(57)【要約】  本発明は、カルバゾロカルバゾール−ビス（ジカルボキシミド）、その製造方法並びにその半導体としての、詳細には有機エレクトロニクス及び有機フォトボルタイクスにおける半導体としての使用に関する。
2014532035.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式Ｉ
【化１】
2014532035.tif 000035
［式中
Ｒ１及びＲ２は、各々独立して、水素、並びにそれぞれ非置換又は置換のアルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール及びヘタリールから選択され、
Ｒ３及びＲ４は、各々独立して、水素、並びにそれぞれ非置換又は置換のアルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール及びヘタリールから選択され、
Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ１１及びＲ１２は、独立して、水素、
それぞれ非置換又は置換のアルキル、アルコキシ、アルキルチオ、（モノアルキル）アミノ、（ジアルキル）アミノ、シクロアルキル、シクロアルコキシ、シクロアルキルチオ、（モノシクロアルキル）アミノ、（ジシクロアルキル）アミノ、ヘテロシクロアルキル、ヘテロシクロアルコキシ、ヘテロシクロアルキルチオ、（モノヘテロシクロアルキル）アミノ、（ジヘテロシクロアルキル）アミノ、アリール、アリールオキシ、アリールチオ、（モノアリール）アミノ、（ジアリール）アミノ、ヘタリール、ヘタリールオキシ、ヘタリールチオ、（モノヘタリール）アミノ、（ジヘタリール）アミノ、
ハロゲン、ヒドロキシ、メルカプト、シアノ、ニトロ、シアナト、チオシアナト、ホルミル、アシル、カルボキシ、カルボキシレート、アルキルカルボニルオキシ、カルバモイル、アルキルアミノカルボニル、ジアルキルアミノカルボニル、スルホ、スルホネート、スルホアミノ、スルファモイル、アルキルスルホニル、アリールスルホニル、アミジノ、ＮＥ１Ｅ２（式中、Ｅ１及びＥ２は、各々独立して、水素、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール又はヘタリールから選択される）から選択され、
ここで、いずれの場合も、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ１１及びＲ１２基から選択される少なくとも２つの隣接基は、それらが結合するベンゼン環の炭素原子と一緒になって、１、２、３、４、５、６、７又は８個のさらなる環を有する縮合環系であってもよい］
の化合物。
【請求項２】
前記基Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４の少なくとも１つが、
【化２】
2014532035.tif 000036
［式中
＃は、窒素原子に結合する側を表し、
Ａは、存在する場合、−Ｏ−及び−Ｓ−から選択される１つ又は複数の非隣接基によって分断されていてもよいＣ１〜Ｃ１０アルキレン基であり、
ｙは０又は１であり、
式Ａ．５、Ａ．８、Ａ．１１及びＡ．１４の残基Ｒｈは、互いに独立して、Ｃ１〜Ｃ３０アルキル、Ｃ１〜Ｃ３０フルオロアルキル、フッ素、塩素、臭素、ＮＥ１Ｅ２、ニトロ及びシアノから選択され、式中、Ｅ１及びＥ２は、互いに独立して、水素、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール又はヘタリールであり、
式Ａ．６、Ａ．７、Ａ．９、Ａ．１０、Ａ．１２、Ａ．１３、Ａ．１５及びＡ．１６の残基Ｒｉは、互いに独立して、Ｃ１〜Ｃ３０アルキルから選択され、
ｘは、式Ａ．５、Ａ．６及びＡ．７では、１、２、３、４又は５であり、
式Ａ．８、Ａ．９及びＡ．１０では、１、２、３又は４であり、
式Ａ．１１、Ａ．１２及びＡ．１３では、１、２又は３であり、
式Ａ．１４、Ａ．１５及びＡ．１６では、１又は２である］
から選択される、請求項１に記載の化合物。
【請求項３】
前記基Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ１１及びＲ１２の少なくとも１つが、
【化３】
2014532035.tif 000037
［式中
＃は、窒素原子に結合する側を表し、
Ｂは、存在する場合、−Ｏ−、−Ｓ−又は−Ｏ−及び−Ｓ−から選択される１つ又は複数の非隣接基によって分断及び／又は終端されていてもよいＣ１〜Ｃ１０アルキレンから選択される二価の架橋基であり、
ｑは０又は１であり、
式Ｂ．５、Ｂ．８、Ｂ．１１及びＢ．１４の残基Ｒｅは、互いに独立して、Ｃ１〜Ｃ３０アルキル、Ｃ１〜Ｃ３０フルオロアルキル、フッ素、塩素、臭素、ＮＥ１Ｅ２、ニトロ及びシアノ（式中、Ｅ１及びＥ２は、互いに独立して、水素、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール又はヘタリールである）から選択され、
式Ｂ．６、Ｂ．７、Ｂ．９、Ｂ．１０、Ｂ．１２、Ｂ．１３、Ｂ．１５及びＢ．１６の残基Ｒｆは、互いに独立して、Ｃ１〜Ｃ３０アルキルから選択され、
ｐは、式Ｂ．５、Ｂ．６及びＢ．７では、１、２、３、４又は５であり、
式Ｂ．８、Ｂ．９及びＢ．１０では、１、２、３又は４であり、
式Ｂ．１１、Ｂ．１２及びＢ．１３では、１、２又は３であり、
式Ｂ．１４、Ｂ．１５及びＢ．１６では、１又は２である］
から選択される、請求項１又は２に記載の化合物。
【請求項４】
前記基Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ１１及びＲ１２の少なくとも１つが、線状Ｃ１〜Ｃ３０アルキル基又は分枝状Ｃ３〜Ｃ３０アルキル基である、請求項１〜３のいずれか一項に記載の化合物。
【請求項５】
前記基Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ１１及びＲ１２の少なくとも１つが、一般式（Ｃ）
【化４】
2014532035.tif 000038
［式中
＃は結合部位であり、
ｍは０又は１であり、且つ
Ｒｄ及びＲｅは、独立して、Ｃ１〜Ｃ３０アルキルから選択される］
の基から選択される、請求項１〜４のいずれか一項に記載の化合物。
【請求項６】
前記基Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ１１及びＲ１２の少なくとも１つが、一般式（Ｃ１）
【化５】
2014532035.tif 000039
［式中
＃は結合部位であり、及び
Ｒｄ及びＲｅは、独立して、Ｃ１〜Ｃ２８アルキルから選択され、ここで前記Ｒｄ及びＲｅ基の炭素原子の総数は２〜２９の整数である］
の基から選択される、請求項１〜５のいずれか一項に記載の化合物。
【請求項７】
前記基Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ１１及びＲ１２の少なくとも１つが、ペルフルオロ−Ｃ１〜Ｃ３０アルキル、１Ｈ，１Ｈ−ペルフルオロ−Ｃ２〜Ｃ３０アルキル又は１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−ペルフルオロ−Ｃ３〜Ｃ３０アルキルから選択される、請求項１〜６のいずれか一項に記載の化合物。
【請求項８】
Ｒ１及びＲ２が同じ意味を有する、請求項１〜７のいずれか一項に記載の化合物。
【請求項９】
Ｒ３及びＲ４が同じ意味を有する、請求項１〜８のいずれか一項に記載の化合物。
【請求項１０】
Ｒ１及びＲ２が、両方ともに２，６−ジイソプロピルフェニルである、請求項１〜９のいずれか一項に記載の化合物。
【請求項１１】
Ｒ３及びＲ４が、両方ともに水素である、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の化合物。
【請求項１２】
Ｒ５がＲ９と同じ意味を有し、
Ｒ６がＲ１０と同じ意味を有し、
Ｒ７がＲ１１と同じ意味を有し、且つ
Ｒ８がＲ１２と同じ意味を有する、
請求項１〜１１のいずれか一項に記載の化合物。
【請求項１３】
Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ１１及びＲ１２が全て水素である、請求項１〜１２のいずれか一項に記載の化合物。
【請求項１４】
Ｒ５、Ｒ６、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０及びＲ１２が全て水素であり、且つＲ７及びＲ１１がＣｌである、請求項１〜１２のいずれか一項に記載の化合物。
【請求項１５】
Ｒ５、Ｒ６、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０及びＲ１２が全て水素であり、且つＲ７及びＲ１１がＦである、請求項１〜１２のいずれか一項に記載の化合物。
【請求項１６】
Ｒ５、Ｒ６、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０及びＲ１２が全て水素であり、且つＲ７及びＲ１１がＢｒである、請求項１〜１２のいずれか一項に記載の化合物。
【請求項１７】
Ｒ５、Ｒ６、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０及びＲ１２が全て水素であり、且つＲ７及びＲ１１がＣＮである、請求項１〜１２のいずれか一項に記載の化合物。
【請求項１８】
Ｒ５、Ｒ７、Ｒ９及びＲ１１が水素であり、且つＲ６、Ｒ８、Ｒ１０及びＲ１２がＣＦ３である、請求項１〜１２のいずれか一項に記載の化合物。
【請求項１９】
式Ｉ
【化６】
2014532035.tif 000040
［式中
Ｒ１及びＲ２は、各々独立して、水素、並びにそれぞれ非置換又は置換のアルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール及びヘタリールから選択され、
Ｒ３及びＲ４は、各々独立して、水素、並びにそれぞれ非置換又は置換のアルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール及びヘタリールから選択され、
Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ１１及びＲ１２は、独立して、水素、
それぞれ非置換又は置換のアルキル、アルコキシ、アルキルチオ、（モノアルキル）アミノ、（ジアルキル）アミノ、シクロアルキル、シクロアルコキシ、シクロアルキルチオ、（モノシクロアルキル）アミノ、（ジシクロアルキル）アミノ、ヘテロシクロアルキル、ヘテロシクロアルコキシ、ヘテロシクロアルキルチオ、（モノヘテロシクロアルキル）アミノ、（ジヘテロシクロアルキル）アミノ、アリール、アリールオキシ、アリールチオ、（モノアリール）アミノ、（ジアリール）アミノ、ヘタリール、ヘタリールオキシ、ヘタリールチオ、（モノヘタリール）アミノ、（ジヘタリール）アミノ、
ハロゲン、ヒドロキシ、メルカプト、シアノ、ニトロ、シアナト、チオシアナト、ホルミル、アシル、カルボキシ、カルボキシレート、アルキルカルボニルオキシ、カルバモイル、アルキルアミノカルボニル、ジアルキルアミノカルボニル、スルホ、スルホネート、スルホアミノ、スルファモイル、アルキルスルホニル、アリールスルホニル、アミジノ、ＮＥ１Ｅ２（式中、Ｅ１及びＥ２は、各々独立して、水素、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール又はヘタリールである）から選択される］
の化合物の製造方法であって、
式（ＩＩ）
【化７】
2014532035.tif 000041
［式中
Ｒ１及びＲ２は前述の意味を有する］
の２，６−ジブロモナフタレン−１，４，５，８−テトラカルボン酸ビスイミドと、式（ＩＩＩａ）の化合物、及び場合により、式（ＩＩＩｂ）の別の化合物
【化８】
2014532035.tif 000042
［式中
Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ１１及びＲ１２は前述の意味を有する］
とを反応させる前記方法。
【請求項２０】
少なくとも１つのゲート構造と、ソース電極と、ドレイン電極とを有する基板を含み、且つ少なくとも１つの請求項１〜１８のいずれか一項に記載の式Ｉの化合物を半導体材料として含む有機電界効果トランジスタ。
【請求項２１】
複数の有機電界効果トランジスタを含む基板であって、前記電界効果トランジスタの少なくとも一部が、少なくとも１つの請求項１〜１８のいずれか一項に記載の式Ｉの化合物を含む前記基板。
【請求項２２】
少なくとも１つの請求項２１に記載の基板を含む半導体装置。
【請求項２３】
上部電極と、下部電極と、エレクトロルミネセンス層と、場合により補助層とを含み、前記電極の少なくとも１つは透明である、エレクトロルミネセンス装置であって、少なくとも１つの請求項１〜１８のいずれか一項に記載の式Ｉの化合物を含む前記エレクトロルミネセンス装置。
【請求項２４】
正孔注入層に、又は透明電極の一部として、少なくとも１つの請求項１〜１１のいずれか一項に記載の式Ｉの化合物を含む、請求項２３に記載のエレクトロルミネセンス装置。
【請求項２５】
有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）の形態の、請求項２３又は２４に記載のエレクトロルミネセンス装置。
【請求項２６】
少なくとも１つの請求項１〜１８のいずれか一項に記載の式（Ｉ）の化合物を含む有機太陽電池。
【請求項２７】
半導体材料としての、好ましくは有機エレクトロニクス又は有機フォトボルタイクスにおける半導体材料としての、請求項１〜１８のいずれか一項に記載の一般式Ｉの化合物の使用。
【請求項２８】
有機電界効果トランジスタにおける半導体としての、請求項２２に記載の使用。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、カルバゾロカルバゾール−ビス（ジカルボキシミド）、その製造方法及びその半導体としての、詳細には有機エレクトロニクス及び有機フォトボルタイクス（ｐｈｏｔｏｖｏｌｔａｉｃｓ）における半導体としての使用に関する。
【背景技術】
【０００２】
今後、エレクトロニクス産業の多くの部門において、古典的な無機半導体のみならず、次第に低分子量材料又は高分子材料をベースとする有機半導体もまた用いられるようになることが予想される。多くの場合、こうした有機半導体は古典的な無機半導体と比べて利点を有し、例えば有機半導体をベースとする半導体部品は基板適合性が高く、加工性に優れている。これらはフレキシブル基板上への加工が可能であり、分子モデリング法によって特定の適用範囲にその界面軌道エネルギーを正確に調整することができる。かかる部品の大幅なコスト低下により、有機エレクトロニクス研究分野に復興がもたらされている。
【０００３】
有機エレクトロニクスは、有機半導体層をベースとする電子部品の製造に向けた新規材料及び製法の開発を主な関心とする。これには、詳細には、有機電界効果トランジスタ（ＯＦＥＴ：ｏｒｇａｎｉｃ  ｆｉｅｌｄ−ｅｆｆｅｃｔ  ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）及び有機エレクトロルミネセンスデバイス（以下、「ＥＬ」デバイスと略記する）が含まれる。高い開発可能性は、例えば記憶素子及び集積光電子デバイスにおける有機電界効果トランジスタによるものである。有機エレクトロルミネセンスデバイスは自己発光デバイスであり、陽極から注入された正孔と、陰極から注入された電子との、電界印加時の再結合エネルギーによって蛍光材料が発光する原理を利用している。有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ：ｏｒｇａｎｉｃ  ｌｉｇｈｔ−ｅｍｉｔｔｉｎｇ  ｄｉｏｄｅ）の形態のＥＬデバイスは、フラットな画像表示装置を製造するための、陰極線管及び液晶ディスプレイの代替として特に関心がもたれる。極めてコンパクトな設計及び本質的に低い消費電力により、ＯＬＥＤを含むデバイスは、特にモバイル機器適用、例えば携帯電話、ノートパソコン等における適用に好適である。
【０００４】
有機フォトボルタイクスは、有機太陽電池用の新規材料の開発を主な関心とする。高い開発可能性は、光誘起励起状態に対して最大輸送幅及び高い移動度（大きい励起子拡散長）を有する材料によるものであり、従って有利には、いわゆる励起子太陽電池における活性材料としての使用に好適である。概して、かかる材料をベースとする太陽電池では、極めて良好な量子収率を実現することが可能である。従って、電荷輸送材料又は励起子輸送材料として好適な有機化合物が強く求められている。
【０００５】
国際公開第２００７／０７４１３７号パンフレットは、式（Ｉ）
【化１】
2014532035.tif 000003
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４基の少なくとも１つは、Ｂｒ、Ｆ及びＣＮから選択される置換基であり、
Ｙ１はＯ又はＮＲａ（式中、Ｒａは水素又はオルガニル基である）であり、
Ｙ２はＯ又はＮＲｂ（式中、Ｒｂは水素又はオルガニル基である）であり、
Ｚ１及びＺ２は、各々独立してＯ又はＮＲｃ（式中、ＮＲｃはオルガニル基である）であり、
Ｚ３及びＺ４は、各々独立してＯ又はＮＲｄ（式中、Ｒｄはオルガニル基である）である］
のナフタレンテトラカルボン酸誘導体、その製造方法、ｎ型半導体としてのその使用について記載している。
【０００６】
国際公開第２００９／０８９２８３号パンフレットは、ハイブリッド半導体−誘電材料、例えば２〜６個の縮合した芳香族環を含む縮合芳香族部分又はその複素環式変種を有するテトラカルボン酸ジイミド化合物について記載している。カルバゾロカルバゾール−ビス（ジカルボキシミド）は開示されていない。
【０００７】
中国特許出願公開第１９９０４８８  Ａ号明細書は、線状の縮合した芳香族環の環状イミド誘導体であるｎ型有機半導体材料について記載している。
【０００８】
Ｘ．Ｇａｏ  ｅｔ  ａｌ．は、Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．２０１０、１３２、３６９７−３６９９において、２−（１，３−ジチオール−２−イリデン）マロニトリル（ｍａｌｏｎｉｔｒｉｌ）基と縮合したコア拡張ナフタレンジイミド及びｎチャネル有機薄膜トランジスタのためのその使用を記載している。対応する開示を国際公開第２０１１／０４７６２４号パンフレットに見ることができる。
【０００９】
Ｙ．Ｈｕ  ｅｔ  ａｌ．は、Ｃｈｅｍ．Ｍａｔｅｒ．２０１１、２３、１２０４−１２１５において、ｎチャネル有機薄膜トランジスタ用の、硫黄複素環と縮合し、且つ電子吸引基でエンドキャップされたコア拡張ナフタレンジイミドを記載している。
【００１０】
今回、意外にも、カルバゾロカルバゾール−ビス（ジカルボキシミド）が有機エレクトロニクス及び有機フォトボルタイクスにおける半導体材料として特に有利であることが分かった。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の第１の態様によれば、一般式Ｉ
【化２】
2014532035.tif 000004
［式中
Ｒ１及びＲ２は、各々独立して、水素、並びにそれぞれ非置換又は置換のアルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール及びヘタリールから選択され、
Ｒ３及びＲ４は、各々独立して、水素、並びにそれぞれ非置換又は置換のアルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール及びヘタリールから選択され、
Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ１１及びＲ１２は、独立して、水素、
それぞれ非置換又は置換のアルキル、アルコキシ、アルキルチオ、（モノアルキル）アミノ、（ジアルキル）アミノ、シクロアルキル、シクロアルコキシ、シクロアルキルチオ、（モノシクロアルキル）アミノ、（ジシクロアルキル）アミノ、ヘテロシクロアルキル、ヘテロシクロアルコキシ、ヘテロシクロアルキルチオ、（モノヘテロシクロアルキル）アミノ、（ジヘテロシクロアルキル）アミノ、アリール、アリールオキシ、アリールチオ、（モノアリール）アミノ、（ジアリール）アミノ、ヘタリール、ヘタリールオキシ、ヘタリールチオ、（モノヘタリール）アミノ、（ジヘタリール）アミノ、
ハロゲン、ヒドロキシ、メルカプト、シアノ、ニトロ、シアナト、チオシアナト、ホルミル、アシル、カルボキシ、カルボキシレート、アルキルカルボニルオキシ、カルバモイル、アルキルアミノカルボニル、ジアルキルアミノカルボニル、スルホ、スルホネート、スルホアミノ、スルファモイル、アルキルスルホニル、アリールスルホニル、アミジノ、ＮＥ１Ｅ２（式中、Ｅ１及びＥ２は、各々独立して、水素、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール又はヘタリールである）から選択され、
ここで、いずれの場合も、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ１１及びＲ１２基から選択される少なくとも２つの隣接基は、それらが結合するベンゼン環の炭素原子と一緒になって、１、２、３、４、５、６、７又は８個のさらなる環を有する縮合環系であってもよい］
の化合物が提供される。
【００１２】
本発明のさらなる態様によれば、式Ｉ
【化３】
2014532035.tif 000005
［式中
Ｒ１及びＲ２は、各々独立して、水素、並びにそれぞれ非置換又は置換のアルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール及びヘタリールから選択され、
Ｒ３及びＲ４は、各々独立して、水素、並びにそれぞれ非置換又は置換のアルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール及びヘタリールから選択され、
Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ１１及びＲ１２は、独立して、水素、
それぞれ非置換又は置換のアルキル、アルコキシ、アルキルチオ、（モノアルキル）アミノ、（ジアルキル）アミノ、シクロアルキル、シクロアルコキシ、シクロアルキルチオ、（モノシクロアルキル）アミノ、（ジシクロアルキル）アミノ、ヘテロシクロアルキル、ヘテロシクロアルコキシ、ヘテロシクロアルキルチオ、（モノヘテロシクロアルキル）アミノ、（ジヘテロシクロアルキル）アミノ、アリール、アリールオキシ、アリールチオ、（モノアリール）アミノ、（ジアリール）アミノ、ヘタリール、ヘタリールオキシ、ヘタリールチオ、（モノヘタリール）アミノ、（ジヘタリール）アミノ、
ハロゲン、ヒドロキシ、メルカプト、シアノ、ニトロ、シアナト、チオシアナト、ホルミル、アシル、カルボキシ、カルボキシレート、アルキルカルボニルオキシ、カルバモイル、アルキルアミノカルボニル、ジアルキルアミノカルボニル、スルホ、スルホネート、スルホアミノ、スルファモイル、アルキルスルホニル、アリールスルホニル、アミジノ、ＮＥ１Ｅ２（式中、Ｅ１及びＥ２は、各々独立して、水素、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール又はヘタリールである）から選択される］
の化合物の製造方法が提供され、
ここでは、式（ＩＩ）
【化４】
2014532035.tif 000006
［式中
Ｒ１及びＲ２は前述の意味を有する］
の２，６−ジブロモナフタレン−１，４，５，８−テトラカルボン酸ビスイミドが、式（ＩＩＩａ）の化合物、及び場合により、式（ＩＩＩｂ）の別の化合物
【化５】
2014532035.tif 000007
［式中
Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ１１及びＲ１２は前述の意味を有する］
との反応に供される。
【００１３】
本発明のさらなる態様によれば、少なくとも１つのゲート構造と、ソース電極と、ドレイン電極とを有する基板を含み、且つ少なくとも１つの上記及び以下に定義するとおりの式Ｉの化合物を半導体材料として含む有機電界効果トランジスタが提供される。
【００１４】
式（Ｉ）の化合物は、原則的にｎ型半導体として、又はｐ型半導体として使用することができる。式（Ｉ）の化合物がｎ型半導体として作用するか、それともｐ型半導体として作用するかは、とりわけ、用いられるゲート誘電体に依存する。ゲート誘電体は、通常、好適な化合物、例えば多少の電気陰性置換基を有するシラン、アルキルホスホン酸、フルオロアルキルホスホン酸等の自己組織化単分子膜（ＳＡＭ：ｓｅｌｆ−ａｓｓｅｍｂｌｅｄ  ｍｏｎｏｌａｙｅｒ）の形態で用いられる。特定のＳＡＭゲート誘電体又は異なるＳＡＭゲート誘電体の特定の混合物を選択することにより、半導体材料の特性を制御することが可能である。２つの異なる半導体の組み合わせを用いる電子デバイス、例えば有機太陽電池では、式（Ｉ）の化合物がｎ型半導体として作用するか、又はｐ型半導体として作用するかは、対応する半導体材料に依存する。
【００１５】
本発明のさらなる態様によれば、複数の有機電界効果トランジスタを含む基板が提供され、電界効果トランジスタの少なくとも一部は、少なくとも１つの上記及び以下に定義するとおりの式Ｉの化合物を含む。
【００１６】
本発明のさらなる態様によれば、複数の有機電界効果トランジスタを含む少なくとも１つの基板を含む半導体装置が提供され、電界効果トランジスタの少なくとも一部は、少なくとも１つの上記及び以下に定義するとおりの式Ｉの化合物を含む。
【００１７】
本発明のさらなる態様によれば、上部電極と、下部電極と（ここで前記電極の少なくとも一方は透明である）、エレクトロルミネセンス層と、場合により補助層とを含むエレクトロルミネセンス装置が提供され、ここでエレクトロルミネセンス装置は、少なくとも１つの上記及び以下に定義するとおりの式Ｉの化合物を含む。
【００１８】
好ましい実施形態では、エレクトロルミネセンス装置は、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）の形態である。
【００１９】
本発明のさらなる態様によれば、少なくとも１つの上記及び以下に定義するとおりの式（Ｉ）の化合物を含む有機太陽電池が提供される。
【００２０】
本発明のさらなる態様によれば、上記及び以下に定義するとおりの一般式Ｉの化合物の、半導体材料としての使用が提供される。
【００２１】
好ましい実施形態では、一般式Ｉの化合物は、有機エレクトロニクス又は有機フォトボルタイクスにおいて半導体材料として使用される。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】ゲート誘電体としてＣ１４Ｈ２９ＰＯ（ＯＨ）２を含み、且つ半導体として以下：
【化６】
2014532035.tif 000008
を含む実施例２の基板ＡのＴＦＴ特性データを示す。Ｃ１４Ｈ２９ＰＯ（ＯＨ）２との組み合わせで、式（Ｉ）の化合物はｎ型半導体として作用する。
【図２】ゲート誘電体としてＣ７Ｆ１５Ｃ１１Ｈ２２ＰＯ（ＯＨ）２を含み、且つ実施例２の基板Ａと同じ半導体材料を含む実施例２の基板ＢのＴＦＴの特性データを示す。Ｃ７Ｆ１５Ｃ１１Ｈ２２ＰＯ（ＯＨ）２との組み合わせで、式（Ｉ）の化合物はｐ型半導体として作用する。
【図３】好ましい半導体構造、詳細には「ボトムゲート・トップコンタクト」、「ボトムゲート・ボトムコンタクト」、「トップゲート・ボトムコンタクト」及び「トップゲート・トップコンタクト」を示す。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
表現「ハロゲン」は、いずれの場合も、フッ素、臭素、塩素又はヨウ素、特に塩素、臭化物又はヨウ素を表す。
【００２４】
本発明との関連において、表現「非置換又は置換のアルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール及びヘタリール」は、非置換又は置換アルキル、非置換又は置換シクロアルキル、非置換又は置換ヘテロシクロアルキル、非置換又は置換アリール及び非置換又は置換ヘタリールを表す。
【００２５】
本発明との関連において、表現「非置換又は置換のアルキル、アルコキシ、アルキルチオ、（モノアルキル）アミノ、（ジアルキル）アミノ、シクロアルキル、シクロアルコキシ、シクロアルキルチオ、（モノシクロアルキル）アミノ、（ジシクロアルキル）アミノ、ヘテロシクロアルキル、ヘテロシクロアルコキシ、ヘテロシクロアルキルチオ、（モノヘテロシクロアルキル）アミノ、（ジヘテロシクロアルキル）アミノ、アリール、アリールオキシ、アリールチオ、（モノアリール）アミノ、（ジアリール）アミノ、ヘタリール、ヘタリールオキシ、ヘタリールチオ、（モノヘタリール）アミノ及び（ジヘタリール）アミノ」は、非置換又は置換アルキル、非置換又は置換アルコキシ、非置換又は置換アルキルチオ、非置換又は置換（モノアルキル）アミノ、非置換又は置換（ジアルキル）アミノ、非置換又は置換シクロアルキル、非置換又は置換シクロアルコキシ、非置換又は置換シクロアルキルチオ、非置換又は置換（モノシクロアルキル）アミノ、非置換又は置換（ジシクロアルキル）アミノ、非置換又は置換ヘテロシクロアルキル、非置換又は置換ヘテロシクロアルコキシ、非置換又は置換ヘテロシクロアルキルチオ、非置換又は置換（モノヘテロシクロアルキル）アミノ、非置換又は置換（ジヘテロシクロアルキル）アミノ、非置換又は置換アリール、非置換又は置換アリールオキシ、非置換又は置換アリールチオ、非置換又は置換（モノアリール）アミノ、非置換又は置換（ジアリール）アミノ、非置換又は置換ヘタリール、非置換又は置換ヘタリールオキシ、非置換又は置換ヘタリールチオ、非置換又は置換（モノヘタリール）アミノ及び非置換又は置換（ジヘタリール）アミノを表す。
【００２６】
本発明との関連において、表現「アルキル」は、直鎖又は分枝状アルキル基を含む。アルキルは、好ましくはＣ１〜Ｃ３０アルキル、より好ましくはＣ１〜Ｃ２０アルキル及び最も好ましくはＣ１〜Ｃ１２アルキルである。アルキル基の例は、特に、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−ペンチル、ネオペンチル、ｎ−ヘキシル、ｎ−ヘプチル、ｎ−オクチル、ｎ−ノニル、ｎ−デシル、ｎ−ウンデシル、ｎ−ドデシル、ｎ−トリデシル、ｎ−テトラデシル、ｎ−ヘキサデシル、ｎ−オクタデシル及びｎ−エイコシルである。
【００２７】
アルキルという表現はまた、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＲｂ−、−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｓ（＝Ｏ）−及び／又は−Ｓ（＝Ｏ）２−から選択される１つ又は複数の非隣接基によって炭素鎖が分断されていてもよいアルキル基も含む。Ｒｂは、好ましくは、水素、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール又はヘタリールである。
【００２８】
置換アルキル基は、アルキル鎖の長さに応じて、１個又は複数個（例えば１、２、３、４、５個又は６個以上）の置換基を有し得る。これらの置換基は好ましくは、各々独立して、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘタリール、フッ素、塩素、臭素、ヒドロキシル、メルカプト、シアノ、ニトロ、ニトロソ、ホルミル、アシル、ＣＯＯＨ、カルボキシレート、アルキルカルボニルオキシ、カルバモイル、ＳＯ３Ｈ、スルホネート、スルファミノ、スルファミド、アミジノ、ＮＥ１Ｅ２（式中、Ｅ１及びＥ２は、各々独立して、水素、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール又はヘタリールである）から選択される。次にはアルキル基のシクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール及びヘタリール置換基が、非置換又は置換であってよい；好適な置換基は、これらの基について以下に記載する置換基である。
【００２９】
カルボキシレート及びスルホネートは、それぞれ、カルボン酸官能基及びスルホン酸官能基の誘導体、特に金属炭酸塩若しくはスルホン酸塩、カルボン酸エステル若しくはスルホン酸エステル官能基又はカルボキサミド若しくはスルホンアミド官能基を表す。かかる誘導体には、例えば、Ｃ１〜Ｃ４アルカノール、例えば、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、イソプロパノール、ｎ−ブタノール、ｓｅｃ−ブタノール及びｔｅｒｔ−ブタノールを含むエステルが含まれる。
【００３０】
上記のアルキルに関する説明はまた、アルコキシ、アルキルチオ（＝アルキルスルファニル）、モノアルキルアミノ及びジアルキルアミノにおけるアルキル部分にも適用される。
【００３１】
アルキレンは、エタン−１，２−ジイル、プロパン−１，３−ジイル、ブタン−１，４−ジイル、ペンタン−１，５−ジイル又はヘキサン−１，６−ジイルなどの、１〜１０個、特に１〜４個の炭素原子を有する線状飽和炭化水素鎖を表す。
【００３２】
本発明との関連において、用語「シクロアルキル」は、シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘプチル、シクロオクチル、シクロドデシル、シクロペンタデシル、ノルボルニル、ビシクロ［２．２．２］オクチル又はアダマンチルなどの、通常３〜２０個、好ましくは３〜１２個、より好ましくは５〜１２個の炭素原子を有する単環式、二環式又は三環式炭化水素基を表す。
【００３３】
置換シクロアルキル基は、環のサイズに応じて、１個又は複数個（例えば１、２、３、４、５個又は６個以上）の置換基を有し得る。これらの置換基は好ましくは、各々独立して、アルキル、アルコキシ、アルキルチオ、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘタリール、フッ素、塩素、臭素、ヒドロキシル、メルカプト、シアノ、ニトロ、ニトロソ、ホルミル、アシル、ＣＯＯＨ、カルボキシレート、アルキルカルボニルオキシ、カルバモイル、ＳＯ３Ｈ、スルホネート、スルファミノ、スルファミド、アミジノ、ＮＥ３Ｅ４（式中、Ｅ３及びＥ４は、各々独立して、水素、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール又はヘタリールである）から選択される。置換の場合、シクロアルキル基は、好ましくは、１個又は複数個、例えば１、２、３、４又は５個のＣ１〜Ｃ６アルキル基を有する。置換シクロアルキル基の例は、特に、２−及び３−メチル−シクロペンチル、２−及び３−エチルシクロペンチル、２−、３−及び４−メチルシクロヘキシル、２−、３−及び４−エチルシクロヘキシル、２−、３−及び４−プロピルシクロヘキシル、２−、３−及び４−イソプロピルシクロヘキシル、２−、３−及び４−ブチルシクロヘキシル、２−、３−及び４−ｓｅｃ−ブチルシクロヘキシル、２−、３−及び４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキシル、２−、３−及び４−メチルシクロヘプチル、２−、３−及び４−エチルシクロヘプチル、２−、３−及び４−プロピルシクロヘプチル、２−、３−及び４−イソプロピルシクロヘプチル、２−、３−及び４−ブチルシクロヘプチル、２−、３−及び４−ｓｅｃ−ブチルシクロヘプチル、２−、３−及び４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘプチル、２−、３−、４−及び５−メチルシクロオクチル、２−、３−、４−及び５−エチルシクロオクチル、２−、３−、４−及び５−プロピルシクロオクチルである。
【００３４】
上記のシクロアルキルに関する説明はまた、シクロアルコキシ、シクロアルキルチオ（＝シクロアルキルスルファニル）、モノシクロアルキルアミノ及びジシクロアルキルアミノにおけるシクロアルキル部分にも適用される。
【００３５】
本発明との関連において、用語「アリール」は、単環式又は多環式芳香族炭化水素基を指す。アリールは、通常、６〜２４個の炭素原子、好ましくは６〜２０個の炭素原子、特に６〜１４個の炭素原子を環員として有する芳香族基である。アリールは、好ましくは、フェニル、ナフチル、インデニル、フルオレニル、アントラセニル、フェナントレニル、ナフタセニル、クリセニル、ピレニル、コロネニル、ペリレニル等、より好ましくはフェニル又はナフチルである。
【００３６】
置換アリールは、その環系の数及びサイズに応じて、１個又は複数個（例えば１、２、３、４、５個又は６個以上）の置換基を有し得る。これらの置換基は好ましくは、各々独立して、アルキル、アルコキシ、アルキルチオ、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘタリール、フッ素、塩素、臭素、ヒドロキシル、メルカプト、シアノ、ニトロ、ニトロソ、ホルミル、アシル、ＣＯＯＨ、カルボキシレート、アルキルカルボニルオキシ、カルバモイル、ＳＯ３Ｈ、スルホネート、スルファミノ、スルファミド、アミジノ、ＮＥ５Ｅ６（式中、Ｅ５及びＥ６は、各々独立して、水素、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール又はヘタリールである）から選択される。次にはアリール上のアルキル、アルコキシ、アルキルアミノ、アルキルチオ、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール及びヘタリール置換基が、非置換又は置換であってよい。これらの基について上述した置換基が参照される。アリール上の置換基は、好ましくは、アルキル、アルコキシ、ハロアルキル、ハロアルコキシ、アリール、フッ素、塩素、臭素、シアノ及びニトロから選択される。置換アリールは、より好ましくは、概して１、２、３、４又は５個、好ましくは１、２又は３個の置換基を有する置換フェニルである。
【００３７】
置換アリールは、好ましくは、少なくとも１つのアルキル基によって置換されたアリール（「アルカリール」、以下ではアルキルアリールとも称される）である。アルカリール基は、芳香環系のサイズに応じて、１個又は複数個（例えば、１、２、３、４、５、６、７、８、９個又は１０個以上）のアルキル置換基を有し得る。アルキル置換基は非置換又は置換であってよい。これに関して、非置換及び置換アルキルに関する上記の記載が参照される。好ましい実施形態では、アルカリール基は非置換アルキル置換基のみを有する。アルカリールは、好ましくは、１、２、３、４又は５個、好ましくは１、２又は３個、より好ましくは１又は２個のアルキル置換基を有するフェニルである。
【００３８】
１個又は複数個の基を有するアリールは、例えば、２−、３−及び４−メチルフェニル、２，４−、２，５−、３，５−及び２，６−ジメチルフェニル、２，４，６−トリメチルフェニル、２−、３−及び４−エチルフェニル、２，４−、２，５−、３，５−及び２，６−ジエチルフェニル、２，４，６−トリエチルフェニル、２−、３−及び４−プロピルフェニル、２，４−、２，５−、３，５−及び２，６−ジプロピルフェニル、２，４，６−トリプロピルフェニル、２−、３−及び４−イソプロピルフェニル、２，４−、２，５−、３，５−及び２，６−ジイソプロピルフェニル、２，４，６−トリイソプロピルフェニル、２−、３−及び４−ブチルフェニル、２，４−、２，５−、３，５−及び２，６−ジブチルフェニル、２，４，６−トリブチルフェニル、２−、３−及び４−イソブチルフェニル、２，４−、２，５−、３，５−及び２，６−ジイソブチルフェニル、２，４，６−トリイソブチルフェニル、２−、３−及び４−ｓｅｃ−ブチルフェニル、２，４−、２，５−、３，５−及び２，６−ジ−ｓｅｃ−ブチルフェニル、２，４，６−トリ−ｓｅｃ−ブチルフェニル、２−、３−及び４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル、２，４−、２，５−、３，５−及び２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル及び２，４，６−トリ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル；２−、３−及び４−メトキシフェニル、２，４−、２，５−、３，５−及び２，６−ジメトキシフェニル、２，４，６−トリメトキシフェニル、２−、３−及び４−エトキシフェニル、２，４−、２，５−、３，５−及び２，６−ジエトキシフェニル、２，４，６−トリエトキシフェニル、２−、３−及び４−プロポキシフェニル、２，４−、２，５−、３，５−及び２，６−ジプロポキシフェニル、２−、３−及び４−イソプロポキシフェニル、２，４−、２，５−、３，５−及び２，６−ジイソプロポキシフェニル及び２−、３−及び４−ブトキシフェニル；２−、３−及び４−クロロフェニル、（２−クロロ−６−メチル）フェニル、（２−クロロ−６−エチル）フェニル、（４−クロロ−６−メチル）フェニル、（４−クロロ−６−エチル）フェニルである。
【００３９】
上記のアリールに関する説明はまた、アリールオキシ、アリールチオ（＝アリールスルファニル）、モノアリールアミノ及びジアリールアミノにおけるアリール部分にも適用される。
【００４０】
本発明との関連において、表現「ヘテロシクロアルキル」は、概して５〜８個の環原子、好ましくは５個又は６個の環原子を有する非芳香族不飽和又は完全飽和脂環族基を含む。ヘテロシクロアルキル基では、対応するシクロアルキル基と比較して、環炭素原子の１、２、３、４個又は５個以上が、ヘテロ原子又はヘテロ原子含有基に置換される。ヘテロ原子又はヘテロ原子含有基は、好ましくは、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＲｅ−、−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｓ（＝Ｏ）−及び／又は−Ｓ（＝Ｏ）２−から選択される。Ｒｅは、好ましくは、水素、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール又はヘタリールである。ヘテロシクロアルキルは非置換であるか、又は場合により、１個又は複数個、例えば１、２、３、４、５、６又は７個の同じ又は異なる基を有する。これらの基は好ましくは、各々独立して、アルキル、アルコキシ、アルキルアミノ、アルキルチオ、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘタリール、フッ素、塩素、臭素、ヒドロキシル、メルカプト、シアノ、ニトロ、ニトロソ、ホルミル、アシル、ＣＯＯＨ、カルボキシレート、アルキルカルボニルオキシ、カルバモイル、ＳＯ３Ｈ、スルホネート、スルファミノ、スルファミド、アミジノ、ＮＥ５Ｅ６（式中、Ｅ５及びＥ６は、各々独立して、水素、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール又はヘタリールである）から選択される。ヘテロシクロアルキル基の例は、特に、ピロリジニル、ピペリジニル、２，２，６，６−テトラメチルピペリジニル、イミダゾリジニル、ピラゾリジニル、オキサゾリジニル、モルホリニル、チアゾリジニル、イソチアゾリジニル、イソキサゾリジニル、ピペラジニル、テトラヒドロチオフェニル、ジヒドロチエン−２−イル、テトラヒドロフラニル、ジヒドロフラン−２−イル、テトラヒドロピラニル、２−オキサゾリニル、３−オキサゾリニル、４−オキサゾリニル及びジオキサニルである。
【００４１】
置換ヘテロシクロアルキル基は、環のサイズに応じて、１個又は複数個（例えば１、２、３、４、５個又は６個以上）の置換基を有し得る。これらの置換基は好ましくは、各々独立して、アルキル、アルコキシ、アルキルチオ、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘタリール、フッ素、塩素、臭素、ヒドロキシル、メルカプト、シアノ、ニトロ、ニトロソ、ホルミル、アシル、ＣＯＯＨ、カルボキシレート、アルキルカルボニルオキシ、カルバモイル、ＳＯ３Ｈ、スルホネート、スルファミノ、スルファミド、アミジノ、ＮＥ７Ｅ８（式中、Ｅ７及びＥ８は、各々独立して、水素、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール又はヘタリールである）から選択される。置換の場合、ヘテロシクロアルキル基は好ましくは、１個又は複数個、例えば１、２、３、４又は５個のＣ１〜Ｃ６アルキル基を有する。
【００４２】
上記のヘテロシクロアルキルに関する説明はまた、ヘテロシクロアルコキシ、ヘテロシクロアルキルチオ（＝ヘテロシクロアルキルスルファニル）、モノヘテロシクロアルキルアミノ及びジヘテロシクロアルキルアミノにおけるヘテロシクロアルキル部分にも適用される。
【００４３】
本発明との関連において、表現「ヘタリール」（ヘテロアリール）は、複素環式芳香族単環基又は多環基を含む。これらは、環炭素原子に加えて、１、２、３、４個又は５個以上のヘテロ原子を環員として有する。ヘテロ原子は、好ましくは、酸素、窒素、セレン及び硫黄から選択される。ヘタリール基は、好ましくは５〜１８個、例えば５、６、８、９、１０、１１、１２、１３又は１４個の環原子を有する。
【００４４】
単環式ヘタリール基は、好ましくは５員環又は６員環ヘタリール基、例えば、２−フリル（フラン−２−イル）、３−フリル（フラン−３−イル）、２−チエニル（チオフェン−２−イル）、３−チエニル（チオフェン−３−イル）、セレノフェン−２−イル、セレノフェン−３−イル、１Ｈ−ピロール−２−イル、１Ｈ−ピロール−３−イル、ピロール−１−イル、イミダゾール−２−イル、イミダゾール−１−イル、イミダゾール−４−イル、ピラゾール−１−イル、ピラゾール−３−イル、ピラゾール−４−イル、ピラゾール−５−イル、３−イソオキサゾリル、４−イソオキサゾリル、５−イソオキサゾリル、３−イソチアゾリル、４−イソチアゾリル、５−イソチアゾリル、２−オキサゾリル、４−オキサゾリル、５−オキサゾリル、２−チアゾリル、４−チアゾリル、５−チアゾリル、１，２，４−オキサジアゾール−３−イル、１，２，４−オキサジアゾール−５−イル、１，３，４−オキサジアゾール−２−イル、１，２，４−チアジアゾール−３−イル、１，２，４−チアジアゾール−５−イル、１，３，４−チアジアゾール−２−イル、４Ｈ−［１，２，４］−トリアゾール−３−イル、１，３，４−トリアゾール−２−イル、１，２，３−トリアゾール−１−イル、１，２，４−トリアゾール−１−イル、ピリジン−２−イル、ピリジン−３−イル、ピリジン−４−イル、３−ピリダジニル、４−ピリダジニル、２−ピリミジニル、４−ピリミジニル、５−ピリミジニル、２−ピラジニル、１，３，５−トリアジン−２−イル及び１，２，４−トリアジン−３−イルである。
【００４５】
多環式ヘタリール基は、２、３、４個又は５個以上の縮合環を有する。縮合する環は、芳香族で、飽和又は部分不飽和であってよい。多環式ヘタリール基の例は、キノリニル、イソキノリニル、インドリル、イソインドリル、インドリジニル、ベンゾフラニル、イソベンゾフラニル、ベンゾチオフェニル、ベンズオキサゾリル、ベンズイソキサゾリル、ベンズチアゾリル、ベンズオキサジアゾリル、ベンゾチアジアゾリル、ベンズオキサジニル、ベンゾピラゾリル、ベンズイミダゾリル、ベンゾトリアゾリル、ベンゾトリアジニル、ベンゾセレノフェニル、チエノチオフェニル、チエノピリミジル、チアゾロチアゾリル、ジベンゾピロリル（カルバゾリル）、ジベンゾフラニル、ジベンゾチオフェニル、ナフト［２，３−ｂ］チオフェニル、ナフタ［２，３−ｂ］フリル（ｎａｐｈｔｈａ［２，３−ｂ］ｆｕｒｙｌ）、ジヒドロインドリル、ジヒドロインドリジニル、ジヒドロイソインドリル、ジヒドロキノリニル及びジヒドロイソキノリニルである。
【００４６】
置換ヘタリール基は、その環系の数及びサイズに応じて、１個又は複数個（例えば１、２、３、４、５個又は６個以上）の置換基を有し得る。これらの置換基は好ましくは、各々独立して、アルキル、アルコキシ、アルキルチオ、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘタリール、フッ素、塩素、臭素、ヒドロキシル、メルカプト、シアノ、ニトロ、ニトロソ、ホルミル、アシル、ＣＯＯＨ、カルボキシレート、アルキルカルボニルオキシ、カルバモイル、ＳＯ３Ｈ、スルホネート、スルファミノ、スルファミド、アミジノ、ＮＥ９Ｅ１０（式中、Ｅ９及びＥ１０は、各々独立して、水素、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール又はヘタリールである）から選択される。ハロゲン置換基は、好ましくは、フッ素、塩素又は臭素である。置換基は、好ましくは、Ｃ１〜Ｃ６アルキル、Ｃ１〜Ｃ６アルコキシ、ヒドロキシル、カルボキシル、ハロゲン及びシアノから選択される。
【００４７】
上記のヘタリールに関する説明はまた、ヘタリールオキシ、ヘタリールチオ、モノヘタリールアミノ及びジヘタリールアミノにおけるヘタリール部分にも適用される。
【００４８】
本発明の目的上、表現「アシル」は、概して２〜１１個、好ましくは２〜８個の炭素原子を有するアルカノイル基又はアロイル基、例えば、アセチル、プロパノイル、ブタノイル、ペンタノイル、ヘキサノイル、ヘプタノイル−、２−エチルヘキサノイル、２−プロピルヘプタノイル、ピバロイル、ベンゾイル又はナフトイル基を指す。
【００４９】
基ＮＥ１Ｅ２は、好ましくはＮ，Ｎ−ジメチルアミノ、Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ、Ｎ，Ｎ−ジプロピルアミノ、Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルアミノ、Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−ブチルアミノ、Ｎ，Ｎ−ジ−ｔ−ブチルアミノ、Ｎ，Ｎ−ジシクロヘキシルアミノ又はＮ，Ｎ−ジフェニルアミノである。
【００５０】
縮合環系は、縮合により結合した脂環式環、脂肪族複素環、芳香環及び芳香族複素環及びそれらの組み合わせ、ヒドロ芳香族化合物を含むことができる。縮合環系は、２個、３個以上（例えば、４、５、６、７又は８個）の環を含む。縮合環系における環の結合方法に応じて、オルト縮合（すなわち各環が少なくとも１つの辺又は２個の原子を隣接する各環と共有する）と、ペリ縮合（炭素原子が３個以上の環に属する）とが区別される。好ましい縮合環系はオルト縮合環系である。
【００５１】
以下の式において言及する基及びその置換基の具体例は、以下である：
メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ペンチル、イソペンチル、ネオペンチル、ｔｅｒｔ−ペンチル、ヘキシル、２−メチルペンチル、ヘプチル、１−エチルペンチル、オクチル、２−エチルヘキシル、イソオクチル、ノニル、イソノニル、デシル、イソデシル、ウンデシル、ドデシル、トリデシル、イソトリデシル、テトラデシル、ペンタデシル、ヘキサデシル、ヘプタデシル、オクタデシル、ノナデシル及びエイコシル（上記の用語イソオクチル、イソノニル、イソデシル及びイソトリデシルは慣用語であり、オキソ法によって得られるアルコールに由来する）；
２−メトキシエチル、２−エトキシエチル、２−プロポキシエチル、２−イソプロポキシエチル、２−ブトキシエチル、２−及び３−メトキシプロピル、２−及び３−エトキシプロピル、２−及び３−プロポキシプロピル、２−及び３−ブトキシプロピル、２−及び４−メトキシブチル、２−及び４−エトキシブチル、２−及び４−プロポキシブチル、３，６−ジオキサヘプチル、３，６−ジオキサオクチル、４，８−ジオキサノニル、３，７−ジオキサオクチル、３，７−ジオキサノニル、４，７−ジオキサオクチル、４，７−ジオキサノニル、２−及び４−ブトキシブチル、４，８−ジオキサデシル、３，６，９−トリオキサデシル、３，６，９−トリオキサウンデシル、３，６，９−トリオキサドデシル、３，６，９，１２−テトラオキサトリデシル及び３，６，９，１２−テトラオキサテトラデシル；
２−メチルチオエチル、２−エチルチオエチル、２−プロピルチオエチル、２−イソプロピルチオエチル、２−ブチルチオエチル、２−及び３−メチルチオプロピル、２−及び３−エチルチオプロピル、２−及び３−プロピルチオプロピル、２−及び３−ブチルチオプロピル、２−及び４−メチルチオブチル、２−及び４−エチルチオブチル、２−及び４−プロピルチオブチル、３，６−ジチアヘプチル、３，６−ジチアオクチル、４，８−ジチアノニル、３，７−ジチアオクチル、３，７−ジチアノニル、２−及び４−ブチルチオブチル、４，８−ジチアデシル、３，６，９−トリチアデシル、３，６，９−トリチアウンデシル、３，６，９−トリチアドデシル、３，６，９，１２−テトラチアトリデシル及び３，６，９，１２−テトラチアテトラデシル；
２−モノメチル−及び２−モノエチルアミノエチル、２−ジメチルアミノエチル、２−及び３−ジメチルアミノプロピル、３−モノイソプロピルアミノプロピル、２−及び４−モノプロピルアミノブチル、２−及び４−ジメチルアミノブチル、６−メチル−３，６−ジアザヘプチル、３，６−ジメチル−３，６−ジアザヘプチル、３，６−ジアザオクチル、３，６−ジメチル−３，６−ジアザオクチル、９−メチル−３，６，９−トリアザデシル、３，６，９−トリメチル−３，６，９−トリアザデシル、３，６，９−トリアザウンデシル、３，６，９−トリメチル−３，６，９−トリアザウンデシル、１２−メチル−３，６，９，１２−テトラアザトリデシル及び３，６，９，１２−テトラメチル−３，６，９，１２−テトラアザトリデシル；
（１−エチルエチリデン）アミノエチレン、（１−エチルエチリデン）アミノプロピレン、（１−エチルエチリデン）アミノブチレン、（１−エチルエチリデン）アミノデシレン及び（１−エチルエチリデン）アミノドデシレン；
プロパン−２−オン−１−イル、ブタン−３−オン−１−イル、ブタン−３−オン−２−イル及び２−エチルペンタン−３−オン−１−イル；
２−メチルスルホキシドエチル、２−エチルスルホキシドエチル、２−プロピルスルホキシドエチル、２−イソプロピルスルホキシドエチル、２−ブチルスルホキシドエチル、２−及び３−メチルスルホキシドプロピル、２−及び３−エチルスルホキシドプロピル、２−及び３−プロピルスルホキシドプロピル、２−及び３−ブチルスルホキシドプロピル、２−及び４−メチルスルホキシドブチル、２−及び４−エチルスルホキシドブチル、２−及び４−プロピルスルホキシドブチル及び４−ブチルスルホキシドブチル；
２−メチルスルホニルエチル、２−エチルスルホニルエチル、２−プロピルスルホニルエチル、２−イソプロピルスルホニルエチル、２−ブチルスルホニルエチル、２−及び３−メチルスルホニルプロピル、２−及び３−エチルスルホニルプロピル、２−及び３−プロピルスルホニルプロピル、２−及び３−ブチルスルホニルプロピル、２−及び４−メチルスルホニルブチル、２−及び４−エチルスルホニルブチル、２−及び４−プロピルスルホニルブチル及び４−ブチルスルホニルブチル；
カルボキシメチル、２−カルボキシエチル、３−カルボキシプロピル、４−カルボキシブチル、５−カルボキシペンチル、６−カルボキシヘキシル、８−カルボキシオクチル、１０−カルボキシデシル、１２−カルボキシドデシル及び１４−カルボキシテトラデシル；
スルホメチル、２−スルホエチル、３−スルホプロピル、４−スルホブチル、５−スルホペンチル、６−スルホヘキシル、８−スルホオクチル、１０−スルホデシル、１２−スルホドデシル及び１４−スルホテトラデシル；
２−ヒドロキシエチル、２−及び３−ヒドロキシプロピル、１−ヒドロキシプロパ−２−イル、３−及び４−ヒドロキシブチル、１−ヒドロキシブタ−２−イル及び８−ヒドロキシ−４−オキサオクチル；
２−シアノエチル、３−シアノプロピル、３−及び４−シアノブチル、２−メチル−３−エチル−３−シアノプロピル、７−シアノ−７−エチルヘプチル及び４，７−ジメチル−７−シアノヘプチル；
２−クロロエチル、２−及び３−クロロプロピル、２−、３−及び４−クロロブチル、２−ブロモエチル、２−及び３−ブロモプロピル及び２−、３−及び４−ブロモブチル；
２−ニトロエチル、２−及び３−ニトロプロピル及び２−、３−及び４−ニトロブチル；
メトキシ、エトキシ、プロポキシ、イソプロポキシ、ブトキシ、イソブトキシ、ｓｅｃ−ブトキシ、ｔｅｒｔ−ブトキシ、ペントキシ、イソペントキシ、ネオペントキシ、ｔｅｒｔ−ペントキシ及びヘキソキシ；
メチルチオ、エチルチオ、プロピルチオ、イソプロピルチオ、ブチルチオ、イソブチルチオ、ｓｅｃ−ブチルチオ、ｔｅｒｔ−ブチルチオ、ペンチルチオ、イソペンチルチオ、ネオペンチルチオ、ｔｅｒｔ−ペンチルチオ及びヘキシルチオ；
エチニル、１−及び２−プロピニル、１−、２−及び３−ブチニル、１−、２−、３−及び４−ペンチニル、１−、２−、３−、４−及び５−ヘキシニル、１−、２−、３−、４−、５−、６−、７−、８−及び９−デシニル、１−、２−、３−、４−、５−、６−、７−、８−、９−、１０−及び１１−ドデシニル及び１−、２−、３−、４−、５−、６−、７−、８−、９−、１０−、１１−、１２−、１３−、１４−、１５−、１６−及び１７−オクタデシニル；
エテニル、１−及び２−プロペニル、１−、２−及び３−ブテニル、１−、２−、３−及び４−ペンテニル、１−、２−、３−、４−及び５−ヘキセニル、１−、２−、３−、４−、５−、６−、７−、８−及び９−デセニル、１−、２−、３−、４−、５−、６−、７−、８−、９−、１０−及び１１−ドデセニル及び１−、２−、３−、４−、５−、６−、７−、８−、９−、１０−、１１−、１２−、１３−、１４−、１５−、１６−及び１７−オクタデセニル；
メチルアミノ、エチルアミノ、プロピルアミノ、イソプロピルアミノ、ブチルアミノ、イソブチルアミノ、ペンチルアミノ、ヘキシルアミノ、ジメチルアミノ、メチルエチルアミノ、ジエチルアミノ、ジプロピルアミノ、ジイソプロピルアミノ、ジブチルアミノ、ジイソブチルアミノ、ジペンチルアミノ、ジヘキシルアミノ、ジシクロペンチルアミノ、ジシクロヘキシルアミノ、ジシクロヘプチルアミノ、ジフェニルアミノ及びジベンジルアミノ；
ホルミルアミノ、アセチルアミノ、プロピオニルアミノ及びベンゾイルアミノ；
カルバモイル、メチルアミノカルボニル、エチルアミノカルボニル、プロピルアミノカルボニル、ブチルアミノカルボニル、ペンチルアミノカルボニル、ヘキシルアミノカルボニル、ヘプチルアミノカルボニル、オクチルアミノカルボニル、ノニルアミノカルボニル、デシルアミノカルボニル及びフェニルアミノカルボニル；
アミノスルホニル、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノスルホニル、Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノスルホニル、Ｎ−メチル−Ｎ−エチルアミノスルホニル、Ｎ−メチル−Ｎ−ドデシルアミノスルホニル、Ｎ−ドデシルアミノスルホニル、（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）エチルアミノスルホニル、Ｎ，Ｎ−（プロポキシエチル）ドデシルアミノスルホニル、Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノスルホニル、Ｎ，Ｎ−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）オクタデシルアミノスルホニル及びＮ，Ｎ−ビス（４−クロロフェニル）アミノスルホニル；
メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、プロポキシカルボニル、イソプロポキシカルボニル、ヘキソキシカルボニル、ドデシルオキシカルボニル、オクタデシルオキシカルボニル、フェノキシカルボニル、（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェノキシ）カルボニル及び（４−クロロフェノキシ）カルボニル；
メトキシスルホニル、エトキシスルホニル、プロポキシスルホニル、イソプロポキシスルホニル、ブトキシスルホニル、イソブトキシスルホニル、ｔｅｒｔ−ブトキシスルホニル、ヘキソキシスルホニル、ドデシルオキシスルホニル、オクタデシルオキシスルホニル、フェノキシスルホニル、１−及び２−ナフチルオキシスルホニル、（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェノキシ）スルホニル及び（４−クロロフェノキシ）スルホニル；
ジフェニルホスフィノ、ジ（ｏ−トリル）ホスフィノ及びジフェニルホスフィンオキシド；
フッ素、塩素、臭素及びヨウ素；
フェニルアゾ、２−ナフチルアゾ、２−ピリジルアゾ及び２−ピリミジルアゾ；
シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、２−及び３−メチルシクロペンチル、２−及び３−エチルシクロペンチル、シクロヘキシル、２−、３−及び４−メチルシクロヘキシル、２−、３−及び４−エチルシクロヘキシル、３−及び４−プロピルシクロヘキシル、３−及び４−イソプロピルシクロヘキシル、３−及び４−ブチルシクロヘキシル、３−及び４−ｓｅｃ−ブチルシクロヘキシル、３−及び４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキシル、シクロヘプチル、２−、３−及び４−メチルシクロヘプチル、２−、３−及び４−エチルシクロヘプチル、３−及び４−プロピルシクロヘプチル、３−及び４−イソプロピルシクロヘプチル、３−及び４−ブチルシクロヘプチル、３−及び４−ｓｅｃ−ブチルシクロヘプチル、３−及び４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘプチル、シクロオクチル、２−、３−、４−及び５−メチルシクロオクチル、２−、３−、４−及び５−エチルシクロオクチル及び３−、４−及び５−プロピルシクロオクチル；３−及び４−ヒドロキシシクロヘキシル、３−及び４−ニトロシクロヘキシル及び３−及び４−クロロシクロヘキシル；
１−、２−及び３−シクロペンテニル、１−、２−、３−及び４−シクロヘキセニル、１−、２−及び３−シクロヘプテニル及び１−、２−、３−及び４−シクロオクテニル；
２−ジオキサニル、１−モルホリニル、１−チオモルホリニル、２−及び３−テトラヒドロフリル、１−、２−及び３−ピロリジニル、１−ピペラジル、１−ジケトピペラジル及び１−、２−、３−及び４−ピペリジル；
フェニル、２−ナフチル、２−及び３−ピリル、２−、３−及び４−ピリジル、２−、４−及び５−ピリミジル、３−、４−及び５−ピラゾリル、２−、４−及び５−イミダゾリル、２−、４−及び５−チアゾリル、３−（１，２，４−トリアジル）、２−（１，３，５−トリアジル）、６−キナルジル、３−、５−、６−及び８−キノリニル、２−ベンズオキサゾリル、２−ベンゾチアゾリル、５−ベンゾチアジアゾリル、２−及び５−ベンズイミダゾリル及び１−及び５−イソキノリル；
１−、２−、３−、４−、５−、６−及び７−インドリル、１−、２−、３−、４−、５−、６−及び７−イソインドリル、５−（４−メチルイソインドリル）、５−（４−フェニルイソインドリル）、１−、２−、４−、６−、７−及び８−（１，２，３，４−テトラヒドロイソキノリニル）、３−（５−フェニル）−（１，２，３，４−テトラヒドロイソキノリニル）、５−（３−ドデシル）−（１，２，３，４−テトラヒドロイソキノリニル）、１−、２−、３−、４−、５−、６−、７−及び８−（１，２，３，４−テトラヒドロキノリニル）及び２−、３−、４−、５−、６−、７−及び８−クロマニル、２−、４−及び７−キノリニル、２−（４−フェニルキノリニル）及び２−（５−エチルキノリニル）；
２−、３−及び４−メチルフェニル、２，４−、３，５−及び２，６−ジメチルフェニル、２，４，６−トリメチルフェニル、２−、３−及び４−エチルフェニル、２，４−、３，５−及び２，６−ジエチルフェニル、２，４，６−トリエチルフェニル、２−、３−及び４−プロピルフェニル、２，４−、３，５−及び２，６−ジプロピルフェニル、２，４，６−トリプロピルフェニル、２−、３−及び４−イソプロピルフェニル、２，４−、３，５−及び２，６−ジイソプロピルフェニル、２，４，６−トリイソプロピルフェニル、２−、３−及び４−ブチルフェニル、２，４−、３，５−及び２，６−ジブチルフェニル、２，４，６−トリブチルフェニル、２−、３−及び４−イソブチルフェニル、２，４−、３，５−及び２，６−ジイソブチルフェニル、２，４，６−トリイソブチルフェニル、２−、３−及び４−ｓｅｃ−ブチルフェニル、２，４−、３，５−及び２，６−ジ−ｓｅｃ−ブチルフェニル及び２，４，６−トリ−ｓｅｃ−ブチルフェニル；
２−、３−及び４−メトキシフェニル、２，４−、３，５−及び２，６−ジメトキシフェニル、２，４，６−トリメトキシフェニル、２−、３−及び４−エトキシフェニル、２，４−、３，５−及び２，６−ジエトキシフェニル、２，４，６−トリエトキシフェニル、２−、３−及び４−プロポキシフェニル、２，４−、３，５−及び２，６−ジプロポキシフェニル、２−、３−及び４−イソプロポキシフェニル、２，４−及び２，６−ジイソプロポキシフェニル及び２−、３−及び４−ブトキシフェニル；２−、３−及び４−クロロフェニル及び２，４−、３，５−及び２，６−ジクロロフェニル；２−、３−及び４−ヒドロキシフェニル及び２，４−、３，５−及び２，６−ジヒドロキシフェニル；２−、３−及び４−シアノフェニル；３−及び４−カルボキシフェニル；３−及び４−カルボキサミドフェニル、３−及び４−Ｎ−メチルカルボキサミドフェニル及び３−及び４−Ｎ−エチルカルボキサミドフェニル；３−及び４−アセチルアミノフェニル、３−及び４−プロピオニルアミノフェニル及び３−及び４−ブチリルアミノフェニル；３−及び４−Ｎ−フェニルアミノフェニル、３−及び４−Ｎ−（ｏ−トリル）アミノフェニル、３−及び４−Ｎ−（ｍ−トリル）アミノフェニル及び３−及び４−（ｐ−トリル）アミノフェニル；３−及び４−（２−ピリジル）アミノフェニル、３−及び４−（３−ピリジル）アミノフェニル、３−及び４−（４−ピリジル）アミノフェニル、３−及び４−（２−ピリミジル）アミノフェニル及び４−（４−ピリミジル）アミノフェニル；
４−フェニルアゾフェニル、４−（１−ナフチルアゾ）フェニル、４−（２−ナフチルアゾ）フェニル、４−（４−ナフチルアゾ）フェニル、４−（２−ピリジルアゾ）フェニル、４−（３−ピリジルアゾ）フェニル、４−（４−ピリジルアゾ）フェニル、４−（２−ピリミジルアゾ）フェニル、４−（４−ピリミジルアゾ）フェニル及び４−（５−ピリミジルアゾ）フェニル；
フェノキシ、フェニルチオ、２−ナフトキシ、２−ナフチルチオ、２−、３−及び４−ピリジルオキシ、２−、３−及び４−ピリジルチオ、２−、４−及び５−ピリミジルオキシ及び２−、４−及び５−ピリミジルチオ。
【００５２】
フッ素を含有する基の具体例は、以下である：
２，２，２−トリフルオロエチル、２，２，３，３，３−ペンタフルオロプロピル、２，２−ジフルオロエチル、２，２，２−トリフルオロ−１−フェニルエチルアミン、１−ベンジル−２，２，２−トリフルオロエチル、２−ブロモ−２，２−ジフルオロエチル、２，２，２−トリフルオロ−１−ピリジン−２−イルエチル、２，２−ジフルオロプロピル、２，２，２−トリフルオロ−１−（４−メトキシフェニル）エチルアミン、２，２，２−トリフルオロ−１−フェニルエチルアミン、２，２−ジフルオロ−１−フェニルエチルアミン、１−（４−ブロモフェニル）−２，２，２−トリフルオロエチル、３−ブロモ−３，３−ジフルオロプロピル、３，３，３−トリフルオロプロピルアミン、３，３，３−トリフルオロ−ｎ−プロピル、１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−ペルフルオロデシル、３−（ペルフルオロオクチル）プロピル、ペンタフルオロフェニル、２，３，５，６−テトラフルオロフェニル、４−シアノ−（２，３，５，６）−テトラフルオロフェニル、４−カルボキシ−２，３，５，６−テトラフルオロフェニル、２，４−ジフルオロフェニル、２，４，５−トリフルオロフェニル、２，４，６−トリフルオロフェニル、２，５−ジフルオロフェニル、２−フルオロ−５−ニトロフェニル、２−フルオロ−５−トリフルオロメチルフェニル、２−フルオロ−５−メチルフェニル、２，６−ジフルオロフェニル、４−カルボキサミド−２，３，５，６−テトラフルオロフェニル、２−ブロモ−４，６−ジフルオロフェニル、４−ブロモ−２−フルオロフェニル、２，３−ジフルオロフェニル、４−クロロ−２−フルオロフェニル、２，３，４−トリフルオロフェニル、２−フルオロ−４−ヨードフェニル、４−ブロモ−２，３，５，６−テトラフルオロフェニル、２，３，６−トリフルオロフェニル、２−ブロモ−３，４，６−トリフルオロフェニル、２−ブロモ−４，５，６−トリフルオロフェニル、４−ブロモ−２，６−ジフルオロフェニル、２，３，４，５−テトラフルオロフェニル、２，４−ジフルオロ−６−ニトロフェニル、２−フルオロ−４−ニトロフェニル、２−クロロ−６−フルオロフェニル、２−フルオロ−４−メチルフェニル、３−クロロ−２，４−ジフルオロフェニル、２，４−ジブロモ−６−フルオロフェニル、３，５−ジクロロ−２，４−ジフルオロフェニル、４−シアノ−１−フルオロフェニル、１−クロロ−４−フルオロフェニル、２−フルオロ−３−トリフルオロメチルフェニル、２−トリフルオロメチル−６−フルオロフェニル、２，３，４，６−テトラフルオロフェニル、３−クロロ−２−フルオロフェニル、５−クロロ−２−フルオロフェニル、２−ブロモ−４−クロロ−６−フルオロフェニル、２，３−ジシアノ−４，５，６−トリフルオロフェニル、２，４，５−トリフルオロ−３−カルボキシフェニル、２，３，４−トリフルオロ−６−カルボキシフェニル、２，３，５−トリフルオロフェニル、４−トリフルオロメチル−２，３，５，６−テトラフルオロフェニル、１−フルオロ−５−カルボキシフェニル、２−クロロ−４，６−ジフルオロフェニル、６−ブロモ−３−クロロ−２，４−ジフルオロフェニル、２，３，４−トリフルオロ−６−ニトロフェニル、２，５−ジフルオロ−４−シアノフェニル、２，５−ジフルオロ−４−トリフルオロメチルフェニル、２，３−ジフルオロ−６−ニトロフェニル、４−トリフルオロメチル−２，３−ジフルオロフェニル、２−ブロモ−４，６−ジフルオロフェニル、４−ブロモ−２−フルオロフェニル、２−ニトロテトラフルオロフェニル、２，２’，３，３’，４’，５，５’，６，６’−ノナビフェニル、２−ニトロ−３，５，６−トリフルオロフェニル、２−ブロモ−６−フルオロフェニル、４−クロロ−２−フルオロ−６−ヨードフェニル、２−フルオロ−６−カルボキシフェニル、２，４−ジフルオロ−３−トリフルオロフェニル、２−フルオロ−４−トリフルオロフェニル、２−フルオロ−４−カルボキシフェニル、４−ブロモ−２，５−ジフルオロフェニル、２，５−ジブロモ−３，４，６−トリフルオロフェニル、２−フルオロ−５−メチルスルホニルフェニル（ｍｅｔｈｙｌｓｕｌｐｈｏｎｙｌｐｅｎｙｌ）、５−ブロモ−２−フルオロフェニル、２−フルオロ−４−ヒドロキシメチルフェニル、３−フルオロ−４−ブロモメチルフェニル、２−ニトロ−４−トリフルオロメチルフェニル、４−トリフルオロメチルフェニル、２−ブロモ−４−トリフルオロメチルフェニル、２−ブロモ−６−クロロ−４−（トリフルオロメチル）フェニル、２−クロロ−４−トリフルオロメチルフェニル、３−ニトロ−４−（トリフルオロメチル）フェニル、２，６−ジクロロ−４−（トリフルオロメチル）フェニル、４−トリフルオロフェニル、２，６−ジブロモ−４−（トリフルオロメチル）フェニル、４−トリフルオロメチル２，３，５，６−テトラフルオロフェニル、３−フルオロ−４−トリフルオロメチルフェニル、２，５−ジフルオロ−４−トリフルオロメチルフェニル、３，５−ジフルオロ−４−トリフルオロメチルフェニル、２，３−ジフルオロ−４−トリフルオロメチルフェニル、２，４−ビス（トリフルオロメチル）フェニル、３−クロロ−４−トリフルオロメチルフェニル、２−ブロモ−４，５−ジ（トリフルオロメチル）フェニル、５−クロロ−２−ニトロ−４−（トリフルオロメチル）フェニル、２，４，６−トリス（トリフルオロメチル）フェニル、３，４−ビス（トリフルオロメチル）フェニル、２−フルオロ−３−トリフルオロメチルフェニル、２−ｌｏｄ−４−トリフルオロメチルフェニル、２−ニトロ−４，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル、２−メチル４−（トリフルオロメチル）フェニル、３，５−ジクロロ−４−（トリフルオロメチル）フェニル、２，３，６−トリクロロ−４−（トリフルオロメチル）フェニル、４−（トリフルオロメチル）ベンジル、２−フルオロ−４−（トリフルオロメチル）ベンジル、３−フルオロ−４−（トリフルオロメチル）ベンジル、３−クロロ−４−（トリフルオロメチル）ベンジル、４−フルオロフェネチル、３−（トリフルオロメチル）フェネチル、２−クロロ−６−フルオロフェネチル、２，６−ジクロロフェネチル、３−フルオロフェネチル、２−フルオロフェネチル、（２−トリフルオロメチル）フェネチル、４−フルオロフェネチル、３−フルオロフェネチル、４−トリフルオロメチルフェネチル、２，３−ジフルオロフェネチル、３，４−ジフルオロフェネチル、２，４−ジフルオロフェネチル、２，５−ジフルオロフェネチル、３，５−ジフルオロフェネチル、２，６−ジフルオロフェネチル、４−（４−フルオロフェニル）フェネチル、３，５−ジ（トリフルオロメチル）フェネチル、ペンタフルオロフェネチル、２，４−ジ（トリフルオロメチル）フェネチル、２−ニトロ−４−（トリフルオロメチル）フェネチル、（２−フルオロ−３−トリフルオロメチル）フェネチル、（２−フルオロ−５−トリフルオロメチル）フェネチル、（３−フルオロ−５−トリフルオロメチル）フェネチル、（４−フルオロ−２−トリフルオロメチル）フェネチル、（４−フルオロ−３−トリフルオロメチル）フェネチル、（２−フルオロ−６−トリフルオロメチル）フェネチル、（２，３，６−トリフルオロ）フェネチル、（２，４，５−トリフルオロ）フェネチル、（２，４，６−トリフルオロ）フェネチル、（２，３，４−トリフルオロ）フェネチル、（３，４，５−トリフルオロ）フェネチル、（２，３，５−トリフルオロ）フェネチル、（２−クロロ−５−フルオロ）フェネチル、（３−フルオロ−４−トリフルオロメチル）フェネチル、（２−クロロ−５−トリフルオロメチル）フェネチル、（２−フルオロ−３−クロロ−５−トリフルオロメチル）フェネチル、（２−フルオロ−３−クロロ）フェネチル、（４−フルオロ−３−クロロ）フェネチル、（２−フルオロ−４−クロロ）フェネチル、（２，３−ジフルオロ−４−メチル）フェネチル−、２，６−ジフルオロ−３−クロロフェネチル、（２，６−ジフルオロ−３−メチル）フェネチル、（２−トリフルオロメチル−５−クロロ）フェネチル、（６−クロロ−２−フルオロ−５−メチル）フェネチル、（２，４−ジクロロ−５−フルオロ）フェネチル、５−クロロ−２−フルオロフェネチル、（２，５−ジフルオロ−６−クロロ）フェネチル、（２，３，４，５−テトラフルオロ）フェネチル、（２−フルオロ−４−トリフルオロメチル）フェネチル、２，３−（ジフルオロ−４−トリフルオロメチル）フェネチル、（２，５−ジ（トリフルオロメチル））フェネチル、２−フルオロ−３，５−ジブロモフェネチル、（３−フルオロ−４−ニトロ）フェネチル、（２−ブロモ−４−トリフルオロメチル）フェネチル、２−（ブロモ−５−フルオロ）フェネチル、（２，６−ジフルオロ−４−ブロモ）フェネチル、（２，６−ジフルオロ−４−クロロ）フェネチル、（３−クロロ−５−フルオロ）フェネチル、（２−ブロモ−５−トリフルオロメチル）フェネチルなど。
【００５３】
式（Ｉ）の化合物において、Ｒ１基とＲ２基とは同じ又は異なる定義を有し得る。好ましい実施形態では、Ｒ１基とＲ２基とは同じ定義を有する。
【００５４】
式（Ｉ）の化合物において、Ｒ３基とＲ４基とは同じ又は異なる定義を有し得る。好ましい実施形態では、Ｒ３基とＲ４基とは同じ定義を有する。
【００５５】
好ましい実施形態では、基Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４の少なくとも１つは、
【化７】
2014532035.tif 000009
［式中
＃は、窒素原子に結合する側を表し、
Ａは、存在する場合、−Ｏ−及び−Ｓ−から選択される１つ又は複数の非隣接基によって分断されていてもよいＣ１〜Ｃ１０アルキレン基であり、
ｙは０又は１であり、
式Ａ．５、Ａ．８、Ａ．１１及びＡ．１４の残基Ｒｈは、互いに独立して、Ｃ１〜Ｃ３０アルキル、Ｃ１〜Ｃ３０フルオロアルキル、フッ素、塩素、臭素、ＮＥ１Ｅ２、ニトロ及びシアノから選択され、ここでＥ１及びＥ２は、互いに独立して、水素、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール又はヘタリールであり、
式Ａ．６、Ａ．７、Ａ．９、Ａ．１０、Ａ．１２、Ａ．１３、Ａ．１５及びＡ．１６の残基Ｒｉは、互いに独立して、Ｃ１〜Ｃ３０アルキルから選択され、
ｘは、式Ａ．５、Ａ．６及びＡ．７では、１、２、３、４又は５であり、
式Ａ．８、Ａ．９及びＡ．１０では、１、２、３又は４であり、
式Ａ．１１、Ａ．１２及びＡ．１３では、１、２又は３であり、
式Ａ．１４、Ａ．１５及びＡ．１６では、１又は２である］
から選択される。
【００５６】
化合物（Ｉ）の好ましい実施形態では、基Ｒ１及びＲ２は、独立して、一般式（Ａ．１）〜（Ａ．１６）の基から選択される。詳細には、Ｒ１及びＲ２は同じ意味を有し、一般式（Ａ．１）〜（Ａ．１６）の基から選択される。
【００５７】
化合物（Ｉ）のさらなる好ましい実施形態では、基Ｒ３及びＲ４は、独立して、一般式（Ａ．１）〜（Ａ．１６）の基から選択される。詳細には、Ｒ３及びＲ４は同じ意味を有し、一般式（Ａ．１）〜（Ａ．１６）の基から選択される。
【００５８】
好ましくは、式Ａ．５、Ａ．８、Ａ．１１及びＡ．１４において、Ｒｈ基は、Ｃ１〜Ｃ１２アルキル又はＣ１〜Ｃ１２フルオロアルキルから選択される。詳細には、式Ａ．５、Ａ．８、Ａ．１１及びＡ．１４において、Ｒｈ基は、Ｃ１〜Ｃ４アルキル又はＣ１〜Ｃ４フルオロアルキルから選択される。
【００５９】
好ましくは、式Ａ．６、Ａ．７、Ａ．９、Ａ．１０、Ａ．１２、Ａ．１３、Ａ．１５及びＡ．１６における式において、Ｒｉ基は、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルから選択される。
【００６０】
好ましい実施形態では、式（Ｉ）の化合物においてＲ１及びＲ２は、各々独立して、式Ａ．５の基から選択される。好ましくは、Ｒ１及びＲ２は、各々独立して、フェニル−（Ｃ１〜Ｃ３０）−アルキル基から選択され、ここでフェニルアルキル基のベンゼン環は、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、ＣＮ、Ｃ１〜Ｃ３０アルキル及びペルフルオロ−Ｃ１〜Ｃ３０アルキルから独立して選択される１、２、３、４又は５個の置換基を有し、フェニルアルキル基は、フェニルアルキル基のアルキル部分を介してイミド窒素原子に結合する。
【００６１】
より好ましくは、Ｒ１及びＲ２は同じ意味を有し、フェニル−（Ｃ１〜Ｃ３０）−アルキル基から選択され、ここでフェニルアルキル基のベンゼン環は、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、ＣＮ、Ｃ１〜Ｃ３０アルキル及びペルフルオロ−Ｃ１〜Ｃ３０アルキルから独立して選択される１、２、３、４又は５個の置換基を有する。詳細には、Ｒ１及びＲ２は同じ意味を有し、フェニル−（Ｃ１〜Ｃ４）−アルキル基から選択され、ここでフェニルアルキル基のベンゼン環は、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、ＣＮ、Ｃ１〜Ｃ３０アルキル及びペルフルオロ−Ｃ１〜Ｃ１２アルキルから独立して選択される１、２、３、４又は５個の置換基を有する。
【００６２】
式Ａ．１の好ましい基の例を、以下の表１に記載する。好ましい実施形態では、式（Ｉ）の化合物においてＲ１及びＲ２は、各々独立して、以下の表１に示す式Ａ．１の基から選択される。詳細には、Ｒ１及びＲ２は同じ意味を有し、以下の表１に示す式Ａ．１の基から選択される。さらに好ましい実施形態では、式（Ｉ）の化合物においてＲ３及びＲ４は、各々独立して、以下の表１に示す式Ａ．１の基から選択される。詳細には、Ｒ３及びＲ４は同じ意味を有し、以下の表１に示す式Ａ．１の基から選択される。
【００６３】
【表１】
2014532035.tif 000010
【００６４】
式Ａ．５の好ましい基の例を、以下の表２に示す。好ましい実施形態では、式（Ｉ）の化合物においてＲ１及びＲ２は、各々独立して、以下の表２に示す式Ａ．５の基から選択される。詳細には、Ｒ１及びＲ２は同じ意味を有し、以下の表２に示す式Ａ．５の基から選択される。さらに好ましい実施形態では、式（Ｉ）の化合物においてＲ３及びＲ４は、各々独立して、以下の表２に示す式Ａ．５の基から選択される。詳細には、Ｒ３及びＲ４は同じ意味を有し、以下の表２に示す式Ａ．５の基から選択される。
【００６５】
【表２】
2014532035.tif 000011
【００６６】
好ましい実施形態では、基Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ１１及びＲ１２の少なくとも１つは、
【化８】
2014532035.tif 000012
［式中
＃は、窒素原子に結合する側を表し、
Ｂは、存在する場合、−Ｏ−、−Ｓ−又は−Ｏ−及び−Ｓ−から選択される１つ又は複数の非隣接基によって分断及び／又は終端されていてもよいＣ１〜Ｃ１０アルキレンから選択される二価の架橋基であり、
ｑは０又は１であり、
式Ｂ．５、Ｂ．８、Ｂ．１１及びＢ．１４の残基Ｒｅは、互いに独立して、Ｃ１〜Ｃ３０アルキル、Ｃ１〜Ｃ３０フルオロアルキル、フッ素、塩素、臭素、ＮＥ１Ｅ２、ニトロ及びシアノから選択され、ここでＥ１及びＥ２は、互いに独立して、水素、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール又はヘタリールであり、
式Ｂ．６、Ｂ．７、Ｂ．９、Ｂ．１０、Ｂ．１２、Ｂ．１３、Ｂ．１５及びＢ．１６の残基Ｒｆは、互いに独立して、Ｃ１〜Ｃ３０アルキルから選択され、
ｐは、式Ｂ．５、Ｂ．６及びＢ．７では、１、２、３、４又は５であり、
式Ｂ．８、Ｂ．９及びＢ．１０では、１、２、３又は４であり、
式Ｂ．１１、Ｂ．１２及びＢ．１３では、１、２又は３であり、
式Ｂ．１４、Ｂ．１５及びＢ．１６では、１又は２である］
から選択される。
【００６７】
式Ｂ．１の好ましい基の例を、以下の表３に示す。好ましい実施形態では、式（Ｉ）の化合物において基Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ１１及びＲ１２の少なくとも１つは、以下の表３に示す式Ｂ．１の基から選択される。
【００６８】
【表３】
2014532035.tif 000013
【００６９】
式Ｂ．５の好ましい基の例を、以下の表４に示す。好ましい実施形態では、式（Ｉ）の化合物において基Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ１１及びＲ１２の少なくとも１つは、以下の表４に示す式Ｂ．５の基から選択される。
【００７０】
【表４】
2014532035.tif 000014
【００７１】
【表５】
2014532035.tif 000015
【００７２】
【表６】
2014532035.tif 000016
【００７３】
好ましい実施形態では、基Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ１１及びＲ１２の少なくとも１つは、線状Ｃ１〜Ｃ３０アルキル基である。好ましい線状アルキル基は、メチル、エチル、ｎ−プロピル、ｎ−ブチル、ｎ−ペンチル、ｎ−ヘキシル、ｎ−ヘプチル、ｎ−オクチル、ｎ−ノニル、ｎ−デシル、ｎ−ウンデシル、ｎ−ドデシル、ｎ−トリデシル、ｎ−テトラデシル、ｎ−ヘキサデシル、ｎ−オクタデシル及びｎ−エイコシルである。
【００７４】
好ましい実施形態では、基Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ１１及びＲ１２の少なくとも１つは、分枝状Ｃ３〜Ｃ３０アルキル基である。
【００７５】
好ましくは、基Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ１１及びＲ１２の少なくとも１つは、一般式（Ｃ）
【化９】
2014532035.tif 000017
［式中
＃は結合部位であり、
ｍは０又は１であり、且つ
Ｒｄ及びＲｅは、独立して、Ｃ１〜Ｃ３０アルキルから選択される］
の基から選択される。
【００７６】
好ましくは、式（Ｃ）においてＲｄ及びＲｅは、独立して、Ｃ１〜Ｃ２０アルキル、特にＣ１〜Ｃ１２アルキルから選択される。
【００７７】
好ましくは、式（Ｃ）において基の炭素原子（Ｃ）の総数は、３〜５５、より好ましくは４〜４０、詳細には５〜３０の整数である。
【００７８】
第１の実施形態では、式（Ｃ）においてｍは０である。好ましくは基Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ１１及びＲ１２の少なくとも１つは、一般式（Ｃ１）
【化１０】
2014532035.tif 000018
［式中
＃は結合部位であり、且つ
Ｒｄ及びＲｅは、独立して、Ｃ１〜Ｃ２８アルキルから選択され、ここでＲｄ基及びＲｅ基の炭素原子の総数は、２〜２９の整数である］
の基から選択される。
【００７９】
化合物（Ｉ）の好ましい実施形態では、基Ｒ１及びＲ２は、独立して、一般式（Ｃ）の基から選択される。詳細には、Ｒ１及びＲ２は同じ意味を有し、一般式（Ｃ）の基から選択される。
【００８０】
化合物（Ｉ）のさらなる好ましい実施形態では、基Ｒ１及びＲ２は、独立して、一般式（Ｃ１）の基から選択される。詳細には、Ｒ１及びＲ２は同じ意味を有し、一般式（Ｃ１）の基から選択される。
【００８１】
化合物（Ｉ）のさらなる好ましい実施形態では、基Ｒ３及びＲ４は、独立して、一般式（Ｃ）の基から選択される。詳細には、Ｒ３及びＲ４は同じ意味を有し、一般式（Ｃ）の基から選択される。
【００８２】
化合物（Ｉ）のさらなる好ましい実施形態では、基Ｒ３及びＲ４は、独立して、一般式（Ｃ１）の基から選択される。詳細には、Ｒ３及びＲ４は同じ意味を有し、一般式（Ｃ１）の基から選択される。
【００８３】
好ましくは、式（Ｃ１）においてＲｄ基及びＲｅ基は、Ｃ１〜Ｃ１２アルキル、特にＣ１〜Ｃ８アルキルから選択される。
【００８４】
式（Ｃ１）の好ましい基は、以下である：
１−エチルプロピル、１−メチルプロピル、１−プロピルブチル、１−エチルブチル、１−メチルブチル、１−ブチルペンチル、１−プロピルペンチル、１−エチルペンチル、１−メチルペンチル、１−ペンチルヘキシル、１−ブチルヘキシル、１−プロピルヘキシル、１−エチルヘキシル、１−メチルヘキシル、１−ヘキシルヘプチル、１−ペンチルヘプチル、１−ブチルヘプチル、１−プロピルヘプチル、１−エチルヘプチル、１−メチルヘプチル、１−ヘプチルオクチル、１−ヘキシルオクチル、１−ペンチルオクチル、１−ブチルオクチル、１−プロピルオクチル、１−エチルオクチル、１−メチルオクチル、１−オクチルノニル、１−ヘプチルノニル、１−ヘキシルノニル、１−ペンチルノニル、１−ブチルノニル、１−プロピルノニル、１−エチルノニル、１−メチルノニル、１−ノニルデシル、１−オクチルデシル、１−ヘプチルデシル、１−ヘキシルデシル、１−ペンチルデシル、１−ブチルデシル、１−プロピルデシル、１−エチルデシル、１−メチルデシル、１−デシルウンデシル、１−ノニルウンデシル、１−オクチルウンデシル、１−ヘプチルウンデシル、１−ヘキシルウンデシル、１−ペンチルウンデシル、１−ブチルウンデシル、１−プロピルウンデシル、１−エチルウンデシル、１−メチルウンデシル、１−ウンデシルドデシル、１−デシルドデシル、１−ノニルドデシル、１−オクチルドデシル、１−ヘプチルドデシル、１−ヘキシルドデシル、１−ペンチルドデシル、１−ブチルドデシル、１−プロピルドデシル、１−エチルドデシル、１−メチルドデシル、１−ドデシルトリデシル、１−ウンデシルトリデシル、１−デシルトリデシル、１−ノニルトリデシル、１−オクチルトリデシル、１−ヘプチルトリデシル、１−ヘキシルトリデシル、１−ペンチルトリデシル、１−ブチルトリデシル、１−プロピルトリデシル、１−エチルトリデシル、１−メチルトリデシル、１−トリデシルテトラデシル、１−ウンデシルテトラデシル、１−デシルテトラデシル、１−ノニルテトラデシル、１−オクチルテトラデシル、１−ヘプチルテトラデシル、１−ヘキシルテトラデシル、１−ペンチルテトラデシル、１−ブチルテトラデシル、１−プロピルテトラデシル、１−エチルテトラデシル、１−メチルテトラデシル、１−ペンタデシルヘキサデシル、１−テトラデシルヘキサデシル、１−トリデシルヘキサデシル、１−ドデシルヘキサデシル、１−ウンデシルヘキサデシル、１−デシルヘキサデシル、１−ノニルヘキサデシル、１−オクチルヘキサデシル、１−ヘプチルヘキサデシル、１−ヘキシルヘキサデシル、１−ペンチルヘキサデシル、１−ブチルヘキサデシル、１−プロピルヘキサデシル、１−エチルヘキサデシル、１−メチルヘキサデシル、１−ヘキサデシルオクタデシル、１−ペンタデシルオクタデシル、１−テトラデシルオクタデシル、１−トリデシルオクタデシル、１−ドデシルオクタデシル、１−ウンデシルオクタデシル、１−デシルオクタデシル、１−ノニルオクタデシル、１−オクチルオクタデシル、１−ヘプチルオクタデシル、１−ヘキシルオクタデシル、１−ペンチルオクタデシル、１−ブチルオクタデシル、１−プロピルオクタデシル、１−エチルオクタデシル、１−メチルオクタデシル、１−ノナデシルエイコサニル、１−オクタデシルエイコサニル、１−ヘプタデシルエイコサニル、１−ヘキサデシルエイコサニル、１−ペンタデシルエイコサニル、１−テトラデシルエイコサニル、１−トリデシルエイコサニル、１−ドデシルエイコサニル、１−ウンデシルエイコサニル、１−デシルエイコサニル、１−ノニルエイコサニル、１−オクチルエイコサニル、１−ヘプチルエイコサニル、１−ヘキシルエイコサニル、１−ペンチルエイコサニル、１−ブチルエイコサニル、１−プロピルエイコサニル、１−エチルエイコサニル、１−メチルエイコサニル、１−エイコサニルドコサニル、１−ノナデシルドコサニル、１−オクタデシルドコサニル、１−ヘプタデシルドコサニル、１−ヘキサデシルドコサニル、１−ペンタデシルドコサニル、１−テトラデシルドコサニル、１−トリデシルドコサニル、１−ウンデシルドコサニル、１−デシルドコサニル、１−ノニルドコサニル、１−オクチルドコサニル、１−ヘプチルドコサニル、１−ヘキシルドコサニル、１−ペンチルドコサニル、１−ブチルドコサニル、１−プロピルドコサニル、１−エチルドコサニル、１−メチルドコサニル、１−トリコサニルテトラコサニル、１−ドコサニルテトラコサニル、１−ノナデシルテトラコサニル、１−オクタデシルテトラコサニル、１−ヘプタデシルテトラコサニル、１−ヘキサデシルテトラコサニル、１−ペンタデシルテトラコサニル、１−ペンタデシルテトラコサニル、１−テトラデシルテトラコサニル、１−トリデシルテトラコサニル、１−ドデシルテトラコサニル、１−ウンデシルテトラコサニル、１−デシルテトラコサニル、１−ノニルテトラコサニル、１−オクチルテトラコサニル、１−ヘプチルテトラコサニル、１−ヘキシルテトラコサニル、１−ペンチルテトラコサニル、１−ブチルテトラコサニル、１−プロピルテトラコサニル、１−エチルテトラコサニル、１−メチルテトラコサニル、１−ヘプタコサニルオクタコサニル、１−ヘキサコサニルオクタコサニル、１−ペンタコサニルオクタコサニル、１−テトラコサニルオクタコサニル、１−トリコサニルオクタコサニル、１−ドコサニルオクタコサニル、１−ノナデシルオクタコサニル、１−オクタデシルオクタコサニル、１−ヘプタデシルオクタコサニル、１−ヘキサデシルオクタコサニル、１−ヘキサデシルオクタコサニル、１−ペンタデシルオクタコサニル、１−テトラデシルオクタコサニル、１−トリデシルオクタコサニル、１−ドデシルオクタコサニル、１−ウンデシルオクタコサニル、１−デシルオクタコサニル、１−ノニルオクタコサニル、１−オクチルオクタコサニル、１−ヘプチルオクタコサニル、１−ヘキシルオクタコサニル、１−ペンチルオクタコサニル、１−ブチルオクタコサニル、１−プロピルオクタコサニル、１−エチルオクタコサニル、１−メチルオクタコサニル。
【００８５】
式（Ｃ１）の特に好ましい基は、以下である：
１−メチルエチル、１−メチルプロピル、１−メチルブチル、１−メチルペンチル、１−メチルヘキシル、１−メチルヘプチル、１−メチルオクチル、１−エチルプロピル、１−エチルブチル、１−エチルペンチル、１−エチルヘキシル、１−エチルヘプチル、１−エチルオクチル、１−プロピルブチル、１−プロピルペンチル、１−プロピルヘキシル、１−プロピルヘプチル、１−プロピルオクチル、１−ブチルペンチル、１−ブチルヘキシル、１−ブチルヘプチル、１−ブチルオクチル、１−ペンチルヘキシル、１−ペンチルヘプチル、１−ペンチルオクチル、１−ヘキシルヘプチル、１−ヘキシルオクチル、１−ヘプチルオクチル。
【００８６】
第２の実施形態では、式（Ｃ）においてｍは１である。ｍが１である式（Ｃ）の好ましい基は、以下である：
２−メチルプロピル、２−エチルブチル、２−メチルブチル、２−プロピルペンチル、２−エチルペンチル、２−メチルペンチル、２−ブチルヘキシル、２−プロピルヘキシル、２−エチルヘキシル、２−メチルヘキシル、２−ペンチルヘプチル、２−ブチルヘプチル、２−プロピルヘプチル、２−エチルヘプチル、２−メチルヘプチル、２−ヘキシルオクチル、２−ペンチルオクチル、２−ブチルオクチル、２−プロピルオクチル、２−エチルオクチル、２−メチルオクチル、２−ヘプチルノニル、２−ヘキシルノニル、２−ペンチルノニル、２−ブチルノニル、２−プロピルノニル、２−エチルノニル、２−メチルノニル、２−オクチルデシル、２−ヘプチルデシル、２−ヘキシルデシル、２−ペンチルデシル、２−ブチルデシル、２−プロピルデシル、２−エチルデシル、２−メチルデシル、２−ノニルウンデシル、２−オクチルウンデシル、２−ヘプチルウンデシル、２−ヘキシルウンデシル、２−ペンチルウンデシル、２−ブチルウンデシル、２−プロピルウンデシル、２−エチルウンデシル、２−メチルウンデシル、２−デシルドデシル、２−ノニルドデシル、２−オクチルドデシル、２−ヘプチルドデシル、２−ヘキシルドデシル、２−ペンチルドデシル、２−ブチルドデシル、２−プロピルドデシル、２−エチルドデシル、２−メチルドデシル、２−ウンデシルトリデシル、２−デシルトリデシル、２−ノニルトリデシル、２−オクチルトリデシル、２−ヘプチルトリデシル、２−ヘキシルトリデシル、２−ペンチルトリデシル、２−ブチルトリデシル、２−プロピルトリデシル、２−エチルトリデシル、２−メチルトリデシル、２−ウンデシルテトラデシル、２−デシルテトラデシル、２−ノニルテトラデシル、２−オクチルテトラデシル、２−ヘプチルテトラデシル（ｈｅｔｙｌｔｅｔｒａｄｅｃｙｌ）、２−ヘキシルテトラデシル、２−ペンチルテトラデシル、２−ブチルテトラデシル、２−プロピルテトラデシル、２−エチルテトラデシル、２−メチルテトラデシル、２−テトラデシルヘキサデシル、２−トリデシルヘキサデシル、２−ドデシルヘキサデシル、２−ウンデシルヘキサデシル、２−デシルヘキサデシル、２−ノニルヘキサデシル、２−オクチルヘキサデシル、２−ヘプチルヘキサデシル、２−ヘキシルヘキサデシル、２−ペンチルヘキサデシル、２−ブチルヘキサデシル、２−プロピルヘキサデシル、２−エチルヘキサデシル、２−メチルヘキサデシル、２−ヘキサデシルオクタデシル、２−ペンタデシルオクタデシル、２−テトラデシルオクタデシル、２−トリデシルオクタデシル、２−ドデシルオクタデシル、２−ウンデシルオクタデシル、２−デシルオクタデシル、２−ノニルオクタデシル、２−オクチルオクタデシル、２−ヘプチルオクタデシル、２−ヘキシルオクタデシル、２−ペンチルオクタデシル、２−ブチルオクタデシル、２−プロピルオクタデシル、２−エチルオクタデシル、２−メチルオクタデシル、２−オクタデシルエイコサニル、２−ヘプタデシルエイコサニル、２−ヘキサデシルエイコサニル、２−ペンタデシルエイコサニル、２−テトラデシルエイコサニル、２−トリデシルエイコサニル、２−ドデシルエイコサニル、２−ウンデシルエイコサニル、２−デシルエイコサニル、２−ノニルエイコサニル、２−オクチルエイコサニル、２−ヘプチルエイコサニル、２−ヘキシルエイコサニル、２−ペンチルエイコサニル、２−ブチルエイコサニル、２−プロピルエイコサニル、２−エチルエイコサニル、２−メチルエイコサニル、２−エイコサニルドコサニル、２−ノナデシルドコサニル、２−オクタデシルドコサニル、２−ヘプタデシルドコサニル、２−ヘキサデシルドコサニル、２−ペンタデシルドコサニル、２−テトラデシルドコサニル、２−トリデシルドコサニル、２−ウンデシルドコサニル、２−デシルドコサニル、２−ノニルドコサニル、２−オクチルドコサニル、２−ヘプチルドコサニル、２−ヘキシルドコサニル、２−ペンチルドコサニル、２−ブチルドコサニル、２−プロピルドコサニル、２−エチルドコサニル、２−メチルドコサニル、２−ドコサニルテトラコサニル、２−ノナデシルテトラコサニル、２−オクタデシルテトラコサニル、２−ヘプタデシルテトラコサニル、２−ヘキサデシルテトラコサニル、２−ペンタデシルテトラコサニル、２−ペンタデシルテトラコサニル、２−テトラデシルテトラコサニル、２−トリデシルテトラコサニル、２−ドデシルテトラコサニル、２−ウンデシルテトラコサニル、２−デシルテトラコサニル、２−ノニルテトラコサニル、２−オクチルテトラコサニル、２−ヘプチルテトラコサニル、２−ヘキシルテトラコサニル、２−ペンチルテトラコサニル、２−ブチルテトラコサニル、２−プロピルテトラコサニル、２−エチルテトラコサニル、２−メチルテトラコサニル、２−ヘキサコサニルオクタコサニル、２−ペンタコサニルオクタコサニル、２−テトラコサニルオクタコサニル、２−トリコサニルオクタコサニル、２−ドコサニルオクタコサニル、２−ノナデシルオクタコサニル、２−オクタデシルオクタコサニル、２−ヘプタデシルオクタコサニル、２−ヘキサデシルオクタコサニル、２−ヘキサデシルオクタコサニル、２−ペンタデシルオクタコサニル、２−テトラデシルオクタコサニル、２−トリデシルオクタコサニル、２−ドデシルオクタコサニル、２−ウンデシルオクタコサニル、２−デシルオクタコサニル、２−ノニルオクタコサニル、２−オクチルオクタコサニル、２−ヘプチルオクタコサニル、２−ヘキシルオクタコサニル、２−ペンチルオクタコサニル、２−ブチルオクタコサニル、２−プロピルオクタコサニル、２−エチルオクタコサニル、２−メチルオクタコサニル。
【００８７】
ｍが１である式（Ｃ）の好ましい基の例は、２−エチルヘキシル、２−エチルヘプチル、２−エチルオクチル、２−エチルノニル及び２−エチルデシルである。
【００８８】
化合物（Ｉ）の好ましい実施形態では、基Ｒ１及びＲ２は、独立して、一般式（Ｃ）［式中、ｍは１である］の基から選択される。詳細には、Ｒ１及びＲ２は同じ意味を有し、一般式（Ｃ）［式中、ｍは１である］の基から選択される。特に、Ｒ１及びＲ２は同じ意味を有し、両方ともに２−エチルヘキシル、２−エチルヘプチル、２−エチルオクチル、２−エチルノニル又は２−エチルデシルである。
【００８９】
化合物（Ｉ）の好ましい実施形態では、基Ｒ３及びＲ４は、独立して、一般式（Ｃ）［式中、ｍは１である］の基から選択される。詳細には、Ｒ３及びＲ４は同じ意味を有し、一般式（Ｃ）［式中、ｍは１である］の基から選択される。特に、Ｒ３及びＲ４は同じ意味を有し、両方ともに２−エチルヘキシル、２−エチルヘプチル、２−エチルオクチル、２−エチルノニル又は２−エチルデシルである。
【００９０】
好ましくは、基Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ１１及びＲ１２の少なくとも１つは、ペルフルオロ−Ｃ１〜Ｃ３０アルキル、１Ｈ，１Ｈ−ペルフルオロ−Ｃ２〜Ｃ３０アルキル又は１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−ペルフルオロ−Ｃ３〜Ｃ３０アルキルから選択される。
【００９１】
好ましくは、式（Ｉ）の化合物においてＲ１及びＲ２は、各々独立して、ペルフルオロ−Ｃ１〜Ｃ３０アルキルから選択される。より好ましくは、Ｒ１及びＲ２は同じ意味を有し、両方ともにペルフルオロ−Ｃ１〜Ｃ３０アルキルである。
【００９２】
さらに好ましくは、式（Ｉ）の化合物においてＲ１及びＲ２は、各々独立して、１Ｈ，１Ｈ−ペルフルオロ−Ｃ２〜Ｃ３０アルキルから選択される。より好ましくは、Ｒ１及びＲ２は同じ意味を有し、両方ともに１Ｈ，１Ｈ−ペルフルオロ−Ｃ２〜Ｃ３０アルキルである。
【００９３】
さらに好ましくは、式（Ｉ）の化合物においてＲ１及びＲ２は、各々独立して、１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−ペルフルオロ−Ｃ３〜Ｃ３０アルキルから選択される。より好ましくは、Ｒ１及びＲ２は同じ意味を有し、１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−ペルフルオロ−Ｃ３〜Ｃ３０アルキルである。
【００９４】
好ましい実施形態では、Ｒ１基及びＲ２基は、各々独立して、ペルフルオロ−Ｃ１〜Ｃ２０アルキル又は１Ｈ，１Ｈ−ペルフルオロ−Ｃ２〜Ｃ２０アルキル又は１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−ペルフルオロ−Ｃ３〜Ｃ２０アルキルである。
【００９５】
詳細には、Ｒ１基及びＲ２基は、各々独立して、ペルフルオロ−Ｃ１〜Ｃ１０アルキル又は１Ｈ，１Ｈ−ペルフルオロ−Ｃ２〜Ｃ１０アルキル又は１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−ペルフルオロ−Ｃ３〜Ｃ１０アルキルである。
【００９６】
好ましい実施形態では、基Ｒ１及びＲ２の少なくとも１つは、ＣＦ３、Ｃ２Ｆ５、ｎ−Ｃ３Ｆ７、ｎ−Ｃ４Ｆ９、ｎ−Ｃ５Ｆ１１、ｎ−Ｃ６Ｆ１３、ＣＦ（ＣＦ３）２、Ｃ（ＣＦ３）３、ＣＦ２ＣＦ（ＣＦ３）２、ＣＦ（ＣＦ３）（Ｃ２Ｆ５）、ＣＨ２−ＣＦ３、ＣＨ２−Ｃ２Ｆ５、ＣＨ２−（ｎ−Ｃ３Ｆ７）、ＣＨ２−（ｎ−Ｃ４Ｆ９）、ＣＨ２−（ｎ−Ｃ５Ｆ１１）、ＣＨ２−（ｎ−Ｃ６Ｆ１３）、ＣＨ２−ＣＦ（ＣＦ３）２、ＣＨ２−Ｃ（ＣＦ３）３、ＣＨ２−ＣＦ２ＣＦ（ＣＦ３）２、ＣＨ２−ＣＦ（ＣＦ３）（Ｃ２Ｆ５）、ＣＨ２−ＣＨ２−ＣＦ３、ＣＨ２−ＣＨ２−Ｃ２Ｆ５、ＣＨ２−ＣＨ２−（ｎ−Ｃ３Ｆ７）、ＣＨ２−ＣＨ２−（ｎ−Ｃ４Ｆ９）、ＣＨ２−ＣＨ２−（ｎ−Ｃ５Ｆ１１）、ＣＨ２−ＣＨ２−（ｎ−Ｃ６Ｆ１３）、ＣＨ２−ＣＨ２−ＣＦ（ＣＦ３）２、ＣＨ２−ＣＨ２−Ｃ（ＣＦ３）３、ＣＨ２−ＣＨ２−ＣＦ２ＣＦ（ＣＦ３）２及びＣＨ２−ＣＨ２−ＣＦ（ＣＦ３）（Ｃ２Ｆ５）から選択される。
【００９７】
特別な実施形態では、上述のフッ素化された基Ｒ１及びＲ２は、同じ意味を有する。
【００９８】
Ｒ１及びＲ２は、好ましくは両方ともにＣＨ２−ＣＦ３、ＣＨ２−Ｃ２Ｆ５又はＣＨ２−（ｎ−Ｃ３Ｆ７）である。
【００９９】
好ましくは、Ｒ１及びＲ２は同じ意味を有し、両方ともに２−エチルヘキシル、２−エチルヘプチル、２−エチルオクチル、２−エチルノニル又は２−エチルデシルである。
【０１００】
好ましくは、式（Ｉ）の化合物においてＲ３及びＲ４は、各々独立して、ペルフルオロ−Ｃ１〜Ｃ３０アルキルから選択される。より好ましくは、Ｒ３及びＲ４は同じ意味を有し、両方ともにペルフルオロ−Ｃ１〜Ｃ３０アルキルである。
【０１０１】
さらに好ましくは、式（Ｉ）の化合物においてＲ３及びＲ４は、各々独立して、１Ｈ，１Ｈ−ペルフルオロ−Ｃ２〜Ｃ３０アルキルから選択される。より好ましくは、Ｒ１及びＲ２は同じ意味を有し、両方ともに１Ｈ，１Ｈ−ペルフルオロ−Ｃ２〜Ｃ３０アルキルである。
【０１０２】
さらに好ましくは、式（Ｉ）の化合物においてＲ３及びＲ４は、各々独立して、１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−ペルフルオロ−Ｃ３〜Ｃ３０アルキルから選択される。より好ましくは、Ｒ１及びＲ２は同じ意味を有し、１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−ペルフルオロ−Ｃ３〜Ｃ３０アルキルである。
【０１０３】
好ましい実施形態では、Ｒ３基及びＲ４基は、各々独立して、ペルフルオロ−Ｃ１〜Ｃ２０アルキル又は１Ｈ，１Ｈ−ペルフルオロ−Ｃ２〜Ｃ２０アルキル又は１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−ペルフルオロ−Ｃ３〜Ｃ２０アルキルである。
【０１０４】
詳細には、Ｒ３基及びＲ４基は、各々独立して、ペルフルオロ−Ｃ１〜Ｃ１０アルキル又は１Ｈ，１Ｈ−ペルフルオロ−Ｃ２〜Ｃ１０アルキル又は１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−ペルフルオロ−Ｃ３〜Ｃ１０アルキルである。
【０１０５】
好ましい実施形態では、基Ｒ３及びＲ４の少なくとも１つは、ＣＦ３、Ｃ２Ｆ５、ｎ−Ｃ３Ｆ７、ｎ−Ｃ４Ｆ９、ｎ−Ｃ５Ｆ１１、ｎ−Ｃ６Ｆ１３、ＣＦ（ＣＦ３）２、Ｃ（ＣＦ３）３、ＣＦ２ＣＦ（ＣＦ３）２、ＣＦ（ＣＦ３）（Ｃ２Ｆ５）、ＣＨ２−ＣＦ３、ＣＨ２−Ｃ２Ｆ５、ＣＨ２−（ｎ−Ｃ３Ｆ７）、ＣＨ２−（ｎ−Ｃ４Ｆ９）、ＣＨ２−（ｎ−Ｃ５Ｆ１１）、ＣＨ２−（ｎ−Ｃ６Ｆ１３）、ＣＨ２−ＣＦ（ＣＦ３）２、ＣＨ２−Ｃ（ＣＦ３）３、ＣＨ２−ＣＦ２ＣＦ（ＣＦ３）２、ＣＨ２−ＣＦ（ＣＦ３）（Ｃ２Ｆ５）、ＣＨ２−ＣＨ２−ＣＦ３、ＣＨ２−ＣＨ２−Ｃ２Ｆ５、ＣＨ２−ＣＨ２−（ｎ−Ｃ３Ｆ７）、ＣＨ２−ＣＨ２−（ｎ−Ｃ４Ｆ９）、ＣＨ２−ＣＨ２−（ｎ−Ｃ５Ｆ１１）、ＣＨ２−ＣＨ２−（ｎ−Ｃ６Ｆ１３）、ＣＨ２−ＣＨ２−ＣＦ（ＣＦ３）２、ＣＨ２−ＣＨ２−Ｃ（ＣＦ３）３、ＣＨ２−ＣＨ２−ＣＦ２ＣＦ（ＣＦ３）２及びＣＨ２−ＣＨ２−ＣＦ（ＣＦ３）（Ｃ２Ｆ５）から選択される。
【０１０６】
特別な実施形態では、上述のフッ素化された基Ｒ３及びＲ４は、同じ意味を有する。
【０１０７】
Ｒ３及びＲ４は、好ましくは両方ともにＣＨ２−ＣＦ３、ＣＨ２−Ｃ２Ｆ５又はＣＨ２−（ｎ−Ｃ３Ｆ７）である。
【０１０８】
好ましくは、Ｒ３及びＲ４は同じ意味を有し、両方ともに２−エチルヘキシル、２−エチルヘプチル、２−エチルオクチル、２−エチルノニル又は２−エチルデシルである。
【０１０９】
好ましい実施形態では、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ１１及びＲ１２が全て水素である。
【０１１０】
さらに好ましい実施形態では、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０及びＲ１２が全て水素であり、且つＲ７及びＲ１１がＣｌである。
【０１１１】
さらに好ましい実施形態では、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０及びＲ１２が全て水素であり、且つＲ７及びＲ１１がＦである。
【０１１２】
さらに好ましい実施形態では、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０及びＲ１２が全て水素であり、且つＲ７及びＲ１１がＢｒである。
【０１１３】
さらに好ましい実施形態では、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０及びＲ１２が全て水素であり、且つＲ７及びＲ１１がＣＮである。
【０１１４】
さらに好ましい実施形態では、Ｒ５、Ｒ７、Ｒ９及びＲ１１が水素であり、且つＲ６、Ｒ８、Ｒ１０及びＲ１２がＣＦ３である。
【０１１５】
いくつかの特に好ましい化合物（Ｉ）を以下に特定する：
【化１１】
2014532035.tif 000019
【化１２】
2014532035.tif 000020
【化１３】
2014532035.tif 000021
【化１４】
2014532035.tif 000022
【化１５】
2014532035.tif 000023
【０１１６】
本発明はさらに、式Ｉの化合物の製造方法を提供する。原則的に、式Ｉの化合物は、形式上、ブッフバルト−ハートウィッグアミノ化と直接アリール化との組み合わせと見なすことができる遷移金属触媒カップリング反応：
【化１６】
2014532035.tif 000024
によって製造することができる。
【０１１７】
特別な実施形態では、２，６−ジブロモナフタレン−１，４，５，８−テトラカルボン酸ビスイミドは、一種類の２−ブロモ−アミノフェニル化合物のみと反応する（すなわちＲ５＝Ｒ９、Ｒ６＝Ｒ１０、Ｒ７＝Ｒ１１、及びＲ８＝Ｒ１２）。
【０１１８】
本発明のさらなる目的は、式Ｉ、
【化１７】
2014532035.tif 000025
［式中
Ｒ１及びＲ２は、各々独立して、水素、並びにそれぞれ非置換又は置換のアルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール及びヘタリールから選択され、
Ｒ３及びＲ４は、各々独立して、水素、並びにそれぞれ非置換又は置換のアルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール及びヘタリールから選択され、
Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ１１及びＲ１２は、独立して、水素、
それぞれ非置換又は置換のアルキル、アルコキシ、アルキルチオ、（モノアルキル）アミノ、（ジアルキル）アミノ、シクロアルキル、シクロアルコキシ、シクロアルキルチオ、（モノシクロアルキル）アミノ、（ジシクロアルキル）アミノ、ヘテロシクロアルキル、ヘテロシクロアルコキシ、ヘテロシクロアルキルチオ、（モノヘテロシクロアルキル）アミノ、（ジヘテロシクロアルキル）アミノ、アリール、アリールオキシ、アリールチオ、（モノアリール）アミノ、（ジアリール）アミノ、ヘタリール、ヘタリールオキシ、ヘタリールチオ、（モノヘタリール）アミノ、（ジヘタリール）アミノ、
ハロゲン、ヒドロキシ、メルカプト、シアノ、ニトロ、シアナト、チオシアナト、ホルミル、アシル、カルボキシ、カルボキシレート、アルキルカルボニルオキシ、カルバモイル、アルキルアミノカルボニル、ジアルキルアミノカルボニル、スルホ、スルホネート、スルホアミノ、スルファモイル、アルキルスルホニル、アリールスルホニル、アミジノ、ＮＥ１Ｅ２（式中、Ｅ１及びＥ２は、各々独立して、水素、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール又はヘタリールである）から選択される］
の化合物の製造方法であり、
ここでは、式（ＩＩ）
【化１８】
2014532035.tif 000026
［式中
Ｒ１及びＲ２は前述の意味を有する］
の２，６−ジブロモナフタレン−１，４，５，８−テトラカルボン酸ビスイミドが、式（ＩＩＩａ）の化合物、及び場合により、式（ＩＩＩｂ）の別の化合物
【化１９】
2014532035.tif 000027
［式中
Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ１１及びＲ１２は前述の意味を有する］
との反応に供される。
【０１１９】
２，６−ジブロモナフタレン−１，４，５，８−テトラカルボン酸ビスイミド（ＩＩ）の好適な合成経路が、国際公開第２００７／０７４１３７号パンフレットに記載される。Ｎ，Ｎ’−ジ−（２’，６’−ジイソプロピルフェニル）−２，６−ジブロモナフタレン−１，４，５，８−テトラカルボン酸ビスイミドの合成は、Ｓ．Ｃｈｏｐｉｎ  ｅｔ  ａｌ．によりＪ．Ｍａｔｅｒ．Ｃｈｅｍ．２００７、１７、４１３９−４１４６に記載される。２，６−ジブロモナフタレン−１，４，５，８−テトラカルボン酸ビスイミド（ＩＩ）の合成に好適な遊離体は、２，６−ジブロモナフタレン−１，４，５，８−テトラカルボン酸ジアンヒドリドである。この化合物の合成は、国際公開第２００７／０７４１３７号パンフレット、及びＣ．Ｔｈａｌａｃｋｅｒ  ｅｔ  ａｌ．によりＪ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．２００６，７１，８０９８−８１０５に記載される。上述の文書の開示は、参照により本明細書に援用される。
【０１２０】
好ましくは、２，６−ジブロモナフタレン−１，４，５，８−テトラカルボン酸ビスイミド（ＩＩ）を、遷移金属触媒の存在下で化合物（１１１ａ）及び場合により（ＩＩＩｂ）と反応させる。
【０１２１】
好適な遷移金属触媒は、特にパラジウム化合物及び錯体、例えば酢酸パラジウム（ＩＩ）、［１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）エタン］−パラジウム（ＩＩ）クロリド、［１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）−フェロセン］パラジウム（ＩＩ）クロリド、ビス（トリエチルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）クロリド、ビス（トリシクロヘキシルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）アセテート、（２，２’−ビピリジル）パラジウム（ＩＩ）クロリド、ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）クロリド、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）、１，５−シクロオクタジエンパラジウム（ＩＩ）クロリド、ビス（アセトニトリル）パラジウム（ＩＩ）クロリド及びビス（ベンゾニトリル）パラジウム（ＩＩ）クロリド、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）、テトラキス（トリス−ｏ−トリルホスフィン）−パラジウム（０）である。
【０１２２】
反応は、好ましくは塩基の存在下で実施される。好ましくは塩基は、アルカリ金属水酸化物、アルカリ土類金属水酸化物、アルカリ金属炭酸塩、アルカリ土類金属炭酸塩、水酸化タリウム（Ｉ）、タリウム（Ｉ）アルカノレート（ｔｈａｌｌｉｕｍ（Ｉ）  ａｌｋａｎｏｌａｔｅ）、アルカリ金属リン酸塩、アルカリ金属フッ化物、アルカリ金属ビス（トリメチルシリル）アミド類から選択される。
【０１２３】
好適な塩基の例は、ＮａＯＨ、ＫＯＨ、Ｎａ２ＣＯ３、Ｋ２ＣＯ３、Ｃｓ２ＣＯ３、Ｂａ（ＯＨ）２、Ｋ３ＰＯ４、ＴｌＯＨ、タリウム（Ｉ）エトキシド、ＫＦ、ＣｓＦ、（Ｃ４Ｈ９）４ＮＦ、ナトリウムエトキシド、カリウムエトキシド、カリウムｔｅｒｔ−ブトキシド、リチウムビス（トリメチルシリル）アミド（ＬｉＨＭＤＳ）、ナトリウムビス（トリメチルシリル）アミド及びカリウムビス（トリメチルシリル）アミドである。
【０１２４】
好適な溶媒は、非極性及び極性非プロトン性溶媒、例えば炭化水素、例えば、ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン、石油エーテル、デカリン等、窒素含有複素環、Ｎ，Ｎ−二置換脂肪族カルボキサミド（好ましくはＮ，Ｎ−ジ（Ｃ１〜Ｃ４アルキル）（Ｃ１〜Ｃ４）カルボキサミド）及びＮ−アルキルラクタム、例えば、ジメチルホルムアミド、ジエチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、ジメチルブチルアミド及びＮ−メチルピロリドン；テトラヒドロフラン、１，４−ジオキサンである。
【０１２５】
反応温度は、概して周囲温度〜３００℃、好ましくは６０〜２５０℃である。
【０１２６】
好ましい実施形態では、反応における反応は、保護ガス雰囲気下、例えば窒素又はアルゴン下で実施される。
【０１２７】
式（Ｉ）の化合物は、詳細には有機半導体として好適である。このような化合物は、概してｎ型半導体又はｐ型半導体として機能することができる。式（Ｉ）の化合物がｎ型半導体として作用するか、それともｐ型半導体として作用するかは、とりわけ、用いられるゲート誘電体に依存する。ゲート誘電体がフッ素不含化合物、例えばオクタデシルホスホン酸の自己組織化単分子膜（ＳＡＭ）を含む場合、式（Ｉ）の化合物は、通常、ｎ型半導体として作用する。ゲート誘電体がフッ素含有化合物、例えば１２，１２，１３，１３，１４，１４，１５，１５，１６，１６，１７，１７，１８，１８−ペンタデカフルオロオクタデシルホスホン酸の自己組織化単分子膜（ＳＡＭ）を含む場合、式（Ｉ）の化合物は、通常、ｐ型半導体として作用する。
【０１２８】
２つの異なる半導体の組み合わせを用いる電子デバイス、例えば有機太陽電池では、式（Ｉ）の化合物がｎ型半導体として作用するか、それともｐ型半導体として作用するかは、対応する半導体材料のエネルギー準位の位置に依存する。
【０１２９】
式（Ｉ）の化合物は、公知の有機半導体材料と比べて以下の利点の少なくとも１つを有する：
−  高い電荷輸送移動度、
−  大気安定性、
−  高いオン／オフ比、
−  溶剤に基づく方法で用いるための適合性。
【０１３０】
式（Ｉ）の化合物は、有利には有機電界効果トランジスタに好適である。このような有機電界効果トランジスタは、例えば、これまで従来のｎチャネル型ＭＯＳＦＥＴ（金属酸化物半導体電界効果トランジスタ（ｍｅｔａｌ  ｏｘｉｄｅ  ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  ｆｉｅｌｄ−ｅｆｆｅｃｔ  ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ））が用いられてきた集積回路（ＩＣ）の製造に使用し得る。次に有機電界効果トランジスタは、例えばマイクロプロセッサ、マイクロコントローラ、スタティックＲＡＭ及び他のディジタル論理回路用のＣＭＯＳ様半導体装置である。半導体材料の製造には、式（Ｉ）の化合物が以下のプロセスの一つによってさらに加工され得る：印刷（オフセット、フレキソ、グラビア、スクリーン印刷、インクジェット、電子写真）、蒸着、レーザ転写、フォトリソグラフィ、ドロップキャスト。有機電界効果トランジスタはディスプレイ（特に大面積ディスプレイ及び／又はフレキシブルディスプレイ）、ＲＦＩＤタグ、スマートラベル及びセンサでの使用に特に好適である。
【０１３１】
式（Ｉ）の化合物は、有利には、有機電界効果トランジスタ、有機太陽電池及び有機発光ダイオードの電子伝導体として好適である。式（Ｉ）の化合物は、励起子太陽電池の励起子輸送材料としても特に有利である。
【０１３２】
式（Ｉ）の化合物の一部は蛍光性であり、特に有利には、蛍光変換に基づくディスプレイの蛍光色素としても好適である。かかるディスプレイは、概して、透明基板と、その基板上に存在する蛍光色素と、光源とを含む。典型的な光源は青色光（カラー・バイ・ブルー）又は紫外光（カラー・バイ・ＵＶ）を発する。色素は青色光或いは紫外光を吸収し、緑色エミッタとして用いられる。これらのディスプレイでは、例えば、青色光又は紫外光を吸収する緑色エミッタを用いて赤色エミッタを励起することにより、赤色光が発光する。好適なカラー・バイ・ブルーディスプレイは、例えば国際公開第９８／２８９４６号パンフレットに記載される。好適なカラー・バイ・ＵＶディスプレイは、例えば、Ｗ．Ａ．Ｃｒｏｓｓｌａｎｄ、Ｉ．Ｄ．Ｓｐｒｉｇｌｅ  ａｎｄ  Ａ．Ｂ．Ｄａｖｅｙにより、Ｐｈｏｔｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔ  ＬＣＤｓ（ＰＬ−ＬＣＤ）  ｕｓｉｎｇ  ｐｈｏｓｐｈｏｒｓ、Ｃａｍｂｒｉｄｇｅ  Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ  ａｎｄ  Ｓｃｒｅｅｎ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ  Ｌｔｄ．、Ｃａｍｂｒｉｄｇｅ、ＵＫに記載される。式（Ｉ）の化合物はまた、荷電顔料色素を用いて電気泳動効果に基づき色のオン・オフを切り換えるディスプレイにおいても特に好適である。かかる電気泳動ディスプレイは、例えば米国特許出願公開第２００４／０１３０７７６号明細書に記載される。
【０１３３】
本発明はさらに、少なくとも１つのゲート構造と、ソース電極と、ドレイン電極とを有する基板を含み、且つ上記に定義するとおりの少なくとも１つの式（Ｉ）の化合物を半導体として含む有機電界効果トランジスタを提供する。
【０１３４】
本発明はさらに、複数の有機電界効果トランジスタを有する基板を提供し、ここでは電界効果トランジスタの少なくとも一部が、上記に定義するとおりの少なくとも１つの式（Ｉ）の化合物を含む。
【０１３５】
本発明はまた、少なくとも１つのかかる基板を含む半導体装置も提供する。
【０１３６】
具体的な実施形態は、有機電界効果トランジスタのパターン（トポグラフィ）を有する基板であって、各トランジスタが、
−  基板に配置された有機半導体；
−  伝導チャネルの伝導性を制御するゲート構造；及び
−  チャネルの両端にある導電性ソース電極及びドレイン電極
を含み、有機半導体が少なくとも１つの式（Ｉ）の化合物からなるか、又は式（Ｉ）の化合物を含む基板である。加えて、有機電界効果トランジスタは、概して誘電体を含む。
【０１３７】
具体的な実施形態は、有機電界効果トランジスタのパターン（トポグラフィ）を有する基板であって、各トランジスタが、
−  基板上のバッファ層に配置された有機半導体；
−  伝導チャネルの伝導性を制御するゲート構造；及び
−  チャネルの両端にある導電性ソース電極及びドレイン電極
を含み、有機半導体が少なくとも１つの式（Ｉ）の化合物からなるか、又は式（Ｉ）の化合物を含む基板である。加えて、有機電界効果トランジスタは、概して誘電体を含む。
【０１３８】
バッファ層としては、任意の誘電材料、例えば、ＬＩＦ、ＡｌＯｘ、ＳｉＯ２若しくは窒化ケイ素などの無機材料、又はポリイミド若しくはポリアクリレート、例えばポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）などの有機材料が好適である。
【０１３９】
さらなる具体的な実施形態は、有機電界効果トランジスタのパターンを有する基板であって、各トランジスタが集積回路を形成するか、又は集積回路の一部であり、且つトランジスタの少なくとも一部が少なくとも１つの式（Ｉ）の化合物を含む基板である。
【０１４０】
好適な基板は、原則的にこの目的のために知られる材料である。好適な基板は、例えば、金属（好ましくは周期表の第８族、第９族、第１０族又は第１１族の金属、例えばＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ）、酸化物材料（例えばガラス、セラミック、ＳｉＯ２、特に石英）、半導体（例えばドープトＳｉ、ドープトＧｅ）、金属合金（例えばＡｕ、Ａｇ、Ｃｕベース等）、半導体合金、高分子（例えばポリ塩化ビニル、ポリオレフィン、例えばポリエチレン及びポリプロピレン、ポリエステル、フルオロポリマー、ポリアミド、ポリイミド、ポリウレタン、ポリエーテルスルホン、ポリアルキル（メタ）アクリレート、ポリスチレン並びにそれらの混合物及び合成物）、無機固体（例えば塩化アンモニウム）、紙及びそれらの組み合わせを含む。基板は、所望の用途に応じて柔軟であっても又は柔軟性がなくてもよく、且つ形状が曲線状であっても又は平面状であってもよい。
【０１４１】
半導体装置用の典型的な基板は、マトリックス（例えば石英マトリックス又はポリマーマトリックス）と、場合により誘電体トップ層とを含む。
【０１４２】
好適な誘電体は、ＳｉＯ２、ポリスチレン、ポリ−α−メチルスチレン、ポリオレフィン（ポリプロピレン、ポリエチレン、ポリイソブテンなど）、ポリビニルカルバゾール、フッ素化ポリマー（例えばＣｙｔｏｐ）、シアノプルラン（例えばＣＹＭＭ）、ポリビニルフェノール、ポリ−ｐ−キシレン、ポリ塩化ビニル、又は熱的に若しくは大気水分により架橋可能なポリマーである。特定の誘電体は、「自己組織化ナノ誘電体」、すなわちＳｉＣｌ官能基を含む単量体、例えばＣｌ３ＳｉＯＳｉＣｌ３、Ｃｌ３Ｓｉ−（ＣＨ２）６−ＳｉＣｌ３、Ｃｌ３Ｓｉ−（ＣＨ２）１２−ＳｉＣｌ３から得られるポリマー、及び／又は大気水分によるか若しくは溶媒で希釈された水を添加することにより架橋されるポリマーである（例えば、Ｆａｃｃｈｅｔｔｉ、Ａｄｖ．Ｍａｔｅｒ．２００５、１７、１７０５−１７２５を参照のこと）。水の代わりに、ヒドロキシル基含有ポリマー、例えばポリビニルフェノール若しくはポリビニルアルコール又はビニルフェノールとスチレンとの共重合体を架橋成分として用いることも可能である。また、架橋操作の間に少なくとも１つのさらなるポリマー、例えばポリスチレンを存在させて、次にはそれもまた架橋されるようにすることも可能である（Ｆａｃｉｅｔｔｉ、米国特許出願公開第２００６／０２０２１９５号明細書を参照のこと）。
【０１４３】
基板はさらに、電極、例えばＯＦＥＴのゲート電極、ドレイン電極及びソース電極を有してもよく、電極は通常、基板上に位置する（例えば誘電体上の非伝導層に堆積されるか、又は埋設される）。基板はさらに、ＯＦＥＴの導電性ゲート電極を含むことができ、それらの電極は、典型的には誘電体トップ層（すなわちゲート誘電体）の下側に配置される。
【０１４４】
具体的な実施形態では、基板表面の少なくとも一部に絶縁体層（ゲート絶縁層）が存在する。絶縁体層は、好ましくは無機絶縁体、例えばＳｉＯ２、窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）等、強誘電性絶縁体、例えばＡｌ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５、Ｌａ２Ｏ５、ＴｉＯ２、Ｙ２Ｏ３等、有機絶縁体、例えばポリイミド、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）、ポリビニルアルコール、ポリアクリレート等、及びそれらの組み合わせから選択される少なくとも１つの絶縁体を含む。
【０１４５】
ソース電極及びドレイン電極に好適な材料は、原則的に導電性材料である。それらとしては、金属、好ましくは周期表の第６族、第７族、第８族、第９族、第１０族又は第１１族の金属、例えばＰｄ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｃｒ等が挙げられる。また、導電性ポリマー、例えばＰＥＤＯＴ（＝ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン））：ＰＳＳ（＝ポリ（スチレンスルホン酸））、ポリアニリン、表面修飾金等も好適である。好ましい導電性材料は、１０−３Ω×メートル未満、好ましくは１０−４Ω×メートル未満、特に１０−６又は１０−７Ω×メートル未満の比抵抗を有する。
【０１４６】
具体的な実施形態では、ドレイン電極及びソース電極は、少なくとも部分的に有機半導体材料上に存在する。基板は、絶縁体、抵抗、コンデンサ、導体路等の、半導体材料又はＩＣで従来使用されるとおりのさらなる構成要素を含み得ることは理解されるであろう。
【０１４７】
電極は、蒸着法又はスパッタリング法、リソグラフィ法又は別の構造化方法、例えば印刷技術など、従来の方法によって適用され得る。
【０１４８】
半導体材料はまた、分散相中の好適な助剤（ポリマー、界面活性剤）と共に印刷により加工されてもよい。
【０１４９】
第１の好ましい実施形態において、少なくとも１つの一般式（Ｉ）の化合物（及び適切な場合には、さらなる半導体材料）の堆積は、気相堆積法（物理蒸着、ＰＶＤ：ｐｈｙｓｉｃａｌ  ｖａｐｏｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）によって行われる。ＰＶＤ法は高真空条件下で実施され、以下の工程を含む：蒸発、輸送、堆積。意外にも、一般式（Ｉ）の化合物は、本質的に分解せず、及び／又は望ましくない副生成物を形成しないため、特に有利にＰＶＤ法での使用に好適であることが分かった。堆積させる材料は、高純度で得られる。具体的な実施形態では、堆積した材料は結晶の形態で得られるか、又は高い結晶含量を含む。一般に、ＰＶＤは、少なくとも１つの一般式（Ｉ）の化合物がその蒸発温度より高い温度に加熱され、結晶化温度未満に冷却することによって基板上に堆積される。堆積における基板の温度は、好ましくは約２０〜２５０℃、より好ましくは５０〜２００℃の範囲内である。意外にも、式（Ｉ）の化合物の堆積では、高い基板温度が、実現される半導体エレメントの特性に有利な効果を及ぼし得ることが分かった。
【０１５０】
得られる半導体層は、概して、ソース／ドレイン電極と接触する半導体チャネルの形成に十分な厚さを有する。堆積は、不活性雰囲気下、例えば、窒素、アルゴン又はヘリウム下で達成することができる。
【０１５１】
堆積は、典型的には周囲圧力で、又は減圧下で達成することができる。好適な圧力範囲は、約１０−７〜１．５バールである。
【０１５２】
式（Ｉ）の化合物は、好ましくは、１０〜１０００ｎｍ、より好ましくは１５〜２５０ｎｍの厚さで基板上に堆積される。具体的な実施形態では、式（Ｉ）の化合物は、少なくとも部分的に結晶形態で堆積される。これには、特に上述のＰＶＤ法が好適である。さらに、予め作製された有機半導体結晶を使用することが可能である。かかる結晶を得るための好適な方法は、Ｒ．Ａ．Ｌａｕｄｉｓｅ  ｅｔ  ａｌ．による「Ｐｈｙｓｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｇｒｏｗｔｈ  ｏｆ  Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｓｅｍｉ−Ｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ」、Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｇｒｏｗｔｈ  １８７（１９９８）、４４９〜４５４頁、及び「Ｐｈｙｓｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｇｒｏｗｔｈ  ｏｆ  Ｃｅｎｔｉｍｅｔｅｒ−ｓｉｚｅｄ  Ｃｒｙｓｔａｌｓ  ｏｆ  α−Ｈｅｘａｔｈｉｏｐｈｅｎｅ」、Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｇｒｏｗｔｈ  １９８２（１９９７）、４１６〜４２７頁（これらは参照により本明細書に援用される）に記載されている。
【０１５３】
第２の好ましい実施形態において、少なくとも１つの一般式（Ｉ）の化合物（及び適切な場合には、半導体材料）の堆積は、スピンコーティングによって達成される。従って、意外にも、本発明において使用される式（Ｉ）の化合物を湿式処理法で使用して半導体基板を製造することも可能である。従って式（Ｉ）の化合物はまた、印刷法による半導体エレメント、特にＯＦＥＴ又はＯＦＥＴベースの半導体エレメントの製造にも好適なはずである。この目的で、従来の印刷法又は被覆法（インクジェット、フレキソ、オフセット、グラビア；凹版印刷、ナノプリント、スロットダイ）を使用することが可能である。印刷法での式（Ｉ）の化合物の使用に好ましい溶剤は、芳香族溶剤、例えばトルエン、キシレン等である。また、これらの「半導体インク」に対し、ポリマー、例えばポリスチレン等の増粘物質を添加することも可能である。この場合、使用される誘電体は前述の化合物である。
【０１５４】
好ましい実施形態では、本発明の電界効果トランジスタは薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：ｔｈｉｎ−ｆｉｌｍ  ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）である。従来の構成では、薄膜トランジスタは、基板又はバッファ層（バッファ層は基板の一部である）上に配置されるゲート電極と、そのゲート電極上及び基板上に配置されるゲート絶縁層と、ゲート絶縁体層上に配置される半導体層と、半導体層上のオーム接触層と、オーム接触層上のソース電極及びドレイン電極とを有する。
【０１５５】
好ましい実施形態では、基板の表面は、少なくとも１つの一般式（Ｉ）の化合物（及び適切な場合には、少なくとも１つのさらなる半導体材料）の堆積前に、修飾に供される。この修飾は、半導体材料を結合する領域及び／又は半導体材料を堆積できない領域を形成する働きをする。基板の表面は、好ましくは、基板の表面との結合及び式（Ｉ）の化合物との結合に好適な少なくとも１つの化合物（Ｃ１）で修飾される。好適な実施形態では、基板の表面の一部又は全表面が少なくとも１つの化合物（Ｃ１）で被覆され、これにより少なくとも１つの一般式（Ｉ）の化合物（及び適切な場合には、さらなる半導体化合物）の堆積を改良することが可能となる。さらなる実施形態は、一般式（Ｃ１）の化合物のパターンを対応する製造方法によって基板上に堆積させることを含む。これには、この目的に対して公知のマスク法、及び、例えば米国特許出願第１１／３５３，９３４号明細書（全体が参照によって本明細書に援用される）に記載されるとおりの、いわゆる「パターニング」法が含まれる。
【０１５６】
式（Ｃ１）の好適な化合物は、基板及び少なくとも１つの一般式（Ｉ）の半導体化合物のいずれとの結合相互作用能も有する。用語「結合相互作用」は、化学結合（共有結合）、イオン結合、配位相互作用、ファンデルワールス相互作用、例えば双極子間相互作用等）、及びそれらの組み合わせを含む。一般式（Ｃ１）の好適な化合物は、以下である：
−  シラン、ホスホン酸、カルボン酸、ヒドロキサム酸、例えばアルキルトリクロロシラン、例えばｎ−オクタデシルトリクロロシラン；トリアルコキシシラン基を有する化合物、例えばアルキルトリアルコキシシラン、例えばｎ−オクタデシルトリメトキシシラン、ｎ−オクタデシルトリエトキシシラン、ｎ−オクタデシルトリ（ｎ−プロピル）オキシシラン、ｎ−オクタデシルトリ（イソプロピル）オキシシラン；トリアルコキシアミノアルキルシラン、例えばトリエトキシアミノプロピルシラン及びＮ［（３−トリエトキシシリル）プロピル］エチレンジアミン；トリアルコキシアルキル３−グリシジルエーテルシラン、例えばトリエトキシプロピル３−グリシジルエーテルシラン；トリアルコキシアリルシラン、例えばアリルトリメトキシシラン；トリアルコキシ（イソシアナトアルキル）シラン；トリアルコキシシリル（メタ）アクリロイルオキシアルカン及びトリアルコキシシリル（メタ）アクリルアミドアルカン、例えば１−トリエトキシシリル−３−アクリロイルオキシプロパン
−  アミン、ホスフィン及び硫黄を含む化合物、特にチオール。
【０１５７】
化合物（Ｃ１）は、好ましくは、アルキルトリアルコキシシラン、特にｎ−オクタデシルトリメトキシシラン、ｎ−オクタデシルトリエトキシシラン；ヘキサアルキルジシラザン、特にヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）；Ｃ８〜Ｃ３０アルキルチオール、特にヘキサデカンチオール；メルカプトカルボン酸及びメルカプトスルホン酸、特にメルカプト酢酸、３−メルカプトプロピオン酸、メルカプトコハク酸、３−メルカプト−１−プロパンスルホン酸並びにこれらのアルカリ金属塩及びアンモニウム塩から選択される。
【０１５８】
本発明の半導体を含む様々な半導体構造、例えば、トップコンタクト、トップゲート、ボトムコンタクト、ボトムゲート、或いは縦構造、例えば米国特許出願公開第２００４／００４６１８２号明細書に記載されるとおりの、例えばＶＯＦＥＴ（縦型有機電界効果トランジスタ（ｖｅｒｔｉｃａｌ  ｏｒｇａｎｉｃ  ｆｉｅｌｄ−ｅｆｆｅｃｔ  ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ））も企図することができる。
【０１５９】
好ましい半導体構造は以下であり、図３に示される：
１．基板、誘電体、有機半導体、好ましくはゲート、誘電体、有機半導体、ソース及びドレイン、「ボトムゲート・トップコンタクト」として知られる；
２．基板、誘電体、有機半導体、好ましくは基板、ゲート、誘電体、ソース及びドレイン、有機半導体、「ボトムゲート・ボトムコンタクト」として知られる；
３．基板、有機半導体、誘電体、好ましくは基板、ソース及びドレイン、有機半導体、誘電体、ゲート、「トップゲート・ボトムコンタクト」として知られる；
４．基板、有機半導体、誘電体、好ましくは基板、有機半導体、ソース及びドレイン、誘電体、ゲート、「トップゲート・トップコンタクト」として知られる；
【０１６０】
層厚さは、例えば半導体が１０ｎｍ〜５μｍであり、誘電体が５０ｎｍ〜１０μｍである；電極は、例えば２０ｎｍ〜１０μｍであってもよい。またＯＦＥＴを組み合わせて他の構成要素、例えばリング発振器又はインバータを形成してもよい。
【０１６１】
本発明のさらなる態様は、ｎ型及び／又はｐ型半導体であってよい複数の半導体部品を含む電子部品を提供することである。かかる構成要素の例は、電界効果トランジスタ（ＦＥＴ：ｆｉｅｌｄ−ｅｆｆｅｃｔ  ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）、バイポーラ接合トランジスタ（ＢＪＴ：ｂｉｐｏｌａｒ  ｊｕｎｃｔｉｏｎ  ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）、トンネルダイオード、コンバータ、発光部品、生物学的及び化学的検出器又はセンサ、温度依存性の検出器、光検出器、例えば偏光感受型光検出器、ゲート、ＡＮＤ、ＮＡＮＤ、ＮＯＴ、ＯＲ、ＴＯＲ及びＮＯＲゲート、レジスタ、スイッチ、タイマー装置、静的又は動的記憶装置並びにその他の動的又は順序的、論理的若しくは他の（プログラム可能なスイッチを含む）ディジタル構成部品。
【０１６２】
具体的な半導体エレメントは、インバータである。ディジタル論理では、インバータは入力信号を反転させるゲートである。インバータはＮＯＴゲートとも称される。実インバータスイッチは、入力電流の逆をなす出力電流を有する。典型的な値は、例えば、ＴＴＬスイッチで（０，＋５Ｖ）である。ディジタルインバータの性能は、電圧伝達曲線（ＶＴＣ：ｖｏｌｔａｇｅ  ｔｒａｎｓｆｅｒ  ｃｕｒｖｅ）、すなわち入力電流の出力電流に対するプロットに再現される。理想的には、ＶＴＣは階段関数であり、実測曲線がかかる階段状に近づくほど、インバータは良好になる。本発明の具体的な実施形態では、式（Ｉ）の化合物は、インバータの有機半導体として使用される。
【０１６３】
式（Ｉ）の化合物はまた、特に有利には、有機フォトボルタイクス（ＯＰＶ：ｏｒｇａｎｉｃ  ｐｈｏｔｏｖｏｌｔａｉｃ）における使用に好適である。励起状態の拡散（励起子拡散）によって特徴付けられる太陽電池におけるその使用が好ましい。この場合、利用される半導体材料の一方又は両方は、励起状態の拡散が著しい（励起子移動度）。また、励起状態の拡散によって特徴付けられる少なくとも１つの半導体材料と、高分子鎖に沿った励起状態の伝導を可能にするポリマーとの組み合わせも好適である。本発明との関連において、かかる太陽電池は励起子太陽電池と称される。太陽電池における太陽エネルギーから電気エネルギーへの直接変換は、半導体材料の内部光効果、すなわち光子吸収による電子正孔対の生成並びにｐ−ｎ遷移部又はショットキー接触部での負電荷及び正電荷担体分離に基づく。励起子は、例えば、光子が半導体に侵入し、電子を励起して価電子帯から伝導帯へと移すときに形成され得る。しかしながら、電流が生じるためには、吸収された光子により生じる励起状態がｐ−ｎ遷移部に達して正孔と電子とが生じ、次にはそれらが陽極及び陰極に流れなければならない。このように生成される光電圧は、外部回路に光電流をもたらすことができ、その外部回路を介して太陽電池がその電力を供給する。半導体は、そのバンドギャップより大きいエネルギーを有する光子のみを吸収することができる。従って半導体バンドギャップのサイズが、電気エネルギーに変換され得る太陽光の割合を決定する。太陽電池は、通常、異なるバンドギャップの２つの吸収材料からなり、これにより太陽エネルギーが極めて効果的に利用される。多くの有機半導体は励起子拡散長が最大１０ｎｍである。ここにおいて、非常に大きい距離にわたり励起状態を移すことのできる有機半導体がなお必要とされている。ここで、意外にも、上記に記載される一般式（Ｉ）の化合物が励起子太陽電池における使用に特に有利に好適であることが分かった。
【０１６４】
有機太陽電池は、概して層構造を有し、且つ概して少なくとも以下の層を含む：陽極、光活性層及び陰極。これらの層は、概してこの目的に好適な基板に適用される。有機太陽電池の構造は、例えば、米国特許出願公開第２００５／００９８７２６号明細書及び米国特許出願公開第２００５／０２２４９０５号明細書に記載される。
【０１６５】
本発明は、少なくとも１つの陰極と少なくとも１つの陽極とを有する基板を含み、且つ上記に定義するとおりの少なくとも１つの一般式（Ｉ）の化合物を光活性材料として含む有機太陽電池を提供する。本発明の有機太陽電池は少なくとも１つの光活性領域を含む。光活性領域は２つの層を含むことができ、その各々が均一な組成を有し、平面ドナー−アクセプターヘテロ接合を形成する。光活性領域は混合層も含み、ドナー−アクセプターバルクヘテロ接合の形態のドナー−アクセプターヘテロ接合を形成してもよい。バルクヘテロ接合の形態の光活性ドナー−アクセプター遷移部を有する有機太陽電池が、本発明の好ましい実施形態である。
【０１６６】
有機太陽電池に好適な基板は、例えば、酸化物材料、ポリマー及びそれらの組み合わせである。好ましい酸化物材料は、ガラス、セラミック、ＳｉＯ２、石英等から選択される。好ましいポリマーは、ポリエチレンテレフタレート、ポリオレフィン（ポリエチレン及びポリプロピレンなど）、ポリエステル、フルオロポリマー、ポリアミド、ポリウレタン、ポリアルキル（メタ）アクリレート、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル並びに混合物及び合成物から選択される。
【０１６７】
好適な電極（陰極、陽極）は、原則的に金属、その半導体、金属合金、半導体合金、ナノワイヤ及びそれらの組み合わせである。好ましい金属は、周期表の第２族、第８族、第９族、第１０族、第１１族又は第１３族の金属、例えばＰｔ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｍｇ又はＣａである。好ましい半導体は、例えば、ドープトＳｉ、ドープトＧｅ、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、フッ素化スズ酸化物（ＦＴＯ）、ガリウムインジウムスズ酸化物（ＧＩＴＯ）、亜鉛インジウムスズ酸化物（ＺＩＴＯ）、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）ポリ（スチレンスルホン酸）（ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ）等である。好ましい金属合金は、例えば、Ｐｔ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ等がベースの合金である。具体的な実施形態は、Ｍｇ／Ａｇ合金である。
【０１６８】
光が当たる電極（通常構造では陽極、反転構造では陰極）に使用される材料は、好ましくは、入射光に対して少なくとも部分的に透明な材料である。これは好ましくは、ガラス及び／又は透明ポリマーを担体材料として有する電極を含む。担体として好適な透明ポリマーは、上述のもの、例えばポリエチレンテレフタレートである。電気接点接続は、概して金属層及び／又は透明導電性酸化物（ＴＣＯ：ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ  ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  ｏｘｉｄｅ）を用いて達成される。これには、好ましくは、ＩＴＯ、ドープトＩＴＯ、ＦＴＯ（フッ素ドープスズ酸化物（ｆｌｕｏｒｉｎｅ  ｄｏｐｅｄ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ））、ＡＺＯ（アルミニウムドープスズ酸化物（ａｌｕｍｉｎｕｍ  ｄｏｐｅｄ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ））、ＺｎＯ、ＴｉＯ２、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔが含まれる。接点接続には、特にＩＴＯが好ましい。電気接点接続には、導電性ポリマー、例えばポリ−３，４−アルキレンジオキシチオフェン、例えばポリ−３，４−エチレンオキシチオフェンポリ（スチレンスルホン酸）（ＰＥＤＯＴ）を使用することも可能である。
【０１６９】
光が当たる側の電極は、最小限の光吸収のみをもたらすのに十分な薄さでありながら、引き抜かれた電荷担体の良好な電荷輸送を可能にするのに十分な厚みをもつように構成される。電極層の厚さ（担体材料なし）は、好ましくは２０〜２００ｎｍの範囲内である。
【０１７０】
具体的な実施形態では、光が当たらない側の電極（通常構造では陰極、反転構造では陽極）に使用される材料は、入射光を少なくとも部分的に反射する材料である。これは、好ましくはＡｇ、Ａｕ、Ａｌ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｉｎ、及びこれらの混合物の金属膜を含む。好ましい混合物はＭｇ／Ａｌである。電極層の厚さは、好ましくは２０〜３００ｎｍの範囲内である。
【０１７１】
光活性領域は、上記に定義するとおりの少なくとも１つの一般式（Ｉ）の化合物を含む少なくとも１つの層を含むか、又はそれからなる。加えて、光活性領域は１つ又は複数のさらなる層を有し得る。これは、例えば以下から選択される
−  電子伝導特性を有する層（電子輸送層、ＥＴＬ：ｅｌｅｃｔｒｏｎ  ｔｒａｎｓｐｏｒｔ  ｌａｙｅｒ）、
−  正孔伝導材料を含む層（正孔輸送層、ＨＴＬ：ｈｏｌｅ  ｔｒａｎｓｐｏｒｔ  ｌａｙｅｒ）、この層は照射を吸収しなくてもよい、
−  励起子及び正孔ブロッキング層（例えばＥＢＬ）、これらの層は吸収があってはならない、及び
−  増幅層。
【０１７２】
これらの層に好適な材料を以下に詳細に記載する。好適な励起子及び正孔ブロッキング層は、例えば、米国特許第６，４５１，４１５号明細書に記載される。励起子ブロッキング層に好適な材料は、例えば、バソクプロイン（ＢＣＰ）、４，４’，４"−トリス［３−メチルフェニル−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニルアミン（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）である。
【０１７３】
本発明の太陽電池は、少なくとも１つの光活性ドナー−アクセプターヘテロ接合を含む。有機材料の光励起により励起子が生じる。光電流が起こるためには、典型的には２つの異なる接点材料間のドナー−アクセプター界面で、電子正孔対が分離されなければならない。かかる界面では、ドナー材料がアクセプター材料とヘテロ接合を形成する。電荷が分離されていない場合、それらの電荷は、「クエンチング」としても知られる過程で、入射光より低いエネルギーの光の放出によって照射的に再結合し得るか、或いは熱の発生によって非照射的に再結合し得る。いずれの過程も望ましくない。本発明によれば、少なくとも１つの一般式（Ｉ）の化合物を、電荷発生体（ドナー）として、又は電子アクセプター材料として使用することができる。
【０１７４】
少なくとも１つの一般式（Ｉ）の化合物が電荷発生体（ドナー）として使用される場合、それを適切な電子アクセプター材料（ＥＴＭ、電子輸送材料（ｅｌｅｃｔｒｏｎ  ｔｒａｎｓｐｏｒｔ  ｍａｔｅｒｉａｌ））と組み合わせることができる。照射励起の後に、ＥＴＭへの急速な電子移動が続く。好適なＥＴＭは、例えば、Ｃ６０及び他のフラーレン、ペリレン−３，４；９，１０−ビス（ジカルボキシミド）（ＰＴＣＤＩ）、又はそれらのｎ型ドープ層（以下に記載するとおり）である。好ましいＥＴＭは、Ｃ６０及び他のフラーレン又はそれらのｎ型ドープ層である。
【０１７５】
第１の実施形態において、ヘテロ接合は平面構成を有する（Ｔｗｏ  ｌａｙｅｒ  ｏｒｇａｎｉｃ  ｐｈｏｔｏｖｏｌｔａｉｃ  ｃｅｌｌ、Ｃ．Ｗ．Ｔａｎｇ、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．、４８（２）、１８３−１８５（１９８６）又はＮ．Ｋａｒｌ、Ａ．Ｂａｕｅｒ、Ｊ．Ｈｏｌｚａｅｐｆｅｌ、Ｊ．Ｍａｒｋｔａｎｎｅｒ、Ｍ．Ｍｏｅｂｕｓ、Ｆ．Ｓｔｏｅｌｚｌｅ、Ｍｏｌ．Ｃｒｙｓｔ．Ｌｉｑ．Ｃｒｙｓｔ．、２５２、２４３−２５８（１９９４）を参照のこと）。
【０１７６】
第２の好ましい実施形態において、ヘテロ接合は、相互侵入ドナー−アクセプター網目とも称されるバルク（混合）ヘテロ接合として構成される。バルクヘテロ接合を備える有機光起電力セルは、例えば、Ｃ．Ｊ．Ｂｒａｂｅｃ、Ｎ．Ｓ．Ｓａｒｉｃｉｆｔｃｉ、Ｊ．Ｃ．ＨｕｍｍｅｌｅｎによるＡｄｖ．Ｆｕｎｃｔ．Ｍａｔｅｒ．、１１（１）、１５（２００１）、又はＪ．Ｘｕｅ、Ｂ．Ｐ．Ｒａｎｄ、Ｓ．Ｕｃｈｉｄａ  ａｎｄ  Ｓ．Ｒ．ＦｏｒｒｅｓｔによるＪ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．９８、１２４９０３（２００５）に記載される。バルクヘテロ接合について以下に詳細に考察する。
【０１７７】
式（Ｉ）の化合物は、ＭｉＭ、ｐｉｎ、ｐｎ、Ｍｉｐ又はＭｉｎ構造（Ｍ＝金属、ｐ＝ｐ型ドープ有機又は無機半導体、ｎ＝ｎ型ドープ有機又は無機半導体、ｉ＝有機層の固有伝導系；例えば、Ｊ．Ｄｒｅｃｈｓｅｌ  ｅｔ  ａｌ．、Ｏｒｇ．Ｅｌｅｃｔｒｏｎ．、５（４）、１７５（２００４）又はＭａｅｎｎｉｇ  ｅｔ  ａｌ．、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ａ  ７９、１−１４（２００４）を参照のこと）を有するセルの光活性材料として使用することができる。
【０１７８】
式（Ｉ）の化合物はまた、タンデムセルの光活性材料としても使用することができる。好適なタンデムセルは、例えば、Ｐ．Ｐｅｕｍａｎｓ、Ａ．Ｙａｋｉｍｏｖ、Ｓ．Ｒ．ＦｏｒｒｅｓｔによりＪ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．、９３（７）、３６９３−３７２３（２００３）に記載され（米国特許第４，４６１，９２２号明細書、米国特許第６，１９８，０９１号明細書及び米国特許第６，１９８，０９２号明細書もまた参照のこと）、以下に詳細に記載する。タンデムセルにおける一般式（Ｉ）の化合物の使用は、本発明の好ましい実施形態である。
【０１７９】
式（Ｉ）の化合物はまた、２つ以上の積層されたＭｉＭ、ｐｉｎ、Ｍｉｐ又はＭｉｎ構造から構成されるタンデムセルの光活性材料としても使用することができる（独国特許第１０３  １３  ２３２．５号明細書及びＪ．Ｄｒｅｃｈｓｅｌ  ｅｔ  ａｌ．、Ｔｈｉｎ  Ｓｏｌｉｄ  Ｆｉｌｍｓ、４５１４５２、５１５−５１７（２００４）を参照のこと）。
【０１８０】
Ｍ層、ｎ層、ｉ層及びｐ層の層厚さは、典型的には１０〜１０００ｎｍ、より好ましくは１０〜４００ｎｍの範囲内である。太陽電池を形成する層は、当業者に公知の従来方法によって作製することができる。それには、減圧下若しくは不活性ガス雰囲気中での蒸着、レーザアブレーション又は溶液若しくは分散体処理方法、例えばスピンコーティング、ナイフコーティング、キャスト法、スプレー塗布、浸漬被覆若しくは印刷（例えばインクジェット、フレキソ、オフセット、グラビア；凹版、ナノインプリンティング）が含まれる。具体的な実施形態では、太陽電池全体が気相堆積法によって作製される。
【０１８１】
有機太陽電池の効率を向上させるため、励起子が次のドナー−アクセプター界面に到達するため拡散しなければならない平均距離を短縮することが可能である。このために、相互侵入網目を形成するドナー材料とアクセプター材料との混合層を使用することが可能であり、相互侵入網目では、内部的なドナー−アクセプターヘテロ接合が可能である。このバルクヘテロ接合は混合層の特別な形態であり、ここでは生成される励起子は、極めて短い距離を移動するだけでドメイン境界に到達し、そこで分離される。
【０１８２】
好ましい実施形態では、バルクヘテロ接合の形態の光活性ドナー−アクセプター遷移部は気相堆積法（物理蒸着、ＰＶＤ）によって作製される。好適な方法は、例えば、米国特許出願公開第２００５／０２２７４０６号明細書（これは本明細書で参照される）に記載される。このために、一般式（Ｉ）の化合物及び相補型半導体材料を、共昇華の方法で気相堆積に供することができる。ＰＶＤ法は高真空条件下で実施され、以下の工程を含む：蒸発、輸送、堆積。堆積は、好ましくは約１０−２ｍｂａｒ〜１０−７ｍｂａｒ、例えば１０−５〜１０−７ｍｂａｒの範囲内の圧力で達成される。堆積速度は、好ましくは０．０１〜１００ｎｍ／ｓの範囲内である。堆積は、不活性ガス雰囲気中、例えば窒素、ヘリウム又はアルゴン下で達成することができる。堆積中の基板の温度は、好ましくは−１００〜３００℃、より好ましくは−５０〜２５０℃の範囲内である。
【０１８３】
有機太陽電池の他の層は、公知の方法によって作製することができる。これには、減圧下若しくは不活性ガス雰囲気中での蒸着、レーザアブレーション、又は溶液若しくは分散体処理方法、例えばスピンコーティング、ナイフコーティング、キャスト法、スプレー塗布、浸漬被覆若しくは印刷（例えば、インクジェット、フレキソ、オフセット、グラビア；凹板、ナノインプリンティング）が含まれる。具体的な実施形態では、太陽電池全体が気相堆積法によって作製される。
【０１８４】
光活性層（均一層又は混合層）は、その作製後に直接、又は太陽電池を形成するさらなる層の作製後に、熱処理に供することができる。かかる熱処理は、多くの場合、光活性層の形態をさらに向上させる。温度は、好ましくは約６０℃〜３００℃の範囲内である。処理時間は、好ましくは１分〜３時間の範囲内である。熱処理に加えて、又はそれに代えて、光活性層（混合層）は、その作製後に直接、又は太陽電池を形成するさらなる層の作製後に、溶剤含有ガスによる処理に供することができる。好適な実施形態において、空気中の飽和溶剤蒸気が周囲温度で用いられる。好適な溶剤は、トルエン、キシレン、クロロホルム、Ｎ−メチルピロリドン、ジメチルホルムアミド、酢酸エチル、クロロベンゼン、ジクロロメタン及びこれらの混合物である。処理時間は、好ましくは１分〜３時間の範囲内である。
【０１８５】
好適な実施形態において、本発明の太陽電池は、平面ヘテロ接合及び通常構造を備える個別セルとして存在する。具体的な実施形態では、このセルは以下の構造を有する：
−  少なくとも部分的に透明な導電層（上部電極、陽極）（１１）
−  正孔伝導層（正孔輸送層、ＨＴＬ）（１２）
−  ドナー材料を含む層（１３）
−  アクセプター材料を含む層（１４）
−  励起子ブロッキング層及び／又は電子伝導層（１５）
−  第２の導電層（背後電極、陰極）（１６）
【０１８６】
ドナー材料は好ましくは、少なくとも１つの式（Ｉ）の化合物を含むか、又は式（Ｉ）の化合物からなる。アクセプター材料は好ましくは、少なくとも１つのフラーレン若しくはフラーレン誘導体を含むか、又はフラーレン若しくはフラーレン誘導体からなる。アクセプター材料は、好ましくはＣ６０又はＰＣＢＭ（［６，６］−フェニル−Ｃ６１−酪酸メチルエステル）を含む。
【０１８７】
本質的に透明な導電層（１１）（陽極）は、担体、例えばガラス又はポリマー（例えばポリエチレンテレフタレート）と、上記に記載したとおりの導体材料とを含む。例としては、ＩＴＯ、ドープトＩＴＯ、ＦＴＯ、ＺｎＯ、ＡＺＯ等が挙げられる。陽極材料は、例えば紫外線、オゾン、酸素プラズマ、Ｂｒ２等による表面処理に供することができる。層（１１）は、最大限の光吸収を可能にするのに十分な薄さでありながらも、良好な電荷輸送を可能にするのに十分な厚さでなければならない。透明な導電層（１１）の層厚さは、好ましくは２０〜２００ｎｍの範囲内である。
【０１８８】
通常構造の太陽電池は、場合により正孔伝導層（ＨＴＬ）を有する。この層は、少なくとも１つの正孔伝導材料（正孔輸送材料、ＨＴＭ（ｈｏｌｅ−ｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ  ｍａｔｅｒｉａｌ））を含む。
【０１８９】
層（１２）は、本質的に均一な組成の個別層であってもよく、又は２つ以上の副層を含んでもよい。
【０１９０】
正孔伝導特性（ＨＴＬ）を有する層の形成に好適な正孔伝導材料（ＨＴＭ）は、好ましくはイオン化エネルギーが高い少なくとも１つの材料を含む。イオン化エネルギーは、好ましくは少なくとも５．０ｅＶ、より好ましくは少なくとも５．５ｅＶである。材料は有機材料又は無機材料であってよい。正孔伝導特性を有する層での使用に好適な有機材料は、好ましくは、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）ポリ（スチレンスルホン酸）（ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ）、Ｉｒ−ＤＰＢＩＣ（トリス−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンズイミダゾール−２−イリデンイリジウム（ＩＩＩ））、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−１，１’−ジフェニル−４，４’−ジアミン（α−ＮＰＤ）、２，２’，７，７’−テトラキス（Ｎ，Ｎ−ジ−ｐ−メトキシフェニルアミン）−９，９’−スピロビフルオレン（スピロＭｅＯＴＡＤ）等及びこれらの混合物から選択される。有機材料は、必要であれば、正孔伝導材料のＨＯＭＯと同じ範囲内か又はそれより低いＬＵＭＯを有するｐ型ドーパントでドープされてもよい。好適なドーパントは、例えば、２，３，５，６−テトラフルオロ−７，７，８，８−テトラシアノキノジメタン（Ｆ４ＴＣＮＱ）、ＷＯ３、ＭｏＯ３等である。正孔伝導特性を有する層での使用に好適な無機材料は、好ましくはＷＯ３、ＭｏＯ３等から選択される。
【０１９１】
存在する場合、正孔伝導特性を有する層の厚さは、好ましくは５〜２００ｎｍ、より好ましくは１０〜１００ｎｍの範囲内である。
【０１９２】
層（１３）は、少なくとも１つの一般式（Ｉ）の化合物を含む。層の厚さは、最大光量を吸収するのに十分でありながら、効果的な電荷の散逸を可能にするのに十分な薄さでなければならない。層（１３）の厚さは、好ましくは５ｎｍ〜１μｍ、より好ましくは５〜１００ｎｍの範囲内である。
【０１９３】
層（１４）は、少なくとも１つのアクセプター材料を含む。アクセプター材料は、好ましくは少なくとも１つのフラーレン又はフラーレン誘導体を含む。それに代えて又は加えて、好適なアクセプター材料を以下に特定する。層の厚さは、最大光量を吸収するのに十分でありながら、効果的な電荷の散逸を可能にするのに十分な薄さでなければならない。層（１４）の厚さは、好ましくは５ｎｍ〜１μｍ、より好ましくは５〜８０ｎｍの範囲内である。
【０１９４】
通常構造の太陽電池は、場合により、励起子ブロッキング層及び／又は電子伝導層（１５）（ＥＢＬ／ＥＴＬ）を含む。励起子ブロッキング層に好適な材料は、概して、層（１３）及び／又は（１４）の材料より大きいバンドギャップを有する。この材料は、第一に励起子を反射する能力を有し、第二に層を通じた良好な電子輸送を可能にする。層（１５）の材料は、有機材料又は無機材料を含み得る。好適な有機材料は、好ましくは、２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（ＢＣＰ）、４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（Ｂｐｈｅｎ）、１，３−ビス［２−（２，２’−ビピリジン−６−イル）−１，３，４−オキサジアゾ−５−イル］ベンゼン（ＢＰＹ−ＯＸＤ）等から選択される。有機材料は、必要であれば、電子伝導材料のＬＵＭＯと同じ範囲内か又はそれより低いＨＯＭＯを有するｎ型ドーパントでドープされてもよい。好適なドーパントは、例えば、Ｃｓ２ＣＯ３、ピロニンＢ（ＰｙＢ）、ローダミンＢ、コバルトセン等である。電子伝導特性を有する層での使用に好適な無機材料は、好ましくはＺｎＯ等から選択される。存在する場合、層（１５）の厚さは、好ましくは５〜５００ｎｍ、より好ましくは１０〜１００ｎｍの範囲内である。
【０１９５】
層１６は陰極であり、好ましくは仕事関数が低い少なくとも１つの化合物、より好ましくはＡｇ、Ａｌ、Ｍｇ、Ｃａ等の金属を含む。層（１６）の厚さは、好ましくは約１０ｎｍ〜１０μｍ、例えば１０ｎｍ〜６０ｎｍの範囲内である。
【０１９６】
さらなる好適な実施形態において、本発明の太陽電池は、平面ヘテロ接合及び反転構造を備える個別セルとして存在する。
【０１９７】
具体的な実施形態では、このセルは以下の構造を有する：
−  少なくとも部分的に透明な導電層（陰極）（１１）
−  励起子ブロッキング層及び／又は電子伝導層（１２）
−  アクセプター材料を含む層（１３）
−  ドナー材料を含む層（１４）
−  正孔伝導層（正孔輸送層、ＨＴＬ）（１５）
−  第２の導電層（背後電極、陽極）（１６）
【０１９８】
層（１１）〜（１６）に好適な好ましい材料に関しては、上記の通常構造の太陽電池の対応する層に関する説明が参照される。
【０１９９】
さらに好ましい実施形態では、本発明の太陽電池は通常構造の個別セルとして存在し、バルクヘテロ接合を有する。具体的な実施形態では、このセルは以下の構造を有する：
−  少なくとも部分的に透明な導電層（陽極）（２１）
−  正孔伝導層（正孔輸送層、ＨＴＬ）（２２）
−  バルクヘテロ接合の形態のドナー−アクセプターヘテロ接合を形成する、ドナー材料とアクセプター材料とを含む混合層（２３）
−  電子伝導層（２４）
−  励起子ブロッキング層及び／又は電子伝導層（２５）
−  第２の導電層（背後電極、陰極）（２６）
【０２００】
層（２３）は、少なくとも１つの一般式（Ｉ）の化合物を光活性材料として、例えばドナー材料として含む。層（２３）はさらに、相補型半導体材料、例えば少なくとも１つのフラーレン又はフラーレン誘導体をアクセプター材料として含む。層（２３）は、特にＣ６０又はＰＣＢＭ（［６，６］−フェニル−Ｃ６１−酪酸メチルエステル）をアクセプター材料として含む。
【０２０１】
層（２１）に関しては、上記の層（１１）に関する説明が完全に参照される。
【０２０２】
層（２２）に関しては、上記の層（１２）に関する説明が完全に参照される。
【０２０３】
層（２３）は、少なくとも１つの一般式（Ｉ）の化合物を半導体材料として含む混合層である。加えて、層（２３）は少なくとも１つの相補型半導体材料を含む。上記に記載したとおり、層（２３）は、共蒸着によるか、又は従来の溶剤を使用した溶液処理によって作製することができる。混合層は、混合層の全重量を基準として好ましくは１０〜９０重量％、より好ましくは２０〜８０重量％の少なくとも１つの一般式（Ｉ）の化合物を含む。混合層は、混合層の全重量を基準として、少なくとも１つのアクセプター材料の好ましくは１０〜９０重量％、より好ましくは２０〜８０重量％を含む。層（２３）の厚さは、最大光量を吸収するのに十分でありながら、効果的な電荷の散逸を可能にするのに十分な薄さでなければならない。層（２３）の厚さは、好ましくは５ｎｍ〜１μｍ、より好ましくは５〜２００ｎｍ、特に５〜８０ｎｍの範囲内である。
【０２０４】
バルクヘテロ接合を含む太陽電池は、電子伝導層（２４）（ＥＴＬ）を含む。この層は少なくとも１つの電子輸送材料（ＥＴＭ）を含む。層（２４）は、本質的に均一な組成の単一の層であってもよく、又は２つ以上の副層を含んでもよい。電子伝導層に好適な材料は、概して仕事関数又はイオン化エネルギーが低い。イオン化エネルギーは、好ましくは３．５ｅＶ以下である。好適な有機材料は、好ましくは、前述のフラーレン及びフラーレン誘導体、２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（ＢＣＰ）、４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（Ｂｐｈｅｎ）、１，３−ビス［２−（２，２’−ビピリジン−６−イル）−１，３，４−オキサジアゾ−５−イル］ベンゼン（ＢＰＹ−ＯＸＤ）等から選択される。層（２４）に使用される有機材料は、必要であれば、電子伝導材料のＬＵＭＯと同じ範囲内か又はそれより低いＨＯＭＯを有するｎ型ドーパントでドープされてもよい。好適なドーパントは、例えば、Ｃｓ２ＣＯ３、ピロニンＢ（ＰｙＢ）、ローダミンＢ、コバルトセン等である。存在する場合、層（２３）の厚さは、好ましくは１ｎｍ〜１μｍ、特に５〜６０ｎｍの範囲内である。
【０２０５】
層（２５）に関しては、上記の層（１５）に関する説明が完全に参照される。
【０２０６】
層（２６）に関しては、上記の層（１６）に関する説明が完全に参照される。
【０２０７】
バルクヘテロ接合の形態のドナー−アクセプターヘテロ接合を含む太陽電池は、上記に記載したとおり気相堆積法によって作製することができる。堆積速度、堆積中の基板温度及び熱後処理に関しては、上記の説明が参照される。
【０２０８】
さらに好ましい実施形態では、本発明の太陽電池は、反転構造を含む個別セルとして存在し、且つバルクヘテロ接合を有する。
【０２０９】
特に好ましい実施形態において、本発明の太陽電池はタンデムセルである。
【０２１０】
タンデムセルは、２個以上（例えば３、４、５個等）のサブセルからなる。単一のサブセル、一部のサブセル又は全てのサブセルが、光活性ドナー−アクセプターヘテロ接合を有し得る。各ドナー−アクセプターヘテロ接合は平面ヘテロ接合の形態であっても、又はバルクヘテロ接合の形態であってもよい。好ましくは、ドナー−アクセプターヘテロ接合のうちの少なくとも１つがバルクヘテロ接合の形態である。本発明によれば、少なくとも１つのサブセルの光活性層が一般式（Ｉ）の化合物を含む。好ましくは、少なくとも１つのサブセルの光活性層が、一般式（Ｉ）の化合物と、少なくとも１つのフラーレン又はフラーレン誘導体とを含む。より好ましくは、少なくとも１つのサブセルの光活性層に使用される半導体混合物は、一般式（Ｉ）の化合物及びＣ６０又は［６，６］−フェニル−Ｃ６１−酪酸メチルエステルからなる。
【０２１１】
タンデムセルを形成するサブセルは、並列接続又は直列接続され得る。タンデムセルを形成するサブセルは、好ましくは直列接続される。好ましくはさらなる再結合層が、それぞれ個別サブセル間にある。個別サブセルは同じ極性を有し、すなわち、概して通常構造のセルのみ又は反転構造のセルのみが互いに組み合わされる。
【０２１２】
図２は、本発明のタンデムセルの基本構造を示す。層３１は透明な導電層である。好適な材料は、上記で個別セルについて特定した材料である。
【０２１３】
層３２及び３４はサブセルをなす。「サブセル」は、ここでは、陰極及び陽極を含まない上記に定義するとおりのセルを指す。サブセルは、例えば、全てが、本発明において使用される一般式（Ｉ）の化合物を光活性層に（好ましくはフラーレン又はフラーレン誘導体、特にＣ６０との組み合わせで）有してもよく、或いは、半導体材料の他の組み合わせ、例えばＣ６０と亜鉛フタロシアニン、Ｃ６０とオリゴチオフェン（ＤＣＶ５Ｔなど）を有してもよい。加えて、個別サブセルはまた、色素増感太陽電池又はポリマーセルとしても構成され得る。
【０２１４】
いずれの場合にも、入射光、例えば自然太陽光の異なるスペクトル領域を利用する材料の組み合わせが好ましい。例えば、本発明において使用される一般式（Ｉ）の化合物とフラーレン又はフラーレン誘導体との組み合わせは、太陽光の長波長領域に吸収がある。例えば欧州特許出願第１０１６６４９８．５号明細書に記載されるとおりの、少なくとも１つのペリレン化合物をベースとするセルは、主として短波長領域に吸収がある。従って、これらのサブセルの組み合わせで構成されるタンデムセルは、約４００ｎｍ〜９００ｎｍの範囲の放射を吸収するはずである。従ってサブセルの好適な組み合わせにより、利用するスペクトル域を広げることが可能になるはずである。性能特性を最適化するためには、光学干渉を考慮しなければならない。例えば、比較的短い波長を吸収するサブセルは、長波を吸収するサブセルと比べて金属上部接点のより近くに配置されなければならない。
【０２１５】
層（３１）に関しては、上記の層（１１）及び（２１）に関する説明が完全に参照される。
【０２１６】
層（３２）及び（３４）に関しては、平面ヘテロ接合について上記の層（１２）〜（１５）に関する説明、及びバルクヘテロ接合について（２２）〜（２５）に関する説明が、完全に参照される。
【０２１７】
層３３は再結合層である。再結合層は、一つのサブセルの電荷担体を隣接するサブセルの電荷担体と再結合させることが可能である。Ａｇ、Ａｕ又は高度ｎ型及びｐ型ドープ層の組み合わせなど、小さい金属クラスタが好適である。金属クラスタの場合、層厚さは、好ましくは０．５〜５ｎｍの範囲内である。高度ｎ型及びｐ型ドープ層の場合、層厚さは、好ましくは５〜４０ｎｍの範囲内である。再結合層は、概して、サブセルの電子伝導層を隣接するサブセルの正孔伝導層に接続する。このように、さらなるセルを組み合わせてタンデムセルを形成することができる。
【０２１８】
層３６は上部電極である。材料はサブセルの極性に依存する。通常構造のサブセルは、Ａｇ、Ａｌ、Ｍｇ、Ｃａ等の、仕事関数が低い金属を使用することが好ましい。反転構造を含むサブセルは、Ａｕ又はＰｔ、又はＰＥＤＯＴ−ＰＳＳなどの、仕事関数が高い金属を使用することが好ましい。
【０２１９】
直列接続されるサブセルの場合、全体の電圧は、全てのサブセルの個々の電圧の合計に対応する。対照的に、全体の電流は一つのサブセルの最低電流に制限される。このため、全てのサブセルが本質的に同じ電流を有するように各サブセルの厚さが最適化されなければならない。
【０２２０】
異なる種類のドナー−アクセプターヘテロ接合の例は、平面ヘテロ接合を含むドナー−アクセプター二重層であり、又はヘテロ接合は、ハイブリッド平面混合ヘテロ接合又は勾配バルクヘテロ接合又は焼鈍バルクヘテロ接合として構成される。
【０２２１】
ハイブリッド平面混合ヘテロ接合の作製は、Ａｄｖ．Ｍａｔｅｒ．１７、６６−７０（２００５）に記載される。この構造では、アクセプター材料及びドナー材料の同時蒸着により形成された混合ヘテロ接合層が、均一なドナー及びアクセプター材料間に存在する。
【０２２２】
本発明の具体的な実施形態では、ドナー−アクセプター−ヘテロ接合は勾配バルクヘテロ接合の形態である。ドナー及びアクセプター材料で構成される混合層において、ドナー−アクセプター比が徐々に変化する。勾配の形態は階段状又は線形であってよい。階段状勾配の場合、例えば、層０１が１００％ドナー材料からなり、層０２がドナー／アクセプター比＞１を有し、層０３がドナー／アクセプター比＝１を有し、層０４がドナー／アクセプター比＜１を有し、及び層０５が１００％アクセプター材料からなる。線形勾配の場合、例えば、層０１が１００％ドナー材料からなり、層０２が低下するドナー／アクセプター比を有し、すなわちドナー材料の割合が層０３に向かって線形的に低下し、及び層０３が１００％アクセプター材料からなる。異なるドナー−アクセプター比は、一つ一つの材料の堆積速度を用いて制御することができる。かかる構造は電荷のパーコレーション経路を促進し得る。
【０２２３】
本発明のさらなる具体的な実施形態において、ドナー−アクセプターヘテロ接合は、焼鈍バルクヘテロ接合として構成される；例えば、Ｎａｔｕｒｅ  ４２５、１５８−１６２、２００３を参照のこと。かかる太陽電池の作製方法は、金属堆積前又は堆積後の焼鈍工程を含む。焼鈍の結果として、ドナー及びアクセプター材料が分離することができ、これによりパーコレーション経路の拡張がもたらされる。
【０２２４】
本発明のさらなる具体的な実施形態において、有機太陽電池は、平面ヘテロ接合又は制御されたヘテロ接合のいずれかの構造で、有機気相堆積によって作製される。この種の太陽電池は、Ｍａｔｅｒｉａｌｓ、４、２００５、３７に記載される。
【０２２５】
本発明の有機太陽電池は、好ましくは、少なくとも１つの式（Ｉ）の化合物を含む少なくとも１つの光活性領域を含み、この光活性領域は少なくとも１つの相補型半導体と接触している。式（Ｉ）の化合物に加えて、以下に列挙する半導体材料が、原則的に本発明に係る太陽電池での使用に好適である。
【０２２６】
好ましいさらなる半導体は、Ｃ６０、Ｃ７０、Ｃ８４、フェニル−Ｃ６１−酪酸メチルエステル（［６０］ＰＣＢＭ）、フェニル−Ｃ７１−酪酸メチルエステル（［７１］ＰＣＢＭ）、フェニル−Ｃ８４−酪酸メチルエステル（［８４］ＰＣＢＭ）、フェニル−Ｃ６１−酪酸ブチルエステル（［６０］ＰＣＢＢ）、フェニル−Ｃ６１−酪酸オクチルエステル（［６０］ＰＣＢＯ）、チエニル−Ｃ６１−酪酸メチルエステル（［６０］ＴｈＣＢＭ）及びこれらの混合物から好ましくは選択されるフラーレン及びフラーレン誘導体である。Ｃ６０、［６０］ＰＣＢＭ及びこれらの混合物が特に好ましい。気化可能なフラーレン、例えばＣ６０又はＣ７０が好ましい。少なくとも１つの式（Ｉ）の化合物との組み合わせにおけるフラーレン及びフラーレン誘導体は、通常、アクセプターとして作用する。
【０２２７】
好適なさらなる半導体は、式
【化２０】
2014532035.tif 000028
［式中
Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ２１、Ｒ２２、Ｒ２３及びＲ２４基は、各々独立して、水素、ハロゲン又はハロゲン以外の基であり、
Ｙ１はＯ又はＮＲａ（式中、Ｒａは水素又はオルガニル基である）であり、
Ｙ２はＯ又はＮＲｂ（式中、Ｒｂは水素又はオルガニル基である）であり、
Ｚ１、Ｚ２、Ｚ３及びＺ４は各々Ｏであり、
ここで、Ｙ１がＮＲａである場合、Ｚ１基及びＺ２基の一方もまたＮＲｃであってよく、ここでＲａ基及びＲｃ基は一緒になって、隣接する結合間における２〜５個の原子を有する架橋基であり、及び
ここで、Ｙ２がＮＲｂである場合、Ｚ３基及びＺ４基の一方もまたＮＲｄであってよく、ここでＲｂ基及びＲｄ基は一緒になって、隣接する結合間における２〜５個の原子を有する架橋基である］
のペリレンジイミドである。
【０２２８】
好適なペリレンジイミドは、例えば、国際公開第２００７／０７４１３７号パンフレット、国際公開第２００７／０９３６４３号パンフレット及び国際公開第２００７／１１６００１号パンフレット（これらは本明細書で参照される）に記載される。
【０２２９】
少なくとも１つの式（Ｉ）の化合物との組み合わせにおけるペリレンジイミドは、とりわけペリレンジイミドの置換基に応じて、ドナー又はアクセプターとして作用し得る。通常、少なくとも１つの式（Ｉ）の化合物との組み合わせにおけるペリレンジイミドはアクセプターとして作用し、一方、強力なドナーとして作用する置換基、例えばアリールオキシ基又はアミノ基を有するペリレンジイミドはまた、ドナーとして作用し得る。
【０２３０】
さらなる好適な半導体は、チオフェン化合物である。これは、好ましくはチオフェン、オリゴチオフェン及びそれらの置換誘導体から選択される。好適なオリゴチオフェンは、クォータチオフェン、キンクチオフェン、セクシチオフェン、α，ω−ジ（Ｃ１〜Ｃ８）−アルキルオリゴチオフェン、例えばα，ω−ジヘキシルクォータチオフェン、α，ω−ジヘキシルキンクチオフェン及びα，ω−ジヘキシルセクシチオフェン、ポリ（アルキルチオフェン）、例えばポリ（３−ヘキシルチオフェン）、ビス（ジチエノチオフェン）、アントラジチオフェン及びジアルキルアントラジチオフェン、例えばジヘキシルアントラジチオフェン、フェニレン−チオフェン（Ｐ−Ｔ）オリゴマー及びそれらの誘導体、特にα，ω−アルキル置換フェニレン−チオフェンオリゴマーである。
【０２３１】
半導体として好適なさらなるチオフェン化合物は、好ましくは、
α，α’−ビス（２，２−ジシアノビニル）キンクチオフェン（ＤＣＶ５Ｔ）、
（３−（４−オクチルフェニル）−２，２’−ビチオフェン）（ＰＴＯＰＴ）、
及び国際公開第２００６／０９２１２４号パンフレットに記載されるとおりのアクセプター置換オリゴチオフェン
などの化合物から選択される。
【０２３２】
少なくとも１つの式（Ｉ）の化合物との組み合わせにおけるチオフェン化合物は、通常、ドナーとして作用する。
【０２３３】
ドナーとして好適なさらなる半導体は、国際公開第２０１０／０４９５１２号パンフレットに記載されるとおりのメロシアニンである。
【０２３４】
前述の半導体はいずれも、ドープされ得る。ドーパントを使用する化学ドーピング技術によって、半導体の伝導性を増加させることができる。有機半導体材料は、電子伝導材料のＬＵＭＯエネルギー準位に近い又はそれより高いＨＯＭＯエネルギー準位を有するｎ型ドーパントでドープされてもよい。有機半導体材料はまた、正孔伝導材料のＨＯＭＯエネルギー準位に近い又はそれより高いＬＵＭＯエネルギー準位を有するｐ型ドーパントでドープされてもよい。換言すれば、ｎ型ドーピングの場合、ドーパントから電子が放出されて、ドーパントはドナーとして作用し、一方、ｐ型ドーピングの場合、ドーパントは、電子を受け入れるアクセプターとして作用する。
【０２３５】
本発明に係る化合物（Ｉ）及び一般にｐ型半導体に好適なドーパントは、例えば、ＷＯ３、ＭｏＯ３、２，３，５，６−テトラフルオロ−７，７，８，８−テトラシアノキノジメタン（Ｆ４−ＴＣＮＱ）、３，６−ジフルオロ−２，５，７，７，８，８−ヘキサシアノキノジメタン、ジクロロジシアノキノン（ＤＤＱ）又はテトラシアノキノジメタン（ＴＣＮＱ）から選択される。好ましいドーパントは、３，６−ジフルオロ−２，５，７，７，８，８−ヘキサシアノキノジメタンである。
【０２３６】
さらなる好適なドーパントは、例えば、Ｃｓ２ＣＯ３、ＬｉＦ、ピロニンＢ（ＰｙＢ）、ローダミン誘導体、コバルトセン等から選択される。好ましいドーパントは、ピロニンＢ及びローダミン誘導体、特にローダミンＢである。
【０２３７】
ドーパントは、典型的には、ドープされる半導体の量を基準として最大１０ｍｏｌ％、好ましくは最大５ｍｏｌ％の量で使用される。
【０２３８】
本発明はさらに、上部電極と、下部電極と（ここで前記電極のうち少なくとも１つは透明である）、エレクトロルミネセンス層と、場合により補助層とを含むエレクトロルミネセント（ＥＬ）装置を提供し、このエレクトロルミネセンス装置は、上記に定義するとおりの少なくとも１つの式Ｉの化合物を含む。ＥＬ装置は、電流の流れに伴い電圧が印加されると発光することによって特徴付けられる。かかる装置は、長い間産業技術において発光ダイオード（ＬＥＤ）として知られてきた。正電荷（正孔）及び負電荷（電子）が発光を伴い結合することが理由で光が発せられる。本出願の意味上、用語のエレクトロルミネセンス装置と有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）とは、同義語として使用される。概して、ＥＬ装置はいくつかの層で構成される。それらの層のうちの少なくとも１つが、１つ又は複数の有機電荷輸送化合物を含有する。層構造は、原則的に以下のとおりである：
１．担体、基板
２．ベース電極（陽極）
３．正孔注入層
４．正孔輸送層
５．発光層
６．電子輸送層
７．電子注入層
８．上部電極（陰極）
９．接点
１０．被覆、封入。
【０２３９】
この構造は最も一般的な場合に相当し、個別層を省くことで、すなわち一つの層がいくつかの役割を果たすことにより、単純化することができる。最も単純な場合、ＥＬ装置は、間に有機層が配置された２つの電極からなり、有機層が発光を含めたあらゆる機能を果たす。有機発光ダイオードの構造及びその製造方法は、原則的に、例えば国際公開第２００５／０１９３７３号パンフレットにより当業者に公知である。ＯＬＥＤの個別層に好適な材料は、例えば国際公開第００／７０６５５号パンフレットに開示される。ここでこれらの文書の開示を参照する。原則的に、本発明に係るＯＬＥＤは、当業者に公知の方法によって作製される。第１の実施形態において、ＯＬＥＤは、好適な基板上への個別層の連続蒸着によって作製される。蒸着には、熱蒸着、化学蒸着などの従来の技法を用いることが可能である。代替的実施形態において、有機層は、当業者に公知の被覆技術が用いられる好適な溶媒中の溶液又は分散体から被覆されてもよい。
【０２４０】
基板１としては、ガラス又はプラスチックフィルム（例えばポリエステル、例えばポリエチレンテレフタレート又はポリエチレンナフタレート、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリスルホン、ポリイミド箔）などの、透明な担体が好適である。透明な伝導性材料としては、ａ）金属酸化物、例えばインジウム−スズ酸化物（ＩＴＯ）、酸化スズ（ＮＥＳＡ）等、及びｂ）半透明金属膜、例えばＡｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｃｕ等が好適である。
【０２４１】
式（Ｉ）の化合物は、好ましくは電荷輸送材料（電子伝導体）として働く。従って、上記に定義するとおりの少なくとも１つの式Ｉの化合物は、好ましくは正孔注入層、正孔輸送層に、又は透明電極の一部として使用される。
【０２４２】
本発明に係るＥＬ適用では、低分子量材料又はオリゴマー材料並びに高分子材料が、発光層５として使用され得る。これらの物質は、それらが光ルミネセンスを示すことによって特徴付けられる。従って、好適な物質は、例えば、オリゴマーを形成するか又はポリマー中に取り込まれる蛍光色素及び蛍光生成物である。かかる材料の例は、クマリン、ペリレン、アントラセン、フェナントレン、スチルベン、ジスチリル、メチン又は金属錯体、例えばＡｌｑ３（トリス（８−ヒドロキシキノリナト）アルミニウム）等である。好適なポリマーには、場合により、置換フェニレン、フェニレンビニレン、又はポリマー側鎖若しくはポリマー骨格に蛍光を示すセグメントを含むポリマーが含まれる。詳細なリストが欧州特許出願公開第Ａ−５３２  ７９８号明細書に提供される。好ましくは、輝度を増加させるため、ＥＬ装置に電子注入層又は正孔注入層（３及び／又は７）を組み込むことができる。電荷（正孔及び／又は電子）を輸送する多数の有機化合物が、文献に記載されている。主に低分子量物質が使用され、それらは例えば高真空中で真空蒸着される。物質のクラス及びそれらの使用についての包括的な調査が、例えば、以下の刊行物に提供される：欧州特許出願公開第Ａ  ３８７  ７１５号明細書、米国特許第４，５３９，５０７号明細書、米国特許第４，７２０，４３２号明細書及び米国特許第４，７６９，２９２号明細書。好ましい材料はＰＥＤＯＴ（ポリ−（３，４−エチレンジオキシチオフェン））であり、これはＯＬＥＤの透明電極にも用いることができる。
【０２４３】
本発明により化合物（Ｉ）を使用する結果として、ＯＬＥＤを高効率で得ることが可能である。本発明のＯＬＥＤは、エレクトロルミネセンスが有用なあらゆるデバイスで使用することができる。好適なデバイスは、好ましくは固定型及び移動型画像表示装置から選択される。固定型画像表示装置は、例えば、コンピュータの画像表示装置、テレビ受像機、プリンタの、台所電化製品の及び広告パネルの画像表示装置、照明及び情報パネルである。移動型画像表示装置は、例えば、携帯電話、ノートパソコン、デジタルカメラ、車両並びにバス及び電車の行き先表示における画像表示装置である。さらに、化合物（Ｉ）は、反転構造を含むＯＬＥＤで使用されてもよい。次にこれらの反転ＯＬＥＤにおける化合物（Ｉ）が、好ましくは発光層に使用される。反転ＯＬＥＤの構造及びそこで典型的に使用される材料は、当業者に公知である。
【０２４４】
式（Ｉ）の化合物は、電荷輸送材料又は励起子輸送材料としての使用前に、望ましくは精製処理に供され得る。好適な精製処理は、従来のカラム技術及び式（Ｉ）の化合物の気相への変換を含む。これには、昇華又はＰＶＤ（物理蒸着）による精製が含まれる。
【０２４５】
以下の非限定的な例を参照して、本発明を詳細に説明する。
【実施例】
【０２４６】
Ｉ．一般式Ｉの化合物の製造
実施例１：
Ｎ，Ｎ’−ビス（２，６−ジイソプロピルフェニル）−５Ｈ，１２Ｈ−カルバゾロ［２，３−ｂ］カルバゾール［６，７：１３，１４］−ビス（ジカルボキシミド）
【化２１】
2014532035.tif 000029
Ｎ，Ｎ’−ジ−（２’，６’−ジイソプロピルフェニル）−２，６−ジブロモナフタレン−１，４，５，８−テトラカルボン酸ビスイミドを、Ｓ．Ｃｈｏｐｉｎ  ｅｔ  ａｌ．によりＪ．Ｍａｔｅｒ．Ｃｈｅｍ．２００７、１７、４１３９−４１４６に記載されるとおり合成した。用いた２，６−ジブロモナフタレンジアンヒドリドは、Ｃ．Ｔｈａｌａｃｋｅｒ  ｅｔ  ａｌ．によりＪ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．２００６、７１、８０９８−８１０５に記載されるとおり合成した。
【０２４７】
Ｎ，Ｎ’−ジ−（２’，６’−ジイソプロピルフェニル）−２，６−ジブロモナフタレン−１，４，５，８−テトラカルボン酸ビスイミド（６０．０ｍｇ、８０．６μｍｏｌ）、２−ブロモアニリン（３８．８ｍｇ、０．２２６ｍｍｏｌ）、Ｐｄ（ＯＡｃ）２（５．４ｍｇ、０．０２４ｍｍｏｌ）及びＫ２ＣＯ３（２２．３ｍｇ、０．１６１ｍｍｏｌ）をアルゴン下に置き、乾燥ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）（５ｍＬ）を添加した。混合物を油浴中（１７５℃）で２時間還流させた。溶媒を減圧除去し、残渣をカラムクロマトグラフィー（ジクロロメタン／ペンタン１：１）及び再循環ＧＰＣにより精製すると、黒色の固体（７．２ｍｇ、１２％）が得られた。
１Ｈ  ＮＭＲ（６００ＭＨｚ，ＣＤ２Ｃｌ２）：１１．５２（ｓ，２Ｈ），９．７１（ｄ，３Ｊ＝７．３Ｈｚ，２Ｈ），７．７４−７．７１（ｍ，２Ｈ），７．７０−７．６７（ｍ，２Ｈ），７．６２（ｔ，３Ｊ＝７．９Ｈｚ，２Ｈ），７．４７（ｄ，３Ｊ＝７．９Ｈｚ，４Ｈ），７．４０−７．３６（ｍ，２Ｈ），２．９２（ｓｅｐｔ，３Ｊ＝６．９Ｈｚ，４Ｈ），１．２２−１．７８（ｍ，２４Ｈ）。
１３Ｃ  ＮＭＲ（１５１ＭＨｚ，ＣＤ２Ｃｌ２）：１６６．０，１６４．９，１４６．６，１４４．７，１４２．８，１３１．６，１３１．４，１３１．０，１３０．５４，１３０．１，１２４．７，１２２．２，１２１．６，１２１．１，１２０．０，１１１．７，１０５．１，２９．６６，２４．１４，２４．１１。
ＨＲＭＳ（ＥＳＩ，アセトニトリル／ＣＨＣｌ３  １：１，ポジティブモード）：Ｃ５０Ｈ４５Ｎ４Ｏ４に対する計算値７６５．３４３５、実測値７６５．３４３３。
【０２４８】
実施例２：
Ｎ，Ｎ’−ビス（２，６−ジイソプロピルフェニル）−５Ｈ，１２Ｈ−２，９−ジクロロ−カルバゾロ［２，３−ｂ］カルバゾール［６，７：１３，１４］ビス（ジカルボキシミド）
【化２２】
2014532035.tif 000030
Ｎ，Ｎ’−ビス（２，６−ジイソプロピルフェニル）−５Ｈ，１２Ｈ−カルバゾロ［２，３−ｂ］カルバゾール［６，７：１３，１４］−ビス（ジカルボキシミド）（２８．０ｍｇ、３６．６μｍｏｌ）及びＮ−クロロスクシンイミド（ＮＣＳ）（９．８ｍｇ、７３．４ｍｇ）を塩化メチレン（４ｍＬ）に溶解し、室温で２日間撹拌した。ＮＣＳ（１０．０ｍｇ、７４．９μｍｏｌ）のさらなる部分量を添加し、還流させながら加熱した。１５日後、反応混合物を室温に冷却した。溶媒を減圧除去した。残渣をカラムクロマトグラフィー（塩化メチレン／ペンタン  １：１）により精製した。１０ｍｇ（理論値の３２％）の緑色の固体が得られた。
１Ｈ  ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤ２Ｃｌ２）：１１．５５（ｓ，２Ｈ），９．７８（ｄ，４Ｊ＝１．８Ｈｚ，２Ｈ），７．６８（ｄｄ，３Ｊ＝８．５Ｈｚ，４Ｊ＝２．０Ｈｚ），７．６４（ｔ，３Ｊ＝７．６Ｈｚ，２Ｈ），７．５２（ｄ，３Ｊ＝８．４Ｈｚ，２Ｈ），７．４９（ｄ，３Ｊ＝７．８Ｈｚ，４Ｈ），２．８７（ｓｅｐｔ，３Ｊ＝６．９Ｈｚ，４Ｈ），１．２６−１．２１（ｍ，２４Ｈ）。
ＨＲＭＳ（ＥＳＩ，アセトニトリル／ＣＨＣｌ３  １：１，ポジティブモード）：Ｃ５０Ｈ４３Ｃｌ２Ｎ４Ｏ４に対する計算値８３３．２６５６、実測値８３３．２６６０。
【０２４９】
実施例３：
Ｎ，Ｎ’−ビス（２，６−ジイソプロピルフェニル）−５Ｈ，１２Ｈ−２，９−ジシアノ−カルバゾロ［２，３−ｂ］カルバゾール［６，７：１３，１４］ビス（ジカルボキシミド）
【化２３】
2014532035.tif 000031
Ｎ，Ｎ’−ジ−（２，６−ジイソプロピルフェニル）−２，６−ジブロモ−ナフタレン−１，４：５，８−ビス（ジカルボキシミド）（１６３ｍｇ、０．２１９ｍｍｏｌ）、４−アミノ−３−ブロモ−ベンゾニトリル（９２．３ｍｇ、０．４６８ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム（８．０ｍｇ、３５．６μｍｏｌ）、炭酸カリウム（６１．７ｍｇ、０．４４６ｍｍｏｌ）、及び臭化テトラブチルアンモニウム（１４２ｍｇ、０．４４０ｍｍｏｌ）を、アルゴン下で乾燥ＤＭＦ（５ｍＬ）に添加した。反応混合物を５０分間、還流させながら加熱した。室温に冷却した後、溶媒を減圧除去した。残渣を、塩化メチレンを溶離液とするカラムクロマトグラフィーによって精製した。生成物を含有する画分を蒸発乾固し、次にクロロホルム（２ｍＬ）中に懸濁した。懸濁液を還流させながら加熱し、室温に冷却した後、ろ過した。緑色の残渣（２９ｍｇ、理論値の１６％）が得られた。
１Ｈ  ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤ２Ｃｌ２）：□□＝１１．７８（ｓ，２Ｈ），１０．１４−１０．１２（ｍ，２Ｈ），７．９８（ｄｄ，３Ｊ＝８．４Ｈｚ，４Ｊ＝１．６Ｈｚ），７．７８（ｄｄ，３Ｊ＝８．４Ｈｚ，５Ｊ＝０．６４Ｈｚ），７．６４（ｔ，３Ｊ＝７．８Ｈｚ，２Ｈ），７．４９（ｄ，３Ｊ＝７．８Ｈｚ，４Ｈ），２．８７（ｓｅｐｔ，３Ｊ＝６．８Ｈｚ，４Ｈ），１．２２，１．２０（２ｘｄ，３Ｊ＝６．８Ｈｚ，２４Ｈ）。
ＨＲＭＳ（ＥＳＩ，アセトニトリル／ＣＨＣｌ３  １：１，ポジティブモード）：Ｃ５２Ｈ４３Ｎ６Ｏ４に対する計算値：８１５．３３４０；実測値：８１５．３３３６。
【０２５０】
実施例４：
Ｎ，Ｎ’−ビス（２，６−ジイソプロピルフェニル）−５Ｈ，１２Ｈ−１，３，６，８−テトラキス（トリフルオロメチル（ｔｒｉｆｌｕｏｒｍｅｔｈｙｌ））−カルバゾロ［２，３−ｂ］カルバゾール［６，７：１３，１４］ビス（ジカルボキシミド）
【化２４】
2014532035.tif 000032
Ｎ，Ｎ’−ジ−（２，６−ジイソプロピルフェニル）−２，６−ジブロモ−ナフタレン−１，４：５，８−ビス（ジカルボキシミド）（２９５ｍｇ、０．３９６ｍｍｏｌ）、２−ブロモ−３，５−ビス（トリフルオロメチル）−アニリン（３１０ｍｇ、１．０１ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム（１３．６ｍｇ、６０．６μｍｏｌ）、炭酸カリウム（１１１ｍｇ、０．８０３ｍｍｏｌ）、及び臭化テトラブチルアンモニウム（２６１ｍｇ、０．８１０ｍｍｏｌ）を、アルゴン下で乾燥ＤＭＦ（７ｍＬ）に添加した。反応混合物を１３５℃に９０分間加熱し、次に還流させながら１時間、１５０℃に加熱した。室温に冷却した後、溶媒を減圧除去した。残渣を、塩化メチレン／ペンタン３：２を溶離液とするカラムクロマトグラフィーによって精製した。生成物を含有する溶離液画分を蒸発乾固し（４７．６ｍｇ）、次にクロロホルム（２ｍＬ）中に懸濁した。懸濁液を還流させながら加熱し、室温に冷却した後、ろ過した。濃緑色の残渣（３４．０ｍｇ、理論値の８％）が得られた。
１Ｈ  ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤ２Ｃｌ２）：□□＝１１．４４（ｓ，２Ｈ），７．９９（ｂｓ，２Ｈ），７．８５（ｂｓ，２Ｈ），７．５９（ｔ，３Ｊ＝７．８Ｈｚ，２Ｈ），７．４２（ｄ，３Ｊ＝７．８Ｈｚ，４Ｈ）、アルキル部分は分解が不明瞭であった。
ＨＲＭＳ（ＥＳＩ，アセトニトリル／ＣＨＣｌ３  １：１，ポジティブモード）：Ｃ５４Ｈ４１Ｆ１６Ｎ４Ｏ４に対する計算値：１０３７．２９３１；実測値：１０３７．２９２６。
【０２５１】
実施例５：
Ｎ，Ｎ’−ビス（２−エチルヘキシル）−５Ｈ，１２Ｈ−カルバゾロ［２，３−ｂ］カルバゾール［６，７：１３，１４］ビス（ジカルボキシミド）
【化２５】
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Ｎ，Ｎ’−ジ−（２−エチルヘキシル）−２，６−ジブロモ−ナフタレン−１，４：５，８−ビス（ジカルボキシミド）（１５６ｍｇ、０．２４１ｍｍｏｌ）、２−ブロモ−アニリン（１７７ｍｇ、０．６８ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム（１８．２ｍｇ、０．０８１ｍｍｏｌ）、及び炭酸カリウム（６６．０ｍｇ、０．４７８ｍｍｏｌ）を、アルゴン下で乾燥ＤＭＦ（１０ｍＬ）に添加した。反応混合物を５０分間加熱還流した。室温に冷却した後、溶媒を減圧除去した。残渣を、塩化メチレン／ペンタン１：１を溶離液とするカラムクロマトグラフィーによって精製した。暗色の残渣（１６ｍｇ、理論値の１０％）が得られた。
１Ｈ  ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３）：１１．５２（ｓ，２Ｈ），９．７６（ｄ，３Ｊ＝８．１Ｈｚ，２Ｈ），７．７０−７．６８（ｍ，２Ｈ），７．５６（ｄ，３Ｊ＝８．０Ｈｚ，２Ｈ），７．４６−７．４１（ｍ，２Ｈ），４．４２−４．２１（ｍ，４Ｈ），２．１９−２．０１（ｍ，２Ｈ），１．５０−１．２７（ｍ，１６Ｈ），０．９９（ｔ，３Ｊ＝７．２Ｈｚ，６Ｈ），０．９０（ｔ，３Ｊ＝７．４Ｈｚ，６Ｈ）。
【０２５２】
ＩＩ．トランジスタ特性の決定方法
実施例６
高度にドープされたｐ型シリコン（１００）ウエハ（０．０１〜０．０２Ω・ｃｍ）を基板Ａとして使用した。１００ｎｍ厚の熱成長ＳｉＯ２層（キャパシタンス３４ｎＦ／ｃｍ２）を有する高度にドープされたｐ型シリコン（１００）ウエハ（０．００５〜０．０２Ω・ｃｍ）を基板Ｂとして使用した。
【０２５３】
Ｌｅｙｂｏｌｄ  ＵＮＩＶＥＸ  ３００真空蒸着装置におけるタングステン線からの熱蒸着によって、２×１０−６ｍｂａｒの圧力で１ｎｍ／ｓの蒸発速度を用いて、基板Ａの上に３０ｎｍ厚のアルミニウム層を堆積させる。Ｏｘｆｏｒｄ反応性イオンエッチャーにおいて（ＲＩＥ、酸素流量：３０ｓｃｃｍ、圧力：１０ｍＴｏｒｒ、プラズマ出力：２００Ｗ、プラズマ持続時間３０秒）、酸素プラズマに短時間曝露することによりアルミニウム層の表面を酸化させ、次に基板をホスホン酸の２−プロパノール溶液（Ｃ１４Ｈ２９ＰＯ（ＯＨ）２［ＴＤＰＡ］の１ｍＭｏｌ溶液）に浸漬し、その溶液中に１時間放置すると、酸化アルミニウム表面上にホスホン酸分子の自己組織化単分子膜（ＳＡＭ）が形成される。基板を溶液から取り出して純２−プロパノールでリンスし、窒素流中で乾燥し、１００℃の温度のホットプレート上に１０分間放置する。基板Ａ上のＡｌＯｘ／ＳＡＭゲート誘電体の全キャパシタンスは、Ｃ１４Ｈ２９ＰＯ（ＯＨ）２の場合に８１０ｎＦ／ｃｍ２である。
【０２５４】
図１は、実施例６基板ＡのＴＦＴの特性データを示す。
【０２５５】
Ｃａｍｂｒｉｄｇｅ  ＮａｎｏＴｅｃｈ  Ｓａｖａｎｎａｈにおける原子層堆積によって（２５０℃の基板温度で８０サイクル）、基板Ｂの上に約８ｎｍ厚のＡｌ２Ｏ３層を堆積させる。Ｏｘｆｏｒｄ反応性イオンエッチャーにおいて（ＲＩＥ、酸素流量：３０ｓｃｃｍ、圧力：１０ｍＴｏｒｒ、プラズマ出力：２００Ｗ、プラズマ持続時間３０秒）、酸素プラズマに短時間曝露することにより酸化アルミニウム層の表面を活性化させ、次に基板をホスホン酸の２−プロパノール溶液（Ｃ７Ｆ１５Ｃ１１Ｈ２２ＰＯ（ＯＨ）２［ＦＯＤＰＡ］の１ｍＭｏｌ溶液）に浸漬し、その溶液中に１時間放置すると、酸化アルミニウム表面上にホスホン酸分子の自己組織化単分子膜（ＳＡＭ）が形成される。基板を溶液から取り出して純２−プロパノールでリンスし、窒素流中で乾燥し、１００℃の温度のホットプレート上に１０分間放置する。基板Ｂ上のＳｉＯ２／ＡｌＯｘ／ＳＡＭゲート誘電体の全キャパシタンスは、３２ｎＦ／ｃｍ２である（ホスホン酸の選択とは無関係）。水のＴＤＰＡ処理基板に対する接触角は１０８°であり、及びＦＯＤＰＡ処理基板に対する接触角は１１８°である。
【０２５６】
図２は、実施例６基板ＢのＴＦＴの特性データを示す。
【０２５７】
Ｌｅｙｂｏｌｄ  ＵＮＩＶＥＸ  ３００真空蒸着装置におけるモリブデンボートからの熱的昇華によって、２×１０−６ｍｂａｒの圧力で０．３ｎｍ／ｓの蒸発速度を用いて、有機半導体の３０ｎｍ厚薄膜を堆積させる。
【０２５８】
ソース接点及びドレイン接点用に、Ｌｅｙｂｏｌｄ  ＵＮＩＶＥＸ  ３００真空蒸着装置においてタングステンボートから、２×１０−６ｍｂａｒの圧力で０．３ｎｍ／ｓの蒸発速度を用いて、シャドウマスクを介して３０ｎｍの金を蒸着させる。トランジスタは、１０〜１００μｍの範囲のチャネル長さ（Ｌ）及び５０〜１０００μｍの範囲のチャネル幅（Ｗ）を有する。
【０２５９】
シリコンウエハの裏面を接触可能とするため、ウエハ（これもまた、トランジスタのゲート電極として働く）の裏面をスクラッチし、銀インクで被覆する。
【０２６０】
Ａｇｉｌｅｎｔ  ４１５６Ｃ半導体パラメータアナライザを使用して、Ｍｉｃｒｏｍａｎｉｐｕｌａｔｏｒ  ６２００プローブステーションでトランジスタの電気的特性を計測する。計測は全て、空気中室温で実施する。プローブニードルを金接点の上に慎重に下ろすことにより、トランジスタのソース接点及びドレイン接点と接触させる。計測中ウエハが上に置かれている金属基板ホルダを介して、ゲート電極を接触させる。
【０２６１】
伝達曲線を得るため、ドレイン−ソース電圧（ＶＤＳ）を３Ｖ（基板Ａの場合）又は４０Ｖ（基板Ｂの場合）に保持する。ゲート−ソース電圧ＶＧＳを、０．０３Ｖずつ０Ｖから３Ｖに（基板Ａ）又は０．４Ｖずつ０Ｖから４０Ｖに（基板Ｂ）中程度の速度で掃引して戻す。電荷担体移動度は、飽和レジームで（ＩＤ）１／２のＶＧＳに対する傾きから求めることができる。
【０２６２】
出力特性を得るため、ドレイン−ソース電圧（ＶＤＳ）を、０．０３Ｖずつ０Ｖから３Ｖに（基板Ａ）及び０．４Ｖずつ０Ｖから４０Ｖに（基板Ｂ）中程度の速度で掃引し、一方、ゲート−ソース電圧ＶＧＳを、最大８つの異なる電圧（例えば基板Ａの場合０、０．５、１、１．５、２、２．５、３Ｖ、又は基板Ｂの場合０、１０、２０、３０、４０Ｖ）に保持する。
【０２６３】
表５は、周囲空気中で計測した特定の基板温度（Ｔｓｕｂ）における薄い（基板Ａ）及び厚い（基板Ｂ）ゲート誘電体での実施例１の化合物の電界効果移動度（μ）及びオン／オフ比（Ｉｏｎ／Ｉｏｆｆ）を提供する。
【０２６４】
【表７】
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【図１】
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【図２】
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【図３】
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【国際調査報告】
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