【事件の表示】
　特許第３３７４４５５号「薄膜トランジスタの製造方法」の請求項１、２に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３３７４４５５号の請求項１に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
　特許第３３７４４５５号の請求項１、２に係る発明は、平成５年７月２０日に特許出願され、平成１４年１１月２９日にその特許の設定登録がなされ、その後、山枡幸文より特許異議の申立てがなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１６年７月２１日に訂正請求がなされたものである。
２．訂正の適否についての判断
（１）訂正の内容
ア．訂正事項ａ
平成１４年９月５日付け手続補正書により補正された明細書の特許請求の範囲に係る記載
「　【請求項１】　基板上に形成された半導体薄膜をレーザアニールした後、窒素雰囲気中で熱処理を施してから前記半導体薄膜の表面層を該表面層に集中した不純物と共に除去することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
　　【請求項２】　前記半導体薄膜は前記レーザアニール前アモルファスシリコン薄膜であって、前記レーザアニールにより該アモルファスシリコン薄膜をポリ化することを特徴とする請求項１記載の薄膜トランジスタの製造方法。」を
　「【請求項１】　基板上に形成されたアモルファスシリコン薄膜からなる半導体薄膜をレーザアニールしてポリ化した後、窒素雰囲気中で熱処理を施してから前記半導体薄膜の表面層を、前記表面層に集中した不純物並びに前記熱処理時に前記表面層に形成された酸化膜と共に除去することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。」
と訂正する。
イ．訂正事項ｂ
明細書段落０００４の「　　　【０００４】
　　【課題を解決するための手段】
　この発明は、基板上に形成された半導体薄膜をレーザアニールした後、窒素雰囲気中で熱処理を施してから前記半導体薄膜の表面層を該表面層に集中した不純物と共に除去するようにしたものである。」とあるのを
「　　　【０００４】
　　【課題を解決するための手段】
　この発明は、基板上に形成されたアモルファスシリコン薄膜からなる半導体薄膜をレーザアニールしてポリ化した後、窒素雰囲気中で熱処理を施してから前記半導体薄膜の表面層を、前記表面層に集中した不純物並びに前記熱処理時に前記表面層に形成された酸化膜と共に除去するようにしたものである。」
と訂正する。
（２）訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　　上記訂正事項ａは、特許請求の範囲の請求項１に請求項２の記載を加え、さらに、明細書の【００１０】段落の、
　「次に、ポリシリコン薄膜６の膜質を安定化するために、窒素雰囲気中において５００℃程度の温度で熱処理を行うと、図４（Ａ）に示すように、ポリシリコン薄膜６の表面に自然酸化膜８が形成される。次に、１％フッ酸に１分間程度浸し、エッチングを行う。すると、自然酸化膜８が数秒間程度で除去され、この後ポリシリコン薄膜６の表面層が１００Å程度除去される。この状態を図４（Ｂ）に示す。このように、ポリシリコン薄膜６の表面層を１００Å程度除去しているので、ポリシリコン薄膜６の表面層に集中して残留している不純物７も同時に除去されることになる。」との記載に基づいて、特許請求の範囲に「並びに前記熱処理時に前記表面層に形成された酸化膜」を加えて、「前記半導体薄膜の表面層を、前記表面層に集中した不純物並びに前記熱処理時に前記表面層に形成された酸化膜と共に除去する」と限定したものであり、特許請求の範囲の減縮を目的とした明細書の訂正に該当する。
　また、訂正事項ｂは、上記訂正事項ａとの整合を図るものであるから、明瞭でない記載の釈明を目的とした明細書の訂正に該当し、いずれも、新規事項の追加に該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
（３）むすび
　　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、特許法第１２０条の４第３項において準用する平成６年法律第１１６号による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書、第２項及び第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
３．特許異議の申立てについての判断
（１）申立理由の概要
　　申立人山枡幸文は、甲第１号証（特開昭６１−７８１１９号公報）、甲第２号証（特開平４−３４０７２４号公報）、および、参考資料１（特開平５−１５２３２５号公報）を示し、本件請求項１及び２に係る発明は、甲第１号証に記載された発明であり、また、甲第１号証、甲第２号証及び参考資料１をもとに容易に発明をすることができたものであるので、特許法第２９条第１項第３号及び同条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから、特許を取り消すべきと主張している。
（２）本件請求項１に係る発明
　上記２．で示したように上記訂正が認められるから、本件の請求項１に係る発明（以下「本件発明」という。）は、上記訂正請求に係る訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載されたとおりのものである。
（３）刊行物等
　特許異議申立人が証拠として提示した刊行物にはそれぞれ、以下のような発明が記載されている。
ａ．刊行物１：特開昭６１−７８１１９号公報（甲第１号証）
　刊行物１には、「絶縁基体上に非晶質又は多結晶の半導体層を形成し、該半導体層に短波長レーザを照射して表面部のみ上記半導体層の粒径の成長を行わせた後、熱処理を施して固相成長を行わせることを特徴とする半導体の製造方法」（特許請求の範囲）
「第４図に示す固相成長工程が終了した多結晶シリコン層７に対し、・・・エッチング処理することにより、膜厚を薄くし、」（第３頁左下欄第３行〜第６行）、
「最初に被着形成する多結晶シリコン層３の代りに、非晶質シリコン層を被着形成してもよい。」（第４頁右上欄第１５行〜第１７行）が記載されている。
ｂ．刊行物２：特開平４−３４０７２４号公報（甲第２号証）
刊行物２には、
「該シリコン層３０５の形成方法は上記の減圧化学気相成長法に限られることなく、グロー放電によるモノシランの分解により形成された水素を含有する非晶質のシリコン層や、スパッタ法によるシリコン層でも本発明は適用できる。」（【００４２】）　
「次に該シリコン層を、該ソース領域３０３と該ドレイン領域３０４の架け橋となるように図３ｂの如く島上にパターニングし、シリコン層３０５を形成する。次に、図３ｃに示すように、該シリコン層３０５にレーザービーム３０６を照射して結晶化する。該レーザービーム３０６には、波長３０８ｎｍのＸｅＣｌエキシマパルスレーザーを用いる。・・・ビームアニールしているとき、該シリコン層３０５の周辺は、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅあるいはこれらの混合ガスである不活性ガス雰囲気である。」（【００４４】）
「なぜなら、該シリコン層３０５の表面あるいはその近傍に酸素が存在すると、ビームアニールによって該シリコン層３０５の温度が上昇したとき、酸素あるいは窒素が反応し不純物として該シリコン層３０５中に取り込まれ良好なシリコン層が得られない。よって、シリコン層をアニールするときには、できる限り真空中あるいは不活性ガス雰囲気でアニールするとよい。ただし、レーザーアニール後フッ酸などで結晶化したシリコン層３０５の表面を除去する場合には、酸素雰囲気、窒素雰囲気あるいは大気中でもビームアニール可能である。 」（【００４５】）
「該ビームアニールにより、図３ｄに示す様にシリコン層３０５は多結晶シリコン層３０６になる。」（【００４７】）
「 次に、多結晶シリコン層３０６中に残存する応力と、および多結晶シリコン層３０６と二酸化珪素膜３０２の間に存在する多数の不整合、および多結晶シリコン層を構成する結晶粒子の粒界に存在する不整合、および多結晶シリコン粒子中に存在する点欠陥および正孔を減少または消滅させるため、熱処理を施す。該熱処理の条件としては、実施例図１で示しながら説明した条件で行えばよい。」（【００４８】）が記載されている。
   実施例、 図１の熱処理として「次に、多結晶シリコン層中に残存する応力と、および多結晶シリコン層１０５と二酸化珪素膜１０２の間に存在する多数の不整合、および多結晶シリコン層を構成する結晶粒子の粒界に存在する不整合、および多結晶シリコン粒子中に存在する点欠陥および正孔を減少または消滅させるため、熱処理を施す。該熱処理の条件としては、例えば３００〜６５０℃の温度で、時間は１０分から２０時間、試料周囲の雰囲気は窒素ガス中あるいは不活性ガス中あるいは水素を含んだ不活性ガス中である。」（【００２８】）が記載されている。
ｃ．刊行物３：特開平５−１５２３２５号公報（参考資料１）
　刊行物３には、アモルファスシリコン薄膜をポリ化して多結晶シリコン薄膜とすることが記載されている。
（４）対比・判断
　本件発明と上記刊行物１に記載の発明とを対比すると、本件発明ではアモルファスシリコン薄膜からなる半導体薄膜をレーザアニールしてポリ化しているのに対し、刊行物１に記載の発明は、短波長レーザからの照射によって非晶質の半導体層表面部のみにグレイン（結晶粒）５を形成し、熱処理を施して固相成長を行わせている。固相成長は、表面のグレインを結晶核として基板表面側から基板１側に向けて凝固していくことは明らかであり、不純物は基板側に集中してしまう。
　したがって、本件発明では、表面層に集中した不純物を除去しているのに対し、刊行物１に記載の発明では、表面をエッチングしても、不純物を除去することはできない。
　よって、本件発明は、刊行物１に記載された発明ではないので、特許法第２９条第１項第３号に該当しない。
　また、刊行物１に記載の発明から容易に成し得るものとも認められないので、特許法第２９条第２項の規定に違反しない。
　本件発明と上記刊行物２に記載の発明とを対比すると、刊行物２に記載の発明では、「ただし、レーザーアニール後フッ酸などで結晶化したシリコン層３０５の表面を除去する場合には、酸素雰囲気、窒素雰囲気あるいは大気中でもビームアニール可能である。（【００４５】）
 （実施例図１で示しながら説明した条件により窒素雰囲気中で）、熱処理を施す。（【００４８】）」と記載されており、仮に、レーザーアニール後フッ酸などで結晶化したシリコン層３０５の表面を除去するとしても、表面を除去する工程の後で窒素雰囲気中での熱処理が行われていると認められ、窒素雰囲気中で熱処理を施したときに生成した酸化膜を除去できないものである。また、アモルファスシリコンをレーザアニールしてポリ化する際に表面層に集中した不純物並びに前記熱処理時に前記表面に形成された酸化膜と共に除去することを示唆する記載もない。
　よって、本件発明は、刊行物２から容易に成し得たものとは認められない。
　さらに、刊行物３においても、アモルファスシリコンにエキシマレーザ光を照射して、結晶化を行うことが記載されているが、半導体薄膜の表面層を、熱処理時に表面層に形成された酸化膜並びに表面層に集中した不純物と共に除去することが記載されていない。
　よって、本件発明は、刊行物１乃至３の記載に基づいて当業者が容易に成し得たものとは認められない。
（５）むすび
  　以上のとおりであるから、特許異議申立の理由及び証拠によっては、本件請求項１に係る特許を取り消すことができない。
　また、他に本件請求項１に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　したがって、本件発明についての特許は拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してなされたものと認めない。
　よって、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第２項の規定により、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１６年８月１１日（２００４．８．１１）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
薄膜トランジスタの製造方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　基板上に形成された
アモルファスシリコン薄膜からなる
てポリ化し
、前記
並びに前記熱処理時に前記表面層に形成された酸化膜
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】
　この発明は薄膜トランジスタの製造方法に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　薄膜トランジスタの製造分野では、ガラス基板上に形成したアモルファスシリコン薄膜を、レーザアニールすることにより、ポリ化してポリシリコン薄膜とすることがある。この場合、レーザアニールにより溶融したアモルファスシリコン薄膜がガラス基板側から凝固してポリ化する。また、イオン注入後のポリシリコン薄膜をレーザアニールして活性化することもあるが、この場合もレーザアニールにより溶融したポリシリコン薄膜がガラス基板側から凝固する。
　【０００３】
　【発明が解決しようとする課題】
　このように、レーザアニールにより溶融したアモルファスシリコン薄膜等からなる半導体薄膜がガラス基板側から凝固するので、半導体薄膜中に存在する不純物がその表面層に集中して残留することになる。この結果、このような構造の半導体薄膜を備えた薄膜トランジスタでは、半導体薄膜の膜質が良くなく、オン電流、オフ電流、しきい値電圧等の電気的特性が劣化するという問題があった。この発明の目的は、半導体薄膜の膜質を良くすることのできる薄膜トランジスタの製造方法を提供することにある。
　【０００４】
　【課題を解決するための手段】
　この発明は、基板上に形成された
アモルファスシリコン薄膜からなる
てポリ化し
、前記
並びに前記熱処理時に前記表面層に形成された酸化膜
　【０００５】
　【作用】
　この発明によれば、半導体薄膜の表面層を該表面層に集中した不純物と共に除去することになるので、半導体薄膜の膜質を良くすることができる。
　【０００６】
　【実施例】
　図１〜図８はそれぞれこの発明の一実施例における薄膜トランジスタの各製造工程を示したものである。そこで、これらの図を順に参照しながら、薄膜トランジスタの製造方法について説明する。
　【０００７】
　まず、図１に示すように、ガラス基板１の上面にＳｉＨ４とＨ２との混合ガスを用いたプラズマＣＶＤにより水素化アモルファスシリコン薄膜２を堆積する。この場合、水素化アモルファスシリコン薄膜２の膜厚が目的とする膜厚よりもある程度厚くなるようにする。例えば、目的とする膜厚が５００Å程度であるならば、プラス１００Åの６００Å程度とする。また、堆積条件としては、ガラス基板１の温度を２００〜３５０℃程度望ましくは２５０℃程度とし、１０〜２０ＳＣＣＭ程度のＳｉＨ４とその１０倍程度のＨ２との混合ガスを用いる。すると、水素化アモルファスシリコン薄膜２の水素含有量は１０〜２０ａｔｏｍｉｃ％程度となる。次に、後の工程でエキシマレーザ照射により高エネルギを与えたとき水素が突沸して欠陥が生じるのを回避するために、脱水素処理を行う。この場合、窒素雰囲気中において４５０℃程度の温度で１時間程度の熱処理を行い、水素含有量が３ａｔｏｍｉｃ％以下望ましくは１ａｔｏｍｉｃ％以下となるようにする。
　【０００８】
　次に、図２に示すように、脱水素処理後のアモルファスシリコン薄膜３のソース・ドレイン形成領域３ａ以外の領域に対応する部分の上面にフォトレジスト膜４を形成する。次に、このフォトレジスト膜４をマスクとしてアモルファスシリコン薄膜３のソース・ドレイン形成領域３ａにリンイオンやボロンイオン等のイオンを注入してイオン注入領域５を形成する。この後、フォトレジスト膜４を除去する。
　【０００９】
　次に、図３に示すように、真空中において基板温度２００〜４００℃で波長３０８ｎｍのＸｅＣｌエキシマレーザをエネルギ密度２５０〜３５０ｍＪ／ｃｍ２程度、パルス幅５０ｎｓｅｃ程度で照射すると、アモルファスシリコン薄膜３がポリ化してポリシリコン薄膜６になると同時にイオン注入領域５が活性化される。この場合、レーザアニールにより溶融したアモルファスシリコン薄膜３がガラス基板１側から凝固することにより、アモルファスシリコン薄膜３中に存在する不純物７がポリシリコン薄膜６の表面層に集中する。このとき、ガラス基板１の温度を２００〜４００℃とすると、凝固速度は室温の場合の６０〜３０％に低減するので、結晶粒径の増大と共に不純物の表面層への一層の集中化を図ることができる。なお、波長３０８ｎｍのＸｅＣｌエキシマレーザのほかに、波長２４８ｎｍのＫｒＦ、波長１９３ｎｍのＡｒＦ、波長１７５ｎｍのＡｒＣｌ、波長３５３ｎｍのＸｅＦ等のエキシマレーザを用いてもよいことはもちろんである。また、エキシマレーザ照射を複数回行えば、不純物の表面層への集中をより確実となすことができる。
　【００１０】
　次に、ポリシリコン薄膜６の膜質を安定化するために、窒素雰囲気中において５００℃程度の温度で熱処理を行うと、図４（Ａ）に示すように、ポリシリコン薄膜６の表面に自然酸化膜８が形成される。次に、１％フッ酸に１分間程度浸し、エッチングを行う。すると、自然酸化膜８が数秒間程度で除去され、この後ポリシリコン薄膜６の表面層が１００Å程度除去される。この状態を図４（Ｂ）に示す。このように、ポリシリコン薄膜６の表面層を１００Å程度除去しているので、ポリシリコン薄膜６の表面層に集中して残留している不純物７も同時に除去されることになる。なお、ポリシリコン薄膜６の膜質を安定化するために、窒素雰囲気中ではなく、酸素雰囲気中において５００〜６００℃程度の温度で熱処理を行ってもよい。この場合、窒素雰囲気中での熱処理の場合よりもエッチング時間を短縮することができるので、ガラス基板１に与えるダメージを少なくすることができる。また、エッチングはドライエッチングであってもよい。
　【００１１】
　次に、図５に示すように、素子分離により、不要な部分のポリシリコン薄膜６を除去する。この状態では、ポリシリコン薄膜６の中央部はチャネル領域６ａとされ、その両側は活性化イオン注入領域からなるソース・ドレイン領域６ｂとされている。次に、図６に示すように、全表面に酸化シリコン膜と窒化シリコン膜とからなるゲート絶縁膜９を形成する。すなわち、まず全表面にスパッタにより酸化シリコン膜を堆積し、次いでこの酸化シリコン膜の表面にＳｉＨ４とＮＨ３とＮ２とからなる混合ガスを用いたプラズマＣＶＤにより窒化シリコン膜を堆積する。プラズマＣＶＤにより窒化シリコン膜を堆積する場合、ガラス基板１の温度を２５０℃程度とし、ＳｉＨ４を３０ＳＣＣＭ程度とし、ＮＨ３を６０ＳＣＣＭ程度とし、Ｎ２を３９０ＳＣＣＭ程度とし、出力６００Ｗ程度、圧力０．５Ｔｏｒｒ程度で行うと、同時にポリシリコン薄膜６が水素化されてそのダングリングボンドが減少する。このように、ポリシリコン薄膜６上にプラズマＣＶＤによりゲート絶縁膜９を堆積するのと同時にポリシリコン薄膜６を水素化してそのダングリングボンドを減らしているので、ゲート絶縁膜９の堆積とポリシリコン薄膜６の水素化を一度のプラズマＣＶＤで同時に行うことができ、したがって独自の水素化工程を省略することができ、ひいては製造工程数を少なくすることができる。次に、チャネル領域６ａに対応する部分のゲート絶縁膜９の上面にＣｒからなるゲート電極１０を形成する。
　【００１２】
　次に、図７に示すように、全表面に窒化シリコン等からなる層間絶縁膜１１を形成する。次に、ソース・ドレイン領域６ｂに対応する部分の層間絶縁膜１１およびゲート絶縁膜９にコンタクトホール１２を形成する。次に、図７に示すように、コンタクトホール１２を介してソース・ドレイン領域６ｂと接続されるＡｌからなるソース・ドレイン電極１３を層間絶縁膜１１の上面にパターン形成する。かくして得られた電界効果型の薄膜トランジスタでは、オン電流、オフ電流、しきい値電圧等の電気的特性が向上し、移動度も８０ｃｍ２／Ｖ・ｓｅｃ以上であり、ポリシリコン薄膜６の膜質が極めて良好であることが確認された。
　【００１３】
　なお、上記実施例では、プラズマＣＶＤにより水素化アモルファスシリコン薄膜２を堆積した後脱水素処理を行っているが、これに限定されるものではなく、例えばＬＰＣＶＤにより水素を含有しないアモルファスシリコン薄膜を堆積するようにしてもよい。この場合、ＬＰＣＶＤにより水素を含有しないアモルファスシリコン薄膜を堆積する際のガラス基板１の温度を５００〜６００℃程度とし、ポリ化および活性化するためのエキシマレーザのエネルギ密度を４００ｍＪ／ｃｍ２程度とする。したがって、この場合には脱水素処理を行う必要はないが、ガラス基板１の温度を５００〜６００℃程度と比較的高温とすることになるので、基板温度の昇温に時間が余計にかかることになる。また、ガラス基板１の温度を６００℃程度とした場合には、アモルファスシリコン薄膜ではなくポリシリコン薄膜が直接堆積されることになるが、その後のエキシマレーザ照射によりその結晶粒径が成長し、したがってポリシリコン薄膜の結晶構造を良くすることができる。
　【００１４】
　また、上記実施例では、ポリ化と活性化を一度のエキシマレーザ照射で同時に行っているが、これは別々に行ってもよい。要は、ゲート絶縁膜９を形成する前に、レーザアニールによってポリシリコン薄膜の表面層に集中した不純物を除去することができればよい。このとき、ポリシリコン薄膜の膜質を安定化するための熱処理を行った場合には、ポリシリコン薄膜の表面に形成された自然酸化膜も除去される。
　【００１５】
　また、上記実施例では、この発明を通常のＭＯＳ構造の薄膜トランジスタに適用した場合について説明したが、通常のＭＯＳ構造の薄膜トランジスタと比較して、耐圧の向上等を図って高信頼化したＬＤＤ構造の薄膜トランジスタにも適用することができる。例えば、図８と同一名称部分には同一の符号を付した図９に示すＬＤＤ構造の薄膜トランジスタでは、ポリシリコン薄膜６の中央部をチャネル領域６ａとされ、その両側をイオン濃度の低いソース・ドレイン領域６ｂとされ、さらにその両側をイオン濃度の高いソース・ドレイン領域６ｃとされた構造となっている。このＬＤＤ構造の薄膜トランジスタを製造する場合には、例えば図２に示すような状態において、イオン濃度の低いソース・ドレイン領域６ｂおよびイオン濃度の高いソース・ドレイン領域６ｃを形成すべき部分に低濃度のイオンを注入し、次いでフォトレジスト膜４を除去し、次いでイオン濃度の高いソース・ドレイン領域６ｃを形成すべき部分以外の部分の上面に別のフォトレジスト膜を形成し、この別のフォトレジスト膜をマスクとしてイオン濃度の高いソース・ドレイン領域６ｃを形成すべき部分に高濃度のイオンを注入するようにすればよい。
　【００１６】
　さらに、上記実施例では、この発明をトップゲート型のコプラナ構造の薄膜トランジスタに適用した場合について説明したが、スタガ構造やバックゲート型のコプラナまたはスタガ構造の薄膜トランジスタにも適用し得ることはもちろんである。バックゲート型の場合、ガラス基板の上面にゲート電極およびゲート絶縁膜を形成し、その上にアモルファスシリコン薄膜を堆積し、このアモルファスシリコン薄膜をポリ化してポリシリコン薄膜とする。また、ポリシリコン薄膜の水素化処理は、ポリシリコン薄膜上にパッシベーション膜（絶縁膜）をプラズマＣＶＤにより堆積する際に同時に行うことができる。
　【００１７】
　【発明の効果】
　以上説明したように、この発明によれば、半導体薄膜の表面層を該表面層に集中した不純物と共に除去しているので、半導体薄膜の膜質を良くすることができ、ひいてはオン電流、オフ電流、しきい値電圧等の電気的特性を向上することができる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　この発明の一実施例における薄膜トランジスタの製造に際し、ガラス基板の上面に水素化アモルファスシリコン薄膜を堆積した状態の断面図。
　【図２】
　同薄膜トランジスタの製造に際し、脱水素処理後のアモルファスシリコン薄膜のソース・ドレイン形成領域にイオンを注入した状態の断面図。
　【図３】
　同薄膜トランジスタの製造に際し、エキシマレーザを照射することにより、アモルファスシリコン薄膜をポリ化すると同時にイオン注入領域を活性化した状態の断面図。
　【図４】
　（Ａ）は同薄膜トランジスタの製造に際し、熱処理により、ポリシリコン薄膜の表面に自然酸化膜を形成した状態の断面図、（Ｂ）は同薄膜トランジスタの製造に際し、エッチングにより、ポリシリコン薄膜の表面層を除去した状態の断面図。
　【図５】
　同薄膜トランジスタの製造に際し、素子分離により、不要な部分のポリシリコン薄膜を除去した状態の断面図。
　【図６】
　同薄膜トランジスタの製造に際し、ゲート絶縁膜およびゲート電極を形成した状態の断面図。
　【図７】
　同薄膜トランジスタの製造に際し、層間絶縁膜をおよびコンタクトホールを形成した状態の断面図。
　【図８】
　同薄膜トランジスタの製造に際し、ソース・ドレイン電極を形成した状態の断面図。
　【図９】
　この発明をＬＤＤ構造の薄膜トランジスタに適用した場合の図８同様の断面図。
　【符号の説明】
　１　ガラス基板
　３　アモルファスシリコン薄膜
　６　ポリシリコン薄膜
　７　不純物
　８　自然酸化膜