(57)【要約】【解決手段】本発明に従う太陽電池は、支持基板、前記支持基板の上に形成され、前記支持基板の上面の一部が露出するように少なくとも１つの第１貫通溝が形成された裏面電極層、前記裏面電極層の上に光吸収層、前記光吸収層の上にバッファ層、前記バッファ層の上にウィンドウ層、及び前記第１貫通溝を形成する裏面電極層の側面に形成され、前記光吸収層より高い抵抗値を有する高抵抗領域を含む。【選択図】図２
2014504033.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持基板と、
前記支持基板の上に形成され、前記支持基板の上面の一部が露出するように少なくとも１つの第１貫通溝が形成された裏面電極層と、
前記裏面電極層の上に光吸収層と、
前記光吸収層の上にバッファ層と、
前記バッファ層の上にウィンドウ層と、
前記第１貫通溝を形成する裏面電極層の側面に形成され、前記光吸収層より高い抵抗値を有する高抵抗領域と、
を含むことを特徴とする太陽電池。
【請求項２】
前記少なくとも１つの第１貫通溝は、下部の幅が上部の幅より広く形成されることを特徴とする請求項１に記載の太陽電池。
【請求項３】
前記高抵抗領域は、空気を含むことを特徴とする請求項２に記載の太陽電池。
【請求項４】
前記高抵抗領域の幅は、前記支持基板から上部に向けて狭くなるように形成されることを特徴とする請求項２に記載の太陽電池。
【請求項５】
前記第１貫通溝の上部の幅は、６０μｍ乃至７０μｍの幅に形成されることを特徴とする請求項１に記載の太陽電池。
【請求項６】
前記第１貫通溝の下部の幅は、６０μｍ乃至１５０μｍの幅に形成されることを特徴とする請求項１に記載の太陽電池。
【請求項７】
前記第１貫通溝を形成する前記裏面電極層の側面に形成されるフォトレジストまたはアクリルを含むことを特徴とする請求項１に記載の太陽電池。
【請求項８】
前記第１貫通溝を形成する前記裏面電極層の側面は曲面に形成されることを特徴とする請求項１に記載の太陽電池。
【請求項９】
前記第１貫通溝を形成する前記裏面電極層の側面の傾きは上部へ行くほど緩やかになることを特徴とする請求項１に記載の太陽電池。
【請求項１０】
支持基板の上の一部の領域にストライプ形状の突起を形成するステップと、
前記支持基板及び突起の上に前記突起より低い高さの裏面電極層を形成するステップと、
前記突起を除去するステップと、
前記裏面電極層の上に光吸収層を形成するステップと、
前記光吸収層の上にバッファ層を形成するステップと、
前記バッファ層の上にウィンドウ層を形成するステップと、
を含むことを特徴とする太陽電池製造方法。
【請求項１１】
前記突起はアセトンまたは弱硫酸を用いて除去することを特徴とする請求項１０に記載の太陽電池製造方法。
【請求項１２】
前記突起を形成した後、熱または光硬化工程を実施するステップを含むことを特徴とする請求項１０に記載の太陽電池製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、太陽電池及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
最近、エネルギーの需要が増加するにつれて、太陽光エネルギーを電気エネルギーに変換させる太陽電池に対する開発が進められている。
【０００３】
特に、ガラス基板、金属後面電極層、ｐ型ＣＩＧＳ系光吸収層、高抵抗バッファ層、ｎ型透明電極層などを含む基板構造のｐｎヘテロ接合装置であるＣＩＧＳ系太陽電池が広く使われている。
【０００４】
また、このような太陽電池の効率を増加させるために多様な研究が進行中である。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的は、漏洩電流を減少させて信頼性が向上した太陽電池及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一実施形態に従う太陽電池は、支持基板、前記支持基板の上に形成され、前記支持基板の上面の一部が露出するように少なくとも１つの第１貫通溝が形成された裏面電極層、前記裏面電極層の上に光吸収層、前記光吸収層の上にバッファ層、前記バッファ層の上にウィンドウ層、及び前記第１貫通溝を形成する裏面電極層の側面に形成され、前記光吸収層より高い抵抗値を有する高抵抗領域を含む。
【０００７】
また、本発明の一実施形態に従う太陽電池製造方法は、支持基板の上の一部の領域にストライプ形状の突起を形成するステップ、前記支持基板及び突起の上に裏面電極層を形成するステップ、前記突起を除去するステップ、前記裏面電極層の上に光吸収層を形成するステップ、前記光吸収層の上にバッファ層を形成するステップ、及び前記バッファ層の上にウィンドウ層を形成するステップを含む。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、支持基板の一部が露出するように裏面電極層の一部がエッチングされて形成される貫通溝が上部へ行くほどその幅が狭くなるように形成されるので、前記貫通溝を埋めるように形成される光吸収層が前記貫通溝を全部埋められず、前記貫通溝を形成する裏面電極層の側面と一部離隔して形成できる。
【０００９】
したがって、前記貫通溝を形成する裏面電極層の側面に前記光吸収層より抵抗の高い高抵抗領域が形成されるので、前記貫通溝により離隔した裏面電極層の間に漏洩電流が流れることを減少させて、素子の信頼性が向上できる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の実施形態に従う太陽電池を示す平面図である。
【図２】図１でＡ−Ａ’に沿って切断した断面を示す断面図である。
【図３】本発明の実施形態に従う太陽電池の製造方法を示す断面図である。
【図４】本発明の実施形態に従う太陽電池の製造方法を示す断面図である。
【図５】本発明の実施形態に従う太陽電池の製造方法を示す断面図である。
【図６】本発明の実施形態に従う太陽電池の製造方法を示す断面図である。
【図７】本発明の実施形態に従う太陽電池の製造方法を示す断面図である。
【図８】本発明の実施形態に従う太陽電池の製造方法を示す断面図である。
【図９】本発明の実施形態に従う太陽電池の製造方法を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
本発明を説明するに当たって、各基板、層、膜、または電極などが、各基板、層、膜、または電極などの“上（on）”に、または“下（under）”に形成されることと記載される場合において、“上（on）”と“下（under）”は、“直接（directly）”または“他の構成要素を介して（indirectly）”形成されるものを全て含む。また、各構成要素の上または下に対する基準は、図面を基準として説明する。図面において、各構成要素のサイズは説明のために誇張することがあり、実際に適用されるサイズを意味するものではない。
【００１２】
図１は、本発明の実施形態に従う太陽電池を示す平面図である。図２は、図１でＡ−Ａ’線に沿って切断した断面を示す断面図である。
【００１３】
図１乃至図２を参照すると、実施形態に従う太陽電池は、支持基板１００、裏面電極層２００、光吸収層３００、バッファ層４００、及びウィンドウ層５００を含む。
【００１４】
前記支持基板１００はプレート形状を有し、前記裏面電極層２００、前記光吸収層３００、前記バッファ層４００、及びウィンドウ層５００を支持する。
【００１５】
前記支持基板１００は絶縁体でありうる。前記支持基板１００は、ガラス基板、プラスチック基板、または金属基板でありうる。より詳しくは、前記支持基板１００はソーダライムガラス（soda lime glass）基板でありうる。前記支持基板１００は透明でありうる。前記支持基板１００はリジッドであるか、またはフレキシブルであることができる。
【００１６】
前記裏面電極層２００は前記支持基板１００の上に配置される。前記裏面電極層２００は導電層である。前記裏面電極層２００に使われる物質の例としてはモリブデンなどの金属が挙げられる。
【００１７】
また、前記裏面電極層２００は２つ以上の層を含むことができる。この際、各々の層は同一な金属で形成されるか、互いに異なる金属で形成できる。
【００１８】
前記裏面電極層２００には第１貫通溝ＴＨ１が形成される。前記第１貫通溝ＴＨ１は前記支持基板１００の上面を露出するオープン領域である。前記第１貫通溝ＴＨ１は平面視して、一方向に延びる形状を有することができる。
【００１９】
前記第１貫通溝ＴＨ１の幅は約４０μｍ乃至１００μｍでありうる。
【００２０】
前記第１貫通溝ＴＨ１により前記裏面電極層２００は多数個の裏面電極に区分される。即ち、前記第１貫通溝ＴＨ１により前記裏面電極が定義される。
【００２１】
前記裏面電極は前記第１貫通溝ＴＨ１により互いに離隔する。前記裏面電極はストライプ形態に配置される。
【００２２】
これとは異なり、前記裏面電極はマトリックス形態に配置できる。この際、前記第１貫通溝ＴＨ１は平面視して、格子形態に形成できる。
【００２３】
前記第１貫通溝ＴＨ１は下部の幅（ｍ２）が上部の幅（ｍ１）より大きく形成できる。即ち、前記第１貫通溝ＴＨ１は上部へ行くほど幅が狭くなる区間を有するように形成できる。前記第１貫通溝ＴＨ１の上部の幅（ｍ１）は６０μｍ乃至７０μｍの幅に形成されることができ、前記第１貫通溝ＴＨ１の下部の幅（ｍ２）は６０μｍ乃至１５０μｍの幅に形成できる。
【００２４】
前記第１貫通溝ＴＨ１を形成する前記裏面電極層２００の側面２１０は曲面形状に形成できる。より詳しくは、前記裏面電極層２００の側面２１０の傾きは前記支持基板１００と垂直しないように形成できる。そして、前記裏面電極層２００の側面２１０の傾きは前記支持基板１００から上部に向けて緩やかに形成できる。
【００２５】
前記光吸収層３００は前記裏面電極層２００の上に配置される。また、前記光吸収層３００に含まれた物質は前記第１貫通溝ＴＨ１に詰められる。前記第１貫通溝ＴＨ１が上部へ行くほど幅が狭くなるように形成されるので、前記光吸収層３００が前記第１貫通溝ＴＨ１を全部埋められず、前記裏面電極層２００の側面２１０には高抵抗領域３１０が形成できる。前記高抵抗領域３１０の幅は前記支持基板１００から上部へ行くほど減少する。
【００２６】
前記高抵抗領域３１０は前記光吸収層３００より抵抗の高い領域であって、前記高抵抗領域３１０の内部には空気が存在することがある。前記高抵抗領域３１０により前記第１貫通溝ＴＨ１により離隔した裏面電極層２００及び前記第１貫通溝ＴＨ１を埋める光吸収層３００に電流が流れることを防止することができるので、漏洩電流が減少する。
【００２７】
前記光吸収層３００はI−III−VI族系化合物を含む。例えば、前記光吸収層３００は銅−インジウム−ガリウム−セレナイド系（Ｃｕ（Ｉｎ、Ｇａ）Ｓｅ２；ＣＩＧＳ系）結晶構造、銅−インジウム−セレナイド系、または銅−ガリウム−セレナイド系結晶構造を有することができる。
【００２８】
前記光吸収層３００のエネルギーバンドギャップ（band gap）は約１ｅＶ乃至１．８ｅＶでありうる。
【００２９】
また、前記光吸収層３００は前記第２貫通溝ＴＨ２により多数個の光吸収部を定義する。即ち、前記光吸収層３００は前記第２貫通溝ＴＨ２により前記光吸収部に区分される。
【００３０】
前記バッファ層４００は前記光吸収層３００の上に配置される。本発明のような太陽電池はｐ型半導体であるＣＩＧＳまたはＣＩＧＳＳ化合物薄膜の光吸収層３００とｎ型半導体であるウィンドウ層５００の薄膜との間にｐｎ接合を形成する。しかしながら、２物質は格子定数とバンドギャップエネルギーの差が大きいため、良好な接合を形成するためにはバンドギャップが２物質の中間に位置するバッファ層が必要である。
【００３１】
前記バッファ層４００は硫化カドミウムＣｄＳを含み、前記バッファ層４００のエネルギーバンドギャップは約２．２ｅＶ乃至２．４ｅＶである。
【００３２】
前記光吸収層３００及び前記バッファ層４００には第２貫通溝ＴＨ２が形成される。前記第２貫通溝ＴＨ２は前記裏面電極層２００の上面を露出するオープン領域である。
【００３３】
前記第２貫通溝ＴＨ２は前記第１貫通溝ＴＨ１に隣接して形成される。即ち、前記第２貫通溝ＴＨ２の一部は平面視して、前記第１貫通溝ＴＨ１のそばに形成される。
【００３４】
前記第２貫通溝ＴＨ２の幅は約４０μｍ乃至約１００μｍでありうる。
【００３５】
前記ウィンドウ層５００は前記バッファ層４００の上に配置される。前記ウィンドウ層５００は透明で、導電層である。また、前記ウィンドウ層５００の抵抗は前記裏面電極層２００の抵抗より高い。例えば、前記ウィンドウ層５００の抵抗は前記裏面電極層２００の抵抗より約１０倍乃至２００倍大きいことがある。
【００３６】
前記ウィンドウ層５００は酸化物を含むことができる。例えば、前記ウィンドウ層５００はジンクオキサイド（zinc oxide）、インジウムチンオキサイド（indium tin oxide；ＩＴＯ）、またはインジウムジンクオキサイド（indium zinc oxide；ＩＺＯ）などを含むことができる。
【００３７】
また、前記酸化物は、アルミニウム（Ａｌ）、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、マグネシウム（Ｍｇ）、またはガリウム（Ｇａ）などの導電性不純物を含むことができる。より詳しくは、前記ウィンドウ層５００はアルミニウムドーピングされたジンクオキサイド（Al doped zinc oxide；ＡＺＯ）またはガリウムドーピングされたジンクオキサイド（Ga doped zinc oxide；ＧＺＯ）などを含むことができる。
【００３８】
前記接続部５５０は前記第２貫通溝ＴＨ２の内側に配置される。前記接続部５５０は前記ウィンドウ層５００から下方に延びて、前記裏面電極層２００に接続される。例えば、前記接続部５５０は前記第１セルのウィンドウから延びて、前記第２セルの裏面電極に接続される。
【００３９】
したがって、前記接続部５５０は互いに隣接するセルを連結する。より詳しくは、前記接続部５５０は互いに隣接するセル（Ｃ１，Ｃ２，．．）に各々含まれたウィンドウと裏面電極を連結する。
【００４０】
前記接続部５５０は前記ウィンドウ層５００と一体に形成される。即ち、前記接続部５５０に使われる物質は前記ウィンドウ層５００に使われる物質と同一である。
【００４１】
前記光吸収層３００、バッファ層４００、及びウィンドウ層５００には、第３貫通溝ＴＨ３が形成される。前記第３貫通溝ＴＨ３は前記裏面電極層２００の上面を露出するオープン領域である。例えば、前記第３貫通溝ＴＨ３の幅は約８０μｍ乃至約２００μｍでありうる。
【００４２】
前記第３貫通溝ＴＨ３は前記第２貫通溝ＴＨ２に隣接する位置に形成される。より詳しくは、前記第３貫通溝ＴＨ３は前記第２貫通溝ＴＨ２のそばに配置される。即ち、平面視して、前記第３貫通溝ＴＨ３は前記第２貫通溝ＴＨ２のそばに並んで配置される。
【００４３】
前記バッファ層４００は前記第３貫通溝ＴＨ３により多数個のバッファに区分される。
【００４４】
また、前記第３貫通溝ＴＨ３により前記ウィンドウ層５００は多数個のウィンドウに区分される。即ち、前記ウィンドウは前記第３貫通溝ＴＨ３により定義される。
【００４５】
前記ウィンドウは前記裏面電極と対応する形状を有する。即ち、前記ウィンドウはストライプ形態に配置される。これとは異なり、前記ウィンドウはマトリックス形態に配置できる。
【００４６】
また、前記第３貫通溝ＴＨ３により多数個のセル（Ｃ１，Ｃ２，．．）が定義される。より詳しくは、前記第２貫通溝ＴＨ２及び前記第３貫通溝ＴＨ３により前記セル（Ｃ１，Ｃ２，．．）が定義される。即ち、前記第２貫通溝ＴＨ２及び前記第３貫通溝ＴＨ３により実施形態に従う太陽電池は前記セル（Ｃ１，Ｃ２，．．）に区分される。
【００４７】
上記のように、前記第１貫通溝ＴＨ１を形成する裏面電極層２００の側面２１０に前記光吸収層３００より抵抗の高い高抵抗領域３１０が形成されるので、前記第１貫通溝ＴＨ１により離隔された裏面電極層２００の間に漏洩電流が流れることを減少させて素子の信頼性が向上できる。
【００４８】
図３乃至図９は、本発明の実施形態に従う太陽電池の製造方法を示す断面図である。本製造方法に関する説明は前述した太陽電池に対する説明を参考する。
【００４９】
図３乃至図５を参照すると、支持基板１００の上に突起１５０が形成される。
【００５０】
前記突起１５０は平面視して、一方向に延びるストライプ（stripe）形状を有することができる。
【００５１】
前記突起１５０はフォトレジストまたは高分子化合物であるアクリル（Polymethylmethacrylate）で形成できるが、これに対して限定するものではなく、光または熱硬化され、水洗溶液で容易に除去が可能な物質であれば使用できる。前記突起１５０は表面が曲面に形成されることができ、上部へ行くほど幅が狭くなるように形成できる。
【００５２】
以後、前記突起１５０に光または熱硬化工程を実施することができる。前記工程により前記突起１５０が固まるようになって、裏面電極層２００の形成が容易になる。
【００５３】
次に、前記支持基板１００及び突起１５０の上面に裏面電極層２００を蒸着する。前記裏面電極層２００は前記突起１５０の高さ（ｈ１）より低く形成される。以後、前記突起１５０を除去して第１貫通溝ＴＨ１が形成される。前記突起１５０はアセトンまたは弱硫酸（Ｈ２ＳＯ４）などのストリップ溶液を用いて除去できるが、前記裏面電極層２００の側面２１０に一部が残っていることがある。これによって、前記支持基板１００の上に多数個の裏面電極が形成される。
【００５４】
前記第１貫通溝ＴＨ１は前記支持基板１００の上面を露出し、下部の幅（ｍ２）が上部の幅（ｍ１）より大きい値を有するように形成できる。
【００５５】
また、前記支持基板１００及び前記裏面電極層２００の間に拡散防止膜などのような追加的な層が介されることができ、この際、前記第１貫通溝ＴＨ１は前記追加的な層の上面を露出するようになる。
【００５６】
図６を参照すると、前記裏面電極層２００の上に光吸収層３００が形成される。前記光吸収層３００はスパッタリング工程または蒸発法等により形成できる。
【００５７】
例えば、前記光吸収層３００を形成するために、銅、インジウム、ガリウム、セレニウムを同時または区分して蒸発させながら銅−インジウム−ガリウム−セレナイド系（Ｃｕ（Ｉｎ、Ｇａ）Ｓｅ２；ＣＩＧＳ系）の光吸収層３００を形成する方法と金属プリカーソル膜を形成させた後、セレニゼーション（Selenization）工程により形成させる方法が幅広く使われている。
【００５８】
金属プリカーソル膜を形成させた後、セレニゼーションすることを細分化すれば、銅ターゲット、インジウムターゲット、ガリウムターゲットを使用するスパッタリング工程により前記裏面電極２００の上に金属プリカーソル膜が形成される。
【００５９】
以後、前記金属プリカーソル膜はセレニゼーション（selenization）工程により銅−インジウム−ガリウム−セレナイド系（Ｃｕ（Ｉｎ、Ｇａ）Ｓｅ２；ＣＩＧＳ系）の光吸収層３００が形成される。
【００６０】
これとは異なり、前記銅ターゲット、インジウムターゲット、ガリウムターゲットを使用するスパッタリング工程及び前記セレニゼーション工程は、同時に進行できる。
【００６１】
これとは異なり、銅ターゲット及びインジウムターゲットのみを使用するか、銅ターゲット及びガリウムターゲットを使用するスパッタリング工程及びセレニゼーション工程によりＣＩＳ系またはＣＩＧ系光吸収層３００が形成できる。
【００６２】
前記光吸収層３００は前記第１貫通溝ＴＨ１を埋めながら成長するが、前記第１貫通溝ＴＨ１が上部へ行くほど幅が狭くなるように形成されるので、前記第１貫通溝ＴＨ１を全部埋められず、前記裏面電極層２００の側面２１０に空気が形成されるようになる。前記空気により高抵抗領域３１０が形成される。前記高抵抗領域３１０は前記光吸収層３００より抵抗の高い領域であって、電流が前記裏面電極層２００の側面に流れることを防止する役割をする。
【００６３】
図７を参照すると、前記光吸収層３００の上に前記バッファ層４００が形成される。前記バッファ層４００は、例えば、ＰＶＤ（Physical Vapor Deposition）またはＭＯＣＶＤ（Metal-Organic Chemical Vapor Deposition）の方法により形成できる。
【００６４】
図８を参照すると、前記光吸収層３００及び前記バッファ層４００の一部が除去されて第２貫通溝ＴＨ２が形成される。
【００６５】
前記第２貫通溝ＴＨ２はチップなどの機械的な装置またはレーザー装置などにより形成できる。
【００６６】
例えば、約４０μｍ乃至約１８０μｍの幅を有するチップにより、前記光吸収層３００及び前記バッファ層４００はパターニングできる。また、前記第２貫通溝ＴＨ２は約２００乃至６００μｍの波長を有するレーザーにより形成できる。
【００６７】
この際、前記第２貫通溝ＴＨ２の幅は約４０μｍ乃至約１５０μｍでありうる。また、前記第２貫通溝ＴＨ２は前記裏面電極層２００の上面の一部を露出するように形成される。
【００６８】
次に、前記バッファ層４００の上及び前記第２貫通溝ＴＨ２の内側にウィンドウ層５００が形成される。即ち、前記ウィンドウ層５００は前記バッファ層４００の上及び前記第２貫通溝ＴＨ２の内側に透明な導電物質が蒸着して形成される。
【００６９】
この際、前記第２貫通溝ＴＨ２の内側に前記透明な導電物質が詰められ、前記ウィンドウ層５００は前記裏面電極層２００に直接接触するようになる。
【００７０】
この際、前記ウィンドウ層５００は無酸素雰囲気で、前記透明な導電物質が蒸着して形成できる。より詳しくは、前記ウィンドウ層５００は酸素を含まない不活性気体雰囲気でアルミニウムがドーピングされたジンクオキサイドが蒸着して形成できる。
【００７１】
図９を参照すると、光吸収層３００、バッファ層４００、及びウィンドウ層５００の一部が除去されて第３貫通溝ＴＨ３が形成される。これによって、前記ウィンドウ層５００はパターニングされて、多数個のウィンドウ及び多数個のセル（Ｃ１，Ｃ２，．．）が定義される。前記第３貫通溝ＴＨ３の幅は約８０μｍ乃至約２００μｍでありうる。
【００７２】
このように、実施形態に従う太陽電池の製造方法により前記第１貫通溝ＴＨ１を形成する裏面電極層２００の側面２１０に前記光吸収層３００より抵抗の高い高抵抗領域３１０が形成されるので、前記第１貫通溝ＴＨ１により離隔した裏面電極層２００の間に漏洩電流が流れることを減少させて素子の信頼性が向上できる。
【００７３】
以上、実施形態に説明された特徴、構造、効果などは、本発明の少なくとも１つの実施形態に含まれ、必ず１つの実施形態のみに限定されるものではない。延いては、各実施形態で例示された特徴、構造、効果などは、実施形態が属する分野の通常の知識を有する者により他の実施形態に対しても組合または変形されて実施可能である。したがって、このような組合と変形に関連した内容は本発明の範囲に含まれることと解釈されるべきである。
【００７４】
以上、本発明を好ましい実施形態をもとに説明したが、これは単なる例示であり、本発明を限定するのでない。本発明の本質的な特性を逸脱しない範囲内で、多様な変形及び応用が可能であることが同業者にとって明らかである。例えば、実施形態に具体的に表れた各構成要素は変形して実施することができ、このような変形及び応用にかかわる差異点も、特許請求の範囲で規定する本発明の範囲に含まれるものと解釈されるべきである。
【図１】
2014504033.tif 000003
【図２】
2014504033.tif 000004
【図３】
2014504033.tif 000005
【図４】
2014504033.tif 000006
【図５】
2014504033.tif 000007
【図６】
2014504033.tif 000008
【図７】
2014504033.tif 000009
【図８】
2014504033.tif 000010
【図９】
2014504033.tif 000011
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月13日(2013.8.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持基板と、
前記支持基板の上に形成され、前記支持基板の上面の一部が露出するように少なくとも１つの第１貫通溝が形成された裏面電極層と、
前記裏面電極層の上に光吸収層と、
前記光吸収層の上にバッファ層と、
前記バッファ層の上にウィンドウ層と、
前記第１貫通溝を形成する裏面電極層の側面に形成され、前記光吸収層より高い抵抗値を有する高抵抗領域と、
を含むことを特徴とする太陽電池。
【請求項２】
前記少なくとも１つの第１貫通溝は、下部の幅が上部の幅より広く形成されることを特徴とする請求項１に記載の太陽電池。
【請求項３】
前記高抵抗領域は、空気を含むことを特徴とする請求項２に記載の太陽電池。
【請求項４】
前記高抵抗領域の幅は、前記支持基板から上部に向けて狭くなるように形成されることを特徴とする請求項３に記載の太陽電池。
【請求項５】
前記第１貫通溝の上部の幅は、６０μｍ乃至７０μｍの幅に形成されることを特徴とする請求項４に記載の太陽電池。
【請求項６】
前記第１貫通溝の下部の幅は、６０μｍ乃至１５０μｍの幅に形成されることを特徴とする請求項１に記載の太陽電池。
【請求項７】
前記第１貫通溝を形成する前記裏面電極層の側面に形成されるフォトレジストまたはアクリルを含むことを特徴とする請求項１に記載の太陽電池。
【請求項８】
支持基板の上の一部の領域にストライプ形状の突起を形成するステップと、
前記支持基板及び突起の上に前記突起より低い高さの裏面電極層を形成するステップと、
前記突起を除去するステップと、
前記裏面電極層の上に光吸収層を形成するステップと、
前記光吸収層の上にバッファ層を形成するステップと、
前記バッファ層の上にウィンドウ層を形成するステップと、
を含むことを特徴とする太陽電池製造方法。
【請求項９】
前記突起はアセトンまたは弱硫酸を用いて除去することを特徴とする請求項８に記載の太陽電池製造方法。
【請求項１０】
前記突起を形成した後、熱または光硬化工程を実施するステップを含むことを特徴とする請求項８に記載の太陽電池製造方法。
【国際調査報告】
2014504033.tif 000012
2014504033.tif 000013