(57)【要約】  微細構造化表面の深さにわたって電磁特性の変化をもたらす、少なくとも１つの微細構造化表面を有する電磁波アイソレータを提供する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも、第１及び第２の主表面を有する第１のセクションと、第１及び第２の表面を有する隣接する第２のセクションとを備える電磁波アイソレータであって、前記複数のセクションのうちの少なくとも１つが微細構造化主表面を有する、電磁波アイソレータを備える、物品。
【請求項２】
前記少なくとも１つのセクションの前記微細構造化主表面が、前記隣接する第２のセクションに面していない、請求項１に記載の物品。
【請求項３】
前記少なくとも１つのセクションの前記微細構造化主表面が、前記隣接する第２のセクションに面している、請求項１に記載の物品。
【請求項４】
前記第１及び第２のセクションの両方が微細構造化表面を有する、請求項１に記載の物品。
【請求項５】
前記第１及び第２のセクションの両方が、微細構造化境界面を形成する微細構造化表面を有する、請求項１に記載の物品。
【請求項６】
少なくとも１つのセクションが、微細構造化された第１及び第２の主表面を有する、請求項１に記載の物品。
【請求項７】
第１及び第２の主表面を有する第３のセクションを更に備え、前記第３のセクションが、前記第１又は第２のセクションのうちの一方又は両方に隣接する、請求項１に記載の物品。
【請求項８】
少なくとも、第１及び第２の主表面を有する第１のセクションと、第１及び第２の表面を有する隣接する第２のセクションとを備える電磁波アイソレータであって、前記複数のセクションのうちの少なくとも１つが、少なくとも１つの主表面上に微細構造化特徴部を有する、電磁波アイソレータと、
前記電磁波アイソレータに結合される構成要素であって、電磁波の受容、及び電磁波の生成のうちの一方又は両方を行う構成要素と、を備え、
前記構成要素によって生成又は受容される波が、前記電磁波アイソレータの１つ以上のセクション内にあるときに、前記波が、前記電磁波アイソレータのセクションの少なくとも１つの主表面上の前記微細構造化特徴部の周期性よりも大きい波長を有する、物品。
【請求項９】
前記構成要素によって生成又は受容される波が、前記電磁波アイソレータの１つ以上のセクション内にあるときに、前記波が、前記電磁波アイソレータのセクションの少なくとも１つの主表面上の前記微細構造化特徴部の前記周期性及び高さよりも大きい波長を有する、請求項８に記載の物品。
【請求項１０】
前記電磁波アイソレータの一部分と前記構成要素との間に空気が位置する、請求項８に記載の物品。
【請求項１１】
前記第１のセクションを構成する材料が、前記第２のセクションを構成する材料とは異なる、請求項８に記載の物品。
【請求項１２】
前記第１のセクションを構成する前記材料がカルボニル鉄充填樹脂であり、前記第２のセクションを構成する前記材料がガラス球充填樹脂である、請求項１１に記載の物品。
【請求項１３】
前記電磁波アイソレータの少なくとも１つのセクションが高誘電率材料又は高透過率材料を備える、請求項１又は８に記載の物品。
【請求項１４】
前記電磁波アイソレータの前記第１及び第２のセクションが、異なる誘電率を有する材料を備え、前記電磁波アイソレータの前記第１及び第２のセクションの誘電率の比率が約２．５〜約１０００である、請求項１又は８に記載の物品。
【請求項１５】
前記電磁波アイソレータの前記第１及び第２のセクションが、異なる透過率を有する材料を備え、前記電磁波アイソレータの前記第１及び第２のセクションの透過率の比率が約３〜約１０００である、請求項１又は８に記載の物品。
【請求項１６】
少なくとも１つのセクションが微細構造化部分と基底部分を備え、前記微細構造化表面が、前記基底部分の主軸に対して水平でない表面と垂直でない表面とを有する特徴部を備える、請求項１又は８に記載の物品。
【請求項１７】
少なくとも１つのセクションが、微細構造化部分と基底部分を備え、前記微細構造化表面が、前記基底部分の主軸に対して水平の表面と垂直の表面とを有する特徴部を備える、請求項１又は８に記載の物品。
【請求項１８】
前記微細構造化表面が特徴部を備え、前記特徴部の高さ、幅、深さ、及び周期性のうちの１つ以上が、約１〜約２０００マイクロメートルである、請求項１又は８に記載の物品。
【請求項１９】
前記微細構造化表面が、該微細構造化表面を形成する個々の特徴部の基底間に約１〜約２０００マイクロメートルの距離を有する、請求項１又は８に記載の物品。
【請求項２０】
前記微細構造化表面が、少なくとも２つの異なるタイプの特徴部を備える、請求項１又は８に記載の物品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
（関連出願の相互参照）
本願は、２０１０年１１月１８日に出願された米国仮特許出願第６１／４１５０９０号の利益を主張する。
【０００２】
（発明の分野）
本発明は、微細構造化表面を有する電磁波アイソレータに関する。
【背景技術】
【０００３】
無線周波数識別子（ＲＦＩＤ）タグは、在庫制御及びセキュリティといった、多様な用途において使用される。これらのＲＦＩＤタグは、典型的に、物品、又は段ボール箱などの容器の上若しくは中に配置される。ＲＦＩＤタグは、ＲＦＩＤ基地局又は読取器と協働する。読取器は、特定の搬送周波数で作用する、電磁波出力を供給する。読取器から伝送される信号は、ＲＦＩＤタグアンテナと結合して、アンテナ中で電流を生成する。アンテナ電流は、読取器の周波数で発生される後方散乱電磁波を生成する。ほとんどのＲＦＩＤタグは、情報を記憶することができる集積回路を内蔵する。これらの集積回路は、それを下回ると、それらが機能することができず、タグを読み取ることができない、最小要求電圧を有する。ＲＦＩＤアンテナ中の電流のうちの一部は、アンテナにわたって異なる電圧を介して、ＲＦＩＤタグの集積回路に給電するために利用され、次いで、集積回路は、タグに特異的な情報として、後方散乱信号を変調するように、この電力を使用する。読取器に近接するＲＦＩＤタグは、読取器から物理的により遠くにあるＲＦＩＤタグと対照的に、豊富なエネルギーを受容し、したがって、十分な電圧をその集積回路に供給することができる。依然としてＲＦＩＤタグを読み取ることができる、読取器とＲＦＩＤタグとの間の最大距離は、読取距離として知られる。明らかに、より大きな読取距離は、ほぼ全てのＲＦＩＤ用途に有益である。
【０００４】
ＲＦＩＤシステムは、商業的ＲＦＩＤ用途に対して、いくつかの異なる周波数領域で動作する。低周波数（ＬＦ）範囲は、約１２５〜１５０ｋＨｚである。高周波数（ＨＦ）範囲は、１３．５６ＭＨｚであり、超高周波数（ＵＨＦ）領域は、８５０〜９５０ＭＨｚ、２４５０ＭＨｚ、及び５．８ＧＨｚの極超高周波数領域（ＳＨＦ）を含む。
【０００５】
超高周波数（ＵＨＦ）範囲において動作するＲＦＩＤタグの１つの利点は、低又は高周波数で動作するタグよりもはるかに大きな読取距離を有する潜在性である。残念ながら、超高周波数ＲＦＩＤタグは、タグが、金属基材、又は高い含水量を伴う基材の近接近にあるときに、読み取ることができない。このため、金属容器、又は導電性液体、例えば、清涼飲料を収容するボトルに取り付けられるＲＦＩＤタグは、いかなる距離からも読み取ることができない。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の少なくとも１つの実施形態は、ＲＦＩＤタグの動作を妨害する可能性がある基材、特に、金属基材、並びに液体を収容するために使用される基材と併せて、例えば、高周波数ＲＦＩＤタグとともに使用することができる、電磁波アイソレータを提供する。
【０００７】
本発明の少なくとも１つの実施形態は、少なくとも、第１及び第２の主表面を有する第１のセクションと、第１及び第２の表面を有する隣接する第２のセクションとを備える電磁波アイソレータであって、複数のセクションのうちの少なくとも１つが微細構造化主表面を有する、電磁波アイソレータを備える、物品を提供する。
【０００８】
本発明の少なくとも１つの実施形態は、少なくとも、第１及び第２の主表面を有する第１のセクションと、第１及び第２の表面を有する隣接する第２のセクションとを備える電磁波アイソレータであって、複数のセクションのうちの少なくとも１つが、少なくとも１つの主表面上に微細構造化特徴部を有する、電磁波アイソレータと、電磁波アイソレータに結合される構成要素であって、電磁波の受容、及び電磁波の生成のうちの一方又は両方を行う構成要素と、を備え、構成要素によって生成又は受容される波が、電磁波アイソレータのセクションの少なくとも１つの主表面上の微細構造化特徴部の周期性よりも大きい波長を有する、物品を提供する。
【０００９】
本発明で用いられる場合、
「微細構造化」は、表面上の構造的要素又は特徴部を有し、その要素又は特徴部の寸法のうちの少なくとも１つ、例えば、高さ、幅、深さ、及び周期性が、マイクロメートル尺度で、例えば、約１マイクロメートル〜約２０００マイクロメートルであることを意味する。
「高誘電率」は、５よりも大きい誘電率を有することを意味し、
「高透過率」は、３よりも大きい透過率を有することを意味する。
【００１０】
本発明の少なくとも１つの実施形態の利点は、所与のアイソレータ厚さに対して、より長い読取距離を提供する、アイソレータである。
【００１１】
本発明の少なくとも１つの実施形態の別の利点は、所与の読取距離に対して、より薄いアイソレータを提供する、アイソレータである。
【００１２】
上記の本発明の概要は、開示される本発明の実施形態のそれぞれ又は全ての実施の態様を説明することを目的としたものではない。以下の添付図面及び詳細な説明により、例示的な実施形態をより具体的に例示する。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の電磁波アイソレータの一実施形態を図示する。
【図２ａ】２つ以上の材料でできている本発明の電磁波アイソレータの実施形態の異なる概略断面図を図示する。
【図２ｂ】２つ以上の材料でできている本発明の電磁波アイソレータの実施形態の異なる概略断面図を図示する。
【図２ｃ】２つ以上の材料でできている本発明の電磁波アイソレータの実施形態の異なる概略断面図を図示する。
【図２ｄ】２つ以上の材料でできている本発明の電磁波アイソレータの実施形態の異なる概略断面図を図示する。
【図２ｅ】２つ以上の材料でできている本発明の電磁波アイソレータの実施形態の異なる概略断面図を図示する。
【図２ｆ】２つ以上の材料でできている本発明の電磁波アイソレータの実施形態の異なる概略断面図を図示する。
【図２ｇ】２つ以上の材料でできている本発明の電磁波アイソレータの実施形態の異なる概略断面図を図示する。
【図２ｈ】２つ以上の材料でできている本発明の電磁波アイソレータの実施形態の異なる概略断面図を図示する。
【図２ｉ】２つ以上の材料でできている本発明の電磁波アイソレータの実施形態の異なる概略断面図を図示する。
【図２ｊ】２つ以上の材料でできている本発明の電磁波アイソレータの実施形態の異なる概略断面図を図示する。
【図２ｋ】２つ以上の材料でできている本発明の電磁波アイソレータの実施形態の異なる概略断面図を図示する。
【図２ｌ】２つ以上の材料でできている本発明の電磁波アイソレータの実施形態の異なる概略断面図を図示する。
【図３】本発明の電磁波アイソレータの一実施形態を図示する。
【図４】非対称の段階的な錐体の微細構造化特徴部を有する、本発明の電磁波アイソレータの一実施形態を図示する。
【図５】放物体微細構造化特徴部を有する、本発明の電磁波アイソレータの一実施形態の概略断面図を図示する。
【図６】本発明の電磁波アイソレータの一実施形態の上面及び側面図を図示する。
【図７】四面体微細構造化特徴部を有する、本発明の電磁波アイソレータの一実施形態を図示する。
【図８】円筒形支柱の微細構造化特徴部を有する、本発明の電磁波アイソレータの一実施形態を図示する。
【図９】二峰性微細構造化特徴部を有する、本発明の電磁波アイソレータの一実施形態の概略断面図を図示する。
【図１０】本発明の電磁波アイソレータを含む、ＲＦＩＤタグシステムの一実施形態を図示する。
【図１１】本発明のアイソレータ及び比較物品の厚さを、それらの読取範囲と比較するグラフを図示する。
【図１２】本発明のアイソレータ及び比較物品の厚さを、それらの読取範囲と比較するグラフを図示する。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下の説明において、本明細書の説明の一部を構成しいくつかの特定の実施形態が例として示される添付の一連の図面を参照する。本発明の範囲又は趣旨を逸脱せずに、その他の実施形態が考えられ、実施され得ることを理解すべきである。したがって、以下の詳細な説明は、限定的な意味で解釈されるべきではない。
【００１５】
他に指示がない限り、本明細書及び特許請求の範囲で使用される特徴の大きさ、量、物理特性を表わす数字は全て、どの場合においても用語「約」によって修飾されるものとして理解されるべきである。それ故に、そうでないことが示されない限り、前述の明細書及び添付の特許請求の範囲で示される数値パラメータは、当業者が本明細書で開示される教示内容を用いて、目標対象とする所望の特性に応じて、変化し得る近似値である。終点による数の範囲の使用は、その範囲内（例えば、１〜５は、１、１．５、２、２．７５、３、３．８０、４、及び５を含む）の全ての数及びその範囲内の任意の範囲を含む。
【００１６】
本発明の一態様は、少なくとも１つの微細構造化表面又は界面を有する、電磁波アイソレータである。微細構造化表面又は界面は、微細構造化部分（複数を含む）の深さにわたる電磁特性の変化を提供する。変化は、斬進的変化又は段階的変化であってもよい。本発明の電磁波アイソレータは、その物理的特徴により、少なくとも部分的に電磁特性におけるこの変化を達成する。これは、アイソレータの各層を作製するために使用される材料の電磁特性の変化による、又はアイソレータの特定の層内の組成勾配によって、アイソレータの深さにわたる電磁特性の変化を達成する、先行技術の電磁波アイソレータとは対照的である。図１は、錐体形の微細構造化表面を有する、本発明の電磁波アイソレータを例示し、微細構造化部分における、等価誘電率（ε０；ε１＞ε０；ε２＞ε１；及びε３＞ε２）の一部の例示的な平面を示す。透過率といった他の電磁特性が、対応して同様の変形例を有するであろう。少なくとも１つの実施形態において、微細構造化部分は、微細構造化特徴の周期性、又は周期性及び高さの少なくとも１つが、アイソレータ材料内の電磁波長未満であるときに、電磁特性勾配を効果的に提供する。微細構造化周期性よりもはるかに大きな電磁波長に関して、微細構造化部分（複数を含む）は、電磁特性が、微細構造化部分の表面又は界面の形状に依存して、自由空間（若しくは異なる材料）から、基底部分、即ち、微細構造化部分と同じ材料でできているが、微細構造化特徴部を含有しない、微細構造化部分に隣接する微細構造化アイソレータセクションの部分へと変化する、媒体を作成する。電磁特性、微細構造化パターン、全体的なアイソレータ厚さ、及び微細構造化部分の厚さの基底部分の厚さに対する比率の適切な整合により、構成物の反射率及び／又はアイソレータ特徴部は、特定のアンテナ設計に対して強化することができる。アイソレータ媒体における波長が、微細構造化パターンの周期性未満である、電磁周波数に関して、本発明の少なくとも１つの実施形態において、微細構造化特徴部は、アイソレータ構成物におけるその領域内の有効な電磁特性を変化させる方法としての役割をする。アイソレータ媒体における波長は、λｏ（εｒμｒ）−１／２によって求められる。εｒ＝３００、μｒ＝１、及び２ｍｍの周期性を有する微細構造化特徴部を有するアイソレータに関して、遮断周波数は、約９ＧＨｚである。微細構造化された錐体形のアレイを有するアイソレータは、約９ＧＨｚよりも低い電磁放射に対して、微細構造化領域内で連続的に変化する誘電率を有するかのように挙動するであろう。約９ＧＨｚを上回ると、微細構造化特徴部は、より別個の構造として挙動する。εｒ＝３０、μｒ＝１、及び０．３ｍｍの周期性を有する微細構造化特徴部を有するアイソレータに関して、遮断周波数は、約２００ＧＨｚである。
【００１７】
本発明の少なくとも１つの実施形態において、微細構造化表面は、アンテナの全体平面に平行ではない界面を作成（又は提供）し、界面の両側のアイソレータの界面及び隣接する３次元の特徴部は、対照的な電磁特性の材料を含む容積を画定する。
【００１８】
本発明の電磁波アイソレータの少なくとも１つの実施形態は、少なくとも１つの表面が、特徴部の反復するアレイを有するように、構成体に形成される、高誘電率及び／又は高透過率充填剤材料が填加された結合剤材料を含む。高誘電率及び／又は高透過率充填剤が填加された結合剤材料は、ウェブベースのプロセスにあるように、連続的な微細構造化フィルム又はシートに形成することができるか、又はそれは、非常に特異的な形状若しくは用途のために設計されるものといった、個々の部品を産生するプロセスにおいて利用することができる。典型的に、材料は、約８０重量％〜約９５重量％の充填剤を含む。しかしながら、量は、結合剤及び充填剤の特定の重力、並びに粒子の形状、結合剤との粒子の相溶性、製造プロセスのタイプ、溶媒を使用するかどうか、及びどのタイプの溶媒を使用するか等といった、他のパラメータに極めて依存する。
【００１９】
本発明の少なくとも１つの実施形態において、結合剤（典型的に、少濃度）は、高誘電率又は高透過率材料と混合することができ、微細構造化パターンを形成することができ、結合剤は蒸発又は焼失させることができ、構成物を焼結することができる。
【００２０】
好適な結合剤としては、熱可塑材、熱硬化材、硬化性液体、熱可塑性エラストマー、又は充填剤を分散及び結合するための他の既知の材料が挙げられる。具体的な好適な材料としては、ポリエチレン、ポリプロピレン、シリコーン、シリコーンゴム、ポリオレフィンコポリマー、ＥＰＤＭ等といった、比較的非極性の材料；塩素化ポリエチレン、アクリレート、ポリウレタン等といった、極性材料；及びエポキシ、アクリレート、ウレタン等といった硬化性材料；及び非硬化性材料が挙げられる。本発明のアイソレータを作製するために使用される結合剤材料は、ガラス泡、空気（例えば、泡を作成するため）、及びＴＥＦＬＯＮ（登録商標）といったポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）を含む、異なるタイプの低誘電率充填剤が填加されてもよい。ＴＥＦＬＯＮ（登録商標）といったＰＴＦＥもまた、結合剤として単独で使用されてもよい。本発明のアイソレータの１つ以上のセクションを作製するために使用される材料は、充填剤がより自由に流れ、使用される場合、結合剤に混合することを可能にし、粒子のより高濃度でのより効果的な混合を可能にするように、高誘電率又は高透過率充填剤と混合される、米国特許公開第２００８／０１５３９６３号に説明されるものといった、少濃度の相溶剤処理したナノ粒子が填加されてもよい。
【００２１】
本発明のアイソレータの１つ以上のセクションを作製するために使用される材料は、フェライト材料（Ｔｒａｎｓ−Ｔｅｃｈ  ＩｎｃからのＣＯ２Ｚ）、商標名でＳＥＮＤＵＳＴと称されるが、ＫＯＯＬ  Ｍｕ（Ｍａｇｎｅｔｉｃｓ  Ｉｎｃ、ｗｗｗ．ｍａｇ−ｉｎｃ．ｃｏｍ）といった他の商品名でも入手可能な鉄／シリコン／アルミニウム材料、商品名ＰＥＲＭＡＬＬＯＹで入手可能な鉄／ニッケル材料、又はＣａｒｐｅｎｔｅｒ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ  Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ（ｗｗｗ．ｃａｒｔｅｃｈ．ｃｏｍ）から入手可能なその鉄／ニッケル／モリブデン類ＭＯＬＹＰＥＲＭＡＬＬＯＹ、並びにアニールされていない、アニールされた、及び任意にリン酸若しくは何らかの他の表面不動態化剤で処理されてもよい、カルボニル鉄といった、軟質磁性材料が填加されてもよい。軟質磁性材料は、球体、プレート、フレーク、ロッド、繊維、無定形といった、種々の形状を有してもよく、マイクロ又はナノサイズであってもよい。
【００２２】
代替的に、本発明のアイソレータの１つ以上のセクションを作製するために使用される材料は、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、二酸化チタン、カーボンブラック、又は米国仮特許出願第６１／２８６２４７号に説明される炭素修飾チタン酸バリウム材料を含む他の既知の高誘電率材料を含む、異なるタイプの高誘電率充填剤が填加されてもよい。ナノサイズの高誘電率粒子及び／又は高誘電率共役ポリマーもまた、使用されてもよい。２つ以上の異なる高誘電率材料の混合、又はカルボニル鉄といった高誘電率材料及び軟質磁性材料の混合が使用されてもよい。
【００２３】
本発明の少なくとも１つの実施形態において、結合剤及び高誘電率材料を使用する代わりに、１つの好適な材料の例は、約３０００の誘電率を有するポリアニリン／エポキシ混合である（Ｊ．Ｌｕ  ｅｔ  ａｌ．，「Ｈｉｇｈ  ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ  ｃｏｎｓｔａｎｔ  ｐｏｌｙａｎｉｌｉｎｅ／ｅｐｏｘｙ  ｃｏｍｐｏｓｉｔｅｓ  ｖｉａ  ｉｎ  ｓｉｔｕ  ｐｏｌｙｍｅｒｉｚａｔｉｏｎ  ｆｏｒ  ｅｍｂｅｄｄｅｄ  ｃａｐａｃｉｔｏｒ  ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ」，Ｐｏｌｙｍｅｒ，４８（２００７），１５１０〜１５１６）。
【００２４】
微細構造化パターンは、本発明のアイソレータの１つの外面上；同じパターンを有するアイソレータの両方の外面上；又は、異なるパターン及び／又は周期性を有するアイソレータの両方の外面上に存在してもよい。微細構造化パターンは、異なる材料を含むセクションの界面において、本発明のアイソレータ内に存在してもよい。微細構造化パターンは、アイソレータ内の１つ以上の界面に存在してもよい。２つ以上の界面が存在する場合、パターンは、異なる界面に対して、同じ又は異なっていてもよい。図２ａ〜２ｌは、これらの変形例の一部を示す本発明の異なる実施形態を例解する。図２ａは、１つの微細構造化表面を有する物品を示す。図２ｂは、２つの対向する微細構造化表面を有する物品を示す。図２ｃは、１つの微細構造化界面を有する物品を示す。界面は、典型的に、表面上に微細構造化特徴部を有する第１のセクションを作成すること、次いで、微細構造化特徴によって作成される開放領域を、微細構造化表面を有するセクションを形成する材料とは異なる材料で充填することによって形成される。本発明の少なくとも１つの実施形態において、異なる材料は第１のセクションを形成する材料とは異なる誘電率及び／又は異なる透過率を有してもよい。異なる材料は、意図される用途に対してアイソレータをより細かく調整するために使用することができる。本発明の少なくとも１つの実施形態において、第１及び第２のセクション（及び任意に追加のセクション）を形成する材料は、異なる透過率を有し、２つのセクションに対する透過率値は約３〜約１０００の比率を有する。本発明の少なくとも１つの実施形態において、第１及び第２のセクション（及び任意に追加のセクション）を形成する材料は異なる誘電率を有し、２つのセクションに対する誘電率値は、約２．５〜約１０００の比率を有する。異なる材料は、所望の電磁特性を提供することができる、任意の好適な材料であってもよく、ポリマー、樹脂、接着剤等が挙げられるが、これらに限定されない。それらは、任意に、システムの電磁特性を調整するための充填剤を含んでもよい。開放領域を材料で充填することの代替として、開放領域は、空のままとすることができ、この場合、空気が、異なる材料として機能する。例えば、図２ａ及び図２ｂを参照のこと。異なる材料が、微細構造化表面周囲の開放領域を充填する（このため、界面を形成する）ときに、電磁特性は、微細構造化表面又は界面の形状、及びアイソレータの種々のセクションを形成する材料の特性に従って、物品の１つの外面から他方の外面まで変化する。アイソレータは、任意に、１つ若しくは両方の外面上に接着剤セクションを備えてもよいか、又は接着剤は、２つの非接着剤セクション間の内部セクションを形成し得る。接着剤は、微細構造化特徴によって作成される開放領域を充填する異なる材料として使用されてもよい。アイソレータの外面を形成する材料が、接着剤ではない場合、接着剤層をアイソレータ物品に塗布して、それを物体に固定してもよい。
【００２５】
アイソレータ物品はまた、アイソレータ、及び、例えば、付随するタグ若しくはアンテナがそれに対して配置される物体にかかわらず、アンテナ若しくはタグが、同じ読取範囲を有するように、金属又は導電性層を含んでもよい。かかる場合、アンテナ又はタグ／アイソレータ部分は、存在する金属層と良好に動作するように調整され、次いで、システムは、金属物品又は段ボールといった低誘電率材料に対して配置されるかどうかにかかわらず、等しく良好に動作する。
【００２６】
先で述べられるように、１つ以上の微細構造化表面又は界面を有する物品は、２つ以上のセクションを有してもよく、そのセクションは、異なる誘電率及び／又は透過率を有する材料を含む。図２ｄは、３つのセクションの各々が、異なる材料を含み、異なる特性を有する本発明の３つのセクション／２つの界面の物品の例を例示する。本発明の物品の実施形態は、無数の異なる構成を有してもよい。例えば、図２ｅ及び２ｆは、同じ全体の厚さを有するが、物品の２つのセクションを成す材料の異なる比率を有する、発明の物品を例示する。図２ｇ及び２ｈは、２つの材料の比率は同じであるが、物品の全体的な厚さが異なる、本発明の物品を例示する。
【００２７】
微細構造化特徴部及び微細構造化特徴部のパターンはまた、本発明の特定の実施形態に基づいて、変化してもよい。例えば、セクションの同じ全体的な厚さ及び同じ相対比率を有する物品において、勾配の長さは、図２ｉ及び２ｊに例示されるように異なってもよい。他の実施形態において、微細構造化特徴部の横方向の間隔もまた、変化してもよい。例えば、図２ｋ及び２ｌによって例示されるように、微細構造化特徴部の幅及び数は、変化してもよい。
【００２８】
連続的に変化する電磁特性勾配を提供する微細構造化特徴部は、かかる特徴部を有するセクションの基底部分の主軸に非水平及び非垂直の表面を有する特徴部を含む。例示的な特徴部としては、鋭い、９０°、若しくは傾斜した頂角を有する、正方形を基底とした錐体（図３）、鋭い、傾斜した、若しくは立方体コーナ頂角を有する三角形を基底とした錐体（図７）、鋭い若しくは傾斜した頂角を有する六角形を基底とした錐体、回転した錐体、及び円形若しくは楕円形基底を有する円錐、鋭い、９０°、若しくは傾斜した頂角を有する円錐といった、オフセット頂点（例えば、鋸歯状錐体）円錐を有してもよい、非対称錐体といった、錐体、放物体（図５）、三角形のプリズム（図６）、並びに半球体が挙げられるが、これらに限定されない。採用される微細構造のタイプに依存して、電磁特性勾配は、構成物の片側から他方の側に直線的に変化し得る。勾配はまた、放物線状であり得、他の機能性を備え得る。
【００２９】
電磁特性において段階的な勾配を提供する微細構造化特徴部は、かかる特徴部を有するアイソレータのセクションの基底部分の主軸に水平及び垂直の表面を有するものを含む。例示的な特徴としては、円形、正方形、及び三角形の水平の断面を有するものを含む支柱（図８）；平行６面体；並びにセクションの基底部分に単に平行及び垂直の（即ち、傾斜していない）表面を有する、他の同様のブロック構造が挙げられるが、これらに限定されない。種々の実施形態において、微細構造化特徴部の横方向の間隔、及び個々の微細構造化特徴部の基底間の間隔は、変化してもよい。
【００３０】
一部の微細構造化特徴部は、電磁特性における勾配を効果的に提供する、複数の小さな段階的変化を有する。かかる構造の例は、図４における非対称の段階的な錐体である。他の例は、複数の小さな増分で変化する形状を含む。
【００３１】
一部の微細構造特徴部又はパターンは、連続的及び段階的な勾配の組み合わせを提供する、形状又は配設を有する。例えば、角錐台及び円錐台は、その上部（水平の）表面においては、段階的な勾配を提供するが、その側部（傾斜した）表面においては、連続的な勾配を提供するであろう。別の例として、図６のブレードアレイにおいて、三角形のプリズムの傾斜した表面は、連続的な勾配を提供するが、三角形のプリズムの垂直の表面は、アイソレータの基底に垂直の表面を提供するであろう。
【００３２】
一部の実施形態において、本発明の微細構造化特徴部のパターンは、高さ（図９）、幅、形状、横方向の間隔、周期性等に関して、二峰性又は三峰性といった多峰性であってもよい。
【００３３】
得られる製品は、時折、それらを作製するために使用されるプロセスに依存して、いくつかの異なる形態を採ってもよい。例えば、連続的なシート又はウェブベースのプロセスは、ロール形態の製品を産生するために使用されてもよく、これは、後に、特定の用途のために切断又はサイズ決定することができる。得られる製品は、特定の製品設計を満たしつつ、無駄を最小化するように、長方形、楕円形、又は更には複雑な２Ｄ形状といった異なる形状に直接成形されてもよい。
【００３４】
種々の微細構造化方法が、本発明の微細構造化表面又は界面を形成するのに好適である。好適な方法としては、カレンダ加工；高圧力エンボス加工；鋳型を用いた鋳造及び硬化（例えば、結合剤を有する高誘電率又は透過率材料して（この結合剤は、材料が鋳型上で鋳造された後、硬化される））；圧縮成形（例えば、鋳型、及び結合剤を有する高誘電率又は透過率材料が、加熱され、次いで、鋳型が、材料に対して押圧される）；押出鋳造（例えば、結合剤を有する高誘電率又は透過率材料が、加熱されたツールに直接押出され、ツールが冷却され、形成された材料が、ツールから取り出される）；押出エンボス加工（例えば、結合剤を有する高誘電率又は透過率材料が、低温のツールに直接押出され、次いで、ツールから取り出される）；火炎エンボス加工（例えば、結合剤を有する高誘電率又は透過率材料の表面のみを加熱するために火炎を使用し、次いで、表面をツールを用いて微細構造化する）；並びに射出成形（例えば、結合剤を有する融解された高誘電率又は透過率材料を、加熱された鋳型に射出し、次いで、冷却する）が挙げられる。次いで、これらのシステムの各々は、微細構造化部分上で、成形又は硬化される、対照的な電磁特性を有する材料を有し得る。代替的に、最初の微細構造化は、低透過率及び誘電率を有する材料とともに実施され得、次いで、対照的な電磁特性を有する材料が、その上で成形又は硬化され得る。
【００３５】
本発明の実施形態は、超高周波数又は極超高周波数領域で動作するアンテナとともに使用するのに好適である。本発明の実施形態のアイソレータは、これらに限定されないが、携帯電話、通信アンテナ、ワイヤレスルータ、及びＲＦＩＤタグといった、用途において使用されてもよい。
【００３６】
本発明の実施形態は、ＲＦＩＤチップを金属又は他の導電性表面から隔離するときといった、遠距離場電磁放射を含む用途において、特定の使用を見出す。本発明のアイソレータは、微細構造化パターンの周期性よりもはるかに長い、又は微細構造化パターンの高さよりもはるかに長い電磁波長を使用する用途に対して、適切である。
【００３７】
本発明の態様は、ＲＦＩＤタグを導電性表面又は本体から隔離するために、本発明のアイソレータを使用するシステムを含む。受動ＵＨＦ  ＲＦＩＤタグアンテナは、自由空間における、又は段ボール、木製パレット等といった、低誘電性材料上での使用に最適化される。ＵＨＦ  ＲＦＩＤタグが、導電性表面又は本体に近接しているときに、タグアンテナのインピーダンス及び利得は変化し、読取器に給電する、及び応答するその能力を大幅に減少させる。
【００３８】
導電性基材とＲＦＩＤタグとの間に配置されるアイソレータは、タグと基材（高透過率及び／又は誘電率）との間の距離を効果的に増加させることによって、並びに、導電性基材との相互作用からアンテナの磁場の能力を低減することによって（逆も同様）、金属基材の効果を向上させることができる。アイソレータの存在は、アンテナ利得だけでなく、アンテナの有効なインピーダンスもまた変化させることができ、このため、アンテナからＲＦＩＤ  ＩＣに移動される電力の量を変化させ、最終的に、電力は、ＲＦＩＤ読取器に対して変調及び後方散乱される。これらの及び他の複雑な相互作用により、アイソレータ設計は、特定のＲＦＩＤタグに対して特異的である。同様の議論が、回路、又は金属筐体若しくは接地平面に近接した携帯電話アンテナといった、導電性材料に近い、他のタイプのアンテナに対しても当てはまる。
【００３９】
ＲＦＩＤタグは、多様な顧客の必要性を満たすように、無数の異なる設計で供給される。ＲＦＩＤ  ＩＣ設計における相違の一部は、電力、メモリ、及び計算能力におけるそれらの相違と関係する。ＲＦＩＤアンテナ設計は、ＩＣとインピーダンスを整合させる必要性、所望の読取距離、設置面積の最小化、設置面積のアスペクト比、及び向きの応答依存性を含むいくつかの要因によって決定付けられる。多数の設計のＲＦＩＤタグは、Ｉｎｔｅｒｍｅｃ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ  Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ、Ａｌｉｅｎ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ、Ａｖｅｒｙ−Ｄｅｎｎｉｓｏｎ、及びＵＰＭ  Ｒａｆｌａｔａｃといった、いくつかの企業のいずれからも購入することができる。
【００４０】
ＵＨＦ  ＲＦＩＤタグは、典型的に、８６５〜９５４ＭＨｚの周波数範囲において動作し、最も典型的な中心周波数は、８６９ＭＨｚ、９１５ＭＨｚ、及び９５３ＭＨｚである。ＲＦＩＤタグは、バッテリといった電源を含むことによって、自己給電することができる。代替的に、それは、それが、基地局によって伝送されている電磁波のエネルギーを捕捉すること、及びそのエネルギーをＤＣ電圧に変換することによって、その内部電力を生成するように、フィールド給電することができる。
【００４１】
本発明のアイソレータは、タグ付けされる物品の電気特性が、ＲＦＩＤタグの動作を妨害するときに、最も有用である。これは、タグ付けされる物品が、金属基材を備えるか、又は、液体を収容するように構成されるときに（これらは両方とも、読取距離に関して問題である）、最もしばしば生じる。
【００４２】
図１０は、ＲＦＩＤタグ１０と、セクション１４及び１６を備えるアイソレータ１２と、タグ付けされる物品１８を含む、本発明のシステムを例示する。接着剤層（図示せず）は、関連するアイソレータセクション１４、１６が、ＲＦＩＤタグ又はタグ付けされる物品１８に接着するための十分な接着剤特性を有しない場合、ＲＦＩＤタグ１０とセクション１４及び／又はセクション１６、及びタグ付けされる物品１８との間に、追加的に追加されてもよい。
【実施例】
【００４３】
本発明は、以下の実施例によって更に例示されるが、これらの実施例において列挙された特定の材料及びその量は、他の諸条件及び詳細と同様に、本発明を不当に制限するものと解釈すべきではない。
【００４４】
試験及び測定方法
等価厚の計算
「等価厚」は、微細構造化構造が、微細構造化特徴部を有しない、中実セクションを作成するように平坦化される場合に、セクションがなるであろう厚さを意味する。
【００４５】
注意：ＲＦＩＤシステムが作製された全ての実施例において、両面テープ（ＳＣＯＴＣＨ  ６６５、３Ｍ  Ｃｏｍｐａｎｙ）の１つの層は、アイソレータが金属基材に接着したままであることを確実とするように、金属基材（アルミニウムプレート又は３Ｍ  Ｃｏｍｐａｎｙより入手可能な３Ｍ（商標）ＥＭＩ  Ｔｉｎ−Ｐｌａｔｅｄ  Ｃｏｐｐｅｒ  Ｆｏｉｌ  Ｓｈｉｅｌｄｉｎｇ  Ｔａｐｅ  １１８３（以降、「１１８３  Ｔａｐｅ」と称される場合がある）のいずれか）と、アイソレータとの間で接着された。
【００４６】
実施例１〜３及び比較実施例（ＣＥ）Ａ〜Ｆ
比較実施例Ａ〜Ｆの調製
５８重量％のＴｉＯ２／４２重量％のシリコーンの割合で、ＴｉＯ２（ＴＩＰＵＲＥ  Ｒ−９０２＋、Ｄｕｐｏｎｔ  Ｉｎｃ．、ｗｗｗ２．ｄｕｐｏｎｔ．ｃｏｍ）を、シリコーン（ＳＹＬＧＡＲＤ  １８４、Ｄｏｗ  Ｃｏｒｎｉｎｇ、ｗｗｗ．ｄｏｗｃｏｒｎｉｎｇ．ｃｏｍ）に混合し、種々の厚さで一体式の２．５ｃｍ×１０ｃｍのスラブに硬化した。８５重量％のカルボニル鉄／１５重量％のシリコーンの割合で、カルボニル鉄粉末（ＥＲ  Ｇｒａｄｅ、ＢＡＳＦ、ｗｗｗ．ｉｎｏｒｇａｎｉｃｓ．ｂａｓｆ．ｃｏｍ）を、シリコーン（ＳＹＬＧＡＲＤ  １８４、Ｄｏｗ  Ｃｏｒｎｉｎｇ、ｗｗｗ．ｄｏｗｃｏｒｎｉｎｇ．ｃｏｍ）に混合し、種々の厚さで一体式の２．５ｃｍ×１０ｃｍのスラブに硬化した。比較実施例Ａ〜Ｃは、０．５１ｍｍ厚の５８％のＴｉＯ２／シリコーン混合セクション、並びにそれぞれ０．７２、１．０２、及び１．２９ｍｍの厚さのカルボニル鉄／シリコーン混合セクションを有した。比較実施例Ｄ〜Ｆは、０．７２ｍｍ厚の５８％のＴｉＯ２／シリコーン混合セクション、並びにそれぞれ０．４８、０．７２、及び１．０２ｍｍの厚さのカルボニル鉄／シリコーン混合セクションを有した。
【００４７】
実施例１の調製
０．６５ｍｍの六方最密間隔で配設される、０．７５ｍｍの深さの円錐形の特徴部を備える、ニッケル鋳型を製作した。六方最密アレイは、２．５ｃｍ×１０ｃｍの領域を被覆した。５８重量％のＴｉＯ２（ＴＩＰＵＲＥ  Ｒ−９０２＋、Ｄｕｐｏｎｔ  Ｉｎｃ．、ｗｗｗ２．ｄｕｐｏｎｔ．ｃｏｍ）をシリコーンシステム（ＳＹＬＧＡＲＤ  １８４、Ｄｏｗ  Ｃｏｒｎｉｎｇ、ｗｗｗ．ｄｏｗｃｏｒｎｉｎｇ．ｃｏｍ）に混合し、鋳型において硬化し、次いで取り出した。円錐の下のＴｉＯ２／シリコーン基底部分の厚さは、０．２８ｍｍ厚であった。０．７５ｍｍの高さの円錐では、全体的なＴｉＯ２セクションの等価厚は、０．５３ｍｍであった。次いで、８５重量％のカルボニル鉄粉末（ＥＲ  Ｇｒａｄｅ、ＢＡＳＦ、ｗｗｗ．ｉｎｏｒｇａｎｉｃｓ．ｂａｓｆ．ｃｏｍ）を、シリコーン（ＳＹＬＧＡＲＤ  １８４、Ｄｏｗ  Ｃｏｒｎｉｎｇ、ｗｗｗ．ｄｏｗｃｏｒｎｉｎｇ．ｃｏｍ）に混合し、その混合を塗布して、ＴｉＯ２充填円錐の周囲及び真上の空間を充填した。平滑な表面を作成するために、混合を、約０．２９ｍｍ越えて、０．７５ｍｍの高さの円錐の上部に付加した。その後、混合を硬化した。
【００４８】
実施例２〜３の調製
８５重量％のＥＲ  Ｇｒａｄｅカルボニル鉄／１５％のシリコーンを有する比較実施例Ａ〜Ｆと同じように調製されたモノリシックのスラブは、実施例２及び３に関して、カルボニル鉄セクションの厚さを増加させるように、実施例１のカルボニル鉄側に対して配置された。実施例２及び３に関する一体式のスラブの厚さは、それぞれ、０．２７ｍｍ及び０．４８ｍｍであった。シリコーンの接着特性により、完成物品をともに保持するのに接着剤は必要ない。
【００４９】
比較実施例Ａ〜Ｆ及び実施例１〜３を使用するＲＦＩＤシステム
比較実施例Ａ〜Ｆ及び実施例１〜３を使用するＲＦＩＤタグシステムは、Ｇｅｎ  ２プロトコルで動作する、Ａｖｅｒｙ  Ｄｅｎｎｉｓｏｎ  ２１０  Ｒｕｎｗａｙ  ＲＦＩＤタグを使用して作製した。タグは、１２．５ｍｍ厚のアルミニウムプレートに近接して、９０２〜９２８ＭＨｚで読み取られた。ＲＦＩＤタグシステムは、以下の順序の隣接するセクションで構築された：アルミニウムプレート／アイソレータのＴｉＯ２充填セクション／アイソレータのカルボニル鉄充填セクション／ＲＦＩＤタグ。このシステムは、７５％のＲＦＩＤタグ読取率が得られるまで、ＡＬＲ−９７８０  Ａｌｉｅｎ  Ｒｅａｄｅｒの前の種々の位置で移動された。各比較実施例及び実施例に関して、７５％の読取率における、ＡＬＲ−９７８０読取器からの距離は、３つの独立した読取値で判定され、次いで、平均化された。
【００５０】
比較実施例に関する読取範囲データを表１に示す。２列目及び３列目は、それぞれ、ＴｉＯ２／シリコーン混合セクション、及びカルボニル鉄／シリコーン混合セクションの実際の厚さを示す。表１は、読取範囲が、０．５１ｍｍのＴｉＯ２セクションの厚さに対して、カルボニル鉄セクションの厚さが、０．７２〜１．２９ｍｍに増加したにつれて、単調に増加したことを示す。同様に、読取範囲は、ＴｉＯ２セクションが０．７３ｍｍ厚であったときに、カルボニル鉄セクションの厚さが、０．４８〜１．０２ｍｍに増加したにつれて、単調に増加した。
【００５１】
実施例に関する読取範囲データを、表２に示す。２列目及び３列目は、それぞれ、ＴｉＯ２及びカルボニル混合セクションの等価厚を示す。読取範囲は、０．５３ｍｍの有効なＴｉＯ２セクションの厚さとともに、等価のカルボニル鉄セクションの厚さが０．７９〜１．２７ｍｍに増加したにつれて、単調に増加した。
【００５２】
比較実施例Ａ〜Ｆ及び実施例１〜３に関する読取範囲対アイソレータの厚さを、図１１にともにプロットする。実線上のデータ点は、左から右に、実施例１、２、及び３を表す。大きなダッシュを伴う線上のデータ点は、左から右に、比較実施例Ａ、Ｂ、及びＣを表す。小さなダッシュを伴う線上のデータ点は、左から右に、比較実施例Ｄ、Ｅ、及びＦを表す。比較実施例Ａ〜Ｃは、本質的に実施例１〜３と同等のＴｉＯ２セクションの厚さを含む。いずれの所与のアイソレータの厚さにおいても、実施例１〜３は、比較実施例Ａ〜Ｃよりも長い読取範囲を提供するということは明らかである。比較実施例におけるＴｉＯ２セクションの厚さの増加は、図１１に例示されるように、読取距離における実質的な増加を示さなかった。
【００５３】
【表１】
2014504062.tif 000003
【００５４】
【表２】
2014504062.tif 000004
【００５５】
実施例４〜６及び比較実施例（ＣＥ）Ｇ〜Ｏ
比較実施例Ｇ〜Ｏの調製
１５重量％のＸＬＤ３０００／８５重量％のシリコーンの割合で、ＸＬＤ３０００ガラス泡（３Ｍ  Ｃｏｍｐａｎｙ、ｗｗｗ．３ｍ．ｃｏｍ）を、シリコーン（ＳＹＬＧＡＲＤ  １８４、Ｄｏｗ  Ｃｏｒｎｉｎｇ、ｗｗｗ．ｄｏｗｃｏｒｎｉｎｇ．ｃｏｍ）に混合し、種々の厚さで一体式の２．５ｃｍ×１０ｃｍのスラブに硬化した。８５重量％のカルボニル鉄／１５重量％のシリコーンの割合で、カルボニル鉄粉末（ＥＲ  Ｇｒａｄｅ、ＢＡＳＦ、ｗｗｗ．ｉｎｏｒｇａｎｉｃｓ．ｂａｓｆ．ｃｏｍ）を、シリコーン（ＳＹＬＧＡＲＤ  １８４、Ｄｏｗ  Ｃｏｒｎｉｎｇ、ｗｗｗ．ｄｏｗｃｏｒｎｉｎｇ．ｃｏｍ）に混合し、種々の厚さで一体式の２．５ｃｍ×１０ｃｍのスラブに硬化した。比較実施例Ｇ〜Ｉは、０．４１ｍｍの１５重量％のＸＬＤ３０００／シリコーン混合セクションの厚さ、並びにそれぞれ０．７２、１．０２、及び１．２９ｍｍのカルボニル鉄／シリコーン混合セクションの厚さを有した。比較実施例Ｊ〜Ｌは、０．４９ｍｍの１５重量％のＸＬＤ３０００／シリコーン混合セクションの厚さ、並びにそれぞれ０．７２、１．０２、及び１．２９ｍｍのカルボニル鉄／シリコーン混合セクションの厚さを有した。比較実施例Ｍ〜Ｏは、０．５４ｍｍの１５重量％のＸＬＤ３０００／シリコーン混合セクションの厚さ、並びにそれぞれ０．７２、１．０２、及び１．２９ｍｍのカルボニル鉄／シリコーン混合セクションの厚さを有した。
【００５６】
実施例４の調製
０．５９ｍｍの正方形の間隔で配設される、０．３６ｍｍの深さの錐体特徴部を備えるニッケル鋳型を製作した。８５重量％のカルボニル鉄粉末（ＥＲ  Ｇｒａｄｅ、ＢＡＳＦ、ｗｗｗ．ｉｎｏｒｇａｎｉｃｓ．ｂａｓｆ．ｃｏｍ）を、シリコーンシステム（ＳＹＬＧＡＲＤ  １８４、Ｄｏｗ  Ｃｏｒｎｉｎｇ、ｗｗｗ．ｄｏｗｃｏｒｎｉｎｇ．ｃｏｍ）に混合し、鋳型において硬化し、次いで取り出した。錐体の下のカルボニル鉄／シリコーン基底部分の厚さは、０．７０ｍｍ厚であった。０．３６ｍｍの高さの錐体では、全体的なカルボニル鉄セクションの等価厚は、０．８２ｍｍであった。シリコーンシステム（ＳＹＬＧＡＲＤ  １８４、Ｄｏｗ  Ｃｏｒｎｉｎｇ、ｗｗｗ．ｄｏｗｃｏｒｎｉｎｇ．ｃｏｍ）に混合した１５重量％のＸＬＤ３０００ガラス泡（３Ｍ  Ｃｏｍｐａｎｙ、ｗｗｗ．３ｍ．ｃｏｍ）を、塗布して、カルボニル鉄充填錐体の周囲及びその０．２２ｍｍ上を充填し、次いで、硬化した。実施例４の合計の実際の厚さは、１．２８ｍｍであった。
【００５７】
実施例５〜６の調製
８５重量％のＥＲ  Ｇｒａｄｅカルボニル鉄／１５％のシリコーンの一体式のスラブを、実施例５及び６を作成するように、カルボニル鉄セクションの厚さを増加させるように、実施例４のカルボニル鉄側に対して配置された。実施例２及び３に関する一体式のスラブの厚さは、それぞれ、０．２７ｍｍ及び０．４８ｍｍであった。シリコーンの接着特性により、完成物品をともに保持するのに接着剤は必要ない。
【００５８】
比較実施例Ｇ〜Ｏ及び実施例４〜６を使用するＲＦＩＤシステム
比較実施例Ｇ〜Ｏ及び実施例４〜６を使用するＲＦＩＤタグシステムは、Ｇｅｎ  ２プロトコルで動作する、ＵＰＭ  Ｒａｆｓｅｃ  Ｇ２、ＡＮＴ  ＩＤ  １７Ｂ＿１、ＩＭＰＩＮＪ  ＭＯＮＺＡタグを使用して作製された。タグは、１２．５ｍｍ厚のアルミニウムプレートに近接して、９０２〜９２８ＭＨｚで読み取られた。ＲＦＩＤタグシステムは、以下の順序の隣接するセクションで構築された：アルミニウムプレート／アイソレータのカルボニル鉄充填セクション／アイソレータのガラス泡充填セクション／ＲＦＩＤタグ。システムは、７５％のＲＦＩＤタグ読取率が得られるまで、ＡＬＲ−９７８０  Ａｌｉｅｎ  Ｒｅａｄｅｒの前の種々の位置で移動された。
【００５９】
比較実施例に関する読取範囲データを表３に表示する。２列目及び３列目は、それぞれ、ガラス泡／シリコーン混合セクション、及びカルボニル鉄／シリコーン混合セクションの厚さを示す。表３は、読取範囲が、０．４１及び０．４９ｍｍのガラス泡セクションの厚さに対して、カルボニル鉄セクションの厚さが０．７２〜１．２９ｍｍに増加したにつれて、単調に増加したことを示す。０．５４ｍｍ厚のガラス泡セクションに対する読取範囲は、カルボニル鉄セクションの厚さが０．７２〜１．２９ｍｍに増加したにつれて、５０ｃｍまで増加した。
【００６０】
本発明の実施例４〜６に対する読取範囲データを表４に示す。２列目及び３列目は、それぞれ、ガラス泡及びカルボニル鉄混合セクションの等価厚を示す。ＵＰＭ  Ｒａｆｓｅｃ  ＩＭＰＩＮＪ  ＭＯＮＺＡタグ読取範囲は、ガラス泡セクションの厚さが０．４６ｍｍで一定のままであった一方、等価のカルボニル鉄セクションの厚さが０．８２〜１．３０ｍｍに増加したにつれて、単調に増加した。
【００６１】
比較実施例Ｇ〜Ｏ及び実施例４〜６に関する読取範囲対アイソレータの厚さを、図１２にともにプロットする。中実の円を伴う実線上のデータ点は、左から右に、実施例４、５、及び６を表す。大きなダッシュを伴う線上のデータ点は、左から右に、比較実施例Ｇ、Ｈ、及びＩを表す。中空の正方形を伴う実線上のデータ点は、左から右に、比較実施例Ｊ、Ｋ、及びＬを表す。小さなダッシュを伴う線上のデータ点は、左から右に、比較実施例Ｍ、Ｎ、及びＯを表す。比較実施例Ｇ〜Ｏは、実施例４〜６と本質的に同じ、並びにそれを少し上回る、及び下回る、ガラス泡セクションの厚さを含む。いずれの所与のアイソレータの厚さにおいても、実施例４〜６は、セクション化したシステムの等価のアイソレータの厚さによって提供されるものよりも長い読取範囲を提供するということが明らかである。比較実施例において、ガラス泡セクションの厚さを０．４１〜０．５４ｍｍの範囲内に変化させることは、グラフに例解されるように、読取距離を実質的に変化させない。
【００６２】
【表３】
2014504062.tif 000005
【００６３】
【表４】
2014504062.tif 000006
【００６４】
実施例７〜８及び比較実施例Ｐ〜Ｓ
比較実施例Ｐ〜Ｓの調製
７３．６重量％のＢａＴｉＯ３／２６．４重量％のシリコーンの割合で、ＢａＴｉＯ３（ＴＩＣＯＮ  Ｐ、ＴＡＭ  Ｃｅｒａｍｉｃｓ、現在はＦｅｒｒｏ  Ｃｏｒｐ．、ｗｗｗ．ｆｅｒｒｏ．ｃｏｍ）を、シリコーン（ＳＹＬＧＡＲＤ  １８４、Ｄｏｗ  Ｃｏｒｎｉｎｇ、ｗｗｗ．ｄｏｗｃｏｒｎｉｎｇ．ｃｏｍ）に混合し、種々の厚さで、一体式の２．５ｃｍ×１０ｃｍのスラブに硬化した。１５重量％のＸＬＤ３０００／８５重量％のシリコーンの割合で、ＸＬＤ３０００ガラス泡（３Ｍ  Ｃｏｍｐａｎｙ、ｗｗｗ．３ｍ．ｃｏｍ）を、シリコーン（ＳＹＬＧＡＲＤ  １８４、Ｄｏｗ  Ｃｏｒｎｉｎｇ、ｗｗｗ．ｄｏｗｃｏｒｎｉｎｇ．ｃｏｍ）に混合し、種々の厚さで一体式の２．５ｃｍ×１０ｃｍのスラブに硬化した。比較実施例Ｐ及びＱは、０．６８ｍｍの１５重量％のＸＬＤ３０００ガラス泡／シリコーン混合セクションの厚さ、及び１．８１ｍｍ厚の７３．６重量％のＢａＴｉＯ３／シリコーン混合セクションを有した。比較実施例Ｒ及びＳは、０．６３ｍｍの１５重量％のＸＬＤ３０００ガラス泡／シリコーン混合セクションの厚さ、及び１．９０ｍｍ厚の７３．６重量％のＴＩＣＯＮ  Ｐ／シリコーン混合セクションを有した。
【００６５】
実施例７〜８の調製
０．６５ｍｍの六方最密間隔で配設される、０．６８ｍｍの深さの放物体特徴部を備える、ニッケル鋳型を製作した。六方最密アレイは、２．５ｃｍ×１０ｃｍの領域を被覆した。１５重量％のＸＬＤ３０００ガラス泡を、シリコーンシステム（ＳＹＬＧＡＲＤ  １８４、Ｄｏｗ  Ｃｏｒｎｉｎｇ、ｗｗｗ．ｄｏｗｃｏｒｎｉｎｇ．ｃｏｍ）に混合し、鋳型において硬化し、次いで取り出した。放物体下のＸＬＤ３０００／シリコーン基底の厚さは、０．３１ｍｍ厚であった。０．６８ｍｍの高さの放物体では、全体的なＸＬＤ３０００セクションの等価厚は、０．６５ｍｍであった。７３．６重量％のＴＩＣＯＮ  Ｐをシリコーンに混合し、塗布して、ＸＬＤ３０００充填放物体周囲、及び１．４９ｍｍ上の空間を充填し、実施例７及び８を作成するように硬化した。
【００６６】
比較実施例Ｐ〜Ｓ及び実施例７〜８を使用するＲＦＩＤシステム
比較実施例Ｐ〜Ｓ及び実施例７〜８を使用するＲＦＩＤタグシステムは、Ｇｅｎ  ２プロトコルで動作するＡｌｉｅｎ  ＡＬＮ−９６５４−ＦＷＲＷタグで作製された。タグは、フォイルテープ（１１８３  Ｔａｐｅ、３Ｍ  Ｃｏｍｐａｎｙ、ｗｗｗ．３ｍ．ｃｏｍ）に近接して、９０２〜９２８ＭＨｚで読み取られたが、フォイルテープ及びＲＦＩＤタグに関して、異なる向きで配置された。ＲＦＩＤタグシステムは、以下で更に説明されるように、異なるサンプルに関して、異なる順序の隣接するセクションで構築された。アイソレータ／タグ構成体は、７５ｍｍ×１２５ｍｍのフォイルテープの中間に中心を置いた。タグを、ＳＡＭＳｙｓ  ＭＰ９３２０  ２．８  ＵＨＦ  ＲＦＩＤ読取器によって給電される伝送／受信アンテナから０．８０メートルに配置した。最大読取器電力での、９２０〜９２８ＭＨｚスペクトルにわたる、一連の４つの別のスキャンにおける成功した読取のパーセンテージを計算した。
【００６７】
比較実施例Ｐ及びＱを使用するＲＦＩＤシステムにおいて、並びに実施例７において、ＴＩＣＯＮ  Ｐ充填セクションは、フォイルテープに向かって配向された。比較実施例Ｒ及びＳを使用するＲＦＩＤシステムにおいて、並びに実施例８において、ＴＩＣＯＮ  Ｐ充填セクションは、ＲＦＩＤタグに向けられた。比較実施例に関する読取率データを表５に表示する。実施例に関する読取率データを表６に表示する。
【００６８】
表５は、約２．５ｍｍの合計の厚さ、及び０．７４のチタン酸バリウム／シリコーン混合の割合において、チタン酸バリウム／シリコーン混合でセクション化される、ガラス泡／シリコーン混合に関して、チタン酸バリウム充填セクションがフォイルテープに向けられるときに、読取率は非常に乏しいということを例示する。チタン酸バリウム充填セクションがＲＦＩＤタグに向けられるときに、読取率は、チタン酸バリウムセクションの割合が０．７３のみであり、かつ合計の厚さが２．４９ｍｍであるときに、依然として乏しい。チタン酸バリウムセクションの割合を０．７５に増加させつつ、合計の厚さが２．５３ｍｍに増加するときに、読取率は、６９％に増加する。この場合、したがって、比較アイソレータ構成体の向きは、非常に重要であり得る。
【００６９】
表６は、実施例７及び８が、それらの比較実施例のセクション化された対応物よりも良好に性能するということを示す。チタン酸バリウム充填セクションがフォイルテープに向けられるときに、読取率は、実施例７対比較実施例Ｐ及びＱに関してはるかに優れている。チタン酸バリウム充填セクションがＲＦＩＤタグに向けられるときに、読取率が、実施例８対比較実施例Ｒ及びＳに関して依然として良好であることが示される。実際、実施例７及び８は、両方とも、比較実施例Ｐ〜Ｓよりも良好に性能する。
【００７０】
【表５】
2014504062.tif 000007
【００７１】
【表６】
2014504062.tif 000008
【００７２】
（実施例９）
実施例９の調製
逆の非対称錐体を備えるニッケル鋳型を、従来のステレオリソグラフィ技術を利用して、続いてニッケルめっきによって作成した。錐体の頂点は、錐体基底の１つの角部上に直接製作され（例えば、図４を参照のこと）、これらの錐体の正方形のアレイは、全ての頂点が同じ向きで作成された。非対称錐体の階段状の特徴部は、１．２１ｍｍの正方形の基底において、一連の１０段階を作成した。１５重量％のＸＬＤ３０００ガラス泡を、ＳＹＬＧＡＲＤ  １８４に混合し、鋳型において硬化し、次いで取り出した。ＸＬＤ３０００／シリコーン混合を含むこれらの階段状の非対称錐体の高さは、０．５４６ｍｍであった。非対称錐体の下のＸＬＤ３０００／シリコーン基底部分の厚さは、０．１３４ｍｍであった。０．５４６ｍｍの高さの非対称錐体では、全体的なＸＬＤ３０００／シリコーンセクションの等価厚は、０．３２ｍｍであった。８５重量％のＥＲ  Ｇｒａｄｅカルボニル鉄粉末を、ＳＹＬＧＡＲＤ  １８４に混合し、次いで、硬化した。このアイソレータ構成体を、４５×１００ｍｍの面積に調整した。完成物品の合計の厚さは、１．５０ｍｍであった。
【００７３】
実施例９を使用するＲＦＩＤシステム
実施例９を使用するＲＦＩＤタグシステムは、Ｇｅｎ  ２プロトコルで動作する、ＲＳＩ−１２２二重双極タグ（４０×８０ｍｍ）で作製した。タグは、シリコーンの自然接着特性、及びタグの上部上のテープの薄いストリップの組み合わせによって、アイソレータ上に適所に保持された。タグは、無響室において、フォイルテープ（１１８３  Ｔａｐｅ）に近接して、９０２〜９２８ＭＨｚで読み取られた。アイソレータ／タグ構成体は、カルボニル鉄セクションをフォイルテープに当てた状態で、フォイルテープの７５ｍｍ×１２５ｍｍ片の中間に中心を置いた。タグは、ＳＡＭＳｙｓ  ＭＰ９３２０  ２．８  ＵＨＦ  ＲＦＩＤ読取器によって給電される伝送／受信アンテナから０．７０メートルに配置した。タグからの応答を得るために必要とされる最小電力は、９２０〜９２８ＭＨｚスペクトルにわたって判定され、４つの別のスキャンにおいて平均された。
【００７４】
アイソレータ構成体の全体的な厚さが１．５０ｍｍであると、カルボニル鉄セクションの等価厚は１．１８ｍｍであり、ＸＬＤ３０００セクションの等価厚は０．３２ｍｍであった。タグ／アイソレータ／フォイルテープ構成体は、ＳＡＭＳｙｓ読取器から２６．９ｄＢｍの平均最小電力で、スペクトル全体にわたり、無事に読み取られた。
【００７５】
（実施例１０）
実施例１０の調製
２つの異なる高さ及び幅の逆の放物体を備えるニッケル鋳型を作成した。１５重量％のＸＬＤ３０００ガラス泡を、ＳＹＬＧＡＲＤ  １８４に混合し、鋳型において硬化し、次いで取り出した。より大きな放物体空洞は、高さが０．７６５ｍｍであり、基底幅が０．５９０ｍｍである特徴を作成した。より小さな放物体空洞は、高さが０．２５０ｍｍであり、基底幅が０．３２３ｍｍである特徴を作成した。これらの２つの異種のサイズ及びアスペクト比の放物体を、単位格子が１．１９２ｍｍである、規則的に交互の正方形アレイに配設した。放物体の二峰性分布の下のＸＬＤ３０００／シリコーン基底部分の厚さは、０．２０１ｍｍであった。放物体の二峰性分布では、全体的なＸＬＤ３０００／シリコーンセクションの等価厚は、０．３６３ｍｍであった。８５重量％のＲ１５２１カルボニル鉄粉末（ＩＳＰ  Ｃｏｒｐ、ｗｗｗ．ｉｓｐｃｏｒｐ．ｃｏｍ）を、ＳＹＬＧＡＲＤ  １８４に混合し、塗布して、ＸＬＤ３０００充填放物体の周囲及び０．２５４ｍｍ上の空間を充填し、次いで、硬化した。このアイソレータ構成体を、２５×１００ｍｍの面積に調整した。
【００７６】
実施例１０を使用するＲＦＩＤシステム
実施例１０を使用するＲＦＩＤタグシステムは、Ｇｅｎ  ２プロトコルで動作するＡＬＮ−９６５４タグで作製した。タグは、シリコーンの自然接着特性、及びタグの上部上のテープの薄いストリップの組み合わせによって、アイソレータ上に適所に保持された。タグは、無響室において、フォイルテープ（１１８３  Ｔａｐｅ）に近接して、９０２〜９２８ＭＨｚで読み取られた。アイソレータ／タグ構成体は、カルボニル鉄セクションをＲＦＩＤタグに当てた状態で、フォイル表面の７５ｍｍ×１２５ｍｍ片の中間に中心を置いた。タグを、ＳＡＭＳｙｓ  ＭＰ９３２０  ２．８  ＵＨＦ  ＲＦＩＤ読取器によって給電される伝送／受信アンテナから０．８０メートルに配置した。タグからの応答を得るために必要とされる最小電力は、９２０〜９２８ＭＨｚスペクトルにわたって判定され、４つの別のスキャンにおいて平均された。
【００７７】
１．２２ｍｍのアイソレータ構成体の全体的な厚さでは、カルボニル鉄セクションの等価厚は、０．８６ｍｍであり、ＸＬＤ３０００セクションの等価厚は、０．３６ｍｍであった。タグ／アイソレータ／フォイルテープ構成体は、ＳＡＭＳｙｓ読取器から２５．７ｄＢｍの平均最小電力で、スペクトル全体にわたり、読取に成功した。
【００７８】
（実施例１１）
実施例１１の調製
異方性のフレーク形状の高透過性フェライト充填剤材料（９１重量％）を、アクリレートコポリマー結合剤（９重量％）と混合した。１０重量部のＣｏ２Ｚ−Ｋフェライト（Ｔｒａｎｓ−Ｔｅｃｈ  Ｉｎｃ、ｗｗｗ．ｔｒａｎｓ−ｔｅｃｈｉｎｃ．ｃｏｍ）を、０．９８重量部のアクリレートコポリマー（９０重量％のアクリル酸イソオクチル／１０重量％のアクリル酸）、及び６．４１重量部の溶媒（５０重量％のヘプタン／５０重量％のメチルエチルケトン）と混合した。この溶液を、鋳造し、乾燥させ、次いで、加熱圧搾して、いかなる混入した空洞も除去した。ＣＯ２レーザーを使用して０．７０ｍｍ直径の穴を穿孔し、１．３０ｍｍの正方形のアレイを、この９１重量％のフェライト／９重量％のアクリレートコポリマー材料の０．８５ｍｍ厚のスラブに形成した。同じ材料の０．５２ｍｍ厚のスラブを作成し、両方の構成体を、２５×１００ｍｍに調整し、いくらか感圧接着性のスラブをともに押圧することによって、接着した。
【００７９】
実施例１１を使用するＲＦＩＤシステム
実施例１１を使用するＲＦＩＤタグシステムは、Ｇｅｎ  ２プロトコルで動作するＡＬＮ−９６５４タグで作製した。タグは、アクリレートの自然接着特性、及びタグの上部上のテープの薄いストリップの組み合わせによって、アイソレータ上に適所に保持された。タグは、無響室において、フォイルテープ（１１８３  Ｔａｐｅ）に近接して、９０２〜９２８ＭＨｚで読み取られた。アイソレータ／タグ構成体は、０．５２ｍｍ厚のモノリシックフェライト／アクリレートスラブをフォイルテープに当て、充填されていない穿孔された穴を有する０．８５ｍｍ厚のスラブをＲＦＩＤタグに当てた状態で、フォイルテープの７５ｍｍ×１２５ｍｍ  １１８３片の中間に中心を置いた。タグを、ＳＡＭＳｙｓ  ＭＰ９３２０  ２．８  ＵＨＦ  ＲＦＩＤ読取器によって給電される伝送／受信アンテナから０．８０メートルに配置した。タグからの応答を得るために必要とされる最小電力は、９２０〜９２８ＭＨｚスペクトルにわたって判定され、８つの別のスキャンにおいて平均された。
【００８０】
アイソレータ構成体の全体的な厚さが１．３７ｍｍであると、フェライトセクションの等価厚は、１．１８ｍｍであり、空気セクションの等価厚は０．１９ｍｍであった。タグ／アイソレータ／フォイルテープ構成体は、ＳＡＭＳｙｓ読取器から２３．８ｄＢｍの平均最小電力で、スペクトル全体にわたり、読取に成功した。
【００８１】
（実施例１２）
実施例１２の調製
１３３．５グラムのＥＲ  Ｇｒａｄｅカルボニル鉄粉末を、１５０℃でＨａａｋｅミキサにおいて、１９．９５グラムのサーモプラスチックポリマーＥＮＧＡＧＥ  ８４０１（Ｔｈｅ  Ｄｏｗ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｃｏｍｐａｎｙ、ｗｗｗ．ｄｏｗ．ｃｏｍ）と混合した。この材料を、１５０℃で逆錐体を備えるニッケル鋳型に押圧して、一方の側面に平坦な表面、及び他方の側面に錐体形の突起を有する微細構造化表面を有する、カルボニル鉄／サーモプラスチック混合アイソレータを生成した。これらの錐体の長さ及び間隔は０．５８８ｍｍであり、錐体の高さは０．３４９ｍｍであった。構成体の合計の厚さは、０．９８ｍｍであった。サンプルは、２５×１００ｍｍに調整した。
【００８２】
実施例１２を使用するＲＦＩＤシステム
実施例１２を使用するＲＦＩＤタグシステムは、Ｇｅｎ  ２プロトコルで動作するＡＬＮ−９６５４タグで作製した。タグは、タグの上部上のテープの薄いストリップによって、アイソレータ上に適所に保持された。タグは、無響室において、フォイルテープ（１１８３  Ｔａｐｅ）に近接して、９０２〜９２８ＭＨｚで読み取られた。アイソレータ／タグ構成体は、アイソレータの微細構造化表面がフォイルテープに面する状態で、フォイルテープの７５ｍｍ×１２５ｍｍの１１８３片の中間に中心を置いた。タグを、ＳＡＭＳｙｓ  ＭＰ９３２０  ２．８  ＵＨＦ  ＲＦＩＤ読取器によって給電される伝送／受信アンテナから０．８０メートルに配置した。タグからの応答を得るために必要とされる最小電力は、９２０〜９２８ＭＨｚスペクトルにわたって判定され、４つの別のスキャンにおいて平均された。
【００８３】
カルボニル鉄／サーモプラスチックセクションの等価厚は０．７５ｍｍであり、錐体周辺の空気セクションの等価厚は０．２３ｍｍであった。タグ／アイソレータ／フォイルテープ構成体は、ＳＡＭＳｙｓ読取器から２７．７ｄＢｍの平均最小電力で、スペクトル全体にわたり、無事に読み取られた。
【００８４】
（実施例１３）
実施例１３の調製
六方最密格子上に４面体を備えるニッケル鋳型を作成した。８５重量％のＨＱ級カルボニル鉄粉末（ＢＡＳＦ、ｗｗｗ．ｉｎｏｒｇａｎｉｃｓ．ｂａｓｆ．ｃｏｍ）を、ＳＹＬＧＡＲＤ  １８４に混合し、次いで、この鋳型で硬化して、カルボニル鉄／シリコーン混合セクションの表面内に四面体インデントを作成した。インデントは、０．２０ｍｍの深さであり、頂点から頂点が０．２９ｍｍであった。このアイソレータ構成体の全体的な厚さは、１．０４ｍｍであった。このアイソレータを、２５×１００ｍｍの面積に調整した。
【００８５】
実施例１３を使用するＲＦＩＤシステム
実施例１３を使用するＲＦＩＤタグシステムは、Ｇｅｎ  ２プロトコルで動作するＡＬＮ−９６５４タグで作製した。タグは、タグの上部上のテープの薄いストリップによって、アイソレータ上に適所に保持された。タグは、無響室において、フォイルテープ（１１８３  Ｔａｐｅ）に近接して、９０２〜９２８ＭＨｚで読み取られた。アイソレータ／タグ構成体は、カルボニル鉄セクションをＲＦＩＤタグに当てた状態で、７５ｍｍ×１２５ｍｍの１１８３  Ｔａｐｅフォイル表面の中間に中心を置いた。タグを、ＳＡＭＳｙｓ  ＭＰ９３２０  ２．８  ＵＨＦ  ＲＦＩＤ読取器によって給電される伝送／受信アンテナから０．８０メートルに配置した。タグからの応答を得るために必要とされる最小電力は、９２０〜９２８ＭＨｚスペクトルにわたって判定され、４つの別のスキャンにおいて平均された。
【００８６】
１．０４ｍｍのアイソレータ構成体の全体的な厚さでは、カルボニル鉄セクションの等価厚は０．９７ｍｍであり、空気セクションの等価厚は０．０７ｍｍであった。タグ／アイソレータ／フォイルテープ構成体は、ＳＡＭＳｙｓ読取器から１９．５ｄＢｍの平均最小電力で、スペクトル全体にわたり、読取に成功した。
【００８７】
（実施例１４）
実施例１４の調製
１６０℃で、Ｂｒａｂｅｎｄｅｒバッチミキサにおいて、ＥＷ−Ｉ  Ｇｒａｄｅカルボニル鉄粉末（ＢＡＳＦ、ｗｗｗ．ｉｎｏｒｇａｎｉｃｓ．ｂａｓｆ．ｃｏｍ）を９４．２重量％で、商品名ＡＤＦＬＥＸ  Ｖ  １０９  Ｆ（Ｌｙｏｎｄｅｌｌ  Ｂａｓｅｌｌ、ｗｗｗ．ａｌａｓｔｉａｎ．ｃｏｍ）で入手可能なポリオレフィンに混合し、次いで、平坦なシートに押圧した。実施例１３で使用したものと同一の２つのニッケル鋳型を利用して、平坦なシートを、両側に微細構造化四面体インデントを備えるアイソレータに押圧した。この構成体の全体的な厚さは、０．６９ｍｍであった。このアイソレータを、２５×１００ｍｍの面積に調整した。
【００８８】
実施例１３を使用するＲＦＩＤシステム
実施例１３を使用するＲＦＩＤタグシステムは、Ｇｅｎ  ２プロトコルで動作するＡＬＮ−９６５４タグで作製した。タグは、タグの上部上のテープの小さなストリップによって、アイソレータ上に適所に保持された。タグは、無響室において、フォイルテープ（１１８３  Ｔａｐｅ）に近接して、９０２〜９２８ＭＨｚで読み取られた。アイソレータ／タグ構成体は、カルボニル鉄セクションをＲＦＩＤタグに当てた状態で、７５ｍｍ×１２５ｍｍのフォイルテープの中間に中心を置いた。タグを、ＳＡＭＳｙｓ  ＭＰ９３２０  ２．８  ＵＨＦ  ＲＦＩＤ読取器によって給電される伝送／受信アンテナから０．８０メートルに配置した。タグからの応答を得るために必要とされる最小電力は、９２０〜９２８ＭＨｚスペクトルにわたって判定され、４つの別のスキャンにおいて平均された。
【００８９】
０．６９ｍｍのアイソレータ構成体の全体的な厚さでは、カルボニル鉄セクションの等価厚は０．５６ｍｍであり、各側の空気セクションの等価厚は０．０７ｍｍであった。タグ／アイソレータ／フォイルテープ構成体は、ＳＡＭＳｙｓ読取器から２０．３ｄＢｍの平均最小電力で、スペクトル全体にわたり、無事に読み取られた。
【００９０】
好ましい実施形態の説明の目的のために、特定の実施形態を本明細書において例示し記述したが、種々多様な代替的な及び／又は同等の実施が、本発明の範囲を逸脱することなく、図示及び説明された特定の実施形態に置き換わり得ることを、当業者は理解するであろう。本出願は、本明細書で考察した好適な実施形態のあらゆる適合形態又は変形例を含むものである。したがって、本発明が特許請求の範囲及びその均等物によってのみ限定される点を明示するものである。
【図１】
2014504062.tif 000009
【図２ａ】
2014504062.tif 000010
【図２ｂ】
2014504062.tif 000011
【図２ｃ】
2014504062.tif 000012
【図２ｄ】
2014504062.tif 000013
【図２ｅ】
2014504062.tif 000014
【図２ｆ】
2014504062.tif 000015
【図２ｇ】
2014504062.tif 000016
【図２ｈ】
2014504062.tif 000017
【図２ｉ】
2014504062.tif 000018
【図２ｊ】
2014504062.tif 000019
【図２ｋ】
2014504062.tif 000020
【図２ｌ】
2014504062.tif 000021
【図３】
2014504062.tif 000022
【図４】
2014504062.tif 000023
【図５】
2014504062.tif 000024
【図６】
2014504062.tif 000025
【図７】
2014504062.tif 000026
【図８】
2014504062.tif 000027
【図９】
2014504062.tif 000028
【図１０】
2014504062.tif 000029
【図１１】
2014504062.tif 000030
【図１２】
2014504062.tif 000031
【国際調査報告】
2014504062.tif 000032
2014504062.tif 000033
2014504062.tif 000034