【事件の表示】
　特許第３２５５０３７号「被覆フィルム」の請求項１ないし５に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第３２５５０３７号の請求項１ないし５に係る特許を維持する。
【理　由】
１．本件発明
　特許第３２５５０３７号（平成８年９月１１日出願、平成１３年１１月３０日設定登録）の請求項１〜５に係る発明（以下、それぞれ「本件発明１〜５」という。）は、その特許請求の範囲の請求項１〜５に記載された事項により特定される次のとおりのものである。
　　
【請求項１】高分子フィルムからなる基材と、この基材の少なくとも片面に気相成長法により成膜された金属若しくは金属酸化物からなる被覆層とで構成された被覆フィルムにおいて、上記基材、基材と接着性を有する非晶質で緻密なセラミック層、被覆層が順次積層されたことを特徴とするであって、該セラミック層が、密度が２．１５（ｇ／ｃｍ3）以上２．２（ｇ／ｃｍ3 ）以下の非晶質で緻密な層であって、平均膜厚が２０（ｎｍ）〜６０（ｎｍ）の酸化珪素層であることを特徴とする被覆フィルム。
【請求項２】高分子フィルムからなる基材と、この基材の少なくとも片面に気相成長法により成膜された金属若しくは金属酸化物からなる被覆層とで構成された被覆フィルムにおいて、上記基材、基材と接着性を有する非晶質で緻密なセラミック層、被覆層、熱接着性樹脂が順次積層されたことを特徴とするであって、該セラミック層が、密度が２．１５（ｇ／ｃｍ3 ）以上２．２（ｇ／ｃｍ3 ）以下の非晶質で緻密な層であって、平均膜厚が２０（ｎｍ）〜６０（ｎｍ）の酸化珪素層であることを特徴とする被覆フィルム。
【請求項３】被覆層が、密度２．１５（ｇ／ｃｍ3 ）未満の酸化珪素であることを特徴とする請求項１または２に記載の被覆フィルム。
【請求項４】被覆層が、マグネシウム酸化物、アルミニウム酸化物の何れか叉は混合または多層であることを特徴とする請求項１または２の被覆フィルム。
【請求項５】被覆層がアルミニウムである請求項１〜３のいずれか１項に記載の被覆フィルム。
　
（なお、密度の単位については、特許査定時の明細書には「ｇ／ｃｍ3」と記載されているが、出願当初の明細書には「ｇ／ｃｍ3」と記載されており、また、一般に密度の単位としては「ｇ／ｃｍ3」を使用し、「ｇ／ｃｍ3」は実在しないことから、「ｇ／ｃｍ3」は「ｇ／ｃｍ3」の誤記であると認定した。）
　
２．特許異議申立ての理由の概要
　本件特許について、特許異議申立人高塚ちはる（以下、異議申立人Ａという。）及び同株式会社ディスク（以下、異議申立人Ｂという。）より、それぞれ、概略次のような特許異議の申立てがなされている。
　
（１）異議申立人Ａの主張
　異議申立人Ａは、下記に示す甲第１〜３号証を提示し、本件発明１〜５は、甲第１〜３号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない旨主張している。
　　　　　　　　　　　　　　記　　　　　　
甲第１号証：特開平６−９９５３６号公報
甲第２号証：特開平８−４８３６９号公報
甲第３号証：特公平７−９８８７２号公報
　　
（２）異議申立人Ｂの主張
　異議申立人Ｂは、下記に示す甲第１〜６号証を提示し、本件発明１〜５は、甲第１〜６号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから、本件発明１〜５に係る特許を取り消すべき旨主張している。
                          　　　　　　　　　　　　　　記
甲第１号証：特開平７−２０７４３１号公報
甲第２号証：特開平１−２２２９４０号公報
甲第３号証：特開平１−２７８５７４号公報
甲第４号証：新素材ハンドブック編集委員会編「新素材ハンドブック」丸善株式会社、昭和６３年１月３０日、ｐ．１０５
甲第５号証：化学大辞典編集委員会編「化学大辞典　２」共立出版株式会社、１９８７年２月１５日、ｐ．５１６−５１７
甲第６号証：特開平５−１８６６２２号公報
　
３．甲各号証に記載の事項
（１）異議申立人Ａが提示した甲各号証に記載の事項
　
　甲第１号証
ア．「【請求項１】 透明高分子フィルム基材に対して、酸化珪素の層と透明導電層とが積層されるものであって、該酸化珪素層が少なくとも有機珪素化合物ガスと酸素とを用いた減圧プラズマ化学気相蒸着法で形成せしめたものである高ガスバリヤー性透明導電性積層体。」（請求項１）
イ．「酸化珪素のような無機物を真空蒸着するものに関しては、・・・透明性が低下する。・・・充分なガスバリヤー性が得られない。・・・基材との密着性が低下する上に、脆くなり、可撓性がなくなり加工時にクラックが入りやすくなる、等である。
本発明者らは、かかる問題を解決するために、鋭意研究を重ねた結果、高分子基材との密着性に優れたガスバリヤー層を有する透明導電性積層体を見いだし、本発明に到達した。」（段落【０００３】）
ウ．「酸化珪素の層の厚みについては特に限定するものではないが、透明性を損ねない範囲で、かつガスバリヤー性を保ち、高分子基材との密着性を確保できる厚さであれば良い。具体的には、２０ｎｍ以上５５０ｎｍ以下・・・２０ｎｍ以上３００ｎｍ以下がより好ましい。」（段落【０００９】）
エ．「本発明で使用する透明導電膜としては、
１）金、銀・・・等の単金属または合金薄膜層
２）酸化錫、酸化インジュウム・・・等化合物半導体
３）上記１）および２）を組み合わせた積層膜
等の公知のものが適用可能である。上記の透明導電膜は、物理蒸着法、または、湿式の成膜法により作成することができる。物理蒸着法として、真空蒸着法・・・等を用いることができる。」（段落【００１０】）
オ．「実施例１〜７
厚さ５０μｍの・・・フィルム上に、有機珪素化合物ガスとして４０℃で気化させたテトラメチルジシロキサン（以下ＴＭＤＳＯと略記）を用い、ＴＭＤＳＯ／酸素＝０．５の流量比で真空容器内に導入し、・・・真空度を維持しながら、・・・プラズマ放電をおこし、減圧プラズマ化学気相蒸着法により膜厚の異なる酸化珪素の層を作成した。さらに、一部の試料では酸化インジュムに・・・酸化錫が含有したターゲットを用いたスパッタ法により・・・明導電層を作成した。」（段落【００１６】及び表１参照）
　
　甲第２号証
カ．「【請求項１】透明高分子からなる基材の少なくとも片面に、無機化合物からなる透明ガスバリア層を有する透明ガスバリア材において、透明ガスバリア層が酸化珪素単独からなる第一層と炭素を含む酸化珪素からなる第二層を順次形成した積層構成であることを特徴とする透明ガスバリア材。
・・・
【請求項３】前記第一層が、有機珪素化合物ガスまたはシラン（ＳｉＨ４ ）ガスおよび酸素ガスを主原料ガスとして、プラズマ活性化化学反応蒸着（以下、ＰＥＣＶＤと略す）によって形成された二酸化珪素（ＳｉＯ２ ）層であることを特徴とする請求項１記載の透明ガスバリア材。」（請求項１、３）
キ．「なお、この硅素酸化物層の最適な厚さは原料ガスの種類によって異なるが、一般には５〜１００ｎｍである。」（段落【００２７】）
ク．「【実施例】
〔具体例１〕基材の透明高分子として、厚さ１２μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムを使用し、まずその片面にＴＭＤＳＯ、Ｏ２、およびＨｅの混合ガスを原料として・・・ＲＦプラズマによるＰＥＣＶＤによって約２０ｎｍのＳｉＯ２からなる第一層を形成した。次いでその上にＴＭＤＳＯの量を２倍にし、同様の条件によって約５０ｎｍの第二層を設け、透明ガスバリア材を得た。
・・・上記透明ガスバリア材最外層の第２層上に・・・厚さ６０μｍの無延伸ポリプロピレン（ＣＰＰ）をドライラミネートした積層フィルムについて、・・・ラミネート強度を測定することによって評価した。」（段落【００３９】〜段落【００４１】）
　
　甲第３号証
ケ．「【請求項１】 プラスチックフィルムの少なくとも片面に酸化硅素系薄膜が形成されたガスバリアフィルムにおいて、該薄膜の比重が１．８０〜２．２０であることを特徴とする酸化硅素系薄膜積層ガスバリアフィルム。」（請求項１）
コ．「ガスバリア性及び可尭性の点からは、５０〜８０００Åが好ましい。かかる酸化硅素系薄膜の作成には、真空蒸着法、スパッター法・・・（物理蒸着法）、あるいは、ＣＶＤ法（化学蒸着法）などが適宜用いられる。例えば、真空蒸着法においては、蒸着源材料としてＳｉＯやＳｉとＳｉＯ２の混合物等が用いられ、・・・また、反応性ガスとして、酸素・・・等を導入したり、オゾン添加、イオンアシスト等の手段を用いた反応性蒸着を用いてもよい。」（段落【０００８】）
サ．段落【００２１】〜段落【００２５】の表１〜表５には、酸化硅素系薄膜の比重、膜圧、酸素バリア性等の関係について表示されている。
　
（２）異議申立人Ｂが提示した甲各号証に記載の事項
　
　甲第１号証
シ．「【請求項１】二軸延伸ポリエステルフィルムの少なくとも片面に、化学式がＭ（ＯＲ）ｎ（Ｍは金属元素，ＲはＣ１〜Ｃ８のアルキル基，ｎは１〜４の整数）で表示されるアルコキシドの塗布層を形成したことを特徴とする蒸着基材用ポリエステルフィルム。
【請求項２】請求項１に記載のアルコキシドの金属元素が、アルミニウム（Ａｌ）又はケイ素（Ｓｉ）であること特徴とする蒸着基材用ポリエステルフィルム。
【請求項３】請求項１又は請求項２に記載の蒸着基材用ポリエステルフィルムのアルコキシド塗布層面に、金属又は金属化合物の薄膜層を積層したことを特徴とするバリヤ性積層体。
【請求項５】請求項３に記載のバリヤ性積層体の金属又は金属化合物の薄膜層面に、接着剤層と熱接着性樹脂層とを順次に積層したことを特徴とするバリヤ性積層体。」（請求項１、２、３、５）
ス．「本発明は、上述の従来のポリエステルフィルム表面と蒸着薄膜との密着性や蒸着薄膜の亀裂やピンホールなどの発生によるバリヤ性を損なう問題を解決したもので、金属や金属酸化物の蒸着薄膜と密着が良好な蒸着基材用ポリエステルフィルム、酸素や水蒸気などに対してバリヤ性が良好な包装材料として使用するバリヤ性積層体及びこれらの製造方法を提供するものである。」（段落【０００７】）
セ．「本発明においては、アルコキシドの水系溶液（・・・アルコキシドの加水分解物や熱分解物も含む）の塗布は、結晶配向が完了する前のポリエステルフィルム表面に行うものであり、これによって、二軸延伸し熱固定された結晶配向を完了したポリエステルフィルムに、・・・フィルムとアルコキシド塗布層との界面間に強い密着性が発生し、・・・金属や金属化合物の蒸着薄膜層との強い密着性も発現する。・・・乾燥したアルコキシド塗布層の厚みは、約０．０１〜１００μｍの範囲であれば良いが、反応速度や乾燥速度を短縮するために、好ましくは、０．０１〜５０μｍである。」（段落【００２０】）
ソ．「本発明の金属又は金属化合物の薄膜形成方法は、・・・真空蒸着やイオンプレーティングが好ましい。加熱方法としては、抵抗加熱、ＥＢ加熱、高周波誘導加熱などを用いることができる。蒸着材料は、・・・例えば、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、酸化ケイ素（ＳｉＯ）、・・・などを用いることができる。」（段落【００２２】）
　
　甲第２号証
タ．「１．耐熱性プラスチックフィルム、その上に形成されたセラミック薄膜および該セラミック薄膜上に形成された金属酸化物層から成るプラスチックフィルム−金属酸化物積層体。
２．セラミックスが、ＳｉＯ２、・・・から選ばれた少なくとも１種の酸化物である特許請求の範囲第１項記載の積層体。」（請求項１、２）
チ．「中間層を形成するセラミックスとしては、・・・たとえば、ＳｉＯ２・・・などを挙げることができるが、これらに限定されるものではない。・・・このようなセラミック薄膜は、既知の方法、たとえばゾルゲル法などにより容易にプラスチックフィルム上に形成することができる。」（第２頁右下欄１〜１３行）
　
　甲第３号証
ツ．「（１）シリコンアルコキシド、アルコール、および酸を用いてＰＨ値４以下に調整した水を、所望の比率で混合することにより加水分解反応させた液に未硬化ウレタン系樹脂組成物を１〜９０重量％添加してなるコーティング剤を任意の基材にコーティングし、熱処理することを特徴とするコーティング層の形成方法。
（２）熱処理が、３０〜１７０℃の温度範囲および５分〜４時間の時間範囲で行われる請求項（１）に記載のコーティング層の形成方法。
（３）シリコンアルコキシド、アルコール、および酸を用いてＰＨ値を４以下に調整した水を、所望の比率で混合することにより加水分解反応させた液に未硬化ウレタン系樹脂組成物を１〜９０重量％添加してなるコーティング剤。」（請求項１〜３）
テ．「金属アルコキシドは一般式Ｍ（ＯＲ）ｎ・・・で表わされ、加水分解により水酸化物となり、脱水して酸化物になるものである。この反応は・・・緻密なコーティング層となり、このコーティング層は、加熱により金属酸化物となる。この方法はゾル−ゲル法と呼ばれる。
このゾル−ゲル法は金属酸化物をそのアルコキシドから得る段階で高温成型する必要がないことが大きな利点である。」（第１頁右下欄９行〜第２頁左上欄５行）
ト．「本発明のコーティング層の形成方法およびそのコーティング剤は、以上のようなものであり、本発明によれば、得られるコーティング層は、・・・遮断性に優れ、ウレタン系樹脂の混合により接着剤としての機能も有し、例えば合成樹脂フィルムや無機質板への親和性もあり、塗布が支障なく行なえる。
　また、セラミック系のコーティング保護膜の形成手段としては、蒸着法、スパッタ法に比べて大規模な設備を必要とせず、大量生産向きである。」（第３頁左下欄３〜１２行）
　
　甲第４号証
ナ．「ガラスを製造するには、一般に原料を溶解しこれを冷却してガラスとしている。組成によっては、冷却時に結晶化してガラスが得られない場合もある。これを解決する一つの方法としてゾル−ゲル法と呼ばれる手法がある。これは金属アルコキシドを常温で加水分解してゾルを作り、この反応を進めてゲル化したのち、低温で焼成して連続透明のガラスを得る方法である。」（第１０５頁左欄下１４〜下８行）
　
　甲第５号証
ニ．甲第５号証のガラスの項には、ガラスが非晶質の固体物質であることが記載されている。（第５１６頁）
　
　甲第６号証
ヌ．「【請求項１】 プラスチックフィルムの少なくとも片面に酸化硅素系薄膜が形成されたガスバリアフィルムにおいて、該薄膜の比重が１．８０〜２．２０であることを特徴とする酸化硅素系薄膜積層ガスバリアフィルム。」（請求項１）
ネ．「ガスバリア性及び可尭性の点からは、５０〜８０００Åが好ましい。かかる酸化硅素系薄膜の作成には、真空蒸着法、スパッター法・・・（物理蒸着法）、あるいは、ＣＶＤ法（化学蒸着法）などが適宜用いられる。例えば、真空蒸着法においては、蒸着源材料としてＳｉＯやＳｉとＳｉＯ２の混合物等が用いられ、・・・また、反応性ガスとして、酸素・・・等を導入したり、オゾン添加、イオンアシスト等の手段を用いた反応性蒸着を用いてもよい。」（段落【０００８】）
ノ．「このようにして得られた該薄膜の比重の値が１．８０よりも小さい場合、・・・充分なガスバリア性が得られない。また、該薄膜の比重が２．２０よりも大きい以上の場合、・・・ガスバリアフィルムとしての使用に適していない。以上の理由からガスバリアフィルムとして好ましい酸化硅素系薄膜の比重は、１．８０〜２．２０であり、さらに好ましくは１．９０〜２．１５である。」（段落【００１０】）
ハ．「プラスチックフィルムの少なくとも片面に酸化硅素系薄膜が形成されたガスバリアフィルムにおいて、該薄膜の比重を１．８０〜２．２０とするによって、ガスバリア性に優れ、また耐レトルト性、耐ゲルボ性（耐屈曲性）の良好であり包装用、工業用などの実用上極めて有効な酸化珪素系ガスバリアフィルムを提供できる。」（段落【００２０】）
ヒ．段落【００２１】〜段落【００２５】の表１〜表５には、酸化硅素系薄膜の比重、膜圧、酸素バリア性等の関係について表示されている。
　
４．当審の判断
（１）異議申立人Ａの主張について
（１−１）本件発明１について
　甲第１号証には、上記アの記載より、透明高分子フィルム基材に対して、酸化珪素の層と透明導電層とが積層された高ガスバリヤー性透明導電性積層体が記載され、上記エの記載より、透明導電層を形成する透明導電膜としては、金属又は金属酸化物を真空蒸着法、スパッタリング法等により作成することが記載されていると認められる。
　そして、本件発明１（前者）と甲第１号証に記載された発明（後者）とを対比すると、後者における「真空蒸着法、スパッタリング法」、「透明導電層」は、前者における「気相成長法」、「被覆層」にそれぞれ相当し、また、後者の「酸化珪素の層」は、有機珪素化合物ガスと酸素とを用いた減圧プラズマ化学気相蒸着法で形成する（上記ア、オ）ものであることから、前者の「セラミック層」に相当すると認められる。したがって、両者は、
「高分子フィルムからなる基材と、この基材の少なくとも片面に気相成長法により成膜された金属若しくは金属酸化物からなる被覆層とで構成された被覆フィルムにおいて、上記基材、基材と接着性を有するセラミック層、被覆層が順次積層され、該セラミック層が、酸化珪素層であることを特徴とする被覆フィルム。」である点で一致するものの、次の点で相違しているものと認められる。
（相違点１）前者において、「セラミック層」は非晶質で緻密なセラミック層であるのに対し、後者において、「セラミック層」がこのような物性を有しているか否か不明な点。
（相違点２）前者の「セラミック層」は、密度が２．１５（ｇ／ｃｍ3 ）以上２．２（ｇ／ｃｍ3 ）以下であって、平均膜厚が２０（ｎｍ）〜６０（ｎｍ）であるのに対し、後者の「セラミック層」は、このような密度と平均膜厚との関係について規定されてない点。
　そこで、これら相違点について検討する。
　まず相違点２について検討すると、甲第１号証には、セラミック層を構成する酸化珪素層の厚みについて、２０ｎｍ以上３００ｎｍ以下がより好ましい（上記ウ）旨の記載は認められるが、酸化珪素層の密度に関しては何ら記載も示唆もされておらず、密度が２．１５（ｇ／ｃｍ3 ）以上２．２（ｇ／ｃｍ3 ）以下で、平均膜厚が２０（ｎｍ）〜６０（ｎｍ）という特定の密度と平均膜厚との関係を示唆するものはない。
　一方、甲第３号証には、この点について、プラスチックフィルムの少なくとも片面に酸化硅素系薄膜が形成されたガスバリアフィルムにおいて、該薄膜の比重を１．８０〜２．２０にして（上記ケ）十分なガスバリア性を得ることが記載されているが、膜厚については５０〜８０００Å（５〜８００ｎｍ）が好ましい（上記コ）と記載するのみであり、平均膜厚を２０（ｎｍ）〜６０（ｎｍ）という特定の膜厚にしたときの、密度を２．１５（ｇ／ｃｍ3 ）以上２．２（ｇ／ｃｍ3 ）以下という特定の密度にすることは全く認識されておらず、示唆されているとはいえない。また、このことは、甲第３号証の実施例・比較例における、比重と膜厚との関係を規定した表１〜表５（上記サ）において、比重が２．１５（ｇ／ｃｍ3 ）以上２．２（ｇ／ｃｍ3 ）以下の酸化硅素系薄膜の膜厚がいずれも２０００Å（２００ｎｍ）以上であり、この相違点に係る特定の密度と膜厚との関係を満たすものがないことからも、このような技術思想について示唆されていないことは明らかである。
　そして、甲第１号証及び甲第３号証、更には甲第２号証を総合的に組み合わせても、この相違点に係る構成を当業者が容易に想到することができたものとすることはできない。
　これに対して、本件発明１は、この点により本件特許明細書に記載するような作用効果を奏するものである。
　したがって、相違点１について検討するまでもなく、本件発明１は、甲第１〜３号証に記載の発明に基づいて当業者が容易になし得たものとすることができない。
　
（１−２）本件発明２について
　甲第２号証には、透明高分子からなる基材の少なくとも片面に、無機化合物からなる透明ガスバリア層を有する透明ガスバリア材において、透明ガスバリア層が酸化珪素単独からなる第一層と炭素を含む酸化珪素からなる第二層を順次形成した透明ガスバリア材であり、前記第一層が、有機珪素化合物ガスまたはシラン（ＳｉＨ４ ）ガスおよび酸素ガスを主原料ガスとして、プラズマ活性化化学反応蒸着（以下、ＰＥＣＶＤと略す）によって形成された二酸化珪素（ＳｉＯ２ ）層であること（上記カ）が記載され、透明高分子からなる基材としてポリエチレンテレフタレートフィルムを使用すること、第一層と第二層は同様の条件により形成すること、また、透明ガスバリア材最外層の第２層上に無延伸ポリプロピレンをドライラミネートすること（上記ク）が記載され、第一層の厚みは５〜１００ｎｍが好ましく、実施例では２０ｎｍの第一層を形成すること（上記キ、ク）が記載されているものと認められる。
　そして、本件発明２（前者）と甲第２号証に記載された発明（後者）とを対比すると、後者における「プラズマ活性化化学反応蒸着」は、前者における「気相成長法」に相当することから、後者のプラズマ活性化化学反応蒸着によって形成された「炭素を含む酸化硅素からなる第二層」は、前者の「金属若しくは金属酸化物からなる被覆層」に相当し、後者における「酸化珪素単独からなる第一層」は、有機珪素化合物ガスまたはシランガスおよび酸素ガスを主原料ガスとして、プラズマ活性化化学反応蒸着によって形成されたものであるから、前者における「セラミック層」に相当するものと認められる。また、後者の「無延伸ポリプロピレン」は、前者の「熱接着性樹脂」であるから、両者は、
「高分子フィルムからなる基材と、この基材の少なくとも片面に気相成長法により成膜された金属若しくは金属酸化物からなる被覆層とで構成された被覆フィルムにおいて、上記基材、基材と接着性を有するセラミック層、被覆層、熱接着性樹脂が順次積層され、該セラミック層が、平均膜厚が２０（ｎｍ）〜６０（ｎｍ）の酸化珪素層であることを特徴とする被覆フィルム。」である点で一致するものの、次の点で相違しているものと認められる。
（相違点１）前者において、「セラミック層」は非晶質で緻密なセラミック層であるのに対し、後者において、「セラミック層」がこのような物性を有しているか否か不明な点。
（相違点２）前者の「セラミック層」は、密度が２．１５（ｇ／ｃｍ3 ）以上２．２（ｇ／ｃｍ3 ）以下であるのに対し、後者の「セラミック層」は、このような密度について規定されてない点。
　そこで、これら相違点について検討する。
　まず相違点２について検討すると、甲第２号証には、セラミック層を構成する酸化珪素層の密度に関しては何ら記載も示唆もされておらず、密度が２．１５（ｇ／ｃｍ3 ）以上２．２（ｇ／ｃｍ3 ）以下という特定の密度にすることを示唆するものはない。
　一方、甲第３号証には、この点について、プラスチックフィルムの少なくとも片面に酸化硅素系薄膜が形成されたガスバリアフィルムにおいて、該薄膜の比重を１．８０〜２．２０にして（上記ケ）十分なガスバリア性を得ることが記載されているが、膜厚については５０〜８０００Å（５〜８００ｎｍ）が好ましい（上記コ）と記載するのみであり、平均膜厚を２０（ｎｍ）〜６０（ｎｍ）という特定の膜厚にしたときにおいて、密度を２．１５（ｇ／ｃｍ3 ）以上２．２（ｇ／ｃｍ3 ）以下という特定の密度にすることは全く認識されておらず、示唆されているとはいえない。また、このことは、甲第３号証の実施例・比較例における、比重と膜厚との関係を規定した表１〜表５（上記サ）において、比重が２．１５（ｇ／ｃｍ3 ）以上２．２（ｇ／ｃｍ3 ）以下の酸化硅素系薄膜の膜厚がいずれも２０００Å（２００ｎｍ）以上であり、この相違点に係る特定の密度と膜厚との関係を満たすものがないことからも、このような技術思想について示唆されていないことは明らかである。
　そして、甲第１号証をみても、また、甲第１号証〜３号証を総合的に組み合わせても、この相違点に係る構成を当業者が容易に想到することができたものとすることはできない。
　これに対して、本件発明２は、この点により本件特許明細書に記載するような作用効果を奏するものである。
　したがって、相違点１について検討するまでもなく、本件発明２は、甲第１〜３号証に記載の発明に基づいて当業者が容易になし得たものとすることができない。
　
（１−３）本件発明３〜５について
　本件発明３〜５は、本件発明１又は２を直接的又は間接的に引用し、本件発明１又は２をさらに技術的に限定したものであるから、前記本件発明１又は２について述べたと同様の理由により、甲第１〜３号証記載の発明から当業者が容易になし得た発明であるとはいえない。
　
（２）異議申立人Ｂの主張について
（２−１）本件発明１について
　甲第１号証には、二軸延伸ポリエステルフィルムの少なくとも片面に、ケイ素アルコキシド塗布層、金属又は金属化合物の薄膜層を形成したバリヤ性積層体（上記シ）が記載され、金属又は金属化合物の薄膜形成方法は、真空蒸着やイオンプレーティングが好ましい（上記ソ）こと、アルコキシド塗布層は乾燥したものであり、乾燥厚みは０．０１〜５０μｍが好ましい（上記セ）ことが記載されていると認められる。
　そして、本件発明１（前者）と甲第１号証に記載された発明（後者）とを対比すると、後者における「真空蒸着やイオンプレーティング」は、前者における「気相成長法」に相当し、これにより成膜された後者の「金属又は金属化合物の薄膜層」は、前者の「金属若しくは金属酸化物からなる被覆層」に相当すると認められる。また、後者における「ケイ素アルコキシド塗布層」は、乾燥したものであり、加水分解物や熱分解物も含む（上記セ）ことから、これは一般技術常識からして、前者における、酸化珪素層である「セラミック層」に相当することは明らかである。したがって、両者は、
「高分子フィルムからなる基材と、この基材の少なくとも片面に気相成長法により成膜された金属若しくは金属酸化物からなる被覆層とで構成された被覆フィルムにおいて、上記基材、基材と接着性を有するセラミック層、被覆層が順次積層され該セラミック層が、酸化珪素層であることを特徴とする被覆フィルム。」である点で一致するものの、次の点で相違しているものと認められる。
（相違点１）前者において、「セラミック層」は非晶質で緻密なセラミック層であるのに対し、後者において、「セラミック層」がこのような物性を有しているか否か不明な点。
（相違点２）前者の「セラミック層」は、密度が２．１５（ｇ／ｃｍ3 ）以上２．２（ｇ／ｃｍ3 ）以下であって、平均膜厚が２０（ｎｍ）〜６０（ｎｍ）であるのに対し、後者の「セラミック層」は、このような密度と平均膜厚との関係について規定されてない点。
　そこで、これら相違点について検討する。
　まず相違点２について検討すると、甲第１号証には、酸化珪素のセラミック層を構成するアルコキシド塗布層の厚みについて、０．０１〜５０μｍが好ましい（上記セ）旨の記載は認められるが、酸化珪素層の密度に関しては何ら記載も示唆もされておらず、密度が２．１５（ｇ／ｃｍ3 ）以上２．２（ｇ／ｃｍ3 ）以下で、平均膜厚が２０（ｎｍ）〜６０（ｎｍ）という特定の密度と平均膜厚との関係を示唆するものはない。
　一方、甲第６号証には、この点について、プラスチックフィルムの少なくとも片面に酸化硅素系薄膜が形成されたガスバリアフィルムにおいて、該薄膜の比重を１．８０〜２．２０にして（上記ヌ）十分なガスバリア性を得ることが記載されているが、膜厚については５０〜８０００Å（５〜８００ｎｍ）が好ましい（上記ネ）と記載するのみであり、平均膜厚を２０（ｎｍ）〜６０（ｎｍ）という特定の膜厚にしたときにおいて、密度を２．１５（ｇ／ｃｍ3 ）以上２．２（ｇ／ｃｍ3 ）以下という特定の密度にすることは
全く認識されておらず、示唆されているとはいえない。また、このことは、甲第６号証の実施例・比較例における、比重と膜厚との関係を規定した表１〜表５（上記ヒ）において、比重が２．１５（ｇ／ｃｍ3 ）以上２．２（
ｇ／ｃｍ3 ）以下の酸化硅素系薄膜の膜厚がいずれも２０００Å（２００ｎｍ）以上であり、この相違点に係る特定の密度と膜厚との関係を満たすものがないことからも、このような技術思想について示唆されていないことは明らかである。
　そして、甲第２〜５号証をみても、また、甲第１号証〜６号証を総合的に組み合わせても、この相違点に係る構成を当業者が容易に想到することができたものとすることはできない。
　これに対して、本件発明１は、この点により本件特許明細書に記載するような作用効果を奏するものである。
　したがって、相違点１について検討するまでもなく、本件発明１は、甲第１〜６号証に記載の発明に基づいて当業者が容易になし得たものとすることができない。
　
（２−２）本件発明２について
　本件発明２は、本件発明１において、被覆層上に熱接着性樹脂を積層したことの発明特定事項を付加したものであるが、甲第１号証には、金属又は金属化合物の薄膜層面に、接着剤層と熱接着性樹脂層とを順次に積層する（上記シ）ことが記載されている。
　してみると、本件発明２（前者）と甲第１号証に記載された発明（後者）とを対比すると、両者は、
「高分子フィルムからなる基材と、この基材の少なくとも片面に気相成長法により成膜された金属若しくは金属酸化物からなる被覆層とで構成された被覆フィルムにおいて、上記基材、基材と接着性を有するセラミック層、被覆層、熱接着性樹脂が順次積層され、該セラミック層が、酸化珪素層であることを特徴とする被覆フィルム。」である点で一致し、相違点については、前記（２−１）本件発明１について述べたとおりの相違点を有するものと認められる。
　そして、前記（２−１）本件発明１について述べたとおり、相違点２については、甲第１〜６号証に記載の発明から当業者が容易に想到することができたものとすることができない以上、本件発明２は、甲第１〜６号証に記載の発明に基づいて当業者が容易になし得たものとすることはできない。
　
（２−３）本件発明３〜５について
　本件発明３〜５は、本件発明１又は２を直接的又は間接的に引用し、本件発明１又は２をさらに技術的に限定したものであるから、前記本件発明１又は２について述べたと同様の理由により、甲第１〜３号証記載の発明から当業者が容易になし得た発明であるとはいえない。
　
５．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議の申し立ての理由及び証拠によっては本件発明１〜５に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明１〜５に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１５年１１月２１日（２００３．１１．２１）