【事件の表示】
　特許第３１４００３３号「半導体装置」の請求項１ないし３に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３１４００３３号の請求項１、２に係る特許を維持する。
【理　由】
第１　手続の経緯
　特許第３１４００３３号の請求項１、２に係る発明の手続きの経緯は、以下のとおりである。
　出願　　　　　　　　　　平成２年９月４日
　設定登録　　　　　　　　平成１２年１２月１５日
　特許異議の申立て　　　　平成１３年９月５日
　　（斎藤順一）
　取消理由通知　　　　　　平成１３年１２月２８日（起案日）
　意見書　　　　　　　　　平成１４年３月１８日
　取消理由通知　　　　　　平成１５年１月６日（起案日）
　意見書　　　　　　　　　平成１５年３月１４日
　訂正請求書（平成１６年４月５日取下）　平成１５年３月１４日
　取消理由通知　　　　　　平成１６年２月２０日（起案日）
　訂正請求書　　　　　　　平成１６年４月５日
　
　
第２　訂正の適否についての判断
（１）訂正の内容
　特許権者が求めている、平成１６年４月５日付け訂正請求書に添付された訂正明細書における訂正の内容は以下のとおりである。
訂正事項ａ．発明の名称を、「半導体装置」から「半導体式圧力センサ」に訂正する。
　
訂正事項ｂ．特許請求の範囲の請求項１を次のとおり訂正する。
「【請求項１】凹部と、この凹部によって現れた薄肉部と、該薄肉部に形成された歪みゲージとを有するシリコン半導体基板と、
　ガラス系材料から成り、前記凹部に対向する位置に開孔部を有し、前記シリコン半導体基板に陽極接合する台座と、
　前記シリコン半導体基板の表面を覆い、シリコン酸化膜からなる保護膜とを有する半導体式圧力センサであって、
　前記シリコン半導体基板を構成するシリコンの熱膨張係数αＳｉ［℃−１］が、
  αＳｉ≒ａ′Ｔ＋ｂ′
  ａ′≒４．７９×１０−９［℃−２］
  ｂ′≒２．５６×１０−６［℃−１］
で表わされ、
　かつ、半導体装置使用領域内の温度Ｔ［℃］における前記台座の熱膨張係数α［３０〜１５０℃：単位は℃−１］が、
　α＝ａＴ＋ｂで示され、かつ
　２．４×１０−９≦ａ≦７．２×１０−９［℃−２］
　１．９×１０−６≦ｂ≦３．３×１０−６［℃−１］
　という条件をあわせもつように成分調合されたものを使用することにより、前記歪みゲージからの信号に基づいて出力信号を得る場合に、その温度補正を容易にしたことを特徴とする半導体式圧力センサ。」
　
訂正事項ｃ．特許請求の範囲の請求項２を削除する。
　
訂正事項ｄ．特許請求の範囲の請求項３を次のとおり訂正し、項番号を繰り上げて請求項２とする。
「【請求項２】凹部と、この凹部によって現れた薄肉部と、該薄肉部に形成された歪みゲージとを有する感圧素子を備えるシリコン半導体基板と、
　ガラス系材料から成り、開口がなく、前記シリコン半導体基板に陽極接合する台座と、
　前記シリコン半導体基板の表面を覆い、シリコン酸化膜からなる保護膜とを有する半導体式圧力センサであって、
　前記シリコン半導体基板を構成するシリコンの熱膨張係数αＳｉ［℃−１］が、
  αＳｉ≒ａ′Ｔ＋ｂ′
  ａ′≒４．７９×１０−９［℃−２］
  ｂ′≒２．５６×１０−６［℃−１］
で表わされ、
　かつ、半導体装置使用領域内の温度Ｔ［℃］における前記台座の熱膨張係数α［３０〜１５０℃：単位は℃−１］が、
　α＝ａＴ＋ｂで示され、かつ
　２．４×１０−９≦ａ≦７．２×１０−９［℃−２］
　１．９×１０−６≦ｂ≦３．３×１０−６［℃−１］
　という条件をあわせもつように成分調合されたものを使用することにより、前記感圧素子からの信号に基づいて出力信号を得る場合に、その温度補正を容易にしたことを特徴とする半導体式圧力センサ。」
　
訂正事項ｅ．明細書第１頁第１４行〜同頁第１８行（特許公報第１頁右欄第７行〜同欄第１０行）の記載を、
「［産業上の利用分野］
　本発明は、主に、車両搭載用として広い温度領域において使用される半導体式圧力センサに関する。」に訂正する。
　
訂正事項ｆ．明細書第１１頁第８行〜同頁第１６行（特許公報第４頁左欄第１２行〜同欄第１９行）の記載である「なお、ここでは台座８・・・である必要はない。」を削除する。
　
訂正事項ｇ．明細書第１２頁第４行〜同頁第６行（特許公報第４頁右欄第２行〜同欄第４行）の記載である「上記実施例では・・・もちろん可能である。」を削除する。
　
訂正事項ｈ．明細書第１２頁第１５行（特許公報第４頁右欄第１２行）に記載の「歪センサ等」を「半導体式圧力センサ」に訂正する。
　　
（２）訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
ア．訂正事項ｂについて
　訂正後の請求項１は、特許明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載された発明において、以下の内容を新たに限定することにより、下位概念に限定しようとするものである。
ｂ−１　台座が「ガラス系材料」より成ること、
ｂ−２　シリコン半導体基板と台座とは「陽極接合」すること、
ｂ−３　「シリコン酸化膜からなる保護膜」を有すること、
ｂ−４　シリコン半導体基板を構成するシリコンの熱膨張係数αＳｉ［℃−１］が、αＳｉ≒ａ′Ｔ＋ｂ′、ａ′≒４．７９×１０−９［℃−２］、ｂ′≒２．５６×１０−６［℃−１］で表わされること、
ｂ−５　対象となる台座の熱膨張係数αの温度範囲を３０〜１５０℃にすること、
ｂ−６　歪みゲージからの信号に基づいて出力信号を得る場合に、その温度補正を容易にしたこと、
ｂ−７　半導体圧力センサ。
　上記の各内容は、特許公報の例えば以下の箇所にそれぞれ記載されている。
ｂ−１　第２頁右欄第４０〜４２行、第３頁右欄第２２〜２５行、
ｂ−２　第２頁右欄第２７〜２８行、
ｂ−３　第２頁右欄第２２〜２３行、
ｂ−４　第２頁左欄第３８〜４２行、
ｂ−５　第３頁右欄第２１行、
ｂ−６　第４頁右欄第９〜１１行
ｂ−７　第１頁右欄第９行
　したがって、上記訂正は、特許請求の範囲の減縮を目的とした明細書の訂正に該当する。
　
イ．訂正事項ｃについて
　訂正事項ｃについては、特許請求の範囲の請求項２を削除するものである。
　したがって、上記訂正は、特許請求の範囲の減縮を目的とした明細書の訂正に該当する。
　
ウ．訂正事項ｄについて
　訂正後の請求項２は、特許明細書の特許請求の範囲の請求項３に記載された発明において、以下の内容を新たに限定することにより、下位概念に限定しようとするものである。
ｄ−１　台座が「ガラス系材料」より成ること、
ｄ−２　シリコン半導体基板と台座とは「陽極接合」すること、
ｄ−３　「シリコン酸化膜からなる保護膜」を有すること、
ｄ−４　シリコン半導体基板を構成するシリコンの熱膨張係数αＳｉ［℃−１］が、αＳｉ≒ａ′Ｔ＋ｂ′、ａ′≒４．７９×１０−９［℃−２］、ｂ′≒２．５６×１０−６［℃−１］で表わされること、
ｄ−５　対象となる台座の熱膨張係数αの温度範囲を３０〜１５０℃にすること、
ｄ−６　感圧素子からの信号に基づいて出力信号を得る場合に、その温度補正を容易にしたこと、
ｄ−７　半導体圧力センサ。
　上記の各内容は、特許公報の例えば以下の箇所にそれぞれ記載されている。
ｄ−１　第２頁右欄第４０〜４２行、第３頁右欄第２２〜２５行、
ｄ−２　第２頁右欄第２７〜２８行、
ｄ−３　第２頁右欄第２２〜２３行、
ｄ−４　第２頁左欄第３８〜４２行、
ｄ−５　第３頁右欄第２１行、
ｄ−６　第２頁左欄第１行、第４頁右欄第９〜１１行
ｄ−７　第１頁右欄第９行
　したがって、上記訂正は、特許請求の範囲の減縮を目的とした明細書の訂正に該当する。
　
エ．訂正事項ａについて
　訂正事項ａについては、発明の名称において、訂正された特許請求の範囲の請求項１及び請求項２の記載との整合を図るための訂正であり、明りょうでない記載の釈明を目的とした明細書の訂正に該当する。
　
オ．訂正事項ｅ〜ｈについて
　訂正事項ｅ〜ｈについては、発明の詳細な説明において、訂正された特許請求の範囲の請求項１及び請求項２の記載との整合を図るための訂正であり、明りょうでない記載の釈明を目的とした明細書の訂正に該当する。
　
　そして、訂正事項ａ〜ｈは、いずれも、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内であり、新規事項の追加に該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　
（３）むすび
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、平成１１年改正前の特許法第１２０条の４第３項において準用する平成６年法律第１１６号による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書、第２項及び第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
　
第３　特許異議の申立てについて
（１）申立の理由及び取消理由通知の概要
ア．申立の理由の概要
　特許異議申立人は、本件特許の請求項１に記載の発明は、甲第１号証（特願平２−１９４２５４号）に記載の発明と同一であるので、特許法第２９条の２の規定により特許を受けることができない。また、請求項１、２の発明は、甲第２号証（実願昭５９−１５７９７６号（実開昭６１−７２８６６号）のマイクロフィルム）に記載の発明と同一であるか、少なくとも甲第２号証及び甲第３号証（「ＦＩＮＥ　ＣＥＲＡＭＩＣＳ」１９９０年３月、石塚硝子株式会社発行のカタログ、ｐ．６−７）に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明できたものであり、特許法第２９条第１項又は同第２項により特許を受けることができない。さらに、請求項３の発明は、甲第２号証に記載の発明と、甲第３号証、甲第４号証（「センサ技術５月臨時増刊号」昭和６１年４月２５日、（株）情報調査会、ｐ．４３−４４）、甲第５号証（片岡照栄・柴田幸男・高橋清・山崎弘郎共編「センサハンドブック」初版、昭和６１年５月３０日、（株）培風館、ｐ．４８６−４８７）に記載の発明とに基づいて当業者が容易に発明できたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。また、本件特許明細書の特許請求の範囲請求項３及び発明の詳細な説明中には記載不備があるので、本件特許は、特許法第３６条第３項、第４項の規定により取り消すべきものである。
　
イ．取消理由通知の概要
　当審で通知した平成１５年１月６日（起案日）又は平成１６年２月２０日（起案日）付けの取消理由通知の概要は、以下の通りである。
「１．本件の下記の請求項に係る発明は、その出願の日前の特許出願であって、その出願後に出願公開された下記の特許出願の願書に最初に添付された明細書又は図面に記載された発明と同一であり、しかも、本件の下記の請求項に係る発明の発明者がその出願前の特許出願に係る発明をした者と同一ではなく、また本件出願の時において、その出願人がその出願前の特許出願に係る上記の特許出願の出願人と同一でもないので、本件の下記の請求項に係る発明は特許法第２９条の２の規定に違反してなされたものであるので、本件の下記の請求項に係る発明の特許は取り消されるべきである。
２．本件の下記の請求項に係る発明は、その出願前日本国内または外国において頒布された下記の刊行物に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができないので、取り消されるべきである。
３．本件の下記の請求項に係る発明は、その出願前日本国内または外国において頒布された下記の刊行物に記載された発明に基づいて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないので、取り消されるべきである。
４．本件は、明細書の記載が下記の点で不備のため、特許法第３６条第３項、第４項及び第５項に規定する要件を満たしていない。
　
　　　　　　　　　　　　　　　　　記
　
・理由１
・請求項１
・刊行物等１
・備考
　刊行物等１の第１図を参照すると、第１図に示される半導体装置は、シリコン半導体基板を他の部材に接合してなり、上記部材をシリコン以外の材料で構成したことを特徴とする半導体装置である。
　また、刊行物等１の第２図の記載によると、伸び率（α）がシリコン結晶とほぼ一致し、約３０〜２５０℃の範囲では、全く一致している試料ガラスＮｏ．１が示されている。しかも、この図において、シリコン結晶と試料ガラスＮｏ．１は、共に曲線のグラフとなっており、２次関数以上の関数であることが分かる。当業者にとって周知なように、熱膨張係数αは、この伸び率を微分したものであるから、熱膨張係数αは、１次関数以上の関数であり、最も簡単に１次関数とすると、
熱膨張係数α＝ａＴ＋ｂで示されることは明らかであり、試料ガラスＮｏ．１の熱膨張係数αにおける定数ａとｂの値は、シリコン結晶の値とほぼ一致することは明らかであるため、試料ガラスＮｏ．１のａとｂの値が、本件の請求項１に係る発明の値の範囲に含まれる蓋然性が高い。
　したがって、本件の請求項１に係る発明は、刊行物等１に記載された発明と同一である。
　
・理由１
・請求項２
・刊行物等１
・備考
　請求項２に記載の「前記半導体基板は、凹部と、この凹部によって現れた薄肉部と、該薄肉部に形成された歪みゲージとを有し、前記他の部材には、前記凹部に対向する位置に開孔部を有するものであって、前記薄肉部の幅が前記開孔部の幅よりも大きいものである」構成は、当該技術分野の慣用技術である（この点、必要ならば、例えば、下記刊行物２、８、９、１０、１１、１３の記載を参照のこと）。
　したがって、本件の請求項２に係る発明は、本件の請求項１に係る発明に慣用技術を付加したものであり、課題解決のための具体化手段における微差に過ぎず、刊行物等１に記載された発明と実質的に同一である。
　
・理由１
・請求項３
・刊行物等１
・備考
　請求項３に記載の「前記半導体基板は、凹部と、この凹部によって現れた薄肉部とを有し、前記他の部材は、開口のない台座であるものである」構成は、当該技術分野の慣用技術である（この点、必要ならば、例えば、下記刊行物２、１４の記載を参照のこと）。
　したがって、本件の請求項３に係る発明は、本件の請求項１に係る発明に慣用技術を付加したものであり、課題解決のための具体化手段における微差に過ぎず、刊行物等１に記載された発明と実質的に同一である。
　
　
・理由２
・請求項１〜３
・刊行物２
・備考
　刊行物２には、台座を形成する材料としては、シリコンと同様の熱膨張係数を持つガラスが用いられる旨が記載されている。
　そして、シリコンの伸び率が曲線となり、温度に関して２次関数以上の関数となることが周知であり（この点、例えば、下記刊行物３、７の記載に注意）、デビトロン（登録商標）や硼珪酸ガラスの伸び率も、温度に関して、２次関数以上の関数となることが知られている（この点、例えば、下記刊行物３、６の記載に注意）ので、この様な伸び率を微分したものである熱膨張係数は、少なくとも１次関数以上の関数となるものである。
　してみると、デビトロン（登録商標）や硼珪酸ガラスの熱膨張係数は、少なくともａＴ＋ｂで示され、これらデビトロン（登録商標）や硼珪酸ガラスのａとｂの値は、請求項１に記載の範囲内となる蓋然性が高い。
　
　
・理由３
・請求項１〜３
・刊行物２〜１４
・備考
（１）上記刊行物２〜５には、特許異議申立書第８頁第１４行〜第１１頁第１５行記載の発明が記載されている（ただし、特許異議申立書に記載された甲第２〜５号証は、刊行物２〜５と読み替え、また、異議申立書の添付資料１〜３も参照のこと）。
　そして、特許異議申立書第１１頁第２１行〜第１２頁第７行記載の理由（ただし、特許異議申立書に記載された甲第２〜５号証は、刊行物２〜５と読み替る。）により、本件の請求項１ないし３に係る発明は、上記刊行物２〜５に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
（２）刊行物２には、台座を形成する材料としては、シリコンと同様の熱膨張係数を持つガラスが用いられる旨、例えばデビトロン（登録商標）が用いられる旨が記載されている。
　そして、シリコンの伸び率が曲線となり、温度に関して２次関数以上の関数となることは刊行物３（第７頁の「Ｈα−４３　熱膨張曲線」のグラフを参照のこと）、刊行物７（第３３０頁、ｆｉｇ．１を参照のこと）に記載されており、また、デビトロン（登録商標）の伸び率が、温度に関して、２次関数以上の関数となることは、刊行物３（の第７頁の「Ｈα−４３　熱膨張曲線」のグラフ）に記載されており、硼珪酸ガラスの伸び率が、温度に関して、２次関数以上の関数となることは、刊行物６（の第２５頁第１５図）に記載されているので、この様な伸び率を微分したものである熱膨張係数は、少なくとも１次関数以上の関数となるものである。
　してみると、デビトロン（登録商標）や硼珪酸ガラスの熱膨張係数は、少なくともａＴ＋ｂで示され、これらデビトロン（登録商標）や硼珪酸ガラスのａとｂの値は、請求項１に記載の範囲内となる蓋然性が高いものであり、また、デビトロン（登録商標）や硼珪酸ガラスのａとｂの値が、請求項１に記載の範囲内とはなっていないとしても、明細書中に、請求項１に記載のａとｂの数値範囲が、臨界的な意義を持つとは記載されていないために、半導体装置に所定のａとｂの値を持つ周知のガラス材料を適用することは、当業者が適宜なし得たことと認められる。
　なお、刊行物２、１２、１４には、開口のない台座に関する記載があり、刊行物１１〜１４には、シリコン酸化膜からなる保護膜に関する記載がある。
（３）刊行物８〜１０には、台座としてシリコン半導体基板と同じ材料であるシリコンを用いた半導体装置が記載されている。そして、当然ながら、台座としてシリコンを用いたものは、その熱膨張係数が半導体基板と同じであり、また、刊行物２には、台座を形成する材料としては、シリコンと同様の熱膨張係数を持つガラスが用いられる旨が記載されている。さらに、本件と同じ出願に係る査定不服審判１０−１７９９８号の平成１２年４月４日付けの回答書には、ガラス材料の成分及びその各成分を適宜調合して、熱膨張係数がＳｉと同程度のもの、または、所望のものとすることは、周知の事項と言える旨が記載されているから、上記刊行物８〜１０に記載の半導体基板と同じ熱膨張係数を有するシリコンによる台座に換えて、シリコンと一致するか又はシリコンと同程度の熱膨張係数を有する適宜調合したガラス材料を台座として用いることは、当業者が、適宜なし得た程度のことと認められる。
　なお、刊行物２、１２、１４には、開口のない台座に関する記載があり、刊行物１１〜１４には、シリコン酸化膜からなる保護膜に関する記載がある。
　
　
・理由４
・請求項１〜３
・備考
（１）本件は、特許異議申立書第１２頁第１５行〜第１３頁第１行に記載の理由により、本件請求項１ないし３の記載に関する発明の詳細な説明及び図面の記載、及び、本件請求項１〜３の記載が、不備である。
（２）明細書の［作用］の部分に記載の、シリコンの熱膨張係数αｓｉ≒ａ’Ｔ＋ｂ’における「ａ’≒４．７９×１０−９［℃−２］」と「ｂ’≒２．５６×１０−６［℃−１］」の数値の根拠が不明りょうと認められる。
　なお、この点に関し、これらの数値を求めた実験手法、実験結果や生データ、これらの数値が記載されている文献等を提示することが望ましい。
（３）請求項１に記載のａとｂは「２．４×１０−９≦ａ≦７．２×１０−９［℃−２］、１．９×１０−６≦ｂ≦３．３×１０−６［℃−１］」という数値範囲を有しているが、伸び率が温度に関して２次関数以上の関数となることが知られている周知のガラス材料、例えば、刊行物３に記載されているデビトロン（登録商標）、刊行物６に記載されている種々の硼珪酸ガラス、刊行物７に記載されている１７２９ガラスやその他のガラスのａとｂの数値が、上記請求項１に記載のａとｂの数値範囲に含まれないか否かの理由の説明が、不明りょうと認められる。
　なお、この点に関し、請求項１のα＝ａＴ＋ｂについて、少なくともα＝２．４×１０−９Ｔ＋３．３×１０−６、α＝２．４×１０−９Ｔ＋１．９×１０−６、α＝７．２×１０−９Ｔ＋１．９×１０−６、α＝７．２×１０−９Ｔ＋３．３×１０−６、の４点での、グラフあるいは数値データと上記の周知のガラス材料から求めたグラフあるいは数値データとを比較することが望ましい。
（４）請求項１では、熱膨張係数をα＝ａＴ＋ｂとしているが、これは、Ｔ２以上の項がないということと認められる。しかしながら、どのようにガラス材料の成分を調合しても、aＴの項があれば、必然的にＴ２以上の項も含まれてしまうと推測され、実施可能要件違反と認められる。
　なお、この点に関し、Ｔ２以上の項が含まれないという理由を明らかにされたい。
　また、Ｔ２以上の項が含まれるが、無視できる範囲ということであれば、α≒ａＴ＋ｂとなるはずである（ただし、請求項１の記載をα≒ａＴ＋ｂとする訂正は、特許請求の範囲の拡張又は変更に該当する。）。
（５）明細書中でａの範囲を設定するにあたり、従来材を用いた場合に対し、温度依存性の非直線性が半減すればよいとする旨が記載され、ａの範囲が設定されているが、温度依存性の非直線性が半減したとはいえ、熱歪は、Ｔ２の項、即ち２次成分を持つ。すると、シリコン基板から出力信号を得る場合に、Ｔ２の項、即ち２次成分による非直線性を有するので、簡単な電子回路では補正が難しいという従来技術と同様な問題点を依然として有するものと認められ、作用・効果が不明りょうと認められる。
（６）なお、平成１４年１２月１３日に提出した訂正案において、シリコン酸化膜からなる保護膜を限定しているが、シリコン酸化膜による熱歪の影響を受けるので、台座の特性をシリコンのみに近付ける意味が不明である。
（７）同様に、「陽極接合」を限定しているが、台座のガラスにＮａ（アルカリ）イオンを含まないと接合できない。それにもかかわらず、請求項にはＮａ（アルカリ）イオンを含まないガラスも含まれており、実施可能要件を満たさないものも含まれている。なお、「Ｎａ（アルカリ）イオンを含むガラス」と訂正することは、新規事項となるので、注意されたい。
　
　
＜刊行物等一覧＞
１．特願平２−１９４２５４号（特開平４−８３７３３号公報参照）（申立人の提出した甲第１号証）
２．実願昭５９−１５７９７６号（実開昭６１−７２８６６号）のマイクロフィルム（申立人の提出した甲第２号証）
３．「ＦＩＮＥ　ＣＥＲＡＭＩＣＳ」１９９０年３月、石塚硝子株式会社発行のカタログ、ｐ．６−７（申立人の提出した甲第３号証）
４．「センサ技術５月臨時増刊号」第６巻第６号、昭和６１年４月２５日、（株）情報調査会、ｐ．４３−４４（申立人の提出した甲第４号証）
５．片岡照栄・柴田幸男・高橋清・山崎弘郎共編「センサハンドブック」初版、昭和６１年５月３０日、（株）培風館、ｐ．４８６−４８７（申立人の提出した甲第５号証）
６．西田尚美編集「ガラスおよびガラスセラミックの特性」１９９８年９月２０日発行、コーニングジャパン（株）第１−３３頁（本件と同じ出願に係る査定不服審判１０−１７９９８号の平成１２年４月４日付けの回答書中の証拠資料２）
７．Ｍａｔ．Ｒｅｓ．Ｓｏｃ．Ｓｙｍｐ．Ｐｒｏｃ．Ｖｏｌ．１０７；１９８８　Ｍａｔｅｒｉａｌｓ　ｒｅｓｅａｒｃｈ　Ｓｏｃｉｅｔｙ　ｐ．３２９−３３４（本件と同じ出願に係る査定不服審判１０−１７９９８号の平成１２年４月４日付けの回答書中の証拠資料４）
８．特開平２−１５１０７６号公報
９．特開昭５８−１０７６８０号公報（従来技術に関する記載も参照のこと。）
１０．実願昭６０−８９９１９号（実開昭６１−２０５１５４号）のマイクロフィルム
１１．特開昭５４−１３１８９２号公報
１２．特開昭５６−２６２３４号公報（従来技術に関する記載も参照のこと。）
１３．特開昭５９−１３９６７９号公報（従来技術に関する記載も参照のこと。）
１４．特開昭５５−５０６６８号公報」
　
（２）本件請求項１、２に係る発明
　上記２．で示したように上記訂正が認められるから、本件請求項１、２に係る発明は、上記訂正請求に係る訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１、２に記載された次のとおりのものである。
「【請求項１】凹部と、この凹部によって現れた薄肉部と、該薄肉部に形成された歪みゲージとを有するシリコン半導体基板と、
　ガラス系材料から成り、前記凹部に対向する位置に開孔部を有し、前記シリコン半導体基板に陽極接合する台座と、
　前記シリコン半導体基板の表面を覆い、シリコン酸化膜からなる保護膜とを有する半導体式圧力センサであって、
　前記シリコン半導体基板を構成するシリコンの熱膨張係数αＳｉ［℃−１］が、
  αＳｉ≒ａ′Ｔ＋ｂ′
  ａ′≒４．７９×１０−９［℃−２］
  ｂ′≒２．５６×１０−６［℃−１］
で表わされ、
　かつ、半導体装置使用領域内の温度Ｔ［℃］における前記台座の熱膨張係数α［３０〜１５０℃：単位は℃−１］が、
　α＝ａＴ＋ｂで示され、かつ
　２．４×１０−９≦ａ≦７．２×１０−９［℃−２］
　１．９×１０−６≦ｂ≦３．３×１０−６［℃−１］
　という条件をあわせもつように成分調合されたものを使用することにより、前記歪みゲージからの信号に基づいて出力信号を得る場合に、その温度補正を容易にしたことを特徴とする半導体式圧力センサ。
【請求項２】凹部と、この凹部によって現れた薄肉部と、該薄肉部に形成された歪みゲージとを有する感圧素子を備えるシリコン半導体基板と、
　ガラス系材料から成り、開口がなく、前記シリコン半導体基板に陽極接合する台座と、
　前記シリコン半導体基板の表面を覆い、シリコン酸化膜からなる保護膜とを有する半導体式圧力センサであって、
　前記シリコン半導体基板を構成するシリコンの熱膨張係数αＳｉ［℃−１］が、
  αＳｉ≒ａ′Ｔ＋ｂ′
  ａ′≒４．７９×１０−９［℃−２］
  ｂ′≒２．５６×１０−６［℃−１］
で表わされ、
　かつ、半導体装置使用領域内の温度Ｔ［℃］における前記台座の熱膨張係数α［３０〜１５０℃：単位は℃−１］が、
　α＝ａＴ＋ｂで示され、かつ
　２．４×１０−９≦ａ≦７．２×１０−９［℃−２］
　１．９×１０−６≦ｂ≦３．３×１０−６［℃−１］
　という条件をあわせもつように成分調合されたものを使用することにより、前記感圧素子からの信号に基づいて出力信号を得る場合に、その温度補正を容易にしたことを特徴とする半導体式圧力センサ。」
　
（３）引用刊行物等に記載された発明
　当審で通知した平成１５年１月６日（起案日）又は平成１６年２月２０日（起案日）付け取消理由で刊行物等１として引用した先願発明である特願平２−１９４２５４号（特開平４−８３７３３号公報参照）（申立人の提出した甲第１号証）には、「・・・室温から４００℃の温度域の各温度に於いて、前記ガラスの熱膨張による伸び率α１と、前記ガラスと接合されるシリコン結晶の熱膨張による伸び率α２との比率α１／α２が０．８〜１．２の範囲の値であり・・・ことを特徴とするシリコン台座用ガラス。」（特許請求の範囲）であり、「本発明は主として半導体圧力センサとしての感圧素子に係り、肉薄ダイアフラム面に起歪抵抗ゲージが形成されたシリコンチップを接合・固定するための台座用ガラスとして好適なシリコン台座用ガラスに関する。」（参照公報第２頁左上欄第８〜１２行）こと、「本発明のシリコン台座用ガラスは、熱膨張による伸び率曲線が、シリコン結晶の曲線と近似しており、各温度に於ける本発明のガラスとシリコン結晶との伸び率の差の符号は室温〜　５００℃に渡って同一であり、従ってシリコン結晶の熱膨張特性との整合性に優れ、かつ陽極接合が可能なガラスである。」（参照公報第６頁左上欄第３〜１３行）ことが、第１図〜第３図と共に記載されている。
　
　当審で通知した平成１５年１月６日（起案日）又は平成１６年２月２０日（起案日）付け取消理由で引用した刊行物２（実願昭５９−１５７９７６号（実開昭６１−７２８６６号）のマイクロフィルム（申立人の提出した甲第２号証））には、「従って、該シリコン感圧チップ１０の薄肉起歪領域１８に所定の圧力が印加されることにより該薄肉起歪領域１８に圧力に応じた歪みが発生し、該圧力をピエゾ抵抗素子２０を用いて形成されたブリッジ回路により電気的に検出することができる。
　また、前記台座１２は、厚さ約１〜２ｍｍを有し上下両面が鏡面研磨仕上げされたガラス台座又はセラミック台座からなり、該台座１２を形成する材料としてはシリコンと同等の熱膨張係数を持つ結晶化ガラスあるいは非結晶ガラス、例えばデビトロン（登録商標）、パイレックス（登録商標）等が用いられる。」（明細書第５頁第１８行〜第６頁第１０行）ことが、第３図と共に記載されている。
　
　同刊行物３（「ＦＩＮＥ　ＣＥＲＡＭＩＣＳ」１９９０年３月、石塚硝子株式会社発行のカタログ、ｐ．６−７（申立人の提出した甲第３号証））には、「当社が開発したガラスセラミックス「デビトロン」は、従来のガラスの欠点を見事に解決し、しかもファインセラミックスとして、最新の電子材料分野のニーズに対応出来る特性を備えています。」（第６頁右欄第２〜４行）、「半導体型圧力センサー台座用基板
　半導体圧力センサーは圧力制御部品として、自動車用から家電製品まで広い範囲に使用されています。ここにその部品のポイントとなるセンサー素子”シリコン”の台座としてベストな材料を紹介します。
　デビトロン　　Ｈα−４３
　　　熱膨張係数　　　　　　２８×１０−７／℃（５０〜３００℃）
　　　・・・
　熱膨張係数が近似していることは基本条件であるが、接合（ガラス接合・陽極酸化接合）において信頼性の高い密着度がえられることが必要。」（第７頁左欄第１〜１３行）と記載されており、また、第７頁の右上の「■Ｈα−４３　熱膨張曲線」のグラフには、「デビトロン」の熱膨張曲線がＳｉの熱膨張係数と共に示されており、第７頁の左下の図には、開口のない台座を有する半導体型圧力センサーの構造が示されている。
　
　同刊行物４（「センサ技術５月臨時増刊号」第６巻第６号、昭和６１年４月２５日、（株）情報調査会、ｐ．４３−４４（申立人の提出した甲第４号証））には、第４３頁の図１、図２に、シリコン圧力センサの構造が記載されている。
　
　同刊行物５（片岡照栄・柴田幸男・高橋清・山崎弘郎共編「センサハンドブック」初版、昭和６１年５月３０日、（株）培風館、ｐ．４８６−４８７（申立人の提出した甲第５号証））には、第４８６頁の図６．２５に、「シリコンダイヤフラム形圧力センサの基本構造」（図６．２５脚注）が示されており、また、第４８７頁の図６．３４に、「静電容量式半導体圧力センサの原理」（図６．３４脚注）が示されている。
　
　同刊行物６（西田尚美編集「ガラスおよびガラスセラミックの特性」１９９８年９月２０日発行、コーニングジャパン（株）第１−３３頁）には、第２５頁の第１５図「各種ガラスの熱膨張曲線」に、７７４０等の複数種類のホウケイ酸ガラスの熱膨張曲線が、温度に関して、２次関数以上の関数となることが示されている。
　
　同刊行物７（Ｍａｔ．Ｒｅｓ．Ｓｏｃ．Ｓｙｍｐ．Ｐｒｏｃ．Ｖｏｌ．１０７；１９８８　Ｍａｔｅｒｉａｌｓ　ｒｅｓｅａｒｃｈ　Ｓｏｃｉｅｔｙ　ｐ．３２９−３３４）には、第３３０頁の図１に、シリコンの伸び率が曲線となり、温度に関して２次関数以上のなることが示されており、また、Ｓｉの伸び率に類似する、Ｃｏｄｅ　１７２９ガラスの伸び率の曲線が示されている。また、Ｃｏｄｅ　７７４０ガラスの伸び率の曲線も示されている。
　
　同刊行物８（特開平２−１５１０７６号公報）、同刊行物９（特開昭５８−１０７６８０号公報）、同刊行物１０（実願昭６０−８９９１９号（実開昭６１−２０５１５４号）のマイクロフィルム）には、台座としてシリコン半導体基板と同じ材料であるシリコンを用いた半導体圧力センサが記載されている。
　
　同刊行物１１（特開昭５４−１３１８９２号公報）、同刊行物１２（特開昭５６−２６２３４号公報）、同刊行物１３（特開昭５９−１３９６７９号公報）、同刊行物１４（特開昭５５−５０６６８号公報）には、シリコン酸化膜からなる保護膜に関する記載があり、刊行物１２と１４には、さらに、開口のない台座に関する記載がある。
　
（４）対比・判断
ア．特許法第３６条についての判断
　特許異議申立人は、特許法第３６条についての主張として、まず、本件特許明細書には、台座８として従来材であるパイレックスガラスを開示しているものの、実施例において使用したガラスについては、熱膨張係数の温度変化を開示しているだけであって、具体的にどのようなガラスであるか全く開示していない。明細書中にガラス材料の具体的な開示なくして当業者の実施は困難である。したがって、本件特許明細書は当業者が発明を容易に実施できる程度に発明を開示しなければならないという特許要件を満たしておらず、特許を取り消されるべきであると主張している。
　しかしながら、例えば、上記刊行物７の第３３０頁の図１に示されているように、Ｃｏｄｅ　７７４０の（パイレックス）ガラスよりも、非直線性も含めてＳｉに近い伸び率を示し、Ｓｉの伸び率にほぼ一致している、Ｃｏｄｅ　１７２９ガラスがあり、このような非直線性も含めてＳｉに近い伸び率を有するガラスは、当業者が適宜材料を調合して製造することができるものと認められる。したがって、少なくとも熱膨張係数の温度変化が開示されていれば、当業者が困難なく同様な熱膨張係数の温度変化を有するガラスを製造することができるものと認められる。
　よって、本件特許明細書は、当業者が発明を容易に実施できる程度に発明を開示しなければならないという特許法第３６条第３項に規定する要件を満たしている。
　次に、特許異議申立人は、訂正前の本件請求項３に係る発明（訂正後の請求項２に係る発明に該当）について、明細書中には、「台座８は圧力導入孔９がない構成のものでもよく、」としか開示していない。このように極めて抽象的かつ簡略な記載では、本発明の構成が周知なものである場合は別として、当業者が容易に実施できる程度に発明を開示するという明細書の記載要件が満たされておらず、請求項３に係る発明の記載も、技術的に内容を特定できないので、記載不備である旨を主張しているが、「圧力導入孔のない台座」は、周知技術であるため、訂正前の本件請求項３に係る発明が不備であるということはできず、訂正前の本件請求項３に係る発明（訂正後の請求項２に係る発明）は、特許法第３６条第４項に規定する要件を満たしている。
　
イ．特許法第２９条の２についての判断
　刊行物等１に示す先願発明には、本件請求項１に記載の「前記シリコン半導体基板を構成するシリコンの熱膨張係数αＳｉ［℃−１］が、
  αＳｉ≒ａ′Ｔ＋ｂ′
  ａ′≒４．７９×１０−９［℃−２］
  ｂ′≒２．５６×１０−６［℃−１］
で表わされ、
　かつ、半導体装置使用領域内の温度Ｔ［℃］における前記台座の熱膨張係数α［３０〜１５０℃：単位は℃−１］が、
　α＝ａＴ＋ｂで示され、かつ
　２．４×１０−９≦ａ≦７．２×１０−９［℃−２］
　１．９×１０−６≦ｂ≦３．３×１０−６［℃−１］
　という条件をあわせもつように成分調整されたものを使用することにより、前記歪みゲージからの信号に基づいて出力信号を得る場合に、その温度補正を容易にした」構成要件が記載されていないと共に、本件請求項２に記載の「前記シリコン半導体基板を構成するシリコンの熱膨張係数αＳｉ［℃−１］が、
  αＳｉ≒ａ′Ｔ＋ｂ′
  ａ′≒４．７９×１０−９［℃−２］
  ｂ′≒２．５６×１０−６［℃−１］
で表わされ、
　かつ、半導体装置使用領域内の温度Ｔ［℃］における前記台座の熱膨張係数α［３０〜１５０℃：単位は℃−１］が、
　α＝ａＴ＋ｂで示され、かつ
　２．４×１０−９≦ａ≦７．２×１０−９［℃−２］
　１．９×１０−６≦ｂ≦３．３×１０−６［℃−１］
　という条件をあわせもつように成分調合されたものを使用することにより、前記感圧素子からの信号に基づいて出力信号を得る場合に、その温度補正を容易にした」構成要件が記載されていない。
　そして、本件請求項１、２の上記の構成要件は、慣用技術とも認められないので、本件請求項１及び２に係る発明と先願発明とは、同一ではない。
　
ウ．特許法第２９条第１項第３号、第２９条第２項についての判断
ａ．本件請求項１に係る発明について
　本件請求項１に係る発明と上記刊行物２に記載の発明とを対比すると、上記刊行物２には、本件請求項１に係る発明の構成要件である「前記シリコン半導体基板の表面を覆い、シリコン酸化膜からなる保護膜とを有する半導体式圧力センサであって、
　前記シリコン半導体基板を構成するシリコンの熱膨張係数αＳｉ［℃−１］が、
  αＳｉ≒ａ′Ｔ＋ｂ′
  ａ′≒４．７９×１０−９［℃−２］
  ｂ′≒２．５６×１０−６［℃−１］
で表わされ、
　かつ、半導体装置使用領域内の温度Ｔ［℃］における前記台座の熱膨張係数α［３０〜１５０℃：単位は℃−１］が、
　α＝ａＴ＋ｂで示され、かつ
　２．４×１０−９≦ａ≦７．２×１０−９［℃−２］
　１．９×１０−６≦ｂ≦３．３×１０−６［℃−１］
　という条件をあわせもつように成分調合されたものを使用することにより、前記歪みゲージからの信号に基づいて出力信号を得る場合に、その温度補正を容易にした」点について、記載も示唆もない。
　この構成要件の内、「前記シリコン半導体基板の表面を覆い、シリコン酸化膜からなる保護膜とを有する」点については、上記刊行物１１〜１４に記載があるが、その他の構成要件については、刊行物３〜１４には、記載も示唆もない。
　そして、本件請求項１に係る発明は、上記構成要件により、接合面に生じる熱歪が、温度変化に対し非直線性を有することがなく、シリコン基板から出力信号を得る場合に温度補正が容易にでき、センサ精度を著しく向上できるという明細書記載の顕著な作用効果を奏するものである。
　したがって、本件請求項１に係る発明は、上記刊行物２に記載された発明であるとはいえず、また、上記刊行物２〜１４に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものともいえない。
　
ｂ．本件請求項２に係る発明について
　本件請求項２に係る発明と上記刊行物２に記載の発明とを対比すると、上記刊行物２には、本件請求項２に係る発明の構成要件である「前記シリコン半導体基板の表面を覆い、シリコン酸化膜からなる保護膜とを有する半導体式圧力センサであって、
　前記シリコン半導体基板を構成するシリコンの熱膨張係数αＳｉ［℃−１］が、
  αＳｉ≒ａ′Ｔ＋ｂ′
  ａ′≒４．７９×１０−９［℃−２］
  ｂ′≒２．５６×１０−６［℃−１］
で表わされ、
　かつ、半導体装置使用領域内の温度Ｔ［℃］における前記台座の熱膨張係数α［３０〜１５０℃：単位は℃−１］が、
　α＝ａＴ＋ｂで示され、かつ
　２．４×１０−９≦ａ≦７．２×１０−９［℃−２］
　１．９×１０−６≦ｂ≦３．３×１０−６［℃−１］
　という条件をあわせもつように成分調合されたものを使用することにより、前記感圧素子からの信号に基づいて出力信号を得る場合に、その温度補正を容易にした」点について、記載も示唆もない。
　この構成要件の内、「前記シリコン半導体基板の表面を覆い、シリコン酸化膜からなる保護膜とを有する」点については、上記刊行物１１〜１４に記載があるが、その他の構成要件については、刊行物３〜１４には、記載も示唆もない。
　そして、本件請求項２に係る発明は、上記構成要件により、接合面に生じる熱歪が、温度変化に対し非直線性を有することがなく、シリコン基板から出力信号を得る場合に温度補正が容易にでき、センサ精度を著しく向上できるという明細書記載の顕著な作用効果を奏するものである。
　したがって、本件請求項２に係る発明は、上記刊行物２に記載された発明であるとはいえず、また、上記刊行物２〜１４に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものともいえない。
　
（５）むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、本件請求項１、２に係る発明の特許を取り消すことができない。
　そして、他に本件請求項１、２に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　したがって、本件請求項１、２に係る発明についての特許は拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものと認めない。
　よって、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第２項の規定により、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１６年４月２７日（２００４．４．２７）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
半導体式圧力センサ
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　
凹部と、この凹部によって現れた薄肉部と、該薄肉部に形成された歪みゲージとを有するシリコン半導体基板と、
　
ガラス系材料から成り、前記凹部に対向する位置に開孔部を有し、前記シリコン半導体基板に陽極接合する台座と、
　
前記シリコン半導体基板の表面を覆い、シリコン酸化膜からなる保護膜とを有する半導体式圧力センサであって、
　
前記シリコン半導体基板を構成するシリコンの熱膨張係数αＳｉ［℃−１］が、
　　
αＳｉ≒ａ’Ｔ＋ｂ’
　　
ａ’≒４．７９×１０−９［℃−２］
　　
ｂ’≒２．５６×１０−６［℃−１］
　
で表わされ、
　
かつ、
前記台座の
［３０〜１５０℃：単位は
　　α＝ａＴ＋ｂで示され、かつ
　　２．４×１０−９≦ａ≦７．２×１０−９［℃−２］
　　１．９×１０−６≦ｂ≦３．３×１０−６［℃−１］
　
という条件をあわせもつように成分調合されたものを使用することにより、前記歪みゲージからの信号に基づいて出力信号を得る場合に、その温度補正を容易にしたことを特徴とする半導体式圧力センサ。
　【請求項２】　
凹部と、この凹部によって現れた薄肉部と、該薄肉部に形成された歪みゲージとを有する感圧素子を備えるシリコン半導体基板と、
　
ガラス系材料から成り、開口がなく、前記シリコン半導体基板に陽極接合する台座と、
　
前記シリコン半導体基板の表面を覆い、シリコン酸化膜からなる保護膜とを有する半導体式圧力センサであって、
　
前記シリコン半導体基板を構成するシリコンの熱膨張係数αＳｉ［℃−１］が、
　　
αＳｉ≒ａ’Ｔ＋ｂ’
　　
ａ’≒４．７９×１０−９［℃−２］
　　
ｂ’≒２．５６×１０−６［℃−１］
　
で表わされ、
　
かつ、半導体装置使用領域内の温度Ｔ［℃］における前記台座の熱膨張係数α［３０〜１５０℃：単位は℃−１］が、
　　
α＝ａＴ＋ｂで示され、かつ
　　
２．４×１０−９≦ａ≦７．２×１０−９［℃−２］
　　
１．９×１０−６≦ｂ≦３．３×１０−６［℃−１］
　
という条件をあわせもつように成分調合されたものを使用することにより、前記感圧素子からの信号に基づいて出力信号を得る場合に、その温度補正を容易にしたことを特徴とする半導体式圧力センサ。
【発明の詳細な説明】
　［産業上の利用分野］
　
本発明は、主に、車両搭載用として広い温度領域において使用される半導体式圧力センサに関する。
　［従来の技術］
　半導体歪センサの一種である半導体式圧力センサは、例えば車両エンジンの吸気管圧力の検出に用いられ、燃料噴射量の制御等に利用されている。半導体式圧力センサは、シリコン基板の一部を薄肉の受圧ダイヤフラムとなし、その上面に歪ゲージ抵抗体を形成した感圧素子を台座に接合した構造のものが一般的である。ダイヤフラムに圧力が作用すると、歪ゲージの抵抗値が変化し（ピエゾ抵抗効果）、圧力に応じた出力信号が得られる。
　感圧素子を支持する台座には、熱膨張係数の差による熱応力を緩和する目的で、基板材料であるシリコンに比較的熱膨張係数の近い硼珪酸ガラス系材料を用いることが多く、通常、シリコン基板に静電接合（陽極接合）により接合されている。
　［発明が解決しようとする課題］
　しかしながら、車載用の圧力センサは使用温度領域が広いため、温度変化に伴い、両者のわずかな熱膨張係数の差により接合面に熱歪が生ずる。この熱歪はシリコン基板の厚肉部を伝わってダイヤフラム上の歪ゲージにまで及び、その出力に影響を及ぼす。つまり、歪ゲージは歪の大きさにほぼ比例した歪出力信号を出すので、圧力センサとしては、圧力信号以外の信号成分（以下、オフセット電圧と称する）に熱歪信号を含んでしまうことになる。
　この熱歪の大きさは温度依存性を有し、しかも、温度に対する変化分が、センサの使用温度領域内で一定でない。これはオフセット電圧が温度に対し非直線的に変化することを意味し、簡単な電子回路では補正が難しいという問題がある。
　しかして、本発明の目的は主にオフセット電圧の温度特性を改善し、高精度かつ信頼性の高い半導体装置を提供することにある。
　［課題を解決するための手段］
　上記課題を解決するために、本発明では、シリコン半導体基板を他の部材に接合してなり、部材を、半導体使用領域内の温度Ｔ［℃］における熱膨張係数α［℃−１］が、
　　α＝ａＴ＋ｂで示され、かつ
　　２．４×１０−９≦ａ≦７．２×１０−９［℃−２］
　　１．９×１０−６≦ｂ≦３．３×１０−６［℃−１］
　である、シリコン以外の材料で構成してある。
　［作用］
　シリコンの熱膨張係数αＳｉ［℃−１］は
　　αＳｉ≒ａ′Ｔ＋ｂ′
　　ａ′≒４．７９×１０−９［℃−２］
　　ｂ′≒２．５６×１０−６［℃−１］
で表わされる。
　本発明では、シリコン半導体基板と接合される他の部材を、熱膨張係数αがａＴ＋ｂ［℃−１］で表わされ、かつａ≒ａ′である材料で構成したので、両者の接合により生ずる熱歪｜εＴ｜は、
　　｜εＴ｜≒｜（ｂ−ｂ′）Ｔ＋εｏ｜
　となる。つまり、熱歪は温度Ｔに関する一次式で示され、温度変化に対し直線的に変化する。従って、半導体基板より出力を得る場合に熱歪成分の補正が容易にでき、精度が向上する。
　［実施例］
　以下、本発明を半導体式圧力センサに適用した例を図面に基づいて説明する。
　第１図において、シリコン半導体基板１は、エッチングにより中央部を薄肉化してダイヤフラム２となしてあり、該ダイヤフラム２の上面には、半導体プロセスにより歪ゲージ抵抗体３が形成してある。ここでは歪ゲージ抵抗体３を、上記ダイヤフラム２上面の所定箇所に不純物を熱拡散させることによって形成した。この歪ゲージ抵抗体３は、通常、４本でホイートストンブリッジを組むか、あるいは２本でハーフブリッジを組むようになし、これら歪ゲージ抵抗体３間、および歪ゲージ抵抗体３とアルミニウム電極７間には熱拡散により抵抗体部を形成して拡散リード４となしてある。
　シリコン基板１の表面は、シリコン酸化膜等の保護膜５で覆われており、該保護膜５の一部に基板１に達するコンタクト孔６を設けて、その上に上記アルミニウム電極７を形成してある。このようにして形成される各部を含む全体を感圧素子１１と称する。
　上記感圧素子１１は、中央部に圧力導入孔９を設けた台座８に静電接合される。この台座８の高さは、台座８の下部に接合される部材による熱歪が感圧素子１１の出力に影響を及ぼさない程度に適宜設定される。
　台座８を構成する材料としては、シリコンを除き、センサ使用領域内の温度Ｔ［℃］における熱膨張係数α［℃−１］がα＝ａＴ＋ｂで示され、
　　２．４×１０−９≦ａ≦７．２×１０−６［℃−２］
　１．９×１０−９≦ｂ≦３．３×１０−６［℃−１］を満たす各種材料が好適に使用できる。
　ここで、台座８の材料の熱膨張係数の違いが、シリコンとの接合面における熱歪に及ぼす影響について検討する。
　まず、台座８として、従来材であるパイレックス（登録商標；コーニング社ガラスコード＃７７４０，Ｎａ２Ｏ−ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３系ガラス材料）を用い、シリコンと静電接合のような強固な接合を施した場合の熱歪について検討する。
　このとき熱歪｜εＴ｜は下式、
　　式中、Ｔ　　：温度
　　　　　Ｔ０　：接合時温度
　　　　　αｐ　：従来材の熱膨張係数
　　　　　αＳｉ：シリコンの熱膨張係数
で表わされる。第２図に示されるように、
　　αｐ≒３．２１×１０−６［℃−１］
　　αＳｉ≒ａ′Ｔ＋ｂ′［℃−１］
　　ａ′≒４．７９×１０−９［℃−２］
　　ｂ′≒２．５６×１０−６［℃−１］
　であるので、
　　｜εＴ｜≒｜−２．３９×１０−９Ｔ２＋０．６５×１０−６Ｔ＋εｏ｜
　　εｏ；Ｔ＝０℃の熱歪
　となり、熱歪｜εＴ｜は温度依存性を持つ。上式の第１項は温度Ｔについての２次成分であり、これが熱歪の温度依存性の非直線成分を表わしている。一般的には、２次以上の成分が非直線成分といえ、従って、熱歪の温度依存性の非直線性をなくすには、このＴについての２次以上の成分がなければよいことがわかる。すなわち、台座８の材料の熱膨張係数をαとすると、
　α＝ａＴ＋ｂ［℃−１］のとき、ａ≒ａ′である材料を選択すれば、
　　｜εＴ′｜≒｜（ｂ−ｂ′）Ｔ＋εｏ′｜
　となり、温度依存性の非直線性が改善されることがわかる。
　なお、ここで、ａ＝ａ′かつｂ＝ｂ′ならば両者の熱膨張係数は完全に一致し、熱歪は生じないが、温度依存性の非直線性をなくすという本発明の目的を達成するためには、ａ≒ａ′、つまりＴの２次以上の成分がなければ十分である。
　次に、ａおよびｂがどの範囲にあれば良好な改善効果が得られるかを検討する。上記従来材を用いた場合に対し、温度依存性の非直線性が半減すればよいとすると、
　　ａ＝ａ′±０．５｜ａｐ−ａ′｜［℃−２］
　　ａｐ：従来材の温度係数≒０
　　　＝４．７９×１０−９［℃−２］±５０％
　　　＝２．４×１０−９〜７．２×１０−９［℃−２］
　また、熱歪の大きさを従来材程度におさえようとすると、Ｔ＝０℃において、シリコンと従来材の熱膨張係数の差は約０．７×１０−６［℃−１］であるから、
　　ｂ＝ｂ′±０．７×１０−６［℃−１］
　　　＝２．６×１０−６±０．７×１０−６［℃−１］
　　　＝１．９×１０−６〜３．３×１０−６［℃−１］
　となる。以上より、台座８の材料の熱膨張係数α［℃−１］が、α＝ａＴ＋ｂで示され、
　　２．４×１０−９≦ａ≦７．２×１０−９［℃−２］
　　１．９×１０−６≦ｂ≦３．３×１０−６［℃−１］
　であれば、温度特性の非直線性を改善できることがわかる。
　続いて、本発明の効果を確認するために、下記第１表および第２図に示す熱膨張係数α（３０℃〜１５０℃）を有する試料（実施例１、２）を用いて、検証した。これらは、静電接合可能で、かつ熱膨張係数の温度依存性の傾きがシリコンに近い（ａ≒ａ′）という条件をあわせもつように成分調合されたガラス材料である。
　これら実施例１、２のガラス材料を台座８材料として用いて、上記第１図の圧力センサを試作した。オフセット電圧変動量ΔＶＯＦＦの温度依存性を測定した結果を第３図に示す。図に明らかなように、従来材ではオフセット電圧変動量ΔＶＯＦＦが非直線的に変化しているのに対し、実施例１、２では非直線性がほとんどなく、温度特性が大幅に改善されていることがわかる。
　ところで、オフセット電圧変動量の大きさは、シリコンの熱膨張係数に近い実施例１の方が実施例２よりも大きくなっており、一見矛盾しているかのように見えるが、これは歪ゲージ抵抗体３がシリコン酸化膜等で形成された保護膜５とシリコン基板１との間に生じる熱歪の影響をも受けているからと考えられる
。
　
上記
よい。
　［発明の効果］
　このように、本発明によれば、シリコン基板に接合される部材を、熱膨張係数が所定の温度依存性を有する材料で構成したので、これらの接合面に生じる熱歪が、温度変化に対し非直線性を有することがない。従って、シリコン基板から出力信号を得る場合に温度補正が容易にでき、センサ精度を著しく向上することができるので、車両用など広い温度領域で使用される
半導体式圧力センサ
【図面の簡単な説明】
　第１図〜第３図は本発明の一実施例を示し、第１図は半導体式圧力センサの全体断面図、第２図は熱膨張係数の温度依存性を示す図、第３図はオフセット電圧変動量の温度依存性を示す図である。
　１……シリコン基板
　２……ダイヤフラム
　３……歪ゲージ抵抗体
　８……台座（部材）
　１１……感圧素子