(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１圧電基板と、
複数の第１電極指を有し、前記第１圧電基板の第１面に設けられた第１ＩＤＴと、
前記第１面上に設けられた第２圧電基板と、
前記第１面と空隙を介し対向する前記第２圧電基板の面である第２面に設けられ、前記複数の第１電極指と非平行な複数の第２電極指を有する第２ＩＤＴと、
を具備する弾性波デバイス。
【請求項２】
前記複数の第１電極指と前記複数の第２電極指の平面視においてなす角度は３０°以上かつ１５０°以下である請求項１記載の弾性波デバイス。
【請求項３】
前記複数の第１電極指と前記複数の第２電極指の平面視においてなす角度は略９０°である請求項１記載の弾性波デバイス。
【請求項４】
前記第１ＩＤＴと前記第２ＩＤＴとの距離は、前記第１圧電基板の厚さおよび前記第２圧電基板の厚さの少なくとも一方より小さい請求項１から３のいずれか一項記載の弾性波デバイス。
【請求項５】
前記第１ＩＤＴおよび前記第２ＩＤＴを囲むように設けられ、前記第１ＩＤＴおよび前記第２ＩＤＴを前記空隙に封止する環状封止部を具備する請求項１から４のいずれか一項記載の弾性波デバイス。
【請求項６】
前記第１電極指の延伸方向に配列した複数の前記第１ＩＤＴと、
前記第２電極指の延伸方向に配列した複数の前記第２ＩＤＴと、を具備する請求項１から５のいずれか一項記載の弾性波デバイス。
【請求項７】
前記複数の第１ＩＤＴは直列に接続され、前記複数の第２ＩＤＴは直列に接続されている請求項６記載の弾性波デバイス。
【請求項８】
前記第１圧電基板上に設けられ、共通端子と送信端子との間に直列に接続された複数の第１直列共振器と、前記共通端子と前記送信端子との間に並列に接続された１または複数の第１並列共振器と、を有する送信フィルタと、
前記第２圧電基板上に設けられ、前記共通端子と受信端子との間に直列に接続された複数の第２直列共振器と、前記共通端子と前記受信端子との間に並列に接続された１または複数の第２並列共振器と、を有する受信フィルタと、
を具備し、
前記複数の第１直列共振器はそれぞれ前記複数の第１ＩＤＴを含み、
前記複数の第２直列共振器はそれぞれ前記複数の第２ＩＤＴを含む請求項６記載の弾性波デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、弾性波デバイスに関し、ＩＤＴが形成された圧電基板を有する弾性波デバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
弾性波デバイスのパッケージング方法として、回路基板上にチップをフェースダウン実装し、チップの周りを封止部材で覆う方法が知られている。弾性波デバイスを集積化かつ小型化することが求められている。特許文献１には、表面にそれぞれＩＤＴ（Interdigital Transducer）が形成された２つの圧電基板を、ＩＤＴが空隙を介し対向するように接合することが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特表２００８−５４６２０７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１のように、ＩＤＴが対向するように圧電基板を積層すると、ＩＤＴおよび／または配線間の寄生容量が大きくなる。これにより、ＩＤＴおよび／または配線間が干渉し、弾性波デバイスの特性が劣化する。
【０００５】
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、ＩＤＴおよび／または配線間の寄生容量を抑制することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、第１圧電基板と、複数の第１電極指を有し、前記第１圧電基板の第１面に設けられた第１ＩＤＴと、前記第１面上に設けられた第２圧電基板と、前記第１面と空隙を介し対向する前記第２圧電基板の面である第２面に設けられ、前記複数の第１電極指と非平行な複数の第２電極指を有する第２ＩＤＴと、を具備する弾性波デバイスである。
【０００７】
上記構成において、前記複数の第１電極指と前記複数の第２電極指の平面視においてなす角度は３０°以上かつ１５０°以下である構成とすることができる。
【０００８】
上記構成において、前記複数の第１電極指と前記複数の第２電極指の平面視においてなす角度は略９０°である構成とすることができる。
【０００９】
上記構成において、前記第１ＩＤＴと前記第２ＩＤＴとの距離は、前記第１圧電基板の厚さおよび前記第２圧電基板の厚さの少なくとも一方より小さい構成とすることができる。
【００１０】
上記構成において、前記第１ＩＤＴおよび前記第２ＩＤＴを囲むように設けられ、前記第１ＩＤＴおよび前記第２ＩＤＴを前記空隙に封止する環状封止部を具備する構成とすることができる。
【００１１】
上記構成において、前記第１電極指の延伸方向に配列した複数の前記第１ＩＤＴと、前記第２電極指の延伸方向に配列した複数の前記第２ＩＤＴと、を具備する構成とすることができる。
【００１２】
上記構成において、前記複数の第１ＩＤＴは直列に接続され、前記複数の第２ＩＤＴは直列に接続されている構成とすることができる。
【００１３】
上記構成において、前記第１圧電基板上に設けられ、共通端子と送信端子との間に直列に接続された複数の第１直列共振器と、前記共通端子と前記送信端子との間に並列に接続された１または複数の第１並列共振器と、を有する送信フィルタと、前記第２圧電基板上に設けられ、前記共通端子と受信端子との間に直列に接続された複数の第２直列共振器と、前記共通端子と前記受信端子との間に並列に接続された１または複数の第２並列共振器と、を有する受信フィルタと、を具備し、前記複数の第１直列共振器はそれぞれ前記複数の第１ＩＤＴを含み、前記前記複数の第２直列共振器はそれぞれ前記複数の第２ＩＤＴを含む構成とすることができる。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、ＩＤＴおよび／または配線間の寄生容量を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】図１は、実施例１に係る弾性波デバイスの断面図である。
【図２】図２（ａ）は、実施例１における弾性波共振器の平面図、図２（ｂ）は、図２（ａ）のＡ−Ａ断面図である。
【図３】図３は、実施例１における圧電基板１０の上面の平面図である。
【図４】図４は、実施例１における圧電基板１０の下面の平面図である。
【図５】図５は、実施例１における圧電基板４０の下面の平面図である。
【図６】図６は、実施例１における弾性波共振器を重ねた平面図である。
【図７】図７は、比較例１における弾性波共振器を重ねた平面図である。
【図８】図８（ａ）は、弾性波共振器を示す図、図８（ｂ）は、角度θに対する重なり面積を示す図である。
【図９】図９は、実施例１の変形例１に係る弾性波共振器を重ねた平面図である。
【図１０】図１０は、実施例２に係る弾性波デバイスの断面図である。
【図１１】図１１は、実施例２における圧電基板１０の上面の平面図である。
【図１２】図１２は、実施例２における圧電基板４０の下面の平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、図面を参照し本発明の実施例について説明する。
【実施例１】
【００１７】
図１は、実施例１に係る弾性波デバイスの断面図である。図１に示すように、圧電基板１０の上面に弾性波共振器２０、配線３４およびパッド３５が設けられている圧電基板１０の下面には端子３０が設けられている。端子３０は例えばフットパッドである。圧電基板１０を貫通するビア配線３２が設けられている。ビア配線３２は、端子３０とパッド３５とを電気的に接続する。圧電基板４０の下面には弾性波共振器４２、配線４４およびパッド４５が設けられている。圧電基板１０と４０との間にはバンプ３６および環状封止部３８が設けられている。バンプ３６はパッド３５と４５とを電気的に接続する。環状封止部３８は弾性波共振器２０および４２を囲むように設けられ、弾性波共振器２０および４２を空隙２５に封止する。弾性波共振器２０と４２とは空隙２５を介し対向している。
【００１８】
圧電基板１０および４０は、例えばタンタル酸リチウム基板またはニオブ酸リチウム基板である。端子３０、ビア配線３２並びにパッド３５および４５は、例えば銅層、アルミニウム層または金層等の金属層である。バンプ３６は、例えば金バンプ、銅バンプまたは半田バンプである。環状封止部３８は、金層、銅層または半田層等の金属層、または樹脂層等の絶縁層である。
【００１９】
図２（ａ）は、実施例１における弾性波共振器の平面図、図２（ｂ）は、図２（ａ）のＡ−Ａ断面図である。図２（ａ）および図２（ｂ）に示すように、圧電基板１０または４０上にＩＤＴ２１および反射器２２形成されている。ＩＤＴ２１および反射器２２は、圧電基板１０または４０上に形成された金属膜１２により形成される。ＩＤＴ２１は、対向する一対の櫛型電極１８を備える。櫛型電極１８は、複数の電極指１４と、複数の電極指１４が接続されたバスバー１６を備える。一対の櫛型電極１８は、電極指１４がほぼ互い違いとなるように、対向して設けられている。
【００２０】
電極指１４が励振する弾性波は、主に電極指１４の配列方向に伝搬する。電極指１４の周期がほぼ弾性波の波長λとなる。弾性波の伝搬方向をＸ方向、伝搬方向に直交する方向（すなわち電極指１４の延伸方向）をＹ方向とする。Ｘ方向およびＹ方向は、圧電基板１０の結晶方位のＸ軸方向およびＹ軸方向とは必ずしも対応しない。圧電基板１０または４０として回転ＹカットＸ伝搬タンタル酸リチウム基板またはニオブ酸リチウム基板を用いる場合、Ｘ方向は結晶方位のＸ軸方向となる。金属膜１２は、例えばアルミニウム膜または銅膜である。一対の櫛型電極１８の電極指１４が重なる開口長を長くすると、電極指１４の抵抗が高くなる。このため、ＩＤＴ２１は、Ｙ方向を短くし、Ｘ方向を長くする。また、反射器２２はＩＤＴ２１のＸ方向の両側に設けられている。これらにより、弾性波共振器２０および４２は、平面視においてＸ方向に延伸する辺が長辺およびＹ方向に延伸する辺が短辺となる長方形となる。
【００２１】
図３は、実施例１における圧電基板１０の上面の平面図である。図３に示すように、圧電基板１０の外縁に環状封止部３８が設けられている。圧電基板１０の上面には複数の弾性波共振器２０が設けられている。弾性波共振器２０が励振する弾性波の伝搬方向（電極指の配列方向）がＸ１方向であり、弾性波共振器２０の電極指の延伸方向がＹ１方向である。弾性波共振器２０は、Ｘ１方向が長辺およびＹ１方向が短辺となる長方形状を有している。複数の弾性波共振器２０同士は配線３４により電気的に接続されている。弾性波共振器２０とパッド３５とは配線３４により電気的に接続されている。パッド３５上にはバンプ３６が設けられ、パッド３５下にはビア配線３２が設けられている。
【００２２】
パッド３５として、共通パッドＰａ１、送信パッドＰｔ１、受信パッドＰｒ１およびグランドパッドＰｇ１が設けられている。共通パッドＰａ１と送信パッドＰｔ１との間に複数の直列共振器Ｓ１１からＳ１５が配線３４を介し直列に接続されている、共通パッドＰａ１と送信パッドＰｔ１との間に１または複数の並列共振器Ｐ１１からＰ１３が配線３４を介し並列に接続されている。このように、圧電基板１０の上面にラダー型フィルタである送信フィルタ５０が設けられている。圧電基板１０の上面において受信パッドＰｒ１は弾性波共振器２０には電気的に接続されていない。
【００２３】
図４は、実施例１における圧電基板１０の下面の平面図である。理解し易いように、図４は圧電基板１０の上面から透視した平面図である。図４に示すよう、圧電基板１０の下面に端子３０が設けられている。端子３０として共通端子Ａｎｔ、送信端子Ｔｘ、受信端子Ｒｘおよびグランド端子Ｇｎｄが設けられている。共通端子Ａｎｔ、送信端子Ｔｘ、受信端子Ｒｘおよびグランド端子Ｇｎｄはビア配線３２を介し図３の共通パッドＰａ１、送信パッドＰｔ１、受信パッドＰｒ１およびグランドパッドＰｇ１に電気的に接続されている。
【００２４】
図５は、実施例１における圧電基板４０の下面の平面図である。理解し易いように、図５は圧電基板４０の上面から透視した平面図である。図５に示すように、圧電基板４０の外縁に環状封止部３８が設けられている。圧電基板４０の下面には複数の弾性波共振器４２が設けられている。弾性波共振器４２が励振する弾性波の伝搬方向がＸ２方向であり、弾性波共振器４２の電極指の延伸方向がＹ２方向である。弾性波共振器４２は、Ｘ２方向が長辺およびＹ２方向が短辺となる長方形状を有している。複数の弾性波共振器４２同士は配線４４により電気的に接続されている。弾性波共振器４２とパッド４５とは配線４４より電気的に接続されている。
【００２５】
パッド４５下にはバンプ３６が設けられている。パッド４５として、共通パッドＰａ２、受信パッドＰｒ２およびグランドパッドＰｇ２が設けられている。共通パッドＰａ２と受信パッドＰｒ２との間に複数の直列共振器Ｓ２１からＳ２５が配線４４を介し直列に接続されている、共通パッドＰａ２と受信パッドＰｒ２との間に１または複数の並列共振器Ｐ２１からＰ２３が配線４４を介し並列に接続されている。このように、圧電基板４０の下面にラダー型フィルタである受信フィルタ５２が設けられている。共通パッドＰａ２、受信パッドＰｒ２およびグランドパッドＰｇ２は、それぞれ圧電基板１０の上面に設けられた共通パッドＰａ１、受信パッドＰｒ１およびグランドパッドＰｇ１を介し共通端子Ａｎｔ、受信端子Ｒｘおよびグランド端子Ｇｎｄに電気的に接続されている。
【００２６】
図６は、実施例１における弾性波共振器を重ねた平面図である。図６において、弾性波共振器２０を実線、弾性波共振器４２を破線で示す。弾性波共振器２０と４２の重なる領域５４をクロスハッチで示す。図６に示すように、弾性波共振器２０の弾性波の伝搬方向Ｘ１と弾性波共振器４２の弾性波の伝搬方向Ｘ２とは平面視においてほぼ直交している。弾性波共振器２０の電極指の延伸方向Ｙ１と弾性波共振器４２の電極指の延伸方向Ｙ２とはほぼ直交している。
【００２７】
図７は、比較例１における弾性波共振器を重ねた平面図である。図７に示すように、比較例１では、弾性波共振器２０の弾性波の伝搬方向Ｘ１と弾性波共振器４２の弾性波の伝搬方向Ｘ２とはほぼ平行である。弾性波共振器２０の電極指の延伸方向Ｙ１と弾性波共振器４２の電極指の延伸方向Ｙ２とはほぼ平行である。弾性波共振器２０の配置は、実施例１と同じである。実施例１とほぼ同程度の面積の弾性波共振器４２を、実施例１とほぼ同様の配置になるようにレイアウトしている。
【００２８】
図６と図７とを比較すると、平面視における弾性波共振器２０と４２との重なる領域５４の面積は、実施例１は比較例１に比べ数１０％減少している。弾性波共振器２０と４２とを空隙２５を介し対向させた場合、弾性波共振器２０と４２との距離はほぼバンプ３６の高さであり、１０μｍ程度である。領域５４の面積が大きいと、空隙２５を介した弾性波共振器２０と４２との間の寄生容量が増加する。このため、弾性波共振器２０を伝搬する高周波信号と弾性波共振器４２を伝搬する高周波信号とが干渉し、アイソレーション特性が劣化する。実施例１では、比較例１に比べ領域５４の面積が小さく、アイソレーション特性が向上する。なお、弾性波共振器２０と４２の重なる領域５４について説明したが、配線３４と４４との重なる面積についても同様である。
【００２９】
弾性波共振器２０と４２とのなす角度が任意の場合について説明する。図８（ａ）は、弾性波共振器を示す図、図８（ｂ）は、角度θに対する重なり面積を示す図である。図８（ａ）に示すように、弾性波共振器２０および４２の面積を１０μｍ×１００μｍとし、平面視における弾性波共振器２０と４２のなす角度θを変え重なる領域５４の面積を算出した。領域５４の面積は、１／ｃｏｓ（９０°−θ）で近似できる。
【００３０】
図８（ｂ）に示すように、領域５４の面積は角度θが０から大きくなると急激に小さくなり、角度θが３０°以上でほぼ一定となる。弾性波共振器２０および４２が各々複数設けられている場合、図８（ａ）のように単純ではないが、角度θに対する領域５４の面積の関係の傾向は図８（ｂ）と同様と考えられる。
【００３１】
電極指１４のピッチに比べ弾性波共振器２０と４２との距離が大きい場合、電極指１４の１本ごとの重なりより、弾性波共振器２０と４２との全体としての重なりが主に寄生容量に影響する。よって、弾性波共振器２０と４２との重なる領域５４の面積が弾性波共振器２０と４２との間の寄生容量に比例する。電極指１４のピッチに比べ弾性波共振器２０と４２との距離が小さい場合、電極指１４の１本ごとの重なりも寄生容量に影響する。この場合の寄生容量の算出はより複雑になるが、弾性波共振器２０と４２の電極指１４同士の重なる面積を小さくするため、弾性波共振器２０と４２の電極指１４は非平行であることが好ましい。
【００３２】
図９は、実施例１の変形例１に係る弾性波共振器を重ねた平面図である。図９に示すように、弾性波共振器２０の弾性波の伝搬方向Ｘ１と弾性波共振器４２の弾性波の伝搬方向Ｘ２とのなす角度はほぼ３０°である。弾性波共振器２０の電極指の延伸方向Ｙ１と弾性波共振器４２の電極指の延伸方向Ｙ２とのなす角度はほぼ３０°である。実施例１の変形例１のように、方向Ｘ１とＸ２（すなわち方向Ｙ１とＹ２）は傾斜していてもよい。
【００３３】
実施例１およびその変形例によれば、図１のように、弾性波共振器２０（第１ＩＤＴ）が圧電基板１０（第１圧電基板）の上面（第１面）に設けられている。弾性波共振器４２（第２ＩＤＴ）は圧電基板４０（第２圧電基板）の下面（第２面）に設けられている。圧電基板１０の上面と圧電基板４０の下面は空隙２５を介し対向している。図７および図９のように、弾性波共振器２０の電極指の延伸方向Ｙ１と弾性波共振器４２の電極指の延伸方向Ｙ２とは非平行である。これにより、弾性波共振器２０と４２とが重なる面積、および／または配線３４と４４とが重なる面積を小さくできる。よって、弾性波共振器２０と４２との間の寄生容量が抑制され、アイソレーション特性が向上する。
【００３４】
また、図８（ｂ）のように、領域５４の面積を抑制するため、弾性波共振器２０と４２との電極指のなす角度θは３０°以上かつ１５０°以下であることが好ましく、６０°以上かつ１２０°以下がより好ましい。さらに、弾性波共振器２０と４２との電極指のなす角度θは略９０°であることが好ましい。略９０°は、製造工程におけるばらつきを許容する範囲であり、例えば８０°以上かつ１００°以下であり、８９°以上かつ９１°以下である。
【００３５】
さらに、弾性波共振器２０と４２との距離が短いと、弾性波共振器２０と４２との間の寄生容量が大きくなる。よって、弾性波共振器２０と４２との距離が圧電基板１０の厚さおよび圧電基板４０の厚さの少なくとも一方より小さいとき、弾性波共振器２０と４２との電極指を非平行とすることが好ましい。弾性波共振器２０と４２との距離は、例えば３０μｍ以下が好ましい。
【００３６】
さらに、環状封止部３８は弾性波共振器２０および４２を囲むように設けられ、弾性波共振器２０および４２を空隙２５に封止する。このような構造では、空隙２５を介した弾性波共振器２０と４２との距離が短くなる。よって、弾性波共振器２０と４２との電極指を非平行とすることが好ましい。
【００３７】
さらに、図３のように、圧電基板１０において直列共振器Ｓ１１からＳ１５（複数の第１ＩＤＴ）はＹ１方向に配列している。図５のように、圧電基板４０において直列共振器Ｓ２１からＳ２５（複数の第２ＩＤＴ）はＹ２方向に配列している。このように、複数の共振器が配列していると、複数の共振器Ｓ１１からＳ１５（およびＳ２１からＳ２５）は一塊として長方形状となる。よって、図８（ａ）および図８（ｂ）において説明した長方形を複数の共振器の一塊として扱うことができる。これにより、弾性波共振器２０と４２との電極指を非平行とすることにより、圧電基板１０の上面に設けられた一塊の複数の共振器Ｓ１１からＳ１５と圧電基板４０の下面に設けられた一塊の共振器Ｓ２１からＳ２５とが重なる面積を小さくできる。よって、共振器Ｓ１１からＳ１５とＳ２１からＳ２５との間の寄生容量を削減し、これらの間のアイソレーションを改善できる。
【００３８】
さらに、図３のように、直列共振器Ｓ１１からＳ１５は直列に接続され、図５のように、直列共振器Ｓ２１からＳ２５は直列に接続されている。このような構成では、複数の共振器と、これらを接続する配線と、が一塊として長方形状となる。そこで、弾性波共振器２０と４２との電極指を非平行とすることにより、圧電基板１０の上面に設けられた一塊の複数の共振器Ｓ１１からＳ１５およびこれらを接続する配線３４と圧電基板４０の下面に設けられた一塊の複数の共振器Ｓ２１からＳ２５およびこれらを接続する配線４４とが重なる面積を小さくできる。
【００３９】
さらに、送信フィルタ５０および受信フィルタ５２がそれぞれ圧電基板１０および４０上に設けられている。送信フィルタ５０は、ラダー型フィルタであり、複数の直列共振器Ｓ１１からＳ１５（第１直列共振器）および並列共振器Ｐ１１からＰ１３（第１並列共振器）を有している。受信フィルタ５２は、ラダー型フィルタ（であり、複数の直列共振器Ｓ２１からＳ２５（第２直列共振器）および並列共振器Ｐ２１からＰ２３（第２並列共振器）を有している。ラダー型フィルタの直列共振器を効率よくレイアウトしようとすると、直列共振器は電極指の延伸方向に配列することになる。このとき、複数の直列共振器とこれらを接続する配線が一塊として長方形状となる。よって、図３のように、弾性波共振器２０と４２との電極指を非平行とする。これにより、圧電基板１０の上面に設けられた直列共振器Ｓ１１からＳ１５およびこれらを接続する配線３４と圧電基板４０の下面に設けられた直列共振器Ｓ２１からＳ２５およびこれらを接続する配線４４とが重なる面積を小さくできる。よって、送信フィルタ５０と受信フィルタ５２との間の寄生容量を削減し、これらの間のアイソレーションを改善できる。
【００４０】
共振端子Ａｎｔと送信端子Ｔｘとの間に接続された送信フィルタ５０と共通端子Ａｎｔと受信端子Ｒｘとの間に接続された受信フィルタ５２とを有するデュプレクサを例に説明した。デュプレクサでは、送信端子Ｔｘから受信端子Ｒｘへの送信信号の漏洩が問題となる。実施例１では、送信端子Ｔｘから受信端子Ｒｘへのアイソレーション特性を改善できる。
【００４１】
送信フィルタ５０および受信フィルタ５２を例に説明したが、基板１０および基板４０に設けられたフィルタは送信フィルタおよび受信フィルタでなく、それぞれ入力端子と出力端子との間に接続されたラダー型フィルタでもよい。例えば周波数分割複信（ＦＤＤ：Frequency Division Duplex）方式の送信帯域と受信帯域とは重ならない。このように、フィルタの通過帯域が異なる場合（例えば通過帯域の中心周波数が異なる場合、または通過帯域が重ならない場合）、フィルタ間のアイソレーション特性が問題となる。よって、弾性波共振器２０と４２との電極指を非平行とすることが好ましい。また、フィルタは多重モードフィルタでもよい。
【実施例２】
【００４２】
図１０は、実施例２に係る弾性波デバイスの断面図である。図１０に示すように、支持基板１１上に圧電基板１０が接合されている。ビア配線３２は圧電基板１０および支持基板１１を貫通する。圧電基板１０の上面に環状金属層６６が設けられている。環状金属層６６上に環状封止部６０が設けられている。環状封止部６０は、圧電基板４０の周りを囲っている。圧電基板４０の上面および環状封止部６０の上面に平板状のリッド６２が設けられている。リッド６２および環状封止部６０を覆うように保護膜６４が設けられている。支持基板１１は、例えばサファイア基板、スピネル基板、アルミナ基板またはシリコン基板である。圧電基板１０は、例えばニオブ酸リチウム基板またはタンタル酸リチウム基板である。環状封止部６０は、例えば半田層等の金属層または樹脂層等の絶縁層である。環状金属層６６は、ニッケル層、銅層、アルミニウム層または金層等の金属層である。リッド６２は例えば金属板または絶縁板である。保護膜６４は金属膜または絶縁膜である。
【００４３】
図１１は、実施例２における圧電基板１０の上面の平面図である。図１２は、実施例２における圧電基板４０の下面の平面図である。平面視において圧電基板４０は圧電基板１０より小さい。圧電基板４０を囲むように環状封止部６０が設けられている。その他の構成は実施例１と同じであり説明を省略する。
【００４４】
図１０から図１２に示すように、環状封止部６０は圧電基板４０を囲むように設けられていてもよい。圧電基板１０は支持基板１１に接合されていてもよい。圧電基板４０の上に支持基板が接合されていてもよい。実施例１およびその変形例においても圧電基板１０および／または４０は支持基板に接合されていてもよい。
【００４５】
また、実施例１および２並びにその変形例において、圧電基板１０の上面および圧電基板４０の下面の少なくとも一方にＩＤＴ２１および反射器２２を覆うように誘電体膜が設けられていてもよい。
【００４６】
以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明はかかる特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【符号の説明】
【００４７】
１０、４０  圧電基板
１１  支持基板
１２  金属膜
１４  電極指
１８  櫛型電極
２０、４２  弾性波共振器
２１  ＩＤＴ
２２  反射器
３０  端子
３２  ビア配線
３４、４４  配線
３５、４５  パッド
３６  バンプ
３８、６０  環状封止部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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