(57)【要約】ナノ材料調製方法、組成物、および物品を開示および特許請求する。このような方法は、これまでの方法に対して、改善された形態を有し、減少した一酸化窒素の副生成を伴うナノ材料を提供することができる。このような材料は、電子用途に有用である。
2014503688.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つの第１の還元性金属イオンと、少なくとも１つのランタニド金属またはランタニドのイオンを含む少なくとも１つの第２の金属または金属イオンとを含む、少なくとも１つの組成物を提供することであって、前記少なくとも１つの第２の金属または金属イオンは、前記少なくとも１つの第１の還元性金属イオンとは原子番号が異なる、提供することと、
前記少なくとも１つの第１の還元性金属イオンを、少なくとも１つの第１の金属に還元することと、を含む、方法。
【請求項２】
前記少なくとも１つの第１の還元性金属イオンは、少なくとも１つの貨幣金属イオン、少なくとも１つのＩＵＰＡＣ  Ｇｒｏｕｐ１１からの元素のイオン、または少なくとも１つの銀イオンのうちの１つ以上を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記少なくとも１つのランタニド金属またはランタニドのイオンは、ランタン、ランタンのイオン、セリウム、セリウムのイオン、プラセオジム、プラセオジムのイオン、ネオジム、ネオジムのイオン、サマリウム、サマリウムのイオン、ユーロピウム、ユーロピウムのイオン、ガドリニウム、ガドリニウムのイオン、テルビウム、テルビウムのイオン、ジスプロシウム、ジスプロシウムのイオン、ホルミウム、ホルミウムのイオン、エルビウム、エルビウムのイオン、ツリウム、ツリウムのイオン、イッテルビウム、イッテルビウムのイオン、ルテチウム、またはルテチウムのイオンのうちの１つ以上を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
一酸化窒素を、還元される前記少なくとも１つの第１の還元性金属イオン１モル当たりの副生成される一酸化窒素のモル比Ａで副生成することをさらに含み、
前記比率Ａは、比率Ｂの１５％未満であり、Ｂは、Ｃｕ2+イオンの存在下で、前記少なくとも１つの第１の還元性金属イオンを還元するときに、還元される前記少なくとも１つの第１の還元性金属イオン１モル当たりの副生成される一酸化窒素の最大瞬間モル比である、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
一酸化窒素を、還元される前記少なくとも１つの第１の還元性金属イオン１モル当たりの副生成される一酸化窒素のモル比Ａで副生成することをさらに含み、
前記比率Ａは、比率Ｂの４０％未満であり、Ｂは、Ｆｅ2+イオンの存在下で、前記少なくとも１つの第１の還元性金属イオンを還元するときに、還元される前記少なくとも１つの第１の還元性金属イオン１モル当たりの副生成される一酸化窒素の最大瞬間モル比である、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
一酸化窒素を、還元される前記少なくとも１つの第１の還元性金属イオン１モル当たりの副生成される一酸化窒素のモル比Ａで副生成することをさらに含み、
前記比率Ａは、比率Ｂの１０％未満であり、Ｂは、Ｓｎ2+イオンの存在下で、前記少なくとも１つの第１の還元性金属イオンを還元するときに、還元される前記少なくとも１つの第１の還元性金属イオン１モル当たりの副生成される一酸化窒素の最大瞬間モル比である、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
一酸化窒素を、還元される前記少なくとも１つの第１の還元性金属イオン１モル当たりの副生成される一酸化窒素のモル比Ａで副生成することをさらに含み、
前記比率Ａは、比率Ｂの１０％未満であり、Ｂは、Ｍｎ2+イオンの存在下で、前記少なくとも１つの第１の還元性金属イオンを還元するときに、還元される前記少なくとも１つの第１の還元性金属イオン１モル当たりの副生成される一酸化窒素の最大瞬間モル比である、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
一酸化窒素を、還元される前記少なくとも１つの第１の還元性金属イオン１モル当たりの副生成される一酸化窒素のモル比Ａで副生成することをさらに含み、
前記比率Ａは、比率Ｂの１５％未満であり、Ｂは、Ｃｒ3+イオンの存在下で、前記少なくとも１つの第１の還元性金属イオンを還元するときに、還元される前記少なくとも１つの第１の還元性金属イオン１モル当たりの副生成される一酸化窒素の最大瞬間モル比である、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
請求項１に記載の方法に従って生成される、少なくとも１つの第１の金属。
【請求項１０】
請求項１に記載の方法に従って生成される、前記少なくとも１つの第１の金属を含む、少なくとも１つの金属ナノワイヤ。
【請求項１１】
約１０ｎｍ〜５００ｎｍの平均直径と、約５０〜約１０，０００のアスペクト比と、を含む、請求項１０に記載の少なくとも１つの金属ナノワイヤ。
【請求項１２】
少なくとも１つの銀ナノワイヤを含む、請求項１０に記載の少なくとも１つの金属ナノワイヤ。
【請求項１３】
請求項１に記載の方法に従って生成される、前記少なくとも１つの第１の金属を含む、物品。
【請求項１４】
電子ディスプレイ、タッチスクリーン、ポータブル電話、セルラ電話、コンピュータディスプレイ、ラップトップコンピュータ、タブレットコンピュータ、ＰＯＰキオスク、音楽プレーヤ、テレビ、電子ゲーム、電子書籍リーダ、透明電極、太陽電池、発光ダイオード、電子デバイス、医療用撮像デバイス、または医療用撮像媒体のうちの少なくとも１つを含む、請求項１３に記載の物品。
【請求項１５】
少なくとも１つの第１の還元性金属イオンを、少なくとも１つの第１の反応温度を有する第１の反応媒体において還元することであって、前記還元を第１の時間で開始することと、
前記第１の時間からの経過時間であって、前記第１の反応媒体と接触するヘッドスペースにおける一酸化窒素濃度の最大値に対応する、経過時間を判定することと、を含む、方法。
【請求項１６】
目標経過時間と前記経過時間との間の差異に基づいて製法を調整して、調整された製法を提供することと、
前記調整された媒体から第２の反応媒体を提供することと、
前記第２の反応媒体中で、前記少なくとも１つの第１の金属イオンを少なくとも１つの第１の金属に還元することと、をさらに含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
請求項１６に記載の方法に従って生成される、少なくとも１つの第１の金属。
【請求項１８】
目標経過時間と前記経過時間との間の差異に基づいて、少なくとも１つの第２の反応温度を計算することと、
前記少なくとも１つの第２の反応温度で、前記少なくとも１つの第１の金属イオンを、少なくとも１つの第１の金属に還元することと、をさらに含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項１９】
請求項１８に記載の方法に従って生成される、少なくとも１つの第１の金属。
【請求項２０】
前記少なくとも１つの第１の還元性金属イオンの前記少なくとも１つの第１の金属への前記還元は、前記少なくとも１つの第１の還元性金属イオンとは原子番号が異なる少なくとも１つの第２の金属または金属イオンの存在下で行われる、請求項１５に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ナノワイヤ調製方法、組成物、および物品に関する。
【背景技術】
【０００２】
銀ナノワイヤ（１０〜２００のアスペクト比）の一般調製は、既知である。例えば、Ａｎｇｅｗ．Ｃｈｅｍ．Ｉｎｔ．Ｅｄ．２００９，４８，６０，Ｙ．Ｘｉａ，Ｙ．Ｘｉｏｎｇ，Ｂ．Ｌｉｍ，Ｓ．Ｅ．Ｓｋｒａｂａｌａｋを参照されたく、これは、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる。このような調製は、典型的に、他の形態よりも、ワイヤ形成を「触媒する」ように、Ｆｅ2+またはＣｕ2+イオンを採用する。しかしながら、所望の長さおよび幅を有する銀ナノワイヤの制御された調製は、知られていない。例えば、Ｆｅ2+は、多様な長さまたは厚さをもたらし、Ｃｕ2+は、多くの用途に対しては厚すぎるワイヤをもたらす。さらに、銀イオンは、本方法による銀ナノワイヤ調製中に、一酸化窒素（ＮＯ）の副生成をもたらし得る、硝酸銀として広く提供されている。一酸化窒素の空気中への排出は、一部の地域では規制されているため、その副生成を減少させる方法を開発することが望ましい。
【０００３】
ワイヤ形成を触媒するために使用される金属イオンは、一般的に、主として、金属ハロゲン化物として、通常は金属塩化物、例えば、ＦｅＣｌ2またはＣｕＣｌ2として、提供されることが報告される。例えば、ＮａＣｌ、ＣｏＣｌ2、ＣｕＣｌ2、ＮｉＣｌ2、およびＺｎＣｌ2に言及する、Ｊ．Ｊｉｕ，Ｋ．Ｍｕｒａｉ，Ｄ．Ｋｉｍ，Ｋ．Ｋｉｍ，Ｋ．Ｓｕｇａｎｕｍａ，Ｍａｔ．Ｃｈｅｍ．＆Ｐｈｙｓ．，２００９，１１４，３３３；ＳｎＣｌ4を説明する、日本国特許出願公開第ＪＰ２００９１５５６７４号；ＮａＣｌ、ＫＣｌ、ＭｇＣｌ2、ＣａＣｌ2、ＭｎＣｌ2、ＣｕＣｌ2、およびＦｅＣｌ3に言及する、Ｓ．Ｎａｎｄｉｋｏｎｄａ，“Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ  Ａｓｓｉｓｔｅｄ  Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ  ｏｆ  Ｓｉｌｖｅｒ  Ｎａｎｏｒｏｄｓ，”Ｍ．Ｓ．Ｔｈｅｓｉｓ，Ａｕｂｕｒｎ  Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ａｕｇｕｓｔ  ９，２０１０；ＮａＣｌ、ＫＣｌ、ＭｇＣｌ2、ＣａＣｌ2、ＭｎＣｌ2、ＣｕＣｌ2、ＦｅＣｌ3、Ｎａ2Ｓ、ＮａＩを開示する、Ｓ．Ｎａｎｄｉｋｏｎｄａ  ａｎｄ  Ｅ．Ｗ．Ｄａｖｉｓ，“Ｅｆｆｅｃｔｓ  ｏｆ  Ｓａｌｔ  Ｓｅｌｅｃｔｉｏｎ  ｏｎ  ｔｈｅ  Ｒａｐｉｄ  Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ  ｏｆ  Ｓｉｌｖｅｒ  Ｎａｎｏｗｉｒｅｓ，”Ａｂｓｔｒａｃｔ  ＩＮＯＲ−２９９，２４０ｔｈ  ＡＣＳ  Ｎａｔｉｏｎａｌ  Ｍｅｅｔｉｎｇ，Ｂｏｓｔｏｎ，ＭＡ，Ａｕｇｕｓｔ  ２２−２７，２０１０；Ｍｎ2+を開示する、中国特許出願公開第ＣＮ１０１９３４３７７号；Ｐｄ2+を開示する、Ｙ．Ｃ．Ｌｕ，Ｋ．Ｓ．Ｃｈｏｕ，Ｎａｎｏｔｅｃｈ．，２０１０，２１，２１５７０７；ならびにＮａＣｌ、ＭｎＣｌ2、およびＮａ2Ｓを開示する、中国特許出願公開第ＣＮ１０２０２９４００号を参照されたい。
【０００４】
日本国特許公開２００８−１９０００６号は、銀ナノワイヤ合成中の一酸化窒素の副生成を開示する。しかしながら、この公開はまた、反応媒体から気相に放出される一酸化窒素の量を増加させる、真空の使用も開示する。
【０００５】
Ｑ．Ｚｈａｎｇ，Ｃ．Ｃｏｂｌｅｙ，Ｌ．Ａｕ，Ｍ．ＭｃＫｉｅｒｎａｎ，Ａ．Ｓｃｈｗａｒｔｚ，Ｌ．−Ｐ．Ｗｅｎ，Ｊ．Ｃｈｅｎ，Ｙ．Ｘｉａ，Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ＆Ｉｎｔｅｒｆａｃｅｓ，２００９，１，２０４４は、銀ナノワイヤ合成中の二酸化窒素（ＮＯ2）の副生成を開示する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００９−１５５６７４号公報
【特許文献２】中国特許出願公開第１０１９３４３７７号明細書
【特許文献３】中国特許出願公開第１０２０２９４００号明細書
【特許文献４】特開２００８−１９０００６号公報
【非特許文献】
【０００７】
【非特許文献１】Ｙ．Ｘｉａ，Ｙ．Ｘｉｏｎｇ，Ｂ．Ｌｉｍ，Ｓ．Ｅ．Ｓｋｒａｂａｌａｋ，Ａｎｇｅｗ．Ｃｈｅｍ．Ｉｎｔ．Ｅｄ．２００９，４８，６０
【非特許文献２】Ｊ．Ｊｉｕ，Ｋ．Ｍｕｒａｉ，Ｄ．Ｋｉｍ，Ｋ．Ｋｉｍ，Ｋ．Ｓｕｇａｎｕｍａ，Ｍａｔ．Ｃｈｅｍ．＆Ｐｈｙｓ．，２００９，１１４，３３３
【非特許文献３】Ｓ．Ｎａｎｄｉｋｏｎｄａ，“Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ  Ａｓｓｉｓｔｅｄ  Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ  ｏｆ  Ｓｉｌｖｅｒ  Ｎａｎｏｒｏｄｓ，”Ｍ．Ｓ．Ｔｈｅｓｉｓ，Ａｕｂｕｒｎ  Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ａｕｇｕｓｔ  ９，２０１０
【非特許文献４】Ｓ．Ｎａｎｄｉｋｏｎｄａ  ａｎｄ  Ｅ．Ｗ．Ｄａｖｉｓ，“Ｅｆｆｅｃｔｓ  ｏｆ  Ｓａｌｔ  Ｓｅｌｅｃｔｉｏｎ  ｏｎ  ｔｈｅ  Ｒａｐｉｄ  Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ  ｏｆ  Ｓｉｌｖｅｒ  Ｎａｎｏｗｉｒｅｓ，”Ａｂｓｔｒａｃｔ  ＩＮＯＲ−２９９，２４０ｔｈ  ＡＣＳ  Ｎａｔｉｏｎａｌ  Ｍｅｅｔｉｎｇ，Ｂｏｓｔｏｎ，ＭＡ，Ａｕｇｕｓｔ  ２２−２７，２０１０
【非特許文献５】Ｙ．Ｃ．Ｌｕ，Ｋ．Ｓ．Ｃｈｏｕ，Ｎａｎｏｔｅｃｈ．，２０１０，２１，２１５７０７
【非特許文献６】Ｑ．Ｚｈａｎｇ，Ｃ．Ｃｏｂｌｅｙ，Ｌ．Ａｕ，Ｍ．ＭｃＫｉｅｒｎａｎ，Ａ．Ｓｃｈｗａｒｔｚ，Ｌ．−Ｐ．Ｗｅｎ，Ｊ．Ｃｈｅｎ，Ｙ．Ｘｉａ，Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ＆Ｉｎｔｅｒｆａｃｅｓ，２００９，１，２０４４
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
所望の長さおよび幅を有する銀ナノワイヤの制御された調製は、知られていない。一酸化窒素の空気中への排出は、一部の地域では規制されているため、その副生成を減少させる方法を開発することが望ましい。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
少なくともいくつかの実施形態は、少なくとも１つの第１の還元性金属イオンと、少なくとも１つのランタニド金属またはランタニドのイオンを含む少なくとも１つの第２の金属または金属イオンとを含む、少なくとも１つの組成物を提供することであって、少なくとも１つの第２の金属または金属イオンは、少なくとも１つの第１の還元性金属イオンとは原子番号が異なる、提供することと、少なくとも１つの第１の還元性金属イオンを、少なくとも１つの第１の金属に還元することと、を含む、方法を提供する。
【００１０】
いくつかのこのような方法において、少なくとも１つの第１の還元性金属イオンは、少なくとも１つの貨幣金属イオン、少なくとも１つのＩＵＰＡＣ  Ｇｒｏｕｐ１１からの元素のイオン、または少なくとも１つの銀イオンのうちの１つ以上を含む。
【００１１】
いくつかの場合において、少なくとも１つのランタニド金属またはランタニドのイオンは、ランタン、ランタンのイオン、セリウム、セリウムのイオン、プラセオジム、プラセオジムのイオン、ネオジム、ネオジムのイオン、サマリウム、サマリウムのイオン、ユーロピウム、ユーロピウムのイオン、ガドリニウム、ガドリニウムのイオン、テルビウム、テルビウムのイオン、ジスプロシウム、ジスプロシウムのイオン、ホルミウム、ホルミウムのイオン、エルビウム、エルビウムのイオン、ツリウム、ツリウムのイオン、イッテルビウム、イッテルビウムのイオン、ルテチウム、またはルテチウムのイオンのうちの１つ以上を含む。
【００１２】
いくつかの実施形態において、本方法は、一酸化窒素を、還元される少なくとも１つの第１の還元性金属イオン１モル当たりの副生成される一酸化窒素のモル比Ａで副生成することをさらに含む。比率Ａは、例えば、Ｃｕ2+イオンの存在下で少なくとも１つの第１の金属イオンを還元するときに、還元される少なくとも１つの第１の還元性金属イオン１モル当たりの副生成される一酸化窒素の最大瞬間モル比の１５％未満であり得る。あるいは、比率Ａは、例えば、Ｆｅ2+イオンの存在下で、少なくとも１つの第１の金属イオンを還元するときに、還元される少なくとも１つの第１の還元性金属イオン１モル当たりの副生成される一酸化窒素の最大瞬間モル比の４０％未満であってもよい。あるいは、比率Ａは、例えば、Ｓｎ2+イオンの存在下で、少なくとも１つの第１の金属イオンを還元するときに、還元される少なくとも１つの第１の還元性金属イオン１モル当たりの副生成される一酸化窒素の最大瞬間モル比の１０％未満であってもよい。あるいは、比率Ａは、例えば、Ｍｎ2+イオンの存在下で、少なくとも１つの第１の金属イオンを還元するときに、還元される少なくとも１つの第１の還元性金属イオン１モル当たりの副生成される一酸化窒素の最大瞬間モル比の１０％未満であってもよい。あるいは、比率Ａは、例えば、Ｃｒ3+イオンの存在下で、少なくとも１つの第１の金属イオンを還元するときに、還元される少なくとも１つの第１の還元性金属イオン１モル当たりの副生成される一酸化窒素の最大瞬間モル比の１５％未満であってもよい。
【００１３】
他の実施形態は、このような方法に従って生成される少なくとも１つの第１の金属を提供し、少なくとも１つの金属ナノワイヤは、このような方法に従って生成される少なくとも１つの第１の金属を含む。このような金属ナノワイヤは、いくつかの場合において、約１０ｎｍ〜約５００ｎｍの平均直径、および約５０〜約１０，０００のアスペクト比を含み得る。このような金属ナノワイヤは、例えば、少なくとも１つの銀ナノワイヤを含んでもよい。
【００１４】
さらに他の実施形態は、このような方法に従って生成される少なくとも１つの第１の金属を含む、物品を提供する。このような物品は、例えば、電子ディスプレイ、タッチスクリーン、ポータブル電話、セルラ電話、コンピュータディスプレイ、ラップトップコンピュータ、タブレットコンピュータ、ＰＯＰ（ｐｏｉｎｔ−ｏｆ−ｐｕｒｃｈａｓｅ）キオスク、音楽プレーヤ、テレビ、電子ゲーム、電子書籍リーダ、透明電極、太陽電池、発光ダイオード、電子デバイス、医療用撮像デバイス、または医療用撮像媒体のうちの少なくとも１つを含むことができる。
【００１５】
さらに他の実施形態は、少なくとも１つの第１の還元性金属イオンを、少なくとも１つの第１の反応温度を有する第１の反応媒体において還元することであって、還元を第１の時間で開始することと、第１の時間からの経過時間であって、第１の反応媒体と接触するヘッドスペースにおける一酸化窒素濃度の最大値に対応する、経過時間を判定することと、を含む、方法を提供する。このような還元は、例えば、少なくとも１つの第１の還元性金属イオンとは原子番号が異なる、少なくとも１つの第２の金属または金属イオンの存在下で行われ得る。
【００１６】
このような方法は、いくつかの場合において、目標経過時間と経過時間との間の差異に基づいて製法（ｒｅｃｉｐｅ）を調整して、調整された製法を提供することと、調整された媒体から第２の反応媒体を提供することと、第２の反応媒体において、少なくとも１つの第１の金属イオンを少なくとも１つの第１の金属に還元することと、をさらに含んでもよい。このような還元は、例えば、少なくとも１つの第１の還元性金属イオンとは原子番号が異なる少なくとも１つの第２の金属または金属イオンの存在下で行われ得る。いくつかの実施形態は、このような方法に従って生成される、少なくとも１つの第１の金属を提供する。
【００１７】
このような方法は、いくつかの場合において、目標経過時間と経過時間との間の差異に基づいて、少なくとも１つの第２の反応温度を計算することと、少なくとも１つの第２の反応温度で、少なくとも１つの第１の金属イオンを少なくとも１つの第１の金属に還元することと、をさらに含む。このような還元は、例えば、少なくとも１つの第１の還元性金属イオンとは原子番号が異なる少なくとも１つの第２の金属または金属イオンの存在下で行われ得る。いくつかの実施形態は、このような方法に従って生成される少なくとも１つの第１の金属を提供する。
【００１８】
これらの実施形態、ならびに他の改変および修正は、以下の図面の簡単な説明、発明を実施するための形態、例示的な実施形態、実施例、図面、および請求項から、より良好に理解され得る。提供されるいずれの実施形態も、例解的な例として与えられるに過ぎない。本質的に達成される他の望ましい目的および利点が、当業者には着想され得るか、または明らかになり得る。本発明は、添付の請求項によって定義される。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】実施例１の銀ナノワイヤ生成物の光学顕微鏡写真を示す。
【図２】実施例２の銀ナノワイヤ生成物の光学顕微鏡写真を示す。
【図３】実施例３（約２０分がピークの赤色線）および実施例４（約９０分がピークの黒色線）の反応媒体のヘッドスペースに検出された一酸化窒素の時間発生を示す。
【図４】実施例３の銀ナノワイヤ生成物の走査電子顕微鏡写真を示す。
【図５】実施例４の銀ナノ粒子生成物の光学顕微鏡写真を示す。
【図６】実施例５〜８について、銀ナノワイヤ反応容器のヘッドスペース中の一酸化窒素濃度を、分単位での時間の関数として示す。
【図７】実施例９の銀ナノワイヤ生成物の光学顕微鏡写真を示す。
【図８】実施例１０の銀ナノワイヤ生成物の光学顕微鏡写真を示す。
【図９】実施例１１の銀ナノワイヤ生成物の光学顕微鏡写真を示す。
【図１０】実施例１２の銀ナノワイヤ生成物の光学顕微鏡写真を示す。
【図１１】実施例１３の銀ナノワイヤ生成物の光学顕微鏡写真を示す。
【図１２】実施例１３の銀ナノワイヤ生成物の光学顕微鏡写真を示す。
【図１３】実施例１４の銀ナノワイヤ生成物の光学顕微鏡写真を示す。
【図１４】実施例１４の銀ナノワイヤ生成物の光学顕微鏡写真を示す。
【図１５】実施例１５の銀ナノワイヤ生成物の光学顕微鏡写真を示す。
【図１６】実施例１５の銀ナノワイヤ生成物の光学顕微鏡写真を示す。
【図１７】実施例１６の銀ナノワイヤ生成物の光学顕微鏡写真を示す。
【図１８】実施例１７の銀ナノワイヤ生成物の光学顕微鏡写真を示す。
【図１９】実施例１８の銀ナノワイヤ生成物の光学顕微鏡写真を示す。
【図２０】実施例１８の銀ナノワイヤ生成物の走査電子顕微鏡写真を示す。
【図２１】実施例１８の銀ナノワイヤ生成物の長さ分布を示す。
【図２２】実施例１９の銀ナノワイヤ生成物の光学顕微鏡写真を示す。
【図２３】実施例１９の銀ナノワイヤ生成物の光学顕微鏡写真を示す。
【図２４】実施例２０の銀ナノワイヤ生成物の光学顕微鏡写真を示す。
【図２５】実施例２０の銀ナノワイヤ生成物の光学顕微鏡写真を示す。
【図２６】実施例２１の銀ナノワイヤ生成物の光学顕微鏡写真を示す。
【図２７】実施例２２の銀ナノワイヤ生成物の光学顕微鏡写真を示す。
【図２８】実施例２３の銀ナノワイヤ生成物の光学顕微鏡写真を示す。
【図２９】実施例２３の銀ナノワイヤ生成物の光学顕微鏡写真を示す。
【図３０】実施例２４の銀ナノワイヤ生成物の光学顕微鏡写真を示す。
【図３１】実施例２４の銀ナノワイヤ生成物の光学顕微鏡写真を示す。
【図３２】実施例２５の銀ナノワイヤ生成物の光学顕微鏡写真を示す。
【図３３】実施例２６の銀ナノワイヤ生成物の光学顕微鏡写真を示す。
【図３４】実施例２７の精製されていない銀ナノワイヤ生成物の光学顕微鏡写真を示す。
【図３５】実施例２７の精製した銀ナノワイヤ生成物の光学顕微鏡写真を示す。
【図３６】実施例２８の精製されていない銀ナノワイヤ生成物の光学顕微鏡写真を示す。
【図３７】比較実施例２９〜３４の反応媒体のヘッドスペース中に検出された一酸化窒素の時間発生を示す。
【図３８】比較実施例３５〜３６の反応媒体のヘッドスペース中に検出された一酸化窒素の時間発生を示す。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
本文書において言及される全ての出版物、特許、および特許文書は、参照することによって、個々に組み込まれるかのように、それらの全体として参照することによって、本明細書に組み込まれる。
【００２１】
２０１０年１２月９日に出願された、ＬＡＮＴＨＡＮＩＤＥ  ＣＡＴＡＬＹＳＩＳ  ＯＦ  ＭＥＴＡＬ  ＩＯＮ  ＲＥＤＵＣＴＩＯＮ，ＭＥＴＨＯＤＳ，ＣＯＭＰＯＳＩＴＩＯＮＳ，ＡＮＤ  ＡＲＴＩＣＬＥＳと題される米国仮出願第６１／４２１，２９６号、２０１１年１月１３日に出願された、ＰＲＥＰＡＲＡＴＩＯＮ  ＯＦ  ＡｇＮＷ  ＩＮ  ＴＨＥ  ＰＲＥＳＥＮＣＥ  ＯＦ  ＮＩＴＲＩＣ  ＯＸＩＤＥと題される米国仮出願第６１／４３２，２１８号、２０１１年５月２３日に出願された、ＭＥＴＡＬ  ＩＯＮ  ＲＥＤＵＣＴＩＯＮ  ＷＩＴＨ  ＬＯＷ  ＮＩＴＲＩＣ  ＯＸＩＤＥ  ＣＯＰＲＯＤＵＣＴＩＯＮ，ＭＥＴＨＯＤＳ，ＣＯＭＰＯＳＩＴＩＯＮＳ，ＡＮＤ  ＡＲＴＩＣＬＥＳと題される米国仮出願第６１／４８８，８１３号、２０１１年６月７日に出願された、ＮＡＮＯＷＩＲＥ  ＰＲＥＰＡＲＡＴＩＯＮ  ＭＥＴＨＯＤＳ，ＣＯＭＰＯＳＩＴＩＯＮＳ，ＡＮＤ  ＡＲＴＩＣＬＥＳと題される米国仮出願６１／４９４，０７２号、２０１１年８月１０日に出願された、ＮＡＮＯＷＩＲＥ  ＰＲＥＰＡＲＡＴＩＯＮ  ＭＥＴＨＯＤＳ，ＣＯＭＰＯＳＩＴＩＯＮＳ，ＡＮＤ  ＡＲＴＩＣＬＥＳと題される米国仮出願第６１／５２１，７７６号、２０１１年８月１０日に出願された、ＮＡＮＯＷＩＲＥ  ＰＲＥＰＡＲＡＴＩＯＮ  ＭＥＴＨＯＤＳ，ＣＯＭＰＯＳＩＴＩＯＮＳ，ＡＮＤ  ＡＲＴＩＣＬＥＳと題される米国仮出願第６１／５２１，８５９号、２０１１年８月１０日に出願されたＮＡＮＯＷＩＲＥ  ＰＲＥＰＡＲＡＴＩＯＮ  ＭＥＴＨＯＤＳ，ＣＯＭＰＯＳＩＴＩＯＮＳ，ＡＮＤ  ＡＲＴＩＣＬＥＳと題される米国仮出願第６１／５２１，８６７号、２０１１年８月１１日に出願された、ＮＡＮＯＷＩＲＥ  ＰＲＥＰＡＲＡＴＩＯＮ  ＭＥＴＨＯＤＳ，ＣＯＭＰＯＳＩＴＩＯＮＳ，ＡＮＤ  ＡＲＴＩＣＬＥＳと題される米国仮出願第６１／５２２，２５８号、２０１１年８月１２日に出願されたＮＡＮＯＷＩＲＥ  ＰＲＥＰＡＲＡＴＩＯＮ  ＭＥＴＨＯＤＳ，ＣＯＭＰＯＳＩＴＩＯＮＳ，ＡＮＤ  ＡＲＴＩＣＬＥＳと題される米国仮出願第６１／５２２，７３８号、２０１１年８月１２日に出願されたＮＡＮＯＷＩＲＥ  ＰＲＥＰＡＲＡＴＩＯＮ  ＭＥＴＨＯＤＳ，ＣＯＭＰＯＳＩＴＩＯＮＳ，ＡＮＤ  ＡＲＴＩＣＬＥＳと題される米国仮出願第６１／５２２，７４９号、２０１１年８月１２日に出願された、ＮＡＮＯＷＩＲＥ  ＰＲＥＰＡＲＡＴＩＯＮ  ＭＥＴＨＯＤＳ，ＣＯＭＰＯＳＩＴＩＯＮＳ，ＡＮＤ  ＡＲＴＩＣＬＥＳと題される米国仮出願第６１／５２２，７５７号、２０１１年８月１２日に出願された、ＮＡＮＯＷＩＲＥ  ＰＲＥＰＡＲＡＴＩＯＮ  ＭＥＴＨＯＤＳ，ＣＯＭＰＯＳＩＴＩＯＮＳ，ＡＮＤ  ＡＲＴＩＣＬＥＳと題される米国仮出願第６１／５２２，７６６号、２０１１年８月１５日に出願された、ＮＡＮＯＷＩＲＥ  ＰＲＥＰＡＲＡＴＩＯＮ  ＭＥＴＨＯＤＳ，ＣＯＭＰＯＳＩＴＩＯＮＳ，ＡＮＤ  ＡＲＴＩＣＬＥＳと題される米国仮出願第６１／５２３，４１９号、２０１１年８月１６日に出願された、ＮＡＮＯＷＩＲＥ  ＰＲＥＰＡＲＡＴＩＯＮ  ＭＥＴＨＯＤＳ，ＣＯＭＰＯＳＩＴＩＯＮＳ，ＡＮＤ  ＡＲＴＩＣＬＥＳと題される米国仮出願第６１／５２３，８８２号、および２０１１年８月１６日に出願され���、ＮＡＮＯＷＩＲＥ  ＰＲＥＰＡＲＡＴＩＯＮ  ＭＥＴＨＯＤＳ，ＣＯＭＰＯＳＩＴＩＯＮＳ，ＡＮＤ  ＡＲＴＩＣＬＥＳと題される米国仮出願第６１／５２３，８９３号は、全て、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる。
【００２２】
＜一酸化窒素（ＮＯ）の副生成＞
一酸化窒素は、ポリオール還元方法を使用して硝酸銀から銀ナノワイヤを調製する際に副生成され得る。このような一酸化窒素は、例えば、グリース試薬を使用して、化学的に検出することができる。例えば、Ｒ．Ｗ．Ｎｉｍｓ，Ｊ．Ｃ．Ｃｏｏｋ，ｅｔ．ａｌ，Ｍｅｔｈｏｄｓ  ｉｎ  Ｅｎｚｙｍｏｌｏｇｙ，１９９６，２６８，９３を参照されたく、これは、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる。あるいは、このような一酸化窒素は、例えば、光イオン化検出器を使用して、反応容器のヘッドスペースをサンプリングすることによって、化学的に検出することができる。
【００２３】
＜ランタニドを用いたＮＯの副生成および形態の制御＞
出願者らは、副生成される一酸化窒素の量を、「ポリオール」プロセスにおいて銀イオンを銀ナノワイヤへ還元するときにランタニドの使用を通じて劇的に減少させることが可能であることを発見した。さらに、出願者らは、ナノワイヤ調製の際のランタニドの使用が、非ナノワイヤ混入の改善された制御とともに、ナノワイヤの厚さ、または長さ、または両方の望ましい制御を可能にし得ることを発見した。
【００２４】
＜制御されたＮＯの副生成を介した形態の制御＞
出願者らは、一酸化窒素が生成される時点が、ナノワイヤ生成対ナノ粒子生成の選択性を示すこともまた発見した。ＮＯの早い発生は、ナノ粒子等、非ワイヤ形態の形成と関連し、一方で遅い発生は、十分に制御されたナノワイヤの形成と関連する。反応過程中のＮＯ発生の制御は、したがって、平均のワイヤの長さ、直径、および分布、ならびに純度および収率等、全体的なナノワイヤの形態の制御に用いることができる。このような方法は、ランタニドまたは非ランタニドいずれかの金属または金属イオン、例えば、Ｆｅ2+またはＳｎ2+イオン等を使用したナノワイヤ調製に使用することができる。
【００２５】
＜非銀系への適用性＞
これらの方法はまた、例えば、他のＩＵＰＡＣ  Ｇｒｏｕｐ１１元素の還元性カチオン、他の貨幣金属の還元性カチオン等を含む、銀カチオン以外の還元性金属カチオンにも適用可能であると考えられる。これらの方法はまた、例えば、ナノ立方体、ナノロッド、ナノピラミッド、ナノチューブ等といった、ナノワイヤ以外の生成物を調製するために使用することができる。このような生成物は、例えば、透明電極、太陽電池、発光ダイオード、他の電子デバイス、医療用撮像デバイス、医療用撮像媒体等といった、物品に組み込むことができる。
【００２６】
＜還元性金属イオンおよび金属生成物＞
いくつかの実施形態は、少なくとも１つの還元性金属イオンを少なくとも１つの金属に還元することを含む、方法を提供する。還元性金属イオンは、ある反応条件下において、金属に還元することができるカチオンである。このような方法において、少なくとも１つの第１の還元性金属イオンは、例えば、少なくとも１つの貨幣金属イオンを含み得る。貨幣金属イオンは、銅、銀、および金を含む、貨幣金属のうちの１つのイオンである。または、このような還元性金属イオンは、例えば、少なくとも１つのＩＵＰＡＣ  Ｇｒｏｕｐ１１の元素のイオンを含んでもよい。例示的な還元性金属イオンは、銀カチオンである。このような還元性金属イオンは、いくつかの場合において、塩として提供されてもよい。例えば、銀カチオンは、例えば、硝酸銀として提供されてもよい。
【００２７】
このような実施形態において、少なくとも１つの金属は、少なくとも１つの還元性金属イオンを還元することができる金属である。例えば、銀は、銀カチオンを還元することができるであろう金属であろう。
【００２８】
＜ナノ構造、ナノ構造、ナノワイヤ、および物品＞
いくつかの実施形態において、このような方法によって形成される金属生成物は、例えば、１次元ナノ構造といった、ナノ構造である。ナノ構造は、３００ｎｍ未満の少なくとも１つの「ナノスケール」寸法を有する構造である。このようなナノ構造の例は、ナノロッド、ナノワイヤ、ナノチューブ、ナノピラミッド、ナノプリズム、ナノプレート等である。「１次元」ナノ構造は、例えば、少なくとも約１０、または少なくとも約１００、または少なくとも約２００、または少なくとも約１０００倍大きいといった、他の２つのナノスケール寸法よりもはるかに大きい１つの寸法を有する。
【００２９】
このような１次元ナノ構造は、いくつかの場合において、ナノワイヤを含み得る。ナノワイヤは、２つの短い寸法（厚さ寸法）が、３００ｎｍ未満、好ましくは１００ｎｍ未満であり、一方で第３の寸法（長さ寸法）が、１ミクロンを超え、好ましくは１０ミクロンを超え、アスペクト比（２つの厚さ寸法のうちの大きいものに対する長さ寸法の比率）が、５を超える、１次元ナノ構造である。ナノワイヤは、他の可能な用途の中でも、電子デバイスにおける導体として、または光学デバイスにおける素子として、採用されている。銀ナノワイヤが、いくつかのこのような用途において、好ましい。
【００３０】
このような方法は、例えば、ナノ立方体、ナノロッド、ナノピラミッド、ナノチューブ等といった、ナノワイヤ以外のナノ構造を調製するために使用することができる。ナノワイヤおよび他のナノ構造生成物は、例えば、電子ディスプレイ、タッチスクリーン、ポータブル電話、セルラ電話、コンピュータディスプレイ、ラップトップコンピュータ、タブレットコンピュータ、ＰＯＰ（ｐｏｉｎｔ−ｏｆ−ｐｕｒｃｈａｓｅ）キオスク、音楽プレーヤ、テレビ、電子ゲーム、電子書籍リーダ、透明電極、太陽電池、発光ダイオード、他の電子デバイス、医療用撮像デバイス、医療用撮像媒体等といった、物品に組み込むことができる。
【００３１】
＜調製方法＞
例えば、ナノワイヤといったナノ構造を調製する一般的な方法は、「ポリオール」プロセスである。このようなプロセスは、例えば、Ａｎｇｅｗ．Ｃｈｅｍ．Ｉｎｔ．Ｅｄ．２００９，４８，６０，Ｙ．Ｘｉａ，Ｙ．Ｘｉｏｎｇ，Ｂ．Ｌｉｍ，Ｓ．Ｅ．Ｓｋｒａｂａｌａｋにおいて説明され、これは、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる。このようなプロセスは、典型的に、例えば、銀カチオン等の金属カチオンを、例えば、銀ナノワイヤ等の所望の金属ナノ構造生成物に還元する。このような還元は、例として、例えば、エチレングリコール（ＥＧ）、プロピレングリコール、ブタンジオール、グリセロール、糖、炭水化物等といった、１つ以上のポリオール；例えば、ポリビニルピロリジノン（ｐｏｌｙｖｉｎｙｌｐｙｒｒｏｌｉｄｉｎｏｎｅ）（ポリビニルピロリドンもしくはＰＶＰとしても知られる）、他の極性重合体または共重合体、界面活性剤、酸等といった、１つ以上の保護剤；および１つ以上の金属イオンを含むことができる、反応混合物において行うことができる。これらのおよび他の構成要素を、当該技術分野において既知であるように、このような反応混合物に使用することができる。還元は、例えば、約１２０℃〜約１９０℃、または約８０℃〜約１９０℃の１つ以上の温度で行うことができる。
【００３２】
＜ランタニドイオン＞
いくつかの実施形態において、還元性金属イオンの還元は、少なくとも１つのランタニド元素を含む、少なくとも１つの第２の金属イオンの存在下で行われる。このような還元は、例えば、その＋２、＋３、または＋４酸化状態にある、少なくとも１つのランタニドの存在下で行われ得る。例示的な第２の金属イオンは、Ｌａ3+、Ｃｅ3+、Ｐｒ3+、Ｎｄ3+、Ｐｍ3+、Ｓｍ3+、Ｅｕ3+、Ｇｄ3+、Ｔｂ3+、Ｄｙ3+、Ｈｏ3+、Ｅｒ3+、Ｔｍ3+、Ｙｂ3+、およびＬｕ3+である。このようなイオンは、例えば、塩化ランタン（ＩＩＩ）七水和物、塩化セリウム（ＩＩＩ）七水和物、塩化プラセオジム（ＩＩＩ）七水和物、塩化ネオジム（ＩＩＩ）六水和物、塩化サマリウム（ＩＩＩ）六水和物、塩化ユーロピウム（ＩＩＩ）六水和物、塩化ガドリニウム（ＩＩＩ）六水和物、硝酸テルビウム（ＩＩＩ）六水和物、硝酸ジスプロシウム（ＩＩＩ）六水和物、硝酸ホルミウム（ＩＩＩ）五水和物、塩化エルビウム（ＩＩＩ）六水和物、塩化ツリウム（ＩＩＩ）六水和物、塩化イッテルビウム（ＩＩＩ）六水和物、塩化ルテチウム（ＩＩＩ）六水和物等の化合物によって提供され得る。
【００３３】
＜例示的な実施形態＞
２０１０年１２月９日に出願された、ＬＡＮＴＨＡＮＩＤＥ  ＣＡＴＡＬＹＳＩＳ  ＯＦ  ＭＥＴＡＬ  ＩＯＮ  ＲＥＤＵＣＴＩＯＮ，ＭＥＴＨＯＤＳ，ＣＯＭＰＯＳＩＴＩＯＮＳ，ＡＮＤ  ＡＲＴＩＣＬＥＳと題され、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる米国仮出願第６１／４２１，２９６号は、以下の２８の例示的な非限定的実施形態を開示した。
Ａ．少なくとも１つの第１の還元性金属イオンを含む、少なくとも１つの第１の化合物と、
ランタニド金属、ランタニドのイオン、アクチニド金属、アクチニドのイオンのうちの少なくとも１つを含む、少なくとも１つの第２の金属または金属イオンを含む、少なくとも１つの第２の化合物であって、前記少なくとも１つの第２の金属または金属イオンは、前記少なくとも１つの第１の還元性金属イオンとは原子番号が異なる、少なくとも１つの第２の化合物と、
少なくとも１つの溶媒と、を含む、組成物を提供することと、
少なくとも１つの第１の還元性金属イオンを、少なくとも１つの第１の金属に還元することと、を含む、方法。
Ｂ．組成物は、少なくとも１つの保護剤をさらに含む、実施形態Ａの方法。
Ｃ．少なくとも１つの保護剤は、１つ以上の界面活性剤、１つ以上の酸、または１つ以上の極性重合体のうちの少なくとも１つを含む、実施形態Ｂの方法。
Ｄ．少なくとも１つの保護剤は、ポリビニルピロリジノンを含む、実施形態Ｂの方法。
Ｅ．少なくとも１つの保護剤を不活性化することをさらに含む、実施形態Ｂの方法。
Ｆ．少なくとも１つの第１の還元性金属イオンは、少なくとも１つの貨幣金属イオンを含む、実施形態Ａの方法。
Ｇ．少なくとも１つの第１の還元性金属イオンは、少なくとも１つのＩＵＰＡＣ  Ｇｒｏｕｐ１１からの元素のイオンを含む、実施形態Ａの方法。
Ｈ．少なくとも１つの第１の還元性金属イオンは、少なくとも１つの銀のイオンを含む、実施形態Ａの方法。
Ｊ．少なくとも１つの第１の化合物は、硝酸銀を含む、実施形態Ａの方法。
Ｋ．少なくとも１つの第２の金属または金属イオンは、ランタニド金属またはランタニドのイオンのうちの少なくとも１つを含む、実施形態Ａの方法。
Ｌ．少なくとも１つの第２の金属または金属イオンは、セリウム金属、セリウムのイオン、サマリウム金属、またはサマリウムのイオンのうちの少なくとも１つを含む、実施形態Ａの方法。
Ｍ．少なくとも１つの第２の化合物は、前記少なくとも１つの第２の金属または金属イオンの少なくとも１つの塩を含む、実施形態Ａの方法。
Ｎ．少なくとも１つの塩は、少なくとも１つの塩化物を含む、実施形態Ｍの方法。
Ｐ．少なくとも１つの溶媒は、少なくとも１つのポリオールを含む、実施形態Ａの方法。
Ｑ．少なくとも１つの溶媒は、エチレングリコール、プロピレングリコール、グリセロール、１つ以上の糖、または１つ以上の炭水化物のうちの少なくとも１つを含む、実施形態Ａの方法。
Ｒ．組成物は、少なくとも１つの第１の還元性金属イオンのモルに対する、少なくとも１つの第２の金属または金属の総モルの比が約０．０００１〜約０．１である、実施形態Ａの方法。
Ｓ．還元は、約１２０℃〜約１９０℃の１つ以上の温度で行われる、実施形態Ａの方法。
Ｔ．組成物、少なくとも１つの第１の還元性金属イオンを含む少なくとも１つの化合物、少なくとも１つの第２の金属もしくは金属イオン、または少なくとも１つの溶媒のうちの１つ以上を不活性化することをさらに含む、実施形態Ａの方法。
Ｕ．実施形態Ａの方法に従って生成される、少なくとも１つの第１の金属。
Ｖ．実施形態Ａの方法に従って生成される、少なくとも１つの第１の金属を含む、少なくとも１つの物品。
Ｗ．少なくとも１つの第１の金属は、１つ以上のナノワイヤ、ナノ立方体、ナノロッド、ナノピラミッド、またはナノチューブを含む、実施形態Ｖの少なくとも１つの物品。
Ｘ．少なくとも１つの第１の金属は、約１０ｎｍ〜約５００ｎｍの平均直径を有する、少なくとも１つの物体を含む、実施形態Ｖの少なくとも１つの物品。
Ｙ．少なくとも１つの第１の金属は、約５０〜約１０，０００のアスペクト比を有する、少なくとも１つの物体を含む、実施形態Ｖの少なくとも１つの物品。
Ｚ．約１０ｎｍ〜約１５０ｎｍの平均直径、および約５０〜約１０，０００のアスペクト比を有する、少なくとも１つの金属ナノワイヤ。
ＡＡ．少なくとも１つの金属は、少なくとも１つの貨幣金属を含む、実施形態Ｚのナノワイヤ。
ＡＢ．少なくとも１つの金属は、少なくとも１つのＩＵＰＡＣ  Ｇｒｏｕｐ１１の元素を含む、実施形態Ｚのナノワイヤ。
ＡＣ．少なくとも１つの金属は、銀を含む、実施形態Ｚのナノワイヤ。
ＡＤ．実施形態Ｚの少なくとも１つの金属ナノワイヤを含む、少なくとも１つの物品。
【００３４】
２０１１年１月１３日に出願された、ＰＲＥＰＡＲＡＴＩＯＮ  ＯＦ  ＡｇＮＷ  ＩＮ  ＴＨＥ  ＰＲＥＳＥＮＣＥ  ＯＦ  ＮＩＴＲＩＣ  ＯＸＩＤＥと題され、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる米国仮出願第６１／４３２，２１８号は、以下の１４の例示的な非限定的実施形態を開示した。
ＡＥ．少なくとも１つの金属イオンを、少なくとも１つの第１の反応温度を有する第１の反応媒体において、少なくとも１つの金属に還元することであって、還元を第１の時間で開始することと、
第１の時間からの経過時間であって、第１の反応媒体と接触するヘッドスペースにおける一酸化窒素濃度の最大値に対応する、経過時間を判定することと、を含む、方法。
ＡＦ．少なくとも１つの金属イオンは、少なくとも１つのＩＵＰＡＣ  Ｇｒｏｕｐ１１からの元素を含む、実施形態ＡＥに記載の方法。
ＡＧ．少なくとも１つの金属イオンは、少なくとも１つの貨幣金属イオンを含む、実施形態ＡＥに記載の方法。
ＡＨ．少なくとも１つの金属イオンは、少なくとも１つの銀イオンを含む、実施形態ＡＥに記載の方法。
ＡＪ．目標経過時間と経過時間との間の差異に基づいて製法を調整し、調整された製法を提供することと、
調整された製法から第２の反応媒体を提供することと、
第２の反応媒体において、少なくとも１つの金属イオンを還元することと、をさらに含む、実施形態ＡＥに記載の方法。
ＡＫ．製法を調整することは、少なくとも１つの触媒供給濃度を更新すること、少なくとも１つの触媒供給速度を更新すること、少なくとも１つの金属イオン供給濃度を更新すること、少なくとも１つの金属イオン供給速度を更新すること、少なくとも１つの触媒対金属イオン供給濃度比を更新すること、少なくとも１つの触媒対金属イオン供給速度比を更新すること、硝酸供給圧を更新すること、硝酸供給組成を更新すること、硝酸供給速度を更新すること、硝酸対金属イオン供給濃度比を更新すること、硝酸対金属イオン供給速度比を更新すること、硝酸対触媒供給濃度比を更新すること、硝酸供給開始時間を更新すること、または硝酸供給期間を更新することのうちの少なくとも１つを含む、実施形態ＡＪに記載の方法。
ＡＬ．第２の反応媒体を提供することは、少なくとも１つの構成成分を第１の反応媒体に添加することを含む、実施形態ＡＪに記載の方法。
ＡＭ．少なくとも１つの構成成分は、第１の金属イオン、触媒、保護剤、溶媒、または一酸化窒素のうちの少なくとも１つを含む、実施形態ＡＬに記載の方法。
ＡＮ．目標経過時間と経過時間との間の差異に基づいて、少なくとも１つの第２の反応温度を計算することと、
少なくとも１つの第２の反応温度で、少なくとも１つの金属イオンを還元することと、  をさらに含む、実施形態ＡＥに記載の方法。
ＡＰ．第１の反応媒体に一酸化窒素を添加することをさらに含む、実施形態ＡＥに記載の方法。
ＡＱ．実施形態ＡＥの方法に従って生成される、少なくとも１つの第１の金属。
ＡＲ．実施形態ＡＱに記載の少なくとも１つの第１の金属を含む、少なくとも１つのナノワイヤ。
ＡＳ．実施形態ＡＱに記載の少なくとも１つの第１の金属を含む、少なくとも１つの物品。
ＡＴ．少なくとも１つの電子デバイスを含む、実施形態ＡＳに記載の少なくとも１つの物品。
【００３５】
２０１１年５月２３日に出願された、ＭＥＴＡＬ  ＩＯＮ  ＲＥＤＵＣＴＩＯＮ  ＷＩＴＨ  ＬＯＷ  ＮＩＴＲＩＣ  ＯＸＩＤＥ  ＣＯＰＲＯＤＵＣＴＩＯＮ，ＭＥＴＨＯＤＳ，ＣＯＭＰＯＳＩＴＩＯＮＳ，ＡＮＤ  ＡＲＴＩＣＬＥＳと題され、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる米国仮出願第６１／４８８，８１３号は、以下の３１の例示的な非限定的実施形態を開示した。
ＡＵ．減少した一酸化窒素の副生成を伴う、少なくとも１つの第１の金属を生成する方法であって、
少なくとも１つの第１の還元性金属イオンを含む、少なくとも１つの第１の化合物と、
ランタニド金属、ランタニドのイオン、アクチニド金属、またはアクチニドのイオンのうちの少なくとも１つを含む、少なくとも１つの第２の金属または金属イオンを含む少なくとも１つの第２の化合物であって、前記少なくとも１つの第２の金属または金属イオンは、前記少なくとも１つの第１の還元性金属イオンとは原子番号が異なる、少なくとも１つの第２の化合物と、
少なくとも１つの溶媒と、を含む、組成物を提供することと、
少なくとも１つの第１の還元性金属イオンを少なくとも１つの第１の金属に還元することと、を含む、方法。
ＡＶ．組成物は、少なくとも１つの保護剤をさらに含む、実施形態ＡＵの方法。
ＡＷ．少なくとも１つの保護剤は、１つ以上の界面活性剤、１つ以上の酸、または１つ以上の極性重合体のうちの少なくとも１つを含む、実施形態ＡＶの方法。
ＡＸ．少なくとも１つの保護剤は、ポリビニルピロリジノンを含む、実施形態ＡＶの方法。
ＡＹ．少なくとも１つの保護剤を不活性化することをさらに含む、実施形態ＡＶの方法。
ＡＺ．少なくとも１つの第１の還元性金属イオンは、少なくとも１つの貨幣金属イオンを含む、実施形態ＡＵの方法。
ＢＡ．少なくとも１つの第１の還元性金属イオンは、少なくとも１つのＩＵＰＡＣ  Ｇｒｏｕｐ１１からの元素のイオンを含む、実施形態ＡＵの方法。
ＢＢ．少なくとも１つの第１の還元性金属イオンは、少なくとも１つの銀のイオンを含む、実施形態ＡＵの方法。
ＢＣ．少なくとも１つの第１の化合物は、硝酸銀を含む、実施形態ＡＵの方法。
ＢＤ．少なくとも１つの第２の金属または金属イオンは、ランタニド金属またはランタニドのイオンのうちの少なくとも１つを含む、実施形態ＡＵの方法。
ＢＥ．少なくとも１つの第２の金属または金属イオンは、セリウム金属、セリウムのイオン、サマリウム金属、またはサマリウムのイオンのうちの少なくとも１つを含む、実施形態ＡＵの方法。
ＢＦ．少なくとも１つの第２の化合物は、前記少なくとも１つの第２の金属または金属イオンの少なくとも１つの塩を含む、実施形態ＡＵの方法。
ＢＧ．少なくとも１つの塩は、少なくとも１つの塩化物を含む、実施形態ＢＦの方法。
ＢＨ．少なくとも１つの溶媒は、少なくとも１つのポリオールを含む、実施形態ＡＵの方法。
ＢＪ．少なくとも１つの溶媒は、エチレングリコール、プロピレングリコール、グリセロール、１つ以上の糖、または１つ以上の炭水化物のうちの少なくとも１つを含む、実施形態ＡＵの方法。
ＢＫ．組成物は、少なくとも１つの第１の還元性金属イオンのモルに対する、少なくとも１つの第２の金属または金属の総モルの比が約０．０００１〜約０．１である、実施形態ＡＵの方法。
ＢＬ．金属イオンの還元は、約１２０℃〜約１９０℃の１つ以上の温度で行われる、実施形態ＡＵの方法。
ＢＭ．組成物、少なくとも１つの第１の還元性金属イオンを含む少なくとも１つの化合物、少なくとも１つの第２の金属もしくは金属イオン、または少なくとも１つの溶媒のうちの１つ以上を不活性化することをさらに含む、実施形態ＡＵの方法。
ＢＮ．実施形態ＡＵの方法に従って生成される、少なくとも１つの第１の金属。
ＢＰ．実施形態ＡＵの方法に従って生成される、少なくとも１つの第１の金属を含む、少なくとも１つの物品。
ＢＱ．少なくとも１つの第１の金属は、１つ以上のナノワイヤ、ナノ立方体、ナノロッド、ナノピラミッド、またはナノチューブを含む、実施形態ＢＰの少なくとも１つの物品。
ＢＲ．少なくとも１つの第１の金属は、約１０ｎｍ〜約５００ｎｍの平均直径を有する少なくとも１つの物体を含む、実施形態ＢＰの少なくとも１つの物品。
ＢＳ．少なくとも１つの第１の金属は、約５０〜約１０，０００のアスペクト比を有する少なくとも１つの物体を含む、実施形態ＢＰの少なくとも１つの物品。
ＢＴ．一酸化窒素の副生成は、塩化銅触媒による金属還元と比較して、少なくとも１００倍減少される、実施形態ＡＵに記載の方法。
ＢＵ．一酸化窒素の副生成は、塩化銅触媒による金属還元と比較して、少なくとも１０００倍減少される、実施形態ＡＵに記載の方法。
ＢＶ．検出可能な一酸化窒素は、全く副生成されない、実施形態ＡＵに記載の方法。
ＢＷ．約１０ｎｍ〜約１５０ｎｍの平均直径、および約５０〜約１０，０００のアスペクト比を有する、少なくとも１つの金属ナノワイヤ。
ＢＸ．少なくとも１つの金属は、少なくとも１つの貨幣金属を含む、実施形態ＢＷのナノワイヤ。
ＢＹ．少なくとも１つの金属は、少なくとも１つのＩＵＰＡＣ  Ｇｒｏｕｐ１１の元素を含む、実施形態ＢＷのナノワイヤ。
ＢＺ．少なくとも１つの金属は、銀を含む、実施形態ＢＷのナノワイヤ。
ＣＡ．実施形態ＢＷの少なくとも１つの金属ナノワイヤを含む、少なくとも１つの物品。
【００３６】
２０１１年６月７日に出願された、ＮＡＮＯＷＩＲＥ  ＰＲＥＰＡＲＡＴＩＯＮ  ＭＥＴＨＯＤＳ，ＣＯＭＰＯＳＩＴＩＯＮＳ，ＡＮＤ  ＡＲＴＩＣＬＥＳと題され、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる米国仮出願第６１／４９４，０７２号は、以下の２０の例示的な非限定的実施形態を開示した。
ＣＢ．少なくとも１つの第１の還元性金属イオンを含む、少なくとも１つの第１の組成物を提供することと、
少なくとも１つのランタニド元素またはアクチニド元素を含む、少なくとも１つの第２の金属イオンの存在下で、少なくとも１つの第１の還元性金属イオンを、少なくとも１つの第１の金属に還元することと、を含む、方法。
ＣＣ．少なくとも１つの第１の還元性金属イオンは、少なくとも１つの貨幣金属イオンを含む、実施形態ＣＢに記載の方法。
ＣＤ．少なくとも１つの第１の還元性金属イオンは、少なくとも１つのＩＵＰＡＣ  Ｇｒｏｕｐ１１の元素のイオンを含む、実施形態ＣＢに記載の方法。
ＣＥ．少なくとも１つの第１の還元性金属イオンは、少なくとも１つの銀イオンを含む、実施形態ＣＢに記載の方法。
ＣＦ．少なくとも１つの組成物は、硝酸銀を含む、実施形態ＣＢに記載の方法。
ＣＧ．少なくとも１つの第２の金属イオンは、少なくとも１つのランタンイオンまたはアクチニドイオンを含む、実施形態ＣＢに記載の方法。
ＣＨ．少なくとも１つの第２の金属イオンは、その＋３酸化状態のランタンを含む、実施形態ＣＢに記載の方法。
ＣＪ．還元は、少なくとも１つの保護剤の存在下で行われる、実施形態ＣＢに記載の方法。
ＣＫ．還元は、少なくとも１つのポリオールの存在下で行われる、実施形態ＣＫに記載の方法。
ＣＬ．実施形態ＣＢに記載の方法によって生成される少なくとも１つの第１の金属を含む、生成物。
ＣＭ．少なくとも１つの金属ナノワイヤを含む、実施形態ＣＬに記載の生成物。
ＣＮ．実施形態ＣＬに記載の生成物を含む、物品。
ＣＰ．少なくとも１つの金属ナノワイヤと、少なくとも１つの塩化物イオンと、少なくとも１つのランタニド元素のイオンまたは少なくとも１つのアクチニド元素のイオンと、を含む、組成物。
ＣＱ．少なくとも１つの金属ナノワイヤは、少なくとも１つの銀ナノワイヤを含む、実施形態ＣＰに記載の組成物。
ＣＲ．少なくとも１つの金属ナノワイヤは、約１０ｎｍ〜約５００ｎｍの平均直径を含む、実施形態ＣＰに記載の組成物。
ＣＳ．少なくとも１つの金属ナノワイヤは、約５０〜約１０，０００のアスペクト比を含む、実施形態ＣＰに記載の組成物。
ＣＴ．少なくとも１つの金属ナノワイヤは、約１０ｎｍ〜約１５０ｎｍの平均直径、および約５０〜約１０，０００のアスペクト比を含む、実施形態ＣＰに記載の組成物。
ＣＵ．実施形態ＣＰの組成物の少なくとも１つの金属ナノワイヤを含む、生成物。
ＣＶ．実施形態ＣＵに記載の少なくとも１つの生成物を含む、物品。
ＣＷ．電子ディスプレイ、タッチスクリーン、ポータブル電話、セルラ電話、コンピュータディスプレイ、ラップトップコンピュータ、タブレットコンピュータ、ＰＯＰ（ｐｏｉｎｔ−ｏｆ−ｐｕｒｃｈａｓｅ）キオスク、音楽プレーヤ、テレビ、電子ゲーム、電子書籍リーダ、透明電極、太陽電池、発光ダイオード、電子デバイス、医療用撮像デバイス、または医療用撮像媒体のうちの少なくとも１つを含む、実施形態ＣＶに記載の物品。
【００３７】
２０１１年８月１０日に出願された、ＮＡＮＯＷＩＲＥ  ＰＲＥＰＡＲＡＴＩＯＮ  ＭＥＴＨＯＤＳ，ＣＯＭＰＯＳＩＴＩＯＮＳ，ＡＮＤ  ＡＲＴＩＣＬＥＳと題され、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる米国仮出願第６１／５２１，７７６号は、以下の２０の例示的な非限定的実施形態を開示した。
ＣＸ．少なくとも１つの第１の還元性金属イオンを含む、少なくとも１つの第１の組成物を提供することと、
少なくとも１つのランタニド元素またはアクチニド元素を含む、少なくとも１つの第２の金属イオンの存在下で、少なくとも１つの第１の還元性金属イオンを、少なくとも１つの第１の金属に還元することと、を含む、方法。
ＣＹ．少なくとも１つの第１の還元性金属イオンは、少なくとも１つの貨幣金属イオンを含む、実施形態ＣＸに記載の方法。
ＣＺ．少なくとも１つの第１の還元性金属イオンは、少なくとも１つのＩＵＰＡＣ  Ｇｒｏｕｐ１１の元素のイオンを含む、実施形態ＣＸに記載の方法。
ＤＡ．少なくとも１つの第１の還元性金属イオンは、少なくとも１つの銀イオンを含む、実施形態ＣＸ記載の方法。
ＤＢ．少なくとも１つの組成物は、硝酸銀を含む、実施形態ＣＸに記載の方法。
ＤＣ．少なくとも１つの第２の金属イオンは、少なくとも１つのプラセオジムイオンを含む、実施形態ＣＸに記載の方法。
ＤＤ．少なくとも１つの第２の金属イオンは、その＋３酸化状態のプラセオジムを含む、実施形態ＣＸに記載の方法。
ＤＥ．還元は、少なくとも１つの保護剤の存在下で行われる、実施形態ＣＸに記載の方法。
ＤＦ．還元は、少なくとも１つのポリオールの存在下で行われる、実施形態ＣＸに記載の方法。
ＤＧ．実施形態ＣＸに記載の方法によって生成される少なくとも１つの第１の金属を含む、生成物。
ＤＨ．少なくとも１つの金属ナノワイヤを含む、実施形態ＤＧに記載の生成物。
ＤＪ．実施形態ＤＧに記載の生成物を含む、物品。
ＤＫ．少なくとも１つの金属ナノワイヤと、少なくとも１つの塩化物イオンと、少なくとも１つのランタニド元素のイオンまたは少なくとも１つのアクチニド元素のイオンとを含む、組成物。
ＤＬ．少なくとも１つの金属ナノワイヤは、少なくとも１つの銀ナノワイヤを含む、実施形態ＤＫに記載の組成物。
ＤＭ．少なくとも１つの金属ナノワイヤは、約１０ｎｍ〜約５００ｎｍの平均直径を含む、実施形態ＤＫに記載の組成物。
ＤＮ．少なくとも１つの金属ナノワイヤは、約５０〜約１０，０００のアスペクト比を含む、実施形態ＤＫに記載の組成物。
ＤＰ．少なくとも１つの金属ナノワイヤは、約１０ｎｍ〜約１５０ｎｍの平均直径、および約５０〜約１０，０００のアスペクト比を含む、実施形態ＤＫに記載の組成物。
ＤＱ．実施形態ＤＫの組成物の少なくとも１つの金属ナノワイヤを含む、生成物。
ＤＲ．実施形態ＤＱに記載の少なくとも１つの生成物を含む、物品。
ＤＳ．電子ディスプレイ、タッチスクリーン、ポータブル電話、セルラ電話、コンピュータディスプレイ、ラップトップコンピュータ、タブレットコンピュータ、ＰＯＰ（ｐｏｉｎｔ−ｏｆ−ｐｕｒｃｈａｓｅ）キオスク、音楽プレーヤ、テレビ、電子ゲーム、電子書籍リーダ、透明電極、太陽電池、発光ダイオード、電子デバイス、医療用撮像デバイス、または医療用撮像媒体のうちの少なくとも１つを含む、実施形態ＤＲに記載の物品。
【００３８】
２０１１年８月１０日に出願された、ＮＡＮＯＷＩＲＥ  ＰＲＥＰＡＲＡＴＩＯＮ  ＭＥＴＨＯＤＳ，ＣＯＭＰＯＳＩＴＩＯＮＳ，ＡＮＤ  ＡＲＴＩＣＬＥＳと題され、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる米国仮出願第６１／５２１，８５９号は、以下の２０の例示的な非限定的実施形態を開示した。
ＤＴ．少なくとも１つの第１の還元性金属イオンを含む、少なくとも１つの第１の組成物を提供することと、
少なくとも１つのランタニド元素またはアクチニド元素を含む、少なくとも１つの第２の金属イオンの存在下で、少なくとも１つの第１の還元性金属イオンを、少なくとも１つの第１の金属に還元することと、を含む、方法。
ＤＵ．少なくとも１つの第１の還元性金属イオンは、少なくとも１つの貨幣金属イオンを含む、実施形態ＤＴに記載の方法。
ＤＶ．少なくとも１つの第１の還元性金属イオンは、少なくとも１つのＩＵＰＡＣ  Ｇｒｏｕｐ１１の元素のイオンを含む、実施形態ＤＴに記載の方法。
ＤＷ．少なくとも１つの第１の還元性金属イオンは、少なくとも１つの銀イオンを含む、実施形態ＤＴに記載の方法。
ＤＸ．少なくとも１つの組成物は、硝酸銀を含む、実施形態ＤＴに記載の方法。
ＤＹ．少なくとも１つの第２の金属イオンは、少なくとも１つのエルビウムイオンを含む、実施形態ＤＴに記載の方法。
ＤＺ．少なくとも１つの第２の金属イオンは、その＋３酸化状態のエルビウムを含む、実施形態ＤＴに記載の方法。
ＥＡ．還元は、少なくとも１つの保護剤の存在下で行われる、実施形態ＤＴに記載の方法。
ＥＢ．還元は、少なくとも１つのポリオールの存在下で行われる、実施形態ＤＴに記載の方法。
ＥＣ．実施形態ＤＴに記載の方法によって生成される、少なくとも１つの第１の金属を含む、生成物。
ＥＤ．少なくとも１つの金属ナノワイヤを含む、実施形態ＥＣに記載の生成物。
ＥＥ．実施形態ＥＣに記載の生成物を含む、物品。
ＥＦ．少なくとも１つの金属ナノワイヤと、少なくとも１つの塩化物イオンと、少なくとも１つのランタニド元素のイオンまたは少なくとも１つのアクチニド元素のイオンとを含む、組成物。
ＥＧ．少なくとも１つの金属ナノワイヤは、少なくとも１つの銀ナノワイヤを含む、実施形態ＥＦに記載の組成物。
ＥＨ．少なくとも１つの金属ナノワイヤは、約１０ｎｍ〜約５００ｎｍの平均直径を含む、実施形態ＥＦに記載の組成物。
ＥＪ．少なくとも１つの金属ナノワイヤは、約５０〜約１０，０００のアスペクト比を含む、実施形態ＥＦに記載の組成物。
ＥＫ．少なくとも１つの金属ナノワイヤは、約１０ｎｍ〜約１５０ｎｍの平均直径、および約５０〜約１０，０００のアスペクト比を含む、実施形態ＥＦに記載の組成物。
ＥＬ．実施形態ＥＦの組成物の少なくとも１つの金属ナノワイヤを含む、生成物。
ＥＭ．実施形態ＥＬに記載の少なくとも１つの生成物を含む、物品。
ＥＮ．電子ディスプレイ、タッチスクリーン、ポータブル電話、セルラ電話、コンピュータディスプレイ、ラップトップコンピュータ、タブレットコンピュータ、ＰＯＰ（ｐｏｉｎｔ−ｏｆ−ｐｕｒｃｈａｓｅ）キオスク、音楽プレーヤ、テレビ、電子ゲーム、電子書籍リーダ、透明電極、太陽電池、発光ダイオード、電子デバイス、医療用撮像デバイス、または医療用撮像媒体のうちの少なくとも１つを含む、実施形態ＥＭに記載の物品。
【００３９】
２０１１年８月１０日に出願された、ＮＡＮＯＷＩＲＥ  ＰＲＥＰＡＲＡＴＩＯＮ  ＭＥＴＨＯＤＳ，ＣＯＭＰＯＳＩＴＩＯＮＳ，ＡＮＤ  ＡＲＴＩＣＬＥＳと題され、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる米国仮出願第６１／５２１，８６７号は、以下の２０の例示的な非限定的実施形態を開示した。
ＥＰ．少なくとも１つの第１の還元性金属イオンを含む、少なくとも１つの第１の組成物を提供することと、
少なくとも１つのランタニド元素またはアクチニド元素を含む、少なくとも１つの第２の金属イオンの存在下で、少なくとも１つの第１の還元性金属イオンを、少なくとも１つの第１の金属に還元することと、を含む、方法。
ＥＱ．少なくとも１つの第１の還元性金属イオンは、少なくとも１つの貨幣金属イオンを含む、実施形態ＥＰに記載の方法。
ＥＲ．少なくとも１つの第１の還元性金属イオンは、少なくとも１つのＩＵＰＡＣ  Ｇｒｏｕｐ１１の元素のイオンを含む、実施形態ＥＰに記載の方法。
ＥＳ．少なくとも１つの第１の還元性金属イオンは、少なくとも１つの銀イオンを含む、実施形態ＥＰに記載の方法。
ＥＴ．少なくとも１つの組成物は、硝酸銀を含む、実施形態ＥＰに記載の方法。
ＥＵ．少なくとも１つの第２の金属イオンは、少なくとも１つのツリウムイオンを含む、実施形態ＥＰに記載の方法。
ＥＶ．少なくとも１つの第２の金属イオンは、その＋３酸化状態のツリウムを含む、実施形態ＥＰに記載の方法。
ＥＷ．還元は、少なくとも１つの保護剤の存在下で行われる、実施形態ＥＰに記載の方法。
ＥＸ．還元は、少なくとも１つのポリオールの存在下で行われる、実施形態ＥＱに記載の方法。
ＥＹ．実施形態ＥＰに記載の方法によって生成される、少なくとも１つの第１の金属を含む、生成物。
ＥＺ．少なくとも１つの金属ナノワイヤを含む、実施形態ＥＹに記載の生成物。
ＦＡ．実施形態ＥＹに記載の生成物を含む、物品。
ＦＢ．少なくとも１つの金属ナノワイヤと、少なくとも１つの塩化物イオンと、少なくとも１つのランタニド元素のイオンまたは少なくとも１つのアクチニド元素のイオンとを含む、組成物。
ＦＣ．少なくとも１つの金属ナノワイヤは、少なくとも１つの銀ナノワイヤを含む、実施形態ＥＺに記載の組成物。
ＦＤ．少なくとも１つの金属ナノワイヤは、約１０ｎｍ〜約５００ｎｍの平均直径を含む、実施形態ＥＺに記載の組成物。
ＦＥ．少なくとも１つの金属ナノワイヤは、約５０〜約１０，０００のアスペクト比を含む、実施形態ＥＺに記載の組成物。
ＦＦ．少なくとも１つの金属ナノワイヤは、約１０ｎｍ〜約１５０ｎｍの平均直径、および約５０〜約１０，０００のアスペクト比を含む、実施形態ＥＺに記載の組成物。
ＦＧ．実施形態ＥＺの組成物の少なくとも１つの金属ナノワイヤを含む、生成物。
ＦＨ．実施形態ＦＥに記載の少なくとも１つの生成物を含む、物品。
ＦＪ．電子ディスプレイ、タッチスクリーン、ポータブル電話、セルラ電話、コンピュータディスプレイ、ラップトップコンピュータ、タブレットコンピュータ、ＰＯＰ（ｐｏｉｎｔ−ｏｆ−ｐｕｒｃｈａｓｅ）キオスク、音楽プレーヤ、テレビ、電子ゲーム、電子書籍リーダ、透明電極、太陽電池、発光ダイオード、電子デバイス、医療用撮像デバイス、または医療用撮像媒体のうちの少なくとも１つを含む、実施形態ＦＨに記載の物品。
【００４０】
２０１１年８月１１日に出願された、ＮＡＮＯＷＩＲＥ  ＰＲＥＰＡＲＡＴＩＯＮ  ＭＥＴＨＯＤＳ，ＣＯＭＰＯＳＩＴＩＯＮＳ，ＡＮＤ  ＡＲＴＩＣＬＥＳと題され、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる米国仮出願第６１／５２２，２５８号は、以下の２０の例示的な非限定的実施形態を開示した。
ＦＫ．少なくとも１つの第１の還元性金属イオンを含む、少なくとも１つの第１の組成物を提供することと、
少なくとも１つのランタニド元素またはアクチニド元素を含む、少なくとも１つの第２の金属イオンの存在下で、少なくとも１つの第１の還元性金属イオンを、少なくとも１つの第１の金属に還元することと、を含む、方法。
ＦＬ．少なくとも１つの第１の還元性金属イオンは、少なくとも１つの貨幣金属イオンを含む、実施形態ＦＫに記載の方法。
ＦＭ．少なくとも１つの第１の還元性金属イオンは、少なくとも１つのＩＵＰＡＣ  Ｇｒｏｕｐ１１の元素のイオンを含む、実施形態ＦＫに記載の方法。
ＦＮ．少なくとも１つの第１の還元性金属イオンは、少なくとも１つの銀イオンを含む、実施形態ＦＫに記載の方法。
ＦＰ．少なくとも１つの組成物は、硝酸銀を含む、実施形態ＦＫに記載の方法。
ＦＱ．少なくとも１つの第２の金属イオンは、少なくとも１つのユーロピウムイオンを含む、実施形態ＦＫに記載の方法。
ＦＲ．少なくとも１つの第２の金属イオンは、その＋３酸化状態のユーロピウムを含む、実施形態ＦＫに記載の方法。
ＦＳ．還元は、少なくとも１つの保護剤の存在下で行われる、実施形態ＦＫに記載の方法。
ＦＴ．還元は、少なくとも１つのポリオールの存在下で行われる、実施形態ＦＫに記載の方法。
ＦＵ．実施形態ＦＫに記載の方法によって生成される、少なくとも１つの第１の金属を含む、生成物。
ＦＶ．少なくとも１つの金属ナノワイヤを含む、実施形態ＦＵに記載の生成物。
ＦＷ．実施形態ＦＵに記載の生成物を含む、物品。
ＦＸ．少なくとも１つの金属ナノワイヤと、少なくとも１つの塩化物イオンと、少なくとも１つのランタニド元素のイオンまたは少なくとも１つのアクチニド元素のイオンとを含む、組成物。
ＦＹ．少なくとも１つの金属ナノワイヤは、少なくとも１つの銀ナノワイヤを含む、実施形態ＦＸに記載の組成物。
ＦＺ．少なくとも１つの金属ナノワイヤは、約１０ｎｍ〜約５００ｎｍの平均直径を含む、実施形態ＦＸに記載の組成物。
ＧＡ．少なくとも１つの金属ナノワイヤは、約５０〜約１０，０００のアスペクト比を含む、実施形態ＦＸに記載の組成物。
ＧＢ．少なくとも１つの金属ナノワイヤは、約１０ｎｍ〜約１５０ｎｍの平均直径、および約５０〜約１０，０００のアスペクト比を含む、実施形態ＦＸに記載の組成物。
ＧＣ．実施形態ＦＸの組成物の少なくとも１つの金属ナノワイヤを含む、生成物。
ＧＤ．実施形態ＧＢに記載の少なくとも１つの生成物を含む、物品。
ＧＥ．電子ディスプレイ、タッチスクリーン、ポータブル電話、セルラ電話、コンピュータディスプレイ、ラップトップコンピュータ、タブレットコンピュータ、ＰＯＰ（ｐｏｉｎｔ−ｏｆ−ｐｕｒｃｈａｓｅ）キオスク、音楽プレーヤ、テレビ、電子ゲーム、電子書籍リーダ、透明電極、太陽電池、発光ダイオード、電子デバイス、医療用撮像デバイス、または医療用撮像媒体のうちの少なくとも１つを含む、実施形態ＧＣに記載の物品。
【００４１】
２０１１年８月１２日に出願された、ＮＡＮＯＷＩＲＥ  ＰＲＥＰＡＲＡＴＩＯＮ  ＭＥＴＨＯＤＳ，ＣＯＭＰＯＳＩＴＩＯＮＳ，ＡＮＤ  ＡＲＴＩＣＬＥＳと題され、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる米国仮出願第６１／５２２，７３８号は、以下の２０の例示的な非限定的実施形態を開示した。
ＧＦ．少なくとも１つの第１の還元性金属イオンを含む、少なくとも１つの第１の組成物を提供することと、
少なくとも１つのランタニド元素またはアクチニド元素を含む、少なくとも１つの第２の金属イオンの存在下で、少なくとも１つの第１の還元性金属イオンを、少なくとも１つの第１の金属に還元することと、を含む、方法。
ＧＧ．少なくとも１つの第１の還元性金属イオンは、少なくとも１つの貨幣金属イオンを含む、実施形態ＧＦに記載の方法。
ＧＨ．少なくとも１つの第１の還元性金属イオンは、少なくとも１つのＩＵＰＡＣ  Ｇｒｏｕｐ１１の元素のイオンを含む、実施形態ＧＦに記載の方法。
ＧＪ．少なくとも１つの第１の還元性金属イオンは、少なくとも１つの銀イオンを含む、実施形態ＧＦに記載の方法。
ＧＫ．少なくとも１つの組成物は、硝酸銀を含む、実施形態ＧＦに記載の方法。
ＧＬ．少なくとも１つの第２の金属イオンは、少なくとも１つのジスプロシウムイオンを含む、実施形態ＧＦに記載の方法。
ＧＭ．少なくとも１つの第２の金属イオンは、その＋３酸化状態のジスプロシウムを含む、実施形態ＧＦに記載の方法。
ＧＮ．還元は、少なくとも１つの保護剤の存在下で行われる、実施形態ＧＦに記載の方法。
ＧＰ．還元は、少なくとも１つのポリオールの存在下で行われる、実施形態ＧＦに記載の方法。
ＧＱ．実施形態ＧＦに記載の方法によって生成される少なくとも１つの第１の金属を含む、生成物。
ＧＲ．少なくとも１つの金属ナノワイヤを含む、実施形態ＧＱに記載の生成物。
ＧＳ．実施形態ＧＱに記載の生成物を含む、物品。
ＧＴ．少なくとも１つの金属ナノワイヤと、少なくとも１つの塩化物イオンと、少なくとも１つのランタニド元素のイオンまたは少なくとも１つのアクチニド元素のイオンとを含む、組成物。
ＧＵ．少なくとも１つの金属ナノワイヤは、少なくとも１つの銀ナノワイヤを含む、実施形態ＧＴに記載の組成物。
ＧＶ．少なくとも１つの金属ナノワイヤは、約１０ｎｍ〜約５００ｎｍの平均直径を含む、実施形態ＧＴに記載の組成物。
ＧＷ．少なくとも１つの金属ナノワイヤは、約５０〜約１０，０００のアスペクト比を含む、実施形態ＧＴに記載の組成物。
ＧＸ．少なくとも１つの金属ナノワイヤは、約１０ｎｍ〜約１５０ｎｍの平均直径、および約５０〜約１０，０００のアスペクト比を含む、実施形態ＧＴに記載の組成物。
ＧＹ．実施形態ＧＴの組成物の少なくとも１つの金属ナノワイヤを含む、生成物。
ＧＺ．実施形態ＧＹに記載の少なくとも１つの生成物を含む、物品。
ＨＡ．電子ディスプレイ、タッチスクリーン、ポータブル電話、セルラ電話、コンピュータディスプレイ、ラップトップコンピュータ、タブレットコンピュータ、ＰＯＰ（ｐｏｉｎｔ−ｏｆ−ｐｕｒｃｈａｓｅ）キオスク、音楽プレーヤ、テレビ、電子ゲーム、電子書籍リーダ、透明電極、太陽電池、発光ダイオード、電子デバイス、医療用撮像デバイス、または医療用撮像媒体のうちの少なくとも１つを含む、実施形態ＧＺに記載の物品。
【００４２】
２０１１年８月１２日に出願された、ＮＡＮＯＷＩＲＥ  ＰＲＥＰＡＲＡＴＩＯＮ  ＭＥＴＨＯＤＳ，ＣＯＭＰＯＳＩＴＩＯＮＳ，ＡＮＤ  ＡＲＴＩＣＬＥＳと題され、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる米国仮出願第６１／５２２，７４９号は、以下の２０の例示的な非限定的実施形態を開示した。
ＨＢ．少なくとも１つの第１の還元性金属イオンを含む、少なくとも１つの第１の組成物を提供することと、
少なくとも１つのランタニド元素またはアクチニド元素を含む、少なくとも１つの第２の金属イオンの存在下で、少なくとも１つの第１の還元性金属イオンを、少なくとも１つの第１の金属に還元することと、を含む、方法。
ＨＣ．少なくとも１つの第１の還元性金属イオンは、少なくとも１つの貨幣金属イオンを含む、実施形態ＨＢに記載の方法。
ＨＤ．少なくとも１つの第１の還元性金属イオンは、少なくとも１つのＩＵＰＡＣ  Ｇｒｏｕｐ１１の元素のイオンを含む、実施形態ＨＢに記載の方法。
ＨＥ．少なくとも１つの第１の還元性金属イオンは、少なくとも１つの銀イオンを含む、実施形態ＨＢに記載の方法。
ＨＦ．少なくとも１つの組成物は、硝酸銀を含む、実施形態ＨＢに記載の方法。
ＨＧ．少なくとも１つの第２の金属イオンは、少なくとも１つのガドリニウムイオンを含む、実施形態ＨＢに記載の方法。
ＨＨ．少なくとも１つの第２の金属イオンは、その＋３酸化状態のガドリニウムを含む、実施形態ＨＢに記載の方法。
ＨＪ．還元は、少なくとも１つの保護剤の存在下で行われる、実施形態ＨＢに記載の方法。
ＨＫ．還元は、少なくとも１つのポリオールの存在下で行われる、実施形態ＨＢに記載の方法。
ＨＬ．実施形態ＨＢに記載の方法によって生成される少なくとも１つの第１の金属を含む、生成物。
ＨＭ．少なくとも１つの金属ナノワイヤを含む、実施形態ＨＬに記載の生成物。
ＨＮ．実施形態ＨＬに記載の生成物を含む、物品。
ＨＰ．少なくとも１つの金属ナノワイヤと、少なくとも１つの塩化物イオンと、少なくとも１つのランタニド元素のイオンまたは少なくとも１つのアクチニド元素のイオンとを含む、組成物。
ＨＱ．少なくとも１つの金属ナノワイヤは、少なくとも１つの銀ナノワイヤを含む、実施形態ＨＰに記載の組成物。
ＨＲ．少なくとも１つの金属ナノワイヤは、約１０ｎｍ〜約５００ｎｍの平均直径を含む、実施形態ＨＰに記載の組成物。
ＨＳ．少なくとも１つの金属ナノワイヤは、約５０〜約１０，０００のアスペクト比を含む、実施形態ＨＰに記載の組成物。
ＨＴ．少なくとも１つの金属ナノワイヤは、約１０ｎｍ〜約１５０ｎｍの平均直径、および約５０〜約１０，０００のアスペクト比を含む、実施形態ＨＰに記載の組成物。
ＨＵ．実施形態ＨＰの組成物の少なくとも１つの金属ナノワイヤを含む、生成物。
ＨＶ．実施形態ＨＵに記載の少なくとも１つの生成物を含む、物品。
ＨＷ．電子ディスプレイ、タッチスクリーン、ポータブル電話、セルラ電話、コンピュータディスプレイ、ラップトップコンピュータ、タブレットコンピュータ、ＰＯＰ（ｐｏｉｎｔ−ｏｆ−ｐｕｒｃｈａｓｅ）キオスク、音楽プレーヤ、テレビ、電子ゲーム、電子書籍リーダ、透明電極、太陽電池、発光ダイオード、電子デバイス、医療用撮像デバイス、または医療用撮像媒体のうちの少なくとも１つを含む、実施形態ＨＶに記載の物品。
【００４３】
２０１１年８月１２日に出願された、ＮＡＮＯＷＩＲＥ  ＰＲＥＰＡＲＡＴＩＯＮ  ＭＥＴＨＯＤＳ，ＣＯＭＰＯＳＩＴＩＯＮＳ，ＡＮＤ  ＡＲＴＩＣＬＥＳと題され、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる米国仮出願第６１／５２２，７５７号は、以下の２０の例示的な非限定的実施形態を開示した。
ＨＸ．少なくとも１つの第１の還元性金属イオンを含む、少なくとも１つの第１の組成物を提供することと、
少なくとも１つのランタニド元素またはアクチニド元素を含む、少なくとも１つの第２の金属イオンの存在下で、少なくとも１つの第１の還元性金属イオンを、少なくとも１つの第１の金属に還元することと、を含む、方法。
ＨＹ．少なくとも１つの第１の還元性金属イオンは、少なくとも１つの貨幣金属イオンを含む、実施形態ＨＸに記載の方法。
ＨＺ．少なくとも１つの第１の還元性金属イオンは、少なくとも１つのＩＵＰＡＣ  Ｇｒｏｕｐ１１の元素のイオンを含む、実施形態ＨＸに記載の方法。
ＪＡ．少なくとも１つの第１の還元性金属イオンは、少なくとも１つの銀イオンを含む、実施形態ＨＸに記載の方法。
ＪＢ．少なくとも１つの組成物は、硝酸銀を含む、実施形態ＨＸに記載の方法。
ＪＣ．少なくとも１つの第２の金属イオンは、少なくとも１つのテルビウムイオンを含む、実施形態ＨＸに記載の方法。
ＪＤ．少なくとも１つの第２の金属イオンは、その＋３酸化状態のテルビウムを含む、実施形態ＨＸに記載の方法。
ＪＥ．還元は、少なくとも１つの保護剤の存在下で行われる、実施形態ＨＸに記載の方法。
ＪＦ．還元は、少なくとも１つのポリオールの存在下で行われる、実施形態ＨＸに記載の方法。
ＪＧ．実施形態ＨＸに記載の方法によって生成される、少なくとも１つの第１の金属を含む、生成物。
ＪＨ．少なくとも１つの金属ナノワイヤを含む、実施形態ＪＧに記載の生成物。
ＪＪ．実施形態ＪＧに記載の生成物を含む、物品。
ＪＫ．少なくとも１つの金属ナノワイヤと、少なくとも１つの塩化物イオンと、少なくとも１つのランタニド元素のイオンまたは少なくとも１つのアクチニド元素のイオンとを含む、組成物。
ＪＬ．少なくとも１つの金属ナノワイヤは、少なくとも１つの銀ナノワイヤを含む、実施形態ＪＫに記載の組成物。
ＪＭ．少なくとも１つの金属ナノワイヤは、約１０ｎｍ〜約５００ｎｍの平均直径を含む、実施形態ＪＫに記載の組成物。
ＪＮ．少なくとも１つの金属ナノワイヤは、約５０〜約１０，０００のアスペクト比を含む、実施形態ＪＫに記載の組成物。
ＪＰ．少なくとも１つの金属ナノワイヤは、約１０ｎｍ〜約１５０ｎｍの平均直径、および約５０〜約１０，０００のアスペクト比を含む、実施形態ＪＫに記載の組成物。
ＪＱ．実施形態ＪＫの組成物の少なくとも１つの金属ナノワイヤを含む、生成物。
ＪＲ．実施形態ＪＱに記載の少なくとも１つの生成物を含む、物品。
ＪＳ．電子ディスプレイ、タッチスクリーン、ポータブル電話、セルラ電話、コンピュータディスプレイ、ラップトップコンピュータ、タブレットコンピュータ、ＰＯＰ（ｐｏｉｎｔ−ｏｆ−ｐｕｒｃｈａｓｅ）キオスク、音楽プレーヤ、テレビ、電子ゲーム、電子書籍リーダ、透明電極、太陽電池、発光ダイオード、電子デバイス、医療用撮像デバイス、または医療用撮像媒体のうちの少なくとも１つを含む、実施形態ＪＲに記載の物品。
【００４４】
２０１１年８月１２日に出願された、ＮＡＮＯＷＩＲＥ  ＰＲＥＰＡＲＡＴＩＯＮ  ＭＥＴＨＯＤＳ，ＣＯＭＰＯＳＩＴＩＯＮＳ，ＡＮＤ  ＡＲＴＩＣＬＥＳと題され、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる米国仮出願第６１／５２２，７６６号は、以下の２０の例示的な非限定的実施形態を開示した。
ＪＴ．少なくとも１つの第１の還元性金属イオンを含む、少なくとも１つの第１の組成物を提供することと、
少なくとも１つのランタニド元素またはアクチニド元素を含む、少なくとも１つの第２の金属イオンの存在下で、少なくとも１つの第１の還元性金属イオンを、少なくとも１つの第１の金属に還元することと、を含む、方法。
ＪＵ．少なくとも１つの第１の還元性金属イオンは、少なくとも１つの貨幣金属イオンを含む、実施形態ＪＴに記載の方法。
ＪＶ．少なくとも１つの第１の還元性金属イオンは、少なくとも１つのＩＵＰＡＣ  Ｇｒｏｕｐ１１の元素のイオンを含む、実施形態ＪＴに記載の方法。
ＪＷ．少なくとも１つの第１の還元性金属イオンは、少なくとも１つの銀イオンを含む、実施形態ＪＴに記載の方法。
ＪＸ．少なくとも１つの組成物は、硝酸銀を含む、実施形態ＪＴに記載の方法。
ＪＹ．少なくとも１つの第２の金属イオンは、少なくとも１つのホルミウムイオンを含む、実施形態ＪＴに記載の方法。
ＪＺ．少なくとも１つの第２の金属イオンは、その＋３酸化状態のホルミウムを含む、実施形態ＪＴに記載の方法。
ＫＡ．還元は、少なくとも１つの保護剤の存在下で行われる、実施形態ＪＴに記載の方法。
ＫＢ．還元は、少なくとも１つのポリオールの存在下で行われる、実施形態ＪＴに記載の方法。
ＫＣ．実施形態ＪＴに記載の方法によって生成される、少なくとも１つの第１の金属を含む、生成物。
ＫＤ．少なくとも１つの金属ナノワイヤを含む、実施形態ＫＣに記載の生成物。
ＫＥ．実施形態ＫＣに記載の生成物を含む、物品。
ＫＦ．少なくとも１つの金属ナノワイヤと、少なくとも１つの塩化物イオンと、少なくとも１つのランタニド元素のイオンまたは少なくとも１つのアクチニド元素のイオンとを含む、組成物。
ＫＧ．少なくとも１つの金属ナノワイヤは、少なくとも１つの銀ナノワイヤを含む、実施形態ＫＦに記載の組成物。
ＫＨ．少なくとも１つの金属ナノワイヤは、約１０ｎｍ〜約５００ｎｍの平均直径を含む、実施形態ＫＦに記載の組成物。
ＫＪ．少なくとも１つの金属ナノワイヤは、約５０〜約１０，０００のアスペクト比を含む、実施形態ＫＦに記載の組成物。
ＫＫ．少なくとも１つの金属ナノワイヤは、約１０ｎｍ〜約１５０ｎｍの平均直径、および約５０〜約１０，０００のアスペクト比を含む、実施形態ＫＦに記載の組成物。
ＫＬ．実施形態ＫＦの組成物の少なくとも１つの金属ナノワイヤを含む、生成物。
ＫＭ．実施形態ＫＬに記載の少なくとも１つの生成物を含む、物品。
ＫＮ．電子ディスプレイ、タッチスクリーン、ポータブル電話、セルラ電話、コンピュータディスプレイ、ラップトップコンピュータ、タブレットコンピュータ、ＰＯＰ（ｐｏｉｎｔ−ｏｆ−ｐｕｒｃｈａｓｅ）キオスク、音楽プレーヤ、テレビ、電子ゲーム、電子書籍リーダ、透明電極、太陽電池、発光ダイオード、電子デバイス、医療用撮像デバイス、または医療用撮像媒体のうちの少なくとも１つを含む、実施形態ＫＭに記載の物品。
【００４５】
２０１１年８月１５日に出願された、ＮＡＮＯＷＩＲＥ  ＰＲＥＰＡＲＡＴＩＯＮ  ＭＥＴＨＯＤＳ，ＣＯＭＰＯＳＩＴＩＯＮＳ，ＡＮＤ  ＡＲＴＩＣＬＥＳと題され、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる米国仮出願第６１／５２３，４１９号は、以下の２０の例示的な非限定的実施形態を開示した。
ＫＰ．少なくとも１つの第１の還元性金属イオンを含む、少なくとも１つの第１の組成物を提供することと、
少なくとも１つのランタニド元素またはアクチニド元素を含む、少なくとも１つの第２の金属イオンの存在下で、少なくとも１つの第１の還元性金属イオンを、少なくとも１つの第１の金属に還元することと、を含む、方法。
ＫＱ．少なくとも１つの第１の還元性金属イオンは、少なくとも１つの貨幣金属イオンを含む、実施形態ＫＰに記載の方法。
ＫＲ．少なくとも１つの第１の還元性金属イオンは、少なくとも１つのＩＵＰＡＣ  Ｇｒｏｕｐ１１の元素のイオンを含む、実施形態ＫＰに記載の方法。
ＫＳ．少なくとも１つの第１の還元性金属イオンは、少なくとも１つの銀イオンを含む、実施形態ＫＰに記載の方法。
ＫＴ．少なくとも１つの組成物は、硝酸銀を含む、実施形態ＫＰに記載の方法。
ＫＵ．少なくとも１つの第２の金属イオンは、少なくとも１つのイッテルビウムイオンを含む、実施形態ＫＰに記載の方法。
ＫＶ．少なくとも１つの第２の金属イオンは、その＋３酸化状態のイッテルビウムを含む、実施形態ＫＰに記載の方法。
ＫＷ．還元は、少なくとも１つの保護剤の存在下で行われる、実施形態ＫＰに記載の方法。
ＫＸ．還元は、少なくとも１つのポリオールの存在下で行われる、実施形態ＫＰに記載の方法。
ＫＹ．実施形態ＫＰに記載の方法によって生成される、少なくとも１つの第１の金属を含む、生成物。
ＫＺ．少なくとも１つの金属ナノワイヤを含む、実施形態ＫＹに記載の生成物。
ＬＡ．実施形態ＫＹに記載の生成物を含む、物品。
ＬＢ．少なくとも１つの金属ナノワイヤと、少なくとも１つの塩化物イオンと、少なくとも１つのランタニド元素のイオンまたは少なくとも１つのアクチニド元素のイオンと、を含む、組成物。
ＬＣ．少なくとも１つの金属ナノワイヤは、少なくとも１つの銀ナノワイヤを含む、実施形態ＬＢに記載の組成物。
ＬＤ．少なくとも１つの金属ナノワイヤは、約１０ｎｍ〜約５００ｎｍの平均直径を含む、実施形態ＬＢに記載の組成物。
ＬＥ．少なくとも１つの金属ナノワイヤは、約５０〜約１０，０００のアスペクト比を含む、実施形態ＬＢに記載の組成物。
ＬＦ．少なくとも１つの金属ナノワイヤは、約１０ｎｍ〜約１５０ｎｍの平均直径、および約５０〜約１０，０００のアスペクト比を含む、実施形態ＬＢに記載の組成物。
ＬＧ．実施形態ＬＢの組成物の少なくとも１つの金属ナノワイヤを含む、生成物。
ＬＨ．実施形態１ＬＧに記載の少なくとも１つの生成物を含む、物品。
ＬＪ．電子ディスプレイ、タッチスクリーン、ポータブル電話、セルラ電話、コンピュータディスプレイ、ラップトップコンピュータ、タブレットコンピュータ、ＰＯＰ（ｐｏｉｎｔ−ｏｆ−ｐｕｒｃｈａｓｅ）キオスク、音楽プレーヤ、テレビ、電子ゲーム、電子書籍リーダ、透明電極、太陽電池、発光ダイオード、電子デバイス、医療用撮像デバイス、または医療用撮像媒体のうちの少なくとも１つを含む、実施形態ＬＨに記載の物品。
【００４６】
２０１１年８月１６日に出願された、ＮＡＮＯＷＩＲＥ  ＰＲＥＰＡＲＡＴＩＯＮ  ＭＥＴＨＯＤＳ，ＣＯＭＰＯＳＩＴＩＯＮＳ，ＡＮＤ  ＡＲＴＩＣＬＥＳと題され、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる米国仮出願第６１／５２３，８８２号は、以下の２０の例示的な非限定的実施形態を開示した。
ＬＫ．少なくとも１つの第１の還元性金属イオンを含む、少なくとも１つの第１の組成物を提供することと、
少なくとも１つのランタニド元素またはアクチニド元素を含む、少なくとも１つの第２の金属イオンの存在下で、少なくとも１つの第１の還元性金属イオンを、少なくとも１つの第１の金属に還元することと、を含む、方法。
ＬＬ．少なくとも１つの第１の還元性金属イオンは、少なくとも１つの貨幣金属イオンを含む、実施形態ＬＫに記載の方法。
ＬＭ．少なくとも１つの第１の還元性金属イオンは、少なくとも１つのＩＵＰＡＣ  Ｇｒｏｕｐ１１の元素のイオンを含む、実施形態ＬＫに記載の方法。
ＬＮ．少なくとも１つの第１の還元性金属イオンは、少なくとも１つの銀イオンを含む、実施形態ＬＫに記載の方法。
ＬＰ．少なくとも１つの組成物は、硝酸銀を含む、実施形態ＬＫに記載の方法。
ＬＱ．少なくとも１つの第２の金属イオンは、少なくとも１つのネオジムイオンを含む、実施形態ＬＫに記載の方法。
ＬＲ．少なくとも１つの第２の金属イオンは、その＋３酸化状態のネオジムを含む、実施形態ＬＫに記載の方法。
ＬＳ．還元は、少なくとも１つの保護剤の存在下で行われる、実施形態ＬＫに記載の方法。
ＬＴ．還元は、少なくとも１つのポリオールの存在下で行われる、実施形態ＬＫに記載の方法。
ＬＵ．実施形態ＬＫに記載の方法によって生成される、少なくとも１つの第１の金属を含む、生成物。
ＬＶ．少なくとも１つの金属ナノワイヤを含む、実施形態ＬＵに記載の生成物。
ＬＷ．実施形態ＬＶに記載の生成物を含む、物品。
ＬＸ．少なくとも１つの金属ナノワイヤと、少なくとも１つの塩化物イオンと、少なくとも１つのランタニド元素のイオンまたは少なくとも１つのアクチニド元素のイオンとを含む、組成物。
ＬＹ．少なくとも１つの金属ナノワイヤは、少なくとも１つの銀ナノワイヤを含む、実施形態ＬＸに記載の組成物。
ＬＺ．少なくとも１つの金属ナノワイヤは、約１０ｎｍ〜約５００ｎｍの平均直径を含む、実施形態ＬＸに記載の組成物。
ＭＡ．少なくとも１つの金属ナノワイヤは、約５０〜約１０，０００のアスペクト比を含む、実施形態ＬＸに記載の組成物。
ＭＢ．少なくとも１つの金属ナノワイヤは、約１０ｎｍ〜約１５０ｎｍの平均直径、および約５０〜約１０，０００のアスペクト比を含む、実施形態ＬＸに記載の組成物。
ＭＣ．実施形態ＬＸの組成物の少なくとも１つの金属ナノワイヤを含む、生成物。
ＭＤ．実施形態ＭＣに記載の少なくとも１つの生成物を含む、物品。
ＭＥ．電子ディスプレイ、タッチスクリーン、ポータブル電話、セルラ電話、コンピュータディスプレイ、ラップトップコンピュータ、タブレットコンピュータ、ＰＯＰ（ｐｏｉｎｔ−ｏｆ−ｐｕｒｃｈａｓｅ）キオスク、音楽プレーヤ、テレビ、電子ゲーム、電子書籍リーダ、透明電極、太陽電池、発光ダイオード、電子デバイス、医療用撮像デバイス、または医療用撮像媒体のうちの少なくとも１つを含む、実施形態ＭＤに記載の物品。
【００４７】
２０１１年８月１６日に出願された、ＮＡＮＯＷＩＲＥ  ＰＲＥＰＡＲＡＴＩＯＮ  ＭＥＴＨＯＤＳ，ＣＯＭＰＯＳＩＴＩＯＮＳ，ＡＮＤ  ＡＲＴＩＣＬＥＳと題され、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる米国仮出願第６１／５２３，８９３号は、以下の２０の例示的な非限定的実施形態を開示した。
ＭＦ．少なくとも１つの第１の還元性金属イオンを含む、少なくとも１つの第１の組成物を提供することと、
少なくとも１つのランタニド元素またはアクチニド元素を含む、少なくとも１つの第２の金属イオンの存在下で、少なくとも１つの第１の還元性金属イオンを、少なくとも１つの第１の金属に還元することと、を含む、方法。
ＭＧ．少なくとも１つの第１の還元性金属イオンは、少なくとも１つの貨幣金属イオンを含む、実施形態ＭＦに記載の方法。
ＭＨ．少なくとも１つの第１の還元性金属イオンは、少なくとも１つのＩＵＰＡＣ  Ｇｒｏｕｐ１１の元素のイオンを含む、実施形態ＭＦに記載の方法。
ＭＪ．少なくとも１つの第１の還元性金属イオンは、少なくとも１つの銀イオンを含む、実施形態ＭＦに記載の方法。
ＭＫ．少なくとも１つの組成物は、硝酸銀を含む、実施形態ＭＦに記載の方法。
ＭＬ．少なくとも１つの第２の金属イオンは、少なくとも１つのルテチウムイオンを含む、実施形態ＭＦに記載の方法。
ＭＭ．少なくとも１つの第２の金属イオンは、その＋３酸化状態のルテチウムを含む、実施形態ＭＦに記載の方法。
ＭＮ．還元は、少なくとも１つの保護剤の存在下で行われる、実施形態ＭＦに記載の方法。
ＭＰ．還元は、少なくとも１つのポリオールの存在下で行われる、実施形態ＭＦに記載の方法。
ＭＱ．実施形態ＭＦに記載の方法によって生成される、少なくとも１つの第１の金属を含む、生成物。
ＭＲ．少なくとも１つの金属ナノワイヤを含む、実施形態ＭＱに記載の生成物。
ＭＳ．実施形態ＭＱに記載の生成物を含む、物品。
ＭＴ．少なくとも１つの金属ナノワイヤと、少なくとも１つの塩化物イオンと、少なくとも１つのランタニド元素のイオンまたは少なくとも１つのアクチニド元素のイオンと、を含む、組成物。
ＭＵ．少なくとも１つの金属ナノワイヤは、少なくとも１つの銀ナノワイヤを含む、実施形態ＭＴに記載の組成物。
ＭＶ．少なくとも１つの金属ナノワイヤは、約１０ｎｍ〜約５００ｎｍの平均直径を含む、実施形態ＭＴに記載の組成物。
ＭＷ．少なくとも１つの金属ナノワイヤは、約５０〜約１０，０００のアスペクト比を含む、実施形態ＭＴに記載の組成物。
ＭＸ．少なくとも１つの金属ナノワイヤは、約１０ｎｍ〜約１５０ｎｍの平均直径、および約５０〜約１０，０００のアスペクト比を含む、実施形態ＭＴに記載の組成物。
ＭＹ．実施形態ＭＴの組成物の少なくとも１つの金属ナノワイヤを含む、生成物。
ＭＺ．実施形態ＭＹに記載の少なくとも１つの生成物を含む、物品。
ＮＡ．電子ディスプレイ、タッチスクリーン、ポータブル電話、セルラ電話、コンピュータディスプレイ、ラップトップコンピュータ、タブレットコンピュータ、ＰＯＰ（ｐｏｉｎｔ−ｏｆ−ｐｕｒｃｈａｓｅ）キオスク、音楽プレーヤ、テレビ、電子ゲーム、電子書籍リーダ、透明電極、太陽電池、発光ダイオード、電子デバイス、医療用撮像デバイス、または医療用撮像媒体のうちの少なくとも１つを含む、実施形態ＭＺに記載の物品。
【実施例】
【００４８】
＜実施例１＞
５００ｍＬの反応フラスコに、２８０ｍＬのエチレングリコール（ＥＧ）および１．３ｇの新たに調製したＥＧ中の１５ｍＭ  ＳｍＣｌ3・６Ｈ2Ｏを添加した。この溶液を、少しの間１００ｒｐｍでの機械的撹拌により、室温で、ガラスピペットを使用して、少なくとも２時間、Ｎ2を溶液中にバブリングすることによって、少なくともいくらかの溶解されたガスを揮散させた（この動作は、以降、溶液を「脱気する」と称される。）。ＥＧ中の０．２５Ｍ  ＡｇＮＯ3、およびＥＧ中の０．７７Ｍ（繰り返し単位のモルに基づく）ポリビニルピロリジノン（ＰＶＰ、５５，０００分子量）のストック溶液もまた、６０分間、Ｎ2を溶液中にバブリングすることによって、脱気した。２つの注射器に、それぞれ２０ｍＬのＡｇＮＯ3およびＰＶＰの溶液を充填した。反応混合物を、Ｎ2下で１５５℃まで加熱し、ＡｇＮＯ3およびＰＶＰの溶液を、１２ゲージのＴＥＦＬＯＮ（登録商標）フッ素重合体注射針を介して、２５分間にわたって一定の速度で添加した。反応物を、９０分間１４５℃で保持し、次いで、室温まで冷却させた。冷却した混合物から、反応混合物を、等容積のアセトンによって希釈し、４５分間５００Ｇで遠心分離した。上清の傾瀉後に残った固体を、２００ｍＬのイソプロパノール中に再分散させ、１０分間振盪させ、再び遠心分離し、傾瀉し、１５ｍＬのイソプロパノールで希釈した。
【００４９】
図１は、このカチオンの存在下で生成された、銀ナノワイヤの光学顕微鏡写真を示す。
【００５０】
＜実施例２＞
サマリウム溶液の代わりに、２．２ｇの新たに調製したＥＧ中の９．０ｍＭ  ＣｅＣｌ3・７Ｈ2Ｏを使用して、実施例１の手順を繰り返した。図２は、このカチオンの存在下で生成された、銀ナノワイヤの光学顕微鏡写真を示す。
【００５１】
＜実施例３＞
２８０ｍＬのエチレングリコール（ＥＧ）を含有する５００ｍＬの反応フラスコに、１．９ｇのＥＧ中の９．３ｍＭ  ＳｎＣｌ2を添加した。反応混合物を、機械的撹拌により、室温で、ガラスピペットを使用して、２時間、Ｎ2を混合物中にバブリングすることによって脱気した。ＥＧ中の０．２５Ｍ  ＡｇＮＯ3およびＥＧ中の０．７７Ｍポリビニルピロリジノン（ＰＶＰ）のストック溶液もまた、６０分間、Ｎ2を溶液中にバブリングすることによって、脱気した。２つの注射器に、それぞれ２０ｍＬのＡｇＮＯ3およびＰＶＰの溶液を充填した。反応混合物をＮ2下で１４５℃まで加熱し、次いで、反応混合物を１０分間保持した後、ＡｇＮＯ3およびＰＶＰの溶液を、１２ゲージのＴＥＦＬＯＮ（登録商標）フッ素重合体注射針を介して２５分間にわたって一定の速度で添加した。反応混合物を、９０分以上１４５℃で保持し、その時間中に、試料を光学顕微鏡法に供した。反応混合物を、次いで、室温まで冷却させた。冷却した混合物から１５ｍＬを３５ｍＬのイソプロパノール（ＩＰＡ）で希釈し、１５００ｒｐｍで１５分間遠心分離し、上清を傾瀉によって除去し、固体を５ｍＬのＩＰＡ中に再分散させた。この試料を、走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）によって分析した。
【００５２】
反応物のＮ2／ＮＯ（ヘッドスペース）排気を濾過し、ＣＯ2冷却トラップを通過させ、３０秒のデータ収集速度を使用し、光イオン化検出器が装備されたＭＩＮＩＲＡＥ（登録商標）２０００揮発性有機化合物モニタ（ＲＡＥ  Ｓｙｓｔｅｍｓ，Ｓａｎ  Ｊｏｓｅ，ＣＡ）を使用して分析した。ＮＯのサンプリングは、ＡｇＮＯ3／ＰＶＰの添加の開始と同時に開始し、反応物から熱を除去（周囲冷却）した後、１時間継続した。
【００５３】
合成中に発生したＮＯの検出を、おおよそ２０分にピークを有する図３の線で、時間（分）に対してプロットした。図４は、この反応によって生成された銀ナノワイヤの走査電子顕微鏡写真を示す。ナノワイヤの平均直径は、７３±２６ｎｍであり、一方で平均長さは、２５±１２μｍであった。
【００５４】
＜実施例４（比較）＞
上で使用した１．９ｇの代わりに、０．１０ｇのＥＧ中の９．３ｍＭ  ＳｎＣｌ2溶液を使用して、実施例３の手順を繰り返した。合成中に発生したＮＯの検出を、おおよそ９０分にピークを有する図３の線でプロットした。図５は、この反応によって生成された銀ナノ粒子の光学顕微鏡写真を示す。
【００５５】
＜実施例５（比較）＞
２８０ｍＬのエチレングリコール（ＥＧ）を含有する５００ｍＬの反応フラスコに、０．１６ｇのＥＧ中の７．０ｍＭ  ＣｕＣｌ2および０．６０ｇのＥＧ中の２．９ｍＭ  Ｃｕ（アセチルアセトネート）2を添加した。混合物を、ガラスピペットを使用して、窒素で２時間脱気した。ＥＧ中の０．２５Ｍ  ＡｇＮＯ3およびＥＧ中の０．８４Ｍポリビニルピロリジノン（ＰＶＰ）のストック溶液もまた、室温でＮ2を溶液中にバブリングすることによって脱気した。２つの注射器に、それぞれ２０ｍＬのＡｇＮＯ3およびＰＶＰの溶液を充填した。反応混合物を、Ｎ2下で１４５〜１４８℃まで加熱し、その時点で、ＡｇＮＯ3およびＰＶＰの溶液を、１２ゲージのＴＥＦＬＯＮ（登録商標）フッ素重合体注射針を介して、２５分間にわたって一定の速度で添加した。反応混合物を、これらの溶液の添加後９０分間この温度で保持し続け、その後で周囲温度まで冷却させた。
【００５６】
ＡｇＮＯ3およびＰＶＰの溶液の導入時に、反応フラスコのヘッドスペースからの排気のサンプリングを開始した。ヘッドスペースの排気を、二酸化炭素の冷却トラップを通過させ、３０秒のデータ収集速度を使用し、光イオン化検出器が装備されたＭＩＮＩＲＡＥ（登録商標）２０００揮発性有機化合物モニタ（ＲＡＥ  Ｓｙｓｔｅｍｓ，Ｓａｎ  Ｊｏｓｅ，ＣＡ）を使用して分析した。分析を、反応フラスコから熱を除去した６０分後まで継続した。ヘッドスペース中のピーク一酸化窒素濃度は、検出された一酸化窒素の濃度を分単位での経過時間の関数として示す、図６に示されるように、５５００ｐｐｍであった。
【００５７】
＜実施例６＞
２８０ｍＬのエチレングリコール（ＥＧ）を含有する５００ｍＬの反応フラスコに、３．３ｇのＥＧ中の３ｍＭ  Ｆｅ（アセチルアセトネート）2および０．２０ｇの新たに調製したＥＧ中の５２ｍＭ  ジエチルジクロロシランを添加した。混合物を、ガラスピペットを使用して、窒素で２時間脱気した。ＥＧ中の０．２５Ｍ  ＡｇＮＯ3およびＥＧ中の０．８４Ｍポリビニルピロリジノン（ＰＶＰ）のストック溶液もまた、室温でＮ2を溶液中にバブリングすることによって脱気した。２つの注射器に、それぞれ２０ｍＬのＡｇＮＯ3およびＰＶＰの溶液を充填した。反応混合物を、Ｎ2下で１４５〜１４８℃まで加熱し、その時点で、ＡｇＮＯ3およびＰＶＰの溶液を、１２ゲージのＴＥＦＬＯＮ（登録商標）フッ素重合体注射針を介して、２５分間にわたって一定の速度で添加した。反応混合物を、これらの溶液の添加後９０分間この温度で保持し続け、その後で周囲温度まで冷却させた。
【００５８】
ヘッドスペースの一酸化窒素を、実施例５の手順に従ってモニタリングした。ヘッドスペース中のピーク硝酸濃度は、図６に示されるように、１５ｐｐｍであった。
【００５９】
＜実施例７＞
２８０ｍＬのエチレングリコール（ＥＧ）を含有する５００ｍＬの反応フラスコに、１．０ｇの新たに調製したＥＧ中の１５ｍＭ  ＳｍＣｌ3・６Ｈ2Ｏの溶液を添加した。混合物を、ガラスピペットを使用して、窒素で２時間脱気した。ＥＧ中の０．２５Ｍ  ＡｇＮＯ3およびＥＧ中の０．８４Ｍポリビニルピロリジノン（ＰＶＰ）のストック溶液もまた、室温でＮ2を溶液中にバブリングすることによって脱気した。２つの注射器に、それぞれ２０ｍＬのＡｇＮＯ3およびＰＶＰの溶液を充填した。反応混合物を、Ｎ2下で１４５〜１４８℃まで加熱し、その時点で、ＡｇＮＯ3およびＰＶＰの溶液を、１２ゲージのＴＥＦＬＯＮ（登録商標）フッ素重合体注射針を介して、２５分間にわたって一定の速度で添加した。反応混合物を、これらの溶液の添加後１２０分間この温度で保持し続け、その後で周囲温度まで冷却させた。
【００６０】
ヘッドスペースの一酸化窒素を、実施例５の手順に従ってモニタリングした。ヘッドスペース中のピーク硝酸濃度は、図６に示されるように、２４０ｐｐｍであった。
【００６１】
＜実施例８＞
２８０ｍＬのエチレングリコール（ＥＧ）を含有する５００ｍＬの反応フラスコに、２．２ｇの新たに調製したＥＧ中の９．０ｍＭ  ＣｅＣｌ3・７Ｈ2Ｏの溶液を添加した。混合物を、ガラスピペットを使用して、窒素で２時間脱気した。ＥＧ中の０．２５Ｍ  ＡｇＮＯ3およびＥＧ中の０．８４Ｍポリビニルピロリジノン（ＰＶＰ）のストック溶液もまた、室温でＮ2を溶液中にバブリングすることによって脱気した。２つの注射器に、それぞれ２０ｍＬのＡｇＮＯ3およびＰＶＰの溶液を充填した。反応混合物を、Ｎ2下で１４５〜１４８℃まで加熱し、その時点で、ＡｇＮＯ3およびＰＶＰの溶液を、１２ゲージのＴＥＦＬＯＮ（登録商標）フッ素重合体注射針を介して、２５分間にわたって一定の速度で添加した。反応混合物を、これらの溶液の添加後９０分間この温度で保持し続け、その後で周囲温度まで冷却させた。
【００６２】
ヘッドスペースの一酸化窒素を、実施例５の手順に従ってモニタリングした。図６に示されるように、ヘッドスペース中に一酸化窒素は検出されなかった（すなわち、「ピーク」が０ｐｐｍ）。
【００６３】
＜実施例９＞
２８０ｍＬのエチレングリコール（ＥＧ）を含有する５００ｍＬの反応フラスコを、１００ｒｐｍで撹拌し、ＴＥＦＬＯＮ（登録商標）フッ素重合体チューブを通して、液体表面下に導入された窒素を使用して、室温で、終夜脱気した。その後、１５ｍｇの塩化ランタン（ＩＩＩ）七水和物を、反応フラスコに添加した。ＥＧ中の０．２５Ｍ  ＡｇＮＯ3、およびＥＧ中の０．８４Ｍポリビニルピロリジノン（ＰＶＰ、５５，０００重量平均分子量）のストック溶液もまた、６０分間窒素で脱気し、次いで、それぞれの２０ｍＬの注射器を調製した。次いで、フラスコを、窒素で反応フラスコのヘッドスペースをブランケットしながら、１４５℃まで加熱した。次いで、ＡｇＮＯ3およびＰＶＰの溶液を、１２ゲージのＴＥＦＬＯＮ（登録商標）フッ素重合体注射針を介して、２５分間にわたって一定の速度で添加した。次いで、フラスコを９０分間その温度で保持し、その後で周囲温度まで冷却させた。
【００６４】
図７は、５８．３±２７．８ｎｍの平均ナノワイヤ直径を有した、銀ナノワイヤ生成物の光学顕微鏡写真を示し、示される平均直径および標準偏差は、少なくとも１００のワイヤの測定から計算された。
【００６５】
＜実施例１０＞
５９ｍｇの塩化ランタン（ＩＩＩ）七水和物が使用され、反応が、冷却前に１５０分間行われたことを除き、実施例９に従う手順を繰り返した。図８は、８８．２±３３．８ｎｍの平均ナノワイヤ直径を有した、銀ナノワイヤ生成物の光学顕微鏡写真を示す。
【００６６】
＜実施例１１＞
２８０ｍＬのエチレングリコール（ＥＧ）および１６ｍｇの塩化プラセオジム（ＩＩＩ）七水和物を含有する５００ｍＬの反応フラスコを、ＴＥＦＬＯＮ（登録商標）フッ素重合体チューブを通して、液体表面下に導入された窒素を使用して、室温で、終夜脱気した。次いで、おおよそ０．５Ｌ／分で、反応フラスコのヘッドスペースの窒素ブランケットを提供するように、液体からチューブを後退させ、その後、次いで、フラスコを１４５℃まで加熱した。ＥＧ中の０．２５Ｍ  ＡｇＮＯ3、およびＥＧ中の０．８４Ｍポリビニルピロリジノン（ＰＶＰ、５５，０００重量平均分子量）のストック溶液もまた、窒素で脱気し、次いで、それぞれの２０ｍＬの注射器を調製した。次いで、ＡｇＮＯ3およびＰＶＰの溶液を、１２ゲージのＴＥＦＬＯＮ（登録商標）フッ素重合体注射針を介して、２５分間にわたって一定の速度で添加した。次いで、フラスコを６０分間その温度で保持し、その後で周囲温度まで冷却させた。
【００６７】
図９は、５３．８±１１．８ｎｍの平均ナノワイヤ直径および１２．１±６．２μｍの平均ナノワイヤ長さを有した、銀ナノワイヤ生成物の光学顕微鏡写真を示し、示される平均直径、平均長さ、およびそれらの標準偏差は、少なくとも１００のワイヤの測定から計算された。
【００６８】
＜実施例１２＞
１６ｍｇの代わりに７．７ｍｇの塩化プラセオジム（ＩＩＩ）七水和物を使用して、実施例１１の手順を繰り返した。
【００６９】
図１０は、５３．４．±１３．３ｎｍの平均ナノワイヤ直径および８．８±５．４μｍの平均ナノワイヤ長さを有した、銀ナノワイヤ生成物の光学顕微鏡写真を示す。
【００７０】
＜実施例１３＞
２６０ｍＬのエチレングリコール（ＥＧ）、４０ｍＬのＥＧ中の０．８４Ｍポリビニルピロリジノン（ＰＶＰ、５５，０００重量平均分子量）、および７．３ｍｇの塩化エルビウム（ＩＩＩ）六水和物を含有する５００ｍＬの反応フラスコを、ＴＥＦＬＯＮ（登録商標）フッ素重合体チューブを通して、液体表面下に導入された窒素を使用して、室温で、終夜脱気した。次いで、おおよそ０．５Ｌ／分で、反応フラスコのヘッドスペースの窒素ブランケットを提供するように、液体からチューブを後退させ、その後、次いで、フラスコを１４５℃まで加熱した。ＥＧ中の０．５０Ｍ  ＡｇＮＯ3のストック溶液もまた、窒素で脱気し、次いで、脱気した溶液の２０ｍＬの注射器を調製した。次いで、ＡｇＮＯ3溶液を、１２ゲージのＴＥＦＬＯＮ（登録商標）フッ素重合体注射針を介して、５０分間にわたって一定の速度で添加した。次いで、フラスコを、６０分間その温度で保持し、その後、周囲温度まで冷却させた。
【００７１】
図１１および１２は、少なくとも１００のナノワイヤの測定に基づいて、６７．８±１１．１ｎｍの平均直径および１３．４±５．５μｍの平均長さを有した、銀ナノワイヤ生成物の光学顕微鏡写真を示す。非ナノワイヤ含有物は、ほとんど存在しなかった。
【００７２】
＜実施例１４＞
２６０ｍＬのエチレングリコール（ＥＧ）、４０ｍＬのＥＧ中の０．８４Ｍポリビニルピロリジノン（ＰＶＰ、５５，０００重量平均分子量）、および７．６ｍｇの塩化エルビウム（ＩＩＩ）六水和物を含有する５００ｍＬの反応フラスコを、ＴＥＦＬＯＮ（登録商標）フッ素重合体チューブを通して、液体表面下に導入された窒素を使用して、室温で、終夜脱気した。次いで、おおよそ０．５Ｌ／分で、反応フラスコのヘッドスペースの窒素ブランケットを提供するように、液体からチューブを後退させ、その後、次いで、フラスコを１４５℃まで加熱した。ＥＧ中の０．５０Ｍ  ＡｇＮＯ3のストック溶液もまた、窒素で脱気し、次いで、脱気した溶液の２０ｍＬの注射器を調製した。次いで、ＡｇＮＯ3溶液を、１２ゲージのＴＥＦＬＯＮ（登録商標）フッ素重合体注射針を介して、２５分間にわたって一定の速度で添加した。次いで、フラスコを６０分間その温度で保持し、その後で周囲温度まで冷却させた。
【００７３】
図１３および１４は、少なくとも１００のナノワイヤの測定に基づいて、６９．３±１１．６ｎｍの平均直径および１３．３±７．２μｍの平均長さを有した、銀ナノワイヤ生成物の光学顕微鏡写真を示す。
【００７４】
＜実施例１５＞
２６０ｍＬのエチレングリコール（ＥＧ）、４０ｍＬのＥＧ中の０．８４Ｍポリビニルピロリジノン（ＰＶＰ、５５，０００重量平均分子量）、および８．８ｍｇの塩化ツリウム（ＩＩＩ）六水和物を含有する５００ｍＬの反応フラスコを、ＴＥＦＬＯＮ（登録商標）フッ素重合体チューブを通して、液体表面下に導入された窒素を使用して、室温で、終夜脱気した。次いで、おおよそ０．５Ｌ／分で、反応フラスコのヘッドスペースの窒素ブランケットを提供するように、液体からチューブを後退させ、その後、次いで、撹拌されたフラスコを１４５℃まで加熱した。ＥＧ中の０．５０Ｍ  ＡｇＮＯ3のストック溶液もまた、窒素で脱気し、次いで、脱気した溶液の２０ｍＬの注射器を調製した。次いで、ＡｇＮＯ3溶液を、１２ゲージのＴＥＦＬＯＮ（登録商標）フッ素重合体注射針を介して、５０分間にわたって一定の速度で添加した。次いで、フラスコを９０分間その温度で保持し、その後で周囲温度まで冷却させた。
【００７５】
図１５および１６は、１００のワイヤの測定に基づいて、６７．３±１２．０ｎｍの平均直径および１７．４±６．２μｍの平均長さを有した、銀ナノワイヤ生成物の光学顕微鏡写真を示す。非ナノワイヤ含有物は、ほとんど存在しなかった。
【００７６】
＜実施例１６＞
２４０ｍＬのエチレングリコール（ＥＧ）および１２．１ｍｇの塩化ユーロピウム（ＩＩＩ）六水和物を含有する５００ｍＬの反応フラスコを、ＴＥＦＬＯＮ（登録商標）フッ素重合体チューブを通して、液体表面下に導入された窒素を使用して、室温で、終夜脱気した。次いで、おおよそ０．５Ｌ／分で、反応フラスコのヘッドスペースの窒素ブランケットを提供するように、液体からチューブを後退させ、その後、次いで、フラスコを１４５℃まで加熱した。ＥＧ中の０．２５Ｍ  ＡｇＮＯ3、およびＥＧ中の０．８４Ｍポリビニルピロリジノン（ＰＶＰ、５５，０００重量平均分子量）のストック溶液もまた、窒素で脱気し、次いで、それぞれの４０ｍＬの注射器を調製した。次いで、ＡｇＮＯ3およびＰＶＰの溶液を、１２ゲージのＴＥＦＬＯＮ（登録商標）フッ素重合体注射針を介して、５０分間にわたって一定の速度で添加した。次いで、フラスコを６０分間その温度で保持し、その後で周囲温度まで冷却させた。
【００７７】
図１７は、７４．０±１７．６ｎｍの平均ナノワイヤ直径および１５．９±７．７μｍの平均ナノワイヤ長さを有した、銀ナノワイヤ生成物の光学顕微鏡写真を示し、示される平均直径、平均長さ、およびそれらの標準偏差は、少なくとも１００のワイヤの測定から計算された。
【００７８】
＜実施例１７＞
２４０ｍＬのエチレングリコール（ＥＧ）および１２．８ｍｇの塩化ユーロピウム（ＩＩＩ）六水和物を含有する５００ｍＬの反応フラスコを、ＴＥＦＬＯＮ（登録商標）フッ素重合体チューブを通して、液体表面下に導入された窒素を使用して、室温で、終夜脱気した。次いで、おおよそ０．５Ｌ／分で、反応フラスコのヘッドスペースの窒素ブランケットを提供するように、液体からチューブを後退させ、その後、次いで、フラスコを１２５℃まで加熱した。ＥＧ中の０．２５Ｍ  ＡｇＮＯ3、およびＥＧ中の０．８４Ｍポリビニルピロリジノン（ＰＶＰ、５５，０００重量平均分子量）のストック溶液もまた、窒素で脱気し、次いで、それぞれの４０ｍＬの注射器を調製した。次いで、ＡｇＮＯ3およびＰＶＰの溶液を、１２ゲージのＴＥＦＬＯＮ（登録商標）フッ素重合体注射針を介して、５０分間にわたって一定の速度で添加した。次いで、フラスコを１８０分間その温度で保持し、その後で周囲温度まで冷却させた。
【００７９】
図１８は、６３．３±１５．７ｎｍの平均ナノワイヤ直径および１９．２±１４．９μｍの平均ナノワイヤ長さを有した、銀ナノワイヤ生成物の光学顕微鏡写真を示す。
【００８０】
＜実施例１８＞
２８０ｍＬのエチレングリコール（ＥＧ）、６．１ｍｇの塩化ジスプロシウム（ＩＩＩ）六水和物、および１．７ｇのＥＧ中の２７ｍＭ  ＮａＣｌを含有する５００ｍＬの反応フラスコを、ＴＥＦＬＯＮ（登録商標）フッ素重合体チューブを通して、液体表面下に導入された窒素を使用して、室温で、終夜脱気した。次いで、おおよそ０．５Ｌ／分で、反応フラスコのヘッドスペースの窒素ブランケットを提供するように、液体からチューブを後退させ、その後、次いで、フラスコを１４５℃まで加熱した。ＥＧ中の０．５０Ｍ  ＡｇＮＯ3、およびＥＧ中の０．８４Ｍポリビニルピロリジノン（ＰＶＰ、５５，０００重量平均分子量）のストック溶液もまた、窒素で脱気し、次いで、それぞれの２０ｍＬの注射器を調製した。次いで、ＡｇＮＯ3およびＰＶＰの溶液を、１２ゲージのＴＥＦＬＯＮ（登録商標）フッ素重合体注射針を介して、２５分間にわたって一定の速度で添加した。次いで、フラスコを６０分間その温度で保持し、その後で周囲温度まで冷却させた。
【００８１】
図１９は、銀ナノワイヤ生成物の光学顕微鏡写真を示し、図２０は、銀ナノワイヤ生成物の走査電子顕微鏡写真を示す。非ナノワイヤ含有物は、ほとんどまたは全く見えなかった。
【００８２】
図２１は、銀ナノワイヤ生成物から得られた１００のナノワイヤの無作為試料の非常に狭い長さ分布を示す。ナノワイヤは、６７．２±１２．０ｎｍの平均直径および１１．２±４．１μｍの平均ナノワイヤ長さを有した。
【００８３】
＜実施例１９＞
２４０ｍＬのエチレングリコール（ＥＧ）および１１．７ｍｇの塩化ガドリニウム（ＩＩＩ）六水和物を含有する５００ｍＬの反応フラスコを、ＴＥＦＬＯＮ（登録商標）フッ素重合体チューブを通して、液体表面下に導入された窒素を使用して、室温で、終夜脱気した。次いで、おおよそ０．５Ｌ／分で、反応フラスコのヘッドスペースの窒素ブランケットを提供するように、液体からチューブを後退させ、その後、次いで、フラスコを１４５℃まで加熱した。ＥＧ中の０．２５Ｍ  ＡｇＮＯ3、およびＥＧ中の０．８４Ｍポリビニルピロリジノン（ＰＶＰ、５５，０００重量平均分子量）のストック溶液もまた、窒素で脱気し、次いで、それぞれの４０ｍＬの注射器を調製した。次いで、ＡｇＮＯ3およびＰＶＰの溶液を、１２ゲージのＴＥＦＬＯＮ（登録商標）フッ素重合体注射針を介して、２５分間にわたって一定の速度で添加した。次いで、フラスコを９０分間その温度で保持し、その後で周囲温度まで冷却させた。
【００８４】
図２２および２３は、７０．６±１３．９ｎｍの平均ナノワイヤ直径および１８．２±１１．７μｍの平均ナノワイヤ長さを有した、銀ナノワイヤ生成物の光学顕微鏡写真を示し、示される平均直径、平均長さ、およびそれらの標準偏差は、少なくとも１００のワイヤの測定から計算された。
【００８５】
＜実施例２０＞
２０．５ｍｇの塩化ガドリニウム（ＩＩＩ）六水和物および４０ｍＬの０．５０Ｍ  ＡｇＮＯ3を使用して、実施例１９の手順を繰り返した。
【００８６】
図２４および２５は、９４．０±２１．１ｎｍの平均ナノワイヤ直径および１７．２±１１．０μｍの平均ナノワイヤ長さを有した、銀ナノワイヤ生成物の光学顕微鏡写真を示し、示される平均直径、平均長さ、およびそれらの標準偏差は、少なくとも１００のワイヤの測定から計算された。
【００８７】
＜実施例２１＞
２８０ｍＬのエチレングリコール（ＥＧ）、１２．７ｍｇの塩化テルビウム（ＩＩＩ）六水和物、および２．８ｇのＥＧ中の２８ｍＭ  ＮａＣｌを含有する５００ｍＬの反応フラスコを、ＴＥＦＬＯＮ（登録商標）フッ素重合体チューブを通して、液体表面下に導入された窒素を使用して、室温で、終夜脱気した。次いで、おおよそ０．５Ｌ／分で、反応フラスコのヘッドスペースの窒素ブランケットを提供するように、液体からチューブを後退させ、その後、次いで、フラスコを１４５℃まで加熱した。ＥＧ中の０．５０Ｍ  ＡｇＮＯ3、およびＥＧ中の０．８４Ｍポリビニルピロリジノン（ＰＶＰ、５５，０００重量平均分子量）のストック溶液もまた、窒素で脱気し、次いで、それぞれの２０ｍＬの注射器を調製した。次いで、ＡｇＮＯ3およびＰＶＰの溶液を、１２ゲージのＴＥＦＬＯＮ（登録商標）フッ素重合体注射針を介して、２５分間にわたって一定の速度で添加した。次いで、フラスコを、６０分間その温度で保持し、その後で周囲温度まで冷却させた。
【００８８】
図２６は、６１．４±１０．７ｎｍの平均ナノワイヤ直径および１６．５±６．９μｍの平均ナノワイヤ長さを有した、銀ナノワイヤ生成物の光学顕微鏡写真を示し、示される平均直径、平均長さ、およびそれらの標準偏差は、少なくとも１００のワイヤの測定から計算された。
【００８９】
＜実施例２２＞
２８０ｍＬのエチレングリコール（ＥＧ）、５．８ｍｇの塩化ホルミウム（ＩＩＩ）五水和物、および１．６ｇのＥＧ中の２７ｍＭ  ＮａＣｌを含有する５００ｍＬの反応フラスコを、ＴＥＦＬＯＮ（登録商標）フッ素重合体チューブを通して、液体表面下に導入された窒素を使用して、室温で、終夜脱気した。次いで、おおよそ０．５Ｌ／分で、反応フラスコのヘッドスペースの窒素ブランケットを提供するように、液体からチューブを後退させ、その後、次いで、フラスコを１４５℃まで加熱した。ＥＧ中の０．５０Ｍ  ＡｇＮＯ3、およびＥＧ中の０．８４Ｍポリビニルピロリジノン（ＰＶＰ、５５，０００重量平均分子量）のストック溶液もまた、窒素で脱気し、次いで、それぞれの２０ｍＬの注射器を調製した。次いで、ＡｇＮＯ3およびＰＶＰの溶液を、１２ゲージのＴＥＦＬＯＮ（登録商標）フッ素重合体注射針を介して、２５分間にわたって一定の速度で添加した。次いで、フラスコを、６０分間その温度で保持し、その後で周囲温度まで冷却させた。
【００９０】
図２７は、少なくとも１００のナノワイヤの測定に基づいて、６５．２±１１．０ｎｍの平均直径および９．６±３．３μｍの平均長さを有した、銀ナノワイヤ生成物の光学顕微鏡写真を示す。非ナノワイヤ含有物は、ほとんど存在しなかった。
【００９１】
＜実施例２３＞
３００ｍＬのエチレングリコール（ＥＧ）、２．２１ｇのポリビニルピロリジノン（ＰＶＰ、５５，０００重量平均分子量）、および８．８ｍｇの塩化イッテルビウム（ＩＩＩ）六水和物を含有する５００ｍＬの反応フラスコを、ＴＥＦＬＯＮ（登録商標）フッ素重合体チューブを通して、液体表面下に導入された窒素を使用して、室温で、終夜脱気した。次いで、おおよそ０．５Ｌ／分で、反応フラスコのヘッドスペースの窒素ブランケットを提供するように、液体からチューブを後退させ、その後、次いで、撹拌されたフラスコを１４５℃まで加熱した。ＥＧ中の０．５０Ｍ  ＡｇＮＯ3のストック溶液もまた、窒素で脱気し、次いで、脱気した溶液の２０ｍＬの注射器を調製した。次いで、ＡｇＮＯ3溶液を、１２ゲージのＴＥＦＬＯＮ（登録商標）フッ素重合体注射針を介して、２５分間にわたって一定の速度で添加した。次いで、フラスコを、６０分間その温度で保持し、その後で周囲温度まで冷却させた。精製されていない生成物からの第１の試料を、光学顕微鏡法に供した。次いで、銀ナノワイヤ生成物を、４００ｍＬのアセトンで洗浄し、３００Ｇで３０分間遠心分離し、２００ｍＬのイソプロパノールで洗浄し、続いて再び３００Ｇで３０分間遠心分離することによって精製した。精製した生成物からの第２の試料を、光学顕微鏡法に供した。
【００９２】
図２８および２９は、１００のワイヤの測定に基づいて、９４．３±２１．０ｎｍの平均直径、および２０．６±１３．４μｍの平均長さを有した、未精製および精製銀ナノワイヤ生成物の光学顕微鏡写真を示す。
【００９３】
＜実施例２４＞
２８０ｍＬのエチレングリコール（ＥＧ）、１．７ｇのポリビニルピロリジノン（ＰＶＰ、５５，０００重量平均分子量）、および９．２ｍｇの塩化イッテルビウム（ＩＩＩ）六水和物を含有する５００ｍＬの反応フラスコを、ＴＥＦＬＯＮ（登録商標）フッ素重合体チューブを通して、液体表面下に導入された窒素を使用して、室温で、終夜脱気した。次いで、おおよそ０．５Ｌ／分で、反応フラスコのヘッドスペースの窒素ブランケットを提供するように、液体からチューブを後退させ、その後、次いで、撹拌されたフラスコを１４５℃まで加熱した。ＥＧ中の０．５０Ｍ  ＡｇＮＯ3、およびＥＧ中の０．８４Ｍ  ＰＶＰのストック溶液もまた、窒素で脱気し、次いで、脱気した溶液の２０ｍＬの注射器を調製した。次いで、ＡｇＮＯ3およびＰＶＰの溶液を、１２ゲージのＴＥＦＬＯＮ（登録商標）フッ素重合体注射針を介して、２５分間にわたって一定の速度で添加した。次いで、フラスコを、６０分間その温度で保持し、その後で周囲温度まで冷却させた。精製されていない生成物からの第１の試料を、光学顕微鏡法に供した。次いで、銀ナノワイヤ生成物を、４００ｍＬのアセトンで洗浄し、３００Ｇで３０分間遠心分離し、２００ｍＬのイソプロパノールで洗浄し、続いて再び３００Ｇで３０分間遠心分離することによって精製した。精製した生成物からの第２の試料を、光学顕微鏡法に供した。
【００９４】
図３０および３１は、１００のワイヤの測定に基づいて、７２．７±１４．５ｎｍの平均直径、および２２．６±７．４μｍの平均長さを有した、未精製および精製銀ナノワイヤ生成物の光学顕微鏡写真を示す。
【００９５】
＜実施例２５＞
２８０ｍＬのエチレングリコール（ＥＧ）および１９．１ｍｇの塩化ネオジム（ＩＩＩ）六水和物を含有する５００ｍＬの反応フラスコを、ＴＥＦＬＯＮ（登録商標）フッ素重合体チューブを通して、液体表面下に導入された窒素を使用して、室温で、終夜脱気した。次いで、おおよそ０．５Ｌ／分で、反応フラスコのヘッドスペースの窒素ブランケットを提供するように、液体からチューブを後退させ、その後、次いで、フラスコを１４５℃まで加熱した。ＥＧ中の０．２５Ｍ  ＡｇＮＯ3、およびＥＧ中の０．８４Ｍポリビニルピロリジノン（ＰＶＰ、５５，０００重量平均分子量）のストック溶液もまた、窒素で脱気し、次いで、それぞれの２０ｍＬの注射器を調製した。次いで、ＡｇＮＯ3およびＰＶＰの溶液を、１２ゲージのＴＥＦＬＯＮ（登録商標）フッ素重合体注射針を介して、２５分間にわたって一定の速度で添加した。次いで、フラスコを、６０分間その温度で保持し、その後で周囲温度まで冷却させた。
【００９６】
図３２は、５４．１±１４．４ｎｍの平均ナノワイヤ直径および８．３±４．２μｍの平均ナノワイヤ長さを有した、銀ナノワイヤ生成物の光学顕微鏡写真を示し、示される平均直径、平均長さ、およびそれらの標準偏差は、少なくとも１００のワイヤの測定から計算された。
【００９７】
＜実施例２６＞
２４０ｍＬのエチレングリコール（ＥＧ）および１０．７ｍｇの塩化ネオジム（ＩＩＩ）六水和物を含有する５００ｍＬの反応フラスコを、ＴＥＦＬＯＮ（登録商標）フッ素重合体チューブを通して、液体表面下に導入された窒素を使用して、室温で、終夜脱気した。次いで、おおよそ０．５Ｌ／分で、反応フラスコのヘッドスペースの窒素ブランケットを提供するように、液体からチューブを後退させ、その後、次いで、フラスコを１４５℃まで加熱した。ＥＧ中の０．２５Ｍ  ＡｇＮＯ3、およびＥＧ中の０．８４Ｍポリビニルピロリジノン（ＰＶＰ、５５，０００重量平均分子量）のストック溶液もまた、窒素で脱気し、次いで、それぞれの４０ｍＬの注射器を調製した。次いで、ＡｇＮＯ3およびＰＶＰの溶液を、１２ゲージのＴＥＦＬＯＮ（登録商標）フッ素重合体注射針を介して、５０分間にわたって一定の速度で添加した。次いで、フラスコを、６０分間その温度で保持し、その後で周囲温度まで冷却させた。
【００９８】
図３３は、６６．９±１７．０ｎｍの平均ナノワイヤ直径および１５．３±７．８μｍの平均ナノワイヤ長さを有した、銀ナノワイヤ生成物の光学顕微鏡写真を示す。
【００９９】
＜実施例２７＞
３００ｍＬのエチレングリコール（ＥＧ）、２．２ｇのポリビニルピロリジノン（ＰＶＰ、５５，０００重量平均分子量）、および６．３ｍｇの塩化ルテチウム（ＩＩＩ）六水和物を含有する５００ｍＬの反応フラスコを、ＴＥＦＬＯＮ（登録商標）フッ素重合体チューブを通して、液体表面下に導入された窒素を使用して、室温で、終夜脱気した。次いで、おおよそ０．５Ｌ／分で、反応フラスコのヘッドスペースの窒素ブランケットを提供するように、液体からチューブを後退させ、その後、次いで、撹拌されたフラスコを１４５℃まで加熱した。ＥＧ中の０．５０Ｍ  ＡｇＮＯ3のストック溶液もまた、窒素で脱気し、次いで、脱気した溶液の２０ｍＬの注射器を調製した。次いで、ＡｇＮＯ3溶液を、１２ゲージのＴＥＦＬＯＮ（登録商標）フッ素重合体注射針を介して、２５分間にわたって一定の速度で添加した。次いで、フラスコを、６０分間その温度で保持し、その後で周囲温度まで冷却させた。精製されていない生成物からの第１の試料を、光学顕微鏡法に供した。次いで、銀ナノワイヤ生成物を、４００ｍＬのアセトンで洗浄し、３００Ｇで３０分間遠心分離し、２００ｍＬのイソプロパノールで洗浄し、続いて再び３００Ｇで３０分間遠心分離することによって精製した。精製した生成物からの第２の試料を、光学顕微鏡法に供した。
【０１００】
図３４および３５は、１００のワイヤの測定に基づいて、８４．２±１６．３ｎｍの平均直径、および１８．５±９．９μｍの平均長さを有した、未精製および精製銀ナノワイヤ生成物の光学顕微鏡写真を示す。
【０１０１】
＜実施例２８＞
７．２ｍｇの塩化ルテチウム（ＩＩＩ）六水和物を使用して、実施例２７の手順を繰り返した。図３６は、１００のワイヤの測定に基づき、１１４±５６．０ｎｍの平均直径、および１５．６±１２．３μｍの平均長さを有した、精製されていない銀ナノワイヤ生成物の光学顕微鏡写真を示す。
【０１０２】
＜実施例２９（比較）＞
５００ｍＬの反応フラスコに、２８０ｍＬのエチレングリコール（ＥＧ）、０．１６ｇのＥＧ中の７．０ｍＭ  ＣｕＣｌ2溶液および０．５０ｇのＥＧ中の２．９ｍＭ  Ｃｕ（アセチルアセトネート）2溶液を添加した。混合物を、ガラスピペットを使用して、２時間Ｎ2で脱気した。２つの２０ｍＬの注射器を、１つ目はＥＧ中の０．２５Ｍの脱気したＡｇＮＯ3溶液で、２つ目はＥＧ中の０．８４Ｍの脱気したポリビニルピロリジノン（ＰＶＰ）溶液で、調製した。反応混合物を１４５〜１４８℃まで加熱し、反応物を１０分間設定値温度で保持した後、ＡｇＮＯ3およびＰＶＰの溶液を、１２ゲージのＴＥＦＬＯＮ（登録商標）フッ素重合体注射針を介して、２５分間にわたって一定の速度で添加した。
【０１０３】
反応物のＮ2／ＮＯ（ヘッドスペース）排気を濾過し、ＣＯ2冷却トラップを通過させ、３０秒のデータ収集速度を使用し、光イオン化検出器が装備されたＭＩＮＩＲＡＥ（登録商標）２０００揮発性有機化合物モニタ（ＲＡＥ  Ｓｙｓｔｅｍｓ，Ｓａｎ  Ｊｏｓｅ，ＣＡ）を使用して分析した。ＮＯのサンプリングは、ＡｇＮＯ3／ＰＶＰの添加の開始と同時に開始し、反応物から熱を除去（周囲冷却）した後、１時間継続した。
【０１０４】
合成中に発生したＮＯの検出を、図３７において時間に対してプロットし、それは、おおよそ２０分にピークを有する。検出されたピークＮＯは、約５５００ｐｐｍを超えた。
【０１０５】
＜実施例３０（比較）＞
ＣｕＣｌ2およびＣｕ（アセチルアセトネート）2の溶液の代わりに、１．２５ｇのＥＧ中の７．７ｍＭ  ＦｅＣｌ2溶液を使用して、実施例２９の手順を繰り返した。
【０１０６】
合成中に発生したＮＯの検出を、図３７において時間に対してプロットし、それは、おおよそ４５分にピークを有する。検出されたピークＮＯは、約７００ｐｐｍを超えた。
【０１０７】
＜実施例３１（比較）＞
２０１１年８月８日に出願された、ＮＡＮＯＷＩＲＥ  ＰＲＥＰＡＲＡＴＩＯＮ  ＭＥＴＨＯＤＳ，ＣＯＭＰＯＳＩＴＩＯＮＳ，ＡＮＤ  ＡＲＴＩＣＬＥＳと題され、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる米国特許出願第１３／２０５，０８０号に開示されるものに類似の銀シードプロセスを使用して、銀ナノワイヤを調製した。
【０１０８】
手順は、以下を除いて、実施例２９のものと同様であった。ＣｕＣｌ2およびＣｕ（アセチルアセトネート）2の溶液の代わりに、エチレングリコール（ＥＧ）１グラム当たり１．８８ｍｇのＳｎＣｌ2で構成される、０．８５ｇの溶液を使用した。ＡｇＮＯ3およびＰＶＰの溶液を添加する前に、３．２ｇの銀シード溶液を、反応混合物に添加した。
【０１０９】
ヘッドスペースを、実施例２９の方法に従って分析した。合成中に発生したＮＯの検出を、図３７において時間に対してプロットし、それは、おおよそ４５分にピークを有する。検出されたピークＮＯは、約４０００ｐｐｍを超えた。
【０１１０】
＜実施例３２（比較）＞
ＣｕＣｌ2およびＣｕ（アセチルアセトネート）2の溶液の代わりに、１．２ｇのＥＧ中の７．３ｍＭ  ＭｎＣｌ2・４Ｈ2Ｏ溶液を使用して、実施例２９の手順を繰り返した。
【０１１１】
合成中に発生したＮＯの検出を、図３７において時間に対してプロットし、それは、おおよそ５０分にピークを有する。検出されたピークＮＯは、約３０００ｐｐｍを超えた。
【０１１２】
＜実施例３３（比較）＞
ＣｕＣｌ2およびＣｕ（アセチルアセトネート）2の溶液の代わりに、１．１ｇのＥＧ中の７．４ｍＭ  ＣｏＣｌ2・４Ｈ2Ｏ溶液を使用して、実施例２９の手順を繰り返した。
【０１１３】
合成中に発生したＮＯの検出を、図３７において時間に対してプロットし、それは、おおよそ５５分にピークを有する。検出されたピークＮＯは、約２４００ｐｐｍを超えた。
【０１１４】
＜実施例３４（比較）＞
ＣｕＣｌ2およびＣｕ（アセチルアセトネート）2の溶液の代わりに、１．０ｇのＥＧ中の７．８ｍＭ  ＣｒＣｌ3・６Ｈ2Ｏ溶液を使用して、実施例２９の手順を繰り返した。
【０１１５】
合成中に発生したＮＯの検出を、図３７において時間に対してプロットし、それは、おおよそ６０分にピークを有する。検出されたピークＮＯは、約２４００ｐｐｍを超えた。
【０１１６】
＜実施例３５＞
５００ｍＬの反応フラスコに、２４０ｍＬのエチレングリコール（ＥＧ）および１．３ｇの新たに調製したＥＧ中の１５ｍＭ  ＳｍＣｌ3・６Ｈ2Ｏを添加した。混合物を、窒素を使用して、ＴＥＦＬＯＮ（登録商標）フッ素重合体チューブを通して、液体表面下に導入された室温で終夜脱気し、次いで、後退させて、ヘッドスペースのブランケットを提供した。２つの４０ｍＬの注射器を、１つ目はＥＧ中の０．２５Ｍの脱気したＡｇＮＯ3溶液で、２つ目はＥＧ中の０．８４Ｍの脱気したポリビニルピロリジノン（ＰＶＰ）溶液で、調製した。反応混合物を１４５℃まで加熱し、反応物を１０分間設定点温度で保持した後、ＡｇＮＯ3およびＰＶＰの溶液を、１２ゲージのＴＥＦＬＯＮ（登録商標）フッ素ポリマー注射針を介して、５０分間にわたって一定の速度で添加した。反応混合物を、冷却の前に６０分間１４５℃で保持した。
【０１１７】
反応物のＮ2／ＮＯ（ヘッドスペース）排気を濾過し、ＣＯ2冷却トラップを通過させ、３０秒のデータ収集速度を使用し、光イオン化検出器が装備されたＭＩＮＩＲＡＥ（登録商標）２０００揮発性有機化合物モニタ（ＲＡＥ  Ｓｙｓｔｅｍｓ，Ｓａｎ  Ｊｏｓｅ，ＣＡ）を使用して分析した。ＮＯのサンプリングは、ＡｇＮＯ3／ＰＶＰの添加の開始と同時に開始し、反応物から熱を除去（周囲冷却）した後、１時間継続した。
【０１１８】
合成中に発生したＮＯの検出を、図３８において時間に対してプロットする。検出されたピークＮＯは、約２４０ｐｐｍを上回るものではなかった。
【０１１９】
＜実施例３６＞
ＳｍＣｌ3・６Ｈ2Ｏの代わりに、５．５ｇの新たに調製したＥＧ中の９．０ｍＭ  ＣｅＣｌ3・７Ｈ2Ｏ溶液を使用して、実施例３５の手順を繰り返した。合成中に発生したＮＯの検出を、図３８において時間に対してプロットする。検出されたピークＮＯは、約２７０ｐｐｍを上回るものではなかった。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図４】
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【国際調査報告】
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