(57)【要約】  エピタキシャル法によって製造されるＩＩＩ族元素の窒化物に基づく連続層であって、  ・  １×１０18ｃｍ-3より高いドーパント濃度を有する、少なくとも１つのドープされた第一のＩＩＩ族元素の窒化物層（１０５）；  ・  少なくとも５０ｎｍの厚さ、および５×１０18ｃｍ-3未満のｎ型またはｐ型ドーパント濃度を有する第二のＩＩＩ族元素の窒化物層（１０６）；  および  ・  ＩＩＩ族元素の窒化物半導体材料製の活性領域（１０６）；を含み、  ・  前記第一のＩＩＩ族元素の窒化物層が、ゲルマニウム、スズ、鉛、酸素、硫黄、セレンおよびテルルによって構成される元素群から選択される少なくとも１つのｎ型ドーパント、または少なくとも１つのｐ型ドーパントを含み、且つ、  ・  前記活性領域が、５×１０9ｃｍ-3を下回る体積密度のらせん転位または刃状転位のいずれかを有する、前記連続層。
2014509445.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
エピタキシャル法によってシリコン基板上に製造されるＩＩＩ族元素の窒化物に基づく連続層であって、
・  １×１０18ｃｍ-3より高いドーパント濃度を有する、少なくとも１つのドープされた第一のＩＩＩ族元素の窒化物層（１０５）；
・  少なくとも５０ｎｍの厚さ、および５×１０18ｃｍ-3未満のｎ型またはｐ型ドーパント濃度を有する第二のＩＩＩ族元素の窒化物層（１０６）；  および
・  ＩＩＩ族元素の窒化物半導体材料製の活性領域（１０６）；を含み、
・  前記第一のＩＩＩ族元素の窒化物層が、ゲルマニウム、スズ、鉛、酸素、硫黄、セレンおよびテルルによって構成される元素群から選択される少なくとも１つのｎ型ドーパント、または少なくとも１つのｐ型ドーパントを含み、且つ、
・  前記活性領域が、５×１０9ｃｍ-3を下回る体積密度のらせん転位または刃状転位のいずれかを有する、前記連続層。
【請求項２】
第二のＩＩＩ族元素の窒化物層が、５×１０17ｃｍ-3未満の濃度のｎ型またはｐ型ドーパントによって低ドープされている、請求項１に記載の連続層。
【請求項３】
第二のＩＩＩ族元素の窒化物層が、少なくとも５００ｎｍの厚さを有する、請求項１または２に記載の連続層。
【請求項４】
第二のＩＩＩ族元素の窒化物層が、２〜１０μｍの間の厚さを有する、請求項３に記載の連続層。
【請求項５】
活性領域が、５×１０8ｃｍ-3未満の体積密度のらせん転位を有する、請求項１から４までのいずれか１項に記載の連続層。
【請求項６】
活性領域内のらせん転位の体積密度が、１×１０8ｃｍ-3未満である、請求項１から５までのいずれか１項に記載の連続層。
【請求項７】
第一のＩＩＩ族元素の窒化物層のドーパント濃度が、ｎ型ドーパント濃度のことである、請求項１から６までのいずれか１項に記載の連続層。
【請求項８】
第一のＩＩＩ族元素の窒化物層のドーパント濃度が、ｐ型ドーパント濃度のことである、請求項１から６までのいずれか１項に記載の連続層。
【請求項９】
さらに、窒化ケイ素、酸化ケイ素、窒化ホウ素、または酸化アルミニウム、またはそれらの材料の少なくとも２つの混合物の層を含む、請求項１から８までのいずれか１項に記載の連続層。
【請求項１０】
シリコン基板が、シリコン・オン・インシュレータ構造を有する、請求項１から９までのいずれか１項に記載の連続層。
【請求項１１】
活性領域内の刃状転位の体積密度が、２×１０9ｃｍ-3未満である、請求項１から１０までのいずれか１項に記載の連続層。
【請求項１２】
活性領域内の刃状転位の体積密度が、５×１０8ｃｍ-3未満である、請求項１１に記載の連続層。
【請求項１３】
請求項１から１２までのいずれか１項に記載の、少なくとも１つのＩＩＩ族元素の窒化物に基づく連続層を含む半導体素子。
【請求項１４】
ショットキーダイオード、ｐｉｎダイオードとして、または発光ダイオードとしてのいずれかで構成される、請求項１３に記載の半導体素子。
【請求項１５】
活性領域を通って電流が垂直に流れることができるように構成されている、請求項１３または１４に記載の半導体素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はＩＩＩ族元素の窒化物に基づく層構造、およびこの層構造を含む半導体素子に関する。
【０００２】
ＩＩＩ族元素の窒化物に基づく層構造およびかかる層構造を含む半導体素子、特にトランジスタおよびダイオードは、高電圧素子に非常に適しており、なぜなら、それらは高い破壊電界を達成することを可能にするからである。しかしながら、例えばショットキーまたはｐｉｎダイオードの低コストでの製造は可能ではない。これは、高密度の転位のせいであり、前記転位は、ｃ軸方向の垂直電流下での素子の早期の電気的破壊の原因である。この理由のために、これらの素子は多くの場合、高価なＧａＮ基板上に製造される。
【０００３】
これらの素子をシリコン基板上に製造するための努力がなされている。これは、大きな直径のウェハが利用可能であるために、製造コストを下げることがあり、コンタクトの容易な製造、および最終的には、シリコン電子素子と共に同一のチップ上に搭載することを可能にする。
【０００４】
上述の種類の多くの半導体素子は、電流の接続および分配のために、少なくとも１つの高ドープされたｎ型のＩＩＩ族元素の窒化物層を有する。現在一般的であるシリコンを用いたドーピングは、成長の間に、ＩＩＩ族元素の窒化物構造内で強い引っ張り応力を生成するか、または少なくとも存在する圧縮応力を低減させる。しかしながら、シリコン基板上では、成長温度から室温への冷却後にクラックのない層構造を得るために、層成長の間に圧縮応力が必要とされる。
【０００５】
本発明の基礎をなす課題は、シリコン基板上のＩＩＩ族元素の窒化物層の層構造を最適化することである。本発明のさらなる課題は、ＩＩＩ族元素の窒化物層構造に基づくダイオード構造、例えばショットキーダイオードまたはｐｉｎダイオード（特に発光ダイオードの形態）の性能を改善することである。
【０００６】
本発明によれば、シリコン基板上にエピタキシャル法によって製造されるＩＩＩ族元素の窒化物に基づく連続層が提供され、該連続層は、
・  １×１０18ｃｍ-3より高いｎ型ドーパント濃度を有する、少なくとも１つのｎ型ドープされた第一のＩＩＩ族元素の窒化物層；
・  少なくとも５０ｎｍの厚さ、および５×１０18ｃｍ-3未満のｎ型またはｐ型ドーパント濃度を有する第二のＩＩＩ族元素の窒化物層；  および
・  ＩＩＩ族元素の窒化物半導体材料製の活性領域；
を含み、
・  前記第一のＩＩＩ族元素の窒化物層が、ゲルマニウム、スズ、鉛、酸素、硫黄、セレンおよびテルルによって構成される元素群から選択される少なくとも１つのｎ型ドーパント、または少なくとも１つのｐ型ドーパントを含み、且つ、
・  前記活性領域が、５×１０9ｃｍ-3を下回る体積密度のらせん転位または刃状転位のいずれかを有する。
【０００７】
以下に、層構造の実施態様が記載される。
【０００８】
１つの実施態様において、第二のＩＩＩ族元素の窒化物層は、５×１０17ｃｍ-3未満のｎ型またはｐ型のドーパント濃度を有する。
【０００９】
垂直ダイオードの製造における使用のために特に適した連続層の実施態様において、第二のＩＩＩ族元素の窒化物層は、少なくとも５００ｎｍ、好ましくは２〜１０μｍの間の厚さを有する。
【００１０】
活性領域は好ましくは、５×１０8ｃｍ-3未満の体積密度のらせん転位を有する。さらにより好ましくは、この密度の値は１×１０8ｃｍ-3未満である。
【００１１】
ショットキーダイオードまたはｐｉｎダイオード（例えばＬＥＤ）の製造のために適した１つの実施態様においては、第一のＩＩＩ族元素の窒化物層のドーパント濃度とは、ｎ型のドーパント濃度のことである。特に、第二のＩＩＩ族元素の窒化物層におけるｎ型ドーパントとしてのゲルマニウムの使用は、高品質の素子の実現を可能にする。ｎ型ドーパントとしてのゲルマニウムは、成長の間に、従来のシリコンドーピングよりも明らかに低い引張歪みで、ｎ型のＩＩＩ族元素の窒化物連続層をシリコン基板上に製造することを可能にする。これは、より高品質を有する、より厚いＩＩＩ族元素の窒化物層の成長を可能にする。これは、この連続層の上の部分として、且つ特に低い転位密度、特にらせん転位密度を有する、素子の活性領域をもたらす。第一の実験は、ＩＩＩ族元素の窒化物内でのｎ型ドーパントとしてのゲルマニウムとの類似性ゆえに、スズ、鉛、酸素、硫黄、セレンおよびテルルを用いたｎ型ドーピングは、少なくとも類似した有利な効果を有することが予測されることを示している。
【００１２】
選択的なｐｉｎダイオード構造を製造するために適した選択的な実施態様においては、第一のＩＩＩ族元素の窒化物層について、ｐ型のドーパント濃度を使用することができる。従って、第一のＩＩＩ族元素の窒化物層は、この選択的なｐｉｎダイオード構造のｐ型層を形成する。
【００１３】
マスキング層は、層の品質を最適化し、且つ応力の管理を補助するために使用できる。このために、層構造は好ましくはさらに、窒化ケイ素、酸化ケイ素、窒化ホウ素、または酸化アルミニウム、またはそれらの材料の少なくとも２つの混合物の層を含む。該層は、異なる実施態様においては、ｉｎ−ｓｉｔｕで堆積された層であるか、または、ｅｘ−ｓｉｔｕで堆積された層である。
【００１４】
シリコン基板はバルクのシリコンウェハであってよい。しかしながら、他の実施態様においては、それはシリコン・オン・インシュレータ構造を有する。
【００１５】
活性領域中の刃状転位の体積密度は、好ましくは２×１０9ｃｍ-3未満である。
【００１６】
他の実施態様においては、活性領域中の刃状転位の体積密度は、５×１０8ｃｍ-3未満である。
【００１７】
本発明の連続層およびその実施態様を、半導体素子の種々の用途のために使用することができる。例えば、前記半導体素子は、ショットキーダイオード、ｐｉｎダイオードとして、または発光ダイオードとしてのいずれかで構成される。好ましくは、前記半導体素子は、その活性領域を通じて電流が垂直に流れることができるように構成される。
【００１８】
以下に、本発明のさらなる実施態様を、添付の図を参照しながら説明する。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】層構造の実施態様を示す図である。
【図２】ｐｉｎダイオードの実施態様を示す図である。
【図３】層構造の実施態様を示す図である。
【図４】層構造の実施態様を示す図である。
【図５】層構造の実施態様を示す図である。
【図６】ｐｉｎダイオードの実施態様を示す図である。
【００２０】
図１、３、４および５は、半導体素子、例えばショットキーダイオード内で協働するために適した層構造の実施態様を示す。
【００２１】
図２および６は、ｐｉｎダイオードの種々の実施態様を示す。
【００２２】
以下に記載される実施態様は、単なる例として存在していることに留意されたい。これらの実施態様の種々の特徴の組み合わせも一般的には可能である。特に、中間層とドーピングされていない層、またはドーピングされているかまたはドーピングされていなくてもよい層を、互いに繰り返して組み合わせてもよい。このように、層構造の全体の厚さを増加でき、材料の品質を強化でき、且つ、応力の管理、即ち、成長の間に存在する応力を最適化できる。
【００２３】
図１に関しては、半導体素子の使用のための層構造を模式的な断面図で示す。層構造は基板１００の上に製造される。基板１００は例えばシリコン基板である。変化形として、シリコン・オン・インシュレータ（ＳＯＩ）またはＳＩＭＯＸ技術（ＳＩＭＯＸ＝注入された酸素による分離）を使用して製造された基板も使用できる。後者の２つの基板の例は絶縁または逆方向の電圧破壊に関して有利であることがある。
【００２４】
他の材料または他の材料の組み合わせから製造される基板は、該材料または組み合わせの熱膨張係数がシリコンと類似している、即ち、３×１０-6Ｋ-1の範囲を有するという条件で使用することができることに留意されたい。この範囲の熱膨張係数は、本文脈において使用されるＩＩＩ族元素の窒化物材料について測定されている値を明らかに下回る。従って、この範囲は、製造工程後に、製造された層構造の引っ張り応力をもたらす。
【００２５】
基板１００上に層１０１が成長する。図１の層１０１は、シードおよびバッファ層構造の模式的な描写である。層１０１はＡｌＮまたはＡｌＧａＮ製であってよい。選択的な実施態様において、それは０と１との間の種々のガリウム含有率を有するＡｌＧａＮ層の積層から製造される。
【００２６】
シードおよびバッファ層１０１に、マスキング層１０２が続く。マスキング層１０２は、例えば、ＳｉＮまたは層成長を抑制する他の材料製であってよい。かかる選択的な材料の例は、数パーセントのホウ素（Ｂ）を含むＩＩＩ族元素の窒化物である。マスキング層をｉｎ−ｓｉｔｕで堆積してよい。この場合、それは数モノレイヤー、好ましくは０．５〜１．０ナノメートルの範囲の公称厚さを有する。ｉｎ−ｓｉｔｕのマスキング層は、低いらせん転位密度の達成を補助し、そのことは、薄い層厚で高い破壊電圧を得るために必要とされる。
【００２７】
選択的な実施態様においては、マスキング層をｅｘ−ｓｉｔｕで堆積してもよい。この実施態様においては、厚さは１０〜１００ナノメートルの範囲内である。
【００２８】
マスキング層１０２が任意であることに留意すべきである。それを省略してもよい。
【００２９】
マスキング層１０２、またはそれが省略されている場合には、シードおよびバッファ層１０１に、さらなるバッファ層１０３が続く。さらなるバッファ層１０３はＧａＮ製であってよい。典型的には、バッファ層は初めに三次元成長モードで成長する。初期の成長島が融合した後にのみ、層が滑らかになる。さらなるバッファ層１０３はドーピングされていてよい。ｎ型ドーピングのために、ドーパントを、ゲルマニウム（Ｇｅ）、スズ（Ｓｎ）、鉛（Ｐｂ）、酸素（Ｏ）、硫黄（Ｓ）、セレン（Ｓｅ）、テルル（Ｔｅ）を含む元素群から選択できる。これらのドーパントは、ｉｎ−ｓｉｔｕでのドーピング工程にもかかわらず、乱されていない三次元成長の達成を可能にする。
【００３０】
さらなるバッファ層１０３のドーピングは、図１に示されるような垂直コンタクト構造の場合に特に有利である。この種の実施態様において、参照標識１０５で示される層まで、または存在する場合には参照標識１１３（図４）までの全ての層をそれぞれ、ドーパント元素について言及された群からのドーパントを使用したｎ型ドーピングに供することが推奨される。
【００３１】
この文脈においてマスキング層１０２は当然ドープされ得ないことに留意されたい。全ての層の連続的なドーピングが望ましい場合、マスキング１０２は省略されるか、またはバッファ層１０３を二次元成長モードで成長させることができる。しかしながら、これは製造工程にとってはあまり有利ではなく、且つ好ましくない。
【００３２】
マスキング層１０２の使用のさらなる代替として、さらなるバッファ層１０３の三次元成長モードを、適した成長パラメータ、例えばＶ族元素がＩＩＩ族元素に対して低い割合であるフローによって強制することができる。しかしながら、これが転位密度を減少させたとしても、その効果はマスキング層を使用する場合と同等に強くはない。さらには、この代替手段を使用する場合には、成長モードはあまり制御されない。従って、マスキング層１０２の省略は、転位密度の増加、ひいてはより悪い破壊特性をみちびきかねない。
【００３３】
マスキング層を、層構造の製造工程の間の後の段階、即ち基板からより遠い距離でｉｎ−ｓｉｔｕ堆積することができることに留意されたい。後に堆積されるかかるマスキング層の厚さは、好ましくは、圧縮応力の偏向（ｂｉａｓ）にほとんど影響を及ぼさないように選択される。クラックの回避、層構造の曲がりの回避、および特に転位密度についての所望の材料品質の達成に関して、厚さの最適化を行うことができる。
【００３４】
中間層または層構造１０４を、さらなるバッファ層１０３上に成長させることができる。この層１０４は、全体としての層構造における応力を修正および管理するために提供される。中間層１０４は、シリコン基板上で特に有用である。それは、成長の間に圧縮応力を提供するために役立つ。このために、好ましくは、図１の実施態様におけるドープされた層１０５の堆積前に層構造中に挿入される。中間層１０４は、例えば低温成長したＡｌＮ製である。かかる低温は、典型的には５００〜８００℃の範囲である。しかしながら、ＩＩＩ族元素の窒化物材料の化学気相堆積工程においては、１０００℃未満の任意の温度が低温とみなされ得る。
【００３５】
中間層１０４は、層構造中に繰り返し、即ち、基板からの種々の距離のところで挿入されてよい。これは、例えば、追加的な中間層１１２が応力管理措置として提供される図４の実施態様において示される。ここで、追加的な中間層１１２を、次に記載される層１０５の繰り返しを形成する追加的な高ドープ層１１３の作製前に堆積することが好ましい。
【００３６】
高ドープ層１０５は、ここで、第一のＩＩＩ族元素の窒化物層とも称される。この層は好ましくは、５×１０18ｃｍ-3より高い、理想的には約１×１０19ｃｍ-3のキャリア濃度、例えば電子濃度を有する。これらの条件下では、特に大面積のコンタクトを使用する場合には、コンタクト抵抗は無視できる。層表面全体にわたって広がっているコンタクトが使用される場合、ドーパント濃度は幾分低くても良いが、しかし、１×１０18ｃｍ-3よりは高くなければならない。ｎ型ドーピングの好ましい場合においては、ゲルマニウムがドーパントとして好ましく使用される。
【００３７】
層１０６も活性領域を含み、それはＬＥＤにおける発光領域か、またはより一般的には、ｐｉｎ領域の真性領域であってよい。
【００３８】
理想的な場合、キャリア濃度はドーパント濃度を同一である。しかしながら実際には、キャリア濃度は、広範な値にわたってドーパント濃度と相関しているが、しかし補償作用のために幾分低い傾向がある。ここで記載されるドーパント濃度の値は、達成されたキャリア濃度を表すもの、即ち、相補的な欠陥によって補償されていない電子またはホールの濃度としても理解されるものとする。実際には、ドーパント濃度は、所望のキャリア濃度を達成するために幾分高く選択されてよい。
【００３９】
層構造を通じて良好に電流を導くことを達成するために、層構造の下方部分全体のドーピングが有用である。図１〜３および５の例において、この下方部分とは、層１０１〜層１０５の連続層である。図の実施態様において、下方部分は層１１３まで広がる。
【００４０】
コンタクトについては、種々の選択肢が図に示される実施態様によって表される。図５は、層１０５のエッチングされた部分の上に配置された前面コンタクト１１４を示す。このために、前面コンタクトに隣接した領域（図示しない）を、基板１００まで完全にエッチングし、且つ、適したメタライゼーションによって基板までのコンタクトブリッジを形成する。このように、基板または層の前面および裏面を介して垂直に、好ましくは相応のコンタクト１０８および１０７を用いて素子のコンタクトを形成できる。
【００４１】
コンタクト１０８を通じたＩＩＩ族元素の窒化物層への低オーミック裏面コンタクトのために、ビア１１０を使用できる場合、それは基板を貫通し、且つ、基板上に成長した連続層の一部を貫通する。前記ビアを、エッチングおよびメタライゼーションによって作製できる。前記ビアは、ｎ型層１０５または１１３内で終わるべきである。中間層の数に依存して、ビア１１０および１１１を、第一のｎ型高ドープ層１０５内、または、引き続く層内のさらなるドーピングの場合は、一番上の高ｎ型ドープ層１１３内で終わるように作製すべきである。
【００４２】
図４の実施態様においては、低オーミックの中間層が設けられる。ＡｌＧａＮ層が使用される場合、それらは低いＡｌ含有率、理想的には５０％未満のＩＩＩ族金属を有する。応力の偏向に関する効率が高いので、高いＡｌ含有率を有する中間層またはＡｌＮ／ＧａＮ超格子構造が適しており、それは、図４におけるビア１１１によって示されるとおり、一番上の層１０５または１１３までのビアのエッチングを必要とする。
【００４３】
図６は、成長基板から素子を分離する工程の流れ、および支持体を用いた、または用いない、素子のさらなる加工を示す。この工程によって、熱伝導性の高い支持体が使用され得る。
【００４４】
図６ａに示される段階において、基板は、機械的な工程とエッチングとの併用、またはエッチングのみによって除去される。このために、図６ｂ）に示される段階において層１０９を支持体に接着する（図示しない）。この支持体が素子に接続されたままである場合、コンタクトが工程ｂ）の前に適用される。ドープされた層１０９は、この実施態様においてコンタクトと接続される。しかしながら、層１０６に適用される場合、即ち、層１０９が存在しない場合には、ショットキーコンタクト１０７も可能である。
【００４５】
随意に、成長基板を分離するための支持体を除去できる。
【００４６】
層１０５までの全ての下方層は、ドライケミカルエッチングによって除去される。図４の実施態様の場合、該工程は層１１３までの全ての層を除去する。その後、コンタクトが形成され、および／または層１０５を有する新たな支持体へと移される。この種の素子は、低い直列抵抗を有し、その上、熱伝導性に関する大きな利点を有し、なぜなら、電流分布はこのような単に垂直な構造においては非常に単純であり、且つ、コンタクトがより大きな面積を被覆できるからである。
【００４７】
垂直コンタクトの場合において（即ち、１つのコンタクトが支持体裏面上にあり、１つのコンタクトが層構造の前面上にある）、およびｐｉｎダイオードの場合において、コンタクトを作製するために、少なくとも真性層の層厚に対応する延長部を有するコンタクト以外の領域で、上方の高伝導性層を好ましくは真性層までエッチングする。この方法で、リーク電流を回避できる。
【００４８】
好ましくは、表面を、高電圧に耐えるために適した絶縁体、例えば二酸化ケイ素または窒化ケイ素によってパッシベーション処理する。
【００４９】
ＩＩＩ族元素層１０５、１０６、１０９は、異なるＩＩＩ族元素の窒化物材料製であってよい。図２のようなｐｉｎ構造については、ＡｌＧａＮを層１０５および１０９のために選択でき、層１０５はｐ型ドープされ且つ層１０９はｎ型ドープされる。通常の（０００１）成長方向において、ＩＩＩ族元素で終端する表面を形成するために、層１０５と１０６との間の界面でホールガスが、他の界面で電子ガスがもたらされる。それらのキャリアガスの濃度は、キャリア空乏の場合には減少される。ヘテロバリアの追加的な影響によって、リーク電流が低減される。他方で、順方向においては直列抵抗がヘテロ界面で低減される。
【００５０】
本発明による構造がうまく実現されていることを、ＥＤＸ分析を併用した走査型電子顕微鏡を使用して、または透過型電子顕微鏡および二次イオン質量分析を用いた層の分析によって示すことができる。この方法で層、およびマスキング層も検出できる。ＴＥＭは、転位の種類の同定を可能にする。シリコン基板が除去される場合、応力は、断面におけるマイクロラマン測定を用いて、または高空間分解能ルミネッセンス測定を用いて間接的に測定できる。
【００５１】
以下に、上記の明細書内で使用された参照標識のリストを、それぞれの構造要素の短い説明を添えて記載する。
【符号の説明】
【００５２】
１００  基板
１０１  シードおよびバッファ層
１０２  随意のマスキング層
１０３  バッファ層、ドープされていないか、またはドープされているかのいずれかであり、且つ伝導性である
１０４  成長の間の圧縮応力の偏向に作用する中間層または連続層
１０５  ドーピングされた層、第一のＩＩＩ族元素の窒化物層とも称される。ショットキーダイオードの場合、ドーピングはｎ型であるが、しかしながら、ｐｉｎダイオ−ドの場合は、ドーピングは選択的にｐ型であってよく、同時に層１０９がｎ型ドープされている
１０６  ドープされていないか、または低ドープされたｎ型またはｐ型伝導層であり、真性層（ｉ−層）および第二のＩＩＩ族元素の窒化物層とも称され、しかしながら、好ましくは低濃度の水準で意図的にドープされてよい
１０７  上部コンタクト、層１０６上に適用された場合はショットキーコンタクトを形成、且つ、層１０９上に適用された場合はオーミックコンタクトを形成
１０８  オーミックの裏面コンタクト
１０９  ｐｉｎダイオード内のドープされた上部層、層１０５または１１３についてそれぞれ相補的に好ましくはｐドープされている
１１０  伝導層１０５を接続するためのビアを用いた基板／支持体を通じた裏面コンタクト構造
１１１  追加的な中間層１１２が存在する場合のビアの随意の延長部；  この場合、該延長部は層１１３まで達する
１１２  圧縮応力の偏向を増加させるための追加的な中間層または連続層（中間層１０４に加えて）
１１３  ｎ型またはｐ型の高ドープ層、層１０５に対応
１１４  前面コンタクト構造の場合の層１０５または１１３へのオーミックコンタクト
１１５  成長基板から支持体へ層構造を移す場合のエッチング工程の適用。
【図１】
2014509445.tif 000003
【図２】
2014509445.tif 000004
【図３】
2014509445.tif 000005
【図４】
2014509445.tif 000006
【図５】
2014509445.tif 000007
【図６ａ）】
2014509445.tif 000008
【図６ｂ）】
2014509445.tif 000009
【図６ｃ）】
2014509445.tif 000010
【手続補正書】
【提出日】平成25年9月6日(2013.9.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
層構造を通じて良好に電流を導くことを達成するために、層構造の下方部分全体のドーピングが有用である。図１〜３および５の例において、この下方部分とは、層１０１〜層１０５の連続層である。図４の実施態様において、下方部分は層１１３まで広がる。
【国際調査報告】
2014509445.tif 000011
2014509445.tif 000012