(57)【要約】  導電膜であって、酸化亜鉛膜を含み、該酸化亜鉛膜には酸化アルミニウム、二酸化ケイ素及び酸化マグネシウムがドーピングされた。酸化亜鉛に酸化マグネシウムをドーピングし、マグネシウムイオンによって酸化亜鉛膜の光透過窓を広げることによって、酸化亜鉛膜の光透過率を増加させ、酸化アルミニウム及び二酸化ケイ素をドーピングすることによって、酸化亜鉛膜の導電率を増強させ、それによって、酸化亜鉛膜の抵抗率を下げ、３種の物質をドーピングすることによって、稼動過程において該導電膜の抵抗率を安定に維持させる。さらに導電膜の製作方法及びその応用を提供する。製作方法は操作が簡単で、条件が穏やかで、原料のコストが低く、生産率が高く、工業生産に適する。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化亜鉛膜を含む導電膜において、前記酸化亜鉛膜には酸化アルミニウム、酸化マグネシウム及び二酸化ケイ素がドーピングされる、ことを特徴とする導電膜。
【請求項２】
前記酸化亜鉛、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム及び二酸化ケイ素の質量パーセント含有量は、酸化亜鉛が７０％〜９４％で、酸化アルミニウムが０．５％〜３％で、二酸化ケイ素が０．５％〜３％で、酸化マグネシウムが５％〜２５％である、ことを特徴とする請求項１に記載の導電膜。
【請求項３】
前記酸化アルミニウム、二酸化ケイ素及び酸化マグネシウムの質量パーセント含有量は、酸化亜鉛が７５％〜９０％で、酸化アルミニウムが１％〜２％で、二酸化ケイ素が１％〜１．５％で、酸化マグネシウムが１０％〜２０％である、ことを特徴とする請求項２に記載の導電膜。
【請求項４】
前記導電膜は、５００ｎｍ〜７００ｎｍ波長における光透過率が８０％〜９９％である、ことを特徴とする請求項３に記載の導電膜。
【請求項５】
前記導電膜の抵抗率は、５×１０〜３Ω・ｃｍ〜７．６×１０〜４Ω・ｃｍである、ことを特徴とする請求項３に記載の導電膜。
【請求項６】
導電膜の製作方法であって、酸化亜鉛に酸化マグネシウム、酸化アルミニウム及び二酸化ケイ素を混合し、撹拌して混合物を得るステップと、
前記混合物において、酸化亜鉛、酸化アルミニウム、二酸化ケイ素及び酸化マグネシウムの質量パーセント含有量は、酸化亜鉛が７０％〜９４％で、酸化アルミニウムが０．５％〜３％で、二酸化ケイ素が０．５％〜３％で、酸化マグネシウムが５％〜２５％であり、前記混合物を焼結してマグネトロンスパッタリング・ターゲット材を形成するステップと、
前記マグネトロンスパッタリング・ターゲット材を使用してマグネトロンスパッタリングを行って膜を形成し、導電膜を得るステップと、を含む、導電膜の製作方法。
【請求項７】
前記焼結してスパッタリング・ターゲット材を形成するステップにおける焼結温度は、９００℃〜１１００℃で、雰囲気は不活性雰囲気または大気雰囲気で、時間は１時間〜２４時間である、ことを特徴とする請求項６に記載の導電膜の製作方法。
【請求項８】
前記不活性雰囲気は、ヘリウムガス雰囲気、アルゴンガス雰囲気、ネオンガス雰囲気または窒素ガス雰囲気である、ことを特徴とする請求項６に記載の導電膜の製作方法。
【請求項９】
前記マグネトロンスパッタリングするステップは、前記マグネトロンスパッタリング・ターゲット材をマグネトロンスパッタリング装置の中空部に置き、基板を前記マグネトロンスパッタリング装置の中空部に置き、前記中空部の真空度を１．０×１０−３Ｐａ〜１．０×１０−５Ｐａにし、前記基板とスパッタリング・ターゲット材との間の距離を５０ｍｍ〜９０ｍｍに調節し、前記基板温度を３００℃〜８００℃に調節し、稼動圧力が０．２Ｐａ〜１．５Ｐａで、かつガス流量が１５ｓｃｃｍ〜２５ｓｃｃｍである条件下で１時間〜３時間スパッタリングする、ことを特徴とする請求項６に記載の導電膜の製作方法。
【請求項１０】
請求項１〜５のいずれか１項に記載の導電膜の、太陽電池、エレクトロルミネセンス素子または電界効果トランジスタにおける応用。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体光電材料技術分野に属し、特に導電膜及びその調製方法並びに応用に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来技術の酸化亜鉛導電膜は、通常単一元素がドーピングされた酸化亜鉛膜である。単一元素の酸化亜鉛ドーピングは調製及び応用において多くの問題が存在している。単一のアルミがドーピングされた酸化亜鉛膜（Ａｌ〜ｄｏｐｅｄＺｎＯ，ＡＺＯと略称する）を例として、生産において低抵抗の薄膜を調製することが簡単ではなく、これも今までＡＺＯ薄膜が生産化されなかった原因の１つである。また、ＡＺＯの使用過程には、表面と結晶粒界との間に酸素吸着が存在することによって導電性が下げられ、抵抗率が安定ではなかった。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
これに鑑み、本発明実施例は、従来技術における導電膜の抵抗率が高く安定ではない技術的課題を解決するよう導電膜を提供する。本発明の実施例はさらに、導電膜の調製方法を提供する。さらに本発明実施例は、前記導電膜の、エレクトロルミネセンス素子、太陽電池または電界効果トランジスタにおける応用を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
導電膜であって、酸化亜鉛膜を含み、該酸化亜鉛膜には酸化アルミニウム、二酸化ケイ素及び酸化マグネシウムがドーピングされる。
【０００５】
本発明は、導電膜の製作方法を提供し、
酸化亜鉛に酸化マグネシウム、酸化アルミニウム及び二酸化ケイ素を混合、撹拌して混合物を得るステップと、
前記混合物において、酸化亜鉛、酸化アルミニウム、二酸化ケイ素及び酸化マグネシウムの質量パーセント含有量は、酸化亜鉛が７０％〜９４％で、酸化アルミニウムが０．５％〜３％で、二酸化ケイ素が０．５％〜３％で、酸化マグネシウムが５％〜２５％であり、前記混合物を焼結してマグネトロンスパッタリング・ターゲット材を形成するステップと、
前記マグネトロンスパッタリング・ターゲット材を使用してマグネトロンスパッタリングを行って膜を形成し、導電膜を得るステップと、を含む。
【発明の効果】
【０００６】
本発明実施例の導電膜は、酸化亜鉛に酸化マグネシウムをドーピングし、マグネシウムイオンによって酸化亜鉛膜の光透過窓を広げることによって、酸化亜鉛膜の光透過率を大幅に増加させ、酸化アルミニウム及び二酸化ケイ素をドーピングすることによって、酸化亜鉛膜の導電率を大幅に増強させ、それによって、酸化亜鉛膜の抵抗率を下げ、また、前記３種の物質をドーピングすることによって、稼動過程において該導電膜の抵抗率を安定に維持させる。本発明実施例の調製方法は操作が簡単で、条件が穏やかで、原料のコストが低く、生産率が高く、工業化の生産に適する。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】図１は、本発明実施例の導電膜の透過スペクトルである。
【図２】図２は、本発明実施例の導電膜のＸＲＤ図である。
【図３】図３は、本発明実施例の導電膜が異なる温度下で４８時間使用された後の抵抗率の変化曲線図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
本発明の目的、技術的手段及び利点をより明らかにするため、以下、図面及び実施例を参照して、本発明をさらに詳細に説明する。理解すべきなのは、ここで説明する具体的な実施例は、本発明を解釈することにのみ用いられ、本発明を限定するものではない。
【０００９】
本発明実施例は、導電膜を提供し、その導電膜は、酸化亜鉛膜を含み、該酸化亜鉛膜には酸化アルミニウム、二酸化ケイ素及び酸化マグネシウムがドーピングされる。
【００１０】
具体的に、本発明の実施例は、主に酸化亜鉛によって導電膜を形成し、同時に、二酸化ケイ素、酸化マグネシウム及び酸化アルミニウムが該酸化亜鉛膜にドーピングされ、該酸化亜鉛、二酸化ケイ素、酸化マグネシウム及び酸化アルミニウムが均一にドーピングされることによって、導電膜の透過率に該ドーピングされた物質(酸化マグネシウム、酸化アルミニウム及び二酸化ケイ素)の堆積による不利な影響を与えないことを実現する。
【００１１】
図１は、本発明実施例の導電膜の透過スペクトルを示す。図１から分かるように、導電膜の波長５００ｎｍ〜７００ｎｍにおける光透過率は、８０％〜９９％で、該導電膜は優れた光透過性を有する。
【００１２】
図２は、本発明実施例の導電膜のＸＲＤ図を示す。図２から分かるように、酸化亜鉛の(００２)及び(００４)位置にのみピック値が存在するため、本発明実施例の導電膜は、二酸化ケイ素、酸化マグネシウム及び酸化アルミニウムが共に酸化亜鉛の格子内に入っていることが説明できる。
【００１３】
図３を参照すると、四探針法によってサンプルの抵抗率を測定し、データが表１に示される。抵抗率は、５×１０〜３Ω・ｃｍ〜７．６×１０〜４Ω・ｃｍである。図３は、本発明実施例の導電膜が異なる温度下で４８時間使用された後の抵抗率の変化曲線図を示す。図３から分かるように、本発明実施例の導電膜は使用において抵抗率の変化幅が小さく、５０℃〜３００℃の温度範囲に内に０時間〜４８時間使用される場合、抵抗率の変化は０％〜１５％である。
【００１４】
本発明実施例の導電膜は、酸化亜鉛に酸化マグネシウムをドーピングし、マグネシウムイオンによって酸化亜鉛膜の光透過窓を広げることによって、酸化亜鉛膜の光透過率を大幅に増加させ、酸化アルミニウム及び二酸化ケイ素をドーピングし、酸化アルミニウムに３価アルミイオンを含有し、二酸化ケイ素に４価ケイ素イオンを含有することによって、酸化亜鉛膜に電子キャリアを形成し、酸化亜鉛膜の導電率を大幅に増強させ、それによって、酸化亜鉛膜の抵抗率を下げ、また、複数種の元素を酸化亜鉛膜にドーピングすることによって、稼動過程において該導電膜の抵抗率を安定に維持させる。
【００１５】
該４種の物質の導電膜における質量パーセント含有量は以下の通りである。
【００１６】
酸化亜鉛７０％〜９４％
酸化アルミニウム０．５％〜３％
二酸化ケイ素０．５％〜３％
酸化マグネシウム５％〜２５％。
【００１７】
好ましくは、酸化亜鉛の質量パーセント含有量は７５％〜９０％で、酸化アルミニウムの質量パーセント含有量は１％〜２％で、二酸化ケイ素の質量パーセント含有量は１％〜１．５％、酸化マグネシウムの質量パーセント含有量は１０％〜２０％である。
【００１８】
本発明の実施例は、さらに導電膜の製作方法を提供し、以下のステップを含む。
【００１９】
（Ｓ０１、マグネトロンスパッタリング・ターゲット材の製作）
酸化亜鉛に酸化マグネシウム、酸化アルミニウム及び二酸化ケイ素を混合、撹拌して混合物を得る。
【００２０】
該混合物において、酸化亜鉛、酸化アルミニウム、二酸化ケイ素及び酸化マグネシウムの質量パーセント含有量は、酸化亜鉛が７０％〜９４％で、酸化アルミニウムが０．５％〜３％で、二酸化ケイ素が０．５％〜３％で、酸化マグネシウムが５％〜２５％であり、前記混合物を焼結してマグネトロンスパッタリング・ターゲット材を形成する。
【００２１】
（Ｓ０２、マグネトロンスパッタリングを行って膜を形成する）
該マグネトロンスパッタリング・ターゲット材を使用してマグネトロンスパッタリングを行って膜を形成し、導電膜を得る。
【００２２】
具体的に、ステップＳ０１において、酸化亜鉛に酸化マグネシウム、酸化アルミニウム及び二酸化ケイ素を混合し、撹拌して均一にし、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム及び二酸化ケイ素を酸化亜鉛に均一にドーピングさせて、混合物を形成する。該混合物において、４種の物質の質量パーセント含有量は、酸化亜鉛が７０％〜９４％で、酸化アルミニウムが０．５％〜３％で、二酸化ケイ素が０．５％〜３％で、酸化マグネシウムが５％〜２５％である。
【００２３】
好ましくは、酸化亜鉛の質量パーセント含有量は７５％〜９０％で、酸化アルミニウムの質量パーセント含有量は１％〜２％、二酸化ケイ素の質量パーセント含有量は１％〜１．５％、酸化マグネシウムの質量パーセント含有量は１０％〜２０％である。
【００２４】
具体的に、マグネトロンスパッタリング・ターゲット材の製作において、焼結温度は９００℃〜１１００℃で、雰囲気は非還元雰囲気、例えば不活性雰囲気または大気雰囲気等である。焼結の時間は１時間〜２４時間である。高温焼成によって、酸化アルミニウム、二酸化ケイ素及び酸化マグネシウムが酸化亜鉛の格子内にドーピングされて、スパッタリング・ターゲット材を形成し、該スパッタリング・ターゲット材は直径が５０ｍｍ、厚さが２ｍｍである円状ターゲット材であり、該不活性雰囲気はヘリウムガス雰囲気、アルゴンガス雰囲気、ネオンガス雰囲気または窒素ガス雰囲気である。
【００２５】
ステップＳ０２において、まず該マグネトロンスパッタリング・ターゲット材をマグネトロンスパッタリング装置の中空部に置き、基板を前記マグネトロンスパッタリング装置の中空部内に置き、機械式ポンプ及び分子ポンプによって中空部の真空度を１．０×１０−３Ｐａ〜１．０×１０−５Ｐａにし、その後基板とターゲット材との間の距離を５０ｍｍ〜９０ｍｍに調節し、且つ前記基板温度を３００℃〜８００℃に調節し、稼動圧力が０．２Ｐａ〜１．５Ｐａで、かつガス流量が１５ｓｃｃｍ〜２５ｓｃｃｍである条件下で１時間〜３時間スパッタリングして導電膜を得る。
【００２６】
具体的に、該マグネトロンスパッタリングステップに使用される基板は石英ガラスであり、該石英ガラスはアセトン、無水エタノール及び脱イオン水で超音波洗浄され、且つ高純度窒素ガスでブローして乾かし、使用されるマグネトロンスパッタリング装置に対しては制限せず、各種の規格のマグネトロンスパッタリング装置であってもよく、使用される酸化亜鉛、酸化マグネシウム、二酸化ケイ素及び酸化アルミニウムの純度は全て質量百分率９９．９％以上である。
【００２７】
さらに、マグネトロンスパッタリング装置を真空化した後の真空度は６．０×１０−４Ｐａが好ましく、同時に、前記基板とターゲット材との間の距離は６０ｍｍであることが好ましく、基板温度は４５０℃であることが好ましく、稼動圧力は１．０Ｐａであることが好ましく、ガス流量は２０ｓｃｃｍであることが好ましい。マグネトロンスパッタリングステップに注入されるガスは不活性ガス、例えばアルゴンガス、ヘリウムガス、ネオンガス等である。マグネトロンスパッタリングにおけるパラメータを前記パラメータに設置することによって、製作された導電膜は、堆積速度が比較的速く、導電膜における酸化亜鉛、酸化マグネシウム、二酸化ケイ素及び酸化マグネシウムがスパッタリング・ターゲット材における質量百分率に基づいて均一にドーピングされたことを保証する。
【００２８】
本発明実施例の製作方法は、操作が簡単で、条件が穏やかで、原料が安価で、生産率が高く、工業化の生産に非常に適する。
【００２９】
本発明実施例は、さらに前記導電膜の、エレクトロルミネセンス素子、太陽電池または電界効果トランジスタにおける応用を提供する。
【００３０】
以下、具体的な実施例を参照して本発明実施例の製作方法に対して詳細に説明する。
【００３１】
（実施例１）
以下の重量パーセント含有量の成分を均一に混合し、１０００℃の空気環境下で１２時間焼成し、直径が５０ｍｍで、厚さが２ｍｍである円状セラミックスパッタリング・ターゲット材を形成し、且つ該スパッタリング・ターゲット材をマグネトロンスパッタリング装置の真空中空部内に入れ、質量百分率は以下の通り、
ＺｎＯ７７．５％、Ａｌ２Ｏ３１．５％、ＳｉＯ２１％及びＭｇＯ２０％である。
【００３２】
アセトン、無水エタノール及び脱イオン水で石英ガラスを超音波洗浄し、且つ高純度の窒素ガスでブローして乾かし、前記マグネトロンスパッタリング装置の真空中空部に入れる。
【００３３】
該スパッタリング・ターゲット材と石英ガラスとの距離を６０ｍｍに調節し、機械式ポンプ及び分子ポンプを使用して中空部の真空度を６．０×１０−４Ｐａにし、アルゴンガスの流量を２０ｓｃｃｍ、圧力を１．０Ｐａ、石英ガラスの温度を４５０℃に調節し、マグネトロンスパッタリングを行い、２時間堆積して導電膜を得る。
【００３４】
表１から分かるように、抵抗率は７．６×１０〜４Ω・ｃｍである。
【００３５】
（実施例２）
以下の重量パーセント含有量の成分を均一に混合し、１１００℃の空気環境下で１時間焼成し、直径が５０ｍｍ、厚さが２ｍｍである円状セラミックスパッタリング・ターゲット材を形成し、該スパッタリング・ターゲット材をマグネトロンスパッタリング装置の真空中空部内に入れる。質量百分率は以下の通り、
ＺｎＯ９０％、Ａｌ２Ｏ３２％、ＳｉＯ２１％及びＭｇＯ７％である。
【００３６】
アセトン、無水エタノール及び脱イオン水で石英ガラスを超音波洗浄し、且つ高純度の窒素ガスでブローして乾かし、前記マグネトロンスパッタリング装置の真空中空部に入れ、
該スパッタリング・ターゲット材と石英ガラスとの距離を９０ｍｍに調節し、機械式ポンプ及び分子ポンプを使用して中空部の真空度を１．０×１０−３Ｐａにし、アルゴンガスの流量を２５ｓｃｃｍ、圧力を１．５Ｐａ、石英ガラスの温度を８００℃に調節し、マグネトロンスパッタリングを行い、３時間堆積して導電膜を得る。
【００３７】
表１から分かるように、抵抗率は８．５×１０〜４Ω・ｃｍである。
【００３８】
（実施例３）
以下の重量パーセント含有量の成分を均一に混合し、９００℃の空気環境下で２４時間焼成し、直径が５０ｍｍで、厚さが２ｍｍである円状セラミックスパッタリング・ターゲット材を形成し、且つ該スパッタリング・ターゲット材をマグネトロンスパッタリング装置の真空中空部内に入れ、質量百分率は以下の通り、
ＺｎＯ９４％、Ａｌ２Ｏ３０．５％、ＳｉＯ２０．５％及びＭｇＯ５％である。
【００３９】
アセトン、無水エタノール及び脱イオン水で石英ガラスを超音波洗浄し、且つ高純度の窒素ガスでブローして乾かし、前記マグネトロンスパッタリング装置の真空中空部に入れる。
【００４０】
該スパッタリング・ターゲット材と石英ガラスとの距離を５０ｍｍに調節し、機械式ポンプ及び分子ポンプを使用して中空部の真空度を６．０×１０−４Ｐａにし、アルゴンガスの流量を１５ｓｃｃｍ、圧力を０．２Ｐａ、石英ガラスの温度を３００℃に調節し、マグネトロンスパッタリングを行い、１時間堆積して導電膜を得る。
【００４１】
表１から分かるように、抵抗率は１．３５×１０〜３Ω・ｃｍである。
【００４２】
（実施例４）
以下の重量パーセント含有量の成分を均一に混合し、９００℃の空気環境下で１２時間焼成し、直径が５０ｍｍで、厚さが２ｍｍである円状セラミックスパッタリング・ターゲット材を形成し、且つ該スパッタリング・ターゲット材をマグネトロンスパッタリング装置の真空中空部内に入れ、質量百分率は以下の通り、
ＺｎＯ８０％、Ａｌ２Ｏ３３％、ＳｉＯ２１％及びＭｇＯ１６％である。
【００４３】
アセトン、無水エタノール及び脱イオン水で石英ガラスを超音波洗浄し、且つ高純度の窒素ガスでブローして乾かし、前記マグネトロンスパッタリング装置の真空中空部に入れる。
【００４４】
該スパッタリング・ターゲット材と石英ガラスとの距離を５０ｍｍに調節し、機械式ポンプ及び分子ポンプを使用して中空部の真空度を６．０×１０−４Ｐａにし、アルゴンガスの流量を１５ｓｃｃｍ、圧力を０．２Ｐａ、石英ガラスの温度を３００℃に調節し、マグネトロンスパッタリングを行い、１時間堆積して導電膜を得る。
【００４５】
表１から分かるように、抵抗率は２．４５×１０〜３Ω・ｃｍである。
【００４６】
（実施例５）
以下の重量パーセント含有量の成分を均一に混合し、９００℃の空気環境下で２０時間焼成し、直径が５０ｍｍで、厚さが２ｍｍである円状セラミックスパッタリング・ターゲット材を形成し、且つ該スパッタリング・ターゲット材をマグネトロンスパッタリング装置の真空中空部内に入れ、質量百分率は以下の通り、
ＺｎＯ７７．５％、Ａｌ２Ｏ３１．５％、ＳｉＯ２１％及びＭｇＯ２０％である。
【００４７】
アセトン、無水エタノール及び脱イオン水で石英ガラスを超音波洗浄し、且つ高純度の窒素ガスでブローして乾かし、前記マグネトロンスパッタリング装置の真空中空部に入れ、
該スパッタリング・ターゲット材と石英ガラスとの距離を６５ｍｍに調節し、機械式ポンプ及び分子ポンプを使用して中空部の真空度を７．０×１０−４Ｐａにし、アルゴンガスの流量を１８ｓｃｃｍ、圧力を１．３Ｐａ、石英ガラスの温度を４００℃に調節し、マグネトロンスパッタリングを行い、１．５時間堆積して、導電膜を得る。
【００４８】
表１から分かるように、抵抗率は４．７×１０〜３Ω・ｃｍである。
【００４９】
（実施例６）
以下の重量パーセント含有量の成分を均一に混合し、９５０℃の空気環境下で１６時間焼成し、直径が５０ｍｍで、厚さが２ｍｍである円状セラミックスパッタリング・ターゲット材を形成し、且つ該スパッタリング・ターゲット材をマグネトロンスパッタリング装置の真空中空部内に入れ、質量百分率は以下の通り、
ＺｎＯ７３％、Ａｌ２Ｏ３０．５％、ＳｉＯ２１．５％及びＭｇＯ２５％である。
【００５０】
アセトン、無水エタノール及び脱イオン水で石英ガラスを超音波洗浄し、且つ高純度の窒素ガスでブローして乾かし、前記マグネトロンスパッタリング装置の真空中空部に入れ、
該スパッタリング・ターゲット材と石英ガラスとの距離を５０ｍｍに調節し、機械式ポンプ及び分子ポンプを使用して中空部の真空度を６．０×１０−４Ｐａにし、アルゴンガスの流量を２１ｓｃｃｍ、圧力を１．１Ｐａ、石英ガラスの温度を７００℃に調節し、マグネトロンスパッタリングを行い、１．５時間堆積して導電膜を得る。
【００５１】
表１から分かるように、抵抗率は２．７×１０〜３Ω・ｃｍである。
【００５２】
（実施例７）
以下の重量パーセント含有量の成分を均一に混合し、９５０℃の空気環境下で１６時間焼成し、直径が５０ｍｍで、厚さが２ｍｍである円状セラミックスパッタリング・ターゲット材を形成し、且つ該スパッタリング・ターゲット材をマグネトロンスパッタリング装置の真空中空部内に入れ、質量百分率は以下の通り、
ＺｎＯ７０％、Ａｌ２Ｏ３２．５％、ＳｉＯ２２．５％及びＭｇＯ２５％である。
【００５３】
アセトン、無水エタノール及び脱イオン水で石英ガラスを超音波洗浄し、且つ高純度の窒素ガスでブローして乾かし、前記マグネトロンスパッタリング装置の真空中空部に入れ、
該スパッタリング・ターゲット材と石英ガラスとの距離を５０ｍｍに調節し、機械式ポンプ及び分子ポンプを使用して中空部の真空度を１．０×１０−５Ｐａにし、アルゴンガスの流量を２１ｓｃｃｍ、圧力を１．１Ｐａ、石英ガラスの温度を７００℃に調節し、マグネトロンスパッタリングを行い、１．５時間堆積して、導電膜を得る。
【００５４】
表１から分かるように、抵抗率は５×１０〜３Ω・ｃｍである。
【００５５】
【表１】
2014500403.tif 000003
【００５６】
以上に説明したのは本発明の好適な実施例のみであり、本発明を制限することに用いられるものではなく、本発明の主旨及び原則範囲内において行われた全ての修正、同等な入れ替え及び改良等は、共に本発明の保護範囲内に含まれるべきである。
【図１】
2014500403.tif 000004
【図２】
2014500403.tif 000005
【図３】
2014500403.tif 000006
【国際調査報告】
2014500403.tif 000007
2014500403.tif 000008
2014500403.tif 000009
2014500403.tif 000010
2014500403.tif 000011
2014500403.tif 000012