(57)【要約】  発光素子と、駆動トランジスタと、第１のスイッチトランジスタと、第２のスイッチトランジスタと、第３のスイッチトランジスタと、第４のスイッチトランジスタと、第１のコンデンサと、第２のコンデンサとを有する画素ユニット駆動回路であって、駆動トランジスタのドレイン電極は電源に接続され、第１のスイッチトランジスタのゲート電極は制御ラインに接続され、第１の電極は電源に接続され、第２の電極は駆動トランジスタのゲート電極に接続され、第２のスイッチトランジスタのゲート電極は制御ラインに接続され、第１の電極は駆動トランジスタのソース電極に接続され、第２の電極は第４のスイッチトランジスタのソース電極に接続され、第３のスイッチトランジスタのゲート電極は制御ラインに接続される。
2014534471.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光素子と、駆動トランジスタと、第１のスイッチトランジスタと、第２のスイッチトランジスタと、第３のスイッチトランジスタと、第４のスイッチトランジスタと、第１のコンデンサと、第２のコンデンサとを有する画素ユニット駆動回路であって、
前記駆動トランジスタはソース電極と、ドレイン電極と、ゲート電極とを有し、前記第１のスイッチトランジスタ、第２のスイッチトランジスタ、第３のスイッチトランジスタはそれぞれゲート電極と、第１の電極と、第２の電極とを有し、前記第４のスイッチトランジスタはソース電極と、ドレイン電極と、ゲート電極とを有し、
前記駆動トランジスタのドレイン電極は電源に接続され、
前記第１のスイッチトランジスタのゲート電極は制御ラインに接続され、第１の電極は前記電源に接続され、第２の電極は前記駆動トランジスタのゲート電極に接続され、
前記第２のスイッチトランジスタのゲート電極は制御ラインに接続され、第１の電極は前記駆動トランジスタのソース電極に接続され、第２の電極は前記第４のスイッチトランジスタのソース電極に接続され、
前記第３のスイッチトランジスタのゲート電極は制御ラインに接続され、第１の電極は前記発光素子の一端に接続され、第２の電極は前記駆動トランジスタのソース電極に接続され、
前記第４のスイッチトランジスタのゲート電極はスキャンラインに接続され、ドレイン電極はデータラインに接続され、ソース電極は前記第２のスイッチトランジスタの第２の電極に接続され、
前記第１のコンデンサの一端は前記駆動トランジスタのゲート電極に接続され、他端は前記第４のスイッチトランジスタのソース電極に接続され、
前記第２のコンデンサの一端は前記第４のスイッチトランジスタのソース電極に接続され、前記第２のコンデンサの他端は前記発光素子の他端に接続され、且つ接地される画素ユニット駆動回路。
【請求項２】
前記駆動トランジスタ、前記第３のスイッチトランジスタ、前記第４のスイッチトランジスタはＮ型薄膜トランジスタであり、
前記第１のスイッチトランジスタ、前記第２のスイッチトランジスタはＰ型薄膜トランジスタであり、各スイッチトランジスタの前記第１の電極はいずれもソース電極であり、各スイッチトランジスタの前記第２の電極はいずれもドレイン電極である請求項１に記載の駆動回路。
【請求項３】
前記駆動トランジスタ、前記第１のスイッチトランジスタ、前記第２のスイッチトランジスタ、前記第４のスイッチトランジスタはＮ型薄膜トランジスタであり、
前記第３のスイッチトランジスタはＰ型トランジスタであり、各スイッチトランジスタの前記第１の電極はいずれもドレイン電極であり、各スイッチトランジスタの前記第２の電極はいずれもソース電極である請求項１に記載の駆動回路。
【請求項４】
前記発光素子は有機発光ダイオードである請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の駆動回路。
【請求項５】
表示装置であって、請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の画素ユニット駆動回路を備える表示装置。
【請求項６】
画素ユニットの駆動方法であって、
第１のスイッチトランジスタと第２のスイッチトランジスタをオンし、同時に第３のスイッチトランジスタと第４のスイッチトランジスタをオフすることにより第１のコンデンサを充電するステップと、
前記第１のコンデンサの両端の電圧が駆動トランジスタのオン電圧になったとき、前記第１のスイッチトランジスタと前記第２のスイッチトランジスタをオフし、同時に前記第３のスイッチトランジスタと前記第４のスイッチトランジスタをオンすることにより発光素子の発光を開始させるステップと、
前記第１のスイッチトランジスタと前記第２のスイッチトランジスタのオフ、及び前記第３のスイッチトランジスタのオンを維持させ、且つ前記第４のスイッチトランジスタをオフすることにより、前記発光素子の発光を維持させるステップとを有する画素ユニットの駆動方法。
【請求項７】
前記駆動トランジスタ、前記第３のスイッチトランジスタ、前記第４のスイッチトランジスタはＮ型薄膜トランジスタであり、
前記第１のスイッチトランジスタ、前記第２のスイッチトランジスタはＰ型薄膜トランジスタであり、各スイッチトランジスタの前記第１の電極はいずれもソース電極であり、各スイッチトランジスタの前記第２の電極はいずれもドレイン電極であり、
前記第１のスイッチトランジスタと前記第２のスイッチトランジスタをオンし、同時に前記第３のスイッチトランジスタと前記第４のスイッチトランジスタをオフするステップは、
制御ラインとスキャンラインを通じて低レベルを入力するステップを有し、
前記第１のスイッチトランジスタと前記第２のスイッチトランジスタをオフし、同時に前記第３のスイッチトランジスタと前記第４のスイッチトランジスタをオンするステップは、
制御ラインとスキャンラインを通じて高レベルを入力するステップを有し、
第１のスイッチトランジスタと第２のスイッチトランジスタのオフ、及び第３のスイッチトランジスタのオンを維持させ、且つ第４のスイッチトランジスタをオフするステップは、
制御ラインを通じて高レベルを入力し、同時にスキャンラインを通じて低レベルを入力するステップを有する請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記駆動トランジスタ、前記第１のスイッチトランジスタ、前記第２のスイッチトランジスタ、前記第４のスイッチトランジスタはＮ型薄膜トランジスタであり、
前記第３のスイッチトランジスタはＰ型トランジスタであり、各スイッチトランジスタの前記第１の電極はいずれもドレイン電極であり、各スイッチトランジスタの前記第２の電極はいずれもソース電極であり、
前記第１のスイッチトランジスタと前記第２のスイッチトランジスタをオンし、同時に前記第３のスイッチトランジスタと前記第４のスイッチトランジスタをオフするステップは、
制御ラインを通じて高レベルを入力し、同時にスキャンラインを通じて低レベルを入力するステップを有し、
前記第１のスイッチトランジスタと前記第２のスイッチトランジスタをオフし、同時に前記第３のスイッチトランジスタと前記第４のスイッチトランジスタをオンするステップは、
制御ラインを通じて低レベルを入力し、同時にスキャンラインを通じて高レベルを入力するステップを有し、
前記第１のスイッチトランジスタと前記第２のスイッチトランジスタのオフ、及び第３のスイッチトランジスタのオンを維持させ、且つ前記第４のスイッチトランジスタをオフするステップは、
制御ラインを通じて低レベルを入力し、同時にスキャンラインを通じて低レベルを入力するステップを有する請求項６に記載の方法。
【請求項９】
前記発光素子は有機発光ダイオードである請求項６ないし請求項８のいずれかに記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は表示技術に関するものであり、特に画素ユニット駆動回路及びその駆動方法、表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
科学技術の発展に伴い、電子表示技術も絶えず更新代替されている。ＯＬＥＤ（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｌｉｇｈｔ−Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ、有機発光ダイオード）は次世代の表示素子として、薄くて軽い、コントラストが高い、反応速度が速いなどという利点を有し、携帯電話、ノート型パソコン、壁掛けテレビなどの電子機器に広く応用されている。ＯＬＥＤは、駆動方式によって、ＰＭＯＬＥＤ（Ｐａｓｓｉｖｅ  Ｍａｔｒｉｘ  Ｄｒｉｖｉｎｇ  ＯＬＥＤ、パッシブマトリックス駆動有機発光ダイオード）とＡＭＯＬＥＤ（Ａｃｔｉｖｅ  Ｍａｔｒｉｘ  Ｄｒｉｖｉｎｇ  ＯＬＥＤ、アクティブマトリックス駆動有機発光ダイオード）の二種類に分けられる。アクティブマトリックス駆動方式は高品質な表示を実現できるため、情報量が大きい表示にかなり広く応用されている。
【０００３】
図１に示すように、従来のＡＭＯＬＥＤの画素ユニット回路は、スイッチトランジスタＴと，駆動トランジスタＤＴＦＴと、ＯＬＥＤと、コンデンサＣとを有する。スイッチトランジスタＴのゲート電極はスキャンラインに接続され、ドレイン電極はデータラインに接続され、ソース電極は駆動トランジスタＤＴＦＴのゲート電極に接続される。駆動トランジスタＤＴＦＴのドレイン電極は電源ＶＤＤに接続され、ソース電極はＯＬＥＤを通じて接地され、コンデンサＣは駆動トランジスタＤＴＦＴのゲート電極とドレイン電極の間に接続される。このような従来の画素ユニット駆動回路において、ＯＬＥＤに流れる電流は、駆動トランジスタＤＴＦＴのオン電圧Ｖｔｈと関係する。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ＡＭＯＬＥＤが発光できるのは、駆動ＴＦＴ即ちＤＴＦＴが飽和状態の時に発生する電流によって駆動されるからである。ＬＴＰＳ（Ｌｏｗ  Ｔｅｍｐｒａｔｕｒｅ  Ｐｏｌｙ−ｓｉｌｉｃｏｎ，低温多結晶シリコン）の製造プロセスにおいて、駆動トランジスタＤＴＦＴのオン電圧Ｖｔｈの均一性は非常に悪く、同時にオン電圧Ｖｔｈにドリフトが生じることもあり、図１に示す駆動回路において、同一のグレーレベル電圧が入力された場合、異なるオン電圧Ｖｔｈでは異なる駆動電流が発生し、電流の不安定を引き起こし、ＯＬＥＤに流れる電流も不均一なものとなり、よってＯＬＥＤの輝度も不均一になってしまう。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の実施例は、画素ユニット駆動回路及びその駆動方法、表示装置を提供し、発光素子に流れる電流を均一にさせ、以って発光素子の輝度を均一にさせる。
【０００６】
本発明の一実施例は、発光素子と、駆動トランジスタと、第１のスイッチトランジスタと、第２のスイッチトランジスタと、第３のスイッチトランジスタと、第４のスイッチトランジスタと、第１のコンデンサと、第２のコンデンサとを有する画素ユニット駆動回路であって、
前記駆動トランジスタはソース電極と、ドレイン電極と、ゲート電極とを有し、前記第１のスイッチトランジスタ、第２のスイッチトランジスタ、第３のスイッチトランジスタはそれぞれゲート電極と、第１の電極と、第２の電極とを有し、前記第４のスイッチトランジスタはソース電極と、ドレイン電極と、ゲート電極とを有し、
前記駆動トランジスタのドレイン電極は電源に接続され、
前記第１のスイッチトランジスタのゲート電極は制御ラインに接続され、第１の電極は前記電源に接続され、第２の電極は前記駆動トランジスタのゲート電極に接続され、
前記第２のスイッチトランジスタのゲート電極は制御ラインに接続され、第１の電極は前記駆動トランジスタのソース電極に接続され、第２の電極は前記第４のスイッチトランジスタのソース電極に接続され、
前記第３のスイッチトランジスタのゲート電極は制御ラインに接続され、第１の電極は前記発光素子の一端に接続され、第２の電極は前記駆動トランジスタのソース電極に接続され、
前記第４のスイッチトランジスタのゲート電極はスキャンラインに接続され、ドレイン電極はデータラインに接続され、ソース電極は前記第２のスイッチトランジスタの第２の電極に接続され、前記第１のコンデンサの一端は前記駆動トランジスタのゲート電極に接続され、前記第１のコンデンサの他端は前記第４のスイッチトランジスタのソース電極に接続され、
前記第２のコンデンサの一端は前記第４のスイッチトランジスタのソース電極に接続され、前記第２のコンデンサの他端は前記発光素子の他端に接続され、且つ接地される画素ユニット駆動回路。
【０００７】
本発明のもう一つの実施例は、画素ユニットの駆動方法であって、
画素ユニットの駆動方法であって、
第１のスイッチトランジスタと第２のスイッチトランジスタをオンし、同時に第３のスイッチトランジスタと第４のスイッチトランジスタをオフすることにより第１のコンデンサを充電するステップと、前記第１のコンデンサの両端の電圧が駆動トランジスタのオン電圧になったとき、前記第１のスイッチトランジスタと前記第２のスイッチトランジスタをオフし、同時に前記第３のスイッチトランジスタと前記第４のスイッチトランジスタをオンすることにより発光素子の発光を開始させるステップと、
前記第１のスイッチトランジスタと前記第２のスイッチトランジスタのオフ、及び前記第３のスイッチトランジスタのオンを維持させ、且つ前記第４のスイッチトランジスタをオフすることにより、前記発光素子の発光を維持させるステップとを有する画素ユニットの駆動方法。
【０００８】
好ましくは、本発明の一実施例であって、駆動トランジスタ、第３のスイッチトランジスタ、第４のスイッチトランジスタはＮ型薄膜トランジスタであり、第１のスイッチトランジスタ、第２のスイッチトランジスタはＰ型薄膜トランジスタであり、各スイッチトランジスタの第１の電極はいずれもソース電極であり、各スイッチトランジスタの第２の電極はいずれもドレイン電極である。
【０００９】
好ましくは、本発明の一実施例であって、第１のスイッチトランジスタと第２のスイッチトランジスタをオンし、同時に第３のスイッチトランジスタと第４のスイッチトランジスタをオフするステップは、制御ラインとスキャンラインを通じて低レベルを入力するステップを有し、第１のスイッチトランジスタと第２のスイッチトランジスタをオフし、同時に第３のスイッチトランジスタと第４のスイッチトランジスタをオンするステップは、制御ラインとスキャンラインを通じて高レベルを入力するステップを有し、第１のスイッチトランジスタと第２のスイッチトランジスタのオフ、及び第３のスイッチトランジスタのオンを維持させ、且つ第４のスイッチトランジスタをオフするステップは、制御ラインを通じて高レベルを入力し、同時にスキャンラインを通じて低レベルを入力するステップを有する。
【００１０】
好ましくは、本発明の一実施例であって、駆動トランジスタ、第１のスイッチトランジスタ、第２のスイッチトランジスタ、第４のスイッチトランジスタはＮ型薄膜トランジスタであり、第３のスイッチトランジスタはＰ型トランジスタであり、各スイッチトランジスタの第１の電極はいずれもドレイン電極であり、各スイッチトランジスタの第２の電極はいずれもソース電極である。
【００１１】
好ましくは、本発明の一実施例であって、第１のスイッチトランジスタと第２のスイッチトランジスタをオンし、同時に第３のスイッチトランジスタと第４のスイッチトランジスタをオフするステップは、制御ラインを通じて高レベルを入力し、同時にスキャンラインを通じて低レベルを入力するステップを有し、第１のスイッチトランジスタと第２のスイッチトランジスタをオフし、同時に第３のスイッチトランジスタと第４のスイッチトランジスタをオンするステップは、制御ラインを通じて低レベルを入力し、同時にスキャンラインを通じて高レベルを入力するステップを有し、第１のスイッチトランジスタと第２のスイッチトランジスタのオフ、及び第３のスイッチトランジスタのオンを維持させ、且つ第４のスイッチトランジスタをオフするステップは、制御ラインを通じて低レベルを入力し、同時にスキャンラインを通じて低レベルを入力するステップを有する。
【００１２】
本発明の実施例が提供する画素ユニット駆動回路及びその駆動方法、表示装置によれば、前記画素ユニット駆動回路は複数のスイッチトランジスタと複数のコンデンサを使用し、スイッチトランジスタのオン、オフをコンデンサの充電と歩調させて画素ユニット回路のステップごとの駆動を実現し、駆動トランジスタの駆動電流を駆動トランジスタのオン電圧Ｖｔｈと無関係にさせ、発光素子に流れる電流の均一化を確保し、以って発光素子の輝度の均一化を確保する目的を果たす。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
本発明の実施例または従来技術の技術案を更に明瞭に説明するために、以下に実施例または従来技術の説明において必要な図面を簡単に紹介する。当然ながら、以下の説明における図面は本発明のいくつかの実施例に過ぎず、当業者としては、創造的労働を要しないことを前提に、これらの図面に基づいて他の図面を得ることができる。
【００１４】
【図１】従来技術の画素ユニット駆動回路の構造を示す模式図である。
【図２】本発明の実施例が提供する画素ユニット駆動回路の一つの構造を示す模式図である。
【図３】図２に示す画素ユニット回路を駆動する場合における各信号ラインのシーケンス図である。
【図４】図２に示す画素ユニット回路の補償段階における同価回路を示す模式図である。
【図５】図２に示す画素ユニット回路のＯＬＥＤ発光開始段階における同価回路を示す模式図である。
【図６】図２に示す画素ユニット回路のＯＬＥＤ発光維持段階における同価回路を示す模式図である。
【図７】本発明の実施例が提供する画素ユニット駆動回路のもう一つの構造を示す模式図である。
【図８】図７に示す画素ユニット回路を駆動する場合における各信号ラインのシーケンス図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
本発明の実施例における図面を用いて、以下に本発明の実施例の技術案について明瞭且つ全体的に説明する。当然ながら、説明する実施例は本発明の一部の実施例に過ぎず、すべての実施例ではない。当業者が創造的労働を経ないことを前提に本発明の実施例に基づいて得られる他のいかなる実施例も、本発明の保護範囲に含まれるものとする。
【００１６】
図２は本発明の実施例が提供する一つの画素ユニット駆動回路の構造を示す模式図である。図２に示すように、本実施例が提供する画素ユニット駆動回路は、
発光素子ＯＬＥＤと、駆動トランジスタＤＴＦＴと、第１のスイッチトランジスタＴ１と、第２のスイッチトランジスタＴ２と、第３のスイッチトランジスタＴ３と、第４のスイッチトランジスタＴ４と、第１のコンデンサＣ１と、第２のコンデンサＣ２を有する。
【００１７】
なお、本発明の実施例において、「スイッチトランジスタ」とは、スイッチの機能を果たす薄膜トランジスタを指し、「駆動トランジスタ」とは、発光素子の発光を駆動する機能を果たす薄膜トランジスタを指す。
【００１８】
本実施例において、第１のスイッチトランジスタＴ１、第２のスイッチトランジスタＴ２はＰ型薄膜トランジスタであり、第３のスイッチトランジスタＴ３、第４のスイッチトランジスタＴ４、駆動トランジスタＤＴＦＴはＮ型薄膜トランジスタであり、駆動トランジスタＤＴＦＴと各スイッチトランジスタはいずれもソース電極と、ドレイン電極と、ゲート電極を有する。
【００１９】
図２に示すように、駆動トランジスタＤＴＦＴは発光素子ＯＬＥＤの発光を駆動し、駆動トランジスタＤＴＦＴのドレイン電極は電源ＶＤＤに接続される。
【００２０】
第１のスイッチトランジスタＴ１のゲート電極は制御ラインＣＲ１に接続され、ソース電極（第１の電極）は電源ＶＤＤに接続され、ドレイン電極（第２の電極）は駆動トランジスタＤＴＦＴのゲート電極に接続される。
【００２１】
第２のスイッチトランジスタＴ２のゲート電極は制御ラインＣＲ１に接続され、ソース電極（第１の電極）は駆動トランジスタＤＴＦＴのソース電極に接続され、ドレイン電極（第２の電極）は第４のスイッチトランジスタＴ４のソース電極に接続される。
【００２２】
第３のスイッチトランジスタＴ３のゲート電極は制御ラインＣＲ１に接続され、ソース電極（第１の電極）は発光素子ＯＬＥＤの一端に接続され、ドレイン電極（第２の電極）は駆動トランジスタＤＴＦＴのソース電極に接続される。
【００２３】
第４のスイッチトランジスタＴ４のゲート電極はスキャンラインに接続され、ドレイン電極はデータラインに接続され、ソース電極は第２のスイッチトランジスタＴ２のドレイン電極に接続される。
【００２４】
第１のコンデンサＣ１のＡ端は駆動トランジスタＤＴＦＴのゲート電極に接続され、即ち第１スイッチトランジスタＴ１のドレイン電極にも接続され、第１のコンデンサＣ１のＢ端は第４のスイッチトランジスタＴ４のソース電極に接続され、即ち第２スイッチトランジスタＴ２のドレイン電極にも接続される。
【００２５】
第２のコンデンサＣ２の一端は第４のスイッチトランジスタＴ４のソース電極に接続され、即ち第１のコンデンサＣ１のＢ端及び第２スイッチトランジスタＴ２のドレイン電極にも接続され、第２のコンデンサＣ２の他端は発光素子ＯＬＥＤの他端に接続され、且つ接地される。
【００２６】
以下図２に示す画素ユニット回路の駆動方法について図面３−６を用いて詳しく説明する。
【００２７】
駆動を行うとき、図２に示す画素ユニット回路は補償段階、ＯＬＥＤ発光開始段階、ＯＬＥＤ発光維持段階の三つの駆動段階に別れる。図３は図２に示す画素ユニット回路を駆動する場合に各信号ラインのシーケンス図である。図３に示すように、図面においてマルイチ（図中では丸の記号の中に「１」が入っている符号）、マルニ（図中では丸の記号の中に「２」が入っている符号）、マルサン（図中では丸の記号の中に「３」が入っている符号）はそれぞれ補償段階、ＯＬＥＤ発光開始段階、ＯＬＥＤ発光維持段階に対応して表示している。図２に示す画素ユニット駆動回路の駆動方法は以下のとおりである。
【００２８】
第１の段階：補償段階。第１のスイッチトランジスタＴ１、第２のスイッチトランジスタＴ２をオンし、同時に第３のスイッチトランジスタＴ３と第４のスイッチトランジスタＴ４をオフすることにより第１のコンデンサＣ１を充電し、図２に示す画素ユニット駆動回路は第１の段階に入る。
【００２９】
この段階は、駆動トランジスタＤＴＦＴのオン電圧Ｖｔｈを第１のコンデンサＣ１に書き込み、第１のコンデンサＣ１の両端の電圧を駆動トランジスタＤＴＦＴのオン電圧Ｖｔｈにさせることを目的とする。この段階では、第１のスイッチトランジスタＴ１、第２のスイッチトランジスタＴ２をオンし、同時に第３のスイッチトランジスタＴ３と第４のスイッチトランジスタＴ４をオフする。具体的な実現方法として、第１のスイッチトランジスタＴ１、第２のスイッチトランジスタＴ２、第３のスイッチトランジスタＴ３はいずれも制御ラインＣＲ１の制御を受け、第４のスイッチトランジスタＴ４はスキャンラインの制御を受け、且つ第１のスイッチトランジスタＴ１と第２のスイッチトランジスタＴ２はＰ型薄膜トランジスタであり、第３のスイッチトランジスタＴ３と第４のスイッチトランジスタＴ４はＮ型薄膜トランジスタであり、Ｐ型薄膜トランジスタは低レベルのときにオンし、高レベルのときにオフし、Ｎ型薄膜トランジスタは高レベルのときにオンし、低レベルのときにオフするものであるため、図３のマルイチ（図中では丸の記号の中に「１」が入っている符号）に示すように、制御ラインＣＲ１とスキャンラインを低レベルにすれば、制御ラインＣＲ１を通じて入力された低レベルは第１のスイッチトランジスタＴ１、第２のスイッチトランジスタＴ２をオンさせ、第３のスイッチトランジスタＴ３をオフさせ、同時にスキャンラインを通じて入力された低レベルは第４のスイッチトランジスタＴ４をオフさせる。このとき、図２に示す回路は実際には図４に示す回路と同価になる。図4に示すように、トランジスタＤＴＦＴは実際には飽和状態に入ったダイオードとなり、この段階において電源ＶＤＤは、駆動トランジスタＤＴＦＴを通じて、駆動トランジスタＤＴＦＴのゲート・ソース電圧即ちＡ点、Ｂ点間の電圧差分がＶｔｈになるまで第２のコンデンサＣ２を充電する。ただし、Ｖｔｈは駆動トランジスタＤＴＦＴのオン電圧を示す。
【００３０】
このとき、Ａ点の電位は
ＶＡ  ＝  ＶＤＤ             （１）
となり、Ａ点、Ｂ点間の電圧がＶｔｈであるため、Ｂ点の電位は、
ＶＢ  ＝  ＶＤＤ−Ｖｔｈ           （２）
となる。
式（１）と（２）によってコンデンサC1の両端の電圧が得られる。
VC1=VA-VB=VDD-(VDD-Vth)=Vth。              （３）
【００３１】
第２の段階：ＯＬＥＤ発光開始段階。第１のコンデンサＣ１の両端の電圧が駆動トランジスタＤＴＦＴのオン電圧Ｖｔｈになったとき、第１のスイッチトランジスタＴ１と第２のスイッチトランジスタＴ２をオフし、同時に第３のスイッチトランジスタＴ３と第４のスイッチトランジスタＴ４をオンすることにより第２のコンデンサＣ２を充電し、発光素子に発光を開始させ、第２に示す回路は第２の段階に入る。
【００３２】
この段階はデータラインの電圧Ｖｄａｔａを第２のコンデンサＣ２に書き込み、駆動トランジスタＤＴＦＴのゲート電極電圧をＶｄａｔａ＋Ｖｔｈにさせることを目的とする。
【００３３】
この段階において、第１のスイッチトランジスタＴ１と第２のスイッチトランジスタＴ２をオフし、同時に第３のスイッチトランジスタＴ３と第４のスイッチトランジスタＴ４をオンする。具体的な実現方法として、図３のマルニ（図中では丸の記号の中に「２」が入っている符号）に示すように、制御ラインＣＲ１とスキャンラインを通じてに高レベルを入力し、第１のスイッチトランジスタＴ１、第２のスイッチトランジスタＴ２をオフし、第３のスイッチトランジスタＴ３と第４のスイッチトランジスタＴ４をオンすることで、データラインの電圧Ｖｄａｔａを第２のコンデンサＣ２に書き込むことができる。このとき、図２に示す回路は実際には図５に示す回路と同価になる。図５に示すように、この段階では、Ｂ点の電位はＶＢ＝Ｖｄａｔａとなり、コンデンサＣ２の両端の電圧はＶＣ２＝ＶＢ＝Ｖｄａｔａとなる。コンデンサＣ１の両端の電圧は突然変化できないため、Ａ点の電位は
ＶＡ＝ＶＢ＋ＶＣ１＝Ｖｄａｔａ＋Ｖｔｈ         （４）
となる。
【００３４】
同時に、コンデンサＣ１のＡ端電圧は発光素子ＯＬＥＤを駆動するよう駆動トランジスタＤＴＦＴを制御し、これにより発光素子ＯＬＥＤに発光を開始させることできる。
式（４）から、駆動トランジスタＤＴＦＴのゲート電極電圧は
Ｖｇｓ＝ＶＡ―Ｖｏｌｅｄ＝Ｖｄａｔａ＋Ｖｔｈ−Ｖｏｌｅｄ   （５）
【００３５】
式（５）から、ＯＬＥＤに流れる電流は
Ｉ＝Ｋ（Ｖｇｓ―Ｖｔｈ）２＝Ｋ（Ｖｄａｔａ＋Ｖｔｈ―Ｖｏｌｅｄ―Ｖｔｈ）２＝Ｋ（Ｖｄａｔａ―Ｖｏｌｅｄ）２          （６）
となる。
【００３６】
ただし、Ｋ＝μeff*Cox*(W/L)/２であり、μeffはＤＴＦＴの有効キャリヤ移動度を示し、Ｃｏｘは駆動トランジスタＤＴＦＴのゲート絶縁層の誘電率を示し、Ｗ/Ｌは駆動トランジスタＤＴＦＴのチャネル幅とチャネル長の比であり、Ｗはチャネル幅であり、Ｌはチャネル長である。
【００３７】
第３の段階：ＯＬＥＤ発光維持段階。第２の段階を経た後、即ち発光素子ＯＬＥＤは発光を開始した後、第１のスイッチトランジスタＴ１と第２のスイッチトランジスタＴ２のオフ、及び第３のスイッチトランジスタＴ３のオンを維持させ、且つ第４のスイッチトランジスタＴ４をオフすることにより、発光素子の発光を維持させ、この時に図２の示す回路は第３の段階に入る。
【００３８】
この段階では、第１のスイッチトランジスタＴ１と第２のスイッチトランジスタＴ２のオフ、及び第３のスイッチトランジスタＴ３のオンを維持させ、同時に第４のスイッチトランジスタＴ４をオフする。具体的な実現方法として、図３のマルサン（図中では丸の記号の中に「３」が入っている符号）に示すように、制御ラインＣＲ１を通じて高レベルを入力し、スキャンラインを通じて低レベルを入力し、第１のスイッチトランジスタＴ１、第２のスイッチトランジスタＴ２、第４のスイッチトランジスタＴ４をオフし、第３のスイッチトランジスタＴ３をオンする。このとき、図２に示す回路は実際には図６に示す回路と同価になる。図６に示すように、第１のコンデンサＣ１、第２のコンデンサＣ２は放電または充電するルートがないため、電荷保存則に基づき、電荷を消耗する回路が存在せず、故に第１のコンデンサＣ１、第２のコンデンサＣ２の電荷と両端の電圧はいずれも変化せず、即ちＶｃ２＝Ｖｄａｔａ、Ｖｃ１＝Ｖｔｈ、ＶＢ＝Ｖｄａｔａ、ＶＡ＝Ｖｄａｔａ＋Ｖｔｈとなる。Ａ端の電圧が変わらないため、発光素子ＯＬＥＤに流れる電流はＩ＝Ｋ（Ｖｄａｔａ―Ｖｏｌｅｄ）２に維持され、発光素子ＯＬＥＤは第２段階のデータ電圧書き込み時の発光状態を維持する。
【００３９】
このように、計算式（６）より発光素子ＯＬＥＤに流れる電流には駆動トランジスタＤＴＦＴのオン電圧Ｖｔｈが含まれず、即ち、発光素子ＯＬＥＤに流れる電流は駆動トランジスタＤＴＦＴのオン電圧Ｖｔｈと無関係であり、よって上述の三段階の操作を経れば、発光素子ＯＬＥＤの駆動トランジスタＤＴＦＴのオン電圧Ｖｔｈの不均一またはドリフトによる影響を除去することができ、以って、電流の均一性を改善し、輝度を均一にする目的を果たすことができる。
【００４０】
本発明の画素ユニット駆動回路の実施例は、上述した画素ユニットの駆動方法と組み合わせれば、発光素子ＯＬＥＤに流れる電流を駆動トランジスタＤＴＦＴのオン電圧Ｖｔｈと無関係とさせることができ、よって、駆動トランジスタＤＴＦＴのオン電圧Ｖｔｈの不均一またはドリフトの発光素子ＯＬＥＤに対する影響を除去することができ、以って、発光素子ＯＬＥＤを通過する電流の均一性を改善し、ＯＬＥＤの輝度を均一にする目的を果たすことができる。
【００４１】
なお、図２に示す画素ユニット駆動回路の実施例は本発明の範囲における一実施例に過ぎず、当業者が本発明の精神により容易に相当できる他の類似する実施例は、本発明の保護範囲に含まれる。
【００４２】
例えば、図２に示す発光素子は発光ダイオードＬＥＤであってもよい。
【００４３】
例えば、上記の実施例において、第１のスイッチトランジスタＴ１と第２のスイッチトランジスタＴ２はいずれもＰ型薄膜トランジスタであり、Ｔ３はＮ型薄膜トランジスタであってもよい。本発明のもう一つの実施例において、例えば、第１のスイッチトランジスタＴ１と第２のスイッチトランジスタＴ２はいずれもＮ型薄膜トランジスタであってもよく、Ｔ３はＰ型薄膜トランジスタであってもよく、これらの接続関係は図７に示すとおりである。
【００４４】
図７に示す実施例において、駆動トランジスタＤＴＦＴのドレイン電極は電源ＶＤＤに接続される。
【００４５】
第１のスイッチトランジスタＴ１のゲート電極は制御ラインＣＲ１に接続され、ドレイン電極（第１の電極）は電源ＶＤＤに接続され、ソース電極（第２の電極）は駆動トランジスタＤＴＦＴのゲート電極に接続される。
【００４６】
第２のスイッチトランジスタＴ２のゲート電極は制御ラインＣＲ１に接続され、ドレイン電極（第１の電極）は駆動トランジスタＤＴＦＴのソース電極に接続され、ソース電極（第２の電極）は第４のスイッチトランジスタＴ４のソース電極に接続される。
【００４７】
第３のスイッチトランジスタＴ３のゲート電極は制御ラインＣＲ１に接続され、ドレイン電極（第１の電極）は発光素子ＯＬＥＤの一端に接続され、ソース電極（第２の電極）は駆動トランジスタＤＴＦＴのソース電極に接続される。
【００４８】
第４のスイッチトランジスタＴ４のゲート電極はスキャンラインに接続され、ドレイン電極はデータラインに接続され、ソース電極（第２の電極）は第２のスイッチトランジスタＴ２のソース電極に接続される。
【００４９】
第１のコンデンサＣ１のＡ端は駆動トランジスタＤＴＦＴのゲート電極に接続され、即ち第１のスイッチトランジスタＴ１のソース電極にも接続され、第１のコンデンサＣ１のＢ端はそれぞれ第４のスイッチトランジスタＴ４のソース電極に接続され、即ち第２スイッチトランジスタＴ２のドレイン電極にも接続される。
【００５０】
第２のコンデンサＣ２の一端は第４のスイッチトランジスタＴ４のソース電極に接続され、即ち第１のコンデンサＣ１のＢ端及び第２スイッチトランジスタＴ２のソース電極にも接続され、第２のコンデンサＣ２の他端は発光素子ＯＬＥＤの他端に接続され、且つ接地される。
【００５１】
図７に示す実施例は図２に示す実施例と類似しているが、図７に示す実施例において、第１のスイッチトランジスタＴ１と第２のスイッチトランジスタＴ２は、図２に示すＰ型薄膜トランジスタからＮ型薄膜トランジスタに変わり、第３のスイッチトランジスタは、図２に示すＮ型薄膜トランジスタからＰ型薄膜トランジスタに変わっている点で異なる。
【００５２】
当業者は、図２に示す実施例の説明から、図７に示す実施例を容易に理解できるため、ここでは簡潔に説明する。
【００５３】
図２と類似するように、図７に示す画素ユニット駆動回路は駆動を行うとき、補償段階、ＯＬＥＤ発光開始段階及びＯＬＥＤ発光維持段階の三段階に分かれる。図８は図７に示す画素ユニット回路を駆動するときの各信号ラインのシーケンス図である。図８に示すように、図面において、マルイチ（図中では丸の記号の中に「１」が入っている符号）、マルニ（図中では丸の記号の中に「２」が入っている符号）、マルサン（図中では丸の記号の中に「３」が入っている符号）はそれぞれ補償段階、ＯＬＥＤ発光開始段階、ＯＬＥＤ発光維持段階に対応して表示している。
【００５４】
補償段階において、制御ラインＣＲ１を通じて高レベルを入力し、スキャンラインを通じて低レベルを入力することによって第１のスイッチトランジスタＴ１と第２のスイッチトランジスタＴ２をオンし、同時に第３のスイッチトランジスタＴ３と第４のスイッチトランジスタＴ４をオフすることにより第１のコンデンサＣ１を充電する。このとき図７に示す回路は実際には図４に示す回路と同価になる。
【００５５】
ＯＬＥＤ発光開始段階において、つまり、第１のコンデンサＣ１の両端の電圧が駆動トランジスタＤＴＦＴのオン電圧Ｖｔｈになったとき、制御ラインＣＲ１を通じて低レベルを入力し、スキャンラインを通じて高レベルを入力することによって、第１のスイッチトランジスタＴ１と第２のスイッチトランジスタＴ２をオフし、且つ第３のスイッチトランジスタＴ３と第４のスイッチトランジスタＴ４をオンして第２のコンデンサＣ２を充電し、発光素子ＯＬＥＤに発光を開始させる。このとき図７に示す回路は実際には図５に示す回路と同価になる。
【００５６】
ＯＬＥＤ発光維持段階において、つまり、発光素子ＯＬＥＤが発光を開始した後、制御ラインＣＲ１を通じて低レベルを入力し、スキャンラインを通じて低レベルを入力することによって、第１のスイッチトランジスタＴ１と第２のスイッチトランジスタＴ２のオフ、及び第３のスイッチトランジスタＴ３のオンを維持させ、同時第４のスイッチトランジスタＴ４をオフすることにより、発光素子の発光を維持させる。このとき図７に示す回路は実際には図６に示す回路と同価になる。
【００５７】
このように、計算式（６）により発光素子ＯＬＥＤに流れる電流を計算し、発光素子ＯＬＥＤに流れる電流には駆動トランジスタＤＴＦＴのオン電圧Ｖｔｈが含まれず、即ち、発光素子ＯＬＥＤに流れる電流は駆動トランジスタＤＴＦＴのオン電圧Ｖｔｈと無関係であり、よって上述の三段階の操作を経れば、発光素子ＯＬＥＤの駆動トランジスタＤＴＦＴのオン電圧Ｖｔｈの不均一またはオフセットによる影響を除去することができ、以って、電流の均一性を改善し、輝度を均一にする目的を果たすことができる。
【００５８】
以上に画素ユニット駆動回路の実施例の図面を用いて本発明の画素ユニットの駆動方法を説明した。本発明が提供する画素ユニットの駆動方法を更によく理解できるよう、以下に適宜説明を行う。
【００５９】
本発明の実施例は上述画素ユニット回路のための駆動方法であって、
第１のスイッチトランジスタＴ１と第２のスイッチトランジスタＴ２をオンし、同時に第３のスイッチトランジスタＴ３と第４のスイッチトランジスタＴ４をオフすることにより第１のコンデンサＣ１を充電するステップと、
第１のコンデンサの両端の電圧が駆動トランジスタのオン電圧になったとき、第１のスイッチトランジスタＴ１と第２のスイッチトランジスタＴ２をオフし、同時に第３のスイッチトランジスタＴ３と第４のスイッチトランジスタＴ４をオンすることにより第２のコンデンサＣ２を充電し、発光素子ＯＬＥＤの発光を開始させるステップと、
第１のスイッチトランジスタC１と第２のスイッチトランジスタC２のオフ、及び第３のスイッチトランジスタC３のオンを維持させ、第４のスイッチトランジスタC４をオフすることにより、発光素子ＯＬＥＤの発光を維持させるステップとを有する画素ユニットの駆動方法を提供する。
【００６０】
本発明の実施例が提供する画素ユニット回路の駆動方法は、ステップを分けて駆動するのを採用し、まず駆動トランジスタのオン電圧を第１のコンデンサＣ１に書き込み、次にスキャンラインの電圧を第２のコンデンサＣに書き込み、駆動トランジスタＤＴＦＴの駆動電流を駆動トランジスタＤＴＦＴのオン電圧Ｖｔｈと無関係にすることによって、発光素子ＯＬＥＤに流れる電流の均一化を確保し、以って発光素子ＯＬＥＤの輝度の均一化を確保する目的を果たす。
【００６１】
以下に二つの実施例をも引いて本発明の画素ユニットの駆動方法を簡潔に説明する。本発明が提供する画素ユニットの駆動方法の詳細の説明は、画素ユニット駆動回路の作業原理についての説明を参照できる。
【００６２】
本発明の一つの実施例において、例えば、図２に示す回路において、すなわち駆動トランジスタＤＴＦＴはＮ型薄膜トランジスタであり、第４のスイッチトランジスタＴ４はＮ型薄膜トランジスタであり、第１のスイッチトランジスタＴ１はＰ型薄膜トランジスタであり、第２のスイッチトランジスタＴ２はＰ型薄膜トランジスタであり、第３のスイッチトランジスタＴ３はＮ型薄膜トランジスタであり、各スイッチトランジスタの前記第１の電極はいずれもソース電極であり、各スイッチトランジスタの前記第２の電極はいずれもドレイン電極である場合、本実施例が提供する画素ユニットの駆動方法は、
まず、制御ラインＣＲ１とスキャンラインを通じて低レベルを入力し、第１のスイッチトランジスタＴ１と第２のスイッチトランジスタＴ２をオンし、第３のスイッチトランジスタＴ３と第４のスイッチトランジスタＴ４をオフすることによって、第１のコンデンサＣ１を充電し、駆動トランジスタＤＴＦＴのオン電圧を第１のコンデンサＣ１に書き込むステップと、
第１のコンデンサＣ１の両端の電圧が駆動トランジスタＤＴＦＴのオン電圧になったとき、制御ラインＣＲ１とスキャンラインを通じて入力された低レベルを高レベルに切り替えることによって、第１のスイッチトランジスタＴ１と第２のスイッチトランジスタＴ２をオフし、且つ第３のスイッチトランジスタＴ３と第４のスイッチトランジスタＴ４をオンすることによって第２のコンデンサＣ２を充電し、発光素子に発光を開始させるステップと、
発光素子ＯＬＥＤが発光を開始した時、制御ラインＣＲ１への高レベルの入力を維持し、同時にスキャンラインを通じて入力された高レベルを低レベルに切り替えて、第１のスイッチトランジスタＴ１と第２のスイッチトランジスタＴ２のオフ、及び第３のスイッチトランジスタＴ３のオンを維持させ、同時第４のスイッチトランジスタＴ４をオフすることにより、発光素子ＯＬＥＤの発光を維持させるステップとを含む。
【００６３】
本発明のもう一つの実施例において、たとえば、図７に示す回路において、すなわち駆動トランジスタＤＴＦＴはＮ型薄膜トランジスタであり、第４のスイッチトランジスタＴ４はＮ型薄膜トランジスタであり、第１のスイッチトランジスタＴ１はＮ型薄膜トランジスタであり、第２のスイッチトランジスタＴ２はＮ型薄膜トランジスタであり、第３のスイッチトランジスタＴ３はＰ型薄膜トランジスタであり、各スイッチトランジスタの前記第１の電極はいずれもドレイン電極であり、各スイッチトランジスタの前記第２の電極はいずれもソース電極である場合、本実施例が提供する画素ユニットの駆動方法は、
まず、制御ラインＣＲ１を通じて高レベルを入力し、スキャンラインを通じて低レベルを入力し、第１のスイッチトランジスタＴ１と第２のスイッチトランジスタＴ２をオンし、第３のスイッチトランジスタＴ３と第４のスイッチトランジスタＴ４をオフすることによって、第１のコンデンサＣ１を充電し、駆動トランジスタＤＴＦＴのオン電圧を第１のコンデンサＣ１に書き込むステップと、
第１のコンデンサＣ１の両端の電圧が駆動トランジスタＤＴＦＴのオン電圧になったとき、制御ラインＣＲ１を通じて入力された高レベルを低レベルに切り替え、同時にスキャンラインを通じて入力された低レベルを高レベルに切り替え、第１のスイッチトランジスタＴ１と第２のスイッチトランジスタＴ２をオフし、第３のスイッチトランジスタＴ３と第４のスイッチトランジスタＴ４をオンすることによって、第２のコンデンサＣ２を充電し、発光素子ＯＬＥＤに発光を開始させるステップと、
発光素子ＯＬＥＤが発光を開始した時、制御ラインＣＲ１への低レベルの入力を維持し、同時にスキャンラインを通じて入力された高レベルを低レベルに切り替えて、第１のスイッチトランジスタＴ１と第２のスイッチトランジスタＴ２のオフ、及び第３のスイッチトランジスタＴ３のオンを維持させ、同時第４のスイッチトランジスタＴ４をオフすることにより、発光素子ＯＬＥＤの発光を維持させるステップとを含む。
【００６４】
本発明の実施例が提供する画素ユニット駆動回路及びその駆動方法は、前記画素ユニット駆動回路は複数のスイッチトランジスタと複数のコンデンサを採用し、スイッチトランジスタのオンとオフをコンデンサの充電と組み合わせて画素ユニット駆動回路のステップごとの駆動を実現し、まず駆動トランジスタのオン電圧を第１のコンデンサＣ１に書き込み、次にスキャンラインの電圧を第２のコンデンサＣ２に書き込み、駆動トランジスタＤＴＦＴの駆動電流を駆動トランジスタＤＴＦＴと無関係にすることによって、発光素子    ＯＬＥＤに流れる電流の均一化を確保し、以って発光素子の輝度の均一化を確保する目的を果たす。
【００６５】
本発明の実施例はさらに表示装置を提供し、前記表示装置はＡＭＯＬＥＤディスプレイであってもよい。
【００６６】
当業者が理解するように、前記実施例の方法のうち、全部又は一部のステップはプログラムによって関連のハードウェアに対して指令することによって実現してもよく、前記のプログラムはＲＯＭやハードディスク、光ディスクなどのコンピュータが読み取れる格納媒体に格納してもよい。
【００６７】
以上の説明は本発明の具体的な実施形態に過ぎず、本発明の保護範囲はこれに限定されない。当業者が本発明の開示した範囲で容易に相当できる変化または置換は本発明の保護範囲に含まれ、よって本発明の保護範囲は特許請求の範囲を基準とする。
【符号の説明】
【００６８】
ＯＬＥＤ      発光素子
ＤＴＦＴ      駆動トランジスタ
Ｔ１          第１のスイッチトランジスタ
Ｔ２          第２のスイッチトランジスタ
Ｔ３          第３のスイッチトランジスタ
Ｔ４          第４のスイッチトランジスタ
ＣＲ１        制御ライン
Ｃ１          第１のコンデンサ
Ｃ２          第２のコンデンサ
【図４】
2014534471.tif 000003
【図６】
2014534471.tif 000004
【図１】
2014534471.tif 000005
【図２】
2014534471.tif 000006
【図３】
2014534471.tif 000007
【図５】
2014534471.tif 000008
【図７】
2014534471.tif 000009
【図８】
2014534471.tif 000010
【手続補正書】
【提出日】平成26年5月26日(2014.5.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５９】
本発明の実施例は上述画素ユニット回路のための駆動方法であって、
第１のスイッチトランジスタＴ１と第２のスイッチトランジスタＴ２をオンし、同時に第３のスイッチトランジスタＴ３と第４のスイッチトランジスタＴ４をオフすることにより第１のコンデンサＣ１を充電するステップと、
第１のコンデンサの両端の電圧が駆動トランジスタのオン電圧になったとき、第１のスイッチトランジスタＴ１と第２のスイッチトランジスタＴ２をオフし、同時に第３のスイッチトランジスタＴ３と第４のスイッチトランジスタＴ４をオンすることにより第２のコンデンサＣ２を充電し、発光素子ＯＬＥＤの発光を開始させるステップと、
第１のスイッチトランジスタT１と第２のスイッチトランジスタT２のオフ、及び第３のスイッチトランジスタT３のオンを維持させ、第４のスイッチトランジスタT４をオフすることにより、発光素子ＯＬＥＤの発光を維持させるステップとを有する画素ユニットの駆動方法を提供する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６０】
本発明の実施例が提供する画素ユニット回路の駆動方法は、ステップを分けて駆動するのを採用し、まず駆動トランジスタのオン電圧を第１のコンデンサＣ１に書き込み、次にデータラインの電圧を第２のコンデンサＣ２に書き込み、駆動トランジスタＤＴＦＴの駆動電流を駆動トランジスタＤＴＦＴのオン電圧Ｖｔｈと無関係にすることによって、発光素子ＯＬＥＤに流れる電流の均一化を確保し、以って発光素子ＯＬＥＤの輝度の均一化を確保する目的を果たす。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６２】
本発明の一つの実施例において、例えば、図２に示す回路において、駆動トランジスタＤＴＦＴはＮ型薄膜トランジスタであり、第４のスイッチトランジスタＴ４はＮ型薄膜トランジスタであり、第１のスイッチトランジスタＴ１はＰ型薄膜トランジスタであり、第２のスイッチトランジスタＴ２はＰ型薄膜トランジスタであり、第３のスイッチトランジスタＴ３はＮ型薄膜トランジスタであり、各スイッチトランジスタの前記第１の電極はいずれもソース電極であり、各スイッチトランジスタの前記第２の電極はいずれもドレイン電極である場合、本実施例が提供する画素ユニットの駆動方法は、
まず、制御ラインＣＲ１とスキャンラインを通じて低レベルを入力し、第１のスイッチトランジスタＴ１と第２のスイッチトランジスタＴ２をオンし、第３のスイッチトランジスタＴ３と第４のスイッチトランジスタＴ４をオフすることによって、第１のコンデンサＣ１を充電し、駆動トランジスタＤＴＦＴのオン電圧を第１のコンデンサＣ１に書き込むステップと、
第１のコンデンサＣ１の両端の電圧が駆動トランジスタＤＴＦＴのオン電圧になったとき、制御ラインＣＲ１とスキャンラインを通じて入力された低レベルを高レベルに切り替えることによって、第１のスイッチトランジスタＴ１と第２のスイッチトランジスタＴ２をオフし、且つ第３のスイッチトランジスタＴ３と第４のスイッチトランジスタＴ４をオンすることによって第２のコンデンサＣ２を充電し、発光素子に発光を開始させるステップと、
発光素子ＯＬＥＤが発光を開始した時、制御ラインＣＲ１への高レベルの入力を維持し、同時にスキャンラインを通じて入力された高レベルを低レベルに切り替えて、第１のスイッチトランジスタＴ１と第２のスイッチトランジスタＴ２のオフ、及び第３のスイッチトランジスタＴ３のオンを維持させ、同時第４のスイッチトランジスタＴ４をオフすることにより、発光素子ＯＬＥＤの発光を維持させるステップとを含む。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６４】
本発明の実施例が提供する画素ユニット駆動回路及びその駆動方法は、前記画素ユニット駆動回路は複数のスイッチトランジスタと複数のコンデンサを採用し、スイッチトランジスタのオンとオフをコンデンサの充電と組み合わせて画素ユニット駆動回路のステップごとの駆動を実現し、まず駆動トランジスタのオン電圧を第１のコンデンサＣ１に書き込み、次にデータラインの電圧を第２のコンデンサＣ２に書き込み、駆動トランジスタＤＴＦＴの駆動電流を駆動トランジスタＤＴＦＴと無関係にすることによって、発光素子    ＯＬＥＤに流れる電流の均一化を確保し、以って発光素子の輝度の均一化を確保する目的を果たす。
【国際調査報告】
2014534471.tif 000011
2014534471.tif 000012
2014534471.tif 000013
2014534471.tif 000014
2014534471.tif 000015
2014534471.tif 000016