(57)【要約】【課題】ガラスを他のシステムに再適合するかまたは輸送することなく２つの軸に沿って切断することを可能にすることによって、処理量を改善する。【解決手段】基板を支持する処理表面に面する取付上部、少なくとも１つのレーザ源、取付上部によって規定されるそれぞれの垂直面上の取付上部上の第一の切断装置と第二の切断装置を有し、各切断装置は、基板の表面上の涙状の形状を有するレーザを生成するためのアセンブリ、基板の表面上に冷却霧を放出するノズル、レーザ加熱ビームによって規定される切断軸に沿って位置されるノズル、切断方向において生成手段の次に位置されるノズル、切断方向においてノズルの次に位置される真空ピックアップ、切断軸に沿った基板表面上のレーザ加熱スポットを生成し、切断方向に沿って真空ピックアップの次に位置される再加熱アセンブリから構成される。【選択図】図３
2014504249.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板のレーザ熱処理のための直角に集積された切断装置であって、前記装置は、
前記基板を支持する処理表面に面する取付上部と、
少なくとも１つのレーザ源と、
前記取付上部によって規定されるそれぞれの垂直面上の前記取付上部に取付けられた第一の切断装置及び第二の切断装置であって、前記垂直面は前記処理表面に直角である第一の切断装置及び第二の切断装置と、
前記第一の切断装置を使用して前記基板を処理するように前記第一の切断装置の前記切断軸に沿って前記取付上部と前記処理面の一つを移動させるために駆動する第一のモータと、
前記第二の切断装置を使用して前記基板を処理するように前記第二の切断装置の前記切断軸に沿って前記取付上部と前記処理面の一つを移動させるために駆動する第二のモータと、
制御器とから構成され、
前記第一及び第二の切断装置は、それぞれ、
前記基板の表面上に涙状の形状を有するレーザ加熱ビームを生成するアセンブリ、
前記基板の前記表面上に冷却霧を噴出するノズルであって、前記レーザ加熱ビームによって規定される切断軸に沿って位置し、前記切断軸に沿った切断方向において前記アセンブリの次に位置するノズル、
前記冷却霧を真空にひく真空ピックアップであって、前記切断軸に沿って、前記切断方向において前記ノズルの次に位置する真空ピックアップ、
前記切断軸に沿って前記基板表面上のレーザ加熱スポットを生成する再加熱アセンブリであって、前記切断方向において前記真空ピックアップの次に位置される前記再加熱アセンブリ、から構成され、
前記制御器は、
前記第一のモータが駆動している間前記第一の切断装置を制御し、
前記第二のモータが駆動している間前記第二の切断装置を制御し、
少なくとも一つのレーザ源を制御して前記アセンブリにレーザエネルギを供給し、前記第一の切断装置及び前記第二の切断装置のどちらかの再加熱アセンブリが制御される、ことを特徴とする基板のレーザ熱処理のための直角に集積された切断装置。
【請求項２】
前記取付上部は前記第一の切断装置の切断軸及び第二の切断装置の切断軸に沿って移動する構台に取付けられていることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の装置であって、
前記第一の切断装置のアセンブリは、前記第一の切断装置の前記切断軸に沿って前記レーザ加熱ビームを生成する少なくとも一つの検流計及びレンズから構成され、前記レンズは前記少なくとも一つの検流計と前記処理表面の間に位置し、前記第二の切断装置のアセンブリは、前記第二の切断装置の前記切断軸に沿って前記レーザ加熱ビームを生成する少なくとも一つの検流計及びレンズから構成され、前記レンズは前記少なくとも一つの検流計と前記処理表面の間に位置し、前記請求項１又は２に記載の装置は、さらに、
前記検流計を収容する検流計ブロックと、
前記処理表面に面する前記検流計ブロックの表面に取付けられた前記レンズから構成されることを特徴とする請求項２に記載の装置。
【請求項４】
前記レンズは、Ｆ−θスキャンレンズであることを特徴とする請求項３に記載の装置。
【請求項５】
前記第一の切断装置の前記少なくとも一つの検流計及び前記第二の切断装置の前記少なくとも一つの検流計は、一対の検流計から構成されることを特徴とする請求項３に記載の装置。
【請求項６】
前記各アセンブリは、
レーザエネルギを前記少なくとも一つのレーザ源から第二の鏡に向けるように配列された第一の鏡と、
前記レーザエネルギを前記第一の鏡からレーザ焦点調整補助器に向けるように配列された前記第二の鏡と、
前記第二の鏡からの前記レーザエネルギを使用して、前記基板の前記表面に前記レーザ加熱ビームを向ける前記焦点調整補助器とから構成される請求項１又は２に記載の装置。
【請求項７】
前記第一のモータが、
前記少なくとも一つのレーザ源を使用して前記第一の切断装置の前記アセンブリにレーザエネルギを供給し、
水供給を制御して前記第一の切断装置の前記ノズルに水を供給し、
真空ポンプを制御して前記第一の切断装置の前記真空ピックアップを真空にし、かつ
前記少なくとも一つのレーザ源を使用して前記第一の切断装置の前記アセンブリにレーザエネルギを供給することにより、
前記第一のモータが駆動する間、前記第一の切断装置を制御するように、前記制御器が構成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の装置。
【請求項８】
前記第一の切断装置の前記切断軸に沿った前記切断方向において、前記第一の切断装置の前記アセンブリの次に前記取付上部上に取付けられた第一の点検カメラと、
前記第二の切断装置の前記切断軸に沿った前記切断方向において、前記第二の切断装置の前記アセンブリの次に前記取付上部上に取付けられた第二の点検カメラとをさらに有する請求項１又は２に記載の装置。
【請求項９】
前記再加熱アセンブリは、
前記少なくとも一つのレーザ源からのレーザエネルギを第二の鏡に向けるように配置される第一の鏡と、
前記第一の鏡からの前記レーザエネルギをレーザ焦点調整補助器に向けるように配置される前記第二の鏡と、
前記第二の鏡からの前記レーザエネルギを使用して前記基板の前記表面にレーザ加熱スポットを向ける前記レーザ焦点調整補助器とから構成されることを特徴とする請求項１又は２に記載の装置。
【請求項１０】
基板のレーザ熱処理のための直角に集積された切断装置であって、前記切断装置は、
前記基板を支持する処理表面に面する取付上部、
少なくとも１つのレーザ源、
前記取付上部によって規定される第一面であって前記処理面に垂直な第一面上の取付上部に取り付けられた第一の切断装置、
前記取付上部によって規定される第二面であって前記第一面及び前記処理面に垂直な第二面上の取付上部に取り付けられた第二の切断装置、
前記第一の切断装置を使用して前記第一の切断装置の切断方向に前記基板を処理するために前記第一の切断装置の切断軸に沿って前記取付上部の及び前記処理表面の一つを動かすために駆動する第一のモータ、
前記第二の切断装置を使用して前記第二切断装置の切断方向に前記基板を処理するために前記第二の切断装置の切断軸に沿って前記取付上部及び前記処理表面の一つを動かすために駆動する第二のモータ、及び
制御器、から構成され、
前記第一の切断装置は、
前記少なくとも一つのレーザ源を使用して前記基板の表面上の涙状の形状を有するレーザ加熱ビームを生成する少なくとも一つの検流計であって、前記レーザビームは前記第一の切断軸を規定する少なくとも一つの検流計、
前記少なくとも一つの検流計と前記処理表面の間に位置するＦ−θレンズ、
前記切断軸に沿って前記基板の前記表面上に冷却霧を噴出する第一のノズルであって、前記第一の切断装置の切断方向において前記少なくとも一つの検流計の次に位置する前記第一のノズル、
前記冷却霧を真空引きする第一の真空ピックアップであって、前記第一の切断装置の前記切断方向において前記第一のノズルに隣接して位置される第一の真空ピックアップ、
前記切断軸に沿った前記基板表面上のレーザ加熱スポットを生成する第一の再加熱アセンブリであって、前記第一の切断装置の前記切断方向に沿って前記第一の真空ピックアップの次に位置される前記再加熱アセンブリ、から構成され、
前記第二の切断装置は、
前記少なくとも一つのレーザ源を使用して前記基板の表面上の涙状の形状を有するレーザ加熱ビームを生成する少なくとも一つの検流計であって、前記レーザビームは前記第二の切断軸を規定する少なくとも一つの検流計、
前記少なくとも一つの検流計と前記処理表面の間に位置する前記Ｆ−θレンズ、
前記切断軸に沿って前記基板の前記表面上に冷却霧を噴出する第二のノズルであって、前記第二の切断装置の切断方向において前記少なくとも一つの検流計の次に位置する前記第二のノズル、
前記冷却霧を真空引きする第二の真空ピックアップであって、前記第二の切断装置の前記切断方向において前記第二のノズルに隣接して位置される第二の真空ピックアップ、
前記切断軸に沿った前記基板表面上にレーザ加熱スポットを生成する第二の再加熱アセンブリであって、前記第二の切断装置の前記切断方向に沿って前記第二の真空ピックアップの次に位置される前記再加熱アセンブリ、から構成され、
前記制御器は、
前記第一のモータが駆動している間前記第一の切断装置を制御し、
前記第二のモータが駆動している間前記第二の切断装置を制御し、
前記制御器が前記第一の切断装置を制御している間、前記少なくとも一つのレーザ源を制御して、前記第一の切断装置の前記少なくとも一つの検流計及び前記第一の再加熱アセンブリにレーザエネルギを供給し、かつ
前記制御器が前記第二の切断装置を制御している間、前記少なくとも一つのレーザ源を制御して、前記第二の切断装置の前記少なくとも一つの検流計及び前記第二の再加熱アセンブリにレーザエネルギを供給することを特徴とする基板のレーザ熱処理のための直角に集積された切断装置。
【請求項１１】
前記少なくとも一つのレーザ源は第一のレーザ源及び第二のレーザ源から構成され、前記制御器が前記第一のレーザ源を制御して前記第一の切断装置の少なくとも一つの検流計及び前記第一の再加熱アセンブリに前記レーザエネルギを供給することによって前記第一の切断装置を制御する間、前記制御器は前記少なくとも一つのレーザ源を制御して前記第一の切断装置の少なくとも一つの検流計及び前記第一の再加熱アセンブリにレーザエネルギを供給するように構成され、前記制御器が前記第二のレーザ源を制御して前記第二の切断装置の少なくとも一つの検流計及び前記第二の再加熱アセンブリに前記レーザエネルギを供給することによって前記第二の切断装置を制御する間、前記制御器は前記少なくとも一つのレーザ源を制御して前記第二の切断装置の少なくとも一つの検流計及び前記第二の再加熱アセンブリにレーザエネルギを供給するように構成されることを特徴とする請求項１０に記載の装置。
【請求項１２】
前記少なくとも一つのレーザ源は少なくとも第一のレーザ源及び第二のレーザ源から構成され、前記制御器が前記第一のレーザ源を制御して前記第一の切断装置の少なくとも一つの検流計に前記レーザエネルギを供給すること、及び前記第二のレーザ源を制御して前記第一の再加熱アセンブリにレーザエネルギを供給することによって前記第一の切断装置を制御する間、前記制御器は前記少なくとも一つのレーザ源を制御して前記第一の切断装置の少なくとも一つの検流計及び前記第一の再加熱アセンブリにレーザエネルギを供給するように構成され、前記制御器が前記第一のレーザ源を制御して前記第二の切断装置の少なくとも一つの検流計に前記レーザエネルギを供給すること、及び前記第二のレーザ源を制御して前記第二の再加熱アセンブリに前記レーザエネルギを供給することによって前記第二の切断装置を制御する間、前記制御器は前記少なくとも一つのレーザ源を制御して前記第二の切断装置の少なくとも一つの検流計及び前記第二の再加熱アセンブリにレーザエネルギを供給するように構成されることを特徴とする請求項１０に記載の装置。
【請求項１３】
前記第一の切断装置の前記少なくとも一つの検流計及び前記第二の切断装置の前記少なくとも一つの検流計は一対の検流計から構成されることを特徴とする請求項１０に記載の装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一般的に、切断装置に関するもので、特に、２本の軸に沿って基板、例えばガラスを切断することができる直角に集積された切断装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
現在、レーザ熱ガラス切断は、連続式に実行されるプロセスによって行われる。第一の工程は、１本の軸に沿ってガラスまたは処理装置を動かす間に、ガラスをレーザにより加熱する。次の工程は、冷却霧の塗布によって急速にガラスを冷やすことである。移動が継続すると、霧は真空ピックアップによって取り除かれ、真空ピックアップの反対側上の第二のレーザがガラスを再加熱して清浄なブレイクを形成する。通常、ガラスは、他の軸に沿って、完全に又はばらばらに切断されるために回転される。例えば、ガラスが、（例えば長さ１．５メートル以上の大きなフォーマットのガラスである場合、ガラスは一本の軸上で切断される。結果として生じるストリップは、他のシステムへ移動して処理される。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
本発明は、ガラスを他のシステムに再適合するかまたは輸送することなく２つの軸に沿って切断することを可能にすることによって、処理量を改善することを目的とする。これによって、特定のケースにおいて、床面積およびコストを節約するために、第二のシステムの省略を可能にする。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本願明細書において記載される基板のレーザ熱処理のための直角に集積された切断装置の一実施例は、基板を支持する処理表面に面する取付上部、少なくとも１つのレーザ源、取付上部によって規定されるそれぞれの垂直面上の取付上部上の第一の切断装置と第二の切断装置を有し、垂直面は処理表面に垂直である。各切断装置は、基板の表面上に涙状の形状を有するレーザ加熱ビームを生成するためのアセンブリ、基板の表面上に冷却霧を放出するノズル、レーザ加熱ビームによって規定される切断軸に沿って位置されるノズル、切断軸に沿った切断方向において生成手段の次に位置されるノズル、冷却霧を真空引きする真空ピックアップであって、切断軸に沿って位置され切断方向においてノズルの次に位置される真空ピックアップ、切断軸に沿った基板表面上のレーザ加熱スポットを生成する再加熱アセンブリであって、切断方向に沿って真空ピックアップの次に位置される再加熱アセンブリから構成される。切断装置は、また、第一の切断装置を使用して基板を処理するために第一の切断装置の切断軸にそって取付上部及び処理表面の一つを動かすための第一のモータ、及び第二の切断装置を使用して基板を処理するために第二の切断装置の切断軸に沿って取付上部及び処理表面の一つを動かすための第二のモータを有する。本装置の制御器は、第一のモータが駆動している間第一の切断装置を制御し、第二のモータが駆動している間第二の切断装置を制御し、アセンブリにレーザエネルギを供給するための少なくとも１つのレーザ源を制御し、第一の切断装置及び第二の切断装置のどちらかの再加熱アセンブリが制御されるように構成されている。
【０００５】
本明細書に開示される基板のレーザ熱処理のための他の垂直に集積された切断装置は、基板を支持する処理表面に面する取付上部、少なくとも１つのレーザ源、取付上部によって規定される第一の平面上の取付上部に取り付けられた第一の切断装置、処理表面に垂直な第一の面、取付上部によって規定される第二の平面上の取付上部に取り付けられた第二の切断装置を有し、第二の平面は第一の平面及び処理表面に垂直である。第一の切断装置は、少なくとも一つのレーザ源を使用して基板表面上に涙状の形状レーザ加熱ビームを生成する少なくとも一つの検流計、第一の切断装置の切断軸を規定するレーザ加熱ビーム、少なくとも一つの検流計と処理表面の間に位置するＦ−θレンズ、切断軸に沿って基板表面上に冷却霧を放射する第一のノズルであって第一の切断装置の切断方向において少なくとも一つの検流計の次に位置する第一のノズル、第一の切断装置の切断方向において第一のノズルに隣接して位置し冷却露を真空引きする第一の真空ピックアップ及び切断軸に沿って基板上にレーザ加熱スポットを生成する第一の再加熱アセンブリを有し、第一の再加熱アセンブリは第一の切断装置の切断方向において第一の真空ピックアップの次に位置する。第二の切断装置は、同様に、少なくとも一つのレーザ源を使用して基板表面上に涙状の形状レーザ加熱ビームを生成する少なくとも一つの検流計、第二の切断装置の切断軸を規定するレーザ加熱ビーム、少なくとも一つの検流計と処理表面の間に位置するＦ−θレンズ、切断軸に沿って基板表面上に冷却霧を放射する第二のノズルであって第二の切断装置の切断方向において少なくとも一つの検流計の次に位置する第二のノズル、第二の切断装置の切断方向において第二のノズルに隣接して位置する第二の真空ピックアップ及び切断軸に沿って基板上にレーザ加熱スポットを生成する第二の再加熱アセンブリを有し、第二の再加熱アセンブリは第二の切断装置の切断方向において第二の真空ピックアップの次に位置する。例示の装置は、第一の切断装置を使用して第一の切断装置の切断方向に基板を処理するために取付上部及び処理表面の一つを第一の切断装置の切断軸に沿って動かす第一のモータ、第二の切断装置を使用して第二の切断装置の切断方向に基板を処理するために取付上部及び処理表面の一つを第二の切断装置の切断軸に沿って動かす第二のモータ、及び第一のモータが駆動する間第一の切断装置を制御するように構成された制御器を有し、制御器は第二の切断装置を制御する間、制御器が第一の切断装置を制御している間少なくとも一つのレーザ源を制御して少なくとも一つの検流計及び第一の再加熱アセンブリにレーザエネルギを供給し、制御器が第二の切断装置を制御している間少なくとも一つのレーザ源を制御して少なくとも一つの検流計及び第二の再加熱アセンブリにレーザエネルギを供給する。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
添付の図面を引用する記載については、いくつかの図面を通じて同じ番号は同じ部品を表す。
【０００７】
【図１】本発明の一実施態様の直角に集積された切断装置の部分的な見取り図を示す。
【図２】図１の直角に集積された切断装置の単純化した等大図を示す。
【図３】本発明の他の実施態様の直交に集積された部分的な見取り図を示す。
【図４】図３のｘ軸切断装置の正面図を示す。
【図５】図３のｚ軸切断装置の正面図を示す。
【図６】図３の直角に集積された切断装置を使用する加工片の処理プロセスを示す。
【図７】図３〜５の実施態様の制御器と制御される要素間の接続を表す制御図を示す。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
これらの実施形態及び他の実施形態に関する詳細及び変形について以下に説明する。
【０００９】
本発明の一つの実施態様は、最初に図１及び図２を引用して説明する。直角に集積された切断装置１０は従来の技術を用いることにより２本の軸に沿って装置１０の上面１４の動きのための構台１２に載置される。上面１４がアーム１２ａリニアモータにより上面１４を構台１２のアーム１２ａに結合して、腕１２ａおよび上面１４がレール１２ｂを移動させるように上面１４が一つ以上のリニアモータ（図７を参照）を有する構台１２のレール１２ｂに腕１２ａおよび結合腕１２ａに沿って移動するように、例えば上面１４をリニアモータ（図７を参照）を有する構台１２の腕１２ａに連結する。この場合、ｘ軸は、処理表面１６の平面に沿って、第一の方向に伸び、ｙ軸は、上下方向に処理表面１６に垂直に延び、ｚ軸は、ｘ軸及びｙ軸それぞれに直交する。
【００１０】
直角に集積された切断装置１０は、上面１４上で互いに対して直角で配置される２台の切断装置１８、２０で形成される。本実施例において、装置１８、２０は、それぞれｘ軸及びｚ軸に沿った切断方向に同じ配置を有する同じ部品を有する。ｘ軸に沿った切断方向は矢Ａによって示され、切断方向Ａへの移動は構台１２の腕１２ａに沿って上面１４を移動することによって成し遂げられる。ｚ軸に沿った切断方向は矢印Ｂによって示され、切断方向Ｂは移動アーム１２ａ、構台１２のレール１２ｂに沿った上面１４によって達成される。なお、支持部（図示しない）を上記と類似のレール及びリニアモータの基礎として、処理表面１６は２軸に沿った移動のために取り付けられ、上面は処理表面１６の上に固定して取り付けられる。更に、上面１４はｘ軸及びｚ軸のうちの１本に沿った移動のために取り付けられ、一方で、処理表面は他の軸に沿った移動のため取り付けられる。上面１４はｙ軸に沿ってそれらを移動する装置１８、２０のための取付面を有することができるが、これは必要ではない。
【００１１】
切断装置１８、２０は、亀裂開始機２２、レーザ加熱アセンブリ２４、霧および真空アセンブリ２６、切断方向Ａ又はＢに沿って配置されたレーザ再加熱アセンブリ２８及び点検カメラ３０を有している。亀裂開始機２２は、ガラス基板に亀裂を開始させるためにガラス基板に向けて下方に押される小さな炭化物ディスクを有する。一つの例示の亀裂開始機２２は、パートＮｏ．０１５００―２００―００６ＭとしてＰｏｒｔｋａｎｄ，ＯＲのＥｌｅｃｔｒｏ  Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ  Ｉｎｄｕｓｔｒｉｅｓ社（ＥＳＩ）から入手可能である。本明細書において、基板はガラスとして記載されるが、本発明は、他の非金属及び／又はもろい材料から構成される基板に使用される。このような用途において、亀裂開始機２２は省略することができる。
【００１２】
レーザ加熱アセンブリ２４は、涙形状の最初の加熱光線を形成する。具体的には、レーザ加熱組立て２４は、第２の鏡３４にレーザビームを導いている第１の鏡３２を有する。第２の鏡３４は、基板３８上へレーザ焦点調節補助器３６による反射レーザビームに単一化されるか、切られるか、切断されるかまたは、さもなければ切り離されるように指示する。レーザ焦点調節補助器３６は、レンズ素子を支持していて、固定して上面１４に取り付けられるベース３６ｂの中でレーザビームの経路の方向に沿って調節可能なレンズマウント３６ａを有する。例を挙げると、ＥＳＩからのパートＮｏ．０１５００―２０２―０００―３を有するレーザ焦束スクライブレンズ装置が、レンズを支持するレーザ加熱アセンブリ２４として用いられることができる。１つの可能なレンズ素子はＥＳＩから入手可能なパートＮｏ．２５０３８１であり、これは丸い光線を受信して細長い涙形状に成形するように設計されている。
【００１３】
レーザビームは、一つ以上のレーザ源４０（図７に示される）によって供給される。レーザ源４０は、上面１４に典型的に載置されるかまたは遠隔で上面１４からも間隔を置いて配置されて、第１の鏡３２に対する追加鏡によって、以下に述べられるレーザを再加熱しているアセンブリ２８の第１の鏡４８に向けられる。望ましくは、１つのレーザ源４０はエネルギーを各切断装置１８、２０の第１の鏡３２へ供給する。その一方で、第２のレーザ源４０はエネルギーを各切断装置１８、２０の第１の鏡４８へ供給する。レーザ源４０は、基板３８の材料に基づいて選択される。材料がガラスであるときは、例えば、レーザ源４０は持続波（ＣＷ）モードで使用するＣ０２レーザ源またはＹＡＧレーザ源であり得、レーザ源４０のデューティサイクルを変えることによって制御される。
【００１４】
霧および真空アセンブリ２６は、冷却霧ノズル４２および半円形の真空ノズル４４を有する。真空ノズル４４は、切断方向Ａ又はＢを部分的に囲み、冷却霧ノズル４２の後方に配置される。全てのコネクタ８８、９０を収容するハウジング４６の末端に取り付けられる冷却霧ノズル４２及び真空ノズルは、冷却露ノズル２２に水及び／又は空気を供給し、真空ノズル４４に真空を供給する必要がある。一般的に、水／空気８２、８４の供給、真空を供給する真空ポンプ８６は上面１４の内側に取り付けられる（図７参照）。市販されており、この組合せにおいて使用される一つのアセンブリは、ＥＳＩからのパートＮｏ．０１５００―２０３―０００である。
【００１５】
アセンブリ２８を再加熱しているレーザは、一般的に切断方向Ａ又はＢに垂直に延びている細長い長さを有する卵型形状を有するがレーザスポットを形成する。具体的には、レーザ再加熱アセンブリ２８は、第２の鏡５０にレーザビームを導いている第１の鏡４８を有する。レーザ加熱アセンブリ２４のレーザおよび霧および真空アセンブリ２６の水によってつくられるスクライブ線に沿って基板３８を手で破壊する必要がないように、第２の鏡５０はガラス基板３８上へレーザ焦点調節補助器５２による反射レーザビームを導き、基板３８の切断を完了する。レーザ焦点調節補助器５２は、上面１４に固定して取り付けられるベース５２ｂ内のレーザビームの経路の方向に沿って調節可能なレンズマウント５２ａを有する。レンズマウント５２ａはレンズ５２ｃを支持し、好ましくはドーナツ型であって、実施例のＥＳＩパートＮｏ．２５０７４６でもよい。上記したように、レーザビームは、レーザ源４０によって供給される。
【００１６】
点検カメラ３０は、分離の領域の方向を目指して、その画像を捕えるために用いることができる。点検カメラ３０用の特定のマウントは、必要とされない。更に、それが詳細の所望のレベルを提供する能力を有する限り、点検カメラ３０はいかなる従来のイメージング・カメラでもあり得る。
【００１７】
図３〜５は、図１および２について述べたように構台１２に載置することができる直角に集積された切断装置１０の他の実施例を例示する。それがｘ軸に沿って作動するので、図４の装置１８はｘ軸切断装置１８と呼ばれる。他方、それがｚ軸に沿って作動するので、図５の装置２０はｚ軸切断装置２０と呼ばれている。見られるように、ガラス基板３８の最初の加熱は比較的大きなＦ―θ走査レンズ５６を支持している検流計ブロック５４により実行されることを除いては、この実施例は図１および２のそれと類似している。それが形成する（図６を参照）走査フィールド５８が２つの霧および真空アセンブリ２６との間に最大の領域を含むように、Ｆ―θ走査レンズ５６は大きさを設定される。テレセントリック光学系レンズがＦ―θ走査レンズ５６の代わりに用いられることができる、しかし、この種のレンズはシステムのコストを上げる。本実施例において、各軸のための亀裂開始機２２は、それぞれの点検カメラ３０を有して取り付けられる。この様な亀裂開始機２２を必要としているガラスまたは他の基板を有する装置を作動するために、切断装置１８、２０は、その亀裂開始機を基板３８に適用し、次いで再配置されることができ、残りの要素を使用してレーザシンギュレーションを実行する。
【００１８】
検流計ブロック５４は、共通して検流計と呼ばれる２台の検流計ベースのスキャナ７８、８０を収容する。各検流計は、システムを制御する、３つの主要部品、検流計、鏡及びサーボ・ドライバボードを有する。基本的に、一方向へ連続的に回転する代わりに、検流計７８、８０は、それぞれの軸に沿って配置されて、左右に高速でそれぞれの鏡を回転させる。検流計ブロック５４は、レーザ源４０からのレーザビームが追加した鏡、例えば鏡６１によってそれぞれの検流計の方向に向くレーザビーム開口６０を有する。また、複数のレーザ源４０が、図１について述べたように用いることができる。
【００１９】
図６に示すように、検流計７８、８０と共に使われるときに、Ｆ―θ走査レンズ５６は走査フィールド５８を形成する。Ｆ―θ走査レンズ５６の概略が図６に含まれる。各検流計７８、８０は、第１の加熱光線６２を形成するためにレーザビーム開口６０にレーザ源４０から出力されるレーザビームに向かせる。加熱光線６２は、用途に応じた高周波により検流計７８及び／又は８０をディザ処理することによって、裂け目形状に形成される。考慮される変数は、速度、ガラス／基板合成および厚みおよびレーザ力を横断している。霧および真空アセンブリ２６は、比較的集中領域の水霧スプレー６４を形成して、冷却した後に水霧を取り除くための真空ピックアップ域６６を形成する。レーザ再加熱アセンブリ２８は、前述したように卵型の再加熱ビーム６８を形成する。
【００２０】
図６において、加熱光線６２、水霧スプレー６４、真空ピックアップ領域６６および再加熱ビーム６８によって規定される処理用経路は、ｘ軸及びｚ軸の両者上に示される。しかしながら、作動中に、基板３８は、一度に１本の軸だけ上の処理を受ける。前述したように、鏡を方向転換することにより結果として生じるレーザビームが１本の軸からもう一方まで切替えられるように、レーザ源４０は２台の装置１８、２０で分配されることができる。方向転換鏡は自動制御のためのモータに連結することができるが、単に追加鏡を提供するだけであるか又は方向を切る際の変更に応じて光線を再転換するために必要に応じて手動で鏡を再転換するだけにすると通常コストがかからない。
【００２１】
この実施例が涙状の形状のそれぞれの加熱光線６２を形成するために２台の検流計を組み込んでいる検流計ブロック５４を使用するが、他の実施例も可能である。例えば、単一鏡は、２００８年４月２４日公開で本発明の所有者に譲渡された米国特許公開２００８／００９３３４９  Ａｌ号公報に記載されるように、音声コイル・アクチュエータ又は圧電性アクチュエータによって２本の軸のまわりに傾けることができる。加熱光線６２を形成するためにディザリングを使用する代わりに、レーザ焦点調節補助器３６に取り付けられるそれらと類似のレンズを組み込むことによって加熱光線６２を形成することである。
【００２２】
図３―５の直角に集積された切断装置１０の構成要素間の制御リンクは、図７に示される。制御器７０は、以下に記載するように、例えば、中央演算処理装置（ＣＰＵ）、ランダム・アクセス・メモリ（ＲＡＭ）、読出し専用メモリ（ＲＯＭ）及びランダム入力信号を受信し構成要素に指令信号を送るおよび入出力ポーを含むマイクロコントローなのどのいかなる制御器でもあり得る。指令信号は通常、メモリに保存されるプログラミング命令に基づく出力であり、プログラミング命令の各々の機能はＣＰＵの論理によって実行される。各種要素は、通信経路に沿った主制御器としてデータを制御器７０に発信する自分自身の制御器を含むことができる。さらに、制御器７０は、コンピュータ、例えばパーソナル・コンピュータに組み込まれることができる。制御器７０は、外部メモリを使用して一つ以上マイクロプロセッサによって行うことができる。
【００２３】
制御器７０は、入力装置７２と連絡する。この例における入力装置７２はタッチスクリーン・コンピュータであるが、入力装置７２はキーボード、その他であり得、別々のモニタは制御器７０と連絡する。制御器７０は、いつレーザ４０をつけるべきで、遮るべきかについて指示を提供して、どんな制御パラメータが使われなければならないかについて指示を提供することもできる。上記したように、ｘ軸およびｚ軸に対する上面１４の動きは２台以上のリニアモータ、ここでは、ｘ軸リニアモータ７４およびｚ軸リニアモータ７６を制御することによって本実施例が達成される。リニアモータ７４、７６のための制御コマンドは、制御器７０によって供給される。検流計ブロック５２に対する内臓はｘ軸検流計７８およびｚ軸検流計８０である、そして、これらの検流計もいつ作動するべきかについて制御器７０から命令を受け取る。
【００２４】
霧および真空アセンブリ２６は、給水８２および空気供給源８４からコネクタまたは供給ライン８８による水および任意に空気を受け取る。具体的には、空気および水は、供給ライン８８によって冷却霧ノズル４２に提供される。上記したように、これらの供給口８２、８４は通常、上面１４に取り付けられる、そして、それらは制御器７０からオン／オフ動作の命令を受け取る。通常、上面１４によって収納される真空ポンプ８６は、コネクタまたは供給線９０により真空を霧および空気供給源８４の真空ノズル４４に提供する。真空ポンプ８６は、制御器７０から命令によって制御される。
【００２５】
上記の実施例は、本発明の簡単な理解を許容するために記載されていて、本発明を制限しない。これに反して、本発明は添付の請求項の範囲内で、含まれるさまざまな変更態様および等価な準備をカバーすることを目的とする。そして、それは、範囲は法律によってできるようにされているように、すべてのこの種の変更態様および等価な構造を含むために最も幅広い解釈を与えられることである。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【国際調査報告】
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