(57)【要約】  本開示は、入射光の波長範囲または色を補強する光キャビティを形成するために、追加の層でコーティングされた細いセンサー電極を含み得る、投影容量性タッチ（ＰＣＴ）センサーのためのシステム、方法および装置を提供する。センサー電極およびカバーガラスボーダー、ならびに／または装飾は、同時に作製され得る。いくつかの実施態様では、光キャビティの厚さは、反射光の「色」が黒色であるように選択されることになる。センサー電極は、人間の観測者にとって顕著でないことがある。しかしながら、いくつかの他の実施態様では、光キャビティの厚さは、センサー電極および／または装飾的部分が別の色を有することになるように選択され得る。タッチセンサーのルーティング線は、ボーダーにおいて接地された伝導性層によって遮蔽され得る。
2014517930.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のセンサー電極を形成するために光キャビティ層を実質的に透明な基板上に堆積させることと、
実質的に透明な誘電材料を、前記光キャビティ層上に、および、前記実質的に透明な基板の露出されたエリア上に堆積させることと、
前記下にある光キャビティ層の部分を露出するために前記実質的に透明な誘電材料を通してビアを形成することと、
前記下にある光キャビティ層の前記部分間に電気的接続を形成するために伝導性材料を前記ビア中に堆積させることと
を備える方法。
【請求項２】
前記光キャビティ層を堆積させることが、ブラックマスク層を堆積させることを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ブラックマスク層が、３５０ｎｍから８００ｎｍまでの波長範囲にわたる１％未満の明所視積分された反射率を与える、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記光キャビティ層を堆積させることが、部分反射性および部分伝導性層と、酸化物層と、反射性および伝導性層とのうちの少なくとも１つを堆積させることを含む、請求項１から３のいずれかに記載の方法。
【請求項５】
前記酸化物層を堆積させることが、二酸化ケイ素層または酸化インジウムスズ層を堆積させることを含む、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記部分反射性および部分伝導性層を堆積させることが、モリブデン−クロム（ＭｏＣｒ）合金層を堆積させることを含む、請求項４に記載の方法。
【請求項７】
前記センサー電極が、検知エリア中に形成され、前記光キャビティ層を堆積させることが、前記検知エリアの少なくとも一部分の周囲に延在するボーダーエリアを形成することを含む、請求項１から６のいずれかに記載の方法。
【請求項８】
前記酸化物層を堆積させることが、前記光キャビティ層を、前記ボーダーエリア中で第１の色を補強するように形成することと、前記センサー電極の前記光キャビティ層を、第２の色を補強するように形成することとを含む、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記伝導性材料を堆積させることが、前記ボーダーエリア中にルーティング線と接地線とを形成することを含み、前記ボーダーエリア中の前記接地線と前記光キャビティ層のうちの伝導性層との間に電気的接続を形成することをさらに含む、請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
前記ボーダーエリア中の前記光キャビティ層のうちの少なくとも１つを通して、ビアを形成して、装飾を作成することをさらに含む、請求項７に記載の方法。
【請求項１１】
前記装飾がロゴである、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記ビアを形成することが、前記光キャビティ層のうちの伝導性層を露出するように構成された、前記ボーダーエリア中のビアを形成することを含む、請求項７に記載の方法。
【請求項１３】
前記伝導性層を、前記ボーダーエリア中の前記ビアを通して、電気的に接地された線に接続することをさらに含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記光キャビティ層を堆積させることが、入射光の波長範囲または色を補強することになる光キャビティを形成することを含む、請求項１から１３のいずれかに記載の方法。
【請求項１５】
前記伝導性材料を堆積させることが、ボーダーエリア中にルーティング線を形成することであり、前記ルーティング線が、前記センサー電極を制御回路と接続するために構成されることを含む、請求項１から１４のいずれかに記載の方法。
【請求項１６】
前記光キャビティ層を堆積させることが、投影容量性タッチセンサー電極を形成することを含む、請求項１から１５のいずれかに記載の方法。
【請求項１７】
前記光キャビティ層を堆積させることが、連続的な列における第１の投影容量性タッチセンサー電極と、不連続的な行における第２の投影容量性タッチセンサー電極とを形成することを含み、前記伝導性材料を堆積させることが、前記不連続的な行間に電気的接続を形成することを含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記光キャビティ層を堆積させることが、不連続的な列における第１の投影容量性タッチセンサー電極と、連続的な行における第２の投影容量性タッチセンサー電極とを形成することを含み、前記伝導性材料を堆積させることが、前記不連続的な列間に電気的接続を形成することを含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項１９】
実質的に透明な基板と、
前記実質的に透明な基板上に配設された複数のタッチセンサー電極であって、光キャビティ層を含む、タッチセンサー電極と、
前記光キャビティ層上に配設された実質的に透明な誘電材料と、
前記実質的に透明な誘電材料を通して、前記光キャビティ層の部分まで形成されたビアと、
前記光キャビティ層の前記部分間に電気的接続を形成するための、前記ビア中の伝導性材料と
を備える装置。
【請求項２０】
前記光キャビティ層が、ブラックマスク層を含む、請求項１９に記載の装置。
【請求項２１】
前記ブラックマスク層が、３５０ｎｍから８００ｎｍまでの波長範囲にわたる１％未満の明所視積分された反射率を与える、請求項２０に記載の装置。
【請求項２２】
前記光キャビティ層が、部分反射性および部分伝導性層と、酸化物層と、反射性および伝導性層とのうちの少なくとも１つを含む、請求項１９から２１のいずれかに記載の装置。
【請求項２３】
前記光キャビティ層が、前記酸化物層を含み、前記酸化物層が、二酸化ケイ素層または酸化インジウムスズ層を含む、請求項２２に記載の装置。
【請求項２４】
前記光キャビティ層が、前記部分反射性および部分伝導性層を含み、前記部分反射性および部分伝導性層が、モリブデン−クロム（ＭｏＣｒ）合金層を含む、請求項２２に記載の装置。
【請求項２５】
前記装置が、
前記タッチセンサー電極の周囲のボーダーエリアをさらに備え、前記ボーダーエリアが、前記光キャビティ層から形成される、請求項１９から２４のいずれかに記載の装置。
【請求項２６】
前記ボーダーエリアを形成する第１の光キャビティ層が、第１の色を補強するように構成され、前記タッチセンサー電極を形成する第２の光キャビティ層が、第２の色を補強するように構成される、請求項２５に記載の装置。
【請求項２７】
前記光キャビティ層が、入射光の波長範囲または色を補強するように構成された光キャビティを形成する、請求項１９から２６のいずれかに記載の装置。
【請求項２８】
前記タッチセンサー電極が、連続的な列における第１のタッチセンサー電極と、不連続的な行における第２のタッチセンサー電極とを含み、前記伝導性材料が、前記不連続的な行間に電気的接続を形成する、請求項１９から２７のいずれかに記載の装置。
【請求項２９】
前記タッチセンサー電極が、不連続的な列における第１のタッチセンサー電極と、連続的な行における第２のタッチセンサー電極とを含み、前記伝導性材料が、前記不連続的な列間に電気的接続を形成する、請求項１９から２８のいずれかに記載の装置。
【請求項３０】
ディスプレイと、
前記ディスプレイと通信するように構成されるプロセッサであって、画像データを処理するように構成される、プロセッサと、
前記プロセッサと通信するように構成されるメモリデバイスと
をさらに備える、請求項１９から２９のいずれかに記載の装置。
【請求項３１】
前記ディスプレイに少なくとも１つの信号を送るように構成されたドライバ回路と、
前記ドライバ回路に前記画像データの少なくとも一部分を送るように構成されたコントローラと
をさらに備える、請求項３０に記載の装置。
【請求項３２】
前記プロセッサに前記画像データを送るように構成された画像ソースモジュールであり、受信機、トランシーバ、および送信機のうちの少なくとも１つを含む、画像ソースモジュール
をさらに備える、請求項３０に記載の装置。
【請求項３３】
入力データを受信することと、前記プロセッサに前記入力データを通信することとを行うように構成された入力デバイス
をさらに備える、請求項３０に記載の装置。
【請求項３４】
前記プロセッサとの通信のために構成されたタッチコントローラと、
前記センサー電極を前記タッチコントローラと接続するために構成されたルーティング線と
をさらに備える、請求項３０に記載の装置。
【請求項３５】
実質的に透明な基板手段と、
前記実質的に透明な基板手段上に配設された複数のタッチセンサー電極手段であって、光キャビティ手段を含む、タッチセンサー電極手段と、
前記タッチセンサー電極手段の不連続部分間に電気的接続を形成するための電気的接続手段と
を備える装置。
【請求項３６】
前記光キャビティ層が、ブラックマスク層を含む、請求項３５に記載の装置。
【請求項３７】
前記装置が、
前記タッチセンサー電極手段の周囲のボーダーエリアをさらに備え、前記ボーダーエリアが、前記光キャビティ手段から形成される、請求項３４または請求項３５に記載の装置。
【請求項３８】
前記装置が、
タッチコントロール手段と、
前記タッチセンサー電極手段を前記タッチコントロール手段と接続するためのルーティング手段とをさらに備え、前記ボーダーエリアが、前記ルーティング手段を隠蔽するように構成される、請求項３７に記載の装置。
【請求項３９】
前記タッチセンサー電極手段が、連続的な列における第１のタッチセンサー電極と、不連続的な行における第２のタッチセンサー電極とを含み、前記電気的接続手段が、前記不連続的な行間に電気的接続を形成する、請求項３５から３８のいずれかに記載の装置。
【請求項４０】
前記タッチセンサー電極手段が、不連続的な列における第１のタッチセンサー電極と、連続的な行における第２のタッチセンサー電極とを含み、前記電気的接続手段が、前記不連続的な列間に電気的接続を形成する、請求項３５から３９のいずれかに記載の装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
関連出願の相互参照
本出願は、それらの両方が参照により、およびすべての目的のために本明細書に組み込まれる、２０１１年４月２９日に出願された「ＷＩＲＩＮＧ  ＡＮＤ  ＰＥＲＩＰＨＥＲＹ  ＦＯＲ  ＩＮＴＥＧＲＡＴＥＤ  ＣＡＰＡＣＩＴＩＶＥ  ＴＯＵＣＨ  ＤＥＶＩＣＥＳ」という名称の米国仮特許出願第６１／４８０，９７０号（代理人整理番号ＱＵＡＬＰ０５０Ｐ／１０１７９８Ｐ１）と、２０１１年１１月４日に出願された「ＷＩＲＩＮＧ  ＡＮＤ  ＰＥＲＩＰＨＥＲＹ  ＦＯＲ  ＩＮＴＥＧＲＡＴＥＤ  ＣＡＰＡＣＩＴＩＶＥ  ＴＯＵＣＨ  ＤＥＶＩＣＥＳ」という名称の米国特許出願第１３／２９０，００１号（代理人整理番号ＱＵＡＬＰ０５０／１０１７９８）の優先権を主張するものである。
【０００２】
本開示は、限定はしないが、タッチスクリーンを組み込んだディスプレイデバイスを含む、ディスプレイデバイスに関する。
【背景技術】
【０００３】
電気機械システム（ＥＭＳ）は、電気的および機械的要素と、アクチュエータと、トランスデューサと、センサーと、光学的構成要素（ミラーを含む）と、電子回路とを有するデバイスを含む。電気機械システムは、限定はしないが、マイクロスケールおよびナノスケールを含む、様々なスケールで製造され得る。たとえば、マイクロ電気機械システム（ＭＥＭＳ：microelectromechanical system）デバイスは、約１ミクロンから数百ミクロン以上に及ぶサイズを有する構造を含むことができる。ナノ電気機械システム（ＮＥＭＳ：nanoelectromechanical system）デバイスは、たとえば、数百ナノメートルよりも小さいサイズを含む、１ミクロンよりも小さいサイズを有する構造を含むことができる。電気および電気機械デバイスを形成するために、堆積、エッチング、リソグラフィを使用して、ならびに／あるいは、基板および／または堆積された材料層の部分をエッチング除去するかまたは層を追加する、他の微細加工プロセスを使用して、電気機械要素が作成され得る。
【０００４】
１つのタイプのＥＭＳデバイスは干渉変調器（ＩＭＯＤ：interferometric modulator）と呼ばれる。本明細書で使用する干渉変調器または干渉光変調器という用語は、光学干渉の原理を使用して光を選択的に吸収および／または反射するデバイスを指す。いくつかの実施態様では、干渉変調器は伝導性プレートのペアを含み得、そのペアの一方または両方は、全体的にまたは部分的に、透明でおよび／または反射性であり、適切な電気信号の印加時の相対運動が可能であり得る。一実施態様では、一方のプレートは、基板上に堆積された固定層を含み得、他方のプレートは、エアギャップによって固定層から分離された反射膜を含み得る。別のプレートに対するあるプレートの位置は、干渉変調器に入射する光の光学干渉を変化させることがある。干渉変調器デバイスは、広範囲の適用例を有しており、特にディスプレイ能力がある製品の場合、既存の製品を改善し、新しい製品を作成する際に使用されることが予期される。
【０００５】
ハンドヘルドデバイスにおけるタッチスクリーンの使用の増加が、今ではディスプレイ、タッチパネルおよびカバーガラスを含む、モジュールの複雑さおよびコストの増加を引き起こしている。本明細書で使用するとき、「カバーガラス」は、実際のガラス、ポリマーなど、任意の好適な実質的に透明な基板から形成され得る。ガラスの各部分は、厚さを追加し、隣接する基板への取付けのために、コストがかかるガラス間ボンディングソリューションを必要とする。これらの問題は、反射型ディスプレイの場合、フロントライトも組み込まれる必要があるとき、モジュールの厚さとコストとを増すので、さらに悪化され得る。
【発明の概要】
【０００６】
本開示のシステム、方法およびデバイスは、それぞれいくつかの発明的態様を有し、それらのうちの単一の態様が、単独で、本明細書で開示する望ましい属性を担当するとは限らない。
【０００７】
本開示で説明する主題の１つの発明的態様は、投影容量性タッチ（ＰＣＴ）センサーを有する画面カバーガラスを含む装置において実施され得る。投影容量性タッチセンサーは、検知電極として細い線を含み得る。細いセンサー電極および／または装飾的部分は、入射光の波長範囲または色を補強する光キャビティを形成するために、追加の層でコーティングされ得る。いくつかの実施態様では、光キャビティの厚さは、反射光の「色」が黒色であるように選択されることになる。センサー電極は、人間の観測者にとって顕著でないことがある。
【０００８】
いくつかの実施態様では、タッチセンサーのためのセンサー電極、およびカバーガラスボーダー、ならびに／または装飾は、カバーガラス上に堆積された１つまたは複数の同じ層を使用して、同時に作製され得る。しかしながら、いくつかの他の実施態様では、光キャビティの厚さは、センサー電極および／または装飾的部分が、黒色以外の色を有することになるように選択され得る。いくつかの実施態様では、センサー電極は、ある色を有することになり、ボーダーおよび／または装飾的部分は、別の色を有することになる。会社名、ロゴ、アイコンなどのグラフィカル要素は、ディスプレイの閲覧可能なエリアの周囲の黒色または有色ボーダーをパターニングすることによって、ボーダーに組み込まれ得る。いくつかの実施態様では、タッチセンサーのルーティング線は、ボーダーにおいて接地された伝導性層によって遮蔽され得る。
【０００９】
本開示で説明する主題の別の発明的態様は、光キャビティ層を実質的に透明な基板上に堆積させて、複数のセンサー電極を形成することを含む方法において実施され得る。この方法は、実質的に透明な誘電材料を、光キャビティ層上に、および、実質的に透明な基板の露出されたエリア上に堆積させることと、下にある光キャビティ層の部分を露出するように、実質的に透明な誘電材料を通してビアを形成することと、伝導性材料をビア中に堆積させて、下にある光キャビティ層の部分間に電気的接続を形成することとを含み得る。
【００１０】
光キャビティ層を堆積させることは、ブラックマスク層を堆積させることを含み得る。いくつかの実施態様では、ブラックマスク層は、光の可視範囲中のしきい値量未満の明所視積分された反射率（photopic integrated reflectivity）を与え得る。たとえば、ブラックマスク層は、３５０ｎｍから８００ｎｍまでの波長範囲にわたる、５％未満、３％未満、１％未満、またはある他のしきい値未満の明所視積分された反射率を与え得る。
【００１１】
光キャビティ層を堆積させることは、部分反射性および部分伝導性層、酸化物層、ならびに／または、反射性および伝導性層を堆積させることを含み得る。酸化物層を堆積させることは、二酸化ケイ素層または酸化インジウムスズ層を堆積させることを含み得る。部分反射性および部分伝導性層を堆積させることは、モリブデン−クロム（ＭｏＣｒ）合金層を堆積させることを含み得る。
【００１２】
センサー電極は、検知エリア中に形成され得る。光キャビティ層を堆積させることは、検知エリアの少なくとも一部分の周囲に延在するボーダーエリアを形成することを含み得る。酸化物層を堆積させることは、光キャビティ層を、ボーダーエリア中で第１の色を補強するように形成することと、センサー電極の光キャビティ層を、第２の色を補強するように形成することとを含み得る。伝導性材料を堆積させることは、ボーダーエリア中にルーティング線を形成することを含み得る。ルーティング線は、センサー電極を制御回路と接続するために構成され得る。
【００１３】
この方法はまた、ボーダーエリア中の接地線と光キャビティ層のうちの伝導性層との間に電気的接続を形成することをも含み得る。ビアを形成することは、光キャビティ層のうちの伝導性層を露出するように構成された、ボーダーエリア中の少なくとも１つのビアを形成することを含み得る。この方法はまた、伝導性層を、ボーダーエリア中のビアを通して、電気的に接地された線に接続することをも含み得る。この方法はまた、ボーダーエリア中の光キャビティ層のうちの少なくとも１つを通して、ビアを形成して、装飾を作成することをも含み得る。いくつかの実施態様では、装飾はロゴであり得る。
【００１４】
光キャビティ層を堆積させることは、入射光の波長範囲または色を補強することになる光キャビティを形成することを含み得る。光キャビティ層を堆積させることは、投影容量性タッチセンサー電極を形成することを含み得る。光キャビティ層を堆積させることは、連続的な列における第１の投影容量性タッチセンサー電極と、不連続的な行における第２の投影容量性タッチセンサー電極とを形成することを含み得る。伝導性材料を堆積させることは、不連続的な行間に電気的接続を形成することを含み得る。光キャビティ層を堆積させることは、不連続的な列における第１の投影容量性タッチセンサー電極と、連続的な行における第２の投影容量性タッチセンサー電極とを形成することを含み得る。伝導性材料を堆積させることは、不連続的な列間に電気的接続を形成することを含み得る。
【００１５】
本開示で開示する主題の別の発明的態様は、実質的に透明な基板と、実質的に透明な基板上に配設された複数のタッチセンサー電極とを含む装置において実施され得る。タッチセンサー電極は、光キャビティ層を含み得る。実質的に透明な誘電材料は、光キャビティ層上に配設され得、ビアは、実質的に透明な誘電材料を通して、光キャビティ層の部分まで形成され得る。ビア中の伝導性材料は、光キャビティ層の部分間に電気的接続を形成し得る。
【００１６】
光キャビティ層は、ブラックマスク層を含み得る。ブラックマスク層は、３５０ｎｍから８００ｎｍまでの波長範囲にわたる、しきい値（たとえば、１％、３％または５％）未満の明所視積分された反射率を与え得る。光キャビティ層は、部分反射性および部分伝導性層、酸化物層、ならびに／または、反射性および伝導性層を含み得る。部分反射性および部分伝導性層は、モリブデン−クロム（ＭｏＣｒ）合金層であり得る。酸化物層は、たとえば、二酸化ケイ素層または酸化インジウムスズ層であり得る。光キャビティ層は、入射光の波長範囲または色を補強するように構成された光キャビティを形成し得る。
【００１７】
この装置は、タッチセンサー電極の周囲のボーダーエリアを含み得る。ボーダーエリアは、光キャビティ層から形成され得る。ボーダーエリアを形成する第１の光キャビティ層は、第１の色を補強するように構成され得、タッチセンサー電極を形成する第２の光キャビティ層は、第２の色を補強するように構成され得る。
【００１８】
タッチセンサー電極は、連続的な列における第１のタッチセンサー電極と、不連続的な行における第２のタッチセンサー電極とを含み得る。伝導性材料は、不連続的な行間に電気的接続を形成し得る。タッチセンサー電極は、不連続的な列における第１のタッチセンサー電極と、連続的な行における第２のタッチセンサー電極とを含み得る。伝導性材料は、不連続的な列間に電気的接続を形成し得る。
【００１９】
この装置は、ディスプレイと、ディスプレイと通信するように構成されるプロセッサとを含み得る。プロセッサは、画像データを処理するように構成され得る。この装置はまた、プロセッサと通信するように構成されるメモリデバイスをも含み得る。この装置は、ディスプレイに少なくとも１つの信号を送るように構成されたドライバ回路と、ドライバ回路に画像データの少なくとも一部分を送るように構成されたコントローラとを含み得る。この装置は、プロセッサに画像データを送るように構成された画像ソースモジュールであり、受信機、トランシーバ、および送信機のうちの少なくとも１つを含む、画像ソースモジュールを含み得る。この装置は、入力データを受信することと、プロセッサに入力データを通信することとを行うように構成された入力デバイスを含み得る。この方法は、プロセッサとの通信のために構成されたタッチコントローラと、センサー電極をタッチコントローラと接続するために構成されたルーティング線とを含み得る。
【００２０】
本明細書で説明する主題の１つまたは複数の実施態様の詳細が、添付の図面および以下の説明において示されている。本概要で与えた例は、主にＭＥＭＳベースのディスプレイに関して説明されているが、本明細書で提供する概念は、液晶ディスプレイ、有機発光ダイオード（「ＯＬＥＤ」）ディスプレイおよび電界放出ディスプレイなど、他のタイプのディスプレイに適用され得る。他の特徴、態様、および利点は、説明、図面、および特許請求の範囲から明らかになるであろう。以下の図の相対寸法は一定の縮尺で描かれていないことがあることに留意されたい。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】干渉変調器（ＩＭＯＤ）ディスプレイデバイスの一連のピクセル中の２つの隣接ピクセルを示す等角図の一例を示す図。
【図２】３×３干渉変調器ディスプレイを組み込んだ電子デバイスを示すシステムブロック図の一例を示す図。
【図３】図１の干渉変調器についての可動反射層位置対印加電圧を示す図の一例を示す図。
【図４】様々なコモン電圧およびセグメント電圧が印加されたときの干渉変調器の様々な状態を示す表の一例を示す図。
【図５Ａ】図２の３×３干渉変調器ディスプレイにおけるディスプレイデータのフレームを示す図の一例を示す図。
【図５Ｂ】図５Ａに示すディスプレイデータのフレームを書き込むために使用され得るコモン信号およびセグメント信号についてのタイミング図の一例を示す図。
【図６Ａ】図１の干渉変調器ディスプレイの部分断面図の一例を示す図。
【図６Ｂ】干渉変調器の異なる実施態様の断面図の一例を示す図。
【図６Ｃ】干渉変調器の異なる実施態様の断面図の一例を示す図。
【図６Ｄ】干渉変調器の異なる実施態様の断面図の一例を示す図。
【図６Ｅ】干渉変調器の異なる実施態様の断面図の一例を示す図。
【図７】干渉変調器のための製造プロセスを示すフロー図の一例を示す図。
【図８Ａ】干渉変調器を製作する方法における様々な段階の断面概略図の一例を示す図。
【図８Ｂ】干渉変調器を製作する方法における様々な段階の断面概略図の一例を示す図。
【図８Ｃ】干渉変調器を製作する方法における様々な段階の断面概略図の一例を示す図。
【図８Ｄ】干渉変調器を製作する方法における様々な段階の断面概略図の一例を示す図。
【図８Ｅ】干渉変調器を製作する方法における様々な段階の断面概略図の一例を示す図。
【図９Ａ】光キャビティ層から形成された投影容量性タッチセンサー電極を有するデバイスの一部分を通る断面図の一例を示す図。
【図９Ｂ】黒色の外観を作り出すように構成された光キャビティ層のスペクトル感度のグラフの一例を示す図。
【図９Ｃ】赤色と緑色とを補強するように構成された光キャビティ層の色座標のグラフの一例を示す図。
【図１０】カバーガラス上の光キャビティ層から形成された投影容量性タッチセンサー電極を有するデバイスを作製するプロセスを示すフロー図の一例を示す図。
【図１１Ａ】図１０のプロセスにおける段階中のカバーガラスの一部分を通る断面図の一例を示す図。
【図１１Ｂ】図１０のプロセスにおける段階中のカバーガラスの一部分を通る断面図の一例を示す図。
【図１１Ｃ】図１０のプロセスにおける段階中のカバーガラスの一部分を通る断面図の一例を示す図。
【図１２Ａ】図１１Ｃに示すセンサー電極の空間分布の一例を示す図。
【図１２Ｂ】その上に形成された、不連続的な列における第１の投影容量性タッチセンサー電極と、連続的な行における第２の投影容量性タッチセンサー電極とを有する、カバーガラスの底面図の一例を示す図。
【図１２Ｃ】図１２Ｂに示すカバーガラスと電極とを通る断面図の一例を示す図。
【図１２Ｄ】代替実施態様による、カバーガラスの一部分の底面図の一例を示す図。
【図１２Ｅ】図１２Ｄに示すカバーガラスと、ボンドパッドと、ビアとを通る断面図の一例を示す図。
【図１２Ｆ】その上に形成された、不連続的な行における第１の投影容量性タッチセンサー電極と、連続的な列における第２の投影容量性タッチセンサー電極とを有する、カバーガラスの一例を示す図。
【図１２Ｇ】その上に形成された、不連続的な行における第１の投影容量性タッチセンサー電極と、連続的な列における第２の投影容量性タッチセンサー電極とを有する、カバーガラスの代替例を示す図。
【図１２Ｈ】カバーガラス上の、投影容量性タッチセンサー電極と、光キャビティ層から形成されたボーダーエリアとを有するデバイスの上面図の一例を示す図。
【図１３Ａ】ボーダーエリア中にロゴが形成された、カバーガラス上の光キャビティ層から形成されたボーダーエリアを有するデバイスの上面図の代替例を示す図。
【図１３Ｂ】図１３Ａに示すカバーガラスと、ボーダーと、ロゴとを通る断面図の一例を示す図。
【図１３Ｃ】図１３Ａに示すカバーガラスと、ボーダーと、ロゴとを通る断面図の代替例を示す図。
【図１４Ａ】本明細書で説明するタッチセンサーを含むディスプレイデバイスを示すシステムブロック図の一例を示す図。
【図１４Ｂ】本明細書で説明するタッチセンサーを含むディスプレイデバイスを示すシステムブロック図の一例を示す図。
【詳細な説明】
【００２２】
様々な図面中の同様の参照番号および名称は同様の要素を示す。
【００２３】
以下の説明は、本開示の発明的態様について説明する目的で、いくつかの実施態様を対象とする。ただし、本明細書の教示が多数の異なる方法で適用され得ることを、当業者は容易に認識されよう。説明する実施態様は、動いていようと（たとえば、ビデオ）、静止していようと（たとえば、静止画像）、およびテキストであろうと、グラフィックであろうと、絵であろうと、画像を表示するように構成され得る任意のデバイスまたはシステムにおいて実施され得る。より詳細には、説明する実施態様は、限定はしないが、携帯電話、マルチメディアインターネット対応セルラー電話、モバイルテレビジョン受信機、ワイヤレスデバイス、スマートフォン、Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ（登録商標）デバイス、携帯情報端末（ＰＤＡ）、ワイヤレス電子メール受信機、ハンドヘルドまたはポータブルコンピュータ、ネットブック、ノートブック、スマートブック、タブレット、プリンタ、コピー機、スキャナ、ファクシミリデバイス、ＧＰＳ受信機／ナビゲータ、カメラ、ＭＰ３プレーヤ、カムコーダ、ゲーム機、腕時計、クロック、計算器、テレビジョンモニタ、フラットパネルディスプレイ、電子リーディングデバイス（すなわち、電子リーダー）、コンピュータモニタ、自動車ディスプレイ（オドメータおよびスピードメータディスプレイなどを含む）、コックピットコントロールおよび／またはディスプレイ、カメラビューディスプレイ（車両における後部ビューカメラのディスプレイなど）、電子写真、電子ビルボードまたは標示、プロジェクタ、アーキテクチャ構造物、電子レンジ、冷蔵庫、ステレオシステム、カセットレコーダーまたはプレーヤ、ＤＶＤプレーヤ、ＣＤプレーヤ、ＶＣＲ、ラジオ、ポータブルメモリチップ、洗濯機、乾燥機、洗濯機／乾燥機、パーキングメータ、（電気機械システム（ＥＭＳ）、マイクロ電気機械システム（ＭＥＭＳ）および非ＭＥＭＳ適用例などにおける）パッケージング、審美構造物（たとえば、１つの宝飾品上の画像のディスプレイ）、ならびに様々なＥＭＳデバイスなど、様々な電子デバイス中に含まれるかまたはそれらに関連付けられ得ると考えられる。また、本明細書の教示は、限定はしないが、電子スイッチングデバイス、無線周波フィルタ、センサー、加速度計、ジャイロスコープ、運動感知デバイス、磁力計、コンシューマーエレクトロニクスのための慣性構成要素、コンシューマーエレクトロニクス製品の部品、バラクタ、液晶デバイス、電気泳動デバイス、駆動方式、製造プロセス、および電子テスト機器など、非ディスプレイ適用例において使用され得る。したがって、本教示は、単に図に示す実施態様に限定されるものではなく、代わりに、当業者に直ちに明らかになるであろう広い適用性を有する。
【００２４】
本明細書で提供するいくつかの実施態様によれば、容量性タッチセンサーの金属センサー電極は、入射光の波長範囲または色を補強する光キャビティを形成するために、追加の層でコーティングされ得る。いくつかの実施態様では、光キャビティの厚さは、「色」が黒色であるように選択されることになる。いくつかの実施態様では、センサー電極と、ディスプレイの閲覧可能なエリアの周囲のカバーガラスボーダーとは、カバーガラス上に堆積された１つまたは複数の同じ層を使用して、同時に作製され得る。
【００２５】
しかしながら、いくつかの他の実施態様では、光キャビティの厚さは、細い金属線および／または装飾的部分が別の色を有することになるように選択され得る。会社名、ロゴ、アイコンなどのグラフィカル要素は、黒色または有色ボーダーをパターニングすることによって、ボーダーに組み込まれ得る。
【００２６】
本開示で説明する主題の特定の実施態様は、以下の潜在的な利点のうちの１つまたは複数を実現するように実施され得る。そのような実施態様は、容量性タッチセンサーの線が人間の観測者にとって比較的あまり顕著ではないことがあるので、有利であり得る。その上、容量性タッチセンサー、ボーダー、他の装飾的特徴、ロゴなどを作製するために必要とされるステップの数が、低減され得る。いくつかの実施態様では、センサー電極およびカバーガラスボーダー、ならびに／または、ロゴなどの装飾が、同時に作製され得る。たとえば、ビアは、所望のロゴの形状で、光キャビティ層を通してカバーガラスまでエッチングされ得る。ビアは、インク、塗料、金属、反射テープなどで満たされ得る。代替的に、ビアは、ロゴの形状で反射層を露出するための、光キャビティ層を通る形のエッチングされた部分であり得る。ボーダーへの接地は、ルーティング線間のクロストークを減少させ得る。そのような実施態様はまた、ルーティング線における信号への周囲雑音からの干渉を低減または排除し得る。
【００２７】
説明する実施態様が適用され得る好適な電気機械システム（ＥＭＳ）またはＭＥＭＳデバイスの一例は、反射型ディスプレイデバイスである。反射型ディスプレイデバイスは、光学干渉の原理を使用してそれに入射する光を選択的に吸収および／または反射するために干渉変調器（ＩＭＯＤ）を組み込むことができる。ＩＭＯＤは、吸収器、吸収器に対して可動である反射体、ならびに吸収器と反射体との間に画定された光共振キャビティを含むことができる。反射体は、２つ以上の異なる位置に移動され得、これは、光共振キャビティのサイズを変化させ、それにより干渉変調器の反射率に影響を及ぼすことがある。ＩＭＯＤの反射スペクトルは、かなり広いスペクトルバンドをもたらすことができ、そのスペクトルバンドは、異なる色を生成するために可視波長にわたってシフトされ得る。スペクトルバンドの位置は、光共振キャビティの厚さを変更することによって、すなわち、反射体の位置を変更することによって調節され得る。
【００２８】
図１は、干渉変調器（ＩＭＯＤ）ディスプレイデバイスの一連のピクセル中の２つの隣接ピクセルを示す等角図の一例を示す。ＩＭＯＤディスプレイデバイスは、１つまたは複数の干渉ＭＥＭＳディスプレイ要素を含む。これらのデバイスでは、ＭＥＭＳディスプレイ要素のピクセルが、明状態または暗状態のいずれかにあることがある。明（「緩和」、「開」または「オン」）状態では、ディスプレイ要素は、たとえば、ユーザに、入射可視光の大部分を反射する。逆に、暗（「作動」、「閉」または「オフ」）状態では、ディスプレイ要素は入射可視光をほとんど反射しない。いくつかの実施態様では、オン状態の光反射特性とオフ状態の光反射特性は逆にされ得る。ＭＥＭＳピクセルは、黒および白に加えて、主に、カラーディスプレイを可能にする特定の波長において、反射するように構成され得る。
【００２９】
ＩＭＯＤディスプレイデバイスは、ＩＭＯＤの行／列アレイを含むことができる。各ＩＭＯＤは、（光ギャップまたはキャビティとも呼ばれる）エアギャップを形成するように互いから可変で制御可能な距離をおいて配置された反射層のペア、すなわち、可動反射層と固定部分反射層とを含むことができる。可動反射層は、少なくとも２つの位置の間で移動され得る。第１の位置、すなわち、緩和位置では、可動反射層は、固定部分反射層から比較的大きい距離をおいて配置され得る。第２の位置、すなわち、作動位置では、可動反射層は、部分反射層により近接して配置され得る。それら２つの層から反射する入射光は、可動反射層の位置に応じて、強め合うようにまたは弱め合うように干渉し、各ピクセルについて全反射状態または無反射状態のいずれかを引き起こすことがある。いくつかの実施態様では、ＩＭＯＤは、作動していないときに反射状態にあり、可視スペクトル内の光を反射し得、また、作動していないときに暗状態にあり、可視範囲外の光（たとえば、赤外光）を反射し得る。ただし、いくつかの他の実施態様では、ＩＭＯＤは、作動していないときに暗状態にあり、作動しているときに反射状態にあり得る。いくつかの実施態様では、印加電圧の導入が、状態を変更するようにピクセルを駆動することができる。いくつかの他の実施態様では、印加電荷が、状態を変更するようにピクセルを駆動することができる。
【００３０】
図１中のピクセルアレイの図示の部分は、２つの隣接する干渉変調器１２を含む。（図示のような）左側のＩＭＯＤ１２では、可動反射層１４が、部分反射層を含む光学スタック１６からの所定の距離における緩和位置に示されている。左側のＩＭＯＤ１２の両端間に印加された電圧Ｖ0は、可動反射層１４の作動を引き起こすには不十分である。右側のＩＭＯＤ１２では、可動反射層１４は、光学スタック１６の近くの、またはそれに隣接する作動位置に示されている。右側のＩＭＯＤ１２の両端間に印加された電圧Ｖbiasは、可動反射層１４を作動位置に維持するのに十分である。
【００３１】
図１では、ピクセル１２の反射特性が、概して、ピクセル１２に入射する光を示す矢印１３と、左側のＩＭＯＤ１２から反射する光１５とを用いて示されている。詳細に示していないが、ピクセル１２に入射する光１３の大部分は透明基板２０を透過され、光学スタック１６に向かうことになることを、当業者なら理解されよう。光学スタック１６に入射する光の一部分は光学スタック１６の部分反射層を透過されることになり、一部分は反射され、透明基板２０を通って戻ることになる。光学スタック１６を透過された光１３の部分は、可動反射層１４において反射され、透明基板２０に向かって（およびそれを通って）戻ることになる。光学スタック１６の部分反射層から反射された光と可動反射層１４から反射された光との間の（強め合うまたは弱め合う）干渉が、ＩＭＯＤ１２から反射される光１５の（１つまたは複数の）波長を決定することになる。
【００３２】
光学スタック１６は、単一の層またはいくつかの層を含むことができる。その（１つまたは複数の）層は、電極層と、部分反射および部分透過層と、透明な誘電体層とのうちの１つまたは複数を含むことができる。いくつかの実施態様では、光学スタック１６は、電気伝導性であり、部分的に透明で、部分的に反射性であり、たとえば、透明基板２０上に上記の層のうちの１つまたは複数を堆積させることによって、作製され得る。電極層は、様々な金属、たとえば酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）など、様々な材料から形成され得る。部分反射層は、様々な金属、たとえば、クロム（Ｃｒ）、半導体、および誘電体など、部分的に反射性である様々な材料から形成され得る。部分反射層は、材料の１つまたは複数の層から形成され得、それらの層の各々は、単一の材料または材料の組合せから形成され得る。いくつかの実施態様では、光学スタック１６は、光吸収体と導体の両方として働く、金属または半導体の単一の半透明の膜（thickness）を含むことができるが、（たとえば、光学スタック１６の、またはＩＭＯＤの他の構造の）異なる、より伝導性の高い層または部分が、ＩＭＯＤピクセル間で信号をバスで運ぶ（bus）ように働くことができる。光学スタック１６は、１つまたは複数の伝導性層または伝導性／吸収層をカバーする、１つまたは複数の絶縁層または誘電体層をも含むことができる。
【００３３】
いくつかの実施態様では、光学スタック１６の（１つまたは複数の）層は、以下でさらに説明するように、平行ストリップにパターニングされ得、ディスプレイデバイスにおける行電極を形成し得る。当業者によって理解されるように、「パターニング」という用語は、本明細書では、マスキングプロセスならびにエッチングプロセスを指すために使用される。いくつかの実施態様では、アルミニウム（Ａｌ）などの高伝導性および反射性材料が可動反射層１４のために使用され得、これらのストリップはディスプレイデバイスにおける列電極を形成し得る。可動反射層１４は、（光学スタック１６の行電極に直交する）１つまたは複数の堆積された金属層の一連の平行ストリップとして形成されて、ポスト１８の上に堆積された列とポスト１８間に堆積された介在する犠牲材料とを形成し得る。犠牲材料がエッチング除去されると、画定されたギャップ１９または光キャビティが可動反射層１４と光学スタック１６との間に形成され得る。いくつかの実施態様では、ポスト１８間の間隔は約１〜１０００μｍであり得、ギャップ１９は約１０，０００オングストローム（Å）未満であり得る。
【００３４】
いくつかの実施態様では、ＩＭＯＤの各ピクセルは、作動状態にあろうと緩和状態にあろうと、本質的に、固定反射層および可動反射層によって形成されるキャパシタである。電圧が印加されないとき、可動反射層１４は、図１中の左側のＩＭＯＤ１２によって示されるように、機械的に緩和した状態にとどまり、可動反射層１４と光学スタック１６との間のギャップ１９がある。しかしながら、電位差、たとえば、電圧が、選択された行および列のうちの少なくとも１つに印加されたとき、対応するピクセルにおける行電極と列電極との交差部に形成されたキャパシタは帯電し、静電力がそれらの電極を引き合わせる。印加された電圧がしきい値を超える場合、可動反射層１４は、変形し、光学スタック１６の近くにまたはそれに対して移動することができる。光学スタック１６内の誘電体層（図示せず）が、図１中の右側の作動ＩＭＯＤ１２によって示されるように、短絡を防ぎ、層１４と層１６との間の分離距離を制御し得る。その挙動は、印加電位差の極性にかかわらず同じである。いくつかの事例ではアレイ中の一連のピクセルが「行」または「列」と呼ばれることがあるが、ある方向を「行」と呼び、別の方向を「列」と呼ぶことは恣意的であることを、当業者は容易に理解されよう。言い換えれば、いくつかの配向では、行は列と見なされ得、列は行であると見なされ得る。さらに、ディスプレイ要素は、直交する行および列に一様に配置されるか（「アレイ」）、または、たとえば、互いに対して一定の位置オフセットを有する、非線形構成で配置され得る（「モザイク」）。「アレイ」および「モザイク」という用語は、いずれかの構成を指し得る。したがって、ディスプレイは、「アレイ」または「モザイク」を含むものとして言及されるが、その要素自体は、いかなる事例においても、互いに直交して配置される必要がなく、または一様な分布で配設される必要がなく、非対称形状および不均等に分布された要素を有する配置を含み得る。
【００３５】
図２は、３×３干渉変調器ディスプレイを組み込んだ電子デバイスを示すシステムブロック図の一例を示す。電子デバイスは、１つまたは複数のソフトウェアモジュールを実行するように構成され得るプロセッサ２１を含む。オペレーティングシステムを実行することに加えて、プロセッサ２１は、ウェブブラウザ、電話アプリケーション、電子メールプログラム、または他のソフトウェアアプリケーションを含む、１つまたは複数のソフトウェアアプリケーションを実行するように構成され得る。
【００３６】
プロセッサ２１は、アレイドライバ２２と通信するように構成され得る。アレイドライバ２２は、たとえば、ディスプレイアレイまたはパネル３０に、信号を与える行ドライバ回路２４と列ドライバ回路２６とを含むことができる。図２には、図１に示したＩＭＯＤディスプレイデバイスの断面が線１−１によって示されている。図２は明快のためにＩＭＯＤの３×３アレイを示しているが、ディスプレイアレイ３０は、極めて多数のＩＭＯＤを含んでいることがあり、列におけるＩＭＯＤの数とは異なる数のＩＭＯＤを行において有し得、その逆も同様である。
【００３７】
図３は、図１の干渉変調器についての可動反射層位置対印加電圧を示す図の一例を示す。ＭＥＭＳ干渉変調器の場合、行／列（すなわち、コモン／セグメント）書込みプロシージャが、図３に示すこれらのデバイスのヒステリシス特性を利用し得る。干渉変調器は、可動反射層またはミラーに緩和状態から作動状態に変更させるために、たとえば、約１０ボルトの電位差を必要とし得る。電圧がその値から低減されると、電圧が低下して、たとえば、１０ボルトより下に戻ったとき、可動反射層はそれの状態を維持する。しかし、電圧が２ボルトより下に低下するまで、可動反射層は完全には緩和しない。したがって、図３に示すように、印加電圧のウィンドウがある電圧の範囲、約３〜７ボルトが存在し、そのウィンドウ内でデバイスは緩和状態または作動状態のいずれかで安定している。これは、本明細書では「ヒステリシスウィンドウ」または「安定性ウィンドウ」と呼ばれる。図３のヒステリシス特性を有するディスプレイアレイ３０の場合、行／列書込みプロシージャは、一度に１つまたは複数の行をアドレス指定するように設計され得、その結果、所与の行のアドレス指定中に、作動されるべきアドレス指定された行におけるピクセルは、約１０ボルトの電圧差にさらされ、緩和されるべきピクセルは、ほぼ０ボルトの電圧差にさらされる。アドレス指定後に、それらのピクセルは、それらが前のストローブ状態にとどまるような、約５ボルトの定常状態またはバイアス電圧差にさらされる。この例では、アドレス指定された後に、各ピクセルは、約３〜７ボルトの「安定性ウィンドウ」内の電位差を経験する。このヒステリシス特性の特徴は、たとえば、図１に示した、ピクセル設計が、同じ印加電圧条件下で作動または緩和のいずれかの既存の状態で安定したままであることを可能にする。各ＩＭＯＤピクセルは、作動状態にあろうと緩和状態にあろうと、本質的に、固定反射層および可動反射層によって形成されるキャパシタであるので、この安定状態は、電力を実質的に消費するかまたは失うことなしに、ヒステリシスウィンドウ内の定常電圧において保持され得る。その上、印加電圧電位が実質的に固定のままである場合、電流は本質的にほとんどまたはまったくＩＭＯＤピクセルに流れ込まない。
【００３８】
いくつかの実施態様では、所与の行におけるピクセルの状態の所望の変化（もしあれば）に従って、列電極のセットに沿って「セグメント」電圧の形態のデータ信号を印加することによって、画像のフレームが作成され得る。次に、フレームが一度に１行書き込まれるように、アレイの各行がアドレス指定され得る。第１の行におけるピクセルに所望のデータを書き込むために、第１の行におけるピクセルの所望の状態に対応するセグメント電圧が列電極上に印加され得、特定の「コモン」電圧または信号の形態の第１の行パルスが第１の行電極に印加され得る。次いで、セグメント電圧のセットは、第２の行におけるピクセルの状態の所望の変化（もしあれば）に対応するように変更され得、第２のコモン電圧が第２の行電極に印加され得る。いくつかの実施態様では、第１の行におけるピクセルは、列電極に沿って印加されたセグメント電圧の変化による影響を受けず、第１のコモン電圧行パルス中にそれらのピクセルが設定された状態にとどまる。このプロセスは、画像フレームを生成するために、一連の行全体、または代替的に、一連の列全体について、連続方式で繰り返され得る。フレームは、何らかの所望の数のフレーム毎秒でこのプロセスを断続的に反復することによって、新しい画像データでリフレッシュおよび／または更新され得る。
【００３９】
各ピクセルの両端間に印加されるセグメント信号とコモン信号の組合せ（すなわち、各ピクセルの両端間の電位差）は、各ピクセルの得られる状態を決定する。図４は、様々なコモン電圧およびセグメント電圧が印加されたときの干渉変調器の様々な状態を示す表の一例を示している。当業者によって容易に理解されるように、「セグメント」電圧は、列電極または行電極のいずれかに印加され得、「コモン」電圧は、列電極または行電極のうちの他方に印加され得る。
【００４０】
図４に（ならびに図５Ｂに示すタイミング図に）示すように、開放電圧（release voltage）ＶＣＲＥＬがコモンラインに沿って印加されたとき、コモンラインに沿ったすべての干渉変調器要素は、セグメントラインに沿って印加された電圧、すなわち、高いセグメント電圧ＶＳＨおよび低いセグメント電圧ＶＳＬにかかわらず、代替的に開放または非作動状態と呼ばれる、緩和状態に入れられることになる。特に、開放電圧ＶＣＲＥＬがコモンラインに沿って印加されると、そのピクセルのための対応するセグメントラインに沿って高いセグメント電圧ＶＳＨが印加されたときも、低いセグメント電圧ＶＳＬが印加されたときも、変調器の両端間の潜在的な電圧（代替的にピクセル電圧と呼ばれる）は緩和ウィンドウ（図３参照。開放ウィンドウとも呼ばれる）内にある。
【００４１】
高い保持電圧ＶＣＨＯＬＤ＿Ｈまたは低い保持電圧ＶＣＨＯＬＤ＿Ｌなどの保持電圧がコモンライン上に印加されたとき、干渉変調器の状態は一定のままであることになる。たとえば、緩和ＩＭＯＤは緩和位置にとどまることになり、作動ＩＭＯＤは作動位置にとどまることになる。保持電圧は、対応するセグメントラインに沿って高いセグメント電圧ＶＳＨが印加されたときも、低いセグメント電圧ＶＳＬが印加されたときも、ピクセル電圧が安定性ウィンドウ内にとどまることになるように、選択され得る。したがって、セグメント電圧スイング（voltage swing）、すなわち、高いＶＳＨと低いセグメント電圧ＶＳＬとの間の差は、正または負のいずれかの安定性ウィンドウの幅よりも小さい。
【００４２】
高いアドレス指定電圧ＶＣＡＤＤ＿Ｈまたは低いアドレス指定電圧ＶＣＡＤＤ＿Ｌなどのアドレス指定または作動電圧がコモンライン上に印加されたとき、それぞれのセグメントラインに沿ったセグメント電圧の印加によって、データがそのコモンラインに沿った変調器に選択的に書き込まれ得る。セグメント電圧は、作動が印加されたセグメント電圧に依存するように選択され得る。アドレス指定電圧がコモンラインに沿って印加されたとき、一方のセグメント電圧の印加は、安定性ウィンドウ内のピクセル電圧をもたらし、ピクセルが非作動のままであることを引き起こすことになる。対照的に、他方のセグメント電圧の印加は、安定性ウィンドウを越えるピクセル電圧をもたらし、ピクセルの作動をもたらすことになる。作動を引き起こす特定のセグメント電圧は、どのアドレス指定電圧が使用されるかに応じて変動することができる。いくつかの実施態様では、高いアドレス指定電圧ＶＣＡＤＤ＿Ｈがコモンラインに沿って印加されたとき、高いセグメント電圧ＶＳＨの印加は、変調器がそれの現在位置にとどまることを引き起こすことがあり、低いセグメント電圧ＶＳＬの印加は、変調器の作動を引き起こすことがある。当然の結果として、低いアドレス指定電圧ＶＣＡＤＤ＿Ｌが印加されたとき、セグメント電圧の影響は反対であり、高いセグメント電圧ＶＳＨは変調器の作動を引き起こし、低いセグメント電圧ＶＳＬは変調器の状態に影響しない（すなわち、安定したままである）ことがある。
【００４３】
いくつかの実施態様では、常に変調器の両端間で同じ極性電位差を引き起こす保持電圧、アドレス電圧、およびセグメント電圧が使用され得る。いくつかの他の実施態様では、変調器の電位差の極性を交番する信号が使用され得る。変調器の両端間の極性の交番（すなわち、書込みプロシージャの極性の交番）は、単一の極性の反復書込み動作後に起こることがある電荷蓄積を低減または抑止し得る。
【００４４】
図５Ａは、図２の３×３干渉変調器ディスプレイにおけるディスプレイデータのフレームを示す図の一例を示す。図５Ｂは、図５Ａに示すディスプレイデータのフレームを書き込むために使用され得るコモン信号およびセグメント信号についてのタイミング図の一例を示す。それらの信号は、たとえば、図２の３×３アレイに印加され得、これは、図５Ａに示すライン時間６０ｅディスプレイ配置を最終的にもたらすことになる。図５Ａ中の作動変調器は暗状態にあり、すなわち、その状態では、反射光の実質的部分が、たとえば、閲覧者に、暗いアピアランスをもたらすように可視スペクトルの外にある。図５Ａに示すフレームを書き込むより前に、ピクセルは任意の状態にあることがあるが、図５Ｂのタイミング図に示す書込みプロシージャは、各変調器が、第１のライン時間６０ａの前に、開放されており、非作動状態に属すると仮定する。
【００４５】
第１のライン時間６０ａ中に、開放電圧７０がコモンライン１上に印加され、コモンライン２上に印加される電圧が、高い保持電圧７２において始まり、開放電圧７０に移動し、低い保持電圧７６がコモンライン３に沿って印加される。したがって、コモンライン１に沿った変調器（コモン１，セグメント１）、（１，２）および（１，３）は、第１のライン時間６０ａの持続時間の間、緩和または非作動状態にとどまり、コモンライン２に沿った変調器（２，１）、（２，２）および（２，３）は、緩和状態に移動することになり、コモンライン３に沿った変調器（３，１）、（３，２）および（３，３）は、それらの前の状態にとどまることになる。図４を参照すると、コモンライン１、２または３のいずれも、ライン時間６０ａ中に作動を引き起こす電圧レベルにさらされていないので（すなわち、ＶＣREL−緩和、およびＶＣHOLD_L−安定）、セグメントライン１、２および３に沿って印加されたセグメント電圧は、干渉変調器の状態に影響しないことになる。
【００４６】
第２のライン時間６０ｂ中に、コモンライン１上の電圧は高い保持電圧７２に移動し、コモンライン１に沿ったすべての変調器は、アドレス指定または作動電圧がコモンライン１上に印加されなかったので、印加されたセグメント電圧にかかわらず、緩和状態にとどまる。コモンライン２に沿った変調器は、開放電圧７０の印加により、緩和状態にとどまり、コモンライン３に沿った変調器（３，１）、（３，２）および（３，３）は、コモンライン３に沿った電圧が開放電圧７０に移動するとき、緩和することになる。
【００４７】
第３のライン時間６０ｃ中に、コモンライン１は、コモンライン１上に高いアドレス電圧７４を印加することによってアドレス指定される。このアドレス電圧の印加中に低いセグメント電圧６４がセグメントライン１および２に沿って印加されるので、変調器（１，１）および（１，２）の両端間のピクセル電圧は変調器の正の安定性ウィンドウの上端よりも大きく（すなわち、電圧差は、あらかじめ定義されたしきい値を超えた）、変調器（１，１）および（１，２）は作動される。逆に、高いセグメント電圧６２がセグメントライン３に沿って印加されるので、変調器（１，３）の両端間のピクセル電圧は、変調器（１，１）および（１，２）のピクセル電圧よりも小さく、変調器の正の安定性ウィンドウ内にとどまり、したがって変調器（１，３）は緩和したままである。また、ライン時間６０ｃ中に、コモンライン２に沿った電圧は低い保持電圧７６に減少し、コモンライン３に沿った電圧は開放電圧７０にとどまり、コモンライン２および３に沿った変調器を緩和位置のままにする。
【００４８】
第４のライン時間６０ｄ中に、コモンライン１上の電圧は、高い保持電圧７２に戻り、コモンライン１に沿った変調器を、それらのそれぞれのアドレス指定された状態のままにする。コモンライン２上の電圧は低いアドレス電圧７８に減少される。高いセグメント電圧６２がセグメントライン２に沿って印加されるので、変調器（２，２）の両端間のピクセル電圧は、変調器の負の安定性ウィンドウの下側端部（lower end）を下回り、変調器（２，２）が作動することを引き起こす。逆に、低いセグメント電圧６４がセグメントライン１および３に沿って印加されるので、変調器（２，１）および（２，３）は緩和位置にとどまる。コモンライン３上の電圧は、高い保持電圧７２に増加し、コモンライン３に沿った変調器を緩和状態のままにする。
【００４９】
最後に、第５のライン時間６０ｅ中に、コモンライン１上の電圧は高い保持電圧７２にとどまり、コモンライン２上の電圧は低い保持電圧７６にとどまり、コモンライン１および２に沿った変調器を、それらのそれぞれのアドレス指定された状態のままにする。コモンライン３上の電圧は、コモンライン３に沿った変調器をアドレス指定するために、高いアドレス電圧７４に増加する。低いセグメント電圧６４がセグメントライン２および３上に印加されるので、変調器（３，２）および（３，３）は作動するが、セグメントライン１に沿って印加された高いセグメント電圧６２は、変調器（３，１）が緩和位置にとどまることを引き起こす。したがって、第５のライン時間６０ｅの終わりに、３×３ピクセルアレイは、図５Ａに示す状態にあり、他のコモンライン（図示せず）に沿った変調器がアドレス指定されているときに起こり得るセグメント電圧の変動にかかわらず、保持電圧がコモンラインに沿って印加される限り、その状態にとどまることになる。
【００５０】
図５Ｂのタイミング図では、所与の書込みプロシージャ（すなわち、ライン時間６０ａ〜６０ｅ）は、高い保持およびアドレス電圧、または低い保持およびアドレス電圧のいずれかの使用を含むことができる。書込みプロシージャが所与のコモンラインについて完了されると（また、コモン電圧が、作動電圧と同じ極性を有する保持電圧に設定されると）、ピクセル電圧は、所与の安定性ウィンドウ内にとどまり、開放電圧がそのコモンライン上に印加されるまで、緩和ウィンドウを通過しない。さらに、各変調器が、変調器をアドレス指定するより前に書込みプロシージャの一部として開放されるので、開放時間ではなく変調器の作動時間が、必要なライン時間を決定し得る。詳細には、変調器の開放時間が作動時間よりも大きい実施態様では、開放電圧は、図５Ｂに示すように、単一のライン時間よりも長く印加され得る。いくつかの他の実施態様では、コモンラインまたはセグメントラインに沿って印加される電圧が、異なる色の変調器など、異なる変調器の作動電圧および開放電圧の変動を相殺するように変動し得る。
【００５１】
上記に記載した原理に従って動作する干渉変調器の構造の詳細は大きく異なり得る。たとえば、図６Ａ〜図６Ｅは、可動反射層１４とそれの支持構造とを含む、干渉変調器の異なる実施態様の断面図の例を示している。図６Ａは、金属材料のストリップ、すなわち、可動反射層１４が、基板２０から直角に延在する支持体１８上に堆積される、図１の干渉変調器ディスプレイの部分断面図の一例を示している。図６Ｂでは、各ＩＭＯＤの可動反射層１４は、概して形状が正方形または長方形であり、コーナーにおいてまたはその近くでテザー３２に接して支持体に取り付けられる。図６Ｃでは、可動反射層１４は、概して形状が正方形または長方形であり、フレキシブルな金属を含み得る変形可能層３４から吊るされる。変形可能層３４は、可動反射層１４の外周の周りで基板２０に直接または間接的に接続することがある。これらの接続は、本明細書では支持ポストと呼ばれる。図６Ｃに示す実施態様は、変形可能層３４によって行われる可動反射層１４の機械的機能からのそれの光学的機能の分離から派生する追加の利益を有する。この分離は、反射層１４のために使用される構造設計および材料と、変形可能層３４のために使用される構造設計および材料とが、互いとは無関係に最適化されることを可能にする。
【００５２】
図６Ｄは、可動反射層１４が反射副層（reflective sub-layer）１４ａを含む、ＩＭＯＤの別の例を示している。可動反射層１４は、支持ポスト１８などの支持構造上に載る。支持ポスト１８は、たとえば、可動反射層１４が緩和位置にあるとき、可動反射層１４と光学スタック１６との間にギャップ１９が形成されるように、下側静止電極（すなわち、図示のＩＭＯＤにおける光学スタック１６の一部）からの可動反射層１４の分離を可能にする。可動反射層１４は、電極として働くように構成され得る伝導性層１４ｃと、支持層１４ｂとをも含むことができる。この例では、伝導性層１４ｃは、基板２０から遠位にある支持層１４ｂの一方の面に配設され、反射副層１４ａは、基板２０の近位にある支持層１４ｂの他方の面に配設される。いくつかの実施態様では、反射副層１４ａは、伝導性であることがあり、支持層１４ｂと光学スタック１６との間に配設され得る。支持層１４ｂは、誘電材料、たとえば、酸窒化ケイ素（ＳｉＯＮ）または二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）の、１つまたは複数の層を含むことができる。いくつかの実施態様では、支持層１４ｂは、たとえば、ＳｉＯ２／ＳｉＯＮ／ＳｉＯ２３層スタックなど、複数の層のスタックであり得る。反射副層１４ａと伝導性層１４ｃのいずれかまたは両方は、たとえば、約０．５％の銅（Ｃｕ）または別の反射金属材料を用いた、アルミニウム（Ａｌ）合金を含むことができる。誘電支持層１４ｂの上および下で伝導性層１４ａ、１４ｃを採用することは、応力のバランスをとり、伝導の向上を与えることができる。いくつかの実施態様では、反射副層１４ａおよび伝導性層１４ｃは、可動反射層１４内の特定の応力プロファイルを達成することなど、様々な設計目的で、異なる材料から形成され得る。
【００５３】
図６Ｄに示すように、いくつかの実施態様はブラックマスク構造２３をも含むことができる。ブラックマスク構造２３は、周辺光または迷光を吸収するために、光学不活性領域において（たとえば、ピクセル間にまたはポスト１８の下に）形成され得る。ブラックマスク構造２３はまた、光がディスプレイの不活性部分から反射されることまたはそれを透過されることを抑止し、それによりコントラスト比を増加させることによって、ディスプレイデバイスの光学的特性を改善することができる。さらに、ブラックマスク構造２３は、伝導性であり、電気的バス層として機能するように構成され得る。いくつかの実施態様では、行電極は、接続された行電極の抵抗を低減するために、ブラックマスク構造２３に接続され得る。ブラックマスク構造２３は、堆積およびパターニング技法を含む様々な方法を使用して形成され得る。ブラックマスク構造２３は１つまたは複数の層を含むことができる。たとえば、いくつかの実施態様では、ブラックマスク構造２３は、光吸収器として働くモリブデンクロム（ＭｏＣｒ）層と、ＳｉＯ２層と、反射体およびバス層として働く、アルミニウム合金とを含み、それぞれ、約３０〜８０Å、５００〜１０００Å、および５００〜６０００Åの範囲内の厚さである。１つまたは複数の層は、たとえば、ＭｏＣｒ層およびＳｉＯ２層の場合は、カーボンテトラフルオロメタン（ＣＦ４）および／または酸素（Ｏ２）、ならびにアルミニウム合金層の場合は、塩素（Ｃｌ２）および／または三塩化ホウ素（ＢＣｌ３）を含む、フォトリソグラフィおよびドライエッチングを含む、様々な技法を使用してパターニングされ得る。いくつかの実施態様では、ブラックマスク２３はエタロンまたは干渉スタック構造であり得る。そのような干渉スタックブラックマスク構造２３では、伝導性吸収体は、各行または列の光学スタック１６における下側静止電極間で信号を送信するかまたは信号をバスで運ぶために使用され得る。いくつかの実施態様では、スペーサ層３５が、ブラックマスク２３中の伝導性層から吸収層１６ａを概して電気的に絶縁するのに、役立つことができる。
【００５４】
図６Ｅは、可動反射層１４が自立している、ＩＭＯＤの別の例を示している。図６Ｄとは対照的に、図６Ｅの実施態様は支持ポスト１８を含まない。代わりに、可動反射層１４は、複数のロケーションにおいて、下にある光学スタック１６に接触し、可動反射層１４の湾曲は、干渉変調器の両端間の電圧が作動を引き起こすには不十分であるとき、可動反射層１４が図６Ｅの非作動位置に戻るという、十分な支持を与える。複数のいくつかの異なる層を含んでいることがある光学スタック１６は、ここでは明快のために、光吸収体１６ａと誘電体１６ｂとを含む状態で示されている。いくつかの実施態様では、光吸収体１６ａは、固定電極としても、部分反射層としても働き得る。
【００５５】
図６Ａ〜図６Ｅに示す実施態様などの実施態様では、ＩＭＯＤは直視型デバイスとして機能し、直視型デバイスでは、画像が、透明基板２０の正面、すなわち、変調器が配置された面の反対の面から、閲覧される。これらの実施態様では、デバイスの背面部分（すなわち、たとえば、図６Ｃに示す変形可能層３４を含む、可動反射層１４の背後のディスプレイデバイスの任意の部分）は、反射層１４がデバイスのそれらの部分を光学的に遮蔽するので、ディスプレイデバイスの画質に影響を及ぼすことまたは悪影響を及ぼすことなしに、構成され、作用され得る。たとえば、いくつかの実施態様では、バス構造（図示せず）が可動反射層１４の背後に含まれ得、これは、電圧アドレス指定およびそのようなアドレス指定に起因する移動など、変調器の電気機械的特性から変調器の光学的特性を分離する能力を与える。さらに、図６Ａ〜図６Ｅの実施態様は、パターニングなどの処理を簡略化することができる。
【００５６】
図７は、干渉変調器のための製造プロセス８０を示すフロー図の一例を示しており、図８Ａ〜図８Ｅは、そのような製造プロセス８０の対応する段階の断面概略図の例を示している。いくつかの実施態様では、製造プロセス８０は、図７に示されていない他のブロックに加えて、たとえば、図１および図６に示す一般的なタイプの干渉変調器を製造するために実施され得る。図１、図６および図７を参照すると、プロセス８０はブロック８２において開始し、基板２０上への光学スタック１６の形成を伴う。図８Ａは、基板２０上で形成されたそのような光学スタック１６を示している。基板２０は、ガラスまたはプラスチックなどの透明基板であり得、それは、フレキシブルであるかまたは比較的固く曲がらないことがあり、光学スタック１６の効率的な形成を可能にするために、事前準備プロセス、たとえば、洗浄にかけられていることがある。上記で説明したように、光学スタック１６は、電気伝導性であり、部分的に透明で、部分的に反射性であることがあり、たとえば、透明基板２０上に、所望の特性を有する１つまたは複数の層を堆積させることによって、作製され得る。図８Ａでは、光学スタック１６は、副層１６ａおよび１６ｂを有する多層構造を含むが、いくつかの他の実施態様では、より多いまたはより少ない副層が含まれ得る。いくつかの実施態様では、副層１６ａ、１６ｂのうちの１つは、組み合わせられた導体／吸収体副層１６ａなど、光吸収特性と伝導特性の両方で構成され得る。さらに、副層１６ａ、１６ｂのうちの１つまたは複数は、平行ストリップにパターニングされ得、ディスプレイデバイスにおける行電極を形成し得る。そのようなパターニングは、当技術分野で知られているマスキングおよびエッチングプロセスまたは別の好適なプロセスによって実行され得る。いくつかの実施態様では、副層１６ａ、１６ｂのうちの１つは、１つまたは複数の金属層（たとえば、１つまたは複数の反射層および／または伝導性層）上に堆積された副層１６ｂなど、絶縁層または誘電体層であり得る。さらに、光学スタック１６は、ディスプレイの行を形成する個々の平行ストリップにパターニングされ得る。
【００５７】
プロセス８０はブロック８４において続き、光学スタック１６上への犠牲層２５の形成を伴う。犠牲層２５は、キャビティ１９を形成するために後で（たとえば、ブロック９０において）除去され、したがって、犠牲層２５は、図１に示した得られた干渉変調器１２には示されていない。図８Ｂは、光学スタック１６上で形成された犠牲層２５を含む、部分的に作製されたデバイスを示している。光学スタック１６上での犠牲層２５の形成は、後続の除去後に、所望の設計サイズを有するギャップまたはキャビティ１９（図１および図８Ｅも参照）を与えるように選択された厚さの、モリブデン（Ｍｏ）またはアモルファスシリコン（Ｓｉ）など、フッ化キセノン（ＸｅＦ２）エッチング可能材料の堆積を含み得る。犠牲材料の堆積は、物理蒸着（ＰＶＤ、たとえば、スパッタリング）、プラズマ強化化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）、熱化学蒸着（熱ＣＶＤ）、またはスピンコーティングなど、堆積技法を使用して行われ得る。
【００５８】
プロセス８０はブロック８６において続き、支持構造、たとえば、図１、図６および図８Ｃに示すポスト１８の形成を伴う。ポスト１８の形成は、支持構造開口を形成するために犠牲層２５をパターニングすることと、次いで、ＰＶＤ、ＰＥＣＶＤ、熱ＣＶＤ、またはスピンコーティングなど、堆積方法を使用して、ポスト１８を形成するために開口中に材料（たとえば、ポリマーまたは無機材料、たとえば、酸化ケイ素）を堆積させることとを含み得る。いくつかの実施態様では、犠牲層中に形成された支持構造開口は、ポスト１８の下側端部が図６Ａに示すように基板２０に接触するように、犠牲層２５と光学スタック１６の両方を通って、下にある基板２０まで延在することがある。代替的に、図８Ｃに示すように、犠牲層２５中に形成された開口は、犠牲層２５は通るが、光学スタック１６は通らないで、延在することがある。たとえば、図８Ｅは、光学スタック１６の上側表面（upper surface）と接触している支持ポスト１８の下側端部を示している。ポスト１８、または他の支持構造は、犠牲層２５上に支持構造材料の層を堆積させることと、犠牲層２５中の開口から離れて配置された支持構造材料の部分をパターニングすることとによって形成され得る。支持構造は、図８Ｃに示すように開口内に配置され得るが、少なくとも部分的に、犠牲層２５の一部分の上で延在することもある。上述のように、犠牲層２５および／または支持ポスト１８のパターニングは、パターニングおよびエッチングプロセスによって実行され得るが、代替エッチング方法によっても実行され得る。
【００５９】
プロセス８０はブロック８８において続き、図１、図６および図８Ｄに示す可動反射層１４などの可動反射層または膜の形成を伴う。可動反射層１４は、１つまたは複数のパターニング、マスキング、および／またはエッチングプロセスとともに、１つまたは複数の堆積プロセス、たとえば、反射層（たとえば、アルミニウム、アルミニウム合金）堆積を採用することによって、形成され得る。可動反射層１４は、電気伝導性であり、電気伝導性層（electrically conductive layer）と呼ばれることがある。いくつかの実施態様では、可動反射層１４は、図８Ｄに示すように複数の副層１４ａ、１４ｂ、１４ｃを含み得る。いくつかの実施態様では、副層１４ａ、１４ｃなど、副層のうちの１つまたは複数は、それらの光学的特性のために選択された高反射性副層を含み得、別の副層１４ｂは、それの機械的特性のために選択された機械的副層を含み得る。犠牲層２５は、ブロック８８において形成された部分的に作製された干渉変調器中に依然として存在するので、可動反射層１４は、一般にこの段階では可動でない。犠牲層２５を含んでいる部分的に作製されたＩＭＯＤは、本明細書では「非開放（unreleased）」ＩＭＯＤと呼ばれることもある。図１に関して上記で説明したように、可動反射層１４は、ディスプレイの列を形成する個々の平行ストリップにパターニングされ得る。
【００６０】
プロセス８０はブロック９０において続き、キャビティ、たとえば、図１、図６および図８Ｅに示すキャビティ１９の形成を伴う。キャビティ１９は、（ブロック８４において堆積された）犠牲材料２５をエッチャントにさらすことによって形成され得る。たとえば、ＭｏまたはアモルファスＳｉなどのエッチング可能犠牲材料が、ドライ化学エッチングによって、たとえば、一般に、キャビティ１９を囲む構造に対して選択的に除去される、所望の量の材料を除去するのに有効である期間の間、固体ＸｅＦ2から派生した蒸気などの気体または蒸気エッチャントに犠牲層２５をさらすことによって、除去され得る。エッチング可能な犠牲材料およびエッチング方法、たとえば、ウェットエッチングおよび／またはプラズマエッチングによる他の組合せも使用され得る。犠牲層２５がブロック９０中に除去されるので、可動反射層１４は、一般に、この段階後に可動となる。犠牲材料２５の除去後に、得られた完全にまたは部分的に作製されたＩＭＯＤは、本明細書では「開放」ＩＭＯＤと呼ばれることがある。
【００６１】
図９Ａは、光キャビティ層から形成された投影容量性タッチセンサー電極を有するデバイスの一部分を通る断面図の一例を示す。タッチセンサーデバイス９００は、カバーガラス９０５の上に配設されたセンサー電極９０７を含む。本明細書の他の場所で述べたように、「カバーガラス」９０５は、あるタイプの実際のガラス、１つまたは複数のポリマーの層、それらの組合せなど、任意の好適な実質的に透明な基板から形成され得る。カバーガラス９０５は、反射防止コーティング、アンチグレアコーティング、耐指紋コーティングなど、所望の機能性のためのコーティングを有し得る。いくつかのそのような実施態様では、センサー電極９０７は、カバーガラス９０５の一方の面に形成され得、１つまたは複数のそのようなコーティングは、カバーガラス９０５の反対の面に形成され得る。
【００６２】
この実施態様では、センサー電極９０７は、カバーガラス９０５上に光キャビティ層を堆積させることによって形成されている。光キャビティ層は、層９１０と、層９１５と、層９２０とを含む。ここでは、層９１０は、部分反射性および部分透過材料から形成される。層９１０はまた、伝導性材料でもあり得る。いくつかの例では、層９１０は、モリクロム（molychrome）から形成され得る。代替例では、層９１０は、Ｍｏ、Ｃｒなど、他の材料から形成され得る。
【００６３】
この実施態様では、層９１５は、実質的に透明な酸化物層である。層９１５は、ＳｉＯ２など、実質的に透明な誘電材料から形成され得る。代替的に、層９１５は、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）など、実質的に透明な伝導性材料から形成され得る。いくつかのそのような実施態様では、光キャビティ層９１０、９１５および９２０のすべてが、電気伝導性であり得る。したがって、電気的接続が、光キャビティ層９１０、９１５または９２０のすべてのうちのいずれかまたはすべてで行われ得る。
【００６４】
層９２０は、この例では、反射性材料から形成される。いくつかの実施態様では、層９２０は、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ａｌ、それらの合金など、反射性および伝導性材料から形成され得る。この例では、層９２０は、ほぼ完全に反射性となるために十分厚い、ＡｌＳｉ層である。
【００６５】
層９１５の厚さは、入射光の波長範囲または色を補強する光キャビティを形成し得る。この例では、光キャビティの厚さは、「色」が黒色であるようにされ得る。そのような実施態様では、光キャビティ層は、ブラックマスク層のものに類似した光学的特性を有するように構成され得る。そのような実施態様は、センサー電極９０７が黒色である場合、観測者にとってあまり顕著ではないことがあるので、望ましくなり得る。
【００６６】
図９Ｂは、黒色の外観を作り出すように構成された光キャビティ層のスペクトル感度のグラフの一例を示す。本明細書の他の場所で述べたように、そのような光キャビティ層は、本明細書では、ブラックマスク２３など、ブラックマスクと呼ぶことがある。図９Ｂはまた、そのような光キャビティ層のために使用され得る材料、５２０ｎｍにおけるそれらの屈折率（ｎ＋ｉｋ）、およびそれらの厚さの例をも示す。この例では、表９５０は、１．５２の屈折率を有するガラスから形成されたカバーガラスを含む。層９１０は、３．８１＋３．５９ｉの屈折率と５ｎｍの厚さとを有する、ＭｏＣｒから形成される。層９１５は、１．４６の屈折率と７２ｎｍの厚さとを有する、ＳｉＯ２から形成される。層９２０は、．８２＋５．９９ｉの屈折率と、１００ｎｍの厚さとを有する、Ａｌから形成される。
【００６７】
しかしながら、これらの材料、層の厚さなどは、例にすぎない。他の実施態様では、たとえば、カバーガラスは、ポリカーボネートなど、実質的に透明なポリマーから形成され得る。代替実施態様では、光キャビティ層はまた、異なる厚さなどをもつ、異なる材料から形成され得る。いくつかのそのような実施態様では、層９１０は、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｓｉ、それらの任意の組合せ、またはある他の好適な材料から形成され得る。層９１５は、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化アルミニウム、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、それらの任意の組合せ、またはある他の好適な材料など、別の実質的に透明な材料から形成され得る。層９２０は、たとえば、銀などの伝導性材料など、別の反射性および伝導性材料から形成され得る。
【００６８】
この光キャビティの反射率を、グラフ９６０において示す。ここでは、反射率を、３５０ｎｍから８００ｎｍまでの波長範囲にわたって示す。この波長範囲にわたる明所視積分された反射率は、約０．６％である。したがって、光キャビティは、極めて低い反射率を有し、黒色の外観を作り出す。代替実施態様では、ブラックマスクは、５％未満、３％未満、１％未満、またはある他のしきい値未満の、この波長範囲にわたる明所視積分された反射率を生じるように構成され得る。
【００６９】
しかしながら、いくつかの他の実施態様では、層９１５の厚さは、センサー電極９０７が、青色、緑色など、別の色を補強することになるように、選択され得る。以下でより詳細に説明するように、いくつかの実施態様では、カバーガラス９０５の周囲のボーダーもまた光キャビティ層９１０、９１５および９２０から形成され得る。いくつかのそのような実施態様では、センサー電極９０７および装飾的部分は、同じ色を有することになる。しかしながら、いくつかの他の実施態様では、センサー電極９０７および装飾的部分は、異なる色を有し得る。
【００７０】
図９Ｃは、赤色と緑色とを補強するように構成された光キャビティ層の色座標のグラフの一例を示す。図９Ｃはまた、黒色、緑色、または赤色の外観を作り出すように構成された光キャビティ層を作り出すための層９１５の厚さを示す、表９７０をも含む。この例では、１６５ｎｍの厚さが緑色の外観を作り出すことに留意され、２３５ｎｍの厚さが赤色の外観を作り出すことに留意されたい。
【００７１】
赤色の例および緑色の例についての色座標を、表９７０に示し、グラフ９８０に図示する。グラフ９８０は、ＣＩＥ１９７６（Ｌ，ｕ’，ｖ’）色空間として知られ、ＣＩＥＬＵＶ色空間としても知られる、１９７６年に国際照明委員会（ＣＩＥ）によって採用された色空間に基づく。曲線９８５は、ＣＩＥＬＵＶ色度図のための境界線を示す。三角形９９０は、一般的な家庭およびオフィスの閲覧条件に適用可能であるように設計された、広く使用されているＲＧＢ色空間である、ｓＲＧＢ色空間の境界線を示す。この例では、層９１５が１６５ｎｍの厚さを有する光キャビティは、ｓＲＧＢ色空間の緑色領域内のロケーション９９５に対応する、０．１６５，０．５１４の色座標を有する。層９１５が２３５ｎｍの厚さを有する光キャビティは、ｓＲＧＢ色空間の赤色領域内のロケーション９９９に対応する、０．３５６，０．５００の色座標を有する。層９１５の他の厚さが、これらまたは他の色を補強する光キャビティを形成するために使用され得る。
【００７２】
センサー電極９０７が実際の色を補強する光キャビティから形成される場合、センサー電極９０７は、黒色の外観を有する同じ幅のセンサー電極９０７よりも、観測者にとって比較的より顕著になり得る。しかしながら、いくつかの色は、他の色よりも人間の観測者にとって顕著でないことがある。たとえば、青色ＩＭＯＤサブピクセルは、たとえば、２０％程度の可視スペクトルの小部分のみを反射することができる。したがって、青色を補強するセンサー電極９０７は、可視でないことがある。その上、ある色を補強するセンサー電極９０７は、観測者にとって顕著でなくなるか、またはある照明条件においてのみ顕著になるように、十分細くされ得る。いくつかの実施態様では、たとえば、センサー電極９０７は、たとえば、１から１０ミクロン幅の範囲内の数ミクロン程度の幅であり得る。
【００７３】
センサー電極９０７間の間隔は、しかしながら、それらの幅よりも桁違いに大きくなり得る。いくつかの実施態様では、たとえば、センサー電極９０７は、長さが１から１０ミリメートルの範囲内である面を有する、多角形に形成され得る。いくつかの実施態様では、センサー電極９０７は、一般的な指９２５の幅に従ってスケーリングされるサイズを有する、センサーセルまたは「センセル」に形成され得る。いくつかのそのような例を、以下で説明する。
【００７４】
図９Ａでは、タッチセンサーデバイス９００は、投影容量性タッチセンサーデバイスである。指９２５を持ってくると、カバーガラス９０５の表面に近い伝導性スタイラスなどが、局所電界９３０を変化させる。タッチセンサーデバイス９００は、カバーガラス９０５への指９２５の接近によって引き起こされたキャパシタンスにおける変化を検出するように構成される。センサー電極９０７間のキャパシタンスにおけるそのような変化を検出することによって、タッチセンサーデバイス９００は、指９２５のロケーションを決定することができる。そのような決定は、図１４Ｂを参照しながら以下で説明するタッチコントローラ７７などのデバイスによって行われ得る。代替的に、そのような決定は、たとえば、図１４Ｂのプロセッサ２１など、タッチセンサーデバイス９００が取り付けられる先のデバイスのコントローラなど、別のデバイスによって（少なくとも部分的に）行われ得る。
【００７５】
図１０は、カバーガラス上の光キャビティ層から形成された投影容量性タッチセンサー電極を有するデバイスを作製するプロセスを示すフロー図の一例を示す。図１１Ａないし図１１Ｃは、図１０のプロセスにおける段階中のカバーガラスの一部分を通る断面図の例を示す。本明細書で説明する他のプロセスと同様に、プロセス１０００のブロックは、必ずしも示された順序で実行されるとは限らない。関連するプロセスは、図１０に示すものよりも多いまたは少ないブロックを含み得る。
【００７６】
図１０のプロセス１０００は、光キャビティ層が実質的に透明な基板上に堆積される、ブロック１００５から開始する。光キャビティ層は、たとえば、図９Ａを参照しながら上記で説明した層９１０、９１５および９２０と同様であり得る。実質的に透明な基板は、図９Ａのカバーガラス９０５と同様であり得る。
【００７７】
ブロック１００７において、光キャビティ層が、複数のセンサー電極とボーダーエリアとにパターン化およびエッチングされる。図１１Ａに示す例では、カバーガラス９０５上に堆積されている光キャビティ層は、センサー電極９０７とボーダーエリア１１０５とにパターン化およびエッチングされている。センサー電極９０７を形成する光キャビティ層は、ボーダーエリア１１０５が堆積、パターン化およびエッチングされると同時に、堆積、パターン化およびエッチングされ得る。明快のために、個々の光キャビティ層を、図１１Ａないし図１１Ｃに図示しない。
【００７８】
ブロック１０１０において、実質的に透明な誘電材料が、光キャビティ層上に、および、実質的に透明な基板の露出された部分上に堆積される。ブロック１０１５において、ビアが、実質的に透明な誘電材料を通して形成され得る。たとえば、ビアは、下にある光キャビティ層の部分を露出するように形成され得る。ＳｉＯ２のプラズマ強化化学蒸着と、その後に続く、ビアを開くためのドライまたはウェットエッチングなど、様々な誘電体堆積プロセスと、その後に続くそれぞれのエッチングプロセスとが使用され得る。代替的に、エポキシベースのネガティブフォトレジスト、ポリイミドなど、光結像可能（photoimageable）材料が使用され得る。たとえば、ＭｉｃｒｏＣｈｅｍ  Ｃｏｒｐ．から市販されているＳＵ−８ファミリーの化合物のうちの１つが使用され得る。代替的に、Ｇｅｒｓｔｅｌｔｅｃ  ＳＡＲＬから市販されているＧＭ１０４０、ＧＭ１０６０、ＧＭ１０７０またはＧＬＭ２０６０化合物のうちの１つが使用され得る。
【００７９】
１つのそのような例を、図１１Ｂに示す。ここでは、実質的に透明な誘電材料１１１０が、カバーガラス９０５上に、センサー電極９０７上に、およびボーダーエリア１１０５上に堆積されている。ビア１１１５は、その後、センサー電極９０７など、下にある光キャビティ層の部分を露出するように形成されている。
【００８０】
この実施態様では、ブロック１０２０において、伝導性材料が堆積、パターン化およびエッチングされる。この伝導性材料は、たとえば、光キャビティ層の下にある部分間に電気的接続を形成するために、ビア１１１５中に堆積され得る。図１１Ｃに示すように、伝導性材料１１２０は、センサー電極９０７を互いに電気的に接続するルーティング線１１２０ａとジャンパ１１２０ｂとを形成するようにパターン化され得る。ルーティング線１１２０ａおよびジャンパ１１２０ｂは、ブラックマスクスタックまたは他の光キャビティスタック、単一の伝導性金属層、ＩＴＯなど、様々な電気伝導性材料から作製され得る。
【００８１】
この例では、実質的に透明な誘電材料１１１０は、近くのセンサー電極９０７を、隣接するセンサー電極９０７に電気的に接続されないように絶縁しながら、これらのセンサー電極９０７が互いに電気的に接続されることを可能にすることができる。ここでは、たとえば、ジャンパ１１２０ｂが、センサー電極９０７ａの部分をスパニングすることによって、センサー電極９０７ｂの近くの部分を電気的に接続する。実質的に透明な誘電材料１１１０は、上にあるジャンパ１１２０ｂを、センサー電極９０７ａから電気絶縁する。
【００８２】
図１２Ａは、図１１Ｃに示すセンサー電極の空間分布の一例を示す。図１２Ａは、図１１Ｃの断面図が配設される平面を示す破線を含む。この例では、センサー電極９０７ａおよび９０７ｂが、ダイヤモンド形に形成されている。センサー電極９０７ａが連続的な行に形成されるのに対して、センサー電極９０７ｂは、不連続的な列に形成される。ジャンパ１１２０ｂは、センサー電極９０７ａの連続的な行の部分をスパニングすることによって、センサー電極９０７ｂの隣接するセンセルを電気的に接続する。ルーティング線１１２０ａのうちの１つが、図１２Ａの下側部分において見られる。
【００８３】
図１２Ｂは、その上に形成された、不連続的な列における第１の投影容量性タッチセンサー電極と、連続的な行における第２の投影容量性タッチセンサー電極とを有する、カバーガラスの底面図の一例を示す。図１２Ｂは、図１２Ａに示すセンサー電極９０７ａおよび９０７ｂを含むタッチセンサーデバイス９００の簡単な例を与える。タッチセンサーデバイス９００の中間列内の破線は、図１２Ａの外形線を示す。
【００８４】
図１２Ｂに示すセンセルの数は、一例にすぎない。代替的タッチセンサーデバイス９００は、より多いまたはより少ないセンセルを有し得る。いくつかのタッチセンサーデバイス９００は、桁違いにより多くのセンセルを有し得る。いくつかのそのような例では、センセルは、たとえば、直径が数ミリメートルなど、指先サイズの順であり得る。たとえば、１つのそのようなタッチセンサーデバイス９００は、長さが１ミリメートルと１０ミリメートルとの間である辺を有するひし形のセンセルに形成された、センサー電極９０７ａおよび９０７ｂを含み得る。センサー電極９０７ａおよび９０７ｂは、たとえば、５ミクロン幅など、１ミクロンと１０ミクロンとの間の幅であり得る。
【００８５】
ルーティング線１１２０ａは、タッチセンサーデバイス９００の周縁の周囲で見られる。この例では、ルーティング線１１２０ａは、図１０のブロック１０２０において、センサー電極９０７ａおよび９０７ｂとともに形成される。ルーティング線１１２０ａは、たとえば、パッドエリア１２０５において、制御回路と接続され得る。
【００８６】
再び図１１Ｃを参照すると、ルーティング線１１２０ａが、実質的に透明な誘電材料１１１０によって伝導性ボーダーエリア１１０５から分離されることは、当業者にはわかるであろう。誘電材料１１１０は、いくつかの実施態様では、わずか数ミクロンの厚さであり得る。いくつかのそのような実施態様では、ルーティング線１１２０ａと伝導性ボーダーエリア１１０５との間に求められていない結合の恐れがあり得る。
【００８７】
この求められていない結合を軽減または排除するために、ルーティング線１１２０ａは、誘電材料１１１０を通してボーダーエリア１１０５までの１つまたは複数の追加のビア１１１５を作成することによって、電気的に接地されたボーダーエリア１１０５によって遮蔽され得る。いくつかのそのような実施態様では、接地線がビア１１１５中に形成され得る。そのような接地線は、ボーダーエリア１１０５の伝導性部分を外部の接地ソースに電気的に接続するように構成され得る。たとえば、図１０のブロック１０１５は、たとえば、パッドエリア１２０５中に、そのような接地線を接続するための、追加のビアを形成することを含み得る。そのような追加のビアは、誘電材料１１１０を通してボーダーエリア１１０５の伝導性部分まで形成され得る。ルーティング線１１２０ａ間のクロストークが最小にされ得るので、そのような実施態様は有利であり得る。そのような実施態様はまた、ルーティング線１１２０ａにおける信号への環境からの干渉を低減または排除し得る。
【００８８】
そのようなビアおよび接地線の例を、図１２Ｂおよび図１２Ｃに示す。最初に図１２Ｂを参照すると、接地線１１２０ｃは、パッドエリア１２０５において示される。この例では、接地線１１２０ｃは、ルーティング線１１２０ａに隣接して配置され、たとえば、フレックスケーブルの、対応する接地線と接続されるように構成される。
【００８９】
図１２Ｃは、図１２Ｂに示すカバーガラスと電極とを通る断面図の一例を示す。図１２Ｃに示す断面図は、接地線１１２０ｃと、ビア１１１５の３つと、ルーティング線１１２０ａの７つとを通して、パッドエリア１２０５中に作成される。図１２Ｃに示すように、ビア１１１５は、接地線１１２０ｃをボーダーエリア１１０５の伝導性部分に接続する。この例では、接地線１１２０ｃは、複数のビア１１１５を通して接地されるのに対して、いくつかの他の実施態様では、接地線１１２０ｃは、ビア１１１５のうちの１つのみを通して接地され得る。接地線１１２０ｃは、ビア１１１５へと延在し、層９２０と接触し、層９２０は、この例では、伝導性材料から形成される。したがって、接地線１１２０ｃは、ビア１１１５を通して層９２０に接地される。
【００９０】
１２Ｄは、代替実施態様による、カバーガラスの一部分の底面図の一例を示す。この例では、ルーティング線１１２０ａは、ボンドパッド１２１０中で終端する。この実施態様は、接地線１１２０ｃを含まないが、代わりに、ボンドパッド１２１０に隣接する単一のビア１１１５を含む。
【００９１】
図１２Ｅは、図１２Ｄに示すカバーガラスと、ボンドパッドと、ビアとを通る断面図の一例を示す。この例では、ボンドパッド１２１０は、ルーティング線１１２０ａ（図１２Ｄ参照）と、センサー電極９０７ａおよび９０７ｂ（図示せず）とを形成するプロセスの一部として、誘電材料１１１０上に形成されている。ビア１１１５は、誘電材料１１１０を通して延在して、層９２０を露出し、層９２０は、この例では、伝導性材料から形成される。ビア１１１５は、たとえば、フレックスケーブルの接地線（図示せず）の突出する伝導性部分を受けるように構成され得る。
【００９２】
ここで図１０に戻ると、ブロック１０２５において、個々のタッチスクリーンがシンギュレーションされる。ブロック１００５ないし１０２０は、多数のタッチスクリーンを単一の基板上に形成することを含み得る。ブロック１０２５の後、図１２Ｂ、図１２Ｆまたは図１２Ｇに示すものなど、個々のタッチスクリーンが、基板上で他のタッチスクリーンから分離され得る。
【００９３】
ブロック１０３０において、最終処理ステップが実行され得る。シンギュレーションされたタッチスクリーンは、たとえば、図１４Ｂを参照しながら以下で説明する、タッチコントローラ７７などのタッチコントローラとともに構成され得る。ブロック１０３０は、個々のタッチセンサーデバイス９００を、図１４Ａおよび図１４Ｂに示すデバイス４０など、ポータブルデバイスと結合することを含み得る。代替的に、ブロック１０３０は、保管、出荷および／または後の組立てのためなど、個々のタッチセンサーデバイス９００をパッケージングすることを含み得る。
【００９４】
センサー電極９０７ａおよび９０７ｂがどのようにカバーガラス上で配置され得るかの追加の例を、図１２Ｆおよび図１２Ｇにおいて与える。図１２Ａおよび図１２Ｂのように、図１２Ｆおよび図１２Ｇは、ディスプレイデバイスの内側で、ディスプレイガラスの方に面することになる、タッチセンサーデバイス９００の面を示す。
【００９５】
図１２Ｆは、その上に形成された、不連続的な行における第１の投影容量性タッチセンサー電極と、連続的な列における第２の投影容量性タッチセンサー電極とを有する、カバーガラスの一例を示す。この例では、ジャンパ１１２０ｂは、センサー電極９０７ｂの連続的な列の部分をスパニングすることによって、行センサー電極９０７ａの隣接するセンセルを電気的に接続する。ルーティング線１１２０ａは、信号を行センサー電極９０７ａおよび列センサー電極９０７ｂに与える。
【００９６】
いくつかの実施態様では、図１４Ｂのタッチコントローラ７７など、タッチコントローラは、たとえば、パッドエリア１２０５中でルーティング線１１２０ａとともに行われた電気的接続を介した、ルーティング線１１２０ａとの通信のために構成され得る。タッチコントローラは、センサー電極９０７間のキャパシタンスにおける変化を決定するように構成され得る。いくつかの実施態様では、指がタッチセンサーデバイス９００に触れる（または、その近くに持って来られる）とき、指は、特定のセンセル１２１０とより多く、および、隣接するセンセル１２１０とより少なく重なり得る。指タッチのエリア中の様々なセンセル１２１０をプローブすることによって、たとえば、タッチコントローラは、そのエリア中のセンセル１２１０間のキャパシタンスにおける変化を決定するように構成され得る。いくつかの実施態様では、タッチコントローラは、キャパシタンスにおけるこれらの変化の複合効果に従って、タッチ重心を決定するように構成され得る。いくつかの実施態様では、タッチコントローラは、これらの変化をガウス包絡線（Gaussian envelope）として表して、タッチロケーションを決定するように構成され得る。
【００９７】
図１２Ｇは、その上に形成された、不連続的な行における第１の投影容量性タッチセンサー電極と、連続的な列における第２の投影容量性タッチセンサー電極とを有する、カバーガラスの代替例を示す。図１２Ｆのように、図１２Ｇもまた、センサー電極９０７ａが不連続的な行に形成され、センサー電極９０７ｂが連続的な列に形成される一例を与える。この例では、ジャンパ１１２０ｂは、連続的なセンサー電極９０７ｂのループをスパニングすることによって、行センサー電極９０７ａの隣接するラインを電気的に接続する。ルーティング線１１２０ａは、信号を行センサー電極９０７ａおよび列センサー電極９０７ｂに与える。
【００９８】
図１２Ｈは、カバーガラス上の、投影容量性タッチセンサー電極と、光キャビティ層から形成されたボーダーエリアとを有するデバイスの上面図の一例を示す。図１２Ｈは、ディスプレイデバイスが組み立てられた後でも閲覧者にとって可視の側から、タッチセンサーデバイス９００を示す。したがって、ボーダーエリア１１０５は、ルーティング線１１２０ａを隠す。
【００９９】
図１３Ａは、ボーダーエリア中にロゴが形成された、カバーガラス上の光キャビティ層から形成されたボーダーエリアを有するデバイスの上面図の代替例を示す。この例では、ロゴ１３０５がパッドエリア１２０５中に形成される。代替実施態様では、装飾的デザイン、他のタイプのロゴなどが、パッドエリア１２０５中か、ボーダーエリア１１０５の他の部分中かにかかわらず、形成され得る。
【０１００】
図１３Ｂは、図１３Ａに示すカバーガラスと、ボーダーと、ロゴとを通る断面図の一例を示す。この例では、ロゴ１３０５は、ボーダーエリア１１０５の実質的に透明な誘電材料１１１０と、光キャビティ層９１０、９１５および９２０とを通して、カバーガラス９００まで、ビア１３１０を形成することによって、形成されている。ビア１３１０は、所望のロゴ１３０５の形状で作成され得る。ここでは、ビア１３１０は、白色、黒色または有色であり得る、インク１３１５で満たされている。代替実施態様では、ビア１３１０は、塗料、金属、反射テープなど、他の材料で満たされ得る。
【０１０１】
図１３Ｃは、図１３Ａに示すカバーガラスと、ボーダーと、ロゴとを通る断面図の代替例を示す。この例では、ビア１３１０は、層９２０の堆積より前に、光キャビティ層９１０および９１５を通して形成されている。したがって、層９２０の反射面が、ロゴ１３０５において閲覧者に露出される。
【０１０２】
いくつかの他の実施態様では、光キャビティの深さは、たとえば、実質的に透明な酸化物層９１５の厚さを変えることによって、ロゴ１３０５のエリア中で変更され得る。このようにして、ボーダーエリア１１０５の光キャビティ層９１０、９１５および９２０は、第１の色（または、黒色）を補強するように構成され得、ロゴ１３０５の光キャビティ層９１０、９１５および９２０は、第２の色（または、黒色）を補強するように構成され得る。１つのそのような例では、実質的に透明な酸化物層９１５は、ＳｉＯ２から形成され得、緑色を補強するように構成された、ロゴ１３０５における約１６５ｎｍの厚さを有し得る（図９Ｃ参照）。ボーダーエリア１１０５の実質的に透明な酸化物層９１５は、約７２ｎｍの厚さを有し、黒色の外観を引き起こし得る（図９Ｂおよび図９Ｃ参照）。センサー電極９０７ａおよび９０７ｂの実質的に透明な酸化物層９１５は、ボーダーエリア１１０５またはロゴ１３０５の厚さと同じ厚さに作成され得、または、別の色を補強することになる別の厚さを有し得る。
【０１０３】
図１４Ａおよび図１４Ｂは、複数の干渉変調器を含むディスプレイデバイス４０を示すシステムブロック図の例を示している。ディスプレイデバイス４０は、たとえば、スマートフォン、セルラー電話または携帯電話であり得る。ただし、ディスプレイデバイス４０の同じ構成要素またはディスプレイデバイス４０の軽微な変形も、テレビジョン、タブレット、電子リーダー、ハンドヘルドデバイスおよびポータブルメディアプレーヤなど、様々なタイプのディスプレイデバイスを示す。
【０１０４】
ディスプレイデバイス４０は、ハウジング４１と、ディスプレイ３０と、アンテナ４３と、スピーカー４５と、入力デバイス４８と、マイクロフォン４６とを含む。ハウジング４１は、射出成形および真空成形を含む様々な製造プロセスのうちのいずれかから形成され得る。さらに、ハウジング４１は、限定はしないが、プラスチック、金属、ガラス、ゴム、およびセラミック、またはそれらの組合せを含む、様々な材料のうちのいずれかから製作され得る。ハウジング４１は、異なる色の、または異なるロゴ、ピクチャ、もしくはシンボルを含んでいる、他の取外し可能な部分と交換され得る、取外し可能な部分（図示せず）を含むことができる。
【０１０５】
ディスプレイ３０は、本明細書で説明する、双安定またはアナログディスプレイを含む様々なディスプレイのうちのいずれかであり得る。ディスプレイ３０はまた、プラズマ、ＥＬ、ＯＬＥＤ、ＳＴＮ  ＬＣＤ、またはＴＦＴ  ＬＣＤなど、フラットパネルディスプレイ、あるいはＣＲＴまたは他の管デバイスなど、非フラットパネルディスプレイを含むように構成され得る。さらに、ディスプレイ３０は、本明細書で説明する干渉変調器ディスプレイを含むことができる。
【０１０６】
ディスプレイデバイス４０の構成要素は図１４Ｂに概略的に示されている。ディスプレイデバイス４０は、ハウジング４１を含み、それの中に少なくとも部分的に密閉された追加の構成要素を含むことができる。たとえば、ディスプレイデバイス４０は、トランシーバ４７に結合されたアンテナ４３を含むネットワークインターフェース２７を含む。トランシーバ４７はプロセッサ２１に接続され、プロセッサ２１は調整ハードウェア５２に接続される。調整ハードウェア５２は、信号を調整する（たとえば、信号をフィルタ処理する）ように構成され得る。調整ハードウェア５２は、スピーカー４５およびマイクロフォン４６に接続される。プロセッサ２１は、入力デバイス４８およびドライバコントローラ２９にも接続される。ドライバコントローラ２９は、フレームバッファ２８に、およびアレイドライバ２２に結合され、アレイドライバ２２は次にディスプレイアレイ３０に結合される。いくつかの実施態様では、電源５０が、特定のディスプレイデバイス４０設計において実質的にすべての構成要素に電力を与えることができる。
【０１０７】
ネットワークインターフェース２７は、ディスプレイデバイス４０がネットワークを介して１つまたは複数のデバイスと通信することができるように、アンテナ４３とトランシーバ４７とを含む。ネットワークインターフェース２７はまた、たとえば、プロセッサ２１のデータ処理要件を軽減するための、何らかの処理能力を有し得る。アンテナ４３は信号を送信および受信することができる。いくつかの実施態様では、アンテナ４３は、ＩＥＥＥ１６．１１（ａ）、（ｂ）、または（ｇ）を含むＩＥＥＥ１６．１１規格、あるいはＩＥＥＥ８０２．１１ａ、ｂ、ｇ、ｎを含むＩＥＥＥ８０２．１１規格、およびそれらのさらなる実施態様に従って、ＲＦ信号を送信および受信する。いくつかの他の実施態様では、アンテナ４３は、ＢＬＵＥＴＯＯＴＨ規格に従ってＲＦ信号を送信および受信する。セルラー電話の場合、アンテナ４３は、３Ｇまたは４Ｇ技術を利用するシステムなどのワイヤレスネットワーク内で通信するために使用される、符号分割多元接続（ＣＤＭＡ）、周波数分割多元接続（ＦＤＭＡ）、時分割多元接続（ＴＤＭＡ）、Ｇｌｏｂａｌ  Ｓｙｓｔｅｍ  ｆｏｒ  Ｍｏｂｉｌｅ  ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓ（ＧＳＭ（登録商標））、ＧＳＭ／Ｇｅｎｅｒａｌ  Ｐａｃｋｅｔ  Ｒａｄｉｏ  Ｓｅｒｖｉｃｅ（ＧＰＲＳ）、Ｅｎｈａｎｃｅｄ  Ｄａｔａ  ＧＳＭ  Ｅｎｖｉｒｏｎｍｅｎｔ（ＥＤＧＥ）、Ｔｅｒｒｅｓｔｒｉａｌ  Ｔｒｕｎｋｅｄ  Ｒａｄｉｏ（ＴＥＴＲＡ）、広帯域ＣＤＭＡ（Ｗ−ＣＤＭＡ（登録商標））、Ｅｖｏｌｕｔｉｏｎ  Ｄａｔａ  Ｏｐｔｉｍｉｚｅｄ（ＥＶ−ＤＯ）、１ｘＥＶ−ＤＯ、ＥＶ−ＤＯ  Ｒｅｖ  Ａ、ＥＶ−ＤＯ  Ｒｅｖ  Ｂ、高速パケットアクセス（ＨＳＰＡ）、高速ダウンリンクパケットアクセス（ＨＳＤＰＡ）、高速アップリンクパケットアクセス（ＨＳＵＰＡ）、発展型高速パケットアクセス（ＨＳＰＡ＋）、Ｌｏｎｇ  Ｔｅｒｍ  Ｅｖｏｌｕｔｉｏｎ（ＬＴＥ）、ＡＭＰＳ、または他の知られている信号を受信するように設計される。トランシーバ４７は、アンテナ４３から受信された信号がプロセッサ２１によって受信され、プロセッサ２１によってさらに操作され得るように、その信号を前処理することができる。トランシーバ４７はまた、プロセッサ２１から受信された信号がアンテナ４３を介してディスプレイデバイス４０から送信され得るように、その信号を処理することができる。
【０１０８】
いくつかの実施態様では、トランシーバ４７は受信機によって置き換えられ得る。さらに、いくつかの実施形態では、ネットワークインターフェース２７は、プロセッサ２１に送られるべき画像データを記憶または生成することができる画像ソースによって置き換えられ得る。プロセッサ２１は、ディスプレイデバイス４０の全体的な動作を制御することができる。プロセッサ２１は、ネットワークインターフェース２７または画像ソースから圧縮された画像データなどのデータを受信し、そのデータを生画像データに、または生画像データに容易に処理されるフォーマットに、処理する。プロセッサ２１は、処理されたデータをドライバコントローラ２９に、または記憶のためにフレームバッファ２８に送ることができる。生データは、一般に、画像内の各ロケーションにおける画像特性を識別する情報を指す。たとえば、そのような画像特性は、色、飽和、およびグレースケールレベルを含むことができる。いくつかの実施態様では、プロセッサ２１は、ディスプレイデバイスの白色点を変更または調節するために使用され得る。たとえば、プロセッサ２１は、データベース、ＬＵＴ、または公式を使用し、またはそれにアクセスして、ディスプレイデバイスの特定の白色点および／または色温度に対応する、ディスプレイデバイスのためのバイアス電圧を確定することができる。
【０１０９】
プロセッサ２１は、ディスプレイデバイス４０の動作を制御するためのマイクロコントローラ、ＣＰＵ、または論理ユニットを含むことができる。調整ハードウェア５２は、スピーカー４５に信号を送信するための、およびマイクロフォン４６から信号を受信するための、増幅器およびフィルタを含み得る。調整ハードウェア５２は、ディスプレイデバイス４０内の個別構成要素であり得、あるいはプロセッサ２１または他の構成要素内に組み込まれ得る。
【０１１０】
ドライバコントローラ２９は、プロセッサ２１によって生成された生画像データをプロセッサ２１から直接、またはフレームバッファ２８から取ることができ、アレイドライバ２２への高速送信のために適宜に生画像データを再フォーマットすることができる。いくつかの実施態様では、ドライバコントローラ２９は、生画像データを、ラスタ様フォーマットを有するデータフローに再フォーマットすることができ、その結果、そのデータフローは、ディスプレイアレイ３０にわたって走査するのに好適な時間順序を有する。次いで、ドライバコントローラ２９は、フォーマットされた情報をアレイドライバ２２に送る。ＬＣＤコントローラなどのドライバコントローラ２９は、しばしば、スタンドアロン集積回路（ＩＣ）としてシステムプロセッサ２１に関連付けられるが、そのようなコントローラは多くの方法で実施され得る。たとえば、コントローラは、ハードウェアとしてプロセッサ２１中に埋め込まれるか、ソフトウェアとしてプロセッサ２１中に埋め込まれるか、またはハードウェアにおいてアレイドライバ２２と完全に一体化され得る。
【０１１１】
アレイドライバ２２は、ドライバコントローラ２９からフォーマットされた情報を受信することができ、ビデオデータを波形の並列セットに再フォーマットすることができ、波形の並列セットは、ディスプレイのピクセルのｘ−ｙ行列から来る、数百の、および時には数千の（またはより多くの）リード線に毎秒何回も適用される。
【０１１２】
いくつかの実施態様では、ドライバコントローラ２９、アレイドライバ２２、およびディスプレイアレイ３０は、本明細書で説明するディスプレイのタイプのうちのいずれにも適している。たとえば、ドライバコントローラ２９は、従来のディスプレイコントローラまたは双安定ディスプレイコントローラ（ＩＭＯＤコントローラなど）であり得る。さらに、アレイドライバ２２は、従来のドライバまたは双安定ディスプレイドライバ（ＩＭＯＤディスプレイドライバなど）であり得る。その上、ディスプレイアレイ３０は、従来のディスプレイアレイまたは双安定ディスプレイアレイ（ＩＭＯＤのアレイを含むディスプレイなど）であり得る。いくつかの実施態様では、ドライバコントローラ２９はアレイドライバ２２と一体化され得る。そのような実施態様は、高集積システム、たとえば、携帯電話、ポータブル電子デバイス、ウォッチまたは小面積ディスプレイにおいて、有用であることがある。
【０１１３】
いくつかの実施態様では、入力デバイス４８は、たとえば、ユーザがディスプレイデバイス４０の動作を制御することを可能にするように、構成され得る。入力デバイス４８は、ＱＷＥＲＴＹキーボードまたは電話キーパッドなどのキーパッド、ボタン、スイッチ、ロッカー、タッチセンシティブスクリーン、ディスプレイアレイ３０と一体化されたタッチセンシティブスクリーン、あるいは感圧膜または感熱膜を含むことができる。マイクロフォン４６は、ディスプレイデバイス４０のための入力デバイスとして構成され得る。いくつかの実施態様では、ディスプレイデバイス４０の動作を制御するために、マイクロフォン４６を介したボイスコマンドが使用され得る。
【０１１４】
電源５０は、当技術分野でよく知られている様々なエネルギー蓄積デバイスを含むことができる。たとえば、電源５０は、ニッケルカドミウムバッテリーまたはリチウムイオンバッテリーなどの充電式バッテリーであり得る。充電式バッテリーを使用する実施態様では、充電式バッテリーは、たとえば、壁コンセントあるいは光起電性デバイスまたはアレイから来る電力を使用して充電可能であり得る。代替的に、充電式バッテリーはワイヤレス充電可能であり得る。電源５０はまた、再生可能エネルギー源、キャパシタ、あるいはプラスチック太陽電池または太陽電池塗料を含む太陽電池であり得る。電源５０はまた、壁コンセントから電力を受け取るように構成され得る。
【０１１５】
いくつかの実施態様では、制御プログラマビリティがドライバコントローラ２９中に存在し、これは電子ディスプレイシステム中のいくつかの場所に配置され得る。いくつかの他の実施態様では、制御プログラマビリティがアレイドライバ２２中に存在する。上記で説明した最適化は、任意の数のハードウェアおよび／またはソフトウェア構成要素において、ならびに様々な構成において実施され得る。
【０１１６】
本明細書で開示する実施態様に関して説明した様々な例示的な論理、論理ブロック、モジュール、回路、およびアルゴリズムプロセスは、電子ハードウェア、コンピュータソフトウェア、または両方の組合せとして実施され得る。ハードウェアとソフトウェアの互換性が、概して機能に関して説明され、上記で説明した様々な例示的な構成要素、ブロック、モジュール、回路およびプロセスにおいて示された。そのような機能がハードウェアで実施されるか、ソフトウェアで実施されるかは、特定の適用例および全体的なシステムに課された設計制約に依存する。
【０１１７】
本明細書で開示する態様に関して説明した様々な例示的な論理、論理ブロック、モジュール、および回路を実施するために使用される、ハードウェアおよびデータ処理装置は、汎用シングルチップまたはマルチチッププロセッサ、デジタル信号プロセッサ（ＤＳＰ）、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）、フィールドプログラマブルゲートアレイ（ＦＰＧＡ）または他のプログラマブル論理デバイス、個別ゲートまたはトランジスタ論理、個別ハードウェア構成要素、あるいは本明細書で説明した機能を実行するように設計されたそれらの任意の組合せを用いて実施または実行され得る。汎用プロセッサは、マイクロプロセッサ、あるいは任意の従来のプロセッサ、コントローラ、マイクロコントローラ、または状態機械であり得る。プロセッサはまた、コンピューティングデバイスの組合せ、たとえば、ＤＳＰとマイクロプロセッサとの組合せ、複数のマイクロプロセッサ、ＤＳＰコアと連携する１つまたは複数のマイクロプロセッサ、あるいは任意の他のそのような構成としても実装され得る。いくつかの実施態様では、特定のプロセスおよび方法が、所与の機能に固有である回路によって実行され得る。
【０１１８】
１つまたは複数の態様では、説明した機能は、本明細書で開示する構造を含むハードウェア、デジタル電子回路、コンピュータソフトウェア、ファームウェア、およびそれらの上記構造の構造的等価物において、またはそれらの任意の組合せにおいて実施され得る。また、本明細書で説明した主題の実施態様は、１つまたは複数のコンピュータプログラムとして、すなわち、データ処理装置が実行するためにコンピュータ記憶媒体上に符号化された、またはデータ処理装置の動作を制御するための、コンピュータプログラム命令の１つまたは複数のモジュールとして、実施され得る。
【０１１９】
本明細書で開示する実施態様に関して説明した様々な例示的な論理、論理ブロック、モジュール、回路、およびアルゴリズムプロセスは、電子ハードウェア、コンピュータソフトウェア、または両方の組合せとして実施され得る。ハードウェアとソフトウェアの互換性が、概して機能に関して説明され、上記で説明した様々な例示的な構成要素、ブロック、モジュール、回路およびプロセスにおいて示された。そのような機能がハードウェアで実施されるか、ソフトウェアで実施されるかは、特定の適用例および全体的なシステムに課された設計制約に依存する。
【０１２０】
本明細書で開示する態様に関して説明した様々な例示的な論理、論理ブロック、モジュール、および回路を実施するために使用される、ハードウェアおよびデータ処理装置は、汎用シングルチップまたはマルチチッププロセッサ、デジタル信号プロセッサ（ＤＳＰ）、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）、フィールドプログラマブルゲートアレイ（ＦＰＧＡ）または他のプログラマブル論理デバイス、個別ゲートまたはトランジスタ論理、個別ハードウェア構成要素、あるいは本明細書で説明した機能を実行するように設計されたそれらの任意の組合せを用いて実施または実行され得る。汎用プロセッサは、マイクロプロセッサ、あるいは任意の従来のプロセッサ、コントローラ、マイクロコントローラ、または状態機械であり得る。プロセッサは、コンピューティングデバイスの組合せ、たとえば、ＤＳＰとマイクロプロセッサとの組合せ、複数のマイクロプロセッサ、ＤＳＰコアと連携する１つまたは複数のマイクロプロセッサ、あるいは任意の他のそのような構成として実施することもできる。いくつかの実施態様では、特定のプロセスおよび方法が、所与の機能に固有である回路によって実行され得る。
【０１２１】
１つまたは複数の態様では、説明した機能は、本明細書で開示する構造を含むハードウェア、デジタル電子回路、コンピュータソフトウェア、ファームウェア、およびそれらの上記構造の構造的等価物において、またはそれらの任意の組合せにおいて実施され得る。また、本明細書で説明した主題の実施態様は、１つまたは複数のコンピュータプログラムとして、すなわち、データ処理装置が実行するためにコンピュータ記憶媒体上に符号化された、またはデータ処理装置の動作を制御するための、コンピュータプログラム命令の１つまたは複数のモジュールとして、実施され得る。
【０１２２】
ソフトウェアで実装する場合、機能は、１つまたは複数の命令またはコードとしてコンピュータ可読媒体上に記憶するか、あるいはコンピュータ可読媒体を介して送信することができる。本明細書で開示する方法またはアルゴリズムのプロセスは、コンピュータ可読媒体上に常駐し得る、プロセッサ実行可能ソフトウェアモジュールで実施され得る。コンピュータ可読媒体は、ある場所から別の場所にコンピュータプログラムを転送することを可能にされ得る任意の媒体を含む、コンピュータ記憶媒体とコンピュータ通信媒体の両方を含む。記憶媒体は、コンピュータによってアクセスされ得る任意の利用可能な媒体であり得る。限定ではなく例として、そのようなコンピュータ可読媒体は、ＲＡＭ、ＲＯＭ、ＥＥＰＲＯＭ、ＣＤ−ＲＯＭもしくは他の光ディスクストレージ、磁気ディスクストレージもしくは他の磁気ストレージデバイス、または、命令もしくはデータ構造の形態で所望のプログラムコードを記憶するために使用され得、コンピュータによってアクセスされ得る、任意の他の媒体を含み得る。また、いかなる接続もコンピュータ可読媒体と適切に呼ばれ得る。本明細書で使用するディスク（disk）およびディスク（disc）は、コンパクトディスク（disc）（ＣＤ）、レーザディスク（登録商標）（disc）、光ディスク（disc）、デジタル多用途ディスク（disc）（ＤＶＤ）、フロッピー（登録商標）ディスク（disk）およびブルーレイ（登録商標）ディスク（disc）を含み、ディスク（disk）は、通常、データを磁気的に再生し、ディスク（disc）は、データをレーザで光学的に再生する。上記の組合せもコンピュータ可読媒体の範囲内に含めるべきである。さらに、方法またはアルゴリズムの動作は、コンピュータプログラム製品に組み込まれ得る、機械可読媒体およびコンピュータ可読媒体上のコードおよび命令の、１つまたは任意の組合せまたはセットとして存在し得る。
【０１２３】
本開示で説明した実施態様への様々な修正は当業者には容易に明らかであり得、本明細書で定義した一般原理は、本開示の趣旨または範囲から逸脱することなく他の実施態様に適用され得る。したがって、特許請求の範囲は、本明細書で示した実施態様に限定されるものではなく、本開示と、本明細書で開示する原理および新規の特徴とに一致する、最も広い範囲を与えられるべきである。
【０１２４】
「例示的」という単語は、本明細書ではもっぱら「例、事例、または例示の働きをすること」を意味するために使用される。本明細書に「例示的」と記載されたいかなる実施態様も、必ずしも他の実施態様よりも好ましいまたは有利であると解釈されるべきではない。さらに、「上側」および「下側」という用語は、図の説明を簡単にするために時々使用され、適切に配向されたページ上の図の配向に対応する相対位置を示すが、実施されたＩＭＯＤ（または任意の他のデバイス）の適切な配向を反映しないことがあることを、当業者は容易に諒解されよう。
【０１２５】
また、別個の実施態様に関して本明細書で説明されたいくつかの特徴は、単一の実施態様において組合せで実施され得る。また、逆に、単一の実施態様に関して説明した様々な特徴は、複数の実施態様において別個に、あるいは任意の好適な部分組合せで実施され得る。その上、特徴は、いくつかの組合せで働くものとして上記で説明され、初めにそのように請求されることさえあるが、請求される組合せからの１つまたは複数の特徴は、場合によってはその組合せから削除され得、請求される組合せは、部分組合せ、または部分組合せの変形形態を対象とし得る。
【０１２６】
同様に、動作は特定の順序で図面に示されているが、これは、望ましい結果を達成するために、そのような動作が、示される特定の順序でまたは順番に実行されることを、あるいはすべての図示の動作が実行されることを必要とするものとして理解されるべきでない。さらに、図面は、フロー図の形態でもう１つの例示的なプロセスを概略的に示し得る。ただし、図示されていない他の動作が、概略的に示される例示的なプロセスに組み込まれ得る。たとえば、１つまたは複数の追加の動作が、図示の動作のうちのいずれかの前に、後に、同時に、またはそれの間で、実行され得る。いくつかの状況では、マルチタスキングおよび並列処理が有利であり得る。その上、上記で説明した実施態様における様々なシステム構成要素の分離は、すべての実施態様においてそのような分離を必要とするものとして理解されるべきでなく、説明するプログラム構成要素およびシステムは、概して、単一のソフトウェア製品において互いに一体化されるか、または複数のソフトウェア製品にパッケージングされ得ることを理解されたい。さらに、他の実施態様が以下の特許請求の範囲内に入る。場合によっては、特許請求の範囲に記載の行為は、異なる順序で実行され、依然として望ましい結果を達成することができる。
【図１】
2014517930.tif 000003
【図２】
2014517930.tif 000004
【図３】
2014517930.tif 000005
【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
2014517930.tif 000008
【図６Ａ】
2014517930.tif 000009
【図６Ｂ】
2014517930.tif 000010
【図６Ｃ】
2014517930.tif 000011
【図６Ｄ】
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【図６Ｅ】
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【図７】
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【図８Ａ】
2014517930.tif 000015
【図８Ｂ】
2014517930.tif 000016
【図８Ｃ】
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【図８Ｄ】
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【図８Ｅ】
2014517930.tif 000019
【図９Ａ】
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【図９Ｂ】
2014517930.tif 000021
【図９Ｃ】
2014517930.tif 000022
【図１０】
2014517930.tif 000023
【図１１Ａ】
2014517930.tif 000024
【図１１Ｂ】
2014517930.tif 000025
【図１１Ｃ】
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【図１２Ａ】
2014517930.tif 000027
【図１２Ｂ】
2014517930.tif 000028
【図１２Ｃ】
2014517930.tif 000029
【図１２Ｄ】
2014517930.tif 000030
【図１２Ｅ】
2014517930.tif 000031
【図１２Ｆ】
2014517930.tif 000032
【図１２Ｇ】
2014517930.tif 000033
【図１２Ｈ】
2014517930.tif 000034
【図１３Ａ】
2014517930.tif 000035
【図１３Ｂ】
2014517930.tif 000036
【図１３Ｃ】
2014517930.tif 000037
【図１４Ａ】
2014517930.tif 000038
【図１４Ｂ】
2014517930.tif 000039
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月13日(2013.12.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のセンサー電極を形成するために光キャビティ層を実質的に透明な基板上に堆積させることであって、前記光キャビティ層を堆積させることが、ブラックマスク層を堆積させることを含む、堆積させることと、
実質的に透明な誘電材料を、前記光キャビティ層上に、および、前記実質的に透明な基板の露出されたエリア上に堆積させることと、
前記下にある光キャビティ層の部分を露出するために前記実質的に透明な誘電材料を通してビアを形成することと、
前記下にある光キャビティ層の前記部分間に電気的接続を形成するために伝導性材料を前記ビア中に堆積させることと
を備える方法。
【請求項２】
前記ブラックマスク層を線に形成することをさらに備える、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ブラックマスク層が、３５０ｎｍから８００ｎｍまでの波長範囲にわたる１％未満の明所視積分された反射率を与える、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記光キャビティ層を堆積させることが、部分反射性および部分伝導性層と、酸化物層および反射性および伝導性層とを堆積させることを含む、請求項１から３のいずれかに記載の方法。
【請求項５】
前記酸化物層を堆積させることが、二酸化ケイ素層または酸化インジウムスズ層を堆積させることを含む、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記部分反射性および部分伝導性層を堆積させることが、モリブデン−クロム（ＭｏＣｒ）合金層を堆積させることを含む、請求項４に記載の方法。
【請求項７】
前記センサー電極が、検知エリア中に形成され、前記光キャビティ層を堆積させることが、前記検知エリアの少なくとも一部分の周囲に延在するボーダーエリアを形成することを含む、請求項１から６のいずれかに記載の方法。
【請求項８】
前記酸化物層を堆積させることが、前記光キャビティ層を、前記ボーダーエリア中で第１の色を補強するように形成することと、前記センサー電極の前記光キャビティ層を、第２の色を補強するように形成することとを含む、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記伝導性材料を堆積させることが、前記ボーダーエリア中にルーティング線と接地線とを形成することを含み、前記ボーダーエリア中の前記接地線と前記光キャビティ層のうちの伝導性層との間に電気的接続を形成することをさらに含む、請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
前記ボーダーエリア中の前記光キャビティ層のうちの少なくとも１つを通して、ビアを形成して、装飾を作成することをさらに含む、請求項７に記載の方法。
【請求項１１】
前記装飾がロゴである、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記ビアを形成することが、前記光キャビティ層のうちの伝導性層を露出するように構成された、前記ボーダーエリア中のビアを形成することを含む、請求項７に記載の方法。
【請求項１３】
前記伝導性層を、前記ボーダーエリア中の前記ビアを通して、電気的に接地された線に接続することをさらに含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記光キャビティ層を堆積させることが、入射光の波長範囲または色を補強することになる光キャビティを形成することを含む、請求項１から１３のいずれかに記載の方法。
【請求項１５】
前記伝導性材料を堆積させることが、ボーダーエリア中にルーティング線を形成することであり、前記ルーティング線が、前記センサー電極を制御回路と接続するために構成されることを含む、請求項１から１４のいずれかに記載の方法。
【請求項１６】
前記光キャビティ層を堆積させることが、投影容量性タッチセンサー電極を形成することを含む、請求項１から１５のいずれかに記載の方法。
【請求項１７】
前記光キャビティ層を堆積させることが、連続的な列における第１の投影容量性タッチセンサー電極と、不連続的な行における第２の投影容量性タッチセンサー電極とを形成することを含み、前記伝導性材料を堆積させることが、前記不連続的な行間に電気的接続を形成することを含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記光キャビティ層を堆積させることが、不連続的な列における第１の投影容量性タッチセンサー電極と、連続的な行における第２の投影容量性タッチセンサー電極とを形成することを含み、前記伝導性材料を堆積させることが、前記不連続的な列間に電気的接続を形成することを含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項１９】
実質的に透明な基板と、
前記実質的に透明な基板上に配設された複数のタッチセンサー電極であって、前記タッチセンサー電極が、光キャビティ層を含み、前記光キャビティ層は、ブラックマスク層を含む、タッチセンサー電極と、
前記光キャビティ層上に配設された実質的に透明な誘電材料と、
前記実質的に透明な誘電材料を通して、前記光キャビティ層の部分まで形成されたビアと、
前記光キャビティ層の前記部分間に電気的接続を形成するための、前記ビア中の伝導性材料と
を備える装置。
【請求項２０】
前記ブラックマスク層が、ワイヤー内に形成される、請求項１９に記載の装置。
【請求項２１】
前記ブラックマスク層が、３５０ｎｍから８００ｎｍまでの波長範囲にわたる１％未満の明所視積分された反射率を与える、請求項１９または２０に記載の装置。
【請求項２２】
前記光キャビティ層を堆積させることが、部分反射性および部分伝導性層と、酸化物層および反射性および伝導性層とを堆積させることを含む、請求項１９から２１のいずれかに記載の方法。
前記光キャビティ層が、部分反射性および部分伝導性層と、酸化物層、反射性、および伝導性層を含む、請求項１９から２１のいずれかに記載の装置。
【請求項２３】
前記光キャビティ層が、前記酸化物層を含み、前記酸化物層が、二酸化ケイ素層または酸化インジウムスズ層を含む、請求項２２に記載の装置。
【請求項２４】
前記光キャビティ層が、前記部分反射性および部分伝導性層を含み、前記部分反射性および部分伝導性層が、モリブデン−クロム（ＭｏＣｒ）合金層を含む、請求項２２に記載の装置。
【請求項２５】
前記装置が、
前記タッチセンサー電極の周囲のボーダーエリアをさらに備え、前記ボーダーエリアが、前記光キャビティ層から形成される、請求項１９から２４のいずれかに記載の装置。
【請求項２６】
前記ボーダーエリアを形成する第１の光キャビティ層が、第１の色を補強するように構成され、前記タッチセンサー電極を形成する第２の光キャビティ層が、第２の色を補強するように構成される、請求項２５に記載の装置。
【請求項２７】
前記光キャビティ層が、入射光の波長範囲または色を補強するように構成された光キャビティを形成する、請求項１９から２６のいずれかに記載の装置。
【請求項２８】
前記タッチセンサー電極が、連続的な列における第１のタッチセンサー電極と、不連続的な行における第２のタッチセンサー電極とを含み、前記伝導性材料が、前記不連続的な行間に電気的接続を形成する、請求項１９から２７のいずれかに記載の装置。
【請求項２９】
前記タッチセンサー電極が、不連続的な列における第１のタッチセンサー電極と、連続的な行における第２のタッチセンサー電極とを含み、前記伝導性材料が、前記不連続的な列間に電気的接続を形成する、請求項１９から２８のいずれかに記載の装置。
【請求項３０】
ディスプレイと、
前記ディスプレイと通信するように構成されるプロセッサであって、画像データを処理するように構成される、プロセッサと、
前記プロセッサと通信するように構成されるメモリデバイスと
をさらに備える、請求項１９から２９のいずれかに記載の装置。
【請求項３１】
前記ディスプレイに少なくとも１つの信号を送るように構成されたドライバ回路と、
前記ドライバ回路に前記画像データの少なくとも一部分を送るように構成されたコントローラと
をさらに備える、請求項３０に記載の装置。
【請求項３２】
前記プロセッサに前記画像データを送るように構成された画像ソースモジュールであり、受信機、トランシーバ、および送信機のうちの少なくとも１つを含む、画像ソースモジュール
をさらに備える、請求項３０に記載の装置。
【請求項３３】
入力データを受信することと、前記プロセッサに前記入力データを通信することとを行うように構成された入力デバイス
をさらに備える、請求項３０に記載の装置。
【請求項３４】
前記プロセッサとの通信のために構成されたタッチコントローラと、
前記センサー電極を前記タッチコントローラと接続するために構成されたルーティング線と
をさらに備える、請求項３０に記載の装置。
【請求項３５】
第１の実質的に透明な基板手段と、
前記実質的に透明な基板手段上に配設された複数のタッチセンサー電極手段であって、ブラックマスク層を含む、タッチセンサー電極手段と、
その上に配設されたディスプレイを有する、第２の実質的に透明な基板手段と、
前記タッチセンサー電極手段の不連続部分間に電気的接続を形成するための電気的接続手段と
を備える装置。
【請求項３６】
前記ブラックマスク層が、ワイヤー内に形成される、請求項３５に記載の装置。
【請求項３７】
前記装置が、
前記タッチセンサー電極手段の周囲のボーダーエリアをさらに備え、前記ボーダーエリアが、前記ブラックマスク層から形成される、請求項３４または請求項３５に記載の装置。
【請求項３８】
前記装置が、
タッチコントロール手段と、
前記タッチセンサー電極手段を前記タッチコントロール手段と接続するためのルーティング手段とをさらに備え、前記ボーダーエリアが、前記ルーティング手段を隠蔽するように構成される、請求項３７に記載の装置。
【請求項３９】
前記タッチセンサー電極手段が、連続的な列における第１のタッチセンサー電極と、不連続的な行における第２のタッチセンサー電極とを含み、前記電気的接続手段が、前記不連続的な行間に電気的接続を形成する、請求項３５から３８のいずれかに記載の装置。
【請求項４０】
前記タッチセンサー電極手段が、不連続的な列における第１のタッチセンサー電極と、連続的な行における第２のタッチセンサー電極とを含み、前記電気的接続手段が、前記不連続的な列間に電気的接続を形成する、請求項３５から３９のいずれかに記載の装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２６】
同様に、動作は特定の順序で図面に示されているが、これは、望ましい結果を達成するために、そのような動作が、示される特定の順序でまたは順番に実行されることを、あるいはすべての図示の動作が実行されることを必要とするものとして理解されるべきでない。さらに、図面は、流れ図の形態でもう１つの例示的なプロセスを概略的に示し得る。ただし、図示されていない他の動作が、概略的に示される例示的なプロセスに組み込まれ得る。たとえば、１つまたは複数の追加の動作が、図示の動作のうちのいずれかの前に、後に、同時に、またはそれの間で、実行され得る。いくつかの状況では、マルチタスキングおよび並列処理が有利であり得る。その上、上記で説明した実施態様における様々なシステム構成要素の分離は、すべての実施態様においてそのような分離を必要とするものとして理解されるべきでなく、説明するプログラム構成要素およびシステムは、概して、単一のソフトウェア製品において互いに一体化されるか、または複数のソフトウェア製品にパッケージングされ得ることを理解されたい。さらに、他の実施態様が以下の特許請求の範囲内に入る。場合によっては、特許請求の範囲に記載の行為は、異なる順序で実行され、依然として望ましい結果を達成することができる。
以下に本件出願当初の特許請求の範囲に記載された発明を付記する。
［１］光キャビティ層を実質的に透明な基板上に堆積させて、複数のセンサー電極を形成することと、
実質的に透明な誘電材料を、前記光キャビティ層上に、および、前記実質的に透明な基板の露出されたエリア上に堆積させることと、
前記下にある光キャビティ層の部分を露出するように、前記実質的に透明な誘電材料を通してビアを形成することと、
伝導性材料を前記ビア中に堆積させて、前記下にある光キャビティ層の前記部分間に電気的接続を形成することと
を備える方法。
［２］前記光キャビティ層を堆積させることが、ブラックマスク層を堆積させることを含む、［１］に記載の方法。
［３］前記ブラックマスク層が、３５０ｎｍから８００ｎｍまでの波長範囲にわたる１％未満の明所視積分された反射率を与える、［２］に記載の方法。
［４］前記光キャビティ層を堆積させることが、部分反射性および部分伝導性層と、酸化物層および反射性および伝導性層とのうちの少なくとも１つを堆積させることを含む、［１］から［３］のいずれかに記載の方法。
［５］前記酸化物層を堆積させることが、二酸化ケイ素層または酸化インジウムスズ層を堆積させることを含む、［４］に記載の方法。
［６］前記部分反射性および部分伝導性層を堆積させることが、モリブデン−クロム（ＭｏＣｒ）合金層を堆積させることを含む、［４］に記載の方法。
［７］前記センサー電極が、検知エリア中に形成され、前記光キャビティ層を堆積させることが、前記検知エリアの少なくとも一部分の周囲に延在するボーダーエリアを形成することを含む、［１］から［６］のいずれかに記載の方法。
［８］前記酸化物層を堆積させることが、前記光キャビティ層を、前記ボーダーエリア中で第１の色を補強するように形成することと、前記センサー電極の前記光キャビティ層を、第２の色を補強するように形成することとを含む、［７］に記載の方法。
［９］前記伝導性材料を堆積させることが、前記ボーダーエリア中にルーティング線と接地線とを形成することを含み、前記ボーダーエリア中の前記接地線と前記光キャビティ層のうちの伝導性層との間に電気的接続を形成することをさらに含む、［７］に記載の方法。
［１０］前記ボーダーエリア中の前記光キャビティ層のうちの少なくとも１つを通して、ビアを形成して、装飾を作成することをさらに含む、［７］に記載の方法。
［１１］前記装飾がロゴである、［１０］に記載の方法。
［１２］前記ビアを形成することが、前記光キャビティ層のうちの伝導性層を露出するように構成された、前記ボーダーエリア中のビアを形成することを含む、［７］に記載の方法。
［１３］前記伝導性層を、前記ボーダーエリア中の前記ビアを通して、電気的に接地された線に接続することをさらに含む、［１２］に記載の方法。
［１４］前記光キャビティ層を堆積させることが、入射光の波長範囲または色を補強することになる光キャビティを形成することを含む、［１］から［１３］のいずれかに記載の方法。
［１５］前記伝導性材料を堆積させることが、ボーダーエリア中にルーティング線を形成することであり、前記ルーティング線が、前記センサー電極を制御回路と接続するために構成されることを含む、［１］から［１４］のいずれかに記載の方法。
［１６］前記光キャビティ層を堆積させることが、投影容量性タッチセンサー電極を形成することを含む、［１］から［１５］のいずれかに記載の方法。
［１７］前記光キャビティ層を堆積させることが、連続的な列における第１の投影容量性タッチセンサー電極と、不連続的な行における第２の投影容量性タッチセンサー電極とを形成することを含み、前記伝導性材料を堆積させることが、前記不連続的な行間に電気的接続を形成することを含む、［１６］に記載の方法。
［１８］前記光キャビティ層を堆積させることが、不連続的な列における第１の投影容量性タッチセンサー電極と、連続的な行における第２の投影容量性タッチセンサー電極とを形成することを含み、前記伝導性材料を堆積させることが、前記不連続的な列間に電気的接続を形成することを含む、［１６］に記載の方法。
［１９］実質的に透明な基板と、
前記実質的に透明な基板上に配設された複数のタッチセンサー電極であって、前記タッチセンサー電極が光キャビティ層を含む、タッチセンサー電極と、
前記光キャビティ層上に配設された実質的に透明な誘電材料と、
前記実質的に透明な誘電材料を通して、前記光キャビティ層の部分まで形成されたビアと、
前記光キャビティ層の前記部分間に電気的接続を形成するための、前記ビア中の伝導性材料と
を備える装置。
［２０］前記光キャビティ層が、ブラックマスク層を含む、［１９］に記載の装置。
［２１］前記ブラックマスク層が、３５０ｎｍから８００ｎｍまでの波長範囲にわたる１％未満の明所視積分された反射率を与える、［２０］に記載の装置。
［２２］前記光キャビティ層を堆積させることが、部分反射性および部分伝導性層と、酸化物層および反射性および伝導性層とのうちの少なくとも１つを堆積させることを含む、［１９］から［２１］のいずれかに記載の方法。
［２３］前記光キャビティ層が、前記酸化物層を含み、前記酸化物層が、二酸化ケイ素層または酸化インジウムスズ層を含む、［２２］に記載の装置。
［２４］前記光キャビティ層が、前記部分反射性および部分伝導性層を含み、前記部分反射性および部分伝導性層が、モリブデン−クロム（ＭｏＣｒ）合金層を含む、［２２］に記載の装置。
［２５］前記装置が、
前記タッチセンサー電極の周囲のボーダーエリアをさらに備え、前記ボーダーエリアが、前記光キャビティ層から形成される、［１９］から［２４］のいずれかに記載の装置。
［２６］前記ボーダーエリアを形成する第１の光キャビティ層が、第１の色を補強するように構成され、前記タッチセンサー電極を形成する第２の光キャビティ層が、第２の色を補強するように構成される、［２５］に記載の装置。
［２７］前記光キャビティ層が、入射光の波長範囲または色を補強するように構成された光キャビティを形成する、［１９］から［２６］のいずれかに記載の装置。
［２８］前記タッチセンサー電極が、連続的な列における第１のタッチセンサー電極と、不連続的な行における第２のタッチセンサー電極とを含み、前記伝導性材料が、前記不連続的な行間に電気的接続を形成する、［１９］から［２７］のいずれかに記載の装置。
［２９］前記タッチセンサー電極が、不連続的な列における第１のタッチセンサー電極と、連続的な行における第２のタッチセンサー電極とを含み、前記伝導性材料が、前記不連続的な列間に電気的接続を形成する、［１９］から［２８］のいずれかに記載の装置。
［３０］ディスプレイと、
前記ディスプレイと通信するように構成されるプロセッサであり、画像データを処理するように構成されるプロセッサと、
前記プロセッサと通信するように構成されるメモリデバイスと
をさらに備える、［１９］から［２９］のいずれかに記載の装置。
［３１］前記ディスプレイに少なくとも１つの信号を送るように構成されたドライバ回路と、
前記ドライバ回路に前記画像データの少なくとも一部分を送るように構成されたコントローラと
をさらに備える、［３０］に記載の装置。
［３２］前記プロセッサに前記画像データを送るように構成された画像ソースモジュールであり、受信機、トランシーバ、および送信機のうちの少なくとも１つを含む、画像ソースモジュール
をさらに備える、［３０］に記載の装置。
［３３］入力データを受信することと、前記プロセッサに前記入力データを通信することとを行うように構成された入力デバイス
をさらに備える、［３０］に記載の装置。
［３４］前記プロセッサとの通信のために構成されたタッチコントローラと、
前記センサー電極を前記タッチコントローラと接続するために構成されたルーティング線と
をさらに備える、［３０］に記載の装置。
［３５］実質的に透明な基板手段と、
前記実質的に透明な基板手段上に配設された複数のタッチセンサー電極手段であり、光キャビティ手段を含むタッチセンサー電極手段と、
前記タッチセンサー電極手段の不連続部分間に電気的接続を形成するための電気的接続手段と
を備える装置。
［３６］前記光キャビティ層が、ブラックマスク層を含む、［３５］に記載の装置。
［３７］前記装置が、
前記タッチセンサー電極手段の周囲のボーダーエリアをさらに備え、前記ボーダーエリアが、前記光キャビティ手段から形成される、［３４］または［３５］に記載の装置。
［３８］前記装置が、
タッチコントロール手段と、
前記タッチセンサー電極手段を前記タッチコントロール手段と接続するためのルーティング手段とをさらに備え、前記ボーダーエリアが、前記ルーティング手段を隠蔽するように構成される、［３７］に記載の装置。
［３９］前記タッチセンサー電極手段が、連続的な列における第１のタッチセンサー電極と、不連続的な行における第２のタッチセンサー電極とを含み、前記電気的接続手段が、前記不連続的な行間に電気的接続を形成する、［３５］から［３８］のいずれかに記載の装置。
［４０］前記タッチセンサー電極手段が、不連続的な列における第１のタッチセンサー電極と、連続的な行における第２のタッチセンサー電極とを含み、前記電気的接続手段が、前記不連続的な列間に電気的接続を形成する、［３５］から［３９］のいずれかに記載の装置。
【国際調査報告】
2014517930.tif 000040
2014517930.tif 000041
2014517930.tif 000042