【事件の表示】
　特許第３２５８２０６号「軟磁気特性に優れた急冷金属薄帯およびその製造方法」の請求項１ないし９に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３２５８２０６号の請求項１ないし２に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
　本件特許第３２５８２０６号の請求項１乃至９に係る発明についての出願は、平成７年７月２５日に特許出願され、平成１３年１２月７日にその特許権の設定登録がなされたものである。
　これに対して、ＪＦＥスチール株式会社より請求項１乃至９に係る発明についての特許に対し特許異議の申立てがなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内の平成１５年８月１２日付けで訂正請求がなされたものである。
２．訂正の適否
２−１．訂正の内容
　本件訂正請求の内容は、本件特許明細書を訂正請求書に添付された訂正明細書のとおり、すなわち次の訂正事項１乃至９のとおりに訂正するものである。
（１）訂正事項１：発明の名称「軟磁気特性に優れた急冷金属薄帯およびその製造方法」を、「軟磁気特性に優れた急冷金属薄帯の板厚設定方法」と訂正する。
（２）訂正事項２：請求項１、２、３、６、７、８及び９を削除する。
（３）訂正事項３：請求項４及び請求項５を次のとおりに訂正して、請求項の番号をそれぞれ請求項１及び請求項２と訂正する。
「【請求項１】
　合金組成が（ＦｅａＳｉｂＢｃ）１００−ｘＭｘで表わされ、不可避的不純物元素Ｍの含有量が、Ｘ重量％である場合、薄帯の板厚ｔ（μｍ）を、下記の式、
　　　　ｔ≦｛ｌｏｇ（Ａ／Ｘ）＋ＥＦ｝／ＤＦ
で設定することを特徴とする、５０Ｈｚ、１．３Ｔにおける鉄損が０．２Ｗ／ｋｇ以下、８０Ａ／ｍの磁場における磁束密度が１．４Ｔ以上である軟磁気特性に優れた急冷金属薄帯の板厚設定方法。
　ただし、ａ、ｂおよびｃは原子％で、
　　　　　７０％≦ａ≦８６％、１％≦ｂ≦１９％、
　　　　　７％≦ｃ≦２０％、ａ＋ｂ＋ｃ＝１００、
　Ａ，Ｄ，ＥおよびＦは、不可避的不純物元素Ｍの種類によって決まる定数で、
　　　　　Ｘ＞Ａ、　０．０００３≦Ａ≦０．１、
　　　　　０．０１５≦Ｄ≦０．０３、　２．５≦Ｅ≦３．５、
　　　　　０．３≦Ｆ≦１．６、
　不可避的不純物元素Ｍは、Ａｌ、Ｔｉ、Ｓ、ＭｎおよびＺｒのうち少なくとも１種である。
【請求項２】
　合金組成が（ＦｅａＳｉｂＢｃＣｄ）１００−ｘ Ｍｘで表わされ、不可避的不純物元素Ｍの含有量が、Ｘ重量％であることを特徴とする請求項１に記載の軟磁気特性に優れた急冷金属薄帯の板厚設定方法。
　ただし、ａ、ｂ、ｃおよびｄは原子％で、
　　　　　７０％≦ａ≦８６％、　１％≦ｂ≦１９％、
　　　　　７％≦ｃ≦２０％、　０％＜ｄ≦４％、　　
　　　　　ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００。」
（４）訂正事項４：本件明細書の段落【０００８】の「急冷金属薄帯およびその製造方法」を、「急冷金属薄帯の板厚設定方法」と訂正する。
（５）訂正事項５：本件明細書の段落【００１０】を、
「【課題を解決するための手段】
　本発明は、下記の事項をその要旨としている。
（１）合金組成が（ＦｅａＳｉｂＢｃ）１００−ｘＭｘで表わされ、不可避的不純物元素Ｍの含有量が、Ｘ重量％である場合、薄帯の板厚ｔ（μｍ）を、下記の式、
　　　　ｔ≦｛ｌｏｇ（Ａ／Ｘ）＋ＥＦ｝／ＤＦ
で設定することを特徴とする、５０Ｈｚ、１．３Ｔにおける鉄損が０．２Ｗ／ｋｇ以下、８０Ａ／ｍの磁場における磁束密度が１．４Ｔ以上である軟磁気特性に優れた急冷金属薄帯の板厚設定方法。
　ただし、ａ、ｂおよびｃは原子％で、
　　　　　７０％≦ａ≦８６％、１％≦ｂ≦１９％、
　　　　　７％≦ｃ≦２０％、ａ＋ｂ＋ｃ＝１００、
　Ａ，Ｄ，ＥおよびＦは、不可避的不純物元素Ｍの種類によって決まる定数で、
　　　　　Ｘ＞Ａ、　０．０００３≦Ａ≦０．１、
　　　　　０．０１５≦Ｄ≦０．０３、　２．５≦Ｅ≦３．５、
　　　　　０．３≦Ｆ≦１．６、
　不可避的不純物元素Ｍは、Ａｌ、Ｔｉ、Ｓ、ＭｎおよびＺｒのうち少なくとも１種である。」と訂正する。
（６）訂正事項６：本件明細書の段落【００１１】乃至段落【００１３】を削除する。
（７）訂正事項７：本件明細書の段落番号【００１４】を段落番号【００１１】と訂正すると共に、その記載中の「（５）」を「（２）」と、「前項（４）」を「前項（１）」とそれぞれ訂正する。
（８）訂正事項８：本件明細書の段落【００１５】乃至段落【００１８】を削除する。
（９）訂正事項９：本件明細書の段落番号【００１９】乃至【００６３】を、それぞれ段落番号【００１２】乃至【００５６】と訂正する。
２−２．訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　訂正事項１は、発明の名称の訂正である。また訂正事項２は、請求項の削除であるから、特許請求の範囲の減縮に該当する。さらに訂正事項３は、旧請求項４及び５の記載内容を旧請求項６に記載の不可避的不純物元素Ｍで限定すると共に、請求項の番号をそれぞれ請求項１及び２に繰り上げる等整理するものであるから、特許請求の範囲の減縮及び明りょうでない記載の釈明に該当する。訂正事項４乃至９は、いずれも特許請求の範囲の減縮に伴って明細書の記載を請求項１及び２の記載内容と整合させるためのものであるから、明りょうでない記載の釈明に該当する。そして、上記訂正事項１乃至９は、願書に添付した明細書に記載した事項の範囲内においてなされたものであるから、いずれも新規事項の追加に該当せず、また実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
２−３．まとめ
　したがって、上記訂正は、特許法第１２０条の４第２項及び同条第３項において準用する特許法第１２６条第２項乃至第４項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
３．本件訂正発明
　本件訂正発明は、上記訂正を認容することができるから、訂正後の特許請求の範囲に記載された請求項１及び２に記載された事項により特定される上記２−１．（３）訂正事項３に示すとおりのものである（以下、それぞれ「本件訂正発明１及び２」という）。
４．特許異議申立てについて
４−１．特許異議申立ての理由の概要
　特許異議申立人は、証拠方法として、甲第１号証及び甲第２号証を提出して、次のとおり主張している。
（イ）訂正前の本件請求項１乃至請求項９に係る発明は、当業者がその実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載されていないから、これら発明についての特許は、特許法第３６条第４項の規定に違反してなされたものである。
（ロ）訂正前の本件請求項１、３、７及び９に係る発明はいずれも、甲第１号証に記載された発明であるか、甲第１号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、これら発明についての特許は、特許法第２９条第１項第３号又は同条第２項の規定に違反してなされたものである。
（ハ）訂正前の本件請求項２及び８に係る発明はいずれも、甲第１号証及び甲第２号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、これら発明についての特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものである。
４−２．当審の判断
（１）上記（イ）の主張について
　特許異議申立人の上記（イ）の主張は、具体的には概ね次のとおりである。
（ｉ）請求項１乃至９のうち、請求項３、６及び９以外の請求項では、不純物の種類が特定されていないから、どのような不純物の場合にＡ、Ｄ、Ｅ、Ｆの値をその設定範囲内からどのように決定するのか不明である。
（ｉｉ）不純物元素が請求項３、６及び９に記載の元素に特定された場合でも、実施例や図５乃至１０に記載のＡ、Ｄ、Ｅ、Ｆの値は、急冷金属薄帯の基本成分であるＦｅ、Ｓｉ、Ｂ及びＣの値がそれぞれの実施例に示された特定の値の場合にのみ有効なだけにすぎず、これら基本成分の量が変わればそれに応じて各定数の適正値も変化すると考えられる。
　しかるに本件特許明細書にはこのような場合に各定数をどのように設定すればよいか何ら言及されていないから、当業者が容易に発明を実施することができる程度に明確に発明が記載されているとは云えない。
　そこで、これら主張について検討すると、上記（ｉ）の主張については、上記訂正により、請求項１及び２に「不可避的不純物元素Ｍは、Ａｌ、Ｔｉ、Ｓ、ＭｎおよびＺｒのうち少なくとも１種である。」という特定事項が追加されたから解消されたと云える。
　また、上記（ｉｉ）の主張については、要するところ基本成分のＦｅ、Ｓｉ、Ｂ及びＣの具体的な値が変われば不純物元素Ｍによって決まる各定数の値をどのように設定すればよいか判らないというものであるが、本件特許明細書には、不純物元素Ｍによって決まるＡ、Ｄ、Ｅ及びＦ各定数についてそれぞれの数値範囲が規制されており、しかもその範囲内の具体的な数値もＡｌ、Ｔｉ、Ｓ、ＭｎおよびＺｒのそれぞれの実施例として明確に記載されているから、Ａ、Ｄ、Ｅ及びＦの各定数を決定するための指標となるような内容が記載されていることは明らかである。また、本件発明では、Ａ、Ｄ、Ｅ及びＦの各定数や不純物元素量Ｘによって求められる板厚ｔは、「５０Ｈｚ、１．３Ｔにおける鉄損が０．２Ｗ／ｋｇ以下、８０Ａ／ｍの磁場における磁束密度が１．４Ｔ以上」という軟磁気特性を発現させるためのものであるから、この軟磁性特性の達成の是非等を目安としてＡ、Ｄ、Ｅ及びＦの数値の是非をチェックすることができることも明らかである。
　してみると、本件発明の急冷金属薄帯の基本的な成分の数値をその条件の範囲内で変えた場合でも、当業者ならば本件特許明細書の上記のような記載に基づいて容易にＡ、Ｄ、Ｅ及びＦ各定数を決定することができると云うべきであるから、特許異議申立人の上記（ｉｉ）も採用することができない。
（２）上記（ロ）及び（ハ）の主張について
　これら主張は、その主張の対象である請求項１乃至３、７乃至９が上記訂正によりすべて削除されたから解消されたと云える。
５．むすび
　以上のとおり、特許異議申立ての理由及び証拠方法によっては、本件訂正発明１及び２についての特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件訂正発明１及び２についての特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、上記のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１５年１２月１０日（２００３．１２．１０）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
軟磁気特性に優れた急冷金属薄帯の板厚設定方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】
　合金組成が（ＦｅａＳｉｂＢｃ）１００−ｘＭｘで表わされ、不可避的不純物元素Ｍの含有量が、Ｘ重量％である場合、薄帯の板厚ｔ（μｍ）を、下記の式、
　　ｔ≦｛ｌｏｇ（Ａ／Ｘ）＋ＥＦ｝／ＤＦ
で設定することを特徴とする、５０Ｈｚ、１．３Ｔにおける鉄損が０．２Ｗ／ｋｇ以下、８０Ａ／ｍの磁場における磁束密度が１．４Ｔ以上である軟磁気特性に優れた急冷金属薄帯の板厚設定方法。
　ただし、ａ、ｂおよびｃは原子％で、
　　７０％≦ａ≦８６％、１％≦ｂ≦１９％、
　　７％≦ｃ≦２０％、ａ＋ｂ＋ｃ＝１００
、
　Ａ，Ｄ，ＥおよびＦは、不可避的不純物元素Ｍの種類によって決まる定数で、
　　Ｘ＞Ａ、　０．０００３≦Ａ≦０．１、
　　０．０１５≦Ｄ≦０．０３、　２．５≦Ｅ≦３．５
、
　　０．３≦Ｆ≦１．６
、
　
不可避的不純物元素ＭはＡｌ、Ｔｉ、Ｓ、ＭｎおよびＺｒのうち少なくとも１種である。
　【請求項２】
　合金組成が（ＦｅａＳｉｂＢｃＣｄ）１００−ｘＭｘで表わされ、不可避的不純物元素Ｍの含有量が、Ｘ重量％であることを特徴とする請求項
１
　ただし、ａ、ｂ、ｃおよびｄは原子％で、
　　７０％≦ａ≦８６％、　１％≦ｂ≦１９％、
　　７％≦ｃ≦２０％、　０％＜ｄ≦４％、
　　ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の属する技術分野】
　本発明は、溶融状態にある合金に対して相対的に移動している冷却基板の表面上で、該合金を急冷凝固させることによって、製造する軟磁気特性に優れた急冷金属薄帯に関する。
　【０００２】
　本発明の急冷薄帯の用途は、トランス用コア材料であり、特に５０Ｈｚ、１．３Ｔで使用される電力用トランスに供される。その他数１０ＫＨｚで使用する高周波用コア材、例えばインダクタ素子、ノイズフィルターへも適用される。
　【０００３】
　【従来の技術】
　合金を溶融状態から急冷することによって、連続的に薄帯を製造する方法として遠心急冷法、単ロール法、双ロール法、等が知られている。これらの方法は、高速回転する金属製ドラムの内周面または外周面に溶融金属をオリフィス等から噴出させることによって、急速に溶融金属を凝固させて薄帯や線を製造するものである。さらに、合金組成を適正に選ぶことによって、液体金属に類似した非晶質合金を得ることができる。
　【０００４】
　非晶質合金は、特徴ある性質を持っているために実用的に注目されており、一部については、既に、実用化されている。しかし、急冷凝固法によって非晶質合金薄帯を製造する場合、合金素材となる原料等から混入する不可避的不純物元素が薄帯の磁気特性あるいは機械的特性を劣化させることが問題となっている。これらの特性劣化を防止するために、従来から、合金素材に含まれる不純物濃度を下げることが行われていた。
　例えば、特開昭５９−１６９４７号公報では、ＳおよびＰの含有量を低減させた薄帯の製造方法を開示している。すなわち、ここでは、Ｓ含有量を０．０２重量％以下、Ｐ含有量を０．０１５重量％以下に制限することによって、薄帯の特性劣化を抑制している。また、特公平３−６８１０８号公報では不純物元素の総量を約０．２原子％を越えないように規定している。
　【０００５】
　特定の不可避的不純物元素については、これらを無害化する技術が既に開発されている。例えば、特開平４−３２９８４６号公報では、０．０１重量％以上のＡｌ、Ｔｉ、Ｚｒの少なくとも一種を不純物として含む場合に０．１〜１．０重量％のＳｎあるいは０．０１〜０．０５重量％のＳのいずれか１種または２種を添加する方法が開示されている。特開平５−２９１０１９号公報では、同様に０．０１重量％以上のＡｌ、Ｔｉ、Ｚｒの少なくとも一種を不純物として含む場合に０．１〜１．５重量％のＣｕを添加する方法が開示されている。
　【０００６】
　しかし、素材原料に含まれている不可避的不純物元素は必ずしも常に特定の元素が同じ量だけ含まれていることは現実的に有り得なく、元素の種類およびそれらの量は常に変動している。特に、価格が低い素材程、そこに含まれる不純物元素の数と含有量が多くなり、それらの変動も大きくなってくる。このように不純物元素量に変動があるために、予め素材中に含まれる不純物元素および量を分析し、それらが規定値以下の素材のみを非晶質合金の原料として使用することが従来から行われている。この際、対象となる元素は、前記したように、非晶質合金の特性を劣化させる元素として既に判明しているもののみであり、その他の元素については可能な限り低くするという曖昧な指針のみである。
　【０００７】
　【発明が解決しようとする課題】
　従来は、合金素材に含まれる不純物元素に関して、無害化できるある特定の不純物元素以外の元素は、可能な限りそれらの含有量を低く抑えてきた。したがって、使用できる合金素材は比較的高純度のものに限られていた。
　【０００８】
　本発明は、高純度なものから不純物が多く含まれる比較的低純度な合金素材までの広範囲の素材を使用できるようにするために、不純物量に応じて、薄帯の板厚、あるいは、合金溶湯から薄帯を鋳造する時の薄帯の冷却速度を、所定の値に規定した軟磁気特性に優れた急冷金属薄帯
の板厚設定方法
　【０００９】
　本発明の急冷金属薄帯は、５０Ｈｚ、１．３Ｔにおける鉄損が０．２Ｗ／ｋｇ以下、８０Ａ／ｍの磁場における磁束密度が１．４Ｔ以上である軟磁気特性を有することを条件としている。これは電力用トランスの用途に供する場合には発熱によるエネルギーロスが大きいためこの程度の特性を必要とするからである。
　【００１０】
　【課題を解決するための手段】
本発明は、下記の事項をその要旨としている。
（１）　合金組成が（ＦｅａＳｉｂＢｃ）１００−ｘＭｘで表わされ、不可避的不純物元素Ｍの含有量が、Ｘ重量％である場合、薄帯の板厚ｔ（μｍ）を、下記の式、
　　ｔ≦｛ｌｏｇ（Ａ／Ｘ）＋ＥＦ｝／ＤＦ
で設定することを特徴とする、５０Ｈｚ、１．３Ｔにおける鉄損が０．２Ｗ／ｋｇ以下、８０Ａ／ｍの磁場における磁束密度が１．４Ｔ以上である軟磁気特性に優れた急冷金属薄帯の板厚設定方法。
　ただし、ａ、ｂおよびｃは原子％で、
　　７０％≦ａ≦８６％、１％≦ｂ≦１９％、
　　７％≦ｃ≦２０％、ａ＋ｂ＋ｃ＝１００
、
　Ａ，Ｄ，ＥおよびＦは、不可避的不純物元素Ｍの種類によって決まる定数で、
　　Ｘ＞Ａ、　０．０００３≦Ａ≦０．１、
　　０．０１５≦Ｄ≦０．０３、　２．５≦Ｅ≦３．５
、
　　０．３≦Ｆ≦１．６
、
　
不可避的不純物元素Ｍは、Ａｌ、Ｔｉ、Ｓ、ＭｎおよびＺｒのうち少なくとも１種である。
　【００１１】
（２）　合金組成が（ＦｅａＳｉｂＢｃＣｄ）１００−ｘＭｘで表わされ、不可避的不純物元素Ｍの含有量が、Ｘ重量％であることを特徴とする前項（
１
　ただし、ａ、ｂ、ｃおよびｄは原子％で、
　　７０％≦ａ≦８６％、　１％≦ｂ≦１９％、
　　７％≦ｃ≦２０％、　０％＜ｄ≦４％、
　　ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００。
　【００１２】
　以下、本発明を詳細に説明する。本発明の特徴は、不可避的不純物元素を含んでいる合金溶湯を単ロール、等の冷却基板の上に噴出して薄帯を製造する場合に、不純物量に応じて薄帯の板厚、あるいは薄帯の冷却速度を所定の値に規定することによって、それらの合金薄帯が発現し得る優れた軟磁気特性値を引き出すことにある。
　【００１３】
　本発明者らは、種々の不純物を含む合金素材を用いて種々の板厚の薄帯を作製し、それらの軟磁気特性を調べた。これらのデータを不純物量と板厚の関係で整理してマップ化した結果、ある一定の特性値を発現する薄帯の点を結んでいくと、板厚ｔは不純物量Ｘの関数として表せることを新規に見い出した。両者の関係を模式的に示すと、図１の如くになる。
　【００１４】
　図１中の実線は、例えば鉄損がＷ１とＷ２（ただし、Ｗ１＞Ｗ２）となる線である。すなわち、不純物量Ｘ１を含む合金素材を使用する場合に、薄帯の板厚をｔ１の値に規定すれば鉄損がＷ１の薄帯が得られる。さらに低い鉄損を得るためには薄帯厚をｔ２（＜ｔ１）にすればよく、この場合Ｗ２の鉄損を持つ薄帯が得られる。
　【００１５】
　本発明者らは、合金素材から混入する不可避的不純物元素について、
　合金組成が（ＦｅａＳｉｂＢｃ）１００−ｘＭｘ、ただし、Ｍは不純物元素であり重量％でＸ含有しており、ａ、ｂ、およびｃは原子％で７０≦ａ≦８６、１≦ｂ≦１９、７≦ｃ≦２０、かつ、ａ＋ｂ＋ｃ＝１００である系、および
　合金組成が（ＦｅａＳｉｂＢｃＣｄ）１００−ｘＭｘ、ただし、Ｍは不純物元素であり重量％でＸ含有しており、ａ、ｂ、ｃおよびｄは原子％で７０≦ａ≦８６、１≦ｂ≦１９、７≦ｃ≦２０、０＜ｄ≦４、かつ、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００である系で調べた。その結果、図１に示した実線は、
　　ｔ＝｛ｌｏｇ（Ａ／Ｘ）＋ＥＦ｝／ＤＦ　……　（１）
で表示できることを突き止めた。
　【００１６】
　さらに、５０Ｈｚ、１．３Ｔにおける鉄損を０．２Ｗ／ｋｇ以下、８０Ａ／ｍの磁場で１．４Ｔ以上の磁束密度を有する軟磁気特性に優れた急冷金属薄帯を得るためには
　　ｔ≦｛ｌｏｇ（Ａ／Ｘ）＋ＥＦ｝／ＤＦ　……　（２）
ただし、Ｘ＞Ａ、０．０００３≦Ａ≦０．１、０．０１５≦Ｄ≦０．０３、２．５≦Ｅ≦３．５、０．３≦Ｆ≦１．６を満たす条件で薄帯を製造すれば良いことを突き止め、本発明に至ったものである。式（２）を満たす範囲を模式的に図示すれば、例えば、図２の斜線で示した領域になる。
　【００１７】
　ここで、急冷金属薄帯とは、体積％で少なくとも７０％以上が非晶質である場合を言う。なぜならば、非晶質が７０％より少ない場合には、優れた特性を維持できなくなるからである。
　【００１８】
　次に、合金組成の限定理由について述べる。ａが７０原子％より低い場合には、飽和磁束密度が１．５Ｔより低くなり実用的に好ましくない。また、ａが８６原子％超では、非晶質の形成が困難になって磁気特性が劣化する。したがって、原子％で７０％≦ａ≦８６％とした。
　【００１９】
　ＳｉおよびＢは、非晶質形成能および熱安定性を向上させる元素であり、Ｓｉが１原子％より低い場合、あるいは、Ｂが７原子％より低い場合には非晶質が安定に形成されないために磁気特性が劣化するのみならず薄帯の脆化も生じてしまう。また、Ｓｉが１９原子％超、あるいは、Ｂが２０原子％超の場合には、相対的にＦｅの含有量が減るために、８０Ａ／ｍの磁場で１．４Ｔ以上の磁束密度を得ることができなくなる。さらに、Ｓｉが１９原子％、Ｂが２０原子％を超えても原料コストが高くなるだけで、非晶質形成能および熱安定性の向上は認められない。したがって、１≦ｂ≦１９、７≦ｃ≦２０に限定した。
　【００２０】
　Ｃは、溶湯の鋳造性を向上させる。本発明においては、Ｃを含まない場合でも、不純物含有量Ｘと薄帯厚ｔが前記した関係を満たせば、本発明の効果を得ることができる。少しでも溶湯の鋳造性を向上させて磁気特性を上げるためには、Ｃを含有させた方が好ましい。しかし、Ｃが４原子％を超えると、熱安定性が低下してしまうので好ましくない。したがって、０＜ｄ≦４の範囲に限定することがより好ましい。
　【００２１】
　式（２）中のＡ、Ｄ、ＥおよびＦの値は、５０Ｈｚ、１．３Ｔにおける鉄損を０．２Ｗ／ｋｇ以下、８０Ａ／ｍの磁場で１．４Ｔ以上の磁束密度を有する薄帯を得るために設定した。Ａ、Ｅ、およびＦの値を大きくし、Ｄの値を小さくすると、同じ不純物量でも式（２）で規制される板厚ｔは大きくなる結果、薄帯の磁気特性が低い範囲までも含むことになる。Ａ＞０．１、Ｅ＞３．５、Ｆ＞１．６およびＤ＜０．０１５になると、前記の理由によって、５０Ｈｚ、１．３Ｔにおける鉄損が０．２Ｗ／ｋｇより大きく、８０Ａ／ｍの磁場での磁束密度が１．４Ｔより小さい範囲までも含んでしまう。
　反対に、Ａ、Ｅ、およびＦの値を小さくし、Ｄの値を大きくするとより優れた特性の薄帯の範囲を含むことになる。Ａ＜０．０００３、Ｅ＜２．５、Ｆ＜０．３およびＤ＞０．０３になると、薄帯特性がより優れたもののみに限定されるが、薄帯の板厚が薄くなるために薄帯の生産性が低下してしまう。したがって、０．０００３≦Ａ≦０．１、０．０１５≦Ｄ≦０．０３、２．５≦Ｅ≦３．５、０．３≦Ｆ≦１．６に限定した。
　【００２２】
　不純物量ＸがＡ以下になっても軟磁気特性の向上は認められないために、Ｘ＞Ａとした。不純物量Ｘが１０ｗｔ％を超えると鉄損および磁束密度が著しく劣化する。したがって、Ｘは１０ｗｔ％以下が望ましい。Ｘが３ｗｔ％以下であれば特性の制御がより容易になるために、さらに好ましい。Ｘの下限値は分析限界値である。
　【００２３】
　薄帯の板厚については、薄い方が渦電流損失が減少し、薄帯の軟磁気特性はより向上するが、１０μｍより薄くなると、均一な厚さの薄帯ができにくくなって歩留りが低下するために好ましくない。また、板厚が１２０μｍより大きな薄帯は、鋳造が不安定になって、歩留まりが低下するために好ましくない。したがって、薄帯厚さｔは１０μｍ以上１２０μｍ以下が好ましい。薄帯の幅が１０ｍｍより狭くなると生産性が低下する。したがって、薄帯幅は１０ｍｍ以上が好ましい。
　【００２４】
　さらに本発明者らは、種々の不純物を含む合金溶湯を急冷して薄帯を製造する際に、公知の方法を用いて合金の融点から４００℃における薄帯の平均の冷却速度Ｒ（℃／秒）を実測し、薄帯の軟磁気特性を調べた。これらの結果を不純物量と平均の冷却速度Ｒの関係でマップ化した結果、ある一定の特性値を発現する薄帯の点を結んでいくと平均の冷却速度Ｒは不純物量Ｘの関数として表せることを新規に見い出した。両者の関係を模式的に示すと、図３の如くなる。
　【００２５】
　図３中の実線は、例えば、鉄損がＷ３とＷ４（ただし、Ｗ３＞Ｗ４）となる線である。すなわち、不純物量Ｘ３を含む合金素材を使用する場合に、融点から４００℃までの薄帯の平均の冷却速度をＲ３の値に規定すれば鉄損がＷ３の薄帯が得られる。さらに低い鉄損を得るためには平均の冷却速度をＲ４（＞Ｒ３）にすればよく、この場合Ｗ４の鉄損を持つ薄帯が得られる。ここで、冷却速度の温度範囲の下限を４００℃に規定したのは、本発明で用いる合金組成では、ガラス化温度が４００℃より充分に高いため、４００℃まで急冷すれば非晶質相が安定化するからである。
　【００２６】
　本発明者らは、合金素材から混入する不可避的不純物元素について、
　合金組成が（ＦｅａＳｉｂＢｃ）１００−ｘＭｘ、ただし、Ｍは不純物元素であり重量％でＸ含有しており、ａ、ｂ、およびｃは原子％で７０≦ａ≦８６、１≦ｂ≦１９、７≦ｃ≦２０、かつ、ａ＋ｂ＋ｃ＝１００である系、および
　合金組成が（ＦｅａＳｉｂＢｃＣｄ）１００−ｘＭｘ、ただし、Ｍは不純物元素であり重量％でＸ含有しており、ａ、ｂ、ｃおよびｄは原子％で７０≦ａ≦８６、１≦ｂ≦１９、７≦ｃ≦２０、０＜ｄ≦４、かつ、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００である系で調べた。その結果、図３に示した実線は、
　　Ｒ／１０５＝（ｌｏｇＸ／Ａ）／Ｆ　……　（３）
で表示できることを突き止めた。さらに、５０Ｈｚ、１．３Ｔにおける鉄損が０．２Ｗ／ｋｇ以下、８０Ａ／ｍの磁場で１．４Ｔ以上の磁束密度を有する軟磁気特性に優れた急冷金属薄帯を得るためには
　　Ｒ／１０５≧（ｌｏｇＸ／Ａ）／Ｆ　……（４）
　ただし、Ｘ＞Ａ、０．０００３≦Ａ≦０．１、０．３≦Ｆ≦１．６を満たす条件で薄帯を製造すれば良いことを突き止め、本発明に至ったものである。
　式（４）を満たす範囲を模式的に図示すれば、例えば、図４の斜線で示した領域になる。
　【００２７】
　Ａ＞０．１、Ｆ＞１．６では冷却速度が低下するために５０Ｈｚ、１．３Ｔにおける鉄損が０．２Ｗ／ｋｇより大きく、８０Ａ／ｍの磁場での磁束密度が１．４Ｔより小さい範囲までも含んでしまう。反対に、Ａ＜０．０００３、Ｆ＜０．３にして冷却速度を大きくしても軟磁気特性の大きな向上は認められない。したがって、０．０００３≦Ａ≦０．１、０．３≦Ｆ≦１．６にした。ただし、不純物量ＸがＡより小さくなっても軟磁気特性の向上は認められないために、Ｘ＞Ａとした。
　冷却速度Ｒが１０３℃／秒以下になると、もはや優れた軟磁気特性は得られなくなる。したがって、冷却速度Ｒは、１０３℃／秒より大きくすることが望ましい。
　【００２８】
　不純物元素Ｍには、薄帯の軟磁気特性を劣化させるＡｌ、Ｔｉ、Ｓ、ＭｎおよびＺｒのうち少なくとも一種が含まれる。これらの不純物元素は薄帯の表層部、特に、冷却基板に接しない自由面側により多く偏析して薄帯特性を劣化させる。冷却速度を大きくすることによって、これらの不純物元素の表面偏析を低減させることができる。したがって、Ａｌ、Ｔｉ、Ｓ、ＭｎおよびＺｒの少なくとも一種以外の元素であっても表面偏析し易い元素であれば、それらが不純物として混入した場合に本発明を適用することができる。
　【００２９】
　薄帯の製造は、公知の単ロール法、等を用いて薄帯を製造することができ、薄帯の冷却速度は公知の熱電対型接触温度計あるいは放射型温度計を用いて測定することができる。
　【００３０】
　【実施例】
　以下、本発明を実施例に基づきさらに説明する。
実施例１
　組成が原子％で、Ｆｅ８０．５Ｓｉ６．５Ｂ１２Ｃ１の合金に重量％でＸ％の不純物元素であるＡｌを含有させた母合金、すなわち、（Ｆｅ８０．５Ｓｉ６．５Ｂ１２Ｃ１）１００−ｘＡｌｘで表示できる合金を用いて、種々の厚さの薄帯を単ロール法を用いて鋳造した。使用したノズルは、単一スリットノズル（幅０．３および０．４ｍｍ、長さ２５ｍｍ）、２重スリットノズル、３重スリットノズル、４重スリットノズル、５重スリットノズルおよび６重スリットノズル（幅０．４ｍｍ、長さ２５ｍｍ、スリット間隔＝１ｍｍ）である。
　それぞれのノズルから５００〜８００ｒｐｍで回転している直径５８０ｍｍのＣｕ製ロールの上に溶湯を噴射した。得られた薄帯は、幅約２５ｍｍ、板厚１０〜１２０μｍである。
　【００３１】
　鋳造中の薄帯の冷却速度を測定するために、接触式熱電対をノズル噴射口から下流側に３個設置して薄帯温度を実測した。熱電対の設置位置は可変できるようにしてある。融点から４００℃までの平均の冷却速度は３点の測温点から内挿して求めた冷却曲線を用いて求めた。
　【００３２】
　これらの薄帯を３６０℃で１時間磁場中で焼鈍した後、ＪＩＳ規格で定められた単板磁気特性測定装置（ＳＳＴ）で磁気特性を評価した。その結果を、図５（ａ）および図５（ｂ）に示す。
　【００３３】
　図５（ａ）の図中に示した実線は、５０Ｈｚ、１．３Ｔにおける鉄損が０．２Ｗ／ｋｇである測定点を結んだものであり、この実線は板厚ｔ（μｍ）とＡｌ含有量Ｘ（ｗｔ％）を用いて、ｔ＝｛ｌｏｇ（Ａ／Ｘ）＋ＥＦ｝／ＤＦを表すことができた。ただし、Ａ＝０．００１５、Ｄ＝０．０２３、Ｅ＝３．０８８、Ｆ＝０．４２５であった。図５（ａ）の斜線の範囲でのみ５０Ｈｚ、１．３Ｔにおける鉄損が０．２Ｗ／ｋｇ以下、８０Ａ／ｍの磁場における磁束密度が１．４Ｔ以上であった。
　【００３４】
　図５（ｂ）に示した実線は、５０Ｈｚ、１．３Ｔにおける鉄損が０．２Ｗ／ｋｇである測定点を結んだものである。この実線は冷却速度Ｒ（℃／秒）とＡｌ含有量Ｘを用いて、Ｒ／１０５＝（ｌｏｇＸ／Ａ）／Ｆで表すことができた。ただし、Ａ＝０．００１５、Ｆ＝０．４２５であった。図５（ｂ）の斜線の範囲でのみ５０Ｈｚ、１．３Ｔにおける鉄損が０．２Ｗ／ｋｇ以下、８０Ａ／ｍの磁場における磁束密度が１．４Ｔ以上であった。なお、図５（ａ）と図５（ｂ）の横軸におけるＡｌ含有量Ｘが０のところは、Ａｌの分析限界値を表す。
　【００３５】
　以上から、本発明にしたがって、Ａｌ含有量に応じて、薄帯の板厚あるいは鋳造時の冷却速度を制御すれば、５０Ｈｚ、１．３Ｔにおける鉄損が０．２Ｗ／ｋｇ以下、８０Ａ／ｍの磁場における磁束密度が１．４Ｔ以上である軟磁気特性に優れた急冷金属薄帯を得ることができる。
　【００３６】
　
実施例２
　組成が原子％で、Ｆｅ８０．５Ｓｉ６．５Ｂ１２Ｃ１の合金に重量％でＸ％の不純物元素であるＴｉを含有させた母合金、すなわち、（Ｆｅ８０．５Ｓｉ６．５Ｂ１２Ｃ１）１００−ｘＴｉｘで表示できる合金を用いて、実施例１と同様に種々の厚さの薄帯を単ロール法で鋳造し、薄帯の軟磁気特性を評価した。
　【００３７】
　図６（ａ）および図６（ｂ）には、板厚ｔ（μｍ）とＴｉ含有量Ｘ（ｗｔ％）および冷却速度Ｒ（℃／秒）とＴｉ含有量Ｘの関係において、５０Ｈｚ、１．３Ｔにおける鉄損が０．２Ｗ／ｋｇである点を結んで引いた線をそれぞれ示した。図６（ａ）の実線は、ｔ＝｛ｌｏｇ（Ａ／Ｘ）＋ＥＦ｝／ＤＦ、ただし、Ａ＝０．００１５、Ｄ＝０．０２３、Ｅ＝３．０８８、Ｆ＝０．３９７で表すことができた。また、図６（ｂ）の実線は、Ｒ／１０５＝（ｌｏｇＸ／Ａ）／Ｆ、ただし、Ａ＝０．００１５、Ｆ＝０．３９７、で表すことができた。
　【００３８】
　図６（ａ）および（ｂ）の斜線の範囲でのみ５０Ｈｚ、１．３Ｔにおける鉄損が０．２Ｗ／ｋｇ以下、８０Ａ／ｍの磁場における磁束密度が１．４Ｔ以上であった。なお、図６（ａ）と図６（ｂ）の横軸におけるＴｉ含有量Ｘが０のところは、Ｔｉの分析限界値を表す。
　【００３９】
　以上から、本発明にしたがって、Ｔｉ含有量に応じて、薄帯の板厚あるいは鋳造時の冷却速度を制御すれば、５０Ｈｚ、１．３Ｔにおける鉄損が０．２Ｗ／ｋｇ以下、８０Ａ／ｍの磁場における磁束密度が１．４Ｔ以上である軟磁気特性に優れた急冷金属薄帯を得ることができる。
　【００４０】
　
実施例３
　組成が原子％で、Ｆｅ８０．５Ｓｉ６．５Ｂ１２Ｃ１の合金に重量％でＸ％の不純物元素であるＳを含有させた母合金、すなわち、（Ｆｅ８０．５Ｓｉ６．５Ｂ１２Ｃ１）１００−ｘＳｘで表示できる合金を用いて、実施例１と同様に種々の厚さの薄帯を単ロール法で鋳造し、薄帯の軟磁気特性を評価した。
　【００４１】
　図７（ａ）および図７（ｂ）には、板厚ｔ（μｍ）とＳ含有量Ｘ（ｗｔ％）および冷却速度Ｒ（℃／秒）とＳ含有量Ｘの関係において、５０Ｈｚ、１．３Ｔにおける鉄損が０．２Ｗ／ｋｇである点を結んで引いた線をそれぞれ示した。図７（ａ）の実線は、ｔ＝｛ｌｏｇ（Ａ／Ｘ）＋ＥＦ／／ＤＦ、ただし、Ａ＝０．０００３、Ｄ＝０．０２３、Ｅ＝３．０８８、Ｆ＝１．５２２で表すことができた。また、図７（ｂ）の実線は、Ｒ／１０５＝（ｌｏｇＸ／Ａ）／Ｆ、ただし、Ａ＝０．０００３、Ｆ＝１．５２２、で表すことができた。
　【００４２】
　図７（ａ）および（ｂ）の斜線の範囲でのみ５０Ｈｚ、１．３Ｔにおける鉄損が０．２Ｗ／ｋｇ以下、８０Ａ／ｍの磁場における磁束密度が１．４Ｔ以上であった。なお、両図の横軸におけるＳ含有量Ｘが０のところは、Ｓの分析限界値を表す。
　【００４３】
　以上から、本発明にしたがって、Ｓ含有量に応じて、薄帯の板厚あるいは鋳造時の冷却速度を制御すれば、５０Ｈｚ、１．３Ｔにおける鉄損が０．２Ｗ／ｋｇ以下、８０Ａ／ｍの磁場における磁束密度が１．４Ｔ以上である軟磁気特性に優れた急冷金属薄帯を得ることができる。
　【００４４】
　
実施例４
　組成が原子％で、Ｆｅ８０．５Ｓｉ６．５Ｂ１２Ｃ１の合金に重量％で、Ｘ％の不純物元素であるＭｎを含有させた母合金、すなわち、（Ｆｅ８０．５Ｓｉ６．５Ｂ１２Ｃ１）１００−ｘＭｎｘで表示できる合金を用いて、実施例１と同様に種々の厚さの薄帯を単ロール法で鋳造し、薄帯の軟磁気特性を評価した。
　【００４５】
　図８（ａ）および図８（ｂ）には、板厚ｔ（μｍ）とＭｎ含有量Ｘ（ｗｔ％）および冷却速度Ｒ（℃／秒）とＭｎ含有量Ｘの関係において、５０Ｈｚ、１．３Ｔにおける鉄損が０．２Ｗ／ｋｇである点を結んで引いた線をそれぞれ示した。図８（ａ）の実線は、ｔ＝｛ｌｏｇ（Ａ／Ｘ）＋ＥＦ｝／ＤＦ、ただし、Ａ＝０．１０、Ｄ＝０．０２３、Ｅ＝３．０８８、Ｆ＝０．４８０で表すことができた。また、図８（ｂ）の実線は、Ｒ／１０５＝（ｌｏｇＸ／Ａ）／Ｆ、ただし、Ａ＝０．１０、Ｆ＝０．４８０、で表すことができた。
　【００４６】
　図８（ａ）および（ｂ）の斜線の範囲でのみ５０Ｈｚ、１．３Ｔにおける鉄損が０．２Ｗ／ｋｇ以下、８０Ａ／ｍの磁場における磁束密度が１．４Ｔ以上であった。なお、両図の横軸におけるＭｎ含有量Ｘが０のところは、Ｍｎの分析限界値を表す。
　【００４７】
　以上から、本発明にしたがって、Ｍｎ含有量に応じて、薄帯の板厚あるいは鋳造時の冷却速度を制御すれば、５０Ｈｚ、１．３Ｔにおける鉄損が０．２Ｗ／ｋｇ以下、８０Ａ／ｍの磁場における磁束密度が１．４Ｔ以上である軟磁気特性に優れた急冷金属薄帯を得ることができる。
　【００４８】
　
実施例５
　原子％で、Ｆｅ７９Ｓｉ７Ｂ１３Ｃ１の組成の合金に重量％で、Ｘ％の不純物元素であるＺｒを含有させた母合金、すなわち、（Ｆｅ７９Ｓｉ７Ｂ１３Ｃ１）１００−ｘＺｒｘで表示できる合金を用いて、実施例１と同様に種々の厚さの薄帯を単ロール法で鋳造し、薄帯の軟磁気特性を評価した。
　【００４９】
　図９（ａ）および図９（ｂ）には、板厚ｔ（μｍ）とＺｒ含有量Ｘ（ｗｔ％）および冷却速度Ｒ（℃／秒）とＺｒ含有量Ｘの関係において、５０Ｈｚ、１．３Ｔにおける鉄損が０．２Ｗ／ｋｇである点を結んで引いた線をそれぞれ示した。図９（ａ）の実線は、ｔ＝｛ｌｏｇ（Ａ／Ｘ）＋ＥＦ｝／ＤＦ、ただし、Ａ＝０．００１６、Ｄ＝０．０２３、Ｅ＝３．０８８、Ｆ＝０．４８０で表すことができた。また、図９（ｂ）の実線は、Ｒ／１０５＝（ｌｏｇＸ／Ａ）／Ｆ、ただし、Ａ＝０．００１６、Ｆ＝０．４８０、で表すことができた。
　【００５０】
　図９（ａ）および（ｂ）の斜線の範囲でのみ５０Ｈｚ、１．３Ｔにおける鉄損が０．２Ｗ／ｋｇ以下、８０Ａ／ｍの磁場における磁束密度が１．４Ｔ以上であった。なお、両図の横軸におけるＺｒ含有量Ｘが０のところは、Ｚｒの分析限界値を表す。
　【００５１】
　以上から、本発明にしたがって、Ｚｒ含有量に応じて、薄帯の板厚あるいは鋳造時の冷却速度を制御すれば、５０Ｈｚ、１．３Ｔにおける鉄損が０．２Ｗ／ｋｇ以下、８０Ａ／ｍの磁場における磁束密度が１．４Ｔ以上である軟磁気特性に優れた急冷金属薄帯を得ることができる。
　【００５２】
　
実施例６
　組成が原子％で、Ｆｅ８０．５Ｓｉ６．５Ｆ１２Ｃ１の合金に重量％で、Ｘ％の不純物元素であるＡｌとＴｉを含有させた母合金、すなわち、（Ｆｅ８０．５Ｓｉ６．５Ｆ１２Ｃ１）１００−ｘ（ＡｌＴｉ）ｘただし、ＡｌとＴｉの割合は重量％で６０対４０、で表示できる合金を用いて、実施例１と同様に種々の厚さの薄帯を単ロール法で鋳造し、薄帯の軟磁気特性を評価した。
　【００５３】
　図１０（ａ）および図１０（ｂ）には、板厚ｔ（μｍ）と（Ａｌ＋Ｔｉ）含有量Ｘ（ｗｔ％）および冷却速度Ｒ（℃／秒）と（Ａｌ＋Ｔｉ）含有量Ｘの関係において、５０Ｈｚ、１．３Ｔにおける鉄損が０．２Ｗ／ｋｇである点を結んで引いた線をそれぞれ示した。図１０（ａ）の実線は、ｔ＝｛ｌｏｇ（Ａ／Ｘ）＋ＥＦ｝／ＤＦ、ただし、Ａ＝０．００１５、Ｄ＝０．０２３、Ｅ＝３．０８８、Ｆ＝０．３８０で表すことができた。また、図１０（ｂ）の実線は、Ｒ／１０５＝（ｌｏｇＸ／Ａ）／Ｆ、ただし、Ａ＝０．００１５、Ｆ＝０．３８０、で表すことができた。
　【００５４】
　図１０（ａ）および（ｂ）の斜線の範囲でのみ５０Ｈｚ、１．３Ｔにおける鉄損が０．２Ｗ／ｋｇ以下、８０Ａ／ｍの磁場における磁束密度が１．４Ｔ以上であった。なお、両図の横軸における（Ａｌ＋Ｔｉ）含有量Ｘが０のところは、（Ａｌ＋Ｔｉ）の分析限界値を表す。
　【００５５】
　以上から、本発明にしたがって、（Ａｌ＋Ｔｉ）含有量に応じて、薄帯の板厚あるいは鋳造時の冷却速度を制御すれば、５０Ｈｚ、１．３Ｔにおける鉄損が０．２Ｗ／ｋｇ以下、８０Ａ／ｍの磁場における磁束密度が１．４Ｔ以上である軟磁気特性に優れた急冷金属薄帯を得ることができる。
　【００５６】
　【発明の効果】
　本発明に従って急冷金属薄帯を製造することによって、高純度な合金素材から不純物が多く含まれる比較的低純度な合金素材までの広範囲な素材を用いても、優れた軟磁気特性を持つ急冷金属薄帯を得ることができる。その結果、合金素材の有効活用が可能になるばかりでなく、薄帯の製造コストも低減させることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　不純物含有量と板厚の関係において、ある一定の鉄損値を示す模式図である。
　【図２】
　不純物含有量と板厚の関係において、ある一定の鉄損値以下の範囲を示す模式図である。
　【図３】
　不純物含有量と冷却速度の関係において、ある一定の鉄損値を示す模式図である。
　【図４】
　不純物含有量と冷却速度の関係において、ある一定の鉄損値以下の範囲を示す模式図である。
　【図５】
　本発明の範囲を、（ａ）Ａｌ含有量と板厚の関係および（ｂ）Ａｌ含有量と冷却速度の関係において示した図である。
　【図６】
　本発明の範囲を、（ａ）Ｔｉ含有量と板厚の関係および（ｂ）Ｔｉ含有量と冷却速度の関係において示した図である。
　【図７】
　本発明の範囲を、（ａ）Ｓ含有量と板厚の関係および（ｂ）Ｓ含有量と冷却速度の関係において示した図である。
　【図８】
　本発明の範囲を、（ａ）Ｍｎ含有量と板厚の関係および（ｂ）Ｍｎ含有量と冷却速度の関係において示した図である。
　【図９】
　本発明の範囲を、（ａ）Ｚｒ含有量と板厚の関係および（ｂ）Ｚｒ含有量と冷却速度の関係において示した図である。
　【図１０】
　本発明の範囲を、（ａ）（Ａｌ＋Ｔｉ）含有量と板厚の関係および（ｂ）（Ａｌ＋Ｔｉ）含有量と冷却速度の関係において示した図である。