(57)【要約】本発明は、クプレート超電導体の臨界電流密度の向上に関する。そのような臨界電流密度の向上は、波動関数の対称性を用いること、および粒界に存在するｄ波対称性に付随する半整数の渦糸を用いるアブリコソフ(Abrikosov）（Ａ）渦糸、ジョセフソン(Josephson）（Ｊ）渦糸またはアブリコソフ−ジョセフソン(Abrikosov-Josephson)（Ａ−Ｊ）渦糸の移動の制限を用いることを含む。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
クプレート超電導体の臨界電流密度を向上させる方法であって、前記クプレート超電導体の波動関数の対称性を用いることを含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
クプレート超電導体の臨界電流密度を向上させる方法であって、前記粒界のｄ波対称性に付随する半整数の渦糸を用いることを含み、粒界に沿った渦糸の移動が制限されていることを特徴とする方法。
【請求項３】
前記ｄ波対称性に付随する渦糸は、粒界を±π／４の角度で蛇行させる手段を提供することによって生成し、前記蛇行した粒界は粗い界面を画定することを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記ｄ波対称性に付随する渦糸は、それぞれの蛇行に導入されることを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項５】
前記粗い界面は、異なる寸法を有する金属粒子を一緒に焼結させることによって生成することを特徴とする請求項３に記載の方法。
【請求項６】
前記粗い界面は、金属−有機溶液に針状粒子を含ませることによって生成することを特徴とする請求項３に記載の方法。
【請求項７】
前記粗い界面は、金属−有機溶液にナノワイヤを含ませることによって生成することを特徴とする請求項３に記載の方法。
【請求項８】
前記粗い界面は、小角度を有することを特徴とする請求項３に記載の方法。
【請求項９】
クプレート超電導体の臨界電流密度を向上させる方法であって、粒界に沿った渦糸の移動を制限して、それによって粗い粒界を生成することを特徴とする方法。
【請求項１０】
前記粗い界面は、異なる寸法を有する金属粒子を一緒に焼結させることによって生成することを特徴とする請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記粗い界面は、金属−有機溶液に針状粒子を含ませることによって生成することを特徴とする請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
前記粗い界面は、金属−有機溶液にナノワイヤを含ませることによって生成することを特徴とする請求項９に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、超電導体に関し、特に超電導体の電流輸送性能に関する。
【背景技術】
【０００２】
（優先権および関連出願）
本願は、ともに「クプレート超電導体の臨界電流密度の向上」なる発明の名称を有する米国特許出願第１３／１５５，５０８号（２０１１年６月８日出願）および米国特許仮出願第６１／４４４，４５７号（２０１１年２月１８日出願）の優先権を主張する。両出願は、参照により本明細書の一部をなすものとする。
【０００３】
（連邦補助に関する陳述）
本発明は、米国エネルギー庁から授与された契約番号ＤＥ−ＡＣ０２−９８ＣＨ１０８８６に基づく米国政府の補助を受けてなされた。米国政府は、本発明に関するある種の権利を有する。
【０００４】
エネルギー関連分野における高温超伝導の役割は、広く受け入れられている。これら材料の広範囲に及ぶ使用に対する深刻な制限は、費用、およびこれら材料を大スケールにおける使用に適当な形態で製造する際の複雑さである。高温クプレート超電導体（ＨｉＴｃ）材料の臨界電流密度が単結晶エピタキシャルフィルムにおいて非常に高いこと、粒界がジョセフソン接合（Josephson couple）されており、したがって多結晶材料における臨界電流密度を制限していること、ならびに、粒界を横断する臨界電流密度が、界面に接合する２つの粒の配合不整（misorientation）の角度の関数であることが知られている。
【０００５】
上記のように、クプレート超電導体の臨界電流密度は、粒界によって制限されている。小角度の粒界の磁界中での臨界電流密度は、アブリコソフ（Abrikosov，Ａ）渦糸、ジョセフソン（Ｊ）渦糸、またはアブリコソフ−ジョセフソン（Ａ−Ｊ）渦糸によって、さらに制限される。電流および磁界の組み合わせが存在し、かつ粒界に沿って移動する際に、これらの渦糸はローレンツ力を受ける。それら渦糸の移動は、臨界電流の減少をもたらす。
【０００６】
電流密度は、２つの接合する粒の間の配合不整の角度の影響を受ける。２つの接合する粒の間の配合不整の角度が大きくなるほど、電流密度が小さくなる。よって、世界中で、２つの粒の間の配合不整の角度を最小限にする製造方法を開発するために、非常に多くの努力が払われてきている。これらの小角度の界面においてさえ、臨界電流は望ましいほど大きくなはい。よって、臨界電流密度を向上させる方法が望まれている。当該方法には、材料の基本的特性を用いて臨界電流密度を向上させることが望まれる。さらに、当該方法には、波動関数の対称性を用いて臨界電流密度を向上させることが望まれる。本発明の目的は、ｄ波超電導体に形成される空間的および時間的に束縛された渦糸を用いて、アブリコソフ渦糸およびジョセフソン渦糸の移動を妨害することである。また、方法は、単結晶金属支持体上にクプレート超電導体テープを製造することが望まれる。
【発明の概要】
【０００７】
粒界に存在するｄ波対称性に付随する半整数渦糸を用いて、アブリコソフ（Ａ）渦糸、ジョセフソン（Ｊ）渦糸、またはアブリコソフ−ジョセフソン（Ａ−Ｊ）渦糸の移動を制限する方法を開示する。これらｄ−波に付随する渦糸は、空間的に固定され、電流および磁界によって移動することができない。これらｄ−波に付随する渦糸が粒界に存在する場合、Ａ、Ａ−ＪおよびＪ渦糸の移動は妨害される。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】ｄ−波渦糸がどのように存在するか、およびどこに存在するかを例示する粒界の蛇行構造とともに、粒界を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
本発明は、クプレート超電導体の基本的特性を用いること、およびアブリコソフ（Ａ）渦糸、ジョセフソン（Ｊ）渦糸、またはアブリコソフ−ジョセフソン（Ａ−Ｊ）渦糸の移動を妨害することによって臨界電流密度を向上させるための方法を提供する。本発明において用いられるクプレート超電導体の基本的特性は、ｄ波に付随する渦糸のような波動関数の対称性を含む。クプレート超電導体の粒界は、平面欠陥である。ｄ波の渦糸を導入する方法は、粒界の面がプラスマイナスπ／４の角度で蛇行している粒界を製造することである。付随する４つのｄ波がそれぞれの前述の蛇行に導入される。これらは、空間的および時間的にその場に固定される。十分に多数のこの種の蛇行が存在する場合、この界面における臨界電流は、その熱力学的限界に接近する。図１は、粒界の蛇行構造を伴う粒界の線を示し、ｄ波の渦糸がどのように存在し、どこに存在するかを例示する。平均面は、垂直方向に存在する。プラスおよびマイナスは、その影響するｄ波の正のローブを有する粒界の部分、ならびにその影響するｄ波の負のローブを有する粒界の部分を示し、その屈曲点（corner）においてｄ波に付随する半整数の渦糸をもたらす。
【００１０】
粒界に存在するｄ波の対称性に付随する半整数の渦糸を用いることによって、渦糸の移動がピン止めされる。なぜなら、ｄ波に付随する渦糸が空間的に固定され、電流および磁界によって移動できないからである。これらのｄ波に付随する渦糸は、超電導体の安定性の熱力学的限界に接近した値まで電流および磁界を増大させることによって破壊することができる。しかしながら、これらの値は、実際に到達する全ての値よりも遙かに大きい。これらのｄ波に付随する渦糸が粒界に存在する際に、Ａ渦糸、Ａ−Ｊ渦糸およびＪ渦糸の移動は妨害される。ｄ波超伝導体中に形成されるこれらの空間的および時間的に束縛された渦糸によって、アブリコソフ渦糸およびジョセフソン渦糸の移動は妨害される。
【００１１】
クプレート超電導体の粒界にｄ波に付随する渦糸を導入する伝統的方法は、整列されるテンプレートを用いて緩衝されたテープ上に展開される溶液中の金属−有機粒子の利用を含む。それら粒子が高温で焼結される際に、それら粒子は、緩衝されたテープとの間で再配列を起こし、配向不整の角度の小さい粒界を製造する。本発明においては、これらの粒界を粗くするための２つの方法を提案する。第１の方法においては、２種の非常に異なる寸法の金属粒子を一緒に焼結させ、その粒界が粗くなるような充填をもたらす。別の方法においては、金属−有機溶液中に不活性の針状またはナノワイヤを含ませ、焼結プロセス中の粒界移動を妨害して、粗い粒界表面をもたらす。よって、本発明の方法は、単結晶金属支持体上にクプレート超電導体を製造するための方法を提供する。
【００１２】
具体的な実施形態に関連して本発明を説明してきたが、当業者であれば、本発明の範囲および神髄を離れることのない修正および変形が可能であることを理解するであろう。そのような修正および変形は、添付の特許請求の範囲の範疇内であることを意図する。
【図１】
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【国際調査報告】
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