【事件の表示】
　特許第３３０１６０２号「１３８５ｎｍにおいて低損失を有する光ファイバとその作製法」の請求項１、２、４、７、８、１０及び１１に係る発明の特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第３３０１６０２号の請求項１、２、４、７、８、１０及び１１に係る発明の特許を維持する。
【理　由】
I．手続の経緯、本件発明
　本件特許第３３０１６０２号は、パリ条約に基づく優先権主張（優先日：平成９年６月２０日）を伴って、平成１０年６月１９日に特許出願され、平成１４年４月２６日に特許の設定登録がなされ、その後、本件請求項１、２、４、７、８、１０及び１１に係る発明の特許につき、岩崎真奈美より特許異議の申立がなされ、取消理由通知がなされたところ、権利者より特許異議意見書が提出されたものである。
　本件請求項１、２、４、７、８、１０及び１１に係る発明（以下、必要に応じて、「本件発明１」〜「本件発明１１」という）は、特許査定時の特許請求の範囲に記載される次のとおりのものである。
【請求項１】１３８５ｎｍにて低損失を有するシングルモード光ファイバ（７００）を製作する方法であって、
　直径（Ｄ）を有する堆積クラッディング材料の層（２２）によって取り囲まれた直径（ｄ）を有する（ここで、Ｄ／ｄ＜７．５とする）円筒状コア（２１）を含むガラスロッドを、スート堆積により形成する工程と、
　水酸化物イオンの濃度を、重量にして約０．８ｐｐｂより低いレベルに減少させるために、１３００℃より低い温度で塩素又はフッ素を含む雰囲気中で該ガラスロッドを脱水する工程と、
　１４００℃より高い温度で該ガラスロッドを固化する工程と、
　該ガラスロッドの外径よりもわずかに大きい内径を有する中空円筒であって、重量にして２００ｐｐｍよりも低い水酸化物イオンの濃度を有するガラスから成る中空円筒管（４０）を提供するステップと、
　該ガラスロッドの実質的な部分を該中空円筒管に配置するステップと、
　該管およびロッドに対して長さ方向に移動する熱源（５２０）に該管を露出する工程であって、該熱源からの熱が該管を該ロッド上に内向きにつぶし、これによりガラスプリフォーム（６０）を形成する工程と、
　該ガラスプリフォームから１３８５ｎｍにおいてキロメートルあたり０．３３ｄＢよりも低い伝送損失を有するガラスファイバを引く工程とを含む方法。
【請求項２】請求項１に記載の方法において、さらに該引かれたガラスファイバ（７０）に保護被覆材料（７５、７６）を付加する工程と、
　該保護被覆材料を焼きなますために放射源に該保護被覆を露出し、これにより光ファイバを生成する工程を含む方法。
【請求項４】請求項１に記載の方法において、
　２．０＜Ｄ／ｄ＜７．５である方法。
【請求項７】請求項１に記載の方法において、
　該スート堆積処理が気相軸堆積を含む方法。
【請求項８】請求項１に記載の方法において、
　該コア（２１）がゲルマニウムでドープされる方法。
【請求項１０】請求項１に記載の方法に従って、製造されるガラスプリフォーム（６０）。
【請求項１１】請求項１０に記載の該ガラスプリフォーム（６０）から引かれるガラスファイバ（７０）。
　
II．特許異議申立の概要
　特許異議申立人は、証拠として下記の甲第１〜６号証を引用したうえで、以下の理由により、本件発明１、２、４、７、８、１０及び１１の特許は取り消されるべきである旨、主張する。
【理由】本件発明１、２、４、７、８、１０及び１１は、甲第１〜６号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、これら発明の特許は特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものである。
　なお、前記した取消理由通知は、特許異議申立人が提示した証拠及び理由により構成されたものである。
甲第１号証：特開平７−１０９１４１号公報
甲第２号証：「FABRICATION　OF　COMPLETELY　OH-FREE　V.A.D.　FIBRE
　　　　　　」、Electronics　Letters,　1980年8月28日,vol.16,No18,
　　　　　　pp699〜700
甲第３号証：「Fabrication　of　ultra　low-loss　and　low-OH　VAD
　　　　　　single　mode　fibers」、1984年9月,Proc,10th　ECOC, 
　　　　　　pp.292〜293
甲第４号証：「光ファイバの最新応用技術」、株式会社シーエムシー、
　　　　　　１９８６年６月２日、第２４〜２８頁
甲第５号証：信越石英株式会社、「石英ガラス　総合カタログ」、１９９
　　　　　　０年２月３日、第５、６、４１及び４２頁
甲第６号証：特開昭６３−２５６５４５号公報
　
III．証拠の記載
III−１．甲第１号証（特開平７−１０９１４１号公報）には、以下のことが記載されている。
（Ａ−１）「【産業上の利用分野】
　本発明は、大口径で肉厚な大型石英ガラス管、偏芯率が小さく、伝送特性に優れ、かつ量産性、低コスト化が可能な光ファイバ用プリフォーム、特に石英ガラス管とシングルモ−ド用光ファイバコアガラスロッドとをロッドインチューブ法で一体化した大型石英ガラスプリフォ−ム、およびそれらの製造方法に関する。」（段落０００１）
（Ａ−２）「本発明は、量産性に優れ、低コストで光ファイバを製造できる大型石英ガラスプリフォ−ムを提供することをその目的とする。本発明は、高品位の光ファイバを製造できる高精度の大型石英ガラスプリフォ−ムを提供することをその目的とする。・・・。
【課題を解決するための手段】
　上記目的を達成する本発明は、外径５０〜３００ｍｍφ、外径と内径の比が１．１〜７、厚さ１０ｍｍ以上、厚さ誤差２％以下、内表面粗さ２０μｍ以下である大型石英ガラス管および大型石英ガラス母材を機械的に研削加工する大型石英ガラス管の製造方法、並びに前記大型石英ガラス管と光ファイバ用コアガラスロッドとをロッドインチューブ法で一体化してなる大型石英ガラスプリフォームおよびその製造方法に係る。」（段落００１２〜００１６）
（Ａ−３）「本発明の大型石英ガラス管の横断面図を図１に、また本発明の大型石英ガラスプリフォ−ムの横断面図を図２に示す。図１において、Ｄoは大型石英ガラス管の外径、Ｄiは大型石英ガラス管の内径であり、また図２において１はコアガラスロッド、２はクラッド層、３は被覆大型石英ガラス管である。前記大型石英ガラスプリフォ−ムを線引きして得た光ファイバ、例えばシングルモ−ドファイバの横断面概略図を図３に示す。図３において、４はコア、５は光学的クラッド、６はオバ−クラッドを示し、“ａ”はコア径（ｄｃｏｒｅ）、“ｂ”は光学的クラッド径（ｄｃｌａｄｉ）、“ｃ”は光ファイバの外径（ｄｃｌｓｄｏ）１２５μｍを示す。・・・。
　ところで、本発明における光ファイバは、大型プリフォ−ムを線引きすることにより形成されるから、図３の光ファイバの外径（ｄclado）と光学的クラッド径（ｄｃｌａｄｉ）との比ｄｃｌａｄｏ／ｄｃｌａｄｉは図２の大型石英ガラスプリフォ−ムの外径（Ｄo）と内径（Ｄi）の比Ｄo／Ｄiにほぼ比例することになる。それ故、光ファイバの設計に当っては前記Ｄo／Ｄiを指標として設計する必要がある。例えばシングルモ−ドファイバ（１．３μｍ波長用）のコア径を９μｍ、ＧＩ型マルチモ−ドファイバのコア径を５０μｍ、光ファイバの外径を１２５μｍとすると、Ｄo／Ｄiは次の表１に示す値となる。」（段落００２４及び００２５）
（Ａ−４）「大型石英ガラス管の屈折率は設計値に従って決められるが、石英ガラス管およびそれに挿入される光ファイバ用コアガラスロッドの屈折率はそれらの製造条件、目的および仕様により異なり、例えば（１）高純度合成石英ガラスは含有ＯＨ基（低屈折率化）、塩素量（高屈折率化）により屈折率が若干変化する。光ファイバ用コアガラスでは一般的に高純度塩素で脱水処理が行われているが、その程度は各社で異なり、また使用目的によっても異なり一定ではない。（２）ＭＣＶＤ用に利用されている天然石英ガラスではＯＨ基が２００ｐｐｍ以下であり、塩素はほとんど含まないので屈折率は低い。（３）デプレスト型光ファイバではコアの周囲は０．０５〜０．２％程度の屈折率の段差をつけている等で、大型石英ガラス管に要求される屈折率が異なるので、標準屈折率で大型石英ガラス管の屈折率を決めるより、各社の要請により目標規格値の±０．０２％に設定すべきことをメリットとしている。そこで本発明では前記目標規格値を設計値という。」（段落００３６）
（Ａ−５）「【実施例１】
　軸付法（ＶＡＤ法）を用い、ＳｉＣｌ４を気化し、酸水素炎中で火炎加水分解し、回転する石英ガラス棒に吹き付けて大型石英多孔質スート材を作成した。このスート材を電気炉に入れ、コアガラスロッドの条件を考慮しＨｅ，Ｃｌ２混合ガスにより加熱脱水し、ゾーンメルト法により１５５０℃で透明ガラス化し、大型の円柱状石英ガラス母材とした。この石英ガラス母材は、まず両端を切断し、・・・両端から交互に中心部を開孔した後、・・・寸法を合わせ、外径９４ｍｍφ、内径３０ｍｍφ、・・・の合成石英ガラス原管を得た。
　・・・。エッチング仕上げし、純水で超音波洗浄を行い、合成石英ガラス素管とした。この合成石英ガラス素管は、外径（Ｄo）９１．５ｍｍφ、内径（Ｄi）３２．４ｍｍφ、・・・。
　一方、ＶＡＤ法により・・・クラッド付きのロッドで・・・シングルモードコアガラスロッドを準備した。外径制御付精密自動延伸機で外径３０．１ｍｍφに加熱延伸し、・・・、長さ７３０ｍｍで溶断した。上記合成石英ガラス素管にこのコアガラスロッドを注意深く挿入後、コアガラスロッドと合成石英ガラス素管の各々センターを合わせて固定し、両端をダミー石英材料に接いだ上、全体を回転させ接続加工による曲がり、ねじれを矯正した。これを縦型電気炉に上部から挿入し、２１８０℃で先端部を溶融させた上、真空ポンプで減圧とした。温度（２０００〜２８００℃）および真空度（２００〜１０００ｍｍ水柱（Ａｑ））を各々調節しながら移動速度を変えて、界面の気泡条件を調べた。発泡の無い条件で、全長を２ｍｍ／ｍｉｎでゆっくり移動し、プリフォームを作成した。・・・。」（段落００４１〜００４３）
（Ａ−６）「更に線引機により、外径１２５μｍのファイバを約５ｋｍ作成し、各１ｋｍ毎の素線でのファイバ特性を調べたところ、・・・１．３８μｍでのＯＨ基損失０．８６ｄＢ／ｋｍであり、シングルモード用光ファイバとして優れた特性のものであった。」（段落００４４）
（Ａ−７）「上記コアガラスロッドを前記大型合成石英ガラス素管に入れて下端部を固定し、これを縦型電気炉に入れ、２０００〜２８００℃内の温度で加熱し下端部より溶解軟化させ、温度と真空度（２００〜１０００ｍｍＡｑ）を調節しながら移動し、ロッドインチューブを行った。・・・、始めは外径約５０ｍｍφに延伸しながら界面が十分ぬれて溶着するのを確認し、・・・と太くし、５種類の太さのプリフォームを作成した。・・・。」（段落００４７）
（Ａ−８）「前記５０ｍｍφプリフォームを光ファイバ線引装置で線引し、・・・、この素線の伝送特性を調べた結果、・・・１．３８μｍでのＯＨ基損失は０．６５ｄＢ／ｋｍであった。」（段落００４９）
　
III−２．甲第２号証（「FABRICATION　OF　COMPLETELY　OH-FREE　V.A.D.　FIBRE」）には、以下のことが記載されている。
（Ｂ−１）「ＶＡＤ製造プロセスは以下の通りである：
　まず、酸水素炎による火炎加水分解反応によって合成されたガラス微粒子が、石英初期ロッド上に堆積され、多孔質プリフォームが軸方向に沿って形成される。次に、これが特別に設計された電気炉の中で５時間約１２００℃の温度の高温下で脱水され、同じ炉の中で約１５００℃で焼結される。」旨（第６９９頁左欄下から第７行〜末行）
（Ｂ−２）「線引きされたファイバのコア径と外径は各々５０と１２５μであった。」旨（第６９９頁右欄下から第６行〜下から第４行）
（Ｂ−３）「図１は完全に脱水されたＶＡＤファイバの損失スペクトル曲線を示す。・・・。１．３９μｍの損失増加とＯＨ量との関係が６５ｄＢ／ｐｐｍと仮定されることより、この損失曲線から、ファイバ中のＯＨ不純物は約０．８ｐｐｂと見積もられる。」旨（第７００頁左欄第３〜１１行）
　
III−３．甲第３号証には、「超低損失かつ低ＯＨとなるＶＡＤシングルモードファイバの製法」と題し、以下のことが記載されている。
（Ｃ−１）「表１はそれらのチューブによるファイバの損失を示す。Ｄ／ｄが約６の場合、脱水された合成チューブ（Ｎｏ．６）で被覆されたファイバの損失が天然石英チューブ（Ｎｏ．７）によるファイバの損失よりも低い。しかし、Ｄ／ｄが７．５以上の場合、異なった被覆材質によるファイバの間に損失の違いはない。」旨（第２９２頁左欄下から第５行〜右欄第１行）
（Ｃ−２）「ＯＨ基のないプリフォームがＯＨ量２００ｐｐｍのチューブにより被覆されるとしたとき、・・・、計算上、１．３８μｍにおけるＯＨ吸収ロスは大まかには０．０１ｄＢ／ｋｍとなる。」旨（第２９２頁右欄第１６〜１９行）
（Ｃ−３）「計算された臨界クラッド／コア比は１．３８μｍにおいて約５であり、１．５６μｍにおいて約６である一方、被覆チューブの影響を除去するため、クラッド／コア比７．５が実験的に要求される。」旨（第２９２頁右欄第２３〜２６行）
（Ｃ−４）「十分なクラッド／コア比のスートプリフォームがＶＡＤプロセスで製造される。入念な脱水および焼結の後、プリフォームは天然石英チューブで被覆される。」旨（第２９２頁右欄第３２〜３４行）
（Ｃ−５）「表１のＮｏ．４ファイバにおいて、１．３８μｍのＯＨ吸収損失は、ＯＨ量０．１５ｐｐｂに相当する０．０１ｄＢ／ｋｍに低減された。」旨（第２９２頁右欄第３８〜４０行）
（Ｃ−６）「結論として、最低損失かつ最小ＯＨ濃度のＶＡＤシングルモードファイバが製造された。そのファイバは、１．２５〜１．７μｍのどの波長においても０．４ｄＢ／ｋｍより小さい損失で伝送することを可能とする。」旨（第２９２頁右欄第４７〜５０行）
　
III−４．甲第４号証（「光ファイバの最新応用技術」）には、以下のことが記載されている。
（Ｄ−１）「３．２．３　ＶＡＤ法
　・・・。スート母材を８００〜１３００℃でＣｌ２雰囲気中で脱水し、さらに１４００〜１５００℃に加熱すると透明母材となる。」（第２４頁下から第８行〜下から第２行）
（Ｄ−２）「３．３　線引き技術
　・・・。線引きされた光ファイバにはプラスチックが被覆される。機械的損傷を防止するためには、線引き直後に被覆しなければならない。」（第２７頁第３行〜下から第２行）
　
III−５．甲第５号証（「石英ガラス　総合カタログ」）には、以下のことが記載されている。
（Ｅ−１）「石英ガラスはいろいろな工業材料の中でも最も光透過性のよい材料として、光通信用光ファイバーに使用されています。」（第４２頁第１〜２行）
（Ｅ−２）「品番ＨＥＲＡＬＵＸ−ＷＧ、同ＳＵＰＲＡＳＩＬ−Ｆ３００、同ＶＩＯＳＩＬ−Ｆの０Ｈ含有量（ｐｐｍ）は、それぞれ、１５０、＜１、約７００」旨（第４２頁表１）
　
III−６．甲第６号証（特開昭６３−２５６５４５号公報）には、「光ファイバ用母材の製造方法」に関し、以下のことが記載されている。
（Ｆ−１）「このようにしてクラッド管２とコアロッド３との間隙に酸素ガスを含むガスを充填した状態にして、回転するクラッド管２に沿って加熱源８を移動させることにより該間隙を中実化してゆく。」（第３欄右上欄第第１１〜１５行）
　
IV．当審の判断
　特許異議申立人の主張に沿って検討する。
IV−１−１．本件発明１
　甲第１号証には、その前記摘示（Ａ−５）及び（Ａ−６）によれば、「ＨｅとＣｌ２の混合ガスにより加熱脱水されたガラスからなる内径３２．４ｍｍの合成石英ガラス素管を作成し、次いで、ＶＡＤ法により、クラッドを有し、外径３０．１ｍｍのシングルモード用石英コアガラスロッドを作成し、当該コアガラスロッドを合成石英ガラス素管に挿入後、これを縦型電気炉に上部から挿入し、温度（２０００〜２８００℃）及び真空度を調整しながら、全長をゆっくり移動しプリフォームを作成し、このプリフォームを線引きすることにより、１．３８μｍにてＯＨ基損失０．８６ｄＢ／ｋｍのシングルモード光ファイバーを製造する方法」（以下、適宜、「甲第１号証の発明」という）に関する発明が記載されているものである（なお、甲第１号証の実施例２の記載に基づき引用発明を認定しても、上記と同様となる）。
　そこで、本件発明１と甲第１号証に記載の発明とを対比する。
　まず、甲第１号証の発明の「１．３８μｍ」は、光の波長を表すものであり、本件発明１の「１３８５ｎｍ」に相当し、また、その「コアガラスロッド」及び「合成石英ガラス素管」は、それぞれ、本件発明１の「ガラスロッド」及び「中空円筒管」に相当する。
　次に、甲第１号証の発明では、ＶＡＤ法によりクラッドを有するコアガラスロッドを作成するのであるから、そのコアガラスロッドは本件発明１と同じように「堆積クラッディング材料の層」を有するものである。
　また、甲第１号証の発明のシングルモード光ファイバは、１．３８μｍにてＯＨ基損失０．８６ｄＢ／ｋｍ程度の損失を有するものであるが、この数値でも従来のものに比べれば低損失であるといえる。
　よって、両者は、
「１３８５ｎｍにて低損失を有するシングルモード光ファイバを製作する方法であって、
　ガラスロッドを、形成する工程と、
　該ガラスロッドを固化する工程と、
　該ガラスロッドの外径よりもわずかに大きい内径を有するガラスからなる中空円筒管を提供するステップと、
　該ガラスロッドの実質的な部分を該中空円筒管に配置するステップと、
　ガラスプリフォームを形成する工程と、
　該ガラスプリフォームから１３８５ｎｍにおいて低い伝送損失を有するガラスファイバを引く工程、とを含む方法」である点で共通し、以下の点で相違する。
【相違点１】ガラスロッドにつき、本件発明１は、「直径（Ｄ）を有する堆積クラッディング材料の層（２２）によって取り囲まれた直径（ｄ）を有する（ここで、Ｄ／ｄ＜７．５とする）円筒状コア（２１）を含む」とするのに対して、甲第１号証の発明では、堆積クラッディング材料の層によって取り囲まれた円筒状コアを含むものであるといえるとしても、当該Ｄ／ｄの比か示されず、したがって、当該構成を具備しない点
【相違点２】本件発明１は、「水酸化物イオンの濃度を、重量にして約０．８ｐｐｂより低いレベルに減少させるために、１３００℃より低い温度で塩素又はフッ素を含む雰囲気中で該ガラスロッドを脱水する工程」を具備するのに対して、甲第１号証の発明では、このような程度に脱水することが示されず、したがって、当該構成を具備しない点
【相違点３】ガラスロッドを固化する工程において、本件発明１は、「１４００℃より高い温度で」ガラスロッドを固化するとの構成を具備するのに対して、甲第１号証の発明では、その温度が具体的に示されず、したがって、当該構成を具備しない点
【相違点４】中空円筒管を提供するステップにおいて、本件発明１は、中空円筒管が「重量にして２００ｐｐｍよりも低い水酸化物イオンの濃度を有する」との構成を具備するのに対して、甲第１号証の発明では、ＨｅとＣｌ２の混合ガスにより加熱脱水しているものの、水酸化物イオンの数値については示されず、したがって、当該構成を具備しない点
【相違点５】ガラスプリフォームを形成する工程において、本件発明１では、「該管およびロッドに対して長さ方向に移動する熱源（５２０）に該管を露出する工程であって、該熱源からの熱が該管を該ロッド上に内向きにつぶす」との構成を具備するのに対し、甲第１号証の発明では、高温真空下に処理するのであるから、熱源からの熱が該管を該ロッド上に内向きにつぶすといえるとしても、移動する熱源が示されず、したがって、当該構成を具備しない点
【相違点６】製作されたシングルモード光ファイバが、本件発明１では、「１３８５ｎｍにおいてキロメートルあたり０．３３ｄＢよりも低い伝送損失を有する」との構成を具備するのに対し、甲第１号証の発明では、光ファイバーが１．３８μｍにてＯＨ基損失０．８６ｄＢ／ｋｍ程度であることが示されるだけであって、そのように高度に低い伝送損失を示さないものであり、したがって、当該構成を具備しない点
　
　以下、上記相違点につき検討する。
【相違点１】、【相違点２】及び【相違点４】について
　本件明細書の記載（特に、段落０００５〜００１０、００１８、００２７、図８の記載）によれば、本件発明１は、低い伝送損失を有するシングルモード光ファイバを作製するに際して、その構成として、「Ｄ／ｄが＜７．５のガラスロッド」を採択し、更に、そのガラスロッドを「水酸化物イオンの濃度を、重量にして約０．８ｐｐｂより低いレベルに減少させる」ものとなし、かつ、中空円筒管が「重量にして２００ｐｐｍよりも低い水酸化物イオンの濃度を有する」ものとすることにより、その余の構成と相俟って、伝送損失が高度に低いシングルモード光ファイバが得られるだけでなく、ガラスロッドのＤ／ｄが＜７．５と低く中空円筒管が適切な低水準の水酸化物イオンを含むことから、経済性に優れたシングルモード光ファイバーを得ることができたというものである。
　このように、本件発明１では、「Ｄ／ｄが＜７．５のガラスロッド」を用い、そのガラスロッドと中空円筒管の水酸化物イオン濃度を所定範囲に調整することにより、即ち、相違点１、２及び４に関する構成を採択することにより、上記するような有用な効果を奏したものである。
　これに対して、甲第１号証には、その前記摘示（Ａ−３）と表１と図２及び図３によれば、光ファイバの光学的クラッド径とコア径の比ｄｃｌａｄｉ／ｄｃｏｒｅが、２、３、４等であるものが、偶々、例示される。この記載について検討すると、その光学的クラッド径（即ち、光学的クラッドの外径）ｄｃｌａｄｉは線引きする前のプリフォームにおけるコアガラスロッドのクラッドの外径に対応し、他方、コア径（即ち、コア径の外径）ｄｃｏｒｅは線引きする前のプリフォームにおけるコアガラスロッドのコア部分の外径に対応するものであることが明らかであり、そして、それら外径の比は、線引きする前のプリフォームと線引きした後の光ファイバとでは変わるものではなく、通常、同一であり、したがって、当該ｄｃｌａｄｉ／ｄｃｏｒｅの比は、本件発明１のＤ／ｄの比を表しているともいえる。そうすると、そこでの発明の目的に適うものであるか否かについての判断は置くものとしても、甲第１号証にはｄｃｌａｄｉ／ｄｃｏｒｅが、２、３、４であるとの事項が例示されることから、甲第１号証の発明において上記相違点１に関する「Ｄ／ｄ＜７．５」との事項を具備させることは容易になし得るものであるということもできる。
　ただし、上記相違点２及び４に関する構成については甲第１号証のその他の記載をみても何も示唆されるものがない。
〔なお、甲第１号証の前記摘示（Ａ−４）では、偶々、天然石英ガラスからなりそのＯＨｐｐｍが２００以下のガラス管が示唆されるが、それは、ＭＣＶＤに用いるものであって、甲第１号証の発明のようにコアガラスロッドを挿入するためのガラス素管の用途に供するものではない。〕
　そして、甲第１号証の発明では、前記（Ａ−２）によれば、高品位の光ファイバを低コストで製造することを発明の目的とするものであるとしても、その目的は、所定の寸法及び形状仕上げを有する石英ガラス管を採択することにより達成することができただけのものであって、本件発明１のように、伝送損失が高度に低い光ファイバを経済的に得るために、ガラスロッドのコアとクラッドの直径比と、ガラスロッド及び中空円筒管双方の水酸化物イオン濃度との関係につき着目するものではない。
　してみれば、本件発明１の上記相違点１、２及び４に関する構成全体については、甲第１号証の発明から、それが容易に想到できるものではない。
　次に、当該相違点に関し、甲第２〜６号証の記載を順次みる。
　甲第２号証には、ＶＡＤ製造プロセスによる光ファイバに関する技術が記載され、その前記摘示（Ｂ−３）によれば、１．３９μｍでの損失増加とｐｐｍ当たりの損失量とからＯＨ不純物を見積もると、製造された光ファイバでは約０．８ｐｐｂであることが示される。しかし、この記載はシングルモード光ファイバにつき教示するものではなく〔前記（Ｂ−２）の記載からみるとむしろＯＨ基の影響を大きく受けないマルチモードファイバーに関するものと解される〕、その記載から、直ちに、甲第１号証の発明のコアガラスロッドの水酸化物イオンの濃度を０．８ｐｐｂより低いものとすることが導き出せず、したがって、当該構成を含む上記相違点１、２及び４に関する構成が容易に想到できるものではない。
　甲第３号証では、シングルモード光ファイバにつき、そのコアクラッドの依存性につき研究したとされ、その結果、そこでは、その前記摘示（Ｃ−１）及び（Ｃ−３）によれば、Ｄ／ｄ（クラッド径／コア径の比）は、被覆材質からの影響を受けないことから、７．５以上が実験的に要求される旨記載されるに過ぎないものであり、したがって、甲第３号証では、Ｄ／ｄが７．５未満の場合の優位性につき教示するものはなく、当然のこととして、伝送損失が高度に低い光ファイバを経済的に得るため構成である、Ｄ／ｄが７．５未満（＜７．５）の場合のガラスロッドと中空円筒管の水酸化物イオン濃度又はＯＨ濃度の数値範囲につき示すものはない。してみれば、甲第３号証に記載、更に、これに甲第２号証の記載を併せてみても、上記相違点１、２及び４に関する構成を容易に導き出すことができないものである。
　甲第４号証にはＶＡＤ法及び線引き技術につき記載され、また、甲第５号証には、光ファイバの製造に用い得る石英ガラスのある品番のものはＯＨ含有量が１５０ｐｐｍ以下であることが記載され、更に、甲第６号証には、クラッド管とコアロッドとの間隙を中実化する光ファイバプリフォームの製造方法が記載されているが、これら甲第４〜６に記載のものからは、上記相違点１、２及び４に関する構成につき教示されるものは何もない。
　このように、甲第１〜６号証に記載の発明からは、甲第１号証に記載の発明において上記相違点１、２及び４に関する構成を採択することが当業者の容易に想到し得るものではない。
　してみれば、その他の相違点については判断するまでもなく、本件発明１は、甲第１〜６号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるということはできない。
　
IV−１−２．本件発明２、４、７、８、１０及び１１
　本件発明２、４、７、８、１０及び１１は、本件請求項１を引用し、本件発明１の構成を全て具備するものである。
　したがって、本件発明１に関して説示した上記IV−１−１．における理由と同じ理由により、本件発明２、４、７、８、１０及び１１は、甲第１〜６号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるということはできない。
　
V.　まとめ
　以上のとおりであり、特許異議申立の理由及び証拠によっては、本件請求項１、２、４、７、８、１０及び１１に係る発明の特許を取り消すことができない。
　また、他に本件請求項１、２、４、７、８、１０及び１１に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１６年９月２２日（２００４．９．２２）