(57)【要約】  垂直型ＧａＮ系ＬＥＤは、シリコンウェーハ上にエピタキシャルＬＥＤ構造を成長させることによって作製される。銀層が追加され、＞４５０℃の温度に耐えるようにアニールされる。＞４５０℃で５分間、接合金属が銀内に拡散することを防止する点で有効である、バリア層（例えば、Ｎｉ／Ｔｉ）が提供される。次いで、得られた素子ウェーハ構造は、＞３８０℃で融解する高温接合金属（例えば、ＡｌＧｅ）を使用して、キャリアウェーハ構造にウェーハボンディングされる。ウェーハボンディングの後、シリコンが除去され、金を含まない電極（例えば、Ａｌ）が追加され、その構造が個片化される。電極金属に適合可能である高温ハンダ（例えば、ＺｎＡｌ）が、ダイアタッチのために使用される。ダイアタッチは、接合金属を融解させることもなく、又は他の方式で装置に損傷を与えることもなく、＞３８０℃で、１０秒間実施される。このＬＥＤ全体は金を含まず、その結果として、大規模の、金を含まない半導体製造設備内で製造可能である。
2014519719.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｎ形層、ｐ形層、及び前記ｎ形層と前記ｐ形層との間に配置され、一定量のインジウムを含む活性層を備える、エピタキシャル発光ダイオード（ＬＥＤ）構造と、
キャリアと、
前記エピタキシャルＬＥＤ構造と前記キャリアとの間に配置される、金属接合層と、を備え、
前記金属接合層は、前記エピタキシャルＬＥＤ構造及び前記キャリアを一体に接合し、前記金属接合層は、少なくとも約摂氏３８０度の融点を有する、装置。
【請求項２】
前記金属接合層は、本質的に、アルミニウム及びゲルマニウムからなる、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記金属接合層は、本質的に、アルミニウム及びシリコンからなる、請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記エピタキシャルＬＥＤ構造、前記キャリア、及び前記金属接合層が、ＬＥＤ装置の一部であり、前記装置は、
金属表面を有する構造と、
前記構造に前記ＬＥＤ装置を接合する、一定量のハンダと、を更に備え、
前記ハンダは、前記金属接合層の前記融点よりも低い融点を有する、請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記ハンダは、亜鉛及びアルミニウムを含む、請求項４に記載の装置。
【請求項６】
前記構造は、プリント配線板（ＰＣＢ）である、請求項１に記載の装置。
【請求項７】
前記ＬＥＤ装置は、アルミニウム電極を更に備え、
前記アルミニウム電極は、前記ハンダと直接接触する、請求項４に記載の装置。
【請求項８】
前記エピタキシャルＬＥＤ構造、前記キャリア、及び前記金属接合層が、ＬＥＤ装置の一部であり、前記ＬＥＤ装置は、前記金属接合層と前記エピタキシャルＬＥＤ構造との間に配置されるバリア層を更に備え、
前記バリア層は、前記ＬＥＤ装置が、摂氏４５０度の温度に５分間晒される場合に、前記金属接合層からの接合金属が、前記バリア層を通過して拡散することを防止する、請求項１に記載の装置。
【請求項９】
前記エピタキシャルＬＥＤ構造、前記キャリア、及び前記金属接合層が、ＬＥＤ装置の一部であり、前記ＬＥＤ装置は、前記金属接合層と前記エピタキシャルＬＥＤ構造との間に配置される、バリア層を更に備え、
前記バリア層は、一定量のニッケルを含む、請求項１に記載の装置。
【請求項１０】
前記エピタキシャルＬＥＤ構造、前記キャリア、及び前記金属接合層が、ＬＥＤ装置の一部であり、前記ＬＥＤ装置は、前記金属接合層と前記エピタキシャルＬＥＤ構造との間に配置される、アニールされた銀層を更に備える、請求項１に記載の装置。
【請求項１１】
前記エピタキシャルＬＥＤ構造、前記キャリア、及び前記金属接合層は、ＬＥＤ装置の一部であり、前記ＬＥＤ装置は、ｎ形層に電気的に結合される第１電極を更に備え、
前記ＬＥＤ装置は、ｐ形層に電気的に結合される第２電極を更に備え、前記ＬＥＤ装置は、実質的に金を含まない、請求項１に記載の装置。
【請求項１２】
前記第２電極は、一定量のアルミニウムであり、一定量のハンダは、前記第２電極を金属表面に取り付け、前記ハンダは、前記金属接合層の前記融点よりも低い融点を有する、請求項１１に記載の装置。
【請求項１３】
前記キャリアは、一定量のシリコンである、請求項１に記載の装置。
【請求項１４】
（ａ）キャリアウェーハ構造と素子ウェーハ構造との間に配置される接合金属を、少なくとも約摂氏３８０度の温度で融解させることによって、前記素子ウェーハ構造に、前記キャリアウェーハ構造をウェーハボンディングする工程を備え、
前記素子ウェーハ構造は、エピタキシャル発光ダイオード（ＬＥＤ）構造を備え、前記エピタキシャルＬＥＤ構造は、ｎ形層、ｐ形層、及び前記ｎ形層と前記ｐ形層との間に配置される活性層を備え、前記活性層は、一定量のインジウムを含み、前記キャリアウェーハ構造は、キャリアを備える、製造方法。
【請求項１５】
前記キャリアは、シリコンウェーハである、請求項１４に記載の製造方法。
【請求項１６】
前記接合金属は、アルミニウム及びゲルマニウムを含む、請求項１４に記載の製造方法。
【請求項１７】
前記接合金属は、アルミニウムサブレイヤー及びゲルマニウムサブレイヤーを備え、
前記（ａ）のウェーハボンディングの際の前記アルミニウムサブレイヤーは、前記素子ウェーハ構造の一部であり、前記（ａ）のウェーハボンディングの際の前記ゲルマニウムサブレイヤーは、前記キャリアウェーハ構造の一部であり、前記アルミニウムサブレイヤー及び前記ゲルマニウムサブレイヤーは、前記（ａ）のウェーハボンディングの間に一体に融合する、請求項１４に記載の製造方法。
【請求項１８】
前記接合金属は、アルミニウム及びシリコンを含む、請求項１４に記載の製造方法。
【請求項１９】
（ｂ）  （ａ）の前に、前記素子ウェーハ構造の前記エピタキシャルＬＥＤ構造の上に、銀層を提供する工程と、
（ｃ）  （ｂ）の後、かつ（ａ）の前に、前記銀層の上に、バリア層を提供する工程と、を更に備え、前記バリア層が、一定量のニッケルを含む、請求項１４に記載の製造方法。
【請求項２０】
（ｂ）  （ａ）の前に、前記素子ウェーハ構造の前記エピタキシャルＬＥＤ構造の上に、銀層を提供する工程と、
（ｃ）  （ｂ）の後、かつ（ａ）の前に、前記エピタキシャルＬＥＤ構造上に、少なくとも約摂氏４００度の温度で、前記銀層をアニールする工程と、を更に備える、請求項１４に記載の製造方法。
【請求項２１】
前記キャリアは、シリコンの層であり、前記（ａ）のウェーハボンディングは、ウェーハ接合構造を生じさせ、前記方法が、
（ｂ）  （ａ）の後に、前記ウェーハ接合構造から、前記シリコンの層を除去する工程と、
（ｃ）  （ｂ）の後に、ｎ形層と接触する第１電極を形成し、ｐ形層と接触する第２電極を形成する工程と、
（ｄ）  前記ウェーハ接合構造を個片化することにより、ＬＥＤ装置を形成する工程と、を更に備える、請求項１４に記載の製造方法。
【請求項２２】
前記ＬＥＤ装置は、実質的に金を含まない、請求項２１に記載の製造方法。
【請求項２３】
前記接合金属は、融点を有し、
前記方法は、
（ｅ）  前記ＬＥＤ装置と金属表面との間の一定量のハンダを融解させることによって、前記金属表面に前記ＬＥＤ装置をハンダ付けする工程を更に備え、前記ハンダが、前記接合金属の前記融点よりも低い融点を有する、請求項２１に記載の製造方法。
【請求項２４】
前記（ｅ）のハンダ付けは、ＬＥＤアセンブリを生じさせ、前記ＬＥＤアセンブリは、実質的に金を含まない、請求項２３に記載の製造方法。
【請求項２５】
（ａ）  一定量のハンダを融解させることによって、金属表面にＬＥＤ装置を取り付ける工程を備え、
前記ハンダは、融点を有し、前記ＬＥＤ装置は、エピタキシャルＬＥＤ構造、キャリア部分、及び前記エピタキシャルＬＥＤ構造と前記キャリア部分との間に配置される一定量の接合金属を備え、前記エピタキシャルＬＥＤ構造は、ｎ形層、ｐ形層、及び前記ｎ形層と前記ｐ形層との間に配置される活性層を備え、前記接合金属は、少なくとも約摂氏３８０度の融点を有し、前記ハンダの前記融点は、前記接合金属の前記融点よりも低い、製造方法。
【請求項２６】
前記ハンダは、亜鉛及びアルミニウムを含む、請求項２５に記載の製造方法。
【請求項２７】
前記接合金属は、アルミニウム及びゲルマニウムを含む、請求項２５に記載の製造方法。
【請求項２８】
前記ＬＥＤ装置は、バリア層及び銀層を更に備え、前記バリア層は、前記接合金属と前記銀層との間に配置され、前記バリア層は、一定量のニッケルを含む、請求項２５に記載の製造方法。
【請求項２９】
ｎ形層、ｐ形層、及び前記ｎ形層と前記ｐ形層との間に配置され、インジウムを含む活性層を備える、エピタキシャルＬＥＤ構造と、
導電キャリアと、
前記導電キャリアに、前記エピタキシャルＬＥＤ構造を接合する、接合金属の層と、
前記導電キャリアの表面の上に配置される、アルミニウム電極と、
金属表面を有する基板と、
前記接合金属の層を融解させることなく、前記金属表面に、前記アルミニウム電極をハンダ付けするための手段と、
を備え、実質的に金を含まない、装置。
【請求項３０】
前記接合金属の層は、摂氏３８０度よりも高い融点を有する、請求項２９に記載の装置。
【請求項３１】
前記接合金属の層は、
第１の金属の第１のサブレイヤーと、
第２の金属の第２のサブレイヤーと、を備える、請求項３０に記載の装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、全般的には、シリコン基板上に製造されるＧａＮ系青色ＬＥＤ、並びに関連する方法及び構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
発光ダイオード（ＬＥＤ）は、電気エネルギーを光に変換する固体装置である。光は、ドープ層の両端間に電圧が印加されるとき、互いに反対の導電形にドープされた層の間に挟みこまれた、半導体材料の活性層から放射される。本明細書で青色ＬＥＤ装置と称される、ＬＥＤ装置の１つのタイプは、窒化ガリウム（ＧａＮ）層を含む。
【０００３】
図１〜３（従来技術）は、そのような従来技術の青色ＬＥＤ装置を作製するために使用される、従来技術のプロセスを示す。バッファ層５０を、シリコン基板５２上に成長させ、このバッファ層上にテンプレート層５１を成長させる。ｎ形層５４、活性層５５、及びｐ形層５６を含む、エピタキシャルＬＥＤ構造５３をテンプレート層上に成長させる。このエピタキシャルＬＥＤ構造上に、銀鏡層５７が形成される。銀封入層５８が、銀鏡層５７の上に形成される。バリア層５９が、封入層５８の上に形成される。次いで、得られた素子ウェーハ構造６０が、図１に示すようなキャリアウェーハ構造６１にウェーハボンディングされることにより、ウェーハ接合構造６６が形成される。
【０００４】
キャリアウェーハ構造６１は、図示のように、導電キャリア６３、金のサブレイヤー６４、及び金／錫のサブレイヤー６５を含む。ウェーハボンディングの前には、素子ウェーハ構造６０の頂部上にも、金のサブレイヤー６２が存在する。これらの金サブレイヤー及び金／錫サブレイヤーは合わせて、ウェーハボンディング層と称される。
【０００５】
ウェーハボンディングは、２つのウェーハ構造６０及びウェーハ構造６１を一体に押し付けて、金／錫サブレイヤー６５が融解するように、温度を上昇させることを伴う。冷却後、金／錫サブレイヤーが再凝固する際に、２つのウェーハ構造が一体に接合されることにより、ウェーハ接合構造６６が形成される。ウェーハボンディングプロセスの間に、金又は錫のいずれかが、銀層５７内に拡散した場合には、銀の反射率が減少する恐れがあり、かつ／又は、銀とｐ層との界面でのコンタクトの抵抗率が増大する恐れがある。そのような不要な拡散を防止するために、バリア層５９が提供される。図１は、図１〜３の従来技術実施例での、バリア層５９の多層構造を示す。バリア層５９は、複数の周期を含む。各周期は、白金サブレイヤー及びチタン−タングステンサブレイヤーを含む。
【０００６】
シリコンは、活性層によって放射される青色光に対して不透明である。シリコン基板５２及びバッファ層５０は、それゆえ、接合されたウェーハ構造から除去され、それにより図２に示すウェーハ接合構造６６が形成される。次いで、構造６６の上面が粗化され、ｎ形金属電極６７が、この構造の頂部に追加され、ｐ形金属電極６８が、この構造の底部に追加される。次いで、その電極を有するウェーハ接合構造が、個片化されることにより、個別のＬＥＤ装置が形成される。
【０００７】
図３（従来技術）は、白色ＬＥＤアセンブリ７４の一部としての、それらのＬＥＤ装置のうちの１つを示す。このＬＥＤ装置は、金属コアのプリント配線板（ＰＣＢ）７０の、第１の金属部分６９に、又は一般的に「ダイアタッチ（die attach）」と称される他のパッケージに取り付けられる。このＬＥＤ装置は、ダイアタッチプロセスの間、過度に高い温度まで加熱することができず、さもなければ、金／錫のウェーハ接合材料が融解して、ＬＥＤ装置は崩壊することになる。１５０℃を超えることのない温度環境で適用されて硬化する、銀エポキシ７１が、それゆえ一般的に使用される。ｎ電極６７は、典型的には、図３に示すように、ワイヤボンド７２を介して、金属コアＰＣＢ７０の第２の金属部分７３に接続される。
【発明の概要】
【０００８】
垂直型ＧａＮ系ＬＥＤは、基板上にエピタキシャルＬＥＤ構造を成長させることによって作製される。一実施例では、この基板は、導電性シリコンウェーハである。エピタキシャルＬＥＤ構造は、ｎ形層、ｐ形層、及びｎ形層とｐ形層との間に配置される活性層を含む。ＧａＮ系ＬＥＤは、青色ＬＥＤであり、活性層は、一定量のインジウムを含む。ｐ形層上に銀層が形成されることにより、エピタキシャルＬＥＤ構造に対するオーミックコンタクトが形成される。この銀層は、アニールされることにより、銀とｐ−ＧａＮとの界面は、＞４５０℃の温度に耐えることが可能となる。封入層が追加され、この封入層の上に、高温バリア層が提供される。この高温バリア層は、４５０℃で５分間、接合金属が銀層内に拡散することを防止する点で有効である。一実施例では、バリア層は、封入層上の、厚さ１０００ｎｍのニッケルサブレイヤー、及びそのニッケルサブレイヤー上の、厚さ２００ｎｍのチタンサブレイヤーを含む。別の実施例では、バリア層は、封入層上の、厚さ１０００ｎｍのニッケルサブレイヤー、そのニッケルサブレイヤー上の、厚さ２００ｎｍの窒化チタンサブレイヤー、及びその窒化チタンサブレイヤー上の、厚さ２００ｎｍのチタンサブレイヤーを含む。別の実施例では、バリア層は、封入層上の、厚さ１０００ｎｍのニッケルサブレイヤー、そのニッケルサブレイヤー上の、厚さ２００ｎｍの窒化シリコンサブレイヤー、及びその窒化シリコンサブレイヤー上の、厚さ２００ｎｍのチタンサブレイヤーを含む。
【０００９】
次いで、得られた素子ウェーハ構造は、＞３８０℃で融解する高温接合金属を使用して、キャリアウェーハ構造にウェーハボンディングされる。一実施例では、この接合金属は、アルミニウム−ゲルマニウム（Ｔｅ＝４２０℃）であり、ウェーハボンディングは、５分間、４４０℃で実施される。この接合金属層は、４２０℃の、ＡｌＧｅ界面の融点を有する。厚さ約１０００ｎｍのアルミニウムの層が、素子ウェーハ構造上に提供され、このアルミニウム上に、厚さ５０ｎｍのゲルマニウムのキャップが提供される。厚さ１０００ｎｍのゲルマニウムの層が、キャリア素子ウェーハ構造上に提供される。ウェーハボンディングの間に、素子ウェーハ構造上の接合金属、及びキャリアウェーハ構造上の接合金属が融解して、一体に融合することにより、ウェーハ接合構造が形成される。長期間（１分超）にわたる、高い（＞３８０℃）のウェーハボンディング温度にも関わらず、銀層の反射率及びオーミックコンタクトの品質が劣化することはない。
【００１０】
別の実施例では、接合金属は、アルミニウム−シリコン（Ｔｅ＝５８０℃）を含む。他の実施例では、接合金属の温度が３８０℃未満である場合、及びＬＥＤ装置が金を含まない場合、接合金属は、金−シリコン（Ｔｅ＝３７０℃）又は金−ゲルマニウム（Ｔｅ＝３６０℃）とすることができる。
【００１１】
高温のウェーハボンディングの後、最初の基板が、例えば、研削加工、ラッピング加工、化学的機械的研磨（ＣＭＰ）、及び反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）などによって、ウェーハ接合構造から除去される。次いで、得られた構造をエッチングすることにより、ＬＥＤメサ構造の間に、封入層に至るまでストリートが形成される。このメサ構造の露出した頂部が、粗化される。次いで、金を含まない電極が追加される。一実施例では、金を含まない電極は、実質的な純アルミニウムの電極である。次いで、得られたウェーハ構造は、個別の垂直型ＬＥＤ装置へと個片化される。次いで、使用される具体的な電極金属に適合可能な、高温ハンダ（例えば、ＺｎＡｌ）が、ダイアタッチのために使用される。ダイアタッチは、接合金属を融解させることもなく、又は銀とｐ−ＧａＮとの界面の反射率若しくはオーミックコンタクト特性に損傷を与えることもなく、あるいは他の方式でＬＥＤ装置に損傷を与えることもなく、３８０℃以上（例えば、４００℃で１０秒間）で実施される。一部の実施例では、保持リングが適用され、一定量の蛍光体が、そのリング内に提供されて硬化する。得られた完全ＬＥＤアセンブリの全体は、金を含まない。製造プロセスの諸部分は、それゆえ、大規模の、金を含まない半導体の作製設備内で実施することができる。ＬＥＤアセンブリから金を排除することにより、相当量の金を含む従来のＬＥＤアセンブリと比較して、製造コストが更に低減される。
【００１２】
更なる詳細並びに実施形態及び技術は、以下の「発明を実施するための形態」で、説明される。この「発明の概要」は、本発明を規定することを意図するものではない。本発明は、特許請求の範囲によって規定される。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
添付図面は、同様の符号が同様の構成要素を示し、本発明の実施形態を例示する。
【００１４】
【図１】従来技術の青色ＬＥＤ装置の製造で実施される、従来技術のウェーハボンディング工程の図である。
【００１５】
【図２】図１のウェーハボンディングが実施された後、及びシリコン基板を除去する後続の工程が実施された後に得られる、ウェーハ接合構造の図である。
【００１６】
【図３】電極が追加された後、及び得られたＬＥＤ装置が金属コアＰＣＢにダイアタッチされた後の、図２のウェーハ接合構造の図である。
【００１７】
【図４】一新規態様による白色ＬＥＤアセンブリの断面図である。
【００１８】
【図５】図４の白色ＬＥＤアセンブリの見下ろし図である。
【００１９】
【図６】図４の白色ＬＥＤアセンブリの、拡大した簡略化断面図である。
【００２０】
【図７】図４の白色ＬＥＤアセンブリ内部の、ＬＥＤ装置の見下ろし図である。
【００２１】
【図８】図４の白色ＬＥＤアセンブリを製造する方法の、各工程についての詳細を記載する表である。
【００２２】
図９〜１６は、図４のＬＥＤアセンブリを製造するための、金を含まない高温接合金属プロセスを記載する、一連の図である。
【００２３】
【図９】図４の白色ＬＥＤアセンブリを製造する方法の、高温ウェーハボンディング工程の図である。
【００２４】
【図１０】図９の高温ウェーハボンディング工程で使用される、温度サイクルを示すグラフである。
【００２５】
【図１１】図９のウェーハボンディング工程から得られたウェーハ接合構造を、反転させる工程の図である。
【００２６】
【図１２】図１１のウェーハ接合構造から、シリコン基板を除去する工程の図である。
【００２７】
【図１３】図１２の除去工程から得られたウェーハ接合構造の表面を祖化する工程の図である。
【００２８】
【図１４】図１３の粗化工程から得られた構造に、電極を追加する工程の図である。
【００２９】
【図１５】完成ＬＥＤ装置が、アルミニウムコアＰＣＢの金属表面にハンダ付けされる、高温ダイアタッチ工程の図である。
【００３０】
【図１６】金属コアＰＣＢの金属部分に、ＬＥＤ装置のｐ電極をワイヤボンディングする工程の図である。
【００３１】
【図１７】一新規態様による、方法２００のフローチャート図である。
【発明を実施するための形態】
【００３２】
その実施例が添付図面で例示される、本発明の一部の実施形態を、ここで詳細に参照する。以下の説明及び特許請求の範囲では、第１の層が、第２の層の「上に」配置されているとして言及される場合には、その第１の層は、第２の層上に直接存在し得るか、又は介在層が、第１の層と第２の層との間に存在し得ることを理解されたい。「上」、「下」、「上方」、「下方」、「頂部」、「底部」、「上向き」、「下向き」、「垂直に」、及び「横方向に」などの用語は、本明細書では、説明されている青色ＬＥＤ装置の種々の構成部品間の、相対配向を説明するために使用されるものであり、説明されている青色ＬＥＤ装置の全体は、実際には、３次元空間内で、任意の方式で配向することができる点を理解されたい。
【００３３】
図４は、白色発光ダイオード（ＬＥＤ）アセンブリ１００の、断面側面図である。図５は、白色ＬＥＤアセンブリ１００の見下ろし図である。白色ＬＥＤアセンブリ１００は、金属コアプリント配線板（ＰＣＢ）１９に実装される、４つの垂直型青色ＬＥＤ装置１０１〜１０４を含む。見下ろし視点からは、４つの垂直型青色ＬＥＤ装置１０１〜１０４は、保持リング２０によって取り囲まれる。保持リング２０は、青色ＬＥＤ装置１０１〜１０４を覆う一定量の蛍光体２１を保持する。第１金属構造１０５の一部分は、ハンダマスク層１０６内の第１開口部を通って露出される。青色ＬＥＤ装置１０１〜１０４のアノード電極は、一定量のハンダ１８を介して、この第１開口部内の第１金属構造１０５に表面実装される。ハンダマスク層１０６内の第１開口部はまた、第２金属構造１０７の一部分も露出させる。青色ＬＥＤ装置１０１〜１０４の上向きのカソード電極は、第２金属構造１０７の露出部分にワイヤボンディングされる。第１パッド１１９が、ハンダマスク層１０６内の別の開口部によって形成される。第２パッド１２０が、ハンダマスク層１０６内の更に別の開口部によって形成される。図６の断面図に示されるように、第１金属構造１０５及び第２金属構造１０７は、誘電体層１０８上に配置される金属層の部分である。誘電体層１０８は、厚さ３５ｕｍ〜２５０ｕｍの、Ａｌ２Ｏ３のような無機充填剤を含有するエポキシ材料の層である。この誘電体層１０８は、金属コアＰＣＢ１９の、アルミニウム若しくは銅の基底部分１０９から、第１金属構造１０５及び第２金属構造１０７を絶縁する。
【００３４】
図６は、白色ＬＥＤアセンブリ１００の簡略化された断面側面図である。この図では、１つのみの垂直型青色ＬＥＤ１０４が示される。図７は、図６の白色ＬＥＤアセンブリ１００内部の、垂直型青色ＬＥＤ装置１０４の見下ろし図である。第１金属電極１７は、グリッド形状を有する。垂直型ＬＥＤ装置は、垂直接触型ＬＥＤ装置と称される場合があり、水平型又は横方向接触型ＬＥＤ装置と区別される。
【００３５】
図６の白色ＬＥＤアセンブリ１００内部の垂直型青色ＬＥＤ装置１０４は、多数の層を含み、それらの層の一部が、図６に示される：第１金属電極１７、低抵抗層（ＬＲＬ）４の粗化部分、ｎ形窒化ガリウム層５、歪み緩和層６、活性層７、ｐ形窒化ガリウム層８、電流ブロッキング層９、銀層１０、銀層を封入するための封入層１１、高温バリア層１２、高温ウェーハ接合金属層１３、接着及びバリア層１４、導電キャリア１５、並びに第２金属電極１６。参照番号１１０は、青色ＬＥＤ装置１０４の第１金属電極１７を、第２金属構造１０７に結合する、ワイヤボンドを特定する。第１金属電極１７及び粗化部分３は、導電性であり、ｎ形層５に電気的接触するように機能する。銀層１０及びその下方の全ての層は、導電性であり、ｐ形層８に電気的接触するように機能する。
【００３６】
第１の新規態様では、白色ＬＥＤアセンブリ１００の全体は、金を含まない。白色ＬＥＤアセンブリ１００内に金を有さないことは、少なくとも２つの理由のために望ましい。
【００３７】
第１に、大規模なシリコンファウンドリを使用して、白色ＬＥＤ装置を製造する工程の一部を実施することが可能であることが望ましい。一実施例では、エピタキシャルＬＥＤ構造１１１を、第１の半導体製造設備で、第１の営利主体によって、シリコン基板上に成長させる。次いで、得られた素子ウェーハ構造は、第２の半導体製造設備を運用する、第２の営利主体に供給される。この第２の作製設備は、極めて大量のシリコン集積回路が、その第２設備で加工処理されることにより、後続のプロセスの一部を、有利に低いコストのために実行することができる。この第２設備では、銀鏡の層が追加され、ウェーハ接合金属層が追加され、キャリアウェーハ構造が、素子ウェーハ構造にウェーハボンディングされ、シリコン基板が除去され、第１電極及び第２電極が追加され、得られたウェーハ接合構造が、個別のＬＥＤ装置へと個片化される。その後、これらの個片化された個別のＬＥＤ装置は、第１の営利主体又は別の営利主体に供給される。次いで、第１の営利主体又は他の営利主体は、ダイアタッチ作業を実行し、金属コアＰＣＢの金属部分１０７に、ｎ電極１７をワイヤボンディングし、保持リング２０及び蛍光体２１を追加して、完成白色ＬＥＤアセンブリ１００を作製する。
【００３８】
しかしながら、金は、通常のシリコン集積回路に損傷を与える恐れがある、深刻な不純物である。第２の作製設備は、そのような集積回路を加工処理するための大規模設備であり、第２の営利主体は、その半導体製造設備内に金が存在することを、断じて許容するものではない。白色ＬＥＤアセンブリ全体を作製するコストを低減するために、第２の営利主体の半導体製造設備を使用することによって、規模の経済性を活用することができるように、青色ＬＥＤ装置から、全ての金を排除することが望まれる。
【００３９】
青色ＬＥＤ構造内に全く金を有さない、第２の理由は、金が高価な材料であることである。図１〜３の従来技術での、金／錫の接合金属層６５は、相当量の金を含む。更には、図１〜３の従来技術でのｐ電極６８は、２００ｎｍの金で覆われた２０ｎｍのニッケルを含む。この金を、より安価な材料で置き換えることによって、青色ＬＥＤ装置全体の製造コストを低減することが可能であることが望ましい。したがって、図１〜３の従来技術のｐ電極６８内の金は、図６の新規の白色ＬＥＤアセンブリ１００内では、より安価なアルミニウムで置き換えられる。図１〜３の従来技術のＬＥＤアセンブリ内で、ダイアタッチに使用される銀エポキシ７１は、良好な熱導体ではない。それゆえ、金属ハンダプロセスを使用して、ｐ電極１６を、下層の金属コアＰＣＢ１９にダイアタッチすることが望まれる。ＬＥＤ装置のｐ電極を基板にダイアタッチする際に、従来より使用されるハンダは、アルミニウムに良好に濡れることなく、図６の新規構造内の金属層１６は、アルミニウムである。しかしながら、ＺｎＡｌハンダは、アルミニウムに良好に濡れる。第２の新規態様では、アルミニウムコアＰＣＢ１９の金属部分１０５に、青色ＬＥＤ装置１０４をダイアタッチするために、ＺｎＡｌハンダ付けプロセスが使用される。
【００４０】
しかしながら、ＺｎＡｌハンダ付けプロセスは、ＺｎＡｌハンダを融解させるために、少なくとも３８０℃の温度を、少なくとも１０秒間必要とする。図３の従来の青色ＬＥＤ装置を、この高温のＺｎＡｌダイアタッチのハンダ付けプロセスで使用した場合には、ダイアタッチの間に、金／錫のウェーハボンディング層６５が融解して、青色ＬＥＤ装置は崩壊することになる。第３の新規態様では、図６の青色ＬＥＤ装置１０４を作製する際に、高温ウェーハボンディングプロセスが使用される。一実施例では、この高温ウェーハボンディングプロセスは、素子ウェーハ構造上に、厚さ１０００ｎｍのアルミニウム層を堆積させ、このアルミニウム層を、厚さ５０ｎｍのゲルマニウムのキャッピング層で覆うことを伴う。更には、このウェーハボンディングプロセスは、キャリアウェーハ構造上に、厚さ１０００ｎｍのゲルマニウム層を堆積させることを伴う。次いで、キャリアウェーハ構造及び素子ウェーハ構造を一体に押し付け、アルミニウム及びゲルマニウムが融解して融合するまで、１分超（例えば、５分）の間、４４０℃の温度まで加熱する。この高温ウェーハボンディングプロセスの使用により、ウェーハ接合ＬＥＤ装置は、その後、１０秒超の間、３８０℃でのダイアタッチに耐えることができる。
【００４１】
更には、図３の従来のＬＥＤ装置のバリア層を、図６の白色ＬＥＤアセンブリ１００内で使用した場合には、高温のＡｌＧｅウェーハボンディング工程、及び高温のＡｌＺｎダイアタッチ工程により、金属ウェーハボンディング層から、バリア層を通過して上り、銀層内に至る、アルミニウム及び／又はゲルマニウムの拡散が生じる可能性が高い。アルミニウム及び／又はゲルマニウムが、この方式で、バリア層を通過して拡散した場合には、銀の反射率が減少し、かつ／又は銀とｐ−ＧａＮとの界面でのオーミックコンタクトが劣化することになる。第４の新規態様では、図６の白色ＬＥＤアセンブリ１００は、高温バリア層１２を採用する。この高温バリア層１２は、ウェーハボンディングプロセスの、５分間の持続期間にわたる、高温ＡｌＧｅウェーハボンディングプロセスの間の、銀層内への拡散をブロックする。更には、壁層１２は、採用される高温ＺｎＡｌダイアタッチプロセスの間の、銀層内への拡散をブロックする。
【００４２】
更には、銀層１０の銀が、図３の従来のＬＥＤ装置内でのように、単純に堆積された場合には、ＡｌＧｅウェーハボンディングプロセス及びＺｎＡｌダイアタッチの高温サイクルにより、銀とｐ−ＧａＮとの界面でのオーミックコンタクトの劣化が生じることになる。第５の新規態様では、銀層１０の銀が堆積され、次いで、この銀層は、約４００℃でアニールされる。この方式で銀層１０をアニールすることは、銀とｐ−ＧａＮとの界面コンタクトの、熱安定性を向上させることにより、そのコンタクトは、その後、実質的な劣化を伴うことなく、４５０℃の温度に耐えることができる。
【００４３】
図８は、白色ＬＥＤアセンブリ１００を製造する方法の、各工程についての詳細を記載する表である。表の左縦列内の数字は、白色ＬＥＤアセンブリ１００の様々な層に関する参照番号である。
【００４４】
図９〜１６は、高温ウェーハボンディングプロセスを使用して、青色ＬＥＤを作製するための、金を含まないプロセスを記載する。これらの図は正確な縮尺ではなく、むしろ概念図である。図９の断面図の視点は、図７の切断線Ａ−Ａに沿ったものである。シリコン基板１から開始して、以下の層が、以下の順序で、成長又は堆積される：バッファ層２、テンプレート層３、ＬＲＬ４、ｎ形層５、歪み緩和層６、活性層７、ｐ形層８、電流ブロッキング層９、銀層１０、封入層１１、高温バリア層１２、及び高温ウェーハ接合金属層１３のアルミニウム部分。これらの様々な層の組成は、図８の表に記載される。この構造は、素子ウェーハ構造１１２と称される。
【００４５】
導電キャリア１５から開始して、以下の層が堆積される：接着層１４、及び高温ウェーハ接合金属層１３のゲルマニウム部分。これらの層の組成は、図８の表に記載される。この構造は、キャリアウェーハ構造１１３と称される。
【００４６】
図１０は、使用される熱圧縮ウェーハボンディングプロセスの温度サイクルを示すグラフである。キャリアウェーハ構造１１３は、約５０ポンド毎平方インチの圧力で、素子ウェーハ構造１１２に押し付けられ、それらの一体に押し付けられたウェーハは、少なくとも４００℃まで加熱される。特定の実施例では、ウェーハは、４４０℃まで加熱される。ウェーハは、均一な融点が、ウェーハの全体にわたって存在することを確実にするために、１分超の間、この高温で維持される。特定の実施例では、この高温は、５分間維持される。アルミニウム層及びゲルマニウム層が、融解して融合することにより、素子ウェーハ構造１１２に、キャリアウェーハ構造１１３がウェーハボンディングされる。接合金属層１３は、約４９重量パーセントのアルミニウム、及び約５１重量パーセントのゲルマニウムを含む。このウェーハボンディングは、図９の矢印１１４によって表される。
【００４７】
図１１は、本製造方法の後続の工程を示す。得られたウェーハ接合構造１１５が、矢印１１６によって示されるように、反転される。
【００４８】
図１２は、本製造方法の後続の工程を示す。シリコン基板１、バッファ層２、及びテンプレート層３が、矢印１１７によって示されるように、ウェーハ接合構造１１５から除去される。本実施例では、これらの層は、ＬＲＬ４のＧａＮサブレイヤーの１つが、その構造の頂部に存在して露出するように、研削加工、ラッピング加工、化学的機械的研磨（ＣＭＰ）、及び反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）の技術を使用して除去される。次いで、ウェットエッチングを実行して、水平及び垂直のストリートを、封入層１１に至るまでエッチングすることにより、ＬＥＤメサ構造の横列及び縦列の、２次元配列が形成される。各ＬＥＤメサ構造は、異なるＬＥＤ装置の、エピタキシャルＬＥＤ構造を含む。
【００４９】
図１３は、本製造方法の後続の工程を示す。各ＬＥＤメサの頂部の、露出したＬＲＬ４の上面は、粗化される。この粗化は、ＬＥＤ装置からの光の脱出を促進するために、通例的に実行されるタイプの粗化である。
【００５０】
図１４は、本製造方法の後続の工程を示す。第２電極１６が、図示のように、導電キャリア１５上に形成される。図示の実施例では、第２電極１６は、厚さ２２０ｎｍの実質的な純アルミニウムの層である。この第２電極は、金を含まない。更には、第１電極１７が、図示のように、ＬＲＬ４の粗化された上面上に形成される。図示の実施例では、第１電極１７は、厚さ３４０ｎｍの実質的な純アルミニウムの層である。第１電極１７は、金を含まない。
【００５１】
第１電極及び第２電極が、図１４に示すように追加された後、ウェーハ接合構造は、個別の青色ＬＥＤ装置へと個片化される。個片化は、上述のようなエッチングによって形成されたストリートで、ウェーハ接合構造１１５を、ダイシングソーで切断すること（sawing）によって実行される。図示の実施例では、次いで、得られた青色ＬＥＤ装置１０４のうちの１つが、図６の白色ＬＥＤアセンブリ１００内に組み込まれる。
【００５２】
図１５は、本製造方法の、後続の高温ダイアタッチ工程を示す。第１工程では、ＺｎＡｌハンダペーストを適用して、リフロー加熱することにより、アルミニウムコアＰＣＢ１９の上面上の、露出した金属の選択部分にハンダが付着する。図１５の第１金属部分１０５及び第２金属部分１０７は、例えば、アルミニウム又は銀の層である。その結果は、図１５に示すような、第１金属部分１０５を予め濡らしている、一定量のＺｎＡｌハンダである。アルミニウムコアＰＣＢ１９を冷却させる。
【００５３】
次に、矢印１１８によって示されるように、青色ＬＥＤ装置１０４が、予め濡らされたアルミニウムコアＰＣＢ１９上に定置され、この組み合わせ構造を、本明細書では高温ダイアタッチプロセスと称される、約１０秒間、約４００℃の温度まで、リフロー炉内で加熱する。ＺｎＡｌは、約３８０℃で融解するが、余分の２０℃は、余裕を持たせるために提供される。一定量のＺｎＡｌハンダ１８が融解して、青色ＬＥＤ装置１０４の底部上の、第２電極１６のアルミニウムに接合する。
【００５４】
図１６は、アルミニウムコアＰＣＢ１９にハンダ付けされた青色ＬＥＤ装置１０４の、得られた構造を示す。次に、第１電極１７のパッドが、ワイヤボンド１１０によって、アルミニウムコアＰＣＢ１９の表面上の、金属の第２部分１０７に取り付けられる。
【００５５】
ワイヤボンディングの後、その構造上に、シリコーンの保持リング２０（図４〜６を参照）が、シルクスクリーニングによって形成される。あるいは、保持リング２０は、正しい寸法に切り出されて成形され、次いで適用される。リング２０は、高さ０．５ｍｍ〜３．０ｍｍ、及び幅０．２ｍｍ〜１．５ｍｍである。シリコーンが硬化した後、一定量の蛍光体２１が、青色ＬＥＤ装置１０４上に滴下されることにより、リング２０によって保持される。蛍光体２１を硬化させることにより、完成白色ＬＥＤアセンブリ１００が形成される。
【００５６】
図１７は、一新規態様による、方法２００のフローチャート図である。エピタキシャルＬＥＤ構造を、基板上に成長させる（工程２０１）。一実施例では、この基板は、シリコンウェーハである。このエピタキシャルＬＥＤ構造は、ｎ形層、ｐ形層、及びｎ形層とｐ形層との間に配置される活性層を含む。活性層は、一定量のインジウムを含む。ｐ形層上に銀鏡層が形成され（工程２０２）、それにより高反射面が提供され、またエピタキシャルＬＥＤ構造に対するオーミックコンタクトも提供される。この銀層は、アニールされることにより、銀とｐ−ＧａＮとの界面は、後続のウェーハボンディング工程及び後続のダイアタッチ工程の高温に耐えることが可能となる。一実施例では、銀は、＞４００℃でアニールされる。
【００５７】
封入層が追加された後、バリア層が、その封入層の上に形成される（工程２０３）。このバリア層は、高温（例えば、４４０℃で５分間）での接合金属（例えば、アルミニウム及びゲルマニウム）の拡散が、バリア層を貫通して銀層に到達することを、防止することが可能である。一実施例では、バリア層は、厚さ１０００ｎｍのニッケルのサブレイヤー、及び厚さ２００ｎｍのチタンのサブレイヤーを含む。エピタキシャルＬＥＤ構造、銀層、封入層、及びバリア層を有する、シリコンウェーハは、本明細書では素子ウェーハ構造と称される。
【００５８】
次いで、素子ウェーハ構造は、高温接合金属を使用して、キャリア素子ウェーハにウェーハボンディングされる（工程２０４）。この高温接合金属は、後続のダイアタッチプロセスの温度よりも、高い温度で融解する。このウェーハボンディング工程の結果が、ウェーハ接合構造である。最初の基板が除去され、ストリートがエッチングされてＬＥＤメサが形成され、そのＬＥＤメサの頂部が粗化され、第１及び第２の金を含まない電極が追加され、ウェーハ接合構造が個片化され（工程２０５）、それによりＬＥＤ装置が形成される。
【００５９】
次いで、ＬＥＤ装置は、パッケージ又はＰＣＢの金属表面に、ＬＥＤ装置の第２の金を含まない電極が固定されるように、ハンダ付け工程でダイアタッチされる（工程２０６）。使用されるハンダは、使用される具体的な電極金属に適合可能なハンダである。一実施例では、電極金属はアルミニウムであり、ハンダはＺｎＡｌであり、ダイアタッチのハンダ付けプロセスは、３８０℃を超える温度（例えば、４００℃）で、１０秒間実施される。このダイアタッチプロセスの高温は、ウェーハ接合金属層を融解させるほど十分に高いものではない。
【００６０】
ダイアタッチの後、ＬＥＤ装置の第１の金を含まない電極が、パッケージ又はＰＣＢにワイヤボンディングされる。その結果が、白色ＬＥＤアセンブリである。一実施例では、白色ＬＥＤアセンブリの全体は、金を含まない。一実施例では、工程２０１は、第１の営利主体によって運用される第１の半導体製造設備で実施され、工程２０２〜２０５は、第２の営利主体によって運用される第２の半導体製造設備で実施される。工程２０６は、例えば、第１の営利主体によって、第１の半導体製造設備で、又は別の設備で実行することができる。
【００６１】
特定の具体的実施形態が、指示目的のために上述されているが、本特許文書の教示は、一般的な適用性を有するものであり、上述の具体的実施形態に限定されるものではない。開示される高温ウェーハボンディングプロセスは、垂直型ＬＥＤ装置を作製する際の使用に限定されるものではなく、むしろ、横方向接触型ＬＥＤ装置を作製する際にも使用可能である。ダイアタッチのハンダが、ＬＥＤ装置の底面全体を被覆するハンダの層である、実施例が例示されているが、他の実施例では、ハンダは、アルミニウムコアＰＣＢ１９の金属１０５上の、対応するアルミニウムのランディングパッドの配列に取り付けられる、接合ボールの配列の形態で存在する。キャリアウェーハ構造のキャリアは、一部の実施例では、非導電キャリアとすることができる。シリコン基板上にエピタキシャルＬＥＤ構造が成長させる実施例が上述されているが、エピタキシャルＬＥＤ構造は、他の実施形態では、別のタイプの基板（例えば、サファイア基板）上に成長させる。活性層内にインジウムを含むＬＥＤを伴う、実施例が上述されているが、上記で開示される、高温のウェーハボンディング及びハンダ付けはまた、他のタイプのＬＥＤ並びに他のウェーハ接合製品の製造にも、使用可能である。したがって、説明される実施形態の様々な特徴の、様々な修正、応用、及び組み合わせは、特許請求の範囲に記載されるような、本発明の範囲から逸脱することなく、実践することができる。
【図１】
2014519719.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【手続補正書】
【提出日】平成25年12月11日(2013.12.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｎ形層と、ｐ形層と、前記ｎ形層および前記ｐ形層の間に配置され、一定量のインジウムを含む活性層と、を有するエピタキシャル発光構造と、
基板と、
前記エピタキシャル発光構造と前記基板との間に配置され、アルミニウム及びゲルマニウム、もしくは、アルミニウム及びシリコンを含む金属接合層と、
前記金属接合層と、前記エピタキシャル発光構造と、の間に配置されたバリア層と、
前記ｎ形層に電気的に結合された第１電極と、
前記ｐ形層に電気的に結合された第２電極と、
を含む発光ダイオードと、
前記発光ダイオードを接続したプリント配線板と、
前記金属接合層の前記融点よりも低い融点を有し、前記発光ダイオードを前記プリント配線板の金属表面に接合した一定量のハンダと、
を備え、
前記金属接合層は、摂氏３８０度以上の融点を有し、前記エピタキシャル発光構造と前記基板とを一体に接合し、
前記基板は、前記ハンダと直接接触するアルミニウム電極を有し、
前記バリア層は、一定量のニッケルを含み、前記発光ダイオードが、摂氏４５０度の温度に５分間晒される場合に、前記金属接合層に含まれる金属が前記バリア層を通過し、前記エピタキシャル発光構造に拡散することを防止し、
前記発光ダイオードは、実質的に金を含まない半導体発光装置。
【請求項２】
ｎ形層と、ｐ形層と、前記ｎ形層および前記ｐ形層の間に配置され、一定量のインジウムを含む活性層と、を有するエピタキシャル発光構造と、
基板と、
前記エピタキシャル発光構造と前記基板との間に配置される金属接合層と、
を備え、
前記金属接合層は、摂氏３８０度以上の融点を有し、前記エピタキシャル発光構造と前記基板とを一体に接合した半導体発光装置。
【請求項３】
前記金属接合層は、アルミニウム及びゲルマニウムを含む請求項２に記載の半導体発光装置。
【請求項４】
前記金属接合層は、アルミニウム及びシリコンを含む請求項２に記載の半導体発光装置。
【請求項５】
前記エピタキシャル発光構造と、前記基板と、前記金属接合層と、を含む発光ダイオードを接続した構造体と、
前記発光ダイオードを前記構造体の金属表面に接合した一定量のハンダと、
をさらに備え、
前記ハンダは、前記金属接合層の前記融点よりも低い融点を有する請求項２〜４のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
【請求項６】
前記構造体は、プリント配線板である請求項５に記載の半導体発光装置。
【請求項７】
前記基板は、前記ハンダと直接接触するアルミニウム電極を有する請求項５または６に記載の半導体発光装置。
【請求項８】
前記金属接合層と、前記エピタキシャル発光構造と、の間に配置されたバリア層をさらに備え、
前記バリア層は、前記エピタキシャル発光構造、前記基板、及び前記金属接合層を含む発光ダイオードが、摂氏４５０度の温度に５分間晒される場合に、前記金属接合層に含まれる金属が前記バリア層を通過し、前記エピタキシャル発光構造に拡散することを防止する請求項２〜７のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
【請求項９】
前記金属接合層と、前記エピタキシャル発光構造と、の間に配置されたバリア層をさらに備え、
前記バリア層は、一定量のニッケルを含む請求項２〜７のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
【請求項１０】
前記ｎ形層に電気的に結合された第１電極と、
前記ｐ形層に電気的に結合された第２電極と、
をさらに備え、
前記エピタキシャル発光構造、前記基板、及び前記金属接合層を含む発光ダイオードは、実質的に金を含まない請求項２〜９のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
【請求項１１】
（ａ）支持ウェーハ構造と、素子ウェーハ構造と、の間に配置される接合金属を、摂氏３８０度以上の温度で融解させることにより、前記素子ウェーハ構造に、前記支持ウェーハ構造を接合する工程を備え、
前記素子ウェーハ構造は、ｎ形層と、ｐ形層と、前記ｎ形層および前記ｐ形層の間に配置され、一定量のインジウムを含有する活性層と、を有するエピタキシャル発光構造を含み、
前記支持ウェーハ構造は、支持基板を含む半導体発光装置の製造方法。
【請求項１２】
前記接合金属は、アルミニウム及びゲルマニウムを含む請求項１１記載の半導体発光装置の製造方法。
【請求項１３】
前記接合金属は、アルミニウム層及びゲルマニウム層を含み、
前記工程（ａ）において、前記アルミニウム層は、前記素子ウェーハ構造の一部であり、前記ゲルマニウム層は、前記支持ウェーハ構造の一部であり、
前記アルミニウム層及び前記ゲルマニウム層は、前記工程（ａ）の間に一体に融合する請求項１１または１２に記載の半導体発光装置の製造方法。
【請求項１４】
前記接合金属は、アルミニウム及びシリコンを含む請求項１１記載の半導体発光装置の製造方法。
【請求項１５】
（ｂ）  前記工程（ａ）の前に、前記素子ウェーハ構造の前記エピタキシャル発光構造の上に、銀層を形成する工程と、
（ｃ）  前記工程（ｂ）および前記工程（ａ）の間に、前記銀層の上に、バリア層を形成する工程と、
をさらに備え、
前記バリア層が、一定量のニッケルを含む請求項１１〜１４のいずれか１つに記載の半導体発光装置の製造方法。
【請求項１６】
（ｂ）  前記工程（ａ）の前に、前記素子ウェーハ構造の前記エピタキシャル発光構造の上に、銀層を形成する工程と、
（ｃ）  前記工程（ｂ）と、前記工程（ａ）と、の間に、前記エピタキシャル発光構造と、前記銀層と、を、摂氏４００度以上の温度でアニールする工程と、
をさらに備えた請求項１１〜１４のいずれか１つに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１７】
（ｄ）  前記支持ウェーハ構造と、それに接合された前記素子ウェーハ構造と、を個片化することにより、前記エピタキシャル発光構造と、前記支持基板と、前記接合金属と、を含む発光ダイオードを形成する工程と、
（ｅ）  前記接合金属よりも低い融点を有する一定量のハンダを用いて、前記発光ダイオードを金属表面にハンダ付けする工程と、
をさらに備えた請求項１１〜１６のいずれか１つに記載の半導体発光装置の製造方法。
【請求項１８】
前記エピタキシャル発光構造をハンダを用いて金属表面に接続する工程をさらに備え、
前記接合金属は、摂氏３８０度以上の融点を有し、
前記ハンダの融点は、前記接合金属の前記融点よりも低い請求項１１〜１６のいずれか１つに記載の半導体発光装置の製造方法。
【請求項１９】
前記ハンダは、亜鉛及びアルミニウムを含む請求項１８記載の製造方法。
【国際調査報告】
2014519719.tif 000020
2014519719.tif 000021
2014519719.tif 000022