(57)【要約】  本発明は、基材上に被着させた導電性の薄膜積重体を含む少なくとも１つの電極を含んでなる有機発光ダイオードを含むデバイスを製造するための方法であって、前記積重体の被着が次の工程、すなわち、少なくとも２つの薄膜の間に少なくとも１つの薄い銀膜を含む薄膜積重体を前記基材の少なくとも片面に被着させる工程、及び、前記少なくとも片方の被覆した面を、当該積重体のシート抵抗が少なくとも５％低下するように５００〜２０００ｎｍの少なくとも１つの波長で放射する少なくとも１つのレーザー光線を用いて熱処理する工程を含む、有機発光ダイオードを含むデバイスの製造方法に関する。【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材上に被着させた導電性薄膜の多層を基にした少なくとも１つの電極を含む有機発光ダイオードデバイスを製造するための方法であって、前記多層の被着が次の工程、すなわち、
・少なくとも２つの薄膜の間に少なくとも１つの薄い銀膜を含む薄膜多層を前記基材の片面に被着させる工程、及び、
・被覆した面を、当該多層のシート抵抗が少なくとも５％低下するように５００ｎｍと２０００ｎｍの間の少なくとも一つの波長で放射されるレーザー光の少なくとも１つの放射源を使って熱処理する工程、
を含む有機発光ダイオードデバイスの製造方法。
【請求項２】
処理前の前記多層が前記レーザー光を少なくとも部分的に吸収する薄膜を少なくとも１つ含み、その結果として当該レーザー光の少なくとも１つの波長における前記多層の吸収率が、当該多層で被覆した厚さ４ｍｍの透明ガラス基材の当該レーザー光の前記少なくとも１つの波長での吸収率が１０％以上であるようなものとなる、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記レーザー光の少なくとも１つの放射源で処理される面の反対側の基材の面の温度が前記熱処理の間１００℃を超えず、特に５０℃、更には３０℃を超えない、請求項１又は２記載の方法。
【請求項４】
前記多層のシート抵抗を前記熱処理により少なくとも１５％又は２０％低下させる、請求項１〜３の１つに記載の方法。
【請求項５】
前記基材がガラス製又は有機高分子物質製である、請求項１〜４の１つに記載の方法。
【請求項６】
前記基材がポリエチレンテレフタレート又はポリエチレンナフタレート製である、請求項５記載の方法。
【請求項７】
前記レーザー光を少なくとも部分的に吸収する薄膜が前記銀膜の上に直接又は前記銀膜の下に直接被着される金属膜であり、その厚さが２ｎｍと５ｎｍの間、特に３ｎｍと５ｎｍの間であって、この金属膜は特に、チタン、ニッケル、クロム、ニオブ、又はそれらのいずれかの合金に基づく膜から選ばれる、請求項２〜６の１つに記載の方法。
【請求項８】
前記レーザー光を少なくとも部分的に吸収する薄膜が窒化物膜、特に、化学量論量の窒化チタン、あるいは窒素が化学量論量未満の窒化ケイ素、窒化アルミニウム、窒化ニオブもしくは窒化チタン、又はそれらのいずれかの混合物から選ばれる窒化物膜である、請求項２〜７の１つに記載の方法。
【請求項９】
前記レーザー光を少なくとも部分的に吸収する薄膜が、金属、酸素が化学量論量未満の金属酸化物、又は金属窒化物で製作される膜である、請求項２〜８の１つに記載の方法。
【請求項１０】
前記レーザー光を少なくとも部分的に吸収する薄膜が、前記銀膜の下に、好ましくはそれと接触して位置する、又は前記銀膜の上に、好ましくはそれと接触して位置する、酸素が化学量論量未満の金属酸化物である、請求項２〜９の１つに記載の方法。
【請求項１１】
前記レーザー光を少なくとも部分的に吸収する薄膜が、空気と接触する、炭素を基にした膜、特にグラファイト又は非晶質の膜である、請求項２〜１０の１つに記載の方法。
【請求項１２】
前記レーザー光を少なくとも部分的に吸収する薄膜が、酸化インジウムと、スズ及び亜鉛から選ばれる少なくとも１種の元素との膜であって、特に前記多層のうちの最後の膜である、請求項２〜１１の１つに記載の方法。
【請求項１３】
前記多層上での前記レーザー光の表面パワーが１ｋＷ／ｃｍ2以上、特に２０ｋＷ／ｃｍ2以上である、請求項１〜１２の１つに記載の方法。
【請求項１４】
前記レーザー光を、前記基材の幅の全部又は一部に同時に照射する線の形をした少なくとも１つのレーザー光線により放射する、請求項１〜１３の１つに記載の方法。
【請求項１５】
前記基材と前記レーザーのそれぞれの速度の差を４ｍ／分以上、特に６ｍ／分以上とするように、前記膜で被覆した基材と前記レーザーの線とを相対的に移動させる、請求項１４記載の方法。
【請求項１６】
前記レーザー光の波長が５３０ｎｍと１０００ｎｍの間である、請求項１〜１５の１つに記載の方法。
【請求項１７】
前記多層をマグネトロンスパッタリングにより被着させる、請求項１〜１６の１つに記載の方法。
【請求項１８】
請求項１〜１７の１つに記載の方法により得ることができる有機発光ダイオードデバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＯＬＥＤとも呼ばれる、有機発光ダイオードを含むデバイスを製造する分野に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＯＬＥＤは、有機発光材料、又は有機発光材料の多層を含み、両面に２つの電極が位置していて、下部電極と呼ばれ、一般にアノードである一方の電極は、基材に結合している電極であり、上部電極と呼ばれ、一般にカソードである他方の電極は、有機発光系の上に配置されている。
【０００３】
ＯＬＥＤは、アノードから注入される正孔とカソードから注入される電子との再結合により放出されるエネルギーを利用して、エレクトロルミネッセンスにより光を放出するデバイスである。
【０００４】
ＯＬＥＤには各種の構成があり、すなわち、
・底面放出のデバイス構成、すなわち（半）透明の下部電極と反射性の上部電極とを備える構成、
・上面放出のデバイス構成、すなわち（半）透明の上部電極と反射性の下部電極とを備える構成、及び、
・上面と下面から発光するよう構成されたデバイス、すなわち（半）透明の下部電極と（半）透明の上部電極の両方を備えたもの、
がある。
【０００５】
本発明は、底面放出のＯＬＥＤデバイスに関し、場合によっては上面放出のＯＬＥＤにも関する。
【０００６】
ＯＬＥＤは一般に、表示装置又は照明装置で使用される。
【０００７】
下部電極の抵抗率はできるだけ小さくなければならず、それらの光透過率はできるだけ高くなければならず、そしてそれらは特に平滑でなければならず、多くの場合最大でも２ｎｍ、あるいは１ｎｍのＲＭＳ粗さが必要である。
【０００８】
導電性薄膜の多層、特に少なくとも１つの銀の膜を含む多層を、電極として使用することができる。
【０００９】
特に銀の酸化を防ぐとともに可視領域の反射を減らすために、銀の膜は一般に膜の多層中に挿入される。銀を基礎材料とする薄膜を、酸化物又は窒化物を基礎材料とする２つの誘電体薄膜（例えばＳｎＯ2又はＳｉ3Ｎ4で製作される）の間に配置することができる。銀の濡れと核生成を促進するのを目的とした非常に薄い膜（例えば酸化亜鉛ＺｎＯで製作される）を銀の膜の下に配置してもよく、そしてそれに続く膜を酸化雰囲気で被着させる場合あるいは酸素を多層中へマイグレートさせる熱処理を利用する場合には、銀の膜の保護を目的とする別の非常に薄い（例えばチタンで製作される、犠牲的な）膜を、銀の膜の上に被着させてもよい。これらの膜は、それぞれ湿潤膜及び遮断膜として知られている。多層はいくつかの銀の膜を含むこともできる。
【００１０】
銀の膜は、少なくとも部分的に結晶質の状態にある場合、抵抗率が上昇して見える特殊性を有する。一般に、これらの膜の結晶化度（結晶性物質の重量割合又は体積割合）と結晶粒の大きさ（又はＸ線回折法で測定されるコヒーレント回折ドメインの大きさ）を最大にすることが求められる。
【００１１】
特に、結晶化度が高く、従って非晶質の銀の残留量が少ない銀の膜は、主として非晶質の銀からなる銀の膜よりも抵抗率が低く、可視領域の透過率が高いことが知られている。従って、これらの膜の導電率は向上する。これは、結晶粒の大きさの増大には粒界の数の減少が伴い、電荷キャリアの移動性を上昇させるからである。
【００１２】
ガラス又はポリマー基材上に薄膜を被着させるのに工業的規模で現在利用されている方法は、マグネトロン法とも呼ばれているマグネトロンスパッタリングである。この方法では、被着させようとする化学元素を含むターゲットの近傍において高真空中でプラズマを生じさせる。ターゲットに衝撃を与えることにより、プラズマの活性種がターゲットから当該元素を引きはがし、その元素が所望の薄膜を形成するよう基材上に被着する。この方法は、膜がターゲットから引きはがされた元素とプラズマ中に含まれるガスとの化学反応に由来する物質からなる場合には、「反応性」であると称される。この方法の主要な利点は、所定のラインにおいて、基材を種々のテーゲットの下を走行させることにより非常に複雑な多層膜を被着させることが可能であるという事実にあり、これは一般的に１つの同じ装置においてなされる。
【００１３】
マグネトロン法を工業的に実施する際には、基材は室温のままであるか、あるいは、特に基材の走行速度が大きい（これは経済的理由から一般に望ましいものである）場合に、適度の温度（８０℃未満）に加熱される。大きい走行速度は有利であるように見えるとは言え、それは、関係する低い温度が一般に十分な結晶の成長を可能とはしないので、前述の膜の場合には問題を引き起こす。これは特に、厚さの小さい薄膜及び／又は融点が非常に高い物質で作製される膜の場合に言える。従って、この方法を使って得られた膜は主として、完全に、非晶質あるいは非結晶性（平均の結晶粒子の大きさが数ナノメートルより小さい）であり、そのため所望の結晶化度あるいは所望の結晶粒サイズを得るのに、従って所望の低い抵抗率を得るのに、熱処理が必要である。
【００１４】
考えられる熱処理は、被着中かあるいは被着後マグネトロンラインからの出口側にあるときに、基材を加熱するものである。基材の温度が薄膜の材料の融点に近ければ近いほど、結晶化は良好になり結晶粒サイズは大きくなる。
【００１５】
しかし、高温の基材上に被着させた、あるいはその後の熱処理にかけられた銀の膜は、ことのほか粗く、その結果それらをＯＬＥＤデバイスの電極として使用するのには不向きにする。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
本発明の目的は、低抵抗率と高い視感透過率及び低粗度とを組み合わせる導電性の多層を得るのを可能にする方法を提供することによって前述の欠点を除くことである。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
この目的のために、本発明の１つ対象とするものは、基材上に被着させた導電性薄膜の多層を基にした少なくとも１つの電極を含む有機発光ダイオードデバイスを製造するための方法であって、前記多層の被着が次の工程、すなわち、
・少なくとも２つの薄膜の間に少なくとも１つの薄い銀の膜を含む薄膜多層を前記基材の片面に被着させる工程、及び、
・被覆した面を、当該多層のシート抵抗が少なくとも５％低下するように５００ｎｍと２０００ｎｍの間の少なくとも一つの波長で放射されるレーザー光の少なくとも１つの放射源を使って熱処理する工程、
を含む有機発光ダイオードデバイスの製造方法である。
【００１８】
所定のシート抵抗について、本発明による方法はより薄い銀の膜を使用するのを可能にし、そのためこれらの膜はより高い視感透過率を有する。逆に、所定の銀の厚さについて、本発明により得られた膜は抵抗率がより低い一方で、著しく平滑なままである。
【００１９】
好ましくは、処理前の多層はレーザー光を少なくとも部分的に吸収する薄膜を少なくとも１つ含み、その結果当該レーザー光の少なくとも１つの波長における多層の吸収は、前記多層で被覆した厚さ４ｍｍの透明ガラス基材の当該レーザー光の前記少なくとも１つの波長での吸収率が１０％以上となるようなものとなる。
【００２０】
多層で被覆した基材の所定の波長での吸収率は、１００％から同じ被覆基材の同じ波長での透過率を差し引き、且つ同じ被覆基材の多層側における同じ波長での反射率を差し引いたものとして定義される。
【００２１】
「透明ガラス」という用語は、フロート法により得られ、膜で被覆されておらず、４ｍｍの厚さについて光透過率がほぼ９０％、光反射率がほぼ８％、そしてエネルギー透過率がほぼ８３％の、ソーダ−石灰−シリカガラスを意味するものと理解される。光及びエネルギー透過率と反射率は、ＮＦ  ＥＮ  ４１０標準規格で定義されているようなものである。典型的な透明ガラスは、例えば、サン−ゴバン・グラス・フランス社によりＳＧＧ  Ｐｌａｎｉｌｕｘの名称で市販されているもの、あるいはＡＧＣ  Ｆｌａｔ  Ｇｌａｓｓ  Ｅｕｒｏｐｅ社によりＰｌａｎｉｂｅｌ  Ｃｌｅａｒの名称で市販されているものである。
【００２２】
本発明による方法は、言うまでもなく、透明ガラス基材上にあるいは厚さ４ｍｍの基材上に被着させた被覆物に限定されない。被覆物は任意のタイプの基材上に被着させることができるが、多層の吸収率は、それを厚さが４ｍｍの透明ガラス基材上に被着させた場合にこの多層被覆基材の吸収率が特許請求の範囲に規定のとおりとなるようなものでなければならない。
【００２３】
本発明による方法は、膜に既に存在していながら、なおも固相中にとどまっている種の周囲での物理化学的な結晶成長メカニズムにより銀薄膜の結晶化を促進するのに十分なエネルギーの供給を可能にする。銀膜の結晶化の促進は、特に、非晶質相の残留物が消失し、及び／又はコヒーレント回折ドメインの大きさが増大し、及び／又は点欠陥（空所あるいは割れ目）もしくは表面欠陥もしくはバルク欠陥、例えば双晶など、の密度が低下するという結果をもたらすことができる。
【００２４】
本発明による方法には、基材全体を有意に加熱することなしに導電性の多層のみを加熱するという利点がある。よって、ガラスを切断又は保管する前に基材に制御されたゆっくりの冷却を受けさせることはもはや必要ない。この方法はまた、ヒーターを既存の連続生産ラインに、もっと詳しく言えばマグネトロンラインの真空被着室の出口とガラスを積み重ねる方式で保管するための装置との間に位置する空間に、統合するのを可能にする。場合により、本発明による処理を実際の真空被着室内で行うことも可能である。最後に、この方法はポリマー有機物質製の基材の使用を可能にする。
【００２５】
レーザー光を用いることには、基材の第１面の反対側の面（すなわち被覆していない面）で一般に１００℃未満、多くの場合５０℃未満、の温度になるという利点がある。これは、熱交換係数が非常に大きく、一般に４００Ｗ／（ｍ2・ｓ）より大きいという事実のために、特に有利な特徴である。処理する多層でのレーザー光の表面パワーは１ｋＷ／ｃｍ2以上、特に１０ｋＷ／ｃｍ2、更には２０ｋＷ／ｃｍ2以上が好ましい。
【００２６】
この非常に高いエネルギー密度は、多層の所望の温度を極度に素早く（一般に１秒以下の時間で）得ること、その結果相応して処理時間を制限することを可能にし、この場合に発生する熱には基材中に拡散する時間がない。こうして、多層中の各点は好ましいことに、一般には１秒以下の時間、あるいは０．５秒以下の時間、本発明による処理にかけられる（そして特に３００℃以上の温度に加熱される）。それに対して、通常用いられる赤外線ランプ（放射線が集中する装置なしの）は単位面積あたりのこれらの高いパワーレベルを実現することができないので、所望の温度に達する処理時間がより長く（多くの場合数秒続く）、そのため基材は、放射線の波長を薄膜だけに吸収され基材には吸収されないように適応させたとしても、熱の拡散のため必然的に高温に加熱される。
【００２７】
本発明による方法に付随する非常に高い熱交換係数のために、薄膜から０．５ｍｍのところにあるガラスの部分は一般に１００℃より高い温度にはさらされない。レーザー光の少なくとも１つの放射源により処理される面と反対側の基材の面の温度は、熱処理中に１００℃を超えず、特に５０℃を超えず、更には３０℃を超えないのが好ましい。
【００２８】
従って、供給されるエネルギーの大部分は、多層が含む銀膜の結晶特性を向上させるように多層によって「使用」される。
【００２９】
本発明による方法はまた、多層により被覆された厚さ４ｍｍの透明ガラス基材のレーザー光の少なくとも１つの波長での吸収率が１０％以上となるように十分レーザー光を吸収する少なくとも１つの薄膜が処理前の多層中に存在することによって改善される。処理前の多層は、本書の以下において「吸収膜」と呼ばれるこれらの膜を１つ以上含むことができる。多層は、例えば、１つの吸収膜を含んでもよく、あるいは２つ又は３つ又は４つの吸収膜、更には５つ又は６つの吸収膜を含んでもよい。吸収膜の数がいくつであれ、重要な点は、レーザー波長での多層の吸収が特許請求の範囲に規定されたとおりであることである。少なくとも１つの吸収膜が存在する場合、これはレーザー処理の効果をかなり高め、すなわち吸収膜によって吸収されるエネルギーは事実上銀膜の近くに再放射されて、この膜の局所的な温度を上昇させる。この場合、その結果得られたレーザー処理の有効性の増大は、最終的な多層の抵抗率特性を向上させ、及び／又は処理を加速し、及び／又はより低いパワーを使用し従って費用がそれほどかからないレーザーを使用するのに役立つ。
【００３０】
レーザー処理の有効性を更に増大させるためには、多層の吸収は、多層により被覆された厚さ４ｍｍの透明ガラス基材の吸収率がレーザー処理前に、レーザー光の少なくとも１つの波長において好ましくは１２％以上、あるいは１３％又は１５％以上、更には２０％又は２５％又は３０％以上であるようなものである。
【００３１】
本発明による方法を使用して得られる結晶化度は、好ましくは２０％又は５０％以上であり、特に７０％、そして更には９０％以上である。結晶性物質の質量を物質の全質量で除したものとして定義される、この結晶化度は、リートベルト法を使ってＸ線回折により測定することができる。種又は核から出発する結晶性粒子の成長による結晶メカニズムのために、結晶化度の増大には一般に、結晶粒子の大きさ又はＸ線回折によって測定されるコヒーレント回折ドメインの増加が付随する。
【００３２】
結晶特性の向上はまた、被覆基材の光透過率を絶対値で少なくとも５％、とりわけ１０％、あるいは１５％、そして更にはやはり絶対値で（相対的な増加でなく）少なくとも２０％、増加させるのを可能にする。光透過率は、ＮＦ  ＥＮ  ４１０標準規格により計算される。
【００３３】
好ましくは、多層のシート抵抗は少なくとも１０％、又は１５％、更には２０％、熱処理によって低下する。ここでは、これは処理前のシート抵抗値に対する相対的な低下である。
【００３４】
基材は、ガラスあるいは有機高分子物質製であるのが好ましい。それは透明で無色であること（この場合、それは透明ガラスであるか超透明ガラスである）、あるいは例えば青色、灰色又はブロンズ色に着色されているのが好ましい。ガラスは好ましくはソーダ−石灰−シリカタイプのものであるが、それはホウケイ酸又はアルミノホウケイ酸タイプのガラスでもよい。好ましい有機高分子物質は、ポリカーボネート又はポリメチルメタクリレート又はポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、さもなければエチレンテトラフルオロエチレン（ＥＴＦＥ）などのフルオロポリマーである。基材は、少なくとも１つの寸法が１ｍ以上、又は２ｍあるいは更には３ｍ以上であるのが好ましい。基材の厚さは、ガラス基材の場合一般には０．０２５ｍｍと１９ｍｍの間、好ましくは０．４ｍｍと６ｍｍの間、特に０．７ｍｍと２．１ｍｍの間であり、ポリマー基材の場合好ましくは０．０２５ｍｍと０．４ｍｍの間、特に０．０７５ｍｍと０．１２５ｍｍの間である。基材は平らであっても湾曲していてもよく、更には可撓性であってもよい。
【００３５】
ガラス基材は好ましくはフロートガラスタイプのものであり、すなわち溶融したガラスを溶融したスズの浴（「フロート」浴と呼ばれる）の上へ流し込むものである方法によって得ることができるタイプのものである。この場合、処理しようとする膜は、基材の「雰囲気」側と同様に「スズ」側にもうまく被着させることができる。「雰囲気」側及び「スズ」側という用語は、それぞれ、フロート浴において雰囲気と接触していた基材の面及び溶融したスズと接触していた基材の面を意味するものと理解される。スズ側は、ガラスの構造中へ拡散した少量の表面のスズを含む。基材は、２つのローラー間での圧延により得ることもでき、この手法は特にガラスの表面に模様を刻みつけるのを可能にする。
【００３６】
熱処理前あるいは熱処理後の導電性の多層は、少なくとも２つの膜の間に少なくとも１つの銀の膜を含む。多層中には吸収膜が存在することが好ましい。以下において、本発明により処理された多層の好ましい構造を最初に説明してから、そのような構造中の吸収膜の位置について詳しく説明することにする。特に指示しない限り、記載する厚さは物理的な厚さである。
【００３７】
熱処理前あるいは熱処理後の導電性の多層は好ましくは、基材から出発して、少なくとも第１の誘電体膜を含む第１の被覆物、少なくとも１つの銀膜、任意選択的なオーバーブロッカー膜、そして少なくとも第２の膜を含む第２の被覆物、を含む。第１及び第２の被覆物は、特に基材が有機の、例えば可撓性の、ポリマーで製作されている場合、あるいは基材に積層中間層が付随している場合には、湿分あるいはガスに対するバリヤ層として働くのが有利である。
【００３８】
好ましくは、銀膜の物理的厚さは６ｎｍと２０ｎｍの間である。
【００３９】
オーバーブロッカー膜は、その後の膜の被着中に（例えばこれを酸化性又は窒化性雰囲気中で被着させる場合）及び更なる熱処理の際に、銀膜を保護しようとするものである。
【００４０】
銀膜は、アンダーブロッカー膜上にそれと接触して被着させることもできる。よって、多層は、銀膜の側面に位置するオーバーブロッカー膜及び／又はアンダーブロッカー膜を含むことができる。
【００４１】
ブロッカー（アンダーブロッカー及び／又はオーバーブロッカー）膜は一般に、ニッケル、クロム、チタン、ニオブ又はこれらの各種金属の合金を基礎材料とする。特にニッケル−チタン合金（とりわけ各金属を約５０ｗｔ％含有しているもの）及びニッケル−クロム合金（とりわけニッケルを８０ｗｔ％及びクロムを２０ｗｔ％含有しているもの）を挙げることができる。オーバーブロッカー膜はいくつかの重ね合わせた膜からなることができ、例えば、基材側から数えてチタン膜とその次のニッケル合金（とりわけニッケル−クロム合金）膜からなることができ、あるいはその逆であってもよい。列挙した各種金属又は合金は部分的に酸化されていてもよく、特に酸素が化学量論量未満（例えばＴｉＯx又はＮｉＣｒＯx）であってもよい。
【００４２】
これらのブロッカー（アンダーブロッカー及び／又はオーバーブロッカー）膜は、多層の光透過率に影響を与えないように、非常に薄く、標準的に１ｎｍ未満の厚さであり、そして本発明による熱処理の際に部分的に酸化することができる。以下において示すように、少なくとも１つのブロッカー膜の厚さは、本発明による吸収膜を構成するように、より厚くてもよい。一般に、ブロッカー膜は、雰囲気から又は基材からやってくる酸素を捕捉することができ、従って銀膜を酸化から保護することができる犠牲膜である。
【００４３】
第１の誘電体膜は通常は酸化物（とりわけ酸化スズ）であり、好ましくは窒化物、とりわけ窒化ケイ素、である。一般に、窒化ケイ素には、それをスパッタリング技術により被着するのをより容易にするように、例えばアルミニウム又はホウ素を、ドープすることができる。ドープの度合い（ケイ素の量に対する原子百分率に相当する）は、一般に２ａｔ％を超えない。これらの誘電体膜の機能は、銀膜を化学的又は機械的攻撃から保護することであって、それらはまた干渉現象により多層の光学的特性、特に反射率に影響を及ぼす。
【００４４】
第１の被覆物は、１つの誘電体膜、又は複数の、一般には２つ又は３つの、誘電体膜を含むことができる。これらの誘電体膜は、窒化ケイ素、酸化チタン、酸化スズ及び酸化亜鉛から選ばれる材料、あるいはそれらの混合物又は固溶体のいずれか、例えば酸化亜鉛スズ又は酸化亜鉛チタン、で製作されるのが好ましい。誘電体膜の物理的な厚さ、あるいは全ての誘電体膜の全体としての物理的厚さは、好ましくは１５ｎｍと６０ｎｍの間であり、特に２０ｎｍと５０ｎｍの間である。
【００４５】
第１の被覆物は、銀膜の直下に又は任意選択的なアンダーブロッカー膜の下に、湿潤膜を含むのが好ましく、これの機能は銀膜の濡れと結合を増大させることである。酸化亜鉛が、特にアルミニウムをドープされた場合に、これに関して特に有利であることが分かる。
【００４６】
第１の被覆物は、湿潤膜の直下に、部分的に又は完全に非晶質の混合酸化物（従って粗さが非常に小さいもの）である、平滑化層を含むこともでき、これの機能は優先結晶方位の湿潤膜の成長を促進し、それによりエピタキシャル現象による銀の結晶化を促進することである。平滑化層は、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｉｎ、Ｇａ及びＳｂから選ばれる少なくとも２種の金属の混合酸化物で構成されるのが好ましい。好ましい酸化物はアンチモンをドープされた酸化スズ亜鉛である。
【００４７】
第１の被覆物において、湿潤膜あるいは任意選択的な平滑化膜は、第１の誘電体膜の上に直接被着させるのが好ましい。第１の誘電体膜は、基材の上に直接被着させるのが好ましい。多層の光学的特性（とりわけ反射の見かけ）を最も有利に適合させるためには、別の方法として、第１の誘電体膜を別の酸化物又は窒化物膜の上に、例えば酸化チタン又は窒化ケイ素膜の上に、被着させてもよい。
【００４８】
第２の被覆物内では、好ましくは導電性である第２の膜を、銀膜の上に直接、又は好ましくはオーバーブロッカーの上に、あるいは多層の光学的特性を適合させることを目的とする他の酸化物又は窒化物膜の上に、被着させることができる。例えば、酸化亜鉛膜、特にアルミニウムをドープされたもの、あるいは酸化スズ膜、又は酸化スズ亜鉛膜を、オーバブロッカーと第２の膜との間に配置することができる。酸化亜鉛、特にアルミニウムをドープされた酸化亜鉛は、銀膜と上側の膜との密着性を向上させるのに役立つ。
【００４９】
このように、本発明により処理された多層は、できるだけＺｎＯ／Ａｇ／ＺｎＯと連続するものを含むのが好ましい。酸化亜鉛にはアルミニウムをドープしてもよい。アンダーブロッカー膜を銀膜とその下の膜との間に配置してもよい。別の実施形態においてあるいは追加して、オーバーブロッカー膜を銀膜とその上の膜との間に配置してもよい。
【００５０】
最後に、第２の被覆物の上に、多層を何らかの機械的攻撃（引掻きなど）又は化学的攻撃から保護することを目的とするオーバーコートを配置してもよい。このオーバーコートは一般に、多層の反射の見かけに影響を及ぼさないように非常に薄い（その厚さは概して１ｎｍと５ｎｍの間である）。それは、化学量論量的に不足の形で被着させたチタン酸化物又はスズと亜鉛の混合酸化物、特にアンチモンをドープされたもの、を基礎材料とするのが好ましい。以下において示すように、このオーバーコートの組成は、それが吸収膜となりあるいは多層の吸収膜となるように選ぶことができる。
【００５１】
好ましくは、多層の最後の膜は、高仕事関数の透明な導電性酸化物、例えば酸化インジウムなどと、スズ及び亜鉛から選ばれる少なくとも１種の元素とで作製される（ＩＴＯ、ＩＺＯ又はＩＴＺＯ膜）。
【００５２】
多層は、１以上の銀膜、特に２つ又は３つの銀膜を含むことができる。２つ以上の銀膜が存在する場合、先に提示した一般的な構造を繰り返すことができる。この場合、所定の銀膜に関する（従ってこの銀膜の上に位置する）第２の被覆物は一般に、次の銀膜に関しる第１の被覆物と一致するものとなる。
【００５３】
熱処理前の多層は、少なくとも１つの吸収膜を含むのが好ましい。薄い吸収膜は、銀膜の方へ再放射されたエネルギーの移動を向上させるように、銀膜と直接接触してもよい。薄い吸収膜を、特に銀膜の下に（すなわち基材の近くに）及び／又は銀膜の上に位置させることができる。
【００５４】
第１の好ましい実施形態によれば、レーザー光を少なくとも部分的に吸収する薄膜は、銀膜の上に直接被着された金属膜（オーバーブロッカー膜）又は銀膜の直下に被着された金属膜（アンダーブロッカー膜）であり、その厚さは２ｎｍと５ｎｍの間、とりわけ３ｎｍと５ｎｍの間である。このブロッカー膜はレーザー処理の際に部分的に酸化されて、光吸収率が低下した一般に酸素が化学量論量未満の酸化物を生じさせる。もっと薄い膜は、銀膜へのエネルギーの移動を認知できるのに十分な吸収率を有することがない。更に、もっと薄い膜はレーザー処理の際に完全に酸化されがちであり、その結果として最終の多層の機械的強度が不十分になってしまう。従って、上述の厚さの範囲は、ブロッカー膜の標準的な厚さより厚いために異例であるが、本発明による処理には特に好適である。ブロッカー膜の化学的性質に関しては、上述のものが、ブロッカー膜が本発明による吸収膜である場合にもやはり当てはまる。
【００５５】
第２の好ましい実施形態によれば、レーザー光を少なくとも部分的に吸収する薄膜は窒化物の膜、とりわけ化学量論量の又は窒素が化学量論量未満のものである。化学量論量の窒化物は、レーザーの波長範囲における吸収率が高い窒化チタンであるのが好ましい。窒素が化学量論量未満の窒化物は、化学量論量未満の窒化ケイ素、窒化アルミニウム、窒化チタン又は窒化ニオブ、あるいはそれらのいずれかの混合物から選ばれるのが好ましい。吸収性の窒化物膜は、厚さが好ましくは２ｎｍと１０ｎｍの間であり、特に２ｎｍと５ｎｍの間である。
【００５６】
第３の好ましい実施形態によれば、レーザー光を少なくとも部分的に吸収する薄膜は、金属、酸素が化学量論量未満の金属酸化物、又は金属窒化物で作製される。従ってこれは、先に提示した一般的な構造との関連で言えば、オーバーコートである。このオーバーコートは一般に、レーザー処理の間に酸化し、そのためレーザー処理後のその光吸収率は非常に小さい。空気と接触するこのオーバーコートの厚さは、５ｎｍ以下又は３ｎｍ以下であるが、１ｎｍ以上であるのが好ましい。これほどの小さい厚さで、所望の吸収率を得るのに一般に十分である。小さい厚さはまた、本発明による処理後の完全な酸化を可能にし、従って大きな光透過率をもたらすことになる。金属は、ケイ素、ニオブ、チタン、アルミニウム、亜鉛、スズ、ニッケル及びジルコニウム、あるいはそれらのいずれかの合金から選ぶのが好ましい。好ましくは、酸素が化学量論量未満の酸化物は、酸化ケイ素、酸化ニオブ、酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化亜鉛、酸化スズ又は酸化ジルコニウムであるか、あるいはそれらのいずれかの混合物である。窒化物は化学量論量のものでよく、この場合には、それは窒化チタンが好ましい。窒化物は化学量論量未満のものであってもよく、この場合それは窒化ケイ素、窒化アルミニウム、窒化チタン、窒化ニオブ、窒化亜鉛、窒化スズ又は窒化ジルコニウムであるか、あるいはそれらのいずれかの混合物である。
【００５７】
第４の好ましい実施形態によれば、レーザー光を少なくとも部分的に吸収する薄膜は、酸素が化学量論量未満の金属酸化物の膜であって、銀膜の下に好ましくはそれと接触して位置しており、及び／又は銀膜の上に好ましくはそれと接触して位置している。詳しく言うと、それは先に明らかにした湿潤膜であることができる。酸素が化学量論量未満の酸化物は、酸化亜鉛、酸化チタン及び酸化スズ、あるいはそれらの混合物のうちの１つから選ぶのが好ましい。
【００５８】
第５の好ましい実施形態によれば、レーザー光を少なくとも部分的に吸収する薄膜は、空気と接触し炭素を基礎材料とする膜である。好ましくは、炭素はグラファイト又は非晶質タイプのものであり、及び／又は少なくとも５０％、あるいは１００％のｓｐ２炭素を含有している。炭素を基礎材料とする薄膜は、好ましくは炭素からなるが、とは言え金属をドープされていてもよく、あるいは部分的に水素化されていてもよい。炭素膜の厚さは好ましくは５ｎｍ未満であり、特に２ｎｍ未満、更には１ｎｍ未満である。炭素は、可視及び赤外領域における吸収能力が高い。炭素膜は、とりわけグラファイト又は非晶質タイプの、主としてｓｐ２混成炭素である場合において特に、また厚さが薄い場合において特に、恐らくは酸化されて二酸化炭素となり、蒸発することによって、処理中に消失し、そのため処理後の残存吸収率は最小となる。炭素を基礎材料とする薄膜は、いろいろな方法によって、特にマグネトロンスパッタリングによって、例えばアルゴン雰囲気中でグラファイトターゲットを使用して、得ることができる。その他の被着方法としては、ＣＶＤ（化学気相成長）、アークによる被着、蒸着及びゾル−ゲル法が挙げられる。
【００５９】
第６の好ましい実施形態によれば、吸収膜は、酸化インジウムとスズ及び亜鉛から選ばれる少なくとも一方の元素との膜である。この膜は一般に、多層の最後の膜（基材から一番遠い膜）である。それは詳しく言えばＩＴＯ膜である。
【００６０】
多層における位置がどうであれ、吸収膜あるいはそのような膜の一つは、遷移金属（例えば、鉄、クロム、バナジウム、マンガン、コバルト、ニッケル又は銅）あるいは希土類（例えば、ネオジム又はユーロピウム）のうちの少なくとも１種のイオンをドープされた酸化物を基礎材料とすることもできる。
【００６１】
処理された多層は、単一の吸収膜を含んでもよい。それはまた、特に単一の吸収膜の存在することが多層全体としての所望の吸収率を得るのに十分でない場合に、より多くの吸収膜、例えば２つ、３つ、４つ又は５つのそのような膜を含んでもよい。従って、多層は、組み合わせた場合に所望の吸収率を得るのを可能にするが、一つ一つではそうはならない複数の吸収膜を有するように選ぶことができる。これは特に、２以上の銀膜、とりわけ２つ又は３つの銀膜を含む多層について言えることであり、ブロッカー（アンダーブロッカー及び／又はオーバーブロッカー）の数が増加すると、レーザーの波長における吸収率を大きくできるようになるのに対し、おのおのの膜だけではこの吸収率を得るのに厚さが十分でない。
【００６２】
従って、多層によるレーザー光の吸収率を更に向上させるために、それは上述のいくつかのタイプの吸収膜を含むことができる。特に、説明した好ましい実施形態のおのおのを、１以上のその他の実施形態と組み合わせることができる。詳しく言うと、以下の好ましい実施形態を組み合わせることができる。すなわち、１と２、１と３、１と４、１と５、１と６、２と３、２と４、３と４、２と５、２と６、３と５、３と６、１と２と３、１と２と４、１と２と５、１と２と６、１と３と４、１と３と５、１と３と６、２と３と４、２と３と５、２と３と６、３と４と５、３と４と６、４と５と６、１と２と３と４、１と２と３と５、１と２と３と６、１と２と４と５、１と２と４と６、１と３と４と５、１と３と４と５と６、２と３と４と５、２と３と４と５と６、及び１と２と３と４と５と６を組み合わせることができる。一例として、多層は、１つの厚膜化したブロッカー膜（厚さが２ｎｍと５ｎｍの間）と１つの吸収オーバーコート（第１及び第３の好ましい実施形態の組み合わせ）を含むことができる。特定の好ましい実施形態をそれら自体と組み合わせることもできる。従ってこれは、多層が複数の窒化物吸収膜を含むことができるという意味で、第２の好ましい実施形態の場合である。同様に、多層は、レーザー光の吸収率を増大させるように厚くした複数のブロッカー（アンダーブロッカー及び／又はオーバーブロッカー）膜を含んでもよい（第１の実施形態の組み合わせ）。
【００６３】
次に、本発明により処理することができる多層の限定しない例をいくつか説明する。膜は、基材から出発する被着の順番に示す。
多層１：  Ｓｉ3Ｎ4／ＳｎＺｎＯx／ＺｎＯ／Ａｇ／Ｔｉ／ＩＴＯ
多層２：  Ｓｉ3Ｎ4／ＳｎＺｎＯx／ＺｎＯ／Ａｇ／Ｔｉ／ＺｎＯ／ＳｎＺｎＯx／ＺｎＯ／Ａｇ／Ｔｉ／ＩＴＯ
【００６４】
多層１の場合において、吸収膜は、厚くされる場合にはオーバーブロッカー（ここではチタンで製作されるが、上述の金属又は合金を使用してもよい）により、及びＩＴＯにより形成される。従って、この多層は第１及び第６の好ましい実施形態を例示するものとなる。
【００６５】
多層２は、２つの銀膜を含む多層を例示するものとなる。
【００６６】
先に提示した多層において、少なくとも１つの酸化亜鉛膜は、酸素が化学量論量未満であってもよく、第４の好ましい実施形態を例示する吸収膜を構成することができる。
【００６７】
多層のＲＭＳ粗さは、処理前及び処理後において、好ましくは最大で２ｎｍ、特に１ｎｍである。
【００６８】
本発明による処理は一般に、境界の明瞭な波長を有する放射線源を使用して実施される。とは言え、本発明は、被覆された基材が波長を異にする複数の放射線源の作用を受けるように、複数の異なるレーザーの使用を排除しない。
【００６９】
放射線の波長は、好ましくは５３０ｎｍと１０００ｎｍの間、又は６００ｎｍと１０００ｎｍの間であり、とりわけ７００ｎｍと９９０ｎｍの間、あるいは更に８００ｎｍと９９０ｎｍの間であるが、その理由は、銀がより長い波長の赤外線未満のこのタイプの放射線を反射するからである。従って、処理がより効果的になる。更に、基材は、透明なガラスで製作される場合に、この波長範囲でそれほど吸収せず、高温にさらされにくい。
【００７０】
例えば、約８０８ｎｍ、８８０ｎｍ、９１５ｎｍ、あるいは９４０ｎｍもしくは９８０ｎｍの波長で発光するレーザーダイオードを使用するのが好ましい。ダイオードのシステムによって非常に大きなパワーを得ることができ、処理される多層において１ｋＷ／ｃｍ2より大きい、更には１０ｋＷ／ｃｍ2又は２０ｋＷ／ｃｍ2より大きい単位面積あたりのパワーを可能にする。
【００７１】
実施をより簡単にするために、本発明との関連で用いられるレーザーはファイバーを利用することができ、これはレーザー光を光ファイバー内に投入し、その後処理すべき表面の直前で収束ヘッドを通して供給することを意味する。レーザーは、増幅媒体そのものが光ファイバーであるという意味において、ファイバーレーザーであってもよい。
【００７２】
レーザー光線はポイントレーザー光線であることができ、この場合には基材の平面でレーザー光線を移動させるための装置を用意することが必要である。
【００７３】
とは言え、好ましくは、レーザー光は、直線を形成し、以下において「レーザー線」と称される、少なくとも１つのレーザー光線によって放射され、それは基材の幅の全て又は一部に同時に照射する。この実施形態は、一般にかさばりそして保守するのが難しい高価な移動用装置の使用を回避するので、好ましいものである。特に、収束用光学装置と組み合わせて高パワーのレーザーダイオードのシステムを使用してインラインレーザー光線を得ることができる。直線の太さは０．０１ｍｍと１ｍｍの間が好ましい。直線の長さは一般に５ｍｍと１ｍの間である。直線の輪郭は、特にガウス曲線であることができ、あるいは「シルクハット」形状を有することができる。
【００７４】
基材の幅の全部又は一部に同時に照射するレーザー線は、単一の直線（この場合、それは基材の幅の全体に照射する）で構成してもよく、あるいは複数の、所望により切り離された、直線で構成してもよい。複数の直線を使用する場合には、多層の全面積を処理するように各直線を配置するのが好ましい。直線は、好ましくは、基材の走行方向に垂直となるように配置され、あるいは斜めに配置される。各種の直線で基材を同時に処理してもよく、あるいは遅延式に処理してもよい。重要な点は、表面全体を処理することである。
【００７５】
膜の全表面を処理するためには、膜で被覆した基材と各レーザー線とを相対的に移動させことが好ましい。例えば、固定したレーザー線の一般には下を、とは言え所望によっては上を、並進走行するように、基材を移動させることができる。この実施形態は、連続処理にとって特に有利である。あるいは別法として、基材を固定し、レーザーを移動させてもよい。好ましくは、処理速度を確実に大きくするように、基材とレーザーのそれぞれの速度の差を１ｍ／分以上、又は４ｍ／分以上、あるいは６、８、１０又は１５ｍ／分以上とする。本発明によれば、多層の特定の膜を慎重に選ぶことによって、大きな走行速度の場合にあって抵抗率を非常に大きく低下させることが可能であり、その結果処理速度を大きくすることが可能である。
【００７６】
移動するのが、特に並進移動するのが基材である場合、それは任意の機械的搬送手段、例えばベルト、ローラー、又は並進走行するトレイ、を使って移動させることができる。この搬送手段は、走行速度を制御し調節するために使用される。基材が可撓性の有機高分子物質製である場合、それはローラーが連続している形式の膜移送装置を使って移動させることができる。
【００７７】
レーザーを、基材との間隔を調整するように移動させることもでき、これは特に基材が曲げられている場合に有用であるが、そのような場合にのみ有用なわけではない。実際のところ、処理しようとする被覆物にレーザー光線を、被覆物が焦点面から１ｍｍ以下の距離のところに位置するように集中させるのが好ましい。基材を移動させる装置又はレーザーを移動させる装置が基材と焦点面との間隔に関して十分に正確でない場合には、レーザーと基材との間隔を調整できることが好ましい。この調整は自動式でよく、特に処理の上流側での間隔の測定を利用して調節することができる。
【００７８】
レーザー線が移動する場合には、基材の上又は下に位置する、レーザーを移動させるための装置を用意する必要がある。処理時間は、レーザー線の走行速度により調節される。
【００７９】
言うまでもなく、基材の表面にうまく照射できることを条件に、基材とレーザーとの全ての相対的な位置関係が可能である。より一般的に言えば、基材は水平に配置されるが、それは垂直に配置することもでき、あるいは任意の可能な傾斜角で配置することもできる。基材を水平に配置する場合には、レーザーは一般に基材の上面に照射するよう配置される。レーザーは、基材の下面に照射することもできる。この場合には、基材の支持装置、そして基材が移動する場合には所望により基材の搬送装置が、照射すべきゾーンにレーザー光が当たるようにするものであることが必要である。これは、例えば搬送ローラーを使用する場合に言える。ローラーは個別の存在であるから、レーザーを２つの並んだローラー間に位置するゾーンへ進ませるのを可能にする。
【００８０】
基材の両側を処理しようとする場合には、基材が水平であれ、垂直であれ、あるいは任意の斜めの位置であれ、基材の両側に位置する複数のレーザーを使用することが可能である。
【００８１】
放射装置、例えばインラインレーザーは、膜被着ラインに、例えばマグネトロンスパッタリングライン又は化学気相成長（ＣＶＤ）ラインに、特に真空下のプラズマ支援（ＰＥＣＶＤ）ライン又は大気圧のプラズマ支援（ＡＰ−ＰＥＣＶＤ）ラインに、統合することができる。一般に、ラインには、基材ハンドリング装置、被着ユニット、光学制御装置及び積み重ね装置が含まれる。例えば、基材はコンベアローラーで搬送され、各装置又はユニットを次々に通過する。
【００８２】
放射装置、例えばインラインレーザーは、膜被着ユニットの直後に、例えば被着ユニットの出口に、位置するのが好ましい。こうして、被覆された基材を、膜を被着後に、被着ユニットの出口で、且つ光学制御装置の前で、あるいは光学制御装置の後であって基材積み重ね装置の前で、インライン処理することができる。
【００８３】
放射装置を被着ユニットへ統合させてもよい。例えば、レーザーをスパッタリング被着ユニットのチャンバーの１つへ、特に雰囲気が希薄であり、とりわけ１０-6ｍｂａｒと１０-2ｍｂａｒの間の圧力のチャンバーに、取り込んでもよい。レーザーは、被着ユニットの外部に、しかしながらこのユニット内に位置する基材を処理するように、配置することもできる。このためには、使用する放射線の波長に対して透明な窓を設ければ十分であって、レーザー光線はそれを通過して膜を処理する。このようにして、膜（例えば銀の膜）を、同じユニットにおいて続いて別の膜を被着させる前に、処理することが可能になる。吸収膜がオーバーコート、例えば金属製のオーバーコートである場合、基材を真空チャンバー内に入れるならば、処理中にそれが酸化するのを妨げることができる。この場合、酸化雰囲気を制御した特別なチャンバー内で多層を処理することが可能である。
【００８４】
放射装置が被着ユニットの外部にあろうとそれに統合されていようと、これらの「インライン」プロセスは、ガラス基材を被着工程と熱処理との間において積み重ねることを必要とするオフライン作業を伴うプロセスよりも好ましい。
【００８５】
とは言え、オフライン作業を伴うプロセスには、本発明による熱処理を被着を行うのとは異なる場所で、例えばガラスの転化を行う場所で、行う場合に利点がある。従って、放射装置を膜被着ライン以外のラインに統合してもよい。例えば、それを複合窓ガラス（特に二重又は三重窓ガラス）製造ラインに統合してもよく、あるいは積層窓ガラス製造ラインに統合してもよい。これらの様々な場合において、本発明による熱処理は、複合窓ガラス又は積層窓ガラスを製造する前に行うのが好ましい。
【００８６】
多層は基材上に任意のタイプの方法で被着させることができ、特に主として非晶質又は非結晶性の膜を生じさせる方法、例えばスパッタリング法、特にマグネトロンスパッタリング法、プラズマ支援化学気相成長（ＰＥＣＶＤ）法、真空蒸着法又はゾル−ゲル法などで被着させることができる。
【００８７】
好ましくは、多層はスパッタリング、特にマグネトロンスパッタリングによって被着される。
【００８８】
更に簡単にするため、膜のレーザー処理は空気中及び／又は大気圧で行うのが好ましい。とは言え、膜の熱処理を事実上真空の被着室内で、例えばその後の被着に先立ち、行うことが可能である。
【００８９】
好ましくは、レーザー処理は、薄膜の結晶化速度を増大させ、それを継続し保つように、且つ当該薄膜が溶融する工程なしに、薄膜の各点を少なくとも３００℃の温度に昇温する一方で、基材の前記第１面の反対側の面の各点を１００℃を超えない温度に保持するようなものである。従って、薄膜はこの処理を受けても連続のままである。
【００９０】
「連続の薄膜」との表現は、本件との関連で言えば、膜が実質的に基材全体を覆うこと、あるいは多層の場合において、下にある膜の全体を覆うことを意味するものと理解される。薄膜のこの連続特性（従ってその有利な性質）が本発明による処理によって維持されることは重要である。
【００９１】
「膜の各点」との表現は、所定の瞬間において処理を受けている膜の領域を意味するものと理解される。本発明によれば、膜全体（及びその結果各点）を少なくとも３００℃の温度に昇温するが、膜の各点を必ずしも同時に処理することはない。膜はその全体を同時に処理してもよく、膜の各点は少なくとも３００℃の温度まで同時に昇温される。あるいはまた、膜は、膜の様々な点又は点の群を少なくとも３００℃の温度に相次いで加熱するように処理してもよく、この別の実施形態は工業規模で連続に実施する場合によく用いられる。
【００９２】
本発明による方法は、水平あるいは垂直に配置した基材で実施することができる。両面に薄膜を備え、片面の又は各面の少なくとも１つの膜が本発明により処理される基材で実施してもよい。基材の両面に被着させた薄膜を本発明により処理する場合には、各面のその薄膜を、特に処理される膜の性質が同じであるか異なるかに応じ、同じ又は異なる方法により、同時にあるいは連続して処理することが可能である。従って、本発明による処理を基材の両面で同時に行う場合は、もちろん本発明の範囲内である。
【００９３】
本発明が対象とするもののもう一つは、本発明による方法により得ることができる有機発光ダイオードデバイスである。
【００９４】
次に、以下の限定されない例を利用して本発明を説明する。
【実施例】
【００９５】
〔例１〕
有機発光部品のための電極として働く銀を基にした多層を、出願人によりＳＧＧ  Ｐｌａｎｉｌｕｘの商標名で市販される厚さ１．６ｍｍのガラス基材上にスパッタリングで被着させた。
【００９６】
多層を形成する膜とそれらのそれぞれの幾何学的厚さを下記の表１に示す。表中の最初の膜が基材上に被着させた最初の膜である。
【００９７】
【表１】
2014504432.tif 000002
【００９８】
処理前のシート抵抗は２．４オームであった。
【００９９】
次に、その多層で被覆された基材を、波長９８０ｎｍの放射線を放射するインラインレーザーを使用し、それに向かい合わせてその被覆基材を８ｍ／分の速度で並進走行させて処理した。レーザー線のパワー密度は４０ｋＷ／ｃｍ2であった。処理後のシート抵抗は２．３３オームであり、すなわち５％の低下であった。多層のＲＭＳ粗さは処理後において１ｎｍ未満のままであった。
【０１００】
〔例２〕
例１と同じタイプの有機発光部品のための電極として働く銀を基にした多層を、厚さ０．７ｍｍのガラス基材上にスパッタリングで被着させた。
処理前の多層のシート抵抗は３．３オームであった。
【０１０１】
次に、その多層で被覆された基材を、波長が９８０ｎｍでパワー密度が５０ｋＷ／ｃｍ2の放射線を放射するインラインレーザーを使用し、それに向かい合わせてその被覆基材を１３ｍ／分の速度で並進走行させて処理した。処理後のシート抵抗は２．４３オームであり、すなわち２４．５％の低下であった。
多層のＲＭＳ粗さは処理後において１ｎｍ未満のままであった。
【０１０２】
〔例３〕
例１と同じタイプの有機発光部品のための電極として働く銀を基にした多層を、厚さ２．１ｍｍのガラス基材上にスパッタリングで被着させた。
処理前の多層のシート抵抗は４．８７オームであった。
【０１０３】
次に、その多層で被覆された基材を、波長が９８０ｎｍの放射線を放射するインラインレーザーを使用し、それに向かい合わせてその被覆基材を１９ｍ／分の速度で並進走行させて処理した。レーザーラインのパワー密度は５０ｋＷ／ｃｍ2であった。処理後のシート抵抗は３．９５オームであり、すなわち１９％の低下であった。
多層のＲＭＳ粗さは処理後において１ｎｍ未満のままであった。
【国際調査報告】
2014504432.tif 000003
2014504432.tif 000004
2014504432.tif 000005
2014504432.tif 000006
2014504432.tif 000007
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