【事件の表示】
　特許第３１５４１９７号「成膜装置」の請求項１ないし７に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３１５４１９７号の請求項４ないし５に係る特許を取り消す。
　同請求項１ないし３に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
　本件特許は、平成４年６月２９日に出願したものであって、請求項１ないし７に係る発明につき平成１３年２月２日に特許権の設定登録がなされた後、平成１３年１０月９日に特許異議申立人である高柳馨より請求項１ないし７に係る発明についての特許に対して特許異議の申立がなされて、取消の理由が通知され、その指定期間内である平成１５年４月１４日に訂正請求がなされ、訂正拒絶理由が通知され、その指定期間内である平成１５年６月２４日に手続補正書が提出されたものである。
　
２．訂正の適否についての判断
（１）訂正請求に対する補正の適否について
　特許権者は、訂正請求書第３頁第６〜２５行記載の訂正事項Ａ−４、第３頁第２６行〜第４頁第２１行記載の訂正事項Ａ−５、第７頁第２５行〜第８頁第２７行記載の訂正事項Ｂ−６及び第８頁第２８行〜第９頁最下行記載の訂正事項Ｂ−７を削除する補正をするものであり、当該訂正請求に対する補正は、訂正請求書の要旨を変更するものではなく、特許法第１２０条の４第３項において準用する平成６年法律第１１６号による改正前の特許法第１３１条第２項の規定に適合する。
　
（２）訂正の内容
　訂正の内容は、平成１５年６月２４日に補正された平成１５年４月１４日付け訂正請求書及びそれに添付された訂正明細書の記載からみて、以下のとおりである。
訂正事項Ａ−１
　請求項１を「半導体基板を載置する支持台と、前記半導体基板を前記支持台を介して加熱するための加熱装置と、前記半導体基板上に薄膜を成長させるための原料ガスを供給する原料ガス供給手段とを有する成膜装置において、
　前記支持台が、少なくとも半導体基板と接触する部分である接触部と、前記支持台の外周にあって反応室側壁に固定されている部分である固定部とに分割されており、該分割された支持台の両部分の間にパージガスを導入する機構を有し、該パージガスは前記接触部と固定部との隙間で構成されるガス導入路を通り、前記半導体基板の裏面周辺部にのみ吹き付けられ、これによって該半導体基板周辺部の原料ガスが希釈され、もって半導体基板裏面の外周部分のみ原料ガスが希釈されて反応が抑制されて半導体裏面への堆積が防止される構成にすることを特徴とする成膜装置。」と訂正する。
訂正事項Ａ−２
　請求項２を「前記支持台の接触部の材料には、熱伝導の良好な材料を用いることにより温度分布を均一にし、前記支持台の固定部の材料には、熱伝導性の低い材料を使うことにより熱逃げを防止することを特徴とする請求項１に記載の成膜装置。」と訂正する。
訂正事項Ａ−３
　請求項３を「半導体基板を載置する支持台と、前記半導体基板を前記支持台を介して加熱するための加熱装置と、前記半導体基板上に薄膜を成長させるための原料ガスを供給する原料ガス供給手段とを有する成膜装置において、
　前記支持台が、少なくとも半導体基板と接触する部分である接触部と、前記支持台の外周にあって反応室側壁に固定されている部分である固定部とに分割されており、該分割された支持台の両部分の間にパージガスを導入する機構を有し、該パージガスは前記接触部と固定部との隙間で構成されたガス導入路であってかつ半導体基板の外周に沿った環状に形成されたガス導入路を通り、前記半導体基板の裏面周辺部にのみ吹き付けられ、これによって該半導体基板周辺部の原料ガスが希釈されもって半導体基板裏面の外周部分のみ原料ガスが希釈されて反応が抑制されて半導体裏面への堆積が防止される構成であり、かつメタル薄膜形成ＣＶＤ装置であることを特徴とする成膜装置。」と訂正する。
訂正事項Ａ−６
　請求項６及び７を削除する。
訂正事項Ｂ−１
　特許明細書【０００３】欄の「ブランケットタングステンＣＶＤが注目が注目されているが」を「ブランケットタングステンＣＶＤが注目されているが」と訂正する。
訂正事項Ｂ−２
　特許明細書【００１２】欄の記載を「本出願の請求項１の発明は、半導体基板を載置する支持台と、前記半導体基板を前記支持台を介して加熱するための加熱装置と、前記半導体基板上に薄膜を成長させるための原料ガスを供給する原料ガス供給手段とを有する成膜装置において、前記支持台が、少なくとも半導体基板と接触する部分である接触部と、前記支持台の外周にあって反応室側壁に固定されている部分である固定部とに分割されており、該分割された支持台の両部分の間にパージガスを導入する機構を有し、該パージガスは前記接触部と固定部との隙間で構成されるガス導入路を通り、前記半導体基板の裏面周辺部にのみ吹き付けられ、これによって該半導体基板周辺部の原料ガスが希釈され、もって半導体基板裏面の外周部分のみ原料ガスが希釈されて反応が抑制されて半導体裏面への堆積が防止される構成にすることを特徴とする成膜装置であって、これにより上記目的を達成するものである。」と訂正する。
訂正事項Ｂ−３
　特許明細書【００１３】欄の記載を「本出願の請求項２の発明は、前記支持台の接触部の材料には、熱伝導の良好な材料を用いることにより温度分布を均一にし、前記支持台の固定部の材料には、熱伝導性の低い材料を使うことにより熱逃げを防止することを特徴とする請求項１に記載の成膜装置であって、これにより上記目的を達成するものである。」と訂正する。
訂正事項Ｂ−４
　特許明細書【００１４】欄の記載を「本出願の請求項３の発明は、半導体基板を載置する支持台と、前記半導体基板を前記支持台を介して加熱するための加熱装置と、前記半導体基板上に薄膜を成長させるための原料ガスを供給する原料ガス供給手段とを有する成膜装置において、前記支持台が、少なくとも半導体基板と接触する部分である接触部と、前記支持台の外周にあって反応室側壁に固定されている部分である固定部とに分割されており、該分割された支持台の両部分の間にパージガスを導入する機構を有し、該パージガスは前記接触部と固定部との隙間で構成されたガス導入路であってかつ半導体基板の外周に沿った環状に形成されたガス導入路を通り、前記半導体基板の裏面周辺部にのみ吹き付けられ、これによって該半導体基板周辺部の原料ガスが希釈されもって半導体基板裏面の外周部分のみ原料ガスが希釈されて反応が抑制されて半導体裏面への堆積が防止される構成であり、かつメタル薄膜形成ＣＶＤ装置であることを特徴とする成膜装置であって、これにより上記目的を達成するものである。」と訂正する。
訂正事項Ｂ−５
　特許明細書【００１５】欄の記載を「また、以下の請求項４及び５の発明により上記目的を達成するものである。」と訂正する。
訂正事項Ｂ−８
　特許明細書【００１８】欄及び【００１９】欄を削除する。
訂正事項Ｂ−９
　特許明細書の段落番号【００２０】ないし【００６０】を段落番号【００１８】ないし【００５８】と訂正する。
訂正事項Ｂ−１１
　特許明細書【００１９】欄の記載を「本出願の請求項４及び５の発明によれば、サセプターの温度分布が改善され、また、予め支持台（サセプター）にメタル薄膜を形成しておくことで、熱吸収効率の変化がなく、温度分布の変化がなく、安定した処理が行え、また、支持台（サセプター）にメタル薄膜を形成しておくことで、熱吸収効率が上がり、少ない電力で安定した加熱が行え、また、メタル薄膜コーティング材を、例えばブランケットタングステンＣＶＤで形成したタングステン膜と密着性のよい膜にすることで、サセプターに形成した膜が剥がれにくくでき、パーティクルを抑制できる。」と訂正する。
訂正事項Ｂ−１２
　特許明細書【００２０】欄の記載を
「【実施例】
　以下本発明の実施例について説明する。以下に述べる実施例１は本発明外の参考例であり、実施例２ないし４は、本発明を具体化したものである。なお、当然のことではあるが、本発明は以下の実施例により限定を受けるものではない。」と訂正する。
訂正事項Ｂ−１３
　特許明細書【００４０】欄の記載を
「ＣＶＤ条件
　第１ステップ
　温度：４５０℃
　圧力：９３１０Ｐａ
　ガス：ＳｉＨ4 ／ＷＦ６／Ｈ2 ＝７／１０／３００ｓｃｃｍ
　パージガス：Ａｒ＝５００ｓｃｃｍ
　第２ステップ
　温度：４５０℃
　圧力：９３１０Ｐａ
　ガス：ＳｉＨ4 ／ＷＦ６／Ｈ2 ＝７／２５／５００ｓｃｃｍ
　パージガス：Ａｒ＝１０００ｓｃｃｍ」と訂正する。
　
（３）訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の適否
　訂正事項Ａ−１は、パージガスの構成として、特許明細書【００３９】欄の記載に基づいて、「前記接触部と固定部との隙間で構成されるガス導入路を通り、前記半導体基板の裏面周辺部にのみ吹き付けられ、これによって該半導体基板周辺部の原料ガスが希釈され、もって半導体基板裏面の外周部分のみ原料ガスが希釈されて反応が抑制されて半導体裏面への堆積が防止される構成にする」との構成を追加し、限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　訂正事項Ａ−２は、特許明細書【００３６】欄の記載に基づいて、支持台の接触部の材料として熱伝導の良好な材料を用いることにより「温度分布を均一にする」、支持台の固定部の材料として熱伝導性の低い材料を使うことにより「熱逃げを防止する」との構成を追加し、限定するものでるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　訂正事項Ａ−３は、メタル薄膜形成ＣＶＤ装置であることを特徴とする請求項１に記載の成膜装置において、図４に接触部と固定部との隙間で構成されたガス導入路が半導体基板の外周に沿った環状に形成されていることが示されていることを基に、ガス導入路の構成に「半導体基板の外周に沿った環状に形成された」との構成を追加して、限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　訂正事項Ａ−６は、請求項６及び７を削除するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　訂正事項Ｂ−１は、「が注目が注目されている」を「が注目されている」とする誤記の訂正を目的とするものである。
　訂正事項Ｂ−２、Ｂ−３、Ｂ−４、Ｂ−５、Ｂ−８、Ｂ−９、Ｂ−１１は、訂正事項Ａ−１、Ａ−２、Ａ−３、Ａ−６と整合を図るものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
　訂正事項Ｂ−１２は、「以下に述べる実施例１は本発明外の参考例であり、実施例３ないし４は、本発明を具体化したものである」における「実施例３ないし４」を「実施例２ないし４」とするものであり、実施例１の参考例以外の実施例２ないし４が本発明を具体化したいものであることは明らかであるから、誤記の訂正を目的とするものである。
　訂正事項Ｂ−１３は、「ガス：ＳｉＨ４／ＷＦ８／Ｈ２」における「ＷＦ８」を「ＷＦ６」とするものであるが、特許明細書【００３２】欄の記載において成膜ガスとしてＷＦ６を用いており、ＷＦ８は通常の状態では存在しないことから、誤記の訂正目的とするものである。
　そして、上記訂正事項Ａ−１ないしＡ−３、Ａ−６、Ｂ−１ないしＢ−５、Ｂ−８、Ｂ−９、Ｂ−１１ないしＢ−１３は、いずれも願書に添付した明細書に記載した事項の範囲内であり、実質上特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
　
（４）むすび
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法第１２０条の４第３項において準用する平成６年法律第１１６号による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書及び第２項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
３．特許異議の申立についての判断
（１）取消理由の概要
（イ）本件特許の請求項１ないし７に係る発明は、その出願前に日本国内において頒布された特開昭６３−２４６８２９号公報（特許異議申立書の甲第１号証。以下、「刊行物１」という。）に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項の規定に違反して特許されたものである。
（ロ）本件特許の請求項１ないし７に係る発明は、その出願前に日本国内において頒布された刊行物１、特開平２−１０７２４号公報（特許異議申立書の甲第２号証。以下、「刊行物２」という。）に記載された発明に基づいて、その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定に違反して特許されたものである。
　
（２）本件の請求項１ないし５に係る発明
　上記「２．訂正に適否についての判断」で示したように上記訂正が認められるから、訂正後の本件の請求項１ないし５に係る発明（以下、「本件発明１」ないし「本件発明５」という。）は、上記訂正請求に係る訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１ないし５に記載された以下のとおりのものである。
「【請求項１】半導体基板を載置する支持台と、前記半導体基板を前記支持台を介して加熱するための加熱装置と、前記半導体基板上に薄膜を成長させるための原料ガスを供給する原料ガス供給手段とを有する成膜装置において、
　前記支持台が、少なくとも半導体基板と接触する部分である接触部と、前記支持台の外周にあって反応室側壁に固定されている部分である固定部とに分割されており、該分割された支持台の両部分の間にパージガスを導入する機構を有し、該パージガスは前記接触部と固定部との隙間で構成されるガス導入路を通り、前記半導体基板の裏面周辺部にのみ吹き付けられ、これによって該半導体基板周辺部の原料ガスが希釈され、もって半導体基板裏面の外周部分のみ原料ガスが希釈されて反応が抑制されて半導体裏面への堆積が防止される構成にすることを特徴とする成膜装置。
【請求項２】前記支持台の接触部の材料には、熱伝導の良好な材料を用いることにより温度分布を均一にし、前記支持台の固定部の材料には、熱伝導性の低い材料を使うことにより熱逃げを防止することを特徴とする請求項１に記載の成膜装置。
【請求項３】半導体基板を載置する支持台と、前記半導体基板を前記支持台を介して加熱するための加熱装置と、前記半導体基板上に薄膜を成長させるための原料ガスを供給する原料ガス供給手段とを有する成膜装置において、
　前記支持台が、少なくとも半導体基板と接触する部分である接触部と、前記支持台の外周にあって反応室側壁に固定されている部分である固定部とに分割されており、該分割された支持台の両部分の間にパージガスを導入する機構を有し、該パージガスは前記接触部と固定部との隙間で構成されたガス導入路であってかつ半導体基板の外周に沿った環状に形成されたガス導入路を通り、前記半導体基板の裏面周辺部にのみ吹き付けられ、これによって該半導体基板周辺部の原料ガスが希釈されもって半導体基板裏面の外周部分のみ原料ガスが希釈されて反応が抑制されて半導体裏面への堆積が防止される構成であり、かつメタル薄膜形成ＣＶＤ装置であることを特徴とする成膜装置。
【請求項４】半導体基板を載置する支持台と、前記半導体基板を前記支持台を介して加熱するための加熱装置と、
　前記半導体基板上に金属薄膜を成長させるための原料ガスを供給するガス供給手段を有する成膜装置において、
　前記支持台が、少なくとも半導体基板と接触部分である接触部と、前記支持台の外周にあって反応室側壁に固定されている部分である固定部とに分割されているとともに、前記接触部分と前記固定部分との各々にはメタル薄膜が形成されていることを特徴とする成膜装置。
【請求項５】前記支持台の接触部の材料には、熱伝導の良好な材料を用いることを特徴とする請求項４に記載の成膜装置。」
　
（３）各刊行物の記載事項
　刊行物１には、以下の事項が記載されている。
(1-a)「より最近、低温プラズマ強化蒸着およびエッチング技術が、金属例えばアルミニウムおよびタングステン、・・・種々の材料の形成に開発された。」（第８頁左下欄第２〜６行）
(1-b)「１．ＣＶＤ／ＰＥＣＶＤリアクター
　第１図および第２図はそれぞれ軸支カバーを開いて示した本発明の単個ウエーハリアクター１０の好ましい平面図およびリアクター１０の縦断面図である。
　初めにこれらの２図面および他の指示挿入図を参照すると、リアクター設備１０は、・・・内部真空室１３を規定するハウジング（また「室」と称される）を含む。リアクター設備１０はまたウエーハ保持サセプター１６並びに、垂直可動ウエーハ支持フィンガ２０およびサセプター支持フィンガ２２を含む。・・・リアクター設備１０はさらに、プロセスガスおよびパージガス室１３に適用するプロセス／パージガスマニホールドまたは「ボックス」２６、・・・並びにウエーハ上の蒸着を行うためサセプター１６およびサセプター上に配置したウエーハ１５を加熱するランプ加熱装置３０を含む。」（第１１頁右下欄第１１行〜第１２頁左上欄第１７行）
(1-c)「さらに第１図を参照すると、・・・ウエーハ支持フィンガ２０を含み、それはサセプター１６の周辺に配置され、間隔が置かれ、半円形装備バーまたはブランケット３８に装備される。同様に、・・・サセプター支持フィンガ２２がサセプターの周辺に間隔を置かれ、・・・バー３８のすぐ外側に配置された半円形バーに装備される。」（第１２頁右下欄第５〜１３行）
(1-d)「第２に、シリコンウエハーは、・・・高伝熱性サセプターを必要とする。」（第１３頁右下欄第２〜５行）
(1-e)「他のサセプター材料には陽極酸化処理アルミニウム、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）または炭化ケイ素のような層でコートした黒鉛、あるいはＡｌ２Ｏ３またはＳｉＣでコートした複合セラミックあるいは他の材料が含まれる。」（第１４頁左下欄第１８行〜右下欄第２行）
(1-f)「第２図を参照すると、第２の下部パージ流路１０１、１０３、１０５がハウジング１２の側面に形成された入口孔１１０を経て設けられ、それは石英窓７０の直上に処理室１３の下部周りに一般に同心的に形成された環状溝１１２中へ連結または供給する。溝１１２は室１３の下部領域の周りに間隔を置いた孔、または石英窓７０を均一に横切り（矢１０３参照）ウエーハ１５の下縁を周り（矢１０５）、ウエハ処理室１４の直下の室１３をとり巻く水平石英カバープレート１１４を横切る下部パージガスを供給する特徴を生ずる等価物を有する。・・・
　前記のように（第１０図参照）、上部パージガス流は入口９８（矢９３）、溝１００、１０２および１０６（矢９５）を通り、次いでパージ環孔１０８−１０８を処理配置ウエーハ１５の外側上端にでる。同様に（第２図参照）、下部ガス流は入口１１０および環状環１１２を通り石英窓７０を横切って窓を清浄に洗い流し（矢１０３）、次いで上方へ、ウエーハ１５の下部周辺底縁へ向かう（矢１０５）。第１０図を参照すると、上部及び下部ガスパージ流９７および１０５はウエーハの端部で合流し、矢１０７により示されるように外方へプレート１１４を横切り、孔１１６を通り、環状排出溝１１８中へ入り流路１０９に沿って室から出る（第２図）。この上部および下部の合流パターンは石英窓７０を清浄に保つだけでなく、また使用済ガス、連行粒子などを室１３の外へ洗い流す。内部石英窓室面および周辺ウエーハ縁と共形の上部および下部ガス流の合流ならびに高い室圧力（ＰＥＣＶＤに対し異常に高い）が非常に有効なパージを与え、ウエハ外の蒸着を防止する。」（第１７頁左上欄第３行〜左下欄第１行）
　刊行物２には、以下の事項が記載されている。
(2-a)「この発明は、例えば超高密度集積半導体回路の制作に際して半導体構造を備える基板上に導電路を形成する際に必要となる絶縁層にエッチされた接触孔の充填に際してタングステンハロゲンホスファン化合物を使用して気相からの分解により半導体基板上にタングステンを同時析出させる方法に関するものである。」（第２頁左上欄第１０〜１６行）
　
（４）対比・判断
（４−１）本件発明４及び５について
　本件発明４と刊行物１記載の発明とを対比すると、刊行物１記載の発明における「ウエーハ保持サセプター」、「サセプターおよびサセプター上に配置したウエーハを加熱するランプ加熱装置」、「プロセスガスおよびパージガス室に適用するプロセス／パージガスマニホールドまたは「ボックス」」は、各々本件発明４における「半導体基板を載置する支持台」、「半導体基板を前記支持台を介して加熱するための加熱装置」、「半導体基板上に金属薄膜を成長させるための原料ガスを供給するガス供給手段」に相当している。さらに、刊行物１記載の発明における「ウエハ支持フィンガ」及び「サセプター支持フィンガ」は、摘記事項(1-c)及び図１より、支持台の外周にあって反応室側壁に固定されているから、本件発明４における「固定部」に相当し、「サセプター」は、その上に半導体基板を載置するから、本件発明４における「接触部」に相当している。ウエハ支持フィンガとサセプター、サセプター支持フィンガとサセプターは、図１より、各々別部材で構成されているから、各々両者は分割されているものである。
　してみると、両発明は「半導体基板を載置する支持台と、前記半導体基板を前記支持台を介して加熱するための加熱装置と、前記半導体基板上に金属薄膜を成長させるための原料ガスを供給するガス供給手段を有する成膜装置において、前記支持台が、少なくとも半導体基板と接触部分である接触部と、前記支持台の外周にあって反応室側壁に固定されている部分である固定部とに分割されている成膜装置」である点で一致し、刊行物１には本件発明４の「前記接触部分と前記固定部分との各々にはメタル薄膜が形成されている」ことが示されていない点で両発明は相違する。
　上記相違点について検討する。本件発明４における「メタル薄膜」とは、本件訂正明細書【００４６】に「半導体基板ウェーハ３に接触するグラファイトから成る接触部２ａにメタル薄膜（Ｗ）をコーティングした例である。コーティングするメタルは、デバイスに悪影響を及ぼさないものなら、何でもよい。例えば、Ａｌ、ＷＳｉ、Ｔｉ、ＴｉＳｉ、ＴｉＮ、ＴｉＷ、Ｃｕ、Ｃｏ、Ｎｉ、ＣｏＳｉ、ＮｉＳｉ、Ａｕ等が挙げられる。」と記載されているとおり、ＴｉＮの窒化物、ＷＳｉ、ＴｉＳｉ、ＣｏＳｉ、ＮｉＳｉの珪化物を含み、金属に限定されるものではなく、デバイスに悪影響を及ぼさないものならよいとされている。摘記事項(1-e)には、サセプターに酸化アルミニウムまたは炭化ケイ素のような層をコートすることが記載されており、酸化アルミニウムまたは炭化ケイ素はデバイスに悪影響を及ぼさないことは明らかであるから、酸化アルミニウムまたは炭化ケイ素のような層は本件発明４における「メタル薄膜」に相当するものである。ところで、本件発明４ではメタル薄膜が固定部分にも形成されているが、メタル薄膜を接触部のみならず、接触部と同じ処理室にある固定部にも形成することは当業者において設計事項に過ぎず、本件訂正明細書【００１９】で「本出願の請求項４及び５の発明によれば、サセプターの温度分布が改善され、また、予め支持台（サセプター）にメタル薄膜を形成しておくことで、熱吸収効率の変化がなく、温度分布の変化がなく、安定した処理が行え、また、支持台（サセプター）にメタル薄膜を形成しておくことで、熱吸収効率が上がり、少ない電力で安定した加熱が行え、また、メタル薄膜コーティング材を、例えばブランケットタングステンＣＶＤで形成したタングステン膜と密着性のよい膜にすることで、サセプターに形成した膜が剥がれにくくでき、パーティクルを抑制できる。」と記載されているとおり、本件発明４において固定部にメタル薄膜を形成する効果については格別顕著なものではない。
　したがって、本件発明４は、刊行物１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
　本件発明５は、本件発明４に「前記支持台の接触部の材料には、熱伝導の良好な材料を用いること」との構成を追加する発明であるが、摘記事項(1-d)のとおり刊行物１には支持台の接触部に高熱伝導性、すなわち熱伝導の良好な材料を用いることが記載されており、本件発明５についても、刊行物１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（４−２）本件発明１ないし３について
　本件発明１と刊行物１記載の発明とを対比すると、本件発明４との対比と同様、刊行物１記載の発明における「ウエーハ保持サセプター」、「サセプターおよびサセプター上に配置したウエーハを加熱するランプ加熱装置」、「プロセスガスおよびパージガス室に適用するプロセス／パージガスマニホールドまたは「ボックス」」は、各々本件発明１における「半導体基板を載置する支持台」、「半導体基板を前記支持台を介して加熱するための加熱装置」、「半導体基板上に薄膜を成長させるための原料ガスを供給するガス供給手段」に相当し、さらに、刊行物１記載の発明における「ウエハ支持フィンガ」及び「サセプター支持フィンガ」、「サセプター」は、各々本件発明１における「固定部」、「接触部」に相当すると同時に、「ウエハ支持フィンガ」及び「サセプター支持フィンガ」と「サセプター」は別部材で構成されているから、両者は分割されているものである。
　してみると、両発明は、「半導体基板を載置する支持台と、前記半導体基板を前記支持台を介して加熱するための加熱装置と、前記半導体基板上に薄膜を成長させるための原料ガスを供給する原料ガス供給手段とを有する成膜装置において、前記支持台が、少なくとも半導体基板と接触する部分である接触部と、前記支持台の外周にあって反応室側壁に固定されている部分である固定部とに分割されている成膜装置」である点で一致し、刊行物１記載の発明には本件発明１の「該分割された支持台の両部分の間にパージガスを導入する機構を有し、該パージガスは前記接触部と固定部との隙間で構成されるガス導入路を通り、前記半導体基板の裏面周辺部にのみ吹き付けられ、これによって該半導体基板周辺部の原料ガスが希釈され、もって半導体基板裏面の外周部分のみ原料ガスが希釈されて反応が抑制されて半導体裏面への堆積が防止される構成にすること」がない点で両発明は相違する。
　上記相違点について検討するに、摘記事項(1-f)にはパージガスの流路及びその作用が記載されているものの、パージガスがウエハ支持フィンガ及びサセプター支持フィンガとサセプターの間にパージガスを導入する機構を有し、該パージガスがウエハ支持フィンガ及びサセプター支持フィンガとサセプターとの隙間で構成されるガス導入路を通り、前記半導体基板の裏面周辺部にのみ吹き付けられこと、すなわち「分割された支持台の両部分の間にパージガスを導入する機構を有し、該パージガスは前記接触部と固定部との隙間で構成されるガス導入路を通り、前記半導体基板の裏面周辺部にのみ吹き付けられる」ことについては記載も示唆もされておらず、またこれにより「該半導体基板周辺部の原料ガスが希釈され、もって半導体基板裏面の外周部分のみ原料ガスが希釈されて反応が抑制されて半導体裏面への堆積が防止される」ことについても記載も示唆もされていない。また、刊行物２記載の発明は、摘記事項(2-a)に記載されているように、半導体基板上へのタングステンの同形析出方法に関する発明であり、上記パージガスの流路及びその作用について何ら記載も示唆もされていない。したがって、本件発明１については、刊行物１及び２に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
　
　本件発明２は、本件発明１に「前記支持台の接触部の材料には、熱伝導の良好な材料を用いることにより温度分布を均一にし、前記支持台の固定部の材料には、熱伝導性の低い材料を使うことにより熱逃げを防止すること」との構成を追加し、さらに具体化したものであるから、刊行物１及び２に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
　
　本件発明３は、本件発明１の構成と、ガス導入路が「半導体基板の外周に沿った環状に形成されたガス導入路」との構成、成膜装置が「メタル薄膜形成ＣＶＤ装置である」との構成に限定して具体化した発明であるから、本件発明１と同様、刊行物１及び２に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
　
（５）むすび
　以上のとおりであるから、請求項４及び５に係る発明は、刊行物１記載の発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項４及び５に係る発明の特許は特許法第２９条第２項のの規定に違反してされたものであり、同法第１１３条第２号に該当し、取り消されるべきものである。
　また、請求項１ないし３に係る発明の特許については、他に取消の理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１５年７月１６日（２００３．７．１６）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
成膜装置
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】
　半導体基板を載置する支持台と、前記半導体基板を前記支持台を介して加熱するための加熱装置と、前記半導体基板上に薄膜を成長させるための原料ガスを供給する原料ガス供給手段とを有する成膜装置において、
　前記支持台が、少なくとも半導体基板と接触する部分である接触部と、前記支持台の外周にあって反応室側壁に固定されている部分である固定部とに分割されており、該分割された支持台の両部分の間にパージガスを導入する機構を有し、該パージガスは前記接触部と固定部との隙間で構成されるガス導入路を通り、前記半導体基板の裏面周辺部にのみ吹き付けられ、これによって該半導体基板周辺部の原料ガスが希釈され、もって半導体基板裏面の外周部分のみ原料ガスが希釈されて反応が抑制されて半導体基板裏面への堆積が防止される構成にすることを特徴とする成膜装置。
　【請求項２】
　前記支持台の接触部の材料には、熱伝導の良好な材料を用いることにより温度分布を均一にし、前記支持台の固定部の材料には、熱伝導性の低い材料を使うことにより熱逃げを防止することを特徴とする請求項１に記載の成膜装置。
　【請求項３】
　半導体基板を載置する支持台と、前記半導体基板を前記支持台を介して加熱するための加熱装置と、前記半導体基板上に薄膜を成長させるための原料ガスを供給する原料ガス供給手段とを有する成膜装置において、
　前記支持台が、少なくとも半導体基板と接触する部分である接触部と、前記支持台の外周にあって反応室側壁に固定されている部分である固定部とに分割されており、該分割された支持台の両部分の間にパージガスを導入する機構を有し、該パージガスは前記接触部と固定部との隙間で構成されたガス導入路であってかつ半導体基板の外周に沿った環状に形成されたガス導入路を通り、前記半導体基板の裏面周辺部にのみ吹き付けられ、これによって該半導体基板周辺部の原料ガスが希釈されもって半導体基板裏面の外周部分のみ原料ガスが希釈されて反応が抑制されて半導体基板裏面への堆積が防止される構成であり、かつメタル薄膜形成ＣＶＤ装置であることを特徴とする成膜装置。
　【請求項４】
　半導体基板を載直する支持台と、前記半導体基板を前記支持台を介して加熱するための加熱装置と、
　前記半導体基板上に金属薄膜を成長させるための原料ガスを供給するガス供給手段を有する成膜装置において、
　前記支持台が、少なくとも半導体基板と接触部分である接触部と、前記支持台の外周にあって反応室側壁に固定されている部分である固定部とに分割されているとともに、前記接触部分と前記固定部分との各々にはメタル薄膜が形成されていることを特徴とする成膜装置。
　【請求項５】
　前記支持台の接触部の材料には、熱伝導の最好な材料を用いることを特徴とする請求項４に記載の成膜装置。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　本発明は、成膜装置に関する。本発明は、例えば、半導体装置製造の際の各種薄膜の形成用成膜装置として利用できる。例えば、メタルＣＶＤ装置として具体化でき、特に微細なコンタクトホールを埋め込むため、あるいは、耐熱配線を形成するため等のメタルＣＶＤ装置として好適に具体化できる。
　【０００２】
　【従来の技術】
　半導体装置等に用いられる成膜装置の役割は重要になるに至っており、とりわけ、例えばＣＶＤ装置は、ＵＬＳＩ等の半導体装置を作るには不可欠なものである。
　【０００３】
　ＣＶＤ装置に代表される成膜装置は、膜形成すべき半導体基板等を支持する支持台について、その温度分布が非常に重要な意味をもつ。例えば、コンタクト抵抗の低い接続構造が得られるブランケットタングステンＣＶＤが注目されているが、特にかかるブランケットタングステンＣＶＤ技術のように、反応律速領域（原料ガスが過剰に供給され、反応する速度が堆積速度を決めている領域）を用いている場合は、とりわけ温度分布に敏感になっている（これについては、例えばＭａｔ．Ｒｅｓ．Ｓｏｃ．Ｓｙｍｐ．Ｐｒｏｃ．ＶＬＳＩ　Ｖ．，１９９０，Ｍａｔｅｒｉａｌ　Ｒｅｓｅａｔｃｈ　Ｓｏｃｉｅｔｙ“ＨＩＧＨ　ＧＲＯＷＴＨ　ＲＡＴＥ　ＣＶＤ−Ｗ　ＰＲＯＣＥＳＳ　ＦＯＲ　ＦＩＬＬＩＮＧ　ＨＩＧＨ　ＡＳＰＥＣＴ　ＲＡＴＩＯ　ＳＵＢ−ＭＩＣＲＯＮ　ＣＯＮＴＡＣＴＳ／ＬＩＮＳ”Ｒ．Ｖ．Ｊｏｓｈｉ　ｅｔ，ａｌ，参照）。このブランケットタングステンＣＶＤ技術は、次世代以降のＵＬＳＩの多層配線形成プロセスにおいて、０．３５ミクロンルール以下の微細なコンタクトホールやスルーホールを配線材料で埋め込む技術が要求に応える技術の１つとして注目されているものである。
　【０００４】
　【発明の解決しようとする課題】
　本発明は、前述した半導体基板支持台（以下、サセブターと言うこともある）の温度分布を改善しようとするものである。
　【０００５】
　図８に示すのは、コールドウォールタイプの装置の提案例であるが、これは加熱装置１であるランプによりサセプター２を加熱し、その熱でウェーハ３を加熱する構成を採る。この装置のサセプター２部分の詳細は、図９及び図１０に示す。この背景技術にあっては、原料ガスは、図８に示すように、下方のガス供給口６から供給され、ガスプランジャー７１によって均一に拡散され、ウエーハ表面に到達する。
　【０００６】
　ところが、図９に示すように、サセプター２が、反応室側壁７に固定されているために、サセプター２から反応室側壁に熱が逃げてしまい、サセプター２周辺の温度が下がってしまうという問題があった。特に、ブランケットタングステンＣＶＤにおいては、±２℃以内に温度差を制御しなければならず、図８の構成のままでは、タングステン膜厚の分布が±５０％以上となっていた。
　【０００７】
　また、ブランケットＣＶＤ法により形成したメタル薄膜（特にタングステン）は、基板との密着性が悪く、非常に剥がれやすい。そこで、基板表面にメタル薄膜を形成する場合には、密着層が必要である。ブランケットタングステンＣＶＤの場合は、ＴｉＮ膜が良く用いられている。しかし、ＴｉＮ膜が形成されていない基板部分は、タングステン薄膜が剥がれてしまうため、基本的には、タングステン薄膜が成長しないようにする処置が必要である。
　【０００８】
　図９に示す装置においては、ＴｉＮ薄膜が形成されていない部分であるＴｉＮスパッタ装置のクリップマーク部や、ウェーハ裏面に、タングステン薄膜が形成しないように、サセプター裏面からのパージガス（図９において、グラファイトサセプター２ａに形成されたパージガス流路を符号１０で示す）を流している。
　【０００９】
　本発明は、前記した問題点であるパーティクル低減と、温度分布の改善の２つを同時に実現しようというものである。
　【００１０】
　即ち、本出願の発明の目的は、支持台（サセプター）の温度分布を改善し、形成された膜の膜厚分布がよくなり、また、パーティクルの原因となる基板ウェーハ裏面への膜材料の回り込みの防止と温度分布の改善とを同時に行える成膜装置を提供することである。
　【００１１】
　また、本出願の発明の他の目的は、熱吸収効率の変化がなく、温度分布の変化がなく、安定した処理が行え、熱吸収効率が上がり、少ない電力で安定した加熱が行え、形成した膜が剥がれにくく、パーティクルが抑制できる成膜装置を提供することである。
　【００１２】
　【課題を解決するための手段】
　本出願の請求項１の発明は、半導体基板を載置する支持台と、前記半導体基板を前記支持台を介して加熱するための加熱装置と、前記半導体基板上に薄膜を成長させるための原料ガスを供給する原料ガス供給手段とを有する成膜装置において、前記支持台が、少なくとも半導体基板と接触する部分である接触部と、前記支持台の外周にあって反応室側壁に固定されている部分である固定部とに分割されており、該分割された支持台の両部分の間にパージガスを導入する機構を有し、該パージガスは前記接触部と固定部との隙間で構成されるガス導入路を通り、前記半導体基板の裏面周辺部にのみ吹き付けられ、これによって該半導体基板周辺部の原料ガスが希釈され、もって半導体基板裏面の外周部分のみ原料ガスが希釈されて反応が抑制されて半導体基板裏面への堆積が防止される構成にすることを特徴とする成膜装置であって、これにより上記目的を達成するものである。
　【００１３】
　本出願の請求項２の発明は、前記支持台の接触部の材料には、熱伝導の良好な材料を用いることにより温度分布を均一にし、前記支持台の固定部の材料には、熱伝導性の低い材料を使うことにより熱逃げを防止することを特徴とする請求項１に記載の成膜装置であって、これにより上記目的を達成するものである。
　【００１４】
　本出願の請求項３の発明は、半導体基板を載置する支持台と、前記半導体基板を前記支持台を介して加熱するための加熱装置と、前記半導体基板上に薄膜を成長させるための原料ガスを供給する原料ガス供給手段とを有する成膜装置において、
　前記支持台が、少なくとも半導体基板と接触する部分である接触部と、前記支持台の外周にあって反応室側壁に固定されている部分である固定部とに分割されており、該分割された支持台の両部分の間にパージガスを導入する機構を有し、該パージガスは前記接触部と固定部との隙間で構成されたガス導入路であってかつ半導体基板の外周に沿った環状に形成されたガス導入路を通り、前記半導体基板の裏面周辺部にのみ吹き付けられ、これによって該半導体基板周辺部の原料ガスが希釈されもって半導体基板裏面の外周部分のみ原料ガスが希釈されて反応が抑制されて半導体基板裏面への堆積が防止される構成であり、かつメタル薄膜形成ＣＶＤ装置であることを特徴とする成膜装置であって、これにより上記目的を達成するものである。
　【００１５】
　また、以下の請求項３及び４の発明により、上記目的を達成するものである。
　【００１６】
　即ち本出願の請求項４の発明は、半導体基板を載直する支持台と、前記半導体基板を前記支持台を介して加熱するための加熱装置と、前記半導体基板上に金属薄膜を成長させるための原料ガスを供給するガス供給手段を有する成膜装置において、前記支持台が、少なくとも半導体基板と接触部分である接触部と、前記支持台の外周にあって反応室側壁に固定されている部分である固定部とに分割されているとともに、前記接触部分と前記固定部分との各々にはメタル薄膜が形成されていることを特徴とする成膜装置であって、これにより上記目的を達成するものである。
　【００１７】
　本出願の請求項５の発明は、前記支持台の接触部の材料には、熱伝導の良好な材料を用いることを特徴とする請求項４に記載の成膜装置であって、これにより上記目的を達成するものである。
　【００１８】
　【作用】
　本出願の請求項１ないし３の発明によれば、支持台が、少なくとも半導体基板と接触する部分である接触部と、前記支持台の外周にあって反応室側壁に固定されている部分である固定部とに分割されているので、支持台（サセプター）の温度分布が改善され、形成された膜の膜厚分布がよくなり、パーティクルの原因となる基板ウェーハ裏面への膜材料の回り込みの防止と温度分布の改善とが同時に達成される。
　【００１９】
　本出願の請求項４及び５の発明によれば、サセプターの温度分布が改善され、また、予め支持台（サセプター）にメタル薄膜を形成しておくことで、熱吸収効率の変化がなく、温度分布の変化がなく、安定した処理が行え、また、支持台（サセプター）にメタル薄膜を形成しておくことで、熱吸収効率が上がり、少ない電力で安定した加熱が行え、また、メタル薄膜コーティング材を、例えばブランケットタングステンＣＶＤで形成したタングステン膜と密着性のよい膜にすることで、サセプターに形成した膜が剥がれにくくでき、パーティクルを抑制できる。
　【００２０】
　【実施例】
　以下本発明の実施例について説明する。以下に述べる実施例１は本発明外の参考例であり、実施例２ないし４は、本発明を具体化したものである。なお、当然のことではあるが、本発明は以下の実施例により限定を受けるものではない。
　【００２１】
実施例１（参考例）
　この例は、ブランケットタングステンＣＶＤ装置であり、図１に、その要部断面図を示す。図示した部分は、図８に示した背景技術の図における、支持台２（サセプター）の部分とその図の上方部分に該当する。図２に、本実施例の支持台２の上面図を示す。そのほかの部分は、図８の構造と同様である。
　【００２２】
　本実施例の成膜装置は、図示のように、半導体基板３を載置する支持台２と、半導体基板３を支持台２を介して加熱するための加熱装置１と、半導体基板３上に薄膜を成長させるための原料ガスを供給する原料ガス供給手段（この部分は図８参照）とを有する成膜装置であって、支持台２が、少なくとも半導体基板３と接触する部分である接触部２ａと、支持台２の外周にあって反応室側壁７に固定されている部分である固定部２ｂとに分割されているものである。
　【００２３】
　また、本実施例の成膜装置は、支持台２の接触部２ａの材料には、熱伝導の良好な材料であるグラファイトを用い、支持台２の固定部２ｂの材料には、熱伝導性の低い材料である石英やＳＵＳを使ったものである。
　【００２４】
　本実施例は、フェースダウン方式のメタルＣＶＤ装置であり、上方から加熱手段１であるヒーターアセンブリの光等による加熱により石英ガラス窓４を通して接触部２ａであるグラファイトサセブターを加熱し、このグラファイトサセプターに密着された半導体装置３（以下、単にウェーハと呼ぶこともある）は、加熱された該接触部２ａ（グラファイトサセプター）を介して加熱される。
　【００２５】
　本実施例において、支持台２であるサセプターは、グラファイトから成る接触部２ａと、ＳＵＳから成る固定部２ｂの２つの部分で構成されている。外周部分をなす固定部２ｂの材質は、なるべく熱伝導の悪いものが好ましい。熱伝導の悪いものとしては、石英、アルミナなどが挙げられる。また、内周部分をなす接触部２ａは、本実施例で用いたように熱伝導のよいグラファイトが好ましいが、加工性や強度が要求される場合は、ＳＵＳ等でも構わない。その場含は、ランプ照射の均一性が要求される。
　【００２６】
　また、外周部分をなす固定部２ｂと内周部分をなす接触部２ａは、ネジ８２によって固定されている。ネジの材質は、熱伝導の悪い石英、アルミナ等が好ましいが、加工性が要求される場合は他の材質でも構わない。
　【００２７】
　温度コントロールは、熱電対８１による温度モニター装置を用いて、ヒーターの出力をコントロールすることによって実現している。
　【００２８】
　上記のような構成にすることによって、本実施例により、熱逃げの少なく、均一性のよいウェーハ加熱が実現できる。
　【００２９】
　実際、実施例の構造により、４５０℃設定で±２℃の温度分布が得られ、ブランケットタングステンＣＶＤにおいて面内５％以下の膜厚分布が得られた。そのときのＣＶＤ条件を以下に示す。
　【００３０】
　ＣＶＤ条件
　第１ステップ
　　温度：４５０℃
　　圧力：９３１０Ｐａ
　　ガス：ＳｉＨ４／ＷＦ６／Ｈ２＝７／１０／３００ｓｃｃｍ
　第２ステップ
　　温度：４５０℃
　　圧力：９３１０Ｐａ
　　ガス：ＳｉＨ４／ＷＦ６／Ｈ２＝０／２５／５００ｓｃｃｍ
　【００３１】
　上記のように、本実施例においては、支持台２であるサセプターを、半導体基板ウェーハ３に接する内周部分をなす接触部２ａと、冷やされた反応室側壁７に接する外周部をなす固定部２ｂとに分割することにより、ウェーハに接している内周部分の熱を逃がさないようにできる。
　【００３２】
　また、反応室側壁７に接する固定部２ｂの材質を、熱伝導の悪いものにし、半導体基板ウェーハ３に接する内周部分である接触部２ａの材質を熱伝導の良いものにすることで、熱を逃がさない効果とウェーハ面内の温度分布を均一にする効果とが同時に得られる。
　【００３３】
　即ち、本実施例によれば、サセプターを外周部分と内周部分の２つ以上に分割することで、それら接合部分において熱伝導が妨げられ、サセプターの熱が反応室に逃げるのを防止できる。そのことにより、サセプター上のウェーハが載置される接触部２ａにおいて、温度勾配が緩くなり、結果的にウェーハ上の温度分布が改善され、ＣＶＤ膜の膜厚分布が改善される。
　【００３４】
　更に、外周部分を熱伝導の悪いものにすることによって、熱の逃げが防止できる。これにより温度勾配は更に小さくなり、膜厚分布が改善される。その上、内周部分を熱伝導の良いものにすれば、例えば、ランプによる加熱が均一でなくても、熱伝導がよいため、ただちに拡散し、サセプターの温度分布が均一になるという効果がある。
　【００３５】
実施例２
　本実施例は、実施例１を変形することにより本発明を適用した具体例としたもので、実施例１で示した支持台２（サセブター）に、図３及び図４に示すように、パージガスを半導体基板ウェーハ裏面の外周に吹き付けるような機構を設けたものである。
　【００３６】
　即ち本実施例は、分割した支持台２の両部分２ａ，２ｂの間に、パージガスを導入する機構を備えるようにした。
　【００３７】
　具体的には、パージガスは、グラファイトから成る接触部２ａに開けられた１ｍｍ直径の開口部１１を通り、ＳＵＳから成る固定部２ｂとグラファイトの接触部２ａとの隙間（１ｍｍ）で構成されるガス導入路１０を通り、ウェーハ裏面周辺部にのみ吹き付けられる．このことによって、ウェーハ周辺部の原料ガスは希釈され、ウェーハ周辺部のＣＶＤ膜の堆積が抑制される。そのため、ウェーハ裏面からのＣＶＤ膜の剥がれを防ぐことができ、パーティクルの発生が抑えられる。
　【００３８】
　サセプターの材質は、実施例１でも述べたが、加工性、強度の問題で適宜変更してもよいが、本実施例のように内周はグラファイト、外局は薄い（１ｍｍ）ＳＵＳが望ましい。しかし、加工性の点を犠牲にすれば、外周は、石英ガラス、アルミナ等が好ましい。
　【００３９】
　実際に本実施例を用いて、ブランケットタングスデンＣＶＤを行った例を以下に示す。
　【００４０】
　ＣＶＤ条件
　第１ステップ
　　温度：４５０℃
　　圧力：９３１０Ｐａ
　　ガス：ＳｉＨ４／ＷＦ６／Ｈ２＝７／１０／３００ｓｃｃｍ
　　パージガス：Ａｒ＝５００ｓｃｃｍ
　第２ステップ
　　温度：４５０℃
　　圧力：９３１０Ｐａ
　　ガス：ＳｉＨ４／ＷＦ６／Ｈ２＝７／２５／５００ｓｃｃｍ
　　パージガス：Ａｒ＝１０００ｓｃｃｍ
　【００４１】
　この結果、ウェーハ裏面から剥がれのないブランケットタングステンＣＶＤが行えた。分布は、実施例１と同じく、５％以下の良好な均一分布が得られた。
　【００４２】
　本実施例によれば、温度分布のよい構成の支持台２（サセプター）に、ウェーハ裏面の外周にパージガスが吹き付けられるような機構を付けることによって、ウェーハ裏面の外周部分のみ原料ガスが希釈され、反応を抑制することができ、パーティクルの原因となるウェーハ裏面へのＣＶＤ膜の堆積を防止できる。このことによって、剥がれ易い密着層の必要なブランケットタングステンを形成できるようになる。
　【００４３】
実施例３
　前述した実施例１，２においては、サセプターの外周部分をなす固定部２ｂの材質を熱伝導の悪い石英、アルミナ等にして、外周部分からの熱逃げを抑えたが、それだけでは、特にサセプターの接触部２ａの材質を熱伝導のよいグラファイトにした場合、成膜処理を繰り返し行っていくと、グラファイトにもメタル薄膜が成長し、熱吸収率が変化し、温度分布が悪化することがある。
　【００４４】
　本実施例は、そのような問題を解決したものである。本実施例を、図５に要部断面図で、図６にウェーハを載置する側から見た支持台２を示す。
　【００４５】
　本実施例は、半導体基板３を載置する支持台２と、半導体基板３を支持台２を介して加熱するための加熱装置１と、半導体基板３上に金属薄膜を成長させるための原料ガスを供給するガス供給手段を有する成膜装置であって、支持台２が、少なくとも半導体基板と接触する部分である接触部２ａと、支持台２の外周にあって反応室側壁に固定されている部分である固定部２ｂとに分割されているとともに、接触部分２ａと固定部分２ｂとの各々にはメタル薄膜２ｃが形成されているものである。
　【００４６】
　本実施例は、周辺部分である固定部２ｂにＳＵＳを用いて熱逃げを防止し、半導体基板ウェーハ３に接触するグラファイトから成る接触部２ａにメタル薄膜（Ｗ）をコーティングした例である。コーティングするメタルは、デバイスに悪影響を及ばさないものなら、何でもよい。例えば、Ａｌ、ＷＳｉ、Ｔｉ、ＴｉＳｉ、ＴｉＮ、ＴｉＷ、Ｃｕ、Ｃｏ、Ｎｉ、ＣｏＳｉ、ＮｉＳｉ、Ａｕ等が挙げられる。但し、材料を選ぶ場合は、デバイスのどの部分を使うかを十分に考慮する必要がある。例えば、ゲートより前の工程では、一般にはＡｌ、Ｃｕ等の金属は使えない。また、メタル薄膜がタングステンと密着性がよく、かつタングステンのエッチングの際にエッチングされない材質から成ることが好ましい。
　【００４７】
　また本実施例では、内側のサセブターである接触部の材料としてはグラファイトを用いている。これは、熱伝導がよく、温度勾配を少なくするためである。特にブランケットタングステンＣＶＤを行う場合においては、内側のサセプターにはグラファイトを用いて少しでも温度分布を改善することが好ましい。
　【００４８】
　本実施例によれば、外側のサセブターにメタルコーティングを施し、かつこれをブランケットタングステンと密着性のよいＴｉＮ等にすることで、タングステン膜の剥がれが防止できる。
　【００４９】
　即ち、前述したように、サセプターの外周を熱伝導の悪い石英、アミルナ等にすることで、熱の逃げは防止できる。しかし、温度分布を良くするため内周のサセプターに熱伝導のよいグラファイトを用いる場合、加熱手段にＩＲランプを用いると、その赤外線がほとんど透過してしまう。
　【００５０】
　従って、ウェーハに直接赤外線が照射されることになり、ウエーハの状態によって加熱状態が変化することになる。また、成膜処理を続けて行くと、グラファイトサセプターにも薄膜が形成され、赤外線の吸収率が変化することになる。
　【００５１】
　そこで、これらを防止するために、ほとんどの赤外線を吸収するメタル薄膜を予めコーティングしておく。そのことで、赤外線は、ウェーハに達することがなく、また、成膜処理を続けてサセプターに薄膜が形成されても、熱吸収効率が一定で、変化がなく、安定した加熱が行える。
　【００５２】
　一方、ブランケットタングステンなどのような密着性の悪いメタル薄膜を形成する場合においては、選択成長させるときと違って、絶縁膜上にも成膜する。従って、その成膜したタングステンが剥がれるという問題が出てくる。本実施例では、予め密着性のよいＴｉＮなどの密着層をコーティングしておくので、この問題が解決される。更に、ＴｉＮはＦ系のガスにエッチングされにくいため、サセブター上に成膜したタングステンをエッチングする場合においてもそのコーティングが取れにくいという利点もある。なお、温度が高いとＴｉＮもＦラジカルでエッチングされ、従って、プラズマクリーニングする時は、温度をコントロールして行う必要がある。
　【００５３】
実施例４
　図７を用いて実施例４を説明する。本実施例は、実施例３の変形例であり、本実施例で用いた装置は、外周部分をなす固定部３ｂが石英、内周をなす接触部３ａがグラファイトという構造に、それぞれＴｉＮ、Ｗを金属薄膜３ｃとしてコーティングしたブランケットＷＣＶＤ装置である。
　【００５４】
　この装置は、ブランケットＷがウェーハの裏面にデボ（堆積）して成膜するのを防止するために、Ａｒガスで周辺の原料ガスを希釈できる構造になっている。また、外周部分を石英にすることで実施例３の構成（ＳＵＳ）よりも熱逃げの防止効果が大きい。また、メタルコーティングしたことで、Ｗの剥がれを防止でき、パーティクルが低減できる。
　【００５５】
　本実施例では、石英上には、ＴｉＮを用いたが、ブランケットＷと密着性のよいＴｉＷ、ＴｉＯＮ、Ｗなどでももちろんよい。
　【００５６】
　サセブター上のメタルコーティングも本実施例ではＷを用いたが、実施例３に挙げたメタル薄膜が使えることは言うまでもない。
　【００５７】
　【発明の効果】
　本出願の発明によれば、支持台（サセプター）の温度分布が改善され、形成された膜の膜厚分布がよくなり、また、パーティクルの原因となる基板ウェーハ裏面への膜材料の回り込みの防止と温度分布の改善とを同時に達成できる。
　【００５８】（００６０）
　また、本出頗の発明によれば、熱吸収効率の変化がなく、温度分布の変化がなく、安定した処理が行え、熱吸収効率が上がり、少ない電力で安定した加熱が行え、形成した膜が剥がれにくく、パーティクルが抑制できる成膜装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】実施例１（参考例）の要部断面図である。
　【図２】実施例１（参考例）の支持台の上面図である。
　【図３】実施例２の要部断画図である。
　【図４】実施例２の支持台の上面図である。
　【図５】実施例３の要部断面図である。
　【図６】実施例３の支持台の上面図である。
　【図７】実施例４の要部断面図である。
　【図８】背景技術を示す図である。
　【図９】背景技術を示す図である。
　【図１０】背景技術を示す図である。
　【符号の説明】
　１　加熱手段（ヒーターアセンブリ）
　２　支持台（サセブター）
　２ａ　接触部
　２ｂ　固定部
　３　半導体基板（ウェーハ）