【事件の表示】
　特許第３１４１９７５号「不純物添加シリコン単結晶の育成方法」の特許に対する特許異議の申立てについてした決定（平成１５年４月１８日付）に対し、高等裁判所において決定取消の判決（平成１５年（行ケ）第２４４号、平成１６年４月１５日言渡）があったので、更に審理の結果、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第３１４１９７５号の請求項１ないし２に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
　出願　　　　　　　　　　　　　　　　　　平成６年１月１１日
　設定登録　　　　　　　　　　　　　　　　平成１２年１２月２２日
　公報発行　　　　　　　　　　　　　　　　平成１３年３月７日
　特許異議申立　　　　　　　　　　　　　　平成１３年９月７日
　取消理由通知　　　　　　　　　　　　　　平成１４年３月２２日
　　　　　　　　　　　　　　　　　（発送日平成１４年４月５日）
　訂正請求　　　　　　　　　　　　　　　　平成１４年６月４日
　取消理由通知　　　　　　　　　　　　　　平成１４年１２月１６日
　　　　　　　　　　　　　　　　　（発送日平成１５年１月７日）
　訂正請求（先の訂正請求が取り下げ）　　　平成１５年３月１１日
　異議決定　　　　　　　　　　　　　　　　平成１５年４月１８日
　出訴（平成１５年（行ケ）第２４４号）　　平成１５年６月１１日
　訂正審判請求（２００３−３９２６５号）　平成１５年１２月１２日
　訂正審判審決　　　　　　　　　　　　　　平成１６年３月１７日
　判決　　　　　　　　　　　　　　　　　　平成１６年４月１５日
　
２．本件発明の認定
　本件請求項に係る発明は、訂正審判請求書に添付された明細書の請求項１及ないし２に記載された事項により特定された次のとおりのものである（以下「本件発明１」ないし「本件発明２」という）。
 「【請求項１】育成シリコン単結晶の電気的性質を制御する目的で、溶融原料に不純物を添加し、不純物を含まない種結晶を用いた場合に、当該種結晶との接合部で欠陥を生じさせる程度に高濃度にIII族元素またはＶ族元素である不純物が添加され大口径となっているシリコン単結晶をチョクラルスキー法（但し、液体封止引上げ法を除く）で育成するに際して、育成する単結晶と同程度に高濃度のIII族元素またはＶ族元素である不純物を含み、育成シリコン単結晶との格子不整合率が０．０１％以下とされた無転位単結晶の種結晶を用いることにより、種結晶と育成シリコン単結晶との接合部における欠陥の発生を抑制し、前記高濃度のIII族元素またはＶ族元素である不純物が添加された前記大口径のシリコン単結晶を無転位の状態で育成することを特徴とする不純物添加シリコン単結晶の育成方法。
【請求項２】前記III族元素はＢもしくはＧａであり、前記Ｖ族元素はＰもしくはＳｂである請求項１記載の不純物添加シリコン単結晶の育成方法。」
　
３．先の特許異議決定で引用された証拠の記載事項
　ア．引用文献１（特開昭６１−２６１２９７号公報）
　ア−１．「原料融液から種子結晶を用い、液体封止引き上げ法により単結晶を成長させる際に、前記の種子結晶として不純物を添加したものを用い、かつ前記の種子結晶と新たに成長した結晶の境界部における格子定数の不整合が２×１０−４以下であることを特徴とする化合物半導体単結晶の製造方法。」（特許請求の範囲）
　ア−２．「本発明は、引き上げ法によるＧａＡｓ，ＧａＰ，ＩｎＡｓ，ＩｎＰなどの化合物半導体単結晶の製造技術に関するもので、特に、無転位あるいは低転位密度結晶育成方法に係わるものである。」（第1頁左欄14〜17行）
　ア−３．「本発明においては所要量の混入不純物を含み硬化した種子を用いることにより、種子付けによる熱ショックによっても結晶中に転位を発生させないことが第１の特徴である。また種子結晶と成長結晶の格子定数の不整合を２×１０−４以下にすることにより、成長結晶中にミスフィット転位を発生させないことが本発明の第２の特徴である。」（第2頁左下欄末行〜右下欄7行）
　ア−４．「無添加無転位結晶及び結晶硬化効果を持つインジウム（Ｉｎ）を添加して育成した４本の結晶（Ｉｎ濃度、３×１０１８，７×１０１９，１．０×１０２０，１．４×１０２０／cm３）から、４mm×４mm×３０mmの大きさの＜００１＞方位の種子結晶を切り出した。」（第2頁右下欄9〜14行）
　イ．引用文献２（特開昭６３−１２３８９３号公報）
　イ−１．「ドーパントが添加された多結晶シリコン溶湯に種結晶を浸漬し、次いでこの種結晶を引き上げることにより単結晶を製造するシリコン単結晶製造方法」（特許請求の範囲第１項）
　イ−２．「高濃度アンチモンドープされたシリコン単結晶は、エピタキシャルプレーナトランジスタ製造用のシリコン基板として従来から多用されており、例えば０．０１８Ωcm以下という小さな抵抗率の（１１１）面シリコンウェハが使用されている。」（第1頁右欄6〜11行）
　イ−３．「アンチモンの４価の共有結合原子半径は、シリコンの１．３１倍であるため、アンチモン原子はシリコン原子の格子点に置換して格子歪みを引き起こす性質を持っている。このため、引き上げ時のわずかな刺激によっても、前記格子歪みに起因する転位が生じやすく、これを防ぐためには、単結晶成長部に刺激を与えないように、他のドーパントを用いた場合の０．７倍程度の速度でゆっくり引き上げなければならず、引き上げに長時間を要し、製造効率が悪いという問題があった。」（第2頁左上欄15行〜右上欄5行）
　
４．当審の判断
（１）本件発明１と引用文献１記載の発明との対比
　記載ア−１ないし記載ア−４を総合すれば、上記引用文献１には、「種結晶と育成単結晶との接合部に転位などの欠陥が発生しないよう、種結晶中に所定量のＩｎ（III族元素）からなる不純物を添加すること、および種結晶と成長結晶の格子定数の不整合を所定量以下にすることにより、無転位単結晶を製造する方法」が記載されていると云える。
　本件発明１と引用文献１記載の発明とを対比すると、両者は上記の構成で一致し、以下の点で相違する。
　相違点１：製造する単結晶が、本件発明ではシリコン単結晶であるのに対し、引用文献１記載の発明では化合物半導体単結晶である点。
　相違点２：不純物の添加目的が、本件発明では単結晶の電気的性質を制御するため溶融原料中に予め添加されているのに対し、刊行物１記載の発明では種結晶の硬化効果を得るため、種結晶に添加する点。
　相違点３：引用文献１記載の方法は本件発明で除かれている「液体封止引上げ法」である点。
　相違点４：引用文献１では、格子定数の不整合が２×１０−４（０．０２％）以下と規定しているのに対し、本件発明１では「０．０１％以下」である点。
（２）相違点の検討
　記載イ−１ないし記載イ−３を総合すれば、引用文献２には、育成シリコン単結晶の電気的性質を制御する目的で、溶融原料に高濃度のアンチモン（Ｖ族元素）を不純物として添加し、シリコン単結晶を引き上げ法（チョクラルスキー法）で育成する際、アンチモンとシリコンの原子半径の相違によって格子歪みを起こすので、引き上げ時の僅かな刺激によって格子歪みに起因する転位、いわゆるミスフィット転位が生じやすいことが開示されていると云え、上記の記載イ−３からみて、転位が生じる箇所が、ドーパントを高濃度に含む溶融原料が結晶化する部位であるとは云えるものの、種結晶と育成単結晶との接合部とは明確に記載されていない。
　この点につき検討すると、権利者が訂正審判請求において提出した参考文献４（特開平１０−３２４５９４号公報）、参考文献１２（特開２００１−１０８９６号公報）によれば、本件特許出願後においても、シリコン単結晶を引き上げ法で製造する場合、溶融原料中の不純物の有無に関わりなく種結晶と育成単結晶との接合部では、熱ショックによる転位が生じるので、無転位のシリコン単結晶を製造するにはダッシュネック法などを採用するのが普通であったと認められ、引用文献２には、シリコンとアンチモンの原子半径の相違による格子歪みに起因する転位について記載されているものの、熱ショックについての言及はなく、実施例で引き上げたとされる「直径１２８mmφの単結晶」（第2頁右下欄18行）は、参考文献１３（特開２００２−１８７７９５号公報）によれば「ダッシュネッキング法により無転位化できる絞り径は4mm程度であり、それよりも太径となると転位を完全に除去できない」（段落【0002】）ほどの大口径のものであることを考えれば、引用文献２記載の発明は、種結晶と育成単結晶との接合部での熱ショックに起因する転位をダッシュネック法などで無転位化することを当然の前提とし、種結晶と育成単結晶との接合部ではなく、育成単結晶と融液の育成部における転位の発生を解決すべき課題としていると解するのが相当である。
　以上のことから、引用文献２及び上記各参考資料によれば、シリコン単結晶の育成においても、種結晶と育成単結晶との接合面における熱ショックに起因する転位、及び不純物の存在に起因するミスフィット転位が存在すること自体は知られていたと云うことができるが、引用文献２記載のシリコン単結晶の育成方法では、種結晶と育成単結晶との接合部におけるミスフィット転位については認識されていたとは認められず、また上記各引用文献及び各参考資料を参照しても、シリコン単結晶に不純物を添加すると化合物半導体と同様な結晶硬化効果が生じ、このような種結晶を用いれば熱ショックに起因する転位を防止できることを示唆する記載も見当たらず、しかも化合物半導体に関する引用文献１記載の熱ショック転位の防止法がシリコン単結晶にも適用可能であることが本件特許出願時において技術常識であったとも認められない以上、引用文献１に記載される技術を引用文献２記載のシリコン単結晶の製造方法に適用することを当業者が容易に想到することができたとは云えない。
　また、本件発明２は、本件発明１における「III族元素」及び「Ｖ族元素」を、それぞれ「ＢもしくはＧａ」、「ＰもしくはＳｂ」に限定した発明であるから、本件発明１を当業者が容易に想到することができたとは云えない以上、本件発明２も当業者が容易に想到することができたとは云えない。
　したがって、訂正後における特許請求の範囲に記載されている事項により構成される発明は、これを無効とすべき理由が見当たらないから、特許出願の際、独立して特許を受けることができるものである。
　
　また、その他の異議申立理由及び証拠は、本件発明１ないし２の特許を取り消すべき理由として採用することができない。
　
５．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立の理由及び証拠によっては、本件発明１ないし２についての特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明１ないし２についての特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１５年４月１８日（２００３．４．１８）