(57)【要約】  本発明は、基板と、前記基板上に電極として形成される陰極部と、前記陰極部上に一定の間隔でパターニングされた電界放出源と、前記電界放出源上に絶縁離隔して前記陰極部と水平に形成され、前記電界放出源からの電子放出を誘導するゲート部と、前記ゲート部上に絶縁離隔して水平に形成され、ターゲット物質を含む陽極部とを含んでなることを特徴とする、電界放出源を用いた高効率平面型フォトバー、および電界放出源を用いた高効率平面型フォトバーの製造方法に関する。
2014502014.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電界放出源を用いた高効率平面型フォトバーであって、
基板と、
前記基板上に電極として形成される陰極部と、
前記陰極部上に一定の間隔でパターニングされた電界放出源と、
前記電界放出源上に絶縁離隔して前記陰極部と水平に形成され、前記電界放出源からの電子放出を誘導するゲート部と、
前記ゲート部上に絶縁離隔して水平に形成され、ターゲット物質を含む陽極部と、を含んでなることを特徴とする、電界放出源を用いた高効率平面型フォトバー。
【請求項２】
電界放出源を用いた高効率平面型フォトバーであって、
基板と、
前記基板上に多数の電極として分割形成される陰極部およびゲート部と、
前記陰極部およびゲート部上にパターニングされた電界放出源と、
前記陰極部およびゲート部上に絶縁離隔して水平に形成され、ターゲット物質を含む陽極部と、を含んでなることを特徴とする、電界放出源を用いた高効率平面型フォトバー。
【請求項３】
電界放出源を用いた高効率平面型フォトバーであって、
基板と、
前記基板上に多数の電極として互いにナノメートル級の微細なギャップをおいて交互に形成される陰極部およびゲート部と、
前記陰極部およびゲート部上に絶縁離隔して水平に形成され、ターゲット物質を含む陽極部と、を含んでなることを特徴とする、電界放出源を用いた高効率平面型フォトバー。
【請求項４】
前記陰極部、前記ゲート部および前記陽極部が大きく形成される場合、真空に引かれた内部構造物を大気圧から支持するために、前記基板と前記陽極部との間に垂直に形成される絶縁スペーサをさらに含むことを特徴とする、請求項１〜３のいずれか１項に記載の電界放出源を用いた高効率平面型フォトバー。
【請求項５】
前記電界放出源は、ナノカーボン系材料であるカーボンナノチューブ、カーボンナノファイバー、カーボンナノウォール、グラファイトナノファイバーおよびグラフェン；酸化物ナノワイヤ系材料であるＺｎＯ２ナノワイヤおよびＴｉＯ２ナノワイヤ；窒化物系であるＴｉＮナノワイヤ；金属系であるタングステンおよびモリブデン；シリコン；並びにダイヤモンドをコーン形状にエッチングして作ったチップのいずれか一つからなることを特徴とする、請求項１または２に記載の電界放出源を用いた高効率平面型フォトバー。
【請求項６】
前記陽極部は、ガラス、セラミックおよび金属のいずれか１種の材料からなる前記基板に、前記ターゲット物質を形成することで実現することを特徴とする、請求項１〜３のいずれか１項に記載の電界放出源を用いた高効率平面型フォトバー。
【請求項７】
電界放出源を用いた高効率平面型フォトバーの製造方法であって、
基板上にスクリーン印刷、グラビア印刷、オフセット印刷、インクジェット印刷、フィルム蒸着、または露光および現像方式で陰極部を形成する（イ）段階と、
前記陰極部上に電界放出源をスクリーン印刷、グラビア印刷、オフセット印刷、インクジェット印刷、フィルム蒸着、または露光および現像方式で形成する（ロ）段階と、
前記陰極部上に、一定の間隔の絶縁を確保した離隔をおいてゲート部を形成する（ハ）段階と、
前記ゲート部上に、ターゲット物質を含む陽極部を形成する（ニ）段階と、
前記（ニ）段階の後、前記基板と前記陽極部との間を真空パッケージングする（ホ）段階とを含んでなることを特徴とする、電界放出源を用いた高効率平面型フォトバーの製造方法。
【請求項８】
電界放出源を用いた高効率平面型フォトバーの製造方法であって、
一定の間隔で基板上にスクリーン印刷、グラビア印刷、オフセット印刷、インクジェット印刷、フィルム蒸着、または露光および現像方式で陰極部およびゲート部を形成するａ段階と、
前記陰極部およびゲート部上に電界放出源を形成するｂ段階と、
前記陰極部およびゲート部上に、ターゲット物質を含む陽極部を形成するｃ段階と、
前記ｃ段階の後、前記基板と前記陽極部との間を真空パッケージングするｄ段階とを含んでなることを特徴とする、電界放出源を用いた高効率平面型フォトバーの製造方法。
【請求項９】
電界放出源を用いた高効率平面型フォトバーの製造方法であって、
基板上にスクリーン印刷、グラビア印刷、オフセット印刷、インクジェット印刷、フィルム蒸着、または露光および現像方式で陰極部およびゲート部を形成する第１段階と、
前記基板上に、ターゲット物質を含む陽極部を形成する第２段階と、
前記第２段階の後、前記基板と前記陽極部との間を真空パッケージングする第３段階とを含んでなることを特徴とする、電界放出源を用いた高効率平面型フォトバーの製造方法。
【請求項１０】
前記陰極部、前記ゲート部および前記陽極部が大きく形成される場合、真空に引かれた内部構造物を大気圧から支持するために、前記基板と前記陽極板との間に垂直に絶縁スペーサを形成する段階をさらに含むことを特徴とする、請求項７〜９のいずれか１項に記載の電界放出源を用いた高効率平面型フォトバーの製造方法。
【請求項１１】
前記陰極部は金属、酸化物電極材料およびカーボン系電極材料のいずれか１種から形成されることを特徴とする、請求項７〜９のいずれか１項に記載の電界放出源を用いた高効率平面型フォトバーの製造方法。
【請求項１２】
前記電界放出源は、ペースト、直接成長、スラリー塗布、電気泳動法または浸漬のいずれか一つの方式で形成されることを特徴とする、請求項７または８に記載の電界放出源を用いた高効率平面型フォトバーの製造方法。
【請求項１３】
前記ゲート部は、金属板をエッチングして電界放出源との整列後に配置させるか、ガラス板またはセラミック板をエッチングし、一面に電極を形成した後に配置させるか、またはスクリーン印刷法で直接プリントして形成されることを特徴とする、請求項７に記載の電界放出源を用いた高効率平面型フォトバーの製造方法。
【請求項１４】
前記陽極部は、前記ゲート部と高電圧絶縁が保たれる程度に離隔しなければならず、Ｘ線を放出させることが可能なターゲット物質を蒸着、コーティングまたはスクリーン印刷法のいずれか一つの方式で形成されることを特徴とする、請求項７〜９のいずれか１項に記載の電界放出源を用いた高効率平面型フォトバーの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電界放出源を用いた高効率平面型フォトバーおよびその製造方法に係り、より詳しくは、半導体およびディスプレイなどの工程ラインにおいて生産効率に直接的な影響を及ぼす静電気除去および集塵のための、電界放出源を用いた高効率平面フォトバーおよびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体およびディスプレイなどの工程ラインでは、生産効率に直接的な影響を及ぼす静電気除去および集塵のためのいわゆる「イオン化装置」が最近脚光を浴びている。
【０００３】
従来より多く使用されているこのようなイオン化装置の代表的なイオン化方法としては、コロナ放電効果によるイオン化生成法が挙げられる。また、最近脚光を浴びているＸ線によるフォトイオン化（ｐｈｏｔｏ−ｉｏｎｉｚａｔｉｏｎ）方法および装置も、技術開発および市場の活性度が非常に大きくなっている状況である。
【０００４】
ところが、従来の前記コロナ放電によるイオン化方法は、通常、放電チップによるイオン化物の吸着およびこのことによる粉塵（ｐａｒｔｉｃｌｅ）の生成により周期的な洗浄を必ず必要とし、これを見逃した場合には生産ラインに致命的な問題を引き起こすおそれがあるという欠点を抱えている。この欠点を解決可能な方法として最近脚光を浴びているＸ線を用いたイオン化装置は、未だ単一Ｘ線チューブのイオン化領域の限界により、多数のＸ線チューブを配列して使用しなければならないという問題があった。
【０００５】
これにより、イオン化特性の不均一性が増加すると同時に、電源装置および駆動装置の複雑化および高コスト化を引き起こす問題が未だ解決されていないうえ、従来のＸ線チューブは熱電子（フィラメント）方式を用いるので、消費電力および応答速度の観点から非効率的であるという問題も抱えている。
【０００６】
したがって、現在までは、広い面積の除電のためのフォト−フォトバー（以下、「フォトバー」という）としての活用は、費用的な問題とイオン化特性を考慮して、コロナ放電を用いたイオン化装置が主流をなしている。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、上述した従来の問題点を解決するためのもので、その目的は、ナノ電界放出源（ｆｉｅｌｄ  ｅｍｉｔｔｅｒ）を電子放出源として用いて、冷陰極型（ｃｏｌｄ  ｃａｔｈｏｄｅ）に基づく大面積のＸ線を発生させることが可能なフォトバーおよびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するために、本発明の第１実施例に係る電界放出源を用いた高効率平面型フォトバーは、基板と、前記基板上に電極として形成される陰極部と、前記陰極部上に一定の間隔でパターニングされたナノ電界放出源と、前記電界放出源上に絶縁離隔して前記陰極部と水平に形成され、前記電界放出源からの電子放出を誘導するゲート部と、前記ゲート部上に絶縁離隔して水平に形成され、ターゲット物質を含む陽極部とを含んでなることを特徴とする。
【０００９】
本発明の第２実施例に係る電界放出源を用いた高効率平面型フォトバーは、基板と、前記基板上に多数の電極として分割形成される陰極部およびゲート部と、前記陰極部およびゲート部上にパターニングされたナノ電界放出源と、前記陰極部およびゲート部上に絶縁離隔して水平に形成され、ターゲット物質を含む陽極部とを含んでなることを特徴とする。
【００１０】
本発明の第３実施例に係る電界放出源を用いた高効率平面型フォトバーは、基板と、前記基板上に多数の電極として互いにナノメートル級の微細なギャップをおいて交互に形成される陰極部およびゲート部と、前記陰極部およびゲート部上に絶縁離隔して水平に形成され、ターゲット物質を含む陽極部とを含んでなることを特徴とする。
【００１１】
本発明の第１実施例〜第３実施例に係る電界放出源を用いた高効率平面型フォトバーにおいて、前記陰極部、ゲート部および陽極部が大きく形成される場合、真空で形成された内部構造物を大気圧から支持するのために、基板と陽極部との間に垂直に形成される絶縁スペーサをさらに含むことができることを特徴とする。
【００１２】
本発明の第１実施例または第２実施例に係る電界放出源を用いた高効率平面型フォトバーにおいて、前記電界放出源は、炭素ナノチューブ（Ｃａｒｂｏｎｅ  Ｎａｎｏ  Ｔｕｂｅ：ＣＮＴ）のように内径に対する長さの比が非常に大きいナノワイヤ系の材料を通常適用でき、これにより、好適な例として、ＣＮＴ（Ｃａｒｂｏｎｅ  Ｎａｎｏ  Ｔｕｂｅ）、ＣＮＦ（Ｃａｒｂｏｎ  Ｎａｎｏ  Ｆｉｂｅｒ）、ＣＮＷ（Ｃａｒｂｏｎ  Ｎａｎｏ  Ｗａｌｌ）、ＧＮＦ（Ｇｒａｐｈｉｔｅ  Ｎａｎｏ  Ｆｉｂｅｒ）、グラフェン（Ｇｒａｐｈｅｎｅ）などのナノカーボン系材料；ＺｎＯ２ナノワイヤ、ＴｉＯ２ナノワイヤなどの酸化物ナノワイヤ系材料；ＴｉＮナノワイヤなどの窒化物系；タングステン、モリブデン（ｍｏｌｙｂｄｅｎｕｍ）などの金属系；シリコン（ｓｉｌｉｃｏｎ：Ｓｉ）；およびダイヤモンド（ｄｉａｍｏｎｄ）をコーン形状にエッチングして作ったチップのいずれか一つからなることを特徴とする。
【００１３】
本発明の第１実施例〜第３実施例に係る電界放出源を用いた高効率平面型フォトバーにおいて、前記陽極部は、ガラス、セラミックおよび金属のいずれか１つの材料からなる基板にターゲット物質を形成することで実現することを特徴とする。
【００１４】
本発明の第１実施例に係る電界放出源を用いた高効率平面型フォトバーの製造方法は、基板上にスクリーン印刷、グラビア印刷、オフセット印刷、インクジェット印刷、フィルム蒸着、または露光および現像方式で陰極部を形成する（イ）段階と、前記陰極部上にナノ電界放出源をスクリーン印刷、グラビア印刷、オフセット印刷、インクジェット印刷、フィルム蒸着、または露光および現像方式で形成する（ロ）段階と、前記陰極部上に、一定の間隔の絶縁を確保した離隔をおいてゲート部を形成する（ハ）段階と、前記ゲート部上に、ターゲット物質を含む陽極部を形成する（ニ）段階と、前記（ニ）段階の後、基板と陽極部との間を真空パッケージングする（ホ）段階とを含んでなることを特徴とする。
【００１５】
本発明の第２実施例に係る電界放出源を用いた高効率平面型フォトバーの製造方法は、一定の間隔で基板上にスクリーン印刷、グラビア印刷、オフセット印刷、インクジェット印刷、フィルム蒸着、または露光および現像方式で陰極部およびゲート部を形成するａ段階と、前記陰極部およびゲート部上にナノ電界放出源を形成するｂ段階と、前記陰極部およびゲート部上に、ターゲット物質を含む陽極部を形成するｃ段階と、前記ｃ段階の後、基板と陽極部との間を真空パッケージングするｄ段階とを含んでなることを特徴とする。
【００１６】
本発明の第３実施例に係る電界放出源を用いた高効率平面型フォトバーの製造方法は、基板上にスクリーン印刷、グラビア印刷、オフセット印刷、インクジェット印刷、フィルム蒸着、または露光および現像方式で陰極部およびゲート部を形成する第１段階と、前記基板上に、ターゲット物質を含む陽極部を形成する第２段階と、前記第２段階の後、基板と陽極部との間を真空パッケージングする第３段階とを含んでなることを特徴とする。
【００１７】
本発明の第１実施例〜第３実施例に係る電界放出源を用いた高効率平面型フォトバーの製造方法において、前記陰極部、ゲート部および陽極部が大きく形成される場合、真空に引かれた内部構造物を大気圧から支持するために、基板と陽極板との間に垂直に絶縁スペーサを形成する段階をさらに含むことができることを特徴とする。
【００１８】
本発明の第１実施例〜第３実施例に係る電界放出源を用いた高効率平面型フォトバーの製造方法において、前記陰極部は金属（例えばＡｇ、Ｃｕ）、酸化物電極材料（例えば、ＩＴＯ）、およびカーボン系電極材料（例えば、グラフェンおよびＣＮＴ）のいずれか１種から形成されることを特徴とする。
【００１９】
本発明の第１実施例または第２実施例に係る電界放出源を用いた高効率平面型フォトバーの製造方法において、前記ナノ電界放出源は、ペースト、直接成長、スラリー塗布、電気泳動法または浸漬（ｄｉｐｐｉｎｇ）のいずれか一つの方式で形成されることを特徴とする。
【００２０】
本発明の第１実施例に係る電界放出源を用いた高効率平面型フォトバーの製造方法において、前記ゲート部は、金属板をエッチングしてナノ電界放出源との整列後に配置されること、ガラス板もしくはセラミック板をエッチングし、一面に電極を形成した後に配置されること、またはスクリーン印刷法で直接プリントして形成されることを特徴とする。
【００２１】
本発明の第１実施例〜第３実施例に係る電界放出源を用いた高効率平面型フォトバーの製造方法において、前記陽極部は、ゲート部と高電圧絶縁が保たれる程度に離隔しなければならず、Ｘ線を放出させることが可能なターゲット物質を蒸着、コーティングまたはスクリーン印刷法のいずれか一つの方式で形成することを特徴とする。
【発明の効果】
【００２２】
上述したように、本発明の実施例に係るフォトバーおよびその製造方法は、電子放出源を冷陰極（Ｃｏｌｄ  ｃａｔｈｏｄｅ）ナノ電界放出源とすることにより、コロナ放電型と比較して粉塵の吸着および脱離の問題を引き起こさず、既存の熱電子型Ｘ線チューブとは異なり、一体化された大面積、平面構造の実現が可能であると同時に、低電力、高効率およびデジタル駆動であるイオン化生成能力を得ることができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明の第１実施例に係る電界放出源を用いた高効率平面型フォトバーを示す斜視図である。
【図２】本発明の第１実施例に係る電界放出源を用いた高効率平面型フォトバーを示す断面図である。
【図３】本発明の第２実施例に係る電界放出源を用いた高効率平面型フォトバーを示す断面図である。
【図４】本発明の第３実施例に係る電界放出源を用いた高効率平面型フォトバーを示す断面図である。
【図５】本発明の第１実施例に係る電界放出源を用いた高効率平面型フォトバーの製造方法を示す順序図である。
【図６】本発明の第２実施例に係る電界放出源を用いた高効率平面型フォトバーの製造方法を示す順序図である。
【図７】本発明の第３実施例に係る電界放出源を用いた高効率平面型フォトバーの製造方法を示す順序図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、添付図面を参照して本発明に係る具体的な実施例を詳細に説明する。
【００２５】
図１は本発明の第１実施例に係る電界放出源を用いた高効率平面型フォトバーを示す斜視図であり、図２は本発明の第１実施例に係る電界放出源を用いた高効率平面型フォトバーを示す断面図である。
【００２６】
図１および図２に示されるように、本発明の第１実施例に係る電界放出源を用いた高効率平面型フォトバーは、基板１０２と、基板１０２上に電極として形成される陰極部２０２と、陰極部２０２上に一定の間隔でパターニングされたナノ電界放出源２０１と、電界放出源２０１上に絶縁離隔して陰極部２０２と水平に形成され、電界放出源２０１からの電子放出を誘導するゲート部３０１と、ゲート部３０１上に絶縁離隔して水平に形成され、ターゲット物質４０１を含む陽極部１０１とを含んでなる。
【００２７】
ここで、陰極部２０２、ゲート部３０１および陽極部１０１が大きく形成される場合、真空に引かれた内部構造物を大気圧から支持するために、基板１０２と陽極部１０１との間に基板１０２および陽極部１０１に対して垂直に形成される絶縁スペーサ１０３、１０４をさらに含むことが可能である。
【００２８】
この際、前記絶縁スペーサ１０４は基板１０２とゲート部３０１との間に位置し、前記絶縁スペーサ１０３はゲート部３０１と陽極部１０１との間に位置する。
【００２９】
また、電界放出源２０１は、炭素ナノチューブ（ＣＮＴ）のように内径に対する長さの比が非常に大きいナノワイヤ系の材料を通常適用でき、これにより、好適な例として、ＣＮＴ（Ｃａｒｂｏｎｅ  Ｎａｎｏ  Ｔｕｂｅ）、ＣＮＦ（Ｃａｒｂｏｎ  Ｎａｎｏ  Ｆｉｂｅｒ）、ＣＮＷ（Ｃａｒｂｏｎ  Ｎａｎｏ  Ｗａｌｌ）、ＧＮＦ（Ｇｒａｐｈｉｔｅ  Ｎａｎｏ  Ｆｉｂｅｒ）、グラフェン（Ｇｒａｐｈｅｎｅ）などのナノカーボン系、ＺｎＯ２ナノワイヤ、ＴｉＯ２ナノワイヤなどの酸化物ナノワイヤ系、ＴｉＮナノワイヤなどの窒化物系、タングステンやモリブデン（ｍｏｌｙｂｄｅｎｕｍ）などの金属系、およびシリコン（ｓｉｌｉｃｏｎ：Ｓｉ）ダイヤモンド（ｄｉａｍｏｎｄ）をコーン形状にエッチングして作ったチップのいずれか１つが使用されることを特徴とする。
【００３０】
前記陽極部１０１は、ガラス、セラミックおよび金属のいずれか１種の材料からなる基板にターゲット物質が形成されることを特徴とする。
【００３１】
次に、上述したように本発明の第１実施例に係る電界放出源を用いた高効率平面型フォトバーの作動原理について説明する。
【００３２】
電子放出を誘導するゲート部３０１に電圧を印加すると、陰極部２０２上に形成されたナノ電界放出源２０１に電場（電界）が集中し、これによりナノ電界放出源２０１から電子５０１が真空中６０１に放出される原理を有する。ナノ電界放出源２０１から放出された電子ビーム５０１は、絶縁スペーサ１０３、１０４を介して特定の距離だけ離隔された陽極部１０１に到達し、最終的にはＸ線５０２に変換されるが、これについての説明を付け加えると、次の通りである。
【００３３】
陽極部１０１は基板にターゲット物質４０１を形成することで実現可能であり、基板材料および厚さに応じて、図１および図２のようにターゲット（ターゲット物質４０１）が形成されるべき領域を薄く加工することもできる。本実施例では、陽極部１０１を形成する基板をガラスと仮定した。ガラス以外に、セラミックや金属などの多様な材料を活用することもできる。
【００３４】
本発明の第１実施例に係る図１のような電界放出型フォトバーの場合、陽極部１０１およびゲート部３０１にＤＣ電圧を印加した状態で陰極部２０２に高電圧トランジスタを用いた電流スイッチング駆動が可能であるため、本発明の第１実施例に係るフォトバーは、構造が小さく、その構造により低い電力でも容易に駆動できるという利点がある。
【００３５】
図３は本発明の第２実施例に係る電界放出源を用いた高効率平面型フォトバーを示す断面図である。
【００３６】
図３に示されるように、本発明の第２実施例に係る電界放出源を用いた高効率平面型フォトバーは、基板１０２ａと、基板１０２ａ上に多数の電極として分割形成される陰極部２０２ａおよびゲート部２０３ａと、陰極部２０２ａおよびゲート部２０３ａ上にパターニングされたナノ電界放出源２０１ａと、陰極部２０２ａおよびゲート部２０３ａ上に絶縁離隔して水平に形成され、ターゲット物質４０１ａを含む陽極部１０１ａとを含んでなる。
【００３７】
ここで、陰極部２０２ａ、ゲート部２０３ａおよび陽極部１０１ａが大きく形成される場合、真空に引かれた内部構造物を大気圧から支持するために、基板１０２ａと陽極部１０１ａとの間に、基板１０２ａおよび陽極部１０１ａに対して垂直に形成される絶縁スペーサ１０３ａをさらに含むことが可能である。
【００３８】
電界放出源２０１ａは、炭素ナノチューブ（ＣＮＴ）のように内径に対する長さの比が非常に大きいナノワイヤ系の材料を通常適用でき、これにより、好適な例として、ＣＮＴ（Ｃａｒｂｏｎｅ  Ｎａｎｏ  Ｔｕｂｅ）、ＣＮＦ（Ｃａｒｂｏｎ  Ｎａｎｏ  Ｆｉｂｅｒ）、ＣＮＷ（Ｃａｒｂｏｎ  Ｎａｎｏ  Ｗａｌｌ）、ＧＮＦ（Ｇｒａｐｈｉｔｅ  Ｎａｎｏ  Ｆｉｂｅｒ）、グラフェン（Ｇｒａｐｈｅｎｅ）などのナノカーボン系材料；ＺｎＯ２ナノワイヤ、ＴｉＯ２ナノワイヤなどの酸化物ナノワイヤ系材料；ＴｉＮナノワイヤなどの窒化物系；タングステン、モリブデン（ｍｏｌｙｂｄｅｎｕｍ）などの金属系；シリコン（ｓｉｌｉｃｏｎ：Ｓｉ）；およびダイヤモンド（ｄｉａｍｏｎｄ）をコーン形状にエッチングして作ったチップのいずれか一つが使用されることを特徴とする。
【００３９】
また、陽極部１０１ａは、ガラス、セラミックおよび金属のいずれか１種の材料からなる基板にターゲット物質４０１ａを形成することで実現する。
【００４０】
次に、上述したように本発明の第２実施例に係る電界放出源を用いた高効率平面型フォトバーの作動原理について説明する。
【００４１】
図３は図１および図２のフォトバーと同様の構造において、電子を放出させる電子放出部の構造が変形した形態である。
【００４２】
図３の場合、陰極部２０２ａとゲート部２０３ａとが互いに交差しながら駆動する構造であるが、隣接した陰極部２０２ａとゲート部２０３ａとが互いに区別されながら駆動する特性を有する。電極が陰極部２０２ａとして使用されると、隣接する電極はゲート部２０３ａとして使用され、陰極部２０２ａであった電極がゲート部２０３ａとして使用されると、ゲート部２０３ａであった電極が陰極部２０２ａとして使用される構造である。
【００４３】
この際、図３に示した図面番号５０１ａは電子または電子ビームを示し、５０２ａはＸ線を示し、６０１ａは真空を示す。
【００４４】
図４は本発明の第３実施例に係る電界放出源を用いた高効率平面型フォトバーを示す断面図である。
【００４５】
図４に示されるように、本発明の第３実施例に係る電界放出源を用いた高効率平面型フォトバーは、基板１０２ｂと、基板１０２ｂ上に多数の電極として互いにナノメートル級の微細なギャップをおいて交互に形成される陰極部２０２ｂおよびゲート部２０３ｂと、陰極部２０２ｂおよびゲート部２０３ｂ上に絶縁離隔して水平に形成され、ターゲット物質を含む陽極部（図示せず）とから構成される。
【００４６】
この際、陽極部は、本発明の第３実施例に係るフォトバーを示した図４に示されていないが、図２および図３に示した第１実施例および第２実施例に係るフォトバーの陽極部１０１、１０１ａと同様に構成されることが好ましい。
【００４７】
ここで、陰極部２０２ｂ、ゲート部３０１ｂおよび陽極部が大きく形成される場合、真空に引かれた内部構造物を大気圧から支持するために、基板１０２ａと陽極部との間に基板１０２ａおよび陽極部に対して垂直に形成される絶縁スペーサ１０３ｂをさらに含むことが可能である。
【００４８】
次に、上述したように本発明の第３実施例に係る電界放出源を用いた高効率平面型フォトバーの作動原理について説明する。
【００４９】
図４は図１〜図３で説明された本発明に係る電界放出型フォトバーの構造において別の方式で適用できる電界放出構造を説明する図である。上述の説明ではナノワイヤおよびナノチップから放出される電子放出構造を示した。一方、図４の場合は、２つの電極を基板１０２ｂ上に形成させ、両電極間のギャップをナノメートル級の微細隙間として形成させると、ゲート部２０３ｂに電圧を印加する場合、陰極部２０２ｂから電子がゲート部２０３ｂに向かって放出される。この際、放出された電子の一部分がゲート部２０３ｂの電極に向かわずに、散乱されて陽極部側に向かう現象が起こり得る構造である。図４の場合も、前記図３の場合と同様に、ゲート部２０３ｂと陰極部２０２ｂとが互いに交差しながら駆動できる。
【００５０】
この際、図４に示した図面番号５０１ｂは電子または電子ビームである。
【００５１】
図５は本発明の第１実施例に係る電界放出源を用いた高効率平面型フォトバーの製造方法を示す順序図である。
【００５２】
図５に示されるように、本発明の第１実施例に係る電界放出源を用いた高効率平面型フォトバーの製造方法は、基板１０２上にスクリーン印刷、グラビア印刷、オフセット印刷、インクジェット印刷、フィルム蒸着、または露光および現像方式で陰極部２０２を形成する（イ）段階（Ｓ１１０）と、陰極部２０２上にナノ電界放出源２０１をスクリーン印刷、グラビア印刷、オフセット印刷、インクジェット印刷、フィルム蒸着、または露光および現像方式で形成する（ロ）段階（Ｓ１２０）と、陰極部２０２上に、一定の間隔の絶縁を確保した離隔をおいてゲート部３０１を形成する（ハ）段階（Ｓ１３０）と、前記ゲート部３０１上に、ターゲット物質４０１を含む陽極部１０１を形成する（ニ）段階（Ｓ１４０）と、前記（ニ）段階（Ｓ１４０）の後、基板１０２と陽極部１０１との間を真空パッケージングする（ホ）段階（Ｓ１５０）とを含んでなることを特徴とする。
【００５３】
ここで、陰極部２０２、ゲート部３０１および陽極部１０１が大きく形成される場合、真空に引かれた内部構造物を大気圧から支持するために、基板１０２と陽極部１０１との間に垂直に絶縁スペーサ１０３、１０４を形成する段階をさらに含むことが可能である。
【００５４】
この際、絶縁スペーサ１０４は基板１０２とゲート部３０１との間に位置し、絶縁スペーサ１０３はゲート部３０１と陽極部１０１との間に位置する。
【００５５】
また、陰極部２０２は、金属（例えば、Ａｇ、Ｃｕ）、酸化物電極材料（例えば、ＩＴＯ）およびカーボン系電極材料（例えば、グラフェンおよびＣＮＴ）のいずれか一つから形成される。
【００５６】
ナノ電界放出源２０１は、ペースト、直接成長、スラリー塗布、電気泳動法または浸漬（ｄｉｐｐｉｎｇ）のいずれか一つの方式で形成される。
【００５７】
また、ゲート部３０１は、金属板をエッチングしてナノ電界放出源２０１との整列後に配置されるか、ガラス板もしくはセラミック板をエッチングし、一面に電極を形成した後に配置されるか、またはスクリーン印刷法で直接プリントして形成される。
【００５８】
陽極部１０１は、ゲート部３０１と高電圧絶縁が保たれる程度に離隔しなければならず、Ｘ線を放出させることが可能なターゲット物質４０１を蒸着、コーティングまたはスクリーン印刷法のいずれか一つの方式で形成される。
【００５９】
図６は本発明の第２実施例に係る電界放出源を用いた高効率平面型フォトバーの製造方法を示す順序図である。
【００６０】
図６に示されるように、本発明の第２実施例に係る電界放出源を用いた高効率平面型フォトバーの製造方法は、一定の間隔で基板１０２ａ上にスクリーン印刷、グラビア印刷、オフセット印刷、インクジェット印刷、フィルム蒸着、または露光および現像方式で陰極部２０２ａおよびゲート部２０３ａを形成するａ段階（Ｓ２１０）と、陰極部２０２ａおよびゲート部２０３ａ上にナノ電界放出源２０１ａを形成するｂ段階（Ｓ２２０）と、陰極部２０２ａおよびゲート部２０３ａ上に、ターゲット物質４０１ａを含む陽極部１０１ａを形成するｃ段階（Ｓ２３０）と、ｃ段階（Ｓ２３０）の後、基板１０２ａと陽極部１０１ａとの間を真空パッケージングするｄ段階（Ｓ２４０）とから構成される。
【００６１】
ここで、陰極部２０２ａ、ゲート部２０３ａおよび陽極部１０１ａが大きく形成される場合、真空に引かれた内部構造物を大気圧から支持するために、基板１０２ａと陽極部１０１ａとの間に垂直に絶縁スペーサ１０３ａを形成する段階をさらに含むことが可能である。
【００６２】
陰極部２０２ａは、金属（例えば、Ａｇ、Ｃｕ）、酸化物電極材料（例えば、ＩＴＯ）、およびカーボン系電極材料（例えば、グラフェンおよびＣＮＴ）のいずれか一つから形成される。
【００６３】
また、ナノ電界放出源２０１ａは、ペースト、直接成長、スラリー塗布、電気泳動法または浸漬（ｄｉｐｐｉｎｇ）のいずれか一つの方式で形成される。
【００６４】
陽極部１０１ａは、ゲート部２０３ａと高電圧絶縁が保たれる程度に離隔しなければならず、Ｘ線を放出させることが可能なターゲット物質４０１ａを蒸着、コーティングまたはスクリーン印刷法のいずれか一つの方式で形成される。
【００６５】
図７は本発明の第３実施例に係る電界放出源を用いた高効率平面型フォトバーの製造方法を示す順序図である。
【００６６】
図７に示されるように、本発明の第３実施例に係る電界放出源を用いた高効率フォトバーの製造方法は、基板１０２ｂ上にスクリーン印刷、グラビア印刷、オフセット印刷、インクジェット印刷、フィルム蒸着、または露光および現像方式で陰極部２０２ｂおよびゲート部２０３ｂを形成する第１段階（Ｓ３１０）と、基板１０２ｂ上に、ターゲット物質を含む陽極部を形成する第２段階（Ｓ３２０）と、第２段階（Ｓ３２０）の後、基板１０２ｂと陽極部との間を真空パッケージングする第３段階（Ｓ３３０）とから構成される。
【００６７】
ここで、陰極部２０２ｂ、ゲート部２０３ｂおよび陽極部が大きく形成される場合、真空に引かれた内部構造物を大気圧から支持するために、基板１０２ｂと陽極部との間に垂直に絶縁スペーサ１０３ｂを形成する段階をさらに含むことが可能である。
【００６８】
陰極部２０２ｂは、金属（例えば、Ａｇ、Ｃｕ）、酸化物電極材料（例えば、ＩＴＯ）、およびカーボン系電極材料（例えば、グラフェンおよびＣＮＴ）のいずれか一つで形成される。
【００６９】
また、陽極部は、ゲート部２０３ｂと高電圧絶縁が保たれる程度に離隔しなければならず、Ｘ線を放出させることが可能なターゲット物質を蒸着、コーティングまたはスクリーン印刷法のいずれか一つの方式で形成される。
【００７０】
この際、陽極部は、本発明の第３実施例に係るフォトバーを示した図４に示されていないが、図２および図３に示した第１実施例および第２実施例に係るフォトバーの陽極部１０１、１０１ａと同様に構成されることが好ましい。
【００７１】
以上説明したように、本発明の詳細な説明では本発明の好適な実施例について説明したが、本発明の属する技術分野における通常の知識を有する者であれば、本発明の範疇から逸脱しない限度内で様々な変形が可能であるのは明白である。よって、本発明の権利範囲は説明された実施例に限定されて定められてはならず、後述する特許請求の範囲、及びこれと均等なものによって定められるべきである。
【符号の説明】
【００７２】
１０１、１０１ａ    陽極部
１０２、１０２ａ、１０２ｂ    基板
１０３、１０３ａ、１０３ｂ、１０４    絶縁スペーサ
２０１、２０１ａ    電界放出源
２０２、２０２ａ、２０２ｂ    陰極部
２０３ａ、２０３ｂ、３０１    ゲート部
４０１、４０１ａ    ターゲット物質
５０１、５０１ａ、５０１ｂ    電子
５０２、５０２ａ    Ｘ線
６０１、６０１ａ    真空中
【図１】
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【図２】
2014502014.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【国際調査報告】
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