【事件の表示】
　特許第３２７０７３０号「基板処理装置及び基板処理方法」の請求項１〜６に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３２７０７３０号の請求項１〜３に係る特許を維持する。
【理　由】
［１］手続の経緯
　特許第３２７０７３０号（平成９年１２月２６日（優先権主張　平成９年３月２１日）出願、平成１４年１月１８日設定登録）は、異議申立人高橋　学により特許異議の申立てがなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１５年８月４日に訂正請求がなされたものである。
　
［２］訂正の適否について
（１）訂正事項
（１−１）訂正事項ａ
　特許請求の範囲の請求項１、３、及び５を削除するとともに、請求項２、４、及び６を新たに請求項１、２、及び３として、以下のとおり訂正する。
　「【請求項１】
　反応容器の内部で化学反応を使って基板に所定の処理を施す装置であって、前記反応容器として、ほは同軸的に配設された外側筒状体と内側筒状体とを有し、一端部に基板搬入搬出口が設けられるとともに、この一端部から基板処理用の反応ガスが供給され、他端部から前記外側筒状体と前記内側筒状体との間の空間を介して内部の高温の雰囲気が排出されるような２重構造の反応容器を用いる基板処理装置において、
　前記反応容器の内部が前記基板搬入搬出口を介して外部に開放されている期間のうち前記反応容器への前記基板の搬入及び搬出が行われる期間だけ、前記外側筒状体と前記内側筒状体との間の空間に不活性ガスを供給し、前記基板のチャージ及びディスチャージが行なわれる期間は前記外側筒状体と前記内側筒状体との間の空間に不活性ガスを供給しない不活性ガス供給手段、
 及び前記基板の搬入及び搬出が行われる期間だけ、真空シール用のＯリングが設けられている基板処理用の雰囲気排出路を使って前記反応容器の内部の高温の雰囲気を排出し、前記基板のチャージ及びディスチャージが行なわれる期間は、真空シール用のＯリングが設けられている基板処理用の雰囲気排出路を使って前記反応容器の内部の高温の雰囲気を排出しない雰囲気排出手段を備えたことを特徴とする基板処理装置。
　　【請求項２】
　前記雰囲気排出手段がスロー排気処理によって前記反応容器の内部の雰囲気を排出するように構成されていることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
　　【請求項３】
　反応容器の内部で化学反応を使って基板に所定の処理を施す装置であって、
 前記反応容器として、ほぼ同軸的に配設された外側筒状体と内側筒状体とを有し、一端部に基板搬入搬出口が設けられるとともに、この一端部から基板処理用の反応ガスが供給され、他端部から前記外側筒状体と前記内側筒状体との間の空間を介して内部の高温の雰囲気が排出されるような２重構造の反応容器を用いる基板処理装置を用いて、
　前記反応容器の内部が前記基板搬入搬出口を介して外部に開放されている期間のうち、前記反応容器への前記基板の搬入及び搬出が行われる期間だけ前記外側筒状体と前記内側筒状体との間の空間に不活性ガスを供給し、前記基板のチャージ及びディスチャージが行なわれる期間は前記外側筒状体と前記内側筒状体との間の空間に不活性ガスを供給しないようにし、
　かつ前記基板の搬入及び搬出が行われる期間だけ、真空シール用のＯリングが設けられている基板処理用の雰囲気排出路を使って前記反応容器の内部の高温の雰囲気を排出し、前記基板のチャージ及びディスチャージが行なわれる期間は、真空シール用のＯリングが設けられている基板処理用の雰囲気排出路を使って前記反応容器の内部の高温の雰囲気を排出しないようにすることを特徴とする基板の処理方法。」
　
（１−２）訂正事項ｂ
　特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明との整合をとるため、特許明細書の【００３１】、【００３２】、【００３４】、【００３５】、【００４４】〜【００４６】、【００４８】〜【００５１】、【０１６９】〜【０１７１】、【０１７７】、及び【０１７８】を以下のとおりに訂正する。
　【００３１】の２行目に記載された「請求項１記載の」を「第１の発明の」と訂正し、【００３２】の１行目に記載された「請求項１記載の」を「第１の発明の」と訂正する。
　また、【００３４】を、「【００３４】また、前記ガス供給口が内側筒状体の上端部より少し下に設けられることにより、このガス供給口は、空間に面する反応容器の内壁のうち、排気系の雰囲気排出口付近の内壁に付着した反応副生成物を巻き上げないようにすることができる。第２の発明の基板処理装置は、反応容器の内部で化学反応を使って基板に所定の処理を施す装置であって、前記反応容器として、ほぼ同軸的に配設された外側筒状体と内側筒状体とを有し、一端部に基板搬入搬出口が設けられるとともに、この一端部から基板処理用の反応ガスが供給され、他端部から前記外側筒状体と前記内側筒状体との間の空間を介して内部の高温の雰囲気が排出されるような２重構造の反応容器を用いる基板処理装置において、前記反応容器の内部が前記基板搬入搬出口を介して外部に開放されている期間のうち前記反応容器への前記基板の搬入及び搬出が行われる期間だけ、前記外側筒状体と前記内側筒状体との間の空間に不活性ガスを供給し、前記基板のチャージ及びディスチャージが行なわれる期間は前記外側筒状体と前記内側筒状体との間の空間に不活性ガスを供給しない不活性ガス供給手段、及び前記基板の搬入及び搬出が行われる期間だけ、真空シール用のＯリングが設けられている基板処理用の雰囲気排出路を使って前記反応容器の内部の高温の雰囲気を排出し、前記基板のチャ一ジ及びディスチャージが行なわれる期間は、真空シール用のＯリングが設けられている基板処理用の雰囲気排出路を使って前記反応容器の内部の高温の雰囲気を排出しない雰囲気排出手段を備えたことを特徴とする。」と訂正する。
　また、【００３５】の１行目に記載された「請求項２記載の」を「第２の発明の」と訂正し、【００４４】の１行目に記載された「請求項３記載の」を「第３の発明の」と訂正し、【００４５】の１行目に記載された「請求項３記載の」を「第３の発明の」と訂正し、【００４６】の１行目に記載された「請求項３記載の」を「第３の発明の」と訂正し、【００４８】の１〜２行目に記載された「請求項４記載の基板処理装置は、請求項１ないし３記載の」、及び１３〜１４行目に記載された「請求項５記載の基板処理装置は、請求項３記載の」を、それぞれ「第４の発明の基板処理装置は、第１ないし第３の発明の」、及び「第５の発明の基板処理装置は、第３の発明の」と訂正し、【００４９】の１行目に記載された「請求項５記載の」を「第５の発明の」と訂正する。
　また、【００５０】を、「【００５０】第６の発明の基板の処理方法は、反応容器の内部で化学反応を使って基板に所定の処理を施す装置であって、前記反応容器として、ほぼ同軸的に配設された外側筒状体と内側筒状体とを有し、一端部に基板搬入搬出口が設けられるとともに、この一端部から基板処理用の反応ガスが供給され、他端部から前記外側筒状体と前記内側筒状体との間の空間を介して内部の高温の雰囲気が排出されるような２重構造の反応容器を用いる基板処理装置を用いて、前記反応容器の内部が前記基板搬入搬出口を介して外部に開放されている期間のうち、前記反応容器への前記基板の搬入及び搬出が行われる期間だけ前記外側筒状体と前記内側筒状体との間の空間に不活性ガスを供給し、前記基板のチャージ及びディスチャージが行なわれる期間は前記外側筒状体と前記内側筒状体との間の空間に不活性ガスを供給しないようにし、かつ前記基板の搬入及び搬出が行われる期間だけ、真空シール用のＯリングが設けられている基板処理用の雰囲気排出路を使って前記反応容器の内部の高温の雰囲気を排出し、前記基板のチャージ及びデイスチャージが行なわれる期間は、真空シ−ル用のリングが設けられている基板処理用の雰囲気排出路を使って前記反応容器の内部の高温の雰囲気を排出しないようにすることを特徴とする。」と訂正する。
　さらに、【００５１】の１〜２行目に記載された「請求項６記載の基板の処理方法では、請求項２と」を「第６の発明の基板の処理方法では、第１の発明と」と訂正し、【０１６９】を削除し、【０１７０】の１行目に記載された「請求項２記載の」を「請求項１記載の」と訂正し、【０１７１】を、「【０１７１】また、請求項２記載の基板処理装置によれば、請求項１記載の装置において、反応容器の内部の雰囲気を排出する場合、スロー排気処理によって排出するようにしたので、この排出による反応容器の内部の圧力変動を抑制することができる。その結果、この圧力変動により、外側筒状体や内側筒状体に堆積した膜が剥がれたり、雰囲気排出路の内部や基板搬入搬出口付近に付着した反応副生成物が舞い上がったりして、パーティクルが増大することを抑制することができる。」と訂正し、【０１７７】を削除し、【０１７８】の１行目に記載された「請求項６記載の」を「請求項３記載の」と訂正する。
　
（２）訂正の適否についての判断
（２−１）訂正事項ａについて
　請求項１、３、及び５の削除は特許請求の範囲の減縮に該当する。
　請求項２、４、及び６を新たに請求項１、２、及び３とした点は明りょうでない記載の釈明に該当する。
　新たな請求項１において、不活性ガス供給手段及び雰囲気排出手段を限定した点は特許請求の範囲の減縮に該当し、上記の点は発明の詳細な説明の【０１０４】、【０１１７】、【０１１８】、及び図４に記載されている。
　新たな請求項２において、従属先を変更した点は明りょうでない記載の釈明に該当する。
　新たな請求項３において、基板の処理方法を限定した点は特許請求の範囲の減縮に該当し、上記の点は新たな請求項１の場合と同様に発明の詳細な説明に記載されている。
　
（２−２）訂正事項ｂについて
　訂正事項ｂについては、特許請求の範囲と発明の詳細な説明との整合をとるためのものであるから、明りょうでない記載の釈明に該当する。
　
　そして、上記訂正事項ａ、ｂについては、いずれも願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてした訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　
（３）まとめ
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法第１２０条の４第２項、及び第３項において準用する同法第１２６条第２、３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
［３］異議申立てについて
（１）本件発明
　上記のとおり、訂正は認められるから、本件特許の訂正後の請求項１〜３に係る発明（以下、「本件発明１〜３」という。）は、上記［２］（１−１）に示すとおり、訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１〜３に記載されたとおりのものである。
　
（２）特許法第２９条第２項違反について
（２−１）取消理由で引用された刊行物及び参考文献の記載事項
１）刊行物１（甲第１号証）
　刊行物１の特開平５−１６６７３７号公報には、「縦型減圧気相成長装置」に関する発明が開示されており，その図１及び【０００６】には、「そして、本発明は、上記目的を達成するため、外部石英管と内部石英管との間に不活性ガス供給管を設置する点を特徴とし、また、排気配管に補助配管を設け、これにより、外部石英管と内部石英管との間のガス置換を行うことができ、反応室内を十分にガス置換できるようにした点を特徴とする。」と記載され、【０００８】〜【０００９】には、「次に、本発明の実施例を図１に基づいて詳細に説明する。図１は、本発明の一実施例である縦型減圧気相成長装置の縦断面図であり、この装置は、ウェハ８を載せた石英ボート６が入炉する際、不活性ガス（例えば窒素）を供給する不活性ガス供給管１５を外部石英管１と内部石英管２との間に設置し、不活性ガス供給管１５の先端に複数のガス放出穴を有する吹き出し口１６を、石英ボート６の真上部に設けた構造の装置である。このような不活性ガス供給管１５を配設することによりフランジ１４に堆積した反応生成物の巻き上げを防止することができる。また、排気配管９に補助配管１３を備えた装置であり、これによって、外部石英管１と内部石英管２との間の不活性ガス置換を行うことができる。なお、図１において、３はヒーター、４は不活性ガス導入管、５は反応ガス供給管、７はハッチ、１０はバルブ、１１はブースターポンプ、１２はドライポンプてあり、図３に示した前記従来装置と同一のものである。」と記載されている。
　
２）刊行物２（甲第２号証）
　刊行物２の実願平２−２０８６５号（実開平３−１１２９３２号）のマイクロフィルムには、「縦型拡散装置の反応室構造」に関する考案が開示されており、その第１図及び明細書６頁１１行〜７頁５行には、「第１図は本考案装置の反応室構造の一例の構成を示す説明用簡略縦断面図で、１は石英製内、外側反応管１ａ、１ｂよりなる反応管である。・・・内、外側反応管１ａ、１ｂ内上部に高純度N２ガスを導入するパージガス導入管７が、内、外側反応管１ａ、１ｂに沿って設けられ、このパージガス導入管７より導入された高純度N２ガスを排気する排気路８の排気口１７が反応ガス導入管６のガス導入口２の外側に同心状に配設されている。」と記載されている。
　
３）刊行物３（甲第３号証）
　刊行物３の特開平８−３１７４３号公報には、「ＣＶＤ装置の汚染防止方法及びその装置」に関する発明が開示されており、その図１及び【０００３】〜【０００４】には、「図示しないヒータの内部に外部反応管１が設けられ、該外部反応管１の内部にには上端が開放された内部反応管２が同心状に配設され、前記外部反応管１、内部反応管２は炉口フランジ３上に立設され、前記外部反応管１と炉口フランジ３間はＯリング４によりシールされている。前記炉口フランジ３の下端はシールキャップ５により気密に閉塞され、該シールキャップ５にボート６が立設される。該ボート６には処理されるウェーハ７か水平姿勢で多段に装填される。前記炉口フランジ３の前記内部反応管２下方の位置にガス導入ノズル８が連通され、又前記外部反応管１と内部反応管２との間に形成される円筒状の空間下端に連通する様、排気管９が前記炉口フランジ３に接続されている。」と記載され、【０００８】〜【０００９】には、「前記外部反応管１内の真空引き方法としては、最初に主排気弁１０を閉じた状態で副排気弁１３を開き、副排気管１１を経て吸引排気して減圧し、次に外部反応管１内が１０ｔｏｒｒ又は１３３０ｐａ以下となると、前記副排気弁１３を閉じて前記主排気弁１０を開き、外部反応管１内を所定の到達真空度付近迄排気減圧する。尚、前記排気過程で最初副排気管１１で排気するのは、徐々に減圧して外部反応管１内のボート６、ウェーハ７のズレ、振動発生を防止する為である。」と記載され、【００１３】には、「本発明は、反応室が開放されている状態で、反応室内に不活性ガスを導入すると共に排気ラインにより排気することを特徴とするものである。」と記載され、【００１４】には、「【作用】反応室開放時にガス導入側から排気側に向かって気流を形成し、排気側からの逆拡散、開口部からの外気の流入を抑制する。」と記載され、【００１８】には、「シールキャップ５を降下させ、炉口フランジ３下端を開口する。前記ガス導入ノズル８より不活性ガスを流し続け、前記主排気弁１０を閉じ、前記副排気弁１３を開き、前記副排気管１１を通して外部反応管１内のガスを少しずつ排気する。この時の排気流量は前記流量制御弁１２により制御する。」と記載されている。
　
４）刊行物４（甲第４号証）
　刊行物４の特開平５−２２６３４６号公報には、「半導体熱処理装置」に関する発明が開示されており、その図１、６及び【０００３】には、「ここで、従来例として図６に縦型方式の減圧気相成長装置の構成の概略を示す。装置構成は、材料ガスの分解反応を行なうインナーチューブ１及びアウターチューブ２が二重円筒状に設けられ、ヒーターエレメント３により所望の温度に加熱される。・・・反応炉体はＯリング１０を介して炉口蓋体９により密閉され、その内部は、マニホールドフランジ８に設けられた排気口１１と接続する排気システム（図示なし）により、減圧下に保たれる。炉口蓋体９は、被処理基板７を収納した治具６等を搭載し、図示しない昇降機構により上下し、反応炉内に被処理基板７をロード、アンロードする。マニホールドフランジ８に独立に設けられた材料ガス導入ポート１２及びそこから炉奥に向かって立てられたガスノズル１３により、材料ガスを供給し、被処理基板７上に所望の生成膜を堆積することができる。また縦型装置としての特徴を出すため、マニホールドフランジ８に専用の不活性ガス導入ポート１５、及びそこから上方に向かうガスノズル１６を設け、インナーチューブ１とアウターチューブ２の間で作られる炉奥反応炉内の排気経路１４に、該被処理基板７の出し入れ時に不活性ガスを流すことにより、該基板７に成長する自然酸化膜の成長を抑制させている。」と記載されている。
　
５）参考文献１（甲第５号証）
　参考文献１の特開平５−３４３３４２号公報には、「熱処理装置」に関する発明が開示されており、その図１及び【００１９】〜【００２０】には、「また、上記加熱炉２０内に軸芯を一致させて挿入、配置された反応容器３０は、図１に示すように、上端部が閉塞し且つ下端部が開口した石英等の耐熱、耐食性材料によって形成された外筒３１と、この外筒３１の内側に隙間を隔てて軸芯を一致させて挿入、配置され且つ外筒３１と同様の耐熱、耐食性材料によって両端部を開口させて形成された内筒３２とを備えた二重壁構造容器として構成されている。・・・更に、上記マニホールド３３は、反応容器３０の内部を真空排気する真空ポンプ等の排気系に接続する本体３３と同材質の排気管３３Ｂと、この排気費、３３Ｂから周方向にずれた位置で部から挿入されて外筒３１の内周面に沿って上方へ石英等の耐熱、耐食性の材料によって屈曲形成された、窒素等の不活性ガスを導入するガス導入管３３Ｃ、及び外部から挿入されて内筒３２の内周面に沿って上方へ石英等の耐熱、耐食性の材料によって屈曲形成された、熱処理用のソースガスを導入するソースガス導入管３３Ｄとを備えている。」と記載されている。
　
６）参考文献２（甲第６号証）
　参考文献２の特開平７−３２１０５０号公報には、「半導体製造装置」に関する発明が開示されており、その図１及び【００２５】には、「本発明による半導体製造装置の一実施例の断面を図１に示す。なお、本実施例は半導体製造装置として反応管の軸線方向を鉛直方向とした縦型のものを対象としている。図１において、複数の基板（被処理体）１はすべて処理面を鉛直方向上向きにしてボート２に多段に挿入されている。このボート２を収容する内管３と、内管３の内壁とボート２との間に設置されている反応ガス供給管４と、内管３を収容する外部反応管５と、外部反応管５の内管３との間に設置される不活性ガス導入管６と、外部反応管５を支持するとともに外部反応管５とで密閉空間を形成し、不活性ガス導入管６および処理ガスを排出するための排気配管７aを具備するマニホールド７とが配置されている。」 と記載されている。
　
７）参考文献３（甲第７号証）
　参考文献３の特開昭６３−３７６２２号公報には、「半導体製造装置」に関する発明が開示されており、その第１図及び右上欄２〜５行には、「２は加熱炉１内に納められている反応容器で例えば石英ガラスからなる排気用外管３と反応用内管４で構成される。該外管３及び内管４は空間５で隔てられ、この空間は前記反応ガスの排気通路となる。」と記載されている。
　
８）参考文献４（甲第８号証）
　参考文献４の特開平２一１７４２２５号公報には、「処理装置」に関する発明が開示されており、その第２図及び２頁右下欄１行〜３頁左上欄１３行には、「この反応管１は２重管構造となっており、上記と同様に非金属材質例えば石英ガラスにより構成された筒状内管１ａが、上記反応管１内に非接触状態で設けられている。上記反応管１の内面及び上記内管１ａの外面との間には、所定の間隔の隙間７が設けられており、・・・また、上記フランジ８０貫通して上記隙間７から反応管１内に不活性ガス例えばＮ２（窒素）ガスを供給可能な如く、不活性ガス導入管１３が設けられている。」と記載されている。
　
９）参考文献５（甲第９号証）
　参考文献５の特公平６−４２４７４号公報には、「半導体製造装置」に関する発明が開示されており、その第１図及び３頁左欄９〜１１行には、「第１図において２１はジクロルシランガスとアンモニアガスのミキシングノズル、２３は窒素ブロー用ノズル」と記載されている。
　
１０）参考文献６（甲第１０号証）
　参考文献６の特開昭６０‐３３３５２号公報には、「減圧ＣＶＤ装置」に関する発明が開示されており、その第４図及び２頁右下欄９〜１２行には、「第４図は内部反応管の一例の斜視図で、反応管１０の外側には多数のノズルが管軸に沿って形成されたノズル管１２が適宜の間隔で複数本設けられ」と記載されている。
　
１１）参考文献７（甲第１１号証）
　参考文献７の特開平７−１９３０１２号公報には、「気相成長用炉芯管」に関する発明が開示されており、その図１〜３及び【００１５】〜【００１６】には、「図２および図３を参照すると、ガス整流手段１３は、筒状流路５の下端の形状に対応した形状の中空のリングである。・・・円周に沿った形状のスリット１３aが、ガス整流手段１３の肉厚方向にとくに上下方向に貫通するように形成されている。」と記載されている。
　
１２）参考文献８（甲第１２号証）
　参考文献８の実開平６−３１１３９号公報には、「縦型減圧ＣＶＤ装置」に関する考案が開示されており、その図１及び【要約】の【構成】の項には、
「パージガスであるＮ２ ガスを導入するためのガス導入管１１が、マニホールド４の側壁に貫通し、アウタチューブ２とインナチューブ３との間で上方へ開口するように配設されており、このガス導入管１１には管１４が連結されている。この管１４は、インナチューブ３の周方向へ一様にN２ガスを供給することができるようにその上面側に複数の孔１５を有する。」と記載されている。
　
１３）参考文献９（甲第１３号証）
　参考文献９の特開平７−１４０７４３号公報には、「真空処理装置」に関する発明が開示されており、その【００１０】には、
「このため、従来の真空処理装置では、ロードロック室６１内の真空排気およびロードロック室６１内への気体導入をゆっくりと徐々に行なういわゆるスロー排気、スローベントによって、このようなロードロック室６１内におけるパーティクルの舞い上がりを抑制することが行われている。」と記載されている。
　
１４）参考文献１０（甲第１４号証）
　参考文献１０の特開平７−１４２３９２号公報には、「半導体成膜装置」に関する発明が開示されており、その【０００７】には、「前記スロー排気ライン弁１２が開かれ、前記ニードル弁１３で流路開度が調整され、排気流量が調節されつつ前記真空チャンバ１がゆっくりと排気される。」と記載されている。
　
（２−２）対比・判断
１）本件発明１について
　刊行物１の記載をまとめると、刊行物１には、ウエハに膜を減圧気相成長させる装置であって、外部石英管と内部石英管とを有し、この装置の一端部に設けた反応ガス供給管から反応ガスが供給され、他端部に設けた排気配管と補助配管からなるガスの排気手段から、外部石英管と内部配管との間の空間を介して内部の高温のガスが排出される２重構造の石英管を用いた縦型減圧気相成長装置において、内部石英管へウエハを入炉する際に、外部石英管と内部石英管との間に設置した不活性ガス供給管からなる不活性ガスの供給手段から不活性ガスを供給して、反応生成物の巻き上げを防止する発明が記載されている。
　そこで、本件発明１と刊行物１に記載の発明とを対比すると、刊行物１の図１の記載からみて、内部石英管の下部にはウエハを載せた石英ボートを出し入れする出入口が設けられているから、この出入口は、本件発明１の「基板搬入搬出口」に相当する。また刊行物１に記載の不活性ガスは石英ボートの入炉時に反応室内へ供給されるから、この不活性ガスの供給手段は、本件発明１の「反応容器の内部が前記基板搬入搬出口を介して外部に開放されている期間のうち前記反応容器への前記基板の搬入が行われる期間、前記外側筒状体と前記内側筒状体との間の空間に不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段」に相当する。さらに刊行物１に記載の「排気配管と補助配管」は外部石英管と内部石英管との間の不活性ガス置換を行なうものであるから、このガスの排出手段は、本件発明１の「基板の搬入が行われる期間、基板処理用の雰囲気排出路を使って反応容器の内部の高温の雰囲気を排出する雰囲気排出手段」に相当する。
　してみると、両者は、「反応容器の内部で化学反応を使って基板に所定の処理を施す装置であって、前記反応容器として、同軸的に配設された外側筒状体と内側筒状体とを有し、一端部に基板搬入搬出口が設けられるとともに、この一端部から基板処理用の反応ガスが供給され、他端部から前記外側筒状体と前記内側筒状体との間の空間を介して内部の高温の雰囲気が排出されるような２重構造の反応容器を用いる基板処理装置において、前記反応容器の内部が前記基板搬入搬出口を介して外部に開放されている期間のうち前記反応容器への前記基板の搬入が行われる期間、前記外側筒状体と前記内側筒状体との間の空間に不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段、及び前記基板の搬入が行われる期間、基板処理用の雰囲気排出路を使って前記反応容器の内部の高温の雰囲気を排出する雰囲気排出手段を備えた基板処理装置」の点でほぼ一致するものの、主に以下の点で相違する。
　
ａ）不活性ガス供給手段は、本件発明１が、基板のチャージ及びディスチャージが行なわれる期間は前記外側筒状体と前記内側筒状体との間の空間に不活性ガスを供給しないものであるのに対し、刊行物１に記載の不活性ガスの供給手段はそのようなものではない点。
ｂ）雰囲気排出手段は、本件発明１が、基板のチャージ及びディスチャージが行なわれる期間は、真空シール用のＯリングが設けられている基板処理用の雰囲気排出路を使って前記反応容器の内部の高温の雰囲気を排出しないものであるのに対し、刊行物１に記載のガスの排出手段はそのようなものではない点。
　
　そこで上記相違点ａ）、ｂ）について検討すると、刊行物２には、パージガス導入管より導入された高純度Ｎ２ガスを排気する排気口を設けることが記載され、刊行物３には、反応室が開放されている状態で反応室内に不活性ガスを導入すると共に排気ラインにより排気することにより、反応室開放時にガス導入側から排気側に向かって気流を形成し、排気側からの逆拡散、開口部からの外気の流入を抑止することが記載され、さらに、刊行物４には、インナーチューブとアウターチューブに被処理基板の出し入れ時に不活性ガスを流すことにより基板に成長する自然酸化膜の成長を抑制することが記載されているにしても、本件発明１のように、基板のチャージ及びディスチャージが行なわれる期間においては、前記外側筒状体と前記内側筒状体との間の空間に不活性ガスを供給しないようにすると共に、真空シール用のＯリングが設けられている基板処理用の雰囲気排出路を使って前記反応容器の内部の高温の雰囲気を排出しないようにすることについては何も記載されていないし、示唆もされていない。
　しかも、本件発明１の相違点ａ）、ｂ）については必要に応じて適宜にできる程度の単なる設計上の事項であるとすることもできないから、刊行物１〜４に記載された発明から容易に想到することはできない。
　
２）本件発明２について
　本件発明２は、本件発明１を引用するとともに雰囲気排出手段をさらに限定したものであって、刊行物３、参考文献９、１０に記載されているように、基板処理装置においてスロー排気処理は周知の技術であるにしても、本件発明１が刊行物１〜４に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものでない以上、本件発明２についても、刊行物１〜４に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものでない。
　
３）本件発明３について
　本件発明３は、本件発明１の基板処理装置の発明を基板の処理方法の発明としたものであって、本件発明３を特定するために必要と認める事項については本件発明１のそれと実質的に同一であるから、本件発明１が刊行物１〜４に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものでない以上、本件発明３についても、刊行物１〜４に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものでない。
　
（３）特許法第３６条違反について
　請求項１、３は削除されたため、請求項１、３の同法第３６条違反については解消された。
　
［４］むすび
　以上のとおりであるから、本件発明１〜３についての特許は、異議申立人の主張する理由および提出した証拠によっては、これを取り消すことはできない。
　また、他に、本件発明１〜３についての特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１５年９月１９日（２００３．９．１９）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
基板処理装置及び基板処理方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】
　反応容器の内部で化学反応を使って基板に所定の処理を施す装置であって、
　前記反応容器として、ほぼ同軸的に配設された外側筒状体と内側筒状体とを有し、一端部に基板搬入搬出口が設けられるとともに、この一端部から基板処理用の反応ガスが供給され、他端部から前記外側筒状体と前記内側筒状体との間の空間を介して内部の高温の雰囲気が排出されるような２重構造の反応容器を用いる基板処理装置において、
　前記反応容器の内部が前記基板搬入搬出口を介して外部に開放されている期間のうち前記反応容器への前記基板の搬入及び搬出が行われる期間だけ、前記外側筒状体と前記内側筒状体との間の空間に不活性ガスを供給
し、前記基板のチャージ及びディスチャージが行なわれる期間は前記外側筒状体と前記内側筒状体との間の空間に不活性ガスを供給しない
　及び前記基板の搬入及び搬出が行われる期間だけ、
真空シール用のＯリングが設けられている
し、前記基板のチャージ及びディスチャージが行なわれる期間は、真空シール用のＯリングが設けられている基板処理用の雰囲気排出路を使って前記反応容器の内部の高温の雰囲気を排出しない
　【請求項２】
　前記雰囲気排出手段がスロー排気処理によって前記反応容器の内部の雰囲気を排出するように構成されていることを特徴とする
請求項１に
　【請求項３】
　反応容器の内部で化学反応を使って基板に所定の処理を施す装置であって、
　前記反応容器として、ほぼ同軸的に配設された外側筒状体と内側筒状体とを有し、一端部に基板搬入搬出口が設けられるとともに、この一端部から基板処理用の反応ガスが供給され、他端部から前記外側筒状体と前記内側筒状体との間の空間を介して内部の高温の雰囲気が排出されるような２重構造の反応容器を用いる基板処理装置を用いて、
　前記反応容器の内部が前記基板搬入搬出口を介して外部に開放されている期間のうち、前記反応容器への前記基板の搬入及び搬出が行われる期間だけ前記外側筒状体と前記内側筒状体との間の空間に不活性ガスを供給
し、前記基板のチャージ及びディスチャージが行なわれる期間は前記外側筒状体と前記内側筒状体との間の空間に不活性ガスを供給しないようにし、
　かつ前記基板の搬入及び搬出が行われる期間だけ
、真空シール用のＯリングが設けられている
し、前記基板のチャージ及びディスチャージが行なわれる期間は、真空シール用のＯリングが設けられている基板処理用の雰囲気排出路を使って前記反応容器の内部の高温の雰囲気を排出しないようにする
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の属する技術分野】
　本発明は、反応容器の内部で化学反応を使って基板に所定の処理を施す基板処理装置及び基板処理方法に関する。ここで、反応容器としては、例えば、２重構造の反応容器が用いられる。また、所定の処理としては、例えば、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）処理が用いられる。このＣＶＤ処理としては、例えば、熱ＣＶＤ処理やプラズマＣＶＤ処理が用いられる。
　【０００２】
　【従来の技術】
　一般に、半導体デバイスを製造するためには、ウェーハの表面に所定の薄膜を形成する成膜装置が必要になる。
　【０００３】
　この成膜装置としては、密閉された反応空間で化学反応を使って成膜処理を行うＣＶＤ装置がある。
　【０００４】
　このＣＶＤ装置としては、一度に複数のウェーハの表面に所定の薄膜を形成するバッチ式のＣＶＤ装置がある。
　【０００５】
　このバッチ式のＣＶＤ装置としては、成膜すべき複数のウェーハを水平方向に重ねるようにして鉛直方向に配設する縦型のＣＶＤ装置がある。
　【０００６】
　この縦型のＣＶＤ装置では、密閉された反応空間を形成するための反応容器として、例えば、アウタチューブとインナチューブとを有する２重構造の反応炉が用いられる。
　【０００７】
　反応容器として２重構造の反応炉を用いる縦型のＣＶＤ装置では、ウェーハの搬入搬出口は、通常、反応炉の下端部に設けられる。また、このＣＶＤ装置では、通常、成膜処理用の反応ガス等は、反応炉の下端部から供給され、反応炉の内部の雰囲気は、反応炉の上端部からアウタチューブとインナチューブとの間の空間を介して排出される。
　【０００８】
　図１３は、上述した２重構造の反応炉を有する従来の縦型ＣＶＤ装置の構成を示す側断面図である。以下、この従来の縦型ＣＶＤ装置の構成を説明する。なお、以下の説明では、この縦型ＣＶＤ装置が減圧ＣＶＤ装置であるものとして説明する。
　【０００９】
　図示の縦型ＣＶＤ装置１００は、反応室１ａの内部（反応空間）で化学反応を使ってウェーハＷの表面に所定の薄膜を形成する反応系１１０と、反応室１ａの内部にウェーハＷを搬入したり、反応室１ａの内部からウェーハＷを搬出する搬送系１２０と、反応室１ａの内部に成膜処理用の反応ガスと、アフタパージ処理用の不活性ガスと、大気戻し処理用の不活性ガスとを供給するガス供給系１３０と、反応室１ａの内部を真空排気する排気系１４０とを有する。
　【００１０】
　ここで、アフタパージ処理とは、成膜処理が終了した後、反応室１ａの内部に不活性ガスを供給するとともに、反応室１ａを真空排気することにより、反応室１ａの内部の雰囲気を不活性ガスでパージする処理をいう。また、大気戻し処理とは、アフタパージ処理が終了した後、真空排気処理を停止して、反応室１ａに不活性ガスを供給することにより、反応室１ａの圧力を大気圧に戻す処理をいう。この大気戻し処理は、反応室１ａの内部からウェーハＷを排出するための準備処理である。
　【００１１】
　反応系１１０は、反応室１ａを形成するための反応炉１１１を有する。この反応炉１１１は、アウタチューブ１Ｍとインナチューブ２Ｍとを有する２重構造の反応炉として構成されている。この反応炉１１１の下端部には、ウェーハＷの搬入及び搬出を行うための炉口２ａが設けられている。
　【００１２】
　ガス供給系１３０は、反応室１ａの内部に成膜処理用の反応ガスと、アフタパージ処理用の不活性ガスと、大気戻し処理用の不活性ガスとを供給するためのガス供給ノズル１３１を有する。このガス供給ノズル１３１のガス吹出し口４ａは、炉口２ａ付近に設けられている。
　【００１３】
　排気系１４０は、主排気処理を行うための主排気ライン１４１と、過加圧防止処理を行うための過加圧防止ライン１４２と、スロー排気処理を行うためのバイパスライン１４３とを有する。
　【００１４】
　ここで、主排気処理とは、排気コンダクタンスを大きくすることにより、反応室１ａを高速で真空排気する真空排気処理をいう。また、過加圧防止処理とは、アフタパージ処理が終了した後の大気戻し処理において、反応室１ａの圧力が大気圧を越えてしまうのを防止するための真空排気処理をいう。また、スロー排気処理とは、排気コンダクタンスを小さくすることにより、反応室１ａを低速で真空排気する真空排気処理をいう。
　【００１５】
　排気系１４０の雰囲気排出口５ａは、反応炉１１１の下端部からアウタチューブ１Ｍとインナチューブ２Ｍとの間の空間３ａを介して反応室１ａの内部の雰囲気を排出するような位置に設定されている。
　【００１６】
　上記構成においては、成膜処理を行う場合、まず、成膜すべきウェーハＷが基板搬送系１２０によって反応室１ａの内部に搬入される。この搬入処理が終了すると、反応室１ａがバイパスライン１４３によってスロー排気される。この場合、反応室１ａの内部の雰囲気は、反応炉１１１の上端部からアウタチューブ１Ｍとインナチューブ２Ｍとの間の空間３ａを介して排出される。
　【００１７】
　この真空排気処理により、反応室１ａの真空度が所定の真空度になると、成膜処理用の反応ガスがガス供給系１３０によって炉口２ａ付近に供給される。また、反応室１ａが主排気ライン１４１により主排気される。これにより、反応ガスが反応炉１１１の下端部（ガス供給側）から上端部（排気側）に流れ、反応室１ａの内部に分散される。その結果、ウェーハＷの表面に所定の薄膜が形成される。また、未反応ガス（反応に関与しなかった反応ガス）や反応副生成物の蒸気は、反応炉１１１の上端部から空間３ａを介して排出される。
　【００１８】
　ウェーハＷの表面に所定の薄膜が形成されると、不活性ガスがガス供給系１３０によって反応室１ａに供給される。このとき、主排気ライン１４１による主排気処理は、そのまま継続される。これにより、反応室１ａの雰囲気が不活性ガスでパージされる。このアフタパージ処理が終了すると、主排気処理が停止され、不活性ガスの供給処理だけが続けられる。これにより、反応室１ａの内部の圧力が上昇する。
　【００１９】
　反応室１ａの内部の圧力が大気圧を越えると、過加圧防止ライン１４２により反応室１ａが真空排気される。これにより、反応室１ａの内部の圧力が大気圧に保持される。このあと、所定のタイミングで、不活性ガスの供給処理と過加圧防止処理とが停止され、成膜の済んだウェーハＷが反応室１ａの内部から搬出される。
　【００２０】
　以上が、反応炉として２重構造の反応炉１１１を有する従来の縦型ＣＶＤ装置の構成である。
　【００２１】
　【発明が解決しようとする課題】
　しかしながら、上述したような構成の従来の縦型ＣＶＤ装置１００では、反応室１ａの内部が炉口２ａを介して外部に開放されている期間、この炉口２ａを介して反応室１ａの内部に外気が侵入するとともに、排気系１４０の雰囲気排出路から反応室１ａの内部に気相が逆流する。これにより、この縦型ＣＶＤ装置１００には、次のような４つの問題があった。
　【００２２】
　（１）第１の問題は、反応室１ａの内部が炉口２ａを介して外部に開放されている期間、反応室１ａの内部に外気が侵入することによって反応室１ａの内部が汚染されてしまうという問題である。
　【００２３】
　（２）第２の問題は、反応室１ａの内部が炉口２ａを介して外部に開放されている期間、反応室１ａの内部に外気が侵入することによって反応室１ａの内部にパーティクルが発生するという問題である。
　【００２４】
　すなわち、反応室１ａの内部には、アフタパージ処理を実行しても、微量の未反応ガスが残留する。この未反応ガスは、反応室１ａの内部に外気が侵入すると、この外気に含まれる水蒸気と混じる。これにより、反応室１ａの内部に汚染物質が発生する。この汚染物質はパーティクルとして作用する。これにより、反応室１ａの内部が炉口２ａを介して外部に開放されている期間、反応室１ａの内部に外気が侵入すると、反応室１ａの内部にパーティクルが発生してしまうわけである。
　【００２５】
　（３）第３の問題は、反応室１ａの内部が炉口２ａを介して外部に開放されている期間、反応室１ａの内部に外気が侵入することによって、成膜時、ウェーハＷの表面にヘイズ（曇り）を生じるという問題である。
　【００２６】
　すなわち、反応室１ａの内部が炉口２ａを介して外部に開放されている期間、反応室１ａの内部に外気が侵入すると、炉口２ａ付近の内壁に付着した反応副生成物から発生するベイパ（脱ガス）が反応室１ａの内部に逆流する。これにより、成膜時、このベイパによってウェーハＷの表面にヘイズが発生する。
　【００２７】
　（４）第４の問題は、反応室１ａの内部が炉口２ａを介して外部に開放されている期間、排気系１４０の雰囲気排出路から反応室１ａの内部に気相が逆流することによって反応室１ａの内部が汚染されてしまうという問題である。
　【００２８】
　すなわち、未反応ガスまたは反応副生成物の蒸気は、排気系１４０の雰囲気排出路を介して排出される際、温度の低い部分に接触すると固化する。この固化したガスは、雰囲気排出路の内部の金属面や石英部材に反応副生成物として付着する。この反応副生成物は、付着量が多くなると、剥がれてパーティクルになることがある。
　【００２９】
　これにより、反応室１ａの内部が炉口２ａを介して外部に開放されている期間、排気系１４０の雰囲気排出路から反応室１ａの内部に気相が逆流すると、排気系１４０の雰囲気排出路から反応室１ａの内部にパーティクルが流れ込む。その結果、反応室１ａの内部が汚染されてしまう。
　【００３０】
　そこで、本発明は、反応室の内部が基板搬入搬出口を介して外部に開放されている期間、反応室の内部への外気の侵入と気相の逆流とを抑制することができる基板処理装置及び基板処理方法を提供することを目的とする。
　【００３１】
　【課題を解決するための手段】
　上記課題を解決するために
第１の発明の
　【００３２】
　この
第１の発明の
　【００３３】
　また、この期間、反応容器の内部の雰囲気が雰囲気排出手段により基板処理用の雰囲気排出路を介して排出される。これにより、基板処理用の雰囲気排出路から反応容器の内部への気相の逆流が抑制される。
　【００３４】
　また、前記ガス供給口が内側筒状体の上端部より少し下に設けられることにより、このガス供給口は、空間に面する反応容器の内壁のうち、排気系の雰囲気排出口付近の内壁に付着した反応副生成物を巻き上げないようにすることができる。
第２の発明の
し、前記基板のチャージ及びディスチャージが行なわれる期間は前記外側筒状体と前記内側筒状体との間の空間に不活性ガスを供給しない
真空シール用のＯリングが設けられている
し、前記基板のチャージ及びディスチャージが行なわれる期間は、真空シール用のＯリングが設けられている基板処理用の雰囲気排出路を使って前記反応容器の内部の高温の雰囲気を排出しない
　【００３５】
　この
第２の発明の
　【００３６】
　【００３７】
　【００３８】
　【００３９】
　【００４０】
　【００４１】
　【００４２】
　【００４３】
　【００４４】
　
第３の発明の
　【００４５】
　この
第３の発明の
　【００４６】
　以上から、この
第３の発明の
　【００４７】
　また、このような構成によれば、外側筒状体と内側筒状体との間の空間全体に不活性ガスを供給することができるので、反応容器の内部全体に不活性ガスを供給することができる。これにより、基板搬入搬出口からの外気の侵入を効果的に抑制することができる。
　【００４８】
　
第４の発明の
第１ないし第３の発明の
第４の発明の
第５の発明の
第３の発明の
　【００４９】
　この
第５の発明の
　【００５０】
　
第６の発明の
し、前記基板のチャージ及びディスチャージが行なわれる期間は前記外側筒状体と前記内側筒状体との間の空間に不活性ガスを供給しないようにし、
、真空シール用のＯリングが設けられている
し、前記基板のチャージ及びディスチャージが行なわれる期間は、真空シール用のＯリングが設けられている基板処理用の雰囲気排出路を使って前記反応容器の内部の高温の雰囲気を排出しないようにする
　【００５１】
　この
第６の発明の
第１の発明
　【００５２】
　【００５３】
　【００５４】
　【００５５】
　【００５６】
　【００５７】
　【００５８】
　【００５９】
　【００６０】
　【００６１】
　【００６２】
　【００６３】
　【発明の実施の形態】
　以下、図面を参照しながら、本発明に係る基板処理装置及び基板処理方法の実施の形態を詳細に説明する。
　【００６４】
　［１］第１の実施の形態
［１−１］構成図１は、本発明に係る基板処理装置の第１の実施の形態の構成を示す側断面図である。なお、図１には、本発明に係る基板処理装置を反応炉（反応容器）として２重構造の反応炉を有する縦型ＣＶＤ装置に適用した場合を代表として示す。また、以下の説明では、図示の縦型ＣＶＤ装置が減圧ＣＶＤ装置であるものとして説明する。
　【００６５】
　図示の縦型ＣＶＤ装置において、従来の縦型ＣＶＤ装置と異なる主な点は、第２のガス供給系２４０と第２のバイパスライン２６４とが追加されている点である。
　【００６６】
　すなわち、図示の縦型ＣＶＤ装置２００は、反応室１ａの内部で化学反応を使ってウェーハＷの表面に所定の薄膜を形成する反応系２１０と、反応室１ａの内部に成膜すべきウェーハＷを搬入したり、反応室１ａの内部から成膜の済んだウェーハＷを搬出する搬送系２２０と、反応室１ａの内部に成膜処理用の反応ガスと、アフタパージ処理用の不活性ガスと、大気戻し処理用の不活性ガスとを供給する第１のガス供給系２３０と、反応室１ａにバックパージ処理用の不活性ガスを供給する第２のガス供給系２４０と、反応室１ａを真空排気する排気系２６０とを有する。
　【００６７】
　ここで、バックパージ処理とは、反応室１ａが炉口（ウェーハ搬入搬出口）２ａを介して外部に開放されている状態において、反応室１ａの上端部側から反応室１ａの内部に不活性ガスを流すことにより、反応室１ａの内部に外気が侵入するのを防止する処理をいう。すなわち、成膜処理用の反応ガス等の排出側から反応室１ａの内部に不活性ガスを供給することにより、反応室１ａの内部に外気が侵入するのを防止する処理をいう。
　【００６８】
　なお、本実施の形態では、このバックパージ処理は、反応室１ａの内部が炉口２ａを介して外部に開放されている期間のうち、成膜すべきウェーハＷを反応室１ａの内部に搬入するウェーハ搬入期間と、成膜の済んだウェーハＷを反応室１ａの内部から搬出するウェーハ搬出期間とに行われる。言い換えれば、後述するボート２２１を反応室１ａにロードするボートロード期間と、このボート２２１を反応室１ａからアンロードするボートアンロード期間とに行われる。
　【００６９】
　反応系２１０は、反応室１ａを形成するための反応炉２１１を有する。この反応炉２１１は、アウタチューブ１Ａとインナチューブ２Ａとを有する２重構造の反応炉として構成されている。
　【００７０】
　すなわち、アウタチューブ１Ａは、上端部が円弧状の壁４ａによって閉塞され、他端部が開放された円筒状に形成されている。このアウタチューブ１Ａは、円筒状の炉口フランジ３Ａの上端部に載置されている。インナチューブ２Ａは、上端部と下端部が開放された円筒状に形成されている。このインナチューブ１Ａは、アウタチューブ１Ａの内部に、このアウタチューブ２Ａとほぼ同軸的に配設されている。また、このインナチューブ１Ａは、リング状の鍔４Ａの上に載置されている。この鍔４Ａは、炉口フランジ３Ａの内壁に形成されている。炉口２ａは、反応炉２１１の下端部に形成されている。
　【００７１】
　反応炉２１１の周囲には、反応室１ａの内部に搬入されたウェーハＷを加熱するためのヒータ２１２が設けられている。
　【００７２】
　上記搬送系２２０は、成膜すべきウェーハＷを保持するためのボート２２１を有する。このボート２２１は、ボートキャップ２２２を介して炉口キャップ２２３の上に載置されている。この炉口キャップ２２３は、成膜処理時に炉口２ａを封止する機能を有する。また、この炉口キャップ２２３は、図示しないボートエレベータにより昇降駆動されるようになっている。成膜すべき複数のウェーハＷは、鉛直方向に水平に重ねるように、ボート２２１に収容されている。
　【００７３】
　上記第１のガス供給系２３０は、成膜処理用の反応ガスと、アフタパージ処理用の不活性ガスと、大気戻し処理用の不活性ガスとを反応室１ａの内部に供給するためのガス供給ノズル２３１を有する。このガス供給ノズル２３１の先端部１Ｂは、鍔４Ａの下方において、例えば、炉口フランジ３Ａを通して鍔４Ａの内縁付近まで延在されている。この先端部１Ｂには、ガス吹出し口（ガス供給口）１ｂが形成されている。このガス吹出し口１ｂのガス吹出し方向は水平方向に設定されている。
　【００７４】
　上記第２のガス供給系２４０は、反応室１ａにバックパージ処理用の不活性ガスを供給する不活性ガス供給配管２４１を有する。この不活性ガス供給配管２４１の先端部１Ｃは、鍔４Ａの上方において、炉口フランジ３Ａを通して、アウタチューブ１Ａとインナチューブ２Ａとの間の空間３ａに導かれている。この場合、この先端部１Ｃは、例えば、インナチューブ２Ａの上端部より少し下まで延在されている。この先端部１Ｃには、ガス吹出し口１ｃが形成されている。このガス吹出し口１ｃは、図２に示すように、１つだけ設けられている。また、このガス吹出し口１ｃのガス吹出し方向は、上方向に設定されている。
　【００７５】
　ガス吹出し口１ｃが空間３ａに設定されることにより、バックパージ処理用の不活性ガスは、反応炉２１１の上端部側（成膜処理用の反応ガス等の排出側）から反応室１ａの内部に供給されることになる。言い換えれば、この不活性ガスは、炉口２ａとは反対側から反応室１ａの内部に供給されることになる。
　【００７６】
　また、このガス吹出し口１ｃがインナチューブ２Ａの上端部より少し下まで延在されることにより、このガス吹出し口１ｃは、空間３ａに面する反応室１ａの内壁のうち、排気系２６０の雰囲気排出口１ｄ付近の内壁に付着した反応副生成物を巻き上げないような位置に位置決めされる。また、このガス吹出し口１ｃがインナチューブ２Ａの上端部より少し下まで延在されることにより、このガス吹出し口１は、反応副生成物が付着しないような位置に位置決めされる。これは、このような部分は、ヒータ２１２により加熱されることにより、反応副生成物が付着しないような高温に維持されるからである。
　【００７７】
　不活性ガス供給配管２４１には、ハンドバルブ２４２と、レギュレータ２４３と、逆止弁２４４と、第１のフィルタ２４５と、仕切弁２４６と、マスフローコントローラ２４７と、第２のフィルタ２４８とが上流から順次挿入されている。また、この不活性ガス供給配管２４１には、それぞれ第１分岐配管２４９と第２の分岐配管２５０とを介して圧力計２５１と圧力スイッチ２５２とが接続されている。この接続位置は、不活性ガス供給配管２４１に対するレギュレータ２４３の挿入位置と逆止弁２４４の挿入位置との間に設定されている。
　【００７８】
　なお、この第２のガス供給系２４０により供給される不活性ガスとしては、例えば、窒素ガス、ヘリウムガス、アルゴンガス等が用いられる。
　【００７９】
　上記排気系２６０は、主排気処理を行うための主排気ライン２６１と、過加圧防止処理を行うための過加圧防止ライン２６２と、スロー排気処理を行うための第１のバイパスライン２６３と、同じくスロー排気処理を行うための第２のバイパスライン２６４とを有する。
　【００８０】
　ここで、第１のバイパスライン２６３によるスロー排気処理は、ボートロード処理後の真空排気処理（真空引き処理）の開始時に実行される。これに対し、第２のバイパスライン２６４によるスロー排気処理は、ボートロード期間とボートアンロード期間とに実行される。
　【００８１】
　なお、ボートロード処理後の真空排気処理の開始時に、真空排気処理として、スロー排気処理を用いる目的としては、次の２つがある。第１の目的は、ボート２２１やウェーハＷが反応室１ａの内部の圧力変動によって発生する気流によって飛ばされ、破損するのを防止するところにある。第２の目的は、この気流によってパーティクルが発生するのを抑制するところにある。
　【００８２】
　すなわち、反応室１ａを真空排気すると、真空排気処理の開始時、反応室１ａの内部の圧力が変動する。反応室１ａの内部の圧力が変動すると、反応室１ａの内部で気流が発生する。この気流が大きいと、ボート２２１やウェーハＷが飛ばされ、破損してしまうことがある。また、ボート２２１やウェーハＷが飛ばされないまでも、気流が発生すると、パーティクルが発生する可能性が高い。ボートロード処理後、パーティクルが発生すると、ウェーハＷの歩留まりが低下する。
　【００８３】
　そこで、ボードロード処理後の真空排気処理においては、最初、スロー排気処理によって真空排気を行うようになっている。このような構成によれば、ボートロード処理後の真空排気処理の開始時、反応室１ａの内部の圧力変動が抑制され、気流の発生が抑制される。その結果、ボート２２１やウェーハＷの破損が防止され、パーティクルの発生が抑制される。
　【００８４】
　なお、ボードロード処理後の真空排気処理においては、スロー排気処理によって、反応室１ａの内部の圧力が所定の圧力まで低下すると、スロー排気処理に代わって主排気処理が実行される。
　【００８５】
　上記主排気ライン２６１は、主排気配管１Ｄを有する。この主排気配管１Ｄの一端部は、炉口フランジ３Ａに接続されている。この接続位置は、鍔４Ａの上方に設定されている。主排気配管１Ｄの他端部は、真空ポンプ２Ｄに接続されている。この主排気配管１Ｄには、主排気弁３Ｄが挿入されている。
　【００８６】
　上記過加圧防止ライン２６２は、過加圧防止配管１Ｅを有する。この過加圧防止配管１Ｅの一端部は、主排気配管１Ｄに接続されている。この接続位置は、主排気弁３Ｄの上流側に設定されている。この過加圧防止配管１Ｅには、過加圧防止弁２Ｅが挿入されている。
　【００８７】
　上記第１のバイパスライン２６３は、第１のバイパス配管１Ｆを有する。この第１のバイパス配管１Ｆの一端部は、主排気弁３Ｄの上流側で主排気配管１Ｄに接続され、他端部は、主排気弁３Ｄの下流側で主排気配管１Ｄに接続されている。この場合、第１のバイパス配管１Ｆの一端部の接続位置は、過加圧防止配管２６２の接続位置の下流側に設定されている。この第１のバイパス配管１Ｆには、第１のバイパス弁２Ｆと、ニードル弁３Ｆとが上流側から順次挿入されている。
　【００８８】
　上記第２のバイパスライン２６４は、第２のバイパス配管１Ｇを有する。この第２のバイパス配管１Ｇの一端部は、主排気弁３Ｄの上流側で主排気配管１Ｄに接続され、他端部は、主排気弁３Ｄの下流側で主排気配管１Ｄに接続されている。この場合、第２のバイパス配管１Ｇの一端部の接続位置は、過加圧防止配管２６２の接続位置の下流側に設定されている。この第２のバイパス配管１Ｇには、流量制御弁２Ｇと、流量計３Ｇとが上流側から順次挿入されている。
　【００８９】
　［１−２］動作上記構成において、動作を説明する。まず、図３を参照しながら、ウェーハＷの表面に所定の薄膜を形成するための全体的な動作を説明する。図３は、この動作を示すフローチャートである。
　【００９０】
　この動作を開始する前は、ヒータ２１２は、昇温状態に設定され、真空ポンプ２Ｄは、排気運転状態に設定されている。この状態で、動作を開始すると、まず、ウェーハＷをボート２２１に装填するためのウェーハチャージ処理が実行される（ステップＳ１１）。すなわち、この場合、炉口キャップ２２３が下降し、ボート２２１が反応炉２１１の下方に位置決めされている。これにより、図示しないウェーハ搬送装置により、成膜すべき複数のウェーハＷがボート２２１に装填される。
　【００９１】
　このウェーハチャージ処理が終了すると、ボート２２１を反応室１ａに搬入するボートロード処理が実行される（ステップＳ１２）。すなわち、ウェーハチャージ処理が終了すると、炉口キャップ２２３が図示しないボートエレベータにより上昇駆動される。これにより、ボート２２１が反応室１ａに搬入される。その結果、成膜すべき複数のウェーハＷがボート２２１に収容された状態で、反応室１ａに搬入される。このとき、炉口２ａが炉口キャップ２２３により封止される。
　【００９２】
　このボートロード処理が終了すると、反応室１ａの内部の雰囲気を排出する真空排気処理が実行される（ステップＳ１３）。この真空排気処理においては、最初、第１のバイパスライン２６３によるスロー排気処理が実行される。そして、このスロー排気処理によって反応室１ａの内部の圧力が予め定めた圧力まで低下すると、主排気ライン２６１による主排気処理が実行される。
　【００９３】
　すなわち、ボートロード処理が終了すると、まず、第１のバイパス弁２Ｆが開かれる。これにより、反応室１ａの内部の雰囲気は、第１のバイパス管１Ｆを介して緩やかに排出される。この場合、排気速度は、ニードル弁３Ｆにより調整される。
　【００９４】
　このあと、反応室１ａの圧力が予め定めた圧力まで低下すると、第１のバイパス弁２Ｆが閉じられ、主排気弁３Ｄが開かれる。これにより、反応室１ａの雰囲気は、今度は、主排気管１Ｄを介して急速に排出される。
　【００９５】
　このあと、反応室１ａの真空度が予め定めた真空度になり、かつ、反応室１ａの内部の温度が予め定めた温度に保持されると、成膜処理が実行される（ステップＳ１４）。すなわち、反応室１ａの真空度が予め定めた真空度になり、かつ、反応室１ａの温度が予め定めた温度に保持されると、ガス供給ノズル２３１を介して炉口２ａ付近に反応ガスが供給される。また、このとき、主排気ライン２６１による主排気処理はそのまま続けられる。
　【００９６】
　これにより、炉口２ａ付近に供給された反応ガスが上方に流れ、排気室１ａに分散される。その結果、ボート２２１に保持されているウェーハＷの表面に所定の薄膜が形成される。この場合、未反応ガスや反応副生成物の蒸気は、反応炉２１１の上端部からアウタチューブ１Ａとインナチューブ２Ａとの間の空間３ａを介して排出される。
　【００９７】
　この成膜処理が終了すると、アフタパージ処理が実行される（ステップＳ１５）。すなわち、成膜処理が終了すると、反応室１ａに対する反応ガスの供給が停止され、不活性ガスの供給が開始される。この不活性ガスの供給も、ガス供給ノズル２３１を介して行われる。また、このとき、主排気ライン２６１による主排気処理は続けられる。これにより、反応室１ａの内部の雰囲気が不活性ガスでパージされる。その結果、反応室１ａの内部に残留している未反応ガス等が排出される。
　【００９８】
　このアフタパージ処理が終了すると、大気戻し処理が実行される（ステップＳ１６）。すなわち、アフタパージ処理が終了すると、主排気弁３Ｄが閉じられる。これにより、主排気処理が停止される。これに対し、第１のガス供給系２３０による不活性ガスの供給は続けられる。これにより、反応室１ａの内部の圧力が上昇する。その結果、反応室１ａの内部の圧力が大気圧に戻される。
　【００９９】
　なお、反応室１ａの内部の圧力が大気圧を越えると、過加圧防止弁２Ｅが開かれる。これにより、反応室１ａの内部の雰囲気が過加圧防止配管１Ｅを介して排出される。その結果、反応室１ａの内部の圧力が大気圧に保持される。反応室１ａの内部の圧力が大気圧を越えたことを検出する大気圧センサは、例えば、主排気配管１Ｄや炉口フランジ３Ａから分岐した配管に設けられる。
　【０１００】
　この大気戻し処理が終了すると、ボートアンロード処理が実行される（ステップＳ１７）。すなわち、大気戻し処理が終了すると、反応室１ａに対する第１のガス供給系２３０による不活性ガスの供給は停止される。また、炉口キャップ２２３がボートエレベータにより下降駆動される。これにより、ボート２２１が反応室１ａの内部から搬出される。その結果、成膜の済んだウェーハＷがボート２２１に収容された状態で、反応室１ａの内部から搬出される。
　【０１０１】
　このボートアンロード処理が終了すると、ボート２２１から成膜の済んだウェーハＷを取り出すためのウェーハディスチャージ処理が実行される（ステップＳ１８）。
　【０１０２】
　以上により、ウェーハＷの表面に所定の薄膜を形成するための全体的な動作が終了する。
　【０１０３】
　次に、第２のガス供給系２４０によるバックパージ処理と第２のバイパスライン２６４によるスロー排気処理とを説明する。
　【０１０４】
　まず、第２ガス供給系２４０によるバックパージ処理について説明する。この処理は、図４に示すように、ボートロード期間とボードアンロード期間とに実行される。すなわち、ウェーハチャージ処理やアフタパージ処理が終了すると、第２のガス供給系２４０の仕切弁（エアバルブ）２４６が開かれる。これにより、不活性ガス供給配管２４１のガス吹出し口１ｃから上方に向けて不活性ガスが吹き出される。
　【０１０５】
　吹き出された不活性ガスは、図５に示すように、アウタチューブ１Ａの上端部に形成された円弧状の壁（天井）４ａに案内されて反応室１ａの内部に導かれる。これにより、反応室１ａの排気側からガス供給側に不活性ガスが流れる。その結果、炉口２ａが開かれているにもかかわらず、反応室１ａの内部への外気の侵入が抑制される。
　【０１０６】
　この場合、不活性ガスの流量は、マスフローコントローラ２４７により予め定めた流量となるように制御される。また、不活性ガスの逆流は、逆止弁２４４により防止される。さらに、不活性ガスに含まれる不純物は、第１，第２のフィルタ２４５，２４８により除去される。
　【０１０７】
　また、不活性ガスの圧力は、レギュレータ２４３により高圧から適正値に落とされる。これは、図示しないガスボンベから出力される不活性ガスの圧力が、通常、高圧に設定されているからである。ガスボンベから出力される不活性ガスの圧力が高圧に設定されているのは、通常、ガスボンベが工場設備として設けられ、ガスボンベと反応室１ａとの間の距離がかなり大きなものとなるからである。
　【０１０８】
　また、不活性ガス供給配管２４１の内部の圧力が適正値かどうかは、圧力スイッチ２５２により検出される。不活性ガス供給配管２４１の内部の圧力が適正値より低い場合は、不活性ガスを流そうとしても流れず、適正値より高い場合は、不活性ガスを流し始める際、一気に流れるという問題が生じる。
　【０１０９】
　通常の仕様では、圧力スイッチ２５２は、圧力の低下を検知するように設定される。そして、この圧力スイッチ２５２により圧力の低下が検出された場合は、図示しないコントローラによりエラー処理されるようになっている。このコントローラは、装置の制御を司るコントローラである。通常、マスフローコントローラ２４７には、各流量ごとに、適正なガスの流量が設定されている。以上がバックパージ処理である。
　【０１１０】
　次に、第２のバイパスライン２６４によるスロー排気処理を説明する。この処理も、図４に示すように、ボートロード期間とボードアンロード期間とに実行される。すなわち、ウェーハチャージ処理や大気戻し処理が終了すると、第２のバイパスライン２６４の流量制御弁２Ｇが開かれる。この場合、主排気ライン２６１の主排気弁３Ｄと、過加圧防止ライン２６２の過加圧防止弁２Ｅと、第１のバイパスライン２６３の第１のバイパス弁２Ｆは閉じられている。これにより、反応室１ａの内部の雰囲気が第２のバイパスライン２６４の第２のバイパス配管１Ｇを介して排出される。その結果、反応室１ａの内部への気相の逆流が抑制される。
　【０１１１】
　この場合、第２のバイパス配管１Ｇを流れる雰囲気の流量が流量計３Ｇで検出される。そして、この検出結果に基づいて、流量制御弁２Ｇの開度が制御される。これにより、雰囲気の流量が予め定めた流量に保持される。この流量は、第２のガス供給系２４０から供給される不活性ガスの流量より少なくなるように設定されている。これにより、反応室１ａの圧力は、陽圧に設定される。
　【０１１２】
　［１−３］効果以上詳述した本実施の形態によれば、次のような効果を得ることができる。
　【０１１３】
　（１）まず、本実施の形態によれば、ボートロード期間とボートアンロード期間、アウタチューブ１Ａとインナチューブ２Ａとの間の空間３ａに不活性ガスを供給するようにしたので、未反応ガス等の排出側から反応室１ａの内部に不活性ガスを供給することができる。言い換えれば、炉口２ａとは反対側から反応室２ａの内部に不活性ガスを供給することができる。これにより、反応室１ａの内部への外気の侵入を防止することができる。その結果、外気の侵入による反応室１ａの内部の汚染と、パーティクルの発生と、ウェーハＷの表面へのヘイズの発生と、自然酸化膜の成長等を抑制することができる。
　【０１１４】
　（２）また、本実施の形態によれば、ボートロード期間とボートアンロード期間、反応室１ａの内部の雰囲気を、専用の雰囲気排出路ではなく、ウェーハ処理用の雰囲気排出路（厳密には、主排気配管１Ｄの上流側部分）を介して排出するようにしたので、ウェーハ処理用の雰囲気排出路から反応室１ａの内部への気相の逆流を抑制することができる。これにより、気相の逆流に伴うパーティクルの逆拡散によって反応室１ａの内部が汚染されてしまうことを抑制することができる。
　【０１１５】
　（３）また、本実施の形態によれば、反応室１ａの内部が炉口２ａを介して外部に開放されている期間のうち、ボートロード期間とボートアンロード期間だけ、反応室１ａの内部に対する不活性ガスの供給処理（バックパージ処理）と、反応室１ａの内部の雰囲気の排出処理とを実行するようにしたので、反応室１ａが炉口２ａを介して外部に開放されている期間に、常時、不活性ガスの供給処理と雰囲気の排出処理とを行う構成に比べ、不活性ガスの消費量を減らすことができるとともに、排気系２６０の配管１Ｄ，１Ｇ等に設けられているＯリングをメンテナンスで交換する場合のランニングコストを低減することができる。
　【０１１６】
　すなわち、気相の逆流によるパーティクルの増大を抑制するためには、反応室１ａが炉口２ａを介して外部に開放されている期間、常時、第２のバイパスライン２６４による真空排気処理を実行することが好ましい。
　【０１１７】
　しかしながら、このようにすると、不活性ガスの消費量が増大する。また、主排気配管１Ｄの上流側部分や第２のバイパス配管１Ｇ等に、長時間、反応室１ａ内の高温の雰囲気が流れるため、これらの温度が上昇し、真空シール用のＯリングが破損しやすくなる。このため、このＯリングとして、耐熱性の高い材料によって形成された高価なものを用いる必要がある。その結果、メンテナンスでＯリングを交換する際のランニングコストが高くなる。
　【０１１８】
　これに対し、本実施の形態では、ボートロード期間とボートアンロード期間だけ、第２のバイパスライン２６４による真空排気処理を実行するようにしたので、配管１Ｄ，１Ｇ等の温度上昇を少なくすることができる。これにより、Ｏリングとして通常のＯリングを用いることができるので、メンテナンスでＯリングを交換する際のランニングコストを低減することができる。
　【０１１９】
　なお、このように第２のバイパスライン２６４による真空排気処理をボートロード期間とボートアンロード期間とに限定したとしても、パーティクルの増大によるウェーハＷの汚染を抑制することができる。これは、パーティクルの増大によるウェーハＷの汚染が問題になるのは、パーティクルが増大するときに、ウェーハＷが反応室１ａ付近に存在する場合だからである。そして、この場合というのは、反応室１ａが炉口２ａを介して外部に開放されている期間のうち、ボートロード期間とボートアンロード期間とだからである。
　【０１２０】
　（４）また、本実施の形態によれば、ボートロード期間とボートアンロード期間に反応室１ａの雰囲気を排出する場合、スロー排気処理によって排出するようにしたので、この排出による反応室１ａの内部の圧力変動を抑制することができる。これにより、この圧力変動によってアウタチューブ１Ａやインナチューブ２Ａに堆積した膜が剥がれたり、配管１Ｄ，１Ｇ等の内部や炉口２ａ付近の内壁に付着した反応副生成物が舞い上がったりして、パーティクルが増大することを抑制することができる。
　【０１２１】
　（５）また、本実施の形態によれば、第２のガス供給ライン２４０によって反応室１ａの内部に供給される不活性ガスの流量を第２のバイパスライン２６４によって反応室１ａの内部から排出される雰囲気の流量より多くしたので、反応室１ａの内部の圧力を陽圧に設定することができる。これにより、不活性ガスの流量が雰囲気の流量と同じか少ない場合より、反応室１ａの内部への外気の侵入を抑制する効果を高めることができる。また、これにより、自然酸化膜の成長を良好に抑制することができる。
　【０１２２】
　（６）また、本実施の形態によれば、不活性ガス供給配管２４１のガス吹出し口１ｃを、アウタチューブ１Ａとインナチューブ２Ａとの間の空間３ａに面する反応炉２１１の内壁のうち、雰囲気排出口１ｄ付近の内壁に付着した反応副生成物を巻き上げないような位置に設けるようにしたので、反応副生成物の巻上げによるパーティクルの発生を抑制することができる。
　【０１２３】
　（７）また、本実施の形態によれば、不活性ガス供給配管２４１のガス吹出し口１ｃを、ヒータ２１２によって加熱される位置に設けるようにしたので、このガス吹出し口１ｃを反応副生成物が存在しないような位置に設けることができる。これにより、反応副生成物の巻上げによるパーティクルの発生を抑制することができる。
　【０１２４】
　（８）また、本実施の形態によれば、第２のガス供給系２４０によって供給される不活性ガスの流量と第２のバイパスライン２６４によって排出される雰囲気の流量とを制御可能としたので、これらの流量として、外気の侵入と気相の逆流とを効果的に抑制可能な流量を設定することができる。
　【０１２５】
　（９）また、本実施の形態によれば、第２のバイパスライン２６４によって排出される雰囲気の流量を予め定めた流量に自動的に制御することができるようにしたので、この流量を予め定めた値に設定した後、この流量を変化させるような要因が発生したとしても、この変化を抑制することができる。
　【０１２６】
　（１０）また、本実施の形態によれば、不活性ガス供給配管２４１のガス吹出し口１ｃを、インナチューブ２Ａの上端部より少し下まで延在するようにしたので、不活性ガスを反応室１ａの内部に届きやすくすることができる。
　【０１２７】
　［１−４］変形例（１）以上の説明では、第２のガス供給系２４０の流量制御器として、マスフローコントローラ２４７を用いる場合を説明した。しかしながら、本実施の形態では、マスフローコントローラ２４７以外の流量制御器を用いるようにしてもよい。
　【０１２８】
　（２）また、以上の説明では、第２のバイパスライン２６４の流量制御弁２Ｇとして、エア弁を用いる場合を説明した。しかしながら、本実施の形態では、エア弁とニードル弁との組合わせを用いるようにしてもよい。
　【０１２９】
　［２］第２の実施の形態
　図６は、本発明に係る基板処理装置の第２の実施の形態の要部の構成を示す斜視図である。
　【０１３０】
　先の実施の形態では、不活性ガス供給配管２４１の先端部１Ｂをインナチューブ１Ａの上端部より少し下まで延在する場合を説明した。これに対し、本実施の形態では、この延在距離を短くするようにしたものである。
　【０１３１】
　図６は、この様子を示す図である。なお、図６において、先の図１とほぼ同一機能を果たす部分には、同一符号を付して詳細な説明を省略する。
　【０１３２】
　図において、２７１は、本実施の形態の第２のガス供給系２４０の不活性ガス供給配管を示す。この不活性ガス供給配管２７１の先端部１Ｈは、図１の不活性ガス供給配管２４１と同様に、炉口フランジ３Ａを通してアウタチューブ１Ａとインナチューブ２Ａとの間の空間３ａに導かれた後、例えば、インナチューブ２Ａの軸方向の中央部より少し下まで延在されている。この先端部１Ｈには、ガス吹出し口１ｈが形成されている。このガス吹出し口１ｈのガス吹出し方向は、上方向に設定されている。
　【０１３３】
　このような構成においても、不活性ガス供給配管２７１の先端部１Ｈを雰囲気排出口１ｄが設けられる位置とは反対側に設けることにより、この雰囲気排出口１ｄ付近の内壁に付着した反応副生成物を巻き上げないようにすることができる。
　【０１３４】
　また、このような構成によれば、不活性ガス供給配管２７１の長さが短いため、メンテナンス時、不活性ガス供給配管２７１の取付け、取外しを容易に行うことができる。
　【０１３５】
　［３］第３の実施の形態
　図７は、本発明に係る基板処理装置の第３の実施の形態の要部の構成を示す斜視図である。
　【０１３６】
　先の第１，第２の実施の形態では、不活性ガス供給配管２４１，２７１のガス吹出し口１ｃ，１ｈを１つだけ設ける場合を説明した。これに対し、本実施の形態では、ガス吹出し口を複数設けるようにしたものである。
　【０１３７】
　図７は、この様子を示す斜視図である。なお、図７において、先の図１とほぼ同一機能を果たす部分には、同一符号を付して詳細な説明を省略する。
　【０１３８】
　図において、２７２は、本実施の形態の第２のガス供給系２４０の不活性ガス供給配管を示す。図には、図６の不活性ガス供給管２７１と同様に、先端部１Ｉをインナチューブ２Ａの中央部の少し下まで延在する場合を代表として示す。
　【０１３９】
　この不活性ガス供給配管２７２の先端部１Ｉには、３つのガス吹出し口１ｉ，２ｉ，３ｉが形成されている。ガス吹出し口１ｉのガス吹出し方向は、上方向に設定されている。ガス吹出し口２ｉのガス吹出し方向は、インナチューブ２Ａに向かって右方向に設定されている。ガス吹出し口３ｉのガス吹出し方向は、インナチューブ２Ａに向かって左方向に設定されている。
　【０１４０】
　このような構成によれば、アウタチューブ１Ａとインナチューブ２Ａとの間の空間３ａにおける不活性ガスの対流を抑制することができる。
　【０１４１】
　すなわち、先の第１，第２の実施の形態では、不活性ガスの吹出し口として、１つの吹出し口１ｃ，１ｈしか設けないので、不活性ガスの流速を抑制することが困難であるとともに、不活性ガスを１つの方向にしか吹き出すことができない。これにより、これらの実施の形態では、図８に示すように、アウタチューブ１Ａとインナチューブ２Ａとの間の空間３ａで、不活性ガスの流量が多くなると、対流Ｘが発生する。なお、図８には、第２の実施の形態の場合を代表として示す。
　【０１４２】
　これに対し、本実施の形態では、ガス吹出し口を３つ設けるとともに、これら３つのガス吹出し口１ｉ，２ｉ，３ｉのガス吹出し方向を異なる方向に設定するようにしたので、不活性ガスの流量が多い場合においても、活性ガスの流速を抑えることができるとともに、不活性ガスを異なる方向に吹き出すことができる。
　【０１４３】
　これにより、本実施の形態では、３つのガス吹出し口１ｉ，２ｉ，３ｉを一箇所に集中的に設けているにもかかわらず、不活性ガスの対流Ｘの発生を抑制することができる。その結果、本実施の形態では、不活性ガスの吹出しによる反応副生成物（雰囲気排出路１ｄ付近の内壁に付着した反応副生成物）の巻上げだけでなく、不活性ガスの流量が多い場合の不活性ガスの対流Ｘによる反応副生成物の巻上げも抑制することができる。これにより、本実施の形態では、先の第１，第２の実施の形態より、反応副生成物の巻上げによるパーティクルの発生を抑制することができる。
　【０１４４】
　また、上述したような構成によれば、空間３ａ全体に不活性ガスを供給することができるため、反応室１ａの内部全体に不活性ガスを供給することができる。これにより、反応室１ａの内部に対する外気の侵入を効果的に阻止することができる。
　【０１４５】
　［４］第４の実施の形態
　図９は、本発明に係る基板処理装置の第４の実施の形態の要部の構成を示す斜視図である。
　【０１４６】
　本実施の形態は、第１の実施の形態と同様に、先端部１Ｊがインナチューブ２Ａの上端部付近まで延在された不活性ガス供給配管２７３の先端部１Ｊに、第３の実施の形態と同様に、３つのガス吹出し口１ｊ，２ｊ，３ｊを設けるようにしたものである。
　【０１４７】
　このような構成においても、空間３ａにおける不活性ガスの対流Ｘを抑制することができるとともに、空間３ａ全体に不活性ガスを供給することができるため、先の第３の実施の形態とほぼ同様な効果を得ることができる。
　【０１４８】
　［５］第５の実施の形態
　図１０は、本発明に係る基板処理装置の第５の実施の形態の要部の構成を示す斜視図である。
　【０１４９】
　先の第３，第４の実施の形態では、複数のガス吹出し口を１箇所に集中的に設ける場合を説明した。これに対し、本実施の形態では、これらをインナチューブ２Ａの周りに分散的に設けるとともに、すべてのガス吹出し口のガス吹き出し方向を上方向に設定するようにしたものである。
　【０１５０】
　図１０は、この様子を示す図である。図において、２７４は、本実施の形態の不活性ガス供給配管を示す。この不活性ガス供給配管２７４の先端部１Ｋは、インナチューブ２Ａを取り囲むリング状に形成されている。そして、このリング状の先端部１Ｋには、複数のガス吹出し口１ｋ，２ｋ，…がインナチューブ１Ａの周囲に沿って等間隔で設けられている。これらのガス吹出し方向は、いずれも上方向に設定されている。なお、図には、不活性ガス供給配管２７４の先端部１Ｋをインナチューブ２Ａの軸方向の中央部より少し下まで延在する場合を示す。
　【０１５１】
　このような構成によれば、不活性ガスの流速を抑えることができるとともに、図１０に示すように、複数のガス吹出し口１ｋ，２ｋ，…から平行に不活性ガスを吹き出すことができる。これにより、空間３ａにおける不活性ガスの対流の発生を抑制することができるとともに、空間３ａ全体に不活性ガスを供給することができる。
　【０１５２】
　［６］第６の実施の形態
　図１１は、本発明に係る基板処理装置の第６の実施の形態の要部の構成を示す斜視図である。
　【０１５３】
　本実施の形態は、先端部がインナチューブ２Ａの上端部より少し下まで延在された不活性ガス供給配管の先端部を、第５の実施の形態と同様に、リング状に形成したものである。
　【０１５４】
　図１１は、この様子を示す図である。図において、２７５は、不活性ガス供給配管を示す。この不活性ガス供給配管２７５の先端部１Ｌは、インナチューブ２Ａを取り囲むようにリング状に形成されている。この先端部１Ｌの上面には、複数のガス吹出し口１ｌ，２ｌ，…が等間隔で形成されている。
　【０１５５】
　このような構成においても、空間３ａにおける不活性ガスの対流Ｘの発生を抑制することができるとともに、空間３ａ全体に不活性ガスを供給することができる。
　【０１５６】
　［７］第７の実施の形態
　図１２は、本発明に係る基板処理装置の第７の実施の形態の構成を示す斜視図である。なお、図１２において、図１とほぼ同じ機能を果たす部分には、同一符号を付して詳細な説明を省略する。
　【０１５７】
　先の実施の形態では、本発明を、反応炉として２重構造の反応炉２１１を有する基板処理装置に適用する場合を説明した。これに対し、本実施の形態では、図１２に示すように、一重構造の反応炉２１５を有する基板処理装置にも適用することができる。
　【０１５８】
　この場合、図１２に示すように、不活性ガス供給配管２７６の先端部１Ｃを反応炉２１５の上端部に接続するようにすれば、二重構造の反応炉２１１において、不活性ガスをアウタチューブ１Ａとインナチューブ２Ａとの間から供給する場合と同様に、不活性ガスを炉口２ａとは反対側から反応室１ａの内部に供給することができる。これにより、反応室１ａの内部に対する外気の侵入を抑制することができる。
　【０１５９】
　［８］そのほかの実施の形態以上、本発明の７つの実施の形態を説明したが、本発明は、上述したような実施の形態に限定されるものではない。
　【０１６０】
　（１）例えば、先の第１〜第７の実施の形態では、第２のガス供給系２４０により反応室１ａの内部に供給される不活性ガスの流量を第２のバイパスライン２６４により反応室１ａの内部から排出される雰囲気の流量より多くする場合を説明した。しかしながら、本発明では、不活性ガスの流量を雰囲気の流量と同じかまたは少なくするようにしてもよい。
　【０１６１】
　このような構成であっても、第２のバイパスライン２６４による雰囲気の排出のみを行う場合より、炉口２ａからの大気の巻込みを少なくすることができる。これにより、炉口２ａからの外気の侵入を抑制することができる。その結果、外気の侵入による反応室１ａの内部の汚染と、パーティクルの発生と、ヘイズの発生と、自然酸化膜の成長等を抑制することができる。
　【０１６２】
　また、このような構成によれば、第２のバイパスライン２６４の排出量、すなわち、雰囲気の流量を設定する場合、炉口２ａからの大気の巻込みを気にせず設定することができる。これにより、雰囲気の流量として、気相の逆流を効果的に抑制することができるような流量を設定することができる。
　【０１６３】
　（２）また、先の第１〜第７の実施の形態では、本発明を、減圧ＣＶＤ装置に適用する場合を説明した。しかしながら、本発明は、常圧ＣＶＤ装置にも適用することができる。
　【０１６４】
　（３）また、先の第１〜第７の実施の形態では、本発明を、ＣＶＤ装置に適用する場合を説明した。しかしながら、本発明は、ＣＶＤ装置以外の成膜装置にも適用することができるとともに、成膜装置以外の基板処理装置にも適用することができる。
　【０１６５】
　（４）また、先の第１〜第７の実施の形態では、本発明を、半導体装置のウェーハを処理する基板処理装置に適用する場合を説明した。しかしながら、本発明は、ウェーハ以外の基板を処理する基板処理装置にも適用することができる。例えば、本発明は、液晶表示装置のガラス基板を処理する基板処理装置にも適用することができる。
　【０１６６】
　（５）また、以上の説明では、本発明を、ロードロック式以外の方式の基板処理装置に適用する場合を説明した。しかしながら、本発明は、ロードロック式の基板処理装置にも適用することができる。
　【０１６７】
　（６）このほかにも、本発明は、その要旨を逸脱しない範囲で種々様々変形実施可能なことは勿論である。
　【０１６８】
　【発明の効果】
　以上詳述したように請求項１記載の基板処理装置によれば、反応容器の内部が基板搬入搬出口を介して外部に開放されている期間のうち予め定めた期間、外側筒状体と内側筒状体との間の空間に不活性ガスを供給するようにしたので、反応容器の内部に対する外気の侵入を抑制することができる。
　【０１６９】
　【０１７０】
　また、
請求項１記載
　【０１７１】
　
また、請求項２記載の基板処理装置によれば、請求項１記載の装置において、反応容器の内部の雰囲気を排出する場合、スロー排気処理によって排出するようにしたので、この排出による反応容器の内部の圧力変動を抑制することができる。その結果、この圧力変動により、外側筒状体や内側筒状体に堆積した膜が剥がれたり、雰囲気排出路の内部や基板搬入搬出口付近に付着した反応副生成物が舞い上がったりして、パーティクルが増大することを抑制することができる。
　【０１７２】
　【０１７３】
　【０１７４】
　【０１７５】
　【０１７６】
　【０１７７】
　【０１７８】
　また、
請求項３記載
　【０１７９】
　【０１８０】
　【０１８１】
　【０１８２】
　【０１８３】
　【０１８４】
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　本発明に係る基板処理装置の第１の実施の形態の構成を示す側断面図である。
　【図２】
　本発明に係る基板処理装置の第１の実施の形態の不活性ガス供給配管の構成を示す斜視図である。
　【図３】
　本発明に係る基板処理装置の第１の実施の形態の動作を示すフローチャートである。
　【図４】
　本発明に係る基板処理装置の第１の実施の形態の動作を示すもので、特に、バックパージ処理とスロー排気処理の実施時期を示す図である。
　【図５】
　本発明に係る基板処理装置の第１の実施の形態の動作を示すもので、特に、不活性ガスの流れを示す図である。
　【図６】
　本発明に係る基板処理装置の第２の実施の形態の要部の構成を示す斜視図である。
　【図７】
　本発明に係る基板処理装置の第３の実施の形態の要部の構成を示す斜視図である。
　【図８】
　本発明に係る基板処理装置の第３の実施の形態の効果を説明するための図である。
　【図９】
　本発明に係る基板処理装置の第４の実施の形態の要部の構成を示す斜視図である。
　【図１０】
　本発明に係る基板処理装置の第５の実施の形態の要部の構成を示す斜視図である。
　【図１１】
　本発明に係る基板処理装置の第６の実施の形態の要部の構成を示す斜視図である。
　【図１２】
　本発明に係る基板処理装置の第７の実施の形態の構成を示す斜視図である。
　【図１３】
　従来の基板処理装置の構成を示す側断面図である。
　【符号の説明】
　２００…縦型ＣＶＤ装置、２１０…反応系、２２０…搬送系、２３０…第１のガス供給系、２４０…第２のガス供給系、２６０…排気系、２１１，２１５…反応炉、２１２…ヒータ、２２１…ボート、２２２…ボートキャップ、２２３…炉口キャップ、２３１…ガス供給ノズル、２４１，２７１，２７２，２７３，２７４，２７５，２７６…不活性ガス供給配管、２４２…ハンドバルブ、２４３…レギュレータ、２４４…逆止弁、２４５…第１のフィルタ、２４６…仕切り弁、２４７…マスフローコントローラ、２４８…第２のフィルタ、２４９…第１の分岐配管、２５０…第２の分岐配管、２５１…圧力計、２５２…圧力スイッチ、２６１…主排気ライン、２６２…過加圧防止ライン、２６３…第１のバイパスライン、２６４…第２のバイパスライン、１Ａ…アウタチューブ、２Ａ…インナチューブ、３Ａ…炉口フランジ、４Ａ…鍔、１ａ…反応室、２ａ…炉口、３ａ…空間、１Ｂ，１Ｃ，１Ｈ，１Ｉ，１Ｊ，１Ｋ，１Ｌ…先端部、１ｂ，１ｃ，１ｈ，１ｉ〜３ｉ，１ｊ〜３ｊ，１ｋ，２ｋ，…，１ｌ，１ｌ，……ガス吹出し口、１Ｄ…主排気配管、２Ｄ…排気用ポンプ、３Ｄ…主排気弁、１Ｅ…過加圧防止配管、２Ｅ…過加圧防止弁、１Ｆ…第１のバイパス配管、２Ｆ…第１のバイパス弁、３Ｆ…ニードル弁、１Ｇ…第２のバイパス配管、２Ｇ…流量制御弁、３Ｇ…流量計、Ｗ…ウェーハ。