【事件の表示】
　特許第３４１０３８０号「単結晶引上装置及び高純度黒鉛材料」の請求項１ないし４に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第３４１０３８０号の請求項１ないし４に係る特許を維持する。
【理　由】
１．本件発明
　本件は、昭和６２年７月１３日に出願された特願昭６２−１７４３９８号の特許出願（以下、「親出願」という）の一部を、特許法第４４条第１項の規定により分割して新たな特許出願として、平成９年３月１９日に出願された特願平９−６６０２３号とし、更に当該特願平９−６６０２３号の特許出願の一部を、特許法第４４条第１項の規定により分割して新たな特許出願として、平成１１年３月５日に出願されたものであって、本件特許第３４１０３８０号（平成１５年３月２０日設定登録）の発明の要旨は、特許明細書の記載からみて、特許請求の範囲の第１項乃至第４項に記載されたとおりの、
「１．単結晶引上装置に於いて、黒鉛ルツボ、黒鉛ヒーター及び黒鉛保温筒の少なくとも１種が、その全部において全灰分が５ｐｐｍ以下あるとともに、高純度化処理後の作業工程により汚染される部分を除く深層部の全灰分が１ｐｐｍ以下に高純度化された高純度黒鉛材料から成ることを特徴とする単結晶引上装置。
２．前記深層部が、減圧下で不活性ガスにより置換され、常圧に戻されている請求項１記載の単結晶引上装置。
３．材料の全部において全灰分が５ｐｐｍ以下あるとともに、前記材料の高純度化処理後の作業工程により汚染される部分を除く深層部の全灰分が１ｐｐｍ以下に高純度化された高純度黒鉛材料。
４．前記深層部が、減圧下で不活性ガスにより置換され、常圧に戻されている請求項３記載の高純度黒鉛材料。」
にあると認める（以下、「本件第１発明」乃至「本件第４発明」という）。
　
２．特許異議申立の理由の概要
　特許異議申立人イビデン株式会社が提出した証拠方法は、以下のとおりである。
甲第１号証：石川　敏功、長沖　通著「新・炭素工業」第１版第１刷（昭和５５年１０月２０日）株式会社近代編集社　ｐ．３９，２２２
甲第２号証：化学工業日報　昭和６１年８月８日
甲第３号証：特願平１１−０５８２６７号の平成１４年１０月１１日付け意見書
甲第４号証：特開昭６１−９７１１７号公報
甲第５号証：特開昭６４−１８９８６号公報
　そして、特許異議申立人は、特許異議申立書において、
理由１−１：本件第１発明及び本件第２発明は、上記甲第１号証乃至甲第３号証に記載された発明、又は、甲第１号証及び甲第４号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、本件第３発明及び本件第４発明は、甲第２号証又は甲第４号証に記載された発明であるか、又は甲第２号証又は甲第４号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第１項第３号又は第２項の規定により特許を受けることができないものである旨、
理由１−２：親出願において、平成５年６月３０日付けでされた明細書の補正は、明細書の要旨を変更する補正にあたるから、親出願の出願日は上記手続補正書が提出された平成５年６月３０日となり、その場合、本件の出願日も平成５年６月３０日となるが、そうであれば、甲第５号証は、本件の出願前に頒布された刊行物と云えるから、本件第１発明乃至本件第４発明は、甲第５号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであって、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである旨、
理由２：本件特許明細書は、当業者が容易にその発明を実施し得る程度に記載されていないから、特許法第３６条第３項（なお、異議申立書には「第４項」と記載されているが、異議申立の内容からみて、上記のように認定する）の規定に違反するものである旨、
を主張し、本件特許を取り消すべき旨主張している。
　
３．甲各号証の記載事項
３−１．甲第１号証の記載事項
　甲第１号証には、以下の事項が記載されている。
（１−Ａ）「黒鉛化工程では、大部分の不純物は高温度によって揮発し純度は著しく向上する。表２．８は黒鉛化による不純物の減少を示す一例１０）である。この表からも明らかなように不純物元素はその種類によって減少率が大きく異なり、特にＶとＢは耐火性炭化物（ｒｅｆｒａｃｔｏｒｙ　ｃａｒｂｉｄｅ）を生成するため、除去し難い元素とされている。したがって、このような不純物をきらう原子炉用黒鉛やＳｉ、Ｇｅなど高純度金属精錬用の黒鉛材料などには、更に、２，５００℃以上の高温でのハロゲンガスによる精製処理（純化）１１）が一般的に行われている。この処理による純化効果の一例は表２．９１２）のようである。」（第３８頁右欄第９行〜第３９頁左欄第９行）
（１−Ｂ）「表２．９　高温純化による不純物の減少の一例」（第３９頁右欄）
（１−Ｃ）「近年著しい発展を見ている半導体用シリコンの単結晶引き上げ装置（ＣＺ法）では、図３．２８にその一例を示すように原料シリコンは、黒鉛るつぼに内挿した石英るつぼ中で溶融するが、この加熱には、たて形の切り込み付黒鉛発熱体（ｖｅｒｔｉｃａｌ　ｓｌｏｔｔｅｄ　ｔｕｂｅ　ｅｌｅｍｅｎｔ）が使用され、大形のものでは発熱体直径４００ｍｍ程度にも達している。この場合にはもちろん高純度黒鉛材料が要求される。またこの断熱材には専ら黒鉛繊維（フェルト状）が用いられている。」（第２２２頁左欄第２７行〜右欄第１１行）
（１−Ｄ）「図３．２８　シリコン単結晶引上げ装置（Ｃｚｏｃｈｒａｌｓｋｉ（ＣＺ）法）」（第２２２頁右欄）
３−２．甲第２号証の記載事項
　甲第２号証には、以下の事項が記載されている。
（２−Ａ）「東洋炭素は、超高純度黒鉛の製造技術を確立、生産を開始した。通常の黒鉛は純度が九九％程度だが、同社は特殊なガス処理によって九九・九九九九％（シックスナイン）以上の超高純度化を実現、不純物を一ｐｐｍ（百万分の一）以下にした。半導体製造用のルツボやヒーターなどのほか黒鉛サセプター向けに本格供給を始めている。」
（２−Ｂ）「東洋炭素は、こうした従来の方法では、高純度化に限度があるとし、ガス処理に独自のノウハウを加えて九九・九九九九％以上の超高純度黒鉛の開発に成功した。詳細な製法については明らかにしていないが、特殊なガスを二−三種併用したＣＶＤ（化学的気相成長）によるものだとしている。含有する不純物濃度は一ｐｐｍ以下となっており、灰分が全く検出されないことを確認している。」
３−３．甲第３号証の記載事項
　甲第３号証には、以下の事項が記載されている。
（３−Ａ）「通常、包装、運送、引上げ装置内に装着する作業は、クリーンルーム内で行われており、汚染されたとしても、汚染された部分の全灰分量は５ｐｐｍ以下になるものと、当業者の間で考えられています。また、汚染された場合であっても、その汚染因子は、材料の表面から内部に向って拡散していくことは、当業者にとって常識であり、前述しましたように、クリーンルーム内での作業のため、汚染因子となる汚染物の絶対量も少なく、汚染因子が材料の深層部にまで至らず、表面部分のみが汚染されることは当業者にとって常識でありました。」（第２／３頁第１０行〜第１６行）
３−４．甲第４号証の記載事項
　甲第４号証には、以下の事項が記載されている。
（４−Ａ）「１．見掛比重１．７５以上及び真比重２．１５以上の黒鉛材を用いた肉厚１０ｍｍ以上の炭素材精製用黒鉛容器。」（特許請求の範囲）
（４−Ｂ）「実施例１
　セイロン産鱗状黒鉛粉２５重量部（−１００Ｍｅｓｈ　１００％）、ピッチコークス粉３０重量部（−１５０Ｍｅｓｈ　１００％）、軟化点７５℃のタールピッチ４５重量部を混練、粉砕した成形粉をラバープレスにより静水加圧（１．５ｔ／ｃｍ２）成形し、１０００℃で焼成及び２７００℃で黒鉛化しφ５００×１０００ｌ（ｍｍ）の黒鉛材を作つた。その見掛比重は１．７５、真比重２．１５てあつた。この黒鉛材から第１図に示すような外径φ４３０×内径φ４１０×高さ８００ｌ（ｍｍ）の黒鉛容器を作つた。尚第１図において６は黒鉛容器本体、７はその蓋である。この黒鉛容器の中へ純化精製すべきφ４００×５０ｔ（ｍｍ）の炭素材の円板を８枚入れ、第２図に示すように精製用電気炉内の黒鉛カプセル３の中に４のように入れ、同時に比較例１として同じ炭素材の円板を裸のまま黒鉛容器４と隣り合わせ（点線位置）に５枚入れた。そして黒鉛カプセルに電流を通じて４時間で２６００℃に昇温させたのちＣＣｌ２Ｆ２ガスを１０モル／時の速度で導入し乍ら５時間保持した。そのあと黒鉛カプセルに通じる電流を止め、冷却しながら、２０００℃までＣＣｌ２Ｆ２ガスを１０モル／時の速度で導入した。そのあとＣＣｌ２Ｆ２ガスを止め、高純度窒素に切り換えて常温まで冷却した。こうして精製処理した炭素材についてその中心部及び表面部の純度を発光分光分析により分析した。不純物元素の濃度に対応する写真乾板のスペクトル強度（黒化度）を読みとり第１表に示した。」（第２頁右下欄第３行〜第３頁左上欄第１１行）
（４−Ｃ）「第１表」（第３頁右上欄）
３−５．甲第５号証の記載事項
　甲第５号証には、以下の事項が記載されている。
（５−Ａ）「本発明の黒鉛材料は、その全灰分（不純分）が５ｐｐｍ以下特に好ましくは１ｐｐｍ以下という極めて高純度のものであり、後記実施例からも明らかな通り、従来の黒鉛材料或いは従来法による高純度化黒鉛材料に比しその純度が極めて高い。」（第３頁左上欄第６行〜第１０行）
（５−Ｂ）「前記表１に於ける分析値に示す如く、本発明装置に適用される黒鉛材としては、高純度化反応装置から取り出された状態での全灰分量としては１ｐｐｍ以下、実質的に０ｐｐｍ（検出されない程度）に近いものであるが、取り出されたあと、包装、運送、引上げ装置内に装着する作業工程等において、取扱い中、若干の汚染は避けられず、このため少なくとも５ｐｐｍの高純度化炭素材を使用するものである。」（第６頁右下欄第１５行〜第７頁左上欄第３行）
（５−Ｃ）「また分析方法は発光分光分析法及び原子吸光分析法によった。数字の単位はｐｐｍ、（−）印は「検出されず」を表す。」（第６頁右下欄第１０行〜第１２行）
（５−Ｄ）「尚、本発明の何れの材料に於いても、全灰分が５ｐｐｍ以下であることが必要である。」（第６頁右下欄第１３行〜第１４行）
　
４．特許異議申立の判断
４−１．理由１−１について
４−１−１．本件第１発明及び本件第２発明について
　甲第１号証には、（１−Ａ）及び（１−Ｂ）の記載からみて、炭素材料の黒鉛化工程では、大部分の不純物は高温度によって揮発し純度は著しく向上すること、不純物をきらう原子炉用黒鉛やＳｉ、Ｇｅなど高純度金属精錬用の黒鉛材料などには、更に、２，５００℃以上の高温でのハロゲンガスによる精製処理（純化）が一般的に行われていることが記載されており、そして、そのような高温純化による不純物の減少の一例として、総灰分が５ｐｐｍのものが記載されている。
　また、甲第１号証には、（１−Ｃ）及び（１−Ｄ）の記載からみて、半導体用シリコンの単結晶引き上げ装置（ＣＺ法）では、黒鉛るつぼ、黒鉛発熱体及び専ら黒鉛繊維が用いられる断熱材が使用されており、そこでは高純度黒鉛材料が要求されることも記載されている。
　そして、上記記載からみて、甲第１号証には、半導体用シリコンの単結晶引き上げ装置の黒鉛るつぼ、黒鉛発熱体及び専ら黒鉛繊維が用いられる断熱材の少なくとも１種に、高純度黒鉛材料が要求されることが記載されていると云え、そのような材料としては、例えば総灰分が５ｐｐｍに高純度化された高純度黒鉛材料があり、かつ、総灰分が５ｐｐｍに高純度化された高純度黒鉛材料は、その全部において全灰分が５ｐｐｍに高純度化されたものであることは明らかである。
　そこで、甲第１号証の記載事項を、本件第１発明の記載ぶりに則って整理すると、甲第１号証には、
「半導体用シリコンの単結晶引き上げ装置に於いて、黒鉛るつぼ、黒鉛発熱体及び専ら黒鉛繊維が用いられる断熱材の少なくとも１種が、その全部において全灰分が５ｐｐｍに高純度化された高純度黒鉛材料から成ることを特徴とする半導体用シリコンの単結晶引き上げ装置」
の発明が記載されていると云える。
　ここで、半導体用シリコンの単結晶引き上げ装置は、「単結晶引上装置」であり、黒鉛るつぼ、黒鉛発熱体及び専ら黒鉛繊維が用いられる断熱材は、それぞれ「黒鉛ルツボ」、「黒鉛ヒータ」及び「黒鉛保温筒」と云えるものであって、「その全部において全灰分が５ｐｐｍに高純度化された高純度黒鉛材料」は、「その全部において全灰分が５ｐｐｍ以下に高純度化された高純度黒鉛材料」と云えるから、そうすると、甲第１号証には、
「単結晶引上装置に於いて、黒鉛ルツボ、黒鉛ヒーター及び黒鉛保温筒の少なくとも１種が、その全部において全灰分が５ｐｐｍ以下に高純度化された高純度黒鉛材料から成ることを特徴とする単結晶引上装置」
の発明が記載されていると云える。
　そして、本件第１発明と甲第１号証に記載された発明とを比較すると、両者は、「単結晶引上装置に於いて、黒鉛ルツボ、黒鉛ヒーター及び黒鉛保温筒の少なくとも１種が、その全部において全灰分が５ｐｐｍ以下に高純度化された高純度黒鉛材料から成ることを特徴とする単結晶引上装置」である点で一致し、高純度黒鉛材料が、前者においては、「高純度化処理後の作業工程により汚染される部分を除く深層部の全灰分が１ｐｐｍ以下に高純度化」されているのに対して、後者においては、「高純度化処理後の作業工程により汚染される部分を除く深層部の全灰分が１ｐｐｍ以下に高純度化」されているとは云えない点で相違している。
　以下、上記相違点について検討する。
　甲第２号証には、（２−Ａ）の記載からみて、「不純物」を一ｐｐｍ（百万分の一）以下にした「超高純度黒鉛」が記載されており、当該「超高純度黒鉛」は、（２−Ｂ）の記載からみて、含有する「不純物濃度」が一ｐｐｍ以下となっており、かつ「灰分」が全く検出されないものである。
　甲第３号証には、（３−Ａ）の記載からみて、高純度黒鉛材料を包装、運送等する場合に、「汚染因子が材料の深層部にまで至らず、表面部分のみが汚染される」ことは、「当業者にとって常識」であった旨が記載されている。
　甲第４号証には、（４−Ａ）の記載からみて、見掛比重１．７５以上及び真比重２．１５以上の黒鉛材を用いた肉厚１０ｍｍ以上の炭素材精製用黒鉛容器が記載されており、当該炭素材精製用黒鉛容器で精製処理した炭素材は、（４−Ｂ）及び（４−Ｃ）の記載からみて、「発光分光分析」により分析した中心部の「全不純物」が１ｐｐｍ、表面部の「全不純物」が３ｐｐｍとなるものである。
　ここで、本件第１発明における高純度黒鉛材料は、「高純度化処理後の作業工程により汚染される部分を除く深層部の全灰分が１ｐｐｍ以下に高純度化」されているものであり、ここでいう「全灰分」とは、本件特許明細書の「因に、前記試料Ａ、Ｂ及びＣの全灰分量は、日本工業規格（ＪＩＳ）Ｒ７２２３−１９７９に準拠して測定して、夫々１ｐｐｍ、１０ｐｐｍ、４１０ｐｐｍであり、従って試料Ａは本発明範囲内、試料Ｂ及びＣは本発明範囲外である。」（段落【００３７】）という記載からみて、日本工業規格（ＪＩＳ）Ｒ７２２３−１９７９に準拠して測定したものであるが、甲第２号証乃至甲第４号証には、そのような「全灰分」に関して、高純度黒鉛材料を、「高純度化処理後の作業工程により汚染される部分を除く深層部の全灰分が１ｐｐｍ以下に高純度化」することは、記載も示唆もされていない。
　すなわち、甲第２号証には、「超高純度黒鉛」の「不純物」を一ｐｐｍ以下とすることが記載されているが、上記「不純物」は、具体的な分析方法が不明であるから、本件第１発明における「全灰分」に相当するものとは云えないし、かつ、「不純物」の量と「灰分」の量とは必ずしも一致するものではない。
　また、甲第２号証には、「超高純度黒鉛」において「灰分」が全く検出されない旨が記載されているが、「超高純度黒鉛」において「灰分」が検出されるか否かは、検出精度等により変化し得るものである。
　そうすると、甲第２号証に、「超高純度黒鉛」の「不純物」を一ｐｐｍ以下とすること、及び「超高純度黒鉛」において「灰分」が全く検出されないことが記載されているとしても、当該記載から、甲第２号証に記載された「超高純度黒鉛」が、「高純度化処理後の作業工程により汚染される部分を除く深層部の全灰分が１ｐｐｍ以下に高純度化」されていると、直ちに云うことはできない。
　甲第３号証は、平成１４年１０月１１日に提出された意見書であり、本件出願前に頒布された刊行物とは云えないものであって、かつ、甲第３号証には、本件出願前に、高純度黒鉛材料を包装、運送等する場合に、「汚染因子が材料の深層部にまで至らず、表面部分のみが汚染される」ことが「当業者にとって常識」であったことを証明するに足る証拠が示されているわけでもないから、甲第３号証は、本件出願前に、高純度黒鉛材料を包装、運送等する場合に、「汚染因子が材料の深層部にまで至らず、表面部分のみが汚染される」ことが「当業者にとって常識」であったことを示すものではない。
　甲第４号証には、中心部の「全不純物」が１ｐｐｍ、表面部の「全不純物」が３ｐｐｍである「炭素材」が記載されているが、当該「全不純物」は、「発光分光分析」により分析したものであるから、本件第１発明における「全灰分」に相当するものとは云えないし、そのような「全不純物」の量と「灰分」の量とは必ずしも一致するものではないから、甲第４号証に記載された「炭素材」もまた、「高純度化処理後の作業工程により汚染される部分を除く深層部の全灰分が１ｐｐｍ以下に高純度化」されていると云えるものではない。
　そうすると、甲第２号証乃至甲第４号証には、高純度黒鉛材料を「高純度化処理後の作業工程により汚染される部分を除く深層部の全灰分が１ｐｐｍ以下に高純度化」することが、記載も示唆もされていないのであるから、甲第１号証に記載された発明において、高純度黒鉛材料を「高純度化処理後の作業工程により汚染される部分を除く深層部の全灰分が１ｐｐｍ以下に高純度化」することを、甲第２号証乃至甲第４号証の記載に基づいて、当業者が容易になし得るとは云えない。
　そして、本件第１発明は、高純度黒鉛材料において上記の構成を採用することにより、明細書記載の効果を奏するものである。
　したがって、本件第１発明を、甲第１号証乃至甲第４号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたとは云えない。
　また、本件第２発明は、本件第１発明において、「深層部」を、「減圧下で不活性ガスにより置換され、常圧に戻されている」ものとするものであり、上記のとおり、本件第１発明は、甲第１号証乃至甲第４号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたとは云えないものであるから、本件第２発明も、これと同様に、甲第１号証乃至甲第４号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたとは云えない。
４−１−２．本件第３発明及び本件第４発明について
　甲第２号証の記載から、甲第２号証に記載された「超高純度黒鉛」が「高純度化処理後の作業工程により汚染される部分を除く深層部の全灰分が１ｐｐｍ以下に高純度化」されていると、直ちに云うことはできないこと、及び、甲第４号証に記載された「炭素材」もまた、「高純度化処理後の作業工程により汚染される部分を除く深層部の全灰分が１ｐｐｍ以下に高純度化」されているとは云えないことは、「４−１−１．本件第１発明及び本件第２発明について」に記載したとおりである。
　そうすると、本件第３発明と甲第２号証及び甲第４号証に記載された発明とを比較した場合、両者は、少なくとも、高純度黒鉛材料が、前者においては「材料の高純度化処理後の作業工程により汚染される部分を除く深層部の全灰分が１ｐｐｍ以下に高純度化」されているのに対して、後者においては「材料の高純度化処理後の作業工程により汚染される部分を除く深層部の全灰分が１ｐｐｍ以下に高純度化」されたものとは云えない点で相違していることは、明らかである。
　そうすると、本件第３発明が、甲第２号証及び甲第４号証に記載された発明であるとは云えない。
　更に、高純度黒鉛材料を「材料の高純度化処理後の作業工程により汚染される部分を除く深層部の全灰分が１ｐｐｍ以下に高純度化」することを、甲第２号証乃至甲第４号証の記載に基づいて当業者が容易になし得るとは云えないこともまた、「４−１−１．本件第１発明及び本件第２発明について」に記載したとおりであるから、本件第３発明を、甲第２号証又は甲第４号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたとも云えない。
　また、本件第４発明は、本件第３発明において、「深層部」を、「減圧下で不活性ガスにより置換され、常圧に戻されている」ものとするものであり、上記のとおり、本件第３発明は、甲第２号証又は甲第４号証に記載された発明であるとも、甲第２号証又は甲第４号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたとも云えないものであるから、本件第４発明も、これと同様に、甲第２号証又は甲第４号証に記載された発明であるとも、甲第２号証又は甲第４号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたとも云えない。
　なお、甲第１号証の記載内容についても検討しておくと、甲第１号証には、
「単結晶引上装置に於いて、黒鉛ルツボ、黒鉛ヒーター及び黒鉛保温筒の少なくとも１種が、その全部において全灰分が５ｐｐｍ以下に高純度化された高純度黒鉛材料から成ることを特徴とする単結晶引上装置」
の発明が記載されていると云えることは、「４−１−１．本件第１発明及び本件第２発明について」に記載したとおりであるが、上記甲第１号証に記載された発明中の「黒鉛ルツボ、黒鉛ヒーター及び黒鉛保温筒の少なくとも１種」は、「高純度黒鉛材料」と云えるものであり、当該「高純度黒鉛材料」は、「その全部において全灰分が５ｐｐｍ以下に高純度化された高純度黒鉛材料」であるのだから、甲第１号証には、
「材料の全部において全灰分が５ｐｐｍ以下に高純度化された高純度黒鉛材料」
の発明が記載されていると云える。
　そして、本件第３発明と甲第１号証に記載された発明とを比較した場合、両者は、「材料の全部において全灰分が５ｐｐｍ以下に高純度化された高純度黒鉛材料」である点で一致しており、高純度黒鉛材料が、前者においては、「材料の高純度化処理後の作業工程により汚染される部分を除く深層部の全灰分が１ｐｐｍ以下に高純度化」されているのに対して、後者においては、「材料の高純度化処理後の作業工程により汚染される部分を除く深層部の全灰分が１ｐｐｍ以下に高純度化」されているとは云えない点で相違しているが、上記相違点は、「４−１−１．本件第１発明及び本件第２発明について」に記載した相違点と同じであるから、「４−１−１．本件第１発明及び本件第２発明について」に記載したのと同じ理由により、本件第３発明を、甲第１号証乃至甲第４号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたとは云えない。
４−２．理由１−２について
　特許異議申立人は、甲第５号証の（５−Ａ）乃至（５−Ｃ）の記載からみて、特許権者は、親出願の出願当初、「全灰分」と「不純分」とを同義語として用いており、「灰分」、「灰分量」、「不純分」、「不純物量」といった用語は、全て「発光分光分析法及び原子吸光分析法によって測定される不純物量」であると推認されるから、親出願の出願当初の明細書には、実質的に全灰分５ｐｐｍ以下の黒鉛材料について開示されていたとは云えないところ、親出願は、平成５年６月３０日付けの手続補正書により、試料Ａ乃至Ｃの全灰分量を日本工業規格に準拠して測定して、その測定結果を追加する補正がなされており、当該補正は明細書の要旨を変更する補正にあたるから、親出願の出願日は上記手続補正書が提出された平成５年６月３０日となり、そうすると、本件の出願日も平成５年６月３０日となるから、本件第１発明乃至本件第４発明は、甲第５号証に記載された発明に対して進歩性がない旨主張する。
　以下、上記主張について検討すると、先ず、甲第５号証には、「灰分」、「全灰分」という用語と「不純分」、「不純物量」という用語とを同義語として用いる旨は明記されていない。
　また、「灰分」とは、一般的には、「有機質が灰化されてあとに残った無機質または不燃性残留物をいう」（平成１６年９月６日に提出された特許異議意見書に添付された乙第２号証参照）ものであって、「発光分光分析法及び原子吸光分析法」により分析された「不純分」、「不純物量」を、通常「灰分」とは云わないことは、技術常識からみて明らかである。
　更に、「灰分」は、「有機物または生体中に天然に含まれている無機物だけでなく、不純物として混ざっているものの量をも示す」（上記乙第２号証参照）ものであることからみて、例えば甲第５号証（５−Ａ）の「全灰分（不純分）」という記載は、「全灰分」として示される「不純分」を意味し、（５−Ｂ）の記載は、甲第５号証に記載の発明に係る試料において、「発光分光分析法及び原子吸光分析法」により分析された「不純分」、「不純物量」が極めて少ないことから、当該試料の「全灰分量」は「１ｐｐｍ以下、実質的に０ｐｐｍ（検出されない程度）に近い」ことを開示した記載とみるのが妥当であり、（５−Ｃ）の記載は「不純物量」の測定方法を開示した記載にすぎないから、当該（５−Ａ）乃至（５−Ｃ）の記載が、甲第５号証において、「灰分」、「全灰分」という用語と「不純分」、「不純物量」という用語とを同義語として用いる旨を意味しているとは云えない。
　故に、「灰分」、「灰分量」、「不純分」、「不純物量」といった用語が、全て「発光分光分析法及び原子吸光分析法によって測定される不純物量」であると推認できるものではない。
　加えて、（５−Ｄ）の記載からみれば、親出願の出願当初の明細書には、実質的に全灰分５ｐｐｍ以下の黒鉛材料について開示されており、かつ、黒鉛素材の灰分の測定方法は日本工業規格に規定があるのであるから、甲第５号証に記載された発明においても、「灰分」を日本工業規格の規定に準拠して測定すべきことは当業者にとって明らかであって、その測定結果を明細書に追加する補正をしたとしても、当該補正が明細書の要旨を変更すると直ちに云えるものでもないから、親出願において、平成５年６月３０日付けの手続補正書によりした補正が、明細書の要旨を変更するものとまで云うことはできない。
　そうすると、親出願の出願日も、本件の出願日も、平成５年６月３０日となることはないから、本件第１発明乃至本件第４発明が、甲第５号証に記載された発明により進歩性がないとすることはできない。
４−３．理由１−１及び理由１−２についてのむすび
　以上のとおりであるから、本件第１発明及び本件第２発明が、甲第１号証乃至甲第３号証に記載された発明、又は、甲第１号証及び甲第４号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとも、本件第３発明及び本件第４発明が、甲第２号証又は甲第４号証に記載された発明であるか、又は甲第２号証及び甲第４号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとも、云うことはできない。
　また、本件第１発明乃至本件第４発明の進歩性は、甲第５号証により否定されるものでもない。
　故に、本件第１発明乃至本件第４発明が、特許法第２９条第１項第３号又は第２項の規定により特許を受けることができないものであるとは云えない。
４−４．理由２について
　特許異議申立人は、本件第１発明及び本件第３発明に記載された「深層部の全灰分」について、本件特許明細書には、汚染された部分とその部分を除く「深層部」とをどのように区別して試料を採取するかについて規定されていないので、本件特許明細書には当業者が容易に実施できる程度に発明が記載されていない旨主張する。
　そこで、上記「深層部」について、本件特許明細書の記載をみると、本件特許明細書には、
「前記表１に於ける分析値に示す如く、本発明装置に適用される黒鉛材としては、高純度化反応装置から取り出された状態での全灰分量としては１ｐｐｍ以下、実質的に０ｐｐｍ（検出されない程度）に近いものであるが、取り出されたあと、包装、運送、引上げ装置内に装着する作業工程等において、取扱い中、若干の汚染は避けられず、このため少なくとも５ｐｐｍの高純度化炭素材を使用するものである。
　すなわち、本発明の高純度黒鉛材料では、その全部において全灰分が５ｐｐｍ以下あるとともに、深層部の全灰分が１ｐｐｍ以下に高純度化されたものになっている。また、全灰分５ｐｐｍ以下に高純度化され、前記高純度化の処理時に内部に残存する処理ガスが不活性ガスと置換されている。」（段落【００３８】）
と記載されている。
　そして、上記記載からみて、本件第１発明及び本件第３発明に記載された「高純度黒鉛材料」は、高純度化反応装置から取り出された状態での全灰分量としては１ｐｐｍ以下、実質的に０ｐｐｍに近いものであるが、取り出されたあと、包装、運送、引上げ装置内に装着する作業工程等において、取扱い中、若干の汚染は避けられないので、上記「高純度黒鉛材料」では、その全部において全灰分が５ｐｐｍ以下あるとともに、深層部の全灰分が１ｐｐｍ以下に高純度化されたものとしているのである。
　ここで、上記汚染は、若干汚染する程度のものであって、「高純度黒鉛材料」の表面から内部に向かって拡散するものであるから（（３−Ａ）参照）、本件特許明細書においては、上記「高純度黒鉛材料」内部の、汚染されずに、全灰分が１ｐｐｍ以下に高純度化されたままの部分を指して「深層部」としていることは明らかであって、上記「深層部」は、「高純度黒鉛材料」の汚染されたと考えられる部分を切断する等適宜な方法で除去し、残りの部分の灰分量を測定することで確認できることもまた明らかである。
　かつ、本件特許明細書の段落【００３７】には、試料の灰分の測定は日本工業規格に準拠する旨が記載されているのであるから、そうすると、汚染された部分とその部分を除く「深層部」とをどのように区別するかについて、本件特許明細書に、当業者が容易に実施できる程度に発明が記載されていないとまでは云えない。
　以上のとおりであるから、本件特許明細書は、当業者が容易にその発明を実施し得る程度に記載されていないとは云えないから、特許法第３６条第３項の規定に違反するものであるとは云えない。
　
５．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立の理由及び証拠によっては本件第１発明乃至本件第４発明についての特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件第１発明乃至本件第４発明についての特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１６年９月１７日（２００４．９．１７）