(57)【要約】  １つ以上の双性イオンを含む第１の半導体ポリマーを含む電荷輸送層を含む、オプトエレクトロニクスデバイス。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
１つ以上の双性イオンを含む第１の半導体ポリマーを含む電荷輸送層を含む、オプトエレクトロニクスデバイス。
【請求項２】
前記第１の半導体ポリマーが、少なくとも１つの双性イオン性置換基を有する第１の繰り返しユニットを含む、請求項１に記載のオプトエレクトロニクスデバイス。
【請求項３】
前記双性イオン性置換基が少なくとも１つの四級アミン基を含む、請求項２に記載のオプトエレクトロニクスデバイス。
【請求項４】
前記双性イオン性置換基がスルホネート基を含む、請求項２または請求項３に記載のオプトエレクトロニクスデバイス。
【請求項５】
前記双性イオン性置換基が、少なくとも１つ、例えば２つ、３つ、４つ、５つまたはそれ以上の原子（例えば炭素）中心によって分離されたカチオン性中心およびアニオン性中心を含む、請求項２から４のいずれか一項に記載のオプトエレクトロニクスデバイス。
【請求項６】
前記第１の繰り返しユニットがフルオレン残基を含む、請求項２から５のいずれか一項に記載のオプトエレクトロニクスデバイス。
【請求項７】
前記第１の繰り返しユニットが以下の構造：
【化１】
2014507782.tif 000005
式中、Ｒ１は、前記のまたはさらに別の双性イオン性置換基を含む、
を含む、請求項２から６のいずれか一項に記載のオプトエレクトロニクスデバイス。
【請求項８】
Ｒ２が、前記のまたはさらに別の異なる基、ＨまたはＣ１からＣ１０直鎖または分岐鎖アルキル、アルケニルまたはアルキニル鎖を含む、請求項７に記載のオプトエレクトロニクスデバイス。
【請求項９】
Ｒ１およびＲ２が、同じ双性イオン性置換基を含む、請求項７に記載のオプトエレクトロニクスデバイス。
【請求項１０】
前記第１の半導体ポリマーが、第２の繰り返しユニットを含む、請求項２から９のいずれか一項に記載のオプトエレクトロニクスデバイス。
【請求項１１】
前記第２の繰り返しユニットが、フルオレン残基、例えば９，９−ジオクチルフルオレンを含む、請求項１０に記載のオプトエレクトロニクスデバイス。
【請求項１２】
前記第１の半導体ポリマーが、前記第１の繰り返しユニットおよび前記第２の繰り返しユニットの交互コポリマーを含む、請求項１０または請求項１１に記載のオプトエレクトロニクスデバイス。
【請求項１３】
前記電荷輸送層が、発光性層とカソードとの間に配置され、例えば前記電荷輸送層が、前記発光性層および／または前記カソードに直接隣接して配置される、請求項１から１２のいずれか一項に記載のオプトエレクトロニクスデバイス。
【請求項１４】
前記電荷輸送層が、光起電性層とカソードとの間に配置され、例えば前記電荷輸送層が、前記光起電性層および／または前記カソードに直接隣接して配置される、請求項１から１２のいずれか一項に記載のオプトエレクトロニクスデバイス。
【請求項１５】
前記カソードが、アルミニウム、カルシウム、インジウムスズオキシド（ＩＴＯ）、金、銀から選択される１つ以上の材料を含む、請求項１３または１４に記載のオプトエレクトロニクスデバイス。
【請求項１６】
前記電荷（例えば電子）輸送層が少なくとも１ｎｍの厚さである、請求項１から１５のいずれか一項に記載のオプトエレクトロニクスデバイス。
【請求項１７】
前記電荷輸送層が１ｎｍから２０ｎｍの厚さである、請求項１６に記載のオプトエレクトロニクスデバイス。
【請求項１８】
少なくとも１つの双性イオン性置換基を有する第１の繰り返しユニットを含む半導体ポリマーであって、前記双性イオン性置換基が、２つを超える原子（例えば炭素）中心により、第１のアニオン性電荷中心から分離した第１のカチオン性電荷中心を含む、該ポリマー。
【請求項１９】
前記双性イオン性置換基が、少なくとも１つの四級アミン基を含む、請求項１８に記載の半導体ポリマー。
【請求項２０】
前記双性イオン性置換基がスルホネート基を含む、請求項１８または１９に記載の半導体ポリマー。
【請求項２１】
前記第１の繰り返しユニットがフルオレン残基を含む、請求項１８から２０のいずれか一項に記載の半導体ポリマー。
【請求項２２】
前記第１の繰り返しユニットが以下の構造：
【化２】
2014507782.tif 000006
式中、Ｒ１は、前記のまたはさらに別の双性イオン性置換基を含む、
を含む、請求項１８から２１のいずれか一項に記載の半導体ポリマー。
【請求項２３】
Ｒ２が、第２の異なる双性イオン基、ＨまたはＣ１からＣ１０の直鎖または分岐鎖アルキル、アルケニルまたはアルキニル鎖を含む、請求項２２に記載の半導体ポリマー。
【請求項２４】
Ｒ１およびＲ２が同じ双性イオン性置換基を含む、請求項２２に記載の半導体ポリマー。
【請求項２５】
第２の繰り返しユニットを含む、請求項１８から２４のいずれか一項に記載の半導体ポリマー。
【請求項２６】
前記第２の繰り返しユニットが、フルオレン残基、例えば９，９−ジオクチルフルオレンを含む、請求項２５に記載の半導体ポリマー。
【請求項２７】
前記第１の繰り返しユニットおよび前記のまたはさらに別の第２の繰り返しユニットの交互コポリマーを含む、請求項２５または２６に記載の半導体ポリマー。
【請求項２８】
請求項１８から２７のいずれか一項に記載の半導体ポリマーを含む電子注入材料。
【請求項２９】
請求項１８から２８のいずれか一項に記載の半導体ポリマーを含む電子輸送材料。
【請求項３０】
少なくとも第１の共役モノマーを重合して、伝導性ポリマーを形成する工程；および
前記ポリマーを少なくとも１つの双性イオン形成反応体と反応させて、伝導性双性イオン性ポリマーを形成する工程
を含む、電気半導体双性イオン性ポリマーを製造する方法。
【請求項３１】
前記第１の共役モノマーが、少なくとも１つの三級アミン置換を含み、例えば、それによって形成された半導体ポリマーが、三級アミン置換されたポリマーを含む、請求項３０に記載の方法。
【請求項３２】
前記第１の双性イオン形成反応体が、例えば前記のまたはさらに別の三級アミン基と反応するための、負電荷保持種またはそれらの前駆体を含む、請求項３０または３１に記載の方法。
【請求項３３】
前記負電荷保持種またはそれらの前駆体が、スルホンを含む、請求項３２に記載の方法。
【請求項３４】
前記第１のモノマーを、少なくとも１つのさらなるモノマー、例えばアミンを含まないモノマーと共重合させる、請求項３０から３３３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項３５】
前記重合が、スズキ重合を含む、請求項３０から３４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項３６】
前記重合が、ヤマモトまたはＳｔｉｌｌｅ重合を含む、請求項３０から３４のいずれか一項に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機半導体に関し、特に、これらに限定されないが、オプトエレクトロニクス、例えば光応答性のデバイスに有用なポリマー性半導体に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体有機材料は、発光ダイオード（ＬＥＤ）、光起電性（ＰＶ）ダイオード、電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）、およびレーザーを含むオプトエレクトロニクスデバイスの範囲において、従来の無機半導体の非常に有効な代替となる。一般的なクラスの有機半導体のうち、共役ポリマーは、有機半導体が無機半導体に優り得る顕著な材料利点（化学的に調整可能なオプトエレクトロニクス特性およびプリンテッドエレクトロニクスに好適な低温の溶液系加工処理を含む）を実証する。
【０００３】
ペンダントした電荷部位を有する半導体ポリマー骨格およびそうした電荷部位と関連した対イオンを含む共役高分子電解質（ＣＰＥ）は、例えば電荷輸送（例えば電子輸送または電子注入）材料として使用される場合のように、オプトエレクトロニクスデバイスにおけるものが示されている。特に、ＣＰＥの電子特性により、極性溶媒におけるそれらの溶解度と組み合わせて、例えばＬＥＤおよびＰＶにおける材料に関して魅力的な選択肢となる。
【０００４】
しかし、ＣＰＥを含むオプトエレクトロニクスデバイスは、ターンオン時間が遅い。いかなる特定の理論にも束縛されないが、これは、少なくとも部分的には、対イオンの移動によるものであり、それが内部電界の再分配を導き得ることが仮定される。さらに、これらの移動性対イオンはまた、１つまたは両方の電極の仕事関数を変更し得るので、デバイスの操作機構がより複雑化するようである。さらに、ＯＬＥＤにおいて、例えば対イオンは、発光層のドーピング特徴に影響し得る。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的は、上述のような欠点を最小限にすると共に、ＣＰＥの利点を有する電子デバイスのための材料を提供することである。さらに、こうした材料を含む電子デバイスを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
第１の態様において、本発明は、１つ以上の双性イオンを含む第１の半導体ポリマーを含む電荷輸送層を含むオプトエレクトロニクスデバイスを提供する。
【０００７】
第２の態様において、本発明は、ポリマーに共有結合した１つ以上の双性イオンを含む第１の半導体ポリマーを含む電荷輸送層を含むオプトエレクトロニクスデバイスを提供する。
【０００８】
本明細書において、「双性イオン」という用語は、少なくとも１つの形式的な正電荷中心および少なくとも１つの負電荷中心を有する安定な電荷中性形態で存在する部位を指す。
【０００９】
本明細書において、「双性イオン置換基」という用語は、分子（例えばポリマー）に結合した双性イオンの特徴を有する区別可能な部位を指す。
【００１０】
好ましくは、１つ以上の双性イオンは、半導体ポリマー骨格に共有結合する。
【００１１】
好ましくは、第１の半導体ポリマーは、少なくとも１つの双性イオン置換基を有する第１の繰り返しユニットを含む。
【００１２】
好ましくは、双性イオン置換基は、少なくとも１つの四級アミン基を含む。
【００１３】
好ましくは、双性イオン置換基は、スルホネート基を含む。
【００１４】
好ましくは、双性イオン置換基は、少なくとも１つ、例えば２つ、３つ、４つ、５つまたはそれ以上、例えば２〜２０、例えば２〜１０の整数の原子（例えば炭素）中心によって分離されたカチオン性中心およびアニオン性中心を含む。
【００１５】
好ましくは第１の繰り返しユニットは、フルオレン残基を含む。
【００１６】
好ましくは第１の繰り返しユニットは、以下の構造を含む：
【００１７】
【化１】
2014507782.tif 000003
式中、Ｒ１は、前記のまたはさらに別の双性イオン置換基を含む。
【００１８】
好ましくは、Ｒ２は、前記のまたはさらに別の双性イオン基（例えば異なる双性イオン基）、ＨまたはＣ１からＣ１０直鎖または分岐鎖アルキル、アルケニルまたはアルキニル鎖を含む。
【００１９】
より好ましくは、Ｒ１およびＲ２の両方は、双性イオン性置換基、例えば同じ双性イオン性置換基を含む。
【００２０】
好ましくは、１つ以上の双性イオン性置換基は、２つを超える原子（例えば炭素）中心により、第１のアニオン性中心から分離した第１のカチオン性電荷中心を含む。
【００２１】
好ましくは、第１の半導体ポリマーは、第２の繰り返しユニットを含む。
【００２２】
好ましくは、第２の繰り返しユニットは、フルオレン残基、例えば９，９−ジオクチルフルオレンを含む。
【００２３】
好ましくは、第１の半導体ポリマーは、第１の繰り返しユニットおよび前記のまたはさらに別の第２の繰り返しユニットの交互コポリマーを含む。
【００２４】
一部の実施形態において、電荷輸送層は、発光性層とカソードとの間に配置され、例えば電荷輸送層は、発光性層および／またはカソードに直接隣接して配置される。
【００２５】
他の実施形態において、電荷輸送層は、光起電性層とカソードとの間に配置され、例えば電荷輸送層は、光起電性層および／またはカソードに直接隣接して配置される。
【００２６】
好ましくは、カソードは、アルミニウム、カルシウム、インジウムスズオキシド（ＩＴＯ）から選択される１つ以上の材料を含む。
【００２７】
好ましくは、電荷輸送層（例えば、電子輸送層）は、少なくとも１ｎｍ（例えば、少なくとも２ｎｍ、少なくとも５ｎｍ、少なくとも７ｎｍまたは少なくとも９ｎｍ）の厚さを有する。
【００２８】
好ましくは、電荷輸送層（例えば電子輸送層）は、１ｎｍ〜２０ｎｍの厚さを有する。より好ましくは、電荷輸送層は２ｎｍ〜１０ｎｍの厚さを有する。
【００２９】
さらなる態様において、本発明は、少なくとも１つの双性イオン性置換基を有する第１の繰り返しユニットを含む半導体ポリマーを提供し、ここでこの双性イオン性置換基は、２つを超える原子（例えば炭素）中心により第１のアニオン性電荷中心と分離した第１のカチオン性電荷中心を含む。
【００３０】
好ましくは、双性イオン性置換基は、少なくとも１つの四級アミン基を含む。
【００３１】
好ましくは、双性イオン性置換基は、スルホネート基を含む。
【００３２】
好ましくは、第１の繰り返しユニットは、フルオレン残基を含む。
【００３３】
好ましくは、第１の繰り返しユニットは、以下の構造を含む：
【００３４】
【化２】
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式中、Ｒ１は、前記のまたはさらに別の双性イオン性置換基を含む。
【００３５】
好ましくは、Ｒ２は、前記のまたはさらに別の双性イオン基（例えば異なる双性イオン基）、ＨまたはＣ１からＣ１０直鎖または分岐鎖アルキル、アルケニルまたはアルキニル鎖を含む。
【００３６】
より好ましくは、Ｒ１およびＲ２の両方は、双性イオン性置換基、例えば同じ双性イオン性置換基を含む。
【００３７】
好ましくは、半導体ポリマーは、第２の繰り返しユニットを含む。
【００３８】
好ましくは、第２の繰り返しユニットは、フルオレン残基、例えば９，９−ジオクチルフルオレンを含む。
【００３９】
好ましくは、半導体ポリマーは、第１の繰り返しユニットおよび／または第２の繰り返しユニットの交互コポリマーを含む。
【００４０】
さらなる態様において、本発明は、上述のような半導体ポリマーを含む電子注入材料を含む。
【００４１】
さらなる態様において、本発明は、上述のようなポリマーを含む電子輸送材料を提供する。
【００４２】
さらなる態様において、本発明は、少なくとも第１の共役モノマーを重合して、伝導性ポリマーを形成する工程、およびこのポリマーを少なくとも１つの双性イオン形成反応体と反応させて、伝導性双性イオン性ポリマーを形成する工程を含む、電気半導体双性イオン性ポリマーを製造する方法を含む。
【００４３】
好ましくは、第１の共役モノマーは、少なくとも１つの三級アミン置換を含み、例えばそれから形成された半導体ポリマーは、三級アミン置換されたポリマーを含むようになる。
【００４４】
好ましくは、第１の双性イオン形成反応体は、例えば前記のまたはさらに別の三級アミン基と反応するための、負電荷保持種またはそれらの前駆体を含む。
【００４５】
好ましくは、負電荷保持種またはそれらの前駆体はスルホンを含む。
【００４６】
好ましくは、この方法は、第１のモノマーを、少なくとも１つのさらなるモノマー、例えばアミンを含まないモノマーと共重合させる工程を含む。
【００４７】
好ましくは、重合は、スズキ重合を含む。
【００４８】
一部の実施形態において、重合は、ヤマモトまたはＳｔｉｌｌｅ重合を含む。
【００４９】
本発明をさらに理解するために、ここで本発明を、以下の図面を参照して、実施例によってのみ説明する。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】本発明の伝導性ポリマーの合成経路を示す。
【図２】本発明のオプトエレクトロニクスデバイスの概略図を示す。
【図３】本発明および先行技術のデバイスに関する、電圧に対する輝度のプロットを示す。
【図４】本発明および先行技術のデバイスに関する、電圧に対する効率のプロットを示す。
【図５】本発明および先行技術の材料に関する、波長に対する吸収強度のプロットを示す。
【図６】本発明および先行技術の材料に関する、波長に対するフォトルミネッセンス強度のプロットを示す。
【図７】本発明のデバイスに関する、時間に対するルミネッセンスおよび電流密度のプロットを示す。
【図８】本発明および先行技術のデバイスに関する、電圧に対する容量電荷および電荷密度のプロットを示す。
【発明を実施するための形態】
【００５１】
電荷中性共役高分子電解質は、以下の方法に従って合成された。
【００５２】
中性三級アミンポリマーは、当該技術分野において周知の条件下、２，７−ビス（１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）−９，９−ジオクチルフルオレン（１）と２，７−ジブロモ−９，９−ビス（（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）エタニル）フルオレン（２）のＰｄ媒介されたスズキ縮合重合によって合成された。こうして形成された中性三級アミンポリマー（３）は、クロロホルム、ＴＨＦおよびトルエンのような有機溶媒中に可溶性であるが、メタノール、ＤＭＳＯおよび水には不溶性である。
【００５３】
次いでポリマーは、トルエン／メタノール中、７０℃にて３日間、１，４−ブタンスルトンと共に還流することによって四級化した。得られた双性イオン性共役高分子電解質（４）は、メタノールおよびＤＭＳＯ中に可溶性であった。高分子電解質の元素分析は、第１のポリマーの三級アミンのスルホベタイン双性イオン性基へのほぼ１００％の転化を示した。
【００５４】
上述の一連の反応に関する合成経路を図１に示す。
【００５５】
図２は、本発明に従う単純なオプトエレクトロニクスデバイス１０を示す。デバイス１０は、順番に、アルミニウムカソード層１２、双性イオン性高分子電解質を含む２ｎｍ厚さの電子輸送層１４、ポリ（９，９−ジオクチルフルオレン）−ｃｏ−ベノチアダゾール（Ｆ８ＢＴ）を含む１００ｎｍ厚さの発光性層１６およびＩＴＯ／ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳアノード１８を含む。
【００５６】
デバイス１０は、アノード１８、発光性層１８および電子輸送層１４をガラス基板上に連続的にスピンコーティングし、続いて電子輸送層１４上にアルミニウムカソード１２を堆積させることによって製造された。
【実施例１】
【００５７】
上述のようなデバイス１０を、電圧に対する輝度に関して試験した。試験の結果を図３にプロットする。ターンオン電圧（輝度が１ｃｄ／ｍ２に到達する電圧として定義される）は２．３Ｖであり、ブライトネスは３Ｖで１９００ｃｄ／ｍ２に増大し、５．８Ｖでは最大８００００ｃｄ／ｍ２であった。
【実施例２】
【００５８】
同じデバイス１０を、電圧に対する電流効率に関して試験した。試験の結果を図４にプロットする。５．８Ｖでの効率は、８．８ｃｄ／Ａであるとわかり（対応する電流密度は９１０．５ｃｄ／ｍ２である）、最大効率は１０．４ｃｄ／Ａ（２６０００ｃｄ／ｍ２のブライトネスにて）であった。デバイス効率は、操作電圧において安定であり、５．８Ｖまで顕著な低下は観測されないことは注目に値する。
【００５９】
比較例
第１の比較デバイスは、順番に、アルミニウム／カルシウムカソード、Ｆ８ＢＴ発光層およびＰＥＤＯＴ：ＰＳＳアノードを含むように調製された。
【００６０】
第２の比較デバイスは、順番に、アルミニウムカソード、Ｆ８ＢＴ発光層およびＰＥＤＯＴ：ＰＳＳアノードを含むように調製された。
【００６１】
比較例１
第１の比較デバイスを、電圧に対する輝度および電圧に対する効率について試験した。結果を、それぞれ図３および４にプロットする。
【００６２】
予測されるように、第１の比較デバイスは、電子注入が乏しいため、両方の試験において非常に劣っていた。特に、ターンオン電圧は、実施例１に関して観測された２．３Ｖより相当高い約７．５Ｖであったことに留意する。
【００６３】
比較例２
また、第２の比較デバイスを、電圧に対する輝度および電圧に対する効率に関して試験した。結果を、それぞれ図３および４にプロットする。
【００６４】
第２の比較デバイスのターンオン電圧は、実施例１と実質的に同じであることがわかったが、これはＦ８ＢＴのＬＵＭＯ（２．９４ｅＶ）とＣａの仕事関数（２．８７ｅＶ）との差が小さいことにより説明できる。しかし、第２の比較デバイスの最大ブライトネスは、実施例１のデバイスの半分未満である３０，０００ｃｄ／ｍ２に過ぎないことがわかった。さらに、第２の比較デバイスのエネルギー変換効率は、実施例２で観測された効率のおおよそ半分であることがわかった。
【実施例３】
【００６５】
双性イオン性高分子電解質のフィルムを、その吸収（実施例３ａ）およびフォトルミネッセンス（実施例３ｂ）特性について試験した。結果をそれぞれ図５および６にプロットする。
【００６６】
比較例３
中性三級アミンポリマー（３）のフィルムを、その吸収（比較例３ａ）およびフォトルミネッセンス（比較例３ｂ）特性について試験した。結果をそれぞれ図５および６にプロットする。
【実施例４】
【００６７】
メタノール中の双性イオン性高分子電解質の溶液を、その溶液吸収（実施例４ａ）および溶液フォトルミネッセンス特性（実施例４ｂ）について試験した。結果をそれぞれ図５および６にプロットする。
【００６８】
比較例４
クロロホルム中の中性三級アミンポリマー（３）の溶液を、その溶液吸収（比較例４ａ）および溶液フォトルミネッセンス特性（比較例４ｂ）について試験した。結果をそれぞれ図５および６にプロットする。
【００６９】
図５および６からわかるように、双性イオン性高分子電解質および中性ポリマーＦ８ＢＴについてのフィルム吸収およびフォトルミネッセンススペクトルは、非常に類似しており、双性イオン性高分子電解質の電子特性は、双性イオン性側鎖の強い双極子によって影響を受けないことを示唆している。
【００７０】
双性イオン性高分子電解質およびＦ８ＢＴのＨＯＭＯは、サイクリックボルタンメトリーによって、それぞれ５．６ｅＶであることがわかった。対応するＬＵＭＯは、吸収オンセットにより、それぞれ２．６７ｅＶおよび２．６４ｅＶであることがわかった。これらの図は、当業者に対して、アルミニウム電極（仕事関数４．２８ｅＶ）とＦ８ＢＴ発光層との間の追加の双性イオン性高分子電解質層を含むことが、実際、電子注入バリアを増大させることを示唆し得る。驚くべきことに、反対のこともその通りであることが示された。
【実施例５】
【００７１】
実施例１にて試験したデバイスと同様であるが、双性イオン性高分子電解質を含む７ｎｍ厚さの電子輸送層を有するデバイスを、４．９Ｖの長方形１Ｈｚ電圧パルスの間に、そのルミネッセンス（実施例５ａ）および電流密度ダイナミクス（実施例５ｂ）を測定するために試験した。結果を図７にプロットする。
【００７２】
４．９ｅＶでの応答時間はおおよそ１０μｓであったことが観測されたが、これは金属電極の使用に一致している。応答時間は、電子注入層として共役高分子電解質を利用する他のデバイスに関しての応答時間よりも速いことが理解される。
［実施例６および７］
【００７３】
実施例５にて測定された電流の時間依存性（図７に示されるように）および１０ｎｍ厚さの双性イオン性ポリマーを含む電子輸送層を有する同様のデバイスに関する等価データ（それぞれ実施例６および７）を統合し、デバイスに蓄積された電荷を示す。容量電荷蓄積および電荷密度を、おいて電圧に対してプロットして図８に示すして。
【００７４】
比較例５
標準比較デバイスに関する同様の電流時間依存性を統合して、デバイスにおいて蓄積された電荷を示す。容量電荷蓄積および電荷密度を、電圧に対してプロットして図８に示す。
【００７５】
これらのデータは、双性イオン含有デバイスが、電圧に関して線形に上昇する標準デバイスの容量帯電に加えて、３Ｖ付近の閾値を超えて追加の帯電を示すことを示している。理論に束縛されないが、この追加の帯電は、０〜１０μｓのタイムスケールの間に、双性イオンの再配向から生じると仮定される。
【００７６】
そのため、本発明の双性イオン性高分子電解質は、電荷輸送材料として優れた性能を与えると同時に、発光周波数における妥協なしに、迅速な切り替え時間および高効率を維持する。
【００７７】
代替または追加のイオン種は、ポリマー性構造に組み込まれてもよいことが、当業者には容易に理解される。さらに、他の双性イオン性ＣＰＥおよび分子半導体（例えばフラーレン）が、本明細書に概要される本発明に使用されてもよいことが理解される。
【図１】
2014507782.tif 000007
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【国際調査報告】
2014507782.tif 000015
2014507782.tif 000016
2014507782.tif 000017