【事件の表示】
　特許第３３３９２１９号「成膜装置」の請求項１ないし３に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　本件特許異議の申立てを却下する。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯
　特許第３３３９２１９号の請求項１〜４に係る発明についての出願は、平成６年１０月３１日に特許出願され、平成１４年８月１６日にその発明について特許権の設定登録がなされ、その後、特許異議申立人より請求項１〜３に係る発明の特許に対して特許異議の申立てがなされ、取消理由が通知され、その指定期間内である平成１６年６月１８日に訂正請求がなされたものである。
　    
II．訂正の適否についての判断
１．訂正の内容
（１ａ）訂正事項ａ
　請求項１〜３を削除し、請求項３（請求項１又は２を引用）を引用していた請求項４を独立させ、新たに請求項１、２とすると共に、新たな請求項１で元の請求項１での「低密度の膜」を「基体上に堆積した膜より低密度の膜」とし、又新たな請求項２で元の請求項２での「Ｎ２、Ｏ２、Ｎ２Ｏ及び希ガス」を「Ｏ２及び希ガス」とし、以下のとおり訂正する。
「【請求項１】反応ガスのプラズマを発生させて反応室内で基体上に絶縁膜を形成するプラズマ発生手段を備え、前記プラズマ発生手段がマイクロ波電子サイクロトロン共鳴プラズマ、誘導コイル型プラズマ、へリコン波プラズマ及びトランス結合プラズマから選ばれるプラズマ励起手段を有する成膜装置であって、分子構造中にフッ素原子を含有しないクリーニングガスを前記反応室に導入するクリーニングガス導入手段と、前記反応室内でプラズマ放電を行わせる放電手段とを備え、前記反応室内に堆積した膜で前記基体上に堆積した膜より低密度の膜を、前記クリーニングガスによるスパッタエッチングによって除去するよう構成するとともに、前記放電手段が前記反応室側壁に高周波電力を印加する手段を備えていることを特徴とする成膜装置。
【請求項２】クリーニングガスが、Ｏ２及び希ガスから選ばれるガスである請求項１記載の成膜装置。」
（１ｂ）訂正事項ｂ  
  明細書段落【０００８】、【００１４】の「例えばＮ２、Ｏ２、Ｎ２ＯあるいはＡｒ等の希ガス」を「例えばＯ２あるいはＡｒ等の希ガス」と、又同段落【００１１】の「Ｎ２、Ｏ２、Ｎ２Ｏ及び希ガス」を「Ｏ２及び希ガスを」と訂正する。
（１ｃ）訂正事項ｃ  
  明細書段落【００１４】の「プラズマ中で乖離したクリーニングガス」を「プラズマ中で解離したクリーニングガス」と訂正する。
　
　なお、上記訂正事項ｂ、ｃは、上記訂正請求書の「（３）訂正事項」欄には、訂正事項として記載されていないが、訂正事項ｂは、訂正事項ａの請求項２に係る訂正と同じ趣旨で、訂正事項ｃは、訂正請求書と同日付けの特許異議意見書の５頁２１〜２４行に訂正する旨記載され、かつ両訂正事項とも訂正請求書添付の全文訂正明細書では訂正されているので、上記のとおり訂正事項として認定した。
　
２．訂正の目的の適否、新規事項の有無、及び特許請求の範囲の拡張・変更の存否
（２ａ）上記訂正事項ａは、請求項１〜３を削除し、実質的に請求項１〜３を引用していた請求項４を独立させ新たに請求項１、２とすると共に、新たな請求項１で「低密度の膜」を「基体上に堆積した膜より低密度の膜」と低密度の比較対象を明確化し、又新たな請求項２で「Ｎ２、Ｏ２、Ｎ２Ｏ及び希ガス」を「Ｏ２及び希ガス」とガス成分を限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮、ないし明りょうでない記載の釈明を目的とする訂正に該当する。又基体上に堆積した膜より低密度の膜とする点は、明細書段落【０００４】に、「Bias ＥＣＲ ＣＶＤ法による膜の膜質は、半導体基板上では非常に良好であるが、反応室の側壁に付着した膜は、プラズマ照射量が少ないこと及びバイアス電圧によるイオン照射を受けていないことから膜の密度が低く」と記載され、この記載によって裏付けられている。
　よって、該訂正は、願書に添付した明細書に記載された事項の範囲内のものであり、また実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
（２ｂ）上記訂正事項ｂは、上記特許請求の範囲の訂正に基づき訂正後の請求項と整合するよう発明の詳細な説明の記載を訂正するものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とする訂正に該当し、又上記訂正事項ｃは、錯誤により生じた明らかな誤記を正す訂正に該当する。又該訂正は、願書に添付した明細書に記載された事項の範囲内のものであり、また実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　
３．独立特許要件
（３ａ）上記請求項１、２に係る訂正は、特許異議の申立てがされていない請求項についての訂正であって、特許請求の範囲の減縮を目的としたものに該当するから、訂正明細書の請求項１、２に係る発明の独立特許要件について検討する。
　訂正明細書の請求項１、２に係る発明は、訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１、２に記載された事項により特定されるとおりのものである（上記（１ａ）訂正事項ａ欄参照）。
　
（３ｂ）特許異議申立人の提出した甲第１〜３号証の記載事項
甲第１号証：特開昭６２−１８７３号公報
（3b-1）「堆積膜形成装置、とりわけプラズマＣＶＤ法、グロー放電法、アーク放電法等の気相法により堆積膜を形成する装置の洗浄方法」（１頁左下欄１２〜１５行）に関し、「気相法により堆積膜を形成するための反応槽内を気相を含む反応により洗浄する方法において、それぞれ反応性の異なる複数の気体を用いて複数回の反応操作を行うことを特徴とする堆積膜形成装置の洗浄方法。」（特許請求の範囲）
（3b-2）「気相法により堆積膜を形成する反応槽内を効率よく洗浄することができ、且つ形成される堆積膜の品質を高水準に維持することのできる堆積膜形成装置の洗浄方法を提供すべくなされたものである。」（２頁左上欄１４〜１８行）とし、「プラズマ反応による第１回目の反応操作には、前述したＣＦ４とＯ２の混合ガスを選択するのが好ましい。・・・第２回目以降の洗浄操作に使用する気体としては、例えばＣＦ４とＨ２の混合ガス、ＡｒとＨ２の混合ガス等を選択するのが好ましい。」（２頁右上欄１７行〜左下欄１１行）、また、３頁第２表には、実施例３〜５において第２回目に使用した洗浄用ガスとして、Ａｒ／Ｈガスが記載されている。
(3b-3)「気相法により基体上に機能性堆積膜を形成する技術は、電子写真における光導電性部材を均一にドラム上に成膜する場合などに既に広く採用されている。」（１頁左欄１７〜２０行）と記載され、２頁右下欄７行〜３頁左上欄３行には、堆積膜の作製条件として表面保護層を設けることが記載され、第１図には、反応槽容器１、円筒状導電性基体５、抵抗発熱体１４およびそれに接続された電源、反応槽容器１に接続されたガス導入管８、反応槽容器１の側壁に接続された高周波マッチングボックス１２などを備えた堆積膜形成装置が図示されている。
　
甲第２号証：特開昭６２−２０３１６２号公報
　支持体の上に、長波長光感光層と、光導電層と、表面層とが積層された電子写真用光受容部材に関し、１７頁右下欄３〜６行には、「例えば、表面層を電気的耐圧性の向上を主な目的として設けるには、Ａ−（ＳｉＸＣ１−Ｘ）ｙＨ１−ｙは使用環境に於いて電気絶縁性的挙動の顕著な非晶質材料として作成される。」が記載されている。
　
甲第３号証：特開平５−２２９５号公報
　支持体の外周面に透光性導電層が形成され、その透光性導電層の上に光導電層が積層された感光体が記載され、３頁右欄１６〜２０行には、「光導電層７の上に表面層１５を積層してもよい。【００２６】表面層１５は絶縁層もしくは高抵抗層であり、有機材料もしくは無機材料のいずれによっても形成することができる。」が記載され、同頁右欄３０〜４３行には、絶縁層としての表面層１５に用いられる有機材料の具体例、絶縁層もしくは高抵抗層としての表面層１５に用いられる無機材料の具体例が詳細に記載され、絶縁層もしくは高抵抗層を薄膜形成手段により形成すること、
　さらに、２頁右欄３２〜３８行には、薄膜形成手段として、真空蒸着法、活性反応蒸着法、ＲＦスパッタリング法、ＤＣスパッタリング法、ＲＦマグネトロンスパッタリング法、ＤＣマグネトロンスパッタリング法、熱ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法、ＥＣＲ法などの各種手段が列挙されている。
　
（３ｃ）特許法第２９条第１、２項違反について
　訂正明細書の請求項１、２に係る発明と上記甲第１号証に記載された発明とを対比する。甲第１号証には、プラズマＣＶＤ法等の気相法により堆積膜を形成する装置の洗浄方法であって、それぞれ反応性の異なる複数の気体を用いて複数回の反応操作を行うこと（上記摘記事項（2-1a））、及び第２回目に使用した洗浄用ガスとして、Ａｒ／Ｈガス（上記摘記事項（2-1b））が記載されているが、複数回の反応操作に用いる洗浄用ガスとしては、フッ素原子を含有するガスを用いている。これに対して、訂正明細書の請求項１、２に係る発明では、分子構造中にフッ素原子を含有しないクリーニングガスを用いるために、「分子構造中にフッ素原子を含有しないクリーニングガスを前記反応室に導入するクリーニングガス導入手段」を構成としており、この点で両者は異なっている。
　また、甲第２、３号証には、支持体の上に、光導電層と、表面層とが積層された電子写真用光受容材に関し、表面層は絶縁層であることについては記載されているが、上記相違点を甲第２、３号証の記載から当業者といえども容易には構成し得ないものである。
　そして、訂正明細書の請求項１、２に係る発明は、この分子構造中にフッ素原子を含有しないクリーニングガスを用いることにより明細書に記載された、反応室は金属面が露出しているため、分子構造中にフッ素原子を含有するクリーニングガスを用いる際の、成膜時における反応室側壁等への膜の密着性が低下し、逆に反応室側壁等からの膜剥離の原因となり、また、成膜及びクリーニングを繰り返すことにより、スループットが低下することが懸念されることがないという甲第１〜３号証の記載からは予測することのできない顕著な効果を奏するものである。
　よって、訂正明細書の請求項１、２に係る発明は、甲第１号証に記載された発明ではなく、甲第１〜３号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものでもない。
　
　更に、当審が平成１６年４月１３日付で通知した取消理由通知書において引用した刊行物４（特開平３−１４０４７０号公報）、刊行物５（特開平５−３３９７３５号公報）、刊行物６（特開平６−１９６４４８号公報）、及び刊行物７（特開平２−５０９８５号公報）の記載を参酌しても、各引用例の記載を結びつける動機付けがなく、プラズマ発生手段がマイクロ波電子サイクロトロン共鳴プラズマ、誘導コイル型プラズマ、へリコン波プラズマ及びトランス結合プラズマから選ばれるプラズマ励起手段を有する成膜装置であって、分子構造中にフッ素原子を含有しないクリーニングガスを前記反応室に導入するクリーニングガス導入手段と、反応室内でプラズマ放電を行わせる放電手段とを備え、放電手段が前記反応室側壁に高周波電力を印加する手段を備える訂正明細書の請求項１、２に係る発明を当業者が容易に想到し得るものではない。
　
（３ｄ）特許法第３６条第６項違反について
　特許異議申立人は、請求項１の「低密度の膜」の記載は不明確であって、特許を受けようとする発明が明確ではなく、クリーニングガスとしてＮ２、Ｎ２Ｏガスを用いた実施例の記載がなく、請求項２は発明の詳細な説明に記載された発明ではなく、請求項１、２に係る発明の特許は、特許法第３６条第６項に規定する要件を満たしていない出願に対してされたものであると主張している。
　そこで、上記主張について検討すると、訂正明細書の請求項１では、「低密度の膜」を「基体上に堆積した膜より低密度の膜」と低密度の比較対象を明確化し、又訂正明細書の請求項２では「Ｎ２、Ｏ２、Ｎ２Ｏ及び希ガス」を実施例に記載された「Ｏ２及び希ガス」とガス成分を限定するものであるから、上記特許異議申立人の主張する記載不備はないものである。
　
（３ｅ）以上により、訂正後の請求項１、２に係る発明は、特許法第２９条の規定により特許を受けることができない発明ではなく、又その特許出願が同第３６条第６項に規定する要件を満たしていないものでもない。
　そのため、訂正後の請求項１、２に係る発明は、特許出願の際に独立して特許を受けることができるものである。
　　
４．訂正の適否の結論
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、特許法第１２０条の４第３項において準用する平成６年法律第１１６号による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書き、第２項及び第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
III．特許異議申立てについての判断
　特許異議申立人は、甲第１〜３号証を提出し、訂正前の請求項１〜３に係る発明は、甲第１号証に記載された発明であるか、又は甲第１〜３号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであって、訂正前の請求項１〜３に係る発明の特許は、特許法第２９条第１項第３号、又は同条第２項の規定に違反して特許されたものであるから、又訂正前の請求項１、２の記載には記載不備があって、訂正前の請求項１、２に係る発明の特許は、特許法第３６条第６項に規定する要件を満たしていない出願に対してされたものであるから、訂正前の請求項１〜３の特許は取り消されるべきである旨主張する。　
　しかしながら、上記「II．訂正の適否についての判断」で示したとおり、訂正前の請求項１〜３に係る発明は、訂正の結果削除され、特許異議の申立ての対象が存在しないので、この特許異議の申立ては、不適法な申立てであって、その補正をすることができないものである。　
　　
IV．むすび
　以上のとおりであるから、本件特許異議の申立ては、特許法第１２０条の６第１項で準用する第１３５条の規定によって却下すべきものである。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１６年７月５日（２００４．７．５）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
成膜装置
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　
反応ガスのプラズマを発生させて反応室内で基体上に絶縁膜を形成するプラズマ発生手段を備え、前記プラズマ発生手段がマイクロ波電子サイクロトロン共鳴プラズマ、誘導コイル型プラズマ、ヘリコン波プラズマ及びトランス結合プラズマから選ばれるプラズマ励起手段を有する成膜装置であって、
　分子構造中にフッ素原子を含有しないクリーニングガスを
前記
前記
前記反応室内に堆積した膜で前記基体上に堆積した膜より低密度の膜を、前記クリーニングガスによるスパッタエッチングによって
前記
　【請求項２】　クリーニングガスが、
Ｏ２及び希ガス
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造に用いられる成膜装置に関する。本発明は、例えば、高度に微細化、高集積化したメモリー素子等の集積半導体回路製造用の成膜装置に利用することができる。
　【０００２】
　【従来の技術】半導体装置の高密度化に伴って、配線技術は微細化、多層化の方向に進んでいる。しかし、高集積化は配線の信頼性を低下させる要因になる場合がある。それは、配線の微細化と多層化の進展によって層間絶縁膜の段差は大きくかつ急峻となり、その上に形成される配線の加工精度、信頼性を低下させるからである。このため、アルミニウム配線の段差被覆性の大幅な改善ができない現在、層間絶縁膜の平坦性を向上させる必要がある。
　【０００３】これまでに、各種の絶縁膜の形成技術及び平坦化技術が開発されてきたが、これらの技術を微細化、多層化した配線層に適用した場合、配線間隔が広い場合の平坦性の不足や配線間隔における層間膜での「す」の発生により、配線間における信頼性不良が重要な問題になる。そこで、埋め込み特性に優れたＣＶＤ手法として、Ｂｉａｓ　ＥＣＲ　ＣＶＤ法が提案されている。この種の技術については、これまで多数の報告書が提出されている。
　【０００４】
　【発明が解決しようとする課題】Ｂｉａｓ　ＥＣＲ　ＣＶＤ法による膜の膜質は、半導体基板上では非常に良好であるが、反応室の側壁に付着した膜は、プラズマ照射量が少ないこと及びバイアス電圧によるイオン照射を受けていないことから膜の密度が低く、側壁からの膜剥離が発生してパーティクルの原因となる。
　【０００５】そのため、成膜後に反応室内全体に形成された膜をＣ２Ｆ６等のエッチングガスを用いて除去する方法が提案されている。しかし、反応室は金属面が露出しているため、上記方法を実施した場合、成膜時における反応室側壁等への膜の密着性が低下し、逆に反応室側壁等からの膜剥離の原因となる。また、成膜及びクリーニングを繰り返すことにより、スループットが低下することが懸念される。
　【０００６】そこで、クリーニング頻度をできるだけ低減する手法として、反応室側壁からの膜剥離を防止するために予め膜質の良好な膜（密着層）を側壁に形成しておき、側壁への膜の密着性を向上させる手法が提案されている。しかし、この手法により側壁に密着層を形成したとしても、長期にわたって装置を使用したときには、低密度の膜の場合には剥離を防止することができない。したがって、側壁に堆積した低密度の膜のみを効果的に除去する方法が要望されている。
　【０００７】本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、Ｂｉａｓ　ＥＣＲ　ＣＶＤ装置等の成膜装置の反応室側壁に堆積した低密度の膜を効果的に除去し、パーティクルを低減させることができる成膜装置を提供することを目的とする。
　【０００８】
　【課題を解決するための手段】本発明者は、上述の目的を達成するために鋭意検討を行った過程で、クリーニングガスとしてフッ素原子を含有しないガス、例えば
Ｏ２あるいはＡｒ等の希ガス
　【０００９】したがって、本発明は、分子構造中にフッ素原子を含有しないクリーニングガスを反応室に導入し、反応室内でプラズマ放電を行って、前記クリーニングガスによるスパッタエッチングによって反応室内に堆積した低密度の膜を除去することを特徴とする成膜装置を提供する。
　【００１０】すなわち、本発明は、分子構造中にフッ素原子を含有しないクリーニングガスを反応室に導入するクリーニングガス導入手段と、反応室内でプラズマ放電を行わせる放電手段とを備え、前記クリーニングガスによるスパッタエッチングによって反応室内に堆積した低密度の膜を除去するよう構成したことを特徴とする成膜装置を提供する。
　【００１１】本発明において、クリーニングガスの種類に特に限定はなく、分子構造中にフッ素原子を含有しないものであればいずれのものでも使用することができるが、
Ｏ２及び希ガス
　【００１２】本発明成膜装置において、クリーニングガス導入手段は、例えば反応室を形成するチャンバにクリーニングガスの導入管を連結することにより構成することができる。また、放電手段は、例えば反応室側壁に高周波電力を印加する手段を設けることにより構成するものとする。
　【００１３】本発明成膜装置としては、反応ガスのプラズマを発生させて反応室内で基体上に絶縁膜を形成するプラズマ発生手段を備えたものが挙げられる。この場合、上記プラズマ発生手段としては、例えば、マイクロ波電子サイクロトロン共鳴プラズマ、誘導コイル型プラズマ、ヘリコン波プラズマ及びトランス結合プラズマから選ばれるプラズマ励起手段を有するものが挙げられる。
　【００１４】
　【作用】本発明は、分子構造中にフッ素原子を含有しないクリーニングガス、例えば
Ｏ２あるいはＡｒ等の希ガス
解離
　【００１５】
　【実施例】以下、実施例により本発明を具体的に示すが、本発明は下記実施例に限定されるものではない。図１は、本発明成膜装置の一実施例に係るＢｉａｓ　ＥＣＲ　ＣＶＤ装置を示す概略図である。図１において、２はチャンバ、４はチャンバ２内の上部に形成されたプラズマ発生室、６はチャンバ２内の下部に形成された反応室、８はプラズマ発生室４にプラズマ発生用ガスを導入するプラズマ発生用ガス導入管、１０は反応室６に反応ガスを導入する反応ガス導入管、１２は反応室６にクリーニングガスを導入するクリーニングガス導入管、１４はチャンバ２に形成された排気口、１６はプラズマ発生室４の周囲に設置されたＥＣＲ条件を満たすための磁石、１８はプラズマ発生室４に連結されたマイクロ波導入用の導波管、２０は反応室６に設置された下部電極、２２は下部電極２０に接続されたＲＦ電源、２４は下部電極２０に設けられたヒータ、２６は反応室側壁２８に接続されたＲＦ電源を示す。
　【００１６】ここで、ＲＦ電源２６は反応室側壁２８の全周にわたって高周波電力を印加するようになっている。また、図示していないが、反応室側壁２８（図１においてｘで示す部分）はグラウンドから浮いた状態でＲＦ電源２６に接続されている。この場合、反応室側壁２８をグラウンドから浮かせる手段としては、例えば反応室側壁２８を分割して設置する手段等が挙げられる。
　【００１７】図１の装置では、成膜工程において、ヒータ２４で昇温した下部電極２０上に半導体基板３０を置き、導波管１８からマイクロ波を導入し、半導体基板３０にＲＦ電源２２から高周波電力を印加するとともに、プラズマ発生用ガス導入管８からのプラズマ発生室４へのプラズマ発生用ガスの導入、反応ガス導入管１０からの反応室６への反応ガスの導入を行って、Ｂｉａｓ　ＥＣＲ　ＣＶＤ法により半導体基板３０上に絶縁膜を形成する。
　【００１８】また、クリーニング工程においては、導波管１８からマイクロ波を導入し、反応室側壁２８にＲＦ電源２６から高周波電力を印加するとともに、クリーニングガス導入管１２からの反応室６へのクリーニングガスの導入を行って、スパッタエッチングにより反応室側壁２８に堆積した低密度の膜を除去する。すなわち、反応室側壁に高周波電力を印加することでイオン衝撃力を増加させ、反応室側壁に堆積した低密度膜を除去する。
　【００１９】次に、図１の装置を用いて成膜後にクリーニングを行った実施例を示す。
［実施例１］本実施例は、半導体集積回路製造の際に、段差を有する基体上に配線層を形成する場合において、層間絶縁膜の形成後における反応室側壁の低密度膜の除去工程に本発明を適用した例である。
　【００２０】絶縁膜形成後に反応室６内にクリーニングガス導入管１２からＯ２ガスを導入し、Ｏ２プラズマ処理を以下の条件で行い、低密度膜の除去を行った。
　　Ｏ２ガス流量：１００（ｓｃｃｍ）
　　圧力：０．１（Ｐａ）
　　マイクロ波：９００（Ｗ）
　　ＲＦ：５００（Ｗ）
　　時間：６０（ｓｅｃ）
　【００２１】上記のクリーニング処理の効果を確認するために、クリーニング処理後に反応室６内にウェハを搬送してパーティクル量の評価を行った。結果を下記表１に示す。その結果、本発明のクリーニング処理を行った場合は、行わなかった場合に比較して大幅にパーティクルが減少することが認められた。
　【表１】
　【００２２】［実施例２］本実施例は、半導体集積回路製造の際に、段差を有する基体上に配線層を形成する場合において、層間絶縁膜の形成後における反応室側壁の低密度膜の除去工程に本発明を適用した例であり、低密度膜の除去を実施例１よりさらに効果的に行うためにスパッタ効率の高いＡｒを用いてクリーニング時間の短縮を図った例である。
　【００２３】絶縁膜形成後に反応室６内にクリーニングガス導入管１２からＡｒガスを導入し、Ａｒプラズマ処理を以下の条件で行い、低密度膜の除去を行った。
　　Ａｒガス流量：１００（ｓｃｃｍ）
　　圧力：０．１（Ｐａ）
　　マイクロ波：９００（Ｗ）
　　ＲＦ：５００（Ｗ）
　　時間：１５（ｓｅｃ）
　【００２４】上記クリーニング処理の効果を確認するために、クリーニング処理後に反応室６内にウェハを搬送してパーティクル量の評価を行った。結果を下記表２に示す。その結果、本発明のクリーニング処理を行った場合は、行わなかった場合に比較して大幅にパーティクルが減少することが認められた。
　【表２】
　【００２５】
　【発明の効果】本発明の成膜装置によれば、成膜時に反応室内に堆積した低密度の膜を効果的に除去し、パーティクルを低減させることができる。この場合、本発明の成膜装置では、成膜後に連続的にクリーニング処理を行うことができるため、スループットの低下が非常に少ない。
【図面の簡単な説明】
　【図１】本発明成膜装置の一実施例に係るＢｉａｓ　ＥＣＲ　ＣＶＤ装置を示す概略図である。
　【符号の説明】
　２　チャンバ
　４　プラズマ発生室
　６　反応室
　８　プラズマ発生用ガス導入管
　１０　反応ガス導入管
　１２　クリーニングガス導入管
　１４　排気口
　１６　磁石
　１８　導波管
　２０　下部電極
　２２　ＲＦ電源
　２４　ヒータ
　２６　ＲＦ電源
　２８　反応室側壁