【事件の表示】
　特許第３４４９７９０号「薄膜形成装置」の請求項１ないし３に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第３４４９７９０号の請求項１ないし３に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続きの経緯・本件発明
　本件特許第３４４９７９０号の請求項１乃至３に係る発明についての出願は、平成６年７月２９日に特許出願され、平成１５年７月１１日にその発明についての特許権の設定の登録がなされ、その後、特許異議申立人　佐藤正より特許異議の申立がなされたものである。
　そして、本件の請求項１乃至３に係る発明（以下、「本件発明１」乃至「本件発明３」という。）は、本件明細書の特許請求の範囲の請求項１乃至３に記載された事項により特定される次のとおりのものである。
【請求項１】固定され回転しないカソードと、前記カソードと対向配置されてなるアノードとを有し、前記カソードに所定のバイアス電位を印加してカソード−アノード間に差し亘された長尺の導電性を有するフィルム状基体の表面に薄膜を連続成膜する薄膜形成装置において、成膜領域であるカソード−アノード間の空間を非成膜領域と隔てるための隔壁を設けるとともに、成膜領域内の圧力を非成膜領域内の圧力より大とし、前記フィルム状基体の走行方向と直交する方向のカソード幅及びアノード幅がフィルム状基体幅より大であることを特徴とする薄膜形成装置。
【請求項２】成膜する薄膜がカーボンよりなる保護膜であることを特徴とする請求項１記載の薄膜形成装置。
【請求項３】フィルム状基体が蒸着テープであることを特徴とする請求項１記載の薄膜形成装置。
　
２．特許異議申立の理由の概要
　特許異議申立人は、下記の甲第１号証乃至甲第５号証を提出し、
（１）本件発明１乃至３は、甲第１号証又は甲第２号証に記載された発明であるか、甲第１号証及び甲第３号証乃至甲第５号証に記載された発明又は甲第２号証及び甲第３号証乃至甲第５号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであって、本件発明１乃至本件発明３についての特許は、特許法第２９条第１項第３号又は同条第２項の規定に違反してされたものであるから、取り消すべきものである旨、
（２）本件発明１乃至本件発明３についての特許は、特許法第１７条の２第２項の規定により準用する同法第１７条第２項に規定する要件を満たしていない補正をした特許出願に対してされたものであるから、取り消すべきものである旨、
主張している。
　甲第１号証：特開昭６０−１９７９３０号公報
　甲第２号証：実願昭６２−１０３６４４号（実開昭６４−１００４７号）のマイクロフィルム
　甲第３号証；特開平６−１３３３５号公報
　甲第４号証：特開平１−２２５６４２号公報
　甲第５号証：特開昭６３−１２５６７１号公報
　
３．特許法第２９条第１項第３号及び同条第２項違反の主張について
３−１．甲各号証に記載された事項
（１）甲第１号証には、図面と共に次の事項が記載されている。
（１−ア）「非磁性支持体と該支持体上に形成された磁性金属薄膜と該磁性金属薄膜を被覆する保護膜とからなる磁気記録媒体において、前記保護膜がプラズマ重合により形成されたものであって、磁性金属薄膜に接する密度０．７ｇ／ｃｍ３以上１．５ｇ／ｃｍ３以下の基層と、密度１．２ｇ／ｃｍ３以上の表面層とを有することを特徴とする磁気記録媒体。」（特許請求の範囲）
（１−イ）「本発明に使用される非磁性支持体の材料としては、例えば・・・ポリエチレンテレフタレートのようなポリエステル類等がある。」（第２頁右下欄第１９行〜第３頁左上欄第９行）
（１−ウ）「本発明における強磁性金属薄膜は、ベーパーデポジションあるいはメッキ法により形成される。」（第３頁左上欄第１０行〜第１１行）
（１−エ）「本発明における保護膜の形成に用いられるモノマーはプラズマ重合により皮膜を形成し得る化合物であればほとんど使用することができる。このようなモノマー化合物には、例えば、メタン、エタン、プロパン、ブタン、ペンタン、オクタン、シクロヘキサン等の線状もしくは環状の飽和炭化水素；エチレン、プロピレン、ブタジエン、ベンゼン、スチレン、アセチレン、アレン等の二重結合もしくは三重結合を含む不飽和炭化水素；・・・がある。」（第３頁右上欄第１８行〜第４頁左上欄第６行）
（１−オ）「本発明の保護膜形成に用いるプラズマの発生法には特に制限がなく、例えば平行平板電極を使用した直流プラズマ、低周波プラズマ、高周波プラズマ；・・・を使用することができる。」（第５頁左上欄第１４行〜第１９行）
（１−カ）「実施例４
　図３に示す装置を用いてプラズマ重合体の保護膜を磁性金属薄膜上に形成した。この装置は・・・第１反応室１５、差動排気室１６及び・・・第２反応室１７からなり、各室の間は隔壁１８、１９により隔てられている。第１反応室１５にはモノマー導入管２０と排気管２１が設けられ、第２反応室１７にも同様にモノマー導入管２２と排気管２３が設けられている。差動排気室１６には差動排気を行うための排気管２４が設けられている。第１及び第２の反応室１５、１７にはそれぞれ平行平板電極２５及び２６（いずれも、１０ｃｍ×１０ｃｍ正方形のステンレス板、間隔５ｃｍ）が配置されていて、それぞれにプラズマ励起用高周波電源２７及び２８が接続されている。予め磁性金属層が表面に形成された幅５ｃｍの被処理テープ２９が、第１反応室のロール３０に巻かれていて、電極２５の極板間を通って、隔壁１８に開けられたスリット３１、差動排気室１６、隔壁１９に開けられたスリット３２を通過し、第２反応室の電極２８の極板間を通ってロール３３に巻き取られるように送行される。装置の運転時には、電極２５におけるプラズマ重合反応によりテープ２８の磁性金属薄膜上に保護膜の基層が形成され、その上に電極２８におけるプラズマ重合反応により保護膜の表面層が形成される。装置の運転に際しては、図１の装置について説明したように、各反応室を排気後、モノマーガス導入管から所望流量のモノマーガスを導入し、内部のガス圧は排気速度の変化により調節し、電極に電力を供給してプラズマを発生させ、重合反応を行わせる。・・・。差動排気室１６の排気は、両反応室のガスが各反応室において混合しないように適度に行う。さて、本実施例において・・・、保護膜の基層として厚さ１００Å、密度０．９ｇ／ｃｍ３のブタジエンプラズマ重合膜を形成し、その上に厚さ７０Å、密度１．５ｇ／ｃｍ３のメタンプラズマ重合膜を形成し、磁気記録媒体が得られた。」（第８頁左下欄第１行〜第９頁左上欄第１１行）として、第１１頁には第３図が記載されている。
（２）甲第２号証には、図面と共に次の事項が記載されている。
（２−ア）「真空容器内に非接地電極（１）、接地電極（２）、吹き出し孔を有するガス導入管（３）、導入されたガスを電極間に封じ込める為のカバー（４）、及び処理物（７）をプラズマ空間を走行させる為のローラー（５）、（６）からなるプラズマ処理ユニットを少なくとも１個有するプラズマ処理装置。」（実用新案登録請求の範囲の請求項１）
（２−イ）「本考案はプラズマ処理装置に関する。更に詳しくは、膜、フィルム、シート及び布或いは繊維、糸等の平面状或いは比較的厚さが薄く長尺物のプラズマ処理に好適な装置に関する。」（明細書第２頁第１行〜第４行）
（２−ウ）「本考案の目的とするところは、プラズマ処理速度及び処理効果が大きく、かつコンパクトなプラズマ処理装置を提案するにある。」（明細書第３頁第６行〜第９行）
（２−エ）「本考案において、ガス導入管及びその位置及び導入されたガスを電極間に封じ込める為のカバーを有する事が新規でかつ有用な点である。これにより、処理試料の処理面に常に新鮮なガスを導入でき、かつ処理試料のプラズマ処理により発生した目的とする処理を妨害する分解ガスを効率よく排出できる事が特徴である。」（明細書第３頁第１７行〜第４頁第３行）
（２−オ）「第１図は本考案の電極廻りの詳細図面であり、ここでは平行平板電極の例を示す。（１）は非接地電極、（２）は接地電極、（３）はガス導入配管、（４）は導入ガスを封じるカバー、（５）、（６）は処理物をプラズマ空間を走行させる為のガイドローラー、（７）は処理物である。非接地電極（１）には、プラズマ発生用の５０Ｈｚ，６０Ｈｚの商業用周波数、キロヘルツの低周波数及びメガヘルツからギガヘルツ領域の高周波数の電力を導入して、接地電極との間で低温ガスプラズマを発生させる。」（明細書第４頁第５行〜第１５行）
（２−カ）「低温ガスプラズマを発生させるガスとしては、酸素、窒素、アルゴン、ヘリウム、水素等の非重合性ガスやメタン、エタン、プロパン、ブタン或いはベンゼン、アクリル酸、スチレン等の重合性有機モノマーガスを用いる事が出来、目的に応じて選択する。電極（１）と（２）とは等距離はなれて設置する方が好ましい。電極間距離は、入力エネルギー、電極形状、真空度、処理速度及びプラズマエッチングかプラズマ重合かプラズマＣＶＤかという処理方法により異なるが、一般に真空度が小さく、入力エネルギーが小さい場合は狭くする方がよく、通常１０ｃｍ以下、好ましくは５ｃｍである。」（明細書第５頁第４行〜第１６行）
（２−キ）「プラズマ特に低周波及び高周波電位の印加による低温プラズマに於いては、プラズマ空間にセルフバイアスが発生するが、そのセルフバイアスの生成領域では質量の大きなイオンの運動エネルギーが極めて大きく、従ってその空間で処理することによって極めて処理速度、処理効果を増大させ得る事がわかった。しかし、非接地電極には運動エネルギーの大きいイオンの衝突が常に生じており、・・・。」（明細書第６頁第５行〜第１４行）
（２−ク）「プラズマ空間の真空度は、低温ガスプラズマが安定して発生する領域・・・に調整する。真空度の調整は排気速度と共にガス或いはモノマーガスの導入により行う事が出来る」（明細書第７頁第１０行〜第１５行）
（２−ケ）「導入されたガスを電極間に封じ込める為のカバー（４）の材質は絶縁物でも導電性物質でもよいが、好ましくは電極材料と同質のもの、例えばステンレス、アルミニウム、銅板等であり、・・・。またカバー（４）は接地されている方がよく、この場合カバーと非接地電極の間隔は、プラズマの安定性、均一性の点で、接地電極と非接地電極の間隔より大きい方がよい。」（明細書第８頁第１５行〜第９頁第６行）
（２−コ）「第２図はプラズマ処理装置の全体図（ここでは箱型装置の例）を示す。第３図は処理物（７）が非接地電極（１）に密着して走行する例を示す。」（明細書第９頁第１８行〜第２０行）
（２−サ）「本考案のプラズマ処理装置は、接地側電極にカバーを取付ける事により、新鮮な導入ガスの効率的導入及び分解発生ガスの効率的排出が可能であり、常に一定のガス比率下でのプラズマ処理を可能とし分解発生ガスの悪影響を防止できる等、従来装置に比べプラズマ処理の効率化、均一化、安定化の効果に優れている。」（明細書第１１頁第７行〜第１３行）
（２−シ）第１図乃至第３図の記載から、非接地電極（１）は固定され回転しないものであり、接地電極（２）が該非接地電極（１）に対向配置されることが窺える。また、第１図の記載から、カバー（４）と接地電極（２）又は非接地電極（１）で囲まれた空間は少なくとも上部が開いたものであり、カバー（４）は処理物の進行方向における接地電極（２）と非接地電極（４）の間には存在しないこと、及び、処理物（７）の走行方向と直交する方向の非接地電極（１）の幅及び接地電極（２）の幅が処理物（７）の幅より大きいことが窺える。さらに、第２図及び第３図には、真空ポンプに通じる排気孔が真空容器に設けられることが記載されている。
（３）甲第３号証には、図面と共に次の事項が記載されている。
（３−ア）「真空槽内に放電管を設け、さらに前記放電管の周囲を囲む隔壁を設け、かつ前記放電管と前記隔壁との空間を真空排気し、前記放電管に対向して基板を設け、プラズマ放電により、前記基板上に薄膜を形成することを特徴とするプラズマＣＶＤ成膜方法。」（特許請求の範囲の請求項１）
（３−イ）「プラズマＣＶＤ法により薄膜を形成する方法として、真空槽内を放電空間とする方法では、薄膜が形成される基板のみならず真空槽の内壁全体が汚染され、膜自体に欠陥が生じるという、工業的に生産するためには大きな課題があった。これらの課題を解決するため、真空槽内に放電管を設ける方法・・・が提案されている。これらにより真空槽内の汚染についてはほぼ解決済みである。」（第２頁左欄第３８行〜第４８行）
（３−ウ）「しかしながら放電管より漏れた未反応ガスの影響により、形成された薄膜の基板への密着強度が弱く、保護膜あるいは絶縁膜としての信頼性（耐久性、耐食性等）に課題があった。また放電管と真空槽内の急激な圧力変化により、発生する小規模な異常放電に起因する膜自体の欠陥が生ずるという問題点も浮上してきた。」（第２頁左欄最終行〜同頁右欄第６行）
（３−エ）「本発明の目的は、・・・、薄膜形成時の未反応ガスの影響を最小限に抑えると共に、急激な圧力変化による小規模な異常放電に起因する成膜欠陥を防止することができるプラズマＣＶＤ成膜方法により形成される薄膜を提供しようとするものである。」（第２頁右欄第１４行〜第１９行）
（３−オ）「（実施例１）
　（図１）は本発明の（実施例１）における磁気テープ２０の基本構造を示す。１は非磁性基板であり、３〜２０μｍのポリエステル（ＰＥＴ）フィルムであり、２は強磁性金属薄膜であり０．１〜０．２μｍの膜厚でＣｏを主成分とする合金の斜方蒸着により酸素を導入しながら形成される。・・・。４はダイヤモンド状炭素膜で、プラズマＣＶＤ法により形成される。」（第２頁右欄第４２行〜最終行）
（３−カ）「（図２）は本発明の実施例における磁気テープの保護膜の形成用としての請求項１、２に対応するプラズマＣＶＤ成膜方法の一例の概要を示す。（図２）において、２０ａは非磁性基板の上に強磁性金属薄膜２を設けた磁気テープ２０であり、繰り出しローラ２１に巻かれるとともに、この繰り出しローラ２１からその張力が制御され送り出されている。２２、２４はパスローラであり、磁気テープ２０と接触し回転する。２３はメインローラであり、装置本体（真空槽３２）より絶縁され冷媒などを介して接地されるとともに、磁気記録媒体２０を一定速度で搬送できるよう速度制御されている。２５はダイヤモンド状炭素膜４形成後の磁気テープ２０ｂを連続的に巻き取るローラであり、繰り出しローラ２１と同様張力制御されている。２６はダイヤモンド状炭素膜形成用の放電管で、２７はプラズマ発生用電極でありプラズマ用電源３０と接続されている。
　このプラズマ用電源３０は直流あるいは交流（５０Ｈｚ〜３０ＭＨｚ）、あるいはそれらの重畳で０．０５〜７ｋｖの電圧が印加できる。２８は原料ガス導入口であり、Ｈ２、Ａｒ、ＣＨ系の反応ガスあるいは、ケトン系、アルコール系等の気化したガスを０．５〜０．００１Ｔｏｒｒの分圧で導入している。これら、放電管２６、プラズマ発生用電極２７、原料ガス導入口２８、プラズマ用電源３０の要素によりプラズマＣＶＤ装置が構成される。また２９は隔壁であり、放電管２６を囲むと共に真空ポンプ３１により放電管２６との空間を排気される。さらに３２は真空槽であり、真空ポンプ３３により真空排気されている。」（第３頁左欄第３行〜第３１行）
（３−キ）「以上のように構成された磁気テープの保護膜形成用のプラズマＣＶＤ成膜方法について（図２）を参照して説明する。
　まず真空槽３２を、真空ポンプ３３で排気し、さらに放電管２６と隔壁２９との空間を真空ポンプ３１で排気し、それぞれが規定の真空度（１×１０−４Ｔｏｒｒ、１×１０−２Ｔｏｒｒ）に到達した後、強磁性金属薄膜２を形成した磁気テープ２０ａは、メインローラ２３に密着し、繰り出しローラ２１から巻取りローラ２５に向けて連続的に送り出されている。一方ダイヤモンド状炭素膜４形成領域に到達すると、ガス導入口２８から原料ガスとプラズマ用電源３０からの印加電圧により放電管２６内のプラズマ発生用電極２７からプラズマのイオン電流が発生加速され、プラズマ発生用電極に対向して位置する強磁性金属薄膜２上に到達し、ダイヤモンド状炭素膜４が形成される。
　このとき放電管２６と磁気記録媒体２０との間隙から漏れた未反応ガスは、真空ポンプ３１により排気されるため、磁気テープ２０の強磁性金属薄膜２上及びダイヤモンド状炭素膜４上を汚染することなく強磁性金属薄膜２とダイヤモンド状炭素膜４及びダイヤモンド状炭素膜４とその上に設ける滑剤層５との接着力を強固にすることが可能となる。従って、磁気テープとしての実用性能においては耐食性が大幅に向上する。」（第３頁左欄第３２行〜同頁右欄第５行）
（４）甲第４号証には、図面と共に次の事項が記載されている。
（４−ア）「本発明は、有機材料、無機材料等の表面処理等に利用される低温プラズマ処理において、高周波放電により発生する低温プラズマを均一化する方法に関するものである。」（第１頁左下欄第１３行〜第１６行）
（４−イ）「第１図は、本発明を実施するプラズマ発生電極を用いたシート状物処理の低温プラズマ処理装置の一例を示す。第１図（Ａ）、（Ｂ）において、真空を保持し得るようにした処理室（１１）内に、垂直状に立設した高電圧印加電極板（１２）の両側に、一定間隔を隔てて前記高電圧印加電極（１２）より面積が大きい接地電極板（１３ａ）、（１３ｂ）を平行に対向して配置したプラズマ発生電極（１４）が配設され、高周波電源装置（１５）から送られる高周波電力が、整合器（１６）から、外部が接地シールドされた同軸ケーブル（または平衡型ケーブル）からなる給電線（１７）、（１８）を経て、前記プラズマ発生電極（１４）の上部両端縁部に給電線（１７）、（１８）が接続され、前記プラズマ発生電極（１４）へ給電される。すなわち、外部がシールドされた同軸ケーブルからなる給電線（１７）、（１８）の外部導体、すなわち、シールド側導体（１７ａ）、（１７ｂ）、（１８ａ）、（１８ｂ）が各々対応する接地電極板（１３ａ）、（１３ｂ）に、また、内部導体（１７ｃ）、（１８ｃ）が高電圧印加電極板（１２）に、いずれも最短距離で接続されている。第１図の給電線（１７）、（１８）は２本並列に接続している。さらに、処理室（１１）内は、被処理シート状物（１９）を真空シールされた入口（２０ａ）から供給ローラ（２１ａ）により送り込み、ガイドローラ（２２ａ）・・・（２２ｇ）を経て、両電極（１２）、（１３ａ）間および（１２）、（１３ｂ）間を通過させて、同じく真空シールされた出口（２０ｂ）から巻取ローラ（２１ｂ）により引出して巻取るよう配備する。また、処理室（１１）へは排気口（２３ａ）から排出し、所定の圧力を保ちつつ、空気、酸素、窒素等の処理ガスを給気口（２３ｂ）から連続供給する。上記の低温プラズマ処理装置を使用して、ポリエステル加工糸織物を下記の処理条件で低温プラズマ処理した。
〔処理条件〕
被処理布帛
　ポリエステル加工糸織物（径１５０Ｄ、１１０本／吋；緯１５０Ｄ×２、
　５５本／吋）１５０ｃｍ幅
　・・・
電極寸法（接地電極）
　長さ９００ｍｍ、幅２０００ｍｍ
　・・・」（第２頁右下欄第１０行〜第３頁右上欄最終行）として、第４頁には第１図が記載されており、第１図（Ｂ）の記載から、被処理シート状物（１９）の走行方法と直交する方向の高電圧印加電極板（１２）幅及び接地電極板（１３ａ）、（１３ｂ）幅が被処理シート状物（１９）幅より大きいことが窺える。
（５）甲第５号証には、図面と共に次の事項が記載されている。
（５−ア）「本発明は、有機材料、無機材料等の表面処理などで利用される低温プラズマ処理において、高周波放電により発生する低温プラズマの均一化方法に関するものである。」（第１頁左下欄第１５行〜第１８行）、
（５−イ）「本発明の実施例について説明する。第１図は本発明を実施するプラズマ発生電極を用いたシート状物処理の低温プラズマ処理装置の一例を示す。第１図（Ａ）、（Ｂ）において、真空を保持し得るようにした処理室（１１）内に、垂直状に立設した高電圧印加電極板（１２）の両側に、一定間隔を隔てて前記高電圧印加電極（１２）より面積が大きい接地電極板（１３ａ）、（１３ｂ）を平行に対向して配置したプラズマ発生電極（１４）が配設され、高周波電源装置（１５）から送られる高周波電力が整合器（１６）から外部が接地シールドされた同軸ケーブル（または平衡型ケーブル）からなる給電線（１７）を経て前記プラズマ発生電極（１４）へ給電される。その給電線（１７）は、第２図にも示すごとくプラズマ発生電極（１４）の一端縁部（給電端部）（１４ａ）に接続されている。すなわち外部がシールドされた同軸ケーブルからなる給電線（１７）の外部導体、すなわちシールド側導体（１７ａ）、（１７ｂ）がそれぞれ対応する接地電極板（１３ａ）、（１３ｂ）に、また内部導体（１７ｃ）が高電圧印加電極板（１２）に、いずれも最短距離で接続されている。さらにプラズマ発生電極（１４）の給電線（１７）との接続点を設けた給電端部（１４ａ）の反対側の端縁部（終端部）（１４ｂ）に、同軸ケーブル（１８）を、一端側（１８ａ）を短絡してその他端側（１８ｂ）で接続している。その接続の態様は給電線（１７）の場合と全く同様である。次に処理室（１１）内は、被処理シート状物（１９）を真空シールされた入口（２０ａ）から供給ローラ（２１ａ）により送込み、ガイドローラ（２２ａ）、（２２ｂ）、（２２ｃ）、（２２ｄ）、（２２ｅ）、（２２ｆ）、（２２ｇ）を経て両電極（１２）、（１３ａ）間および（１２）、（１３ｂ）間を通過させて、同じく真空シールされた出口（２０ｂ）から巻取ローラ（２１ｂ）により引出して巻取るよう配備する。また処理室（１１）へは排気口（２３ａ）から排気し、所定の圧力を保ちつつ空気、酸素、窒素等の処理ガスを給気口（２３ｂ）から連続供給する。上記の低温プラズマ処理装置を使用して、ポリエステル加工糸織物を下記の処理条件で低温プラズマ処理した。
〔条件〕
被処理布帛・・・ポリエステル加工糸織物（径１５０Ｄ、１１０本／吋；緯１５０Ｄ×２、　５５本／吋）
　・・・
電極寸法（接地電極）……　長さ９００ｍｍ、幅２０００ｍｍ
　・・・」（第３頁左上欄第１６行〜第３頁右下欄第４行）として、第５頁に第１図が記載されており、第１図（Ｂ）の記載からみて、被処理シート状物（１９）の走行方法と直交する方向の高電圧印加電極板（１２）幅及び接地電極板（１３ａ）、（１３ｂ）幅が被処理シート状物（１９）幅より大きいことが窺える。
３−２．対比、判断
（１）本件発明１について
（１−１）甲第１号証に記載された発明であるか、甲第１号証及び甲第３号証乃至甲第５号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるとの主張について
　記載事項１−ア〜カ、特に、記載事項１−カの記載からみて、甲第１号証には下記の発明（以下、「甲１発明」という。）が記載されていると云える。
「第１反応室、差動排気室及び第２反応室からなり、各室は隔壁により隔てられており、両反応室のガスが各反応室において混合しないように差動排気室には差動排気を行うための排気管が設けられており、両反応室にはそれぞれロールと、１０ｃｍ×１０ｃｍ正方形の極板で構成された平行平板電極が配置されており、該平行平板電極を構成する極板にはプラズマ励起用高周波電源の両極が接続されている磁気記録媒体製造装置であって、第１反応室のロールに巻かれていた予め磁性金属層が表面に形成された幅５ｃｍの被処理テープが、第１反応室内に配置された平行平板電極の極板間を通って、隔壁に開けられたスリット、差動排気室、隔壁に開けられたスリットを通過し、第２反応室内に配置された平行平板電極の極板間を通ってロールに巻き取られるように送行される過程において、第１反応室内に配置された平行平板電極の極板間におけるプラズマ重合反応によりテープの磁性金属薄膜上に保護膜の基層が連続形成され、第２反応室内に配置された平行平板電極の極板間におけるプラズマ重合反応により保護膜の表面層が連続形成される装置。」
　そこで、本件発明１と甲１発明を対比すると、後者における「被処理テープ」は、長尺であることは明らかであり、また表面に磁性金属層が形成されているものであるから、前者における「長尺の導電性を有するフィルム状基体」に相当し、後者における「保護膜」は前者における「薄膜」に相当する。また、後者における「平行平板電極の極板」は、互いに対向配置され、固定され回転しないものであることは明らかであり、それらにプラズマ励起用高周波電源の両極が接続されていることからみて、カソード及びアノードとして作用するものであるとは云えるが、カソードに所定のバイアス電位が印加される状態か否かは明確でない。そして、後者において、「隔壁」は装置における両反応室の領域と差動排気室の領域とを隔てるものであると云え、また、両反応室のガスが各反応室において混合しないように差動排気室で差動排気を行っていることからみて、両反応室の圧力は差動排気室の圧力より大であると云える。さらに、後者において、テープの走行方向と直交する方向の電極幅が上記テープの幅より大であることは明らかである。そして、後者も薄膜形成装置であると云える。
　してみると、両者は、
「固定され回転しないカソードと、前記カソードと対向配置されてなるアノードとを有し、カソード−アノード間に差し亘された長尺の導電性を有するフィルム状基体の表面に薄膜を連続成膜する薄膜形成装置において、隔壁を設けるとともに、前記フィルム状基体の走行方向と直交する方向のカソード幅及びアノード幅がフィルム状基体幅より大であることを特徴とする薄膜形成装置。」で一致し、下記の点で相違する。
（ｉ）前者は、カソードに所定のバイアス電位を印加したものであるのに対し、後者はかかる点が明確でない点。
（ii）前者は、隔壁で隔てられる領域が成膜領域であるカソード−アノード間の空間と非成膜領域であり、成膜領域内の圧力を非成膜領域内の圧力より大としているのに対し、後者は、隔壁で隔てられる領域が差動排気室の領域と両反応室の領域であり、両反応室内の圧力が差動排気室内の圧力より大である点。
　そこでまず、相違点（ii）について検討する。
　本件発明１及び甲１発明の如き薄膜形成装置において、一対のカソード−アノード電極間においてグロー放電が生起し、薄膜が形成されることは当該技術分野において周知の事項である。そして、本件発明１においても、「成膜領域であるカソード−アノード間の空間を非成膜領域と隔てるための隔壁を設ける」とあるとおり、「製膜領域」とは「カソード−アノード間の空間」を云うものであり、「非成膜領域」とはそれ以外の空間を云うものであることは明らかである。そして、甲１発明における「両反応室」は確かに本件発明１における「成膜領域」である「カソード−アノード間の空間」を含むものではあるが、本件発明１における「非成膜領域」であるロール等が存在する他の空間も含むものであるから、甲１発明における「両反応室」は本件発明１における「製膜領域」に相当するとは云えない。また、甲１発明における「差動排気室」は、本件発明１における「非成膜領域」の一部を構成するものではあるが、本件発明１における「非成膜領域」に相当するとは云えない。
　そして、甲１発明における「両反応室」、「差動排気室」が、それぞれ、本件発明１における「成膜領域」、「非成膜領域」に相当するものでない以上、上記相違点（ii）は実質的相違点であると云わざるを得ない。
　そこでさらに、上記相違点（ii）について、甲第３乃至５号証に記載された事項を検討すると、甲第３号証には、記載事項３−ア〜キからみて、「真空槽内に、接地され回転するメインローラと、該メインローラの一部に対向配置して内部にプラズマ用電源に接続されたプラズマ発生用電極を備えた放電管を設け、前記メインローラと前記プラズマ発生用電極の間で前記メインローラにより搬送され、表面に強磁性金属薄膜が形成された長尺のフィルム上に、プラズマ放電により薄膜を連続形成するプラズマＣＶＤ成膜装置において、前記放電管の周囲を囲む隔壁を設け、かつ前記放電管と前記隔壁との空間を真空排気するプラズマＣＶＤ成膜装置。」の発明が記載されていると云える。
　甲第３号証に記載された発明において、プラズマ発生用電極にプラズマ用電源が接続され、メインローラが接地されていることからみて、「メインローラ」及び「プラズマ発生用電極」は、各々、カソード及びアノードとして作用し、カソードである「メインローラ」に所定のバイアス電位が印加されていると云える。そして、記載事項３−イ〜エから明らかなように、甲第３号証に記載された発明における「放電管」は、プラズマ発生領域を放電管内に止め、プラズマ発生用電極とメインローラとの間の空間である成膜領域とそれ以外の非成膜領域を隔てるものであると云え、また、甲第３号証に記載された発明における「隔壁」は、放電管と隔壁との空間を真空排気し、成膜領域からの未反応ガスの漏れを防止すると共に放電管と真空槽内の急激な圧力変化を防止するものであるから、甲第３号証に記載された発明において成膜領域内の圧力は非成膜領域内の圧力より大とされていると云える。
　しかし、甲第３号証に記載された発明において、回転するメインローラはそれ全体がカソードとして作用し、アノードとして作用するプラズマ発生用電極はカソードとして作用するメインローラの一部にのみ対向配置されたものであるから、甲第３号証に記載された発明の装置は、もともと、本件明細書【０００８】段落に記載されているような、放電時において、カソードから若干外れた箇所において、カソードが存在しないために電位線がフィルム状基体の磁性膜の端部に集中し、この端部の電界密度が大きくなって異常放電が誘発され、熱まけや破断が発生するという、固定され回転しないカソードを備えた装置における問題が生じることがないものである。
　よって、甲第３号証に記載された発明における「放電管」は、成膜領域を非成膜領域と隔てるものであり、その点において本件発明１における「隔壁」と同じ作用をするものであり、また、甲第３号証に記載された発明において成膜領域内の圧力は非成膜領域内の圧力より大とされていると云えるが、上記のとおり、甲第３号証に記載された発明と甲１発明とは装置の基本構造が異なり、甲第３号証に記載された発明の装置は本件発明１で解決すべき問題が生じないものであるから、甲第３号証に記載された発明における「放電管」又は「隔壁」を甲１発明に適用し、相違点（ii）で挙げた本件発明１の構成要件を想到することは当業者にとって容易に為し得たこととは認められない。
　また、甲第４号証及び甲第５号証には、高周波電源が接続された固定され回転しない高電圧印加電極と、該高電圧印加電極と対向配置されてなる接地電極とを有し、高電圧印加電極−接地電極間に差し亘された長尺の被処理物を処理する低温プラズマ処理装置において、前記長尺の被処理物の走行方向と直交する方向の高電圧印加電極幅及び接地電極幅が長尺の被処理物幅より大であることが記載されているものの、長尺の被処理物として導電性を有するものを用い、それに薄膜を形成することは記載されておらず、ましてや、高電圧印加電極−接地電極間の空間を他の空間と隔てるための隔壁を設けることついては記載も示唆もない。
　よって、甲第４号証及び甲第５号証に記載された事項を甲１発明に如何に適用しても、相違点（ii）で挙げた本件発明１の構成要件を想到することは当業者にとって容易に為し得たこととは云えない。
　そして、本件発明１は、相違点（ｉ）及び（ii）で挙げた本件発明１の構成要件により、本件明細書に記載された効果を奏するものである。
　したがって、本件発明１は、相違点（ｉ）について検討するまでもなく、甲第１号証に記載された発明であるとも、甲第１号証及び甲第３号証乃至甲第５号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができた発明であるとも云えない。
（１−２）甲第２号証に記載された発明であるか、甲第２号証及び甲第３号証乃至甲第５号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができた発明であるとの主張について
　記載事項２−ア〜シからみて、甲第２号証には、下記の発明（以下、「甲２発明」という。）が記載されていると云える。
「真空ポンプに通じる排気孔が設けられた真空容器内に、高周波電源と接続された平板状の固定した非接地電極、該非接地電極に対向して配置された接地電極、吹き出し孔を有するガス導入管、導入されたガスを電極間に封じ込める為のカバー、及び、長尺の処理物を非接地電極−接地電極間を走行させる為のローラーを備え、長尺の処理物の走行方向と直交する方向の非接地電極の幅及び接地電極の幅が長尺の処理物の幅より大である、長尺の処理物を連続処理するプラズマ処理装置。」
　本件発明１と甲２発明を対比すると、後者における「長尺の処理物」が、前者における「長尺のフィルム状基体」に相当することは明らかである。また、記載事項２−キからも明らかなように、後者における「非接地電極」と「接地電極」は「カソード」と「アノード」として作用し、該「非接地電極」は所定のバイアス電位が印加された状態であると云える。さらに、記載事項２−カには、プラズマ処理がプラズマ重合又はプラズマＣＶＤ、即ち薄膜形成処理を含む旨記載されているから、この点において後者は薄膜形成装置と云えるものである。
　してみると、両者は、
「固定され回転しないカソードと、前記カソードと対向配置されてなるアノードとを有し、前記カソードに所定のバイアス電位を印加してカソード−アノード間に差し亘された長尺のフィルム状基体の表面に薄膜を連続成膜する薄膜形成装置において、前記フィルム状基体の走行方向と直交する方向のカソード幅及びアノード幅がフィルム状基体幅より大であることを特徴とする薄膜形成装置。」で一致し、下記の点で相違する。
（iii）前者は、長尺のフィルム状基体が導電性を有するものであるのに対し、後者は、かかる特定がない点。
（iv）前者は、成膜領域であるカソード−アノード間の空間を非成膜領域と隔てるための隔壁を設けるとともに、成膜領域内の圧力を非成膜領域内の圧力より大としたものであるのに対し、後者は、導入されたガスを電極間に封じ込める為のカバーを設けたものであり、成膜領域内の圧力を非成膜領域内の圧力について特定がない点。
　そこでまず、相違点（iv）について検討すると、甲２発明における「カバー」は、導入されたガスを電極間に封じ込める為のもののであり、カバーが存在する部分においては、電極間の空間である成膜領域と真空容器内の他の空間である非成膜領域を隔てているとは云えるが、記載事項２−シで指摘したように、カバーと接地電極又は非接地電極で囲まれた空間は少なくとも上部が開いたものであり、長尺のフィルム状基体の進行方向において該カバーは成膜領域と非成膜領域とを隔ててはいない。よって、甲２発明における「カバー」は、成膜領域と非成膜領域を隔てるものであるとは云えないから、本件発明１における「隔膜」に相当するとは云えない。さらに、甲２発明においては、前述したように、カバーと接地電極又は非接地電極で囲まれた空間は少なくとも上部が開いたものであり、しかも記載事項２−クで摘記したように、プラズマ空間の真空度の調整は真空容器に設けられた排気孔からの排気速度とガスの導入により行われることからみて、カバーと接地電極又は非接地電極で囲まれた空間の圧力と真空容器内の他の空間の圧力との間には有意の差があるとは云えないから、甲２発明は、成膜領域内の圧力を非成膜領域内の圧力より大としたものであるとも云えない。
　よって、相違点（iv）は実質的相違点であると云える。
　そして、本件発明１は、本件明細書【０００８】段落に記載されているような、放電時において、カソードから若干外れた箇所において、カソードが存在しないために電位線がフィルム状基体の磁性膜の端部に集中し、この端部の電界密度が大きくなって異常放電が誘発され、熱まけや破断が発生するという問題が生じることを防止することを課題とするものであるが、甲２発明は、相違点（iii）で挙げたとおり、もともとかかる問題が生じる導電性を有する長尺のフィルム状基体を処理対象とするものではない。
　さらに、甲第３号証乃至甲第５号証に記載された発明については上記（２−１）で述べたとおりである。
　よって、甲２発明に甲第３号証乃至甲第５号証に記載された発明を組み合わせて相違点（iii）及び（iv）で挙げた本件発明１の構成要件を想到することは、当業者にとって容易に為し得たこととは云えない。
　そして、本件発明１は、相違点（iii）及び（iv）で挙げた本件発明１の構成要件により、本件明細書に記載された効果を奏するものである。
　してみれば、本件発明１は、甲第２号証に記載された発明であるとも、甲第２号証及び甲第３号証乃至甲第５号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができた発明であるとも云えない。
（２）本件発明２及び３について
　本件発明２及び３は、本件発明１をさらに限定したものであるから、少なくとも上記（１）で述べた理由により、甲第１号証又は甲第２号証に記載された発明であるとも、甲第１号証及び甲第３号証乃至甲第５号証又は甲第２号証及び甲第３号証乃至甲第５号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができた発明であるとも云えない。
　
４．特許法第１７条の２第２項の規定により準用する同法第１７条第２項違反の主張について
　特許異議申立人の主張の根拠は、平成１５年３月１０日提出の手続補正書による補正は、本件明細書の【００４０】段落に「さらに、カソードは固定されて回転しないので、フィルム状基体幅よりも幅広のカソード、すなわち電極を使っても、この幅広部分に積層されるＤＬＣにより電極の回転がスムーズに行かなくなるといった弊害が発生することがない。」との記載を追加する補正事項を含むものであり、この補正事項は、願書に最初に添付された明細書に記載された事項の範囲内で明細書の記載を補正するものではないというものである。
　そこで、この補正事項について検討すると、薄膜形成装置において、固定され回転しないカソードを採用することにより、フィルム状基体幅よりも幅広部分に積層されるＤＬＣにより電極の回転がスムーズに行かなくなるといった弊害が生じないことは当業者にとって自明の事項である。よって、この補正事項は、本件明細書に当業者にとって自明の事項を記載したにすぎないものであり、実質的にみて、願書に最初に添付された明細書に記載された事項の範囲内で明細書の記載を補正するものであると云える。
　したがって、特許異議申立人の上記主張は、根拠のないものである。
　
５．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠によっては本件発明１乃至３についての特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明１乃至３についての特許を取り消すべき理由を発見しない。
　したがって、本件発明１乃至３についての特許は拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものと認めない。
　よって、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第２項の規定により、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１６年８月６日（２００４．８．６）