(57)【要約】  本発明は、ホウ素含有のシリカ担体を含む、高活性オレフィン重合触媒と、その製造に関する。本発明は、上記担体に対し、ホウ素化合物を用いた化学処理と組み合わせて熱処理を行うことを特徴とする。本発明の化学処理で用いられるホウ素化合物は、ハロゲン化ホウ素であり、好ましくは三塩化ホウ素である。本発明の触媒におけるホウ素の重量は、上記担体の０．５〜０．７％であり、上記触媒の０．１〜０．５％である。本発明の触媒の化学成分は、ホウ素０．１〜０．５重量％と、チタン４〜６重量％と、マグネシウム２〜６重量％と、塩化物１５〜２５重量％と、を含む。【特許請求の範囲】
【請求項１】
ホウ素含有のシリカ担体を含む、高活性オレフィン重合触媒において、上記担体に対し、ホウ素化合物を用いた化学処理を組み合わせた熱処理が行われ、ホウ素の重量は上記担体の０．５〜０．７％であることを特徴とする触媒。
【請求項２】
上記ホウ素化合物がハロゲン化ホウ素であることを特徴とする、請求項１に記載の触媒。
【請求項３】
上記ホウ素化合物が三塩化ホウ素であることを特徴とする、請求項１または２に記載の触媒。
【請求項４】
ホウ素の重量が上記触媒の０．１〜０．５％であることを特徴とする、請求項１ないし３のいずれか１項に記載の触媒。
【請求項５】
上記触媒の化学成分が、
ホウ素０．１〜０．５重量％と、
チタン４〜６重量％と、
マグネシウム２〜６重量％と、
塩化物１５〜２５重量％と、を含むことを特徴とする、請求項１ないし４のいずれか１項に記載の触媒。
【請求項６】
ホウ素含有のシリカ担体を含む、高活性オレフィン重合触媒の製造方法であって、
（ａ）不活性雰囲気下でシリカを熱処理する工程と、
（ｂ）工程（ａ）で得られたシリカを、ホウ素化合物を用いることにより化学処理し、ホウ素含有のシリカ担体を得る工程と、
（ｃ）工程（ｂ）で得られたシリカ担体から上記触媒を製造する工程と、を備え、
上記触媒において、ホウ素の重量が上記担体の０．５〜０．７％であることを特徴とする、製造方法。
【請求項７】
上記ホウ素化合物がハロゲン化ホウ素であることを特徴とする、請求項６に記載の触媒の製造方法。
【請求項８】
上記ホウ素化合物が三塩化ホウ素であることを特徴とする、請求項６または７に記載の触媒の製造方法。
【請求項９】
上記工程（ｂ）において、上記ホウ素化合物とシリカとのモル比が１００〜３００：５〜９であることを特徴とする、請求項６〜８のいずれか１項に記載の触媒の製造方法。
【請求項１０】
上記工程（ｂ）において、上記ホウ素化合物とシリカとのモル比が２００：７であることを特徴とする、請求項９に記載の触媒の製造方法。
【請求項１１】
上記触媒において、ホウ素の重量が、上記触媒の０．１〜０．５％であることを特徴とする、請求項６〜１０のいずれか１項に記載の触媒の製造方法。
【請求項１２】
上記触媒の化学成分が、
ホウ素０．１〜０．５重量％と、
チタン４〜６重量％と、
マグネシウム２〜６重量％と、
塩化物１５〜２５重量％と、を含むことを特徴とする、請求項６〜１１のいずれか１項に記載の触媒の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【発明の詳細な説明】
【０００１】
〔発明の概要〕
本発明は、ホウ素含有のシリカ担体を含む、高活性オレフィン重合触媒と、その製造に関する。本発明は、上記担体に対し、ホウ素化合物を用いた化学処理と組み合わせて熱処理を行うことを特徴とする。
【０００２】
本発明の化学処理で用いられるホウ素化合物は、ハロゲン化ホウ素であり、好ましくは三塩化ホウ素である。
【０００３】
本発明の触媒におけるホウ素の重量は、上記担体の０．５〜０．７％であり、上記触媒の０．１〜０．５％である。
【０００４】
本発明の触媒の化学成分は、ホウ素０．１〜０．５重量％と、チタン４〜６重量％と、マグネシウム２〜６重量％と、塩化物１５〜２５重量％と、を含む。
【０００５】
別の実施形態において、本発明は、ホウ素含有のシリカ担体を含む、高活性オレフィン重合のための触媒の製造方法に関する。上記製造方法は、（ａ）不活性雰囲気下でシリカを熱処理する工程と、（ｂ）工程（ａ）で得られたシリカを、ホウ素化合物を用いることにより化学処理し、ホウ素含有のシリカ担体を得る工程と、（ｃ）工程（ｂ）で得られたシリカ担体から上記触媒を製造する工程と、を含む。
【０００６】
〔技術分野〕
化学分野は、ホウ素含有のシリカ担体を含む、高活性オレフィン重合触媒を製造するための化学成分と化学プロセスに関する。
【０００７】
〔背景技術〕
重合体の構成および粒度分布と、触媒とに相関性があることはよく知られている。Ludwig L. Bohm, Angew. Chem. Int. Ed. 2003, 42, 5010-5030に開示されている通り、触媒が球状構造を有し、粒度分布の範囲が狭い場合、上記触媒は、球状構造を有し、粒度分布の範囲が狭い重合体を製造する。そのため、高活性の触媒を用いて重合体の粒度と構造とを改良しようという試みがなされている。
【０００８】
Michael John Carneyによる、米国特許第６，２２８，７９２ Ｂ１（２００１）には、ブチルエチルマグネシウム（ＢＥＭａｇ）を用いて処理した、シリカ担持触媒の製造方法が開示されている。この方法で製造された触媒は粒度分布の範囲が広く、除去が困難な粉塵を大量に発生させることや、粉塵を除去するために追加の装置を使う必要があり、結果として製造コストが上昇してしまうことが分かった。
【０００９】
Maria A. Apecectche, Phuong A. Caoらによる、米国特許第７，２５９，１２５ Ａ１（２００８）には、トリエチルアルミニウムをルイス塩基として使用してシリカ担体を製造する、触媒の製造方法が開示されており、この方法で製造された触媒は実質的に高活性を提供するものではないということが分かった。
【００１０】
したがって、本発明は、ルイス酸を用いることで触媒の活性を増加させることを目的とする。また、得られる触媒の粒度分布は狭くなるので、粉塵が発生する問題を防ぐことができる。
【００１１】
〔発明の詳細な説明〕
本発明は、ホウ素含有のシリカ担体を含む、高活性を有する、オレフィン重合のための触媒と、上記触媒の製造に関する。以下、本発明の様態について以下に説明する。
【００１２】
本明細書において提示された様態は、特に指定がない限り、本発明の他の様態へ適用されることを含む。
【００１３】
（定義）
本明細書において用いられている技術用語および科学用語の意味は、特に定義がされない限り、当業者が理解できるものである。
【００１４】
請求項および／または明細書において、「備える」という表現とともに用いられている名詞または代名詞が単数で記載されている場合、それらの名詞または代名詞は「１つ」であることを意味するが、「１つまたはそれ以上」、「少なくとも１つ」、および「１つまたは２つ以上」の意味も含むものとする。
【００１５】
本出願において、本明細書中に提示されている、または表現されている数値に「約」という用語が用いられている場合は、その数値には変動またはズレがあることを意味する。数値の変動またはズレは、種々の数値を決定するために用いられる機械および方法の誤差によって生じる可能性がある。
【００１６】
「備える」、「有する」、「含む」という用語はオープンエンド形式の動詞であり、これらの動詞の形式、例えば「備える」、「備えている」、「有する」、「有している」、「含む」、「含んでいる」もまたオープンエンド形式の動詞である。例えば、１つまたはそれ以上の工程を「備える」、「有する」、「含む」方法は、１つの工程または複数の工程に限定されず、示されていない工程も包含するものとする。
【００１７】
本明細書中で言及されている道具、装置、方法、または試薬は、特に具体的に示されない限り、当業者によって一般的に用いられている、または実行されている道具、装置、方法、または試薬を意味するものとする。
【００１８】
本発明で実施されている製造方法に係るいかなる方法、プロセス又は工程は、特に示されない限り、不活性雰囲気下で実施されるものとする。
【００１９】
本出願において開示され、特許請求されたすべての組成物および／または方法は、本発明と大きく異なる実験を行わずに任意の要因を実施、操作、修正、変更することにより得られた本発明の様態を包含することを意図しており、また、特許請求の範囲にて具体的に記載されていなくても当業者にとって本発明の態様と同様の特性、有用性、効果、および結果を有する同じものを得ることを意図したものである。したがって、本分野の当業者にとって明白であろう軽微な修正または変更を含む、本発明の様態を代用する、または本発明の様態に類似する様態は、上記の意図、概念、および付属の特許請求の範囲に記載されている本発明の範囲に含まれるものとみなされるものである。
【００２０】
本発明は、ホウ素含有のシリカ担体を含む、高活性を有する、オレフィン重合のための触媒と、その製造に関する。本発明は、上記担体に対し、ホウ素化合物を用いた化学処理と組み合わせて、熱処理を行うことを特徴とする。
【００２１】
本発明に係るシリカ担体は、シリカ系の担体を含むものとし、例えば、シリカ、シリカアルミナ、およびＩＩＡ族のケイ酸塩が挙げられるが、これらに限定されない。ケイ酸塩の例としては、メタケイ酸カルシウム、焼成シリカ、高純度シリカ、およびこれらの混合物が挙げられるが、これらに限定されない。
【００２２】
一実施形態において、本発明の化学処理で用いられるホウ素化合物は、ハロゲン化ホウ素であり、好ましくは三塩化ホウ素である。
【００２３】
本発明の触媒におけるホウ素の重量は、上記担体の０．５〜０．７％であり、上記触媒の０．１〜０．５％である。
【００２４】
本発明の触媒の化学成分は、ホウ素０．１〜０．５重量％と、チタン４〜６重量％と、マグネシウム２〜６重量％と、塩化物１５〜２５重量％と、を含む。
【００２５】
別の実施形態において、本発明は、ホウ素含有のシリカ担体を含む、高活性を有する、オレフィン重合のための触媒の製造方法に関する。上記製造方法は、（ａ）不活性雰囲気下でシリカを熱処理する工程と、（ｂ）工程（ａ）で得られたシリカを、ホウ素化合物を用いることにより化学処理し、ホウ素含有のシリカ担体を得る工程と、（ｃ）工程（ｂ）で得られたシリカ担体から上記触媒を製造する工程と、を含む。
【００２６】
本発明に係る触媒の各製造工程において、具体的に示されない限り、溶媒は、芳香族炭化水素、鎖状および環状の脂肪族炭化水素、環状オレフィン、およびエーテル、から選ばれるが、これらに限定されない。好ましい溶媒としては、トルエン、ベンゼン、エチルベンゼン、クメン、キシレン、メシチレン、ヘキサン、オクタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ヘキセン、ヘプテン、オクテン、テトラヒドロフランなどが挙げられ、最も好ましい溶媒としてはトルエンが挙げられる。また、これらの溶媒の混合液はどのようなものも使用することができる。
【００２７】
各製造工程で得られた混合物の乾燥としては、具体的に示されない限り、オーブンを用いた従来の乾燥法、攪拌による蒸発、回転式蒸発器による蒸発、真空蒸発、凍結乾燥、スプレードライなどが挙げられるが、これらに限定されない。
【００２８】
（シリカ担体の製造）
本発明は、ホウ素含有のシリカ担体を含む、高活性を有する、オレフィン重合のための触媒を製造した。上記担体は、熱処理および化学処理を組み合わせることによって得られた。
【００２９】
（シリカの熱処理）
乾燥固形物の灰化は、窒素、ヘリウム、アルゴン、またはそれらないし空気の混合気体などの不活性雰囲気下で行うことができる。
【００３０】
灰化は流動している不活性ガス下で行ってもよいし、非流動の不活性ガス下で行ってもよい。灰化温度は約２５０℃から約１０００℃の範囲内にあればよく、好ましくは約４００℃から約８００℃、最も好ましくは６００℃である。
【００３１】
灰化時間については特に限定されないが、約０．５時間から２０時間の範囲内にあればよく、好ましくは約２時間から約６時間の範囲内、最も好ましくは４時間である。
【００３２】
灰化の加熱速度については限定されない。しかし、典型的な数値である、毎分０．１℃から約毎分１０℃の間の速度で行ってもよい。
【００３３】
（ホウ素化合物を用いたシリカの化学処理）
本発明の化学処理では、シリカとホウ素化合物とのモル比を１００〜３００：５〜９、好ましくは２００：７として、ホウ素化合物をルイス酸として使う。
【００３４】
本発明に係るシリカ担体の化学処理は以下のように行ってもよい。
【００３５】
ＳｉＯ２１４．２５ｇにヘキサン１５０ｍｌを加えたのち、ＢＣｌ３を７ｍｌ加えることにより、熱処理されたシリカの表面処理を行った。得られた混合液を、４０℃の油槽の中で、７０℃に温度が上昇するまで約３０分間攪拌したのち、真空下で乾燥させた。以降、得られた混合物をＢＯＳ（ＢＣｌ３処理シリカ）と称する。
【００３６】
以下に示す実施例は、本発明の範囲を限定することなく、本発明を示すものである。
【００３７】
（Ａ）比較例Ｃａｔ ＮＡ１（ＳｉＯ２／ＢＥＭａｇ／ＴｉＣｌ４）の製造
室温で、シリカ２ｇ（０．０３３ｍｏｌ）をヘプタン４００ｍｌに懸濁させた。その後、５分以内にＢＥＭａｇを１２．２ｍｌ（０．０１１ｍｏｌ）加えた。そして、得られた混合液を還流にて３０分間加熱し、冷却した後、浸漬管を通じて、上記混合液にＨＣｌガスの気泡を１時間加えた。その後、エタノール２ｍｌ（０．０３３ｍｏｌ）を室温で加え、得られた懸濁液を還流にて３０分間加熱し、室温まで冷却させた後、ＴｉＣｌ４を８．５ｍｌ（０．０７８ｍｏｌ）加えた。上記ＴｉＣｌ４の添加が完了すると、上記懸濁液を再度還流にて１時間加熱し、得られた固体をヘプタン１００ｍｌで５回洗浄し、真空下で乾燥させ、最終的な生成物として流動性を有する固体触媒を得た。
【００３８】
（Ｂ）比較例Ｃａｔ Ａ１（ＳｉＯ２／ＢＥＭａｇ／ＴｉＣｌ４）の製造
室温で、熱処理済のシリカ２ｇ（０．０３３ｍｏｌ）をヘプタン４００ｍｌに懸濁させた。その後、５分以内にＢＥＭａｇを１２．２ｍｌ（０．０１１ｍｏｌ）加えた。そして、得られた混合液を還流にて３０分間加熱し、冷却した後、浸漬管を通じて、上記混合液にＨＣｌガスの気泡を１時間加えた。その後、エタノール２ｍｌ（０．０３３ｍｏｌ）を室温で加え、得られた懸濁液を還流にて３０分間加熱し、室温まで冷却させた後、ＴｉＣｌ４を８．５ｍｌ（０．０７８ｍｏｌ）加えた。上記ＴｉＣｌ４の添加が完了すると、上記懸濁液を再度還流にて１時間加熱し、得られた固体をヘプタン１００ｍｌで５回洗浄し、真空下で乾燥させ、最終的な生成物として流動性のある固体触媒を得た。
【００３９】
（Ｃ）比較例Ｃａｔ ＮＡ２（ＳｉＯ２／ＭｇＣＬ２／ＴｉＣｌ４）の製造
室温で、シリカ２ｇ（０．０３３ｍｏｌ）をヘプタン４００ｍｌに懸濁させた。その後、５分以内に、無水エタノール６．５ｍｌ（０．１ｍｏｌ）にＭｇＣｌ２を１ｇ（１０．５ｍｍｏｌ）加えた溶液を加えた。そして、得られた混合液を還流にて３０分間加熱し、室温まで冷却させた後、ＴｉＣｌ４を８．５ｍｌ（０．０７８ｍｏｌ）加えた。上記ＴｉＣｌ４の添加が完了すると、上記混合液を再度還流にて１時間加熱し、得られた固体をヘプタン１００ｍｌで５回洗浄し、真空下で乾燥させ、最終的な生成物として流動性のある固体触媒を得た。
【００４０】
（Ｄ）比較例Ｃａｔ Ａ２（ＳｉＯ２／ＭｇＣｌ２／ＴｉＣｌ４）の製造
室温で、熱処理済のシリカ２ｇ（０．０３３ｍｏｌ）をヘプタン４００ｍｌに懸濁させた。その後、５分以内に、無水エタノール６．５ｍｌ（０．１ｍｏｌ）にＭｇＣｌ２を１ｇ（１０．５ｍｍｏｌ）加えた溶液を加えた。そして、得られた混合液を還流にて３０分間加熱し、室温まで冷却させた後、ＴｉＣｌ４を８．５ｍｌ（０．０７８ｍｏｌ）加えた。上記ＴｉＣｌ４の添加が完了すると、上記混合液を還流にて１時間加熱し、得られた固体をヘプタン１００ｍｌで５回洗浄し、真空下で乾燥させ、最終的な生成物として流動性のある固体触媒を得た。
【００４１】
（Ｅ）比較例Ｃａｔ ＮＢ１（ＳｉＯ２−ＢＣｌ３／ＢＥＭａｇ／ＴｉＣｌ４）の製造
（Ａ）と同様の方法を用いてＢＯＳ２ｇ（０．０３３ｍｏｌ）とＢＥＭａｇとを反応させた。
【００４２】
（Ｆ）実施例Ｃａｔ Ｂ１（ＳｉＯ２−ＢＣｌ３／ＢｅＭａｇ／ＴｉＣｌ４）の製造
（Ａ）と同様の方法を用いて熱処理済のＢＯＳシリカ２ｇ（０．０３３ｍｏｌ）とＢＥＭａｇとを反応させた。
【００４３】
（Ｇ）比較例Ｃａｔ ＮＢ２（ＳｉＯ２−ＢＣｌ３／ＭｇＣｌ２／ＴｉＣｌ４）の製造
ＢＯＳ２ｇ（０．０３３ｍｏｌ）と、（Ｃ）で作成されたＡｎｈ．ＭｇＣｌ２溶液とを反応させた。
【００４４】
（Ｈ）実施例Ｃａｔ Ｂ２（ＳｉＯ２−ＢＣｌ３／ＭｇＣｌ２／ＴｉＣｌ４）の製造
熱処理済のＢＯＳシリカ２ｇ（０．０３３ｍｏｌ）と、（Ｂ）で作成されたＡｎｈ．ＭｇＣｌ２溶液とを反応させた。
【００４５】
（Ｉ）比較例Ｃａｔ Ｃ１（ＳｉＯ２−ＴＥＡ／ＢＥＭａｇ／ＴｉＣｌ４）の製造
シリカ１４．２５ｇに対し、（ｉ）ヘキサン１５０ｍｌと、（ｉｉ）３００ｍｍｏｌ／ＬのＴＥＡ（ヘキサン中）２３．１ｍｌとを、それぞれ添加することで、ＴＥＡをルイス塩基として用い、熱処理されたシリカの表面を処理した。得られた混合液を、４０℃の油槽の中で、７０℃に温度が上昇するまで３０分間攪拌した後、真空下で乾燥させた。以降、得られた混合物はＴＯＳ（ＴＥＡ処理シリカ）と称する。
【００４６】
その後、（Ａ）と同様の方法を用いて、ＴＯＳ２ｇ（０．０３３ｍｏｌ）とＢＥＭａＧとを反応させた。
【００４７】
（Ｊ）比較例Ｃａｔ Ｃ２（ＳｉＯ２−ＴＥＡ／ＭｇＣｌ２／ＴｉＣｌ４）の製造
ＴＯＳ２ｇ（０．０３３ｍｏｌ）と、（Ｃ）で作成されたＡｎｈ．ＭｇＣｌ２溶液とを反応させた。
【００４８】
（エチレンの重合反応）
以下の条件を用いてエチレンの重合反応を行ってもよい（後述）。上記重合反応は、反応装置にヘキサン、ＴＥＡおよび触媒を投入し、上記反応装置に連続的にエチレンを投入しながら、上記反応装置をあらかじめ設定した温度になるまで加熱する。得られた重合体生成物は濾過し、乾燥させる。
【００４９】
反応装置サイズ  ２Ｌ
ヘキサン投入量  １Ｌ
触媒投入量  ０．０１ｍｍｏｌ／Ｌ
共触媒投入量  １ｍｍｏｌ／Ｌ
水素投入量  ３．５ｋｇｓ／ｃｍ２
エチレン投入量  ４．５ｋｇｓ／ｃｍ２
反応温度  ８０℃
反応時間  １２０分間
以下に示す本発明の効果及び態様を、添付の図を参照して、実施例に示す。
【００５０】
（担体および触媒の化学成分の測定）
Ｔｉ：チタンの重量組成は、紫外可視分光計を用いて分析した。
【００５１】
Ｍｇ：マグネシウムの重量組成は、ＤＰ５フォトトローデ（phototrode）を用いた滴定により分析した。
【００５２】
Ｃｌ：塩化物の重量組成は、Ａｇ／ＡｇＣｌイオン選択電極を用いた滴定により分析した。
【００５３】
Ｂ：ホウ素の重量組成は、ＩＣＰ発光分析装置（ＩＣＰ−ＯＥＳ）、スペクトロアルコス（ＳＰＥＣＴＲＯ ＡＲＣＯＳ）、側方からのプラズマの観察（垂直方向）（Ｓｉｄｅ Ｏｎ Ｐｌａｓｍ Ｏｂｓｅｒｖａｔｉｏｎ （ｖｅｒｔｉｃａｌ））により分析した。
【００５４】
表１は触媒の化学成分を示す。
【００５５】
【表１】
2014525492.tif 000002
【００５６】
（触媒活性の調査）
２Ｌサイズの反応装置、ヘキサン１Ｌ、触媒０．０１ｍｍｏｌＴｉ、ＴＥＡ１ｍｍｏｌ、酸素３．５ｋｇｓ／ｃｍ２、エチレン４．５ｋｇｓ／ｃｍ２、温度８０℃、反応時間１２０分間の条件で、エチレンのスラリー重合を行った。
【００５７】
（表面積の分析）
上記のシリカ、処理済みのシリカ、および触媒の表面積は、ブルナウアー−エメット−テラー（ＢＥＴ）法により、窒素を吸着させて測定してもよい。結果を図３〜図７に示す。
【００５８】
（粒度分析）
上記のシリカ、処理済みのシリカ、触媒、および重合体粉末の粒度、粒度分布は、マルバーン社のマスターサイザー２０００によって決定してもよい。結果を図３〜図７に示す。
【００５９】
（形態の調査）
上記のシリカ、処理済みのシリカ、触媒、および重合体粉末の形態の調査は、図８〜図１０に示すように、光学顕微鏡（ＯＭ）および走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて行ってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】シリカを熱処理した場合の、オレフィン重合触媒の触媒作用の活性への影響を示す図である。
【図２】上記シリカの化学処理の結果を示す図である。
【図３】熱処理されていない担体と、上記担体から作成された触媒の粒度分布を示す図である。
【図４】シリカ、ＢＯＳ、およびＴＯＳ担体の粒度分布を示す図である。
【図５】シリカ、Ｃａｔ Ａ１およびＣａｔ Ａ２担体の粒度分布を示す図である。
【図６】ＢＯＳ、Ｃａｔ Ｂ１およびＣａｔ Ｂ２担体の粒度分布を示す図である。
【図７】ＴＯＳ、Ｃａｔ Ｂ１およびＣａｔ Ｂ２担体の粒度分布を示す図である。
【図８】ＳＥＭによる顕微鏡写真図であり、（ａ）は熱処理なしのシリカを倍率１００倍で示し、（ｂ）は熱処理なしのシリカを倍率５００倍で示し、（ｃ）は熱処理なしのＢＯＳを倍率１００倍で示し、（ｄ）は熱処理なしのＢＯＳを倍率５００倍で示す。
【図９】ＳＥＭによる顕微鏡写真図であり、（ａ）は熱処理なしのＣａｔ ＮＡ１を倍率１００倍で示し、（ｂ）は熱処理なしのＣａｔ ＮＡ１を倍率５００倍で示し、（ｃ）は熱処理なしのＣａｔ ＮＢ１を倍率１００倍で示し、（ｄ）は熱処理なしのＣａｔ ＮＢ１を倍率５００倍で示し、（ｅ）は熱処理なしのＣａｔ ＮＢ２を倍率１００倍で示し、（ｆ）は熱処理なしのＣａｔ ＮＢ２を倍率５００倍で示す。
【図１０】ＳＥＭによる顕微鏡写真図であり、（ａ）は熱処理済シリカを倍率１００倍で示し、（ｂ）は熱処理済シリカを倍率５００倍で示し、（ｃ）は熱処理済Ｃａｔ Ａ１を倍率１００倍で示し、（ｄ）は熱処理済Ｃａｔ Ａ１を倍率５００倍で示し、（ｅ）は熱処理なしのＣａｔ Ａ２を倍率１００倍で示し、（ｆ）は熱処理済Ｃａｔ Ａ２を倍率５００倍で示す。
【図１１】ＳＥＭによる顕微鏡写真図であり、（ａ）は熱処理済ＢＯＳを倍率１００倍で示し、（ｂ）は熱処理済ＢＯＳを倍率５００倍で示し、（ｃ）は熱処理済Ｃａｔ Ｂ１を倍率１００倍で示し、（ｄ）は熱処理済Ｃａｔ Ｂ１を倍率５００倍で示し、（ｅ）は熱処理なしのＣａｔ Ｂ２を倍率１００倍で示し、（ｆ）は熱処理済Ｃａｔ Ｂ２を倍率５００倍で示す。
【図１２】ＳＥＭによる顕微鏡写真図であり、（ａ）は熱処理済ＴＯＳを倍率１００倍で示し、（ｂ）は熱処理済ＴＯＳを倍率５００倍で示し、（ｃ）は熱処理済Ｃａｔ Ｃ１を倍率１００倍で示し、（ｄ）は熱処理済Ｃａｔ Ｃ１を倍率５００倍で示し、（ｅ）は熱処理なしのＣａｔ Ｃ２を倍率１００倍で示し、（ｆ）は熱処理済Ｃａｔ Ｃ２を倍率５００倍で示す。
【図１３】ＳＥＭによる顕微鏡写真図であり、（ａ）は触媒ＮＡ１から得られたポリエチレンを倍率５０倍で示し、（ｂ）は触媒ＮＢ１から得られたポリエチレンを倍率５０倍で示し、（Ｃ）は触媒ＮＢ２から得られたポリエチレンを倍率５０倍で示す。
【図１４】ＳＥＭによる顕微鏡写真図であり、（ａ）は触媒Ａ１から得られたポリエチレンを倍率３０倍で示し、（ｂ）は触媒Ｂ１から得られたポリエチレンを倍率３０倍で示し、（ｃ）は触媒Ｂ２から得られたポリエチレンを倍率３０倍で示し、（ｅ）は触媒Ｃ１から得られたポリエチレンを倍率３０倍で示す。
【００６１】
〔発明の最良の方法〕
発明の詳細な説明に記載されている通りである。
【図１】
2014525492.tif 000003
【図２】
2014525492.tif 000004
【図３】
2014525492.tif 000005
【図４】
2014525492.tif 000006
【図５】
2014525492.tif 000007
【図６】
2014525492.tif 000008
【図７】
2014525492.tif 000009
【図８ａ】
2014525492.tif 000010
【図８ｂ】
2014525492.tif 000011
【図８ｃ】
2014525492.tif 000012
【図８ｄ】
2014525492.tif 000013
【図９ａ】
2014525492.tif 000014
【図９ｂ】
2014525492.tif 000015
【図９ｃ】
2014525492.tif 000016
【図９ｄ】
2014525492.tif 000017
【図９ｅ】
2014525492.tif 000018
【図９ｆ】
2014525492.tif 000019
【図１０ａ】
2014525492.tif 000020
【図１０ｂ】
2014525492.tif 000021
【図１０ｃ】
2014525492.tif 000022
【図１０ｄ】
2014525492.tif 000023
【図１０ｅ】
2014525492.tif 000024
【図１０ｆ】
2014525492.tif 000025
【図１１ａ】
2014525492.tif 000026
【図１１ｂ】
2014525492.tif 000027
【図１１ｃ】
2014525492.tif 000028
【図１１ｄ】
2014525492.tif 000029
【図１１ｅ】
2014525492.tif 000030
【図１１ｆ】
2014525492.tif 000031
【図１２ａ】
2014525492.tif 000032
【図１２ｂ】
2014525492.tif 000033
【図１２ｃ】
2014525492.tif 000034
【図１２ｄ】
2014525492.tif 000035
【図１２ｅ】
2014525492.tif 000036
【図１２ｆ】
2014525492.tif 000037
【図１３ａ】
2014525492.tif 000038
【図１３ｂ】
2014525492.tif 000039
【図１３ｃ】
2014525492.tif 000040
【図１４ａ】
2014525492.tif 000041
【図１４ｂ】
2014525492.tif 000042
【図１４ｃ】
2014525492.tif 000043
【図１４ｄ】
2014525492.tif 000044
【図１４ｅ】
2014525492.tif 000045
【国際調査報告】
2014525492.tif 000046
2014525492.tif 000047
2014525492.tif 000048