(57)【要約】  デバイスのＴＣＯ層に周期波長ΛＲの共鳴結合分布が設けられ、デバイスのガラス基板に周期波長ΛＤの拡散結合分布が設けられた、光起電装置が考えられる。これらの周期を定めるそれぞれの表面構造は光電変換層との界面において重畳され、合同して、デバイスの周波数依存パワースペクトル密度反転を定める。別の実施形態が開示され、考えられる。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光入射側ガラス基板、背面側反射体、複数の透明導電性酸化物（ＴＣＯ）層及び光電変換層を有する光起電装置において、
前記光電変換層及び前記複数のＴＣＯ層が前記光入射側ガラス基板と前記背面側反射体の間に配置され、前記光入射側ガラス基板から前記背面側反射体に伝搬する入射光が、前記光電変換層と背面側ＴＣＯ層を通過する前に光入射側ＴＣＯ層を通過するように、配列される、
前記光入射側ＴＣＯ層が、周期波長ΛＲの共鳴結合分布を特徴とする、表面擾乱を有する、
前記光入射側ガラス基板が、周期波長ΛＤの拡散結合分布を特徴とする、表面擾乱を有する、及び
前記周期波長ΛＲの共鳴結合分布及び前記周期波長ΛＤの拡散結合分布が前記光電変換層との光入射側界面において重畳され、合同して、（ｉ）比較的低い空間周波数範囲にわたり対応する共鳴結合周期波長ΛＲより高いパワースペクトル密度にある拡散結合周期波長ΛＤ及び（ii）比較的高い空間周波数範囲にわたり対応する拡散結合周期波長ΛＤより高いパワースペクトル密度にある共鳴結合周期波長ΛＲによって形成される、周波数依存パワースペクトル密度反転を定める、
ことを特徴とする光起電装置。
【請求項２】
前記パワースペクトル密度反転がほぼ０.５μｍ−１（Λ〜２０００ｎｍ）とほぼ２.０μｍ−１（Λ〜５００ｎｍ）の間の周波数にあることを特徴とする請求項１に記載の光起電装置。
【請求項３】
前記周波数依存パワースペクトル密度反転の前記比較的低い空間周波数範囲が少なくともほぼ０.５μｍ−１である、及び
前記周波数依存パワースペクトル密度反転の前記比較的高い空間周波数範囲が少なくともほぼ１.０μｍ−１である、
ことを特徴とする請求項１に記載の光起電装置。
【請求項４】
光入射側ガラス基板、背面側反射体、複数の透明導電性酸化物（ＴＣＯ）層及び光電変換層を有する光起電装置において、
前記光電変換層及び前記複数のＴＣＯ層が前記光入射側ガラス基板と前記背面側反射体の間に配置され、前記光入射側ガラス基板から前記背面側反射体に伝搬する入射光が、前記光電変換層と背面側ＴＣＯ層を通過する前に光入射側ＴＣＯ層を通過するように、配列される、
前記光入射側ＴＣＯ層が、周期波長ΛＲの共鳴結合分布を特徴とする、表面擾乱を有する、
前記光入射側ガラス基板が、周期波長ΛＤの拡散結合分布を特徴とする、表面擾乱を有する、
前記周期波長ΛＲの共鳴結合分布及び前記周期波長ΛＤの拡散結合分布が前記光電変換層との光入射側界面において重畳される、及び
前記周期波長ΛＤの拡散結合分布のパワースペクトル密度が比較的長い結合周期にわたって前記周期波長ΛＲの共鳴結合分布より大きく加重され、前記周期波長ΛＲの共鳴結合分布のパワースペクトル密度が比較的短い結合周期にわたって前記周期波長ΛＤの拡散結合分布より大きく加重される、
ことを特徴とする光起電装置。
【請求項５】
前記比較的長い結合周期がほぼ１５００ｎｍとほぼ３０００ｎｍの間に広がる範囲の少なくとも一部を占める、
前記周期波長ΛＤの拡散結合分布の前記パワースペクトルが、ほぼ１５００ｎｍとほぼ３０００ｎｍの間に広がる前記範囲の前記占められた部分にわたり、前記周期波長ΛＲの共鳴結合分布の前記パワースペクトル密度より少なくとも１桁大きい、及び
前記比較的短い結合周期がほぼ１５０ｎｍとほぼ５５０ｎｍの間に広がる範囲の少なくとも一部を占める、
ことを特徴とする請求項４に記載の光起電装置。
【発明の詳細な説明】
【関連出願の説明】
【０００１】
本出願は、２０１１年４月２９日に出願された米国仮特許出願第６１/４８０８０８号の米国特許法第１１９条の下の優先権の恩典を主張し、２０１２年４月１２日に出願された米国特許出願第１３/４４５２５０号の米国特許法第１２０条の下の優先権の恩典を主張する。本明細書は上記米国特許出願第１３/４４５２５０号の明細書の内容に依存し、その明細書の内容は全体が本明細書に参照として含められる。
【０００２】
本出願は、同時継続の２００８年１１月３日に出願された米国特許出願第１２/２６３５８３号及び２０１１年２月２３日に出願された米国特許出願第１３/０３３１７５号、及び２０１１年２月２３日に出願された米国出願第１３/０３３０７５号に関連するが、これらへの優先権は主張しない。
【技術分野】
【０００３】
本開示は、フォトダイオード、太陽電池、太陽電池モジュール、太陽電池アレイ、あるいは、光を電気に変換するか、そうではなくとも光起電力効果、すなわち露光時の材料内の電圧または対応する電流の発生、を示すように構成された１つまたは複数の層を有するいずれかのデバイスを含むがこれらには限定されない、光起電装置に関する。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本開示の主題にしたがえば、デバイスのＴＣＯ層に周期波長ΛＲの共鳴結合分布が与えられ、デバイスのガラス基板に周期波長ΛＤの拡散結合分布が与えられた、光起電装置が考えられる。それぞれの周期を定めるそれぞれの表面構造は光電変換層との界面において重畳され、合同してデバイス内に周波数依存パワースペクトル密度反転を定める。
【０００５】
考えられる光起電装置は一般に、光入射側ガラス基板、背面側反射体、複数の透明導電性酸化物（ＴＣＯ）層及び光電変換層を有するであろう。これらのデバイスの光入射側ＴＣＯ層は周期波長ΛＲの共鳴結合分布を特徴とする表面擾乱を有する。同様に、これらのデバイスの光入射側ガラス基板は周期波長ΛＤの拡散結合分布を特徴とする表面擾乱を有する。本開示の多くの実施形態にしたがえば、周期波長ΛＲの共鳴結合分布及び周期波長ΛＤの拡散結合分布は光電変換層との光入射側界面において重畳され、合同して、デバイス内に周波数依存パワースペクトル密度反転を定める。本開示の別の実施形態にしたがえば、周期波長ΛＤの拡散結合分布のパワースペクトル密度は、周期波長ΛＲの共鳴結合分布より、比較的長い結合周期にわたって大きく加重され、周期波長ΛＲの共鳴結合分布のパワースペクトル密度は、周期波長ΛＤの拡散結合分布より、比較的短い結合周期にわたって大きく加重される。
【０００６】
本開示の特定の実施形態の以下の詳細な説明は、同様の構造が同様の参照数字で示される、添付図面とともに読まれたとき最善に理解され得る。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】図１は、本開示の一実施形態にしたがう、単セル光起電装置の略図である。
【図２】図２は、複数の周期波長の結合分布を特徴とする表面擾乱を有する、表面の画像である。
【図３】図３は、本発明の一実施形態にしたがう、拡散結合周期波長及び共鳴結合周期波長のグラフである。
【図４】図４は図３のグラフ上に重畳された拡散結合周期波長及び共鳴結合周期波長の選ばれた範囲を示す。
【図５】図５は、本開示の一実施形態にしたがう、縦続セル光起電装置の略図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
図１は、光入射側ガラス基板１０，背面側反射体２０．複数の透明導電性酸化物（ＴＣＯ）層３０，３５及び光電変換層４０を有する、光起電装置１００の略図である。光電変換層４０及びＴＣＯ層３０，３５は光入射側ガラス基板１０と背面側反射体２０の間に配置され、光入射側ガラス基板１０から背面側反射体２０に伝搬する入射光λが、光電変換層４０及び背面側ＴＣＯ層３５を通過する前に光入射側ＴＣＯ層３０を通過するように、配列される。
【０００９】
動作において、入射光λは光入射側基板１０を通過して光電変換層４０に入る。図１に簡略に示されるような単接合非晶質シリコン変換層または図５に簡略に示されるような縦続変換層とすることができる、光電変換層の半導体材料はｐ-ｎ接合を有し、ｐ-ｎ接合は、光が接合を通過するときに自由電荷（電子及び正孔）を生成し、ＴＣＯ層３０，３５にかけて電圧を発生するという特徴を有する。図５に示されるように、縦続変換層４０'は一般に、非晶質シリコン層及び介在ＴＣＯ層に加えて、１つ以上の多結晶シリコン層、ドープされた非晶質シリコン層または非晶質ゲルマニウムシリコン層を有する。代表的な縦続セル１００'は上述した光入射側ガラス基板１０，縦続変換層４０'，光入射側ＴＣＯ層３０及び背面側ＴＣＯ層３５，及び背面側反射体２０を有する。いずれの場合にも、半導体材料はシリコンベースである必要はないと考えられる。むしろ、光電変換層は、いずれも最新技術において文書で裏付けられている、ＣＩＧＳ（セレン化銅インジウムガリウム）及びＣｄＴｅに基づく薄膜光電変換技術を含むがこれらには限定されない、様々な適する光電変換半導体材料からなることができる。
【００１０】
さらに、図３及び４のグラフを参照すれば、本開示にしたがう光起電装置は、光入射側ＴＣＯ層３０が周期波長ΛＲの複数の共鳴結合分布を特徴とする表面擾乱３２を有するように、作製することができる。さらに、光入射側ガラス基板１０は周期波長ΛＤの複数の拡散結合分布を特徴とする表面擾乱３４を有する。本開示の様々な実施形態は主に光入射側ＴＣＯ層３０上の擾乱３２及び光入射側ＴＣＯ層３０の光電変換層４０との界面４２における拡散結合周期波長ΛＤと共鳴結合周期波長ΛＲの重畳に関して説明されるが、得られる表面構造は一般に背面側ＴＣＯ層３５の光電変換層４０との界面にも存在するであろうことに注意されたい。
【００１１】
図１において、表面擾乱３２，３４は２つの結合周期波長ΛＤ，ΛＲにおいて一様に隔てられている。実際上、表面擾乱３２はいくらか不規則であり、光入射側ガラス基板１０及びＴＣＯ層３０はそれぞれ、より正確には、周期波長ΛＤの拡散結合分布及び周期波長ΛＲの共鳴結合分布を有する、概平滑であるかまたは構造付の表面として表される。それぞれの周期波長ΛＲ，ΛＤは光電変換層４０との光入射側界面４２において重畳される。例えば、図２は本開示において考えられる性質の表面擾乱を有する表面の画像である。
【００１２】
発明者等は、光入射側界面４２における周期波長ΛＤ，ΛＲのこの重畳が背面側反射体２０と協働して、入射光λのかなりの部分の光電変換層４０内への閉込めをおこさせることを認めた。さらに詳しくは、共鳴結合周期波長ΛＲは光起電装置１００のＴＣＯ/シリコン/ＴＣＯ構造の選ばれた導波モードに入射光を結合するようにはたらき、拡散結合周期波長ΛＤは選ばれた導波モードからの光を構造の他の導波モードに結合する。拡散プロセスは、これらの擾乱がない場合に可能であろうよりも長時間、光を導波路の吸収性コア内にとどまらせることができる。この長時間滞在は光の吸収を高め、したがって変換効率を高めることができる。本開示の一実施形態にしたがえば、光入射側ガラス基板１０の拡散結合周期波長ΛＤは、光電変換層４０の屈折率と光入射側ＴＣＯ層３０の間のほぼ中間にある実効屈折率に対応する導波モードへの拡散結合に対して設定される。
【００１３】
図３は、擾乱の空間周波数ｆの関数としてのパワースペクトル密度|Ｈ(ｆ)２|のグラフとして共鳴結合周期波長及び拡散結合周期波長を表す。パワースペクトル密度|Ｈ(ｆ)２|は、表面のフーリエ級数展開式を生成し、この式を用いてそれぞれの空間周波数成分の振幅を、すなわちそれぞれの空間周波数成分がどれだけの大きさで当該の表面上に表われるかを、示すことで計算することができる。例えば、図３において、光入射側ガラス基板１０の拡散結合周期波長ΛＤを表す分布ΛＤ(Ｇ)は、光入射側ＴＣＯ層３０の共鳴結合周期波長ΛＲを表す分布ΛＲ(ＴＣＯ)より低い周波数（大きい結合周期）にわたって大きく加重される。図３は、光入射側界面４２において重畳された周期波長ΛＲ，ΛＤを表す分布Λ(４２)も示す。
【００１４】
総合して、図３に示されるように、重畳された分布ΛＤ(Ｇ)，ΛＲ(ＴＣＯ)は周波数依存パワースペクトル密度反転Ｉを定める。パワースペクトル密度反転Ｉは、分布ΛＤ(Ｇ)が比較的低い周波数において比較的大きな振幅を有する一方で、分布ΛＲ(ＴＣＯ)が比較的高い周波数において比較的大きい振幅を有するために形成される。言い換えれば、重畳分布は、Ｉより上の周波数ドメインにおいては光入射側ＴＣＯ層３０の擾乱によって、またＩより下では光入射側ガラス基板１０の擾乱によって、支配される。さらに詳しくは、パワースペクトル密度反転Ｉは、（ｉ）比較的低い空間周波数範囲にわたり対応する共鳴結合周期波長ΛＲより高いパワースペクトル密度にある拡散結合周期波長ΛＤ及び（ii）比較的高い空間周波数範囲にわたり対応する拡散結合周期波長ΛＤより高いパワースペクトル密度にある共鳴結合周期波長ΛＲによって形成される。
【００１５】
低空間周波数及び高空間周波数のそれぞれに適する範囲は本開示の概念にしたがって広範に変わることができ、少なくともある程度は光入射側ＴＣＯ層３０の厚さに依存するであろう。パワースペクトル密度反転Ｉは、多くの場合、ほぼ０.５μｍ−１（Λ〜２０００ｎｍ）とほぼ２.０μｍ−１（Λ〜５００ｎｍ）の間の周波数において確立され得ると考えられる。図３に示される反転Ｉに対する場合のように、周波数依存パワースペクトル密度反転Ｉを形成する比較的低い空間周波数の範囲は、多くの場合に、少なくともほぼ０.５μｍ−１に広がるべきであるとも考えられる。同様に、周波数依存パワースペクトル密度反転Ｉを形成する比較的高い空間周波数の範囲は、多くの場合に、少なくともほぼ１.０μｍ−１に広がるべきである。
【００１６】
図４は、平明さのために、図３の分布にわたって重畳された低空間周波数及び高空間周波数のそれぞれに適する範囲の一例を示す。図４において、光入射側ガラス基板の拡散結合周期波長ΛＤは、光電変換層の導波モードの間の拡散結合を強めるため、ほぼ１５００ｎｍとほぼ３０００ｎｍの間の対応する光入射側ＴＣＯ層の共鳴結合周期波長ΛＲより高いパワースペクトル密度にある。同様に、光入射側ＴＣＯ層の共鳴結合周期波長ΛＲは、光電変換層の選ばれた導波モードにおいて５５０ｎｍより長い波長の閉込めを最適化するため及び光電変換層の吸収端の内側の波長の閉込めを制限するため、ほぼ１５０ｎｍとほぼ５５０ｎｍの間の対応する光入射側ガラス基板の拡散結合周期波長ΛＤより高いパワースペクトル密度にある。
【００１７】
共鳴結合周期波長ΛＲに対して最適であり得る周期はほぼ７５ｎｍとほぼ５５０ｎｍの間である。しかし、３５０ｎｍから５７５ｎｍの波長に対し、２５０ｎｍ厚非晶質Ｓｉ層は一般にａ-Ｓｉ層に送り込まれる光のほぼ全てを吸収する。したがって、本開示の概念の特定の実施においては、３５０ｎｍから５７５ｎｍの波長に対して光閉込め過程は、相対的に言って、重要ではない。光電変換層４０の選ばれた導波モードにおいて５５０ｎｍより長い波長の閉込めを最適化するためには、光入射側ＴＣＯ層３０の共鳴結合周期波長ΛＲをほぼ１５０ｎｍ以上とすべきである。さらに、光入射側ＴＣＯ層の共鳴結合周期波長ΛＲは、光電変換層４０の吸収端の内側波長の閉込めを制限するため、ほぼ５５０ｎｍ以下とすべきであると考えられる。
【００１８】
システムの導波モードの間の拡散結合のための最適周期は、波長及びモード次数の関数として変わる、モード間の実効屈折率差を参照することで決定することができる。基本モードに近い高次モードのそれらの近隣の高次モードとの実効屈折率の差は小さいが、遮断に近くなる（実効屈折率が小さくなる）高次モードのそれらの近隣のモードとの屈折率の差は大きくなる。発明者等は、最適拡散グレーティング結合周期が[光の波長]/[共鳴結合モードの実効屈折率差]に関係付けられることを認めた。この最適周期は２８０ｎｍから２００μｍ以上にまで変わる。しかし、最適拡散結合周期波長ΛＤは、利用できる実効屈折率範囲（例えばｎ実効＝３.０）の中間近くのモードに結合させたければ、５５０ｎｍと３μｍの間になるようである。
【００１９】
より一般には、１５０ｎｍと３μｍの間の拡散結合周期波長ΛＤに対応するフーリエ成分をもつ表面構造は、望ましい光閉込め能力をもつ表面を表す。多くの場合、構造の導波モードをそれらの間で結合させるためには、拡散結合周期波長ΛＤの全スペクトルが用いられるべきである。スペクトルはほぼ２８０ｎｍからほぼ２０μｍまで変わり得ると考えられ、好ましい範囲はほぼ５００ｎｍとほぼ５μｍの間である。光入射側ガラス基板１０の拡散結合周期波長ΛＤは、光電変換層の導波モードの間の拡散結合を強め、光電変換層に閉じ込められていないモードまたは輻射モードへの結合を阻止するため、ほぼ１５００ｎｍとほぼ３０００ｎｍの間に収めることができる。
【００２０】
一般に、図１及び５に示されるように、光入射側ガラス基板１０の表面擾乱は光入射側ＴＣＯ層３０の擾乱及び共鳴結合周期波長ΛＲとは独立に与えられて、光入射側ＴＣＯ層３０の擾乱及び共鳴結合周期波長ΛＲには実質的に寄与しない。この態様においては、光入射側ガラス基板１０の表面に光入射側ＴＣＯ層３０の共鳴結合周期波長ΛＲを組み入れる必要はないから、光入射側ガラス基板１０が光入射側ＴＣＯ層３０に合する界面１２の完全性に注意を払うことができる。例えば、この界面１２における空隙形成を阻止するため、拡散結合周期波長ΛＤを表す分布を、または少なくとも実質的にその全体を、２８０ｎｍより短い周期は本開示のデバイスにおいて有用ではないようであり、光後方散乱あるいはその他の有害な光学的効果または電気的効果を生じさせ得るから、ほぼ２８０ｎｍより長い結合周期を、概ね包含するように、独立に制御することができる。
【００２１】
光電変換層４０との光入射側界面４２における周期波長ΛＤ，ΛＲの重畳を必要とする本開示の実施形態の実施においては、光入射側ガラス基板１０の比較的長い周期の表面構造を、光入射側界面４２に現れるように、維持することが必要であろう。そうするため、光入射側ＴＣＯ層３０の厚さが大きすぎないことが保証されるように注意を払わなければならない。一般に、この厚さ制限は、光入射側ガラス基板１０の拡散結合周期ΛＤ波長は比較的長く、例えば図３及び４に示される例ではほぼ１０００ｎｍ（ｆ＝１μｍ−１）であるから、利用できるＴＣＯ材料及び作成技術によって克服することは困難ではなく、表面構造はほぼ１００ｎｍからほぼ１０００ｎｍのＴＣＯ層厚にかけて容易に維持されるであろうと考えられる。
【００２２】
図１及び５を参照すれば、表面擾乱のそれぞれの振幅ＩＤ，ＩＲも光電変換層４０の導波構造内へ閉込めを最大化しようとする上で重要な要因であり、光入射側ＴＣＯ層３０の表面擾乱の所望の周期波長及び厚さ及び特性に依存して変わるであろう。例えば、大きすぎる振幅は光入射側ＴＣＯ層３０の光学特性及び電気的特性を低下させ得るから、表面擾乱のそれぞれの振幅ＩＲ，ＩＤが選ばれる際に、入射側ＴＣＯ層３０の特性をモニタしながら表面擾乱のそれぞれの振幅ＩＲ，ＩＤを選ぶように注意が払われるべきであると考えられる。多くの場合、振幅が大きくなると、光起電装置１００の導波構造の選ばれた導波モードに結合されるエネルギーの量が減少する。２μｍ厚光起電装置内の共鳴結合に適する擾乱振幅ＩＲはほぼ１００ｎｍとほぼ１５０ｎｍの間であると考えられる。より一般には、ほぼ２μｍとほぼ５μｍの間の光電変換層厚にはほぼ１００ｎｍとほぼ２００ｎｍの間の共鳴結合振幅ＩＲが適するであろうと考えられる。同様に、光電変換層４０の導波モードの間の拡散結合の最適化を助けるため及び光入射側ガラス基板１０と光入射側ＴＣＯ層３０の界面における空隙形成をさらに阻止するため、光入射側ガラス基板の適する表面擾乱は、光入射側ＴＣＯ層３０と光電変換層４０の界面における実効拡散結合振幅ＩＤ＊として現れる拡散結合振幅ＩＤを特徴とするであろうと考えられる。一般に、光入射側ＴＣＯ層３０の厚さにより、拡散結合振幅ＩＤと実効拡散結合振幅ＩＤ＊の間に若干の差が生じるであろう。限定ではなく、例として、ほぼ２μｍからほぼ５μｍの間の光電変換層厚に対して、適する実効拡散結合振幅ＩＤ＊は一般にほぼ１００ｎｍとほぼ２００ｎｍの間に入るであろう。
【００２３】
光入射側ＴＣＯ層３０及び背面側ＴＣＯ層３５は、厚さがほぼ１μｍ程度の、一般に、フッ素ドープＳｎＯ２膜、あるいはホウ素またはアルミニウムがドープされたＺｎＯ膜、またはスズ酸カドミウム（Ｃｄ２ＳｎＯ４）膜として与えられる、透明電極である。ＴＣＯ層３０，３５には様々な手法で表面構造を形成することができる。例えば、化学的気相成長法（ＣＶＤ）によって被着されるＳｎＯ２膜またはＺｎＯ膜の場合は、被着条件及び膜厚を制御することによって表面構造を制御することができる。スパッタ膜に対しては、ウエットエッチングまたはプラズマエッチングのようなエッチングによって表眼構造を改変することができる。プラズマエッチングは、表面構造を制御するため、ＣＶＤ ＺｎＯに用いることもできる。
【００２４】
光起電装置１００の光入射側ガラス基板１０にも、様々な方法で表面構造を形成することができる。限定ではなく、例として、従来のいくつかの薄膜シリコンデバイスにおける表面構造形成は、結合剤にＳｉＯ２粒子を取り入れて、マトリックス材を基板上に被着することで達成される。このタイプの表面構造形成は一般に、球形粒子が液体内に懸濁され、基板が液体を通して引かれ、続いて焼結される、ゾル−ゲルタイプのプロセスを用いてなされる。球形粒子は焼結されたゲルによって所定の場所に保持される。ＴＣＯ被着前に構造付表面を形成するため、他の多くの方法が調べられている。それらの方法にはサンドブラスト、ポリスチレン微小球被着及びエッチング、及び化学エッチングがある。
【００２５】
考えられるプロセスの１つにしたがえば、無機透明基板が提供され、基板の表面に接着剤が塗布される。接着剤に粒子が与えられて被覆基板が形成され、被覆基板が加熱されて光散乱性無機基板が形成される。考えられる別のプロセスにおいて、透明基板の表面上に無機粒子の単層が形成され、被覆基板が軟化点より高温に加熱されて光散乱性表面が形成される。無機粒子は表面に押し込むことができる。
【００２６】
本発明を定め、説明する目的のため、パラメータまたは別の変数の「関数」である変数への本明細書における言及は、その変数が、排他的に、挙げられたパラメータまたは変数の関数であることを指す意図はないことに注意されたい。むしろ、挙げられたパラメータの「関数」への本明細書における言及は、そのような変数が単一のパラメータまたは複数のパラメータの関数であり得るように、制約がないことが意図されている。本明細書における「少なくとも１つの」コンポーネント、素子、等の叙述が、冠詞‘ａ’または‘ａｎ’の使用が単一のコンポーネント、素子等に限定すべきであるとの推測を生じさせるために用いられるべきではないことにも注意されたい。
【００２７】
「好ましくは」、「普通は」及び「一般に」のような用語は、本明細書に用いられる場合、特許請求される本発明の範囲を限定するために、あるいはある特徴が特許請求される発明の機能または構造に必須であるか、肝要であるか、または重要であることさえも意味するために、用いられているのではないことに注意されたい。むしろ、これらの用語は、本開示の実施形態の特定の態様を識別すること、あるいは本開示の特定の実施形態に用いられても用いられなくても差し支えない別のまたは追加の特徴を強調することが目的とされているに過ぎない。
【００２８】
本発明を説明し、定める目的のため、用語「実質的に」及び「ほぼ」は、いずれかの定量的比較、値、測定値またはその他の表現に帰因させ得る不確定性の固有の大きさを表すために本明細書で用いられることに注意されたい。用語「実質的に」及び「ほぼ」は、本明細書において定量的表現がとりあげられている主題の基本機能に変化を生じさせずに変わり得る程度を表すためにも用いられる。
【００２９】
本開示の主題を詳細に、またその特定の実施形態を参照することで、説明したが、本明細書に開示される様々な詳細は、これらの詳細が本明細書に説明される様々な実施形態の基本コンポーネントである要素に、特定の要素が本明細書に添付される図面のそれぞれに示されている場合であっても、関することを意味するととられるべきではないことに注意されたい。むしろ、本明細書に添付される特許請求の範囲は、本開示の外延及び本明細書に説明される様々な発明の対応する範囲の唯一の表現としてとられるべきである。さらに、添付される特許請求の範囲に定められる本発明の範囲を逸脱することなく改変及び変形が可能であることは明らかであろう。さらに詳しくは、本明細書において本開示のいくつかの態様が好ましいかまたは特に有利であるとして識別されるが、本開示はそのような態様には必ずしも限定されないと考えられる。
【００３０】
添付される特許請求項の１つ以上において用語「〜を特徴とする(wherein)」が転換句として用いられていることに注意されたい。本発明を定める目的のため、この用語は構造の一連の特徴の叙述を導入するために用いられる制約の無い転換句として特許請求項に導入されており、より普通に用いられる制約の無い前置句「含む」と同様の態様で解されるべきであることに注意されたい。
【符号の説明】
【００３１】
１０    光入射側ガラス基板
１２    光入射側ガラス基板／光入射側透明導電性酸化物（ＴＣＯ）層界面
２０    背面側反射体
３０    光入射側透明導電性酸化物（ＴＣＯ）層
３５    背面側透明導電性酸化物（ＴＣＯ）層
３２    ＴＣＯ層表面擾乱
３４    ガラス基板表面擾乱
４０    光電変換層
４０'    縦続変換層
４２    光入射側透明導電性酸化物（ＴＣＯ）層／光電変換層界面
１００，１００'    光起電装置
【図１】
2014513433.tif 000003
【図２】
2014513433.tif 000004
【図３】
2014513433.tif 000005
【図４】
2014513433.tif 000006
【図５】
2014513433.tif 000007
【国際調査報告】
2014513433.tif 000008
2014513433.tif 000009
2014513433.tif 000010