(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＩＣチップが内蔵されるとともに前記ＩＣチップの外部接続端子および磁気ストライプが形成されるカードを処理するカードリーダにおいて、
前記カードが挿入されるカード挿入口と、前記カード挿入口に挿入された前記カードの前記外部接続端子を検知するための金属検知機構と、前記磁気ストライプに記録された磁気データの不正な読取りを妨害するための磁界を発生させる妨害磁界発生機構と、前記カードリーダの制御部とを備え、
前記金属検知機構は、励磁用コイルおよび検知用コイルを備え、
前記妨害磁界発生機構は、妨害磁界発生用コイルを備え、
前記制御部は、前記カードリーダへの前記カードの挿入時に、前記励磁用コイルへの電流供給と前記妨害磁界発生用コイルへの電流供給とを切り替えて交互に繰り返しで行うとともに、前記励磁用コイルに電流が供給されているときの前記検知用コイルの出力に基づいて前記外部接続端子を検知することを特徴とするカードリーダ。
【請求項２】
前記励磁用コイルへの電流供給時間は、前記磁気ストライプに記録される磁気データの記録密度と、前記カード挿入口に挿入される前記カードの想定挿入速度とに基づいて設定され、
前記妨害磁界発生用コイルへの電流供給時間は、前記カードの挿入方向における前記外部接続端子の幅と、前記カードの前記想定挿入速度とに基づいて設定されていることを特徴とする請求項１記載のカードリーダ。
【請求項３】
前記金属検知機構は、磁性材料で形成され前記励磁用コイルおよび前記検知用コイルが巻回される金属検知用コアを備え、
前記妨害磁界発生機構は、磁性材料で形成され前記妨害磁界発生用コイルが巻回される妨害磁界発生用コアを備えることを特徴とする請求項１または２記載のカードリーダ。
【請求項４】
前記制御部は、前記妨害磁界発生用コイルへの電流の供給指令が出力されているときの前記検知用コイルの出力に基づいて、前記金属検知機構および前記妨害磁界発生機構の異常を検知することを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載のカードリーダ。
【請求項５】
ＩＣチップが内蔵されるとともに前記ＩＣチップの外部接続端子および磁気ストライプが形成されるカードが挿入されるカード挿入口と、前記カード挿入口に挿入された前記カードの前記外部接続端子を検知するための金属検知機構と、前記磁気ストライプに記録された磁気データの不正な読取りを妨害するための磁界を発生させる妨害磁界発生機構とを備え、前記金属検知機構は、励磁用コイルおよび検知用コイルを備え、前記妨害磁界発生機構は、妨害磁界発生用コイルを備えているカードリーダの制御方法であって、
前記カードリーダへの前記カードの挿入時に、前記励磁用コイルへの電流供給と前記妨害磁界発生用コイルへの電流供給とを切り替えて交互に繰り返しで行うとともに、前記励磁用コイルに電流が供給されているときの前記検知用コイルの出力に基づいて前記外部接続端子を検知することを特徴とするカードリーダの制御方法。
【請求項６】
前記励磁用コイルへの電流供給時間は、前記磁気ストライプに記録される磁気データの記録密度と、前記カード挿入口に挿入される前記カードの想定挿入速度とに基づいて設定され、
前記妨害磁界発生用コイルへの電流供給時間は、前記カードの挿入方向における前記外部接続端子の幅と、前記カードの前記想定挿入速度とに基づいて設定されていることを特徴とする請求項５記載のカードリーダの制御方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＩＣチップが内蔵されるとともに磁気ストライプが形成されるカードを処理するカードリーダに関する。また、本発明は、かかるカードリーダの制御方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、カードに記録された磁気データの読取りやカードへの磁気データの記録を行うカードリーダが広く利用されている。カードリーダが利用される金融機関等の業界では、従来、犯罪者がカードリーダのカード挿入部に磁気ヘッドを取り付けて、この磁気ヘッドでカードの磁気データを不正に取得するいわゆるスキミングが大きな問題となっている。そこで、スキミング用の磁気ヘッド（以下、「スキミング用磁気ヘッド」とする。）での磁気データの読取りを阻止するための妨害磁界を発生させるカードリーダが提案されている（たとえば、特許文献１参照）。特許文献１に記載のカードリーダは、妨害磁界を発生させる妨害磁界発生機構を備えている。妨害磁界発生機構は、磁性材料で形成されるコアと、コアに巻回される励磁用コイルとを備えている。また、妨害磁界発生機構は、カードの挿入口が形成されるカード挿入部に配置されている。
【０００３】
また、従来、ＩＣチップが内蔵されるとともに磁気ストライプが形成されるカードを処理するカードリーダが知られている（たとえば、特許文献２参照）。特許文献２に記載のカードリーダは、カードに形成されるＩＣチップの外部接続端子を検知するための金属センサを備えている。金属センサは、磁性材料で形成されるコアと、コアに巻回される励磁用コイルおよび検知用コイルとを備えている。また、金属センサは、カードの挿入口が形成されるカード挿入部に配置されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１３−１２０２２号公報
【特許文献２】特開２０１０−１６０６６６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献２に記載のカードリーダで処理されるカードには、磁気データが記録される磁気ストライプが形成されており、特許文献２に記載のカードリーダにおいても、スキミングの問題が生じるおそれがある。そのため、特許文献２に記載のカードリーダにおいても、カード挿入部に妨害磁界発生機構が配置されていることが好ましい。しかしながら、特許文献２に記載のカードリーダにおいて、妨害磁界発生機構がカード挿入部に配置されていると、妨害磁界発生機構が発生させる妨害磁界の影響で金属センサの検知用コイルの出力が変動して、金属センサによる外部接続端子の適切な検知ができなくなるおそれがある。
【０００６】
そこで、本発明の課題は、妨害磁界発生機構が発生させる妨害磁界によってスキミングを防止しつつ、金属検知機構によってＩＣチップの外部接続端子を適切に検知することが可能なカードリーダを提供することにある。また、本発明の課題は、妨害磁界発生機構が発生させる妨害磁界によってスキミングを防止しつつ、金属検知機構によってＩＣチップの外部接続端子を適切に検知することが可能となるカードリーダの制御方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の課題を解決するため、本発明のカードリーダは、ＩＣチップが内蔵されるとともにＩＣチップの外部接続端子および磁気ストライプが形成されるカードを処理するカードリーダにおいて、カードが挿入されるカード挿入口と、カード挿入口に挿入されたカードの外部接続端子を検知するための金属検知機構と、磁気ストライプに記録された磁気データの不正な読取りを妨害するための磁界を発生させる妨害磁界発生機構と、カードリーダの制御部とを備え、金属検知機構は、励磁用コイルおよび検知用コイルを備え、妨害磁界発生機構は、妨害磁界発生用コイルを備え、制御部は、カードリーダへのカードの挿入時に、励磁用コイルへの電流供給と妨害磁界発生用コイルへの電流供給とを切り替えて交互に繰り返しで行うとともに、励磁用コイルに電流が供給されているときの検知用コイルの出力に基づいて外部接続端子を検知することを特徴とする。
【０００８】
また、上記の課題を解決するため、本発明のカードリーダの制御方法は、ＩＣチップが内蔵されるとともにＩＣチップの外部接続端子および磁気ストライプが形成されるカードが挿入されるカード挿入口と、カード挿入口に挿入されたカードの外部接続端子を検知するための金属検知機構と、磁気ストライプに記録された磁気データの不正な読取りを妨害するための磁界を発生させる妨害磁界発生機構とを備え、金属検知機構は、励磁用コイルおよび検知用コイルを備え、妨害磁界発生機構は、妨害磁界発生用コイルを備えているカードリーダの制御方法であって、カードリーダへのカードの挿入時に、励磁用コイルへの電流供給と妨害磁界発生用コイルへの電流供給とを切り替えて交互に繰り返しで行うとともに、励磁用コイルに電流が供給されているときの検知用コイルの出力に基づいて外部接続端子を検知することを特徴とする。
【０００９】
本発明では、金属検知機構を構成する励磁用コイルへの電流供給と、妨害磁界発生機構を構成する妨害磁界発生用コイルへの電流供給とを切り替えて交互に行うとともに、励磁用コイルに電流が供給されているときの検知用コイルの出力に基づいて外部接続端子を検知している。そのため、本発明では、金属検知機構による外部接続端子の検知機能と妨害磁界発生機構によるスキミングの防止機能との両機能が阻害されない短い周期（時間）で、励磁用コイルへの電流供給と妨害磁界発生用コイルへの電流供給とを切り替えることで、妨害磁界発生機構が発生させる妨害磁界によってスキミングを防止しつつ、妨害磁界の影響を受けていない検知用コイルの出力に基づいて外部接続端子を検知することが可能になる。したがって、本発明では、妨害磁界発生機構が発生させる妨害磁界によってスキミングを防止しつつ、金属検知機構によって外部接続端子を適切に検知することが可能になる。
【００１０】
本発明において、励磁用コイルへの電流供給時間は、磁気ストライプに記録される磁気データの記録密度と、カード挿入口に挿入されるカードの想定挿入速度とに基づいて設定され、妨害磁界発生用コイルへの電流供給時間は、カードの挿入方向における外部接続端子の幅と、カードの想定挿入速度とに基づいて設定されていることが好ましい。このように構成すると、金属検知機構による外部接続端子の検知機能と妨害磁界発生機構によるスキミングの防止機能との両機能が阻害されないように、励磁用コイルへの電流供給時間と妨害磁界発生用コイルへの電流供給時間とを設定することが可能になる。
【００１１】
本発明において、たとえば、金属検知機構は、磁性材料で形成され励磁用コイルおよび検知用コイルが巻回される金属検知用コアを備え、妨害磁界発生機構は、磁性材料で形成され妨害磁界発生用コイルが巻回される妨害磁界発生用コアを備えている。
【００１２】
本発明において、制御部は、妨害磁界発生用コイルへの電流の供給指令が出力されているときの検知用コイルの出力に基づいて、金属検知機構および妨害磁界発生機構の異常を検知することが好ましい。このように構成すると、比較的簡易な構成で、金属検知機構および妨害磁界発生機構の異常を検知することが可能になる。
【発明の効果】
【００１３】
以上のように、本発明では、妨害磁界発生機構が発生させる妨害磁界によってスキミングを防止しつつ、金属検知機構によってＩＣチップの外部接続端子を適切に検知することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の実施の形態にかかるカードリーダの概略構成を説明するための図である。
【図２】（Ａ）は、図１に示すカードの平面図であり、（Ｂ）は、国際規格で規定される外部接続端子の配置範囲を説明するための図である。
【図３】図１に示す金属検知機構の構成を説明するための図である。
【図４】図１に示す妨害磁界発生機構の構成を説明するための図である。
【図５】図１に示す金属検知機構による外部接続端子の検知方法を説明するための図である。
【図６】図１に示すカードリーダにおいて、励磁用コイルへの電流供給時に妨害磁界発生用コイルに電流が供給されたときの問題点を説明するための図である。
【図７】図１に示すカードリーダでの、励磁用コイルへの電流供給タイミングと妨害磁界発生用コイルへの電流供給タイミングとを説明するための図である。
【図８】図１に示すカードリーダでの、金属検知機構および妨害磁界発生機構の異常検知方法を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、図面を参照しながら、本発明の実施の形態を説明する。
【００１６】
（カードリーダの構成）
図１は、本発明の実施の形態にかかるカードリーダ１の概略構成を説明するための図である。図２（Ａ）は、図１に示すカード２の平面図であり、図２（Ｂ）は、国際規格で規定される外部接続端子２ｂ〜２ｉの配置範囲を説明するための図である。図３は、図１に示す金属検知機構９の構成を説明するための図である。図４は、図１に示す妨害磁界発生機構１０の構成を説明するための図である。図５は、図１に示す金属検知機構９による外部接続端子２ｂ〜２ｉの検知方法を説明するための図である。
【００１７】
本形態のカードリーダ１は、カード２を処理するための装置である。具体的には、カードリーダ１は、カード２に記録されたデータの読取りやカード２へのデータの記録を行うための装置であり、たとえば、ＡＴＭ等の所定の上位装置に搭載されて使用される。このカードリーダ１には、カード２が挿入されるカード挿入口３と、カード挿入口３に挿入されたカード２が通過するカード通過路４が形成されている。また、カードリーダ１は、カード２に記録された磁気データの読取りおよびカード２への磁気データの記録の少なくともいずれか一方を行う磁気ヘッド５と、カード２に内蔵されたＩＣチップとデータの通信を行うためのＩＣ接点ブロック６と、カード通過路４でカード２を搬送するカード搬送機構（図示省略）とを備えている。以下では、説明の便宜上、図１のＺ方向を「上下方向」とする。上下方向は、カード挿入口３に挿入されたカード２の厚さ方向である。また、以下では、上下方向のうちのＺ１方向側を「上」側、Ｚ２方向側を「下」側とする。
【００１８】
カード２は、たとえば、厚さが０．７〜０．８ｍｍ程度の略長方形状の塩化ビニール製のカードである。このカード２の裏面には、磁気データが記録される磁気ストライプ２ａが形成されている。磁気ストライプ２ａは、略長方形状に形成されるカード２の長手方向に沿って形成されている。また、本形態のカード２は、国際規格「ＩＳＯ／ＩＥＣ７８１６−２」に準拠したＩＣカードであり、カード２には、図示を省略するＩＣチップが内蔵されている。また、カード２のおもて面には、ＩＣチップの外部接続端子２ｂ〜２ｉが形成されている。具体的には、カード２のおもて面には、８個の外部接続端子２ｂ〜２ｉが形成されている。カード２は、その裏面が下側を向いた状態で、かつ、カード２の長手方向がカードリーダ１の前後方向（図１の左右方向）と略一致した状態で、カードリーダ１に挿入されて、カードリーダ１内で搬送される。
【００１９】
なお、ＩＣカードに形成される外部接続端子２ｂ〜２ｉの配置範囲は、国際規格「ＩＳＯ／ＩＥＣ７８１６−２」で規定されている。具体的には、国際規格「ＩＳＯ／ＩＥＣ７８１６−２」では、外部接続端子２ｂ〜２ｉの配置範囲は、カード２の長手方向の一端面２ｊおよびカード２の短手方向の一端面２ｋを基準にして、図２（Ｂ）に示す寸法となっている。図２（Ｂ）に示す寸法の単位は、ｍｍ（ミリメートル）であり、図示された寸法値で外部接続端子２ｂ〜２ｉが形成されると、外部接続端子２ｂ〜２ｉの大きさが最小になる。すなわち、図２（Ｂ）に示す寸法値で外部接続端子２ｂ〜２ｉが形成されると、カード２の長手方向（すなわち、カード２の挿入方向）における外部接続端子２ｂ〜２ｉの最小幅は２ｍｍとなる。
【００２０】
磁気ヘッド５は、カード通過路４に下側から臨むように配置されている。具体的には、磁気ヘッド５は、そのギャップ部がカード通過路４に下側から臨むように配置されている。ＩＣ接点ブロック６は、カード通過路４に上側から臨むように配置されている。このＩＣ接点ブロック６は、外部接続端子２ｂ〜２ｉに接触するＩＣ接点バネを備えている。カード搬送機構は、モータに連結される駆動ローラと、駆動ローラに対向配置されるパッドローラとを備えている。カード２は、駆動ローラとパッドローラとの間に挟まれた状態で搬送される。
【００２１】
また、カードリーダ１は、カード挿入口３に挿入されたカード２の外部接続端子２ｂ〜２ｉを検知するための金属検知機構９と、磁気ストライプ２ａに記録された磁気データの不正な読取りを妨害するための磁界（妨害磁界）を発生させる妨害磁界発生機構１０とを備えている。金属検知機構９および妨害磁界発生機構１０は、カード挿入口３が形成されるカード挿入部の内部に配置されている。また、金属検知機構９と妨害磁界発生機構１０とは、上下方向でカード通過路４を挟むように配置されている。具体的には、金属検知機構９は、カード通過路４の上側に配置され、妨害磁界発生機構１０は、カード通過路４の下側に配置されている。
【００２２】
金属検知機構９および妨害磁界発生機構１０は、カードリーダ１の制御部１１に接続されている。制御部１１は、金属検知機構９を制御する金属検知制御回路１３と、妨害磁界発生機構１０を制御する妨害磁界制御回路１４と、金属検知制御回路１３および妨害磁界制御回路１４が接続される演算回路１５とを備えている。演算回路１５は、たとえば、ＣＰＵである。
【００２３】
金属検知機構９は、図３に示すように、磁性材料で形成される金属検知用コアとしてのコア１６と、コア１６に巻回される一対の励磁用コイル１７および検知用コイル１８とを備えている。検知用コイル１８は、コア１６の軸心ＣＬの軸方向におけるコア１６の中央に巻回されている。一対の励磁用コイル１７のそれぞれは、軸心ＣＬの軸方向におけるコア１６の両端側のそれぞれに巻回されている。励磁用コイル１７および検知用コイル１８は、制御部１１に接続されている。具体的には、励磁用コイル１７および検知用コイル１８は、金属検知制御回路１３に接続されている。
【００２４】
金属検知制御回路１３は、励磁用コイル１７に電流を供給して磁界を発生させるとともに、検知用コイル１８の出力に基づいて生成される検知信号Ｓ１に基づいて、励磁用コイル１７が発生させる磁界の変化を検知することで、カード２の外部接続端子２ｂ〜２ｉを検知する。具体的には、図５に示すように、励磁用コイル１７に電流が供給されると、励磁用コイル１７が発生させる磁界の影響で、検知信号Ｓ１のレベルが上がる。また、この状態で、金属検知機構９が配置された位置を外部接続端子２ｂ〜２ｉが通過すると、検知信号Ｓ１のレベルがさらに上がって、閾値ｔｈ１を超える。金属検知制御回路１３は、検知信号Ｓ１のレベルが閾値ｔｈ１を超えているのか否かによって外部接続端子２ｂ〜２ｉが検知されているのか否かを判別する。
【００２５】
妨害磁界発生機構１０は、磁性材料で形成される妨害磁界発生用コアとしてのコア１９と、コア１９に巻回される妨害磁界発生用コイル２０とを備えている。妨害磁界発生用コイル２０は、制御部１１に接続されている。具体的には、妨害磁界発生用コイル２０は、妨害磁界制御回路１４に接続されている。妨害磁界制御回路１４は、妨害磁界発生用コイル２０に電流を供給して妨害磁界を発生させる。すなわち、妨害磁界発生用コイル２０に電流が供給されると、妨害磁界発生機構１０は、妨害磁界を発生させる。
【００２６】
妨害磁界発生用コイル２０には交流電流が供給されており、妨害磁界発生機構１０は、磁力線の向きが所定のタイミングで切り替わる交流磁界を発生させる。図１に示すように、スキミング用磁気ヘッド５０は、カードリーダ１の前方に取り付けられると想定されるため、妨害磁界発生機構１０は、カードリーダ１の前方に向かって妨害磁界が発生するように配置されている。なお、コア１９は、たとえば、図４に示すように、直線的な棒状に形成されても良いし、略Ｕ形状に折り曲げられて形成されても良い。
【００２７】
（カード挿入時のカードリーダの制御方法）
図６は、図１に示すカードリーダ１において、励磁用コイル１７への電流供給時に妨害磁界発生用コイル２０に電流が供給されたときの問題点を説明するための図である。図７は、図１に示すカードリーダ１での、励磁用コイル１７への電流供給タイミングと妨害磁界発生用コイル２０への電流供給タイミングとを説明するための図である。
【００２８】
上述のように、金属検知制御回路１３は、励磁用コイル１７が発生させる磁界の変化を検知信号Ｓ１に基づいて検知することで、カード２の外部接続端子２ｂ〜２ｉを検知する。具体的には、金属検知制御回路１３は、検知信号Ｓ１のレベルが閾値ｔｈ１を超えているのか否かによって外部接続端子２ｂ〜２ｉが検知されているのか否かを判別する。一方で、金属検知機構９および妨害磁界発生機構１０はカード挿入部の内部に配置されており、比較的近い位置に配置されている。そのため、励磁用コイル１７に電流が供給されているときの検知信号Ｓ１に基づいて外部接続端子２ｂ〜２ｉの検知を行っているときに、図６に示すように、妨害磁界発生用コイル２０に電流が供給されると、妨害磁界発生機構１０が発生させる妨害磁界の影響で、検知信号Ｓ１のレベルが閾値ｔｈ１を超えてしまい、外部接続端子２ｂ〜２ｉを誤検知するおそれがある。
【００２９】
そこで、本形態では、カードリーダ１へのカード２の挿入時に、制御部１１は、図７に示すように、励磁用コイル１７への電流供給と妨害磁界発生用コイル２０への電流供給とを切り替えて交互に行う。具体的には、演算回路１５が、金属検知制御回路１３に対する励磁用コイル１７への電流の供給指令と、妨害磁界制御回路１４に対する妨害磁界発生用コイル２０への電流の供給指令とを交互に出力し、金属検知制御回路１３と妨害磁界制御回路１４とが、励磁用コイル１７と妨害磁界発生用コイル２０とに交互に電流を供給する。
【００３０】
また、制御部１１（具体的には、金属検知制御回路１３）は、励磁用コイル１７に電流が供給されているときの検知信号Ｓ１のレベルが閾値ｔｈ１を超えている場合に外部接続端子２ｂ〜２ｉが検知されていると判断する。一方、制御部１１は、妨害磁界発生用コイル２０に電流が供給されているときの検知信号Ｓ１のレベルが閾値ｔｈ１を超えていても、外部接続端子２ｂ〜２ｉが検知されているとは判断しない。このように、制御部１１は、励磁用コイル１７に電流が供給されているときの検知用コイル１８の出力に基づいて外部接続端子２ｂ〜２ｉを検知する。一方、制御部１１は、妨害磁界発生用コイル２０に電流が供給されているときには、外部接続端子２ｂ〜２ｉの検知制御を停止する。
【００３１】
本形態では、励磁用コイル１７への電流供給時間Ｔ１および妨害磁界発生用コイル２０への電流供給時間Ｔ２（図７参照）は、金属検知機構９による外部接続端子２ｂ〜２ｉの検知機能と妨害磁界発生機構１０によるスキミングの防止機能との両機能が阻害されない短い時間に設定されている。すなわち、制御部１１は、金属検知機構９による外部接続端子２ｂ〜２ｉの検知機能と妨害磁界発生機構１０によるスキミングの防止機能との両機能が阻害されない短い周期で、励磁用コイル１７への電流供給と妨害磁界発生用コイル２０への電流供給とを切り替えている。
【００３２】
具体的には、電流供給時間Ｔ１は、磁気ストライプ２ａに記録される磁気データの記録密度と、カード挿入口３に挿入されるカード２の想定挿入速度とに基づいて設定されている。すなわち、カード２の挿入時における間欠的な妨害磁界の停止時間は、磁気ストライプ２ａに記録される磁気データの記録密度と、カード挿入口３に挿入されるカード２の想定挿入速度とに基づいて設定されている。たとえば、磁気ストライプ２ａに記録される磁気データの記録密度が７５ｂｐｉ（ｂｉｔ  ｐｅｒ  ｉｎｃｈ）であり、５ビットによって１文字が構成されるとともに、カード２の想定挿入速度が２５０ｍｍ／ｓｅｃである場合には、２文字分の有意な磁気データをスキミング用磁気ヘッド５０に読み取れられないように、電流供給時間Ｔ１（すなわち、間欠的な妨害磁界の停止時間）は、１３．５５ｍｓｅｃ（＝（２５．４／７５×５×２）／２５０）未満である１３ｍｓｅｃに設定されている。
【００３３】
また、電流供給時間Ｔ２は、カード２の挿入方向（すなわち、カード２の長手方向）における外部接続端子２ｂ〜２ｉの幅と、カード２の想定挿入速度とに基づいて設定されている。すなわち、カード２の挿入時における間欠的な外部接続端子２ｂ〜２ｉの検知停止時間は、カード２の長手方向における外部接続端子２ｂ〜２ｉの幅と、カード２の想定挿入速度とに基づいて設定されている。たとえば、カード２の想定挿入速度が２５０ｍｍ／ｓｅｃである場合には、カード２の長手方向における外部接続端子２ｂ〜２ｉの幅が最小の２ｍｍであっても、金属検知機構９によって外部接続端子２ｂ〜２ｉが検知できるように、電流供給時間Ｔ２（すなわち、間欠的な外部接続端子２ｂ〜２ｉの検知停止時間）は、８ｍｓｅｃ（＝２／２５０）未満である７ｍｓｅｃに設定されている。
【００３４】
（本形態の主な効果）
以上説明したように、本形態では、制御部１１は、励磁用コイル１７への電流供給と妨害磁界発生用コイル２０への電流供給とを切り替えて交互に行っており、励磁用コイル１７に電流が供給されているときの検知用コイル１８の出力に基づいて外部接続端子２ｂ〜２ｉを検知している。また、本形態では、励磁用コイル１７への電流供給時間Ｔ１および妨害磁界発生用コイル２０への電流供給時間Ｔ２は、金属検知機構９による外部接続端子２ｂ〜２ｉの検知機能と妨害磁界発生機構１０によるスキミングの防止機能との両機能が阻害されない短い時間に設定されている。そのため、本形態では、妨害磁界発生機構１０が発生させる妨害磁界によってスキミング用磁気ヘッド１０によるスキミングを防止しつつ、妨害磁界の影響を受けていない検知用コイル１８の出力に基づいて外部接続端子２ｂ〜２ｉを検知することが可能になる。したがって、本形態では、妨害磁界発生機構１０が発生させる妨害磁界によってスキミング用磁気ヘッド１０によるスキミングを防止しつつ、金属検知機構９によって外部接続端子２ｂ〜２ｉを適切に検知することが可能になる。
【００３５】
また、本形態では、電流供給時間Ｔ１は、磁気ストライプ２ａに記録される磁気データの記録密度と、カード挿入口３に挿入されるカード２の想定挿入速度とに基づいて設定され、電流供給時間Ｔ２は、カード２の長手方向における外部接続端子２ｂ〜２ｉの幅と、カード２の想定挿入速度とに基づいて設定されている。そのため、本形態では、金属検知機構９による外部接続端子２ｂ〜２ｉの検知機能と妨害磁界発生機構１０によるスキミングの防止機能との両機能が阻害されないように、電流供給時間Ｔ１、Ｔ２を設定することが可能になる。
【００３６】
（他の実施の形態）
上述した形態は、本発明の好適な形態の一例ではあるが、これに限定されるものではなく本発明の要旨を変更しない範囲において種々変形実施が可能である。
【００３７】
上述した形態において、制御部１１は、妨害磁界発生用コイル２０への電流の供給指令が出力されているときの検知用コイル１８の出力に基づいて、金属検知機構９および妨害磁界発生機構１０の異常を検知しても良い。この場合には、たとえば、演算回路１５が、妨害磁界制御回路１４に対して妨害磁界発生用コイル２０への電流の供給指令を出力しているときの検知信号Ｓ１のレベルが閾値ｔｈ２を超えているのか否かによって、制御部１１は、金属検知機構９および／または妨害磁界発生機構１０に異常が発生しているのか否かを判別する。
【００３８】
具体的には、金属検知機構９および妨害磁界発生機構１０が正常である場合には、妨害磁界発生用コイル２０への電流の供給指令が演算回路１５から出力されると、妨害磁界発生用コイル２０に電流が流れるとともに、検知信号Ｓ１のレベルは、図８の実線で示すように、閾値ｔｈ２を超えるため、妨害磁界発生用コイル２０への電流の供給指令が演算回路１５から出力されているときの検知信号Ｓ１のレベルが閾値ｔｈ２を超えている場合には、金属検知機構９および妨害磁界発生機構１０が正常であることが検知される。
【００３９】
一方、たとえば、検知用コイル１８が何らかの原因で断線すると、妨害磁界発生用コイル２０への電流の供給指令が演算回路１５から出力されて妨害磁界発生用コイル２０に電流が流れても、検知信号Ｓ１のレベルは、図８の二点鎖線で示すようには変動せず、閾値ｔｈ２を超えない。あるいは、妨害磁界発生用コイル２０が何らかの原因で断線すると、妨害磁界発生用コイル２０への電流の供給指令が演算回路１５から出力されても、妨害磁界発生用コイル２０に電流が流れず、検知信号Ｓ１のレベルは閾値ｔｈ２を超えない。したがって、妨害磁界発生用コイル２０への電流の供給指令が演算回路１５から出力されているときの検知信号Ｓ１のレベルが閾値ｔｈ２を超えない場合には、金属検知機構９および／または妨害磁界発生機構１０に異常が発生していることが検知される。
【００４０】
このように、妨害磁界発生用コイル２０への電流の供給指令が出力されているときの検知用コイル１８の出力に基づいて、金属検知機構９および妨害磁界発生機構１０の異常を検知する場合には、比較的簡易な構成で、金属検知機構９および妨害磁界発生機構１０の異常を検知することが可能になる。なお、閾値ｔｈ２は、閾値ｔｈ１よりも小さくなっている。
【００４１】
上述した形態では、金属検知機構９と妨害磁界発生機構１０とは、上下方向でカード通過路４を挟むように配置されているが、金属検知機構９および妨害磁界発生機構１０がカード通過路４の上側に配置されても良い。また、金属検知機構９および妨害磁界発生機構１０がカード通過路４の下側に配置されても良い。また、上述した形態では、カード２は、厚さが０．７〜０．８ｍｍ程度の略長方形状の塩化ビニール製のカードであるが、カード２は、厚さが０．１８〜０．３６ｍｍ程度のＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）カードであっても良いし、所定の厚さの紙カード等であっても良い。
【００４２】
上述した形態では、カードリーダ１は、カード搬送機構を備えるカード搬送式のカードリーダであるが、本発明の構成が適用されるカードリーダは、ユーザが手動でカード２を操作する手動式のカードリーダであっても良い。たとえば、本発明の構成が適用されるカードリーダは、カードリーダの奥端まで手動によってカード２が差し込まれるとともに、手動でカード２が引き抜かれるいわゆるディップ式のカードリーダであっても良い。
【符号の説明】
【００４３】
１  カードリーダ
２  カード
２ａ  磁気ストライプ
２ｂ〜２ｉ  外部接続端子
３  カード挿入口
９  金属検知機構
１０  妨害磁界発生機構
１１  制御部
１６  コア（金属検知用コア）
１７  励磁用コイル
１８  検知用コイル
１９  コア（妨害磁界発生用コア）
２０  妨害磁界発生用コイル
Ｔ１  励磁用コイルへの電流供給時間
Ｔ２  妨害磁界発生用コイルへの電流供給時間
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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