(57)【要約】【課題】有機エレクトロルミネセンスデバイス、及び、その導電性基板が提供される。【解決手段】導電性基板は、ガラス基板と、酸化インジウムスズ層と、ガラス基板と酸化インジウムスズ層の間に位置する金属酸化物層と、を含む。金属酸化物層の屈折率は、ガラス基板と酸化インジウムスズ層の屈折率の間とされる。導電性基板において、ガラス基板と酸化インジウムスズ層の間の屈折率を有する金属酸化物層が挿入されるため、ＩＴＯ（酸化インジウムスズ）／金属酸化物、金属酸化物／ガラスの間で光が放出され、全反射の臨界角は、金属酸化物を挿入していない臨界角と比較して増大され、大部分の光が屈折を通じて界面から放出され、少量の光のみが全反射を発生させるため、光の抽出効率が高められる。
2014509442.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラス基板と、ＩＴＯ層と、前記ガラス基板と前記酸化インジウムスズ層の間の金属酸化物層と、を含む有機エレクトロルミネセンスデバイスの導電性基板であって、前記金属酸化物層の屈折率は、前記ガラス基板と前記酸化インジウムスズ層の屈折率の間とされる、ことを特徴とする有機エレクトロルミネセンスデバイスの導電性基板。
【請求項２】
前記金属酸化物層は、ＭｇＯ、ＺｒＯ、或いは、Ａｌ２Ｏ３とされる、ことを特徴とする請求項１に記載の有機エレクトロルミネセンスデバイスの伝導性基板。
【請求項３】
金属酸化物層は５０ｎｍから１５０ｎｍの厚みを有する、ことを特徴とする請求項１に記載の有機エレクトロルミネセンスデバイスの伝導性基板。
【請求項４】
ＩＴＯ層は１００ｎｍから２００ｎｍの厚みを有する、ことを特徴とする請求項１に記載の有機エレクトロルミネセンスデバイスの伝導性基板。
【請求項５】
導電性基板と、前記導電性基板の上に順番に積層される、ホール注入層、ホール輸送層、光放出層、電子輸送層、電子注入層、および金属陰極と、を含む有機エレクトロルミネセンスデバイスであって、
ガラス基板、酸化インジウムスズ層、及び、前記ガラス基板と前記酸化インジウムスズ層の間の金属酸化物層と、を含み、
前記金属酸化物層の屈折率は、前記ガラス基板と前記酸化インジウムスズ層の屈折率の間とされる、有機エレクトロルミネセンスデバイス。
【請求項６】
前記ホール注入層は、三酸化モリブデン、三酸化タングステン、又は、ＶＯＸが採用される、ことを特徴とする請求項５に記載の有機エレクトロルミネセンスデバイス。
【請求項７】
前記ホール輸送層は、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−４，４’−ビフェニルジアミン、Ｎ，Ｎ’−（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−４，４’−ビフェニルジアミン、１，３，５−トリフェニルベンゼン、又は、銅(ＩＩ)フタロシアニンが採用される、ことを特徴とする請求項５に記載の有機エレクトロルミネセンスデバイス。
【請求項８】
前記発光層は、テトラ（ｔｅｒｔ−ブチル）ペリレン、４−ジシアノメチレン−２−ｔｅｒｔ−ブチル−６−［２−（１，１，７，７−テトラメチル−９−ジュロリジン）−エテニル］−４Ｈ−ピラン、９，１０−ナフタレン−β−アンスラセン、ビス（２−メチル−８−ヒドロキシキノリン）−（４−ジフェノール）アルミニウム、４−ジシアノメチレン−２−イソプロピル−６−［２−（１，１，７，７−テトラメチル−９−ジュロリジン）−エテニル］−４Ｈ−ピラン、ジメチルキナクリドン、又は、８−ヒドロキシキノリンアルミニウムキノリン、が採用される、ことを特徴とする請求項５に記載の有機エレクトロルミネセンスデバイス。
【請求項９】
前記電子輸送層は、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチル）フェニル−１，３，４−オキサジアゾール、８−ヒドロキシキノリンアルミニウムキノリン、２，５−ビス（１−ナフチル）−１，３，４−オキサジアゾール、１，２，４−トリアゾロ誘導体、Ｎ−アリールベンツイミダゾール、又は、キノキサリン誘導体が採用される、ことを特徴とする請求項５に記載の有機エレクトロルミネセンスデバイス。
【請求項１０】
前記電子注入層は、ＬｉＦ、ＬｉＯ２，Ｃｓ２Ｏ、Ａｌ２Ｏ３，ＮａＦ、ＣｓＦ、ＣａＦ２，ＭｇＦ２，ＮａＣｌ、ＫＣｌ、ＲｂＣｌ、ＬｉＢＯ２，又は、Ｋ２ＳｉＯ３が採用される、ことを特徴とする請求項５に記載の有機エレクトロルミネセンスデバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機エレクトロルミネセンスデバイス、及び、その導電性基板に関連する。
【背景技術】
【０００２】
１９８７年に、米国のイーストマンコダック社のＣ．Ｗ．ＴａｎｇとＶａｎ  Ｓｌｙｋｅは、電界発光の研究において、ブレークスルーとなる進展を報告した。高い輝度と高効率を有する二層小分子有機エレクトロルミネセンスデバイス（ＯＬＥＤ）は、超薄膜技術を使用することで作製された。二層構造デバイスにおいて、電圧１０Ｖのオペレーションにおいて、輝度は１０００ｃｄ／ｍ２までであり、その発光効率は１．５１ｌｍ／Ｗであり、寿命は１００時間以上である。
【０００３】
ＯＬＥＤの発光原理は、外部の電場作用が加えられ、電子が陰極から有機層のＬＵＭＯ（最低空軌道）に注入され、一方で、ホールが陽極からＨＯＭＯ（最高被占軌道）に注入される、といったことに基づく。電子とホールは、発光層において遭遇し、結合し、励起子を形成し、励起子は、電場作用にて遷移し、発光材料にエネルギーを伝達し、励起電子が基底状態から励起状態まで遷移する。この励起状態のエネルギーは、輻射を通じて失われ、光子を生産し、光エネルギーを放出する。しかしながら、発光層から放出される光のうち、最終的に放出される光の量は、全発光の約２５％であり、かなりの部分の光が様々な方式によって損失されており、例えば、光学損失や、発光損失などである。このため、発光過程中の光損失をいかに減少させるか、光抽出効率をいかに増強させるか、ということが、現在のエレクトロルミネセンス分野の重要な研究方向の一つとなっている。
【０００４】
現在常用される一つの方法として、トップエミッション型デバイスを作製し、光抽出効率を高め、同時に、光放出面に屈折率が比較的高い様々な材料を適用し、増透膜を形成することで、光抽出効率を高めることがある。しかしながら、トップエミッション型デバイスの全体的な性能は依然低いため、応用の段階までには程遠いものである。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
以上のことから、一種の高い光抽出効率を具備する有機エレクトロルミネセンスデバイス、及び、その導電性基板が必要とされる。
【０００６】
この有機エレクトロルミネセンスデバイスの導電性基板は、ガラス基板と、酸化インジウムスズ層と、ガラス基板と酸化インジウムスズ層の間の金属酸化物層と、を含む。ここで、金属酸化物層の屈折率は、ガラス基板と酸化インジウムスズ層の屈折率の間とされる。
【０００７】
好適な実施例では、金属酸化物層は、ＭｇＯ、ＺｒＯ、或いは、Ａｌ２Ｏ３とされる。
【０００８】
好適な実施例では、金属酸化物層は５０ｎｍから１５０ｎｍの厚みを有する。
【０００９】
好適な実施例では、酸化インジウムスズ層は１００ｎｍから２００ｎｍの厚みを有する。
【００１０】
有機エレクトロルミネセンスデバイスは、導電性基板と、この導電性基板の上に順番に積層される、ホール注入層、ホール輸送層、光放出層、電子輸送層、電子注入層、および金属陰極を含んでいる。導電性基板は、ガラス基板と、酸化インジウムスズ層と、ガラス基板と酸化インジウムスズ層の間の金属酸化物層と、を含む。ここで、金属酸化物層の屈折率は、ガラス基板と酸化インジウムスズ層の屈折率の間とされる。
【００１１】
好適な実施例では、ホール注入層は、三酸化モリブデン、三酸化タングステン、又は、ＶＯＸが採用される。
好適な実施例では、ホール輸送層は、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−４，４’−ビフェニルジアミン、Ｎ，Ｎ’−（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−４，４’−ビフェニルジアミン、１，３，５−トリフェニルベンゼン、又は、銅(ＩＩ)フタロシアニンが採用される。
【００１２】
好適な実施例では、発光層は、テトラ（ｔｅｒｔ−ブチル）ペリレン、４−ジシアノメチレン−２−ｔｅｒｔ−ブチル−６−［２−（１，１，７，７−テトラメチル−９−ジュロリジン）−エテニル］−４Ｈ−ピラン、９，１０−ナフタレン−β−アンスラセン、ビス（２−メチル−８−ヒドロキシキノリン）−（４−ジフェノール）アルミニウム、４−ジシアノメチレン−２−イソプロピル−６−［２−（１，１，７，７−テトラメチル−９−ジュロリジン）−エテニル］−４Ｈ−ピラン、ジメチルキナクリドン、又は、８−ヒドロキシキノリンアルミニウムキノリン、が採用される。
【００１３】
好適な実施例では、電子輸送層は、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチル）フェニル−１，３，４−オキサジアゾール、８−ヒドロキシキノリンアルミニウムキノリン、２，５−ビス（１−ナフチル）−１，３，４−オキサジアゾール、１，２，４−トリアゾロ誘導体、Ｎ−アリールベンツイミダゾール、又は、キノキサリン誘導体が採用される。
【００１４】
好適な実施例では、電子注入層は、ＬｉＦ、ＬｉＯ２、Ｃｓ２Ｏ、Ａｌ２Ｏ３、ＮａＦ、ＣｓＦ、ＣａＦ２、ＭｇＦ２、ＮａＣｌ、ＫＣｌ、ＲｂＣｌ、ＬｉＢＯ２、又は、Ｋ２ＳｉＯ３が採用される。
【００１５】
導電性基板において、屈折率をガラス基板と酸化インジウムスズ層の間とした金属酸化物層を挿入したため、ＩＴＯ（酸化インジウムスズ）／金属酸化物、金属酸化物／ガラスの間で光が放出され、全反射の臨界角は、金属酸化物を挿入していない臨界角と比較して増大され、大部分の光が屈折を通じて界面から放出され、少量の光のみが全反射を発生させるので、光の抽出効率が高められる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
図１は、一実施例としての導電性基板の断面図である。
【００１７】
図２は、一実施例としての有機エレクトロルミネセンスデバイスの断面図である。
【００１８】
図３は、一実施例としての有機エレクトロルミネセンスデバイスと標準の有機エレクトロルミネセンスデバイスの輝度と電圧の関係を示すグラフである。
【実施例の詳細な説明】
【００１９】
本発明の上述した目的、特徴、利点がより判り易くなるために、以下では図面を付して本発明の具体的な実施方式の詳細な説明がされる。以下の記述において詳しく述べられた多くの具体的な細部は、本発明の十分な理解のためのものである。
【００２０】
ただし、本発明は、記述されていないその他の多くの方式においても実施することができ、当業者は本発明に含まれる範囲を超えない限りにおいて類似の改変をすることができ、このため、本発明は以下で公開される具体的な実施例に制限されるものではない。そして、本発明は、図を持って詳しく説明される。説明の便宜のため、デバイス構造を表す断面図は、一般の比率ではなく、局部を拡大したものとする。そして、図は実施例を表すことに過ぎず、これにより、本発明の保護範囲を制限するものではない。この他、実際の作製においては、長さ、幅さ、及び、深さの三次元の空間の寸法も含まれることになる。
【００２１】
図１に示すごとく、一実施例としての導電性基板１０は、ガラス基板１１と、酸化インジウムスズ（Ｉｎｇｉｕｍ−Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）層１５と、ガラス基板１１と酸化インジウムスズ層１５の間に位置する金属酸化物層１３と、を含む。ＩＴＯ層１５の屈折率をｎ１とし、ガラス基板１１の屈折率をｎ２とし、金属酸化物層１３の屈折率をｎとしたときに、ｎ１＞ｎ＞ｎ２とされる。即ち、金属酸化物層１３の屈折率は、ガラス基板１１と酸化インジウムスズ層１５の屈折率の間とされる。
【００２２】
ＩＴＯ層１５の屈折率ｎ１は約１．９であり、ガラス基板１１の屈折率ｎ２は約１．５である。仮にＩＴＯからの光がガラス基板に直接放出されるとすると、屈折定理により、全反射が発生することになり、さらに光が全反射を発生させる時には、すなわち、この光の全てが屈折して戻されることになり、放出されることがない。本実施例では、ガラス基板と導電性膜の前提を変えることなく、両者の間に一種の金属酸化物層を挿入することを通じて、光抽出効率が高められる。この金属酸化物層の屈折率ｎと、二つの材料においては、次の関係がある。ｎ１＞ｎ＞ｎ２。これにより、ＩＴＯ層からの光が金属酸化物層に入射する際に、全反射の角度はより大きく変わり（ｎ＞ｎ２であるため）、全反射される光は減少し、大部分の光は、ガラス基板に屈折して到達する。一方、金属酸化物層とガラス基板の間においても全反射が存在するため、金属酸化物層から入射される光は、ｎ＜ｎ１となるため、これにより、ガラスの屈折率との差が減少し、全反射を発生させる角度が大きくなり、大部分の光は、屈折して界面から放出される。これにより、二回の屈折を通じ、光抽出効率は高められ、最終的に、発光効率が高められる。
【００２３】
金属酸化物層１３は、好ましくは、ＭｇＯ、ＺｒＯ、或いは、Ａｌ２Ｏ３とされる。仮に金属酸化物層１３の厚さが薄過ぎると、光線を容易に通過させることになり、全反射を発生させることになる。仮に、金属酸化物層１３の厚さが厚過ぎると、光線を通過させることが難しくなる。したがって、金属酸化物層１３の厚さは、好ましくは、５０ｎｍから１５０ｎｍとされる。
【００２４】
ＩＴＯ層１５の厚みは、好ましくは、１００ｎｍから２００ｎｍとされる。この厚さの範囲のＩＴＯ層は、フィルム形成性が比較的良好で、金属酸化物層１３に対する付着性が強く、光の透過性も高めることができる。
【００２５】
図２に示すごとく、一実施例としての有機エレクトロルミネセンスデバイス１００は、導電性基板１０，導電性基板１０の上に順次積層されるホール注入層２０，ホール輸送層３０，光放出層４０，電子輸送層５０，電子注入層６０，及び、金属陰極７０を含んでいる。
【００２６】
導電性基板１０は、図１に示される導電性基板である。
【００２７】
ホール注入層２０は、三酸化モリブデン、三酸化タングステン、又は、ＶＯＸが採用される。
【００２８】
ホール輸送層３０は、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−４，４’−ビフェニルジアミン、Ｎ，Ｎ’−（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−４，４’−ビフェニルジアミン、１，３，５−トリフェニルベンゼン、又は、銅(ＩＩ)フタロシアニンが採用される。
【００２９】
発光層４０は、テトラ（ｔｅｒｔ−ブチル）ペリレン（ＴＢＰ）、４−ジシアノメチレン−２−ｔｅｒｔ−ブチル−６−［２−（１，１，７，７−テトラメチル−９−ジュロリジン）−エテニル］−４Ｈ−ピラン（ＤＣＪＴＢ）、９，１０−ナフタレン−β−アンスラセン（ＡＮＤ）、ビス（２−メチル−８−ヒドロキシキノリン）−（４−ジフェノール）アルミニウム（ＢＡＬＱ）、４−ジシアノメチレン−２−イソプロピル−６−［２−（１，１，７，７−テトラメチル−９−ジュロリジン）−エテニル］−４Ｈ−ピラン（ＤＣＪＴＩ）、ジメチルキナクリドン（ＤＭＱＡ）、又は、８−ヒドロキシキノリンアルミニウムキノリン（Ａｌｑ３）、が採用される。
【００３０】
電子輸送層５０は、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチル）フェニル−１，３，４−オキサジアゾール（ＰＢＤ）、８−ヒドロキシキノリンアルミニウムキノリン（Ａｌｑ３）、２，５−ビス（１−ナフチル）−１，３，４−オキサジアゾール（ＢＮＤ）、１，２，４−トリアゾロ誘導体（ＴＡＺなど）、Ｎ−アリールベンツイミダゾール（ＴＰＢＩ）、又は、キノキサリン誘導体（ＴＰＱ）が採用される。
【００３１】
電子注入層６０は、ＬｉＦ、ＬｉＯ２，Ｃｓ２Ｏ、Ａｌ２Ｏ３，ＮａＦ、ＣｓＦ、ＣａＦ２，ＭｇＦ２，ＮａＣｌ、ＫＣｌ、ＲｂＣｌ、ＬｉＢＯ２，又は、Ｋ２ＳｉＯ３が採用される。
【００３２】
金属陰極７０は、Ａｌ、Ａｕ、Ｍｇ／Ａｇ合金、Ａｌ／Ｍｇ合金、Ａｌ／Ｃａ合金、又は、Ａｌ／Ｌｉ合金が採用される。
【００３３】
理解されるべきことは、有機エレクトロルミネセンスデバイス１００は、上述した導電性基板／ホール注入層／ホール輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／金属陰極の多層構造のほかにも、いずれの適切な結合を採用することができ、例えば、導電性基板／発光層／金属陰極の構造、導電性基板／ホール輸送層／発光層／電子輸送層／金属陰極の構造、導電性基板／ホール注入層／ホール輸送層／発光層／電子注入層／金属陰極の構造などがある。
【００３４】
有機エレクトロルミネセンスデバイス１００の作成方法は、以下のステップを含む。
【００３５】
ステップ１：市販のガラス基板１１を順次、洗剤、アセトン、エタノール、およびイソプロパノールを用い、超音波洗浄を行う。
【００３６】
ステップ２：金属酸化物をスパッタリング、蒸着、イオンメッキなどの方法でガラス基板１１の上に付着させ、５０ｎｍから１５０ｎｍの厚みを有する金属酸化物層１３を形成する。
【００３７】
ステップ３：酸化インジウムスズをスパッタリングの方法により金属酸化物層１３の上に作製し、１００ｎｍから２００ｎｍの厚みの酸化インジウムスズ層１５を形成する。
【００３８】
ステップ４：真空メッキ膜室内において、酸化インジウムスズ層１５の上に、順次、ホール注入層２０，ホール輸送層３０，光放出層４０，電子輸送層５０，電子注入層６０，および金属陰極７０を蒸着させる。
【００３９】
以下では具体的な実施例について説明する。
【００４０】
実施例１：まず、市販のガラス基板を順次、洗剤、アセトン、エタノール、およびイソプロパノールを用い、超音波洗浄を行う。次に、金属酸化物をスパッタリング、蒸着、イオンメッキなどの方法でガラス基板の上に付着させ、７０ｎｍの厚みとする。酸化インジウムスズをスパッタリングの方法により上述の基板の上に作製し、１２０ｎｍの厚みとする。次いで、このＩＴＯガラスに、フォトリソグラフィ処理を施し、必要な発光面積にカットし、次いで、洗剤、脱イオン水、アセトン、エタノール系、およびイソプロパノールを用いて、順次超音波洗浄をそれぞれ１５分間行い、ガラス表面の有機汚染物質を除去する。掃除されたガラスに対し、５〜１５分間の酸素プラズマ処理を、１０Ｗ〜５０Ｗのパワーで施す。最後に真空メッキ室内に設置して各有機層を蒸着させ、最終的に所望の有機エレクトロルミネセンスデバイスを得る。
【００４１】
実施例２：まず、市販のガラス基板を順次、洗剤、アセトン、エタノール、およびイソプロパノールを用い、超音波洗浄を行う。次に、金属酸化物をスパッタリング、蒸着、イオンメッキなどの方法でガラス基板の上に付着させ、５０ｎｍの厚みとする。酸化インジウムスズをスパッタリングの方法により上述の基板の上に作製し、１００ｎｍの厚みとする。次いで、このＩＴＯガラスに、フォトリソグラフィ処理を施し、必要な発光面積にカットし、次いで、洗剤、脱イオン水、アセトン、エタノール系、およびイソプロパノールを用いて、順次超音波洗浄をそれぞれ１５分間行い、ガラス表面の有機汚染物質を除去する。掃除されたガラスに対し、５〜１５分間の酸素プラズマ処理を、１０Ｗ〜５０Ｗのパワーで施す。最後に真空メッキ室内に設置して各有機層を蒸着させ、最終的に所望の有機エレクトロルミネセンスデバイスを得る。
【００４２】
実施例３：まず、市販のガラス基板を順次、洗剤、アセトン、エタノール、およびイソプロパノールを用い、超音波洗浄を行う。次に、金属酸化物をスパッタリング、蒸着、イオンメッキなどの方法でガラス基板の上に付着させ、７０ｎｍの厚みとする。酸化インジウムスズをスパッタリングの方法により上述の基板の上に作製し、１５０ｎｍの厚みとする。次いで、このＩＴＯガラスに、フォトリソグラフィ処理を施し、必要な発光面積にカットし、次いで、洗剤、脱イオン水、アセトン、エタノール系、およびイソプロパノールを用いて、順次超音波洗浄をそれぞれ１５分間行い、ガラス表面の有機汚染物質を除去する。掃除されたガラスに対し、５〜１５分間の酸素プラズマ処理を、１０Ｗ〜５０Ｗのパワーで施す。最後に真空メッキ室内に設置して各有機層を蒸着させ、最終的に所望の有機エレクトロルミネセンスデバイスを得る。
【００４３】
実施例４：まず、市販のガラス基板を順次、洗剤、アセトン、エタノール、およびイソプロパノールを用い、超音波洗浄を行う。次に、金属酸化物をスパッタリング、蒸着、イオンメッキなどの方法でガラス基板の上に付着させ、１００ｎｍの厚みとする。酸化インジウムスズをスパッタリングの方法により上述の基板の上に作製し、２００ｎｍの厚みとする。次いで、このＩＴＯガラスに、フォトリソグラフィ処理を施し、必要な発光面積にカットし、次いで、洗剤、脱イオン水、アセトン、エタノール系、およびイソプロパノールを用いて、順次超音波洗浄をそれぞれ１５分間行い、ガラス表面の有機汚染物質を除去する。掃除されたガラスに対し、５〜１５分間の酸素プラズマ処理を、１０Ｗ〜５０Ｗのパワーで施す。最後に真空メッキ室内に設置して各有機層を蒸着させ、最終的に所望の有機エレクトロルミネセンスデバイスを得る。
【００４４】
実施例５：まず、市販のガラス基板を順次、洗剤、アセトン、エタノール、およびイソプロパノールを用い、超音波洗浄を行う。次に、金属酸化物をスパッタリング、蒸着、イオンメッキなどの方法でガラス基板の上に付着させ、１５０ｎｍの厚みとする。酸化インジウムスズをスパッタリングの方法により上述の基板の上に作製し、１５０ｎｍの厚みとする。次いで、このＩＴＯガラスに、フォトリソグラフィ処理を施し、必要な発光面積にカットし、次いで、洗剤、脱イオン水、アセトン、エタノール系、およびイソプロパノールを用いて、順次超音波洗浄をそれぞれ１５分間行い、ガラス表面の有機汚染物質を除去する。掃除されたガラスに対し、５〜１５分間の酸素プラズマ処理を、１０Ｗ〜５０Ｗのパワーで施す。最後に真空メッキ室内に設置して各有機層を蒸着させ、最終的に所望の有機エレクトロルミネセンスデバイスを得る。
【００４５】
実施例６：まず、市販のガラス基板を順次、洗剤、アセトン、エタノール、およびイソプロパノールを用い、超音波洗浄を行う。次に、金属酸化物をスパッタリング、蒸着、イオンメッキなどの方法でガラス基板の上に付着させ、１２０ｎｍの厚みとする。酸化インジウムスズをスパッタリングの方法により上述の基板の上に作製し、１６０ｎｍの厚みとする。次いで、このＩＴＯガラスに、フォトリソグラフィ処理を施し、必要な発光面積にカットし、次いで、洗剤、脱イオン水、アセトン、エタノール系、およびイソプロパノールを用いて、順次超音波洗浄をそれぞれ１５分間行い、ガラス表面の有機汚染物質を除去する。掃除されたガラスに対し、５〜１５分間の酸素プラズマ処理を、１０Ｗ〜５０Ｗのパワーで施す。最後に真空メッキ室内に設置して各有機層を蒸着させ、最終的に所望の有機エレクトロルミネセンスデバイスを得る。
【００４６】
実施例７：まず、市販のガラス基板を順次、洗剤、アセトン、エタノール、およびイソプロパノールを用い、超音波洗浄を行う。次に、金属酸化物をスパッタリング、蒸着、イオンメッキなどの方法でガラス基板の上に付着させ、６０ｎｍの厚みとする。酸化インジウムスズをスパッタリングの方法により上述の基板の上に作製し、１８０ｎｍの厚みとする。次いで、このＩＴＯガラスに、フォトリソグラフィ処理を施し、必要な発光面積にカットし、次いで、洗剤、脱イオン水、アセトン、エタノール系、およびイソプロパノールを用いて、順次超音波洗浄をそれぞれ１５分間行い、ガラス表面の有機汚染物質を除去する。掃除されたガラスに対し、５〜１５分間の酸素プラズマ処理を、１０Ｗ〜５０Ｗのパワーで施す。最後に真空メッキ室内に設置して各有機層を蒸着させ、最終的に所望の有機エレクトロルミネセンスデバイスを得る。
【００４７】
実施例８：まず、市販のガラス基板を順次、洗剤、アセトン、エタノール、およびイソプロパノールを用い、超音波洗浄を行う。次に、金属酸化物をスパッタリング、蒸着、イオンメッキなどの方法でガラス基板の上に付着させ、１２０ｎｍの厚みとする。酸化インジウムスズをスパッタリングの方法により上述の基板の上に作製し、１４０ｎｍの厚みとする。次いで、このＩＴＯガラスに、フォトリソグラフィ処理を施し、必要な発光面積にカットし、次いで、洗剤、脱イオン水、アセトン、エタノール系、およびイソプロパノールを用いて、順次超音波洗浄をそれぞれ１５分間行い、ガラス表面の有機汚染物質を除去する。掃除されたガラスに対し、５〜１５分間の酸素プラズマ処理を、１０Ｗ〜５０Ｗのパワーで施す。最後に真空メッキ室内に設置して各有機層を蒸着させ、最終的に所望の有機エレクトロルミネセンスデバイスを得る。
【００４８】
実施例９：まず、市販のガラス基板を順次、洗剤、アセトン、エタノール、およびイソプロパノールを用い、超音波洗浄を行う。次に、金属酸化物をスパッタリング、蒸着、イオンメッキなどの方法でガラス基板の上に付着させ、８０ｎｍの厚みとする。酸化インジウムスズをスパッタリングの方法により上述の基板の上に作製し、１５０ｎｍの厚みとする。次いで、このＩＴＯガラスに、フォトリソグラフィ処理を施し、必要な発光面積にカットし、次いで、洗剤、脱イオン水、アセトン、エタノール系、およびイソプロパノールを用いて、順次超音波洗浄をそれぞれ１５分間行い、ガラス表面の有機汚染物質を除去する。掃除されたガラスに対し、５〜１５分間の酸素プラズマ処理を、１０Ｗ〜５０Ｗのパワーで施す。最後に真空メッキ室内に設置して各有機層を蒸着させ、最終的に所望の有機エレクトロルミネセンスデバイスを得る。
【００４９】
図３は、実施例１のガラス基板／ＭｇＯ／ＩＴＯ／ＭｏＯ３／ＮＰＢ／Ａｌｑ３／ＰＢＤ／ＬｉＦ／Ａｌの構造を有する有機エレクトロルミネセンスデバイスと標準の有機エレクトロルミネセンスデバイスの輝度と電圧の関係を示すグラフである。
【００５０】
６Ｖの電圧では、ＭｇＯ層を挿入した導電性基板のデバイスの輝度は３３２８ｃｄ／ｃｍ２であるが、標準のデバイスの輝度は２４８９ｃｄ／ｃｍ２である。これにより証明されるように、ＭｇＯが挿入されることで、基板の光抽出効率が増強され、光線が発生させる全反射の損失が減少し、より多くの光が屈折を通じて放出され、これにより、デバイスの輝度が高められることになる。
【００５１】
上記のように、各実施例は本発明のいくつかの実施形態について具体的且つ詳しく説明されているが、本発明の開示を制限するものと理解されるものではない。指摘されるべきことは、本発明は、この技術分野に精通した者により本発明の主旨を逸脱しない範囲での若干の変更や修正をすることができるということである。従って、本発明の特許の保護範囲は、添付の特許請求の記載に基づくべきである。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【国際調査報告】
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