(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
リソグラフィ装置であって、
基板を支持するように構成されたサポートテーブルと、
ガス抽出システムとを備え、
前記サポートテーブルは、
ベース面と、
前記ベース面より上に突出する複数のバールであって、前記複数のバールの各々は、個々のバール遠位端を有し、前記バール遠位端は、前記基板を支持するためにサポート平面において配置される、複数のバールと、
前記ガス抽出システムに接続された少なくとも１つのガス抽出開口とを備え、
前記ガス抽出システムは、前記基板が前記サポートテーブル上へと下降しているときに、各ガス抽出開口を通って前記ベース面と前記基板との間のギャップからガスを抽出するように構成され、
前記リソグラフィ装置は、前記基板と前記サポート平面との間の距離が閾値距離より大きいとき、ガスを前記ギャップから第１ローディング流量で抽出し、かつ前記基板と前記サポート平面との間の前記距離が前記閾値距離より小さいとき、ガスを前記ギャップから第２ローディング流量で抽出するように構成され、前記第２ローディング流量は前記第１ローディング流量より小さく、前記閾値距離は、前記基板と前記サポートテーブルとの間の前記ギャップからのガスの流量が減少する距離である、リソグラフィ装置。
【請求項２】
前記サポートテーブルは、前記ベース面より上に突出する少なくとも１つの突出体を含み、各突出体は個々の突出遠位端を有し、前記個々の突出遠位端は、前記サポート平面からロード基板距離だけ間隔を空けて配置され、
各突出遠位端には、前記少なくとも１つのガス抽出開口のガス抽出開口が設けられ、前記ガス抽出開口は、ガス抽出開口直径を有し、前記ロード基板距離は前記ガス抽出開口直径の半分より小さい、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項３】
前記閾値距離は、前記突出体が前記流量に対する制限要因となる距離に相当する、請求項２に記載のリソグラフィ装置。
【請求項４】
前記閾値距離は、０．５ｍｍ以下である、請求項１〜３のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
【請求項５】
リソグラフィ装置であって、
基板を支持するように構成されたサポートテーブルと、
ガス抽出システムとを備え、
前記サポートテーブルは、
ベース面と、
前記ベース面より上に突出する複数のバールであって、前記複数のバールの各々は、個々のバール遠位端を有し、前記バール遠位端は、前記基板を支持するためにサポート平面において配置される、複数のバールと、
前記ベース面より上に突出する少なくとも１つの突出体であって、各突出体は、個々の突出遠位端を有し、前記個々の突出遠位端は、前記サポート平面からロード基板距離だけ間隔を空けて配置される、少なくとも１つの突出体とを備え、
各突出遠位端には、前記ガス抽出システムに接続されたガス抽出開口が設けられ、各ガス抽出開口は、ガス抽出開口直径を有し、前記ロード基板距離は前記ガス抽出開口直径の半分より小さく、
前記ガス抽出システムは、前記基板が前記サポートテーブル上へと下降しているときに、各ガス抽出開口を通って前記ベース面と前記基板との間のギャップからガスを抽出するように構成される、リソグラフィ装置。
【請求項６】
前記ロード基板距離は、前記ガス抽出開口直径の１／４より小さい、請求項５に記載のリソグラフィ装置。
【請求項７】
前記ガス抽出システムは、
前記ガス抽出開口と流体連通しているバッファ容積であって、前記サポートテーブルは、前記ガス抽出開口を通って前記ベース面と前記基板との間のギャップからバッファ容積内へと抽出される前記のガスの流量が、前記基板が前記サポートテーブル上に着地したときに減少するようにサイズ調整及び配置される、バッファ容積と、
前記バッファ容積と流体連通し、かつ前記基板が前記サポートテーブル上に着地する前及び後に実質的に一定の速度でガスを前記バッファ容積から抽出するように構成された負圧源とを備える、請求項１〜６のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
【請求項８】
前記負圧源は、閉塞流を介して前記バッファ容積からガスを抽出するように構成される、請求項７に記載のリソグラフィ装置。
【請求項９】
前記ガス抽出システムは、前記基板が前記サポートテーブル上に着地したときに前記バッファ容積内への前記ガスの流量が最初に減少した後に、前記バッファ容積内への前記ガスの流量が定常値に戻るまで少なくとも２０ｍｓかかるように構成される、請求項７又は８に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１０】
前記少なくとも１つのガス抽出開口は、前記少なくとも１つのガス抽出開口の第１群及び前記少なくとも１つのガス抽出開口の第２群を含み、前記ガス抽出システムは、前記基板と前記サポート平面との間の前記距離が前記閾値距離より小さいときに前記第１群を通って前記ギャップからガスを抽出することを止めるように構成される、請求項１〜９のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
【請求項１１】
リソグラフィ装置であって、
基板を支持するように構成されたサポートテーブルと、
ガス抽出システムとを備え、
前記サポートテーブルは、
ベース面と、
前記ベース面より上に突出する複数のバールであって、前記複数のバールの各々は、個々のバール遠位端を有し、前記バール遠位端は、前記基板を支持するためにサポート平面において配置される、複数のバールと、
前記ガス抽出システムに接続された少なくとも１つのガス抽出開口の第１群と、
前記ガス抽出システムに接続された少なくとも１つのガス抽出開口の第２群とを備え、
前記ガス抽出システムは、前記基板と前記サポート平面との間の前記距離が閾値距離より大きいとき、前記第１群及び前記第２群を通って前記ベース面と前記基板との間のギャップからガスを抽出し、それによって、前記基板と前記サポート平面との間の前記距離が閾値距離より大きいとき、第１ローディング流量で前記ギャップからガスを抽出するように構成され、
前記ガス抽出システムは、前記基板と前記サポート平面との間の前記距離が前記閾値距離より小さいとき、前記第１群を通って前記ギャップからガスを抽出するのを止め、それによって、前記基板と前記サポート平面との間の前記距離が前記閾値距離より小さいとき、第２ローディング流量で前記ギャップからガスを抽出するように構成され、前記第２ローディング流量は前記第１ローディング流量より小さい、リソグラフィ装置。
【請求項１２】
前記ガス抽出システムは、第１開口流量で前記第１群を通って前記ギャップからガスを抽出し、かつ第２開口流量で前記第２群を通って前記ギャップからガスを抽出するように構成され、前記第１開口流量は前記第２開口流量より大きい、請求項１０又は１１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１３】
前記サポートテーブルには少なくとも１つのガス供給開口が設けられ、
ガス供給システムは、前記基板が前記サポートテーブルから離れるように持ち上げられているとき、前記少なくとも１つのガス供給開口を通って前記ギャップにガスを供給するように構成され、
各ガス供給開口は、各ガス抽出開口とは別である、請求項１〜１２のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
【請求項１４】
基板をリソグラフィ装置のためのサポートテーブル上にロードするための方法であって、前記サポートテーブルは、
ベース面と、
前記ベース面より上に突出する複数のバールであって、前記複数のバールの各々は、個々のバール遠位端を有し、前記バール遠位端は、前記基板を支持するためにサポート平面において配置される、複数のバールと、
前記基板が前記サポートテーブル上へと下降しているときに、前記ベース面と前記基板との間のギャップからガスを抽出するように構成された少なくとも１つのガス抽出開口とを備え、
前記方法は、
前記基板を前記サポートテーブルに向かって下降させることと、
前記基板と前記サポート平面との間の距離が閾値距離より大きいとき、ガスを前記ギャップから第１ローディング流量で抽出することと、
前記基板と前記サポート平面との間の前記距離が前記閾値距離より小さいとき、ガスを前記ギャップから第２ローディング流量で抽出することであって、前記第２ローディング流量は前記第１ローディング流量より小さいこととを含み、前記閾値距離は、前記基板と前記サポートテーブルとの間の前記ギャップからのガスの流量が減少する距離である、方法。
【請求項１５】
基板をリソグラフィ装置のためのサポートテーブル上にロードするための方法であって、前記サポートテーブルは、
ベース面と、
前記ベース面より上に突出する複数のバールであって、前記複数のバールの各々は、個々のバール遠位端を有し、前記バール遠位端は、前記基板を支持するためにサポート平面において配置される、複数のバールと、
前記ベース面より上に突出する少なくとも１つの突出体であって、各突出体は、個々の突出遠位端を有し、前記個々の突出遠位端は、前記サポート平面からロード基板距離だけ間隔を空けて配置される、少なくとも１つの突出体とを備え、
各突出遠位端には、前記ベース面と前記基板との間のギャップからガスを抽出するように構成されたガス抽出開口が設けられ、各ガス抽出開口は、ガス抽出開口直径を有し、前記ロード基板距離は前記ガス抽出開口直径の半分より小さく、
前記方法は、
前記基板を前記サポートテーブルに向かって下降させることと、
前記基板が前記サポートテーブル上へと下降しているときに、各ガス抽出開口を通って前記ギャップからガスを抽出することとを含む、方法。
【請求項１６】
前記ガス抽出開口を通って前記ベース面と前記基板との間の前記ギャップからバッファ容積内へと抽出されるガスの流量は、前記基板が前記サポートテーブル上に着地したときに減少し、
前記基板が前記サポートテーブル上に着地する前及び後に実質的に一定の速度でガスを前記バッファ容積から抽出する、請求項１４又は１５に記載の方法。
【請求項１７】
基板をリソグラフィ装置のためのサポートテーブル上にロードするための方法であって、前記サポートテーブルは、
ベース面と、
前記ベース面より上に突出する複数のバールであって、前記複数のバールの各々は、個々のバール遠位端を有し、前記バール遠位端は、前記基板を支持するためにサポート平面において配置される、複数のバールと、
前記ガス抽出システムに接続された少なくとも１つのガス抽出開口の第１群と、
前記ガス抽出システムに接続された少なくとも１つのガス抽出開口の第２群とを備え、
前記方法は、
前記基板を前記サポートテーブルに向かって下降させることと、
前記基板と前記サポート平面との間の前記距離が閾値距離より大きいとき、前記第１群及び前記第２群を通って前記ベース面と前記基板との間のギャップからガスを抽出し、それによって、前記基板と前記サポート平面との間の前記距離が閾値距離より大きいとき、第１ローディング流量で前記ギャップからガスを抽出することと、
前記基板と前記サポート平面との間の前記距離が前記閾値距離より小さいとき、前記第１群を通って前記ギャップからガスを抽出するのを止め、それによって、前記基板と前記サポート平面との間の前記距離が前記閾値距離より小さいとき、第２ローディング流量で前記ギャップからガスを抽出することであって、前記第２ローディング流量は前記第１ローディング流量より小さいこととを含む、方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
関連出願への相互参照
[0001]  本願は、２０１５年６月１１日に出願した欧州特許出願第１５１７１５４５．５号の優先権を主張し、その全体を本願に参考として組み込む。
【０００２】
[0002]  本発明は、リソグラフィ方法、及び、基板を、特にリソグラフィ装置のためのサポートテーブル上にロードする方法に関する。
【背景技術】
【０００３】
[0003]  リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板上、通常、基板のターゲット部分上に付与する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に用いることができる。その場合、ＩＣの個々の層上に形成される回路パターンを生成するために、マスク又はレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを用いることができる。このパターンは、基板（例えば、シリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば、ダイの一部、又は１つ以上のダイを含む）に転写することができる。通常、パターンの転写は、基板上に設けられた放射感応性材料（レジスト）層上への結像によって行われる。一般には、単一の基板が、連続的にパターニングされる隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。公知のリソグラフィ装置としては、ターゲット部分上にパターン全体を一度に露光することにより各ターゲット部分を照射する、いわゆるステッパ、及び放射ビームによってある特定の方向（「スキャン」方向）にパターンをスキャンすると同時に、この方向に平行又は逆平行に基板をスキャンすることにより各ターゲット部分を照射する、いわゆるスキャナが含まれる。パターンを基板上にインプリントすることにより、パターニングデバイスから基板にパターンを転写することも可能である。
【０００４】
[0004]  投影システムの最終要素と基板との間の空間を満たすために比較的高屈折率を有する液体（例えば水）にリソグラフィ投影装置における基板を沈めることが提案されている。ある実施形態では、液体は蒸留水であるが、他の液体を使用することもできる。本発明のある実施形態は液体について記載するが、他の流体、特に、湿潤流体、非圧縮性流体及び/又は空気より高い屈折率、望ましくは水より高い屈折率を有する流体も適切であり得る。ガスを排除する流体は特に望ましい。この趣旨は、露光放射が液体ではより短い波長を有するため、より小さいフィーチャの結像を可能にすることである（液体の効果は、システムの有効開口数（ＮＡ）を増大させると共に焦点深度を増大させることともみなされる。）中に固体粒子（例えば、石英）が懸濁される水、又はナノ粒子懸濁液（最大１０ｎｍまでの最大寸法を有する粒子）を有する液体を含む他の液浸液が提案されている。懸濁された粒子は、その粒子が懸濁される液体と同様又は同じ屈折率を有しても有さなくてもよい。適切となり得る他の液体としては、芳香族やフッ化炭化水素などの炭化水素及び/又は水溶液が挙げられる。
【０００５】
[0005]  基板又は基板及びサポートテーブルを液体の槽に沈める（例えば、米国特許第４，５０９，８５２号を参照）ということは、スキャン露光中に加速される必要がある液体が大量にあるということを意味する。これは追加の又はさらに強力なモータを必要とし、液体内の乱流は望ましくなくかつ予測不可能な結果となり得る。
【０００６】
[0006]  液浸装置においては、液浸流体は流体取扱システム、デバイス構造又は装置によって取り扱われる。ある実施形態では、流体取扱システムは、液浸流体を供給することができ、よって流体供給システムであってよい。ある実施形態では、流体取扱システムは、液浸流体を少なくとも部分的に閉じ込めてよく、よって流体閉じ込めシステムであってよい。ある実施形態では、流体取扱システムは、液浸流体にバリアを提供し、よって流体閉じ込め構造などのバリア部材であってよい。ある実施形態では、流体取扱システムは、例えば、液浸流体の流れ及び/又は位置を制御するのに役立たせるためにガス流を生成又は使用することができる。ガス流は液浸流体を閉じ込めるためのシールを形成することができ、よって流体取扱構造をシール部材と呼ぶことができる。そのようなシール部材は流体閉じ込め構造であってよい。ある実施形態では、液浸液が液浸流体として使用される。その場合、流体取扱システムは液体取扱システムであってよい。上記の記載に関して、この段落において流体に関して定められた特徴についての言及は、液体に関して定められた特徴も含むと理解してよい。
【発明の概要】
【０００７】
[0007]  液浸装置又はドライ装置の両方において、露光プロセス中に基板がサポートテーブルにクランプされる。クランピングは、周囲圧力と比べて低い圧力で基板とサポートテーブルとの間に領域を有することによって補助されることができる。周囲圧力は、基板及びサポートテーブルを囲う圧力である。サポートテーブル及び基板に囲われる領域は、基板がサポートテーブルに真空クランプされるようにほぼ真空圧にあり得る。
【０００８】
[0008]  サポートテーブルは、その中に形成された１つ以上の穴を含む。穴は、基板のクランピングを容易にする。ガスは、基板及びサポートテーブルに囲われた領域から穴を通って抽出され、それによって基板をクランプするためにこの領域内の圧力を低下させ得る。
【０００９】
[0009]  基板は、サポートテーブル上にロードされる。基板のロード中、基板は重力により変形し得る。基板のロード中にガスが抽出された場合、基板は変形した状態でクランプされ、これはオーバーレイを増加させ得る。あるいは、ウェーハのロード中にガスが抽出されない場合、基板をサポートテーブルにクランプするのにより長い時間がかかる。これは、基板のスループット時間を増大させる。
【００１０】
[00010]  例えば、クランプされた基板の変形とスループットとの組み合わせが改善されたリソグラフィ装置及び基板をロードする方法を提供することが望ましい。
【００１１】
[0010]  本発明のある態様によると、基板を支持するように構成されたサポートテーブルと、ガス抽出システムとを備えるリソグラフィ装置が提供される。サポートテーブルは、ベース面と、ベース面より上に突出する複数のバールであって、複数のバールの各々は、個々のバール遠位端を有し、バール遠位端は、基板を支持するためにサポート平面において配置される、複数のバールと、ガス抽出システムに接続された少なくとも１つのガス抽出開口とを備え、ガス抽出システムは、基板がサポートテーブル上へと下降しているときに、各ガス抽出開口を通ってベース面と基板との間のギャップからガスを抽出するように構成され、リソグラフィ装置は、基板とサポート平面との間の距離が閾値距離より大きいとき、ガスをギャップから第１ローディング流量で抽出し、かつ基板とサポート平面との間の距離が閾値距離より小さいとき、ガスをギャップから第２ローディング流量で抽出するように構成され、第２ローディング流量は第１ローディング流量より小さい。
【００１２】
[0011]  本発明のある態様によると、基板を支持するように構成されたサポートテーブルと、ガス抽出システムとを備えるリソグラフィ装置が提供される。サポートテーブルは、ベース面と、ベース面より上に突出する複数のバールであって、複数のバールの各々は、個々のバール遠位端を有し、バール遠位端は、基板を支持するためにサポート平面において配置される、複数のバールと、ベース面より上に突出する少なくとも１つの突出体であって、各突出体は、個々の突出遠位端を有し、個々の突出遠位端は、サポート平面からロード基板距離だけ間隔を空けて配置される、少なくとも１つの突出体とを備え、各突出遠位端には、ガス抽出システムに接続されたガス抽出開口が設けられ、各ガス抽出開口は、ガス抽出開口直径を有し、ロード基板距離はガス抽出開口直径の半分より小さく、ガス抽出システムは、基板がサポートテーブル上へと下降しているときに、各ガス抽出開口を通ってベース面と基板との間のギャップからガスを抽出するように構成される。
【００１３】
[0012]  本発明のある態様によると、基板を支持するように構成されたサポートテーブルと、ガス抽出システムとを備えるリソグラフィ装置が提供される。サポートテーブルは、ベース面と、ベース面より上に突出する複数のバールであって、複数のバールの各々は、個々のバール遠位端を有し、バール遠位端は、基板を支持するためにサポート平面において配置される、複数のバールと、ガス抽出システムに接続された少なくとも１つのガス抽出開口の第１群と、ガス抽出システムに接続された少なくとも１つのガス抽出開口の第２群とを備え、ガス抽出システムは、基板とサポート平面との間の距離が閾値距離より大きいとき、第１群及び第２群を通ってベース面と基板との間のギャップからガスを抽出し、それによって、基板とサポート平面との間の距離が閾値距離より大きいとき、第１ローディング流量でギャップからガスを抽出するように構成され、ガス抽出システムは、基板とサポート平面との間の距離が閾値距離より小さいとき、第１群を通ってギャップからガスを抽出するのを止め、それによって、基板とサポート平面との間の距離が閾値距離より小さいとき、第２ローディング流量でギャップからガスを抽出するように構成され、第２ローディング流量は第１ローディング流量より小さい。
【００１４】
[0013]  本発明のある態様によると、基板をリソグラフィ装置のためのサポートテーブル上にロードするための方法が提供される。サポートテーブルは、ベース面と、ベース面より上に突出する複数のバールであって、複数のバールの各々は、個々のバール遠位端を有し、バール遠位端は、基板を支持するためにサポート平面において配置される、複数のバールと、基板がサポートテーブル上へと下降しているときに、ベース面と基板との間のギャップからガスを抽出するように構成された少なくとも１つのガス抽出開口とを備え、この方法は、基板をサポートテーブルに向かって下降させることと、基板とサポート平面との間の距離が閾値距離より大きいとき、ガスをギャップから第１ローディング流量で抽出することと、基板とサポート平面との間の距離が閾値距離より小さいとき、ガスをギャップから第２ローディング流量で抽出することであって、第２ローディング流量は第１ローディング流量より小さいこととを含む。
【００１５】
[0014]  本発明のある態様によると、基板をリソグラフィ装置のためのサポートテーブル上にロードするための方法が提供される。サポートテーブルは、ベース面と、ベース面より上に突出する複数のバールであって、複数のバールの各々は、個々のバール遠位端を有し、バール遠位端は、基板を支持するためにサポート平面において配置される、複数のバールと、ベース面より上に突出する少なくとも１つの突出体であって、各突出体は、個々の突出遠位端を有し、個々の突出遠位端は、サポート平面からロード基板距離だけ間隔を空けて配置される、少なくとも１つの突出体とを備え、各突出遠位端には、ベース面と基板との間のギャップからガスを抽出するように構成されたガス抽出開口が設けられ、各ガス抽出開口は、ガス抽出開口直径を有し、ロード基板距離はガス抽出開口直径の半分より小さく、この方法は、基板をサポートテーブルに向かって下降させることと、基板がサポートテーブル上へと下降しているときに、各ガス抽出開口を通ってギャップからガスを抽出することとを含む。
【００１６】
[0015]  本発明のある態様によると、基板をリソグラフィ装置のためのサポートテーブル上にロードするための方法が提供される。サポートテーブルは、ベース面と、ベース面より上に突出する複数のバールであって、複数のバールの各々は、個々のバール遠位端を有し、バール遠位端は、基板を支持するためにサポート平面において配置される、複数のバールと、ガス抽出システムに接続された少なくとも１つのガス抽出開口の第１群と、ガス抽出システムに接続された少なくとも１つのガス抽出開口の第２群とを備え、この方法は、基板をサポートテーブルに向かって下降させることと、基板とサポート平面との間の距離が閾値距離より大きいとき、第１群及び第２群を通ってベース面と基板との間のギャップからガスを抽出し、それによって、基板とサポート平面との間の距離が閾値距離より大きいとき、第１ローディング流量でギャップからガスを抽出することと、基板とサポート平面との間の距離が閾値距離より小さいとき、第１群を通ってギャップからガスを抽出するのを止め、それによって、基板とサポート平面との間の距離が閾値距離より小さいとき、第２ローディング流量でギャップからガスを抽出することであって、第２ローディング流量は第１ローディング流量より小さいこととを含む。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
[0016]  本発明のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の概略図を参照して以下に説明する。これらの図面において同じ参照符号は対応する部分を示す。
【図１】[0017]  図１は、本発明のある実施形態によるリソグラフィ装置を示す。
【図２】[0018]  図２は、リソグラフィ投影装置で使用するための液体供給システムを示す。
【図３】[0019]  図３は、ある実施形態によるさらなる液体供給システムを示す側面断面図である。
【図４】[0020]  図４は、リソグラフィ装置のためのサポートテーブルの平面図を示す。
【図５】[0021]  図５は、本発明のある実施形態によるサポートテーブルの断面図を示す。
【図６】[0021]  図６は、本発明のある実施形態によるサポートテーブルの断面図を示す。
【図７】[0021]  図７は、本発明のある実施形態によるサポートテーブルの断面図を示す。
【図８】[0022]  図８は、基板がサポートテーブル上にロードされている例の断面図を示す。
【図９】[0022]  図９は、基板がサポートテーブル上にロードされている例の断面図を示す。
【図１０】[0022]  図１０は、基板がサポートテーブル上にロードされている例の断面図を示す。
【図１１】[0022]  図１１は、基板がサポートテーブル上にロードされている例の断面図を示す。
【図１２】[0023]  図１２は、本発明のある実施形態によるサポートテーブルの詳細の断面図を示す。
【図１３】[0023]  図１３は、本発明のある実施形態によるサポートテーブルの詳細の断面図を示す。
【図１４】[0023]  図１４は、本発明のある実施形態によるサポートテーブルの詳細の断面図を示す。
【図１５】[0024]  図１５は、本発明のある実施形態によるサポートテーブルの平面図を示す。
【図１６】[0024]  図１６は、本発明のある実施形態によるサポートテーブルの平面図を示す。
【図１７】[0024]  図１７は、本発明のある実施形態によるサポートテーブルの平面図を示す。
【図１８】[0024]  図１８は、本発明のある実施形態によるサポートテーブルの平面図を示す。
【図１９】[0025]  図１９は、本発明のある実施形態によるリソグラフィ装置のサポートテーブルの断面図を概略的に示す。
【図２０】[0026]  図２０は、基板のロード中の時間と、基板とサポートテーブルのベース面との間のギャップからのガスの流量との間の関係を示すグラフである。
【図２１】[0027]  図２１は、本発明のある実施形態による、基板のロード中の時間とバッファ容積内の圧力との間の関係を示すグラフである。
【図２２】[0028]  図２２は、本発明のある実施形態による、基板のロード中の時間とバッファ容積内へのガスの流量との間の関係を示すグラフである。
【図２３】[0029]  図２３は、本発明のある実施形態によるサポートテーブルの断面図を概略的に示す。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
[0030]  図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示している。このリソグラフィ装置は、
放射ビームＢ（例えば、ＵＶ放射又はＤＵＶ放射）を調整するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、
パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡを支持するように構築され、かつ特定のパラメータに従ってパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めするように構成された第１ポジショナＰＭに連結されたサポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴと、
基板（例えば、レジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構築され、かつ特定のパラメータに従ってテーブル（例えば、基板Ｗ）の表面を正確に位置決めするように構成された第２ポジショナＰＷに連結されたサポートテーブル（例えば、１つ以上のセンサを支持するためのセンサテーブル）又はサポートテーブルＷＴと、
パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに付与されるパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば、１つ以上のダイを含む）上に投影するように構成された投影システム（例えば、屈折投影レンズシステム）ＰＳとを備える。
【００１９】
[0031]  照明システムＩＬとしては、放射を誘導し、整形し、又は制御するために、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、又はその他のタイプの光コンポーネント、あるいはそれらのあらゆる組合せなどのさまざまなタイプの光コンポーネントを含むことができる。
【００２０】
[0032]  サポート構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡを保持する。サポート構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡの向き、リソグラフィ装置の設計、及び、パターニングデバイスＭＡが真空環境内で保持されているか否かなどの他の条件に応じた態様で、パターニングデバイスＭＡを保持する。サポート構造ＭＴは、機械式、真空式、静電式又はその他のクランプ技術を使って、パターニングデバイスＭＡを保持することができる。サポート構造ＭＴは、例えば、必要に応じて固定又は可動式にすることができるフレーム又はテーブルであってもよい。サポート構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡを、例えば、投影システムＰＳに対して所望の位置に確実に置くことができる。本明細書において使用される「レチクル」又は「マスク」という用語はすべて、より一般的な「パターニングデバイス」という用語と同義であると考えるとよい。
【００２１】
[0033]  本明細書において使用される「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分内にパターンを作り出すように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用できるあらゆるデバイスを指していると、広く解釈されるべきである。なお、留意すべき点として、放射ビームに付与されたパターンは、例えば、そのパターンが位相シフトフィーチャ又はいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板のターゲット部分内の所望のパターンに正確に一致しない場合もある。通常、放射ビームに付けたパターンは、集積回路などのターゲット部分内に作り出されるデバイス内の特定の機能層に対応することになる。
【００２２】
[0034]  本明細書において使用される「投影システム」という用語は、使われている露光放射にとって、あるいは液浸液の使用又は真空の使用といった他の要因にとって適切な、屈折型、反射型、反射屈折型、磁気型、電磁型、及び静電型光学系、又はそれらのあらゆる組合せを含むあらゆる型の投影システムを包含していると広く解釈されるべきである。本明細書において使用される「投影レンズ」という用語はすべて、より一般的な「投影システム」という用語と同義であると考えるとよい。
【００２３】
[0035]  本明細書に示されているとおり、リソグラフィ装置は、透過型のもの（例えば、透過型マスクを採用しているもの）である。また、リソグラフィ装置は、反射型のもの（例えば、上述のプログラマブルミラーアレイを採用しているもの、又は反射型マスクを採用しているもの）であってもよい。
【００２４】
[0036]  リソグラフィ装置は、２つ以上のテーブル（又はステージ若しくはサポート）、例えば、２つ以上のサポートテーブル又は１つ以上のサポートテーブルと１つ以上のクリーニング、センサ若しくは測定テーブルとの組み合わせを有する型のものであってもよい。例えば、ある実施形態では、リソグラフィ装置は、投影システムの露光側に配置された２つ以上のテーブルを含むマルチステージ装置であり、各テーブルは１つ以上の物体を含み、及び/又は保持する。ある実施形態では、１つ以上のテーブルは、放射感応性基板を保持してよい。ある実施形態では、１つ以上のテーブルは、投影システムからの放射を測定するためにセンサを保持してよい。
【００２５】
[0037]  ある実施形態では、マルチステージ装置は、放射感応性基板を保持するように構成された第１テーブル（すなわち、サポートテーブル）及び放射感応性基板を保持するように構成されていない第２テーブル（以下、総称して、測定、センサ及び/又はクリーニングテーブルと呼ぶが、これに限定されない）。第２テーブルは、放射感応性基板以外に、１つ以上の物体を含み、及び/又は保持してよい。そのような１つ以上の物体は、以下から選択された１つ以上を含んでよい：投影システムからの放射を測定するセンサ、１つ以上のアライメントマーク、及び/又は（例えば、液体閉じ込め構造を洗浄する）クリーニングデバイス。
【００２６】
[0038]  そのような「マルチプルステージ」（又は「マルチステージ」）機械においては、複数のテーブルを並行して使うことができ、又は予備工程を１つ以上のテーブル上で実行しつつ、別の１つ以上のテーブルを露光用に使うこともできる。リソグラフィ装置は、基板、クリーニング、センサ及び/又は測定テーブルと同様の方法で並列に使用することができる２つ以上のパターニングデバイステーブル（又はステージ若しくはサポート）を有してよい。
【００２７】
[0039]  図１を参照すると、イルミネータＩＬは、放射源ＳＯから放射ビームを受ける。例えば、放射源ＳＯがエキシマレーザである場合、放射源ＳＯとリソグラフィ装置は、別個の構成要素であってもよい。そのような場合には、放射源ＳＯは、リソグラフィ装置の一部を形成しているとはみなされず、また放射ビームは、放射源ＳＯからイルミネータＩＬへ、例えば、適切な誘導ミラー及び／又はビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムＢＤを使って送られる。その他の場合においては、例えば、放射源ＳＯが水銀ランプである場合、放射源ＳＯは、リソグラフィ装置の一体部分とすることもできる。放射源ＳＯ及びイルミネータＩＬは、必要ならばビームデリバリシステムＢＤとともに、放射システムと呼んでもよい。
【００２８】
[0040]  イルミネータＩＬは、放射ビームの角強度分布を調節するアジャスタＡＤを含むことができる。一般に、イルミネータＩＬの瞳面内の強度分布の少なくとも外側及び／又は内側半径範囲（通常、それぞれσ-outer及びσ-innerと呼ばれる）を調節することができる。さらに、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮ及びコンデンサＣＯといったさまざまな他のコンポーネントを含むことができる。イルミネータＩＬを使って放射ビームを調整すれば、放射ビームの断面に所望の均一性及び強度分布をもたせることができる。放射源ＳＯと同様に、イルミネータＩＬは、リソグラフィ装置の一部を形成しているとみなしてよく又はみなさなくてもよい。例えば、イルミネータＩＬは、リソグラフィ装置の一体部分であってよく、又はリソグラフィ装置とは別個の構成要素であってもよい。後者の場合、リソグラフィ装置は、イルミネータＩＬがその上に取り付けられるように構成されてよい。任意選択として、イルミネータＩＬは、取り外し可能であり、かつ（例えば、リソグラフィ装置製造業者又は別の供給業者によって）別個に設けられてもよい。
【００２９】
[0041]  放射ビームＢは、サポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴ上に保持されているパターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡ上に入射して、パターニングデバイスＭＡによってパターン形成される。パターニングデバイスＭＡを通り抜けた後、放射ビームＢは投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上にビームの焦点をあわせる。第２ポジショナＰＷ及び位置センサＩＦ（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ又は静電容量センサ）を使って、例えば、さまざまなターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路内に位置決めするように、サポートテーブルＷＴを正確に動かすことができる。同様に、第１ポジショナＰＭ及び別の位置センサ（図１には明示的に示されていない）を使い、例えば、マスクライブラリから機械的に取り出した後又はスキャン中に、パターニングデバイスＭＡを放射ビームＢの経路に対して正確に位置決めすることもできる。通常、サポート構造ＭＴの移動は、第１ポジショナＰＭの一部を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）及びショートストロークモジュール（微動位置決め）を使って達成することができる。同様に、サポートテーブルＷＴの移動も、第２ポジショナＰＷの一部を形成するロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールを使って達成することができる。ステッパの場合は（スキャナとは対照的に）、サポート構造ＭＴは、ショートストロークアクチュエータのみに連結されてもよく、又は固定されてもよい。パターニングデバイスＭＡ及び基板Ｗは、パターニングデバイスアライメントマークＭ１及びＭ２と、基板アライメントマークＰ１及びＰ２とを使って、位置合わせされてもよい。例示では基板アライメントマークが専用ターゲット部分を占めているが、基板アライメントマークをターゲット部分Ｃとターゲット部分Ｃとの間の空間内に置くこともできる（これらは、スクライブラインアライメントマークとして公知である）。同様に、複数のダイがパターニングデバイスＭＡ上に設けられている場合、パターニングデバイスアライメントマークは、ダイとダイの間に置かれてもよい。
【００３０】
[0042]  本明細書において、ＩＣ製造におけるリソグラフィ装置の使用について具体的な言及がなされているが、本明細書記載のリソグラフィ装置が、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイダンスパターン及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド等の製造などのマイクロスケール又はさらにナノスケールのフィーチャを有するコンポーネントの製造といった他の用途を有し得ることが理解されるべきである。
【００３１】
[0043]  投影システムＰＳの最終要素と基板との間に液体を提供するための構成は、３つの一般的なカテゴリに分類することができる。これらは浴式構成、いわゆる局所液浸システム及びオールウェット(all wet)液浸システムである。浴式構成では、基板Ｗの実質的に全体及び任意選択としてサポートテーブルＷＴの一部が液体浴に沈められる。
【００３２】
[0044]  局所液浸システムは、液体が基板の局所領域にのみ供給される液体供給システムを使用する。液体によって埋められた空間は、平面における基板の上面より小さく、液体で満たされた領域は、投影システムＰＳに対して実質的に静止しているままである一方、基板Ｗはその領域の下で移動する。図２及び図３は、そのようなシステムで用いることができる様々な供給デバイスを示している。液体を局所領域に密閉させるために封止フィーチャが存在する。この構成のために提案されている一方法は、ＰＣＴ特許出願公開公報第９９/４９５０４号に開示されている。
【００３３】
[0045]  提案されている構成は、投影システムの最終要素とサポートテーブルとの間の空間の境界の少なくとも一部に沿って延びる液体閉じ込め構造を有する液体供給システムを提供することである。そのような構成を図２に示している。
【００３４】
[0046]  図２は、局所液体供給システム又は流体取扱システムを概略的に示している。液体供給システムには、投影システムＰＳの最終要素とサポートテーブルＷＴ又は基板Ｗとの間の空間１１の境界の少なくとも一部に沿って延びる流体取扱構造ＩＨ又は液体閉じ込め構造が設けられる。（特に明記しない限り、基板Ｗの表面に関する以下の記載は、サポートテーブルＷＴの表面を加えたもの又はその代替のものを言う。）流体取扱構造ＩＨは、ＸＹ平面において投影システムＰＳに対して実質的に固定されているが、Ｚ方向（光軸の方向）において多少の相対運動があり得る。ある実施形態では、シールが流体取扱構造ＩＨと基板Ｗの表面との間に形成され、そのシールはガスシール（そのようなガスシールを用いるシステムは欧州特許出願公開公報第ＥＰ−Ａ−１，４２０，２９８号に開示されている）又は液体シールなどの非接触シールであってよい。
【００３５】
[0047]  流体取扱構造ＩＨは、投影システムＰＳの最終要素と基板Ｗとの間の空間１１に液体を少なくとも部分的に収容する。基板Ｗの表面と投影システムＰＳの最終要素との間の空間１１内に液体が閉じ込められるように、基板Ｗに対する非接触シール１６が投影システムＰＳのイメージフィールドの周りに形成されてよい。空間１１は、投影システムＰＳの最終要素の下及びその周りに位置決めされた流体取扱構造ＩＨによって少なくとも部分的に形成される。液体は、複数の液体入口１３のうちの１つによって投影システムＰＳの下及び流体取扱構造ＩＨ内の空間へと運ばれる。別の液体出口１３によって液体を除去することができる。液体は、少なくとも２つの液体入口１３を通って空間１１内へと運ぶこともできる。液体を供給する及び任意選択として液体を除去するためにどの液体開口１３を使用するかは、サポートテーブルＷＴの移動方向に依存し得る。流体取扱構造ＩＨは、投影システムＰＳの最終要素の少し上まで延在することができる。液体のバッファが提供されるように、液体レベルが最終要素の上まで上昇する。ある実施形態では、流体取扱構造ＩＨは、その上端が投影システムＰＳ又はその最終要素の形状に正確に一致することができる内周を有し、例えば円形とすることができる。底部では、内周がイメージフィールドの形状に正確に一致し、例えば矩形とすることができるが、そうである必要はない。
【００３６】
[0048]  液体は、使用中に流体取扱構造ＩＨの底面と基板Ｗの表面との間に形成されるガスシール１６によって空間１１に収容されてよい。ガスシールはガスによって形成される。ガスシール１６内のガスは、加圧下で入口１５を介して流体取扱構造ＩＨと基板Ｗとの間のギャップに設けられる。ガスは出口１４を介して抽出される。ガス入口１５への過剰圧力、出口１４の真空レベル、及びギャップの幾何学的形状は、液体を閉じ込める内側への高速のガス流があるように構成される。流体取扱構造ＩＨと基板Ｗの間で液体にかかるガスの力が、液体を空間１１に封じ込める。入口／出口は、空間１１を囲む環状溝であってもよい。環状溝は連続的であっても又は不連続的であってもよい。ガス流は、液体を空間１１内に封じ込めるのに効果がある。このようなシステムは、本明細書中にその全容が組み込まれる米国特許出願公開第２００４−０２０７８２４号に開示されている。ある実施形態では、流体取扱構造ＩＨはガスシールを有さない。
【００３７】
[0049]  図３は、ある実施形態によるさらなる液体供給システム又は流体取扱システムを示す横断面図である。図３に示す以下に説明する構成は、図１に示す上記したリソグラフィ装置にも適用することができる。液体供給システムには、投影システムＰＳの最終要素とサポートテーブルＷＴ又は基板Ｗとの間の空間１１の境界の少なくとも一部に沿って延びる流体取扱構造ＩＨ又は液体閉じ込め構造が設けられる。（特に明記しない限り、基板Ｗの表面に関する以下の記載は、サポートテーブルＷＴの表面を加えたもの又はその代替のものを意味することに留意されたい。）
【００３８】
[0050]  流体取扱構造ＩＨは、投影システムＰＳの最終要素と基板Ｗとの間の空間１１に液体を少なくとも部分的に収容する。空間１１は、投影システムＰＳの最終要素の下及び周りに位置決めされた流体取扱構造ＩＨによって少なくとも部分的に形成される。ある実施形態では、流体取扱構造ＩＨは、本体部材５３及び多孔質部材３３を含む。多孔質部材３３は、板状であって複数の穴（すなわち、開口又は孔）を有する。ある実施形態では、多孔質部材３３はメッシュ板であって、多数の小さい穴８４がメッシュに形成される。このようなシステムは、本明細書中にその全容が組み込まれる米国特許出願公開第ＵＳ２０１０/００４５９４９号明細書に開示されている。
【００３９】
[0051]  本体部材５３は、液体を空間１１に供給することができる供給ポート７２及び液体を空間１１から回収することができる回収ポート７３を含む。供給ポート７２は、通路７４を介して液体供給装置７５に接続される。液体供給装置７５は、液体を供給ポート７２に供給することができる。液体供給装置７５から供給される液体は、対応する通路７４を通って各供給ポート７２に供給される。供給ポート７２は、光路に面する本体部材５３の所定の位置において光路付近に配置される。回収ポート７３は、液体を空間１１から回収することができる。回収ポート７３は、通路７９を介して液体回収装置８０に接続される。液体回収装置８０は、真空システムを含み、回収ポート７３を介して液体を吸引することによって液体を回収することができる。液体回収装置８０は、回収ポート２３を介し通路２９を通って回収された液体ＬＱを回収する。多孔質部材３３は、回収ポート７３に配置される。
【００４０】
[0052]  ある実施形態では、一方側で投影システムＰＳと流体取扱構造ＩＨとの間に、他方側で投影システムＰＳと基板Ｗとの間に液体を有する空間１１を形成するために、液体が供給ポート７２から空間１１に供給され、流体取扱構造ＩＨにおける回収チャンバ３１内の圧力は、多孔質部材３３の穴８４（すなわち、回収ポート７３）を介して液体を回収するために負圧に調節される。供給ポート７２を用いて液体供給動作を行い、多孔質部材３３を用いて液体回収動作を行うことにより、一方側で投影システムＰＳと流体取扱構造ＩＨとの間に、他方側で投影システムＰＳと基板Ｗとの間に空間１１を形成する。
【００４１】
[0053]  図に示すように、装置は液浸型であってよい。また、装置は、基板が液体に浸漬されないドライ型であってもよい。
【００４２】
[0054]  ある実施形態では、サポートテーブルＷＴは、その中に形成された１つ以上の穴を含む。穴は、基板Ｗのクランピングを容易にする。ガスは、基板Ｗ及びサポートテーブルＷＴによって囲われた領域から穴を通って抽出されることにより、基板Ｗのクランピングのためにこの領域内の圧力を低下させる。基板Ｗをクランプすることは、最初に、基板ＷをサポートテーブルＷＴにロードし、その後に、基板Ｗのクランピングのために基板Ｗ及びサポートテーブルＷＴによって囲われた領域内の圧力を低下させることを含む。
【００４３】
[0055]  ロード中に基板Ｗは変形し得る。基板Ｗがロードされる一方法は、基板Ｗを下から複数のピン８２で支持し（図８及び図１０を参照）、ピン８２を下げることによって基板ＷをサポートテーブルＷＴ上へと下げることである。ピン８２は、サポートテーブルＷＴ内の対応する開口を通って延びることができる。基板Ｗは、サポートテーブルＷＴ上へと下げられたときに重力によって変形し得る。例えば、基板Ｗは、下降中にピン８２の上で曲がり得る（図８を参照）。これによって、基板ＷがサポートテーブルＷＴに触れたときに平坦ではない状態となることに繋がり得る。（図９を参照）。
【００４４】
[0056]  ガスは、基板Ｗ及びサポートテーブルＷＴによって囲われた領域から穴を通って抽出されて基板Ｗをクランプする。基板Ｗのロード中にガスが抽出された場合、基板Ｗは、図９に示すように、変形された状態でサポートテーブルＷＴに瞬時に固着し得る。これは、平面内の偏差をもたらし得る。サポートテーブルＷＴと基板Ｗとの間の力は、基板ＷがサポートテーブルＷＴに対して滑るのに十分となり得る。基板ＷがサポートテーブルＷＴに対して滑る力の大きさは、サポートテーブルＷＴの特定の上面及び基板Ｗの特定の底面に依存する。これによって、クランプフィンガープリントはサポートテーブルＷＴ及び基板Ｗの両方に依存する。結果として、クランプフィンガープリントを補償することは困難となる。
【００４５】
[0057]  基板Ｗのロード中にガスが抽出されない場合、基板ＷがサポートテーブルＷＴ上に落ち着くのに時間を与えることができる。これにより、基板Ｗがクランプされるときの基板Ｗの変形を減少させることができるが、これはスループットに影響を与える。各基板Ｗがクランプされるのにより長い時間がかかる。
【００４６】
[0058]  図４は、本発明のある実施形態による、リソグラフィ装置のためのサポートテーブルＷＴの一部の平面図を示している。サポートテーブルＷＴは、基板Ｗを支持するように構成される。リソグラフィ装置は、サポートテーブルＷＴと相互に作用するガス抽出システムも含む。
【００４７】
[0059]  サポートテーブルＷＴは、ベース面６１を含む。ある実施形態では、ベース面６１は、サポートテーブルＷＴ上で支持される基板Ｗの下面に対して実質的に平行であるように構成される。サポートテーブルＷＴは、複数のバール６２を含む。バール６２は、ベース面６１より上に突出する。複数のバール６２の各々は、個々のバール遠位端６３を有する。バール遠位端６３は、基板Ｗを支持するようにサポート平面６４（例えば、図５を参照）に配置される。基板ＷがサポートテーブルＷＴによって支持される場合、基板Ｗは、複数のバール６２の各々の個々の遠位端６３によって支持される。
【００４８】
[0060]  使用中、基板Ｗは、サポートテーブルＷＴによって支持される。基板ＷがサポートテーブルＷＴによって支持される場合、基板Ｗは、各バール６２の個々の遠位端６３によって支持される。
【００４９】
[0061]  図４に示すように、ある実施形態では、サポートテーブルＷＴは、少なくとも１つのガス抽出開口６５を含む。ガス抽出開口６５は、ガス抽出システムに接続される。ガス抽出システムは、基板ＷがサポートテーブルＷＴ上に下げられているときに、各ガス抽出開口６５を通ってベース面６１と基板Ｗとの間のギャップからガスを抽出するように構成される。
【００５０】
[0062]  図４に示すように、ある実施形態では、サポートテーブルＷＴは少なくとも１つの突出体６６を含む。突出体６６は、ベース面６１より上に突出する。これは図５及び図６により明瞭に示されている。図５は、基板ＷがサポートテーブルＷＴ上に下げられているときの図４に示すサポートテーブルの断面の断面図を示している。図６は、（図５と比較して）後の時点における、基板ＷがサポートテーブルＷＴに近いときの断面図を示している。
【００５１】
[0063]  各突出体６６は、個々の突出遠位端６７を有する。個々の突出遠位端６７は、サポート平面６４から間隔を空けて離れている。サポート平面６４と突出遠位端６７との間の最も短い距離は、図５に示されているロード基板距離Ｌである。突出遠位端６７は、サポート平面６４からロード基板距離Ｌだけ離れている。サポート平面６４は、突出遠位端６７よりロード基板距離Ｌだけ上にある。
【００５２】
[0064]  図４〜図６に示すように、ガス抽出開口６５は、突出遠位端６７に設けられる。ガス抽出開口６５は、図４に示すガス抽出開口直径Ｄを有する。
【００５３】
[0065]  図４に示すように、ある実施形態では、ガス抽出開口６５は、平面図において実質的に円形であるが、必ずしもこの限りではない。ガス抽出開口６５の形状は、特に限定されていない。例えば、別の実施形態では、ガス抽出開口６５は、四角形、長方形又は多角形であってもよい。
【００５４】
[0066]  突出体６６は、ガス抽出開口６５の周りに設けられる。突出体６６は、例えば、柱又はチューブとも呼ばれる。ガス抽出開口６５はプリクランプ穴とも呼ばれる。突出体６６は、ガス抽出開口６５を通るガス流に対する制限部を提供するように構成される。突出体６６によって提供されるガス流制限部は、基板ＷがサポートテーブルＷＴに十分に近いときにのみ重要となる。突出体６６は、ガス抽出開口６５の周りにダムを作成する。
【００５５】
[0067]  バール遠位端６３とベース面６１との間の距離は特に限定されていない。単なる例として、ある実施形態では、バール遠位端６３とベース面６１との間の距離は、約１００μｍ〜約２００μｍの間の範囲内、例えば、約１５０μｍである。
【００５６】
[0068]  ガス抽出開口直径Ｄは特に限定されていない。単なる例として、ある実施形態では、ガス抽出開口直径Ｄは、約２００μｍ〜約５００μｍの間の範囲内、例えば、約４００μｍである。
【００５７】
[0069]  図５は、基板ＷがサポートテーブルＷＴから比較的遠いときの基板Ｗのロード中の状況を示している。図５に示す状況では、ガス抽出開口６５を通るガス流の主要な制限部が、ガス抽出開口直径Ｄである。ガス抽出開口直径Ｄは、ガス抽出開口６５を通るガス流量に対する制限要因となり得る。
【００５８】
[0070]  図６は、基板ＷがサポートテーブルＷＴに近づいたときの後の状況を示している。ある実施形態では、ロード基板距離Ｌは、ガス抽出開口直径Ｄの半分より小さい。したがって、図６に示す状況では、基板Ｗと突出遠位端６７との間のギャップが、ガス抽出開口６５を通るガス流に対する主要な制限部である。基板ＷがサポートテーブルＷＴに近づくと、ガス抽出開口６５を通るガス流量は減少する。図６に示す状況では、ガス抽出開口直径Ｄは、もはやガス抽出開口６５を通るガス流量に対する制限要因ではない。その代わりに、基板Ｗと突出遠位端６７との間のギャップが、ガス抽出開口６５を通るガス流量に対する制限要因である。結果的に、基板ＷがサポートテーブルＷＴに対して十分に近いとき、ガス抽出開口６５を通るガス流量は減少される。これは、基板ＷとサポートテーブルＷＴとの間の領域内の圧力の減少率を低下させ、これにより基板ＷをサポートテーブルＷＴ上に落ち着かせることを可能にする。基板Ｗは、緩んでサポートテーブルＷＴに対して滑ることができる。結果として、基板Ｗのロード中の基板Ｗの変形（例えば、重力による）は、基板ＷがサポートテーブルＷＴと接触するときに基板Ｗを落ち着かせて緩めることによって減少させることができる。
【００５９】
[0071]  突出体６６は静的流れリミッタとして作用する。静的流れリミッタとしての突出体６６の効果は、基板ＷとサポートテーブルＷＴとの間の距離に依存する。突出体６６の存在は、基板ＷがサポートテーブルＷＴから離れているときは比較的小さい効果を有する。したがって、本発明は、基板Ｗを落ち着かせることを可能にすることによってスループットに与える影響を減少させることが期待される。基板ＷがサポートテーブルＷＴに対して十分に近いとき、突出体６６は、ガス抽出開口６５を通る流れを制限する。したがって、本発明のある実施形態は、基板Ｗのロード中のガス抽出によるオーバーレイに対する影響を減少させることが期待される。
【００６０】
[0072]  突出体６６が流れリミッタとして作用するためには、ロード基板距離Ｌは、ガス抽出開口直径Ｄの半分より小さい。ロード基板距離Ｌがガス抽出開口直径Ｄの半分より多い場合、突出体６６は、基板ＷがサポートテーブルＷＴの近くにあっても、ガス抽出開口６５を通るガス流を十分に制限しない。
【００６１】
[0073]  本発明のある実施形態は、ガス抽出開口６５を通るガス流の減少によってもたらされるスループットの減少を伴うことなく、改善したオーバーレイを達成することが期待される。
【００６２】
[0074]  サポートテーブルＷＴに突出体６６を設けることによって、ガス抽出開口６５を通るガスの流量は、基板Ｗのロード中に変化する。基板Ｗとサポート平面６４との間の距離が閾値距離より大きいとき、ガスは、第１ローディング流量でベース面６１と基板Ｗとの間のギャップから抽出される。これは図５に示されている状況である。その後、基板Ｗとサポート平面６４との間の距離が閾値距離より小さいとき、ガスは、第２ローディング流量でギャップから抽出される。第２ローディング流量は、第１ローディング流量より小さい。これは図６に示されている状況である。突出体６６は、ギャップから抽出されるガスの流量を、基板Ｗのロード中に第１ローディング流量から第２ローディング流量へと減少させる。閾値距離とは、基板ＷとサポートテーブルＷＴとの間のギャップからのガスの流量が減少する距離である。例えば、ある実施形態では、閾値距離は、突出体６６が流量に対する制限要因となる距離に相当する。閾値距離の値は特に限定されていない。単なる例として、ある実施形態では、閾値距離は約０．５ｍｍ以下であるか、又は、任意選択として、約０．２ｍｍ以下である。ある実施形態では、閾値距離は約０．０５ｍｍ以上であるか、又は、任意選択として、約０．１ｍｍ以上である。
【００６３】
[0075]  ある実施形態では、ガス抽出システムは、ガス抽出システムの負圧源における圧力がガス抽出中（すなわち、サポートテーブルＷＴ上への基板Ｗのロード中）に実質的に一定であるように構成される。しかし、基板ＷとサポートテーブルＷＴとの間のギャップから抽出されるガスの流量は、基板ＷとサポートテーブルＷＴとの間の距離に基づいて変化する。なぜなら、突出体６６は、基板ＷがサポートテーブルＷＴに近づくと流量を減少させるからである。
【００６４】
[0076]  しかし、流量が第１ローディング流量から第２ローディング流量に減少するために、サポートテーブルＷＴに突出体６６を設ける必要はない。他のメカニズムを代替的に用いて、基板Ｗとサポート平面６４との間の距離が閾値距離より大きいときに第１ローディング流量を実施し、基板Ｗとサポート平面６４との間の距離が閾値距離より小さいときに第２ローディング流量を実施する。
【００６５】
[0077]  例えば、図１６に示すように、ある実施形態では、サポートテーブルＷＴは、２つの群のガス抽出開口６５を含む。サポートテーブルＷＴは、少なくとも１つのガス抽出開口６５の第１群８１を含む。サポートテーブルＷＴは、少なくとも１つのガス抽出開口６５の第２群８６をさらに含む。
【００６６】
[0078]  ガス抽出システムは、基板Ｗとサポート平面６４との間の距離が閾値距離より大きい場合、第１群８１及び第２群８６を通ってベース面６１と基板Ｗとの間のギャップからガスを抽出するように構成される。ガスは、基板Ｗとサポート平面６４との間の距離が閾値距離より大きい場合に第１ローディング流量でギャップから抽出される。基板ＷがサポートテーブルＷＴから十分に離れている場合、ガス抽出開口６５の第１群８１及び第２群８６の両方が、ベース面６１と基板Ｗとの間のギャップからガスを抽出するために使用される。
【００６７】
[0079]  ある実施形態では、ガス抽出システムは、基板Ｗとサポート平面６４との間の距離が閾値距離より小さい場合、第１群８１を通るギャップからのガスの抽出を止めるように構成される。基板Ｗとサポート平面６４との間の距離が閾値距離より小さい場合、ガスは、第２ローディング流量でギャップから抽出される。第２ローディング流量は、第１ローディング流量より小さい。基板ＷがサポートテーブルＷＴに対して十分に近い場合、第２群８６のみを用いてガスをギャップから抽出する。ガス抽出開口６５を通る流量は、基板ＷがサポートテーブルＷＴに近い場合に減少される。
【００６８】
[0080]  したがって、本発明の実施形態は、基板Ｗを落ち着かせることを可能にすることによってスループットに与える影響を減少させることが期待される。基板ＷがサポートテーブルＷＴに十分に近い場合、ガス抽出開口６５を通る流量は減少される。したがって、本発明のある実施形態は、基板Ｗのロード中のガス抽出によるオーバーレイに対する影響を減少させることが期待される。
【００６９】
[0081]  本発明のある実施形態は、ガス抽出開口６５を通るガス流の永久的な減少によってもたらされるスループットの減少を伴うことなく、改善したオーバーレイを達成することが期待される。
【００７０】
[0082]  図１６に示すように、ある実施形態では、第１群８１は、第２群８６の半径方向内側にあってよいが、必ずしもこの限りではない。別の実施形態では、第１群８１は、第２群８６の半径方向外側にある。さらなる別の実施形態では、ガス抽出開口６５の第１群８１は、第２群８６のガス抽出開口の中にある。
【００７１】
[0083]  ガス抽出開口６５の第１群８１及び第２群８６の供給は、サポートテーブルＷＴへの突出体６５の供給の代替として示される。しかし、ある実施形態では、これらの特徴を組み合わせてもよい。例えば、ある実施形態では、サポートテーブルＷＴは、突出体６６の突出遠位端６７に設けられる少なくとも１つのガス抽出開口６５の第１群８１を含む。サポートテーブルＷＴは、突出体６６の突出遠位端６７に設けられる少なくとも１つのガス抽出開口６５の第２群８６をさらに含む。
【００７２】
[0084]  図７は、本発明のある実施形態によるサポートテーブルＷＴの一部の断面を示している。図７に示すように、ガス抽出開口６５は、突出体に設けられていない。図７に示す実施形態は、上記したガス抽出開口６５の第１群８１及び第２群８６の供給の特徴と併せて用いることができる。したがって、突出体を設けることなく基板Ｗのロード中のガスの抽出によるオーバーレイに対する影響を減少させることができる。本発明のある実施形態は、サポートテーブルＷＴの製造をさらに難しくすることなく、基板Ｗのロード中のガスの抽出によるオーバーレイに対する影響の減少を達成することが期待される。加えて又は代替的に、以下に記載するように、ある実施形態では、突出体に設けられていないガス抽出開口６５は、突出体６６に設けられたガス抽出開口６５の供給と組み合わせてもよい。
【００７３】
[0085]  図８及び図９は、基板ＷがサポートテーブルＷＴ上にロードされるときに基板ＷとサポートテーブルＷＴとの間のギャップからガスを抽出することによって起こり得る影響を概略的に示している。図８に示すように、基板Ｗはピン８２によって支持することができる。ピン８２は、その後、サポートテーブルＷＴを通って下降して基板ＷをサポートテーブルＷＴ上へと下げる。図８は、基板Ｗが重力によってピン８２の上で曲がっていることを示している。
【００７４】
[0086]  図９は、基板ＷがサポートテーブルＷＴにクランプされたときに基板Ｗがクシャッとなることを示している。基板Ｗは、サポートテーブルＷＴ上に下げられた後に緩むことができないため、基板Ｗはクシャッとなる。
【００７５】
[0087]  一方、本発明の実施形態は、基板ＷがサポートテーブルＷＴ上にクランプされた後の基板Ｗの変形の減少を達成することが期待される。なぜなら、本発明は、基板ＷがサポートテーブルＷＴと接触した後、基板Ｗを落ち着かせる又は緩めることを可能にするからである。なぜなら、基板ＷがサポートテーブルＷＴに十分に近い場合、基板ＷとサポートテーブルＷＴとの間のギャップから抽出されるガスの流量が大幅に減少されるからである。
【００７６】
[0088]  図１０及び図１１は、サポートテーブルＷＴ上への基板Ｗのロード中にガスが抽出されない状況を示している。図１０に示すように、基板Ｗは、基板ＷとサポートテーブルＷＴとの間のギャップ内のガスによって形成されるエアベアリング上で緩む。
【００７７】
[0089]  図１１に示すように、基板ＷがサポートテーブルＷＴと接触すると、基板Ｗを緩めて落ち着かせることができることにより、基板Ｗの平坦さの変形を減少させることができる。基板Ｗを緩めることにより、基板Ｗは平らになる。基板Ｗは、その後、基板ＷとサポートテーブルＷＴとの間のギャップからガスを抽出することによってサポートテーブルＷＴにクランプすることができる。
【００７８】
[0090]  しかし、図１０及び図１１に示す状況は、各基板ＷがサポートテーブルＷＴ上にクランプされるために必要な時間を増やす。これは、リソグラフィ装置のスループットを減少させる。一方、本発明のある実施形態は、図１０及び図１１に示す状況に対するスループットの増加を達成することが期待される。特に、本発明は、基板ＷがサポートテーブルＷＴ上に下降する間にガスがギャップから抽出されることを可能にする。これは、基板ＷがサポートテーブルＷＴにクランプされるように圧力を低下させるための時間を減らす。本発明は、ガスが比較的高い流量でギャップから抽出される間、基板ＷをサポートテーブルＷＴ上に下降させることを可能にする。これは、基板Ｗの下降中にギャップから（ガス流量がゼロでなくても）減少したガス流量を有することを伴うシステムと比べてスループットを高める。
【００７９】
[0091]  基板Ｗの下降中にガスが非常に少ない流量でギャップから抽出された場合、これは、基板Ｗをクランプするために基板Ｗがどのくらい平坦になるべきかについて、望ましくない制限を与え得る。一部の基板Ｗは完全に平坦ではない。例えば、一部の基板は、曲がっているか、及び／又はボウル形状を有する。ボウル形状の基板は、基板Ｗの外周にて、基板Ｗのロード中により高い漏れ流を有する。クランプ中、この漏れ流は、基板ＷとサポートテーブルＷＴとの間のギャップ内の圧力を望ましくない形で増大させる。少なくともある程度まで、漏れ流はガス抽出開口６５を通るガスの抽出を妨害する。
【００８０】
[0092]  漏れ流量がガス抽出開口６５を通る流量より多い場合、基板Ｗをクランプすることができない。これは、基板Ｗが曲がりすぎると、基板Ｗをクランプできないことを意味する。
【００８１】
[0093]  一方、本発明の実施形態によると、基板Ｗをクランプするために基板Ｗがどのくらい平坦であるべきかについての制限があまりない。なぜなら、ガス抽出開口６５を通る流量を高めることができるからである。これは、基板Ｗの高い度合いの曲がりが許容可能である一方、基板Ｗをクランプすることができることを意味する。
【００８２】
[0094]  上記で説明したように、ある実施形態では、サポートテーブルＷＴには、少なくとも１つの突出体６６が設けられ、ロード基板距離Ｌは、ガス抽出開口直径Ｄの半分より小さい。ある実施形態では、ロード基板距離Ｌは、ガス抽出開口直径Ｄの１／４より小さい。これは、基板ＷがサポートテーブルＷＴと接触したとき、突出遠位端６７と基板Ｗとの間の領域がガス抽出開口６５の断面積より小さいことを意味する。図１２は、破線で示すガス抽出開口６５の該当する断面積を概略的に示している。一方、図１２は、突出遠位端６７と基板Ｗとの間の別の関連領域を概略的に示している。これは、２つの点線で示している。基板Ｗと突出体６６との間の領域は、πＤＬと等しいように計算することができる。一方、ガス抽出開口６５の断面積をπＤ２／４として計算することができる。
【００８３】
[0095]  基板ＷとサポートテーブルＷＴとの間の圧力を低下させるために、ガスは、ガス抽出開口６５を通ってギャップから抽出される。ガスは、図１２に示す両方の領域を通る。ロード基板距離Ｌをガス抽出開口直径Ｄの１／４より小さくすることにより、πＤＬ＜πＤ２／４となる。これは、突出体６６と基板Ｗとの間の領域が、基板ＷがサポートテーブルＷＴに十分に近い場合に制限要因となる。
【００８４】
[0096]  ロード基板距離Ｌの絶対値は、特に限定されていない。単なる例として、ある実施形態では、ロード基板距離Ｌは３００μｍより小さい。
【００８５】
[0097]  ロード基板距離Ｌをガス抽出開口直径Ｄの１／４より小さくすることにより、第２ガス流量（基板ＷがサポートテーブルＷＴに近いとき）は、第１ローディング流量（基板ＷがサポートテーブルＷＴから離れているとき）の５０％となり得る。
【００８６】
[0098]  ある実施形態では、ロード基板距離Ｌは、ガス抽出開口直径Ｄの約１／１０以下である。ある実施形態では、ロード基板距離Ｌは、ガス抽出開口直径Ｄの約１／２０より小さい。ロード基板距離Ｌをガス抽出開口直径Ｄの約１／２０より小さくすることにより、第２ローディング流量（基板ＷがサポートテーブルＷＴに近いとき）は、第１ローディング流量（基板ＷがサポートテーブルＷＴから離れているとき）の１０％となり得る。
【００８７】
[0099]  図１３に示すように、ある実施形態では、各突出体６６は、内側表面８７を含む。内側表面８７は、ガス抽出開口６５を画定する。ある実施形態では、各突出体６６は、外側表面８８を含む。外側表面８８は、内側表面８７の周りにある。ある実施形態では、各突出体６６は、上面８９を含む。上面８９は、内側表面８７と外側表面８８との間に延びる。上面８９は、突出遠位端６７にある。ある実施形態では、内側表面８７は、内側縁部８３で上面８９につながる。
【００８８】
[0100]  図１２に示すように、ある実施形態では、上面８９は、サポート平面６４に対して実質的に平行になるように構成されるが、必ずしもこの限りではない。例えば、図１３に示すように、ある実施形態では、上面は曲がっているか又は角度が付いている。
【００８９】
[0101]図１４に示すように、ある実施形態では、上面８９は、サポート平面６４に対して内側表面８７から外側表面８８へと下方向に傾斜するように構成される。
【００９０】
[0102]  ある実施形態では、内側縁部８３における曲率の半径は、最高で約５０μｍである。内側縁部８３における曲率の半径を最高で約５０μｍにすることにより、内側縁部８３は、ガス抽出開口６５の断面積の外周を表す。その他の場合、内側縁部８３における曲率の半径がより大きい場合、ガス抽出開口６５の断面積の有効な半径は増大する。
【００９１】
[0103]  ある実施形態では、各突出体６６は、バール６２とバール６２との間のピッチより小さい全幅を有する。ある実施形態では、バール６２とバール６２との間のピッチは、約１．５ｍｍ〜約２．５ｍｍの領域内にある。ある実施形態では、突出体６６の全幅は、約２．５ｍｍより小さいか又は約１．５ｍｍより小さい。突出体６６の全幅は、突出体６６の片側にある外側表面８８から突出体６６の反対側にある外側表面８８までの距離に相当する。突出体６６の全幅は、ガス抽出開口直径Ｄとガス抽出開口６５の両側における突出体６６の厚さとの合計に相当する。
【００９２】
[0104]  ある実施形態では、少なくとも１つの突出体６６は、ベース面６１の周囲縁と比べてベース面６１の中心により近く位置決めされる。ある実施形態では、少なくとも１つの突出体６６は、ベース面６１の周囲縁及びベース面６１の中心により近く位置決めされる。例えば、図１５に示すように、追加のセットのガス抽出開口６５がベース面６１の縁により近くに設けられてよい。図１５は、ベース面６１の中心により近いいくつかのガス抽出開口６５を示し、また、ベース面６１の周囲縁により近い別のガス抽出開口６５を示している。
【００９３】
[0105]  ガス抽出開口６５をベース面６１の周囲縁により近く設けることにより、本発明の実施形態は、より高い度合いの曲がりを有する基板Ｗのクランプを達成することが期待される。上記したように、基板Ｗが十分に曲がっている（例えば、ボウル形状の基板Ｗ）場合、基板Ｗがベース面６１の中心により近いガス抽出開口６５に近いとき、基板Ｗの周囲縁での漏れ流は、基板Ｗをクランプするのに高すぎる場合がある。追加のガス抽出開口６５をベース面６１の周囲縁に向かって設けることにより、このような曲がった基板Ｗをクランプすることができる。なぜなら、基板Ｗの中心部がベース面の中心におけるガス抽出開口６５にとても近くそれらを流れるガス流が小さくても、基板Ｗの周囲縁は追加のガス抽出開口６５から離れているからである。これは、ベース面６１の周囲縁により近い追加のガス抽出開口６５を通るガス流が、基板Ｗをクランプするのに十分に大きくなり得ることを意味する。
【００９４】
[0106]  図１５に示すように、各ガス抽出開口６５は突出体６６に設けられてよいが、必ずしもこの限りではない。ある実施形態では、ガス抽出開口６５には突出体６６が設けられていない。別の実施形態では、ベース面６１の中心により近いガス抽出開口６５に突出体６６が設けられる一方、ベース面６１の周辺部により近いガス抽出開口６５には、突出体６６が設けられていない。
【００９５】
[0107]  上記で説明したように、ある実施形態では、サポートテーブルＷＴには、ガス抽出開口６５の第１群８１及びガス抽出開口６５の第２群８６が設けられる。ガス抽出システムは、第１開口流量で第１群８１を通ってギャップからガスを抽出するように構成される。第１開口流量は、第１群８１内の全てのガス抽出開口６５が組み合わされたものを通るガスの全流量に相当する。ガス抽出システムは、第２開口流量で第２群８６を通ってギャップからガスを抽出するように構成される。第２開口流量は、第２群８６内の全てのガス抽出開口６５が組み合わされたものを通るガスの全流量に相当する。ある実施形態では、第１開口流量は第２開口流量より大きい。
【００９６】
[0108]  ある実施形態では、第１群８１のためのガス抽出チャネルは、第２群８６のためのガス抽出チャネルからの異なる真空源に接続される。上記したように、ある実施形態では、ガス抽出システムは、基板Ｗとサポート平面６４との間の距離が閾値距離より小さいときに、第１群８１を通るギャップからのガスの抽出を止めるように構成される。ガス抽出開口６５の第１群８１を通る流れを遮断することにより、基板ＷがサポートテーブルＷＴ上に着地したときにガス流を大幅に減らすことができる。各開口を通るガス流量を高い値から低い値に変更することに比べて、ガスを一組のガス抽出開口６５を通って抽出することを完全に止めることのほうが容易である。本発明のある実施形態は、ガス抽出システム及びサポートテーブルＷＴを含むリソグラフィ装置を製造することをより容易にすることが期待される。
【００９７】
[0109]  図１７に示すように、ある実施形態では、ベース面６１には、ガス抽出システムに接続された少なくとも１つのクランプ開口９１が設けられる。ガス抽出システムは、基板ＷがサポートテーブルＷＴによって支持されているときに、少なくとも１つのクランプ開口９１を通ってギャップからガスを抽出するように構成される。クランプ開口９１は、ベース面６１に設けられる。これは、クランプ開口が突出体６６に囲われていないことを意味する。したがって、クランプ開口９１を通るガス流量は、基板ＷとサポートテーブルＷＴとの間の距離に実質的に影響されない。
【００９８】
[0110]  突出体６６の存在は、基板ＷがサポートテーブルＷＴによって支持されているときに加えられるクランプ圧を減少させることができる。ベース面６１にクランプ開口９１を設けることにより、基板ＷがサポートテーブルＷＴによって支持されているときに確実にクランプ圧が高くすることができる。
【００９９】
[0111]  図１８に示すように、ある実施形態では、サポートテーブルＷＴには、少なくとも１つのガス供給開口９２が設けられ、ガス供給システムは、基板Ｗがサポートテーブルから離れるように上げられているときに少なくとも１つの供給開口９２を通ってギャップにガスを供給するように構成される。ガス供給システムは、露光処理が終了した後に基板Ｗをアンロードするのに役立つ。ある実施形態では、各ガス供給開口９２は、各ガス抽出開口６５から離れている。これは、ガスが各ガスチャネルを通って２方向に流れることができるようにリソグラフィ装置を設計する必要はないことを意味する。代わりに、一部の開口は、ガス抽出専用である。これらがガス抽出開口６５である。一方、他の開口は、例えば、基板Ｗのアンロード中におけるガスの供給のためだけに使用することができる。本発明のある実施形態は、リソグラフィ装置の製造をより容易にすることを期待される。
【０１００】
[0112]  ある実施形態では、リソグラフィ装置は、ガス抽出システムを制御するように構成されたコントローラ５００を含む。コントローラ５００は、上記したガス流量の変化を実施することができる。例えば、ある実施形態では、コントローラ５００は、基板Ｗとサポート平面６４との間の距離が閾値距離より小さいときに第１群８１を通ってギャップからガスを抽出することを止めるためにガス抽出システムを制御するように構成される。
【０１０１】
[0113]  図１９は、本発明のある実施形態によるサポートテーブルＷＴの断面を示している。図１９に示す特徴は、上記のあらゆる実施形態と組み合わせることができる。以下の説明は、ベース面６１より上に突出する突出体６６を有する実施形態に主に関連するが、バッファ容積２に関連する下記の特徴は、突出体６６を有さない実施形態にも適用することができる。
【０１０２】
[0114]  突出遠位端６７には、ガス抽出システムに接続されたガス抽出開口６５が設けられる。ある実施形態では、ガス抽出システムは、バッファ容積２を含む。図１９に示すように、ある実施形態では、バッファ容積２は、サポートテーブルＷＴ内に収容されたチャンバとして形成されるが、必ずしもこの限りではない。例えば、図２３に示す別の実施形態では、バッファ容積２は、サポートテーブルＷＴから離れた別の構成要素として形成される。
【０１０３】
[0115]  バッファ容積２は、ガス抽出開口６５と流体連通している。上記で説明したように、サポート平面６４（基板Ｗの底面がサポートテーブルＷＴによって支持されているときに一致するところ）と突出遠位端６７との間の距離は、ロード基板距離Ｌとして知られている（例えば、図５に示している）。各ガス抽出開口６５は、ガス抽出開口直径Ｄとして知られている直径を有する。ロード基板距離Ｌは、ガス抽出開口直径Ｄの半分より小さい。ある実施形態では、ロード基板距離Ｌは、ガス抽出開口直径Ｄの１／４より小さい。
【０１０４】
[0116]  結果として、ガス抽出開口６５を通ってベース面６１と基板Ｗとの間のギャップから抽出されてバッファ容積２内へのガスの流量は、基板ＷがサポートテーブルＷＴ上に着地したときに減少される。なぜなら、突出遠位端６７と基板Ｗとの間のギャップは、ガス抽出開口６５を通ってバッファ容積２内へと入るガスの流量に対する制限要因となるからである。
【０１０５】
[0117]  別の実施形態では、サポートテーブルＷＴは、突出体６６を含まない。このような実施形態では、基板ＷがサポートテーブルＷＴ上に着地したときに、ベース面６１と基板Ｗとの間の小さな距離が、ギャップからバッファ容積２内へと入る流量に対する制限要因となる程度に、バール６２の高さは十分に低い。突出体６６が設けられているか否かに関わらず、サポートテーブルＷＴは、ベース面６１と基板Ｗとの間のギャップから抽出されてバッファ容積２内に入るガスの流量が、基板ＷがサポートテーブルＷＴ上に着地したときに減少するようにサイズ調整して配置される。
【０１０６】
[0118]  ある実施形態では、ガス抽出システムは、負圧源５を含む。負圧源５は、バッファ容積２と流体連通している。負圧源５は、基板ＷがサポートテーブルＷＴに着地する前及び後に実質的に一定の速度でバッファ容積２からガスを抽出するように構成される。
【０１０７】
[0119]  負圧源５における圧力は制御される。例えば、ある実施形態では、コントローラ５００は、負圧源５における圧力を制御するように構成される。ある実施形態では、負圧源５における圧力は、少なくとも２０ｋＰａ（絶対圧）である。ある実施形態では、負圧源５における圧力は最高で５０ｋＰａである。単なる例として、負圧源５における圧力は、約４０ｋＰａであってもよく、これは周囲圧力より約６０ｋＰａ低く、大気圧である。
【０１０８】
[0120]  ある実施形態では、負圧源５は、閉塞流を介してバッファ容積２からガスを抽出するように構成される。図１９に示すように、ある実施形態では、ガス抽出システムは、バッファ容積２と負圧源５との間にオリフィス制限部４を含む。閉塞流をオリフィス制限部４の上に提供することができる。特に、オリフィス制限部４の片側にあるチャネル３内の圧力が負圧源５内の圧力より少なくとも１．９２倍大きい場合、バッファ容積２から負圧源５まで閉塞流が存在する。
【０１０９】
[0121]  負圧源５での圧力が４０ｋＰａである例では、オリフィス制限部４に隣接するチャネル３内の圧力が７７ｋＰａより高い場合、オリフィス制限部４を通る流量は、チャネル３内の圧力が７７ｋＰａであった場合と同じである。オリフィス制限部４に隣接するチャネル３内の圧力が大気圧と７７ｋＰａとの間であった場合、オリフィス制限部４にわたるガスの流量は実質的に同じである。
【０１１０】
[0122]  図２０は、基板Ｗのロード中の時間とバッファ容積２内へのガスの流量Ｆとの間の関係を示している。図２０では、Ｘ軸は、基板Ｗのロード中の時間を表す。Ｙ軸は、バッファ容積２内へのガスの流量を表す。時間ｔ１は、基板ＷがサポートテーブルＷＴ上に着地する時間に相当する。Ｙ軸上の流量は、基板Ｗが基板Ｗ上に着地する前の流量に対するパーセンテージとして示されている。図２０に示すように、基板ＷがサポートテーブルＷＴ上に着地したときに流量は減少する。なぜなら、突出遠位端６７と基板Ｗとの間のギャップは、流量に対する制限要因となるからである。図２０は、基板ＷがサポートテーブルＷＴ上に着地したときに流量が１００％から５０％に減少する例を示している。
【０１１１】
[0123]  図２１は、基板Ｗのロード中の時間とバッファ容積２内の圧力Ｐとの間の関係を示している。Ｙ軸は、バッファ容積２内の圧力を表す。図２１に示すように、基板ＷがサポートテーブルＷＴ上に着地したときに、圧力は減少し始める。なぜなら、バッファ容積２内への流量が減少する（図２０に示す）一方、バッファ容積２から出る流量は実質的に一定のままであるからである。バッファ容積２内のガスの量が減少することにより、バッファ容積２内の圧力が減少する。
【０１１２】
[0124]  バッファ容積２内の圧力が減少するにつれて、基板ＷとサポートテーブルＷＴのベース面６１との間のギャップとバッファ容積２との間の圧力差が増大する。圧力差の増大の結果、バッファ容積２内へのガスの流量は増大し始める。これは図２０に示されており、ここでは、１００％の流量から５０％の流量への初期降下の後に流量が増大する。
【０１１３】
[0125]  一方、バッファ容積２内へのガスの流量が増大するにつれて、バッファ容積２内の圧力の減少率が低下する。これは、経時的な圧力の減少の曲線を平らにすることによって図２１に示している。一方、バッファ容積２内への流量の増大率は、図２０の曲線の平坦化によって示されているように、経時的に減少する。
【０１１４】
[0126]  ある期間の後、バッファ容積２内へのガスの流量が定常値に到達する。同様に、バッファ容積２内の圧力が定常状態に達する。図２０に示すように、時間ｔ２では、流量は、基板ＷがサポートテーブルＷＴ上に着地する前と実質的に同じになるように増大する。これは、この実施形態では流量に対する定常値は、基板ＷがサポートテーブルＷＴ上に着地する前の流量と実質的に等しいことを意味する、
【０１１５】
[0127]  本発明によると、流量は、定常値に戻る前に一時的に減少する。図２０に示す例では、定常値は、基板ＷがサポートテーブルＷＴ上に着地する前のバッファ容積２０内へのガスの流量と同じであるが、必ずしもこの限りではない。図２２に示すように、定常流量は、基板ＷがサポートテーブルＷＴ上に着地する前の流量より小さくてもよい。
【０１１６】
[0128]  図２０では、期間Ｔは、流量が定常値に戻るまでにかかる時間を表す。ある実施形態では、ガス抽出システムは、基板ＷがサポートテーブルＷＴ上に着地したときにバッファ容積２内へのガスの流量が最初に減少した後に、バッファ容積２内へのガスの流量が定常値に戻るまで少なくとも５０ｍｓ、任意選択として少なくとも１０ｍｓ及び任意選択として少なくとも２０ｍｓかかる。５ｍｓ、１０ｍｓ、又は２０ｍｓは、基板ＷがサポートテーブルＷＴ上にクランプされるのに必要なおよその時間であり得る。基板ＷがサポートテーブルＷＴ上にクランプされるプロセス中であった場合に流量が減少することが望ましい。これは、基板Ｗが実際にクランプされる位置と基板Ｗのクランプのターゲット位置との間の偏差を減少させる。
【０１１７】
[0129]  突出体６６をバッファ容積２とともに設けることにより、基板Ｗの下からのガスの流量は通常高いが、低い必要があるときは低い。本発明のある実施形態は、高いスループットを達成しながらクランプされた基板Ｗの位置偏差を減少させることが期待される。
【０１１８】
[0130]  ある実施形態では、ガス抽出システムは、基板ＷがサポートテーブルＷＴ上に着地したときにバッファ容積２内へのガスの流量が最初に減少した後に、バッファ容積２内へのガスの流量が定常値に戻るまで少なくとも５０ｍｓ又は少なくとも１００ｍｓかかる。
【０１１９】
[0131]  図２０に示すように、ある実施形態では、定常値は、基板ＷがサポートテーブルＷ上に着地する前の流量と実質的に等しい。高い定常値は、曲がっている基板Ｗをクランプするのに望ましい。
【０１２０】
[0132]  本発明によると、基板Ｗのロード及び基板Ｗのクランプの両方のために１つだけ抽出チャネルが必要である。本発明のある実施形態は、サポートテーブルＷＴを製造するのにより安価にあることが期待される。
【０１２１】
[0133]  図２２に示すように、ある実施形態では、定常流は、基板ＷがサポートテーブルＷＴ上に着地する前の流量より少ない。これは、最初より小さい流れを有することに問題がないときに有用である。これは、突出体６６の設計のロバストな方法を提供する。ある実施形態では、突出体６６を有さない第２抽出チャネルを提供して基板Ｗの存在を検出し、その後に、曲がった基板Ｗをクランプするために必要なより大きい流れを供給する。
【０１２２】
[0134]  図１９に示すように、ある実施形態では、バッファ容積２とオリフィス制限部４との間にチャネル３が設けられるが、チャネル３は必須ではない。ある実施形態では、チャネル３は設けられず、オリフィス制限部４がバッファ容積２の隣（すなわち、その一端）に設けられる。チャネル３を通るガス流は、チャネル３が長いチューブの一部であった場合に層状であり得る。チューブの異なる片の間に接続部が存在するところでは、チャネル３内に乱流が存在し得る。
【０１２３】
[0135]  ある実施形態では、バッファ容積２は単一のチャンバとして提供される。ある実施形態では、バッファ容積２は、チュービング、例えば、特に幅広いチュービングによって画定される。ある実施形態では、バッファ容積２は、少なくとも２ｍｌ、任意選択として少なくとも５ｍｌ、任意選択として少なくとも１０ｍｌ、任意選択として少なくとも２０ｍｌ、任意選択して少なくとも５０ｍｌ及び任意選択として少なくとも１００ｍｌの容積を有する。バッファ容積２は、ガス抽出開口６５と負圧源５との間に位置決めされる。ある実施形態では、バッファ容積２０は、全てのガス抽出開口６５に取り付けられる。別の実施形態では、各々が１つ以上のガス抽出開口６５に接続された複数のバッファ容積２が存在する。
【０１２４】
[0136]  上記の多数の例では、液浸リソグラフィ装置に関連して説明したが、本発明はドライリソグラフィ装置にも同様に適用できる。当然のことながら、上記のあらゆる特徴は、あらゆる他の特徴とともに使用することができ、本出願で網羅されるのは、明確に記載された組み合わせだけではない。
【０１２５】
[00137]  当然のことながら、上記に記載のあらゆる特徴は他のあらゆる特徴と用いることができ、明確に記載されたその組み合わせのみが本出願に含まれるわけではない。例えば、本発明のある実施形態を図３の実施形態に適用することができる。さらに、本発明の実施形態は、便宜上のため、液浸リソグラフィ装置の関連で上述のとおり言及がなされたが、当然のことながら、本発明の実施形態は、任意の型のリソグラフィ装置と組み合わせて使われてもよい。
【０１２６】
[00138]  当業者にとっては当然のことであるが、そのような別の用途においては、本明細書で使用される「ウェーハ」又は「ダイ」という用語はすべて、それぞれより一般的な「基板」又は「ターゲット部分」という用語と同義であるとみなしてよい。本明細書に記載した基板は、露光の前後を問わず、例えば、トラック（通常、基板にレジスト層を塗布し、かつ露光されたレジストを現像するツール）、メトロロジーツール、及び／又はインスペクションツールで処理されてもよい。適用可能な場合には、本明細書中の開示内容を上記のような基板プロセシングツール及びその他の基板プロセシングツールに適用してもよい。さらに基板は、例えば、多層ＩＣを作るために複数回処理されてもよいので、本明細書で使用される基板という用語は、すでに多重処理層を包含している基板を表すものとしてもよい。
【０１２７】
[00139]  本明細書で使用される「放射」及び「ビーム」という用語は、紫外線（ＵＶ）（例えば、３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ、又は１２６ｎｍの波長、又はおよそこれらの値の波長を有する）を含むあらゆる種類の電磁放射を包含している。「レンズ」という用語は、文脈によっては、屈折及び反射型光コンポーネントを含む様々な種類の光コンポーネントのいずれか１つ又はこれらの組合せを指すことができる。
【０１２８】
[00140]  以上、本発明の具体的な実施形態を説明してきたが、本発明は、上述以外の態様で実施できることが明らかである。上記の説明は、制限ではなく例示を意図したものである。したがって、当業者には明らかなように、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本記載の発明に変更を加えてもよい。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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