【事件の表示】
　特許第３３７８４４１号「陰極線管およびその製造方法」の請求項１ないし１２に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第３３７８４４１号の請求項１ないし１２に係る特許を維持する。
【理　由】
第１　手続きの経緯
　本件特許第３３７８４４１号についての出願は、平成８年７月２４日に出願され、平成１４年１２月６日にその発明について特許の設定登録がなされたものである。
　本件特許公報は平成１５年２月１７日に発行され、平成１５年８月１８日付で山本可枝より請求項１ないし請求項１２に係る特許について特許異議の申立てがなされた。
　
第２　本件発明
　本件の請求項１ないし１２に係る発明は、本件の願書に添付された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし１２に記載された事項により特定される以下のとおりのものである。
「【請求項１】　フェースプレートの前面パネルの外表面に、導電性微粒子からなる少なくとも１層の導電層を有し、かつ該導電層を含めた２層以上の積層による反射防止膜を有する陰極線管において、
　前記導電層の直上に、ＳｉＯ２を主成分としシリコーン類を含有する層を設けたことを特徴とする陰極線管。
【請求項２】　フェースプレートの前面パネルの外表面に、導電性微粒子からなる少なくとも１層の導電層を有し、かつ該導電層を含めた２層以上の積層による反射防止膜を有する陰極線管において、
　前記導電層の直上に、ＳｉＯ２を主成分としシリコーン類およびＺｒＯ２を含有する層を設けたことを特徴とする陰極線管。
【請求項３】　前記シリコーン類が、フルオロアルキル基を有するフッ素シリコーン系物質であることを特徴とする請求項１または２記載の陰極線管。【請求項４】　前記導電性微粒子が、銀または銀化合物の超微粒子であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項記載の陰極線管。
【請求項５】　前記ＳｉＯ２を主成分とする層は前記導電層と同等の収縮率（焼成時）を有することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項記載の陰極線管。
【請求項６】　前記反射防止膜は表面抵抗値が５×１０２Ω／□以下であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項記載の陰極線管。
【請求項７】　フェースプレートの前面パネルの外表面に、導電性微粒子からなる少なくとも1層の下塗布層を形成する工程と、
　前記下塗布層の直上に、ＳｉＯ２を主成分としアルコキシシラン類を含有する上塗布層を形成する工程と、
　前記下塗布層および上塗布層を同時に焼成する工程とを備えたことを特徴とする陰極線管の製造方法。
【請求項８】　前記上塗布層は、さらに焼成によりＺｒＯ２を生じるＺｒ化合物を含有することを特徴とする請求項７記載の陰極線管の製造方法。
【請求項９】　前記導電性微粒子が、銀または銀化合物の超微粒子であることを特徴とする請求項７または８記載の陰極線管の製造方法。
【請求項１０】　前記アルコキシシラン類はフルオロアルキル基を有するアルコキシシラン誘導体であることを特徴とする請求項７乃至９のいずれか１項記載の陰極線管の製造方法。
【請求項１１】　前記上塗布層は前記アルコキシシラン類をＳｉＯ２換算の固形分比で５〜３０重量％の範囲で含有することを特徴とする請求項７乃至１０のいずれか１項記載の陰極線管の製造方法。
【請求項１２】　前記上塗布層は前記焼成工程時における収縮率が前記下塗布層と同等であることを特徴とする請求項７乃至１１のいずれか１項記載の陰極線管の製造方法。」
　
第３　特許異議申立の概要
　特許異議申立人は、証拠として、下記の甲号各証を提出し、本件の請求項１ないし１２に係る発明は、甲号各証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件の請求項１ないし１２に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである旨主張している。
　　　　　　　　　　　　　　　記
甲第１号証：特開平８−１８５７９７号公報
甲第２号証：特開平７−６６１８８号公報
甲第３号証：特開平８−７７８３２号公報
甲第４号証：特開平８−１６５１４７号公報
　
第４　甲号各証に記載される事項
１　甲第１号証（以下、「刊行物１」という。）
(1a)産業上の利用分野について、「本発明は、ＯＡ機器のディスプレイやテレビジョン（ＴＶ）ブラウン管等の陰極線管から発生する電界をシールドするための透明導電膜の作製方法に関する。」（段落【０００１】）
(1b)従来の技術について、「電界の漏洩に対しては、ＣＲＴ前面ガラス表面に導電性の透明被膜を形成することにより防止できる。この方法は、近年、帯電防止のためにとられてきた対策と原理的には同一である。ただし、この場合の導電性被膜の導電性は、帯電防止用に形成されていた導電性被膜の導電性よりもはるかに高い値が求められ、帯電防止には表面抵抗で１０８Ω／□程度で十分とされているが、漏洩電界を防ぐためには少なくとも１０６Ω／□以下、好ましくは１０２〜１０３Ω／□台の低抵抗の透明膜を形成する必要がある。」（段落【０００３】参照）
(1c)課題を解決するための手段として、「(７)前記透明導電膜形成用処理液を含む塗布液を基体に塗布後、アルキルシリケート部分加水分解重合物を主成分とするシリケート系オーバーコート液を塗布し、１００℃以上４５０℃以下の温度で焼成することを特徴とする。」（段落【０００８】参照）
(1d)「このようなアルキルシリケート部分加水分解重合物は、処理液塗布後の焼成加熱時に縮重合反応がほぼ完結して硬いシリケートになる。アルキルシリケート部分加水分解重合物を含むバインダー溶液には、耐水性向上のためにフルオロアルキルシランが添加されても問題はない。また、屈折率調整や強度補強のために、ポリシロキサン中のＳｉの一部をＴｉ、Ｚｒ、Ａｌ等で置換することも可能である。」（段落【００１７】）
(1e)「本発明の処理液による透明導電膜は、膜強度の補強と低反射効果付与のために、この透明導電膜の上にシリケート系のオーバーコートガラスを被せた２層構造で使用することも可能である。この２層膜は、処理液を塗布、乾燥後、前記のアルキルシリケート部分加水分解重合物を主成分とするシリケート溶液を塗布し、その後焼成することにより形成することができる。シリケートをオーバーコートとして用いる理由は、強度、耐候性に優れ、透明度が高くヘイズが低いこと、およびＣＲＴに適した低温で焼成できることである。また、低反射効果は、１層目の反射波と２層目の反射波の間に破壊的干渉が起こることによる。本処理液とシリケート溶液を用いたこのような２層透明導電膜は、電界シールド効果に加えて見やすい画面の低反射効果を備えた低コスト高付加価値のＣＲＴを供給することができる。」（段落【００２１】）
と記載され、
(1f)実施例１０、１１においては、オーバーコート層に、エチルシリケートの部分加水分解重合物を用いたことが記載されている。（段落【００３４】〜【００３５】）
　
２　甲第２号証（以下、「刊行物２」という。）
(2a)「本発明は、比誘電率およびエッチレートが小さく、しかも膜形成時の収縮率が小さく、このためヒビ割れがなく、絶縁性、機械的強度、耐薬品性等に優れたシリカ系絶縁膜を有する半導体装置に関する。」（段落【０００１】）
(2b)「本発明者らは、本発明に先立ち、一般式ＲｎＳｉ（ＯＲ’）４−ｎ（式中、Ｒ、Ｒ’は炭素数１〜８のアルキル基、アリール基またはビニル基を表わし、ｎは０〜３の整数である。）で示されるアルコキシシランを加水分解重縮合して得られるシリカゾル（Ａ）と、前記アルコキシシランまたはその部分加水分解物（Ｂ）との反応物とを含む被膜形成用塗布液を用いてシリカ系絶縁膜を形成すると、ボイド、ピンホール等の欠陥が発生することがなく、極めて緻密であって比誘電率およびエッチレートが小さく、しかも成膜時の収縮率が小さく、成膜時にヒビ割れが生じることがなく、密着性、機械的強度、耐薬品性、耐湿性、絶縁性などに優れたシリカ系絶縁膜が得られることを見出している（特開平４−１０４１８号）。」（段落【０００６】）
(2c)「シリカゾル（Ａ）とアルコキシシランまたはその部分加水分解物（Ｂ）との反応過程では、シリカゾル中でシリカ粒子の成長あるいは新たなシリカ粒子の生成は起こらず、シリカゾル（Ａ）中に含まれているシリカ粒子の表面で、このシリカ粒子と新たなアルコキシシランまたはその部分加水分解物（Ｂ）との結合反応が起こり、その結果、本発明の目的にかなったシリカ系絶縁膜を有する半導体装置を製造する際に好適に用いられる塗布液が得られる。」（段落【００３９】）
(2d)「本発明に係る半導体装置を製造する際に用いられるシリカ系絶縁膜形成用塗布液中には、上記のようなシリカゾル（Ａ）と、アルコキシシランまたはその部分加水分解物（Ｂ）とを、シリカゾル（Ａ）中に含まれているシリカ粒子のＳｉＯ２ 換算重量（ＷＡ）／アルコキシシランまたはその部分加水分解物（Ｂ）のＳｉＯ２換算重量（ＷＢ）が０．１〜１０．０、好ましくは０．２５〜４．０となるような重量比で混合して含有していることが好ましい。重量比（ＷＡ／ＷＢ）が１０．０を超えると、このようなシリカゾル（Ａ）と、アルコキシシランまたはその部分加水分解物（Ｂ）との反応物を含む塗布液から形成された被膜は、耐熱性および耐湿性に優れるものの、膜厚が厚くなるとクラックが発生し易くなる傾向があり、他方、重量比（ＷＡ ／ＷＢ）が０．１未満では、同被膜の耐熱性および耐湿性が劣悪になる傾向がある。」（段落【００４７】〜【００４８】）
と記載されている。
　
３　甲第３号証（以下、「刊行物３」という。）
(3a)「平均粒径２〜２００ｎｍの金属微粒子からなる透明導電性微粒子層が基材上に形成され、前記微粒子層上に該微粒子層よりも屈折率の低い透明被膜が形成されていることを特徴とする透明導電性被膜付基材。」（特許請求の範囲の請求項１）に関し、
(3b)発明の技術分野について、「本発明は、透明導電性被膜付基材および該基材を前面板として備えた表示装置に関し、さらに詳しくは反射防止性能に優れ、しかも電磁遮蔽効果に優れた透明導電性被膜付基材、その製造方法およびこのような透明導電性被膜付基材で構成された前面板を備えた表示装置に関する。」（段落【０００１】）
(3c)「本発明で用いられる金属微粒子としては、平均粒径が上記範囲内にあれば特に制限はなく、例えばＡｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｔａなどの金属微粒子が挙げられる。」（段落【００１８】）
(3d)「上記のような透明導電性微粒子層を有する透明導電性被膜付基材は、１０１０Ω／□以下の広い範囲の表面抵抗を有しており、このうち、１０２〜１０４Ω／□の表面抵抗を有する透明導電性被膜付基材は、電磁遮蔽効果に優れている。したがって、この１０２〜１０４Ω／□の表面抵抗を有する透明導電性被膜付基材で陰極線管の前面板などを構成した場合、これにより、従来、前面板などから放出された電磁波、およびこのような電磁波の放出に伴って生じる電磁場を遮蔽することができる。」（段落【００２８】）
(3e)「本明細書中で、マトリックス形成成分とは導電性微粒子などのような粒状成分のバインダーとして機能する成分をいい、例えばマトリックスがシリカである場合、加水分解重縮合性有機珪素化合物またはシリカゾルなどを意味する。また、加水分解重縮合性有機珪素化合物としては、下記式〔Ｉ〕で表されるアルコキシシラン：
ＲaＳｉ（ＯＲ’）４−ａ 　　…〔Ｉ〕
（式中、Ｒは、ビニル基、アリール基、アクリル基、炭素原子数１〜８のアルキル基、水素原子またはハロゲン原子であり、Ｒ’は、ビニル基、アリール基、アクリル基、炭素原子数１〜８のアルキル基、−Ｃ２Ｈ４ＯＣｎＨ２ｎ＋１（ｎ＝１〜４）または水素原子であり、ａは、０〜３の整数である）が挙げられる。このようなアルコキシシランを具体的に例示すると、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトライソプロポキシシラン、テトラブトキシシラン、テトラオクチルシラン、メチルトリメチルシラン、メチルトリエトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、メチルトリイソプロポキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、ジメチルジメトキシシランなどが挙げられる。」（段落【００３７】〜【００３９】）
(3f)「本発明では、以上のようにして基材上に透明導電性微粒子層を形成した後、この透明導電性微粒子層上に、さらにこの層よりも屈折率の低い透明被膜が形成される。この透明被膜の形成方法としては、特に制限はなく、この透明被膜の材質に応じて、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法などの乾式薄膜形成方法、あるいは上述したようなディッピング法、スピナー法、スプレー法、ロールコーター法、フレキソ印刷法などの湿式薄膜形成方法を採用することができる。上記透明被膜を湿式薄膜形成方法で形成する場合には、上述したようなマトリックス形成成分が透明被膜形成成分として水または有機溶媒に溶解または分散されている透明被膜形成用塗布液を用いることができる。」（段落【００５１】〜【００５３】）
と記載されている。
　
４　甲第４号証（以下、「刊行物４」という。）
(4a)「基体上に塗布するための第１液、および第１液の塗布で形成した塗膜上に塗布するための第２液、からなる２液型の低反射性・電磁シールド性透明導電膜形成用塗料であって、
　前記第１液は、溶媒中に透明導電性微粉末が分散している、粘度１０ｃｐｓ以下の分散液からなり、この分散液はバインダーを含有せず、前記透明導電性微粉末は、分散液中の含有量が１〜７重量％、分散液中での体積基準粒度分布における９０％累積粒径が０．１８０μｍ以下、５０％累積粒径が０．０５０μｍ以下であり、
  前記第２液は、塩酸および／または硝酸からなる酸触媒と水の存在下に有機溶媒中で加水分解性有機シラン化合物を加水分解・縮合させて得た、粘度が１０cps以下のシリカゾル溶液からなり、前記酸触媒と水は［Ｈ］／［Ｓｉ］のモル比が０．００４〜０．１００、［Ｈ２Ｏ］／［Ｓｉ］のモル比が１．２〜５．５  (ここで、［Ｈ］、［Ｓｉ］、［Ｈ２Ｏ］はそれぞれ、酸、アルコキシシラン、水の量である) となる量で使用され、前記シリカゾルの濃度はＳｉＯ２換算濃度で０．５〜２．５重量％である、
ことを特徴とする、低反射性・電磁シールド性透明導電膜形成用塗料。」（特許請求の範囲の請求項１）に関し、
(4b)産業上の利用分野について、「本発明は、低反射性・電磁シールド性透明導電膜とその形成用塗料に関する。本発明の透明導電膜は、可視光反射率およびヘーズが低く、視認性に優れているので、帯電防止および視認性 (視感度) 向上のためにブラウン管に導電膜を形成するのに特に適している。」（段落【０００１】）
(4c)「上記の導電性微粉末充填層の上に、溶媒中でアルコキシシランを加水分解・縮合させた得たシリカゾル溶液を第２液としてさらに塗布すると、下層の充填層の導電性微粉末の間隙に第２液が浸透する。それにより、粒子が直接接触した導電性微粉末充填層の構造を実質的に保持したまま、その間隙に侵入したシリカゾルがバインダーとなって導電性微粉末が結合され、十分な膜強度を有する導電層が形成される。また、浸透しきれなかった第２液は、この導電性の上にシリカからなるオーバーコート層を形成し、高屈折率の導電層と低屈折率のオーバーコート層の２層からなる低反射性の導電膜となる。」（段落【００２６】）
(4d)加水分解性有機シラン化合物について、「シリカゾル合成の原料となる加水分解性有機シラン化合物としては、テトラエトキシシラン (＝エチルシリケート) 、テトラプロポキシシラン、メチルトリエトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、フェニルトリエトキシシランなどのアルコキシシラン類；メチルトリクロロシラン、ジメチルジクロロシラン、フェニルトリクロロシランなどのクロロシラン類；さらにはtert−ブチルジメチルクロロシラン、 N,N−ビス (トリメチルシリル) ウレア、 N,O−ビス (トリメチルシリル) アセトアミド、ヘキサメチルジシラザン、γ−クロロプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシメチルジエトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、 N−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、 N−β− (アミノエチル)−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、 N−β− (アミノエチル)−γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、β−(3,4−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、ビニルトリクロロシラン、ビニルトリス (β−メトキシエトキシ) シラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシランなどが挙げられる。また、これらの有機シラン化合物の部分加水分解物、例えば、テトラエトキシシランを部分加水分解したエトキシポリシロキサン、メチルジメトキシシランを部分加水分解したメトキシポリシロキサンなども、シリカゾルの合成原料として使用できる。」（段落【００５５】〜【００５６】）
と記載されている。
　
第５　対比・判断
１　本件の請求項１に係る発明について
(１)  対比
　刊行物１には、陰極線管の透明導電性膜を形成する方法に関し、透明導電膜形成用処理液を含む塗布液を基体に塗布後、アルキルシリケート部分加水分解重合物を主成分とするシリケート溶液を塗布し、その焼成することが記載されている（請求項７、公報第３欄第４０〜４４行等）
　そこで、本件発明１と刊行物１に記載された発明とを対比する。
　刊行物１に記載された発明にける「アルキルシリケート部分加水分解重合物を主成分とするシリケート溶液」は、刊行物２ないし４にも記載されているとおり、いわゆる「シリカゾル」であるから、それを塗布し、その焼成することにより形成される膜は、本件の請求項１に係る発明における「ＳｉＯ２を主成分とする膜」に相当するものである。
　また、「シリコーン類」とは、オルガノポリシロキサン、すなわち、少なくとも、Ｓｉ原子に直結する炭素原子を有するポリシロキサンの総称であるが、刊行物１に記載されて発明では、実施例においてもエチルシリケートが用いられているにすぎず、刊行物１には、アルキルシリケートとして、Ｓｉ原子に直結する炭素原子を有するもの用いる旨の記載はない。
　よって、両者は、
　「フェースプレートの前面パネルの外表面に、導電性微粒子からなる少なくとも1層の導電層を有し、かつ該導電層を含めた２層以上の積層による反射防止膜を有する陰極線管において、前記導電層の直上に、ＳｉＯ２を主成分とした層を設けた陰極線管。」
である点で一致しているが、以下の点で相違している。
相違点ａ：　
　前記導電層の直上の「ＳｉＯ２を主成分とした層」が、本件発明１では、「シリコーン類を含有する」ものであるのに対して、刊行物１に記載された発明では、シリコーン類を含有するものではない点。
　
(２)　相違点ａについての判断
ア　刊行物２に記載された発明からの想到容易性について
　上記刊行物２（段落【０００６】、段落【００３９】等）には、「一般式ＲｎＳｉ（ＯＲ’）４−ｎ （式中、Ｒ、Ｒ’は炭素数１〜８のアルキル基、アリール基またはビニル基を表わし、ｎは０〜３の整数である。）で示されるアルコキシシランを加水分解重縮合して得られるシリカゾル（Ａ）と、前記アルコキシシランまたはその部分加水分解物（Ｂ）との反応物とを含む被膜形成用塗布液を用いてシリカ系絶縁膜を形成する」ことが記載されており、これにより、「ボイド、ピンホール等の欠陥が発生することがなく、極めて緻密であって比誘電率およびエッチレートが小さく、しかも成膜時の収縮率が小さく、成膜時にヒビ割れが生じることがなく、密着性、機械的強度、耐薬品性、耐湿性、絶縁性などに優れたシリカ系絶縁膜が得られる」ことも記載されているが、上記一般式において、ｎが１ないし３であるアルコキシシランを用いた場合には、（Ａ）と（Ｂ）との反応物中に、Ｓｉ原子に炭素原子が直結したオルガノポリシロキサン、すなわち、シリコーンが含有されることとなるが、ｎが０であるアルコシキシランを用いた場合には、得られる反応物中に、Ｓｉ原子に炭素原子が直結したものは存在しないために、シリコーンは含有されないこととなる。
　すなわち、刊行物２には、一般式ＲｎＳｉ（ＯＲ’）４−ｎ （式中、Ｒ、Ｒ’は炭素数１〜８のアルキル基、アリール基またはビニル基を表わし、ｎは０〜３の整数である。）で示されるアルコキシシランを用いることが記載されてはいるものの、ｎが０であるものに比べて、ｎが１ないし３であるものの方が好ましいことを示唆する記載は全くないから、刊行物２に記載された発明が、ＳｉＯ２を主成分とする層中にシリコーン類を含有させたものを用いることを示唆しているとすることはできない。
　しかも、刊行物２に記載された発明におけるシリカ系絶縁膜は、単独で半導体装置に用いられるものであって、刊行物１に記載された発明のような、透明導電膜の直上に設けられる層として用いることについては、何等示唆する記載もない。
　よって、当業者といえども、相違点ａに係る構成については、刊行物２に記載された発明から、容易に導き出すことはできない。
　
イ　刊行物３に記載された発明からの想到容易性について
　刊行物３に記載された発明における「微粒子層よりも屈折率の低い透明被膜」が、本件の請求項１に係る発明における、導電層の直上に設けられる「ＳｉＯ２を主成分とする層」に相当するものである。
　しかしながら、該刊行物には、該透明被膜の被膜形成成分として、種々の加水分解重縮合性有機珪素化合物が例示されているものの、その中から、特に、ＳｉＯ２を主成分としシリコーン類を含有する層を形成するものを用いることを示唆する記載はない。
　よって、相違点アに係る構成については、刊行物３に記載された発明からでは容易に導き出すことはできない。
　
ウ　刊行物４に記載された発明からの想到容易性について
　刊行物４に記載された発明における「低屈折率のオーバーコート層」が、、本件の請求項１に係る発明における、導電層の直上に設けられる「ＳｉＯ２を主成分とする層」に相当するものである。
　しかしながら、該刊行物には、該層の被膜形成成分として、種々の加水分解性有機シラン化合物が例示されているが、その中から、特に、ＳｉＯ２を主成分としシリコーン類を含有する層を形成するものを用いることを示唆する記載はない。
　よって、相違点アに係る構成については、刊行物４に記載された発明からでは容易に導き出すことはできない。　
　
(３)　まとめ
　以上のとおり、上記相違点に係る構成については、刊行物１ないし４のいずれに記載された発明からも、容易に導き出すことができないから、本件の請求項１に係る発明が、刊行物１ないし４に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることはできない。
　
２　本件の請求項２ないし６に係る発明について
　本件の請求項２ないし６に係る発明は、本件の請求項１に係る発明の特定事項を全て、その特定事項とするものである。
　よって、本件の請求項１に係る発明が、前述のとおり刊行物１ないし４に記載された発明から当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない以上、本件の請求項２ないし６に係る発明も、同じ理由により、刊行物１ないし４に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
　
３　本件の請求項７に係る発明について
(１)  対比
　刊行物１には、陰極線管の透明導電性膜を形成する方法に関し、透明導電膜形成用処理液を含む塗布液を基体に塗布後、アルキルシリケート部分加水分解重合物を主成分とするシリケート溶液を塗布し、その焼成することが記載されている（請求項７、公報第３欄第４０〜４４行等）。
　そこで、刊行物１に記載された発明と本件の請求項７に係る発明とを対比すると、前者における「透明導電膜形成用処理液を含む塗布液を基体に塗布」する工程、及び「アルキルシリケート部分加水分解重合物を主成分とするシリケート溶液を塗布」する工程は、それぞれ後者における「導電性微粒子からなる少なくとも１層の下塗布層を形成する工程」及び「ＳｉＯ２を主成分とする上塗布層を形成する工程」に相当するから、両者は、
　「フェースプレートの前面パネルの外表面に、導電性微粒子からなる少なくとも１層の下塗布層を形成する工程と、
　前記下塗布層の直上に、ＳｉＯ２を主成分とする上塗布層を形成する工程と、
　前記下塗布層および上塗布層を同時に焼成する工程と
　を備えたことを特徴とする陰極線管の製造方法。」
である点で一致しているが、以下の点で相違している。
相違点ｂ：　
　前記「上塗布層」が、本件発明７では、「アルコキシシラン類を含有する」ものであるのに対して、刊行物１に記載された発明では、アルコキシシラン類を含有する点については何等言及されていない点。
　
(２)　相違点ｂについての判断　
　そこで、該相違点ｂについて検討する。
ア　刊行物２に記載された発明からの想到容易性について
　上記刊行物２（段落【０００６】、段落【００３９】等）には、「一般式ＲｎＳｉ（ＯＲ’）４−ｎ （式中、Ｒ、Ｒ’は炭素数１〜８のアルキル基、アリール基またはビニル基を表わし、ｎは０〜３の整数である。）で示されるアルコキシシランを加水分解重縮合して得られるシリカゾル（Ａ）と、前記アルコキシシランまたはその部分加水分解物（Ｂ）との反応物とを含む被膜形成用塗布液を用いてシリカ系絶縁膜を形成すると、ボイド、ピンホール等の欠陥が発生することがなく、極めて緻密であって比誘電率およびエッチレートが小さく、しかも成膜時の収縮率が小さく、成膜時にヒビ割れが生じることがなく、密着性、機械的強度、耐薬品性、耐湿性、絶縁性などに優れたシリカ系絶縁膜が得られる」ことが記載されており、該刊行物２に記載されたシリカゾル(Ａ)は、本件の請求項７に係る発明における「ＳｉＯ２」に相当するものである。
　しかしながら、刊行物２に記載された発明におけるシリカ系絶縁膜は、単独で半導体装置に用いられるものであって、刊行物１に記載された発明のような透明導電膜の直上に設けられる層として用いることについては、何等示唆する記載もないうえに、用いられる塗布液も異なるものである。
　すなわち、本件の請求項７に係る発明では、「ＳｉＯ２を主成分としアルコキシシラン類を含有する上塗布層」であるのに対して、該刊行物２に記載された発明では、摘記事項(2c)から明らかなとおり、塗布層は、「アルコキシシランを加水分解重縮合して得られるシリカゾル（Ａ）（すなわち、ＳｉＯ２）と、前記アルコキシシラン（Ｂ）との反応物とを含む被膜形成用塗布液」からなることを特徴とする点で相違している。
　してみれば、仮に、刊行物１に記載された発明におけるＳｉＯ２を主成分とする層の形成方法として、刊行物２に記載された発明における形成方法を適用することが容易であるとしても、その際に、刊行物２に記載された塗布液としての「シリカゾル（Ａ）とアルコシキシラン（Ｂ）との反応物からなる塗布液」に代えて、「シリカゾル（Ａ）にアルコシキシラン（Ｂ）を含有する塗布液」を用いることまでは、当業者といえども容易であるとすることはできない。
　
イ　刊行物３に記載された発明からの想到容易性について
　刊行物３に記載された発明における「微粒子層よりも屈折率の低い透明被膜」が、本件の請求項１に係る発明における、導電層の直上に設けられる「ＳｉＯ２を主成分とする層」に相当するものである。
　しかしながら、該刊行物には、該透明被膜の被膜形成成分として、種々の加水分解重縮合性有機珪素化合物が例示されているものの、皮膜形成成分として、ＳｉＯ２を主成分としシリコーン類を含有するものを用いることを示唆する記載はない。
　よって、相違点ｂに係る構成については、刊行物３に記載された発明からでは容易に導き出すことはできない。
　　
ウ　刊行物４に記載された発明からの想到容易性について
　刊行物４に記載された発明における「低屈折率のオーバーコート層」が、、本件の請求項１に係る発明における、導電層の直上に設けられる「ＳｉＯ２を主成分とする層」に相当するものである。
　しかしながら、該刊行物には、該層の被膜形成成分として、種々の加水分解性有機シラン化合物が例示されているもの、皮膜形成成分として、ＳｉＯ２を主成分としシリコーン類を含有するものを用いることを示唆する記載はない。
　よって、相違点ｂに係る構成については、刊行物４に記載された発明からでは容易に導き出すことはできない。
　
(３)　まとめ
　以上のとおり、相違点ｂに係る構成については、刊行物１ないし４のいずれに記載された発明からも、容易に導き出すことができないから、本件の請求項７に係る発明が、刊行物１ないし４に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることができない。
　
４　本件の請求項８ないし１２に係る発明について
　本件の請求項８ないし１２に係る発明は、本件の請求項７に係る発明の特定事項を全て、その特定事項とするものである。
　よって、本件の請求項７に係る発明が、前述のとおり刊行物１ないし４に記載された発明から当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない以上、本件の請求項８ないし１２に係る発明も、同じ理由により、刊行物１ないし４に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
　
第６　むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立人の主張する理由及び証拠方法によって、本件の請求項１ないし１２に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件の請求項１ないし１２に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１６年８月２５日（２００４．８．２５）