(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
被照射対象に電子線を照射する電子線照射装置において、
電子線を生成させる電子銃と、
前記電子銃からの電子線を通すとともに第１開口領域と第１描画領域を有する第１アパーチャと、
前記第１アパーチャを通った電子線を通すとともに第２開口領域と第２描画領域を有する第２アパーチャと、
前記第２アパーチャを通った電子線を多列および多段に偏向させながら被照射対象に単位領域毎に照射する下流側偏向装置とを備え、
前記第１アパーチャの第１開口領域を通った電子線は前記第２アパーチャの第２描画領域に達し、前記第１アパーチャの第１描画領域を通った電子線は前記第２アパーチャの第２開口領域に達し、
前記第１アパーチャの第１描画領域は、第１開口領域より狭くなっていることを特徴とする電子線照射装置。
【請求項２】
前記第１アパーチャの第１描画領域は、第１開口領域に対して２０〜８０％となっていることを特徴とする請求項１記載の電子線照射装置。
【請求項３】
被照射対象に電子線を照射する電子線照射装置において、
電子線を生成させる電子銃と、
前記電子銃からの電子線を通すとともに第１開口領域と第１描画領域を有する第１アパーチャと、
前記第１アパーチャを通った電子線を通すとともに第２開口領域と第２描画領域を有する第２アパーチャと、
前記第２アパーチャを通った電子線を多列および多段に偏向させながら被照射対象に単位領域毎に照射する下流側偏向装置とを備え、
前記第１アパーチャの第１開口領域を通った電子線は前記第２アパーチャの第２描画領域に達し、前記第１アパーチャの第１描画領域を通った電子線は前記第２アパーチャの第２開口領域に達し、
前記下流側偏向装置は被照射対象上の単位領域のうち、前記第２アパーチャの第２描画領域を通る電子線により形成された部分が、各段毎に互いにずれるよう電子線を偏向させることを特徴とする電子線照射装置。
【請求項４】
被照射対象に電子線を照射する電子線照射装置において、
電子線を生成させる電子銃と、
前記電子銃からの電子線を通すとともに第１開口領域と第１描画領域を有する第１アパーチャと、
前記第１アパーチャを通った電子線を通すとともに第２開口領域と第２描画領域を有する第２アパーチャと、
前記第２アパーチャを通った電子線を多列および多段に偏向させながら被照射対象に単位領域毎に照射する下流側偏向装置とを備え、
前記第１アパーチャの第１開口領域を通った電子線は前記第２アパーチャの第２描画領域に達し、前記第１アパーチャの第１描画領域を通った電子線は前記第２アパーチャの第２開口領域に達し、
前記下流側偏向装置は被照射対象上の単位領域のうち、前記第２アパーチャの第２描画領域を通る電子線により形成された部分が、各段毎に互い違いとなるよう電子線を偏向させることを特徴とする電子線照射装置。
【請求項５】
前記第１アパーチャと前記第２アパーチャとの間に、前記第１アパーチャの第１開口領域を通った電子線を前記第２アパーチャの第２開口領域を通して、校正用電子線を形成する上流側偏向装置を設けたことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか記載の電子線照射装置。
【請求項６】
前記第１アパーチャの第１描画領域は複数の第１線状開口を有し、前記第２アパーチャの第２描画領域は複数の第２線状開口を有することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか記載の電子線照射装置。
【請求項７】
被照射対象に電子線を照射する電子線照射方法において、
電子銃から電子線を生成させる工程と、
前記電子銃からの電子線を、第１開口領域と第１描画領域を有する第１アパーチャに通す工程と、
前記第１アパーチャを通った電子線を、第２開口領域と第２描画領域を有する第２アパーチャに通す工程と、
前記第２アパーチャを通った電子線を下流側偏向装置により多列および多段に偏向させながら被照射対象に単位領域毎に照射する工程とを備え、
前記第１アパーチャの第１開口領域を通った電子線は前記第２アパーチャの第２描画領域に達し、前記第１アパーチャの第１描画領域を通った電子線は前記第２アパーチャの第２開口領域に達し、
前記第１アパーチャの第１描画領域は、第１開口領域より狭くなっていることを特徴とする電子線照射方法。
【請求項８】
前記第１アパーチャの第１描画領域は、第１開口領域に対して２０〜８０％となっていることを特徴とする請求項７記載の電子線照射方法。
【請求項９】
被照射対象に電子線を照射する電子線照射方法において、
電子銃から電子線を生成させる工程と、
前記電子銃からの電子線を、第１開口領域と第１描画領域を有する第１アパーチャに通す工程と、
前記第１アパーチャを通った電子線を、第２開口領域と第２描画領域を有する第２アパーチャに通す工程と、
前記第２アパーチャを通った電子線を下流側偏向装置により多列および多段に偏向させながら被照射対象に単位領域毎に照射する工程とを備え、
前記第１アパーチャの第１開口領域を通った電子線は前記第２アパーチャの第２描画領域に達し、前記第１アパーチャの第１描画領域を通った電子線は前記第２アパーチャの第２開口領域に達し、
前記下流側偏向装置は被照射対象上の単位領域のうち、前記第２アパーチャの第２描画領域を通る電子線により形成された部分が、各段毎に互いにずれるよう電子線を偏向させることを特徴とする電子線照射方法。
【請求項１０】
被照射対象に電子線を照射する電子線照射方法において、
電子銃から電子線を生成させる工程と、
前記電子銃からの電子線を、第１開口領域と第１描画領域を有する第１アパーチャに通す工程と、
前記第１アパーチャを通った電子線を、第２開口領域と第２描画領域を有する第２アパーチャに通す工程と、
前記第２アパーチャを通った電子線を下流側偏向装置により多列および多段に偏向させながら被照射対象に単位領域毎に照射する工程とを備え、
前記第１アパーチャの第１開口領域を通った電子線は前記第２アパーチャの第２描画領域に達し、前記第１アパーチャの第１描画領域を通った電子線は前記第２アパーチャの第２開口領域に達し、
前記下流側偏向装置は被照射対象上の単位領域のうち、前記第２アパーチャの第２描画領域を通る電子線により形成された部分が、各段毎に互い違いとなるよう電子線を偏向させることを特徴とする電子線照射方法。
【請求項１１】
前記第１アパーチャと前記第２アパーチャとの間に上流側偏向装置が設けられ、この上流側偏向装置により前記第１アパーチャの第１開口領域を通った電子線を前記第２アパーチャの第２開口領域を通して、校正用電子線を形成することを特徴とする請求項７乃至１０のいずれか記載の電子線照射方法。
【請求項１２】
前記第１アパーチャの第１描画領域は複数の第１線状開口を有し、前記第２アパーチャの第２描画領域は複数の第２線状開口を有することを特徴とする請求項７乃至１１のいずれか記載の電子線照射方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子線照射装置および電子線照射方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年のＬＳＩパターンの微細化、高集積化に伴い微細加工を実現できる電子線リソグラフィ技術が使用されている。電子線リソグラフィで使用される電子線照射装置は、矩形の開口部で形成される第１アパーチャを有し、電子線発生源から生成される第１アパーチャの開口部より広範囲の電子線を通すことで矩形の電子線を成形する。更に、第１アパーチャの下部へ、矩形の開口部で形成された第２アパーチャを設け、第１アパーチャ及び第２アパーチャを任意に重ねることで、自在にサイズ調整された矩形の電子線を成形している。サイズ調整された電子線は、偏向装置を通過し目的の基板上の所定の位置へ所定の電子線サイズで描画を行っている。
【０００３】
従来の電子線照射方法では所望のパターンに対して矩形の電子線を適切にサイズ成形を行い描画していた為、描画時間が大幅にかかり効率が非常に悪いものとなっていた。そこで解決方法として電子線一括描画方式が考案された（特許文献１）。
【０００４】
この電子線一括描画方式では、第２アパーチャ上へ所望のパターンを形成し、第１アパーチャの投影した電子線を第２アパーチャの任意の位置へ通すことで所望のパターンの形状をした電子線を成形し、目的の基板上へ描画を行う。この電子線一括描画方式によれば、矩形電子線により、所望パターンを１つ１つ描画していたのに対し、所望パターンの形状をした電子線により繰り返し描画することができる為、描画時間を大幅に削減することができる。
【０００５】
他方、電子線一括描画方式の問題点としては、描画精度を向上させる為装置校正用に矩形状電子線を装置校正用検出器に照射する必要があり、このため第１アパーチャと第２アパーチャに矩形開口を配置する必要がある。
【０００６】
このように第１アパーチャと第２アパーチャに矩形開口を設けると、とりわけ第２アパーチャにおける描画領域が狭くなり、描画効率が低下してしまう。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開昭６２−２６０３２２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明はこのような点を考慮してなされたものであり、装置校正用の機能をもつとともに描画効率を向上させることができる一括描画方式の電子線照射装置および電子線照射方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、被照射対象に電子線を照射する電子線照射装置において、電子線を生成させる電子銃と、前記電子銃からの電子線を通すとともに第１開口領域と第１描画領域を有する第１アパーチャと、前記第１アパーチャを通った電子線を通すとともに第２開口領域と第２描画領域を有する第２アパーチャと、前記第２アパーチャを通った電子線を多列および多段に偏向させながら被照射対象に単位領域毎に照射する下流側偏向装置とを備え、前記第１アパーチャの第１開口領域を通った電子線は前記第２アパーチャの第２描画領域に達し、前記第１アパーチャの第１描画領域を通った電子線は前記第２アパーチャの第２開口領域に達することを特徴とする電子線照射装置である。
【００１０】
本発明は、前記第１アパーチャの第１描画領域は、第１開口領域より狭くなっていることを特徴とする電子線照射装置である。
【００１１】
本発明は、前記第１アパーチャの第１描画領域は、第１開口領域に対して２０〜８０％となっていることを特徴とする電子線照射装置である。
【００１２】
本発明は、前記偏向装置は被照射対象上の単位領域のうち、前記第２アパーチャの第２描画領域を通る電子線により形成された部分が、各段毎に互いにずれるよう電子線を偏向させることを特徴とする電子線照射装置である。
【００１３】
本発明は、前記偏向装置は被照射対象上の単位領域のうち、前記第２アパーチャの第２描画領域を通る電子線により形成された部分が、各段毎に互いに互い違いとなるよう電子線を偏向させることを特徴とする電子線照射装置である。
【００１４】
本発明は、前記第１アパーチャと前記第２アパーチャとの間に、前記第１アパーチャの第１開口領域を通った電子線を前記第２アパーチャの第２開口領域を通して、校正用電子線を形成する上流側偏向装置を設けたことを特徴とする電子線照射装置である。
【００１５】
本発明は、前記第１アパーチャの第１描画領域は複数の第１線状開口を有し、前記第２アパーチャの第２描画領域は複数の第２線状開口を有することを特徴とする電子線照射装置である。
【００１６】
本発明は、被照射対象に電子線を照射する電子線照射方法において、電子銃から電子線を生成させる工程と、前記電子銃からの電子線を、第１開口領域と第１描画領域を有する第１アパーチャに通す工程と、前記第１アパーチャを通った電子線を、第２開口領域と第２描画領域を有する第２アパーチャに通す工程と、前記第２アパーチャを通った電子線を下流側偏向装置により多列および多段に偏向させながら被照射対象に単位領域毎に照射する工程とを備え、前記第１アパーチャの第１開口領域を通った電子線は前記第２アパーチャの第２描画領域に達し、前記第１アパーチャの第１描画領域を通った電子線は前記第２アパーチャの第２開口領域に達することを特徴とする電子線照射方法である。
【００１７】
本発明は、前記第１アパーチャの第１描画領域は、第１開口領域より狭くなっていることを特徴とする電子線照射方法である。
【００１８】
本発明は、前記第１アパーチャの第１描画領域は、第１開口領域に対して２０〜８０％となっていることを特徴とする電子線照射方法である。
【００１９】
本発明は、前記下流側偏向装置は被照射対象上の単位領域のうち、前記第２アパーチャの第２描画領域を通る電子線により形成された部分が、各段毎に互いにずれるよう電子線を偏向させることを特徴とする電子線照射方法である。
【００２０】
本発明は、前記下流側偏向装置は被照射対象上の単位領域のうち、前記第２アパーチャの第２描画領域を通る電子線により形成された部分が、各段毎に互い違いとなるよう電子線を偏向させることを特徴とする電子線照射方法である。
【００２１】
本発明は、前記第１アパーチャと前記第２アパーチャとの間に上流側偏向装置が設けられ、この上流側偏向装置により前記第１アパーチャの第１開口領域を通った電子線を前記第２アパーチャの第２開口領域を通して、校正用電子線を形成することを特徴とする電子線照射方法である。
【００２２】
本発明は、前記第１アパーチャの第１描画領域は複数の第１線状開口を有し、前記第２アパーチャの第２描画領域は複数の第２線状開口を有することを特徴とする電子線照射方法である。
【発明の効果】
【００２３】
以上のように、本発明によれば、装置校正用の機能をもつとともに、描画効率を向上させることができる一括描画方式の電子線照射装置および電子線照射方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】図１は本発明による電子線照射装置の一実施の形態を示す概略図。
【図２】図２（ａ）（ｂ）は各々第１アパーチャと第２アパーチャを示す図。
【図３】図３は第１アパーチャと第２アパーチャの線状開口を示す図。
【図４】図４（ａ）（ｂ）は各々第１アパーチャと第２アパーチャの変形例を示す図。
【図５】図５（ａ）（ｂ）は各々第１アパーチャと第２アパーチャの変形例を示す図。
【図６】図６（ａ）（ｂ）は各々第１アパーチャと第２アパーチャの変形例を示す図。
【図７】図７は第１電子線と第２電子線を含む電子線の配置状態を示す図。
【図８】図８は第１電子線と第２電子線を含む電子線の配置状態の変形例を示す図。
【図９】図９は第１電子線と第２電子線を含む電子線の配置状態の変形例を示す図。
【図１０】図１０は通常時における第１アパーチャを通過する電子線と第２アパーチャを通過する電子線の配置関係を示す図。
【図１１】図１１は装置校正時における第１アパーチャを通過する電子線と第２アパーチャを通過する電子線の配置関係を示す図。
【図１２】図１２は比較例における電子線照射装置を示す図。
【図１３】図１３は比較例における電子線照射装置を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
＜発明の実施の形態＞
以下、図面を参照して本実施の形態について説明する。
【００２６】
図１乃至図１２は本実施の形態による電子線照射装置および電子線照射方法を示す図である。
【００２７】
本実施の形態による電子線照射装置１１は、図１乃至図３に示すように、電子線４０を生成する生成源となる電子銃１２と、電子銃１２から生成された電子線４０を通過させるとともに、矩形状の第１開口領域１３ａと、第１描画領域１３ｂとをもつ第１アパーチャ１３と、第１アパーチャ１３を通過した電子線４０を偏向させる上流側偏向装置１４と、上流側偏向装置１４により偏向された電子線４０を通過させるとともに、矩形状の第２開口領域１５ａと、第２描画領域１５ｂとをもつ第２アパーチャ１５と、第２アパーチャ１５を通過した電子線４０を偏向させ、偏向した電子線４０を、被照射対象１０に照射する下流側偏向装置１６とを備えている。
【００２８】
このうち第１アパーチャ１３は、単一の矩形状の第１開口領域１３ａと、第一開口領域１３ａに隣接して設けられ、複数の第１線状開口１３Ａを含む第１描画領域１３ｂとを有している。また第２アパーチャ１５は、単一の矩形状の第２開口領域１５ａと、第１開口領域１５ａに隣接して設けられ、複数の第２線状開口１５Ａを含む第２描画領域１５ｂとを有している。
【００２９】
また、第１アパーチャ１３の第１開口領域１３ａと、第１描画領域１３ｂは図２（ａ）に示すように、左右方向に配置され、略同一の面積を占める。
【００３０】
すなわち、第１描画領域１３ｂの面積は、第１開口領域１３ａに対して１００％の面積を占める。
【００３１】
また、第１アパーチャ１３の第１線状開口１３Ａを含む第１描画領域１３ｂは、一括描画を行なう領域となっている。
【００３２】
また第２アパーチャ１５の第２開口領域１５ａと、第２描画領域１５ｂは図２（ｂ）に示すように左右方向に配置され、略同一の面積を占める。
【００３３】
すなわち、第２描画領域１５ｂの面積は、第２開口領域１５ａに対して１００％の面積を占める。
【００３４】
また第２アパーチャ１５の第２線状開口１５Ａを含む第２描画領域１５ｂは一括描画を行なう領域となっている。
【００３５】
さらに第１アパーチャ１３の第１開口領域１３ａを通った電子線４０は、第２アパーチャ１５の第２描画領域１５ｂに達し、第１アパーチャ１５の第１描画領域１５ｂを通った電子線４０は第２アパーチャ１５の第２開口領域１５ａに達するようになっている。
【００３６】
また、電子銃１２と第１アパーチャ１３との間には、電子銃１２からの電子線４０を集光させる第１集光器１７が設けられ、第１アパーチャ１３と第２アパーチャ１５との間には電子線４０を偏向させる上流側偏向装置１４と、電子線４０を集光させる第２集光器１８が設けられている。
【００３７】
さらに第２アパーチャ１５と被照射対象１０との間には、電子線４０を偏向させる下流側偏向装置１６と、電子線４０を集光させる第３集光器１９が設けられている。
【００３８】
このうち、上流側偏向装置１５は装置校正時に、第１アパーチャ１３の第１開口領域１３ａを通る電子線４０を偏向させて、第２アパーチャ１５の第２開口領域１５ａにもってきて、この第１アパーチャ１３の第１開口領域１３ａと第２アパーチャ１５の第２開口領域１５ａとにより装置校正用の電子線（校正用電子線）を生成するものである。
【００３９】
ところで一般に電子銃１１から生成された電子線４０は、その中心付近のエネルギが大きく、周縁付近のエネルギは小さくなっている。
【００４０】
このため電子銃１１から生成された電子線４０が矩形状の第１開口領域１３ａをもつ第１アパーチャ１３を通過することにより、電子線４０のうち、エネルギが大きい中心付近の電子線４０のみを使用することができる。
【００４１】
次に第１アパーチャ１３の第１開口領域１３ａを通過した電子線４０が第２アパーチャ１５の複数の第２線状開口１５Ａをもつ第２描画領域１５ｂを通過することにより、パターニングされた電子線４０を生成する。次にこの第２描画領域１５ｂを通りパターニングされた電子線４０によって、被照射対象１０に対して電子線照射を行なうことができる。
【００４２】
一方、電子銃１１から生成された電子線４０が第１アパーチャ１３の複数の第１線状開口１３Ａをもつ第１描画領域１３ｂを通り、パターニングされた電子線４０を生成する。この第１アパーチャ１３の第１描画領域１３ｂを通ってパターニングされた電子線４０は、その後第２アパーチャ１５の矩形状の第２開口領域１５ａを通る。次に第２アパーチャ１５の第２開口領域１５ａを通る電子線４０は、被照射対象１０に対して照射される。
【００４３】
図１０は通常の電子線照射時において、第１アパーチャ１３を通過する電子線４０と、第２アパーチャ１５を通過する電子線４０の配置関係を示す図である。図１０に示すように、第１アパーチャ１３を通過する電子線４０と、第２アパーチャ１５を通過する電子線４０は、互いに重なり合っている。
【００４４】
次にこのような構成からなる電子線照射装置１１を用いた電子線照射方法について説明する。
【００４５】
図１乃至図３に示すように、まず通常の電子線照射時において、電子銃１２から生成された電子線４０は第１アパーチャ１３の矩形状の第１開口領域１３ａを通過し、電子線４０のうちエネルギの大きな中心付近の電子線４０が選択される。
【００４６】
次に第１アパーチャ１３の第１開口領域１３ａを通過した電子線４０は上流側偏向装置１４によって偏向されて第２アパーチャ１５に入る。次に電子線４０は第２アパーチャ１５の複数の線状開口１５Ａを通過し、パターニングされた電子線４０を生成する。次に第２アパーチャ１５を通りパターニングされた電子線４０は下流側偏向装置１６を経て偏向され、被照射対象１０に対して照射される。
【００４７】
この間、同様に電子銃１２から生成された電子線４０は第１アパーチャ１３の第１描画領域１３ｂの複数の線状開口１３Ａを通過し、パターニングされた電子線４０を生成する。次にパターニングされた電子線４０は上流側偏向装置１４を経て第２アパーチャ１５に入る。次に第１アパーチャ１３の第１描画領域１３ｂでパターニングされた電子線４０は第２アパーチャ１５の矩形状開口１５ａを通り、電子線４０の周縁を整えた後、下流側偏向装置１６によって偏向されて被照射対象１０に対して照射される。
【００４８】
この場合、被照射対象１０に対して照射された電子線４０は、第１アパーチャ１３の第１描画領域１３ｂでパターニングされた後、第２アパーチャ１５の第２開口領域１５ａを通過する第１電子線４０Ａと、第１アパーチャ１３の第１開口領域１３ａを通過した後、第２アパーチャ１５の第２描画領域１５ｂでパターニングされた第２電子線４０Ｂとを含む。また第１電子線４０Ａと第２電子線４０Ｂとの間に境界４０Ｃが形成されている。
【００４９】
またこのようにして構成された第１電子線４０Ａと第２電子線４０Ｂを含む電子線４０を下流側偏向装置１６によって偏向させることにより、図７に示すように被照射対象１０上において、電子線４０を単位領域４０ａ毎に多列（図７の左右方向）および多段（図７の上下方向）にショット毎に照射して、パターニングされた電子線４０を用いて被照射対象１０に対して一括描画を実行することができる。
【００５０】
次に装置校正時において、電子銃１２により生成された電子線４０は、第１アパーチャ１３の矩形状の第１開口領域１３ａを通り、第１アパーチャ１３を通過した電子線４０は上流側偏向装置１５によって偏向されて第２アパーチャ１５の矩形状の第２開口領域１５ａを通る。
【００５１】
そしてこの第１アパーチャ１３の第１開口領域１３ａと第２アパーチャ１５の第２開口領域１５ａとにより装置校正用の電子線（校正用電子線）を生成する。
【００５２】
この場合、予め被照射対象１０が装置校正用検出器１０Ａに置き換えられており、第１アパーチャ１３の第１開口領域１３ａと第２アパーチャ１５の第２開口領域１５ａを通って生成された校正用電子線４０が装置校正用検出器１０Ａに照射される。このようにして電子線照射装置１１の装置校正が行なわれる。
【００５３】
すなわち、電子線照射装置１１の各構成部材は、電子線照射装置１１の使用中に帯電し、このことにより電子線４０の経路が変化することがある。
【００５４】
本実施の形態によれば、第１アパーチャ１３の第１開口領域１３ａと第２アパーチャ１５の第２開口領域１５ａとにより生成された校正用電子線４０を装置校正用検出器１０Ａに照射することにより、電子線照射装置１１の装置校正を確実に実行することができる。
【００５５】
ここで図１１は装置校正時において、第１アパーチャ１３を通過する電子線４０と、第２アパーチャ１５を通過する電子線４０の配置関係を示す図である。図１１に示すように、第１アパーチャ１３の矩形状の第１開口領域１３ａの角部と、第２アパーチャ１５の矩形状の第２開口領域１５ａの角部とにより、小形の校正用電子線４０を生成することができる。
【００５６】
以上説明したように、本実施の形態によれば、装置校正時において、第１アパーチャ１３の矩形状の第１開口領域１３ａの角度と、第２アパーチャ１５の矩形状の第２開口領域１５ａの角部を用いて、装置校正用の校正用電子線４０を生成することができる。
【００５７】
また、通常の電子線照射時において、第１アパーチャ１３の第１描画領域１３ｂを通過してパターニングされた電子線４０を第２アパーチャ１５の第２開口領域１５ａへ導くことにより、第１描画領域１３ｂでパターニングされた第１電子線４０Ａを生成することができる。さらに第１アパーチャ１３の第１開口領域１３ａを通過した電子線４０を第２アパーチャ１５の第２描画領域１５ｂへ導くことにより、第２描画領域１５ｂでパターニングされた第２電子線４０Ｂを生成することができる（図７参照）。
【００５８】
そしてこれら第１アパーチャ１３の第１描画領域１３ｂを通過してパターニングされた第１電子線４０Ａと第２アパーチャ１５の第２描画領域１５ｂを通過してパターニングされた第２電子線４０Ｂとを含む電子線４０を下流側偏向装置１６によって偏向させて電子線４０を被照射対象１０に多列および多段にショット毎に照射して一括描画を実行することができる。
【００５９】
この場合、上述のように第１アパーチャ１３の第１開口領域１３ａと第２アパーチャ１５の第２開口領域１５ａを用いて校正用電子線４０を確実に生成することができるため、第１アパーチャ１３および第２アパーチャ１５に校正用の電子線４０を生成するための特別な開口を設ける必要がない。このため第１アパーチャ１３の全域に第１開口領域１３ａおよび第１描画領域１３ｂを設けることができ、かつ第２アパーチャ１５の全域に第２開口領域１５ａおよび第２描画領域１５ｂを設けることができる。このように第１アパーチャ１３の全域および第２アパーチャ１５の全域を用いて電子線４０を生成することができるため、電子線照射装置１１の描画効率を向上させることができる。
【００６０】
すなわち、図１２（ａ）（ｂ）に示す比較例において、第１アパーチャ１３に矩形状の開口領域１３ｃが設けられ、第２アパーチャ１５に一括描画を行なう描画領域１５ｄが設けられている場合、第２アパーチャ１５に第１アパーチャ１３の開口領域１３ｃとともに校正用電子線を生成する開口領域がないため、図１２（ａ）（ｂ）に示す比較例では装置校正作業を行なうことができない。
【００６１】
また、図１３（ａ）（ｂ）に示す比較例において、第１アパーチャ１３に矩形状の開口領域１３ｃが設けられ、第２アパーチャ１５に一括描画を行なう描画領域１５ｄおよび校正用電子線４０を生成する矩形状の開口領域１５ｅが設けられ、第１アパーチャ１３の開口領域１３ｃと第２アパーチャ１５の開口領域１５ｅとの間で校正用電子線を生成することができる。
【００６２】
しかしながら、図１３（ａ）（ｂ）に示す比較例において、校正用電子線を生成することは可能であるが、第２アパーチャ１５に校正用電子線を生成するための開口領域１５ｅが設けられているため、第２アパーチャ１５中の描画領域１５ｄの面積が小さくなる。
【００６３】
これに対して本実施の形態によれば、第１アパーチャ１３の第１開口領域１３ａと第２アパーチャ１５の第２開口領域１５ａにより校正用電子線を確実に生成することができる。また第１アパーチャ１３の全域および第２アパーチャ１５の全域を用いて電子線４０を生成することができるため、電子線照射装置１１の描画効率を向上させることができる。
【００６４】
この様な構成からなる電子線照射装置および電子線照射方法は、例えば、フォトマスクへのパターン形成、半導体ウェハへの回路パターン形成、またはワイヤグリッド偏光子などの光学部材のパターン形成に用いることができる。
【００６５】
＜本発明の変形例＞
次に本発明の変形例について説明する。上記実施の形態において、第１アパーチャ１３の第１開口領域１３ａと第１描画領域１３ｂを左右方向に配置するとともに、第２アパーチャ１５の第２開口領域１５ａと第２描画領域１５ｂを左右方向に配置した例を示したが（図２（ａ）（ｂ）参照）、これに限らず図４（ａ）に示すように第１アパーチャ１３の第１開口領域１３ａと第１描画領域１３ｂを上下方向に配置してもよい。また図４（ｂ）に示すように第２アパーチャ１５の第１開口領域１５ａと第２描画領域１５ｂを上下方向に配置してもよい。
【００６６】
図４（ａ）において、第１アパーチャ１３の第１開口領域１３ａと第１描画領域１３ｂは同一の面積を有し、図４（ｂ）において第２アパーチャ１４の第１開口領域１４ａと第２描画領域１４ｂは同一の面積を有している。
【００６７】
次に図５（ａ）（ｂ）により本発明の他の変形例について説明する。
【００６８】
上記実施の形態において、第１アパーチャ１３の第１開口領域１３ａと第１描画領域１３ｂは同一面積を有し、第２アパーチャ１５の第１開口領域１５ａと第２描画領域１５ｂも同一面積を有しているが（図２（ａ）（ｂ）および図３（ａ）（ｂ）参照）、これに限らず第１アパーチャ１３の第１開口領域１３ａに対して第１描画領域１３ｂの面積を２０〜８０％程度狭くしてもよい（図５（ａ）参照）。この場合、第１アパーチャ１３に合わせて、第２アパーチャ１５の第２描画領域１５ｂの面積に対して第２開口領域１５ａの面積は２０〜８０％程度に狭くなっている（図５（ｂ）参照）。
【００６９】
一般に、被照射対象１０から離れて設けられた第１アパーチャ１３の第１描画領域１３ｂによって形成される第１電子線４０Ａは精度はあまり高くない粗いパターンを有し、被照射対象１０の近くに設けられた第２アパーチャ１５の第２描画領域１５ｂによって形成される第２電子線４０Ｂは、精度の高いパターンを有する。本変形例によれば、精度の低いパターンをもつ第１電子線４０Ａと、精度の高いパターンをもつ第２電子線４０Ｂからなる電子線４０のうち、第２電子線４０Ｂの比率を高めることにより、精度の高いパターンをもつ電子線４０を得ることができる。
【００７０】
次に図６（ａ）（ｂ）により、本発明の更なる変形例について説明する。
【００７１】
図６（ａ）（ｂ）に示すように、第１アパーチャ１３にＬ字状の第１開口領域１３ａを設けるとともに、この第１開口領域１３ａに対して２０〜８０％の面積をもつ矩形状の第１描画領域１３ｂを設けてもよい（図６（ａ）参照）。
【００７２】
この場合、第１アパーチャ１３に合わせて、第２アパーチャ１５にＬ字状の第２描画領域１５ｂが設けられ、この第２描画領域１５ｂに対して２０〜８０％の面積をもつ矩形状の第２開口領域１５ａが設けられている（図６（ｂ）参照）。
【００７３】
次に図８および図９により本発明の更なる変形例について説明する。
【００７４】
上記実施の形態において、第１電子線４０Ａと第２電子線４０Ｂを有する電子線４０を単位領域４０ａ毎に多列および多段にショット毎に被照射対象１０に照射する例を示した（図７参照）。
【００７５】
図７において、第１電子線４０Ａと第２電子線４０Ｂを有する電子線４０は、各段（図７の上下方向）間において、上段の電子線４０と下段の電子線４０は、整然と並べられている。
【００７６】
ここで電子線４０の第１電子線４０Ａは精度が低いパターンを有し、第２電子線４０Ｂは精度が高いパターンを有する。
【００７７】
このうち精度が高いパターンをもつ第２電子線４０Ｂに着目すると、上段の電子線４０の第２電子線４０Ｂの真下に、下段の電子線４０の第２電子線４０Ｂが配置されている。
【００７８】
これに対して、図８に示すように上段の電子線４０と下段の電子線４０を互いにずらし、上段の電子線４０の第２電子線４０Ｂと下段の電子線４０の第２電子線４０Ｂを互いにずらしてもよい。
【００７９】
図８において、電子線４０の第１電子線４０Ａは精度の低いパターンをもち、第２電子線４０Ｂは精度の高いパターンをもち、第１電子線４０Ａと第２電子線４０Ｂとの間に境界４０Ｃが形成されている。
【００８０】
図８に示すように、上段の電子線４０の第２電子線４０Ｂと下段の電子線４０の第２電子線４０Ｂを互いにずらすことにより、各段における電子線４０の境界４０Ｃが上下方向に直線上に並ぶことを避けることができ、境界４０Ｃにより現われる周期的なスジ等の欠陥発生を防止できる。
【００８１】
あるいはまた、図９に示すように上段の電子線４０と下段の電子線４０を互いにずらし、上段の電子線４０の第２電子線４０Ｂと下段の電子線４０の第２電子線４０Ｂを互い違いに配置してもよい。
【００８２】
図９において、電子線４０の第１電子線４０Ａは精度の低いパターンをもち、第２電子線４０Ｂは精度の高いパターンをもち、第１電子線４０Ａと第２電子線４０Ｂとの間に境界４０Ｃが形成されている。
【００８３】
図９に示すように、上段の電子線４０の第２電子線４０Ｂと下段の電子線４０の第２電子線４０Ｂを互い違いに配置し、上段の第２電子線４０Ｂの下方に下段の第１電子線４０Ａをもってくることにより、各段における電子線４０の境界４０Ｃが上下方向に直線上に並ぶことを避けることができ、境界４０Ｃにより現われる周期的なスジ等の欠陥発生を防止できる。
【符号の説明】
【００８４】
１０  被照射対象
１１  電子線照射装置
１２  電子銃
１３  第１アパーチャ
１３ａ  第１開口領域
１３ｂ  第１描画領域
１４  上流側偏向装置
１５  第２アパーチャ
１５ａ  第２開口領域
１５ｂ  第２描画領域
１６  下流側偏向装置
４０  電子線
４０Ａ  第１電子線
４０Ｂ  第２電子線
４０Ｃ  境界
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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