(57)【要約】  本発明は、クリシェおよびその製造方法に関するものであって、本発明にかかるクリシェは、溝部パターンを含むクリシェであって、前記溝部パターンが、互いに交差しない線状パターンからなる領域を含み、前記線状パターンからなる領域は、その領域内で線状パターンの線を２本以上含むスクエア領域であり、前記線状パターンの線幅（Ｗ）と深さ（Ｄ）、前記スクエア領域のうち、前記線状パターンが具備されない領域の比（Ｒ）、および前記線状パターンに対応するパターン形成用マスクパターンの開口線幅（Ｗ０）が特定の関係式を満足する領域を含むことを特徴とする。本発明にかかるクリシェは、クリシェ上に転写されるインクの底接触現象を防止することができる。
2014525360.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
溝部パターンを備えたクリシェであって、
前記溝部パターンが、互いに交差しない線状パターンからなる領域を含んでなり、
前記線状パターンからなる領域が、該領域内で線状パターンの線を２本以上含むスクエア領域であり、前記線状パターンの線幅（Ｗ）、前記線状パターンの深さ（Ｄ）、前記スクエア領域とのうち、前記線状パターンが具備されない領域の比（Ｒ）、および前記線状パターンに対応するパターン形成用マスクパターンの開口線幅（Ｗ０）が下記関係式１および関係式２を満足する領域を含むことを特徴とする、クリシェ。
Ｗ＝２Ｄ＋Ｗ０＋Ｘ                               ［関係式１］
Ｄ≧４２．９ｅｘｐ（−Ｒ／０．３５）−１．５     ［関係式２］
〔上記式中、
Ｘは定数であり、
Ｄ、Ｗ、Ｗ０およびＸはマイクロメートル単位の値であり、
Ｒは０超過１未満の値である。〕
【請求項２】
前記スクエア領域において、前記線状パターンの線幅（Ｗ）、前記線状パターンのピッチ（Ｐ）、および前記スクエア領域のうち、前記線状パターンが具備されない領域の比（Ｒ）が、下記関係式３を追加的に満足することを特徴とする、請求項１に記載のクリシェ。
Ｒ＝Ｐ（Ｐ−Ｗ）／Ｐ２＝（Ｐ−Ｗ）／Ｐ           ［関係式３］
〔上記式中、
Ｗ、ＰおよびＸはマイクロメートル単位の値であり、
Ｒは０超過１未満の値である。〕
【請求項３】
前記線状パターンが、規則または不規則パターンであることを特徴とする、請求項１又は２に記載のクリシェ。
【請求項４】
前記線状パターンが、直線、曲線、ジグザグ線又はこれらの組み合わせを含むことを特徴とする、請求項１〜３の何れか一項に記載のクリシェ。
【請求項５】
前記関係式１および関係式２を満足する領域が、全体溝部パターン領域のうち、５０％以上であることを特徴とする、請求項１〜４の何れか一項に記載のクリシェ。
【請求項６】
前記溝部パターンが、前記スクエア領域のうち、前記線状パターンが具備されない領域の比（Ｒ）が互いに異なる２以上のパターンを含んでなり、
前記２以上のパターンが、深さ（Ｄ）が同じであり、該深さ（Ｄ）が、前記線状パターンが具備されない領域の比（Ｒ）が最も小さいパターンを基準として前記関係式１および関係式２を満足することを特徴とする、請求項１〜５の何れか一項に記載のクリシェ。
【請求項７】
前記溝部パターンが、前記スクエア領域のうち、前記線状パターンが具備されない領域の比（Ｒ）が互いに異なる２以上のパターンを含んでなり、
前記２以上のパターンの深さ（Ｄ）が、それぞれ前記関係式１および関係式２を満足することを特徴とする請求項１〜７の何れか一項に記載のクリシェ。
【請求項８】
溝部パターンを備えたクリシェであって、
前記溝部パターンが、網状パターンからなる領域を含んでなり、
前記網状パターンからなる領域が、その領域内で網状パターンを構成する線の交差点を３個以上含むスクエア領域であり、
前記網状パターンの線幅（Ｗ）、前記網状パターンの深さ（Ｄ）、前記スクエア領域とのうち、前記網状パターンが具備されない領域の比（Ｒ）、および前記網状パターンに対応するパターン形成用マスクパターンの開口線幅（Ｗ０）が下記関係式１および関係式４を満足する領域を含むことを特徴とする、クリシェ。
Ｗ＝２Ｄ＋Ｗ０＋Ｘ                                    ［関係式１］
Ｄ≧３３．８ｅｘｐ（−Ｒ／０．２３５）＋０．８２      ［関係式４］
〔上記式中、
Ｘは定数であり、
Ｄ、Ｗ、Ｗ０およびＸはマイクロメートル単位の値であり、
Ｒは０超過１未満の値である。〕
【請求項９】
前記スクエア領域において、前記網状パターンの線幅（Ｗ）、前記網状パターンのピッチ（Ｐ）、および前記スクエア領域のうち、前記網状パターンが具備されない領域の比（Ｒ）は、下記関係式５を追加的に満足することを特徴とする、請求項８に記載のクリシェ。
Ｒ＝（Ｐ−Ｗ）２／Ｐ２＝（１−Ｗ／Ｐ）２                ［関係式５］
〔上記式中、
Ｗ、ＰおよびＸはマイクロメートル単位の値であり、
Ｒは０超過１未満の値である。〕
【請求項１０】
前記網状パターンが、規則または不規則パターンであることを特徴とする、請求項８又は９に記載のクリシェ。
【請求項１１】
前記関係式１および関係式４を満足する領域が、全体溝部パターン領域のうち、５０％以上であることを特徴とする、請求項８〜１０の何れか一項に記載のクリシェ。
【請求項１２】
前記溝部パターンが、前記スクエア領域のうち、前記網状パターンが具備されない領域の比（Ｒ）が互いに異なる２以上のパターンを含んでなり、
前記２以上のパターンが、深さ（Ｄ）が同じであり、該深さ（Ｄ）が、前記線状パターンが具備されない領域の比（Ｒ）が最も小さいパターンを基準として前記関係式１および関係式４を満足することを特徴とする、請求項８〜１１の何れか一項に記載のクリシェ。
【請求項１３】
前記溝部パターンが、前記スクエア領域のうち、前記網状パターンが具備されない領域の比（Ｒ）が互いに異なる２以上のパターンを含んでなり、
前記２以上のパターンの深さ（Ｄ）が、それぞれ前記関係式１および関係式４を満足することを特徴とする、請求項８〜１３の何れか一項に記載のクリシェ。
【請求項１４】
溝部パターンを備えた、クリシェであって、
前記溝部パターンが、網状パターンおよび網状パターンの分節されたパターンからなる領域を含んでなり、
前記領域が、該領域内で網状パターンを構成する線の交差点を３個以上含むスクエア領域であり、
前記網状パターンの線幅（Ｗ）、前記網状パターンの深さ（Ｄ）、前記スクエア領域のうち、前記網状パターンおよび網状パターンの分節されたパターンが具備されない領域の比（Ｒ）、および前記網状パターンおよび網状パターンの分節されたパターンに対応するパターン形成用マスクパターンの開口線幅（Ｗ０）が下記関係式１および関係式４を満足する領域を含むことを特徴とする、クリシェ。
Ｗ＝２Ｄ＋Ｗ０＋Ｘ                                     ［関係式１］
Ｄ≧３３．８ｅｘｐ（−Ｒ／０．２３５）＋０．８２       ［関係式４］
〔上記式中、
Ｘは定数であり、
Ｄ、Ｗ、Ｗ０およびＸはマイクロメートル単位の値であり、
Ｒは０超過１未満の値である。〕
【請求項１５】
前記スクエア領域において、前記網状パターンおよび網状パターンの分節されたパターンの線幅（Ｗ）、パターンのピッチ（Ｐ）、および前記スクエア領域のうち、前記網状パターンおよび網状パターンの分節されたパターンが具備されない領域の比（Ｒ）が、下記関係式５を追加的に満足することを特徴とする、請求項１４に記載のクリシェ。
Ｒ＝（Ｐ−Ｗ）２／Ｐ２＝（１−Ｗ／Ｐ）２                ［関係式５］
〔上記式中、
Ｗ、ＰおよびＸはマイクロメートル単位の値であり、
Ｒは０超過１未満の値である。〕
【請求項１６】
前記関係式１および関係式４を満足する領域が、全体溝部パターン領域のうち、５０％以上であることを特徴とする、請求項１４又は１５に記載のクリシェ。
【請求項１７】
前記溝部パターンが、パターンが互いに交差しない線状パターン、網状パターンまたはこれらすべてを含むことを特徴とする、請求項１〜１６の何れか一項に記載のクリシェ。
【請求項１８】
前記溝部パターンの深さ（Ｄ）が、１００μｍ以下であることを特徴とする、請求項１〜１７の何れか一項に記載のクリシェ。
【請求項１９】
前記クリシェ上の溝部パターン以外の領域のうちの少なくとも一部領域に具備された反射層を追加的に含むことを特徴とする、請求項１〜１８の何れか一項に記載のクリシェ。
【請求項２０】
前記反射層が、金属および金属酸化物からなる群より選択される一種以上を含むことを特徴とする請求項１９に記載のクリシェ。
【請求項２１】
前記クリシェが、リバースオフセットプリンティング（ｒｅｖｅｒｓｅ  ｏｆｆｓｅｔ  ｐｒｉｎｔｉｎｇ）用であることを特徴とする、請求項１〜２０の何れか一項に記載のクリシェ。
【請求項２２】
前記クリシェ上にインクを転写する時、溝部パターンに底接触現象が実質的に発生しないことを特徴とする、請求項１〜２１の何れか一項に記載のクリシェ。
【請求項２３】
請求項１〜２２の何れか一項に記載のクリシェを用いて製造され、前記クリシェの溝部パターンに対応する印刷パターンを含むことを特徴とする、印刷物。
【請求項２４】
前記印刷パターンが、前記クリシェの溝部パターンに対応する領域のうち、非印刷領域が１０％以下であることを特徴とする、請求項２３に記載の印刷物。
【請求項２５】
前記印刷パターンの最大線幅および最小線幅の差は５０μｍ以下であることを特徴とする、請求項２３又は２４に記載の印刷物。
【請求項２６】
請求項２３〜２５の何れか一項に記載の印刷物を備えてなることを特徴とする、タッチスクリーンセンサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本出願は、２０１１年９月２日付で韓国特許庁に提出された韓国特許出願第１０−２０１１−００８９２４２号の出願日の利益を主張し、その内容のすべては本明細書に組み込まれる。
【０００２】
本発明は、クリシェおよびその製造方法に関するものであって、より具体的には、クリシェに転写されるインクの底接触現象を防止することができるクリシェおよびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００３】
液晶ディスプレイ（ｌｉｑｕｉｄ  ｃｒｙｓｔａｌ  ｄｉｓｐｌａｙ：ＬＣＤ）やプラズマディスプレイ（ｐｌａｓｍａ  ｄｉｓｐｌａｙ  ｐａｎｅｌ：ＰＤＰ）のような平面パネルディスプレイ（ｆｌａｔ  ｐａｎｅｌ  ｄｉｓｐｌａｙ：ＦＰＤ）の製造には、電極やブラックマトリックス、カラーフィルタ、隔壁、薄膜トランジスタなど、多様な種類のパターンを形成する工程が要求される。
【０００４】
このようなパターン形成工程としては、感光性レジストおよびフォトマスクを用いて、露光と現象により選択的に除去された感光性レジストパターンを得て、これを用いてパターンを形成する方法が多く利用されている。このようなフォトマスク工程は、感光性レジストや現像液のような材料の使用が多く、高価なフォトマスクを用いなければならず、工程ステップが多かったり、工程時間が長くなる問題がある。
【０００５】
このような問題を解決するために、感光性レジストを用いずに、インクジェットプリンティングやレーザ転写による方法のようにパターンを形成する物質を直ちに印刷する方法が提示されている。このような方法のひとつとして、クリシェ（ｃｌｉｃｈｅ）を用いて、ブランケットにパターンされた材料を転写し、このブランケットのパターンを基板上に転写するオフセット印刷法がある。
【０００６】
クリシェを用いるオフセット印刷法は、従来の感光性レジストを用いる工程に比べて材料の消費が少なく工程が簡単であり、インクジェットプリンティングやレーザ転写に比べて工程速度が速いという利点を有する。しかし、パターンの異なる基板に対してそれぞれのクリシェがなければならず、通常、ガラスで製作されるクリシェの製作工程が複雑で高価であるという欠点がある。
【０００７】
下記図１に、リバースオフセットプリンティング（ｒｅｖｅｒｓｅ  ｏｆｆｓｅｔ  ｐｒｉｎｔｉｎｇ）工程およびグラビアオフセットプリンティング（ｇｒａｖｕｒｅ  ｏｆｆｓｅｔ  ｐｒｉｎｔｉｎｇ）工程を概略的に示した。従来のクリシェ（リバースオフセットおよびグラビアオフセットの場合）の場合、マスクの原材料自体を用いてクリシェを製作する方法が主に利用されてきた。しかし、このような厚いクリシェを用いる場合、印刷装置の駆動方式によっては、クリシェからのオフ時にクリシェのずれ現象が発生することによってパターン性が非常に大きく揺れる問題を抱えており、これを解決するために、マスクを介して既存のフォトリソグラフィ工程を用いてクリシェを製作する場合、クリシェの最小線幅が露光器の具現能およびマスクの具現能に依存すると同時に、マスクや露光器などの費用によって製造費用が非常に高い問題を抱えている。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、製造工程が簡単であり、微細パターンを印刷できるだけでなく、クリシェ上に転写されるインクの底接触現象を防止することができる薄型のクリシェおよびその製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
そこで、本発明は、
溝部パターンを含むクリシェであって、
前記溝部パターンが、互いに交差しない線状パターンからなる領域を含み、
前記線状パターンからなる領域は、その領域内で線状パターンの線を２本以上含むスクエア領域であり、前記線状パターンの線幅（Ｗ）と深さ（Ｄ）、前記スクエア領域のうち、前記線状パターンが具備されない領域の比（Ｒ）、および前記線状パターンに対応するパターン形成用マスクパターンの開口線幅（Ｗ０）が下記関係式１および２を満足する領域を含むことを特徴とするクリシェを提供する。
［関係式１］
Ｗ＝２Ｄ＋Ｗ０＋Ｘ
［関係式２］
Ｄ≧４２．９ｅｘｐ（−Ｒ／０．３５）−１．５
ここで、Ｘは定数であり、
Ｄ、Ｗ、Ｗ０およびＸはマイクロメートル単位の値であり、
Ｒは０超過１未満の値である。
【００１０】
また、本発明は、
溝部パターンを含むクリシェであって、
前記溝部パターンが、網状パターンからなる領域を含み、
前記網状パターンからなる領域は、その領域内で網状パターンを構成する線の交差点を３個以上含むスクエア領域であり、前記網状パターンの線幅（Ｗ）と深さ（Ｄ）、前記スクエア領域のうち、前記網状パターンが具備されない領域の比（Ｒ）、および前記網状パターンに対応するパターン形成用マスクパターンの開口線幅（Ｗ０）が下記関係式１および４を満足する領域を含むことを特徴とするクリシェを提供する。
［関係式１］
Ｗ＝２Ｄ＋Ｗ０＋Ｘ
［関係式４］
Ｄ≧３３．８ｅｘｐ（−Ｒ／０．２３５）＋０．８２
ここで、Ｘは定数であり、
Ｄ、Ｗ、Ｗ０およびＸはマイクロメートル単位の値であり、
Ｒは０超過１未満の値である。
【００１１】
さらに、本発明は、
溝部パターンを含むクリシェであって、
前記溝部パターンが、網状パターンおよび網状パターンの分節されたパターンからなる領域を含み、
前記領域は、その領域内で網状パターンを構成する線の交差点を３個以上含むスクエア領域であり、前記網状パターンの線幅（Ｗ）と深さ（Ｄ）、前記スクエア領域のうち、前記網状パターンおよび網状パターンの分節されたパターンが具備されない領域の比（Ｒ）、および前記網状パターンおよび網状パターンの分節されたパターンに対応するパターン形成用マスクパターンの開口線幅（Ｗ０）が下記関係式１および４を満足する領域を含むことを特徴とするクリシェを提供する。
［関係式１］
Ｗ＝２Ｄ＋Ｗ０＋Ｘ
［関係式４］
Ｄ≧３３．８ｅｘｐ（−Ｒ／０．２３５）＋０．８２
ここで、Ｘは定数であり、
Ｄ、Ｗ、Ｗ０およびＸはマイクロメートル単位の値であり、
Ｒは０超過１未満の値である。
【００１２】
また、本発明は、前記クリシェを用いて製造され、前記クリシェの溝部パターンに対応する印刷パターンを含む印刷物を提供する。
【００１３】
さらに、本発明は、前記印刷物を含むタッチスクリーンセンサを提供する。
【発明の効果】
【００１４】
本発明にかかるクリシェは、溝部パターンに線状パターン、網状パターンなどを含み、前記線状パターンおよび網状パターンの線幅、深さ、ピッチなどが特定の関係式を満足することにより、クリシェ上に転写されるインクの底接触現象を防止することができる。また、本発明にかかるクリシェは、金属層または金属酸化物層の反射板を含むことにより、クリシェに転写されるインクの厚さを確認することができ、これによって、印刷ロールブランケットの適正な乾燥状態を維持および調節することができる。また、クリシェの製造時、レーザを用いることによって微細線を有するクリシェを製造することができ、これを用いた印刷時、クリシェずれによるパターンの歪みを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】リバースオフセットプリンティング（ｒｅｖｅｒｓｅ  ｏｆｆｓｅｔ  ｐｒｉｎｔｉｎｇ）工程およびグラビアオフセットプリンティング（ｇｒａｖｕｒｅ  ｏｆｆｓｅｔ  ｐｒｉｎｔｉｎｇ）工程を概略的に示す図である。
【図２】本発明の一具体例として、クリシェおよびこれを用いた印刷物の顕微鏡写真である。
【図３】本発明の一具体例として、クリシェの印刷の水平方向に対する線状パターンのエッチング深さに応じた底接触の結果を示す図である。
【図４】本発明の一具体例として、クリシェの網状パターンのエッチング深さに応じた底接触の結果を示す図である。
【図５】本発明の一具体例による反射層を含むクリシェを示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明について詳細に説明する。
本明細書において、「底接触現象」とは、クリシェ上に印刷ロールを用いてインクを転写する場合、クリシェの溝部パターン内部の底に印刷ロールのインクが接触してインクが転写され、これによって、最終印刷物パターンの不良をもたらす現象を意味する。
【００１７】
本発明では、クリシェのエッチング深さに応じてクリシェ上に転写されるインクの底接触現象を防止するために、適用可能なクリシェの溝部パターンの線幅、ピッチ、エッチング深さなどの関係式を導出した。
【００１８】
本発明にかかるクリシェの一実施態様は、溝部パターンを含むクリシェであって、前記溝部パターンが、互いに交差しない線状パターンからなる領域を含み、前記線状パターンからなる領域は、その領域内で線状パターンの線を２本以上含むスクエア領域であり、前記線状パターンの線幅（Ｗ）と深さ（Ｄ）、前記スクエア領域のうち、前記線状パターンが具備されない領域の比（Ｒ）、および前記線状パターンに対応するパターン形成用マスクパターンの開口線幅（Ｗ０）が下記関係式１および２を満足する領域を含むことを特徴とする。
［関係式１］
Ｗ＝２Ｄ＋Ｗ０＋Ｘ
［関係式２］
Ｄ≧４２．９ｅｘｐ（−Ｒ／０．３５）−１．５
ここで、Ｘは定数であり、
Ｄ、Ｗ、Ｗ０およびＸはマイクロメートル単位の値であり、
Ｒは０超過１未満の値である。
【００１９】
前記関係式１において、Ｘはクリシェを形成する基材の種類に応じた値であり、基材エッチング時のＣＤ膨脹補正値を意味する。より具体的には、前記Ｘは０〜２マイクロメートルの値を有する。
【００２０】
クリシェの多様な線幅およびピッチに対してエッチング深さ別底接触の結果を下記図３に示した。より具体的には、図３は、クリシェの印刷の水平方向に整列されている線状パターンにおいて、クリシェの多様な線幅およびピッチに対してエッチング深さ別底接触の結果を示す図である。
【００２１】
図３の結果によれば、グラフの下方領域に相当する部分は、すべてクリシェ上に転写されるインクの底接触現象が発生することを確認することができた。この時、開口率（Ａｐｅｒｔｕｒｅ  ｒａｔｉｏ）は、繰り返されるパターンの場合、５００μｍ×５００μｍの単位面積において図３の開口率計算式によって定義される。
【００２２】
前記線状パターンの線を２本以上含むスクエア領域において、前記線状パターンの線幅（Ｗ）とピッチ（Ｐ）、および前記スクエア領域のうち、前記線状パターンが具備されない領域の比（Ｒ）は、下記関係式３を満足することができる。
［関係式３］
Ｒ＝Ｐ（Ｐ−Ｗ）／Ｐ２＝（Ｐ−Ｗ）／Ｐ
ここで、Ｗ、ＰおよびＸはマイクロメートル単位の値であり、
Ｒは０超過１未満の値である。
【００２３】
前記線状パターンは、規則または不規則パターンであり得る。また、前記線状パターンは、直線、曲線、ジグザグ線またはこれらの組み合わせを含むことができる。
【００２４】
前記関係式１および２を満足する領域は、全体溝部パターン領域のうち、５０％以上であり得、７０％以上であり得、８０％以上であり得るが、これにのみ限定されるものではない。
【００２５】
前記溝部パターンは、前記スクエア領域のうち、前記線状パターンが具備されない領域の比（Ｒ）が互いに異なる２以上のパターンを含み、前記２以上のパターンは、深さ（Ｄ）が同じであり、前記深さ（Ｄ）は、前記線状パターンが具備されない領域の比（Ｒ）が最も小さいパターンを基準として前記関係式１および２を満足することができる。
【００２６】
また、前記溝部パターンは、前記スクエア領域のうち、前記線状パターンが具備されない領域の比（Ｒ）が互いに異なる２以上のパターンを含み、前記２以上のパターンの深さ（Ｄ）は、それぞれ前記関係式１および２を満足することができる。
【００２７】
したがって、クリシェの印刷の水平方向の線状パターンに対してクリシェ上に転写されるインクの底接触現象を防止するために、図３のグラフの上方領域に相当する線幅、ピッチ、エッチング深さなどを、前記関係式を利用して所望の数値に選定することができる。
【００２８】
本発明にかかるクリシェの他の実施態様は、溝部パターンを含むクリシェであって、前記溝部パターンが、網状パターンからなる領域を含み、前記網状パターンからなる領域は、その領域内で網状パターンを構成する線の交差点を３個以上含むスクエア領域であり、前記網状パターンの線幅（Ｗ）と深さ（Ｄ）、前記スクエア領域のうち、前記網状パターンが具備されない領域の比（Ｒ）、および前記網状パターンに対応するパターン形成用マスクパターンの開口線幅（Ｗ０）が下記関係式１および４を満足する領域を含むことを特徴とする。
［関係式１］
Ｗ＝２Ｄ＋Ｗ０＋Ｘ
［関係式４］
Ｄ≧３３．８ｅｘｐ（−Ｒ／０．２３５）＋０．８２
ここで、Ｘは定数であり、
Ｄ、Ｗ、Ｗ０およびＸはマイクロメートル単位の値であり、
Ｒは０超過１未満の値である。
【００２９】
前記関係式１において、Ｘはクリシェを形成する基材の種類に応じた値であり、基材エッチング時のＣＤ膨脹補正値を意味する。より具体的には、前記Ｘは０〜２マイクロメートルの値を有する。
【００３０】
クリシェの多様な線幅およびピッチに対してエッチング深さ別底接触の結果を下記図４に示した。より具体的には、図４は、スクエア（ｓｑｕａｒｅ）パターンのような網状パターンにおいて、クリシェの多様な線幅およびピッチに対してエッチング深さ別底接触の結果を示す図である。
【００３１】
図４の結果によれば、グラフの下方領域に相当する部分は、すべてクリシェ上に転写されるインクの底接触現象が発生することを確認することができた。この時、開口率（Ａｐｅｒｔｕｒｅ  ｒａｔｉｏ）は、繰り返されるパターンの場合、５００μｍ×５００μｍの単位面積において図４の開口率計算式によって定義される。
【００３２】
前記網状パターンを構成する線の交差点を３個以上含むスクエア領域において、前記網状パターンの線幅（Ｗ）とピッチ（Ｐ）、および前記スクエア領域のうち、前記網状パターンが具備されない領域の比（Ｒ）は、下記関係式５を満足することができる。
［関係式５］
Ｒ＝（Ｐ−Ｗ）２／Ｐ２＝（１−Ｗ／Ｐ）２
ここで、Ｗ、ＰおよびＸはマイクロメートル単位の値であり、
Ｒは０超過１未満の値である。
【００３３】
前記網状パターンは、規則または不規則パターンであり得る。
【００３４】
前記関係式１および４を満足する領域は、全体溝部パターン領域のうち、５０％以上であり得、７０％以上であり得、８０％以上であり得るが、これにのみ限定されるものではない。
【００３５】
前記溝部パターンは、前記スクエア領域のうち、前記網状パターンが具備されない領域の比（Ｒ）が互いに異なる２以上のパターンを含み、前記２以上のパターンは、深さ（Ｄ）が同じであり、前記深さ（Ｄ）は、前記網状パターンが具備されない領域の比（Ｒ）が最も小さいパターンを基準として前記関係式１および４を満足することができる。
【００３６】
また、前記溝部パターンは、前記スクエア領域のうち、前記網状パターンが具備されない領域の比（Ｒ）が互いに異なる２以上のパターンを含み、前記２以上のパターンの深さ（Ｄ）は、それぞれ前記関係式１および４を満足することができる。
【００３７】
したがって、クリシェの網状パターンに対してクリシェ上に転写されるインクの底接触現象を防止するために、図４のグラフの上方領域に相当する線幅、ピッチ、エッチング深さなどを、前記関係式を利用して所望の数値に選定することができる。
【００３８】
本発明にかかるクリシェの他の実施態様は、溝部パターンを含むクリシェであって、前記溝部パターンが、網状パターンおよび網状パターンの分節されたパターンからなる領域を含み、前記領域は、その領域内で網状パターンを構成する線の交差点を３個以上含むスクエア領域であり、前記網状パターンの線幅（Ｗ）と深さ（Ｄ）、前記スクエア領域のうち、前記網状パターンおよび網状パターンの分節されたパターンが具備されない領域の比（Ｒ）、および前記網状パターンおよび網状パターンの分節されたパターンに対応するパターン形成用マスクパターンの開口線幅（Ｗ０）が下記関係式１および４を満足する領域を含むことを特徴とする。
［関係式１］
Ｗ＝２Ｄ＋Ｗ０＋Ｘ
［関係式４］
Ｄ≧３３．８ｅｘｐ（−Ｒ／０．２３５）＋０．８２
ここで、Ｘは定数であり、
Ｄ、Ｗ、Ｗ０およびＸはマイクロメートル単位の値であり、
Ｒは０超過１未満の値である。
【００３９】
前記関係式１において、Ｘはクリシェを形成する基材の種類に応じた値であり、基材エッチング時のＣＤ膨脹補正値を意味する。より具体的には、前記Ｘは０〜２マイクロメートルの値を有する。
【００４０】
前記網状パターンを構成する線の交差点を３個以上含むスクエア領域において、前記網状パターンおよび網状パターンの分節されたパターンの線幅（Ｗ）とピッチ（Ｐ）、および前記スクエア領域のうち、前記網状パターンおよび網状パターンの分節されたパターンが具備されない領域の比（Ｒ）は、下記関係式５を満足することができる。
［関係式５］
Ｒ＝（Ｐ−Ｗ）２／Ｐ２＝（１−Ｗ／Ｐ）２
ここで、Ｗ、ＰおよびＸはマイクロメートル単位の値であり、
Ｒは０超過１未満の値である。
【００４１】
前記関係式１および４を満足する領域は、全体溝部パターン領域のうち、５０％以上であり得、７０％以上であり得、８０％以上であり得るが、これにのみ限定されるものではない。
【００４２】
本発明にかかるクリシェにおいて、前記溝部パターンは、パターンが互いに交差しない線状パターン、網状パターンまたはこれらすべてを含むことができる。
【００４３】
本発明にかかるクリシェにおいて、前記溝部パターンの深さは１００μｍ以下であり得、５０μｍ以下であり得、１０μｍ以下であり得、５μｍ以下であり得、２μｍ以下であり得る。
【００４４】
前記のように、本発明にかかるクリシェは、クリシェ上にインクを転写する時、溝部パターンに底接触現象が実質的に発生しないことを特徴とする。
【００４５】
本発明にかかるクリシェの他の実施態様は、溝部パターンを含むクリシェであって、前記クリシェ上の溝部パターン以外の領域のうちの少なくとも一部領域に具備された反射層を含む。
【００４６】
前記反射層は、前記溝部パターン以外の領域上の少なくとも一部領域に具備できる。すなわち、前記反射層は、前記クリシェ上にインクが転写される領域のうちの一部領域に具備できる。
【００４７】
前記反射層は、反射度が５％以上の多様な金属および金属酸化物からなる群より選択される一種以上を含むことができるが、クリシェの製造時、基材と金属または金属酸化物との間の接着力およびこれによるＣＤ損失を考慮する場合、クロム、モリブデン、タングステンおよびこれらの酸化物からなる群より選択される一種以上を含むことが好ましい。特に、前記反射層は、レジストインクコーティングの際、レジストインクによって反射が十分に起こる金属および金属酸化物からなる群より選択されることが好ましい。
【００４８】
前記反射層は、金属および金属酸化物からなる群より選択される一種以上を含む単一層に形成され得、金属および金属酸化物からなる群より選択される一種以上を含む２層以上の多層に形成され得る。
【００４９】
前記クリシェと反射層との間には、接着力向上層を追加的に含むことができる。前記接着力向上層は、基材と金属または金属酸化物との間の接着力を向上させるためのもので、当該技術分野で知られた材料および方法を利用して形成することができる。
【００５０】
本発明にかかるクリシェは、リバースオフセットプリンティング（ｒｅｖｅｒｓｅ  ｏｆｆｓｅｔ  ｐｒｉｎｔｉｎｇ）工程において、透明性を有する薄膜を印刷する場合、より効率的に適用可能である。
【００５１】
リバースオフセットプリンティング工程の最も重要な要素は、印刷間ブランケットの適正な乾燥状態を維持することである。しかし、このようなブランケットの適正な乾燥状態の維持のための制御方法において主に利用されているブランケット自体のスウェリング（ｓｗｅｌｌｉｎｇ）による厚さ変化の測定方法は、根本的に高沸点溶媒（特に、スウェリングが少なくなる高沸点溶媒）によるブランケットの体積膨脹があまり目立たないにもかかわらず、印刷特性には大きい影響を与える点から好ましい方法と判断することは難しい。
【００５２】
本発明では、インクの適正な乾燥状態を持続的にフィードバックするために、クリシェ上に金属および金属酸化物からなる群より選択される一種以上を含む反射層を導入することにより、プリンティング装備によってオフ時にクリシェについているインクの乾燥状態を確認することができ、これを機械的にフィードバックして、ブランケットを適正な状態に維持することができる。このために、本発明にかかるクリシェの製造時、最終Ｃｒのような金属層または金属酸化物層を剥離する直前に、フォトレジストまたはポリイミドテープのようなマスキング（ｍａｓｋｉｎｇ）が可能な材料によりクリシェの部分ごとに金属層または金属酸化物層を残留させることを特徴とする。
【００５３】
このような方法によるブランケットの乾燥状態の調節は、結果的に、被印刷体に相当するインクの状態を直接的にモニタリングする面からより適切な方法ということができ、このような方法のために、クリシェ上に反射層を導入することを本発明の要旨とする。
【００５４】
したがって、本発明にかかるクリシェにおいて、前記反射層は、クリシェに転写されるインクの厚さを測定する役割を果たすことができる。これによって、印刷ロールブランケットの適正な乾燥状態を維持および調節することができ、前記ブランケットの乾燥状態の調節は、結果的に、被印刷体に相当するインクの状態を直接的にモニタリングすることができるという特徴がある。
【００５５】
前記反射層の反射度は特に限定されるものではないが、５％以上であり得、１０％以上であり得、５０％以上であり得、９０％以上であり得る。
【００５６】
前記反射層の厚さは特に限定されるものではないが、２００ｎｍ以下であり得、１μｍ以下であり得る。
【００５７】
前記反射層の幅などの数値範囲は特に限定されておらず、タッチスクリーンの有効画面部を侵さない範囲内では大きければ大きいほど良い特性を有する。
【００５８】
本発明にかかるクリシェにおいて、前記クリシェの溝部パターン以外の領域の厚さは０．０５〜０．３ｍｍであり得、０．３ｍｍ超過２ｍｍ以下であり得、２ｍｍ超過５ｍｍ以下であり得る。
【００５９】
本発明にかかるクリシェにおいて、前記溝部パターンは、互いに交差しない線状パターン、網状パターンまたはこれらすべてを含むことができる。
【００６０】
下記図２に、本発明にかかるクリシェの顕微鏡写真および印刷物の顕微鏡写真を示した。本発明にかかるクリシェは、ＬＣＤガラスの平坦度にそのまま沿った全般的な均一性、およびエッチング時の各領域ごとのエッチング均一性を確保することができるのはもちろん、レーザによるパターニングの進行に伴う微細線を有するクリシェを製造することができるという利点を有しており、前述した印刷時、クリシェずれによるパターンの歪みを防止することを確認することができる。
【００６１】
また、本発明にかかるクリシェの製造方法の一具体例は、１）基材上に反射層を形成するステップと、２）前記反射層をパターン化するステップと、３）前記パターン化された反射層をマスクとして用いて前記基材をパターン化するステップとを含む。
【００６２】
本発明にかかるクリシェの製造方法において、前記１）ステップの基材は、当該技術分野で知られた材料を用いることができ、より具体的には、ガラス、プラスチックフィルム、ステンレス基板などが挙げられるが、これらにのみ限定されるものではない。
【００６３】
本発明にかかるクリシェにおいて、前記１）ステップの基材は、透明ガラス基材を用いることができ、前記透明ガラス基材の厚さは０．３〜２ｍｍであることが好ましい。すなわち、本発明では、一般的なＬＣＤ用ガラス（０．６３ｍｍ）を用いて、直接的なレーザパターニングによってクリシェを製造することができる。
【００６４】
本発明にかかるクリシェの製造方法において、前記２）ステップは、２−１）前記反射層上にフォトレジスト層を形成した後、前記フォトレジスト層をパターン化するステップと、２−２）前記パターン化されたフォトレジスト層をマスクとして前記反射層をパターン化するステップとを含むことができる。
【００６５】
本発明にかかるクリシェの製造方法において、前記３）ステップの基材のパターン化は、レーザを用いて実施できる。前記レーザは、ＮＤ−ＹＡＧレーザ、ＣＯ２レーザ、半導体レーザ、ピコ（ｐｉｃｏ）レーザおよびフェムト（ｆｅｍｔｏ）レーザからなる群より選択できるが、これらにのみ限定されるものではない。
【００６６】
また、本発明は、前記クリシェを用いて製造され、前記クリシェの溝部パターンに対応する印刷パターンを含む印刷物を提供する。
【００６７】
前記印刷パターンの最大線幅および最小線幅の差は５０μｍ以下であり得る。
【００６８】
また、本発明は、前記印刷物を含むタッチスクリーンセンサを提供する。
【００６９】
前記タッチスクリーンセンサは、本発明にかかるクリシェを用いて印刷した印刷物を含むこと以外には、当該技術分野で知られた材料、製造方法などを利用することができる。
【実施例】
【００７０】
以下、実施例を通じて本発明をより詳細に説明する。しかし、下記の実施例は本発明を例示するためのものであって、実施例によって本発明の範囲が限定されることを意図しない。
【００７１】
＜実施例＞
図５に、本発明の一具体例による反射層を含むクリシェを示した。より具体的には、図５によるクリシェは、ＬＣＤ用ガラス（０．６３ｍｍ）を用いたもので、溝部パターンの深さ５μｍ、線幅１３μｍ、ピッチ３００μｍのメッシュ形態のクリシェである。また、反射層は、Ｃｒ（１，３００Å）／ＣｒＯｘ（４００Å）で構成されており、前記Ｃｒ／ＣｒＯｘでガラスと接する部分はＣｒＯｘである。前記反射層は、クリシェ上に２ｃｍ×１ｃｍの四角形４個で構成した。
【００７２】
図５のように、本発明にかかるクリシェは、溝部パターンの線幅、深さ、ピッチなどが特定の関係式を満足することにより、クリシェ上に転写されるインクの底接触現象を実質的に防止することができた。また、本発明にかかるクリシェは、クリシェ上の溝部パターン以外の領域のうちの少なくとも一部領域に反射層を含むことにより、クリシェに転写されるインクの厚さを確認することができ、これによって、印刷ロールブランケットの適正な乾燥状態を維持および調節することができる。さらに、クリシェの製造時、レーザを用いることによって微細線を有するクリシェを製造することができ、これを用いた印刷時、クリシェずれによるパターンの歪みを防止することができる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【国際調査報告】
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