(57)【要約】【課題】インライン熱処理装置が開示される。【解決手段】本発明のインライン熱処理装置は、複数の加熱炉に複数のヒータがそれぞれ設けられ、複数のヒータは、それぞれ独立に制御される。これにより、各加熱炉の温度および互いに隣接する加熱炉間の温度差は、基板の移送方向に沿って緩やかな勾配を有しながら線形的に変化するため、基板が熱衝撃または熱応力により損傷する恐れがない。また、本発明にかかるインライン熱処理装置は、基板が持ち上げられて移送されるため、基板と基板を移送させるための部品との間に摩擦がない。これにより、摩擦によるパーティクル（Particle）の発生が防止されるため、パーティクルによる基板の損傷がない。したがって、本発明によれば、基板の熱処理工程の生産性および信頼性が向上する効果がある。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
連続的に配置され、基板が熱処理される空間をそれぞれ提供する複数の加熱炉（Furnace）と、
前記各加熱炉の内部に設けられ、前記基板を移送させる移送手段と、
前記各加熱炉の内部に互いに独立して複数個設けられ、かつ互いに独立して制御されて前記基板を加熱するヒータとを含むことを特徴とするインライン熱処理装置。
【請求項２】
前記各加熱炉の温度および互いに隣接する前記加熱炉間の温度差が、前記基板の移送方向に沿って線形的に変化するように構成したことを特徴とする請求項１に記載のインライン熱処理装置。
【請求項３】
前記ヒータが、チューブ状に形成されていることを特徴とする請求項２に記載のインライン熱処理装置。
【請求項４】
連続的に配置され、基板が熱処理される空間をそれぞれ提供する複数の加熱炉（Furnace）と、
前記各加熱炉の内部に互いに独立して複数個設けられ、かつ互いに独立して制御されて前記基板を加熱するヒータと、
前記各加熱炉の内部に設けられ、前記加熱炉内に装入された前記基板を搭載支持し、かつ搭載支持された前記基板を持ち上げた状態で隣接する前記加熱炉に移送する移送手段とを含むことを特徴とするインライン熱処理装置。
【請求項５】
前記移送手段が、
前記基板の移送方向に対して垂直な方向に上昇移動または下降移動可能に、かつ前記基板の移送方向に対して平行な方向に前進移動または後退移動可能に設けられた移送板と、
一端部が前記移送板に結合され、他端部で前記基板を支持し、かつ前記移送板と共に移動する複数の支持部材とを含むことを特徴とする請求項４に記載のインライン熱処理装置。
【請求項６】
前記移送板が、互いに間隔を有して配置され、上昇、前進、下降、後退の順で一体的に移動する複数の第１の移送板と、互いに隣接する前記第１の移送板間に配置され、上昇、前進、下降、後退の順で一体的に移動する複数の第２の移送板とを有し、
前記第１の移送板と前記第２の移送板とが互いに独立して移動し、かつ
前記支持部材が、前記各第１の移送板にそれぞれ設けられた複数の第１の支持部材と、前記各第２の移送板にそれぞれ設けられた複数の第２の支持部材とを含むことを特徴とする請求項５に記載のインライン熱処理装置。
【請求項７】
前記第１の支持部材が、一端部が前記第１の移送板に結合された一対の第１の垂直バーと、前記第１の垂直バーの他端部に一体に形成され、前記基板を支持する第１の水平バーとを有し、
前記第２の支持部材が、一端部が前記第２の移送板に結合された一対の第２の垂直バーと、前記第２の垂直バーの他端部に一体に形成され、前記基板を支持する第２の水平バーとを有することを特徴とする請求項６に記載のインライン熱処理装置。
【請求項８】
前記基板と接触する前記第１および第２の水平バーの部位が、丸みを帯びた形状に形成されていることを特徴とする請求項７に記載のインライン熱処理装置。
【請求項９】
前記ヒータが、チューブ状に形成され、かつ互いに間隔を有して前記基板の移送方向と交差する形態で配置され、
前記第１および第２の支持部材が、互いに隣接する前記ヒータ間に位置し、互いに隣接する前記ヒータ間の間隔内で前進移動または後退移動するように構成したことを特徴とする請求項８に記載のインライン熱処理装置。
【請求項１０】
互いに隣接する一方の前記加熱炉から他方の前記加熱炉へ前記基板を移送するとき、
前記一方の加熱炉に設けられた前記第１の移送板と、前記他方の加熱炉に設けられた前記第１の移送板とが互いに同一の移動サイクルで移動し、かつ
前記一方の加熱炉に設けられた前記第２の移送板と、前記他方の加熱炉に設けられた前記第２の移送板とが互いに同一の移動サイクルで移動するように構成したことを特徴とする請求項９に記載のインライン熱処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、熱処理工程の生産性および信頼性を向上させることができるインライン熱処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
平板表示装置の製造時に用いられるアニーリング装置は、基板に蒸着された膜の特性を向上させるために、蒸着された膜を結晶化または相変化させる熱処理装置である。
【０００３】
平板表示装置に用いられる半導体層の薄膜トランジスタは、ガラスまたは石英などの基板に、蒸着装置を用いて非晶質（Amorphous）シリコンを蒸着させ、非晶質シリコン層を脱水素処理した後、チャネルを形成するための砒素（Arsenic）、リン（Phosphorus）またはホウ素（Boron）などのようなドーパントを注入する。そして、低い電子移動度を有する非晶質シリコン層を高い電子移動度を有する結晶質構造の多結晶シリコン層に結晶化するための結晶化工程を実施する。非晶質シリコン層を多結晶シリコン層に結晶化するためには、非晶質シリコン層に熱エネルギーを加えなければならない。
【０００４】
非晶質シリコン層に熱を加える一般的な方法は、加熱炉（Furnace）の内部に基板を装入し、加熱炉の内部に設けられたヒータなどのような加熱手段で非晶質シリコン層に熱を加える。
【０００５】
一般的な熱処理装置は、１つの加熱炉を用いて基板を加熱および冷却する熱処理工程を行う。しかし、１つの加熱炉を用いた熱処理装置は、基板を熱処理するのに多くの時間がかかり、生産性が低下するという欠点があった。
【０００６】
前記のような欠点を解消するために、複数の加熱炉を連続的に配置し、基板を前記各加熱炉に順次に移送させて基板を熱処理するインライン熱処理装置が開発されて用いられている。
【０００７】
従来のインライン熱処理装置の各加熱炉には、基板を加熱するための加熱手段として板状のヒータが用いられる。前記板状のヒータは、領域別に温度の制御が難しく、図１に示すように、互いに隣接する加熱炉１１と１３、１３と１５、１５と１７、１７と１９との間の温度差がピーク形態をなしつつ急激に変化する。すると、熱衝撃（Thermal Shock）または熱応力（Thermal Stress）により基板が損傷する恐れがあるため、熱処理工程の生産性および信頼性が低下するという欠点があった。
【０００８】
また、従来のインライン熱処理装置は、回転可能に設けられたローラを用いて基板を移送する。詳細には、各加熱炉には、複数のローラが回転可能にそれぞれ設けられ、基板は、前記ローラに直接搭載されるか、または基板ホルダを介して前記ローラに搭載され、前記ローラが回転すると前記基板が移送される。すると、互いに接触する前記ローラと前記基板との間に作用する摩擦力または前記ローラと前記基板ホルダとの間に作用する摩擦力により、前記ローラと前記基板または前記ローラと前記基板ホルダが擦れてパーティクル（Particle）が発生する。これにより、前記パーティクルが前記基板に付着して前記基板を損傷させることがあるため、これもまた、熱処理工程の生産性および信頼性が低下するという欠点があった。
【０００９】
さらに、従来のインライン熱処理装置において、各加熱炉に設けられた複数の前記ローラはそれぞれ摩耗率が異なるため、長期間使用すると、前記各ローラは直径にばらつきが発生する。すると、前記各ローラが前記基板を移送させる移送速度にばらつきが発生し、前記基板が移送経路を外れて移送されてしまう。これにより、熱処理工程時にエラーが発生するなど、熱処理工程の生産性および信頼性が低下するという欠点があった。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明は、上記の従来技術の問題を解消するためになされたものであって、本発明の目的は、連続的に配置された複数の加熱炉の温度を線形的に変化させることにより、熱処理工程の生産性および信頼性を向上させることができるインライン熱処理装置を提供することである。
【００１１】
本発明の他の目的は、パーティクル（Particle）が発生しないように基板または基板ホルダを持ち上げて移送させることにより、熱処理工程の生産性および信頼性を向上させることができるインライン熱処理装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記の目的を達成するための本発明にかかるインライン熱処理装置は、連続的に配置され、基板が熱処理される空間をそれぞれ提供する複数の加熱炉（Furnace）と、各々の前記加熱炉の内部に設けられ、前記基板を移送させる移送手段と、各々の前記加熱炉の内部にそれぞれ独立に複数個設けられ、それぞれ独立に制御されながら前記基板を加熱するヒータとを含む。
【００１３】
また、本発明にかかるインライン熱処理装置は、連続的に配置され、基板が熱処理される空間をそれぞれ提供する複数の加熱炉（Furnace）と、各々の前記加熱炉の内部にそれぞれ独立に複数個設けられ、それぞれ独立に制御されながら前記基板を加熱するヒータと、各々の前記加熱炉の内部に設けられ、投入された前記基板が搭載支持され、搭載された前記基板を持ち上げて隣接する他の前記加熱炉に移送する移送手段とを含む。
【発明の効果】
【００１４】
本発明にかかるインライン熱処理装置は、複数の加熱炉に複数のヒータがそれぞれ設けられ、複数のヒータは独立に制御される。これにより、各加熱炉の温度および互いに隣接する加熱炉間の温度差は、基板の移送方向に沿って緩やかな勾配を有しながら線形的に変化するため、基板が熱衝撃または熱応力により損傷する恐れがない。したがって、熱処理工程の生産性および信頼性が向上する効果がある。
【００１５】
また、本発明にかかるインライン熱処理装置は、基板が移送手段によって持ち上げられて移送される。これにより、基板と基板を移送させるための部品との間に摩擦がないため、摩擦によりパーティクル（Particle）が発生することが防止される。したがって、パーティクルによる基板の損傷がないことから、熱処理工程の生産性および信頼性が向上する効果がある。
【００１６】
さらに、本発明にかかるインライン熱処理装置は、基板を移送させるための部品が摩擦により摩耗されないため、基板を正確に移送させることができる。したがって、基板の熱処理時にエラーなどが発生しないため、熱処理工程の生産性および信頼性が向上する効果がある。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】従来のインライン熱処理装置の温度変化を示す図である。
【図２】本発明の一実施形態にかかるインライン熱処理装置の概略的構成を示す正面図である。
【図３】図２に示す昇温部の加熱炉の拡大図である。
【図４】図３の側面図である。
【図５】本発明の一実施形態にかかるインライン熱処理装置の温度変化を示す図である。
【図６】図３および図４に示す移送手段の斜視図である。
【図７】図６に示す移送手段の動作を示す斜視図である。
【図８】図６に示す移送手段の動作を示す斜視図である。
【図９】図６に示す移送手段の動作を示す斜視図である。
【図１０】図６に示す移送手段の動作を示す斜視図である。
【図１１】図６に示す移送手段の動作を示す斜視図である。
【図１２】図６に示す移送手段の動作を示す斜視図である。
【図１３】図６に示す移送手段の動作を示す斜視図である。
【図１４】図６に示す移送手段の動作を示す斜視図である。
【図１５】図６に示す移送手段の動作を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
後述する本発明に関する詳細な説明は、本発明が実施できる特定の実施形態を例示する添付図面を参照する。これらの実施形態は、当業者が本発明を実施できるように十分に詳細に説明される。本発明の多様な実施形態は、互いに異なるが、相互排他的である必要はないことが理解されなければならない。例えば、ここに記載されている特定の形状、特定の構造および特定の特性は一実施形態に関連し、本発明の精神および範囲を逸脱しない範囲内で他の実施形態で実現可能である。また、各々の開示された実施形態における個別構成要素の位置または配置は、本発明の精神および範囲を逸脱しない範囲内で変更可能であることが理解されなければならない。したがって、後述する詳細な説明は限定的な意味ではなく、本発明の範囲は、適切に説明された場合、その請求項が主張するのと均等のすべての範囲と共に添付した請求項によってのみ限定される。図面に示す実施形態の長さ、面積、厚さおよび形態は、便宜上、誇張されて表現されることもある。
【００１９】
以下、添付した図面を参照して、本発明の一実施形態にかかるインライン熱処理装置を詳細に説明する。
【００２０】
図２は、本発明の一実施形態にかかるインライン熱処理装置の概略的構成を示す正面図である。
【００２１】
図示のように、本実施形態にかかるインライン熱処理装置は、ローディング部１００と、昇温部２００と、処理部３００と、冷却部４００と、アンローディング部５００とを含み、ローディング部１００、昇温部２００、処理部３００、冷却部４００、およびアンローディング部５００は順に連続的に配置される。
【００２２】
ローディング部１００は、加熱炉（Furnace）１１０を含み、加熱炉１１０の内部には、基板５０を支持し、隣接する昇温部２００の加熱炉２１０に移送する移送手段が設けられる。
【００２３】
基板５０は、前記移送手段に搭載支持される。つまり、基板５０は、ロボットアーム（図示せず）に支持され、ローディング部１００にローディングされ、前記移送手段に搭載支持される。基板５０と前記移送手段との間には、基板ホルダ（図示せず）が介在していてもよい。前記基板ホルダを用いる場合には、前記基板ホルダを前記移送手段に搭載した状態で基板５０を前記基板ホルダに搭載するか、または基板５０を前記基板ホルダに搭載した状態で前記基板ホルダを前記移送手段に搭載することができる。
【００２４】
前記移送手段については、後述する。
【００２５】
基板５０は、ローディング部１００において、例えば、約１５０℃前後に均一に予熱された後、昇温部２００に移送できる。このために、加熱炉１１０には、ヒータ（図示せず）が設置できる。
【００２６】
昇温部２００について、図２ないし図４を参照して説明する。図３は、図２に示す昇温部の加熱炉の拡大図であり、図４は、図３の側面図である。
【００２７】
図示のように、昇温部２００は、基板５０を所定の温度に加熱し、処理部３００に移送する。昇温部２００は、互いに独立して温度が制御される少なくとも２つの加熱炉２１０、２５０、２７０を含む。昇温部２００の加熱炉２１０、２５０、２７０の個数は、基板５０の熱処理温度を考慮して適宜用意する。
【００２８】
例えば、基板５０の熱処理温度が約６００℃であれば、昇温部２００の加熱炉２１０、２５０、２７０は３つ用意される。そうして、第１の加熱炉２１０の温度は、ローディング部１００の予熱温度を考慮して１５０℃前後に維持され、第２の加熱炉２５０および第３の加熱炉２７０の温度は、それぞれ４５０℃前後および６００℃前後に維持されることが好ましい。
【００２９】
基板５０は、低温では急速に加熱温度を上昇させても変形防止が可能であるが、高温では急速に加熱温度を上昇させると変形が生じ得る。したがって、昇温部２００の加熱炉２１０、２５０、２７０は、低温では急速に加熱温度が上昇するように設定し、高温では徐々に加熱温度が上昇するように設定することが好ましい。
【００３０】
昇温部２００の第１の加熱炉２１０の内部には、基板５０を移送させる移送手段と、基板５０を加熱するチューブ状の複数のヒータ２１３とが設けられる。複数のヒータ２１３は、互いに独立して設けられる。
【００３１】
昇温部２００の第１の加熱炉２１０の構成と、第２のおよび第３の加熱炉２５０、２７０の構成とは同一または類似している。そして、前述したように、昇温部２００の第１の加熱炉２１０に設けられたヒータ２１３および前記移送手段は、ローディング部１００にも設置可能である。
【００３２】
処理部３００は、加熱炉３１０を含み、昇温部２００から移送された基板５０を所定の温度で熱処理する。処理部３００の加熱炉３１０の構成も、昇温部２００の加熱炉２１０の構成と同一または類似に構成される。
【００３３】
冷却部４００は、処理部３００から移送された基板５０を所定の温度に冷却させた後、アンローディング部５００に移送する。冷却部４００は、互いに独立して温度が制御される少なくとも２つの加熱炉４１０、４３０を含み、冷却部４００の加熱炉４１０、４３０の個数は、基板５０の熱処理温度を考慮して適宜数に用意される。冷却部４００の加熱炉４１０、４３０の構成も、昇温部２００の加熱炉２１０の構成と同一または類似に構成される。このとき、冷却部４００には、基板５０を均一に冷却させるための多様な冷却手段が用意できる。
【００３４】
アンローディング部５００は、加熱炉５１０を含み、ローディング部１００と同一または類似に構成される。アンローディング部５００に移送された基板５０は、変形しないように、例えば、１００℃以下まで均一に冷却された後、次の工程に移送される。このとき、アンローディング部５００には、基板５０の均一な冷却のために、基板５０の上面を加熱可能なヒータ（図示せず）が用意できる。アンローディング部５００に移送された基板５０は、前記ロボットアームなどにより外部に排出される。
【００３５】
本実施形態にかかる各加熱炉１１０、２１０、２５０、２７０、３１０、４１０、４３０、５１０の温度は、基板５０を損傷させない程度の差を有する。しかし、互いに隣接する加熱炉１１０と２１０、２１０と２５０、２５０と２７０、２７０と３１０、３１０と４１０、４１０と４３０、４３０と５１０との間には温度差が存在する。そのため、互いに隣接する加熱炉１１０と２１０、２１０と２５０、２５０と２７０、２７０と３１０、３１０と４１０、４１０と４３０、４３０と５１０との間の温度差が急激であれば、基板５０が損傷する恐れがある。
【００３６】
本実施形態にかかるインライン熱処理装置は、互いに隣接する加熱炉１１０と２１０、２１０と２５０、２５０と２７０、２７０と３１０、３１０と４１０、４１０と４３０、４３０と５１０との間の温度差が緩やかな勾配を有しながら線形的に変化するように構成される。
【００３７】
これを、昇温部２００の加熱炉２１０を例として説明する。
【００３８】
加熱炉２１０内に互いに独立して設けられた複数のヒータ２１３は、互いに独立して制御される。このとき、加熱炉２１０の温度が基板５０の移送方向に沿って次第に上昇するように線形的に変化するようにヒータ２１３が制御される。
【００３９】
そして、ローディング部１００のヒータおよび加熱炉２５０、２７０のヒータも、加熱炉２１０のヒータ２１３と同様の形態で制御される。すると、ローディング部１００から昇温部２００までは、基板５０の移送方向に沿って温度が次第に上昇する形態で線形的に変化する。
【００４０】
そして、処理部３００では、基板５０の熱処理温度が一定になるように処理部３００の前記ヒータを互いに独立して制御する。
【００４１】
冷却部４００のヒータおよびアンローディング部５００のヒータは、基板５０の移送方向に沿って冷却部４００およびアンローディング部５００の温度が次第に下降する形態で線形的に変化するように制御される。
【００４２】
すると、互いに隣接する加熱炉１１０と２１０、２１０と２５０、２５０と２７０、２７０と３１０、３１０と４１０、４１０と４３０、４３０と５１０との間の温度差は、図５に示すように、緩やかな勾配を有しながら線形的に変化するため、基板５０が熱衝撃または熱応力により損傷することが防止される。したがって、熱処理工程の生産性および信頼性が向上する。
【００４３】
本実施形態にかかるインライン熱処理装置の前記移送手段は、基板５０を持ち上げた状態で隣接する他の加熱炉に移送させる。すると、前記移送手段と前記基板５０との間または前記移送手段と前記基板ホルダとの間には何らかの摩擦力も発生しないため、前記移送手段と基板５０との摩耗または前記移送手段と前記基板ホルダとの摩耗によるパーティクル（Particle）が発生しない。
【００４４】
前記移送手段について、図３、図４および図６を参照して説明する。図６は、図３および図４に示す移送手段の斜視図である。
【００４５】
以下、前記移送手段を説明するにあたり、基板５０が前記移送手段に直接搭載されて移送されることを例として説明する。
【００４６】
図示のように、前記移送手段は、移送板２２０と、支持部材２３０とを有する。
【００４７】
移送板２２０は、矩形状に形成され、基板５０の移送方向と平行に配置され、基板５０の移送方向に対して垂直な方向に上昇移動または下降移動可能に、かつ基板５０の移送方向に対して平行な方向に前進移動または後退移動可能に設けられる。支持部材２３０は、複数個設けられ、下端部が移送板２２０に所定の間隔で結合され、上端部で基板５０を支持する。支持部材２３０は、移送板２２０と共に移動する。
【００４８】
より具体的には、移送板２２０は、互いに間隔を有して基板５０の移送方向と平行に配置された複数の第１の移送板２２１と、互いに隣接する第１の移送板２２１間に、基板５０の移送方向と平行に配置された複数の第２の移送板２２５とを有する。
【００４９】
第１の移送板２２１は、上昇→前進→下降→後退の順で移動しながら基板５０を移送させ、第２の移送板２２５も、上昇→前進→下降→後退の順で移動しながら基板５０を移送させる。このとき、第１の移送板２２１と第２の移送板２２５とは互いに独立して移動する。そして、複数の第１の移送板２２１は互いに一体的に移動し、複数の第２の移送板２２５は互いに一体的に移動する。このために、複数の第１の移送板２２１は、連結部材２２２により互いに一体に連結され、複数の第２の移送板２２５は、連結部材２２６により互いに一体に連結される。
【００５０】
支持部材２３０は、第１の移送板２２１にそれぞれ設けられた複数の第１の支持部材２３１と、第２の移送板２２５にそれぞれ設けられた複数の第２の支持部材２３５とを含む。そして、第１および第２の支持部材２３１、２３５は、下端部が第１および第２の移送板２２１、２２５にそれぞれ結合された一対の第１および第２の垂直バー２３１ａ、２３５ａと、第１および第２の垂直バー２３１ａ、２３５ａの上端部にそれぞれ一体に形成され、基板５０を搭載支持する第１および第２の水平バー２３１ｂ、２３５ｂとをそれぞれ有する。
【００５１】
第１および第２の水平バー２３１ｂ、２３５ｂに基板５０が接触するため、基板５０と接触する第１および第２の水平バー２３１ｂ、２３５ｂの面は、丸みを帯びた形状に形成されることが好ましい。すると、第１および第２の水平バー２３１ｂ、２３５ｂにより基板５０にスクラッチが生じることが防止される。
【００５２】
ヒータ２１３は、チューブ状に形成され、互いに間隔を有して基板５０の移送方向と交差する形態で配置される。ヒータ２１３は、互いに独立して制御される。
【００５３】
そして、第１および第２の支持部材２３１、２３５は、互いに隣接するヒータ２１３間に位置し、互いに隣接するヒータ２１３間の間隔内で前進移動または後退移動する。
【００５４】
図３および図４に示す未説明の符号２４１、２４３、２４５および２４７は、シリンダである。シリンダ２４１、２４３は、第１および第２の移送板２２１、２２５をそれぞれ上昇移動または下降移動させ、シリンダ２４５、２４７は、第１および第２の移送板２２１、２２５をそれぞれ前進移動または後退移動させる。このとき、シリンダ２４１、２４３の下面は、加熱炉２１０の下面に接触支持され、第１および第２の移送板２２１、２２５と共にそれぞれ前進移動または後退移動しながら第１および第２の移送板２２１、２２５をそれぞれ上昇移動または下降移動させ、シリンダ２４５、２４７の下面は、加熱炉２１０の側面に接触支持され、第１および第２の移送板２２１、２２５と共にそれぞれ上昇移動または下降移動しながら第１および第２の移送板２２１、２２５をそれぞれ前進移動または後退移動させる。
【００５５】
第１および第２の移送板２２１、２２５の移動は、モータと、モータの動力を伝達するベルト、チェーンまたはクランクなどを用いて多様な形態で実現することができる。
【００５６】
本実施形態にかかる前記移送手段である移送板２２０と支持部材２３０の動作について、図６、および図７ないし図１５を参照して説明する。図７ないし図１５は、図６に示す移送手段の動作を示す斜視図である。
【００５７】
図６に示すように、第１および第２の移送板２２１、２２５が同一位置に位置し、第１および第２の支持部材２３１、２３５に基板５０が搭載支持された状態を最初の状態であると仮定する。
【００５８】
図６に示す状態において、基板５０を移送しようとすると、まず、シリンダ２４１（図３および図４参照）を動作させて第１の移送板２２１を上昇させる。すると、図７に示すように、第１の移送板２２１と共に第１の支持部材２３１が上昇するため、第１の支持部材２３１に支持された基板５０も上昇する。
【００５９】
そして、シリンダ２４５（図３参照）を動作させて第１の移送板２２１を前進させると、図８に示すように、基板５０も前進して右側方向に移送される。このとき、第１の移送板２２１は、互いに隣接するヒータ２１３（図３参照）間の間隔よりも短い距離を前進することはいうまでもない。
【００６０】
図８に示す状態において、シリンダ２４１を動作させて第１の移送板２２１を下死点まで下降させると、図９に示すように、基板５０は、第１の支持部材２３１に支持された状態で第２の支持部材２３５に同時に搭載支持される。基板５０が第２の支持部材２３５に搭載されると、シリンダ２４３（図３参照）を動作させて、図１０に示すように、第２の移送板２２５を上昇させる。
【００６１】
このとき、第２の移送板２２５が少し上昇して、図１０に示すように、基板５０が第２の支持部材２３５によってのみ支持された状態になると、シリンダ２４５を動作させて第１の移送板２２１を後退させる。そして、第２の移送板２２５を上死点まで上昇させる。すると、図１１に示す状態となる。
【００６２】
図１０に示すように、基板５０が第１および第２の支持部材２３１、２３５に同時に支持された状態のときに第２の移送板２２５を先に上昇させる理由は、基板５０と第１の支持部材２３１と、基板５０と第２の支持部材２３５とが互いに摩擦することを防止するためである。つまり、基板５０が第１および第２の支持部材２３１、２３５に同時に支持された状態で第１の移送板２２１が後退すると、基板５０と第１の支持部材２３１との間と、基板５０と第２の支持部材２３５との間とには摩擦力が発生する。これを防止するために、第２の移送板２２５を先に上昇させた後、第１の移送板２２１を後退させる。
【００６３】
図１１に示す状態において、シリンダ２４７（図３参照）を動作させて第２の移送板２２５を前進させると、図１２に示すように、基板５０も前進して右側方向に移送される。このとき、第２の移送板２２５は、互いに隣接するヒータ２１３間の間隔よりも短い距離を前進することはいうまでもない。
【００６４】
図１２に示す状態において、シリンダ２４３を動作させて第２の移送板２２５を下死点まで下降させると、図１３に示すように、基板５０は、第２の支持部材２３５に支持された状態で第１の支持部材２３１に同時に搭載支持される。基板５０が第１の支持部材２３１に搭載されると、シリンダ２４１を動作させて、図１４に示すように、第１の移送板２２１を上昇させる。
【００６５】
第１の移送板２２１が少し上昇して、図１４に示すように、基板５０が第１の支持部材２３１によってのみ支持された状態になると、シリンダ２４７を動作させて第２の移送板２２５を後退させる。そして、第１の移送板２２１は上死点まで上昇させる。すると、図１５に示す状態となる。図１５の状態は、図７のような状態である。
【００６６】
図１４に示すように、基板５０が第１および第２の支持部材２３１、２３５に同時に支持された状態のときに第１の移送板２２１を先に上昇させる理由は、前述したように、基板５０と第１の支持部材２３１と、基板５０と第２の支持部材２３５とが互いに摩擦することを防止するためである。
【００６７】
図１５に示す状態において、シリンダ２４１を動作させて第１の移送板２２１を前進させると、図８に示すように、基板５０も前進して右側方向に移送される。
【００６８】
前記のように、第１の移送板２２１と第２の移送板２２５とが交互する形態で連続的に移動することにより、基板５０が移送される。
【００６９】
下面が加熱炉２１０の下面に支持され、第１および第２の移送板２２１、２２５をそれぞれ上昇移動または下降移動させるシリンダ２４１、２４３も、第１および第２の移送板２２１、２２５と共に前進移動または後退移動することはいうまでもない。また、下面が加熱炉２１０の側面に支持され、第１および第２の移送板２２１、２２５を前進移動または後退移動させるシリンダ２４５、２４７も、第１および第２の移送板２２１、２２５と共に上昇移動または下降移動することはいうまでもない。
【００７０】
互いに隣接する加熱炉１１０と２１０、２１０と２５０、２５０と２７０、２７０と３１０、３１０と４１０、４１０と４３０、４３０と５１０との間で基板５０が移送される時、互いに隣接する加熱炉１１０と２１０、２１０と２５０、２５０と２７０、２７０と３１０、３１０と４１０、４１０と４３０、４３０と５１０にそれぞれ設けられた前記第１の移送板は互いに同一の移動サイクルで移動する。同様に、前記第２の移送板も、互いに同一の移動サイクルで移動する。
【００７１】
本実施形態にかかるインライン熱処理装置は、基板５０と、基板５０を移送させる部品との間に摩擦がないため、パーティクルの発生が防止されるだけでなく、基板５０を移送させる部品の摩耗が防止される。したがって、熱処理工程の生産性および信頼性が向上する。
【００７２】
以上のように記述された本発明の実施形態に関する図面は、詳細な輪郭ラインを省略し、本発明の技術思想に属する部分を分かりやすく概略的に示したものである。また、上記の実施形態は、本発明の技術思想を限定する基準になり得ず、本発明の請求の範囲に含まれた技術事項を理解するための参照的な事項に過ぎない。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【国際調査報告】
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