(57)【要約】特に高い処理能力での基板の作製に適した静電チャックを開示する。開示するチャックは、大型基板またはいくつかの比較的小型の基板を同時に作製するために用いうる。例えば、開示する実施形態は、高い処理能力を示す、複数の太陽電池の作製に用いることができる。静電チャック本体は、チャックの温度上昇を制御するために十分な熱質量をもつアルミニウム本体を用い、アルミニウム本体の上面を陽極酸化処理して構成する。セラミックフレームをチャック本体の周囲に設けてプラズマ腐食から保護する。必要に応じて、導電性の接続部を設けて電圧バイアスをウェハに印加する。接続部は陽極酸化処理において露出される。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を載せるための陽極酸化処理された上面を有するアルミニウムチャック本体と、
前記アルミニウム本体の周囲に設けられるとともに接着され、上面が該前記陽極酸化処理された上面と同じ高さであるセラミックフレームと、
前記アルミニウム本体に電気的に接続される高電圧電気接続部とを備えるプラズマ処理チャンバのための静電チャック。
【請求項２】
前記アルミニウム本体の底面に接着されるセラミック板をさらに備える、請求項１に記載の静電チャック。
【請求項３】
前記セラミック板を前記セラミックフレームと一体形成することにより槽を形成し、前記アルミニウム本体が前記槽内で接着される、請求項２に記載の静電チャック。
【請求項４】
前記フレームの上面が前記陽極酸化処理された上面と同じ高さになる、請求項３に記載の静電チャック。
【請求項５】
前記セラミック板の底面に着接される底部をさらに備える、請求項２に記載の静電チャック。
【請求項６】
前記セラミック板の底面に着接される絶縁板および該絶縁板の底面に着接される底部をさらに備える、請求項２に記載の静電チャック。
【請求項７】
前記絶縁板が、前記底部へのＲＦ電力の容量結合を変化させるよう構成される、請求項６に記載の静電チャック。
【請求項８】
前記絶縁板が不均一な厚さを有する、請求項６に記載の静電チャック。
【請求項９】
前記絶縁板が、中心よりも端部で薄くなる、請求項６に記載の静電チャック。
【請求項１０】
前記絶縁板がその１つの面に複数の溝を有する、請求項６に記載の静電チャック。
【請求項１１】
前記フレームが、前記静電チャック上で処理されるウェハよりもわずかに小さくなるよう構成される、請求項１に記載の静電チャック。
【請求項１２】
前記アルミニウム本体から絶縁され、前記陽極酸化処理された上面を経て延在するチャック接続部を備える、請求項１に記載の静電チャック。
【請求項１３】
前記セラミックフレームがアルミナを含む、請求項１に記載の静電チャック。
【請求項１４】
真空環境を維持し、内部のプラズマを持続させるよう構成され、ロード口およびアンロード口を有する、チャンバ筐体と、
少なくとも１つのキャリアを、前記ロード口を経て前記処理筐体内に搬送し、前記アンロード口を経て前記処理筐体の外に搬送するための搬送機構と、
前記搬送機構により搬送可能なキャリアとを備えるプラズマ処理チャンバであって、前記キャリアはそれに取着される静電チャックを有し、該チャックはアルミニウム本体および該アルミニウム本体に接着されたセラミックフレームを含む、プラズマ処理チャンバ。
【請求項１５】
前記チャンバ内に設けられ、ＤＣ電圧を前記アルミニウム本体に結合する高電圧電気接続部をさらに備える、請求項１４に記載のプラズマ処理チャンバ。
【請求項１６】
前記アルミニウム本体が陽極酸化処理された上面を備える、請求項１５に記載のプラズマ処理チャンバ。
【請求項１７】
前記チャックが、前記アルミニウム本体から電気的に絶縁され、前記陽極酸化処理された面を経て延在するチャック接続部を備える、請求項１６に記載のプラズマ処理チャンバ。
【請求項１８】
前記搬送機構が、静電チャックにより複数のキャリアを同時に前記チャンバ筐体内に搬送するよう構成され、前記チャンバ筐体が、複数の静電チャック上に配置される複数の基板を同時にプラズマ処理するよう構成された、請求項１４に記載のプラズマ処理チャンバ。
【請求項１９】
基板を載置するための上面を有するアルミニウムチャック本体を機械加工する工程と、
少なくとも前記アルミニウムチャック本体の上面を陽極酸化処理する工程と、
セラミック層を前記アルミニウムチャック本体の全側面に形成する工程と、
前記アルミニウム本体に電気接続を行う工程とを備える、静電チャックの作製方法。
【請求項２０】
セラミック層を形成する工程が、前記アルミニウムチャック本体の前記側面をセラミック材料で被覆する工程を含む、請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
セラミック層を形成する工程が、セラミックフレームを作製する工程と、前記アルミニウムチャック本体を前記セラミックフレームに接着する工程とを含む、請求項１９に記載の方法。
【請求項２２】
前記セラミックフレームを前記セラミック板と一体形成することにより槽が形成され、前記アルミニウム本体が前記槽内で接着され、絶縁板を形成する工程と該絶縁板を前記槽の底面に接着する工程とをさらに備える、請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
底部を形成する工程と、該底部を前記絶縁板の底面に着接させる工程とをさらに備える、請求項２２に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
関連出願
本出願は、２０１１年１１月１日に出願された米国仮特許出願第６１／５５４，４５７号の優先権の利益を主張するものであり、その全内容は参照により本明細書に組み込まれる。
【０００２】
本開示は、太陽電池の処理、特に、太陽電池処理チャンバ内でウェハを支持する静電チャックに関する。
【背景技術】
【０００３】
太陽電池の作製に用いられるプラズマチャンバなどの処理チャンバは、集積回路（ＩＣ）の作製に用いられる処理チャンバと同じ基本素子を有するが、技術的および経済的要件は異なっている。例えば、集積回路の作製に用いられるチャンバは１時間当たりおよそ数十ウェハの処理能力を備え、太陽電池の作製に用いられるチャンバは、１時間当たりおよそ数千ウェハの処理能力を備えることが求められる。一方、太陽電池処理システムを購入および動作させるコストは非常に低い必要がある。
【０００４】
ＩＣおよび太陽電池の両方の作製に用いられる処理システムは、静電チャックを利用して処理中のウェハを支持する。しかし、太陽電池システム用の静電チャックは、ＩＣ作製の何分の１かのコストである必要がありながら、太陽電池作製システムのより高い処理能力のために、より高い利用率に耐えなければならない。さらに、ＩＣシステムでは静電チャックが固定されている一方、一部の太陽電池作製システムでは、チャックが移動式である。したがって、流体を冷却するための接続を行うことができないため、能動的にチャックの熱を制御することが不可能である。
【０００５】
太陽電池の作製に関わる他の様々な工程は、ウェハをプラズマに暴露させる必要がある。特定の工程間、プラズマは、ウェハを支持するチャックのあらゆる露出部分を腐食させる腐食性ガスを用いて発生させる。そのため、チャックの他の要件はこのようなプラズマの腐食に耐えるものとする。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
したがって、当該技術で求められるのは、安価で作製され、能動的に冷却することなく高い利用率に耐えることが可能であり、プラズマの腐食作用に耐え得る静電チャックである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
以下の本発明の概要は、本発明のいくつかの態様および特徴の基本的な理解を可能にするよう記載される。この概要は、本発明の広範な概説ではなく、そのため、本発明の要所または重要な要素を詳細に特定したり、本発明の範囲を明確化したりすることを意図するものではない。その唯一の目的は、後述するより詳細な説明の前置きとして、本発明の幾つかの概念を単純な形で提示することにある。
【０００８】
特に高い処理能力での基板の作製に適した静電チャックを開示する。開示するチャックは、１度に１枚の基板を作製または数個のチャックに配置された数枚の基板を同時に作製するために用いてもよい。例えば、開示する実施形態は、高い処理能力を示す、複数の太陽電池の作製に用いることができる。
【０００９】
様々な実施形態は、太陽電池作製システムに用いられるような、高処理能力による処理に耐えるよう設計され、腐食性プラズマに耐えうる静電チャックを提供する。開示する実施形態は、静止質量および能動的な流体冷却をせずにチャックを熱的に制御する処理サイクルの利点を有する。
【００１０】
開示する実施形態によれば、静電チャック本体を、チャックの温度上昇を制御するために十分な熱質量をもつアルミニウムを用いて構成する。アルミニウム本体の上面は陽極酸化処理され、高利用率に対する耐久性をもたらす。セラミックフレームをチャック本体の周囲に設けてプラズマ腐食から保護する。必要に応じて、導電性の接続部を設けて電圧バイアスをウェハに印加する。接続部は陽極酸化処理の間、露出される。
【００１１】
本明細書に組み込まれてその一部を構成する添付図面は、本発明の実施形態を例示し、明細書とともに本発明の原理を説明し図示する役割を果たす。図面は、例示的な実施形態の主要な構成要素を図式で示すことを意図したものである。図面は、実際の実施形態のすべての構成要素や図示された要素の相対的な寸法を図示することを意図せず、一定の縮尺で描かれない。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】図１Ａは、一実施形態による静電チャックの主要部を示す図であり、図１Ｂは、図１Ａの線Ａ−Ａに沿った部分断面を示す。図１Ｃは、図１Ａおよび１Ｂに示されるチャックを作製するための処理フローを示すフロー・チャートである。
【図２】本発明の一実施形態によるチャックを用いて基板を処理するためのプラズマチャンバの例を示す。
【図３】図３Ａは、別の実施形態による静電チャックの主要部を示す図であり、図３Ｂは、図３Ａの線Ａ−Ａに沿った部分断面を示す。
【図４】図４Ａは、さらに別の実施形態による静電チャックの主要部を示す図であり、図４Ｂは、図４Ａの線Ａ−Ａに沿った部分断面を示す。
【図５】図５Ａは、さらに別の実施形態による静電チャックの主要部を示す図であり、図５Ｂは、図５Ａの線Ａ−Ａに沿った部分断面を示す。
【図６】本発明の一実施形態による静電チャックおよびキャリアの主要部を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
本発明の実施形態による静電チャックの様々な特徴を、図面を参照して以下に説明する。説明は、静電チャック、静電チャックを内蔵する処理システム、および、例えば太陽電池を作製するための静電チャックの作製方法の例を含む。
【００１４】
図１Ａは、一実施形態による静電チャックの主要部を示す図であり、図１Ｂは、図１Ａの線Ａ−Ａに沿った部分断面を示す。チャック本体１０５は、アルミニウム平板からなり、十分な熱質量を備え、プラズマ処理中のチャックの加熱を制御するように構成される。本体１０５の上面は、電気的絶縁アルマイト層１１０を形成するために陽極酸化処理される。チャックの側面はセラミック層またはフレーム１１５により覆われる。セラミック層１１５は、例えば標準的なプラズマスプレーめっきまたは他の従来法を用いることによりアルミニウム本体の４側面すべてに施しうるセラミックめっきであってもよい。図１Ａおよび１Ｂに示す実施形態において、アルミニウム本体１０５をセラミック「槽」内にセットし、アルミニウム本体１０５の４側面すべておよび底面がセラミックフレーム１１５に覆われるようにする。本体１０５はセラミックフレーム１１５に接着される。セラミックフレーム１１５の上面は、アルマイト層１１０の上面と同じ高さである。また、チャックは、把持されたウェハがセラミック側面１１５を越えて延在してセラミック側面１１５の上部を覆うような寸法とする。これは、図１Ａのウェハ１５０の破線の輪郭により示される。
【００１５】
チャックは絶縁性または導電性材料からなりうる底部１２０に取り付ける。底部１２０を貫通する開口を設け、その中に絶縁スリーブ１４２を配置する。導体接続ロッド１４４を絶縁スリーブ１４２に通して、アルミニウム本体１０５に電気的に接続するようにする。導体ロッド１４４を用いて高電位を伝達し、ウェハを把持するチャック力を発生させる。
【００１６】
いくつかの処理チャンバでは、処理済みウェハにバイアスを印加して、プラズマからのイオンをウェハへと引きつける必要がある。このような処理のために、チャックに接触部１３０を設けて電圧バイアスをウェハに伝達する。各接触部１３０は、底部１２０および本体１０５を貫通する絶縁スリーブ１３２により形成される。ばね付勢されるかまたは収納式であってもよい接続ロッド１３４（図示せず）は、絶縁スリーブ１３２を貫通しうる。
【００１７】
保護用のセラミックフレーム１１５は例えば、アルミナ（アルミニウム酸化物）、ＳｉＣ（炭化ケイ素）、窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）などのような材料で構成されうる。セラミック材料の選択は、プラズマに含まれるガスおよび処理済みウェハに生じ得る汚染に左右される。
【００１８】
図１Ａおよび１Ｂに示す構成は、先行技術のチャックに対し一定の利点をもたらす。例えば、その単純な設計により、安価で作製できる。また、陽極酸化処理された表面は繰り返しの処理に耐え、一方セラミックフレームは、陽極酸化処理を保護し、プラズマ腐食からチャック本体を保護する。セラミックフレームは、把持されるウェハよりわずかに小さくなるよう設計されるため、セラミックフレームは把持されるウェハにより塞がれ、これにより、プラズマがチャック／セラミックフレームの端部に浸食するのを防ぐ。
【００１９】
図１Ｃは、図１Ａおよび１Ｂに示されるチャックを作製するための処理フローを示すフロー・チャートである。工程１６１では、アルミニウムブロックを機械加工してチャック本体１０５を形成する。工程１６２では、標準的な陽極酸化プロセスを用いてアルミニウム本体の上面に陽極酸化処理を施す。工程１６３では、セラミックフレーム１１５を作製し、工程１６４では、アルミニウム本体１０５をセラミックフレーム１１５に接着させる。工程１６５では、本体とフレームのアセンブリを底部１２０に接着させる。工程１６６では、様々な電気的接続部および絶縁スリーブをチャックに取り付ける。
【００２０】
図２は、図１Ａおよび１Ｂに示されたチャックを利用したプラズマシステムの一例の模式断面図を示す。図２は、可搬型静電チャックの使用例を提示する目的で示されるため、その機能に関係しない様々な要素は省略される。図２に示す処理チャンバ２３０は、エッチング、ＰＥＣＶＤ、ＰＶＤなどの任意のプラズマ処理チャンバでありうる。
【００２１】
以下は、図２の実施形態を用いた処理手順の例である。ウェハ２５８は入側コンベア２０２でシステムに輸送される。この例では、いくつかのウェハ２５８を、コンベアの進行方向に直交する方向に横並びで配置する。例えば、コンベア上の基板の上面図であり、矢印が進行方向を示す付記に示すように、３枚のウェハ２５８を平行に整列させる。
【００２２】
ウェハ搬送機構２０４は、ウェハ２５８をコンベア２０２から処理チャック２１５上に搬送するために用いる。この例では、搬送機構２０４は、軌道２１０に沿って移動可能な静電吸着チャック２０５を使用し、静電力を用いて１つまたは複数のウェハ、例えば１行３枚のウェハを吸着し、ウェハを処理チャック２１５に移送する。この例では、３つの処理チャック２１５を用いて、吸着チャック２０５により保持される３枚の基板を受容する。図２に示すように、ウェハは、ロードステーションＣにおいて処理チャック２１５上にロードされる。処理チャック２１５を、シャッター２０８を経て第１の処理チャンバ２３０に搬送されるキャリア２１７に取り付ける。
【００２３】
処理チャンバは、シャッター２０８によってロードステーションおよび他のチャンバから隔離される。シャッター２０８は、隣接するチャンバに対する透過性を大幅に減少させ、真空バルブおよびＯリングシールを用いずに処理チャンバ内の個別の圧力・ガス制御を可能とする。この例では、単一のプラズマ処理チャンバ２３０を用いる。ただし、理解できるように、基板が１つのチャンバから、チャンバ２つずつの間に配置された分離シャッター２０８（図示せず）を経て次のチャンバに直接移動するように追加のチャンバを連続させて追加することができる。
【００２４】
チャック２１５を処理チャンバ２３０内に配置した後、接続部２５２および２５４によって接続ロッド１３４および１４４に電気接続をもたらし、必要な電位を伝達する。その後プラズマ処理が開始され、基板が処理される。処理が一連のチャンバの最後のチャンバで完了すると、最後のシャッター２０８が開き、チャック２１５がキャリア２１７でアンロードステーションＨに搬送される。
【００２５】
アンロードステーションＨでは、ウェハ搬送機構２０３を用いてウェハをチャック２１５からアンロードし、コンベア２０１上にウェハを搬送する。搬送機構２０３は、吸着チャック２０５と同様、軌道２２０に載せられる静電ウェハ吸着ヘッド２２５を用いる。吸着ヘッド２２５は、静電力を用いてウェハを処理チャック２１５から出側コンベア２０１へ移送する。出側ウェハコンベア２０１は、吸着ヘッド２２５からウェハを受容し、それらをさらに処理の下流に運ぶ。
【００２６】
その後、チャック２１５を昇降装置２５０により下降させ、チャック返送モジュール２４０によって昇降装置２５５に搬送させる。昇降装置２５５は、別のバッチのウェハを受容するようチャックをステーションＣに返送する。理解できるように、いくつかの処理チャックを用いて、各ステーションがロードされ処理チャンバが常に埋まった状態でウェハを処理するようにする。つまり、１つのチャック群が、処理チャンバをステーションＨに内に解放すると、ステーションＣからの別のチャック群がチャンバに移動され、昇降装置２５５からのチャック群はステーションＣに移動される。また、本実施形態において、昇降装置２５０および２５５は、チャックを処理階層と返送階層の間で移動させた後、例えばヒートシンクを用いて処理チャック２１５を能動的に冷却する。あるいは、またはさらに、冷却ステーションＪを用いてチャックをヒートシンクに接触させることによりチャックを冷却する。処理チャック２１５は、処理階層の下に位置する返送トンネル２４０を経由してアンロードステーションＨからロードステーションＣへ返送される。
【００２７】
チャックへの電気接続部２５２は各昇降装置上およびウェハの静電チャック用の各処理チャンバ内に配置される。すなわち、上に説明したように、チャックが移動可能であるために、チャックに常時接続することはできない。そのため、本実施形態では、ステーションＣおよびＨならびに各処理チャンバ２３０は電気接続部２５２を備えることにより、接続部１４４を介して電位をチャックに伝達し、静電チャックを作動させる。さらに、ＤＣバイアス接続部２５４を、必要に応じてウェハのＤＣバイアス用の各処理チャンバ２３０に配置する。つまり、処理によっては、プラズマからウェハへのイオン照射を制御するために、プラズマＲＦ電力に加えてＤＣバイアスを用いる。接続部２５４からのＤＣバイアスを受ける接続部１３４によりＤＣ電位をウェハに結合する。
【００２８】
こうして、上に示すように、図２に示すシステムは、ロード位置Ｃから、一連の処理チャンバ２３０を経てアンロード位置Ｈへ連続的に移動するいくつかの処理チャック２１５を使用しうる。処理チャンバ２３０は、個別に排気し、シャッター２０８により互いにおよびロード・アンロード領域から分離させる。シャッターは、各チャンバの真空およびプラズマ領域の隔離を可能にする。これにより、各領域内のガス種および圧力制御の個別調整を可能にする。簡潔にするために、１つの処理チャンバ２３０のみを図２に示すが、１つのチャンバから出たチャックが直接第２のチャンバに入るように、一連のチャンバを連続して連結させてもよい。
【００２９】
チャックは、処理チャンバ２３０の下に位置する真空トンネル２４０を経由してアンロードステーションＨからロードステーションＣへ返送される。チャックはシステム全体で再循環するため、配線、ガスラインまたは冷却ラインのような固定接続を一切有し得ない。バイアス用の接続および把持はチャックが停止するそれぞれの場所で行われる。チャック冷却は、アンロード・ロード昇降装置２５０、２５５のそれぞれに対する能動的な冷却および／またはステーションＪの冷却により達成される。この例では、チャックが冷却されるとき、機械的に冷却されたヒートシンクに固定される。
【００３０】
図２の例では、処理中、各処理チャンバ内にいくつかのチャック２１５が存在するため、複数の基板が同時にプラズマ処理される。本実施形態では、ウェハは、横並びに設けられるとともにいくつかの個別のチャック、例えば、３つのチャック上に支持されることにより、同時に処理される。一具体例では、各チャンバは、１行に３つの個別チャックを保持するよう作製され、３枚のウェハを同時に処理するようにする。もちろん、例えば、２×３配列のチャックなど、他の配列を用いてもよい。
【００３１】
図３Ａは、別の実施形態による静電チャックの主要部を示す図であり、図３Ｂは、図３Ａの線Ａ−Ａに沿った部分断面を示す。図１Ａおよび１Ｂと同様の図３Ａおよび３Ｂの要素は、百の位が異なる以外は、同じ参照番号で示される。図３Ａに示すとおり、バイアスをウェハ３５０に直接印加するための接続は行われない。その代わり、プラズマからチャックへの容量結合によりチャックへのＲＦ経路およびウェハへのバイアスがもたらされる。
【００３２】
次に、図３Ｂを参照して静電チャックの構造を説明する。本実施形態のチャックは、アルミニウム本体３０５を機械加工することにより作製される。その後、本体３０５のすべての表面を陽極酸化処理して、上部陽極酸化層３１０、底部陽極酸化層３１１、および側部陽極酸化層３１２として示される硬質の絶縁表面とする。アルマイト本体を、例えばアルミナで作られ、絶縁体として機能し、アルマイト本体の側面をプラズマ腐食から保護するセラミック槽３１５に接着させる。セラミック槽は、例えばポリイミド、カプトン（登録商標）などからなる絶縁板３２２に接着される。絶縁板３２２の厚さは、絶縁板の材料の誘電率により決まり、必要とされるＲＦ電力の容量結合を底板３２０にもたらすようにする。底板３２０はアルミニウムからなり、同様に陽極酸化処理され、プラズマからのＲＦを容量結合させるのに用いられる。結合量は部分的に、絶縁板３２２の厚さおよび誘電率などの特性に依存する。また、代案として、絶縁板を用いるのではなく、同様の絶縁特性をもたらすよう、槽３１５の底板をより厚くすることもできる。また、チャックをキャリアに取り付けるためにねじ穴３７０を設けるが、これについては以下に説明する。
【００３３】
上で述べたように、アルミニウム本体３０５は、全側面に陽極酸化処理が施される。そのため、接続ロッド３４４と電気的に接触させるため、アルミニウム本体の底面と接触する部分から陽極酸化被膜を除去する。さらに、陽極酸化皮膜が除去された部分を、例えばニッケル、クロムなどのような導電層でめっきする。接続ロッド３４４が絶縁スリーブ３４２に挿入される際、めっき導電層に接触するため、良い電気接続が維持される。
【００３４】
上記から分かるように、チャックを単純で、安価で、搬送可能にするために、バイアス電力をウェハに伝えず、冷却を行わない。また、把持するウェハが丸い、半導体チャックと異なり、太陽電池の処理に適合するよう、ここではウェハが正方形である。その結果、ウェハ上のプラズマは非常に不均一であり、ウェハの不均一な処理につながる。図４Ａおよび４Ｂに示す実施形態は、このようなプラズマの不均一性を克服することを意図している。
【００３５】
図４Ａおよび４Ｂに示されるチャックの構成は図３Ａおよび３Ｂのそれと同様であり、図３Ａおよび３Ｂと同様の図４Ａおよび４Ｂの要素は、百の位が異なる以外は、同じ参照番号で示される。ただし、プラズマの不均一性を克服するためには、図４Ａおよび４Ｂの実施形態において、絶縁板４２２は平坦ではない底面を有し、底板の上面はそれに適合する表面を有する。図４Ａおよび４Ｂの実施形態では、絶縁板４２２の底面は凸状であり、底板４２０の上面はそれに適合する凹形を有する。すなわち、絶縁板は、中心よりも端部が薄くなる。したがって、本体４０５と底板４２０の間でチャックの端部の絶縁が弱まることにより、端部においてよりよいＲＦ結合が達成され、プラズマ均一性の改善につながる。
【００３６】
プラズマの不均一性は他の方法によっても対処されうる。例えば、絶縁板が可変誘電率をもつようにし、絶縁板の端部よりも中心で誘電率が高くなるようにする。例えば、絶縁板は、それぞれが異なる誘電率をもつ一連のリングからなってもよい。代替的な構成を図５Ａおよび５Ｂに示す。図３Ａおよび３Ｂと同様の図５Ａおよび５Ｂの要素は、百の位が異なる以外は、同じ参照番号で示される。図５Ｂに示すように、一連の溝５８０を、絶縁板５２２の一表面に形成する。溝は、必要な絶縁に応じて、絶縁板５２２の誘電体絶縁を弱め、また誘電率がより低い材料または導体で満たすことができる。例えば、溝は、絶縁板５２２の底板５２０への接着に用いたのと同じ接着剤、例えばカプトン（登録商標）または導電性接着剤で満たすことができる。
【００３７】
図６は、上述のチャックのいずれかを、図２に示すような、プラズマ処理システムに利用するための構成を示す。一般的に、底部６２０をキャリア６８５に例えばボルトで留めることにより、チャックをキャリア６８５に結合する。キャリア６８５は、１組の縦向きの車輪６９０およびレール６９２に載せるのに適した１組の横向きの車輪６９５を有する。本実施形態では、真空内で部分的にキャリア上に配置され、真空隔壁６９８を越えると真空外に部分的に配置されるリニアモータにより原動力が供給される。例えば、一連の永久磁石６９４はキャリアの下部に設けることができ、一方、一連のコイル６９６は、隔壁６９８の外の常圧環境に配置される。
【００３８】
本明細書に記載される処理工程および技術は、何らかの特定の装置に本質的に関係するのではなく、部材の任意の適切な組合せにより実施しうることを理解すべきである。さらに、本明細書に記載された知見にしたがって、様々な種類の汎用デバイスを用いてもよい。あらゆる点において制限的ではなく例示的であることを意図された特定の例に関して本発明を説明してきた。当業者は、多くの様々な組み合わせが本発明の実施に適していることを理解するであろう。
【００３９】
さらに、本明細書に記載された本発明の仕様および実施を考慮することにより、本発明の他の実施態様は、当業者にとって明らかとなるであろう。記載された実施形態の様々な態様および／または構成要素は、単独でまたは組合せて用いてもよい。仕様および例は、単に典型例としてみなされることを意図し、本発明の真の範囲および趣旨は、以下の請求項により示される。
【図１Ａ】
2014532994.tif 000003
【図１Ｂ】
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【図１Ｃ】
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【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
2014532994.tif 000008
【図４Ａ】
2014532994.tif 000009
【図４Ｂ】
2014532994.tif 000010
【図５Ａ】
2014532994.tif 000011
【図５Ｂ】
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【図６】
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【国際調査報告】
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