(57)【要約】  本発明は、多層構造を備えた、音響体積波で動作するＢＡＷフィルタに関し、この多層構造によって音響体積波で動作するＢＡＷ共振器の機能層が実現される。さらに前記多層構造によって、受動的な素子の回路が形成され、当該回路は、前記ＢＡＷ共振器のパターニングされた機能層から形成され、少なくとも１つのインダクタンス（Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３）と少なくとも１つのコンデンサ（Ｃ１，Ｃ２）とを備えるバランが形成される。さらに、本発明はＢＡＷフィルタの製造方法に関する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
多層構造を備えた、音響体積波で動作するＢＡＷフィルタであって、
前記多層構造によって、音響体積波で動作するＢＡＷ共振器の機能層が実現され、
さらに前記多層構造によって、受動的な素子の回路が形成され、当該回路は、前記ＢＡＷ共振器のパターニングされた機能層から形成され、少なくとも１つのインダクタンス（Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３）と少なくとも１つのコンデンサ（Ｃ１，Ｃ２）とを備えるバランが形成されることを特徴とするＢＡＷフィルタ。
【請求項２】
請求項１に記載のＢＡＷフィルタにおいて、
前記ＢＡＷ共振器の機能層は、音響ミラー（ＳＰ）、第１の電極（ＢＥ）、圧電層（ＰＺ）、第２の電極（ＴＥ）およびトリミング層（ＴＲ）を備えることを特徴とするＢＡＷフィルタ。
【請求項３】
請求項２に記載のＢＡＷフィルタにおいて、
前記インダクタンス（Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３）は、前記音響ミラー（ＳＰ）の１つ以上の金属層および／または前記第１の電極（ＢＥ）の金属層および／または前記第２の電極（ＴＥ）の金属層から形成されることを特徴とするＢＡＷフィルタ。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか１項に記載のＢＡＷフィルタにおいて、
前記インダクタンス（Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３）は、ＢＡＷフィルタの金属機能層がパターニングされた、スパイラル形状のメタライジング（Ｍ１＿ＴＥ，Ｍ１＿ＢＥ，Ｍ２＿ＴＥ，Ｍ４＿ＴＥ）から形成されることを特徴とするＢＡＷフィルタ。
【請求項５】
請求項１乃至4のいずれか１項に記載のＢＡＷフィルタにおいて、
前記コンデンサ（Ｃ１，Ｃ２）は、２つのパターニングされた金属層（Ｍ２＿ＢＥ，Ｍ３＿ＴＥ，Ｍ６＿ＴＥ，Ｍ４＿ＢＥ）によって形成され、前記２つのパターニングされた金属層は前記多層構造の異なる層に配設され、当該多層構造で互いに重なっていることを特徴とするＢＡＷフィルタ。
【請求項６】
請求項２乃至５のいずれか１項に記載のＢＡＷフィルタにおいて、
前記コンデンサ（Ｃ１，Ｃ２）は、パターニングされた金属層（Ｍ２＿ＢＥ，Ｍ３＿ＴＥ，Ｍ６＿ＴＥ，Ｍ４＿ＢＥ）が、前記音響ミラー、前記第１の電極（ＢＥ）の金属層、および前記第２の電極のの１つ以上の金属層での２つの異なる層で形成されることを特徴とするＢＡＷフィルタ。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか１項に記載のＢＡＷフィルタにおいて、
前記ＢＡＷフィルタは、同構造でトリミング層（ＴＲ）の厚さが異なるＢＡＷ共振器を含み、前記ＢＡＷ共振器のトリミング層（ＴＲ）の厚さは、前記ＢＡＷ共振器がコンデンサとして作用するように設定されることを特徴とするＢＡＷフィルタ。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか１項に記載のＢＡＷフィルタにおいて、
前記インダクタンス（Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３）を形成する前記パターニングされた金属層（Ｍ１＿ＴＥ，Ｍ１＿ＢＥ，Ｍ２＿ＴＥ，Ｍ４＿ＴＥ）、および前記コンデンサ（Ｃ１，Ｃ２）を形成するパターニングされた金属層（Ｍ２＿ＢＥ，Ｍ３＿ＴＥ，Ｍ６＿ＴＥ，Ｍ４＿ＢＥ）は、少なくとも部分的に互いに重なって配設されていることを特徴とするＢＡＷフィルタ。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか１項に記載のＢＡＷフィルタにおいて、
前記バランは１つの不平衡入力（ＥＰ）を、第１の平衡出力の２つの平衡出力ポート（ＡＰ１，ＡＰ２）に接続し、前記バランは、第１のインダクタンス（Ｌ１）、第１のノード（Ｋ１）、第２のインダクタンス（Ｌ２）および第２のノード（Ｋ２）を介して不平衡入力（ＥＰ）を第１の平衡出力ポート（ＡＰ１）に接続する第１の信号路（Ｓ１）と、第１のコンデンサ（Ｃ１）、第３のインダクタンス（Ｌ３）および第３のノード（Ｋ３）を介して第２のノード（Ｋ２）を第２の平衡出力ポート（ＡＰ２）に接続する第２の信号路（Ｓ２）と、第２のコンデンサ（Ｃ２）を介して前記第１のノード（Ｋ１）を前記第３のノード（Ｋ３）に接続する第３の信号路（Ｓ３）とを備えることを特徴とするＢＡＷフィルタ。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか１項に記載のＢＡＷフィルタにおいて、
前記バランおよび前記ＢＡＷフィルタは隣接して配設されることを特徴とするＢＡＷフィルタ。
【請求項１１】
ＢＡＷフィルタの製造方法であって、
基板（ＳＵＢ）の上に多層構造が設けられ、
ＢＡＷ共振器の機能層が次々に重なって設けられてパターニングされ、
前記多層構造の層は、バランを形成する受動的な素子を形成し、当該バランが、前記ＢＡＷ共振器のパターニングされた機能層から形成される少なくとも１つのインダクタンス（Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３）および少なくとも１つのコンデンサ（Ｃ１，Ｃ２）を備えるように、パターニングされることを特徴とするＢＡＷフィルタの製造方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載の方法において、
前記インダクタンス（Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３）および／または前記コンデンサ（Ｃ１，Ｃ２）を形成する、パターニングされた金属層（Ｍ１＿ＴＥ，Ｍ１＿ＢＥ，Ｍ２＿ＴＥ，Ｍ４＿ＴＥ，Ｍ２＿ＢＥ，Ｍ３＿ＴＥ，Ｍ６＿ＴＥ，Ｍ４＿ＴＥ）は、フォトリソグラフィーパターニングによって生成されることを特徴とする方法。
【請求項１３】
請求項１１または１２に記載の方法において、
前記基板（ＳＵＢ）に次々に重なった音響ミラー（ＳＰ）、第１の電極（ＢＥ）、圧電層（ＰＺ）、第２の電極（ＴＥ）およびトリミング層（ＴＲ）が設けられることを特徴とする方法。
【請求項１４】
請求項１１乃至１３のいずれか１項に記載の方法において、
前記ＢＡＷ共振器と前記バランは、時間的に並行してパターニングされることを特徴とする方法。
【請求項１５】
請求項１乃至１０のいずれか１項に記載のＢＡＷフィルタと、音響波で動作するもう１つのフィルタとが１つの共通なチップに配設されているデュプレクサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、音響体積波で動作するＢＡＷフィルタ（ＢＡＷ＝Bulk Acoustic Wave）に関する。
【背景技術】
【０００２】
多くの送受信回路では、位相情報を含むスプリアス信号の除去のために、対称（平衡）回路が用いられている。この回路は信号を互いに逆の位相に分割し、これを加算する。この際、平衡回路に等しく結合されるスプリアス信号は除去される。これはこれらのスプリアス信号の大きさが互いにキャンセルするからである。平衡回路の使用は、とりわけ受信回路で有用である。これはこの回路では信号強度が小さいことが多いからである。
【０００３】
音響表面波で動作するＳＡＷフィルタ（ＳＡＷ＝Surface Acoustic Wave）では、信号を所定の位相で取得する。これはＢＡＷフィルタでは、全く不可能である。ＢＡＷフィルタ技術は、しかしながら、急峻な大きな立上り／立下り、平坦な有効帯域特性、および小さな温度係数等に関して顕著な利点を有する。非対称の不平衡出力回路を備えたＢＡＷフィルタにおいては、不平衡信号を平衡信号に変換するバランが続いて接続されている。
【０００４】
このバランをコンパクトかつ低コストでフィルタと組み合わせるための解決方法として、バランとＢＡＷフィルタを１つの共通のチップに配設することが知られている。
【０００５】
特許文献１は、ＢＡＷフィルタおよびＦＢＡＲバラン（ＦＢＡＲ＝Film Bulk Acoustic Resonator）が実現された１つのチップを記載している。この際、ＦＢＡＲバランは多層で極めて複雑な構造を有している。この多層構造は、２つの圧電層と、４つの電極層と、１つの誘電層とを含んでいる。
【０００６】
特許文献２は、ＦＢＡＲフィルタを開示している。同様に、このＦＢＡＲフィルタもＢＡＷフィルタと共に単一のチップに配設されており、不平衡入力信号を平衡出力信号に変換している。この際、ＬＣＲ回路は、パターニングされた金属層と誘電層とが交互に配設された構造で作製されている。この特許文献２は、さらに製造方法も記載しており、この製造方法ではＢＡＷフィルタがチップ基板の上に形成されている。続くステップで、ＢＡＷフィルタおよびＬＣＲ回路の上に同時にカバーが設けられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】米国特許第６６７０８６６号
【特許文献２】独国特許第１０２００５００３８３４Ｂ４号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
バランと組み合わされたＢＡＷフィルタが設けられた、従来技術のチップは、このように複雑な構造を備え、非常にコストのかかる製造方法を必要とした。本発明の課題は、したがって改善されたＢＡＷフィルタを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
この課題は、請求項１に記載された特徴を有するＢＡＷフィルタ、および請求項１１に記載されたＢＡＷフィルタの製造方法によって解決される。本発明の有利な実施形態はその他の請求項に示されている。
【００１０】
本発明により、音響体積波で動作するＢＡＷフィルタが提供される。このＢＡＷフィルタは、音響体積波で動作するＢＡＷ共振器が設けられた多層構造を備え、さらにこの多層構造によって受動的な素子の回路が形成されており、この回路はバランを形成している。ここでこのバランは、少なくとも１つのインダクタンスと少なくとも１つのコンデンサとを備え、これらはＢＡＷ共振器のパターニングされた機能層から形成されている。
【００１１】
各々のＢＡＷフィルタはＢＡＷ共振器を備え、多層構造の機能層によって実現される。本発明の発想は、この機能層をさらにバランの形成に利用することにある。このため、この機能層がパターニングされ、受動的な素子が形成される。本発明によるＢＡＷフィルタでは、ＢＡＷ共振器とバランとに同じ機能層が利用されており、これによって同じ１つの機能層から製造することができるので、このＢＡＷフィルタの構造は大幅に簡素化することができる。ＢＡＷフィルタおよびバランのパターニングは、１つの製造工程で並行して、かつこのため同時に行うことが可能である。
【００１２】
このバランは、ＢＡＷフィルタのチップに組み込まれ、このチップと共にプロセス処理されで製造されるので、このバランの形成によって製造工程の追加のコストは発生しない。
【００１３】
ＢＡＷフィルタを有する１つの共通なチップへのバランの組み込みは、バランを大幅に小型化する可能性を提供する。そこで本発明のバラン製造方法と技術では、通常はチップ製造に用いられる、たとえばフォトリソグラフィーによるパターンニングを用いることができる。
【００１４】
ＢＡＷ共振器の機能層は、音響ミラー、第１の電極、圧電層、第２の電極、およびトリミング層を備えてよい。この音響ミラーは、音響体積波がＢＡＷ共振器から洩れて、ＢＡＷフィルタが配設されている基板に侵入することを抑える。音響ミラーは、たとえば交互に重なったＳｉＯ2層と金属層とを備えてよい。
【００１５】
１つの実施形態では、上記の第１の電極の下方に２つの同様に形成されたミラー層が配設される。ここで、各々のミラー層は、２つのＳｉＯ2層の間に埋め込まれたメタライジング層を備える。
【００１６】
トリミング層は、上記の第２の電極の上方に配設されてよい。トリミング層は、１つのＳｉＯ2層であってよい。このトリミング層の厚さを適宜選択あるいは変更することによって、個々のあるいは多数のＢＡＷ共振器の共振周波数を、後になってから、すなわち実質的に共振器の製造後に、調整することができる。
【００１７】
１つの実施形態では、前述のインダクタンスは、スパイラル形状のメタライジングによって形成され、ＢＡＷフィルタの金属機能層で構築される。このインダクタンスは、一層または多層で作製されてよい。この際、メタライジングは、この多層構造の複数の層に渡って延在してよい。したがってとりわけ音響ミラーの第1の電極、第２の電極または金属層が適している。
【００１８】
１つの実施形態では、コンデンサは、２つのパターニングされた金属層によって形成され、これらのパターニングされた金属層は多層構造の異なる層に配設され、この多層構造で互いに重なっている。ここでこれらのコンデンサは、音響ミラー、第１の電極、および第２の電極の１つ以上の金属層での２つの異なる層においてパターニングされた金属層により形成されてよい。
【００１９】
１つの実施形態では、インダクタンスを形成するパターニングされた金属層およびコンデンサを形成するパターニングされた金属層は、少なくとも部分的に互いに重なるように配設されている。
【００２０】
１つの実施形態では、ＢＡＷフィルタは同構造のＢＡＷ共振器を含み、これらはトリミング層の厚さが異なるのみである。ＢＡＷ共振器のトリミング層の厚さは、ＢＡＷ共振器がコンデンサとして作用するように設定される。大きく変化するトリミング層の厚みによって、ＢＡＷ共振器の共振周波数がデチューニングされる。共振周波数が大きくデチューニングされたＢＡＷ共振器は、バラン回路におけるコンデンサとして使用することができる。
【００２１】
１つの実施形態では、バランは１つの不平衡入力を、第１の平衡出力の２つの平衡出力ポートに接続し、ここでこのバランは、第１のインダクタンス、第１のノード、第２のインダクタンスおよび第２のノードを介して不平衡入力を第１の出力ポートに接続する第１の信号路と、第１のコンデンサ、第３のインダクタンスおよび第３のノードを介して第２のノードを第２の平衡出力ポートに接続する第２の信号路と、第２のコンデンサを介して第１のノードを第３のノードに接続する第３の信号路とを備える。この回路は、不平衡な入力信号を２つの平衡な出力信号に変換することを可能にし、これらの出力信号は２つの出力ポートに出力される。この２つの平衡な出力信号は、互いに１８０°の位相差を有する。
【００２２】
１つの実施形態では、バランとＢＡＷ共振器は互いに隣接して配置される。
【００２３】
さらに、本発明はＢＡＷフィルタの製造方法に関する。この製造方法では、基板にＢＡＷ共振器の機能層が次から次に設けられた多層構造が設けられる。この多層構造の層は、受動的な素子からなる回路を形成するようにパターニングされてバランを形成し、このバランは１つのインダクタンスと少なくとも１つのコンデンサとを備え、これらはＢＡＷ共振器のパターニングされた機能層から形成される。
【００２４】
このバランはＢＡＷ共振器のパターニングされた機能層から形成されるので、この製造方法では、バランとＢＡＷ共振器とを同時に、すなわち時間的に並行して製造することができる。これにより、時間的に連続した製造に比べ、製造工程を顕著に削減することができる。
【００２５】
インダクタンスおよび／またはコンデンサを形成する、パターニングされた金属層はフォトリソグラフィーを用いた機能層のパターニングによって生成される。フォトリソグラフィーのパターニングは、小さく細いパターンを高精度に形成することを可能とする。フォトリソグラフィーにおいては、パターニングは光または放射線に感光性のレジスト膜の塗布、露光、現像と、これに続くレジストパターンに被覆されていない層または部分層のエッチングとによって行われる。
【００２６】
この製造方法の１つの実施形態では、基板の上に、音響ミラー、第１の電極、圧電層、第２の電極およびトリミング層が次々に重なって生成される。この際、ＢＡＷ共振器およびバランは隣接して配設される。音響ミラーは複数のミラー層を備えてよく、これらは次々に重なって生成されてよい。このＢＡＷ共振器およびバランの製造は並行して行うことができ、これらは単にバランにおいてはＢＡＷ共振器の機能層がパターニングされていること、および／またはトリミング層の厚さが変更されていることだけの違いである。
【００２７】
本発明によよるＢＡＷフィルタは、とりわけデュプレクサでの使用に適しており、このデュプレクサではＢＡＷフィルタはさらにもう１つの、音響波で動作するフィルタと共に１つの共通なチップに組み込まれている。このもう１つのフィルタは、ＢＡＷフィルタまたはＳＡＷフィルタであってよい。本発明によるＢＡＷフィルタは、好ましくは、デュプレクサの受信路に用いられる。これはここでの僅かな信号強度のため、平衡信号伝送が有利であるからである。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
以下では、実施形態例とこれに付随する図を参照して、本発明を説明する。これらの図は、本発明の様々な実施形態例を示すが、これらの表示は概略的であり寸法は正確でない。
【図１】ＢＡＷフィルタの多層構造を示す図である。
【図２】バラン回路を示す図である。
【図３Ａ】図２に示す回路が実現されている多層構造の一部である、パターニングされた下側電極を示す図である。
【図３Ｂ】同様に、図２に示す回路が実現されている多層構造の一部である、パターニングされた上側電極を示す図である。
【図４】本発明によよるＢＡＷデュプレクサの挿入損失Ｓ１２，Ｓ１３を示す図である。
【図５】図４に示す曲線の一部を示す図である。
【図６】本発明によるＢＡＷデュプレクサの受信ポートにおける反射係数Ｓ３３を示す図である。
【図７】本発明によるＢＡＷデュプレクサの絶縁を示す図である。
【００２９】
図１は、基板ＳＵＢの上に配設された多層構造を備えたＢＡＷフィルタの概略を示す。この多層構造は、音響ミラーＳＰ、下側電極ＢＥ、圧電層ＰＺ、上側電極ＴＥおよびトリミング層ＴＲを備える。
【００３０】
上側および下側電極ＢＥ，ＴＥには、交流信号が印加され、この交流信号は圧電層ＰＺに音響体積波を励起する。ここで音響ミラーＳＰは、これらの波がＢＡＷ共振器から洩れて基板ＳＵＢに侵入することを妨げる。このため、この音響ミラーＳＰは、交互に重なった比較的高い音響インピーダンスを有する層と比較的低い音響インピーダンスを有する層とを備える。好ましくは、この音響信号ＳＰは、交互に重なったＳｉＯ2層と金属層とを備える。
【００３１】
トリミング層ＴＲは、１つのＳｉＯ2層であってよい。ＳｉＯ2トリミング層ＴＲによって、音響共振器の共振周波数が設定される。
【００３２】
図１に示す多層構造は、音響ＢＡＷ共振器の形成に用いることができる。本発明による、多層構造の機能層のパターニングによって、さらに受動的な素子の回路が実現され、これによってバランが形成される。
【００３３】
図２はバランの等価回路図を示す。このバランは多層構造の機能層のパターニングによって実現される。このバランは、不平衡の入力ポートＥＰと、平衡出力を形成する２つの出力ポートＡＰ１，ＡＰ２とを備える。不平衡の入力ポートＥＰに印加される信号は、図２に示す回路を通って２つの信号に分割され、これらは平衡出力に出力される。図２に示す回路によって、これら２つの信号は互いに１８０°位相シフトされる。
このバランは、不平衡入力ポートＥＰを第１の平衡出力ポートＡＰ１に接続する第１の信号路Ｓ１を備える。この第１の信号路Ｓ１には、第１のインダクタンスＬ１，第１のノードＫ１，第２のインダクタンスＬ２および第２のノードＫ２が直列に接続されている。さらに、このバランは、第１のコンデンサＣ１，第３のインダクタンスＬ３および第３のノードＫ３を介して第２のノードＫ２を第２の平衡出力ポートＡＰ２に接続する信号路Ｓ２を備える。
【００３４】
第２の信号路Ｓ２には、第１のコンデンサＣ１と第３のインダクタンスＬ３との間に、さらに第４のノードＫ４が配設されている。この第４のノードＫ４を介して、第２の信号路Ｓ２が基準電位ＧＮＤに接続されている。このバランは、さらに、第２のコンデンサＣ２を介して第１のノードＫ１を第３のノードＫ３に接続する第３の信号路Ｓ３を備える。
【００３５】
図３Ａおよび３Ｂは、図２に示す等価回路図が多層構造によって実現され得ることを示す。ここで、図３Ａは、下側電極ＢＥのパターニングされたメタライジングＭ１＿ＢＥ〜Ｍ５＿ＢＥを示し、図３Ｂは、上側電極ＴＥのパターニングされたメタライジングＭ１＿ＴＥ〜Ｍ６＿ＴＥを示す。下側および上側電極ＢＥ，ＴＥからなるパターニングされたメタライジングは、１つの共通な多層構造に配設され、所望の場所に貫通接触配線Ｄ１〜Ｄ７によって接続される。
【００３６】
不平衡入力ポートＥＰは、上側電極ＴＥに配設されている。この不平衡入力ポートＥＰは、上側電極ＴＥの第１のスパイラル形状メタライジングＭ１＿ＴＥと接続されており、この第１のスパイラル形状メタライジングは、第１のインダクタンスを部分的に形成している。第１の貫通接触配線Ｄ１を介して、上側電極ＴＥの第１のスパイラル形状メタライジングＭ１＿ＴＥは、下側電極ＢＥの第１のスパイラル形状メタライジングＭ１＿ＢＥに接続されている。これら２つのスパイラル形状のメタライジングＭ１＿ＴＥ，Ｍ１＿ＢＥは合わせて第１のインダクタンスＬ１を形成する。
【００３７】
下側電極ＢＥの第１のスパイラル形状メタライジングＭ１＿ＢＥは、他方で第２の貫通接触配線Ｄ２に接続される。この第２の貫通接触配線Ｄ２はノードＫ１となっている。第２の貫通接触配線Ｄ２は、上側電極ＴＥで、上側電極の第２のスパイラル形状メタライジングＭ２＿ＴＥに接続されている。この第２のスパイラル形状メタライジングは第１の信号路におけるインダクタンスＬ２を形成している。
【００３８】
さらに、第２の貫通接触配線Ｄ２は、上側電極で、矩形メタライジングＭ３＿ＴＥに接続されており、この矩形のメタライジングＭ３＿ＴＥは、下側電極ＢＥの同構造の第２の矩形メタライジングＭ２＿ＢＥに対向して配置されている。これら２つの矩形メタライジングＭ３＿ＴＥ，Ｍ２＿ＢＥは、第３の信号路Ｓ３でコンデンサＣ２となる平面コンデンサを形成する。
【００３９】
下側電極ＢＥの矩形メタライジングＭ２＿ＢＥは、さらに第３の貫通接触配線Ｄ３に接続されている。この貫通接触配線Ｄ３は下側電極ＢＥで矩形メタライジングＭ２＿ＢＥを上側電極ＴＥに接続する。この第３の貫通接触配線Ｄ３は、第３のノードＫ３となっている。この第３の貫通接触配線Ｄ３は、一方では第２の平衡出力ポートＡＰ２に接続され、他方では上側電極ＴＥに配設された第４のスパイラル形状のメタライジングＭ４＿ＴＥに接続されている。この第４のスパイラル形状のメタライジングは信号路Ｓ２のインダクタンスＬ３を形成する。
【００４０】
この上側電極ＴＥの第４のスパイラル形状のメタライジングＭ４＿ＴＥは、第４の貫通接触配線Ｄ４を介して下側電極ＢＥに接続されている。下側電極ＢＥにおいて、この第４の貫通接触配線Ｄ４は第３のメタライジングＭ３＿ＢＥに接続されている。この下側電極ＢＥの第３のメタライジングＭ３＿ＢＥは、他方で第５の貫通接触配線Ｄ５を介して上側電極ＴＥの第５のメタライジングＭ５＿ＴＥに接続されている。
【００４１】
この上側電極ＴＥの第５のメタライジングＭ５＿ＴＥは、さらにもう１つの接続端子を介して基準電位ＧＮＤおよび上側電極の矩形の第６のメタライジングＭ６＿ＴＥに接続されている。この矩形メタライジングＭ６＿ＴＥに対向して、下側電極ＢＥにおいて、同構造の第４の矩形メタライジングＭ４＿ＢＥが配設されている。これら２つの矩形メタライジングＭ６＿ＴＥ，Ｍ４＿ＢＥは、信号路Ｓ２における第１のコンデンサを形成する。
【００４２】
この下側電極ＢＥの第４の矩形メタライジングＭ４＿ＢＥは、第６の貫通接触配線Ｄ６に接続されており、この第６の貫通接触配線は下側電極ＢＥを上側電極ＴＥに接続する。この第６の貫通接触配線Ｄ６は、上側電極ＴＥにおいて、第１の平衡出力ポートＡＰを形成する。
【００４３】
その他、この第４のメタライジングＭ４＿ＢＥは、下側電極ＢＥにおいて、第５のメタライジングＭ５＿ＢＥを介して第７の貫通接触配線Ｄ７に接続されている。この第７の貫通接触配線Ｄ７は、下側電極ＢＥを上側電極ＴＥの第２のメタライジングＭ２＿ＴＥに接続する。この第２のメタライジングＭ２＿ＴＥは、他方で第２のインダクタンスＬ２を形成する。
【００４４】
ここで記載した多層構造において実現されるバラン回路は、単に本発明の１つの可能な実施形態を示すものである。
【００４５】
インダクタンスＬ１，Ｌ２，Ｌ３は、多層構造の１つ以上の層におけるスパイラル形状のメタライジングＭ１＿ＴＥ，Ｍ１＿ＢＥ，Ｍ２＿ＴＥ，Ｍ４＿ＴＥによって実現される。コンデンサＣ１，Ｃ２は、面状のメタライジングＭ２＿ＢＥ，Ｍ３＿ＴＥ，Ｍ６＿ＴＥ，Ｍ４＿ＢＥによって形成され、これらは多層構造の２つの異なる層に配設され、互いに対向して配置されている。
【００４６】
図４〜７は、本発明によるＢＡＷフィルタを備えたデュプレクサに係るものである。ここで本発明によるＢＡＷフィルタは、デュプレクサの受信路に配設されている。デュプレクサの送信路には、通常のＢＡＷが用いられる。
【００４７】
図４は、１つのＢＡＷフィルタで、挿入損失Ｓ１２およびＳ２３を周波数の関数として示している。横軸には周波数がＭＨｚで示されており、縦軸には損失がｄＢで示されている。
【００４８】
曲線Ｓ１２は、ＴＸフィルタの挿入損失、すなわち送信ポートからアンテナポートまでの、信号通過の周波数依存を表す。曲線Ｓ２３は、ＲＸフィルタの挿入損失、すなわちアンテナポートから受信ポートまでの、信号通過の周波数依存を表す。
【００４９】
図４およびこれ以降の図には、曲線Ｓ１２，Ｓ２３が複数記載されている。ここでは、第１の曲線は理想的なデバイスを有するデュプレクサに係るものであり、第２の曲線は、部分的に理想的であるが部分的には実際のデバイスを備えたデュプレクサに係るものであり、第３の曲線は実際のデバイスを備えたデュプレクサに係るものである。
【００５０】
図５は、図４に示す曲線Ｓ２３の一部を示している。
【００５１】
図６は、曲線Ｓ３３で記述される受信ポートでの反射係数を示す。横軸には周波数がＭＨｚで示されており、縦軸には損失がｄＢで示されている。
【００５２】
図７は、ＢＡＷデュプレクサの送信ポートと受信ポートの間の絶縁を記述する曲線Ｓ１３を示している。横軸には周波数がＭＨｚで示されており、縦軸には損失がｄＢで示されている。
【符号の説明】
【００５３】
ＳＵＢ                    基板
ＳＰ                      音響ミラー
ＢＥ                      下側電極
ＰＺ                      圧電層
ＴＥ                      上側電極
ＴＲ                      トリミング層
ＥＰ                      入力ポート
ＡＰ１，ＡＰ２            出力ポート
Ｓ１〜Ｓ３                信号路
Ｌ１〜Ｌ３                インダクタンス
Ｋ１〜Ｋ４                ノード
Ｃ１，Ｃ２                  コンデンサ
ＧＮＤ                      基準電位
Ｍ１＿ＴＥ〜Ｍ６＿ＴＥ      上側電極のメタライジング
Ｍ１＿ＢＥ〜Ｍ５＿ＢＥ      下側電極のメタライジング
Ｄ１〜Ｄ７                  貫通接触配線
Ｓ１２                      Ｔｘフィルタの挿入損失
Ｓ２３                      Ｒｘフィルタの挿入損失
Ｓ３３                      受信ポートの反射係数
Ｓ１３                      絶縁
【図１】
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【図２】
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【図３ａ】
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【図３ｂ】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【国際調査報告】
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