(57)【要約】  １つの実施形態は、ターゲット基板上の部位位置を検査する方法に関する。コンターが取得される。なお、このコンターは設計クリップを用いて基準画像から生成されたものである。部位位置のターゲット画像が取得される。コンターはターゲット画像に位置合わせされ、コンター上のピクセルに対する対比値が算出される。閾値が対比値に適用され、それによりコンターベースの欠陥ブロッブが判定される。他の実施形態は部位位置の欠陥の検査に使用するためのコンターを生成する方法に関する。他の実施形態、態様、および特徴も開示される。
2014517523.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
設計クリップを用いて基準画像から生成されたコンターを取得することと、
前記部位位置のターゲット画像を取得することと、
前記コンターを前記ターゲット画像に位置合わせすることと、
前記コンター上にピクセルに対する対比値を算出することと、
前記対比に閾値を適用し、それによりコンターベースの欠陥ブロッブを判定することと、
を含む、ターゲット基板上で部位位置を検査する方法。
【請求項２】
前記ターゲット画像を、少なくとも前景セグメント、背景セグメント、およびコンターセグメントに分割することをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記コンターに基づいて前記前景セグメントに配置されたシードを用いる手順により前景セグメントと背景セグメントとを区別することをさらに含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
コーナー領域を判定することと、
前記コーナー領域のピクセルを含むコーナーセグメントに前記ターゲット領域をさらに分割することと、
をさらに含む、請求項２に記載の方法。
【請求項５】
各セグメントにおいて２次欠陥検出手順を実行し、それにより２次欠陥ブロッブを判定することをさらに含む、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記コンターベースの欠陥ブロッブと前記２次欠陥ブロッブとをマージして、マージされた欠陥ブロッブを取得することと、
前記マージされた欠陥ブロッブをランク付けすることと、
前記マージされた欠陥ブロッブを分類することと、
をさらに含む、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記部位位置に対応する参照部位の前記基準画像を取得することにより前記コンターを生成することと、
前記部位位置の前記設計クリップを取得することと、
前記基準画像に前記設計クリップを位置合わせすることと、
前記設計クリップを用いて前記基準画像から前記コンターを抽出することと、
をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
追加の基準画像を用いて前記コンターを検証することと、
検査レシピに関連付けて前記コンターを保存することと、
をさらに含む、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
入射電子ビームを生成するためのビーム源と、
前記入射電子ビームがターゲット領域上で走査されそれによりそこから２次電子が放出されるよう前記入射電子ビームを制御可能に偏向させるために構成された走査システムと、
前記２次電子を検出してそれにより前記ターゲット領域の画像データフレームが生成されるよう構成された検出システムと、
設計クリップを用いて基準画像から生成されたコンターを取得し、前記部位位置のターゲット画像を取得し、前記ターゲット画像に前記コンターを位置合わせし、前記コンター上のピクセルに対する対比値を算出し、前記対比値に閾値を適用しそれによりコンターベースの欠陥ブロッブが決定されるよう、構成された制御および処理システムと、
を備える、製造された基板に存在する欠陥を検出する装置。
【請求項１０】
前記制御および処理システムは、前記ターゲット画像を、少なくとも前景セグメント、背景セグメント、およびコンターセグメントに分割するよう構成された、請求項９に記載の装置。
【請求項１１】
前記制御および処理システムは、前記コンターに基づいて前記前景セグメントに配置されたシードを使用する手順により前景セグメントと背景セグメントとを区別するようさらに構成された、請求項１０に記載の装置。
【請求項１２】
前記制御および処理システムは、コーナー領域を判定し、前記コーナー領域のピクセルを含むコーナーセグメントに前記ターゲット領域を分割するよう、さらに構成された請求項１０に記載の装置。
【請求項１３】
前記制御および処理システムは、各セグメントにおいて２次欠陥検出手順を実行しそれにより２次欠陥ブロッブが判定されるようさらに構成された、請求項１２に記載の装置。
【請求項１４】
前記制御および処理システムは、前記コンターベースの欠陥ブロッブと前記２次欠陥ブロッブとをマージしそれによりマージされた欠陥ブロッブが取得され、前記マージされた欠陥をランク付けし、前記マージされた欠陥ブロッブを分類するようさらに構成された請求項１３に記載の装置。
【請求項１５】
前記制御および処理システムは、前記部位位置の前記設計クリップを取得することにより前記部位位置に対応する参照部位の前記基準画像を取得し、前記基準画像に前記設計クリップを位置合わせし、前記設計クリップを用いて前記基準画像から前記コンターを取得することにより、前記コンターを生成するよう構成された請求項９に記載の装置。
【請求項１６】
前記制御および処理システムは、追加の基準画像を用いて前記コンターを検証し、検査レシピに関連付けて前記コンターを保存するようさらに構成された請求項１５に記載の装置。
【請求項１７】
部位位置の欠陥の検査に使用するためのコンターを生成する方法であって、
前記部位位置に対応する参照部位の基準画像を取得することと、
前記部位位置の設計クリップを取得することと、
前記基準画像に前記設計クリップを位置合わせすることと、
前記設計クリップを用いて前記基準画像から前記コンターを抽出することと、
を含む、方法。
【請求項１８】
追加の基準画像を用いて前記コンターを検証することと、
検査レシピに関連付けて前記コンターを保存することと、
をさらに含む、請求項１７の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
関連出願の相互参照
本願は、２０１１年５月２５日に出願された米国仮特許出願第６１／４８９，８７１号の利益を主張するものであり、同仮特許出願の全体は、参照により本明細書に援用される。
【０００２】
本発明は、例えば半導体ウェーハおよびリソグラフィ用のレチクル等の基板の検査および点検に関する。
【背景技術】
【０００３】
従来の電子ビーム（ｅ−ビーム）検査計器において、製造された基板（シリコンウェーハまたはレチクル等）を、集束された電子ビームにより走査すると、基板表面から２次電子が放出される。放出された電子は検出され、通常は、その検出データが、試料表面の画像に変換される。次いで、これらの画像が数値的に解析され、それにより、製造された基板に存在する異常（欠陥と呼称される）が検出される。検出された欠陥はさらに撮像を行うことにより引き続き点検され得る。
【０００４】
検出された欠陥は、手動によりまたは自動的に、異なる種別またはカテゴリに分類され得る。欠陥の分類は、製造プロセス中に適切な調節を実施し、それにより歩留まりが改善されるよう、その原因を判定するために用いられ得る。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】米国特許出願公開第２０１０／０３１０１８０号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
電子ビーム計測により撮像された欠陥を検出および分類するための方法および装置の改善が大いに望まれる。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
１つの実施形態は、ターゲット基板上の部位位置を検査する方法に関する。コンターが取得される。なお、このコンターは設計クリップを用いて基準画像から生成されたものである。部位位置のターゲット画像が取得される。コンターはターゲット画像に位置合わせされ、コンター上のピクセルに対する対比値が算出される。閾値が対比値に適用され、それによりコンターベースの欠陥ブロッブが判定される。
【０００８】
他の実施形態は、製造された基板に存在する欠陥を検出するための装置に関する。この装置は、少なくとも１つのビーム源と、走査システムと、検出システムと、制御および処理システムと、を備える。ビーム源は入射電子ビームを生成するよう構成される。走査システムは、入射電子ビームがターゲット領域上で走査されそれによりそこから２次電子が放出されるよう入射電子ビームを制御可能に偏向させるために構成される。検出システムは、２次電子を検出しそれによりターゲット領域の画像データフレームが生成されるよう構成される。制御および処理システムは、設計クリップを用いて基準画像から生成されたコンターを取得し、部位位置のターゲット画像を取得し、ターゲット画像にコンターを位置合わせし、コンター上のピクセルに対する対比値を算出し、対比値に閾値を適用しそれによりコンターベースの欠陥ブロッブが決定されるよう、構成される。
【０００９】
他の実施形態は、部位位置の欠陥の検査に使用するためのコンターを生成する方法に関する。部位位置に対応する参照部位の基準画像が取得される。その部位の設計クリップが取得される。設計クリップは基準画像に位置合わせされる。コンターは設計クリップを用いて基準画像から抽出される。
【００１０】
他の実施形態、態様、および特徴も開示される。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の１つの実施形態に係るｅ−ビーム装置の概略図である。
【図２】本発明の１つの実施形態に係る画像抽出された基準コンターを生成するための方法のフローチャートである。
【図３】本発明の１つの実施形態に係る検査装置を用いるコンターベースの欠陥検出方法のフローチャートである。
【図４】本発明の１つの実施形態に係る設計クリップを用いる基準コンターの抽出方法のフローチャートである。
【図５】本発明の１つの実施形態に係るターゲット画像および対応する基準コンターの一例を示す図である。
【図６】本発明の１つの実施形態に係る、前景、背景、およびコンターのピクセルセグメントに分割された図５のコンターを示す図である。
【図７】本発明の１つの実施形態に係る図５のターゲット画像において検出された欠陥を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
ｅ−ビーム装置を用いるコンター（等高線）ベースの欠陥検出および分類のための方法および装置が本明細書で開示される。これらの方法および装置は、従来のダイ比較（die-to-die）方式と比較して、欠陥検出の精度を実質的に改善するために用いられ得る。
【００１３】
図１は本発明の１つの実施形態にしたがって利用され得るｅ−ビーム検査装置１００の断面を提供する。図１に示すように、ビーム源１０１は入射電子ビーム（１次電子ビーム）１０２を生成する。入射電子ビーム１０２はウィーンフィルタ１０４を通過する。ウィーンフィルタ１０４は、互いに直交する電場および磁場を生成するよう構成された光学素子である。走査偏向器１０６および集束電子レンズ１０７が利用される。走査偏向器１０６はターゲット基板１１０の表面の全域でｅ−ビームを走査するために利用される。ターゲット基板１１０は、例えば、製造された集積回路またはリソグラフィ用のレチクル等のパターンが形成された基板であり得る。
【００１４】
集束電子レンズ１０７は、ウェーハまたは他の基板試料１１０の表面上のビームスポットに入射電子ビーム１０２を集束させるために利用される。１つの実施形態によれば、集束レンズ１０７は電場および／または磁場を生成することにより動作し得る。
【００１５】
入射電子ビーム１０２の走査の結果として、２次電子がターゲット基板１１０（例えば半導体ウェーハまたはレチクルであり得る）の表面から放出または散乱される。ターゲット基板１１０は可動ステージ１１１により保持され得る。次いで、２次電子は対物（最終）レンズ１０８の電磁場に曝されることによりターゲット基板１１０から抽出される。電磁場は、放出された電子を入射電子ビームの光軸から比較的小さい距離内に制限し、これらの電子をコラム内へと加速するために、作用する。このように２次ｅ−ビーム１１２が２次電子から形成される。
【００１６】
ウィーンフィルタ１０４は、入射電子ビーム１０２の光軸から検出軸（本装置の検出システム１１４に対する光軸）へと２次ｅ−ビーム１１２を偏向させる。これにより、散乱されたｅ−ビーム１１２が入射電子ビーム１０２から分離される。検出システム１１４は２次ｅ−ビーム１１２を検出し、データ信号を生成する。なお、このデータ信号は、ターゲット基板表面の画像を形成するために利用され得る。
【００１７】
計器制御およびデータ処理（制御／処理）システム１５０は、１つ以上のプロセッサ（すなわちマイクロプロセッサまたはマイクロコントローラ）１５２と、データ記憶装置（例えば、ハードディスクドライブ記憶装置およびメモリチップなど）１５４と、ユーザインターフェース１５６と、ディスプレイシステム１５８と、を備え得る。データ記憶装置１５４はコンピュータ可読プログラムコード（命令）１５５およびデータを記憶または保持するよう構成され得、プロセッサ１５２はプログラムコード１５５を実行しデータを処理するよう構成され得る。ユーザインターフェース１５６はユーザ入力を受け取るよう構成され得る。ディスプレイシステム１５８は基板表面の閲覧をユーザに表示するよう構成され得る。
【００１８】
制御／処理システム１５０は、本明細書に開示する手順を実行するために、ｅ−ビームコラムの様々な構成要素に接続され、係る構成要素を制御するために用いられ得る。例えば、ステージ１１１の動きおよび偏光器１０６による走査が、制御／処理システム１５０により実行されるコンピュータ可読プログラムコード１５５により制御され得る。
【００１９】
加えて、制御／処理システム１５０は、検出システム１１４から電子画像データを受け取って処理するよう構成され得る。特に、制御／処理システム１５０内のコンピュータ可読プログラムコード１５５が、本明細書に記載のコンターベースの欠陥検出技術に関する手順を実施するために用いられ得る。
【００２０】
さらに、本発明の１つの実施形態によれば、制御／処理システム１５０は設計サーバ１７０とインターフェース接続するよう構成され得る。設計サーバ１７０は、プレＯＰＣ（ｏｐｔｉｃａｌ  ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ  ｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎ：光近接効果補正）設計パターン１７２と、ポストＯＰＣ設計パターン１７４と、画像抽出パターンコンターデータ１７６と、を記憶するよう構成され得る。検査の実行中、設計サーバ１７０は、ｅ−ビーム検査装置１００の制御／処理システム１５０の要求に応じて設計クリップ内に存在する前記データをリアルタイムで提供し得る。
【００２１】
図２は本発明の１つの実施形態に係る画像抽出された基準コンターを生成する方法のフローチャートである。方法２００は、例えばｅ−ビーム検査装置１００を用いて実行され得、設定を実行するための予備的方法として実行され得る。
【００２２】
ブロック２０２において、部位位置情報（すなわち検査対象となる部位の位置）がデータ処理システムによりビーム源からロードされ得る。部位位置情報は、例えば設計ルールチェックのホットスポットであり得る。代替的に、部位位置情報はｅ−ビーム検査装置１００または他の検査装置による以前の検査からの検査結果を含み得る。
【００２３】
各部位位置に対して、コンターデータ生成手順がブロック２０４において実行され得る。図示のように、コンターデータ生成手順は、各部位に対する画像抽出された基準コンターおよび関連する画像を生成および記憶するために、以下のステップ（２０６〜２２０）を実行することを伴い得る。
【００２４】
ステップ２０６において、参照部位の基準画像が、例えば制御／処理システム１５０等のデータ処理システムにロードされ得る。参照部位は、好適には、検査部位に対応する、既知の良好な（欠陥がない）部位である。基準画像は、例えばｅ−ビーム検査装置１００等の撮像装置により参照部位から取得されるＳＥＭ画像であり得る。基準画像は、好適には、検査プロセス中に引き続き取得されるターゲット画像の解像度よりも高い解像度で取得される。
【００２５】
ステップ２０８において、プレＯＰＣ設計クリップが当該部位に対して取得され得る。プレＯＰＣ設計クリップは、設計サーバ１７０または他の供給源から取得され得る。プレＯＰＣ設計クリップは、光近接効果補正が適用される以前の設計パターンの描画された画像を提供する。ステップ２１０において、設計クリップは基準画像に位置合わせされる。
【００２６】
その後、ステップ２１２において、コンターが基準画像から抽出される。これらのコンターは設計抽出された基準画像コンターであり、本明細書において「基準コンター」と呼称され得る。本発明の１つの実施形態によれば、設計クリップを用いての基準コンターの抽出は図４に関連付けてさらに以下で説明される方法４００を用いて実行され得る。
【００２７】
この時点でステップ２１４において、基準コンターは、基準画像上に重畳することにより表示され得、基準コンターは、所望により、ステップ２１６においてユーザインターフェースを介して編集され得る。基準コンターが抽出され所望により編集された後、基準コンターはステップ２１８において検証され得る。この検証は、例えばウェーハ上の他のダイから収集された追加の基準画像を用いて実行され得る。
【００２８】
次いでステップ２２０において、基準コンターが、検査（欠陥検出）レシピに関連付けて保存または記録され得る。次いで、この検査レシピは、ターゲット基板上の部位位置を検査するために検査装置１００により適用され得る。
【００２９】
図３は、本発明の１つの実施形態に係る検査装置を用いるコンターベースの欠陥検出のための方法３００のフローチャートである。方法３００は、例えばｅ−ビーム検査装置１００の制御／処理システム１５０を用いて実行され得る。
【００３０】
ブロック３０２において、基準コンターは、検査レシピにより示されるすべての検査部位に対して記憶装置から読み出される。１つの実装において、これらの基準コンターおよび関連する基準画像は、データ記憶装置からｅ−ビーム検査装置１００の制御／処理システム１５０のメモリへとロードされ得る。
【００３１】
各部位位置に対して、欠陥検出手順がブロック３０４において実行され得る。図示のように、欠陥検出手順は、欠陥を求めるために検査されるターゲット基板に存在する欠陥を検出および分類するために、以下のステップ（３０６〜３３４）を実行することを伴い得る。
【００３２】
ステップ３０６において、ターゲット基板上の検査部位の画像（すなわちターゲット画像）が収集または取得され得る。ターゲット画像は走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）画像であり得、例えばｅ−ビーム検査装置１００を用いて収集され得る。ターゲット画像５００および対応する基準コンター５１０の一例が図５に示される。
【００３３】
ステップ３０８において、検査部位に対する基準コンターがターゲット画像に対して位置合わせされ得る。換言すれば、図２の方法２００において参照部位から以前に抽出された基準コンターが、ターゲット基板上の対応する検査部位のターゲット画像に対して位置合わせされ得る。
【００３４】
その後、ステップ３１０において、局部的対比値が各画像ピクセルにおいて算出され得る。ピクセルに対する局部的対比値は、ターゲット画像におけるピクセルの値と画像抽出基準コンターからの対応するピクセルの値との間の差異（すなわち対比）を表す。
【００３５】
ステップ３１２において、画像ピクセルは、基準コンターに基づいて前景、背景、およびコンターのピクセルセグメントに分割され得る。コンターセグメントはコンター自体のピクセルからなる。前景と背景とを区別する手順は、基準コンターに基づいて前景に配置されたシードから始まり得る。シードから領域を増大化することが前景セグメントを判定する。コンターセグメントまたは前景セグメントの部分ではない残りのセグメントが、背景セグメントであると判定され得る。
【００３６】
加えて、コーナーが、ステップ３１４においてコンターの曲率を用いて検出され得、コーナー領域（コーナーの周囲の局部的領域に存在するピクセル）は、以前に判定されたセグメントから除去され、ステップ３１６において別個のコーナーセグメントに加えられ得る。例えば、約９０度のコンターの湾曲はコーナーであると判定され得る。本出願人ららは、製造された集積回路におけるコーナーがパターン変異性を有する傾向にあるため、コーナー領域を別個のセグメントに配置することが有利であると判断した。
【００３７】
ステップ３１８において、自動閾値処理が、各画像セグメント（前景セグメント、背景セグメント、コンターセグメント、およびコーナーセグメント）におけるピクセルに対する局部的対比値に対して実行され、それによりセグメントごとのコンターベースの欠陥ピクセルリストが生成され得る。欠陥ピクセルリストは、閾値対比値を越える局部的対比を有する当該セグメントに存在するピクセルを示す。コンターベースの欠陥ブロッブ（近くに存在する欠陥ピクセルの集合）が、コンターベースの欠陥ピクセルリストから判定され得る。
【００３８】
ステップ３２０において、１つ以上の２次欠陥検出手順が、各画像セグメント（前景セグメント、背景セグメント、およびコーナーセグメント）で実行され得る。２次欠陥検出手順は、分割された自動的閾値処理手順または複数ダイの自動的閾値手順等の、従来のダイ比較またはセル比較の欠陥検出手順を利用し得る。各２次欠陥検出手順は各セグメントに対して２次欠陥ピクセルリストを生成し得る。２次欠陥ブロッブは２次欠陥ピクセルリストから判定され得る。
【００３９】
ステップ３２２において、コンターベースの欠陥ブロッブと２次欠陥ブロッブとがマージされ、それによりマージされた欠陥ブロッブが形成される。マージされた欠陥ブロッブはステップ３２４においてランク付けされ得る。ランク付けは、例えば、欠陥ブロッブの局部的対比および寸法に依存し得る。ランク付けを生成するために、「エネルギー」レベルが算出され得る。なお、エネルギーレベルは欠陥ブロッブのピクセルの局部的対比の２乗の和であり得る。次いで、ランク付けは欠陥ブロッブのエネルギー値に基づいて行われ得る。
【００４０】
次いで、各欠陥ブロッブに関連する幾何学的属性がステップ３２６において抽出され得る。幾何学的属性はコンターパターンに関連する欠陥ブロッブの位置に基づき得る。例えば、幾何学的属性は、欠陥ブロッブが内部に存在するコンターパターンにおける幾何学的形状（例えば正方形または他の多角形）を示し得る。他の幾何学的属性も抽出され得る。
【００４１】
次いで、欠陥ブロッブはステップ３２８において分類され得る。本発明の１つの実施形態にしたがって、欠陥分類は欠陥ブロッブのセグメント情報および幾何学的属性を用い得る。１つの実施形態において、セグメント情報および幾何学的属性は、欠陥ブロッブを以下の部類すなわちショート、オープン、ブリッジ、ネック、突起、侵入、間隙、粒子、その他に分類するために用いられ得る。
【００４２】
ステップ３３０において、相対的限界寸法（ＣＤ：ｃｒｉｔｉｃａｌ  ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ）測定値が算出され得る。相対的ＣＤ測定値は、ターゲット画像の縁部と画像抽出された基準コンターとを比較することにより、算出され得る。
【００４３】
処理ウィンドウ適ランク性検証のために、パターン忠実性基準値がステップ３３２において算出され得る。代替的に、レチクルの再適ランク性検証のために、検出された欠陥は、ステップ３３４においてレチクル検査結果の欠陥経路を用いることにより検証され得る。
【００４４】
図４は本発明の１つの実施形態に係る設計クリップを用いる基準コンターの抽出方法４００のフローチャートである。図示のように、部位位置のＳＥＭ画像４０２および設計クリップ４０４が入力される。ステップ４０６において、設計クリップはＳＥＭ画像に位置合わせされ、次いでＳＥＭ画像に対するマスクが、位置合わせされた設計クリップから生成され得る。
【００４５】
スケルトンおよびクリーン化手順がステップ４０８で適用され得る。スケルトンおよびクリーン化手順は、マスクにおける各個別の領域に対して個別の線セグメントを取得することを伴い得る。個別の線セグメントは分岐点において分離され、それによりスケルトンが形成され得る。スケルトンは所定値よりも小さい線セグメントを取り除くことによりクリーン化され得る。
【００４６】
次いで、ステップ４１０において、シードポイントが形成され得る。シードポイントは残余の線セグメントを単一のシードポイントに縮小することにより形成され得る。単一の領域は２つ以上のシードポイントを有し得る。
【００４７】
加えて、ステップ４１２において、ＳＥＭ画像から勾配が取得され、クリーン化され得る。クリーン化の実行中、マスクの幅広領域内に存在する勾配は、より強い勾配に向かうリークを防ぐために、保持され得る。
【００４８】
ステップ４１４において、「最小」プールまたは「転換」領域を増大化するためにシードポイントが用いられ得る。各シード開始プールまたは転換領域の境界はマークされ得る。
【００４９】
最終的にステップ４１６において、転換領域がマージされ、最終的なコンターが、マージされた領域の境界に基づいて形成され得る。マージを行うことにより、単一の領域に対して複数のシードポイントにより形成され得るホールが効果的に充填され得る。最終的なコンターは「ソーベル」縁部により与えられ得る。
【００５０】
図５は、本発明の１つの実施形態に係るターゲット画像５１０および対応する基準コンター５２０の一例を示す。見られるように、基準コンター５２０は、ターゲット画像５１０の領域に対して期待されるコンターを提供する。
【００５１】
図６は、本発明の１つの実施形態に係る、前景６０２、背景６０４、および縁部（コンター）６０６の各ピクセルセグメントに分割された図５のコンターを示す。この図面において、前景セグメント６０２は暗いピクセルを有し、縁部セグメント６０６は明るいピクセルを有し、背景セグメント６０４は中間的暗さのピクセルを有する。
【００５２】
図７は本発明の１つの実施形態に係る図５のターゲット画像において検出された欠陥を示す図である。図示のように、欠陥は長方形７０２内に存在し、ネックタイプの欠陥であるように見受けられる。
【００５３】
本出願人らは、本明細書に説明する技術を用いる欠陥検出が従来の技術と比較して様々な特長を提供することを検証した。従来の設計描画方法と比較して、本明細書に開示するコンターベースの手法は実質的に改善された精度を有する。従来のダイ比較手法と比較して、本明細書に開示するコンターベースの手法は実質的に改善された精度を有する。
【００５４】
本明細書に開示するコンターベースの手法がコンターの内部に存在するピクセルを実質的に無視するため、これらの優れた結果は、予期されぬものであり、直感的に理解しにくい。このように内部ピクセルを無視するにも関わらず、コンター自体に集中することにより、優れた結果が提供される。
【００５５】
上記の説明において、本発明の実施形態の十分な理解を提供するために多くの特定的詳細が与えられる。しかし、本発明の例示的な実施形態に関する上記の説明は、網羅的であることを意図するものではなく、また本発明を開示された正確な形に限定することを意図するものでもない。当業者は、本発明が、１つ以上の特定の詳細なしに、または他の方法、構成要素、その他を用いて、実施され得ることを認めるであろう。他の事例において、周知の構造または動作は、本発明の態様が不明瞭化されることを避けるために、詳細には図示または説明しない。本発明の特定の実施形態およびその例は、例示目的のために上記で説明されたものであるが、様々な等価である変形例が、当業者が認識するように、本発明の範囲内で可能である。
【００５６】
これらの変形例は、上記の詳細な説明に照らして、本発明に対して可能である。以下の請求項において用いられ用語は、本明細書において開示される特定の実施形態および請求項に本発明を限定するものであると解釈すべきではない。むしろ、本発明の範囲は、請求項の解釈に関する確立された教義にしたがって解釈されるべき以下の請求項により決定される。
【図５】
2014517523.tif 000003
【図６】
2014517523.tif 000004
【図７】
2014517523.tif 000005
【図１】
2014517523.tif 000006
【図２】
2014517523.tif 000007
【図３】
2014517523.tif 000008
【図４】
2014517523.tif 000009
【国際調査報告】
2014517523.tif 000010
2014517523.tif 000011
2014517523.tif 000012