(57)【要約】光起電装置は第１及び第２の光電池を備え、第１及び第２の光電池のそれぞれは基板、沈着軸に沿った基板の上に配置され及び導電性光透過層を含む下部電極、沈着軸に沿って基板の上に配置された一以上の半導体層、及び沈着軸に沿った一以上の半導体層の上に配置された上部電極を含む。半導体層は入射光を電流に変える。第１及び第２の光電池は第１及び第２の分離ギャップにより分離されている。第１の分離ギャップは下部電極を通して沈着軸に沿って基板から伸長し、第２の分離ギャップは、下部電極の光透過層の沈着表面から伸長して、沈着軸に沿って下部電極の残りの部分及び一以上の半導体層を通して伸長する。【選択図】図１
2014507814.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１及び第２の光電池を備えた光起電装置であって、前記第１及び第２の光電池のそれぞれは以下を含む、
基板、
沈着軸に沿った基板の上に配置された下部電極であって、前記下部電極は導電性光透過層を含み、
沈着軸に沿って基板の上に配置された一以上の半導体層、及び
沈着軸に沿った一以上の半導体層の上に配置された上部電極であって、一以上の前記半導体層は入射光を電流に変え、前記第１及び第２の光電池は第１及び第２の分離ギャップにより分離されており、第１の分離ギャップは下部電極を通して沈着軸に沿って基板から伸長し、第２の分離ギャップは下部電極の光透過層の沈着表面から伸長して、沈着軸に沿って下部電極の残りの部分及び一以上の半導体層を通して伸長する。
【請求項２】
前記基板が第１及び第２の光電池の下部電極の下に横軸に沿って連続して伸長する、請求項１の光起電装置。
【請求項３】
前記第１及び第２の光電池は下部電極の光透過層の沈着表面から沈着軸に沿って伸長し、そして、下部電極の残りの部分、一以上の半導体層及び上部電極を通して伸長する第３の分離ギャップにより分離されている、請求項１の光起電装置。
【請求項４】
前記下部電極の光透過層が第２の分離ギャップを通して横軸に沿って伸長し、第２の分離ギャップを通して第１及び第２の光電池の間に電気的導電路を提供する、請求項１の光起電装置。
【請求項５】
前記上部電極が沈着軸に沿って第２の分離ギャップ中の下部電極の光透過層に伸長し、第１の光電池の上部電極の部分を、第２の光電池の下部電極の部分に電気的に結合する、請求項１の光起電装置。
【請求項６】
前記下部電極が光透過層及び一以上の半導体層の間に位置する導電性反射層を含む、請求項１の光起電装置。
【請求項７】
前記一以上の半導体層が半導体フィルムのＮＩＰ接合を含む、請求項１の光起電装置。
【請求項８】
前記基板が光透過性基板である、請求項１の光起電装置。
【請求項９】
前記一以上の半導体層が沈着軸に沿って第１の分離ギャップ中の基板に伸長する、請求項１の光起電装置。
【請求項１０】
前記上部電極が沈着軸に沿って第２の分離ギャップ中の下部電極の光透過層に伸長する、請求項１の光起電装置。
【請求項１１】
第１及び第２の光電池を含む光起電装置であって、前記光起電装置は以下を含む：
基板、
沈着軸に沿って基板の反対側に配置されている光受領側を含む導電性光透過上部電極、
沈着軸に沿って基板と上部電極に間に配置されている導電性下部電極であって、前記下部電極は導電性光透過層を含み、
沈着軸に沿って下部電極と上部電極に間に配置されている一以上の半導体層であって、前記一以上の半導体層は、上部電極の光受領側を通過して受領される光を、第１及び第２の光電池の電流に変換し、
沈着軸に沿って基板から下部電極を通して半導体層に伸長する第１の分離ギャップであって、前記第１の分離ギャップは、横軸に沿って第１及び第２の光電池中の下部電極の部分を電気的に分離し、及び
下部電極の導電性光透過層から沈着軸に沿って伸長し、そして一以上の半導体層を通って上部電極へ伸長する第２の分離ギャップであり、前記第２の分離ギャップは、横軸に沿って第１及び第２の光電池中の一以上の半導体層の部分を分離する。
【請求項１２】
前記下部電極の光透過層が、第２の分離ギャップを通して第１の光電池から第２の光電池に伸長し、第２の分離ギャップを通して電気的導電路を提供する、請求項１１の光起電装置。
【請求項１３】
前記上部電極が第２の分離ギャップ中の下部電極の光透過層に伸長し、第１の光電池の上部電極の部分を、第２の光電池の下部電極の部分に電気的に結合する、請求項１１の光起電装置。
【請求項１４】
さらに、一以上の半導体層及び上部電極を通して、下部電極の光透過層から伸長する第３の分離ギャップを含み、前記第３の分離ギャップは第１及び第２の光電池中の一以上の半導体層の部分を分離し、第１及び第２の光電池の上部電極の部分を分離する、請求項１１の光起電装置。
【請求項１５】
前記下部電極が、基板と反射層の間に位置する下部電極の光透過層を持つ導電性反射層を含む、請求項１１の光起電装置。
【請求項１６】
前記一以上の半導体層が半導体フィルムのＮＩＰ接合を含み、前記ＮＩＰ接合は下部電極及び上部電極の間に位置するnドープされた半導体フィルム、nドープされた半導体フィルムと上部電極の間に位置する真正半導体フィルム、及び真正半導体フィルムと上部電極の間に位置するｐドープされた半導体フィルムを含む、請求項１１の光起電装置。
【請求項１７】
前記基板が光透過性基板である、請求項１１の光起電装置。
【請求項１８】
前記一以上の半導体層が第１の分離ギャップ中の基板に伸長する、請求項１１の光起電装置。
【請求項１９】
前記上部電極が、第２の分離ギャップ中の下部電極の光透過層に位置しそして光透過層と結合して、第１の光電池の上部電極の部分と第２の光電池の下部電極の部分とを電気的に結合する、請求項１１の光起電装置。
【請求項２０】
沈着軸及び横軸は互いに直交している、請求項１１の光起電装置。
【請求項２１】
第１及び第２の光電池を含む光起電装置をスクライブする方法であって、以下を含む、
基板及び光起電装置の沈着軸に沿って基板の上の導電性下部電極を提供し、前記下部電極は導電性光透過層を含み、
下部電極に第１の分離ギャップをエッチングするために基板を通して第１のレーザー光を照射し、第１の分離ギャップは第１及び第２の光電池中の下部電極の部分を電気的に分離するために横軸に沿って伸長しており、
沈着軸に沿って下部電極の上に一以上の半導体層を沈着させ、
下部電極及び一以上の半導体層に、第２の分離ギャップをエッチングするために基板を通して第２のレーザー光を照射し、第２の分離ギャップは第１及び第２の光電池中の一以上の半導体層の部分を分離するために横軸に沿って伸長しており、そして
沈着軸に沿って一以上の半導体層の上に導電性光透過性上部電極を沈着させ、そして一以上の半導体層は、上部及び下部電極の間で入射光を変換して、光を電流に変えること。
【請求項２２】
前記第１の分離ギャップは、沈着軸に沿って下部電極を通して、基板から、下部電極の沈着表面に沈着された一以上の半導体層を持つ下部電極の沈着表面に伸長する、請求項２１の方法。
【請求項２３】
前記第２の分離ギャップは、沈着軸に沿って下部電極及び一以上の半導体層を通して、下部電極の光透過性層から、一以上の半導体層の沈着表面に沈着された上部電極を持つ一以上の半導体層の沈着表面に部分的に伸長する、請求項２１の方法。
【請求項２４】
さらに、下部電極に第３の分離ギャップをエッチングするために、第３のレーザー光を、基板を通して照射し、前記第３の分離ギャップは横軸に沿って伸長し、第１及び第２の光電池中の上部電極の部分を電気的に分離する、請求項２１の方法。
【請求項２５】
前記第３の分離ギャップは、沈着軸に沿って下部電極及び一以上の半導体層及び上部電極を通して、下部電極の光透過層から上部電極の上部表面に部分的に伸長する、請求項２１の方法。
【請求項２６】
前記下部電極の光透過層は、横軸に沿って第２の分離ギャップを通って伸長し、第２の分離ギャップを通して第１及び第２の光電池の間に電気的導電路を提供する、請求項２１の方法。
【請求項２７】
前記上部電極は、沈着軸に沿って第２の分離ギャップ中の下部電極の光透過層に伸長し、第１の光電池中の上部電極の部分を第２の光電池中の下部電極の部分に電気的に結合する、請求項２１の方法。
【請求項２８】
前記下部電極を沈着させることには、沈着軸に沿って光透過層の上に導電性反射層を沈着させ、沈着軸に沿って基板と反射層の間に光透過層を配置させることを含む、請求項２１の方法。
【請求項２９】
前記一以上の半導体層を沈着させることには、沈着軸に沿って下部電極の上にn―ドープされた半導体フィルムを沈着させること、沈着軸に沿ってn―ドープされた半導体フィルムの上に真正半導体フィルムを沈着させること、及び沈着軸に沿って真正半導体フィルムの上にp―ドープされたフィルムを沈着させることを含む、請求項２１の方法。
【請求項３０】
前記基板は光透過性基板である、請求項２１の方法。
【請求項３１】
前記一以上の半導体層を沈着させることには、前記第１の分離ギャップ中の基板上に一以上の半導体層を沈着させることを含む、請求項２１の方法。
【請求項３２】
前記上部電極を沈着させることには、前記第２の分離ギャップ中の下部電極の光透過層上に上部電極を沈着させることを含む、請求項２１の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この出願は、発明の名称を「光起電装置及び光起電装置のスクライブ方法」とする、２０１１年７月１３日に出願された同時係属の米国非仮出願第13/182,267号(以下、’267出願)の優先権の利益を享受するものである。’267出願に開示される全ての内容は参照により本明細書に組み入れられる。
【０００２】
本出願に記載の発明は一般的に光起電装置に関し、特に太陽電池に関する。
【０００３】
太陽電池の様な光起電装置は入射光を電気に変える。それらの装置は、互いに直列に連結された幾つかの太陽電池又は光電池を含むことがある。基板構成の光起電装置において、幾つかの光電池は最上部電極と底部電極とに挟まれた半導体層を含み、それらの電極は基板の上に配置されている。ある太陽電池の最上部電極は、隣接する太陽電池の底部電極に電気的に結合されている。
【０００４】
光は基板の反対側にある光起電装置の側を通して太陽電池に入射する。光は半導体層にあたり、光中の光子が電子を励起して半導体層中の原子から電子を分離させる。電子は半導体層スタックを通過して漂い又は散乱して、最上部電極と底部電極の一つで収集される。最上部電極又は底部電極において電子が収集されることにより光電池内に電圧の差が生じる。この光電池中の電圧の差は装置全体に亙って加算されてもよい。例えば、光電池が直列に結合されている場合は各光電池の電圧の差を合計することとなる。
【０００５】
互いに電気的に直列に結合されている複数の光電池を製造するために、隣接する電池の電極を電気的に分離するために、線をスクライブし又はエッチングするためにレーザーを用いても良い。しかし、ある知られた基板構成の光起電装置では、装置はレーザーがその底部電極を透過しない様に反射性の底部電極を持つ。例えば、レーザーは、半導体層及び隣接する最上部電極の間に線をスクライブしてその間を電気的に分離するために、基板及び底部電極を透過して照射する必要はない。
【０００６】
半導体層スタック及び最上部電極をエッチングし又はスクライブするために、基板の反対側から、レーザーを光起電装置にあてることはできない。例えば、レーザーが光起電装置及び最上部電極の上から入射する場合は、レーザー光が半導体層に吸収されたときに形成される気化した半導体の材料が、半導体層の最上部側に形成される。半導体材料がレーザーにより気化すると圧力波が生成される。圧力波は基板に向けて拡がりそして半導体材料を、光起電装置から外に向けてではなく光起電装置に向けて押し進める。圧力波は半導体材料を、その半導体材料が光起電装置から容易に除去される方向に向けて進めることにはならないであろう。
【０００７】
基板構成の光起電力装置の半導体材料の急激な除去の欠如を補償するある既知の技術は、半導体層及び/又は最上部電極をレーザーで十分な時間加熱して、半導体層及び/又は最上部電極の全体を蒸発させることである。しかし半導体層及び/又は最上部電極の加熱は、通常半導体層及び最上部電極の周辺領域中に非常に高いレベルの過剰熱を拡散することになる。過剰熱の拡散は最上部電極及び/又は底部電極を半導体層と互いに混ざり合わせることになる。この互いの混合は、隣接する光電池の間に電気的な分路を形成することになる。
【発明の概要】
【０００８】
ある実施の態様において、光起電装置は第１及び第２の光電池を備え、第１及び第２の光電池のそれぞれは基板、沈着軸に沿って基板の上に配置され及び導電性光透過層を含む下部電極、沈着軸に沿って基板の上に配置された一以上の半導体層、及び沈着軸に沿って一以上の半導体層の上に配置された上部電極を含む。半導体層は入射光を電流に変える。第１及び第２の光電池は第１及び第２の分離ギャップにより分離されている。第１の分離ギャップは下部電極を通して沈着軸に沿って基板から伸長し、第２の分離ギャップは下部電極の光透過層の沈着表面から伸長して、沈着軸に沿って下部電極の残りの部分及び一以上の半導体層を通して伸長する。
【０００９】
他の実施の態様においては、第１及び第２の光電池を含む光起電装置が提供される。光起電装置は以下を含む：基板、沈着軸に沿って基板の反対側に配置されている光受領側を含む導電性光透過上部電極、沈着軸に沿って基板と上部電極に間に配置されている導電性下部電極、導電性光透過層を含む下部電極、沈着軸に沿って下部電極と上部電極の間に配置されている一以上の半導体層、上部電極の光受領側を透過して受領される光を、第１及び第２の光電池の電流に変換する一以上の半導体層、沈着軸に沿って基板から下部電極を通して半導体層に伸長する第１の分離ギャップ、横軸に沿って第１及び第２の光電池の下部電極の部分を電気的に分離している第１の分離ギャップ、及び下部電極の導電性光透過層から沈着軸に沿って伸長し、そして一以上の半導体層を通って上部電極へ伸長する第２の分離ギャップであり、第２の分離ギャップは、横軸に沿って第１及び第２の光電池中の一以上の半導体層の部分を分離する。
【００１０】
他の実施の態様においては、第１及び第２の光電池を含む光起電装置をスクライブする方法を提供する。この方法は以下を提供すること含む：基板、及び光起電装置の沈着軸に沿って基板の上に導電性下部電極を提供し、下部電極は導電性光透過層を含み、下部電極に第１の分離ギャップをエッチングするために基板を通して第１のレーザー光を照射し、第１の分離ギャップは第１及び第２の光電池中の下部電極の部分を電気的に分離するために横軸に沿って伸長しており、沈着軸に沿って下部電極の上に一以上の半導体層を沈着させること、下部電極及び一以上の半導体層の部分に第２の分離ギャップをエッチングするために基板を通して第２のレーザー光を照射し、第１及び第２の光電池中の一以上の半導体層の部分を電気的に分離するために横軸に沿って伸長している第２の分離ギャップ、沈着軸に沿って一以上の半導体層の上に導電性光透過性上部電極を沈着させることであり、そして一以上の半導体層は上部及び下部電極の間で入射光を変換して光を電流に変える。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
図１は、ある実施の態様における、基板構成の光起電装置を示す斜視図及び光起電装置のある断面の詳細図である。
【００１２】
図２は、ある実施の態様における光起電装置の製造及び光起電装置のスクライブ方法のフローチャートである。
【００１３】
図３は、ある実施の態様における、図１に示す基板を表す。
【００１４】
図４は、ある実施の態様における基板の上に沈着された図１に示す下部電極を備える図１の基板を表す。
【００１５】
図５は、ある実施の態様における図１に示す下部電極中の第１の分離ギャップを表す。
【００１６】
図６は、ある実施の態様における図１に示す下部電極及び基板の上に沈着された図１に示す半導体層を表す。
【００１７】
図７は、ある実施の態様における図１に示す半導体層及び一部は下部電極中にスクライブされた第２の分離ギャップを表す。
【００１８】
図８は、ある実施の態様における図１に示す、半導体層及び下部電極の上に沈着された図１に示す上部電極を表す。
【００１９】
図９は、ある実施の態様における図１に示す上部電極を通して伸長する第３の分離ギャップを表す。
【００２０】
図１０は、ある実施の態様における図１に示す上部電極の上に沈着された図１に示す接着剤を表す。
【００２１】
図１１は、ある実施の態様における図１に示すカバーシーに覆われた後の図１に示す光起電装置の断面図を表す。
【発明の詳細な説明】
【００２２】
上記の概略説明及びある実施の態様についての以下の詳細な説明は、添付図面を参照することによって、より良く理解されるであろう。本明細書で用いる場合、ある要素又はステップについてその単数形で表現されている場合、特に断らない限り、その要素又はステップの複数形の使用を排除するものではない。さらに、本願発明において「ある実施の態様」と言う場合、本願明細書などで記載された特徴を組み入れた、追加的な実施の態様を排除すること意図していると解してはならない。さらに、明確にそれと反する記載を含まない限り、ある特性を含むある要素、又は複数の要素を「含む」又は「持つ」とする実施の態様においては、その特性を持たない要素の様な追加的な場合を含むこともあり得る。
【００２３】
図１は、ある実施の態様における基板構成の光起電装置１００の斜視図及び光起電装置１００の断面部分の詳細図である。光起電装置１００は入射光を電流に変換する太陽電池モジュールであっても良い。光起電装置１００はお互いに電気的に結合された複数の光電池１０４を含む。図１の詳細図１０２では、光電池１０４が１個示されている。光起電装置１００は詳細図１０２に示す光電池１０４の反対側に配置された幾つかの追加の光電池１０４を持つこともある。その数は例えば、互いに直列に連結された２５以上の光電池であることもある。光起電装置１００の互いの反対側１０６、１０８に沿って配置されている光電池１０４は、導電線１１０，１１２によって電気的に結合されても良い。図１の電線１１０，１１２は光起電装置１００の反対側の端１１４、１１６の間に伸長している。電線１１０，１１２は、電気的に回路１３４と連結されている。回路１３４は、光起電装置１００により生成された電流が適用される負荷機器、又は電気エネルギーが保存される蓄電器を含んでも良い。例えば、回路１３４は、照明器具、モータ、電気機械装置等の電子機器、又は電気エネルギーを受領し、そして保存する電池を含んでもよい。
【００２４】
図１を参照すると、光電池１０４は基板１１８の上に配置されている。光電池１０４は基板１１８の上に配置されている複数の層又はフィルムを含む。基板１１８は、記述された実施の態様においては、複数の光電池１０４の他の層及び構成要素の下に連続して伸長している。これらの層又はフィルムは、下部電極１２０、半導体層１２２、上部電極１２４、接着剤１２６、及びカバーシート１２８を含む。一つの光電池１０４の上部電極１２４は、半導体層１２２を通って下方に伸びて、他の隣接する光電池１０４の下部電極１２０と電気的に結合している。第１の光電池１０４の上部電極１２４は、第２の光電池１０４の下部電極１２０と電気的に結合して、隣接する光電池１０４との間に導電路を提供する。半導体層１２２は複数の層又はフィルムを含んでも良い。例えば、半導体層１２２は、下部電極１２０に沈着されたn-ドープされたシリコンのNIP接点、n-ドープ層に沈着された真正シリコン層、及び真正シリコン層上に沈着されたp-ドープされたシリコン層を持っても良い。代替的に半導体層１２２は一つのPIN接点、複数のNIP接点及び/又はPIN接点を持っても良い。
【００２５】
光は光起電装置１００のフィルム側１３０を通して光起電装置１００に入り受領される。光起電装置１００の反対側は基板側１３２と呼ぶ。光はカバーシート１２８、接着剤１２６及び上部電極１２４を透過して半導体層１２２に入る。光の少なくとも一部は半導体層１２２に吸収される。光のある部分は半導体層１２２を透過して、下部電極１２０によって反射され半導体層１２２に返ってくることもある。光中の光子は電子を励起して半導体層１２２中の原子から電子を分離する。電子は半導体層１２２中を通って漂い又は拡散し、上部電極１２４又は下部電極１２０で収集される。上部電極１２４又は下部電極１２０における電子の収集により光電池１０４で電位差が生じる。この光電池１０４の電位差は光起電装置１００にわたり合計されても良い。例えば、幾つかの光電池１０４の電位差は合計されて、光起電装置１００から得られる全電圧を増大させることになる。電流は電線１１０、１１２を通り、回路１３４を通じて側面１０６、１０８に沿って配置されている光電池１０４中の下部電極１２０及び上部電極１２４に流れる。例えば、第１の電線１１０は側面１０６に沿って伸長する光電池１０４の上部電極１２４に電気的に連結され、第２の電線１１２は反対側の側面１０８に沿って伸長する光電池１０４の下部電極１２０に電気的に連結されても良い。
【００２６】
図２は、ある実施の態様における光起電装置の製造方法及び光起電装置にスクライブする方法２００のフローチャートである。この方法２００は、光起電装置１００（図１に示す）の製造に使用しても良い。図３から図１１は、この方法２００に関連して記述されている種々の運転状態に対応した光起電装置１００の断面図である。この方法２００は図３から図１１に関する説明において記述される。
【００２７】
図２の２０２において、基板１１８（図１に示す）が提供される。図３は、ある実施の態様における基板１１８を示す。基板１１８は、ガラス板の様な非導電性材料を含み又は形成されても良い。基板１１８は、光透過性である一以上の材料から形成される。例えば、基板１１８は、基板１１８を通ってレーザー光を透過させるガラスから形成されても良い。基板１１８は、基板１１８の基板側１３２と光起電装置１００と反対方向の上部の沈着表面３００を持つ。図１に示す様に、基板側１３２は、光起電装置１００のフィルム側１３０（図１に示す）の反対側にあり、基板１１８の沈着表面３００は、沈着軸３０２に沿って基板１１８の基板側１３２及び光起電装置１００のフィルム側１３０の間にある。
【００２８】
沈着軸３０２は、光起電装置１００（図１に示す）の一以上の層が、下部の層に沈着している方向に向いている。記述された実施の態様においては、沈着軸３０２は、基板１１８の沈着表面３００に直交する方向を向いている。光起電装置１００の横軸３０４は沈着軸３０２に直交する方向である。例えば、横軸３０４は、沈着軸３０２に直交し及び沈着表面３００に平行であっても良い。
【００２９】
図２に示す方法２００に関する説明に戻ると、図２の２０４では、下部電極１２０（図１に示す）が基板１１８（図１に示す）の上に沈着される。図４は、ある実施の態様における、基板１１８の上に下部電極１２０が沈着された基板１１８を示す。記述された態様においては、下部電極１２０は基板１１８の沈着表面３００に沈着されるため下部電極１２０は基板１１８と隣接する。
【００３０】
下部電極１２０は２以上の層又はフィルムから形成されても良い。例えば、下部電極１２０は導電性光透過層４００及び導電性反射層４０２を含んでも良い。代替的に、下部電極１２０は単相であっても良く又は２より多い層から形成されても良い。記述された実施の態様においては、導電性光透過層４００は基板１１８の沈着表面３００に沈着され、そして隣接し、導電性反射層４０２は導電性光透過層４００の上部沈着表面４０４に沈着されそして隣接する。代替的に、導電性光透過層４００は基板１１８の一部であっても良い。例えば、基板１１８は、透明導電性酸化物（TCO）のガラス基板の様なものとして、既に基板１１８の一部である導電性光透過層４００と共に購入され又は提供を受けても良い。光起電装置１００（図１に示す）が組み立てられると、導電性光透過層４００の沈着表面４０４は、沈着軸３０２に沿って、基板１１８と光起電装置１００のフィルム側１３０（図１に示す）の間に配置される。
【００３１】
導電性光透過層４００は沈着軸３０２に平行に又は略平行の方向に沿って基板１１８の上に沈着されても良い。導電性光透過層４００は、電気的に導電性を持ち及び層４００を光が透過する一以上の材料を含むか又はそれらの材料から形成される。単に実施の態様として上げると、導電性光透過層４００は、インジウムスズ酸化物（ITO）を含むか又はこれより形成され導電性層であるのが良い。代替的に、導電性光透過層４００は、アルミニウムドープされた酸化亜鉛(Al:ZnO)、ホウ素ドープされた酸化亜鉛（B:ZnO）、ガリウムドープされた酸化亜鉛（Ga:ZnO）又は他の種類の電導性の酸化亜鉛の層として沈着されても良い。
【００３２】
導電性反射層４０２は、沈着軸３０２に沿って導電性光透過層４００の上に沈着される。例えば、導電性反射層４０２は沈着軸３０２に沿う方向へ導電性光透過層４００上に沈着しても良い。導電性反射層４０２は、光を反射する材料から形成され又はそれらの材料を含む。例えば、半導体層１２２（図１に示す）を透過し、導電性反射層４０２に当たる光の少なくともある部分は導電性反射層４０２により反射され、そして半導体層１２２に跳ね返されることもある。導電性反射層４０２は、銀（Ag）、アルミニウム（Al）及び/又はニクロム（NiCr）から形成されても良い。
【００３３】
図２に示す方法２００についての説明に返ると、図２の２０６では、第１の分離ギャップ５００が下部電極１２０（図１に示す）にスクライブされ又はエッチングされる。図５は、ある実施の態様における下部電極１２０の第１の分離ギャップ５００を表す。第１の分離ギャップ５００は、下部電極１２０を隣接するセクション５０２、５０４、５０６、５０８に別ける。例えば、第１の分離ギャップ５００は、セクション５０２、５０４、５０６、５０８を空間的、電気的に互いに分離するために、下部電極１２０をセクション５０２、５０４、５０６、５０８に空間的に分離する。セクション５０２、５０４、５０６、５０８は、横軸３０４に平行な方向に、互いに横方向に分離される。ある実施の態様において、セクション５０２、５０４、５０６の各々は、光起電装置１００（図１に示す）の異なる光電池１０４（図１に示す）の下部電極１２０の全ての部分又はその一部を提供する。
【００３４】
第１の分離ギャップ５００は、記述された態様においては、下部電極１２０の全体を通して垂直に伸長している。例えば、第１の分離ギャップ５００は、沈着軸３０２に平行する方向に下部電極１２０を通して基板１１８の沈着表面３００から垂直に伸長しても良い。第１の分離ギャップ５００は導電性光透過層４００及び導電性反射層４０２の両方を通して伸長し、横軸３０４に平行する方向に互いに下部電極１２０のセクション５０２、５０４、５０６、５０８を空間的及び電気的に分離する。
【００３５】
第１の分離ギャップ５００は、基板１１８を通して下部電極１２０に向かう、焦点を合わせたビームのエネルギーで下部電極１２０をスクライブすることにより下部電極１２０を通してエッチングしても良い。例えば、第１の分離ギャップ５００は、レーザー光５１０を下部電極１２０にあてることにより形成しても良い。ある実施の態様において、レーザー光５１０は、P1エッチング又はスクライブと呼ばれる。レーザー光５１０は基板１８を通して下部電極１２０に向けても良い。例えば、レーザー光のソース５１２は、レーザー光５１０を基板１１８の基板側１３２に向けても良い。基板１１８は、レーザー光５１０を基板１１８を透過させて下部電極１２０にあてることの出来る光透過体であっても良い。レーザー光５１０のエネルギーは下部電極１２０の部分を加熱して、その部分を除去することができ、第１の分離ギャップ５００を形成することができる。下部電極１２０に向けられた各レーザー光５１０は、第１の分離ギャップ５００を一つを形成しても良い。代替的に、第１の分離ギャップ５００は、電子ビーム、照射、又は他の形のエネルギーの様な異なる焦点のエネルギービームに下部電極１２０を曝すことにより形成しても良い。他の実施の態様においては、第１の分離ギャップ５００は、下部電極１２０の上部の方向から下部電極１２０を化学的にエッチングすることで形成しても良い。
【００３６】
第１の分離ギャップを形成するために、下部電極１２０に向けられるレーザー光５１０の波長は、導電性光透過層４００及び導電性反射層４０２を形成する材料に依ることもある。例えば、第１の分離ギャップ５００の一つを形成するために、異なる波長を持つ２以上のレーザー光５１０が基板１１８を通して下部電極１２０に向けられても良い。レーザー光５１０は第１の波長を持つ第１のレーザー光５１０Aと基板１１８を通して下部電極１２０に向けられる第２のレーザー光５１０Bを含むこともある。第１及び第２のレーザー光５１０A及び５１０Bは図５には示していないが参照番号５１０により表される。第１のレーザー光５１０Aの第１の波長は、導電性光透過層４００を形成する材料に依ることもある。例えば、第１の波長は、一または一以上の他のレーザー光の波長よりも導電性光透過層４００により吸収されるレーザー光の波長であるのが良い。第１のレーザー光５１０Aが導電性光透過層４００により吸収されることにより導電性光透過層４００が除去され、導電性光透過層４００を通して第１の分離ギャップ５００が形成される。
【００３７】
第２のレーザー光５１０Bは、第１の波長と異なる第２の波長を持っても良い。第２のレーザー光５１０Bは基板１１８を通して導電性反射層４０２に照射されても良い。第２のレーザー光５１０Bは、第１のレーザー光５１０Aが導電性光透過層４００に照射された方向と同じ又は同様の方向に沿って導電性反射層４０２に照射されても良い。第２のレーザー光５１０Bの第２の波長は、一以上の他のレーザー光の波長よりも、導電性反射層４０２により吸収される波長であるのが良い。第２のレーザー光は、導電性反射層４０２の部分を除去して、第１の分離ギャップ５００を導電性反射層４０２を通して伸長させる。
【００３８】
図２に示す方法２００についての説明に返ると、図２の２０８において、半導体層１２２（図１に示す）は、下部電極１２０（図１に示す）の上に沈着される。図６は、ある実施の態様における半導体層１２２が下部電極１２０及び基板１１８上に沈着される様子を表す。
【００３９】
半導体層１２２は、通常、沈着軸３０２に平行する方向に沿って、下部電極１２０及び基板１１８の上に沈着させることができる。ある実施の態様において、半導体層１２２は、下部電極１２０上に、及びPECVDチェンバーを用いて第１の分離ギャップ５００内の基板１１８上に沈着される。
【００４０】
図６に示す様に、半導体層１２２は下部電極１２０上に直接沈着されても良い。例えば、半導体層１２２は、半導体層１２２と下部電極１２０の間に、中間に介在する層又は中間層又はフィルムを配置することなく、下部電極１２０の上部沈着面６００に沈着させても良い。代替的に、保護層又は緩衝層の様な、一以上の層又はフィルムが、下部電極１２０と半導体層１１８の間に沈着されても良い。半導体層１２２はまた、第１の分離ギャップ内の基板１１８の上に沈着されても良い。例えば、半導体層１２２は、半導体層１２２が実質的に下部電極１２０の隣接するセクション５０２，５０４、５０６、５０８の間の第１の分離ギャップを埋める様に沈着されても良い。
【００４１】
半導体層１２２は、シリコン、ゲウマニウム、カドミウム等の様な半導体材料から形成され又はこれらの材料を含んでも良い。半導体層１２２は一以上の非晶質層、結晶層、微晶質層、又は原始晶質層であっても良い。半導体層１２２は夫々の上に沈着した多層又はフィルムを含んでも良い。例えば、半導体層１２２はドープされたNIP及び/又はPIN接合及び真正半導体層を含んでも良い。
【００４２】
記述された実施の態様においては、半導体層１２２は、半導体フィルム６０２、６０４、６０６のNIP接合を含む。半導体フィルム６０２は下部電極１２０に沈着され、そして第１の分離ギャップ５００内の基板１１８に沈着されているｎドープされた半導体フィルムであることもある。半導体フィルム６０４はｎドープされた半導体フィルム６０２に沈着された真正半導体フィルムを含む。
半導体フィルム６０６は真正半導体フィルム６０４に沈着されたｐドープされた半導体フィルムを含むこともある。半導体フィルム６０２、６０４、６０６の単一のNIP接合が示されているが、代替的に半導体フィルムの多層のNIP又はPIN接合が半導体層１２２として提供されても良い。例えば、２一以上の直列半導体接合が半導体層１２２として提供されても良い。
【００４３】
図２に示す方法２００についての説明に返ると、図２の２１０において、第２の分離ギャップ７００（図７に示す）が半導体層１２２（図１に示す）及び下部電極１２０にスクライブされ又はエッチングされる。図７は、ある実施の態様における、半導体層１２２及び部分的に下部電極１２０にスクライブされた第２の分離ギャップ７００を表す。
【００４４】
第２の分離ギャップ７００は、沈着軸３０２に平行の方向に垂直に伸長している。第２の分離ギャップ７００は、横方向に位置をずらして、第１の分離ギャップから間をおいて配置されている。例えば、第１及び第２の分離ギャップ５００、７００は、お互いに縦方向に一致するように配置されていなくても良く、互いに平行であり、そして、横軸３０４に沿って互いに離れているのが良い。
【００４５】
記述された実施の態様において見る様に、第２の分離ギャップ７００は垂直方向に伸長し、部分的に下部電極１２０に入り、そして半導体層１２２を完全に突き抜けている。例えば、第２の分離ギャップ７００は、沈着軸３０２に沿って又は平行する方向に伸長し、下部電極１２０の導電性光透過層４００の上部沈着面４０４から、下部電極１２０の導電性反射層４０２の全体を含む下部電極１２０の残りの部分を通過して、そして半導体層１２２を通過する。
第２の分離ギャップ７００は、半導体層１２２を空間的及び電気的に隣接するセクション７０２，７０４，７０６，７０８に分離する。例えば、第２の分離ギャップ７００は、隣接するセクション７０２，７０４を互いに横軸３０４に平行な方向に分離し、隣接するセクション７０４，７０６を横軸３０４に平行な方向に分離し、隣接するセクション７０６，７０８を横軸３０４に平行な方向に分離する。
【００４６】
記述された実施の態様においては、第２の分離ギャップ７００は導電性反射層４０２を空間的及び電気的に隣接するセクション７１０，７１２，７１４，７１６，７１８、及び７２０に分離する。例えば、第２の分離ギャップ７００は、横軸３０４に平行な方向にセクション７１０、７１２を互いに分離し、横軸３０４に平行な方向にセクション７１４、７１６を互いに分離し、そして、横軸３０４に平行な方向にセクション７１８、７２０を互いに分離する。また、図７に示す様に、第１の分離ギャップ４００は横軸３０４に平行な方向にセクション７１２、７１４を及びセクション７１６、７１８を互いに電気的、空間的に分離する。
【００４７】
代替的に、第２の分離ギャップ７００は、導電性光透過層４００に垂直に伸長しても良い。例えば、第２の分離ギャップ７００は、沈着軸３０２に平行な方向に上部沈着面４０４の下にある導電性光透過層４００に部分的に伸長しても良い。
【００４８】
導電性光透過層４００は、横軸３０２に平行な方向に第２の分離ギャップ７００を通して横方向に伸長するため、導電性光透過層４００は、第２の分離ギャップ７００を超えて又はそれを通して電気的な導電路を提供する。例えば、導電性光透過層４００は、第２の分離ギャップ７００の下を横方法に伸長しても良い。導電性光透過層４００は、第２の分離ギャップ７００により互いに分離されている各セクション７１０，７１２，７１４，７１６，７１８、及び７２０と電気的に結合しても良い。導電性光透過層４００は、セクション７１０，７１２を互いに、セクション７１４，７１６を互いに、セクション７１８，７２０を互いに電気的に結合しても良い。
【００４９】
ある実施の態様において、第１の分離ギャップ５００（図５に示す）の形成と同様に、第２の分離ギャップ７００は、半導体層１２２及び導電性反射層４０２を、一以上のレーザー光の様な一以上のエネルギーの焦点ビームに曝すことにより形成されても良い。第２の分離ギャップ７００を形成するために使用されるエネルギーの焦点ビームは、基板１１８を通して下部電極１２０及び半導体層１２２に向けられても良い。例えば、レーザー光は、導電性反射層４０２及び半導体層１２２により吸収され、そして導電性反射層４０２及び半導体層１２２のある部分又は全てを除去する前に、基板１１８及び導電性光透過層４００を透過する。
【００５０】
第２の分離ギャップ７００をエッチングするために使用されるレーザー光は、第１の分離ギャップ５００を形成するために使用されるレーザー光５１０（図５に示す）の波長と異なる一以上の波長を持っても良い。第２の分離ギャップ７００を形成するために使用されるレーザー光の波長は、導電性光透過層４００、導電性反射層４０２及び/又は半導体層１２２が形成される材料に依ることもある。例えば、第２の分離ギャップ７００は、下部電極１２０を、導電性光透過層４００及び/又は基板１２２よりもむしろ導電性反射層４０２により吸収される第３の波長を持つ第３のレーザー光７２２に曝すことにより形成しても良い。その結果、第３のレーザー光７２２は、基板１１８及び導電性光透過層４００を透過して、導電性反射層４０２により吸収され、そして導電性反射層４０２を除去して第２の分離ギャップ７００を形成することができる。ある実施の態様において、第３のレーザー光７２２は、半導体層１２２により吸収されそしてそれを除去する波長を持つ。代替的に、第４のレーザー光は、基板１１８を透過して、半導体層１２２にむけられ、そして半導体層１２２より吸収されそして半導体層１２２の部分を除去して、半導体層１２２を通して第２の分離ギャップ７００を形成する。第４のレーザー光は、第４のレーザー光が導電性光透過層４００をエッチング又は除去することなく導電性光透過層４００を透過する様な波長を持っても良い。
【００５１】
ある実施の態様において、第４のレーザー光は、導電性光透過層４００により第４のレーザー光が十分に吸収される様な波長を持っても良く、その結果第４のレーザー光は全く半導体層１２２に到達しないこともある。第４のレーザー光は導電性光透過層４００の部分を急激に排除することもあり、そのため導電性光透過層４００の上に配置されている半導体層１２２の一部分は、導電性光透過層４００が除去される際同時に排除又は除去される。
【００５２】
図２に示す方法２００についての説明に返ると、図２の２１２において、上部電極１２４（図１に示す）が半導体層１２２（図１に示す）上に沈着される。図８は、ある実施の態様において、上部電極１２４が半導体層１２２及び下部電極１２０の上に沈着されていることを表す。上部電極１２４は半導体層１２２の上部沈着面８００に沈着させても良い。上部電極１２４は半導体層１２２に直接沈着してもよく、その場合上部電極１２４は半導体層１２２に隣接する。代替的に一以上の緩衝又は中間層又はフィルムが、半導体層１２２と上部電極１２４の間に配置されても良い。
【００５３】
上部電極１２４は、通常沈着軸３０２に平行する方向に沈着される。図８に示す様に、上部電極１２４は、上部電極１２４の部分が第２の分離ギャップ７００の中に伸長する様に沈着されても良い。上部電極１２４は、上部電極１２４が第２の分離ギャップ７００を実質的に埋める様に第２の分離ギャップ７００の中に沈着されても良い。上部電極１２４は、沈着軸３０２に沿って半導体層１２２の上部から下の方向に第２の分離ギャップ７００を通って伸長し、下部電極１２０と電気的に結合しても良い。例えば、上部電極１２４は第２の分離ギャップ７００内で下部電極１２０の導電性反射層４０２及び導電性光透過層４００と隣接しても良い。
【００５４】
上部電極１２４は、導電性材料を含み又はこれから形成される。上部電極１２４は、ITO、AZOの様な導電性光透過性材料又は他の導電性光透過性材料から形成されても良い。上部電極１２４は、光が上部上部電極１２４を透過する様なものであるため、入射光線は上部電極１２４の光受領面８０２を透過し、上部電極１２４を透過し、そして半導体層１２２に入る。上で述べた様に、光は半導体層１２２により吸収されることで電流を発生させることもある。
【００５５】
図２に示す方法２００についての説明に返ると、図２の２１４において、第３の分離ギャップ９００（図９に示す）は、上部電極１２４（図１に示す）中にスクライブされ又はエッチングされる。図９は、ある実施の態様における上部電極１２４を通して伸長する第３の分離ギャップ９００を表す。第３の分離ギャップ９００は、その一部は下部電極１２０を通して、そして半導体層１２２の全体を通し、そして、記述した実施の態様において示す沈着軸３０２に沿って又は平行する方向に上部電極１２４の全体を通して伸長する。例えば、第３の分離ギャップ９００は下部電極１２０の導電性光透過層４００の上部沈着面４０４から伸長して、導電性反射層４０２の全体を含む下部電極１２０の残りの部分を通して、そして半導体層１２２及び上部電極１２４の全体を通して伸長しても良い。
【００５６】
記述した実施の態様においては、第３の分離ギャップ９００は、第３の分離ギャップ９００が、下部電極１２０、半導体層１２２及び上部電極１２４を通して伸長する様に形成される。代替的に、第３の分離ギャップ９００は、上部電極１２４の全体のみを通るが、半導体層１２２及び/又は下部電極１２０の全体、すなわち、これらの全ての厚さを通して伸長することはない。
【００５７】
第３の分離ギャップ９００は、上部電極１２４を隣接するセクション９０２、９０４，９０６、及び９０８に分離する。例えば、第３の分離ギャップ９００は、横軸３０４に平行の方向に、セクション９０２、９０４，９０６、及び９０８を互いに空間的に分離しても良い。第３の分離ギャップ９００は、横軸３０４に沿って又はこれに平行の方向にセクション９０２、９０４を互いに空間的及び電気的に分離し、横軸３０４に沿って又は、これに平行の方向にセクション９０４、９０６を互いに空間的及び電気的に分離し、横軸３０４に沿って又は、これに平行の方向にセクション９０６、９０８を互いに空間的及び電気的に分離する。
【００５８】
第１及び第２の分離ギャップ５００、７００（図５及び７に示す）と同様に、第３の分離ギャップ９００は、一以上のレーザー光９１０の様なエネルギーの焦点ビームを、基板１１８を通して、下部電極１２０、半導体層１２２及び上部電極１２４にあてることにより形成しても良い。レーザー光９１０の波長は、下部電極１２０、半導体層１２２及び/又は上部電極１２４が形成される材料により異なっても良い。例えば、第４のレーザー光９１０は、導電性光透過層３００及び/又は基板１１８よりも、導電性反射層４０２により吸収される第４の波長を持つこともある。その結果、第４のレーザー光９１０は、基板１１８及び導電性光透過層４００を通りそして導電性反射層４０２により吸収されて、導電性反射層４０２の一部分を除去する。
【００５９】
記述した態様において、第４のレーザー光９１０は、基板１１８（例えば、「基板側」から）を通して上部電極１２４に照射されても良い。代替的に、第４のレーザー光９１０は、反対側から上部電極１２４に照射されても良い。例えば、
第４レーザー光９１０は、光起電装置１００の「フィルム側」から上部電極１２４に照射されても良く、又は図９の透視図の上部電極１２４の上の位置から
照射されても良い。
【００６０】
第４のレーザー光９１０は、第４のレーザー光９１０が他の層よりも上部電極１２４によって強力に又はより多量に吸収される波長を持っても良く、そのため、第４のレーザー光９１０は上部電極１２４を除去するが、半導体層１２２等の他の層を除去しない。代替的に、第４のレーザー光９１０は、第４のレーザー光９１０が上部電極１２４を透過することになる波長を持っても良く（例えば、第４のレーザー光９１０が、装置１００のフィルム側から上部電極１２４に照射された場合）、そして、その場合は上部電極１２４を除去しない。その様な第４のレーザー光９１０は上部電極１２４を透過し、下部に位置する半導体層１２２により吸収されるので、第４のレーザー光９１０は、半導体層１２２が、第４のレーザー光９１０を吸収する半導体層１２２の部分の上に位置する上部電極１２４を急激に排除し又は除去する。
【００６１】
第５のレーザー光９１０は、第５のレーザー光９１０が基板１１８及び導電性光透過層４００を透過し、そして半導体層１２２により吸収され半導体層１２２の部分を除去することの出来る波長を持っても良い。第６のレーザー光９１０は、第６のレーザー光９１０が基板１１８及び導電性光透過層４００を透過するが、上部電極１２４により吸収されてその一部を除去することの出来る波長を持っても良い。これらのレーザー光９１０の異なる波長は導電性反射層４０２、半導体層１２２及び上部電極１２４の部分を除去して、第３の分離ギャップ９００を形成する。ある実施の態様において、レーザー光９１０は単一の波長を持つこともあるが、一以上の第４の、第５の及び/又は第６の波長は同じ波長であっても良い。
【００６２】
方法２００についての説明に返ると、図２の２１６において、接着剤１２６（図１に示す）が上部電極１２４（図１に示す）上に沈着される。図１０は、ある実施の態様における、上部電極１２４上に沈着された接着剤１２６を表す。接着層１２６は上部電極１２４に直接沈着させても良い。代替的に、一以上の介在する、又は中間層が上部電極１２４と接着剤１２６に間に沈着されても良い。接着剤１２６は、接着剤１２６が第３の分離ギャップ９００に下りてゆく様に伸長されても良い。例えば、接着剤１２６は第３の分離ギャップ９００を実質的に埋めても良い。接着剤１２６はポリビニル  ブチラール（PVB）、サーリン、又はエチル酢酸ビニル（EVA）コポリマーの様な材料を含んでも良い。
【００６３】
図２に示す方法２００についての説明に返ると、図２の２１８において、カバーシート１２８（図１に示す）が接着剤１２６（図１に示す）の上に設けられる。図１１は、ある実施の態様においてカバーシート１２８が配置された後の、光起電装置１００の断面を表す。カバーシート１２８は接着剤１２６により光起電装置１００に固定される。カバーシート１２８は、光がカバーシート１２８を透過して光起電装置１００に入ることを許容するものであるが、光起電装置１００を他の外部の要素、例えば、水、雹、又は他の物理的損傷から保護するためにガラスの様な材料を含み、又はそれらの材料から形成される。
【００６４】
上で述べた様に、ある実施の態様において、レーザー光５１０、７２２、９１０（図５，７及び９に示す）の様な３つのエネルギーの焦点ビームが、異なる光電池１０４を規定するために光起電装置１００の種々の層をスクライブするために使用されても良い。レーザー光５１０、７２２、９１０は光起電装置１００の層をスクライブし、それにより光電池１０４は夫々直列に連結される。レーザー光５１０、７２２、９１０は基板１１８を通して光起電装置１００の層に照射することができ、そのためレーザー光５１０、７２２、９１０は光起電装置１００の底部から半導体層１２２及び/又は上部電極１２４を蒸発させ、又はそうでなければ半導体層１２２及び/又は上部電極１２４を除去させ、半導体層１２２及び/又は上部電極１２４を、光起電装置１００のフィルム側１３０を通して、光起電装置１００から除去させる。例えば、レーザー光５１０、７２２、９１０は基板１１８に向けられ、そのため下部電極１２０、半導体層１２２、及び上部電極１２４の蒸発した部分は、図１１に示す様に光起電装置１００のフィルム側１３０を通って光起電装置１００から排出される。
【００６５】
第１、第２及び第３の分離ギャップ５００、７００、９００は光起電装置１００の光電池１０４を規定する。説明を容易にするため、異なる光電池１０４は、図１１に１０４A、１０４B、１０４C、及び１０４Dと表す。２つの光電池１０４B、１０４Cは図１１に全体が示されており、２つの光電池１０４A、１０４Dは図１１に一部が示されている。第１の分離ギャップ５００は隣接する光電池１０４A、１０４B、１０４C、及び１０４Dのそれぞれに設けた下部電極１２０を互いに電気的に分離する。例えば、第１の分離ギャップ５００は、光電池１０４Bの下部電極１２０から光電池１０４Aの下部電極１２０を電気的に分離し、光電池１０４Cの下部電極１２０から光電池１０４Bの下部電極１２０を電気的に分離し、そして光電池１０４Dの下部電極１２０から光電池１０４Cの下部電極１２０を電気的に分離する。
【００６６】
記述された実施の態様においては、第２及び第３の分離ギャップ７００，９００は各隣接する光電池１０４A、１０４B、１０４C、及び１０４Dに設けた半導体層１２２を互いに電気的に分離する。例えば、第２及び第３の分離ギャップ７００，９００は、光電池１０４Bの半導体層１２２から光電池１０４Aの半導体層１２２を電気的に分離し、光電池１０４Cの半導体層１２２から光電池１０４Bの半導体層１２２を電気的に分離し、そして光電池１０４Dの半導体層１２２から光電池１０４Cの半導体層１２２を電気的に分離する。
【００６７】
図１１に示す様に、第２の分離ギャップ７００に設けられた上部電極１２４の部分は、ある一つの光電池１０４A、１０４B、１０４C、及び１０４Dの上部電極１２４が、隣接する光電池１０４A、１０４B、１０４C、及び１０４Dの下部電極１２０と電気的に結合されるための導電路を提供する。この導電路は隣接する光電池１０４A、１０４B、１０４C、及び１０４Dを互いに電気的に直列に結合する。例えば、光電池１０４A、１０４Bの間の第２の分離ギャップ７００にある上部電極１２４の部分は、光電池１０４Aの上部電極１２４を光電池１０４Bの下部電極１２０に電気的に結合する。光電池１０４B、１０４Cの間の第２の分離ギャップ７００にある上部電極１２４の部分は、光電池１０４Bの上部電極１２４を光電池１０４Cの下部電極１２０に電気的に結合する。
光電池１０４C、１０４Dの間の第２の分離ギャップ７００にある上部電極１２４の部分は、光電池１０４Cの上部電極１２４を光電池１０４Dの下部電極１２０に電気的に結合する。
【００６８】
第３の分離ギャップ９００は隣接する光電池１０４A、１０４B、１０４C、及び１０４Dのそれぞれに配置されている上部電極１２４を互いに電気的に分離する。例えば、第３の分離ギャップ９００は光電池１０４Aの上部電極１２４を光電池１０４Bの上部電極１２４から電気的に分離し、光電池１０４Bの上部電極１２４を光電池１０４Cの上部電極１２４から電気的に分離し、光電池１０４Cの上部電極１２４を光電池１０４Dの上部電極１２４から電気的に分離する。
【００６９】
上で述べた様に、導電性光透過層４００は、第３の分離ギャップ９００を通して又はそれを超えて横方向に伸長して、第３の分離ギャップ９００を通して横方向の導電路を提供する。例えば、導電性光透過層４００の部分１１００，１１０２、１１０４は、第３の分離ギャップ９００を通して又はそれを超えて伸長して、光電池１０４A、１０４B、１０４C、及び１０４Dの上部電極１２４を、隣接する光電池１０４A、１０４B、１０４C、及び１０４Dの下部電極１２０に電気的に結合する。記述した態様においては、導電性光透過層４００の部分１１００は、光電池１０４Aの上部電極１２４を光電池１０４Bの下部電極１２０に電気的に結合する。導電性光透過層４００の部分１１０２は光電池１０４Bの上部電極１２４を光電池１０４Cの下部電極１２０に電気的に結合する。導電性光透過層４００の部分１１０４は光電池１０４Cの上部電極１２４を光電池１０４Dの下部電極１２０に電気的に結合する。
【００７０】
上記記載の内容は説明のためのものであり、本出願の発明を制限するものと解してはならない。例えば、上に説明した実施の態様（及び/又はその一部分）は、互いに組み合わせて用いることができる。さらに、本発明の範囲から逸脱することなく、ここで述べた発明の主題による教示に、特定の状況又は材料を適用することにより本発明に多くの修飾をすることが出来る。本明細書に記載の寸法、材料の種類、種々の要素の方向、及び種々の要素の数及び位置はある実施の態様におけるパラメーターを示すものであり、これらは制限的に解釈してはならず、単に代表的実施の形態を示すに過ぎない。その他の多くの実施の態様及び修飾例は、上に記載した内容を考察することにより、本願請求項に係る発明の思想及び範囲に含まれることが当業者には明らかになろう。本明細書に記載の発明の主題の範囲は特許請求の範囲を参照し、その特許請求の範囲が主張する内容と均等なすべての範囲を考察することにより決定されるであろう。本願請求項で使用される「含む（including）」及び「〜において（in which）」の用語は、通常用いられる「含まれる（comprising）」及び「〜において（wherein）」の平易な表現であり、これらと同等の意味で使用される。さらに、「第１の（first）」、「第２の(second)」及び「第３の（third）」等は単に識別のための指標として使用されるものであり、その対象に数値的な意味の要件を課するものではない。さらに、特許請求の範囲の記載における限定については、ミーンズ  プラス  ファンクションの形式で記載されておらず、特許請求の範囲の請求項において、「ミーンズ」に続く語句が明確に構造についての記載を欠いて、機能について述べている場合を除いては、米国３５ U.S.C,１１２条、第６段落に基づいて解釈されるべきではない。
【図１】
2014507814.tif 000003
【図２】
2014507814.tif 000004
【図３】
2014507814.tif 000005
【図４】
2014507814.tif 000006
【図５】
2014507814.tif 000007
【図６】
2014507814.tif 000008
【図７】
2014507814.tif 000009
【図８】
2014507814.tif 000010
【図９】
2014507814.tif 000011
【図１０】
2014507814.tif 000012
【図１１】
2014507814.tif 000013
【国際調査報告】
2014507814.tif 000014
2014507814.tif 000015