(57)【要約】【解決手段】本発明による太陽電池は、基板と、前記基板上の裏面電極層と、前記裏面電極層上の光吸収層と、 前記光吸収層上のにバッファ層と、前記バッファ層上のウィンドウ層とを含み、前記裏面電極層は、第１の貫通溝を含み、前記第１の貫通溝の側面は、前記基板の上面と傾斜して形成される。【選択図】図２
2014503130.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上の裏面電極層と、
前記裏面電極層上の光吸収層と、
前記光吸収層上のバッファ層と、
前記バッファ層上のウィンドウ層とを含み、
前記裏面電極層は、第１の貫通溝を含み、前記裏面電極層は、上部と下部の面積が相違する台形の形状に形成されることを特徴とする、太陽電池。
【請求項２】
前記第１の貫通溝が形成された裏面電極層の側面は、基板の垂直線と３０゜乃至６０゜の傾きを有するように形成されることを特徴とする、請求項１に記載の太陽電池。
【請求項３】
前記裏面電極層は、複数の層で形成されることを特徴とする、請求項１に記載の太陽電池。
【請求項４】
前記複数の裏面電極層は、上部の裏面電極層が、下部の裏面電極層に比べて粒子密度が高い値を有するに形成されることを特徴とする、請求項３に記載の太陽電池。
【請求項５】
前記第１の貫通溝は、２０um乃至１５０umの幅で形成されることを特徴とする、請求項１に記載の太陽電池。
【請求項６】
更に、前記基板と裏面電極層との間にナトリウムがドーピングされた中問層を含むことを特徴とする、請求項１に記載の太陽電池。
【請求項７】
基板上に裏面電極層を形成するステップと、
前記基板の上面を露出するように、前記裏面電極層の一部をエッチングするステップと、
前記裏面電極層の上に、光吸収層、バッファ層、及びウィンドウ層を形成するステップとを含み、
前記裏面電極層の一部をエッチングするステップは、レーザが前記基板の上面に対して傾斜する方向に照射されることを特徴とする、太陽電池の製造方法。
【請求項８】
前記レーザは、複数回照射され、前記基板の垂直線を基準に対称され、前記基板の垂直線に対して、それぞれ３０゜乃至６０゜の傾きを有するように入射することを特徴とする、請求項７に記載の太陽電池の製造方法。
【請求項９】
前記第１の貫通溝は、５００nm乃至１２００nm波長のレーザを入射して形成されることを特徴とする、請求項７に記載の太陽電池の製造方法。
【請求項１０】
前記裏面電極層を形成するステップは、
前記基板に隣接する下部の裏面電極層を形成するステップと、
前記下部の裏面電極層上に形成され、前記下部の裏面電極層に比べて相対的に粒子密度の高い上部の裏面電極層を形成するステップとを含むことを特徴とする、請求項７に記載の太陽電池の製造方法。
【請求項１１】
前記複数のレーザの焦点(focus)は、互いに５％以上６０％以下で重なり合うようにして、第１の貫通溝を形成することを特徴とする、請求項８に記載の太陽電池の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
開示の実施形態は、太陽電池及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
最近、エネルギーの需要が増加するにつれて、太陽光エネルギーを電気エネルギーに変換させる太陽電池に関する開発が進められている。
【０００３】
特に、ガラス支持基板、金属後面電極層、ｐ型ＣＩＧＳ系光吸収部、バッファ層、ｎ型透明電極層などを含む支持基板構造のｐｎヘテロ接合装置であるＣＩＧＳ系太陽電池が広く使われている。
【０００４】
また、このような太陽電池の効率を増加させるため、様々な研究が進行されつつある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
開示の実施形態は、信頼性の向上した太陽電池及びその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の実施形態による太陽電池は、基板と、前記基板上の裏面電極層と、前記裏面電極層上の光吸収層と、前記光吸収層上のバッファ層と、前記バッファ層上のウィンドウ層とを含み、前記裏面電極層は、第１の貫通溝を含み、前記第１の貫通溝の側面は、前記基板の上面と傾斜して形成される。
【０００７】
本発明の実施形態による太陽電池の製造方法は、基板上に裏面電極層を形成するステップと、前記基板の上面を露出するように前記裏面電極層の一部をエッチングするステップと、前記裏面電極層の上に、光吸収層と、バッファ層と、ウィンドウ層とを形成するステップとを含み、前記裏面電極層の一部をエッチングするステップは、レーザが前記基板の上面に対して傾斜する方向に照射される。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によると、第１の貫通溝により複数個に分離される裏面電極層の側面が、基板と傾きを有するように形成される。これにより、第１の貫通溝の形成に際して、レーザによる熱衝撃でバリ(burr)が生じる現象を防止することができるようになる。
【０００９】
また、基板と斜面を有するように形成される第１の貫通溝により、カバレージ(coverage)不良が生じることを防止することができるので、信頼性の向上した太陽電池を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の実施形態による太陽光発電装置を示す平面図である。
【図２】図１におけるА- А′に沿って切断した断面を示す断面図である。
【図３】図２のＢを拡大した断面図である。
【図４】本発明の実施形態による太陽電池の製造方法を示す断面図である。
【図５】本発明の実施形態による太陽電池の製造方法を示す断面図である。
【図６】本発明の実施形態による太陽電池の製造方法を示す断面図である。
【図７】本発明の実施形態による太陽電池の製造方法を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
本発明を説明するに当たって、各支持基板、層、膜、または電極などが、各支持基板、層、膜、電極などの“上（on）”に、または“下（under）”に形成されることと記載される場合において、“上（on）”と“下（under）”は、“直接（directly）”または“他の構成要素を介して（indirectly）”形成されることを全て含む。
【００１２】
また、各構成要素の上または下に対する基準は、図面を基準として説明する。
【００１３】
図面において、各構成要素のサイズは説明のために誇張することがあり、実際に適用されるサイズを意味するものではない。
【００１４】
図１は、本発明の実施形態による太陽光発電装置を示す平面図であり、図２は、図１におけるА- А′線に沿って切断した断面を示す断面図である。
【００１５】
図２を参照すると、本発明の実施形態による太陽電池は、支持基板１００と、前記支持基板１００上の裏面電極層２００と、前記裏面電極層２００上の光吸収層３００と、前記光吸収層３００上のバッファ層４００と、高抵抗バッファ層５００と、前記高抵抗バッファ層５００上のウィンドウ層６００とを含む。
【００１６】
前記支持基板１００は、プレート状を有し、前記裏面電極層２００と、光吸収層３００と、バッファ層４００と、高抵抗バッファ層５００と、ウィンドウ層６００とを支持する。前記支持基板１００は、絶縁体であるか、前記支持基板１００は、ガラス基板、プラスチック基板、または、金属基板であるか、より詳しくは、前記支持基板１００は、ソーダライムガラス(soda lime glass)基板であり得る。
【００１７】
前記支持基板１００がソーダライムガラスの場合、ソーダライムガラスに含有したナトリウム(Ｎａ)が、太陽電池の製造工程中に、ＣＩＧＳで形成された光吸収層３００に拡散することがあるが、これにより、光吸収層３００の電荷濃度が増加することになる。これは、太陽電池の光電変換効率を増加させる要因となり得る。
【００１８】
その他に、支持基板１００の材質として、アルミナのようなセラミック基板、ステンレススチール、柔軟性のある高分子などが使用される。前記支持基板１００は、透明であるか、リジッドであるか、フレキシブルである。
【００１９】
前記裏面電極層２００は、前記支持基板１００の上に配置される。前記裏面電極層２００は、導電層である。前記裏面電極層２００は、太陽電池のうち、前記光吸収層３００で生成された電荷が移動するようにして、太陽電池の外部に電流を流すようにすることができる。
【００２０】
前記裏面電極層２００は、このような機能を果たすため、電気伝導度が高く、比抵抗が小さくなければならない。
【００２１】
また、前記裏面電極層２００は、光吸収層３００を形成するＣＩＧＳ化合物と接触されるので、 光吸収層３００と裏面電極層２００は、接触抵抗値の小さい抵抗性接触(ohmic contact)とならなければならない。
【００２２】
更に、前記裏面電極層２００は、ＣＩＧＳ化合物の形成に際して伴う硫黄(Ｓ)、または、セレニウム(Ｓｅ)の雰囲気下での熱処理時、高温安全性が維持されなければならない。また、前記裏面電極層２００は、熱膨脹係数の差で、前記支持基板１００と剥離現象が生じないように、前記支持基板１００と接着性が優れていなければならない。
【００２３】
このような裏面電極層２００は、モリブデン(Ｍｏ)、金(Ａｕ)、アルミニウム(Ａｌ)、クロム(Ｃｒ)、タングステン(Ｗ)，及び銅(Ｃｕ)のいずれかで形成される。これらのうち、特に、モリブデン(Ｍｏ)は、他の元素に比べて、前記支持基板１００と熱膨脹係数の差が小さいため接着性が優れていて、剥離現象が生じることを防止することができ、上述した裏面電極層２００に要求される特性を全般的に満たすことができる。
【００２４】
前記裏面電極層２００は、２以上の層を含むことができる。この時、それぞれの層は、同一の金属で形成されるか、互いに異なる金属で形成される。
【００２５】
前記裏面電極層２００には、第１の貫通溝(ＴＨ１)が形成される。前記第１の貫通溝(ＴＨ１)は、前記支持基板１００の上面の一部を露出するオープン領域である。前記第１の貫通溝(ＴＨ１)は、平面視において、一方向に延在する形状を有する。
【００２６】
前記第１の貫通溝(ＴＨ１)により露出した支持基板１００の幅は、約２０um乃至１５０umである。
前記第１の貫通溝(ＴＨ１)により、前記裏面電極層２００は、多数の裏面電極に区分される。即ち、前記第１の貫通溝(ＴＨ１)により、裏面電極が定義される。
【００２７】
前記裏面電極は、ストライプ状に配置される。これとは異なり、前記裏面電極は、マトリックス状に配置されることができる。この時、前記第１の貫通溝(ＴＨ１)は、平面視において、格子状に形成されることができる。
【００２８】
前記第１の貫通溝(ＴＨ１)は、レーザによりパターニングされる。第１の貫通溝(ＴＨ１)を形成するため、基板と垂直方向に入射される既存のレーザパターニングの場合、レーザの照射部位での空気膨脹、及び熱衝撃(thermal shock)により、裏面電極層２００にバリ(burr)が生じることがある。
前記バリとは、裏面電極層２００にパターニングを形成することに際して、第１の貫通溝(ＴＨ１)の縁部に発生する、端が薄く巻かれた加工跡を意味する。
【００２９】
大面積の太陽電池の場合、支持基板上に成長される裏面電極層は、密度を異ならせて複数の層に形成され得るが、この場合、支持基板と接する下部の裏面電極層は、前記支持基板との接着性を向上するため、低密度で形成することができ、光吸収層と接する上部の裏面電極層は、電気伝導度を考えて、相対的に高密度で形成することができる。
【００３０】
前記のように、密度が相違する複数の層が成長される場合、第１の貫通溝(ＴＨ１)を形成するためのパターニング工程の際、レーザによる熱衝撃により、相対的に密度の低い下部の裏面電極層の熱膨脹係数が、相対的に大きい値を有することがある。
【００３１】
これにより、下部の裏面電極層が上部の裏面電極層に比べて相対的にさらに膨脹するので、第１の貫通溝(ＴＨ１)が形成された裏面電極層の縁付近が、上部に向けて撓まれた形状に形成されることがある。
【００３２】
また、レーザを垂直に入射して裏面電極層に第１の貫通溝(ＴＨ１)を形成する場合、以後に成長される光吸収層が均一に成長されず、グレーン(grain)が合わせられた形状に形成されて、カバレージ(coverage)不良が発生することがある。
【００３３】
これにより、前記グレーンの界面で電流の損失が発生することになる。また、前記グレーンが基板と離隔して形成されることもあるので、素子の信頼性は、改善の余地がある。
【００３４】
図３は、図２のＢを拡大した断面図である。本発明の実施形態によると、前記第１の貫通溝(ＴＨ１)の側面２１０、２２０は、基板の垂直線と傾斜した角度(θ)を持つように形成され得る。
【００３５】
前記θが８０゜を超える場合、隣接した裏面電極間の距離が増加するようになるので、相対的に光発電領域は減少し、３０゜未満の場合、隣接する裏面電極間の距離が狭くなるようになって、隣接する太陽電池セルの間にショートが発生することがあるので、前記θは、１０゜＜θ≦８０゜の範囲で形成されるか、望ましくは、 ３０゜≦θ≦６０゜の範囲で形成される。
【００３６】
前記第１の貫通溝(ＴＨ１)の側面２１０、２２０は、それぞれ同一の角度で形成されるか、前記範囲内で異なる値を有するように形成される。
【００３７】
前記角度(θ)により、前記裏面電極層２００は、上部と下部のエッチング面積が相違する台形の形状に形成されることができる。即ち、前記第１の貫通溝(ＴＨ１)を形成するために、レーザを複数の方向から前記基板の垂直面と傾斜して入射して、上部に行くほど、エッチング面積が広くなるように形成される。
【００３８】
前記のように、複数のレーザが相互に傾斜して入射されて第１の貫通溝(ＴＨ１)が形成されるので、裏面電極層２００の側面が、支持基板１００と斜面を持つように形成される。
【００３９】
即ち、支持基板１００から上部に行くほど、エッチング面積が増加して、上部に行くほど、第１の貫通溝(ＴＨ１)の幅が増加する。これにより、上部と下部の裏面電極層の熱膨脹係数の差によるバリの発生する確率が減少するので、素子の信頼性が向上される。
【００４０】
前記裏面電極層２００の上には、光吸収層３００が形成される。前記光吸収層３００は、ｐ型半導体化合物を含む。さらに詳しくは、前記光吸収層３００は、Ｉ−ＩＩＩ−ＶＩ族係化合物を含む。例えば、前記光吸収層３００は、銅−インジウム−ガリウム−セレナイド系(Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ２；ＣＩＧＳ系)結晶構造、銅−インジウム−セレナイド系、または銅−ガリウム−セレナイド系、銅−亜鉛−錫−セレナイド系結晶構造を有する。
【００４１】
前記光吸収層３００の上には、バッファ層４００と、高抵抗バッファ層５００とが形成される。ＣＩＧＳ化合物を光吸収層３００として有する太陽電池は、ｐ型半導体であるＣＩＧＳ化合物薄膜と、ｎ型半導体であるウィンドウ層６００薄膜との間に、ｐｎ接合を形成する。
【００４２】
しかし、２つの物質は、格子定数とバンドギャップエネルギーの差が大きいので、良好な接合を形成するためには、バンドギャップが２つの物質の中間に位置するバッファ層が必要である。
【００４３】
前記バッファ層４００を形成する物質としては、ＣｄＳ、 ＺｎＳなどのＩＩ−ＶＩ族があり、太陽電池の発電効率の面で、ＣｄＳが相対的に優れている。
【００４４】
前記高抵抗バッファ層５００は、不純物がドーピングされないジンクオキサイド(ｉ−ＺｎＯ)を含む。前記高抵抗バッファ層５００のエネルギーバンドギャップは、約３．１ｅＶ乃至３．３ｅＶである。
【００４５】
前記高抵抗バッファ層５００の上に、ウィンドウ層６００が形成される。前記ウィンドウ層６００は透明であり、導電層である。また、前記ウィンドウ層６００の抵抗は、前記裏面電極層２００の抵抗よりも高い。
【００４６】
前記ウィンドウ層６００は酸化物を含む。例えば、前記ウィンドウ層６００は、ジンクオキサイド(zinc oxide)、インジウムチンオキサイド(indium tin oxide;ＩＴＯ)、または、インジウムジンクオキサイド(indium zinc oxide;ＩＺＯ)などを含む。
【００４７】
また、前記酸化物は、アルミニウム(Ａｌ)、アルミナ(Ａｌ２Ｏ３)、マグネシウム(Ｍｇ)、または、ガリウム(Ｇａ)などの導電性不純物を含む。さらに詳しくは、前記ウィンドウ層６００は、アルミニウムがドーピングされたジンクオキサイド(Al doped zinc oxide;ＡＺＯ)、または、ガリウムがドーピングされたジンクオキサイド(Ga doped zinc oxide;ＧＺＯ)などを含む。
【００４８】
以上で検討したように、第１の貫通溝(ＴＨ１)が、支持基板１００の垂直線と傾斜した面を有するように形成されるので、第１の貫通溝(ＴＨ１)の形成に際して、レーザによる熱衝撃によりバリ(burr)が生じる現象を防止することができるようになる。
【００４９】
また、基板と斜面を有するように形成される第１の貫通溝(ＴＨ１)により、カバレージ不良が生じることを防止できるので、信頼性の向上した太陽電池を提供することができる。
【００５０】
図４乃至図７は、本発明の実施形態による太陽光発電装置の製造方法を示す断面図である。本発明の製造方法に関する説明は、前述した太陽光発電装置に関する説明を参考する。
【００５１】
図４を参考すると、支持基板１００の上に裏面電極層２００が形成され、前記裏面電極層２００はパターニングされて、第１の貫通溝(ＴＨ１)が形成される。これにより、前記支持基板１００の上に多数の裏面電極が形成される。前記裏面電極層２００は、レーザによりパターニングされる。
【００５２】
前記第１の貫通溝(ＴＨ１)は、前記支持基板１００の上面を露出し、約８０um乃至２００umの幅を有する。
【００５３】
また、前記支持基板１００と前記裏面電極層２００との間に、拡散防止膜のような追加的な層が介在されることができ、この時、前記第１の貫通溝(ＴＨ１)は、前記追加的な層の上面を露出するようになる。
【００５４】
前記第１の貫通溝(ＴＨ１)は、側面が傾きを有するように形成され得る。このため、複数のレーザが、支持基板１００の垂直線に対して傾斜した角度(θ)を有するように形成される。
【００５５】
前記角度(θ)により、前記裏面電極層２００は、上部と下部のエッチング面積が相違する台形の形状に形成される。即ち、前記第１の貫通溝(ＴＨ１)を形成するために、レーザを複数の方向から前記基板の垂直面と傾斜して入射して、上部に行くほど、エッチング面積が広くなるように形成することができる。
【００５６】
前記複数のレーザの焦点(focus)は、互いに５％以上６０％以下で重なり合うようにして、第１の貫通溝を形成するのが望ましい。
【００５７】
前記第１の貫通溝(ＴＨ１)は、例えば、約５００乃至１２００nmの波長を有するレーザによって形成される。
【００５８】
図５を参考すると、前記裏面電極層２００の上に、光吸収層３００、バッファ層４００、及び高抵抗バッファ層５００が形成される。
【００５９】
前記光吸収層３００は、スパッタリング工程、または、蒸発法などにより形成されることができる。例えば、前記光吸収層３００を形成するために、銅、インジウム、ガリウム、セレニウムを同時または区分して蒸発させながら、銅−インジウム−ガリウム−セレナイド系（Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ２；ＣＩＧＳ系）の光吸収層３００を形成する方法と、金属プリカーサ膜を形成させた後、セレン化（selenization）工程により形成させる方法が幅広く使われている。
【００６０】
金属プリカーサ膜を形成させた後、セレン化することを細分化すれば、銅ターゲット、インジウムターゲット、ガリウムターゲットを使用するスパッタリング工程により、上記裏面電極層２００の上に金属プリカーサ膜が形成される。
【００６１】
以後、前記金属プリカーサ膜は、セレン化(selenization)工程により、銅−インジウム−ガリウム−セレナイド系（Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ２；ＣＩＧＳ系）の光吸収層３００が形成される。
【００６２】
これとは異なり、前記銅ターゲット、インジウムターゲット、ガリウムターゲットを使用するスパッタリング工程、及び前記セレン化工程は、同時に進行され得る。
【００６３】
また、銅ターゲット及びインジウムターゲットだけを使用するか、銅ターゲット及びガリウムターゲットを使用するスパッタリング工程、及びセレン化工程により、ＣＩＳ系、又は、ＣＩＧ系光吸収層３００が形成される。
【００６４】
以後、硫化カドミウムが、スパッタリング工程、または、溶液成長法(chemical bath deposition;  ＣＢＤ)などにより蒸着され、前記バッファ層４００が形成される。
【００６５】
以後、前記光吸収層３００、バッファ層４００、及び高抵抗バッファ層５００の一部が除去されて、第２の貫通溝(ＴＨ２)が形成される。
【００６６】
前記第２の貫通溝(ＴＨ２)は、チップなどの機械的な装置、または、レーザ装置などによって形成されることができる。
【００６７】
例えば、約４０um乃至１８０umの幅を有するチップにより、前記光吸収層３００及び前記バッファ層４００がパターニングされる。また、前記第２の貫通溝(ＴＨ２)は、約２００乃至６００nmの波長を有するレーザにより形成される。
【００６８】
この時、前記第２の貫通溝(ＴＨ２)の幅は、約３０um乃至１００umであり得る。
【００６９】
また、前記第２の貫通溝(ＴＨ２)は、前記裏面電極層２００の上面の一部を露出するように形成される。
【００７０】
図６を参考すると、前記光吸収層３００の上、及び前記第２の貫通溝(ＴＨ２)の内側に、ウィンドウ層６００が形成される。即ち、前記ウィンドウ層は、前記バッファ層４００の上、及び前記第２の貫通溝(ＴＨ２)の内側に、透明な導電物質が蒸着されて、形成される。
【００７１】
このとき、前記第２の貫通溝(ＴＨ２)の内側に前記透明な導電物質が満たされ、前記ウィンドウ層６００は、前記裏面電極層２００に直接接触するようになる。
【００７２】
ここで、前記ウィンドウ層６００は、無酸素雰囲気で、前記透明な導電物質が蒸着されて形成され得る。更に詳しくは、前記ウィンドウ層６００は、酸素を含まない不活性気体雰囲気で、アルミニウムがドーピングされたジンクオキサイドが蒸着されて形成され得る。
【００７３】
次に、前記バッファ層４００、高抵抗バッファ層５００、及び前記ウィンドウ層６００の一部が除去されて、第３の貫通溝(ＴＨ３)が形成される。これにより、前記ウィンドウ層６００がパターニングされて、多数のウィンドウ、及び多数のセル(Ｃ１、Ｃ２...)が定義される。前記第３の貫通溝(ＴＨ３)の幅は、約３０um乃至２００umである。
【００７４】
前記接続部７００は、前記第２の貫通溝(ＴＨ２)の内側に配置される。前記接続部７００は、前記ウィンドウ層６００から下方に延在し、前記裏面電極層２００に接続される。例えば、前記接続部７００は、前記第１のセルのウィンドウから延在して、前記第２のセルの裏面電極に接続される。
【００７５】
したがって、前記接続部７００は、互いに隣接するセルを連結する。さらに詳しくは、前記接続部７００は、互いに隣接するセル(Ｃ１、Ｃ２...)にそれぞれ含まれたウィンドウと裏面電極とを連結する。
【００７６】
前記接続部７００は、前記ウィンドウ層６００と一体に形成される。すなわち、前記接続部７００で用いられる物質は、前記ウィンドウ層６００で用いられる物質と同一である。
【００７７】
図７を参照すると、前記バッファ層４００、前記高抵抗バッファ層５００、及び前記ウィンドウ層６００の一部が除去されて、第３の貫通溝(ＴＨ３)が形成される。これにより、前記ウィンドウ層６００はパターニングされて、多数のウィンドウ、及び多数のセル(Ｃ１、Ｃ２...)が定義される。
【００７８】
このように、本発明の実施形態によると、第１の貫通溝の形成の際、レーザによる熱衝撃によりバリ(burr)が発生する現象を防止することができ、信頼性の向上した太陽電池を提供することができる。
【００７９】
また、以上で実施形態に説明された特徴、構造、効果などは、本発明の少なくとも１つの実施形態に含まれ、必ず１つの実施形態のみに限定されるものではない。延いては、各実施形態で例示された特徴、構造、効果などは、実施形態が属する分野の通常の知識を有する者により他の実施形態に対しても組合または変形されて実施可能である。したがって、このような組合と変形に関連した内容は本発明の範囲に含まれることと解釈されるべきである。
【００８０】
以上、本発明を好ましい実施形態をもとに説明したが、これは単なる例示であり、本発明を限定するものではなく、本発明が属する分野の通常の知識を有する者であれば、本発明の本質的な特性を逸脱しない範囲内で、以上に例示されない多様な変形及び応用が可能であることが分かるであろう。
【００８１】
例えば、実施形態に具体的に表れた各構成要素は変形して実施することができる。そして、このような変形及び応用にかかわる差異点は、添付の特許請求の範囲で規定する本発明の範囲に含まれるものと解釈されるべきである。
【図１】
2014503130.tif 000003
【図２】
2014503130.tif 000004
【図３】
2014503130.tif 000005
【図４】
2014503130.tif 000006
【図５】
2014503130.tif 000007
【図６】
2014503130.tif 000008
【図７】
2014503130.tif 000009
【国際調査報告】
2014503130.tif 000010
2014503130.tif 000011