(57)【要約】  放射線感受性垂直検出器アレイ（１１４）は少なくとも１つの検出器リーフ（１１８）を含む。検出器リーフは、少なくとも、放射線を受ける上部側（２１２）、底部側（２１８）及び後側（２１４）と、及び光センサー回路基板（２００、８０３、９０３）を含み、光センサー回路基板は、光感受性領域（２０２、５０８、８０３、９０３）を含み、場合により前記シンチレーターアレイの前記後側に光学的に結合される。前記検出器リーフはさらに、前記シンチレーターアレイの下に配置される処理電子回路（４０６）、前記光感受性領域と前記処理電子回路を電気的に結合するフレキシブル回路基板（２２０）、及び前記シンチレーターアレイの下、前記シンチレーター及び前記処理電子回路の間に設けられる放射線シールド（２３６）を含み、それにより、前記シンチレーターアレイを通過する残留放射線から前記処理電子回路を遮蔽する。いくつかの実施態様は、ＳｒＩ２（Ｅｕ）などの希土類金属ヨウ化物を含む。
2014510902.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
放射線感受性垂直検出器アレイであり、前記検出器アレイが：
少なくとも１つの検出器リーフを含み、前記検出器リーフが：
少なくとも、放射線を受ける上部側、底部側及び後側を含むシンチレーターアレイと；
光感受性領域を含み、場合により前記シンチレーターアレイの前記後側に光学的に結合される、光センサー回路基板と；
前記シンチレーターアレイの下に設けられる処理電子回路と；
前記光感受性領域と前記処理電子回路と電気的に接続するフレキシブル回路基板と；及び
前記シンチレーターアレイの前記底部の下、前記シンチレーター及び前記処理電子回路との間に設けられる放射線シールドを含み、それにより前記シンチレーターアレイを通過する残留放射線から前記処理回路を遮蔽する、検出器アレイ。
【請求項２】
請求項１に記載の検出器アレイであり、さらに：
放射線遮蔽材料を含む支持キャリアを含み、
前記光センサー回路基板が前記支持キャリアに固定的に設けられ、
衝突する放射線から前記光センサー回路基板を遮蔽し、
前記光センサー回路基板がさらに、シグナル伝達領域を含み、及び前記フレキシブル回路が第１の及び第２の部分を含み、及び
前記フレキシブル回路の第１の区分が、前記シグナル伝達領域に固定的に設けられ、前記フレキシブル回路の支持領域が、前記支持キャリアにより可動に支持される、検出器アレイ。
【請求項３】
請求項２に記載の検出器アレイであり、前記フレキシブル回路基板がさらに：
前記キャリアに対して一般的に垂直に、前記フレキシブル回路の支持領域から伸び、及び前記シンチレーターアレイの底部に平行でかつ底部の下に伸びる第１の区分；及び
前記第１の区分から前記シンチレーターアレイの底部へ向かって一般的に垂直に、かつ前記キャリアに一般的に平行に伸びる、第２の区分を含み、
前記処理電子回路が前記フレキシブル回路基板の前記第１の区分の下に配置される、検出器アレイ。
【請求項４】
請求項３に記載の検出器アレイであり、さらに：
前記フレキシブル回路基板により担持される保持装置を含み、
前記保持装置が、検出器タイルの１つ又は複数の検出器アレイに対して前記検出器アレイを整列するための少なくとも１つの整列孔を含む、検出器アレイ。
【請求項５】
請求項４に記載の検出器アレイであり、
前記支持領域、前記フレキシブル回路基板の前記第１の区分及び前記第２の区分が、支持領域を形成し、前記保持装置が前記支持領域内に確保され、かつ前記処理電子回路の上に配置される、検出器アレイ。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項に記載の検出器アレイであり、前記シンチレーターアレイが、ガドリニウムオキシサルフィドを含む、検出器アレイ。
【請求項７】
請求項１乃至５のいずれか一項に記載の検出器アレイであり、前記シンチレーターアレイが：亜鉛セレニドを含む上部シンチレーターアレイ；及び前記上部シンチレーターアレイの下に配置され、かつガドリニウムオキシサルファイドを含む少なくとも１つの他のシンチレーターアレイを含む、検出器アレイ。
【請求項８】
請求項１乃至５のいずれか一項に記載の検出器アレイであり、前記シンチレーターアレイが：ハロゲン化物シンチレーション材料を含む上部シンチレーターアレイ；及び前記上部シンチレーターアレイの下に配置され、かつガドリニウムオキシサルファイドを含む少なくとも１つの他のシンチレーターアレイを含む、検出器アレイ。
【請求項９】
請求項８に記載の検出器アレイであり、前記上部シンチレーターアレイが、セラミック又は結晶シンチレーターを含む、検出器アレイ。
【請求項１０】
請求項８に記載の検出器アレイであり、前記上部シンチレーターアレイが、複合体シンチレーターを含む、検出器アレイ。
【請求項１１】
請求項８乃至１０のいずれか一項に記載の検出器アレイであり、前記ハロゲン化物シンチレーション材料が、ヨウ化カルシウム、ヨウ化ストロンチウム又はヨウ化バリウムの少なくとも１つを含む、検出器アレイ。
【請求項１２】
請求項８乃至１１のいずれか一項に記載の検出器アレイであり、前記ハロゲン化物がユーロピウムでドープされている、検出器アレイ。
【請求項１３】
方法であり、前記方法は：
イメージングシステムの検出器アレイの少なくとも１つの検出器リーフにより放射線を検出することを含み、前記検出器リーフが：
少なくとも、放射線を受ける上部側、底部側及び後側を含むシンチレーターアレイと；
光感受性領域を含み、場合により前記シンチレーターアレイの後側と光学的に結合される光センサー回路基板と；
前記シンチレーターアレイの下に配置される処理電子回路と；
前記光感受性領域及び前記処理回路と電気的に接続するフレキシブル回路基板と；及び
前記シンチレーターアレイの下、前記シンチレーター及び前記処理電子回路との間に設けられる、放射線シールドを含み、
それにより前記シンチレーターアレイを通過する残留放射線から前記処理電子回路を遮蔽し；
前記検出放射線を示すシグナルを生成し；及び
前記シグナルを再構成して、ボリュメトリック画像データを生成する、方法。
【請求項１４】
請求項１３に記載の方法であり、前記少なくとも１つの検出器リーフが、シングルエネルギー垂直検出器を含む、方法。
【請求項１５】
請求項１３に記載の方法であり、前記少なくとも１つの検出器リーフが、マルチエネルギー垂直検出器を含む、方法。
【請求項１６】
請求項１３乃至１５のいずれか一項に記載の方法であり、前記シンチレーターアレイが、ユーロピウムドープヨウ化カルシウム、ユーロピウムドープヨウ化ストロンチウム、ユーロピウムドープヨウ化バリウム又は非ドープヨウ化ストロンチウムシンチレーション材料の少なくとも１つを含む、方法。
【請求項１７】
請求項１３乃至１６のいずれか一項に記載の方法であり、前記シンチレーターアレイが、セラミック又は結晶シンチレーターを含む、方法。
【請求項１８】
請求項１３乃至１６のいずれか一項に記載の方法であり、前記シンチレーターアレイが複合体シンチレーターを含む、方法。
【請求項１９】
放射線感受性検出器アレイであり、前記検出器アレイは：
シンチレーターアレイを含み、前記シンチレーターアレイは：
ハロゲン化物系シンチレーターを含む上部シンチレーターアレイと；及び
前記上部シンチレーターアレイの下部に配置される少なくとも１つの他のシンチレーターアレイと；及び
場合により前記シンチレーターに光学的に結合される、Ｘ線フォトンを吸収する前記上部シンチレーターアレイ及び前記少なくとも１つの他のシンチレーターアレイに応じて放射される前記上部シンチレーターアレイ及び前記他のシンチレーターアレイにより発光される光フォトンを検出するように構成される、光センサーを含む、検出器アレイ。
【請求項２０】
請求項１９に記載の検出器アレイであり、前記ハロゲン化物系シンチレーターはハロゲン化物複合体シンチレーターである、検出器アレイ。
【請求項２１】
請求項２０に記載の検出器アレイであり、前記ハロゲン化物複合体シンチレーターがユーロピウムでドープされる、検出器アレイ。
【請求項２２】
請求項２０又は２１のいずれか一項に記載の検出器アレイであり、前記ハロゲン化物複合体シンチレーターは、ヨウ化カルシウム、ヨウ化ストロンチウム又はヨウ化バリウムの少なくとも１つを含む、検出器アレイ。
【請求項２３】
請求項２０乃至２２のいずれか一項に記載の検出器アレイであり、前記ハロゲン化複合体シンチレーターが、水分又は酸素が前記シンチレーター内に拡散することを防止する樹脂を含む、検出器アレイ。
【請求項２４】
請求項１９に記載の検出器アレイであり、前記ハロゲン化物系シンチレーターが、ハロゲン化物結晶又はセラミックシンチレーターである、検出器アレイ。
【請求項２５】
請求項２４に記載の検出器アレイであり、前記ハロゲン化物結晶又はセラミックシンチレーターはユーロピウムでドープされる、検出器アレイ。
【請求項２６】
請求項２４又は２５のいずれか一項に記載の検出器アレイであり、前記ハロゲン化物結晶又はセラミックシンチレーターが、ヨウ化カルシウム、ヨウ化ストロンチウム又はヨウ化バリウムの少なくとも１つを含む、検出器アレイ。
【請求項２７】
請求項１９乃至２６のいずれか一項に記載の検出器アレイであり、前記検出器アレイが、コンピュータトモグラフィーイメージングシステムの部分である、検出器アレイ。
【請求項２８】
請求項１９乃至２７のいずれか一項に記載の検出器アレイであり、さらに：
前記シンチレーターの下に配置される処理電子回路と；
前記光センサーと前記処理電子回路を電気的に接続するフレキシブル回路基板と；及び
前記シンチレーターアレイの下に、前記シンチレーターと前記処理電子回路の間に設けられる放射線シールドを含み、これにより前記シンチレーターアレイを通過する放射線から前記処理電子回路を遮蔽する、検出器アレイ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
以下、一般的にはイメージングに関し、より具体的にはシングル及び／又はマルチエネルギー放射線感受性垂直検出器に関する。以下はまた、シングルフォトンエミッションコンピュータトモグラフィー（ＳＰＥＣＴ）、ポジトロンエミッションコンピュータトモグラフィー（ＰＥＴ）、デジタルＸ線放射イメージング及び／又はその他のイメージングモダリティなどの非−ＣＴイメージングモダリティにも好適である。
【背景技術】
【０００２】
従来のコンピュータトモグラフィー（ＣＴ）スキャナーは、Ｘ線管を含み、これはイオン化Ｘ線を放射し、これが検査領域及びその領域内の患者を通過して、前記Ｘ線管から前記試験領域全体に設けられた検出器アレイ（ａｒｒａｙ）を照射する。前記検出器アレイは、複数のシングルエネルギー集積検出器を含み、それぞれはガドリニウムオキシスルフィド（ＧＯＳ）又はその他の光センサアレイと光学的に結合されるシンチレーターアレイを含む。デュアルエネルギー検出器は、第１のシンチレーターアレイを含み、これは低エネルギ「軟Ｘ線」フォトン（ｐｈｏｔｏｎ）を吸収するための材料（例えば、亜鉛セレニド（ＺｎＳｅ））及び他の高エネルギ「硬Ｘ線」フォトンを吸収するための材料（例えばＧＯＳ）を含む。
【０００３】
前記Ｘ線放射は、前記シンチレーターアレイを照射し、前記シンチレーターアレイはＸ線フォトンを吸収し、及びそれに応じて前記吸収Ｘ線フォトンを示す光学フォトンを発光する。前記光学フォトンセンサーアレイは、前記光学フォトンを検出し、及び前記検出された光学フォトンを示す電気シグナル（電流又は電圧）を生成する。必然的に、いくらかのＸ線フォトンは前記シンチレーターアレイに吸収されずに前記シンチレーターを通過する。再構成装置は、前記光センサー出力シグナルを再構成し、前記スキャンされた患者を示すボリュメトリックイメージを生成する。デュアルエネルギー検出器を用いて、画像がそれぞれのエネルギーレベルについて生成され、及び／又は前記データが組み合わされてシングルフォトンシステムと類似の画像（イメージ）を生成し得る。
【０００４】
前記患者を通過するＸ線フォトンは、通過される前記組織の放射線密度の関数として前記患者により減衰され吸収されるが、前記患者内に蓄積されたエネルギーは一般的に蓄積用量又は患者用量とされる。不幸にもかかるイオン化放射線は細胞を損傷する。ＣＴの傾向は患者用量を低減することであり、これには無症候性患者のスクリーニング及び／又は若年集団、再発性スキャンを受けた患者などのイメージングに関連する。しかし、患者用量を低減することは、画像ノイズに悪影響を与え、これは主に前記検出器へ到達する前記Ｘ線フォトンのポアソン（「量子」）ノイズによる。さらには従来型のＣＴスキャナーで比較的低い用量で画像化する試みは、例えば前記検出器で生成される電気シグナルが前記電子ノイズレベルに近い場合に非常に過剰な画像ノイズを生成することとなる。
【０００５】
ほとんどのシンチレーターは、前記光学発光（Ｘ線吸収による）に加えていくらかの光学吸収を含む。この光学吸収は、前記光学フォトンが前記光検出器へ散乱される際に移動する距離に比例する。従って、Ｘ線光吸収を増加させることなく垂直光検出器の高さを増加することは（ここで、前記光検出器は、前記入射放射の方向に関して前記シンチレーターの側に設けられる）、光学フォトン吸収を低減させ、及び従って、前記検出器により生成される電子シグナルレベルを増加させることとなる。
【０００６】
ＣＴでの他の傾向は、所定のカバー領域を維持しつつ、空間分解能を増加することである。前記分解能は、前記Ｘ線焦点からの距離が固定されているとして、前記検出器の寸法を小さくすることで増加され得る。しかし、小さい寸法を持つ検出器で既定のカバー領域を維持するためには、より多くの検出器が必要となり、これは前記検出システムの全価格を増加することとなる。さらに、ある画像について所与のシグナル対ノイズレベルを維持するためには、検出器の電子回路はできるだけ前記光検出器の近くに配置させてさらなる電子ノイズを低減させる。比較的高い性能レベルは、前記電子回路が前記光検出器に隣接している場合である。しかし、かかる位置に前記電子回路を配置することにより、前記電子回路に前記Ｘ線放射の吸収されなかった部分が到達しないようにブロックすること（例えば放射線シールドにより）が必要であり、又は放射線耐性電子回路を用いることが必要であるが、それぞれより多くの領域が必要となるか、又は検出器価格を増加させることとなる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本出願の側面は前記参照した事項及びその他の事項に対応する。本発明は、シングル又はマルチエネルギー放射線感受性垂直検出器を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
ひとつ側面によると、垂直放射線検出器アレイは少なくとも１つの検出器リーフ（ｄｅｔｅｃｔｏｒ  ｌｅａｆ）を含む。前記検出器リーフは、放射線を受ける上部側、底部側及び後側の少なくとも１つ、及び光センサー回路基板を含み、光センサー回路基板は光感受性領域を含み、場合により前記シンチレーターアレイの前記後側に光学的に接続される。前記検出器リーフは、前記シンチレーターアレイの下に配置される処理電子回路と、前記光感受性領域と前記処理電子回路を電気的に接続するフレキシブル回路基板と、及び前記シンチレーターアレイの底部の下、前記シンチレーターと前記処理電子回路の間に設けられる放射線シールドを含み、これにより前記シンチレーターアレイを通過する残留放射線から前記処理電子回路を遮蔽する。
【０００９】
他の側面によれば、一つの方法は、イメージングシステムの検出器アレイの少なくとも１つの検出器リーフを介して放射線を検出すること、前記検出された放射線を示すシグナルを生成すること、及び前記シグナルを再構成して、ボリュメトリック画像データを生成することを含む。前記検出器リーフは、放射線を受ける上部側、底部側及び後側の少なくとも１つ、及び光感受性回路基板を含み、前記光感受性回路基板は光感受性領域を含み、場合により前記シンチレーターアレイの前記後側と光学的に接続される。前記検出器リーフはさらあに、前記シンチレーターアレイの下に配置される処理電子回路、前記光感受性領域と前記処理電子回路を電気的に接続するフレキシブル回路基板、及び前記シンチレーターアレイの底部の下に設けられる放射線シールドを含み、これにより前記シンチレーターアレイを通過する残留放射線から前記処理電子回路を遮蔽する。
【００１０】
他の側面によると、放射線感受性検出器アレイは、ハロゲン化物系シンチレーターを持つ上部シンチレーターアレイ、及び前記上部シンチレーターアレイの下に配置される少なくとも１つの他のシンチレーターアレイを含む。前記放射線感受性検出器アレイはさらに、前記シンチレーターアレイに光学的に接続される光センサーを含み、これは、Ｘ線フォトンを吸収する前記上部及び前記少なくとも１つの他のシンチレーターに応じて放出される、前記上部及び少なくとも１つの他のシンチレーターにより発光される光学フォトンを検出するように構成される。
【００１１】
本発明は種々の部品及び部品構成の態様及び種々のステップ及び一連のステップの形をとり得る。図面は好ましい実施態様を説明するためだけのものであり、本発明を限定するためのものではない。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】図１は、イメージングシステムの一例を示す、複数の垂直検出器リーフを持つ複数のタイルを含む検出器アレイを持つ。
【図２】図２は、シングルエネルギー垂直検出器リーフの一例を示す。
【図３】図３は、シングルエネルギー垂直検出器リーフの一例を示す。
【図４】図４は、複数のシングルエネルギー垂直検出器リーフを持つ１つのタイルを示す。
【図５】図５、複数のデュアルエネルギー垂直検出器リーフを持つ１つのタイルを示す。
【図６】図６は、デュアルエネルギー垂直検出器リーフの一例を示す
【図７】図７は、種々のシンチレーション材料の発光スペクトルを示す。
【図８】図８は、セラミック又は結晶シンチレーターを用いる垂直デュアル検出器を示す。
【図９】図９は、複合シンチレーターを用いる垂直デュアル検出器を示す。
【図１０】図１０は、種々のシンチレーション材料についてＸ線吸収スペクトルを示す。
【図１１】図１１は、本発明の方法の一例を示す。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
図１は、コンピュータトモグラフィー（ＣＴ）スキャナーなどのイメージングシステム１００を示す。前記イメージングシステム１００は、静止ガントリ１０２及び回転ガントリ１０４を持ち、これは前記静止ガントリ１０２により回転可能に支持されている。前記回転ガントリ１０４は検査領域１０６の周りをほぼ長手軸又はｚ軸１０８について回転する。Ｘ線管などの放射源１１０は、前記回転ガントリ１０４に支持されて回転し、放射線を放射する（例えばＸ線フォトン）。放射源コリメータ（図示されていない）は、前記放射された放射線をコリメートし、通常は、コーン（円錐）形状、ファン（扇）形状、ウェッジ（楔）形状又はその他の形状の放射ビームに形成し、前記ビームは検査領域１０６及びその中の被験体（例えば荷物など）又は被験者（人又は動物）を通過する。
【００１４】
放射線感受性検出器アレイ１１４は、前記回転ガントリ１０４に固定された、前記放射源１１０から横切って前記検査領域と反対側に角度のある円弧を持つ。示される検出器アレイ１１４は複数の検出器タイル１１６を含み、これらは横軸（ｘ／ｙ平面内）に沿って積層されており、前記ｚ軸１０８を横断する。示されるように、検出器タイル１１６は複数の検出器リーフ１１８を含み、これらはお互いに前記横軸に沿って積層され、前記ｚ軸方向に延びている。他の実施態様では、前記検出器アレイ１１４は、代わりに複数の検出器モジュールを含むか、又は拡張された単一の検出器のアレイを含む。
【００１５】
以下より詳細に説明するように、ひとつの実施態様では、検出器リーフ１１８は一般に、前記ｚ軸方向に沿って伸びる、複数の、シングル又はマルチエネルギー垂直検出部を含み、一つの垂直検出部は一次元又は多次元シンチレーターアレイ（ＧＯＳなどの従来のセラミックシンチレーター、ハロゲン化物系などの結晶又はセラミックシンチレーター、及び樹脂又はプラスチック媒体中に粉末シンチレーター及び／又はその他のシンチレーション材料を含む複合体シンチレーター）を含み、それぞれの要素は、前記一次元又は多次元光センサーアレイ内のそれぞれ対応する要素に光学的に結合されている。
【００１６】
前記検出器リーフ１１８はさらに、前記入射Ｘ線フォトンの方向に関して前記垂直方向部の下又は下部に設けられる処理電子回路、前記垂直方向部の光センサーアレイと前記処理電子回路を電気的に結合するフレキシブルプリント配線基板（ＰＣＢ）、及び前記垂直検出部と前記処理電子回路との間の前記フレキシブルＰＣＢへ固定された放射線シールドであって、前記垂直検出部を通過する残留放射線から前記電子回路を遮蔽する放射線シールドを、含む。前記放射線シールドは、前記処理電子回路内の放射線耐性部品の使用を軽減し、それにより放射線耐性部品を前記処理電子回路で使用する構成に比べてコストを低減できる。さらには、前記フレキシブルＰＣＢは、より高価なセラミック系ＰＣＢを使用する構成に比較して検出器コストを低減することを可能にし、及び剛性又はその他のＰＣＢに比較してより割れなどの影響を受けにくい。
【００１７】
前記放射線感受性検出器アレイ１１４は、Ｘ線フォトン検出に応じて、前記検出された放射線を示すシグナル（又は投影データ）を生成し出力する。前記垂直検出部が、多次元シンチレーターアレイ（異なるＸ線エネルギー吸収特性を持つ層を持つ）が、相補的な多次元光センサーアレイと光学的に結合される構成では、スペクトル情報は、前記シンチレーターアレイの深さに沿って前記Ｘ線吸収を測定することで取り出され、及び従来のＣＴ測定は、前記同じ線深さでの前記多要素フォトダイオードアレイの要素からの出力を合計することでなされる。
【００１８】
再構成装置１２０は、前記シグナル又は投影データをスペクトル又は従来の再構成アルゴリズムを用いて再構成し、前記検査領域１０６を示すボリュメトリック画像データを生成する。１つ又は複数のスペクトル又は従来の画像は、前記ボリュメトリック画像データから生成され得る。カウチなどの被験体支持部１２２は、前記検査領域１０６の被験体又は被験者を支持する。前記支持部１２２は、前記ｘ、ｙ及びｚ軸に沿って可動であり、前記回転ガントリ１０４の回転に合わせて、ヘリカル、アキシャル又はその他の望ましいスキャンモードに適合させる。
【００１９】
汎用目的コンピュータシステムは、オペレータコンソール１２４として機能し、例えば表示装置などの人が読むことができる出力装置及び／又はプリンタを含み、及びキーボード及び／又はマウスなどの入力装置を備える。前記コンソール１２４は、ローカル及び／又はリモートコンピュータ可読記憶媒体にエンコード又は具現化されているコンピュータ可読命令（ソフトウェア）を実行するように構成される１又は複数のプロセッサーを含み、これにより前記オペレーターは、スペクトル又は従来のスキャンプロトコルの選択、スキャン開始／停止などを選択することができることで前記システム１００の操作を制御することが可能になる。加えて又はこれに代えて、前記命令は、シグナル媒体又はキャリア波を介して実行され得る。
【００２０】
図２、３及び４は、限定的ではない、シングルエネルギー検出器リーフ１１８を示す。図２は前記検出器リーフ１１８の分解側面図であり、図３は、前記検出器リーフ１１８の正面斜視図であり、図４は、基板及び前記リーフ１１８の下部に設けられる処理電子回路を持つ検出器タイル中の複数の検出器リーフを示す。
【００２１】
図では、光センサー回路基板２００は、そこに固定されるシンチレーターと少なくとも同じ長さの光感受性領域２０２、及びフレキシブルＰＣＢ２２０のシグナル受け取り部２２２に対応する少なくとも同じ長さのシグナル伝達領域２０４を持ち、これは支持キャリア２０６の通常は平面領域に取り付けられ、支持キャリアは前記キャリア２０６から伸びる突出部２０８を含む。前記回路基板２００は、前記キャリア２０６の前記領域に接着するか及び／又は確保される。前記キャリア２０６は、タングステン及び／又はその他の放射線シールド材料を含み、前記突出部２０８は前記配置された回路基板２００の上に伸び、それにより前記回路基板２００を前記突出部２０８に入射するＸ線フォトンから遮蔽する。前記シグナル伝達領域２０４は、前記光感受性領域２０２と電気的に交信する電気経路を含み、これは、シリコン（Ｓｉ）、ガリウムヒ素（ＧａＡＳ）、インジウムリン（ＩｎＰ）などのフォトダイオード及び／又はその他のフォトダイオード、電荷結合検出器、ＣＭＯＳ検出器及び／又はその他の放射線検出器を含み得る。
【００２２】
前記シンチレーターアレイ２１０は、前記光感受性領域２０２で接続される前記回路基板２００に固定される。前記シンチレーターアレイ２１０は、上部又は放射線受け取り側２１２、後部又は光学フォトン伝達側２１４、及び３つの他の側２１６（１つは図２では見えない）及び底部側２１８を持つ。反射コーティング２１９（例えば白色塗料）が前記上部側２１２、前記３つの他の側２１６及び底部側２１８に適用され、光フォトンが光感受性領域２０２の方向に向くようにする。示された実施態様では、前記シンチレーターアレイ２１０は、前記光感受性領域２０２に固定されて、前記光フォトン伝達側２１４が前記光感受性領域２０２に対向される。前記シンチレーターアレイ２１０は、光学接着剤などで固定され得る。図３では、前記シンチレーターアレイ２１０は、Ｎ要素アレイであり、ここでＮ＝５である。他の実施態様では、Ｎは、８、１６、３２、２５６又はその他の整数であり得る。
【００２３】
前記フレキシブルＰＣＢ２２０は、基板２００の前記シグナル伝達領域２０４に固定される。一般的に、全ての知られるか又はその他のフレキシブルＰＣＢが使用され得る。好適なフレキシブルＰＣＢの例は、積層化及び／又はフレキシブルポリマーフィルムを含む基材を持つＰＣＢであり、限定されるものではないが、ポリエステル（ＰＥＴ）、ポリイミド（ＰＩ）ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルイミド（ＰＥＩ）、フロロポリマー（ＦＥＰ）及び／又はその他の材料の１つ又は複数が含まれる。前記フレキシブルＰＣＢ２２０はまた、結合接着（例えばポリマー系）及び、電気配線又は導電配線を含む１つ又は複数の導電層（例えば銅、銀など）を含み、これらは１つ又は複数の層内にエッチング又はその他の方法で形成される。前記導電経路（配線）は、光学フォトンに応じて前記光感受性領域２０２で生成された電気シグナルを伝達することを容易にする。
【００２４】
示される実施態様では、前記フレキシブルＰＣＢの部分２２２は、前記シグナル伝達領域２０４に、導電性接着剤又は電気はんだ２２４で固定される。好適な導電性接着剤は、限定されるものではないが、異方性導電性フィルム（ＡＦＣ）テープ及び／又はその他の接着剤を含む。前記はんだの場合にはすべてのはんだプロセスが使用され得る。前記フレキシブルＰＣＢ２２０の支持領域２２６は前記キャリア２０６に当接する。前記支持領域２２６は、前記フレキシブルＰＣＢ２２０の拡張及び／又は収縮及び／又はその他の動きを可能にする。場合により、前記支持領域２２６の下部部分は、前記キャリア２０６へ固定又は可動に固定され得る。示されるフレキシブルＰＣＢ２２０は、保持装置２３０を支持するための支持領域２２８を含むように形状化されている。示される実施態様では、前記領域２２８は、前記基板２００及び前記キャリア２０６に面する側に対向する前記ＰＣＢ２２０の１つの側に設けられ、及び前記基板２００と前記キャリア２０６から離れる方向へ延びている。
【００２５】
示される実施態様では、前記支持領域２２８は第１の区分２３２を持ち、これは前記キャリア２０６で支持される前記フレキシブルＰＣＢ部２２０から伸び、前記支持キャリア２０６に関して一般的に垂直であり、及び前記シンチレーターアレイ２１０の前記底部側２１８の下で一般的に平行である。前記フレキシブルＰＣＢ２２０の第２の区分２３４は前記第１の区分２３２から伸び、前記シンチレーターアレイ２１０の底部側２１８へ向かって一般的に垂直であり、及び前記支持キャリア２０６に対して一般的に平行である。前記保持装置２３０は、前記支持領域２２８へ接着されるか又は確保される。示される保持装置２３０は、整列孔又は無材料領域を持つ金属ブロックを含み、これは前記検出器リーフ１１８をタイル又はモジュール内に整列するため、及び低価格で構成するための高い機械的精度を可能にする。
【００２６】
放射線シールド２３６は、前記シンチレーターアレイ２１０の底部側と前記保持装置２３０の間で前記保持装置２３０に固定される。前記放射線シールド２３６は、１つ又は複数の放射線非透過性材料を含み、これは、前記シンチレーターアレイ２１０及び前記放射線シールド２３６に到達するＸ線フォトンを実質的に減衰させる。前記電気接触２３８は、前記保持装置２３０を支持する側と対向する前記第１の区分２３２の側に設けられる。示される実施態様では、電気接触２３８は１つ又は複数の導電性はんだボールを含む。他の実施態様では、前記電気接触はさらに又はこれに代えて、導電性エポキシを含む。
【００２７】
図４は、基板４０４に固定される前記複数のリーフ１１８を含む検出器タイル４０２の下部部分を示す。図４には、前記検出器リーフ１１８の３つが示される。しかし、前記タイル４０２は、８、１６、３２、２５６又はその他の整数などの任意に数の検出器リーフを含み得る。前記基板４０４は前記第１の区分２３２の第１の側に電気接触２３８を介して固定され、及び前記処理電子回路４０６は基板４０４に電気接触４０８により固定され、電気接触４０８は前記接触２３８と同様にはんだ、導電性エポキシ及び／又はその他の導電性接着剤を含み得る。
【００２８】
前記処理電子回路４０６は、マルチプレクサ、増幅装置、アナログデジタル変換装置、及び／又はその他の回路を、集積回路チップ（ＩＣ）、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）などの形で含む。前記基板４０４は、前記第１の区分２３２の前記第１の側に、電気接触２３８で固定され、及び前記処理電子回路４０６は基板４０４の知られた技術（例えば配線、フリップチップなど）又はその他の技術により固定される。この構成で、前記処理電子回路４０６は、前記支持キャリア２０６により設けられる前記放射線シールドの下に設けられ、及び前記シンチレーター２１０を通過するＸ線放射から、前記支持キャリア２０６、前記突出部２０８及び前記放射線シールド２３６により遮蔽される。
【００２９】
図５及び図６は、非限定的な、デュアルエネルギー（ダブルデッカー）検出器リーフ１１８を持つタイル５００の例を示す。図５は、前記タイルの側面図であり、図６は前記タイルの正面図である。他の実施態様は、２以上のエネルギー分解検出器リーフを含む。一般的に、一対の異なるシンチレーター／光センサー下部領域がそれぞれの異なるエネルギー範囲で使用される。示されるデュアルエネルギー検出器リーフ１１８は実質的には図２から４に記載されたシングルエネルギー検出器リーフと類似するが、違いは、これらは、ひとつは上部の下領域５０４と底部の下領域５０６である２つの異なるシンチレーション下領域を持ち、及び対応する光学フォトンを検出するために２つの相補的光感受性下部領域である第１の下部領域５１０及び第２の下部領域５１２を持ち、これらにより２つの異なるエネルギー範囲（低エネルギー及び高エネルギー）でエネルギーを持つＸ線フォトンを別々に検出する、という点である。
【００３０】
種々のシンチレーション材料がここで説明されたシンチレーターで使用され得る。例としては、限定されるものではないが、ＧＯＳ、テルルで活性化されたＺｎＳｅ（ＺｎＳｅ：Ｔｅ）、ユーロピウム（Ｅｕ）ドープヨウ化カルシウム（ＣａＩ：Ｅｕ）、ヨウ化ストロンチウム（ＳｒＩ２：Ｅｕ）及びヨウ化バリウム（ＢａＩ２：Ｅｕ）、Ｅｕ２＋でドープされたセラミックアルカリ土類ヨウ化物、非ドープＳｒＩ２、及び／又はその他のＥｕ２＋、Ｃｅ３＋又はＰｒ３＋又はその他の活性化イオンでドプされたシンチレーターが含まれる。これらのシンチレーション材料はまた、他の検出器と接続されて使用され得るものであり、例えば、出願番号１１／９１２６７３（２００７年１０月２６日出願、発明の名称「スペクトルＣＴのためのダブルデッカー検出器」）に記載されたもの（この内容は参照されて本明細書に援用される）、出願番号１２／０６７９４２（２００８年３月２５日出願、発明の名称「薄い回路を用いたコンピュータトモグラフィー」）に記載されたもの（これらの内容は参照されて本明細書に援用される）、及びその他の検出器などである。
【００３１】
図７は、ＣａＩ２：Ｅｕ７０２、ＳｒＩ２：Ｅｕ７０４、ＢａＩ２：Ｅｕ７０６、ＳｒＢｒ２：Ｅｕ７０８及び非ドープＳｒＩ２７１０の発光スペクトルを、放射波長７１２の関数として示す。図７から、Ｅｕ２＋でドープされたハロゲン化物の発光スペクトルは、前記スペクトルの紫外線（ＵＶ）／青色部分である。
【００３２】
ＳｒＩ２：Ｅｕは知られている最も効果的なシンチレーターである。その効率は１０００００フォトン／ＭｅＶを超え、及びそのエネルギー分解能は非常に高く（２％程度）、物理的限界に近づく。その融点は低く（５３８℃）、単結晶成長に非常に好適であり、その結晶構造は斜方晶系である。ＣａＩ２：Ｅｕ及びＢａＩ２：Ｅｕはまた、非常に高い光収率を持つ。ＣａからＢａへの方向に共有結合性が増加する順番で、より重いアルカリ土類金属イオンを持つ組成物はより水に対して安定である。混合希土類ハロゲン化物Ｓｉ（１−ｎ）ＢａｎＩ２が使用され、値ｎは、０．０５＜ｎ＜０．１５の範囲に調節されて、温度の特定の範囲にわたる光出力の温度係数を低減させる。
【００３３】
前記シンチレーション材料は、湿度及び酸素を除去して粉末ハロゲン化物を物理的に混合し、前記混合物を石英アンプルに入れ、脱気して密閉した後、その融点から温度１５０から５０℃低い温度で加熱することで製造され得る。又は、その炭酸塩を対応するハロゲン化酸と、生成物の融点よりも１５０から５０℃低い温度で反応させることが可能である。他の技術もまたここに含まれる。ＣａＩ２、ＳｒＩ２及びＢａＩ２の単結晶は、ブリッジマン（Ｂｒｉｄｇｍａｎ）法により容易に成長させることができる。これは、前記最適光収率が必要とされる場合に必要である。この方法では、温度勾配が使用される。前記温度勾配は、前記温度が成長する単結晶の溶融温度に等しい温度である前記オーブン中の位置で最大となる。単結晶はまた、チョクラルスキー（Ｃｚｏｃｈｒａｌｓｋｉ）法により成長させることができる。
【００３４】
樹脂中に粉末化シンチレーターを混合することで形成される樹脂中のＣａＩ２：Ｅｕ，ＳｒＩ２：Ｅｕ又はＢａＩ２：Ｅｕを含むハロゲン化物を含む複合体シンチレーターでは、結晶成長は必要とされない。ＣａＩ２、ＳｒＩ２、ＢａＩ２又は化学的に混合された粉末中のＥｕ２＋活性化剤の均一分布を保証することは容易である。かかる複合体は、散乱や光吸収による光損失を示すが、かかる損失は、現在使用されるシンチレーターと比較してこれらのシンチレーターの非常に高い光収率により十分相殺して余りあるものである。さらに、前記複合体は、単結晶を望ましい形状及びサイズとするための機械加工を軽減する。実際、単結晶は非常に劈開しやすく；ＣａＩ２はその六方晶系構造により不透明化する傾向が大きい。
【００３５】
さらに、前記複合体シンチレーターは、ドクターブレード法又は印刷などの技術で構造化することができる。さらに、ＣａＩ２：Ｅｕ、ＳｒＩ２：Ｅｕ又はＢａＩ２：Ｅｕは吸湿性であり、それらをＣＴで使用可能とするためにそれらの結晶を切断し構造化するためには特別の条件下で注意をして加工を実施する必要がある。前記複合体では、切断は省略され得るし、構造化するために必要な場合には、前記μ結晶子がすでに前記樹脂中に埋め込まれている場合（即ち空気及び水分から保護されている）には、加工を実施することが可能である。さらには、前記水分のシンチレーター材料への影響は、さらに「ゲッター」材料を前記樹脂に添加することでさらに低減され得る。ＣａＯ又はＰ２Ｏ５（ともに白色材料）は水と強く反応し、前記シンチレーターμ結晶子を効果的に保護する。
【００３６】
上で説明したように、ＧＯＳ、ＺｎＳｅ：Ｔｅ、ＣａＩ２：Ｅｕ、ＳｒＩ２：Ｅｕ、ＢａＩ２：Ｅｕ、ＳｒＩ２などを含むシンチレーターは、シングル及びマルチエネルギー検出器を含むここで説明した検出器で使用され得る。図８及び９はＳｒＩ２系シンチレーターを持つ例を示す。図８は、セラミック又は結晶シンチレーターを用いるデュアルエネルギー（ダブルデッカー型）検出器リーフ８００の側面図、及び図９は、複合シンチレーターを用いるデュアルエネルギー（ダブルデッカー）検出器リーフ９００の側面図である。
【００３７】
図１０を参照して、例として、ＳｒＩ２、ＺｎＳｅ及びＧＯＳについてフォトンエネルギーの関数としてのＸ線吸収係数が示される。前記示される実施態様では、前記ｙ軸１００２は、Ｘ線吸収係数を単位ｃｍ−１で表し、及びｘ軸１００４はフォトンエネルギーを単位ｋｅＶで表す。最初の曲線１００６は、ＳｒＩ２のＸ線吸収係数を表し、第２の曲線１００８はＺｎＳｅのＸ線吸収係数を表し、第３の曲線１０１０はＧＯＳのＸは線吸収係数を表す。
【００３８】
図１０から、ＳｒＩ２の直線Ｘ線吸収係数はＺｎＳｅのそれに３０ｋｅＶまで従う。３０ｋｅＶと５０ｋｅＶの間は、ＳｒＩ２の前記直線Ｘ線吸収係数はＺｎＳｅと比較してずっと高く、及びまたＧＯＳよりもこれらの比較的軟Ｘ線を吸収することができ、これはヨウ素含有トレーサーへの応答を改善し得る。より高いフォトンエネルギーでは、前記ＳｒＩ２吸収は実質的にＧＯＳよりも小さくなり、より重元素のスペクトル分解を可能にする。
【００３９】
従って、全体のスペクトル分解能は、ＺｎＳｅの分解能と少なくとも同じ程度良好である。前記患者を通過した１２０ｋＶｐＸ線については、ＳｒＩ２の３００ミクロン厚さは、ＺｎＳｅの１ｍｍ厚さと等価なＸ線吸収である。
【００４０】
図８を参照して、前記デュアルエネルギースペクトルＣＴ検出器８００は、放射線シールド８０２、上部及び底部フォトダイオード８０４及び８０６を含む検出器アレイ８０３、ＭＩ２：Ｅｕ（Ｍ＝Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ）シンチレーション結晶を含む上部シンチレーター８０８を含むシンチレーターアレイ８０７を含む。前記結晶の高さは、前記シンチレーターの前記Ｘ線吸収に依存し、ＳｒＩ２：Ｅｕについて約３００ミクロンである。前記結晶は、前記コーティングは拡散防止添加剤ＳｉＯｘを含む反射白色コーティング８１０でコーティングされ、及び前記反射白色コーティング８１０でコーティングされたＧＯＳ：Ｐｒ、Ｃｅシンチレーション結晶底部シンチレーター８１２、及び前記底部シンチレーター８０８と８１２との間にアルミホイル８１４を設けてこれらの間の光学的混信を防止する。
【００４１】
ＳｒＩ２では、前記Ｘ線の影響の約半分を吸収するために最適厚さは僅か約０．３ｍｍである。従って、前記光を相対的に大きな面積を持つフォトダイオードに効果的に伝えるためのライトパイプを使用することが望ましい。好適なライトパイプ（図８には見えない）は米国特許出願第２０１０／０２２０８３３号（２０１０年５月１０日出願、発明の名称「スペクトルＣＴのための検出器アレイ」）に記載されており、この内容は参照されて本明細書に援用される。又は前記ライトパイプは、前記ＳｒＩ２層の下に配置され得る。この構造は前記最軟Ｘ線への感受性を低減し、従って、スペクトルコントラストを低減させるがまた、そうでなければ前記ＳｒＩ２を攻撃する水蒸気又は酸素の全ての方向への拡散に対する厚い固体バリアを提供することとなる。
【００４２】
図９を参照して、前記デュアルエネルギースペクトルＣＴ検出器９００は、放射線シールド９０２、上部及び底部フォトダイオード９０４及び９０６を含む検出器アレイ９０３、透明樹脂（ハロゲン化物密度に依存する高さを持ち、ＳｒＩ２では６．５ｍｍ）中にＭＩ２：Ｅｕ（Ｍ＝Ｃａ，Ｓｒ、Ｂａ）の大きな顆粒粉末２０％（質量で）を含む上部シンチレーター９０８、透明樹脂（高さ１０ｍｍ）中にＧＯＳ：Ｐｒ，Ｃｅの大きな顆粒粉末（例えば５μｍよりも大きい）を２０％（質量で）を含む底部シンチレーター９１０を含むシンチレーターアレイ９０７を含み、前記上部及び底部シンチレーター９０８と９１０の間にそれらの間の光学混信を防止するための２つの白色反射層の間にアルミニウムホイルの不透明反射層９１２を含む。前記シンチレーターが固定される側９１８に対向する、光センサーアレイ９０３の後側表面９１６は、白色反射性塗料や反射性金属性層などの反射層でコーティングされた白色反射を含む。
【００４３】
ＳｒＩ２が上部シンチレーター９０８で、透明樹脂（エポキシ又はメルカプタン樹脂、ＵＶ硬化性であるか硬化性でない）に分散された形で複合シンチレーターとして適用される場合には、好適なフォトダイオード領域は、ライトパイプを使用するよりも、それを１０から３０％、例えば２０％程度に希釈することで達成され得る。前記複合体はそれ自体ライトパイプを形成する。従って、０．３ｍｍの等価ＳｒＩ２高さについて、前記フォトダイオードは６．５ｍｍ高さであり得る。このことは二重に有利であり、というのはこの希釈で、前記光をまた、より高い濃度では大きな散乱を生じるであろう、前記１から１．５ｍｍ厚さ幅の複合体を通じて効果的に前記フォトダイオードの感受性表面に誘導されるからである。
【００４４】
同様にして、前記底部シンチレーター９１０は、ＧＯＳ複合体シンチレーターで形成され、これはまた、有利には、前記光学樹脂内に約２０％濃度（質量で）で分散されるＧＯＳ粉末を含み得る。かかる検出器の要素は従って、最初ＧＯＳ複合樹脂、及び次にＳｒＩ２複合樹脂を、前記２つの複合体の間に金属ホイルセパレータを持つ好適なテフロン（登録商標）金型内に前記フォトダイオードアレイの表面上に順次キャスティングすることで製造され得る。前記１．２ｍｍよりも大きな深さでキャストする必要があり得るが、これは前記キャピラリで形成される余分の材料を機械的に除去することを必要とする。
【００４５】
図１１はイメージング方法を示す。
【００４６】
１１０２では、Ｘ線放射が、ここで説明したイメージングシステム１００の放射線リーフ１１８の放射線感受性検出器により感知される。
【００４７】
１１０４で、前記Ｘ線が、前記放射線感受性検出器のシングル又はマルチエネルギーシンチレーターアレイにより、前記検出器された放射線を示す光フォトンへ変換される。
【００４８】
１１０６で、前記光フォトンは、前記放射線感受性検出器のシングル又はマルチ光センサーを介して検出される。
【００４９】
１１０８で、前記光フォトンは、前記光センサーにより、前記検出された放射線を示す電気シグナルへ変換される。
【００５０】
１１１０で、前記シグナルは、ここで説明したフレキシブルＰＣＢを介して前記検出器の処理電子回路へ伝達される。ここで説明されるように、前記フレキシブルＰＣＢは前記シンチレーターアレイの下に設けられ、放射線シールドの下に設けられている前記光センサー及び前記処置電子回路を電気的に接続する。
【００５１】
１１１２で、前記シグナルは、前記検出器の前記処理電子回路から前記検出器を離れてプロセッサーに送られる。
【００５２】
１１１４で、前記シグナルは再構成され、前記受けた放射線を示すボリュメトリック画像データを生成する。
【００５３】
ここまで本発明は好ましい実施態様を参照して説明された。当業者は、これまでの詳細な説明を読み理解することで変更及び修正に想到するであろう。本発明は、添付の特許請求の範囲又はその均等の範囲内に含まれる全てのこのような実施態様及び変更、修正を含むことを意図するものである。
【図１】
2014510902.tif 000003
【図２】
2014510902.tif 000004
【図３】
2014510902.tif 000005
【図４】
2014510902.tif 000006
【図５】
2014510902.tif 000007
【図６】
2014510902.tif 000008
【図７】
2014510902.tif 000009
【図８】
2014510902.tif 000010
【図９】
2014510902.tif 000011
【図１０】
2014510902.tif 000012
【図１１】
2014510902.tif 000013
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月6日(2013.8.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
放射線感受性垂直検出器アレイであり、前記検出器アレイが：
少なくとも１つの検出器リーフを含み、前記検出器リーフが：
少なくとも、放射線を受ける上部側、底部側及び後側を含むシンチレーターアレイと；
光感受性領域を含み、場合により前記シンチレーターアレイの前記後側に光学的に結合される、光センサー回路基板と；
前記シンチレーターアレイの下に設けられる処理電子回路と；
前記光感受性領域と前記処理電子回路と電気的に接続するフレキシブル回路基板と；及び
前記シンチレーターアレイの前記底部の下に、前記シンチレーター及び前記処理電子回路との間に設けられる放射線シールドを含み、それにより前記シンチレーターアレイを通過する残留放射線から前記処理回路を遮蔽する、検出器アレイ。
【請求項２】
請求項１に記載の検出器アレイであり、さらに：
放射線遮蔽材料を含む支持キャリアを含み、
前記光センサー回路基板が前記支持キャリアに固定的に設けられ、
衝突する放射線から前記光センサー回路基板を遮蔽し、
前記光センサー回路基板がさらに、シグナル伝達領域を含み、及び前記フレキシブル回路が第１及び第２の区分を含み、及び
前記フレキシブル回路の第１の区分が、前記シグナル伝達領域に固定的に設けられ、前記フレキシブル回路の支持領域が、前記支持キャリアにより可動に支持される、検出器アレイ。
【請求項３】
請求項２に記載の検出器アレイであり、前記フレキシブル回路基板がさらに：
前記キャリアに対して一般的に垂直に、前記フレキシブル回路の支持領域から伸び、及び前記シンチレーターアレイの底部へその下に一般的に平行に伸びる第１の区分を含み；及び
前記第１の区分から前記シンチレーターアレイの底部へ向かって一般的に垂直に、かつ前記キャリアに対して一般的に平行に伸びる、第２の区分を含み、
前記処理電子回路が前記フレキシブル回路基板の前記第１の区分の下に配置される、検出器アレイ。
【請求項４】
請求項３に記載の検出器アレイであり、さらに：
前記フレキシブル回路基板により担持される保持装置を含み、
前記保持装置が、検出器タイルの１つ又は複数の検出器アレイに対して前記検出器アレイを整列するための少なくとも１つの整列孔を含む、検出器アレイ。
【請求項５】
請求項４に記載の検出器アレイであり、
前記支持領域、前記フレキシブル回路基板の前記第１の区分及び前記第２の区分が、支持領域を形成し、前記保持装置が前記支持領域内に確保され、かつ前記処理電子回路の上に配置される、検出器アレイ。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項に記載の検出器アレイであり、前記シンチレーターアレイが、ガドリニウムオキシサルフィドを含む、検出器アレイ。
【請求項７】
請求項１乃至５のいずれか一項に記載の検出器アレイであり、前記シンチレーターアレイが：亜鉛セレニドを含む上部シンチレーターアレイ；及び前記上部シンチレーターアレイの下に配置され、かつガドリニウムオキシサルファイドを含む少なくとも１つの他のシンチレーターアレイを含む、検出器アレイ。
【請求項８】
請求項１乃至５のいずれか一項に記載の検出器アレイであり、前記シンチレーターアレイが：ハロゲン化物シンチレーション材料を含む上部シンチレーターアレイ；及び前記上部シンチレーターアレイの下に配置され、かつガドリニウムオキシサルファイドを含む少なくとも１つの他のシンチレーターアレイを含む、検出器アレイ。
【請求項９】
請求項８に記載の検出器アレイであり、前記上部シンチレーターアレイが、セラミック又は結晶シンチレーターを含む、検出器アレイ。
【請求項１０】
請求項８に記載の検出器アレイであり、前記上部シンチレーターアレイが、複合体シンチレーターを含む、検出器アレイ。
【請求項１１】
請求項８乃至１０のいずれか一項に記載の検出器アレイであり、前記ハロゲン化物シンチレーション材料が、ヨウ化カルシウム、ヨウ化ストロンチウム又はヨウ化バリウムの少なくとも１つを含む、検出器アレイ。
【請求項１２】
請求項８乃至１１のいずれか一項に記載の検出器アレイであり、前記ハロゲン化物がユーロピウムでドープされている、検出器アレイ。
【請求項１３】
方法であり、前記方法は：
イメージングシステムの検出器アレイの少なくとも１つの検出器リーフにより放射線を検出することを含み、前記検出器リーフが：
少なくとも、放射線を受ける上部側、底部側及び後側を含むシンチレーターアレイと；
光感受性領域を含み、場合により前記シンチレーターアレイの後側と光学的に結合される、光センサー回路基板と；
前記シンチレーターアレイの下に配置される処理電子回路と；
前記光感受性領域及び前記処理回路とを電気的に接続するフレキシブル回路基板と；及び
前記シンチレーターアレイの下、前記シンチレーター及び前記処理電子回路との間に設けられる、放射線シールドを含み、
それにより前記シンチレーターアレイを通過する残留放射線から前記処理電子回路を遮蔽し；
前記検出放射線を示すシグナルを生成し；及び
前記シグナルを再構成して、ボリュメトリック画像データを生成する、方法。
【請求項１４】
請求項１３に記載の方法であり、前記シンチレーターアレイが、ユーロピウムドープヨウ化カルシウム、ユーロピウムドープヨウ化ストロンチウム、ユーロピウムドープヨウ化バリウム又は非ドープヨウ化ストロンチウムシンチレーション材料の少なくとも１つを含む、方法。
【請求項１５】
請求項１３乃至１４のいずれか一項に記載の方法であり、前記シンチレーターアレイが、セラミック、結晶シンチレーター又は複合体シンチレーターの少なくとも１つを含む、方法。
【国際調査報告】
2014510902.tif 000014
2014510902.tif 000015
2014510902.tif 000016
2014510902.tif 000017