【事件の表示】
　特許第２９７１８２５号「マイクロ波容器」の請求項１ないし７に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第２９７１８２５号の請求項１ないし６に係る特許を維持する。
【理　由】
［１］手続の経緯
　本件特許第２９７１８２５号は、平成８年１１月１３日（優先権主張１９９５年１１月１３日、米国）に特許出願され、平成１１年８月２７日にその請求項１〜７に係る発明について特許権の設定登録がなされ、その後、その請求項１〜７に係る発明について、平成１２年４月２５日に京セラ株式会社（以下、「異議申立人」という。）より特許異議の申立てがなされ、平成１３年４月２７日付で取消理由が通知され、その指定期間内である平成１３年１１月１５日に訂正請求（後日取下げ）がなされた後、平成１５年１月２３日付で再度の取消理由が通知され、その指定期間内である平成１５年８月１２日に訂正請求（後日取下げ）がなされた後、平成１５年１０月２８日付で更に重ねて取消理由が通知され、その指定期間内である平成１６年２月９日に訂正請求がなされたものである。
　　
［２］訂正の適否について
（１）訂正の内容
訂正事項ａ：本件特許に係る願書に添付した明細書（以下、「特許明細書」という。）の特許請求の範囲の請求項１〜７を、
「【請求項１】チャンバを形成し、前記チャンバの内部空間と接している壁を有するハウジングと、前記チャンバ内部と連絡するために前記壁を貫通して形成されたマイクロ波開口と、前記壁を通って配置されたマイクロ波伝送ラインとを具備し、前記マイクロ波伝送ラインは、第１および第２のマイクロストリップ部分と、前記第１および第２のマイクロストリップ部分を接続するストリップライン部分とを含み、ここで前記ストリップライン部分の幅は前記第１および第２のマイクロストリップ部分の幅とは異なり、前記ストリップライン部分がマイクロ波誘電体部材により前記開口に密封されて挿入された状態で位置されているマイクロ波回路用のマイクロ波容器において、ここで前記マイクロ波誘電体部材は前記マイクロ波誘電体部材の上部、底部、および側面を覆う金属ライナにより形成された接地平面を有しており、さらに、前記チャンバ内部と連絡するために前記壁を貫通して形成され、開口マイクロ波遮断周波数を有するコネクタ開口と、前記壁を通ってチャンバ内部と連絡しているコネクタシステムとを含み、前記コネクタシステムは、前記コネクタ開口中に挿入されて密封されている誘電体部材と、この誘電体部材内に設けられ、それぞれ内端部が前記チャンバ内に位置し、外端部が前記ハウジングの外部に位置している複数の金属製信号ラインとを有しており、ここで前記コネクタ開口をマイクロ波開口のマイクロ波遮断周波数に等しく対応するサブ開口マイクロ波遮断周波数を有するサブ開口に電気的に区分するため、１以上の金属製部材が前記誘電体部材を貫通しそして前記コネクタ開口を横切って位置されていることを特徴とするマイクロ波容器。
【請求項２】チャンバを形成し、前記チャンバの内部空間と隣接している壁を有しているハウジングと、前記チャンバ内部と連絡するために前記壁を貫通して形成されたマイクロ波開口と、ここで前記マイクロ波開口はマイクロ波開口のマイクロ波遮断周波数を有し、前記チャンバ内部と連絡するために前記壁を貫通して形成され、前記マイクロ波開口に垂直であり、そしてコネクタ開口のマイクロ波遮断周波数を有するコネクタ開口と、前記壁を通ってチャンバ内部と連絡するためのコネクタシステムとを含み、前記コネクタシステムは、前記コネクタ開口中に密封されて挿入されているコネクタの誘電体部材と、前記コネクタの誘電体部材内に設けられ、それぞれ内端部が前記チャンバ内に位置し、外端部が前記ハウジングの外部に位置している複数の金属製信号ラインと、前記コネクタ開口をそれぞれマイクロ波開口のマイクロ波遮断周波数に等しく対応するサブ開口マイクロ波遮断周波数を有するサブ開口に電気的に区分して、前記コネクタの誘電体部材を貫通し、前記コネクタ開口を横切って位置された１以上の金属製部材とを有しているマイクロ波回路用のマイクロ波容器。
【請求項３】さらに、前記壁と前記誘電体部材との間に金属製ライナを含んでいる請求項２記載のマイクロ波容器。
【請求項４】前記ライナは前記コネクタの誘電体部材に隣接した金属製接地平面層を含んでいる請求項３記載のマイクロ波容器。
【請求項５】さらに、第１および第２のマイクロストリップ部分と、前記第１および第２のマイクロストリップ部分を接続するストリップライン部分とを含み、前記ストリップライン部分が前記マイクロ波開口に挿入されて密封された状態で位置されているマイクロ波伝送ラインとを含んでいる請求項２記載のマイクロ波容器。
【請求項６】前記マイクロ波伝送ラインは、第１および第２の端部を有している金属製信号ラインと、前記信号ラインを取り囲み、前記マイクロ波開口中に受取られ、前記第１および第２のマイクロストリップ部分における前記第１および第２の信号ライン端部を部分的に露出するように構成されたマイクロ波誘電体部材とを含んでいる請求項５記載のマイクロ波容器。」と訂正する。
　　
（２）訂正の目的の適否、新規事項の有無、及び拡張・変更の存否
　訂正事項ａは、特許明細書の特許請求の範囲の請求項１において、「ここで前記ストリップライン部分の幅は前記第１および第２のマイクロストリップ部分の幅とは異なり、」、「ここで前記マイクロ波誘電体部材は前記マイクロ波誘電体部材の上部、底部、および側面を覆う金属ライナにより形成された接地平面を有しており、」、及び「ここで前記コネクタ開口をマイクロ波開口のマイクロ波遮断周波数に等しく対応するサブ開口マイクロ波遮断周波数を有するサブ開口に電気的に区分するため、１以上の金属製部材が前記誘電体部材を貫通しそして前記コネクタ開口を横切って位置されている」の各限定事項を付加し、また、「ストリップライン部分が前記開口に密封され」とあるのを「ストリップライン部分がマイクロ波誘電体部材により前記開口に密封され」と限定し、また、同請求項３において、「前記チャンバ内部と連絡するために前記壁を貫通して形成されたマイクロ波開口と、ここで前記マイクロ波開口はマイクロ波開口のマイクロ波遮断周波数を有し、」の限定事項を付加し、また、「開口のマイクロ波遮断周波数を有するコネクタ開口」を「前記マイクロ波開口に垂直であり、そしてコネクタ開口のマイクロ波遮断周波数を有するコネクタ開口」と限定し、また、「前記開口のマイクロ波遮断周波数より小さいサブ開口マイクロ波遮断周波数を有するサブ開口」を「マイクロ波開口のマイクロ波遮断周波数に等しく対応するサブ開口マイクロ波遮断周波数を有するサブ開口」と限定し、また、上記請求項３に「前記チャンバ内部と連絡するために前記壁を貫通して形成されたマイクロ波開口と、ここで前記マイクロ波開口はマイクロ波開口のマイクロ波遮断周波数を有し、」の事項を付加したことに伴い、同請求項３を引用する同請求項６に記載される「前記チャンバ内部と連絡するために前記壁を貫通して形成されたマイクロ波開口と、」を削除し、また、同請求項２を削除し、また、同請求項２の削除に伴い、請求項３〜７の項番号を繰り上げるとともに、引用する項番号を整合させたものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そして、上記訂正事項ａは、特許明細書の段落【００２０】の「信号ライン４８のストリップライン部分６１の幅は、図２のａおよびｂの内部および外部マイクロストリップ部分４２および４４における信号ラインの幅とは異なる。」、同段落【００１４】の「マイクロ波伝送ラインはそれぞれ金属製信号ラインおよびそれを取り囲む誘電体部材を含み、第１および第２のマイクロストリップ部分において信号ラインの端部を部分的に露出するように構成されている。」、同段落【００２０】の「伝送ライン３４に対するマイクロ波接地平面は、誘電体部材５０の側面５６、上面５８、および底面６０を覆う金属ライナの部分として形成される。」、同段落【００１３】の「コネクタシステムは、誘電体部材を貫通してコネクタ開口を横切って位置された金属製部材を含み、それによって、コネクタ開口をそれぞれ予め定められたマイクロ波遮断周波数を有するサブ開口に電気的に区分する。」、同段落【００３０】の「寸法９６が１．８ミリメートル以下であり、誘電体部材７０が９．２以下の相対比誘電率を有するアルミナである場合、（１）の式によってサブ開口９４の遮断周波数が２５ＧＨｚ程度であることが示される。図１のａ乃至ｃの容器２０中でこのコネクタシステムを使用すると、コネクタ開口４０における導波体モードは、周波数が２５ＧＨｚ以下になるように抑制される。これによって、この遮断周波数より下の領域においてマイクロ波回路２３の安定性が増強される。この例において、マイクロ波伝送ライン３４の幅９７（図２のｄ参照）は、対応する２５ＧＨｚ以下の遮断周波数をマイクロ波ポート２４および２６に与えるために１．８ミリメートル以下であることが好ましい。」、同段落【００１８】の「マイクロ波開口３６は壁３２を貫通し、チャンバ２２と連絡している。」、同段落【００１１】の「所望されたマイクロ波の遮断周波数を確立するように、実質的にマイクロ波伝送ラインを形成する」、及び図１の（ａ）〜（ｃ）に、コネクタ開口がマイクロ波開口に垂直に形成されている状態が開示されていることに基づくものであるから、当該訂正事項は、特許明細書又は図面の範囲内においてした訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　以上のとおりであるから、上記訂正事項ａは、特許法第１２０条の４第２項ただし書き、及び同条第３項において準用する特許法第１２６条第２項から第４項までの規定に適合するので、当該訂正を認める。
　　
［３］本件発明
　上記［２］欄で述べたとおり、上記の訂正が認められるので、本件特許の訂正後の請求項１〜６に係る発明（以下、「本件発明１〜６」という。）は、上記の訂正請求に係る訂正明細書における特許請求の範囲の請求項１〜６に記載された事項により特定されるとおりのものである（上記［２］（１）「訂正の内容」の【請求項１】〜【請求項６】参照）。
　　
［４］取消理由の概要
平成１３年４月２７日付で通知した取消理由、平成１５年１月２３日付で通知した取消理由、及び平成１５年１０月２８日付で通知した取消理由の概要は、
（Ａ）本件優先権主張日前に頒布された下記刊行物１〜３、又は下記刊行物１、２、４を引用し、訂正前の本件請求項１〜７に係る発明の特許は、刊行物１〜３、又は刊行物１、２、４に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであり、また、
（Ｂ）本件明細書及び図面の記載が不備のため、訂正前の本件請求項１〜７に係る発明の特許は、特許法第３６条第６項に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものであるというものである。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　記
刊行物１：特開平７−２２１２１５号公報（異議申立人の提出した甲第１号証）
刊行物２：特開平６−１６９１０７号公報（同上、甲第２号証）
刊行物３：特開昭６３−１０７０５５号公報（同上、参考資料３）
刊行物４：実願昭６１−１６７０１１号（実開昭６３−７２９０６号）のマイクロフイルム
　　
［５］刊行物１〜４の記載事項
（１）刊行物１（特開平７−２２１２１５号公報）
「その開口部分のパッケージ本体１の金属面には、開口部分よりも一回り小さい正方形のセラミック基板６が誘電体２と接触しないように固定されている。セラミック基板６の上面には図示せぬベアチップが実装される。」（段落【０００８】）、
　図２８〜３０により、パッケージ本体１４の側壁に、端子１６が通されて誘電体１５が埋め込まれた複数のエッチング部分と、それらとは垂直の向きに複数本の端子１６′が通されて誘電体が１５′が埋め込まれた複数のエッチング部分とを設けたベアモジュールパッケージが示されるとともに、「図２８は高周波用のベアモジュールパッケージの平面図、図２９は図２８の正面図、図３０は図２８の右側面図である。これらの図において、１４は金属製のパッケージ本体、１５′，１５はセラミック材料による誘電体、１６，１６′は端子、１７，１７′はリード、１９はパッケージの蓋、２０はセラミック基板、２１は金リボン（又はワイヤ）である。
 　パッケージ本体１４は、４隅にパッケージ取り付け穴２３が設けられた概略正方形状の第１金属板２４と、第１金属板２４の上に固着され、中央部分に所定寸法の正方形状の開口部が設けられた正方形状の第２金属板２５とを有している。
　第２金属板２５の上面の、対向して端子１６′が形成される部分は、図２９に示すように金属上面が下方にややエッチングされ、このエッチング部分に誘電体１５′が埋め込まれ、また、対向して端子１６が形成される部分は、図３０に示すように金属上面の独立した２か所が下方にややエッチングされ、それらエッチング部分に誘電体１５が埋め込まれている。
　誘電体１５′の上には、図２８に示すように各々所定間隔離された端子１６′が形成され、端子１６′の一端にはセラミック基板２０に接続された金リボン２１が接続され、他端にはリード１７′が接続されている。
　独立した誘電体１５の上には、図２８に示すように各々端子１６が形成され、端子１６の一端にはセラミック基板２０に接続された金リボン２１が接続され、他端にはリード１７が接続されている。
　また、各端子１６，１６′の概略中央部上には蓋１９を装着してセラミック基板２０を密閉するための正方形状の囲いである側壁２６が金属で形成されている。
　側壁２６の端子１６′に当接する底面部分には、図２９に示すように上下で端子１６′を挟むように誘電体１５′が埋設されており、側壁２６の端子１６に当接する底面部分には、図３０に示すように上下で端子１６を挟むように誘電体１５が埋設されている。
　以上説明したパッケージの特徴は、各々独立した誘電体１５上に端子１６を独立形成したので、アイソレーションが良くなり、このため、高周波信号を供給することができ、また、他方の端子１６′において低速信号を供給できることである。」（段落【００１２】〜【００１９】）、
「【課題を解決するための手段】本発明は、集積回路が形成されたベアチップを内蔵し、ベアチップに信号を入出力する端子部を外周に備えるベアモジュールパッケージにおいて、端子部を、積層された複数の絶縁層と、複数の絶縁層の界面及び上下面の内、任意の２つ以上の面に配置された複数の信号端子と、同一面において信号端子と交互となるように配置された複数の接地端子と、信号端子及び接地端子が設けられた面以外の面に形成され、かつ接地端子にスルーホールで接続された接地パターンとを具備して構成してある。【作用】上述した本発明によれば、信号端子が２つ以上の層の面に配置されているので、多数の端子数を確保することができる。また信号端子間に接地端子が配置されるので、アイソレーションが良く、高周波信号を入出力することができる。従って、高周波用で且つ高密度なパッケージを構成することが可能となる。」（段落【００２３】〜【００２４】）
　　
（２）刊行物２（特開平６−１６９１０７号公報）
「【請求項１】対向する側壁（１６）を有する金属体（１２）と、前記金属体の側壁を通り設けられた多層セラミックインサート（１４）において、前記インサートはその第１の一端がパッケージ内に置かれ、その第２の反対他端がパッケージ外に置かれるように配置され、前期第１端でアクティブ光デバイスに結合し前記第２端で外部信号ソース（３６）に結合するマイクロストリップ伝送ライン（２２）を有する多層セラミックインサートと、パッケージ内に存在する電場を終止するために多層セラミックインサートの厚み部を通り設けられ、金属体に結合された短絡手段（４０）とを有することを特徴とする光パッケージ。
【請求項２】短絡手段は金属パッケージ側壁と接して設置されることを特徴とする請求項１に記載の光パッケージ。
【請求項３】短絡手段は金属体と接触するように多層セラミックの厚み部を通り設けられた少なくとも１つの導電路を有することを特徴とする請求項１に記載の光パッケージ。
【請求項４】少なくとも１つの導電路は複数の導電路から構成されていることを特徴とする請求項３に記載の光パッケージ。
【請求項５】少なくとも１つの導電路はタングステンから形成されていることを特徴とする請求項３に記載の光パッケージ。
【請求項６】金属体はニッケルと鉄と銅の結合体から形成されていることを特徴とする請求項１に記載の光パッケージ。
【請求項７】多層セラミックインサートはさらにインサートの周辺まわりに形成された金属層を有し、インサートは気密構造を形成するように前記側壁にろう付けされていることを特徴とする請求項１に記載の光パッケージ。
【請求項８】パッケージはさらに対向する側壁を通り設けられた第２の多層セラミックインサートを有することを特徴とする請求項１に記載の光パッケージ。」（【特許請求の範囲】）、
「【課題を解決するための手段】従来技術におけるこの要求は、高速レーザパッケージに係わり、特にハイブリッド金属セラミック構成体を用いるパッケージに関する本発明の対処するものである。本発明の例えば一実施例では、金属パッケージ体にはその側壁を通り設けられた多層セラミック（ＭＬＣ）インサートが配置され、このＭＬＣインサートを用いて外部信号ソースとレーザダイオードとの間のマイクロストリップ伝送ラインの相互結合を行う。」（段落【０００６】）、
「それはＭＬＣインサートの厚み部を通り形成され、金属パッケージ壁にいずれか一端で結合されている。この導電路は共振電場に対する境界線としての役目をし、レーザパッケージの所望帯域幅を超えて等価回路の共振周波数を実質的に増加するように機能するものである。」（段落【０００８】）、
「それは、パッケージの両側壁を通り設けられた対のＭＬＣインサート１４を有し、各インサートが多数の貫通接続を有するように形成される。ＭＬＣインサート１４はマイクロストリップ相互結合２２を有し、これは第１の（ポジティブ）結合２４と第２の（グラウンド）結合２６を有し、第１の結合２４は第２の結合２６から少なくとも１つのセラミック層２８だけ離されている。」（段落【００１１】）、
「それはインサート１４の電場長さｌに沿って半波長変動を有するもので、そこにおいて等価回路が共振するものであるが、それからパッケージ壁１６まわりに電流の循環する結果となる。この共振の存在が外部ソース３６から金属パッケージ構造体にエネルギーを送るのに役立ち、そのためにこのエネルギーを結合されたレーザから進路を転ずる。」（段落【００１４】）、
　　図１〜５が示されるとともに、「図２は図１のパッケージ１０の切取断面図で、特にインサート１４の長さｌに沿って複数の短絡導電路４０が含まれていることを示す。短絡導電路４０は電場に対する終止として機能し、共振の周波数を増加するように長さｌに沿ってその周期性を変える。特に、共振の周波数がマイクロストリップ２２の動作に必要とされる帯域幅を超えシフトされるように十分な数の導電路が用いられる。
　従って、ＧＨｚ範囲の外部ソース３６からの信号は、マイクロストリップ２２を通り、パッケージ等価回路に転ずることなくレーザに結合される。このように、レーザへのパワーは所望のパッケージ帯域幅にわたり加えられた入力信号をそのまま表わしている。図３ないし５は、短絡導電路４０の動作を説明する略図である。図３は、図２の配置の側面略図で、セラミックインサート１４と周囲の金属パッケージ壁１６のみを示すものである。
　導電路を加えない場合、電場Ｅは図示のように形成され、インサート１４の末端部４２、４４に境界線（電場がゼロ値を有するところ）がある。レーザパッケージ形成に必要な従来の材料や寸法を用いた場合、次の共振回路が形成されうる。それはエネルギーが加えられると、高速動作に要する所望の帯域幅（例えば３ないし４ＧＨｚ）内で約１．５ＧＨｚの周波数を有する電場（図示）を形成する。
　この周波数における共振の存在が、前述のように、レーザに加えられたエネルギーを大きく減少するように働く。その代わりに、ハイブリッド金属セラミックパッケージ壁により形成された共振構造体にそのエネルギーを転ずる。図４に示すように短路導電路４６を１つ加えると電場がゼロ値でなければならない個所をインサート１４内に１つ加えることになる。
　従って、電場境界線を１っ加えると、回路の共振周波数は２倍になる。いくつかの目的に対してはこの２倍にする場合で十分である。本発明の好ましい実施例では次の理由から複数のこのような短路導電路が用いられる。それは加える導電路がほとんどの高速用途に必要な帯域幅を超えて等価回路の共振周波数を３倍や４倍などにするように働くからである。
　図５は、図１と図２に説明のようなパッケージの種々のリード線の間に設けられた４つの短絡導電路が集合している配置例を示す図である。特に、短絡導電路４８、５０、５２の第１のグループは、それぞれリード線の各対の間に電場境界線を形成するように、リード線５４、５６、５８の第１の組とインタリーブされる。最後の短絡導電路６０は、マイクロストリップ結合２２と最後のリード線６２との間に配置される。」（段落【００１６】〜【００２１】）、
「本発明の金属セラミックパッケージの製作では短絡導電路は次のようにタングステン材料から形成される。セラミック焼成やインサートの形成に先だって、セラミック材料の大きい積層シートに打ち抜かれた孔にペーストの形で挿入される。パッケージ壁に取り付けられるＭＬＣインサートの周囲は、インサートがパッケージ側壁にろう付けされて気密性シールを形成するように金属化される。」（段落【００２３】）、
「【発明の効果】以上述べたごとく、本発明の光パッケージにより現在のパッケージや応用の方法とコンパチブルであり、かつ高速動作を支えるのに必要な帯域幅を与えることのできる信号ソースとレーザとの間の有用な結合方法を提供することができる。」（段落【００２５】）
　　
（３）刊行物３（特開昭６３−１０７０５５号公報）
「１．一方の面に接地用導体を形成し、他方の面に複数本の導電パターンを形成した誘電体基板を有し、該導電パターンを介して内部に収納した集積回路を外部回路に接続する集積回路用パッケージにおいて、上記導電パターン間に誘電体基板を貫通して接地用導体に連結される導電柱を設けたことを特徴とする集積回路用パッケージ。
２．一方の面に接地用導体を形成し、他方の面に複数本の導電パターンを形成した第１の誘電体基板を有し、該導電パターンを介して内部に収納した集積回路を外部回路に接続する集積回路用パッケージにおいて、上記導電パターン間に誘電体基板を貫通して接地用導体に連結される導電柱を設けるとともに、該導電パターン上に上記第１誘電体基板の導電柱の少なくとも一部に電気的に接続される導電柱を埋め込んだ第２の誘電体基板を重合配置したことを特徴とする集積回路用パッケージ。
３．一方の面に接地用導体を形成し、他方の面に複数本の導電パターンを形成した第１の誘電体基板を有し、該導電パターンを介して内部に収納した集積回路を外部回路に接続する集積回路用パッケージにおいて、上記導電パターン間に誘電体基板を貫通して接地用導体に連結される導電柱を設けるとともに、上記第１誘電体基板と反対側の面に導電被膜を形成した第２の誘電体基板を第１誘電体基板の導電パターン上に重合配置し、該第２誘電体基板に上記導電被膜並びに第１誘電体基板の導電柱の少なくとも一部に電気的に接続される導電柱を埋め込んだ第２の誘電体基板を重合配置したことを特徴とする集積回路用パッケージ。」（特許請求の範囲）、
「（作用）上記の本発明の構成によれば、第１の誘電体基板の導電パターン間に接地された導電体を設けたので、導電パターン間のクロストークを防止することができる。また、第２の誘電体の導電皮膜（封止用導電リング）に接地導電柱を設け、封止用導電リングを接地したので、前記第１５図のリング１０が等価的に短くなり、共振周波数が非常に高くなり、集積回路の所要の帯域での共振が起こらなくなり、共振周波数での特性インピーダンスの変化がないので、集積回路の所要帯域を通じて、外部接続端子部の導電体を含む相互の寸法の設定により外部接続端子部のインピーダンスを信号源の特性インピーダンスを信号源の特性インピーダンスに近付けることによって、信号の反射を防止することができる。」（第３頁右下欄１７行〜第４頁左上欄１４行）、
　図１１とともに、「この実験から判るように、本発明によれば、実線で示す如く挿入損は周波数が１８ＧＨｚ以下のとき、絶えず０．２ｄＢ以下であり、遮断周波数は約１８ＧＨｚと比較的高い値を示した。一方、従来技術によれば破線で示す如く、挿入損にデイップが生じ、遮断周波数も約７ＧＨｚとはるかに小さかった。尚、ここで言う従来技術とは導電パターン間に導電柱を設けていないものをいう。この小さな遮断周波数は主として第２アルミナ枠上に設けられる封止用導電リングの寄生共振によるものと考えられるが、本発明ではこの寄生共振は観測されなかった。」（第６頁左下欄６〜１７行）
　　
（４）刊行物４（実願昭６１−１６７０１１号（実開昭６３−７２９０６号）のマイクロフイルム）
「金属製キャリア板と、この金属製キャリア板上に載置される額縁状のフレーム体と、このフレーム体を覆う金属製蓋体とで構成され、これらキャリア板、フレーム体及び蓋体により形成される箱体内にマイクロ波装置を収容するマイクロ波装置用パッケージにおいて、上記キャリア板と、上記フレーム体としての、額縁状の第１の金属フレーム及びこの第１の金属フレームに対向し、これより外形寸法が小さく内形寸法が大きい額縁状の第２の金属フレームと、この第２の金属フレームを覆う上記蓋体とを下から順次積み重ね、上記第１の金属フレームの所定の個所の上面に枠辺の内外に連なる上方開口の凹部を設け、この凹部に、上面に線路構成用金属膜を設けた下層誘電体基板と、この下層誘電体基板の一部で上記第２の金属フレームに対向する部分を覆う上層誘電体基板とからなる２層誘電体基板を配置し、上記線路構成用金属膜の上記上層誘電体基板で覆われる部分の線路幅をこれで覆われない部分の線路幅より狭くし、さらに線路幅が変化する部分にテーパを設けたことを特徴とするマイクロ波装置用パッケージ。」（実用新案登録請求の範囲）、
　第１〜３図が示されるとともに、「第３図は２層誘電体基板（１３）の分解斜視図で、………………………………マイクロストリップ線路構成用金属膜（１８ａ）（１８ｂ）と裏面金属膜（２０）により下層誘電体基板（１１）上にマイクロストリップ線路が構成される。又、方形同軸線路構成用金属膜（１９）、下層誘電体基板（１１）、上層誘電体基板（１２）、第１の金属フレーム（７）、第２の金属フレーム（８）により方形同軸線路が構成される。方形同軸線路構成用金属膜（１９）の線路幅はマイクロストリップ線路構成用金属膜（１８ａ）（１８ｂ）の線路幅より狭くし、方形同軸線路とマイクロストリップ線路の特性インピーダンスはそれぞれ５０Ωとするものとする。………………………………特性インピーダンスは、それぞれ５０Ωとしているので、マイクロストリップ線路、方形同軸線路変換部分の反射特性は良好であり、マイクロ波入力は有効にマイクロ波装置へ伝播する。」（第７頁６行〜第８頁１８行）
　　
［６］取消理由（Ａ）について
　上記取消理由の対象であった訂正前の請求項２は削除され、訂正前の請求項１、３〜７に係る発明は本件発明１〜６にそれぞれ対応するので、本件発明１〜６について、以下検討する。
（１）本件発明１について
　上記［５］（１）欄に摘記した事項を総合すると、刊行物１には、「第１金属板２４と第２金属板２５と側壁２６と蓋１９等でパッケージ本体１４を形成し、該パッケージ本体１４内部と連絡するために該第２金属板２５と該側壁２６を貫通して形成された多数のエッチング部分と、そのうちの複数の各エッチング部分には誘電体１５を埋め込み密閉するとともに、該各誘電体１５内に高周波信号用の端子１６を一本ずつ配置し、さらに、該各エッチング部分の向きとは垂直の向きに設けられた残りの複数の各エッチング部分には誘電体１５’を埋め込み密閉するとともに、該各誘電体１５’内に低速信号用の端子１６’を複数本並べて配置した高周波用のベアモジュールパッケージ」の発明（以下、「引用発明１」という。）が記載されているといえる。
　次いで、本件発明１と引用発明１とを対比すると、引用発明１における「パッケージ本体１４」、「そのうちの複数の各エッチング部分」、「残りの複数の各エッチング部分」、「高周波信号用の端子１６」、「低速信号用の端子１６’」、「残りの複数の各エッチング部分には誘電体１５’を埋め込み密閉するとともに、該各誘電体１５’内に低速信号用の端子１６’を複数本並べて配置」、「高周波用のベアモジュールパッケージ」はそれぞれ、本件発明１の「チャンバを形成し、前記チャンバの内部空間と接している壁を有するハウジング」、「マイクロ波開口」、「コネクタ開口」、「マイクロ波伝送ライン」、「金属製信号ライン」、「コネクタシステムは、前記コネクタ開口中に挿入されて密封されている誘電体部材と、この誘電体部材内に設けられ、それぞれ内端部が前記チャンバ内に位置し、外端部が前記ハウジングの外部に位置している複数の金属製信号ラインとを有している」、「マイクロ波回路用のマイクロ波容器」に相当し、本件発明１と引用発明１とは、「チャンバを形成し、前記チャンバの内部空間と接している壁を有するハウジングと、前記チャンバ内部と連絡するために前記壁を貫通して形成されたマイクロ波開口と、前記壁を通って配置されたマイクロ波伝送ラインとを具備し、前記マイクロ波伝送ラインは、マイクロ波誘電体部材により前記開口に密封されて挿入された状態で位置されているマイクロ波回路用のマイクロ波容器において、前記チャンバ内部と連絡するために前記壁を貫通して形成され、開口マイクロ波遮断周波数を有するコネクタ開口と、前記壁を通ってチャンバ内部と連絡しているコネクタシステムとを含み、前記コネクタシステムは、前記コネクタ開口中に挿入されて密封されている誘電体部材と、この誘電体部材内に設けられ、それぞれ内端部が前記チャンバ内に位置し、外端部が前記ハウジングの外部に位置している複数の金属製信号ラインとを有しているマイクロ波容器」の点で一致するが、以下の点で相違する。
（イ）本件発明１では、マイクロ波伝送ラインは、第１および第２のマイクロストリップ部分と、前記第１および第２のマイクロストリップ部分を接続するストリップライン部分とを含み、ここで前記ストリップライン部分の幅は前記第１および第２のマイクロストリップ部分の幅とは異なり、前記ストリップライン部分がマイクロ波誘電体部材により前記開口に密封されて挿入された状態で位置されているのに対し、引用発明１では、マイクロ波伝送ラインはそのように記載されていない点。
（ロ）本件発明１では、マイクロ波誘電体部材は前記マイクロ波誘電体部材の上部、底部、および側面を覆う金属ライナにより形成された接地平面を有しているのに対し、引用発明１では、マイクロ波誘電体部材を金属ライナで覆うことは記載されていない点。
（ハ）本件発明１では、コネクタシステムのコネクタ開口をマイクロ波開口のマイクロ波遮断周波数に等しく対応するサブ開口マイクロ波遮断周波数を有するサブ開口に電気的に区分するため、１以上の金属製部材がコネクタシステムの誘電体部材を貫通しそして前記コネクタ開口を横切って位置されているのに対し、引用発明１では、コネクタシステムのコネクタ開口はそのように記載されていない点。
　　
　そこで、まず上記相違点（ハ）について以下に検討する。
　刊行物１には、近接する端子間のアイソレーションを防ぐことについては記載されているものの、マイクロ波容器の開口のマイクロ波遮断周波数については記載も示唆もされておらず、また、刊行物２には、光パッケージ側壁の多層セラミックインサートに、該インサートの共振周波数を増加させるように短絡導電路を設けることが記載されてはいるが、該短絡導電路によって該インサートのマイクロ波遮断周波数を、該光パッケージの他の開口のマイクロ波遮断周波数に対応させようとするものではない。また、刊行物３には、集積回路パッケージの外部接続端子部の導電パターン間に導電柱を設けることによって隣接する導電パターン間のクロストークを減少させるとともに、共振周波数及び遮断周波数を高め、信号の反射を防止することが記載されてはいるが、該導電柱によって該パッケージの外部接続端子部の共振周波数乃至遮断周波数を、該パッケージの他のマイクロ波開口のマイクロ波遮断周波数に対応させようとするものではない。また、刊行物４には、開口のマイクロ波遮断周波数については記載も示唆もされていない。
　してみると、刊行物１〜４のいずれにも、コネクタシステムのコネクタ開口をマイクロ波開口のマイクロ波遮断周波数に等しく対応するサブ開口マイクロ波遮断周波数を有するサブ開口に電気的に区分するため、１以上の金属製部材をコネクタシステムに設けることは記載されておらず、それを示唆する記載もないのであるから、刊行物１〜４の記載をいかに組み合わせても、上記相違点（ハ）に係るマイクロ波容器の構造を導き出すことはできない。
　そして、本件発明１は、上記相違点（ハ）に係るマイクロ波容器の構造を採用することにより、高い反射損失及び低い挿入損失を実現でき、その遮断周波数より下の領域においてマイクロ波回路の安定性が増強されるという、上記訂正請求に係る訂正明細書に記載されたとおりの効果を奏したものと認められる。
　したがって、本件発明１は、上記相違点（イ）、（ロ）について更に検討するまでもなく、刊行物１〜４に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることはできない。。
　　
（２）本件発明２について、
  本件発明２と引用発明１とを対比すると、引用発明１における「パッケージ本体１４」、「そのうちの複数の各エッチング部分」、「該各エッチング部分の向きとは垂直の向きに設けられた残りの複数の各エッチング部分」、「低速信号用の端子１６’」、「残りの複数の各エッチング部分には誘電体１５’を埋め込み密閉するとともに、該各誘電体１５’内に低速信号用の端子１６’を複数本並べて配置」、「高周波用のベアモジュールパッケージ」はそれぞれ、本件発明２の「チャンバを形成し、前記チャンバの内部空間と隣接している壁を有しているハウジング」、「マイクロ波開口」、「マイクロ波開口に垂直であり、そしてコネクタ開口のマイクロ波遮断周波数を有するコネクタ開口」、「金属製信号ライン」、「コネクタシステムは、前記コネクタ開口中に挿入されて密封されている誘電体部材と、この誘電体部材内に設けられ、それぞれ内端部が前記チャンバ内に位置し、外端部が前記ハウジングの外部に位置している複数の金属製信号ラインとを有している」、「マイクロ波回路用のマイクロ波容器」に相当し、本件発明１と引用発明１とは、「チャンバを形成し、前記チャンバの内部空間と隣接している壁を有しているハウジングと、前記チャンバ内部と連絡するために前記壁を貫通して形成されたマイクロ波開口と、ここで前記マイクロ波開口はマイクロ波開口のマイクロ波遮断周波数を有し、前記チャンバ内部と連絡するために前記壁を貫通して形成され、前記マイクロ波開口に垂直であり、そしてコネクタ開口のマイクロ波遮断周波数を有するコネクタ開口と、前記壁を通ってチャンバ内部と連絡するためのコネクタシステムとを含み、前記コネクタシステムは、前記コネクタ開口中に密封されて挿入されているコネクタの誘電体部材と、前記コネクタの誘電体部材内に設けられ、それぞれ内端部が前記チャンバ内に位置し、外端部が前記ハウジングの外部に位置している複数の金属製信号ラインとを有しているマイクロ波回路用のマイクロ波容器」の点で一致するが、以下の点で相違する。
（ニ）本件発明２では、コネクタシステムの前記コネクタ開口をそれぞれマイクロ波開口のマイクロ波遮断周波数に等しく対応するサブ開口マイクロ波遮断周波数を有するサブ開口に電気的に区分して、前記コネクタの誘電体部材を貫通し、前記コネクタ開口を横切って位置された１以上の金属製部材とを有しているのに対し、引用発明１では、コネクタシステムのコネクタ開口はそのように記載されていない点。   
　　
　そこで、上記相違点（ニ）について検討するに、この相違点（ニ）は、上記［６］（１）欄で述べた本件発明１における相違点（ハ）と実質的に相違するものではなく、そして、刊行物１〜４の記載をいかに組み合わせても、上記相違点（ハ）に係るマイクロ波容器の構造を導き出すことはできず、このマイクロ波容器の構造を採用することにより、高い反射損失及び低い挿入損失を実現でき、その遮断周波数より下の領域においてマイクロ波回路の安定性が増強されるという、上記訂正請求に係る訂正明細書に記載されたとおりの効果を奏することは、上記［６］（１）欄で述べたとおりであるから、上記相違点（ニ）に係る本件発明２のマイクロ波容器の構造も、刊行物１〜４の記載をいかに組み合わせても導き出すことはできず、その効果も上記相違点（ハ）の場合と同様であると認められる。
　したがって、本件発明２も、刊行物１〜４に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることはできない。
　　
（３）本件発明３〜６について
　本件発明３〜６はいずれも、請求項２、又は請求項２を引用する他の請求項を引用しており、本件発明２を特定するために必要な全ての事項を含む発明であるから、上記［６］（２）欄で述べた本件発明２と同様、本件発明３〜６も、刊行物１〜４に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることはできない。
　　
（４）取消理由（Ａ）についての結論
　以上のとおりであるから、本件発明１〜６は、刊行物１〜４に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることはできず、取消理由（Ａ）によって本件発明１〜６に係る特許を取り消すことはできない。
　　
［７］取消理由（Ｂ）について
　取消理由（Ｂ）は、特許明細書の特許請求の範囲の請求項３に記載された「前記コネクタ開口をそれぞれ前記開口のマイクロ波遮断周波数より小さいサブ開口マイクロ波遮断周波数を有するサブ開口に電気的に区分して、」は、コネクタ開口をどのようなサブ開口に電気的に区分するのか明確でないから、訂正前の本件請求項１〜７に係る発明の特許は、特許法第３６条第６項に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものであるというものである。
　しかしながら、上記の記載が「前記コネクタ開口をそれぞれマイクロ波開口のマイクロ波遮断周波数に等しく対応するサブ開口マイクロ波遮断周波数を有するサブ開口に電気的に区分して、」と訂正された結果、サブ開口についての上記の不備は解消された。
　したがって、取消理由（Ｂ）によって本件発明１〜６に係る特許を取り消すことはできない。
　　
［８］特許異議申立について
　特許異議申立の理由は、特許明細書の請求項１に係る発明は甲第１号証に記載された発明であり、また、同請求項３〜５に係る発明は甲第２号証に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項の規定に違反してされたものであり、また、同請求項１、２、６、７に係る発明は甲第１、２号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであるというものである。
　しかしながら、上記異議申立ての対象であった訂正前の各請求項に係る発明に対応する本件発明１〜６と上記通知した取消理由で引用した刊行物１、２（甲第１、２号証）に記載された発明とは、上記相違点（ハ）又は（ニ）で相違しており、本件発明１〜６は、刊行物１、２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることができないことは、上記［６］「取消理由（Ａ）について」の（１）、（２）欄で述べたとおりである。
　したがって、上記特許異議申立ての理由によって本件発明１〜６に係る特許を取り消すことはできない。
　　
（５）むすび
　以上のとおりであるから、上記取消理由、特許異議の申立ての理由及び証拠によっては、本件発明１〜６に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明１〜６に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１６年３月２５日（２００４．３．２５）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
マイクロ波容器
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　チャンバを形成し、前記チャンバの内部空間と接している壁を有するハウジングと、
　前記チャンバ内部と連絡するために前記壁を貫通して形成されたマイクロ波開口と、
　前記壁を通って配置されたマイクロ波伝送ラインとを具備し、
　前記マイクロ波伝送ラインは、第１および第２のマイクロストリップ部分と、前記第１および第２のマイクロストリップ部分を接続するストリップライン部分とを含み、ここで前記ストリップライン部分の幅は前記第１および第２のマイクロストリップ部分の幅とは異なり、前記ストリップライン部分がマイクロ波誘電体部材により前記開口に密封されて挿入された状態で位置されているマイクロ波回路用のマイクロ波容器において、ここで前記マイクロ波誘電体部材は前記マイクロ波誘電体部材の上部、底部、および側面を覆う金属ライナにより形成された接地平面を有しており、
　さらに、前記チャンバ内部と連絡するために前記壁を貫通して形成され、開口マイクロ波遮断周波数を有するコネクタ開口と、
　前記壁を通ってチャンバ内部と連絡しているコネクタシステムとを含み、
　前記コネクタシステムは、前記コネクタ開口中に挿入されて密封されている誘電体部材と、
　この誘電体部材内に設けられ、それぞれ内端部が前記チャンバ内に位置し、外端部が前記ハウジングの外部に位置している複数の金属製信号ラインとを有しており、ここで前記コネクタ開口をマイクロ波開口のマイクロ波遮断周波数に等しく対応するサブ開口マイクロ波遮断周波数を有するサブ開口に電気的に区分するため、１以上の金属製部材が前記誘電体部材を貫通しそして前記コネクタ開口を横切って位置されていることを特徴とするマイクロ波容器。
　【請求項２】　チャンバを形成し、前記チャンバの内部空間と隣接している壁を有しているハウジングと、
　前記チャンバ内部と連絡するために前記壁を貫通して形成されたマイクロ波開口と、ここで前記マイクロ波開口はマイクロ波開口のマイクロ波遮断周波数を有し、
　前記チャンバ内部と連絡するために前記壁を貫通して形成され、前記マイクロ波開口に垂直であり、そしてコネクタ開口のマイクロ波遮断周波数を有するコネクタ開口と、
　前記壁を通ってチャンバ内部と連絡するためのコネクタシステムとを含み、
　前記コネクタシステムは、
　前記コネクタ開口中に密封されて挿入されているコネクタの誘電体部材と、
　前記コネクタの誘電体部材内に設けられ、それぞれ内端部が前記チャンバ内に位置し、外端部が前記ハウジングの外部に位置している複数の金属製信号ラインと、
　前記コネクタ開口をそれぞれマイクロ波開口のマイクロ波遮断周波数に等しく対応するサブ開口マイクロ波遮断周波数を有するサブ開口に電気的に区分して、前記コネクタの誘電体部材を貫通し、前記コネクタ開口を横切って位置された１以上の金属製部材とを有しているマイクロ波回路用のマイクロ波容器。
　【請求項３】　さらに、前記壁と前記誘電体部材との間に金属製ライナを含んでいる請求項２記載のマイクロ波容器。
　【請求項４】　前記ライナは前記コネクタの誘電体部材に隣接した金属製接地平面層を含んでいる請求項３記載のマイクロ波容器。
　【請求項５】　さらに、第１および第２のマイクロストリップ部分と、前記第１および第２のマイクロストリップ部分を接続するストリップライン部分とを含み、前記ストリップライン部分が前記マイクロ波開口に挿入されて密封された状態で位置されているマイクロ波伝送ラインとを含んでいる請求項２記載のマイクロ波容器。
　【請求項６】　前記マイクロ波伝送ラインは、
　第１および第２の端部を有している金属製信号ラインと、
　前記信号ラインを取り囲み、前記マイクロ波開口中に受取られ、前記第１および第２のマイクロストリップ部分における前記第１および第２の信号ライン端部を部分的に露出するように構成されたマイクロ波誘電体部材とを含んでいる請求項５記載のマイクロ波容器。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の属する技術分野】
　本発明は、一般的にマイクロ波回路に関し、特に、マイクロ波回路容器に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　例えば、衛星通信およびフェイズドアレイ・レーダ等のマイクロ波ベースの電子システムにおいて、寸法、重量、およびコストが設計の際に主として考慮されなければならない。従って、引き続きマイクロ波回路の小型化および集積化を進める傾向がある。マイクロ波集積回路（ＭＩＣ）は、マイクロ波装置（例えば、プレーナ半導体装置および分布あるいは集中受動回路素子等）をマイクロ波伝送ライン構造（例えば、マイクロストリップおよびストリップライン等）と接続することによって典型的に異なる回路機能を結合した装置である。ＭＩＣは一般的に２つの範疇に分類され、それらはハイブリッドＭＩＣとモノリシックＭＩＣ（ＭＭＩＣ）である。
　【０００３】
　ハイブリッド技術において、半導体装置および受動回路素子は、例えばガラスあるいはセラミック等の誘電体基板上で保持される。受動回路は、典型的に薄膜および厚膜技術で製造された分布素子および集中素子の結合体である。ＭＭＩＣにおいて、高周波半導体システムの能動装置（例えば、砒化ガリウム等）は、種々の堆積処理（例えば、エピタキシ、イオン注入、スパッタリング、蒸着、フォトリソグラフィ、およびエッチング等）で半絶縁基板上あるいは基板中において成長され、受動素子は、基板上に堆積されるか、あるいは基板中で成長される。
　【０００４】
　ハイブリッドおよびモノリシック回路は、例えばＸ、ＫｕおよびＫ帯域等のある範囲のマイクロ波周波数で優れた動作特性で実現されてきたが、それらの性能はしばしば関連したマイクロ波回路からそれらを遮蔽するマイクロ波容器と妥協しなければならなかった。これらの容器は、一般的にハーメチックシールされたチャンバを形成する壁およびカバーを含んでいる。マイクロ波信号ポートおよび低周波信号ポート（例えば制御信号およびＤＣパワー等が入来するためのポート）は、典型的にチャンバの壁を通過するガラスで包まれたピンで形成されている。
　【０００５】
　幾つかの場合において、マイクロ波ポートのピンは、同軸コネクタの壁の外側の側面上で終端している。しかしながら、マイクロ波システムは、しばしば近接して位置された幾つかのＭＩＣおよびＭＭＩＣを具備している。この場合において、システムの寸法は、マイクロストリップ伝送ラインの信号ラインに空間的に対応する平坦なタブの各端部においてピンを終端させることによって減少される。熱膨張を許容するために、タブは容器の各側面上で金属リボンによってマイクロストリップ信号ラインに接続される。壁の通過領域において、マイクロ波ピンは通常円筒形であり、環状のガラスシールによって円筒形の孔から間隔を隔てられている。それ故に、壁の通過領域において、ピンおよび壁の孔によって同軸のマイクロ波伝送ラインが形成される。
　【０００６】
　しかしながら、この同軸のラインのそれぞれの側において、タブおよび取付けられたリボンは典型的に空中に吊り下げられ、それによって、その伝送パラメータ（例えば、位相定数、減衰定数、および特性インピーダンス）が未知であるか、あるいは良好に定められない伝送構造を形成する。従って、これらの従来のマイクロ波ポートでは、典型的に例えば１０ｄｂ以下の低い反射損失（反射損失は入射するパワーと反射されたパワーの関数である）が実現される。さらに、インピーダンス整合ネットワークがマイクロ波ピンと内部マイクロ波回路との間でしばしば要求される。これらのインピーダンス整合ネットワークは、設計、設置、および調整に時間がかかるものである。
　【０００７】
　機能的に、ガラスで包まれたピンは、マイクロ波アンテナとして機能し、複数の導波モードを支持することのできる導波体として容器のチャンバを動作させる。この制御されていない導波体構造によって、しばしば容器のマイクロ波回路において不安定性が生じる。これらの不安定性は、マイクロ波回路の段の間に位置されたフィルタネットワークで抑制されることもあるが、しかしこれらのネットワークによってマイクロ波容器の寸法、重量、およびコストが増加する。
　【０００８】
　ガラスで包まれたピンを通る伝導路は、通常例えば間隙溶接機等の通常の機械を使用して設置される金属リボンで完成される。この処理のコストは、それらのガラスシールの破損を防ぐためにピンに対して支持体が設けられなければならないので増加する。
　【０００９】
　ガラスで包まれたピンを有するマイクロ波容器は、米国ニュージャージー州のＢａｌｏ　Ｐｒｅｃｉｓｉｏｎ　Ｐａｒｔｓ　ｏｆ　Ｂｕｔｌｅｒ社によって製造され、Ｈｕｇｈｅｓ　Ａｉｒｃｒａｆｔ社の部品番号４９４７０９６−１および２のマイクロ波容器によって例示される。
　【００１０】
　【発明が解決しようとする課題】
　本発明は、反射損失が高く（例えば１８ｄｂ程度）、挿入損失の低いマイクロ波ポートと、共振モードを例えば２５ＧＨｚ程度の予め定められたマイクロ波周波数以下に抑制する低周波ポートとを有するハーメチックシールされたマイクロ波容器を得ることを目的としている。
　【００１１】
　【課題を解決するための手段】
　これらの目的は、そのようなポートの構造が伝送の不連続を減少し、所望されたマイクロ波の遮断周波数を確立するように、実質的にマイクロ波伝送ラインを形成することを実現することによって達成される。
　【００１２】
　各マイクロ波ポートは、ハウジング中のマイクロ波開口と、第１および第２のマイクロストリップ部分およびそれらを接続するストリップライン部分を有するマイクロ波伝送ラインとを含んでいる。マイクロ波伝送ラインは、そのストリップライン部分がハウジングの開口中に挿入されている状態で位置されている。
　【００１３】
　各低周波ポートは、ハウジング中のコネクタ開口と、誘電体部材およびその誘電体部材内に設けられた複数の金属製信号ラインを有するコネクタシステムとを含んでいる。誘電体部材は、信号ラインの内端部および外端部を露出するために部分的に除去されている。コネクタシステムは、コネクタ開口内に挿入されている。コネクタシステムは、誘電体部材を貫通してコネクタ開口を横切って位置された金属製部材を含み、それによって、コネクタ開口をそれぞれ予め定められたマイクロ波遮断周波数を有するサブ開口に電気的に区分する。
　【００１４】
　一実施形態において、マイクロ波伝送ラインはそれぞれ金属製信号ラインおよびそれを取り囲む誘電体部材を含み、第１および第２のマイクロストリップ部分において信号ラインの端部を部分的に露出するように構成されている。
　【００１５】
　従来のガラスで包まれたピンとは異なり、マイクロ波伝送ラインおよびコネクタシステムの信号ラインは、例えば金属製リボン等の相互接続がそれらに取付けられたときの破損に対して耐性を有しており、その理由は、それらは各誘電体部材によって支持されているからである。
　【００１６】
　本発明の新しい特徴は、上述の特許請求の範囲の請求項に記載されている。本発明は、添付図面と関連させて以下の説明から最良に理解されるであろう。
　【００１７】
　【発明の実施の形態】
　図１のａ乃至ｃにおいて、マイクロ波回路２３を収容するためのチャンバ２２を形成するハウジング２１を有するマイクロ波容器２０が示されている。容器２０によって、マイクロ波は高い反射損失および低い挿入損失を実現するマイクロ波ポートの形態で回路２３にアクセスする。容器２０はまた、回路２３に対する低周波アクセスポートを提供し、それはマイクロ波回路２３における不安定な性質を励起する擬似電磁放射モードを抑制するように構成されている。
　【００１８】
　特に、容器２０は、マイクロ波ポート２４，２６および低周波コネクタポート２８，３０を有している。これらのポートは、チャンバ２２と隣接しているハウジング壁３２を通して回路２３と連絡するように構成されている。各マイクロ波ポート２４および２６は、マイクロ波開口３６内に挿入されているマイクロ波伝送ライン３４を含んでいる。マイクロ波開口３６は壁３２を貫通し、チャンバ２２と連絡している。各低周波ポート２８および３０は、コネクタ開口４０に挿入されるコネクタシステム３８を含んでいる。コネクタ開口４０もまた、壁３２を貫通し、チャンバ２２に連絡している。
　【００１９】
　マイクロ波伝送ライン３４の詳細が図２のａ乃至ｄに示されている。伝送ライン３４は、内部マイクロストリップ部分４２および外部マイクロストリップ部分４４と、内部および外部マイクロストリップ部分を接続するストリップライン部分４６とを含んでいる。これらの伝送ライン部分４２，４４，４６は、誘電体部材５０によって取り囲まれている金属製信号ライン４８を有して形成される。誘電体部材５０は各端部において除去され、それによって、信号ライン４８が部分的に露出され、内部および外部マイクロストリップ部分４２，４４が形成される。信号ライン４８は、典型的に長方形の断面を有するマイクロストリップおよびストリップライン信号ラインであることが好ましい。
　【００２０】
　伝送ライン３４に対するマイクロ波接地平面は、誘電体部材５０の側面５６、上部５８、および底部６０を覆う金属ライナの部分として形成される。伝送ライン３４の信号ライン４８は、図２のｄに明確に図示されており、そこにおいて、誘電体部材５０の上部部分は明示の目的で取り除かれている。信号ライン４８およびその接地平面は、例えば５０オームの特性インピーダンスを有するように構成されており、それは容器チャンバ（図１のａの２２参照）におけるマイクロ波回路（図１のａの２３参照）と適合する。伝送ラインの寸法（例えば、接地平面と信号ラインとの間隔等）はこの特性インピーダンスに従って選択されるので、信号ライン４８のストリップライン部分６１の幅は、図２のａおよびｂの内部および外部マイクロストリップ部分４２および４４における信号ラインの幅とは異なる。
　【００２１】
　誘電体部材５０は、例えばアルミナ等のマイクロ波規格のセラミックで作られることが好ましい。図２のｃの拡大された断面図で示されているように、ライナ５４は、耐熱金属層６２（耐熱金属は、一般的に非常に高い溶融点を有する金属である）を接地平面５２と誘電体部材５０との間に含んでいる。例示的なライナ５４において、層６２は、セラミックに対して良好な接着性を有している例えばタングステン等の耐熱金属である。接地平面の層５２は、耐熱金属に対して非常に良好な接着性を有する例えばニッケル等の金属のサブ層６４と、低いマイクロ波信号比抵抗および良好な腐食抵抗性を有する例えば金等の金属の上部サブ層６６とを有している。マイクロ波信号ライン４８は、図２のｃのライナと同じ断面構造を有していることが好ましい。
　【００２２】
　ストリップライン部分４６の接地平面は、誘電体部材５０の上部５８および底部６０上にある接地平面層５２の部分によって特に形成されている。マイクロストリップ部分４２，４４の接地平面は、誘電体部材５０の底部６０上にある接地平面層５２の部分によって特に形成される。
　【００２３】
　各マイクロ波伝送ライン３４は、そのストリップライン部分４６がマイクロ波開口３６の１つに挿入され、その内部マイクロストリップ部分４２がチャンバ２２内にあり、その外部マイクロストリップ部分４６がハウジング２１の外部にある状態で図１のａ乃至ｃのハウジング２１中に挿入される。
　【００２４】
　コネクタシステム３８が図３のａ乃至ｃにおいて詳細に示されている。コネクタシステム３８は、誘電体部材７０と、その誘電体部材内に保持された複数の金属信号ライン７１とを含んでいる。各信号ライン７１は、内端部７２および外端部７３を有している。誘電体部材７０は、中央部分７４のそれぞれの側において一部が除去され、それによって、部分的に信号ラインの内端部７２および外端部７３が露出される。内端部７２および外端部７３に容易にアクセスできるようにし、コネクタ開口（図１のｂの４０参照）の高さを減少するために、信号ライン７１は、間隔を隔てて共面の構成で配置されることが好ましい。また、信号ライン７１は、マイクロ波ストリップラインおよびマイクロストリップ信号ラインで典型的な同一の長方形の断面を有していることが好ましい。
　【００２５】
　マイクロ波伝送ライン３４の誘電体部材５０に類似して、誘電体部材７０は、例えばアルミナ等のマイクロ波規格のセラミックで作られていることが好ましい。誘電体部材７０の側面７６、上部７８、および底部８０は、図２のｃのライナ５４に類似したライナ８４で覆われている。
　【００２６】
　各コネクタシステム３８は、その中央部分７４がコネクタ開口４０の１つに挿入され、その信号ラインの内端部７２がチャンバ２１内にあり、その信号ラインの外端部７３がハウジング２１の外部にある状態で図１のａ乃至ｃのハウジング２１に挿入される。この挿入によって、ライナ８４はハウジング２１と誘電体部材７０との間に位置される。
　【００２７】
　マイクロ波の周波数において、各コネクタ開口（図１のｂの４０参照）は、基本的に壁３２を通過するマイクロ波の伝播を支持することができる導波体である。導波体として考えると、コネクタ開口４０は、
　【数１】
のマイクロ波遮断周波数を有し、この式において、ｃは空気中での光の速度であり、εｏは空気の誘電率であり、εｒは誘電体部材７０の相対比誘電率であり、ａは図１のｂに示された開口の幅８８である。この導波体構造によって、マイクロ波遮断周波数よりも大きい周波数に対する種々の導波体放射モードの発生が増強される。多くのマイクロ波回路は高利得素子を含んでいるので、これらの導波体モードのために、マイクロ波回路２３において回路が不安定になる。
　【００２８】
　本発明の特徴において、図３のａ乃至ｃに示されているように、導波体ポスト９０の形状の金属部材が誘電体部材７０を貫通して位置される。これらの金属部材は、誘電体部材７０の上部７８および底部８０上でライナ８４と電気的に接触している。ポスト９０は種々の形状にすることができ、また、任意の導電性金属で作られることができるが、それらは、ライナ８４における耐熱金属、すなわち、図２のｃの耐熱金属層６２と同じ耐熱金属で充填される孔として容易に実現される。図３のａ乃至ｃに示されているように、狭い間隔の複数のポスト９０は分割を達成するために使用されることができ、それらは、誘電体部材７０の前表面９２を覆ってライナ８４を設けることによって補われる。
　【００２９】
　コネクタシステム３８はコネクタ開口（図１のｂの４０参照）中に挿入され、ポスト９０は、各コネクタ開口４０を例えば図３のａにおける幅９６のような、開口幅８８よりも小さい幅を有するサブ開口９４に効果的に分割する。従って、コネクタシステム３８は、予め定められたマイクロ波遮断周波数を実現するように構成されることができる。予め定められた周波数以下の放射の伝播およびモードが抑制される。この抑制によって、マイクロ波回路２３の安定性が増強される。
　【００３０】
　ポスト９０に適合するために、信号ライン７１は、サブ開口９４を通過している通路に沿って導かれる。例えば、図３ａ乃至ｃのコネクタシステム３８は、２組のポスト９０がライナ８４の上部と底部との間に設置されるように導かれる７本の信号ライン７１を有している。寸法９６が１．８ミリメートル以下であり、誘電体部材７０が９．２以下の相対比誘電率を有するアルミナである場合、（１）の式によってサブ開口９４の遮断周波数が２５ＧＨｚ程度であることが示される。図１のａ乃至ｃの容器２０中でこのコネクタシステムを使用すると、コネクタ開口４０における導波体モードは、周波数が２５ＧＨｚ以下になるように抑制される。これによって、この遮断周波数より下の領域においてマイクロ波回路２３の安定性が増強される。この例において、マイクロ波伝送ライン３４の幅９７（図２のｄ参照）は、対応する２５ＧＨｚ以下の遮断周波数をマイクロ波ポート２４および２６に与えるために１．８ミリメートル以下であることが好ましい。
　【００３１】
　図４において、コネクタシステム３８の１つが挿入される様子が示されており、そこにおいて、図１のａ乃至ｃおよび図３のａ乃至ｃと同一の素子は、同一の参照番号で示されている。コネクタシステム３８は、ライナ８４が誘電体部材７０とハウジング２１との間に来る状態で中央部分７４がコネクタ開口４０に受取られるまで移動を表す矢印９８で示されているように移動する。ハウジング２１およびコネクタシステム３８は、図４において部分的にのみ示されている。
　【００３２】
　例示的な組立てプロセスにおいて、マイクロ波伝送ライン３４の誘電体部材５０は、グリーン（焼成されていない）アルミナから処理され、タングステンの耐熱金属層６２は、ライナ５４および信号ライン４８の領域を定めるために（例えばシルクスクリーニング等の）適切な処理が施される。その後、タングステンおよびアルミナは、例えば１５００℃以下の適切な温度で炉において加熱される。その後、接地平面層５２のサブ層６４，６６は、耐熱金属層６２上に堆積される。
　【００３３】
　その後、完成されたマイクロ波伝送ラインは、ストリップライン部分４６がマイクロ波開口３６に受入れられた状態でハウジング２１のマイクロ波開口３６に挿入される。ライナ５４は、例えば銅と銀の合金等の適切な充填金属で例えば８００℃以下の適切な温度でハウジング２１にブレーズ溶接され、それによって、マイクロ波伝送ライン３４とハウジング２１との間にハーメチックシールを形成する。コネクタシステム３８は、類似した組立てプロセスで処理され、加熱され、ハウジング２１に設置される。
　【００３４】
　例示的な製造プロセスにおいて、ハウジング２１および誘電体部材５０，７０の材料は、マイクロ波回路２３の半導体システムの熱膨張係数に適合する熱膨張係数を有するように選択される。例えば、多数のマイクロ波回路は、砒化ガリウム半導体から形成される。従って、ハウジング２１は、その熱膨張係数が砒化ガリウムのものと近い材料（例えば、コバール、銅−モリブデン合金、あるいは銅−タングステン合金等）で作られることが好ましい。低いマイクロ波比抵抗を有する例えば金等の材料による被覆は、良好な接着性を有する例えばニッケル等の材料の下層被覆と共にハウジング２１上に堆積されることが好ましい。同様に、誘電体部材５０および７０は、その熱膨張係数が砒化ガリウムのものと近い材料（例えば、アルミナ等）で形成されることが好ましい。
　【００３５】
　別の例示的な製造プロセスにおいて、誘電体部材５０，７０は、２つの基板を形成し、１つの基板上に信号ラインを堆積し、その後、２つの基板を一緒に接合することによって製造されることができる。例えば、図２ａ乃至ｄの誘電体部材５０は、図２のａにおいて示されているように２つの基板５０Ａおよび５０Ｂを含み、図３ａ乃至ｃの誘電体部材７０は、図３のｂおよび図４に示されているように２つの基板７０Ａおよび７０Ｂを含む。
　【００３６】
　ハウジング２１は、平坦なベース１００、リング１０１、およびカバー１０２から組立てられることができる。図１のａ乃至ｃに示されているように、リング１０１の一表面はベース１００と接触し、リング１０１はベース１００から突出した壁３２を形成する。カバー１０２は、リング１０１の反対側の表面に位置される。この実施形態において、チャンバ２２は、リング１０１内の、ベース１００とカバー１０２との間にある空間として形成される。例示的なハウジング２１において、チャンバ２３の寸法は約６×１５ミリメートルであり、深さは１．５ミリメートルである。（１）の式によって、チャンバの幅が６ミリメートルであるときには遮断周波数は２５ＧＨｚ程度となる。
　【００３７】
　マイクロ波開口３６およびコネクタ開口４０はリング１０１を貫通する簡単な開口であるが、それらはそれぞれベース１００およびリング１０１において整合凹部を有して形成されることが好ましい。例えば、各マイクロ波開口３６は、図１のｃにおいて示されているようにベース１００の表面１０４における凹部１０３およびリング１０１の表面１０６における凹部１０５で構成される。類似した方法で、各コネクタ開口４０は、図４に示されているようにベース１００の表面１０４における凹部１０７およびリング１０１の表面１０６における凹部１０８で構成される。リングの表面１０６がベースの表面１０４と隣接するとき、凹部１０３および１０４は整列して開口３６を形成し、凹部１０７および１０８は整列して開口４０を形成する。
　【００３８】
　この構造によって、マイクロ波伝送ライン３４とコネクタシステム３８の整列が容易になる。マイクロ波伝送ライン３４およびコネクタシステム３８がベース１００におけるそれらのそれぞれの凹部に配置された後、リング１０１は、リングの凹部がマイクロ波伝送ライン３４およびコネクタシステム３８を受取った状態でベース１００上に位置される。その後、組立てられたベース１００、リング１０１、マイクロ波伝送ライン３４、およびコネクタシステム３８は、一緒にブレーズ溶接されることができる。
　【００３９】
　図１のａのマイクロ波回路２３は、典型的にオープンチップ能動素子、受動素子（例えばキャパシタ１１０等）およびＭＭＩＣ（例えば、増幅器１１２，１１４，およびステップ減衰器１１６等）を含んでいる。マイクロ波回路がチャンバ２２内を満たしていない場合、それらは、マイクロストリップ伝送ライン（例えばライン１１８，１２０等）でマイクロ波ポート２４，２６に接続されてもよい。
　【００４０】
　ハウジング２１のフロア１２２は、マイクロ波回路２３の素子、マイクロストリップ伝送ライン３４のマイクロストリップ部分４２、およびコネクタシステム３８の信号ライン７１を共面構成で配置するように位置される。これによって金属リボン（明確に図示するためにリボンは示されていない）による相互接続が容易になる。ＭＭＩＣは典型的に非常に薄いので（例えば０．１ミリメートル以下）、リッジ１２４をハウジングのフロア１２２から上方に突出させてそれらを共面の関係にする。
　【００４１】
　マイクロ波回路は、例えば金−すず合金等の適切な充填金属で例えば２９０℃程度の適切な温度でフロア１２２および／またはリッジ１２４に取付けられる。回路の相互接続が完了した後、カバー１０２がシームシールされ、それによってチャンバ２２をハーメチックシールする。
　【００４２】
　本発明のマイクロ波ポートによって例えば１８ｄｂ程度の高い反射損失および低い挿入損失を実現することができ、低周波ポートによって共振をサブ開口のマイクロ波遮断周波数（例えば２５ＧＨｚ）以下に抑制することができる。従来のガラスに包まれたピンとの比較において、信号ライン（４８および７１）は、例えば金属リボンのような相互接続がそれらに取付けられたとき、故障に対する耐性があり、それは、それらがそのそれぞれの誘電体部材（５０および７０）によって支持されているからである。
　【００４３】
　本発明の幾つかの実施形態が図示および説明されてきたが、多くの変更および修正が当業者によって行われることが可能である。そのような変更および修正は、添付された特許請求の範囲において定められた本発明の意図および技術的範囲から逸脱せずに行われることができる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　本発明によるマイクロ波容器の実施形態の平面図、正面図、および側面図。
　【図２】
　図１のマイクロ波容器のマイクロ波伝送ラインの平面図と、その正面図と、そのマイクロ波伝送ラインにおけるハーメチックライナの拡大断面図と、マイクロ波信号ラインを露出するために誘電体部材の一部分が取り除かれた状態のマイクロ波伝送ラインの平面図。
　【図３】
　図１のマイクロ波容器におけるコネクタシステムの平面図、後面図、および側面図。
　【図４】
　図１の容器におけるコネクタ開口にコネクタシステムを挿入する様子を表す斜視図。