(57)【要約】  実施形態は、物品、認証方法と装置および物品製造法を含む。物品は、第１の発光タガントを有するサブストレートおよび、物品表面の一部の近位に配置する第２の発光タガントを有する外部特徴を包含する。第１および第２のタガントは、励起エネルギーへの露出の結果として、放出バンドに重なる放射物を生成する。外部特徴より上に、単独でのサブストレート放射と識別可能である「混乱した」放射をもたらすために、サブストレートおよび外部特徴放射は、重なり合う放射バンドに一体化する。真正な物品の「サブストレートのみの」領域に対応する領域において、第１の放射特性を有する放射が重なり合う放射バンドにおいて、検出されるかどうか、認証システムは決定する。システムは、「外部特徴」に対応する領域の真正な物品の中で領域、混乱した放射は重なり合う放射バンドにおいて、検出されるかどうか決定する。
2014525580.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一表面および第１の発光タガントを有するサブストレートであって、サブストレートがサブストレート励起エネルギーにさらされるとき、第１の発光タガントがサブストレート放射バンドのサブストレート放射を生成することを特徴とする、サブストレートと、
第１の発光タガントが存在する第一表面の一部の近位に配置された外部特徴と、
を有し、
外部特徴が外部特徴励起エネルギーにさらされるとき、外部特徴が、重なり合う放射バンドのサブストレート放射バンドに少なくとも部分的に重なる外部特徴放射バンドの外部特徴放射を生成する第２の発光タガントを含み、
第一表面の部分で、サブストレート放射と識別可能である混乱した放射を生成するために、サブストレート放射および外部特徴放射が、重なり合う放射バンドに一体化する、ことを特徴とする物品。
【請求項２】
第１の発光タガントが第１の放射イオンを含み、第２の発光タガントが第１の放射イオンを含み、サブストレート放射および外部特徴放射が、第１および第２の発光タガントで第１の放射イオンによって生じる、ことを特徴とする請求項１の物品。
【請求項３】
第１の放射イオンは第１のドーピング密度で第１の発光タガントに組み込まれ、第１の放射イオンは、第１のドーピング密度と異なる第２のドーピング密度で、第２の発光タガントに組み込まれることを特徴とする請求項２に記載の物品。
【請求項４】
第１の発光タガントは、第１の放射イオンを含み、第２の発光タガントは、第１の放射イオンと異なる第２の放射イオンを含み、サブストレート放射は、第１の発光タガントで初めての放射イオンにより生成され、外部特徴放射は、第２の発光タガントの第２の放射イオンにより生成される、ことを特徴とする請求項１の物品。
【請求項５】
補足的なイオンを含むタガントが補足的なタガント励起エネルギーにさらされるとき、物品が、サブストレート放射バンドまたは外部特徴放射バンドに重ならない補足的な放射バンドの補足的な放射をもたらす補足的なイオンを具えていることを特徴とする請求項１に記載の物品。
【請求項６】
補足的なタガント励起エネルギーはサブストレート励起エネルギーおよび外部特徴励起エネルギーと異なることを特徴とする請求項５に記載の物品。
【請求項７】
第１および第２の基板エッジに対して垂直な方向に一次軸を定め、サブストレートが、第一表面にわたって第１の基板エッジの反対側に第２の基板エッジと、第１の基板エッジとを有し、外部特徴の第１の特徴端が、一次軸の方向で第１の基板エッジからの第１の距離であり、外部特徴の第２の特徴端が、一次軸の方向の第２の基板エッジからの第２の距離であり、サブストレートの方位の少なくとも部分的な決定を有効にするように、第２の距離が第１の距離と異なる、ことを特徴とする請求項１の物品。
【請求項８】
サブストレートを包含する物品を認証する方法であって、
基板表面を励起エネルギーにさらすステップと、
表面の第一の領域において、第１の放射特性を有する第１の放射が第１の放射バンドにおいて、検出されるかどうか判断するステップであって、第１の放射は励起エネルギーの結果として生じ、外部特徴が真正な物品に存在しない領域に、第一の領域が対応することを特徴とするステップと、
表面の第２の領域で、第１の放射特性と異なる第２の放射特性を有する第２の放射が、第１の放射バンドにおいて、検出されるかどうか判断するステップであって、第２の放射が、励起エネルギーの結果として生じ、第２の領域が外部特徴が真正な物品に存在する領域に対応する、ことを特徴とするステップと、
を有する方法。
【請求項９】
第１および第２の放射が検出されとき、および、第２の放射が第２の放射特性を有するとき、真正であると物品を確認するステップと、
第１の放射、第２の放射または両方とも検出されないとき、または、第２の放射が第２の放射特性を有しないとき、出所不明であると物品を確認するステップと、
を更に有することを特徴とする請求項８の方法。
【請求項１０】
サブストレートを包含する物品を認証する装置であって、
基板表面に励起エネルギーを向けるように構成される一つ以上の励起エネルギー発生器と、
第１の放射バンドの第１の放射を検出するように構成される第１の放射検出器と、
表面の第一の領域において、第１の放射特性を有する第１の放射が第１の放射バンドにおいて、検出されるかどうかを決定するように構成される処理システムと、
を有し、
第１の放射は励起エネルギーの結果として生じ、外部特徴が真正な物品に存在しない領域に、第一の領域が対応し、処理システムが、表面の第２の領域で、第１の放射特性と異なる第２の放射特性を有する第２の放射が第１の放射バンドにおいて、検出されるかどうかを決定するように更に構成され、第２の放射は、励起エネルギーの結果として生じ、第２の領域は、外部特徴が真正な物品に存在する領域に対応する、ことを特徴とする装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
［関連出願についてのクロス・リファレンス］
[0001]  この出願は、２０１１年８月３１日に出願された米国の仮特許出願６１／５２９，４０１に関し、そのすべてを利用できる利点を備え、それの全コンテンツはリファレンスとして本願明細書に組み込まれる。
【０００２】
[0002]  本発明は、発光放射合成物およびそれらの認証のための方法と装置に一般に関する。
【背景技術】
【０００３】
[0003]  発光蛍光体合成物は、外部のエネルギー源によって、合成物の励起に赤外線の、可視および／または紫外線スペクトルの検出可能な放射線の量を発することができる合成物である。典型的発光蛍光体合成物は、ホスト材料（例えば、結晶格子）、放射イオン（例えば、希土類金属の）および、場合によっては、「活性化」イオン（例えば、発している希土類元素金属イオンにエネルギーを吸収することができて、転送遷移金属または異なる希土類金属）を少なくとも包含する。合成物がそうである蛍光体による放射線の生産は、放射イオンによって、放射イオンによる入射放射の吸収によって、または、一方または両方により転送されたエネルギーのホスト材料および活性化イオン（ホスト材料／活性化イオンから放射イオンへのエネルギー遷移）および放射線を達成した。
【０００４】
[0004]  蛍光体合成物の選択成分によって、合成物が特定の放射特性を有するようになる場合がある。そして、その励起エネルギーのための特定の波長を包含する。そして、より高いスペクトルエネルギー出力のための特定のスペクトルの位置が蛍光体合成物（「放射」）の放射イオンにより発される。しかしながら、すべてのイオンが、すべてのホスト材料の放射をもたらすというわけではない。放射のためのポテンシャルを有する放射線がクエンチされる多くの実施形態がある、または、吸収イオンまたはホスト材料から放射イオンへのエネルギー遷移はふく射効果がかろうじて可観測であるように劣っている。他のホスト材料において、ふく射効果は、非常に大きくなることができて、統一の近くに量子効率によって、あることができる。
【０００５】
[0005]  可観測放射をもたらす特定の蛍光体合成物に関して、その放射（すなわち、その「分光識別特性」）のより高いスペクトルエネルギー内容（または発光出力）のスペクトルの位置は、他の合成物から独自に蛍光体合成物を識別するために用いることができる。第一に、分光識別特性は、希土類元素イオンに起因する。しかしながら、典型的に結晶場の強さおよびスプリッティングで、スペクトル摂動は、さまざまな放射イオン上のホスト材料の影響のため存在してもよい。同様に、これは、放射の時間的反応のために有効である。
【０００６】
[0006]  特別の価値または重要性（例えば、紙幣、パスポート、生体試料、など）の物品を認証するかまたは識別するために、適して、いくつかの蛍光体合成物のユニークなスペクトル的性質は、よくそれらを作る。したがって、偽造物またはこの種の物品の偽のコピーを検出するか、または物品を識別して、追う能力を強化するために、周知の分光識別特性を有する発光蛍光体合成物は、様々な形の物品に組み込まれた。例えば、添加物、コーティングおよび物品を認証するかまたは追跡することが進行中に分析されることができる、印刷されたまたは実用特徴の形で、発光蛍光体合成物は、様々な形の物品に組み込まれた。
【０００７】
[0007]  発光蛍光体合成物を包含する物品は、特別に設計された認証装置を用いて認証されることができる。より詳しくは、製造業者は、周知の蛍光体合成物（例えば、「認証している」蛍光体合成物）を「真正な」物品に組み込むことができる。この種の物品の確実性を検出するように構成される認証装置は、吸収性励起エネルギーの波長および認証している蛍光体合成物と関連した放射のスペクトル的性質についての知識（例えば、保存した情報および／または様々なスペクトルフィルタ）を有する。認証のための標本物品により提供されるときに、直接または間接的に所望の放射に至る発光蛍光体合成物の吸収特徴の周知の波長と、一致する波長を有する励起エネルギーに、認証装置は物品をさらす。認証装置は、物品によって、生じることができるいかなる放射のためのスペクトルパラメータも検出して、特徴づける。認証している蛍光体合成物（「検出母数空間」と呼ばれる）と一致する検出装置の認証しているパラメータ範囲の中で検出放射のスペクトル信号があるときに、物品は真正であるとみなされることができる。反対に、認証装置が検出母数空間の中で予想される感知信号に失敗するときに、物品は出所不明である（例えば、創り出されたか偽造された物品）とみなされることができる。
【０００８】
[0008]  比較的洗練されていない偽造および偽造動作を検出して、妨害することで、上記の技術は、非常に効果的である。しかしながら、いくつかの蛍光体合成物のコンポーネントを決定するためにスペクトロメトリ技術を使用することが、適切な資源および装置をもつ個人は、可能でもよい。それから、蛍光体合成物が出所不明の物品により再生されることができて、用いられることが可能である。このように、さもなければ特定の蛍光体合成物により提供されることができる認証の利点を損なう。したがって、多くの蛍光体合成物が上記の方法の物品認証を容易にするために開発されたにもかかわらず、添加された合成物、物品を有するこの種の合成物を使用する固有の方法および物品を認証することの技術を開発することは、望ましい。そして、それによって、偽造およびより多くの偽造動作が困難になることができる、および／または、それは特に興味があり物品を識別して、追うために有益であると判明できる。さらにまた、現在の本発明の他の好ましい特徴および特性は次の発明の詳細な説明および添付の請求の範囲から明らかになる。そして、添付の図面およびこの発明の背景と連動してなられる。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００９】
[0009]  物品の実施形態はサブストレートと、外部特徴を備える。サブストレートは、第一表面を有し、第１の発光タガントを有する。サブストレートがサブストレート励起エネルギーにさらされるサブストレート放射バンドのサブストレート放射を、第１の発光タガントは生成する。外部特徴は、第一表面の一部の近位に配置される。外部特徴が外部特徴励起エネルギーにさらされる重なり合う放射バンドのサブストレート放射バンドに、少なくとも部分的に重なる外部特徴放射バンドの外部特徴放射を、生成する第２の発光タガントを、外部特徴は、包含する。第一表面の一部分で、サブストレート放射と識別可能である混乱した放射をもたらすために、サブストレート放射および外部特徴放射は、重なり合う放射バンドに一体化する。
【００１０】
[0010]  サブストレートを包含する物品を認証する方法の実施形態は、サブストレートの第一表面を励起エネルギーにさらすことを包含する。第一表面の第一の領域において、第１の放射特性を有する第１の放射が第１の放射バンドにおいて、検出されるかどうか、方法は決定することを更に含む。第１の放射は励起エネルギーの結果として生じる。そして、外部特徴が真正な物品に存在しない領域に、第一の領域は対応する。第一表面の第２の領域で、第１の放射特性と異なる第２の放射特性を有する第２の放射が第１の放射バンドにおいて、検出されるかどうか、方法は決定することを更に含む。第２の放出は励起エネルギーから生じ、第２の領域は外部特徴が確実な物品に存在する領域に対応する。
【００１１】
[0011]  物品を認証する装置の実施形態は、一つ以上の励起エネルギー・ジェネレータと、一つ以上の放射検出器と、処理システムとを備える。一つ以上の励起エネルギー・ジェネレータは、物品のサブストレートの第一表面に励起エネルギーを向けるように構成される。放射検出器は、第１の放射バンドの第１の放射を検出するように構成される。第一表面の第一の領域において、第１の放射特性を有する第１の放射が第１の放射バンドにおいて、検出されるかどうか、処理システムは決定するように構成される。第１の放射は励起エネルギーの結果として生じる。そして、外部特徴が真正な物品に存在しない領域に、第一の領域は対応する。第一表面の第２の領域で、第１の放射特性と異なる第２の放射特性を有する第２の放射が第１の放射バンドにおいて、検出されるかどうか、処理システムは決定するように更に構成される。第２の放射は励起エネルギーの結果として生じる。そして、第２の領域は外部特徴が真正な物品に存在する領域に対応する。
【００１２】
[0012]  本発明の実施形態は、以下の図に関連して以下記載され、同じ参照番号は同じエレメントを意味する。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】[0013]  図１は、例示の実施形態による、基板、外部特徴および任意の補足的な特徴を含む物品の側面の断面図である。
【図２】[0014]  図２は、例示の実施形態による図１の物品の上面図である。
【図３】[0015]  図３は、例示の実施形態による物品を生産する方法のフローチャートである。
【図４】[0016]  図４は、例示の実施形態による物品を認証するシステムである。
【図５】[0017]  図５は、例示の実施形態による物品の認証を実行する方法のフローチャートである。
【図６】[0018]  図６は、例示の実施形態による物品の基板のみの領域および外部特徴領域の複数の波長でさまざまなタガントの放出強度を例示しているグラフである。
【図７】[0019]  図７は、他の例示の実施形態による物品の基板のみの領域および外部特徴領域の複数の波長でさまざまなタガントの放出強度を例示しているグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
[0020]  本発明の各種実施形態の以下の詳細な説明は、単に事実上典型的で、発明の内容の発明の主題またはアプリケーションおよび使用する能力を制限することを目的とするだけでない。さらにまた、前の背景または以下の詳細な説明に示されるいかなる理論にも束縛される意図はない。
【００１５】
[0021]  概して、基板および発光の特徴を含む物品の製作者は、ある供給元からの基板材料（例えば、紙）、および、異なる供給元からの発光の特徴（例えば、発光の材料を有するインク）のための材料を得る。この種の交互作用がルミネセンス物質の放射特性を変えることができて、このように確実に認証されることができる物品を生産する能力を損なうという点で、サブストレートとルミネッセンス特徴間の「非管理」交互作用は望ましくない。したがって、基板供給元に関する仕様および発光の特徴材料供給元のための仕様は、この種の抑制されていない相互作用を回避する要件を含む。例えば、基板が興味がある一つ以上の放出バンドの発光の特徴によって、生じることができる発光を妨げるかまたは修正する材料を含むことができないと、基板供給元のための仕様は、規定できる。この種の仕様で、物品生産者は確実に認証されることができる物品を生産できる。
【００１６】
[0022]  上記の伝統的習慣と対照的に、意図的な、「制御」相互作用が基板と「外部特徴」の間に発生する場合がある物品を、発明の内容の実施形態は含む。より詳しくは、実施形態は、発光の材料を組み込んでいる物品、それらの認証のための方法と装置およびそれらの製造の方法を含む。後述するように以下の詳細な実施形態によれば、物品は基板および一つ以上の外部特徴を含む。ここで、外部特徴は基板材料から外部にある材料から形成され、外部特徴は基板に適用され、またはそれに埋められる。基板は第１の発光のタガントを含み、基板が適切な励起エネルギーにさらされるとき、それは基板放射バンドの基板放射を生じる。外部特徴（例えば、特徴の印刷であるか、埋め込みであるか、又は他のタイプの特徴）は基板の一部で、または、その上に位置して、第２の発光のタガントを含む。そして、外部特徴が適切な励起エネルギーにさらされるとき、それは外部特徴放射バンドの外部特徴放射物を生成する。
【００１７】
[0023]  実施形態では、基板放射バンドおよび外部特徴放射バンドは、少なくとも部分的に重複する。したがって、外部特徴が位置する基板の部分で、単独で基板放射と識別可能である（例えば、放出強度、減衰時定数および／または他の特徴の）「混乱した放射物」を生成するために、基板放射および外部特徴放射は、重なり合う射出バンドにおいて、組み合わさる。下で更に詳細に後述するように、物品は、明確に物品の確実性を決定するために分析されることができる付加的な特徴または特徴を有することができる。
【００１８】
[0024]  各種実施形態によれば、この種の（上記のそれらのような特徴を含むことができる）物品を認証するための方法と装置は、一つ以上の波長で物品のさまざまな領域を励起エネルギーにさらし、少なくとも重なり合う放射バンドの範囲内で物品の領域からの放射を検出することを含む。より詳しくは、外部特徴が存在しない物品の領域は励起エネルギーにさらされ、（例えば、そのスペクトルバンドで応答を有するスペクトルでフィルターを通した光検出器によって、）その領域から生じている放射は検出される。加えて、また、外部特徴が存在する物品の領域は励起エネルギーにさらされ、その領域から生じている放射も検出される。両方の領域からの放射が十分に異なるとき、物品は確実であると確認されることができる。さもなければ、物品は、出所不明であると確認される。後述するように下のより多くの詳細で付加的な分析は、決定的に物品の確実性を決定するために実行されることができる。
【００１９】
[0025]  例示の実施形態に従って、図１はサブストレート１０２、外部特徴１２０、１２２および任意の「補足的な」特徴１２４、１２６を含む物品１００の側面の断面図であり、図２は図１の物品の平面図である（すなわち、物品１００の表面１０８の概観）。各種実施形態において、物品１００は、身分証明書、運転免許証、パスポート、アイデンティティ書類、紙幣、チェック、文書、紙、株券、パッケージ構成部品、クレジットカード、バンク・カード、ラベル、封止、郵便切手、トークン（例えば、ギャンブルに用いられるおよび／またはゲームまたは自動販売機）、液体、人間、動物および生体試料を含むが、これに限定されるものではないグループから選択されるいかなるタイプの物品でもあってもよい。基板１０２は、様々な形の基板のいずれかでもよく、紙、ポリマー、ガラス、金属、織物および繊維を含むが、これに限定されるものではないグループから選択される一つ以上の材料を含む。したがって、物品１００が方形であることを示すにもかかわらず、図１および２の実施形態で、矩形の物品の実施形態は制限されず、実施形態は他の形状および構成を有する物品を含む。更に、例示の実施形態で、物品１００は事実上実質的に平らである。但し、これは要件でない。
【００２０】
[0026]  各種実施形態で、基板１０２（堅くてもよいが可撓性でもよい）は、一つ以上の層または構成要素から形成されることができる。各種実施形態の発光の材料が異なるタイプの物品の巨大な配列と連動して用いられることが可能であるように、基板１０２の様々な構成は言及するにはあまりに非常に多い。従って、単純な、一体的基板１０２が図１に図示されるにもかかわらず、基板１０２が様々な異なる構成のいずれかを有することができることを理解すべきである。例えば、基板は、同じであるか異なる材料の複数の層または部分を含む「複合」基板でもよい。例えば、しかし、制限するためにでなく、基板は、積層または複合基板（例えば、紙層／プラスチック層／紙層またはプラスチック層／紙層／プラスチック層複合基板）を形成するように一緒に結合されている一つ以上の紙層または断面および一つ以上のプラスチック層または断面を含むことができる。そのほかに、無生物の、固体の物品が本願明細書において、述べられるにもかかわらず、「物品」も人間を含むことができることを理解すべきであり、動物（生物学的標本）液体サンプル、そして、実質的に、より別のいずれでも、反対に、または、材料、または、その上へ実施形態の発光の材料が含まれる。
【００２１】
[0027]  具体例によれば、サブストレート１０２は、サブストレート１０２の厚み１１２全体の表面１０８に対立したおよび平行の表面１０８および裏面１１０を有する。基板１０２も、一つ以上の基板エッジ１０４、１０６により定義される。例えば、矩形の基板１０２を含む実施形態で、基板１０２は、第一表面１０８の幅１６０全体の第１の基板エッジ１０４に対立したおよび平行の第１の基板エッジ１０４および第２の基板エッジ１０６を含む。基板１０２も、第一表面１０８（図２）全体の第３の基板エッジ２０８に対立したおよび平行の第１および第２の基板エッジ１０４、１０６および第４の基板エッジ２１０に対して垂直な第３の基板エッジ２０８（図２）を含むことができる。一次軸１７０は、第１および第２の基板エッジ１０４、１０６および表面および裏面１０８、１１０との類似に対して垂直な方向において、本願明細書において、定められる。
【００２２】
[0028]  実施形態によれば、基板１０２は一つ以上の第１の発光の「タガント」（例えば、基板タガント１３０）を含む。そして、基板１０２から成る材料の範囲内で、または、基板材料（例えば、基板が複合基板であるときに）の一つ以上の層の範囲内で、それは均一に、または、不規則に分散する（例えば、集積される）。例えば、基板タガント１３０は粒子の形でありえる。そして、それは基板１０２の形成の間、他の材料を混ぜ合わせられる。基板タガント１３０が粒子形であるときに、実施形態において、粒子は１ミクロンから２０ミクロンまで範囲の粒径を有することができる。但し、同様に、粒子は上記の所与の範囲より小さくてもよく、又は、より大きくてもよい。別の実施形態（図示せず）において、基板１０２の表面（例えば、表面１０８および／または１１０）に適用される（例えば、印刷され、被覆され、噴霧または付着し、または接着した）構成（例えば、インクまたは他のキャリア）に、基板タガントは、含まれることができる。実施形態によれば、基板タガントは基板材料または約０．０２〜０．４重量％の範囲の基板実用構成に含まれる。但し、同様に、基板タガントは低いかより高いパーセンテージに含まれることができる。
【００２３】
[0029]  本明細書で用いているタガントという用語は、他の目標とされた光放射により励起されるときに、光エネルギーを発する一つ以上の構成要素を含む材料を意味する。例えば、タガントは合成物の一つ以上の有機であるか無機の発光のタイプを含むことができる。そして、色素、染料、合成のおよび／またはキレート組成物、発光団および蛍光体（「発光の材料」または「発光の合成物」として集合的に本願明細書において、参照される）を含む。本願明細書において、述べられるタガントの実施形態において、人の眼および／または電子機器（例えば、認証システム４００、図４）を使用することにより、適切な励起エネルギーへの露出に、一つ以上の発光の材料の存在は、検出可能である。特定のタガント（すなわち、それが検出可能な放射物を生成できるエネルギー状態にタガントの発しているイオンを入れるために）を「励起する」ために、励起エネルギーの波長は適切である。そして、吸収装置として機能するタガントの中で特定のイオンに依存する。例えば、若干の吸収イオン（例えば、クロムおよび他のイオン）は大半の可視スペクトルをカバーする刺激範囲を有することができる。その一方で、他の吸収イオン（例えば、ネオジムおよび他のイオン）は可視スペクトルのおよび／または近赤外線（ＮＩＲ）レンジ、または複数の異なった励起範囲を有することができる。いかなる特定の検出システムと連動しても設けられている励起エネルギーの選択された波長および強度は、一つ以上の要因（例えば、目安全性、熱管理、タガント材料量、検出器効率、コスト、その他）に依存できる。通常、さまざまなエンジニアリングおよび他のトレードオフは、励起エネルギーの特性を特定する際に考慮される。
【００２４】
[0030]  一旦適切に励起状態になると、タガントは約４００乃至約２４００ナノメートル（ｎｍ）の範囲の可視および／または赤外線の放射線を発することができる。後で更に詳細に記載されているように、ルミネッセンス・タガントに組み込まれるルミネセンス物質はホスト材料に置換される少なくとも一つの発しているイオンおよび任意に一つ以上の活性化イオンを含む。この種のルミネセンス物質が適切な波長を有する励起エネルギーにさらされるときに、励起エネルギーは放射イオンによって、および／または任意に一つ以上の活性化イオンによって、および／または発しているイオンに対するエネルギーの次の転送を有するホスト材料によって、直接吸収され得る。励起エネルギーが吸収したものはどれにおいて、でも、ルミネセンス物質の放射イオンは、固有の特性（例えば、ユニークな分光識別特性、かなりの減衰時定数、その他）を有する放射をもたらす。より詳しくは、適切な励起エネルギーに従属した後に、ルミネセンス物質は、電磁スペクトルの可視および／または赤外線の部分の範囲内で、一つ以上の波長で検出可能な放射線を発する。
【００２５】
[0031]  電磁スペクトル（集中された、非ごくわずかな（例えば、検出可能な）放射がルミネセンス物質の一つ以上の放射イオンから発生する連続周波数の範囲を意味するために、「放射バンド」が本願明細書において、定められる）の一つ以上の「放射バンド（emission bands）」の中で、多くのルミネセンス物質は、集中放射をもたらす。いかなる特定の放射イオンに関して、放射がそのイオンのためにごくわずかである低い波長および放射がそのイオンのためにごくわずかである上の波長に、「放射バンド」は、制限する。例えば、エルビウム・イオンは複数の波長に集中している放射バンドの放射線を発することができる。そして、比較的強い放射を約９８０ナノメートルおよび約１５５０ナノメートルに集中している放射バンドに含む。
【００２６】
[0032]  物品１００の実施形態は、サブストレート１０２の第一表面１０８の近位に配置された一つ以上の外部特徴１２０を含む。更に、物品１００は、第二表面１１０の付近に配置する一つ以上の外部特徴１２２を任意に含むことができる。１つの外部特徴１２０、１２２だけが各表面１０８、１１０で近接であることが示されているにもかかわらず、一つ以上の外部特徴が、表面１０８、１１０の一方又は両方に近接していてもよいことを理解すべきである。
【００２７】
[0033]  本明細書において、用語（例えば、サブストレート１０２の）「表面に近接する」は、表面に適用され、表面で検出可能である外部特徴からの放射を有するようにサブストレートに埋められ、または、表面の一部を定める特徴として含まれるのを意味する。例えば、表面に「適用される」外部特徴は、例えば、外部特徴１２０、１２２のような表面の一部に印刷され、被覆され、噴霧され、若しくは、接着または付着された特徴を包含する。この種の外部特徴は、それが位置する表面の一部の１００％に適用されることができ、またはそれが位置する（例えば、１０％から３０％以上まで）表面の一部の１００％より小さい部分を、カバーするパターンにおいて、適用されることができる。使用される適用法に関係なく、後でより多く詳細に説明するように、塗布法（例えば、接着剤、結合剤など）と連動して使用する外部特徴１２０、１２２およびいかなる材料もサブストレート・タガント１３０に励起エネルギーを提供する結果として生じるサブストレート・タガント１３０またはサブストレート放射を励起することを目的とする励起エネルギーを完全にマスキングしなければならないというわけではなく、吸収しなければならないというわけではなく、または、減衰させなければならないというわけではない。対照的に、基板に「埋められる」外部特徴は、一つ以上の剛性または可撓性材料を中に含むことができ、または、その上に発光材料が含まれる。例えば、埋め込み外部特徴（図示せず）は、別々であるか、剛性であるか、可撓性基板、偽造防止糸または他の種類の構造の形で構成されることができる。「表面の一部を定める」特徴として含まれる外部特徴は、サブストレートのトッププレート（例えば、表面１０８）を有する共―平板状であるトッププレートを有する特徴を含む。特徴は、基板材料で基板材料またはすべての方法で部分的に伸びることができる。後者の場合、外部特徴は、サブストレートの滑走面のエッジ（例えば、滑走面のエッジ１１０）を有する共―平板状である滑走面のエッジを有することができる。実施形態のためにだけ、本願明細書における説明は、サブストレート１０２の表面１０８、１１０に印刷される特徴について述べる。しかしながら、上記のように、この例示の実施形態は、実施形態を印刷されたまたは表面実用特集記事だけに制限するはずでない。
【００２８】
[0034]  外部特徴１２０、１２２は、例えば、印刷された特徴、または、一つ以上の剛性または可撓性材料を含む特徴でもよい。例えば、外部特徴１２０、１２２は、前述したように発光材料を含む構成（例えば、インク、色素、コーティングまたは塗料）から成ることができる。あるいは、表面印加外部特徴１２０は、一つ以上の剛性または軟質材料から成ることができ、または、その上へサブストレートがある発光材料が含まれ、それから付着され、接着または物品表面サブストレート１０２に取り付けられる。各種実施形態によれば、表面印加外部特徴１２０は約１ミクロン以上の厚さを有することができる。そして、表面印加外部特徴１２０はサブストレート１０２の幅および長さ以下である幅および長さを有することができる。
【００２９】
[0035]  実施形態によれば、外部特徴１２０、１２２は一つ以上の第２の発光タガント（例えば、外部特徴タガント１３２）を含む。そして、それは外部特徴１２０、１２２から成る材料の範囲内で均一に、または、不規則に分散する（例えば、集積される）。例えば、外部特徴タガント１３２は粒子の形であってよく、外部特徴１２０、１２２から成る材料の形成の間、他の材料を混ぜ合わせられ得る。外部特徴タガント１３２は、（例えば、外部特徴タガント１３２の粒子を外部特徴１２０、１２２のための基材（例えば、インクなど）に混入することによって、）外部特徴１２０、１２２の中で集積されることができる。外部特徴タガント１３２が粒子形であるとき、実施形態において、粒子は１ミクロンから２０ミクロンまでの範囲の粒径を有することができる。但し、同様に、粒子は上記の所与の範囲より小さくてもよく又はより大きくてもよい。実施形態によれば、外部特徴タガントは約０．２〜３０重量％の範囲の外部特徴材料に含まれる。但し、同様に、外部特徴タガントはより低い又はより高いパーセンテージに含まれることができる。
【００３０】
[0036]  外部特徴１２０、１２２は、一部の各々の表面１０８、１１０の近接だけにある。換言すれば、少なくとも一部の表面１０８及び／又は表面１１０は、いかなる外部特徴１２０、１２２も欠けている（またはない）。外部特徴が存在しない一部の表面１０８、１１０は、本明細書において、物品の「サブストレートのみの領域」と称される。例えば、領域１６２、１６６、１８２、および１８６は、物品１００のサブストレートのみの領域に対応する。反対に、外部特徴１２０、１２２が存在する一部の表面１０８、１１０は、本明細書において、物品の「外部特徴領域」と称される。例えば、領域１６４および１８４は、物品１００の外部特徴領域に対応する。
【００３１】
[0037]  別の実施形態（例示されない）において、外部特徴タガント１３２は、複合基板（例えば、サブストレートの外側の紙またはプラスチック層の）の外層に含まれることができる。このような実施形態では、ギャップより上に検出可能なサブストレート・タガント１３０だけから、サブストレート（例えば、一次軸１７０に対して垂直な方向に）全ての幅全体に伸びる外層のギャップは、放射を有効にする。したがって、ギャップを含むサブストレートの部分は「サブストレートのみの領域」に対応する。そして、他の全ての部分は「外部特徴領域」に対応する。
【００３２】
[0038]  実施形態によれば、少なくとも一つのサブストレート・タガント１３０を含む一部のサブストレート１０２が適切な波長（本明細書において、「サブストレート励起エネルギー」と称される）の励起エネルギーにさらされる放射バンド（本明細書において、「サブストレート放射バンド」と称される）の放射（本明細書において、「サブストレート放射」と称される）を、サブストレート・タガント１３０は生成する。更に、外部特徴タガント１３２を含む外部特徴１２０、１２２が適切な波長（本明細書において、「外部特徴励起エネルギー」と称される）の励起エネルギーにさらされる少なくとも一つの放射バンド（本明細書において、「外部特徴放射バンド」と称される）の放射（本明細書において、「外部特徴放射」と称される）を、外部特徴タガント１３２は生成する。例えば、適切な励起エネルギーが物品１００のサブストレートのみの領域１６２、１６６、１８２、１８６において、提供されるとき、サブストレート・タガント１３０は少なくとも一つのサブストレート放射バンドのサブストレート放射をもたらすことができる。
【００３３】
[0039]  サブストレート・タガント１３０を励起するために適切な波長で、外部特徴１２０、１２２が励起エネルギーを完全にマスキングするというわけではなく、吸収するわけではなく、または、減衰させるというわけではない方法で、外部特徴１２０、１２２は構成される。更に、外部特徴１２０、１２２がサブストレート・タガント１３０に適切な励起エネルギーを提供する結果として、生成されるサブストレート放射を完全にマスキングするというわけではなく、吸収するわけではなく、または、減衰させるわけではない方法で、外部特徴１２０、１２２は構成される。したがって、物品１００の外部特徴領域１６４、１８４で、励起エネルギーは認証タガント１３２および下側基板タガント１３０に提供されることができ、サブストレート１０２の表面１０８、１１０より上の放射は認証タガント１３２およびサブストレート・タガント１３０から観測可能である。
【００３４】
[0040]  実施形態によれば、サブストレート放射バンドおよび外部特徴放射バンドは、少なくとも部分的に重なり合う放射バンド（また、本明細書において、「混乱した放射バンド」と称される）と重なり合う。したがって、外部特徴領域１６４、１８４で、サブストレート放射および外部特徴放射は、混乱した放射をもたらすために、重なり合う放射バンドに一体化する。重なり合う放射バンド（混乱した放射が放射特性を有する）において、本明細書において、「混乱した放射」という用語は、少なくとも２つのタガントから生じている放射の組合せを意味し、それは、別々のタガントの一方または両方の放射特性から識別可能である（すなわち、異なる）。本明細書において、互いに「識別可能」または「異なる」放射特性は、放射のかなりの特性において、知覚できるほどに（人間またはマシンによって、認められるように）異なる。例えば、放射特性は、発光強度（または集積された強度）、時間的特性（例えば、放射減衰時定数、放射増大時定数）、分岐比（例えば、複数のバンドの集積された強度の比率）、他のバンドの他のイオンに対するエネルギー遷移および放射またはこの種の放射特性の組合せの各々と識別可能でもよい。例えば、実施形態で、互いに「知覚できるほどに」異なる放射特性は、少なくとも５％異なる。他の実施形態では、実施形態で、互いに「知覚できるほどに」異なる放射特性は、少なくとも１０％異なる。さらに他の実施形態では、実施形態で、互いに「知覚できるほどに」異なる放射物特性は、少なくとも５０％異なる。さらに他の実施形態では、実施形態で、互いに「知覚できるほどに」異なる放射特性は、少なくとも１００％異なる。検出システム能力、タガントおよび物品を生成する際のプロセス制御の程度、着用して、打撃を与える物品およびそれらの特徴の弾性および他の要素は、「知覚できるほどに」異なると考慮されるパーセンテージの範囲を決定できる。
【００３５】
[0041]  例えば、放射をサブストレート・タガント１３０および外部特徴タガント１３２から作り出すのに十分である励起エネルギーに物品１００の外部特徴領域１６４、１８４がさらされるときに、サブストレート・タガント１３０からのサブストレート放射および外部特徴タガント１３２からの外部特徴放射は露出表面（例えば、表面１０８または１１０）から生ずる。前に説明したように、互いに少なくとも部分的に重複する外部特徴放射バンドおよびサブストレート放射バンドで、外部特徴放射およびサブストレート放射は生じる。したがって、外部特徴放射およびサブストレート放射からコンポーネントを含む混乱した放射は、重なり合う放射バンドの中で外部特徴領域１６４、１８４において、生成される。混乱した放射はサブストレート・タガント１３０から、そして、外部特徴タガント１３２からの外部特徴放射からサブストレート放射と識別可能である放射特性を有し、別々に得られる。したがって、サブストレートおよび混乱した放射が重なり合う放射バンドの中で発生する場合であっても、サブストレートのみの領域１６２、１６６、１８２、１８６の励起サブストレート・タガント１３０の励起から生じているサブストレート放射は外部特徴領域１６４、１８４の混乱した放射と識別可能である。後述するようにさらに詳細に後で適切に構成された認証システム（例えば、認証システム４００、図４）を用いて、重なり合う放射バンドに対応する検出チャネルの中で、少なくとも一つのサブストレートのみの領域１６２、１６４、１８２、１８４から生じている放射および少なくとも一つの外部特徴領域１６４、１８４から生じている放射を、検出できる。放出が互いに（例えば、基板排出および混乱した放出に対応する特徴、それぞれ）から識別可能な放出特徴を有するかどうかを決定するために、それらの放出を、分析できる。
【００３６】
[0042]  実施形態によって、少なくとも混乱した放射バンドの中で、サブストレート放射および合同の基板／外部特徴放射が各々から知覚できるほどに異なる放射特性を有するように、サブストレート・タガント１３０および外部特徴タガント１３２は、（それらの放射のいくらかが放射バンドに重なることで生じる場合であっても）選択される。例えば、混乱した放射バンドの中で、サブストレート・タガント１３０は第１の発光強度（または集積された発光強度）を有することができ、外部特徴タガント１３２は第２の発光強度（または集積された発光強度）を有することができ、それは第１の発光強度と異なってもよいかまたは異ならなくてもよい。更に、または、代わりに、サブストレート・タガント１３０は第１の減衰時定数を有することができ、外部特徴タガント１３２は第２の減衰時定数を有することができ、それは第１の減衰時定数と異なってもよく、または、異ならなくてもよい。いずれの方法でも、サブストレート・タガント１３０および外部特徴タガント１３２からの放射が組み合わさるとき、合同の放射（すなわち、混乱した放射）は単独サブストレート放射と知覚できるほどに異なる。例えば、混乱した放射は、サブストレートのみの放射の発光強度より知覚できるほどに大きい発光強度（または集積された発光強度）を有することができる。より詳しくは、サブストレートのみの領域（例えば、領域１６２）から放射している混乱した放射バンドの中の放射より知覚できるほどに高い放射強度（または集積された強度）を、外部特徴領域（例えば、領域１６４）から放射している混乱した放射バンドの中の放射は、有することができる。別の例として、混乱した放射は、サブストレートのみの放射の減衰時定数を知覚できるほどに越えるか、又はそれ未満である減衰時定数を有することができる。同様に、他の放射特性は、異なってもよい。
【００３７】
[0043]  各種実施形態で、サブストレートのみのおよび外部特徴領域のための混乱した放射バンドの中の異なる放射特性は、多くの方法のいずれかにおいて、成し遂げられることが可能である。例えば、サブストレート・タガント１３０は混乱した放射バンドの中でサブストレート放射を生成する第１の放射イオンを含むことができ、外部特徴タガント１３２は混乱した放射バンドの中で外部特徴放射を生成する、第２の（異なる）放射イオンを含むことができる。別の実施形態では、サブストレート・タガント１３０および外部特徴タガント１３２は同じ放射イオンを含むことができる。但し、タガント１３０、１３２が異なる特性を有する放射をもたらすようになる他の方法において、タガント１３０、１３２は異なる。例えば、放射イオンは第１のドーピング密度でサブストレート・タガント１３０に含まれることができる。そして、放射イオンは、第１のドーピング密度と異なる（例えば、より高い）第２のドーピング密度で外部特徴タガント１３２に含まれることができる。選択イオンおよびホスト材料に応じて、第１および第２のドーピング密度の差は、比較的少なくてもよい（例えば、５％の低さ）か、大きくてもよい（例えば、１００％以上）。第１および第２のドーピング密度の違いに関係なく、違いは知覚できるほどに異なる放射特性を生じるのに十分でなければならない。
【００３８】
[0044]  放射イオンがサブストレートおよび外部特徴タガント１３０、１３２と同じである他の実施形態において、サブストレート・タガント１３０は放射イオンが組み込まれる第１のホスト材料を含むことができ、外部特徴タガント１３２は放射イオンが組み込まれる第２のホスト材料を含むことができる。ここで、異なる放射特性を同じ放射イオンから作り出すように、第１および第２のホスト材料は互いに異なる。このような実施形態では例えば、放射イオンはサブストレート・タガント１３０を生じるために第１の母体格子に置換されることができ、放射イオンは外部特徴タガント１３２を生じるために第２の異なる母体格子に置換されることができる。さらに他の実施形態では、放射イオンおよびホスト材料は、サブストレートおよび外部特徴タガント１３０、１３２が同じでもよい。しかしながら、タガント１３０、１３２が実質的に同じ（同じスペクトルおよび時間的シグニチャーを有することを含む）である場合であっても、領域（例えば、領域１６４）が充分な外部特徴のタガントの増加した量は単独でサブストレート・タガント１３０から放射と知覚できるほどに異なる混乱した放射を生成する。
【００３９】
[0045]  実施形態によれば、付加的な認証基準として、物品１００は、サブストレート放射および外部特徴放射と関連した混乱した放射バンドに重ならない少なくとも一つの放射バンドの中で、適切な励起エネルギーにさらされるときに、放射を生成する第３の発光タガント１３４を含むことができる。別の実施形態として、後で更に詳細に後述するように、タガントがそうすることができるサブストレート・タガントまたは外部特徴は、この種の重なりの特性を有する放射を生成する。第３の発光タガント１３４が含まれる実施形態において、第３の発光タガント１３４は重なりなしの放射と関連した少なくとも一つの放射イオンを含む、そして、この放射イオンはサブストレートおよび外部特徴放射と関連した放射イオンと異なってもよい。実施形態では、外部特徴タガント１３０、１３２およびサブストレートと関連した混乱した放射バンド、および、第３のタガント１３４と関連する重なりなしの放射は、波長において、十分に切り離され、その結果、光検出器のその異なるタイプまたはクラスは、付随するルミネセンス物質の放射特性を測定するために用いられる。代替の実施形態では、異なるバンドの中で放射を測定するために用いる光検出器の同一性またはクラスを有効にするために、混乱したおよび重なりなしの放射バンドは、互いに十分に近くてもよい。
【００４０】
[0046]  第３のタガント１３４およびその合同放射とサブストレート・タガント１３０、外部特徴タガント１３２およびそれらの合同放射を区別するために、第３のタガント１３４は、本明細書において、「補足的なタガント」１３４と称され、その放射は、「補足的な放射」と呼ばれる。同様に、補足的な発光を誘発するために適切な波長を有する励起エネルギーは、本明細書において、「補足的なタガント励起エネルギー」と称される。補足的なタガント励起エネルギーは、同様に、実質的に異なってもよい。最後に、重なりなしの補足的なタガント１３４からの放射が生成されることができる放射バンドは、本明細書において、「補足的な放射バンド」と称される。補足的な放射バンドの放射を生成することに加えて、補足的なタガント１３４が、同様に、外部特徴および／またはサブストレート放射バンドに重なる放射をもたらすことができることを理解すべきである。
【００４１】
[0047]  補足的なタガント１３４は粒子の形であることができ、同様に、粒子が上記の所与の範囲より小さくてもよく、または、より大きくてもよいにもかかわらず、それは、実施形態において、１ミクロンから２０ミクロンまで範囲の粒径を有することができる。実施形態において、図１および２に示すように、外部特徴１２０、１２２から外部である補足的な特徴１２４、１２６（例えば、印刷特徴、埋め込み特徴、偽造防止糸など）から成る材料の範囲内で、補足的なタガント１３４は、均一に、または、不規則に分散できる。補足的な特徴１２４、１２６だけが、図１の各表面１０８、１１０に近位であるように示されるにもかかわらず、一つ以上の補足的な特徴が、表面１０８、１１０の一方又は両方に近位でもよいことを理解すべきである。
【００４２】
[0048]  各補足的な特徴１２４、１２６は、近位でもよい外部特徴１２０、１２２が近位である基板表面１０８、１１０の部分と、異なる一部の基板表面１０８、１１０。例えば、図１および２に示すように、補足的な特徴１２４、１２６は、一次軸１７０に沿って方向の外部特徴１２０、１２２とは、空間的に別である。このような実施形態では図２に示すように、認証システムは、第１の定義済みトラック２２０に沿って、外部特徴１２０および補足的な特徴１２４を励起し、検出して試みることができる。別の実施形態として、補足的な特徴２０２は、一次軸１７０に対して垂直な方向の外部特徴１２０とは、空間的に別でもよい。このような実施形態では、認証システムは、第１の定義済みトラック２２０に沿って外部特徴１２０を励起して、検出することを試みることができ、認証システムは、平行であるが、空間的に第１の定義済みトラック２２０から切り離された第２の定義済みトラック２２２に沿って補足的な特徴２０２を励起して、検出することを試みることができる。さらに他の実施形態では、補足的な特徴２０４は、一次軸１７０の両方の方向の、そして、一次軸１７０に対して垂直な方向の外部特徴１２０とは、空間的に別でもよい。
【００４３】
[0049]  代替の実施形態では、補足的な特徴は、外部特徴１２０、１２２と同じ基板表面１０８、１１０の一部分と近位でもよい。例えば、補足的な特徴は外部特徴を通じて、または、それの下で適用されることができ、または、外部特徴（ストライプ、同心の形状、などを含む）によって、それがインタリーブ配置される方法で、補足的な特徴を、適用できる。
【００４４】
[0050]  他の別の実施形態において、補足的なタガント１３４は、外部特徴１２０、１２２から成る材料の範囲内で、均一に、または、不規則に分散できる。このような実施形態では、外部特徴タガント１３２および補足的なタガント１３４は、実際のところ同じタガント（本明細書において、「複数のバンド特徴タガント」と称される）でもよい。例えば、複数のバンド特徴タガントは、外部特徴放射と関連した放射イオンおよび補足的な放射と関連した放射イオンを有するホスト材料を含むことができる。別の実施形態として、ホスト材料は、外部特徴放射および補足的な放射に関与する放射イオンを含むことができる。他の実施形態では、例えば、外部特徴放射および補足的な放射と関連した放射イオンは異なるホスト材料に置換されることができる。但し、両方の材料は複数のバンド特徴タガントに含まれる。
【００４５】
[0051]  さらにもう一つの別の実施形態において、補足的なタガント１３４は、サブストレート１０２から成る材料の範囲内で、均一に、または、不規則に分散できる。このような実施形態では、サブストレート・タガント１３０および補足的なタガント１３４は、実際のところ同じタガント（本明細書において、「複数のバンド・サブストレート・タガント」と称される）でもよい。例えば、単一の複数のバンド・サブストレート・タガントは、サブストレート放射と関連した放射イオンおよび補足的な放射と関連した放射イオンを含むことができる。実施形態において、例えば、サブストレート放射および補足的な放射と関連した放射イオンは、同じホスト材料に置換されることができる。他の実施形態では、例えば、サブストレート放射および補足的な放射と関連した放射イオンは異なるホスト材料に置換されることができる。但し、両方の材料は複数のバンド・サブストレート・タガントに含まれる。
【００４６】
[0052]  実施形態によれば、サブストレート励起エネルギーおよび外部特徴励起エネルギーは、実質的に同じ（例えば、実質的に同じ波長で）でもよい。このような実施形態では、単一の励起エネルギー・ジェネレータ（例えば、生成プログラム４０４（図４）のうちの１つ）は、サブストレートおよび外部特徴励起エネルギーを提供するために用いることができる。別の実施形態として、異なる励起エネルギー・ジェネレータが用いられることが可能である。ここで、各励起エネルギー・ジェネレータは同じ励起エネルギーを生成する、しかし、エネルギーは空間的に分離された物理トラック（例えば、トラック２２０、２２２、図２）に向けられる。代替の実施形態では、サブストレート励起エネルギーおよび外部特徴励起エネルギーは、互いに（例えば、異なる波長で）異なってもよい。このような実施形態では、反復興奮エネルギー・ジェネレータ（例えば、ジェネレータ４０４、図４）は、サブストレートおよび外部特徴励起エネルギー（例えば、同じであるか空間的に分離されたトラックに沿って）を提供するために用いることができる。
【００４７】
[0053]  実施形態によれば、補足的なタガント励起エネルギーは、サブストレートおよび／または外部特徴励起エネルギーと実質的に同様でもよい。他の実施形態では、補足的なタガント励起エネルギーは、サブストレート励起エネルギーおよび外部特徴励起エネルギーと異なってもよい。
【００４８】
[0054]  さらにもう一つの認証基準としておよび／または物品方向（例えば、順序付または他の目的）を決定するために、認証システムは、混乱した放射が検出されるサブストレート１０２の表面１０８、１１０の位置を決定できる。認証システムは、複数の可能な方位のいずれかにおいて、認証される物品（例えば、物品１０２）を受けることができる。例えば、物品は、制御可能なおよび周知の方向のその一次軸（例えば、一次軸１７０）を有する認証システムに提供されることができる。しかしながら、認証システムに関して、物品は、周知の方位において、提供されることができない。図１および２において、表される実施形態において、例えば、物品１００は、４つの方位のいずれかの認証システムに示されることができる。例えば、物品１００は、上または下に向かっている表面１０８により示されることができる。更に、「入射」端（すなわち、最初に認証システムに呈される端または認証システムがその励起および検出プロセスを開始する端）であるいずれの基板エッジ１０４または１０６によっても、物品１００は、呈されることができる。
【００４９】
[0055]  片面認証システムは、物品の一面だけの外部特徴を検出することを試みる。したがって、この種のシステムが物品の方位を決定できることである場合、物品の特徴はこの種の判定を有効にするように構成されなければならない。実施形態によって、システムによるシングルパスの間、外部特徴１２０、１２２は、片面認証システムが少なくとも一つの外部特徴１２０、１２２を観察できることを確実にする物品１００の両方の表面１０８、１１０の近位にある。更に、外部特徴１２０、１２２の位置は、限定的な判定が片面認証システムを用いた物品方位に関してなされることを可能にする。より詳しくは、外部特徴１２０、１２２の位置は、表面１０８または１１０が分析されている判定を有効にして、どの基板エッジ１０４又は１０６が入射端であるかについて指し示す。
【００５０】
[0056]  両面認証システムは、物品の両辺の外部特徴を検出することを試みることができる。したがって、単一の表面（例えば、表面１０８）だけに近位の外部特徴（例えば、外部特徴１２０）を含む物品の実施形態において、さえ、物品（例えば、物品がフェースアップまたは下って表面であるかどうか）の方位を、両面認証システムは、少なくとも部分的に決定できる。しかしながら、この種のシステムが物品（例えば、基板エッジ１０４が左または右にあるかどうか）の方位を明確に決定できる場合、物品の特徴はこの種の判定を有効にするように構成されなければならない。もう一度、実施形態によれば、単一の外部特徴１２０の位置さえ、限定的な判定が両面認証システムを用いた物品方位に関してなされることを可能にする。より詳しくは、一つ以上の外部特徴１２０、１２２の位置は、表面１０８または１１０がフェースアップである判定を有効にして、どの基板エッジ１０４  １０６が入射端であるかについて指し示す。両面認証システムのための方位分析が片面認証システムのための方位分析より単純でもよいので、完全に各種実施形態を例示するために、片面認証システムのための方位分析は下に述べる。当業者は、両面認証システムにあてはまるように分析を単純化する方法を理解する。
【００５１】
[0057]  上記したように、入射端から「後置」端（すなわち、最後に認証システムに呈される端または認証システムがその励起および検出プロセスを終了する端）の、伸びるあらかじめ定義された励起トラック（例えば、トラック２２０、２２２、図２）に沿った物品面に、認証システムは、励起エネルギーを提供する。更に、認証システムはあらかじめ定義された検出トラック（例えば、トラック２２０、２２２、図２）に沿って励起エネルギーから生じている放射を検出することを試みる。そして、それはあらかじめ定義された励起トラック（但し、おそらくより狭い）を有するコリニアである。したがって、両面物品（例えば、物品１００）のために、物品１００がある方位次第であることは、認証システムに現れ、励起および検出動作が、以下のいずれかによって、あらかじめ定義された励起トラックを横断することもできる：１）入射基板エッジ１０４から始まっていて、後置基板エッジ１０６（矢印１９０により示される）の方へ進んでいる物品１００の第一表面１０８にわたる手続き、２）入射基板エッジ１０６から始まっていて、後置基板エッジ１０４（矢印１９２により示される）の方へ進んでいる物品１００の第一表面１０８にわたる手続き、３）入射基板エッジ１０４から始まっていて、後置基板エッジ１０６（矢印１９４により示される）の方へ進んでいる物品１００の第二表面１１０にわたる手続き、または４）矢印１９０により示されるように、入射基板エッジ１０４から始まっていて、後置基板エッジ１０６の方へ進んでいる物品１００の第二表面１１０にわたる手続き。
【００５２】
[0058]   実施形態によっては、真正な物品において、サブストレート１０２の第１側部１０８の近位の外部特徴１２０は、第１の基板エッジ１０４から周知の第１の距離１６３である第１の特徴の端１４０を有する。更に、外部特徴１２０は、第２の基板エッジ１０６（または第１の基板エッジ１０４からの周知の距離）からの周知の第２の距離１６７である第２の特徴の端１４２を有する。実施形態において、第１の距離１６３および第２の距離１６７は互いに異なる。但し、他の一実施形態において、それらは実質的に同じでもよい。更なる実施形態によって、サブストレート１０２の第二の側１１０の近位の外部特徴１２２は、第１の基板エッジ１０４から周知の第３の距離１８３である第３の特徴の端１４４を有する。更に、外部特徴１２２は、第２の基板エッジ１０６（または第１の基板エッジ１０４からの周知の距離）からの周知の第４の距離１８７である第４の特徴の端１４６を有する。実施形態において、第１の距離１６３、第２の距離１６７、第３の距離１８３および第４の距離１８７は互いにすべて異なる。但し、他の実施形態で、第１、２、３、および４の距離１６３、１６７、１８３、１８７は実質的に同じことでもよい。
【００５３】
[0059]  実施形態によれば、表面（例えば、表面１０８  １１０）から生じている混乱した放射がどこで検出されるか決定することによる入射端（例えば、基板エッジ１０４または１０６）に関して、認証システムは、外部特徴（例えば、外部特徴１２０または１２２）の位置を決定することができる。真正な物品に関して、位置決定は、外部特徴（例えば、特徴１２０か１２２）が、入射サブストレートの端（基板エッジ１０４または１０６）から第１、２、３または４の距離１６３、１６７、１８３、１８７に位置するかどうかを示す。例えば、外部特徴がそうである認証システム定量が入射端（すなわち、端１０４）から第１の距離１６３の位置を決めるときに、認証システムは物品が図１に示される方位においてあると確定する。同様に、認証システムが、外部特徴が、入射端（すなわち、いずれかの端１０４または１０６）から第２、３、または４の距離１６７、１８３、１８７のいずれかに位置すると判断されるとき、物品がその他の３つの可能な方位のうちの１つにあると、認証システムは、確定する。
【００５４】
[0060]  物品の方位を決定するために外部特徴の位置を検出することに加えて、物品確実性の付加的な計測を提供するために、検出外部特徴が予想される位置においてあるかどうか、認証システムも、決定することができる。
より詳しくは、外部特徴が検出され、入射端から第１、２、３または４の距離１６３、１６７、１８３、１８７に位置しないとき、認証システムは、物品が真正でないと確定することができる。
【００５５】
[0061]  物品方位が外部特徴の決定された位置に基づいて決定される実施形態について前記説明が述べるにもかかわらず、同様に、物品方位は補足的な特徴（例えば、補足的な特徴１２４、１２６）の決定された位置に基づいて代わりに決定されることができる。更に、補足的な特徴の位置の決定が、物品確実性の付加的な計測として使うことができる。
【００５６】
[0062]  サブストレート１０２（外部特徴１２０、１２２、補足的な特徴１２４、１２６および粒子１３０、１３２、１３４）のさまざまな相対寸法は、図１において、一定の比率ではなくてもよい。表面実用外部および補足的な特徴１２０、１２２、１２４、１２６を含むために物品１００が例示されるにもかかわらず、他の物品は埋め込み外部および補足的な特徴および表面印加外部および補足的な特徴の一つまたは組合せを含むことができる。最後に、単一の外部特徴１２０、１２２および単一の補足的な特徴１２４、１２６だけが図１のサブストレート１０２の各表面１０８、１１０に示されるにもかかわらず、物品はサブストレート１０２の一方または両方表面１０８、１１０上の一つ以上の外部特徴１２０、１２２および／または補足的な特徴１２４、１２６を含むことができる。
【００５７】
[0063]  実施形態ルミネセンス物質は現在記載されている。そして、本願明細書において、述べられる各種実施形態において、使用されるタガントのルミネセンス物質として、それは含まれることができる。実施形態によれば、発光タガントの使用に適しているルミネセンス物質は、ホスト材料（例えば、ホスト結晶格子、ガラス、など）および一つ以上の放射イオン（すなわち、ホスト材料に混合されるかまたは置換される放射イオン）を含む。同様に、ルミネセンス物質も他の材料（例えば、一つ以上の活性化イオン）を含むことができる。但し、他の材料は詳細に本願明細書において、述べられる。
【００５８】
[0064]  ルミネセンス物質の中の放射イオンは、単一の放射バンドの、または、多重発光バンドの検出可能な放射によって、特徴づけられることが可能である。いかなる特定の放射バンドの発光強度も、ホスト材料（例えば、ホスト結晶格子材料の場合、ドーピングまたは代入パーセンテージ）の放射イオンのパーセンテージに、直接関連があってもよい。より具体的には、発光強度は、ホスト材料の放射イオンの比較的低いパーセンテージのために比較的低くてもよくて、ホスト材料の放射イオンの比較的高いパーセンテージのために、比較的高くてもよい。
【００５９】
[0065]  放射イオンのための少なくとも３つの機構が、次の放射線のためのエネルギーを受信するためにある。例えば、放射イオンは直接吸収励起エネルギーができてもよい、そして、放射イオンは少なくとも吸収エネルギー（典型的に励起エネルギーからの異なるおよびより長い波長で）の一部をその後で、放射できる。別の実施形態として、直接励起エネルギーを吸収して、エネルギーを放射イオンへ移すことが、その（例えば、バナジン酸塩イオン）ホスト材料またはイオンは、できてもよい。他の状況では、ホスト材料は、放射イオンにより置換されることができる一つ以上の「ホスト材料イオン」および任意に励起エネルギーを吸収することができて、結果として生じるエネルギーを放射イオンへ移すことができる一つ以上の活性化イオンを含むことができる。場合によっては、ホスト材料吸収は役立ってもよい。但し、ホスト材料吸収は特に大多数のケースに役立たない。より典型的には、遷移金属イオン（例えば、クロム）または希土類元素金属イオン（例えば、エルビウム）が、活性化イオンとして使われる。これらの元素も放射イオンとして作用できる、または、それらも他のイオン（例えば、放射イオン）にエネルギーをトランスファーし、それから、それはトランスファー・エネルギーを放散する。実質的に、刺激的な光子エネルギーがこの範囲が非常に高いので、すべてのホスト材料は紫外線領域のアブソーバとして作用できる。しかしながら、この現象は、統合された所望のイオンから全くいかなる所望の放射も産生することができない。
【００６０】
[0066]  １００％の置換まで、置き換えられることが可能であるイオンは、含まれる場合一つ以上の活性化イオンおよび一つ以上の放射イオンによって、置換されることができるホスト材料の範囲内のイオンである。大部分の放射イオンが１００％の置換レベル以下でよくクエンチされた濃度であるので、１００％の置換はまれである。しかしながら、交互作用期間が著しく減らされるように、母体格子の放射イオンの物理的分離からより大きな置換を考慮に入れるどの特定のイオンおよび母体格子の組合せが十分に全く離れてたいくつかの顕著な例外が、ある。
【００６１】
[0067]  超低置換パーセンテージ（例えば、より小さい１％でドーピングされる）、中間の置換パーセンテージ（例えば、１％から２０％まで）または高い置換パーセンテージ（例えば、２０％から１００％まで）で、放射イオンを、置換できる。例えば、ネオジム（Ｎｄ）は１．５％まで比較的低いパーセンテージで置換されることができる、ホルミウム（Ｈｏ）およびイッテルビウム（Ｙｂ）は２０％まで中間のパーセンテージで置換されることができる。そして、エルビウム（Ｅｒ）は６０％まで比較的高いパーセンテージで置換されることができる。但し、同様に、これらおよび他のイオンは異なるパーセンテージで置換されることができる。本明細書において、用語「置換」は、低い、中間のおよび高い置換パーセンテージを含むいかなるパーセンテージで置換することを意味する。ホスト材料に置換される各イオンの量は、通常、原子百分率に関して記載され、活性化および／または放射イオンと置き換えられることが可能であるホスト材料のイオンの数が１００％に等しい。それが置き換えられることとイオンとして、活性化および／または放射イオンを有する置換を考慮に入れるホスト材料のイオンは、同様な寸法、類似のローディングおよび類似の調整設定を典型的に有することができる。ホスト材料の範囲内のさまざまな位置発生する場合、これらの位置の各々のイオンは、１００原子百分率を占めた。
【００６２】
[0068]  放射イオンおよび任意に増感剤が組み込まれる（例えば、混合したかまたは置換した）材料から、ホスト材料は成る。実施形態において、異なる化学構成要素が格子の範囲内でさまざまな位置で置換できる結晶格子の形で、ホスト材料はあることができる。放射イオン意志が少なくとも一つの放射バンドの中で可観測放射を生成することを確実にするように、ホスト材料は、選択されなければならず、装置および方法が以下に詳細に説明した認証の実施形態を用いた分析法に、放射は適している。各種実施形態において、ホスト材料はガラス、酸化物、フッ化物、酸硫化物、ハロゲン化物、ホウ酸塩、ケイ酸塩、没食子酸塩、リン酸塩、バナジン酸塩、オキシハライド、アルミン酸塩、モリブデン酸塩、タングステン酸塩、ガーネット、ニオブ酸塩、窒素化合物、酸化窒化物およびそれらの混合物からなる群から選択される材料を含む。但し、同様に、他のホスト材料が用いられることが可能である。例えば、ホスト材料は、イットリウム（Ｙ）酸硫化物（Ｙ２Ｏ２ＳまたはＹＯＳ）、イットリウム・アルミニウム・ガーネット（ＹＡＧ）、イットリウムガリウムガーネット（ＹＧＧ）、ガドリニウム（Ｇｄ）ガリウム・ガーネット（ＧＧＧ）、ガドリニウム酸硫化物（Ｇｄ２Ｏ２ＳまたはＧＯＳ）または他の材料を含むことができる。更なる実施形態によれば、上に列挙した材料またはそれらの組合せからなる一群の材料から選択される少なくとも一つのホスト材料への組込み（例えば、置換）の後、サブストレート放射バンド、外部特徴放射バンドおよび補足的な放射バンドは、少なくとも一つの放射イオンの放射バンドに、各々それぞれに対応する。
【００６３】
[0069]  適切な放射イオンは、一つ以上（一つ以上の放射バンドの中の比較的強い放射）を有するイオンを含む。各種実施形態によれば、放射イオンは、クロム（Ｃｒ）、マンガン（Ｍｎ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、セリウム（Ｃｅ）、プラセオジム（Ｐｒ）、ネオジム（Ｎｄ）、サマリウム（Ｓｍ）、ユウロピウム（Ｅｕ）、テルビウム（Ｔｂ）、ジスプロシウム（Ｄｙ）、ホルミウム（Ｈｏ）、エルビウム（Ｅｒ）、ツリウム（Ｔｍ）およびイッテルビウム（Ｙｂ）からなる群から選択される元素イオンを含む。例えば、実施形態において、放射イオンは＋3価を有することができる。但し、他の実施形態で、放射イオンは異なる価（例えば、＋2および／または＋4）を有することができる。各種実施形態によれば、上に列挙した元素またはそれらの組合せからなる元素の族から選択される少なくとも一つの元素の少なくとも一つのイオンの放射バンドに、サブストレート放射バンド、外部特徴放射バンドおよび補足的な放射バンドは、各々それぞれに対応する。
【００６４】
[0070]  各種実施形態において、ルミネセンス物質が励起エネルギーに適切に従属した後に検出可能な放射を生じるようになるのに、ホスト材料に置換される放射イオンの総濃度は、十分である。例えば、ホスト材料において、置換される放射イオンの総濃度は、約０．０５原子百分率から約９９．９９５原子百分率まで範囲において、あってもよい。しかしながら、まだルミネセンス物質の相関性（例えば、励起エネルギーへの露出に放射を生成する相関性）を生成することが置換されているイオンのタイプによると共に、それがそうであってもよい放射イオンの濃度は置換される。換言すれば、まだルミネセンス物質の相関性を維持すると共に、いくつかのイオンは比較的高いパーセンテージで置換されることができる、しかし、他のイオンが同じ、比較的高いパーセンテージで置換される場合、相関性は破られることが可能である。
【００６５】
[0071]  場合によっては、放射イオンは直接の吸収過程を介して励起される。そして、それは放射イオンのための吸収帯の中で励起エネルギーを提供することを含む。別の実施形態として、以前に記載されているように、ホスト材料または活性化イオンは放射イオンを励起するためにパスとして機能できる。前者の場合、放射イオンから放射は、吸収共鳴レベルから記憶レベルまで急速に壊変する。通常、吸収帯は記憶レベルを越える。但し、これは必ずしもケースでない、そして、吸収共鳴準位からの減衰時間は記憶レベルから減衰時間と比較して非常に急速である。記憶レベルから、記憶レベルおよび下部のエネルギー準位で測定される波長バンドで、自然発生的な光子放出は、発生する場合がある。
【００６６】
[0072]  後述するように下により多くの詳細で、ルミネセンス物質（例えば、蛍光体か他のタイプの合成物）が「認証している」ルミネセンス物質および、このように、「認証している」発光タガントに対応するか否か決定するために、放射イオンから発された電磁放射の特性は、用いることができる。より詳しくは、励起エネルギーへの露出の後、ルミネセンス物質の中の放射イオンは光子を発する。そして、一つ以上の検出バンド（またはチャネル）の中の放射の強度（または集積された強度）を、観察できる。後で詳しく述べるように、物品上の多数所在地の発光強度の分析は、物品が真正かどうかの決定を容易にする。
【００６７】
[0073]  例示の実施形態に従って、図３は、物品（例えば、物品１００、図１）を生成する方法のフローチャートである。サブストレート・タガント、外部特徴タガントおよび任意に補足的なタガント（例えば、サブストレート・タガント１３０、外部特徴タガント１３２および補足的な特徴タガント１３４、図１）を準備することによって、ブロック３０２で、方法は、始まる。実施形態において、対応するルミネセンス物質を獲得するかまたは生成することで、各タガントの準備は、始まる。
【００６８】
[0074]  通常、当業者に知られている多くの従来の方法のいずれかを用いて、ルミネセンス物質を、作成できる。例えば、蛍光体合成物の作成は、予備蛍光体合成物を形成するために蛍光体ホスト材料（例えば、ホスト結晶格子、ガラスなど）および一つ以上の放射イオン（例えば、上述した放射イオンの一つ以上）の組合せを準備することを含む。実施形態によれば、異なる予備蛍光体合成物は、サブストレート・タガント、外部特徴タガントおよび補足的なタガントの各々に対応して準備される。上記したように、サブストレート・タガントおよび外部特徴タガントは、同じであるか異なる放射イオンおよび同じであるか異なるホスト材料を含むことができる。いずれの方法でも、しかしながら、サブストレート・タガントの放射イオンがサブストレート放射バンドの放射を生成できるように、放射イオンおよびホスト材料は選択されなければならない、そして、サブストレート放射バンドに少なくとも部分的に重なる外部特徴放射バンドの放射を生成することが、外部特徴タガントの放射イオンはできる。補足的なタガントも使用されるときに、サブストレートまたは外部特徴放射バンドに重ならない補足的な放射バンドの放射を生成することが放射イオンができるように、放射イオンおよび補足的なタガントのためのホスト材料は選択されなければならない。上記したように、いくつかの実施形態（例えば、補足的なタガントがサブストレート・タガントまたは外部特徴タガントと同様であるときに）で、補足的なタガントを伴う放射イオンは、サブストレートまたは外部特徴のためのホスト材料によって、含まれることができる。
【００６９】
[0075]  場合によっては、予備蛍光体合成物の形成は、固体化学を使用して成し遂げられることが可能である。例えば、蛍光体合成物が酸化物蛍光体であるときに、これはさまざまな酸化物の正しい比率を放射イオンの酸化物と結合することを含むことができる。これらの酸化物は、定められた時間の間混合されて、焼成される。他の場合には、溶液化学技術が用いられることが可能である。そこにおいて、さまざまな材料は、その後引き起こされて、溶かされて、その後焼成される。
【００７０】
[0076]  合成物をつくるために用いる特定の方法に応じて、ホスト材料の組合せおよび予備蛍光体合成物を形成する際の放射イオンに、他の材料は含まれることができる。例えば、さまざまな融剤および他の前駆体は、予備蛍光体居住区域の中で含まれることができる。
【００７１】
[0077]  それから、各予備蛍光体合成物は事前処理である。そして、結果として各々のサブストレート・タガント、外部特徴タガントおよび補足的なタガントに対応するルミネセンス物質になる。例えば、後処理は、予備蛍光体合成物に次のプロセスのいかなる一つ以上も実行することを含むことができる：ファイヤリング、アニーリング、サスペンション、前駆体除去（例えば、フラクシング剤を除去する）、ミリング、堆積、および、超音波処理。上記説明がタガントのルミネセンス物質として蛍光体合成物の準備に関するにもかかわらず、考察は限界を設けるはずでない。その代わりに、前に述べたように、他の蛍光物質もサブストレート・タガント、外部特徴タガントおよび／または補足的なタガントにおいて、用いられることが可能である。
【００７２】
[0078]  ブロック３０４において、サブストレート・タガント（そして、補足的なタガントで任意にあるそれが外部特徴に、または、補足的な特徴に組み込まれない）サブストレートに組み込む。例えば、サブストレート・タガントの粒子をサブストレートのための基材（例えば、製紙用パルプ、プラスチック主剤など）に混入することによって、および／またはサブストレートにサブストレート・タガントの粒子のコロイド分散を注入することによって、サブストレート・タガントは、サブストレートに組み込まれることができる。含浸は、例えば、印刷、滴、コーティングまたは噴霧プロセスにより実行されることができる。
【００７３】
[0079]  ブロック３０６（また、実行されることができるかまたは並行してブロック３０４によって、あることができる）において、外部特徴タガント（そして、補足的なタガントで任意にあるそれがサブストレートに、または、補足的な特徴に組み込まれない）外部特徴材料に組み込む。上記したように、外部特徴は、印刷特徴、埋め込み特徴、偽造防止糸などでもよい。硬質基板を含む埋め込み特徴および偽造防止糸に関して、上記のように、特徴サブストレートへの外部特徴タガントの組込みは、サブストレートにサブストレート・タガントの組込みに、同様の方法で実行されることができる。印刷外部特徴に関して、外部特徴タガントの粒子が構成（例えば、インクまたは他のキャリア）に混入される、それは、（例えば、印刷され、被覆され、吹き付けられ、若しくは、接着され、または、接合される）表面（例えば、表面１０８および／または１１０）に適用される。
【００７４】
[0080]  補足的なタガントが物品（例えば、補足的な特徴１３４、１２６、図１）の異なった特徴に含まれる実施形態において、ブロック３０８は実行される。ブロック３０８（また、実行されることができるかまたは並行してブロック３０４および３０６によって、あることができる）において、補足的なタガントは、補足的な特徴材料に組み込まれる。上記したように、補足的な特徴は、印刷特徴、埋め込み特徴、偽造防止糸などでもよい。硬質基板を含む埋め込み特徴および偽造防止糸に関して、上記のように、特徴サブストレートへの補足的なタガントの組込みは、サブストレートにサブストレート・タガントの組込みに、同様の方法で実行されることができる。表面印加補足的な特徴に関して、補足的なタガントの粒子は構成（例えば、インクまたは他のキャリア）に混入される。そして、それは表面（例えば、表面１０８および／または１１０）に適用されることができる。
【００７５】
[0081]  ブロック３１０において、サブストレート（例えば、サブストレート１０２、図１）を有する一つ以上の外部特徴（例えば、外部特徴１２０、１２２、図１）および（任意に）一つ以上補足的な特徴（例えば、補足的な特徴１２４、１２６、図１）をアセンブルすることによって、物品は生成される。例えば、外部特徴（そして、任意に補足的な特徴）が表面印加特徴であるときに、外部特徴材料に対応する構成は予め定められた位置の一つ以上の基板表面上へ印刷されることができる。反対に、外部特徴（そして、任意に補足的な特徴）が埋め込み特徴であるときに、可鍛性がある形（例えば、材料がスラリー（熱したか、非硬化後の形）であるときに）で基板材料があるときに、埋め込み特徴に対応するサブストレートは基板材料と統合される。実施形態（例えば、物品１００、図１）に対応する物品は、サブストレートおよび外部特徴（ｓ）（そして、任意に補足的な特徴（ｓ）の組立て終了後生成される。
【００７６】
[0082]  例示の実施形態に従って、図４は、物品４５０を認証するシステム４００である。実施形態によれば、システム４００は、処理システム４０２、一つ以上の励起エネルギー・ジェネレータ４０４、付随する光学フィルタ（フィルタ）４１０、４１２を有する一つ以上の放射光検出器（「検出器」）４０６、４０８、信号分配／分散エレメント４１４、データ記憶４１６およびユーザ・インタフェース４１８を含む。処理システム４０２は一つ以上のプロセッサおよび付随する回路を含むことができる。そして、物品（例えば、物品４５０）を認証することと、関連したコントロールおよび解析過程（例えば、実行可能ソフトウェアアルゴリズムの形で）をインプリメントするように、それは構成される。
【００７７】
[0083]  前に述べられるように、物品４５０はサブストレート４５２、外部特徴４５４および補足的な特徴４５６を含む。実施形態において、最初にシステム４００に示されている物品４５０の入射端４５８によって、物品４５０は処理方向４２６の固有識別方式４００で輸送される。そして、物品４５０のトレーリングエッジ４６０が最後にシステム４００に示される。例えば、最初（Ｔ１）で、物品４５０は、システム４００の励起ウィンドウ４２４の下で通過して、第二に、次の時間（Ｔ２）、物品４５０でシステム４００の検出窓４３２の下で通過する。代替の実施形態では、物品４５０は固有識別方式４００の中で固定位置に持ち込まれることができる。そして、励起および検出窓４２４、４３２は静止物品４５０を通じて移動できる。
【００７８】
[0084]  いずれの方法でも、実施形態によれば、処理システム４０２は励起エネルギー・ジェネレータ４０４に制御信号を提供するように構成される。そして、それによって、励起エネルギー・ジェネレータ４０４が励起ウィンドウ４２４の幅に対応する幅を有するあらかじめ定義された励起トラック（例えば、トラック２２０、図２）に沿って物品４５０に第１の励起エネルギー４２０を向けるようになる。励起エネルギー・ジェネレータ４０４は、例えば、一つ以上のフィルタ処理ＬＥＤ（発光ダイオード）、レーザーダイオードまたは他の放射線源を含むことができる。励起ウィンドウ４２４（または、励起ウィンドウ４２４は物品４５０を通じて移動する）、サブストレートの放射イオンおよび外部特徴タガントの下に物品４５０が移動するので、次の放射線（一つ以上のエネルギー吸収を使用しておよび／または機構をトランスファー）のためのエネルギーを受信する。上記したように、サブストレートおよび外部特徴タガントのための励起エネルギーは同じこと（例えば、同じ波長）である。但し、他の一実施形態において、異なる励起エネルギーはサブストレートおよび外部特徴タガントに提供されることができる。
【００７９】
[0085]  補足的なタガントも分析される実施形態において、処理システム４０２も同じことまたは異なる励起エネルギー・ジェネレータ４０４に制御信号を提供するように構成される。そして、それによって、励起エネルギー・ジェネレータ４０４があらかじめ定義された励起トラックに沿って物品４５０に第２の励起エネルギー４２２を向けるようになる。励起ウィンドウ４２４（または、励起ウィンドウ４２４は物品４５０を通じて移動する）の下に物品４５０が移動するにつれて、補足的なタガント（「補足的なイオン」と呼ばれる）の放射イオンは（一つ以上のエネルギー吸収および／または転送メカニズムを使用して）次の放射線のためのエネルギーを受信する。実施形態において、補足的なタガントのための励起エネルギーはサブストレートおよび外部特徴タガントのための励起エネルギーと異なる。但し、他の一実施形態において、タガントの全てのための励起エネルギーは同じでもよい。
【００８０】
[0086]  制御信号において、処理システム４０２は、励起エネルギーおよび／または、生成される（例えば、強度および／または他のパラメータ）特定の励起エネルギーにかかわる他のパラメータの提供のタイミング（例えば、開始時刻、停止時間および／または期間）を特定できる。典型的に、励起エネルギー・ジェネレータ４０４（例えば、選択された発光ダイオードまたはレーザーダイオードにより生成される励起エネルギーのバンド幅）の一部として、含まれる加振源に基づいて、励起エネルギーのバンド幅は、前もって決定される。例えば、さまざまなタイミングおよび／または放射線生成パラメータは、データ記憶４１６から読み出されることができる。励起エネルギー・ジェネレータ４０４は、例えば、一つ以上のレーザー、レーザーダイオード、発光ダイオード（ＬＥＤ）、白熱のフィラメント、ランプまたは他の加振源を含むことができる。
【００８１】
[0087]  励起エネルギー・ジェネレータ４０４を制御することに加えて、処理システム４０２は、放射検出器４０６、４０８に制御入力を提供するように構成され、それによって、放射検出器４０６、４０８が、（直接または間接的に）励起エネルギー４２０、４２２の少なくとも一部で吸収していたさまざまな放射イオンに応答して物品４５０のさまざまな領域から生じている放射４２８を検出することを試みるようになる。例えば、物品４５０（例えば、領域１６２、図１）のサブストレートのみの領域４４０で、物品４５０は、サブストレート・タガント（例えば、サブストレート・タガント１３０、図１）に対応する放射４２８をもたらすことができる。サブストレート４５０（例えば、領域１６４、図１）の外部特徴領域４４２において、物品４５０は、サブストレート・タガントおよび外部特徴タガント（例えば、タガント１３０、１３２、図１）からｅｍｉｓｓｉｏｎコンポーネントを含む混乱した放射４２８をもたらすことができる。更に、補足的なタガントが存在する（例えば、補足的な特徴４５６の）領域４４４で、物品４５０は、補足的な放射４２８をもたらすことができる。
【００８２】
[0088]  実施形態によれば、放射４２８は信号分配／分散エレメント４１４に影響を与える。そして、それは放射４２８を光線４３４、４３６に分ける。第１のバンド（例えば、サブストレート、外部特徴および混乱した放射に対応する重なり合う放射バンドを含むバンド）の中で、１つのビーム４３４は光を含む、そして、重複しなくて、第１のバンド（例えば、重なりなしの補足的な放射と関連したバンド）から切り離される第２のバンドの中で、第２のビーム４３６は光を含む。信号分配／分散エレメント４１４は、検出器４０６のうちの１つに第１のビーム４３４を向けて、検出器４０８のもう一方に、第２のビーム４３６を向ける。実施形態によれば、信号分配／分散エレメント４１４は、第１のビーム４３４を通過して、第２のビーム４３６を反射するように構成される。例えば、信号分配／分散エレメント４１４は、ポリクロメータ（プリズム、回折格子、薄膜フィルタ、干渉フィルタ、ダイクロイックフィルタ、ダイクロイックミラーおよび二色性の反射器）からなる群から選択される元素でもよい。この種の信号分配／分散エレメント４１４に対する利点は物品４５０の共用領域から放射した放射のコンポーネントを受信することを、それは両方の検出器４０６、４０８が同時に可能にするということである。このように、結果として生じる強度測定の相関を最大にする。
【００８３】
[0089]  各放射検出器４０６、４０８は、例えば、スペクトルフィルタ４１０、４１２、一つ以上の電気光学センサ、光電子増倍管、ＡＰＤ、フォトダイオード、電荷結合デバイス、電荷注入装置、写真用フィルムまたは他の検知器を含むことができる。特定の実施形態では、各放射検出器４０６、４０８は、信号分配／分散エレメント４１４と光検出器の間に位置するスペクトルフィルタ４１０、４１２を含む。それらがそうである前に、スペクトルフィルタ４１０、４１２は光線４３４、４３６にフィルターをかけるように構成される、ただし、検出器４０６、４０８、それで、放射だけの中のその放射に、バンド（すなわち、全てのスペクトルのサブセット）は各検出器４０６、４０８の作用面積に実際に影響を与える。スペクトルフィルタ４１０、４１２は、例えば、興味があるスペクトルバンドの中でだけ光を通過して、他の全ての光を拒絶するように構成されるロングパス、バンドパスまたは他のタイプのフィルタを含むことができる。
【００８４】
[0090]  検出器４０６、４０８の各々は、興味があるスペクトルバンドの中で感度を有して、それに応じて、そのスペクトルバンドの中であるスペクトルフィルタ４１０、４１２を通過している光を検出できる。実施形態によれば、検出器４０６は、サブストレートおよび外部特徴放射と関連した関心（重なり合うか混乱した放射バンド）の第１のバンドに対応するチャネルの中で放射を検出するように構成される。対照的に、検出器４０８は、重なりなしの補足的な放射と関連した関心（補足的な放射バンド）の第２のバンドに対応するチャネルの中で放射を検出するように構成される。検出器４０６、４０８は、同一性の中で、または、異なるタイプの中であってもよい。具体例によれば、検出器４０６、４０８は、異なるタイプである。例えば、検出器４０６、４０８の１つはシリコン検波器を含むことができる。そして、検出器４０６、４０８のもう一方はインジウムガリウムヒ素（ＩｎＧａＡｓ）検出器（例えば、テレコム・タイプまたは拡張ＩｎＧａＡｓ）を含むことができる。他のタイプの検出器はそうすることができる。そして、興味があるバンドの中で放射を検出できる、他の実施形態（例えば、硫化鉛、セレン化鉛、ゲルマニウム、アンチモン化インジウム、砒化インジウム、白金シリサイド、アンチモン化インジウム、など）において、使うことができる。代替の実施形態では、単一の検出器を、使用できる。そして、それは興味があるすべてのバンドの放射を検出できる。このような実施形態では、信号分配／分散エレメント４１４は、システム４００から除外されることができる。他の別の実施形態において、２つ以上の検出器は、興味がある２つのバンドより多くのものの放射を検出するために使用されることができる。このような実施形態では、複数の信号分配／分散エレメントは、多重受振器の方へ直射的な外部光線に使用されることができる。
【００８５】
[0091]  各検出器４０６、４０８は、検出器４０６、４０８の作用面積に影響を与える収集された放射線データの強度に、比例する電子信号を生成する。より詳しくは、各検出器４０６、４０８は、放射の集積された強度が実質的に物品（例えば、物品の事件とトレーリングエッジ間）の長さの全体または一部に沿って検出器４０６、４０８により受信されることを表す信号（例えば、一つ以上のデジタル化された強度値）を生成する。望ましく、複数の検出器４０６、４０８がシステム（例えば、図４のシステム４００のような）において、用いられるときに、集積された強度の価格は同時に各検出器４０６、４０８によって、電子的に獲得される。但し、これは要件でない。
【００８６】
[0092]  一つ以上の予め選択された間隔（例えば、ｔ＝０、そして、その後で、いくつかの間隔の間、０．１ミリ秒ごとから始まる）で、各放射検出器４０６、４０８は、強度値をデジタル化することができる。更に、各放射検出器４０６、４０８は処理システム４０２（例えば、デジタル化された強度値）に情報を提供する。そして、それは特徴づけられる放射４２８の時間的、スペクトルおよび位置的特性を有効にする。例えば、放射検出器４０６は、混乱した放射バンドの射出放射線の強度に対応する一連の値を生成する。放射が検出される（例えば、対応する励起エネルギーの供給の中断からの時間）ときに、検出器４０６からの値の各値またはセットはタグを付けられることが可能であるかまたは検出放射（例えば、物品の入射端から直線距離）および時間の位置を示している情報にかかわることができる。同様に、放射検出器４０８は、補足的な放射バンドの射出放射線の強度に対応する一連の値を生成する。放射検出器４０６により生成される値と同様に、放射が検出されるときに、検出器４０８からの値の各値またはセットはタグを付けられることが可能であるかまたは検出放射および時間の位置を示している情報にかかわることができる。
【００８７】
[0093]  検出放射線の時間的、スペクトルおよび位置的特性が真正な物品の時間的、スペクトルおよび位置的特性に対応するか否か決定するために、その領収書に、この種の情報を分析するように、処理システム４０２は、構成される。図５に関連して更に詳細に記載されているように、システム４００のための認証しているパラメータは以下からなる群から選択されるパラメータを含む：物品の一つ以上の長さの一部または全てにわたって混乱した放射バンドの放射強度（または集積された強度）、物品の一つ以上の長さの一部または全てにわたって補足的な放射バンドの放射強度（または集積された強度）、物品の一つ以上の長さの一部または全てにわたって混乱した放射バンドの放射減衰時定数、物品の一つ以上の長さの一部または全てにわたって補足的な放射バンドの放射減衰時定数、物品の一つ以上の長さの一部または全てにわたって混乱した放射バンドの放射増大する時定数、物品の一つ以上の長さの一部または全てにわたって補足的な放出バンドの放出上昇時定数、混乱したバンドの放射と他のバンドの放射間の放射強度（または集積された強度）の比率、および、補足的なバンドの放射と他のバンドの放射間の発光強度（または集積された強度）の比率。同様に、付加的な認証しているパラメータは、定められることが可能である。
【００８８】
[0094]  真正な物品と一致するパラメータを認証することの範囲は、システム４００の検出母数空間を定める。実施形態において、認証しているパラメータのための検出器４０６、４０８により生成される値が検出母数空間の中で減少するかどうか、処理システム４０２は決定する。換言すれば、値がそれらの範囲の中で減少するかどうか決定するために検出母数空間を定めている範囲と、処理システム４０２は値を比較する。例えば、全て全体の混乱した放射バンドまたは物品の一つ以上の長さの一部の発光強度に対応する認証パラメータに関して、強度値の範囲の表は、各可能な物品方位のために定められることが可能である。特定の強度値（例えば、検出器４０６（発光強度が検出された位置および時間を付け加えられる）からの強度値）を分析するために、処理システム４０２は、テーブル（例えば、強度値と関連した位置および時間に対応する範囲）からあらかじめ定義された強度範囲を読み出すことができて、値が範囲の中で減少するかどうか決定するために、強度値を範囲と比較できる。この種の分析は、物品に沿って多数所在地で強度値のために実行されることができる。他の認証パラメータに対応する値は、同じように分析されることができる。
【００８９】
[0095]  認証しているパラメータと一致している値が受け入れられる精度まで検出母数空間の中で減少することを分析が示すときに、処理システム４０２は物品４５０を真正であると確認できる。反対に、受け入れられる精度（４０２が出所不明で物品４５０を確認するように構成される処理システム）まで、認証しているパラメータと一致している値が検出母数空間の中で減少しないことを、分析は示す。
【００９０】
[0096]  検出放射線の時間的、スペクトルおよび位置的特性が真正な物品と一致するときに、処理システム４０２は物品４５０を真正な物品と確認することと、関連した若干の動きになることができる。例えば、処理システム４０２は、他のシステムのコンポーネントに、または、外部システムに電子信号を確実性と関係しているようにすることができる。更に、処理システム４０２はユーザ・インタフェース４１８に信号を送ることができる。そして、それによって、ユーザ・インタフェース４１８が確実性（例えば、表示された指示、光、音、など）のユーザ認知可能な徴候をもたらすようになる。処理システム４０２によっても、システム４００（例示されない）のルーティング・コンポーネントが真正な物品に指定されるルートまたはｂｉｎの方へ物品４５０を送るようになる場合がある。別の実施形態として、検出放射線の時間的および／またはスペクトル的性質が真正な物品と一致しないときに、処理システム４０２は物品４５０を出所不明の物品と確認することと、関連した若干の動きになることができる。例えば、処理システム４０２は、他のシステムのコンポーネントに、または、外部システムに電子信号を不確実と関係しているようにすることができる。更に、処理システム４０２はユーザ・インタフェース４１８に信号を送ることができる。そして、それによって、ユーザ・インタフェース４１８が不確実（例えば、表示された指示、光、音、など）のユーザ認知可能な徴候をもたらすようになる。処理システム４０２によっても、システム４００（例示されない）のルーティング・コンポーネントが出所不明の物品に指定されるルートまたはｂｉｎの方へ物品４５０を送るようになる場合がある。
【００９１】
[0097]  ユーザ・インタフェース４１８は、システム４００（例えば、キーボード、ボタン、タッチスクリーン、など）への入力を提供するために、ユーザにより操作されることができる、または、処理システム４０２によって、ユーザ認知可能な指示（例えば、表示画面、ライト、スピーカ、など）を生じるために制御されることができる多くのコンポーネントのいずれかを含むことができる。例えば、ユーザ・インタフェース４１８を有するユーザの交互作用で提供されるユーザー入力に応答して、上記のプロセスを、開始できる。別の実施形態として、励起および検出プロセスが実行されることができる位置に物品４５０が置かれるときに、上記のプロセスはシステム４００によって、例えば自動的に開始されることができる。
【００９２】
[0098]  例示の実施形態に従って、図５は、物品（例えば、物品１００、図１または物品４５０、図４）の認証を実行する方法のフローチャートである。例えば、図５において、表される方法の実施形態は、認証システム（例えば、認証システム４００、図４）により実行されることができる。ブロック５０２において、方法は始まることができる。そのとき、認証される（例えば、物品４５０、図４）物品は認証システムにより受信される。例えば、最初に認証システムを入力している物品の入射端を有する周知または未知の方位の認証システムを、物品は、経由できる（例えば、順序付またはコンベヤシステムによって、）。別の例として、物品は、認証システムの適切なレセプタクルに入れられることが可能である。
【００９３】
[0099]  ブロック５０４において、物品は、サブストレート・タガントおよび外部特徴タガント（例えば、タガント１３０、１３２、図１）を伴う第１の励起エネルギーにさらされる。例えば、物品は励起領域（例えば、励起ウィンドウ４２４（図４）の下で）に、または、それを通って送られることが可能である。そして、励起エネルギー・ジェネレータが物品に第１の励起エネルギー（例えば、励起エネルギー４２０、図４）を向けるようになる励起エネルギー・ジェネレータ（例えば、励起エネルギー・ジェネレータ４０４、図４）に、処理システム（例えば、処理システム４０２、図４）は制御信号を送信できる。別の実施形態として、励起エネルギー・ジェネレータは第１の励起エネルギーを連続的に提供できる、または、第１の励起エネルギーを、調整できる。各種実施形態において、所望の波長バンドの励起エネルギーを生成できるフィルタ処理ＬＥＤ、レーザーダイオードまたは他の光励起ソースを用いて、励起を、提供できる。
【００９４】
[00100]  ブロック５０６（ブロック５０４と併用して、または、若干の他の時間に実行されることができる）において、物品は、補足的なタガント（例えば、タガント１３４、図１）を伴う第２の励起エネルギーに、任意にさらされる。例えば、同じ励起エネルギー・ジェネレータに、または、励起エネルギー・ジェネレータが物品に第２の励起エネルギー（例えば、励起エネルギー４２２、図４）を向けるようになる他の励起エネルギー・ジェネレータに、処理システム（例えば、処理システム４０２、図４）は、制御信号を送ることができる。別の実施形態として、励起エネルギー・ジェネレータは第２の励起エネルギーを連続的に提供できる、または、第２の励起エネルギーを、調整できる。補足的なタガントが行わないときに、または、補足的なタガントのための励起エネルギーがサブストレートおよび／または外部特徴タガントのための補足的なエネルギーと同様であるときに、ブロック５０６を、除外できる。
【００９５】
[00101]  ブロック５０８において、物品に対する１および２励起エネルギーめの供給は中断される。そして、認証システムは物品（例えば、放射検出器４０６、４０８、図４によって、）から複数のバンドの中で放射を検出する。励起エネルギー・ジェネレータをオフにする（例えば、物品が静止しているままでありえる。そして、励起エネルギーが間断化されるシステムで）ことによって、または、励起エネルギーが目指している領域から離れて、そして、検出区域（例えば、検出窓４３２（図４）の下で）に物品を送ることによって、励起エネルギーの中断は、達成されることもできる。代替の実施形態では、システムが下に記載されている検出プロセスを実行すると共に、励起エネルギーの供給は続くことができる。
【００９６】
[00102]  放射検出は一つ以上の検出間隔で実行されることができる。そして、物品の方の励起エネルギーの方向が中断された時から、それは測定される。実施形態によれば、システムは少なくとも第１のバンドおよび第２のバンドの放射を検出するように構成される。但し、システムは、同様に、２つのバンドより多くのものの放射を検出するように構成されることができる。サブストレート・タガント（例えば、タガント１３０、図１）および外部特徴タガント（例えば、タガント１３２、図１）により生成される放射と関連した重なり合うバンドに、第１のバンドは対応する。より詳しくは、混乱した放射バンド（すなわち、サブストレート・タガント放射および外部特徴放射が重複するバンド）に、第１のバンドは対応する。補足的なタガント（すなわち、補足的なバンド）により生成される放射と関連したバンドに、第２のバンドは対応する。
【００９７】
[00103]  ブロック５１０―５１４（シーケンシャルに実行されてもよいかまたは平行でもよい）において、複数のバンドの中で検出放射の強度を量子化している情報は（例えば、処理システム４０２（図４）によって、）分析される。実施形態によれば、情報は、射出放射線の強度に対応するデジタル化された強度値（例えば、検出器４０６、４０８、図４の各々から）の一つ以上の直列を混乱したおよび補足的な放射バンドに含む。上記したように、放射が検出されるときに、単一値または値のセットはタグを付けられることが可能であるかまたは検出放射および時間の位置を示している情報にかかわることができる。デジタル化された強度値は、混乱したおよび補足的な放射バンドの検出放射の時間的および／または位置的特性を表す。
【００９８】
[00104]  ブロック５１０において、物品（例えば、真正な物品のサブストレートのみの領域（例えば、領域１６２、図１）である領域の）の一つ以上の第一部位において、サブストレートのみの放射の特性を有する放射が検出されるかどうか、判定はなされる。混乱した放射バンドの放射を検出するように構成される検出器（例えば、検出器４０６、図４）から受信されるデジタル化された強度値に基づいて、この判定はなされる。実施形態によれば、一度にデジタル化された強度値が生成された時に対応して、サブストレートのみの領域のための適切な認証しているパラメータ範囲（例えば、発光強度範囲）を決定することによって、混乱した放射バンドの放射特性を、分析できる。例えば、前に述べられるように、検出母数空間を定める一つ以上のテーブルの認証システムによって、適切な認証しているパラメータ範囲を、維持できる。実施形態において、この種の範囲の倍数（例えば、最高４つ）をデジタル化された強度値に関連させることによって、複数の方位分析を、実行できる。ここで、複数の範囲は物品の複数の可能な方位と一致する。
【００９９】
[00105]  デジタル化された強度値が値と関連した領域および時間の間の適切な認証しているパラメータ範囲の中で減少するときに、サブストレートのみの放射の特性を有する放射が検出されたという判定はなされることができる。さもなければ、値と関連した領域および時間の間の適切な認証しているパラメータ範囲（または複数の方位分析が実行される認証しているパラメータ範囲の全て）の外側でデジタル化された強度値が減少するときに、サブストレートのみの放射の特性を有する放射が検出されなかったという判定はなされることができる。実施形態によれば、複数のデジタル化された強度値は第一部位において、分析されることができる。そして、判定によって、強度値の一つ以上が適切な認証しているパラメータ範囲の外側で減少できることができる、その一方で、正の結果をさらに得る。換言すれば、判定は、受け入れられる精度までなされることができる。物品（すなわち、強度値が受け入れられる精度まで検出母数空間の中で減少しないことを分析は示す）の一つ以上の第一部位において、サブストレートのみの放射の特性を有する放射が検出されなかったという判定がなされるときに、システムは物品を出所不明であると確認することができて、ブロック５２２の対応する動きになることができる。そして、それは下に更に詳細に記載される。
【０１００】
[00106]  ブロック５１２において、物品（例えば、真正な物品の外部特徴領域（例えば、領域１６４、図１）である領域の）の一つ以上の第２の領域において、混乱した放射の特性を有する放射が検出されるかどうか、判定はなされる。また、混乱した放射バンドの放射を検出するように構成される検出器（例えば、検出器４０６、図４）から受信されるデジタル化された強度値に基づいて、この判定はなされる。実施形態によれば、一度に、上記のように、デジタル化された強度値が生成された時に対応して、外部特徴領域のための適切な認証しているパラメータ範囲（例えば、発光強度範囲）を決定することによって、混乱した放射バンドの放射特性を、分析できる。
【０１０１】
[00107]  デジタル化された強度値が値と関連した領域および時間の間の適切な認証しているパラメータ範囲の中で減少するときに、混乱した放射の特性を有する放射が検出されたという判定はなされることができる。さもなければ、値と関連した領域および時間の間の適切な認証しているパラメータ範囲（または複数の方位分析が実行される認証しているパラメータ範囲の全て）の外側でデジタル化された強度値が減少するときに、混乱した放射の特性を有する放射が検出されなかったという判定はなされることができる。実施形態によれば、前述したように、判定は、受け入れられる精度までなされることができる。物品（すなわち、強度値が受け入れられる精度まで検出母数空間の中で減少しないことを分析は示す）の一つ以上の第２の領域において、混乱した放射の特性を有する放射が検出されなかったという判定がなされるときに、システムは物品を出所不明であると確認することができて、ブロック５２２の対応する動きになることができる。そして、それは下に更に詳細に記載されている。
【０１０２】
[00108]  ブロック５１４（補足的なタガントが物品に組み込まれる実施形態において、実行されることができる）において、物品（例えば、補足的なタガント（例えば、タガント１３４、図１）が真正な物品に存在する領域の）の一つ以上の領域において、補足的な放射の特性を有する放射が検出されるかどうか、判定は、なされる。また、補足的な放射バンドの放射を検出するように構成される検出器（例えば、検出器４０８、図４）から受信されるデジタル化された強度値に基づいて、この判定は、なされる。実施形態によれば、一度に、上記のように、デジタル化された強度値が生成された時に対応して、補足的なタガントのための適切な認証しているパラメータ範囲（例えば、発光強度範囲）を決定することによって、補足的な放射バンドの放射特性を、分析できる。
【０１０３】
[00109]  デジタル化された強度値が値と関連した領域および時間の間の適切な補足的なタガント範囲の中で減少するときに、補足的な放射の特性を有する放射が検出されたという判定はなされることができる。さもなければ、値と関連した領域および時間の間の適切な補足的なタガント範囲（または、複数の方位分析が実行されるときに補足的なタガントの全ては変動する）の外側でデジタル化された強度値が減少するときに、補足的な放射の特性を有する放射が検出されなかったという判定はなされることができる。実施形態によれば、前述したように、判定は、受け入れられる精度までなされることができる。物品（すなわち、強度値が受け入れられる精度まで検出母数空間の中で減少しないことを分析は示す）の一つ以上の領域において、補足的な放射の特性を有する放射が検出されなかったという判定がなされるときに、システムは物品を出所不明であると確認することができて、ブロック５２２の対応する動きになることができ、下に更に詳細に記載する。
【０１０４】
[00110]  実施形態によれば、サブストレートのみの、混乱したおよび補足的な放射の分析は、放射の強度（または集積された強度）の分析を含む。したがって、上記の通りで、適切な認証しているパラメータ範囲は、発光強度範囲を含む。他の実施形態では、サブストレートのみの、混乱したおよび補足的な放射の分析でもある、または、代わりに混乱したおよび補足的なバンドの中で放射の崩壊時間を決定することを含むことができる。したがって、適切な認証している指標は、また、変動するかまたは代わりに減衰時定数領域を含むことができる。実施形態において、崩壊時間は、複数回（例えば、ｔ＝０、ｔ＝０．１ミリ秒、など）で、放射の検出強度に基づいて決定されることができる。励起エネルギーの除去に応じて、放射の強度は時間とともに衰える。そして、放射イオンのための減衰の率は減衰時定数によって、特徴づけられることが可能である。発光強度の単純な指数関数的減衰のために例えば、減衰時定数は、方程式の一定のτにより表されることができる：
Ｉ（ｔ）＝Ｉ０ｅ-t/τ          （式１）
ここで、ｔは時間を意味し、Ｉ（ｔ）は時刻ｔの発光強度を意味し、ｔ＝０（例えば、励起エネルギーの供給が中断されるときに、ｔ＝０は瞬間に対応する）で、Ｉ０は発光強度を意味する。いくつかのルミネセンス物質のための発光強度が上記の単純な指数公式に従って壊変できるにもかかわらず、複数の指数関数的減衰（例えば、減衰に影響を及ぼしている複数の機構が存在するとき）に、他の発光材料のための発光強度は影響を受けることができる。場合によっては、特にエネルギー遷移が機構の一部であるときに、ルミネセンス物質は単純な一つの指数関数的減衰も呈することができない。
【０１０５】
[00111]  ブロック５１０、５１２および５１４の決定の各々が正の結果（すなわち、サブストレートのみの、混乱したおよび補足的な放射は各々適切に検出された）を得るときに、それからブロック５２０で、システムは物品を「真正である」と確認することができて、対応する動きになることができる。例えば、システムによって、確実性のユーザ認知可能な徴候をもたらすことができて、および／またはルーティング・システムのコンポーネントが真正な物品に指定されるルートまたはｂｉｎの方へ物品を送るようになる場合がある。別の実施形態として、ブロック５１０、５１２および５１４の決定の一つ以上が否定的結果（すなわち、サブストレートのみの、混乱したおよび／または補足的な放射は適切に検出されなかった）を得るときに、ブロック５２２で、システムは物品を「出所不明である」と確認することができて、対応する動きになることができる。例えば、システムによって、不確実のユーザ認知可能な徴候をもたらすことができて、および／またはルーティング・システムのコンポーネントが出所不明の物品に指定されるルートまたはｂｉｎの方へ物品を送るようになる場合がある。
【０１０６】
[00112]  例示の実施形態によれば、図６は、サブストレートのみの領域および物品の外部特徴領域の複数の波長でさまざまなタガントの放射強度を代行しているグラフ６００である。例において、サブストレート・タガントは物品サブストレートに含まれた、そして、基板表面において、印刷される媒体（例えば、インク）に、外部特徴タガントは含まれた。サブストレート・タガントは放射６０２（例えば、物品のサブストレートのみの領域において、認知可能な放射を模倣する）を生成した、そして、サブストレート・タガントおよび外部特徴タガントの組合せは放射６０４（例えば、物品の外部特徴領域において、認知可能な放射を模倣する）を生成した。
【０１０７】
[00113]  グラフ６００を生成するために、外部特徴のない第１の測定用試料は、生成された。特により多く、Ｃｒから成るサブストレート・タガント材料：Ｎｄ：ＹＧＧ（２０重量％のＣｒおよび母体格子材料ＹＧＧの０．７重量％のＮｄを有する）は、紙ハンドシート物品サブストレートに追加された。第１の測定用試料からの生産物放射６０２に、ＬＥＤはクロム吸収帯（典型的に６６０ナノメートルで）にサブストレート・タガント材料を励起するために用いられ、放射６０２は検出された。
【０１０８】
[00114]  外部特徴を有する第２の測定用試料も、生成された。より詳しくは、インク・ベースおよびＣｒ：Ｎｄ：Ｙｂ：ＹＧＧ（２０重量％のＣｒ、０．７重量％のＮｄおよび母体格子材料ＹＧＧの０．５重量％のＹｂを有する）から成る外部特徴タガント材料を包含するインクが作製された。サブストレート・タガント材料を含んだ紙ハンドシート・サブストレートの表面に、インクは、印刷された。第２の測定用試料からの生産物放射６０４に、ＬＥＤはクロム吸収帯にサブストレート・タガント材料および外部特徴タガント材料を励起するために用いた。そして、結果としてバンド６１０（〜８７０乃至９０５ナノメートルで）のサブストレートおよび外部特徴からネオジム放射に重なることによる混乱した放射、バンド６１２（〜９３０乃至９５０ナノメートルで）、バンド６１４（〜１０５５乃至１０７０ナノメートルで）およびバンド６１６（〜１１１０乃至１１２０ナノメートルで）になった。
【０１０９】
[00115]  示されているように、外部特徴タガント材料とサブストレート・タガント材料の差異は外部特徴タガント材料がイッテルビウムを含んだということであった、そして、サブストレート・タガント材料はそうしなかった。外部特徴タガントにおいて、ＹＧＧ格子のイッテルビウムの存在はわずかに格子構造を歪めたので、放射６０４の混乱したピークは単独で、サブストレート・タガントからの放射６０２のピークと同じ必ずしも帯放射を呈しなかった。これは、混乱した放射の基準を満たす。
【０１１０】
[00116]  外部特徴タガントにも存在するイッテルビウムは、補足的な放射を生成した補足的なイオンとして機能した。より詳しくは、補足的な帯放射（例えば、補足的なバンド６２０の）は、イッテルビウムの存在のため、外部特徴タガント材料から存在した。実施形態によれば、補足的なバンド（例えば、バンド６２０）の補足的な放射をもたらすために外部特徴材料（例えば約９７０ナノメートルの補足的な励起エネルギーを用いて）の補足的なイオン（例えば、イッテルビウム）単独を励起することは、可能である。例において、イッテルビウムが単独で励起される（すなわち、ネオジムは励起されない）場合、混乱した放射は存在はしなくてもよい。図６において、補足的なバンド６２０に対応する主要なピーク６０６は主に約１０３０ナノメートルに集中している。そして、軽微なピーク６０８は約９７０ナノメートルに集中している。
【０１１１】
[00117]  他の例示の実施形態によれば、図７は、サブストレートのみの領域および物品の外部特徴領域の複数の波長でさまざまなタガントの放射強度を代行しているグラフ７００である。図６の実施形態と図７の実施形態の主要な差異は図６の放射６０２に対して責任があるサブストレート・タガント材料がホスト材料としてＹＧＧを含んだということであるが、図７の放射７０２に対して責任があるサブストレート・タガント材料はホスト材料としてＹＡＧを含んだ。しかしながら、両方の実施形態において、外部特徴タガントのためのホスト材料は、ＹＡＧを含んだ。サブストレート・タガントおよび外部特徴タガントのためのホスト材料が同じことである必要がないことを示すために、図７の実施形態は提供される。
【０１１２】
[00118]  図６の前例と同様に、図７の実施形態で、サブストレート・タガントは物品サブストレートに含まれた、そして、基板表面において、印刷される媒体（例えば、インク）に、外部特徴タガントは含まれた。サブストレート・タガントは放射７０２（例えば、物品のサブストレートのみの領域において、認知可能な放射を模倣する）を生成した、そして、サブストレート・タガントおよび外部特徴タガントの組合せは放射７０４（例えば、物品の外部特徴領域において、認知可能な放射を模倣する）を生成した。
【０１１３】
[00119]  グラフ７００を生成するために、外部特徴のない第３の測定用試料は、生成された。より詳しくは、Ｃｒ：Ｎｄ：ＹＡＧ（２０重量％のＣｒおよび母体格子材料ＹＡＧの０．７重量％のＮｄを有する）から成るサブストレート・タガント材料は、紙ハンドシート物品サブストレートに追加された。第３の測定用試料からの生産物放射７０２に、ＬＥＤはクロム吸収帯（典型的に６６０ナノメートルで）にサブストレート・タガント材料を励起するために用いた、そして、放射７０２は検出された。
【０１１４】
[00120]  外部特徴を有する第４の測定用試料も、生成された。より詳しくは、インク・ベースおよびＣｒ：Ｎｄ：Ｙｂ：ＹＧＧ（２０重量％のＣｒ、０．７重量％のＮｄおよび母体格子材料ＹＧＧの０．５重量％のＹｂを有する）から成る複数のバンド特徴タガント材料を含んだインクは作製された。サブストレート・タガント材料を含んだ紙ハンドシート・サブストレートの表面に、インクは印刷された。第２の測定用試料からの生産物放射７０４に、ＬＥＤはクロム吸収帯にサブストレート・タガント材料および外部特徴タガント材料を励起するために用いた。そして、結果としてバンド７１０（〜８７０乃至９０５ナノメートルで）の混乱した放射、バンド７１２（〜９３０乃至９５０ナノメートル）、バンド７１４（〜１０５５乃至１０７０ナノメートル）およびバンド７１６（〜１１１０乃至１１２０ナノメートル）になった。
【０１１５】
[00121]  もう一度、外部特徴タガントで、ＹＧＧ格子のイッテルビウムの存在はわずかに格子構造を歪めたので、放射７０４の混乱したピークは単独で、サブストレート・タガントからの放射７０２のピークと同じ必ずしも帯放射を呈しなかった。更に、イッテルビウムは、補足的なバンド７２０の補足的な放射を生成した。
【０１１６】
[00122]  少なくとも一つの例示的実施形態が前述の詳細な説明に示されると共に、非常に多くの変化が存在することが理解されるべきである。例示的実施形態または例示的実施形態が実施形態だけで、いかなる形であれ発明の内容の範囲、適用可能性または構成を制限することを目的としないとも認められなければならない。ラザー（詳細な説明が本発明の例示的実施態様を実施して便利なロードマップをもつ当業者を提供する前述）理解されているそれ、関数および本発明の範囲内において、請求項に記載したように例示的実施形態に記載されている元素およびそれらの正当な等価物の配置において、さまざまな変化はなされることができる。
【図１】
2014525580.tif 000003
【図２】
2014525580.tif 000004
【図３】
2014525580.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2014525580.tif 000009
【手続補正書】
【提出日】平成26年5月1日(2014.5.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一表面および第１の発光タガントを有するサブストレートであって、サブストレートがサブストレート励起エネルギーにさらされるとき、第１の発光タガントがサブストレート放射バンドのサブストレート放射を生成することを特徴とする、サブストレートと、
第１の発光タガントが存在する第一表面の一部の近位に配置された外部特徴と、
を有し、
外部特徴が外部特徴励起エネルギーにさらされるとき、外部特徴が、重なり合う放射バンドのサブストレート放射バンドに少なくとも部分的に重なる外部特徴放射バンドの外部特徴放射を生成する第２の発光タガントを含み、
第一表面の部分で、サブストレート放射と識別可能である混乱した放射を生成するために、サブストレート放射および外部特徴放射が、重なり合う放射バンドに一体化する、ことを特徴とする物品。
【請求項２】
サブストレートを包含する物品を認証する方法であって、
基板表面を励起エネルギーにさらすステップと、
表面の第一の領域において、第１の放射特性を有する第１の放射が第１の放射バンドにおいて、検出されるかどうか判断するステップであって、第１の放射は励起エネルギーの結果として生じ、外部特徴が真正な物品に存在しない領域に、第一の領域が対応することを特徴とするステップと、
表面の第２の領域で、第１の放射特性と異なる第２の放射特性を有する第２の放射が、第１の放射バンドにおいて、検出されるかどうか判断するステップであって、第２の放射が、励起エネルギーの結果として生じ、第２の領域が外部特徴が真正な物品に存在する領域に対応する、ことを特徴とするステップと、
を有する方法。
【請求項３】
サブストレートを包含する物品を認証する装置であって、
基板表面に励起エネルギーを向けるように構成される一つ以上の励起エネルギー発生器と、
第１の放射バンドの第１の放射を検出するように構成される第１の放射検出器と、
表面の第一の領域において、第１の放射特性を有する第１の放射が第１の放射バンドにおいて、検出されるかどうかを決定するように構成される処理システムと、
を有し、
第１の放射は励起エネルギーの結果として生じ、外部特徴が真正な物品に存在しない領域に、第一の領域が対応し、処理システムが、表面の第２の領域で、第１の放射特性と異なる第２の放射特性を有する第２の放射が第１の放射バンドにおいて、検出されるかどうかを決定するように更に構成され、第２の放射は、励起エネルギーの結果として生じ、第２の領域は、外部特徴が真正な物品に存在する領域に対応する、ことを特徴とする装置。
【国際調査報告】
2014525580.tif 000010
2014525580.tif 000011