【事件の表示】
　特許第３４２４９８０号「高均質性ＩＴＯ焼結体の製造方法」の請求項１、２に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第３４２４９８０号の請求項１、２に係る特許を維持する。
【理　由】
［１］手続きの経緯・本件発明
　本件特許第３４２４９８０号に係る出願は、平成６年５月２３日に特許出願され、平成１５年５月２日にその発明についての特許権の設定の登録がなされ、その後、平成１５年１２月２６日付けで村田　博（以下「申立人」という。）より特許異議の申立てがなされたものである。
　本件発明は、特許明細書の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１及び２に記載された事項により特定される次のとおりのものである。
「【請求項１】酸化インジウムおよび酸化錫を主成分とするＩＴＯ焼結体の製造方法であって、酸化インジウムおよび酸化錫の原料粉末を混合し、これを圧密状態で焼結して焼結体とし、得られた焼結体を自生粉砕により粉砕して粉末とした後、この粉末を再度焼結することを特徴とする高均質性ＩＴＯ焼結体の製造方法。」（以下、「本件第１発明」という。）
「【請求項２】酸化インジウムおよび酸化錫を主成分とするＩＴＯ焼結体の製造方法であって、スパッタリング成膜に使用した後のＩＴＯターゲットの表面付着物を除去した後、これを自生粉砕することによって粉末とし、次いでこの粉末を焼結することを特徴とする高均質性ＩＴＯ焼結体の製造方法。」（以下、「本件第２発明」という。）
　
［２］特許異議申立ての理由の概要
　申立人は証拠として、甲第１号証（特開昭６３−４０７５６号公報）、甲第２号証（特開平５−２２９８１２号公報）及び甲第３号証（特開昭６３−９３８５９号公報）、並びに、参考文献１乃至５を提出し、本件第１発明及び第２発明は、甲第１号証乃至甲第３号証に記載された発明に基づいて、その発明の属する技術の分野における通常の知識を有するものが容易に発明をすることができたものであるから、本件第１発明及び本件第２発明の特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであって、取り消されるべきものである旨主張している。
　
［３］証拠の記載内容
〔１〕甲第１号証（特開昭６３−４０７５６号公報）
　甲第１号証には、「錫を含む物理蒸着用酸化インジウム焼結体」に関して次の事項が記載されている。
（１−ア）「本発明は、真空蒸着用ＩＴＯタブレットやスパッタリング用ＩＴＯターゲットなどとして使用される錫を含む物理蒸着用酸化インジウム焼結体に関するものである。」（第１頁左下欄第１３行〜第１６行）、
（１−イ）「一般に、このＩＴＯ焼結体の形成方法としては、種々の方法が知られているが、基本的には、酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３）粉体と酸化錫（ＳｎＯ２）粉体を適当な量だけ混合し、成型し、次いでこれを仮焼成して粉砕し、再び粉末とした後、もう一度成型焼結するという方法がとられてきた。」（第１頁右下欄第７行〜第１３行）、
（１−ウ）「この様にして得られた酸化度の低いインジウム酸化物（ＩｎＯｘ；０．５＜ｘ＜１．５）の粉体と酸化錫（ＳｎＯ２）の粉体とを目的に応じた組成で均一に混合したのち、成型焼結するインジウム低級酸化物の粉末と酸化錫（ＳｎＯ２）の粉体との混合割合は、重量比で９８：２〜８０：２０が適当である。さらに必要であれば、高密度の焼結体を得るために再び粉砕し、粉末とした後、もう一度所定のダレット形状；あるいはターゲット形状に成型し、焼結するという工程を加えると、蒸着、あるいはスパッタリングの工程の安定化という点で好ましい。」（第２頁左下欄第３行〜第１４行）、
（１−エ）「実施例２　Ｉｎ金属粉と酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３）をＩｎ：Ｏ＝１：１になるように混合し真空中１３００℃で高温処理し、インジウム低級酸化物ＩｎＯｘ；ｘ＝１．２）の粉体を作り、これに酸化錫（ＳｎＯ２）の粉体を組成比７．５ｗｔ％で均一に混合したのち、成型、仮焼成を行なった。さらにこれを粉砕して再び粉体状にし、これを６インチφ×１０ｍｍの大きさに成型し、真空中１３００℃高温焼結させた。このようにして得られたスパッタリング用ターゲットは緻密で青味がかった黒灰色を呈した。」（第３頁右上欄第１１行〜同頁左下欄第２行）。
〔２〕甲第２号証（特開平５−２２９８１２号公報）
　甲第２号証には、「珪素焼結体およびこれを用いて形成したウェハ保持用ボ−ド、スパッタリングターゲットおよびシリコンウェハ」に関して次の事項が記載されている。
（２−ア）「特に高密度で強度が高く、加工性が優れた珪素焼結体、およびこの焼結体を用い、高い原料歩留りで安価に製造することが可能なウェハ保持用ボード、スパッタリングターゲットおよびシリコンウェハに関する。」（第２頁第１欄第３４行〜第３８行）、
（２−イ）「ＬＳＩ形成用Ｓｉウェハを切り出した高純度ポリシリコンブロックの端材を、高純度Ｓｉを内張りしたポットミル中に装填してミルを回転させ、ポリシリコンブロックの端材同士の衝突、または端材と内張りしたＳｉとの衝突等によって、端材を粉砕し、平均粒径５μｍである高純度珪素粉末を調製した。」（第４頁第６欄第４３行〜第４８行）。
〔３〕甲第３号証（特開昭６３−９３８５９号公報）
　甲第３号証には、「スパッタリングターゲットとその製造方法」に関して次の事項が記載されている。
（３−ア）「一般に、ターゲットは高純度であることが絶対条件であり、そのために極めて高価にならざるを得ない。したがって、そのような高価な材料を未だ使用可能な部分が全体の２／３以上を占めている状態であるにもかかわらず廃棄することは不経済である」（第２頁右下欄第３行〜第８行）、
（３−イ）「このような使用済みのターゲットは、材料それ自体が高価であるがゆえに、再利用することが行なわれている。例えば、使用済みターゲットを粉砕し、得られた粉末を例えばフッ酸で洗浄して除染し、この除染粉を原料として再び前と同じ方法で正規形状のターゲットを製作する」（第２頁右下欄第１９行〜第３頁左上欄第４行）、
（３−ウ）「本発明のターゲットは次の工程を経て製造することができる。まず第１の工程は、使用済みのターゲット材の減肉面を清浄にする工程である。減肉面は前述したように各種の不都合な不純物によって汚染されていると同時に、各種の塊状、膜状の合金類が固着している。この工程ではこれらを除去するのである。清浄化の手段としては、グラインダー等を用いた機械的手段、フッ酸等のこれら不純物を溶解する酸類を用いて行なう酸洗手段又は、アルゴンのようなイオン種を用いて行なうスパッタリング手段をあげることができる。これらの方法のうち、簡便であるという点からして酸洗手段は好適である。第２の工程は、上記工程で得られた清浄化面に、再生材となるべき素材を載置して組合わせる工程である。」（第３頁右下欄第９行〜第４頁左上欄第５行）。
　
［４］対比、判断
〔１〕本件第１発明について
　甲第１号証の記載事項１−イ〜エからみて、ＩＴＯ焼結体が酸化インジウムおよび酸化錫を主成分とするものであること、及び、酸化インジウム粉末および酸化錫粉末がＩＴＯ焼結体の原料粉末であることは明らかであるから、甲第１号証には下記の発明が記載されていると云える。
「酸化インジウムおよび酸化錫の原料粉末を混合し、成型し、仮焼成し、さらにこれを粉砕して粉末とした後、この粉末を再度成型焼結する酸化インジウムおよび酸化錫を主成分とするＩＴＯ焼結体の製造方法。」
　本件第１発明と甲第１号証に記載された発明を対比すると、後者における「成型し、仮焼成し」た物は仮焼成体というべきものであり、この仮焼成体は、原料粉末を成型加熱して得られた物である点において、前者における「焼結体」と共通するから、両者は、
「酸化インジウムおよび酸化錫を主成分とするＩＴＯ焼結体の製造方法であって、酸化インジウムおよび酸化錫の原料粉末を混合し、成型加熱して得られた物を粉砕して粉末とした後、この粉末を再度焼結するＩＴＯ焼結体の製造方法。」である点で一致し、下記の点で相違する。
（１）前者は、上記「成型加熱して得られた物」が、原料粉末を圧密状態で焼結した焼結体であるのに対して、後者は、原料粉末を成型し仮焼成して得られた仮焼成体である点。
（２）前者は、焼結体を自生粉砕により粉砕して粉末とするのに対して、後者は、仮焼成体を粉砕する手段が不明である点。
（３）前者は、高均質性ＩＴＯ焼結体の製造方法であるのに対し、後者はかかる特定がない点。
　そこでまず、上記の相違点（２）について検討する。
　甲第２号証には、記載事項２−イに「ポリシリコンブロックの端材同士の衝突、または端材と内張りしたＳｉとの衝突等によって、端材を粉砕」することが記載されており、この粉砕手段自体は自生粉砕と云えるものではあるが、粉砕対象のポリシリコンブロックは焼結体ではない。また、甲第３号証には、記載事項３−イに、使用済みターゲットを粉砕し、得られた粉末をフッ酸で洗浄後ターゲット製作に再利用することが記載されているが、粉砕手段については何の記載もない。さらに、甲第２号証及び甲第３号証に記載された事項を検討しても、酸化インジウムおよび酸化錫を主成分とするＩＴＯ焼結体を製造する際に、ＩＴＯ焼結体を自生粉砕により粉砕して粉末とすることは、記載も示唆もされていない。
　そして、本件第１発明は上記相違点（２）で挙げた、焼結体を自生粉砕により粉砕して粉末とすることを構成要件としたことにより、極めて微細な粉末が得られることから、高密度で均一性のよいＩＴＯ焼結体が得られるという明細書に記載された（特に、本件明細書【００１８】、【００３２】段落参照）顕著な効果を奏するものである。
　してみると、本件第１発明は、上記相違点（１）及び（３）について検討するまでもなく、甲第１号証乃至甲第３号証に記載された発明に基いて、その発明の属する技術の分野における通常の知識を有するものが容易に発明をすることができたものであるとすることができない。
　また、申立人が提出した参考文献１（特開平５−１７０５１５号公報）、参考文献２（特開平５−１７０４４６号公報）、参考文献３（「浮選」Ｖｏｌ．２５，１９６５年、第２７頁〜第３５頁、第３７頁、第３９頁）、参考文献４（素木洋一著「セラミック製造プロセスＩ」、技報堂出版株式会社、１９８４年６月１５日発行、第１４２頁〜第１５５頁）、参考文献５（特開平４−９９８６９号公報）を検討しても、酸化インジウムおよび酸化錫を主成分とするＩＴＯ焼結体を製造する際に、ＩＴＯ焼結体を自生粉砕により粉砕した粉末を用いることは何等記載されていないから、本件第１発明は、上記参考文献１乃至５に記載された事項を考慮しても、甲第１号証乃至甲第３号証に記載された発明に基いて、その発明の属する技術の分野における通常の知識を有するものが容易に発明をすることができたものであるとすることができない。
〔２〕本件第２発明について
　上記〔１〕で述べたとおり、甲第１号証には、下記の発明が記載されていると云える。
「酸化インジウムおよび酸化錫の原料粉末を混合し、成型し、仮焼成し、さらにこれを粉砕して粉末とした後、この粉末を再度成型焼結する酸化インジウムおよび酸化錫を主成分とするＩＴＯ焼結体の製造方法。」
　本件第２発明と甲第１号証に記載された発明を対比すると、後者における「成型し、仮焼成し」た物は仮焼成体というべきものであり、また、前者における「スパッタリング成膜に使用した後のＩＴＯターゲット」は、ＩＴＯターゲット自体が酸化インジウムおよび酸化錫の原料粉末を混合し成型焼結した焼結体から構成されるものであることからみて、原料粉末を混合し成型焼結した焼結体であると云える。よって、後者における仮焼成体は、原料粉末を成型加熱して得られた物である点において、前者における「スパッタリング成膜に使用した後のＩＴＯターゲット」と共通するから、両者は、
「酸化インジウムおよび酸化錫を主成分とするＩＴＯ焼結体の製造方法であって、酸化インジウムおよび酸化錫の原料粉末を混合し、成型加熱して得られた物を粉砕して粉末とした後、この粉末を再度焼結するＩＴＯ焼結体の製造方法」である点で一致し、下記の点で相違する。
（４）前者は、上記「酸化インジウムおよび酸化錫の原料粉末を混合し、成型加熱して得られた物」が、スパッタリング成膜に使用した後のＩＴＯターゲットの表面付着物を除去した物であるのに対して、後者は、該原料粉末を成型し仮焼成して得られた仮焼成体である点。
（５）前者は、上記のＩＴＯターゲットを処理した物を自生粉砕により粉砕して粉末とするのに対して、後者は、仮焼成体を粉砕する手段が不明である点。
（６）前者は、高均質性ＩＴＯ焼結体の製造方法であるのに対し、後者はかかる特定がない点。
　そこで、上記の相違点（５）について検討する。
　上記〔１〕で述べたとおり、甲第２号証及び甲第３号証に記載された事項を検討しても、酸化インジウムおよび酸化錫を主成分とするＩＴＯ焼結体を製造する際に、ＩＴＯ焼結体を自生粉砕により粉砕して粉末とすることは、記載も示唆もされておらず、ましてやＩＴＯターゲットを自生粉砕により粉砕して粉末とすることは、記載も示唆もされていない。
　そして、本件第２発明は、上記相違点（５）で挙げた、上記のＩＴＯターゲットを自生粉砕により粉砕して粉末とすることを構成要件としたことにより、極めて微細な粉末が得られ、これを焼結することにより高密度で均一性のよいＩＴＯ焼結体が得られるという明細書に記載された（特に、本件明細書【００１８】、【００３２】段落参照）顕著な効果を奏するものである。
　してみると、本件第２発明は、上記相違点（４）及び（６）について検討するまでもなく、甲第１号証乃至甲第３号証に記載された発明に基いて、その発明の属する技術の分野における通常の知識を有するものが容易に発明をすることができたものであるとすることができない。
　また、申立人が提出した参考文献１乃至５についても上記〔１〕で述べたとおりであるから、本件第２発明は、上記参考文献１乃至５に記載された事項を考慮しても、甲第１号証乃至甲第３号証に記載された発明に基いて、その発明の属する技術の分野における通常の知識を有するものが容易に発明をすることができたものであるとすることができない。
　
［５］むすび
　以上のとおりであるから、特許異議の申立ての理由によっては本件第１発明及び第２発明の特許を取り消すことができない。
　また、他に本件第１発明及び第２発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　したがって、本件第１発明及び第２発明についての特許は拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものと認めない。
　よって、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第２項の規定により、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１６年５月１１日（２００４．５．１１）