(57)【要約】  開示は溶融半導体材料を入れるように構成された容器に関する。容器は、内容積を定める底及び側壁を有する高純度石英ガラス内張り槽及び、内張り層の外表面に近接している、石英ガラス裏打ち槽を有する。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
溶融半導体材料を入れるように構成された容器において、前記容器が、
第１の石英ガラスを含む内張り槽であって、内容積を定める底及び側壁を有する内張り槽、
及び
前記内張り槽の外表面に近接している、第２の石英ガラスを含む裏打ち槽、
を有し、
前記内張り槽は１００ｐｐｂｗ以下の総不純物含有量を有する、及び
前記第１の石英ガラスの多孔度は前記第２の石英ガラスの多孔度より小さい、
ことを特徴とする容器。
【請求項２】
前記第１の石英ガラスが、３０ｐｐｂｗ以下のアルカリ金属、１０ｐｐｂｗ以下のアルカリ土類金属、１ｐｐｂｗ以下の鉄族金属、０.０５ｐｐｂｗ以下の耐火金属、０.０５ｐｐｂｗ以下の貴金属、及び０.０５ｐｐｂｗ以下の希土類金属の不純物含有量を有することを特徴とする請求項１に記載の容器。
【請求項３】
前記第１の石英ガラスが１０００ｐｐｍ以下の水を含むことを特徴とする請求項１に記載の容器。
【請求項４】
前記第１の石英ガラスが５体積％以下の総多孔度を有することを特徴とする請求項１に記載の容器。
【請求項５】
前記第２の石英ガラスが８０体積％以下の総多孔度を有することを特徴とする請求項１に記載の容器。
【発明の詳細な説明】
【関連出願の説明】
【０００１】
本出願は２０１１年４月２５日に出願された米国特許出願第１３/０９３３３６号の米国特許法第１２０条の下の優先権の恩典を主張する。本明細書は上記出願の明細書の内容に依存し、上記出願の明細書の内容はその全体が本明細書に参照として含められる。
【技術分野】
【０００２】
本開示は全般には溶融半導体材料を入れるように構成された容器に関し、さらに詳しくは、緻密で高純度の内張り槽及び内張り槽を支持することができる多孔質で断熱性の裏打ち槽を有する容器に関する。本開示の実施形態はそのような容器の作製方法にも関する。
【背景技術】
【０００３】
半導体材料は様々な用途に用いられ、例えば、光発電素子のような、電子デバイスに組み入れられる。光発電素子は光起電力効果によって光放射を電気エネルギーに変換する。
【０００４】
半導体材料の特性は、結晶構造、固有欠陥の濃度及びタイプ、並びにドーパント及びその他の不純物の存在及び分布を含む、様々な要因に依存し得る。半導体材料内の、例えば結晶粒径及び粒径分布は得られるフェバイスの性能に大きな影響を与え得る。例として、導電度、したがって太陽電池のような半導体ベースデバイスの総合効率は、一般に、粒径が大きくまた一様になるほど向上するであろう。
【０００５】
シリコンベースデバイスのため、シリコンは様々な技法を用いて形成することができる。例には、インゴット、シートまたはリボンとして形成されたシリコンがある。シリコンは下層基板で支持することができ、あるいは無支持とすることができる。
【０００６】
無支持単結晶半導体材料は、例えば、チョクラルスキー法またはブリッジマン法で作製することができる。しかしそのようなバルク法では不利なことに、材料を切り分けて薄いシートまたはウエハにするときに、かなりの切り代損が生じ得る。無支持多結晶半導体材料を作製することができる別の方法には、電磁鋳造法及び、リボン成長法を含む、直接最終形状シート成長法がある。しかし、これらの手法には低速で高費用になる傾向がある。シリコンリボン成長法を用いて作製される多結晶シリコンリボンは、一般に約１〜２ｃｍ/分の速度でしか形成されない。
【０００７】
支持型半導体材料シートはそれほど費用をかけずに作成され得るが、半導体材料シートは半導体材料シートがその上に形成される基板による制限を受けることが有り、基板は、対立し得る、様々なプロセス及び用途の要件を満たさなければならないことがあり得る。
【０００８】
多結晶半導体材料を作製するための方法は。共通に所有される米国特許出願第１２/４６６１４３号及び米国特許出願第１２/３９４６０８号の明細書（それぞれ、特許文献１及び２）に開示されている。これらの文献の開示は本明細書に参照として含められる。これらの文献の開示は全般に、溶融半導体材料内に浸漬される鋳型の外表面を覆って固体半導体材料槽が形成される、多結晶半導体材料を形成するためのエキソキャスティング法に関する。溶融半導体材料は一般に耐熱容器内に入れられる。
【０００９】
様々な用途において、容器は、高温において機械的及び化学的に安定であり、断熱性であって、特に溶融半導体材料に接触する内表面において、高純度を有することができる。いくつかの作製法において、溶融半導体材料は１４００℃をこえる温度に加熱され得る。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】米国特許出願第１２/４６６１４３号明細書
【特許文献２】米国特許出願第１２/３９４６０８号明細書
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【００１１】
溶融半導体材料を入れることができる容器が本明細書に開示される。容器は、例えば、容器の温度安定性、純度及び／または断熱特性で、特徴を表すことができる。しかし、それぞれの実施形態において、そのような温度安定性、純度及び／または断熱特性は多かれ少なかれ存在することができ、あるいは全く存在しないことがあり得る。開示される実施形態のそれぞれは本開示の範囲内にあるとされる。
【００１２】
溶融半導体材料を入れるように構成された容器は、
第１の石英ガラスを含む内張り槽であって、内容積を定める底及び側壁を有する内張り槽、及びその内張り槽の外表面に近接する第２の石英ガラスを含む多孔質裏打ち槽、
を有する。内張り槽は高純度材料を含み、１００ｐｐｂｗ以下の不純物含有量を有する。実施形態において、裏打ち槽に組み込まれる石英ガラスは内張り槽に組み込まれる石英ガラスほど緻密ではない（すなわち、内張り槽より多孔質である）。
【００１３】
本開示はそのような容器を作製する方法にも関する。方法の一例において、容器は第１の石英ガラスを含む内張り槽を形成することによって作製することができ、内張り槽は内容積を定める底及び側壁を有する。第２の石英ガラスを含む裏打ち槽を内張り槽の外表面に近接して形成することができ、裏打ち槽は内張り槽を支持することができる。開示される方法において、内張り槽は１００ｐｐｂｗ以下の総不純物含有量を有し、裏打ち槽より緻密である（すなわち、裏打ち槽ほど多孔質ではない）。
【００１４】
本開示のさらなる目的及び利点は、ある程度は以下の説明に述べられ、ある程度はその説明から明らかであろうし、本開示の実施によって習得することができるであろう。本開示の目的及び利点は添付される特許請求の範囲において特に指摘される要素及び組合せを用いて実現され、達成されるであろう。
【００１５】
上述の全般的説明及び以下の詳細の説明のいずれもが例示及び説明に過ぎず、特許請求の範囲を制限するものではないことは当然である。本明細書に組み入れられて本明細書の一部をなす添付図面は、本開示の提示実施形態を示し、記述とともに本明細書に説明される原理の説明に役立つ。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】図１は一実施形態例にしたがう容器の斜視図である。
【図２】図２は別の実施形態例にしたがう容器の側面図である。
【図３】図３は図２の線３−３に沿う容器の断面図である。
【図４】図４はまた別の実施形態例にしたがう容器の側面図である。
【図５】図５は一実施形態にしたがう副内張り層を有する容器の側面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
容器は、溶融シリコンのような、溶融半導体材料を入れるように構成され、溶融半導体材料が容器内に入れられている間、溶融半導体材料の加熱を可能にするために用いられる。容器は第１の石英ガラス材料の内張り層及び、内張り槽の外表面に近接する、第２の石英ガラス材料の裏打ち槽を有する。内張り槽は溶融半導体材料を入れるように適合された内容積を定める底及び側壁を有し、総不純物含有量が１００ｐｐｂｗ以下で総多孔度が裏打ち槽の多孔度より小さい、緻密で高純度の材料を含む。
【００１８】
本明細書で用いられるように、術語「半導体材料」は、例えば、シリコン、ゲルマニウム及びヒ化ガリウム、またこれらの合金及び組合せのような、半導体特性を示すいずれの材料も含む。
【００１９】
図１は一実施形態例にしたがう容器１０の斜視図である。図２は容器１０の側面図。図３は図２の線３−３に沿う容器１０の側断面図である。例として、容器１０は、例えば約１４５０℃に加熱された溶融シリコンを入れることができる、るつぼとすることができる。様々な実施形態において、容器は溶融半導体材料に対する断熱を提供することができ、断熱は、融液を形成し、維持するために用いられるエネルギーの効率的投入を容易にすることができる。
【００２０】
図２に見られるように、容器１０は内張り槽１２及び内張り槽１２の外表面に近接している裏打ち槽１４を有する。内張り槽１２は、協働して内容積３０を定める、側壁１６及び底１８を有する。内容積３０は溶融半導体材料２０を入れることができ、内張り槽１２の内表面は溶融半導体材料２０と物理的に直接接触している。
【００２１】
内張り槽は一体部品で形成することができ、あるいは相互に接合される個別部品で形成することができる。一例として、側壁１６は単一セグメントを含むことができ、あるいは相互に接合されて三次元構造を定める複数の真っ直ぐであるか湾曲しているセグメントを含むことができる。別の実施形態において、側壁１６は、正方形、長方形、円形または長円形の断面を有する、三次元形状を定めることができる。底１８は内張り槽１２を形成するために側壁に接合することができる。
【００２２】
内張り槽１２は、溶融半導体材料との直接接触を可能にする、高純度で緻密な材料で形成することができる。様々な実施形態において、内張り槽１２は高純度石英ガラスで形成される。総不純物含有量が少ない石英ガラスで内張り槽１２を形成することにより、溶融半導体材料への不純物の取込みを最小限に抑えることができる。
【００２３】
実施形態において、内張り槽１２の総不純物含有量は重量にして１０億分の１単位（ｐｐｂｗ）で１００以下とすることができる。他の実施形態において、内張り槽１２の総不純物含有量は５０ｐｐｂｗ未満とすることができる。
【００２４】
存在し得る様々な不純物に関し、内張り層を形成するために用いられる石英ガラスは、独立にまたはいずれかの組合せで、最大総濃度が３０ｐｐｂｗのアルカリ金属、１０ｐｐｂｗのアルカリ土類金属、１ｐｐｂｗの鉄族金属、０.０５ｐｐｂｗの耐火金属、０.０５ｐｐｂｗの貴金属及び０.０５ｐｐｂｗの希土類金属を有することができる。
【００２５】
アルカリ金属にはリチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム及びセシウムがある。アルカリ土類金属にはマグネシウム、カルシウム、ストロンチウム及びバリウムがある。耐火金属にはチタン、バナジウム、ジルコニウム、ニオブ、モリブデン、ハフニウム、タンタル、タングステン及びレニウムを含めることができる。鉄族金属にはクロム、マンガン、鉄及びコバルトがある。貴金属にはルテニウム、ロジウム、パラジウム、銀、オスミウム、イリジウム、白金及び金がある。希土類金属にはスカンジウム、イットリウム、ランタン、セリウム、プラセオジム、ネオジム、サマリウム、ユーロピウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウム及びルテチウムがある。
【００２６】
内張り槽１２はアルミナ及び酸化ホウ素の少なくとも１つを含むことができる。アルミナ及び／または酸化ホウ素は、アルカリ金属のような不純物に対するトラップを形成し、よって内張り槽から溶融半導体材料へのそのような不純物の拡散を阻止するために、内張り槽に添加することができる。アルミナ及び酸化ホウ素は内張り槽１２の石英ガラスに、アルミニウム原子またはホウ素原子のそれぞれについて０〜１００ｐｐｂｗの濃度で取り入れることができる。
【００２７】
内張り槽材料は重量にして１００万分の１の単位（ｐｐｍｗ）で１０００以下の水を含むことができる。水の存在は石英ガラスの粘度を低下させることができ、このため溶融半導体材料２０の加熱中の内張り槽１２の流動またはクリープが可能になる。内張り槽の粘度は１４００℃において１０８ポアズ（１０７Ｐａ・秒）より大きくすることができる。実施形態において、内張り槽は、歪点が少なくとも８５０℃、アニール点が少なくとも１０００℃、軟化点が少なくとも１４９０℃の石英ガラスを含むことができる。
【００２８】
実施形態において、内張り槽は緻密であるかまたは実質的に緻密な石英ガラスを含む。内張り槽は５体積％未満の総多孔度（例えば、５，２.５，１，０.５または０.１体積％未満の多孔度）を有することができる。低多孔度の結果、比較的平滑な内表面４２を得ることができる。平滑な内容面は、内張り槽から溶融半導体材料内に拡散する不純物の数を制限することができる、粗い内表面４２よりも小さい内張り材料の表面積を溶融半導体材料２０に提供するであろう。緻密で多孔度が低い内張り槽は、裏打ち槽１４から溶融半導体層内への不純物の拡散を阻止または防止するための拡散バリアとしてはたらくこともできる。実施形態において、内張り槽１２の内表面４２は、５００μｍ×５００μｍの面積にわたり、約１００ｎｍより小さい（例えば、１００，５０，２５，１０，２.５，１．０.５または０.１ｎｍより小さい）二乗平均（ＲＭＳ）粗さを有することができる。
【００２９】
別の実施形態において、内張り槽１２の外表面４４は内表面の表面粗さより大きな表面粗さを有することができる。外表面の粗さが大きくなるほど、内張り槽の断熱特性が向上し得る。
【００３０】
内張り槽の内表面４２は実質的に無混在物とすることができる。表面近傍領域内（例えば、内張り槽の内表面から深さ０〜２ｍｍ）の混在物レベルは２混在物/ｃｍ３未満（例えば、２，１または０.５混在物/ｃｍ３未満）とすることができる。別の実施形態にしたがえば、内張り槽に見られるいかなる混在物も５００μｍの最大径（例えば１００，２００，３００，４００または５００μｍまでの最大径）を有することができる。
【００３１】
様々な実施形態において、内張り槽１２の側壁１６は約１ｍｍから約８ｍｍの範囲の厚さを有することができる。例えば、側壁１６は約２ｍｍから約５ｍｍの範囲の厚さを有することができる。少なくとも１ｍｍの厚さを有する内張り槽側壁は溶融半導体材料２０を支持するに十分な構造一体性を与えることができ、溶融半導体材料にさらされることによる側壁１６の浸蝕によるある程度の材料減損を受け入れるに十分な材料も提供することができる。他方で、内張り槽側壁の厚さを８ｍｍまでに制限することにより、外部加熱素子と溶融半導体材料の間の効率的なエネルギー結合を維持することができる。内張り槽の底は約１ｍｍから約８ｍｍ（例えば約２〜５ｍｍ）の範囲の厚さを有することができる。
【００３２】
様々な実施形態において、内張り槽１２の側壁１６及び底１８は丸められたエッジにおいて交わる。例えば、溶融半導体材料を加熱するために無線周波数エネルギー源が用いられる実施形態においては、容器内の鋭いエッジまたは直角のコーナーの存在を最小限に抑えることが有益であり得る。例として、内張り槽の側壁と底は、少なくとも約２ｍｍ（例えば２〜５ｍｍ）の曲率半径を有する、丸められた内側エッジ５２を形成するように交わることができる。
【００３３】
内張り槽１２は、内張り槽１２に近接して配され、内張り槽１２と直接接触することができるかあるいは内張り槽から空隙で隔てられ得る、裏打ち槽１４に面する外表面４４を有する。内張りの幾分かが裏打ち槽から空隙で隔てられ、内張り槽の幾分かが裏打ち槽と物理的に接触することがあり得る。
【００３４】
裏打ち槽１４は一体部品を含むことができ、あるいは複数の個別側壁セグメント２２から形成することができる。例えば、図２に示されるように、裏打ち槽１４は相互に接合され、内張り槽を横から包み込むように構成された、複数のセグメント２２を有することができる。裏打ち槽１４は、側壁２２が必要に応じて接合される底２４も有する。
【００３５】
裏打ち槽１４は、溶融半導体材料２０への不純物移動を最小限に抑えるため、最小限の不純物を有する材料を含むことができる。様々な実施形態において、裏打ち槽１４は石英ガラスを含むことができる。しかし、裏打ち槽は溶融半導体材料と直接接触することはないから、裏打ち槽１４の石英ガラスは内張り槽１２を形成する石英ガラスの不純物含有量より多い不純物含有量を有することができる。様々な実施形態において、裏打ち槽１４内の総不純物含有量は、例えば１ｐｐｍｗ以下のような、１０ｐｐｍｗ以下とすることができる。
【００３６】
裏打ち槽１４は必要に応じてアルミナまたは酸化ホウ素を含有することができる。内張り槽１２と同様に、アルミナ及び／または酸化ホウ素はアルカリ金属のような不純物に対するトラップを形成し、よって溶融半導体材料への内張り槽からのそのような不純物の拡散を阻止するために、裏打ち槽に取り込むことができる。そのようなシンクまたはトラップは裏打ち槽１４から内張り槽１２への不純物の拡散を最小限に抑えることができる。
【００３７】
アルミナは、例えば１００ｐｐｂｗと２０重量％の間のアルミニウム原子濃度で裏打ち槽の石英ガラスに取り入れることができる。酸化ホウ素は、たとえば１００ｐｐｂｗと１重量％の間のホウ素原子濃度で裏打ち槽の石英ガラスに取り入れることができる。裏打ち槽へのアルミナの添加は、少なくともいくつかの実施形態例において、酸化ホウ素の添加よりも、酸化ホウ素は裏打ち槽の粘度を望ましくないほど減少させ得るから、好ましいであろう。
【００３８】
様々な実施形態において、裏打ち槽材料の密度は内張り槽材料の密度より低くすることができる。同様の意味合いにおいて、裏打ち槽の多孔度は内張り槽の多孔度より高くすることができる。例えば、裏打ち槽の多孔度は５〜８０体積％の範囲（例えば、５，１０，２０，３０，４０，５０，６０，７０または８０体積％未満）とすることができる。いくつかの実施形態において、裏打ち槽の多孔度が高くなるほど、溶融半導体材料の加熱中の、内張り槽を、また内張り槽に入れられている溶融半導体材料も、一層効率的に断熱することができる。
【００３９】
溶融半導体材料を加熱し、溶融半導体材料を溶融状態に維持するため、ＲＦ誘導コイルのような、加熱素子５０を裏打ち槽１４の外表面に近接して配置することができる。理論にはこだわらず、溶融半導体材料へのＲＦエネルギーの効率的結合を促進するためには、ＲＦコイルを可能な限り溶融半導体材料の近くに配置すべきである。すなわち、内張り槽及び裏打ち槽の側壁のそれぞれの厚さを含む、容器の総厚を最小限に抑えることが望ましいはずである。
【００４０】
様々な実施形態において、裏打ち槽１４の側壁２２は約２０ｍｍ以下の厚さを有することができる。加熱素子５０からのエネルギーが容器１０内の溶融半導体材料２０に効率的に結合され得るように、内張り槽１２の側壁１６と裏打ち槽１４の側壁２２の複合厚は、いくつかの実施形態において、約２０ｍｍ以下とすることができる。
【００４１】
図２及び３に示されるように、内張り槽１２の外表面と裏打ち槽１４の内表面の間に物理的空隙４０を定めることができる。空隙は約０ｍｍから３ｍｍの範囲の幅を有することができる。空隙幅は一定とすることができ、あるいは、いくつかの実施形態において空隙幅は場所によって変わり得る。内張り槽の外表面と裏打ち槽の内表面の間の測定可能な空隙により、いくつかの実施形態において内張り槽が裏打ち槽に挿入され得ることが保証される。集成されると、内張り槽の外表面は裏打ち槽の内表面に対して実質的に平行になり得る。集成容器において、内張り槽の底は裏打ち槽の底に（例えば認め得る空隙無しに）物理的に接触することができる。
【００４２】
容器の使用時に、溶融半導体材料２０が容器内に入れられると、側壁間（例えば内張り槽の外側壁と裏打ち槽の内側壁の間）の空隙幅は、石英ガラス材料の変形またはクリープにより、内張り槽１２の外表面と裏打ち槽１４の内表面の間の特定の場所で小さくまたは大きくなり得る。
【００４３】
様々な実施形態例において、図５に示されるように、必要に応じて１つ以上の中間内張り槽６０を内張り槽１２と裏打ち槽１４の間に組み込むことができる。用いられれば、中間内張り槽６０は溶融半導体材料２０内の不純物を最小限に抑えることができ、及び／または溶融半導体材料２０に断熱を与えることができる。中間内張り槽６０は、石英ガラスを含むことができ、内張り槽１２及び裏打ち槽１４の一方または両方と物理的に接触することもしないこともあり得る。
【００４４】
本開示の別の実施形態は開示される容器を作製するための方法に関する。容器１０は内張り槽の外表面に近接して裏打ち槽１４を配することで形成することができる。内張り槽は、例えば、先に形成された内張り槽セグメント（例えば円筒形側壁及び底）を集成することによって形成することができる。裏打ち槽は、例えば、一体部品を鋳込成形によるか、または先に形成された（例えば鋳込成形された）裏打ち槽セグメントを、内張り槽を収納するように構成された、所望の形状に集成することによって、形成することができる。
【００４５】
内張り槽及び裏打ち槽はいずれも、互いに独立に、一体部品として形成することができる。内張り槽及び／または裏打ち槽が一体部品として形成される実施形態において、それぞれは、例えば、それぞれの部品を形成するために用いられる材料（例えば石英ガラス）の中実体をフライス切削またはウオータージェット切削することによって形成することができる。
【００４６】
一方法例において、内張り槽１４と裏打ち槽１６は個別に集成し、次いで相互に合わせ込むことができる。例えば、前もって集成された内張り槽をあらかじめ集成された裏打ち槽内に滑らせて嵌め込むことができる。別の方法例において、内張り槽１４を集成することができ、次いで、内張り槽の外表面に近接して裏打ち槽１６を配置するプロセス中に、裏打ち槽１６を集成することができる。例えば、裏打ち槽１６は、それぞれが内張り槽の外表面に合わせ込まれるように集成し合わせられる、複数の裏打ち槽セグメントを含むことができる。必要に応じて、内張り槽と裏打ち槽の間に空隙を定めることができる。
【００４７】
別の方法において、内張り槽及び裏打ち槽はそれぞれ２つ以上のそれぞれのセグメントから集成することができる。内張り槽または裏打ち槽を形成するために用いられるセグメントを結合し、次いで、例えばセグメントを全体的のまたは（例えばセグメントが交わる場所を）局所的に加熱してセグメントを相互に融着することにより、接合することができる。セグメントは、例えばセグメントを結合して保持し、セグメントの少なくとも一部を適する温度に適する時間加熱することによるような、既知のいずれかの方法によって融着することができる。
【００４８】
個別セグメントの融着接合は、温度、時間、接合中のセグメントに印加される力並びに接合されるべき界面の純度及び仕上げに依存し得る。融着接合温度は５００℃から１５５０℃の範囲（例えば、５００，７８０，１０００，１２５０，１５００または１５５０℃）とすることができ、融着接合時間は１秒から１週間の範囲とすることができる。融着接合温度は、融着接合を形成するに十分に高いが、加熱部分の望ましくない変形または垂下をおこすほど高くはない温度とすべきである。
【００４９】
実施形態において、接合されるべき界面は、溶融半導体材料のいかなる漏れも許さない融着接合を促進するため、研磨することができる。清浄な表面を提供することによって、（エアポケットまたは未接合材料区画を有する界面のような）不完全であるかまたは無効な融着接合を回避することができる。接合されるべき表面の研磨は全ての実施形態において要求されるとは限らないが、少なくともいくつかの実施形態において、研磨は一つのセグメントを別のセグメントに接合するに必要な温度を下げることができる。
【００５０】
集成の前または後に、ただし使用の前に、内張り槽及び／または裏打ち槽は、屑またはその他の表面汚染物を除去するため、酸エッチングによるようなクリーニングを施すことができる。実施形態において、個別セグメントの融着接合に先立って内張り槽または裏打ち槽が酸エッチングされる場合、接合されるべき表面にかけて、それぞれの表面を酸エッチングから保護するために、ポリマー層のような、保護膜を形成することができる。
【００５１】
別途に言明されない限り、本明細書に開示される方法は定まった連続工程として解されるべきではなく、挙げられた作業は当業者には知られているであろうようにいかなる順序でも含まれ得る。いくつかの開示された工程は必要に応じて省くことも、あるいは挙げられていない工程を追加することもでき、それでも本開示の範囲内にあり得る。
【００５２】
別途に示されない限り、本明細書及び特許請求の範囲に用いられる全ての数字は、そのように言明されているかいないかにかかわらず、全ての場合において語「約」で修飾されていることは当然である。本明細書及び特許請求の範囲に用いられる精確な数値は本発明の別の実施形態を形成することも当然である。
【００５３】
本明細書に用いられるように、‘the’，‘a’，または‘an’の使用は「少なくとも１つ」を意味し、そうではないことが明白に示されない限り、「１つだけ」に限定されるべきではない。したがって、例えば、‘the side’または‘sides’の使用は少なくとも１つの‘side’を意味することが意図されている。
【００５４】
本明細書における叙述は、特定の態様で機能するように「構成」または「適合」されている本発明のコンポーネントに言及していることにも注意されたい。この点に関し、そのようなコンポーネントは、特定の特性を具現化するかまたは特定の態様で機能するように「構成」または「適合」されており、そのような叙述は、目的用途の叙述に対するものとしての、構造の叙述である。さらに詳しくは、コンポーネントが「構成」または「適合」されている態様への本明細書における言及は、そのコンポーネントの実存する物理的状態を表し、したがって、そのコンポーネントの構造的特徴の有限定された叙述としてとられるべきである。
【００５５】
本発明の精神及び範囲を逸脱することなく本発明に様々な改変及び変形がなされ得ることが当業者には明らかであろう。本発明の精神及び本質を組み入れている開示された実施形態の改変組合せ、副組合せ及び変形が当業者には浮かび得るであろうから、本発明は添付される特許請求項及びそれらの等価形態の範囲内に全てを含むと解されるべきである。
【００５６】
当業者には本明細書の考察及び本明細書に開示される本明細書の実施から本発明の他の実施形態が明らかであろう。本明細書及び例は例示に過ぎないと見なされるべきであるとされ、本発明の真の範囲は特許請求の範囲によって示されている。
【符号の説明】
【００５７】
１０    容器
１２    内張り槽
１４    裏打ち槽
１６    内張り槽側壁
１８    内張り槽底
２０    溶融半導体材料
２２    裏打ち槽側壁セグメント
２４    裏打ち槽底
３０    内張り槽内容積
４２    内張り槽内表面
４４    内張り槽外表面
５０    加熱素子
６０    中間内張り槽
【図１】
2014513033.tif 000003
【図２】
2014513033.tif 000004
【図３】
2014513033.tif 000005
【図４】
2014513033.tif 000006
【図５】
2014513033.tif 000007
【国際調査報告】
2014513033.tif 000008
2014513033.tif 000009
2014513033.tif 000010