(57)【要約】  ウェハの上面上のダイシングラインによって分離された複数の加工領域、及びウェハの裏面上の接着剤コーティングを有する半導体ウェハから半導体ダイを製造する方法が、接着剤コーティングが印刷されることが意図されていない加工領域及びダイシングラインに、リペレント材料を塗布するステップ、接着剤コーティングをウェハの裏面上に塗布するステップ、リペレント材料を除去するステップ、及びウェハをダイシングラインに沿って個々のダイに切り離すステップを含む。【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウェハの上面上にダイシングラインによって分離された複数の加工領域、及びウェハの裏面上に接着剤コーティングを有する半導体ウェハから半導体ダイを製造する方法であって、
接着剤コーティングが印刷されることが意図されていない加工領域及びダイシングラインに、リペレント材料を塗布するステップ、
接着剤コーティングをウェハの裏面上に塗布するステップ、
リペレント材料を除去するステップ、及び
ウェハをダイシングラインに沿って個々のダイに切り離すステップ
を含む方法。
【請求項２】
リペレント材料が、ポリビニルアルコール、水溶性セルロース誘導体、ゼラチン、デンプン及び多糖類、ポリエチレンオキシド、ポリビニルピロリドン、スルホン化ポリスチレン、及び親水性基を含むエチレン性不飽和モノマー由来のポリマーからなる群より選択される水溶性のリペレント材料である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
リペレント材料が、ワックス及びフッ素化ワックス、固体水素化油、ポリオレフィン、アクリレート、メタクリレート、スチレン系ポリマー、及びシリコーン化合物からなる群より選択される有機溶媒可溶性のリペレント材料である、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
リペレント材料が、
（ｉ）硬化したときにエラストマーを形成する１種又は複数の架橋性ポリオルガノシロキサンと、
ｉｉ）前記１種又は複数の架橋性ポリオルガノシロキサン中に分散され、硬化エラストマー中で離散状態を維持し、硬化エラストマーの分解温度よりも低い融解温度を有する高分子粒子と
を含む組成物の反応生成物である、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
リペレント材料が、
（ｉ）硬化したときにエラストマーを形成する１種又は複数の架橋性ポリオルガノシロキサンと、
ｉｉ）１種又は複数の（メタ）アクリル酸エステルと
を含む組成物の反応生成物である、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
リペレント材料が、
（ｉ）芳香族エポキシ樹脂、脂肪族エポキシ樹脂、及び／又はそれらの組み合わせより選択される１種又は複数のエポキシ樹脂と、
（ｉｉ）多価アミン、多価カルボン酸及び酸無水物並びに／又はそれらの組み合わせより選択される１種又は複数の架橋剤と
を含む組成物の反応生成物である、請求項１に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
関連出願の相互参照
本出願は、２０１１年７月１日出願の米国特許仮出願第６１／５０３，７６９号の利益を主張し、その内容は参照により本明細書に援用される。
【０００２】
本発明は、半導体ダイの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００３】
従来の半導体ダイの製造方法においては、半導体ウェハは、ウェハの上面に複数の回路を形成するように加工され、後の工程において、ウェハは、規定されたダイシングストリート又はダイシングラインに沿って、それぞれがその上面に少なくとも１つの回路を有する個々のダイに分離される。個々のダイは、半導体パッケージ又は回路基板において使用され、接着剤によってその基材に取り付けられる。ウェハ上の通常の半導体回路に加えて、一部のウェハは、シリコン貫通電極、マイクロバンプ及びその他の加工要素を用いて製造される。
【０００４】
電気及び電子機器の小型化及び薄型化は、より薄い半導体ダイのニーズを生み出してきた。より薄い半導体ダイを製造する１つの方法は、ウェハが個々のダイに切り離される前に、ウェハの裏面、回路素子が全く存在しない側から余分な材料を除去することである。この除去は、研削以外の方法が用いられることも予想し得るが、一般的には研削工程によって行われ、裏面研削（ｂａｃｋ  ｓｉｄｅ  ｇｒｉｄｉｎｇ）として知られている。研削の後、次いで、薄いウェハは、機械的又はレーザーによる切断の何れかにより、個々のダイへ個片化される。非常に薄いウェハ（＜５０μｍ）については、この標準的な方法には潜在的な問題がある。非常に薄いウェハは脆く、そして反りやすい。加えて、そのような薄いウェハの切断は、裏面若しくは前面のチッピング(ｃｈｉｐｐｉｎｇ)、又は側壁のき裂（ｃｒａｃｋｉｎｇ）をもたらすことがある。
【０００５】
個々のダイを基材に取り付けるための接着剤は、個々のダイに塗布するよりも、ウェハ段階で塗布する方が効率的である。従って、１つの製造方法においては、接着剤は、ウェハの裏面に塗布され、ウェハ裏面コーティング接着剤として知られている。
【０００６】
薄厚化されたダイのダイシング操作の間のき裂を防止するために、後の個片化を容易にする目的で、隣接する回路の間に、ダイシングラインを、全厚ウェハの上面中に部分的に切削又はレーザー切削してもよい。ダイシングラインを部分的に切削した後、回路素子を保護するためにウェハの上面に保護テープ（裏面研削テープとしても知られる）を積層し、それからダイシングラインが切削された深さまでウェハの裏面から材料を除去する。この方法では、保護テープが除去されると、薄厚化されたウェハをダイシングする必要なしに個片化されたダイがもたらされ、研削前のダイシングとして知られている。
【０００７】
この方法の欠点の１つは、ウェハは既に個々のダイに個片化されているのであるが、ウェハに塗布されたフィルムなどの接着剤がウェハの裏面に塗布されると再度のダイシングを必要とし得ることである。その代わりにウェハ裏面コーティング接着剤が塗布される場合には、そのコーティングがダイシングライン又はダイシングストリートに入り込んでこれを汚染し、切り離し工程を妨げ、チップの前面を汚染する可能性がある。ウェハを薄くするための研削操作の前に部分的なダイシング操作を行う場合、これによって、回路間のダイシングラインへのウェハ裏面コーティングの汚染を防止する手段に対する必要性が生じる。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、ウェハの上面上のダイシングラインによって分離された複数の加工領域（ｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ  ｒｅｇｉｏｎ）、及びウェハの裏面上の接着剤コーティングを有する半導体ウェハから半導体ダイを製造する方法であって、リペレント材料(ｒｅｐｅｌｌｅｎｔ  ｍａｔｅｒｉａｌ)を、接着剤コーティングが印刷されることが意図されていない加工領域及びダイシングラインに塗布するステップ、接着剤コーティングをウェハの裏面に塗布するステップ、リペレント材料を除去するステップ、及びウェハをダイシングラインに沿って個々のダイに切り離すステップを含む。この明細書及び特許請求の範囲内において、用語「加工領域」とは、回路素子、シリコン貫通電極、マイクロバンプ及びその他の半導体上の加工要素を包含する。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
本発明の本質は、製造工程において用いられる接着剤及びコーティング、特にウェハ裏面コーティングによるダイシングライン及び加工領域の汚染を阻止するためのリペレント材料の使用にある。半導体ウェハから個々の半導体ダイを製造するための典型的な方法においては、ウェハには、その上面に回路素子が形成され、一部の実施形態においては、シリコン貫通電極、マイクロバンプ及びその他の要素が形成され、個々のダイへの個片化が行われることになる領域において、隣接する加工領域間の表面にダイシングライン及びダイシングストリートが刻み付けられる。
【００１０】
ウェハが薄厚化されることになる場合には、加工領域を保護するために、裏面研削テープと呼ばれる保護テープがウェハの上面に積層され、ウェハの裏面が、所定の深さまで薄厚化される。
【００１１】
次の段階においては、ウェハ裏面接着剤又はコーティングがウェハの裏面に塗布され、Ｂステージ化される。Ｂステージ化とは、接着剤又はコーティングを部分的に硬化させる、又は硬化させることなく接着剤が固化（ｈａｒｄｅｎ）するように溶媒を揮散させることに対して用いられる用語である。
【００１２】
ダイシングのためのウェハを用意するために、支持ダイシングテープがＢステージ化された接着剤又はコーティングの上からウェハの裏面に貼付され、裏面研削テープが除去され、ウェハが個々のダイに分離される。分離は、刃、又はレーザーダイシングを用いて行うことができ、一部の実施形態においては、分離は、ダイを機械的に分離するためにダイシングテープを引き延ばすことによって行われる。
【００１３】
本発明においては、裏面研削保護テープがウェハの上面に積層される前に、接着性裏面コーティングをはじく材料が、ダイシングラインを塞ぐために十分な量にて、ダイシングライン中及びウェハの上面に塗布される。接着剤リペレント材料（ａｄｈｅｓｉｖｅ  ｒｅｐｅｌｌｅｎｔ  ｍａｔｅｒｉａｌ）を固化させ、又は、固まらせ、次にウェハの上面上に、固化した接着剤リペレント材料の上から裏面研削保護テープが積層される。
【００１４】
ウェハが薄厚化され、接着剤コーティングがウェハの裏面に塗布される。接着性裏面コーティングは、接着剤リペレント材料によってはじかれ、ダイシングストリート又はリペレント材料が塗布された領域に入り込まない。接着性ウェハ裏面コーティングがＢステージ化され、ダイシングテープがＢステージ化された接着剤の上に貼付される。裏面研削保護テープがウェハの上面から除去され、今度はリペレント材料がウェハの上面から取り除かれる。次にウェハを、ダイシングラインに沿って個々のダイに切り離すことができる。
【００１５】
ウェハの上面上への複数の回路の形成は、業界の文献中に詳細に記載される半導体製造方法により行われる。ウェハは半導体材料であり、一般的にはシリコンである。回路は、ウェハの上面の下方、面上、又は上方に形成することができ、不活性化層（ｐａｓｓｉｖａｔｉｏｎ  ｌａｙｅｒ）などのコーティングによって保護することができる。ウェハの上面中の個々の回路間に形成されるダイシングラインは、ダイシングストリート又はトレンチとしても知られている。これらのダイシングラインは、回路形成に先立ち、又は回路形成と同時に形成することができる。ダイシングラインの形成手段としては、例えば、湿式又は乾式のエッチング、及びレーザー穴開けが挙げられる。ダイシングラインの目的は、ウェハの個々の半導体ダイへのダイシングを容易にすること及び誘導することにある。
【００１６】
後に塗布されるウェハ裏面コーティングをはじくため、及び意図しない領域へのその侵入を防止するために、ダイシングライン及び加工領域中への接着剤リペレント材料の塗布が行われる。接着剤リペレント材料は、ウェハの裏面に対する接着剤として塗布されるように選ばれたウェハ裏面コーティングをはじくように選択される。接着剤リペレント材料は、ダイシングストリート及び加工領域を保護するために効果的な量にて塗布され、水溶性又は有機溶媒可溶性のリペレント材料であり得る。
【００１７】
好適な水溶性のリペレント材料としては、ポリビニルアルコール、水溶性セルロース誘導体、ゼラチン、デンプン及び多糖類、ポリエチレンオキシド、ポリビニルピロリドン、スルホン化ポリスチレン、及び親水性基を含むエチレン性不飽和モノマー由来のポリマーからなる群より選択される、親水性ポリマーが挙げられる。好適な有機溶媒可溶性のリペレント材料は、ワックス及びフッ素化ワックス、固体水素化油、ポリオレフィン、アクリレート、メタクリレート、及びスチレン系ポリマー、並びにシリコーン化合物からなる群より選択される。
【００１８】
１つの実施形態において、リペレント材料は、（ｉ）硬化したときにエラストマーを形成する１種又は複数の架橋性ポリオルガノシロキサンと、（ｉｉ）前記１種又は複数の架橋性ポリオルガノシロキサン中に分散され、硬化エラストマー中で離散状態を維持し、硬化エラストマーの分解温度よりも低い融解温度を有する高分子粒子と、を含む組成物Ａの反応生成物である。
【００１９】
本発明中において、用語、高分子粒子の「融解温度」とは、好ましくは、高分子粒子が固体から液体へと状態変化する温度をいう。融解温度は、ＤＳＣにより測定することができ、融解温度はＤＳＣ曲線の変曲点として定義される。
【００２０】
本発明中において、用語、硬化エラストマーの「分解温度」とは、エラストマーが１０ｗｔ％を超えて、好ましくは２０ｗｔ％を超えて重量損失する温度をいう。分解温度はＴＧＡ（熱重量分析）により測定することができる。
【００２１】
有用な高分子粒子のひとつは高分子紛体であり、ここで、高分子粒子は、好ましくはポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエチレン−コ−プロピレン、ポリブタジエン、ポリカプララクトン、アイソタクチックポリ（１−ブテン）、シンジオタクチックポリプロピレン、ポリ（１−デセン）、ポリ（エチレン−コ−１−ブテン）、ポリ（エチレン−コ−酢酸ビニル）、ポリブチレンアジピン酸、ポリ（α−メチルスチレン−コ−メチルスチレン）、ポリエチレンオキシド、トランス−１，４−ポリブタジエン又はトランス−１，４−ポリイソプレンなどのポリオレフィン及び／又はコポリオレフィンより選択される。
【００２２】
本発明の高分子粒子の粒径は、例えば５０ｎｍから約１００μｍまでなど、幅広く変化し得る。１つの実施形態において、高分子粒子は、約５μｍ〜約１０μｍの粒径範囲を有する。粒径は、Ｍａｓｔｅｒｓｉｚｅｒ  ２０００（Ｍａｌｖｅｒｎ  ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ  Ｌｔｄ製、Ｍｉｅによる計算）を用いるレーザー回折によって測定することができる。
【００２３】
本発明中において使用される用語「粒径」とは、ｄ５０体積平均粒子直径をいう。ｄ５０体積平均粒子直径は、５０体積％の粒子が、ｄ５０値よりも大きな直径を有するような粒子直径として定義される。
【００２４】
高分子粒子は、組成物Ａの架橋性ポリオルガノシロキサン中に、形状保持する量で、好ましくは、硬化性組成物Ａの全重量を基準として１重量％〜８０重量％の量、より好ましくは２０重量％〜６０重量％の量、特に好ましくは３０重量％〜５０重量％の量にて分散する。
【００２５】
別の実施形態において、本発明の方法において用いられる形状記憶ポリマーは、（ｉ）硬化したときにエラストマーを形成する１種又は複数の架橋性ポリオルガノシロキサンと、（ｉｉ）１種又は複数の（メタ）アクリル酸エステルと、を含む組成物Ｂの硬化生成物である。
【００２６】
本明細書で使用する場合、用語「（メタ）アクリル酸エステル」は、メタクリル酸エステル及びアクリル酸エステルを包含することを意図し、メタクリレート又はアクリレートへの言及は、明確にそうでないと断らない限り、もう一方も包含することを意図する。
【００２７】
硬化性組成物Ｂ中への（メタ）アクリル酸エステル（ここでは、液体充填材）の組み込み、それに続く（メタ）アクリル酸エステルの硬化によって相分離が起こり、それにより、組成物Ｂの硬化生成物中に（メタ）アクリル酸エステル重合体ドメインが形成する。
【００２８】
（メタ）アクリル酸エステルは、広範囲の化合物から選択することができる。組成物Ｂ中の液体充填材として有用な（メタ）アクリル酸エステルの望ましい種類としては、多官能性又は単官能性（メタ）アクリル酸エステルが挙げられる。本発明において有用な１つの（メタ）アクリル酸エステルの種類は、一般構造
【００２９】
【化１】
2014526143.tif 000002
を有し、ここで、ＲａはＨ、ハロゲン又はＣ１〜Ｃ２０ヒドロカルビル；ＲｂはＨ又はＣ１〜Ｃ２０ヒドロカルビルである。望ましくは、Ｒｂは少なくともＣ４以上である。
【００３０】
本明細書で使用する場合、用語「ヒドロカルビル」（炭化水素基）は、主として炭素原子及び水素原子からなる、分岐又は非分岐のラジカル又はジラジカルをそれぞれ指すことを意図している。従って、この用語は、アルキル、アルケニル及びアルキニル基などの脂肪族基、フェニルなどの芳香族基、並びにシクロアルキル及びシクロアルケニルなどの脂環式基を包含する。本発明の炭化水素ラジカルは、当該基の炭化水素としての性質を損ねない範囲において、ヘテロ原子を含んでもよい。従って、炭化水素基は、エーテル、アルコキシド、カルボニル、エステル、アミノ基、シアノ基、スルフィド、硫酸、スルホキシド、スルホン、及びスルホンなどの官能基を包含する。
【００３１】
本発明の炭化水素ラジカル及びジラジカルは、置換基がヒドロカルビル基の炭化水素としての性質を損ねない範囲において、場合により置換されてもよい。本明細書で使用する場合、「場合により置換される」とは、基上の１つ又は複数の水素が、それに相当する数の、好ましくはハロゲン、ニトロ、アジド、アミノ、カルボニル、エステル、シアノ、スルフィド、硫酸、スルホキシド、スルホン及び／又はスルホン基から選択される置換基により置換されてもよいことを意味することを意図する。
【００３２】
その他の望ましい組成物Ｂの（メタ）アクリル酸エステルは、一般構造
【００３３】
【化２】
2014526143.tif 000003
を有するウレタン（メタ）アクリル酸エステルであり、ここで、ＲｃはＨ、Ｃ１〜Ｃ４アルキル又はハロゲン；Ｒｄは（ｉ）Ｃ１〜Ｃ８ヒドロキシアルキレン若しくはアミノアルキレン基、又は（ｉｉ）Ｃ１〜Ｃ３アルキル、Ｃ１〜Ｃ３アルキルアミノ若しくはジ−Ｃ１〜Ｃ３アルキルアミノ基により場合により置換されたＣ１〜Ｃ６アルキルアミノ−Ｃ１〜Ｃ８アルキレン、ヒドロキシフェニレン、アミノフェニレン、ヒドロキシナフタレン若しくはアミノナフタレン；Ｒｅは、１〜４のハロゲン原子、又は１〜３のアミノ、又はモノ−若しくはジ−Ｃ１〜Ｃ３アルキルアミノ若しくはＣ１〜Ｃ３アルコキシ基、により場合により置換された、Ｃ２〜Ｃ２０アルキレン、Ｃ２〜Ｃ２０アルケニレン又はＣ２〜Ｃ２０シクロアルキレン、Ｃ６〜Ｃ４０アリーレン、アルカリーレン、Ｃ２〜Ｃ４０アラルカリーレン、Ｃ２〜Ｃ４０アルキルオキシアルキレン又はＣ２〜Ｃ４０アリールオキシアリーレンである。
【００３４】
その他の望ましい（メタ）アクリル酸エステルとしては、限定はされないが、一般構造
【００３５】
【化３】
2014526143.tif 000004
におけるウレタン（メタ）アクリル酸エステルであり、ここで、Ｒｃ、Ｒｄ、及びＲｅは本明細書中で上記したとおりであり、Ｒｆは、少なくとも２つのアミノ又はヒドロキシ基を有するポリアミン又は多価アルコールからｗ個のアミノ又はヒドロキシ基を除去することによって得られるｗ価の残基、ＸはＯ又はＮＲｇであり、但し、ＲｇはＨ又はＣ１〜Ｃ７アルキル、ｗは２〜２０の整数である。
【００３６】
好適な単官能性（メタ）アクリル酸エステルは、イソボルニル（メタ）アクリレート、アダマンチル（メタ）アクリレート、ジシクロペンテニル（メタ）アクリレート、トリメチルシクロヘキシル（メタ）アクリレート、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、ｎ−オクチル（メタ）アクリレート、イソ−オクチル（メタ）アクリレート、ｎ−ノニル（メタ）アクリレート、イソ−ノニル（メタ）アクリレート、ｎ−デシル（メタ）アクリレート、イソ−デシル（メタ）アクリレート、ｎ−ウンデシル（メタ）アクリレート、イソ−ウンデシル（メタ）アクリレート、ｎ−ドデシル（メタ）アクリレート、イソ−ドデシル（メタ）アクリレート、２（２−エトキシエトキシ）エチルアクリレート及び／又はそれらの組み合わせから選択される。
【００３７】
有利には、（メタ）アクリル酸エステルは、イソボルニルアクリレート、イソ−オクチルアクリレート、及び／又はイソデシル２（２−エチキシエトキシ）エチルアクリレートである。
【００３８】
１つの好ましい実施形態において、組成物Ｂの（メタ）アクリル酸エステル成分は、イソボルニル（メタ）アクリレートのｎ−デシル（メタ）アクリレートとの組み合わせ、イソボルニル（メタ）アクリレートのイソ−デシル（メタ）アクリレートとの組み合わせ、イソボルニル（メタ）アクリレートのｎ−ウンデシル（メタ）アクリレートとの組み合わせ、イソボルニル（メタ）アクリレートのイソ−ウンデシル（メタ）アクリレートとの組み合わせ、イソボルニル（メタ）アクリレートのｎ−ドデシル（メタ）アクリレートとの組み合わせ、又はイソボルニル（メタ）アクリレートの（イソ−ドデシル（メタ）アクリレートとの組み合わせを含む。
【００３９】
望ましい特定の多官能性（メタ）アクリル酸エステルとしては、ポリエチレングリコールジメタクリレート及びジプロピレングリコールジメタクリレートが挙げられる。
【００４０】
他の望ましい（メタ）アクリル酸エステルは、ビスフェノールＡの、アクリレート、メタクリレート及びグリシジルメタクリレートエステルから選択される。記載されたこれらのフリーラジカル重合性成分の中で望ましいものは、エトキシ化ビスフェノール−Ａ−ジメタクリレート（「ＥＢＩＰＭＡ」）である。
【００４１】
上記（メタ）アクリル酸エステルの任意の混合物を、組成物Ｂに用いてもよい。
【００４２】
１種又は複数の（メタ）アクリル酸エステルは、少なくとも組成物Ｂの全量の５重量％の量にて添加されてもよい。望ましくは、１種又は複数の（メタ）アクリル酸エステルは、組成物Ｂの全量の１５〜８０重量％の量にて、より望ましくは組成物Ｂの全量の２０〜７０重量％の量にて存在する。
【００４３】
上述のように、組成物Ａ並びに組成物Ｂは、１種又は複数の、硬化したときにエラストマーを形成する架橋性ポリオルガノシロキサンを含む。
【００４４】
本発明の方法において用いられる架橋性ポリオルガノシロキサンは、好ましくは硬化性シリコーン組成物から選択される。各種の硬化性シリコーン組成物を用いることができる。例えば、熱硬化性シリコーン組成物、水分硬化性シリコーン組成物及び光硬化性シリコーン組成物を用いることができる。多モード硬化性（ｐｏｌｙｍｏｄａｌ  ｃｕｒｉｎｇ）シリコーン組成物、例えば、光・水分二重硬化性組成物又は熱・水分二重硬化性シリコーン組成物もまた有用である。
【００４５】
好適な架橋性ポリオルガノシロキサンは、式（Ｉ）
【００４６】
【化４】
2014526143.tif 000005
の化合物から選択され、ここで、Ｒ１、Ｒ２及びＲ５は、互いに独立に水素、Ｃ１〜２０アルキル、Ｃ１〜２０アルコキシル又はＣ１〜２０アシルより選択され、Ｒ３は、
【００４７】
【化５】
2014526143.tif 000006
であり、ここで、Ｒ６はＣ１〜２０ヒドロカルビル、Ｒ４はＨ又はＣ１〜４アルキルである。
【００４８】
他の実施形態において、架橋性ポリオルガノシロキサンは、式（ＩＩ）
【００４９】
【化６】
2014526143.tif 000007
の化合物より選択され、ここで、ＭＡはメタクリルオキシプロピル基、ｎは１〜１２００、ｃは０又は１、各Ｒ５は互いに独立にＣ１〜２０ヒドロカルビル又はＣ１〜２０ヒドロカルボキシルである。
【００５０】
上記Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、及びＲ５基の例は、アルキル（例えば、メチル、プロピル、ブチル及びペンチル）、アルケニル（例えば、ビニル及びアリル）、シクロアルキル（例えば、シクロヘキシル及びシクロヘプチル）、アリール（例えば、フェニル）、アリールアルキル（例えば、ベータフェニルエチル）、アルキルアリール、及びヒドロカルボノキシ（例えば、アルコキシ、アリールオキシ、アルカリールオキシ、アリアルコキシ、及び特に、メトキシ、エトキシ又はヒドロキシル）である。上記の任意の基は、一部又は全ての水素原子が、フッ素又は塩素などのハロゲンにより置換されてもよい。
【００５１】
架橋性ポリオルガノシロキサン中の繰り返し単位の数を変えて、特定の分子量、粘度及びその他の化学的又は物理的特性を得ることができる。
【００５２】
架橋性ポリオルガノシロキサンは、硬化性組成物Ａの全重量を基準として又は硬化性組成物Ｂの全重量を基準として、約２０重量％〜約９５重量％の量にて存在することができる。
【００５３】
架橋性ポリオルガノシロキサンに加えて、組成物Ａ及び／又は組成物Ｂは、１種又は複数の水素化ケイ素架橋剤及び／又は１種又は複数の有機金属ヒドロシリル化触媒を含んでもよい。
【００５４】
１つの実施形態において、水素化ケイ素架橋剤は、式（ＩＩＩ）
【００５５】
【化７】
2014526143.tif 000008
の化合物より選択され、ここで、Ｒ７、Ｒ９及びＲ１０の少なくとも２つがＨであるか、あるいは、Ｒ、Ｒ７、Ｒ９、及びＲ１０が同一又は異なって、Ｃ１〜２０ヒドロカルビル、好ましくはメチルであり、ｘは１０〜１０００の整数、ｙは１〜２０の整数である。
【００５６】
１種又は複数の水素化ケイ素架橋剤は、所望の架橋量を得るために十分な量にて存在することができ、１つの実施形態において、組成物Ａの全重量を基準として、又は組成物Ｂの全重量を基準として、１重量％〜１０重量％の量にて存在することができる。
【００５７】
有用な有機金属ヒドロシリル化触媒は、熱的ヒドロシリル化硬化反応を開始するために有効な任意の貴金属又は含貴金属触媒から選択されてよい。特に有用なのは、ケイ素結合水素原子とケイ素結合オレフィン基との間の付加反応を触媒するために有効な白金及びロジウム触媒である。本発明におけるその他の有用な触媒の種類としては、有機ロジウム及び白金アルコラートが挙げられる。ルテニウム、パラジウム、オスミウム及びイリジウムの錯体もまた期待される。
【００５８】
１種又は複数の有機金属ヒドロシリル化触媒は、熱的架橋をもたらすために有効な任意の量にて用いることができる。１つの実施形態において、触媒は、組成物Ａの全重量を基準として、又は組成物Ｂの全重量を基準として、０．０２５重量％〜１．０重量％の量にて存在する。
【００５９】
組成物Ａ又はＢの架橋性ポリオルガノシロキサン成分の化学的性質に依って、及び意図する硬化機構に依って、前記組成物Ａ又はＢのそれぞれは、１種又は複数の開始剤を含んでもよく、ここで、本発明において、用語「開始剤」及び「触媒」は互換的に用いられる。
【００６０】
本方法における使用に対して好適な開始剤としては、水分硬化開始剤、光開始剤、フリーラジカル開始剤、熱硬化触媒及び／又はそれらの組み合わせが挙げられる。
【００６１】
１種又は複数の開始剤は、組成物Ａ又は組成物Ｂ中に、それぞれ組成物Ａ又は組成物Ｂの全重量を基準として、０．０１重量％〜１０重量％、好ましくは０．１重量％〜５重量％の量にて存在し得る。
【００６２】
多くの光開始剤を、組成物Ａ及び／又は組成物Ｂの一部として用いることができる。本発明の方法において知られている任意の架橋を促進するフリーラジカル型の光開始剤を用いることができる。光開始剤は、光硬化性組成物が全体として電磁的照射に暴露されると、硬化プロセスの速度を高める。
【００６３】
組成物Ａ及び／又は組成物Ｂにおいて有用なＵＶ光開始剤の非限定的な例としては、ピルビン酸塩、アセトフェノン、ホスフィンオキシド、ベンゾイン、ベンゾフェノン、ジアルコキシ−ベンゾフェノン、ミヒラーケトン（Ｍｉｃｈｌｅｒ’ｓ  ｋｅｔｏｎｅ）（４，４’−ビス（ジメチルアミノ）ベンゾフェノン）、ジエトキシアセトフェノン及び／又は任意のそれらの組み合わせが挙げられる。
【００６４】
本発明の別な実施形態において、本発明の方法において用いられる形状記憶フィルムは、（ｉ）芳香族エポキシ樹脂、脂肪族エポキシ樹脂、及び／又はそれらの組み合わせより選択される１種又は複数のエポキシ樹脂と、（ｉｉ）多価アミン、多価カルボン酸及び酸無水物並びに／又はそれらの組み合わせより選択される１種又は複数の架橋剤と、を含む組成物Ｃの硬化生成物である。
【００６５】
好適な芳香族エポキシ樹脂としては、ＥＰＯＮ  ８２６の商品名にてＨｅｘｉｏｎ  Ｓｐｅｃｉａｌｉｔｙ  Ｃｈｅｍｉｃａｌｓより市販されるビスフェノールＡのジグリシジルエーテルなどの芳香族ジエポキシドが挙げられる。
【００６６】
好適な脂肪族エポキシ樹脂としては、ＴＣＩアメリカより市販されるネオペンチルグリコールジグリシジルエーテル（ＮＧＤＥ）などの脂肪族ジエポキシドが挙げられる。
【００６７】
特に好ましい実施形態において、組成物Ｃは、組成物Ｃのエポキシ樹脂成分として、ビスフェノールＡのジグリシジルエーテルとネオペンチルグリコールジグリシジルエーテル（ＮＧＤＥ）との混合物が用いられる、１種又は複数の芳香族エポキシ樹脂の１種又は複数の脂肪族エポキシ樹脂との組み合わせを含む。
【００６８】
本発明において、用語「多価アミン」とは、少なくとも２つのアミノ基を有する化合物をいい、一方、本発明において、用語「多価カルボン酸」とは、少なくとも２つのカルボン酸基を有する化合物をいう。
【００６９】
組成物Ｃに対する好適な開始剤としては、Ｊｅｆｆａｍｉｎｅ  Ｄ２３０の商品名にてＨｅｘｉｏｎ  Ｓｐｅｃｉａｌｉｔｙ  Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ及びＨｕｎｔｓｍａｎより市販されるポリ（プロピレングリコール）ビス（２−アミノプロピル）エーテルなどの、アルコキシル化ジ−又はトリ−アミンが挙げられる。
【００７０】
本発明の方法において用いられる形状記憶ポリマーフィルムは、任意の方法に従って製造され得る。特に好ましい前記形状記憶ポリマーフィルムの製造方法が、米国特許出願第２００４／０２６６９４０号  Ａ１、２００８／００６４８１５号  Ａ１及び２００８／０２６２１８８号  Ａ１に記載され、これらのそれぞれの開示は、参照によりその全体が明示的に本明細書に援用される。
【００７１】
リペレント化合物は、適切な溶媒（水又は有機溶媒）中に溶解され、例えばスピンコーティング、スクリーン若しくは型紙印刷、又は好ましくはスプレー若しくはジェット印刷による任意の有効な方法により塗布される。溶液の濃度は可能な限り高くし得るが、適切な塗布を可能とする程度までである。次に、次の工程に進む前に、水又は溶媒を揮散させ、リペレント材料を固化させる。
【００７２】
ウェハの上面及びリペレント材料の上への保護層の積層は、後続のウェハの薄厚化工程の間回路を保護するため、及びウェハがダイシングされた後に回路を所定の位置に保つために行われる。保護層は、典型的にはテープの形態であり、特定の実施形態においてＵＶテープの形態である。接着剤は、初めは粘着質であり、次いで照射すると容易に剥がすことができるように固化する。
【００７３】
ウェハを薄厚化するために有効な任意の方法が用いられ得る。特定の実施形態において、ウェハの裏面が研削操作に供される。典型的にはこの裏面研削はダイシングラインの深さに到達するレベルまで行われる。一部の操作においては、ダイシングラインは、ウェハの前面に、裏面研削の目標深さよりも若干深く切り込まれる。この若干過剰な切削は、最終的な個々のダイの切り離しを容易にする。
【００７４】
裏面の薄厚化操作の後、ウェハの裏面に接着剤コーティングが塗布される。この接着剤ウェハ裏面コーティングは、個々のダイをそれらの基材に取り付けるために用いられる。ウェハ裏面コーティングの塗布は、スピンコーティング、スクリーン若しくは型紙印刷、又はスプレー若しくはジェット印刷によるなどの任意の有効な方法により行われる。ウェハ裏面コーティングの化学組成は、後続の工程の要件に合致する任意の接着剤である。そのような接着剤は、当技術分野において知られている。１つの実施形態において、ウェハ裏面コーティングは、Ｂステージ化可能な、すなわち、それを加熱して溶媒を除去することができる、又はＵＶ光開始して部分的に硬化することができることを意味する液体である。Ｂステージ化の後は、ウェハ裏面コーティングは、室温において比較的粘着性がない。後のダイ取り付け操作において、コーティングは、ダイ取り付けの間加熱して軟化し流動化することができ、次に、最終的な硬化のために高温で加熱することができる。
【００７５】
この実施形態において、ウェハ裏面コーティングの化学は、Ｂステージ化され得るように、及び、加工領域中のリペレント材料がウェハ裏面コーティング接着剤をはじくことができるように選択される。
【００７６】
他の実施形態において、ウェハ裏面コーティングの組成は、それがより脆い状態へと硬化するように選択される。この脆い状態により、個々のダイの個片化の間に、裏面コーティングが（機械的に切断される、又はレーザーで切断されるのではなく、むしろ）破壊されるようにすることができる。
【００７７】
後続の操作を目的として、ウェハの裏面上のＢステージ化されたコーティングの上に、支持テープが貼付される。その後、保護（裏面研削）テープは、ウェハの上面から除去される。
【００７８】
次に、リペレント材料が加工領域から除去される。これが水溶性材料である場合には、ウェハの表面は、当該材料の全ての痕跡が除去されるまで水で洗浄される。これが溶媒可溶性材料である場合には、当該材料を溶解するために適当な溶媒が、当該材料の全ての痕跡が除去されるまで表面を洗浄するために用いられる。上述したシリコーンエラストマー組成物が用いられる一部の実施形態においては、リペレント材料は機械的に容易に、加工された領域及びダイシングストリートから除去される。
【００７９】
最後にウェハは、ダイシングラインに沿って、個々の回路へと切り離される。この切り離しは、刃を用いた切断、レーザーを用いた焼切りにより、ウェハ裏面コーティングが脆い材料として提供された場合はウェハ裏面コーティングを引き延ばすことにより、又は部分的切断若しくはレーザー焼切りと引き伸ばしの組み合わせにより行うことができる。
【００８０】
この方法におけるリペレント材料の使用は、ウェハ裏面コーティング接着剤を加工された領域からはじき、汚染を防止する。
【国際調査報告】
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