【事件の表示】
　特許第３３５６３９８号「ディスクリート素子封止用のエポキシ樹脂組成物および樹脂封止型半導体装置」の請求項１に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３３５６３９８号の請求項１に係る特許を維持する。
【理　由】
（１）手続の経緯
　本件特許第３３５６３９８号は、平成１０年５月２６日（優先権主張、平成１０年１月２６日、日本）に出願され、平成１４年１０月４日にその特許の設定登録がなされ、その後、阪田泰之より特許異議の申立てがなされ、それに基づく取消理由通知がなされ、それに対し特許異議意見書とともに、訂正請求書が提出され、訂正拒絶理由通知がなされ、それに対し特許異議意見書とともに訂正請求書の補正がなされ、その後、第２回目の取消理由通知がなされ、それに対し、その指定期間内である平成１６年３月２４日に、先の訂正請求書を取り下げ、新たに訂正請求書が提出されたものである。
（２）訂正の適否についての判断
ア、訂正の内容
訂正事項ａ：特許請求の範囲の訂正
　請求項１の
「【請求項１】 ディスクリート素子がエポキシ樹脂組成物を用いて多重モールド封止されている表面実装用の光半導体装置であって、
前記多重モールドのインナー封止材およびアウター封止材のうちのインナー封止材となる前記エポキシ樹脂組成物が、エポキシ樹脂と硬化剤とを含み着色剤は含まず、前記エポキシ樹脂として下記構造式（１）で示される化合物が使用エポキシ樹脂全体中の２０〜１００重量％用いられている樹脂封止型半導体装置。
【化１】
…（１）
（ｎは平均０〜５）」を、
「【請求項１】 ディスクリート素子がエポキシ樹脂組成物を用いて多重モールド封止されている表面実装用の光半導体装置であって、
　前記半導体装置のリードフレームが表面にメッキ処理されていることのある銅系のフレームであり、
　前記多重モールドのインナー封止材およびアウター封止材のうちのインナー封止材となる前記エポキシ樹脂組成物が、エポキシ樹脂と硬化剤とを含み着色剤は含まず、前記エポキシ樹脂として下記構造式（１）で示される化合物が使用エポキシ樹脂全体中の２０〜１００重量％用いられていて、硬化物の線膨張係数が１．１×１０-5／℃〜２．５×１０-5／℃である
樹脂封止型半導体装置。
【化１】
…（１）
（ｎは平均０〜５）」と訂正する。
訂正事項ｂ：発明の名称を
「樹脂封止型半導体装置」と訂正する。
ｃ、発明の詳細な説明の訂正
ｃ−１、特許明細書の段落【0007】中の
「ディスクリート素子封止用エポキシ樹脂組成物と樹脂封止型半導体装置封止方法を提供する。」を、
「ディスクリート素子封止用エポキシ樹脂組成物を用いた樹脂封止型半導体装置を提供する。」と訂正する。
ｃ−２、特許明細書の段落【0009】の
「すなわち、本発明にかかる封止用のエポキシ樹脂組成物は、エポキシ樹脂と硬化剤を含むエポキシ樹脂組成物において、前記エポキシ樹脂として下記構造式（１）で示される化合物が用いられていることを特徴とする。」を、
「前記エポキシ樹脂として下記構造式（１）で示される化合物が用いられる。」と訂正する。
ｃ−３、特許明細書の段落【0011】中の
「エポキシ樹脂組成物として本発明にかかる上記エポキシ樹脂組成物が用いられていることを特徴とする。この場合、半導体装置の種類は、限定する訳ではないが、たとえば、ディスクリート素子がワイヤレスタイプの表面実装ダイオードであり、アノードとカソードの間に樹脂層が介在する３相構造をとる半導体装置であるときに、上記エポキシ樹脂組成物が特に好ましく採用される。」を、
「エポキシ樹脂組成物として前記エポキシ樹脂組成物が用いられる。多重モールドのインナー封止材およびアウター封止材のうちのインナー封止材となるエポキシ樹脂組成物が、前記構造式（１）で示される化合物が使用エポキシ樹脂全体中の２０〜１００重量％用いられていて、硬化物の線膨張係数が１．１×１０-5／℃〜２．５×１０-5／℃である。半導体装置のリードフレームが表面にメッキ処理されていることのある銅系のフレームである。」と訂正する。
ｃ−４、特許明細書の段落【0020】中の
「本発明にかかるエポキシ樹脂組成物」を、
「本発明で用いるエポキシ樹脂組成物」と訂正する。
ｃ−５、特許明細書の段落【0021】中の
「本発明にかかる封止用エポキシ樹脂組成物には、必要に応じて、着色剤、低応力化剤、難燃剤、シランカップリング剤、シリコーン可撓剤等が適宜量添加されてよい。着色剤としては、例えばカーボンブラック、酸化チタン等が挙げられる。光半導体を封止するときには、特に多重モールドのインナー封止材としては、光透過率を低下させる着色剤は配合しない方が好ましい。」を、
「前記封止用エポキシ樹脂組成物には、必要に応じて、着色剤、低応力化剤、難燃剤、シランカップリング剤、シリコーン可撓剤等が適宜量添加されてよい。着色剤としては、例えばカーボンブラック、酸化チタン等が挙げられる。光半導体を封止するときには、特に多重モールドのインナー封止材としては、光透過率を低下させる着色剤は配合しない。」と訂正する。
ｃ−６、特許明細書の段落【0022】中の
「本発明のエポキシ樹脂組成物」（２箇所）を、
「前記エポキシ樹脂組成物」と訂正する。
ｃ−７、特許明細書の段落【0024】中の
「本発明にかかる半導体装置」（２箇所）を、
「前記半導体装置」と訂正する。
ｃ−８、特許明細書の段落【0024】中の
「本発明にかかる前記エポキシ樹脂組成物」（２箇所）を、
「前記エポキシ樹脂組成物」と訂正する。
ｃ−９、特許明細書の段落【0025】中の
「本発明にかかる半導体装置」（２箇所）を、
「前記半導体装置」と訂正する。
ｃ−１０、特許明細書の段落【0025】中の
「本発明にかかる前記エポキシ樹脂組成物」（２箇所）を、
「前記エポキシ樹脂組成物」と訂正する。
ｃ−１１、特許明細書の段落【0026】中の
「（実施例１〜５および比較例１〜４：表面実装ダイオードの封止）」を、
「下記実施例および比較例のうち、本件発明の具体的実施例は実施例１２〜１４である。それ以外の実施例および比較例は、本件発明の技術的範囲から外れる参考技術である。
（実施例１〜５および比較例１〜４：表面実装ダイオードの封止）」と訂正する。
ｃ−１２、特許明細書の段落【0026】中の
「エポキシ樹脂（Ａ）は」を、
「エポキシ樹脂（Ａ）〔商品名ＥＸＡ7200、大日本インキ化学工業（株）製、ｎ＝０〜１〕は」と訂正する。
ｃ−１３、特許明細書の段落【0042】中の
「本発明にかかる封止用の」を、
「本発明で用いる封止用の」と訂正する。
ｃ−１４、特許明細書の段落【0043】中の
「本発明のエポキシ樹脂組成物」（２箇所）を、
「前記エポキシ樹脂組成物」と訂正する。
ｃ−１５、特許明細書の段落【0044】中の
「本発明のエポキシ樹脂組成物」を、
「前記エポキシ樹脂組成物」と訂正する。
ｃ−１６、特許明細書の段落【0044】中の
「上記本発明にかかるエポキシ樹脂組成物」を、
「前記エポキシ樹脂組成物」と訂正する。
 イ、訂正の適否
　訂正事項ａは、特許請求の範囲に関する訂正であり、明細書の段落【0045】の記載に基づいて、フレーム及び硬化物の線膨張係数を限定するものであるから、願書に添付した明細書に記載した事項の範囲内においての特許請求の範囲の減縮を目的とするものと認められる。
　上記訂正事項ｂは発明の名称に関する訂正であり、特許請求の範囲の記載に基づいての訂正であり、願書に添付した明細書に記載した事項の範囲内において明りょうでない記載の釈明と認められる。
　上記訂正事項ｃは、発明の詳細な説明の訂正であり、そのうち、ｃ−１２を除く、ｃ−１〜ｃ−１１及びｃ−１３〜ｃ−１６は特許請求の範囲の訂正である訂正ａ−１に伴い、特許請求の範囲との整合性を図るため、あるいは、特許請求の範囲の記載に基づいての、明りょうでない記載の釈明を目的とするものと認められ、願書に添付した明細書に記載した事項の範囲内の訂正と認められる。
　また、訂正ｃ−１２は、明細書の段落【0029】の【表１】のエポキシ樹脂（Ａ）の説明及び同じく段落【0014】の記載に基づいて、エポキシ樹脂（Ａ）の明りょうでない記載の釈明を目的とするものであり、願書に添付した明細書に記載した事項の範囲内での訂正と認められる。
　そして、上記訂正事項ａ〜ｃは、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法第１２０条の４第２項及び第３項で準用する特許法第１２６条第２項〜第４項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
（３）特許異議の申立てについての判断
ア、申立て理由の概要
　特許異議申立人は、甲第１号証（特開昭６３−１４４５７号公報）、甲第２号証（特開平８−２０４０６７号公報）及び甲第３号証（特開平７−１９６７６７６号公報）を提出し、訂正前の請求項１に係る発明は、甲第１〜３号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができず、本件特許は取り消されるべきものである旨主張している。
イ、訂正明細書の請求項１に係る発明
　訂正明細書の請求項１に係る発明（以下、「本件発明」という。）は、その特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される次のとおりのものと認める。
「【請求項１】 ディスクリート素子がエポキシ樹脂組成物を用いて多重モールド封止されている表面実装用の光半導体装置であって、
　前記半導体装置のリードフレームが表面にメッキ処理されていることのある銅系のフレームであり、
　前記多重モールドのインナー封止材およびアウター封止材のうちのインナー封止材となる前記エポキシ樹脂組成物が、エポキシ樹脂と硬化剤とを含み着色剤は含まず、前記エポキシ樹脂として下記構造式（１）で示される化合物が使用エポキシ樹脂全体中の２０〜１００重量％用いられていて、硬化物の線膨張係数が１．１×１０-5／℃〜２．５×１０-5／℃である
樹脂封止型半導体装置。
【化１】
…（１）
（ｎは平均０〜５）」
ウ、引用刊行物等に記載された事項
　当審の取消理由通知に引用された刊行物１〜３は、次のとおりである。
刊行物１：特開昭６３−１４４５７号公報
（特許異議申立人提出甲第１号証）
刊行物２：特開平８−２０４０６７号公報
（同甲第２号証）
刊行物３：特開平７−１９６７６７号公報
（同甲第３号証）
ａ、刊行物１
「（１）光半導体素子を光透過型樹脂組成物で一次封止し、非光透過型樹脂組成物で二次封止してなる半導体装置であつて、一次封止に使用する上記光透過型樹脂組成物がエポキシ樹脂を主要成分とし、かつ上記光透過型樹脂組成物に無機質充填剤としてワーデルの球形度で0.5〜1.0の球形度をもつ無定形シリカ粉末を含有していることを特徴とする光半導体装置。」（特許請求の範囲）
「〔産業上の利用分野〕
  この発明は、発光ダイオードやフオトダイオード等の光半導体素子を樹脂組成物で一次封止および二次封止してなる光半導体装置に関するものである。
〔従来の技術〕
  一般に、光半導体装置は、光透過型樹脂組成物で光半導体素子を一次封止し、さらに外乱光による誤動作を防ぐため、非光透過型樹脂組成物で二次封止することにより構成されている。」（第１頁左下欄13行〜同右下欄2行）
「上記図面の装置において、外部リード３は銅系材料や鉄系材料で構成されており、また、光半導体素子1,2自体も熱膨脹係数が小さい。」（第１頁右下欄7〜10行）
「一次封止に使用する光透過型樹脂組成物の主要成分となるエポキシ樹脂は特に制限するものではなく、ノボラツク系，ビスフエノール系，環式樹脂族系の各種のものがあげられる。」（第２頁右下欄16〜19行）
「上記エポキシ樹脂とともに用いられる硬化剤は、上記エポキシ樹脂を硬化させるものであり、通常使用されている、１分子中に２個以上の水酸基を有するフエノールノボラツク系硬化剤，クレゾールノボラツク系硬化剤等が用いられる。」（第３頁左上欄9〜13行）
ｂ、刊行物２
「【請求項１】  下記の（Ａ）〜（Ｄ）成分を含有するエポキシ樹脂組成物を用い、銀めっき処理済みのリードフレーム上に搭載された半導体素子を封止してなる半導体装置。
（Ａ）エポキシ樹脂。
（Ｂ）硬化剤。
（Ｃ）硬化促進剤。
（Ｄ）メルカプト基を含有するシリコン化合物。」（特許請求の範囲）
「【発明が解決しようとする課題】このため、従来のエポキシ樹脂組成物を用いて封止された光半導体装置は、その耐湿性試験において、上記両者の熱膨脹係数の違いによって発生する応力から、リードフレームと封止樹脂とが剥離し、その剥離界面から水分が浸入する。そして、この水分の浸入が原因となって、リーク不良やアルミニウム配線の腐食による不良が発生し易いという問題を有している。」（第２頁第１欄30〜37行、段落【0004】）
「上記エポキシ樹脂（Ａ成分）としては、特に限定するものではなく、一分子中に２個以上のエポキシ基を含有するエポキシ樹脂であればいかなるエポキシ樹脂を用いてもよい。例えば、ビスフェノールＡ系エポキシ樹脂，ビスフェノールＦ系エポキシ樹脂，ノボラック系エポキシ樹脂，脂環式エポキシ樹脂，ビフェニル系エポキシ樹脂，ジシクロペンタジエン系エポキシ樹脂，イソシアヌル系エポキシ樹脂等の種々のエポキシ樹脂があげられる。これらは単独でもしくは２種以上併せて用いられる。」（第２頁第２欄29〜37行、段落【0011】）
ｃ、刊行物３
「【請求項１】（ａ）下記式（１）で表されるエポキシ化合物
【化１】
（式中、ｎは平均値を示し正数を表す。又Ｇはグリシジル基を表す。Ｒは水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜４のアルキル基、またはアリール基を表し、個々のＲはお互いに同一であっても異なっていてもよい。）及び（ｂ）下記式（２）で表される化合物
【化２】
（式中、ｎ及びＲは式（１）におけるのと同じ意味を表す。）を含有することを特徴とするエポキシ樹脂組成物。」（特許請求の範囲請求項１）
「【産業上の利用分野】本発明は耐熱性、耐水性、接着性に優れた硬化物を与える電気・電子部品材として有用なエポキシ樹脂組成物及びその硬化物に関する。」（第２頁第１欄28〜30行、段落【0001】）
「成分（ａ）である式（１）で表されるエポキシ化合物は本発明のエポキシ樹脂組成物の硬化物に対し耐熱性を保持しながら低吸水性及び高接着性を付与する。」（第３頁第３欄15〜18行、段落【0010】）
オ、対比・判断
　本件発明と刊行物１に記載された発明とを対比する。
　刊行物１に記載の光半導体素子は、本件発明のディスクリート素子に相当し、一次封止及び２次封止は、本件発明の多重モールドであり、それぞれインナー封止材及びアウター封止材に相当し、また、外部リードが銅系材料で構成されているものであるから、両者は、ディスクリート素子がエポキシ樹脂組成物を用いて多重モールド封止されている表面実装用の光半導体装置であって、前記半導体装置のリードフレームが銅系のフレームであり、前記多重モールドのインナー封止材およびアウター封止材のうちのインナー封止材となる前記エポキシ樹脂組成物が、エポキシ樹脂と硬化剤とを含み着色剤は含まない樹脂封止型半導体装置である点で一致し、以下の点で相違するものと認める。
　相違点１：本件発明では、硬化物の線膨張係数が１．１×１０-5／℃〜２．５×１０-5／℃であるとするのに対し、刊行物１には、熱膨張係数が小さいとの記載はあるが、具体的な線膨張係数についての記載がない点、
　相違点２：本件発明では特定のエポキシ樹脂を使用エポキシ樹脂全体中の２０〜１００重量％用いるとするのに対し、刊行物１には、環式脂肪族系エポキシ樹脂という記載はあるものの、本件発明で特定するエポキシ樹脂についての記載がない点。
　そこで、上記相違点のうち、相違点２について検討する。
　刊行物２も、光半導体装置が記載され、ジシクロペンタジエン系エポキシ樹脂という記載はあるものの、本件発明の特定のエポキシ樹脂についての記載も示唆も認められない。
　刊行物３には、本件発明で特定するエポキシ樹脂を含む樹脂組成物が記載され、電気電子部品の封止材とすることの記載はあるとしても、光半導体装置に使用することの記載はなく、多重モールドのインナー封止材に使用することについては記載も示唆も認められない。
　本件発明は、光半導体装置のインナー封止材として特定のエポキシ樹脂をエポキシ樹脂全体中の２０〜１００重量％用いることによって、吸湿半田処理後の耐湿信頼性に優れ、リードフレームとの密着性または多重モールドでのインナー封止材とアウター封止材との密着性に優れるという明細書記載の作用効果を奏するものと認められ、刊行物１〜３の記載からは予測し得ない作用効果を奏するものと認められる。
　よって、本件発明は、相違点１について検討するまでもなく、刊行物１〜３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
（４）むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立人の主張する理由および提出した証拠方法によっては、本件発明の特許を取り消すことができない。
　また、他に本件発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１６年４月１３日（２００４．４．１３）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
樹
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】
　ディスクリート素子がエポキシ樹脂組成物を用いて多重モールド封止されている表面実装用の光半導体装置であって、
　
前記半導体装置のリードフレームが表面にメッキ処理されていることのある銅系のフレームであり、
　前記多重モールドのインナー封止材およびアウター封止材のうちのインナー封止材となる前記エポキシ樹脂組成物が、エポキシ樹脂と硬化剤とを含み着色剤は含まず、前記エポキシ樹脂として下記構造式（１）で示される化合物が使用エポキシ樹脂全体中の２０〜１００重量％用いられてい
て、硬化物の線膨張係数が１．１×１０−５／℃〜２．５×１０−５／℃である
樹脂封止型半導体装置。
　【化１】
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の属する技術分野】
　本発明は、ディスクリート素子（「個別半導体素子」とも言う）の封止に使用されるエポキシ樹脂組成物と、これを用いた樹脂封止型半導体装置に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　ディスクリート素子（たとえば、トランジスター、ダイオード、光電変換素子、サーミスタ、バリスタ、サイリスタ、ホトカプラ、抵抗器、コンデンサ、変成器など）の封止やパッケージ化には熱硬化性樹組成物を用いる方法が一般的であり、エポキシ樹脂組成物による封止が、経済性と性能のバランスの点で好ましく、広く行われている。
　【０００３】
　電子部品の小型化、薄型化のため、ＩＣ、ＬＳＩ分野では半導体の実装方法が従来のピン挿入方式から表面実装方式に移行してきた。
　ディスクリート分野でも、その傾向が進んで来ていたが、今までは半田後の耐湿性等、市場では厳しい要求がされなかった。表面実装ダイオードやトランジスター等の小信号系の電子部品の封止には、コスト及び市場の要求ニーズの関係から特に、汎用のオルソクレゾール型エポキシ樹脂が使用されてきた。ダイオードについても、その流れに沿って表面実装タイプのものに移行して行く傾向にある。使用する樹脂組成物についても、パッケージの厚みやユーザー使用要求の低さより、やはり、エポキシ樹脂組成物が主流であった。トランジスターにおいては、その流れに沿って表面実装タイプのものに移行して行く傾向にあるものと、ハイパワー出力が可能な大型フルモールドパッケージに分けられる。
　【０００４】
　しかし、最近になり、車載用途を中心にディスクリート部品についても、表面実装方式はもちろんピン挿入方式のパッケージに対しても非常にレベルの高い耐湿信頼性が要求されてきている。
　半導体装置の樹脂封止は、例えばリードフレーム用金属上に半導体素子を搭載し、その半導体素子とリードフレームをボンディングワイヤー等を用いて電気的に接続し、金型を使用して、耐湿信頼性半導体素子の全体及びリードフレームの一部を、封止樹脂で封止することにより行われる。
　【０００５】
　ところで、封止部分の樹脂硬化物が吸湿すると、電子部品を母基板に実装する時のハンダ付けの熱衝撃により、吸湿水分が急激に膨張して、樹脂硬化物の内部にクラックが発生し、耐湿信頼性が低下するという問題の生じるので、その対策が求められている。表面実装方式の場合、赤外線リフロー及び半田付け工程等で、パッケージ全体が高温加熱されることになるため、耐湿性向上の要求が特に強くなってきている。特に車載分野を中心に、表面実装トランジスターなどの小信号系の電子部品、特にディスクリート素子についても、赤外線リフローおよび半田後の耐湿性向上の要求がきつくなってきている。また、大型パッケージにおいては、形状が複雑になり、薄肉部の充填性が難しくリードフレームメッキの種類によっては密着性が問題になり、成形直後パッケージが膨れるような成形の不具合の問題が発生することがよくある。
　【０００６】
　また、多重モールド封止は、ホトカプラなどの光半導体（ディスクリート素子の光半導体）を封止するのに利用されており、発光素子、受光素子を直に覆うインナー封止材とインナー封止材を覆うアウター封止材との少なくとも２層を有する。インナー封止材としては、一般に半導体の封止に使用されている樹脂組成物では光透過率が悪いため使用できないため、光透過性を考慮に入れた材料が使用されている。しかしながら材料の基本的成分は一般的なオルソクレゾール型エポキシ樹脂が使用されている。アウター封止材としては一般的な材料と同じ封止材が使用されている。このような多重モールドに関しても表面実装方式が採られることが増えてきており赤外線リフロー及び半田付け工程等でパッケージ全体が高温加熱されることになる。そのため、チップおよびリートフレームとの密着、インナー封止材とアウター封止材との密着が低下し、耐湿性の低下が懸念されている。
　【０００７】
　【発明が解決しようとする課題】
　そこで、本発明の課題は、リードフレームとの密着性および吸湿半田後の耐湿信頼性に優れる、ディスクリート素子封止用エポキシ樹脂組成物
を用いた
置を
　【０００８】
　【課題を解決するための手段】
　ディスクリート素子封止用のエポキシ樹脂組成物は、エポキシ樹脂と硬化剤を必須成分として含む。
　本発明者は、一般の要求に従い、エポキシ樹脂を使用しながら、上記課題を解決するために、エポキシ樹脂の種類について種々検討を重ねた。その結果、特定の構造を有するエポキシ樹脂を採用することにより上記の課題を解決することができるとの見通しを得て、本発明を完成した。
　【０００９】
　前
る。
　【００１０】
　【化２】
　【００１１】
　本発明にかかる樹脂封止型半導体装置は、ディスクリート素子を封止するためのエポキシ樹脂組成物として
前記
る。多重モールドのインナー封止材およびアウター封止材のうちのインナー封止材となるエポキシ樹脂組成物が、前記構造式（１）で示される化合物が使用エポキシ樹脂全体中の２０〜１００重量％用いられていて、硬化物の線膨張係数が１．１×１０−５／℃〜２．５×１０−５／℃である。半導体装置のリードフレームが表面にメッキ処理されていることのある銅系のフレームである。
　【００１２】
　【発明の実施の形態】
（エポキシ樹脂組成物）
　エポキシ樹脂としては、下記構造式（１）で示されるエポキシ樹脂が必ず使用されるが、これ以外のエポキシ樹脂を併用しても良い。
　【００１３】
　【化３】
　【００１４】
　前記構造式（１）で示されるエポキシ樹脂は、大日本インキ化学工業（株）ＥＸＡ７２００の他、日本化学（株）から市販されている。構造式（１）で示されるエポキシ樹脂の使用量は、使用エポキシ樹脂全体中の２０〜１００重量％であることが好ましい。２０重量％を下回ると、耐湿性向上効果、リードフレームとの密着性向上効果、または、インナー封止材との密着性向上効果が低くなるからである。
　【００１５】
　構造式（１）で示されるエポキシ樹脂と併用されるエポキシ樹脂は、１分子中に２個以上のエポキシ基を持っていれば特に制限はないが、光半導体の封止に用いる場合は、比較的着色の少ないものが好ましい。好ましい例としては、オルソクレゾール型、ビスフェノール型、ブロム含有型ナフタレン型エポキシ等を併用することができる。これらは単独で用いても併用してもよい。
　【００１６】
　硬化剤としては、エポキシ樹脂と反応するものであれば特に制限はないが、光半導体封止のためには比較的着色の少ないものが好ましい。好ましい例としては、フェノールノボラック、クレゾールノボラック、フェノールアラルキル、ナフトールアラルキルその他の、各種多価フェノール化合物などを用いることができる。他の硬化剤を併用する場合は、その配合量は硬化剤全体の５０重量％以下に止めることが好ましい。
　【００１７】
　前記硬化剤の配合割合は、エポキシ樹脂１当量に対して硬化剤の当量を０．５〜１．５の範囲に設定することが好ましく、特に好ましくは０．７〜１．０である。硬化剤の当量が０．７未満であれば離型性が悪く、１．０を超えると吸湿が増加し、信頼性が悪くなる傾向がある。
　エポキシ樹脂組成物では、硬化促進のために、通常、硬化促進剤が用いられる。硬化促進剤としては、エポキシ樹脂と硬化剤の反応を促進させる作用があるものであれば特に制限はないが、比較的着色の少ないものが好ましい。好ましい例としては、トリフェニルホスフィン等の有機ホスフィン類；ジアザビシクロウンデンセン等の三級アミン類；２−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール等のイミダゾール類などを用いることができる。これは単独で用いてもよく、併用してもよい。
　【００１８】
　前記硬化促進剤の配合割合は、封止樹脂全体に対して硬化促進剤０．０５〜１．０重量％であることが好ましい。硬化促進剤の配合量が０．０５重量％未満では、ゲル化時間が遅くなり、硬化作業性を著しく低下させる傾向がみられ、逆に１．０重量％を超えると、硬化が急速に進み、その結果、発熱が大きくなってクラックや発泡を生じる恐れがあるからである。
　【００１９】
　エポキシ樹脂組成物による樹脂封止は金型を用いて行うのが、普通であり、脱型を容易にするために、本発明
で用いる
　【００２０】
　増量効果を発揮させたり、樹脂硬化物にクラックを生じにくくさせたりするために、本発明
で用いる
　【００２１】
　
前記
い。
　【００２２】
　
前記
　
前記
（半導体装置の封止）
　このようにして得られたエポキシ樹脂組成物は、金型を用い、固形の場合はタブレットをトランスファー成形することにより、また、液状の場合はキャスティングやポッティング、印刷等の方式で注型、硬化させることにより、光半導体装置、その他の半導体装置のリードフレームに搭載したディスクリート素子を封止することができる。
　【００２３】
　上記リードフレームとしては、電気伝導性の点で銅や銅合金製のリードフレームが、また、熱膨張率の点で４２アロイ合金製のリードフレームが一般に使用されている。これらのリードフレームは、金線等のボンディングワイヤーとの接着性が低いため、リードフレームのボンディングワイヤーと接続しようとする部分にあらかじめ銀メッキや金メッキを行った後、ボンディングワイヤーと接続し、接続の信頼性を改良するようにしている。銅系のリードフレームではニッケルや銀のメッキ処理を行うことが多い。
　【００２４】
　
前記
、前
　
前記
前
　【００２５】
　
前記
　
前記
前記
前記
　【００２６】
　【実施例】
　
下記実施例および比較例のうち、本件発明の具体的実施例は実施例１２〜１４である。それ以外の実施例および比較例は、本件発明の技術的範囲から外れる参考技術である。
（実施例１〜５および比較例１〜４：表面実装ダイオードの封止）
　表１および表２に示す配合でエポキシ樹脂組成物を製造し、半導体装置の封止を行った。エポキシ樹脂（Ａ）
〔商品名ＥＸＡ７２００、大日本インキ化学工業（株）製、ｎ＝０〜１〕
　【００２７】
　エポキシ樹脂組成物の製造条件は以下のとおりであり、半導体封止条件は以下のとおりであった。
（エポキシ樹脂組成物の製造条件）
　各成分をミキサー等によって均一に混合したのちロール，ニーダー等によって混練することによって製造した。すなわち、２軸加熱ロールを用いて温度８５℃で５分間混練し、次いで冷却した。その後、粉砕機で粉砕して、封止材料を得た。
（封止条件）
　半導体素子としては表面実装ダイオード（ショットキーダイオード）銅フレームを用いた。トランスファプレスを用い、成形圧力７０ｋｇ／ｃｍ２：成形温度１７５℃、成形時間９０秒で上記ダイオードを封止成形して、半導体装置の成形品を得た。
　【００２８】
　さらに、各エポキシ樹脂組成物について、以下の評価方法で耐湿性評価試験を行い、その結果も併記した。
（耐湿性評価試験）
　上述のようにして得た樹脂封止型半導体装置を、８５℃、８５％ＲＨ、７２ｈｒの条件で前処理した後、２６０℃×１０ｓの半田浸漬を実施し、その後にＰＣＴ試験とＴＣＴ試験を行った。ここに、ＰＣＴ試験とは、２気圧、１２１℃、３００時間の処理を行った後の回路不良数をカウントする評価試験であり、ＴＣＴ試験とは、−６５℃、３０分→常温、５分→１５０℃、３０分を１サイクルとして、１０００サイクル行った時の回路不良数をカウントする評価試験である。
　【００２９】
　【表１】
　【００３０】
　【表２】
　【００３１】
（実施例６〜１１および比較例５〜８：表面実装トランジスターの封止）
　表３および４に示す配合でエポキシ樹脂組成物を製造し、半導体装置の封止を行った。エポキシ樹脂（Ａ）は前記構造式（１）を有するものであり、表３および４の配合における単位は重量基準である。表３および４には各エポキシ樹脂組成物の特性、すなわち線膨張係数、ガラス転移温度、曲げ弾性率と吸湿率を併記した。
　【００３２】
　エポキシ樹脂組成物の製造条件は以下のとおりであり、半導体封止条件は以下のとおりであった。
（エポキシ樹脂組成物の製造条件）
　各成分をミキサー等によって均一に混合したのちロール，ニーダー等によって混練することによって製造した。すなわち、２軸加熱ロールを用いて温度８５℃で５分間混練し、次いで冷却した。その後、粉砕機で粉砕して、封止材料を得た。
（封止条件）
　半導体素子としてはＴＯ−３Ｐ型パワートランジスターＮｉメッキフレームを用いた。トランスファプレスを用い、次の成形条件で上記トランジスターを封止成形して、半導体装置の成形品を得た。成形後、１７５±３℃で６時間処理した。
　【００３３】
　　成形温度：１７５±５℃　　　　注入圧力：１２０±２０ｋｇｆ／ｃｍ２
　　注入スピード：７〜１２ｓｅｃ　キュアータイム：９０±１０ｓｅｃ
　さらに、各エポキシ樹脂組成物について、以下の評価方法で耐湿信頼性評価試験と密着性評価試験を行い、その結果を表３および４に示した。
（成形直後のパッケージ外観）
　上述のようにして得た樹脂封止型半導体装置を、成形直後の外観を観察し、ウエルド、ピンホールまたはフクレが発生したものを不良品数としてカウントした。
（耐湿信頼性評価試験）
　上述のようにして得た樹脂封止型半導体装置を、８５℃、８５％ＲＨ、７２ｈｒの条件で前処理した後、２６０℃×１０ｓの半田浸漬を実施し、その後にＰＣＴ試験とＴＣＴ試験を行った。ここに、ＰＣＴ試験とは、２気圧、１２１℃、２００時間の処理を行った後の回路不良数をカウントする評価試験であり、ＴＣＴ試験とは、−６５℃、３０分→常温、５分→１５０℃、３０分を１サイクルとして、１０００サイクル行った時の回路不良数をカウントする評価試験である。
（密着性評価試験）
　接着面積１ｃｍ２のプリン型成形品（円錐台形の成形品：底面の直径１１．３ｍｍ、高さ１０．０ｍｍ）を金属平板の上に上記成形条件でトランスファー成形し、その後、その後、成形後、１７５±３℃で６時間処理してから、剪断強度を測定した。
　【００３４】
　【表３】
　【００３５】
　【表４】
　【００３６】
（実施例１２〜１４および比較例９〜１０：多重モールド封止）
　表５に示す配合でエポキシ樹脂組成物を製造し、半導体装置の封止を行った。エポキシ樹脂（Ａ）は前記構造式（１）を有するものであり、表５の配合における単位は重量基準である。表５には各エポキシ樹脂組成物の特性、すなわち線膨張係数、ガラス転移温度、曲げ弾性率、吸湿率、および接着強度を併記した。接着強度はオートグラフ測定機を用いて試験速度２ｍｍ／ｍｉｎ、加重１００ｋｇｆ／ｃｍ２という条件で測定した。
　【００３７】
　エポキシ樹脂組成物の製造条件は以下のとおりであり、半導体封止条件は以下のとおりであった。
（エポキシ樹脂組成物の製造条件）
　各成分をミキサー等によって均一に混合したのちロール，ニーダー等によって混練することによって製造した。すなわち、２軸加熱ロールを用いて温度８５℃で５分間混練し、次いで冷却した。その後、粉砕機で粉砕して、封止材料を得た。
（封止条件）
　半導体素子としてはくし型アルミニウム配線素子を用い、次の成形条件でトランスファー成形して、半導体装置の成形品（１６ＤＩＰパッケージ）を得た。成形後、１７５±３℃で６時間処理した。
　【００３８】
　　成形温度：１７５±５℃　　　　注入圧力：７０±２０ｋｇｆ／ｃｍ２
　　注入スピード：７〜１２ｓｅｃ　キュアータイム：９０±１０ｓｅｃ
　さらに、各エポキシ樹脂組成物について、以下の評価方法で耐湿信頼性評価試験と密着性評価試験を行い、その結果を表６に示した。
（耐湿信頼性評価試験）
　上述のようにして得た樹脂封止型半導体装置を、８５℃、８５％ＲＨ、７２ｈｒの条件で前処理した後、２６０℃×１０ｓの半田浸漬を実施し、その後にＰＣＴ試験とＴＣＴ試験を行った。ここに、ＰＣＴ試験とは、２気圧、１２１℃、３００時間の処理を行った後の回路不良数をカウントする評価試験であり、ＴＣＴ試験とは、−６５℃、３０分→常温、５分→１５０℃、３０分を１サイクルとして、１０００サイクル行った時の回路不良数をカウントする評価試験である。
（密着性評価試験）
　接着面積１ｃｍ２のプリン型成形品（円錐台形の成形品：底面の直径１１．３ｍｍ、高さ１０．０ｍｍ）を金属平板の上に上記成形条件でトランスファー成形し、その後、成形後、１７５±３℃で６時間処理してから、剪断強度を測定した。
　【００３９】
　また、インナー封止材とアウター封止材との密着性も評価した。インナー封止材で１．５ｍｍ厚みの成形品（５０ｍｍ×８０ｍｍ）を上記成形条件でトランスファー成形し、その後、１７５±３℃で６時間処理してから、この成形品の片面側に重ねてアウター封止材で１．５ｍｍ厚みの成形品（５０ｍｍ×８０ｍｍ）を上記成形条件でトランスファー成形し、その後、１７５±３℃で６時間処理してから、ニッパーで割りインナー封止材とアウター封止材の界面破壊状況を観察した。
　【００４０】
　【表５】
　【００４１】
　【表６】
　【００４２】
　【発明の効果】
　本発明
で用いる
　【００４３】
　
前記
　
前記
　【００４４】
　
前記
　本発明にかかる樹脂封止型半導体装置は、
前記
　【００４５】
　本発明にかかる半導体装置のリードフレームが表面にメッキ処理されていることのある銅系のフレームであり、前記エポキシ樹脂組成物の線膨張係数が１．１×１０−５／℃〜２．５×１０−５／℃であるときには特に耐湿性に優れている。