【事件の表示】
　特許第３２５２７４５号「半導体装置およびその製造方法」の請求項１ないし６に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３２５２７４５号の請求項１ないし２に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
　特許第３２５２７４５号の請求項１ないし６に係る発明についての出願は、平成９年３月３１日に特許出願され、平成１３年１１月２２日にその特許権の設定登録がなされ、その後、その特許について、異議申立人高松万里より特許異議の申立てがなされ、取消理由が通知され、その指定期間内である平成１４年１１月２２日に訂正請求がなされたものである。
　
２． 訂正の適否についての判断
（１）訂正の内容
　全文訂正明細書における訂正事項を整理すると、次のとおりである。
　訂正事項（ａ）
　特許請求の範囲の請求項２及び４ないし６を削除する。
　訂正事項（ｂ）
　特許請求の範囲の請求項１における「パータン」、「硬質金属」、「バンプ電極とパッド電極を被覆した」をそれぞれ「パターン」、「ニッケル」、「清浄な金属素地が露呈したバンプ電極とパッド電極を被覆した」と訂正する。
　訂正事項（ｃ）
　特許請求の範囲の請求項３における「硬質金属」、「バンプ電極と表面が清浄化されたパッド電極」をそれぞれ「ニッケル」、「清浄な金属素地が露呈したバンプ電極と表面が清浄化されたパッド電極」と訂正する。
　訂正事項（ｄ）
　特許請求の範囲の請求項３を請求項２として繰り上げる。
　訂正事項（ｅ）
段落番号【０００２】における「半温度」を「半田温度」と訂正する。
　訂正事項（ｆ）
　段落番号【０００４】を次のように訂正する。
「【課題を解決するための手段】本発明は上記課題の解決を目的として提案されたもので、金属細線の先端を溶融させて形成した金属ボールを圧着しこの圧着部から延びる金属細線をその一部を残して引き切ることにより形成された凸部を有するバンプ電極を一主面に形成した半導体ペレットと、絶縁基板に積層した導電パターンの要部にニッケルを被覆してパッド電極を形成した配線基板とを対向させ、バンプ電極とパッド電極とを重合させて加熱圧着させたフリップチップ構造の半導体装置において、上記バンプ電極とパッド電極の加熱圧着に先立つパッド電極表面が原子またはイオンの照射により清浄化され、清浄な金属素地が露呈したバンプ電極とパッド電極を被覆したニッケルとの間に合金層が形成されたことを特徴とする半導体装置を提供する。また本発明は、半導体ペレットの一主面に、金属細線の先端を溶融させて形成した金属ボールを加熱圧着し圧着部から延びる金属細線をその一部を残して引き切ることにより形成された凸部を有するバンプ電極を形成する工程と、絶縁基板に積層した導電パターンの要部にニッケルで被覆されたパッド電極を有する配線基板の表面に、真空中で原子またはイオンを照射し、パッド電極表面を清浄にする工程と、半導体ペレットと配線基板とを対向させ清浄な金属素地が露呈したバンプ電極と表面が清浄化されたパッド電極とを重合させて加圧し、重合部を加熱して接続する工程とを含む半導体装置の製造方法を提供する。更に、バンプ電極とパッド電極を重合する際に、重合部に超音波を付与するようにした半導体装置の製造方法も提供する。」
　訂正事項（ｇ）
　段落番号【０００５】を次のように訂正する。
「【発明の実施の形態】本発明による半導体装置は、金属細線の先端を溶融させて形成した金属ボールを圧着しこの圧着部から延びる金属細線をその一部を残して引き切ることにより形成された凸部を有するバンプ電極を一主面に形成した半導体ペレットと、絶縁基板に積層した導電パターンの要部にニッケルを被覆してパッド電極を形成した配線基板とを対向させ、バンプ電極とパッド電極とを重合させて加熱圧着させたフリップチップ構造の半導体装置において、上記バンプ電極とパッド電極の加熱圧着に先立つパッド電極表面が原子またはイオンの照射により清浄化され、清浄な金属素地が露呈したバンプ電極とパッド電極を被覆したニッケルとの間に合金層が形成されたことを特徴とするが、金によってバンプ電極を構成することができる。また、半導体ペレットと配線基板の対向面間を樹脂にて被覆し一体化することができる。また本発明による半導体装置の製造方法では、半導体ペレットの一主面に、金属細線の先端を溶融させて形成した金属ボールを加熱圧着し圧着部から延びる金属細線をその一部を残して引き切ることにより形成された凸部を有するバンプ電極を形成する工程と、絶縁基板に積層した導電パターンの要部にニッケルで被覆されたパッド電極を有する配線基板の表面に、真空中で原子またはイオンを照射し、パッド電極表面を清浄にする工程と、半導体ペレットと配線基板とを対向させ清浄な金属素地が露呈したバンプ電極と表面が清浄化されたパッド電極とを重合させて加圧し、重合部を加熱して接続する工程とを含むことを特徴とするが、半導体ペレットを多数連接した半導体ウエハにバンプ電極を形成することができるし、半導体ペレットはバンプ電極を形成後、直ちに非酸化性雰囲気中に収納し配線基板との重合作業まで保管することにより、半導体ペレットの接合性の劣化を抑えることができる。更に、バンプ電極とパッド電極を重合する際に、重合部に超音波を付与するようにしたことにより、バンプ電極とパッド電極の接合強度を一層強固にできる。」
　訂正事項（ｈ）
　段落番号【０００６】における「硬質金属２２、例えばニッケル」、「硬質金属」、「表層削られる」及び「押下するの間」をそれぞれ「ニッケル２２」、「ニッケル」、「表層が削られる」及び「押下する間」と訂正する。
　訂正事項（ｉ）
　【符号の説明】における「硬質金属（ニッケル層）」を「ニッケル」と訂正する。
　
（２）訂正の目的の適否、新規事項の有無、及び特許請求の範囲の拡張・変更の存否
　訂正事項（ａ）は、一部の請求項を削除するものであり、特許請求の範囲の減縮を目的とした明細書の訂正に該当するものであって、新規事項の追加に該当せず、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　訂正事項（ｂ）は、「硬質金属」を「ニッケル」と、「バンプ電極とパッド電極を被覆した」を「清浄な金属素地が露呈したバンプ電極とパッド電極を被覆した」と限定するものであり、これらは特許請求の範囲の減縮を目的とした明細書の訂正に該当し、また、「パータン」の「パターン」への訂正は誤記の訂正を目的とした明細書の訂正に該当する。そして「ニッケル」及び「清浄な金属素地が露呈したバンプ電極」は、願書に添付した明細書（以下、「特許明細書」という。）における記載事項の範囲内（段落番号【０００６】）のものであって、新規事項の追加に該当せず、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　訂正事項（ｃ）は、「硬質金属」を「ニッケル」と、「バンプ電極と表面が清浄化されたパッド電極」を「清浄な金属素地が露呈したバンプ電極と表面が清浄化されたパッド電極」と限定するものであり、これらは特許請求の範囲の減縮を目的とした明細書の訂正に該当する。そして該訂正事項（ｃ）は新規事項の追加に該当せず、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　訂正事項（ｄ）は、請求項３を請求項２に繰り上げるものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とした明細書の訂正に該当し、新規事項の追加に該当せず、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　訂正事項（ｅ）は、誤記の訂正を目的とした明細書の訂正に該当し、新規事項の追加に該当せず、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　訂正事項（ｆ）、（ｇ）及び（ｉ）は、請求項１、３が訂正されたことに伴い特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明の記載との整合を図るための訂正で、明りょうでない記載の釈明を目的としたものであり、特許明細書に記載した事項の範囲内のものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものではない。
　訂正事項（ｈ）における「硬質金属２２、例えばニッケル」及び「硬質金属」に対する訂正は、請求項１、３が訂正されたことに伴い特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明の記載との整合を図るための訂正で、明りょうでない記載の釈明を目的としたものであり、また「表層削られる」及び「押下するの間」に対する訂正は、それぞれ誤記の訂正を目的としたものであり、新規事項の追加に該当せず、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　
（３）むすび
　以上のとおりであるから、上記訂正は特許法第１２０条の４第２項及び同条第３項において準用する特許法第１２６条第２項から第４項までの規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
３．特許異議の申立てについて
（１）申立ての理由の概要
特許異議申立人高松万里は、下記の甲第１ないし１０号証を提出して、特許第３２５２７４５号の請求項１及び２に係る発明は甲第１ないし４号証に記載された発明に基づいて、請求項３及び６に係る発明は甲第１ないし６号証に記載された発明に基づいて、請求項４に係る発明は甲第１ないし８号証に記載された発明に基づいて、請求項５に係る発明は甲第１ないし６，９ないし１０号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない発明であり、また、請求項１及び３における「硬質金属」とは如何なる金属か不明であるから、特許請求の範囲の記載が特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してなされたものであり、その特許は、特許法第１１３条第２号及び第４号に該当するので取り消されるべきものである旨を主張している。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　記
　甲第１号証：特開平１−２２７４５８号公報
　甲第２号証：特開昭６０−８９９５１号公報
　甲第３号証：特開平７−１０６３６３号公報
　甲第４号証：特開平９−８２７４４号公報
　甲第５号証：特開昭６３−２８８０３１号公報
　甲第６号証：特開平７−１１５１０９号公報
　甲第７号証：特開昭４９−５２９７３号公報
　甲第８号証：特開平５−７４７７９号公報
　甲第９号証：特開昭６１−２７３３６５号公報
　甲第１０号証：特開平８−１９５４３２号公報
　
（２）本件発明
　特許第３２５２７４５号の請求項１及び２に係る発明（以下、それぞれ「本件発明１」、「本件発明２」という。）は、平成１４年１１月２２日付けの訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１及び２に記載された事項により特定される次のとおりのものである。
　【請求項１】
　金属細線の先端を溶融させて形成した金属ボールを圧着しこの圧着部から延びる金属細線をその一部を残して引き切ることにより形成された凸部を有するバンプ電極を一主面に形成した半導体ペレットと、絶縁基板に積層した導電パターンの要部にニッケルを被覆してパッド電極を形成した配線基板とを対向させ、バンプ電極とパッド電極とを重合させて加熱圧着させたフリップチップ構造の半導体装置において、上記バンプ電極とパッド電極の加熱圧着に先立つパッド電極表面が原子またはイオンの照射により清浄化され、清浄な金属素地が露呈したバンプ電極とパッド電極を被覆したニッケルとの間に合金層が形成されたことを特徴とする半導体装置。
　【請求項２】
　半導体ペレットの一主面に、金属細線の先端を溶融させて形成した金属ボールを加熱圧着し圧着部から延びる金属細線をその一部を残して引き切ることにより形成された凸部を有するバンプ電極を形成する工程と、絶縁基板に積層した導電パターンの要部にニッケルで被覆されたパッド電極を有する配線基板の表面に、真空中で原子またはイオンを照射し、パッド電極表面を清浄にする工程と、半導体ペレットと配線基板とを対向させ清浄な金属素地が露呈したバンプ電極と表面が清浄化されたパッド電極とを重合させて加圧し、重合部を加熱して接続する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
　
（３）刊行物記載の発明
　甲第１号証（以下「刊行物１」という。）には、次の事項が記載されている。
「さらには、半導体素子の電極パッド上にバンプ電極を簡易に形成する方法として、例えば特開昭４９−５２９７３号公報に示されるものが知られている。この公知の技術は、バンプ電極をワイヤボンディングの技術を用いて形成するようにしている。つまり、キャピラリに通されたワイヤの先端を溶融させてボールを形成し、このボールを半導体素子の電極パッド部に接合する。その後、ワイヤをクランパで挟んで引き上げてワイヤを引きちぎることによって、電極パッド部上にバンプ電極を形成するものである。」（第１頁右下欄第１９行〜第２頁左上欄第９行）
「基板上の端子電極群に接続したときに、バンプ電極と端子電極との接合不良を招くなどといったことのない、信頼性良く電気的接続の行うことのできるバンプ電極を提供できる。」（第３頁右上欄第１４〜１８行）
　
　甲第２号証（以下「刊行物２」という。）には、次の事項が記載されている。
「第１図のように半導体ペレット１の電極パッド２上にネールヘッドボンディングを２回行うことによってＡｕまたはＡｌボール３でＡｕまたはＡｌバンプ４を形成する。以上方法で製造したフリップチップＩＣ５を薄膜６で形成された回路パターン上に超音波ボンディング法により接合させる。」（第１頁右下欄第１９行〜第２頁左上欄第５行）
また、第２図からは、“薄膜６がセラミック基板８の上に形成されていること”が読み取れる。
　
　甲第３号証（以下「刊行物３」という。）には、次の事項が記載されている。
「さて従来基板に電極を形成してからワイヤボンディングを行うまでの工程は、図７及び図８に示すように行われている。まず図８の（ａ）に示すように、基板１上に電極２が形成される。この電極２は、図８の（ｂ）に拡大して示すように、銅層２ａ、ニッケル層２ｂ及び金層２ｃからなる。次に、同図８の（ｃ）に示すように、基板１の所定箇所に接着剤３を塗布し、この接着剤３上に半導体チップ４を搭載する（同図８の（ｄ））。そして、接着剤３の硬化のために、基板１をキュア炉５内において加熱処理し、半導体チップ４を基板１に固定する（同図８の（ｅ））。なお５ａはヒータである。次に、キュア炉５内から基板１を搬出し、ワイヤボンディング装置によって、電極２と半導体チップ４をワイヤ６で接続する（同図８の（ｇ））。なお、７はワイヤ６が挿通されたキャピラリツール、８はキャピラリツール７を揺動させるホーンである。」（段落番号【００１０】）
「次に、図５，図６を参照しながら、本発明の実施例を説明する。図５において、本実施例では従来手段（図７）に対し、キュア工程とワイヤボンディング工程との間に、スパッタリング工程を行う点が相違する。即ち、図６（ｆ）で示すように、本実施例ではアルゴンガスのスパッタリング装置Ａにより、電極２の金層２ｃの表層部の一部を除去して二酸化ニッケルを取除くものである。これにより、上述したように薄厚の金層２ｃによっても十分なせん断強度を得ることができる。」（段落番号【００１９】）
　
　甲第４号証（以下「刊行物４」という。）には、次の事項が記載されている。
「【産業上の利用分野】本発明は、基板に形成された電極の表面をクリーニングし、クリーニングされた電極と半導体チップをワイヤで接合するワイヤボンディング装置及びワイヤボンディング方法に関するものである。」（段落番号【０００１】）
「次に、本体１内において基板６の表面処理が行われる。これにより、基板６の電極の表面に存在する化合物あるいは汚染物が取り除かれ、電極の接合性が高められる。」（段落番号【００１４】）
「ここで後述するように、アルゴンは単なるガスのまま吸込口１２ｄへ排出されるのではなく、アルゴンガスが処理エリアＡに供給される際には、密閉空間６０内は真空に近い減圧状態にあり、また第２電極３４に高周波電圧が印加されるので、アルゴンガスはプラズマとなって、基板６に対してエッチング（プラズマクリーニング）を行うものである。なお本実施例では、プラズマを発生させるためにアルゴンガスを用いたが、他のガスを用いてもよい。」（段落番号【００９９】）
　
　甲第５号証（以下「刊行物５」という。）には、次の事項が記載されている。
「本発明のフリップチップボンディング方法は、配線基板にスクリーン印刷で半田ペーストを形成することなく直接バンプと加熱したテーブル上にある配線基板の電極とを重ね合わせた後、半導体チップの裏面より圧力と超音波とを付加しながらバンプと配線基板の電極をボンディングするものである。」（第２頁左上欄第１６行〜右上欄第２行）
　
　甲第６号証（以下「刊行物６」という。）には、次の事項が記載されている。
「半導体集積回路を形成したチップ１上のアルミニウムまたは金等でできたパッドメタル２に金属バンプ３を形成し接続用搭載機のボンディングツール６に固定する。同様に、金属パッドメタル５を形成した回路基板４を接続用搭載機のボンディングステージ７に固定する。その後、位置合わせを実施し、加圧装置１０で加圧する。接続用搭載機のボンディングツール６およびボンディングステージ７にそれぞれ設けられた加熱・冷却温度プロファイル制御装置１１、１２および超音波振動装置１３、１４により接続作業を実施する。この作業を繰り返してマルチチップの実装が完了する。」（段落番号【００１６】）
　
（４）特許法第２９条第２項に関する検討
＜本件発明１について＞
　刊行物１ないし４には、バンプ電極とパッド電極との加熱圧着に当たって、「清浄な金属素地が露呈したバンプ電極」を採用することについて記載も示唆もないばかりでなく、本件発明１の構成要件である「金属細線をその一部を残して引き切ることにより形成された凸部を有」し、「清浄な金属が露呈したバンプ電極」と「表面が原子またはイオンの照射により清浄化され」た「パッド電極」とを「加熱圧着」させ、「バンプ電極とパッド電極を被覆したニッケルとの間に合金層を形成」する点について記載も示唆もない。
　そして本件発明１は、上記の点により「各露呈面に酸化物や異物が付着していないため、加熱され圧接された重合部は強固に接続する」（本件特許明細書における段落番号【０００６】）という顕著な効果を奏するものである。
　よって、本件発明１は、刊行物１ないし４記載の発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることはできない。
＜本件発明２について＞
　刊行物１ないし６には、バンプ電極とパッド電極との加熱圧着に当たって、「清浄な金属素地が露呈したバンプ電極」を採用することについて記載も示唆もないばかりでなく、本件発明２の構成要件である「金属細線をその一部を残して引き切ることにより形成された凸部を有」し、「清浄な金属が露呈したバンプ電極」と、「表面が清浄化されたパッド電極とを重合させて加圧し、重合部を加熱して接続」する点について記載も示唆もない。
　そして本件発明２は、上記の点により「各露呈面に酸化物や異物が付着していないため、加熱され圧接された重合部は強固に接続する」（本件特許明細書における段落番号【０００６】）という顕著な効果を奏するものである。
　よって、本件発明２は、刊行物１ないし６記載の発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることはできない。
　
（５）特許法第３６条第６項第２号に関する検討
　特許異議申立人が指摘する「硬質金属」という用語は「ニッケル」と訂正されたため、本件発明１及び２に関し、特許異議申立人のいうような記載不備はない。
　
（６）むすび
　以上のとおりであるから、本件発明１及び２についての特許は、特許異議申立ての理由及び証拠によっては取り消すことはできない。
　また、他に本件発明１及び２についての特許を取り消すべき理由を発見しない。
【異議決定日】
平成１５年１１月２５日（２００３．１１．２５）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
半導体装置およびその製造方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　金属細線の先端を溶融させて形成した金属ボールを圧着しこの圧着部から延びる金属細線をその一部を残して引き切ることにより形成された凸部を有するバンプ電極を一主面に形成した半導体ペレットと、絶縁基板に積層した導電
パターン
ニッケル
清浄な金属素地が露呈したバンプ電極
ニッケル
　【請求項２】　半導体ペレットの一主面に、金属細線の先端を溶融させて形成した金属ボールを加熱圧着し圧着部から延びる金属細線をその一部を残して引き切ることにより形成された凸部を有するバンプ電極を形成する工程と、絶縁基板に積層した導電パターンの要部に
ニッケル
清浄な金属素地が露呈したバンプ電極
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の属する技術分野】
　本発明はフリップチップ構造の半導体装置およびその製造方法に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　小型の電子機器を実現するために、電子部品は高機能化、高集積化を図りつつ小型化されている。電子部品、例えば半導体装置は一般的に樹脂外装したものが用いられるが、外装なしのベアチップを用い、これを直接配線基板に組み込むことにより一層の小型化を図っている。この種半導体装置の製造方法の一例が特開平３−１７１６４３号公報に開示されている。この先行技術に開示された半導体装置の要部を図５から説明する。図において、１は半導体ペレットで、半導体基板２に図示省略するが抵抗接続されたアルミニウム下地層、クロム、銅及び金の複合金属膜からなる半田下地層を順次形成し、その上に共晶半田によるバンプ電極３を形成している。この半導体ペレット１は非酸化性雰囲気中で加熱されることによりバンプ電極３を構成する非共晶半田は溶融し表面張力により球状に成形され、さらに急冷することにより共晶化する。４は絶縁基板５上のバンプ電極３と対応する位置にパッド電極６を形成した配線基板を示す。半導体ペレット１と配線基板４とは対向配置され、バンプ電極３及びパッド電極６は重合され、加熱されて、バンプ電極３を構成する共晶半田が溶融し電気的接続が行われる。この半導体装置７の製造方法を図６から説明する。先ず半導体基板２上に非共晶半田からなるバンプ電極３を形成し、配線基板４とともに表面活性化室８に供給し、真空中でアルゴンガスを供給して、このアルゴンガスの原子ビームを半導体ペレット１及び配線基板４に照射しバンプ電極３及びパッド電極６のそれぞれの表面の自然酸化物や異物を除去し、それらの表面を清浄にして活性化させる。そして、この作業が完了すると半導体ペレット１及び配線基板４を表面活性化室８から取り出し、接合室９に供給する。この接合室９では、半導体ペレット１を反転して、バンプ電極３を配線基板４と対向させ、バンプ電極３と配線基板４のパッド電極６とを重ね合わせ、加圧した状態で半田が溶融しない温度に加熱してバンプ電極３を塑性変形させて仮接続し、さらに
半田温度
　【発明が解決しようとする課題】
　ところで図５に示す半導体装置は共晶半田を用いてバンプ電極３を形成しているため、半田溶融温度に加熱する必要があり、バンプ電極３とパッド電極６の位置決めのために加圧すると、溶融した半田が側方にはみ出して、隣接するバンプ電極と短絡したり近接することにより耐電圧低下を生じるなど、電気的特性を著しく劣化させる虞があった。また、半導体ペレット１の反転、半導体ペレット１と配線基板４の位置決めなどの作業が非酸化性雰囲気に保たれた接合室９内で行われるため、作業がやりにくく、また位置ずれを生じると修正作業もやりにくいという問題があった。また、表面活性化室８は半導体ペレット１と配線基板４とが供給されるため大容量の容器が必要で、接合室９も非酸化性ガスで充満する必要があるため、大量の雰囲気ガスを要し、コストも嵩むという問題があった。また、起動、停止が頻繁に繰り返されるような電子機器や、温度変化が大きく熱膨張、収縮が著しい環境で使用される電子機器に用いられる半導体装置では、バンプ電極とパッド電極の接続部に応力が集中し、接続部にクラックを生じると短時間で電気的接続が損なわれ不良になるという問題があった。
　【０００４】
　【課題を解決するための手段】
　本発明は上記課題の解決を目的として提案されたもので、金属細線の先端を溶融させて形成した金属ボールを圧着しこの圧着部から延びる金属細線をその一部を残して引き切ることにより形成された凸部を有するバンプ電極を一主面に形成した半導体ペレットと、絶縁基板に積層した導電
パターン
ニッケル
清浄な金属素地が露呈したバンプ電極
ニッケル
ニッケル
清浄な金属素地が露呈したバンプ電極
　【０００５】
　【発明の実施の形態】
　本発明による半導体装置は、金属細線の先端を溶融させて形成した金属ボールを圧着しこの圧着部から延びる金属細線をその一部を残して引き切ることにより形成された凸部を有するバンプ電極を一主面に形成した半導体ペレットと、絶縁基板に積層した導電
パターン
ニッケル
清浄な金属素地が露呈したバンプ電極
ニッケル
構成する
ニッケル
清浄な金属素地が露呈したバンプ電極
　【０００６】
　【実施例】
　以下に本発明による半導体装置を図１から説明する。図において、１１は半導体ペレットで、内部に多数の半導体素子（図示せず）が形成された半導体基板１２の一主面上に各半導体素子を接続し回路を構成する配線パターン（図示せず）を形成し、この配線パターンを絶縁膜１３で被覆して保護し、回路の要部に対応する位置で配線パターンの一部が露呈するように絶縁膜１３に窓明けして、この窓明け部分に抵抗接続するためアルミニウムからなる下地電極１４を形成し、さらにこの下地電極１４上にバンプ電極１５を形成している。このバンプ電極１５は図２に示すようにキャピラリ１６に挿通した金属細線１７の先端を溶融させることによって形成された金属ボールに超音波振動を付与しつつキャピラリ下端で加圧して圧潰部（バンプ電極本体）１５ａを形成し、この圧潰部１５ａから延びる金属細線１７をその一部を残して引き切り、金属細線１７の残り部分で凸部１５ｂを形成したものである。この凸部１５ｂの先端部は金属細線１７の引き切りにより酸化膜や異物のない清浄な金属素地が露呈している。下地電極１４がアルミニウムの場合、金属細線１７はこれに直接接続することのできる金を用いることが望ましく、例えば直径２５μｍの金線を用いた場合、圧潰部１５ａは直径約８０μｍ、高さ約２５μｍに形成され、凸部１５ｂは回転放物体状となり、基部直径２５μｍ、下地金属１４からの全高は約７５μｍとなる。１８は配線基板で、図３に示すように、絶縁基板１９の一主面に金属箔、例えば厚さ１８μｍの銅箔を積層し、この銅箔を所定パターンにエッチングして導電パターン２０を形成し、さらに導電パターン２０をレジスト膜２１で覆ったもので、このレジスト膜２１は半導体ペレット１１のバンプ電極１５と対応する導電パターン２０上の要部が露呈するように窓明けされ、この窓部から
ニッケル２２
ニッケル
表層が削られる
押下する間
　【０００７】
　【発明の効果】
　以上のように本発明によれば大気中でバンプ電極とパッド電極とを圧接させることができ、しかも圧接部に合金層を形成することができるから、半導体ペレットと配線基板の電気的接続が確実となり、製造の際の位置合わせなどの作業が容易で、雰囲気ガスの使用量も少なくて済む。
【図面の簡単な説明】
　【図１】　本発明の実施例を示す半導体装置の側断面図
　【図２】　図１半導体装置の製造工程を示す半導体ペレットの要部側断面図
　【図３】　図１半導体装置の製造工程を示す配線基板の要部側断面図
　【図４】　図２、図３に示す部品の組み付け作業を示す側断面図
　【図５】　フリップチップ構造の半導体装置の一例を示す要部側断面図
　【図６】　図５に示す半導体装置の製造工程を示す工程説明図
　【符号の説明】
　１１　半導体ペレット
　１２　半導体基板
　１５　バンプ電極
　１５ｂ　凸部
　１８　配線基板
　２０　導電パターン
　２２　
ニッケル
　２４　パッド電極
　２５　合金層
　２６　樹脂