【事件の表示】
　特許第３３５６４２９号「液晶表示装置および液晶プロジェクタ装置」の請求項１ないし６に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第３３５６４２９号の請求項１ないし６に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯・本件発明
　特許第３３５６４２９号の請求項１〜９に係る発明についての出願は、平成１３年３月７日（優先権主張；平成１２年４月１１日）に特許出願されたものであって、平成１４年１０月４日にその特許の設定の登録がなされ、その後、中川徹により請求項１〜６に係る発明に特許異議の申立がなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内の平成１５年１１月１２日に特許異議意見書の提出がなされたものである。
　
２．本件発明
　本件の請求項１〜６に係る発明（以下、「本件発明１」〜「本件発明６」という。）は、特許明細書の特許請求の範囲の請求項１〜６に記載された事項により特定される次のとおりのものである。
「【請求項１】基板上に形成された裏面遮光膜と、
　前記裏面遮光膜上に形成された層間膜と、
　前記層間膜上に形成され、ソース・ドレイン領域とチャネル領域とＬＤＤ領域が形成された半導体層と、
　前記半導体層上に形成されたゲート絶縁膜と、
　前記チャネル領域と前記ＬＤＤ領域とに沿って、前記層間膜及びゲート絶縁膜に形成されたコンタクトホールと、
　前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート線とを有し、
　前記ゲート線の一部は前記コンタクトホールに埋め込まれ、かつ前記コンタクトホールによって前記裏面遮光膜が前記ゲート線とコンタクトしていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】基板上に形成された裏面遮光膜と、
　前記裏面遮光膜上に形成された層間膜と、
　前記層間膜上に形成され、ソース・ドレイン領域とチャネル領域とＬＤＤ領域が形成された半導体層と、
　前記半導体層上に形成されたゲート絶縁膜と、
　前記ＬＤＤ領域に沿って、前記層間膜及びゲート絶縁膜に形成されたコンタクトホールと、
　前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート線とを有し、
　前記ゲート線の一部は前記コンタクトホールに埋め込まれ、かつ前記コンタクトホールによって前記裏面遮光膜が前記ゲート線とコンタクトしていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３】少なくとも前記チャネル領域は前記コンタクトホール、前記ゲート線及び前記裏面遮光膜で覆われてなることを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。
【請求項４】前記ＬＤＤ領域は前記コンタクトホール及び前記裏面遮光膜で覆われてなることを特徴とする請求項１又は２記載の液晶表示装置。
【請求項５】前記裏面遮光膜は導電材料で構成されてなることを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の液晶表示装置。
【請求項６】前記裏面遮光膜は耐熱性材料からなることを特徴とする請求項１から５のいずれかに記載の液晶表示装置。」
　
３．特許異議申立についての判断
３−１．申立の理由の概要
　特許異議申立人は、証拠として甲第１号証（特開２０００−１０１２０号公報）および甲第２号証（特開２０００−９１５８１号公報）を提出し、本件の請求項１乃至６に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定に該当するものであるから、本件の請求項１乃至６に係る発明の特許は取り消されるべきものである旨主張している。
　
３−２．甲各号証記載の発明
　甲第１号証（特開２０００−１０１２０号公報）には、
「【００２２】本発明は上述した問題点に鑑みなされたものであり、遮光膜を用いた比較的簡易な構成により、高品質の画像表示が可能な液晶装置及び当該液晶装置を備えた電子機器を提供することを課題とする。
【００２３】【課題を解決するための手段】本発明は、一対の基板間に液晶が挟持されてなり、該一対の基板の一方の基板上には、マトリクス状に配置された複数の画素電極と、該複数の画素電極を夫々駆動する複数の薄膜トランジスタと、該複数の薄膜トランジスタに夫々接続されており相交差する複数のデータ線及び複数の走査線と、前記複数の薄膜トランジスタの少なくともチャネル領域を前記一方の基板の側から見て夫々覆う位置に設けられている導電性の遮光膜と、該遮光膜と前記薄膜トランジスタとの間に介在する第１層間絶縁膜とを備え、前記走査線の少なくとも一部は前記遮光膜と同一膜からなることを特徴とする。
【００２４】本発明のかかる構成によれば、薄膜トランジスタのチャネル領域は、一方の基板の側から入射される戻り光等については、遮光膜により遮光されており、薄膜トランジスタの戻り光等による特性劣化を防止できる。他方、走査線の少なくとも一部はこの導電性の遮光膜と同一膜で形成されているので、走査線の抵抗を、導電性の遮光膜の抵抗により顕著に低められる。例えば、走査線をポリシリコン膜から形成し且つ遮光膜を導電性の高融点金属膜から形成すれば、走査線の抵抗を、遮光膜のシート抵抗により支配できる。即ち、走査線における大幅な低抵抗化が可能となる。
【００６６】・・・第１遮光膜１１ｃは、走査線３００ａ方向に沿って連なる複数のゲート電極３ａを相互にコンタクトホール１８を介して電気的接続するように配設されている。言い換えれば、各々の段（行）について、コンタクトホール１８により相互に電気的接続された走査線３００ａ方向に沿って連なる複数のゲート電極３ａと複数の第１遮光膜１１ｃとから１本の走査線３００ａが構成されており、この１本の走査線３００ａを介して走査信号を各画素に供給可能となる。
【００７８】図４において、画素スイッチング用ＴＦＴ３０は、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を有しており、走査線３００ａの一部を構成するゲート電極３ａ、ゲート電極３ａからの電界によりチャネルが形成される半導体層１ａのチャネル領域１ａ’、ゲート電極３ａと半導体層１ａとを絶縁するゲート絶縁膜２、データ線６ａ（ソース電極）、半導体層１ａの低濃度ソース領域（ソース側ＬＤＤ領域）１ｂ及び低濃度ドレイン領域（ドレイン側ＬＤＤ領域）１ｃ、半導体層１ａの高濃度ソース領域１ｄ並びに高濃度ドレイン領域１ｅを備えている。高濃度ドレイン領域１ｅには、複数の画素電極９ａのうちの対応する一つが接続されている。・・・
【００８１】・・・画素スイッチング用ＴＦＴ３０の下側には、第２遮光膜１１ａが設けられているので、少なくとも半導体層１ａのチャネル領域１ａ’及びＬＤＤ領域１ｂ、１ｃへの戻り光の入射を効果的に防ぐことが出来る。」と記載されている。
　また、図５及び図６から、基板１０上に遮光膜１１ｃ’、第１層間絶縁膜１２、半導体層１ａ’、ゲート絶縁膜２、ゲート電極３ａ、第２層間絶縁膜１４、データ線６ａが順次形成された液晶装置のＴＦＴにおいて、前記ゲート電極３ａの一部は、前記第１層間絶縁膜１２に形成したコンタクトホールに埋め込まれ、前記遮光膜１１ｃとコンタクトしていることが見てとれる。また、図４及び図５の記載から、前記第１層間絶縁膜１２とゲート電極３ａを接続するコンタクトホールは、チャンネル領域１ａの両側に距離を置いて配置されており、ソース・ドレイン領域、ＬＤＤ領域の側面には配置されていないことが見て取れる。
　
　上記によれば、甲第１号証には、
「基板上に導電性の高融点金属膜から形成された遮光膜、第１層間絶縁膜、チャネル領域と低濃度領域（ＬＤＤ領域）及び高濃度ソース・ドレイン領域を備えた半導体層、ゲート絶縁膜、ゲート電極、第２層間絶縁膜、データ線が順次形成された液晶装置のＴＦＴにおいて、前記ゲート電極の一部は、前記第１層間絶縁膜に形成したコンタクトホールに埋め込まれ、前記遮光膜とコンタクトしているものであって、前記コンタクトホールにより相互に電気的接続されたゲート電極と前記遮光膜とから１本の走査線が構成されている液晶装置」の発明が記載されている。
　
  甲第２号証（特開２０００−９１５８１号公報）には、
「【００１１】本発明の電気光学装置によれば、遮光膜（第１遮光膜）は、複数の薄膜トランジスタの少なくともチャネル領域を第１基板の側から見て夫々覆う位置に設けられる。従って、薄膜トランジスタのチャネル領域は、第１基板の側から入射される戻り光等については、遮光膜により遮光されており、薄膜トランジスタの戻り光等による特性劣化を防止できる。また、データ線は遮光性の材料からなり、データ線の主配線部は、少なくともチャネル領域及びチャネル隣接領域を第２基板の側から見て夫々覆うと共に長手方向に伸びる。ここで特に、データ線よりも第１基板に近い側にある層間絶縁膜には、少なくともチャネル隣接領域に対向する箇所における主配線部の縁に対向する位置に溝が形成されており、データ線の側方遮光部は、主配線部の縁から溝に向けて伸びており、少なくともチャネル隣接領域を溝側から部分的に囲む。従って、薄膜トランジスタのチャネル領域及びチャネル隣接領域は、第２基板の側から第１基板に対して垂直に入射される投射光等については、主配線部により遮光されており、第１基板に対して斜めに入射される投射光等については、溝に向けて伸びる側方遮光部により遮光されている。このため、薄膜トランジスタの第１基板に対して垂直に入射される投射光のみならず斜めに入射される投射光等による特性劣化を防止できる。尚、このように主配線部及び側方遮光部を有するデータ線は、例えば、Ａｌ（アルミニウム）等の遮光性、伸延性及び導電性に優れた既存の金属薄膜から構成されている。
【００５８】以上のように本実施形態の電気光学装置によれば、走査線３ａを上側から覆うように形成されたデータ線６ａの主配線部及び側方遮光部６ｂが、チャネル領域１ａ’並びにＬＤＤ領域１ｂ及び１ｃを含むチャネル隣接領域１ａ”を、入射光から遮光する。また、画素スイッチング用ＴＦＴ３０の下側に設けられた第１遮光膜１１ａが、チャネル領域１ａ’並びにＬＤＤ領域１ｂ及び１ｃを含むチャネル隣接領域１ａ”を、戻り光から遮光する。即ち、データ線６ａの主配線部及び側方遮光部６ｂ並びに第１遮光膜１１ａが、チャネル領域１ａ’及びチャネル隣接領域１ａ”を立体的に囲むことにより遮光が行われる。この結果、ＴＦＴ３０では、投射光や戻り光の入射角度や電気光学装置内における反射角度等に殆ど又は全くよらずに、投射光や戻り光等による光電流の発生に起因したトランジスタ特性の劣化が低減される。
【００９０】図１１において第1に、第２実施形態では第１実施形態とは異なり、図中黒塗りで示した枠状の領域において層間絶縁膜に形成される溝は、対向基板２０の側から見てＴＦＴ毎にチャネル領域１ａ’及びチャネル隣接領域１ａ”を包囲するように形成されており、側方遮光部６ｂ’は、上述のように形成された溝に対応してＴＦＴアレイ基板１０に平行な面内でチャネル領域１ａ’及びチャネル隣接領域１ａ”を包囲する。従って、第２実施形態によれば、チャネル領域１ａ’及びチャネル隣接領域１ａ”は、側方遮光部６ｂ’により、基板に平行な平面内において隙間無く包囲されているので、いずれの方向から斜めに投射光や戻り光或いはそれらの反射光が入射しようとしても、当該側方遮光部６ｂ’により遮光することが可能となる。」
と記載されている。
　
３−３．対比・判断 
［本件発明１について］
　本件発明１と上記甲第１号証記載の発明（以下、「引用発明」という。）とを対比するに、引用発明の「遮光膜」、「第１層間膜」、「液晶装置」は、それぞれ、本件発明１の「裏面遮光膜」、「層間膜」、「液晶表示装置」に相当し、引用発明の「ゲート電極」は遮光膜とコンタクトして走査線を構成するものであるから、本件発明の「ゲート線」に対応する。また、引用発明の「チャネル領域と低濃度領域（ＬＤＤ領域）及び高濃度ソース・ドレイン領域を備えた半導体層」が、本件発明１の「ソース・ドレイン領域とチャネル領域とＬＤＤ領域が形成された半導体層」に相当することは明らかである。
　よって、両者は、「基板上に形成された裏面遮光膜と、前記裏面遮光膜上に形成された層間膜と、前記層間膜上に形成され、ソース・ドレイン領域とチャネル領域とＬＤＤ領域が形成された半導体層と、前記半導体層上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート線とを有し、前記ゲート線の一部は前記コンタクトホールに埋め込まれ、かつ前記コンタクトホールによって前記裏面遮光膜が前記ゲート線とコンタクトしている液晶表示装置」である点で一致し、下記の点で相違する。
　
（相違点）本件発明１は、「前記チャネル領域と前記ＬＤＤ領域とに沿って、前記層間膜及びゲート絶縁膜に形成されたコンタクトホール」を備えているのに対し、引用発明のコンタクトホールは、層間膜に形成されているものの、チャネル領域とＬＤＤ領域とに沿って形成されているものではない点。
　
　上記相違点に付いて検討するに、まず、本件発明は、「コンタクトホールを遮光領域として、ＴＦＴに照射される光を低減することによって、ＴＦＴの光リーク電流を抑制し、且つ、裏面遮光膜をゲート配線とすることによりゲート線の配線抵抗を低くすることにある。」（本件特許明細書の【００１４】参照。）ものであるから、本件発明１の「前記チャネル領域と前記ＬＤＤ領域とに沿って、前記層間膜及びゲート絶縁膜に形成されたコンタクトホール」は、チャンネル領域とＬＤＤ領域の遮光を目的として設けられたものであることは明らかである。
　これに対して、引用発明の第１層間絶縁膜とゲート電極を接続するコンタクトホールは、チャンネル領域の両側に距離を置いて配置されているのみで、このコンタクトホールを遮光に利用しようという考えはない。
　また、甲第２号証記載のものは、基板側の遮光膜と、データ線と、少なくともＬＤＤ領域を含むチャンネル隣接領域を囲むデータ線の側方遮光部とにより、ＴＦＴのチャネル領域や前記ＬＤＤ領域を含むチャンネル隣接領域を立体的に囲むことにより、上下及び斜め方向からの入射光の遮光を行うものである。
　してみると、引用発明において、ＴＦＴのチャネル領域やＬＤＤ領域に斜めに入射される投射光等に対する遮光性能を高めるために、甲第２号証記載のものを適用したとしても、引用発明のデータ線に側方遮光部を設けることが導き出される程度であり、遮光部として働くコンタクトホールをチャネル領域やＬＤＤ領域に沿って設けることは、当業者といえども容易になし得るものではない。
　したがって、本件発明１は、甲第１号証及び甲第２号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
［本件発明２について］                 
　本件発明２は、本件発明１のコンタクトホール形成領域である「チャンネル領域とＬＤＤ領域」から、「チャンネル領域」の構成を削除したものに相当する。よって、本件発明２は、上記本件発明１に対すると同様の理由により、甲第１号証及び甲第２号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
［本件発明３〜６について］
　本件発明３ないし本件発明６は、本件発明１または本件発明２を引用し、さらに限定を付加するものであるから、上記本件発明１に対すると同様の理由により、甲第１号証及び甲第２号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
４．むすび
　以上のとおり、特許異議申立の理由及び証拠によっては、本件請求項１〜６に係る発明の特許を取り消すことはできない。
　又、他に本件発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。 
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１６年３月１１日（２００４．３．１１）