【事件の表示】
　特許第３１６０２２９号「プラズマＣＶＤ装置用サセプタ及びその製造方法」の請求項１〜７に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３１６０２２９号の請求項１〜４に係る特許を取り消す。
【理　由】
［１］手続の経緯
　本件特許第３１６０２２９号の請求項１〜７に係る発明についての出願は、平成９年６月６日に特許出願され、平成１３年２月１６日にその発明について特許権の設定登録がなされたところ、当該請求項１、２に係る発明の特許について関口和江（以下、異議申立人Ａという。）より、また、当該請求項１〜７に係る発明の特許について横田秀昭（以下、異議申立人Ｂという。）よりそれぞれ特許異議の申立てがなされ、取消理由が通知され、その指定期間内である平成１５年６月２０日に訂正請求がなされたものである。
　　
［２］訂正の適否についての判断
（１）訂正事項
（１−１）訂正事項ａ
　本件特許に係る願書に添付した明細書（以下、「特許明細書」という。）の特許請求の範囲の請求項１に記載された「前記サセプタの表面のＲａ値が１μｍ≦Ｒａ≦８μｍである」を「前記サセプタの表面のＲａ値が２μｍ≦Ｒａ≦７μｍである」と訂正する。
　　
（１−２）訂正事項ｂ
　特許明細書の特許請求の範囲の請求項５乃至７を削除する。
　　
（２）訂正の目的の適否、新規事項の追加の有無、及び拡張・変更の存否
（２−１）訂正事項ａについて
　訂正事項ａは、特許明細書の請求項１に記載されたサセプタの表面のＲａ値の範囲を１μｍ≦Ｒａ≦８μｍから２μｍ≦Ｒａ≦７μｍに限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮に該当する。
　そして、当該Ｒａ値の範囲については、特許明細書の段落【００２４】に、「本発明に係るサセプタの表面のＲａ値は１〜８μｍに制御され、好適には２〜７μｍである。」と記載されていたものであるから、当該訂正事項は、特許明細書又は図面の範囲内においてした訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　　
（２−２）訂正事項ｂについて
　訂正事項ｂは、特許明細書の請求項５乃至７を削除するものであるから、特許請求の範囲の減縮に該当する、また、当該訂正事項は、特許明細書又は図面の範囲内においてした訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　　
（３）まとめ
　以上のとおりであるから、本件訂正は、特許法第１２０条の４第２項、及び同条第３項において準用する特許法第１２６条第２項から第４項までの規定に適合するので、当該訂正を認める。
　　
［３］特許異議の申立てについての判断
（１）本件発明
　上述したように、本件訂正は適法なものであるから、本件特許の請求項１〜４に係る発明（以下、「本件発明１〜４」という。）は、訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１〜４に記載された事項により特定される次のとおりのものと認める。
「【請求項１】プラズマＣＶＤ装置用のサセプタであって、前記サセプタの表面は連続して形成された凹部及び凸部を有し、該凸部において急峻な突起部が完全に除去されており、前記サセプタの表面のＲａ値が２μｍ≦Ｒａ≦７μｍである，ところのサセプタ。
【請求項２】請求項１に記載のサセプタであって，サセプタのウエハ保持面積の５０〜８０％がウエハと接触している，ところのサセプタ。
【請求項３】請求項１または２に記載のサセプタであって，アルミニウムまたはアルミニウム合金から成る，ところのサセプタ。
【請求項４】請求項１から３のいずれかに記載のサセプタであって，さらに，酸化アルミニウム，窒化アルミニウムまたはアルマイトの薄膜が被膜処理されている，ところのサセプタ。」
　　
（２）引用例に記載された発明
　当審で通知した取消理由で引用した、本件特許に係る出願の出願前に頒布された刊行物１、刊行物３（以下、「引用例１」、「引用例２」という。）には、それぞれ以下の事項が記載されている。
引用例１：特開平２−１７４１１６号公報（異議申立人Ａが提出した甲第１号証）
引用例２：特開平８−７００３４号公報（異議申立人Ｂが提出した甲第２号証）
　　
（２−１）引用例１：特開平２−１７４１１６号公報
引用例１には、「半導体ウェハを載置する座ぐり面の表面粗さのうち、平均粗さが１μｍ以上であり、最大粗さが１０μｍ以上であり、かつ平坦度が±５０μｍ以下であることを特徴とするサセプタ。」（特許請求の範囲）、
「従来のサセプタは、ＳｉＣから構成される。‥‥‥‥また、炭素基材の表面にＳｉＣ膜を被覆したものもある。通常サセプタのウェハ載置面（座ぐり面も含む）はいわゆる鏡面研磨加工されていた。‥‥‥‥ところが、酸化処理やＣＶＤ処理が終了しウェハをサセプタから取り外す時に、ウェハが座ぐり面に密着し、取り外しが困難になるという不具合が発生していた。Ｓｉウェハは脆性材料であるため、機械的強度が小さい。無理に剥がした場合には、折損あるいは傷が形成される恐れがあった。このため歩留が低下し、コストアップの原因になっていた。‥‥‥‥本発明は酸化処理やＣＶＤ処理の終了後に、ウェハが密着せずに確実に取り外せるサセプタを提供することを目的とする。」（第１頁右下欄７行〜第２頁左上欄１１行）、
「本発明のサセプタは、座ぐり面の表面粗さのうち、平均粗さ（中心線平均粗さ）が１μｍ以上であり、最大粗さが１０μｍ以上であり、かつ平坦度が±５０μｍ以下であることを特徴とする。座ぐり面とはサセプタ上面のうちウェハを載置する部分を言う。座ぐり面の平均粗さ（中心線平均粗さ）が１μｍ未満ではウェハが座ぐり面に密着し、ウェハを良好に取り外すことができない。‥‥‥‥前述のような表面精度をもつ座ぐり面を得るためには、通常の平面研削加工、座ぐり加工、ＮＣフライス加工などの加工を施した後に、酸処理あるいは機械的加工を施すことが望ましい。‥‥‥‥座ぐり面の表面粗さが適度に調整されているため、ウェハが座ぐり面に密着することがない。従って、サセプタからウェハを取り外す時に、ウェハに損傷を与えることなく良好に取り外すことができる。
実施例
Ｒａ＝２．５μｍ
Ｒｍａｘ．＝１５．５μｍ
‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥
本発明によるサセプタと従来のサセプタを用いて酸化処理を行い、密着不良の発生割合を調べた。‥‥‥‥従来のサセプタの場合の密着不良発生率１０／７２に対して、本発明のサセプタの場合は密着不良が発生しなかった。従って本発明によるサセプタを用いた場合には、密着現象を防止できることが明らかになった。なお、本発明のサセプタはＳｉＣサセプタに限定されない。本発明のサセプタは炭素を基材とし、ＳｉＣ膜をコーティングしてもよい。また、Ｓｉを含浸しないものでもよい。」（第２頁左上欄１６行〜第３頁左上欄８行）と記載されている。
　　
（２−２）引用例２：特開平８−７００３４号公報
引用例２には、「【請求項６】プラズマ増強型化学蒸着（……）基板を処理する処理チャンバにおいて、処理ガスを前記処理チャンバ内に導入するガス分配プレート（……）と、前記ガス分配プレートに対向して配置されているサセプタとを備えており、前記サセプタは電気的に接地され、前記ガス分配プレートと前記サセプタとの間にプラズマを生成するように前記ガス分配プレートは荷電され、基板が前記サセプタ上に配置されるとき、前記基板はガス構成反応物の生成物（……）で被覆され、前記サセプタは、低い領域の上方に、高い領域からなるパターンを有するウェハ支持面を含み、前記高い領域は、前記低い領域の上方に前記ウェハを支持することができ且つ前記低い領域から離隔されている仮想平面を画成している、プラズマ増強型化学蒸着基板処理チャンバ。
‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥
【請求項１０】前記低い領域の上方に仮想平面を形成する前記高い領域は、その上に支持される基板と、全基板面積の５０％以下の接触面積で実質的に接触している、請求項６記載のプラズマ増強型化学蒸着基板処理チャンバ」（【特許請求の範囲】の【請求項６】、【請求項１０】）、
「ウェハと平坦なサセプタとの間の小さい隙間、及びサセプタ材料表面の絶縁特性、例えば、陽極処理済みアルミニウム製サセプタの表面における陽極処理済み材料の絶縁特性は、ウェハとサセプタとの間の誘電層を構成する。この誘電層は、サセプタ及びウェハを、コンデンサの２枚の板として作用させる。」（段落【０００４】）、
「本発明においては、ウェハ支持ペディスタル上の隆起された形状（……）は、半導体ウェハ及びペディスタル間の平均間隔の増大、及び／又は、ウェハ及びペディスタル間の静電引力（固着力）を低減させるように該間隔の領域の誘電率の減少を引き起こす。このことは、加工部材と加工部材ホルダとの間において最大の固着力を与えるために前記間隔を最小にする静電型チャックの背景となる原理と反対である。隆起形状を有する特定の繰返しパターンからなる種々の実施態様が開示されている。各パターンは、ウェハにじかに接触するペディスタルの表面積を減少させる。一つの実施態様においては、ディンプルパターンは、サセプタの表面における凹部の表面から作り出されている。ディンプルは、微細加工、化学的切削加工、ビードブラスチング（……）、フォトエッチング、電界研磨、及び選択的に材料を除去してディンプルパターンを残すことができる他の関係する化学的／電気化学的技術によって形成され得る。」（段落【００１３】〜【００１５】）、
「サセプタ４０の表面上における高い領域と低い領域からなるパターンは、半導体ウェハ３５と導電性ウェハ支持ペディスタル２７の本体との間の平均間隔を増大させる。また、外側が誘電層（陽極処理済みアルミニウム製ペディスタルの陽極処理層のような層）である前記パターンは、ウェハ３５と誘電層の下にある導電性金属（例えば、アルミニウム）製ペディスタルの本体との間における領域の平均誘電率を減少させる。前記高い領域の頂部は、同一面にあり前記ウェハを支持する。前記ウェハと接触している前記高い領域の表面積は、前記ウェハまたは前記サセプタの表面積よりかなり小さい。前記ウェハに面している前記サセプタの表面積に対する高い領域の面積の割合は、従来技術における実質１００％から、実質５０％以下まで、一定の構造（……）では２％まで減らされる。基板を均一に加熱し続けることは必要である。ウェハの均一加熱を促進しウェハの過熱を防ぐために、ウェハからその支持体に流れる熱エネルギが前記ウェハ内における温度勾配及び過度の熱勾配による破損（……）の可能性を減らすよう基板（ウェハ）支持体とウェハとの間の接触は充分でなければならない。接触面積が非常に小さいと、効果的な熱伝達が、ウェハへのエネルギ流入の散逸を起こすことを妨げることとなる。このときウェハの温度は上昇し、ウェハに熱誘起応力差（……）を加え、もって、ウェハを破損する虞れがある。」（段落【００１７】〜【００２０】）、
「パターンが機械加工されて前記サセプタ４０の当該表面が形成されると、各ディンプル５０の側面図は、図５に示すように表される。機械加工後におけるディンプルの寸法「Ｂ」によって前記ディンプル５０の頂部縁部（……）における角部５４は鋭くなる。角部が鋭いと、コンデンサ板に蓄積された電荷が、鋭い角部において早期放電（スパーク）する可能性を増大させるので、鋭い角部にすることは避ける必要がある。従って、機械加工された部分（……）は、十分に焼なまし（……）され、それから研磨（……）酸化アルミニウムが吹き付けられ、それから陽極処理後Ｒａ＝40〜60の表面仕上げに到達するように硫酸で陽極処理される。前述の仕上げ過程後における図５の正方形頂部ディンプル付き平坦部（……）は、図６に示されるように縁部が丸められたディンプルとなる。‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥この仕上げによって得られた前記ディンプルの丸められた角部は、前記サセプタの表面から前記ウェハに早期スパーク放電を起こす可能性を減少させ、又はほとんど除去する。」（段落【００２７】）、
「前記表面のパターンは、研磨材吹付け（……）、化学研磨、電界研磨（……）、あるいは、これらの組合せを選択的に使用することによっても得られる。また、このパターンは、刻付け（……）や型押し（……）によっても得られる。」（段落【００２９】）と記載されるとともに、図５、６が示されている。
　　
（３）対比・判断
（３−１）本件発明１について
　上記（２−１）に摘記した事項を総合すると、引用例１には、ＣＶＤ処理の半導体ウェハを載置する座ぐり面の平均粗さ（中心線平均粗さ）Ｒａ値が２．５μｍであるサセプタの発明が記載されているといえる。
  そこで、本件発明１と引用例１に記載された発明とを対比すると、後者における「ＣＶＤ処理の半導体ウェハを載置する‥‥‥‥‥‥‥サセプタ」、「半導体ウェハを載置する座ぐり面」はそれぞれ、前者における「ＣＶＤ装置用のサセプタ」、「サセプタの表面」に相当し、また、後者における「座ぐり面」がその「Ｒａ値」に相当する、連続して形成された凹部及び凸部を有することは自明であり、また、後者における「Ｒａ値が２．５μｍである」のＲａ値が２μｍ≦Ｒａ≦７μｍの範囲に含まれることも自明であるから、両者は、「ＣＶＤ装置用のサセプタであって、前記サセプタの表面は連続して形成された凹部及び凸部を有し、前記サセプタの表面のＲａ値が２μｍ≦Ｒａ≦７μｍの範囲に含まれる２．５μｍであるサセプタ。」の点で一致し、以下の点のみで相違する。
（イ）本件発明１のサセプタが、プラズマＣＶＤ装置用であるのに対して、引用例１に記載された発明のサセプタは、ＣＶＤ装置用である点。
（ロ）本件発明１では、 凸部において急峻な突起部が完全に除去されているのに対して、引用例１に記載された発明では、そのように記載されていない点。
　　
　そこで、まず相違点（イ）について検討する。
　プラズマＣＶＤ装置は本件出願前周知のＣＶＤ装置であり、また、引用例１にはＳｉＣサセプタ、ＳｉＣをコーティングしたサセプタが例示されており、それらは、プラズマＣＶＤ装置用のサセプタとして本件出願前周知であるから（例えば、特開平４−１４３２７９号公報、特開平５−１７５３１７号公報参照）、引用例１に記載された発明のサセプタがプラズマＣＶＤ装置用のサセプタを含むことは自明である。
　したがって、相違点（イ）は実質的に相違するものとはいえない。
　次いで、相違点（ロ）について検討する。
　引用例２には、「本発明においては、ウェハ支持ペディスタル上の隆起された形状（‥‥‥）は、半導体ウェハ及びペディスタル間の平均間隔の増大、及び／又は、ウェハ及びペディスタル間の静電引力（固着力）を低減させるように該間隔の領域の誘電率の減少を引き起こす。」（段落【００１３】）、「前記高い領域の頂部は、同一面にあり前記ウェハを支持する。」（段落【００１７】）、「基板を均一に加熱し続けることは必要である。ウェハの均一加熱を促進しウェハの過熱を防ぐために、ウェハからその支持体に流れる熱エネルギが前記ウェハ内における温度勾配及び過度の熱勾配による破損（‥‥‥）の可能性を減らすよう基板（ウェハ）支持体とウェハとの間の接触は充分でなければならない。」（段落【００１９】）、「図５の正方形頂部ディンプル付き平坦部（‥‥‥）は、図６に示されるように縁部が丸められたディンプルとなる。‥‥‥‥‥‥ディンプルの丸められた角部は、前記サセプタの表面から前記ウェハに早期スパーク放電を起こす可能性を減少させ、又はほとんど除去する。」（段落【００２７】）、及び図５、６により、プラズマＣＶＤ装置のサセプタ表面の凸部において急峻な突起部及び鋭い角部が完全に除去されており、そして、その頂部の同一面にウェハを支持することにより、ウェハの固着力を低減できるばかりか、早期放電（スパーク）を抑制でき、且つウェハの均一加熱もできることが記載されており、一方、引用例１に記載された発明も、サセプタ表面にウェハが密着せず、確実に取り外せるようにすることを目的としており、また、早期放電（スパーク）を抑制でき、ウェハを均一加熱できることがプラズマＣＶＤ装置において望ましいことは自明であるから、上記サセプタ表面の凸部の構造を引用例１に記載されたプラズマＣＶＤ装置用のサセプタ表面に適用することは、当業者が容易に想到できることであると認められる。
  また、上述したように、引用例２のサセプタ表面の凸部では、急峻な突起部及び鋭い角部は完全に除去されており、ウェハを同一面で支持して均一加熱でき、早期スパーク放電も抑制できるのであるから、これを引用例１に記載されたサセプタ表面に適用すれば、ウェハの固着力を低減できるばかりか、サセプタ表面の凸部において急峻な突起部及び鋭い角部の摩耗変化が生ずることはなく、その摩耗による汚染もなく、同一面及び均一加熱による安定した成膜処理が可能なことは、当業者にとって普通に予測できることであるから、本件発明１の上記相違点（ロ）に係る特定事項によってもたらされる効果も、格別なものとはいえない。
　してみると、本件発明１は、引用例１、２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものと認められる。
　　
（３−２）本件発明２について
　本件発明２は、本件発明１の特定事項を備えた上、更にサセプタのウェハ保持面積の５０〜８０％がウェハと接触することが付加されたものである。
　しかしながら、上記相違点（イ）が実質的に相違するものではなく、また、上記相違点（ロ）に係るサセプタ表面の構造が引用例２に記載されており、該サセプタ表面の構造を引用例１に記載されたサセプタ表面に適用することが当業者にとって容易であることは、上記（３−１）で説示したとおりである。そして、引用例２には更に、サセプタをウェハ保持面積（全基板面積）の５０％の接触面積でウェハと接触させる点も記載されており、この点を上記サセプタ表面の構造とともに引用例１に記載されたサセプタに適用することは、当業者が容易に想到できることであると認められる。また、この付加によってもたらされる本件発明２の効果も、引用例１、２の記載から普通に予測できる程度のものであって格別なものは認められない。
  してみると、本件発明２は、引用例１、２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものと認められる。
　　
（３−３）本件発明３について
　本件発明３は、本件発明１または２の特定事項を備えた上、更にサセプタがアルミニウムまたはアルミニウム合金から成ることが付加されたものである。
　しかしながら、上記相違点（イ）が実質的に相違するものではなく、また、上記相違点（ロ）に係るサセプタ表面の構造が引用例２に記載されており、該サセプタ表面の構造を引用例１に記載されたサセプタ表面に適用することが当業者にとって容易であることは、上記（３−１）で説示したとおりである。そして、引用例２には更に、サセプタをアルミニウムまたはアルミニウム合金で形成する点も記載されており、この点を上記サセプタ表面の構造とともに引用例１に記載されたサセプタに適用することは、当業者が容易に想到できることであると認められる。また、この付加によってもたらされる本件発明３の効果も、引用例１、２の記載から普通に予測できる程度のものであって格別なものは認められない。
  してみると、本件発明３は、引用例１、２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものと認められる。
　　
（３−４）本件発明４について
　本件発明４は、本件発明１〜３のいずれかの特定事項を備えた上、更に酸化アルミニウム、窒化アルミニウムまたはアルマイトの薄膜の被膜処理をすることが付加されたものである。
　しかしながら、上記相違点（イ）が実質的に相違するものではなく、また、上記相違点（ロ）に係るサセプタ表面の構造が引用例２に記載されており、該サセプタ表面の構造を引用例１に記載されたサセプタ表面に適用することが当業者にとって容易であることは、上記（３−１）で説示したとおりである。そして、引用例２には更に、サセプタに酸化アルミニウムまたはアルマイトの薄膜を形成する被膜処理をする点も記載されており、この点を上記サセプタ表面の構造とともに引用１に記載されたサセプタに適用することは、当業者が容易に想到できることであると認められる。また、この付加によってもたらされる本件発明４の効果も、引用例１、２の記載から普通に予測できる程度のものであって格別なものは認められない。
  してみると、本件発明４は、引用例１、２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものと認められる。
　　
（５）むすび
　以上のとおりであるから、本件発明１〜４は、引用例１、２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件発明１〜４についての特許は特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。
　したがって、本件発明１〜４についての特許は、特許法第１１３条第２号に該当し、取り消されるべきものである。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１５年８月８日（２００３．８．８）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
プラズマＣＶＤ装置用サセプタ及びその製造方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】プラズマＣＶＤ装置用のサセプタであって，前記サセプタの表面は連続して形成された凹部及び凸部を有し，該凸部において急峻な突起部が完全に除去されており，前記サセプタの表面のＲａ値が２μｍ≦Ｒａ≦７μｍである，ところのサセプタ。
　【請求項２】請求項１に記載のサセプタであって，サセプタのウエハ保持面積の５０〜８０％がウエハと接触している，ところのサセプタ。
　【請求項３】請求項１または２に記載のサセプタであって，アルミニウムまたはアルミニウム合金から成る，ところのサセプタ。
　【請求項４】請求項１から３のいずれかに記載のサセプタであって，さらに，酸化アルミニウム，窒化アルミニウムまたはアルマイトの薄膜が被膜処理されている，ところのサセプタ。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の属する技術分野】
　本発明は，プラズマ励起ＣＶＤ装置内でウエハ基板を載置し保持するためのサセプタに関し，特にその表面構造及びその製造方法に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　真空排気機構を備えた真空容器中で，高周波プラズマにより励起されたソースガスを用いて，ウエハ基板上に薄膜を成長させるＣＶＤ装置が，半導体及び液晶ディスプレイ製造工程に一般的に使用されている。ウエハ基板は，高周波電極の一方を構成するサセプタ上に載置され，良好な成長膜質を得るために４００℃程度の所定の温度まで加熱される。真空容器中に供給されたソースガスは，高周波電力が供給された上部電極と，接地された下部電極との間で形成されるプラズマ空間内に導入され，活性状態に励起される。
　【０００３】
　プラズマ励起ＣＶＤ法によりウエハ上にシリコン酸化膜（ＳｉＯ２）を形成する際には，ソースガスとして，モノシラン（ＳｉＨ４）ガス及び一酸化二窒素（Ｎ２Ｏ）ガスが使用される。またウエハ基板上にシリコン窒化膜（ＳｉＮ）を形成する際には，ソースガスとして，モノシラン（ＳｉＨ４）ガス，アンモニア（ＮＨ３）ガス及び窒素（Ｎ２）ガスが使用される。
　【０００４】
　ウエハ基板上へ成膜処理する工程において，真空容器内部の基板以外の場所，例えば，上部電極表面またはウエハ基板外周より外側のサセプタの表面部にも膜が形成される。それら不所望の膜は，徐々に厚さを増し，表面の温度変化により剥離して，反応炉内を浮遊した後ウエハ基板上に落下付着するといった問題を起こす。それを防止するべく，従来のプラズマ励起ＣＶＤ装置では，上記不所望の生成膜を除去するために，定期的に反応炉内部をプラズマエッチングにより清掃している。プラズマエッチングによる炉内部の清掃には，一般にソースガスとして，ＣＦ４，Ｃ２Ｆ６またはＮＦ３などのフッ素を含んだガスが用いられる。フッ素を含んだ活性イオン種は，電極表面，サセプタ表面または反応炉内壁に付着した生成物を化学的に除去する。
　【０００５】
　従来のサセプタは，一般にアルミニウムまたはアルミニウム合金から成り，その表面は１μｍ以下の平均粗さ（Ｒａ）まで平滑に機械加工されている。ここでＲａ値とは算術平均粗さを示し，”ＪＩＳ　Ｂ０６０１‐１９９４日本規格協会発行１９９４”に定義された粗さの指標値である。Ｒａ値の数値が大きいほど表面が粗いことを意味する。
　【０００６】
　アルミニウムはフッ素と反応しやすく副生成物による汚染の可能性があるため，米国特許第５，０３９，３８８号に記載されるように，当該サセプタ表面にはフッ素プラズマから保護するための陽極酸化膜がコーティングされる。
　【０００７】
　【発明が解決しようとする課題】
　しかしこの従来のサセプタ構造には以下のような問題がある。Ｈ．Ｐ．Ｗ．Ｈｅｙらによる”ＳＯＬＩＤ　ＳＴＡＴＥ　ＴＥＣＨＮＯＬＯＧＹ，Ｐ１３９，Ａｐｒｉｌ　１９９０”が指摘するように，表面が陽極酸化膜処理されたサセプタ上に載置されたウエハ基板は，プラズマ空間で発生した電場中に置かれることになり，そこでイオン衝撃を受ける結果，反応炉内でのプラズマ処理工程において帯電してサセプタに吸着してしまう。成膜が終了した後にウエハ基板がサセプタに吸着していればサセプタから基板を容易に取り外すことができず，次の基板処理工程及び基板搬出後に実行されるプラズマエッチングによる反応炉内部の清掃処理がスムーズに実行できなくなる。
　【０００８】
　そこで，従来のサセプタ表面上には，ショットブラスト処理によって凹凸が設けられている。このように加工するのは，サセプタ表面とウエハ基板裏面の接触割合を減少させ吸着力を低減させるためである。
　【０００９】
　しかし従来のこの方法では突出した急峻な先端部がサセプタ表面上に形成されてしまう。該先端部はウエハ基板との接触を繰り返すことにより徐々に磨耗し，そこで発生する固体粒子が不純物汚染の原因のひとつになる。
　【００１０】
　また，該先端部の磨耗は，汚染以外に，形成される薄膜の膜質にも重大な影響を及ぼす。磨耗が進むとサセプタとウエハの接触割合が増大するため，サセプタからウエハへの熱伝導が変化し，ウエハ温度は設定値からずれていく。ウエハ温度が設定値よりも高いと膜の成長速度は遅くなり所定の成膜時間では一般に膜厚の薄いものができる。また，磨耗が進みサセプタとウエハの接触割合が増大すると，ウエハ基板のポテンシャルはサセプタと同様の接地状態（ポテンシャルゼロ状態）に近づくため，上部の高周波電極からのイオン衝撃が大きくなり，圧縮応力の大きい硬い膜が生成される。このように，サセプタ表面に形成された急峻な先端部の磨耗は膜のプロセス条件に重大な影響を及ぼすのである。
　【００１１】
　したがって，本発明の目的は，基板が吸着することのないサセプタを与えることである。
　【００１２】
　また，本発明の他の目的は，汚染の少ないプラズマＣＶＤ装置を与えることである。
　【００１３】
　さらに，本発明の目的は，表面が磨耗変化しないサセプタを与えることである。
　【００１４】
　さらにまた本発明の目的は，長時間の連続使用に対しプロセス条件の調整の必要のない，安定した成膜処理が可能なサセプタを与えることである。
　【００１５】
　【課題を解決するための手段】
　上記目的を達成するために本発明に係るサセプタは以下のような構成を有する。
　【００１６】
　本発明に係るプラズマＣＶＤ装置用のサセプタは，その表面が連続して形成された凹部及び凸部を有し，該凸部において急峻な突起部が完全に除去されていることを特徴とする。
　【００１７】
　また，サセプタ表面のＲａ値は好適には１μｍ≦Ｒａ≦８μｍである。
　【００１８】
　具体的には，該サセプタのウエハ保持面積の５０〜８０％がウエハと接触している。
　【００１９】
　当該サセプタの材質としては，アルミニウムまたはアルミニウム合金を使用することができる。
　【００２０】
　さらに，当該サセプタの表面には，酸化アルミニウム，窒化アルミニウムまたはアルマイト薄膜が被膜処理されることもできる。
　【００２１】
　一方本発明に係るプラズマＣＶＤ装置用のサセプタの表面を粗化処理する方法は，
　前記サセプタの表面を機械的に平坦加工する工程と，
　前記平坦加工された前記サセプタの表面をショットブラスト処理する工程と，
　前記ショットブラスト処理された前記サセプタの表面を化学的，電気化学的及び／又は機械的に研磨処理する工程と，
から成り，
前記サセプタの表面から急峻な突起部が完全に除去され，前記サセプタ表面のＲａ値は１μｍ≦Ｒａ≦８μｍであることを特徴とする。
　【００２２】
　当該方法はさらに，酸化アルミニウム，窒化アルミニウムまたはアルマイト薄膜を前記サセプタの表面に被膜処理する工程を含むことができる。
　【００２３】
　また，当該方法におけるサセプタは，好適にはアルミニウムまたはアルミニウム合金から形成され得る。
　【００２４】
　【発明の実施の形態】
　図１は，本発明に係るサセプタの好適実施例の表面部分拡大断面図を略示したものである。本発明に係るサセプタ１の表面は連続して形成された凹部２及び先端が平坦な凸部３から成る。図から明らかなように，本発明に係るサセプタ１の表面凸部３には急峻な突起部は存在しない。凸部３の幅Ｌは５０〜２００μｍであり，凹部２の幅Ｍは５０〜１００μｍである。また凹部２の深さＤは平均８０μｍである。サセプタ表面全体のうち凸部３の占める割合は，５０〜８０％であり，好適には６０％である。したがって，ウエハ基板をサセプタ上に載置した場合にサセプタのウエハ保持面積の５０〜８０％がウエハ基板の裏面と接触することになる。本発明に係るサセプタ表面のＲａ値は１〜８μｍに制御され，好適には２〜７μｍである。サセプタの材料として，好適にはアルミニウムまたはアルミニウム合金が使用されるが，ニッケルまたは窒化アルミニウムを用いることもできる。また，好適には，サセプタ表面上に酸化アルミニウムまたは窒化アルミニウム薄膜が被膜処理されるが，サセプタがアルミニウムまたはアルミニウム合金製の場合にはアルマイト膜が被膜処理されてもよい。サセプタ表面に被膜処理される薄膜の厚さは５〜１００μｍであり，特にアルマイト膜の場合には１０〜３０μｍである。
　【００２５】
　次に本発明に係るサセプタの表面粗化処理方法を説明する。本発明に係るサセプタの表面粗化処理方法は，サセプタの表面を機械的に平坦加工する工程と，平坦加工されたサセプタの表面をショットブラスト処理する工程と，ショットブラスト処理されたサセプタの表面を化学的に研磨処理する工程と，から成る。まず機械的に平坦加工する工程において，サセプタは旋盤加工により平坦化される（図２（Ａ）参照）。次にショットブラスト処理工程において，当該サセプタ表面は研掃材を３気圧で吹き付けることによりＲａ値＝５μｍまで粗化される（図２（Ｂ）参照）。最後に化学的研磨処理工程において，当該サセプタは６０℃，８％の水酸化ナトリウム水溶液に８分間浸せきされ，突起部が選択的に除去される（図２（Ｃ）参照）。ここで，水酸化ナトリウム水溶液の代わりに水酸化ナトリウムとリン酸ナトリウムの混合液を使用してもよい。また，化学研磨処理の代わりにリン酸溶液中での電解研磨又はバフ研磨処理を実行することもできる。
　【００２６】
　さらに，本発明に係る方法は，サセプタ表面上に酸化アルミニウム若しくは窒化アルミニウム薄膜，または該サセプタがアルミニウムまたはアルミニウム合金製の場合にはアルマイト膜を被膜処理する工程を含むことができる。アルマイト被膜処理は硫酸法等の従来の方法で実行することが可能である。
　【００２７】
　【実施例】
　次に，本発明に係るサセプタと従来のサセプタを使用して成膜したときの膜質の違いを比較するために行った実験について説明する。
（実験の内容）
　実験は，本発明に係るサセプタ（アルミニウム合金Ａ５０５２製）のＲａ値を約４．０μｍに，従来のサセプタのＲａ値を約５．０μｍにそれぞれ調節して行った。従来のサセプタは，エメリー＃６０研掃材を３気圧で吹き付けて粗化処理しただけのものである。Ｒａ値の計測は，（株）東京精密社製のサーフコム５７０Ａを使用し，サセプタの中心部及び十字４方向に５０ｍｍ離れた位置４カ所の計５カ所を４ｍｍスキャンし，それらを算術平均して行ったものである。
　【００２８】
　図３は，実験に使用したプラズマＣＶＤ装置を略示したものである。ソースガスであるＴＥＯＳ（テトラエチルオルソシリケートＳｉ（ＯＣ２Ｈ５）４）と酸素ガスの混合ガスが，サセプタ１上に載置されたウエハ８の上部のシャワーヘッド７から，真空排気された反応チャンバ４のプラズマ反応領域５内に導入される。サセプタ１及びウエハ基板８はヒータ６により所定の温度３６０℃に加熱され，反応チャンバ４内部は３ｔｏｒｒに減圧維持される。シャワーヘッド７に，周波数の異なる二種類の高周波電力（２８５Ｗの１３．５６ＭＨｚと２２５Ｗの４３０ＫＨｚ）を合成したものを印加することにより，反応領域５内にプラズマが発生する。これによってウエハ基板上に４７秒間で約５００ｎｍのシリコン酸化膜を成長させることができる。この操作をウエハ５００枚について繰り返し，シリコン酸化膜の膜厚と圧縮応力を測定してグラフ化したものが図４及び図５である。尚，使用された反応チャンバ４の内部はウエハ１枚を処理する度毎にドライエッチングで清掃した。
（実験結果）
　図４（Ａ）及び（Ｂ）は，それぞれ従来のサセプタと本発明に係るサセプタによる膜厚の変化を表している。図４（Ａ）に注目すると，従来のサセプタでは，処理ウエハの枚数が増えるに従い，膜厚が徐々に薄くなっていくのがわかる。これは，サセプタとウエハとの度重なる接触によってサセプタ表面の突起物が磨耗したことによりサセプタとウエハとの接触面積が増大し，その結果サセプタからウエハへの熱伝導が増加してウエハ温度が上昇し，それによって膜成長速度が低下したためである。これに対して，図４（Ｂ）に注目すると，本発明に係るサセプタでは，処理ウエハの枚数が増えても，膜厚はほとんど変化しないことがわかる。
　【００２９】
　一方図５（Ａ）及び（Ｂ）は，それぞれ従来のサセプタと本発明に係るサセプタによる圧縮応力の変化を表している。図５（Ａ）に注目すると，従来のサセプタでは，処理ウエハの枚数が増えるとともに圧縮応力が徐々に大きくなっていくのがわかる。これは，サセプタとウエハの度重なる接触によってサセプタ表面の突起物が磨耗したことによりサセプタとウエハ間の電位差が小さくなり，その結果相対的に印加電極とウエハ間の電位差が大きくなってイオン衝撃が増大したためである（ここで，高周波印加電極と接地電極（サセプタ）間の電位差は一定である）。これに対して，図５（Ｂ）に注目すると，本発明に係るサセプタでは，処理ウエハの枚数が増えても，圧縮応力はほとんど変化しないことがわかる。
　【００３０】
　以上により，従来のサセプタに比べ本発明に係るサセプタの方がプロセス安定性及び再現性が高いという結論が得られた。
　【００３１】
　【発明の効果】
　本発明に係るサセプタにより，ウエハ基板とサセプタ表面との接触割合が低減されるため，帯電による吸着を防止することができ，より迅速なプロセス処理及び反応炉内部の清掃が実行できるようになった。
　【００３２】
　また本発明に係るサセプタにより，サセプタ表面の突起部が完全に除去されたため，磨耗によるパーティクル汚染の心配が無くなり，歩留まりが向上した。
　【００３３】
　さらに本発明に係るサセプタにより，サセプタ表面のＲａ値が磨耗で変化することが無くなったため，プロセス安定性が向上し，再現性の高い成膜処理を実行できるようになった。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　図１は，本発明に係るサセプタの好適実施例の拡大断面図である。
　【図２】
　図２（Ａ）〜（Ｃ）は，本発明に係るサセプタの製造工程を略示したものである。
　【図３】
　図３は，本発明のサセプタの評価実験に使用したプラズマＣＶＤ装置を略示したものである。
　【図４】
　図４は，ウエハ枚数による膜厚の変化を表した実験結果であり，（Ａ）は従来のサセプタ，（Ｂ）は本発明に係るサセプタを使用したものである。
　【図５】
　図５は，ウエハ枚数による圧縮応力の変化を表した実験結果であり，（Ａ）は従来のサセプタ，（Ｂ）は本発明に係るサセプタを使用したものである。
　【符号の説明】
　１　　　　　サセプタ
　２　　　　　凹部
　３　　　　　凸部
　４　　　　　反応チャンバ
　５　　　　　プラズマ反応領域
　６　　　　　ヒータ
　７　　　　　シャワーヘッド
　８　　　　　ウエハ基板