、セル数が増せば同一のセンス線の全抵抗が増大する。したがって、同一センス線上の１個のセルの抵抗が変化したとしても、全抵抗に対する抵抗変化率は極めて微小であるために、検出感度が低下することは避けられないという問題がある。
　【０００４】
　【課題を解決するための手段】
　最近、ＧＭＲ素子において、センス電流は、膜面に平行に流れる場合よりも、膜面に垂直に流れた場合の方が、大きな抵抗変化が得られることが理論的に推測されており、それを裏付ける実験結果が報告されている（日本応用磁気学会、第８８回研究会試料、１〜６頁）。また、スピントンネル結合を利用することにより、センス電流を膜面に対して垂直に流し、各セルをセンス線に対して並列に配置したメモリが提案されている（日本応用磁気学会誌、Ｖｏｌ．２０，Ｎｏ．２，３６９〜３７２頁、１９９６年）。このスピントンネル結合では磁性層間に介在されるスペーサとしての非磁性層は絶縁体によって形成されており、膜面に対して垂直方向の抵抗がある程度大きいため、センス電流を膜面に対して垂直に流すことが可能となる。
　【０００５】
　本発明者は、かかる現象に着目し、非磁性層として絶縁体のＡｌ２Ｏ３を使用し、非磁性層の上下両面に配置される磁性層として垂直磁気異方性を有する磁性膜を使用し、各層に垂直な方向に電流が流れるよう積層構造の上下に電極を配置すれば、従来のように、膜面内で磁化容易軸の向きを制御するという工程上の困難性を伴わずに、高いＳ／Ｎを達成することができ、しかも、センス電流を膜面に垂直な方向に流すことができるので、セルを並列に配置することによる感度向上も期待できるとの着想を得て本発明を完成した。すなわち、本発明によれば、非磁性基板上に、第１電極と、第１垂直磁気異方性層と、スペーサ層と、第２垂直磁気異方性層と、第２電極とが順次積層され、
外部に情報記録用のワード線を前記第１及び第２垂直磁気異方性層の磁化容易軸に直交するように配置して、前記情報記録用のワード線に電流を流すことによって生じる磁界が前記第１及び第２垂直磁気異方性層に対して垂直に生じる
前記第２垂直磁気異方性層は、前記第１垂直磁気異方性層よりも保持力が小さく、かつ
　【０００６】
　【発明の実施の形態】
　以下、本発明の磁性メモリの構成について、図１を参照しながら説明する。図１において、非磁性基板１上に、下部電極２、第１の磁性層３、非磁性層（以下、スペーサ層と称する）４、第２の磁性層５及び上部電極６が順次積層されている。第１及び第２の磁性層３、５を構成する材料としては、垂直方向に磁化容易軸を有するものであれば、どのようなものでもよく、例えば、ＣｏＣｒ合金、Ｃｏ−γＦｅ２Ｏ３、Ｂａフェライトなどをあげることができる。そして、これらの磁性層３、５は、その保磁力に差が設けられており、例えば、第１の磁性層３の保磁力が大きく、第２の磁性層５の保磁力が小さくなっている。このような保磁力の差は、例えば、Ｃｏ基合金の組成や成膜条件を変化させることによって容易に実現することができる。上記の積層体の側方には、情報記録用ワード線７が、各磁性層３、５の磁化容易軸と直交するように（紙面に垂直な方向に）配置されている。又、下部及び上部電極２、６はそのままセンス線として機能するか、又は、図示しない外部のセンス線に接続されている。又、スペーサ層４を形成する材料は、非磁性体であればどんなものであってもよく、さらに、このスペーサ層４を絶縁体によって形成すると、センス電流を膜面に対して垂直に流すことが可能となり、メモリの感度向上に一層有効である。
　【０００７】
　このような構成の磁性メモリにおいて、ワード線７に電流を流すと、電流に応じた磁界が発生し、第１及び第２の磁性層３及び５の磁化の向きを反転させ、情報の記録が行われる。図２は、図１の磁性メモリにおいて、ワード線７に紙面の表側から裏側へ向けて、十分な電流を流した状態を示す。このとき、ワード線７から発生する磁界は紙面上で時計回りであるため、第１及び第２の磁性層３及び５の磁化の向きは図中矢線で示したように、共に下向きとなる。第１及び第２の磁性層３及び５の磁化の向きが平行であるため、この状態におけるセンス線の抵抗は低くなる。図３は、同じくワード線７に紙面の裏側から表側へ向けて、保磁力の大きい第１の磁性層３の磁化の向きは反転させず、保磁力の小さい第２の磁性層５の磁化の向きのみを反転させる磁界を発生させるような電流を流した状態を示す。このとき、ワード線７から発生する磁界は紙面上で反時計回りであり、図中矢線で示したように、第２の磁性層５の磁化の向きのみ反転して上向きとなる。第１、第２の磁性層３、５の磁化の向きが反平行であるため、前述したようなＧＭＲ効果が生じ、センス線の抵抗が高くなる。このようにして、センス線の抵抗の高低により情報を記録することが可能となる。
　【０００８】
　【実施例】
　図１において、基板１として、ガラス基板、電極２、６としてＣｒ、スペーサ層４として、Ａｌ２Ｏ３、又、第１及び第２の磁性層３、５としてＣｏＣｒ２Ｏを使用し、磁性メモリを作製した。第１及び第２の磁性層３及び５は、スパッタリング法による成膜中の基板加熱温度を変化させることにより、第１の磁性層の保磁力を大きく、第２の磁性層の保磁力を小さくしてある。この磁性メモリについて、前述したようにワード線７に２種類の磁界を発生させるような電流を流すことにより情報の記録を行ったところ、高い感度及び高いＳ／Ｎを有することが確認された。
　【０００９】
　【発明の効果】
　以上詳細に説明したとおり、本発明によれば、非磁性基板上に、第１電極と、第１垂直磁気異方性層と、スペーサ層と、第２垂直磁気異方性層と、第２電極とが順次積層され、
外部に情報記録用のワード線を前記第１及び第２垂直磁気異方性層の磁化容易軸に直交するように配置して、前記情報記録用のワード線に電流を流すことによって生じる磁界が前記第１及び第２垂直磁気異方性層に対して垂直に生じる
前記第２垂直磁気異方性層は、前記第１垂直磁気異方性層よりも保持力が小さく、かつ
ので
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　本発明の磁性メモリの構成を示す概略縦断面図である。
　【図２】
　本発明の磁性メモリの低抵抗状態を示す概略縦断面図である。
　【図３】
　本発明の磁性メモリの高抵抗状態を示す概略縦断面図である。
　【符号の説明】
　１　非磁性基板
　２　下部電極
　３　第１の磁性層
　４　スペーサ層（非磁性層）
　５　第２の磁性層
　６　上部電極
　７　ワード線