【事件の表示】
　特許第３２３３１６０号「炭化珪素スパッタリング用ターゲット及びその製造方法」の請求項１ないし３に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３２３３１６０号の訂正後の請求項１ないし３に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
　特許第３２３３１６０号の請求項１ないし請求項３に係る発明についての出願は、平成２年４月２３日に特許出願され、平成１３年９月２１日にその発明について特許権の設定登録がなされ、その後、その特許について、特許異議申立人大谷　保より特許異議の申立がなされ、平成１４年１０月１０日付けで取消の理由が通知され、その指定期間内である平成１４年１２月２４日に訂正請求がなされた後、平成１５年９月１７日付けで再度取消の理由が通知され、その指定期間内である平成１５年９月２４日に再度訂正請求がなされ、同日に平成１４年１２月２４日提出の訂正請求が取り下げられたものである。
　
２．訂正の適否についての判断
２−１．訂正の内容
　平成１５年９月２４日に提出された訂正請求書による訂正の内容は、以下の通りである。
・訂正事項１
　特許請求の範囲の記載について、
「（１）直流スパッタリング装置用の炭化珪素スパッタリング用ターゲットであって、該炭化珪素スパッタリング用ターゲットは、焼結助剤無添加で焼結されてなり、焼結体密度が２．８ｇ／ｃｍ３以上で、室温での電気比抵抗が１Ω・ｃｍ以下の炭化珪素焼結体からなる炭化珪素スパッタリング用ターゲット。
（２）直流スパッタリング装置用の炭化珪素スパッタリング用ターゲットの製造方法であって、該製造方法は、平均粒子径が０．１〜１０μｍの第１の炭化珪素粉末と、非酸化性雰囲気のプラズマ中にシラン化合物またはハロゲン化珪素と炭化水素とからなる原料ガスを導入し、反応系の圧力を１気圧未満から０．１ｔｏｒｒの範囲で制御しつつ気相反応させることによって合成された平均粒子径が０．１μｍ以下の第２の炭化珪素粉末とを焼結助剤を添加することなく混合し、これを加熱し焼結することによって焼結体密度が２．８ｇ／ｃｍ３以上で、室温での電気比抵抗が１Ω・ｃｍ以下の炭化珪素焼結体からなるスパッタリング用ターゲットを得ることを特徴とする炭化珪素スパッタリング用ターゲットの製造方法。
（３）直流スパッタリング装置用の炭化珪素スパッタリング用ターゲットの製造方法であって、該製造方法は、非酸化性雰囲気のプラズマ中にシラン化合物またはハロゲン化珪素と炭化水素とからなる原料ガスを導入し、反応系の圧力を１気圧未満から０．１ｔｏｒｒの範囲で制御しつつ気相反応させることによって合成された平均粒子径が０．１μｍ以下である炭化珪素超微粉末を焼結助剤を添加することなく加熱し、焼結することによって、焼結体密度が２．８ｇ／ｃｍ３以上で、室温での電気比抵抗が１Ω・ｃｍ以下の炭化珪素焼結体からなるスパッタリング用ターゲットを得ることを特徴とする炭化珪素スパッタリング用ターゲットの製造方法。」
という記載を、
「（１）直流スパッタリング装置用の炭化珪素スパッタリング用ターゲットの製造方法であって、該製造方法は、平均粒子径が０．１〜１０μｍの第１のβ型炭化珪素粉末と、非酸化性雰囲気のプラズマ中にシラン化合物またはハロゲン化珪素と炭化水素とからなる原料ガスを導入し、反応系の圧力を１気圧未満から０．１ｔｏｒｒの範囲で制御しつつ気相反応させることによって合成された、平均粒子径が０．１μｍ以下の第２のβ型又は非晶質の炭化珪素粉末とを、第２のβ型又は非晶質の炭化珪素粉末の配合量が０．５〜５０重量％の範囲となるように焼結助剤を添加することなく混合し、これを加熱し、焼結することによって、焼結体密度が２．８ｇ／ｃｍ３以上で、室温での電気比抵抗が１Ω・ｃｍ以下の炭化珪素焼結体からなるスパッタリング用ターゲットを得ることを特徴とする炭化珪素スパッタリング用ターゲットの製造方法。
（２）直流スパッタリング装置用の炭化珪素スパッタリング用ターゲットの製造方法であって、該製造方法は、非酸化性雰囲気のプラズマ中にシラン化合物またはハロゲン化珪素と炭化水素とからなる原料ガスを導入し、反応系の圧力を１気圧未満から０．１ｔｏｒｒの範囲で制御しつつ気相反応させることによって合成された、平均粒子径が０．１μｍ以下であるβ型炭化珪素超微粉末を、焼結助剤を添加することなく加熱し焼結することによって、焼結体密度が２．８ｇ／ｃｍ３以上で、室温での電気比抵抗が１Ω・ｃｍ以下の炭化珪素焼結体からなるスパッタリング用ターゲットを得ることを特徴とする炭化珪素スパッタリング用ターゲットの製造方法。
（３）前記（１）又は（２）に記載の炭化珪素スパッタリング用ターゲットの製造方法によって製造された炭化珪素スパッタリング用ターゲット。」
と訂正する。
・訂正事項２
　特許明細書第６ページ第６行ないし第７ページ第８行（本件特許公報第２ページ第４欄第２０行ないし第４８行）の記載について、
「炭化珪素スパッタリング用ターゲットは、焼結助剤無添加で焼結してなり、焼結体密度が２．８ｇ／ｃｍ３以上で、室温での電気比抵抗が１Ω・ｃｍ以下の炭化珪素焼結体からなる直流スパッタリング装置用の炭化珪素スパッタリング用ターゲットであるものとし、この炭化珪素スパッタリング用ターゲットの製造方法は、直流スパッタリング装置用の炭化珪素スパッタリング用ターゲットの製造方法であって、該製造方法は、平均粒子径が０．１〜１０μｍの第１の炭化珪素粉末と、非酸化性雰囲気のプラズマ中にシラン化合物またはハロゲン化珪素と炭化水素とからなる原料ガスを導入し、反応系の圧力を１気圧未満から０．１ｔｏｒｒの範囲で制御しつつ気相反応させることによって合成された平均粒子径が０．１μｍ以下の第２の炭化珪素粉末とを焼結助剤を添加することなく混合し、これを加熱し焼結することによって焼結体密度が２．８ｇ／ｃｍ３以上で、室温での電気比抵抗が１Ω・ｃｍ以下の炭化珪素焼結体からなるスパッタリング用ターゲットを得るか、または直流スパッタリング装置用の炭化珪素スパッタリング用ターゲットの製造方法であって、該製造方法は、非酸化性雰囲気のプラズマ中にシラン化合物またはハロゲン化珪素と炭化水素とからなる原料ガスを導入し、反応系の圧力を１気圧未満から０．１ｔｏｒｒの範囲で制御しつつ気相反応させることによって合成された平均粒子径が０．１μｍ以下である炭化珪素超微粉末を焼結助剤を添加することなく加熱し、焼結することによって焼結体密度が２．８ｇ／ｃｍ３以上で、室温での電気比抵抗が１Ω・ｃｍ以下の炭化珪素焼結体からなるスパッタリング用ターゲットを得ることを特徴とする製造方法とすることによって、上記課題を解決した。」
という記載を、
「炭化珪素スパッタリング用ターゲットの製造方法は、直流スパッタリング装置用の炭化珪素スパッタリング用ターゲットの製造方法であって、該製造方法は、平均粒子径が０．１〜１０μｍの第１のβ型炭化珪素粉末と、非酸化性雰囲気のプラズマ中にシラン化合物またはハロゲン化珪素と炭化水素とからなる原料ガスを導入し、反応系の圧力を１気圧未満から０．１ｔｏｒｒの範囲で制御しつつ気相反応させることによって合成された、平均粒子径が０．１μｍ以下の第２のβ型又は非晶質の炭化珪素粉末とを、第２のβ型又は非晶質の炭化珪素粉末の配合量が０．５〜５０重量％の範囲となるように焼結助剤を添加することなく混合して、これを加熱し、焼結することによって、焼結体密度が２．８ｇ／ｃｍ３以上で、室温での電気比抵抗が１Ω・ｃｍ以下の炭化珪素焼結体からなるスパッタリング用ターゲットを得るか、または直流スパッタリング装置用の炭化珪素スパッタリング用ターゲットの製造方法であって、該製造方法は、非酸化性雰囲気のプラズマ中にシラン化合物またはハロゲン化珪素と炭化水素とからなる原料ガスを導入し、反応系の圧力を１気圧未満から０．１ｔｏｒｒの範囲で制御しつつ気相反応させることによって合成された、平均粒子径が０．１μｍ以下であるβ型炭化珪素超微粉末を、焼結助剤を添加することなく加熱し焼結することによって、焼結体密度が２．８ｇ／ｃｍ３以上で、室温での電気比抵抗が１Ω・ｃｍ以下の炭化珪素焼結体からなるスパッタリング用ターゲットを得ることを特徴とする製造方法とし、また、炭化珪素スパッタリング用ターゲットは、前記直流スパッタリング装置用の炭化珪素スパッタリング用ターゲットの製造方法により製造された炭化珪素スパッタリング用ターゲットとすることによって、上記課題を解決した。」
と訂正する。
・訂正事項３
　特許明細書第１９ページ第１０行ないし第２１ページ第１行（本件特許公報第５ページ第９欄第２６行ないし第１０欄第３７行）の記載について、
「以上説明したように、本発明における炭化珪素スパッタリング用ターゲットは、直流スパッタリング装置用の炭化珪素スパッタリング用ターゲットであって、該炭化珪素スパッタリング用ターゲットは、焼結助剤無添加で焼結してなり、焼結体密度が２．８ｇ／ｃｍ３以上で、室温での電気比抵抗が１Ω・ｃｍ以下の炭化珪素焼結体からなり、緻密質で高純度であることから、スパッタリング中でも粒子の脱落等がなく、安定的なスパッタリングが続けられる。また、高純度が要求される電子デバイスなどの薄膜形成に際しても、高純度で密着強度に優れた緻密質の膜を信頼性高く得ることができる。さらに、本発明の炭化珪素スパッタリング用ターゲットは、従来の炭化珪素スパッタリング用ターゲットと比較して機械的強度や熱伝導性に優れるため、スパッタリング時の熱衝撃に強く、ターゲットの割れや欠け等の発生を少なくすることができる。また、ターゲットの取り付けや取り外し等のハンンドリングが容易となる。加えて、優れた導電性を有するので、直流スパッタリングか可能となることから、装置の簡略化、成膜速度の向上などが果たせ、その結果、量産性や製造コストの面で有利となる。
　そして、これにより該炭化珪素スパッタリング用ターゲットを使用して形成された炭化珪素膜は、センサーや半導体素子の電子デバイスから金型精密部品、Ｘ線反射鏡などの機械部品にまで幅広く使用でき、産業上多大な効果を奏するものとなる。
　一方、本発明に係る炭化珪素スパッタリング用ターゲットの製造方法によれば、直流スパッタリング装置用の炭化珪素スパッタリング用ターゲットの製造方法であって、該製造方法は、平均粒子径が０．１〜１０μｍの第１の炭化珪素粉末と、非酸化性雰囲気のプラズマ中にシラン化合物またはハロゲン化珪素と炭化水素とからなる原料ガスを導入し、反応系の圧力を１気圧未満から０．１ｔｏｒｒの範囲で制御しつつ気相反応させることによって合成された平均粒子径が０．１μｍ以下の第２の炭化珪素粉末とを焼結助剤を添加することなく混合し、これを加熱し焼結することによって焼結体密度が２．８ｇ／ｃｍ３以上で、室温での電気比抵抗が１Ω・ｃｍ以下の炭化珪素焼結体からなるスパッタリング用ターゲットを得るか、または非酸化性雰囲気のプラズマ中にシラン化合物またはハロゲン化珪素と炭化水素とからなる原料ガスを導入し、反応系の圧力を１気圧未満から０．１ｔｏｒｒの範囲で制御しつつ気相反応させることによって合成された平均粒子径が０．１μｍ以下である炭化珪素超微粉末を焼結助剤を添加することなく加熱し、焼結することによって焼結体密度が２．８ｇ／ｃｍ３以上で、室温での電気比抵抗が１Ω・ｃｍ以下の炭化珪素焼結体からなるスパッタリング用ターゲットを得ることができるから、極めて高純度かつ高密度な焼結体を得ることができ、よって炭化珪素本来の性質である機械的強度、高熱伝導性を併せ持ち、しかも導電性に優れた炭化珪素スパッタリング用ターゲットを製造することができる。また、この製造方法によって製造された炭化珪素焼結体からなるスパッタリング用ターゲットを、直流スパッタリング装置のスパッタリング用ターゲットとして使用すると、炭化珪素薄膜の成膜速度が向上し、形成された炭化珪素薄膜はピンホールや剥がれが認められない均質な薄膜が得られ、使用後にも割れや欠け等がなく良好なスパッタリングを行なうことができる。」
という記載を、
「以上説明したように、直流スパッタリング装置用の炭化珪素スパッタリング用ターゲットの製造方法によれば、平均粒子径が０．１〜１０μｍの第１のβ型炭化珪素粉末と、非酸化性雰囲気のプラズマ中にシラン化合物またはハロゲン化珪素と炭化水素とからなる原料ガスを導入し、反応系の圧力を１気圧未満から０．１ｔｏｒｒの範囲で制御しつつ気相反応させることによって合成された、平均粒子径が０．１μｍ以下の第２のβ型又は非晶質の炭化珪素粉末とを、第２のβ型又は非晶質の炭化珪素粉末の配合量が０．５〜５０重量％の範囲となるように焼結助剤を添加することなく混合し、これを加熱し、焼結することによって、焼結体密度か２．８ｇ／ｃｍ３以上で、室温での電気比抵抗が１Ω・ｃｍ以下の炭化珪素焼結体からなるスパッタリング用ターゲットを得るか、または非酸化性雰囲気のプラズマ中にシラン化合物またはハロゲン化珪素と炭化水素とからなる原料ガスを導入し、反応系の圧力を１気圧未満から０．１ｔｏｒｒの範囲で制御しつつ気相反応させることによって合成された、平均粒子径が０．１μｍ以下であるβ型炭化珪素超微粉末を、焼結助剤を添加することなく、加熱し、焼結することによって、焼結体密度が２．８ｇ／ｃｍ３以上で、室温での電気比抵抗が１Ω・ｃｍ以下の炭化珪素焼結体からなるスパッタリング用ターゲットを得ることができるから、極めて高純度かつ高密度な焼結体を得ることがてき、よって炭化珪素本来の性質である機械的強度、高熱伝導性を併せ持ち、しかも導電性に優れた炭化珪素スパッタリング用ターゲットを製造することができる。
　また、この製造方法によって製造された炭化珪素スパッタリング用ターゲットは、緻密質で高純度であることから、スパッタリング中でも粒子の脱落等がなく、安定的なスパッタリングが続けられる。また高純度が要求される電子デバイス等の薄膜形成に際しても、高純度で密着強度に優れた緻密質の膜を信頼性高く得ることができる。さらに、従来の炭化珪素スパッタリング用ターゲットと比較して機械的強度や熱伝導性に優れるため、スパッタリング時の熱衝撃に強く、ターゲットの割れや欠け等の発生を少なくすることができる。また、ターゲットの取り付けや取り外し等のハンドリングが容易となる。加えて、優れた導電性を有するので、直流スパッタリングが可能となることから、装置の簡略化、成膜速度の向上等か果たせ、その結果、量産性や製造コストの点で有利となる。
　さらにまた、前記製造方法によって製造された炭化珪素スパッタリング用ターゲットを、直流スパッタリング装置のスパッタリング用ターゲットとして使用すると、炭化珪素薄膜の成膜速度が向上し、形成された炭化珪素薄膜はピンホールや剥がれが認められない均質な薄膜が得られ、使用後にも割れや欠け等がなく、良好なスパッタリングを行なうことができる。
　そして、これにより、この炭化珪素スパッタリング用ターゲットを使用して形成された炭化珪素膜は、センサーや半導体素子の電子デバイスから金型精密部品、Ｘ線反射鏡等の機械部品にまで幅広く使用でき、産業上多大な効果を奏するものとなる。」
と訂正する。
２−２．訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
・訂正事項１
　訂正事項１における訂正は、特許請求の範囲の記載を訂正するものであって、具体的には、次の（Ａ）ないし（Ｃ）の訂正をするものである。
（Ａ）請求項２の「第１の炭化珪素粉末」という記載を「第１のβ型炭化珪素粉末」と訂正し、「反応系の圧力を１気圧未満から０．１ｔｏｒｒの範囲で制御しつつ気相反応させることによって合成された平均粒子径が０．１μｍ以下の第２の炭化珪素粉末とを焼結助剤を添加することなく混合し、これを加熱し焼結することによって」という記載を「反応系の圧力を１気圧未満から０．１ｔｏｒｒの範囲で制御しつつ気相反応させることによって合成された、平均粒子径が０．１μｍ以下の第２のβ型又は非晶質の炭化珪素粉末とを、第２のβ型又は非晶質の炭化珪素粉末の配合量が０．５〜５０重量％の範囲となるように焼結助剤を添加することなく混合し、これを加熱し、焼結することによって、」と訂正するとともに、請求項２を請求項１に訂正する。
（Ｂ）請求項３の「反応系の圧力を１気圧未満から０．１ｔｏｒｒの範囲で制御しつつ気相反応させることによって合成された平均粒子径が０．１μｍ以下である炭化珪素超微粉末」という記載を「反応系の圧力を１気圧未満から０．１ｔｏｒｒの範囲で制御しつつ気相反応させることによって合成された、平均粒子径が０．１μｍ以下であるβ型炭化珪素超微粉末」と訂正するとともに、請求項３を請求項２に訂正する。
（Ｃ）請求項１の「直流スパッタリング装置用の炭化珪素スパッタリング用ターゲットであって、該炭化珪素スパッタリング用ターゲットは、焼結助剤無添加で焼結されてなり、焼結体密度が２．８ｇ／ｃｍ３以上で、室温での電気比抵抗が１Ω・ｃｍ以下の炭化珪素焼結体からなる」という記載を「前記（１）又は（２）に記載の炭化珪素スパッタリング用ターゲットの製造方法によって製造された」と訂正するとともに、請求項１を請求項３に訂正する。
　このうち、訂正（Ａ）は、請求項２の「第１の炭化珪素粉末」を「第１のβ型炭化珪素粉末」と限定し、「第２の炭化珪素粉末」を「第２のβ型又は非晶質の炭化珪素粉末」と限定し、当該「第２のβ型又は非晶質の炭化珪素粉末」を混合する際の配合量を「０．５〜５０重量％の範囲となるように」する限定を加えるとともに、訂正（Ｃ）に伴って、請求項２を請求項１に訂正するものである。
　そして、このような訂正は特許請求の範囲の減縮及び明りょうでない記載の釈明を目的とするものであると云え、かつ、本件特許明細書には、「第１の炭化珪素の結晶相としては非晶質、α型、β型あるいはこれらの混合相のいずれでもよい。」（特許明細書第８ページ第１行〜第２行、本件特許公報第３ページ第５欄第９行〜第１１行）、「また、第２の炭化珪素粉末としては、…得られたものを使用する。例えば、モノシランとメタンとからなる原料ガスを高周波により励起されたアルゴンプラズマ中に導入して合成を行うと、平均粒子径が０．０２μｍで、アスペクト比の小さいβ型超微粉末が、また合成条件によってはα型とβ型との混合相が得られる。このようにして得られた超微粉末は焼結性が非常に優れているため、上記第１の炭化珪素粉末と混合するのみで、焼結助剤を添加することなく高純度かつ緻密質の炭化珪素焼結体を得ることができるようになる。」（特許明細書第８ページ第６行〜第２０行、本件特許公報第３ページ第５欄第１４行〜第２６行）、「次に、上記第１の炭化珪素粉末と第２の炭化珪素粉末とを混合して混合物とする。ここで、第１の炭化珪素粉末と第２の炭化珪素粉末とを混合するにあたっては、第２の炭化珪素粉末の配合量を０．５〜５０重量％の範囲とすることが好適とされる。」（特許明細書第９ページ第１行〜第６行、本件特許公報第３ページ第５欄第２８行〜第３１行）、「第１の炭化珪素粉末として、平均粒子径が１．１μｍ、ＢＥＴ比表面積値１．７ｍ２／ｇのβ型炭化珪素粉末を使用した。」（特許明細書第１２ページ第１６行〜第１８行、本件特許公報第３ページ第６欄第４２行〜第４３行）、「次に、この第１の炭化珪素粉末に、四塩化珪素とエチレンとを原料ガスとしてプラズマＣＶＤ法により気相合成して得た平均粒子径０．０１μｍ、比表面積９６ｍ２／ｇの非晶質炭化珪素超微粉末（第２の炭化珪素粉末）を５重量％添加し、これをメタノール中にて分散せしめ、さらにボールミルで１２時間混合した。」（特許明細書第１３ページ第４行〜第１０行、本件特許公報第３ページ第６欄第４８行〜第４ページ第７欄第３行）、「実施例１と同一の炭化珪素粉末（第１の炭化珪素粉末）に、モノシランとメタンとを原料ガスとしてプラズマＣＶＤ法により気相合成した平均粒子径０．０２μｍ、ＢＥＴ比表面積値７０ｍ２／ｇのβ型炭化珪素超微粉末（第２の炭化珪素粉末）を５〜５０重量％添加し、実施例１と同一の条件で焼結して炭化珪素焼結体を製造した。」（特許明細書第１５ページ第１８行〜第１６ページ第４行、本件特許公報第４ページ第７欄第４２行〜第４７行）と記載されているから、上記訂正（Ａ）は、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内のものである。
　次に、訂正（Ｂ）は、請求項３の「炭化珪素超微粉末」を「β型炭化珪素超微粉末」と限定するとともに、後述する訂正（Ｃ）に伴って、請求項３を請求項２に訂正するものである。
　そして、このような訂正は特許請求の範囲の減縮及び明りょうでない記載の釈明を目的とするものであると云え、かつ、本件特許明細書には、「また、第２の炭化珪素粉末としては、…得られたものを使用する。例えば、モノシランとメタンとからなる原料ガスを高周波により励起されたアルゴンプラズマ中に導入して合成を行うと、平均粒子径が０．０２μｍで、アスペクト比の小さいβ型超微粉末が、また合成条件によってはα型とβ型との混合相が得られる。このようにして得られた超微粉末は焼結性が非常に優れているため、上記第１の炭化珪素粉末と混合するのみで、焼結助剤を添加することなく高純度かつ緻密質の炭化珪素焼結体を得ることができるようになる。」（特許明細書第８ページ第６行〜第２０行、本件特許公報第３ページ第５欄第１４行〜第２６行）、「しかし、上述した電子デバイス製造用の薄膜形成装置などに使用されるスパッタリングターゲットのように高純度が要求される場合には、第２の炭化珪素のみから焼結体を製造した方がよい。」（特許明細書第９ページ第１０行〜第１４行、本件特許公報第３ページ第５欄第３５行〜第３９行）、「モノシランとメタンとを原料ガスとしてプラズマＣＶＤ法により気相合成した平均粒子径０．０３μｍ、ＢＥＴ比表面積値４９ｍ２／ｇのβ型炭化珪素超微粉末をメタノール中にて分散せしめ、さらにボールミルで１２時間混合した。次に、この混合粉末を乾燥し造粒して粉末を得、これを実施例１と同一の条件で焼結して炭化珪素焼結体を製造した。」（特許明細書第１８ページ第２行〜第９行、本件特許公報第５ページ第９欄第２行〜第８行）と記載されているから、訂正（Ｂ）は、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内のものである。
　更に、訂正（Ｃ）は、請求項１に係る発明である「炭化珪素スパッタリング用ターゲット」を、訂正後の請求項１及び請求項２に係る発明である「炭化珪素スパッタリング用ターゲットの製造方法」により製造された「炭化珪素スパッタリング用ターゲット」と限定するとともに、請求項１を請求項３に訂正するものである。
　ここで、訂正前の請求項１には、当該請求項１に係る発明である「炭化珪素スパッタリング用ターゲット」は、「直流スパッタリング装置用の炭化珪素スパッタリング用ターゲット」であり、「焼結助剤無添加で焼結されてなり、焼結体密度が２．８ｇ／ｃｍ３以上で、室温での電気比抵抗が１Ω・ｃｍ以下の炭化珪素焼結体からなる」ものであることが記載されているところ、訂正後の請求項３には、そのような記載はなされていない。
　ところが、上記訂正後の請求項３において引用する訂正後の請求項１には、「直流スパッタリング装置用の炭化珪素スパッタリング用ターゲットの製造方法であって」、「該製造方法は、…第１のβ型炭化珪素粉末と、…平均粒子径が０．１μｍ以下の第２のβ型又は非晶質の炭化珪素粉末とを、第２のβ型又は非晶質の炭化珪素粉末の配合量が０．５〜５０重量％の範囲となるように焼結助剤を添加することなく混合し、これを加熱し、焼結することによって」、「焼結体密度が２．８ｇ／ｃｍ３以上で、室温での電気比抵抗が１Ω・ｃｍ以下の炭化珪素焼結体からなるスパッタリング用ターゲットを得る」と、訂正後の請求項２には、「直流スパッタリング装置用の炭化珪素スパッタリング用ターゲットの製造方法であって」、「該製造方法は、…平均粒子径が０．１μｍ以下であるβ型炭化珪素超微粉末を、焼結助剤を添加することなく加熱し焼結することによって」、「焼結体密度が２．８ｇ／ｃｍ３以上で、室温での電気比抵抗が１Ω・ｃｍ以下の炭化珪素焼結体からなるスパッタリング用ターゲットを得る」と、それぞれ記載されており、上記記載からみて、上記訂正後の請求項１及び訂正後の請求項２に記載された「炭化珪素スパッタリング用ターゲットの製造方法」により製造された「炭化珪素スパッタリング用ターゲット」は、「直流スパッタリング装置用の炭化珪素スパッタリング用ターゲット」であり、「焼結助剤無添加で焼結されてなり、焼結体密度が２．８ｇ／ｃｍ３以上で、室温での電気比抵抗が１Ω・ｃｍ以下の炭化珪素焼結体からなる」ものである。
　そうすると、訂正後の請求項３に係る発明と訂正前の請求項１に係る発明とは、「直流スパッタリング装置用の炭化珪素スパッタリング用ターゲット」であって、「焼結助剤無添加で焼結されてなり、焼結体密度が２．８ｇ／ｃｍ３以上で、室温での電気比抵抗が１Ω・ｃｍ以下の炭化珪素焼結体からなる」点で一致するものである。
　更に、上記訂正後の請求項３の記載は、当該「炭化珪素スパッタリング用ターゲット」の製造方法を、上記訂正後の請求項１及び訂正後の請求項２の方法に限定するものであるから、訂正（Ｃ）は、特許請求の範囲の減縮及び明りょうでない記載の釈明を目的とするものであると云え、かつ、訂正（Ａ）及び訂正（Ｂ）が、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内のものであることは上記のとおりであるから、訂正（Ｃ）もまた、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内のものである。
　そして、訂正（Ａ）ないし（Ｃ）は、いずれも、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。
・訂正事項２及び訂正事項３
　訂正事項２及び訂正事項３における訂正は、明細書の発明の詳細な説明の訂正であって、訂正事項１により特許請求の範囲が訂正されたことに伴って、明細書の発明の詳細な説明における特許請求の範囲に対応する記載及び発明の効果の記載を訂正するものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とするものであると云える。
　また、当該訂正事項２及び訂正事項３は、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内でなされたものであり、そして、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。
２−３．むすび
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、特許法第１２０条の４第３項において準用する平成６年法律第１１６号による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書き、第２項及び第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
３．特許異議の申立についての判断
３−１．本件訂正発明
　上記「２．訂正の適否についての判断」で示したように、平成１５年９月２４日になされた訂正は認容することができるから、訂正後の本件請求項１ないし請求項３に係る発明（以下、「本件訂正発明１」ないし「本件訂正発明３」という）は、上記訂正に係る訂正明細書の特許請求の範囲請求項１ないし請求項３に記載された事項により特定される次のとおりのものである。
「（１）直流スパッタリング装置用の炭化珪素スパッタリング用ターゲットの製造方法であって、該製造方法は、平均粒子径が０．１〜１０μｍの第１のβ型炭化珪素粉末と、非酸化性雰囲気のプラズマ中にシラン化合物またはハロゲン化珪素と炭化水素とからなる原料ガスを導入し、反応系の圧力を１気圧未満から０．１ｔｏｒｒの範囲で制御しつつ気相反応させることによって合成された、平均粒子径が０．１μｍ以下の第２のβ型又は非晶質の炭化珪素粉末とを、第２のβ型又は非晶質の炭化珪素粉末の配合量が０．５〜５０重量％の範囲となるように焼結助剤を添加することなく混合し、これを加熱し、焼結することによって、焼結体密度が２．８ｇ／ｃｍ３以上で、室温での電気比抵抗が１Ω・ｃｍ以下の炭化珪素焼結体からなるスパッタリング用ターゲットを得ることを特徴とする炭化珪素スパッタリング用ターゲットの製造方法。
（２）直流スパッタリング装置用の炭化珪素スパッタリング用ターゲットの製造方法であって、該製造方法は、非酸化性雰囲気のプラズマ中にシラン化合物またはハロゲン化珪素と炭化水素とからなる原料ガスを導入し、反応系の圧力を１気圧未満から０．１ｔｏｒｒの範囲で制御しつつ気相反応させることによって合成された、平均粒子径が０．１μｍ以下であるβ型炭化珪素超微粉末を、焼結助剤を添加することなく加熱し焼結することによって、焼結体密度が２．８ｇ／ｃｍ３以上で、室温での電気比抵抗が１Ω・ｃｍ以下の炭化珪素焼結体からなるスパッタリング用ターゲットを得ることを特徴とする炭化珪素スパッタリング用ターゲットの製造方法。
（３）前記（１）又は（２）に記載の炭化珪素スパッタリング用ターゲットの製造方法によって製造された炭化珪素スパッタリング用ターゲット。」
３−２．申立の理由の概要
　特許異議申立人大矢　保は、証拠として甲第１号証（第９回高温材料基礎討論会講演要旨集（平成元年１１月９日〜１０日）社団法人日本セラミックス協会高温・構造材料部会ｐ．１８−２２）、甲第２号証（特開昭５６−５８９６７号公報）、甲第３号証（特開昭６０−１０８３７０号公報）、甲第４号証（特開昭６２−２６０７７２号公報）、甲第５号証（窯業協会誌、９３〔９〕（１９８５）ｐ．５１１−５１６）及び甲第６号証（特開昭６２−２６６１３９号公報）を提出し、本件請求項１ないし請求項３に係る発明は、甲第１号証ないし甲第６号証の記載に基づいて当業者が容易に想到し得る程度のものであるから、特許法第２９条第２項の規定される特許要件を満たしていない旨を主張している。
３−３．証拠の記載内容
　甲第１号証ないし甲第６号証には、それぞれ次の事項が記載されている。
甲第１号証：第９回高温材料基礎討論会講演要旨集（平成１年１１月９日〜１０日）社団法人日本セラミックス協会高温・構造材料部会ｐ．１８−２２
（１−Ａ）「超高純度緻密炭化ケイ素焼結体」（第１８ページ第１行）
（１−Ｂ）「２．実験
　粒径がナノメータークラスの炭化ケイ素超微粉末を高周波誘導結合型アルゴン熱プラズマを用いたＣＶＤ法により合成した。炭化ケイ素超微粉末の合成についての詳細は文献５を参照されたい。プラズマ作動ガスにはアルゴン、原料ガスにはモノシランあるいは四塩化ケイ素をシリコン源とし、メタンあるいはエチレンを炭素源として使用した。
　発信周波数約４ＭＨｚの高周波発信機を用い、６ｍｍの銅パイプを３．５巻したワークコイルからプラズマ作動ガスに誘導結合によりエネルギーを供給した。プラズマ炉は石英製で、ガス導入部、プラズマ発信部、粉末析出部に分けられる。ガス導入部は三重管構造になっており、外側にＡｒシースガス、内側にはＡｒプラズマ作動ガス、中心部に原料ガスを流した。プラズマ発生部は二重管構造で、外側に冷却水を流し、熱による損傷を防ぐと共にシースガスの温度上昇を抑え熱ピンチ効果を大きくした。
　プラズマ炉内を真空排気し高周波電力を印加すると、低温プラズマが発生する。ここで発生する電子を利用して、プラズマ作動ガス圧力を上げて電子と中性ガスの衝突頻度を上げると共に供給電力を増加してゆくと熱プラズマが発生する。このようにして発生させたＡｒ熱プラズマ中に原料ガスを導入した。ＳｉＣ超微粉末は、熱い煙状の火炎となってプラズマから析出した。
　得られた粉末は超微粒子であるため、取扱には注意を払った。特に酸化の防止、ｇｒｅｅｎ　ｄｅｎｓｉｔｙの向上には注意を払い、市販粉と混合した後、スプレードライヤーで造粒し、ＣＩＰにより二次成形を行った。焼結はアルゴン雰囲気中でホットプレスした。」（第１８ページ第２８行〜第１９ページ第１２行）
（１−Ｃ）「３．結果と考察
３−１．高純度緻密炭化ケイ素の焼結体
　表１にプラズマ合成した炭化ケイ素超微粉末と、焼結体をスパーク発光分析した結果を示す。これから見ても市販の粉末と比べて超高純度であることがわかる。原料ガスの純度や取扱に注意を払えば半導体クラスの純度にすることも可能である。焼結体の純度も通常の炭化ケイ素焼結体の純度より高く、焼結に効く不純物は存在しないといえる。この表にない陽イオン不純物は分析限界以下である。この結果からわかるように炭化ケイ素は高純度であっても超微粒子をうまく使うことにより通常の条件下で焼結し得ることが証明された。
　焼結体の密度は原料粉末、混合状態、ホットプレス条件により変化するが、理論密度の９５％（３．２４ｇ／ｃｍ２）から１００％（３．２１ｇ／ｃｍ２）に達成するものが得られた。」（第１９ページ第１３行〜第２７行）
（１−Ｄ）「つまり炭化ケイ素の焼結の困難さは、焼結機構によるのである。焼結初期の２０００℃以下の低温において、表面拡散機構による粒成長が起こるのである。緻密化させるためには、表面拡散機構による粒成長を抑制し、焼結の駆動力を温存し、焼結温度において粒界拡散や体積拡散により粒界または粒内からネック部に物質移動を起こさせる必要がある。この観点から炭化ケイ素の緻密焼結を得るために考えられる方策は
　（１）超微粒子粉末の利用
　（２）焼結助剤の利用
　（３）新焼結技術の利用
であろう。ここでは、超微粉末の利用による実験結果である。」（第２１ページ第６行〜第１５行）
（１−Ｅ）「電気的性質は伝導度しか測っていないが、バリスター効果の現れない直線領域では１０−２Ω・ｃｍの比抵抗率を示した。」（第２２ページ第７行〜第８行）
甲第２号証：特開昭５６−５８９６７号公報
（２−Ａ）「耐摩耗保護膜として炭化珪素化合物をスパッタリングにより被着するサーマルヘッドの製造方法において、炭化珪素の焼結体中にに珪素を含浸させた材料をターゲットとし、炭化水素ガス、または炭化水素ガスと水素ガスとの混合ガスを不活性ガス中に混入したガスによりスパッタリングを行うことにより炭化珪素化合物被膜からなる耐摩耗保護膜を形成することを特徴とするサーマルヘッドの製造方法。」（特許請求の範囲）
（２−Ｂ）「しかしながら、従来の炭化珪素被膜の形成は、次に述べる問題点を有していたために充分な被膜形成速度を得ることができず、量産的でなかった。すなわち、炭化珪素の焼結体としては、高純度のもので大きな形状のものが製作されているが、一般的に１０〜２０％の気孔率を有しており、このような炭化珪素化合物の焼結体は半導体であり、比抵抗が室温で約１００Ω・ｃｍと小さいことから電源及び装置コストの点から有利な直流マグネトロンスパッタが可能であるにもかかわらず、気孔部分においてチャージアップによる異常放電が生じ、安定した放電ができなかった。このため、従来は絶縁物のスパッタリングができる高周波マグネトロンスパッタリングにより被膜形成を行っていたが、この場合にも被膜形成速度を向上させるために投入電力を大きくさせると気孔部からの異常放電により焼結物自体が飛びちり、膜中に欠陥を生ずることが多くなり、充分な被膜形成速度を得ることはできなかった。」（第１ページ右下欄第１６行〜第２ページ左上欄第１４行）
（２−Ｃ）「ところで、炭化珪素焼結体の気孔をなくすために気孔部分に高純度の珪素を含浸させ、完全に無気孔の焼結体とすることも可能である。ターゲットとしての特性は珪素が含有され無気孔となった以外は従来の炭化珪素焼結体と同じである。このターゲットの模式図を第２図に示しており、図において７は炭化珪素であり、これらは各々の粉末同志が結合している。８は気孔部に含浸した珪素であり、中心部まで均一に含浸されている。」（第２ページ右上欄第１行〜第９行）
（２−Ｄ）「本発明の具体的方法としては、第２図に示すように珪素８を含有した炭化珪素７の焼結体をターゲットとして用い、放電ガスとして炭化水素ガス例えばエチレンやメタン単独、または炭化水素ガスと水素ガスの混合ガスをアルゴンガス中に混入させたガスを用いて直流マグネトロンスパッタリングを行うことにより達成される。もちろん、高周波マグネトロンスパッタリングでも可能である。」（第２ページ右上欄第１５行〜左下欄第２行）
甲第３号証：特開昭６０−１０８３７０号公報
（３−Ａ）「結晶子が５０Å以下のβ型炭化けい素の集合体であり、その平均粒子径が０．０１〜１μである球状形状をもつ超微粒子状β型多結晶炭化けい素粉末を、焼結助剤を添加せずにホットプレスして得られた炭化けい素焼結体よりなる炭化けい素スパッタリング用ターゲット。」（特許請求の範囲）
（３−Ｂ）「本発明の炭化けい素焼結体を製造するために使用される超微粒子状炭化けい素は、例えば一般式（ＣＨ３）ａＳｉｂＨｃ（ｂ＝１〜３、２ｂ＋１≧ａ、ａ≧ｂ、２ｂ十１≧ｃ≧１、ａ十ｃ＝２ｂ十２）で示されるメチルハイドロジエンシラン化合物をキヤリヤーガスと共に７５０〜１，６００℃で気相熱分解させることによって得ることができる（特願昭５８−１５５９１２号明細書参照）。このものは始発材料のメチルハイドロジエンシラン化合物を精留などによって不純物のほとんどない純度の高いものとすることができるので金属不純物などを含まない高純度のものとして生産される。」（第２ページ右上欄第１０行〜左下欄第３行）
（３−Ｃ）「実施例
　内径５２ｍｍ、長さ１，０００ｍｍのアルミナ製反応管を連型反応炉内に設置し、その中心部を１，３５０℃に保ち、ここに充分に精製されたテトラメチルジシラン〔Ｈ（ＣＨ３）２ＳｉＳｉ（ＣＨ３）２Ｈ〕を３容量％含有する水素ガスを４００ｍｌ／分の速度で８時間導入して気相熱分解させこところ、茶褐色の炭化けい素粉末１６．２ｇ（収率７７．５％）が得られた。
　つぎにこの粉末を化学分析したところ、これはＳｉ＝６９．７％、Ｃ＝３０．３％からなる炭化けい素で、これに含まれている金属不純物量を発光分析でしらべたところ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｖなどはいずれもｌｐｐｍもしくはそれ以下であり、走査電子顕微鏡写真での観測では、その結晶子が５０Å以下の炭化けい素の集合体で、その平均粒経が０．１〜０．２μの球状形状をもつβ型多結晶炭化けい素であることが確認された。
　ついで、この炭化けい素粉末２６７ｇを東洋炭素（株）製ＩＧ１１を使用したホットプレス用カーボン型に入れ炉に装入し、アルゴンガス雰囲気下２００ｋｇ／ｃｍ２の加圧下に２，３００℃で１時間保持してのち徐冷し、得られた炭化けい素焼結体の表面に付着した炭素を除去し、その上下両側面を研磨して直径１２３ｍｍ、厚さ６．０ｍｍの夕ーゲット用円板を作り、この試料片についての不純物量を発光分析で測定したところ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｔｉなどの金属不純物の含有量はいずれもｌｐｐｍ以下であった。」（第３ページ右上欄第１行〜左下欄第１１行）
（３−Ｄ）「第１図は石英製スパッタ蒸着装置の構成図を示したものであって、この資料ホルダー（５）上に、上記で得られた炭化けい素ターゲットを試料ホルダー（５）上に設置し、系内を２×１０−５Ｔｏｒｒに減圧した。減圧後ガス導入口（６）よりアルゴンガスを導入し４×１０−４Ｔｏｒｒに保持した後、電極（２）と試料ホルダー（５）との間に、１３．５６ＭＨｚの高周波電圧を印加し、電極上に保持された１００ｍｍ径の石英製円板に０．３μのＳｉＣ膜を形成した。このものを装置から取り出し温度６５℃、湿度９０％の雰囲気中で４８時間放置した後の密着不良率を観察したが、不良品はなく、かつピンホールも認められなかつた。」（第３ページ左下欄第１２行〜右下欄第６行）
甲第４号証：特開昭６２−２６０７７２号公報
（４−Ａ）「１）通常の炭化珪素粉末に気相反応法で合成された焼結活性度０．５〜１．０の活性の高い炭化珪素微粉末を混合し、これを成型、加熱焼結することによって得られる高純度炭化珪素焼結体。
２）活性度の高い炭化珪素微粉末の混合割合が０．１〜５０重量％である特許請求の範囲第１項記載の高純度炭化珪素焼結体。
３）焼結体の密度が理論密度の８５％以上である特許請求の範囲第１項記載の高純度炭化珪素焼結体。
４）通常の炭化珪素粉末に気相反応法で合成された焼結活性度０．５〜１．０の活性の高い炭化珪素微粉末を混合した混合粉末を作り、これを圧密化した成型体を不活性ガス、還元性ガスもしくは真空雰囲気中で加熱、焼結することを特徴とする高純度炭化珪素焼結体の製造方法。
５）活性度の高い炭化珪素微粉末の混合割合が０．１〜５０重量％である特許請求の範囲第４項記載の高純度炭化珪素焼結体の製造方法。
６）焼結体の密度が理論密度の８５％以上である特許請求の範囲第４項記載の高純度炭化珪素焼結体の製造方法。」（特許請求の範囲）
（４−Ｂ）「本発明は高純度炭化珪素焼結体及びその製造方法、更に詳しくは焼結助剤を用いることのない高密度の炭化珪素焼結体及びその製造方法に関する。」（第１ページ右下欄第１１行〜第１３行）
（４−Ｃ）「炭化珪素は耐熱性、耐摩耗性、耐腐蝕性に優れ、高温における強度も高い特性を有するため、その焼結体はガスタービン部品、エンジン部品、熱交換器部品、耐摩耗ライナー部品、化学プラントの耐腐蝕部品などの構造材料としての応用研究が行われている。−方、半導体分野においても炭化珪素の持つ熱伝導の良さを利用してその焼結体を放熱部品としてまたＩＩＩ、Ｖ族元素をドーピングして半導体素子としての応用研究がなされている。」（第１ページ右下欄第１４行〜第２ページ左上欄第２行）
（４−Ｄ）「本発明は従来の炭化珪素焼結方法における問題点を解消すべくなされたもので、その目的は焼結助剤を実質的に全く含ませないか、または極微量の焼結助剤ですむ高密度の炭化珪素焼結体及びその製造方法を提供するにある。」（第２ページ右上欄第５行〜第９行）
（４−Ｅ）「本発明において言う通常の炭化珪素粉末とは、
（１）黒鉛と珪素を１１５０℃以上で反応させる方法。
（２）黒鉛とシリカを１４７５℃以上で反応させる方法。
（３）珪砂，コークス，のこくず，塩を電気炉中で２２００〜２５００℃で反応させて不純物を除去する方法。
などの方法で合成した炭化珪素を総称したものである。
　また本発明において言う気相反応法で合成された炭化珪素微粉末とは、例えば
（１）原料としてＳｉＨ４とＣ２Ｈ４を高周波等により励起されたＡｒ熱プラズマ中に導入して合成する方法
（２）Ａｒ雰囲気中にＣＯ２レーザーを照射し、そのビーム中に原料ガスとしてＳｉＨ４とＣ２Ｈ４を導入して合成する方法。
等ガス状態又はプラズマ状態の分子，原子，イオンの反応により合成されたものを総称する。」（第２ページ左下欄第４行〜右下欄第１行）
（４−Ｆ）「本発明において使用する通常の炭化珪素粉末は、その結晶相がα相，β相，非晶質相あるいはそれらの混合相であってもよい。またその粒度は平均粒径５μｍ以下、好ましくは１μｍ以下であるこがよい。粒度が大きいと表面応力が小さく、焼結の駆動力が小さくなりすぎ高密度とすることが困難であるからである。このような通常の炭化珪素粉末は市場において容易に入手できるものである。
　また、気相反応で合成された炭化珪素微粉末もその結晶相はα相，β相，非晶質相，あるいはそれらの混合相であってもよい。通常の炭化珪素粉末と気相反応法で合成された炭化珪素微粉末の混合割合は、後者の混合割合が０．１〜５０重量％であることが好ましい。」（第２ページ右下欄第１９行〜第３ページ左上欄第１２行）
（４−Ｇ）「実施例１
　市販の平均粒径０．３μｍのβ−ＳｉＣ粉末（不純物Ｆｅ＜４００ＰＰＭ，Ａｌ＜３００ＰＰＭ，Ｂ＜１０ＰＰＭ）７０部と、気相反応法（原料ガスとしてＳｉＨ４とＣ２Ｈ４を、高周波により励起されたＡｒ熱プラズマ中に導入して合成した。）により製造した平均粒径７ｎｍの活性度の高い炭化珪素微粉末（焼結活性度＝０．８，不純物Ｆｅ＜１０ＰＰＭ，Ａｌ＜１０ＰＰＭ，Ｂ＜１０ＰＰＭ）３０部と、成型バインダとしてＰＶＰ（ポリビニルピロリドン）２部と、溶媒としてメチルアルコールをポリエチレン製の容器に入れて遊星型ボールミルで１２時間混合した後、乾燥・解砕し、通常の一軸プレス機で円板状に成型した。その重量と寸法を測定し成型体密度を求めたところ相対密度＝５０．６％（理論密度＝３．２１ｇ／ｃｍ３を１００％として計算した。以下同様。）であった。さらに、その成型体を解砕し目開き１２５μｍの篩を通した後、黒鉛製のホットプレス容器に詰め、４０ＭＰａの加圧下、Ａｒ１ａｔｍの雰囲気中で、５０℃／ｍｉｎの昇温速度で昇温し、２２００℃で３０分間保持して焼結し、その後、放冷した。冷却後、取り出した試料の密度をアルキメデス法で測定したところ相対密度＝９３．８％であった。焼結体のエッチング面をＳＥＭ写真にとり平均粒径を求めたところ平均粒径＝３μｍの微細な微構造をした高密度な高純度炭化珪素焼結体であった。」（第３ページ右下欄第１４行〜第４ページ左上欄第２０行）
甲第５号証：窯業協会誌、９３〔９〕（１９８５）ｐ．５１１−５１６
（５−Ａ）「プラズマＣＶＤ法によるＳｉＣ超微粉末の低圧合成」（第５１１ページ第１行）
（５−Ｂ）「１．緒言
　ち密で微細構造，均一組織の信頼性の高いセラミック焼結体を得るためには，その製造プロセスの始まりでる原料粉末の特性が重要となる。高純度で粒度分布の幅が狭い超微粉末を合成する方法として，最近では液相や気相から反応させて粉末を得る“ｂｕｉｌｄ　ｕｐ”法の研究が各方面で進められている。とりわけ熱プラズマを利用した合成法は超微粉末ができやすいこともあって，金属，セラミックス両分野において研究が盛んである。」（第５１１ページ左欄第１行〜右欄第４行）
（５−Ｃ）「２．２実験手順
　運転操作は，まず反応系内をロー夕リーポンプにより１３Ｐａ以下に排気後，高周波電源のアノード電圧を４ｋＶまで上げて熱プラズマを点火した。次にＡｒプラズマ作動ガスを徐々に流し，Ａｒプラズマを作った後でＡｒシースガスを導入し，ガス量を調整した。そして，ＳｉＨ４ガス，ＣＨ４ガス，Ａｒガスを混合してプラズマ中心部に導入し，ニードルバルブを絞って炉内圧力を２．１３×１０４Ｐａに設定，またアノード電圧を５ｋＶまで上げて安定なＳｉＨ４−ＣＨ４−Ａｒプラズマフレームを得た。このときの実験条件を表１に示す。
　生成したＳｉＣ超微粉末は図２に示すようにプラズマフレームから火炎となって析出し，アルミナ皿に堆積した。採集した試料の大部分はアルミナ皿に堆積したものであるが，一部プラズマフレーム下部の対流によって管壁に析出した粉末も加えて，生成量の計算に用いた。」（第５１２ページ右欄第１３行〜第５１３ページ左欄第３行）
（５−Ｄ）「４．総括
　炉内圧力２．１３×１０４Ｐａの減圧下において，Ａｒプラズマ中心部にＳｉＨ４−ＣＨ４−Ａｒ原料ガスを導入，反応させるような高周波誘導加熱プラズマＣＶＤ法によって，ＳｉＣ超微粉末の合成を行い，得られた超微粉末の特性を調べた。また，原料ガス流量，原料ガス中のＣ／Ｓｉモル比などの実験条件と，得られた超微粉末の収率，結晶相，粒子径，粒形などとの関係について検討した。得られた結果をまとめると次のとおりである。
　（１）超微粉末の生成収率は７０〜９０％であった。原料ガス流量との顕著な関係はみられなかった。
　（２）得られた超微粉末は原料ガス中のＣ／Ｓｉモル比が２．３未満では結晶質Ｓｉとβ−ＳｉＣ，２．３から４．９まではβ−ＳｉＣのみ，５以上ではβ−ＳｉＣと非晶質Ｃであった。
　（３）β−ＳｉＣ超徴粉末の平均粒子径は粉末Ｘ線回折から求めた値では８〜４ｎｍ，ＴＥＭから測定した値では１０〜５ｎｍであった。また原料ガス中のＣ／Ｓｉモル比が大きくなるにしたがってＳｉＣ平均粒子径は小さくなり，Ｃ／Ｓｉモル比が５以上ではほぼ一定となった。
　（４）β−ＳｉＣ超微粉末は粒度分布の幅は極めて狭く，粒子の形はアスペクト比がほぼ１に近い球状であることがＴＥＭ観察から分った。」（第５１５ページ右欄第１３行〜第５１６ページ右欄第１行）
甲第６号証：特開昭６２−２６６１３９号公報
（６−Ａ）「上部に気体原料を導入する気体導入口を有するプラズマ発生容器と、このプラズマ発生容器中にプラズマを発生させる高周波、ア−クもしくはマイクロ波発生装置等のプラズマ発生装置と、前記プラズマ発生容器に気密に接続されて生成粉末を捕集する捕集装置とを有し、前記プラズマ発生容器のプラズマ発生部近傍下流に前記超微粉末と同一または異なる成分の微粉末を含む前記同様の気体原料をプラズマ流外周部の接線方向から導入する微粉末導入管を少なくとも１つ取り付けたことを特徴とする高密度焼結体用粉末材料の製造装置。」（特許請求の範囲）
（６−Ｂ）「この発明は、前記事情に鑑みてなされたもので、その目的は、高密度、高品質の焼結体を容易かつ経済的に得ることのできる均一に粒度配合された粉末材料の製造装置を提供することにある。」（第２ページ左下欄第第７行〜第１０行）
（６−Ｃ）「「実施例１」
　構造の概略が第１図に示すような装置の炉体１０内を内圧１３Ｐａに排気後、陽極電圧２．８ＫＶ、陽極電流１．１Ａ、グリッド電流０．０８Ａ、周波数４．０ＭＨｚの高周波をワークコイル９に流して、グローを発生させた。次にプラズマガス導入管５よりアルゴンガスを流量１２．８ｌ／ｍｉｎ流し、炉内圧を２６６Ｐａにしてアルゴン熱プラズマを作り、アルゴンシースガスを流量６５．７ｌ／ｍｉｎ流して、排気バルブを閉じることにより炉内圧力を１気圧まで上げた。こうして得られた安定なアルゴン熱プラズマ中に、気体原料導入管４より四塩化珪素３．０ｇ／ｍｉｎ、エチレンガス２００ｍｌ／ｍｉｎ、アルゴンガス３．０ｌ／ｍｉｎをそれぞれ混合して導入し、プラズマ気相反応を行ない、ＳｉＣ超微粉末を合成した。
　プラズマ気相反応が安定後、密閉型マイクロフィーダ３を使用してβ−ＳｉＣ粉末（平均粒径０．３４μｍ、純度９９．１％）１０ｇ／ｍｉｎ、アルゴンガス１９．７ｌ／ｍｉｎを混合してプラズマ下流部の微粉末導入管２…より導入した。」（第３ページ左下欄第１４行〜右下欄第１３行）
（６−Ｄ）「得られた混合粉末は粉末Ｘ線回折によると、ほとんどβ−ＳｉＣであった。また、透過電子顕微鏡によると、この混合粉末中の超微粉末の粒子径は１５〜２０ｎｍの範囲にあり、０．３〜０．８μｍ粒子の表面に付着しているものが多かった。」（第４ページ左上欄第４行〜第８行）
３−４．対比・判断
（１）本件訂正発明１について
　甲第１号証（１−Ａ）の記載からみて、甲第１号証には、「超高純度緻密炭化ケイ素焼結体」が記載されている。
　また、甲第１号証（１−Ｂ）の記載からみて、甲第１号証に記載された「超高純度緻密炭化ケイ素焼結体」は、「高周波誘導結合型アルゴン熱プラズマを用いたＣＶＤ法により合成」した「粒径がナノメータークラスの炭化ケイ素超微粉末」を、「市販粉と混合」した後、「スプレードライヤーで造粒」し、「ＣＩＰにより二次成形」を行って、「焼結はアルゴン雰囲気中でホットプレス」して製造したものである。
　そして、甲第１号証（１−Ｃ）及び（１−Ｅ）の記載からみて、甲第１号証に記載された「超高純度緻密炭化ケイ素焼結体」は、密度が「理論密度の９５％（３．２４ｇ／ｃｍ２）から１００％（３．２１ｇ／ｃｍ２）」であり（なお、甲第１号証（１−Ｃ）においては、密度の単位が「ｇ／ｃｍ２」と記載されているが、これは「ｇ／ｃｍ３」の誤記であることが明らかであるので、以下そのように認定する。）、比抵抗率が「バリスター効果の現れない直線領域では１０−２Ω・ｃｍ」であるものである。
　更に、甲第１号証（１−Ｄ）の記載からみて、「炭化ケイ素の焼結の困難さは、焼結機構による」のであり、「炭化ケイ素の緻密焼結を得るために考えられる方策」は、「（１）超微粒子粉末の利用（２）焼結助剤の利用（３）新焼結技術の利用」であるところ、甲第１号証に記載された「超高純度緻密炭化ケイ素焼結体」は「超微粉末の利用による実験結果」であって、かつ甲第１号証（１−Ｃ）の記載からみて、甲第１号証に記載された「超高純度緻密炭化ケイ素焼結体」の純度は、「通常の炭化ケイ素焼結体の純度より高く、焼結に効く不純物は存在しないといえる」のであるから、甲第１号証に記載された「超高純度緻密炭化ケイ素焼結体」は、焼結助剤を添加することなく焼結したものである。
　そこで、甲第１号証に記載された発明を、本件訂正発明１の記載ぶりに則って整理すると、甲第１号証には、「超高純度緻密炭化ケイ素焼結体の製造方法であって、該製造方法は、市販粉と、高周波誘導結合型アルゴン熱プラズマを用いたＣＶＤ法によって合成された、粒径がナノメータークラスの炭化ケイ素粉末とを、焼結助剤を添加することなく混合し、スプレードライヤーで造粒し、ＣＩＰにより二次成形を行って、アルゴン雰囲気中でホットプレスして焼結することにより、焼結体密度が理論密度の９５％（３．２４ｇ／ｃｍ３）から１００％（３．２１ｇ／ｃｍ３）で、バリスター効果の現れない直線領域では、比抵抗率が１０−２Ω・ｃｍの炭化ケイ素焼結体を得ることを特徴とする超高純度緻密炭化ケイ素焼結体の製造方法。」が記載されていると云える。
　そして、本件訂正発明１と、甲第１号証に記載された発明とを比較すると、甲第１号証に記載された発明における「超高純度緻密炭化ケイ素焼結体」は本件訂正発明１における「炭化珪素焼結体」に相当し、甲第１号証に記載された発明における「市販粉」は本件訂正発明１における「第１の炭化珪素粉末」に相当する。
　ここで、「高周波誘導結合型アルゴン熱プラズマを用いたＣＶＤ法」は、甲第１号証（１−Ｂ）の記載からみて、「プラズマ作動ガスにはアルゴン、原料ガスにはモノシランあるいは四塩化ケイ素をシリコン源とし、メタンあるいはエチレンを炭素源として使用」するものであって、「プラズマ炉内を真空排気し高周波電力を印加」して「低温プラズマ」を発生させ、「ここで発生する電子を利用して、プラズマ作動ガス圧力を上げて電子と中性ガスの衝突頻度を上げると共に供給電力を増加」して「熱プラズマ」を発生させ、「このようにして発生させたＡｒ熱プラズマ中に原料ガスを導入」することにより、「ＳｉＣ超微粉末」が「熱い煙状の火炎となってプラズマから析出」するものであり、「Ａｒ熱プラズマ」は「非酸化性のプラズマ」であり、「モノシランあるいは四塩化ケイ素」は「シラン化合物またはハロゲン化珪素」であり、「メタンあるいはエチレン」は「炭化水素」であるから、上記「高周波誘導結合型アルゴン熱プラズマを用いたＣＶＤ法」は、「非酸化性雰囲気のプラズマ中にシラン化合物またはハロゲン化珪素と炭化水素とからなる原料ガスを導入」し、「気相反応」させる方法であると云える。
　また、「粒径がナノメータークラスの炭化ケイ素粉末」についてみると、「ナノメータークラス」とは、通常「数ナノメーター」程度の大きさを意味するから、上記「粒径がナノメータークラスの炭化ケイ素粉末」の平均粒子径は「０．１μｍ」以下であると云え、故に「粒径がナノメータークラスの炭化ケイ素粉末」は、本件訂正発明１における「第２の炭化珪素粉末」に相当する。
　更に、「市販粉」と「粒径がナノメータークラスの炭化ケイ素粉末」とを、「焼結助剤を添加することなく混合し、スプレードライヤーで造粒し、ＣＩＰにより二次成形を行」ったものを「アルゴン雰囲気中でホットプレス」して焼結する場合、「加熱し、焼結」していることは明らかであり、かつ、「焼結体密度が理論密度の９５％（３．２４ｇ／ｃｍ３）から１００％（３．２１ｇ／ｃｍ３）」であれば、「焼結体密度が２．８ｇ／ｃｍ３以上」であると云える。
　ここで、甲第１号証には、上記「比抵抗」の値が室温におけるものであることは記載されていないが、甲第１号証（１−Ｅ）には、「電気的性質は伝導度しか測っていないが、」と記載されており、このように測定温度が特に記載されていない場合、「比抵抗」の測定が室温で行われたことは明らかである。
　そうすると、「バリスター効果の現れない直線領域では、比抵抗率が１０−２Ω・ｃｍ」であれば、「室温での電気比抵抗が１Ω・ｃｍ以下」であると云える。
　してみれば、両者は、「炭化珪素焼結体の製造方法であって、該製造方法は、第１の炭化珪素粉末と、非酸化性雰囲気のプラズマ中にシラン化合物またはハロゲン化珪素と炭化水素とからなる原料ガスを導入し、気相反応させることによって合成された、平均粒子径が０．１μｍ以下の第２の炭化珪素粉末とを、焼結助剤を添加することなく混合し、これを加熱し、焼結することによって、焼結体密度が２．８ｇ／ｃｍ３以上で、室温での電気比抵抗が１Ω・ｃｍ以下の炭化珪素焼結体を得ることを特徴とする炭化珪素焼結体の製造方法。」である点で一致し、次の点で相違していると云える。
相違点甲１−１
　本件訂正発明１は、「直流スパッタリング装置用の炭化珪素スパッタリング用ターゲットの製造方法」に係る発明であるのに対して、甲第１号証には、製造される「超高純度緻密炭化ケイ素焼結体」が「直流スパッタリング装置用の炭化珪素スパッタリング用ターゲット」であることが記載されていないから、甲第１号証に記載された発明は、「直流スパッタリング装置用の炭化珪素スパッタリング用ターゲットの製造方法」に係る発明とは云えない点。
相違点甲１−２
　本件訂正発明１においては、第１の炭化珪素粉末が、「平均粒子径が０．１〜１０μｍの第１のβ型炭化珪素粉末」であるのに対して、甲第１号証に記載された発明においては、「市販粉」の平均粒子径が不明であり、かつ当該「市販粉」が「β型炭化珪素粉末」であるか否かが不明である点。
相違点甲１−３
　本件訂正発明１は、第２の炭化珪素粉末を「反応系の圧力を１気圧未満から０．１ｔｏｒｒの範囲で制御しつつ気相反応させることによって合成」するものであるのに対して、甲第１号証には、反応系の圧力が記載されていないから、甲第１号証に記載された発明は、炭化ケイ素粉末を「反応系の圧力を１気圧未満から０．１ｔｏｒｒの範囲で制御しつつ気相反応させることによって合成」するものであるとは云えない点。
相違点甲１−４
　本件訂正発明１においては、第２の炭化珪素粉末が、「β型又は非晶質の炭化珪素粉末」であるのに対して、甲第１号証に記載された発明においては、「粒径がナノメータークラスの炭化ケイ素粉末」が「β型又は非晶質の炭化珪素粉末」であるか否かが不明である点。
相違点甲１−５
　本件訂正発明１においては、「第２のβ型又は非晶質の炭化珪素粉末」の配合量が「０．５〜５０重量％」の範囲となるように混合しているのに対して、甲第１号証には、「粒径がナノメータークラスの炭化ケイ素粉末」の配合量が記載されていない点。
　次に、甲第４号証（４−Ａ）の記載からみて、甲第４号証には、「４）通常の炭化珪素粉末に気相反応法で合成された焼結活性度０．５〜１．０の活性の高い炭化珪素微粉末を混合した混合粉末を作り、これを圧密化した成型体を不活性ガス、還元性ガスもしくは真空雰囲気中で加熱、焼結することを特徴とする高純度炭化珪素焼結体の製造方法。」、「５）活性度の高い炭化珪素微粉末の混合割合が０．１〜５０重量％である特許請求の範囲第４項記載の高純度炭化珪素焼結体の製造方法。」、「６）焼結体の密度が理論密度の８５％以上である特許請求の範囲第４項記載の高純度炭化珪素焼結体の製造方法。」が記載されている。
　そして、上記記載からみて、甲第４号証に記載された発明においては、「通常の炭化珪素粉末に気相反応法で合成された焼結活性度０．５〜１．０の活性の高い炭化珪素微粉末を混合した混合粉末」中の「活性度の高い炭化珪素微粉末の混合割合」は「０．１〜５０重量％」であり、「焼結体の密度」は「理論密度の８５％以上」である。
　更に、甲第４号証（４−Ｂ）、（４−Ｄ）の記載からみて、甲第４号証に記載された発明は、「通常の炭化珪素粉末」と「気相反応法で合成された焼結活性度０．５〜１．０の活性の高い炭化珪素微粉末」を「焼結助剤」を添加することなく混合し、これを加熱し、焼結するものである。
　そこで、甲第４号証に記載された発明を、本件訂正発明１の記載ぶりに則って整理すると、甲第４号証には、「高純度炭化珪素焼結体の製造方法であって、該製造方法は、通常の炭化珪素粉末と、気相反応法によって合成された、焼結活性度０．５〜１．０の活性の高い炭化珪素微粉末とを、焼結活性度０．５〜１．０の活性の高い炭化珪素微粉末の配合量が０．１〜５０重量％の範囲となるように焼結助剤を添加することなく混合し、これを圧密化した成型体を不活性ガス、還元性ガスもしくは真空雰囲気中で加熱、焼結することによって、焼結体の密度が理論密度の８５％以上である高純度炭化珪素焼結体を得ることを特徴とする高純度炭化珪素焼結体の製造方法。」が記載されていると云える。
　そして、本件訂正発明１と、甲第４号証に記載された発明とを比較すると、甲第４号証に記載された発明における「高純度炭化珪素焼結体」は、本件訂正発明１における「炭化珪素焼結体」に相当する。
　また、甲第４号証（４−Ｅ）、（４−Ｆ）、（４−Ｇ）の記載からみて、甲第４号証に記載された発明における「通常の炭化珪素粉末」とは、「（１）黒鉛と珪素を１１５０℃以上で反応させる方法。（２）黒鉛とシリカを１４７５℃以上で反応させる方法。（３）珪砂，コークス，のこくず，塩を電気炉中で２２００〜２５００℃で反応させて不純物を除去する方法。などの方法で合成した炭化珪素を総称したもの」であり、「結晶相がα相，β相，非晶質相あるいはそれらの混合相であってもよい」ものであって、具体的には、「平均粒径０．３μｍのβ−ＳｉＣ粉末」であるから、当該「通常の炭化珪素粉末」は、本件訂正発明１における「平均粒子径が０．１〜１０μｍの第１のβ型炭化珪素粉末」に相当する。
　同様に、甲第４号証（４−Ｅ）、（４−Ｆ）、（４−Ｇ）の記載からみて、甲第４号証に記載された発明における「気相反応法によって合成された、焼結活性度０．５〜１．０の活性の高い炭化珪素微粉末」とは、「（１）原料としてＳｉＨ４とＣ２Ｈ４を高周波等により励起されたＡｒ熱プラズマ中に導入して合成する方法。（２）Ａｒ雰囲気中にＣＯ２レーザーを照射し、そのビーム中に原料ガスとしてＳｉＨ４とＣ２Ｈ４を導入して合成する方法。等ガス状態又はプラズマ状態の分子，原子，イオンの反応により合成されたものを総称」したものであり、「結晶相はα相，β相，非晶質相，あるいはそれらの混合相であってもよい」ものであって、具体的には、「気相反応法（原料ガスとしてＳｉＨ４とＣ２Ｈ４を、高周波により励起されたＡｒ熱プラズマ中に導入して合成した。）により製造した平均粒径７ｎｍの活性度の高い炭化珪素微粉末」のことである。
　そして、「高周波により励起されたＡｒ熱プラズマ」は「非酸化性のプラズマ」であり、「ＳｉＨ４」は「シラン化合物またはハロゲン化珪素」であり、「Ｃ２Ｈ４」は「炭化水素」であるから、上記「気相反応法」は、「非酸化性雰囲気のプラズマ中にシラン化合物またはハロゲン化珪素と炭化水素とからなる原料ガスを導入」し、「気相反応」させる方法であると云え、かつ「平均粒径７ｎｍ」であれば「平均粒子径が０．１μｍ以下」であるから、甲第４号証に記載された発明における「気相反応法によって合成された、焼結活性度０．５〜１．０の活性の高い炭化珪素微粉末」は、「非酸化性雰囲気のプラズマ中にシラン化合物またはハロゲン化珪素と炭化水素とからなる原料ガスを導入し、気相反応させることによって合成された、平均粒子径が０．１μｍ以下の第２のβ型又は非晶質の炭化珪素粉末」に相当する。
　かつ、甲第４号証（４−Ａ）、（４−Ｆ）の記載からみて、当該「気相反応法によって合成された、焼結活性度０．５〜１．０の活性の高い炭化珪素微粉末」の混合割合は「０．１〜５０重量％」であり、これは本件訂正発明１における「第２のβ型又は非晶質の炭化珪素粉末」の配合量と一致しており、加えて甲第４号証（４−Ａ）、（４−Ｇ）の記載からみて、甲第４号証に記載された発明において製造される「高純度炭化珪素焼結体」の密度は「理論密度の８５％以上」、具体的には「相対密度＝９３．８％」であるから、当該「高純度炭化珪素焼結体」の密度は「２．８ｇ／ｃｍ３以上」であると云える。
　そうすると、両者は、「炭化珪素焼結体の製造方法であって、該製造方法は、平均粒子径が０．１〜１０μｍの第１のβ型炭化珪素粉末と、非酸化性雰囲気のプラズマ中にシラン化合物またはハロゲン化珪素と炭化水素とからなる原料ガスを導入し、気相反応させることによって合成された、平均粒子径が０．１μｍ以下の第２のβ型又は非晶質の炭化珪素粉末とを、第２のβ型又は非晶質の炭化珪素粉末の配合量が０．５〜５０重量％の範囲となるように焼結助剤を添加することなく混合し、これを加熱し、焼結することによって、焼結体密度が２．８ｇ／ｃｍ３以上の炭化珪素焼結体を得ることを特徴とする炭化珪素焼結体の製造方法。」である点で一致し、次の点で相違していると云える。
相違点甲４−１
　本件訂正発明１は、「直流スパッタリング装置用の炭化珪素スパッタリング用ターゲットの製造方法」に係る発明であるのに対して、甲第４号証に記載された発明は、甲第４号証（４−Ｃ）の記載からみて、「直流スパッタリング装置用の炭化珪素スパッタリング用ターゲットの製造方法」に係る発明とは云えない点。
相違点甲４−２
　本件訂正発明１は、第２の炭化珪素粉末を「反応系の圧力を１気圧未満から０．１ｔｏｒｒの範囲で制御しつつ気相反応させることによって合成」するものであるのに対して、甲第４号証には、反応系の圧力が記載されておらず、故に甲第４号証に記載された発明は、炭化珪素微粉末を「反応系の圧力を１気圧未満から０．１ｔｏｒｒの範囲で制御しつつ気相反応させることによって合成」するものとは云えない点。
相違点甲４−３
　本件訂正発明１においては、焼結体の「室温での比抵抗が１Ω・ｃｍ以下」であるのに対して、甲第４号証には、焼結体の室温での比抵抗が記載されていない点。
　同様に、甲第６号証（６−Ａ）の記載からみて、甲第６号証には、「上部に気体原料を導入する気体導入口を有するプラズマ発生容器と、このプラズマ発生容器中にプラズマを発生させる高周波、ア−クもしくはマイクロ波発生装置等のプラズマ発生装置と、前記プラズマ発生容器に気密に接続されて生成粉末を捕集する捕集装置とを有し、前記プラズマ発生容器のプラズマ発生部近傍下流に前記超微粉末と同一または異なる成分の微粉末を含む前記同様の気体原料をプラズマ流外周部の接線方向から導入する微粉末導入管を少なくとも１つ取り付けたことを特徴とする高密度焼結体用粉末材料の製造装置」が記載されている。
　更に、甲第６号証（６−Ｃ）、（６−Ｄ）の記載からみて、甲第６号証に記載された発明は、具体的には、「炉体１０内を内圧１３Ｐａに排気後、陽極電圧２．８ＫＶ、陽極電流１．１Ａ、グリッド電流０．０８Ａ、周波数４．０ＭＨｚの高周波をワークコイル９に流して、グローを発生」させ、「次にプラズマガス導入管５よりアルゴンガスを流量１２．８ｌ／ｍｉｎ流し、炉内圧を２６６Ｐａにしてアルゴン熱プラズマを作り、アルゴンシースガスを流量６５．７ｌ／ｍｉｎ流して、排気バルブを閉じることにより炉内圧力を１気圧まで上」げ、「こうして得られた安定なアルゴン熱プラズマ中に、気体原料導入管４より四塩化珪素３．０ｇ／ｍｉｎ、エチレンガス２００ｍｌ／ｍｉｎ、アルゴンガス３．０ｌ／ｍｉｎをそれぞれ混合して導入し、プラズマ気相反応を行ない、ＳｉＣ超微粉末を合成」し、「プラズマ気相反応が安定後、密閉型マイクロフィーダ３を使用してβ−ＳｉＣ粉末（平均粒径０．３４μｍ、純度９９．１％）１０ｇ／ｍｉｎ、アルゴンガス１９．７ｌ／ｍｉｎを混合してプラズマ下流部の微粉末導入管２…より導入」するものであって、「得られた混合粉末は粉末Ｘ線回折によると、ほとんどβ−ＳｉＣ」であり、「透過電子顕微鏡によると、この混合粉末中の超微粉末の粒子径は１５〜２０ｎｍの範囲にあり、０．３〜０．８μｍ粒子の表面に付着しているもの」が多いものである。
　なお、甲第６号証（６−Ａ）、（６−Ｂ）の記載からみて、甲第６号証に記載された発明においては、得られた「均一に粒度配合された粉末材料」から、「高密度、高品質の焼結体を容易かつ経済的に得る」ことができるものであり、甲第６号証（６−Ｃ）、（６−Ｄ）に記載された例の場合、当該焼結体は「均一に粒度配合された粉末材料」を加熱し、焼結して得られる炭化珪素焼結体であることは明らかである。
　そこで、甲第６号証に記載された発明を、本件訂正発明１の記載ぶりに則って整理すると、甲第６号証には、「炭化珪素焼結体の製造方法であって、該製造方法は、β−ＳｉＣ粉末（平均粒径０．３４μｍ、純度９９．１％）と、プラズマ気相反応を行うことによって合成された、ＳｉＣ超微粉末とを混合し、これを加熱し、焼結することによって、炭化珪素焼結体を得ることを特徴とする炭化珪素焼結体の製造方法」が記載されていると云える。
　そして、本件訂正発明１と、甲第６号証に記載された発明とを比較すると、甲第６号証に記載された発明における炭化珪素焼結体は、本件訂正発明１における「炭化珪素焼結体」に相当し、「β−ＳｉＣ粉末（平均粒径０．３４μｍ、純度９９．１％）」は「平均粒子径が０．１〜１０μｍの第１のβ型炭化珪素粉末」に相当する。
　また、甲第６号証（６−Ｃ）、（６−Ｄ）の記載からみて、甲第６号証に記載された発明における「プラズマ気相反応」を行なって合成された「ＳｉＣ超微粉末」とは、「プラズマガス導入管５よりアルゴンガスを流量１２．８ｌ／ｍｉｎ流し、炉内圧を２６６Ｐａにしてアルゴン熱プラズマを作り、アルゴンシースガスを流量６５．７ｌ／ｍｉｎ流して、排気バルブを閉じることにより炉内圧力を１気圧まで上」げ、「こうして得られた安定なアルゴン熱プラズマ中に、気体原料導入管４より四塩化炭素３．０ｇ／ｍｉｎ、エチレンガス２００ｍｌ／ｍｉｎ、アルゴンガス３．０ｌ／ｍｉｎをそれぞれ混合して導入し、プラズマ気相反応を行」うことによって合成された粉末のことである。
　そして、「アルゴン熱プラズマ」は「非酸化性のプラズマ」であり、「四塩化炭素」は「シラン化合物またはハロゲン化珪素」であり、「エチレンガス」は「炭化水素」であるから、上記「プラズマ気相反応」は、「非酸化性雰囲気のプラズマ中にシラン化合物またはハロゲン化珪素と炭化水素とからなる原料ガスを導入」し、「気相反応」させる方法であると云え、かつ、甲第６号証（６−Ｄ）に記載されたとおり、「混合粉末中の超微粉末の粒子径は１５〜２０ｎｍの範囲」にあるのであれば、当該「超微粉末」の「平均粒子径」は「０．１μｍ以下」であって、「得られた混合粉末は粉末Ｘ線回折によると、ほとんどβ−ＳｉＣ」であるのであれば、「超微粉末」も「β−ＳｉＣ」であることは明らかであるから、甲第６号証に記載された発明における「プラズマ気相反応を行うことによって合成された、ＳｉＣ超微粉末」は、「非酸化性雰囲気のプラズマ中にシラン化合物またはハロゲン化珪素と炭化水素とからなる原料ガスを導入し、気相反応させることによって合成された、平均粒子径が０．１μｍ以下の第２のβ型又は非晶質の炭化珪素粉末」に相当する。
　そうすると、両者は「炭化珪素焼結体の製造方法であって、該製造方法は、平均粒子径が０．１〜１０μｍの第１のβ型炭化珪素粉末と、非酸化性雰囲気のプラズマ中にシラン化合物またはハロゲン化珪素と炭化水素とからなる原料ガスを導入し、気相反応させることによって合成された、平均粒子径が０．１μｍ以下の第２のβ型又は非晶質の炭化珪素粉末とを混合し、これを加熱し、焼結することによって、炭化珪素焼結体を得ることを特徴とする炭化珪素焼結体の製造方法」である点で一致し、次の点で相違していると云える。
相違点甲６−１
　本件訂正発明１は、「直流スパッタリング装置用の炭化珪素スパッタリング用ターゲットの製造方法」に係る発明であるのに対して、甲第６号証に記載された発明は、「直流スパッタリング装置用の炭化珪素スパッタリング用ターゲットの製造方法」に係る発明とは云えない点。
相違点甲６−２
　本件訂正発明１は、第２の炭化珪素粉末を「反応系の圧力を１気圧未満から０．１ｔｏｒｒの範囲で制御しつつ気相反応させることによって合成」するものであるのに対して、甲第６号証（６−Ｃ）の記載からみて、甲第６号証に記載された発明は、「ＳｉＣ超微粉末」を「反応系の圧力を１気圧未満から０．１ｔｏｒｒの範囲で制御しつつ気相反応させることによって合成」するものとは云えない点。
相違点甲６−３
　本件訂正発明１においては、「第１のβ型炭化珪素粉末」と「第２のβ型又は非晶質の炭化珪素粉末」とを、「第２のβ型又は非晶質の炭化珪素粉末の配合量が０．５〜５０重量％の範囲となるように焼結助剤を添加することなく混合」しているのに対して、甲第６号証には、「ＳｉＣ超微粉末」の配合量及び焼結助剤の添加の有無について記載がなされていない点。
相違点甲６−４
　本件訂正発明１においては、「焼結体密度が２．８ｇ／ｃｍ３以上で、室温での電気比抵抗が１Ω・ｃｍ以下」であるのに対して、甲第４号証には、焼結体の密度及び室温での比抵抗が記載されていない点。
　そして、上記相違点甲１−１ないし相違点甲１−５、相違点甲４−１ないし相違点甲４−３及び相違点甲６−１ないし相違点甲６−４を俯瞰してみると、本件訂正発明１と甲第１号証、甲第４号証及び甲第６号証に記載された発明とは、少なくとも、相違点甲１−１、相違点甲４−１及び相違点甲６−１に記載されたとおり、本件訂正発明１は、「直流スパッタリング装置用の炭化珪素スパッタリング用ターゲットの製造方法」に係る発明であるのに対して、甲第１号証、甲第４号証及び甲第６号証に記載された発明は、「直流スパッタリング装置用の炭化珪素スパッタリング用ターゲットの製造方法」に係る発明であるとは云えない点、及び、相違点甲１−３、相違点甲４−２及び相違点甲６−２に記載されたとおり、本件訂正発明１は、第２の炭化珪素粉末を「反応系の圧力を１気圧未満から０．１ｔｏｒｒの範囲で制御しつつ気相反応させることによって合成」するものであるのに対して、甲第１号証、甲第４号証及び甲第６号証に記載された発明は、それぞれ「粒径がナノメータークラスの炭化ケイ素粉末」、「炭化珪素微粉末」、「ＳｉＣ超微粉末」を、「反応系の圧力を１気圧未満から０．１ｔｏｒｒの範囲で制御しつつ気相反応させることによって合成」するものとは云えない点で相違していると云える。
　ここで、本件訂正発明１は、「直流スパッタリング装置用の炭化珪素スパッタリング用ターゲット」を製造するために、第２の炭化珪素粉末を「反応系の圧力を１気圧未満から０．１ｔｏｒｒの範囲で制御しつつ気相反応させることによって合成」するものであるから、本件訂正発明１と甲第１号証、甲第４号証及び甲第６号証に記載された発明とは、少なくとも、次の点で相違するものである。
相違点Ａ
　本件訂正発明１は、「直流スパッタリング装置用の炭化珪素スパッタリング用ターゲットの製造方法」に係る発明であって、第２の炭化珪素粉末を「反応系の圧力を１気圧未満から０．１ｔｏｒｒの範囲で制御しつつ気相反応させることによって合成」するものであるのに対して、甲第１号証、甲第４号証及び甲第６号証に記載された発明は、「直流スパッタリング装置用の炭化珪素スパッタリング用ターゲットの製造方法」に係る発明であるとは云えず、かつそれぞれ「粒径がナノメータークラスの炭化ケイ素粉末」、「炭化珪素微粉末」、「ＳｉＣ超微粉末」を、「反応系の圧力を１気圧未満から０．１ｔｏｒｒの範囲で制御しつつ気相反応させることによって合成」するものとも云えない点。
　そこで、上記相違点Ａについてみるに、甲第２号証(２−Ａ）の記載からみて、甲第２号証には、「炭化珪素の焼結体中にに珪素を含浸させた材料をターゲット」とし、「炭化水素ガス、または炭化水素ガスと水素ガスとの混合ガスを不活性ガス中に混入したガスによりスパッタリングを行うことにより炭化珪素化合物被膜からなる耐摩耗保護膜を形成」する「サーマルヘッドの製造方法」が記載されている。
　また、甲第２号証（２−Ｂ）の記載からみて、甲第２号証には、「炭化珪素の焼結体としては、高純度のもので大きな形状のものが製作されている」こと、このような「炭化珪素の焼結体」は「比抵抗が室温で約１００Ω・ｃｍと小さいことから電源及び装置コストの点から有利な直流マグネトロンスパッタが可能である」こと、ところが、上記「炭化珪素の焼結体」は「一般的に１０〜２０％の気孔率を有して」おり、「気孔部分においてチャージアップによる異常放電が生じ、安定した放電ができなかった」ことが記載されている。
　更に、甲第２号証（２−Ｃ）、（２−Ｄ）の記載からみて、甲第２号証には、「炭化珪素焼結体の気孔をなくすために気孔部分に高純度の珪素を含浸させ、完全に無気孔の焼結体」として、「珪素８を含有した炭化珪素７の焼結体をターゲットとして」用い、「直流マグネトロンスパッタリングを行う」ことが記載されている。
　そうすると、甲第２号証には、「炭化珪素焼結体」からなる「直流スパッタリング装置用の炭化珪素スパッタリング用ターゲット」が記載されていると云える。
　ところが、甲第２号証には、そのような「直流スパッタリング装置用の炭化珪素スパッタリング用ターゲット」の「炭化珪素焼結体」の製造方法は記載されていない。
　一方、甲第５号証には、甲第５号証（５−Ｄ）の記載からみて、「炉内圧力２．１３×１０４Ｐａの減圧下において，Ａｒプラズマ中心部にＳｉＨ４−ＣＨ４−Ａｒ原料ガスを導入，反応させるような高周波誘導加熱プラズマＣＶＤ法によって，ＳｉＣ超微粉末の合成」を行うことが記載されている。そして、そのような「ＳｉＣ超微粉末の合成」の方法は、「反応系の圧力を１気圧未満から０．１ｔｏｒｒの範囲で制御しつつ気相反応させることによって合成」するものと云える。
　ところが、甲第５号証に記載された発明は、甲第５号証（５−Ｂ）の記載からみて、「セラミック焼結体」を得るための「原料粉末」である「高純度で粒度分布の幅が狭い超微粉末を合成する方法」に関するものであり、本件訂正発明１のように、「直流スパッタリング装置用の炭化珪素スパッタリング用ターゲットの製造方法」に関するものではない。
　そうすると、甲第２号証及び甲第５号証には、「直流スパッタリング装置用の炭化珪素スパッタリング用ターゲット」を製造するために、第２の炭化珪素粉末を「反応系の圧力を１気圧未満から０．１ｔｏｒｒの範囲で制御しつつ気相反応させることによって合成」することは記載されておらず、かつ、このことを、当業者が甲第２号証及び甲第５号証の記載に基づいて容易になし得るとも云えない。
　また、甲第３号証にも、「直流スパッタリング装置用の炭化珪素スパッタリング用ターゲット」を製造するために、第２の炭化珪素粉末を「反応系の圧力を１気圧未満から０．１ｔｏｒｒの範囲で制御しつつ気相反応させることによって合成」することは記載されていない。
　そして、本件訂正発明１は、そうすることにより、「極めて高純度かつ高密度な焼結体を得ることができ、よって炭化珪素本来の性質である機械的強度、高熱伝導性を併せ持ち、しかも導電性に優れた炭化珪素スパッタリング用ターゲットを製造することができる」（訂正明細書第１１ページ第６行〜第９行）という本件訂正明細書記載の効果を奏するものである。
　以上のとおりであるから、他の相違点について検討するまでもなく、本件訂正発明１を、甲第１号証ないし甲第６号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたとは云えない。
（２）本件訂正発明２について
　甲第３号証（３−Ａ）の記載からみて、甲第３号証には、「結晶子が５０Å以下のβ型炭化けい素の集合体であり、その平均粒子径が０．０１〜１μである球状形状をもつ超微粒子状β型多結晶炭化けい素粉末を、焼結助剤を添加せずにホットプレスして得られた炭化けい素焼結体よりなる炭化けい素スパッタリング用ターゲット。」が記載されている。
　また、甲第３号証（３−Ｂ）、（３−Ｃ）の記載からみて、甲第３号証に記載された発明における「超微粒子状β型多結晶炭化けい素粉末」は、「例えば一般式（ＣＨ３）ａＳｉｂＨｃ（ｂ＝１〜３、２ｂ＋１≧ａ、ａ≧ｂ、２ｂ十１≧ｃ≧１、ａ十ｃ＝２ｂ十２）で示されるメチルハイドロジエンシラン化合物をキヤリヤーガスと共に７５０〜１，６００℃で気相熱分解させることによって得ることができる」ものであり、具体的には、「内径５２ｍｍ、長さ１，０００ｍｍのアルミナ製反応管を連型反応炉内に設置し、その中心部を１，３５０℃に保ち、ここに充分に精製されたテトラメチルジシラン〔Ｈ（ＣＨ３）２ＳｉＳｉ（ＣＨ３）２Ｈ〕を３容量％含有する水素ガスを４００ｍｌ／分の速度で８時間導入して気相熱分解」して得られるものである。
　更に、「超微粒子状β型多結晶炭化けい素粉末」は、「ホットプレス用カーボン型に入れ炉に装入し、アルゴンガス雰囲気下２００ｋｇ／ｃｍ２の加圧下に２，３００℃で１時間保持してのち徐冷し、得られた炭化けい素焼結体の表面に付着した炭素を除去し、その上下両側面を研磨して直径１２３ｍｍ、厚さ６．０ｍｍの夕ーゲット用円板」とされるものである。
　ここで、甲第３号証（３−Ｄ）の記載からみて、甲第３号証に記載された「炭化けい素スパッタリング用ターゲット」は、「石英製スパッタ蒸着装置」において「高周波電圧を印加」されるものである。
　そこで、甲第３号証に記載された発明を、本件訂正発明２の記載ぶりに則って整理すると、甲第３号証には、「石英製スパッタ蒸着装置用の炭化けい素スパッタリング用ターゲットの製造方法であって、該製造方法は、例えば一般式（ＣＨ３）ａＳｉｂＨｃ（ｂ＝１〜３、２ｂ＋１≧ａ、ａ≧ｂ、２ｂ十１≧ｃ≧１、ａ十ｃ＝２ｂ十２）で示されるメチルハイドロジエンシラン化合物をキヤリヤーガスと共に７５０〜１，６００℃で気相熱分解させることによって得られ、結晶子が５０Å以下のβ型炭化けい素の集合体であり、その平均粒子径が０．０１〜１μである球状形状をもつ超微粒子状β型多結晶炭化けい素粉末を、焼結助剤を添加することなしにホットプレスすることによって、炭化けい素焼結体からなるスパッタリング用ターゲットを得ることを特徴とする炭化けい素スパッタリング用ターゲットの製造方法。」が記載されていると云える。
　そして、本件訂正発明２と、甲第３号証に記載された発明とを比較すると、「石英製スパッタ蒸着装置」は、「スパッタリング装置」に相当し、「平均粒子径が０．０１〜１μである球状形状をもつ超微粒子状β型多結晶炭化けい素粉末」は、「平均粒子径が０．１μｍ以下であるβ型炭化珪素超微粉末」に相当し、当該「超微粒子状β型多結晶炭化けい素粉末」は「ホットプレス」により「加熱し焼結」されていることは明らかであるから、両者は、「スパッタリング装置用の炭化珪素スパッタリング用ターゲットの製造方法であって、該製造方法は、平均粒子径が０．１μｍ以下であるβ型炭化珪素超微粉末を、焼結助剤を添加することなく加熱し焼結することによって、炭化珪素焼結体からなるスパッタリング用ターゲットを得ることを特徴とする炭化珪素スパッタリング用ターゲットの製造方法」である点で一致し、次の点で相違している。
相違点甲３−１
　本件訂正発明２は、「直流スパッタリング装置用の炭化珪素スパッタリング用ターゲットの製造方法」に係る発明であるのに対して、甲第３号証には、製造される「炭化けい素焼結体」が「直流スパッタリング装置用の炭化珪素スパッタリング用ターゲット」であることが記載されていないから、甲第３号証に記載された発明は、「直流スパッタリング装置用の炭化珪素スパッタリング用ターゲットの製造方法」に係る発明とは云えない点。
相違点甲３−２
　本件訂正発明２においては、「β型炭化珪素超微粉末」を「非酸化性雰囲気のプラズマ中にシラン化合物またはハロゲン化珪素と炭化水素とからなる原料ガスを導入し、反応系の圧力を１気圧未満から０．１ｔｏｒｒの範囲で制御しつつ気相反応させることによって合成」しているのに対して、甲第３号証に記載された発明においては、「超微粒子状β型多結晶炭化けい素粉末」を「気相熱分解」により得ている点。
相違点甲３−３
　本件訂正発明２は、「焼結体密度が２．８ｇ／ｃｍ３以上で、室温での電気比抵抗が１Ω・ｃｍ以下の炭化珪素焼結体からなるスパッタリング用ターゲットを得る」ものであるのに対して、甲第３号証には、焼結体の密度及び室温での比抵抗が記載されていない点。
　一方、甲第５号証（５−Ａ）の記載からみて、甲第５号証には、「プラズマＣＶＤ法によるＳｉＣ超微粉末の低圧合成」が記載されている。
　また、甲第５号証（５−Ｃ）、（５−Ｄ）の記載からみて、甲第５号証には、「まず反応系内をロー夕リーポンプにより１３Ｐａ以下に排気後，高周波電源のアノード電圧を４ｋＶまで上げて熱プラズマを点火」し、「次にＡｒプラズマ作動ガスを徐々に流し，Ａｒプラズマを作った後でＡｒシースガスを導入し，ガス量を調整」し、「そして，ＳｉＨ４ガス，ＣＨ４ガス，Ａｒガスを混合してプラズマ中心部に導入し，ニードルバルブを絞って炉内圧力を２．１３×１０４Ｐａに設定，またアノード電圧を５ｋＶまで上げて安定なＳｉＨ４−ＣＨ４−Ａｒプラズマフレーム」を得て、「ＳｉＣ超微粉末」を合成すること、得られた「超微粉末」は、「原料ガス中のＣ／Ｓｉモル比が２．３未満では結晶質Ｓｉとβ−ＳｉＣ，２．３から４．９まではβ−ＳｉＣのみ，５以上ではβ−ＳｉＣと非晶質Ｃ」であり、「β−ＳｉＣ超徴粉末の平均粒子径は粉末Ｘ線回折から求めた値では８〜４ｎｍ，ＴＥＭから測定した値では１０〜５ｎｍ」であることが記載されている。
　更に、甲第５号証（５−Ｂ）の記載からみて、甲第５号証には、「ち密で微細構造，均一組織の信頼性の高いセラミック焼結体を得るためには，その製造プロセスの始まりでる原料粉末の特性が重要」であり、「高純度で粒度分布の幅が狭い超微粉末を合成する方法として，最近では液相や気相から反応させて粉末を得る“ｂｕｉｌｄ　ｕｐ”法の研究」が各方面で進められていて、「とりわけ熱プラズマを利用した合成法は超微粉末ができやすいこともあって，金属，セラミックス両分野において研究が盛んである」ことが記載されており、甲第５号証に記載された「β−ＳｉＣ超微粉末」は、加熱し焼結することにより炭化珪素焼結体とされるものである。
　そこで、甲第５号証に記載された発明を、本件訂正発明２の記載ぶりに則って整理すると、甲第５号証には、「炭化珪素焼結体の製造方法であって、該製造方法は、反応系内をロー夕リーポンプにより１３Ｐａ以下に排気後，高周波電源のアノード電圧を４ｋＶまで上げて熱プラズマを点火し、次にＡｒプラズマ作動ガスを徐々に流し，Ａｒプラズマを作った後でＡｒシースガスを導入し，ガス量を調整し、そして，ＳｉＨ４ガス，ＣＨ４ガス，Ａｒガスを混合してプラズマ中心部に導入し，ニードルバルブを絞って炉内圧力を２．１３×１０４Ｐａに設定，またアノード電圧を５ｋＶまで上げて安定なＳｉＨ４−ＣＨ４−Ａｒプラズマフレームを得て合成された、平均粒子径が粉末Ｘ線回折から求めた値では８〜４ｎｍ，ＴＥＭから測定した値では１０〜５ｎｍであるβ−ＳｉＣ超徴粉末を、加熱し焼結することによって、炭化珪素焼結体を得ることを特徴とする炭化珪素焼結体の製造方法」が記載されていると云える。
　ここで本件訂正発明２と、甲第５号証に記載された発明とを比較すると、「Ａｒプラズマ」は「非酸化性雰囲気のプラズマ」であり、「ＳｉＨ４ガス」は「シラン化合物又はハロゲン化珪素」であり、「ＣＨ４ガス」は「炭化水素」であって、「ＳｉＨ４ガス，ＣＨ４ガス，Ａｒガスを混合してプラズマ中心部に導入し、ニードルバルブを絞って炉内圧力を２．１３×１０４Ｐａに設定，またアノード電圧を５ｋＶまで上げて安定なＳｉＨ４−ＣＨ４−Ａｒプラズマフレームを得」ることは、「非酸化性雰囲気のプラズマ中にシラン化合物又はハロゲン化珪素と炭化水素とからなる原料ガスを導入し、反応系の圧力を１気圧未満から０．１ｔｏｒｒの範囲で制御しつつ気相反応させる」ことに相当する。
　さらに、「平均粒子径が粉末Ｘ線回折から求めた値では８〜４ｎｍ，ＴＥＭから測定した値では１０〜５ｎｍであるβ−ＳｉＣ超徴粉末」は「平均粒子径が０．１μｍ以下であるβ型炭化珪素超微粉末」に相当するから、両者は、「炭化珪素焼結体の製造方法であって、該製造方法は、非酸化性雰囲気のプラズマ中にシラン化合物又はハロゲン化珪素と炭化水素とからなる原料ガスを導入し、反応系の圧力を１気圧未満から０．１ｔｏｒｒの範囲で制御しつつ気相反応させることによって合成された、平均粒子径が０．１μｍ以下であるβ型炭化珪素超微粉末を、加熱し焼結することによって、炭化珪素焼結体を得ることを特徴とする炭化珪素焼結体の製造方法」である点で一致し、次の点で相違している。
相違点甲５−１
　本件訂正発明２は、「直流スパッタリング装置用の炭化珪素スパッタリング用ターゲットの製造方法」に係る発明であるのに対して、甲第５号証には、製造される炭化珪素焼結体が「直流スパッタリング装置用の炭化珪素スパッタリング用ターゲット」であることが記載されていないから、甲第５号証に記載された発明は、「直流スパッタリング装置用の炭化珪素スパッタリング用ターゲットの製造方法」に係る発明とは云えない点。
相違点甲５−２
　本件訂正発明２においては、「β型炭化珪素超微粉末」を「焼結助剤を添加することなく加熱し焼結する」のに対して、甲第５号証には、「焼結助剤を添加することなく加熱し焼結する」ことが記載されていない点
相違点甲５−３
　本件訂正発明２は、「焼結体密度が２．８ｇ／ｃｍ３以上で、室温での電気比抵抗が１Ω・ｃｍ以下の炭化珪素焼結体からなるスパッタリング用ターゲットを得る」ものであるのに対して、甲第５号証には、焼結体の密度及び室温での比抵抗が記載されていない点。
　そして、上記相違点甲３−１ないし相違点甲３−３、及び相違点甲５−１ないし相違点甲５−３を俯瞰してみると、本件訂正発明２と甲第３号証及び甲第５号証に記載された発明とは、少なくとも、相違点甲３−１及び相違点甲５−１に記載されたとおり、本件訂正発明２は、「直流スパッタリング装置用の炭化珪素スパッタリング用ターゲットの製造方法」に係る発明であるのに対して、甲第３号証及び甲第５号証に記載された発明は、「直流スパッタリング装置用の炭化珪素スパッタリング用ターゲットの製造方法」に係る発明であるとは云えない点、及び、相違点甲３−３及び相違点甲５−３に記載されたとおり、本件訂正発明２においては、「焼結体密度が２．８ｇ／ｃｍ３以上で、室温での電気比抵抗が１Ω・ｃｍ以下」であるのに対して、甲第３号証及び甲第５号証には、焼結体の密度及び室温での比抵抗が記載されていない点で相違していると云える。
　ここで、本件訂正発明２は、「直流スパッタリング装置用の炭化珪素スパッタリング用ターゲット」を製造するために、「焼結体密度が２．８ｇ／ｃｍ３以上で、室温での電気比抵抗が１Ω・ｃｍ以下の炭化珪素焼結体からなるスパッタリング用ターゲットを得る」ものであるから、本件訂正発明２と甲第３号証及び甲第５号証に記載された発明とは、少なくとも、次の点で相違するものである。
相違点Ｂ
　本件訂正発明２は、「直流スパッタリング装置用の炭化珪素スパッタリング用ターゲットの製造方法」に係る発明であって、「焼結体密度が２．８ｇ／ｃｍ３以上で、室温での電気比抵抗が１Ω・ｃｍ以下の炭化珪素焼結体からなるスパッタリング用ターゲットを得る」ものであるのに対して、甲第３号証及び甲第５号証に記載された発明は、「直流スパッタリング装置用の炭化珪素スパッタリング用ターゲットの製造方法」に係る発明であるとは云えず、かつ「焼結体密度が２．８ｇ／ｃｍ３以上で、室温での電気比抵抗が１Ω・ｃｍ以下の炭化珪素焼結体からなるスパッタリング用ターゲットを得る」ものとも云えない点。
　そこで、上記相違点Ｂについてみるに、「（１）本件訂正発明１について」に記載したとおり、甲第１号証には、「焼結体密度が２．８ｇ／ｃｍ３以上で、室温での電気比抵抗が１Ω・ｃｍ以下の炭化珪素焼結体を得ることを特徴とする炭化珪素焼結体の製造方法」が記載されていると云え、更に甲第２号証には、「炭化珪素焼結体」からなる「直流スパッタリング装置用の炭化珪素スパッタリング用ターゲット」が記載されていると云える。
　しかしながら、甲第１号証に記載された発明は、「直流スパッタリング装置用の炭化珪素スパッタリング用ターゲットの製造方法」に係る発明とは云えないことは、「相違点甲１−１」に記載されたとおりであり、一方、甲第２号証には、「直流スパッタリング装置用の炭化珪素スパッタリング用ターゲット」の「焼結体密度が２．８ｇ／ｃｍ３以上で、室温での電気比抵抗が１Ω・ｃｍ以下」であることは記載されていない。
　そうすると、甲第１号証及び甲第２号証には、「直流スパッタリング装置用の炭化珪素スパッタリング用ターゲット」を製造するために、「焼結体密度が２．８ｇ／ｃｍ３以上で、室温での電気比抵抗が１Ω・ｃｍ以下の炭化珪素焼結体からなるスパッタリング用ターゲットを得る」ことは記載されておらず、かつ、このことを、当業者が甲第１号証及び甲第２号証の記載に基づいて容易になし得るとも云えない。
　また、甲第４号証及び甲第６号証にも、「直流スパッタリング装置用の炭化珪素スパッタリング用ターゲット」を製造するために、「焼結体密度が２．８ｇ／ｃｍ３以上で、室温での電気比抵抗が１Ω・ｃｍ以下の炭化珪素焼結体からなるスパッタリング用ターゲットを得る」ことは記載されていない。
　そして、本件訂正発明２は、そうすることにより上記訂正明細書記載の優れた効果を奏するものである。
　以上のとおりであるから、他の相違点について検討するまでもなく、本件訂正発明２を、甲第１号証ないし甲第６号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたとは云えない。
（３）本件訂正発明３について
　本件訂正発明３は、本件訂正発明１又は本件訂正発明２の「炭化珪素スパッタリング用ターゲットの製造方法」によって製造された「炭化珪素スパッタリング用ターゲット」に係る発明であり、上記のとおり、本件訂正発明１及び本件訂正発明２を、甲第１号証ないし甲第６号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたとは云えないから、本件訂正発明３もまた、甲第１号証ないし甲第６号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたとは云えない。
３−５．むすび
　以上のとおり、特許異議申立ての理由及び証拠方法によっては、本件訂正発明１ないし本件訂正発明３についての特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件訂正発明１ないし本件訂正発明３についての特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１５年１０月８日（２００３．１０．８）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
炭化珪素スパッタリング用ターゲットおよびその製造方法
（５７）【特許請求の範囲】
（１）　直流スパッタリング装置用の炭化珪素スパッタリング用ターゲット
の製造方法
製造方法は、平均粒子径が０．１〜１０μｍの第１のβ型炭化珪素粉末と、非酸化性雰囲気のプラズマ中にシラン化合物またはハロゲン化珪素と炭化水素とからなる原料ガスを導入し、反応系の圧力を１気圧未満から０．１ｔｏｒｒの範囲で制御しつつ気相反応させることによって合成された、平均粒子径が０．１μｍ以下の第２のβ型又は非晶質の炭化珪素粉末とを、第２のβ型又は非晶質の炭化珪素粉末の配合量が０．５〜５０重量％の範囲となるように焼結助剤を添加することなく混合し、これを加熱し、焼結することによって、
スパッタリング用ターゲットを得ることを特徴とする
の製造方法
（２）　直流スパッタリング装置用の炭化珪素スパッタリング用ターゲットの製造方法であって、該製造方法は
、非
、
であるβ型炭化珪素超微粉末を、
く加
、
（３）　
前記（１）又は（２）に記載の炭化珪素スパッタリング用ターゲットの製造方法によって製造された
ト
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
　本発明は、導電性、熱伝導性に優れたスパッタリング用ターゲットとして、特に直流スパッタリングにも好適に使用される高純度で緻密質の炭化珪素スパッタリング用ターゲットと、その製造方法に関するものである。
〔従来の技術〕
　炭化珪素は常温および高温で化学的に極めて安定なもので、耐酸化性、熱伝導性、高温での機械的強度などに優れているため、これを基体上に薄膜化したものは精密金型部品や半導体製造用装置部品、各種電子デバイスなどに有用なものとされている。また、最近では炭化珪素薄膜をコンピュータの記録媒体である磁気ディスクの耐摩耗保護膜として使用することが検討されており、ますます産業上の利用分野が広がりつつある。
　このような炭化珪素薄膜の作成方法には、従来からの真空蒸着法、ＣＶＤ法（化学気相蒸着法）スパッタリング法などが広く使用されているが、中でもスパッタリング法は、他の方法に比較して基体の選択性、量産性、製造コストなどの点で有利とされている。しかし、スパッタリング法では、成膜速度、膜特性などは使用するターゲット材の性状に大きく左右されるため、炭化珪素薄膜の作成においてもターゲットとなる炭化珪素焼結体の特性向上が強く要求されている。
　従来、このような炭化珪素薄膜の作成に使用されているスパッタリング用ターゲットとしては、例えば炭化珪素粉末をそのまま焼き固めた多孔質炭化珪素焼結体や、もしくは炭化珪素粉末にホウ素やアルミニウム、ベリリウム等の焼結助剤を添加して緻密に焼結した炭化珪素焼結体があった。
〔発明が解決しようとする課題〕
　しかしながら、上記の炭化珪素焼結体のスパッタリング用ターゲットとして使用するにあたっては以下のような不都合がある。
▲１▼多孔質の炭化珪素焼結体をスパッタリング用ターゲットとして使用する場合には、多孔質であることから機械的強度、耐熱衝撃性が低く、スパッタリング時に割れや欠け、粒子の脱落等を生じ易いため安定な薄膜形成が難しい。また、スパッタリング装置に取り付ける際やハンドリング時に細心の注意が必要となる。
▲２▼焼結助剤を添加した炭化珪素焼結体をスパッタリング用ターゲットとして使用する場合には、焼結助剤がそのまま不純物として焼結体中に残留しているので、形成される薄膜は高純度のものが得られず、また、これらの不純物が薄膜中で偏析し易いため、膜の均質性や基体への密着強度が不十分となる。
　一方、スパッタリング法には大別して直流スパッタリングと高周波スパッタリングとがある。直流スパッタリングは装置が簡略化でき量産性に優れる反面、ターゲット材には金属や半導体などの導電性を有するものしか使用できないという欠点がある。高周波スパッタリングは絶縁物であってもターゲットに使用することは可能であるが、直流スパッタリングと比較して装置が高価であり、また電力制御の精度が低いという欠点がある。
　そこで、上述したような炭化珪素焼結体は電気比抵抗値が高いため、直流スパッタリング装置のターゲットには使用できず、従って炭化珪素薄膜の量産性やコストなどの点で不利があった。
　本発明はこのような技術背景に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、焼結助剤を添加することなく、高純度で緻密質の炭化珪素焼結体を得、これにより炭化珪素本来の優れた機械的特性、高熱伝導性等を有し、室温での電気比抵抗値が１Ω・ｃｍ以下と優れた導電性を示す炭化珪素スパッタリング用ターゲットおよびその製造方法を提供することにある。
〔課題を解決するための手段〕
　本発明者らは上記目的を達成すべく鋭意研究を重ねた結果、炭化珪素スパッタリング用ターゲットの製造方法は、直流スパッタリング装置用の炭化珪素スパッタリング用ターゲットの製造方法であって、該製造方法は、平均粒子径が０．１〜１０μｍの第１のβ型炭化珪素粉末と、非酸化性雰囲気のプラズマ中にシラン化合物またはハロゲン化珪素と炭化水素とからなる原料ガスを導入し、反応系の圧力を１気圧未満から０．１ｔｏｒｒの範囲で制御しつつ気相反応させることによって合成された、平均粒子径が０．１μｍ以下の第２のβ型又は非晶質の炭化珪素粉末とを、第２のβ型又は非晶質の炭化珪素粉末の配合量が０．５〜５０重量％の範囲となるように焼結助剤を添加することなく混合して、これを加熱し、焼結することによって、焼結体密度が２．８ｇ／ｃｍ３以上で、室温での電気比抵抗が１Ω・ｃｍ以下の炭化珪素焼結体からなるスパッタリング用ターゲットを得るか、または直流スパッタリング装置用の炭化珪素スパッタリング用ターゲットの製造方法であって、該製造方法は、非酸化性雰囲気のプラズマ中にシラン化合物またはハロゲン化珪素と炭化水素とからなる原料ガスを導入し、反応系の圧力を１気圧未満から０．１ｔｏｒｒの範囲で制御しつつ気相反応させることによって合成された、平均粒子径が０．１μｍ以下であるβ型炭化珪素超微粉末を、焼結助剤を添加することなく加熱し焼結することによって、焼結体密度が２．８ｇ／ｃｍ３以上で、室温での電気比抵抗が１Ω・ｃｍ以下の炭化珪素焼結体からなるスパッタリング用ターゲットを得ることを特徴とする製造方法とし、また、炭化珪素スパッタリング用ターゲットは、前記直流スパッタリング装置用の炭化珪素スパッタリング用ターゲットの製造方法により製造された炭化珪素スパッタリング用ターゲットとすることによって、上記課題を解決した。
　以下、本発明の炭化珪素スパッタリング用ターゲットをその製造方法に基いて詳細に説明する。
　まず、平均粒子径が０．１〜１０μｍの第１の炭化珪素粉末と平均粒子径が０．１μｍ以下の第２の炭化珪素粉末とを用意する。ここで第１の炭化珪素粉末としては、一般に使用されるものでよく、例えばシリカ還元法、アチソン法等の方法によって製造されたものが用いられる。但し、センサーや半導体素子等の電子デバイス製造工程において使用されるスパッタリング用ターゲットを製造する場合には、高純度が要求されるので、酸処理等を施した高純度粉末を使用する必要がある。第１の炭化珪素の結晶相としては非晶質、α型、β型あるいはこれらの混合相のいずれでもよい。また、この炭化珪素粉末の平均粒子径としては、０．１〜１μｍにするのが焼結性がよくなることから望ましい。
　また、第２の炭化珪素粉末としては、非酸化性雰囲気のプラズマ中にシラン化合物またはハロゲン化珪素と炭化水素の原料ガスを導入し、反応系の圧力を１気圧未満から０．１ｔｏｒｒの範囲で制御しつつ気相反応させることによって得られたものを使用する。例えば、モノシランとメタンとからなる原料ガスを高周波により励起されたアルゴンプラズマ中に導入して合成を行うと、平均粒子径が０．０２μｍで、アスペクト比の小さいβ型超微粉末が、また合成条件によってはα型とβ型との混合相が得られる。このようにして得られた超微粉末は焼結性が非常に優れているため、上記第１の炭化珪素粉末と混合するのみで、焼結助剤を添加することなく高純度かつ緻密質の炭化珪素焼結体を得ることができるようになる。
　次に、上記第１の炭化珪素粉末と第２の炭化珪素粉末とを混合して混合物とする。ここで、第１の炭化珪素粉末と第２の炭化珪素粉末とを混合するにあたっては、第２の炭化珪素粉末の配合量を０．５〜５０重量％の範囲とすることが好適とされる。すなわち、第２の炭化珪素粉末の配合量を０．５重量未満とすると、この炭化珪素粉末を配合した効果が十分に発揮されず、また５０重量％を越えて配合しても、焼結体密度がほぼ横這いになってその効果が得られないからである。しかし、上述した電子デバイス製造用の薄膜形成装置などに使用されるスパッタリング用ターゲットのように高純度が要求される場合には、第２の炭化珪素粉末のみから焼結体を製造した方がよい。すなわち、第２の炭化珪素粉末は高純度ガスを原料として合成されているため、その含有不純物量が数ｐｐｍ以下と極めて純度が高いからである。
　その後、上記混合物または第２炭化珪素粉末をスパッタリング用ターゲットとしての所望する形状に成形し、得られた成形体を１８００〜２４００℃の温度範囲で加熱し、さらに焼結助成無添加で焼結して炭化珪素スパッタリング用ターゲットを得る。炭化珪素粉末の成形にあたっては、プレス成形法、押出成形法、射出成形法などの従来からの公知の方法を採用することができる。この場合、成形バインダとしてはポリビニルアルコールやポリビニルピロリドンなどを使用することができ、必要に応じてステアリン酸塩などの分散剤を添加してもよい。
　また、焼結にあたっては、常圧焼結、雰囲気加圧焼結、ホットプレス焼結、あるいは熱間静水圧焼結（ＨＩＰ）などの従来の方法が採用可能であるが、より高密度で導電性に優れた炭化珪素スパッタリング用ターゲットを得るためにはホットプレス等の加圧焼結法を採用することが望ましい。焼結温度についても特に限定されるものではないが、１９００℃より低い加熱温度では焼結不足が生じ、また２３００℃より高い加熱温度では炭化珪素の蒸発が起こり易くなり、粒子の成長によって焼結体の強度や靱性が低下する恐れがあることから、１９００〜２３００℃の温度範囲で焼結するのが好適とされる。
　また、焼結時の雰囲気としては、真空雰囲気、不活性雰囲気もしくは還元ガス雰囲気のいずれも採用可能である。
　このようにして得られた炭化珪素スパッタリング用ターゲットは、その焼結体密度が２．８ｇ／ｃｍ３以上（論理密度が３．２１ｇ／ｃｍ３以上であることから、論理密度の約８７％以上）となる。そして、焼結体密度が２．８ｇ／ｃｍ３以上であることから炭化珪素粒子間の結合力が十分であり、スパッタリング時の粒子の脱落などが少なくなり、またターゲットの寿命も長くなる。さらに、機械的強度も高く、熱放散性にも優れることから、スパッタリング時の耐熱衝撃性が十分なものとなるので、ターゲットの割れや欠け等が少なくなり、またハンドリングに過剰な注意を要することもなくなる。
　また、この炭化珪素スパッタリング用ターゲットは室温時の電気比抵抗値が１Ω・ｃｍ以下になるので、構造が簡略な直流スパッタリング装置への使用が可能となり、また炭化珪素薄膜の成膜速度も向上することから、量産性やコストの点で有利となる。
　そして、この炭化珪素スパッタリング用ターゲットは焼結助剤を添加していないため、遊離炭素および遊離シリカ以外の不純物含有量を数ｐｐｍ以下とすることが可能である。したがって、高純度が要求される電子デバイス用の薄膜形成に使用しても、高純度かつピンホールの極めて少ない、密着強度に優れた膜が得られる。
〔実施例〕
　以下、実施例により本発明をさらに具体的に説明する。
（実施例１）
　第１の炭化珪素粉末として、平均粒子径が１．１μｍ、ＢＥＴ比表面積値１．７ｍ２／ｇのβ型炭化珪素粉末を使用した。この粉末中の含有金属不純物量を調べたところ、３ｐｐｍのナトリウム、１ｐｐｍのカリウム、１１ｐｐｍの鉄、４ｐｐｍのアルミニウム、２ｐｐｍのカルシウムが含まれており、ニッケル、クロム、銅の含有量は１ｐｐｍ未満であった。
　次に、この第１の炭化珪素粉末に、四塩化珪素とエチレンとを原料ガスとしてプラズマＣＶＤ法により気相合成して得た平均粒子径０．０１μｍ、比表面積９６ｍ２／ｇの非晶質炭化珪素超微粉末（第２の炭化珪素粉末）を５重量％添加し、これをメタノール中にて分散せしめ、さらにボールミルで１２時間混合した。
　次いで、この混合物を乾燥して内径１３０ｍｍの黒鉛製モールドに充填しホットプレス装置にてアルゴン雰囲気下、プレス圧４００ｋｇ／ｃｍ２、焼結温度２２００℃の条件で９０分間焼結した。
　得られた炭化珪素焼結体の密度を調べたところ、２．９ｇ／ｃｍ３であった。また、この焼結体の室温時における３点曲げ強度は、ＪＩＳ　Ｒ−１６０１に準拠して測定したところ４８．７ｋｇ／ｍｍ２であり、１５００℃、大気中における３点曲げ強度は５０．２ｋｇ／ｍｍ２であった。さらに室温時の電気比抵抗値を四端子法で測定したところ０．０５Ω・ｃｍであり、室温時の熱伝導率はレーザーフラッシュ法で測定すると１８０Ｗ／ｍ・Ｋであった。また、焼結体中の含有不純物量をアーク発光分析で調べたところ、鉄が５ｐｐｍ、アルミニウムが１８ｐｐｍ、カルシウムが３ｐｐｍ、銅が２ｐｐｍでありナトリウム、カリウム、クロム、ニッケルはいずれも１ｐｐｍ未満であった。
　次いで、この直径１３０ｍｍ、厚さ１５ｍｍの円板状炭化珪素焼結体の表面に付着した炭素を除去し、その上下両側を研削して炭化珪素スパッタリング用ターゲットとした。
　これを直流二極スパッタリング装置のスパッタリング用ターゲットとして使用し、シリコン基板の上に炭化珪素薄膜の形成を行なった。第１図は、本実施例で使用した直流二極スパッタリング装置の構成図であり、１は真空容器、２は負高電圧電極、３はシールド板、４は本発明の炭化珪素スパッタリング用ターゲット、５はシャッタ、６はシリコン製基板、７はガス導入口、８は真空排気口である。スパッタリング条件は、アルゴン雰囲気下、圧力０．１ｔｏｒｒ、電源出力２ＫＷとした。
　その結果、基板上に形成された炭化珪素膜にはピンホールや剥がれはほとんど認められず、均質であるなどの優れた成膜特性が得られた。また、使用後の炭化珪素スパッタリング用ターゲットは、割れや欠け等がなく良好なスパッタリングを行なえることが確認された。
　一方、比較のために本発明のスパッタリング用ターゲットを高周波スパッタリング装置に取り付けて、電源出力２ＫＷで炭化珪素膜の形成を行なったところ、その成膜速度は直流スパッタリングに比べて約４０％低下した。
（実施例２〜４）
　実施例１と同一の炭化珪素粉末（第１の炭化珪素粉末）に、モノシランとメタンとを原料ガスとしてプラズマＣＶＤ法により気相合成した平均粒子径０．０２μｍ、ＢＥＴ比表面積値７０ｍ２／ｇのβ型炭化珪素超微粉末（第２の炭化珪素粉末）を５〜５０重量％添加し、実施例１と同一の条件で焼結して炭化珪素焼結体を製造した。
　得られた炭化珪素焼結体の焼結体密度、室温時の３点曲げ強度、１５００℃での３点曲げ強度、室温時の電気比抵抗値、室温時の熱伝導率を実施例１と同一の方法でそれぞれ調べ、その結果を実施例１の測定結果とともに第１表に示す。第１表に示した結果より、異種原料ガスから合成された炭化珪素超微粉末を使用しても、また炭化珪素超微粉末の添加量を変えても、本発明の効果が十分得られることが確認された。
　これらの焼結体中に含まれる不純物量を実施例１と同一の方法で調べた結果、いずれの焼結体も合計不純物量が数十ｐｐｍ以下であった。
（実施例５）
　モノシランとメタンとを原料ガスとしてプラズマＣＶＤ法により気相合成した平均粒子径０．０３μｍ、ＢＥＴ比表面積値４９ｍ２／ｇのβ型炭化珪素超微粉末をメタノール中にて分散せしめ、さらにボールミルで１２時間混合した。
　次に、この混合粉末を乾燥し造粒して粉末を得、これを実施例１と同一の条件で焼結して炭化珪素焼結体を製造した。
　得られた炭化珪素焼結体の密度を調べたところ３．１ｇ／ｃｍ３であった。また、この炭化珪素焼結体の室温時の３点曲げ強度、１５００℃での大気中の３点曲げ強度、室温時の電気比抵抗値、室温時の熱伝導率を実施例１と同一の方法で測定したところ、それぞれ７４．０ｋｇ／ｍｍ２、７５．２ｋｇ／ｍｍ２、０．０３Ω・ｃｍ、１９１Ｗ／ｍ・Ｋであった。（第１表に併記）
　さらに、この炭化珪素焼結体の不純物分析を実施例１と同一の分析方法で調べたところナトリウムが３ｐｐｍ、鉄が３ｐｐｍ、アルミニウムが２ｐｐｍ、クロムが１ｐｐｍ含まれており、カリウム、カルシウム、ニッケル、銅は１ｐｐｍ未満であった。
　以上の結果から、炭化珪素超微粉末だけを原料とした炭化珪素焼結体はより高強度かつ高純度であることが確認され、超高純度薄膜の形成に使用可能なスパッタリング用ターゲットとなり得ることが判明した。
〔発明の効果〕
　以上説明したように、直流スパッタリング装置用の炭化珪素スパッタリング用ターゲットの製造方法によれば、平均粒子径が０．１〜１０μｍの第１のβ型炭化珪素粉末と、非酸化性雰囲気のプラズマ中にシラン化合物またはハロゲン化珪素と炭化水素とからなる原料ガスを導入し、反応系の圧力を１気圧未満から０．１ｔｏｒｒの範囲で制御しつつ気相反応させることによって合成された、平均粒子径が０．１μｍ以下の第２のβ型又は非晶質の炭化珪素粉末とを、第２のβ型又は非晶質の炭化珪素粉末の配合量が０．５〜５０重量％の範囲となるように焼結助剤を添加することなく混合し、これを加熱し、焼結することによって、焼結体密度が２．８ｇ／ｃｍ３以上で、室温での電気比抵抗が１Ω・ｃｍ以下の炭化珪素焼結体からなるスパッタリング用ターゲットを得るか、または非酸化性雰囲気のプラズマ中にシラン化合物またはハロゲン化珪素と炭化水素とからなる原料ガスを導入し、反応系の圧力を１気圧未満から０．１ｔｏｒｒの範囲で制御しつつ気相反応させることによって合成された、平均粒子径が０．１μｍ以下であるβ型炭化珪素超微粉末を、焼結助剤を添加することなく、加熱し、焼結することによって、焼結体密度が２．８ｇ／ｃｍ３以上で、室温での電気比抵抗が１Ω・ｃｍ以下の炭化珪素焼結体からなるスパッタリング用ターゲットを得ることができるから、極めて高純度かつ高密度な焼結体を得ることができ、よって炭化珪素本来の性質である機械的強度、高熱伝導性を併せ持ち、しかも導電性に優れた炭化珪素スパッタリング用ターゲットを製造することができる。
　また、この製造方法によって製造された炭化珪素スパッタリング用ターゲットは、緻密質で高純度であることから、スパッタリング中でも粒子の脱落等がなく、安定的なスパッタリングが続けられる。また高純度が要求される電子デバイス等の薄膜形成に際しても、高純度で密着強度に優れた緻密質の膜を信頼性高く得ることができる。さらに、従来の炭化珪素スパッタリング用ターゲットと比較して機械的強度や熱伝導性に優れるため、スパッタリング時の熱衝撃に強く、ターゲットの割れや欠け等の発生を少なくすることができる。また、ターゲットの取り付けや取り外し等のハンドリングが容易となる。加えて、優れた導電性を有するので、直流スパッタリングが可能となることから、装置の簡略化、成膜速度の向上等が果たせ、その結果、量産性や製造コストの点で有利となる。
　さらにまた、前記製造方法によって製造された炭化珪素スパッタリング用ターゲットを、直流スパッタリング装置のスパッタリング用ターゲットとして使用すると、炭化珪素薄膜の成膜速度が向上し、形成された炭化珪素薄膜はピンホールや剥がれが認められない均質な薄膜が得られ、使用後にも割れや欠け等がなく、良好なスパッタリングを行なうことができる。
　そして、これにより、この炭化珪素スパッタリング用ターゲットを使用して形成された炭化珪素膜は、センサーや半導体素子の電子デバイスから金型精密部品、Ｘ線反射鏡等の機械部品にまで幅広く使用でき、産業上多大な効果を奏するものとなる。
【図面の簡単な説明】
　第１図は直流二極スパッタリング装置の構成図を示したものである。
　１……真空容器　　　　　２……負高電圧極
　３……シールド板
　４……炭化珪素スパッタリング用ターゲット
　５……シャッタ　　　　　６……シリコン製基板
　７……ガス導入口　　　　８……真空排気口