【事件の表示】
　特許第３３４７７９４号「半導体製造装置」の請求項１に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３３４７７９４号の請求項１に係る特許を取り消す。
【理　由】
第１　手続きの経緯
本件特許第３３４７７９４号に係る手続きの主な経緯は次のとおりである。
　特許出願（特願平５−２８５６３号）　　平成　５年　１月２５日
　特許権設定登録　　　　　　　　　　　　平成１４年　９月　６日
　特許異議申立（申立人：鈴木俊孝）　　　平成１５年　５月１５日
　取消理由通知　　　　　　　　　　　　　平成１６年　１月　９日
　特許異議意見書・訂正請求書　　　　　　平成１６年　３月１９日
　
第２　訂正の適否についての判断
　１　訂正の内容
　（１）　訂正事項ａ
　特許請求の範囲の【請求項１】を
「【請求項１】　真空容器内を真空排気する高真空排気ラインとプロセス圧力制御用排気ラインとを並列に配置し、前記高真空排気ラインには真空容器側から順にエアバルブ、排気用ポンプを設け、前記プロセス圧力制御用排気ラインには真空容器側から順にエアバルブ、可変コンダクタンスバルブを設け、前記プロセス圧力制御用排気ラインの下流端を前記高真空排気ラインのエアバルブと前記排気用ポンプの間に接続した真空排気装置を有することを特徴とする半導体製造装置。」と訂正する。
　
　（２）　訂正事項ｂ
　明細書の【発明の詳細な説明】の段落番号【００１０】を
「【課題を解決するための手段】
　本発明は、真空容器内を真空排気する高真空排気ラインとプロセス圧力制御用排気ラインとを並列に配置し、前記高真空排気ラインには真空容器側から順にエアバルブ、排気用ポンプを設け、前記プロセス圧力制御用排気ラインには真空容器側から順にエアバルブ、可変コンダクタンスバルブを設け、前記プロセス圧力制御用排気ラインの下流端を前記高真空排気ラインのエアバルブと前記排気用ポンプの間に接続した真空排気装置を有することを特徴とするものである。」と訂正する。
　
　（３）　訂正事項ｃ
　明細書の【発明の詳細な説明】の段落番号【００１６】における「可変コンダクタンスバルブ４」を
「可変コンダクタンスバルブ１７」と訂正する。
　
　２　訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　（１）　訂正事項ａ
　上記訂正事項ａは、エアバルブ、排気用ポンプ及び可変コンダクタンスバルブの配置順を特定するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに当たる。
　さらに、訂正事項ａについては、特許明細書の【００１４】及び【図１】の記載から明らかであり、新規事項には当たらない。
　したがって、訂正事項ａは、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、かつ実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　
　（２）　訂正事項ｂ
　訂正事項ｂは、特許請求の範囲の訂正に対応して、これと整合するように発明の詳細な説明の欄を訂正するものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とするものに当たる。
　さらに、訂正事項ｂは、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、かつ実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　
　（３）　訂正事項ｃ
　【符号の説明】及び【図１】の記載から、訂正前の「可変コンダクタンスバルブ４」は、「可変コンダクタンスバルブ１７」の間違いであることが明らかである。そして、訂正事項ｃは、これを訂正するものであるから、誤記の訂正を目的とするものに当たる。
　さらに、訂正事項ｃは、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、かつ実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　
　３　訂正の適否のむすび
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、平成１１年改正前の特許法第１２０条の４第３項において準用する平成６年法律第１１６号による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書、第２項及び第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
第３　特許異議申立についての判断
　１　本件発明
　上記第２で示したように上記訂正は認められるので、本件請求項１に係る発明（以下、「本件発明」という。）は、上記訂正請求に係る訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものである。
「【請求項１】　真空容器内を真空排気する高真空排気ラインとプロセス圧力制御用排気ラインとを並列に配置し、前記高真空排気ラインには真空容器側から順にエアバルブ、排気用ポンプを設け、前記プロセス圧力制御用排気ラインには真空容器側から順にエアバルブ、可変コンダクタンスバルブを設け、前記プロセス圧力制御用排気ラインの下流端を前記高真空排気ラインのエアバルブと前記排気用ポンプの間に接続した真空排気装置を有することを特徴とする半導体製造装置。」
　
　２　特許異議申立の理由及び取消理由の内容
　（１）　特許異議申立の理由
　特許異議申立人は、証拠として、
刊行物１（特許異議申立人鈴木俊孝提出の甲第１号証）：特開平４−２５２０２１号公報
刊行物２（同参考資料１）：金持徹編「真空技術ハンドブック」，日刊工業新聞社発行，１９９０年３月３１日発行，第４９頁
を提出し、本件発明は、刊行物１に記載された発明であり、また、刊行物１，２に記載された発明に基づいて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第１項第３号又は同法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであるから、特許を取り消すべき旨主張している。
　
　（２）　取消理由の内容
　取消理由の内容も特許異議申立の理由と同趣旨である。
　
　３　刊行物１に記載された発明
　刊行物１は、半導体製造装置の排気システムに関するものであり、【図１】及び【図２】とともに以下の点が記載されている。
「【特許請求の範囲】
【請求項１】　真空排気システムを有する半導体製造装置の排気システムにおいて、プロセスチャンバーに圧力制御用排気ラインとは別にガス抜き用排気ラインを設けた事を特徴とする半導体製造装置の排気システム。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体製造装置の排気システムに関し、特にプロセスチャンバーの真空排気システムに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来この種の排気システムは、図２に示すように、プロセスチャンバー１の真空排気を行なう際、排気ライン８を通してポンプ３にて排気を行なう構成になっていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】この従来の排気システムでは、プロセスチャンバーより圧力制御用排気ラインをそのまま使用してポンプにて排気を行なっている。この圧力制御用排気ラインの途中にはバタフライバルブが介在しているため、プロセス終了後のガス抜きに時間がかかるという問題点があった。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明の排気システムは、プロセスチャンバーの圧力制御を行なう真空排気ラインとは別にガス抜き用の真空排気ラインを備えている。
【０００５】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明する。
【０００６】図１は本発明の一実施例の排気システム図である。チャンバープロセス中はバルブ５を開け、バタフライバルブ４を介して圧力制御ライン２よりポンプ３にて真空排気を行なう。また、プロセス終了後にチャンバー１のガス抜きを行なう場合は、バルブ５を閉め、バルブ７を開ける事によりバタフライバルブ４を介さずガス抜き用排気ライン６を介してポンプ６により真空排気を行なう。
【０００７】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、圧力制御用排気ラインとは別に専用のガス抜き用排気ラインを設置する事により、バタフライバルブを介さなくて済むためガス抜き時間を短縮できるという効果を有する。」
　さらに、【図１】には、
「チャンバー１にガス抜き用排気ライン６と圧力制御用排気ライン２とを並列に接続し、前記ガス抜き用排気ライン６にはチャンバー１側から順にバルブ７、ポンプ３を設け、前記圧力制御用排気ライン２にはチャンバー１側から順にバタフライバルブ４、バルブ５を設け、前記圧力制御用排気ライン２の下流端を前記ガス抜き用排気ライン６のバルブ７と前記ポンプ３の間に接続した排気システム」が記載されている。
　以上より、刊行物１には、
「チャンバー１内を真空排気するガス抜き用排気ライン６と圧力制御用排気ライン２とを並列に配置し、前記ガス抜き用排気ライン６にはチャンバー１側から順にバルブ７、ポンプ３を設け、前記圧力制御用排気ライン２にはチャンバー１側から順にバタフライバルブ４、バルブ５を設け、前記圧力制御用排気ライン２の下流端を前記ガス抜き用排気ライン６のバルブ７と前記ポンプ３の間に接続した半導体製造装置の排気システム。」が記載されている。
　
　４　本件発明と刊行物１記載の発明との対比・判断
　本件発明と刊行物１記載の発明とを対比すると、刊行物１記載の発明の「チャンバー１」、「圧力制御用排気ライン２」、「バルブ７，５」、「ポンプ３」、「バタフライバルブ４」、「排気システム」は、それぞれ本件発明の、「真空容器」、「プロセス圧力制御用排気ライン」、「エアバルブ」、「排気用ポンプ」、「可変コンダクタンスバルブ」、「真空排気装置」に相当し、刊行物１記載の発明における半導体製造プロセスを行うチャンバー（真空容器）が排気システム（真空排気装置）を備えている点は、本件発明の「真空排気装置を有する半導体製造装置」に相当し、さらに、刊行物１記載の発明の「ガス抜き用排気ライン６」と本件発明の「高真空排気ライン」は、共に「排気ライン」であるから、両者は、
［一致点］
「真空容器内を真空排気する排気ラインとプロセス圧力制御用排気ラインとを並列に配置し、前記排気ラインには真空容器側から順にエアバルブ、排気用ポンプを設け、前記プロセス圧力制御用排気ラインにはエアバルブ、可変コンダクタンスバルブを設け、前記プロセス圧力制御用排気ラインの下流端を前記排気ラインのエアバルブと前記排気用ポンプの間に接続した真空排気装置を有することを特徴とする半導体製造装置。」で一致し、
［相違点１］
　本件発明は、「高真空排気ライン」であるのに対して、刊行物１記載の発明では、「ガス抜き用排気ライン」である点、
［相違点２］
　本件発明は、「プロセス圧力制御用排気ラインには真空容器側から順にエアバルブ、可変コンダクタンスバルブを設け」ているのに対して、刊行物１記載の発明では、「プロセス圧力制御用排気ラインには真空容器側から順に可変コンダクタンスバルブ、エアバルブを設け」ている点、
　
　そこで、上記相違点について検討する。
［相違点１］
　半導体製造装置において、真空容器を高真空排気することは、周知（必要なら、特開昭６０−１７０２３４号公報（第４頁右上欄第６行〜第１３行）、特開昭６２−６９５０９号公報（第２頁左下欄第１８行〜同頁右下欄第４行）、実願昭５７−１８２５８８号（実開昭５９−８７１３４号）のマイクロフィルム（第３頁第１２行〜第１４行）参照。）であり、刊行物１記載の発明も半導体製造装置用の排気システムなので、当然ガス抜き用排気ラインにより高真空排気できるものであるから、相違点１は、実質的には相違点ではない。
　仮に、相違点であるとしても、ガス抜き用排気ラインにより高真空排気を行うことは、上記周知技術から、当業者が適宜なし得たことに過ぎない。
　
［相違点２］
　真空容器側から順にエアバルブ、可変コンダクタンスバルブを設けることは、周知（必要なら、特開昭６３−２２７９７６号公報、特開平３−１６１０４２号公報、特開昭６０−２５２３２号公報、実願平１−１３９７６２号（実開平３−７８９８２号）のマイクロフィルム、特開平４−３９４７０号公報、特開平３−２４５５２６号公報の図面参照。）であるから、刊行物１記載の発明において、エアバルブの取付け位置を可変コンダクタンスバルブの真空容器側とすることは、当業者が必要に応じて適宜なし得たことである。
　
　したがって、本件発明は、刊行物１記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
第４　むすび
　以上のとおりであるから、本件発明についての特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものである。
　したがって、本件発明についての特許は、拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものと認める。
　よって、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の一部の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第２項の規定により、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１６年６月８日（２００４．６．８）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
半導体製造装置
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　真空容器内を真空排気する高真空排気ラインとプロセス圧力制御用排気ラインとを並列に配置し、前記高真空排気ラインには
真空容器側から順に
真空容器側から順に
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】
　本発明は、真空室を具備する各種装置、特に半導体製造装置の真空排気装置に関するものである。
　【０００２】
　【従来の技術】
　従来の真空排気装置を図２に於いて説明する。
　【０００３】
　図中、１は半導体製造装置の反応室を構成する真空容器であり、該真空容器１に反応ガス導入管２が接続されると共に排気ライン１６が接続され、該排気ライン１６には、前記真空容器１側から、エアバルブ３、可変コンダクタンスバルブ４、ターボ分子ポンプ５、エアバルブ６、ロータリポンプ７が設けられる。又、前記真空容器１内の上下には、カソード電極８、アノード電極９が対峙して設けられ、両電極８，９間に高周波電力が印加されてプラズマが発生され、前記アノード電極９に載置した基板１０に所要の薄膜を生成する。又、図中１４は真空容器１内の圧力を検出する圧力検出器、１５は前記バルブを制御する制御器である。
　【０００４】
　上記従来の真空排気装置に於いて、前記真空容器１内を排気する場合、前記エアバルブ３，６を開、前記可変コンダクタンスバルブ４を全開とし、前記ロータリポンプ７、ターボ分子ポンプ５を動作させ真空引きする。初めに、前記ロータリポンプ７により、前記真空容器１内の真空粗引きを所要の値（１Ｔｏｒｒ）迄行い、次に前記ターボ分子ポンプ５により高真空の圧力（１×１０−６Ｔｏｒｒ）に真空引きする。
　【０００５】
　ここで前記基板１０が前記真空容器１内に搬入されると、前記真空容器１内をプロセス圧力（０．１〜１Ｔｏｒｒ）にする為に、前記反応ガス導入管２より不活性ガス若しくは所定流量のプロセスガスが導入され、前記可変コンダクタンスバルブ４によりプロセス圧力に制御される。これらの圧力制御は、前記圧力検出器１４からの信号を前記制御器１５に入力し、該制御器１５により、前記エアバルブ３、可変コンダクタンスバルブ４の開度を調整することで行っている。
　【０００６】
　【発明が解決しようとする課題】
　ところが、前記した従来のものでは下記の問題がある。
　【０００７】
　▲１▼　高真空の圧力（１×１０−６Ｔｏｒｒ程度）とプロセス圧力（０．１〜１Ｔｏｒｒ）の排気ライン１６が同一の為、高真空排気時には、可変コンダクタンスバルブ４の径を大きくしコンダクタンスを大きくする必要がある。然し、プロセス圧力での圧力制御は、非常に小さなコンダクタンスを必要とするため、バタフライ形可変コンダクタンスバルブ４ではハンチングを起こして圧力制御不能となる。又、バタフライバルブの代わりにスリット形可変コンダクタンスバルブを使用することもできるが、スリット形可変コンダクタンスバルブでは反応動作が遅いため制御時間が長くなる。
　【０００８】
　▲２▼　可変コンダクタンスバルブによる制御状態では、流速が遅くなる分、膜生成物が付着しやすい。又、メンテナンスの対象となるラインが排気ライン系統な為、ターボ分子ポンプ５等を含む一連の排気ラインを全て取外さなければならず、作業が煩雑で非常に時間を費やす。
　【０００９】
　本発明は斯かる実情に鑑みなしたものであり、圧力制御の可変コンダクタンスバルブの反応動作性を高め、且メンテナンス性を向上しようとするものである。
　【００１０】
　【課題を解決するための手段】
　本発明は、真空容器内を真空排気する高真空排気ラインとプロセス圧力制御用排気ラインとを並列に配置し、前記高真空排気ラインには
真空容器側から順に
真空容器側から順に
　【００１１】
　【作用】
　真空容器内が大気圧又はプロセス終了時の状態である場合は、高真空圧力排気ラインにより排気し、所定の圧力に達するとプロセス圧力制御用排気ラインにより排気する。
　【００１２】
　【実施例】
　以下、図面を参照しつつ本発明の一実施例を説明する。
　【００１３】
　尚、第１図中、第２図中で示したものと同一のものには同符号を付してある。
　【００１４】
　真空容器１に反応ガス導入管２から噴出するガスの流れに偏りが発生しない位置にプロセス圧力制御用排気ライン１２と高真空圧力排気ライン１３が接続され、該高真空圧力排気ライン１３には、前記真空容器１から、エアバルブ３、ターボ分子プンプ５、エアバルブ６、ロータリポンプ７が設けられる。前記プロセス圧力制御用排気ライン１２の下流端を前記ターボ分子ポンプ５の上流側に接続し、前記プロセス圧力制御用排気ライン１２には、エアバルブ１１、プロセス圧力制御用に適した径の可変コンダクタンスバルブ１７を設ける。
　【００１５】
　尚、ターボ分子ポンプ５の吸気側には、ターボを破損させるようなゴミを取り除くフィルタ（図示せず）が装着されている。
　【００１６】
　制御器１５は、圧力検出器１４からの信号に基づき、前記エアバルブ３、エアバルブ１１、及び前記両真空ポンプ５，７、前記可変コンダクタンスバルブ
１７
　【００１７】
　以下、作動を説明する。
　【００１８】
　真空容器１を真空引きする場合、前記エアバルブ３，６を開、前記エアバルブ１１を閉とし、前記ロータリポンプ７を駆動する。該ロータリポンプ７により、パーティクル発生数が落ちつく所要の値（およそ１Ｔｏｒｒ）の真空状態にした後、前記ロータリポンプ７と共にターボ分子ポンプ５を駆動し、該ターボ分子ポンプ５により高真空（１×１０−６Ｔｏｒｒ）に真空引きする。
　【００１９】
　基板１０が真空容器１内に装入され、前記真空容器１内をプロセス圧力にする為に、エアバルブ３を閉、可変コンダクタンスバルブ１７を全開、エアバルブ１１を開とする。前記反応ガス導入管２よりガスが導入され、可変コンダクタンスバルブ１７の調整により、前記真空容器１内がプロセス圧力に制御される。
　【００２０】
　前述した様に、プロセス圧力制御用排気ライン１２を別途設けたので、プロセス圧力制御に適した径の可変コンダクタンスバルブ１７の使用が可能になり、真空容器１内の圧力制御が容易となる。又、可変コンダクタンスバルブ１７の容量が小さくなり、流速が速くなるので、膜生成物の堆積が減少する。排気ラインを高真空圧力用とプロセス圧力用とに分け２系統設けるので、メンテナンスの対象となる部分が少なくなり、前記ポンプ５，７の取外しなしに可変コンダクタンスバルブ１７の取外しができ、作業性が向上し、生産性の向上を計ることができると共に可変コンダクタンスバルブを小径とし得、低コストで製作が可能となる。
　【００２１】
　基板１０の処理が完了すると、前記エアバルブ１１を閉、エアバルブ３を開とし、前記ロータリポンプ７、ターボ分子ポンプ５により排気を行う。
　【００２２】
　【発明の効果】
　以上述べた如く本発明によれば、排気ラインを高真空圧力排気ラインとプロセス圧力制御用排気ラインの２系統としたので、プロセス圧力制御を行う際に使用する可変コンダクタンスバルブの径をプロセス圧力制御用に適したサイズにでき、プロセス圧力での圧力制御が容易になり、高真空圧力排気ラインは大容量の排気を行える様構成できるので、排気時間の短縮となる。更に、２系統になる為、メンテナンスの対象をプロセス圧力制御用排気ラインに限定でき、ターボ分子ポンプ等を取外す必要がなくなり、作業性が向上し、メンテナンス時間の短縮、生産性の向上を図ることができる等、種々の優れた効果を発揮する。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　本発明の一実施例を示す説明図である。
　【図２】
　従来例を示す説明図である。
　【符号の説明】
　１　　　真空容器
　３　　　エアバルブ
　５　　　ターボ分子ポンプ
　６　　　エアバルブ
　７　　　ロータリポンプ
　１１　　エアバルブ
　１２　　プロセス圧力制御用排気ライン
　１３　　高真空圧力排気ライン
　１７　　可変コンダクタンスバルブ