【事件の表示】
　特許第３２０４９３３号「セラミック電子部品とその製造方法」の請求項１ないし６に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３２０４９３３号の請求項１ないし４に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
　本件特許第３２０４９３３号に係る手続の主な経緯は次のとおりである。
　特許出願（特願平９−２３８９０６号）　　　　平成　９年　８月２０日
　特許権設定登録　　　　　　　　　　　　　　　平成１３年　６月２９日
　特許異議申立（異議申立人：大峡公子、請求項１乃至５に対して）
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　平成１４年　２月２８日
　特許異議申立（異議申立人：雨山範子、請求項１乃至６に対して）
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　平成１４年　３月　４日
　取消理由通知　　　　　　　　　　　　　　　　平成１４年　５月２８日
　特許異議意見書・訂正請求書　　　　　　　　　平成１４年　８月　２日
     　
２．訂正の適否についての判断
２．１．訂正の内容
　特許権者が求めている、平成１４年８月２日付け訂正請求書に添付された訂正明細書における訂正の内容は以下のとおりである。
　
２．１．１．訂正事項ａ
　特許請求の範囲の請求項１の記載、
「セラミックと、該セラミックの内部に形成された内部電極とを備え、該セラミックは直径１〜３μｍのポアを３〜３０体積％の割合で含有していることを特徴とするセラミック電子部品。」を、
「セラミックと、該セラミックの内部に形成された内部電極とを備え、該セラミックは直径１〜３μｍのポアを３〜３０体積％の割合で含有し、前記セラミックと前記内部電極とで、コンデンサ、インダクタ又はＬＣ複合素子が形成されていることを特徴とするセラミック電子部品。」と訂正する。
　
２．１．２．訂正事項ｂ
　請求項５、６を削除する。
　　　
２．１．３．訂正事項ｃ
　旧請求項７の記載、
「前記焼成消失粒子がポリエチレンボール、ナイロンボール又はカーボン粒子であることを特徴とする請求項６に記載のセラミック電子部品の製造方法。」を、
「焼成によって消失する焼成消失粒子を含有した生セラミックで内部電極を囲んだ生素体を形成する工程と、該生素体を焼成する工程とを備え、前記焼成消失粒子がポリエチレンボール、ナイロンボール又はカーボン粒子であることを特徴とするセラミック電子部品の製造方法。」と訂正する。
　　　　
２．１．４．訂正事項ｄ
　旧請求項９の記載、
「前記中空粒子が中空シリカボール又は中空アルミナボールであることを特徴とする請求項６に記載のセラミック電子部品の製造方法。」を、
「内部にポアを有する中空粒子を含有した生セラミックで内部電極を囲んだ生素体を形成する工程と、該生素体を焼成する工程とを備え、前記中空粒子が中空シリカボール又は中空アルミナボールであることを特徴とするセラミック電子部品の製造方法。」と訂正する。
　　　
２．１．５．訂正事項ｅ
　旧請求項７乃至１２の項数を順次繰り上げ、請求項５乃至１０とする。
　　　
２．２．訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
２．２．１．訂正事項ａ
　上記訂正事項ａは、特許請求の範囲の請求項１において、セラミック電子部品について「前記セラミックと前記内部電極とで、コンデンサ、インダクタ又はＬＣ複合素子が形成されている」と限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とした明細書の訂正に該当するものである。そして、この点については、旧請求項５の「前記セラミックと前記内部電極とで、コンデンサ、インダクタ又はＬＣ複合素子が形成されていることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のセラミック電子部品。」の記載に根拠を有する。
　したがって、上記訂正事項ａは、特許請求の範囲の減縮を目的とした明細書の訂正に該当するものであり、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、かつ実質上特許請求の範囲を拡張し、変更するものではない。
　
２．２．２．訂正事項ｂ
　上記訂正事項ｂは、特許請求の範囲の請求項５、６を削除するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とした明細書の訂正に該当する。
　　　　　
２．２．３．訂正事項ｃ
　上記訂正事項ｃは、旧請求項７において、（引用している旧請求項６記載中の）「焼成によって消失する焼成消失粒子又は内部にポアを有する中空粒子を含有した生セラミックで内部電極を囲んだ生素体を形成する工程」という記載から「又は内部にポアを有する中空粒子」という記載を削除し従属請求項を独立請求項に変更したものであるから、特許請求の範囲の減縮及び明りょうでない記載の釈明を目的とした明細書の訂正に該当するものである。
　また、上記訂正事項ｃは、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、かつ実質上特許請求の範囲を拡張し、変更するものではない。
　　　　
２．２．４．訂正事項ｄ
　上記訂正事項ｄは、旧請求項９において、（引用している旧請求項６記載中の）「焼成によって消失する焼成消失粒子又は内部にポアを有する中空粒子を含有した生セラミックで内部電極を囲んだ生素体を形成する工程」という記載から「焼成によって消失する焼成消失粒子又は」という記載を削除し従属請求項を独立請求項に変更したものであるから、特許請求の範囲の減縮及び明りょうでない記載の釈明を目的とした明細書の訂正に該当するものである。
　また、上記訂正事項ｄは、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、かつ実質上特許請求の範囲を拡張し、変更するものではない。
　　　　　　
２．２．５．訂正事項ｅ
　上記訂正事項ｅは、特許請求の範囲の請求項５、６の削除に伴い旧請求項７乃至１２の項数を順次繰り上げ、請求項５乃至１０とするものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とした明細書の訂正に該当する。
　　　　
２．３．訂正の適否のむすび
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法第１２０条の４第２項及び同条第３項において準用する特許法第１２６条第２項及び第４項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　（なお、新請求項５及び７は異議申立に係らない請求項であるが、いずれの請求項も択一的記載の一方を削除して特許請求の範囲の減縮を図るものであるから、独立特許要件については問題はない。）
　　　　
３．　特許異議申立て及びこれについての判断
３．１．本件発明
　上記２．２．で示したように上記訂正が認められるから、本件発明は、上記訂正請求に係る訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１乃至１０により特定されるとおりのものである。
　ところで、上記「２．１．２．訂正事項ｂ」で記載したように旧請求項５及び６は削除されたため、訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１乃至４により特定される発明について検討を行う。
　その特許請求の範囲の請求項１乃至４により特定される発明は次のとおりのものである。
「【請求項１】　セラミックと、該セラミックの内部に形成された内部電極とを備え、該セラミックは直径１〜３μｍのポアを３〜３０体積％の割合で含有し、前記セラミックと前記内部電極とで、コンデンサ、インダクタ又はＬＣ複合素子が形成されていることを特徴とするセラミック電子部品。（以下、「本件発明１」という。）
【請求項２】　前記ポアは前記内部電極の近傍に多く含まれ、前記セラミックの前記内部電極から離れた部分は前記内部電極の近傍より緻密になっていることを特徴とする請求項１に記載のセラミック電子部品。（以下、「本件発明２」という。）
【請求項３】　前記セラミックが中空粒子を含み、該中空粒子が内部に前記ポアを有していることを特徴とする請求項１又は２に記載のセラミック電子部品。（以下、「本件発明３」という。）
【請求項４】　前記中空粒子が中空シリカボール又は中空アルミナボールであることを特徴とする請求項３に記載のセラミック電子部品。（以下、「本件発明４」という。）」
　　　　　　　
３．２．取消理由で引用された刊行物に記載された発明
　刊行物１：特開平２−１１６１９６号公報には、「セラミック多層回路基板とその製造方法」が図面（第１図、第２図）とともに記載されており、また以下の記載がなされている。
　「セラミック基板内に三次元的に導体配線を形成してなるセラミック多層回路基板において、導体層間を形成している絶縁層が１μｍ〜３０μｍの範囲にある孤立空隙を５〜４０容量パーセント含んだ構造である・・・・セラミック多層回路基板。」（特許請求の範囲の請求項１）、
「以上説明したように、本発明によれば、絶縁層を形成しているセラミック部に空隙を存在させることによって大幅に誘電率を下げることが可能となるので、従来のものより高速伝送化という点についてきわめて有利なセラミック多層回路基板が提供できる。」（第３頁右上欄欄第１９行〜同頁左下欄第４行）。
　さらにまた、第１図には、セラミック多層回路基板中のセラミック焼結体１、ビアホール２、回路導体３、孤立空隙４が図示されている。
　　
　刊行物２：特開昭６１−２７８１９４号公報には、「セラミック絶縁基板」が第１図とともに記載されており、また以下のような記載がある。
　「絶縁層と導体層とが交互に積層され、互いの導体層がスルーホール導体により連結されたセラミック多層配線基板において、・・・（中略）・・・・・、ライン配線導体に隣接した絶縁層が結晶質複合酸化物及びＳｉＯ２の少なくとも１種以上を主成分とし、３０μｍ以下の気孔が１０〜３０体積％存在し、比誘電率が５．０以下（１ＭＨｚ）であることを特徴としたセラミック絶縁基板。」（特許請求の範囲第１項）、
「特許請求の範囲第１項において、ライン配線導体に隣接した絶縁層中に気孔を含んだ直径５０μｍ以下の粒子（比誘電率４．５以下（１ＭＨｚ））を含有する・・・・・」（特許請求の範囲第２項）、
「外部接続部の絶縁層に使用されるグリーンシートと、ライン配線導体に隣接した絶縁層に使用されるグリーンシートを異なる組成のものとする。・・（中略）・・・外部接続部の絶縁層は高強度で、ライン配線導体に隣接した絶縁層は低誘電率であるセラミック多層配線基板を得ることができる。」（第２頁左上欄第２０行〜同頁右上欄第１３行）、
「また、ライン配線導体に隣接した絶縁層中に、３０μｍ以下の気孔が１０〜３０体積％存在するとあるのは、ライン配線導体に隣接した絶縁層の誘電率を下げるためである。」（第２頁左下欄第１４行〜同欄第１７行）、
「ＳｉＯ２，Ａｌ２Ｏ３などを主成分とし、水分などの気化成分を含有する天然の発泡性無機材料としては、黒曜石，真珠石，・・（中略）・・などがある。・・・（中略）・・・。また、発泡性無機材料としては、天然物以外に水酸基，炭酸基，結晶水などをもつ無機材料がある。これらの粒径は、できるだけ小さいものがよく、内部に生成される気孔を小さくするため、５μｍ以下のものが良い。」（第３頁左下欄第６行〜同欄第１６行）、
「第１表及び第２表に示した結晶質複合酸化物またはＳｉＯ２は内部に気孔を含有した粒子である。」（第５頁右上欄第６行〜同欄第８行；実施例２の説明記載）、
「ライン配線導体に隣接した絶縁層の組成には、原料粉末粒径約３μｍの発泡性無機材料を添加した。」（第５頁右下欄第１行〜同欄第２行；実施例３の説明記載）。
                       　
　刊行物３：特開平１−１２００９６号公報には、「多層回路基板」が図面（第１図、第２図）とともに記載されており、次のような記載がある。
「（１）複数の絶縁体層を積層、一体化し、絶縁体層間に内部配線導体層を形成してなる多層回路基板において、・・・（中略）・・・（２）前記内部配線導体と絶縁体層との界面の一部に空洞部を形成してなる・・・（中略）・・・多層回路基板」（特許請求の範囲の請求項１乃至２）。
　また、多層回路基板の製造方法について以下の記載がなされている。
　「次いで、バイアホールを形成し、ホール部に銅ペーストを充填した後、グリーンシートＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄを積層して圧着し（第２図ロ）、スルーホールを形成すると共に、表面に銅ペーストを印刷して表面配線パターン１５を形成する。この積層体を非酸化性雰囲気中で焼成することにより製造できる（第２図ハ）。」（第３頁左下欄欄第１２行〜同欄第１８行）、
「前記実施例においては、可燃性ペーストをセラミックグリーンシートＣの表面や導電性ペーストの上に塗布し、該可燃性ペーストを消失させることによって層状空間や空洞部を形成しているが、可燃性ペーストの代わりに、可燃性材料とセラミック粉末との混合ペーストを印刷し、焼成時に可燃性材料のみを消失させてセラミック材料からなる多孔質層を形成させても良い。」（第４頁左上欄第１４行〜同頁右上欄第１行）。
                       　
　刊行物４：特開平７−１４７１７号公報には、「インダクタなどの電子部品と、その製造方法」が図面（図１乃至図３）とともに記載されており、また以下の記載がある。
　「押出成形手段において、導電材の外周をペースト状の磁性材によって被覆した中間成形材を形成し、当該中間成形材を燒結処理するようにしたインダクタなどの電子部品の製造方法において、前記ペースト状の磁性材中に発泡材などの加熱処理によって焼失する多孔質形成材を混入し、燒結処理に際して、前記の多孔質形成材を焼却させて、前記磁性材を多孔質状にするようにしたことを特徴とするインダクタなどの電子部品の製造方法。」（特許請求の範囲請求項３）、
「前記の多孔質形成材が、前記導電材の近傍に配置された第２の磁性材層にのみ混入させ、当該第２の磁性材層の外周を被覆する第１の磁性材層には前記の多孔質形成材が混入されていないようにして、前記の中間成形材を形成し、燒結処理に際して、前記の多孔質形成材を焼却させて、前記導電材の近傍の磁性材層のみを多孔質状にするようにしたことを特徴とする請求項３記載のインダクタなどの電子部品の製造方法。」（特許請求の範囲請求項４）、
「燒結処理されたフェライト材料などからなる磁性材内に、その長手方向沿いに導電材を貫着してなるインダクタなどの電子部品であって、前記磁性材が多孔質状に形成されていることを特徴とするインダクタなどの電子部品。」（第２頁第２欄第１９行〜第２３行）。
　　　　
　刊行物５：特開昭６２−２０６８６１号公報には、「セラミックス多層回路板及び半導体実装構造」が図面（第１図乃至第６図）とともに記載されており、また以下の記載がなされている。
　「セラミックスのマトリックス中に中空のセラミックス粒が分散した絶縁体層と導体配線層とが交互に各々複数層積層されており、前記絶縁体層の比誘電率が５以下及び室温の曲げ強さが５ｋｇ／ｍｍ２以上であることを特徴とするセラミックス多層回路板。」（特許請求の範囲第１項）、
「回路基板上に半導体素子が載置しているものにおいて、前記回路基板はセラミックスのマトリックス中に中空のセラミックス粒が分散した絶縁体層と導体配線層とが交互に各々複数層積層された複合板からなり、且つ複合板の少なくとも半導体素子を搭載する両側に中空のセラミックス粒を含有しないセラミックス又は合成樹脂層が一体形成されていることを特徴とする半導体実装構造。」（特許請求の範囲第９項）、
「中空球状のセラミックス粉末は中空のシリカ微小球が好ましく、できるだけ誘電率を下げるため、低誘電率のシリカを主成分としたものが良い。」（第３頁右上欄欄第１２行〜同欄第１４行）。
     　
３．３．本件発明と刊行物記載の発明との対比・判断
３．３．１　本件発明１について
　本件発明１と刊行物１乃至５とを対比すると、刊行物１乃至５には、本件発明１の構成要件である「セラミックは直径１〜３μｍのポアを３〜３０体積％の割合で含有し、前記セラミックと前記内部電極とで、コンデンサ、インダクタ又はＬＣ複合素子が形成されている」点、すなわち、直径１〜３μｍのポアを３〜３０体積％の割合で含有したセラミックと内部電極とで、コンデンサ、インダクタ又はＬＣ複合素子を形成する点について記載も示唆もされていない。
　（刊行物１には空隙（孤立空隙）を含んだセラミック多層回路基板については記載されており、当該「空隙（孤立空隙）」は本件発明１における「ポア」に相当するものと認められるが、同刊行物１には、セラミックと前記内部電極とでコンデンサ、インダクタ又はＬＣ複合素子が形成されているセラミック電子部品のセラミックに空隙（孤立空隙）を含有させる点については記載も示唆もされていない。
　また、刊行物２には絶縁層中に気孔を生成させて低誘電率であるセラミック多層配線基板を得る点については記載されており、当該「気孔」は本件発明１における「ポア」に相当するものと認められるが、同刊行物１には、セラミックと前記内部電極とでコンデンサ、インダクタ又はＬＣ複合素子が形成されているセラミック電子部品のセラミックに気孔を含有させる点については記載も示唆もされていない。
　同様に、刊行物３乃至５においてもセラミックと前記内部電極とでコンデンサ、インダクタ又はＬＣ複合素子が形成されているセラミック電子部品のセラミックにポアを含有させる点については記載も示唆もされていない。）　
　そして本件発明１は上記の点の構成を備えることにより、「セラミック部分の見かけの誘電率ε及び透磁率μを下げることができるので、セラミックと内部電極とでコンデンサ、インダクタ又はＬＣ複合素子が形成されているセラミック電子部品の共振周波数を高め、高周波特性を向上させることができる」（段落００３４を参照）という明細書記載の作用効果を奏するものである。
　したがって、本件発明１が、刊行物１又は２に記載された発明と同一であるとも、刊行物１乃至５に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとも認めることはできない。
　また、その他の異議申立理由及び証拠は、本件発明１を取り消すべき理由として採用することができない。
　（なお、異議申立人：大峡公子が提出した甲第３号証には、ニッケル内部電極を用いた積層セラミックキャパシタ（コンデンサ）が記載されており、図１２（Ｂ）にはその断面図の写真が示されている。当該写真中にみられる複数の円形状や長円状（のもの）は本件発明１の「ポア」に相当する可能性があることは理解できるが、円形状、長円状の紙面垂直方向の分布がどのようになっているかについての記載がなく、当該断面図からセラミック中の円形状、長円状の単位体積当たりの割合を的確に導出することは無理であるものと判断せざるを得ない（同異議申立人が提出した参考資料１で示された円形状、長円状の単位体積当たりの割合の導出法及び導出結果については、この点からみてその妥当性には疑問がある。）
　　　　　
３．３．２　本件発明２乃至４について
　本件発明２乃至４は本件発明１を前提とするものであるから、本件発明１の場合と同様の理由により、本件発明２乃至４が、刊行物１又は刊行物２に記載された発明と同一であるとも、刊行物１乃至５に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとも認めることはできない。
　また、その他の異議申立理由及び証拠は、本件発明２乃至４を取り消すべき理由として採用することができない。
     　
４．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠によっては本件請求項１乃至４に係る発明についての特許を取り消すことはできない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１５年９月１１日（２００３．９．１１）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
セラミック電子部品とその製造方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　セラミックと、該セラミックの内部に形成された内部電極とを備え、該セラミックは直径１〜３μｍのポアを３〜３０体積％の割合で含有し
、前記セラミックと前記内部電極とで、コンデンサ、インダクタ又はＬＣ複合素子が形成され
　【請求項２】　前記ポアは前記内部電極の近傍に多く含まれ、前記セラミックの前記内部電極から離れた部分は前記内部電極の近傍より緻密になっていることを特徴とする請求項１に記載のセラミック電子部品。
　【請求順３】　前記セラミックが中空粒子を含み、該中空粒子が内部に前記ポアを有していることを特徴とする請求項１又は２に記載のセラミック電子部品。
　【請求項４】　前記中空粒子が中空シリカボール又は中空アルミナボールであることを特徴とする請求項３に記載のセラミック電子部品。
　【請求項５】　焼成によって消失する焼成消失粒子を含有した生セラミックで内部電極を囲んだ生素体を形成する工程と、該生素体を焼成する工程とを備え
、前記焼成消失粒子がポリエチレンボール、ナイロンボール又はカーボン粒子である
　【請求項６】　前記焼成消失粒子の粒径が１〜３μｍであることを特徴とする請求項５に記載のセラミック電子部品の製造方法。
　【請求項７】　内部にポアを有する中空粒子を含有した生セラミックで内部電極を囲んだ生素体を形成する工程と、該生素体を焼成する工程とを備え
、前記中空粒子が中空シリカボール又は中空アルミナボールである
　【請求項８】　前記中空粒子の内部のポアの径が１〜３μｍであることを特徴とする請求項７に記載のセラミック電子部品の製造方法。
　【請求項９】　導電パターンとセラミックパターンとをセラミックグリーンシートに印刷する工程と、該印刷を施したセラミックグリーンシートを積層して生素体を形成する工程と、該生素体を焼成する工程とを備え、前記セラミックパターンは前記焼成消失粒子又は前記中空粒子を含有したセラミックスラリーからなり、前記導電パターンは前記セラミックパターンに取り囲まれていることを特徴とする請求項５〜９のいずれかに記載のセラミック電子部品の製造方法。
　【請求項１０】　セラミックスラリーの面状印刷と、該印刷によって形成されたセラミックグリーンシートへの導電パターン及びセラミックパターンの印刷とを交互に行なう工程と、該印刷によって形成された生素体を焼成する工程とを備え、前記セラミックパターンは前記焼成消失粒子又は前記中空粒子を含有したセラミックスラリーからなり、前記導電パターンは前記セラミックパターンに取り囲まれていることを特徴とする請求項５〜９のいずれかに記載のセラミック電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の属する技術分野】
　この発明は高周波特性の良好なセラミックを用いて形成されたセラミック電子部品とその製造方法に関するものである。
　【０００２】
　【従来の技術】
　近年、携帯電話など、高周波を利用した電子機器についての需要が高まり、それに伴ってこれらの電子機器に使用される電子部品も高周波特性の良いものが求められ、その結果、これらの電子部品に使用されるセラミック材料も高周波特性の良いものが求められている。
　【０００３】
　ところで、セラミック電子部品は共振周波数が高ければより高周波まで使用可能となる。ＬＣ複合画路の共振周波数はｆ０＝１／｛２π（ＬＣ）１／２｝で表される。従って、セラミック電子部品ではセラミックの誘電率ε及び透磁率μを低くすれば、上式のＬ、Ｃ成分を小さくでき、従って、その高周波特性を良好にできることになる。
　【０００４】
　そこで、セラミック電子部品のセラミックとして、より低い誘電率ε、より低い透磁率μのセラミック材料が求められている。
　【０００５】
　【発明が解決しようとする課題】
　しかし、より低い誘電率ε、より低い透磁率μのセラミック材料の開発は、組成面では限界が見えてきており、構造的に低誘電率ε、低透磁率μを得ることが必要になっている。
　【０００６】
　この発明は、セラミックを構造的に低誘電率ε、低透磁率μにしたセラミック電子部品とその製造方法を提供することを目的とする。
　【０００７】
　【課題を解決するための手段】
　この発明に係るセラミック電子部品は、セラミックと、該セラミックの内部に形成された内部電極とを備え、該セラミックは直径１〜３μｍのポアを３〜３０体積％の割合で含有しているものである。
　【０００８】
　ここで、ポアの直径を１〜３μｍとしたのは、ポアの直径が１μｍ未満になるとセラミックの見掛けの誘電率ε及び透磁率μを低下させる効果があまり認められなくなり、３μｍを超えるとセラミック電子部品の素体の抗折強度が低下するという不都合があるからである。
　【０００９】
　また、ポアの含有割合を３〜３０体積％としたのは、ポアの含有割合が３体積％未満になるとセラミックの見掛けの誘電率ε及び透磁率μを低下させる効果があまり認められなくなり、３０体積％を超えるとセラミック電子部品の素体の抗折強度が低下するという不都合があるからである。
　【００１０】
　前記ポアは前記内部電極の近傍に多く含まれ、前記セラミックの前記内部電極から離れた部分は前記内部電極の近傍より少なく、緻密になっているのが好ましい。このようにすればセラミック電子部品の抗折強度を高めることができるからである。
　【００１１】
　前記セラミックは中空粒子を含み、該中空粒子が内部に前記ポアを有していてもよい。前記中空粒子としては中空シリカボール又は中空アルミナボールを使用することができる。
　【００１２】
　前記のような内部構造のセラミックと内部電極とで、コンデンサ、インダクタ又はＬＣ複合素子を形成することができる。
　【００１３】
　また、この発明に係るセラミック電子部品の製造方法は、焼成によって消失する焼成消失粒子又は内部に空隙を有する中空粒子を含有した生セラミックで内部電極を囲んだ生素体を形成する工程と、該生素体を焼成する工程とを備えたことを特徴とするものである。
　【００１４】
　ここで、前記焼成消失粒子としては脱脂の際には形状を保ってガス化せず、焼成時にガス化して素体から抜ける素材が好ましく、例えばポリエチレンボール、ナイロンボール又はカーボン粒子を使用することができる。前記焼成消失粒子の粒径としては１〜３μｍが好ましい。焼成消失粒子の粒径が１μｍ未満になるとセラミックの見掛けの誘電率ε及び透磁率μを低下させる効果があまり認められなくなり、３μｍを超えるとセラミック電子部品の素体の抗折強度が低下するという不都合があるからである。
　【００１５】
　また、前記中空粒子としては中空シリカボール又は中空アルミナボールを使用することができる。前記中空粒子の内径としては１〜３μｍが好ましい。中空粒子の内径が１μｍ未満になるとセラミックの見掛けの誘電率ε及び透磁率μを低下させる効果があまり認められなくなり、３μｍを超えるとセラミック電子部品の素体の抗折強度が低下するという不都合があるからである。
　【００１６】
　この発明に係るセラミック電子部品の製造方法は、一例として、導電パターンとセラミックパターンとをセラミックグリーンシートに印刷する工程と、該印刷を施したセラミックグリーンシートを積層して生素体を形成する工程と、該生素体を焼成する工程とを備え、前記セラミックパターンは前記焼成消失粒子又は前記中空粒子を含有したセラミックスラリーからなり、前記導電パターンは前記セラミックパターンに取り囲まれている方法（シート法）を採用することができる。
　【００１７】
　また、この発明に係るセラミック電子部品の製造方法は、他の例として、セラミックスラリーの面状印刷と、該印刷によって形成されたセラミックグリーンシートへの導電パターン及びセラミックパターンの印刷とを交互に行なう工程と、該印刷によって形成された生素体を焼成する工程とを備え、前記セラミックパターンは前記焼成消失粒子又は前記中空粒子を含有したセラミックスラリーからなり、前記導電パターンは前記セラミックパターンに取り囲まれている方法（スラリービルド法）を採用することができる。
　【００１８】
　【実施例】
　　　実施例１
　アルミナ系の誘電体材料に、ＰＶＢ１０％、溶剤、及びナイロンボール３μｍφ５％を加え、ボールミルで２０時間攪拌した後、ドクターブレード法にて２０μｍ厚のセラミックグリーンシートを形成した。
　【００１９】
　次に、このセラミックグリーンシートに、Ａｇペーストからなる導電パターンを印刷して、内部電極２０層の積層チップコンデンサを作成した（▲２▼とする）。この積層チップコンデンサの内部電極の交叉面積は０．５０ｍｍ２である。比較品として、全く同じ誘電体材料で、ナイロンボール添加無しのものも、同様に作成した（▲１▼とする）。
　【００２０】
　一方、同様のセラミックグリーンシートを用いてそれぞれ単板（内部電極なし、セラミックグリーンシートのみ積層してカットしたもの）を作成し、１０００℃で焼成した。この焼成体に電極を塗り付け、静電容量から誘電率εを求めたところ、▲１▼ではε＝１０、▲２▼ではε＝９．５となった。つまり本発明により誘電率が５％低下したということである。
　【００２１】
　次に、これらの素体を用いて、積層チップコンデンサを作成した。はじめに容量値を測定したところ、▲１▼では２０．２ｐＦに対し、▲２▼では１９．１ｐＦであった。この結果自体は上記の誘電率の差を反映している。
　【００２２】
　しかしそれでは共振周波数の評価ができないので、▲２▼の内部電極の交叉面積を０．５３ｍｍ２に大きくして、容量合わせを行った。この容量合わせを行った積層チップコンデンサで共振周波数の比較を行ったところ、下の表のような結果となった。つまり誘電率εの低下から予想されるだけの、共振周波数の高周波側へのシフトが起こったということである。
　【００２３】
　【表１】
　【００２４】
　上記内容をさらに確認するため、ナイロンボールの添加量や、粒径を変化させて共振周波数がどのように変化するかを確認した。このときも上の例と同様に容量は２０±０．３ｐＦに合わせた。
　【００２５】
　【表２】
　【００２６】
　上の表より、ポアの含有割合に見合うだけの誘電率εの低下、及びそれに伴う共振周波数のシフトが認められた。
　【００２７】
　なお、添加するポア発生材としては、カーボン粒子、ポリエチレンボール、中空シリカボール、中空アルミナボールでも同様の効果があることを確認した。また、同様の実験を積層インダクタに対して行ったときも、結果は同様で、材料の透磁率μ、誘電率εの低下に伴う共振周波数のシフトが観察された。
　【００２８】
　　　実施例２
　実施例１では素体全体にポアが存在するが、これでは素体の表面にもポアが形成されてしまう。その結果として、素体の強度が落ちるおそれがある。実施例２では実施例１の利点はそのままに、素体強度も従来品並みのものが得られる構造・製造方法を提供する。
　【００２９】
　上で述べた方法を実現するために、ポアを内部電極の近傍だけに分布させ、表面付近は緻密な状態を保つようにする。この方法では、実施例１のメリットのほかに、素体の表面にポアが含まれないため、チップ強度は従来品と同等に保てるというメリットが生まれる。また内部電極近くのセラミック、すなわち電気特性に影響の大きい部分は、ポーラスな構造になっているため、電気特性は実施例１と同等の物が期待できる。
　【００３０】
　具体的な製造方法は、ＰＶＢバインダとナイロンボールを分散したペーストを別途作成し、シート上に導電パターンを取り囲むパターンでナイロンボールペーストを印刷して、積層チップコンデンサを作成した。積層チップコンデンサの作成条件は、ナイロンボールペーストを内部電極の上からスクリーン印刷すること以外は、実施例１と同様である。ナイロンボールペーストは、ナイロンボール１００ｗｔ％に対し、ＰＶＢ３０ｗｔ％、溶剤４０ｗｔ％にて３本ロールで分散して作成した。
　【００３１】
　下の表に結果を示す。丸数字の右に※印があるのが実施例２による積層チップコンデンサである。それぞれ実施例１によるものと対応して書いた。実施例１の積層チップコンデンサでは従来例に対して抗折強度が下がっているが、本実施例ではほゞ従来品並みの強度が得られている。
　【００３２】
　【表３】
　【００３３】
　なお、本実施例で示した方法は、導電ペースト中にカーボン、ポリエチレンボールなどのポア形成材料を分散することでも実現できることも確認した。
　【００３４】
　【発明の効果】
　この発明によれば、セラミック電子部品のセラミック部分の見かけの誘電率ε及び透磁率μを下げることができるので、セラミック電子部品の共振周波数を高め、高周波特性を向上させることができるという効果がある。