(57)【要約】  本発明は、少なくとも１つの半導体チップ（７）のための接続支持体（１）に関している。この接続支持体（１）は主表面（２０）を備えた支持体本体（２）を有しており、前記主表面（２０）上に第１の接続面（３１）と、該第１の接続面（３１）から離間された第２の接続面（３２）が形成されており、前記接続支持体（１）は、機械的分離装置（５）を有しており、前記機械的分離装置（５）は、前記支持体本体（２）から前記第１の接続面の少なくとも１つの領域への機械的応力の伝達を減衰するために設けられている。
2014510413.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つの半導体チップ（７）のための接続支持体（１）において、
前記接続支持体（１）が主表面（２０）を備えた支持体本体（２）を有しており、
前記主表面（２０）上に第１の接続面（３１）と、該第１の接続面（３１）から離間された第２の接続面（３２）が形成されており、
前記接続支持体（１）は、機械的分離装置（５）を有しており、
前記機械的分離装置（５）は、前記支持体本体（２）から前記第１の接続面の少なくとも１つの領域への機械的応力の伝達を減衰するために設けられていることを特徴とする接続支持体（１）。
【請求項２】
前記機械的分離装置（５）は、前記支持体本体（２）内の凹部（２１）によって形成されている、請求項１記載の接続支持体。
【請求項３】
前記凹部（２１）は、充填材料（５１）で充填されており、該充填材料（５１）は前記支持体本体よりも低い弾性率を有している、請求項２記載の接続支持体。
【請求項４】
前記充填材料（５１）の弾性率は、前記支持体本体（２）の弾性率の最大で０.７倍である、請求項３記載の接続支持体。
【請求項５】
前記機械的分離装置（５）は、前記充填材料内に形成されるビード状部によって形成される、請求項３記載の接続支持体。
【請求項６】
前記凹部は、上方から見て前記接続支持体上で前記第１の接続面と第２の接続面に重畳している、請求項２から５いずれか１項記載の接続支持体。
【請求項７】
前記機械的分離装置（５）は、ビード状部（５２）によって形成されている、請求項１または２記載の接続支持体。
【請求項８】
前記機械的分離装置（５）は、前記第１の接続面（３１）内の蛇行状に延在する領域（３３）によって形成されている、請求項１記載の接続支持体。
【請求項９】
前記機械的分離装置（５）は、凹部（２１）によって形成されており、該凹部（２１）は領域毎に前記蛇行状に延在する領域（３３）の外縁（３３１）に沿って形成されている、請求項８記載の接続支持体。
【請求項１０】
前記機械的分離装置（５）は、前記第１の接続面（３１）の主表面上に自由に載置される領域（３４）によって形成されている、請求項１から９いずれか１項記載の接続支持体。
【請求項１１】
前記第２の接続面（３２）は、前記第１の接続面の少なくとも１.５倍の大きさである、請求項１から１０いずれか１項記載の接続支持体。
【請求項１２】
前記第２の接続面（３２）の外縁（３２１）は少なくとも２つの点を有しており、前記２つの点の間を延在する直線状の仮想接続線が前記第１の接続面を通って延在している、請求項１から１１いずれか１項記載の接続支持体。
【請求項１３】
前記第２の接続面（３２）の外縁が、前記第１の接続面（３１）の３つの側面（３１０ａ，３１０ｂ，３１０ｃ）に沿って少なくとも領域毎に延在している、請求項１から１２いずれか１項記載の接続支持体。
【請求項１４】
請求項１から１３いずれか１項に記載の接続支持体（１）と、少なくとも１つの半導体チップ（７）とを備えた半導体素子（８）であって、
前記半導体チップ（７）は、前記接続支持体（１）に面する下側（７３）に、第１のコンタクト（７１）と第２のコンタクト（７２）とを有し、
前記第１のコンタクト（７１）は、前記第１の接続面（３１）に導電的に接続され、
前記第２のコンタクト（７２）は、前記第２の接続面（３２）と導電的に接続されていることを特徴とする半導体素子（８）。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、少なくとも１つの半導体チップ用の接続支持体と、そのような接続支持体を有する半導体素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
オプトエレクトロニクス半導体チップ、例えばその下側の２つのコンタクトによって接続支持体に固定され、電気的に接触接続されるＬＥＤチップでは、機械的な緊張、例えば接続支持体の熱膨張や機械的緊張に起因する接続支持体の折り曲げによって機械的な負荷につながり、そのような機械的な負荷は、半導体チップと接続し自体の間の電気的な接続の１つを解離させ、半導体チップの故障につながる。
【０００３】
本発明の課題は、接続支持体に固定される半導体チップに対する接続が解離されてしまう危険性を低減させることにある。
【０００４】
前記課題は、請求項１の特徴部分に記載された本発明によって解決される。別の実施形態及び改善構成は、従属請求項に記載されている。
【０００５】
本発明の有利な実施形態によれば、少なくとも１つの半導体チップに対する接続支持体が主表面を有する支持体本体を有している。この主表面には、第１の接続面と、該第１の接続面から離された第２の接続面が形成されている。この接続支持体は、機械的分離装置を有しており、この機械的分離装置はとりわけ次のために設けられている。すなわち支持体本体から第１の接続面の少なくとも１つの領域に対する機械的応力の伝達、とりわけ第１の接続面の接続領域に対する機械的応力の伝達を低減させるために設けられている。この接続領域は有利には、半導体チップの電気的コンタクトとの電気的接続のために設けられており、ここでは接続領域における半導体チップのコンタクトと第１の接続面との間の接続層が直接第１の接続面に当接している。
【０００６】
前述した機械的分離装置とは、とりわけ一般に、接続支持体の１つの領域と理解されたい。この領域は、少なくとも半導体チップの固定のために設けられる領域において、支持体本体の曲げ、及び／又は、支持体本体の温度変動のもとで発生する機械的緊張を所望のように減衰させるために設けられる。支持体本体に対する機械的応力が作用するもとで、半導体チップとの接続のために設けられた、第１の接続面の領域に対する直接的な応力の伝達は、接続面が被着され、構造化の施されていない均一な構成の支持体本体に比べてより減衰される。
【０００７】
接続支持体、特に第１の接続面と第２の接続面に固定され、電気的にコンタクト形成される半導体チップは、支持体本体の温度変動のもとで、及び／又は、支持体本体の機械的な負荷のもとで、解離してしまう危険性は、それによって低減される。接続支持体や半導体チップに対する熱膨張係数が種々異なる場合においても、恒久的でかつ信頼性の高い電気的な接続が保証される。
【０００８】
別の有利な実施形態によれば、前記機械的分離装置が、支持体本体内の凹部によって形成される。この凹部は有利には接続支持体の主表面の側に形成される。垂直方向においては、つまり接続支持体の主表面に対して垂直に延在する方向において、この凹部は有利には支持体本体を完全には貫通しないで延在している。
【０００９】
さらに別の有利な実施形態によれば、前記凹部は、少なくとも部分的に充填材料で充填される。この充填材料は有利には、支持体本体よりも少ない弾性モジュールを有している。換言すれば、この充填材料は、支持体本体の材料よりも柔らかい。有利には、前記充填材料の弾性モジュールは、支持体本体材料の弾性モジュールの最大で０.７倍、特に好ましくは最大で０.５倍である。支持体本体材料に比べて柔らかい充填材料を用いることによって、支持体本体に作用する機械的緊張、例えば圧力緊張や引っ張り緊張が、より低減された規模でしか、半導体チップの少なくとも１つの電気的コンタクトとの接続に対して作用を及ぼさなくなる。
【００１０】
さらに有利な実施形態によれば、前記機械的分離装置がビード状部を用いて形成される。このビード状部は有利には充填材料内に形成され、このビード状部と共に凹部が充填される。但しこのビード状部は支持体本体自身で形成されていてもよい。このビード状部を用いることによってバネ作用も得ることが可能である。それにより、第１の接続面の接続領域は、支持体本体から機械的に分離される。
【００１１】
前記凹部は、有利には、上方から見て前記接続支持体上で前記第１の接続面と重畳している。特に前記接続領域は有利には完全に凹部内に配設される。さらに有利には、前記凹部は、上方から見て前記接続支持体上で前記第１の接続面と第２の接続面に重畳している。この凹部の拡がりは、上方から見て前記接続支持体上で、固定すべき半導体チップの基準面の５０％以上に亘る。
【００１２】
少なくとも横方向に前記凹部は、例えば、半導体チップの横方向に沿って半導体チップの横方向の拡がりの１％〜５０％、有利には１％〜３０％だけ、半導体チップの横方向の拡がりを越えて延在可能である。
【００１３】
さらなる変形実施例によれば、前記機械的分離装置は、第１の接続面の蛇行状に延在する領域（以下、単に蛇行状領域とも称する）を用いて形成される。この蛇行状の領域を用いることにより、半導体チップのコンタクト間の剪断応力による緊張がバネ作用によって緩和される。
【００１４】
有利には、前記機械的分離装置は、蛇行状領域と凹部を用いて形成され、前記凹部は有利には、前記蛇行状領域の外縁に沿って少なくとも領域毎に形成される。前記凹部は充填されてもよいし、充填されなくてもよい。
【００１５】
さらなる変形実施例では、前記機械的分離装置は、第１の接続面の主表面上に任意に載置できる、第１の接続面の領域によって形成されている。換言すれば、第１の接続面の領域は、支持体本体の主表面と直接的には接続されない。そのため、半導体チップの固定のために設けられている第１の接続面の接続領域における支持体本体の曲げ応力は、減少して作用するだけである。
【００１６】
第２の接続面は有利には第１の接続面よりも大きいことが好ましい。有利には、第２の接続面は、第１の接続面よりも少なくとも１.５倍、特に有利には３倍大きい。半導体チップの機械的に安定した固定は、有利には主に第２の接続面を介して行われる。第１の接続面は有利には、半導体チップに対する接続が、接続支持体の機械的負荷のもとでも解離しないように構成される。
【００１７】
さらに好ましい実施形態では、第２の接続面の外縁が少なくとも二つの点を有し、これらの点の間を延在する仮想の直接の接続線が第２の接続面の外部にあって、さらに有利には第１の接続面を通って延在している。それにより、第２の接続面が第１の接続面よりも著しく大きい構成が容易に得られる。
【００１８】
別の有利な構成によれば、第２の接続面の外縁が少なくとも領域毎に、第１の接続面の少なくとも２つの側面に沿って延在し、特に有利には、第１の接続面の３つの側面に沿って延在する。換言すれば、第２の接続面は第１の接続面を取り囲み、特に有利には領域毎に接続領域を取り囲む。
【００１９】
このような接続支持体を備えた半導体素子は、有利には少なくとも１つの半導体チップを有し、特に有利には複数のオプトエレクトロニクス半導体チップを有する。少なくとも１つの半導体チップは、接続支持体に面する下側に第１のコンタクトと第２のコンタクトを有し、前記第１のコンタクトは前記第１の接続面に導電的に接続され、前記第２のコンタクトは前記第２の接続面と導電的に接続されている。
【００２０】
その他の特徴、態様および利点は、以下の図面に基づいた説明からも明らかになるであろう。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１Ａ】本発明による接続支持体を備えた半導体素子の第１実施例のラインＡ−Ａ′に沿った概略的側面図
【図１Ｂ】本発明による接続支持体を備えた半導体素子の第１実施例の概略的平面図
【図２Ａ】本発明による接続支持体を備えた半導体素子の第２実施例のラインＢ−Ｂ′に沿った概略的側面図
【図２Ｂ】本発明による接続支持体を備えた半導体素子の第２実施例の概略的平面図
【図３】本発明による接続支持体を備えた半導体素子の第３実施例の概略的側面図
【図４Ａ】本発明による接続支持体を備えた半導体素子の第４実施例のラインＣ−Ｃ′に沿った概略的側面図
【図４Ｂ】本発明による接続支持体を備えた半導体素子の第４実施例の概略的平面図
【図５】本発明による半導体素子の第５実施例の概略的側面図
【００２２】
前記図面中、同一又は類似の要素、同一の機能を備えた要素には同じ符号が付されている。
【００２３】
またこれらの図面、及びこれらの図面中に示されている個々の要素間の縮尺は、必ずしも基準通りではない。それどころか、これらの個々の要素は、見やすくするために、及び／又は、理解を深めるために、拡大されて示されていることを理解されたい。
【００２４】
発明を実施するための形態
図１Ａ及び図１Ｂに示されている第１実施例に係る半導体装置８は、接続支持体１を有しており、この接続支持体１には半導体チップ７が固定されている。この半導体チップ７は、例えばＬＥＤ半導体チップとして構成されていてもよいし、レーザーダイオード半導体チップとして構成されてもよい。前記半導体チップ７は、前記接続支持体１に面するその下側に、第１のコンタクト７１と第２のコンタクト７２を有し、これらのコンタクトを介した外部からの電圧の印加によって、電荷担体が当該半導体チップ７に注入される。ここではビームの放射のもとで、ビーム発生のために設けられた活性領域（詳細には図示せず）において再結合がなされる。前記コンタクト７１，７２は、接続支持体１に面している前記半導体チップ下側に配置されている。これらのコンタクトに対しては、例えば、金属層や複数の金属層を備えた積層体が適している。また前記コンタクトは、蒸着やスパッタリングによって被着されてもよい。前記コンタクト又はそれらの少なくとも１つの層が、例えば金を含むかまたは金からなる。
【００２５】
前記接続支持体１は、前記半導体チップに面する主表面２０を備えた支持体本体２を有している。前記主表面には絶縁層４が形成されており、この絶縁層４は、例えばシリコン酸化膜のような酸化膜であってもよいし、シリコン窒化膜のような窒化膜であってもよい。前記絶縁層４の前記支持体本体２とは反対側には、第１の接続面３１と、該第１の接続面から離間され、電気的に絶縁された第２の接続面３２とが形成されている。
【００２６】
接合層６、例えば半田層または導電性接着剤層を用いることによって、前記第１の接続面３１は前記第１のコンタクト７１に導電的に接続され、前記第２の接続面３２は、前記第２のコンタクト７２と導電的に接続される。前記第１の接続面３１はさらに接続領域３１３を有しており、この接続領域３１３は前記第１のコンタクト７１との接続のために設けられており、前記接続領域３１３においては、前記接続層６が直接的に第１の接続層に当接している。
【００２７】
前記接着層６には、例えばインジウム−錫−半田や金−錫−半田（約２８０°Ｃの共晶融点）のように錫を含有する半田、いわゆる軟ろうが適している。
【００２８】
前記接続面３１，３２には、例えば銅が適している。これらの接続面の厚さは、有利には１０μｍから６０μｍの間である。
【００２９】
前記接続支持体１は、機械的分離装置５を有している。この機械的分離装置５は、当該実施例においては、凹部２１によって形成されている。前記凹部は、支持体本体２の主表面２０から形成される。この凹部には、充填材料５１が充填される。この充填材料の弾性率は、好ましくは支持体本体２の弾性率の最大で０．７倍、特に有利には最大で半分の大きさを有する。また前記充填材料の弾性率は、支持体本体２の弾性率よりも係数１０だけまたはそれより小さくすることができる。充填材料は前記凹部２１に充填され、例えば鋳込み成形又はプレス成形で充填されてもよいし、事前に成形処理された成形部品として支持体本体２に固定されてもよく、例えば接着剤を用いて凹部２１に固定されてもよい。
【００３０】
前記充填材料３１は、好ましくは電気的に絶縁性である。有利にはこの充填材料は、低い弾性率に加えて、高い熱伝導性も備える。
【００３１】
前記充填材料は、例えばエラストマーまたはエラストマー合金、ゴムやケイ酸塩を含むか又はそのような材料からなる。これらの充填材料の弾性率は、有利には０.０１ＧＰａ〜１ＧＰａの間である。
【００３２】
機械的分離装置５は、半導体チップ７１の第１のコンタクトとの接続に過度な機械的負荷がかからないように設計されている。例えばその機械的負荷は、（０.６ｍｍ）2の大きさのコンタクトと１００Ｎ／ｍｍ2の接着強度の接着層のもとで、引張り応力又はせん断応力による０.４Ｎの最大負荷を超えない。
【００３３】
凹部２１は上方から見て接続支持体１上で、前記第１の接続面３１と部分的に重畳している。また半導体素子８を上方から見れば、接続領域３１３と、第１のコンタクト７１は同等に延在しており、実質的に合同である。さらに上方から見れば、前記接続領域３１３は、前記接続支持体１上で第１のコンタクト７１と共に完全に前記凹部２１凹部内に配置されている。そのため前記第１のコンタクト７１と接続支持体１との間の接続部分と、前記接続領域３１３とが、前記機械的分離装置５を用いて支持体本体２から機械的に分離される。
【００３４】
第１の接続面３１の電流供給のために設けられているリード領域３１４は、前記平面図で見て、凹部２１を超えて突出している。
【００３５】
例えば半導体チップ７とは異なる膨張係数を有する接続支持体１の熱膨張や外部から支持体本体２に作用する機械的負荷に起因する支持体本体２への曲げ荷重のもとで、第１の接続面３１と第１のコンタクト７１との間の接続が損なわれる危険性は、充填凹部２１によって低減される。
【００３６】
上方から見て前記接続支持体１上で、第１の接続面３１の３つの側面３１０ａ，３１０ｂ，３１０ｃに沿って第２の接続面３２の外縁３２１が延在している。この場合側面３１０ｂと相互に対向する、有利には相互に平行に延在する側面３１０ａ及び３１０ｃは相互に接続している。第２の接続面３２は、第１の接続面３１を、特に接続領域３１３を取り囲んでいる。そのため第１の接続面３１よりもはるかに大きい第２の接続面３２を実現することは容易である。
【００３７】
第２の接続面３２は、有利には第１の接続面３１よりも少なくとも１.５倍大きく、特に有利には第１の接続面３１よりも少なくとも３倍大きい。第２の接続面３２は、有利には電気的コンタクト形成の他に、動作中の半導体チップで発生した損失熱の放熱にも用いられる。
【００３８】
第１の接続面３１の接続領域３１３の近傍で、第２の接続面３２が空間を空けている。そのため上方から見れば、第２の接続面の外縁３２１上の２つの点３２１ａと３２１ｂの間を仮想の接続線（図１Ｂ中に波線３２１ｃで示されている）が第２の接続面の外側と一部第１の接続面３１を貫通して延在している。
【００３９】
支持体本体２は、導電性材料、例えば金属薄板によって形成されていてもよい。この金属薄板は専ら１００μｍ〜１ｍｍの間の厚さ、有利には２００μｍ〜５００μｍの間、例えば約２０μｍの厚さを有していてもよい。
【００４０】
代替的に前記支持体本体２に対しては、電気的絶縁材料、例えばプラスチックが用いられていてもよい。このプラスチック材料は比較的厚く、例えば０.３ｍｍ〜１.５ｍｍの間の厚さと硬さを有し、更に高い熱伝導性も保証される。支持体本体が電気的絶縁性の場合には、図３に示されているような絶縁層４は不要となり、省略可能である。
【００４１】
支持体本体のプラスチック材料としては、例えばアクリル、ポリスチロール（ないしポリスチレン）又はポリアミドが適している。
【００４２】
支持体本体の弾性率は有利には１ＧＰａ〜５０ＧＰａの間である。
【００４３】
絶縁性の支持体本体２は、有利にはその絶縁破壊耐力に関して次のように構成されている。すなわち、例えば接続面３１，３２に印加される電源網電圧が例えば２２０Ｖの完全な絶縁機器に求められる要求を充たすように構成されている。
【００４４】
図示の実施形態とは異なって、前記支持体本体が多層係であってもよい。例えばプラスチックの下側が例えば金属薄板や鉄板のような補強材料層で補強されていてもよいし、そのような材料が接着されていてもよい。金属層、特に金属薄板は、例えば０.３ｍｍ〜０.８ｍｍの間の厚さを有していてもよい。
【００４５】
図面を分かり易くするために、前記接続支持体のうちの半導体チップ７が固定される領域のみが示されている。有利には前記接続支持体１には、複数の半導体チップが固定され、前記接続支持体１と導電的に接続されていてもよい。その場合には相互に少なくとも電気的に直列に、及び／又は少なくとも電気的に並列に接続され得る。ＬＥＤ半導体チップの連鎖型照明、例えばＬＥＤ一般照明は、特に低コストで製造され得る。
【００４６】
図２Ａおよび図２Ｂに示されている第２実施例は、実質的に、図１Ａおよび図１Ｂに関連して説明した第１実施例に相応している。ここでの違いは、凹部２１の充填材料５１にビード部５２が形成されている点である。このビード部は第１の接続面３１の形成前に、例えばプレス加工によって既に成形されていてもよい。ビード部５２はバネ作用を生じさせる。このバネ作用によって、第１の接続面と第１のコンタクト面７１との接続部まで伝達される支持体本体２に作用する機械的緊張を緩和させることができる。前記ビード部は、支持体本体の主表面２０に関して、少なくとも１つの沈降部分５２１と隆起部分５２２とを有している。当該側面図からは前記第１の接続面３１の形態がビード部５２の形態に続いている様子がわかる。前述した実施例とは異なって、前記ビード部５２は、直接支持体本体２内に直接形成することもできる。
【００４７】
図３に示す第３の実施形態は、図１ＡおよびＢに関連して説明した第１実施例に実質的に相応している。ここでの違いは、上方から見て前記接続支持体１上で前記凹部２１が、第１の接続面３１と第２の接続面３２に重なっている点である。この凹部の横方向の広がりは、図中矢印５５で示されている。前述してきた実施例と異なっているのは、この凹部２１が少なくとも横方向に沿って完全に半導体チップ７を超えて延在している点である。そのため半導体チップよりも大きな拡がりを有している。例えば前記凹部は上方から見て、半導体チップの横方向の拡がりに関して半導体チップから片側において専ら１％〜５０％、有利には専ら１％〜３０％の範囲で突出している。
【００４８】
凹部２１の比較的大きな面積の構成は、特に有利には、充填材料５１の熱伝導率が例えば支持体本体２の材料の熱伝導率と少なくとも同じか最大でもそれより３０％少ない。それにより、半導体チップ７と接続支持体１との接続の保護は、十分に向上される。
【００４９】
図示の実施例では、支持体本体２は、電気的に絶縁されて構成されており、そのため支持体本体の主表面２０の絶縁層は不要である。それとは異なり、前記支持体本体２は、当該実施例において導電的に構成されている場合には、図１Ａおよび図１Ｂに関連して説明した絶縁層４を有し得る。
【００５０】
図４Ａおよび図４Ｂに示されている第４の実施形態も実質的には図１Ａおよび図１Ｂに関連して説明してきた第１の実施形態に相応している。
【００５１】
ここでの違いは、機械的分離装置５が第１の接続面３１の蛇行状領域３３を用いて形成されている点である。この蛇行状領域３３は、リード領域３１４と接続領域３１３の間に形成されている。蛇行状領域３３の外縁３３１は、支持体本体２において領域毎に凹部２１を形成している。この凹部２１は、第１の接続面３１と第２の接続面３２の間を延在している。さらに前記凹部２１は、前記蛇行状領域３３の２つの対向面に沿って延びている。図を分かり易くするために、前記蛇行状領域３３に対しては１つの曲げ周期しか示していないが、前記機械的分離装置の分離機能をさらに向上するために、二つ以上のこのような曲げ周期を、例えば２〜５の曲げ周期を設けることも可能である。
【００５２】
前記凹部２１により、支持体本体２の柱状領域５３が形成される。この柱状領域５３は、その上に形成されると電気的なリード導体としての前記蛇行状領域３３と共にバネ作用を引き起こす。このバネ作用は、第１のコンタクト７１と支持体本体２との間の接続の機械的分離につながる。前記凹部２１は、例えば微細なフライスカッターを用いたフライス加工、又はエンボス加工などによって形成することができる。さらに、前記バネ作用の強化のために凹部を少なくとも領域毎に側方から突出するように形成してもよい（明示的に図示せず）。そのような凹部２１は、例えばエッチング処理を用いて製造可能である。
【００５３】
前記凹部２１は、当該実施例においては、有利には充填材料から開放されている。但しここでの違いは、少なくとも領域毎に充填材料が設けられている点である。これは少なくとも部分的に、図１Ａおよび図１Ｂに関連して説明したように実行されてもよい。
【００５４】
図５に示す第５実施形態も実質的には図１Ａおよび図１Ｂに関連して説明してきた第１の実施形態に相応している。ここでの違いは、支持体本体２が凹部から開放されている点である。ここでの機械的分離装置５は、第１の接続面３１の自由に載置できる領域３４を用いて形成される。接続領域３１３は完全に自由載置領域３４の内部に配置されている。この自由載置領域３４内では、第１の接続面３１と支持体本体２との間の直接的な力結合は生じない。このことは、例えば次のようなことによって得ることが可能である。すなわち前記接続面３１が領域毎に支持体本体２に固定され、例えば接着される。
【００５５】
この特許出願は、ドイツ特許出願第１０  ２０１１  ０１４  ５８４．２の優先権を主張し、これによってその開示内容も参照により本明細書に組み込まれる。
【００５６】
本発明は実施例に基づく明細書の説明によって当該実施例に限定されるものではない。それどころか、本発明は、あらゆる新たな特徴並びにこれらの特徴のあらゆる組み合わせを含んでいる。このことは特にこれらの特徴の各組み合わせがたとえその特徴ないし組み合わせ自体が詳細な説明や特許請求の範囲に記載されていなくても、特許請求の範囲に含まれ得ることを意味する。
【図１Ａ】
2014510413.tif 000003
【図１Ｂ】
2014510413.tif 000004
【図２Ａ】
2014510413.tif 000005
【図２Ｂ】
2014510413.tif 000006
【図３】
2014510413.tif 000007
【図４Ａ】
2014510413.tif 000008
【図４Ｂ】
2014510413.tif 000009
【図５】
2014510413.tif 000010
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月25日(2013.11.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つの半導体チップ（７）のための接続支持体（１）において、
前記接続支持体（１）が主表面（２０）を備えた支持体本体（２）を有しており、
前記主表面（２０）上に第１の接続面（３１）と、該第１の接続面（３１）から離間された第２の接続面（３２）が形成されており、
前記接続支持体（１）は、機械的分離装置（５）を有しており、
前記機械的分離装置（５）は、前記支持体本体（２）から前記第１の接続面の少なくとも１つの領域への機械的応力の伝達を減衰するために設けられており、
前記第２の接続面（３２）は、前記第１の接続面の少なくとも１.５倍の大きさであることを特徴とする接続支持体（１）。
【請求項２】
前記機械的分離装置（５）は、前記支持体本体（２）内の凹部（２１）によって形成されている、請求項１記載の接続支持体。
【請求項３】
前記凹部（２１）は、充填材料（５１）で充填されており、該充填材料（５１）は前記支持体本体よりも低い弾性率を有している、請求項２記載の接続支持体。
【請求項４】
前記充填材料（５１）の弾性率は、最大で、前記支持体本体（２）の弾性率の０.７倍である、請求項３記載の接続支持体。
【請求項５】
前記機械的分離装置（５）は、前記充填材料（５１）内に形成されるビード状部によって形成される、請求項３記載の接続支持体。
【請求項６】
前記凹部は、上方から見て前記接続支持体上で前記第１の接続面と前記第２の接続面に重畳している、請求項２から５いずれか１項記載の接続支持体。
【請求項７】
前記機械的分離装置（５）は、ビード状部（５２）によって形成されている、請求項１または２記載の接続支持体。
【請求項８】
前記機械的分離装置（５）は、前記第１の接続面（３１）内の蛇行状に延在する領域（３３）によって形成されている、請求項１記載の接続支持体。
【請求項９】
前記機械的分離装置（５）は、凹部（２１）によって形成されており、該凹部（２１）は、領域毎に前記蛇行状に延在する領域（３３）の外縁（３３１）に沿って形成されている、請求項８記載の接続支持体。
【請求項１０】
前記機械的分離装置（５）は、前記第１の接続面（３１）の主表面上に自由に載置される領域（３４）によって形成されている、請求項１から９いずれか１項記載の接続支持体。
【請求項１１】
前記第２の接続面（３２）は、前記第１の接続面（３１）の少なくとも３倍の大きさである、請求項１から１０いずれか１項記載の接続支持体。
【請求項１２】
前記第２の接続面（３２）の外縁（３２１）は、少なくとも２つの点を有しており、前記２つの点の間を延在する直線状の仮想接続線が前記第１の接続面を通って延在している、請求項１から１１いずれか１項記載の接続支持体。
【請求項１３】
前記第２の接続面（３２）の外縁が、前記第１の接続面（３１）の３つの側面（３１０ａ，３１０ｂ，３１０ｃ）に沿って少なくとも領域毎に延在している、請求項１から１２いずれか１項記載の接続支持体。
【請求項１４】
請求項１から１３いずれか１項に記載の接続支持体（１）と、少なくとも１つの半導体チップ（７）とを備えた半導体素子（８）であって、
前記半導体チップ（７）は、前記接続支持体（１）に面する下側（７３）に、第１のコンタクト（７１）と第２のコンタクト（７２）とを有し、
前記第１のコンタクト（７１）は、前記第１の接続面（３１）に導電的に接続され、
前記第２のコンタクト（７２）は前記第２の接続面（３２）と導電的に接続されていることを特徴とする半導体素子（８）。
【国際調査報告】
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