(57)【要約】  シリコン貫通ビアの製造方法はシリコンプレートに複数の貫通孔をエッチングすることを含む。酸化物ライナが、シリコンプレートの表面、ならびに貫通孔の側壁および底部壁に堆積される。次に、金属導体が貫通孔内に堆積される。別のバージョンでは、酸化物ライナとともに同時に使用することができる窒化ケイ素パッシベーション層が基板のシリコンプレートの露出した裏面に堆積される。【選択図】図１Ｇ
2014507065.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）シリコンプレートに複数の貫通孔をエッチングするステップと、前記貫通孔は側壁および底部壁を含み、
（ｂ）前記シリコンプレートの表面ならびに前記貫通孔の前記側壁および前記底部壁に、
（ｉ）プロセス電極およびガス分配器を含むプロセスゾーンに前記シリコンプレートを準備するステップと、
（ｉｉ）前記シリコンプレートを約２５０℃未満の温度に維持するステップと、
（ｉｉｉ）テトラエチルオルトシランを含むケイ素含有ガス、および酸素ガスを含む酸素前駆体を含む堆積ガスを前記プロセスゾーンに導入するステップと、
（ｉｖ）前記プロセス電極に第１の周波数で電流を印加することによってプラズマを形成するために前記堆積ガスにエネルギーを与えるステップと
によって酸化物ライナを堆積させるステップと、
（ｃ）金属導体を前記貫通孔内に堆積させるステップと
を含むシリコン貫通ビア製造方法。
【請求項２】
ステップ（ａ）における前記貫通孔が少なくとも約１０：１のアスペクト比を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記シリコンプレートが約１００℃から約２５０℃の温度に維持される、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
（ｂ）が、
（１）前記テトラエチルオルトシランを約４００ｍｇ／分と約１２０００ｍｇ／分との間の質量流量で導入すること、または
（２）前記堆積ガスを約２０００ｓｃｃｍと約１７０００ｓｃｃｍとの間の質量流量で導入すること
の少なくとも一方を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
（ｂ）が、
（１）前記堆積ガスを約２Ｔｏｒｒと約８Ｔｏｒｒとの間の圧力に維持すること、ならびに
（２）前記プロセス電極に、約１００ワットから約１２００ワットの電力レベルでの前記第１の周波数、および４００ワットまでの電力レベルでの二次周波数で電流を印加することによってプラズマを形成すること
の少なくとも一方を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
ステップ（ｂ）の後で、およびステップ（ｃ）の前に、シーリング層が前記酸化物ライナの上に堆積され、前記シーリング層が二酸化ケイ素または窒化ケイ素を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
ステップ（ｃ）の後に、前記シリコンプレートの前記貫通孔内に堆積された前記金属導体の上部部分を露出させるために、前記基板をひっくり返し、前記シリコンプレートの裏面を化学機械研磨することをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
ステップ（ｃ）の後に、前記貫通孔内の前記金属導体の前記露出した部分に形成された自然酸化膜を、
（ｉ）１対の還元プロセス電極を含む還元プロセスゾーンに前記シリコンプレートを準備することと、
（ｉｉ）前記シリコンプレートを約１００℃から約２２０℃の還元温度に維持することと、
（ｉｉｉ）前記還元プロセスゾーン内にアンモニアまたは水素を含む還元ガスを導入することと、還元ガスの体積流量は約１００ｓｃｃｍと約３０００ｓｃｃｍとの間にあり、
（ｉｖ）約１３．６ＭＨｚの一次周波数および約１５０から約１２００ワットの電力レベルで前記還元プロセス電極に電力を印加することと
によって除去すること
をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記自然酸化膜の除去の後に、
（ｉ）１対の浸漬プロセス電極を含む浸漬プロセスゾーン中に前記基板を準備することと、
（ｉｉ）前記基板を約１００℃から約２２０℃の浸漬温度に維持することと、
（ｉｉｉ）約１００ｓｃｃｍと約１０００ｓｃｃｍとの間の体積流量のシランを含む浸漬ガスを前記プロセスゾーン内に導入することと、
（ｉｖ）約１３．６ＭＨｚの一次周波数および約１５０と約１２００ワットとの間の電力レベルで前記浸漬プロセス電極に電力を印加することと
を含むシラン浸漬ステップ
をさらに含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
（ａ）シリコンプレートに複数の貫通孔をエッチングすることと、前記貫通孔は側壁および底部壁を含み、
（ｂ）前記シリコンプレートの表面ならびに前記貫通孔の前記側壁および前記底部壁に、
（ｉ）プロセス電極およびガス分配器を含むプロセスゾーンに前記シリコンプレートを準備することと、
（ｉｉ）テトラエチルオルトシランを含むケイ素含有ガス、および酸素ガスを含む酸素前駆体を含む堆積ガスを前記プロセスゾーン内に導入することと、
（ｉｉｉ）前記プロセス電極に第１の周波数で電流を印加することによってプラズマを形成するために前記堆積ガスにエネルギーを与えることと
によって酸化物ライナを堆積させることと、
（ｃ）金属導体を前記貫通孔内に堆積させることと、
（ｄ）プラズマを形成するために還元ガスにエネルギーを与えることによって前記貫通孔内の前記金属導体の前記露出した部分に形成された自然酸化膜を除去することと、前記還元ガスは、約１００ｓｃｃｍと約３０００ｓｃｃｍとの間の体積流量のアンモニアまたは水素、および約１００００ｓｃｃｍと約２００００ｓｃｃｍとの間の体積流量の窒素を含み、
を含むシリコン貫通ビア製造方法。
【請求項１１】
（ａ）シリコンプレートに複数の貫通孔をエッチングすることと、前記貫通孔は側壁および底部壁を含み、
（ｂ）前記シリコンプレートの表面ならびに前記貫通孔の前記側壁および前記底部壁に、
（ｉ）プロセス電極およびガス分配器を含むプロセスゾーン内に前記シリコンプレートを準備することと、
（ｉｉ）テトラエチルオルトシランを含むケイ素含有ガス、および酸素ガスを含む酸素前駆体を含む堆積ガスを前記プロセスゾーン内に導入することと、
（ｉｉｉ）前記プロセス電極に第１の周波数で電流を印加することによってプラズマを形成するために前記堆積ガスにエネルギーを与えることと
によって酸化物ライナを堆積させることと、
（ｃ）金属導体を前記貫通孔内に堆積させることと、
（ｄ）（ｃ）の後に、
（ｉ）前記基板を約１００℃から約２２０℃の温度に維持することと、
（ｉｉ）プラズマを形成するために浸漬ガスにエネルギーを与えることと、前記浸漬ガスは約１００ｓｃｃｍと約１０００ｓｃｃｍとの間の体積流量のシランを含み、
を含むシラン浸漬ステップを行うことと
を含むシリコン貫通ビア製造方法。
【請求項１２】
前記浸漬ガスが約１０００から約２５０００ｓｃｃｍの流量の窒素を含む、請求項９または１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記シラン浸漬の後に、前記貫通孔内に堆積された前記金属導体の上に保護被覆を堆積させることをさらに含む、請求項９または１１に記載の方法。
【請求項１４】
（１）約０．５ミクロンから約６ミクロンの厚さで設けられる、酸化ケイ素または窒化ケイ素の単一層、
（２）窒化ケイ素層および酸化ケイ素層、または
（３）（ｉ）約２００Åから約１５００Åの厚さの窒化ケイ素層を含む下部層、（ｉｉ）約０．５ミクロンから約３ミクロンの厚さの酸化ケイ素からなる中央層、および（ｉｉｉ）約０．５ミクロンから約３ミクロンの厚さの窒化ケイ素を含む上部層
のうちの少なくとも１つを含む保護被覆を堆積させることをさらに含む、請求項９または１１に記載の方法。
【請求項１５】
（ａ）前面、その中の１つまたは複数のフィーチャ、および裏面を有するシリコンプレートを形成することと、
（ｂ）前記シリコンプレートを支持するためのキャリアを準備することと、
（ｃ）前記シリコンプレートの前記裏面を露出するために、前記シリコンプレートの前記前面を前記キャリアに、それらの間の接着層を使用して接合することによって基板を形成することと、
（ｄ）前記基板の前記シリコンプレートの前記露出した裏面に窒化ケイ素パッシベーション層を堆積させることと、
（ｅ）前記シリコンプレート内に複数の貫通孔をエッチングすることと、前記貫通孔は側壁および底部壁を含み、
（ｆ）複数のシリコン貫通ビアを形成するために金属導体を前記貫通孔内に堆積させることと
を含むシリコン貫通ビア製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、電子回路で使用されるシリコン貫通ビアの製造に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、集積回路、表示回路、メモリ回路、電力回路、および光起電回路などの電子回路は、ますます小さくなる能動および受動フィーチャを用いて開発されている。電子回路の３次元（３Ｄ）構造は、各々が上にフィーチャを有する複数の基板を、多層積み重ね構造に、垂直に積み重ねることによって形成される。異なる基板のフィーチャは、基板の周囲エッジの外側に設置された従来のワイヤボンドにより互いに接続される。しかし、これに伴う３Ｄ回路構造は、積み重ねられた基板の外側にワイヤボンドが延びるので大きい面積に及び、回路サイズを増大させ、回路の面密度を低下させる。
【０００３】
垂直に配置された層内の回路のフィーチャを電気的に接続するためにシリコン貫通ビア（ＴＳＶ）を使用して、より高い面密度を有し、側方ワイヤがない３Ｄ回路構造が形成されている。ＴＳＶ製造では、ビアは、製造済み回路を既に有している場合があるシリコンウエハまたはシリコン層付きガラスパネルなどのシリコン含有基板にエッチングされる。エッチングされたビアは、導電体、例えば、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、タングステン（Ｗ）、および半田などの金属を含む金属導体、またはドープされた半導体、例えば、ポリシリコンで充填される。ビアに金属導体を堆積させる前に、酸化ケイ素層および窒化ケイ素層などの誘電体層をさらに使用して、ビアの壁をライニングし、拡散バリア、ハーメチックシール、および他の絶縁、拡散バリア、もしくは浸透低減層として働かせることができる。次に、多数の基板は積み重ねられ、垂直電気接続がＴＳＶによって形成され、結果として生じる３次元回路の上または下のフィーチャおよび一部が接続される。これらの３Ｄ構造は、３Ｄパッケージ、システムインパッケージ、チップスタック、またはＭＣＭとして一般に知られている。ＴＳＶは、ワイヤボンディング法と比較して、より小さい範囲の「設置面積」で機能を増大させることができ、さらに、垂直に積み重ねられている上の回路間の電気経路を実質的に短くすることによって動作速度をより速くすることができる。
【０００４】
いくつかのＴＳＶ製造プロセスにおいて、ＴＳＶを製造する間脆弱なシリコンウエハを保護するために、シリコンウエハなどのシリコンプレートを含む基板はガラスパネルなどの支持体パネルに接合される。しかし、シリコンウエハは、２５０℃より上の温度で変質する接着剤を使用して支持体パネルにしばしば接合される。ＴＳＶフィーチャ内に材料を堆積させる従来のプロセス、特に、誘電体堆積法は、接着接合材料の変質温度よりも高温で行われる。その結果、接着剤が処理中に熱的に劣化し、このため、製造されるＴＳＶ回路の破損、損傷、または故障がもたらされる。ＴＳＶの製造中の温度劣化の問題は従来の処理法によって解決されていない。
【０００５】
したがって、これらおよび他の欠陥を含む様々な理由のために、およびＴＳＶフィーチャに誘電体および他の材料を堆積させる様々な方法の開発にもかかわらず、ＴＳＶフィーチャの製造のさらなる改善が絶え間なく求められている。
【発明の概要】
【０００６】
シリコン貫通ビアの製造方法は複数の貫通孔をシリコンプレート内にエッチングすることを含み、貫通孔は側壁および底部壁を含む。酸化物ライナが、プロセス電極およびガス分配器を含むプロセスゾーン内にシリコンプレートを準備することと、テトラエチルオルトシランを含むケイ素含有ガス、および酸素ガスを含む酸素前駆体を含む堆積ガスをプロセスゾーン内に導入することと、第１の周波数でプロセス電極に約２００ワットから約１５００ワットの電力レベルで電流を印加することによってプラズマを形成するために堆積ガスにエネルギーを与えることとによって貫通孔の側壁および底部壁に堆積される。次に、金属導体が貫通孔に堆積される。
【０００７】
本発明のこれらの特徴、態様、および利点は、本発明の例を示す以下の説明、添付の特許請求の範囲、および添付図面に関連して一層よく理解されるようになるであろう。しかし、特徴の各々は本発明において一般に使用され得るものであり、特定の図面との関連でのみ使用されるものではなく、本発明はこれらの特徴の任意の組合せを含むことが理解されるべきである。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１Ａ】能動および受動フィーチャを上に含む電子回路を有するシリコンプレートを含む基板の概略断面図である。
【図１Ｂ】図１Ａの基板をひっくり返してキャリアに接合したものを示す概略断面図である。
【図１Ｃ】基板の露出した表面への窒化ケイ素パッシベーション層の堆積を示す堆積チャンバの概略図である。
【図１Ｄ】基板上のパターン化レジストフィーチャを含む耐エッチング層を示す概略図である。
【図１Ｅ】パターン化レジストフィーチャ間に存在するシリコンプレートの露出領域における貫通孔のエッチングを示すエッチングチャンバの概略図である。
【図１Ｆ】キャリアによって支持されたシリコンプレートを通してエッチングされた完成した貫通孔を示す概略図である。
【図１Ｇ】堆積チャンバ内でのシリコンプレートと基板の貫通孔の露出した表面上とへの酸化物ライナの堆積を示す概略図である。
【図１Ｈ】シリコンプレート上の酸化物ライナの上へのシーリング層の堆積を示す概略図である。
【図１Ｉ】基板の露出した表面上への窒化ケイ素パッシベーション層の堆積を示す概略図である。
【図１Ｊ】電気メッキ浴におけるシリコンプレートの貫通孔への電気メッキ金属を含む金属導体の堆積を示す概略図である。
【図１Ｋ】シリコンプレートの貫通孔に堆積された金属導体を示す概略図である。
【図１Ｌ】シリコンプレートの表面に堆積された過剰な金属導体の化学機械研磨を示す概略図である。
【図１Ｍ】シリコンプレートの貫通孔の金属導体の露出したコンタクト部分を示す概略図である。
【図１Ｎ】基板の金属含有部分上の自然酸化物層の削減および除去を示す概略図である。
【図１Ｏ】洗浄された金属導体と基板表面とに堆積された保護被覆を示す概略図である。
【図１Ｐ】洗浄された金属導体と基板表面とに堆積された３重層被覆を含む保護被覆を示す概略図である。
【図１Ｑ】洗浄された金属導体に接触するコネクタバンプと周囲のポリイミド被覆とを示す概略図である。
【図２】基板のシリコンプレートにＴＳＶフィーチャを形成するためのプロセスの例示のバージョンの流れ図である。
【図３】プロセス電極に印加された一次周波数電流の電力レベルの増加に対する堆積された窒化ケイ素パッシベーション層の応力レベルまたは屈折率の変化を示すグラフである。
【図４Ａ】０．５ミクロン（厚い）または０．０５ミクロン（薄い）の厚さに堆積された窒化ケイ素パッシベーション層の測定した応力レベルのデルタ応力変化を示すグラフである。
【図４Ｂ】０．５ミクロン（厚い）または０．０５ミクロン（薄い）の厚さに堆積された窒化ケイ素パッシベーション層の６３３ｎｍで測定されたデルタ屈折率を示すグラフである。
【図４Ｃ】基板の表面に堆積された様々なタイプの窒化ケイ素層のエッチングのドライエッチング速度を示すグラフである。
【図４Ｄ】基板において上部基板表面とＴＳＶビアの底部とに様々なプロセスで堆積された層の厚さを示すグラフである。
【図５】高いアスペクト比を有する貫通孔を含み、シリコンプレートにエッチングされ、貫通孔の側壁および底部壁に堆積された酸化物ライナを有するＴＳＶフィーチャの断面のＳＥＭ顕微鏡写真である。
【図６Ａ】厚い酸化物ライナ堆積物に関する貫通孔の側壁および底部壁に堆積された酸化物ライナ材料のフーリエ変換赤外（ＦＴＩＲ）分光トレースを示すグラフである。
【図６Ｂ】薄い酸化物ライナ堆積物に関する貫通孔の側壁および底部壁に堆積された酸化物ライナ材料のフーリエ変換赤外（ＦＴＩＲ）分光トレースを示すグラフである。
【図７】基板の処置および／または基板上への様々な二酸化ケイ素、窒化ケイ素、または他の層の堆積に好適なプラズマチャンバである基板処理チャンバの一実施形態の概略部分断面図である。
【図８Ａ】図７に示した基板支持体の１つの実施形態の等角側面図である。
【図８Ｂ】図７に示した基板支持体の１つの実施形態の等角下面図である。
【図９Ａ】図７に示した基板支持体の１つの実施形態の底部概略図である。
【図９Ｂ】図９Ａのライン９Ｂ−９Ｂに沿って取った基板支持体の１つの実施形態の断面側面図である。
【図９Ｃ】図９Ｂの基板支持体の１つの実施形態の断面図の拡大部分の図である。
【図９Ｄ】図９Ａのライン９Ｄ−９Ｄに沿って取った断面側面図である。
【図９Ｅ】図９Ｄの基板支持体の１つの実施形態の断面図の拡大部分の図である。
【図１０Ａ】抵抗ヒータの一実施形態の概略上面図である。
【図１０Ｂ】抵抗ヒータの一実施形態の概略側面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
シリコン貫通ビア（ＴＳＶ）は、一般に、例えば、図１Ａから１Ｑに示すように、連続して行われるいくつかの異なるプロセスを使用して、シリコンプレート２０を含む基板１８に製造される。シリコンプレート２０はシリコン貫通ビア用のレセプタクルであり、例えば、多結晶シリコン、単結晶シリコンからなるシリコンウエハ、または他の形態の結晶またはアモルファスシリコンとすることができる。例示のシリコン貫通ビアの製造プロセスが本明細書で説明され、実例が図２に示される。しかし、当業者には明らかである他のプロセスを使用することもでき、プロセスのすべてのそのような組合せは本発明の範囲内にある。さらに、本明細書で説明する例示のプロセスステップは、本特許請求の範囲の範囲から逸脱することなく、異なる順序で行うか、他のプロセスステップで置き換えるか、または完全に除去することができる。したがって、特許請求の範囲は、本明細書で説明する例示または例証のプロセスおよび装置に限定されるべきでない。
【００１０】
１つの例示的な実施形態では、基板１８は、図１Ａに示すように、フィーチャ２２の１つまたは複数を中にもつ前面２１と、裏面２３とを有するシリコンプレート２０を含む。フィーチャ２２は、図２に示す通りシリコンプレート２０上に既に製造されている場合があり、または後で製造する場合がある。フィーチャ２２は、例えば、集積回路、メモリチップ、表示器、光電池、または他の回路などの電子回路と、トランジスタなどの能動フィーチャと、抵抗器およびキャパシタなどの受動フィーチャとを含むことができる。図示の例では、フィーチャ２２は前面２１に形成され、シリコンプレート２０中に下方に延びる。相互接続ライン、コンタクトホール、および／または他の電気導電性フィーチャを含む薄い導体層（図示せず）が、さらに、フィーチャ２２への接続のために、または他の接続用途のためにシリコンプレート２０の前面２１に形成され得る。
【００１１】
シリコンプレート２０は、図１Ｂに示すように、シリコンプレート２０の裏面２３を露出させるためにひっくり返され、キャリア２４に取り付けられる。キャリア２４は、シリコン貫通ビアの製造の間シリコンプレート２０を支持する。好適なキャリア２４は、例えば、ガラス、ポリマー、セラミック、または半導体プレートとすることができ、または他の材料から製作することができる。１つの実施形態では、キャリア２４はシリコンウエハまたはガラスプレートのいずれかである。
【００１２】
図２に示す通り、シリコンプレート２０の前面２１は、キャリア２４に、それらの間の接着層２８を用いて接合して、シリコンプレート２０の裏面２３を露出させることができ、裏面２３はここで、結果として得られる基板１８の露出した処理表面２３になる。好適な接着層２８は、例えば、ＵＶ硬化性または熱硬化性である熱可塑性樹脂などの熱可塑性接着剤を含む。好適な接着層２８は、Ｂｒｅｗｅｒ  Ｓｃｉｅｎｃｅ、Ｒｏｌｌａ（ミズーリ州）、または３Ｍ  Ｃｏｒｐ．、Ｓｔ．  Ｐａｕｌ（ミネソタ州）で製品化されている。いくつかの熱可塑性樹脂は、３５０℃未満、またはさらに２５０℃未満、またはさらに約２００℃の温度で流動および硬化する。
【００１３】
窒化ケイ素パッシベーション層
１つのオプションのプロセスステップでは、窒化ケイ素パッシベーション層２６が、図１Ｃに示すように基板１８の露出した表面２３に堆積される。窒化ケイ素パッシベーション層２６は、シリコンプレート２０がキャリア２４に接合された後に基板１８が反りまたは他の歪みなどの形状歪みを示す場合、応力補償層として使用される。窒化ケイ素パッシベーション層２６は、基板１８が後のプロセスステップで形状歪みを受けることが分かっている場合、予防的な応力補償層として使用することもできる。窒化ケイ素パッシベーション層２６は、普通なら基板１８の形状を反らせるか、または歪ませることになる基板１８に誘起される応力に逆らうことによって基板１８の形状を調整する。例えば、反った状態では、基板１８は周囲エッジに沿って弓反りし、かつ部分的に内側に湾曲して、凸状または凹状形状の表面を画定することがあり、基板１８の中央部分は基板１８の周囲エッジよりも高いかまたは低い。反りは、プロセスのいずれかの接合もしくは加熱段階、またはシリコンプレート２０の一部を除去する研削もしくは研磨ステップの間に生じることがあり、それらの段階はすべて不均一な応力をシリコンプレート２０と下のキャリア２４との間に生じさせることがある。窒化ケイ素パッシベーション層２６はそのような形状歪みを低減させ、防湿バリアとして働くこともでき、さらに、下のフィーチャ２２を環境からハーメチックシールすることができる。
【００１４】
窒化ケイ素パッシベーション層２６は、ガス分配器３６とプロセス電極３８ａ、ｂとを含む堆積チャンバ３４の堆積ゾーン３０内で、図２に示す通り基板１８の露出した表面２３に堆積される。１つの実施形態では、基板１８は堆積ゾーン３０に移送され、ガス分配器３６の表面から指定の間隔、例えば、約７．５ｍｍ（３００ミル）から約２０ｍｍ（約７５０ミル）に維持される。シラン（ＳｉＨ４）などのケイ素含有ガスとアンモニア（ＮＨ３）などの窒素含有ガスとを含む堆積ガス４０がチャンバ３４に導入される。プラズマを安定させるか、または基板１８の端から端までより均一な堆積厚さを発生させることができる希釈ガスを、プロセスガスに加えることもできる。好適な希釈ガスには、窒素（Ｎ２）、ヘリウム（Ｈｅ）、またはアルゴン（Ａｒ）が含まれる。１つの実施形態では、堆積ガス４０には、約５０から約１０００ｓｃｃｍ（例えば、約６５０ｓｃｃｍ）の流量のシランと、約１００ｓｃｃｍから約１０００ｓｃｃｍの流量のアンモニアと、約５００から約２５０００ｓｃｃｍ（例えば、約２２０００ｓｃｃｍ）の流量の窒素とを含む希釈ガスとが含まれる。堆積ゾーン３０の堆積ガスは、約２Ｔｏｒｒから約５．５Ｔｏｒｒ（例えば、約３．５Ｔｏｒｒ）の圧力に維持される。堆積プロセスの間、基板１８は、約１００℃から２２０℃（例えば、約１８０℃）の温度に維持される。有利には、低圧堆積プロセスは、下のキャリア２４にシリコンプレート２０を連結させるのに使用される接着層２８の可塑化またはリフローを低減させる。プラズマは、１３．６ＭＨｚの一次周波数の電流をプロセス電極３８ａ、ｂに約５００ワットから約１６００ワット（例えば、約１１００ワット）の電力レベルで印加することによって保持することができる。その上、プラズマは、約３５０ｋＨｚの二次周波数および約１０ワットから約２００ワットの電力レベルの低周波電力をさらに印加することによって増強することができる。結果として生じたプロセスプラズマは、応力補償層および防湿バリア層の両方として働くことができる窒化ケイ素パッシベーション層２６を基板１８の表面２３に堆積させる。パッシベーション層２６は、約２ｇ／ｃｍ３から約３ｇ／ｃｍ３、例えば、約２．２ｇ／ｃｍ３の密度を有する。パッシベーション層２６は、約０．１ミクロンから約１０ミクロンの厚さに堆積させることができる。
【００１５】
上述のような窒化ケイ素堆積プロセスはいくつかの利点および利益を有する。最初に、堆積された窒化ケイ素パッシベーション層２６の固有応力レベルは調整可能であることが見いだされた。具体的には、堆積ゾーン３０のプロセス電極３８ａ、ｂに印加される一次周波数（ＨＦ）電流のパワーレベルを選択して、堆積されるパッシベーション層２６の応力のレベルを調整することができる。例えば、図３は、プロセス電極３８ａ、ｂに印加されるＨＦ電流の電力レベルの増加に対する堆積された窒化ケイ素パッシベーション層２６の応力レベルの変化を示す。プロセス電極３８ａ、ｂに印加されるＨＦ電流の電力レベルが約１０５０ワットから約１２８０ワットに増加されるにつれて堆積された窒化ケイ素パッシベーション層２６の固有応力レベルが約０の値から約−４５０ＭＰａまで徐々に減少することが分かる。負の応力レベルは、ＫＬＡ  Ｔｅｎｃｏｒ、Ｍｉｌｐｉｔａｓ（カリフォルニア州）によって製造されたＫＬＡ  Ｔｅｎｃｏｒ  ＳｐｅｃｔｒａＦｘ  １００器具で測定された実測の圧縮応力を示す。
【００１６】
窒化ケイ素パッシベーション層２６の調整可能な応力レベルのおかげで、基板１８に観察される形状歪みの程度またはタイプに応じて、さらに、窒化ケイ素パッシベーション層２６の堆積に先立って、堆積チャンバ３４のプロセス電極３８ａ、ｂに印加されるＨＦ電流の電力レベルを制御することによって、パッシベーション層２６に要望される固有応力は所望の所定のレベルに設定されるようになる。例えば、シリコンプレート２０の表面２３が凹状表面である場合、引張応力を有する窒化ケイ素パッシベーション層２６が凹状形状を平坦または平面表面に補正および矯正するのに望ましい。別の例として、シリコンプレート２０の表面２３が凸状表面である場合、圧縮応力を有する窒化ケイ素パッシベーション層２６が凸状表面を平面表面に補正および矯正するのに望ましい。したがって、プロセス電極３８ａ、ｂに印加される一次周波数電流の電力レベルを選択して、少なくとも約１０５０ワット、またはさらに約１０５０ワットから約１３００ワットの電力レベルの値を選択することによって基板１８の表面２３を実質的に平面表面に調整する。堆積チャンバ３４のプロセス電極３８ａ、ｂに印加されるＨＦ電流の電力レベルは、以下で説明するようにチャンバ３４を制御するコントローラで制御することができる。
【００１７】
図３の第２のＹ軸で示されるような基板１８のパーセント不均一性はプロセス電極３８ａ、ｂに印加される一次周波数電流の電力レベルに線形相関を同様に示すことがさらに観察された。例えば、プロセス電極３８ａ、ｂに印加されるＨＦ電流の電力レベルが約１０５０ワットから約１２８０ワットに増加されたとき、堆積された窒化ケイ素パッシベーション層２６のパーセント不均一性は、約１．２％の値から約２．７％の値まで増加した。これらの結果から電極３８ａ、ｂに印加されるＨＦ電力レベルは、一般に、より良好な均一性を与えるにはより低くなければならないことが明確になった。選択された電力レベルの範囲により、窒化ケイ素パッシベーション層２６の固有応力を望ましい高レベルに維持しながら、堆積されたパッシベーション層２６の不均一性を十分に低レベルに維持することができるようになる。
【００１８】
低温堆積の窒化ケイ素パッシベーション層２６で測定された性質は、さらに、層２６が約２２０℃未満の比較的低い堆積温度で堆積されたことを特に考慮すると予想外で驚くべきものであった。図４Ａは、２つの窒化ケイ素パッシベーション層２６、すなわち、０．５ミクロンの厚さを有する「厚い」、および０．０５ミクロンの厚さを有する「薄い」窒化ケイ素パッシベーション層２６のある期間にわたる実測の応力レベルの変化を示す。厚い窒化ケイ素パッシベーション層２６は６日後に１０ＭＰａ未満の応力レベルの変化を示し、薄い窒化ケイ素パッシベーション層２６は６日後に５ＭＰａ未満の応力レベルの変化を示したことが分かる。
【００１９】
同様に、窒化ケイ素パッシベーション層２６の屈折率（ＲＩ）の変化は、やはり、約６日の期間にわたって従来のプロセスよりも実質的に低かった。図４Ｂは、０．５ミクロン（厚い）または０．０５ミクロン（薄い）の厚さに堆積された窒化ケイ素パッシベーション層２６について従来の偏光解析法を用いて６３３ｎｍで測定したデルタ屈折率を示す。再度、厚い窒化ケイ素パッシベーション層２６は６日後に０．００１未満のＲＩの変化を示し、薄い窒化ケイ素パッシベーション層２６は６日後に０．０００５未満のＲＩの変化を示したことが分かる。
【００２０】
窒化ケイ素パッシベーション層の堆積プロセスの別の実施形態では、プロセス条件は、層２６の厚さを通して応力勾配を有する窒化ケイ素パッシベーション層２６を堆積させるように設定される。例えば、窒化ケイ素パッシベーション層２６の厚さを通して変化する引張りまたは圧縮応力レベルを含む応力勾配は、印加電力レベルを第１のレベルから第２のレベルに、次にオプションとして第３のレベル、さらにオプションとして他のレベルに変化させるような電極３８ａ、ｂに印加される電流の電力レベルなどのプロセス条件を制御することによって形成することができる。応力勾配のプロファイルはこの時点でまたは後のプロセスによってシリコンプレート２０に誘起される応力を補償するように合わせられる。したがって、応力勾配はパッシベーション窒化ケイ素層２６のない基板１８内の応力のプロファイルと反対の応力値をもつプロファイルを有するように合わせられる。これにより、基板１８のシリコンプレート２０の表面の反り（ｗａｒｐｉｎｇ）および弓反り（ｂｏｗｉｎｇ）が減少または除去される。
【００２１】
応力勾配は、プラズマ密度、イオン衝撃エネルギー、ガス圧力、またはプロセスガスの成分の流量を変化させることによって窒化ケイ素パッシベーション層２６に形成される。例えば、応力勾配は、以下の体積流量、すなわち、１．４：１：４０で供給されるＳｉＨ４、ＮＨ３、およびＮ２から構成されるプロセスガスによって形成することができる。堆積プロセスの間、基板１８は前に説明したような堆積チャンバ３４内に置かれ、約１００℃から約２００℃（例えば、約１８０℃）の温度に維持される。最初、第１の段階では、チャンバ圧力は、約４Ｔｏｒｒから約６Ｔｏｒｒ（例えば、約４．２Ｔｏｒｒ）に維持される。その後、第２の段階では、チャンバ圧力は、約２Ｔｏｒｒから約４Ｔｏｒｒ（例えば、約２．２Ｔｏｒｒ）の圧力に維持される。プラズマは、約１０００ワットから約１３００ワットの電力レベルで電流をチャンバ電極に印加することによって維持される。応力勾配を有する窒化ケイ素パッシベーション層２６は、少なくとも約１０ミクロン、例えば、約０．１から約６ミクロンの厚さに堆積させることができる。
【００２２】
別のバージョンでは、耐フッ素性窒化ケイ素パッシベーション層２６が、シリコン貫通ビアをエッチングするのに先立って堆積される。フッ素含有ガス、例えば、ＳＦ６、ＣＦ４、他のそのようなガスは、フッ素イオンがケイ素と反応して揮発性フッ化ケイ素化合物を形成するので、シリコンをエッチングするためにしばしば使用される。しかし、シリコンエッチングプロセス中に、フッ素イオンは窒化ケイ素パッシベーション層２６と反応して浸食除去することがある。これは、シリコン貫通ビアのエッチングプロセスの間に窒化ケイ素パッシベーション層２６のより厳しいアンダーカットをもたらす。本実施形態では、耐フッ素性窒化ケイ素パッシベーション層２６が、シリコン貫通ビアをエッチングするのに先立って堆積される。耐フッ素性窒化ケイ素パッシベーション層２６は、堆積中に窒化ケイ素層を酸素でドープして酸素を窒化ケイ素層にドープし、酸窒化ケイ素層を形成することによって堆積される。酸窒化ケイ素層は、窒化ケイ素パッシベーション層２６をさらに耐フッ素性にし、したがって、シリコンエッチングプロセス中のこの層のアンダーカットを防止する。結果として得られた耐フッ素性窒化ケイ素パッシベーション層２６は、やはり、前述の層と同じ低温で堆積され、層をシリコン貫通ビアのバックパッシベーション適用に好適なものにする窒化ケイ素パッシベーション層２６の所望の性質、すなわち、気密性、低い応力、および熱的安定性をすべて有している。耐フッ素性窒化ケイ素パッシベーション層２６の好適な酸素含有量は、少なくとも約１０％、またはさらに約１０％から約３０％である。
【００２３】
１つのバージョンでは、耐フッ素性窒化ケイ素パッシベーション層２６は、ＰＥＣＶＤ堆積チャンバ３４で２００℃よりも低い堆積温度で堆積される酸素ドープ窒化ケイ素層を含む。例えば、基板１８は、堆積ゾーン３０に移送し、ガス分配器３６の表面から指定の間隔、例えば、約７．５ｍｍ（３００ミル）から約２０ｍｍ（約７５０ミル）に維持することができる。シラン（ＳｉＨ４）などのケイ素含有ガスとアンモニア（ＮＨ３）などの窒素含有ガスと一酸化二窒素（Ｎ２Ｏ）または二酸化炭素（ＣＯ２）などの酸素含有ガスとを含む堆積ガス４０がチャンバ３４に導入される。プラズマを安定させるか、または基板１８の端から端までより均一な堆積厚さを発生させることができる希釈ガスを、プロセスガスに加えることもできる。好適な希釈ガスは、窒素（Ｎ２）、ヘリウム（Ｈｅ）、またはアルゴン（Ａｒ）を含むことができる。１つの実施形態では、堆積ガス４０は、約５０から約１０００ｓｃｃｍ（例えば、約７２０ｓｃｃｍ）の流量のシランと、約１００ｓｃｃｍから約１０００ｓｃｃｍの流量のアンモニアと、約５００から約１００００ｓｃｃｍの流量の一酸化二窒素または二酸化炭素と、約５００から約２５０００ｓｃｃｍ（例えば、約９０００ｓｃｃｍ）の流量の窒素を含む希釈ガスとを含む。堆積ゾーン３０のプロセスガスは、約２Ｔｏｒｒから約５．５Ｔｏｒｒ（例えば、約４．２Ｔｏｒｒ）の圧力に維持される。堆積プロセスの間、基板１８は、約１００℃から約２２０℃（例えば、約１８０℃）の温度に維持される。プラズマは、１３．６ＭＨｚの周波数でプロセス電極３８ａ、ｂに約５００ワットから約１６００ワット（例えば、約１３５０ワット）の電力レベルで電流を印加することによって保持することができる。その上、プラズマは、約３５０ｋＨｚの周波数および約１０ワットから約２００ワットの電力レベルの低周波電力をさらに印加することによって増強することができる。結果として生じたプロセスプラズマは、酸窒化ケイ素層を含む耐フッ素性窒化ケイ素パッシベーション層２６を基板１８の表面２３に堆積させる。パッシベーション層２６は、約０．１ミクロンから約１０ミクロンの厚さに堆積させることができる。
【００２４】
後続のビアエッチングプロセスでは、フッ素ラジカルは、酸素ドーピングのない窒化ケイ素よりも非常に遅い速度で酸素ドープ窒化ケイ素層を浸食する。図４Ｃは、酸素がない他の窒化ケイ素層と比較して、酸素ドープ窒化ケイ素層（丸で囲まれた）の非常に低いドライエッチング速度を示す。グラフの最後の層で示されるようなさらなる他の形態のドーパントは、酸素ドープされた窒化ケイ素層ほど遅いエッチングではなかった。低温でこのように構築された酸素ドープ窒化ケイ素は、良好なパッシベーション層の所望の性質ならびにフッ素ガスでの低いエッチング速度を有する。
【００２５】
オプションの窒化ケイ素パッシベーション層の堆積の後、複数の貫通孔４４がシリコンプレート２０を通してエッチングされ、図２に示す通りおよび図１Ｆに示すように、シリコン貫通ビア（ＴＳＶ）用の孔が形成される。エッチングプロセスに先立って、基板１８の表面は耐エッチング層３２で被覆され、耐エッチング層３２は、フォトレジスト層単独、または二酸化ケイ素もしくは窒化ケイ素層などのハードマスク層をもつフォトレジスト層とすることができる。耐エッチング層３２の様々な構成要素は従来のリソグラフィプロセスを使用してパターン化および現像され、図１Ｄに示すように、複数のレジストフィーチャ３３がシリコンプレート２０上に形成される。
【００２６】
その後、レジストフィーチャ３３の上部パターンをもつシリコンプレート２０の露出したシリコン部分３９がエッチングプロセスでエッチングされる。エッチングプロセスでは、図１Ｅに示すように、基板１８はエッチングチャンバ５２のエッチングゾーン５０に置かれ、エッチングガス５４がエッチングゾーン５０に導入される。１つの実施形態では、エッチングガス５４は、ＳＦ６、ＣＦ４、ＮＦ６、Ｃ４Ｆ８、ＣＨＦ３などのようなフッ素含有ガスを含み、さらにオプションとしてアルゴンなどの希釈ガスを含むことができる。１つのバージョンでは、シリコンプレート２０の露出したシリコン部分３９は、約１０から約４０００ｓｃｃｍ、またはさらに、例えば、約１００から約１０００ｓｃｃｍの体積流量のＳＦ６を含むエッチングガス５４を用いてエッチング除去される。プラズマは、４００ｋＨｚまたは１３．６ＭＨｚの周波数の電流を約５０ワットから約２０００ワットの電力レベルでエッチングゾーン５０のまわりのプロセス電極５６ａ、ｂに印加することによって保持される。エッチングプロセスの間、基板１８は、約８０℃未満、例えば、約２０℃から約６０℃の温度に維持される。基板１８は、約７５ｍｍ（約３インチ）から約１８０ｍｍ（約７インチ）の、ガス分配器５５からの間隔に維持される。
【００２７】
エッチングプラズマは、図１Ｆに示すように、露出したシリコン部分３９をエッチングして、その中に複数の貫通孔４４を形成する。一般に、貫通孔４４は実質的に垂直であり、シリコンプレート２０の大部分、またはさらにシリコンプレート２０の全厚さを通って延びる。１つの実施形態では、貫通孔４４は、少なくとも約１０：１、またはさらに約１０：１から約１５：１のアスペクト比（エッチング直後の裸の孔の高さを孔の幅で除した比）を有する。１つの実施形態では、貫通孔４４は、約４ミクロンから約５０ミクロンの直径を有する。エッチングプロセスの後、従来のレジスト灰化および剥離プロセスを使用して、例えば、残留レジストを灰化するのに酸素含有プラズマを、および任意の残留ハードマスク材料を除去するのにハロゲンガスなどの他のガスを使用することによって基板１８上のレジストフィーチャ３３の残りを除去する。灰化または剥離プロセスはエッチングチャンバ５２または異なるチャンバで行うことができる。
【００２８】
酸化物ライナ
１つのバージョンでは、酸化物ライナ４５は、図２に示す通りおよび図１Ｇに示すように、シリコンプレート２０の表面４６、ならびにシリコンプレート２０にエッチングされた貫通孔４４の側壁４８および底部壁４９の露出した表面に堆積される。シリコンプレート２０の表面４６はケイ素からなることができ、またはその上にオプションの窒化ケイ素パッシベーション層２６（図示のような）などの他の層を有することができる。酸化物ライナ４５は、堆積チャンバ３４ａの堆積ゾーン３０ａで低温プラズマ化学気相堆積プロセスにより堆積される。このプロセスでは、テトラエチルオルトシラン（ＴＥＯＳ）を含むケイ素含有前駆体と、酸素ガス（Ｏ２）を含む酸素前駆体とを含む堆積ガス４０ａが、基板１８が入っている堆積ゾーン３０ａに導入される。１つのバージョンでは、ＴＥＯＳ前駆体はヘリウムなどのキャリアガスで移送され、約４００ｍｇｍ（ｍｇ／分）から約１２０００ｍｇｍ（例えば、約３０００ｍｇｍ）の質量流量で供給される。堆積ガス４０ａは、約２０００から約１７０００ｓｃｃｍ（例えば、約１２０００ｓｃｃｍ）の流量で供給される。堆積ゾーン３０ａのガス圧力は、約２Ｔｏｒｒから約８Ｔｏｒｒ（例えば、約５．５Ｔｏｒｒ）の圧力に維持される。堆積プロセスの間、基板１８は、約２５０℃未満、例えば、約１００℃から約２５０℃の温度に維持される。基板１８は、約５ｍｍ（およそ２００ミル）から約１３ｍｍ（およそ５００ミル）の、ガス分配器３６ａからの間隔に保持される。プラズマは、１３．６ＭＨｚの一次周波数の電流をプロセス電極３８ａ１、ｂ１に約１００ワットから約１２００ワット（例えば、約１０００ワット）の電力レベルで印加することによって維持される。その上、プラズマは、プロセス電極３８ａ１、ｂ１に、４００ｋＨｚまでの、例えば、３５０ｋＨｚの二次周波数の低周波電力をさらに印加することによって増強することができる。二次電力は、約１０ワットから約５００ワットの電力レベルで印加することができる。結果として生じたプラズマは、約２ｇ／ｃｍ３から約３ｇ／ｃｍ３（例えば約２．２ｇ／ｃｍ３）の密度を有する酸化物ライナ４５を堆積させる。１つのバージョンでは、酸化物ライナ４５は、約０．１ミクロンから約４ミクロン、またはさらに約４ミクロンから約６ミクロンの厚さに堆積される。
【００２９】
図５は、シリコンプレート２０を通ってエッチングされた高いアスペクト比の貫通孔４４を含み、貫通孔４４の側壁４８および底部壁４９に堆積された酸化物ライナ４５を有するいくつかの異なるシリコン貫通ビア（ＴＳＶ）６０の断面のＳＥＭ顕微鏡写真を示す。見て分かるように、酸化物ライナ４５は、高いアスペクト比の孔でさえ貫通孔４４の底部壁４９および側壁４８の良好なカバレッジを備えていた。これらの貫通孔４４は、少なくとも約１０：１、例えば、約１２：１から約１４：１のアスペクト比を有していた。結果として生じたＴＳＶ６０は、約１０から約１２ミクロンの直径および約１４０ミクロンの高さを有していた。この適用では、酸化物ライナ４５は、ＴＳＶ６０の内部に引き続いて堆積される金属導体をシリコンプレート２０の周囲のケイ素材料から電気的に分離するために貫通孔４４の側壁４８および底部壁４９に堆積された。酸化物ライナ４５は、これらの例では、約２．５ミクロンの推定厚さに堆積されたが、ＳＥＭ写真からの実測の厚さは、約２．３ミクロンから約２．７ミクロンであることが見いだされた。したがって、堆積された酸化物ライナ４５は、５％未満の厚さ変動をもつ良好な側壁および底部壁のカバレッジを有していた。酸化物ライナ４５は、さらに、少なくとも約９ＭＶ／ｃｍ、例えば、約１０．２ＭＶ／ｃｍの比較的高い降伏電圧を実証した。さらに、酸化物ライナ４５は、酸化物ライナ４５の上に堆積された金属導体６８への良好な付着性を有することが後で見いだされた。
【００３０】
低温酸化物堆積プロセスは、さらに、ＴＳＶ６０に好結果をもたらした。例えば、酸化物ライナ４５は、図６Ａおよび６Ｂに示すように、周囲室温条件において驚くほどに良好な湿気安定性を実証した。この実験では、酸化物ライナ４５は、２５０℃の堆積温度で２つの異なる厚さ、すなわち約２ミクロンの厚い厚さおよび約０．５ミクロンの薄い厚さで貫通孔４４に堆積された。厚いおよび薄い酸化物ライナ層が剥ぎ取られ、１日および１０日間の環境への暴露の後、フーリエ変換赤外（ＦＴＩＲ）分光法で分析された。図６Ａおよび６Ｂは、１０日間の環境への暴露の後の酸化物ライナ材料のＦＴＩＲグラフを示す。Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ曲線に対する−ＯＨ曲線の面積の比は、堆積された酸化物ライナ材料の水蒸気の吸収の量を示す。１日および１０日間の暴露の後のＦＴＩＲ結果が表１に示される。
【表１】
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表１から、１日から１０日間の暴露で酸化物ライナ材料に吸収された水蒸気の量の変化を示すデルタは、それぞれ、厚いおよび薄い酸化物ライナに対してわずか０．３％または０．４％であることが見て分かる。これは、１０日の期間を通じてＳｉ−Ｏ−Ｓｉ  ＦＴＩＲピークに対する−ＯＨ  ＦＴＩＲピークの比が０．５％未満の変化であることを示している。これが意味するところは、現在の低温プロセスを使用して堆積した酸化物ライナ材料はある期間にわたって安定であり、大気から大量の水を吸収しない。対照的に、従来の酸化物堆積プロセスでは、耐湿性への耐性が少ない。酸化物は、一般に、周囲空気条件下では膜安定性が低下するので、これらの結果は驚くほどに良好であった。
【００３１】
別のバージョンでは、酸化物ライナ４５は、ＴＥＯＳを使用して堆積された共形酸化物ライナを含む。有利には、共形酸化物ライナは、図１に示すように、シリコンプレート２０の露出した表面４６に、シリコンプレート２０にエッチングされた貫通孔４４の側壁４８および底部壁４９と比較して、より高い厚さで堆積される。このプロセスでは、酸化物ライナ４５は、堆積チャンバ３４ａの堆積ゾーン３０ａで低温プラズマ化学気相堆積プロセスにより堆積される。このプロセスでは、テトラエチルオルトシラン（ＴＥＯＳ）を含むケイ素含有前駆体と、酸素ガス（Ｏ２）を含む酸素前駆体とを含む堆積ガス４０ａが、基板１８が入っている堆積ゾーン３０ａに導入される。１つのバージョンでは、ＴＥＯＳ前駆体はヘリウムなどのキャリアガスで移送され、約５００ｍｇｍ（ｍｇ／分）から約１２０００ｍｇｍ、例えば、約３０００ｍｇｍの質量流量で供給される。堆積ガス４０ａは、約２０００から約１７０００ｓｃｃｍ、例えば、約１２０００ｓｃｃｍの流量で供給される。堆積ゾーン３０ａのガス圧力は、約２Ｔｏｒｒから約８Ｔｏｒｒ、例えば、約５．５Ｔｏｒｒの圧力に維持される。堆積プロセスの間、基板１８は、約２５０℃未満、例えば、約１００℃から約２５０℃の温度に維持される。基板１８は、約５ｍｍ（２００ミル）から約１３ｍｍ（５００ミル）の、ガス分配器３６ａからの間隔に保持される。プラズマは、１３．６ＭＨｚの周波数の電流をプロセス電極３８ａ１、ｂ１に約２００ワットから約１５００ワット、例えば、約１０００ワットの電力レベルで印加することによって維持される。その上、プラズマは、プロセス電極３８ａ１、ｂ１に約３５０ｋＨｚからの周波数の低周波電力をさらに印加することによって増強することができる。低周波電力は、約１０ワットから約５００ワットの電力レベルで印加することができる。結果として生じたプラズマは、約２ｇ／ｃｍ３から約３ｇ／ｃｍ３、例えば約２．２ｇ／ｃｍ３の密度を有する酸化物ライナ４５を堆積させる。１つのバージョンでは、酸化物ライナ４５は、約１ミクロンから約２ミクロン、またはさらに約２ミクロンから約６ミクロンの厚さに堆積される。
【００３２】
ＴＳＶビアのための共形酸化物キャップ
低温酸化物層が、ＰＥＣＶＤプロセスで低温でＴＥＯＳを使用して高いアスペクト比の貫通孔４４に堆積される場合、結果として生じた酸化物層は、貫通孔４４の高いアスペクト比に起因して下の構造への共形性が不十分であることがある。例えば、少なくとも約１０のアスペクト比を有する貫通孔４４は、貫通孔４４の内部に非共形被覆を発生させることがある。この問題は、貫通孔４４の限界寸法（ＣＤ）サイズが、さらに、小さい、例えば、約５ミクロン未満のＣＤである場合に悪化する。そのような高いアスペクト比で小さいＣＤの貫通孔４４では、少なくとも約１０００オングストロームの厚さをもつより厚いＰＥＣＶＤ堆積酸化物層が、貫通孔４４の底部壁４９に堆積される。さらに、表面４６に隣接する貫通孔４４の上部のエッジおよび角部の酸化物オーバーハングが、見通し線堆積の不足に起因して後続のＰＶＤ堆積ステップ中に不十分なステップカバレッジをもたらすことがあり、貫通孔４４への導体または金属材料の堆積中にボイドをもたらすこともある。これらの理由で、より共形な酸化物層が高いアスペクト比の貫通孔４４にとって望ましい。共形酸化物層を熱ＣＶＤベースプロセスで堆積して、高いアスペクト比の貫通孔４４の側壁４８および底部壁４９でさえ少なくとも約５０％の共形である被覆を設けることができる。しかし、不利なことには、基板１８の上面４６の共形の酸化物層の酸化物厚さは、一般に、低温ＰＥＣＶＤ酸化物層の厚さよりも薄い。貫通孔４４の底部壁４９の共形酸化物層をエッチング除去するための後続のエッチングプロセスのエッチング速度は、孔４４の底部で有効ラジカルが欠乏することに起因して上面４６よりも速い。したがって、酸化物層の開口エッチングの間、上面４６の共形酸化物層と低温パッシベーション窒化ケイ素層との両方がエッチング除去されるようになることがあり、望ましくない。
【００３３】
１つのバージョンでは、この問題は、共形低温酸化ケイ素層の上に非共形酸化ケイ素または窒化ケイ素層を含むキャッピング層を堆積させることによって対処され、キャップおよび下層の両方が基板の上面４６を覆う。非共形シリコン酸化物層を含むキャッピング層の厚さは、基板１８の上面４６の酸化物層の開口表面区域のエッチング速度に応じて変更することができる。窒化ケイ素パッシベーション層２６は、上述のように、ＰＥＣＶＤチャンバ内で約２００℃未満の温度で堆積される。その後、非共形低温酸化物層が、ＰＥＣＶＤプロセスで低温でＴＥＯＳを使用して貫通孔４４に堆積される。
【００３４】
その後、基板１８は堆積チャンバ３４ａの堆積ゾーン３０ａに移送され、酸化ケイ素を含むキャッピング層が堆積される。このプロセスでは、テトラエチルオルトシラン（ＴＥＯＳ）を含むケイ素含有前駆体と、酸素ガス（Ｏ２）を含む酸素前駆体とを含む堆積ガス４０ａが、基板１８が入っている堆積ゾーン３０ａに導入される。１つのバージョンでは、ＴＥＯＳ前駆体はヘリウムなどのキャリアガスで移送され、約１００ｍｇｍ（ｍｇ／分）から約４０００ｍｇｍ、例えば、約４００ｍｇｍの質量流量で供給される。ヘリウム流量は、約２５００から約８０００ｓｃｃｍ、例えば、約９０００ｓｃｃｍ）とすることができる。酸素は、約２５００から約８５００ｓｃｃｍ、例えば、約８０００ｓｃｃｍの流量で供給される。堆積ゾーン３０ａのガス圧力は、約３Ｔｏｒｒから約６Ｔｏｒｒ、例えば、約３．５Ｔｏｒｒの圧力に維持される。堆積プロセスの間、基板１８は、約２５０℃未満、例えば、約１００℃から約２００℃、例えば、約１８０℃の温度に維持される。基板１８は、約６．４ｍｍ（２５０ミル）から約１３ｍｍ（５００ミル）の、ガス分配器３６ａからの間隔に保持される。プラズマは、１３．６ＭＨｚの周波数の電流をプロセス電極３８ａ１、ｂ１に約１００ワットから約１２００ワット、例えば、約３５０ワットの電力レベルで印加することによって維持される。その上、プラズマは、約３５０ｋＨｚからの周波数および約０ワットから約４００ワット、例えば、約１５０ワットの電力レベルの低周波電力をプロセス電極３８ａ１、ｂ１にさらに印加することによって増強することができる。
【００３５】
他のバージョンでは、基板１８は堆積チャンバ３４ａの堆積ゾーン３０ａに移送され、窒化ケイ素を含むキャッピング層が堆積される。このプロセスでは、基板１８は、再度、堆積チャンバ３４ａの堆積ゾーン３０ａに移送される。シラン（ＳｉＨ４）を含むケイ素含有前駆体と、アンモニア（ＮＨ３）を含む窒素含有ガスとを含む堆積ガス４０ａが、基板１８が入っている堆積ゾーン３０ａに導入される。１つのバージョンでは、シランは、約１０ｓｃｃｍから約１０００ｍｇｍ、例えば、約１００ｓｃｃｍの流量で供給される。アンモニアは、約１００から約６０００ｓｃｃｍ、例えば、約４５０ｓｃｃｍの流量で供給される。その上、窒素は、約１０００から約１００００ｓｃｃｍ、例えば、約１００００ｓｃｃｍの流量で供給することができる。堆積ゾーン３０ａのガス圧力は、約１Ｔｏｒｒから約６Ｔｏｒｒ、例えば、約３．５Ｔｏｒｒの圧力に維持される。堆積プロセスの間、基板１８は、約２５０℃未満、例えば、約１００℃から約２００℃、例えば、約１８０℃の温度に維持される。基板１８は、約５ｍｍ（およそ２００ミル）から約１３ｍｍ（およそ５００ミル）の、ガス分配器３６ａからの間隔に保持される。プラズマは、１３．６ＭＨｚの周波数の電流をプロセス電極３８ａ１、ｂ１に約１０ワットから約１００ワット、例えば、約７５ワットの電力レベルで印加することによって維持される。さらなる別のバージョンでは、ＰＥＣＶＤ低温酸化物層を含む酸化物キャップが、シリコンプレート２０に貫通孔４４をエッチングする前にパッシベーション窒化ケイ素層の上に堆積される。図４Ｄは、基板１８において上部表面４６または貫通孔４４の底部壁４９に様々なプロセスで堆積された層の厚さを示すグラフである。
【００３６】
酸化物ライナ上のシーリング層
オプションとして、酸化物ライナ４５の堆積の後、図１Ｈに示すように、酸化物ライナ４５を密封するために、二酸化ケイ素または窒化ケイ素のシーリング層６４を酸化物ライナ４５の上に堆積させることができる。シーリング層６４は下の酸化物ライナ４５よりも高密度であり、例えば、約２ｇ／ｃｍ３から約３ｇ／ｃｍ３の密度を有し、酸化物ライナ４５の密度よりも少なくとも約５０％高い。シーリング層６４は、さらに、優れた防湿バリアとして働くことが望ましい。好適なシーリング層６４は、テトラエチルオルトシラン、酸素、およびヘリウム希釈物の使用などの従来のＰＥＣＶＤプロセスを使用して堆積される酸化ケイ素から製作することができる。このプロセスにおいて、プロセス条件は、３０００ｍｇｍのＴＥＯＳ、５５００ｓｃｃｍの酸素、および６０００ｓｃｃｍのＨｅのプロセスガス流を含む。チャンバは、約２Ｔｏｒｒから約８Ｔｏｒｒ、例えば、約５．５Ｔｏｒｒのガス圧力に維持される。堆積プロセスの間、基板１８は、約１００℃から約２２０℃、例えば、約１８０℃の温度に維持される。プラズマは、約２００ワットから約１５００ワットの電力レベルで電流をチャンバ電極に印加することによって維持される。結果として生じたプラズマは、約２ｇ／ｃｍ３から約３ｇ／ｃｍ３、例えば、約２．１ｇ／ｃｍ３から約２．５ｇ／ｃｍ３の密度を有する酸化ケイ素を含むシーリング層６４を堆積させる。
【００３７】
シーリング層６４の別の実施形態は低温プロセスで堆積される窒化ケイ素から製作され、酸化物層を覆う共形窒化ケイ素層を設けることができる。このシーリング層６４は、酸化物ライナ４５が比較的薄く、酸化物ライナ４５を通して原子金属種を拡散させることがある場合に有用である。シーリング層６４は、酸化物ライナ４５とシーリング層６４とによって画定された複合物層を通って金属原子などの金属種が拡散しないようにする拡散バリアを形成する。例えば、窒化ケイ素を含むシーリング層６４は、プラズマ化学気相堆積によって堆積させることができる。好適なプロセスガスはＳｉＨ４、ＮＨ３、およびＮ２から構成される。プロセスガスの成分は、以下の流量範囲の約１００００ｓｃｃｍから約３００００ｓｃｃｍで供給することができる。ＳｉＨ４対Ｎ２の体積流量比は少なくとも約１：１０である。チャンバ圧力は、約２Ｔｏｒｒから約８Ｔｏｒｒ、例えば、約３．５Ｔｏｒｒとすることが望ましい。堆積プロセスの間、基板１８は、約１００℃から約２００℃、例えば、約１８０℃の温度に維持される。プラズマは、約５００ワットから約１６００ワットの電力レベルで電流をチャンバ電極に印加することによって維持される。結果として生じたプラズマは、約２ｇ／ｃｍ３から約３ｇ／ｃｍ３、例えば約２．２ｇ／ｃｍ３の密度を有する窒化物層を堆積させる。
【００３８】
さらなる別のバージョンでは、シリコンプレート２０の表面の化学機械研磨に対応するためにシーリング層６４は十分な厚さに堆積される。シリコン層６４の十分な厚さは、約１ミクロンから約６ミクロンを含む。タンクまたはシーリング層６４は、以下で説明するような後続のエッチングプロセスの間にシリコンプレート２０の表面４６を過度にエッチングしないようにするために使用することができる。
【００３９】
酸化物ライナ４５およびオプションとしてのシーリング層６４の堆積の後、図２に示す通り、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）プロセスを使用して、貫通孔４４の底部壁４９に形成された酸化物ライナ４５をエッチング除去する。このプロセスにおいて、基板１８は、前に説明し、図１Ｅに示したものと同様のエッチングチャンバ５２に、または異なるエッチングチャンバに置かれ、従来の酸化物エッチングプロセスを使用して、貫通孔４４の側壁４８の酸化物ライナ４５を過度にエッチング除去することなしに貫通孔４４の底部壁４９に形成された酸化物ライナ４５をエッチング除去する。貫通孔４４の底部壁４９の酸化物ライナ４５を除去して、貫通孔４４に引き続き堆積される金属導体が下のフィーチャとの電気コンタクトを形成できるようにすることが望ましい。しかし、酸化物ライナ４５は、金属含有種が側壁４９を通ってシリコンプレート２０に拡散しないように、またはケイ素含有種が他の方向に拡散しないように側壁４８に保持されることが望ましい。
【００４０】
酸化物エッチングプロセスの１つの例では、フッ素含有ガスなどの酸化物エッチングガス８０のプラズマがエッチングチャンバ５２のエッチングゾーン５０に形成され、貫通孔４４の底部壁４１の二酸化ケイ素層２８をエッチング除去する。反応性イオンエッチングプロセスは、貫通孔４４の側壁４８の酸化物ライナ４５と比較して、第２のプレート２０の表面４６の酸化物ライナ４５ならびに貫通孔４４の底部壁の酸化物ライナ４５などの、突き当たるイオンに面する平坦表面上の酸化物ライナ４５を優先的にエッチング除去する。１つの実施形態では、エッチングガスは、例えば、ＳＦ６、ＣＦ４、ＮＦ６、Ｃ４Ｆ８、ＣＨＦ３などのようなフッ素含有ガスと、アルゴンなどの希釈ガスとを含む。１つのバージョンでは、貫通孔４４の底部壁４１の二酸化ケイ素層２８は、約２０から約１０００ｓｃｃｍ、またはさらに、例えば、約５０から約４００ｓｃｃｍ、またはさらに約１００から約２００ｓｃｃｍの体積流量のＳＦ６、約２０から約１０００ｓｃｃｍ、またはさらに約５０から約４００ｓｃｃｍ、またはさらに約１００から約２００ｓｃｃｍの流量のＣ４Ｆ８、および約５０から約５００ｓｃｃｍ、またはさらに、例えば、約１００ｓｃｃｍから３００ｓｃｃｍの流量のアルゴンを含むエッチングガスを用いてエッチング除去される。エッチングガスは、単独で、または上述で列記したガスに加えて、約５０から約１０００ｓｃｃｍ、またはさらに約１５０から約３００ｓｃｃｍの流量のＣＨＦ３と、約５０から約２０００ｓｃｃｍ、またはさらに約２００から約４００ｓｃｃｍの流量のＣＦ４とをさらに含むことができる。エッチングガス５４は、約１ｍＴｏｒｒから約５００ｍＴｏｒｒ、またはさらに約１０から約１００ｍＴｏｒｒ、例えば、約２０から約４０ｍＴｏｒｒの圧力に維持される。プラズマは、１３．６ＭＨｚの周波数の電流を約２００ワットから約４０００ワット、例えば、約３００ワットから約１０００ワットの電力レベルでプロセスゾーン５０のまわりのプロセス電極５６ａ、ｂに印加することによって保持される。その上、プラズマは、約１０００ワットから約３０００ワットの電力レベルで電力をアンテナにさらに印加することによって増強することができる。
【００４１】
その後、金属導体６８が図２に示す通り貫通孔４４に堆積される。金属導体は、１つまたは複数の金属の層、元素金属もしくはそれらの合金、金属化合物、またはさらにシード層を含むことができる。このプロセスにおいて、金属導体６８を貫通孔４４に堆積して、孔を充填し、導電性ＴＳＶ６０を形成する。金属導体６８は、元素金属、金属合金、金属化合物、またはそれらの混合物とすることができる。金属導体６８を貫通孔４４に堆積して、孔を導電体で満たし、導電体は、現在のシリコンプレート２０ならびに他のシリコンプレート（図示せず）の能動および受動フィーチャの２つ以上の層を接続するための相互接続部として働く。好適な金属導体４７には、アルミニウム、銅、金、チタン、タングステン、ならびにそれらの合金および化合物を含む。
【００４２】
１つの実施形態では、金属導体６８は、金属導体６８のバルクの堆積に先立って堆積される金属バリア層を含む。金属バリア層（図示せず）は、バリア層を通過する金属またはケイ素種の拡散に対するバリアとして働く導電性材料の層を含む。好適なバリア層は、例えば、チタン、タンタル、または窒化チタンを含み、バリア層は従来のＣＶＤプロセスまたは物理的気相堆積（ＰＶＤ）プロセスで堆積させることができる。１つのバージョンでは、チタンの所望の組成物を含むスパッタリングターゲット７２が、図１Ｉに示すように、スパッタリングチャンバ７４内でつり下げられ、基板１８はチャンバ内のスパッタリングゾーン７７の支持体７６上に置かれる。約１ｓｃｃｍから約１００ｓｃｃｍ、またはさらに約４ｓｃｃｍから約２５ｓｃｃｍ、またはさらに約１１ｓｃｃｍの体積流量のアルゴンを含むスパッタリングガス７８がチャンバ７４に導入される。チャンバ圧力は、約０．２ｍＴｏｒｒから約２ｍＴｏｒｒ、例えば、約２ｍＴｏｒｒに維持される。スパッタリングプロセスの間、基板１８は、ほぼ室温から１００℃未満、例えば、約５０℃の温度に維持される。プラズマは、スパッタリングターゲット７２および支持体７６に互いに対してバイアスをかけるように約１０ｋＷから約１００ｋＷ、またはさらに約３０ｋＷから約４０ＫＷで電力レベルで電流を印加することによって維持される。結果として生じたプラズマは金属バリア層を堆積させ、金属バリア層は、一般に、約１００オングストロームから約１ミクロン、またはさらに約１０００から約４０００オングストロームの厚さに堆積される。
【００４３】
バリア層の堆積の後、最初にシード層（やはり図示せず）を堆積させ、次にバルク電気メッキ金属を貫通孔４４に電気メッキすることによって金属導体６８を堆積させることができる。シード層を使用して、後続の電気メッキまたは他の金属堆積プロセス中にバルク金属導体の堆積をシードまたは開始する。１つの実施形態では、好適なシード層は、スパッタリングなどのＰＶＤプロセスで堆積されたアルミニウムまたは銅の層を含む。１つの実施形態では、シード層は、スパッタリングなどのＰＶＤプロセスで堆積された銅層を含む。１つのバージョンでは、銅の所望の組成物を含むスパッタリングターゲット７２が、図１Ｉに示すように、スパッタリングチャンバ７４内でつり下げられ、基板１８はチャンバ内のスパッタリングゾーン７７の支持体７６上に置かれる。約２から約２００ｓｃｃｍ、またはさらに約４ｓｃｃｍから約２５ｓｃｃｍ、例えば、約１１ｓｃｃｍの体積流量のアルゴンを含むスパッタリングガス７８がチャンバ７４に導入される。チャンバ圧力は、約０．１から約２０ｍＴｏｒｒ、またはさらに約０．２ｍＴｏｒｒから約２ｍＴｏｒｒ、例えば、約２ｍＴｏｒｒに維持される。スパッタリングプロセスの間、基板１８は、ほぼ室温から約１００℃、例えば、約５０℃の温度に維持される。プラズマは、スパッタリングターゲット７２および支持体７６に互いに対してバイアスをかけるように約１０ｋＷから約２００ｋＷ、またはさらに約３０ｋＷから約４０ＫＷの電力レベルで電流を印加することによって維持される。結果として生じたプラズマは、銅の金属導体のシード層をシリコンプレート２０の貫通孔４４に堆積させる。シード層は、一般に、約２０００オングストロームから約２ミクロンの厚さに堆積される。
【００４４】
シード層の堆積の後、図１Ｊに示すように、従来の電気メッキプロセスを使用して、金属導体６８のバルクを貫通孔４４に堆積させることができる。このプロセスによって形成された電気メッキ層は、以前に堆積されたシード層によってシードされる。このプロセスでは、貫通孔４４をもつ基板１８のシリコンプレート２０は電気メッキ浴８０につり下げられ、カソード電極８２として働き、別の電極８４も電気メッキ浴につり下げられる。基板１８は、例えば、カソード電極８２として帯電され、他の電極８４はアノードとして働くことができる。電気メッキ浴８０は金属イオンの溶液を含み、電力供給装置８６により電流が電気メッキ浴を通過することによって金属イオンの溶液が活性化されると、金属導体６８が貫通孔４４に堆積される。例えば、銅を堆積させるのに好適な電気メッキ浴８０は、水と酸（硫酸またはメタンスルホン酸など）とを含む溶液における１リットル当たり約３０から約７５グラムの濃度の第二銅イオンと、有機添加物（抑制剤、促進剤、平滑剤）および塩化物イオンなどの必要とされる任意の追加の添加物とを含む。電力供給装置８６は、適切な電圧を電極８２、８４に供給することによってカソードに約０．１ｍＡ／ｃｍ２から約２０ｍＡ／ｃｍ２の電流密度範囲の電流を供給する。電気メッキプロセスは、ビアを完全に充満するのに十分な時間、例えば、約１０から約１２０分の間実行され、０．１ミクロンと１０ミクロンとの間の、シリコンウエハの表面上の銅の追加の過剰層をもたらすことができる。別の実施形態では、アルミニウムを含む金属導体６８が従来の電気メッキプロセスで貫通孔４４に堆積される。
【００４５】
金属導体６８がＴＳＶ６０を形成するためにシリコンプレート２０の貫通孔４４に堆積された後、図２に示す通り、基板１８はひっくり返され、シリコンプレート２０の表面上の過剰な金属導体６８が化学機械研磨（ＣＭＰ）プロセスで研磨除去されて、シリコンプレート２０の貫通孔４４に堆積された金属導体６８の上部部分が露出される。好適な化学機械研磨プロセスでは、シリコンプレート２０の表面は、循環研磨機９２に取り付けられた研磨パッド９０で研磨される。研磨スラリ９４は、研磨スラリ源９８に接続されたスラリディスペンサ９６で供給される。基板１８は研磨パッド９０に対して分離されるか、または回転されるので、シリコンプレート２０の表面４６上の過剰な金属導体は基板１８から研磨除去される。好適な研磨スラリ９４は、水溶液またはアルコール溶液中に懸濁された基体粒子を含む。化学機械研磨ステップは、表面４６上の金属導体６８のすべてが研磨除去されるまで行われる。研磨プロセスをさらに使用して、シリコンプレート２５の表面３８に依然として残っている酸化物ライナ４５、窒化ケイ素パッシベーション層２６、または他のそのような材料のいかなる残留物も除去することができる。その結果、金属導体４７の上部部分は、今では、露出されて、金属コンタクト９０として働く。
【００４６】
ＴＳＶ裏側ビア露呈
研磨の後、図１Ｍに示すように、基板１８をひっくり返して、貫通孔４４の最上部の金属導体６８の金属コンタクト９０を露出させる。環境にさらされるときに、自然酸化膜９１が、時には、ＴＳＶ６０の金属導体６８の露出した金属コンタクト９０の表面に形成されることがある。例えば、酸化銅を含む自然酸化膜９９が銅などの金属導体６８上に形成されることがあり、一方、酸化アルミニウムを含む自然酸化膜９９がアルミニウムフィーチャ上に形成されることがある。これらの場合、図２に示す通り、自然酸化物処置プロセスを使用して自然酸化膜９９を処置し、その膜を削減または除去して金属または非酸化物金属化合物を形成し、他の導体および相互接続とのより良好な電気コンタクトを可能にする。
【００４７】
１つの実施形態では、オプションの自然酸化物処置プロセスを使用して、露出した金属コンタクト９０上に形成された自然酸化膜９１を処置および除去し、金属コンタクト９０を金属導体６８のオリジナルの金属元素または金属化合物に変換する。例えば、酸化銅除去処置ステップを、銅を含む金属導体６８に使用して、銅の上に形成された酸化銅膜を金属元素銅に還元する。例示の自然酸化物処置プロセスでは、基板１８は、プロセスチャンバ９３の還元ゾーン９２中で約１００℃から約２２０℃の温度に維持される。（ｉ）アンモニア（ＮＨ３）または水素（Ｈ２）などの還元ガスと、（ｉｉ）窒素などの希釈ガスとを含むプロセスガス９４が還元ゾーン９２に導入される。別の実施形態では、還元ガス９４は、約１００ｓｃｃｍから約３０００ｓｃｃｍの体積流量のアンモニアまたは水素と、窒素なしか、または約１００００から約２００００ｓｃｃｍの体積流量の窒素のいずれかとを含む。プラズマを約５から約４０秒の期間の間還元ガス９４から形成して、還元プロセスによってＴＳＶフィーチャ６０の金属導体６８上の自然酸化膜９１を処置し、自然酸化膜の実質的にすべてを除去する。プラズマは、約１３．６ＭＨｚからの一次周波数の電力を、例えば、約１５０から約１２００ワットの電力レベルでプロセス電極９６ａ、ｂに印加することによって発生される。その上、プラズマは、約３５０ｋＨｚの二次周波数および、例えば、約１００から約３００ワットの電力レベルでプロセス電極９６ａ、ｂに電力供給することによってさらに増強することができる。
【００４８】
自然酸化膜９１の除去の後、第２の窒化ケイ素パッシベーション層を含む保護被覆９７が図２に示す通り基板１８の露出した表面に堆積され、図１Ｏに示すように貫通孔４４に堆積された金属導体の上部を覆う。オプションとして、図２に示す通りパッシベーション用窒化ケイ素層の堆積に先立ってシラン浸漬ステップを使用することができる。このステップにおいて、実質的にシラン（ＳｉＨ４）のみまたは希釈ガスを伴うシランを含む浸漬ガスを含むプロセスガス９４がプロセスゾーン９２に導入される。プロセスの間、基板１８は、約５ｍｍ（約２００ミル）から約１６．５ｍｍ（約６５０ミル）の、ガス分配器９５からの間隔距離に維持される。基板１８は、さらに、約１００℃から約２２０℃の温度に維持される。１つの実施形態では、浸漬ガスは、約１００ｓｃｃｍから約１０００ｓｃｃｍの体積流量のシランと、オプションとして、約１００００から約２５０００ｓｃｃｍの流量の窒素とを含む。プラズマは、約１３．６ＭＨｚの周波数および、例えば、約１５０から約１２００ワットの電力レベルでの一次周波数電力を電極９６ａ、ｂに印加することによってプロセスガスから形成される。その上、プラズマは、約３５０ｋＨｚの二次周波数および、例えば、約１００から約３００ワットの電力レベルで電極９６ａ、ｂに電力供給することによってさらに増強することができる。プラズマを約５から約２０秒の期間の間形成して、基板１８の露出した表面をシランガスで浸漬し、基板表面に接着層を形成する。１つの実施形態では、例えば、シラン浸漬ステップを使用して、例えば、銅などの露出した金属導体６８を浸漬する場合、シラン浸漬は、金属−Ｓｉ、またはこの場合にはＣｕ／ＳｉＮ界面に沿ったＣｕ−Ｓｉ結合の形成によって接着性を増強する。界面接着エネルギーは、自然酸化物除去時間、浸漬時間、およびシラン流量と強力な相関関係がある。さらに、保護被覆９７が、シリコンプレート２０およびキャリア２４の熱応力および反りを引き起こす過度に高い温度を避けるために低温プラズマ化学気相堆積プロセスで堆積される。保護被覆９７は、さらに、金属原子がこの層を通って拡散して基板１８の他の領域を汚染しないようにする良好な拡散バリアとなることができる。例えば、金属導体６８が銅などの金属を含む場合、保護被覆９７は、銅の拡散を防止し、さらに、良好な降伏電圧の電気分離および耐湿性を与えるように選択される。
【００４９】
別の実施形態では、保護被覆９７は、図１Ｐに示すように、３つの異なる層９８ａ、ｂ、ｃを含む３重層被覆９８を含む。１つのバージョンでは、３重層被覆９８は窒化ケイ素の下部層９８ａを含み、下部層９８ａはＴＳＶフィーチャ６０中の金属導体からの金属原子に対する拡散バリアとして働き、さらに、基板１８の上面の化学機械研磨ストップ層としても働くことができる。下部層９８ａは、約２００から約１５００オングストロームの厚さを有することができる。
【００５０】
下部層９８ａは、チャンバ９３のプロセスゾーン９２において基板１８の洗浄および浸漬した表面に堆積させることができる。このプロセスでは、基板１８は、約８ｍｍ（約３００ミル）から約１９ｍｍ（約７５０ミル）の、ガス分配器からの同じ間隔に維持される。基板１８は、さらに、約１００℃から２２０℃、例えば、約１８０℃の温度に維持される。シラン（ＳｉＨ４）などのケイ素含有ガスとアンモニア（ＮＨ３）などの窒素含有ガスとを含むプロセスガス９４がガス分配器９５を通してチャンバ１００に導入される。プラズマの形成を支援し、さらに、プラズマを安定化させることができる希釈ガスを、プロセスガスにさらに加えることができ、好適な希釈ガスには、窒素（Ｎ２）、ヘリウム（Ｈｅ）、およびアルゴン（Ａｒ）が含まれる。１つの実施形態では、プロセスガス９４は、約５０から約１０００ｓｃｃｍ、例えば、約６５０ｓｃｃｍの流量のシランと、約１００ｓｃｃｍから約１０００ｓｃｃｍの流量で供給されるアンモニアと、約５００から約２５０００ｓｃｃｍ、例えば、約２２０００ｓｃｃｍの流量の窒素などの希釈ガスとを含む。チャンバ圧力は、約２Ｔｏｒｒから約５．５Ｔｏｒｒ、例えば、約３．５Ｔｏｒｒに維持される。プラズマは、１３．６ＭＨｚの周波数の電流をプロセス電極９６ａ、ｂに約５００ワットから約１６００ワット、例えば、約１１００ワットの電力レベルで印加することによって維持される。その上、プラズマは、約３５０ｋＨｚの周波数および約１０ワットから約２００ワットの電力レベルの低周波電力をさらに印加することによって増強することができる。結果として生じたプラズマは、約２ｇ／ｃｍ３から約３ｇ／ｃｍ３、例えば約２．２ｇ／ｃｍ３の密度を有する窒化ケイ素層からなる下部層９８ａを堆積させる。
【００５１】
下部層９８ａの堆積の後、酸化ケイ素からなる中間層９８ｂが堆積される。例えば、中間層９８ｂは高い降伏電圧、例えば、約４ＭＶ／ｃｍよりも大きい、またはさらに約５ＭＶ／ｃｍの降伏電圧を有する。中間層９８ｂは、さらに、同じ基板１８で異なる高さ、例えば、約１ミクロンから約２０ミクロンの範囲にわたることがある高さを有するＴＳＶビア６０を覆うために、良好なステップカバレッジ、例えば、少なくとも約１０％のステップカバレッジを有する。１つの実施形態では、中間層９８ｂは、約０．５ミクロンから約３ミクロンの厚さを有する。
【００５２】
１つの実施形態では、酸化ケイ素を含む中間層９８ｂは、（ｉ）シラン（ＳｉＨ４）とテトラエチルオルトシラン（ＴＥＯＳ）とを含むケイ素含有ガス、および（ｉｉ）酸素（Ｏ２）または一酸化二窒素（Ｎ２Ｏ）を含む酸素含有ガスを含むプロセスガス９４と、ヘリウム（Ｈｅ）またはアルゴン（Ａｒ）などの希釈ガスとを使用して堆積された。基板１８は、約５ｍｍ（約２００ミル）から約１６．５ｍｍ（約６５０ミル）の間隔、および約１００℃から約２２０℃、例えば、約１８０℃の温度に維持される。１つのバージョンでは、プロセスガス９４は、約５００から約１２０００ｍｇｍの質量流量のテトラエチルオルトシランと、約５０から約１０００ｓｃｃｍ、例えば、約５００ｓｃｃｍの体積流量のシランと、約１０００ｓｃｃｍから約１５０００ｓｃｃｍの流量の一酸化二窒素と、約２０００ｓｃｃｍから約１７０００ｓｃｃｍの流量の酸素と、約１０００から約１５０００ｓｃｃｍの流量のヘリウムとを含む。チャンバ圧力は、約２Ｔｏｒｒから約７Ｔｏｒｒ、例えば、約２．４Ｔｏｒｒに維持される。プラズマは、１３．６ＭＨｚの周波数の電流をプロセス電極９６ａ、ｂに約２００ワットから約１５００ワット、例えば、約６５０ワットの電力レベルで印加し、オプションとして、３５０ｋＨｚの周波数および約５０から約５００ワット、例えば、約１５０ワットの電力レベルの低周波電力を印加することによって形成される。結果として生じたプラズマは、約２ｇ／ｃｍ３から約３ｇ／ｃｍ３、例えば約２．２ｇ／ｃｍ３の密度を有する酸化ケイ素の中間層９８ｂを堆積させる。
【００５３】
その後、窒化ケイ素を含む上部層９８ｃが基板１８上に形成され、３重層被覆９８が完成する。上部層９８ｃは、防湿バリア層ならびに化学機械研磨ストップ層として働くことができる。上部層９８ｃは、良好な安定性と、ハーメチックシールと、ＣＭＰ研磨をより容易にする、酸化物に対する低いウェットエッチング速度比とをさらに備える。上部層９８ｃは、さらに、銅を含む金属導体へのＣＭＰ研磨で特に良好な適合性を備えていた。１つの実施形態では、上部層９８ｃは、約０．５ミクロンから約３ミクロンの厚さを有する。さらに、上部層９８ｃはより高い密度、例えば、少なくとも約２ｇ／ｃｍ３、または約２ｇ／ｃｍ３から約３ｇ／ｃｍ３の密度を有するように堆積させることができる。
【００５４】
窒化ケイ素層の上部層９８ｃは、例えば、以下の体積流量、すなわち、１．４：１：４０で供給されるＳｉＨ４、ＮＨ３、およびＮ２を含むプロセスガスを使用して堆積させることができる。堆積プロセスの間、基板１８は、約１００℃から約２２０℃、例えば、約１８０℃の温度に維持される。チャンバ圧力は、約２Ｔｏｒｒから約８Ｔｏｒｒ、例えば、約３．５Ｔｏｒｒに維持される。プラズマは、約５００ワットから約１６００ワットの電力レベルで電流をチャンバ電極に印加することによって維持される。基板１８は、約５．１ｍｍ（約２００ミル）から約１６．５ｍｍ（約６５０ミル）の間隔、および約１００℃から約２２０℃、例えば、約１８０℃の温度に維持される。１つのバージョンでは、プロセスガス９４は、約５００から約１２０００ｍｇｍの質量流量のテトラエチルオルトシランと、約５０から約１０００ｓｃｃｍ、例えば、約６５０ｓｃｃｍの体積流量のシランと、約１０００ｓｃｃｍから約１５０００ｓｃｃｍの流量の一酸化二窒素と、約２０００ｓｃｃｍから約１７０００ｓｃｃｍの流量の酸素と、約１０００から約１５０００ｓｃｃｍの流量のヘリウムとを含む。チャンバ圧力は、約２Ｔｏｒｒから約７Ｔｏｒｒに維持される。プラズマは、１３．６ＭＨｚの周波数の電流をプロセス電極９６ａ、ｂに約２００ワットから約１５００ワットの電力レベルで印加し、オプションとして、約５０から約５００ワットの電力レベルの低周波電力を印加することによって形成される。結果として生じたプラズマは、約２ｇ／ｃｍ３から約３ｇ／ｃｍ３、例えば約２．２ｇ／ｃｍ３の密度を有する窒化ケイ素の上部層９８ｃを堆積させる。
【００５５】
３重層構想の代わりに、保護被覆９８は、酸化ケイ素または窒化ケイ素の十分な厚さの単層を含むこともできる。単層は上述のプロセスのいずれかを使用して堆積されるが、そのプロセスはより高い堆積厚さを得るために単により長い時間実行される。例えば、二酸化ケイ素の単層は、約０．１ミクロンから約６ミクロンの厚さを得るのに約１０秒から約５分間実行される上述の酸化ケイ素堆積プロセスを使用して堆積させることができる。同様に、窒化ケイ素の単層は、約０．１ミクロンから約６ミクロンの厚さを得るのに約１０秒間から約５分間実行される上述の窒化ケイ素堆積プロセスを使用して堆積させることができる。
【００５６】
第３の実施形態では、保護被覆９８は２つの層、すなわち、酸化ケイ素層の堆積が後に続く窒化ケイ素層を含む。第３の実施形態は、酸化ケイ素層全体を研磨または研削除去し、窒化ケイ素層で研磨または研削プロセスを停止することができるようにする。例えば、窒化ケイ素層は、約０．１ミクロンから約６ミクロンの厚さを得るのに１０秒から約５分間堆積させることができ、その後、二酸化ケイ素層は、約０．１ミクロンから約６ミクロンの厚さを得るのに約１０秒から約５分間堆積させることができる。
【００５７】
第４の実施形態では、保護被覆９８は、防湿バリアの窒化ケイ素層の堆積が後に続く酸化ケイ素層を含む。再度、例えば、二酸化ケイ素層は、約０．１ミクロンから約６ミクロンの厚さを得るのに約１０秒から約５分間堆積させることができ、その後、窒化ケイ素層は、約０．１ミクロンから約６ミクロンの厚さを得るのに約１０秒から約５分間堆積させることができる。
【００５８】
さらなる別のバージョンでは、ポリイミド層９９がシリコンプレート２０の表面の上に堆積し、コネクタバンプ１１６はポリイミド層９９を通って延び、下のＴＳＶ６０の金属導体６８と接触し、金属導体６８と電気接続を形成する。例えば、コネクタバンプ１１６は、元素金属、例えば、銅などの元素金属、もしくはその合金、またはその金属化合物もしくは混合物から形成することができる。一般に、コネクタバンプ１１６は、ＴＳＶ６０を形成するために使用されるものと同じ金属導体６８から形成される。その後、保護被覆９７が、ポリイミド層９９ならびにコネクタバンプ１１６の上に、これらの表面のパッシベーションのためにおよび防湿バリアを設けるために堆積される。好適な保護被覆９７は、前に説明したように堆積される窒化ケイ素を含む。
【００５９】
ＴＳＶ６０が製造された後、図２に示す通り基板１８が剥離され、シリコンプレート２０がキャリア２４から分離される。典型的な剥離プロセスでは、最終のシリコンプレート２０は熱機械活性化スライドオフ技法（ｔｈｅｒｍｏ−ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  ａｃｔｉｖａｔｅｄ  ｓｌｉｄｅ−ｏｆｆ  ｔｅｃｈｎｉｑｕｅ）を使用してキャリア２４から取り外される。この技法は、接合材料の軟化点よりも高い温度に基板１８を加熱している間、基板１８の後面に形成されたフィーチャおよびトポグラフィを保護するためにコンプライアントチャッキングシステム（ｃｏｍｐｌｉａｎｔ  ｃｈｕｃｋｉｎｇ  ｓｙｓｔｅｍ）を使用する。剥離のために、基板１８は、コンプライアント真空チャッキングシステム（図示せず）を用いて両側を適切な剥離モジュールに固定され、均一に加熱される。剥離温度に達すると、シリコンプレート２０はキャリア２４から滑らせて離される。剥離モジュールは、プレート２０およびキャリアの両方をプレート２０およびキャリアの全区域にわたって全面的に支持して、剥離手順の間プレート２０およびキャリアを平坦かつ応力フリーに保つ。プレート２０とキャリアとが分離された後、ＴＳＶフィーチャを上にもつ薄いシリコンプレート２０は単一ウエハ洗浄チャンバに移送され、そこで、残っている接着剤は適切な溶媒を用いてプレート２０の裏側から除去される。
【００６０】
その後、シリコンプレート２０は、図２に示す通り従来のダイ切断法を使用して切断され、シリコンプレート２０上に形成された個々の電子回路、例えば、集積回路チップ、表示器、太陽電池などが分離される。ダイ切断された電子回路は、拡散接合などの従来の接合法を使用して互いにまたは他の電子回路に接合され、垂直方位に積み重ねられた複数の電子回路を含む多層スタックが形成される。
【００６１】
基板処理チャンバ
例えば、図２の流れ図に示される窒化ケイ素および二酸化ケイ素堆積プロセスを含む様々なパッシベーションおよびライナ堆積プロセスを含む本明細書で説明するプロセスは、基板処理チャンバ１００内で行うことができ、その例証の例示的な実施形態が図７に示される。本明細書で説明する堆積プロセスのいくつかまたはすべて、および自然酸化物の洗浄およびシラン浸漬などの事前堆積プロセスはこのチャンバ内で実施することができるが、しかし、エッチングプロセスは、一般に、従来のエッチングプロセスチャンバ内で実施される。チャンバ１００は例示のチャンバを示すために与えられているが、しかし、当業者にとって明らかなように、他のチャンバを使用することもできる。したがって、本発明の範囲は、本明細書で説明する例示のチャンバに限定されるべきでない。一般に、チャンバ１００は、基板１８（シリコンウエハなどの）を処理するのに好適なプラズマ化学気相堆積（ＰＥ−ＣＶＤ）チャンバである。
【００６２】
本明細書で説明する実施形態から利益を得るように構成することができるＰＥＣＶＤシステムの例には、ＰＲＯＤＵＣＥＲ（登録商標）  ＳＥ  ＣＶＤシステム、ＰＲＯＤＵＣＥＲ（登録商標）  ＧＴ（商標）  ＣＶＤシステム、またはＤＸＺ（登録商標）  ＣＶＤシステムが含まれ、それらのすべては、Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，  Ｉｎｃ．、サンタクララ、カリフォルニア州から市販されている。Ｐｒｏｄｕｃｅｒ（登録商標）  ＳＥ  ＣＶＤシステム（例えば、２００ｍｍまたは３００ｍｍ）は、窒化ケイ素層、酸化ケイ素層、または他の層（導体膜、炭素ドープ酸化ケイ素、および他の材料を含む）などの層を基板１８（チャンバ内に図示せず）に堆積させるのに使用することができる２つの分離されたプロセスゾーン１０２Ａ、Ｂを有し、米国特許第５，８５５，６８１号および第６，４９５，２３３号に記載されており、その両方は参照により組み込まれる。ＤＸＺ（登録商標）  ＣＶＤチャンバは米国特許第６，３６４，９５４号に開示されており、それも参照により組み込まれる。例示的な実施形態は２つのプロセスゾーンを含んでいるが、本明細書で説明する実施形態を使用して、単一の処理領域または２つを超えるプロセスゾーンを有するシステムに利点をもたらすことができることが考えられる。本明細書で説明する実施形態を利用して、とりわけ、エッチングチャンバ、イオン注入チャンバ、プラズマ処置チャンバ、および剥離チャンバを含む他のプラズマチャンバに利点をもたらすことができることも考えられる。本明細書で説明する実施形態を利用して、他の製造業者から入手できるプラズマ処理チャンバに利点もたらすことができることがさらに考えられる。
【００６３】
基板処理チャンバ１００は、側壁１１２、底部壁１１６、ならびに１対のプロセスゾーン１２０Ａおよび１２０Ｂを画定する内部側壁１０１を有する処理チャンバ本体１０２を含む。プロセスゾーン１２０Ａ−Ｂの各々は同様に構成されており、簡単のために、処理領域１２０Ｂの構成要素のみを説明する。
【００６４】
チャンバ１００は能動冷却システムを有する基板支持体１２８を含み、能動冷却システムは、基板が多数のプロセスおよびチャンバ条件にさらされている間、広い温度範囲にわたって基板支持体１２８に位置づけられた基板の温度を能動的に制御できるようにする。基板支持体１２８は、システム１００の底部壁１１６に形成された通路１２２を通して処理領域１２０Ｂに配置される。基板支持体１２８は、その上部表面で基板（図示せず）を支持するように構成される。基板支持体１２８は、所望のプロセス温度に基板温度を加熱および制御するために加熱要素、例えば、抵抗要素を含むことができる。代替として、基板支持体１２８は、ランプアセンブリなどの遠隔加熱要素で加熱することができる。
【００６５】
基板支持体１２８はシャフト１２６によって電力アウトレットまたは電力ボックス１０３に結合され、電力アウトレットまたは電力ボックス１０３は処理領域１２０Ｂ内で基板支持体１２８の上昇および移動を制御するドライバシステムを含むことができる。シャフト１２６は、基板支持体１２８に電力を供給するための電力インターフェースをさらに含む。電力ボックス１０３は、熱電対インターフェースなどの電力および温度指示器用のインターフェースをさらに含む。シャフト１２６は、電力ボックス１０３に着脱可能に結合するように構成された基部アセンブリ１２９をさらに含む。外周リング１３５が電力ボックス１０３の上に示される。１つの実施形態では、外周リング１３５は、基部アセンブリ１２９と電力ボックス１０３の上部表面との間に機械的インターフェースを備えるように構成された機械的ストップまたはランドとして構成された肩部である。ロッド１３０は底部壁１１６に形成された通路１２４を通して配置され、基板支持体１２８を通して配置された基板リフトピン１６１を作動させるために利用される。基板リフトピン１６１は基板と基板支持体１２８との間隔を選択的にあけて、基板移送ポート１６０を介して処理領域１２０Ｂに基板を出し入れするために利用されるロボット（図示せず）による基板の交換を容易にする。
【００６６】
チャンバ１００の基板支持体１２８は、全プロセスサイクルにわたっていつでも処理の間基板１８を能動的に温度制御できるようにする。本明細書で説明するいくつかの実施形態は、４００℃未満、またはさらに２５０℃未満の温度で低温制御を行い、一方、他の実施形態は、特有の要素パターンによる最小温度勾配（＜１０℃）の埋込み加熱要素を使用して４００℃より上の温度のより高い温度の制御を行う。本明細書で説明するいくつかの実施形態は、ＲＦ結合のような外部源または埋込み加熱要素などの内部源のいずれかからのより大きい熱負荷（例えば、２０００ワットより上）を、基板支持体１２８の本体を通して能動冷却材を流すことによって除去することができる。本明細書で説明するいくつかの実施形態は、基板支持体１２８の本体を通る冷却材の流量とともにヒータ要素の能動制御によってより低い所望の温度勾配を提供する。
【００６７】
本明細書で説明するいくつかの実施形態は、基板が多数のプロセスおよびチャンバ条件（例えば、ヒータ面板、チャンバ内で当たる結合ＲＦ、プロセスガス、化学作用など）にさらされている間、広範囲にわたり基板の温度を能動的に制御する能力を備える。能動温度制御は、２つの能動温度フラックスにより達成することができ、第１に、熱はろう付け／埋込み加熱要素を介して基板支持体１２８に供給され、第２に、熱は内部冷却材経路を介して基板支持体１２８から除去される。したがって、基板支持体１２８の表面（基板が載る）の温度は、これらの２つのフラックスのレベルを制御することによって所望の温度設定点に制御することができる。熱の増加は、より多くの電力を加熱要素に送り出し、冷却材の流量を減少させる（または冷却剤入口温度を低下させる）ことによって発生させることができ、または逆を行って、より冷たい基板支持体温度を達成することができる。より広い温度制御範囲は、熱源（加熱要素からの内部の、またはチャンバもしくはプロセス条件からの外部の）と熱排出（内部能動冷却材）との間の相互作用を制御することにより達成される。１つの実施形態では、これは、基板１８が載る支持体表面の近くに支持体本体内の加熱要素を位置づけて、達成することができる最高温度を最大化し、かつシャフトの下部本体内の冷却チャネルを所望の量の熱を排出する高さに位置づけることによって達成される。
【００６８】
本明細書で説明するいくつかの実施形態は、さらに、制御される温度の範囲にわたって温度均一性を１０℃以内に制御する能力を提供する。１つの実施形態では、これは、上述のように、冷却チャネルを基準にして加熱要素を位置づけ、さらに、加熱要素と冷却チャネルとの間に位置づけられた空隙を利用して熱流の経路をさらに制御することによって達成することができる。１つの実施形態では、冷却チャネル、空隙、および加熱要素の配置により、わずか１インチの千分の５の支持体表面の最大平面撓みがもたらされ、このことにより、処理中に基板１８が滑る可能性が低減する。
【００６９】
１つの実施形態では、基板支持体１２８はアルミニウム合金を含む。１つの実施形態では、アルミニウム合金は、アルミニウム６０６１などのマグネシウムとケイ素とを含むアルミニウム合金である。アルミニウム合金は３つの重要な特徴、すなわち、１）熱源から冷却材までの熱流の相互作用に寄与する高い熱伝導率、２）様々な機械加工技法で処理することができる適応力（例えば、シャフトアセンブリをろう付けして中間高さに冷却チャネルを組み込むこと、支持体表面をビードブラストして放射熱損失を増加させること、被覆チャネルをニッケルメッキして硬水を流すことができるようにすること）、および３）生成ためのコストの低減を備える。
【００７０】
チャンバリッド１０４は、チャンバ本体１０２の上部部分に結合される。リッド１０４は、リッド１０４に結合される１つまたは複数のガス分配システム１０８を収容する。ガス分配システム１０８は、反応ガスおよび洗浄ガスをシャワーヘッドアセンブリ１４２を通して処理領域１２０Ｂに送出するガス入口通路１４０を含む。シャワーヘッドアセンブリ１４２は、面板１４６までの中間に配置されたブロッカプレート１４４を有する環状ベースプレート１４８を含む。高周波（ＲＦ）源１６５がシャワーヘッドアセンブリ１４２に結合される。ＲＦ源１６５はシャワーヘッドアセンブリ１４２に電力を供給して、シャワーヘッドアセンブリ１４２の面板１４６と加熱される基板支持体１２８との間のプラズマ発生を容易にする。１つの実施形態では、ＲＦ源１６５は、１３．５６ＭＨｚＲＦジェネレータなどの一次周波数高周波（ＨＦＲＦ）電源とすることができる。別の実施形態では、ＲＦ源１６５は、ＨＦＲＦ電源と、３００ｋＨｚのＲＦジェネレータなどの二次周波数高周波（ＬＦＲＦ）電源とを含むことができる。代替として、ＲＦ源は基板支持体１２８などの処理チャンバ本体１０２の他の部分に結合して、プラズマ発生を容易にすることができる。ＲＦ電力がリッド１０４に伝導しないように、誘電性分離体１５８がリッド１０４とシャワーヘッドアセンブリ１４２との間に配置される。シャドウリング１０６を、基板支持体１２８の所望の高さで基板を係合する基板支持体１２８の周辺に配置することができる。
【００７１】
オプションとして、動作の間環状ベースプレート１４８を冷却するために、冷却チャネル１４７がガス分配システム１０８の環状ベースプレート１４８に形成される。水、エチレングリコール、ガスなどのような熱移送流体が冷却チャネル１４７を通って循環し、その結果、ベースプレート１４８は既定の温度に維持することができる。
【００７２】
側壁１０１、１１２が処理領域１２０Ｂ内の処理環境にさらされないようにするために、チャンバライナアセンブリ１２７が、処理領域１２０Ｂ内でチャンバ本体１０２の側壁１０１、１１２の極めて近くに近接して配置される。ライナアセンブリ１２７は外周排気空洞１２５を含み、外周排気空洞１２５は、処理領域１２０Ｂからガスおよび副生成物を排気し、かつ処理領域１２０Ｂ内の圧力を制御するように構成された排出システム１６４に結合される。複数の排気口１３１はチャンバライナアセンブリ１２７に形成することができる。排気口１３１は、システム１００内の処理を促進するように処理領域１２０Ｂから外周排気空洞１２５へのガスの流れを可能にするように構成される。
【００７３】
図８Ａは、基板処理チャンバ１００で利用される基板支持体１２８の１つの実施形態の等角上面図である。基板支持体１２８は、シャフト１２６と、円形の基板支持体１２８の反対側の基部アセンブリ１２９とを含む。１つの実施形態では、シャフト１２６は管状部材、すなわち、中空シャフトとして構成される。１つの実施形態では、基部アセンブリ１２９は、電力アウトレットまたは電力ボックス１０３の中または上に配置された電気接続部への着脱可能対合インターフェースとして利用される。基板支持体１２８は、実質的に平面である基板受取り支持体表面２１０を囲む周囲出っ張り２０５を含む。支持体表面２１０は、２００ｍｍ基板、３００ｍｍ基板、または４５０ｍｍ基板を支持するように構成することができる。１つの実施形態では、支持体表面２１０は複数の構造体２１５を含み、構造体２１５は支持体表面２１０の面の上に延びるバンプまたは突起とすることができる。複数の構造体２１５の各々の高さは実質的に等しく、支持体表面２１０からわずかに持ち上げられるかまたは間隔をあけられた実質的に平面の基板受取り面または表面が設けられる。１つの実施形態では、構造体２１５の各々は、支持体表面２１０の材料と異なる材料で形成または被覆される。基板支持体１２８は、基板支持体１２８を通して形成された複数の開口２２０をさらに含み、開口２２０はリフトピン１６１を受け入れるように構成される（図７）。
【００７４】
１つの実施形態では、基板支持体１２８およびシャフト１２６の本体は導電性金属材料で製作され、一方、基部アセンブリ１２９は導電性金属材料と絶縁性材料との組合せで製作される。基板支持体１２８を導電性金属材料から製造すると、セラミックスで製作された基板支持体１２８と比較して、所有コストが低下する。さらに加えて、導電性金属材料は、埋込みヒータ（この図に図示せず）をＲＦ電力から遮蔽する役目をする。これにより、基板支持体１２８の効率および耐用年数が向上し、このことにより所有コストを低減する。
【００７５】
１つの実施形態では、基板支持体１２８およびシャフト１２６の本体は単にアルミニウム合金などのアルミニウム材料で製作される。特定の実施形態では、基板支持体１２８およびシャフトは両方とも６０６１アルミニウムで製作される。１つの実施形態では、基部アセンブリ１２９は、アルミニウム部分と、その中に配置されたポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）樹脂などの絶縁部分とを含み、絶縁部分は基板支持体１２８およびシャフト１２６の導電性部分から基部アセンブリ１２９の一部を電気的に絶縁する。１つの実施形態では、基板支持体１２８の本体はアルミニウム材料から製作され、一方、支持体表面２１０に配置される構造体２１５の各々は酸化アルミニウムなどのセラミック材料で製作または被覆される。
【００７６】
１つの実施形態では、基板支持体１２８の支持体表面２１０は織り目が出される。支持体表面２１０は、当技術分野で既知の技法、例えば、ビードブラスチング、エッチバックプロセス、またはそれらの組合せを使用して織り目を出すことができる。１つの実施形態では、基板支持体１２８の織り目を出した支持体表面２１０の平方２乗平均（「ＲＭＳ」）粗さは、約０．７５ミクロンから約６ミクロン、例えば、約１．５ミクロンと約５ミクロンとの間、例えば、約２ミクロンとすることができる。
【００７７】
図８Ｂは、基板支持体１２８の１つの実施形態の等角下面図である。シャフト１２６は、基板支持体１２８に結合された第１の端部２１２と、基板支持体１２８の反対側の基部アセンブリ１２９に結合された第２の端部２１４とを含む。この実施形態では、基部アセンブリ１２９は、誘電体プラグ２３０に結合されている、かつ／または誘電体プラグ２３０を含むスロット付き導電性部分２２５を含む。１つの実施形態では、スロット付き導電性部分２２５は、電力ボックス１０３（図７）と対合するように構成されたプラグまたは雄インターフェースとして構成することができる。図８Ｂに示した実施形態において、導電性部分２２５は断面が円形であり、少なくとも部分的に外側表面または壁を通して形成されたスロットを有することができる。誘電体プラグ２３０はソケットまたは雌インターフェースとして構成されるか、または代替として、電力ボックス１０３内の電気接続部を受け入れるか、または電気接続部と対合するように構成されたソケットまたは雌インターフェースとして構成される１つまたは複数の部分を含むことができる。１つの実施形態では、スロット付き導電性部分２２５はシャフト１２６の一体化延長部であり、アルミニウム材料から製作することができ、一方、誘電体プラグ２３０はＰＥＥＫ樹脂で製作される。
【００７８】
基部アセンブリ１２９は、図７に示した電力ボックス１０３とのインターフェースとなるＯリング２４０を受け取るように構成された外周リング１３５をさらに含む。この実施形態では、スロット付き導電性部分２２５は誘電体プラグ２３０を受け取るように構成された開口を含み、誘電体プラグ２３０はスロット付き導電性部分２２５に締結される。誘電体プラグ２３０は、電力ボックス１０３からの電気リード線を受け取るように誘電体プラグ２３０内に形成された開口またはソケットをさらに含む。
【００７９】
図９Ａは、基板支持体１２８の１つの実施形態の底部概略図である。誘電体プラグ２３０は、冷却材を冷却チャネルに送出するための冷却チャネル入口３０２と、冷却材を冷却チャネルから取り出すための冷却チャネル出口３０４と、導電性プラグ３２０とを有する。
【００８０】
図９Ｂは、能動冷却システムを有する基板支持体１２８の１つの実施形態の図９Ａのライン９Ｂ−９Ｂに沿って取った断面側面図である。図９Ｃは、図９Ｂの基板支持体１２８の１つの実施形態の拡大断面図である。１つの実施形態では、能動冷却システムは抵抗ヒータアセンブリ３０５、冷却チャネルアセンブリ３０６、および熱制御間隙３０８を含む。抵抗ヒータ３０５は、基板支持体１２８の導電性本体３００に配置されるか、またはカプセル化される。１つの実施形態では、導電性本体３００は、アルミニウムなどの導電性金属からなる材料で製作される。
【００８１】
冷却チャネルアセンブリ３０６は、冷却チャネル３０７と、冷却チャネル入口３０２と、冷却チャネル出口３０４と、熱移送流体、すなわち「冷却材」を冷却チャネルアセンブリに供給するための流体再循環器３０９とを有する。１つの実施形態では、冷却チャネル３０７は、シャフト１２６の本体に位置づけられ、シャフト１２６の中空部分を取り巻くリング形チャネルである。図９Ｅを参照すると、冷却チャネル３０７は、上部壁３５０、反対側の下部壁３５２、内側周囲壁３５４および外側周囲壁３５６によって画定される。１つの実施形態では、冷却チャネル３０７は、シャフト１２６の中空部分の直径を取り巻く連続リングである。いくつかの実施形態では、冷却チャネル３０７は、シャフト１２６の中空部分の一部のみを取り巻く局部的リングである。
【００８２】
１つの実施形態では、冷却チャネル入口３０２は、基板支持体１２８のシャフト１２６を通って延びる軸方向チャネルである。冷却チャネル入口３０２の第１の端部は流体再循環器３０９に結合され、冷却チャネル入口３０２の第２の端部は冷却チャネル３０７に流体的に結合される。１つの実施形態では、冷却チャネル出口３０４は、基板支持体１２８のシャフト１２６を通って延びる軸方向チャネルである。冷却チャネル出口３０４の第１の端部は冷却チャネル３０７に結合され、冷却チャネル出口の第２の端部は流体再循環器３０９に結合される。
【００８３】
動作時に、熱移送流体は再使用され、流体再循環器３０９によって冷却チャネルアセンブリ３０６に連続的に送り出され得る。いくつかの実施形態では、熱移送流体は、冷却チャネル入口３０２に入る前に事前選択された温度に流体再循環器３０９によって加熱または冷却することができる。例えば、流体再循環器３０９は、熱移送流体を冷却チャネルアセンブリ３０６に送り出すためのポンプ（図示せず）と、熱移送流体を冷却または加熱する冷却器またはヒータ（やはり図示せず）と、温度を所望のレベルに維持するために熱移送流体の温度をモニタして冷却器またはヒータを制御するためのサーモスタット（やはり図示せず）とを含むことができる。流体再循環器３０９は、流体圧力をモニタするための圧力計と、流量を制御するためのゲージおよびバルブと、簡単にするために説明しない熱移送流体の流れを制御するための他の構成要素とをさらに含むことができる。動作時に、熱移送流体は冷却チャネルアセンブリ３０６の冷却チャネル入口３０２に供給される。熱移送流体は冷却チャネル入口３０２に送り込まれ、基板支持体１２８の導電性本体３００を加熱または冷却する（熱移送流体と基板支持体１２８との相対温度に応じて）ために冷却チャネル３０６を通って流れ、冷却チャネル出口３０４から取り出されるか、または排出される。
【００８４】
１つの実施形態では、熱移送流体は水、エチレングリコール、ガスなどを含むことができる。１つの実施形態では、熱移送流体は、水とエチレングリコールとの混合物、例えば、５０％の水と５０％のエチレングリコールとの混合物を含む。いくつかの実施形態では、別個の貯蔵容器を冷却チャネル出口３０４に結合して、使用する冷却材を貯蔵することができる。図９Ｄに示すように、冷却チャネル入口３０２および冷却チャネル出口３０４は、シャフト１２６の本体によって電力リード線３１５ａ、３１５ｂから分離される。
【００８５】
１つの実施形態では、熱制御間隙３０８は、熱の流れの経路をさらに制御するために、基板支持体１２８の導電性本体３００に位置づけられ、シャフト１２６の中空部分を取り巻く。基板支持体１２８のシャフト１２６を通る熱移送流体の流れは、支持体表面２１０の中心に局所化コールドスポットを作り出し、熱制御間隙３０８は基板支持体１２８の支持体表面２１０の中心のまわりの熱抵抗を増加させ、このことによって、低温スプレッダとして働く。図９Ｃを参照すると、熱制御間隙３０８は、上部壁３１２、反対側の下部壁３１３、および熱制御間隙３０８を囲む周囲壁３１４によって形成される。１つの実施形態では、周囲壁３１４は円形であり、したがって、熱制御間隙３０８に円形形状を与える。熱制御間隙３０８は、能動冷却システムのための所望の量の熱制御を可能にする他の形状を有することもできる。例えば、熱制御間隙３０８は、楕円形、正方形、長方形、および非均一形状などの他の形状から選択された形状を有することができる。１つの実施形態では、熱制御間隙３０８は、約２インチ（５．１ｃｍ）と約６インチ（１５．２ｃｍ）との間の直径を有する。１つの実施形態では、熱制御間隙３０８は、約３インチ（７．６ｃｍ）と約４インチ（１０．２ｃｍ）との間の直径を有する。熱制御間隙３０８の直径は所望の量の熱制御を行うために変更することができる。所望の量の熱制御を行うために、熱制御間隙３０８の上部壁と下部壁の間の距離（例えば、高さ）を変更することもできる。１つの実施形態では、熱制御間隙３０８の高さは、約０．１インチ（０．３ｃｍ）と約１インチ（２．５ｃｍ）との間である。別の実施形態では、熱制御間隙３０８の高さは、約０．４インチ（１ｃｍ）と約０．５インチ（１．３ｃｍ）との間である。
【００８６】
１つの実施形態では、抵抗ヒータ３０５の上面は、基板支持体１２８の支持体表面２１０から約０．１０インチ（０．３ｃｍ）と約０．８０インチ（２ｃｍ）との間に位置づけられる。別の実施形態では、抵抗ヒータ３０５の上面は、基板支持体１２８の支持体表面２１０から約０．１５インチ（０．４ｃｍ）と約０．２０インチ（０．５ｃｍ）との間に位置づけられる。１つの実施形態では、熱制御間隙３０８の上部壁３１２は、基板支持体１２８の支持体表面２１０から約０．５インチ（１．３ｃｍ）と約１．５インチ（３．８ｃｍ）との間に位置づけられる。別の実施形態では、熱制御間隙３０８の上部壁は、基板支持体１２８の支持体表面２１０から約０．９インチ（２．３ｃｍ）と約１．２インチ（３．０ｃｍ）との間に位置づけられる。１つの実施形態では、冷却チャネル３０７の上部壁３５０は、基板支持体１２８の支持体表面２１０から約３インチ（７．６ｃｍ）と約５インチ（１２．７ｃｍ）との間に位置づけられる。別の実施形態では、冷却チャネル３０７の上部壁３５０は、基板支持体１２８の支持体表面２１０から約４インチ（１０．２ｃｍ）と約４．５インチ（１１．４ｃｍ）との間に位置づけられる。
【００８７】
１つの実施形態では、冷却チャネル３０７は抵抗加熱要素３０５から距離「Ｘ」に位置づけられる。１つの実施形態では、熱制御間隙３０８の上部壁３１２は抵抗ヒータ３０５の底面から距離「Ｙ」に位置づけられる。１つの実施形態では、熱制御間隙３０８の下部壁３１３は冷却チャネル３０７から距離「Ｚ」に位置づけられる。１つの実施形態では、「Ｘ」、「Ｙ」、および「Ｚ」は、所望の量の熱を基板支持体１２８から排出するように選択される。
【００８８】
図９Ｄは、本明細書で説明する能動冷却システムを有する基板支持体１２８の１つの実施形態の図９Ａのライン９Ｄ−９Ｄに沿って取った断面側面図である。図９Ｄに示すように、シャフト１２６は、図７に示したような電力アウトレットまたは電力ボックス１０３に結合される。抵抗ヒータ３０５は、シャフト１２６に配置された導電性リード線３１５ａ、３１５ｂによって電力ボックス１０３に配置された電源３１０に結合される。シャフト１２６は、熱電対（図示せず）を受け入れるように構成された軸方向チャネルまたは孔３５０をさらに含む。この実施形態では、誘電体プラグ２３０は、導電性リード線３１５を電力ボックス１０３に配置された１つまたは複数のそれぞれのソケット３２６ａ、３２６ｂに結合させるために、誘電体プラグ２３０内に配置された１つまたは複数の導電性プラグ３２０を含む。１つの実施形態では、導電性プラグ３２０はマルチコンタクトプラグである。導電性リード線３１５および導電性プラグ３２０は、動作の間、電気的にバイアスをかけることができるが、誘電体プラグ２３０の周囲壁３２５によって、スロット付き導電性部分２２５、シャフト１２６、および基板支持体１２８から電気的に分離される。
【００８９】
１つの実施形態では、シャフト１２６および基板支持体１２８はアルミニウムで製作され、電気的に接地される。アルミニウム材料は加熱要素をカプセル化し、抵抗ヒータ３０５にとって効果的なＲＦ遮蔽の働きをする。アルミニウム材料によるＲＦ遮蔽により、セラミックなどの異なる材料で製作された加熱基板支持体１２８では必要とされることがある、抵抗ヒータ３０５へのＲＦ結合をフィルタ除去するための帯域通過フィルタの必要性が除かれる。導電性プラグ３２０を抵抗ヒータ３０５用の電力端子として使用する電気インターフェースの設計により、電力ボックス１０３からの標準ゲージワイヤおよびコネクタが、特注設計の電気コネクタとは対照的に使用できるようになる。導電性プラグ３２０は、ＰＥＥＫ樹脂を含む特有の基部構造に取り付けられる。導電性プラグ３２０は電力端子アセンブリを含み、電力端子アセンブリは、基部アセンブリ１２９の導電性部分２２５に締結する誘電体プラグ２３０によって機械的に支持される。ＰＥＥＫ樹脂は、電気が通じる電力端子（導電性プラグ３２０）を、接地されたヒータ本体（基板支持体１２８およびシャフト１２６）に対して電気的に絶縁する。したがって、基板支持体１２８は帯域通過フィルタを除くことによってコストを最小にし、アルミニウム材料を利用して、所有コストを大幅に低減する。さらに、本明細書で説明する基板支持体１２８は、既存のチャンバのオリジナルの基板支持体１２８を取り替えるのに広範囲な再設計および／または休止時間なしに改造することができる。
【００９０】
図１０Ａは、抵抗ヒータ３０５の１つの実施形態の概略上面図である。図１０Ｂは、抵抗ヒータ３０５の１つの実施形態の概略側面図である。１つの実施形態では、抵抗ヒータ３０５は加熱要素４１０を含む。図１０Ａに示すように、加熱要素４１０は、基板熱損失に一致し、基板熱損失を補償する放射加熱プロファイルを与えるために抵抗ヒータ３０５の中心部に中心高密度パターンを設けるようにパターン化される。例えば、図９Ｄを参照すると、加熱要素４１０は、導電性支持体本体３００のエッジと比較して導電性支持体本体３００の中心の近くで互いに一層近接した間隔とすることができる。シャフト１２６を通る冷却材の流れは、支持体表面２１０のエッジと比べて支持体表面２１０の中心にコールドスポットを作り出す。中心が近接しているように示しているが、加熱要素４１０は、基板損失熱プロファイルのいかなる変化も包含するように構成することができることが理解されるべきである。例えば、加熱要素４１０は、基板損失プロファイルとより密接に一致させるために、サイズ、間隔、抵抗、入力電力などを変更することによって可変量の熱出力を供給するように構成することができる。
【００９１】
表２は、本明細書で説明した能動冷却システムを使用する基板支持体１２８の熱および構造モデリングシミュレーションを要約している。入口温度［℃］は、熱移送流体が冷却チャネルアセンブリに入るときの熱移送流体の入口温度を表す。出口温度［℃］は、熱移送流体が能動冷却アセンブリを出ていくときの熱移送流体の出口温度を表す。体積流量［ＧＰＭ］は、冷却チャネルアセンブリを通って流れる冷却材のガロン／分を表す。温度設定点［℃］は、抵抗ヒータの設定点温度を表す。温度勾配［℃］は、本明細書で説明した能動冷却システムを使用する基板支持体１２８の支持体表面の高温と低温との間の温度差を表す。最大変形［ミル］は、基板支持体１２８の最大平面撓みを表す。撓みは２つのモードを有し、第１に、基板支持体１２８の支持体表面および導電性本体が反ることがあり、第２に、基板支持体１２８のシャフトが、内側流体と外側流体との間の温度変化に起因して傾斜することがある。最大変形結果が示すところによれば、本明細書で示した実施形態は、わずか１インチの千分の５（５ミル）の支持体表面の最大平面撓みがもたらされることがある。
【表２】
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【００９２】
本明細書で説明したチャンバ１００および基板支持体１２８は、プロセスサイクルの全体を通じて能動温度制御を行うことによって基板の低温処理を改善する。基板支持体１２８は、さらに、４００℃未満、またはさらに２５０℃未満の温度で良好な温度制御を行うことができ、一方、他の実施形態は４００℃より上の温度でより高い温度の制御を行う。例えば、基板支持体１２８は、ＲＦ結合のような外部源または埋込み加熱要素などの内部源のいずれかからのより大きい熱負荷（例えば、２０００ワットより上）を、基板支持体１２８の本体を通して能動冷却材を流すことによって除去することができる。基板支持体１２８は、さらに、基板支持体１２８の本体を通る冷却材の流量とともにヒータ要素の能動制御によってより低い所望の温度勾配を与える。これにより、基板支持体１２８は、基板が多数のプロセスおよびチャンバ条件（例えば、ヒータ面板、チャンバに達する結合ＲＦ、プロセスガス、化学作用など）にさらされている間、広範囲のプロセスおよびプラズマ条件に対して基板の温度を能動的に制御することができるようになる。能動温度制御は、２つの能動温度フラックスにより達成することができ、第１に、熱はろう付け／埋込み加熱要素を介して基板支持体１２８に供給され、第２に、熱は内部冷却材経路を介して基板支持体１２８から除去される。したがって、基板支持体１２８の表面（基板が載る）の温度は、これらの２つのフラックスのレベルを制御することによって所望の温度設定点に制御することができる。
【００９３】
本発明の例示の実施形態を図示および説明したが、当業者は、本発明を組み込み、かつ本発明の範囲内にある他の実施形態を考案することができる。さらに、「下方に（ｂｅｌｏｗ）」、「上方に（ａｂｏｖｅ）」、「底部（ｂｏｔｔｏｍ）」、「上部（ｔｏｐ）」、「上に（ｕｐ）」、「下に（ｄｏｗｎ）」、「第１の（ｆｉｒｓｔ）」、および「第２の（ｓｅｃｏｎｄ）」という用語、ならびに他の相対的または位置的用語は例示の実施形態に関連して図に示されており、交換可能である。したがって、添付の特許請求の範囲は、本発明を示すのに本明細書で説明した好ましいバージョン、材料、または空間的配置の説明に限定されるべきでない。
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図１Ｃ】
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【図１Ｄ】
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【図１Ｅ】
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【図１Ｆ】
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【図１Ｇ】
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【図１Ｈ】
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【図１Ｉ】
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【図１Ｊ】
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【図１Ｋ】
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【図１Ｌ】
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【図１Ｍ】
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【図１Ｎ】
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【図１Ｏ】
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【図１Ｐ】
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【図１Ｑ】
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【図２】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図４Ｃ】
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【図４Ｄ】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図７】
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【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
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【図９Ａ】
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【図９Ｂ】
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【図９Ｃ】
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【図９Ｄ】
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【図９Ｅ】
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【図１０Ａ】
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【図１０Ｂ】
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【図５】
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【国際調査報告】
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