(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の基材が積層された積層体と、当該積層体に形成され、第１線路導体および第２線路導体を有する差動線路と、を備えた多層基板であって、
前記差動線路は、前記基材の面方向に延伸する、異なる層に形成された複数の線路部と、前記複数の線路部同士を接続する接続部と、を有し、
前記接続部は、並走する複数の導体で構成される第１並走導体と、これら第１並走導体を並列接続するとともに前記第１線路導体に接続する複数の第１層間接続導体と、並走する複数の導体で構成される第２並走導体と、これら第２並走導体を並列接続するとともに前記第２線路導体に接続する複数の第２層間接続導体とを有し、
前記基材の積層方向に視て、前記第１並走導体と前記第２並走導体とは交差する、
多層基板。
【請求項２】
前記複数の第１層間接続導体と前記複数の第２層間接続導体とは、前記基材の積層方向に視て、前記第１線路導体および前記第２線路導体の延伸方向の軸に対して線対称の関係にある、請求項１に記載の多層基板。
【請求項３】
前記複数の第１並走導体および前記複数の第２並走導体は、積層方向順に、第１層に第１並走導体、第２層に第２並走導体、第３層に第１並走導体、第４層に第２並走導体がそれぞれ形成されていて、前記第１層と前記第２層との層間距離または前記第３層と前記第４層との層間距離は、前記第２層と前記第３層との層間距離より小さい、請求項１または２に記載の多層基板。
【請求項４】
前記第１層間接続導体および前記第２層間接続導体の横断面形状は、前記第１層間接続導体と前記第２層間接続導体とが直線状の辺で対向する形状である、請求項１から３のいずれかに記載の多層基板。
【請求項５】
前記第１層間接続導体および前記第２層間接続導体の断面形状は四角形である、請求項４に記載の多層基板。
【請求項６】
前記第１層間接続導体および前記第２層間接続導体の断面形状は、前記第１層間接続導体と前記第２層間接続導体とが対向する辺以外の外周に切欠きが形成された形状である、請求項４に記載の多層基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、多層基板に関し、特に伝送線路を備える多層基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
伝送すべき信号の周波数帯域が高い場合、または高速データ伝送が要求される場合に、差動線路が用いられることが多い。このような差動線路を多層基板に構成する場合、異なる層に形成された線路導体はビアを介して接続される。【０００３】
高周波信号伝送用の差動線路を備える多層基板は例えば特許文献１に開示されている。この特許文献１に示される多層基板は、二つの誘電体層にそれぞれ形成された二つの信号ライン（線路導体）を、それぞれビアを介して層間接続したものである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００５−２７７０２８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
差動線路の特性インピーダンスは、この差動線路に接続される回路の入出力インピーダンスに等しく定められている。一般には所定の規格に従ったインピーダンスに定められる。【０００６】
また、多層基板における差動線路の占有面積をなるべく抑えて、装置を小型化するために、差動線路の線幅および線間距離は、導体損失が許容値を超えない範囲で細く、狭く設計される。【０００７】
ところが、多層基板の面方向に延伸する線路導体については、線幅および線間距離を細く狭く設計することは比較的容易であるが、線路部同士を接続する接続部（ビア形成部）に関しては製造プロセス上、ビア径の縮小化、ビア間距離の狭幅化は困難である。【０００８】
そのため、互いに隣接するビアの間隔は相対的に広くなる傾向にあり、そのことで、隣接するビアから不要輻射が生じ、この不要輻射が、ビアに隣接する他の回路に対するノイズとして悪影響を及ぼす虞がある。また、多層基板の面方向に延伸する線路導体の線幅および線間距離を共に小さくすることで所定の特性インピーダンスに定めることができるが、ビア部分については、上述の制限によって所定のインピーダンスにならない場合、ビア部分で信号の反射が生じる。つまり、信号波形の歪みや挿入損失が問題となる。【０００９】
そこで、本発明の目的は、線路部同士を接続する接続部における不要輻射およびインピーダンス不整合の問題を解消した多層基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
（１）本発明の多層基板は、複数の基材が積層された積層体と、当該積層体に形成され、第１線路導体および第２線路導体を有する差動線路と、を備え、
前記差動線路は、前記基材の面方向に延伸する、異なる層に形成された複数の線路部と、前記複数の線路部同士を接続する接続部と、を有し、
前記接続部は、並走する複数の導体で構成される第１並走導体と、これら第１並走導体を並列接続するとともに前記第１線路導体に接続する複数の第１層間接続導体と、並走する複数の導体で構成される第２並走導体と、これら第２並走導体を並列接続するとともに前記第２線路導体に接続する複数の第２層間接続導体とを有し、
前記基材の積層方向に視て、前記第１並走導体と前記第２並走導体とは交差する、
構造であることを特徴とする。【００１１】
上記構造により、第１並走導体と第２並走導体との間に容量成分が発生する。また、第１層間接続導体と第２層間接続導体との間に生じる容量成分も、単純な２本のビアによる構造に比べて増大する。これらの作用で、接続部における不要輻射およびインピーダンス不整合が抑制される。【００１２】
（２）前記複数の第１層間接続導体と前記複数の第２層間接続導体とは、前記基材の積層方向に視て、前記第１線路導体および前記第２線路導体の延伸方向の軸に対して線対称の関係にあることが好ましい。この構造より、第１並走導体と第２並走導体との対称性、第１層間接続導体と第２層間接続導体との対称性が確保され、差動線路の平衡性が保たれ易い。【００１３】
（３）前記複数の第１並走導体および前記複数の第２並走導体は、積層方向順に、第１層に第１並走導体、第２層に第２並走導体、第３層に第１並走導体、第４層に第２並走導体がそれぞれ形成されていて、前記第１層と前記第２層との層間距離または前記第３層と前記第４層との層間距離は、前記第２層と前記第３層との層間距離より小さいことが好ましい。【００１４】
上記構造により、狭い層間距離で交差する一つの第１並走導体と一つの第２並走導体との組が少なくとも二組できるので、第１並走導体と第２並走導体との間の容量成分が効果的に大きくなる。【００１５】
（４）前記第１層間接続導体および前記第２層間接続導体の横断面形状は、前記第１層間接続導体と前記第２層間接続導体とが直線状の辺で対向する形状であることが好ましい。この構造により、第１層間接続導体と第２層間接続導体との間に生じる容量が効果的に大きくなる。【００１６】
（５）例えば、前記第１層間接続導体および前記第２層間接続導体の断面形状は四角形である。このことにより、第１層間接続導体および第２層間接続導体のインダクタンス成分を大きくすることなく、第１層間接続導体と第２層間接続導体との間のキャパシタンス成分が効果的に大きくできる。【００１７】
（６）例えば、前記第１層間接続導体および前記第２層間接続導体の断面形状は、前記第１層間接続導体と前記第２層間接続導体とが対向する辺以外の外周に切欠きが形成された形状である。このことにより、第１層間接続導体と第２層間接続導体との間のキャパシタンス成分を低減することなく、第１層間接続導体および第２層間接続導体のインダクタンス成分を大きくできる。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、線路部同士を接続する接続部における不要輻射が抑制される。また、接続部におけるインピーダンス不整合が抑制された多層基板が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】図１は第１の実施形態に係る多層基板１０１の分解斜視図である。
【図２】図２は多層基板１０１の斜視図である。
【図３】図３（Ａ）は図２におけるＸ１−Ｘ１ラインでの縦断面図である。図３（Ｂ）は図２におけるＸ２−Ｘ２ラインでの縦断面図である。
【図４】図４は図１における基材Ｓ３の層での横断面図である。
【図５】図５は第２の実施形態に係る多層基板１０２の分解斜視図である。
【図６】図６は第３の実施形態に係る多層基板１０３の分解斜視図である。
【図７】図７は第４の実施形態に係る多層基板の横断面図である。
【図８】図８は第４の実施形態に係る別の多層基板の横断面図である。
【図９】図９は第４の実施形態に係る更に別の多層基板の横断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以降、図を参照して幾つかの具体的な例を挙げて、本発明を実施するための複数の形態を示す。各図中には同一箇所に同一符号を付している。要点の説明または理解の容易性を考慮して、便宜上実施形態を分けて示すが、異なる実施形態で示した構成の部分的な置換または組み合わせは可能である。第２実施形態以降では第１実施形態と共通の事柄についての記述を省略し、異なる点についてのみ説明する。特に、同様の構成による同様の作用効果については実施形態毎には逐次言及しない。
【００２１】
《第１実施形態》
図１は第１の実施形態に係る多層基板１０１の分解斜視図である。図２は多層基板１０１の斜視図である。
【００２２】
多層基板１０１は、基材Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４，Ｓ５が積層された積層体１０を備える。この積層体１０に差動線路が構成されている。差動線路は、基材Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４，Ｓ５の面方向に延伸し、異なる層に形成された線路部ＬＰ１，ＬＰ２と、この線路部ＬＰ１，ＬＰ２同士を接続する接続部ＣＰと、を有する。
【００２３】
第１線路部ＬＰ１は、対をなす第１線路導体Ｌ１１と第２線路導体Ｌ２１とで構成されていて、第２線路部ＬＰ２は、対をなす第１線路導体Ｌ１２と第２線路導体Ｌ２２とで構成されている。
【００２４】
接続部ＣＰは、並走する第１並走導体Ｐ１１，Ｐ１２と、これら第１並走導体を並列接続するとともに第１線路導体Ｌ１１，Ｌ１２に接続する複数の第１層間接続導体Ｖ１１１，Ｖ１１２，Ｖ１１３，Ｖ１１４，Ｖ１２２，Ｖ１２３，Ｖ１２４とを有する。また、接続部ＣＰは、並走する第２並走導体Ｐ２１，Ｐ２２と、これら第２並走導体を並列接続するとともに第２線路導体Ｌ２１，Ｌ２２に接続する複数の第２層間接続導体Ｖ２１１，Ｖ２１２，Ｖ２１３，Ｖ２２１，Ｖ２２２，Ｖ２２３，Ｖ２２４とを有する。
【００２５】
基材Ｓ１〜Ｓ５の積層方向に視て、第１並走導体Ｐ１１，Ｐ１２と第２並走導体Ｐ２１，Ｐ２２とは交差する。
【００２６】
図３（Ａ）は、図２におけるＸ１−Ｘ１ラインでの縦断面図である。このように、第１線路導体Ｌ１１，Ｌ１２、第１並走導体Ｐ１１，Ｐ１２および第１層間接続導体Ｖ１１１，Ｖ１１２，Ｖ１１３，Ｖ１１４，Ｖ１２２，Ｖ１２３，Ｖ１２４によって、差動線路の一方の線路が構成されている。
【００２７】
図３（Ｂ）は、図２におけるＸ２−Ｘ２ラインでの縦断面図である。このように、第２線路導体Ｌ２１，Ｌ２２、第２並走導体Ｐ２１，Ｐ２２および第２層間接続導体Ｖ２１１，Ｖ２１２，Ｖ２１３，Ｖ２２１，Ｖ２２２，Ｖ２２３，Ｖ２２４によって、差動線路の他方の線路が構成されている。
【００２８】
以上に示した構造により、第１並走導体Ｐ１１，Ｐ１２と第２並走導体Ｐ２１，Ｐ２２との間に容量成分が発生する。また、第１層間接続導体Ｖ１１１，Ｖ１１２，Ｖ１１３，Ｖ１１４，Ｖ１２２，Ｖ１２３，Ｖ１２４と第２層間接続導体Ｖ２１１，Ｖ２１２，Ｖ２１３，Ｖ２２１，Ｖ２２２，Ｖ２２３，Ｖ２２４との総対向面積が大きいので、その間に比較的大きな容量が生じる。これらの作用で、接続部ＣＰにおける不要輻射およびインピーダンス不整合が抑制される。
【００２９】
特に、この例では、基材Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４の厚みをそれぞれｄ１，ｄ２，ｄ３，ｄ４で表すと、（ｄ１＋ｄ４）＜（ｄ２＋ｄ３）の関係にある。つまり、並走導体Ｐ１１―Ｐ２１間の間隔、並走導体Ｐ１２―Ｐ２２間の間隔を並走導体Ｐ１１−Ｐ２２の間隔より狭くしている。したがって、層間距離が短い第１並走導体Ｐ１１と第２並走導体Ｐ２１との間に比較的大きな容量が生じ、同様に、層間距離が短い第１並走導体Ｐ１２と第２並走導体Ｐ２２との間に比較的大きな容量が生じる。
【００３０】
図４は、図１における基材Ｓ３の層での横断面図である。この図４では、第１層間接続導体Ｖ１１３，Ｖ１２３と第２層間接続導体Ｖ２１３，Ｖ２２３が表れている。図４において、容量Ｃ１１は、第１層間接続導体Ｖ１１１，Ｖ１１２，Ｖ１１３，Ｖ１１４と第２層間接続導体Ｖ２１１，Ｖ２１２，Ｖ２１３との間に生じる容量を示している。また、容量Ｃ１２は、第１層間接続導体Ｖ１１１，Ｖ１１２，Ｖ１１３，Ｖ１１４と第２層間接続導体Ｖ２２１，Ｖ２２２，Ｖ２２３，Ｖ２２４との間に生じる容量を示している。また、容量Ｃ２１は、第１層間接続導体Ｖ１２２，Ｖ１２３，Ｖ１２４と第２層間接続導体Ｖ２１１，Ｖ２１２，Ｖ２１３との間に生じる容量を示している。また、容量Ｃ２２は、第１層間接続導体Ｖ１２２，Ｖ１２３，Ｖ１２４と第２層間接続導体Ｖ２２１，Ｖ２２２，Ｖ２２３、Ｖ２２４との間に生じる容量を示している。
【００３１】
図４および図２におけるＳＡ−ＳＡラインは、第１線路部ＬＰ１および第２線路部ＬＰ２の延伸方向である。第１層間接続導体Ｖ１１１，Ｖ１１２，Ｖ１１３，Ｖ１１４，Ｖ１２２，Ｖ１２３，Ｖ１２４と第２層間接続導体Ｖ２１１，Ｖ２１２，Ｖ２１３，Ｖ２２１，Ｖ２２２，Ｖ２２３，Ｖ２２４とは、基材の積層方向に視て、第１線路部ＬＰ１および第２線路部ＬＰ２の延伸方向（Ｘ軸方向）の軸に対して線対称の関係にある。
【００３２】
この構造より、第１並走導体Ｐ１１，Ｐ１２と第２並走導体Ｐ２１，Ｐ２２との対称性、第１層間接続導体Ｖ１１１，Ｖ１１２，Ｖ１１３，Ｖ１１４，Ｖ１２２，Ｖ１２３，Ｖ１２４と第２層間接続導体Ｖ２１１，Ｖ２１２，Ｖ２１３，Ｖ２２１，Ｖ２２２，Ｖ２２３，Ｖ２２４との対称性が確保され、差動線路の平衡性が保たれ易い。
【００３３】
また、本実施形態では、第１並走導体Ｐ１１，Ｐ１２と第２並走導体Ｐ２１，Ｐ２２とは、基材の積層方向に視て、交差位置を中心とする９０°回転対称である。そのため、図４に示した容量Ｃ１１，Ｃ１２，Ｃ２１，Ｃ２２（接続部における第１線路導体と第２線路導体との間に生じる容量）は最大となる。これにより、不要輻射が効果的に抑制される。
【００３４】
なお、本実施形態の多層基板は、第１線路導体Ｌ１１，Ｌ１２と第２線路導体Ｌ２１，Ｌ２２は接続部ＣＰにおいて、位置が互いに入れ替わる構造、すなわち差動線路がツイストする構造であるので、単なる外部からのノイズの影響を受けにくく、また外部への不要輻射も抑制される。
【００３５】
なお、図４に示した例では、層間接続導体の横断面形状が正方形であったが、長方形であってもよい。また、円形であってもよい。但し、後の実施形態で詳細に示すように、第１層間接続導体と第２層間接続導体との間に生じる容量成分を大きくするためには、層間接続導体の横断面形状が四角形であることが好ましい。
【００３６】
《第２の実施形態》
第２の実施形態では、接続部ＣＰを構成する基材の層数が第１の実施形態の例より多い多層基板について示す。
【００３７】
図５は第２の実施形態に係る多層基板１０２の分解斜視図である。この多層基板１０２は、基材Ｓ１〜Ｓ１０が積層された積層体を備える。この積層体に差動線路が構成されている。差動線路は、基材Ｓ１〜Ｓ１０の面方向に延伸し、異なる層に形成された線路部ＬＰ１，ＬＰ２と、この線路部ＬＰ１，ＬＰ２同士を接続する接続部ＣＰと、を有する。
【００３８】
第１線路部ＬＰ１は、対をなす第１線路導体Ｌ１１と第２線路導体Ｌ２１とで構成されていて、第２線路部ＬＰ２は、対をなす第１線路導体Ｌ１２と第２線路導体Ｌ２２とで構成されている。
【００３９】
接続部ＣＰは、並走する第１並走導体Ｐ１１，Ｐ１２，Ｐ１３，Ｐ１４と、これら第１並走導体を並列接続するとともに第１線路導体Ｌ１１，Ｌ１２に接続する複数の第１層間接続導体とを有する。また、接続部ＣＰは、並走する第２並走導体Ｐ２１，Ｐ２２，Ｐ２３，Ｐ２４と、これら第２並走導体を並列接続するとともに第２線路導体Ｌ２１，Ｌ２２に接続する複数の第２層間接続導体とを有する。
【００４０】
基材Ｓ１〜Ｓ４に形成されている導体パターンは図１に示したものと同じである。また、基材Ｓ２〜Ｓ４に形成されている導体パターンと基材Ｓ７〜Ｓ９に形成されている導体パターンは同じである。このようにして、並走導体の交差箇所を積層方向に多く配置して、交差箇所の数を増加させている。
【００４１】
このように、第１線路導体Ｌ１１，Ｌ１２、第１並走導体Ｐ１１，Ｐ１２，Ｐ１３，Ｐ１４および第１層間接続導体によって、差動線路の一方の線路が構成されている。また、第２線路導体Ｌ２１，Ｌ２２、第２並走導体Ｐ２１，Ｐ２２，Ｐ２３，Ｐ２４および第２層間接続導体によって、差動線路の他方の線路が構成されている。
【００４２】
本実施形態によれば、第１並走導体Ｐ１１，Ｐ１２，Ｐ１３，Ｐ１４と第２並走導体Ｐ２１，Ｐ２２，Ｐ２３，Ｐ２４との間に生じる容量成分を大きくできる。また、第１層間接続導体と第２層間接続導体との間に生じる容量成分についても大きくできる。
【００４３】
なお、接続部ＣＰにおいて、第１線路導体Ｌ１１，Ｌ１２と第２線路導体Ｌ２１，Ｌ２２の位置が互いに入れ替わる構造を積層方向で複数回繰り返すことで、差動線路が積層方向で複数回ツイストする構造としてもよい。
【００４４】
《第３の実施形態》
第３の実施形態では、接続部ＣＰを構成する基材の層数を増加することなく、並走導体の交差箇所の数を増加させた多層基板について示す。
【００４５】
図６は第３の実施形態に係る多層基板１０３の分解斜視図である。この多層基板１０３は、基材Ｓ１〜Ｓ５が積層された積層体を備える。この積層体に差動線路が構成されている。差動線路は、基材Ｓ１〜Ｓ５の面方向に延伸し、異なる層に形成された線路部ＬＰ１，ＬＰ２と、この線路部ＬＰ１，ＬＰ２同士を接続する接続部ＣＰと、を有する。図１に示した多層基板１０１とは、接続部ＣＰの構成が異なる。
【００４６】
本実施形態の接続部ＣＰは、第１並走導体Ｐ１１１，Ｐ１１２，Ｐ１２１，Ｐ１２２と、これら第１並走導体を並列接続するとともに第１線路導体Ｌ１１，Ｌ１２に接続する複数の第１層間接続導体とを有する。また、接続部ＣＰは、第２並走導体Ｐ２１１，Ｐ２１２，Ｐ２２１，Ｐ２２２と、これら第２並走導体を並列接続するとともに第２線路導体Ｌ２１，Ｌ２２に接続する複数の第２層間接続導体とを有する。
【００４７】
基材Ｓ２には第１並走導体Ｐ１１１，Ｐ１１２が形成されていて、基材Ｓ１には第２並走導体Ｐ２１１，Ｐ２１２が形成されていて、基材の積層方向に視てそれぞれ交差する。また、基材Ｓ５には第１並走導体Ｐ１２１，Ｐ１２２が形成されていて、基材Ｓ４には第２並走導体Ｐ２２１，Ｐ２２２が形成されていて、基材の積層方向に視てそれぞれ交差する。
【００４８】
このように、一つの層に複数の並走導体を形成することにより、接続部ＣＰを構成する基材の層数を増加することなく、並走導体の交差箇所の数を多くすることができる。
【００４９】
本実施形態によれば、第１並走導体Ｐ１１１，Ｐ１１２，Ｐ１２１，Ｐ１２２と第２並走導体Ｐ２１１，Ｐ２１２，Ｐ２２１，Ｐ２２２との間に生じる容量成分を大きくできる。また、第１層間接続導体と第２層間接続導体との間に生じる容量成分についても大きくできる。
【００５０】
《第４の実施形態》
第４の実施形態では、層間接続導体の横断面形状が第１の実施形態で示したものとは異なる例を示す。
【００５１】
図７、図８、図９は、第４の実施形態に係るそれぞれ異なる多層基板の横断面図である。
【００５２】
第４の実施形態の多層基板の分解斜視図は図１に示したものと同じである。図７、図８は、いずれも図１における基材Ｓ３の層での横断面図である。図９は、図６における基材Ｓ３の層での断面図である。
【００５３】
図７に示す例では、第１層間接続導体Ｖ１１３，Ｖ１２３、第２層間接続導体Ｖ２１３，Ｖ２２３はいずれも横断面形状がＬ字型である。図８に示す例では、第１層間接続導体Ｖ１１３，Ｖ１２３、第２層間接続導体Ｖ２１３，Ｖ２２３はいずれも横断面形状が直角三角形型である。
【００５４】
図７、図８に示すいずれの例でも、第１層間接続導体Ｖ１１３と第２層間接続導体Ｖ２１３，Ｖ２２３とは直線状の辺ＳＳでそれぞれ対向する。同様に、第１層間接続導体Ｖ１２３と第２層間接続導体Ｖ２１３，Ｖ２２３とは直線状の辺ＳＳでそれぞれ対向する。
【００５５】
図７、図８においては基材Ｓ３における横断面を示したが、他の層についても、第１層間接続導体、第２層間接続導体の横断面形状は同じである。
【００５６】
このような構造により、第１層間接続導体と第２層間接続導体との間に生じる容量を効果的に大きくできる。
【００５７】
また、図７、図８に示したいずれの多層基板においても、第１層間接続導体Ｖ１１３，Ｖ１２３および第２層間接続導体Ｖ２１３，Ｖ２２３の断面形状は、第１層間接続導体Ｖ１１３，Ｖ１２３と第２層間接続導体Ｖ２１３，Ｖ２２３とが対向する辺以外の外周に切欠きＣＯが形成された形状を有している。図７、図８においては、基材Ｓ３における横断面を示したが、他の層についても、第１層間接続導体、第２層間接続導体の横断面形状は同じである。このように、層間接続導体の横断面の外周が非円形であることにより（外周が円形より長いことにより）、第１層間接続導体と第２層間接続導体との間のキャパシタンス成分を低減することなく、第１層間接続導体および第２層間接続導体のインダクタンス成分を大きくできる。
【００５８】
図９に示す例では、第１層間接続導体Ｖ１１３，Ｖ１３３、第２層間接続導体Ｖ２１３，Ｖ２３３はいずれも横断面形状がＬ字型である。また、第１層間接続導体Ｖ１２３、第２層間接続導体Ｖ２２３はいずれも横断面形状がＵ字型である。第１層間接続導体Ｖ１１３と第２層間接続導体Ｖ２１３，Ｖ２２３とは直線状の辺ＳＳでそれぞれ対向する。第１層間接続導体Ｖ１２３と第２層間接続導体Ｖ２１３，Ｖ２２３，Ｖ２３３とは直線状の辺ＳＳでそれぞれ対向する。そして、第１層間接続導体Ｖ１３３と第２層間接続導体Ｖ２２３，Ｖ２３３とは直線状の辺ＳＳでそれぞれ対向する。
【００５９】
このような構造により、第１層間接続導体と第２層間接続導体との間に生じる容量を効果的に大きくできる。
【００６０】
また、図９に示した多層基板においても、第１層間接続導体Ｖ１１３，Ｖ１２３，Ｖ１３３および第２層間接続導体Ｖ２１３，Ｖ２２３の断面形状は、第１層間接続導体Ｖ１１３，Ｖ１２３と第２層間接続導体Ｖ２１３，Ｖ２２３，Ｖ２３３とが対向する辺の後部に切欠きＣＯを有している。図９においては、基材Ｓ３における横断面を示したが、他の層についても、第１層間接続導体、第２層間接続導体の横断面形状は同じである。このことにより、第１層間接続導体と第２層間接続導体との間のキャパシタンス成分を低減することなく、第１層間接続導体および第２層間接続導体のインダクタンス成分を大きくできる。
【００６１】
なお、以上に示した幾つかの実施形態では、接続部ＣＰを基材の積層方向に視て、第１層間接続導体および第２層間接続導体の形成位置が、正方格子状であったが、斜方格子状であってもよい。また、第１並走導体Ｐ１１，Ｐ１２と第２並走導体Ｐ２１，Ｐ２２との長さが異なっていてもよい。
【００６２】
最後に、上述の実施形態の説明は、すべての点で例示であって、制限的なものではない。当業者にとって変形および変更が適宜可能である。本発明の範囲は、上述の実施形態ではなく、特許請求の範囲によって示される。さらに、本発明の範囲には、特許請求の範囲内と均等の範囲内での実施形態からの変更が含まれる。
【符号の説明】
【００６３】
Ｃ１１，Ｃ１２，Ｃ２１，Ｃ２２…容量
ＣＯ…切欠き
ＣＰ…接続部
Ｌ１１，Ｌ１２…第１線路導体
Ｌ２１…第２線路導体
Ｌ２１，Ｌ２２…第２線路導体
ＬＰ１…第１線路部
ＬＰ２…第２線路部
Ｐ１１，Ｐ１２，Ｐ１３，Ｐ１４…第１並走導体
Ｐ１１１，Ｐ１１２，Ｐ１２１，Ｐ１２２…第１並走導体
Ｐ２１，Ｐ２２，Ｐ２３，Ｐ２４…第２並走導体
Ｐ２１１，Ｐ２１２，Ｐ２２１，Ｐ２２２…第２並走導体
Ｓ１〜Ｓ１０…基材
ＳＳ…辺
Ｖ１１１，Ｖ１１２，Ｖ１１３，Ｖ１１４，Ｖ１２２，Ｖ１２３，Ｖ１２４，Ｖ１３３…第１層間接続導体
Ｖ２１１，Ｖ２１２，Ｖ２１３，Ｖ２２１，Ｖ２２２，Ｖ２２３，Ｖ２２４，Ｖ２３３…第２層間接続導体
１０…積層体
１０１，１０２，１０３…多層基板
【要約】
多層基板（１０１）は、複数の基材（Ｓ１〜Ｓ５）の積層体に形成された、第１線路導体（Ｌ１１，Ｌ１２）および第２線路導体（Ｌ２１，Ｌ２２）を有する差動線路を備える。差動線路は、線路部（ＬＰ１，ＬＰ２）と、線路部（ＬＰ１，ＬＰ２）を接続する接続部（ＣＰ）と、を有する。接続部（ＣＰ）は、並走する複数の第１並走導体（Ｐ１１，Ｐ１２）と、これら第１並走導体（Ｐ１１，Ｐ１２）を並列接続するとともに第１線路導体（Ｌ１１）に接続する複数の第１層間接続導体と、並走する複数の第２並走導体（Ｐ２１，Ｐ２２）と、これら第２並走導体（Ｐ２１，Ｐ２２）を並列接続するとともに第２線路導体（Ｌ２１，Ｌ２２）に接続する複数の第２層間接続導体とを有する。基材（Ｓ１〜Ｓ５）の積層方向に視て、第１並走導体（Ｐ１１，Ｐ１２）と第２並走導体（Ｐ２１，Ｐ２２）とは交差する。【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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