【事件の表示】
　特許第３２７６５１４号「プラズマ処理装置」の請求項１ないし３に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　本件特許異議の申立てを却下する。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯
　特許第３２７６５１４号の発明についての出願は、平成６年８月９日（優先権主張平成６年４月２６日）に特許出願され、平成１４年２月８日にその発明について特許権の設定登録がなされ、その後、特許異議申立人藤澤裕行より請求項１〜３に係る発明の特許に対して特許異議の申立てがなされ、取消理由が通知され、その指定期間内である平成１５年６月１６日に訂正請求（後日取下げ）がなされた後、再度取消理由が通知され、その指定期間内である平成１５年１０月２７日に訂正請求がなされたものである。
　  
II．訂正の適否についての判断
１．訂正の内容
　訂正事項ａ
　請求項１〜３を削除し、請求項４〜６の請求項番号を繰り上げ請求項１〜３とすると共に、請求項５で引用していた請求項番号「請求項４」を「請求項１」と、請求項６で引用していた請求項番号「請求項４または５」を「請求項１または２」と訂正する。
　
２．訂正の目的の適否、新規事項の有無、及び特許請求の範囲の拡張・変更の存否
　上記訂正事項ａは、請求項１〜３を削除し、請求項４〜６の請求項番号を繰り上げ請求項１〜３と訂正すると共に、引用請求項番号を訂正するものであるから、特許請求の範囲の減縮、及び明りょうでない記載の釈明を目的とした明細書の訂正に該当し、願書に添付した明細書に記載された事項の範囲内のものであり、また実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　
３．むすび
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、特許法第１２０条の４第３項において準用する平成６年法律第１１６号による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書き、第２項及び第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
III．特許異議の申立てについての判断
　特許異議申立人藤澤裕行は、甲第１号証（特開平３−７９０２５号公報）、甲第２号証（先端電子材料辞典編集委員会編集、「先端電子材料辞典」株式会社シーエムシー、１９９１年３月１５日第１刷発行、２５４〜２５６頁、基板材料欄）、及び甲第３号証（社団法人日本化学会編、「第５版、化学便覧Ｉ応用化学編」、丸善株式会社、平成７年３月１５日発行、Ｉ−６７４頁、7.7.6窒化物、ａ．窒化アルミニウムＡｌＮ欄）を提出し、訂正前の請求項１〜３に係る発明は甲第１号証に記載された発明であるから、また訂正前の請求項１〜３に係る発明は甲第１、２号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、該特許は特許法第２９条第１項第３号、また同第２９条第２項の規定に違反して特許されたものであると主張する。　
　しかしながら、訂正前の請求項１〜３に係る発明は、訂正の結果削除されたので、特許異議の申立てられていた請求項１〜３は、実質的に削除されたといえる。
　そうすると、特許異議の申立ての対象が存在しないので、この特許異議の申立ては、不適法な申立てであって、その補正をすることができないものである。　
　
IV．むすび
　 以上のとおりであるから、本件特許異議の申立ては、特許法第１２０条の６第１項で準用する第１３５条の規定によって却下すべきものである。
　よって、結論のとおり決定する。　
【異議決定日】
平成１６年１月１６日（２００４．１．１６）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
プラズマ処理装置
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項
１
　【請求項
２
１
　【請求項
３
１
２
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】
　本発明は、プラズマ処理装置に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　一般に、半導体製造工程の一部にあっては、被処理体としての半導体ウエハに対して各種の処理、例えばプラズマエッチング等を施すために例えばプラズマ処理装置が用いられている。
　この種のプラズマ処理装置にあっては、例えば２枚の平板状の電極を平行に処理容器内に位置させ、これらの間にプラズマ発生用の高周波電源から例えば１３．５６ＭＨｚの高周波電圧を印加することによりプラズマを発生させ、これによりウエハ表面にエッチング等の処理を施すようになっている。
　【０００３】
　上述のような平行平板電極間に発生したプラズマは、電界が一方の電極から他方の電極に向けられた交番電界となることからこの電界に沿って電子が吸引されて気体分子と衝突し、これにより活性種が発生し、この活性種がウエハ表面と衝突してエッチングが行われることになる。
　【０００４】
　【発明が解決しようとする課題】
　ところで、半導体製品の高密度化、例えばＤＲＡＭに例をとれば４Ｍ、１６Ｍビットの記憶容量から６４Ｍ、２５６Ｍビットの記憶容量へ移行するに従って、更に細かな微細加工が要求されており、そのために、エッチング等の方向性を向上するために低い圧力領域でプラズマを発生させることが求められている。
　【０００５】
　しかしながら、上述したような平行平板電極型のプラズマ処理装置にあっては、電極間に形成される静電容量による結合回路であるために両電極間に電界は発生するが磁界が発生し難く、そのために磁場によるプラズマの閉じ込めが十分ではないことからプラズマの圧力領域は１×１０−２Ｔｏｒｒ以上となり、比較的圧力が高かった。そのために、エッチングを行う時の活性種が気体分子の散乱を受けやすくなって方向性が劣化し、６４Ｍや２５６ＭビットＤＲＡＭ等において必要とされる、形状のシャープなエッチング加工を施すことができないという問題点があった。
　【０００６】
　また、このようにエッチング圧力が高いとエッチングによって発生した副生成物も十分に排出することができず、このためにエッチング形状が一層劣化するのみならず、エッチングレートも劣化してしまうという問題点も発生していた。
　また、プラズマ処理装置を用いて例えば層間絶縁膜を堆積するためにプラズマＣＶＤ処理を行う場合には、ウエハを比較的温度の高い、例えば４００℃程度まで加熱するが、サセプタ上にウエハを吸着保持する静電チャックは、一般的には耐熱性のあまり高くない、例えば最大耐熱温度が約１５０℃のポリイミド樹脂を用いているため、プロセス温度をあまり高くできなくて、プラズマ電力も十分に加えることができないという問題もあった。
　【０００７】
　本発明は、以上のような問題点に着目し、これを有効に解決すべく創案されたものである。本発明の目的は、アンテナ部材のインダクタンスによる誘導結合と、アンテナ部材と処理容器或いはサセプタとの間の容量結合とを組み合わせることにより１×１０−３Ｔｏｒｒ以下の低圧力でもプラズマを発生させることができるプラズマ処理装置を提供することにある。
　【０００８】
　【課題を解決するための手段】
　第１の発明は、上記問題点を解決するために、気密な処理容器内にてサセプタ上に載置された被処理体に対してプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、前記処理容器内に、前記サセプタと対向する位置にアンテナ部材を配置し、このアンテナ部材にプラズマ発生用の高周波電源を接続するように構成したものである。
　【０００９】
　第２の発明は、上記問題点を解決するために、気密な処理容器内にてサセプタ上に載置された被処理体に対してプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、前記処理容器の天井部を、電波を透過する誘電体により形成すると共に少なくとも前記天井部の内面側をセラミック材により形成し、前記天井部の上面側に前記サセプタと対向するようにアンテナ部材を配置し、このアンテナ部材にプラズマ発生用の高周波電源を接続するように構成したものである。
　このセラミッ材としてはＡｌＮを用いることが好ましく、また、誘電体としては石英或いはＡｌＮを用いることができる。
　【００１０】
　また、サセプタ上に被処理体を吸着保持する静電チャックとしては、導電性薄膜をＳｉＣにより被覆してなる静電チャックを用いることができる。
　また、このサセプタには、バイアス電圧源を接続して、１ＭＨｚ〜１０ＭＨｚの範囲内の周波数のバイアス電圧を印加することができる。
　更には、処理容器内を真空引きする真空排気系には反応生成物を除去するコールドトラップを設けることもできる。
　【００１１】
　【作用】
　第１の発明は、以上のように構成したので、処理容器内においてサセプタと対向して配置されたアンテナ部材に高周波電源を接続して高周波電圧を印加することにより、アンテナ部材からの電波及びアンテナ部材と処理容器との間の電界の作用により処理容器内にプラズマが発生することになる。このプラズマは従来装置においては発生し得なかった１×１０−３Ｔｏｒｒ以下の低圧力状態においても発生し、このため、例えばエッチング時の方向性を改善して異方性に優れたエッチングが可能となる。
　特に、アンテナ部材を処理容器内に収容したのでアンテナ部材を被処理体と可能な限り接近させて設けることができ、効率良く電力を印加してプラズマの高密度化及びプラズマの生成効率を高めることができる。
　【００１２】
　第２の発明は、処理容器の天井部の上面側にアンテナ部材を配置して、これからの電波を天井部に透過させて処理容器内へ導入させるようにしたので、この電磁波の誘導作用により密度の濃いプラズマを発生させることができる。従って、プラズマ処理、例えばプラズマＣＶＤ処理を効率的に行うことができる。
　【００１３】
　また、天井部の少なくともプラズマに晒される内側面をＡｌＮ材により構成することにより、このＡｌＮ材は例えば石英等より耐熱性及び耐腐食性が大きいので、耐熱性及び耐腐食性を向上できるのみならず、クリーニング時に削られる量も大幅に抑制することができる。
　【００１４】
　また、ＳｉＮで被覆した静電チャックを用いた場合には、これは耐熱性が非常に優れていることから、十分なプラズマ電力を供給でき高いプロセス温度でプラズマＣＶＤ処理を行うことができる。また、ＳｉＣチャックを用いることにより、プラズマに対するサセプタ或いは被処理体の電位差を大きくしてイオンの引き込みが強くなり、その結果、ＣＶＤ時の垂直堆積効率が良くなってボイド等の発生を抑制することができる。特に、この時、サセプタに１ＭＨｚ〜１０ＭＨｚの範囲内の周波数のバイアス電圧を印加することにより、このボイドの発生を一層抑制することが可能となる。
　【００１５】
　更には、真空排気系にコールドトラップを設けることにより、例えばプラズマＣＶＤ処理時に生成した反応生成物が排気ガス中に含まれていてもこれを除去することができ、従って例えば真空ポンプ等に悪影響を与えることを防止することができる。
　【００１６】
　【実施例】
　以下に、本発明に係るプラズマ処理装置の一実施例を添付図面に基づいて詳述する。
　図１は第１の発明に係るプラズマ処理装置の一例を示す断面図、図２は図１に示す装置のアンテナ部材を示す平面図である。
　本実施例においては、本発明に係るプラズマ処理装置をプラズマエッチング装置に適用した場合について説明する。
　【００１７】
　このプラズマエッチング装置２は、処理容器４内の天井部内側にアンテナ部材６を設け、このアンテナ部材６の両端にプラズマ発生用の高周波電源８を接続することにより特徴づけられる。すなわち、この処理容器４はアルミニウムやステンレス等の導電性材料により円筒体状に成形されており、この天井部１０及び底部１２もアルミニウムやステンレス等の導電性材料により形成され、この底部１２は、処理容器４の下端開口部にシール部材１４を介して気密に取り付けられて内部を密閉している。従って、処理容器４内には密閉された処理室１６が形成されることになる。
　【００１８】
　この処理容器４の側壁、天井部６及び底部１２をアルミニウムにより形成する場合には、その内側表面に耐腐食性コーティングを施すためにアルマイト処理が施される。また、この処理容器４は、電気的には接地状態になされている。
　処理容器４の側壁には、被処理体として例えば半導体ウエハＷを搬出入する搬出入口１６が形成されており、この搬出入口１６には気密に開閉可能になされたゲートバルブ１７が設けられる。このゲートバルブ１７の反対側の処理容器側壁には、図示しない処理ガス源より、処理ガス、例えばＨＦガスなどを図示しないマスフローコントローラを介して処理室１６内へ導入するための処理ガス供給管７８が設けられている。この処理ガス供給管７８は、これにより高周波パワーを吸収しないように石英やシリコン等の半導体により構成するのが好ましい。また、処理容器４の底部には、ガス排気管１８が接続されており、図示しない真空ポンプにより処理容器４内を真空引き可能としている。
　【００１９】
　処理容器４内には、被処理体としての半導体ウエハＷを載置するための円板状のサセプタ２０が配置され、この載置面には静電チャック（図示せず）等のウエハ保持部材が設けられてウエハを例えばクーロン力により確実に吸着保持するようになっている。
　上記サセプタ２０は、絶縁された配線２２を介して、高周波電源２２と相互に開閉が逆になされた２連スイッチ２４とよりなる並列回路に接続され、サセプタ２０を接地するか、これに高周波電力を印加するか選択し得るようになっている。
　【００２０】
　このサセプタ２０の下部には、半導体ウエハＷの温度を調節するための温度調節装置、例えばセラミックヒータ２６が設けられ、更にこのセラミックヒータ２６の下部には例えば液体窒素などの冷媒２８を流通させることができる冷却ジャケット３０が設けられ、この冷却ジャケット３０と上記セラミックヒータ２６とを組み合わせることにより、ウエハ温度を液体窒素の温度に近い低温域から高温域の範囲内にて任意の温度に設定し得るようになっている。
　【００２１】
　上記サセプタ２６から所定の間隙を隔ててこれと対向させて配置した本発明の特長とするアンテナ部材６は、金或いは銅のような導電性部材よりなる断面円形部材を図２に示すように例えば渦巻状に２ターン平面的に巻回してなるアンテナ部３２よりなり、このアンテナ部３２の内周端３２Ａと外周端３２Ｂとから配線３４を引き出し、この配線３４間にプラズマ発生用の高周波電源８とプラズマ安定発生のための容量を調整するマッチングボックス３６を接続している。従って、このアンテナ部材６からその下方の処理室１６に向けて電波を発射させると共にこのアンテナ部材６と処理容器側壁或いはサセプタ２０との間に電界を発生させて、これにより、いわゆる誘導結合方式により処理室１６内にプラズマを立てるようになっている。
　【００２２】
　この場合、アンテナ部材６は断面円形のものに限定されず、断面長方形状の幅広板状部材を巻回したもの等を用いることができる。また、アンテナ部材６の巻回数としては２ターンのものに限定されず、図３に示すように１ターンのもの或いは、３ターン以上渦巻状に巻回したものも用いることができ、いずれにしてもその直径は、ウエハの直径と同一か、或いはこれより大きく設定してウエハ表面全体に亘ってプラズマ密度の均一性を確保する。また、プラズマ発生用の高周波電源８の周波数は１〜２００ＭＨｚの範囲内で設定され、好ましくは、２ＭＨｚ、１３．５６ＭＨｚ或いは５６ＭＨｚ程度に設定される。
　【００２３】
　また、処理容器４内に配置されるアンテナ部材６全体は例えば石英やセラミック等の誘電体物質或いは絶縁材よりなるアンテナ保護カバー３８により被われている。具体的には、このアンテナ保護カバー３８はアンテナ部材６全体を収容し得る大きさの円盤状の容器として構成され、その中心部にはアルゴンガス等の不活性ガスを導入するための不活性ガス導入管３８が上下に貫通されて、アンテナ保護カバー３８を支持するようにして設けられている。この不活性ガス導入管３９は、これにより高周波パワーを吸収しないように石英やシリコン等の半導体により構成するのが好ましい。
　【００２４】
　この不活性ガス導入管３９の上方は、処理容器４の天井部１０の中心に設けた貫通孔に、例えば絶縁性シール部材４０を介して気密に貫通させて設けられており、この導入管３９は図示しないマスフローコントローラ等を介して不活性ガス源へ接続されている。従って、上記アンテナ保護カバー３８は、上記不活性ガス導入管３９により支持されることになる。尚、アンテナ保護カバー３８の取り付け状態はこれに限定されないのは勿論である。
　【００２５】
　上記アンテナ保護カバー３８の厚みＬ１は、内部に収容するアンテナ部材６がプラズマによりスパッタされて重金属が処理室１６内に飛び出ることを防止でき、しかもアンテナ部材６から発射される電波が形状を変えることなく処理室１６内に伝搬し得る厚さ、例えば数ｍｍ程度に設定されている。
　【００２６】
　また、処理容器４の直径は、例えば被処理体が８インチウエハの場合には５０ｃｍ程度に設定し、その時、サセプタ表面とアンテナ保護カバー３８の下面との間隔Ｌ２は３０〜１５０ｍｍの範囲内に設定する。
　このようにアンテナ部材６を処理容器４内に収容して、これとサセプタ２０との間を小さくすることにより少ない電力で効率的にプラズマを立てることが可能となる。
　【００２７】
　ここで、アンテナ部材６を収容容器４内ではなく、この外側、例えば天井部１０の上面側に設けることも考えられるがこの場合には以下の点よりあまり好ましくはない。すなわち、上述のようにアンテナ部材６を天井部１０の外側面の外部大気中に設けると、プラズマ処理時にアンテナ部材を構成する材料による重金属汚染の問題は解決されるが、アンテナ部材６から発生する電波を処理室１６内に効率的に伝搬させるために天井部の構成材料をアルミニウムやステンレススチール等の導電性材料から石英板等の誘電体に変えなければならない。
　【００２８】
　この場合、石英板は、内外の圧力差に耐え得るように数ｃｍもの厚さに設定しなければならないばかりか、ウエハサイズにもよるが１２インチウエハ用の処理容器の場合にはこの直径を５０ｃｍ程に設定しなければならず、石英板が非常に高価なものになってしまう。
　【００２９】
　また、上述のように石英板を耐圧性のものにしても、この石英板の外側面は常温の大気に接し、内側面は温度が比較的高い処理室内雰囲気に接することから表裏両面の温度差による破損が生じる可能性もあり、特に、ＳｉＨ４等の有害処理ガスを用いている場合にはこのガスが大気中へ漏れる危険性もある。
　更には、アンテナ部材を処理容器外へ設置することにより、アンテナ部材とウエハとの間の距離がかなり大きくなってしまうのみならず、高周波電力は石英板を透過して供給されるため、印加する高周波電力が不十分であったり或いはエネルギロスが多くなり、効率的なＲＦ電力の印加ができなくなる恐れがある。
　【００３０】
　また、処理容器外にアンテナ部材を配置することから装置周辺への電磁波の漏れを防止するためにシールド対策を施さねばならず、装置自体の構造が複雑化してしまう。
　更に、天井部の外側にアンテナ部材を設けることから、プラズマ処理用の処理ガスや不活性ガスはともに側壁部から処理室内に導入せざるを得ず、エッチング処理やＣＶＤ処理のウエハ面内の均一性が十分に確保することができない恐れがある。
　以上のような点から、本発明においては、アンテナ部材６を絶縁した状態で処理容器内に設置することとしている。
　【００３１】
　次に、以上のように構成された本実施例の動作について説明する。
　まず、ゲートバルブ１７を介して半導体ウエハＷを、図示しない搬送アームにより処理室１６内に収容し、これをサセプタ２０の載置面に載置して静電チャックのクーロン力により吸着保持する。
　【００３２】
　この処理室１６内は、ガス排気管１９に接続される真空ポンプ（図示せず）により真空引きされ、処理室１６内へは側壁に設けた処理ガス供給管１８及び天井部１０の中央部に気密に貫通させて設けた不活性ガス導入管３９からそれぞれＨＦガス等の処理ガス及びＡｒガス等の不活性ガスを供給して例えば１×１０−３Ｔｏｒｒ程度のかなり低い圧力状態に維持し、同時にプラズマ発生用の高周波電源８より例えば１３．５６ＭＨｚの高周波をアンテナ部材６の両端に印加する。
　【００３３】
　するとアンテナ部材６のインダクタンス成分の誘導作用により下方全面に向けて電波が発射されると同時に、サセプタ２０にも高周波電源２２からＲＦ電力を印加している場合にはこのアンテナ部材６とサセプタ２０との間の容量成分の作用により交番電界が生じ、この結果、処理室１６内には処理ガスやＡｒガスが活性化されてイオン化してプラズマが立ち、プラズマ放電励起によって生じた活性種によってウエハ表面に異方性の非常に高いエッチングを施すことができる。尚、この場合、サセプタ２０には上述のようにＲＦ電力を印加させていてもよいし、これを接地させていてもよい。
　【００３４】
　活性種中の陰イオンは、例えば電波と電界の作用により螺旋状に旋回しながらサセプタ２０側へ移動しており、従来の平行平板電極形の装置と比較して陰イオンの移動できる距離が長くなってこの間にガス分子と衝突して多くのイオンが生ずることになる。従って、その分プラズマの発生効率が良くなってエッチングレートを向上させることが可能となる。
　【００３５】
　また、このプラズマは１×１０−３Ｔｏｒｒ〜１×１０−６Ｔｏｒｒの範囲内のかなり低い圧力下でも発生するので、エッチングする時の活性種の散乱も少なくて方向性が揃っており、従って、上述のように異方性の高い、すなわち形状がシャープなエッチング加工を施すことができ、例えば６４Ｍや２５６ＭビットＤＲＡＭに要求される微細加工を施すことが可能となる。
　【００３６】
　特に、本実施例においてはアンテナ部材６を処理容器１６内に収容するようにしたので、これとウエハＷとの間の距離Ｌ２が短くなり、アンテナ部材６から発射した電波がほとんど減衰することなく直ちに処理室１６内のガスに照射されてこれを励起するのでプラズマの生成効率を大幅に高めることができ、しかもプラズマの高密度化も達成することができる。尚、この場合、アンテナ部材６全体は、アンテナ保護カバー３８により覆われているので、アンテナ部材６は活性種によりスパッタされることはなく、ウエハが重金属汚染されることもない。
　【００３７】
　また、アンテナ部材６を処理容器４内へ収容することにより、処理容器４の天井部１０が空くのでこの部分に不活性ガス導入管３９等のガス導入管を設けて処理室１６内の中心部にガスを直接導入することができ、従って、処理室１６内のウエハ表面略全域に亘ってガスを均等に分散させてプラズマを均一に発生させることができ、面内均一性を向上させることができる。
　【００３８】
　また、アンテナ部材６を処理容器４の外側へ配置して天井部１０を厚い円盤状の石英により構成する場合と比較して、本実施例によれば石英板をなくしてこの天井部分を例えばアルミニウム等により側壁と一体化構造にでき、大幅なコストダウンを図ることができるのみならず、石英板を用いることによって生ずる破損の問題及び有害ガスの漏出の問題も解決することができる。更には、アンテナ部材６から発生した電波は導電性材料よりなる処理容器４によりシールドされるので、特別なシールド対策を別個独立に施す必要もない。
　【００３９】
　上記実施例にあっては、アンテナ部材６として導体を平面状に渦巻状に巻回してなる平面状アンテナ部３２を用いた場合について説明したが、これに代えて、図４に示すような筒状のコイル部４２を用いるようにしてもよい。尚、これ以降に説明する実施例の図示例中にはセラミックヒータや冷却ジャケット等が省略されているが、これを設けても設けなくてもよいのは勿論である。この実施例においては銅等の導電性材料よりなる太目の線材を、複数回、図示例にあっては３回螺旋状に巻回して筒状のコイル部４２を構成している。この場合、コイル部４２の直径は、処理すべきウエハＷの直径と略同一か、或いはそれより僅かに大きく設定してプラズマがウエハ面内に略均一に立つように構成する。
　【００４０】
　そして、この筒状のアンテナ部材３２は、処理容器４の天井部１０を上方へ円筒状に突出させて形成したアンテナ収容突部１０Ａ内に収容し、コイル部４２の巻回方向がウエハＷの表面と直交するような方向となるようにコイル部４２を配置する。
　【００４１】
　また、コイル部４２全体も、例えば石英等の誘電体よりなる内部が中空になされた円筒リング状のアンテナ保護カバー３８により被われている。この円筒リング状のアンテナ保護カバー３８の中心は、下端が開口されてガス噴出口４３となっており、上端は閉塞されてこの部分に不活性ガス導入管３９の下端が接続されており、アンテナ部材６全体を支持している。尚、他の部分の構成は図１に示す装置と同様に構成されている。
　【００４２】
　この実施例においては不活性ガス導入管３９を介して内部に導入された不活性ガスは、円筒状アンテナ部材６の中心空間部を流下しつつアンテナ部材６からの電波により励起されてプラズマ化され、下端のガス噴出口４４から流出する時に処理ガスと接触し、これを活性化して活性種が形成されることになる。この場合にも、１×１０−３Ｔｏｒｒ〜１×１０−６Ｔｏｒｒの範囲内のかなり低い圧力下でもプラズマが発生し、異方性の高いシャープなエッチング加工を施すことができるのみならず、効率的にプラズマを発生させることができ、図１に示した第１の実施例と同様な作用効果を発揮することができる。
　【００４３】
　上記した第１及び第２の実施例は平面状のアンテナ部材及び筒状のコイル状アンテナ部材をそれぞれ単独に設けた場合について説明したが、図５に示すようにこれら平面状のアンテナ部材と筒状のコイル状アンテナ部材を組み合わせるように構成してもよい。
　【００４４】
　すなわちこの第３の実施例にあっては、図４に示したような筒状のコイル部４２の上端部に図１に示したような平板状のアンテナ部３２を配置し、全体を図４に示したと同様に石英等よりなるアンテナ保護カバー３８により被っている。そして、平板状のアンテナ部３２及び筒状のコイル部４２の各両端には、それぞれ別個のプラズマ発生用の高周波電源８Ａ、８Ｂがマッチングボックス３６Ａ、３６Ｂを介して接続されている。
　【００４５】
　この場合、各高周波電源８Ａ、８Ｂの周波数は１ＭＨｚ〜２００ＭＨｚの範囲内ならば任意に設定でき、例えば２ＭＨｚと１３．５６ＭＨｚ、或いは５０ＭＨｚと１３．５６ＭＨｚの組み合わせのように任意に選択することができる。また、これら２つの平板状のアンテナ部材３２と筒状のコイル部材４２を直列に接続し、これ全体に１つのプラズマ発生用の高周波電源を印加するようにしてもよい。
　このように平板状のアンテナ部材３２と筒状のコイル部材４２を組み合わせた場合にも先の第１及び第２の実施例と同様な作用効果を発揮することができる。
　【００４６】
　特に、平板状のアンテナ部材を単独で用いた場合には、図６に示すようにエッチングレートやＣＶＤ処理の場合にはＣＶＤ成膜レート等の処理レート曲線４４がウエハ中心にてやや低くなり、その周辺部をピークとしてウエハ周縁部に向かうに従って徐々に低下しており、厳密には均一状態になっていない。そこで、筒状のコイル部４２よりなるアンテナ部材を補助アンテナ部材として組み合わせて用いることによりウエハ周縁部のレート低下が修正されて処理レート曲線４４が一点鎖線にて示すように略直線状態となり、処理、例えばエッチングの面内均一性を一層達成することができる。
　【００４７】
　上述した３つの実施例にあっては、まず、アンテナ部材を形成し、この全体を容器状のアンテナ保護カバー３８内に収容して被うように構成したがこれに限定されず、例えば図７乃至図１０に示すようにアンテナ部材を構成する導電性線材自体を、例えば石英等の誘電体よりなる所定厚の保護層４６により直接表面コーティングしてアンテナ保護カバー３８を構成するようにしてもよい。
　【００４８】
　図７、図９、図１０に示す各アンテナ部材６の配置は、図１、図４、図５に示すアンテナ部材とそれぞれ対応している。図８は、図７に示すアンテナ部材３８の部分を拡大した断面図であり、例えば厚み数ｍｍ程度の保護層４６により表面コーティングされたアンテナ部材６は、処理容器４の天井部１０の下面に支持部材４８により懸垂支持されている。この保護層４６の厚みは、前述したようにスパッタによる重金属汚染を防止し得るだけの厚さに設定される。このような保護層４６は、例えばシリコン酸化物の溶液にアンテナ素線を浸漬して結晶成長させることにより形成できる。
　【００４９】
　また、図９及び図１０に示す装置例にあっては、天井部１０の中心に設けた不活性ガス導入管３９より導入した不活性ガスがアンテナ収容突部１０Ａ内を流下する時に、螺旋状のコイル部４２の凹凸により乱流状態とならないようにするために、導入管３９の下端には、例えば石英よりなる円筒状のプラズマ案内筒５０が連結されており、案内筒５０の下端のガス噴出口４３からは図４及び図５に示した場合と同様に整流状態のプラズマが処理室１６内に流下することになる。
　【００５０】
　また、以上説明した各実施例にあっては不活性ガス導入管３９からの不活性ガスは、直接処理容器内へ導入されたが、これに限定されず例えば図１１及び図１２に示すように不活性ガス導入管３９の先端に例えば石英よりなる周知のシャワーヘッド５２を設けるようにしてもよい。このシャワーヘッド５２は、多数の通気孔５４を有する単数或いは複数の整流板５６を有しており、ウエハ面内全域に亘って均一に不活性ガスを供給するようになっている。
　【００５１】
　図１１に示す実施例にあっては、処理容器４の天井部１０の下面に直接上記シャワーヘッド５２を設け、このシャワーヘッド５２の下面に図７に示すようにその表面が保護層４６により直接コーティングされた１ターンのアンテナ部材６を配置した構成が示されている。
　また、図１２に示す実施例にあっては、天井部１０の下面に図１に示したと同様にアンテナ保護カバー３８内に収容されたアンテナ部材６が配置され、更にこの下面に上記シャワーヘッド５２を配置するように構成されている。
　【００５２】
　これらの２つの実施例も、先の実施例と同様な作用効果を発揮することができる。特に、シャワーヘッド５２を用いることによりウエハ面内全域に亘って不活性ガスを供給することができ、プラズマ処理の面内均一性を一層向上させることができる。
　【００５３】
　尚、以上の各実施例においては、各アンテナ部材の両端にプラズマ発生用の高周波電源を印加するように構成したが、これに限定されず、各アンテナ部材の一端のみに高周波電源を印加し、他端を開放端となるように構成してもよい。
　また、アンテナ部材の巻回数も上記各実施例のものに限定されないのも勿論であり、必要に応じて更に巻回数を増加してもよい。
　【００５４】
　上記実施例では処理容器内にアンテナ部材を配置したプラズマエッチング装置を例にとって説明したが、次の第２の発明においては、アンテナ部材を処理容器の外側に配置したプラズマＣＶＤ装置を例にとって説明する。
　【００５５】
　図１３は第２の発明に係るプラズマ処理装置（プラズマＣＶＤ装置）を示す断面図、図１４はアンテナ部材を示す平面図、図１５は静電チャックを示す分解図、図１６はコールドトラップを示す断面図である。
　図１３に示すようにこのプラズマＣＶＤ装置６０は、天井部が開放された有底方形状或いは円筒状に成形された例えばアルミニウム製の処理容器６２を有している。この処理容器６２内には半導体ウエハＷを載置する下部電極としての例えばアルミニウム製のサセプタ６４が容器底部上に絶縁部材６６を介して設けられている。
　このサセプタ６４の上面である載置面には、例えば高圧直流源６８に開閉スイッチ７０を介して接続された静電チャック７２が設けられており、クーロン力によりウエハを吸着保持するようになっている。
　【００５６】
　具体的には、図１５にも示すようにこの静電チャック７２は、例えば銅等よりなる円板状或いは薄膜状の導電性薄膜７６を、その上下より絶縁性を有するＳｉＣ薄膜７８、７８により挟み込むようにサンドイッチ状に被覆して形成されている。ＳｉＣ薄膜７８、７８の直径は、導電性薄膜７６の直径よりも僅かに大きくなされており、薄膜周端部も完全にＳｉＣ薄膜により被われている。そして、上記導電性薄膜７６に、上記高圧直流源６８の給電線８０が接続されることになる。これにより、後述するように静電チャックの耐熱性とＣＶＤ時の垂直堆積効率を改善することが可能となる。
　【００５７】
　また、上記サセプタ６４内には、加熱手段例えばセラミックヒータ８２が埋め込まれて、このヒータには加熱電源８４が開閉スイッチ８６を介して接続されている。
　このサセプタ６４は、開閉スイッチ８８及び高周波のバイアス電圧源９０が給電線９２を介して接続されており、プラズマＣＶＤ処理時にこれにバイアス電圧を印加するようになっている。この場合、静電チャック７２のＳｉＣ薄膜７８に対する電界の透過性及びセルフバイアス効果を考慮してバイアス電圧の周波数を１ＭＨｚから１０ＭＨｚの範囲内、好ましくは２ＭＨｚ近傍に設定する。
　【００５８】
　上記処理容器６２の底部には、真空ポンプ９４が介設された真空排気系９６が接続されており、この真空排気系９６の途中には、排ガス中に含まれる反応生成物をトラップして除去するためのコールドトラップ９８が介設される。
　具体的には、このコールドトラップ９８は、図１６にも示すように真空ポンプ９４の上流側に設けられて、真空排気系９６の配管９６Ａに対して着脱可能になされた例えばアルミニウム製のトラップボックス１００を有している。
　【００５９】
　このボックス１００内には、対向する側壁より相互に互い違いに延在された複数の邪魔板１０２Ａ、１０２Ｂ、１０２Ｃが設けられており、ボックス１００の導入口１０４から排出口１０６に通ずる蛇行状乃至ジグザグ状のトラップ通路１０８を形成している。これにより、トラップ通路１０８を通過する排ガス中に含まれる反応生成物を邪魔板表面に付着させてトラップするようになっている。ここで、このトラップ効率を向上させるために、各邪魔板１０２Ａ〜１０２Ｃの裏面にはパイプ状の多数の冷媒通路１１０が配設されており、冷媒、例えば冷却水を流すことにより邪魔板の温度を下げてトラップ効率を向上させるようになっている。
　【００６０】
　一方、処理容器は接地されて零電位になっており、この容器側壁にはウエハを搬入・搬出する時に気密に開閉されるゲートバルブＧ１が設けられる。
　処理容器２４の少なくとも側壁は、純度がかなり高い、例えば純度９９％以上程度の純粋アルミニウムにより構成されており、その内壁面は硬質アルマイト処理等は何らなされておらず、アルミニウムが剥き出し状態になされている。これによりプラズマスパッタを受けてもＭｇ等の金属汚染物質を放出しないようになっている。
　【００６１】
　また、処理容器６２の側壁には、処理ガスを導入するためのガス導入ノズル１１２が貫通させて設けられており、このノズル１１２にガス通路１１４が接続されている。
　そして、このガス通路１１４には、成膜用の処理ガスを供給する成膜用処理ガス供給源１１６が接続される。この処理ガスとしては、シラン、Ｏ２及びＡｒの混合ガスや、有機系成膜ガスであるＴＥＯＳ、Ｏ２及びＡｒの混合ガス等が用いられ、そのため、この供給源１１６にはこれら使用ガスを貯留する複数のボンベ１１８が設けられ、必要量をマスフローコントローラ１２０により流量制御しつつ供給するようになっている。
　【００６２】
　一方、上記処理容器６２の天井部の開放口には、電磁波を透過し得る誘電体、例えばセラミック材よりなる板状の天井部１２２が例えばＯリング等のシール部材１２４を介して気密に設けられている。この天井部１２２の厚みは、処理容器６２内の真空圧に耐え得るように厚く、例えば２０ｍｍ程度に設定されている。
　【００６３】
　具体的には、このセラミック材としては、石英よりも耐熱性、スパッタに対する耐久性及び耐腐食性の高いＡｌＮ材を用いるのが好ましい。この場合、天井部１２２全体をＡｌＮ材で構成してもよいし、または、天井部１２２の大部分を石英や他のセラミック材で構成し、プラズマに晒されたことになる天井板内壁面側のみに、所定の厚さのＡｌＮ層をコーティングするようにしてもよい。
　【００６４】
　上記セラミック製の天井部１２２の上面には、図１４にも示すように略前面に亘って例えば２〜３回渦巻状に巻回された導電体、例えば銅製のアンテナ部材１２６が設けられている。そして、このアンテナ部材１２６の中心端と外周端との間には、例えば１３．５６ＭＨｚの高周波電源１２８が介設された高周波給電系１３０が接続されており、この給電系１３０の途中には高周波印加効率を改善するマッチング回路１３２が介設されている。
　【００６５】
　従って、アンテナ部材１２６に高周波電圧を印加することによって発生した電磁波がセラミック製の天井部１２２を透過して処理空間Ｓに至り、ここで処理ガスを励起してプラズマを生ぜしめることになる。ここでアンテナ部材１２６の形状は、２〜３ターンの渦巻状に限定されず、１ターンのリング状或いは４ターン以上の渦巻状に設定してもよく、また、アンテナ部材１２６の断面形状は図示例のような円形のみならず、例えば矩形状などに設定してもよい。
　【００６６】
　上記アンテナ部材１２６全体は外部に電磁波が漏れることを防止するためにメッシュ状の例えば金網よりなるシールド１３４により被われており、このシールド１３４は接地されている。
　【００６７】
　次に、以上のように構成された本実施例の動作について説明する。
　まず、サセプタ６４の上面の載置面上に半導体ウエハＷを載置し、この静電チャック７２の導電性薄膜７６に高圧直流電圧を印加することによりウエハをクーロン力によって確実に吸着保持する。
　【００６８】
　次に、真空排気系９６を駆動することにより処理容器６２内を所定のプロセス圧力に維持しつつガス導入ノズル１１２から成膜用の処理ガス、例えばシランと酸素とＡｒの混合ガスを導入し、また、セラミックヒータ８２を駆動することによりウエハＷを所定のプロセス温度、例えば４００℃程度に維持する。
　【００６９】
　そして、高周波電源１２８からアンテナ部材１２６に、例えば１３．５６ＭＨｚの高周波電圧を印加することにより、アンテナ部材１２６からは電波が放射されて、この電波がＡｌＮよりなる天井部１２２を透過して処理空間Ｓに至る。また、アンテナ部材１２６と処理容器側壁或いはサセプタ６４との間には電界が発生し、これら電界と電波との作用により処理ガスはプラズマ化され、このプラズマ放電励起によって活性種が生成されて反応が促進される。この時生成される反応生成物であるＳｉＯ２がウエハ表面上に堆積することになる。この時発生するプラズマ密度は、誘導結合作用の結果、従来の平行平板方式の場合と比較してかなり高くなり、その分、活性種の生成も促進されることになる。
　【００７０】
　ここで、プラズマに晒される天井部１２２は、耐熱性及び耐腐食性に優れたＡｌＮ材を用いているので、プロセス温度を十分に高く維持でき、ウエハ上のアルミニウム配線が融けない温度、例えば最高６００℃程度まで高くすることができる。従って、成膜の堆積効率を高く維持することができる。
　【００７１】
　また、天井部１２２の内側面は、プロセス温度まで加熱されて上側面は略常温になっているので、上側面と下側面との間の温度勾配はかなり大きくなるが、前述のようにＡｌＮ材は石英等よりもかなり耐熱性に優れるので、この破損の可能性を大幅に抑制することができる。換言すれば、天井部として石英材を用いた場合と比較すると、ＡｌＮ材を用いることにより耐熱性が良好な分だけその厚みを薄くすることができ経済的である。
　【００７２】
　また、ＡｌＮ材は石英等と比較して耐久性に優れているので、その内側面が処理空間のプラズマから飛び出したイオンによりスパッタを受けても削られることが非常に少なくなり、その分、石英の場合と比較してパーティクルの発生も抑制することができる。
　【００７３】
　更には、プラズマＣＶＤ処理を繰り返し行うことによって天井部１２２の内側面等には反応生成物（ＳｉＯ２）が付着するので、定期的或いは不定期的にクリーニング操作が行われる。この場合、処理容器６２内にＳｉＯ２を削り取るためのＣＦ３等よりなるクリーニングガスを供給するが、ＡｌＮは、石英（ＳｉＯ２）と比較して腐食性に対しても優れていることから、ＡｌＮ材が削られることはほとんどない。
　【００７４】
　また、ウエハＷを吸着保持する静電チャック７２は、従来用いていたポリイミド樹脂よりも耐熱性に優れたＳｉＣ薄膜７８を用いているので、前述のようにプロセス温度を４００℃或いはそれ以上の６００℃近傍まで高くしても熱により損傷を受けることもない。
　更には、このようにポリイミド樹脂に替えてＳｉＣ薄膜７８を用いることにより、プラズマに対するウエハＷの電位差を大きく取ることができ、この結果、垂直方向の堆積効率を高めることができるので、層間絶縁膜の埋め込み時のボイド等の発生を大幅に抑制することができる。
　【００７５】
　ここで層間絶縁膜の埋め込み形状の良否を判定するための指標θについて説明する。
　図１７はＡｌ配線表面に層間絶縁膜（ＳｉＯ２）を埋め込む時の種類の状況を示し、図１７（Ａ）は埋込形状が悪くてボイドが発生する状態を示し、図１７（Ｂ）はボイドが発生する臨界状態を示し、図１７（Ｃ）は埋込形状が良くてボイドが発生しない状態を示す。
　【００７６】
　この場合、埋め込み状況を判定する指標として、Ａｌ配線１３６の角部を通る水平線と配線溝部１３８の堆積ＳｉＯ２の溝出口側接線とのなす角度θを用いている。すなわち角度θが９０度よりも大きいとボイド１４０が発生する傾向にあり、これに対して角度θが９０度よりも小さいとボイドが発生しない傾向にあり角度θが小さい方が好ましい。さて、上述のように静電チャック７２の絶縁材としてＳｉＣを用いるとポリイミド樹脂の場合と比較してボイドが発生しないか或いは発生しても非常に小さなものとなり良好な結果となる。
　【００７７】
　図１９（Ａ）はＳｉＣ静電チャックを用いた時の埋め込み状態を示すＳＥＭ写真であり、図１９（Ｂ）はポリイミド静電チャックを用いた時の埋め込み状態を示すＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）写真である。
　これらの写真から明らかなように図１９（Ａ）に示す場合は角度θは略１００度でボイドが発生していないか或いは発生しても非常に小さいが、図１９（Ｂ）に示す場合は角度θは略１２５度でかなり大きなボイドが発生し、好ましくない。
　【００７８】
　また、本実施例においては、プラズマＣＶＤ成膜中においては、バイアス電圧源９０からサセプタ６４に１ＭＨｚから１０ＭＨｚの範囲内の周波数の高周波電圧でバイアス電圧を印加しているので、サセプタのセルフバイアス効果が大きくなり、その結果、垂直方向の堆積効率を一層高めることができるのでボイドの発生を一層抑制することが可能となる。上記バイアス電圧は、好ましくは２ＭＨｚ近傍の周波数に設定する。上述のようにバイアス電圧の周波数帯を限定する理由は、静電チャックに用いたＳｉＣ材は１ＭＨｚよりも低い周波数帯域の電界の透過性が悪く、また１０ＭＨｚよりも高い周波数帯域の電界に対してはイオンが重すぎて振動に追従し得ないからである。
　【００７９】
　ここで、実際のＳＥＭ写真に基づいてバイアス電圧の周波数依存性について説明する。図２０はバイアス電圧の周波数を種々変化させた時の埋め込み状態を示すＳＥＭ写真である。図２０（Ａ）はバイアス電圧の周波数が４００ＫＨｚ（５００Ｗ）の場合、図２０（Ｂ）はバイアス電圧の周波数が２ＭＨｚ（３００Ｗ）の場合、図２０（Ｃ）はバイアス電圧の周波数が１３．５６ＭＨｚ（３００ｗ）の場合をそれぞれ示す。また、図１８は上記各ＳＥＭ写真の評価結果をまとめたグラフである。
　【００８０】
　この写真から明らかなようにバイアス電圧の周波数が１ＭＨｚよりも小さい５００ＫＨｚの場合（図２０（Ａ））には角度θは約１００度であり、ボイドが発生し、また周波数が１０ＭＨｚよりも大きい１３．５６ＭＨｚの場合（図２０（Ｃ））には、角度θは約１１５度であり、この場合にもボイドが発生している。
　これに対して周波数が２ＭＨｚの場合（図２０（Ｂ））には、ボイドも発生せず良好な結果を示している。
　【００８１】
　また、成膜中においては一部の反応生成物は、排ガスと共に真空排気系９６内を流れて行くが、この排気系の真空ポンプ９４の直前にはコールドトラップ９８が介設されているので、排ガスが邪魔板１０２Ａ〜１０２Ｃにより区画された蛇行状のトラップ通路１０８を通過する時に、ガス中に含まれる反応生成物が邪魔板表面に付着し、ガス中から除去される。この場合、特に、冷媒通路１１０に冷却水を流すことにより各邪魔板は冷却されているので、反応生成物のトラップ効率を一層向上させることができる。従って、排ガス中から効率的に反応生成物を除去することができるので、後流側の真空ポンプにダメージを与える恐れをなくすことが可能となる。尚、各邪魔板に所定量の反応生成物が付着したならば、着脱可能になされているトラップボックス１００を新たなボックスと取り替えればよい。
　【００８２】
　更には、処理容器６２の内壁は、硬質アルマイト処理等が施されておらず、アルミニウムの剥材を用いているので、プラズマのイオンによりスパッタを受けても金属汚染の原因となるＭｇ等が放出されることもなく、歩留まり低下を阻止することが可能となる。
　【００８３】
　また、層間絶縁膜を形成するためには、シランに代えて、ジシラン或いは有機系シリコンソースとしてＴＥＯＳやＴＭＯＳ（テトラメチルオルソシリケート）やＯＭＣＴＳ（オクタメチルシクロテトラシロキサン）やＴＭＣＴＳ（テトラメチルシクロテトラシロキサン）などを用いてもよいし、更にＯ２ガスの代わりにオゾン（Ｏ３）ガスを用いてこれと有機系シリコンソースとを反応させるようにしてもよい。尚、本発明はシリコン酸化膜以外の層間絶縁膜或いはその他の薄膜を形成する場合に適用できる。
　【００８４】
　上記各実施例にあっては、主にプラズマによるエッチング処理或いはプラズマＣＶＤ処理を例にとって説明したが、これに限定されず、プラズマスパッタ処理、プラズマアッシング処理等の他の処理にも適用し得るのは勿論である。
　また、被処理体として半導体ウエハを例にとって説明したが、これに限定されずＬＣＤ基板等にも適用することができる。
　【００８５】
　【発明の効果】
　以上説明したように、本発明のプラズマ処理装置によれば、次のように優れた作用効果を発揮することができる。
　本願の第２の発明によれば、誘導結合型のプラズマ発生方式において、天井部に耐熱性及び耐久性に優れたセラミック材を用いたので、プラズマ生成密度を高く維持でき、しかもプロセス温度も高く設定することができるので、例えば成膜時の堆積効率を上げることができ、しかも、石英等を用いた場合と比較して破損の恐れも減少させることができる。
　また、セラミック材としてＡｌＮ材を用いることにより、一層耐久性、耐熱性及び耐腐食性を向上させることができる。しかも、スパッタによる影響も受け難くなるので、パーティクルの発生も少なくなり、しかもクリーニング時に削られる量も大幅に抑制することができる。
　更に、耐熱性に優れたＳｉＣ材により被覆した静電チャックを用いた場合には、従来のポリイミド樹脂のチャックと比較して上述のような高いプロセス温度での処理が可能となる。また、プラズマに対する被処理体の電位差を大きくしてイオンの引き込みを強くでき、その結果、成膜時の垂直堆積効率が良くなってボイド等が発生せず、埋め込み効率を向上させることができる。
　また、成膜時に、１ＭＨｚから１０ＭＨｚの範囲内の周波数のバイアス電圧をサセプタに印加することにより、セルフバイアス効果を一層高めてプラズマに対するサセプタ側の電位差を一層高めることができ、埋め込み効率を更に向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　第１の発明に係るプラズマ処理装置の第１の実施例を示す断面図である。
　【図２】
　図１に示す装置のアンテナ部材を示す平面図である。
　【図３】
　１ターンのアンテナ部材を示す平面図である。
　【図４】
　本発明のプラズマ処理装置の第２の実施例を示す断面図である。
　【図５】
　本発明のプラズマ処理装置の第３の実施例を示す断面図である。
　【図６】
　アンテナ部材の配置状態を変えた時の処理レート曲線の変化を示す図である。
　【図７】
　本発明のプラズマ処理装置の第４の実施例を示す断面図である。
　【図８】
　図７に示す処理装置のアンテナ部材の拡大断面図である。
　【図９】
　本発明のプラズマ処理装置の第５の実施例を示す断面図である。
　【図１０】
　本発明のプラズマ処理装置の第６の実施例を示す断面図である。
　【図１１】
　本発明のプラズマ処理装置の第７の実施例を示す断面図である。
　【図１２】
　本発明のプラズマ処理装置の第８の実施例を示す断面図である。
　【図１３】
　第２の発明に係るプラズマ処理装置（プラズマＣＶＤ装置）を示す断面図である。
　【図１４】
　アンテナ部材を示す平面図である。
　【図１５】
　静電チャックを示す分解図である。
　【図１６】
　コールドトラップを示す断面図である。
　【図１７】
　Ａｌ配線表面に層間絶縁膜（ＳｉＯ２）を埋め込む時の種々の状況を示す断面図である。
　【図１８】
　埋め込み状態のバイアス電圧の周波数依存性を示すグラフである。
　【図１９】
　ＳｉＣ静電チャックとポリイミド静電チャックに対する埋め込み状態を示すＳＥＭ写真である。
　【図２０】
　埋め込み状態のバイアス電圧の周波数依存性を示すＳＥＭ写真である。
　【符号の説明】
　４　　　　処理容器
　６　　　　アンテナ部材
　８，８Ａ，８Ｂ　　　プラズマ発生用の高周波電源
　２０　　　サセプタ
　２６　　　セラミックヒータ
　３０　　　冷却ジャケット
　３２　　　アンテナ部
　３８　　　アンテナ保護カバー
　４２　　　筒状のコイル部
　４６　　　保護層
　５２　　　シャワーヘッド
　６０　　　プラズマＣＶＤ装置（プラズマ処理装置）
　６２　　　処理容器
　６４　　　サセプタ
　７２　　　静電チャック
　７６　　　導電性薄膜
　７８　　　ＳｉＣ薄膜
　９０　　　バイアス電圧源
　９６　　　真空排気系
　９８　　　コールドトラップ
　１０２Ａ、１０２Ｂ、１０２Ｃ　　邪魔板
　１１０　　冷媒通路
　１２２　　天井部
　１２６　　アンテナ部材
　１２８　　高周波電源
　１３０　　高周波給電系
　Ｗ　　　　半導体ウエハ（被処理体）