(57)【要約】  本出願は、活性化有機材料で作製された構成部品に関し、前記構成部品が、少なくとも１つの第１の電極（１０４，２０４，３０４）と、少なくとも１つの第２の電極（１０６，２０６，３０６）とを備え、第１の電極および第２の電極が、活性化高分子ベースの層（１０２，３０２）の領域によって隔離され、電極（１０４，２０４，３０４，１０６，２０６，３０６）を隔離する活性層（１０２，３０２）の領域が、可変の限界寸法（ＤＬ）を有する。
2014517526.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つの第１の電極（１０４，２０４，３０４）と、少なくとも１つの第２の電極（１０６，２０６，３０６）とを備え、前記第１の電極および前記第２の電極が、少なくとも１つの半導体高分子材料をベースとした活性層（１０２，３０２）の領域によって隔離され、前記電極（１０４，２０４，３０４，１０６，２０６，３０６）を隔離する前記活性層（１０２，３０２）の前記領域が、可変の限界寸法（ＤＬ）を有する、マイクロエレクトロニクス構成部品。
【請求項２】
前記第１の電極（１０４，２０４）がソース電極であり、前記第２の電極（１０６，２０６）がドレイン電極であり、トランジスタが、前記第１の電極と前記第２の電極とを隔離する半導体高分子材料の前記領域ならびにソース電極およびドレイン電極の少なくとも一部に対向するゲート電極（１１０）をさらに備える、請求項１に記載のトランジスタ。
【請求項３】
前記ソース電極（１０４）および／または前記ドレイン電極（１０６）が、前記活性層（１０２）の主平面と非ゼロ角度（ａ）をなす少なくとも１つの傾斜した側面（１１６）を備える、請求項２に記載のトランジスタ。
【請求項４】
前記ソース電極（１０４）および前記ドレイン電極（１０６）が、前記第１の電極と前記第２の電極とを隔離する前記距離が線形的に変化するような形状を有する、請求項２または３に記載のトランジスタ。
【請求項５】
前記ソース電極（１０４，２０４）と前記ドレイン電極（１０６，２０６）とを隔離する前記距離（ＤＬ）が、前記ゲート電極に接近するにつれて長くなる、請求項２から４のいずれか一項に記載のトランジスタ。
【請求項６】
前記ゲート電極が、上に置かれ、前記ソース電極（１０４）の所与の一部（１０４ａ）および前記ドレイン電極（１０６）の所与の一部（１０６ａ）に対向して位置し、前記ソース電極および前記ドレイン電極の他の部分（１０４ｂ，１０６ｂ）が、前記ゲート電極（１１０）に対向しないところに位置する、請求項５に記載のトランジスタ。
【請求項７】
前記ソース電極および前記ドレイン電極が、前記高分子材料の層の前記主平面に垂直な三角形の底面をもつ角柱の形状を有する、請求項２から６のいずれか一項に記載のトランジスタ。
【請求項８】
前記ソース電極（１０４，２０４）と前記ドレイン電極（１０６，２０６）とを隔離する前記距離（ＤＬ）が、前記活性層の前記主平面に平行な方向で長くなる、請求項２から４のいずれか一項に記載のトランジスタ。
【請求項９】
前記ソース電極（２０４）および前記ドレイン電極（２０６）が、前記高分子材料の層の前記主平面に平行な三角形の底面をもつ角柱の形状を有する、請求項８に記載のトランジスタ。
【請求項１０】
前記第１の電極（３０４）と前記第２の電極（３０６）とを隔離する前記距離（ＤＬ）が可変であり、前記第１の電極および前記第２の電極が、前記活性層の前記主平面と非ゼロ角度（α）をなす少なくとも１つの傾斜した側面を備える、請求項１に記載の光ダイオード。
【請求項１１】
前記第１の電極（３０４）および／または前記第２の電極（３０６）が、前記活性層（３０２）の前記主平面と非ゼロ角度（α）をなす傾斜した側面（３１４，３１６）を備える、請求項９に記載の光ダイオード。
【請求項１２】
前記第１の電極（３０４）および前記第２の電極（３０６）が、前記第１の電極（３０４）と前記第２の電極（３０６）とを隔離する前記距離が線形的に変化するような形状を有する、請求項１０または１１に記載の光ダイオード。
【請求項１３】
前記第１の電極（３０４）と前記第２の電極（３０６）が、三角形の底面をもつ角柱の形状を有し、前記三角形の底面が前記活性層の主平面（３０２）と非ゼロ角度をなす、請求項１０から１２のいずれか一項に記載の光ダイオード。
【請求項１４】
前記第１の電極（３０４）と前記第２の電極（３０６）が、前記活性層（３０２）の前記主平面と非ゼロ角度（α）をなす第１の傾斜した側面（３１４）と、前記第１の側面に対向し前記活性層（３０２）の前記主平面と非ゼロ角度（α）をなす第２の傾斜した側面（３１６）とをそれぞれ備え、前記第１の側面（３１４）および前記第２の側面（３１６）が、光放射を反射する面を有する、請求項１０から１３のいずれか一項に記載の光ダイオード。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、２つの電極間に位置する半導体高分子材料をベースとした活性エリアを備える構成部品の分野に関し、詳細には、いわゆる「有機」トランジスタおよび光ダイオードの分野に関する。
【０００２】
本発明は、マイクロエレクトロニクス構成部品を提供し、このマイクロエレクトロニクス構成部品の電極は、特に、ＯＮ状態すなわちその作動状態のその電流と、ＯＦＦ状態すなわちその非動作状態のその電流との比に関して、その性能を改良した形状および構成を有する。
【背景技術】
【０００３】
従来技術に従って使用される電界効果有機トランジスタの一例を図１Ａ〜図１Ｂに示す。
【０００４】
トランジスタは、支持体１に支えられ、２つのソース電極４およびドレイン電極６を覆う活性層２を備える。
【０００５】
活性層２は、半導体特性を有する有機高分子型の材料で形成される。このトランジスタは、そのゲート電極１０が、ソース電極４およびドレイン電極６の上に置かれるように構成される（図１Ａ）。
【０００６】
電極４および電極６は、平行六面体状のブロックの形状であり、したがって、チャネルエリア３の中へまたはそこから電荷を輸送する２つの注入面Ｓｉ１およびＳｉ２を備え、第１の注入面Ｓｉ１が、活性層２の主平面に対して平行でチャネルエリア３と接触している電極ブロックの表面と、活性層２の主平面に対して垂直でチャネルエリア３と接触している電極ブロックの別の表面とに対応する。
【０００７】
Ｉｏｎ／Ｉｏｆｆの比は、トランジスタのＯＮ状態とＯＦＦ状態を特徴付ける比である。Ｉｏｆｆ電流は、最小化することが求められるリーク電流であり、一方Ｉｏｎ電流は、最大化することが求められる所与のゲート電圧での飽和電流である。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
概括的に言えば、ＯＮ状態すなわちアクティブ状態の電流と、ＯＦＦ状態すなわち非アクティブ状態の電流との間の、可能な限り高い比を有する有機構成部品を使用することが求められる。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
始めに、本発明は、少なくとも１つの第１の電極と少なくとも１つの第２の電極とを備える、特に有機の、マイクロエレクトロニクス構成部品に関係し、第１の電極および第２の電極は、特に半導体性の、少なくとも１つの高分子材料をベースとした活性層の領域によって隔離され、第１の電極および第２の電極は、これらを隔離する距離が変化するように設計された形状および構成を有する。
【００１０】
このように、第１の電極と第２の電極とを隔離する活性層の領域は、可変である「限界寸法」ＤＬとも呼ばれる長さを有する。
【００１１】
ここでは、「限界寸法」とは、その厚さを除いた、層または積層の最小寸法を意味する。
【００１２】
本発明の第１の態様に従って、構成部品は、トランジスタ、特に、有機トランジスタとすることができる。
【００１３】
この場合には、前記第１の電極は、ソース電極とすることができ、一方第２の電極はドレイン電極とすることができ、トランジスタは、前記第１の電極と前記第２の電極とを隔離する高分子材料の前記領域ならびにソース電極とドレイン電極の少なくとも一部に対向するゲート電極も備える。
【００１４】
ソース電極および／またはドレイン電極は、活性層の主平面と非ゼロ角度を作る傾斜した側面をそれぞれ備える。
【００１５】
ソース電極およびドレイン電極は、基板上に配置されてよく、ゲート電極が上に置かれてよい。特定の構成に従って、ゲート電極は、有利にはソース電極およびドレイン電極の一部のみに対向して位置することができる。
【００１６】
このように、トランジスタのチャネルエリアの近くに位置するソース電極およびドレイン電極の一部は、ゲート電極に対向して配置されてよく、ソース電極およびドレイン電極の他のエリアは、ゲート電極が真上に置かれてなく、ゲート電極に対向しないところに位置する。
【００１７】
一構成の可能性に従って、ソース電極およびドレイン電極は、第１の電極と第２の電極とを隔離する距離が、線形的にまたは実質上線形的に変化するような形状を有することができる。
【００１８】
ソース電極およびドレイン電極の構成は、ソース電極とドレイン電極とを隔離する距離が、前記ゲート電極に接近するにつれて長くなるようにも設計されうる。
【００１９】
この構成は、低減したリーク電流Ｉｏｆｆを有すると同時に飽和電流Ｉｏｎに関してトランジスタを改良する。
【００２０】
ソース電極およびドレイン電極は、三角形の底面をもつ角柱の形状を有することができ、この三角形の底面は、活性層に対してすなわち活性層の主平面に対して垂直であることができる。
【００２１】
別の実施可能性に従って、トランジスタは、ソース電極とドレイン電極とを隔離する距離は、ゲート電極および活性層に対して平行な方向に長くなるように、形成されうる。
【００２２】
ソース電極およびドレイン電極は、活性層の主平面に対して平行な三角形の底面をもつ角柱の形状を有することができる。
【００２３】
本発明の第２の態様に従って、構成部品は、ダイオード、特に光ダイオードとすることができる。
【００２４】
一実施可能性に従って、第１の電極および／または第２の電極は、活性層の主平面と角度をなす傾斜した側面を備えることができる。
【００２５】
第１の電極および第２の電極は、第１の電極と第２の電極とを隔離する距離が線形的に変化するような形状を有することができる。
【００２６】
一実施可能性に従って、第１の電極および第２の電極は、三角形の底面をもつ角柱の形状を有することができ、この三角形の底面は、活性層の主平面と非ゼロ角度をなす。
【００２７】
一実施可能性に従って、第１の電極および第２の電極は、活性層の主平面と非ゼロ角度をなす第１の傾斜した側面、ならびに、前記第１の側面に対向し活性層の主平面と非ゼロ角度をなす第２の傾斜した側面とをそれぞれ備えることができ、第１の側面および第２の側面が、光放射を反射する面を備える。
【００２８】
本発明は、単に指標としてのみでありいかなる限定もしない与えられた例示的実施形態の説明を読み、添付の図面を参照することによってより十分に理解されるであろう。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１Ａ】従来技術による、電界効果有機トランジスタを示す図である。
【図１Ｂ】従来技術による、電界効果有機トランジスタを示す図である。
【図２Ａ】電極の構成および形状が改良された、本発明に従って実施された電界効果有機トランジスタの一例を示す図である。
【図２Ｂ】電極の構成および形状が改良された、本発明に従って実施された電界効果有機トランジスタの一例を示す図である。
【図２Ｃ】電極の構成および形状が改良された、本発明に従って実施された電界効果有機トランジスタの一例を示す図である。
【図２Ｄ】電極の構成および形状が改良された、本発明に従って実施された電界効果有機トランジスタの一例を示す図である。
【図３】電極の構成および形状が改良された、本発明に従って実施された電界効果有機トランジスタの別の例を示す図である。
【図４】改良された構成および形状をもつ電極を備える、本発明に従って実施された有機光ダイオードを示す図である。
【図５Ａ】本発明に従って実施された有機構成部品の電極を製作するための方法を示す図である。
【図５Ｂ】本発明に従って実施された有機構成部品の電極を製作するための方法を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
様々な図面中の同一、同様または同等の部品は、１つの図面から別の図面まで通して見ることを容易にするために同じ参照番号を表す。
【００３１】
図面中に示す様々な部品は、図面をより見やすくするために、必ずしも均一の縮尺で示されていない。
【００３２】
ここで、本発明によるマイクロエレクトロニクス構成部品の一例について、図２Ａ〜図図２Ｄに関連させて説明する。
【００３３】
この例では、マイクロエレクトロニクス構成部品は、支持体１００上に形成され、例えばポリエチレンナフタレートをベースとした、例えば５０μｍ〜２００μｍの厚さであり有利には１００μｍ〜１５０μｍである電界効果有機トランジスタである。
【００３４】
例えばＴＩＰＳ（トリイソプロピルシリルペンタセン）、例えば２０ｎｍ〜２００ｎｍの厚さなどの、少なくとも１つの半導体高分子材料に基づく活性層１０２が、基板１００に支えられている。
【００３５】
この活性層１０２は、チャネルを形成し２つのソース電極１０４とドレイン電極１０６との間に位置しゲート電極１１０に対向するエリア１０３、を備える。
【００３６】
ソース電極１０４およびドレイン電極１０６は、支持体１００に支えられ、活性層１０２に覆われる。ソース電極１０４およびドレイン電極１０６は、２０ｎｍから２００ｎｍまで変化する厚さを有することができる。
【００３７】
この例示的実施形態では、電極１０４、１０６の上に、厚さのある活性層１０２が置かれ、この厚さのある活性層１０２それ自体の上に、ゲート絶縁層１０７が置かれており、このゲート絶縁層は、例えばフッ素化重合体またはポリスチレン、例えばＡＧＣ旭硝子のＣｙｔｏｐ（登録商標）などをベースとした層であり、例えば厚さ４００ｎｍ〜１μｍである。一方、ゲート電極１１０は、絶縁体の層１０７に支えられて、ソース１０２およびドレイン１０４の電極の上に置かれている。
【００３８】
ゲート電極１１０は、活性層の領域１０３、ソース電極１０４の一部１０４ａおよびドレイン電極１０６の一部１０６ａに対向して配置される。
【００３９】
このように、この例では、ソース電極の一部１０４ａおよびドレイン電極の一部１０６ａのみが、その真上にゲート電極１１０が置かれており、ゲート電極１１０に対向する。電極の一部１０４ａ、１０６ａよりトランジスタのチャネルエリアから遠く離れ、電極の一部１０４ａ、１０６ａよりゲート絶縁エリア１０７に近い電極１０４、１０６の他のエリア１０４ｂ、１０６ｂは、ゲート電極１１０に対向しないところに配置される電極１０４、１０６の部分として存在する。
【００４０】
このゲート電極１１０は、例えば、Ａｇで形成され、例えば厚さ１００ｎｍ〜５μｍで形成されうる（図２Ａ）。
【００４１】
このトランジスタでは、ソース電極１０４とドレイン電極１０６とを隔離する距離ＤＬは、電極間に位置する領域内に位置するものに応じて可変となるように設計される。
【００４２】
これら電極の構成は、特に、ソース電極１０４とドレイン電極１０６とを隔離する距離ＤＬが線形的に変化するように設計されうる。
【００４３】
図２Ｂの例では、トランジスタの電極、例えばそのソース電極１０４は、活性層１０２の主平面に垂直な方向で測定した可変の厚さｅ１を有する（活性層１０２の主平面とは、この層を通過すると画定され、図２Ａ〜図２Ｄの直交参照系
【００４４】
【数１】
2014517526.tif 000003
【００４５】
の平面
【００４６】
【数２】
2014517526.tif 000004
【００４７】
に平行な平面である）。
【００４８】
このように、このソース電極１０４からゲート電極１１０を隔離する（直交参照系
【００４９】
【数３】
2014517526.tif 000005
【００５０】
のベクトル
【００５１】
【数４】
2014517526.tif 000006
【００５２】
に平行な方向で測定された）距離ＤＨは、可変であり、ソース電極１０４とドレイン電極１０６との間に位置する領域１０３の中心（図２Ｂ）が接近するにつれて長くなる。
【００５３】
図２Ｃ中の例では、２つのソース電極１０４およびドレイン電極１０６が可変の厚さを有し、また、これらの電極１０４と１０６とを隔離する（直交参照系
【００５４】
【数５】
2014517526.tif 000007
【００５５】
のベクトル
【００５６】
【数６】
2014517526.tif 000008
【００５７】
に平行な方向で測定された）距離ＤＬが、可変であり、ゲート電極１１０に接近するにつれて長くなるように構成される。
【００５８】
この例示的実施形態では、電極１０４および１０６は、傾斜した側面を備えており、第１の傾斜した側面１１４と、第１の側面１１４に対向して位置する第２の傾斜した側面１１６とをそれぞれ備える。
【００５９】
側面１１４および１１６のそれぞれは、基板１００もしくは活性層１０２の主平面に対して垂直な方向ｎと非ゼロ角度をなし、または、基板１００もしくは活性層１０２の主平面に対して平行な面と９０°より小さい角度αをなす。
【００６０】
側面１１４および１１６のそれぞれと基板１００もしくは活性層１０２の主平面とがなす角度αは、例えば１５°〜８５°、特に３０°〜６０°、例えば４５°とすることができる。
【００６１】
このように、この例では、ソース電極１０４およびドレイン電極１０６は、基板１００もしくは活性層１０２の主平面と非ゼロ角度、例えば９０°を形成する三角形の底面を備えた角柱の形状を有する。
【００６２】
この例示的実施形態では、ゲート１１０が、ゲート電位Ｖｇにバイアスをかけるとき、層１０２の半導体材料が、空乏層化して一定の深さになる。次いで、電荷は、ドレイン−ソース電圧ＶＤＳの印加によって、電極１０４と電極１０６との間に作られた電界にさらされ、電流としてトランジスタの応答を形成する。
【００６３】
低いゲート電位Ｖｇ＝Ｖｇ１の場合、半導体高分子をベースとした活性層の上側部分のみが空乏層化される。この活性層の上側部分は、電極１０４と電極１０６との間の距離ＤＬが、最長になる箇所に対応する。
【００６４】
したがって、与えられたドレイン−ソース電圧ＶＤＳに対して、作られた電界は弱く、その結果、収集される電荷はわずかであり、そのため、電流Ｉｏｆｆが非常に低く、すなわちトランジスタがＯＦＦ状態となる。
【００６５】
他方では、高いゲート電位Ｖｇ＝Ｖｇ４の場合、空乏層化する範囲はより深く、電極間の距離ＤＬは最小となる。次いで、電界が最も強くなり、ＯＮ状態の電流Ｉｏｎがより大きくなるので、最大の電荷量が収集される（図２Ｄ）。
【００６６】
このように、構造体を備えるトランジスタは、従来型構成の電極を有する有機トランジスタ構造体と比較して、ＯＮ状態の増大した電流ＩｏｎとＯＦＦ状態の減少した電流Ｉｏｆｆとの双方を有する。
【００６７】
本発明による電界効果有機トランジスタの別の例が、図３に与えられる（トランジスタは、この図面中では平面図で示される）。
【００６８】
このトランジスタは、可変距離ＤＬによって隔離されたソース電極２０４およびドレイン電極２０６を備え、また、そのソース電極２０４およびドレイン電極２０６の形状により先に説明したものとは異なる。
【００６９】
この例では、ソース電極２０４およびドレイン電極２０６が、三角形の底面をもつ角柱の形状のプレートであり、角柱の底面は、活性層１０２または支持層１００の主平面に平行である（活性層１０２の主平面は、図３に与えられた平面
【００７０】
【数７】
2014517526.tif 000009
【００７１】
に平行な平面である）。
【００７２】
ソース電極２０４およびドレイン電極２０６は、これらソース電極２０４とドレイン電極２０６とを隔離する（直交参照系
【００７３】
【数８】
2014517526.tif 000010
【００７４】
のベクトル
【００７５】
【数９】
2014517526.tif 000011
【００７６】
に平行な方向で測定された）距離ＤＬが、線形的に変化するように構成され、その結果、電圧が、電極２０４と２０６の間に印加されるとき、電極間の電界は、（直交参照系
【００７７】
【数１０】
2014517526.tif 000012
【００７８】
のベクトル
【００７９】
【数１１】
2014517526.tif 000013
【００８０】
に平行な方向で）ゲートに沿って変化する。
【００８１】
この例では、ゲート電極２１０からソース電極２０４またはドレイン電極２０６をそれぞれ隔離する（ベクトル
【００８２】
【数１２】
2014517526.tif 000014
【００８３】
に平行な方向で測定され、図３に示さない）距離ＤＨは、一定とすることができる。
【００８４】
この例では、ゲート２１０に印加される電圧がいくらでも、電極間に位置する半導体有機材料の同一体積が、空乏層化する。ただし、ソースとドレインの間の電圧ＶＤＳによって作られる電界は、トランジスタの全体の長さにわたってすなわちゲートに沿って（直交参照系
【００８５】
【数１３】
2014517526.tif 000015
【００８６】
のベクトル
【００８７】
【数１４】
2014517526.tif 000016
【００８８】
に平行な方向で）一定ではない。
【００８９】
ソース−ドレイン電圧ＶＤＳ＝ＶＤＳ２は、電極のスパイク２１７、２１８が互いの間の距離ＤＬ−ＤＬｍｉｎで互いに対向して位置するエリア内で使用されうるが、一方、より低い電圧ＶＤＳ＝ＶＤ１は、電極２０４と２０６の間に位置するエリア内で使用され、電極２０４と２０６との間の間隔は最大になる。
【００９０】
トランジスタの長さ方向での電極２０４と２０６との間の間隔が可変であるため、これら電極２０４と２０６は、一般に有機トランジスタの電極のために設けられた最小の間隔より短くなりうる極小距離ＤＬｍｉｎの間隔をあけることができる。
【００９１】
このように、電極２０４と２０６との間の間隔が可変であると、トンネル効果を制限し、電極を共に接近させることが可能になる。
【００９２】
電極のスパイク同士が対向する点での最小間隔は、少なくとも１０μｍより短く、例えば約５μｍとなりうる。電極２０４および２０６は、最大距離ＤＬｍａｘの間隔をあけることができ、例えば、約５５μｍとなりうる。こうした構成により、電極が一定の間隔例えば約３０μｍで構成された従来型トランジスタのＯＮ状態の電流より大きい、ＯＮ状態の電流Ｉｏｎを得ることが可能になる。
【００９３】
高分子をベースとした活性エリアを備えた本発明によるマイクロエレクトロニクス構成部品の別の例が、図４に与えられる。
【００９４】
この例では、構成部品は、支持体３００に支えられた電極３０４および３０６と、電極間に位置する活性層３０２とを備える有機光ダイオードである。
【００９５】
活性層３０２は、ｎ型半導体高分子材料とｐ型半導体高分子材料とを備える高分子材料の混合物をベースとすることができる。
【００９６】
活性層３０２の高分子材料は、例えば、ポリ（３−ヘキシルチオフェン）または通例「Ｐ３ＨＴ」と呼ばれるポリ（３−ヘキシルチオフェン−２，５−ジイル）などのｐ型半導体高分子と、例えば通例「ＰＣＢＭ」と呼ばれるメチル［６，６］−フェニル−Ｃ６１−ブタン酸などのｎ型半導体高分子の混合物とすることができる。
【００９７】
活性層３０２は、例えば、５０ｎｍ〜４００ｎｍの厚さを有することができる。
【００９８】
この例では、電極３０４および３０６は、三角形の底面をもつ角柱の形状であり、この三角形の底面は、支持層の主平面または活性層３０２の主平面と非ゼロ角度、例えば９０°の角度をなす（活性層３０２の主平面は、図４に与えられた平面
【００９９】
【数１５】
2014517526.tif 000017
【０１００】
に平行な平面である）。
【０１０１】
ソース電極３０４およびドレイン電極３０６は、これら電極３０４と電極３０６とを隔離する（直交参照系
【０１０２】
【数１６】
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【０１０３】
のベクトル
【０１０４】
【数１７】
2014517526.tif 000019
【０１０５】
に平行な方向で測定された）距離ＤＬが、可変であり、支持体３００から離れていくと同時に、特に線形的に長くなるように構成される。
【０１０６】
この例示的実施形態では、光ダイオードの電極３０４および３０６は、反射面をもつ傾斜した側面を備えており、反射面をもつ第１の傾斜した側面３１４と、第１の傾斜した側面３１４に対向して位置する反射面をもつ第２の傾斜した側面３１６とをそれぞれ備える。
【０１０７】
側面３１４および３１６は、支持体３００または活性層３０２の主平面と非ゼロ角度ａ、例えば３０°〜６０°、例えば４５°の角度をなし、活性層３０２を通過した光放射を反射するものである。この方式では、活性層３０２の材料中で発生する励起子の量を、増大することができる。
【０１０８】
電極３０４および３０６は、例えば、金をベースとし、２０ｎｍから２００ｎｍまで変化する厚さを有する。
【０１０９】
低い照度の下では、電荷は、活性層３０２の上側エリア中で生じることができ、この領域では、電極３０４と電極３０６の間の空間ＤＬが、最大となり、ＤＬｍａｘに等しく、例えば約１０μｍから５００μｍまでとなる。
【０１１０】
強い照度の下では、励起子が、活性エリア３０２の厚さ全体に形成されうる。
【０１１１】
幅が小さい活性エリア３０２の領域では、はるかに多くの電荷が収集され、照度はより高くなる。
【０１１２】
反射面３１４、３１６も備えることによって、電極は、光学反射部としての役割を果たすことができ、収集する電荷の数量を増大させるために、活性エリア３０２の内部へ光子の向きを変えることができる。
【０１１３】
電極３０４および３０６は、例えば、Ａｕで形成され、Ａｇの層をベースとした反射面で覆われうる。
【０１１４】
ここで、傾斜した側面をもち、有機活性材料をもつマイクロエレクトロニクス構成部品内での集積化を意図した電極の例示的実施形態が、図５Ａ〜図５Ｂに関連して与えられる。
【０１１５】
これらの電極は、マスク４００から製作され、マスク４００は、例えば、ポリエチレンナフタレートとすることができる。
【０１１６】
浅くなっていく異なる深さをもつ一連の凹み４０１ａ、４０１ｂ、４０１ｃは、この支持体中で形成され、これらは、例えば、金または銀のナノ粒子を含むインクなどの導電インクで満たされる。
【０１１７】
この方法は、押圧シリンダ５０１および彫刻シリンダを備え、凹み４０１ａ、４０１ｂ、４０１ｃを形成するために印刷するべきマスク４００をこれらシリンダの間を通し、この彫刻シリンダが導電インクで満たされたインクダクト５０４を通過するような装置、を用いてグラビア印刷で実施されうる。このグラビア印刷装置は、余剰のインクを取り除く手段を備えることができる。次いで、形成されたパターンは、鋳型から取り出され最終的に電極支持体へ移送される。
【０１１８】
別の方法に従えば、次に鋳型から取り出され導電層を蒸着するための支持体として働く高分子で、マスクは満たされうる。
【符号の説明】
【０１１９】
１  支持体
２  活性層
３  チャネルエリア
４  ソース電極
６  ドレイン電極
１０  ゲート電極
１００  基板
１０２  活性層
１０３  エリア、領域
１０４  ソース電極
１０４ａ  ソース電極の一部
１０４ｂ  ソース電極の他のエリア
１０６  ドレイン電極
１０６ａ  ドレイン電極の一部
１０６ｂ  ソース電極の他のエリア
１０７  絶縁ゲート層
１１０  ゲート電極
１１４  第１の傾斜した側面
１１６  第２の傾斜した側面
２０４  ソース電極
２０６  ドレイン電極
２１７  スパイク
２１８  スパイク
３００  支持体
３０２  活性層
３０４  電極
３０６  電極
３１４  第１の傾斜した側面
３１６  第２の傾斜した側面
４０１ａ  凹み
４０１ｂ  凹み
４０１ｃ  凹み
５０１  押圧シリンダ
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
2014517526.tif 000021
【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
2014517526.tif 000023
【図２Ｃ】
2014517526.tif 000024
【図２Ｄ】
2014517526.tif 000025
【図３】
2014517526.tif 000026
【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【手続補正書】
【提出日】平成26年1月23日(2014.1.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つの第１の電極と、少なくとも１つの第２の電極とを備え、前記第１の電極および前記第２の電極が、少なくとも１つの半導体高分子材料をベースとした活性層の領域によって隔離され、前記電極を隔離する前記活性層の前記領域が、可変の限界寸法を有し、前記ソース電極および前記ドレイン電極が、前記高分子材料の層の前記主平面に垂直な三角形の底面をもつ角柱の形状を有する、マイクロエレクトロニクス構成部品。
【請求項２】
前記第１の電極がソース電極であり、前記第２の電極がドレイン電極であり、トランジスタが、前記第１の電極と前記第２の電極とを隔離する半導体高分子材料の前記領域ならびにソース電極およびドレイン電極の少なくとも一部に対向するゲート電極をさらに備える、請求項１に記載のトランジスタ。
【請求項３】
前記ソース電極または前記ドレイン電極またはソース電極とドレイン電極の両方が、前記活性層の主平面と非ゼロ角度をなす少なくとも１つの傾斜した側面を備える、請求項２に記載のトランジスタ。
【請求項４】
前記ソース電極および前記ドレイン電極が、前記第１の電極と前記第２の電極とを隔離する前記距離が線形的に変化するような形状を有する、請求項２または３に記載のトランジスタ。
【請求項５】
前記ソース電極と前記ドレイン電極とを隔離する前記距離が、前記ゲート電極に接近するにつれて長くなる、請求項２から４のいずれか一項に記載のトランジスタ。
【請求項６】
前記ゲート電極が、上に置かれ、前記ソース電極の所与の一部および前記ドレイン電極の所与の一部に対向して位置し、前記ソース電極および前記ドレイン電極の他の部分が、前記ゲート電極に対向しないところに位置する、請求項２から５のいずれか一項に記載のトランジスタ。
【請求項７】
前記ソース電極および前記ドレイン電極が、前記高分子材料の層の前記主平面に垂直な三角形の底面をもつ角柱の形状を有する、請求項２から６のいずれか一項に記載のトランジスタ。
【請求項８】
前記ソース電極と前記ドレイン電極とを隔離する前記距離が、前記活性層の前記主平面に平行な方向で長くなる、請求項２に記載のトランジスタ。
【請求項９】
前記ソース電極および前記ドレイン電極が、前記高分子材料の層の前記主平面に平行な三角形の底面をもつ角柱の形状を有する、請求項８に記載のトランジスタ。
【請求項１０】
前記第１の電極または前記第２の電極または第１の電極と第２の電極の両方が、前記活性層の前記主平面と非ゼロ角度をなす傾斜した側面を備える、請求項１に記載の光ダイオード。
【請求項１１】
前記第１の電極および前記第２の電極が、前記第１の電極と前記第２の電極とを隔離する前記距離が線形的に変化するような形状を有する、請求項１０に記載の光ダイオード。
【請求項１２】
前記第１の電極と前記第２の電極が、三角形の底面をもつ角柱の形状を有し、前記三角形の底面が前記活性層の主平面と非ゼロ角度をなす、請求項１０または１１に記載の光ダイオード。
【請求項１３】
前記第１の電極と前記第２の電極が、前記活性層の前記主平面と非ゼロ角度をなす第１の傾斜した側面と、前記第１の側面に対向し前記活性層の前記主平面と非ゼロ角度をなす第２の傾斜した側面とをそれぞれ備え、前記第１の側面および前記第２の側面が、光放射を反射する面を有する、請求項１０から１２のいずれか一項に記載の光ダイオード。
【国際調査報告】
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