(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
積層方向の一方側に位置する長方形状の第１の主面及び該積層方向の他方側に位置する長方形状の第２の主面を有する第１のセラミック基板と、
樹脂又はガラスを含む材料により構成される長方形状の複数の絶縁体層であって、前記第１の主面上において前記積層方向に積層される複数の絶縁体層により構成される積層体と、
前記積層体に設けられている第１のコイルと、
前記積層体に設けられ、かつ、前記第１のコイルと電気的に接続されている第１の中継導体と、
前記第１のセラミック基板の表面に設けられ、かつ、前記第１の中継導体と電気的に接続されている第１の外部電極と、
を備えており、
前記複数の絶縁体層は、第１の角が第１の切り欠き部により欠損した形状をなす１以上の第１の絶縁体層を含んでおり、
前記第１の中継導体は、前記第１の切り欠き部に設けられており、
前記複数の絶縁体層は、前記積層方向の他方側から前記第１の中継導体に対して接触する第２の絶縁体層を含んでおり、
前記第１のセラミック基板は、前記積層方向から見たときに、前記第１の中継導体と重なる稜線が第２の切り欠き部により欠損した形状をなしており、
前記第２の切り欠き部が前記積層体に到達することにより、前記第１の中継導体が該第２の切り欠き部の内周面の一部を構成しており、
前記第１の外部電極が前記第２の切り欠き部の内周面に設けられることにより、該第１の外部電極と前記第１の中継導体とが電気的に接続されていること、
を特徴とする電子部品。
【請求項２】
前記複数の絶縁体層は、前記積層方向の一方側から前記第１の中継導体に対して接触する第３の絶縁体層を更に含んでいること、
を特徴とする請求項１に記載の電子部品。
【請求項３】
前記積層体に設けられ、かつ、前記第１のコイルと電気的に接続されている第２の中継導体と、
前記第１のセラミック基板の表面に設けられ、かつ、前記第２の中継導体と電気的に接続されている第２の外部電極と、
を備えており、
前記複数の絶縁体層は、第２の角が第３の切り欠き部により欠損した形状をなす１以上の第４の絶縁体層を含んでおり、
前記第２の中継導体は、前記第３の切り欠き部に設けられており、
前記第２の絶縁体層は、前記積層方向の他方側から前記第２の中継導体に対して接触していること、
を特徴とする請求項１又は請求項２のいずれかに記載の電子部品。
【請求項４】
前記積層体に設けられており、前記第１のコイルとコモンモードチョークコイルを構成している第２のコイルを、
更に備えていること、
を特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の電子部品。
【請求項５】
前記積層体に設けられ、かつ、前記第２のコイルと電気的に接続されている第３の中継導体と、
前記第１のセラミック基板の表面に設けられ、かつ、前記第３の中継導体と電気的に接続されている第３の外部電極と、
を備えており、
前記複数の絶縁体層は、第３の角が第４の切り欠き部により欠損した形状をなす１以上の第５の絶縁体層を含んでおり、
前記第３の中継導体は、前記第４の切り欠き部に設けられており、
前記第２の絶縁体層は、前記積層方向の他方側から前記第３の中継導体に対して接触していること、
を特徴とする請求項４に記載の電子部品。
【請求項６】
前記積層方向から前記第１のセラミック基板と共に前記積層体を挟んでいる第２のセラミック基板を、
更に備えており、
前記第１のセラミック基板及び前記第２のセラミック基板の材料は、磁性体材料であること、
を特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれかに記載の電子部品。
【請求項７】
前記積層方向から見たときに、前記第１の中継導体の面積に対する前記第１の中継導体と前記第２の絶縁体層とが接触している部分の面積の比の値は、０．４２以上０．８２以下であること、
を特徴とする請求項１ないし請求項６のいずれかに記載の電子部品。
【請求項８】
請求項１ないし請求項７のいずれかに記載の電子部品の製造方法であって、
複数の前記第１のセラミック基板が配列された第１のマザー基板の前記第１の主面上に、ガラスを含む材料により前記複数の絶縁体層となるべき複数のペースト層を形成すると共に、前記第１のコイルとなるべきコイル導体層及び前記第１の中継導体となるべき中継導体層を形成して未焼成の複数の前記積層体が配列されたマザー積層体を形成する第１の工程と、
前記マザー積層体を焼成する第２の工程と、
を備えていること、
を特徴とする電子部品の製造方法。
【請求項９】
前記第１の工程では、前記第１の主面上に前記第２の絶縁体層となるべき第１のペースト層を形成した後に、該第１のペースト層上に前記第１の中継導体の一部となる第１の中継導体層を形成し、
前記電子部品の製造方法は、
前記積層方向から見たときに、前記第１のマザー基板及び前記第２の絶縁体層における前記第１の中継導体と重なる部分を貫通する貫通孔を形成する第３の工程と、
前記貫通孔の内周面に導体層を形成して前記外部電極の一部を形成する第４の工程と、
前記第１のマザー基板をカットする第５の工程と、
を更に備えており、
前記第３の工程では、前記第１の中継導体層の前記積層方向の他方側の面の一部が前記貫通孔に露出するように、該貫通孔を形成すること、
を特徴とする請求項８に記載の電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品及びその製造方法に関し、より特定的には、コイルを備えた電子部品及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の電子部品としては、例えば、特許文献１に記載の電子部品が知られている。図１０Ａは、特許文献１に記載の電子部品５１０の外観斜視図である。
【０００３】
電子部品５１０は、磁性体基板５１２ａ，５１２ｂ、積層体５１４、外部電極５１５ａ、接続部５１６ａ、引き出し部５２１ａ，５２１ｂ及びコイルＬ５０１を備えている。磁性体基板５１２ｂ、積層体５１４及び磁性体基板５１２ａは、上側から下側へとこの順に積み重ねられている。コイルＬ５０１は、積層体５１４内に設けられている。引き出し部５２１ａ，５２１ｂは、積層体５１４の稜線が欠損した部分に設けられており、互いに接続されることにより上下に延在している。コイルＬ５０１の一端は、引き出し部５２１ａに接続されている。また、接続部５１６ａは、磁性体基板５１２ａの稜線が欠損した部分に設けられており、その上端において引き出し部５２１ｂと接続されている。外部電極５１５ａは、磁性体基板５１２ａの底面に設けられており、接続部５１６ａと接続されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】国際公開２０１３／０３１８８０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、以上のように構成された電子部品５００において、以下に説明するように、引き出し部５２１ａ，５２１ｂが積層体５１４から脱落するおそれがある。図１０Ｂは、引き出し部５２１ａ，５２１ｂ近傍の断面構造図である。
【０００６】
本願発明者は、以下の理由により引き出し部５２１ａ，５２１ｂが積層体５１４から脱落する場合があることを発見した。より詳細には、図１０Ｂに示すように、引き出し部５２１ｂは、磁性体基板５１２ａの上面に直接に形成されている。磁性体基板５１２ａは比較的に硬い。そのため、引き出し部５２１ｂの磁性体基板５１２ａに対する密着性は比較的に低い。従って、マザー基板を複数の磁性体基板５１２ａ，５１２ｂに分割するためのダイシング工程及びスクライブ工程において衝撃が電子部品５１０に加わると、引き出し部５２１ｂと磁性体基板５１２ａとの間に剥離が生じ、引き出し部５２１ａ，５２１ｂが積層体５１４から脱落するおそれがある。ここでは、ダイシング工程及びスクライブ工程における衝撃が引き出し部５２１ａ，５２１ｂの脱落の原因として説明したが、その他に、電子部品５００の落下時の衝撃等も、引き出し部５２１ａ，５２１ｂの脱落の原因となる可能性がある。
【０００７】
そこで、本発明の目的は、セラミック基板上の積層体に設けられた中継導体が積層体から脱落することを抑制できる電子部品及びその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一形態に係る電子部品は、積層方向の一方側に位置する長方形状の第１の主面及び該積層方向の他方側に位置する長方形状の第２の主面を有する第１のセラミック基板と、樹脂又はガラスを含む材料により構成される長方形状の複数の絶縁体層であって、前記第１の主面上において前記積層方向に積層される複数の絶縁体層により構成される積層体と、前記積層体に設けられている第１のコイルと、前記積層体に設けられ、かつ、前記第１のコイルと電気的に接続されている第１の中継導体と、前記第１のセラミック基板の表面に設けられ、かつ、前記第１の中継導体と電気的に接続されている第１の外部電極と、を備えており、前記複数の絶縁体層は、第１の角が第１の切り欠き部により欠損した形状をなす１以上の第１の絶縁体層を含んでおり、前記第１の中継導体は、前記第１の切り欠き部に設けられており、前記複数の絶縁体層は、前記積層方向の他方側から前記第１の中継導体に対して接触する第２の絶縁体層を含んでおり、前記第１のセラミック基板は、前記積層方向から見たときに、前記第１の中継導体と重なる稜線が第２の切り欠き部により欠損した形状をなしており、前記第２の切り欠き部が前記積層体に到達することにより、前記第１の中継導体が該第２の切り欠き部の内周面の一部を構成しており、前記第１の外部電極が前記第２の切り欠き部の内周面に設けられることにより、該第１の外部電極と前記第１の中継導体とが電気的に接続されていること、を特徴とする。
【０００９】
前記電子部品の製造方法は、前記電子部品の製造方法であって、複数の前記第１のセラミック基板が配列された第１のマザー基板の前記第１の主面上に、ガラスを含む材料により前記複数の絶縁体層となるべき複数のペースト層を形成すると共に、前記第１のコイルとなるべきコイル導体層及び前記第１の中継導体となるべき中継導体層を形成して未焼成の複数の前記積層体が配列されたマザー積層体を形成する第１の工程と、前記マザー積層体を焼成する第２の工程と、を備えていること、を特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、セラミック基板上の積層体に設けられた中継導体が積層体から脱落することを抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】一実施形態に係る電子部品１０の外観斜視図である。
【図２】図１の電子部品１０の分解斜視図である。
【図３Ａ】コイル導体層２５及び絶縁体層１８ｃを上側から見た図である。
【図３Ｂ】図３ＡのＸ−Ｘにおける断面構造図である。
【図３Ｃ】中継導体層２６ｂを上側から見た図である。
【図３Ｄ】図３ＡのＹ−Ｙにおける断面構造図である。
【図４Ａ】電子部品１０の製造時における工程断面図である。
【図４Ｂ】電子部品１０の製造時における工程断面図である。
【図４Ｃ】電子部品１０の製造時における工程断面図である。
【図５Ａ】電子部品１０の製造時における工程断面図である。
【図５Ｂ】電子部品１０の製造時における工程断面図である。
【図５Ｃ】電子部品１０の製造時における工程断面図である。
【図６Ａ】電子部品１０の製造時における工程断面図である。
【図６Ｂ】電子部品１０の製造時における工程断面図である。
【図６Ｃ】電子部品１０の製造時における工程断面図である。
【図６Ｄ】電子部品１０の製造時における工程断面図である。
【図７Ａ】電子部品１０の製造時における工程断面図である。
【図７Ｂ】電子部品１０の製造時における工程断面図である。
【図７Ｃ】電子部品１０の製造時における工程断面図である。
【図７Ｄ】電子部品１０の製造時における工程断面図である。
【図８】貫通孔形成時の工程断面図である。
【図９Ａ】変形例に係る電子部品１０ａの外観斜視図である。
【図９Ｂ】変形例に係る電子部品１０ａの断面構造図である。
【図１０Ａ】特許文献１に記載の電子部品５１０の外観斜視図である。
【図１０Ｂ】引き出し部５２１ａ，５２１ｂ近傍の断面構造図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下に、本発明の実施形態に係る電子部品及びその製造方法について説明する。
【００１３】
（電子部品の構成）
まず、本発明の一実施形態に係る電子部品の構成について図面を参照しながら説明する。図１は、一実施形態に係る電子部品１０の外観斜視図である。図２は、図１の電子部品１０の分解斜視図である。図３Ａは、コイル導体層２５及び絶縁体層１８ｃを上側から見た図である。図３Ｂは、図３ＡのＸ−Ｘにおける断面構造図である。図３Ｃは、中継導体層２６ｂを上側から見た図である。図３Ｄは、図３ＡのＹ−Ｙにおける断面構造図である。以下では、電子部品１０の積層方向を上下方向と定義し、上側から見たときに、電子部品１０の長辺が延在している方向を左右方向と定義し、電子部品１０の短辺が延在している方向を前後方向と定義する。上下方向、左右方向及び前後方向は互いに直交している。
【００１４】
電子部品１０は、図１及び図２に示すように、磁性体基板１２ａ，１２ｂ、積層体１４、外部電極１５ａ〜１５ｄ、有機系接着剤層１９、中継導体２１，２２，２６，２７及びコイルＬ１，Ｌ２を備えている。
【００１５】
磁性体基板１２ａ（第１のセラミック基板の一例）は、長方形状の主面Ｓ１，Ｓ２を有する直方体状をなしている。主面Ｓ１（第１の主面の一例）は、上側（積層方向の一方側の一例）に位置する主面であり、主面Ｓ２（第２の主面の一例）は、下側（積層方向の他方側の一例）に位置する主面である。ただし、磁性体基板１２ａは、後述するように、主面Ｓ１，Ｓ２を接続する４本の稜線が切り欠き部Ｃａ〜Ｃｄ（第２の切り欠き部の一例）により欠損した形状をなしている。なお、長方形状とは、正方形も含み、更に、長方形の角が切り欠かれた形状も含む概念である。
【００１６】
磁性体基板１２ａの材料は、磁性体材料である。本実施形態では、磁性体基板１２ａは、焼成済みのフェライトセラミックスが削り出されて作製される。また、磁性体基板１２ａは、フェライト仮焼粉末及びバインダーからなるペーストがアルミナ等のセラミックス基板に塗布及び焼成されることによって作製されてもよいし、フェライト材料のグリーンシートが積層及び焼成されて作製されてもよい。
【００１７】
積層体１４は、絶縁体層１８ａ〜１８ｃ（複数の絶縁体層の一例）を含んでおり、上側から見たときに、長方形状をなしている。角Ｃ１は、積層体１４の左後ろ側の角である。角Ｃ２は、積層体１４の左前側の角である。角Ｃ３は、積層体１４の右後ろ側の角である。角Ｃ４は、積層体１４の右前側の角である。ただし、積層体１４の絶縁体層１８ａ〜１８ｃの角が欠損しているので、角Ｃ１〜Ｃ４は仮想の角である。
【００１８】
絶縁体層１８ａ〜１８ｃは、主面Ｓ１上において、上側から下側へとこの順に並ぶように積層されており、主面Ｓ１と略同じ大きさ及び形状を有している。ただし、絶縁体層１８ａ（第４の絶縁体層の一例）は、角Ｃ２，Ｃ４（角Ｃ４が第２の角の一例）がそれぞれ切り欠き部ｃ１，ｃ３（切り欠き部ｃ３が第３の切り欠き部の一例）により欠損した形状をなしている。絶縁体層１８ｂ（第１の絶縁体層、第４の絶縁体層及び第５の絶縁体層の一例）は、角Ｃ１〜Ｃ４（角Ｃ３が第１の角の一例・角Ｃ４が第２の角の一例・角Ｃ１が第３の角の一例）がそれぞれ切り欠き部ｃ２，ｃ４〜ｃ６（切り欠き部ｃ６が第１の切り欠き部の一例・切り欠き部ｃ４が第３の切り欠き部の一例・切り欠き部ｃ５が第４の切り欠き部の一例）により欠損した形状をなしている。切り欠き部ｃ１〜ｃ６は、上側から見たときに、電子部品１０の長方形状の上面に対して絶縁体層１８ａ，１８ｂが欠損している直角二等辺三角形状の部分である。以上のように、絶縁体層１８ａ〜１８ｃは、角Ｃ２，Ｃ４が切り欠き部ｃ１，ｃ３によって欠損した形状をなす絶縁体層１８ａ（第４の絶縁体層の一例）、及び、角Ｃ１〜Ｃ４が切り欠き部ｃ２，ｃ４〜ｃ６により欠損した形状をなす絶縁体層１８ｂ（第１の絶縁体層、第４の絶縁体層及び第５の絶縁体層の一例）を含んでいる。
【００１９】
ところで、絶縁体層１８ｃの角Ｃ１〜Ｃ４にも切り欠き部ｃａ〜ｃｄが設けられているが、切り欠き部ｃａ〜ｃｄは、後述する切り欠き部Ｃａ〜Ｃｄにより形成された切り欠き部であり、切り欠き部ｃ１〜ｃ６とは異なる。そのため、絶縁体層１８ｃの切り欠き部ｃａ〜ｃｄの形状は、直角二等辺三角形状ではなく、中心角が９０度である扇形である。
【００２０】
更に、絶縁体層１８ａには、上下方向に貫通するビアホールＨ１，Ｈ２が設けられている。絶縁体層１８ｂには、上下方向に貫通するビアホールＨ３が設けられている。ビアホールＨ３とビアホールＨ２とは繋がっている。
【００２１】
以上のような絶縁体層１８ａ〜１８ｃは、ポリイミドにより作製されている。また、絶縁体層１８ａ〜１８ｃは、ベンゾシクロブテン等の絶縁性樹脂を含む材料により作製されていてもよく、絶縁性樹脂を主成分とする材料により作製されていることが好ましい。以下では、絶縁体層１８ａ〜１８ｃの上側の主面を表面と称し、絶縁体層１８ａ〜１８ｃの下側の主面を裏面と称す。
【００２２】
磁性体基板１２ｂ（第２のセラミック基板の一例）は、直方体状をなしており、磁性体基板１２ａと共に積層体１４を上下方向から挟んでいる。すなわち、磁性体基板１２ｂは、積層体１４の上側に重ねられている。磁性体基板１２ｂの材料は、磁性体材料である。本実施形態では、磁性体基板１２ｂは、焼成済みのフェライトセラミックスが削り出されて作製される。また、磁性体基板１２ｂは、フェライト仮焼粉末及びバインダーからなるペーストがアルミナ等のセラミックス基板に塗布及び焼成されることによって作製されてもよいし、フェライト材料のグリーンシートが積層及び焼成されて作製されてもよい。
【００２３】
有機系接着剤層１９は、磁性体基板１２ｂと積層体１４とを接合している。
【００２４】
コイルＬ１（第２のコイルの一例）は、積層体１４内に設けられており、コイル導体層２０及び引き出し導体３０，３２を含んでいる。コイル導体層２０は、絶縁体層１８ｂの表面上に設けられており、上側から見たときに、時計回りに周回しながら中心に向かって近づいていく渦巻状をなしている。コイル導体層２０の中心は、上側から見たときに、電子部品１０の中心（対角線交点）と略一致している。
【００２５】
引き出し導体３０は、絶縁体層１８ｂの表面上に設けられており、コイル導体層２０の外側の端部から左側に向かって延在しており、絶縁体層１８ｂの左後ろ側の角Ｃ１に引き出されている。そのため、引き出し導体３０は、上側から見たときに、渦巻状をなしていない。従って、コイル導体層２０と引き出し導体３０との境界は、図２の拡大図に示すように、コイル導体層２０が形成している渦巻状の軌跡から引き出し導体３０が離脱する位置である。なお、コイル導体層２５（後述）と引き出し導体３４（後述）との境界についても、コイル導体層２０と引き出し導体３０との境界と同様である。
【００２６】
引き出し導体３２は、絶縁体層１８ａの表面上及びビアホールＨ１内に設けられている。引き出し導体３２の後ろ側の端部は、ビアホールＨ１を介して絶縁体層１８ａを上下方向に貫通することにより、コイル導体層２０の内側の端部に接続されている。また、引き出し導体３２は、絶縁体層１８ａの表面上において、ビアホールＨ１から左前側に向かって延在しており、絶縁体層１８ａの左前側の角Ｃ２に引き出されている。そのため、引き出し導体３２は、上側から見たときに、渦巻状をなしていない。
【００２７】
中継導体２１（第３の中継導体の一例）は、コイルＬ１と電気的に接続されており、切り欠き部ｃ５（すなわち、角Ｃ１）に設けられている。より詳細には、中継導体２１は、上側から見たときに、切り欠き部ｃ５と一致する直角二等辺三角形状をなしており、中継導体層２１ａ，２１ｂを含んでいる。中継導体層２１ａ，２１ｂは、上側から下側へとこの順に接続されており、上側から見たときに同じ形状をなしている。
【００２８】
中継導体層２１ａは、切り欠き部ｃ５内に設けられており、絶縁体層１８ｂの表面から絶縁体層１８ｃの表面までの間において上下方向に延在している直角二等辺三角形状の導体層である。ただし、中継導体層２１ａは、絶縁体層１８ｂの表面から１層分の厚みだけ上側に突出している。そして、中継導体層２１ａは、引き出し導体３０の左側の端部と接続されており、上側から見たときに、引き出し導体３０の左側の端部と組み合わさって正方形状をなしている。これにより、中継導体２１は、コイル導体層２０の外側の端部と電気的に接続されている。中継導体層２１ｂは、絶縁体層１８ｃの表面上に設けられている直角二等辺三角形状の導体層である。ただし、中継導体層２１ｂは、絶縁体層１８ｃに設けられている切り欠き部ｃａ内には位置していない。
【００２９】
中継導体２２は、コイルＬ１と電気的に接続されており、切り欠き部ｃ１，ｃ２（すなわち、角Ｃ２）に設けられている。より詳細には、中継導体２２は、上側から見たときに、切り欠き部ｃ１，ｃ２と一致する直角二等辺三角形状をなしており、中継導体層２２ａ〜２２ｃを含んでいる。中継導体層２２ａ〜２２ｃは、上側から下側へとこの順に接続されており、上側から見たときに同じ形状をなしている。
【００３０】
中継導体層２２ａは、切り欠き部ｃ１内に設けられており、絶縁体層１８ａの表面から絶縁体層１８ｂの表面までの間において上下方向に延在している直角二等辺三角形状の導体層である。ただし、中継導体層２２ａは、絶縁体層１８ａの表面から１層分の厚みだけ上側に突出している。そして、中継導体層２２ａは、引き出し導体３２の左前側の端部と接続されており、上側から見たときに、引き出し導体３２の左前側の端部と組み合わさって正方形状をなしている。これにより、中継導体２２は、コイル導体層２０の内側の端部と電気的に接続されている。中継導体層２２ｂは、切り欠き部ｃ２内に設けられており、絶縁体層１８ｂの表面から絶縁体層１８ｃの表面までの間において上下方向に延在している直角二等辺三角形状の導体層である。中継導体層２２ｃは、絶縁体層１８ｃの表面に設けられている直角二等辺三角形状の導体層である。ただし、中継導体層２２ｃは、絶縁体層１８ｃに設けられている切り欠き部ｃｂ内には位置していない。
【００３１】
コイルＬ２（第１のコイルの一例）は、積層体１４内に設けられており、コイル導体層２５及び引き出し導体３４，３６ａ，３６ｂを含んでいる。コイル導体層２５は、絶縁体層１８ｃの表面上に設けられており、上側から見たときに、時計回りに周回しながら中心に向かって近づいていく渦巻状をなしている。すなわち、コイル導体層２５は、コイル導体層２０と同じ方向に周回している。コイル導体層２５の中心は、上側から見たときに、電子部品１０の中心（対角線交点）と略一致している。よって、コイル導体層２５は、上側から見たときにコイル導体層２０と重なっている。更に、コイル導体層２５は、コイル導体層２０よりも下側に設けられている。これにより、コイルＬ２は、コイルＬ１と磁気的に結合して、コイルＬ１と共にコモンモードチョークコイルを構成している。
【００３２】
引き出し導体３４は、絶縁体層１８ｃの表面上に設けられており、コイル導体層２５の外側の端部から後ろ側に向かって延在しており、絶縁体層１８ｃの右後ろ側の角Ｃ３に引き出されている。そのため、引き出し導体３４は、上側から見たときに、渦巻状をなしていない。
【００３３】
引き出し導体３６ａは、ビアホールＨ３内に設けられている。引き出し導体３６ａは、ビアホールＨ３を介して絶縁体層１８ｂを上下方向に貫通することにより、コイル導体層２５の内側の端部に接続されている四角形状の導体である。
【００３４】
引き出し導体３６ｂは、絶縁体層１８ａの表面上及びビアホールＨ２内に設けられている。引き出し導体３６ｂの左後ろ側の端部は、ビアホールＨ２を介して絶縁体層１８ａを上下方向に貫通することにより、引き出し導体３６ａに接続されている。また、引き出し導体３６ｂは、絶縁体層１８ａの表面上において、ビアホールＨ２から右前側に向かって延在しており、絶縁体層１８ａの右前側の角Ｃ４に引き出されている。そのため、引き出し導体３６ｂは、上側から見たときに、渦巻状をなしていない。
【００３５】
中継導体２６（第１の中継導体の一例）は、コイルＬ２と電気的に接続されており、切り欠き部ｃ６（すなわち、角Ｃ３）に設けられている。より詳細には、中継導体２６は、上側から見たときに、切り欠き部ｃ６と一致する直角二等辺三角形状をなしており、中継導体層２６ａ，２６ｂを含んでいる。中継導体層２６ａ，２６ｂは、上側から下側へとこの順に接続されており、上側から見たときに同じ形状をなしている。
【００３６】
中継導体層２６ａは、切り欠き部ｃ６内に設けられており、絶縁体層１８ｂの表面から絶縁体層１８ｃの表面までの間において上下方向に延在している直角二等辺三角形状の導体層である。ただし、中継導体層２６ａは、絶縁体層１８ｂの表面から１層分の厚みだけ上側に突出している。中継導体層２６ｂは、絶縁体層１８ｃの表面上に設けられている直角二等辺三角形状の導体層である。ただし、中継導体層２６ｂは、絶縁体層１８ｃに設けられている切り欠き部ｃｃ内には位置していない。ただし、中継導体層２６ｂは、絶縁体層１８ｃの表面から１層分の厚みだけ上側に突出している。そして、中継導体層２６ｂは、引き出し導体３４の後ろ側の端部と接続されており、上側から見たときに、引き出し導体３４の後ろ側の端部と組み合わさって正方形状をなしている。これにより、中継導体２６は、コイル導体層２５の外側の端部と電気的に接続されている。
【００３７】
中継導体２７（第２の中継導体の一例）は、コイルＬ２と電気的に接続されており、切り欠き部ｃ３，ｃ４（すなわち、角Ｃ４）に設けられている。より詳細には、中継導体２７は、上側から見たときに、切り欠き部ｃ３，ｃ４と一致する直角二等辺三角形状をなしており、中継導体層２７ａ〜２７ｃを含んでいる。中継導体層２７ａ〜２７ｃは、上側から下側へとこの順に接続されており、上側から見たときに同じ形状をなしている。
【００３８】
中継導体層２７ａは、切り欠き部ｃ３内に設けられており、絶縁体層１８ａの表面から絶縁体層１８ｂの表面までの間において上下方向に延在している直角二等辺三角形状の導体層である。ただし、中継導体層２７ａは、絶縁体層１８ａの表面から１層分の厚みだけ上側に突出している。そして、中継導体層２７ａは、引き出し導体３６ｂの右前側の端部と接続されており、上側から見たときに、引き出し導体３６ｂの右前側の端部と組み合わさって正方形状をなしている。これにより、中継導体２７は、コイル導体層２５の内側の端部と電気的に接続されている。中継導体層２７ｂは、切り欠き部ｃ４内に設けられており、絶縁体層１８ｂの表面から絶縁体層１８ｃの表面までの間において上下方向に延在している直角二等辺三角形状の導体層である。中継導体層２７ｃは、絶縁体層１８ｃの表面に設けられている直角二等辺三角形状の導体層である。ただし、中継導体層２７ｃは、絶縁体層１８ｃに設けられている切り欠き部ｃｄ内には位置していない。
【００３９】
コイルＬ１，Ｌ２及び中継導体２１，２２，２６，２７は、例えば、Ａｇ膜がスパッタ法で形成されることにより作製される。また、コイルＬ１，Ｌ２及び中継導体２１，２２，２６，２７は、Ｃｕ、Ａｕ等の電気伝導性の高い材料によって作製されてもよい。
【００４０】
ここで、切り欠き部Ｃａ〜Ｃｄについて説明する。磁性体基板１２ａは、上側から見たときに、中継導体２１，２２，２６，２７と重なる稜線がそれぞれ切り欠き部Ｃａ，Ｃｂ，Ｃｃ，Ｃｄ（第２の切り欠き部の一例）により欠損した形状をなしている。切り欠き部Ｃａ〜Ｃｄは、直方体と磁性体基板１２ａとの差分の空間である。切り欠き部Ｃａは、磁性体基板１２ａの左後ろ側の稜線が削り取られることにより形成された空間である。切り欠き部Ｃｂは、磁性体基板１２ａの左前側の稜線が削り取られることにより形成された空間である。切り欠き部Ｃｃは、磁性体基板１２ａの右後ろ側の稜線が削り取られることにより形成された空間である。切り欠き部Ｃｄは、磁性体基板１２ａの右前側の稜線が削り取られることにより形成された空間である。以下に、切り欠き部Ｃｃを例に挙げて説明する。なお、切り欠き部Ｃａ、Ｃｂ，Ｃｄ，ｃａ，ｃｂ，ｃｄは、切り欠き部Ｃｃ，ｃｃと同じであるので説明を省略する。
【００４１】
磁性体基板１２ａの上下方向に延在する稜線近傍は、図３Ｂに示すように、主面Ｓ２から主面Ｓ１へと、上側に向かって尖った釣鐘状（ドーム状）に削り取られている。したがって、切り欠き部Ｃｃを上側から見たときの面積は、主面Ｓ２から主面Ｓ１に近づくにしたがって（上側にいくにしたがって）小さくなっている。切り欠き部Ｃｃは、上側から見たときに、中心角が９０度の扇形をなしている。そして、切り欠き部Ｃｃを形成している内周面は、図３Ｂに示すように、主面Ｓ２に対して鈍角θをなしている。なお、接続部１６ｃは、切り欠き部Ｃｃの内周面を覆っており、切り欠き部Ｃｃを埋めていない。従って、図３Ｂでは、切り欠き部Ｃｃ内に接続部１６ｃを示すハッチングが施されていない。ただし、図３Ｂの断面の奥において接続部１６ｃが見えているので、ハッチングが施されていない部分に引き出し線が付されている。
【００４２】
また、切り欠き部Ｃｃは、図３Ｂに示すように、積層体１４に到達し、絶縁体層１８ｃの角Ｃ３を切り欠いている。そのため、絶縁体層１８ｃの角Ｃ３には、中心角が９０度の扇形の切り欠き部ｃｃが設けられている。切り欠き部ｃｃは、上側から見たときに、長方形状をなす電子部品１０の上面と絶縁体層１８ｃとの差分の領域である。このように、切り欠き部Ｃｃが積層体１４に到達することにより、図３Ｂに示すように、中継導体層２６ｂは、切り欠き部Ｃｃ内に露出して切り欠き部Ｃｃの内周面の一部を構成している。
【００４３】
ここで、切り欠き部ｃｃは、図３Ｃに示すように、上側から見たときに、中継導体層２６ｂ内に収まっている。すなわち、中継導体層２６ｂは、図３Ｃに示すように、上側から見たときに、切り欠き部ｃｃからはみ出しいる。そのため、図３Ｂに示すように、絶縁体層１８ｃ（第２の絶縁体層の一例）は、中継導体層２６ｂが切り欠き部ｃｃからはみ出した部分（図３ＢのＹの領域）において、中継導体層２６ｂに対して下側から接触している。すなわち、絶縁体層１８ｃは、中計導体層２６ｂが切り欠き部ｃｃからはみ出した部分の下面に対して接触している。よって、中継導体層２６ｂは、磁性体基板１２ａに接触していない。なお、中継導体層２６ｂの一部が磁性体基板１２ａに接触していてもよいが、中継導体層２６ｂが磁性体基板１２ａに接触していないことが好ましい。また、ここでは詳述しないが、絶縁体層１８ｃは、中継導体層２１ｂ，２２ｃ，２７ｃも切り欠き部ｃａ，ｃｂ，ｃｄからはみ出した部分の下面に対して接触している。
【００４４】
外部電極１５ａ〜１５ｄ（外部電極１５ｃが第１の外部電極の一例・外部電極１５ｄが第２の外部電極の一例・外部電極１５ａが第３の外部電極の一例）はそれぞれ、磁性体基板１２ａの表面に設けられ、かつ、中継導体２１，２２，２６，２７と電気的に接続されている。本実施形態では、外部電極１５ａ〜１５ｄはそれぞれ、中継導体２１，２２，２６，２７の下端と接続されている。外部電極１５ａ〜１５ｄはそれぞれ、接続部１６ａ〜１６ｄ及び底面部１７ａ〜１７ｄを含んでいる。
【００４５】
底面部１７ａは、主面Ｓ２において、左後ろ側の角近傍に設けられている長方形状の導体層である。接続部１６ａは、切り欠き部Ｃａの内周面を覆うように設けられることにより、中継導体２１及び底面部１７ａと接続されている。底面部１７ｂは、主面Ｓ２において、左前側の角近傍に設けられている長方形状の導体層である。接続部１６ｂは、切り欠き部Ｃｂの内周面を覆うように設けられることにより、中継導体２１及び底面部１７ｂと接続されている。底面部１７ｃは、主面Ｓ２において、右後ろ側の角近傍に設けられている長方形状の導体層である。接続部１６ｃは、切り欠き部Ｃｃの内周面を覆うように設けられることにより、中継導体２１及び底面部１７ｃと接続されている。底面部１７ｄは、主面Ｓ２において、右前側の角近傍に設けられている長方形状の導体層である。接続部１６ｄは、切り欠き部Ｃｄの内周面を覆うように設けられることにより、中継導体２１及び底面部１７ｄと接続されている。
【００４６】
ここで、コイル導体層２５、中継導体２１，２２，２６，２７及び接続部１６ａ〜１６ｄの位置関係について図面を参照しながら説明する。
【００４７】
図３Ａ及び図３Ｄに示すように、コイル導体層２５と接続部１６ｄとの最短距離Ｄ１は、コイル導体層２５と中継導体２７との最短距離Ｄ２よりも長い。また、図示しないが、コイル導体層２５と接続部１６ａとの最短距離Ｄ１は、コイル導体層２５と中継導体２１との最短距離Ｄ２よりも長い。コイル導体層２５と接続部１６ｂとの最短距離Ｄ１は、コイル導体層２５と中継導体２２との最短距離Ｄ２よりも長い。また、同様に、コイル導体層２５と接続部１６ａ〜１６ｃとの最短距離Ｄ１はそれぞれ、コイル導体層２５と中継導体２１，２２，２６との最短距離Ｄ２よりも長い。
【００４８】
また、接続部１６ａ〜１６ｄ（接続部１６ａ，１６ｂ，１６ｄは図示せず）は、図３Ｂに示すように、上側から見たときに、コイル導体層２０，２５に対して重なっていない。
【００４９】
底面部１７ａ〜１７ｄは、Ａｕ膜、Ｎｉ膜、Ｃｕ膜、Ｔｉ膜がスパッタ法により重ねて形成されることによって作製されている。なお、底面部１７ａ〜１７ｄは、ＡｇやＣu等の金属を含有するペーストが印刷及び焼き付けされて作製されてもよいし、ＡｇやＣｕ等が蒸着やめっき工法によって形成されることによって作製されてもよい。接続部１６ａ〜１６ｄは、Ｃｕを主成分とする導体膜がめっき法により形成されることによって作製されている。なお、接続部１６ａ〜１６ｄは、Ａｇ、Ａｕ等の電気伝導性の高い材料により作製されてもよい。
【００５０】
以上のように構成された電子部品１０の動作について以下に説明する。外部電極１５ａ，１５ｃは、例えば、入力端子として用いられる。外部電極１５ｂ，１５ｄは、例えば、出力端子として用いられる。
【００５１】
外部電極１５ａ，１５ｃにはそれぞれ、位相が１８０度異なる第１の信号及び第２の信号からなる差動伝送信号が入力される。第１の信号及び第２の信号は、デファレンシャルモードであるので、コイルＬ１，Ｌ２を通過する際にコイルＬ１，Ｌ２に互いに逆向きの磁束を発生させる。そして、コイルＬ１で発生した磁束とコイルＬ２で発生した磁束とは互いに打ち消し合う。そのため、コイルＬ１，Ｌ２内では、第１の信号及び第２の信号が流れることによる磁束の増減が殆ど生じない。すなわち、コイルＬ１，Ｌ２は、第１の信号及び第２の信号が流れることを妨げる逆起電力を発生しない。よって、電子部品１０は、第１の信号及び第２の信号に対しては、非常に小さなインピーダンスしか有さない。
【００５２】
一方、第１の信号及び第２の信号にコモンモードノイズが含まれている場合には、コモンモードノイズは、コイルＬ１，Ｌ２を通過する際にコイルＬ１，Ｌ２に同じ向きの磁束を発生させる。そのため、コイルＬ１，Ｌ２内では、コモンモードノイズが流れることによって、磁束が増加する。これにより、コイルＬ１，Ｌ２は、コモンモードノイズが流れることを妨げる逆起電力を発生する。よって、電子部品１０は、第１の信号及び第２の信号に対しては、大きなインピーダンスを有している。
【００５３】
（電子部品の製造方法）
以下に、電子部品１０の製造方法について図面を参照しながら説明する。図４Ａないし図７Ｄは、電子部品１０の製造時における工程断面図である。図８は、貫通孔形成時の工程断面図である。
【００５４】
まず、マザー基板１１２ａ（図４Ａ参照・第１のマザー基板の一例）とマザー基板１１２ｂ（図４Ａ参照）とによりマザー積層体１１４（図４Ａ参照）が挟まれたマザー本体１１０を準備する。マザー基板１１２ａ，１１２ｂはそれぞれ、複数の磁性体基板１２ａ，１２ｂが前後方向及び左右方向にマトリクス状に配列された大判の基板である。マザー積層体１１４は、複数の積層体１４が前後方向及び左右方向にマトリクス状に配列された大判の積層体である。
【００５５】
具体的には、焼成済みのマザー基板１１２ａの主面Ｓ１の全面に感光性樹脂であるポリイミド樹脂を塗布して未硬化の樹脂層を形成する。次に、未硬化の樹脂層に対して露光を行った後に、加熱する。これにより、未硬化の樹脂層が硬化して、絶縁体層１８ｃが主面Ｓ１上に形成される。
【００５６】
次に、絶縁体層１８ｃ上にスパッタ法によりＡｇ膜を形成する。次に、Ａｇ膜におけるコイル導体層２５、中継導体層２１ｂ，２２ｃ，２６ｂ，２７ｃ（中継導体の一部となる第１の中継導体層の一例）及び引き出し導体３４が形成される部分の上にフォトレジストを形成する。そして、エッチング工法により、コイル導体層２５、中継導体層２１ｂ，２２ｃ，２６ｂ，２７ｃ及び引き出し導体３４が形成される部分（すなわち、フォトレジストで覆われている部分）以外のＡｇ膜を除去する。この後、フォトレジストを有機溶剤により除去する。これにより、コイル導体層２５、中継導体層２１ｂ，２２ｃ，２６ｂ，２７ｃ及び引き出し導体３４が絶縁体層１８ｃ上に形成される。
【００５７】
次に、絶縁体層１８ｃの全面に感光性樹脂であるポリイミド樹脂を塗布して未硬化の樹脂層を形成する。絶縁体層１８ｂの切り欠き部ｃ２，ｃ４〜ｃ６及びビアホールＨ３に対応する位置を遮光し、未硬化の樹脂層に対して露光を行う。これにより、遮光されていない部分の未硬化の樹脂層が硬化する。この後、フォトレジストを有機溶剤により除去すると共に、現像を行って、未硬化の樹脂層を除去する。更に、残った樹脂層を加熱することにより、残った樹脂層を熱硬化させる。これにより、絶縁体層１８ｂが形成される。
【００５８】
次に、絶縁体層１８ｂ上にスパッタ法によりＡｇ膜を形成する。次に、Ａｇ膜におけるコイル導体層２０、中継導体層２１ａ，２２ｂ，２６ａ，２７ｂ及び引き出し導体３０，３６ａが形成される部分の上にフォトレジストを形成する。そして、エッチング工法により、コイル導体層２０、中継導体層２１ａ，２２ｂ，２６ａ，２７ｂ及び引き出し導体３０，３６ａが形成される部分（すなわち、フォトレジストで覆われている部分）以外のＡｇ膜を除去する。この後、フォトレジストを有機溶剤により除去することによって、コイル導体層２０、中継導体層２１ａ，２２ｂ，２６ａ，２７ｂ及び引き出し導体３０，３６ａが形成される。
【００５９】
次に、絶縁体層１８ｂの全面に感光性樹脂であるポリイミド樹脂を塗布して未硬化の樹脂層を形成する。絶縁体層１８ａの切り欠き部ｃ１，ｃ３及びビアホールＨ１，Ｈ２に対応する位置を遮光し、未硬化の樹脂層に対して露光を行う。これにより、遮光されていない部分の未硬化の樹脂層が硬化する。この後、フォトレジストを有機溶剤により除去すると共に、現像を行って、未硬化の樹脂層を除去する。更に、残った樹脂層を加熱することにより、残った樹脂層を熱硬化させる。これにより、絶縁体層１８ａが形成される。
【００６０】
次に、絶縁体層１８ａ上にスパッタ法によりＡｇ膜を形成する。次に、Ａｇ膜における中継導体層２２ａ，２７ａ及び引き出し導体３２，３６ｂが形成される部分の上にフォトレジストを形成する。そして、エッチング工法により、中継導体層２２ａ，２７ａ及び引き出し導体３２，３６ｂが形成される部分（すなわち、フォトレジストで覆われている部分）以外のＡｇ膜を除去する。この後、フォトレジストを有機溶剤により除去することによって、中継導体層２２ａ，２７ａ及び引き出し導体３２，３６ｂが形成される。以上の工程により、マザー積層体１１４が完成する。
【００６１】
次に、有機系接着剤層１９によりマザー積層体１１４上にマザー基板１１２ｂを接着する。これにより、図４Ａに示すマザー本体１１０を得る。
【００６２】
次に、図４Ｂに示すように、マザー基板１１２ａの下側の主面を研削又は研磨する。
【００６３】
次に、図４Ｃに示すように、マザー積層体１１４内のコイルＬ１，Ｌ２との位置合わせを行って、マザー基板１１２ａの下側の主面上にフォトレジストＭ１を形成する。フォトレジストＭ１は、切り欠き部Ｃａ〜Ｃｄが形成される領域に開口を有している。
【００６４】
次に、図５Ａに示すように、フォトレジストＭ１を介してサンドブラスト工法によって、マザー基板１１２ａに対して切り欠き部Ｃａ〜Ｃｄが形成されるべき位置に貫通孔を形成する（第３の工程の一例）。貫通孔は、図８に示すように、上側から見たときに、マザー基板１１２ａ及び絶縁体層１８ｃにおける中継導体層２１ｂ，２２ｃ，２６ｂ，２７ｃと重なる部分を貫通している。これにより、中継導体２１，２２，２６，２７のそれぞれにおいて最も下側に位置する中継導体層２１ｂ，２２ｃ，２６ｂ，２７ｃの下側の面の一部が貫通孔（切り欠き部Ｃａ〜Ｃｄ）に露出する。なお、貫通孔は、サンドブラスト工法以外に、レーザ加工法によって形成されてもよいし、サンドブラスト工法及びレーザ加工法の組み合わせによって形成されてもよい。
【００６５】
次に、図５Ｂに示すように、有機溶剤によりフォトレジストＭ１を除去する。
【００６６】
次に、図５Ｃに示すように、マザー本体１１０の下側の主面の全面に対して、Ｔｉ薄膜１５０及びＣｕ薄膜１５２をこの順にスパッタ工法により形成する。
【００６７】
次に、図６Ａに示すように、Ｔｉ薄膜１５０及びＣｕ薄膜１５２を給電膜として用いて、電界めっき法により、Ｃｕめっき膜１５４を形成する。
【００６８】
次に、図６Ｂに示すように、ウェットエッチング、研削、研磨、ＣＭＰ等により、貫通孔以外の部分に形成されているＴｉ薄膜１５０、Ｃｕ薄膜１５２及びＣｕめっき膜１５４を除去する。これにより、マザー本体１１０の下側の主面が平坦化される。図５Ｃないし図６Ｂの工程により、貫通孔の内周面に導体層が形成されることによって、接続部１６ａ〜１６ｄ（すなわち、外部電極１５ａ〜１５ｄの一部）が形成される（第４の工程の一例）。
【００６９】
次に、図６Ｃに示すように、Ｔｉ膜、Ｃｕ膜、Ｎｉ膜及びＡｕ膜が下層から上層へとこの順に積層されてなる導体層１５６をマザー本体１１０の下側の主面の全面にスパッタ工法により形成する。
【００７０】
次に、図６Ｄに示すように、マザー本体１１０の下側の主面上にフォトレジストＭ２を形成する。フォトレジストＭ２は、底面部１７ａ〜１７ｄが形成される部分を覆っている。
【００７１】
次に、図７Ａに示すように、エッチング工法により、フォトレジストＭ２により覆われている部分以外の導体層１５６を除去する。そして、図７Ｂに示すように、フォトレジストＭ２を有機溶剤により除去する。これにより、底面部１７ａ〜１７ｄ（外部電極１５ａ〜１５ｄの一部）が形成される。
【００７２】
次に、図７Ｃに示すように、マザー基板１１２ｂの上側の主面を研削又は研磨する。
【００７３】
次に、図７Ｄに示すように、ダイサーにより、マザー本体１１０（マザー基板１１２ａ）をカットし、複数の電子部品１０を得る（第５の工程の一例）。図７Ｄの工程では、ダイサーを貫通孔内のＴｉ薄膜１５０、Ｃｕ薄膜１５２及びＣｕめっき膜１５４を通過させる。これにより、Ｔｉ薄膜１５０、Ｃｕ薄膜１５２及びＣｕめっき膜１５４が接続部１６ａ〜１６ｄに分割される。この後、電子部品１０に対して、バレル研磨を行って、面取りを施してもよい。また、外部電極１５ａ〜１５ｄの表面には、バレル研磨後に、はんだ濡れ性の向上のために、Ｎｉめっき及びＳｎめっきが施されてもよい。
【００７４】
（効果）
本実施形態に係る電子部品１０によれば、磁性体基板１２ａ上の積層体１４に設けられた中継導体２１，２２，２６，２７が積層体１４から脱落することを抑制できる。以下に、図３Ｂを参照しながら、中継導体２６を例に挙げて説明する。
【００７５】
電子部品５１０では、以下の理由により引き出し部５２１ａ，５２１ｂが積層体５１４から脱落し易い。より詳細には、図１１に示すように、引き出し部５２１ｂは、磁性体基板５１２ａの上面に直接に形成されている。磁性体基板５１２ａは比較的に硬い。そのため、引き出し部５２１ｂの磁性体基板５１２ａに対する密着性は比較的に低い。従って、衝撃が電子部品５１０に加わると、引き出し部５２１ｂと磁性体基板５１２ａとの間に剥離が生じ、引き出し部５２１ａ，５２１ｂが積層体５１４から脱落するおそれがある。
【００７６】
そこで、電子部品１０は、以下の構造を有する。絶縁体層１８ｂは、角Ｃ３が切り欠き部ｃ６により欠損した形状をなしている。中継導体２６は、絶縁体層１８ｂの切り欠き部ｃ６に設けられている。更に、絶縁体層１８ｃは、下側から中継導体層２６ｂに対して接触している。以上の構造を有することにより、中継導体２６の下端が絶縁体層１８ｃと接触するようになる。絶縁体層１８ｃの材料は樹脂である。そのため、絶縁体層１８ｃは、磁性体基板１２ａ，５１２ａに比べて柔らかい。よって、中継導体２６の絶縁体層１８ｃに対する密着性は、引き出し部５２１ｂの磁性体基板５１２ａに対する密着性よりも高い。更に、絶縁体層１８ｃは、柔らかいので、中継導体２６の熱による膨張・収縮や、外部からの衝撃による変形に伴って変形することができる。従って、中継導体２６と絶縁体層１８ｃとの間の剥離は、引き出し部５２１ｂと磁性体基板５１２ａとの間の剥離に比べて発生しにくい。その結果、電子部品１０では、中継導体２６が積層体１４から脱落することが抑制される。
【００７７】
更に、電子部品１０では、コイルＬ１，Ｌ２と中継導体２１，２２，２６，２７との間において断線が発生することが抑制される。以下に、コイルＬ２と中継導体２６との断線を例に挙げて説明する。
【００７８】
電子部品５１０を回路基板に実装する際には、回路基板のランド電極と外部電極５１５ａとがはんだにより固定される。この際、はんだから外部電極５１５ａに応力が加わる。このような応力は、引き出し部５２１ｂと磁性体基板５１２ａとの間に剥離を発生させる原因となる。そして、引き出し部５２１ｂと磁性体基板５１２ａとの間に剥離が発生すると、引き出し部５２１ａ，５２１ｂが積層体５１４に対して動いてしまい、コイルＬ１と引き出し部５２１ａ，５２１ｂとの間において断線が発生するおそれがある。
【００７９】
そこで、電子部品１０では、前記のように、中継導体２６に対して絶縁体層１８ｃが下側から接触している。中継導体２６の絶縁体層１８ｃに対する密着性は比較的に高い。そのため、中継導体２６と絶縁体層１８ｃとの間の剥離が発生しにくい。その結果、中継導体２６が積層体１４において動いてしまい、中継導体２６とコイルＬ２との間において断線が発生することが抑制される。
【００８０】
ここで、図３Ｃに示すように、上側から見たときにおける中継導体層２６ｂの面積を面積Ａ１とする。また、上側から見たときにおける中継導体層２６ｂと絶縁体層１８ｃとが接触している部分の面積を面積Ａ２とする。なお、図３Ｃでは、面積Ａ１，Ａ２はそれぞれ、一点鎖線に囲まれた領域の面積である。ただし、図３では、領域を見やすくするために、一点鎖線を中継導体２６の外縁及び切り欠き部ｃｃの外縁から僅かにずらして記載してある。面積Ａ１に対する面積Ａ２の比の値Ｘは、０．４２以上０．８２以下であることが好ましい。面積Ａ１に対する面積Ａ２の比の値Ｘが上記範囲にあることにより、中継導体層２６ｂと絶縁体層１８ｃとが強固に密着する。以下に、値Ｘの範囲の根拠について説明する。
【００８１】
まず、本発明者は、実施例として実際に電子部品１を製造した。実施例において、中継導体層２６ｂの面積Ａ１と、切り欠き部ｃｃの面積を振ることにより、値Ｘを一定の範囲に設定した。具体的には、まず値Ｘが最も小さい実施例では、面積Ａ１を０．００１５６ｍｍ2とし、切り欠き部ｃｃの面積を、０．０００９０ｍｍ2とした。このとき中継導体層２６ｂと絶縁体層１８ｃとが接触している部分の面積Ａ２は０．０００６６ｍｍ2であり、値Ｘは約０．４２となる。次に、値Ｘが最も大きい実施例では、面積Ａ１を０．００１６９ｍｍ2とし、切り欠き部ｃｃの面積を、０．０００３０ｍｍ2とした。このとき中継導体層２６ｂと絶縁体層１８ｃとが接触している部分の面積Ａ２は０．００１３９ｍｍ2であり、値Ｘは約０．８２以下となる。
【００８２】
これらの実施例においては、製造時のダイシング工程及びスクライブ工程において中継導体２６の脱落は生じなかった。したがって、値Ｘが０．４２以上０．８２以下である場合、製造時における中継導体２６の脱落は発生せず、好ましいことが分かる。
【００８３】
ただし、電子部品１では、前述のように中継導体２６が磁性体基板１２ａと比較して密着性の高い絶縁体層１８ｃと少なくとも接触していれば、中継導体２６の脱落を低減できるため、値Ｘは０．４２以上０．８２以下の範囲外の値であってもよく、特に上限値を超えることを妨げない。同じ理由により、電子部品１０では、中継導体２１，２２，２７が積層体１４から脱落することが抑制される。
【００８４】
また、電子部品１０によれば、以下の理由によっても、磁性体基板１２ａ上の積層体１４に設けられた中継導体２１，２６が積層体１４から脱落することを抑制できる。以下に、図３Ｂを参照しながら、中継導体２６を例に挙げて説明する。
【００８５】
より詳細には、電子部品１０では、絶縁体層１８ａ（第３の絶縁体層の一例）は、上側から中継導体２６に接触している。これにより、中継導体２６との密着性の高い絶縁体層１８ａによって中継導体２６の上端も積層体１４に保持されるようになる。その結果、電子部品１０では、中継導体２６が積層体１４から脱落することが抑制される。同じ理由により、中継導体２１が積層体１４から脱落することが抑制される。
【００８６】
また、電子部品１０によれば、高いインピーダンスを有するコモンモードチョークコイルを得ることができる。より詳細には、電子部品１０では、磁性体基板１２ａは、主面Ｓ１，Ｓ２を接続する４本の稜線が切り欠き部Ｃａ〜Ｃｄにより欠損した形状をなしている。底面部１７ａ〜１７ｄと中継導体２１，２２，２６，２７のそれぞれとを接続する接続部１６ａ〜１６ｄは、切り欠き部Ｃａ〜Ｃｄに設けられている。これにより、接続部１６ａ〜１６ｄは、上側から見たときに、磁性体基板１２ａの中心から最も離れた位置に設けられている。すなわち、接続部１６ａ〜１６ｄは、上側から見たときに、コイルＬ１，Ｌ２から磁性体基板１２ａにおいて最も離れた位置に設けられている。その結果、コイルＬ１，Ｌ２が発生した磁束が接続部１６ａ〜１６ｄによって妨げられることが抑制される。よって、電子部品１０では、高いインピーダンスを有するコモンモードチョークコイルを得ることができる。
【００８７】
また、電子部品１０では、コイル導体層２０，２５は、上側から見たときに、接続部１６ａ〜１６ｄと重なっていない。これにより、コイルＬ１，Ｌ２が発生した磁束の磁路上に接続部１６ａ〜１６ｄが位置することが抑制される。その結果、電子部品１０では、コイルＬ１，Ｌ２のインダクタンス値が大きくなり、コイルＬ１，Ｌ２により構成されるコモンモードチョークコイルのインピーダンスが大きくなる。
【００８８】
また、電子部品１０では、コイル導体層２０，２５は、上側から見たときに、接続部１６ａ〜１６ｄと重なっていない。これにより、コイル導体層２０，２５と接続部１６ａ〜１６ｄとの間に容量が発生することが抑制される。その結果、電子部品１０において、高周波領域におけるノイズの除去性能が向上する。
【００８９】
また、電子部品１０では、コイルＬ１，Ｌ２を内蔵している積層体１４は、磁性体基板１２ａ，１２ｂにより挟まれている。これにより、コイルＬ１，Ｌ２が発生した磁束は、磁性体基板１２ａ，１２ｂを通過するようになる。その結果、コイルＬ１，Ｌ２のインダクタンス値が大きくなり、コイルＬ１，Ｌ２により構成されるコモンモードチョークコイルのインピーダンスが大きくなる。
【００９０】
また、電子部品１０では、コイルＬ１，Ｌ２を内蔵している積層体１４は、磁性体基板１２ａ，１２ｂにより挟まれているので、コイルＬ１，Ｌ２のインダクタンス値が大きくなる。これにより、コイル導体層２０，２５の巻き数が少なくても、コイルＬ１，Ｌ２が十分なインダクタンス値を有するようになる。その結果、コイル導体層２０，２５の小型化が図られ、電子部品１０の小型化が図られる。
【００９１】
また、電子部品１０では、コイルＬ２のインダクタンス値が大きくなり、コイルＬ１，Ｌ２により構成されるコモンモードチョークコイルのインピーダンスが大きくなる。以下に、外部電極１５ｄ及び中継導体２７を例に挙げて説明する。
【００９２】
電子部品１０では、以下に説明するように、コイル導体層２５に発生する寄生容量を低減できる。より詳細には、コイル導体層２５は、中継導体層２１ｂ，２２ｃ，２７ｃ及び接続部１６ａ〜１６ｄと対向する。そのため、コイル導体層２５と中継導体層２１ｂ，２２ｃ，２７ｃ及び接続部１６ａ〜１６ｄとの間において寄生容量が発生する。ただし、コイル導体層２５と中継導体層２１ｂ，２２ｃ，２７ｃとの間に形成される寄生容量は、通常、問題のない大きさとなるように、電子部品１０が設計される。そこで、図３Ａ及び図３Ｄに例示するように、コイル導体層２５と接続部１６ａ〜１６ｄとの最短距離Ｄ１はそれぞれ、コイル導体層２５と中継導体層２１ｂ，２２ｃ，２６ｂ，２７ｃとの最短距離Ｄ２よりも長くなっている。これにより、コイル導体層２５と接続部１６ｃとの間に形成される寄生容量も問題のない大きさになる。その結果、コイル導体層２５に発生する寄生容量を低減できる。
【００９３】
また、電子部品１０では、切り欠き部Ｃａ〜Ｃｄを上側から見たときの面積は、主面Ｓ２から主面Ｓ１に近づくにしたがって小さくなっている。したがって、切り欠き部Ｃａ〜Ｃｄに設けられている接続部１６ａ〜１６ｄが中継導体２１，２２，２６，２７に接触している部分の面積も小さい。よって、中継導体２１，２２，２６，２７の面積を小さくすることが可能である。その結果、コイル導体層２０，２５を形成するための領域を大きくすることができ、電子部品１０を大型化させることなく、コイルＬ１，Ｌ２のインダクタンス値を大きくすることができる。また、上記構成では、中継導体２６と接続部１６ｃとが接触している部分の面積が小さいことから、中継導体２６の面積を大きくすることなく、中継導体２６と絶縁体層１８ｃとが接触する面積を大きくすることができる。その結果、中継導体２６と絶縁体層１８ｃとの密着性をさらに高めることができる。
【００９４】
また、電子部品１０では、切り欠き部Ｃａ〜Ｃｄを形成している面は、図３Ｂに示すように、主面Ｓ２に対して鈍角θをなしている。これにより、切り欠き部Ｃａ〜Ｃｄを形成している面は、コイル導体層２５から遠ざかる形状をなしている。そのため、コイル導体層２５が発生した磁束の磁路上に切り欠き部Ｃａ〜Ｃｄ（すなわち、接続部１６ａ〜１６ｄ）が位置することが抑制される。その結果、電子部品１０では、コイルＬ２のインダクタンス値が大きくなり、コイルＬ１，Ｌ２により構成されるコモンモードチョークコイルのインピーダンスが大きくなる。
【００９５】
また、切り欠き部Ｃａ〜Ｃｄを形成している面が、主面Ｓ２に対して鈍角θをなすことで、形状の不連続性が緩和されることにより、磁性体基板１２ａと底面部１７ａ〜１７ｄ及び接続部１６ａ〜１６ｄと実装に用いられるはんだとの間の熱膨張係数の差によって生じる応力集中が緩和されるようになる。
【００９６】
（電子部品の変形例）
以下に、変形例に係る電子部品１０ａについて図面を参照しながら説明する。図９Ａは、変形例に係る電子部品１０ａの外観斜視図である。図９Ｂは、変形例に係る電子部品１０ａの断面構造図である。
【００９７】
電子部品１０ａは、外部電極１５ａ〜１５ｄの形状において電子部品１０と相違する。以下では、外部電極１５ｃを例に挙げて説明する。外部電極１５ａ，１５ｂ，１５ｄは、外部電極１５ｃと同じ構造であるので説明を省略する。
【００９８】
外部電極１５ｃは、接続部１６ｃ及び底面部１７ｃを含んでいる。電子部品１０ａでは、磁性体基板１２ａには切り欠き部Ｃｃが設けられていない。そして、接続部１６ｃは、磁性体基板１２ａの右後ろ側の稜線を覆うように上下方向に延在している。また、接続部１６ｃの上端は、積層体１４まで到達しており、中継導体２６と接続されている。底面部１７ｃは、主面Ｓ２の右後ろ側の角近傍に設けられており、長方形状をなしている。底面部１７ｃは、接続部１６ｃの下端と接続されている。
【００９９】
以上のように、外部電極１５ｃは、切り欠き部Ｃｃの内周面を覆うように設けられていなくてもよい。
【０１００】
以上のように構成された電子部品１０ａにおいても、電子部品１０と同様に、磁性体基板１２ａ上の積層体１４に設けられた中継導体２１，２２，２６，２７が積層体１４から脱落することを抑制できる。
【０１０１】
（電子部品の製造方法の変形例）
次に、電子部品１０ｂの製造方法の変形例について説明する。電子部品１０では、絶縁体層１８ａ〜１８ｃの材料が絶縁性樹脂を主成分とする材料であったのに対して、電子部品１０ｂでは、絶縁体層１８ａ〜１８ｃの材料がガラスセラミックスを含む材料（ガラスを含む材料の一例）である。特に、電子部品１０ｂでは、絶縁体層１８ａ〜１８ｃの材料がガラスセラミックスを主成分とする材料である。そのため、電子部品１０ｂの製造方法は、マザー積層体１１４の形成工程において、電子部品１０の製造方法と相違する。以下に、かかる相違点（マザー積層体１１４の形成工程）を中心に電子部品１０ｂの製造方法について説明する。
【０１０２】
まず、マザー積層体１１４の形成工程の概要について説明する。まず、マザー基板１１２ａの主面Ｓ１上に、ガラスセラミックスを含む材料により絶縁体層１８ａ〜１８ｃとなるべき複数のペースト層を形成すると共に、コイルＬ１，Ｌ２及び中継導体２１，２２，２６，２７となるべき中継導体層２１ａ，２１ｂ，２２ａ〜２２ｃ，２６ａ，２６ｂ，２７ａ〜２７ｃを交互に形成して未焼成のマザー積層体１１４を形成する（第１の工程の一例）。次に、未焼成のマザー積層体１１４を焼成する（第２の工程の一例）。以上の２つの工程を経て、マザー積層体１１４を形成する。以下に、マザー積層体１１４の形成工程についてより詳細に説明する。
【０１０３】
まず、焼成済みのマザー基板１１２ａの主面Ｓ１の全面に熱硬化性のガラスペーストを塗布して、絶縁体層１８ｃ（第２の絶縁体層の一例）となるべきペースト層（第１のペースト層の一例）を形成する。そして、絶縁体層１８ｃとなるべきペースト層を加熱して乾燥を行う。乾燥時の温度は、例えば、６０℃〜８０℃程度である。乾燥では、絶縁体層１８ｃとなるべきペースト層は、僅かに硬化するが、依然として未硬化のままである。
【０１０４】
次に、絶縁体層１８ｃとなるべきペースト層上にスパッタ法によりＡｇ膜を形成する。次に、Ａｇ膜におけるコイル導体層２５、中継導体層２１ｂ，２２ｃ，２６ｂ，２７ｃ（中継導体の一部となるべき導体層の一例）及び引き出し導体３４が形成される部分の上にフォトレジストを形成する。そして、エッチング工法により、コイル導体層２５、中継導体層２１ｂ，２２ｃ，２６ｂ，２７ｃ及び引き出し導体３４が形成される部分（すなわち、フォトレジストで覆われている部分）以外のＡｇ膜を除去する。この後、フォトレジストを有機溶剤により除去する。これにより、コイル導体層２５、中継導体層２１ｂ，２２ｃ，２６ｂ，２７ｃ及び引き出し導体３４が絶縁体層１８ｃとなるべきペースト層上に形成される。
【０１０５】
次に、絶縁体層１８ｃとなるべきペースト層上にスクリーン印刷により熱硬化性のガラスペーストを塗布して、絶縁体層１８ｂとなるべきペースト層を形成する。スクリーン印刷に用いられるスクリーン版には、切り欠き部ｃ２，ｃ４〜ｃ６及びビアホールＨ３を除く部分に開口が設けられている。これにより、絶縁体層１８ｂとなるべきペースト層には、切り欠き部ｃ２，ｃ４〜ｃ６及びビアホールＨ３が形成される。更に、絶縁体層１８ｂとなるべきペースト層を加熱して乾燥を行う。乾燥時の温度は、例えば、６０℃〜８０℃程度である。乾燥では、絶縁体層１８ｂとなるべきペースト層は、僅かに硬化するが、依然として未硬化のままである。
【０１０６】
次に、絶縁体層１８ｂとなるべきペースト層上にスパッタ法によりＡｇ膜を形成する。次に、Ａｇ膜におけるコイル導体層２０、中継導体層２１ａ，２２ｂ，２６ａ，２７ｂ及び引き出し導体３０，３６ａが形成される部分の上にフォトレジストを形成する。そして、エッチング工法により、コイル導体層２０、中継導体層２１ａ，２２ｂ，２６ａ，２７ｂ及び引き出し導体３０，３６ａが形成される部分（すなわち、フォトレジストで覆われている部分）以外のＡｇ膜を除去する。この後、フォトレジストを有機溶剤により除去することによって、コイル導体層２０、中継導体層２１ａ，２２ｂ，２６ａ，２７ｂ及び引き出し導体３０，３６ａが形成される。
【０１０７】
次に、絶縁体層１８ｂとなるべきペースト層上にスクリーン印刷により熱硬化性のガラスペーストを塗布して、絶縁体層１８ａとなるべきペースト層を形成する。スクリーン印刷に用いられるスクリーン版には、切り欠き部ｃ１，ｃ３及びビアホールＨ１，Ｈ２を除く部分に開口が設けられている。これにより、絶縁体層１８ａとなるべきペースト層には、切り欠き部ｃ１，ｃ３及びビアホールＨ１，Ｈ２が形成される。更に、絶縁体層１８ａとなるべきペースト層を加熱して乾燥を行う。乾燥時の温度は、例えば、６０℃〜８０℃程度である。乾燥では、絶縁体層１８ａとなるべきペースト層は、僅かに硬化するが、依然として未硬化のままである。
【０１０８】
次に、絶縁体層１８ａ上にスパッタ法によりＡｇ膜を形成する。次に、中継導体層２２ａ，２７ａ及び引き出し導体３２，３６ｂが形成される部分の上にフォトレジストを形成する。そして、エッチング工法により、中継導体層２２ａ，２７ａ及び引き出し導体３２，３６ｂが形成される部分（すなわち、フォトレジストで覆われている部分）以外のＡｇ膜を除去する。この後、フォトレジストを有機溶剤により除去することによって、中継導体層２２ａ，２７ａ及び引き出し導体３２，３６ｂが形成される。以上の工程により、未焼成のマザー積層体１１４が完成する。
【０１０９】
次に、未焼成のマザー積層体１１４を焼成する。焼成時の温度は、乾燥時の温度よりも高く、約１０００℃である。これにより、ペースト層が硬化し、焼成済みのマザー積層体１１４が完成する。
【０１１０】
以上のような電子部品１０ｂ及びその製造方法によれば、中継導体２１，２２，２６，２７が積層体１４から脱落することが抑制される。以下に、中継導体２６を例に挙げて説明する。
【０１１１】
絶縁体層１８ｃの材料は、ガラスを含む材料である。ガラスを含む材料からなる絶縁体層１８ｃは、樹脂を含む材料からなる絶縁体層１８ｃに比べて硬い。そのため、仮にガラスを含む材料からなる焼成済みの絶縁体層１８ｃ上に中継導体層２６ｂを形成した場合には、中継導体層２６ｂとガラスを含む材料からなる絶縁体層１８ｃとの密着性は、中継導体層２６ｂと樹脂を含む材料からなる絶縁体層１８ｃとの密着性よりも低い。
【０１１２】
ただし、絶縁体層１８ａ〜１８ｃの材料がガラスを含む材料である場合には、未焼成のマザー積層体１１４を形成した後に、該未焼成のマザー積層体１１４を焼成する工程が必要となる。すなわち、ガラスを含む材料からなる焼成済みの絶縁体層１８ｃ上に中継導体層２６ｂを形成することはない。これにより、中継導体層２６ｂがペースト層と共に焼成される。そのため、中継導体層２６ｂと絶縁体層１８ｃとなるべきペースト層とが強固に密着する。以上の理由により、電子部品１０ｂ及びその製造方法によれば、中継導体２６が積層体１４から脱落することが抑制される。
【０１１３】
なお、絶縁体層１８ａ，１８ｂとなるべきペースト層は、スクリーン印刷により形成されているが、例えば、フォトリソグラフィ工法により形成されてもよい。また、切り欠き部ｃ１〜ｃ６及びビアホールＨ１〜Ｈ３は、例えば、レーザービームを照射することによって形成されてもよい。
【０１１４】
（その他の実施形態）
本発明に係る電子部品及びその製造方法は、前記電子部品１０，１０ａ，１０ｂ及びその製造方法に限らず、その要旨の範囲内において変更可能である。
【０１１５】
電子部品１０，１０ａ，１０ｂ及びその製造方法の構成を任意に組み合わせてもよい。
【０１１６】
なお、電子部品１０，１０ａ，１０ｂにおいて、接続部１６ａ〜１６ｄの内の少なくとも１つが設けられていればよい。
【０１１７】
なお、電子部品１０，１０ａ，１０ｂの製造方法において、コイル導体層２０，２５、引き出し導体３０，３２，３４，３６ａ，３６ｂ及び中継導体層２１ａ，２１ｂ，２２ａ〜２２ｃ，２６ａ，２６ｂ，２７ａ〜２７ｃは、スクリーン印刷や蒸着、めっき等により形成されてもよい。
【０１１８】
なお、磁性体基板１２ａ，１２ｂは、焼成されたセラミック基板であればよい。従って、磁性体基板１２ａ，１２ｂの代わりに、非磁性フェライトを材料とするセラミック基板や、非磁性アルミナを材料とするセラミック基板等が用いられてもよい。
【０１１９】
なお、電子部品１０，１０ａ，１０ｂは、少なくとも１以上のコイルを備えていればよい。従って、電子部品１０，１０ａ，１０ｂは、コモンモードチョークコイルを備えていなくてもよい。また、電子部品１０，１０ａ，１０ｂは、コイルに加えて、コンデンサや抵抗等の他の回路素子を備えていてもよく、これらの回路素子が例えばフィルタ等の回路を構成していてもよい。この場合には、コイルＬ１と中継導体２１，２２との間には、コイルＬ１以外の回路素子が存在することになる。従って、コイルＬ１と中継導体２１，２２とは、電気的に接続されていればよく、物理的に直接に接続されている必要はない。
【０１２０】
なお、電子部品１０，１０ａ，１０ｂにおいて、中継導体２１，２２，２６，２７の上端は、磁性体基板１２ｂに直接に接触していてもよい。
【０１２１】
なお、中継導体層２１ａ，２１ｂ，２２ａ〜２２ｃ，２６ａ，２６ｂ，２７ａ〜２７ｃは、上側から見たときに、直角二等辺三角形状をなしているが、長方形状等のその他の形状であってもよい。
【０１２２】
なお、有機系接着剤層１９が設けられていなくてもよい。
【０１２３】
なお、コイルＬ１，Ｌ２は、積層体１４内に設けられているとしているが、積層体１４に設けられていればよい。従って、コイルＬ１，Ｌ２の一部は、積層体１４の表面上に設けられていたり、積層体１４から外部に露出したりしてもよい。
【０１２４】
積層体１４の総数は、３層に限らない。また、コイル導体層２０，２５の数も２層に限らない。更に、外部電極１５ａ〜１５ｄの数も４つに限らず、例えば、２つであってもよい。
【０１２５】
なお、４つの中継導体２１，２２，２６，２７が設けられているが、中継導体２１，２２，２６，２７の数も４つに限らず、中継導体２１，２２，２６，２７の内の少なくともいずれか１つ設けられていればよい。この場合、中継導体２１，２２，２６，２７の内の少なくともいずれか１つが第１の中継導体の一例となる。
【０１２６】
また、絶縁体層１８ｃは、中継導体２１，２２，２６，２７の全てに対して下側から接触しているが、中継導体２１，２２，２６，２７の内の少なくとも１つに下側から接触していればよい。
【産業上の利用可能性】
【０１２７】
以上のように、本発明は、電子部品及びその製造方法に有用であり、特に、セラミック基板上の積層体に設けられた中継導体が積層体から脱落することを抑制できる点において優れている。
【符号の説明】
【０１２８】
１０，１０ａ，１０ｂ：電子部品
１２ａ，１２ｂ：磁性体基板
１４：積層体
１５ａ〜１５ｄ：外部電極
１８ａ〜１８ｃ：絶縁体層
１９：有機系接着剤層
２０，２５：コイル導体層
２１，２２，２６，２７：中継導体
２１ａ，２１ｂ，２２ａ〜２２ｃ，２６ａ，２６ｂ，２７ａ〜２７ｃ：中継導体層
１１０：マザー本体
１１２ａ，１１２ｂ：マザー基板
１１４：マザー積層体
Ｃ１〜Ｃ４：角
Ｃａ〜Ｃｄ，ｃ１〜ｃ６，ｃａ〜ｃｄ：切り欠き部
Ｌ１，Ｌ２：コイル
Ｓ１，Ｓ２：主面
【図１】
0006459946.tif 000002
【図２】
0006459946.tif 000003
【図３Ａ】
0006459946.tif 000004
【図３Ｂ】
0006459946.tif 000005
【図３Ｃ】
0006459946.tif 000006
【図３Ｄ】
0006459946.tif 000007
【図４Ａ】
0006459946.tif 000008
【図４Ｂ】
0006459946.tif 000009
【図４Ｃ】
0006459946.tif 000010
【図５Ａ】
0006459946.tif 000011
【図５Ｂ】
0006459946.tif 000012
【図５Ｃ】
0006459946.tif 000013
【図６Ａ】
0006459946.tif 000014
【図６Ｂ】
0006459946.tif 000015
【図６Ｃ】
0006459946.tif 000016
【図６Ｄ】
0006459946.tif 000017
【図７Ａ】
0006459946.tif 000018
【図７Ｂ】
0006459946.tif 000019
【図７Ｃ】
0006459946.tif 000020
【図７Ｄ】
0006459946.tif 000021
【図８】
0006459946.tif 000022
【図９Ａ】
0006459946.tif 000023
【図９Ｂ】
0006459946.tif 000024
【図１０Ａ】
0006459946.tif 000025
【図１０Ｂ】
0006459946.tif 000026