(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
インダクタンスが調整されるトランスデューサデバイスであって、
１つの中央脚部（１１）を有する第１のコア部分（１０）と、
１つの中央脚部（２１）を有する第２のコア部分（２０）と、
を備え、
前記第１のコア部分（１０）および前記第２のコア部分（２０）は、それぞれ傾斜を有する１つの座面をそれぞれ備え、
前記第２のコア部分（２０）の座面（２３０）は、前記第１のコア部分（１０）の座面（１３０）に戴置され、
前記第１のコア部分（１０）の中央脚部（１１）の端部側（１１０）と、前記第２のコア部分（２０）の中央脚部（２１）の端部側（２１０）とは互いに対向しており、
前記第１のコア部分（１０）の中央脚部（１１）の端部側（１１０）と前記第２のコア部分（２０）の中央脚部（２１）の端部側（２１０）との間の間隙（３０）の幅は、前記第２のコア部分（２０）の座面（２３０）が前記第１のコア部分（１０）の座面（１３０）に載置される位置に依存し、
前記第１のコア部分（１０）は、１つの面（１２）を備え、当該面（１２）から１つの隆起した構造（１３）が突出しており、
前記第１のコア部分（１０）の座面（１３０）は、前記隆起した構造（１３）の上面として形成され、
前記隆起した構造（１３）は、中央脚部（１１）の２つの反対の側で前記第１のコア部分（１０）の面（１２）から突出した、少なくとも１つの第１の突起部（１３１）および少なくとも１つの第２の突起部（１３２）を備え、
前記第１のコア部分（１０）の座面（１３０）の第１の部分は、前記第１の突起部（１３１）の上面（１３１０）として形成され、前記第１のコア部分（１０）の座面（１３０）の第２の部分は、前記第２の突起部（１３２）の上面（１３２０）として形成されており、
前記第１のコア部分（１０）の座面（１３０）の第１の部分を形成する前記第１の突起部（１３１）の上面（１３１０）、および前記第１のコア部分（１０）の座面（１３０）の第２の部分を形成する前記第２の突起部（１３２）の上面（１３２０）が、それぞれ１つの円環の弧の形状に形成されている、
ことを特徴とするトランスデューサデバイス。
【請求項２】
前記第１および第２のコア部分（１０，２０）の前記座面（１３０，２３０）の傾斜は、それぞれ０．１°〜５°となっていることを特徴とする、請求項１に記載のトランスデューサデバイス。
【請求項３】
請求項１または２に記載のトランスデューサデバイスにおいて、
前記第１のコア部分（１０）の中央脚部（１１）および前記第２のコア部分（２０）の中央脚部（２１）は、それぞれその端部側（１１０，２１０）にそれぞれ１つの端面（１１１，２１１）を備え、
前記第１のコア部分（１０）の中央脚部（１１）の端面（１１１）と、前記第２のコア部分（２０）の中央脚部（２１）の端面（２１１）とは互いに対向しており、
前記第１のコア部分（１０）の座面（１３０）は、前記第１のコア部分（１０）の中央脚部（１１）の端面（１１１）に対して傾斜を有する斜面として形成されており、
前記第２のコア部分（２０）の座面（２３０）は、前記第２のコア部分（２０）の中央脚部（２１）の端面（２１１）に対して傾斜を有する斜面として形成されている、
ことを特徴とするトランスデューサデバイス。
【請求項４】
請求項１に記載のトランスデューサデバイスにおいて、
前記第１のコア部分（１０）は、１つの円環形状に形成された面（１４）を備え、当該面（１４）から前記第１のコア部分（１０）の中央脚部（１１）が突出しており、
前記円環形状に形成された面（１４）は、前記第１のコア部分（１０）の面（１２）における沈下部として形成されている、
ことを特徴とするトランスデューサデバイス。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか1項に記載のトランスデューサデバイスにおいて、
前記第２のコア部分（２０）は、底部（２２）と、当該底部の面（２２０）上に配設されている少なくとも１つの側壁（２３）とを備え、
前記第２のコア部分（２０）の中央脚部（２１）は、前記第２のコア部分（２０）の底部（２２）の面（２２０）上に配設されており、前記側壁（２３）によって少なくとも部分的に包囲されており、
前記第２のコア部分（２０）の座面（２３０）は、前記第２のコア部分（２０）の底部（２２）の反対の側で前記少なくとも１つの側壁（２３）に配設されており、
前記第２のコア部分（２０）の座面（２３０）は、前記少なくとも１つの側壁（２３）の、それぞれ１つの円環の弧として形成されている少なくとも２つの上面を備える、
ことを特徴とするトランスデューサデバイス。
【請求項６】
請求項５に記載のトランスデューサデバイスにおいて、
前記第２のコア部分（２０）は、１つの側へ開放された空洞体として形成されており、当該空洞体は前記第２のコア部分（２０）の底部（２２）および前記少なくとも１つの側壁（２３）によって画定されていることを特徴とするトランスデューサデバイス。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか１項に記載のトランスデューサデバイスにおいて、
前記第２のコア部分（２０）の座面（２３０）は、前記第２のコア部分（２０）の中央脚部（２１）の端面（２１１）の平面に対して傾斜した第１の斜面（２３１）および第２の斜面（２３２）を備え、
前記第２のコア部分（２０）の座面（２３０）は、第１および第２の段部（２３３，２３４）を備え、
前記第２のコア部分（２０）の座面（２３０）の前記第１の斜面（２３１）は、１つの円環の第１の弧として形成されており、前記第１の段部（２３３）から前記第２の段部（２３４）に向かって上り坂となっており、
前記第２のコア部分（２０）の座面（２３０）の前記第２の斜面（２３２）は、１つの円環の第２の弧として形成されており、前記第２の段部（２３４）から前記第１の段部（２３３）に向かって上り坂となっている、
ことを特徴とするトランスデューサデバイス。
【請求項８】
前記第１のコア部分（１０）の座面（１３０）と前記第２のコア部分（２０）の座面（２３０）との間には接着剤層（４０）が配設されていることを特徴とする、請求項１乃至７のいずれか１項に記載のトランスデューサデバイス。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか１項に記載のトランスデューサデバイスにおいて、
コイル巻線（６０）を有するコイルボビン（５０）を備え、
前記コイルボビン（５０）は、前記第１のコア部分（１０）の中央脚部（１１）の上および前記第２のコア部分（２０）の中央脚部（２１）の上に配設されている、
ことを特徴とするトランスデューサデバイス。
【請求項１０】
インダクタンスが調整されるトランスデューサデバイスを製造するための方法であって、
１つの中央脚部（１１）を有する前記トランスデューサデバイス（１）の第１のコア部分（１０）と、１つの中央脚部（２１）を有する前記トランスデューサデバイス（１）の第２のコア部分（２０）とを準備するステップであって、前記第１のコア部分（１０）および前記第２のコア部分（２０）が、それぞれ傾斜を有する１つの座面（１３０，２３０）を備えるステップと、
前記第２のコア部分（２０）を前記第１のコア部分（１０）に配設するステップであって、前記第２のコア部分（２０）の座面（２３０）が前記第１のコア部分（１０）の座面（１３０）に載置され、前記第１のコア部分（１０）の中央脚部（１１）の端部側（１１０）と前記第２のコア部分（２０）の中央脚部（２１）の端部側（２１０）とが対向するようにされるステップと、
前記第１のコア部分（１０）と前記第２のコア部分（２０）とを互いに相対的に動かすステップであって、前記第２のコア部分（２０）の座面が前記第１のコア部分（１０）の座面上で滑動して、前記第２のコア部分（２０）の座面（１３０）が前記第１のコア部分（１０）の座面上に戴置される位置がずれ、前記第１のコア部分（１０）の端部側（１１０）と前記第２のコア部分（２０）の端部側（２１０）との間の間隙（３０）の幅が変化されるステップと、
前記第１のコア部分（１０）および前記第２のコア部分（２０）の互いに相対的な動きの間に前記トランスデューサデバイス（１）のインダクタンスを検出するステップと、
前記動きの間に検出されたインダクタンスインダクタンスが規定値となった場合、前記第１のコア部分（１０）および前記第２のコア部分（２０）の互いの相対的な動きを終了するステップと、を備える方法であって、
前記第１のコア部分（１０）は、１つの面（１２）を備え、当該面（１２）から１つの隆起した構造（１３）が突出しており、
前記第１のコア部分（１０）の座面（１３０）は、前記隆起した構造（１３）の上面として形成され、
前記隆起した構造（１３）は、前記第１のコア部分（１０）の面（１２）から突出した、少なくとも１つの第１の突起部（１３１）および少なくとも１つの第２の突起部（１３２）を備え、
前記第１のコア部分（１０）の座面（１３０）の第１の部分は、前記第１の突起部（１３１）の上面（１３１０）として形成され、前記第１のコア部分（１０）の座面（１３０）の第２の部分は、前記第２の突起部（１３２）の上面（１３２０）として形成されており、
前記第１のコア部分（１０）の座面（１３０）の第１の部分を形成する前記第１の突起部（１３１）の上面（１３１０）、および前記第１のコア部分（１０）の座面（１３０）の第２の部分を形成する前記第２の突起部（１３２）の上面（１３２０）が、それぞれ１つの円環の弧の形状に形成されている、
ことを特徴とする方法。
【請求項１１】
請求項１０に記載の方法において、
前記第１のコア部分（１０）を、そこから１つの隆起した構造（１３）が突出する１つの面（１２）を有して準備するステップであって、前記第１のコア部分（１０）の座面（１３０）が、前記隆起した構造（１３）の１つの上面として形成され、前記隆起した構造（１３）は、前記第１のコア部分（１０）の面（１２）から突出した少なくとも１つの第１の突起部（１３１）および少なくとも１つの第２の突起部（１３２）を備え、前記第１のコア部分（１０）の座面（１３０）の第１の部分が前記第１の突起部（１３１）の上面（１３１０）として形成され、前記第１のコア部分（１０）の座面（１３０）の第２の部分が前記第２の突起部（１３２）の上面（１３２０）として形成され、前記第１のコア部分（１０）の座面（１３０）の第１の部分を形成する前記第１の突起部（１３１）の上面（１３１０）および前記第１のコア部分（１０）の座面（１３０）の第２の部分を形成する前記第２の突起部（１３２）の上面（１３２０）が、それぞれ１つの円環の弧の形状で形成されるステップと、
前記第２のコア部分（２０）を、１つの底部（２２）と当該底部（２２）の面（２２０）上に配設される少なくとも１つの側壁（２３）とを有して準備するステップであって、前記第２のコア部分（２０）の中央脚部（２１）が、前記第２のコア部分（２０）の底部（２２）の面（２２０）に配設され、かつ少なくとも１つの側壁（２３）によって少なくとも部分的に包囲され、前記第２のコア部分の座面（２３０）が前記少なくとも１つの側壁（２３）の反対側の底部（２２）に配設され、前記第２のコア部分（２０）の座面（２３０）が、前記少なくとも１つの側壁（２３）の少なくとも２つの円環状に形成された傾斜した上面を備えるステップと、
前記第１のコア部分（１０）および前記第２のコア部分（２０）を互いに相対的に回転するステップであって、前記第１のコア部分（１０）の中央脚部（１１）の端部側（１１０）と前記第２のコア部分（２０）の中央脚部（２１）との間の間隙（３０）が、当該回転の間に検出されるインダクタンスが前記規定値となるまで変化されるステップと、
を備えることを特徴とする方法。
【請求項１２】
請求項１０または１１に記載の方法において、
中空管（５１）を有するコイルボビン（５０）を準備するステップと、
前記コイルボビン（５０）をコイル巻線（６０）で巻回するステップと、
前記第１のコア部分（１０）の中央脚部（１１）が前記コイルボビン（５０）の中空管（５１）に中に配設されるように、巻回された前記コイルボビン（５０）を前記第１のコア部分（１０）に配設するステップと、
前記第２のコア部分（２０）の中央脚部（２１）が前記コイルボビン（５０）の中空管（５１）に中に配設されるように、巻回された前記コイルボビン（５０）を前記第２のコア部分（２０）に配設するステップと、
を備えることを特徴とする方法。
【請求項１３】
請求項１０乃至１２のいずれか１項に記載の方法において、
前記第２のコア部分（２０）を前記第１のコア部分（１０）に戴置する前に、接着剤層（４０）を前記第１のコア部分（１０）および前記第２のコア部分（２０）の少なくとも１つの座面（１３０，２３０）上に塗布するステップと、
前記第１のコア部分（１０）と前記第２のコア部分（２０）のそれぞれの座面（１３０，２３０）の間の接着剤層（４０）を、検出された前記インダクタンスが前記規定値となる前記第１のコア部分（１０）および前記第２のコア部分（２０）の位置で硬化するステップと、
を備えることを特徴とする方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インダクタンスがこのデバイスの製造中に調整されるトランスデューサデバイスに関する。さらに本発明は、インダクタンスがその製造工程で調整されるトランスデューサデバイスを製造するための方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
インダクタンスデバイスでのコアの磁気飽和を避けるため、また所定のインダクタンス値に設定するために、たとえばトランスおよびチョークの大質量の鉄芯またはフェライトコアには空隙が設けられる。この空隙は磁心の間隙状の中断部となっており、この磁気回路の実効透磁率μEおよび組立完成したインダクタンスデバイスのインダクタンスを決定する。所望のインダクタンスあるいは透磁率を実現するために、この空隙は事前に決められた出来る限り狭い範囲内の幅を有しなければならない。
【０００３】
空隙は、押し固めて焼結した後で、コアに削り込むことができる。しかしながら、押し固めて焼結した後で、コアに空隙が削り込まれたインダクタンス素子では、様々なインダクタンス値あるいは透磁率値が生じることが分っている。この様々なインダクタンス値あるいは透磁率値は、概ね製造プロセス中のプロセスパラメータのバラつき、およびコアに用いられる鉄あるいはフェライト材料の僅かに異なる材料パラメータに依存している。とりわけ、このコア材料に間隙を削り込むことは複雑な工程であること、この工程が高いコストとなっていることが欠点である。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の目的は、インダクタンスが調整されるトランスデューサデバイスを提供することであり、このトランスデューサデバイスはその製造プロセスの最後でこのインダクタンスが容易かつ高い信頼性で調整できるものである。本発明のさらなる課題は、インダクタンスが調整されるトランスデューサデバイスを製造するための方法を提供することであり、この方法はその製造プロセスの最後でこのインダクタンスが確実かつ高い信頼性で調整できるものである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
インダクタンスが調整されるトランスデューサデバイスは、請求項１に示されている。１つの実施形態によれば、本発明によるトランスデューサデバイスは、１つの中央脚部を有する第１のコア部分と、１つの中央脚部を有する第２のコア部分とを備える。この第１のコア部分および第２のコア部分は、それぞれ傾斜を有する１つの座面をそれぞれ備える。第２のコア部分の座面は第１のコア部分の座面に戴置されている。第１のコア部分の中央脚部の端部側と第２のコア部分の中央脚部の端部側とは互いに対向している。第１のコア部分の中央脚部の端部側と第２のコア部分の中央脚部の端部側との間の間隙の幅は、第１のコア部分の座面が第２のコア部分の座面に接する位置に依存する。
【０００６】
インダクタンスが調整されるトランスデューサデバイスを製造するための方法の１つの実施形態は請求項１２に示されている。１つの実施形態によれば、インダクタンスが調整されるトランスデューサデバイスを製造するための方法は、１つの中央脚部を有する第１のコア部分と１つの中央脚部を有する第２のコア部分を準備するステップを備え、ここでこの第１のコア部分およびこの第２のコア部分は、それぞれ１つの座面を備える。第１および第２のコア部分のそれぞれの座面は１つの傾斜を備える。第２のコア部分の座面が第１のコア部分の座面に戴置され、かつ第１のコア部分の中央脚部の端部側と第２のコア部分の中央脚部の端部側とが対向するように、第２のコア部分は第１のコア部分の上に配設される。第２のコア部分の座面が第１のコア部分の座面上で滑動して、第２のコア部分の座面が第１のコア部分の座面上に戴置される位置がずれ、第１のコア部分の端部側と第２のコア部分の端部側との間の間隙の幅が変化するように、第１および第２のコア部分は、互いに相対的に移動する。この第１のコア部分および第２のコア部分の互いの相対的な動きの間に、このトランスデューサデバイスのインダクタンスが検出される。この動きの間に検出されたインダクタンスが規定値になると、この第１のコア部分および第２のコア部分の互いの相対的な動きは終了する。
【０００７】
本発明によるトランスデューサデバイスの１つの可能な実施形態によれば、その間に空隙が生成されることになる上記の２つのコア部分は、これらの２つのコア部分のそれぞれの座面に、それぞれ少なくとも１つの螺旋形状または円弧形状に形成された、傾斜した面が設けられる。これら２つのコア部分のそれぞれの座面の傾斜した面により、第１および第２のコア部分を、第３の接触面で互いに回転することによって、特に第１のコア部分の中央脚部の端部側の端面と第２のコア部分の中央脚部の端部側の端面との間に、可変な幅の空隙を生成することができる。これはこれら２つのコア部分の回転によって、一方の分割コアが他方の分割コアから持ち上げられるためである。
【０００８】
こうして本発明によるトランスデューサデバイスでは、あるいは本発明による製造方法では、上記の空隙およびこれによってこのトランスデューサの透磁率あるいはインダクタンスを無段階に調整することができる。以上により、同じ未調整コア（複数）を用いて、このトランスデューサデバイスの最終組み立てで任意のインダクタンス値を生成することができる。事前に規定された様々な未調整コアを在庫しておくことは必要でない。
【０００９】
基本的にトランスデューサデバイスのインダクタンスあるいは透磁率は、製造プロセスの間のプロセスパラメータのバラつき、たとえば焼結の仕方、これらのコアに用いられる材料の材料パラメータ、および幾何形状パラメータ、たとえばコアの形状、に依存している。幾何形状パラメータには、上記の２つの分割コア間の空隙の幅も含まれる。この空隙の幅は、完成したデバイスの透磁率あるいはインダクタンスに実質的な影響を与えるものである。この空隙の幅は、磁気部品の最終組み立ての際に、上記のコア（複数）自体によって調整することができるので、サイズのバラつきおよびプロセスのバラつき、および用いられる材料およびこのトランスデューサのの巻線の材料パラメータのバラつきから、このトランスデューサの巻線の線の巻き数のばらつきまで補償することができる。
【００１０】
このいわゆる空隙は、空気を含むことが必須ではない。「空隙」なる用語は、最初に説明したように、磁束が中断されるあらゆるコア中断部を意味する。たとえば紙またはプラスチックのような非磁性材料が規定厚を有するスペーサとして上記のコア脚部の間の間隙に挿入されてこの空隙が調整されて、磁気回路における空隙が形成するための方法と異なり、本発明によるトランスデューサデバイスあるいはその製造方法では、その材料の厚さに誤差がつきものであり得る追加的な材料を用いる必要がなく、したがって製造の手間およびこのための追加のコストが小さくなる。
【００１１】
少なくとも１つの脚部、たとえばＥ型コアでの中央脚部が、多くの場合手間のかかる別の研磨工程によって、上記の２つの脚部の長さを短くすることによって、この空隙が調整される方法と異なり、本発明による方法ではこのコストのかかるコア（複数）の研磨が省かれる。これらのコアは部品の最終組み立ての前に、脚部における材料の摩耗研磨によって事前に加工されなくともよい。
【００１２】
正確なインダクタンスの調整、具体的には空隙の手直しのために追加的に磁気的に導通可能なバランスねじが、上記の２つの分割コアの中央脚部の間の空隙の部分的なバイパス（Ueberbrueckung）としてねじ止めされるトランスデューサデバイスおよびその製造方法と異なり、本発明によるトランスデューサデバイスあるいはその製造方法では、この空隙における追加の材料、たとえばスペーサまたはバランスねじを使用することは必要でない。こうして本発明によるトランスデューサデバイスは、追加的な材料によって不必要に大きくなることがなく、組み立ての手間およびこの組み立てに付随するコストが小さくなっている。
【００１３】
さらに加えて本発明によるトランスデューサデバイスは、バランスねじの使用の際に必要な中央脚部の中心孔によって起こる磁気飽和レベルの低下が無い。インダクタンスの規定の測定の後でＵＶ硬化によって接着剤が硬化される、ＵＶ硬化接着剤を用いた方法とは対照的に、本発明によるトランスデューサデバイスあるいは製造方法を用いて、種々の幅の空隙を実現することができる。上記の２つのコア部分の位置がこの接着剤が硬化するまで変わり得ない場合は、ＵＶ硬化接着剤を用いた方法と対照的に、場合により第１のコア部分の座面と第２のコア部分の座面との間でのＵＶ硬化接着剤の使用を完全に省略することができ、標準的なコア−コア接着のみを必要とすることができる。
【００１４】
本発明が、以下の本発明の実施形態を示す図を参照して詳細に説明される。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】インダクタンスが無段階で調整されるトランスデューサデバイスの第１のコア部分の１つの実施形態を示す。
【図２】インダクタンスが無段階で調整されるトランスデューサデバイスの第２のコア部分の１つの実施形態を示す。
【図３】インダクタンスが無段階で調整されるトランスデューサデバイスの１つの実施形態の斜視図を示す。
【図４Ａ】インダクタンスが無段階で調整されるトランスデューサデバイスの１つの実施形態の１つの側面から見た図を示す。
【図４Ｂ】インダクタンスが無段階で調整されるトランスデューサデバイスの１つの実施形態の１つの他の側面から見た図を示す。
【図５Ａ】インダクタンスが無段階で調整されるトランスデューサデバイスの１つの実施形態の内部断面を第１の調整された間隙幅と共に示す。
【図５Ｂ】インダクタンスが無段階で調整されるトランスデューサデバイスの１つの実施形態の内部断面を第２の調整された間隙幅と共に示す。
【００１６】
図１は、インダクタンスが無段階で調整されるトランスデューサデバイスの第１のコア部分１０の１つの実施形態を示す。この第１のコア部分１０は、１つの中央脚部１１を備える。この中央脚部１１は、１つの円柱形状の棒状コア（Stabkern）として形成されていてよい。さらにこの第１のコア部分１０は、傾斜を有する座面１３０を備える。この座面は、このトランスデューサデバイスのもう１つのコア部分の座面に戴置されるように形成されている。第１のコア部分１０の中央脚部１１は、１つの端部側１１０に端面１１１を備える。第１のコア部分１０の座面１３０は、この第１のコア部分１０の中央脚部１１の端面１１１に対して上述の傾斜を有する斜面として形成されている。端面１１１に対する座面１３０の傾斜は、たとえば０．１°〜５°であってよく、好ましくは２°であってよい。
【００１７】
第１のコア部分１０は、さらに１つの面１２を備え、この面から１つの隆起した構造１３が突出している。第１のコア部分１０の座面１３０は、この隆起した構造１３の上面として形成されている。１つの可能な実施形態によれば、この隆起した構造１３は、少なくとも１つの第１の突起部１３１および少なくとも１つの第２の突起部１３２を備える。第１および第２の突起部１３１，１３２は、中央脚部１１の２つの反対の側で、第１のコア部分１０の面１２から突出している。
【００１８】
第１のコア部分１０の座面１３０の第１の部分は、第１の突起部１３１の上面１３１０として形成されている。第１のコア部分１０の座面１３０の第２の部分は、第２の突起部１３２の上面１３２０として形成されている。第１のコア部分１０の座面１３０の第１の部分を形成する第１の突起部１３１の上面１３１０、および第１のコア部分１０の座面１３０の第２の部分を形成する第２の突起部１３２の上面１３２０は、それぞれ円環の一部分の形状で形成されている。
【００１９】
さらに第１のコア部分１０は、１つの円環形状に形成された面１４を備え、この面からこの第１のコア部分１０の中央脚部１１が突出している。この円環形状に形成された面１４は、たとえばこの第１のコア部分１０の面１２における沈下部として形成されていてよい。中央脚部１１は、この円環形状の面１４の中心に配設されていてよい。この中央脚部１１は面１４から突起部１３１，１３２よりさらに手前に、面１２から突出している。こうしてこれらの突起部１３１，１３２は、中央脚部１１より小さな高さを有する。
【００２０】
図２は、インダクタンスが無段階で調整されるトランスデューサデバイスの第２のコア部分２０の１つの実施形態を示す。この第２のコア部分２０は、１つの中央脚部２１を備える。さらにこの第２のコア部分２０は、傾斜を有する座面２３０を備える。座面２３０は、コア部分２０がコア部分１０上に戴置される時に、座面１３０上に戴置されるように形成されている。第２のコア部分２０の中央脚部２１は、１つの端部側２１０に端面２１１を備える。第２のコア部分２０の座面２３０は、中央脚部２１の端面２１１に対して上述の傾斜を有する斜面として形成されている。第２のコア部分２０の座面２３０は、この端面２１１に対して、たとえば０．１°〜５°、好ましくは２°の傾斜を有してよい。
【００２１】
１つの可能な実施形態によれば、第２のコア部分２０は、底部２２と、この底部の面２２０上に配設されている少なくとも１つの側壁２３とを備える。第２のコア部分２０の中央脚部２１は、底部２２の面２２０上に配設されており、少なくとも１つの側壁２３によって少なくとも部分的に包囲されている。座面２３０は、底部２２の反対の側で少なくとも１つの側壁２３に配設されている。座面２３０は、この少なくとも１つの側壁２３の円弧形状または円環形状に形成された上面として形成されていてよい。座面２３０は、少なくとも１つの側壁２３の、たとえば少なくとも２つの円弧形状または半円形状の、斜面状に形成された上面を有してよい。
【００２２】
図２に示す実施形態においては、コア部分２０は１つのキャップとして形成されており、これによって１つの側へ開放された空洞体として形成されている。この空洞体の空洞は、上記の底部２２および上記の少なくとも１つの側壁２３によって画定されている。この空洞の内部において、上記の中央脚部２１が底部２２から立ち上がっている。この中央脚部２１は、この少なくとも１つの側壁２３より小さな高さを有している。
【００２３】
１つの可能な実施形態によれば、第２のコア部分２０の座面２３０は、中央脚部２１の端面２１１の平面に対して傾いた第１の斜面２３１と、同様にこの中央脚部２１の端面２１１に対して傾いた第２の斜面２３２とを備える。座面２３０は、第１の段部２３３および第２の段部２３４を備える。座面２３０の第１の斜面２３１は、第１の段部２３３から第２の段部２３４に向かって上り坂の円環形状となっている。この座面２３０の第１の斜面２３１は、１つの円環の第１の弧として形成されていてよく、第１の段部２３３から第２の段部２３４に向かって上り坂となっていてよい。第２の斜面２３２は、第２の段部２３４から第１の段部２３３に向かって上り坂の円環形状となっている。この第２の斜面２３２は、上記の円環の第２の弧として形成されていてよく、上記の第２の段部から上記の第１の段部に向かって上り坂となっていてよい。
【００２４】
本発明によるトランスデューサデバイスの取り付けのため、上記のキャップとして形成された第２のコア部分２０が、コア部分１０に戴置される。図３は、このコア部分すなわちキャップ２０をコア部分１０上に配設した後のトランスデューサデバイス１を斜視図で示す。図４Ａは、図３のトランスデューサデバイス１の第１の側面から見た図を示す。図４Ｂは、図３のトランスデューサデバイス１の第２の側面から見た図を示す。
【００２５】
第１および第２のコア部分１０，２０の組み立て後、第２のコア部分２０の座面２３０は、第１のコア部分１０の座面１３０上に戴置されている。この際第１のコア部分１０の中央脚部１１の端部側１１０と、第２のコア部分２０の中央脚部２１の端部側２１０とは互いに対向している。具体的には、第１のコア部分１０の中央脚部１１の端面１１１と、第２のコア部分２０の中央脚部２１の端面２１１とは互いに対向している。第１のコア部分１０の座面１３０が接している第２のコア部分２０の座面２３０の位置に依存して、中央脚部１１１の端部側１１０と、中央脚部２１の端部側２１０との間には所定の幅の間隙３０が生成される。
【００２６】
図５Ａおよび５Ｂはそれぞれ、第１のコア部分１０および第２のコア部分を有するトランスデューサデバイス１の内部断面を示し、ここで第２のコア部分２０は、第１のコア部分１０上に配設されており、こうして中央脚部１１の端部側１１０と中央脚部２１の端部側２１０とは互いに対向している。第１のコア部分１０の中央脚部１１および第２のコア部分２０の中央脚部２１には、巻線６０を有するコイルボビン５０が配設されている。これら２つの分割コア１０および２０は、図１および２に示す、第１のコア部分１０の座面１３０上および／またはコア部分２０の座面２３０上に塗布された接着剤層４０によって、互いに固着されている。
【００２７】
トランスデューサデバイス１のインダクタンスあるいは透磁性は、製造プロセスのプロセスパラメータの他に、使用されている材料、具体的には分割コア１０，２０の材料パラメータ、巻線６０に使用されているワイヤ、巻き数、および幾何形状パラメータ、具体的には中央脚部１１の端部側１１０と中央脚部２１の端部側２１０との間の空隙の幅、に依存している。このトランスデューサデバイス１を用いて、このデバイスのインダクタンスあるいは透磁性を製造プロセスの最後で無段階に調整することができる。
【００２８】
このためたとえばまず巻線６０で巻回されたコイルボビン５０が第１のコア部分１０に配設される。このコイルボビン５０は、たとえば中空管５１を備え、この中空管には第１のコア部分１０の中央脚部１１が配設される。巻線６０を有するコイルボビン５０を中央脚部１１に配設した後、この巻線は、コア部分１０の外側の接続端子に接続される。
【００２９】
接着剤層４０が、第１および第２のコア部分１０，２０の少なくとも１つの座面１３０，２３０上に塗布される。  続いて、第２のコア部分２０の座面２３０が第１のコア部分１０の座面１３０上に戴置されるように、第２のコア部分２０が第１のコア部分１の上に配設される。さらに、第１のコア部分１０上に第２のコア部分２０を配設した後は、第１のコア部分１０の中央脚部１１の端部側１１０と第２のコア部分２０の中央脚部２１の端部側２１０とは、互いに対向している。ここで第１のコア部分１０の中央脚部１１の端部側１１０と第２のコア部分２０の中央脚部２１の端部側２１０との間の間隙３０の幅は、第２のコア部分２０の座面２３０が第２のコア部分１０の座面１３０に戴置される位置に依存する。
【００３０】
第１のコア部分１０上に第２のコア部分２０を戴置した後、第２のコア部分２０の座面２３０が第１の第１のコア部分１０の座面１３０上で滑動するように、第１および第２のコア部分１０，２０は、互いに移動する。この際第２のコア部分２０の座面２３０の第１のコア部分１０の座面１３０上に置かれた位置がずれる。第１のコア部分１０の座面１３０は、中央脚部１１の端面１１１に対して、また第２のコア部分２０の座面２３０は、この第２のコア部分２０の中央脚部２１の端面２１１に対して傾斜を有しているので、第１および第２のコア部分１０，２０を互いに反対に移動することにより、中央脚部１１の端部側１１０と中央脚部２１の端部側２１０との間の間隙３０の幅が変化する。
【００３１】
巻線６０はコア部分１０の接続端子に接続されているので、第１および第２のコア部分１０，２０の移動の際に、トランスデューサデバイス１のインダクタンスを検出することができ、ここでこのトランスデューサデバイスの外側の接続端子は、このインダクタンスの測定に適した測定器に接続される。第１および第２のコア部分１０，２０は、このトランスデューサデバイスのインダクタンスの測定の際に、この移動の際に検出されるこのトランスデューサデバイスのインダクタンスが規定値となるまで移動される。
【００３２】
図５Ａに示す実施形態では、空隙３０の間隙幅がほぼ０ｍｍとなるように、第２のコア部分２０座面２３０は、第１のコア部分１０の座面１３０上に戴置されている。図５Ｂに示す実施形態では、第２のコア部分２０が、図５Ａに示す位置に対して、中央脚部１１の端部側１１０と中央脚部２１の端部側２１０との間の空隙３０の幅が拡大するように、コア部分１０に対してずらされている。以上により、図５Ａにおける２つのコア部分１０，２０の位置と比較して、このインダクタンス性のトランスデューサデバイスのインダクタンスおよび透磁性が変化する。
【００３３】
第１のコア部分１０上での第２のコア部分２０の移動の際に測定されたインダクタンスが所望の規定値になると、第１および第２のコア部分１０，２０の互いに相対的な移動は終了する。第１のコア部分１０の座面１３０上および／または第２のコア部分２０の座面２３０上に塗布されている接着剤層４０は、この位置で硬化され、こうしてこれら２つのコア部分は、トランスデューサデバイスのインダクタンスが上記の規定値に対応するこの位置で、互いに固着される。
【００３４】
本発明による製造方法の１つの可能な実施形態によれば、面１２を有する第１のコア部分１０が準備され、この面からは隆起した構造１３が突出している。ここで座面１３０はこの隆起した構造１３の上面として形成されており、またこの隆起した構造１３は、少なくとも１つの第１の突起部１３１および少なくとも１つの第２の突起部１３２を備え、これらは、第１のコア部分１０の中央脚部１１の２つの反対の側で、第１のコア部分１０の面１２から突出している。第１のコア部分１０の座面１３０の第１の部分は、第１の突起部１３１の上面１３１０として形成されている。座面１３０の第２の部分は、第２の突起部１３２の上面１３２０として形成されている。第１のコア部分１０は、この製造方法の間に準備され、第１のコア部分の座面１３０の第１の部分を形成する第１の突起部１３１の上面１３１０、および第１のコア部分１０の座面１３０の第２の部分を形成する第２の突起部１３２の上面１３２０が、それぞれ１つの円環の弧の形状に形成される。
【００３５】
第２のコア部分２０は、底部２２、およびこの底部２２の面２２０上に配設されている少なくとも１つの側壁２３を有して準備される。第２のコア部分２０の中央脚部２１は、この第２のコア部分２０の底部２２の面２２０上に配設されており、少なくとも１つの側壁２３によって少なくとも部分的に包囲されている。さらにこの第２のコア部分２０は、この第２のコア部分２０の座面２３０が、上記の少なくとも１つの側壁２３の、底部２２と反対の側に配設されるように準備される。この座面２３０は、少なくとも１つの側壁２３の、少なくとも２つの円弧形状または円環形状に形成された斜面状の上面を有してよい。
【００３６】
この実施形態では、第１および第２のコア部分１０，２０の移動が、この第１および第２のコア部分１０，２０を互いに相対的に反対に回転することによって行われる。第１のコア部分１０の中央脚部１１の端部側１１０と第２のコア部分２０の中央脚部２１の端部側２１０との間の間隙３０の幅は、この回転中に測定されたトランスデューサデバイスのインダクタンスが所望の規定値となるまで、この回転移動により変更される。この測定されたインダクタンスが、たとえば小さすぎる場合、これら２つのコア部分１０，２０は、測定されるインダクタンス値が規定値となるまで間隙３０の幅が小さくされるように互いに移動される。逆にこの測定されたインダクタンスがこのインダクタンスの規定値に対して大きすぎる場合、第１および第２のコア部分１０，２０は、中央脚部１１と中央脚部２１との間の空隙の幅が大きくなるように互いに移動される。規定値に達すると、この回転移動は終了し、座面１３０と座面２３０との間の、最初はまだ液状の接着剤４０が硬化される。
【００３７】
上記の本発明によるトランスデューサデバイス１あるいは本発明による製造方法は、コア部分１０，２０の空隙を事前に研磨すること無しに、また追加的な材料を用いること無しに、目標とするトランスデューサデバイスのインダクタンス値あるいは透磁率値を簡単なやり方で信頼性よく調整することができる。以上により、複数のトランスデューサデバイスの製造の際に、製造プロセスのプロセスパラメータのバラつきまたはコア部分１０，２０の材料パラメータのバラつきに依存して、一般的に起こるインダクタンス値あるいは透磁率値のバラつきを補償することができ、こうして製造されたトランスデューサデバイスは、ほぼ同一のインダクタンス値あるいは透磁率値を有する。
【符号の説明】
【００３８】
１  ：  トランスデューサデバイス
１０  ：  第１のコア部分
１１  ：  中央脚部
１２  ：  第１のコア部分の面
１３  ：  隆起した構造
２０  ：  第２のコア部分
２１  ：  第２のコア部分の中央脚部
２２  ：  底部
２３  ：  側壁
３０  ：  間隙
４０  ：  接着剤層
５０  ：  コイルボビン
６０  ：  巻線
１１０  ：  中央脚部の端部側
１３０  ：  第１のコア部分の座面
２１０  ：  中央脚部の端部側
２３０  ：  第２のコア部分の座面
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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