(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミック絶縁層と、該セラミック絶縁層を厚み方向に貫通するように設けられた貫通導体と、該貫通導体の前記厚み方向の端面に接合してなる導体層と、を備えているセラミック配線基板であって、前記導体層は、厚み方向に断面視したときに、一部が露出した状態で前記セラミック絶縁層に埋まっており、前記導体層の露出した表面を第１面、前記貫通導体側の表面を第２面としたときに、前記第１面の幅が前記第２面の幅よりも大きくなっているとともに、前記導体層の側面が前記第１面側から前記第２面側にかけて傾斜面とされ、該傾斜面と前記貫通導体の側面との角度が９０°よりも大きく、前記貫通導体を厚み方向に断面視したときに、前記厚み方向の中央部の幅が前記導体層の第２面の幅よりも大きく、前記貫通導体の側面は前記中央部から前記導体層側にかけて曲面をなしていることを特徴とするセラミック配線基板。
【請求項２】
前記傾斜面と前記貫通導体の側面とが接していることを特徴とする請求項１に記載のセラミック配線基板。
【請求項３】
前記導体層の傾斜面は凹状の曲面をなしていることを特徴とする請求項１または２に記載のセラミック配線基板。
【請求項４】
前記導体層の前記第１面は、前記セラミック絶縁層の表面と同一面となるように前記セラミック絶縁層内に埋設されていることを特徴とする請求項１乃至３のうちいずれかに記載のセラミック配線基板。
【請求項５】
前記セラミック絶縁層の周縁部に沿って枠体が設けられていることを特徴とする請求項１乃至４のうちいずれかに記載のセラミック配線基板。
【請求項６】
請求項１乃至５のうちいずれかに記載のセラミック配線基板の前記導体層上に電子部品が配置されていることを特徴とする電子部品実装パッケージ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、セラミック配線基板および電子部品実装パッケージに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、半導体素子や水晶振動子などの電子部品を搭載する配線基板として、セラミック配線基板が多用されている。
【０００３】
図７（ａ）は、従来のセラミック配線基板を示す断面模式図であり、（ｂ）は、（ａ）の導体層および貫通導体を抜き出した模式図である。図７に示すように、セラミック配線基板１００は、一般に、セラミック絶縁層１０１と、この表面に設けられた導体層１０３と、導体層１０３と接合され、セラミック絶縁層１０１を厚み方向に貫通するように設けられた貫通導体１０５と、を有する構成を基本としている。
【０００４】
セラミック配線基板１００は、近年、携帯電話に代表される移動端末装置の小型化および高機能化に伴い、さらなる小型化が要求されており、このためセラミック配線基板１００の表面や内部に形成される導体層１０３および貫通導体１０５についても、さらなる微細化が検討されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００１−１５８９５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
図７（ａ）（ｂ）に示すセラミック配線基板１００は、導体層１０３と貫通導体１０５との接合面Ｓ付近で幅がｗ４からｗ５へ急激に変化する形状である。このようなセラミック配線基板１００を厚み方向に断面視したときに、導体層１０３のセラミック絶縁層１０１の内部側（貫通導体１０５側）の表面１０３ｓと貫通導体１０５の側面１０５ｓとが接した部分（以下、角部１０６という。）は接触角がほぼ直角であり、曲率半径Ｒが限りなく０に近い構造である。このため、セラミック配線基板１００に急激な熱衝撃が加わり熱応力が発生した場合には、導体層１０３と貫通導体１０５との角部１０６に応力集中（矢印Ｓｃで示している）が起こりやすく、接合面Ｓ付近にクラックが入りやすいという問題がある。
【０００７】
従って、本発明は、上記課題に鑑み案出されたものであり、その目的は、導体層と貫通導体との間の接合面でのクラックの発生を抑えることのできるセラミック配線基板および電子部品実装パッケージを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明のセラミック配線基板は、セラミック絶縁層と、該セラミック絶縁層を厚み方向に貫通するように設けられた貫通導体と、該貫通導体の前記厚み方向の端面に接合してなる導体層と、を備えているセラミック配線基板であって、前記導体層は、厚み方向に断面視したときに、一部が露出した状態で前記セラミック絶縁層に埋まっており、前記導体層の露出した表面を第１面、前記貫通導体側の表面を第２面としたときに、前記第１面の幅が前記第２面の幅よりも大きくなっているとともに、前記導体層の側面が前記第１面側から前記第２面側にかけて傾斜面とされ、該傾斜面と前記貫通導体の側面との角度が９０°よりも大きく、前記貫通導体を厚み方向に断面視したときに、前記厚み方向の中央部の幅が前記導体層の第２面の幅よりも大きく、前記貫通導体の側面は前記中央部から前記導体層側にかけて曲面をなしている。
【０００９】
本発明の電子部品搭載パッケージは、上記のセラミック配線基板の前記導体層上に電子部品が配置されている。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、導体層と貫通導体との間の接合面でのクラックの発生を抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】（ａ）は、本発明のセラミック配線基板の第１の実施形態を模式的に示す斜視図であり、（ｂ）は、（ａ）のＡ−Ａ線断面図であり、（ｃ）は、（ｂ）の導体層および貫通導体を抜き出した模式図である。
【図２】（ａ）は、第２の実施形態のセラミック配線基板を示す断面模式図であり、（ｂ）は、（ａ）の導体層および貫通導体を抜き出した模式図である。
【図３】（ａ）は、第３の実施形態のセラミック配線基板を示す断面模式図であり、（ｂ）は、（ａ）の導体層および貫通導体を抜き出した模式図である。
【図４】（ａ）は、第４の実施形態のセラミック配線基板を模式的に示す斜視図であり、（ｂ）は、（ａ）のＢ−Ｂ線断面図である。
【図５】本発明の電子部品実装パッケージの一実施形態を示す断面模式図である。
【図６】第１の実施形態のセラミック配線基板の製造工程を示す模式図である。
【図７】（ａ）は、従来のセラミック配線基板を示す断面模式図であり、（ｂ）は、（ａ）の導体層および貫通導体を抜き出した模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
図１（ａ）は、本発明のセラミック配線基板の第１の実施形態を模式的に示す斜視図であり、（ｂ）は、（ａ）のＡ−Ａ線断面図であり、（ｃ）は、（ｂ）の導体層および貫通導体を抜き出した模式図である。
【００１３】
第１の実施形態のセラミック配線基板は、平板上のセラミック絶縁層１を基体とし、基体であるセラミック絶縁層１の表面１ａに複数の円板状の導体層３が離間されて設けられている。セラミック絶縁層１は、その内部に、セラミック絶縁層１を厚み方向に貫通するように設けられた円柱状の貫通導体５を有している。貫通導体５はセラミック絶縁層１の表面１ａに設けられた導体層３とセラミック絶縁層１の表面１ａ付近で接合されている。
【００１４】
この場合、導体層３は、セラミック絶縁層１を厚み方向に断面視したときに、その一部が露出した状態でセラミック絶縁層１に埋まった状態にある。
【００１５】
また、この導体層３について、セラミック絶縁層１の表面１ａ側の表面（露出した表面）を第１面３ａ、セラミック絶縁層１の内部側の表面（貫通導体５側の表面）を第２面３ｂとすると、導体層３の第１面３ａの幅ｗ１（または直径Ｄ１）が貫通導体５側の第２面３ｂの幅ｗ２（直径Ｄ２）よりも大きくなっている。
【００１６】
また、導体層３の側面３ｓは、第１面３ａ側から第２面３ｂ側に向けて、貫通導体５の側面５ｓとの間で傾斜した面（以下、傾斜面７という場合がある。）となっている。このとき、導体層３の側面３ｓ（傾斜面７）と貫通導体５の側面５ａとの角度は９０°よりも大きい。
【００１７】
第１の実施形態のセラミック配線基板は、導体層と貫通導体の側面との接した部分の接触角がほぼ直角であるような図７（ａ）（ｂ）に示した従来のセラミック配線基板に比べて、導体層３の側面３ｓと貫通導体５の側面５ｓとの間の角度が大きくなっている。
【００１８】
このような構成によれば、セラミック配線基板に急激な熱衝撃が加わり、熱応力が発生し、接合面Ｓ付近に応力Ｓｃが集中するような場合でも、その集中した応力Ｓｃは、導体層３および貫通導体５の内部において、図１（ｃ）に示すように、例えば、断面視で平行四辺形を形成する辺ａ１、辺ａ２および辺ａ３の方向に分散されることになる。このように応力Ｓｃが接合面Ｓ付近で分散されるためクラックの発生を抑えることができる。
【００１９】
ここで、接合面Ｓ付近とは、導体層３の側面３ｓ（傾斜面７）と貫通導体５の側面５ｓとが交わる部分から上下に±１０μｍ以内の領域が目安になる。また、導体層３の側面３ｓ（傾斜面７）と貫通導体５の側面５ａとの角度θとしては、導体層３の第１面３ａの幅ｗ１（直径Ｄ１）が第２面３ｂの幅ｗ２（Ｄ２）よりも大きくなる角度θを有していれば良く、例えば、１００°〜１６０°が望ましい。
【００２０】
図２（ａ）は、第２の実施形態のセラミック配線基板を示す断面模式図であり、（ｂ）は、（ａ）の導体層および貫通導体を抜き出した模式図である。第２の実施形態のセラミック配線基板の外観形状は、図１に示したセラミック配線基板と同様であるため省略した。
【００２１】
第２の実施形態のセラミック配線基板は、図２（ａ）（ｂ）に示すように、導体層３の側面３ｓが、導体層３の表面である第１面３ａ側から貫通導体５との接合面Ｓ側の表面である第２面３ｂにかけて凹状の曲面を成す形状である。この場合、導体層３の側面３ｓは貫通導体５の側面５ｓにかけて滑らかな曲面を有している。
【００２２】
導体層３の側面３ｓが凹状の曲面を有し、さらに貫通導体５の側面５ｓにかけて連続した曲面を成す形状であると、導体層３の側面３ｓと貫通導体５の側面５ｓとの間で図１（ａ）（ｂ）（ｃ）に示すセラミック配線基板の場合とは異なり、導体層３の側面３ｓと貫通導体５の側面５ｓとの間で角度θを有しない形状となる。これにより接合面Ｓ付近においても湾曲した側面３ｓにおいて無数の法線方向に応力が分散されるため、導体層３と貫通導体５との接合面Ｓ付近における応力Ｓｃをより分散させることができる。その結果、クラックの発生をより抑制することができる。
【００２３】
この場合、導体層３の側面３ｓの曲面の曲率半径Ｒとしては、少なくとも導体層３の第１面３ａ側の幅ｗ１（直径Ｄ１）が貫通導体５の直径Ｄ３よりも大きくなる凹状の曲面を有するものであれば良く、セラミック配線基板に形成された導体層３のサイズによって変化するが、後述する具体例のセラミック配線基板の場合には、例えば、５〜３０μｍ、特に、７〜２５μｍであることが望ましい。
【００２４】
図３（ａ）は、第３の実施形態のセラミック配線基板を示す断面模式図であり、（ｂ）は、（ａ）の導体層および貫通導体を抜き出した模式図である。第３の実施形態のセラミック配線基板についても、その外観形状は、図１に示したセラミック配線基板と同様であるため省略した。
【００２５】
第３の実施形態のセラミック配線基板は、貫通導体５の側面５ｓが、導体層３の側面３ｓに続いて曲面を有する形状となっている。例えば、図３（ａ）（ｂ）に示すように、貫通導体５はセラミック配線基板の厚み方向の中央部５ｃにおける幅ｗ３（直径Ｄ３）が導体層３との接合面Ｓとなっている端面５ｂ（導体層３の第２面３ｂの幅ｗ２（直径Ｄ２））よりも大きくなっている。この場合、導体層３の側面３ｓから貫通導体５の中央部５ｃまでの側面５ｓが連続した曲面となっている。
【００２６】
導体層３から貫通導体５までの側面３ｓ、側面５ｓが、上述のような曲面を有する構造
であると、上層側の導体層３から貫通導体５を介した下層側の導体層３に至る範囲において、これらの導体層３の幅ｗ１（直径Ｄ１）、幅ｗ２（直径Ｄ２）および貫通導体５の幅ｗ３（直径Ｄ３）が変化する境界をさらに緩やかにすることができる。これにより導体層３と貫通導体５との接合面Ｓ付近のみならず、接合面Ｓ付近の貫通導体５側に応力集中が及ぶ場合にもその応力集中をさらに緩和することができる。これによりクラックの発生をさらに抑制することが可能になる。
【００２７】
図４（ａ）は、第４の実施形態のセラミック配線基板を模式的に示す斜視図であり、（ｂ）は、（ａ）のＢ−Ｂ線断面図である。第１〜第３の実施形態のセラミック配線基板は、上記したセラミック絶縁層１の周縁部１ｂに枠体９が設けられた構造にも適用することができる。
【００２８】
図４（ａ）（ｂ）では、セラミック配線基板が加熱された際に、セラミック絶縁層１および枠体９が熱膨張する方向を矢印ａ４、ａ５として示している。この場合、熱膨張する方向がセラミック配線基板の外側に向く矢印をａ４とし、セラミック配線基板の内側に向く矢印をａ５として表している。図４（ａ）に示すように、セラミック配線基板が加熱された場合には、セラミック絶縁層１は導体層３および貫通導体５を含め中実体であるため、熱膨張は外側のみに向くが、枠体９は導体層３の設けられている電子部品の搭載領域１ｃ側に空間を有することから、枠体９の内壁側に向けた方向にも熱膨張する。このため、枠体９に発生する熱膨張の方向とセラミック絶縁層１に発生する熱膨張の方向とは反対の向きとなる。
【００２９】
その結果、枠体９はセラミック絶縁層１に対して熱膨張を拘束するように作用することになるため、図４に示した第４の実施形態のセラミック配線基板は、上記した枠体９を有しない平板型のセラミック配線基板に比較して、電子部品の搭載領域１ｃ内に設けられた導体層３と貫通導体５との接合部Ｓ付近は熱膨張に起因する熱応力が高くなる。
【００３０】
これに対し、第４の実施形態のセラミック配線基板では、導体層３の側面３ｓと貫通導体５の側面５ｓとの間の角度θが９０°よりも大きくなっていることから、接合面Ｓ付近における応力Ｓｃを分散させることができる。
【００３１】
こうして、セラミック絶縁層１の電子部品の搭載領域１ｃを囲む周縁部１ｂに枠体９を有する構造の場合にも導体層３と貫通導体５との間の接合面Ｓ付近にクラックが発生するのを抑制することができる。
【００３２】
ここでは、枠体９を備えたセラック配線基板について、第１の実施形態のセラミック配線基板に枠体９を設けた例を示して説明したが、枠体９を備えた構造については、第２および第３の実施形態のセラミック配線基板に枠体９を設けた構造でも同様の効果を得ることができる。
【００３３】
また、上記した第１〜４の本実施形態のセラミック配線基板では、導体層３（第１面３ａ）はセラミック絶縁層１の表面１ａに面一となるように埋設されていることが望ましい。導体層３（第１面３ａ）がセラミック絶縁層１の表面１ａに面一となるように埋設されている状態であると、導体層３と貫通導体５との接合面Ｓ付近の熱変形（収縮、膨張)が
セラミック絶縁層１に拘束されやすくなるため、接合面Ｓ付近におけるセラミック絶縁層１と、導体層３および貫通導体５である金属部材との間の熱変形による収縮量の差（または膨張量の差）を小さくすることができる。これにより接合面Ｓ付近におけるクラックの発生をさらに抑制することができる。
【００３４】
セラミック配線基板のサイズとしては、セラミック絶縁層１の面積が０．５〜５ｍｍ２
、平均厚みが０．０５〜１ｍｍであり、枠体９の高さが０.２５〜１.０ｍｍ、枠体９の平均厚みが０．０５〜０．１５ｍｍと、セラミック絶縁層１および枠体部９の厚みが薄い小型の電子部品実装パッケージを構成する配線基板に適したものとなる。
【００３５】
つまり、電子部品実装パッケージの外形のサイズ（体積）としては１０ｍｍ３以下が好ましく、さらには、枠体９の上面に蓋体が設けられて、蓋体とセラミック配線基板との熱膨張差が大きい構造の場合にさらに好適なものとなる。
【００３６】
図５は、本発明の電子部品実装パッケージの一実施形態を示す断面模式図である。図５に示す電子部品実装パッケージ（以下、符号Ｂを付す。）は、セラミック配線基板（以下、符号Ａを付す。）として、上記した第４の実施形態のセラミック配線基板Ａを適用した例である。この電子部品実装パッケージＢは搭載面１ｃに電子部品１１が実装されており、さらに枠体９の上面に蓋体１３が接着されている。
【００３７】
本実施形態の電子部品実装パッケージＢによれば、第４の実施形態のセラミック配線基板Ａの構造に基づき、導体層３と貫通導体５との間の接合面Ｓ付近におけるクラックの発生を抑えることが可能となり、これにより電子部品１１の作動安定性の高い電子部品実装パッケージＢを得ることができる。
【００３８】
作製したセラミック配線基板Ａおよび電子部品実装パッケージＢを構成する導体層３および貫通導体５の形状等については、セラミック配線基板Ａおよび電子部品実装パッケージＢの断面を観察した写真から判定する。
【００３９】
セラミック絶縁層１および枠体９は、高い熱伝導性を有し、かつ高強度であるという点でアルミナを主成分とし、これにＳｉおよびＭｇなどの添加剤を含有するものが望ましい。導体層３および貫通導体５の材料としては、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）と銅（Ｃｕ）との複合金属などが好適である。蓋体１３としては、種々のセラミック材料や金属材料を適用することが可能であるが、セラミック絶縁層１にアルミナを適用したときに好適な材料としてコバール(Fe-Ni-Co)を挙げることができる。
【００４０】
次に、本実施形態のセラミック配線基板および電子部品実装パッケージの製造方法について説明する。図６は、第１の実施形態のセラミック配線基板の製造工程を示す模式図である。
【００４１】
まず、セラミック絶縁層１を形成するためのシート状成形体２１を作製する。その組成は、例えば、Ａｌ２Ｏ３粉末を主成分とし、これにＳｉＯ２粉末およびＭｇＯ粉末を所定量添加した混合粉末を用いる。
【００４２】
次に、この混合粉末に対して、有機バインダーを溶媒とともに添加してスラリーや混練物を調製した後、これをプレス法、ドクターブレード法、圧延法、射出法などの成形方法を用いてシート状成形体２１を形成する。
【００４３】
次に、図６（ａ）に示すように、シート状成形体２１の表面に、導体層３となるパッドパターン２３および貫通導体５となるビアパターン２５を形成してパターンシート２６を形成する。この場合、パッドパターン２３およびビアパターン２５はシート状成形体２１の表面に印刷などにより直接形成しても良いが、パッドパターン２３およびビアパターン２５を予め別のフィルム２７上に形成し、パッドパターン２３およびビアパターン２５の付いた方のフィルム２７面をシート状成形体２１の表面に転写する方法を用いても良い。
【００４４】
シート状成形体２１の主成分がアルミナである場合には、導体ペーストとしては、同時
焼成を可能にするという点で、モリブデン（Ｍｏ）を主成分とする金属材料か、または銅（Ｃｕ）とタングステン（Ｗ）との複合金属を主成分とするものが適している。
【００４５】
次に、図６（ｂ）に示すように、一方の面に凹部を有する外側金型２９ａと凹部に嵌る内側金型２９ｂとを用意し、この一組の金型２９ａ、２９ｂを用いて、作製したパターンシート２６をプレス成形する。こうして、図６（ｃ）に示すような成形体３１を作製することができる。
【００４６】
第１〜第４の実施形態のセラミック配線基板に形成される導体層３および貫通導体５の形状は、以下のような条件により形成される。
【００４７】
シート状成形体２１は、後述するプレス成形において変形性が高いことが必要なため、弾性率の低いものが望ましい。例えば、７０℃における貯蔵弾性率が１０〜５０ＭＰａの範囲にあるものが良い。シート状成形体２１の貯蔵弾性率は、レオメータによって、温度２５〜１２５℃の範囲で測定した粘度特性から求める。
【００４８】
導体層３を形成するための導体パターン２３は、金属粉末を主成分とする固形分比率が６０〜７０体積％の導体ペーストを用いて形成する。一方、貫通導体５を形成するための導体パターン２５は、金属粉末を主成分とする固形分比率が導体パターン用の導体ペーストの約１／２のものを用いる。その固形分比率は３０〜４０体積％であるのが良い。
【００４９】
こうした条件のシート状成形体２１および導体ペーストを用いて、シート状成形体２１に導体パターン２３およびビアパターン２５を形成し、プレス成形を行う際の圧縮率（圧下率とも言う。）を調整することによって、第１〜第４の実施形態のセラミック配線基板を得ることができる。この場合、枠体９を備えたセラミック配線基板を作製する場合には、断面が凸の形状をした内側金型２９ｂを用いる。
【実施例】
【００５０】
Ａｌ２Ｏ３粉末９３質量％に対して、ＳｉＯ２粉末を５質量％、ＭｇＯ粉末を２質量％の割合で混合した後、さらに、固形分比率１００質量部に対し、有機バインダーとしてアクリル系バインダーを１９質量部添加してスラリーを調製した。その後、ドクターブレード法にて平均厚みが４００μｍのシート状成形体を作製した。シート状成形体の温度７０℃における貯蔵弾性率は４５ＭＰａであった。
【００５１】
次に、得られたシート状成形体に、図６（ｂ）に示すように、導体パターンおよびビアパターンを形成してパターンシートを作製した。導体パターンの形成には、固形分比率は６５体積％の導体ペーストを用い、ビアパターンの形成には固形分比率が３５体積％の導体ペーストを用いた。
【００５２】
次に、金型を用いて、８０℃の温度でプレス成形を行うことによって導体パターンおよびビアパターンを有する母体成形体を作製した。次いで、母体成形体を所定のサイズに切断して、図１、図２、図３および図４にそれぞれ示す構造の成形体を作製した。
【００５３】
プレス成形したときの圧下率は、プレス成形前のパターンシート中央部の厚み（平均厚み）に対するプレス成形後のパターンシート中央部の厚み（平均厚み）として求めた。
【００５４】
次に、これらの成形体を還元雰囲気中、最高温度が１４００℃となる条件にて１時間の焼成を行った。焼成して得られたセラミック配線基板の導体層の表面にはニッケル、金めっきを順に施した。図１、図２、図３および図４の構造を有するセラミック配線基板は導体層の表面とセラミック絶縁層の表面とが面一となっていた。
【００５５】
得られたセラミック配線基板は、平面の面積が２ｍｍ×２ｍｍ、セラミック絶縁層の厚み（平均厚み）が０．１ｍｍであった。なお、図４に示すセラミック配線基板の枠体の平均厚みは０．１５ｍｍ、枠体の搭載面からの高さは０．５ｍｍであった。
【００５６】
次に、得られたセラミック配線基板の搭載領域に電子部品として水晶発振素子を実装し、ロウ材（銀ロウ）を介して蓋体を接合して電子部品搭載パッケージを作製した。
【００５７】
次に、作製した電子部品搭載用基板を３００℃に加熱した半田槽に約１秒間浸漬する方法で耐熱衝撃試験を行った。クラックの確認はセラミック配線基板を断面研磨した試料を用いて行った。試料数は各１００個とした。
【００５８】
作製したセラミック配線基板を構成する導体層および貫通導体の形状等について、導体層を厚み方向に断面視したときに、一部が露出した状態でセラミック絶縁層に埋まっている状態、導体層の露出した表面を第１面、貫通導体側の表面を第２面としたときに、第１面の幅が第２面の幅よりも大きくなっている状態、導体層が第１面側から前記第２面側にかけて傾斜面となっている状態、傾斜面と貫通導体の側面との角度が９０°よりも大きいといった状態は、セラミック配線基板の断面を観察した写真から判定した。
【００５９】
この際に、導体層と貫通導体との接合面付近の導体層の幅ｗ２（直径）、貫通導体の中央部の幅ｗ３（直径）、接合面付近の導体層の側面と貫通導体の側面との角度、導体層の側面から貫通導体の側面にかけての曲率半径を算出した。
【００６０】
作製した試料（試料Ｎｏ．２〜７）は、導体層が露出した状態でセラミック絶縁層に埋まっていた。また、これらの試料では第１面の幅が第２面の幅よりも大きいものであった。試料Ｎｏ．２および試料Ｎｏ．７のセラミック配線基板は、導体層の側面が第１面側から第２面側にかけて傾斜面をなす形状であった。試料Ｎｏ．３〜６のセラミック配線基板は、導体層の傾斜面が凹状の曲面をなしていた。この中で、試料Ｎｏ．５、６は、貫通導体の側面が中央部から導体層側にかけて曲面をなしていた。
【００６１】
比較例として、図７に示す構造のセラミック配線基板を従来法により作成し、同様の評価を行った。従来法とは、シート状成形体に貫通孔を形成し、この貫通孔に導体ペーストを充填し、次いで、この表面に導体パターンを形成する製法である。
【００６２】
【表１】
0006495643.tif 000002
【００６３】
表１から明らかなように、図１〜４の構造のセラミック配線基板（試料Ｎｏ．２〜７）では、クラックの発生率が１１％以下であった。
【００６４】
この中で、圧下率を大きくした図２および図３の構造の試料（試料Ｎｏ．３、４、５、６）は、図２の構造の試料（試料Ｎｏ．２、７）に比較して、導体層から貫通導体にかけての側面の曲率半径が次第に小さくなり、クラック発生率が低下していた。
【００６５】
これに対し、図７の構造の試料（試料Ｎｏ．１）はクラックの発生率が４９％であった。
【符号の説明】
【００６６】
Ａ・・・・・・・・・・・セラミック配線基板
Ｂ・・・・・・・・・・・電子部品実装パッケージ
・  １０１・・・・・・・セラミック絶縁層
１ａ・・・・・・・・・・（セラミック絶縁層の）表面
３、１０３・・・・・・・導体層
３ｓ・・・・・・・・・・（導体層の）側面
５、１０５・・・・・・・貫通導体
５ｓ・・・・・・・・・・（貫通導体の）側面
５ｃ・・・・・・・・・・（貫通導体の）中央部
７・・・・・・・・・・・傾斜面
９・・・・・・・・・・・枠体
１１・・・・・・・・・・電子部品
１３・・・・・・・・・・蓋体
ｗ１、ｗ２・・・・・・・（導体層の）幅
ｗ３・・・・・・・・・・（貫通導体の）幅
Ｄ１、Ｄ２・・・・・・・（導体層の）直径
Ｄ３・・・・・・・・・・（貫通導体の）直径
Ｓ・・・・・・・・・・・接合面
Ｓｃ・・・・・・・・・・応力
２１・・・・・・・・・・シート状成形体
２３、２５・・・・・・・導体パターン
２６・・・・・・・・・・パターンシート
２７・・・・・・・・・・フィルム
２９ａ・・・・・・・・・外側金型
２９ｂ・・・・・・・・・内側金型
３１・・・・・・・・・・成形体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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