(57)【要約】セラミックのホウ素含有ドーパントペーストが開示される。セラミックのホウ素含有ドーパントペーストは、１組の溶媒、この１組の溶媒中に分散された１組のセラミック粒子、この１組の溶媒中に分散された１組のホウ素化合物粒子、この１組の溶媒中に溶解された１組のバインダー分子、をさらに含む。ここで、セラミックのホウ素含有ドーパントペーストは、約０．０１〜約１の間のずり減粘べき乗則指数ｎを有する。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミックのホウ素含有ドーパントペーストであって、
１組の溶媒、
前記１組の溶媒中に分散された１組のセラミック粒子、
前記１組の溶媒中に分散された１組のホウ素化合物粒子、
前記１組の溶媒中に熔解された１組のバインダー分子、
を含み、前記セラミックのホウ素含有ドーパントペーストが、約０．０１〜約１の間のずり減粘べき乗則指数ｎを有する、セラミックのホウ素含有ドーパントペースト。
【請求項２】
前記ずり減粘べき乗則指数ｎが、約０．１〜約０．８の間にある、請求項１に記載のセラミックのホウ素含有ドーパントペースト。
【請求項３】
前記１組のセラミック粒子が、約３％ｗｔ〜約５０％ｗｔの間にある、請求項１に記載のセラミックのホウ素含有ドーパントペースト。
【請求項４】
前記１組のセラミック粒子が、約５％ｗｔ〜約２０％ｗｔの間にある、請求項１に記載のセラミックのホウ素含有ドーパントペースト。
【請求項５】
前記１組のセラミック粒子が、ＴｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＭｇＯ、ＣａＯ、Ｌｉ２Ｏ、ＢｅＯ、ＳｒＯ、Ｓｃ２Ｏ３、Ｙ２Ｏ３、Ｌａ２Ｏ３、ＣｅＯ２、Ｃｅ２Ｏ３、Ｐｒ２Ｏ３、Ｎｄ２Ｏ３、Ｓｍ２Ｏ３、ＥｕＯ、Ｇｄ２Ｏ３、Ｔｂ２Ｏ３、Ｄｙ２Ｏ３、Ｈｏ２Ｏ３、Ｅｒ２Ｏ３、Ｔｍ２Ｏ３、Ｙｂ２Ｏ３、Ｌｕ２Ｏ３、ＴｈＯ２、ＵＯ２、ＺｒＯ２、Ｔａ２Ｏ５、ＳｉＯ２、Ｃ、およびＨｆＯ２の少なくとも１つを含む、請求項１に記載のセラミックのホウ素含有ドーパントペースト。
【請求項６】
前記１組のホウ素化合物粒子が、約１％ｗｔ〜約２０％ｗｔの間にある、請求項１に記載のセラミックのホウ素含有ドーパントペースト。
【請求項７】
前記１組のホウ素化合物粒子が、約３％ｗｔ〜約１０％ｗｔの間にある、請求項１に記載のセラミックのホウ素含有ドーパントペースト。
【請求項８】
前記１組のホウ素化合物粒子が、元素のホウ素、ホウ素粉末、窒化ホウ素（ＢＮ）、酸化ホウ素（Ｂ２Ｏ３）、炭化ホウ素（Ｂ４Ｃ）、およびケイ化ホウ素（ＢｘＳｉ）（式中、ｘ＝２、３、４、６）の相のいずれか、の少なくとも１つを含む、請求項１に記載のセラミックのホウ素含有ドーパントペースト。
【請求項９】
前記１組のホウ素化合物粒子が、窒化ホウ素（ＢＮ）、酸化ホウ素（Ｂ２Ｏ３）、炭化ホウ素（Ｂ４Ｃ）、ＴｉＢｘ、ＭｇＢｘ、ＨｆＢｘ、ＧｄＢｘ、ＺｒＢｘ、ＴａＢｘ、ＣｅＢｘ、およびＬａＢｘの、少なくとも１つを含む、請求項１に記載のセラミックのホウ素含有ドーパントペースト。
【請求項１０】
前記１組のバインダー分子が、約０．５％ｗｔ〜約７％ｗｔの間にある、請求項１に記載のセラミックのホウ素含有ドーパントペースト。
【請求項１１】
前記１組のバインダー分子が、エチルセルロース、およびテルピネオールの少なくとも１つを含む、請求項１に記載のセラミックのホウ素含有ドーパントペースト。
【請求項１２】
ホウ素含有ドーパントペーストであって、
１組の溶媒、
前記１組の溶媒中に分散された１組のホウ素化合物粒子、
前記１組の溶媒中に溶解された１組のバインダー分子、
を含み、前記ホウ素含有ドーパントペーストが、約０．０１〜約１の間のずり減粘べき乗則指数ｎを有する、ホウ素含有ドーパントペースト。
【請求項１３】
前記１組のホウ素化合物粒子が、元素のホウ素、ホウ素粉末、窒化ホウ素（ＢＮ）、酸化ホウ素（Ｂ２Ｏ３）、炭化ホウ素（Ｂ４Ｃ）、およびケイ化ホウ素（ＢｘＳｉ）（式中ｘ＝２、３、４、６）の相のいずれか、の少なくとも１つを含む、請求項１２に記載のセラミックのホウ素含有ドーパントペースト。
【請求項１４】
前記１組のホウ素化合物粒子が、窒化ホウ素（ＢＮ）、酸化ホウ素（Ｂ２Ｏ３）、炭化ホウ素（Ｂ４Ｃ）、ＴｉＢｘ、ＭｇＢｘ、ＨｆＢｘ、ＧｄＢｘ、ＺｒＢｘ、ＴａＢｘ、ＣｅＢｘ、およびＬａＢｘの、少なくとも１つを含む、請求項１２に記載のセラミックのホウ素含有ドーパントペースト。
【請求項１５】
前記１組のバインダー分子が、約０．５％ｗｔ〜約７％ｗｔの間にある、請求項１２に記載のセラミックのホウ素含有ドーパントペースト。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一般にｐｎ接合に関し、特にセラミックのホウ素含有ドーピングペーストおよびそのための方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
太陽電池は太陽エネルギーを直接、直流電気エネルギーに変換する。フォトダイオードとして一般に構成されて、それは、生成された電荷キャリア（電子または正孔（電子の欠如））を、電流として抽出できるように、光がメタルコンタクトの近傍を貫通することを可能にする。また、ほとんどの他のダイオードと同様に、フォトダイオードは接合を形成するためにｐ型とｎ型の半導体を結合させることによって形成される。
【０００３】
電界（または内蔵電位）内の、接合のｐ型側にある電子は、（通常リンドープされている）ｎ型領域に引きつけられ、かつ、（通常ホウ素ドープされている）ｐ型領域からはね返されることがあり、接合のｎ型側の電界内にある正孔は、その際ｐ型領域に引きつけられ、かつｎ型領域からはね返され得る。一般に、ｎ型領域および／またはｐ型領域はおのおの、別々に、ｎ−、ｎ＋、ｎ＋＋、ｐ−、ｐ＋、ｐ＋＋などとしばしば示される相対的なドーパント濃度のさまざまなレベルで構成することができる。内蔵電位、したがって、電界の大きさは、２つの隣接層間の、ドーピングのレベルに一般に依存する。
【０００４】
ここで図１を参照すると、従来の太陽電池の簡略図が示されている。一般に、中程度にドープされた拡散エミッター領域１０８が、比較的低濃度にカウンタードープされた拡散領域である吸収体領域１１０の上に通常形成される。さらに、基板の前面への窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）層１０４の堆積前に、前面のメタル接点１０２および裏面電界（ＢＳＦ）／裏面メタルコンタクト１１６を含むメタル接点の組が、シリコン基板１１０の上に形成され、シリコン基板１１０の中へ焼成される。
【０００５】
通常の構成において、低濃度のｎ型リンドープ拡散領域１０８（通常エミッターまたはフィールドと呼ばれる）は、ホウ素ドープの基板をＰＯＣｌ３（オキシ塩化リン）環境にさらし、ウエハーの表面にリンケイ酸ガラス（ＰＳＧ）を形成することにより形成される。シリコンによる五酸化リンの還元は、基板のバルクへリンを放出し、それをドープする。その反応は通常以下の通りである。
４ＰＯＣｌ３（ｇ）＋３０２（ｇ）→２Ｐ２Ｏ５（ｌ）＋６Ｃｌ２（ｇ）  ［式１Ａ］
２Ｐ２０５（ｌ）＋５Ｓｉ（ｓ）→５ＳｉＯ２（ｓ）＋４Ｐ（ｓ）      ［式１Ｂ］
Ｓｉ＋Ｏ２→ＳｉＯ２      ［式２］
【０００６】
ＰＯＣ１３環境は、液体のＰＯＣｌ３で満たされたバブラーを通して流される窒素ガス（Ｎ２ガス）、および蒸発したＰＯＣｌ３と反応するように構成された反応性酸素ガス（反応性Ｏ２ガス）を通常含み、堆積（処理）ガスを形成する。一般に、リンを遊離するＰ２Ｏ５の還元は、Ｓｉ原子の利用可能性に正比例する。
【０００７】
拡散処理中に炉の環境にさらされる基板表面がすべてリンでドープされるように、基板は、１つのスロット当たり２枚の基板を有する背中合わせの構成、または１つのスロット当たり１枚のウエハーの構成のいずれかにおいて装填される。
【０００８】
基板の前面への窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）層１０４の堆積に先だって、ＰＯＣｌ３堆積プロセス中に基板表面に形成される残余の表面ガラス（ＰＳＧ）はフッ化水素酸（ＨＦ）などのエッチング液に不純物ドープされたシリコン基板をさらすことによって除去され得る。次いで、前面メタルコンタクト１０２およびＢＳＦ／裏面メタルコンタクト（裏面電界）１１６を含むメタル接点の組が、不純物ドープされたシリコン基板１１０の上に順次に形成され、続けて、その中へ焼成される。
【０００９】
前面メタルコンタクト１０２は、Ａｇ粉末（約７０〜約８０ｗｔ％（重量パーセント））、ホウケイ酸鉛ガラス（フリット）ＰｂＯ−Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２（約１〜約１０ｗｔ％）、および有機成分（約１５〜約３０ｗｔ％）を含むＡｇ（銀）ペーストの堆積によって、一般に形成される。堆積の後に、ペーストは、有機溶媒を除去するために低温で乾燥され、さらに、導電性金属層を形成しシリコン−メタルのコンタクトを可能にするために高温で焼成される。
【００１０】
ＢＳＦ／裏面メタルコンタクト１１６は、（ｐ型基板の場合には）アルミニウムから通常形成され、かつ、はね返す電位障壁を引き起こすように構成され、それにより、少数キャリア裏面再結合の影響を最小限に抑える。さらに、Ａｇパッド（図示せず）が、モジュールへの相互接続のためのはんだ付けを容易にするために、ＢＳＦ／裏面メタルコンタクト１１６上に通常適用される。
【００１１】
しかしながら、アルミニウムの使用は、多くの理由で問題でもあり得る。シリコンウェハとアルミニウム層との間の熱膨張の不一致の結果、アルミニウムＢＳＦは、太陽電池の反りを引き起こす傾向があり、それは後続の製造プロセスにおける問題点につながり、また、破損の増加により歩留まりを低下させる。アルミニウムは、ウエハーに吸収されない赤色光に対して不十分な反射体でもあり、太陽電池の効率を低減させる。さらに、アルミニウムは、基板背面表面に対して最適状態に及ばない不活性化しか通常提供しない。
【００１２】
１つの解決法として、電荷キャリア再結合を低減し、かつ、長波長の光の吸収を増加させるために、ブランケットのアルミニウムをより反射性であり、かつ、よりよく不活性化されている層に置き換えることがあり得る。加えて、背面メタルコンタクト領域を、電荷キャリア再結合をさらに最適化するために縮小もしてもよい。
【００１３】
この構造で構成された太陽電池は、ＰＥＲＣ（Ｐａｓｓｉｖａｔｅｄ  Ｅｍｉｔｔｅｒ  ａｎｄ  Ｒｅａｒ  Ｃｅｌｌ：不活性化されたエミッターおよび背面を有する電池）として一般に言及され、Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ  ｏｆ  Ｎｅｗ  Ｓｏｕｔｈ  Ｗａｌｅｓ  ［Ａ．  Ｗ．  Ｂｌａｋｅｒｓ，  ｅｔ  ａｌ．，  Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｐｈｙｓｉｃｓ  Ｌｅｔｔｅｒｓ，  ５５  （１９８９）  １３６３−１３６５］によって１９８９年に最初に紹介された構造である。その研究で製作されたデバイスは、高濃度ドープ基板、ならびに高スループットの生産に適合しない、多数の高価な処理ステップを用いた。この電池構造の他の変形が、効率をさらに増加させるための選択肢としてその後紹介された。それらの中で最も注目すべきなのは、ＰＥＲＬ（ｐａｓｓｉｖａｔｅｄ  ｅｍｉｔｔｅｒ  ｒｅａｒ  ｌｏｃａｌｌｙ  ｄｉｆｆｕｓｅｄ（不活性化されたエミッターと局所拡散背面））  ［Ａ．  Ｗａｎｇ，  ｅｔ  ａｌ．  Ｊ．  Ａｐｐｌ．  Ｐｈｙｓ．  Ｌｅｔｔ．  ５７，  ６０２，  （１９９０）］、ＰＥＲＴ  （ｐａｓｓｉｖａｔｅｄ  ｅｍｉｔｔｅｒ，  ｒｅａｒ  ｔｏｔａｌｌｙ  ｄｉｆｆｕｓｅｄ（不活性化されたエミッターと全面拡散背面））  （［Ｊ．  Ｚｈａｏ，  Ａ．  Ｗａｎｇ，  Ｐ．Ｐ．  Ａｌｔｅｒｍａｔｔ，  Ｍ．Ａ．  Ｇｒｅｅｎ，  Ｊ．Ｐ．  Ｒａｋｏｔｏｎｉａｉｎａ  ａｎｄ  Ｏ．  Ｂｒｅｉｔｅｎｓｔｅｉｎ，  ２９ｔｈ  ＩＥＥＥ  Ｐｈｏｔｏｖｏｌｔａｉｃ  Ｓｐｅｃｉａｌｉｓｔ  Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ，  Ｎｅｗ  Ｏｒｌｅａｎｓ，  ｐ．  ２１８，  （２００２））］、および、ＰＥＲＦ  （ｐａｓｓｉｖａｔｅｄ  ｅｍｉｔｔｅｒ  ｒｅａｒ  ｆｌｏａｔｉｎｇ  ｊｕｎｃｔｉｏｎ（不活性化されたエミッターと背面浮動接合））  ｃｅｌｌｓ  ［Ｐ．  Ｐ．  Ａｌｔｅｒｍａｔｔ，  ｅｔ  ａｌ．  Ｊ．  Ａｐｐｌ．  Ｐｈｙｓ．  ８０  （６），  （Ｓｅｐｔｅｍｂｅｒ  １９９６），  ｐｐ．  ３５７４−３５８６］である。当初のＰＥＲＣ電池に類似しているが、これらの構造は製造に費用がかかる。それらの紹介以来、これらの電池を作製する産業的に実現可能な手法を開発する多数の試みがあった。
【００１４】
代替の構成において、ウエハーの前面の選択エミッター太陽電池構造が、太陽電池効率をさらに最適化するために用いられてもよい。選択エミッターは、低い再結合に対して最適化された第１の低濃度ドープ領域、および低抵抗のオーミックメタルコンタクトに対して最適化された第２の高濃度ドープ領域（同一のドーパント型の）を用いる。
【００１５】
ここで図２を参照すると、ｎ＋（リンドープの）エミッター領域２２０を備えるｐ−（ホウ素ドープの）基板２１０に、不活性化された背面および縮小された背面領域メタルコンタクトを備える太陽電池の簡略図が示される。
【００１６】
ここで、１組の前面メタルコンタクト２２２は、オーミックコンタクトを形成するために前面表面のＳｉＮｘ層２１９を通してｎ＋エミッター領域２２０へ接続する。ＳｉＮｘ層２１９は、前面を不活性化するように、ならびに、太陽電池の上面からの光の反射を最小限に抑えるように通常構成される。
【００１７】
同様に、裏面メタルコンタクト２１６の組は、同じくオーミックコンタクトを作製するために裏面表面不活性化層２１４（ＳｉＮｘなどの）を通して基板２１０と接続する。
【００１８】
しかしながら、この構造の太陽電池変換効率は同じく問題があり得る。例えば、弱くドープされた基材ウエハーと直接のコンタクトする金属層が存在すると、高い接触抵抗（すなわち非オーミックコンタクト）が結果として生じる傾向がある。さらに、ｎ＋層２１２（ＰＯＣｌ３拡散プロセスの副産物）と裏面メタルコンタクト２１６の組との間の直接のコンタクトは、デバイス効率をさらに低下させる分流された接合を同じく結果として生じる傾向がある。
【００１９】
１つの解決法として、有害な分流を最小限に抑えるために、ｎ＋層２１２と裏面メタルコンタクト２１６の組との間に局所的なｐ＋（高濃度ドープ）領域を形成するためにドーピングペーストを用いることがあり得る。しかしながら、従来のドーパントペーストの使用は、それらが化合物（米国特許第４，１０４，０９１号明細書、および米国特許第６，６９５，９０３号明細書を参照）を含むドーパントの添加材を有するＳｉＯ２の母材で通常構成されるので問題である。
【００２０】
有害な自動ドーピング（対象とする堆積領域から離れた、不要な表面領域をドープする揮発性のドーパント種の生成）に加えて、従来のドーピングペーストは、アンビエントのＰＯＣｌ３を遮蔽することが通常できない（この遮蔽の欠如は、局所的領域をカウンタードープし、有害なｎ型にして、それにより分流するであろう）。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００２１】
上記に鑑みて、高温の酸化プロセス（ＰＯＣｌ３拡散プロセスなど）に強く、アンビエントのＰＯＣｌ３を遮蔽することができ、また、ＨＦベースの酸性洗浄の化学作用に適合するドーピングペーストが要望されている。
【課題を解決するための手段】
【００２２】
本発明は、一実施形態において、セラミックのホウ素含有ドーパントペーストに関する。セラミックのホウ素含有ドーパントペーストは、１組の溶媒、溶媒の組に分散された１組のセラミック粒子、溶媒の組に分散された１組のホウ素化合物粒子、および溶媒の組に溶解された１組のバインダー分子をさらに含む。ここで、セラミックのホウ素含有ドーパントペーストは、約０．０１〜約１の間のずり減粘べき乗則指数ｎを有する。
【００２３】
添付図面の各図において、本発明を例として、限定せずに、図示する。図中、同様の参照番号は同様の要素を表す。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】従来のフロントコンタクト型太陽電池の簡略図を示す。
【図２】ｎ＋（リンドープの）エミッター領域を備えるｐ−（ホウ素ドープの）基板上に、不活性化された背面および縮小された背面領域メタルコンタクトを有する太陽電池の簡略図を示す。
【図３Ａ】本発明による、背面金属電極と基板との間の有用な（非分流）オーミックコンタクトを構成するために、セラミックのホウ素含有ドーピングペーストが使用され得る、異なる太陽電池構成の１組の図の一方を示す。
【図３Ｂ】本発明による、背面金属電極と基板との間の有用な（非分流）オーミックコンタクトを構成するために、セラミックのホウ素含有ドーピングペーストが使用され得る、異なる太陽電池構成の１組の図の他方を示す。
【図４】本発明による簡略Ｅｌｌｉｎｇｈａｍ線図を示す。
【図５】本発明による、２つのホウ素含有ドーピングペーストに対する粘度プロファイルを示す。
【図６】本発明による、拡散領域の、多数キャリア型の広がり抵抗プロファイルのプロット、および濃度を示す簡略図を示す。
【図７】本発明による、ホウ素含有ドーピングペーストを用いて生成したときの、ｎ型基板におけるホウ素ドーパント拡散の簡略図を示す。
【図８】本発明による、ｎ型基板上の、ホウ素ドーパント拡散およびリンのドーパント拡散の簡略図を示す。
【図９】本発明による、ホウ素含有ドーピングペーストの製造のための簡略化されたプロセスを示す。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
ここで、本発明を、添付図面に示す本発明のいくつかの好ましい実施形態を参照して詳細に説明する。以下の説明で、本発明についての完全な理解を提供するために、多数の特定の詳細を述べる。しかしながら、本発明は、これらの特定の詳細のうちのいくつかまたはすべてを伴わないでも実行され得ることは、当業者に明白である。他の実例において、本発明を不必要に不明瞭にしないために、周知のプロセスステップ、および／または、構造は詳細には記述していない。
【００２６】
前述したように、ブランケットアルミニウムＢＳＦを避ける太陽電池構造は、ウエハーのバルクに対して低い抵抗率および低い再結合のコンタクトを可能にすることによって高い効率を提供し得る。しかしながら、そのような構成も、製造するには問題であり、その理由は、弱くドープされた基材ウエハーと直接コンタクトする金属層が存在すると、非オーミックコンタクトが結果として生じる傾向があるためである。さらに、形成されたｎ＋層（ＰＯＣｌ３拡散プロセスの結果として）と裏面メタルコンタクトの組との間の、直接のコンタクトは、デバイス効率をさらに低下させる分流された接合を結果として生じる傾向もある。
【００２７】
１つの有利な手法では、本発明によるセラミックのホウ素含有ドーピングペーストを用いる金属層と基材ウエハーとの間のｐ＋（高濃度ドープ）領域によって背面金属電極２１６と基板２１０との間に有用な（非分流）オーミックコンタクトが形成されてもよい。
【００２８】
従来のドーピングペーストと対照的に、セラミックのホウ素含有ドーピングペーストは、高温の酸化プロセス（多くの場合ドーパント拡散プロセスに組み合わされる）に対して強い傾向があり、アンビエントのＰＯＣｌ３を遮蔽する傾向があり（この遮蔽の欠如は、局所的領域をカウンタードープし、有害なｎ型にして、それにより分流するであろう）、さらに、ドーパント堆積の後に、高温拡散プロセスに先だって通常用いられる、ＨＦベースの酸性洗浄の化学作用に適合する（酸化ケイ素は通常不在であるため）。セラミックのホウ素含有ドーピングペーストを堆積する方法は、スクリーン印刷、ロールコーティング、スロットダイコーティング、グラビア印刷、ドラム式フレキソ印刷、およびインクジェット印刷の方式などを含むが、限定はされない。
【００２９】
ここで図３Ａ〜３Ｂを参照すると、本発明による、背面金属電極と基板との間の有用な（非分流）オーミックコンタクトを構成するために、セラミックのホウ素含有ドーピングペーストが使用され得る異なる太陽電池構成を示す１組の図。
【００３０】
図３Ａは、本発明による、セラミックのホウ素含有ドーピングペーストを用いて形成されるｐ＋ブランケットＢＳＦが、背面メタルコンタクトの組との非分流オーミックコンタクトを形成する太陽電池構成を示す。前述したように、基板の背面上にｐ＋層が存在すると、ｎ＋およびｐ−層への直接のメタルコンタクトの有害な影響が相当に低下する。
【００３１】
ここで、１組の前面メタルコンタクト３３３は、オーミックコンタクトを形成するために、前面表面のＳｉＮｘ層３１９を通してｎ＋エミッター領域３３０に接続する。ＳｉＮｘ層３１９は、前面を不活性化するように、ならびに、太陽電池の上面からの光の反射を最小限に抑えるように通常構成される。代替の構成において、ＳｉＮｘ層３１９は、誘電体の不活性化（ＳｉＯｘまたはＳｉＯｘ／ＳｉＮｘ多層など）により置き換えられる。
【００３２】
図２と対照的に、裏面メタルコンタクト３１６の組は、非分流オーミックコンタクトを作製するために裏面表面不活性化層３１４（ＳｉＮｘなど）およびブランケットＢＳＦ３１３を通して基板３１０に接続する。代替の構成において、ＳｉＮｘ層３１４は、誘電体の不活性化（ＳｉＯｘまたはＳｉＯｘ／ＳｉＮｘ多層など）により置き換えられる。
【００３３】
図３Ｂは、本発明による、セラミックのホウ素含有ドーピングペーストを用いて形成されるｐ＋局所的ＢＳＦが、背面メタルコンタクトの組との非分流オーミックコンタクトを形成する太陽電池構成を示す。
【００３４】
ここで、１組の前面メタルコンタクト３２２は、オーミックコンタクトを形成するために前面表面ＳｉＮｘ層３１９を通してｎ＋エミッター領域３２０に接続する。ＳｉＮｘ層３１９は、前面を不活性化するように、ならびに、太陽電池の上面からの光の反射を最小限に抑えるように通常構成される。
【００３５】
図２と対照的に、裏面メタルコンタクト３１６の組は、非分流オーミックコンタクトを作製するために裏面表面不活性化層３１４（ＳｉＮｘなど）および局所的ＢＳＦ３２３を通して基板３１０に接続する。さらに、ＰＯＣｌ３拡散プロセスの間に形成された残余のｎ＋浮動接合は、それがｎ＋エミッター領域３２０に対して分流する経路を提供しないのであれば、電荷キャリアの再結合を低下させることを助ける。［Ｃ．  Ｂ．  Ｈｏｎｓｂｅｒｇ，  Ｓｏｌａｒ  Ｅｎｅｒｇｙ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ  ａｎｄ  Ｓｏｌａｒ  Ｃｅｌｌｓ  ３４，  Ｉｓｓｕｅｓ  １−４，  １  Ｓｅｐｔｅｍｂｅｒ  １９９４，  Ｐａｇｅｓ  １１７−１２３］。
【００３６】
上記に論じたように、セラミックのホウ素含有ドーピングペーストを堆積するいくつかの方法がある。特にスクリーン印刷は、太陽電池製造において前面と背面の金属ペーストの堆積のために一般に用いられるためペーストの堆積には有用である。また金属ペーストのように、セラミックのホウ素含有ドーピングペーストは、非ニュートン流体、または、ずり減粘流体として構成されなければならない。
【００３７】
非ニュートン流体は、その流動性が粘度または流れることへの抵抗についての単一の定数値によっては記述されない流体を指す。ずり減粘とは、その粘度がずり速度の増加とともに減少する流体を指す。一般に、ずり減粘挙動は、コロイド懸濁液において観察され、そこでは、粒子間および粒子表面基間の、弱い流体静力学および静電気の相互作用が、非動的外力の状態における粘度を増加させる傾向がある。比較的小さなせん断力を付加することは、流体静力学の相互作用に打ち勝ち、それにより流体の粘度を低下させる傾向がある。
【００３８】
したがって、ペーストの粘度は、スクリーンパターンを通り抜けるためには、高いずり速度で比較的低くなければならないが、スクリーンを通ってまたは基板表面上で流れないためには、堆積前も堆積の後もそれぞれ（低いずり速度またはゼロずり速度で）、比較的高くなければならない。
【００３９】
通常、ずり減粘は流体内の粒子対粒子の相互作用の結果である。表面基により粒子表面を官能基化することは、粒子間相互作用を増加させ、同一の固体添加量に対して、より強いずり減粘挙動が結果として得られる。
【００４０】
ずり減粘流体については、その粘度はべき乗則またはＯｓｔｗａｌｄのレオロジーのモデルによってずり速度と関係づけることができる。
【００４１】
【数１】
2014522564.tif 000003
【００４２】
ここでη＝粘度、
【００４３】
【数２】
2014522564.tif 000004
【００４４】
Ｋ＝コンシステンシー（粘稠度）係数、および、ｎはべき乗則指数（または速度インデックス）である。
【００４５】
したがって、式４は両側の自然対数をとることにより書き直すことができる。
【００４６】
【数３】
2014522564.tif 000005
【００４７】
粘度の対数、対、ずり速度の対数をグラフ化すると直線が得られ、それは流体のずり減粘に対応する（ｎ−１）の傾斜を有する。一般に、０  ＜  ｎ  ＜  １のずり減粘流体において、より小さなｎ値に対して、ずり減粘挙動は増加。
【００４８】
セラミックのホウ素含有ドーピングペーストを形成するために、シリコン基板に接する際の熱的安定性を求めて選択された高融点セラミック母材をホウ素ドーピング源に組み合わせてもよい。高温拡散プロセス中に、ホウ素は基板へ拡散することが許される一方、アンビエントのリンはセラミック材料によって阻止される。
【００４９】
多数のセラミック材料が拡散プロセスに適合する融点を有しているが、高温でシリコンに接する酸化物材料のうちのいくつかは還元され、ウエハーへ不純物を導入する場合があるため、より少数の下位組がシリコン基板に適合する。Ｅｌｌｉｎｇｈａｍ図は、どの材料が下層にあるウエハーと反応しないか判定するのに有用である。
【００５０】
重要なメタルの鉱石の還元のために必要な条件を見いだすために元は開発されたものであるが、Ｅｌｌｉｎｇｈａｍ図は、いろいろなメタルの酸化を含む様々な反応のための温度に関してギブス自由エネルギー（ΔＧ）の変化を示すことができる。ギブス自由エネルギーとは一般に非機械的な仕事をするための系の能力であり、Ｇは、その上でなされる非機械的な仕事の尺度である。
【００５１】
式６は、金属酸化物がシリコン基板に接して置かれる場合、起こり得る還元反応を示す。この反応はウエハーへの金属性不純物の注入を結果として生じ、結果として貧弱なデバイス性能を生ずる。
ＭＯ２＋Ｓｉ→Ｍ＋ＳｉＯ２      ΔＧ      ［式６］
ＭＯ２→Ｍ＋Ｏ２                ΔＧ１      ［式７Ａ］
Ｓｉ＋Ｏ２→ＳｉＯ２            ΔＧ２      ［式７Ｂ］
式６に示される反応は、式７Ａおよび７Ｂに示される２つの半反応の和へ分割することができる。式７Ａは、酸化反応の典型的な形式と対応させて、式７Ｃのように書き直すことができる。
Ｍ＋Ｏ２→ＭＯ２      −ΔＧ１      ［式７Ｃ］
そうすると、式６に示される全反応のギブス自由エネルギーは、ΔＧ＝−ΔＧ１＋ΔＧ２となる。正値になる金属だけが許容できるが、その理由はこれらの反応が起こらないからである。この必要条件に適合する金属は、Ｅｌｌｉｎｇｈａｍ図から識別することができる。
【００５２】
図４を参照すると、本発明による簡略化されたＥｌｌｉｎｇｈａｍ線図が示されている。ｋＪ／ｍｏｌでのギブス自由エネルギー（−ΔＧ１）の変化は、垂直軸３０４に沿って、多数の酸化反応に対して示され、°Ｋでの反応温度は、水平軸３０２に沿って示される。
【００５３】
図を参照して、シリコンの酸化より自由エネルギーの高い還元に結果としてなる酸化物（すなわちＳｉＯ２プロット４１４より下方）は、高温でシリコンに接した際に熱力学的に安定であり、その理由はそれらが式６に記述されるような正値になるからである。その結果、ウエハーの少数キャリア寿命を下げるおそれがある金属性不純物は、ウエハーのバルクへ導入されない。適切なセラミック材料として、（ＴｉＯ２）４１６、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）４１８、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）４２０、および酸化カルシウム（ＣａＯ）４２２、ならびにそれらの組み合わせが含まれる。
【００５４】
酸化鉄（４０６）、酸化クロム（４０８）、および酸化マンガン（４１０）などの、４１４より上方にプロットがある材料は不適切であるが、その理由はシリコンウェハとの反応が優先されるからである。
【００５５】
Ｅｌｌｉｎｇｈａｍ図に基づいて選択された適切なセラミック材料に加えて、他のいくつかの二元金属酸化物が、他の熱力学の解析によって識別され、Ｌｉ２Ｏ、ＢｅＯ、ＳｒＯ、Ｓｃ２Ｏ３、Ｙ２Ｏ３、Ｌａ２Ｏ３、ＣｅＯ２、Ｃｅ２Ｏ３、Ｐｒ２Ｏ３、Ｎｄ２Ｏ３、Ｓｍ２Ｏ３、ＥｕＯ、Ｇｄ２Ｏ３、Ｔｂ２Ｏ３、Ｄｙ２Ｏ３、Ｈｏ２Ｏ３、Ｅｒ２Ｏ３、Ｔｍ２Ｏ３、Ｙｂ２Ｏ３、Ｌｕ２Ｏ３、ＴｈＯ２、ＵＯ２、ＺｒＯ２、Ｔａ２Ｏ５、ＳｉＯ２、およびＨｆＯ２が含まれる。（Ｋ．Ｊ．  Ｈｕｂｂａｒｄ  ａｎｄ  Ｄ．Ｇ．  Ｓｃｈｌｏｍ，  Ｔｈｅｒｍｏｄｙｎａｍｉｃ  ｓｔａｂｉｌｉｔｙ  ｏｆ  ｂｉｎａｒｙ  ｍｅｔａｌ  ｏｘｉｄｅｓ  ｉｎ  ｃｏｎｔａｃｔ  ｗｉｔｈ  Ｓｉｌｉｃｏｎ，  Ｊ．  Ｍａｔｅｒ．  Ｒｅａｓｅａｒｃｈ，  ｖ  １１（１１），  １９９６）。
【００５６】
さらなるセラミック材料として、限定しないが、金属カーバイド、ＭＣｘ、金属窒化物、ＭＮｘ、金属シリケート、ＭＳｉＯｘ、ＳｉＯ２、およびＣが含まれる。
【００５７】
ホウ素ドーパント自体に関しては、適切な固体ドーパント源を、シリコン基板の汚染を最小限に抑えながら十分なドーパントを放出するように構成しなければならない。例えば、適切なドーパントとして、窒化ホウ素（ＢＮ）、酸化ホウ素（Ｂ２Ｏ３）、炭化ホウ素（Ｂ４Ｃ）、ケイ化ホウ素（ＢｘＳｉ）（式中、ｘ＝２、３、４、６）の相のいずれか、ならびにＴｉＢｘ、ＭｇＢｘ、ＨｆＢｘ、ＧｄＢｘ、ＬａＢｘ、ＺｒＢｘ、ＴａＢｘ、ＣｅＢｘ、Ｃ、およびそれらの混合物などシリコンに適合する二元酸化物を形成する他の金属ホウ化物、が含まれる。さらなるホウ素ドーパントとして、元素のホウ素、ホウ素粉末、ホウ素ドープのＳｉ粉末、Ｂ−Ｃ−Ｓｉの組成物、ＭＯｘ−Ｂ２Ｏ３、およびそれらの混合物が含まれる。Ｂ−Ｃ−Ｓｉの組成物は、Ｂｘ＞０．９Ｓｉｙ＜０．１Ｃｚ＜０．１を含むが限定はされない。
【００５８】
１つの構成において、セラミック材料およびホウ素ドーパント源は、アルコール、アルデヒド、ケトン、カルボン酸、エステル、アミン、オルガノシロキサン、ハロゲン化炭化水素、および他の炭化水素溶剤などの１組の溶媒に分散される。さらに、粘度、密度、極性、その他などの物理的特性を最適化するために、溶媒の組は混合されてもよい。
【００５９】
さらに、スクリーン印刷のためのペーストの粘弾性の挙動を最適化するために、バインダーと呼ばれる高い分子量（ＨＭＷ）ポリマーの分子の組が付加される。バインダーは、ポリアクリレート、ポリアセタールおよびそれらの誘導品、ポリビニル、セルロース（そのエーテルおよびエステルを含む）、ならびにそれらのコポリマーの１つである。
【００６０】
代替の構成において、セラミック材料の粒子表面は、１組の溶媒に分散し、ずり減粘挙動を最適化するために、リガンドまたはキャッピング剤で処理されてもよい。一般に、キャッピング剤またはリガンドは、多原子の分子実体において「中心原子」に結び付けられた、１組の原子または原子団である。キャッピング剤は、それが取り付けられ得る下層にある表面が有していない何らかの特性または機能を求めて選択される。
【実施例】
【００６１】
図５を参照すると、本発明による２つのホウ素含有ドーピングペーストに対する粘度プロファイルが示されている。
【００６２】
ホウ素含有ドーピングペーストの両方の組は、ホウ素含有粒子および金属酸化物粒子の混合物をエチルセルロースバインダー１．５％（ｗｔ）および７５．５％（ｗｔ）のテルピネオール溶媒の溶液中に分散させることによって製造した。
【００６３】
水平軸５０２には、ずり速度の対数をＲＰＭで示し、一方垂直軸５０４には、２５℃での対応する粘度（ブルックフィールド粘度計に測定された）の対数をセンチポアズ（ｃＰ）で示す。
【００６４】
プロット５０６は、エチルセルロースバインダー１．５％（ｗｔ）および８１．５％（ｗｔ）のテルピネオール溶媒の溶液中の、５％（ｗｔ．）のケイ化ホウ素および１２％（ｗｔ）の酸化アルミニウムの粉末の混合物で構成される。式５に対して粘度カーブの形状をあてはめると、−０．６８７の傾斜で、０．３１３のｎに対応。前述したように、傾斜はｎ−１に等しい。
【００６５】
プロット５０８は、エチルセルロースバインダー１．５％（ｗｔ）および７５．５％（ｗｔ）のテルピネオール溶媒の溶液中の、５％（ｗｔ．）の炭化ホウ素および１８％（ｗｔ）の二酸化チタンの粉末の混合物で構成される。式５に対して粘度カーブの形状をあてはめると、−０．６５６１の傾斜で、０．３４３９のｎに対応。
【００６６】
式５に対して粘度カーブの形状をあてはめると、両方の調合物に対して、べき乗則指数がｎ＝０．３〜ｎ＝０．３５の間にあり、せん断力が適用されるとき、流体内でのずり減粘の高い程度を示し、スクリーン印刷に適合することが示される。一般に、上記の式５に基づいて、約０．０１〜約１．０の間のｎは好適であり、約０．２〜約０．８の間のｎはより好適であり、さらに、約０．３２５のｎは最も好適である。
【００６７】
ここで図６を参照すると、本発明による、拡散領域の、多数キャリア型の広がり抵抗プロファイルのプロット、および濃度を示す簡略図。垂直軸６０４にはｃｍ−３でのキャリア濃度があり、水平軸６０２にはｎ型（リンドープ）基板の表面からの測定の深さがある。
【００６８】
エチルセルロースバインダー１．５％（ｗｔ）および７５．５％（ｗｔ）のテルピネオール溶媒の溶液中の、５％（ｗｔ．）炭化ホウ素および１８％（ｗｔ）の二酸化チタンの粉末の混合物から構成されるホウ素含有ドーピングペーストを、あらかじめＨＦ溶液中で洗浄されたｎ型基板に堆積した。
【００６９】
印刷の後に、窒素を含有するアンビエント中で溶媒を除去するために、ウエハーを７０℃で３０分間、箱型オーブンで乾燥した。
【００７０】
次に、表面の汚染を低下させるために、ｎ型基板を、およそ室温で約２分間ＨＦ／ＨＣｌの約６：１混合物にさらす。
【００７１】
次に、ｐ型ドーパントをｎ型基板へ拡散するために、ｎ型基板を拡散炉に配置し、Ｎ２アンビエントで約９００℃で約６０分間加熱し、広がり抵抗プロファイルのプロットの生成のために、後で斜め研磨する。
【００７２】
約５ｍＶのバイアスを、ドープされたｎ型基板上に約２０ｕｍ離れて配置された２つの炭化タングステンの探針先端の両端に印加する。斜め研磨された表面に沿った各測定の間に、探針を、引き上げ、斜面を下って所定の距離に割り出しする。
【００７３】
図６に示すように、拡散プロセスの結果、ホウ素ドーパントは、印刷されたセラミックのホウ素含有ドーピングペーストからｎ型シリコンウェハへ拡散し、約０．３ミクロンのｐｎ接合深さが結果として得られ、これはシリコン太陽電池への適切なコンタクトの形成に対して許容できる深さである。基板表面での電気的に活性なホウ素原子のピーク濃度は、約２×１０２０（１／ｃｍ３）であり、拡散の温度でのシリコン中のホウ素の固体溶解度と一致する。
【００７４】
ここで図７を参照すると、本発明による２つのセラミックのホウ素含有ドーピングペーストを用いて生成された、ｎ型基板中のホウ素ドーパント拡散の簡略図が示される。垂直軸７０２は、堆積されたセラミックのホウ素含有ドーピングペーストの下側の基板領域、およびフィールド領域（すなわち印刷されたホウ素含有ドーピングペーストのない領域）に対して測定されたときの、シート抵抗率測定値をＯｈｍ／ｓｑｕａｒｅで示す。
【００７５】
ｎ型基板７１４に堆積された、第１のセラミックのホウ素含有ドーピングペースト７０６（図５のプロット５０６に対応する）は、エチルセルロースバインダー１．５％（ｗｔ）および８１．５％（ｗｔ）のテルピネオール溶媒の溶液中の、５％（ｗｔ．）のケイ化ホウ素および１２％（ｗｔ）の酸化アルミニウムの粉末の混合物で構成した。
【００７６】
ｎ型基板７１６に堆積された、第２のセラミックのホウ素含有ドーピングペースト７１０（図５のプロット５０８に対応する）は、エチルセルロースバインダー１．５％（ｗｔ）および７５．５％（ｗｔ）のテルピネオール溶媒の溶液中の、５％（ｗｔ．）の炭化ホウ素および１８％（ｗｔ）の二酸化チタンの粉末の混合物で構成した。
【００７７】
おのおののセラミックのホウ素含有ドーピングペーストを、あらかじめＨＦ溶液中で洗浄されたｎ型シリコン基板上へ堆積した。堆積の後、溶媒を除去するために基板を７０℃で３０分間箱型オーブン中で乾燥した。次いで、表面の汚染を低下させるために、基板を希水性ＨＦ：ＨＣｌ混合物に浸した。脱イオン水すすぎおよび乾燥の後に、基板を、ホットウォール拡散チューブ中で、不活性のアンビエント中において９００℃で１時間加熱した。
【００７８】
次いで、セラミックのホウ素含有ドーピングペーストの下の、および印刷されていないフィールド領域の内のドーピングを、シート抵抗率四探針測定を用いて測定した。
【００７９】
基板７１４に言及すると、セラミックのホウ素含有ドーピングペーストの下の領域は、十分にｐ型で、約６０ｏｈｍ／ｓｑ〜約８０ｏｈｍ／ｓｑの間で平均約７０ｏｈｍ／ｓｑの抵抗率を有していた。フィールド領域７０８は十分にｎ型で、約１００ｏｈｍ／ｓｑ〜約２７５ｏｈｍ／ｓｑの間で、平均約１８０ｏｈｍ／ｓｑの、はるかに高い抵抗率を有し、ｎ型ウエハーのバルクに対応していた。
【００８０】
基板７１６に言及すると、セラミックのホウ素含有ドーピングペーストの下の領域は、十分にｐ型で、約７０ｏｈｍ／ｓｑ〜約９０ｏｈｍ／ｓｑの間で平均約８０ｏｈｍ／ｓｑの抵抗率を有していた。フィールド７０８の下の領域は十分にｎ型で、約１２５ｏｈｍ／ｓｑ〜約３７５ｏｈｍ／ｓｑの間で、平均約２２５ｏｈｍ／ｓｑの、はるかに高い抵抗率を有し、ｎ型ウエハーのバルクに対応していた。
【００８１】
したがって、セラミックのホウ素含有ペーストが、ホウ素（ｐ型）ドーパントによりｎ型基板をカウンタードープしていることが示される。
【００８２】
ここで図８を参照すると、本発明による、ｎ型基板に、（ホウ素含有ドーピングペーストを用いて生成したときの、）同時に起こるホウ素ドーパントの拡散、および（ＰＯＣｌ３プロセスにより生成したときの）リンのドーパント拡散について簡略図が示される。
【００８３】
垂直軸８１４は、堆積されたセラミックのホウ素含有ドーピングペーストの下側の基板領域、およびフィールド領域（すなわち堆積されたホウ素含有ドーピングペーストのない領域）に対して測定されたときの、シート抵抗率測定値をＯｈｍ／ｓｑｕａｒｅで示す。
【００８４】
ｎ型基板８１４に堆積された、第１のセラミックのホウ素含有ドーピングペースト８０６（図５のプロット５０６に対応する）は、エチルセルロースバインダー１．５％（ｗｔ）および８１．５％（ｗｔ）のテルピネオール溶媒の溶液中の、５％（ｗｔ．）のケイ化ホウ素および１２％（ｗｔ）の酸化アルミニウムの粉末の混合物で構成した。
【００８５】
ｎ型基板８１６に堆積された、第２のホウ素含有ペースト８１０（図５のプロット５０８に対応する）は、エチルセルロースバインダー１．５％（ｗｔ）および７５．５％（ｗｔ）のテルピネオール溶媒の溶液中の、５％（ｗｔ．）の炭化ホウ素および１８％（ｗｔ）の二酸化チタンの粉末の混合物で構成した。
【００８６】
おのおののホウ素含有ペーストを、あらかじめＨＦ溶液中で洗浄されたｎ型シリコン基板上へスクリーン印刷した。堆積の後、溶媒を除去するために基板を７０℃で３０分間箱型オーブン中で乾燥した。次いで、表面の汚染を低下させるために、基板を希水性ＨＦ：ＨＣｌ混合物に浸した。
【００８７】
脱イオン水すすぎおよび乾燥の後に、基板を、ホットウォール拡散チューブ中で、不活性のアンビエント中において９００℃で１時間加熱し、続けて、ＰＯＣｌ３、Ｎ２、およびＯ２の雰囲気を有する拡散炉内で約８５０℃の温度で約６０分間、リンの（ｎ型）ドーパント源に対してさらした。その後、基板表面上の残余のＰＳＧガラス層を５分間のＢＯＥ洗浄工程によって除去した。
【００８８】
次いで、ホウ素含有ペースト印刷領域の下の、およびＰＯＣｌ３露出に対してペーストによって保護されていないフィールド領域の内のドーピングを、シート抵抗率四探針測定を用いて測定した。多数キャリア型を、加熱プローブ式測定を用いて測定した。
【００８９】
基板８１４および８１６に言及すると、基板はＰＯＣｌ３にさらされたが、ホウ素含有ペーストの下の領域は、まだ十分にｐ型で、約７０ｏｈｍ／ｓｑ〜約９０ｏｈｍ／ｓｑの間で平均約８０ｏｈｍ／ｓｑの抵抗率を有していた。フィールド８０８の下の領域は十分にｎ型であり、約２５ｏｈｍ／ｓｑ〜約３５ｏｈｍ／ｓｑの間で、平均約３０ｏｈｍ／ｓｑのより低い抵抗率（ＰＯＣｌ３拡散プロセスによる）を有していた。したがって、ホウ素含有ペーストは、ｎ型基板のカウンタードープと、ＰＯＣｌ３拡散プロセス中に生成するアンビエントのリンの阻止との両方を行うことが示される。
【００９０】
ここで図９を参照すると、本発明による、ホウ素含有ドーピングペーストの製造のための、簡略化されたプロセスが示される。ステップ９０２で、ホウ素含有粒子を任意選択の分散剤および溶媒の第１の組に組み合わせ、第１の混合物とする。ステップ９０４で、セラミック粒子を溶媒の第２の組に組み合わせ、第２の混合物とする。ステップ９０６で、バインダーを溶媒の第３の組に組み合わせ、第３の混合物とする。最後に９０８で、第１の混合物、第２の混合物、および第３の混合物を組み合わせ、次いで、混合し、粉砕する。
【００９１】
説明的に本明細書で記述された本発明は、いかなる素子または素子群、限定または限定群が欠けていても、特に本明細書で開示されていなくても、適切に実行されてもよい。したがって、たとえば、用語「備える」、「含む」、「包含している」などは、拡張的に、かつ、限定せずに読まれるものとする。さらに、本明細書で使用された用語と表現は、記述の用語として使用されたもので、限定の用語として使用されたものではなく、そのような用語および表現の使用において、示され、記述された特徴およびその特徴の部分の、いかなる均等物も除外する意図はなく、様々な変更が請求された本発明の請求の範囲内で可能であることが認識されるはずである。
【００９２】
したがって、本発明を、好ましい実施形態および任意選択的な特徴によって具体的に開示してきたが、本明細書で開示された本発明の修正、改善および変更が当業者によって行使されてもよいこと、および、そのような修正、改善および変更は、本発明の範囲内であると見なされることは、理解すべきである。本明細書で提供される材料、方法、および実施例は、好ましい実施形態の代表的なものであり、例示になるものであり、本発明の範囲に対する限定として意図されたものではない。
【００９３】
当業者によって理解される通り、いかなる、かつ、全ての目的に対しても、特に書面による記述の提供の点で、本明細書で開示された全ての範囲はまた、その範囲の、いかなる、かつ、全ての可能な下位の範囲およびそれらの下位の範囲の組み合わせを包含する。いかなる列挙された範囲も、その同じ範囲が少なくとも、等分、３等分、４等分、５等分、１０等分などに分割されることを、十分に記述し可能にしているものとして、容易に認めることができる。非限定例として、本明細書で説明された範囲はおのおの、下側の３分の１、中央の３分の１、上側の３分の１へ容易に分割できる。さらに当業者によって理解されるように、「まで」、「少なくとも」、「より大きい」、「より小さい」および同種のものなど、全ての言葉は詳述された数を含み、かつ、上記に説明したとおり、下位の範囲に後で分割することができる範囲を表す。さらに、用語「ドーパント、またはドープされた」および「カウンタードーパント、またはカウンタードープされた」は反対の型のドーパントの組を表す。すなわち、ドーパントがｐ型である場合、カウンタードーパントはｎ型である。さらに、特に断らない限り、ドーパントの型は入れ替えてもよい。さらに、シリコン基板は、単結晶状、または多結晶状でもよい。
【００９４】
本明細書で参照された全ての刊行物、特許出願、登録特許、および他の文献は、おのおのの個別の、刊行物、特許出願、登録特許、および他の文献を具体的かつ個別に引用した場合その全体を組み込むのと同程度に、参照により、本明細書に組み込む。参照によって組み込まれたテキストに包含されている定義は、本開示中の定義と矛盾する範囲については除外される。
【００９５】
本開示の目的のために、および特に指定がない限り、「１つ」は「１つまたは複数」を意味する。本明細書に引用した全ての特許、特許出願、参考文献、および刊行物は、それらが個別に参照として組み込まれている場合と同程度に、それらの全体を参照として組み込む。さらに、単語「組」は、１つまたは複数の、品目または物の、集合を指す。
【００９６】
本発明の利点として、高温の酸化プロセス（ＰＯＣｌ３拡散プロセスなど）に強く、アンビエントのＰＯＣｌ３を遮蔽することができ、また、ＨＦベースの酸性洗浄の化学作用に適合するドーピングペーストが挙げられる。
【００９７】
例示的な実施形態および最良の形態を開示してきたが、以下の特許請求の範囲によって定義される本発明の主題および精神の範囲内で、開示した実施形態に修正および変更を施すことができる。
【図１】
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【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【国際調査報告】
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