(57)【要約】  レーザダイレクトアブレーション（ＬＤＡ）は、信号伝搬特性を制御しつつ、導電トレースを形成するためのパターンを誘電体層内に形成する。ＬＤＡ加工は、ワークピースの表面上のスクライブラインに沿って材料の所望の深さ分を除去するための線量フルエンスを選択し、一連のレーザパルスにおける各レーザパルスに対する時間的パルス幅を選択し、一連のレーザパルスに対するパルス繰り返し周波数を選択する。パルス繰り返し周波数の選択は、スクライブラインに沿って選択された線量フルエンスを維持するために、少なくとも部分的に選択された時間的パルス幅に基づく。選択されたパルス繰り返し周波数によってスクライブラインに沿ったレーザスポットの重なり率が所定の最小値となる。ＬＤＡプロセスは、さらに、選択された線量フルエンス、時間的パルス幅、及びパルス繰り返し周波数に従った一連のレーザパルスを有するレーザビームを生成する。
2014509949.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
信号伝搬特性を制御しつつ、導電トレースを形成するためのパターンを誘電体層内に形成するレーザダイレクトアブレーションのための方法であって、
ワークピースの表面上のスクライブラインに沿って材料の所望の深さ分を除去するための線量フルエンスを選択し、
一連のレーザパルスにおける各レーザパルスに対する時間的パルス幅を選択し、
前記一連のレーザパルスに対するパルス繰り返し周波数を選択し、このパルス繰り返し周波数の選択は、前記スクライブラインに沿って前記選択された線量フルエンスを維持するために、少なくとも部分的に前記選択された時間的パルス幅に基づくものであり、前記選択されたパルス繰り返し周波数によって前記スクライブラインに沿ったレーザスポットの重なり率が所定の最小値となり、
レーザ源を用いて、前記選択された線量フルエンス、時間的パルス幅、及びパルス繰り返し周波数に従った前記一連のレーザパルスを有するレーザビームを生成し、
前記レーザビームの経路が前記ワークピースの表面に沿った前記スクライブライン位置を選択された速度でなぞるように、前記ワークピースと前記レーザビームとを相対運動させる、
方法。
【請求項２】
前記選択された時間的パルス幅が１μs以下である、請求項１の方法。
【請求項３】
前記選択された時間的パルス幅が約１０psから約２９nsの範囲にある、請求項１の方法。
【請求項４】
前記選択された速度が約１m/sから約１０m/sの範囲にある、請求項１の方法。
【請求項５】
前記選択された速度が約２m/sから約４m/sの範囲にある、請求項１の方法。
【請求項６】
前記スクライブラインに沿ったレーザスポットの重なり率の所定の最小値がスポットサイズ径の約６０％である、請求項１の方法。
【請求項７】
前記スポットサイズ径が約５μmから約３０μmの範囲にある、請求項１の方法。
【請求項８】
前記選択されたパルス繰り返し周波数が約７５０kHzから約５MHzの範囲にある、請求項１の方法。
【請求項９】
さらに、前記選択された時間的パルス幅の関数としての前記レーザ源の動作フルエンスであって、前記選択された線量フルエンスを前記選択された時間的パルス幅の平方根で除算した前記動作フルエンスを決定する、
請求項１の方法。
【請求項１０】
前記パルス繰り返し周波数を選択する際に、
前記レーザ源の最高パルス繰り返し周波数を前記パルス幅の平方根によってスケーリングし、
前記スクライブラインに沿ったレーザスポットの重なり率の選択された最小値に対して、スポットサイズと前記選択された速度に基づいて最低パルス繰り返し周波数を算出し、
前記スケーリングされた最高パルス繰り返し周波数と前記算出された最低パルス繰り返し周波数の間で前記パルス繰り返し周波数を選択する、
請求項９の方法。
【請求項１１】
さらに、前記レーザビームの経路が前記ワークピースの表面に沿った前記スクライブライン位置を前記選択された速度でなぞりつつ、前記レーザビームをディザ方向に前後にディザリングする、
請求項１の方法。
【請求項１２】
信号伝搬特性を制御しつつ、導電トレースを形成するためのパターンを誘電体層内に形成するレーザダイレクトアブレーションのためのシステムであって、
プロセッサと、
コンピュータ実行可能な命令を記録するコンピュータ読取可能な媒体であって、
ワークピースの表面上のスクライブラインに沿って材料の所望の深さ分を除去するための線量フルエンスを選択し、
一連のレーザパルスにおける各レーザパルスに対する時間的パルス幅を選択し、
前記一連のレーザパルスに対するパルス繰り返し周波数を選択し、このパルス繰り返し周波数の選択は、前記スクライブラインに沿って前記選択された線量フルエンスを維持するために、少なくとも部分的に前記選択された時間的パルス幅に基づくものであり、前記選択されたパルス繰り返し周波数によって前記スクライブラインに沿ったレーザスポットの重なり率が所定の最小値となる
ように前記プロセッサを構成するコンピュータ読取可能な媒体と、
前記選択された線量フルエンス、時間的パルス幅、及びパルス繰り返し周波数に従った前記一連のレーザパルスを有するレーザビームを生成するレーザ源と、
前記レーザビームの経路が前記ワークピースの表面に沿った前記スクライブライン位置を選択された速度でなぞるように、前記ワークピースと前記レーザビームとを相対運動させる運動要素と、
を備えたシステム。
【請求項１３】
前記選択された時間的パルス幅が１μs以下である、請求項１２のシステム。
【請求項１４】
前記選択された時間的パルス幅が約１０psから約２９nsの範囲にある、請求項１２のシステム。
【請求項１５】
前記選択された速度が約１m/sから約１０m/sの範囲にある、請求項１２のシステム。
【請求項１６】
前記選択された速度が約２m/sから約４m/sの範囲にある、請求項１２のシステム。
【請求項１７】
前記スクライブラインに沿ったレーザスポットの重なり率の所定の最小値がスポットサイズ径の約６０％である、請求項１２のシステム。
【請求項１８】
前記スポットサイズ径が約５μmから約３０μmの範囲にある、請求項１２のシステム。
【請求項１９】
前記選択されたパルス繰り返し周波数が約７５０kHzから約５MHzの範囲にある、請求項１２のシステム。
【請求項２０】
前記コンピュータ実行可能な命令は、さらに、
前記選択された時間的パルス幅の関数としての前記レーザ源の動作フルエンスであって、前記選択された線量フルエンスを前記選択された時間的パルス幅の平方根で除算した前記動作フルエンスを決定する
ように前記プロセッサを構成する、請求項１２のシステム。
【請求項２１】
前記コンピュータ実行可能な命令は、さらに、
前記レーザ源の最高パルス繰り返し周波数を前記パルス幅の平方根によってスケーリングし、
前記スクライブラインに沿ったレーザスポットの重なり率の選択された最小値に対して、スポットサイズと前記選択された速度に基づいて最低パルス繰り返し周波数を算出し、
前記スケーリングされた最高パルス繰り返し周波数と前記算出された最低パルス繰り返し周波数の間で前記パルス繰り返し周波数を選択する
ことにより前記パルス繰り返し周波数を選択するように前記プロセッサを構成する、請求項２０のシステム。
【請求項２２】
前記運動要素は、１つ以上のガルバノメータを備える、請求項１２のシステム。
【請求項２３】
前記運動要素は、さらにＸ−Ｙ運動ステージを備える、請求項１２のシステム。
【請求項２４】
さらに、
前記レーザビームの経路が前記ワークピースの表面に沿った前記スクライブライン位置を前記選択された速度でなぞりつつ、前記レーザビームをディザ方向に前後にディザリングする１つ以上の音響光学偏向器を備える、
請求項１２のシステム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示はレーザ微細加工に関するものである。特に、本開示は、信号伝搬特性を制御しつつ電気的に導電性のあるトレースを形成するためにワークピースにパターンをスクライビングするためのシステム及び方法に関するものである。
【背景情報】
【０００２】
集積回路（ＩＣ）基板の製造技術は、基板のサイズとコストを削減し、機能性を向上させることを目的としている。従来からのリソグラフィー技術を用いて誘電体層の表面上に信号トレースを形成するのとは対照的に、最近の最新技術は、レーザダイレクトアブレーション（ＬＤＡ）及び特別なめっきプロセスを用いて誘電体層の内部に電気信号トレースや電気信号経路を形成している。埋め込みトレースの手法は、信号の長さを短くしトレースの取り回しを最適化することにより、層の総数を減少させ、コスト及び歩留まりを改善し、電気的性能を向上させるものである。埋め込みトレースの手法は、パッドのないマイクロビアの構造とともに１０μm以下の幅を有する信号トレースを形成することにより実現し得る。しかしながら、誘電体を除去する既知の方法は、大量生産に好適な、生産的で費用対効果のある製造技術を欠いている。
【０００３】
ＬＤＡについて紫外線（ＵＶ）エキシマ及びイットリウムアルミニウムガーネット（ＹＡＧ）レーザ源が議論されている。ベクトル及びラスタ走査方法の双方においてＵＶ  ＹＡＧシステムを動作させることができる。ＵＶ  ＹＡＧアーキテクチャは、一般的に、イメージングマスクを必要としない。このため、ＵＶ  ＹＡＧシステムは、設計変更に対して柔軟に対応でき、素早く適応することができる。一方、エキシマレーザアブレーションは、マスク投影手法を用いて広い領域で材料を除去する。このため、パターンに多くのランドや接地面、あるいはその他のより大きな特徴部が含まれる場合には、エキシマレーザアブレーションにより高いスループットを得ることができる。エキシマレーザを使用する際のスループットは、マスク領域の内部のパターン密度とは独立している。しかしながら、ＵＶ  ＹＡＧ レーザを用いた直接書込方法の場合、パターン密度を高めるとスループットに大きく影響し得る。エキシマアブレーションは、マスク領域にわたって誘電体が均一かつ増加的に除去されるので、ＵＶ  ＹＡＧ レーザを用いる場合に比べると、分解能及び深さをより良く制御できる。ＵＶ  ＹＡＧ レーザの定格電力は約３ワットから約４０ワットの範囲であってよく、エキシマレーザの定格電力は約３００ワット以下であってよい。エキシマレーザのパルス繰り返し率は一般的に数百ヘルツであるが、ＵＶ  ＹＡＧレーザは、一般的に、約５０kHzから約２５０kHzのパルス繰り返し率で動作する。ＵＶ  ＹＡＧ及びエキシマレーザシステムは、いずれもＵＶ波長（例えば、ＵＶ  ＹＡＧレーザに対しては約３５５nmが典型的であり、エキシマレーザに対しては約２４８nm及び約３０８nmが典型的である）における高いアブレーション作用により、広い範囲で誘電体材料を選択できる加工を提供する。
【開示の概要】
【０００４】
システム及び方法は、効果的なＬＤＡ加工のために、高いパルス繰り返し周波数を有する短い時間的パルス幅のレーザを用いる。高いパルス繰り返し周波数によって、パルスの重なり率を十分に維持しつつ、（高スループットのために）ワークピースを横断するようにレーザビームを高速で移動させることができる。短い時間的パルス幅によってより効率的かつ綺麗な材料除去が可能になる。ある実施形態においてはＵＶレーザが使用される。他の実施形態においては緑色レーザが使用される。
【０００５】
一実施形態において、レーザダイレクトアブレーションのための方法は、信号伝搬特性を制御しつつ、導電トレースを形成するためのパターンを誘電体層内に形成する。この方法では、ワークピースの表面上のスクライブラインに沿って材料の所望の深さ分を除去するための線量フルエンスを選択し、一連のレーザパルスにおける各レーザパルスに対する時間的パルス幅を選択し、上記一連のレーザパルスに対するパルス繰り返し周波数を選択する。パルス繰り返し周波数の選択は、上記スクライブラインに沿って上記選択された線量フルエンスを維持するために、少なくとも部分的に上記選択された時間的パルス幅に基づく。上記選択されたパルス繰り返し周波数によって上記スクライブラインに沿ったレーザスポットの重なり率が所定の最小値となる。この方法では、レーザ源を用いて、上記選択された線量フルエンス、時間的パルス幅、及びパルス繰り返し周波数に従った上記一連のレーザパルスを有するレーザビームを生成する。この方法では、上記レーザビームの経路が上記ワークピースの表面に沿った上記スクライブライン位置を選択された速度でなぞるように、上記ワークピースと上記レーザビームとを相対運動させる。
【０００６】
ある実施形態において、上記選択された時間的パルス幅が１μs以下であり、上記選択された時間的パルス幅が約１０psから約２９nsの範囲にあり、上記選択された速度が約１m/sから約１０m/sの範囲にある。他の実施形態においては、上記選択された速度が約２m/sから約４m/sの範囲にある。加えて、あるいは他の実施形態においては、上記スクライブラインに沿ったレーザスポットの重なり率の所定の最小値がスポットサイズ径の約６０％であり、上記スポットサイズ径が約５μmから約３０μmの範囲にあり、上記選択されたパルス繰り返し周波数が約７５０kHzから約５MHzの範囲にある。
【０００７】
ある実施形態において、この方法では、さらに、上記選択された時間的パルス幅の関数としての上記レーザ源の動作フルエンスを決定する。上記動作フルエンスは、上記選択された線量フルエンスを上記選択された時間的パルス幅の平方根で除算したものである。上記パルス繰り返し周波数を選択する際に、上記レーザ源の最高パルス繰り返し周波数を上記パルス幅の平方根によってスケーリングし、（上記スクライブラインに沿ったレーザスポットの重なり率の選択された最小値に対して）スポットサイズと上記選択された速度に基づいて最低パルス繰り返し周波数を算出し、上記スケーリングされた最高パルス繰り返し周波数と上記算出された最低パルス繰り返し周波数の間で上記パルス繰り返し周波数を選択してもよい。
【０００８】
ある実施形態においては、この方法では、さらに、上記レーザビームの経路が上記ワークピースの表面に沿った上記スクライブライン位置を上記選択された速度でなぞりつつ、上記レーザビームをディザ方向に前後にディザリングする。
【０００９】
追加の態様及び利点については、添付図面を参照して説明される以下の好ましい実施形態の詳細な説明から明らかになるであろう。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】図１は、誘電材料の上面上の第１の導電トレース及び第２の導電トレースの側面図を模式的に示すものである。
【図２Ａ】図２Ａは、一実施形態における、レーザアブレーションを用いて誘電材料の上面に形成された第１の切断溝及び第２の切断溝を有するワークピースの側面図を模式的に示すものである。
【図２Ｂ】図２Ｂは、一実施形態における、第１の切断溝に形成された第１の導電トレースと第２の切断溝に形成された第２の導電トレースとを有する、図２Ａに示されたワークピースの側面図を模式的に示すものである。
【図３】図３は、一実施形態における、レーザアブレーションを用いて誘電材料の上面に形成された複数の切断溝を含むワークピースの上面図を模式的に示すものである。
【図４】図４は、ある実施形態における、誘電材料に対するパルスごとのアブレーション速度をグラフで示すものである。
【図５】図５は、ある実施形態における、線形線量フルエンスの関数としてのアブレーション速度をグラフで示すものである。
【図６】図６は、ある実施形態における、１/e2のガウス形スポットでの線量フルエンスに対する切断溝幅と光学スポット径と間の比をグラフで示すものである。
【図７】図７は、ある実施形態における除去体積効率の比較をグラフで示すものである。
【図８】図８は、一実施形態における、誘電材料に切断溝をレーザアブレートする方法のフロー図である。
【図９】図９は、一実施形態における３５５nmレーザを用いたABF GX-13樹脂のアブレーション速度をグラフで示すものである。
【図１０】図１０は、ある実施形態における、一定パワーを用いたABF GX-13のＵＶ  ＬＤＡ加工についてパルス幅に対するパルスエネルギーとＰＲＦをグラフで示すものである。
【図１１】図１１は、ある実施形態における、パルス期間の平方根で除算した一定フルエンスを用いたABF GX-13のＵＶ  ＬＤＡ加工についてパルス幅に対するフルエンスとＰＲＦをグラフで示すものである。
【図１２】図１２は、一実施形態におけるＬＤＡ加工システムの例のブロック図である。
【実施形態の詳細な説明】
【００１１】
Ｉ．概要
システム及び方法は、レーザダイレクトアブレーション（ＬＤＡ）の用途において（例えば、ベクトルスキャンアプローチを用いて）高いスループットを有する生産的な加工を提供するものである。高速ビーム位置決めと高いパルス繰り返し周波数（ＰＲＦ）により、連続するレーザパルスを十分に重ねて誘電材料に形成された切断溝の均一性及び特徴部を制御することができる。その後、既知のめっきプロセスを用いて所望の信号伝搬特性（例えば、インピーダンス、抵抗値、及びキャパシタンス）を有する電気的経路を切断溝内に形成してもよい。
【００１２】
ある実施形態においては、モードロックレーザと組み合わせて高速ビーム位置決め方式が用いられる。ビーム位置決め技術が進歩するに従って、レーザ源のパルス繰り返し率が限定要因となる。例えば、ワークピースでのスポットサイズが１０μm、１０kHzのパルス繰り返し周波数（ＰＲＦ）で動作するレーザ源、ワークピースの表面に対するレーザビームの速度が１００mm/秒を超えるような場合、バイトサイズ（あるレーザスポットと次のレーザスポットとの間の距離）が１０μm以上となる。このため、この例では、パルスの重なりがなく、レーザビームによりワークピースに不連続な点や破線が生成され、（導電材料でめっきした場合に）信号伝搬の妨害及び／又は（連続的で均一な線に比べて）信号伝搬特性の低下が生じる。
【００１３】
高速ビーム位置決め方式を利用するために、ある実施形態では高いＰＲＦを用いて所望のパルス重なり率を得ている。スポット径が小さくなるに従い、より高いＰＲＦを用いてもよい。パルス重なり率は、（スポットサイズ−バイトサイズ）／スポットサイズ×１００％として定義される。一実施形態において、ガウス形ビームを用いて安定した累積フルエンス分布を得るためには、パルス重なり率は少なくとも６０％とされる。モードロックレーザは、その高周波動作によってパルス重なり率を高くすることができる。しかしながら、本開示はモードロックレーザ動作に限定されるものではなく、当業者であれば本明細書の開示から他の種類のレーザも利用可能であることを理解するであろう。換言すれば、所望のパルス重なり率を得るのに十分なくらいＰＲＦが高ければ、依然として高速ビーム位置決め方式を利用することができる。
【００１４】
ある実施形態において、レーザは、時間的パルス幅の短いレーザパルスを生成する。レーザビームが材料表面を横断して移動する際の連続波（ＣＷ）レーザ動作によってスポット間距離に関する懸念がなくなるが、ＣＷ動作によって好ましくない蓄熱が生じる可能性がある。時間的パルス幅の短いモードロックレーザを用いることで、好ましくない蓄熱を減少させ、あるいは最小限にすることができる。加えて、時間的パルス幅を短くすることは、ある波長での材料におけるレーザエネルギーの吸収を増加させ得る。波長と時間的パルス幅によって実効アブレーション閾値が変化する。時間的パルス幅の短いレーザによる高強度ビームを用いると、非線形吸収により温度上昇率が有機樹脂の熱分解温度を超え、材料がアブレートされる。したがって、アブレーション閾値フルエンスが低い方にシフトする。
【００１５】
ある実施形態においては、レーザパルスはＵＶ波長を有している。ＬＤＡプロセスは、誘電性樹脂にトレンチを形成し、その後トレンチを金属で被覆してトレンチを導電トレースにする。ＵＶ波長は、プリント基板材料における吸収が良いので有用であり得る。アブレーション効率をより高くしてもよく、波長をＵＶ範囲でより短くしつつアブレーション閾値フルエンスをより低くしてもよい。他の実施形態においては、可視波長を用いることができる。例えば、時間的パルス幅がナノ秒の範囲にあるレーザパルスを生成する緑色レーザを用いてもよい。しかしながら、そのような緑色レーザは、時間的パルス幅がピコ秒の範囲にあるレーザパルスを生成するＵＶレーザと比較すると、約５倍高い平均パワーと約１／８遅いことを必要とする場合がある。
【００１６】
ここで、同様の参照符号が同様の要素を示している図面を参照する。以下の説明では、本明細書に開示された実施形態が完全に理解できるように、非常にたくさんの具体的な詳細が述べられる。しかしながら、具体的な詳細のうち１つ以上のものがなくても、あるいは、他の方法、構成要素、又は材料によっても実施形態を実現できることは、当業者であれば理解できるであろう。また、実施形態の態様を不明瞭にすることを避けるために、既知の構造、材料、又は動作は、図示されていないか、あるいは詳細には述べられていない場合がある。さらに、１つ以上の実施形態においては、任意の適切な方法により、ここで述べられる特徴、構造、又は特性を組み合わせることができる。
【００１７】
ＩＩ．ＬＤＡ加工
図１は、誘電材料１１６の上面１１４上の第１の導電トレース１１０及び第２の導電トレース１１２の側面図を模式的に示すものである。導電トレース１１０，１１２は例えば銅（Ｃｕ）を含んでいてもよい。
【００１８】
図２Ａは、一実施形態における、レーザアブレーションを用いて誘電材料２１６の上面２１４に形成された第１の切断溝２１０及び第２の切断溝２１２を有するワークピース２００の側面図を模式的に示すものである。誘電材料２１６は、有機樹脂（これは無機補強粒子及び／又は金属も含んでいてもよい）を含んでいてもよい。ある実施形態においては、誘電材料２１６は、日本国川崎市の味の素ファインテクノ株式会社から入手可能なABF GX-3又はABF GX-13誘電フィルムである。
【００１９】
図２Ｂは、一実施形態における、第１の切断溝２１０に形成された第１の導電トレース２１８と第２の切断溝２１２に形成された第２の導電トレース２２０とを有する、図２Ａに示されたワークピース２００の側面図を模式的に示すものである。導電トレース２１８，２２０は、銅（Ｃｕ）又は他の導電材料を含んでいてもよい。図２Ｂに示されるように、それぞれの切断溝２１０，２１２内に導電トレース２１８，２２０を形成することにより（図１と比べて）ワークピース２００全体の高さを低くすることができる。さらに、図１に示される導電トレース１１０，１１２は、それぞれ誘電材料１１６の上面１１４に対して１つの面だけで固定されるが、図２Ｂに示される導電トレース２１８，２２０は、それぞれ誘電材料２１６に対して３つの面で固定される。これにより、応力下でのトレースのクラックを低減し、電気回路の誘電材料２１６からの剥離を低減することができる。また、それぞれの切断溝２１０，２１２内に導電トレース２１８，２２０を形成することで、信号の長さを短くしトレースの取り回しを最適化することにより、層の総数を減少させ、コスト及び歩留まりを改善し、電気的性能を向上させることができる。
【００２０】
図３は、一実施形態における、レーザアブレーションを用いて誘電材料３１２の上面に形成された複数の切断溝３１０（６つの切断溝が示されている）を含むワークピース３００の上面図を模式的に示すものである。ある実施形態においては、切断溝３１０はそれぞれ約５μmから約１５μmの範囲の幅を有している。誘電材料３１２の表面により幅の広い切断溝及び／又はより大きな特徴部（例えばパッド）をスクライビングすることができることは、当業者であれば本明細書の開示から理解できるであろう。例えば、図３は、本明細書で述べられるレーザアブレーション技術を用いて誘電材料３１２に形成される複数のビア３１４（３つのビアが示されている）を示すものでもある。ビアは、ダイパッケージ基板又は回路基板を貫通する導電構造である。典型的には、ビア孔の内壁上に導電材料の層を成膜することにより電気的経路が設けられる。従来のパッド付ビアでは、ビアの総側面積のうち高い割合、例えば５０％超をビアパッドが占めている場合がある。本明細書に開示されたレーザ加工の実施形態は、ビアパッドを少なくするか、あるいはなくすことで、表面に占めるビア３１４の面積を大きく減らすことができ、これに対応して、利用可能な表面空間を増大させるとともに、配線取り回しの融通性と効率性を高めることができる。
【００２１】
図２Ａ及び図２Ｂを参照すると、誘電材料２１６内の切断溝２１０，２１２のレーザアブレーションは線量フルエンスを用いて特徴付けることができる。この線量フルエンスは、パワー、ワークピース２００に対するレーザビームの速度、スポットサイズのようなパラメータによって制御し得る。例えば、線量フルエンスについての以下の式を参照されたい。
【数１】
2014509949.tif 000003
ここで、ω0はスポット半径である。
【００２２】
線量フルエンスが高くなるにつれ、対象材料が除去される体積が増える。切断溝２１０，２１２の所望の幅と深さが与えられると、線量フルエンスを決め得る。より高速な材料除去（例えば、高いスループット）に対しては、ビーム走査速度がファクターとなり得る。線量フルエンスを一定の範囲にするためにレーザパワーを維持してもよい。
【００２３】
誘電材料２１６を直接アブレートするためにピコ秒ＵＶレーザ源（図１２参照）を用いてもよい。一実施形態において、レーザ源は、約８０MHzまでのＰＲＦで動作し得るモードロックレーザである。レーザ源のパルスごとのエネルギーが数ナノジュール（nJ）と低く、動作フルエンスが１０μm未満のスポット径にわたって数mJ/cm2と少なくてもよい。他の実施形態は、他の波長及び／又は時間的パルス幅を用いる。例えば、図４、図５、図６、及び図７は、ピコ秒緑色レーザ、ナノ秒緑色レーザ、ピコ秒ＵＶレーザ、及びナノ秒ＵＶレーザを用いて誘電体（ABF GX-13）を加工する場合の相違を示している。
【００２４】
ＩＩＩ．ＵＶレーザ及び緑色レーザ用のレーザパラメータの例
図４は、ある実施形態における、誘電材料（ABF GX-13）に対するパルスごとのアブレーション速度をグラフで示すものである。このグラフのｘ軸に沿って示されているフルエンスはガウス形スポットの中心におけるものである。パルスごとのアブレーション深さの値がグラフのｙ軸に沿って示されている。図４に示されるように、ＵＶ波長は、ある実施形態においては、材料の除去効率において緑色波長よりも有利であり得る。ナノ秒ＵＶレーザのアブレーション速度は、ピコ秒緑色レーザのアブレーション速度のほぼ２倍である。また、図４にも示されているように、ピコ秒の時間的パルス幅は、ある実施形態においては、ナノ秒の時間的パルス幅よりも有利であり得る。ナノ秒レーザを用いた効果的なアブレーションを開始する閾値フルエンスは、ピコ秒レーザを用いた効果的なアブレーションを開始する閾値フルエンスよりもかなり高い。
【００２５】
図５は、ある実施形態における、線形線量フルエンスの関数としてのアブレーション速度をグラフで示すものである。図４に示される「スポット中心フルエンス」は、ワークピース上の単一の点に当たる単一レーザパルスに関連付けられるエネルギー密度を意味しているが、図５の「線形線量フルエンス」は、ワークピース上の線分にわたって伝達される一連のパルスに関連付けられる累積エネルギー密度を意味している。スポット中心フルエンスは、２×（パルスエネルギー／パルス面積）である。２の因数は、各レーザパルス内のエネルギー分布がガウス形となっている（スポット中心で平均密度の２倍）ことによるものである。線形線量フルエンスについては、繰り返し率Ｒ及びパワーＰでレーザを照射しつつ、スポット径Ｄのレーザビームを長さＬの線分にわたって速度ｖで移動させると、それぞれのパルスがＰ／Ｒのエネルギーを有する状態でＲ×Ｌ／ｖを伝達することとなる。このように、Ｐ×Ｌ／ｖの全エネルギーが「Ｌ×Ｄ」の矩形領域に伝達され、線形線量は、
ｋ×（Ｐ×Ｌ／ｖ）／（Ｌ×Ｄ）＝ｋ×Ｐ／（ｖ×Ｄ）
となる。
因数ｋは、個々のレーザパルスのガウス形の性質に由来するものである。
【００２６】
グラフのｘ軸に沿って示されている線形線量フルエンスは、ガウス形スポットの中心のものであり、レーザビームが作業領域を横断して移動する際にスポット領域を横断する累積フルエンスによって定義される。アブレーション深さの値がグラフのｙ軸に沿って示されている。図５に示されるように、ＵＶ波長は、ある実施形態においては、緑色波長よりも有利であり得る。ナノ秒緑色レーザは、同様のアブレーション深さを得るために、ピコ秒緑色レーザで得られるよりも相当高い線形線量フルエンスを必要とするが、ピコ秒とナノ秒の時間的パルス幅を利用するＵＶレーザのアブレーション速度は非常に良く調和する（すなわち、ＵＶピコ秒とナノ秒のデータ点が互いに比較的近い）ことに留意されたい。
【００２７】
図６は、ある実施形態における、１/e2のガウス形スポットでの線量フルエンスに対する切断溝幅と光学スポット径と間の比をグラフで示すものである。切断溝幅と光学スポット径との間の比はグラフのｙ軸に沿って示されており、１/e2のガウス形スポットでの線量フルエンスはグラフのｘ軸に沿って示されている。図６に示されるように、ある実施形態では、線量フルエンスの実効閾値は、ピコ秒ＵＶレーザで最も低く、ナノ秒緑色レーザで最も高い。ほぼ同一の線量フルエンスでは、ピコ秒ＵＶの結果における切断溝は、ナノ秒ＵＶの結果における切断溝より少し広いことに留意されたい。
【００２８】
図７は、ある実施形態における除去体積効率の比較をグラフで示すものである。相対的な除去体積はグラフのｙ軸に沿って任意単位（au）として示されており、１/e2のガウス形スポットでの線量フルエンスはグラフのｘ軸に沿って示されている。図７における相違が小さいため、ピコ秒ＵＶレーザの除去体積効率は、ナノ秒ＵＶレーザの除去体積効率よりもわずかに良いだけである。
【００２９】
ＩＶ．ＬＤＡ加工方法
図８は、一実施形態における、誘電材料に切断溝をレーザアブレートする方法８００のフロー図である。例えば、信号伝搬特性が制御された導電トレースを形成するために誘電材料に切り込まれたパターンを生成するＬＤＡプロセスの一部として方法８００が使用され得る。方法８００は、選択された時間的パルス幅に対して、時間的パルス幅の平方根で除算した対象とする材料の所望のアブレーションフルエンスとして、レーザの動作フルエンスを決定する（８１０）。そして、選択された時間的パルス幅に対して、レーザ源の最高ＰＲＦを時間的パルス幅の平方根でスケーリングする（８１２）。また、方法８００は、連続するレーザパルス間の重なり率についての選択された最小値に対して、スポットサイズ及びワークピースの表面に対するレーザビームの最大速度に基づいて最低ＰＲＦを算出する（８１４）。一実施形態においては、重なり率についての選択された最小値はビームスポット径の６０％であり、換言すれば、（スポットサイズ−バイトサイズ）／スポットサイズ×１００％＝６０％である。さらに、方法８００は、切断溝の形成中の線量フルエンスが実質的に一定に維持されるように、所定の動作フルエンスでかつスケーリングされた最高ＰＲＦから算出された最低ＰＲＦまでの間のＰＲＦでレーザ源を動作させることにより、一連のレーザパルスを生成する（８１６）。
【００３０】
Ｖ．ＬＤＡ加工パラメータの例
以下の例は、時間的パルス幅、フルエンス、ＰＲＦ、及び他の加工パラメータに対して特定の値を用いてABF GX-13をＬＤＡ加工するために図８の方法が使用され得る方法を示すものである。例示された材料及びパラメータの値は単に例として示されるものであって、限定するために示されるものではないことは、当業者であれば理解できるであろう。この例はＵＶレーザ源を用いる。しかしながら、上述したように、他の波長（例えば緑色）も用いることができる。
【００３１】
ＵＶレーザ源を用いた場合の有機材料のバルクアブレーション速度χ（又はエッチ速度）は、一般的に以下によりモデル化される。
【数２】
2014509949.tif 000004
ここで、αはレーザ波長での材料の吸収係数［cm-1］であり、θはレーザ源の動作フルエンス［J/cm2］であり、θthは材料でアブレーションを開始するための閾値フルエンスである。結像光学系を有する様々なナノ秒ＵＶレーザを用いたABF GX-13樹脂穿孔プロセスに関して、αはおよそ１８５１３．５７４７１cm-1に回帰され、θthはおよそ０．１０４８８７８４９J/cm2であった。例えば、一実施形態における３５５nmレーザを用いたABF GX-13樹脂のアブレーション速度をグラフで示す図９を参照されたい。図９のデータ点に対するアブレーション速度曲線は、ｙ＝（１／１．８５１３５７４７１Ｅ＋０４）＾ｌｎ（Ｆ／０．１０４８８７８４９）で与えられる。
【００３２】
一般的に、ポリマーは蒸発する前に分解する傾向がある。分子の長鎖は、材料の大半部分から分離可能となる前に複数の断片に切断される。アブレーションの熱活性化は、明確なアブレーション閾値としてではなく、典型的な「アレニウステイル（Arrhenius tail）」として現れる場合がある。これは、レーザ加熱に起因する、材料の大半部分における光熱結合破壊反応であるレーザアブレーションに基づくものである。異なるアブレーションモデルを考慮してもよい。光化学ベースのモデルにおいては、電子励起が熱化を伴うことなく直接結合破壊を引き起こす。熱ベースのモデルでは、結合は熱的に破壊され、アブレーションプロセスの熱的性質は、レーザパルス補充速度及びパルス幅に対するアブレーション速度及びアブレーション閾値の依存性だけではなく、アレニウステイルの観測によってサポートされる。光物理的モデルにおいては、熱的及び非熱的特徴の双方が使用され、結合破壊の２つの独立したチャンネルとして、あるいは基底状態及び電気的に励起した発色団に対する異なる結合破壊エネルギーを示唆するものとして考慮される。
【００３３】
吸収係数が増加することにより閾値フルエンスが減少する。この閾値フルエンスの減少は、レーザ波長の低下に関係するかどうか、ドーパントの追加に関係するかどうか、あるいは、欠陥の発生に関係するかどうかとは無関係である。あるいは、時間的パルス幅が減少することにより閾値フルエンスが減少し得る。より短いパルスを用いれば、励起エネルギーの空間的散逸が減少し、より低いフルエンスで閾値フルエンスに達する。これは、多光子励起による熱侵入深さ（heat penetration depth）の減少及び／又は吸収係数の増加に関連し得る。
【００３４】
材料を加熱することにより初めにアブレーションが行われるとすると、フルエンス及び時間的パルス幅を用いて材料温度を近似することができる。以下の式は、パルス中及びパルス後の１次元（１Ｄ）面温度モデルに基づくものである。簡略化のため、この分析モデルは、時間的及び空間的形状の両方についてトップハットビームプロファイルを使用する。他の時間的及び空間的形状も利用することができる。ビーム径が樹脂の熱拡散距離よりも大きく、樹脂の厚さがこれよりも大きい場合には、このモデルはかなり正確である。
【００３５】
表面温度モデルに対して、パルス期間中の表面温度に対する式は以下で与えられる。
【数３】
2014509949.tif 000005
ここで、τはパルス期間、εは吸収、Ｉは輻射強度、Ｋは熱伝導率、κは熱拡散率、Ｔ0はパルス期間前の初期表面温度である。
【００３６】
パルス期間後の表面温度に対する式は以下で与えられる。
【数４】
2014509949.tif 000006
【００３７】
ｔ＝τでは、Ｔ＝Ｔd（分解温度）のとき、以下のようになる。
【数５】
2014509949.tif 000007
【００３８】
材料に関連するすべての定数を以下の１つの定数Ｃに簡略化すると、
【数６】
2014509949.tif 000008
上記式は以下のようになる。
【数７】
2014509949.tif 000009
【００３９】
定数Ｃが同一であれば、輻射強度と時間的パルス幅の値が異なっていても材料の表面温度Ｔは同一である。ポリマー材料の分解温度を超えるようなＣの値がいくつか存在する。この方法は、ブラインドビアの形成において銅捕捉パッド（copper capture pad）の審美性を特徴付けるためにうまく適用されている。
【００４０】
以下の式は、パルス中及びパルス後の材料内部の温度を含んでいる。
【００４１】
パルス期間中の温度に対する式は以下で与えられる。
【数８】
2014509949.tif 000010
ここで、ｚは材料内部の深さ、ierfcは付加誤差関数である（以下の式を参照）。
【００４２】
パルス期間後の温度に対する式は以下で与えられる。
【数９】
2014509949.tif 000011
【００４３】
この例においては、吸収係数α＝１０５６３３．０３５７cm-1（侵入深さ、１／α＝０．９５０３３μm）、反射Ｒ＝０．０６３１４９であり、これにより樹脂のエリプソメータの測定結果から吸収ε＝（１−Ｒ）＝０．９３６８５１となり、熱伝導率Κ＝０．００３W/cm2、熱拡散率κ＝０．００２５cm2/sとなる。熱分解温度は５８３°Ｋであり、ガラス転移温度は３６３°Ｋである。
【００４４】
この例では、ＵＶレーザの実効アブレーション閾値の推定値は、約５０psの時間的パルス幅を用いた場合には約４．５５mJ/cm2であり、約２９nsの時間的パルス幅を用いた場合には約１１０mJ/cm2である。これらの条件に対して算出された定数Ｃ又はθ／τ1/2の値は、５０psの時間的パルス幅と２９nsの時間的パルス幅とでほぼ同じ値の２０．３４mJ/cm2・ns1/2となる。図１１に示される「ローエンドフルエンス」を参照されたい。ピコ秒レーザを用いると、急激な温度遷移が観測され、材料中の温度上昇が浅くなる。これは、パルスごとのアブレーション速度が低下していることを明らかにしている。図４及び図５を参照されたい。
【００４５】
この例では、レーザ源に対して有用な動作フルエンスは約７２．４５mJ/cm2・ns1/2である。５０psの時間的パルス幅を用いたＵＶレーザパルスについては、フルエンスは、
７２．４５mJ/cm2・ns1/2×（５０００ns）1/2＝１６．２mJ/cm2
となり、２９nsの時間的パルス幅を用いたＵＶレーザパルスについては、フルエンスは、
７２．４５mJ/cm2・ns1/2×（２９ns）1/2＝３９０mJ/cm2
となる。
【００４６】
この例に関して、図１０は、ある実施形態における、一定パワーを用いたABF GX-13のＵＶ  ＬＤＡ加工についてパルス幅に対するパルスエネルギーとＰＲＦをグラフで示すものである。図１０は、ローエンドパルスエネルギー、動作パルスエネルギー、スケーリングされた最高ＰＲＦ（８０MHzからスケーリングされたもの）、及び下限ＰＲＦ（３m/sのビーム速度かつ連続するレーザスポットの重なり率が６０％のとき）についてのグラフを含んでいる。また、この例に関して、図１１は、ある実施形態における、パルス期間の平方根で除算した一定フルエンスを用いたABF GX-13のＵＶ  ＬＤＡ加工についてパルス幅に対するフルエンスとＰＲＦをグラフで示すものである。図１１は、（２０．３４mJ/cm2・ns1/2での）ローエンドフルエンス、（７２．４５mJ/cm2・ns1/2での）動作フルエンス、スケーリングされた最高ＰＲＦ（８０MHzからスケーリングされたもの）、及び下限ＰＲＦ（３m/sのビーム速度かつ連続するレーザスポットの重なり率が６０％のとき）についてのグラフを含んでいる。図１０及び図１１に示される推定値は、この例のアブレーションのメカニズムが（上述した光化学的又は光物理的モデルではなく）より熱的モデルに従っているという前提に基づいている。
【００４７】
作動フルエンスの値７２．４５mJ/cm2・ns1/2は、１０μmのスポットを有するワーク表面での少なくとも１．０２Ｗの平均パワー条件に変換できる。線量フルエンスがスループットを決定する際にかなりの役割を果たすので、ある実施形態においては、異なる時間的パルス幅に対してパワーを維持する必要がある。
【００４８】
５０psのレーザを用いた８０MHzのＰＲＦに基づいて、フルエンスを特定の時間的パルス幅の値の平方根で割ったものを同一に維持することによって最高ＰＲＦがスケーリングされる。例えば、１nsレーザは、動作フルエンスを７２．４５mJ/cm2とするために、下記のＰＲＦ以下で動作させる必要がある。
スケーリングされたＰＲＦMAX＝８０MHz×（．０５）1/2＝１７．９MHz
【００４９】
最低ＰＲＦは、使用するスポットサイズとビーム速度によって決定され、これはパルス重なり率を決定する。上述したように、パルス間の重なり率が６０％よりも大きいと、レーザパルス間の間隙と深さの変化が小さくなる。スポットサイズの径が１０μmでビーム速度が３m/secである場合、ＰＲＦは、下記より求められる約７５０kHzよりも高くなるように選択される。
１０μm×（１−６０％）＝４μm
ＰＲＦMIN＝（３m/s）／（４μm）＝７５０kHz
【００５０】
このように、ある実施形態におけるＬＤＡ加工についてのレーザパラメータの選択や展開においてはパルス幅を無視することができない。所定の時間的パルス幅について、レーザ源の動作フルエンスは、対象材料の所望のアブレーションフルエンスをパルス幅の平方根で割ったものである。例えば、（１６．２mJ/cm2）／（５０００ns）1/2＝７２．４５mJ/cm2・ns1/2である。そして、レーザ源（例えば、８０MHz）の最高ＰＲＦは、与えられたパルス幅及び必要とされるフルエンスに対する既存の動作条件に基づいてスケーリングされる。最低ＰＲＦは、スポットサイズと許容されるパルスの重なり率の最小値に対する最高速度とに基づいて決定される。線量フルエンスを維持して高スループットを達成するために、平均パワーが維持される。
【００５１】
ＶＩ．ＬＤＡ加工システムの例
図１２は、一実施形態におけるＬＤＡ加工システム１２００の例のブロック図である。このシステム１２００は、ＡＯＤサブシステム１２０６と、レーザビームをディザリングするためのガルバノメータ（ガルボ）サブシステム１２０８とを含んでいる。本明細書で述べた高いＰＲＦにより、以下に述べるようにＡＯＤサブシステム１２０６を用いたレーザビームの高速ディザリングが可能となる。システム１２００は、加工ビーム１２１２をＡＯＤサブシステム１２０６に供給するレーザ源１２１０を含んでいる。一実施形態においては、レーザ源１２１０は、加工ビーム１２１２が一連のレーザパルスとなるようにパルスレーザ源を含んでいる。他の実施形態においては、レーザ源１２１０は、加工ビーム１２１２が連続波（ＣＷ）レーザビームとなるようにＣＷレーザ源を含んでいる。そのよな実施形態においては、ＡＯＤサブシステム１２０６は、加工ビーム１２１２を離散（「パルス」）間隔だけ偏向させることにより、ＣＷレーザビームからレーザパルスを生成する。システム１２００は、さらに、（メモリデバイス１２０５として示される）コンピュータ読取可能な媒体上に記録されたコンピュータ実行可能な命令を実行し、本明細書で述べられたプロセスを行うように構成されたプロセッサ１２０３を含んでいる。例えば、プロセッサ１２０３は、図８に関連して上記で述べた方法を行う命令を実行することができる。
【００５２】
ＡＯＤサブシステム１２０６は、加工ビーム１２１２の１次ビーム１２１３をＡＯＤ偏向角１２１４で偏向させ、加工ビーム１２１２の０次ビーム１２１５をビームダンプ１２１６に偏向させる。このシステム１２００は、１次ビーム１２１３をガルボサブシステム１２０８に偏向させるための固定ミラー１２１８と、レーザビームスポット１２２２の焦点をワークピース１２２４上又はワークピース１２２４内に合わせるための走査レンズ１２２０とをさらに含んでいてもよい。本明細書では、走査レンズ１２２０の出力を集束レーザビーム１２２５と呼ぶことがある。また、このシステムは、レーザビーム１２２５とワークピース１２２４との間で相対運動を生じさせるための運動ステージ１２０９を含んでいる。例えば、運動ステージ１２０９は、リニアＸ−Ｙステージ及び／又はＺステージを含み得る。
【００５３】
一実施形態においては、ＡＯＤサブシステム１２０６が、ガルボサブシステム１２０８により加工軌跡１２２６に沿った第２の方向の偏向を提供しつつ、第１の方向（例えばディザ方向）に往復する偏向を提供するために使用される単一のＡＯＤを含んでいてもよい。しかしながら、高速化及び汎用性の向上のために、図１２に示される実施形態におけるＡＯＤサブシステム１２０６は、ワークピース１２２４の表面に対してＸ軸及びＹ軸に沿った２次元偏向を提供する。この例では、Ｙ軸は加工軌跡１２２６に平行であると言え、Ｘ軸は加工軌跡１２２６に対して垂直であると言える。このため、Ｘ軸をディザリング方向と呼ぶことができる。加工軌跡１２２６は、例えば、このシステム１２００が（例えばガルボサブシステム１２０８の管理下で）トレンチ１２２８をワークピース１２２４の表面にスクライブする又は切り込む方向に対応し得る。
【００５４】
図示した２次元偏向を提供するために、ＡＯＤサブシステム１２０６は、ガルボサブシステム１２０８がビーム軸を加工軌跡１２２６に沿って移動させるに伴って、第１の方向の１次ビーム１２１３を偏向させる第１のＡＯＤ１２３０と、第２の方向の１次ビーム１２１３を偏向させる第２のＡＯＤ１２３２とを含んでいる。換言すれば、ＡＯＤサブシステム１２０６によって提供されるビームスポット位置の移動は、ガルボサブシステム１２０８によって提供されるビームスポット位置の移動に重ね合わされる。また、図１２に示されるように、ガルボサブシステム１２０８は、１次ビーム１２１３をワークピース１２２４の表面に対してＸ軸方向及びＹ軸方向の双方に偏向するための第１のガルバノミラー１２３３及び第２のガルバノミラー１２３５を含んでいてもよい。
【００５５】
ＡＯＤ偏向の方向付けは、ガルボサブシステム１２０８の偏向軸に揃っていなくてもよい。一般的に、ＡＯＤ偏向コマンドに対して座標変換を適用して、得られたＡＯＤ偏向を所望の座標系に揃えてもよい。また、ガルボサブシステム１２０８により規定される加工軌跡に対してＡＯＤビーム偏向を垂直に維持するために、この座標変換を速度の関数とし、ＡＯＤ偏向座標系を回転させてもよい。
【００５６】
システム１２００に含まれるＡＯＤサブシステム１２０６により、いくつかの動作モードが可能となる。一実施形態においては、動作モードは、ワークピース１２２４でのレーザビームスポット１２２２を効果的に広げるために加工ビーム１２１２をディザリングする能力を含んでいる。換言すれば、加工ビーム１２１２をディザリングすることは、一連の集束レーザビームスポット１２３４の位置を空間的に決めて、走査レンズ１２２０により焦点が合わされる個々のレーザビームスポット１２２２の寸法よりも大きな寸法を有する幾何的特徴部を生成することを含んでいる。説明の便宜上、図１２は、加工軌跡１２２６の方向にトレンチ１２２８が加工される際に、ディザリングされるレーザビームスポット１２３４をワークピース１２２４の表面の上方から見たところを示している。このように、例えば、一定の（高い）繰り返し率でディザリングされた一連のレーザビームスポット１２３４は、より低いパルス繰り返し率で加工軌跡１２２６の方向に順次照射される、より大きな径の一連のレーザビームスポットの効果を有している。
【００５７】
ある実施形態においては、ＡＯＤ１２３０，１２３２は、約０．１μsから約１０μsまでのオーダーでそれぞれの音場を更新する（新しい音響波形で光学的開口（optical aperture）を満たす）ことができる。例としての更新速度が約１μsであったとすると、ディザリングされたレーザビームスポット１２３４のいくつかが加工中に重なるように加工ビームの位置をすぐに更新することができる。ディザリングされたレーザビームスポット１２３４は、加工される特徴部（例えばトレンチ１２２８）を広げるために、加工軌跡１２２６に垂直な寸法において（例えばＸ軸又はディザ方向に沿って）重なっていてもよい。図１２に示されるように、ディザリングされたレーザビームスポット１２３４は、加工軌跡１２２６の方向に重なっていてもよい。ディザリングされたビームを加工軌跡１２２６に垂直な方向に向け続けるために、ある実施形態によれば、加工軌跡１２２６の角度が変化するのに従ってディザ軸を絶えず調整してもよい。加えて、加工軌跡速度の関数としての、ディザ点の線上に与えられた角度を補償するようにディザ軸を調整してもよい。軌跡速度をＶ、ディザ更新期間をTd、ディザ点の数をNpts、ディザ変化域（dither excursion）をDdとすると、この角度はatan[Td×（Npts−１）×Ｖ/Dd]に等しい。
【００５８】
ワークピース１２２４の表面に対してビーム位置をディザリングすることに加えて、あるいは他の実施形態においては、ディザ軸の強度プロファイルを変化させるためにＡＯＤサブシステム１２０６を使用してもよい。加工ビーム１２１２の強度プロファイルをディザ軸に沿って操作することにより、加工されたトレンチ１２２８の断面の整形をすることが可能となる。例えば、トレンチ１２２８を矩形状、Ｕ字状、又はＶ字状の断面を有するように加工してもよい。側壁斜面のような特徴部を整形することは、交点形成のような状況においては有用な場合がある。整形の分解能は基本スポットサイズに基づいていてもよく、整形される強度プロファイルは、ディザパターン（位置及び強度）とスポット強度プロファイル（例えば、ガウス形又は他のプロファイル形状）とのたたみ込みであってもよい。例えば、対象材料を所望の量だけ除去するためにパルスをディザ軸に沿ったある位置で重ねること（例えば２つ以上のパルスを同じ位置に照射してもよい）及び／又はディザ軸に沿った偏向位置の関数としてレーザパルスのパワー振幅を変調することによって、特徴部を整形してもよい。
【００５９】
ディザ軸に沿って特徴部を整形することに加えて、あるいは他の実施形態においては、加工軌跡１２２６に沿った位置の関数としてパワーを制御して、加工された直線状特徴部の「端点」を同様に整形するためにＡＯＤサブシステム１２０６を使ってもよい。また、加工軌跡１２２６に沿った位置の関数としてパワーを制御することは、交点形成のような用途においては有用な場合がある。ＡＯＤサブシステム１２０６を使うことにより、高い加工速度（例えば約１m/sから約５m/sの範囲）で強度プロファイルの微細な制御（例えば約５μmから約５０μmの範囲の特徴部寸法を実現する）が可能となるように、パワー変調を非常に高速で（例えばマイクロ秒のオーダーで）生じさせることが可能となる。
【００６０】
また、ある実施形態においては、ワークピース１２２４の領域をラスタスキャンしてパッドを形成したり、ラスタスキャンしてビアを形成したりするためにＡＯＤサブシステム１２０６を用いてもよい。
【００６１】
ＬＤＡ加工について上述したように、ワークピース１２２４は、有機樹脂の層（無機補強粒子及び／又は金属を含んでいてもよい）を含んでいてもよい。レーザ源１２１０の加工フルエンスがワークピース１２２４内の対象材料の実効アブレーション閾値よりも高ければ、その加工フルエンスを上述したように選択してもよい。ＬＤＡに使用されるパルスエネルギーは、（例えば、１０psのパルス幅について）数ナノジュールしかない場合がある。上述したように、短いパルスは、実効アブレーション閾値を下げるのを促進することがあり、そのような低いパルスエネルギー（又はフルエンス）であっても材料除去を依然として観測することができる。短いパルスの持続からの加熱の影響は、ワークピース１２２４の対象材料内の樹脂（例えば断熱材料）の低い熱拡散率のためにＬＤＡ加工に対して小さい場合がある。ある実施形態においては、パルス幅が約１μsよりも長い場合に加熱の影響が問題となり得る。
【００６２】
上述したように、切り口に沿って均一な幾何的パルス分布を得るための所望のパルスの重なり率を維持するために、高いＰＲＦでレーザ源１２１０を動作させてもよい。ある実施形態によれば、パルスの重なり率は６０％よりも高い場合がある。所望のＰＲＦの最低値は、バイトサイズにワークピース１２２４の表面に対するレーザビーム１２２５の速度を乗算することによって算出し得る。例えば、７μmのスポットサイズについて６０％のパルスの重なり率を維持するための最大バイトサイズは、７μm×（１−６０％）＝２．８６μmと求めることができる。速度が１０m/sまで上昇し得る場合には、例えば、最低ＰＲＦは、（１０m/s）／（２．８６μm）＝３．５MHzである。ＰＲＦが高くなればなるほど、パルス持続時間が短くなり、低いパルスエネルギー（又はフルエンス）で依然としてアブレーションが生じ得る。
【００６３】
所望の深さ及び可能な速度によって平均パワーを決定してもよい。一実施形態においては、７μmのスポットサイズを用いた目標深さが約１３μmで、走査速度が１m/sであるとき、平均パワーが０．７Ｗしかない可能性がある。他の実施形態においては、１４μmのスポットサイズを用いた目標深さが約１８μmで、走査速度が１０m/sであるとき、平均パワーが２５Ｗもある可能性がある。余分なパワーは、複数のビームを生成して高スループットのために２つ以上の部分を同時に処理することによって利用することができる。
【００６４】
ある実施形態においては、システム１２００は１０m/sまでの走査速度を提供する。他の実施形態においては、１０m/sよりも速い走査速度を使用してもよい。
【００６５】
一実施形態においては、レーザ源１２１０は、２．５Ｗを超えるパワーが可能で、時間的パルス幅が５０ps、波長が３５５nm、パルス繰り返し周波数が８０MHzのモードロックＵＶレーザであってもよい。ワークピース１２２４は高密度相互接続（ＨＤＩ）であってもよく、特徴部のサイズは、ＩＣ実装（ＩＣＰ）用のものより非常に大きくてもよい。したがって、走査レンズ１２２０は、レーザビーム１２２５をおよそ２１μmにまで集束するために２５０．８mmの焦点距離のレンズを含んでいてもよい。走査領域サイズは約１００mm×約１００mmであってもよく、ガルボ領域（例えば、ガルボサブシステム１２０８によってなされるレーザビーム１２２５とワークピース１２２４との相対運動）のみを使って、全体の回路パターンをスクライビングしてもよい。ワークピース１２２４全体を加工するために、段階的に移動してそれを繰り返すように運動ステージ１２０９を用いてもよい。
【００６６】
一実施形態においては、レーザ源１２１０は、カリフォルニア州サンタクララのSpectra-Physics社から入手可能な、３５５nm、５０ps、１２Ｗ、８０MHzのPantera（登録商標）レーザである。他の実施形態においては、レーザ源１２１０は、Spectra-Physics社から入手可能な、３５５nm、１２ps、２．５Ｗ、８０MHzのVanguard（登録商標）レーザである。他の実施形態においては、レーザ源１２１０は、カリフォルニア州サンタクララのCoherent社から入手可能な、３５５nm、１０ps、１０Ｗ、８０MHzのParadin（登録商標）レーザである。他の実施形態では、レーザ源１２１０は、Coherent社から入手可能な、３５５nm、２０〜３０ns、７Ｗ、３０〜７０kHzのAvia（登録商標）７０００レーザである。他の実施形態においては、レーザ源１２１０は、Spectra-Physics社から入手可能な、５３２nm、１０〜１５ns、１５〜５０kHz、１１ＷのHippo（登録商標）レーザである。他の実施形態では、レーザ源１２１０は、５３２nm、１０ps、２００kHz〜４MHz、１Ｗである（例えば、スイス連邦のTime-BandWidth Products社から入手可能なDuetto（登録商標）レーザを使って変換される）。当業者であれば本明細書の開示から、レーザ源１２１０が他のタイプのレーザやレーザモデルであってもよいことは理解できるであろう。
【００６７】
上述した実施形態の詳細に対して、本発明の基本的な原理から逸脱することなく多くの変更がなされてもよいことは、当業者には理解できよう。したがって、本発明の範囲は、以下の特許請求の範囲によってのみ決定されるべきである。
【図１】
2014509949.tif 000012
【図２Ａ】
2014509949.tif 000013
【図２Ｂ】
2014509949.tif 000014
【図３】
2014509949.tif 000015
【図４】
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【図５】
2014509949.tif 000017
【図６】
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【図７】
2014509949.tif 000019
【図８】
2014509949.tif 000020
【図９】
2014509949.tif 000021
【図１０】
2014509949.tif 000022
【図１１】
2014509949.tif 000023
【図１２】
2014509949.tif 000024
【国際調査報告】
2014509949.tif 000025
2014509949.tif 000026