【事件の表示】
　特許第３３７８６７８号「液晶表示装置」の請求項１に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３３７８６７８号の請求項１に係る特許を維持する。
【理　由】
【1】手続の経緯
　特許第3378678号の請求項1に係る発明は、平成6年12月9日に出願されたものであって、平成14年12月6日に設定登録がなされ、その後、中川徹より特許異議申立がなされ、取消理由通知に対して、応答期間内である平成15年12月25日に特許異議意見書の提出と共に訂正請求がなされたものである。
　
【2】訂正の適否についての判断
【2-1】訂正の要旨
　特許権者が求めている訂正の内容は、以下のとおりである。
　特許請求の範囲の【請求項1】の記載を、特許請求の範囲の減縮及び誤記の訂正を目的として、「【請求項1】 第1の基板上に形成され液晶駆動用の画素容量の一方を成す複数の画素電極、該各画素電極に接続する複数の薄膜トランジスタ、前記各画素電極に共通に重畳配置され前記各画素容量に並列関係をもって配置された補助容量を構成する補助容量電極、及び、前記第1の基板の液晶層を挟んだ対向位置に固定された第2の基板上に全面的に形成され前記各画素容量の他方を成す共通電極が設けられた液晶表示装置であって、前記補助容量電極上に遮光層、層間絶縁層、前記薄膜トランジスタが形成された構造を有しており、
前記補助容量電極は、前記薄膜トランジスタのドレイン電極及びソース電極に対する電圧が前記薄膜トランジスタの閾値以下となる電圧が、駆動の全期間に亘って印加されていることを特徴とする液晶表示装置。」と訂正する。
　
【2-2】訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　上記訂正事項により追加された、「該補助容量電極上に遮光層、層間絶縁層、前記薄膜トランジスタが形成された構造」は、特許明細書段落【0004】に記載されたものであり、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　また、上記訂正事項により追加された、「駆動の全期間に亘って」の部分は、特許明細書段落【0017】に記載されたものであり、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　また、上記訂正事項による、「印加」は、特許明細書段落【0017】に記載されたものであり、誤記の訂正を目的とするものである。
　また、上記訂正は、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
　
【2-3】むすび
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法第120条の4第2項及び同条第3項で規定する訂正について、平成6年法律第116号附則第6条第1項の規定により、なお従前の例によるとされる、同法律による改正前の特許法第126条第1項ただし書き及び第2項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
【3】特許異議の申立てについての判断
【3-1】本件発明
　訂正された本件の請求項1に係る発明(以下、「本件発明」という。)は、全文訂正明細書の特許請求の範囲の請求項1に記載された以下のものである。
　「【請求項1】第1の基板上に形成され液晶駆動用の画素容量の一方を成す複数の画素電極、該各画素電極に接続する複数の薄膜トランジスタ、前記各画素電極に共通に重畳配置され前記各画素容量に並列関係をもって配置された補助容量を構成する補助容量電極、及び、前記第1の基板の液晶層を挟んだ対向位置に固定された第2の基板上に全面的に形成され前記各画素容量の他方を成す共通電極が設けられた液晶表示装置であって、前記補助容量電極上に遮光層、層間絶縁層、前記薄膜トランジスタが形成された構造を有しており、
前記補助容量電極は、前記薄膜トランジスタのドレイン電極及びソース電極に対する電圧が前記薄膜トランジスタの閾値以下となる電圧が、駆動の全期間に亘って印加されていることを特徴とする液晶表示装置。」
　
【3-2】申立ての理由の概要
　申立人は、本件の訂正前の請求項1に係る発明は刊行物1に記載された発明であり、また刊行物1、2に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明できたものである旨主張している。
　また、申立人は、本件の訂正前の請求項1に係る発明は、従来技術との差異が明りょうでなく、特許法第36条第5項に規定する要件を満たしていない旨主張している。
　刊行物1: 特開平6-35002号公報 
　刊行物2: 特開平6-148684号公報 
　
【3-3】刊行物の開示事項
刊行物1:特開平6-35002号公報 
「【要約】
【目的】ドメインの発生を抑制し、表示品位の良好な液晶表示装置を提供する。
【構成】ソースバスライン5に印加される交流の画像信号Vsが印加されて、各絵素電極1に交流の画像信号Vsが印加されると、この交流の画像信号Vsに同期して、極性が反転した交流の対向電極信号Vcoが対向信号配線14を通して各対向電極6に印加される。このとき、各補助容量電極7には、各対向電極信号Vcoとは振幅が異なる交流の同期した補助容量信号Vcsが補助容量配線15を通して印加される。これにより、対向電極6と補助容量電極7との間に、絵素電極1と、絵素電極1とは同一の基板上に設けられた補助容量電極7等の間に形成される電界と交差する電界が形成される。」、
「【0021】[第一の実施例]本発明の駆動方法は、図1に示す液晶パネルを有するアクティブマトリクス方式の液晶表示装置の駆動に使用される。該液晶パネルは、アクティブマトリクス基板31と、該アクティブマトリクス基板31に液晶34を挟んで対向配置された対向基板33と、を有している。
【0022】アクティブマトリクス基板31は、図2に示すように、透明な絶縁性基板30と、該絶縁性基板30上に平行に配設された複数のソースバスライン5および各ソースバスライン5に直交して配設された複数のゲートバスライン4と、を有している。各ゲートバスライン4および各ソースバスライン5にて囲まれたそれぞれの領域に液晶を駆動する絵素電極1、および、この絵素電極1を駆動するTFT2が設けられている。各ゲートバスライン4には、補助容量電極7が各ゲートバスライン4に近接して平行に配設されている。」、
「【0024】各絵素電極1は、その一部が絶縁膜16を挟んで補助容量電極7上に積層されており、絵素電極1と補助容量電極7との積層部分において補助容量Csが形成されている。
【0025】もう一方の対向基板33は、透明な絶縁性基板32上に、該絶縁性基板32全体を覆う対向電極6が積層されて構成されており、該対向電極6に各絵素電極1が対向している。」、
「【0034】各電極の信号電圧波形を図5に示す。液晶パネル3が駆動されると、対向電極配線14には、交流の対向電極信号Vcoが印加されるとともに、補助容量配線15には、この対向電極信号Vcoとは周期と極性は等しく振幅が異なる補助容量信号Vcsが印加される。従って、対向電極6に印加される対向電極信号Vcoと、各補助容量電極7に印加される補助容量信号Vcsとの電圧差によって、両電極6および7の間には、両電極面に垂直な電界が形成される。」
　
刊行物2:特開平6-148684号公報
「【0005】【発明が解決しようとする課題】図5および図6に示した従来技術は、蓄積容量21がゲート線13に接続される。ゲート線は、TFTのスレッショルド電圧が2〜3Vと高いことと、液晶に信号電圧を十分に与えるために、20V程度まで駆動する必要がある。蓄積容量
を0.4pF,水平画素数を1257(HDTV対応)とすると、総容量は500pFとなる。垂直画素数を1035,走査周波数を60Hzとすると、ゲート線は16μS内に立ち上らなければならない。いまゲートパルスを1μSとすると、駆動電流は10mA以上、ゲート線の抵抗は2KΩ以下でなければならない。ゲート線幅を4μm,長さを4cmとすると、2KΩ以下を得るためには配線の総抵抗は0.2Ω/□よりも低くなければならない。」、
「【0012】透明電極aは液晶駆動用電極であり、容量絶縁膜を介して透明電極bとの間に蓄積容量が形成される。容量絶縁膜に100nm厚のシリコン窒化膜を用い、30×30μm2の画素で透明電極aが24×24μm2、開口率64%の場合には、蓄積容量として0.4pFが得られる。透明電極bはブラックマトリックスと呼ばれるアルミニウム遮光膜5に接続される。遮光膜の電位は通常グランドレベルに固定されている。」、
「【0016】図3は、本発明の画素の平面図である。TFT以外の部分は光透過領域となるため、高開口率が確保できる。30×30μm2の画素でも、容易に50%以上の開口率が得られる。」、
「【0019】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、画素電極の下に蓄積容量電極を設け、蓄積容量電極と遮光膜(ブラックマトリックス)を接続する構造を用いているので、以下に示す効果を有する。(a)開口率を犠牲にすることなく、大きな蓄積容量を得ることができる。(b)蓄積容量はブラックマトリックスに接続されるため、蓄積容量配線が不要になる。(c)蓄積容量はゲート線につながらないため、ゲート線の負荷が軽くなり、シリサイド等のゲート配線が使える。(d)透明電極をTFTより上層部に形成できるため、TFT形成に高温プロセスが使え、高信頼性で高性能な特性が得られる。(e)ブラックマトリックス形成後の素子表面の平坦性に優れる。(f)ドレイン線と画素電極は遮光膜でシールドされるため、カップリング容量が小さく、高階調が実現できる。(g)透明電極をデバイスの上層部に形成するため、TFT作製に高温プロセスが使え、高性能と高信頼性が得られる。」
　
【3-4】本件特許明細書の記載不備について
　前記訂正により、本件発明は、「補助容量電極上に遮光層、層間絶縁層、薄膜トランジスタが形成された構造」すなわち、寄生TFTによるリークが発生しやすい構成を前提とすることが明確になったので、特許異議申立人の主張する記載不備の点は解消した。
　
【3-5】刊行物記載の発明との対比・判断
　本件発明は、「補助容量電極上に遮光層、層間絶縁層、薄膜トランジスタが形成された構造」すなわち、寄生TFTによるリークが発生しやすい構成を前提ととして、「前記補助容量電極は、前記薄膜トランジスタのドレイン電極及びソース電極に対する電圧が前記薄膜トランジスタの閾値以下となる電圧が、駆動の全期間に亘って印加されていること」により、補助容量電極をゲートとしたTFTのOFF電流を抑え、電圧保持率を向上することができるものである。
　これに対して、刊行物1には、薄膜トランジスタのドレイン電極及びソース電極に対する容量電極の電圧が薄膜トランジスタの閾値以下となるものが示され、刊行物2には、画素電極の下に蓄積容量電極を設けた液晶表示素子の構造及び、ゲート線はTFTのスレッショルド電圧が2〜3Vと高いので液晶に信号電圧を十分に与えるために20V程度まで駆動する必要があることが示されているが、いずれも、「補助容量電極上に遮光層、層間絶縁層、薄膜トランジスタが形成された構造」を前提としておらず、本件発明の目的である、寄生TFTによるリークの問題を解決するための技術的知見を何ら示すものではない。
　従って、本件発明は、刊行物1、2に記載されたものではなく、また、寄生TFTによるリークの問題を解決するために、薄膜トランジスタのドレイン電極及びソース電極に対する電圧が前記薄膜トランジスタの閾値以下となる電圧補助容量電極に、駆動の全期間に亘って印加することは、刊行物1、2に記載されたものから当業者が容易に想到できた事項ということもできない。
　よって、刊行物1、2に記載された発明を根拠として、本件発明が特許法第29条第1項又は第2項に違反して特許されたものということはできない。
　
【3-6】むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立の理由及び証拠方法によっては、本件の請求項1に係る発明の特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件の請求項1に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１６年１月１５日（２００４．１．１５）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
液晶表示装置
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　第１の基板上に形成され液晶駆動用の画素容量の一方を成す複数の画素電極、該各画素電極に接続する複数の薄膜トランジスタ、前記各画素電極に共通に重畳配置され前記各画素容量に並列関係をもって配置された補助容量を構成する補助容量電極、及び、前記第１の基板の液晶層を挟んだ対向位置に固定された第２の基板上に全面的に形成され前記各画素容量の他方を成す共通電極が設けられた液晶表示装置
であって、前記補助容量電極上に遮光層、層間絶縁層、前記薄膜トランジスタが形成された構造を有しており、
前記補助容量電極は、前記薄膜トランジスタのドレイン電極及びソース電極に対する電圧が前記薄膜トランジスタの閾値以下となる電圧が
、駆動の全期間に亘って
加
　【請求項２】　前記補助容量電極は、前記共通電極の電圧をレベルシフトさせた電圧が印加されていることを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】本発明は、マスク枚数の削減プロセスを可能にした液晶表示装置に関し、特に、透明導電性の補助容量電極を用い、画素電極の全面に電荷保持用の補助容量を形成した液晶表示装置に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】液晶表示装置は小型、薄型、低消費電力などの利点があり、ＯＡ機器、ＡＶ機器などの分野で実用化が進んでいる。特に、スイッチング素子として、薄膜電界効果型トランジスタ（以下、ＴＦＴと略す）を用い、線順次走査駆動を可能としたアクティブマトリクス型は、原理的にデューティ比１００％のスタティック駆動をマルチプレクス的に行うことができ、大画面、高コントラスト比の動画表示が可能となる。
　【０００３】アクティブマトリクス型液晶表示装置は、液晶駆動用の画素電極がマトリクス状に配置形成され、各画素電極にＴＦＴが接続形成されたアレイ基板と、共通電極が一面に形成された対向基板が、液晶を挟んで貼り合わせされた構成となっている。画素電極と共通電極の対向部分は、液晶を誘電層とした画素容量となっている。共通電極は所定の電圧に設定され、各画素電極はＴＦＴのＯＮ中に選択された信号電圧が印加されて、各画素容量が駆動される。画素容量に印加された電圧は、次フィールドでの書き換えまでの間、ＴＦＴのＯＦＦ抵抗により保持される。液晶は、このように各画素容量に形成された電界により配向状態が微調整されて、光が変調され、これらの合成光を巨視的に視認することにより、表示画像として観察される。更に、ＴＦＴのアレイ基板側に、画素電極を共通として画素容量に並列結合された電荷保持用の補助容量を内蔵することにより、画素容量の印加電圧の保持特性を高めている。補助容量は、画素電極に重畳して補助容量電極を配置することにより形成されるが、遮光性材料からなる補助容量電極は、有効表示領域を縮小し、開口率低下の原因となっている。更に、補助容量は、最低でも画素容量と同じ程度必要であるが、補助容量電極の拡大は、直ちに、開口率の低下に結びつくので、電圧保持率の向上と開口率の向上は両立できない。
　【０００４】このような問題を解決するものとして、例えば、図３に示すような表示画素の単位構造を有する液晶表示装置がある。（ａ）は平面図であり、（ｂ）はそのＡ−Ａ線に沿った断面図である。走査線であるゲートライン（１７Ｌ）と信号線であるドレインライン（１４Ｌ）が交差して配置され、これら両ライン（１４Ｌ，１７Ｌ）に囲まれた領域には画素電極（１４Ｐ）が形成されている。画素電極（１４Ｐ）とドレインライン（１４Ｌ）はＩＴＯ、即ち、酸化インジウムと酸化スズの合金からなる透明導電物により形成されている。画素電極（１４Ｐ）とドレインライン（１４Ｌ）の近接部は、それぞれソース電極（１４Ｓ）及びドレイン電極（１４Ｄ）となっている。ゲートライン（１７Ｌ）は、下層に半導体層（１５）とゲート絶縁層（１６）を配し、一部がゲート電極（１７Ｇ）としてソース及びドレイン電極（１４Ｓ，１４Ｄ）上に積層されてＴＦＴを成している。補助容量電極（１１）はＩＴＯにより基板（１０）上に全面的に形成されており、層間絶縁層（１３）を挟んで画素電極（１４Ｐ）の全面に重畳され、大きな補助容量を形成している。更に、補助容量電極（１１）上には、遮光層（１２）が形成され、画素電極（１４Ｐ）間の光漏れ及びＴＦＴ部への光入射を防いでいる。層間絶縁層（１３）は、補助容量電極（１１）及び遮光層（１２）を覆って全面に積層されており、ＴＦＴと画素電極（１４Ｐ）は層間絶縁層（１３）上に形成されている。一方、液晶層（３０）を挟んで対向配置された基板（２０）上には、遮光層（２１）及び共通電極（２２）が形成されている。
　【０００５】図４は、従来の液晶表示装置の駆動方法を示す波形図である。ＶｇＬとＶｇＨはゲート電圧、Ｖｄはドレイン電圧、Ｖｓはソース電圧、Ｖｃｏｍは共通電極電圧、Ｖｓｔは補助容量電極電圧である。ゲート電圧がＶｇＨに立ち上がると、ＴＦＴはＯＮになり、ソース電圧（Ｖｓ）がドレイン電圧（Ｖｄ）と同じレベルになる。そして、ゲート電圧がＶｇＬに立ち下がると、ＴＦＴはＯＦＦになり、保持状態に入るが、ゲート・ソース間の寄生容量部でソース電圧（Ｖｓ）がゲート電圧（Ｖｇ）の立ち下がりの影響を受けて、ΔＶｓだけ下へシフトする。このため、共通電極電圧（Ｖｃｏｍ）は、その中心レベル（Ｖｃ）をドレイン電圧（Ｖｄ）の正負反転の中心レベルよりも、ΔＶｓだけ下へシフトさせている。ここで挙げたライン反転駆動では、共通電極電圧（Ｖｃｏｍ）は一走査期間毎に正負が反転し、ゲート電圧がＶｇＬの期間中は保持期間となり、ソース電圧（Ｖｓ）は、共通電極電圧（Ｖｃｏｍ）の反転に従って振られ、画素容量へ印加された保持電圧（Ｖｌｃ）が，定に保たれる。ドレイン電圧（Ｖｄ）の正負反転は、共通電極電圧（Ｖｃｏｍ）の正負反転と一走査期間毎に逆になっているとともに、ドレイン電圧（Ｖｄ）と共通電極電圧（Ｖｃｏｍ）の正負関係は、フィールド毎に逆転し、液晶層（３０）へ印加される電界もフィールド毎に正負が反転され、液晶の劣化が防止されている。また、補助容量電極電圧（Ｖｓｔ）は、共通電極電圧（Ｖｃｏｍ）と同じにされている。
　【０００６】図５は液晶表示装置の等価回路図である。ゲート電圧（Ｖｇ）が印加されるゲートライン（Ｇ）と、ドレイン電圧（Ｖｄ）が印加されるドレインライン（Ｄ）が交差して配置されており、これらの交点には、ＴＦＴ（Ｓ）が形成されている。ＴＦＴ（Ｓ）のソースは、画素容量（ＬＣ）及び補助容量（ＳＣ）の一方の電極となっている。画素容量（ＬＣ）及び補助容量（ＳＣ）の他方の電極は、それぞれ共通電極及び補助容量電極であり、いずれも共通電極電圧（Ｖｃｏｍ）（補助容量電極電圧（Ｖｓｔ））が印加される。
　【０００７】
　【発明が解決しようとする課題】図３に示す如く、補助容量電極（１１）が全面的に形成された構造では、補助容量電極（１１）の電界効果により、ＴＦＴのリーク電流が生じ、画素容量（ＬＣ）の電圧保持率が低下し、コントラスト比が低下するなどの問題を招いていた。即ち、図４に示すようなライン反転駆動において、ソース電圧（Ｖｓ）とドレイン電圧（Ｖｄ）の正負が互いに逆となる期間（Ａ１，Ａ２，・・・）では、ソース・ドレイン間電圧（Ｖｓｄ）が大きくなると同時に、補助容量電極・ドレイン電極間電圧（Ｖｓｔｄ）は正となる。このため、補助容量電極・ドレイン電極間電圧（Ｖｓｔｄ）が閾値を越えると、図５に示す寄生ＴＦＴ（Ｓ’）がＯＮされて、ソース・ドレイン間で電流が生じ、各期間（Ａ１，Ａ２，・・・）が進むにつれてソース電圧（Ｖｓ）がドレイン電圧（Ｖｄ）のレベルへ向かって変化し、画素容量の保持電圧（Ｖｌｃ）が減少していく。
　【０００８】また、図４で示した波形と正負が逆のフィールドでも、ソース電圧（Ｖｓ）とドレイン電圧（Ｖｄ）の正負が互いに逆となる期間では、ドレイン・ソース間電圧が大きくなるとともに、補助容量電極・ソース電極間電圧は正となるため、補助容量電極・ソース電極間電圧が閾値を越えると、寄生ＴＦＴ（Ｓ’）によりリーク電流が生じ、ソース電圧（Ｖｓ）が変化する。
　【０００９】このような、リーク電流の生じ得る期間は、全期間の１／２に当るため、表示画像によっては、ソース電圧（Ｖｓ）の変化が起こって、電圧保持率が下がり、コントラスト比の低下が顕著になっていた。特に、表示画面の中央部では、光源光や周囲光などが半導体層（１５）に回り込みやすく、ＴＦＴの抵抗が下がるため、いよいよリーク電流が生じやすくなっており、黒、あるいは、白が十分に得られず灰色になる、いわゆる光抜けが生じ、表示品位を悪化させていた。
　【００１０】
　【課題を解決するための手段】第１に、第１の基板上に形成され液晶駆動用の画素容量の一方を構成する複数の画素電極、該各画素電極に接続する複数の薄膜トランジスタ、前記各画素電極に共通に重畳配置されて前記各画素容量に並列関係をもって配置された補助容量を構成する補助容量電極、及び、前記第１の基板の液晶層を挟んだ対向位置に固定された第２の基板上に全面的に形成され前記各画素電極により規格されて前記各画素容量の他方を構成する共通電極が設けられた液晶表示装置において、前記補助容量電極は、前記薄膜トランジスタのドレイン電極及びソース電極に対する電圧が前記薄膜トランジスタの閾値以下となる電圧が印加されている構成とした。
　【００１１】第２に、第１の構成において、前記補助容量電極は、前記共通電極の電圧をレベルシフトさせた電圧が印加されている構成とした。
　【００１２】
　【作用】前記第１の構成で、補助容量電極のドレイン電極及びソース電極に対する電圧差が薄膜トランジスタの閾値以下となるように設定することにより、補助容量電極の電圧により電界が形成されても、薄膜トランジスタにリーク電流は生じず、電圧保持率の低下が防がれる。
　【００１３】前記第２の構成で、共通電極信号をレベルシフトさせて、薄膜トランジスタの閾値よりも低くした電圧を補助容量電極に印加することにより、薄膜トランジスタのリーク電流が防がれるとともに、コストの増大も低く抑えられる。
　【００１４】
　【実施例】続いて、本発明の実施例を説明する。図１は、図３で示した構造の液晶表示装置において、各電極に印加するべき電圧、及び、各電極の電気的振舞を示した波形図である。図４で用いたと同様、ＶｇＬとＶｇＨはゲート電圧、Ｖｄはドレイン電圧、Ｖｓはソース電圧、Ｖｃｏｍは共通電極電圧、Ｖｓｔは補助容量電極電圧である。本実施例では、補助容量電極電圧（Ｖｓｔ）は、共通電極電圧（Ｖｃｏｍ）からレベルシフトさせ、Ｈレベル時においても、ＴＦＴの閾値を超えないように設定している。
　【００１５】回路的には、共通電極信号の一部を周知のレベルシフト回路へ入力し、その出力を補助容量電極（１１）へ印加する設計とする。ゲート電圧がＶｇＨ期間中、ＴＦＴはＯＮになり、ソース電圧（Ｖｓ）がドレイン電圧（Ｖｄ）と同じレベルにされた後、ゲート電圧がＶｇＬに立ち下がると、ＴＦＴはＯＦＦになり、保持状態に入る。この時、ゲート・ソース間の寄生容量部でソース電圧（Ｖｓ）がゲート電圧（Ｖｇ）の立ち下がりの影響を受けて、ΔＶｓだけ下へシフトする。このため、共通電極電圧（Ｖｃｏｍ）は、その中心レベル（Ｖｃ）をドレイン電圧（Ｖｄ）の正負反転の中心レベルよりも、ΔＶｓだけ下へシフトさせている。ここで挙げたライン反転駆動では、共通電極電圧（Ｖｃｏｍ）は一走査期間毎に正負が反転し、ゲート電圧ＶｇＬ期間中は保持期間となり、ソース電圧（Ｖｓ）は、共通電極電圧（Ｖｃｏｍ）の反転に従って上下に振られ、画素容量の保持電圧（Ｖｌｃ）を一定に保っている。ドレイン電圧（Ｖｄ）の正負反転は、共通電極電圧（Ｖｃｏｍ）の正負反転と一走査期間毎に逆になっているとともに、ドレイン電圧（Ｖｄ）と共通電極電圧（Ｖｃｏｍ）の正負関係は、フィールド毎に逆転し、液晶層（３０）へ印加される電界もフィールド毎に正負が反転され、液晶の劣化が防止されている。
　【００１６】本発明では、補助容量電極電圧（Ｖｓｔ）は、共通電極電圧（Ｖｃｏｍ）より一定幅（Ｖｓｆ）引き下げられたレベルに設定されており、ドレイン電圧（Ｖｄ）との電圧差Ｖｓｔｄ、及び、ソース電圧（Ｖｓ）との電圧差が最大でもＴＦＴの閾値以下となるように構成し、寄生ＴＦＴを消滅している。なお、図１で示したフィールドでは、補助容量電極・ドレイン電極間電圧（Ｖｓｔ）を小さくすることが要され、図示は省いたが、図１に示したフィールドと正負が逆のフィールドでは、補助容量電極・ソース電極間電圧を小さくすることが要されている。
　【００１７】このため本実施例では、補助容量電極電圧（Ｖｓｔ）の中心レベルをゲートＬ電圧（ＶｇＬ）と同じに設定することにより、全期間において、ソース及びドレイン電極に対する補助容量電極（１１）の電圧差をＴＦＴの閾値以下に抑えている。これにより、補助容量電極（１１）の電界効果によりＴＦＴのＯＦＦ抵抗が低下することがなくなり、リーク電流によるソース電圧（Ｖｓ）の変化が防がれ、保持電圧（Ｖｌｃ）の減少が抑えられて電圧保持率が向上される。
　【００１８】図２に、このように構成された液晶表示装置の電圧と透過光強度の関係を調べた実験結果を示す。（ａ）は本発明の液晶表示装置について行った実験結果を示した特性図であり、（ｂ）は比較例として従来通りの駆動を行った液晶表示装置についての特性図である。実験では、ライン反転駆動において、補助容量電極電圧（Ｖｓｔ）を、それぞれ、図１に示した波形、及び、図４に示した波形に設定し、ドレイン電圧（Ｖｄ）の振幅を実用範囲内の最大幅１０［Ｖ］にした状態で、ゲート電圧（Ｖｇ）の振幅を１５［Ｖ］に保ったまま、ゲートＬ電圧（ＶｇＬ）をＶ＝−２５［Ｖ］から０［Ｖ］まで変化させた時の透過光強度（Ｔ）を調べグラフを作成した。ここで、白点で示したグラフは初期状態の装置についての実験結果であり、黒点で示したグラフは４００万ｌｘ、６０℃の条件で３０分間の負荷を加えて、信頼性を調べた実験結果である。なお、透過光強度（Ｔ）の値は変化分率に基づいて任意に設定している。また、実験は、ノーマリ・ホワイト・モードで行い、特に、ＴＦＴのＯＦＦ特性を透過光強度（Ｔ）により査定することを目的とした。
　【００１９】（ａ）のグラフより、電圧（Ｖ）が−７［Ｖ］の時、透過光強度（Ｔ）が急激に変化しており、ここから閾値（Ｖｔｈ）が存在し始めるのがわかる。即ち、ドレイン電圧（Ｖｄ）のレベルによっては、補助容量電極・ドレイン電極間電圧（Ｖｓｔｄ）が閾値を越え、リーク電流が生じて透過光強度（Ｔ）が変化し、特性が不安定になることが分かる。一方、閾値（Ｖｔｈ）以下の域では、透過光強度（Ｔ）は十分に低いレベルで一定に保たれており、特性が非常に安定している。これより、ゲートＬ電圧（ＶｇＬ）を、この閾値（Ｖｔｈ）以下に設定することにより、ＴＦＴのＯＦＦ抵抗が十分に高まり、ソース電圧（Ｖｓ）が一定レベルに保たれ、高い電圧保持率が得られることが分かる。また、信頼性試験後にも特性の変化はほとんど見られない。
　【００２０】これに対して（ｂ）では、透過光強度（Ｔ）の変化が緩やかで、全体的に電圧（Ｖ）の変化に伴って透過光強度（Ｔ）も変化しているとともに、十分に低いレベルが得られていない。即ち、補助容量電極（１１）の電界効果によるＴＦＴのリークのため電圧保持率が低下するので、透過光強度（Ｔ）を一定に保つことができなくなっている。またこの場合、最大のコントラスト比を得るには、ゲートＬ電圧（ＶｇＬ）を−２５［Ｖ］以下にとる必要があり、全体として、ゲート電圧（Ｖｇ）の振幅が大きくなるので、消費電力の増大、あるいは、ドライバー素子の耐久性などにも問題がでてくる。また、信頼性試験によっても、特性が大きく変化している。即ち、光照射あるいは高温状態下でＴＦＴのリーク電流が更に増大するため、電圧保持率が低下し、十分に低いレベルを維持できていないことが分かる。
　【００２１】本発明では、補助容量電極の電界効果を無くして、ＴＦＴのリーク電流を抑えて電圧保持率を向上したことにより、（ａ）に示したように、閾値（Ｖｔｈ）以下の域において透過光強度（Ｔ）が安定する特性が得られるとともに、信頼性が向上された。即ち、ＴＦＴのＯＦＦ時の透過光強度（Ｔ）を一定に、かつ、高い信頼性をもって保つことができた。また、閾値（Ｖｔｈ）での透過光強度（Ｔ）の変化が急峻であるため、ゲートＬ電圧を、閾値（Ｖｔｈ）を越えない高めの値に設定することができる。これにより、ゲート電圧に要されるＯＮ／ＯＦＦ電圧比が小さくなるので、ゲート信号振幅を小さく設定することにより、消費電力の低減、ドライバー素子の劣化防止がなされる。
　【００２２】また、層間絶縁層（１３）にピンホールなどあった場合、画素電極（１４Ｐ）と補助容量電極（１１）間でショートが発生しても、表示へ悪影響が出るのが防がれ、歩留まりが向上する。即ち、ショートによって十分に低く下げられた補助容量電極電圧（Ｖｓｔ）が画素電極（１３Ｐ）に印加されるため、共通電極電圧（Ｖｃｏｍ）からレベルシフトさせた分の電圧（Ｖｓｆ）が画素容量へ印加されるため、点欠陥が例えばノーマリ・ホワイト・モードにおいて白となり、目立たなくされる。
　【００２３】
　【発明の効果】以上の説明から明らかな如く、補助容量電極・ソース電極間電圧及び補助容量電極・ドレイン電極間電圧がＴＦＴの閾値以下となるように、補助容量電極の電圧信号を設定することにより、補助容量電極をゲートとしたＴＦＴのＯＦＦ電流を抑え、電圧保持率を向上するとともに、高い信頼性を得ることができた。また、急峻な閾値特性を持った電圧−透過光強度特性が得られるので、ゲート電圧のＯＮ／ＯＦＦ比の拡がりが抑えられ、ゲート信号振幅を小さくして消費電力を低下することができる。また、これにより、駆動部の素子特性の劣化が防がれ、寿命が延長された。
　【００２４】また、補助容量電極の電圧を十分に低く下げたことにより、画素電極と補助容量電極が短絡を起こしても、画素容量が駆動状態となって点欠陥が目立たなくなるので、歩留まりが向上する。
【図面の簡単な説明】
　【図１】本発明の実施例に係る液晶表示装置の電気的振舞を示した波形図である。
　【図２】本発明及び従来の液晶表示装置の特性を比較した電圧−透過光強度の特性曲線である。
　【図３】液晶表示装置の平面図と断面図である。
　【図４】従来の液晶表示装置の電気的振舞を示した波形図である。
　【図５】従来の液晶表示装置の等価回路図である
　【符号の説明】
　１０，２０　基板
　１１　補助容量電極
　１２，２１　遮光層
　１３　層間絶縁層
　１４　ソース・ドレイン電極配線
　１５　半導体層
　１６　ゲート絶縁層
　１７　ゲート電極配線
　２２　共通電極
　３０　液晶層
　Ｖｇ　ゲート電圧
　Ｖｄ　ドレイン電圧
　Ｖｓ　ソース電圧
　Ｖｃｏｍ　共通電極電圧
　Ｖｓｔ　補助容量電極電圧
　Ｖｓｄ　ソース・ドレイン間電圧
　Ｖｓｔｄ　補助容量電極・ドレイン電極間電圧
　Ｖｌｃ　保持電圧