【事件の表示】
　特許第３３５９５８２号「静電チャック」の請求項１に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３３５９５８２号の請求項１に係る特許を取り消す。
【理　由】
第１　手続の経緯
　特許第３３５９５８２号の請求項１に係る発明についての出願は、平成１０年１１月２７日に特許出願され、平成１４年１０月１１日にその特許権の設定の登録がされ、その後、特許異議申立人森岡松久により請求項１に係る特許について特許異議の申立てがなされ、平成１５年１２月１９日に取消しの理由が通知され、その指定期間内である平成１６年３月８日に訂正請求（後日取下げ）がなされ、平成１６年４月７日に再度取消しの理由が通知され、その指定期間内である平成１６年６月１５日に訂正請求がなされたものである。
第２　訂正の適否
１　訂正請求の内容
（１）訂正事項ａ
　特許請求の範囲の請求項１に記載の
「【請求項１】被吸着物を保持する吸着面を有する板状セラミック体中に、線材からなる金網状電極を埋設してなる静電チャックにおいて、上記金網状電極として線材の交点を接合した金網、又は線材を編組みしたあとに厚み方向に加圧して塑性変形させた金網を用いるとともに、上記金網状電極が占める面積に対する開口部の割合が５０〜８０％で、かつ各開口部の最短幅が０．２３ｍｍ以上であることを特徴とする静電チャック。」を、
「【請求項１】被吸着物を保持する吸着面を有する板状セラミック体中に、タングステン、モリブデン、ニッケル、または鉄−コバルト−ニッケル合金からなる給電端子に接続され、周期律表第６ａ族元素または周期律表第４ａ族元素の高融点金属、これらの合金、またはＷＣ、ＭｏＣ、ＴｉＮの導電性セラミックスの一種の線材からなる金網状電極を埋設し、該金網状電極に直流電圧を印加してジョンソン・ラーベック力を発現させるようにした静電チャックであって、上記金網状電極として線材の交点を接合した金網、又は線材を編組みしたあとに厚み方向に加圧して塑性変形させた金網を用いるとともに、上記金網状電極が占める面積に対する開口部の割合が５０〜８０％で、かつ各開口部の最短幅が０．２３ｍｍ以上であることを特徴とする静電チャック。」と訂正する。
２　訂正の目的の適否、新規事項の有無および拡張・変更の存否
（１）訂正事項ａについて
　この訂正は、特許請求の範囲の請求項１において、「線材からなる金網状電極を埋設してなる静電チャック」の「線材」について、「タングステン、モリブデン、ニッケル、または鉄−コバルト−ニッケル合金からなる給電端子に接続され、周期律表第６ａ族元素または周期律表第４ａ族元素の高融点金属、これらの合金、またはＷＣ、ＭｏＣ、ＴｉＮの導電性セラミックスの一種の」を加入して限定し、また、同「静電チャック」について、「金網状電極に直流電圧を印加してジョンソン・ラーベック力を発現させるようにした」を加入して限定することから、いずれも特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そして、この訂正は、明細書の段落【００３４】及び【００３５】、並びに【０００４】、【００１９】及び【００２６】の記載に基づくものであるから、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であって、かつ、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
３　むすび
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法第１２０条の４第２項及び第３項において準用する特許法第１２６条第２項から第３項までの規定に適合するので、当該訂正を認める。
第３　特許異議の申立ての理由についての判断
１　本件発明
　本件特許第３３５９５８２号の請求項１に係る発明（以下、「本件発明」という。）は、訂正明細書及び設定登録時の図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される次のとおりのものと認める。
「【請求項１】被吸着物を保持する吸着面を有する板状セラミック体中に、タングステン、モリブデン、ニッケル、または鉄−コバルト−ニッケル合金からなる給電端子に接続され、周期律表第６ａ族元素または周期律表第４ａ族元素の高融点金属、これらの合金、またはＷＣ、ＭｏＣ、ＴｉＮの導電性セラミックスの一種の線材からなる金網状電極を埋設し、該金網状電極に直流電圧を印加してジョンソン・ラーベック力を発現させるようにした静電チャックであって、上記金網状電極として線材の交点を接合した金網、又は線材を編組みしたあとに厚み方向に加圧して塑性変形させた金網を用いるとともに、上記金網状電極が占める面積に対する開口部の割合が５０〜８０％で、かつ各開口部の最短幅が０．２３ｍｍ以上であることを特徴とする静電チャック。」
２　引用刊行物記載の発明乃至技術的事項
　当審が通知した取消しの理由に引用した本件特許出願前に日本国内において頒布された刊行物１：特開平１０−２３３４３５号公報及び刊行物２：特開平８−７８１９３号公報（特許異議申立人の提出した甲第１号証）には、それぞれ次の事項が記載されている。
（１）刊行物１
ａ．「本発明の静電チャックは、基盤と、基盤上面に広がる電極と、電極を覆う誘電層と、を備えた静電チャックであって；上記電極の面積が該チャックの吸着面の面積の５０％以下であること」（第２欄第１６〜１９行）
ｂ．「高吸着力が得られるジョンセンラーベック型静電チャックを用いて、電極面積を吸着面の面積に比較して非常に小さくしても半導体ウェハを吸着できる静電チャックを提供し、その結果ウェハの脱離にかかる時間を小さくすることができる静電チャックを提供するものである。・・・本発明においては、上記電極を、吸着面に実質的に均一に分布する線状電極から構成できる。また、上記電極が、吸着面に実質的に均一に分布する格子状であることとしてよい。」（第２欄第２８〜３７行）
ｃ．「図１（Ｂ）を参照しつつ説明する。・・・電極３、３′は、・・・それぞれに接点６、６′においてリード線７、７′に接続されている。・・・そして、リード線７、７′は、それぞれ直流電源８、８′に接続されている。・・・図１（Ａ）に示すように、電極３、３′は、直角に交わる格子状とした。格子の線幅は０．５〜５mm、線間隔は１．５〜１５mmが好ましい。」（第３欄第１〜２０行）
ｄ．「静電チャックの誘電層は、酸化アルミニウムを主成分とし酸化チタン、酸化クロムを適当量添加して焼成したセラミックス製とし・・・電極はＷ製とし、基盤は誘電層と同一の素材とした。」（第３欄第２６行〜第４欄第１行）
　上記摘記事項ａないしｄ、並びに図１（Ａ），（Ｂ）の記載からみて、刊行物１には、
「被吸着物を保持する吸着面を有する板状セラミック体中に、リード線７、７′に接点６、６′において接続され、タングステンの線材からなり、吸着面に実質的に均一に分布する格子状電極を埋設し、該格子状電極に直流電圧を印加してジョンソン・ラーベック力を発現させるようにした静電チャックであって、上記格子状電極の面積が吸着面の面積の５０％以下で、かつ、線幅は０．５〜５ｍｍであって線間隔が１．５〜１５ｍｍである静電チャック」の発明（以下、「刊行物１記載の発明」という。）が記載されていると認める。
（２）刊行物２
ａ．「本発明に係るプラズマ発生電極装置は、緻密質セラミックスからなる基体と、この基体中に埋設された電極とを備えており、この電極と基体のプラズマ発生側の表面との間に存在する電磁波透過層の厚さの最小値が０．１ｍｍ以上である」（第４欄第４〜８行）
ｂ．「電極の形態は、・・・導電性材料の繊維または小片が互いに分離しないように一体化された結合体からなる電極がある。電極の一方の側と他方の側とに連通している空間が設けられている電極を使用すると、一体焼結の際に、セラミックス粉末がこの空間内に回り込み、進入し、この空間内で緻密に焼結する。従って、電極から見て表面側（プラズマ発生側）と背面側との間でセラミックスの接合力が大きくなり、基体の強度が向上し、剥離が生じにくくなる。・・・導電性材料の繊維（線材を含む）または小片が互いに分離しないように一体化された結合体からなる電極としては、導電性繊維を編んで製造した網状物」（第８欄第１９〜４２行）
ｃ．「網状電極を構成する線材の幅方向断面形状は、円形の他、楕円形、長方形等、種々の圧延形状であってよい。」（第９欄第３３〜３５行）
ｄ．「本発明のプラズマ発生電極装置において、電極を高周波電源に対して接続するのと同時に、直流電源または交流パルス電源に対して接続することができ、この電極に対して静電力を生じさせてウエハーを電極に対して吸着させることができる。これによって、プラズマ発生電極装置を静電チャックとして機能させることができる。」（第９欄第４７行〜第１０欄第３行）
ｅ．「基体１の内部に、網状電極３からなる高周波電極９が埋設されている。・・・端子２が高周波電極９に接続されている。・・・電力供給用のケーブル５Ａの一端を端子２に接続し」（第１２欄第９〜２５行）
ｆ．「図６（ｃ）の網状電極３８Ｃにおいては、縦線３７Ｃと横線３６Ｃとが三次元的に交差するように編まれており、縦線３７Ｃも横線３６Ｃも、それぞれ波うっている。そして、網状電極３８Ｃは圧延加工されており、このため縦線および横線の外形が一点鎖線ＡとＢとに沿った形状となっている。」（第１２欄第４４〜５０行）
ｇ．「（実験１）図１〜図３に示すプラズマ発生電極装置を製造した。・・・金属モリブデンからなる網状電極３」（第１６欄第２８〜３６行）
ｈ．「（実験２）実験１と同様にしてプラズマ発生電極装置を作成した。ただし、網状電極３の線径と１インチ当たりの本数（番号）を、表２に示すように変更した。」（第１７欄第５０行〜第１８欄第３行）
　端子２は、電力供給用のケーブルに接続されていることから、給電端子２であるといえるので、上記摘記事項ａないしｈ、並びに図１ないし図３、図６、及び表２に記載された線径（mm）及び１インチ当たりの本数から換算した開口部の割合及び開口部の最短幅からみて、
「被吸着物を保持する吸着面を有する板状セラミック体中に、給電端子に接続され、金属モリブデンの線材からなる金網状電極を埋設し、該金網状電極が占める面積に対する開口部の割合が５０〜８０％に含まれ、かつ、各開口部の最短幅が０．２３ｍｍ以上に含まれる数値の静電チャックにおいて、上記金網状電極として線材を編組みしたあとに厚み方向に加圧して塑性変形させた金網を用いること」という技術的事項が記載されていると認める。
３　対比・判断
　本件発明と刊行物１記載の発明とを対比すると、後者の「タングステンの線材」は、前者の「周期律表第６ａ族元素の線材」に相当し、後者の「格子状電極」は、その限りにおいて、前者の「金網状電極」と共通し、また、前者の「金網状電極が占める面積」は、開口部を含めた全面積Ｓのことである（本件明細書の段落【００３２】参照。）ことから、後者の「電極の面積が吸着面の面積の５０％以下」は、前者の「電極が占める面積に対する開口部の割合が５０〜８０％」を含み、後者の「線幅が０．５〜５ｍｍであって、線間隔が１．５〜１５ｍｍ」は、前者の「各開口部の最短幅が０．２３ｍｍ以上」を含むことは明らかである。そして、後者の「リード線７、７′に接点６、６′において接続された電極」は、前者の「給電端子に接続された電極」と、「接続部に接続された電極」である限りにおいて共通している。
　そうすると、両者は、「被吸着物を保持する吸着面を有する板状セラミック体中に、接続部に接続され、周期律表第６ａ族元素の線材からなる格子状電極を埋設し、該格子状電極に直流電圧を印加してジョンソン・ラーベック力を発現させるようにした静電チャックであって、上記格子状電極が占める面積に対する開口部の割合が５０〜８０％で、かつ各開口部の最短幅が０．２３ｍｍ以上に含まれる数値の静電チャック」において一致し、以下の点で相違している。
［相違点１］：前者では、接続部がタングステン、モリブデン、ニッケル、または鉄−コバルト−ニッケル合金からなる給電端子であるのに対して、後者では、接続部である接点の構成が明らかでない点。
［相違点２］：前者は、格子状電極が金網状電極であって、線材を編組みしたあとに厚み方向に加圧して塑性変形させた金網を用いるのに対し、後者は、格子状電極がそのようなものかどうか不明である点。
　そこで、各相違点について検討すると、
　相違点１については、静電チャックの電極に接続した給電端子の材質をタングステンとすることは、本件出願前に周知である。（例えば、特開平５−１３５５８号公報、特開平１０−１５０１００号公報参照。）
　したがって、刊行物１記載の発明の接続部に上記周知のものを採用することにより、相違点１における本件発明の特定事項のようになすことは当業者であれば容易に想到し得たことである。
　相違点２については、刊行物２には、被吸着物を保持する吸着面を有する板状セラミック体中に、給電端子に接続され、金属モリブデンの線材からなる金網状電極を埋設し、該金網状電極が占める面積に対する開口部の割合が５０〜８０％に含まれ、かつ、各開口部の最短幅が０．２３ｍｍ以上に含まれる数値の静電チャックにおいて、上記金網状電極として線材を編組みしたあとに厚み方向に加圧して塑性変形させた金網を用いることが記載されている。
　そして、刊行物１記載の発明と刊行物２記載のものとは、周期律表第６ａ族元素の線材からなる格子状電極を用いた静電チャックという同一の技術分野に属することから、刊行物１記載の格子状電極として刊行物２に記載された線材を編組みしたあとに厚み方向に加圧して塑性変形させた金網を用い、相違点２における本件発明の特定事項のようになすことは当業者であれば容易に想到し得たことである。
　また、本件発明の奏する効果も、刊行物１記載の発明、刊行物２に記載された技術的事項及び上記周知技術から当業者であれば予測できる程度のものであって格別なものでもない。
第４　むすび
　以上のとおりであるから、本件発明は、刊行物１に記載の発明、刊行物２に記載された技術的事項及び上記周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件請求項１に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。
　したがって、本件請求項１に係る特許は、特許法第１１３条第２号に該当し、取り消されるべきものである。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１６年７月６日（２００４．７．６）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
静電チャック
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】被吸着物を保持する吸着面を有する板状セラミック体中に、
タングステン、モリブデン、ニッケル、または鉄−コバルト−ニッケル合金からなる給電端子に接続され、周期律表第６ａ族元素または周期律表第４ａ族元素の高融点金属、これらの合金、またはＷＣ、ＭｏＣ、ＴｉＮの導電性セラミックスの一種の
、該金網状電極に直流電圧を印加してジョンソン・ラーベック力を発現させるようにした
であって
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の属する技術分野】
　本発明は、被吸着物を静電気力でもって吸着保持する静電チャックに関するものであり、特にＰＶＤ、プラズマＣＶＤ、光ＣＶＤ、スパッタリングなどの成膜工程やプラズマエチング、光エッチングなどのエッチング工程、あるいは露光工程、描画工程、洗浄工程、ダイシング工程、さらには上記各種処理工程へ被吸着物を送るための搬送等に好適なものである。
　【０００２】
　【従来の技術】
　従来、半導体装置の製造において、半導体ウエハへの露光処理や描画処理、さらにはＰＶＤ、ＣＶＤ、スパッタリングなどの成膜処理、洗浄処理、プラズマエッチングや光エッチングなどのエッチング処理、ダイシング処理あるいは各種処理工程への搬送時には、半導体ウエハを静電気力でもって吸着保持するセラミック製の静電チャックが使用されている。
　【０００３】
　図４（ａ）（ｂ）に一般的な静電チャック１１の構造を示すように、被吸着物である半導体ウエハＷと略同等の大きさを有する板状セラミック体１２をしたもので、この板状セラミック体１２の上面を半導体ウエハＷの吸着面１３とするとともに、その内部に外形状が上記吸着面１３と略同形状をした円形の内部電極１４を埋設したものがあった。なお、１５は板状セラミック体１２の下面に接合され、上記内部電極１４と電気的に接続された給電端子である。
　【０００４】
　そして、この静電チャック１１によって半導体ウエハＷを吸着固定するには、吸着面１３上に半導体ウエハＷを載置し、内部電極１４と半導体ウエハＷとの間に直流電圧を印加することにより、静電吸着力として誘電分極によるクーロン力や微少な漏れ電流によるジョンソン・ラーベック力を発現させ、吸着面１３上に半導体ウエハＷを吸着固定するようになっていた。
　【０００５】
　なお、図４（ａ）（ｂ）では基本的な構造の静電チャック１１を示したが、目的に応じて上記板状セラミック体１２中に抵抗発熱体を埋設してヒータ機能を持たせたものもあった。また、図４（ａ）（ｂ）に示す静電チャック１１の内部電極１４に対して直流電圧以外に高周波電力を加え、内部電極１４に静電吸着機能以外にプラズマ発生機能を持たせたものもあった。さらに、図４（ａ）（ｂ）では単極型の静電チャック１１を示したが、この他に板状セラミック体１２中に埋設する内部電極１４を２つ以上に分割し、それぞれの内部電極１４間に直流電圧を印加することで静電吸着力を発現させる双極型の静電チャックもあった。
　【０００６】
　ところで、図４（ａ）（ｂ）に示す静電チャック１１を製作するには、複数枚のセラミックグリーンシート間に内部電極１４となる導体膜を内蔵したグリーンシート積層体を焼成するか（特開昭６２−２６４６３８号公報参照）、あるいはセラミック粉末中に内部電極１４をなす金属板を埋設し、ホットプレスにて一体的に成形、焼成して、それぞれ内部電極１４を埋設した板状セラミック体１２を製作し、このようにして得られた板状セラミック体１２の一方の主面に研磨加工を施して吸着面１３を形成するとともに、他方の主面に給電端子１５を接合して内部電極１４と電気的に接続することによって製造されていた。
　【０００７】
　このうち積層技術により静電チャック１１を製作する方法は、複数枚のセラミックグリーンシートを積層する際に不可避的に圧力の不均一が生じ易く、静電チャック１１にとって重要な吸着面１３から内部電極１４間に存在するセラミック部の厚みを均一にすることが難しいといった課題があった。しかも、内部電極１４にプラズマ発生用の電極としての機能を持たせ、吸着面１３上に吸着固定した半導体ウエハＷに対して均一な密度のプラズマを発生させようとすると、１０μｍ以上の厚みが必要となるのであるが、積層技術による方法では１０μｍ以上の厚みを持った内部電極１４を板状セラミック体１２中に埋設することはできなかった。
　【０００８】
　これに対し、ホットプレス技術による静電チャック１１は、予め吸着面１３から内部電極１４間に存在するセラミック部を成形しておくことで、厚みを均一にすることができ、また、１０μｍ以上の厚みをもった内部電極１４を埋設することも可能であることから、静電チャック１１を比較的容易に製造できるといった利点がある。
　【０００９】
　ただし、ホットプレス技術により静電チャック１１を製作する場合、内部電極１４として平板状の金属板を用いると、セラミックスと金属との熱膨張差による剥離の恐れがあるため、内部電極１４には高融点金属からなるパンチングメタルや金網が用いられていた（特開平９−１３４９５１号公報参照）。
　【００１０】
　【発明が解決しようとする課題】
　ところが、内部電極１４にパンチングメタルを用いた静電チャック１１では、内部電極１４として用いられる高融点金属の硬度が高いために穴あけ加工が大変であり、加工コストも高くなるため実用的ではなかった。
　【００１１】
　一方、内部電極１４に金網を用いた静電チャック１１は、被吸着物である半導体ウエハＷに対し、内部電極１４をなす金網そのものの占める割合が少なくなり易く、十分な設計がなされていないと大きな静電吸着力が得られず、半導体ウエハＷを吸着面１３上で精度良く固定することができないといった問題があり、これまで金網からなる内部電極１４の最適な形状や形態について十分な検討がなされていなかった。
　【００１２】
　また、本件発明者は、静電吸着力を向上させるため、金網からなる内部電極１４の形状や形態について検討を進めていたところ、内部電極１４の形状や形態が通電を止めた時の残留吸着力を逃がすのにも大きな影響を与えることを知見した。即ち、半導体ウエハＷに対して内部電極１４をなす金網そのものの占める割合が少な過ぎると残留吸着力が残り易く、この残留吸着力が残ると半導体ウエハＷを吸着面１３より直ちに取り外すことができず、各種処理工程のスループットを縮めることができないため、生産効率を高めることができないといった課題があった。
　【００１３】
　しかも、金網が線材を編み目状に編み上げただけのものでは、交差する線材間に隙間ができて電気的導通が得られないことがあり、吸着面１３内において均一な静電吸着力やプラズマを発生させることができず、品質の安定した静電チャック１１を提供することができないといった課題もあった。
　【００１４】
　その為、このような静電チャック１１を例えば成膜処理やエッチング処理に用いると、半導体ウエハＷに発生する熱を十分に吸収しきれないこととなり、半導体ウエハＷへの成膜精度やエッチング精度が損なわれるといった課題があった。
　【００１５】
　【課題を解決するための手段】
　そこで、本発明は上記課題に鑑み、被吸着物を保持する吸着面を有する板状セラミック体中に、線材からなる金網状電極を埋設してなる静電チャックにおいて、上記金網状電極として線材の交点を接合した金網、又は線材を編組みしたあとに厚み方向に加圧して塑性変形させた金網を用いるとともに、上記金網状電極が占める面積に対する開口部の割合を５０〜８０％とし、かつ各開口部の最短幅を０．２３ｍｍ以上としたことを特徴とする。
　【００１６】
　【発明の実施の形態】
　以下、本発明の実施形態を、半導体装置の製造工程で用いる静電チャックを例にとって説明する。
　【００１７】
　図１（ａ）は本発明の静電チャック１の一例を示す一部を破断した斜視図、（ｂ）は（ａ）のＸ−Ｘ線断面図で、被吸着物である半導体ウエハＷと略同等の大きさを有する円盤状をした板状セラミック体２からなり、この板状セラミック体２の上面を半導体ウエハＷを保持する吸着面３とするとともに、板状セラミック体２の内部に図２に示すような外形状が円形をした格子状の金網状電極４を埋設したもので、この金網状電極４は板状セラミック体２の下面に接合された給電端子５と電気的に接続されている。
　【００１８】
　金網状電極４は、半導体ウエハＷを大きな静電吸着力でもって固定する観点から、その大きさを板状セラミック体２中に埋設することができる範囲でできるだけ大きくすることが好ましく、また、均一な静電吸着力や後述するように均一なプラズマを発生させるためには開口部４ａの大きさができる限り揃ったものを用いるとともに、金網状電極４を構成する各線材との交点が離れないように予め電気アーク溶接、スポット溶接、摩擦接合、メッキ法などの方法でもって接合しておくか、あるいは３次元的に絡み合うように織ったものを用いることが良い。
　【００１９】
　そして、この静電チャック１によって半導体ウエハＷを吸着固定するには、吸着面３上に半導体ウエハＷを載置し、金網状電極４と半導体ウエハＷとの間に直流電圧を印加して誘電分極によるクーロン力や微少な漏れ電流によるジョンソン・ラーベック力を発現させることによって、吸着面３上に半導体ウエハＷを吸着固定することができる。
　【００２０】
　また、図示していないが、金網状電極４に直流電圧以外に高周波電力を印加することによって、吸着面３上の半導体ウエハＷに対してプラズマを発生させる機能を設けることもできる。
　【００２１】
　ところで、静電チャック１の静電吸着力を高めかつ残留吸着力を速やかに逃がすためには、金網状電極４が占める面積に対する開口部４ａの割合（以下、開口率という）が重要である。
　【００２２】
　即ち、静電チャック１の静電吸着力は一般的に数１で示される。
　【００２３】
　【数１】
　　Ｆ＝Ｓ／２×εｏ×εｒ×（Ｖ／ｄ）
　　Ｆ；静電吸着力
　　Ｓ；金網状電極のみの面積
　　εｏ；真空の誘電率
　　εｒ；吸着面から金網状電極間に存在するセラミック部の誘電率
　　Ｖ；印加電圧
　　ｄ；吸着面から金網状電極間に存在するセラミック部の厚み
　【００２４】
　従って、この数１より静電吸着力を高めるには、
（１）金網状電極４の面積を大きくする
（２）印加電圧を大きくする
（３）吸着面３から金網状電極４間に存在するセラミック部の誘電率を大きくする
（４）吸着面３から金網状電極４間に存在するセラミック部の厚みを薄くするようにすれば良いのであるが、（３）は板状セラミック体２を形成する材質固有のものであり、（４）も板状セラミック体２の強度の観点から限界があり、いずれも静電吸着力を大きく向上させ得るものではない。また、（２）についても静電チャック１に使用される高電圧装置の電圧は最大でも１ｋＶ程度が通常であり、これ以上大きな高電圧装置を用いると感電等の危険性が高くなるとともに、装置が高額のものとなり、さらには吸着面３から金網状電極４間におけるセラミック部の耐電圧を超え、板状セラミック体２が絶縁破壊する恐れがあるなど、実用に適さない。
　【００２５】
　これに対し、（１）の金網状電極４の面積を大きくすることは設計上可能であり、静電吸着力を高めるのに有効な手段となる。
　【００２６】
　一方、金網状電極４への通電を止めると、金網状電極４上に溜まっていた電荷は瞬時に逃がすことがきるが、開口部４ａが位置する無電極部上に溜まった電荷は瞬時に逃がすことができず、残留吸着力として残るものと考えられ、特に、ジョンソン・ラーベック効果を利用する静電チャック１に発生し易い。その為、金網状電極４の面積を大きくすることは、残留吸着力の発生を抑えるのにも有効な手段となる。
　【００２７】
　そして、金網状電極４の面積を大きくするには、線材の径を大きくしたり、線材間の間隔を狭くすれば良く、いずれにおいても金網状電極４の開口率を調整することによって達成することができる。
　【００２８】
　そして、金網状電極４の開口率が８０％を越えると、金網状電極４の面積が小さくなり過ぎるため、十分な大きさの静電吸着力を発現させることができず、また、残留吸着力が残り易くなるため、半導体ウエハＷの離脱応答性が悪い。
　【００２９】
　ただし、金網状電極４の開口率が５０％よりも小さくなると、金網状電極４の面積が大きくなり過ぎるために、板状セラミック体２の曲げ強度や耐熱衝撃性が大幅に低下する。
　【００３０】
　従って、静電チャック１の強度や耐熱衝撃性を大幅に低下させることなく、静電吸着力を高めかつ残留吸着力を速やかに逃がすためには、金網状電極４の開口率を５０〜８０％とすることが重要である。
　【００３１】
　また、金網状電極４の開口率が５０〜８０％の範囲にあっても、各開口部４ａが狭すぎると、静電チャック１の耐熱衝撃性を低下させることになる。これは、金網状電極４を形成する線材と板状セラミック体２との界面には両者の反応生成物が１〜５０μｍの厚みで形成されており、この反応生成物が耐熱衝撃性を低下させるからであり、開口部４ａの幅が狭いと、その部分に熱応力が集中し易いからである。その為、金網状電極４に開口する各開口部４ａは、その最短幅Ｌを０．２３ｍｍ以上、好ましくは０．３ｍｍ以上とすることが良い。
　【００３２】
　なお、本発明において、金網状電極４が占める面積とは、開口部４ａを含めた全面積Ｓのことであり、金網状電極４の開口率及び各開口部４ａの最短幅Ｌは、それぞれＸ線によって板状セラミック体２中に埋設されている金網状電極４の輪郭を観察し、画像解析によって求めることができる。
　【００３３】
　一方、このような板状セラミック体２を形成する材質としては、アルミナ、窒化珪素、窒化アルミニウム、炭化硼素等を主成分とするセラミックスを用いることができる。これらの中でも窒化アルミニウムを主成分とするセラミックスは、他のセラミックスと比較して高い熱伝導率を有するとともに、腐食性の高いハロゲンガスやプラズマに対して優れた耐蝕性、耐プラズマ性を有することから板状セラミック体２の材質として好適である。特に、純度が９９．８％以上である高純度の窒化アルミニウムセラミックスは、焼結体中に粒界が殆どなく、耐プラズマ性に優れ、また、Ｙ２Ｏ３やＥｒなどの希土類酸化物を１〜９重量％の範囲で含有する窒化アルミニウムセラミックスは、熱伝導率が１００Ｗ／ｍｋ以上、高いものでは１５０Ｗ／ｍｋ以上、さらに高いものでは２００Ｗ／ｍｋ以上を有することから吸着面３に保持した半導体ウエハＷの均熱化をより一層高めることができる。
　【００３４】
　また、板状セラミック体２中に埋設する内部電極４の材質としては、タングステン（Ｗ）やモリブデン（Ｍｏ）など周期律表第６ａ族元素やＴｉなどの周期律表第４ａ族元素の高融点金属あるいはこれらの合金、さらにはＷＣ、ＭｏＣ、ＴｉＮなどの導電性セラミックスを用いることができる。これらの金属、合金、導電性セラミックスは板状セラミック体２を構成するセラミックスと同程度の熱膨張係数を有することから、製作時や発熱時における板状セラミック体２の反りや破損を防ぐことができ、高温に発熱させても断線することがない。
　【００３５】
　さらに、板状セラミック体２中の金網状電極４へ通電するための給電端子５としては、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニッケル（Ｎｉ）などの金属や鉄（Ｆｅ）−コバルト（Ｃｏ）−ニッケル（Ｎｉ）合金を用いることができ、特に耐酸化性が要求されるような時にはニッケル（Ｎｉ）あるいは鉄（Ｆｅ）−コバルト（Ｃｏ）−ニッケル（Ｎｉ）合金を用いれば良い。
　【００３６】
　なお、図１では基本的な構造を有する静電チャック１を例にとって説明したが、目的に応じて板状セラミック体２中に抵抗発熱体を埋設してヒータ機能を持たせても良い。また、図１では単極型の静電チャック１を示したが、この他に板状セラミック体２中に埋設する金網状電極４を２つ以上に分割し、各金網状電極４間に直流電圧を印加することで静電吸着力を発現させる双極型の静電チャック１とすることもできる。
　【００３７】
　さらに、金網状電極４としては、図２に示した開口部４ａの形が正方形をしたもの以外に、図３（ａ）に示すような開口部４ａが三角形をしたもの、図３（ｂ）に示すような開口部４ａが六角形をしたもの、図３（ｃ）に示すような開口部４ａが円形をしたもの、図３（ｄ）に示すような開口部４ａが楕円形をしたもの、図３（ｅ）に示すような開口部４ａが略菱形をしたものなど、開口部４ａの形に関係なく網状をしたものであれば金網状電極４として用いることができる。
　【００３８】
　金網状電極４を構成する線材としては、断面形状が円形をしたもの以外に、四角形や六角形など方形をしたものや楕円形をしたものを用いることができ、これらの断面形状を有する線材を用いることで交点での接触面積を増やし、導通不良をより低減することができる。ただし、前述した金網状電極４を形成する高融点金属やそれらの合金は一般に剛性が高く、加工が難しいため、例えば、断面形状が円形をした線材を編組みしたあとに、厚み方向に加圧して塑性変形させることによって交点のみを断面形状が楕円形あるいは平板状にしても良い。
　【００３９】
　次に、図１に示す静電チャック１の製造方法について説明する。
　【００４０】
　まず、前述した各種セラミックスの造粒粉を用意し、型内に充填して一軸加圧成型法や等加圧成型法にて板状の成形体を形成する。そして、この成形体上に図２に示す金網状電極４を載せたあと、電極４を覆うように成形体と同一原料からなる造粒粉を充填し、再度一軸加圧成型法又は等加圧成型法にて金網状電極４を埋設した成形体を形成する。この時、必要に応じて切削加工を施しても良い。しかるのち、成形体を焼結させることができる温度にて焼成することで、金網状電極４を埋設した板状セラミック体２を製作し、この一方の主面に研磨加工を施して吸着面３を形成するとともに、他方の主面に金網状電極４まで連通する穴を穿孔し、その穴に給電端子５をロウ付け等の固定手段でもって固着することによって得ことができる。
　【００４１】
　【実施例】
　ここで、金網状電極４が占める面積に対する開口部４ａの割合（開口率）と、各開口部４の最短幅Ｌをそれぞれ異ならせた図１に示す静電チャック１を試作し、吸着力と残留吸着力、及び静電チャック１の曲げ強度と耐熱衝撃性について調べる実験を行った。
　【００４２】
　本実験では、純度９９．９％の窒化アルミニウム粉末のみからなる成形体中に、開口率と開口部４ａの最短幅Ｌを異ならせたモリブデンからなる図２に示す金網状電極４を埋設し、この成形体をホツトプレス焼結させて窒化アルミニウムセラミック製の板状セラミック体２を製作した。なお、ホットプレスの条件は、焼成温度を１９１０℃、圧力を２００ｋｇ／ｃｍ２とした。
　【００４３】
　そして、この板状セラミック体２の上面に研削、研磨加工を施して吸着面３を形成するとともに、板状セラミック体２の下面に金網状電極４が埋設された深さまで穴を穿孔し、金属製端子５を金網状電極４とロウ付けして静電チャック１を製作した。
　【００４４】
　なお、板状セラミック体２を形成する窒化アルミニウムセラミックスの特性について調べたところ、相対密度９９％、曲げ強度４００ＭＰａ、常温での体積固有抵抗値１×１０１１Ωｃｍ、２００℃での体積固有抵抗値２×１０８Ωｃｍであった。
　【００４５】
　そして、このようにして製作した各静電チャック１を真空チヤンバー内に設置し、２００℃まで加熱した状態で、１インチ角のシリコンウエハを静電チャック１の吸着面３に載せ、シリコンウエハと金網状電極４との間に５００Ｖの直流電圧を印加して吸着させた時の吸着力を１０点測定し、これらの平均値を吸着力とした。
　【００４６】
　また、金網状電極４への通電を止めてから５秒後の吸着力を１０点測定し、これらの平均値を残留吸着力とした。
　【００４７】
　また、耐熱衝撃性を評価するために、常温から３０℃／分の昇温速度で４００℃まで加熱したあと冷却し、蛍光探傷によって板状セラミック体２の割れの有無を観察した。
　【００４８】
　さらに、板状セラミックス体２から、厚み方向が長さとなるように３×４の断面を持つテストピースを切り出し、＃１５０のダイヤモンドホイールにて研磨後、４点曲げ強度を測定した。
　【００４９】
　それぞれの結果を表１に示す。
　【００５０】
　【表１】
　【００５１】
　この結果、吸着力は、金網状電極４の開口率を８０％以下とすることで急激に向上するとともに、残留吸着力を殆ど無くすことができることが判る。ただし、金網状電極４の開口率が５０％未満では、板状セラミック体２の曲げ強度が２００ＭＰａ以下にまで低下するとともに、昇温時に板状セラミック体２に割れが発生するものがあった。
　【００５２】
　よって、金網状電極４の開口率を５０〜８０％とすることで、大きな吸着力が得られるとともに、残留吸着力が殆どなく、曲げ強度や耐熱衝撃性の劣化の少ない静電チャック１とできることが判る。
　【００５３】
　（実施例２）次に、実施例１と同様の条件にて、開口率は５０〜８０％とし、各開口部４ａの最短幅Ｌを異ならせた金網状電極４を埋設した静電チャック１を試作し、吸着力、残留吸着力、曲げ強度、耐熱衝撃性について調べる実験を行った。
　【００５４】
　それぞれの結果は表２に示す通りである。
　【００５５】
　【表２】
　【００５６】
　この結果、金網状電極４の開口率は５０〜８０％の範囲にあるため、吸着力や残留吸着力には顕著な差は見られなかったものの、開口部４ａの最短径Ｌが０．２３ｍｍ未満では昇温時に板状セラミック体２に割れが発生するものがあった。これに対し、金網状電極４の各開口部４ａの最短径Ｌが０．２３ｍｍ以上のものは、昇温時においても板状セラミック体２に割れは見られなかった。
　【００５７】
　以上の結果より、金網状電極４の開口率を５０〜８０％とするとともに、金網状電極４の各開口部４ａの最短径Ｌを０．２３ｍｍ以上とすることで、静電チャック１の強度や耐熱衝撃性を大幅に低下させることなく、静電吸着力を高めかつ残留吸着力を速やかに逃がすことができることが判る。
　【００５８】
　以上のように、本発明によれば、被吸着物を保持する吸着面を有する板状セラミック体中に、線材からなる金網状電極を埋設してなる静電チャックにおいて、上記金網状電極として線材の交点を接合した金網、又は線材を編組みしたあとに厚み方向に加圧して塑性変形させた金網を用いるとともに、上記金網状電極が占める面積に対する開口部の割合を５０〜８０％とし、かつ各開口部の最短幅を０．２３ｍｍ以上としたことによって、曲げ強度や耐熱衝撃性を大きく劣化させることなく、大きな吸着力を安定して発現させることができるため、被吸着物を吸着面に倣って高精度に保持することができるとともに、残留吸着力が残り難いことから、通電を止めれば吸着面より直ちに被吸着物を離脱することができる。
　【００５９】
　かくして、本発明の静電チャックを、成膜装置やエッチング装置に用いれば、均一で配向性の高い成膜処理やエッチング処理を施すことができる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】　（ａ）は本発明の静電チャックの一例を示す一部を破断した斜視図、（ｂ）は（ａ）のＸ−Ｘ線断面図である。
　【図２】　図１の静電チャックに内蔵する金網状電極を示す平面図である。
　【図３】　（ａ）〜（ｅ）はさまざまな金網状電極を示す平面図である。
　【図４】　（ａ）は従来の静電チャックの一例を示す一部を破断した斜視図、（ｂ）は（ａ）のＹ−Ｙ線断面図である。
　【符号の説明】
　１，１１・・・静電チャック
　２，１２・・・板状セラミック体
　３，１３・・・吸着面
　４・・・金網状電極
　５，１５・・・給電端子
　１４・・・内部電極
　Ｗ・・・半導体ウエハ