【事件の表示】
　特許第３２１６８８１号「試料断面観察方法」の請求項１ないし４に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３２１６８８１号の請求項１、２、４に係る特許を維持する。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯
　本件特許第３２１６８８１号の発明についての出願は、平成２年９月７日の出願であって、平成１３年８月３日にその発明について特許権の設定登録がなされ、その後、今井　文より特許異議の申立てがなされ、取消理由が通知され、その指定期間内である平成１５年９月１６日に訂正請求（後日取下げ）がなされ、更に取消理由が通知され、その指定期間内である平成１６年１月１４日に訂正請求がなされたものである。
　
II．訂正の適否についての判断
１．訂正の内容
（１）訂正事項ａ
　請求項１の「該形成した断面の表面をスパッタエッチングまたはイオンビームを用いたエッチング処理を施して前記形成した断面の表面をクリーニングし、該クリーニングした断面のＳＥＭ像」を、
「該形成した断面の表面をイオン・アシスト・エッチング用のガスを供給しながらイオンビームを用いてイオン・アシスト・エッチング処理を施して前記形成した断面の表面をイオン衝撃を受けたところのみクリーニングし、該イオン・アシスト・エッチング処理によりクリーニングした断面のＳＥＭ像」と訂正する。
（２）訂正事項ｂ
　請求項２の「該試料に形成した断面の表面をエッチング装置でエッチング処理を施して前記断面の表面をクリーニングし、該表面をクリーニングした断面を大気に曝すことなく」を、
「該試料に形成した断面の表面をエッチング装置でイオン・アシスト・エッチング用のガスを供給しながらイオンビームを用いてイオン・アシスト・エッチング処理を施して前記断面の表面をイオン衝撃を受けたところのみクリーニングし、該イオン・アシスト・エッチング処理によりクリーニングした断面を大気に曝すことなく」と訂正する。
（３）訂正事項ｃ
　請求項３を削除する。
　
２．訂正の目的の適否、新規事項の有無、及び特許請求の範囲の拡張・変更の存否
（１）上記訂正事項ａは、請求項１において、「イオンビームを用いたエッチング処理」がイオン・アシスト・エッチング処理であることに限定し、このイオン・アシスト・エッチング処理をイオン・アシスト・エッチング用のガスを供給しながら行うものであり、かつクリーニングする箇所をこのイオン・アシスト・エッチング処理により、イオン衝撃を受けたところのみクリーニングすることに限定したものである。
　そして、この限定は、明細書１１頁１３〜１７行（特許公報３頁６欄１９〜２２行の「また第４図において、アルゴンイオン銃２５と共に、先に述べたようにエッチングガスの供給装置３４（第６図に示す。）を設ければ、イオン衝撃を受けたところのみエッチング（イオン・アシスト・エッチング）を行うことが出来る。」に記載され、支持されている。
　したがって、訂正事項ａは、特許請求の範囲の減縮を目的とした明細書の訂正に該当する。また該訂正は、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内のものであり、また実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
（２）上記訂正事項ｂは、請求項２において、「エッチング処理」が、上記訂正事項ａと同じく、イオン・アシスト・エッチング処理であることに限定し、このイオン・アシスト・エッチング処理をイオン・アシスト・エッチング用のガスを供給しながらイオンビームを用いて行うものであり、かつクリーニングする箇所をこのイオン・アシスト・エッチング処理により、イオン衝撃を受けたところのみクリーニングすることに限定したものである。
　そして、この限定は、上記訂正事項ａと同じく、明細書に記載され、支持されている。
　また、上記訂正事項ｃは、請求項２の限定に伴い請求項３を削除するものであるから特許請求の範囲の減縮を目的とした明細書の訂正に該当する。
　したがって、訂正事項ｂ、ｃは、特許請求の範囲の減縮を目的とした明細書の訂正に該当する。また該訂正は、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内のものであり、また実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　
３．むすび
　以上のとおりであるから、上記訂正は、平成１１年改正前の特許法第１２０条の４第３項において準用する平成６年法律第１１６号による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書、第２項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
III．特許異議申立てについて
１．特許異議申立ての概要
　特許異議申立人は、証拠として下記の甲第１〜４号証を提出して、訂正前の請求項１〜４に係る発明は、甲第１〜４号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項１〜４に係る発明の特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであり、これを取消すべき旨主張する。
　　　　　　　　　　　　　　　　　記
　甲第１号証：「２７ｔｈ　ａｎｎｕａｌ　ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ　ｒｅｌｉａｂｉｌｉｔｙ　ｐｈｙｓｉｃｓ　１９８９」（ｔｈｅ　ＩＥＥＥ　Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｄｅｖｉｃｅｓ　Ｓｏｃｉｅｔｙ　ａｎｄ　ｔｈｅ　ＩＥＥＥ　Ｒｅｌｉａｂｉｌｉｔｙ　Ｓｏｃｉｅｔｙ　Ａｐｒｉｌ　１１、１２、１３、１９８９）（以下、「刊行物１」という。）
　甲第２号証：特開平２−１２３７４９号公報
　甲第３号証：特開昭６３−１６４２４０号公報（以下、「刊行物３」という。）
　甲第４号証：特開平１−１８１５２９号公報（以下、「刊行物２」という。）
　
２．本件発明
　本件特許第３２１６８８１号の請求項１、２、４に係る発明（以下、それぞれ「本件発明１」、「本件発明２」、「本件発明４」という。）は、平成１６年１月１４日付の訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１、２、４に記載された次のとおりのものである。
「【請求項１】試料に集束イオンビームを照射して該試料に断面を形成し、該形成した断面の表面をイオン・アシスト・エッチング用のガスを供給しながらイオンビームを用いてイオン・アシスト・エッチング処理を施して前記形成した断面の表面をイオン衝撃を受けたところのみクリーニングし、該イオン・アシスト・エッチング処理によりクリーニングした断面のＳＥＭ像を観察することを特徴とする試料断面観察方法。
【請求項２】イオンビーム加工装置の処理室内に設置した試料に集束イオンビームを照射して該試料の一部を除去加工することにより該試料に断面を形成し、該試料に形成した断面の表面をエッチング装置でイオン・アシスト・エッチング用のガスを供給しながらイオンビームを用いてイオン・アシスト・エッチング処理を施して前記断面の表面をイオン衝撃を受けたところのみクリーニングし、該イオン・アシスト・エッチング処理によりクリーニングした断面を大気に曝すことなくＳＥＭ装置でＳＥＭ像を観察することを特徴とする試料断面観察方法。
【請求項４】前記断面の表面のクリーニングとＳＥＭ像の観察とを、同一の真空室内で行うことを特徴とする請求項１または２に記載の試料断面観察方法。」
　
３．各刊行物の記載事項
（１）刊行物１：（「２７ｔｈ　ａｎｎｕａｌ　ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ　ｒｅｌｉａｂｉｌｉｔｙ　ｐｈｙｓｉｃｓ　１９８９」）
　刊行物１は、「ＶＬＳＩの不良解析および加工モニタリングへの集束イオンビーム技術の新しい応用」というタイトルの文献であり、そのアブストラクトには、その応用の一つとして、「微細な選択的な断面加工とその断面のその場観察」（４３頁左欄２〜４行）が記載され、「微細な断面形状及びその場観察」の欄には、「この応用には、エッチング機能とＳＩＭ機能が利用されている」（４４頁右欄下から１１〜１０行）とされ、手順について、
　「１）ＶＬＳＩチップの所定の領域にラフエッチングにより長方形の孔を形成する・・・（図７（ａ）（ｂ）
　　２）ついで、その孔の側壁を仕上げエッチングする。・・・（図７（ｃ）
　　３）ついで、チップは傾けられ（０〜６０°）、側壁（断面）はＳＩＭ機能により観察される。・・・。」（４４頁右欄下から８行〜４５頁左欄５行）が記載されている。
　
（２）刊行物２：（特開平１−１８１５２９号公報）
　「ＳｉやＳｉＯ２をイオンビームによりスパッタエッチした場合、加工穴底面からスパッタされた粒子の一部が加工穴側面に付着し（再付着現象）てしまい、側面に現れるはずのＬＳＩの断面構造が良好に観察され得ないものとなっている。」（２頁右下欄７〜１２行）
　「被加工物を集束イオンビームによって加工する際、所定時間加工する度に、加工状態をモニタすべくイオンビーム軸方向より傾いた軸方向より電子ビームによって被加工物における被加工領域とその近傍領域を走査し、該走査中検出される２次電子にもとづいてＳＥＭ像を作成することを特徴とする集束イオンビーム加工方法。」（特許請求の範囲の請求項１）
　「第３図に示すように電子ビーム２１がイオンビーム２０に対しある角度θをもつ・・・、その角度θはイオンビーム２０で加工された穴４０の側壁４１に電子ビーム２１が照射されるべく設定されるようになっている。」（４頁左上欄５〜９行）が記載されている。
　
（３）刊行物３：（特開昭６３−１６４２４０号公報）
　「本発明は半導体装置の表面に配線を形成する技術に係り、特に試作した半導体装置に部分的な不良が存在する場合に不良個所を特定し、補修するのに好適な配線形成技術に関する。」（２頁右上欄８〜１１行）
　「従来技術として特開昭５９−１６８６５２号があり、集束イオンビームによる半導体装置の配線の切断および穴あけの手段が示されている。即ち、集束イオンビームによる加工は、０．５μｍ以下の加工が可能であること・・・が、一つの配線から別の配線へと接続を行う手段については何ら触れられていない。」（２頁左下欄５〜１４行）
　「上記目的は半導体装置表面のクリーニング、絶縁膜への穴（窓）あけ、（必要に応じて配線の切断）、緩衝膜の形成、配線布設までを、半導体装置を途中で高真空環境から脱却させること無く行うことで達成される。」（３頁左下欄７〜１１行）
　「Ａｒプラズマが発生し、Ａｒ＋イオンがウエハ７表面をスパッタリングする。これにより、ウエハ７表面に付着している汚染源（水分、ゴミ、よごれ）を除去する」（４頁右下欄１３〜１６行）
　「第３図（ｂ）に示す様に、スパッタクリーニングにより、汚染５６を除去する。」（７頁左下欄６〜７行）が記載されている。
　
４．対比・判断
（１）本件発明１について
　刊行物１には、集束イオンビームを用いて、ラフエッチングによりＶＬＳＩチップに長方形の孔を形成し（第７図（ａ）（ｂ））、孔の側壁を仕上げエッチングし（第７図（ｃ））、そのあと側壁の断面をＳＩＭを用いて観察することが記載され、この第７図（ａ）〜（ｃ）の記載、及び刊行物２のスパッタエッチによる側壁の再付着現象についての記載からみて、刊行物１の第７図（ｂ）に記載された孔の側壁（断面）には孔底面からエッチングされた粒子の一部が孔の側壁（断面）に付着しているものと認められ、仕上げエッチングにより孔の側壁（断面）がクリーニングされていることがわかる。
　そこで、本件発明１と刊行物１に記載の発明とを対比すると、両者は、「試料に集束イオンビームを照射して該試料に断面を形成し、該形成した断面の表面にエッチング処理を施して前記形成した断面の表面をクリーニングし、該エッチング処理によりクリーニングした断面を観察する試料断面観察方法」の点で一致するものの、以下の点で相違する。
　１）本件発明１は、「イオン・アシスト・エッチング用のガスを供給しながらイオンビームを用いてイオン・アシスト・エッチング処理を施し、形成した断面の表面をイオン衝撃を受けたところのみクリーニングする」のに対し、刊行物１に記載の発明はそのようなものではない点。
　２）本件発明１は、「クリーニングした断面のＳＥＭ像を観察する」のに対し、刊行物１に記載の発明はＳＩＭ像を観察するものである点。
　
　そこで、上記相違点１）について検討すると、刊行物２には被加工物をイオンビームによりスパッタエッチすることが記載され、刊行物３にはウエハをスパッタクリーニングすることが記載されているものの、刊行物２、３には、本件発明１のように、イオン・アシスト・エッチング用のガスを供給しながらイオンビームを用いてイオン・アシスト・エッチング処理を施し、形成した断面の表面をイオン衝撃を受けたところのみクリーニングすることについては何も記載されていないし、示唆もされていない。また、ＬＳＩチップのエッチング処理を施した側壁のクリーニングとして、イオン・アシスト・エッチング処理が本願出願前周知の技術であるとすることもできない。
　そして、本件発明１は、特許明細書に記載されているように、イオン・アシスト・エッチング処理により、イオン衝撃を受けたところのみエッチングを行うことができるとともに、材質の違いによるエッチング速度の差が大きくとれ、単なるスパッタエッチングよりも観察しやすくなるとの顕著な効果を奏するものである。
　したがって、本件発明１は、上記相違点２）については検討するまでもなく、刊行物１〜３に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　なお、甲第２号証は、本件特許明細書の従来の技術欄に例示される公報であって、そこには、溝掘加工用のイオンビーム照射系は示されるものの、イオン・アシスト・エッチング処理を示唆するものは何もなく、当該証拠を参酌しても上記相違点１）を容易に想到し得るものではない。
　
（２）本件発明２について
　本件発明２は、本件発明１と同じく「試料断面観察方法」の発明であって、本件発明１の「イオン・アシスト・エッチング用のガスを供給しながらイオンビームを用いてイオン・アシスト・エッチング処理を施して前記形成した断面の表面をイオン衝撃を受けたところのみクリーニング」する点を、その構成として有するから、本件発明１と同じ理由により、刊行物１〜３に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
（３）本件発明４について
　本件発明４は、本件発明１または２を引用し、さらに構成を限定するものであるから、本件発明１または２と同じ理由により、刊行物１〜３に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
IV．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議の申立ての理由及び証拠によっては、本件請求項１、２、４に係る発明の特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件請求項１、２、４に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　したがって、本件請求項１、２、４に係る発明の特許は拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものと認めない。
　よって、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の一部の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第２項の規定により、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１６年１月２０日（２００４．１．２０）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
試料断面観察方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】
　試料に集束イオンビームを照射して該試料に断面を形成し、該形成した断面の表面を
イオン・アシスト・エッチング用のガスを供給しながら
てイオン・アシスト・
イオン衝撃を受けたところのみ
イオン・アシスト・エッチング処理により
　【請求項２】
　イオンビーム加工装置の処理室内に設置した試料に集束イオンビームを照射して該試料の一部を除去加工することにより該試料に断面を形成し、該試料に形成した断面の表面をエッチング装置で
イオン・アシスト・エッチング用のガスを供給しながらイオンビームを用いてイオン・アシスト・
イオン衝撃を受けたところのみ
該イオン・アシスト・エッチング処理によりク
　【請求項３】
　削除。
　【請求項４】
　前記断面の表面のクリーニングとＳＥＭ像の観察とを、同一の真空室内で行うことを特徴とする請求項１または２に記載の試料断面観察方法。
【発明の詳細な説明】
　【産業上の利用分野】
　本発明は、半導体ＬＳＩや各種薄膜製品の不良解析、プロセス解析のために、集束イオンビーム加工による断面観察を行う方法に関する。
　【従来の技術】
　半導体ＬＳＩなどのプロセス解析や不良解析を行うために、従来、集束イオンビーム加工により断面を作成し、その断面をＳＥＭ像またはＳＩＭ像により観察する方法が特開平１−１８１５２９「集束イオンビーム加工方法とその装置」や、特開平２−１２３７４９「断面加工観察装置」に述べられている。これは集束イオンビームにより試料に穴を掘り、その加工穴の側壁やＳＥＭ像観察するものである。または、加工したイオンビーム装置の中で試料の加工穴側壁にイオンビームが当るように試料を回転して、走査イオンビーム顕微鏡（ＳＩＭ）により観察するものである。
　【発明が解決しようとする課題】
　この方法では、イオンビームによりスパッタされた粒子が加工穴側壁、すなわち断面観察を行いたい面に付着する再付着現象が鮮明な観察像を得る上で問題となる。特開平１−１８１５２９の図１８と図１９に、再付着を防ぐイオンビーム操作方法が述べられているが、この方法によってもどうしても若干の再付着層が形成される。このため断面をＳＩＭ又はＳＥＭ像で観察する際、材質によるコントラストが出にくくなる欠点があった。
　このため試料を軽くウエットエッチングする場合もあるが、集束イオンビーム装置、ウエットエッチング装置、ＳＥＭ等の観察装置と装置間の試料移動が多く作業能率が上がらない欠点があった。またウエットエッチングの場合薬液の温度、濃度等により著しく加工速度が変わり断面観察に適したエッチングを行うことが困難であるという欠点があった。また集束イオンビーム加工した場所をＳＥＭ観察時に見つけることが大変困難であった。
　本発明の目的は、集束イオンビーム加工による断面観察において、材質の相違によるＳＥＭ像あるいはＳＩＭ像のコントラストをはっきり得る方法を提供することにある。さらに本発明の目的は、集束イオンビーム加工による断面観察において、材質の相違によるコントラストのはっきりしたＳＥＭ像あるいはＳＩＭ像を容易に得る方法を提供することにある。また本発明の今一つの目的は集束イオンビーム加工を行った場所を容易に見つける方法を提供することにある。
　【課題を解決するための手段】
　上記目的を達成するために、本発明では、試料断面観察方法において、試料に集束イオンビームを照射して試料に断面を形成し、この形成した断面の表面をスパッタエッチングまたはイオンビームを用いたエッチング処理を施して形成した断面の表面をクリーニングし、このクリーニングした断面のＳＥＭ像を観察するようにした。
　また、上記目的を達成するために、本発明では、試料断面観察方法において、イオンビーム加工装置の処理室内に設置した試料に集束イオンビームを照射して試料の一部を除去加工することにより試料に断面を形成し、この試料に形成した断面の表面をエッチング装置でエッチング処理を施して断面の表面をクリーニングし、この表面をクリーニングした断面を大気に曝すことなくＳＥＭ装置でＳＥＭ像を観察するようにした。
　【作用】
　集束イオンビームによる加工穴の側壁をスパッタエッチングすることにより再付着層が除去され、観察したり物質が表面にでてくる。
　また観察したい物質が露出した後もエッチングを行うことで、材質によるスパッタ率の違いにより加工量が異なり断面に加工物質の違いによる段差が若干つき、観察しやすくなる。イオンアシストエッチングにより、エッチングガスを用いて加工した場合には、材質の違いによるエッチング速度の差が更に大きくとれ、単なるスパッタエッチングよりも観察しやすくなる場合がある。
　【実施例】
　以下、本発明の実施例を図１〜図１０を用いて説明する。
　図１（ａ）から（ｄ）は、イオンビーム加工観察方法の実施例である。図１は半導体ＬＳＩの断面で下層配線１、コンタクトホール２、上層配線３、層間絶縁膜４、保護膜５から成っている。例えば図示のＡＡ断面によりコンタクトホールの状態を断面ＳＥＭで見る場合は、図１（ｂ）に示すように下層配線の下まで集束イオンビーム６により加工する。通常太いビームで粗加工をした後、細いビームで仕上げ加工を行い、加工穴側壁への再付着を出来るだけ少なくする方法がとられる。しかしこの方法によっても、若干の再付着層７が形成される。そこで図１（ｃ）に示すように、アルゴンイオンビームにより側壁をスパッタエッチする。この時、アルゴンビームが加工穴の底面にあたると底面をスパッタエッチし、そのスパッタ物が側壁に付着してしまう。そこでアルゴンイオンビームの向きは、底面に当らないように設定する。再付着層が十分とれるまでスパッタエッチした後、図１（ｄ）に示すように、電子ビームにより走査し、２次電子顕微鏡（ＳＥＭ）像を得る。この様にすれば、層間絶縁膜と配線材料との２次電子放出率の違いによりコントラストのはっきりしたＳＥＭ像を得ることが出来る。
　また図１（ｃ）において、エッチングガスを供給しながら、アルゴンイオンを照射すると、材質の違いによりエッチング速度が異なるため、側壁において大きな段差をつけることが出来、断面ＳＥＭ観察をよりうまく行える。例えば配線材料がアルミ合金である場合、塩素系のガスをアルゴンイオンと共に供給すれば、アルミ合金のみが選択的にエッチングされ、側壁において配線部がへこみ絶縁膜部が残るような凹凸が形成される。逆に絶縁膜がＳＩＯ２で出ている場合、フッ素系のガスをアルゴンイオンと共に供給することで、絶縁膜部が選択的にエッチングされ、側壁において絶縁膜部がへこみ配線部が残るような凹凸が形成される。
　図２から図５に上記の方法を行うための装置を説明する。図２は集束イオンビーム加工装置である。イオンビームコラム１１の中にはイオン源１２及び集束レンズ、ブランカ、偏向系など通常の集束イオンビーム装置が備えている光学系がある。この下には、２次粒子を検出する検出機１３がある。真空チャンバ１４の中にはＸＹステージ１５がある。このＸＹステージ１５の位置はレーザインタフェロメータ１６で正確に測定される。また試料１９が絶縁物の場合、チャージアップを防ぐための電子シャワー１７が設けられている。試料導入用のロードロック室１８が設けられている。
　図３は走査電子顕微鏡装置である。真空チャンバ２４の上に電子ビームコラム３５があり、この中には電子線源２２及び集束レンズ、ブランカ、偏向系など通常の電子ビーム装置が備えている光学系がある。真空チャンバ２４の中には、２次電子を検出する検出器２３がある。２４の中にはスパッタエッチング用のアルゴンイオン銃２５がある。同一のチャンバ２４中にこのアルゴンイオン銃２５を設けることにより、電子ビーム観察をしながら、鮮明な像が得られるまでスパッタエッチングを行うことができる。スパッタエッチングを行うときはアルゴンガスにより真空チャンバ内２４の圧力が上昇する。そこで電子ビームコラム３５内を、排気ポンプ２８で排気する。電子ビームコラムの下部にはゲートバルブ２９があり、これを閉じておく。このゲートバルブ２９を省略し、細いオリフィスで電子ビームコラム３５と真空チャンバ２４を連通して、差動排気を行っても良い。ステージ２６はＸ方向・Ｙ方向の移動とＸ軸回り・Ｚ軸回りの回転が可能である。プレート２７は、試料１９を載せたあと２点鎖線で示す位置まで移動可能であり、これにより真空チャンバ２４の真空気密を保つ。
　次に図２と図３に示した装置を用いて試料１９の加工と観察を行う方法を説明する。
　試料１９は試料固定片２０に固定され、試料移動用プレート２１に載せて、ロードロック室１８から真空チャンバに導入される。ここで試料表面が絶縁物でおおわれている場合は、電子シャワを照射しながら、図１（ｂ）に示した加工を集束イオンビームにより行う。この時、試料固定片２０の上にある２個のマークを基準とした加工装置の座標をレーザインタフェロメータ１６により測定しておく。このようにすることでＳＥＭ像を観察する際、観察場所を容易に見つけることができる。
　この後で図３に示した走査電子顕微鏡に、試料１９を前記の試料固定片２０に固定したままステージ２６にのせる。図４に示すようにまず試料をアルゴンイオン銃の下に持っていき、図５に示すように試料１９をＸ軸回りに回転し、図１（ｃ）に示すように穴の側壁をスパッタエッチする。そして図６に示すように試料１９を電子ビームの真下に移動し、試料１９を図７に示すようにＸ軸周りに傾けて、図１（ｄ）に示したように電子ビームを照射しＳＥＭ像を観察する。このときまず試料固定片２０上にある２ヶの基準マークを見て、ここから先ほど測定しておいた観察場所のＸＹ座標をもとに試料１９を傾き角を勘案して容易に観察場所２８を見つけることが出来る。
　ＳＥＭ観察した結果、また再付着物が十分除去しきれていない場合は、再度図４に示したようにスパッタエッチを追加すれば良い。同一チャンバ内でエッチングとＳＥＭ観察とができるので、作業能率は極めて高い。
　また図９には、真空チャンバ２４にゲートバルブ３０を設けた構成を示した。この装置では、試料１９をアルゴンスパッタ位置へ入れる際、ゲートバルブ３０を閉めておくので、電子ビームのある室の真空を破らずにおける。スパッタエッチを行ったあとは、ゲートバルブ３０を開け試験を電子ビームの下へ導入し観察を行う。
　図２から図９までは、集束イオンビーム装置とＳＥＭ装置が別々であったが、図１０は集束イオンビーム鏡筒１１と電子ビーム鏡筒３５とアルゴンイオン銃２５とが、真空チャンバ１４、２４にゲートバルブ３０ａ、３０ｂを介して区分されて、同一装置に取付けられている例である。このようにすれば、加工とＳＥＭ観察が真空を破らずに同一チャンバ１４、２４中でできるので、断面を見つつその断面の位置を少しづつ掘込んでいくことができ、更に作業の能率が向上する。
　また図４において、アルゴンイオン銃２５と共に、先に述べたようにエッチングガスの供給装置３４（図６に示す。）を設ければ、イオン衝撃を受けたところのみエッチング（イオン・アシスト・エッチング）を行うことが出来る。
　【発明の効果】
　本発明によれば、ＳＥＭ観察を行う時、同一装置内でアルゴンスパッタにより被観察面をスパッタエッチ又はイオンアシストエッチできるので、集束イオンビーム加工により作った断面をコントラストよく観察することができる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　本発明の方法を表す説明図
　【図２】
　本発明に係る集束イオンビーム加工装置の概略図
　【図３】
　アルゴンイオン銃付のＳＥＭ装置の概略
　【図４】
　アルゴンイオン銃付のＳＥＭ装置の概略
　【図５】
　図４及び図６に対応する試料部分の右側図面
　【図６】
　アルゴンイオン銃付のＳＥＭ装置の概略
　【図７】
　図４及び図６に対応する試料部分の右側図面
　【図８】
　試料固定片の平面図
　【図９】
　アルゴンイオン銃とゲートバルブのついたＳＥＭ装置の概略図
　【図１０】
　アルゴンイオン銃とＳＥＭ装置をＦＩＢ装置をもった装置の概略図
１…下層配線、２…コンタクトホール、３…上層配線、４…層間絶縁膜、５…保護膜、６…集束イオンビーム、７…再付着層、１１…イオンビームコラム、１２…イオン源、１３…検出器、１５…ＸＹステージ、１６…レーザインタフェロメータ、１７…電子シャワ、２０…試料固定片、２１…試料移動用プレート、２２…電子線源、２３…検出器、２５…アルゴンイオン銃、２６…ステージ、２７…プレート、３４…エッチングガス供給装置、３５…電子ビームコラム。