(57)【要約】パワーコンポーネントを備える個片化された半導体ダイをテストするテストアセンブリ（Ａ）が提供される。アセンブリは、５０Ａｍｐより大きい電流をパワーコンポーネントへ供給する、電流源（５）と接続可能な電流入力と、電流が供給されると、検知されるパワーコンポーネントの検知パラメータを示す信号を受信する、信号分析器と接続可能な信号出力（６０）と、半導体ダイ（３）を支持するよう構成される第１の接触ユニット（１）と、第１の接触ユニットと相対的に移動可能に搭載される第２の接触ユニット（２）と、および第２の接触ユニット（２）がテスト中に半導体ダイ（３）の方へ向かうと、半導体ダイ（３）と第２の接触ユニット（２）との間に挟まれるように構成される少なくとも導電耐性シース（４）であって、シースは挟まれていると電流入力からダイの少なくとも一部を通る電気経路の部分を形成するシースと、を備える。
2014512016.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高パワーコンポーネントを備える個片化された半導体ダイ（３）をテストするテストアセンブリ（Ａ）であって、前記テストアセンブリは、
高電流を前記高パワーコンポーネントへ供給する、電流源（５）と接続可能な電流入力と、
半導体ダイ（３）を支持するように構成される第１の接触ユニット（１）と、
前記第１の接触ユニットと相対的に移動可能に搭載される第２の接触ユニット（２）と、
前記第２の接触ユニット（２）がテスト中に前記半導体ダイ（３）の方へ向かう場合、前記半導体ダイ（３）と前記第２の接触ユニット（２）との間に挟まれるように構成される少なくとも導電弾性シース（４）であって、前記導電弾性シース（４）は挟まれる場合、前記電流入力から前記高パワーコンポーネントの少なくとも一部を通る電気的な経路の部分を形成する導電弾性シースとを備える、テストアセンブリ。
【請求項２】
前記高電流が供給される時に検知される高パワーコンポーネントの検知パラメータを示す信号を受信する、信号分析器と接続可能な信号出力（６０）を備える、請求項１に記載のテストアセンブリ。
【請求項３】
前記導電弾性シース（４）は、前記第２の接触ユニット（２）との電気接触表面より大きい、ダイ（３）との電気接触表面を有する、請求項１または請求項２に記載のテストアセンブリ。
【請求項４】
前記高パワーコンポーネントはパワーＦＥＴトランジスタであり、
前記第１の接触ユニット（１）は前記半導体ダイ（３）のドレインコンタクト（３１）と接触するように構成される少なくとも第１の接触表面（１１）を備え、
前記第２の接触ユニット（２）は前記半導体ダイ（３）のソースコンタクト（３２）と接触するように構成される少なくとも第２の接触表面（２２）を備える、請求項１〜３のいずれか１項に記載のテストアセンブリ。
【請求項５】
前記第２の接触ユニット（２）は少なくとも第１の補助コンタクト（２３）を備え、
前記導電弾性シース（４）は前記半導体ダイ（３）のコンタクト（３３）に対向するよう構成される第１の切り込み（４１）を備え、
これによって前記第１の補助コンタクト（２３）は前記コンタクト（３３）と直接的に接触するよう構成される、請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載のテストアセンブリ。
【請求項６】
前記第２の接触ユニット（２）は少なくとも第２の補助コンタクト（２４）をさらに備え、
前記導電弾性シース（４）は前記第２の補助コンタクト（２４）と対向する少なくとも対応する追加的な切り込み（４２）をさらに備える、請求項５に記載のテストアセンブリ。
【請求項７】
パワーＦＥＴトランジスタはドレインコンタクト（３１）、ソースコンタクト（３２）、およびゲートコンタクト（３３）を有し、
前記第１の接触ユニット（１）の前記第１の接触表面（１１）は前記ドレインコンタクト（３１）と接触するように構成され、
前記第２の接触ユニット（２）の前記第２の接触表面（２２）は前記導電弾性シース（４）が介在して前記ソースコンタクト（３２）と接触するよう構成され、
前記第２の接触ユニット（２）の補助コンタクト（２３）は前記ゲートコンタクト（３３）と直接的に接触するよう構成される、請求項４および請求項５または請求項６のいずれか１項に記載のテストアセンブリ。
【請求項８】
前記導電弾性シース（４）は鉄粒子および銅粒子のうちの少なくとも１つを含むエラストマー材料で作成される、請求項１〜請求項７のいずれか１項に記載のテストアセンブリ。
【請求項９】
前記半導体ダイ（３）と前記第１の接触ユニット（１）との間に挟まれるように構成される第２の導電弾性シース（４０）を備える、請求項１〜請求項８のいずれか１項に記載のテストアセンブリ。
【請求項１０】
前記第２の導電弾性シース（４０）の表面はそれぞれ、前記第１の接触ユニット（１）の前記第１の接触表面（１１）および前記ダイの底表面とそれぞれ直接的に接触される、請求項９に記載のテストアセンブリ。
【請求項１１】
個片化された半導体ダイの部分を形成する高パワーコンポーネントをテストする方法であって、前記方法は、
／ａ／  前記半導体ダイ（３）を第１の接触表面（１１）を有する第１の接触ユニット（１）へ配置すること、
／ｂ／  導電弾性シース（４）を前記半導体ダイへ配置すること、
／ｃ／  前記第１の接触ユニットと相対的に移動可能に搭載される第２の接触ユニット（２）を前記導電弾性シース（４）と接触させることであって、前記第２の接触ユニット（２）は第２の接触表面（２２）を有する、前記接触させること、
／ｄ／  前記半導体ダイと前記第２の接触ユニット（２）との間を前記導電弾性シース（４）を通って流れる高テスト電流を供給すること、を備える、方法。
【請求項１２】
／ａ／の前に、
／ａ０／  第２の導電弾性シース（４０）を前記第１の接触ユニット（１）に配置すること、を備え、
ステップ／ａ／において、前記半導体ダイ（３）は前記第２の導電弾性シース（４０）に配置され、これによりテスト電流が前記第１の接触ユニット（１）と前記半導体ダイとの間を前記第２の導電弾性シース（４０）を通って流れ、かつ前記半導体ダイと前記第２の接触ユニット（２）との間を前記導電弾性シース（４）を通って流れる、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
／ａ／の前に、
／ａ００／  導電弾性シースを提供し、個片化された半導体ダイ（３）の前記表面に形成することであって、少なくとも切り込み（４１）が前記半導体ダイ（３）のゲートコンタクト（３３）に対向することを備える、請求項１１または請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
請求項１〜請求項１０のいずれか１項に記載されるようなテストアセンブリに適用される導電弾性シース。
【請求項１５】
請求項１４に記載の導電耐性シースと、
パワーコンポーネントを備える個片化された半導体ダイとを備える、テストアセンブリ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高パワーコンポーネントを備える個片化された半導体ダイをテストするテストアセンブリおよび方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体高パワーコンポーネントのテストは困難なタスクである。テストの信頼性および一貫性は、ダイを流れる電流量に依存し、より詳細には（パワー電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）を備えるダイでは）ドレイン端子からソース端子への電流の量に依存する。信頼性および一貫性は、テスト中のパワーパルスの持続時間にさらに依存する。
【０００３】
個片化された半導体ダイをテストするための既知の技術において、「ポゴ（ｐｏｇｏ）」としても知られる、プランジャー（plunger）と接触点とを接続する微細バネを収容するバレル（barrel）を備える可動プローブが使用され、例えば所望の電流を流すためにパワーコンポーネントのソース端子と物理的に接触するようにされる。物理的な接触は高い電流量を維持するために必要であるが、この物理的な接触は半導体ダイの表面に損傷を与える可能性がある。
【０００４】
ダイとテスト端子との間の導電性適合エラストマーの使用が、米国特許５、６７２、９７９号により知られる。しかしながら、このエラストマーは異方導電性であり、これは圧縮されると圧縮方向にのみ伝導することを意味する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】米国特許５、６７２、９７９号
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】テストアセンブリの実施形態の例のブロック図を概略的に示す。
【図２】図１の例に適した接触器の実施形態の例の斜視図を概略的に示す。
【図３】図２の接触器の部分的な分解図を概略的に示す。
【図４】図３の線ＩＶ−Ｖに沿った図２の接触器の断面図を概略的に示す。
【図５】接触器の別の例の断面図を概略的に示す。
【図６】個片化された半導体ダイをテストする方法の例のフローチャートを示す。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
本発明のさらなる詳細、態様、および実施形態を、例としてのみ、図面を参照して記載する。図面において、同様の参照符号は同様のまたは機能的に類似の要素を特定するために使用される。図面内の要素は簡潔かつ明瞭にするために示されており、必ずしも原寸に比例して描かれてはいない。
【０００８】
図１はテストアセンブリＡの実施形態の例を示す。示される例は、高電流ソース５と接続可能な入力と、信号分析器と接続可能な信号出力６０とを備える。入力を介して、高電流がパワーコンポーネントへ供給され得る。出力にもかかわらず、電流が供給されると検知されるパワーコンポーネントの検知パラメータを示す信号が信号分析器によって受信され得る。
【０００９】
示される例は、テスト中に個片化された半導体ダイ３を支持するように構成される第１の接触ユニット１を備える接触器（contactor）をさらに備える。ダイ３はテストされる高パワーコンポーネントを備える。接触器は第２の接触ユニット２をさらに備え、第２の接触ユニット２は第１の接触ユニット１と相対的に移動可能に搭載される。テストアセンブリＡは導電性弾性シース（electrically-conductive resilient sheath）４をさらに備え、これは後で説明されるように、第２の接触ユニット２が半導体ダイ３の方へ向かうと、半導体ダイ３と第２の接触ユニット２との間に挟まれるように構成される。
【００１０】
挟まれている時、シース４は入力からダイ３の少なくとも一部を通る電気的な経路（electrical path）の部分を形成し、一方でダイの接触表面を保護する。挟まれている時、シース４は弾性的に変形し、したがって接触ユニット２によってダイ３へかけられる圧力の少なくとも一部を吸収するため、ダイ３の部分の物理的な変形およびその結果生じるダイへの損傷のリスクを軽減する。シース４は電流供給によって提供される電流をその表面にわたってさらに分散し、それによりダイ３の表面の過度な電流密度をともなうピーク電流位置を回避する。
【００１１】
従来の「ポゴ」との物理的な接触は、数ミクロンの表面の跡を作り出すことが知られており、これは後の結合中に問題を引き起こす可能性がある。弾性シース４を提供することにより、当該の跡の発生および深さが低減され得る。加えて、弾性シース４はさらに、複数のダイ３がテストされると繰り返し接触しなければならない「ポゴ」の耐用年限を向上させ得る。
【００１２】
ダイ３は、テストされる必要がある任意の種類のダイであってもよい。示される例において、ダイ３は個片化されたむき出しのダイである。しかしながら、ダイは、例えば、シース４と接触させる表面が外部に露出される筐体に供給されてもよい。ダイ３は、この例においてはパワースイッチとして動作するパワー電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）である高パワーコンポーネントを備える。しかしながら、ダイ３は、ダイオード、増幅器など、スイッチ以外の種類の高パワーコンポーネントを備えてもよく、かつ、例えば絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）、バイポーラ接合トランジスタ、高電子移動度トランジスタ、サイリスタ、または適切な半導体デバイスなど、ＦＥＴ以外の半導体デバイスをさらに備えてもよい。コンポーネントは、テストするために高電流（５０アンペア以上）を必要とする場合、高パワーであると見なされる。
【００１３】
テストアセンブリＡは、具体的な実施態様に適切な任意の様式で具体化されてもよい。例えば、市販のテスターなどのテスターが使用されてよく、以下に例を挙げる：
米国マサチューセッツ州ノース・レディングのテラダイン（Ｔｅｒａｄｙｎｅ）社により販売されるＰＶＩ３００モジュールを備えるＦｌｅｘまたはｕＦｌｅｘ、
米国アリゾナ州テンピのテレコ・テスティング・ソリューション（Ｔｅｌｃｏ  Ｔｅｓｔｉｎｇ  Ｓｏｌｕｔｉｏｎｓ）社により販売される４ＰＧを備えるＭＳＴ、
イタリアのヴォルピャーノ（ＴＯ）のスピア（ＳＰＥＡ）社により販売されるＩＰＳ計器を備える４３０または６００シリーズ。
【００１４】
テストアセンブリは、スイスのラ・ショー＝ド＝フォンのイスメカ・セミコンダクター（Ｉｓｍｅｃａ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）社により製造されるような市販される接触器を使用してもよい。
【００１５】
図１の例において、高電流源５は第１および第２の接触ユニット１、２と接続され、これによりテスト中、電流路が電流源５から第１の接触ユニット１、ダイ３の少なくとも一部、保護シース４を通り、第２の接触ユニット２を通って形成される。この例において、テスト中、第２の接触ユニット２は導電シース４の第１の表面４３と物理的に接触し、したがってユニットとシースとの間に導電接触を形成する。シース４の第２の表面４４は、テスト中、ダイ３と物理的に接触し、したがってシース４とダイ３との間に導電接触を確立する。テスト中、ダイ３は同様に第１の接触ユニット１と物理的に接触し、したがって第１の接触ユニット１とダイ３との間に導電接触を形成する。
【００１６】
導電弾性保護シース４は、具体的な実施態様に適した任意の様式で実装されてもよく、かつ任意の適切な材料で作成されてもよい。シース４は、円形、正方形、その他の任意の適切な形状および大きさを有してもよい。示される例において、保護シースには第１の切り込み（cut-out）４１および少なくとも追加的な切り込み４２が提供され、その機能は以下で説明される。シース４は任意の適切な厚みを有してもよい。シース４は、例えば０．２ｍｍなど、少なくとも０．１ｍｍおよび／または２ｍｍ未満の厚みを有してもよい。
【００１７】
シース４は任意の適切な大きさを有してよく、かつ、例えば第２の接触ユニット２の接触表面より大きい表面相当物ｒを有してもよい。その結果、接触ユニット２を通って供給される任意の電流が保護シース４を通過し、接触ユニット２によるダイ３への直接の物理的な接触圧力がないことを確実にすることが可能となる。
【００１８】
加えて、シース４は第２の接触ユニット２との電気接触表面よりも大きいダイ３との電気接触表面を有してよく、これは可能な限り均一な電流を拡散し、ピーク電流位置および過度の電流密度によるアーキングのリスクを低減する。
【００１９】
保護シース４は、例えば、最低１２５℃の永続的な温度および少なくとも１５０℃、好ましくは１８０℃のピーク温度に耐えることによる、高温耐性、およびテスト中に生成されるジュール効果エネルギーの排除を助ける十分な熱伝導性のような熱特性を示す材料で作成されてもよい。
【００２０】
例えば、保護シース４は導電性エラストマーで作成されてもよい。シース４は、例えば、優れた導電性を示すために、鋼鉄および／または銅粒子などの金属性または他の導電粒子を含むエラストマー材料で作成される薄いシートであってもよい。適切な材料は、製品リファレンスＧＴ１０００でビュクのＧｅｔｅｌｅｃにより販売されるような銀めっきされた銅粒子を備えるシリコンベースのエラストマーであることが分かっている。
【００２１】
異方性導電エラストマーは、例えば米国特許５、６７２、９７９号において当技術分野で知られているが、導電弾性シース４として使用するのに本質的には適していない。これらは導電性になるために圧力を必要とし、一般的には信号の接続にのみ使用される。加熱を最小にし続けるために、電気的な経路におけるＩＲ降下は可能な限り低く維持されるべきであり、これは異方性導電エラストマーが高電流テストのために使用される場合、加熱を低減するために非常に高い圧力が必要となるが、圧力の高まりがダイ接触表面への損傷のリスクを向上させることを意味する。加えて、異方性導電エラストマーを流れる電流は圧力下の領域内に限定され、ピーク電流位置および過度の電流密度のリスクを増大させる。
【００２２】
保護シース４は、低い圧力がアサートされると高コンダクタンスを有するか、または圧力により影響されない導電性を有してもよい。同じシース４が、例えばＰ型またはＮ型の異なる種類の高パワーコンポーネントに使用されてもよいように、電流が各方向へ流れることを可能とする材料を選択することが有利であってもよい。
【００２３】
保護シース４は、例えば異なる構造の複数層の薄板など、単一または複層材料であってもよい。さらに、複数の保護シースは、ダイ表面と第１および／または第２の接触ユニットとの間に積み重なって置かれてもよい。シース４は、網状格子の少なくとも一部がシートの両側で露出され、両側の間に導電接触が存在する様式において、弾性材料に埋め込まれる金網（metallic mesh）または金属格子（metallic grid）を備えてもよく、一方で弾性材料はシート表面にかかる圧力を吸収する。さらに、例えば、保護シース４は弾性導電ポリマーで作成されてもよい。さらに、保護シースは、シートの２つの表面の間に延びる細い金属ワイヤを備える、例えばゴムなどの１つ以上の層の弾性材料のシートであってもよい。当業者は、シースは要求される導電性および弾性と適合する任意の他の適切な様式で具体化されてもよいことを認識するであろう。
【００２４】
さらに、シース４にはダイが提供されてもよく、例えばボンドワイヤがダイに提供される時にダイを保護するように一緒にまとめられてもよい。したがって、シース４はダイを備えるアセンブリの部分であってよく、その後まとめられて、ダイおよび／またはダイおよびシース４がまとめられる筐体と関連して恒久的に固定されることが望ましい。
【００２５】
接触器は、具体的な実施態様に適切な任意の様式で具体化されてもよい。この記載において、簡便にするために、「接触器」という用語はテストアセンブリの一部を称するために使用されるが、その部分がテストアセンブリの重要な部分を形成してもよいことが明らかとなろう。図２を参照すると、ここに示される接触器の例は第１の接触ユニット１および第２の接触ユニット２を備える。ダイ３は図２に示されない。テストを開始すると、保護シース４はダイと第２の接触ユニット２との間に位置した状態で、第１の接触および第２の接触がお互いに向かって移動し、上記で説明した物理的な接触が形成されて、シース４が第２の接触ユニット２とダイとの間に挟まれる。
【００２６】
電気的な経路が形成されると、電流路を介して高電流がダイを通って送られるようになり、ダイのパラメータが観察され得る。図１の例において、テストアセンブリは、ダイ３の所望のパラメータを検知可能なように配置されるセンサ入力６１を備えるセンサ６を備える。センサ６は、信号分析器が、温度、ダイの部分にわたる電圧降下などのような検知パラメータを表す信号を受信可能なように、出力６０へ接続される。
【００２７】
図２に示した例において、第１の接触ユニット１は平らな接触表面１１を有し、これは第１の接触ユニット１を支持する支持部（support）９の支持面（support plane）Ｐ１と実質的に平行である。図３および図４においてより詳細に示されるように、ダイ３は、一般的にはパワーコンポーネントが内部および／または表面上に形成される基板の底表面によって形成される、ダイの底表面における接触表面１１と接触する。
【００２８】
第２の接触ユニット２は、具体的な実施態様に適した任意の様式で具体化されてもよく、かつ、図示されるように、第１の接触ユニット１（および、第１の接触ユニット１の支持部９）と相対的に回転可能に搭載されることができ、支持部９の周囲を覆う（journaling）補完支持部（complementary support）１９に起因して、接触表面１１と平行の軸Ｘの周囲を旋回する。しかしながら、代替の実施形態において、補完支持部１９および第２の接触ユニット２は、例えばガイドレールの配置を使用して支持部９にスライド式に搭載可能であり、または、そうでない場合は第１の接触ユニット１と相対的に移動可能であってもよい。
【００２９】
図３に示されるように、第２の接触ユニット２は、「ポゴ」とも称される、少なくとも１つまたはいくつかの可動プローブ２１、２３、２４を備える。ポゴは、以下でより詳細に説明されるように、支持部１９と相対的に移動可能な個々の先端または接触表面２２を有する。
【００３０】
示される例において、ポゴは、スライド式に搭載され、補完支持部１９の主要な平面Ｐ２と垂直である方向Ｚに沿って延びる大きな可動プローブ２１を備える。大きな可動プローブ２１はそれぞれ、例えば弾性部材（図示せず）、バネ、または当技術分野で知られる他の方法によって、この例においてはプローブ２１の縦方向と平行に、第２の接触ユニット２のボディ１９から離れる方向にバイアスされる。ここに記載されるように、大きな可動プローブ２１はそれぞれ、本明細書では「第２の接触表面２２」として知られる実質的に平らな接触表面２２を備える実質的に円筒状の接触部材５１および案内ロッド５２を備える。
【００３１】
第２の接触ユニット２は、同様の様式でスライド式に搭載される小さな可動プローブ２３、２４をさらに備える。小さな可動プローブ２３、２４は、大きな可動プローブで記載したのと同様の形状を示し、同様の様式で下向きにバイアスされるが、高電流を駆動する目的はない。示される例において、これらは保護シース４と接触せず、切り込み４１、４２を通過してダイ３の表面と直接的に接触する。
【００３２】
プローブ２１、２３、２４は、Ｐ２平面と平行な適切な位置に移動され、適切な大きさの接触表面２２を選択することによって、ダイ３の電気接触と接するように構成される。テスト中にかかる圧力は、Ｚにおいて接触表面２２を位置付け、および／または適切な弾性部材を選択し、および／または弾性部材によってかかる力を調整して、バイアス要素によって構成されてもよい。プローブ２１、２３、２４は、適切な電流源または電圧源、または診断入力と実質的に接続される。
【００３３】
示される例において、ダイ３は高パワー半導体スイッチを有し、これはＭＯＳ  ＦＥＴトランジスタにより形成される。テストアセンブリＡでテストされるダイ３は、ドレインコンタクト３１を備える底表面、ソースコンタクト３２を備える上表面およびゲートコンタクト３３を有する。小さな可動プローブ２３、２４は、ダイのゲートコンタクト３３と接続される目的の第１の補助コンタクト２３、およびソースコンタクト３２と接続される目的の少なくとも１つ、好ましくは２つの第２の補助プローブ２４を備える。第１の補助コンタクト２３は、ゲートコンタクト３３に制御電圧を供給することができる。第２の補助プローブ２４は、例えば診断目的でソースコンタクト３２の電圧および温度を検知することができ、例えば図１に示されるセンサ入力６１と接続可能である。
【００３４】
保護シースですべてのコンタクトを覆うと、例えば１ｎＡより大きい過度の漏れ電流が生じることがあり、これはテストの正確性に影響を及ぼす可能性がある。切り込み４１、４２は、導電保護シース４がすべてのコンタクトを覆わないことを意味する。切り込みはそれぞれの低電流または診断接続に面しており、高電流接続と低電流または診断接続との間に高度な絶縁を提供する。低電流接続は、ゲートへのテスト接続など、電流が流れない接続を備えるようさらに見なされる。
【００３５】
ダイ３への直接接触を行うことで、抵抗、電圧降下、容量接触、または寄生容量など、不慮の効果または望ましくない効果を防ぐことにより、計測およびテストエラーが低減されてもよい。
【００３６】
テストは、ダイを通って流れる高電流を生成するために行われる。電流は継続的に、またはパルスの形状で供給されてもよい。そのためには、テスターは０Ａから、例えば５０Ａ以上、１００Ａ以上、または２００Ａ以上の最大値まで変化可能な電流を供給するように構成される。テスターはさらに、例えば５００Ａ以上、１ｋＡ以上、または２ｋＡ以上の電流を供給するように構成されてもよい。図３〜図５の例において、電流は、ダイ３のＦＥＴがＰ型かＮ型かの分類に依存して、例えばソースコンタクト３２からドレインコンタクト３１へ、またはドレインコンタクト３１からソースコンタクト３２へ流れることができる。例えば、ソースからドレインへの電流はボディダイオードテストに使用されてもよく、ドレインからソースへの電流はＲＤＳ−ｏｎおよびエネルギーテストに使用されてもよい。シース４はソースコンタクト３２と大きな可動プローブ２１との間に配置されるか、または「挟まれ」、したがってダイの接触表面を保護し、シース４はプローブ２１によるコンタクト３２への物理的な衝撃によって引き起こされる損傷および／またはダイ３の表面に過度な電流密度を有するピーク電流位置による電流誘発の損傷を回避する。一部の損傷はテスト中にシースシート４で起こり得るため、シース４は一定数のテストサイクル後に新しいものと交換されてもよいことに留意されたい。
【００３７】
図４は、図３の接触器の例のより詳細な概略的な断面図を示す。示される例において、第１の接触表面１１は、ケーブル８１を介してテスト設備（図示せず）と結合され、一方で第２の接触表面２２も、第１の補助接触２３と、別のケーブル８２を介してテスト設備と結合される。
【００３８】
第１の接触ユニット１は支持部９により支持され、一方でダイ３は第１の接触ユニット１の上に横たわり、第１の接触ユニット１よって支持され、ダイの底表面によって形成されるドレインコンタクト３１は第１の接触表面１１と直接的に接する。シース４は、この例では、ドレインコンタクト３２およびゲートコンタクト３３により形成されるダイ３の上表面と第２の接触ユニット２との間に位置する。第２の接触ユニット２が第１の接触ユニット１の方へ移動すると、大きな可動プローブ２１はシース４と接触し、エラストマーシート４に押しつけ始めて、ダイ３のソースコンタクト３２を押しつける。したがって、ダイを通る電流路が確立される。
【００３９】
第２の接触ユニット２が第１の接触ユニット１の方へ（または、その逆へ）移動されると、第１の補助接触２３は第１の切り込み４１と対向するよう位置し、かつ切り込みを通過して、ダイの表面と直接的に接触し、したがってシース４に触れることなくゲート接触３３を直接的に押圧する。同様に、第２の補助接触２４は第２の切り込み４２と対向するよう位置し、かつ切り込みを通過して、ダイの表面と直接的に接触し、したがってシース４に触れることなくソース接触３２を直接的に押圧する。既に述べたバイアス要素は、質の高い接触を保証するために各可動コンタクトへ十分な圧力をかける。
【００４０】
第１の接触ユニット１および第２の接触ユニット２が電流路を確立するために互いの方向へ移動されると、電流ソース５は、特定のテストに適した電流プロファイルにしたがって電流を提供するよう制御されてもよく、ダイの所望のパラメータが検知および分析されてもよい。
【００４１】
図５を参照すると、ここに示される例は、第１の接触表面１１と例においてドレインコンタクト３１を形成するダイ３の底表面との間に置かれる、第１のシース４と同様の、第２の導電弾性保護シース４０を備える。したがって、ダイは底表面と上表面との両方で保護される。
【００４２】
図６のフローチャートを参照すると、ここに示される例は以下を備える（／／の間の文字は図６のブロックを指す）：
／ａ／−高パワーコンポーネントを備える個片化された半導体ダイ３を第１の接触ユニット１に配置すること、
／ｂ／−導電弾性シース４を半導体ダイ３に配置すること、
／ｃ／−第１の接触ユニットと相対的に移動可能に搭載される第２の接触ユニット２を導電シース４と接触させ、大きな可動プローブ２１のバイアス特性がシース４に下向きの力をかけること、および、
／ｄ／−第２の接触ユニット２と半導体ダイ３との間にシース４を通って流れる高テスト電流を提供し、一方で適切な電圧でゲートコンタクト３３を駆動すること。
【００４３】
／ａ／の前に、ブロック／ａ０／において、第２の導電弾性シース４０は第１の接触ユニット１に配置されてよく、この場合ブロック／ａ／において、半導体ダイ３は導電弾性シース４０に配置される。
【００４４】
加えて、ブロック／ａ／および／ａ０／の前に、ブロック／ａ００／において、上述した方法は導電弾性シース４にダイ３のコンタクトと対向する少なくとも切り込み４１を提供することをさらに含んでもよい。
【００４５】
上記の明細書において、本発明が本発明の実施形態の具体例を参照して説明された。しかしながら、所与の特定の例に制限されると解釈されるべきではない添付の特許請求の範囲に記載されている本発明のより広い範囲から逸脱することなく、そこにさまざまな修正および変更を行うことができることは明らかであろう。
【００４６】
本発明の例示されている実施形態は、大部分について、当業者に既知の電子コンポーネントおよび回路を使用して実装されてもよいため、本発明の基礎となる概念の理解および評価のために、ならびに本発明の教示を分かりにくくせず当該教示から注意を逸らさせないために、詳細は上記で例示されているような必要と考えられる範囲を超えては説明されない。
【００４７】
その上、本明細書および特許請求の範囲における「正面」、「裏」、「上部」、「底」、「上」、「下」などの用語は、存在する場合、説明を目的として使用されており、必ずしも永久的な相対位置を記述するために使用されてはいないことに留意されたい。このように使用される用語は、本明細書に記載されている本発明の実施形態が例えば、本明細書において例示または他の様態で記載されている以外の方向で動作することが可能であるように、適切な状況下で置き換え可能であることが理解される。
【００４８】
しかしながら、他の修正形態、変更形態および代替形態も可能である。したがって、明細書および図面は限定的な意味においてではなく例示的に考慮されるべきである。
特許請求の範囲において、括弧間に置かれる任意の参照符号は特許請求の範囲を限定するものとして解釈されるべきではない。「備える」という文言は、特許請求項内にリストされているもの以外の要素またはステップの存在を除外するものではない。さらに、本明細書において使用される場合、「１つ」という用語は、１つまたは２つ以上として定義される。さらに、特許請求の範囲における「少なくとも１つの」および「１つ以上の」のような前置きの語句の使用は、不定冠詞「１つの」による別の請求項要素の導入が、このように導入された請求項要素を含む任意の特定の請求項を、たとえ同じ請求項が前置きの語句「１つ以上の」または「少なくとも１つの」および「１つの」のような不定冠詞を含む場合であっても、１つだけのこのような要素を含む発明に限定することを暗示するように解釈されるべきではない。同じことが、定冠詞の使用についても当てはまる。別途記載されない限り、「第１の」および「第２の」のような用語は、そのような用語が説明する要素間で適宜区別するように使用される。したがって、これらの用語は必ずしも、このような要素の時間的なまたは他の優先順位付けを示すようには意図されていない。特定の手段が相互に異なる特許請求項において記載されているというだけの事実は、これらの手段の組み合わせを有利に使用することができないということを示すものではない。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【手続補正書】
【提出日】平成25年10月18日(2013.10.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高パワーコンポーネントを備える個片化された半導体ダイ（３）をテストするテストアセンブリ（Ａ）であって、前記テストアセンブリは、
高電流を前記高パワーコンポーネントへ供給する、電流源（５）と接続可能な電流入力と、
半導体ダイ（３）を支持するように構成される第１の接触ユニット（１）と、
前記第１の接触ユニットと相対的に移動可能に搭載される第２の接触ユニット（２）と、
前記第２の接触ユニット（２）がテスト中に前記半導体ダイ（３）の方へ向かう場合、前記半導体ダイ（３）と前記第２の接触ユニット（２）との間に挟まれるように構成される少なくとも導電弾性シース（４）であって、前記導電弾性シース（４）は挟まれる場合、前記電流入力から前記高パワーコンポーネントの少なくとも一部を通る電気的な経路の部分を形成する導電弾性シースとを備える、テストアセンブリ。
【請求項２】
前記導電弾性シース（４）は、前記第２の接触ユニット（２）との電気接触表面より大きい、ダイ（３）との電気接触表面を有する、請求項１に記載のテストアセンブリ。
【請求項３】
前記高パワーコンポーネントはパワーＦＥＴトランジスタであり、
前記第１の接触ユニット（１）は前記半導体ダイ（３）のドレインコンタクト（３１）と接触するように構成される少なくとも第１の接触表面（１１）を備え、
前記第２の接触ユニット（２）は前記半導体ダイ（３）のソースコンタクト（３２）と接触するように構成される少なくとも第２の接触表面（２２）を備える、請求項１又は２に記載のテストアセンブリ。
【請求項４】
前記第２の接触ユニット（２）は少なくとも第１の補助コンタクト（２３）を備え、
前記導電弾性シース（４）は前記半導体ダイ（３）のコンタクト（３３）に対向するよう構成される第１の切り込み（４１）を備え、
これによって前記第１の補助コンタクト（２３）は前記コンタクト（３３）と直接的に接触するよう構成される、請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載のテストアセンブリ。
【請求項５】
前記第２の接触ユニット（２）は少なくとも第２の補助コンタクト（２４）をさらに備え、
前記導電弾性シース（４）は前記第２の補助コンタクト（２４）と対向する少なくとも対応する追加的な切り込み（４２）をさらに備える、請求項４に記載のテストアセンブリ。
【請求項６】
前記導電弾性シース（４）は鉄粒子および銅粒子のうちの少なくとも１つを含むエラストマー材料で作成される、請求項１〜請求項５のいずれか１項に記載のテストアセンブリ。
【請求項７】
前記半導体ダイ（３）と前記第１の接触ユニット（１）との間に挟まれるように構成される第２の導電弾性シース（４０）を備える、請求項１〜請求項６のいずれか１項に記載のテストアセンブリ。
【請求項８】
個片化された半導体ダイの部分を形成する高パワーコンポーネントをテストする方法であって、前記方法は、
／ａ／  前記半導体ダイ（３）を第１の接触表面（１１）を有する第１の接触ユニット（１）へ配置すること、
／ｂ／  導電弾性シース（４）を前記半導体ダイへ配置すること、
／ｃ／  前記第１の接触ユニットと相対的に移動可能に搭載される第２の接触ユニット（２）を前記導電弾性シース（４）と接触させることであって、前記第２の接触ユニット（２）は第２の接触表面（２２）を有する、前記接触させること、
／ｄ／  前記半導体ダイと前記第２の接触ユニット（２）との間を前記導電弾性シース（４）を通って流れる高テスト電流を供給すること、を備える、方法。
【請求項９】
請求項１〜請求項７のいずれか１項に記載されるようなテストアセンブリに適用される導電弾性シース。
【請求項１０】
請求項９に記載の導電弾性シースと、
パワーコンポーネントを備える個片化された半導体ダイとを備える、テストアセンブリ。
【国際調査報告】
2014512016.tif 000009
2014512016.tif 000010
2014512016.tif 000011