【事件の表示】
　特許第３４２５８９４号「加工品の表面を平坦化する方法」の請求項２ないし４に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第３４２５８９４号の請求項２ないし４に係る特許を維持する。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本件特許第３４２５８９４号の請求項１ないし４に係る発明は、平成５年８月２日に出願した特願平６−５０６３０９号の一部を平成１１年５月２７日に新たな出願として出願され、平成１５年５月９日にその発明について特許権の設定登録がなされた後、その請求項２ないし４に係る特許に対して、平成１５年１２月２６日に特許異議申立人中田美代子より特許異議の申立てがなされたものである。
　
第２　特許異議申立てについて
１．本件発明
　本件特許第３４２５８９４号の請求項２ないし４に係る発明（以下、「本件発明２」等という。）は、設定登録時の願書に添付した明細書（以下、「本件特許明細書」という。）の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項２ないし４に記載された次のとおりのものと認める。
「【請求項２】  加工品の表面を平坦化する方法であって、
（ａ）平坦化させる表面を有する加工品を供給する工程；
（ｂ）加工品の表面を変える製品を供給する工程；及び
（ｃ）加工品の表面と製品とを、研磨スラリーの存在下で接触させる工程；を含み、
ここで、前記製品は、
（１）それ自体は実質的に加工品の表面を研磨しない高分子微小エレメントが複数、含浸された高分子マトリックスからなり；
（２）作業面と、作業面に隣接する副表面を有し；
（３）工程（ｃ）により、作業面に位置する高分子微小エレメントが、作業環境に接触すると溶解又は膨張し、それにより前記作業面に位置する高分子微小エレメントの硬さが、副表面に埋め込まれている高分子微小エレメントの硬さよりも減じる；
ものであり、
かつ、工程（ｃ）により、前記製品の作業面が磨耗し、それにより、副表面が新たな作業面として再生する、ことを特徴とする方法。
【請求項３】  前記製品が、作業面に溝を有する製品である、請求項１又は２のいずれか1項記載の方法。
【請求項４】  前記加工品が、半導体デバイスである、請求項１〜３のいずれか１項記載の方法。」
　
２．異議申立ての理由の概要
　特許異議申立人は、以下に示す甲第１ないし６号証を提出し、本件請求項２に係る発明、及び、本件請求項３ないし４に係る発明のうち請求項２に従属する発明は、甲第１ないし３号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであるから特許を受けることができず、同法第１１３条第２号の規定により取り消すべきものである旨主張している。
　（なお、甲第４ないし６号証は、本件発明２における「副表面」の解釈についての参考となる証拠として提出されたものである。）
　甲第１号証：特開平２−３６０６６号公報
　甲第２号証：特開昭５９−１２９６６８号公報
　甲第３号証：特開平５−１４６９６９号公報
　甲第４号証：米国特許第５５７８３６２号明細書（１９９６年）
　甲第５号証：米国特許第５９００１６４号明細書（１９９９年）
　甲第６号証：ＫＥＮＫＹＵＳＨＡ’Ｓ　ＮＥＷ　ＥＮＧＬＩＳＨ−ＪＡＰＡＮＥＳＥ　ＤＩＣＴＩＯＮＡＲＹ，研究社辞書部（昭和３５年３月１０日）ｐ．１８０７
　
３．甲第１ないし３号証記載の発明
（１）甲第１号証
　甲第１号証には、第２頁左上欄第３〜１５行、第３頁左下欄第３〜５行、第４頁右上欄第１０〜１３行、第４頁左下欄第１４行〜同頁右下欄第９行、及び第５頁右上欄第９〜１４行の記載からみて、次の発明が記載されている。
　「半導体ウエハの表面を平坦化する方法であって、（ａ）平坦化させる表面を有する半導体ウエハを供給する工程；（ｂ）半導体ウエハの表面を研磨する研磨布を供給する工程；及び（ｃ）半導体ウエハの表面と研磨布とを、研磨剤の存在下で接触させる工程；を含み、前記研磨布は、表面に研磨剤を流通させる溝を有し、ポリウレタンを圧縮成形したものからなる方法。」（以下、「甲第１号証記載の発明」という。）
（２）甲第２号証
　甲第２号証には、第１頁右下欄第１〜１３行、第２頁左上欄第６〜１６行、第２頁左下欄第８行〜同頁右下欄第１４行、第３頁左上欄第２〜７行、及び第４頁右上欄第１〜６行の記載からみて、次の発明が記載されている。
　「鉱物粉末から成る充填材に対して低置換度ヒドロキシプロピルセルロースを結合剤兼崩壊剤として用いた実質的に加工物の表面を研削しない顆粒状充填材を、フェノール樹脂及び砥粒と混合して成形したレジノイド砥石。」（以下、「甲第２号証記載の発明」という。）
（３）甲第３号証
　甲第３号証には、記載段落【０００１】、【０００５】、【００１２】、及び【００１４】の記載からみて、次の発明が記載されている。
　「半導体基板の表面を平坦化する方法であって、（ａ）平坦化させる表面を有する半導体基板を供給する工程；（ｂ）半導体ウエハの表面を研磨するパッドを供給する工程；及び（ｃ）半導体基板の表面とパッドとを、研磨剤の存在下で接触させる工程；を含み、前記パッドは、ポリウレタンからなる方法。」（以下、「甲第３号証記載の発明」という。）
　
４．対比・判断
＜本件発明２について＞
　本件発明２と、甲第１ないし３号証記載の発明を対比する。
　甲第１号証記載の発明、及び甲第３号証記載の発明は、加工物である半導体ウエハの表面を研磨する研磨布、研磨パッドには高分子微小エレメントは含浸されていない。
　また、甲第２号証記載の発明について、異議申立人は、甲第２号証記載の発明における「結合剤兼崩壊剤」は本件発明２における「高分子微小エレメント」に相当すること、及び、同甲第２号証記載の発明における「フェノール樹脂」に代えて、甲第１号証記載のポリウレタンとすることは容易である旨主張している（特許異議申立書第１３頁第２〜２４行）。この点について検討するに、同甲第２号証記載の発明は「レジノイド砥石」に関する発明であり、上記「結合剤兼崩壊剤」は鉱物粉末等から成る充填材と共に顆粒状充填材を構成しており、同顆粒状充填材を、フェノール樹脂及び砥粒と混合して成形してレジノイド砥石を得ている。甲第２号証には、「結合剤兼崩壊剤」がその水膨潤性により崩壊を有するため、研削に当たって顆粒状充填材が速やかに崩壊することについて記載されているが、その際、「結合剤兼崩壊剤」の硬さが減じるとしても、そのことが、レジノイド砥石の一般的な技術からみて、フェノール樹脂自体の硬さ、あるいは砥粒とフェノール樹脂との間の保持関係に変化を及ぼすとは考え難い。これに対し、本件発明２における「製品」は、高分子微小エレメントが複数、含浸された高分子マトリックスからなっているため、高分子微小エレメントの硬さが減じることで高分子マトリックスの有効硬度の減じるのである（本件特許明細書段落【００３０】）。このことからみて、甲第２号証記載の発明における「結合剤兼崩壊剤」と、本件発明２における「高分子微小エレメント」とではその技術的意義が相違するものと云うべきである。
　以上のことから、甲第１ないし３号証記載の発明は、少なくとも、本件発明２の、
「（ｃ）加工品の表面と製品とを、研磨スラリーの存在下で接触させる工程；を含み、ここで、前記製品は、
（１）それ自体は実質的に加工品の表面を研磨しない高分子微小エレメントが複数、含浸された高分子マトリックスからなり；
（２）作業面と、作業面に隣接する副表面を有し；
（３）工程（ｃ）により、作業面に位置する高分子微小エレメントが、作業環境に接触すると溶解又は膨張し、それにより前記作業面に位置する高分子微小エレメントの硬さが、副表面に埋め込まれている高分子微小エレメントの硬さよりも減じる」点を欠いている。
　また、上記に述べたように、甲第２号証記載の発明における「結合剤兼崩壊剤」と、本件発明２における「高分子微小エレメント」とではその技術的意義が相違することから、甲第１あるいは第３号証記載の発明に対して甲第２号証記載の発明を適用しても本件発明２の構成を得ることはできない。
　そして、本件発明２においては、上記の点を備えることによって本件特許明細書段落【００３０】記載の作用効果を奏するのである。
　したがって、本件発明２は、甲第１ないし３号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。なお、甲第４ないし６号証は、本件発明２の容易性の判断に関連しない証拠であることは、前記「２．異議申立ての理由の概要」で述べたとおりである。
＜本件発明３ないし４について＞
　本件発明３ないし４のうち請求項２に従属する発明は、本件発明２の構成をすべて含み、更に、「製品」の表面形状、あるいは加工品の対象を限定するものである。したがって、本件発明３ないし４のうち請求項２に従属する発明は、上記本件発明２についての判断と同様の理由により、甲第１ないし３号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。　
　なお、本件発明３ないし４は請求項１にも従属するものであるが、本件請求項１に係る特許に対しては特許異議の申立てがされていない。
　
　以上のとおりであるので、本件請求項２ないし４に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものではない。
　
５．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、本件請求項２ないし４に係る特許を取り消すことができない。
　また、他に本件請求項２ないし４に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　したがって、本件請求項２ないし４に係る特許は拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものと認めない。
　よって、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第２項の規定により、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１６年９月２４日（２００４．９．２４）