【事件の表示】
　特許第3199305号「光波長変換素子およびその作成方法並びに光波長変換モジュール」の請求項1ないし13に係る特許に対する特許異議の申立てについて、平成14年11月6日付けの決定に対し、東京高等裁判所における決定の取消の判決(平成14(行ケ)632号、平成15年11月20日判決言渡)が確定したのでさらに審理した結果、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第3199305号の請求項に係る特許を維持する。
【理　由】
【1】手続の経緯
　特許第3199305号の請求項1から13に係る発明についての出願は、平成8年3月5日(先の出願に基づく優先日:平成7年12月8日)に出願され、平成13年6月15日に設定登録され、その後、遠山タイ子より特許異議の申立てがなされ、取消理由通知がなされ、平成14年7月8日に特許異議意見書が提出され、平成14年11月6日付けで請求項1〜11、13に係る特許を取り消す旨の決定(取消決定)がなされたところ、本件の請求人はこれを不服として東京高等裁判所に当該決定の取消を求める訴(14(行ケ)632号)を提起した。本件特許権者は、平成15年7月3日、本件特許についての訂正の審判を請求し、当該訂正審判事件において、訂正を認める旨の審決(平成15年10月6日付け)が確定し、東京高等裁判所において、前記取消決定において取り消すとした部分を取り消す旨の判決が平成15年11月20日に言い渡され、その後確定した。
　
【2】本件特許発明
　本件特許発明は、平成15年10月6日付けの審決(訂正を認める旨の審決)により確定した訂正特許明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲に記載されたとおりの、以下のものである。
　
「【請求項1】 非線形光学効果を有する強誘電体結晶基板に、その一表面に沿って延びる光導波路が形成されるとともに、この光導波路に基板の自発分極の向きを基板外部からの電場印加により180°反転させて該自発分極の向きと平行に延びるドメイン反転部が周期的に形成されてなり、
　該光導波路においてドメイン反転部の並び方向に導波する基本波を波長変換する光波長変換素子において、
　基本波の導波方向に垂直な面内において、前記基板の自発分極の向きが該基板の前記一表面に対して角度θ(0°＜θ≦3°)をなしていることを特徴とする光波長変換素子。
【請求項2】 前記光導波路がプロトン交換により形成されたものであることを特徴とする請求項1記載の光波長変換素子。
【請求項3】 前記光導波路がプロトン交換およびアニールにより形成されたものであることを特徴とする請求項1記載の光波長変換素子。
【請求項4】 前記角度θが0.2 °＜θの範囲にあることを特徴とする請求項1から3いずれか1項記載の光波長変換素子。
【請求項5】 前記光導波路がプロトン交換およびアニールにより形成されたものであって、前記角度θが0.5 °＜θの範囲にあることを特徴とする請求項1から3いずれか1項記載の光波長変換素子。
【請求項6】 前記強誘電体結晶基板として、LiNbx Ta1-x O3 基板(0≦x≦1)が用いられていることを特徴とする請求項1から5いずれか1項記載の光波長変換素子。
【請求項7】 前記強誘電体結晶基板として、MgOがドープされたLiNbO3 基板が用いられていることを特徴とする請求項1から5いずれか1項記載の光波長変換素子。
【請求項8】 単分極化された非線形光学効果を有する強誘電体結晶を、その自発分極の向きに対して角度θ(0°＜θ≦3°)をなす面でカットして基板を形成し、
　この基板に、外部から所定パターンに従って電場を印加することにより、分極の向きが前記自発分極の向きに対して180°反転して該自発分極の向きと平行に延びる、周期的に繰り返すドメイン反転部を形成し、
　この基板に、そのカット面と平行な一表面に沿って延びて、前記ドメイン反転部を含む光導波路を形成することを特徴とする光波長変換素子の作成方法。
【請求項9】 前記電場を印加する方法が、前記基板のカット面と平行な一表面に取り付けた所定パターンの電極と、この一表面と反対側の表面において、前記所定パターンの電極と略前記自発分極の向きに沿って対向するように取り付けた平板電極とを介して直接電圧を印加する方法であることを特徴とする請求項8記載の光波長変換素子の作成方法。
【請求項10】 前記電場を印加する方法が、前記基板のカット面と平行な一表面に取り付けた所定パターンの電極と、この一表面において、前記所定パターンの電極からずれた位置に取り付けた平板電極とを介して直接電圧を印加する方法であることを特徴とする請求項8記載の光波長変換素子の作成方法。
【請求項11】 前記電場を印加する方法が、コロナ帯電法であることを特徴とする請求項8記載の光波長変換素子の作成方法。
【請求項12】 前記電場を印加する方法が、電子線照射法であることを特徴とする請求項8記載の光波長変換素子の作成方法。
【請求項13】 請求項1に記載の光波長変換素子と、この光波長変換素子の光導波路に基本波としてのレーザービームを入射させる半導体レーザーとからなり、
　前記光波長変換素子の光導波路においてレーザービームがTEモードで導波するように構成されていることを特徴とする光波長変換モジュール。」
　(以下、請求項順に、「発明1」〜「発明13」という。)
　
【3】異議申立の概要
　特許異議申立人は、特許第3199305号の訂正前の請求項1〜13に係る発明は以下の刊行物1〜刊行物5に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明できたものである旨主張している。
　刊行物1:特開平6-273817号公報
　刊行物2:特開平4-335620号公報
　刊行物3:特開平5-93930号公報
　刊行物4: ULTRASONICS SYMPOSIUM, 1983, pp.527-530(1983) 
　刊行物5:特開平6-194706号公報
　
【4】刊行物の記載内容
【4-1】刊行物1:特開平6-273817号公報
「【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、コヒーレント光源を応用した、光情報処理、光応用計測制御分野に使用される光波長変換素子およびその製造方法、またそれを用いた短波長コヒーレント光発生装置、ならびに分極反転層の製造方法に関するものである。」
「【0015】また小型の短波長コヒーレント光発生装置を実現するには、半導体レーザと光波長変換素子を一体化する必要がある。ところが、半導体レーザと-C板に形成した光波長変換素子を光学系なしで直接結合させるには、お互いの偏光方向の違いから、大きな結合ロスが生じるという問題があった。
【0016】そこで本発明は、-C板以外のLiTa(1-x)NbxO3を用いた光波長変換素子により半導体レーザとの高効率結合を実現し、小型で高出力の短波長コヒーレント光発生装置を提供することを目的とする。
【0017】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため本発明では、(1)-C板以外のLiTa(1-x)NbxO3(0≦x≦1)基板と、前記基板表面に形成したストライプ状の分極反転層と、光導波路とを備え、前記ストライプ状の分極反転層が周期的に形成され、かつ前記分極反転層のストライプ方向が基板のC軸に対して0°より大きい角度で傾いている光波長変換素子である。」
「【0020】
【作用】本発明は前述した方法により、-C板以外のLiTa(1-x)NbxO3基板上に、結晶のC軸から僅かに傾けて、ストライプ状のプロトン交換層を形成し、これを熱処理することにより、従来実現していなかった-C板以外のLiTa(1-x)NbxO3基板において、周期的な分極反転層の形成を可能にする。その結果、短周期でかつ深い分極反転層の形成が可能になる。」
「【0023】さらに、-C板以外のLiTa(1-x)NbxO3基板の光波長変換素子を形成すると、半導体レーザと高効率結合が可能な光波長変換素子を形成することができる。その理由を以下に述べる。
【0024】-C板以外の基板における分極反転層を用いて光波長変換素子を作製すると、半導体レーザと光導波路の偏光方向を一致させることができるため、複雑な光学系を必要とせず、半導体レーザの光を高効率で光波長変換素子に結合することができる。
【0025】すなわち、半導体レーザから出る光はTEモードであり、XY板に分極反転層を形成した波長変換素子の光の伝搬もTEモードであるので、半導体レーザと、この波長変換素子のモードが一致しているため、半導体レーザの光をそのまま波長変換素子に結合できるというのである。このため、高出力の短波長コヒーレント光発生装置を実現できる。また結晶のC軸を基板の水平線より僅かに傾けた基板を用いた光波長変換素子を形成した場合、伝搬する光は疑似TEモードであり、半導体レーザの出射光と高効率で結合できる。」
「【0067】(実施例2)ここではXY板以外の基板を用いた光波長変換素子の構成について述べる。
【0068】分極反転層の形成メカニズムより、XY板以外の基板への分極反転層の形成が可能であることが考察される。XY板においては基板平面内に基板の自発分極Psに対立する電界成分の発生を行い、分極反転を可能にしたが、基板の-C軸方向を基板の平行線より傾けることにより、同様の電界成分が基板の内部(プロトン交換層と基板の低面の境界部分)に発生することができる。図8は、本発明の光波長変換素子の構成斜視図である。1はLiTaO3基板、4は分極反転層、5はプロトン交換光導波路、6は波長860nmの基本波、7は波長430nmの第二高調波(以下、SHG光と略す)、8は分極反転層の周期Λ、9は分極反転層の幅W、22は基板法線、A-Bは基板の水平線である。また基板の-C軸は基板の法線に対し0度以上85度以下の角度(θ度)で傾いている(以下R板とする)。このように基板1のC軸を結晶の法線に対して傾けることにより、結晶表面に形成した層状プロトン交換層は結晶のC軸に対し角度θの傾きを、またストライプ状のプロトン交換層を形成すると、C軸に対し角度θ以上の傾きを持つことが、この構成のポイントである。
【0069】図9は実施例2における分極反転層の製造方法の工程図を示すものである。図9において、1はLiTaO3基板、3プロトン交換層、4は分極反転層、22は基板表面の法線である。但し、LiTaO3基板1の-C軸は基板の法線22に対し、θ°の角度で傾いている。
【0070】以下、その製造方法を図9に従って説明する。
(b)260℃のピロ燐酸中でプロトン交換層を形成する。
(c)LiTaO3基板を熱処理する(恒温槽を用いたところ、昇温速度は1℃/secであった)。
【0071】以上の工程で分極反転層の形成を行ったところ、熱処理温度が450度〜基板のキュリー温度(使用した基板のキュリー温度は604℃)の範囲で分極反転層の形成が確認できた。しかしながら、形成された分極反転層は面内不均一性が大きく1μm以下の浅い反転層しか形成されなかった。これは昇温過程でプロトン交換層の拡散がおこり、分極反転層が形成される450℃近傍に基板温度が上がるまでにプロトン交換層がかなり広がってしまい、内部電界の強度が低下したためと、考えられる。そこで、熱処理にRTAを用いて反転層の形成を試みた。その結果、10℃/秒以上の昇温速度で熱処理を行うと、深い反転層が均一に形成できた。このときの角度θと分極反転層深さの関係を図10に示す。プロトン交換は260℃で20分間おこない、熱処理は580℃で30秒間加熱した(昇温速度:50℃/秒)。熱処理温度は500℃〜600℃の間で分極反転層の形成が確認できた。分極反転層はθが89°以下で形成された。分極反転層の深さは角度θが89°から小さくなるに従い増加し、85°で飽和する。また、30°以下になると反転層深さが減少していくことがわかった。これはLiTaO3基板においてC軸方向のプロトンの拡散速度が他の結晶方向の拡散速度に比べて1/1.5程遅いことに起因すると考えられる。その結果分極反転層の形成は0°以上89°以下で可能となり、30°以上85°以下の角度で形成すると深い分極反転層が形成できることが分かった。さらに60°以上85°以下の角度で形成すると反転層の均一性も増した。
【0072】次に分極反転層形成の原理について図11を用いて説明する。図1で説明したように、分極反転層の形成には基板の分極方向と逆方向の内部電界が必要である。プロトン交換層を熱処理するとプロトン交換層と基板の境界部にプロトンの拡散による電界が発生し、-C板の場合(分極は基板平面の法線方向)プロトン交換層の低面で分極反転核が発生する。ところが、XY板では、基板平面の接線方向に分極が存在するため、その方向に電界を発生させる必要があり、層状のプロトン交換層では、内部電界は基板平面方向すなわち分極方向と垂直となり、電界分極反転層は形成されない。そこで基板の-C軸を基板平面からわずかに傾ける方法を提案した。-C軸を基板法線からθ(基板接線から90-θ)傾けると、プロトン交換層を熱処理した際、発生する内部電界Eの方向と分極方向が90-θの角度となるため、分極方向に大きさE・sin(90-θ)の内部電界ベクトルが発生する。このベクトルはθが90度以上になると、分極方向と同方向になるため分極反転層は形成されなくなる。以上の結果、基板の-C軸方向と基板表面の法線を90°以下の角度で傾けることにより分極反転層の形成が可能になる。」
「【0113】半導体レーザと波長変換を用いた短波長コヒーレント光発生装置について述べる。図15に短波長コヒーレント光発生装置の構成図を示す。図15において16は半導体レーザ、17は集光光学系、6は基本波、7は第二高調波、18はSHG素子、5はプロトン交換光導波路である。半導体レーザ16から出射された光は集光光学系17で集光され、光波長変換素子18のプロトン交換光導波路5に入射する。半導体レーザと光導波路の偏光方向が等しいため、集光光学系には、従来必要であったλ/2板(光の偏光制御用、従来例図27に示す)の必要が無い。半導体レーザからの出力6は70mW、光導波路へは42mWの光が結合し、結合効率は60%であった。従来の結合効率45%を上回っている。このときのSHG出力は3mWで、換算効率は180%/Wであった。」
「【0117】次に、R板のLiTaO3基板を用いた光波長変換素子による半導体レーザの高効率変換について述べる。上記の3条件を満足させるには、図17に示すように分極反転層の周期構造は結晶のC軸に垂直な方向に周期構造が並ぶ様に作製し、光導波路はTEモードが伝搬する。しかし、-C軸が基板法線22に対してθ°傾いているため、TEモードの伝搬光に対して、実効的な非線形光学定数はd33*SIN(θ)、また実効的な光導波路の屈折率変化はΔn*SIN(θ)となりθが90°のとき変換効率、光導波路の屈折率変化共に最大になる。このため光波長変換素子の変換効率は、図18に示すようにθの減少とともに光波長変換素子の変換効率が低下する。変換効率を最大値(XY板の光波長変換素子の変換効率)の75%以上にするにはθの値を60°以上にする必要がある。θの値は分極反転層形成が可能な範囲が85度以下であるから、有効な範囲は60°≦θ≦85°である。」
　
【4-2】刊行物2:特開平4-335620号公報
「【0001】
　【産業上の利用分野】
　本発明は、例えば光第2高調波発生素子(以下SHG素子という)等の光デバイス装置の形成に適用して好適な分極反転制御方法に係わる。」
「【0042】
実施例5
　図7の略線的拡大斜視図を参照して説明する。この場合強誘電体材料10が厚さ方向に全面的に単分域化されて成る場合で、その分極の正側の主面1S上にAl等より成る第1の電極1が例えば櫛歯状パターンにパターニングされ、分極の負側の裏面1R上にも同様にAl等より成る櫛歯状パターンの第2の電極2が、その櫛歯部が主面1S上と裏面1上とで相対向して強誘電体材料10を挟み込むように被着形成されて成る。そして上述の各実施例と同様に、分極の正側即ち第1の電極1側を正電位、分極の負側即ち第2の電極2側を負電位として電圧を印加し、第1の電極1の櫛歯パターンに対応するパターンの分極反転構造を形成した。この場合においても、櫛歯先端部の幅及びピッチ、電圧の大きさを実施例1と同様に選定して、結晶破壊を殆ど生じることなく分極反転構造を得ることができた。更にこの場合、各電極1及び2の櫛歯部にわたって即ち強誘電体材料10の全厚さにわたって分極反転領域が形成され、そのピッチに対して深さを比較的大とすることができた。」
「【0059】
　また、電圧印加に先立って、強誘電体材料に対してプロトン交換、電子線等の荷電粒子照射を行う場合は、強誘電体材料内の分極が反転し易くなり、分極反転に必要な電圧値を低減化することができる。
【0060】
　更に、直流電圧と共に、例えば徐々にその振幅が減衰する波形パターンの交流成分を加えてこれを試料に印加することによって、強誘電体材料内の分極に擾乱を与え、分極を反転し易くすることもできる。
【0061】
　【発明の効果】
　上述したように、本発明分極反転制御方法によれば、屈折率変化や結晶破壊を生じることなく、分極反転構造を得ることができる。」
　
【4-3】刊行物3:特開平5-93930号公報 
「【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、コヒーレント光を利用する光情報処理分野、あるいは光応用計測制御分野に使用する光波長変換素子およびその製造方法に関するものである。」
「【0003】このような従来の光波長変換素子はプロトン交換法により作製された光導波路を基本構成要素としていた。この素子の製造方法について説明する。まずLiTaO3基板1に通常のフォトプロセスとドライエッチングを用いてTaを周期状にパターニングする。次にTaパターンが形成されたLiTaO3基板1にピロ燐酸中で260℃、30分間プロトン交換を行いTaで覆われていないスリット直下に厚み0.8μmのプロトン交換層を形成する。次に590℃の温度で10分間熱処理する。これにより分極反転層が形成される。プロトン交換層直下はLiが減少しておりキュリー温度が低下するため部分的に分極反転を行うことができる。次にHF:HNF3の1:1混合液にて2分間エッチングしTaを除去する。さらに上記分極反転層中にプロトン交換を用いて光導波路2を形成する。光導波路2用マスクとしてTaをストライプ状にパターニングを行うことでTaマスクに幅5μm、長さ12mmのスリットを形成する。このTaマスクで覆われた基板に260℃、16分間プロトン交換を行い0.5μmの高屈折率層を形成する。Taマスクを除去した後、380℃で10分間熱処理を行う。プロトン交換された保護マスクのスリット直下の領域は屈折率が0.03程度上昇した光導波路2となる。この従来の方法により作製される光波長変換素子は波長0.84μmの基本波P1に対して、光導波路2の長さを9mm、基本波P1のパワーを27mWにしたとき高調波P2のパワーは0.13mW、変換効率0.5%が得られていた。1W当りの変換効率は18%/Wである。」
　
【4-4】刊行物4: ULTRASONICS SYMPOSIUM, 1983, pp.527〜530(1988) 
　刊行物4は、交差指電極を用いた強誘電性結晶のポーリング、ならびにバルク波トランスデューサへのその応用に関するものである。
　
528頁右欄14行〜529頁右欄16行
　「上記ドメイン構造については、まだ十分な理解が得られていない。しかしながら、現在のところ我々は、95°回転Yカットおよび164°回転Yカットは、図4に示すようなドメイン構造を有すると考えている。図中の「A」および「B」は、それぞれ相対する極性に分極されたシングルドメイン領域を表し、「C」は、マルチマイクロドメイン領域を表している。平面型トランスデューサを音響光学装置に使用する場合には、Zカットについて図5に示しているようなマルチマイクロドメインが存在しないドメイン構造がより望ましい。このようなドメイン構造は、ある特定のポーリング条件下で形成可能と思われる。
([図4]、[図5]省略)
3.平面型トランスデューサ
　対向極性のドメインが反平行に交互に存在するドメイン配列を利用することにより、バルク波トランスデューサを得ることができる。ポーリングに用いた交差指電極にRF電圧を印加すると、個々の指電極領域で発生したひずみが全て同相となるため、表面の法線方向にバルク波が拡散する。このトランスデューサは、van der Pauwによって提案された平面型セラミックトランスデューサと類似している。しかしながら、単結晶を用いた平面型トランスデューサは、主として以下に述べる3つの点で、セラミックスを用いた平面型トランスデューサと大きく異なっている。
　 1)LiTa03等の強誘電性単結晶においては、自発分極の方向は常にc軸と平行である。
　 2)トランスデューサの性能は、結晶異方性のため、表面配向と指電極配置の両方に大きく依存している。
　 3)ポーリング電極を励起に用いた場合でも、大抵の場合、横波バルク波を発生させることができる。
　これらの点を考慮すると、より優れたトランスデューサ性能を得るため、図6に示す、より一般的なトランスデューサ構造、すなわち、ポーリングを行った後にポーリング電極を取り除き、ポーリング電極が形成されていた位置よりdだけずらした位置に励起用の新たな電極を形成する構造が必要となる可能性がある。
　ここでd=p/2であれば、その構造は横波用平面型セラミックトランスデューサのものと類似する。
([図6]、[表1]省略)
　平面型トランスデューサの効率は、個々のシングルドメイン領域におけるドメイン配向とRF電界の主方向とを考慮し、垂直方向の電界励起の場合と平行方向の電界励起の場合の両方における、厚み縦モードおよび厚みすべりモードでのLiTa03プレートの有効電気機械的結合係数から大まかに予測できる。LiTa03を用いた平面型トランスデューサに関し、表面配向と指電極配置との有望な組合わせ例を表1に示している。指電極がX軸の法線方向に配置された120° 回転Yカットプレートによれば、最も効率的なトランスデューサが得られるであろう。なお、LiNb03を用いる場合には、同表を若干変更する必要がある。」
　
【4-5】刊行物5:特開平6-194706号公報 
「【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、基本波を第2高調波等に変換する光波長変換素子、特に詳細には周期ドメイン反転構造を有する光波長変換素子を作成するために、非線形光学効果を有する強誘電体に所定パターンのドメイン反転構造を形成する方法に関するものである。」
「【0035】
【実施例】以下、図面に示す実施例に基づいて本発明を詳細に説明する。まず図1を参照して、本発明の第1実施例について説明する。この図1中、1は非線形光学効果を有する強誘電体であるMgO-LiNbO3 の基板である。この基板1は単分極化処理がなされて厚さ0.5 mmに形成され、最も大きい非線形光学定数d33が有効に利用できるようにz面で光学研磨されている。この基板1の-z面1a上に金属Taをスパッタして厚さ50nmのTa薄膜を形成した後、フォトリソグラフィーとドライエッチングにより、同図(a)に示されるようなTaマスク2の周期パターンを形成する。このパターンの周期Λは、MgO-LiNbO3 の屈折率の波長分散を考慮し、基板1のx方向に沿って880 nm近辺で1次の周期となるように4μmとした。
【0036】次に上記基板1に対して、ピロリン酸中で230 ℃×15分間のプロトン交換処理を行ない、同図(b)に示されるような厚み0.5 μmの周期プロトン交換部3を形成する。このプロトン交換後、Taマスク2はNaOHとH2 O2 の混合エッチング液で除去する。
【0037】さらに、後述の電場印加をする際の電位を均一にするため、基板裏面の+z面1bに金属Pt5をEB蒸着する。このようにして作成したサンプルを、同図(c)に示すようにアース7に接続されたヒーター6で温度200 ℃に加熱し、それとともに該サンプルにコロナ帯電により電場を印加した。この際、コロナワイヤー4と基板1との距離は10mmに設定し、高圧電源8からこのコロナワイヤー4を介して-5kVの電圧を10分間印加した。以上の処理後、+z面1bに蒸着した金属Pt5を除去し、y面を切断、研磨した後、HFとHNO3 とが1:2に混合されてなるエッチング液を用いて選択エッチングを行なった。
【0038】この基板1の断面(y面)を観察したところ、同図(d)に示すようにプロトン交換部3が形成されていた箇所において、Λ=4μmの周期で-z面から+z面まで貫通する周期ドメイン反転部9が形成されているのが確認された。なおこの図1(d)の矢印10は、分極の方向を示している。」
　
【5】対比・判断
【5-1】発明1
《対比》
　刊行物1の記載事項(【4-1】)及び刊行物1の図8〜図11、図17の記載からみて、刊行物1には
　「C軸方向の自発分極Psを有し(図11参照)、基板1の-C軸は基板1の法線22に対して0度以上85°以下の角度で傾いており、d33方向に大きな非線形光学定数をもつ高非線形材料であるLiTaO3基板1に、周期Λ、幅Wの分極反転層4が周期的に基板表面と平行に形成され、その表面に沿って延びるプロトン交換光導波路5が形成されてなり、該光導波路において分極反転層4の並び方向に導波する波長860nmのTEモードの基本波を波長430nmの第二高調波(SHG)に波長変換し、分極反転層4の深さは前記角度が89°から小さくなるに従い増加し、85°で飽和し、30°以下になると反転層深さが減少し、30°以上85°以下の角度で形成すると深い分極反転層が形成でき、さらに60°以上85°以下の角度で形成すると反転層の均一性も増す、分極反転層をプロトン交換処理と熱処理により形成し光波長変換素子」なる発明(以下、「引用発明」という。)が記載されている。引用発明において、自発分極Psの方向はC軸方向であり、分極反転層をプロトン交換処理と熱処理により形成する場合に、基板1の-C軸は基板1の法線22に対し角度、60°〜85°の角度で傾いていることが好ましいとされている(刊行物1の【0071】参照)。
　ここで、引用発明において、分極反転層4の分極の方向と、自発分極Psの分極の方向とは、互いに180°反転した方向であり、互いに平行であることは明らかである。
　そして、引用発明における「d33方向に大きな非線形光学定数をもつ高非線形材料であるLiTaO3基板1」、「分極反転層4」及び「波長860nmのTEモードの基本波」は、それぞれ、発明1の「非線形光学効果を有する強誘電体結晶基板」、「ドメイン反転部」及び「基本波」に相当する。
　したがって、両者は
　「非線形光学効果を有する強誘電体結晶基板に、その一表面に沿って延びる光導波路が形成されるとともに、この光導波路に基板の自発分極の向きを電場印加により180°反転させたドメイン反転部が周期的に形成されてなり、該光導波路においてドメイン反転部の並び方向に導波する基本波を波長変換する光波長変換素子において、基本波の導波方向に垂直な面内において、前記基板の自発分極の向きが該基板の前記一表面に対して角度θをなしていることを特徴とする光波長変換素子。」の点で一致し、発明1は、基板外部からの電場を用いて自発分極の向きが基板の一表面に対して角度θ(0°＜θ≦3°)をなすドメイン反転部を形成しているのに対して、引用発明は、プロトン交換処理と熱処理により内部に電場を形成して自発分極の向きが基板の法線に対して0度以上85°以下(すなわち一表面に対して5°≦θ≦90°)、好ましくは60°〜85°の角度(すなわち一表面に対して5°≦θ≦30°)をなすドメイン反転部を形成している点(以下、「相違点1」という。)で相違する。
《判断》
　そこで、上記相違点1を検討するに、ドメイン反転部を形成するため、発明1のように外部からの電場印加を用いることは刊行物2、4、5において公知である。そこで角度θの選択について検討する。
　引用発明は、ドメイン反転部を形成するために、プロトン交換処理と熱処理により基板の内部に発生する電場を用いたものである。プロトン交換処理と熱処理を用いた引用発明の場合には、刊行物1の段落【0117】に記載されたように「θの値は分極反転層形成が可能な範囲が85度以下であるから、有効な範囲は60°≦θ≦85°である。」という、プロトン交換処理と熱処理に特有の現象に基づく制約を前提とするのであり、引用発明は、そのような制約の範囲内において最適の角度θの範囲を定めたものと認められる。一方、発明1は、外部からの電場を印加することによりドメイン反転部を形成することを前提とするものであり、本件特許明細書の段落【0029】に示された角度θとドメイン反転部の深さdとの関係(数式(1)参照)についての知見及び段落【0033】に記載されたTEシングルモードの導波条件を考慮した上で、さらに波長変換素子として適する角度θの範囲を定めたものである。
　以上のように、引用発明と発明1とは電場の印加の仕方に付随する技術的な前提を異にするものであり、一方の前提における角度θを、他方の前提のものに適用できるとする合理的根拠は存在しないから、当業者にとって、当該適用を試みる動機は生じない。したがって、引用発明の角度θの範囲を、基板外部からの電場印加を利用する発明1に適用すること及び当該適用にあたって、角度θを0°＜θ≦3°に変更することは、当業者といえども容易に想到することができたということはできない。
　なお、前述のように、ドメイン反転部を形成するため、外部からの電場印加を用いることは刊行物2、4、5において公知であるが、外部電界を用いてドメイン反転部を形成する場合に、ドメイン反転部の深さを深くするために自発分極の向きを基板の一表面に対して角度θ(0°＜θ≦3°)とすることについて示唆する記載は認められない。また、刊行物3は導波路の形成に関するものであり、外部電界を用いてドメイン反転部を形成する場合の自発分極の向きを基板の一表面に対して角度θ(0°＜θ≦3°)とすることについて示唆する記載は認められない。
　よって、発明1は、刊行物1〜5に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたとは認められない。
　
【5-2】発明2〜発明13
　発明2〜発明13は、発明1の技術事項である「基板外部からの電場印加」及び「自発分極の向きが該基板の前記一表面に対して角度θ(0°＜θ≦3°)」、あるいはそれらに相当する「外部から所定パターンに従って電場を印加」及び「強誘電体結晶を、その自発分極の向きに対して角度θ(0°＜θ≦3°)をなす面でカットして基板を形成」を各発明を特定する事項として共通に含むものである。
　よって、発明2〜発明13と引用発明とを対比すると、【5-1】に記載した相違点1が存在するから、【5-1】に記載した理由により、発明2〜発明13が、刊行物1〜5に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明することができたとは認められない。
　
【6】むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立の理由及び証拠方法によっては、本件の請求項1〜13に係る発明の特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件の請求項1〜13に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１４年１１月６日（２００２．１１．６）