(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
フォトリソグラフィに用いるレジスト液を保管するレジスト液保管容器であって、
レジスト液を貯留する収容部を有する可撓性の袋部と、
前記収容部に連通し、前記収容部にレジスト液を注入する注入管と、
前記収容部に連通し、前記収容部に貯留されたレジスト液をレジスト液保管容器の外へ排出する排出管と、
前記注入管と前記排出管を保持するための保持部材と、を備え、
前記注入管及び前記排出管が前記収容部に連通した状態で、前記保持部材が前記袋部に装着されているとともに、
前記袋部に、前記保持部材と係合して、前記保持部材を前記袋部に装着するための係合保持部を設けた
レジスト液保管容器。
【請求項２】
フォトリソグラフィに用いるレジスト液を保管するレジスト液保管容器であって、
レジスト液を貯留する収容部を有する可撓性の袋部と、
前記収容部に連通し、前記収容部にレジスト液を注入する注入管と、
前記収容部に連通し、前記収容部に貯留されたレジスト液をレジスト液保管容器の外へ排出する排出管と、
前記注入管と前記排出管を保持するための保持部材と、を備え、
前記注入管及び前記排出管が前記収容部に連通した状態で、前記保持部材が前記袋部に装着されているとともに、
前記保持部材は、上面部と側面部を有する円筒形状であって、前記注入管が前記上面部に保持され、前記排出管が前記側面部に保持されている
レジスト液保管容器。
【請求項３】
フォトリソグラフィに用いるレジスト液を保管するレジスト液保管容器であって、
レジスト液を貯留する収容部を有する可撓性の袋部と、
前記収容部に連通し、前記収容部にレジスト液を注入する注入管と、
前記収容部に連通し、前記収容部に貯留されたレジスト液をレジスト液保管容器の外へ排出する排出管と、
前記注入管と前記排出管を保持するための保持部材と、を備え、
前記注入管及び前記排出管が前記収容部に連通した状態で、前記保持部材が前記袋部に装着されているとともに、
前記収容部における前記注入管の先端が、前記排出管の先端よりも前記保持部材側に位置するように配置されている
レジスト液保管容器。
【請求項４】
フォトリソグラフィに用いるレジスト液を保管するレジスト液保管容器であって、
レジスト液を貯留する収容部を有する可撓性の袋部と、
前記収容部に連通し、前記収容部にレジスト液を注入する注入管と、
前記収容部に連通し、前記収容部に貯留されたレジスト液をレジスト液保管容器の外へ排出する排出管と、を備え、
前記注入管の中心軸と前記排出管の中心軸が一致するように配置され、かつ、前記注入管の直径が前記排出管の直径よりも大きい
レジスト液保管容器。
【請求項５】
請求項１〜４に記載のレジスト液保管容器と、
充満される温調液で前記レジスト液保管容器を浸漬させるための液槽と、
前記液槽に充満された温調液を循環させる温調液循環手段と、
前記充満された温調液の温度を制御する温度制御手段と、
前記レジスト液保管容器内のレジスト液をレジスト液塗布装置に供給するための供給手段と、を備える
レジスト液供給装置。
【請求項６】
請求項１〜４に記載のレジスト液保管容器と、
充満される温調液で前記レジスト液保管容器を浸漬させるための液槽と、
前記液槽に充満された温調液を循環させる温調液循環手段と、
前記充満された温調液の温度を制御する温度制御手段と、
前記レジスト液保管容器内のレジスト液をレジスト液塗布装置に供給するための供給手段と、  前記供給手段により供給されたレジスト液を基板表面に滴下させる滴下ノズルと、を備える
レジスト液塗布装置。
【請求項７】
請求項１〜４に記載のレジスト液保管容器と、
充満される温調液で前記レジスト液保管容器を浸漬させるための液槽と、
前記液槽に充満された温調液を循環させる温調液循環手段と、
前記充満された温調液の温度を制御する温度制御手段と、を備える
レジスト液保存装置。
【請求項８】
基板の一面にパターン形成用の薄膜を形成する工程と、レジスト液塗布装置を用いてレジスト液を前記薄膜の表面に塗布して定着させる工程と、を含む、マスクブランクの製造方法であって、
レジスト液が保管される請求項１〜４に記載のレジスト液保管容器内のレジスト液を排出管と注入管を用いて循環させるステップと、
前記レジスト液保管容器が浸漬された浴槽内の温調液を循環させるステップと、
前記浴槽内の前記温調液の温度をレジスト液の塗布に適合する温度に制御するステップと、
前記塗布に適合する温度のレジスト液を前記レジスト液塗布装置に供給するステップと、を含む、
マスクブランクの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フォトリソグラフィのパターン形成に用いるレジスト液を保管するレジスト液保管容器、レジスト液保管容器からレジスト液を供給するレジスト液供給装置、レジスト液供給装置からレジスト液の供給を受けて基板等にレジスト液を塗布するレジスト液塗布装置、レジスト液保管容器のレジスト液を適正な状態に保存するレジスト液保存装置、及びマスクブランクの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
フラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ：Flat Panel Display）などに代表される半導体デバイスの製造、磁気ディスクや光ディスクなどの微細構造物の形成・加工において、高感度なレジスト液が用いられる。また、フォトマスクプロセスにおけるマスクブランクへのレジスト液の塗布は、スピンコーティング法により行われる。スピンコーティング法では、スピンコータ上に対象基板を設置し、その基板表面にレジスト液塗布装置のノズルからレジスト液を所定量だけ滴下した後にスピンコータを高速に回転させることで、レジスト液を拡散塗布させる。
【０００３】
レジスト液は、静止状態にあるとゲル状の不溶解物が発生する場合がある。ゲル化した不溶解物が発生したレジスト液を拡散塗布する際に、そのゲル化した不溶解物が基板表面に付着すると異物となってしまい、微細構造物の基になるレジストパターンに欠陥が生じることになる。ゲル状の不溶解物の発生を抑制するには、レジスト液の循環濾過が有効である。その例として、ガラス等で成形されたボトル状のレジスト液の保管容器内でレジスト液を循環させる循環濾過装置を組み込んだレジスト液供給装置が知られている（例えば特許文献１参照）。
【０００４】
この特許文献１に記載されたレジスト液供給装置においては、ボトル状の保管容器内のレジスト液が減少すると保管容器の上部に空間が発生する。そして、この空間に入り込んだ空気によって、保管容器内に残されたレジスト液が酸化して、感度が変化してしまうという問題がある。
【０００５】
一方、レジスト液の保管容器の形状としては、上述したボトル形状の他に、空気が入り込まないようにフィルム等で成形された可撓性を有する袋状のものが多数知られている（例えば、特許文献２）。さらに、袋状の保管容器内に１本のパイプを挿入し、容器外からレジスト液を導入及び容器内からレジスト液を排出して、保管容器内のレジスト液を循環させる装置が開示されている（特許文献３）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１４−６３８０７号公報
【特許文献２】国際公開第１９８９／０７５７５号
【特許文献３】特開平９−９５５６５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、上述した特許文献３に記載された装置では、容器内に挿入されたパイプの先端の位置は固定されている。このため、常に同じ位置からレジスト液が容器内に導入され、また、常に同じ位置から容器内のレジスト液が排出される。従って、パイプ先端付近のレジスト液は移動により撹拌されるが、パイプ先端から離れた場所ではレジスト液は移動せず滞留する。すなわち、パイプ先端から離れた場所では、十分にレジスト液を撹拌することができず、暗反応によるレジスト液のゲル化が発生するという問題がある。
【０００８】
また、特許文献３に記載された装置では、パイプが１本であるため、レジスト液を容器内に導入している時には、レジスト液を容器外へ排出することができず、レジスト液を容器外へ排出している時には、レジスト液を容器内へ導入することができない。すなわち、容器内におけるレジスト液の移動方向は、導入方向か排出方向の一方向に限られ、効率よくレジスト液を撹拌することができず、レジスト液のゲル化が生じるおそれがある。
【０００９】
本発明は、このような課題を解決するためになされたものであり、可撓性を有するレジスト液の保管容器において、容器内のレジスト液を効率よく循環できるレジスト液保管容器、レジスト液供給装置、レジスト液塗布装置、レジスト液保存装置を提供することを目的とする。また、本発明は、マスクブランクの製造方法を提供することも目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するために、例えば特許請求の範囲に記載の構成を採用する。本願発明に係るレジスト液保管容器は、フォトリソグラフィに用いるレジスト液を保管するレジスト液保管容器であって、レジスト液を貯留する収容部を有する可撓性の袋部と、収容部に連通してレジスト液を注入する注入管と、収容部に連通して収容部に貯留されたレジスト液をレジスト液保管容器の外へ排出する排出管と、を備える。
【００１１】
また、本願発明に係るレジスト液供給装置は、フォトリソグラフィに用いるレジスト液を貯留する収容部を有する可撓性の袋部と、収容部に連通して収容部にレジスト液を注入する注入管と、収容部に連通して収容部に貯留されたレジスト液を収容部の外へ排出する排出管と、を備えたレジスト液保管容器と、充満される温調液でレジスト液保管容器を浸漬させるための液槽と、液槽に充満された温調液を循環させる温調液循環手段と、充満された温調液の温度を制御する温度制御手段と、レジスト液保管容器内のレジスト液をレジスト液塗布装置に供給するための供給手段と、を備える。
【００１２】
また、本願発明に係るレジスト液塗布装置は、フォトリソグラフィに用いるレジスト液を貯留する収容部を有する可撓性の袋部と、収容部に連通して収容部にレジスト液を注入する注入管と、収容部に連通して収容部に貯留されたレジスト液を収容部の外へ排出する排出管と、を備えたレジスト液保管容器と、充満される温調液でレジスト液保管容器を浸漬させるための液槽と、液槽に充満された温調液を循環させる温調液循環手段と、充満された温調液の温度を制御する温度制御手段と、レジスト液保管容器内のレジスト液をレジスト液塗布装置に供給するための供給手段と、記供給手段により供給されたレジスト液を基板表面に滴下させる滴下ノズルと、を備える。
【００１３】
また、本願発明のレジスト液保存装置は、フォトリソグラフィに用いるレジスト液を貯留する収容部を有する可撓性の袋部と、収容部に連通して収容部にレジスト液を注入する注入管と、収容部に連通して収容部に貯留されたレジスト液を収容部の外へ排出する排出管と、を備えたレジスト液保管容器と、充満される温調液でレジスト液保管容器を浸漬させるための液槽と、液槽に充満された温調液を循環させる温調液循環手段と、充満された温調液の温度を制御する温度制御手段と、を備える。
【００１４】
また、本願発明に係るマスクブランクの製造方法は、基板の一面にマスクパターン形成用の薄膜を成膜する工程と、レジスト液塗布装置によりレジスト液を前記薄膜の表面に塗布して定着させる工程と、を含み、レジスト液が貯留されるレジスト液保管容器内のレジスト液を排出管と注入管を用いて循環させるステップと、レジスト液保管容器が浸漬された浴槽内の温調液を循環させるステップと、液槽内の前記温調液の温度をレジスト液の塗布に適合する温度に制御するステップと、塗布に適合する温度のレジスト液をレジスト液塗布装置に供給するステップと、を含む。
【発明の効果】
【００１５】
本発明に係るレジスト液保管容器によれば、容器内に保管されたレジスト液を効率よく循環し、レジスト液のゲル化を抑えることができる。また、本発明に係るレジスト液保管容器によれば、レジスト液保管容器の容量以下のレジスト液を保管した場合でも、空気等が容器内に侵入することを防ぎ、レジスト液成分と酸素等の暗反応に伴う感度変化も効果的に抑えることができる。
【００１６】
また、本発明に係るレジスト液供給装置によれば、レジスト液保管容器内に保管されたレジスト液のゲル化を抑えた状態でレジスト液をレジスト液塗布装置等に供給することができる。また、本発明に係るレジスト液供給装置によれば、供給したレジスト液に代わって空気がレジスト液保管容器内に入らないので、レジスト液成分と酸素等の暗反応に伴うレジスト感度変化も効果的に抑することができる。
【００１７】
また、本発明に係るレジスト液塗布装置によれば、レジスト液保管容器内に保管されたレジスト液のゲル化を抑えた状態でレジスト液を基板等に塗布することができる。したがって、本発明に係るレジスト液塗布装置によれば、ゲル化に伴う不溶解物が発生しないので、前記不溶解物が基板上に吐出されず、異物の少ないレジスト層を形成できる。さらに、本塗布装置によれば、レジスト液保管容器内に空気が入らないことで、レジスト液と酸素等との暗反応も抑えることができる。したがって、本発明に係るレジスト液塗布装置は、感度安定性に優れたレジスト液が基板上に常に供給されるので、形成されたレジスト層は枚葉ごとの基板で感度のばらつきが生じない。
【００１８】
また、本発明に係るレジスト液保存装置によれば、レジスト液保管容器内に保管されたレジスト液のゲル化を抑えた状態でレジスト液を保存することができる。レジスト液と保管容器との間に空気が入ることを防ぎ、暗反応に伴うレジスト感度変化も効果的に抑することができる。
【００１９】
また、本発明に係るマスクブランク製造方法によれば、ゲル化が抑えられたレジスト液を用いてマスクブランクを製造することができるので、ゲル化不溶解物による異物欠陥の少ないレジスト層を有するマスクブランクを製造することができる。また、本方法によれば、レジスト液と空気（酸素）との接触が防止されるので、枚葉ごとの感度変動の少ないレジスト層を有するマスクブランクを製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の第１の実施形態に係るレジスト液保管容器の概略縦断面図である。
【図２】本発明の第１の実施形態に係る保持部材の正面図である。
【図３】本発明の第２の実施形態に係るレジスト液保管容器の概略縦断面図である。
【図４】レジスト液保管容器の収容部におけるレジスト液の流れを説明するための説明図である。
【図５】本発明の第２の実施形態に係るレジスト液保管容器の収容部におけるレジスト液の流れを説明するための説明図である。
【図６】本発明の第３の実施形態に係るレジスト液保管容器の概略縦断面図である。
【図７】本発明の第３の実施形態に係る注入管及び排出管の横断面図である。
【図８】本発明の第３の実施形態に係るレジスト液保管容器の収容部におけるレジスト液の流れを説明するための説明図である。
【図９】本発明に係るレジスト液保存装置、レジスト液供給装置及びレジスト液塗布装置の構成を示す概略図である。
【図１０】可撓性を有する袋部を使用したレジスト液保管容器を用いて行った感度経時変化テストの結果を示すグラフである。
【図１１】本発明に係るマスクブランク製造方法の工程フロー図である。
【図１２】位相シフトマスクを製造する工程を示す断面模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、図面を参照して本発明を実施するための形態を説明する。
【００２２】
［レジスト液保管容器の第１実施形態］
図１は、本発明の第１の実施形態に係るレジスト液保管容器１の概略縦断面図であり、図２は、本発明の第１の実施形態に係る保持部材４の正面図である。
【００２３】
＜全体構成＞
本実施形態に係るレジスト液保管容器１は、レジスト液を貯留する収容部２ａを有する袋部２と、袋部２に設けられ、収容部２ａに連通する開口部３ａを有する口金部材３と、口金部材３と嵌合した保持部材４と、を有している。
【００２４】
＜袋部＞
袋部２は、フィルム同士を対向するように重ね合わせて、その四辺をヒートシールすることにより内部にレジスト液を貯留する収容部２ａが形成される。袋部２は、矩形の扁平形状に形成されている。また、収納部２ａの角部を弧状に形成し、レジスト液が角部に残りにくくしている。なお、本実施形態では、フィルム同士を対向させて四辺をヒートシールしているが、これに限定されるものではない。さらに、フィルムの底部にマチを形成してもよい。また、レジスト液の使用効率を上げるために袋の底辺を底方向に向けて凸となる曲線状やテーパー状に形成してもよい。
【００２５】
フィルムの材質としては、例えば、ポリエチレンやポリプロピレン等の炭化水素系ポリマーシートを用いることができる。フィルムの構造としては、単層フィルムの他に多層フィルムを用いてもよい。例えば、酸素や水蒸気等のガスを遮断する高気密性フィルムや遮光性を有する機能性フィルムを別途設けてもよい。
【００２６】
＜口金部材＞
係合保持部としての口金部材３は、袋部２の収容部２ａと連通する開口部３ａを有する円筒状の部材である。口金部材３の開口部３ａは、口金部材３と保持部材４とが嵌合する際に、保持部材４の係合部４ｂと係合する。口金部材３は、図１に示すように、袋部２ａの上部のフィルムに熱融着されている。
口金部材３は、好ましくは射出成形法にて製造される。これに用いる樹脂としては射出成形可能な樹脂であれば特に限定するものではないが、通常は高温時でも剛性があり、低温時において脆化し難い高密度ポリエチレンが好ましい。
【００２７】
＜保持部材＞
保持部材４は、口金部材３と嵌合した際に袋部２の外へ突出する頭部４ａと、口金部材３の開口部３ａに挿入され、その先端が袋部２の収容部２ａに位置する係合部４ｂとからなる。図１に示すように、口金部材３の開口部３ａと保持部材４の係合部４ｂとが係合し、保持部材４は口金部材３に嵌合されている。
【００２８】
図２に示すように、保持部材４の頭部４ａは、円筒状に形成されており、頭部４ａの上面４ｃの中央付近には、排出管８を挿入するための排出管孔８ａが形成されている。排出管孔８ａは、保持部材４を軸方向に貫通するように形成されている。また、排出管孔８ａの径は、排出管８の外径よりもやや小さくなるように形成されている。これにより、排出管孔８ａに挿入された排出管８を所定の位置に保持することができるとともに、排出管８が保持部材４に装着された状態であってもレジスト液保管容器１の内部を液密な状態に保つことができる。
【００２９】
保持部材４の頭部４ａの側周面４ｄには、注入管９を挿入するための注入管孔９ａが形成されている。注入管孔９ａは、保持部材４の軸方向と垂直な方向に伸びるように形成されている。また、注入管孔９ａの径は、注入管９の外径よりもやや小さくなるように形成されている。これにより、注入管孔９ａに挿入された注入管９を所定の位置に保持することができるとともに、注入管９が保持部材４に装着された状態であってもレジスト液保管容器１の内部を液密な状態に保つことができる。
【００３０】
保持部材４の係合部４ｂは、頭部４ａの下部に連接し、頭部４ａの径よりもやや小さい径を有する円筒状に形成されている。係合部４ｂの外径は、口金部材３の開口部３ａの径よりもやや大きくなるように形成されている。これにより、保持部材４と口金部材３とを嵌合させた際に、レジスト液保管容器１の内部を液密に保つことができる。なお、係合部４ｂと口金部材３との間にＯリングを配置し、液密性を向上させてもよい。また、保持部材４の頭部４ａと係合部４ｂとの間には、段差４ｅが形成されている。この段差４ｅが口金部材３の開口部３ａの縁部に係止されることにより、保持部材４と口金部材３とを嵌合させる際に、保持部材４を必要以上に口金部材３に押し込んでしまうことを防止できる。
【００３１】
保持部材４の内部には、円筒形状の空間部５が形成されている。空間部５の下方は収容部２ａと連通しており、空間部５の上方は排出管孔８ａ及び注入管孔９ａと連通している。また、空間部５の径は、排出管８の外径よりも大きくなるように形成されている。これにより、排出管８が保持部材４に装着されている状態においても、排出管８と保持部材４の内壁との間には、レジスト液が流れる隙間が確保される。
【００３２】
保持部材４は、好ましくは射出成形法にて製造される。これに用いる樹脂としては射出成形可能な樹脂であれば特に限定するものではないが、通常は高温時でも剛性があり、低温時において脆化し難い高密度ポリエチレンが好ましい。
【００３３】
図１に示すように、保持部材４の頭部４ａの上面４ｃに形成された排出管孔８ａには、保持部材４の軸方向に排出管８が挿入されている。排出管８は、細いパイプで構成されており、排出管８の先端部にはテーパ８ｂが形成されている。先端にテーパ８ｂを形成することにより、排出管８の先端を袋部２の底部近傍に位置させた場合であっても、収容部２ａの底部付近に残されたレジスト液を排出することができる。排出管８の他端は、後述するポンプ３１に接続されている。
【００３４】
保持部材４の側周面４ｄに形成された注入管孔９ａには、保持部材４の軸方向と垂直な方向に注入管９が挿入されている。注入管９は細いパイプで構成されており、注入管９の先端が空間部５の手前に位置するように配置される。すなわち、注入管９は、空間部５内にある排出管８と接触することなく、保持部材の空間部５、すなわち、排出管８と保持部材４の内壁との間に形成されている空間に連通している。注入管９の他端は、後述するポンプ３１に接続されている。
【００３５】
本実施形態では、保持部材４に装着される排出管８の挿入方向と注入管９の挿入方向とを異ならせることにより、排出管８と注入管９を二重管構造にする必要がない。これにより、レジスト液保管容器１の構造を簡単にすることができる。
【００３６】
排出管８及び注入管９の材質は、通常は高温時でも剛性があり、低温時において脆化し難い高密度ポリエチレンが好ましい。また、排出管８の先端を斜めに切断することにより、テーパ８ｂを形成する。
【００３７】
なお、保持部材４の頭部４ａの上面４ｃに傾斜部を形成してもよい。これにより、レバー等の器具を用いて保持部材４と口金部材３とを嵌合する作業を行う場合に、傾斜部の上方にできた空間部分に器具の一部を逃がすことができる。
【００３８】
＜レジスト液保管容器の組み立て＞
まず、保持部材４を口金部材３から外した状態で、口金部材３の開口部３ａからレジスト液を注入し、袋部２の収容部２ａにレジスト液を貯留する。レジスト液保管容器１をすぐに使用しない場合には、口金部材３の開口部３ａに栓をした状態で保管する。注入するレジスト液としては、通常のレジスト液の他に、高感度のレジスト液、特に化学増幅型レジスト液を用いてもよい。本実施形態のレジスト液保管容器１は、収容部２ａ内に空気が入りこむことがない可撓性の袋部２を備えているので、空気により酸化されやすい化学増幅型レジスト液も保管することができる。
【００３９】
レジスト液保管容器１を使用する場合には、開口部３ａの栓を取り外し、排出管８及び注入管９が装着された保持部材４を口金部材３に嵌合する。この際、排出管８の先端を開口部３ａから収容部２ａ内に挿入し、次に、保持部材４の係合部４ｂを、口金部材３の開口部３ａに係合させて、レジスト液保管容器１を組み立てる。このとき、排出管８は、排出管８の先端が袋部２の底部の近傍に位置するように保持部材４に装着されている。なお、排出管８の一部を屈曲させて、保持部材４の排出管孔８ａの縁部と係止させることで、収容部２ａにおける排出管８の先端の位置を規定してもよい。これにより、排出管８の先端を深く挿入しすぎることによる袋部２の損傷や、排出管８の先端を浅く挿入しすぎることによる収容部２ａ内におけるレジスト液の残存を防止できる。
【００４０】
図１のように組み立てられたレジスト液保管容器１を、後述するレジスト液供給装置、レジスト液塗布装置及びレジスト液保存装置にセットする。
【００４１】
収容部２ａに貯留されたレジスト液を循環させる場合には、注入管９の先端からレジスト液を吐出する。注入管９の先端から吐出されたレジスト液は、保持部材４に形成された空間部５を通り、袋部２の収容部２ａへ移動する。そして、排出管８の先端から排出管８の内部に吸い込まれてレジスト液保管容器１の外部に排出される。このように、注入管９から注入されたレジスト液が、排出管８から収容容器１の外に排出されることによるレジスト液の移動にともない、収容部２ａに貯留されたレジスト液が撹拌される。このように、本実施形態のレジスト液保管容器１を用いることにより、収容部２ａ内でレジスト液が滞留することがなくなるので、暗反応によるレジスト液のゲル化を抑制することができる。
【００４２】
［レジスト液保管容器の第２実施形態］
次に、本発明の第２の実施形態に係るレジスト液保管容器１１について説明する。本実施形態のレジスト液保管容器１１は、保持部材４に装着された排出管８及び注入管９の配置が第１実施形態と異なる。本実施形態のレジスト液保管容器の１１全体の構成については第１実施形態と同様であるから説明を省略し、また、図３において、図１に対応する部分には同一符号を付し重複説明を省略する。
【００４３】
図３は、本発明の第２の実施形態に係るレジスト液保管容器１１の概略縦断面図である。図４及び図５は、レジスト液保管容器１１の収容部２ａにおけるレジスト液の流れを説明するための説明図である。
【００４４】
図３に示すように、保持部材４には、排出管８と注入管９が保持部材４の軸方向に平行に装着されている。保持部材４に装着された排出管８と注入管９の先端は、収容部２ａ内に位置するように配置されている。本実施形態の保持部材４の頭部４ａの上面４ｃには、排出管孔８ａと注入管孔９ａとが形成されており、排出管孔８ａ及び注入管孔９ａは、保持部材４を軸方向に貫通するように形成されている。
【００４５】
上述した第１実施形態と異なる点は、本実施形態では、注入管９の先端も収容部２ａ内に位置するように配置されている。具体的には、注入管９の先端が、口金部材３の開口部３ａの近傍になるように配置されている。第１実施形態と同様に、収容部２ａ内に挿入された排出管８の先端の位置は、収容部２ａの底部の近傍に位置するように配置されている。従って、収容部２ａ内に挿入された注入管９の先端の位置は、排出管８の先端の位置よりも上方に位置するように配置されている。
【００４６】
本実施形態では、収容部２ａ内において、注入管９の先端の位置を上方として、排出管８の先端の位置と注入管９の先端の位置を上下方向に離間させている。これにより、注入管９の先端から注入されたレジスト液が排出管８の先端まで移動する移動距離が長くなり、収容部２ａ内のレジスト液を確実に撹拌することができる。また、注入管９の先端の位置を上方とすることで、注入管９から注入されたレジスト液の移動が重力を利用してスムーズに行われるので、収容部２ａ内のレジスト液を確実に撹拌することができる。
【００４７】
本実施形態において、収容部２ａに貯留されたレジスト液を循環させる場合は、注入管９の先端からレジスト液を袋部２の収容部２ａ内に直接注入し、排出管８の先端からレジスト液を容器１１の外へ排出する。本実施形態では、このレジスト液の移動に伴い収容部２ａ内のレジスト液が撹拌されるため、暗反応によるレジスト液のゲル化を抑えることができる。
【００４８】
図４は、排出管８と注入管９の先端の位置が、収容部２ａ内において同じ高さに配置された場合の実施形態を示す図である。この実施形態のレジスト液保管容器１１’は、排出管８と注入管９の先端が収容部２ａの底部近傍に配置されている。なお、この図では、収容部２ａ内のレジスト液の減少とともに、収容部２ａ内の空気が容器外へ排出されて可撓性の袋部２がしぼみ、収容部２ａ内でレジスト液が移動できる空間が少なくなった状態を示している。レジスト液が移動できる空間が少なくなったことにより、排出管８の先端付近のレジスト液と注入管９の先端付近のレジスト液が隔離され、収容部２ａの内部でいわゆる液だまりＱが発生している。このように液だまりＱが発生すると、収容部２ａ内のレジスト液を循環させることができなくなる場合が生じる。
【００４９】
図５は、図３に示したレジスト液保管容器１１において、収容部２ａ内のレジスト液の残量が少なくなった場合のレジスト液の循環を説明するための図である。
図５に示すように、可撓性の袋部２がしぼむことでレジスト液が移動できる空間が少なくなっているため、注入管９の先端付近で液だまりＱが発生する。しかしながら、本実施形態では、液だまりＱの端が排出管８の外周面に接触することで、排出管８にガイドされて重力により排出管８の先端まで到達することができる。排出管８の先端に到達したレジスト液は、容器１１の外へ排出される。このように、本実施形態のレジスト液保管容器１１を用いることにより、収容部２ａ内のレジスト液が少なくなり液だまりＱが発生しやすい状態になっても、確実に収容部２ａ内のレジスト液を循環させることができる。これにより、暗反応によるレジスト液のゲル化を抑制することができる。
【００５０】
［レジスト液保管容器の第３実施形態］
次に、本発明の第３の実施形態に係るレジスト液保管容器２１について説明する。本実施形態のレジスト液保管容器２１は、保持部材４に装着された排出管８及び注入管９の配置が第１実施形態と異なり、二重管構造を備えている。本実施形態のレジスト液保管容器２１の全体の構成については第１実施形態と同様であるから説明を省略し、また、図６において、図１に対応する部分には同一符号を付し重複説明を省略する。
【００５１】
図６は、本発明の第３の実施形態に係るレジスト液保管容器２１の概略縦断面図である。図７は、図６のＡ−Ａ線で示された排出管８及び注入管９の横断面図であり、図８は、レジスト液保管容器２１の収容部２ａにおけるレジスト液の流れを説明するための説明図である。
【００５２】
図６に示すように、本実施形態のレジスト液保管容器２１は、注入管９の径が排出管８の径よりも大きく、注入管９の内側に排出管８を配置したいわゆる二重管構造を有している。二重管構造を形成する排出管８と注入管９は、保持部材４の頭部４ａの上面４ｃに形成された貫通孔９ｂに挿入されている。貫通孔９ｂは、注入管９の外径よりもやや小さい径を有するように形成され、保持部材４を軸方向に貫通するように形成されている。
【００５３】
図７に示すように、二重管構造を形成する排出管８と注入管９は共通の同心軸を有しており、排出管８の外周面と注入管９の内周面との間には、注入管９から注入されるレジスト液が通過する空間部１０が形成されている。
【００５４】
また、収容部２ａ内に挿入された排出管８の先端の位置は、収容部２ａの底部の近傍に位置するように配置されており、収容部２ａ内に挿入された注入管９の先端の位置は、排出管８の先端の位置よりも上方に位置するように配置されている。具体的には、注入管９の先端は、口金部材３の開口部３ａから突出して収容部２ａ内に位置するように配置されている。なお、注入管９の先端の位置は、保持部材４の貫通孔９ｂ内にあってもよい。
【００５５】
図８は、図６に示したレジスト液保管容器１において、収容部２ａ内のレジスト液の残量が少なくなった場合のレジスト液の循環を説明するための図である。
図８に示すように、収容部２ａ内のレジスト液の残量が少なくなった場合において、注入管９の先端から注入されたレジスト液は、二重管構造の内側に配置された排出管８の外周面を伝って排出管８の先端付近に到達する。すなわち、注入管の９の先端付近には液だまりが発生しない。排出管８の先端に到達したレジスト液は、排出管８によって保管容器２１の外へ排出される。このように、本実施形態のレジスト液保管容器２１では、収容部２ａ内のレジスト液の残量が少なくなり、収容部２ａ内に液だまりが発生しやすい状態になった場合であっても、注入管９の先端近傍で液だまりを発生させることなく、収容部２ａ内においてレジスト液を循環させることができる。これにより、暗反応によるレジスト液のゲル化を抑制することができる。
【００５６】
上述したように、本発明のレジスト液保管容器は、いずれの実施形態においてもフィルムで構成された可撓性を有する袋部２を有している。
以下、可撓性を有する袋部を使用したレジスト液保管容器と可撓性がないボトルを袋部としたレジスト液保管容器との比較を感度経時変化テストにより実施した。
【００５７】
＜感度経時変化テスト＞
［実施例１］
フィルムで構成された可撓性を有する袋部を使用したレジスト液保管容器を作成した。
【００５８】
［比較例１］
袋部として可撓性がないガラス製ボトルを使用したレジスト液保管容器を作成した。
【００５９】
上記で製作したレジスト液保管容器を温度１０度の環境下で保管し、保管開始から１週間後、２週間後、１ヶ月後、２ヶ月後、３ヶ月後にテストを実施して評価を行った。
評価は、レジスト液保管容器に保管されたレジスト液を使用して、基板上にレジスト層を形成し、ＣＤＵ(Critical Dimension Uniformity)を計測することにより感度評価を行い、その結果を図１０に示した。
なお、評価に使用したレジスト層は、レジスト液として化学増幅型ポジレジスト（富士フィルムエレクトロマテリアル社製  ＰＲＬ００９Ｓ）を使用し、露光前べーク：１９０度、６０秒膜圧、膜厚１２０ｎｍの条件で形成した。
【００６０】
図１０からも明らかなように、実施例１のレジスト液保管容器は、比較例１のレジスト液保管容器に比べて、ＣＤＵの値を高い状態に保つことができることがわかる。このことから、本実施形態のレジスト液保管容器のように可撓性の袋部を用いることで、保管中のレジスト液に空気が触れることを抑え、経時によるレジスト液の感度劣化を少なくできることがわかる。
【００６１】
上述したように、本発明に係るレジスト液保管容器は、いずれの実施形態においても収容部２ａに貯留されたレジスト液を循環させている。
以下、収容部に貯留されたレジスト液を循環させるレジスト液保管容器と、収容部に貯留されたレジスト液を循環させないレジスト液保管容器との比較を異物テストにより実施した。
【００６２】
＜異物テスト＞
［実施例２］
フィルムで構成された袋部を有するレジスト液保管容器を後述するレジスト液供給装置に使用して、循環濾過を行いながら２４時間保管した。
【００６３】
［比較例２］
フィルムで構成された袋部を有するレジスト液保管容器をレジスト液供給装置に使用して、循環を行わずに２４時間保管した。
【００６４】
その後、レジスト液保管容器に保管されたレジスト液を使用して、基板上にレジスト層を形成し、レジスト液のゲル化に起因して発生するレジスト層の欠陥数をカウントする評価を５回実施した。レジスト層の形成条件は、感度経時変化テストの場合と同様とした。なお、比較例２の場合には、排出管にフィルタを設置した。
【００６５】
その結果、実施例２の場合では、いずれの評価においても深さが０．２μｍ以上の欠陥はカウントされなかったが、比較例２の場合では、深さが０．２μｍ以上の欠陥が、平均で１１箇所カウントされた。
【００６６】
この結果から、実施例２の場合は、比較例２の場合と比べて、収容部内のレジスト液にゲル状の異物が発生しなかったことがわかる。なお、比較例２の結果から、フィルタを用いたとしても、レジスト液に発生したゲル状の異物を除去しきれないことがわかる。このことから、本実施形態のレジスト液保管容器のように容器内に保管されたレジスト液の循環を行うことで、暗反応によるレジスト液のゲル化を抑制し、保管中のレジスト液におけるゲル状の異物の発生を抑えることができることがわかる。
【００６７】
［レジスト液供給装置、レジスト液塗布装置及びレジスト液保存装置の実施形態］
以下、図面に従って、本発明に係るレジスト液保管容器１を使用したレジスト液供給装置、レジスト液塗布装置及びレジスト液保存装置の実施形態を説明する。
【００６８】
図９は、本発明に係るレジスト液供給装置８０、レジスト液塗布装置９０及びレジスト液保存装置の構成を示す概略図である。なお、図９において、レジスト液供給装置８０の本体がその一部を破断した部分断面図により示され、流体制御系の構成が流体回路図により示される。また、レジスト液塗布装置９０は、スピンコータ４１上に設置される例えばフォトマスクブランク等の対象基板Ｓの表面にレジスト液を滴下させる滴下ノズル２０を備える。
【００６９】
レジスト液供給装置８０は、液状のレジスト液を保管したレジスト液保管容器１と、充満された温調液１４で内部に格納されたレジスト液保管容器１を浸漬する液槽１２と、を備える。なお、レジスト液保管容器１を円筒状に形成された外容器に収容した状態で、レジスト液供給装置８０に格納してもよい。
【００７０】
液槽１２の内部空間を画している内壁は円筒状となっており、その内部空間にレジスト液保管容器１が格納される。液槽１２の内壁を円筒状とすることにより、矩形状のレジスト液保管容器１が格納されている場合であっても、温調液１４の周回する流れを形成し又は促進することができる。なお、図示はしないが、液槽１２の一部にレジスト液保管容器１内のレジスト液の液量を目視計測するための窓部を設けてもよい。
【００７１】
液槽１２は、温調液１４が一定の高さまで充満できるように液密性を有して形成される。また、液槽１２にはレジスト液保管容器１の保持部材４をはめ込み可能な上蓋１８が備えられており、温調液１４の飛散が防止されている。この場合、レジスト液保管容器１は、収容部２ａに貯留されているレジスト液が少なくなっても、袋部２が浮かないような状態で上蓋１８に取り付けられる。温調液１４としては純水を使用することができるが、液量の安定化を目的として例えばエチレングリコールなどの蒸発抑制剤を純水に添加した水液でもよい。
【００７２】
温調液１４は、予め給水ライン１６を介して液槽１２内に供給される。また、液槽１２に充満された温調液１４は、排水ライン１７を介して排水可能でもある。液槽１２には、所定位置に設置されたレジスト液保管容器１のレジスト液のレベルよりも高い水位に温調液１４が充満され、これによってレジスト液保管容器１が温調液１４で浸漬される。
【００７３】
レジスト液供給装置８０は、レジスト液保管容器１内のレジスト液をレジスト液塗布装置９０に供給するためのレジスト液供給手段３０を備える。レジスト液供給手段３０は、少なくとも、レジスト液供給用のポンプ３１と、レジスト液保管容器１及びポンプ３１の吸入側との間に接続され、ポンプ３１が発生する負圧によりレジスト液保管容器１内のレジスト液を吸い上げる本体排出管３２と、ポンプ３１の吐出側に接続されポンプ３１から吐出されるレジスト液をレジスト液塗布装置９０（滴下ノズル２０）に供給する供給管３３とを有している。本体排出管３２の先端は、レジスト液保管容器１に装着されている排出管８と接続する。なお、排出管８として、本体排出管３２をレジスト液保管容器１の保持部材４に直接装着してもよい。
【００７４】
ポンプ３１は、レジスト液の吐出流量が一定であり、かつ、キャビテーション（気泡）の発生が極めて少ないロータリポンプであることが好ましい。また、レジスト液に含まれ得るパーティクル又はゲル化成分などを濾過して取り除くためのフィルタ３４を、図９に示されるようにポンプ３１の吐出側配管に設けてもよい。なお、図示はしないが、このようなフィルタをポンプ３１の吸入側配管に設けてもよい。また、後述するレジスト液循環手段７０によりレジスト液を循環させる管路の途中にこのようなフィルタを設けてもよい。
【００７５】
液槽１２には、液槽内１２の温調液１４を循環させる温調液循環手段４０及び液槽１２内の温調液１４を適切な温度に調整する温度制御手段５０が設けられている。温調液循環手段４０及び温度制御手段５０により、温調液１４を一定の状態に保ち、レジスト液保管容器１内のレジスト液に局所的な温度差を生じさせないようにすることができる。
【００７６】
さらに、レジスト液供給装置８０は、レジスト液をレジスト液保管容器１内で循環させるためのレジスト液循環手段７０を備えている。図９において、レジスト液循環手段７０は、ポンプ３１と、ポンプ３１の吸入ポートに接続しレジスト液保管容器１に吸込口側が挿入された本体排出管３２と、ポンプ３１の吐出ポートに接続した供給管３３から三方弁３５を介して分岐し、レジスト液保管容器１に注入口側が挿入された戻り管３６とを備えて構成される。戻り管３６には、本体排出管３２及び戻り管３６の内部にたまった空気を外部へ脱気するための脱気装置４２が設けられている。戻り管３６の先端は、レジスト液保管容器１に装着されている注入管９と接続する。なお、注入管９として、戻り管３６をレジスト液保管容器１の保持部材４に直接装着してもよい。
【００７７】
レジスト液循環手段７０は、三方弁３５の連通が戻り管３６側へ切り換えられることで機能する。レジスト液塗布装置９０にレジスト液を供給するときには、三方弁３５の連通が供給管３３側へ切り換えられる。三方弁３５を電磁弁で構成し、このようなレジスト液の供給／循環の動作モードの切り換えをプログラミングにより自動制御してもよい。また、手動操作型の三方弁３５を用いて、そのような切り換えを随時手動で行うようにしてもよい。
【００７８】
本実施形態のレジスト液供給装置８０によれば、レジスト液保管容器１の収容部２ａに貯留されたレジスト液を循環させてレジスト液塗布装置９０等に供給することができる。従って、レジスト液保管容器１内のレジスト液のゲル化を抑え、ゲル状の異物が少ない状態のレジスト液をレジスト液塗布装置９０等に供給することができる。また、本実施形態のレジスト液塗布装置９０によれば、ゲル状の異物がない状態のレジスト液を用いて、基板等にレジスト液を塗布することができる。
【００７９】
上述した構成のレジスト液供給装置８０は、レジスト液を適正な状態で保存するレジスト液保存装置としても機能する。この場合において、レジスト液保存装置は、レジスト液を保管するレジスト液保管容器１と、温調液１４でレジスト液保管容器１を浸漬させる液槽１２と、温調液１４を循環させる温調液循環手段４０と、温調液１４の温度を制御する温度制御手段５０とを備える。
【００８０】
このレジスト液保存装置によれば、温度制御手段５０で温調液１４の温度を制御することにより、レジスト液保管容器１に保管されたレジスト液の温度を適正な状態にすることができる。温度制御手段５０により制御される温調液１４の温度範囲は、少なくとも、レジスト液の塗布に適合する第一の温度（例えば２３℃の室温）及びレジスト液の保管に適合する第二の温度（例えば１０℃の冷温）を含むことが好ましい。
【００８１】
これにより、塗布が行われない休止期間にはレジスト液を第二の温度（冷温）に維持して保管することができる。例えば、室温での感度変化が大きい化学増幅型レジストを用いる場合には、レジスト液が室温環境下に置かれる累積時間を減らすことができ、レジスト液の感度の劣化を抑えることができる。また、本実施形態のレジスト液保存装置によれば、レジスト液保管容器１の収容部２ａに貯留されたレジスト液を循環させた状態で保存することができる。従って、レジスト液保管容器１内のレジスト液のゲル化を抑え、ゲル状の異物の発生を抑えた状態でレジスト液を保存することができる。
【００８２】
［マスクブランクの製造方法の実施形態］
次に、本発明に係るマスクブランクの製造方法の実施形態について説明する。
【００８３】
マスクブランクは、例えば図１１に示される工程フローに従って製造される。
【００８４】
まず、マスクブランク用基板Ｓの面を研磨し、表面粗さが１ｎｍ以下の高い平坦度を得る（ステップＳ１）。その基板Ｓの研磨面にＣｒ等の金属薄膜からなる遮光膜を成膜する（ステップＳ２）。この遮光膜の成膜法としては、真空蒸着法又はスパッタリング法などを用いることができる。
【００８５】
レジスト液塗布装置９０によるレジスト塗布の工程に先立ち、レジスト液供給装置８０のセットアップを行う。レジスト液供給装置８０は、例えば図９に示されるように、レジスト液を保管するレジスト液保管容器１と、レジスト液保管容器１内のレジスト液を滴下ノズル２０に供給する供給手段３０と、充満される温調液１４でレジスト液保管容器１を浸漬させる液槽１２と、温調液１４を循環させる温調液循環手段４０と、温調液１４の温度を制御する温度制御手段５０とを備える。
【００８６】
レジスト液供給装置８０の準備において、レジスト液が保管されるレジスト液保管容器１を温調液１４が充満される液槽１２内に浸漬させる。そして、温調液循環手段４０を作動させ温調液１４を液槽１２内で循環させる（ステップＳ３）。
【００８７】
これと同時に温度制御手段５０を作動させ、液槽１２内で循環させる温調液１４の温度をレジスト液の塗布に適合する温度（例えば２３℃の室温）に制御する（ステップＳ４）。
【００８８】
つぎに、供給手段３０によりレジスト液供給装置８０からレジスト液塗布装置９０へレジスト液を供給する（ステップＳ５）。そして、スピンコータ４１に載置したマスクブランク用基板Ｓに対して、滴下ノズル２０からレジスト液を所定量だけ滴下する。スピンコータ４１を高速に回転させることで、レジスト液をマスクブランク用基板Ｓの表面上で拡散させて均一に塗布する（ステップＳ６）。
【００８９】
そして、レジスト液が塗布されたマスクブランク用基板Ｓをホットプレート装置に移し、マスクブランク用基板Ｓの表面温度を約１００℃に維持してベークする（ステップＳ７）。これによりレジスト液に含まれる有機溶媒が蒸発して、レジストがマスクブランク用基板Ｓに定着する。
【００９０】
［実施例］
本実施例では、主表面の寸法が約１５２ｍｍ×約１５２ｍｍで、厚さが約６．２５ｍｍの合成石英ガラスからなるマスクブランク用基板（透光性基板）を準備した。このマスクブランク用基板は、端面および主表面を所定の表面粗さに研磨され、その後、所定の洗浄処理および乾燥処理を施されたものであった。
【００９１】
次に、上記のマスクブランク用基板上に、窒化されたモリブデン及びシリコンからなるハーフトーン型位相シフト膜（パターン形成用薄膜）を成膜した。
【００９２】
具体的には、枚葉式ＤＣスパッタ装置内にマスクブランク用基板を設置し、モリブデン（Ｍｏ）とシリコン（Ｓｉ）との混合ターゲット（Ｍｏ：Ｓｉ＝１０ａｔ％：９０ａｔ％）を用い、アルゴン（Ａｒ）と窒素（Ｎ２）とヘリウム（Ｈｅ）との混合ガス雰囲気（ガス流量比 Ａｒ：Ｎ２：Ｈｅ＝５：４９：４６）で、ガス圧０．３Ｐａ、ＤＣ電源の電力を３．０ｋＷとして、反応性スパッタリング（ＤＣスパッタリング）により、モリブデン、シリコン及び窒素からなるＭｏＳｉＮ膜を６９ｎｍの膜厚で形成した。
【００９３】
次いで、上記ＭｏＳｉＮ膜が形成された基板に対して、アニール処理として加熱処理を施した。具体的には、加熱炉を用いて、大気中で加熱温度を４５０℃、加熱時間を１時間として、加熱処理を行った。なお、このＭｏＳｉＮ膜は、ＡｒＦエキシマレーザーにおいて、透過率は６．１６％、位相差が１８４．４度となっていた。
【００９４】
次に、ハーフトーン型位相シフト膜上に、クロム系材料からなる遮光膜（パターン形成用薄膜）を成膜した。
具体的には、クロム（Ｃｒ）ターゲットを用い、アルゴン（Ａｒ）と二酸化炭素（ＣＯ２）と窒素（Ｎ２）とヘリウム（Ｈｅ）との混合ガス雰囲気（ガス流量比 Ａｒ：ＣＯ２：Ｎ２：Ｈｅ＝２０：３５：１０：３０）で、ガス圧０．２Ｐａ、ＤＣ電源の電力を１．７ｋＷとして、反応性スパッタリング（ＤＣスパッタリング）により、ＣｒＯＣＮ膜を３０ｎｍの膜厚で形成した。
【００９５】
続いて、クロム（Ｃｒ）ターゲットを用い、アルゴン（Ａｒ）と窒素（Ｎ２）との混合ガス雰囲気（ガス流量比 Ａｒ：Ｎ２＝２５：７５）で、ガス圧０．１Ｐａ、ＤＣ電源の電力を１．７ｋＷとして、反応性スパッタリング（ＤＣスパッタリング）により、ＣｒＮ膜を４ｎｍの膜厚で形成した。
【００９６】
さらに、クロム（Ｃｒ）ターゲットを用い、アルゴン（Ａｒ）と二酸化炭素（ＣＯ２）と窒素（Ｎ２）とヘリウム（Ｈｅ）との混合ガス雰囲気（ガス流量比 Ａｒ：ＣＯ２：Ｎ２：Ｈｅ＝２０：３５：５：３０）で、ガス圧０．２Ｐａ、ＤＣ電源の電力を１．７ｋＷとして、反応性スパッタリング（ＤＣスパッタリング）により、ＣｒＯＣＮ膜を１４ｎｍの膜厚で形成した。
【００９７】
以上の手順により、基板側から、ＣｒＯＣＮ膜、ＣｒＮ膜、ＣｒＯＣＮ膜の３層積層構造のクロム系材料の遮光膜（膜厚４８ｎｍ）を形成した。以上の工程により、ハーフトーン型位相シフトマスクブランク（マスクブランク）を得た。なお、本実施例のマスクブランクは、ＡｒＦエキシマレーザー（波長：１９３ｎｍ）に対する光学濃度（ＯＤ）が３．０であり、遮光膜の表面反射率は２０％であった。
【００９８】
本実施形態のレジストマスクの製造方法によれば、レジスト液保管容器１内のレジスト液を循環させて、暗反応によるレジスト液のゲル化を抑え、ゲル状の異物が少ない状態のレジスト液を用いるので、欠陥の少ないマスクブランクを製造することができる。なお、本実施形態では、レジスト液を塗布する基板として、フォトマスク用基板を用いたが、インプリント用基板に適用してもよい。
【００９９】
＜ハーフトーン型位相シフトマスクの製造＞
次に、上記の方法で製造したマスクブランクを用いて位相シフトマスク１５０を作製した。図１２は、位相シフトマスクブランク１００を用いて位相シフトマスク１５０を製造する工程を示す断面模式図である。まず、マスクブランク１００上に、レジスト液塗布装置９０を用いて、レジスト膜１０４を形成した（同図（ａ）参照）。
【０１００】
次に上記マスクブランク１００上に形成されたレジスト膜１０４に対し、電子線描画装置を用いて位相シフトパターンのパターン描画を行った後、所定の現像液で現像してレジストパターン１０４ａを形成した（同図（ｂ）参照）。
【０１０１】
次に、上記レジストパターン１０４ａをマスクとして、遮光膜１０３（Ｃｒ系遮光膜）のエッチングを行って遮光膜パターン１０３ａを形成した（同図（ｃ）参照）。ドライエッチングガスとして、Ｃｌ２及びＯ２の混合ガスを用いた。
【０１０２】
次に、上記遮光膜パターン１０３ａをマスクとして、ハーフトーン型位相シフト膜１０２（ＭｏＳｉＮ膜）のエッチングを行って位相シフトパターン１０２ａを形成した（同図（ｄ）参照）。ドライエッチングガスとして、ＳＦ６及びＨｅの混合ガスを用いた。
【０１０３】
次に、マスクブランク１００上に、レジスト膜１０４を同様に形成し、電子線描画装置を用いて遮光帯のパターン描画を行った後、所定の現像液で現像してレジストパターン１０４ｂを形成した（同図（ｅ）参照）。
【０１０４】
次に、上記レジストパターン１０４ｂをマスクとして、遮光膜パターン１０３ａ（Ｃｒ系遮光膜）のエッチングを行って遮光膜パターン（遮光帯）１０３ｂを形成した。ドライエッチングガスとして、Ｃｌ２及びＯ２の混合ガスを用いた。
【０１０５】
次に、残存するレジストパターンを剥離して、位相シフトマスク１５０を得た（同図（ｆ）参照）。本実施形態によれば、上述したように欠陥が少ないマスクブランク１００を用いるので、高品質な位相シフトマスク１５０を得ることができる。
【０１０６】
以上、本発明について、実施形態に基づいて説明したが、本発明は上述の実施形態に記載した構成に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない範囲において適宜その構成を変更することができるものである。例えば、上述した実施形態例は、本発明を分かりやすく説明するために詳細に説明したものであり、必ずしも説明した全ての構成を備えるものに限定されるものではない。また、ある実施形態の構成の一部を他の実施形態の構成に置き換えることが可能であり、また、ある実施形態の構成について他の実施形態の構成を加えることも可能である。また、各実施形態の構成の一部について、他の構成の追加・削除・置換をすることが可能である。
【符号の説明】
【０１０７】
１、１１、２１…レジスト液保管容器、２…袋部、２ａ…収容部、３…口金部材、４…保持部材、８…排出管、９…注入管、８０…レジスト液供給装置（レジスト液保存装置）、９０…レジスト液塗布装置、４０…温調液循環手段、５０…温度制御手段、１００…マスクブランク
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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