【事件の表示】
　特許第３２８７２３４号「リフトオフ法用ポジ型レジスト組成物及びパターン形成方法」の請求項１ないし４に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第３２８７２３４号の請求項１ないし４に係る特許を取り消す。
【理　由】
Ｉ．本件発明
　本件特許第３２８７２３４号（平成８年９月１９日出願、平成１４年３月１５日設定登録）の請求項１ないし４に係る発明は、特許明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし請求項４（以下、「本件発明１」ないし「本件発明４」という。）に記載された次のとおりのものである。
「【請求項１】　（１）下記一般式（１）で示される１又は２以上の繰り返し単位を有し、ポリスチレン換算重量平均分子量が２，０００〜２０，０００であるノボラック樹脂の水酸基の水素原子を２．５〜２７モル％の割合で１，２−ナフトキノンジアジドスルホニル基で置換した１，２−ナフトキノンジアジドスルホニル基導入ノボラック樹脂を主成分とし、
【化１】
（但し、式中ｍは０〜３の整数である。）
（２）フェノール性水酸基を有し、ベンゼン環の数が２〜２０個であり、かつ、フェノール性水酸基の数とベンゼン環の数の比率が０．５〜２．５である下記一般式（２）又は（３）で示される低核体を上記ノボラック樹脂１００重量部に対し１〜６０重量部
【化２】
〔但し、ｍは０〜２の整数、ｎは０〜２の整数であり、ｎが０の場合、ｍは１又は２である。Ｒ１〜Ｒ６はそれぞれ独立して水素原子、メチル基、下記式（４）で示される基又は下記式（５）で示される基である。Ａは、ｎが０でかつｍが１の場合、水素原子、メチル基又は下記式（４）で示される基、ｎが０でかつｍが２の場合、一方がメチレン基又は下記式（６）で示される基で他方が水素原子、メチル基又は下記式（４）で示される基、ｎが１の場合メチレン基又は下記式（６）で示される基である。ｎが２の場合、ｍが１のときはＡはメチン基又は下記式（７）で示される基、ｍが２のときはＡの一方がメチレン基又は下記式（６）で示される基で他方がメチン基又は下記式（７）で示される基である。また、ｈは重量平均分子量で２００〜２，５００を満たす数を示す。
【化３】
（ｐ，ｑ，ｒ，ｓ，ｔはそれぞれ０〜３の整数である。）〕
配合することを特徴とするリフトオフ用ポジ型レジスト組成物。
【請求項２】　基板上にレジストパターンを形成した後、レジストパターンを含む基板表面にメタル層を形成し、次いでレジストパターンを剥離して、上記基板上に所定のメタルパターンを形成することからなるリフトオフ法によるパターン形成方法において、上記レジストパターンを請求項１に記載のポジ型レジスト組成物を用いて形成するとともに、上記レジストパターンにアンダーカットを形成することを特徴とするパターン形成方法。
【請求項３】　図１又は図２に示すレジスト層プロファイルにおいて、レジスト層のライン幅をＬμｍ、厚さをＴμｍとし、アンダーカットの切れ込み高さをＡμｍ、切れ込み深さをＢμｍとした場合、レジスト層の厚さＴを２０μｍ以下、上記アンダーカットの切れ込みの程度を下記数式〔Ｉ〕及び〔ＩＩ〕の範囲に形成するようにした請求項２記載のパターン形成方法。
【数１】
　１／２０≦Ａ／Ｔ≦２／５　　　…〔Ｉ〕
　１／２０≦Ａ／Ｂ≦４　　　　　…〔ＩＩ〕
【請求項４】　基板上に請求項１記載のポジ型レジスト組成物のレジスト層を形成し、露光前又は現像前に９０〜１３０℃の温度範囲でベークを行った後、露光、現像して、レジスト層にアンダーカットを形成した請求項２又は３記載のパターン形成方法。」
　なお、図１及び図２を次に示す。
　
II．刊行物の記載事項
１．当審で通知した取消理由で引用した刊行物１（特開平８−６９１１１号公報、特許異議申立人　東京応化工業株式会社が証拠として提示した甲第１号証）には、以下のような事項が記載されている。
(1a)「【請求項１】　（１）アルカリ可溶性樹脂として下記一般式（１）で示される繰り返し単位を有し、ポリスチレン換算重量平均分子量が２０００〜１００００であるノボラック樹脂
【化１】
（但し、式中ｍは０〜３の整数である。）
（２）溶解促進剤としてフェノール性水酸基を有し、かつベンゼン環の数が２〜５個である下記一般式（２）又は（３）で示される低核体
【化２】
（但し、式中ｊは１又は２、ｋ、ｍ、ｐはそれぞれ０〜３、ｎは１〜４、ｑは１〜３、ｒは２又は３の整数で、ｍ＋ｐ＋ｎ≦６、ｋ＋ｑ≦５である。）
（３）感光剤として下記一般式（４）又は（５）で示される１，２−ナフトキノンジアジドスルホニル基を分子中に有し、エステル化率６５％以上の化合物
【化３】
を配合してなることを特徴とするリフトオフ法用ポジ型レジスト組成物。
・・・・・
【請求項４】　基盤上にレジストパターンを形成した後、レジストパターンを含む基盤表面にメタル層を形成し、次いでレジストパターンを剥離して、上記基盤上に所定のメタルパターンを形成することからなるリフトオフ法によるパターン形成方法において、上記レジストパターンを構成するレジスト層にマイクログルーブを形成することを特徴とするパターン形成方法。
【請求項５】　図１又は図２に示すレジスト層プロファイルにおいて、レジスト層のライン幅をＬμｍ、厚さをＴμｍとし、マイクログルーブの切れ込み高さをＡμｍ、切れ込み深さをＢμｍとした場合、レジスト層の厚さＴを２０μｍ以下、上記マイクログルーブの切れ込みの程度を下記数式〔Ｉ〕及び〔ＩＩ〕
【数１】
　　　　１／２０≦Ａ／Ｔ≦２／５　　　　　…〔Ｉ〕
　　　　１／１０≦Ａ／Ｂ≦２　　　　　　　…〔II〕
の範囲に形成するようにした請求項４記載のパターン形成方法。
【請求項６】　レジストパターンを請求項１、２又は３記載のポジ型レジスト組成物にて形成した請求項４又は５記載のパターン形成方法。
【請求項７】　基盤上に請求項１、２又は３記載のポジ型レジスト組成物にてレジスト膜を形成し、露光前又は現像前に１００〜１３０℃の温度範囲でベークを行った後、露光、現像して、レジスト層にマイクログルーブを形成した請求項６記載のパターン形成方法。」（特許請求の範囲）
(1b)「溶解促進剤としては、フェノール性水酸基を有し、かつベンゼン環の数が２〜５個である下記一般式（２）又は（３）で示される低核体を配合する。
【化１０】
（但し、式中ｊは１又は２、ｋ、ｍ、ｐはそれぞれ０〜３、ｎは１〜４、ｑは１〜３、ｒは２又は３の整数で、ｍ＋ｐ＋ｎ≦６、ｋ＋ｑ≦５である。）
　上記低核体のベンゼン環の数は２〜５であり、２に満たないとレジスト膜の耐熱性を極端に劣化させ、５を超えるとマイクログルーブの発現が困難になる。
　このような低核体として具体的には、下記のものが挙げられる。
（Ｃ−１）・・・・・（Ｃ−３７）」（【００２３】〜【００３０】）
　なお、具体例の構造式の記載は省略するが、（Ｃ−１）〜（Ｃ−３７）として、本件の（Ｃ−１）〜（Ｃ−３７）と同一の構造式が記載されている。
(1c)「本発明のポジ型レジスト組成物を使用する場合、特にレジスト膜を形成した後、露光前又は現像前に１００〜１３０℃の温度でベークすることが有効であり、これによりマイクログルーブをより効果的に発生させることができる。なお、レジスト膜の上記ベークは、プリベーク工程又はポストエクスポージャーベーク工程のいずれかの段階で行うことができる。ここで、上記ベーク温度が１００℃に満たないとマイクログルーブは発生せず、１３０℃を超えるとレジスト剥離が困難になる場合が生じる。より好適なベーク温度は１００〜１２０℃である。」（【００４３】）
(1d)「〔実施例１〜１０〕表３に示すアルカリ可溶性樹脂８０部に対し、表３に示すように１，２−キノンジアジド化合物、溶解促進剤及び溶剤を加えて混合し、均一溶液とした後、孔径０．２μｍのメンブランフィルターにて濾過し、ポジ型レジスト組成物溶液を調製した。
　得られたレジスト溶液を６”シリコンウェハー上に塗布し、９０℃×９０秒間のソフトベークを行い、厚さ３．０μｍのレジスト膜を形成した。
　次に、レクチルを介して波長３６５ｎｍ（ｉ線）の放射線を照射し、１２０℃×９０秒間のＰＥＢ（ポストエクスポージャーベーキング）を行った後、現像、純水リンス、乾燥を行った。得られたレジストの性能評価を上記方法で行い、また１０μｍＬ／Ｓのパターンプロファイルを図１，２に示したマイクログルーブの切れ込み量（高さＡ、深さＢ）で評価した。結果を表３に示す。」（【００５４】〜【００５６】）
(1e)「〔実施例１１〜２０〕　日電アネルバ社製真空蒸着装置（ＥＶＤ−５００）を用いて、実施例１〜１０で形成したパターン上に、Ａｕを５０００Å厚で形成した後、アセトン溶剤中に１５分間浸し、レジスト剥離を行った。残って形成されたＡｕのパターンを電子顕微鏡にて観察し、レジスト残及びＡｕのバリの有無を確認したところ、いずれもレジスト残がなく、Ａｕのバリも発生しないものであった。」（【００５９】）
(1f)．表４には、溶解促進剤を使用しないもの（比較例１）及び使用量の少ないもの（比較例２、４）は、マイクログルーブの切れ込み高さＡ(μｍ)及び切れ込み深さＢ(μｍ)が０であること。
(1g)．図１及び図２として、本件の図１及び図２と同一の図面が記載されている。
　
２．同刊行物２（特開平７−９２６７１号公報、同甲第２号証）には、以下のような事項が記載されている。
(2a)「【請求項１】　アルカリ可溶性ノボラック樹脂と１，２−キノンジアジド化合物とを含有するか、又は１，２−キノンジアジド基が導入されたアルカリ可溶性ノボラック樹脂が含有されたポジ型フォトレジスト組成物に、下記式（１）で示され、重量平均分子量が３，０００〜５０，０００で分散度が１．０１〜２．０の単分散ポリヒドロキシスチレンポリマーを溶解促進剤として配合したことを特徴とするポジ型フォトレジスト組成物。
【化１】
（ただし、Ｒ１及びＲ２は炭素数１〜６のアルキル基又は水素原子を示す。）」（特許請求の範囲第１項）
(2b)「ここで、アルカリ可溶性ノボラック樹脂としては、例えば下記一般式（２）で示される繰り返し単位を１単位以上有し、ポリスチレン換算重量平均分子量が１，０００〜１０，０００であるものが好適に使用される。
【化３】
（式中、ｍは０〜３の整数を示す。）」（【００１２】【００１３】）
(2c)「一方、１，２−キノンジアジド基が導入されたアルカリ可溶性ノボラック樹脂としては、式（２）で示される１又は２以上の繰り返し単位を有し、ポリスチレン換算重量平均分子量が１，０００〜１０，０００であるノボラック樹脂の水酸基の水素原子を水素一原子当り０．０３〜０．２７モルの割合で１，２−ナフトキノンジアジドスルホニル基で置換した構造のアルカリ可溶性ノボラック樹脂。
【化５】
」（【００１７】）
(2d)「上記単分散ポリヒドロキシスチレンの上記組成物（Ａ）、（Ｂ）に対する添加割合は、上記組成物（Ａ）、（Ｂ）中の固型分に対し、３〜３０重量％とすることが好ましい。この添加量が３重量％未満では、上記溶解促進効果が見られない場合があり、添加量が３０重量％を越えると溶解促進効果が大きすぎるため、残膜率が悪くなり、パターニング特性が劣化してしまう場合がある。」（【００２７】）
(2e)「【発明の効果】
　本発明のポジ型フォトレジスト組成物は、感度が良好で、現像液に対する溶解性に優れ、また、耐熱性に優れるレジスト膜を与えることができるものである。」（【００３０】）
(2f)「［合成例１〜３］アルカリ可溶性ノボラック樹脂の合成
　撹拌機、コンデンサー、温度計を装着した３つ口フラスコにｐ−クレゾール６４．９ｇ（０．６０モル）、ｍ−クレゾール４３．４ｇ（０．４０モル）、３７重量％ホルムアルデヒド水溶液６０．９ｇ（０．７５モル）及び重縮合触媒としてシュウ酸２水和物０．３０ｇ（２．４０×１０−３モル）を仕込み、このフラスコをオイルバスに浸して内温を１００℃に保持し、１時間かけて重縮合を行った。・・・・・ノボラック樹脂Ｎｏ．１を９３ｇ得た（合成例１）。
　また、合成例１においてｐ−クレゾールと、ｍ−クレゾールのモル比を５０／５０とした以外は合成例１と同様にしてノボラック樹脂Ｎｏ．２を得（合成例２）、更に合成例１においてｐ−クレゾールとｍ−クレゾールのモル比を７０／３０とした以外は合成例１と同様にしてノボラック樹脂Ｎｏ．３を得た（合成例３）。
　上記で得られたノボラック樹脂について、東ソー社製ＧＰＣカラム（Ｇ−２０００Ｈ６２本、Ｇ?３０００Ｈ６１本、Ｇ?４０００Ｈ６１本）を用い、流量１．５ｍｌ／分、溶出溶媒ＴＨＦ、カラム温度４０℃の条件で重量平均分子量Ｍｗの測定を行い、ポリスチレン換算質量で表した。結果を表１に示す。」　（【００３２】〜【００３５】）
(2g)．表１には、ノボラック樹脂Ｎｏ．１〜３の重量平均分子量（Ｍｗ）は、それぞれ、３５００、５０００、９０００であること。
(2h)「［合成例４，５］１，２−ナフトキノンジアジドスルホニル基を導入した感光剤の合成・・・感光剤Ｎｏ．１を２２ｇ得た（合成例４）。また・・・表２に示す感光剤Ｎｏ．２を得た（合成例５）。」（【００３７】〜【００３８】）
(2i)「［合成例６〜８］１，２−ナフトキノンジアジドスルホニル基導入ノボラック樹脂の合成
　・・・・・合成例１で得られたノボラック樹脂Ｎｏ．１（ＯＨ当量１２８）１２８ｇ（１モル）、１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸クロライド１３．５ｇ（０．０５モル）、１，４−ジオキサン１０００ｇを仕込み・・・・・１，２−ナフトキノンジアジドスルホニル基導入ノボラック樹脂Ｎｏ．１を得た（合成例６）。
　また、合成例６において、ノボラック樹脂として合成例２で得られたノボラック樹脂Ｎｏ．２を用いた以外は合成例６と同様にして１，２−ナフトキノンジアジドスルホニル基導入ノボラック樹脂Ｎｏ．２を得た（合成例７）。
　更に、合成例６において、ノボラック樹脂として合成例２で得られたノボラック樹脂Ｎｏ．２を用い、１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸クロライドの代わりに１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸クロライドを　用いた以外は合成例６と同様にして１，２−ナフトキノンジアジドスルホニル基導入ノボラック樹脂Ｎｏ．３を得た（合成例８）。」（【００４０】〜【００４３】）
(2j)「［レジスト調製例１〜３］（Ａ）タイプのレジスト組成物の調製
表５に示すアルカリ可溶性ノボラック樹脂３０ｇに対して、表５に示す重量比で感光剤を配合し、これをＥＣＡ６５ｇに溶解した後、０．２μｍの孔径のメンブランフィルターで瀘過し、（Ａ）タイプのレジスト組成物（ベースレジスト）Ｎｏ．１〜Ｎｏ．３を調製した。」（【００５１】）
(2k)「［レジスト調製例４〜６］（Ｂ）タイプの一体型レジスト組成物の調製
合成例６〜８で得られた１，２−ナフトキノンジアジドスルホニル基導入ノボラック樹脂３７ｇそれぞれをＥＣＡ６３ｇに溶解し、孔径０．２μｍのメンブランフィルターで瀘過し、表６に示す（Ｂ）タイプのレジスト組成物（ベースレジスト）Ｎｏ．４〜Ｎｏ．６を調製した。」（【００５３】）
(2l)「［実施例１〜１０、比較例１〜６］表７に示すベースレジスト５０ｇに単分散ポリヒドロキシスチレン１．４８ｇを加えて撹拌し、溶解した後、孔径０．２μｍのメンブランフィルターで瀘過し、ポジ型フォトレジスト組成物を調製した。
　次に、６インチ−ウエハー上に上記で得られたポジ型フォトレジスト組成物をスピンナーを用いて回転数２０００ｒｐｍで塗布し、ホットプレート上において９０℃で９０秒間ソフトベークし、厚さ３．０５μｍのレジスト膜を形成した。次いでｉ線で露光し、２．３８％ＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムヒドロオキサイド）溶液を用いて現像し、純水でリンスした。
　得られたレジスト膜について、下記の試験を行った。結果を表７に併記する。
　また、比較のため、単分散ポリヒドロキシスチレンを添加しないベースレジストＮｏ．１〜Ｎｏ．６についても同様に感度及び耐熱性の評価を行った。結果を表７に併記する。」（【００５５】〜【００５８】）
(2m)．表７には、ベースレジストとして、１，２−キノンジアジド基が導入されたアルカリ可溶性ノボラック樹脂（Ｎｏ．４〜Ｎｏ．６）を用いたものの耐熱性（℃）が１４０〜１５０（比較例４〜６）、１５０〜１７０（実施例６〜１０）であるのに対し、アルカリ可溶性ノボラック樹脂と１，２−キノンジアジド化合物を用いたもの（Ｎｏ．１〜Ｎｏ．３）の耐熱性（℃）が１１０〜１２０（比較例１〜３）、１２０〜１４０（実施例１〜５）であること。
　
III．対比・判断
１．本件発明１について
　本件発明１と刊行物１に記載された発明とを対比すると、両者は、「１，２−ナフトキノンジアジドスルホニル基及びノボラック樹脂による感光性及びレジスト性に寄与する成分を主成分とし、フェノール性水酸基を有する低核体を配合するリフトオフ用ポジ型レジスト組成物。」である点で一致し、次の点で相違する。
（相違点１）フェノール性水酸基を有する低核体（溶解促進剤）として、本件発明１が、一般式（２）または（３）で示され、ベンゼン環の数が２〜２０個とし、また「フェノール性水酸基の数とベンゼン環の数の比率が０．５〜２．５である」という条件が付記されているのに対し、刊行物１に記載された発明が、刊行物１の一般式（２）または（３）（(1b)参照）で示され、ベンゼン環の数が２〜５個とし、また前記のような条件が付されていない。
（相違点２）１，２−ナフトキノンジアジドスルホニル基及びノボラック樹脂による感光性及びレジスト性に寄与する成分として、本件発明１が、一般式（１）で示される１又は２以上の繰り返し単位を有し、ポリスチレン換算重量平均分子量が２,０００〜２０,０００であるノボラック樹脂の水酸基の水素原子を２．５〜２７モル％の割合で１，２−ナフトキノンジアジドスルホニル基を置換した、１，２−ナフトキノンジアジドスルホニル基導入ノボラック樹脂を配合しているのに対し、刊行物１に記載された発明が、刊行物１の一般式（１）（本件の一般式(１)と同一、(1a)参照）で示される繰り返し単位を有する、ポリスチレン換算重量平均分子量が２,０００〜１０,０００であるノボラック樹脂と１，２−ナフトキノンジアジドスルホニル基を有する化合物とを配合（以下、「成分Ａ」という。）する。
　
　以下に相違点について検討する。
（相違点１について）
　刊行物１の一般式（２）（(1b)参照）で示される低核体は、本件発明１の一般式（２）において、ｍ＝１，ｎ＝１で、Ａが一般式（６）の基、ｍ＝１，ｎ＝２で、Ａが一般式（７）の基で表される化合物、また、刊行物１の一般式（３）（(1b)参照）で示される低核体は、本件発明１の一般式（２）において、ｍ＝１，ｎ＝０で表される化合物に含まれるものであり、また、刊行物１のベンゼン環の数が２〜５個は、本件発明１のベンゼン環の数が２〜２０個に含まれるものである。
　また、刊行物１の低核体として示されている、全ての具体例（Ｃ−１）ないし（Ｃ−３７）（(1b)参照）は、本件の低核体の具体例として示されている（Ｃ−１）ないし（Ｃ−３７）と一致していることからみて、刊行物１に記載された発明の低核体も「フェノール性水酸基の数とベンゼン環の数の比率が０．５〜２．５である」と認めることができる。
　したがって、本件発明１の低核体は刊行物１に記載された発明の低核体を含むものであり、両者に実質上の差異はない。
　
（相違点２について）
　刊行物２には、アルカリ可溶性ノボラック樹脂と１，２−キノンジアジド化合物又は１，２−キノンジアジド基が導入されたアルカリ可溶性ノボラック樹脂を含むポジ型ホトレジスト組成物に、溶解促進剤としてヒドロキシスチレンポリマーを配合し、感度が良好で、現像液に対する溶解性に優れ、また、耐熱性に優れるレジスト膜を与えること（(2a)、(2e)、(2m)参照）、また、アルカリ可溶性ノボラック樹脂としては、刊行物２の一般式(２)で示される繰り返し単位（本件及び刊行物１の一般式(１)と同じ）を１単位以上有し、ポリスチレン換算平均分子量が１，０００〜１０，０００であるものが好適に使用されること（(2b)参照）、１，２−キノンジアジド基が導入された化合物の合成例は１，２−ナフトキノンジアジドスルホニル基を導入した化合物であること（(2h)参照）、更に、１，２−キノンジアジド基が導入されたアルカリ可溶性ノボラック樹脂としては、刊行物２の一般式(２)で示される（本件及び刊行物１の一般式(１)と同じ）を１又は２以上の繰り返し単位有し、ポリスチレン換算平均分子量が１，０００〜１０，０００であるノボラック樹脂の水酸基の水素原子を水素一原子当り０．０３〜０．２７モル（ノボラック樹脂の水酸基の水素原子を３〜２７モル％）の割合で１，２−ナフトキノンジアジドスルホニル基で置換した構造のアルカリ可溶性ノボラック樹脂であること（(2c)参照）、が記載されている。
　すなわち、刊行物２には、刊行物２の一般式(２)（本件及び刊行物１の一般式(１)と同じ）で示される繰り返し単位を１単位以上有し、ポリスチレン換算平均分子量が１，０００〜１０，０００であるアルカリ可溶性ノボラック樹脂と１，２−ナフトキノンジアジドスルホニル基を導入した化合物とを組み合わせて用いたもの（以下、「成分Ｂ」という。）と、刊行物２の一般式(２)（本件及び刊行物１の一般式(１)と同じ）で示される繰り返し単位を１単位以上有し、ポリスチレン換算平均分子量が１，０００〜１０，０００であるノボラック樹脂の水酸基の水素原子を３〜２７モル％の割合で、１，２−ナフトキノンジアジドスルホニル基が導入されたアルカリ可溶性ノボラック樹脂（以下、「成分Ｃ」という。）とは、感光性及びレジスト性に寄与する成分として、同等に取り扱われ得ることが開示されている。
　更に、刊行物２には、「成分Ｃ」の方が、「成分Ｂ」に比べて耐熱性に優れていることが開示されている（(2m)参照）。
　そして、刊行物２の「成分Ｂ」は、刊行物２の一般式(２)（刊行物１の一般式(１)と同じ）で示される繰り返し単位を１単位以上有し、ポリスチレン換算平均分子量が２，０００〜１０，０００であるノボラック樹脂の水酸基の水素原子を３〜２７モル％の割合で、１，２−ナフトキノンジアジドスルホニル基が導入されたアルカリ可溶性ノボラック樹脂、である点で、刊行物１の「成分Ａ」と差異はない。
　してみると、刊行物１に記載された、溶解促進剤として特定の低核体と、感光性及びレジスト性に寄与する成分として、「成分Ａ」を用いた、リフトオフ法用ポジ型レジスト組成物において、耐熱性を向上させる目的で、「成分Ａ」を用いたものに代えて、刊行物２において、フォトレジスト組成物（感光性及びレジスト性に寄与する成分）として、「成分Ｂ」（成分Ａと実質的に同一）と同等物として取り扱われ得ることが知られている「成分Ｃ」を用いることで、「溶解促進剤として、刊行物１に記載された特定の定核体と、成分Ｃとを用いたリフトオフ法用ポジ型レジスト組成物」としてみることは、当業者にとって容易に行い得ることである。
　なお、ノボラック樹脂のポリスチレン換算平均分子量として、本件発明１が、２，０００〜２０，０００としているのに対し、刊行物２に記載された発明が、１，０００〜１０，０００（(2c)参照）としている点で表現上差異があるが、本件の実施例で使用しているのは、３，０００〜８，０００の範囲であり、刊行物２の実施例も３，５００〜９，０００の範囲（(2g)、(2i)参照）であり、いずれも２，０００〜１０，０００の範囲であって、ポリスチレン換算平均分子量の点で、両者に実質的な差異はない。
　また、感光性及びレジスト性に寄与する成分を代えたことによる作用効果も、当業者が容易に予期し得るものである。
　すなわち、刊行物１には、刊行物１の溶解促進剤が、その名称通りの「溶解性」、及び「マイクログローブ」の発現に深く関係し、剥離性に優れることが開示され（上記(1b)、(1c)等参照）、また、本件の比較例６（特許権者が刊行物１に記載された発明に相当すると主張している）は、本件発明と同等の切れ込み寸法（Ａ：０．３μｍ、Ｂ：１．０μｍ）のアンダーカットを生じているし、特にＡｕ（金）を使用するパターン形成方法においては、レジスト残もなく、またバリの発生も無く、剥離性の点で、本件発明１と刊行物１に記載された発明とに差異はなく、刊行物１に記載されたものと同等の剥離性が得られたことをもって、格別顕著な効果とすることはできない。
　また、耐熱性について、刊行物２には、１，２−キノンジアジド基が導入されたアルカリ可溶性ノボラック樹脂を用いたものは、アルカリ可溶性ノボラック樹脂と１，２−キノンジアジド化合物を用いたものに比べて耐熱性に優れていることが開示されていて、１，２−キノンジアジド基が導入されたアルカリ可溶性ノボラック樹脂を用いた場合の耐熱性に優れているという効果も、当業者が容易に予期しうる程度のものである。
　なお、特許権者は、平成１５年５月２日付特許異議意見書において、比較例６の段落番号００８２の、Ｔａ（タンタル）を使用するパターン形成方法では、レジストの剥離がうまく行えなかった点から、本件発明の効果を主張しているが、本件発明１のレジスト組成物が、Ｔａ（タンタル）を使用するパターン形成方法に用いるものに特定されている訳ではないから、この様な主張を採用することはできない。
　なおまた、特許権者は、平成１５年１１月２１日付特許異議意見書において、刊行物２はエッチング法を対象にしたものであって、これをリフトオフ法を対象にしたものに転用することは、当業者にとって容易に想到するものでないとした上で、刊行物１及び２を併せ考えることなどあり得ない旨主張しているので、この点について更に検討する。
　エッチング法を対象にしたものをリフトオフ法を対象にしたものに転用する、とは、例えば、刊行物２に記載された、ホトレジスト組成物をそのままリフトオフ法に用いることに相当している。
　しかしながら、本件において、容易に行い得るとしているのは、上記の例のような転用を言っているのではなく、ホトレジスト組成物のうちの、感光性及びレジスト性に寄与する成分だけを、少なくとも、従来リフトオフ法用に用いられていた特定の溶解促進剤（刊行物１に記載されている）と組み合わせて使用することでる。
　そして、その理由として、エッチング法とリフトオフ法は、どちらも、レジスト組成物を使用する点で同一の技術分野に属するものであること、実際に、刊行物１（リフトオフ法）と刊行物２（エッチング法）の両方で、感光性及びレジスト性に寄与する成分として、同じノボラック樹脂とキノンジアジド化合物を組み合わせて使用する（溶解促進剤は異なっている）ことが記載されていること（少なくとも、エッチング法に使用される感光性及びレジスト性に寄与する成分が、リフトオフ法の感光性及びレジスト性に寄与する成分として使用できないというものではないことは明らかである）をあげているのである。
　したがって、特許権者の上記主張を採用することはできない。
　よって、本件発明１は、刊行物１及び２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
２．本件発明２について
　本件発明２は、本件発明１のポジ型レジスト組成物を用いてレジストパターンを形成することを含むパターン形成方法であって、「基板上にレジストパターンを形成した後、レジストパターンを含む基板表面にメタル層を形成し、次いでレジストパターンを剥離して、上記基板上に所定のメタルパターンを形成することからなるリフトオフ法によるパターン形成方法において、レジストパターンにアンダーカットを形成する」ことを特定するものである。
　それに対して、刊行物１の請求項４には、「基盤上にレジストパターンを形成した後、レジストパターンを含む基盤表面にメタル層を形成し、次いでレジストパターンを剥離して、上記基盤上に所定のメタルパターンを形成することからなるリフトオフ法によるパターン形成方法において、レジストパターンを構成するレジスト層にマイクログルーブを形成する」ことが記載されている。
　ここで、本件発明２と刊行物１の請求項４記載された発明とを対比すると、本件発明２の「基板」は、刊行物１の「基盤」に相当し、また、本件の図１及び図２は、刊行物１に記載された図１及び図２と同じであり、本件の図において「アンダーカット」とされている個所が、刊行物１においては「マイクログルーブ」となっており、本件発明２の「レジストパターンにアンダーカットを形成する」は、刊行物１の「レジストパターンを構成するレジスト層にマイクログルーブを形成する」に相当する。
　そうすると、本件発明２と、刊行物１の請求項４に記載された発明は、使用するポジ型レジスト組成物が異なる以外、パターン形成方法において、実質的に異なるところがない。
　そして、ポジ型レジスト組成物（相違点１及び２）については、上記「１．本件発明１について」の項で述べたとおりである。
　したがって、本件発明２は、刊行物１及び２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
３．本件発明３について
　本件発明３は、本件発明２のパターン形成方法において、更に「図１又は図２に示すレジスト層プロファイルにおいて、レジスト層のライン幅をＬμｍ、厚さをＴμｍとし、アンダーカットの切れ込み高さをＡμｍ、切れ込み深さをＢμｍとした場合、レジスト層の厚さＴを２０μｍ以下、上記アンダーカットの切れ込みの程度を、１／２０≦Ａ／Ｔ≦２／５（数式〔Ｉ〕）、及び１／２０≦Ａ／Ｂ≦４（数式〔ＩＩ〕）、の範囲に形成する。」ことを特定するものである。
　それに対して、刊行物１の請求項５には、「図１又は図２に示すレジスト層プロファイルにおいて、レジスト層のライン幅をＬμｍ、厚さをＴμｍとし、マイクログルーブの切れ込み高さをＡμｍ、切れ込み深さをＢμｍとした場合、レジスト層の厚さＴを２０μｍ以下、上記マイクログルーブの切れ込みの程度を、１／２０≦Ａ／Ｔ≦２／５（数式〔Ｉ〕）及び１／１０≦Ａ／Ｂ≦２（数式〔ＩＩ〕）の範囲に形成する」ことが記載されている。
　ここで、本件発明３と刊行物１の請求項５に記載された発明とを対比すると、本件発明３の「基板」及び「アンダーカット」は、それぞれ、刊行物１の「基盤」及び「マイクログルーブ」に相当する（「２．本件発明２について」の項も参照）から、両者は、使用するポジ型レジスト組成物が異なる以外に次の点で相違する。
（相違点３）　数式〔ＩＩ〕を、本件発明３が、「１／２０≦Ａ／Ｂ≦４」としているのに対し、刊行物１の請求項４に記載された発明が、「１／１０≦Ａ／Ｂ≦２」としている点。
　以下相違点についてに検討する。
　本件の実施例２〜１０（表３中に記載されたＡ及びＢの値による）も刊行物１の実施例１〜１０（表３中に記載されたＡ及びＢの値による）も全て、１／１０≦Ａ／Ｂ≦２の範囲内であり、両者に実質的な差異はない。
　そして、ポジ型レジスト組成物（相違点１及び２）については、上記「１．本件発明１について」の項で述べたとおりである。
　したがって、本件発明３は、刊行物１及び２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４．本件発明４について
　本件発明４は、本件発明２及び３のパターン形成方法において、更に「基板上にレジスト層を形成し、露光前又は現像前に９０〜１３０℃の温度範囲でベークを行った後、露光、現像して、レジスト層にアンダーカットを形成した」こと、を特定するものである。
　それに対して、刊行物１の請求項７には、「基盤上にレジスト膜を形成し、露光前又は現像前に１００〜１３０℃の温度範囲でベークを行った後、露光、現像して、レジスト層にマイクログルーブを形成した」ことが記載されている。
　ここで、本件発明４と刊行物１の請求項７に記載された発明とを対比すると、本件発明４の「基板」及び「アンダーカット」は、それぞれ、刊行物１の「基盤」及び「マイクログルーブ」に相当する（「２．本件発明２について」の項も参照）から、両者は、使用するポジ型レジスト組成物（相違点１及び２）、ないし相違点３で異なる以外に次の点で相違する。
（相違点４）ベークを行う温度範囲を、本件発明４が、「９０〜１３０℃」としているのに対し、刊行物１の請求項４に記載された発明が、「１００〜１３０℃」としている点。
　以下に検討する。
　本件明細書の段落番号００４９には、より好適なベーク温度は１００〜１２０℃であることが記載され、また、実施例は１１０℃のポストベークを行っている。一方、刊行物１にも、より好適なベーク温度は１００〜１２０℃であること（(1d)参照）が記載され、実施例は１２０℃のポストベークを行っている（(1c)参照）から、ベーク温度の点で、両者に実質的な差異はない。
　そして、ポジ型レジスト組成物（相違点１及び２）及び相違点３については、上記「１．本件発明１について」及び「３．本件発明３について」の項に記載したとおりである。
　したがって、本件発明４は、刊行物１及び２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
IＶ．むすび
　以上のとおりであるから、本件発明１〜４は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本件発明１〜４についての特許は拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものと認める。
　よって、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第２項の規定により、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１５年１２月２６日（２００３．１２．２６）