(57)【要約】  超音波ＨＩＦＵトランスデューサは、モジュール式キャビテーションセンサが着脱可能に配置されるねじ開口を持つ。前記モジュール式キャビテーションセンサは、キャビテーションを示す音響信号を感知する圧電トランスデューサを収容するモジュール式ハウジングを含む。前記モジュール式キャビテーションセンサは、前記モジュール式ハウジングが前記ねじ開口にねじ留めされる場合に前記ねじ開口内にばね接点を係合する電極を持つ。損傷したセンサは、螺出され、コネクタ又ははんだなしで単純に取り外されることができる。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
交換可能なキャビテーションセンサを持つ高強度集束超音波（ＨＩＦＵ）トランスデューサにおいて、
中心領域を持つディッシュ形状ＨＩＦＵ送信器と、
キャビテーションセンサと、
前記キャビテーションセンサを収容するモジュール式ハウジングであって、前記キャビテーションセンサがキャビテーションを示しうる音響信号を受信するように配置されるように前記ＨＩＦＵ送信器内に着脱可能に配置される当該モジュール式ハウジングと、
を有するＨＩＦＵトランスデューサ。
【請求項２】
前記ディッシュ形状ＨＩＦＵ送信器が、球状の患者に面する表面を持つ、請求項１に記載のＨＩＦＵトランスデューサ。
【請求項３】
前記キャビテーションセンサが、圧電トランスデューサを有する、請求項１に記載のＨＩＦＵトランスデューサ。
【請求項４】
前記圧電トランスデューサが、ａ）固体圧電セラミック、ｂ）圧電セラミックディスクをダイシングし、ダイシング切れ目を充填材料で充填することにより形成される複合セラミック、又はｃ）圧電ＰＶＤＦ材料からなる素子の１つとして形成される圧電素子を有する、請求項３に記載のＨＩＦＵトランスデューサ。
【請求項５】
前記圧電トランスデューサが、第１及び第２の電極を提供するように金属化された外面を持つ、請求項４に記載のＨＩＦＵトランスデューサ。
【請求項６】
前記圧電トランスデューサが、金属化された外面を別々の電極に分離する分離切れ目を有する、請求項５に記載のＨＩＦＵトランスデューサ。
【請求項７】
前記モジュール式ハウジングが、前記ＨＩＦＵ送信器の中心領域に着脱可能に配置される、請求項１に記載のＨＩＦＵトランスデューサ。
【請求項８】
前記中心領域が、ねじ開口を有し、
前記モジュール式ハウジングが、前記中心領域のねじ開口に着脱可能に係合するように螺入される、
請求項７に記載のＨＩＦＵトランスデューサ。
【請求項９】
前記ＨＩＦＵトランスデューサが、前記中心領域に配置されたプリント回路基板を有し、前記プリント回路基板が、電気接点を持ち、
前記キャビテーションセンサは、前記モジュール式ハウジングが前記中心領域に螺入される場合に、前記プリント回路基板電気接点により係合される電極を有する、
請求項８に記載のＨＩＦＵトランスデューサ。
【請求項１０】
前記モジュール式ハウジングが、前記中心領域内に前記モジュール式ハウジングを螺入するようにツールにより係合されるように形成される、請求項８に記載のＨＩＦＵトランスデューサ。
【請求項１１】
前記モジュール式ハウジングが、スパナレンチによる係合に適した複数の孔を形成される、請求項１０に記載のＨＩＦＵトランスデューサ。
【請求項１２】
前記モジュール式ハウジングが前記ＨＩＦＵ送信器に完全に係合される場合に前記モジュール式ハウジングと前記ＨＩＦＵ送信器との間で係合される液密シールを有する、請求項８に記載のＨＩＦＵトランスデューサ。
【請求項１３】
前記液密シールが、Ｏリングシールを有する、請求項１２に記載のＨＩＦＵトランスデューサ。
【請求項１４】
前記プリント回路基板電気接点が、弾性接点を有する、請求項９に記載のＨＩＦＵトランスデューサ。
【請求項１５】
前記弾性接点が、ばね接点を有する、請求項１４に記載のＨＩＦＵトランスデューサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、医療診断超音波システムに関し、特に、ＨＩＦＵとして知られる高強度集束超音波による体組織の制御された加熱に対して使用される超音波トランスデューサに関する。
【背景技術】
【０００２】
超音波で供給される昇温治療は、様々な治療目的で使用される。ＨＩＦＵ治療において、超音波エネルギは、所望の治療効果を作るのに十分な温度まで組織を加熱するように体内の小さなスポットに集束される。この技術は、集束エネルギが腎臓結石を砕くのに十分に高い砕石術と同様であるが、大幅に低いエネルギが、急激なパルスではなく長時間にわたって供給される。ＨＩＦＵ技術は、体内の不所望な組織を選択的に破壊するのに使用されることができる。例えば、腫瘍又は他の病理組織は、隣接した正常組織を破壊することなしに、前記組織を殺すのに十分な温度、一般に約６０乃至８０℃まで細胞を加熱するように集束超音波エネルギを印加することにより破壊されることができる。他の昇温治療は、薬物を選択的に活性化させる又は対象の体の選択された部分において他の何らかの生理的変化を促進するように組織を選択的に加熱することを含む。
【０００３】
ＨＩＦＵトランスデューサは、しばしば、前記トランスデューサに幾何学的焦点を与える曲率半径を持つ球面又はパラボラディッシュとして形成される。例えば、２０１０年１１月３日に出願された国際特許出願ＩＢ２０１０／０５４９８５に記載されたＨＩＦＵトランスデューサを参照されたい。この出願に記載されたトランスデューサは、少数の複合セラミック圧電タイルで形成される。前記タイルは、所望の幾何学的焦点の所望の球状送信面を形成するように組み合わさるように二次元において湾曲している。各タイルは、個別に製造され、アセンブリ前に試験されることができ、完成したトランスデューサがアセンブリ後に指定されたように完全に機能することを保証する。このような複合セラミック圧電タイルは、送信中に８０乃至８５％のエネルギ変換効率を示すことができる。
【０００４】
熱硬化により組織細胞を破壊する場合に、一般に、キャビテーションのような、より有害な効果を生成する、より高い超音波エネルギレベルの発達を避けることが望ましい。結果的に、ＨＩＦＵトランスデューサは、しばしば、キャビテーションの証拠を監視するのに使用されるキャビテーションセンサを含む。安定及び慣性キャビテーションは、"MONITORING AND CONTROL OF MICROBUBBLE CAVITATION IN THERAPEUTIC ULTRASOUND"と題された米国特許仮出願６１／３９２０６７（Vignon他）に記載されたように特定のノイズ及び高調波信号レベルの発生により検出されることができる。キャビテーションの音響的証拠を検出するのにハイドロフォンを使用する米国特許５８２７２０４（Grandia他）も参照されたい。キャビテーションセンサは、一般に、ＨＩＦＵトランスデューサの中心に結合される。しかしながら、ＨＩＦＵトランスデューサが集束するように球面又はパラボラに成形される場合、皿形状の中心は、前記トランスデューサの流体バス及び音響窓のインタフェースから反射されたエネルギ及び熱を受けることができることがわかっている。この熱及びエネルギは、前記ＨＩＦＵトランスデューサの中心に収束し、前記キャビテーションセンサを損傷させることができる。損傷したキャビテーションセンサは、反射エネルギからか又は製造工程中の損傷かにかかわらず、ＨＩＦＵ素子自体が依然として完全に動作する場合でさえ、トランスデューサ全体を許容不可能にすることができる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
したがって、他の動作するＨＩＦＵトランスデューサを廃棄する必要を防ぐために前記トランスデューサ及びキャビテーションセンサを修理することができることが望ましい。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の原理によると、モジュール式で取り付けられたキャビテーションセンサを持つ球面ＨＩＦＵトランスデューサが、記載される。記載される実施例において、前記キャビテーションセンサに対するマウントは、前記ＨＩＦＵトランスデューサの中心における開口に螺入され、Ｏリングを用いて流体放出に対して密閉される。信号接続は、前記キャビテーションセンサがはんだ付けの必要なしに新しいセンサと交換されることができるように、ばね接点により前記キャビテーションセンサの接触領域に対して作られる。前記キャビテーションセンサが損傷されるならば、前記センサマウントは、ねじを外されることができ、新しいセンサが、損傷したセンサの代わりに挿入され、同じ場所に螺入される。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】本発明のＨＩＦＵトランスデューサに対して別々に形成された球面トランスデューサ整合層を透視図で示す。
【図２ａ】本発明のＨＩＦＵトランスデューサに対する複合トランスデューサアレイを形成するようにダイシングされたセラミック圧電材料のシートの端面図を示す。
【図２ｂ】非磁性ビア相互接続を持つ複合トランスデューサアレイを示す。
【図３】放射素子及び非磁性ビアを持つ複合トランスデューサアレイを示す。
【図４】本発明のＨＩＦＵトランスデューサに対する球面成形の前の複合圧電タイルを示す。
【図５】本発明のＨＩＦＵトランスデューサに対する整合層上の複合圧電タイルの配置を断面において示す。
【図６】本発明の９タイルＨＩＦＵトランスデューサの裏側を透視図で示す。
【図７ａ】ＨＩＦＵトランスデューサに対する延長されたコンプライアント接点を持つ湾曲したプリント回路基板の前面を示す。
【図７ｂ】ＨＩＦＵトランスデューサに対する延長されたコンプライアント接点を持つ湾曲したプリント回路基板の裏面を示す。
【図８】図７ａ及び７ｂのプリント回路基板に対して取り付けられた支持フレームを持つ本発明のＨＩＦＵトランスデューサの裏側を透視図で示す。
【図９】本発明の原理によるＨＩＦＵトランスデューサに取り付けられたモジュール式キャビテーションセンサを示す。
【図１０】本発明の原理によるＨＩＦＵトランスデューサに取り付けられたモジュール式キャビテーションセンサを示す。
【図１１】モジュール式キャビテーションセンサを持つＨＩＦＵトランスデューサの断面図である。
【図１２】モジュール式キャビテーションセンサを持つＨＩＦＵトランスデューサの断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
本発明のＨＩＦＵトランスデューサの構成は、球面又はディッシュ形状整合層の製造で始めることができる。トランスデューサの前記整合層は、患者の体又は前記トランスデューサと前記患者との間の媒体の音響特性に対する前記圧電トランスデューサの音響特性の少なくとも部分的整合を提供する。前記整合される特性は、音響インピーダンス、音速、及び材料密度を含むことができる。超音波トランスデューサの従来の構成において、前記整合層は、一般に、トランスデューサスタック上に形成され、前記圧電材料の放射面上の基準電極上に形成される。本開示に記載されるＨＩＦＵトランスデューサに対して、球面整合層は、前記トランスデューサの残りとは別に、これ自体で形成される。一体成型、鋳造、熱成形、又は機械加工を含む、球面整合層を形成する複数の方法が存在する。ここに記載されるＨＩＦＵトランスデューサの球面整合層は、当技術分野において既知であるように所望の音響特性を前記整合層に提供する粒子を付加させた付加エポキシからなる。好ましくは、前記粒子は、非磁性である。前記球面整合層を一体成型又は鋳造する際に、前記付加エポキシは、所望の球面形状の凹面フィクスチャに流し込まれる。凸面フィクスチャは、前記凹面フィクスチャ上で閉じられ、流体エポキシが２つのフィクスチャ間の球面空間を満たすようにする。前記エポキシは、硬化され、前記フィクスチャから取り外され、次いで、最終形態に周辺的に機械加工される。熱成形プロセスにおいて、所望の厚さの平面シートが、前記付加エポキシで形成され、次いで部分的に硬化される。前記シートは、次いで、所望の湾曲の加熱された凹面又は凸面フィクスチャ上に配置され、前記フィクスチャは、前記シートがしなやかになり、前記フィクスチャの湾曲に一致するように前記シートを温める。前記シートが、所望の球面形状に到達した場合に、これは、硬化され、仕上げられる。機械加工プロセスにおいて、付加エポキシのディスクが、一体成型又は鋳造され、硬化される。前記ディスクは、次いで、片側において、凸面を形成するように機械加工される。前記ディスクは、次いで、凹面フィクスチャ上に置かれ、前記ディスクの他方の側が、前記球面整合層の凹面側を形成するように機械加工される。構成された実施例において、これらのプロセスのいずれかからの完成した球面整合層は、０．５ｍｍ厚であり、１４０ｍｍの直径及び１４０ｍｍの球半径、完成したＨＩＦＵトランスデューサのサイズ及び形状を持つ。図１は、このような球面整合層１０を示す。凹面１２は、患者に面する完成したトランスデューサの放射面であり、凸面１４は、冗長信号戻り電極を生成するようにスパッタされ、次いで、複合圧電タイルで覆われる。固い整合層は、このように、圧電タイル層のアセンブリに対して所望の湾曲の形状を提供する。前記タイルの前の整合層１０は、連続的に形成された面であるので、これは、前記ＨＩＦＵトランスデューサの前の患者及び外部環境からの前記ＨＩＦＵトランスデューサの残りの所望の電気的及び環境的分離を提供する。
【０００９】
前記複合圧電トランスデューサアレイの構成は、図２ａ及び２ｂに示されるようなセラミック圧電材料のシート３０で始まる。構成されるトランスデューサにおいて、シート３０は、１．２ｍｍ厚（Ｔ）である。第一に、複数の孔が、シート３０を通して開けられ、ここで、前記トランスデューサの裏から前（放射側）への電気接続を持つことが望ましい。前記孔は、次いで、前記シートを通るビア３２を形成するように銀充填エポキシで充填される。銀フィリングは、電気伝導性を提供し、ＭＲＩシステムの磁場内の動作に対して非磁性である。他の非磁性導電材料は、導電性フィリングに対して使用されることができる。銀エポキシは、硬化される。前記シートは、次いで、図２ａにおいてシート３０の縁の図に示されるように一方向における平行な切れ目１６で前記厚みの途中までダイシングされる。次いで、前記シートは、直交する方向における平行な切れ目で途中までダイシングされ、複数の上に突出した圧電ポスト１８及びビア３２を残す。前記ダイシングの切れ目は、次いで、非導電エポキシで充填され、部分的に硬化される。前記シートの上面及び底面は、次いで、図２ａの破線により示される深さに平坦に機械加工される。これは、結果として図２ｂに示されるようにエポキシ３６内の導電性ビア３２及び圧電ポスト１８のマトリクスの完成したシートを生じる。前記完成したシートは、１：３マトリクスの圧電ポストを有し、前記圧電ポストの各々は、前記シートの厚みを通る縦方向において主要な振動モードを持ち、主に前記トランスデューサの前（患者に面する）側に向けた方向に超音波を送信する。前記複合材料のこの主な振動モードは、前記アレイの他のアクティブ領域に対する前記アレイを横切る不所望な横方向送信を減少させる。
【００１０】
平坦な複合圧電シート３０は、図４の複合圧電タイル４０の周囲の形状により示されるように台形形状に機械加工される。構成されたＨＩＦＵトランスデューサにおいて、前記タイルは、下に記載されるように円形球面中心タイルを可能にするように図４の台形形状を持つ。代替的には、各タイルは、前記タイルが中心タイルを必要とせずに前記整合層を覆うように、パイのスライスの形状に機械加工されてもよい。前記タイルは、サッカーボールのパネルにより示されるように六角形と混ぜた五角形を含むが、これらに限定されない球面を覆うように構成される他の幾何学的形状を取ることもできる。図４の平坦な台形タイルは、この場合、所望の球面湾曲を与えられる。前記複合トランスデューサは、エポキシ内のマトリクスで形成されるので、前記タイルは、前記タイルが所望の湾曲に一致されることができるように前記エポキシを軟化するように加熱されることができる。これは、加熱された凹面又は凸面フィクスチャ上にタイル４０を配置し、次いで、前記凸面又は凹面形状に適合するように前記タイルを圧迫ことによりなされることができる。前記タイルは、所望の湾曲に保持されている間に、前記フィクスチャは、冷却され、前記エポキシは、完全に硬化されることを可能にされる。この結果は、球面ＨＩＦＵトランスデューサに対する球面形状複合圧電タイルである。
【００１１】
前記タイルが湾曲された後に、上面及び底面３８は、図３のシート３０に対して示されるように前記シートの表面上に導電性材料をスパッタすることにより金属化される。好ましくは、前記導電性材料は、金又はチタン／金のように非磁性である。前記金属化された表面は、導電性ビア３２により電気的に接続され、前記複合シートの裏面から全面への電気接続を提供する。前記複合圧電シートのアクティブ（送信及び受信）領域は、前記タイルの裏（凸）面から所望のアクティブ領域の周りでのダイヤモンドコアドリル、レーザドリル、又は超音波機械加工により分離される。いくつかのこのような規定されたアクティブ領域４４が、図３及び４において示されている。前記アクティブ領域を規定する切れ目４２は、前記領域を電気的に分離するように前記シートの表面の金属化を切断し、好ましくは、前記アクティブ領域を前記シートの周囲の領域及び他のアクティブ領域から音響的に分離するように前記複合シートの半分に及ぶ。代替的には、前記アクティブ領域は、前記タイルが前記整合層に結合された後に電気的に及び音響的に分離されることができる。
【００１２】
構成されたタイルにおいて、アクティブ領域４４は、行又は列又は円又は他の規則的なパターンに対称的に構成されないが、図４に示されるように不規則に又はランダムに構成される。ランダムパターンは、前記ＨＩＦＵトランスデューサにより供給される効果的エネルギを減少させる前記アクティブ領域の音響サイドローブの重大な付加的結合を避ける。
【００１３】
８つの球面台形タイル４０は、整合層１０の凸面１４の周りに互いに隣接して薄く結合され、これにより前記タイルのアセンブリに対する形状を提供する。球面タイル４０が、上記のようにパイ形状である場合、前記タイルは、整合層１０の凸面を完全に覆う。前記球面タイルが、図４に示されるように台形化される場合、これらは、前記整合層の中心を除き、前記整合層の凸面側を覆う。この円形球面空間は、オープンなままであることができる。代替的には、これは、冷却用のアルミニウムのような円形球面熱伝導体で覆われることができる。戻り音響エネルギは、球面幾何学形状のおかげで前記ＨＩＦＵトランスデューサの中心に収束される傾向にある。ここに熱伝導体を配置することは、前記ＨＩＦＵトランスデューサを冷却するのを助けることができる。代替的には、円形球面複合圧電タイル４８が、この空間を充填することができる。例えば、図３の円形シートは、これ自体のアクティブ領域とともに、球面形状に形成され、ここに配置されることができ、図５において整合層１０上の台形及び円形タイルの断面図により示されるように整合層１０の完全な複合圧電被覆を提供する。この完全被覆設計の構成されたトランスデューサにおいて、９つのタイルが、送信に対して２５６及び受信に対して９つの、２６５のアクティブ領域を持つＨＩＦＵトランスデューサを提供する。
【００１４】
図３に見られるのは、ビア３２が、前記裏面における前記アクティブ領域の周りの金属化された領域を、前記タイルの前（患者に面する）側における金属化された表面に接続するように配置されることである。構成されたＨＩＦＵトランスデューサにおいて、アクティブ領域４４の周りの金属化領域は、基準電位に電気的に結合される。ビア３２は、この基準電位を、図３において見えない側である前記タイルの他方の側における金属化表面に結合する。前記ビアは、このように、前記複合圧電タイルの患者に面する側に、及びアクティブ領域４４の患者に面する側の金属化にも、基準電位を印加するのに使用される。タイル４０の患者に面する側は、整合層１０に結合され、電気接続に対してアクセス不可能であるので、前記ビアは、前記タイルの前側に対する前記圧電シートを通る必要とされる電気接続を提供する。
【００１５】
次に、プラスチック支持フレーム５０は、図６に示されるように接着、スナップフィット又はファスナにより前記アセンブルされたタイルの裏側に取り付けられる。構成されたトランスデューサにおいて、９つのタイル４０、４８の各々は、前記支持フレームのリブの間でアクセス可能である。前記支持フレームは、複合圧電タイル４０の裏面の上で離間された関係で８つの台形及び１つの円形プリント回路基板５２を取り付けるのに使用される。図７ａ及び７ｂは、台形プリント回路基板５２の前及び裏（５４）面を示す。裏面５４上に配置されるのは、めっきされたスルーホールにより前記基板を通って前記ＨＩＦＵトランスデューサのアクティブ領域に接続されるコネクタ５７からのプリント回路接続５６である。前記プリント回路基板の前面には、コンプライアント金属接点６０があり、これらは、プリント回路基板とそのタイルとの間の空間に及び、反対側の複合圧電タイル４０のアクティブ領域４４及びビア３２に前記プリント回路接続を電気的に接続する。前記ＨＩＦＵトランスデューサの外縁にあるプリント回路基板５２の１つの縁に配置されるのは、冷却ノッチ５８である。
【００１６】
プリント回路基板５２は、図６に示されるタイル４０のような各タイルの上の支持フレーム５０に結合される。プリント回路基板がこのようにアセンブルされる場合、これは、図８においてプリント回路基板５２により示されるように見える。このアセンブリの前に、コンプライアント金属接点６０の延長された端部は、導電性エポキシでコーティングされる。前記プリント回路基板が前記フレーム上にアセンブルされる場合、接点６０の端部は、反対側のタイルの金属化領域に接触し、前記導電性エポキシが硬化される場合に前記金属化領域との電気接続において結合される。接点６０は、このように、前記プリント回路基板と前記圧電タイルのアクティブ及び基準電位領域との間の電気通信を提供する。
【００１７】
前記プリント回路基板が、従来の平面プリント回路基板として製造されることができる場合、図７ａ及び７ｂのプリント回路基板は、好ましくは、接点６０により接続される反対側の複合圧電タイル４０の湾曲とマッチする球面湾曲を持つ。前記プリント回路基板は、図７ａに示されるように前記タイルに面する側のみ又は両側において湾曲されることができる。前記プリント回路基板は、複数のやり方で湾曲された基板として形成されることができる。１つは、ガラスエポキシ基板材料の厚い平面シートで開始し、前記基板の表面を所望の湾曲に機械加工又は研磨することである。他の技術は、前記基板材料を加熱し、前記エポキシを軟化し、次いで所望の湾曲のフィクスチャに対して前記シートを圧迫することにより前記湾曲を形成するように熱成形を使用することである。前記回路基板は、前記基板に形成されためっきされたスルーホールにより相互接続された上面及び底面上にフォトイメージ及び化学エッチング導電線でダブルクラッドされることができる。前記回路基板は、前記面上に及びより複雑かつより高い密度の回路構成に対して前記基板の層内に形成された導電線の３以上の層を持つ多層基板であることもできる。固い基板５２も、コネクタ５７のような他の電気コンポーネントを安全に取り付けることができる。
【００１８】
本発明の原理によると、モジュール式の着脱可能キャビテーションセンサが、図９に示されるトランスデューサの後面図により示されるように前記ＨＩＦＵトランスデューサの中心に配置される。この図において、プリント回路基板５２は、取り外され、フレーム５０内のタイル４０の後ろが見える。前記キャビテーションセンサに接続するフレーム５０の中心の円形プリント回路基板も、前記キャビテーションセンサに対するモジュール式アセンブリが見えるように取り外される。前記ＨＩＦＵトランスデューサの中心のクロスハッチ領域は、キャビテーションセンサ９０の場所である。前記ＨＩＦＵトランスデューサの中心の拡大図は、図１０に示される。
【００１９】
図１０の拡大図において、開口は、前記ＨＩＦＵトランスデューサの中心に配置され、後方に伸びる円筒形プリント回路基板マウント９４により囲まれる。マウント９４は、中心開口のアニュラスから後方に突出し、内部円筒表面に螺入される。螺入されたモジュール式ハウジング９２は、前記プリント回路基板の前記場所から前方に前記螺入されたプリント回路基板マウント内に配置される。２つの螺入された表面の係合は、１０６において示される。キャビテーションセンサ９０、圧電受信素子は、ハウジング９２内に配置される。前記圧電受信素子は、固体圧電セラミック、圧電セラミックディスクを直角にダイシングし、エポキシ充填材でダイシング切れ目を充填することにより形成された複合セラミック、又は圧電ＰＶＤＦ材料からなる素子から形成されることができる。いずれの場合でも、前記圧電素子は、所望の受信周波数を達成する厚さまで研磨又はラッピングされる。前記圧電素子の外側表面は、信号及び戻り接点を提供するように金属化される。円形分離切れ目１０４は、後面上の金属化を２つの接点電極、前記後面の中心の円形接点電極９８及び前記素子の前の金属化と接触している環状外縁接点電極９６に分離するように前記圧電素子の後面に形成される。前記素子は、次いで、電気的に分極される。整合層１００は、圧電素子９０の前面に結合される。
【００２０】
図１１及び１２は、ＨＩＦＵトランスデューサ１２０にインストールされたモジュール式ハウジングキャビテーションセンサの断面図を示し、図１２は、拡大図で中心アセンブリを示す。モジュール式キャビテーションセンサハウジング９２は、整合層１００に面した中心に結合された圧電センサ素子９０とともに見られる。Ｏリング１０２は、前記ハウジングの螺入された外側がプリント回路基板マウント９４のマッチするねじ山にねじ留めされる前にモジュール式ハウジング９２の周りに配置される。モジュール式ハウジング９２が定位置に完全にねじ留めされる場合、Ｏリング１０２は、前記ハウジングの周りで液密シールを形成するようにモジュール式ハウジング９２とマウント９４との間で圧迫される。ハウジング９２がこのように設置される場合、プリント回路基板１１０から伸びる電気接点１１２、１１４は、前記圧電素子の金属化された接点電極９８、９５を持つ電気接点を作る。これらの接点は、素子９０により受信された圧電信号をプリント回路基板１１０上の回路に結合し、キャビテーションを示しうる受信信号が、電気回路に結合され、処理される。
【００２１】
前記キャビテーションセンサが製造中又は使用中に損傷されるならば、損傷したキャビテーションセンサは、トランスデューサ１２０からモジュール式ハウジング９２及びセンサ素子９０を外すことにより交換されることができる。構成された実施例において、複数の孔が、トランスデューサマウント９４に前記ハウジングを螺入及び螺出するようにスパナレンチの係合に対してモジュール式ハウジング９８の患者に面する側に形成される。損傷したセンサ素子が螺出され、取り外された後に、新しいモジュール式ハウジング及びセンサ素子は、Ｏリング１０２が流体シールを形成するように再び圧迫されるまで、前記開口内に螺入される。プリント回路基板１１０の弾性ばね接点１１２、１１４１は、前記新しいセンサ上の電極９８、９６に接し、前記新しいセンサを持つＨＩＦＵトランスデューサは、すぐにサービスに戻されることができる。
【図１】
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【図２ａ】
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【図２ｂ】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７ａ】
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【図７ｂ】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【国際調査報告】
2014514951.tif 000017
2014514951.tif 000018
2014514951.tif 000019
2014514951.tif 000020