(57)【要約】  本発明は、発光ダイオードチップに関する。 本発明によれば、厚さが１２０μｍを超える基板と、前記基板の一方の表面上に備えられた発光ダイオードと、を含む発光ダイオードチップが提供される。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
厚さが１２０μｍを超える基板と、
該基板の一方の表面上に備えられた発光ダイオードと、を含む発光ダイオードチップ。
【請求項２】
前記基板は側面に複数の突起を備えた、請求項１に記載の発光ダイオードチップ。
【請求項３】
前記基板は他方の表面に凹凸を備えた、請求項１に記載の発光ダイオードチップ。
【請求項４】
前記基板の厚さは２００μｍ以上４００μｍ以下である、請求項１に記載の発光ダイオードチップ。
【請求項５】
前記基板は透明基板である、請求項１に記載の発光ダイオードチップ。
【請求項６】
前記発光ダイオードから発光された光のうち少なくとも一部は前記基板を通して抽出される、請求項５に記載の発光ダイオードチップ。
【請求項７】
前記基板はサファイア基板である、請求項６に記載の発光ダイオードチップ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光ダイオードチップに関する。
【背景技術】
【０００２】
発光ダイオードは、基本的にＰ型半導体とＮ型半導体の接合であるＰＮ接合ダイオードである。
【０００３】
発光ダイオードは、Ｐ型半導体とＮ型半導体を接合した後、Ｐ型半導体とＮ型半導体に電圧を印加して電流を流すと、Ｐ型半導体の正孔はＮ型半導体側に移動し、これとは反対に、Ｎ型半導体の電子はＰ型半導体側に移動し、電子及び正孔はＰＮ接合部に移動する。
【０００４】
ＰＮ接合部に移動した電子は、伝導帯から価電子帯に落ちながら正孔と結合する。このとき、伝導帯と価電子帯の高さの差、すなわち、エネルギー差に相当するエネルギーが光の形態で放出される。
【０００５】
一般に、発光ダイオードチップは、複数のプロセスで形成される。まず、基板の一方の表面上にＮ型半導体層、活性層及びＰ型半導体層を含む複数の半導体層が形成される。次に、複数の発光ダイオードを形成するために複数の半導体層を分離する分離エッチングを実施すると同時に、Ｎ型半導体層を露出するために複数の半導体層の一部をメサエッチング(mesa etching)することによって、基板の一方の表面上に複数の発光ダイオードを形成し、基板の分割によって複数の発光ダイオードチップを形成する。
【０００６】
ここで、従来の発光ダイオードチップの基板は、基板の分割及びフリップチップ形態でサブマウントに実装するために１２０μｍの厚さを有していた。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の目的は、厚さが厚い基板を含むことによって光抽出効率の高い発光ダイオードチップを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
目的を達成するために、本発明の一側面によると、厚さが１２０μｍを超える基板と、基板の一方の表面上に備えられた発光ダイオードと、を含む発光ダイオードチップが提供される。
【０００９】
基板は側面に複数の突起を備えることができる。
【００１０】
基板は他方の表面に凹凸を備えることができる。
【００１１】
基板の厚さは２００μｍ以上４００μｍ以下であり得る。
【００１２】
基板は透明基板であり得る。
【００１３】
発光ダイオードチップにおいては、発光ダイオードから発光された光のうち少なくとも一部は基板を通して抽出することができる。
【００１４】
基板はサファイア基板であり得る。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によると、厚さが厚い基板を含むことによって光抽出効率の高い発光ダイオードチップを提供できるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の一実施例に係る発光ダイオードチップを示した断面図である。
【図２】本発明の一実施例に係る発光ダイオードチップを含む発光ダイオードアセンブリーを示した断面図である。
【図３】本発明の一実施例に係る発光ダイオードアセンブリーを製造する方法を示した断面図である。
【図４】本発明の一実施例に係る発光ダイオードアセンブリーを製造する方法を示した断面図である。
【図５】本発明の一実施例に係る発光ダイオードアセンブリーの基板厚さによる発光パワー（Ｐｏ）を示したグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、添付の図面を参照して本発明に係る各実施例を詳細に説明する。
【００１８】
図１は、本発明の一実施例に係る発光ダイオードチップを示した断面図である。
【００１９】
図１を参照して説明すると、本発明の一実施例に係る発光ダイオードチップ１０００は、基板１００及び発光ダイオード２００を含むことができる。
【００２０】
基板１００は成長用基板であり、基板１００は、発光ダイオード２００から放出される光のうち少なくとも一部が透過して外部に抽出される透明基板であり、透明基板はサファイア基板であり得る。
【００２１】
基板１００は、従来の発光ダイオードチップの基板より厚い厚さを有する。
【００２２】
基板１００は、発光ダイオード２００より広い幅を有することができる。すなわち、図１に示すように、基板１００は、発光ダイオード２００が一方の表面の一定領域内に備えられる程度に発光ダイオード２００に対して十分な大きさを有することができる。
【００２３】
基板１００の幅が発光ダイオード２００より広い幅を有することによって、発光ダイオード２００から放出される光を基板１００の側面に容易に抽出できるので、発光効率を高めることができる。
【００２４】
本発明においては、従来より厚い基板を分割するために、内部加工レーザーを用いる方法（internal processing laser beam processing）又はブラストを用いる方法（blasting）などの様々な方法によって基板１００が分割されるので、基板１００は従来の発光ダイオードチップの基板より厚い厚さを有することができる。本発明の一実施例に係る発光ダイオードチップ１０００は、従来の発光ダイオードチップの基板厚さである１２０μｍより厚い、すなわち、１２０μｍを超える厚さを有する基板１００を備えることができる。基板１００は、２００μｍ以上４００μｍ以下の厚さを有することが望ましい。
【００２５】
基板１００は、その側面に複数の突起１１０を備えることができる。各突起１１０は、発光ダイオードチップ１０００を形成する過程、望ましくは基板１００を分割する過程中に形成することもできる。さらに、基板１００を分割した後、それぞれの発光ダイオードチップ１０００の基板１００の側面を処理して形成することもできる。
【００２６】
各突起１１０は、基板１００の側面に一定間隔で配置することもでき、不規則に配置することもできる。また、突起１１０は同一の形状を有することもでき、多様な形状を有することもできる。さらに、突起１１０は同一のサイズであってもよく、それぞれ異なるサイズであってもよい。
【００２７】
ここで、図１に示すように、各突起１１０は、基板１００を分割する過程で形成することもでき、望ましくは、内部加工レーザービームを３回にわたってそれぞれ異なる深さで照射した後、すなわち、基板１００の深さ方向に３個の照射ラインに沿って照射した後に基板１００を分割することで形成することができる。すなわち、図１に示す各突起１１０は、基板１００を分割するために異なる深さで３回にわたって内部加工レーザービームを基板１００に照射することによって形成された、３個の照射ラインに対応する３つの突起領域１１２、１１４、１１６上に形成されてもよい。すなわち、各突起１１０は、基板１００に照射された内部加工レーザービームによって形成することができる。
【００２８】
ここで、基板１００の側面で突起領域１１２、１１４、１１６を除いた他の領域、すなわち、内部加工レーザービームが照射されていない領域は、突起領域１１２、１１４、１１６に比べて比較的平らな形態、すなわち、ラフネス（roughness）が小さくてもよい。
【００２９】
基板１００は、その一方の表面上に発光ダイオード２００を備えることができる。
【００３０】
発光ダイオード２００は、基板１００の一方の表面上に備えることができ、半導体構造体層２１０、パッシベーション層２２０、各パッド２３２、２３４及び各バンプ２４２、２４４を含むことができる。ここで、発光ダイオードチップ１０００がフリップチップ形態で備えられない場合、各バンプ２４２、２４４などは省略することができる。
【００３１】
半導体構造体層２１０は、バッファー層２１２、第１の型の半導体層２１４、活性層２１６及び第２の型の半導体層２１８を含むことができる。バッファー層２１２は省略することができる。
【００３２】
バッファー層２１２は、基板１００の一方の表面上に配置されてもよい。バッファー層２１２は、基板１００と第１の型の半導体層２１４との間の格子不整合を緩和するために配置されてもよい。また、バッファー層２１２は単一層又は複数層からなり、複数層である場合は、低温バッファー層及び高温バッファー層を含んでもよい。
【００３３】
第１の型の半導体層２１４は、図１に示すように、その一部が露出されてバッファー層２１２上に配置されてもよい。第１の型の半導体層２１４は、活性層２１６及び第２の型の半導体層２１８の一部をメサエッチングすることで露出させることができる。メサエッチングの際に、第１の型の半導体層２１４の一部もエッチングすることができる。
【００３４】
第１の型の半導体層２１４は、例えばＮ型不純物のような、第１の型の不純物がドーピングされた（Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ）ＮベースのＩＩＩ族の窒化物半導体で形成することができ、単一層又は複数層として形成されてもよい。例えば、第１の型の半導体層２１４は超格子層を含むことができる。
【００３５】
活性層２１６は、第１の型の半導体層２１４上に配置されてもよく、単一層又は複数層で形成されてもよい。また、活性層２１６は、一つのウェル層（single well layer）（図示せず）を含む単一量子ウェル構造（single quantum well structure）で形成することもでき、また、ウェル層（図示せず）と障壁層（barrier layers）（図示せず）とが交互に繰り返されて積層された構造である多重量子ウェル構造（multi-quantum well structure）で形成することもできる。ここで、ウェル層（図示せず）及び／又は障壁層（図示せず）は、超格子構造を有してもよい。
【００３６】
第２の型の半導体層２１８は、活性層２１６上に配置されてもよく、第２の型の半導体層２１８は、例えばＰ型不純物のような、第２の型の不純物がドーピングされた（Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ）ＮベースのＩＩＩ族の窒化物半導体で形成することができ、単一層又は複数層で形成されてもよい。例えば、第２の型の半導体層２１８は超格子層を含むことができる。
【００３７】
また、半導体構造体層２１０は、活性層２１６と第２の型の半導体層２１８との間に電子ブロッキング層（electron blocking layer）（図示せず）を含むことができる。電子ブロッキング層（図示せず）は、電子と正孔の再結合効率を高めるために配置することができ、相対的に広いバンドギャップを有する物質で形成されてもよい。電子ブロッキング層（図示せず）は、（Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ）ＮベースのＩＩＩ族の窒化物半導体で形成することができ、例えば、ＡｌＧａＮを含んでもよい。
【００３８】
パッシベーション層２２０は、半導体構造体層２１０が配置された基板１００上に配置することができる。パッシベーション層２２０は、その下部の半導体構造体層２１０を外部環境から保護する役割をし、シリコン酸化膜又はシリコン窒化膜を含む絶縁膜で形成されてもよい。
【００３９】
パッシベーション層２２０は、メサエッチングによって露出された第１の型の半導体層２１４の表面及び第２の型の半導体層２１８の表面の一部を露出させる各開口部を含んでもよい。
【００４０】
各パッド２３２、２３４は、第１のパッド２３２及び第２のパッド２３４を含むことができる。第１のパッド２３２は、開口部を介して露出した第１の型の半導体層２１４と接触してもよく、第２のパッド２３４は、開口部を介して露出した第２の型の半導体層２１８と接触してもよい。
【００４１】
ここで、図面には示していないが、第２の型の半導体層２１８は、その上部に第２の型の不純物が高濃度でドーピングされた高濃度の第２の型の半導体層（図示せず）を含むことができ、第２の型の半導体層２１８と第２のパッド２３４との間にはオーミック接触のための接触電極（図示せず）を含むことができる。各パッド２３２、２３４は、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ａｌ、Ａｇ又はＡｕなどを含むことができる。接触電極（図示せず）は、ＩＴＯ、ＺｎＯ又はＩＺＯなどのＴＣＯ（Transparent Conductive Oxide）と、Ｎｉ／Ａｕなどのコンタクト物質とを含むことができる。
【００４２】
各バンプ２４２、２４４は、第１のバンプ２４２及び第２のバンプ２４４を含むことができる。第１のバンプ２４２は第１のパッド２３２上に配置することができ、第２のバンプ２４４は第２のパッド２３４上に配置することができる。各バンプ２４２、２４４は、半導体構造体層２１０が上に配置された基板１００がサブマウント（図示せず）上に実装されるときに基板１００を支持する役割をし、各バンプ２４２、２４４はＡｕを含むことができる。
【００４３】
一方、基板１００の他方の表面には各凹凸１２０を備えることができる。各凹凸１２０は、基板１００の他方の表面方向に抽出される光の抽出効率を高める役割をする。半導体構造体層２１０、正確には半導体構造体層２１０の活性層２１６から放出された光が基板１００の他方の表面方向に抽出されるとき、基板１００の他方の表面で発生する全反射を減少させ、光が基板１００の他方の表面に抽出される確率を高めることによって、光抽出効率を高める役割をする。
【００４４】
各凹凸１２０は、モスアイパターンなどのパターンで基板１００の他方の表面に予め形成することもでき、基板１００を分割する工程過程中に、又は分割する工程後にブラスト又はレーザービームを用いて形成することもできる。各凹凸１２０の高さは１００nm以上１μｍ以下であってもよい。ここで、各凹凸１２０は、発光ダイオードチップ１０００が発光する光の波長帯に応じて異なる形状を有することができる。
【００４５】
本発明の一実施例に係る発光ダイオードチップ１０００が従来の発光ダイオードチップより高い発光効率を有する発光ダイオードチップを提供することができるように、発光ダイオードチップ１０００の基板１００は１２０μｍを超える厚さを有する。また、本発明の一実施例に係る発光ダイオードチップ１０００が、従来の発光ダイオードチップより高い発光効率を有する発光ダイオードチップを提供することができるように、基板１００は基板１００の側面に進行する光の抽出効率を高めるために側面に形成された各突起１１０を有する。
【００４６】
図２は、本発明の一実施例に係る発光ダイオードチップを含む発光ダイオードアセンブリー（light emitting diode assembly）を示した断面図である。
【００４７】
図２を参照して説明すると、本発明の一実施例に係る発光ダイオードアセンブリー２０００は、図１を参照して説明した発光ダイオードチップ１０００及びサブマウント３００を含むことができる。
【００４８】
ここで、発光ダイオードチップ１０００は、図１を参照して詳細に説明したので、それについての説明は省略する。
【００４９】
発光ダイオードアセンブリー２０００は、サブマウント３００上に発光ダイオードチップ１０００が実装された形態で備えることができる。すなわち、サブマウント３００はその一方の表面上に第１の電極３１０及び第２の電極３２０を含み、発光ダイオードチップ１０００は発光ダイオードチップ１０００の第１のバンプ２４２と第２のバンプ２４４とが、それぞれ第１電極３１０と第２電極３２０とに接続されることで、発光ダイオードアセンブリー２０００を備えるように、サブマウント３００上に実装される。
【００５０】
したがって、本発明の一実施例に係る発光ダイオードアセンブリー２０００は、発光ダイオード２００から放出された光が抽出される側において、１２０μｍより厚い厚さ、すなわち、１２０μｍを超える厚さを有する基板１００を備えることができる。基板１００は、２００μｍ以上４００μｍ以下の厚さを有することが望ましい。
【００５１】
図３及び図４は、本発明の一実施例に係る発光ダイオードアセンブリーを製造する方法を示した断面図である。
【００５２】
図３を参照して説明すると、本発明の一実施例に係る発光ダイオードアセンブリー２０００を製造する方法は、まず、基板１００を準備し、基板１００の一方の表面上にバッファー層２１２、第１の型の半導体層２１４、活性層２１６及び第２の型の半導体層２１８を含む複数の半導体層を順次形成する。このとき、基板１００としてはサファイア基板であってもよく、１２０μｍを超える厚さを有してもよい。基板１００は、その他方の表面上に凹凸１２０が予め形成された基板であってもよい。また、基板１００は、図面には示していないが、基板１００の他方の表面上に凹凸１２０が予め形成されていない基板でもあってもよい。
【００５３】
このとき、バッファー層２１２、第１の型の半導体層２１４、活性層２１６及び第２の型の半導体層２１８などの複数の半導体層は、公知の各半導体層を形成する方法、例えば、ＭＯＣＶＤ法、分子ビーム成長法、エピタキシャル成長法などで形成することができる。
【００５４】
続いて、発光ダイオード２００を複数形成するために、バッファー層２１２、第１の型の半導体層２１４、活性層２１６及び第２の型の半導体層２１８をエッチングして分離する。
【００５５】
続いて、分離された第１の型の半導体層２１４の一部が露出するようにメサエッチングを実施し、バッファー層２１２、第１の型の半導体層２１４、活性層２１６及び第２の型の半導体層２１８を含む複数の半導体構造体層２１０を形成する。
【００５６】
続いて、基板１００の表面上にパッシベーション形成層を形成した後、各半導体構造体層２１０の第１の型の半導体層２１４及び第２の型の半導体層２１８の表面の一部を露出させる各開口部が形成されるようにパッシベーション形成層の一部をエッチングすることによってパッシベーション層２２０を形成する。
【００５７】
続いて、基板１００上に各パッド２３２、２３４を形成することができる。このとき、各パッド２３２、２３４は、第１の型の半導体層２１４の表面の一部を露出させる開口部を介して第１の型の半導体層２１４と接触する第１のパッド２３２と、第２の型の半導体層２１８の表面の一部を露出させる開口部を介して第２の型の半導体層２１８と接触する第２のパッド２３４とを含むことができる。
【００５８】
このとき、各図面には図示していないが、各パッド２３２、２３４を形成する前に、まず、開口部を介して第２の型の半導体層２１８と接触する接触電極（図示せず）を形成し、接触電極（図示せず）上に第２のパッド２３４を形成することもできる。
【００５９】
続いて、第１のパッド２３２及び第２のパッド２３４上に第１のバンプ２４２及び第２のバンプ２４４を含む各バンプ２４２、２４４を形成し、基板１００の一方の表面上にそれぞれ離隔した複数の発光ダイオード２００を形成する。
【００６０】
続いて、各発光ダイオード２００を互いに分離するために基板１００を分割する工程を実施する。ここで、従来の発光ダイオードを分割する工程は、基板の他方の表面を研磨し、基板の厚さを最終的に１００μｍ以上１２０μｍ以下にした後に実施される。これは、上述したように、従来の基板を分割する工程では、基板の厚さが厚い場合、チッピング（chipping）又はダブルチップ（double chip）などの不良が基板を分割する過程で発生し、基板の厚さが薄すぎると、後の発光ダイオードチップのサブマウントへの実装工程において、超音波（ultrasonic waves）及び圧着（compression）によるクラック（cracking）や破損（breakage）などが発生する。したがって、従来は基板の厚さを１００μｍ以上１２０μｍ以下に研磨されていた。
【００６１】
しかし、本発明の一実施例に係る発光ダイオードアセンブリーの製造方法は、従来とは異なり、基板１００の厚さが厚くても分割が可能な内部加工レーザーやブラストなどを用いる方法で基板１００を分割するので、従来のように基板１００の他方の表面を研磨する裏面研磨工程を省略することができる。
【００６２】
基板の分割工程中、又は基板の分割工程後に、基板１００の側面に複数の突起１１０を形成する工程が行われてもよい。
【００６３】
ここで、分割工程中に各突起１１０を形成する方法は、基板１００を内部加工レーザーであってもよい。すなわち、内部加工レーザーを分割ラインに沿って複数回異なる深さで照射した後に基板１００を分割し、内部加工レーザービームの照射ライン、すなわち、各突起領域１１２、１１４、１１６内に各突起１１０を形成することができる。
【００６４】
分割工程の実施中に各突起１１０を形成する他の方法は、基板１００を分割するとき、ブラスト法を用いて基板１００の側面にブラストマークを形成し、ブラストマークによって突起１１０を形成する方法であってもよい。ここで、ブラストとしてサンドブラストを使用することができ、サンドブラスト法は、砂などの粒子を用いる工程であって、例えば、基板１００を分割するときと、サンドブラストマークを形成するときと、の粒子サイズを異ならせることによって基板１００の分割と、突起１１０の形成とを同時に実施することができる。
【００６５】
一方、基板１００を分割する工程と突起１１０を形成する工程を別途に実施する場合は、基板１００を分割した後、多様な方法で基板１００の側面に突起１１０を形成することができる。すなわち、分割された基板１００の側面をブラスト法で表面処理することによって各突起１１０を形成することもでき、基板１００の側面をエッチングすることによって各突起１１０を形成することもできる。
【００６６】
一方、基板１００の他方の表面を研磨する必要がない場合もあるが、従来のように基板１００を１００μｍ以上１２０μｍ以下の厚さで残すのではなく、１２０μｍを超える厚さで残す研磨を実施することもできる。
【００６７】
このとき、基板１００は、その他方の表面に凹凸１２０を予め形成せず、基板１００の分割工程中又は分割工程後に凹凸１２０を形成することができる。凹凸１２０は、分割工程の実施中に形成することができるが、ブラスト法で分割するときは、基板１００の他方の表面も露出させることによって凹凸１２０を形成することもできる。また、分割工程の実施中又は分割工程後に、基板１００の他方の表面にレーザービームを照射することによって凹凸１２０を形成することもできる。
【００６８】
図４を参照して説明すると、基板１００を分割して発光ダイオードチップ１０００を製造する工程とは別に、一方の表面上に第１の電極３１０及び第２の電極３２０を有するサブマウント３００が準備される。
【００６９】
続いて、発光ダイオードチップ１０００の第１のバンプ２４２とサブマウント３００の第１の電極３１０とが互いに対応し、発光ダイオードチップ１０００の第２のバンプ２４４とサブマウント３００の第２の電極３２０とが互いに対応するように、サブマウント３００と発光ダイオードチップ１０００とが調整され、各電極３１０、３２０と各バンプ２４２、２４４をフリップボンディングし、図２に示した発光ダイオードアセンブリー２０００を形成することができる。このとき、フリップボンディングには、熱超音波法又は熱圧着法を用いることができる。
【００７０】
図５は、本発明の一実施例に係る発光ダイオードアセンブリーの基板厚さによる発光パワー（Ｐｏ）を示したグラフである。
【００７１】
図５を参照して説明すると、図２を参照して説明した本発明の一実施例に係る発光ダイオードアセンブリー２０００を準備し、発光ダイオードアセンブリー２０００に２０ｍＡの電流を供給することによって発光ダイオードアセンブリーから発光する発光パワー（Ｐｏ（ｍＷ））を測定し、また、発光ダイオードアセンブリー２０００をパッケージ化した後、同一の条件で発光パワーを測定した。
【００７２】
発光ダイオードアセンブリー２０００に２０ｍＡの電流を印加したとき、発光ダイオードアセンブリー２０００の基板１００の厚さが従来のように１２０μｍである場合は発光パワーが１．２５ｍＷで、基板１００の厚さが２００μｍである場合は発光パワーが１．３０ｍＷで、基板１００の厚さが３７０μｍである場合は発光パワーが１．５７ｍＷであるので、基板の厚さが従来のように１２０μｍである場合に比べて、基板の厚さが２００μｍ及び３７０μｍに厚くなったときに発光パワーの値がそれぞれ約３．４％及び２５．１％増加することが分かった。
【００７３】
また、発光ダイオードアセンブリー２０００をパッケージ化した後、のパッケージ化された発光ダイオードアセンブリー２０００に２０ｍＡの電流を印加したとき、グラフに示したように、のパッケージ化された発光ダイオードアセンブリー２０００の基板１００の厚さが従来のように１２０μｍである場合は発光パワーが０．８７ｍＷで、基板１００の厚さが２００μｍである場合は発光パワーが０．９８ｍＷで、基板１００の厚さが３７０μｍである場合は発光パワーが１．１３ｍＷであるので、基板の厚さが従来のように１２０μｍである場合に比べて、基板の厚さが２００μｍ及び３７０μｍに厚くなったときに発光パワーの値がそれぞれ約１３．２％及び２９．５％増加することが分かった。
【００７４】
したがって、上述したように、本発明の一実施例に係る発光ダイオードアセンブリー２０００及びのパッケージ化された発光ダイオードアセンブリーは、基板の厚さが従来の１２０μｍを超える場合に、その発光パワーがより増加することを確認することができた。
【００７５】
以上、本発明を各実施例に基づいて説明したが、本発明はこれに制限されるものではない。当業者であれば、本発明の趣旨及び範囲を逸脱しない範囲で修正・変更が可能であり、このような修正と変更も本発明に属するものと理解できるだろう。
【図１】
2014507077.tif 000003
【図２】
2014507077.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
2014507077.tif 000007
【国際調査報告】
2014507077.tif 000008
2014507077.tif 000009
2014507077.tif 000010
2014507077.tif 000011