【事件の表示】
　特許第３２３３２５８号「窒化物半導体の電極」の請求項１ないし３に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第３２３３２５８号の請求項１ないし３に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続きの経緯
　特許第３２３３２５８号の請求項１〜３に係る発明は、平成８年４月２４日に特許出願され、平成１３年９月２１日にその設定登録がなされ、その後、請求項１〜３に係る発明の特許について、川上 恒治 より特許異議の申立てがなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１４年１０月７日に特許異議意見書が提出されたものである。
　
２．本件発明
　本件特許第３２３３２５８号の請求項１〜３に係る発明は、特許明細書の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜３に記載された次のとおりのものである。
「　【請求項１】　ｐ型窒化物半導体層表面に、少なくともパラジウム（Ｐｄ）を含む金属が形成され、その上に白金（Ｐｔ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、オスミウム（Ｏｓ）、イジウム（Ｉｒ）、銀（Ａｇ）よりなる群から選択された少なくとも一種の金属、さらにその上に金（Ａｕ）が形成されたことを特徴とする窒化物半導体の電極。
　【請求項２】　前記ｐ型窒化物半導体のキャリア濃度は１×１０16／cm3以上であることを特徴とする請求項１に記載の窒化物半導体の電極。
　【請求項３】　前記窒化物半導体の電極は、窒化物半導体レーザのｐ型窒化物半導体層の表面に形成されることを特徴とする請求項１乃至２に記載の窒化物半導体の電極。」
（以下、夫々「本件発明１」〜「本件発明３」という。）　
　
３．特許異議申立理由について
3．1　特許異議申立人の主張
　特許異議申立人 川上 恒治 は、甲第１号証として特開平６−１５２０７２号公報（以下、「刊行物１」という。）、甲第２号証として特開平８−３２１１５号公報（以下、「刊行物２」という。）、甲第３号証として特開平７−２５４７３２号公報（以下、「刊行物３」という。）、甲第４号証として特開平８−６４８７１号公報（以下、「刊行物４」という。）及び甲第５号証として特開平７−１０６６３３号公報（以下、「刊行物５」という。）を提出し、
（１）本件発明１は、刊行物１に記載された発明である、又は 刊行物１と３乃至５から、或いは 刊行物２と３から当業者が容易に発明をすることができたものであり、
（２）本件発明２は、刊行物１と２乃至３から、刊行物１と２と４乃至５から、刊行物１と３と４乃至５から、或いは 刊行物２と３から当業者が容易に発明をすることができたものであり、
（３）本件発明３は、刊行物１に記載された発明である、又は 刊行物１と３乃至５から、刊行物１と２乃至３から、刊行物１と２と４乃至５から、或いは 刊行物１と３と４乃至５から当業者が容易に発明をすることができたものであるから、
　
　結局、本件発明１〜３に係る特許は、特許法第２９条第１項第３号に該当するにも拘わらず、または同法第２９条第２項の規定に違反して、特許されたものであり、取り消すべきものであると主張した。
　
3．2　各刊行物に記載の発明
　刊行物１（特開平６−１５２０７２号公報）には、
「本発明の半導体レーザの構造の例としては、利得導波型ストライプ・レーザの例として、図１に示すような電極ストライプ構造、図２に示すようなメサストライプ構造、図３に示すようなヘテロアイソレーションストライプ構造等を挙げることができ、・・・なお、図１〜図４において、・・・５は上部クラッド層（ｐ型Ｇａ1-x-y Ｉｎx Ａｌy Ｎ，０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１）、・・・７，８は電極、・・・である。」（【００２６】）、
　
「・・・電極材料としては、・・・ｐ型の窒化物系半導体層には仕事関数の大きなＡｕ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｒｈやこれらを主とした合金を用いることができる。これらの電極にＮｉ，Ｗ，Ａｕ，Ａｇ，Ｐｔ等の金属を積層して電極の耐熱性、耐ボンディング性の向上やワイヤーボンディング性を向上させることもできる。」（【００２７】）と記載されている。
　
　刊行物２（特開平８−３２１１５号公報）には、
「（実施例１）　図１は、本発明の一実施例である電極構造を示す断面概要図である。この電極構造はサファイア基板１上に作製され、膜厚５０ｎｍのＧａＮバッファ層２、膜厚３μｍ、キャリア濃度１×１０18ｃｍ-3のＭｇ添加ｐ型ＧａＮ層３、および電極４から構成されている。」（【００２８】）、
　
「電極４は、・・・図２に示すように、Ｍｇ添加ｐ型ＧａＮ層３の上に、Ｐｄ層５とＴｉ層６とを堆積して形成されている。・・・」（【００２９】）と記載されている。
　　
　刊行物３（特開平７−２５４７３２号公報）には、
「・・・２４５はｐ型ＧａＮクラッド層（厚さ１０μｍ、キャリ濃度１×１０18ｃｍ-3）、２４６はＰｔ／Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕからなるｐ型電極、・・・」と記載されている（【０１３４】）。
　
　刊行物４（特開平８−６４８７１号公報）には、
「・・・ｐ型ＧａＮ層の表面にはＮｉとＡｕよりなるｐ電極９が形成されて、それぞれの電極がワイヤーボンディングされている。・・・」（【０００３】）、
　
「・・・ｐ型層の電極９９は、マグネシウム（Ｍｇ）またはＭｇを含む合金の表面に、さらにＡｕが積層された少なくとも２層構造とされていることが好ましく、最も好ましくはワイヤーボンディングのボール１０と接触する層をＡｕとする。・・・」（【０００７】）と記載されている。
　
　刊行物５（特開平７−１０６６３３号公報）には、
「・・・さらに、本発明の発光素子は第一電極の上にボンディング用のパット電極として第二の電極を形成している。その第二の電極はＡｕを含有することにより、第一の電極と接着性が良く、ワイヤーボンディング時に用いられる金線よりできるボールとも接着性がよい。またＡｕは素子通電中に第一の電極へのマイグレーションが少なく、第一の電極を変質させることが少ない。・・・」（【０００８】）と記載されている。
　
3．3　対比・判断
3．3．1　特許法第２９条第１項第３号の規定の該当性、及び 第２９条第２項の規定違反について
（１）本件発明１について
　本件発明１と、刊行物１〜５に記載された発明を対比すると、刊行物１〜５には、本件発明１の構成である「少なくともパラジウム（Ｐｄ）を含む金属が形成され、その上に白金（Ｐｔ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、オスミウム（Ｏｓ）、イジウム（Ｉｒ）、銀（Ａｇ）よりなる群から選択された少なくとも一種の金属、さらにその上に金（Ａｕ）が形成されたことを特徴とするｐ型窒化物半導体の電極」について記載されておらず、示唆されていない。
　
　この点について、特許異議申立人は、
（i）刊行物１には、「Ｎｉ，Ｗ，Ａｕ，Ａｇ，Ｐｔ等の金属」を１層のみ積層するといった記載がない以上、「Ｎｉ，Ｗ，Ａｕ，Ａｇ，Ｐｔ等の金属」を複数層、積層する形態も包含されると考えることが妥当であり、刊行物１には、「ｐ型窒化物半導体表面に、Ｐｄが形成され、その上にＡｇ又はＰｔ、さらにその上にＡｕ、が形成されたｐ型窒化物半導体の電極」も記載されている、と主張する（特許異議申立書第１６頁下から第１３行〜第６行）。
　そこで検討すると、そもそも刊行物１には「Ａｕ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｒｈやこれらを主とした合金」と「Ｎｉ，Ｗ，Ａｕ，Ａｇ，Ｐｔ等の金属」との２層構造が、元素の組合せを全く特定することなく記載されているのみであって（刊行物１の第５頁左欄第１行〜第４行）、これらの中から「Ｐｄ」と「Ａｇ，Ｐｔ」と「Ａｕ」という特定の３層構造の組合せを選択する動機付けは見当たらない。しかも、刊行物１において「Ｎｉ，Ｗ，Ａｕ，Ａｇ，Ｐｔ等の金属」を形成する目的は「耐熱性、耐ボンディング性の向上やワイヤーボンディング性の向上」（刊行物１の第５頁左欄第４行〜第６行）にある点に鑑みれば、同刊行物では「Ｎｉ，Ｗ，Ａｕ，Ａｇ，Ｐｔ等の金属」を、ボンディングワイヤー等に接触しない「中間層」に使用することは想定していないと解するのが相当であり、上記の特許異議申立人の主張は当たらない。
　
（ii）また、異議申立人は、仮に刊行物１には、「ｐ型窒化物半導体表面に、Ｐｄが形成され、その上にＡｇ又はＰｔ、が形成されたｐ型窒化物半導体の電極」しか開示されていないとしても、そもそも、窒化物半導体の電極の最表面に金（Ａｕ）層を形成することは、刊行物３〜５に記載されているように周知であるから、刊行物１記載の発明と当該周知技術を組み合わせることによって、本件発明１を想到することは容易である、と主張する（特許異議申立書第１７頁第１行〜第１１行）。
　そこで検討すると、刊行物１には「Ａｕ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｒｈやこれらを主とした合金」と「Ｎｉ，Ｗ，Ａｕ，Ａｇ，Ｐｔ等の金属」との２層構造が、元素の組合せを全く特定することなく記載されているのみであって、これらの中から「Ｐｄ」と「Ａｇ，Ｐｔ」という特定の２層構造の組合せを選択する動機付けは見当たらない。また、仮に、上記の特定の２層構造を選択し得たとしても、前述したように、刊行物１において「Ｎｉ，Ｗ，Ａｕ，Ａｇ，Ｐｔ等の金属」の形成目的は「耐熱性、耐ボンディング性の向上やワイヤーボンディング性の向上」であり（上記（i））、「Ｎｉ，Ｗ，Ａｕ，Ａｇ，Ｐｔ等の金属」を、ボンディングワイヤー等に接触しない「中間層」に使用することは想定していないのであるから、上記の特許異議申立人の主張は当たらない。
　
（iii）さらに、特許異議申立人は、刊行物２には、ｐ型窒化物半導体の電極として「Ｐｄ／Ｔｉ積層構造の電極」が記載されており、刊行物３には、同じく「Ｐｔ／Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ積層構造の電極」が記載されているから、刊行物２の電極構成に刊行物３の電極構成を適用し、Ｐｄ／Ｐｔ／Ａｕの積層構造のｐ型窒化物半導体の電極を想到することは容易である、と主張する（特許異議申立書第１７頁第１２行〜第１８頁第１行）。
　そこで検討すると、刊行物２記載の発明は、「従来のＮｉ電極より接触抵抗の小さなオーミック電極の提供」を目的とするものであり、その目的を達成するために、電極の積層構造の第２層に「金属性窒化物層を形成する金属」である「Ｔｉ」を採用し、ｐ型半導体層中に存在する窒素原子を表面に引き寄せて、半導体層の表面近傍をｐ型伝導を得る上で好ましい結晶状態とするものである（刊行物２の【００１２】、【００２２】）。
　ところが、刊行物２の積層構造の内、「Ｔｉ層」を、刊行物３の［Ｐｔ／Ａｕ層］で置換した場合、「Ｐｔ」も「Ａｕ」も金属性窒化物を形成しない材料であるため（本件特許明細書【００１２】）、窒素原子の引き寄せによる接触抵抗の低減という刊行物２の発明の目的を達成できない。
　したがって、刊行物２の「Ｐｄ／Ｔｉ積層構造」の「Ｔｉ層」を、刊行物３の［Ｐｔ／Ａｕ層］で置換して本件発明１を想到することには「阻害事由」があると解されるから、上記の特許異議申立人の主張は首肯できない。
　
（iv）一方、本件発明１は上記の構成により、ｐ型窒化物半導体と安定して好ましいオーミック特性が得られ、しかも変質しにくいという特許明細書記載の格別顕著な効果を奏するものと認められる（本件特許明細書の実施例１〜８、【００２５】）。
　したがって、本件発明１は、刊行物１に記載された発明であるとすることができず、又は 刊行物１と３乃至５から、或いは 刊行物２と３から当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることができない。
　
（２）本件発明２及び３について
（i）本件発明２は、本件発明１に係る構成を引用し、さらに構成を付加したものであるから、上記した本件発明１についてと同様の理由により、刊行物１と２乃至３から、刊行物１と２と４乃至５から、刊行物１と３と４乃至５から、或いは 刊行物２と３から当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることができない。
　
（ii）本件発明３は、本件発明１に係る構成を引用し、さらに構成を付加したものであるから、上記した本件発明１についてと同様の理由により、刊行物１に記載された発明であるとすることができず、又は 刊行物１と３乃至５から、刊行物１と２乃至３から、刊行物１と２と４乃至５から、或いは 刊行物１と３と４乃至５から当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることができない。
　
４．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、本件の請求項1〜３に係る発明の特許を取り消すことができない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１５年１１月４日（２００３．１１．４）