【事件の表示】
　特許第３２９７５６７号「半導体素子収納用パッケージおよびその実装構造」の請求項１ないし３、５、６に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第３２９７５６７号の請求項１ないし３、５、６に係る特許を維持する。
【理　由】
 １．手続の経緯
  本件特許は、特許法第４１条に基づく優先権主張を伴う平成７年７月３１日（優先日、平成７年２月９日）に特許出願したものであって、請求項１〜６に係る発明につき平成１４年４月１２日に特許権の設定登録がなされた後、平成１４年１２月２８日に特許異議申立人である寺尾健吾から請求項１〜３、５、６に係る発明の特許について特許異議の申立がなされ、取消の理由が通知され、その指定期間内である平成１５年１０月７日に意見書が提出されたものである。
　
２．特許異議の申立についての判断
（１）取消理由の概要
　本件特許の請求項１〜３、５、６に係る発明は、出願前に日本国内において頒布された刊行物１〜３に記載された発明に基づいて、その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定に違反して特許されたものである。
刊行物１：特開平２−８３９６３号公報（特許異議申立書の甲第１号証）
刊行物２：特開平７−２２５３８号公報（同上甲第２号証）
刊行物３：特公平４−１２６３９号公報（同上甲第３号証）
　
（２）本件発明
　本件特許の請求項１〜３、５、６に係る発明（以下、「本件発明１」〜「本件発明３」、「本件発明５」、「本件発明６」）は、特許明細書の特許請求の範囲の請求項１〜３、５、６に記載された事項により特定される次のとおりのものである。
「【請求項１】絶縁基板と、該絶縁基板の下面または側面に形成された接続パッドと、該接続パッドと前記絶縁基板の上面に載置された半導体素子の電極とを電気的に接続するためのメタライズ配線層とを具備し、前記接続パッドをロウ材を介して接合することによって、少なくとも有機樹脂を含み４０〜４００℃の温度範囲における熱膨張係数が１２０〜１６０×１０−７／℃の絶縁体と配線導体とから構成される外部電気回路基板に実装される半導体素子収納用パッケージにおいて、前記絶縁基板が、ＳｉＯ２およびＡｌ２Ｏ３を主体とする焼結体であって、該焼結体中に少なくともクリストバライト結晶および／またはムライト結晶相が析出してなり、且つ４０〜４００℃の温度範囲における熱膨張係数が８０〜１８０×１０−７／℃のセラミック焼結体からなることを特徴とする半導体素子収納用パッケージ。
【請求項２】絶縁基板と、該絶縁基板の下面または側面に形成された接続パッドと、該接続パッドと前記絶縁基板の上面に載置された半導体素子の電極とを電気的に接続するためのメタライズ配線層とを具備し、前記接続パッドをロウ材を介して接合することによって、少なくとも有機樹脂を含み４０〜４００℃の温度範囲における熱膨張係数が１２０〜１６０×１０−７／℃の絶縁体と配線導体とから構成される外部電気回路基板に実装される半導体素子収納用パッケージにおいて、前記絶縁基板が、８５０〜１３００℃の温度で焼成されたものであって、４０〜４００℃の温度範囲における熱膨張係数が６０×１０−７／℃以上の結晶相が析出してなり、且つ４０〜４００℃の温度範囲における熱膨張係数が８０〜１８０×１０−７／℃のセラミック焼結体からなることを特徴とする半導体素子収納用パッケージ。
【請求項３】前記接続パッドにロウ材からなる接続端子が取着されている請求項１または請求項２記載の半導体素子収納用パッケージ。
【請求項５】ＢＧＡ型またはＬＣＣ型であることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか記載の半導体素子収納用パッケージ。
【請求項６】少なくとも有機樹脂を含む４０〜４００℃の温度範囲における熱膨張係数が１２０〜１６０×１０−７／℃の絶縁体の表面に配線導体が被着形成された外部電気回路基板上に、前記請求項１乃至請求項５のいずれか記載の半導体素子収納用パッケージを載置し、該半導体素子収納用パッケージの前記接続パッドを前記配線導体にロウ材を介して接合してなることを特徴とする半導体素子収納用パッケージの実装構造。」
　
（３）刊行物１〜３の記載事項
　刊行物１には、以下の事項が記載されている。
（１ａ）「低誘電率有機多層基板上のチップ、もしくは、チップキャリア搭載基板域に形成された多端子と、表裏面を導通させた低膨張低誘電率の複数個に分離された各々のセラミックス基板の多端子とをはんだ付けし、前記低誘電率有機多層基板および前記セラミックス基板の間隙を樹脂で充填接着して、一体化し、前記セラミックス基板上に前記チップキャリア搭載することを特徴とする有機無機複合多層基板。」（特許請求の範囲第１項）
（１ｂ）「前記低誘電率有機多層基板の熱膨張係数をαｐ、前記セラミックス基板の熱膨張係数をαｃ１、樹脂の熱膨張係数をαｒ、ヤング率をＥｒ、前記チップもしくはチップキャリアの熱膨張係数をαｃ２としたとき、αｃ１＝αｃ２、αｐ−αｃ２＜７×１０−６、５×１０−６＜αｒ＜３０×１０−６、０．００７＜αｒ・Ｅｒ＜０．０３の条件を満たした組合せを特徴とする有機無機複合多層基板。」（特許請求の範囲第４項）
（１ｃ）「（ａ）の低誘電率テフロン系多層基板２（以下、プリント基板とよぶ）上には、スルーホールと接続された箔の端子３が格子状に配置されている。・・・
　セラミックス基板として、この他に低膨張、低誘電率のムライト基板（Ａｌ２Ｏ３・ＳｉＯ２）も可能である。ムライトの配線層はＷ導体ではんだ接続端子はＷ上にＮｉ−Ａｕめっきを施す。・・・
・・・はんだの供給は約０．３φのボールを用いて、まず、セラミックス基板側に接合させることにした。セラミックス基板とプリント基板間の接続部の間隙は約１５０μｍである。はんだ付けはロジン系フラックスを用いて炉中で行った。」（第５頁右下欄末行〜第６頁右上欄第９行）
（１ｄ）「第５図は有機無機複合多層基板にＳｉチップを搭載したものを（左側）とチップキャリアを搭載したもの（右側）の断面図を示す。・・・右側のチップキャリアはチップキャリアの基板も同一の熱膨張係数をもつ低誘電率がガラスセラミックス基板であるため接合部は高信頼性である。プリント板上のガラスセラミックス基板はチップキャリアよりも広くすることにより、補修布線用端子１９を形成し、隣接セラミックスへの配線を可能にした。なお、チップキャリアの取外しにはＰｂ−６０％Ｓｎはんだ１６（融点１８３℃）を用いており、有機無機複合多層基板を作っているＳｎ−５％Ｓｂはんだ（融点２３２℃）を溶かさないで、接合できる仕組にした。また、チップキャリア内のＳｉチップはＰｂ−５％Ｓｎはんだ（融点３００℃）、封止部、ヒートシンク部Ｐｂ−１５％Ｓｎはんだ（融点２６０℃）を用いており、リペア、はんだ付時間に問題はないシステムにした。」（第７頁左下欄第１９行〜右下欄末行）
（１ｅ）第５図には、セラミックス基板上にチップキャリアが載っており、チップキャリアの中にチップが収納されていることが示されている。
（１ｆ）「有機多層基板（８×１０−６／℃）上にセラミックス基板（３．５×１０−６／℃）を複合した基板」（第３頁左下欄第３〜５行）
（１ｇ）「例えば、・・・ガラスセラミックス（熱膨張係数は３．５×１０−６／℃）を有機多層基板２（熱膨張係数８〜１０×１０−６／℃）にフリップチップした」
　刊行物２には、以下の事項が記載されている。
（２ａ）「下面側にマザーボード接続用の複数の半田バンプを有するプリント樹脂基板の上面側にＩＣチップをワイヤーボンディング実装し、該ＩＣチップをトランスファーモールドにより樹脂封止するボールグリッドアレイ型半導体パッケージの構造において、前記複数の半田バンプの高さを、プリント樹脂基板の中央部から外周部に向かって漸次変化させることを特徴とするボールグリッドアレイ型半導体パッケージの構造。」（特許請求の範囲【請求項１】）
（２ｂ）「前記ボールグリッドアレイ型半導体パッケージを構成するプリント樹脂基板に使用されるガラスエポキシ樹脂とトランスファーモールドに使用される熱硬化性樹脂とで、それぞれの樹脂の線膨張係数は、ガラスエポキシ樹脂は１４×１０−６１／°Ｃ」（【０００９】）
　刊行物３には、以下の事項が記載されている。
（３ａ）「セラミック絶縁板と、銅、銀、金又はこれらの合金の導体パターンが交互に積層されたセラミック多層配線回路板において、前記セラミック絶縁板は、石英ガラス、石英、クリストバライト及びトリジマイトのうちの少なくとも２種の熱膨張係数の異なる物質を１０〜７０重量％含み、残部がガラスからなり、かつ比誘電率が４．０〜６．０で、熱膨張係数が３．２×１０−６〜１０．３×１０−６／℃であることを特徴とするセラミック多層配線回路板。」（特許請求の範囲）
（３ｂ）「セラミック絶縁板はその組成が決まると熱膨張係数もほぼ決まるのが一般的である。本発明では結晶形の異なる酸化ケイ素を２種以上混合し、低融点のガラスで焼結したセラミックスであるため、セラミックスの熱膨張係数を室温から４００℃の範囲をとると１×１０−６／℃〜２０×１０−６／℃までに任意に制御することが可能である。」（第２頁右欄第５〜１２行）
　
（４）対比・判断
本件発明１について
　刊行物１の摘記事項（１ａ）、（１ｃ）及び（１ｄ）における「セラミックス基板」、摘記事項（１ｃ）における「接続端子」、「配線層」、摘記事項（１ｄ）における「Ｓｉチップ」は、各々順に本件発明１における「絶縁基板」、「接続パッド」、「メタライズ配線層」、「半導体素子」に相当している。また、（１ｃ）に「低誘電率テフロン系多層基板２（以下、プリント基板とよぶ）」と記載され、刊行物１の摘記事項（１ａ）及び（１ｂ）における「有機多層基板」と摘記事項（１ｃ）における「プリント基板」は同じ基板を意味するものであり、本件発明１における「外部電気回路基板」に相当している。そして、「プリント基板」が「有機多層基板」であるから、「少なくとも有機樹脂を含む」ものであることは明らかである。
　摘記事項（１ｃ）には「セラミックス基板として、この他に低膨張、低誘電率のムライト基板（Ａｌ２Ｏ３・ＳｉＯ２）も可能である」と記載されており、前記「セラミックス基板」は「ＳｉＯ２およびＡｌ２Ｏ３を主体とする焼結体であって、該焼結体中に少なくともクリストバライト結晶および／またはムライト結晶相が析出」したものであることは明らかである。また、摘記事項（１ｃ）によれば、接続端子をはんだを介して接合することでセラミック基板とプリント基板が接合されているから、絶縁基板が「接続パッドをロウ材を介して接合することによって外部電気回路基板に実装」されていることも明らかである。
　そして、第５図及びそれについての摘記事項（１ｄ）を参照すれば、チップがチップキャリアの中に収納されており、刊行物１における「チップキャリア」、「セラミックス基板」、「接続端子」及び「配線層」をまとめたものが、本件発明１における「半導体素子収納用パッケージ」に相当している。
　したがって、摘記事項（１ａ）、（１ｃ）〜（１ｅ）を総合すると、「絶縁基板と、該絶縁基板の下面または側面に形成された接続パッドと、該接続パッドと前記絶縁基板の上面に載置された半導体素子の電極とを電気的に接続するためのメタライズ配線層とを具備し、前記接続パッドをロウ材を介して接合することによって、少なくとも有機樹脂を含む絶縁体と配線導体とから構成される外部電気回路基板に実装される半導体素子収納用パッケージにおいて、前記絶縁基板が、ＳｉＯ２およびＡｌ２Ｏ３を主体とする焼結体であって、該焼結体中に少なくともクリストバライト結晶および／またはムライト結晶相が析出してなるセラミック焼結体からなる半導体素子収納用パッケージ」（以下、「刊行物１記載の発明」という。）が記載されている。
　本件発明１と刊行物１記載の発明とを対比すると、両者は「絶縁基板と、該絶縁基板の下面または側面に形成された接続パッドと、該接続パッドと前記絶縁基板の上面に載置された半導体素子の電極とを電気的に接続するためのメタライズ配線層とを具備し、前記接続パッドをロウ材を介して接合することによって、少なくとも有機樹脂を含む絶縁体と配線導体とから構成される外部電気回路基板に実装される半導体素子収納用パッケージにおいて、前記絶縁基板が、ＳｉＯ２およびＡｌ２Ｏ３を主体とする焼結体であって、該焼結体中に少なくともクリストバライト結晶および／またはムライト結晶相が析出してなるセラミック焼結体からなる半導体素子収納用パッケージ」の点で一致するが、刊行物１記載の発明では、外部電気回路基板の絶縁体が「４０〜４００℃の温度範囲における熱膨張係数が１２０〜１６０×１０−７／℃」であること、及びセラミック焼結体が「４０〜４００℃の温度範囲における熱膨張係数が８０〜１８０×１０−７／℃」であることが示されていない点で相違する。
　上記相違点について検討するに、刊行物１では、摘記事項（１ｂ）に「前記低誘電率有機多層基板の熱膨張係数をαｐ、前記セラミックス基板の熱膨張係数をαｃ１、・・・、前記チップもしくはチップキャリアの熱膨張係数をαｃ２としたとき、αｃ１＝αｃ２、αｐ−αｃ２＜７×１０−６」、すなわち、有機多層基板の熱膨張係数とセラミックス基板の熱膨張係数の差が７×１０−６未満であることが示されているが、摘記事項（１ｆ）及び（１ｇ）によれば、有機多層基板の熱膨張係数が８〜１０×１０−６／℃（８０〜１００×１０−７／℃）、セラミックス基板の熱膨張係数は３．５×１０−６／℃（３５×１０−７／℃）であることが記載されており、これが如何なる温度範囲の熱膨張係数か不明でそれが室温におけるものと推定しても、各々「４０〜４００℃の温度範囲における熱膨張係数が１２０〜１６０×１０−７／℃」、「４０〜４００℃の温度範囲における熱膨張係数が８０〜１８０×１０−７／℃」には全く重複しない値である。
　刊行物２における「プリント樹脂基板」は、摘記事項（２ｂ）を参照するに、その値は「１４×１０−６１／°Ｃ（１４０×１０−７１／°Ｃ）」であるから、本件発明１の「４０〜４００℃の温度範囲における熱膨張係数が１２０〜１６０×１０−７／℃」と一応重複するものである。しかしながら、刊行物２記載の発明は、摘記事項（２ａ）に記載のとおり、絶縁基板としてセラミック焼結体を用いない半導体パッケージであり、本件発明１の絶縁基板としてセラミック焼結体を用いる際の技術課題を解決する半導体素子収納用パッケージとは、基本的にその技術思想が異なるものである。したがって、刊行物２記載の「プリント樹脂基板」の熱膨張係数が、本件発明１における外部電気回路基板の絶縁体の熱膨張係数と重複するからといって、この「プリント樹脂基板」の熱膨張係数を刊行物１記載の「有機多層基板」の熱膨張係数に採用する動機付けはなく、本件発明１の外部電気回路基板の絶縁体が「４０〜４００℃の温度範囲における熱膨張係数が１２０〜１６０×１０−７／℃」であることを導き出せるものではない。
　刊行物３には、摘記事項（３ａ）及び（３ｂ）によれば、室温から４００℃の範囲における熱膨張係数が１×１０−６／℃〜２０×１０−６／℃（１０×１０−７／℃〜２００×１０−７／℃）であるセラミック多層配線回路板に用いるセラミック絶縁板が記載されており、このセラミック絶縁板は本願発明１の「４０〜４００℃の温度範囲における熱膨張係数が８０〜１８０×１０−７／℃」であることを満たすが、刊行物３には「絶縁基板と、該絶縁基板の下面または側面に形成された接続パッドと、該接続パッドと前記絶縁基板の上面に載置された半導体素子の電極とを電気的に接続するためのメタライズ配線層とを具備し、前記接続パッドをロウ材を介して接合することによって、少なくとも有機樹脂を含む絶縁体と配線導体とから構成される外部電気回路基板に実装される半導体素子収納用パッケージ」における絶縁基板として、このセラミック絶縁体を用い得ることについて何ら示唆はないため、刊行物１記載の「セラミックス基板」に替えて刊行物３記載のセラミック絶縁板を用いることにならず、本件発明１のセラミック焼結体が「４０〜４００℃の温度範囲における熱膨張係数が８０〜１８０×１０−７／℃」であることを導き出せるものではない。
　よって、上記相違点はいずれも刊行物２及び３からは導き出せず、本件発明１はそれにより特許明細書記載の「熱膨張係数が大きいプリント基板などの外部電気回路基板に実装した場合に、両者の熱膨張係数の差に起因する応力発生を抑制し、パッケージと外部電気回路とを長期間にわたり正確、かつ強固に電気的接続させることが可能となる。しかも、半導体回路素子の大型化による多ピン化に十分対応できる信頼性の高いパッケージの実装構造を実現できる。」（【００６６】）との顕著な効果を奏するものであるから、本件発明１は刊行物１〜３に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
　
本件発明２について
　本件発明２は、本件発明１の「ＳｉＯ２およびＡｌ２Ｏ３を主体とする焼結体であって、該焼結体中に少なくともクリストバライト結晶および／またはムライト結晶相が析出してなり」を「８５０〜１３００℃の温度で焼成されたものであって、４０〜４００℃の温度範囲における熱膨張係数が６０×１０−７／℃以上の結晶相が析出してなり」とする発明で、その他の特定事項については本件発明１と同じであり、外部電気回路基板の絶縁体が「４０〜４００℃の温度範囲における熱膨張係数が１２０〜１６０×１０−７／℃」であること、及びセラミック焼結体が「４０〜４００℃の温度範囲における熱膨張係数が８０〜１８０×１０−７／℃」であることを発明の特定事項とするものであるから、本件発明１と同様、本件発明２は、刊行物１〜３に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
　
本件発明３及び５について
　本件発明３は本件発明１又は２を引用しており、本件発明５は本件発明１〜３のいずれかの発明を引用しているから、本件発明３及び５は、刊行物１〜３に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
　
本件発明６について
　本件発明６は、半導体素子収納用パッケージの実装構造の発明であるが、本件発明１〜３及び５のいずれかの発明を引用しているから、刊行物１〜３に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
　
（６）むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立の理由及び証拠によっては、本件発明１〜３、５、６に係る特許については、拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものであるとすることができないし、しかも他に拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものであるとする理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１５年１２月１０日（２００３．１２．１０）