(57)【要約】  処理チャンバ部品及びその作製方法を提供する。本明細書で説明する方法では、少なくともマクロテクスチャの形成物を表面上に含む処理チャンバ部品を作製する。このマクロテクスチャは、チャンバ部品の表面上に所定の配向で配置された複数の工学的特徴部により定められる。いくつかの実施形態では、この工学的特徴部が、特徴部間に定められる見通し面の形成を防いで、チャンバ部品上における堆積膜の保持力を高める。【選択図】      図１
2014518590.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
堆積膜の保持力を高めるようにパターン化された表面を有する物品であって、テクスチャ加工表面を横切る見通し面の形成を防ぐように配置された工学的特徴部により形成されたマクロテクスチャ加工表面を有する処理チャンバ部品を含む、
ことを特徴とする物品。
【請求項２】
前記工学的特徴部は、所定のパターンで配置される、
ことを特徴とする請求項１に記載の物品。
【請求項３】
前記工学的特徴部は、約１００μｍ〜約２００μｍの深さを有する、
ことを特徴とする請求項１に記載の物品。
【請求項４】
前記工学的特徴部は、約１００μｍ〜約２００μｍの幅を有する、
ことを特徴とする請求項３に記載の物品。
【請求項５】
前記工学的特徴部は、平均幅と深さの比率が約１．０：０．５〜約０．５：１．０である、
ことを特徴とする請求項４に記載の物品。
【請求項６】
前記工学的特徴部は、ハニカムパターンを形成する壁によって囲まれる、
ことを特徴とする請求項１に記載の物品。
【請求項７】
前記工学的特徴部は密集している、
ことを特徴とする請求項１に記載の物品。
【請求項８】
前記工学的特徴部は、目立たない支柱を形成する、
ことを特徴とする請求項１に記載の物品。
【請求項９】
前記支柱は、テクスチャ加工表面を横切る見通し面の形成を防ぐように配置される、
ことを特徴とする請求項８に記載の物品。
【請求項１０】
前記テクスチャ加工表面を形成する工学的特徴部は、約１００〜約３００ＲAの表面仕上げにマイクロテクスチャ加工される、
ことを特徴とする請求項１に記載の物品。
【請求項１１】
前記テクスチャ加工表面を形成する工学的特徴部は、約１００〜約３００ＲAの表面仕上げにマイクロテクスチャ加工される、
ことを特徴とする請求項１０に記載の物品。
【請求項１２】
前記テクスチャ加工表面を形成する前記工学的特徴部は、前記テクスチャ加工表面にわたる均一な形状、サイズ及び分布のうちの少なくとも１つを有する、
ことを特徴とする請求項１に記載の物品。
【請求項１３】
堆積膜の保持力を高めるようにパターン化された表面を有する物品であって、テクスチャ加工表面を横切る見通し面の形成を防ぐ所定のパターンで配置された工学的特徴部により形成されたマクロテクスチャ加工表面を有する処理チャンバ部品を含み、前記工学的特徴部は、所定のパターンで配置されて、約１００〜約３００ＲAの表面仕上げにマイクロテクスチャ加工された前記テクスチャ加工表面を形成する、
ことを特徴とする物品。
【請求項１４】
前記工学的特徴部は、ハニカムパターンを形成する壁によって囲まれる、
ことを特徴とする請求項１３に記載の物品。
【請求項１５】
前記工学的特徴部は密集している、
ことを特徴とする請求項１３に記載の物品。
【請求項１６】
前記工学的特徴部は、目立たない支柱を形成する、
ことを特徴とする請求項１３に記載の物品。
【請求項１７】
前記支柱は、テクスチャ加工表面を横切る見通し面の形成を防ぐように配置される、
ことを特徴とする請求項１６に記載の物品。
【請求項１８】
半導体チャンバ部品の作製方法であって、
チャンバ部品の表面をマスクで覆うステップと、
前記チャンバ部品の表面から材料を除去して、テクスチャ加工表面を定める複数の工学的特徴部を形成するステップと、
を含み、前記工学的特徴部は、テクスチャ加工表面を横切る見通し面の形成を防ぐように配置される、
ことを特徴とする方法。
【請求項１９】
前記マスクは、現像領域、部分的現像領域、及び非現像領域をさらに含む、
ことを特徴とする請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記チャンバ部品の前記表面から材料を除去するステップは、
前記部分的現像領域を浸食して、形成中の前記工学的特徴部に隣接する前記チャンバ部品の前記表面を露出させるステップと、
前記工学的特徴部を取り囲む構造の丸みのある縁部を形成するステップと、
を含むことを特徴とする請求項１９に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、一般に、処理チャンバ部品及びその作製方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
処理チャンバ部品は、堆積膜の保持力を高めることにより、膜がチャンバ部品から剥離して汚染源になるのを防ぐべくチャンバ部品をクリーニングしなければならない間隔を延ばすために粗面化が行われてきた。しかしながら、より長い間隔にわたって膜を保持しようとして表面を次第に大きな表面粗度（ＲA）に粗面化するにつれ、粗面の先端が剥離する傾向が高まってこれら自体が汚染源になり、多くの高度に粗面化された表面が重要な用途に適さなくなっている。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
従って、改善された処理チャンバ部品が必要とされている。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
処理チャンバ部品及びその作製方法を提供する。本明細書で説明する方法では、少なくともマクロテクスチャの形成物を表面上に含む処理チャンバ部品を作製する。このマクロテクスチャは、チャンバ部品の表面上に所定の配向で配置された複数の工学的特徴部により定められる。いくつかの実施形態では、この工学的特徴部が、特徴部間に定められる見通し面（ｌｉｎｅ  ｏｆ  ｓｉｇｈｔ  ｓｕｒｆａｃｅ）の形成を防いで、チャンバ部品上における堆積膜の保持力を高める。
【０００５】
１つの実施形態では、チャンバ部品が、マクロテクスチャ加工された特徴部と、マイクロテクスチャ加工された表面粗度とを有する表面を含む。別の実施形態では、チャンバ部品の作製方法が、半導体チャンバ部品の表面上にレジストマスクを配置するステップと、レジストマスク内に形成された開口部を通じて半導体チャンバ部品から材料を除去し、離散的特徴部の転写パターンを形成するステップとを含む。別の実施形態では、チャンバ部品が、マクロテクスチャ加工された、丸みのある縁部を有する特徴部と、マイクロテクスチャ加工された表面粗度とを有する表面を含む。
【０００６】
別の実施形態では、堆積膜の保持力を高めるようにパターン化された表面を有する物品を提供し、この物品は、テクスチャ加工表面を横切る見通し面の形成を防ぐように配置された工学的特徴部により形成されたマクロテクスチャ加工表面を有する処理チャンバ部品を含む。
【０００７】
別の実施形態は、堆積膜の保持力を高めるようにパターン化された表面を有する物品を提供し、この物品は、テクスチャ加工表面を横切る見通し面の形成を防ぐ所定のパターンで配置された工学的特徴部により形成されたマクロテクスチャ加工表面を有する処理チャンバ部品を含み、工学的特徴部は、所定のパターンで配置されて、約１００〜約３００ＲAの表面仕上げにマイクロテクスチャ加工されたテクスチャ加工表面を形成する。
【０００８】
さらに別の実施形態では、半導体チャンバ部品の作製方法を提供し、この方法は、チャンバ部品の表面をマスクで覆うステップと、チャンバ部品の表面から材料を除去して、テクスチャ加工表面を形成する複数の工学的特徴部を形成するステップとを含み、工学的特徴部は、テクスチャ加工表面を横切る見通し面の形成を防ぐように配置される。
【０００９】
上述した本発明の特徴を詳細に理解できるように、添付図面に一部を示す実施形態を参照しながら、上記で簡単に要約した本発明のより具体的な説明を行うことができる。しかしながら、添付図面には本発明の典型的な実施形態しか示しておらず、従って本発明は他の等しく効果的な実施形態も認めることができるので、これらの図面が本発明の範囲を限定すると見なすべきではない。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の１つの実施形態の処理チャンバ部品のテクスチャ加工表面の部分平面図である。
【図２】図１の処理チャンバ部品のテクスチャ加工表面の部分断面図である。
【図３】上部にレジストマスクを配置した図２の処理チャンバ部品のテクスチャ加工表面の部分断面図である。
【図４】レジストマスクの１つの実施形態の部分平面図である。
【図５】処理チャンバ部品のテクスチャ加工表面の別の実施形態の部分断面図である。
【図６】上部にレジストマスクを配置した図５の処理チャンバ部品のテクスチャ加工表面の部分断面図である。
【図７】１又はそれ以上のテクスチャ加工表面を有する処理チャンバ部品の例示的な実施形態を示す図である。
【図８】１又はそれ以上のテクスチャ加工表面を有する処理チャンバ部品の例示的な実施形態を示す図である。
【図９】本発明の別の実施形態の処理チャンバ部品のテクスチャ加工表面の平面図である。
【図１０】図９の処理チャンバ部品の、切断線Ａ−Ａを通じて切り取ったテクスチャ加工表面の断面図である。
【図１１】本発明の１つの実施形態の処理チャンバ部品のテクスチャ加工表面の部分平面図である。
【図１２】図１１の処理チャンバ部品の、切断線Ｂ−Ｂを通じて切り取ったテクスチャ加工表面の部分断面図である。
【図１３Ａ】テクスチャ加工表面の１つの実施形態を処理チャンバ部品上に形成するために利用する製作順序の段階を示す、処理チャンバ部品の部分断面図である。
【図１３Ｂ】テクスチャ加工表面の１つの実施形態を処理チャンバ部品上に形成するために利用する製作順序の段階を示す、処理チャンバ部品の部分断面図である。
【図１３Ｃ】テクスチャ加工表面の１つの実施形態を処理チャンバ部品上に形成するために利用する製作順序の段階を示す、処理チャンバ部品の部分断面図である。
【図１３Ｄ】テクスチャ加工表面の１つの実施形態を処理チャンバ部品上に形成するために利用する製作順序の段階を示す、処理チャンバ部品の部分断面図である。
【図１３Ｅ】テクスチャ加工表面の１つの実施形態を処理チャンバ部品上に形成するために利用する製作順序の段階を示す、処理チャンバ部品の部分断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
理解を容易にするために、可能な場合、図に共通する同一の要素は同じ参照数字を用いて示している。さらなる記述を伴わずに１つの実施形態の要素及び特徴を他の実施形態に有利に組み入れることも企図される。
【００１２】
本発明の実施形態は、処理チャンバ内のキットの寿命を延ばす方法、及びこの方法で作製した処理チャンバ部品に関する。本明細書で説明する方法で製作した処理チャンバ部品は、膜の保持力を高めたチャンバ部品の表面上に少なくともマクロテクスチャの形成物を含み、これにより表面間隔を延ばすとともに粒子汚染を低減する。従って、この新規の処理チャンバ部品は、ツールの停止時間の短縮及び所有コストの削減に寄与する。「処理チャンバ部品」は、集積回路、フラットパネルディスプレイ、太陽光パネル、ＯＬＥＤ、ＬＥＤなどの製造に使用する処理チャンバ内で利用される部品を含むことが企図されている。本明細書で説明するテクスチャ加工技術は、表面に対して膜を保持することが望まれる他の用途において役立つことも企図されている。
【００１３】
本発明の実施形態では、リソグラフィック法を任意にマイクロテクスチャビードブラスティングと併用して、プロセスキットの表面（例えば、チャンバ部品の表面）上にマクロテクスチャを意図的に形成する。このマクロテクスチャは、保持される膜の割合を最大にするように膜特性の知識を用いて設計される。圧縮金属膜の例では、陥凹テクスチャを使用して、膜が破断した場合でも膜を保持することができる。この方法では、特定の膜の特性に合わせたプロセスキット部品上、及び別の熱パターニング法の熱負荷を受け入れることができないパターン部品上にパターンを形成することができる。この処理チャンバ部品のテクスチャ加工法では、粗度の高いコーティングを製造に適したものにすることに関連する課題も回避される。いくつかの例では、欠陥数が大幅に減少するとともに、キットの寿命が大幅に延びる。このプロセスは、欠陥の影響を受けやすい全ての処理チャンバ部品に対して使用することができる。この方法は、（ＰＶＤチャンバ及び一部の金属ＣＶＤチャンバなどの）原位置洗浄能力のないプロセスに対して特に有用である。
【００１４】
図１は、本発明の１つの実施形態の処理チャンバ部品１００のマクロテクスチャ加工表面１０２の部分平面図である。マクロテクスチャ加工表面１０２は、所定の繰り返しパターンの工学的特徴部１０４を含む。「工学的特徴部」という用語は、例えば、所定のパターンの開口部が形成されるように、チャンバ部品の表面から材料を除去する箇所を事前に定めたマスク又はその他の精密機械加工技術を利用して、ただしマスクを通じて形成される開口部の形状及び配置を利用して特徴部１０４の配置を定めることにより、特徴部の一般的形状及び配置がチャンバ部品の表面に転写されることを意味する。例えば、マスクを使用しない表面エッチング又はビードブラスティングでは、工学的特徴部を形成することができない。工学的特徴部１０４は、チャンバ部品１００の事前テクスチャ加工された表面よりも少なくとも部分的に低くされ、例えば、特徴部１０４の上部は、チャンバ部品１００の事前テクスチャ加工された表面と実質的に同一平面上にあってもよい。特徴部１０４は、隣接して接続することも、又は離散形とすることもできる。例えば、特徴部１０４は、図２及び図１１の例示的な実施形態に示すように、チャンバ部品１００の事前テクスチャ加工された表面から材料を除去して材料の「支柱」を残すことにより形成された、隣接して接続された凹部とすることも、図５及び図９の例示的な実施形態に示すように、チャンバ部品１００の事前テクスチャ加工された表面内に形成された陥凹部を分離する複数の相互接続された壁又は隆起部の形の離散的な凹部とすることも、又は隣接して接続された特徴部と離散的な特徴部の組み合わせとすることもできる。表面１０２内に形成される特徴部１０４は、繰り返しパターンで配置することも、又はランダムに配置することもできる。１つの実施形態では、例えば、テクスチャ加工表面１０２を横切って特徴部１０４間に見通し面が形成されるのを防ぐパターン又はその他の配列で特徴部１０４を配置することにより、特徴部１０４間に途切れのない平面が形成されるのを避けるように特徴部１０４が配置される。以下、図９及び図１１を参照しながら、テクスチャ加工表面１０２を横切って特徴部１０４間に見通し面が定められていないパターンで配置された特徴部１０４の例を示し、これについて説明する。テクスチャ加工表面１０２を形成する特徴部１０４間に見通し面が定められていないテクスチャ加工表面１０２を有する処理チャンバ部品１００には、堆積した材料の剥離及び／又は容易に流れ落ちる粒子の影響を受けやすい長い途切れのない線形面が排除されるという利点がある。従って、特徴部１０４間に見通し面が定められていないテクスチャ加工表面１０２を有する処理チャンバ部品１００では、クリーニング間のサービス間隔が長くなって堆積膜が剥離するリスクが減少し、これによりテクスチャ加工された処理チャンバ部品１００を利用する処理チャンバの製品収率が改善され、メンテナンス要件が低下し、運転利益が上がる。
【００１５】
処理チャンバ部品１００に工学的特徴部１０４を施工できる容易さにより、従来のテクスチャ加工では不可能と思われていた又はチャンバ部品に損傷を与える恐れがあった表面上にマクロテクスチャ加工表面１０２を形成することができる。例えば、この工学的特徴部１０４及びマクロテクスチャ加工表面１０２は、ステンレス鋼、アルミニウム、セラミック又はその他のパターン化可能な材料で製作された処理チャンバ部品１００上に形成することができる。
【００１６】
上述したように、特徴部１０４は、あらゆる数の幾何学的形状を有することができ、これらの形状は、テクスチャ加工表面１０２にわたって均一である必要はない。平面図では、特徴部１０４を円（すなわち円筒）として示しているが、特徴部１０４は、とりわけ溝、多角形又は不規則な形状を有することができる。これとは別に、特徴部１０４間の間隔は、テクスチャ加工表面１０２にわたって均一な又は不規則な形状、サイズ及び分布を有することができる。
【００１７】
図２は、図１の処理チャンバ部品１００のテクスチャ加工表面１０２の部分断面図である。テクスチャ加工表面１０２内に深さ２００まで形成され、幅すなわち平均直径２０２及び平均間隔２０４を有する特徴部１０４を示している。以下でさらに説明するように、テクスチャ加工表面１０２は、特徴部の形成後にマイクロテクスチャ加工されるので、特徴部１０４はマクロテクスチャであると考えられる。深さ２００は、１００μｍ〜約２００μｍとすることができ、約１ｍｍほどの深さにすることもできる。幅すなわち平均直径２０２は、約１００μｍ〜約２００μｍとすることができ、約１ミルほどの幅にすることもできる。いくつかの実施形態では、平均直径２０２と深さ２００の比率を、約１．０：０．５〜約０．５：１．０とすることができる。１つの実施形態では、特徴部１０４を形成するために利用する後述するレジストマスクが良好に接着できるのに十分な表面積（隣接する特徴部１０４の端部間に定められる、テクスチャ加工表面１０２上に残存するウェブ２０８など）を可能にするために、特徴部１０４間の平均間隔２０４を少なくとも約０．５ｍｍとすることができる。
【００１８】
図３は、テクスチャ加工表面１０４のウェブ２０８上に配置されたレジストマスク３００の１つの実施形態を示す、図２の処理チャンバ部品１００のテクスチャ加工表面１０４の部分断面図である。レジストマスク３００は、開口部３０２を形成するようにパターン化され、この開口部３０２を通じて、部品１００内に特徴部１０４が機械的及び／又は化学的に形成される。１つの実施形態では、レジストマスク３００の開口部３０２を通じて処理チャンバ部品１００をビードブラスティングすることにより、開口部の形状が特徴部１０４に転写される。別の実施形態では、レジストマスク３００の開口部３０２を通じて処理チャンバ部品１００を湿式又は乾式エッチングすることにより、開口部の形状が特徴部１０４に転写される。このようにして、離散的特徴部１０４の転写パターンが所定のパターンで形成される。レジストマスク３００は、後でパターン化される液体又はゲル材料の層として、或いは予め形成されたレジストのシートとして処理チャンバ部品１００上に適用することができる。
【００１９】
リソグラフィー又はその他の好適な技術を使用してレジストマスク３００をパターン化し、開口部３０２を形成することができる。１つの実施形態では、テクスチャ加工前に、表面１０２上にレジスト材料の層を、レジスト材料の各部分が脆弱になるようにパターン化する。レジスト材料の層をビードブラスティングすると、レジスト材料の層の脆弱部分が破砕し、飛び散って開口部３０２が形成され、この開口部３０２を通じて、露出している表面１０２を継続的にビードブラスティングすることにより、特徴部１０４が機械的に形成される。ビードブラスティング中に表面上に残存するレジスト材料の層の各部分は、処理チャンバ部品１００から材料が除去されるのを防ぎ、これによりウェブ２０８が形成される。別の実施形態では、パワー洗浄などの好適な技術により、未現像のレジスト材料の層の各部分を除去して、レジストマスク３００内に開口部３０２を形成することができる。
【００２０】
別の実施形態では、レジストマスク３００として利用するレジスト材料の層が、処理チャンバ部品１００の表面１０２に適用する前又は後にパターン化できるレジストのシートの形をとる。例えば、レジストのシート３１０は、裏当て３１４上に配置されたレジスト層３１２を含むことができる。レジストのシート３１０は、レジストのシート３１０を処理チャンバ部品１００に固定するための感圧接着剤３１６を含むことができる。レジストのシート３１０は、処理チャンバ部品１００に結合する前又は後にパターン化することができる。１つの実施形態では、フォトレジストであるレジスト３００のシートにアートパターンが適用され、このアートパターンを通じてレジスト３００にＵＶ光が露光される。化学エッチングプロセスを行い、レジスト３００で保護されていない表面１０２を除去して特徴部１０４を形成し、残存するレジスト３００の剥ぎ取り、洗浄、乾式エッチング除去などを行うことができる。このプロセスにより、レジスト３００が表面１０２に接着して均一な特徴部１０４を有利に形成できるようになる。
【００２１】
さらに別の実施形態では、（図４にさらに示すような、裏当て３１４を含まず、部品１００に取り付けられる前に内部に開口部３０２が形成された）レジスト層３１２が、処理チャンバ部品１００に結合する前にレジストのシート３１０の他の各部分から分離される。この分離されたレジスト層３１２は、高度に柔軟であるため、複雑な又は起伏の大きな表面を有する処理チャンバ部品１００の表面に、レジストのシート３１０全体よりも容易に共形的に適用することができ、これによりマスク層３００がしわになるのを防ぐとともに、開口部３０２を通じて特徴部１０４の形状をより正確に形成することができる。裏当て３１４を含まないレジスト層３１２の開いた開口部３０２は、処理チャンバ部品１００に結合する前又は後にパターン化することができる。
【００２２】
図５及び図６は、処理チャンバ部品５００のマクロテクスチャ加工表面５０２の別の実施形態の部分断面図である。特徴部５０４は、隣接する特徴部５０４間のレジストマスク３００の下部に形成されるウェブ２０８が特徴部５０４よりも大幅に小さいことを除き、処理チャンバ部品５００内に実質的に上述したように形成され、図２に示すような窪んだ特徴部５０４とは対照的に、テクスチャ加工表面５０２上に存在する主な構造は隆起したウェブ２０８となる。
【００２３】
任意に、レジストマスク３００の適用前又は除去後に、マクロテクスチャ加工表面１０２、５０２をマイクロテクスチャ加工することができる。マイクロテクスチャ加工は、特徴部１０４、５０４の表面輪郭に施され、チャンバ部品１００、５００の特徴部１０４、５０４及びウェブ２０８をいずれもビードブラスティングすることにより、機械的に形成することができる。１つの実施形態では、本明細書で説明するテクスチャ加工表面１０２、５０２を、約１００〜約３００ＲAの表面仕上げにビードブラスティングすることができる。任意に、好適な表面仕上げを生じることができる酸エッチング、プラズマ処理又はその他の好適な手順などの非機械的方法によってマイクロテクスチャ加工を行うこともできる。
【００２４】
図９は、処理チャンバ部品９００のマクロテクスチャ加工表面９０２の別の実施形態の部分断面図である。マクロテクスチャ加工表面９０２を形成する工学的特徴部１０４は、処理チャンバ部品９００の表面内に、特徴部１０４間に定められる構造９０４が、図１０で分かりやすいように丸みのある縁部９０８を有することを除き、実質的に上述したように形成される。構造９０４は、テクスチャ加工表面の形成中に除去された材料により形成される特徴部１０４で囲まれた材料の支柱の形をとることができる。これらの支柱は、処理チャンバ部品９００から延び、円筒形、多角形、長円形又はその他の好適な形状などのあらゆる好適な幾何学的外形を有することができる。処理チャンバ部品９００から延びる支柱は、形状、サイズ及び分布を均一とすることができ、又は形状、サイズ及び分布のうちの１つ又はそれ以上がテクスチャ加工表面にわたって異なることもできる。これらの支柱は目立たず、隣接する支柱に接続されていなくてもよく、或いは２又はそれ以上の支柱が材料のウェブにより接続されていてもよい。
【００２５】
１つの実施形態では、図１３Ａ〜図１３Ｅを参照しながら後述するように、上述した化学エッチング又はビードブラスティングプロセス、或いは後でビードブラスティングを行う必要がない他の好適なプロセス中に、丸みのある縁部９０８を有利に形成することができる。特定の材料及び薄いチャンバ部品は、ビードブラスティングの熱及び応力に耐えることができないので、限定するわけではないが、厚みが０．１インチ未満のチャンバ部品では、特徴部１０４、及び構造９０４の丸みのある縁部９０８を化学エッチングによって可能にする。図９及び図１０に示す実施形態では、テクスチャ加工表面９０２の膜の保持特性を高めるために特徴部間に見通し面が存在しないように、特徴部１０４により形成される構造９０４が、密集した六角形パターンで配置される。例えば、図１０に示すように、一方が他方の背後に交互配置されて形成された構造９０４は、マクロテクスチャ加工表面９０２を横切る見通し線を遮り、これにより膜の接着力を高める。
【００２６】
図１１は、本発明の別の実施形態による処理チャンバ部品１００のマクロテクスチャ加工表面１１００の部分平面図である。チャンバ部品１００の表面内に工学的特徴部１０４を形成し、相互接続壁１００２により分離して、テクスチャ加工表面１１００を横切る見通し面が壁上に定められないようにする。１つの実施形態では、相互接続壁１００２が、複数の円筒形、長円形又は多角形を形成し、例えば、壁１００２を、ハニカムパターンを定めるように配置することができる。壁１００２の交点１００４に丸みを付けて、テクスチャ加工表面１００及びその上の堆積膜の両方に加わる応力を軽減することができる。また、特徴部１０４によって定められる壁１００２の外縁１００６には、工学的特徴部１０４の形成中に有利に丸みを付けることができる。上述したような化学エッチングプロセスでは、アートパターンの縁部においてフォトレジストが完全に現像されるわけではなく、従って特徴部１０４の化学的又は機械的形成中にフォトレジストが浸食されて離れ、図１２で分かるような丸みのある縁部１００６を形成し、縁部を丸くするために後でブラスティングを行う必要がなくなる。
【００２７】
チャンバ部品１００の表面内に形成され相互接続壁１００２により分離された工学的特徴部１０４は、円筒形、多角形、長円形又はその他の好適な形状などのあらゆる好適な幾何学的外形を有することができる。処理チャンバ部品１００内に形成される工学的特徴部１０４は、形状、サイズ及び分布を均一とすることができ、又は形状、サイズ及び分布のうちの１つ又はそれ以上がマクロテクスチャ加工表面１１００にわたって異なることもできる。
【００２８】
図１３Ａ〜図１３Ｅは、工学的特徴部１０４を使用してテクスチャ加工表面１０２の１つの実施形態を処理チャンバ部品１００上に形成するために利用する製作順序の異なる段階を示す、処理チャンバ部品１００の部分断面図である。図１３Ａ〜図１３Ｅに示すプロセスでは、工学的特徴部１０４により定められる構造を丸みのある外縁１００６を含むように形成し、これにより堆積膜をよりたやすく保持するストレスの少ないテクスチャ加工表面１０２を有利に形成することができる。
【００２９】
まず図１３Ａでは、処理チャンバ部品１００をフォトレジスト層３１４でコーティングする。フォトレジスト層３１４を覆って又はその上部の場所にアートワーク１３０２を配置する。アートワーク１３０２は、下にあるフォトレジスト層３１４を露光するようにエネルギー１３０４が通過する複数の透明領域１３０６、透明領域１３０６を直接取り囲む不透明領域１３０８、及び下にあるフォトレジスト層３１４をエネルギー１３０４が露光するのを実質的に妨げる非透明領域１３１０という少なくとも３種類の領域を含む。不透明領域１３０８は、下にあるフォトレジスト層３１４をエネルギー１３０４の一部が部分的に露光できるように選択されたグレースケールを有する。従って、図１３Ｂに示すように、アートワーク１３０２を通じて下にあるフォトレジスト層３１４が露光され、現像領域１３１２、部分的現像領域１３１４及び非現像領域１３１６が形成される。
【００３０】
図１３Ｃに示すように、例えばビードブラスティング、エッチング又はパワー洗浄によって非現像領域１３１６を除去し、パターン化されたフォトレジスト層３１４を通じてチャンバ部品１００の上面１３２４を露出させる開口部１３１８を形成する。
【００３１】
ここで図１３Ｄ〜図１３Ｅを参照すると、処理チャンバ部品１０２の上面１３２４から材料が除去されることにより、工学的特徴部１０４が形成されている。上述したように、この材料は、ビードブラスティング、エッチング又はパワー洗浄によって除去することができる。（利用するフォトレジストに応じて）より柔らかい又は脆弱な部分的現像領域１３１４は、材料除去プロセス中に急速に浸食され、従って工学的特徴部１０４が形成されている間に開口部１３１８の開口（幅又は直径１３２２）が増大する。材料除去プロセスの終了間近には、処理チャンバ部品１０２の下にある上面１３２４が露出する程度まで部分的現像領域１３１４が浸食され、特徴部１０４を取り囲む壁１００２の外縁１００６が丸みを帯びるようになる。この丸みのある外縁１００６は、テクスチャ加工表面１１００及びその上に堆積された膜の両方に加わる応力を有利に軽減する。
【００３２】
なお、上述した実施形態のいずれにおいても、テクスチャ加工表面１０２、５０２、９０２、１１００を形成する工学的特徴部を、任意に約１００〜約３００ＲAの表面仕上げにマイクロテクスチャ加工することができる。マイクロテクスチャ加工は、ビードブラスティング酸エッチング、プラズマ処理、又は好適な表面仕上げを生じることができるその他の好適な手順によって施すことができる。
【００３３】
図７及び図８は、１又はそれ以上のテクスチャ加工表面を有する処理チャンバ部品の例示的な実施形態である。図７には、ＰＶＤチャンバシールド７００を示す。シールド７００は、上述したようにテクスチャ加工された少なくとも１つの表面を含む。例えば、シールド７００の外径表面７０２又は（切り欠いて示す）内径表面７０４の少なくとも一方を上述したようにマクロテクスチャ加工して工学的特徴部を形成し、この工学的特徴部を任意にマイクロテクスチャ加工することができる。図８には、プロセスキットリング８００を示す。リング８００は、上記の実施形態で説明したような工学的特徴部を使用して形成された少なくとも１つのマクロテクスチャ加工表面を含み、この工学的特徴部を任意にマイクロテクスチャ加工することができる。例えば、リング８００の少なくとも上部円板状表面８０２をマクロテクスチャ加工及びマイクロテクスチャ加工することができる。リング８００は、半導体処理チャンバ内で利用される堆積リング、クランプリング、カバーリング、フォーカスリング、エッジリング又はその他のリングとすることができる。図７及び図８を参照しながら上述した半導体チャンバ部品は例示的なものであり、以下に限定されるわけではないが、とりわけチャンバ本体、基台、ライナ、コリメータ、シャドーフレーム、及びカバーリングなどのその他の半導体チャンバ部品をマクロテクスチャ加工及びマイクロテクスチャ加工して、耐用年数が長く粒子生成特性の低いテクスチャ加工半導体チャンバ部品を形成することもできる。上述した内容は本発明の実施形態に関するものであるが、本発明の基本的範囲から逸脱することなく本発明のその他の及びさらなる実施形態を考案することができ、その範囲は以下の特許請求の範囲により決定される。
【符号の説明】
【００３４】
１００  チャンバ部品
１０２  テクスチャ加工表面
１０４  特徴部
【図１】
2014518590.tif 000003
【図２】
2014518590.tif 000004
【図３】
2014518590.tif 000005
【図４】
2014518590.tif 000006
【図５】
2014518590.tif 000007
【図６】
2014518590.tif 000008
【図７】
2014518590.tif 000009
【図８】
2014518590.tif 000010
【図９】
2014518590.tif 000011
【図１０】
2014518590.tif 000012
【図１１】
2014518590.tif 000013
【図１２】
2014518590.tif 000014
【図１３Ａ】
2014518590.tif 000015
【図１３Ｂ】
2014518590.tif 000016
【図１３Ｃ】
2014518590.tif 000017
【図１３Ｄ】
2014518590.tif 000018
【図１３Ｅ】
2014518590.tif 000019
【国際調査報告】
2014518590.tif 000020
2014518590.tif 000021