【事件の表示】
　特許第３３６０３６８号「感放射線性樹脂組成物」の請求項１、２に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第３３６０３６８号の請求項１ないし２に係る特許を維持する。
【理　由】
１　手続の経緯
　本件特許第３３６０３６８号は、平成５年８月１２日に出願され、平成１４年１０月１８日にその発明について特許の設定登録がなされた。
　本件特許掲載公報は、平成１４年１２月２４日に発行され、その特許に対して、鈴木三男より特許異議の申立がなされ、取消理由通知がなされ、それに対し意見書が提出されたものである。
　
２　特許異議申立について
２−１　本件発明
　本件請求項１および２に係る発明（以下、それぞれ「本件発明１」、「本件発明２」という。）は、特許請求の範囲の請求項１および２に記載された次のとおりのものである。
「【請求項１】　アルカリ可溶性樹脂、感放射線化合物および溶剤を含有する、固形分濃度が２０〜５０重量％の感放射線組成物を、８インチのシリコンウエハーまたはアルミニウムもしくは窒化ケイ素で被覆されたウエハー上にスピンコートし、その際上記溶剤として乳酸エチルおよび乳酸メチルよりなる群から選ばれる少なくとも１種の乳酸アルキルエステルとメチルイソアミルケトン、メチルアミルケトンおよびメチルヘキシルケトンよりなる群から選ばれる少なくとも１種のモノケトン化合物との混合溶媒を使用して、最も厚い膜厚と最も薄い膜厚との差が３３．０Å以下であるレジスト被膜を上記ウエハー上に形成する、ことを特徴とするレジスト被膜の形成法。
【請求項２】　混合溶媒が乳酸エチルとメチルアミルケトンの組合せである請求項１に記載のレジスト被膜の形成法。」
　
２−２　特許異議申立の理由の概要
　特許異議申立人は、
甲第１号証　特開平５−３４９１８号公報
甲第２号証　特開平５−１９４６２号公報
甲第３号証　特開昭６２−１２３４４４号公報
甲第４号証　特許第３３６０３６３号掲載公報
甲第５号証　特願平５−８６９１３号出願の願書に最初に添付された明細書及び図面（特開平６−２７３９２９号公報をもって代える）
を提出して、
（１）本件発明１および２は、甲第１号証ないし甲第３号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであること、
（２）本件発明１および２は、甲第５号証に記載された発明と同一であり、しかも、本件特許出願の発明者がその出願前の特許出願に係る甲第５号証に記載された発明をした者と同一ではなく、またこの出願の時において、その出願人が甲第５号証に係る特許出願の出願人と同一でもないので、特許法第２９条の２第１項の規定により特許を受けることができないものであること、および、
（３）本件特許明細書には、記載上の不備があり、特許法第３６条第４項又は第５項に違反するものであること（なお、特許異議申立書に記載の特許法第３６条第３項又は第４項違反との記載は誤記と認める。）、
により、本件発明１および２の特許は、拒絶しなければならない特許出願に対して特許されたものであるからその特許を取り消すべき旨主張している。
　
２−３　甲第１号証ないし甲第５号証に記載された発明
　甲第１号証には、
（１ａ）「乳酸エチル並びに、（ａ）酢酸ｎ−アミル、（ｂ）２−へプタノン及び（ｃ）酢酸ｎ−アミル／２−ヘプタノン混合溶媒の中のいずれか一種を含み、且つ乳酸エチルと、（ａ）乃至（ｃ）の溶媒の中のいずれか一種との重量比が５：９５乃至８０：２０の範囲である溶媒系と、キノンジアジド系化合物と、アルカリ可溶性樹脂とを含有してなるポジ型レジスト組成物。」（【請求項１】）
（１ｂ）「・・・・。従来、レジスト用溶媒としてはセロソルブ系溶媒が一般に用いられてきた。しかし、人体に対する衛生上の問題から、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、シクロヘキサノン、乳酸エチル等の溶媒が代替品として提示されている。しかしながら、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、シクロヘキサノン等を用いるとレジストの耐熱性が低下する。一方、粘度が高い乳酸エチルを用いると、ストリエーションが大きくなったり或いはウェハーの端まで塗布できないといったような塗布性に関する問題がおこる。」（【０００２】）
（１ｃ）「本発明の溶媒系の使用量は、ウェハー上に均質で、ピンホール及び塗りむらのない塗布膜ができる塗布が可能であればよく、特に制限はない。しかし、レジスト組成物中、通常キノンジアジド系化合物とアルカリ可溶性樹脂との合計が３〜５０重量％の範囲となる濃度が好ましい。」（【００１６】）
（１ｄ）「実施例及び比較例　ノボラック樹脂とキノンジアジド系化合物を下表に示す組成で、溶媒４５重量部に溶解した。調合したこの溶液を０．２μｍのテフロン製フィルターでろ過してレジスト液を調製した。これを常法により洗浄したシリコンウェハーに回転塗布機を用いて１．３μｍ厚に塗布した。次いでこのシリコンウェハーを１００℃のホットプレートで６０秒間ベークした。次にこのウェハーに３６５ｎｍ（ｉ線）の露光波長を有する縮小投影露光機（日立製作所製ＬＤ−５０１０ｉ　ＮＡ＝０．４０）を用いて露光量を段階的に変化させて露光した。このウェハーを１１０℃のホットプレートで６０秒間露光後ベーク（ＰＥＢ）を行い、これを住友化学工業（株）製現像液ＳＯＰＤで１分間現像することによりポジ型パターンを得た。」（【００２０】）
（１ｅ）実施例３として、ノボラック樹脂１５部、キノンジアジド化合物３部、乳酸エチル２５％、２−ヘプタノン７５％の溶剤を使用するポジ型レジスト組成物、実施例４として、ノボラック樹脂１５部、キノンジアジド化合物３部、乳酸エチル５０％、２−ヘプタノン５０％の溶剤を使用するポジ型レジスト組成物が、共に良好な塗布性（膜厚２μｍのときの膜の均一性）を示したこと（【００２１】、【００２２】、表１）
が記載されている。
　甲第２号証には、
（２ａ）「ベース樹脂、感放射線化合物及び溶媒を含有するフォトレジスト組成物において、感放射線化合物として重量平均分子量３００〜４０００のノボラック樹脂類の水酸基の少なくとも一部がエステル化されたキノンジアジドスルホン酸エステル化物を用い、しかも溶媒として、３−オキシプロピオン酸低級アルキルエステル及び／又は３−アルコキシプロピオン酸低級アルキルエステルを用いることを特徴とするフォトレジスト組成物。」（【請求項１】）
（２ｂ）「・・・・従来フォトレジスト組成物に使用されていた溶媒であるエチルセロソルブアセテートは近年安全性の問題が指摘されており、これにかわる溶媒が求められている。例えば、特開昭６２−１２３４４４号公報には、感放射線性樹脂組成物の溶媒としてモノオキシモノカルボン酸エステル類を使用することが開示されており、かかる溶媒に含まれる乳酸エチルは、近年、安全性の高い溶媒として提案されているが、フォトレジスト溶液の粘性が高くなり、近年ＬＳＩ製造用に使用され始めた大口径ウェハーでは、ウェハー面内の塗布均一性が悪くなり、工業的な価値が低減されるという問題が提起されている。
【発明が解決しようとする課題】本発明は、低分子量のノボラック樹脂のキノンジアジドスルホン酸エステル化物を感放射線化合物とする高解像性のフォトレジストを前提とするものであって、溶媒として安全性上問題がない溶媒を使用し、しかも保存安定性が良好で、適度な粘性を有し、塗布均一性の良好なフォトレジストを提供するものである。・・・・」（【０００４】、【０００５】）
（２ｃ）「・・・・。本発明のフォトレジスト組成物は、溶媒として３−オキシプロピオン酸低級アルキルエステル及び／又は３−アルコキシプロピオン酸低級アルキルエステルを用いることにより、例えば近年提案されている乳酸エチルに比べ塗布均一性が良好である。」（【００１５】）
（２ｄ）実施例１として、感放射線化合物４．８６ｇ、ノボラック樹脂１９．０ｇ、溶媒７６．１ｇすなわち固形分濃度２３．９重量％、実施例２として感放射線化合物４．９８ｇ、ノボラック樹脂１９．０ｇ、溶媒７６．０ｇすなわち固形分濃度２５．０重量％、実施例３として感放射線化合物８．６６ｇ、ノボラック樹脂１７．０ｇ、溶媒７４．３ｇすなわち固形分濃度２５．７重量％のレジスト溶液を作成したこと（表１）
（２ｅ）「・・・。実施例５及び比較例３　溶媒として、３−メトキシプロピオン酸メチル（実施例５）、又は乳酸エチル（比較例３）を用い、フォトレジスト組成物を８インチのシリコンウエハー上に４０００ｒｐｍの回転数にてスピンコートした場合、約１．２０μｍの塗布膜厚になるように溶媒量を調節し、実施例１に準じてフォトレジスト組成物を調製した。フォトレジスト組成物中の感光剤、ノボラック樹脂及び溶媒の含有量は、実施例５は感光剤１９．１ｇ、ノボラック樹脂７４．７ｇ及び溶媒２７６．２ｇであり、比較例３は、感光剤１７．９ｇ、ノボラック樹脂６９．９ｇ及び溶媒２８２．２ｇであった。このフォトレジスト組成物の粘度及び８インチウエハーに１．２０μｍの塗布膜厚になるように塗布した時の塗布均一性を測定した。実施例５の粘度は１２ｃｐ、塗布均一性は３４Åであり、比較例３の粘度は３３ｃｐ、塗布均一性は１２４Åであった。尚、塗布均一性は、レジスト膜面内の９点につき膜厚を測定した結果を３σの値として表わしたもので、３σは統計学的な確率を意味し、測定値が正規分布をするとして±３σ値に９９．７％が分布することを意味する。」（【００２４】、【００２５】）
が記載されている。
　甲第３号証には、
（３ａ）「（１）アルカリ可溶性樹脂とおよび感放射線性化合物をモノオキシモノカルボン酸エステル類を含有する溶剤に溶解してなることを特徴とする感放射線性樹脂組成物。」（特許請求の範囲）
（３ｂ）「モノオキシモノカルボン酸エステル類の具体例としては、・・・３−オキシプロピオン酸メチル、３−オキシプロピオン酸エチル等の３−オキシプロピオン酸アルキル、・・・２−オキシプロピオン酸メチル、２−オキシプロピオン酸エチル、２−オキシプロピオン酸プロピル等の２−オキシプロピオン酸アルキル類・・・を挙げることができる。」（２頁右上欄１１行〜右下欄２行）
（３ｃ）「本発明においては、モノオキシモノカルボン酸エステル類に他の溶剤全量の例えば７０重量％末満程度、好ましくは５０重量％未満、特に好ましくは３０重量％末満の範囲で混合することができる。ここで他の溶剤としては、エチレングリコール、・・・・などのエステル類、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、ジイソブチルケトン、アセトニルアセトン、イソホロンなどのケトン類、・・・・芳香族炭化水素類などを例示することができる。」（２頁右下欄３行〜３頁左上欄４行）
（３ｄ）「実施例１　・・・・ノボラック２４４ｇ、エチレングリコール−ジ（３，４，５−トリヒドロキシベンゾフェノン）−１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸ペンタエステル５６ｇ、および２−オキシプロピオン酸エチル９００ｇを仕込み、攪拌して溶解させ・・・・ポジ型感放射線性樹脂組成物を調製した。・・・・。ここで得られたポジ型感放射線性樹脂組成物を、シリコン酸化膜を有するシリコンウエーハ上にスピンナーで塗布した後・・・・１．２μｍ厚のレジスト層を形成させた。」（７頁右上欄１８行〜左下欄１８行）
（３ｅ）「本発明によれば、アルカリ可溶性樹脂および感放射線性化合物を特定の溶剤に溶解させることにより微粒子の発生を低下させることができ、レジスト性能の変化のほとんどない感放射線性樹脂組成物を得ることができ、特にポジ型感放射線性樹脂組成物においてその効果は顕著である。」（１０頁左下欄下から７〜１行）
が記載されている。
　甲第４号証には、
（４ａ）「【請求項１】アルカリ可溶性樹脂、感放射線化合物および溶剤を含有する、固形分濃度が２０〜４０重量％の感放射線組成物（但し、パターニング後の加熱処理により耐熱性および耐薬品性を付与させる熱硬化剤を含有しない）を、８インチのシリコンウエハーまたはアルミニウムもしくは窒化ケイ素で被覆されたウエハー上にスピンコートし、その際上記溶剤として乳酸エチルおよび乳酸メチルよりなる群から選ばれる少なくとも１種の乳酸アルキルエステルと酢酸ブチルおよび酢酸エチルよりなる群から選ばれる少なくとも１種の酢酸エステルとの混合溶媒を使用して、最も厚い膜厚と最も薄い膜厚との差が３１．１Å以下であるレジスト被膜を上記ウエハー上に形成する、ことを特徴とするレジスト被膜の形成法。」（特許請求の範囲）
が記載されている。
　甲第５号証には、
（５ａ）「（Ａ）アルカリ可溶性樹脂と、（Ｂ）キノンジアジド基含有化合物とを、（Ｃ）（イ）２−オキシプロピオン酸アルキルと（ロ）温度２０℃における粘度が１センチポアズ以下の有機溶剤との混合溶剤に溶解したポジ型レジスト組成物。」（【請求項１】）
（５ｂ）「ところで、近年シリコンウエハーやガラス基板が大型化しており、レジストを基板上に塗布するに当って、塗膜の均一性が優れたものが望まれ、また表面に凹凸を有する基板上に塗膜を形成する場合に凹部上に形成される塗膜の膜厚と凸部上に形成される塗膜の膜厚との膜厚差が小さいほど、解像性の優れたレジストパターンが形成できるため、塗膜の膜厚差の小さい、すなわちステップカバレッジ性に優れたものが要求され、・・・・」（【０００３】）
（５ｃ）「該（イ）成分の２−オキシプロピオン酸アルキルとしては、例えば２−オキシプロピオン酸メチル、２−オキシプロピオン酸エチル、２−オキシプロピオン酸プロピルなどを挙げることができるが、これらの中で特に２−オキシプロピオン酸エチルが好適である。また、これらの２−オキシプロピオン酸アルキルは単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。」（【００１３】）
（５ｄ）「また、該（ロ）成分の温度２０℃における粘度が１センチポアズ以下の有機溶剤については特に制限はなく、温度２０℃における粘度が１センチポアズ以下という条件を満たすものであればいかなるものでも使用することができる。このような有機溶剤としては例えば酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸イソプロピル、酢酸ブチル、酢酸イソブチル、プロピオン酸メチル、プロピオン酸エチル、プロピオン酸ブチル、アセトン、メチルエチルケトン、２−ペンタノン、３−ペンタノン、２−ヘキサノン、メチルイソブチルケトン、２−ヘプタノン、４−ヘプタノンなどを挙げることができるが、・・・・。」（【００１４】）
（５ｅ）「なお、各例における物性は次の方法によって求められたものである。
（１）均一性　ポジ型レジスト組成物の塗布液を６インチシリコンウエハー上に３０００ｒｐｍ、２０秒間塗布し、９０℃で９０秒間ホットプレート上にて乾燥することで塗布膜を形成し、その塗布膜の膜厚をウエハー全面にわたって測定し、ウエハー上での膜厚のバラツキが±２０Å以下のものを○、±２１〜４０Åのものを△、±４１Å以上のものを×として評価した。」（【００２４】）
（５ｆ）「実施例１
２，３，４，４’−テトラヒドロキシベンゾフェノン１モルとナフトキノン−１，２−ジアジド−５−スルホニルクロリド３モルとのエステル化反応生成物２ｇとクレゾールノボラック樹脂８ｇとを、２−オキシプロピオン酸エチル４０ｇと酢酸ブチル１０ｇとの混合溶剤に溶解してポジ型レジスト組成物の塗布液を調製した。この塗布液について物性を調べ、その結果を表１に示す。
　実施例２〜７、比較例１〜２
表１に示すような混合溶剤を用いた以外は、実施例１と同様にしてポジ型レジスト組成物の塗布液を調製した。この塗布液について物性を調べ、その結果を表１に示す。」（【００２７】、【００２８】）
（５ｇ）表１には、２−オキシプロピオン酸エチル４０ｇに２−ヘプタノン１０ｇとを混合した溶剤を用いた実施例５は、均一性の評価が○、すなわち膜厚のバラツキが２０Å以下であったこと（【００２９】）
が記載されている。
　
２−４　判断
２−４−１　特許法第２９条第２項違反について
　甲第１号証の実施例には、ノボラック樹脂１５部、キノンジアジド化合物３部、溶剤４５部用いる感放射線組成物が記載されており、固形分濃度は２８．６重量％となるから、上記２−３の（１ａ）〜（１ｅ）の記載事項によれば、甲第１号証には、
「アルカリ可溶性樹脂、キノンジアジド系化合物および溶剤を含有する、固形分濃度が２８．６重量％の感放射線組成物を、シリコンウエハー上にスピンコートし、その際上記溶剤として乳酸エチルと２−ヘプタノンとの混合溶媒を使用して、レジスト被膜を上記ウエハー上に形成するレジスト被膜の形成法」の発明が記載されていると認められる。
　本件発明１と甲第１号証に記載された発明とを対比すると、甲第１号証に記載された「２−ヘプタノン」は、「メチルアミルケトン」と同義であり、「キノンジアジド系化合物」は「感放射線化合物」であるから、両者は、
「アルカリ可溶性樹脂、感放射線化合物および溶剤を含有する、固形分濃度が２０〜５０重量％の感放射線組成物を、シリコンウエハー上にスピンコートし、その際上記溶剤として乳酸エチルおよび乳酸メチルよりなる群から選ばれる少なくとも１種の乳酸アルキルエステルとメチルイソアミルケトン、メチルアミルケトンおよびメチルヘキシルケトンよりなる群から選ばれる少なくとも１種のモノケトン化合物との混合溶媒を使用して、レジスト被膜を上記ウエハー上に形成するレジスト被膜の形成法。」である点で一致し、
（１）シリコンウエハーに関して、本件発明１が、「８インチのシリコンウエハー」であることを特定するのに対して、甲第１号証のものは、適用するシリコンウエハーの大きさについて特に触れていない点、および、
（２）レジスト被膜に関して、本件発明１が、「最も厚い膜厚と最も薄い膜厚との差が３３．０Å以下である」ことを規定するのに対して、甲第１号証には、最も厚い膜厚と最も薄い膜厚との差についての記載がない点、
で相違する。
　相違点（１）（２）について検討する。
　甲第１号証には、乳酸エチルとメチルアミルケトンの混合溶媒を用いた感放射線組成物は、膜の均一性が良好であることが記載されているものの、均一性が具体的にどの程度であるかは示されておらず、また、膜の均一性は、固形分濃度や、スピンコートの条件によっても異なるから、甲第１号証の感放射線組成物を、８インチシリコンウエハーに適用した場合において、最も厚い膜厚と最も薄い膜厚との差が３３．０Å以下であるレジスト被膜を形成できることは示されていない。
　甲第２号証には、アルカリ可溶性樹脂、感放射線化合物および溶剤を含有するポジ型レジスト組成物が記載されており（２ａ）、それを８インチのシリコンウエハー上にスピンコートによって適用すること（２ｅ）も記載されている。
　しかしながら、甲第２号証に記載された発明は、フォトレジスト組成物に使用されていた溶媒である乳酸エチルを使用することによる塗布均一性の悪化の問題（２ｂ）を解決する手段として、乳酸エチルに代えて３−オキシプロピオン酸低級アルキルエステルを特に選択した（２ｃ）ものである。そうすると、甲第２号証に記載されたフォトレジスト組成物が８インチのシリコンウエハーに適用して良好な塗布性を示したとしても、問題があるとされた対象である乳酸エチルを使用する甲第１号証の感放射線組成物を、８インチシリコンウエハーに適用した場合に、最も厚い膜厚と最も薄い膜厚との差が３３．０Å以下であるレジスト被膜を形成できることまでは予測できない。
　また、甲第３号証には、２−オキシプロピオン酸エステルすなわち乳酸エステルと、３−オキシプロピオン酸エステルとが同等にフォトレジスト組成物の溶剤として使用可能なこと（３ｂ）が記載されているが、乳酸エステルと、３−オキシプロピオン酸エステルとはいずれも微粒子の発生しない溶媒として好ましいこと（３ｅ）が示されているにすぎず、両者の塗布均一性が同等であることは示されていないし、該フォトレジスト組成物を８インチのシリコンウエハーに適用することも記載されていない。したがって、甲第３号証に記載された発明を参酌しても、甲第１号証の感放射線組成物を、８インチシリコンウエハーに適用した場合に、甲第２号証記載の溶媒を用いた場合に得られる膜厚差３４．０Åよりも更に膜厚差の少ない、最も厚い膜厚と最も薄い膜厚との差が３３．０Å以下であるレジスト被膜を形成できることを予測することはできない。
　そして、本件発明１は、上記の構成により、明細書記載の顕著な効果を奏するものであるから、本件発明が甲第１〜３号証に記載された発明に基づいて容易に発明をすることができたものとはいえない。
　さらに、本件発明１の構成をすべて引用した上で更に使用する溶媒を限定する本件発明２についても、全く同じ理由で甲第１〜３号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
　
２−４−２　　特許法第２９条の２第１項違反について
　甲第５号証に記載されている「２−オキシプロピオン酸」、「２−ヘプタノン」は、「乳酸」、「メチルアミルケトン」とそれぞれ同義であり、「キノンジアジド基含有化合物」は「感放射線化合物」であるから、甲第５号証には、
「アルカリ可溶性樹脂、感放射線化合物および溶媒を含有する、感放射線組成物を、６インチシリコンウエハー上にスピンコートし、その際上記溶剤として乳酸エチルとメチルアミルケトンとの混合溶媒を使用して、膜厚のバラツキが２０．０Å以下であるレジスト被膜を上記ウエハー上に形成するレジスト被膜の形成法。」
の発明が記載されているものと認められる。
　しかし、甲第５号証には、感放射線組成物の固形分濃度の範囲について特段の記載がなく、実施例において使用している各配合成分の量、すなわちキノンジアジド基含有化合物２ｇ、アルカリ可溶性樹脂（クレゾールノボラック樹脂）８ｇ、溶媒５０ｇ（乳酸エチル４０ｇ及びメチルアミルケトン１０ｇ）（５ｆ、５ｇ）から計算すると、固形分濃度は、１６．６重量％となる。これは、本件発明１で規定する「固形分濃度が２０〜５０重量％」の範囲を外れた低濃度である。
　また、甲第５号証においては、シリコンウエハーの大型化に伴うレジスト塗膜の膜厚の均一性に着目している（５ｂ）ものの、実施例においてレジスト膜を形成しているシリコンウエハーは、８インチではなく、６インチのものを使用している（５ｅ）。
　ところで、固形分濃度が変われば、ただちに感放射線組成物の粘度、流動性などに違いが出るのは当然であるから、本件発明と、甲第５号証に記載のものとでは、感光性組成物の塗布性が相違していることは自明のことである。そうすると、甲第５号証に記載されている固形分濃度の低い感放射線組成物が６インチのシリコンウエハーに対して優れた均一塗布性を示すからといって、それよりも固形分濃度の大きな感放射線組成物をもって、より膜厚のバラツキが発生しやすい８インチのシリコンウエハーについても同様の均一塗布性が得られることは明らかではない。
　したがって、甲第５号証に、固形分濃度が２０〜５０重量％の感放射線組成物を、８インチのシリコンウエハーへの適用する発明が記載されているとすることはできないから、本件発明１は、本件出願前の特許出願に係る甲第５号証に記載された発明と同一とすることはできない。
　また、本件発明１の構成をすべて引用して更に技術的限定を加える本件発明２についても、同じ理由で甲第５号証に記載された発明と同一であるとすることはできない。
　
２−４−３　特許法第３６条違反について
　特許異議申立人が本件明細書の記載について、特許法第３６条違反を申し立てる趣旨は、
（ア）　本件発明１は、レジスト被膜の最も厚い膜厚と最も薄い膜厚との差を、「３３．０Å以下」とする点を発明の構成に欠くことができない事項としているが、それを実現するために必要な事項について全く記載していないので、当業者が実施不能である。
（イ）  本件発明１の、「最も厚い膜厚と最も薄い膜厚との差が３３．０Å以下」という限定は、技術的に意義のある事項とは認められず、このことは甲第４号証に記載の発明が「最も厚い膜厚と最も薄い膜厚との差が３１．１Å以下」と設定していることからみても裏付けられ、特許請求の範囲には、発明の構成に欠くことができない事項のみを記載していない。
というものである。以下、検討する。
（ア）について
　本件明細書の段落【００２８】には、アルカリ可溶性樹脂を製造する具体例が、段落【００２９】には、感放射線化合物を製造する具体例が、段落【００３０】には、得られたアルカリ可溶性樹脂、感放射線化合物および溶剤により感放射線組成物溶液を調製し、それを８インチのシリコンウェハー上にスピンナーを用いて２，０００ｒｐｍで回転塗布した後、ホットプレート上で９０℃にて２分間プレベークして、レジスト被膜を形成したことが記載されている。
　これらの記載に基づけば、当業界で通常行われている技術事項を加味して本件発明の実施を行うことは、当業者であればさしたる困難なくなし得ることである。
（イ）について
　レジスト塗膜の膜厚のバラツキが小さいことを特定するために、単に「最も厚い膜厚と最も薄い膜厚との差が小さい」とするだけでは不充分なことは、明らかであり、「最も厚い膜厚と最も薄い膜厚との差が３３．０Å以下」とすることでその程度を明確にすることができたものと認められる。そして、３３．０Åという数値は、実験により実証されている最大値を採用することで、それより大きな範囲には発明が及ばないことを明記したものであるから、技術的に意味がないとするには当たらない。
　したがって、本件特許明細書には、その記載上、特段の不備があるものとすることはできない。
　
３　むすび
  以上のとおりであるから、特許異議申立の理由及び証拠によっては本件請求項１および２に係る発明の特許を取り消すことはできない。
  また、他に本件請求項１および２に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　したがって、本件請求項１および２に係る発明の特許は、拒絶の査定をしなければならない特許出願に対して付与されたものと認めないから、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第２項の規定により、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１６年７月３０日（２００４．７．３０）