【事件の表示】
　特許第３２６９３９０号「半導体装置」の請求項１ないし４に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第３２６９３９０号の請求項１ないし４に係る特許を取り消す。
【理　由】
１．手続の経緯
　本件特許は、平成８年７月３日に出願したものであって、請求項１〜４に係る発明について平成１４年１月１８日に特許権の設定登録がなされた後、平成１４年９月２５日に特許異議申立人である沖島和子から、請求項１〜４に係る発明についての特許に対して特許異議の申立がなされて、取消の理由が通知され、それに対し平成１５年５月２７日に訂正請求がなされたが、訂正拒絶理由が通知され、そして平成１５年９月１２日にその訂正請求が取り下げられるとともに、意見書が提出されたものである。
　
２．特許異議の申立についての判断
（１）取消理由の概要
（i）本件特許の請求項１〜３に係る発明は、その出願前日本国内において頒布された刊行物１に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項の規定に違反して特許されたものである。
（ii）本件特許の請求項１〜４に係る発明は、その出願前日本国内において頒布された刊行物１又は２に記載された発明に基づいて、その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定に違反して特許されたものである。
刊行物１：特開平６−２３２１３６号公報（特許異議申立書の甲第１号証）
刊行物２：特開平６−６１３０４号公報（同上甲第２号証）
　
（２）本件の請求項１〜４に係る発明
　本件の請求項１〜４に係る発明（以下、「本件発明１」〜「本件発明４」という。）は、特許明細書の特許請求の範囲の請求項１〜４に記載された事項により特定される次のとおりである。
「【請求項１】半導体チップのバンプ電極とフィルム基板の接続電極とが共晶接合されているとともに、前記半導体チップと前記フィルム基板とがその間に介在された樹脂によって接着されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】前記フィルム基板の接続電極は、接続電極本体と該接続電極本体の表面に形成されたメッキ層とからなることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】前記バンプ電極は金からなり、前記接続電極は接続電極本体と該接続電極本体の表面に形成されたスズメッキ層とからなることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項４】前記樹脂は軟化温度が２３０℃程度であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の半導体装置。」
　
（３）刊行物１の記載事項
　刊行物１には、以下の事項が記載されている。
（１ａ）「半導体素子のアルミニウム電極を酸性液あるいはアルカリ性液によりエッチング処理した後、還元剤溶液に浸漬することにより前記アルミニウム電極表面を活性化し、さらに前記還元剤溶液を前記アルミニウム電極表面に付着させた状態で前記半導体素子を金属塩と錯形成剤を含む活性化ストライク液に浸漬した後、この活性化ストライク液を前記アルミニウム電極表面に付着させた状態で前記アルミニウム電極を酸化還元反応型の無電解ニッケルめっき液に浸漬することによりめっきを行うことを特徴とする半導体素子の電極形成方法。」（特許請求の範囲【請求項１】）
（１ｂ）「セラミック配線基板２５上に形成された電極２６上にスクリーン印刷でクリームはんだペースト２７を印刷したものを準備し、次にクリームはんだペースト２７を印刷した配線基板上に、本実施例の前記Ｎｉ（０．５〜１．０μｍ）−Ｎｉ（１０μｍ）−Ａｕ（０．０５μｍ）の突起電極２４を有する半導体素子を配置する。この時、配線基板２５上のクリームはんだペーストを印刷した電極２６と半導体素子の突起電極２４とを位置合わせし、ピーク温度約２３０℃のはんだリフロー炉を通すことにより、はんだペースト２７の中にくい込んだ半導体素子の突起電極２４とはんだ２７が接合し導通が得られる。
　続いて、この半導体素子と配線基板２５の間に熱硬化性樹脂２８を流し込み硬化させる（図２（ｂ））。このときの接続抵抗は４０〜５０ｍΩと充分小さく、良好な接続がなされていることが確認された。なお、別のチップ−基板間接続方法であるＴＡＢ実装においても、本発明のＡｕ層２３が形成されたＮｉ突起電極２２にＳｎめっきされたＣｕリードを熱圧着法により接合したところＡｕ−Ｓｎ共晶による良好な接続がなされたことはいうまでもない。」（【００３４】〜【００３５】）
　
（４）対比・判断
　本件発明１について
　刊行物１の摘記事項（１ｂ）には「ＴＡＢ実装」との記載があるが、ＴＡＢとは「tape automated bonding」の略称で、「ＴＡＢ実装」とは、フィルム基板に半導体チップをバンプ電極を介して接続する実装方法であり、また、摘記事項（１ｂ）の「突起電極」、「Ｃｕリード」は、各々本件発明１の「バンプ電極」、「接続電極」に相当しているから、摘記事項（１ｂ）の「チップ−基板間接続方法であるＴＡＢ実装においても、本発明のＡｕ層２３が形成されたＮｉ突起電極２２にＳｎめっきされたＣｕリードを熱圧着法により接合したところＡｕ−Ｓｎ共晶による良好な接続がなされたこと」とは、「半導体チップのバンプ電極とフィルム基板の接続電極とが共晶接合されている半導体装置」（以下、「引用発明１」という。）に他ならない。
　本件発明１と引用発明１とを対比すると、引用発明１では「前記半導体チップと前記フィルム基板とがその間に介在された樹脂によって接着されていること」がない点で相違するが、同じく摘記事項（１ｂ）には「半導体素子と配線基板２５の間に熱硬化性樹脂２８を流し込み硬化させる（図２（ｂ））。このときの接続抵抗は４０〜５０ｍΩと充分小さく、良好な接続がなされていることが確認された。」との記載があり、これは「半導体チップと基板とがその間に介在された樹脂によって接着されていること」（引用発明２）と他ならず、引用発明１おいても、より良好な接続とするために、半導体チップと基板とがその間に介在された樹脂によって接着することは、当業者が容易になし得たことである。
　特許権者は、意見書において「引用例１の段落【００３５】に記載された、いわゆるＴＡＢ実装を図２に図示された接合に適用するということは、引用例１に記載された発明が、同引用例の段落【００１８】に記載されている如く、パッシベーション膜やＡｌ電極が腐食されないめっき電極を形成することを目的とするものであり、課題が本件特許とは全く相違いたしますので、到底、示唆されるものではありません」（第８頁末行〜第９頁第４行。ここで、引用例１とは刊行物１のことである。）と述べ、上記引用発明１を引用発明２に適用することは示唆されていないと主張しているが、引用発明１と引用発明２を示している刊行物１の発明は、その特許請求の範囲に記載されているとおり、電極形成におけるめっき方法に特徴のあるものであるから、そのめっき方法を適用してさえいれば、引用発明１及び引用発明２の両方を同時に適用してもいいことは明らかであり、両発明を組み合わせる際の阻害要因は何らない。
　上記のとおり、本件発明１は、刊行物１記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
　本件発明２、３及び４について
　本件発明２は、本件発明１に「フィルム基板の接続電極は、接続電極本体と該接続電極本体の表面に形成されたメッキ層とからなること」を追加する発明であるが、摘記事項（１ｂ）には「ＳｎめっきされたＣｕリード」と記載されており、Ｃｕリードは接続電極に相当しているから、「接続電極が、接続電極本体と該接続電極本体の表面に形成されたメッキ層とからなること」が示されている。
  本件発明３は、本件発明１に「前記バンプ電極は金からなり、前記接続電極は接続電極本体と該接続電極本体の表面に形成されたスズメッキ層とからなること」を追加する発明であるが、ここで「バンプ電極が金からなり」とは、本件特許明細書の「バンプ電極２６を半田、メッキ層２３ｂを金からそれぞれ構成した場合とがあげられる」（【００１０】）との記載を参照すれば、金層が形成されたバンプ電極も含むものであるから、摘記事項（１ｂ）の「Ａｕ層２３が形成されたＮｉ突起電極」は「バンプ電極が金からなり」に他ならない。「前記接続電極は接続電極本体と該接続電極本体の表面に形成されたスズメッキ層とからなること」については、本件発明２と同様、摘記事項（１ｂ）の「ＳｎめっきされたＣｕリード」に他ならない。
　本件発明４は、本件発明１〜３のいずれかの発明に「前記樹脂は軟化温度が２３０℃程度であること」を追加する発明であるが、ここで「軟化温度が２３０度程度である」樹脂とは、本件特許明細書の「例えばポリイミド樹脂の軟化温度は２３０℃程度である」【０００９】の記載を参照すれば、具体的にはポリイミド樹脂のことである。摘記事項（１ｂ）では「熱硬化性樹脂」と記載されているが、熱硬化性樹脂としてポリイミド樹脂は本出願前周知慣用のものであるから、「軟化温度が２３０℃程度である」樹脂も実質的に示されている。
　したがって、本件発明２〜４についても、刊行物１記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（５）むすび
　以上のとおりであるから、本件発明１〜４は、刊行物１記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、本件発明１〜４は特許法第２９条第２項の規定に違反して特許されたものであるから、同法第１１３条第２号に該当し、取り消されるべきものである。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１５年１２月８日（２００３．１２．８）