【事件の表示】
　特許第３２０５９２７号「銅金共存基板の表面保護剤および表面保護膜の形成方法。」の請求項１、２に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第３２０５９２７号の請求項１、２に係る特許を取り消す。
【理　由】
１．手続の経緯
　本件特許第３２０５９２７号の請求項１、２に係る発明についての出願は、平成９年４月７日に特許出願され、平成１３年７月６日にその発明について特許権の設定登録がされ、その後、その特許について、特許異議申立人四国化成工業株式会社により特許異議の申立てがなされ、取消理由の通知がなされ、その指定期間内である平成１５年２月２０日に訂正請求書（平成１５年３月１２日付け手続補正（方式）により「請求の趣旨」及び「請求の理由」が補正された。）が提出された後、訂正拒絶理由の通知がなされ、その指定期間内である平成１５年５月２８に当該訂正請求書を補正する手続補正書が提出されたものである。
　　
２．訂正請求書の補正の適否についての判断
　当該補正の内容は、
ア．訂正請求書の訂正事項（２）において、『「２−アルキルベンズイミダゾール、２−アルキルアルキルベンズイミダゾール、２−フェニルアルキルベンズイミダゾール、２−アルキルフエニルベンズイミダゾール、２−アルキルフェニルアルキルベンズイミダゾール」の記載を「２−ベンジルベンズイミダゾール、２−（２−フェニルエチル）ベンズイミダゾール、２−（５−フェニルペンチル）ベンズイミダゾール、２−（２−フェニルエチル）メチルベンズイミダゾール、４−クロロ−２−ベンジルベンズイミダゾール、２−（４−ブロモフェニルメチル）ベンズイミダゾール、２−（４−クロロフェニルメチル）ベンズイミダゾール」と訂正する。』とあるのを、『「２−アルキルベンズイミダゾール、２−アルキルアルキルベンズイミダゾール、２−フェニルアルキルベンズイミダゾール、２−アルキルフエニルベンズイミダゾール、２−アルキルフェニルアルキルベンズイミダゾール」の記載を「２−フェニルアルキルベンズイミダゾール、２−アルキルフエニルベンズイミダゾール、２−アルキルフェニルアルキルベンズイミダゾール」と訂正する。』と補正し、
イ．訂正請求書の訂正事項（４）、（５）、（６）において、『「（化１）〜（化２）で表される化合物」の記載を「２−（４−クロロフェニルメチル）ベンズイミダゾール」と訂正する。』とあるのを、『「（化１）〜（化２）で表される化合物」の記載を「（化１）で表される化合物」と訂正する。』と補正するものであるが、当該補正は、訂正事項の内容を変更するものであって、訂正事項の削除でも、訂正請求書の要旨を変更しない範囲での軽微な瑕疵の補正等でもないから、訂正請求書の要旨を変更するものである。
　したがって、この補正は、特許法第１２０条の４第３項で準用する特許法第１３１条第２項の規定に適合しないから、当該補正は認められない。
（なお、訂正事項の○内数字は、（）書き数字として表示している。）　
　
３．訂正の適否についての判断
１）上記訂正事項（２）のうち、明細書の【０００４】の「２−アルキルベンズイミダゾール、２−アルキルアルキルベンズイミダゾール、２−フェニルアルキルベンズイミダゾール、２−アルキルフェニルベンズイミダゾール、２−アルキルフェニルアルキルベンズイミダゾール」を、「２−ベンジルベンズイミダゾール、２−（２−フェニルエチル）ベンズイミダゾール、２−（５−フェニルペンチル）ベンズイミダゾール、２−（２−フェニルエチル）メチルベンズイミダゾール、４−クロロ−２−ベンジルベンズイミダゾール、２?（４?ブロモフェニルメチル）ベンズイミダゾール、２−（４−クロロフェニルメチル）ベンズイミダゾール」と訂正する訂正事項については、訂正前の明細書中に該訂正事項の根拠となるベンズイミダゾール化合物の具体的な化合物名の記載がない。記載されているのは、【化２】として表された一般構造式と、その式中記号の説明として「Ｒ１、Ｒ２は、水素、低級アルキル基またはハロゲン原子を示す。Ｒ３はアルキレン基で直鎖でなくとも良い。ａ、ｂ、は０〜４の整数を示す。ｃは０から１０の整数を示す。」（特許請求の範囲の請求項１）といった概略的な記載や、「２−フェニルアルキルベンズイミダゾール、２−アルキルフエニルベンズイミダゾール、２−アルキルフェニルアルキルベンズイミダゾール」（【０００４】）といった上位概念の記載であって、これだけの記載内容から、上記訂正後の具体的な化合物名を直接的かつ一義的に想起して特定することはできない。
　よって、訂正事項（２）は、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてした訂正であると認めることはできない。
２）上記訂正事項（４）、（５）、（６）のうち、「（化１）〜（化２）で表される化合物」（【０００６】、【０００７】、【０００８】）を、「２−（４−ブロモフェニルメチル）ベンズイミダゾール」と訂正する訂正事項については、訂正前の明細書中に該訂正事項の根拠となる具体的な化合物名の記載がなく、関連する記載としては、【化２】として表された一般構造式と、その式中記号の説明として「Ｒ１、Ｒ２は、水素、低級アルキル基またはハロゲン原子を示す。Ｒ３はアルキレン基で直鎖でなくとも良い。ａ、ｂ、は０〜４の整数を示す。ｃは０から１０の整数を示す。」（特許請求の範囲の請求項１）といった概略的な記載と、「２−フェニルアルキルベンズイミダゾール、２−アルキルフエニルベンズイミダゾール、２−アルキルフェニルアルキルベンズイミダゾール」（【０００４】）といった上位概念の記載があるのみである。よって、これらの記載内容から、上記訂正後の具体的な化合物名を直接的かつ一義的に想起して特定することはできない。
　また、訂正事項（４）、（５）、（６）のうち、「ＰＨ１〜６」（【０００６】、【０００７】、【０００８】）を「ＰＨ２．５〜３．５」と訂正する訂正事項については、訂正前の明細書中に該訂正事項の根拠となるＰＨ２．５〜３．５の値が記載されておらず、「ＰＨ１〜６」（特許請求の範囲の請求項１）から「ＰＨ２．５〜３．５」を直接的かつ一義的に導くことはできない。
　よって、訂正事項（４）、（５）、（６）は、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてした訂正であると認めることはできない。
　以上、１）及び２）で検討したとおり、この訂正は、特許法第１２０条の４第３項で準用する第１２６条第２項の規定に適合しないので、当該訂正は認められない。
（なお、訂正事項の○内数字は、（）書き数字として表示している。）　
　
４．特許異議申立てについての判断
４−１．申立ての理由及び当審の取消し理由の概要
　異議申立人は、証拠方法として甲第１〜３号証を提出して、本件請求項１、２に係る発明は、甲第１〜３号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件請求項１、２に係る発明の特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであり、また、本件明細書には記載不備があるから、本件請求項１、２に係る発明の特許は、特許法第３６条第４項に規定する要件を満たしていない特許出願に対してなされたものである旨主張している。
　そして、当審が通知した取消理由は、この主張と同様のものである。
　
４−２．本件発明
　上記３．で述べたとおり訂正が認められないから、本件請求項１、２に係る発明（以下、「本件発明１」、「本件発明２」という。）は、特許明細書の特許請求の範囲の請求項１、２に記載された事項により特定される以下のとおりのものと認める。
「【請求項１】　（化１）〜（化２）で表されるベンズイミダゾール化合物を少なくとも１種類と有機酸、金属化合物等を含むｐＨ１〜６の水溶液に、必須成分としてＥＤＴＡ・２Ｎａ化合物を含有する水溶液からなる銅金共存基板の銅及び銅合金の表面保護剤。
　【化１】
　
　（但し、式中Ｒ１は水素、低級アルキル基またはハロゲン原子を示す。Ｒ２はアルキル基で直鎖でなくとも良い。ａは０〜４の整数を示す。ｂは０〜１の整数を示す。）
　【化２】
　
　　
　（但し、式中Ｒ１、Ｒ２、は水素、低級アルキル基またはハロゲン原子を示す。
Ｒ３はアルキレン基で直鎖でなくとも良い。ａ、ｂ、は０〜４の整数を示す。Ｃは０〜１０の整数を示す。）
【請求項２】　請求項１記載の銅金共存基板の銅及び銅合金の表面保護剤の水溶液に、銅金共存基板の銅あるいは銅合金の表面を接触させ選択的に銅表面上にのみ膜を形成することを特徴とする銅金共存基板の銅及び銅合金の表面保護膜の形成方法。」
　なお、請求項１に記載された【化１】の式中記号の説明において、Ｒ２の可能な置換位置は２位のみであり、ｂは０又は１しかあり得ないから、「ｂは０〜１０の整数を示す。」は、、「ｂは０〜１の整数を示す。」の誤記と認められるので、本件発明１を上記のように認定した。
　　
４−３．刊行物に記載された事項
　当審が通知した取消理由に引用された刊行物１〜３には、それぞれ以下の事項が記載されている。
刊行物１：特開平８−８５１６号公報（異議申立人の提出した甲第１号証と同じ）
（摘示1-1）「【請求項１】　下記の一般式で表されるベンズイミダゾール誘導体を有効成分とする化合物を塩を形成する酸によってｐＨ１〜ｐＨ５に調整し、かつ銅，マンガン，亜鉛を含む重金属の含有率が５０ｐｐｍ以下の水溶液であることを特徴とする印刷配線板の表面保護剤。
　
（但し、式中Ｘは同一又は異なる炭素数１〜７個のアルキル基，ハロゲン原子・・・、ｎ，ｐは０〜４の整数を示し、ｍは１〜１０の整数を示す）」（特許請求の範囲の請求項１）
　なお、上記化学式を以下、「【化学式１】」と表記する。
（摘示1-2）「【発明が解決しようとする課題】　このベンズイミダゾール誘導体を有効成分とする化合物の表面保護剤では、銅又は銅合金との錯体被膜の累積形成反応を促進するために、銅，マンガン，亜鉛，等の金属塩が錯体被膜形成助剤として添加されているが、これら金属塩は印刷配線板の接点，接触用の金めっき層に対して触媒として作用し、金めっき層の表面にも錯体被膜を形成する（金はその高い酸化還元電位を有するために極めて安定であり、一般的には錯体を形成することはない）。この錯体被膜は・・・接点、接触用金めっき層表面の接触抵抗が上昇し接続的信頼性を低下させるほか、金めっき層表面の変色により外観を損ねるといった問題点があった。」（【０００５】）
（摘示1-3）「本発明の目的は、金めっき層表面に錯体被膜を形成することなく回路表面にのみ表面保護膜を形成でき、接続信頼性の低下や金めっき層表面の変色がなく、塩素系有機溶剤の使用を回避できる安全性の高い印刷配線板の表面保護剤および表面保護膜の形成方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】本発明は、印刷配線板の銅又は銅合金からなる回路部表面に表面保護膜を形成する印刷配線板の表面保護膜の形成方法において、・・・ベンズイミダゾール誘導体を有効成分とする化合物を塩を形成する酸によってＰＨ１〜ＰＨ５に調整し銅，マンガン，亜鉛を含む重金属の含有率が５０ｐｐｍ以下の水溶液を印刷配線板の表面保護剤として前記銅又は銅合金からなる回路部表面に接触させ、この回路部表面から溶出した銅を含む重金属のイオンをイオン交換樹脂を用いるか又は電気分解により除去し前記表面保護剤の水溶液の前記銅を含む重金属の濃度を５０ｐｐｍ以下に保つように管理する工程と、水洗い，水切り，乾燥を順次行う工程とを含む。」（【０００６】、【０００７】）
（摘示1-4）「【実施例】・・・絶縁基板１の所定の位置に銅又は銅合金からなる部品実装用パッド・・・並びに端子・・・を含む回路部を形成し、端子・・・の表面に電解金めっきを施し電解金めっき層・・・を被覆する。次に・・・ベンズイミダゾール化合物を有効成分として・・・含み、ギ酸，酢酸・・・乳酸・・・シュウ酸・・・等の塩を形成する有機酸・・・によってＰＨ１〜ＰＨ５に調整した表面保護剤の水溶液に浸漬する。・・・部品実装用パッド・・・を含む銅又は銅合金からなる回路部表面にのみ０．２〜０．５μｍの表面保護膜・・・が形成される。」（【０００９】〜【００１３】）
刊行物２：特開平６−８１１６１号公報（異議申立人の提出した甲第２号証と同じ）
（摘示2-1）「【請求項２】銅あるいは銅合金の表面に、下記一般式で示される２−アルキルベンズイミダゾール誘導体を主成分とし、銅と反応するキレート剤として・・・アミノカルボン酸及びこれらの金属塩のうち一種類以上の化合物を含む水溶液を接触させることを特徴とする、銅及び銅合金の表面処理方法。
　【化２】
　
（但し、式中Ｒ１及びＲ２は同一または異なって水素原子、低級アルキル基またはハロゲン原子、Ｒ３は炭素数３以上のアルキル基を表す。）」（第６頁特許請求の範囲の請求項２）
　なお、上記「【化２】・・・（但し、式中・・・を表す。）」で示される一般式を、以下、「【化学式２】」と表記する。
（摘示2-2）「本発明の実施においては、２−アルキルベンズイミダゾール誘導体を有機酸と反応させて、水に可溶な塩とすれば良い。」（第９頁【００１４】）
（摘示2-3）「銅イオンと反応するキレート剤を含む２−アルキルベンズイミダゾール系プリフラックスは、プリフラックス処理中にプリント配線板より溶解した銅イオンが銅イオンと反応するキレート剤と銅錯化物となり除去されるので、プリフラックス溶液中に存在する銅イオンと同等またはそれ以上のモル濃度のキレート剤を添加すれば、金・・・で出来ている接栓部及び金・・・で出来ている表面実装部品の接続端子部を有するプリント配線板にプリフラックス処理を行う場合、接栓部及び接続端子部にマスキングを施すことなく、銅及び銅合金パターン部のみに２−アルキルベンズイミダゾール系化合物の被膜を容易に形成させ接栓部および接続端子部の表面を清浄に保つことができる。」（第９頁【００１７】）
（摘示2-4）「２−アルキルベンズイミダゾール系プリフラックス（四国化成工業ＫＫ製、タフエースＥ１）においてプリフラックス水溶液中の銅イオン量を１４０ｐｐｍに固定し、エチレンジアミン四酢酸（以下ＥＤＴＡと略記）の添加量を種々変化させてプリント配線板の銅パターン上に０．２μｍのプリフラックス被膜を形成した場合・・・プリフラックス中に含まれる銅イオン量が１４０ｐｐｍとなっても、その銅イオンと等しいモル濃度以上のＥＤＴＡを添加しておけば金接栓部にプリフラックス被膜の形成はなく、プリフラックス処理前の清浄な金接栓部と同等の接触抵抗を示した。・・・プリフラックス溶液中の銅イオンと同等またはそれ以上のモル濃度のＥＤＴＡを添加すれば、金接栓部におけるプリフラックスの析出はまったくなく清浄な金接栓を提供することができる。」（第９〜１０頁【００２２】）
刊行物３：特開昭５６−１８０７７号公報（異議申立人の提出した甲第３号証）
（摘示3-1）「銅イオンと反応するキレート剤として・・・エチレンジアミン誘導体・・・およびこれらの金属塩のうちの一種類の化合物を・・・加えればよい」（第３欄第２３〜３０行）
（摘示3-2）「銅イオンを隠ぺいするに必要なエチレンジアミン四酢酸二ナトリウム塩（以下、ＥＤＴＡと略記）の添加量・・・」（第５欄第５〜７行）
　
４−４．当審の判断
４−４−１．進歩性について
（１）本件発明１について       
（１−１）刊行物２を主引用例として　
　刊行物２には、摘示2-1より、一般式【化学式２】で示される２−アルキルベンズイミダゾール誘導体を主成分とし、銅と反応するキレート剤としてアミノカルボン酸及びその金属塩のうち一種類以上の化合物を含む水溶液を処理液として、銅及び銅合金の表面に接触させることによる、銅及び銅合金の表面処理方法が記載され、摘示2-3、2-4によると、この表面処理方法をプリント配線板に適用した場合、銅イオン量が１４０ｐｐｍである処理液に、エチレンジアミン四酢酸（ＥＤＴＡ、キレート剤）を、銅イオンと同等またはそれ以上のモル濃度で添加すると、プリント配線板の金接栓部にはプリフラックスの析出はまったくなく、銅及び銅合金パターン部にプリフラックス被膜（２−アルキルベンズイミダゾール系化合物の被膜）が形成されるというものである。摘示2-4ではキレート剤としてＥＤＴＡが用いられているが、摘示2-1によると、アミノカルボン酸（ＥＤＴＡ）の金属塩も用いることができるとされているから、刊行物２の摘示2-1、2-4に記載される銅及び銅合金の表面処理方法に用いられる処理液は、「一般式【化学式２】で示される２−アルキルベンズイミダゾール誘導体、銅イオン、銅と反応するキレート剤としてＥＤＴＡの金属塩を含有する水溶液」であって、銅及び銅合金パターン部と金接栓部とを有するプリント配線板の銅及び銅合金パターン部に表面保護のためのプリフラックス被膜を形成するためのものであるから、「銅及び銅合金パターン部の表面保護剤」であるといえる。
　よって、摘示2-1、2-3に記載される事項を本件発明１の記載ぶりに則って整理すると、刊行物２には、「一般式【化学式２】で示される２−アルキルベンズイミダゾール誘導体を少なくとも１種類と銅イオンを含む水溶液に、ＥＤＴＡの金属塩を含有する水溶液からなる銅及び銅合金のパターン部と金接栓部とを有するプリント配線板の銅及び銅合金パターン部の表面保護剤」の発明（以下、「刊行物２発明」という。）が記載されているといえる。
　本件発明１と刊行物２発明を対比すると、刊行物２発明の「一般式【化学式２】で示される２−アルキルベンズイミダゾール誘導体」は、本件発明１の「（化１）で表されるベンズイミダゾール化合物」のＲ１が水素、低級アルキル基またはハロゲン原子、Ｒ２が炭素数３以上のアルキル基、ａ＝２、ｂ＝１の場合に相当し、また、刊行物２発明の「銅及び銅合金パターン部と金接栓部とを有するプリント配線板」、「銅及び銅合金パターン部の表面保護剤」は、それぞれ本件発明１の「銅金共存基板」、「銅及び銅合金の表面保護剤」に相当し、本件発明１の「ＥＤＴＡ・２Ｎａ化合物」と刊行物２発明の「ＥＤＴＡの金属塩」はともに「キレート剤」に相当するから、両者は、「（化１）で表されるベンズイミダゾール化合物を少なくとも１種類含む水溶液に、キレート剤を含有する水溶液からなる銅金共存基板の銅及び銅合金の表面保護剤。【化１】・・・（省略）・・・」で一致し、以下の点で相違する。
　
相違点１：（化１）で表されるベンズイミダゾール化合物を少なくとも１種類含む水溶液が、本件発明１は、「有機酸、金属化合物等を含むｐＨ１〜６の水溶液」であるのに対し、刊行物２発明は、銅イオンを含む水溶液である点。
相違点２：キレート剤が、本件発明１は、「ＥＤＴＡ・２Ｎａ化合物」であるのに対し、刊行物２発明は、ＥＤＴＡの金属塩である点。
　
　上記相違点について検討する。
　相違点１について
　（化１）で表されるベンズイミダゾール化合物を少なくとも１種類と有機酸、金属化合物等を含む水溶液からなる銅及び銅合金の表面処理剤は周知であって（必要ならば例えば、特開平５−９３２８１号公報、特開平４−１８３８７４号公報、特開平４−９９２８５号公報、特開平４−７２０７２号公報参照）、金属化合物が銅化合物であるものも周知である（必要ならば例えば、特開平５−９３２８１号公報、特開平４−９９２８５号公報、特開平４−７２０７２号公報参照）。この周知の表面保護剤においては、金属化合物は、水溶液中でイオンとなっているのであって、金属化合物が銅化合物の場合は、表面保護剤は銅イオンを含むものとなる。
　刊行物２発明においては、（化１）で表されるベンズイミダゾール化合物を少なくとも１種類含む水溶液が、銅イオンを含むとしか記載されていないのであるが、摘示2-2には、２−アルキルベンズイミダゾール誘導体を有機酸と反応させて水に可溶な塩とすることが記載されており、この摘示2-2の有機酸は、上記周知の表面処理剤に含まれる有機酸に相当するものである。また、「銅イオン」は、周知の表面処理剤と同様に、水溶液に銅化合物の形て添加されたものであるといえる。そして、２−アルキルベンズイミダゾール誘導体を有機酸と反応させた塩を水溶液に溶解させ、また、銅化合物を水溶液に溶解させて銅イオンとして存在させるために、水溶液のｐＨを有機酸によりｐＨ１〜６程度の酸性領域とすることは、当業者であれば格別困難なことではない。
　よって、相違点１の本件発明１に係る発明特定事項は、周知の事項から当業者が容易になし得ることである。
　相違点２について
　刊行物２発明においては、銅と反応するキレート剤として、ＥＤＴＡの金属塩を用いるのであるが、刊行物３の摘示3-1、3-2にも、銅イオンと反応するキレート剤としてエチレンジアミン四酢酸二ナトリウム（ＥＤＴＡ・２Ｎａ化合物）が記載されているから、刊行物２発明において、ＥＤＴＡの金属塩として、ＥＤＴＡ・２Ｎａ化合物を用いて、相違点２の本件発明１の発明特定事項とすることは、刊行物３の記載から当業者が適宜なし得ることである。
　したがって、本件発明１は、刊行物２、３に記載された発明及び周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（１−２）刊行物１を主引用例として
　刊行物１には、摘示1-1によると、「一般式【化学式１】で表されるベンズイミダゾール誘導体を有効成分とする化合物を塩を形成する酸によってｐＨ１〜ｐＨ５に調整し、かつ銅，マンガン，亜鉛を含む重金属の含有率が５０ｐｐｍ以下の水溶液である印刷配線板の表面保護剤」が記載され、摘示1-4によると、印刷配線板は、銅又は銅合金からなるパッドと、表面に金めっき層を有する端子を含む回路部を備えるものであり、塩を形成する酸は、ギ酸、酢酸、乳酸、シュウ酸等の有機酸である。また、銅、マンガン、亜鉛を含む重金属は、摘示1-2によると、銅又は銅合金との錯体被膜の累積形成反応を促進するための錯体形成助剤として、金属塩、即ち、金属化合物の形で添加されるものであり、また、摘示1-3、1-4によると、銅又は銅合金からなるパッドと、金めっき層の端子を備える印刷配線板を表面処理剤の水溶液に接触させると、端子の金めっき層表面には錯体被膜を形成することなく、銅又は銅合金からなるパッド表面にのみ、表面保護膜（錯体被膜）が形成されるものである。そうすると、表面処理剤は、銅金共存基板の銅及び銅合金の表面保護剤であるということができるから、摘示1-1〜1-4に記載される事項を本件発明１の記載ぶりに則って整理すると、刊行物１には、「一般式【化学式１】で表されるベンズイミダゾール誘導体を少なくとも１種類と、有機酸、銅、マンガン、亜鉛を含む金属の化合物等を含むｐＨ１〜５の水溶液からなり、かつ水溶液は、銅、マンガン、亜鉛を含む金属の含有率が５０ｐｐｍ以下である銅金共存基板の銅及び銅合金の表面保護剤」の発明（以下、「刊行物１発明」という。）が記載されているといえる。
　本件発明１と刊行物１発明を対比すると、刊行物１発明の「一般式【化学式１】で表されるベンズイミダゾール誘導体」は、本件発明１の「（化２）で表されるベンズイミダゾール化合物」のＲ１、Ｒ２が低級アルキル基またはハロゲン原子、ａ、ｂが０〜４の整数、ｃが１〜１０の整数の場合に相当するから、両者は、「（化２）で表されるベンズイミダゾール化合物を少なくとも１種類と有機酸、金属化合物等を含むｐＨ１〜５の水溶液からなる銅金共存基板の銅及び銅合金の表面保護剤。【化２】・・・（省略）・・・」で一致し、以下の点で相違する。
　
相違点：本件発明１は、必須成分としてＥＤＴＡ・２Ｎａ化合物を含有するのに対し、刊行物１発明は、ＥＤＴＡ・２Ｎａ化合物を必須成分とするとの規定はない点。
　　　
　上記相違点について検討すると、刊行物１発明では、金属、即ち、金属イオンの含有率を５０ｐｐｍ以下としているが、それは、摘示1-2、1-3によると、錯体被膜形成助剤として添加されている銅等の金属化合物（水溶液中で金属イオンとなっている）が、印刷配線板の端子表面の金めっき層に対して触媒として作用し、金めっき層の表面にも錯体被膜を形成して端子の接触抵抗を上昇させる等の問題点を解決するためである。そして、摘示1-3によると、表面保護剤の水溶液を印刷配線板の回路部に接触させた時に、銅又は銅合金パッドから溶出した銅イオンを含む金属イオンを、イオン交換樹脂を用いるか又は電気分解によって除去することにより、銅イオンを含む金属イオンの濃度を５０ｐｐｍ以下に保つよう管理するものである。
　これに対し、刊行物２に記載される表面保護剤は、表面保護剤と銅金共存基板を接触させて処理すると、処理中に銅イオンが溶解するが（摘示2-3）、この溶解した銅イオンを、銅イオンと反応するキレート剤であるＥＤＴＡの金属塩で銅錯化合物とすることにより、銅イオンを除去する、即ち、銅イオン濃度を低く保つことにより、水溶液中の銅（銅イオン＋銅錯化合物）が１４０ｐｐｍ程度となっても、金の表面には表面保護膜を形成することなく、銅又は銅合金の表面にのみ表面保護膜を形成することができるものである（摘示2-1〜2-4、上記「（１−１）」参照）。
　してみると、刊行物１発明と刊行物２記載の表面保護剤は、銅金共存基板の処理中に銅又は銅合金から溶出する銅イオンの濃度を低く保つことにより、銅又は銅合金表面のみに保護被膜を形成する点で共通するものであり、また、銅イオン以外の金属イオンもＥＤＴＡと錯化合物を形成することはよく知られているから、刊行物１発明において、銅イオンを含む金属イオンの含有率を５０ｐｐｍ以下の低い濃度とするために、刊行物２に記載されるＥＤＴＡの金属塩を表面保護剤の水溶液に含有させること、及びその際に、ＥＤＴＡの金属塩を刊行物３に記載されるＥＤＴＡ・２Ｎａ化合物とすることは、当業者にとって困難なことではない。
　よって、相違点１の本件発明１に係る発明特定事項は、刊行物２、３に記載される事項から当業者が容易になし得ることであるから、本件発明１は、刊行物１〜３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（２）本件発明２について
　本件発明２は、請求項１記載の銅金共存基板の銅及び銅合金の表面保護剤の水溶液に、銅金共存基板の銅あるいは銅合金の表面を接触させ選択的に銅表面上にのみ膜を形成することを特定した銅金共存基板の銅及び銅合金の表面保護膜の形成方法であるが、銅金共存基板の銅及び銅合金の表面保護剤の水溶液に、銅金共存基板の銅あるいは銅合金の表面を接触させ選択的に銅表面上にのみ膜を形成することは、刊行物１の摘示1-3等、及び、刊行物２の摘示2-1等に記載されている。
　よって、本件発明２の「請求項１記載の銅金共存基板の銅及び銅合金の表面保護剤の水溶液」が、（化１）で表されるベンズイミダゾールを含む場合は、上記「（１−１）」に記載したと同様の理由により、本件発明２は、刊行物２、３に記載された発明及び周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　また、本件発明２の「請求項１記載の銅金共存基板の銅及び銅合金の表面保護剤の水溶液」が、（化２）で表されるベンズイミダゾールを含む場合は、上記「（１−２）」に記載したと同様の理由により、本件発明２は、刊行物１〜３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
　
４−４−２．明細書の記載不備について　　
　取消理由通知で指摘した記載不備は、以下の（ａ）〜（ｄ）である。
（ａ）実施例１，２及び比較例１において用いるイミダゾール化合物としては、「（化１）〜（化２）で表される化合物を０．５重量％」としか記載されていないので、具体的にいかなるイミダゾール化合物を用いたのか不明である。
（ｂ）請求項１には「ＥＤＴＡ・２Ｎａ化合物」と記載されているのに対し、発明の詳細な説明及び図面には「ＥＴＤＡ・２Ｎａ化合物」と記載されており、不明である。
（ｃ）ＥＴＤＡ・２Ｎａ化合物０．１重量％＋銅イオン添加による膜形成能の測定値を示した【表３】において、銅イオンが１７０ｐｐｍの時、金上膜厚は０．０１０μｍとなっているが、ＥＴＤＡ・２Ｎａ化合物添加による金上の膜形成能変化を図示した【図１】において、「ＥＴＤＡ０．１重量％」の曲線は、横軸の銅イオンが１７０ｐｐｍの時、縦軸の金上膜厚は０．１０μｍと読み取れるので、両者の記載が一致していない。
（ｄ）【表４】の表題は「ＥＴＤＡ・２Ｎａ化合物０．２重量％＋銅イオン添加による膜形成能」であるのに対し、表４の隠蔽剤の記載が「ＥＴＤＡ・２Ｎａ化合物１．２重量％添加」となっており、両者の記載が一致していない。
　（ａ）〜（ｄ）について検討する。
　（ａ）について
　「（化１）で表されるベンズイミダゾール化合物」を少なくとも１種類と有機酸、金属化合物等を含む水溶液からなる銅又は銅合金の表面保護剤、及び、「（化２）で表されるベンズイミダゾール化合物」を少なくとも１種類と有機酸、金属化合物等を含む水溶液からなる銅又は銅合金の表面保護剤は、ともに周知であり（例えば、（化１）の化合物を含む表面保護剤：特開平５−９３２８１号公報、特開平４−１８３８７４号公報、特開平４−９９２８５号公報、特開平４−７２０７２号公報参照、（化２）の化合物を含む表面保護剤：特開平６−２６４２５８号公報、特開平６−２１５８号公報参照）、本件発明１の「（化１）〜（化２）で表されるベンズイミダゾール化合物」として、周知の表面保護剤に用いられている「（化１）〜（化２）のベンズイミダゾール化合物」も自明であるから、（ａ）は、記載不備には該当しない。
　（ｂ）について
　発明の詳細な説明及び図面の「ＥＴＤＡ・２Ｎａ化合物」は、「ＥＤＴＡ・２Ｎａ化合物」の誤記であることは明らかであるから、（ｂ）は、記載不備には該当しない。
　（ｃ）、（ｄ）について
　上記３．で検討したとおり、平成１５年３月１２日付け訂正請求は認められないから、（ｃ）、（ｄ）は、依然として不備である。
　
５．むすび
　以上のとおりであるから、本件発明１、２に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであり、また、特許法第３６条第４項に規定する要件を満たしていない特許出願に対してなされたものである。
　したがって、本件発明１、２に係る特許は、特許法第１１３条第２号及び第４号に該当し、取り消されるべきものである。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１６年４月１３日（２００４．４．１３）