(57)【要約】  本発明はオプトエレクトロニクス半導体本体のための電気端子支持体を製造する方法に関し、キャリア本体（１１）と、キャリア本体（１１）の外面（１１１）に位置された中間層（１２）と、中間層（１２）上に配置された使用層（１３）を備えるキャリアアッセンブリ（１）を設け、少なくとも２つの開口（４）設け、これらは使用層（１３）において使用層（１３）の外面（１３１）を通り使用層（１３）において横方向（Ｌ）に互いに間隔を空けてあり、開口は使用層（１３）を垂直方向（Ｖ）に完全に貫いて延在し、開口（４）の側面（４１）と使用層（１３）の外面（１３１）とを電気的に絶縁し、導電材料（６）を少なくとも開口（４）に配置し、端子キャリア（１００）の完成後に、導電材料（６）は、横方向（Ｌ）隣接する開口（４）の間に使用層（１３）の外面（１３１）に沿った方向に進む途切れを備える。【選択図】図１Ｅ
2014506004.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
オプトエレクトロニクス半導体本体のための電気端子支持体（１００）を製造する方法であって、
−  支持体本体（１１）と、前記支持体本体（１１）の外面（１１１）に配置された中間層（１２）と、前記支持体本体（１１）とは反対側の前記中間層（１２）の外面（１２１）に配置された有用層（１３）とを有する支持装置（１）を設けるステップと、
−  横方向（Ｌ）に互いに間隔を空けて配置された少なくとも２つの開口（４）を支持体本体（１１）とは反対側の前記有用層（１３）の外面（１３１）を介して前記有用層（１３）の中に設けるステップであって、前記開口は垂直方向（Ｖ）に前記有用層（１３）を完全に貫いて延在する、前記ステップと、
−  前記開口（４）の側面（４１）および前記支持体本体（１１）とは反対側の前記有用層（１３）の前記外面（１３１）を電気的に絶縁するステップと、
−  導電材料（６）を少なくとも所々開口（４）に配置するステップと、を少なくとも備え、
−  前記電気端子支持体（１００）の完成後、前記導電材料（６）は、横方向（Ｌ）に隣接する開口（４）の間で前記有用層（１３）の前記外面（１３１）に沿った方向に少なくとも１つの途切れ（Ｕ）を有する、
方法。
【請求項２】
前記支持体本体（１１）は、シリコンで形成され、前記中間層（１２）は、シリコン酸化物および／またはシリコン窒化物で形成される、
請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記有用層（１３）は、少なくとも１つの材料で形成され、またはＳｉ、Ｎ、ＧａＮ、Ｇｅ、ＧａＡｓのうち、少なくとも１つの材料を含む、
請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
電気絶縁の前記プロセスは、少なくとも１つの熱酸化法（５）により実行される、
請求項１から３のいずれかに記載の方法。
【請求項５】
前記導電材料（６）は、溶解した状態で前記開口（４）に導入され、次いで硬化し、
−  前記導電材料（６）は、Ａｌ、Ｚｎ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｓｉ、Ｃｄ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｐｏのうち少なくとも１つの材料で形成され、またはこれらのうち少なくとも１つの材料を含み
および／または
前記導電材料（６）は、少なくとも１つの２成分系共融混合物を含む
請求項１から４のいずれかに記載の方法。
【請求項６】
硬化後、前記導電材料（６）は、有用層（１３）を越えて垂直方向（Ｖ）に突出する、
請求項１から５のいずれかに記載の方法。
【請求項７】
少なくとも１つの研磨停止層（７）は、前記支持体本体（１１）の反対側の有用層（１３）の外面（１３１）に少なくとも所々形成され、
前記支持体本体（１１）の反対側の前記導電材料（６）の外面（６１）には研磨停止層（７）が少なくとも所々存在せず、前記研磨停止層（７）は、材料ＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４、ＳｒＯ、ＨｆＯ、ＨｆＯ２、ＺｒＯ、ＺｒＯ２のうち少なくとも１つの材料で形成され、またはこれらの材料のうち少なくとも１つの材料を含む、
請求項１から６のいずれかに記載の方法。
【請求項８】
少なくとも１つの研磨ステップを少なくとも前記導電材料（６）に適用した後、前記導電材料（６）は、前記研磨停止層（７）を越えて垂直方向（Ｖ）突出することはない、
請求項１から７のいずれかに記載の方法。
【請求項９】
前記導電材料（６）を配置した後、前記支持体本体（１１）は、前記中間層（１２）から除去される、
請求項１から８のいずれかに記載の方法。
【請求項１０】
オプトエレクトロニクス半導体コンポーネント（２００）を製造する方法であって、
−  少なくとも１つの請求項１から９のいずれかに記載の方法により製造された、電気端子支持体（１００）を備えるステップと、
−  少なくとも１つのオプトエレクトロニクス半導体本体（８）を有用層（１３）の外面（１３１）に配置するステップと、を少なくとも含み、
前記オプトエレクトロニクス半導体本体（８）は、電磁放射を発生するまたは検出するのに適した、少なくとも１つの活性ゾーン（８１）を備え、前記導電材料（６）に導電的に接続される、
請求項１から９のいずれかに記載の方法。
【請求項１１】
さらなる導電材料（６０）が前記オプトエレクトロニクス半導体本体（８）の前記活性ゾーン（８１）を貫通して、前記オプトエレクトロニクス半導体本体（８）のドープされた領域が前記電気端子支持体（１００）の前記導電材料（６）に導電的に接続している、
請求項１から１０のいずれかに記載の方法。
【請求項１２】
少なくとも１つの保護ダイオード構造（９）が前記有用層（１３）において形成され、前記半導体本体（８）と電気的に相互接続されている、
請求項１から１１のいずれかに記載の方法。
【請求項１３】
電気端子支持体（１００）であって、
−  外面（１３１）と前記外面（１３１）とは反対側に位置するコンタクト面（１３２）とを有する少なくとも１つの有用層（１３）と、
−  横方向（Ｌ）に互いに間隔をおいて有用層（１３）に配置されている少なくとも２つの開口（４）であって、前記少なくとも２つの開口（４）が前記有用層（１３）の外面（１３１）を介して前記有用層（１３）の中に設けられる前記少なくとも２つの開口（４）と、
−  少なくとも所々前記開口（４）において配置された導電材料（６）と、を備え、
−  前記開口（４）は、前記外面（１３１）から前記コンタクト面（１３２）の方向へ進み前記有用層（１３）を完全に貫いて延在しており，
−  前記開口（４）の側面（４１）および前記有用層（１３）の外面（１３１）は、電気絶縁された状態で具体化され、
−  前記導電材料（６）は、横方向（Ｌ）に隣接する開口（４）の間で前記有用層（１３）の前記外面（１３１）に沿った方向に少なくとも１つの途切れ（Ｕ）を有する、
電気端子支持体（１００）。
【請求項１４】
オプトエレクトロニクス半導体コンポーネント（２００）であって、
−  請求項１３に記載の電気端子支持体（１００）と、
−  前記有用層（１３）の外面（１３１）に配置された少なくとも１つのオプトエレクトロニクス半導体本体（８）とを備え、
前記オプトエレクトロニクス半導体本体（８）は、電磁放射を生成または検出するのに適した少なくとも１つの活性ゾーン（８１）を備える、
オプトエレクトロニクス半導体コンポーネント（２００）。
【請求項１５】
オプトエレクトロニクス半導体コンポーネント（２００）であって、少なくとも１つの保護ダイオード構造（９）が前記有用層（１３）において形成され、前記半導体本体（８）と相互に電気的に接続している、
請求項１４に記載のオプトエレクトロニクス半導体コンポーネント（２００）。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
電気端子支持体を製造する方法、およびオプトエレクトロニクス半導体コンポーネント、電気端子支持体ならびにオプトエレクトロニクス半導体コンポーネントを製造する方法を開示する。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００２】
【非特許文献１】“Silicon-on-insulator: materials aspects and applications, Andreas Plossl、Gertrud Krauter, Solid-State Electronics layer 44(2000)775-782”
【非特許文献２】“Zinc and Tin-Zinc Via Filling for the Formation of Through-Silicon Vias in a System-in-Package, Journal of ELECTRONIC MATERIALS、Vol.38、No.5,2009”
【発明の概要】
【０００３】
達成すべき目的は、オプトエレクトロニクス半導体本体のための電気端子支持体を製造する方法を開示することにあり、製造された端子支持体への材料損傷が回避できる。
【０００４】
この方法の少なくとも１つの実施例によれば、第１のステップは、支持装置を設けることを含む。支持装置は、機械的に安定な支持体であっても良く、その外面には、例えば、コンポーネント部品が配置され、固定されていてもよい。言い換えれば、支持装置はそれ自体支持機能があり、安定な実装および／またはコンポーネント部品のための支持基板を構成している。支持装置はウェハーの形で具体化し得る。好ましくは、支持装置の横方向の大きさは、支持装置の垂直方向の大きさに比べ大きい。すなわち、支持装置の横方向の大きさは、例えば、支持装置の垂直方向の大きさの少なくとも５倍以上である。この文脈において、「横方向」とは支持装置の主延在方向に平行な方向を意味する。「垂直方向」とは支持装置の主延在方向に垂直な方向であり、すなわち例えば支持装置の厚さである。支持装置は支持体本体を有しており、中間層は支持体本体の外面に配置されている。さらに、有用層は、支持体本体とは反対側の中間層の外面に配置されている。この文脈において、「有用層」は、少なくともこの層は、完成した電気端子支持体にとどまっており、電気的および／または機械的な機能を実行することを意味する。例えば、電気端子支持体がオプトエレクトロニクスコンポーネントに組込まれた状態が該当する。
【０００５】
好ましくは、中間層の材料は、有用層の材料とは異なる。この場合、有用層の材料は中間層の材料と同等ではない。一例として、中間層は電気絶縁性を有する。有用層と中間層とは、少なくとも、その化学的特定および／または物理的特性の点で互いに異なり得る。
【０００６】
その方法の少なくとも１つの実施例において、次のステップは、互いに横方向に間隔を空けて配置された少なくとも２つの開口をキャリア本体とは反対側の有用層の外面を介して有用層に設けるステップを含み、前記開口は、有用層を垂直方向に完全に貫いて延在する。例えば、開口は、少なくとも１つの乾式化学エッチングプロセスおよび／または湿式化学エッチングプロセスにより有用層に対して設けられる。一例として、同じエッチング液を用いた場合の有用層と比較すると、中間層は、実質的にエッチングし易くない。この文脈において、「実質的にエッチングし易くない」とは、中間層にエッチング液を使用した場合、そのエッチング速度は、同じエッチング液を使用した有用層のエッチング速度の多くとも２０％、好ましくは未満１０％であることを意味する。言い換えれば、この場合、エッチングの間に有用層はエッチングが完了し、このエッチングプロセスは、中間層における材料特性および関連する低いまたはゼロのエッチング速度のために停止する。この場合、中間層は、エッチング停止層といえる。言い換えれば、このようにして有用層に開口を形成することは、有用層と中間層の間の高いエッチング選択性を有するエッチングプロセスと関連している。代替え的にまたは追加的に、中間層におけるエッチングプロセスを、エッチングの終点識別により中断または終了することもできる。特に、有用層と中間層とがほぼ同等または同一のエッチング速度を有する場合、これは有用である。なぜなら、この場合のエッチングプロセスは、必ずしも中間層内で自動的に、終了するとは限らず、むしろ外部的に事前に定義された方法で中断または終了しなければならない。このため、一例として、有用層並びに／もしくはエッチングプロセスに関連付けられた（エッチング）信号の減衰、または、中間層並びに／もしくはエッチングプロセスに関連付けられた（エッチング）信号の増加は、エッチングプロセスをタイムリーに中断および／または終了するのに使用することができる。
【０００７】
例えば、開口のそれぞれは、少なくとも１つの連続し、関連する側面および底面および底面の反対側に位置する開口を有している。底面は、中間層により完全に形成されることができ、側面は有用層により少なくとも所々に形成される。
【０００８】
少なくとも１つの実施例において、次のステップは、開口の電気絶縁性側面および支持体本体とは反対側の有用層の外面を含む。すなわち、開口の側面および支持体本体とは反対側の有用層の外面に直接電流が流れることはない。
【０００９】
その方法の少なくとも１つの実施例において、次のステップは、開口において少なくとも部分的に導電材料を配置するステップを含み、端子支持体が完成した後、前記導電材料は、横方向に隣接する開口の間で有用層の外面に沿った方向に少なくとも１つの途切れを有する。言い換えれば、横方向に隣接する開口は、導電材料によって互いに連続的に接続されてはいない。例えば、開口は完全に導電材料で満たされている。一例として、この途切れは、互いに横方向に隣接する複数開口に配置される導電材料同士を互いに絶縁する。
【００１０】
その方法の少なくとも１つの実施例において、第１のステップは、支持体本体と、支持体本体の外面に配置された中間層と、支持体本体とは反対側の中間層の外面には配置された有用層とを有する支持装置を設けるステップを含む。次のステップは、支持体本体とは反対側の有用層の外面を介して、互いに横方向に間隔をおいて配置された少なくとも２つの開口を有用層に設けることを含み、前記開口は、垂直方向に有用層を完全に貫いて延在する。さらなるステップは、開口の電気的に絶縁された側面と支持体本体とは反対側の有用層の外面とを含む。さらに、次のステップは導電材料を少なくとも所々開口に配置し、端子支持体の完成後、導電材料は、互いに横方向に隣接する複数開口の間で有用層の外面に沿った方向に少なくとも１つの途切れを有する。
【００１１】
この場合、ここで記載するような電気端子支持体を製造する方法は、とりわけ、オプトエレクトロニクスコンポーネントとの電気的コンタクトを後に行う役割を持ち得る支持体本体に開口を設けることは、支持体本体上または支持本体内の損傷に結びつく可能性があるという洞察に基づいている。もし開口が、エッチングプロセスにより支持体内に設けられるなら、例えば、エッチングプロセス等が支持体本体特に開口の底面の領域における材料損傷の原因となり得る。このような支持体本体は、後のオプトエレクトロニクスコンポーネントの一部にとどまることができるから、このようなオプトエレクトロニクスコンポーネントは、その支持体本体上にこのような損傷を受ける。一例として、これにより光オプトエレクトロニクスコンポーネントの動作中の光出力および／または負荷容量が減少してしまう原因となり得る。
【００１２】
支持体本体におけるかような材料損傷を避ける電気端子支持体を製造する方法を開示するために、ここに説明する方法は、次のコンセプトを使用している。とりわけ、支持体本体上にまず中間層を配置し、前記中間層上に有用層を配置するというコンセプトである。言い換えれば、中間層は、有用層と支持体本体の間に配置される。したがって、中間層は、支持体本体と有用層との間のバッファおよび／またはスペーサであり得る。
【００１３】
もし、開口がエッチング法により有用層に設けられたら、例えば、中間層は、エッチングプロセスを停止するエッチング停止部として機能する。言い換えれば、中間層は、エッチング終端（止まり穴終端（blind hole termination））として機能し、したがって、例えば、エッチング終了に起因する、開口の底面の領域においてあり得る損傷は、有用層においてではなく中間層においてのみエッチングプロセスによって起こる。言い換えれば、有用層における損傷は回避される。例えば、後のオプトエレクトロニクス半導体コンポーネントにおいて有用層を合体することを可能とするために、次のステップは開口の電気絶縁側面と、支持体本体とは反対側の有用層の外面とを含む。よって、後のオプトエレクトロニクス半導体コンポーネントの半導体本体は、外面に形成されることができ、半導体本体との電気的接触は、開口において配置される導電材料により可能である。
【００１４】
その方法の少なくとも１つの実施例と関連して、電気絶縁の前記プロセスは、少なくとも１つの熱酸化法により実行される。このような方法により、開口の側面と支持体本体とは反対側の有用層の外面とは、特に簡単に費用効果も良好に電気的に絶縁することができる。一例として、開口の側面と外面はこのため加熱され、したがって、一例として、有用層の材料は表面酸化している。
【００１５】
その方法の少なくとも１つの実施例に関して、電気絶縁の前記プロセスは、コーティング法により実施され、堆積層は、材料ＡｌＮ、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４、ＳｒＯ、ＨｆＯ、ＨｆＯ２、ＺｒＯ、ＺｒＯ２のうちの少なくとも１つの材料から形成され、またはこれらの少なくとも１つの材料を含む。特に、電気絶縁層は、例えば化学蒸着（ＣＶＤ）および／または原子層蒸着（ＡＬＤ）により形成される。
【００１６】
少なくとも１つの実施例に関し、支持体本体はシリコンで形成され、中間層はシリコン酸化物および／またはシリコン窒化物で形成される。例えば、このような支持体本体は、非特許文献１に記載されており、その開示内容は、参照により本願明細書の開示内容に組込まれる。
【００１７】
少なくとも１つの実施例において、中間層は、材料ＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４、ＳｒＯ、ＨｆＯ、ＨｆＯ２、ＺｒＯ、ＺｒＯ２のうちの少なくとも１つの材料から形成され、またはこれらのうちの少なくとも１つの材料を含む。
【００１８】
その方法の少なくとも１つの実施例において、有用層は、材料Ｓｉ、ＡｌＮ、ＧａＮ、Ｇｅ、ＧａＡｓのうちの少なくとも１つの材料から形成され、またはこれらのうち少なくとも１つの材料を含む。一例として、有用層および支持体本体は同じ材料で形成され、例えばＳｉで形成される。この場合、このような支持装置は、特に費用対効果が高い。もし、有用層がＧａＮで形成されるなら、中間層および／または支持体本体は、例えばＳｉで形成されてもよい。ＧａＮとＳｉとは熱膨張係数が互いに整合しており、これは有利であり、したがって、支持装置内では、例えば支持装置を加熱する間、支持装置内では引っ張り歪みおよび／または圧縮歪みが可能な限り低くなる。
【００１９】
サファイアは、同様に支持体本体および／または中間層の材料としてＳｉの代わりに適切である。例えば中間層は、同様に１つ以上の部分層から形成され、各部分層が、例えば、材料ＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４、ＳｒＯ、ＨｆＯ、ＨｆＯ２、ＺｒＯ、ＺｒＯ２。のうちの１つから形成され、この場合、例えばＳｉＯ２から形成されたさらなる中間層、が中間層の上に形成されてもよい。もし、有用層がＧｅで形成されるなら、例えば、支持体本体および／または中間層に適切な材料には、Ｇｅ、ＧａＡｓ、サファイアが含まれる。この場合、熱酸化法の手段によるのではなく、少なくとも１つの電気絶縁層を少なくとも有用層の側面に堆積することにより、前記側面の電気絶縁のプロセスを達成することができる。
【００２０】
その方法の少なくとも１つの実施例に関連して、導電材料を融解した状態で開口へ導入し、次いで硬化させ、ここで導電材料は、材料Ａｌ、Ｚｎ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｓｉ、Ｃｄ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｐｏのうち少なくとも１つで形成される、またはこれらの材料のうち少なくとも１つの材料を含む。一例として、このような導電材料の開口への導入は、非特許文献２にＺｎのケースとして記載されている。この記載内容は、参照により本願明細書に組込まれている。もし、導電材料が半導体材料で形成されているなら、半導体材料はドープされていてもよい。導電材料は同様に合金および／または導電性の金属ペーストであってもよい。もし導電材料が金属ペーストの形で存在する場合、金属ペーストの硬化は等温的に生じさせることができる。
【００２１】
その方法の少なくとも１つの実施例に関連して、導電材料を融解した状態で開口へ導入し、次いで硬化させ、ここで導電材料は、少なくとも１つの２成分系共融混合物を含む。一例として、２成分系共融混合物材料は、例えば、ＡｕＳｎ、ＡｕＳｉ、ＡｕＧｅ、ＡｕＳｂ、ＡｌＧｅおよびＡｌＺｎ等の合金を含む。
【００２２】
導電材料の所望の物理的特性および／または技術的特性は、有用層の熱膨張率に可能な限り正確に整合した高い電気伝導性ならびに熱的伝導性、および有用層への可能な限り良好な接着性である。付随する材料の選択のさらなる基準は、粘着性、表面張力、反応度、導電材料の酸化に対する脆弱性である。もし、有用層が導電材料とともに半導体コンポーネントの中に組込まれたら、高い電気伝導性ならびに熱的伝導性のおかげで、可能な限り効果的に、半導体コンポーネント内で電流が流れる際のエネルギー損失を避け、半導体コンポーネントからの電力損失分を消散させるという結果をもたらす。
【００２３】
表１は亜鉛およびアルミニュームの個々の物理的特性および／または技術的特性を示す。
【００２４】
【表１】
2014506004.tif 000003
【００２５】
一例として、ＣｕとＡｇは、高い電気的伝導性および高い熱的伝導性を有する。もし、導電材料がＺｎ、Ｓｉ、Ｃｄ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｐｏ、ＡｕＳｎで形成されていれば、導電材料は、低い融点を有し、、その結果、有用層は、しかし例えば開口の充填中における熱による損傷が可能な限り少なくなる。他方において、融点は十分高いので、したがって、有用層が後の半導体コンポーネントに組込まれたとき、例えばはんだプロセスの間、導電材料は溶けない。
【００２６】
その方法の少なくとも１つの実施例に関連して導電材料を、融解した状態で開口へ導入し、開口の領域における絶縁層は、追加的に金属層によってぬれる。絶縁層を金属層によってぬらす結果として、絶縁層上の導電材料のぬれ特性は、異なって改善されるように設定される。
【００２７】
金属層は、材料を充填することによりそのぬれ性に関して選択することができる。金属層を形成するためにスパッタリング、蒸発、ＡＬＤ（原子層蒸着）等の物理的蒸着法または化学蒸着法を使用することができ、特に、蒸着法は、フォトリソグラフィーックパターン法の組み合わせを利用することができる。
【００２８】
金属層を形成するために可能な材料は、特に、ＮｉまたはＮｂであり、Ｔｉ／Ｎｉ／Ａｕ、Ｃｒ／Ｐｔ／Ａｕ、Ｔｉ／ＴｉＮ／Ｎｉ／Ｐｄ／ＡｕｏｒＴａＮ／Ｐｔ／Ａｕ等の多層の組み合わせを、絶縁層をコーティングするために使用することができ、金属層の層列は，上記の例以外のものでも良い。一例として、多層の変形例において、各個別の層は特定の機能を実行できる。一例として、ＴｉまたはＣｒは、サブストレートに関して接着性を強化するのに適しており、Ｎｉ、ＰｄまたはＰｔは、ぬれ性機能のために適しており、Ａｕは、多層の組み合わせの場合、下側の金属層の酸化や汚染を防ぐまたは少なくとも低減することを意図したぬらすことができる被覆に適している。開口を満たすためのＡｕＳｎ融液の場合、特に、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕは金属層を形成するための有利な層列である。
【００２９】
少なくとも１つの実施例に関連して、導電材料は、導電性接着剤である。一例として、接着剤は、マトリックス材で形成され、金属粒子または他の導電粒子がマトリクス材に導入され、マトリックス材は、開口に充填された後、硬化する。
【００３０】
その方法の少なくとも１つの実施例において、硬化後に導電材料が有用層を越えて垂直方向に突出する。すなわち、導電材料が垂直方向に有用層から突出し、有用層の上に持ち上げられる。この場合、開口は、導電材料で過剰充填され、開口から現れた過剰の導電材料が支持体本体とは反対側の有用層の外面に直接接触することができる。
【００３１】
あるいは、開口は導電材料で一部のみ充填されることもできる。言い換えれば、開口は、このケースでは満杯より少なく充填される（ｕｎｄｅｒｆｉｌｌｅｄ）。すなわち、有用層は垂直方向に導電材料を越えて突出する。このような満杯より少ない充填は、有用層の垂直方向の大きさおよび／または中間層の垂直方向の大きさをそれぞれ小さく選ぶか、または有用層および／または中間層が選択的なエッチングプロセスにより導電材料のレベルを引き戻すことによって避けられるかまたは除去できる。
【００３２】
少なくとも１つの実施例に関して、次のステップにおいて、少なくとも１つの研磨停止層が支持体本体の反対側の有用層の外面に少なくとも一部に形成され、支持体本体とは反対側の導電材料の外面には少なくとも部分的に研磨停止層が存在せず、研磨停止層は、材料ＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４、ＳｒＯ、ＨｆＯ、ＨｆＯ２、ＺｒＯ、ＺｒＯ２のうちの少なくとも１つの材料、またはこれらのうち少なくとも１つの材料を含む。一例として、研磨停止層は、露出した有用層の外面にのみ形成され、研磨停止層は、有用層の外面の平面図において、完全に導電材料を縁どりかつ囲むことができる。
【００３３】
一例として、研磨停止層が有用層の外面に形成された後、同様に導電材料は、研磨停止層を越えて垂直方向に突出する。言い換えれば、この場合、導電材料は、研磨停止層から垂直方向に突出する。開口を有用層の中に設ける前におよび／または導電材料を配置する前に、研磨停止層は少なくとも部分的に支持体本体とは反対側の有用層の外面に形成することができる。この文脈において、「研磨停止層」は、化学的ステップおよび／または機械的研磨ステップの使用により、研磨停止層は、除去することができおよび／または導電材料と比較してかなり不完全に研磨され、または全く研磨されないことを意味する。一例として、研磨ステップの使用後に、導電材料のみが材料除去の跡を有している。
【００３４】
さらに、上述の材料に基づいた研磨停止層は電気絶縁層としても機能することができる。言い換えれば、研磨停止層は、二重の機能を実行する。すなわち、研磨停止層は、電気絶縁効果を有し、化学的ステップおよび／または機械的研磨ステップを停止することができ、その意図は支持体本体とは反対側の有用層の外面の端において主として特に機械的損傷を防ぐことにある。この場合、追加的な研磨停止層の形成は、既存の絶縁層または研磨停止層に対して支持体本体とは反対側の有用層の外面のさらなる保護を構成するだけである。したがって、もし研磨停止層が二重の機能を実行すれば、さらなる研磨停止層を形成することを止めることができる。
【００３５】
少なくとも１つの実施例に関して、少なくとも１つの研磨ステップを少なくとも導電材料に対して適用後に、導電材料は研磨停止層を越えて垂直方向に突出はしない。一例として、この場合導電材料は、支持体本体とは反対方向の研磨停止層の外面とともに平面状の表面を形成する。半導体本体が後に研磨停止層および導電材料に形成された場合、電気的および／または機械的に半導体本体を導電材料に接続することに関する問題を回避することが可能であり、これは有利である。
【００３６】
少なくとも１つの実施例に関し、導電材料を配置した後、支持体本体は、中間層から除去される。一例として、支持体本体の除去は、高エネルギーレーザー光が例えば中間層に照射されることにより実行され、中間層は、少なくとも部分的にレーザー光により破壊される（レーザーリフトオフ法とも言われる）。同様に、少なくとも部分的に、中間層および／または支持体本体自体のエッチングおよび／または機械的研削を行うことにより、支持体本体を除去することが考えられる。支持体本体除去の後に依然残留する中間層の残留物をさらなる研磨により有用層から除去することも追加的に考えられる。支持体本体を除去した後、もし適切であれば中間層の削除も行い、その場合、完成した端子支持体においては、有用層のみが電気端子支持体の支持体材料として残る。
【００３７】
少なくとも１つの実施例に関し、オプトエレクトロニクス半導体本体とのコンタクトをつくるまえに、支持体本体を中間層から除去することはしない。すなわち、オプトエレクトロニクス半導体本体は、支持体本体が有用層から除去される前と、導電材料が開口を充填し、導電材料とオプトエレクトロニクス半導体本体との間の連続的なコンタクトが少なくとも部分的に形成された後に、支持装置と結合することができる。特に、コンタクト支持体（コンタクト面）の側の有用層の外面を介して、コンポーネント支持体に端子支持体を形成した後にのみ、オプトエレクトロニクス半導体本体を取り付けることも可能である。
【００３８】
少なくとも１つの実施例に関連して、導電材料を配置した後、支持体本体は、中間層から除去される。もし、有用層に加えて中間層に少なくとも部分的にエッチングがされていれば、例えば、端子支持体に対して横方向に互いに間隔を空けて開口を設けるために、残っている中間層が支持体本体の側の有用層の側面における端部絶縁に貢献し得る。この場合、支持体本体は、レーザーリフト法により再び除去され、支持体本体は、レーザーリフト法にアクセス可能な材料から形成され、特にあり得る中間層の残留物を除くために後続の乾式化学エッチングまたは湿式化学エッチングプロセスにより補完される。あるいは、支持体本体と中間層は、機械的研削により平面状に除去され、例えば、導電材料が露出し、残留する中間層との界面を形成するまで後続の乾式化学エッチングまたは湿式化学エッチングプロセスが中間層および／または支持体本体のあり得る残留物を除去するために使用できる。支持体本体と中間層はエッチングによってのみ除去することが可能であり、他の材料除去プロセスとの組み合わせは行わない。形成する界面は、特に、コンポーネント支持体および／またはコンタクト支持体に関して端子エリアとして使用可能である。
【００３９】
少なくとも１つの実施例に関し、電気端子支持体は、端子エリアを備え、コンタクト層は前記端子エリアに形成された。一例として、この場合、コンタクト層は、端子エリアの大部分にわたって延在している。この文脈においては、「大部分」とは、コンタクト層が端子エリアを覆い、その被覆領域が端子エリアの少なくとも５０％以上の領域を占めており、特に少なくとも７５％の領域を占めており、特に絶縁領域は、例えば絶縁ギャップの形で、コンタクト層を互いに電気絶縁された状態で形成された複数エリアまたは複数領域に分離する。この場合、複数の絶縁領域は、特に絶縁材料を備えている。この場合、コンタクト層は、例えば六角形または長方形のオプトエレクトロニクスコンポーネントの端子エリアで形成されてもよく、コンタクト層は、例えば絶縁ギャップで分離することにより、対称的におよび／または非対称的に形成されてもよい。
【００４０】
さらに、オプトエレクトロニクス半導体コンポーネントを製造する方法を開示する。
【００４１】
その方法の少なくとも１つの実施例に関して、第１のステップは、ここに記載される方法またはここに記載される複数の実施例により製造される電気端子支持体を備えることを含む。すなわち、ここに記載される電気端子支持体を製造する方法のために実施される特徴は、ここに記載されるオプトエレクトロニクス半導体コンポーネントを製造する方法においても開示されており、また逆も同様である。
【００４２】
その方法の少なくとも１つの実施例に関して、さらなるステップは、有用層の外面に、電磁放射を発生しまたは検出するのに適している少なくとも１つの活性ゾーンを備える少なくとも１つの半導体本体を配置するステップを含み、前記半導体本体は、導電材料と導電的に接続している。一例として、半導体本体は、少なくともそれぞれに２つの開口が割り当てられており、開口は横方向に隣接して配置され、開口内には導電材料が配置される。この場合、半導体本体は、支持体本体とは反対側の導電材料の外面に導電的に接続された電気的コンタクト位置を有することができる。
【００４３】
その方法の少なくとも１つの実施例に関し、さらなるステップは、有用層の外面に、電磁放射を発生し検出するのに適した少なくとも１つの活性ゾーンを備える少なくとも１つの半導体本体を配置するステップを含み、さらなる導電材料が前記活性ゾーンに突出している。この突出は、界面、特にオプトエレクトロニクス半導体本体下面との界面を導電的に形成し、かつ、例えばオプトエレクトロニクス半導体本体のｎ型導電領域を端子支持体の導電材料に接続する。
【００４４】
少なくとも１つの実施例に関し、半導体本体はＩＩＩ属窒化物半導体材料に基づいている。この文脈においては、「ＩＩＩ属窒化物半導体材料」とは、半導体本体は窒化物半導体材料を含み、または窒化物半導体材料からなり、好ましくはＡｌｎＧａｍＩｎ１−ｎ−ｍＮ、ここで０≦ｍ≦１、０≦ｎ≦１かつｍ＋ｎ≦１であることを意味する。
【００４５】
少なくとも１つの実施例においては、半導体本体は、ＩＩＩ族リン化物半導体材料に基づいている。この文脈においては、「ＩＩＩ族リン化物半導体材料」とは、半導体本体は、リン化物半導体材料を含み、、好ましくはＡｌｎＧａｍＩｎ１−ｎ−ｍＰまたはＡｓｎＧａｍＩｎ１−ｎ−ｍＰ、ここで０≦ｎ≦１、０≦ｍ≦１かつｎ＋ｍ≦１であることを意味する。この場合、この材料は、上記の式に従った数学的に正確な組成であることは必ずしも必要ない。むしろ、１つ以上のドーパントや追加の成分を含んでも良い。しかし、簡単のために上記の式は、たとえ、これらの成分が少量の他の物質に部分的に置き換えられる場合でも、結晶格子（Ａｌ、Ｇａ、ＩｎまたはＮ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ）の本質的な成分のみを表記している。半導体本体は、特に、ＡｌＧａＩｎＰ、ＡｌＧａＩｎＮまたはＡｌＧａＩｎＡｓまたは例えば、ＩＩＩ属ＰおよびＩＩＩ属Ａｓベースの部分セルの積み重ね等のこれらの組み合わせからなる。
【００４６】
その方法の少なくとも１つの実施例に関連し、さらなる導電材料は、オプトエレクトロニクス半導体本体の活性ゾーンを貫通し、オプトエレクトロニクス半導体本体のドープされた領域は、電気端子支持体の導電材料に導電的に接続されている。この場合、さらなる導電材料がオプトエレクトロニクス半導体本体の下面とのさらなる界面を形成し、活性領域を貫通し、ドープされた領域と接続するように、さらなる導電材料は、オプトエレクトロニクス半導体本体を貫通する。この場合、ドープされた領域は、オプトエレクトロニクス半導体本体の、導電型がｎ型の領域またはｐ型の領域であってもよく、例えば、導電型がｎ型の領域は、導電型がｐ型の領域とは活性ゾーンにより分離されている。生じるさらなる界面は、電気端子支持体の導電材料と直接コンタクトしている。言い換えれば、オプトエレクトロニクス半導体本体のさらなる電気伝導材料は、電気端子支持体の導電材料とともに連続的な電気接続を形成している。さらなる導電材料は、この場合導電材料と同じ組成を有している。
【００４７】
少なくとも１つの実施例に関して、少なくとも１つの保護ダイオード構造が有用層に形成され、半導体本体と電気的に相互接続される。一例として、保護ダイオード構造は、有用層と一体となっている。例えば、支持体本体とは反対側の有用層の外面は、支持体本体とは反対側の保護ダイオード構造の外面とともに、平面状の表面を形成している。言い換えれば、保護ダイオード構造は、この場合、有用層から垂直方向に突出していない。
【００４８】
少なくとも１つの実施例に関して、少なくとも１つの保護ダイオード構造が有用層に形成され、半導体本体と電気的に相互接続されている。一例として、保護ダイオード構造は、有用層に一体化されており、この場合、支持体本体の側の有用層の外面は、支持体本体の側の保護ダイオード構造の外面とともに平面状の表面を形成している。このため、有用層を支持体本体とは反対側の中間層の外面に形成する前に、保護ダイオード構造は、支持体本体の側の有用層の外面に形成することが必要である。言い換えれば、保護ダイオード構造は、少なくとも有用層と中間層の界面を少なくとも部分的に形成しており、保護ダイオード構造は、有用層から反対の垂直方向に突出していない。保護ダイオード構造により、半導体本体は、静電放電から保護される。例えば、静電帯電のために生じ、活性ゾーンの順方向に対して逆方向に生じる電圧による電流は保護ダイオード構造を介して流れ去る。後のオプトエレクトロニクスコンポーネントにおける半導体本体への損傷はこのようにして回避できる。
【００４９】
さらに、電気端子支持体を開示する。
【００５０】
一例として、電気端子支持体は上記で述べた１つ以上の実施例で述べられたように、ここで述べた方法により製造することができる。すなわち、ここに、述べられた方法のために実施される特徴は、ここで記載される電気端子支持体に対しても開示され、また逆も同様である。
【００５１】
少なくとも１つの実施例に関して、電気端子支持体は、外面を有する少なくとも１つの有用層と、外面と反対側に位置するコンタクト面とを備える。コンタクト面は、有用層の外面の一部であり、このコンタクト面は、電気端子支持体の実装状態でのコンタクト支持体（例えば、プリント基板）の側である。言い換えれば、このコンタクト面は、電気端子支持体をコンタクト支持体の上に実装する機能を有し得る。例えば、このコンタクト面は、部分的に導電材料により形成されている。この場合、有用層の外面とコンタクト面は、互いに端子支持体の側面を介して接続されている。一例として、端子支持体の側面は、縦方向、すなわち電気端子支持体の主延在方向に対して垂直方向または横切る方向に伸びている。
【００５２】
少なくとも１つの実施例に関して、電気端子支持体は、有用層において互いに横方向に間隔を空けて配置された少なくとも２つの開口を備え、少なくとも２つの開口は、有用層の外面を介して有用層に形成される。
【００５３】
少なくとも１つの実施例に関して、電気端子支持体は、少なくとも部分的に開口において配置された導電材料を備え、開口は、外面から進んで有用層を完全に貫き、コンタクト面の方向に延在する。
【００５４】
開口の側面および有用層の外面は、電気絶縁の状態で具体化され、導電材料は横方向に隣接する複数開口の間に外面に沿って進む少なくとも１つの途切れを有する。
【００５５】
さらに、オプトエレクトロニクス半導体コンポーネントを開示する。
【００５６】
一例として、オプトエレクトロニクス半導体コンポーネントは、上記の１以上の実施例と併せてここで述べた方法により製造される得る。すなわち、ここで述べた方法のために実施する特徴は、ここに記載されたオプトエレクトロニクス半導体コンポーネントのためにも開示されており、その逆も同様である。
【００５７】
少なくとも１つの実施例に関して、オプトエレクトロニクス半導体コンポーネントは、実施例に記載された端子支持体を備える。すなわち、電気端子支持体のために実施された特徴は、ここに記載されたオプトエレクトロニクス半導体コンポーネントのためにも開示されており、その逆も同様である。
【００５８】
少なくとも１つの実施例に関して、オプトエレクトロニクス半導体コンポーネントは、有用層の外面に配置された少なくとも１つのオプトエレクトロニクス半導体本体を備えており、前記オプトエレクトロニクス半導体本体は、電磁放射を発生する、または検出する少なくとも１つの活性ゾーンを備える。
【００５９】
少なくとも１つの実施例に関して、オプトエレクトロニクス半導体コンポーネントは、有用層に形成され、半導体本体に電気的に相互接続される少なくとも１つの保護ダイオード構造を備える。
【００６０】
ここに記載された方法と、ここに記載された電気端子支持体と、ここに記載されたオプトエレクトロニクス半導体コンポーネントとを、例示的な実施形態と関連する図面に基づいてより詳しく以下に説明する。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１Ａ】ここで説明する方法により、ここで説明するオプトエレクトロニクス半導体コンポーネントの例示的な実施形態を製造するための個々の製造ステップを示す。
【図１Ｂ】ここで説明する方法により、ここで説明するオプトエレクトロニクス半導体コンポーネントの例示的な実施形態を製造するための個々の製造ステップを示す。
【図１Ｃ】ここで説明する方法により、ここで説明するオプトエレクトロニクス半導体コンポーネントの例示的な実施形態を製造するための個々の製造ステップを示す。
【図１Ｄ】ここで説明する方法により、ここで説明するオプトエレクトロニクス半導体コンポーネントの例示的な実施形態を製造するための個々の製造ステップを示す。
【図１Ｅ】ここで説明する方法により、ここで説明するオプトエレクトロニクス半導体コンポーネントの例示的な実施形態を製造するための個々の製造ステップを示す。
【図１Ｆ】ここで説明する方法により、ここで説明するオプトエレクトロニクス半導体コンポーネントの例示的な実施形態を製造するための個々の製造ステップを示す。ここで説明する電気端子支持体の例示的な実施形態を備えるオプトエレクトロニクス半導体コンポーネントの例示的な実施形態の概略側面図を示す。
【図２Ａ】ここで説明するオプトエレクトロニクス半導体コンポーネントの例示的な実施形態を製造する個々の製造プロセスの概略を示す。
【図２Ｂ】ここで説明するオプトエレクトロニクス半導体コンポーネントの例示的な実施形態を製造する個々の製造プロセスの概略を示す。
【図２Ｃ】ここで説明するオプトエレクトロニクス半導体コンポーネントの例示的な実施形態を製造する個々の製造プロセスの概略を示す。
【図３Ａ】ここで説明するあり得るコンタクト層の例示的な実施形態を概略的に示す。
【図３Ｂ】ここで説明するあり得るコンタクト層の例示的な実施形態を概略的に示す。
【図４】導電材料によりぬれ性を改善するために金属層とともに開口の領域内の絶縁層をコーティングする例示的な実施形態を概略的に示す。
【発明を実施するための形態】
【００６２】
例示的な実施形態および図面において、同じ構成要素または同じ機能の構成要素には、それぞれ同じ参照数字を付してある。図面に示した要素と、それらの互いのサイズの関係は原則的に正しい縮尺ではないものとみなされたい。むしろ、深く理解できるようにする目的で、個々の要素を、誇張した寸法で示してある。
【００６３】
図１Ａは、概略側面図において支持装置１を示している。支持装置１は支持体本体１１と、支持体本体１１の外面１１１に配置された中間層１２と、支持体本体１１とは反対側の中間層１２の外面１２１に配置された有用層１３とを有する。特に、支持体本体１１は、シリコンで形成することができ、中間層は、シリコン酸化物および／またはシリコン窒化物で形成することができる。有用層１３はＳｉ、Ｎ、ＧａＮ、Ｇｅ、ＧａＡｓのうち少なくとも１つの材料もしくはこれらの材料の少なくとも１つを含む成分で形成することができる。一例として、有用層１３は、少なくとも３０μｍから多くとも２５０μｍまでの厚さを有し、好ましくは少なくとも５０μｍから多くとも２００μｍまでの厚さを有する。この文脈において、「厚さ」とは、垂直方向Ｖにおける有用層１３の占める大きさをいう。
【００６４】
さらに、図１Ｂの支持装置１の概略側面図で認識できるように、横方向Ｌに互いに間隔を空けて配置された開口４は、支持体本体１１とは反対側の有用層１３の外面１３１を介して有用層１３に設けられ、開口４の側面４１は、完全に有用層１３により形成される。この場合、開口４は、例えば少なくとも１つの乾式化学エッチングプロセスおよび／または湿式化学エッチングプロセスにより有用層１３に導入される。言い換えれば、エッチングは、エッチングの間、有用層１３を貫いて垂直方向Ｖに実行され、エッチングプロセスは、中間層１２で終了し、および／または中間層１２の材料により止められる。すなわち、中間層１２は、同じエッチング液を使用する有用層１３と比較して、実質的にエッチングし易くはない。開口４の底面４２は完全に中間層１２により形成される。
【００６５】
さらに、図１Ｂで示されるように、保護ダイオード構造９は、有用層１３内に形成される。この場合、外面１３１および保護ダイオード構造９の外面９１は、平坦な表面を形成する。
【００６６】
さらに、図１Ｂは、熱酸化法５を示し、熱酸化法５により，少なくとも側面４１と、支持体本体１１とは反対側の有用層１３の外面１３１とは電気的に絶縁されている。言い換えれば、外面１３１の酸化した場所と開口４の側面４１との間で、直接、電流が流れたり導電的であることはない。
【００６７】
図１Ｃは、概略側面図において、どのように次のステップにおいて、導電材料６が導入されるか、例えば開口４に満たされるかを示す。ここで開口４は、導電材料６で過剰に満たされる。すなわち、導電材料６完全に開口を満たし、有用層１３を越えて垂直方向Ｖに突出する。このため、導電材料６は、例えば、溶解させた状態でまたは開口４への電気分解プロセスにより導入される。開口４に導入された後、導電材料６は、開口４内で硬化することができる。一例として、開口４の充填の不足は、硬化の後、硬化の間、開口４における導電材料６の冷却の後、開口４における導電材料６の冷却の間の少なくとも１つ以上における、導電材料６の量の食い違いが原因となり得る。
【００６８】
もし充填の不足を有用層１３を薄くすることにより取り除こうと試みるなら、有用層１３の上部の端の電気絶縁が損傷を受け、有用層１３の場合における動作上および／または安全上のリスクが半導体コンポーネントに組込まれてしまうことにつながり得る。過剰な充填やそれに続く除去は、例えば前記端を保護し、例えば有用層１３の外面１３１に形成されたバリアおよび／または絶縁層２１を保護する。このようなバリアおよび絶縁層２１は、例えば、化学蒸着（ＣＶＤ）および／または原子層蒸着（ＡＬＤ）により形成され得る。同様に、中間層１２により、開口４の端部絶縁を損なわずに導電材料６を局所的に露出させることおよび／または開くことにより、開口および／または電気端子を導電材料６で形作る。例えば、導電材料６は、Ａｌ、Ｚｎ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｓｉ、Ｃｄ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｐｏのうち少なくとも１つの材料から形成され、またはこれらの材料のうち少なくとも１つを含む。導電材料として上記に列挙した材料以外に、導電材料は、特に、例えば、ＡｕＳｎ、ＡｕＳｉ、ＡｕＧｅ、ＡｕＳｂ、ＡｌＧｅ、ＡｌＺｎ等の２成分系共融混合物を含んでいてもよい。さらに、導電材料６には有用層１３の外面１３１に沿って横方向Ｌに途切れＵが存在していることが図１Ｃから推測することができる。すなわち、開口４と開口４に配置された導電材料６との間に電気導電接続は設けられていない。言い換えれば開口４に配置された導電材料６は、互いに電気的に絶縁されている。
【００６９】
図１Ｄは、概略側面図であり、次のステップにおいて、どのように研磨停止層７が外面１３１に形成されるかを示しており、支持体本体１１とは反対側の導電材料６の外面６１には、研磨停止層７が所々存在しない。この場合、図１Ｄには、研磨ステップが導電材料６に対してすでに実施されており、したがって、支持体本体１１とは反対側の研磨停止層７の外面７１と導電材料６の外面６１は、平面状の表面を形成している。研磨停止層は、材料ＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４、ＳｒＯ、ＨｆＯ、ＨｆＯ２、ＺｒＯ、ＺｒＯ２のう少なくとも１つから形成されており、またはこれらの材料のうち少なくとも１つを含む。
【００７０】
図１Ｅにおける概略側面図は、次のステップにおいて、どのようにして半導体本体８が研磨停止層７の外面７１と導電材料６の外面６１に形成されるかを示しており、半導体本体８は、電磁放射を発生するのに適した少なくとも１つの活性ゾーン８１を備えている。一例として、半導体本体８は、ＩＩＩ族窒化物半導体材料に基づいている。半導体本体８は、導電材料６に導電的に接続されている。このため、半導体本体８は、導電材料６の外面６１を圧迫するコンタクト位置を有していてもよく、例えばコンタクト位置と直接接触していてもよい。特に、保護ダイオード構造９は半導体本体８と電気的に相互接続することができ、その結果、半導体本体８は静電放電に対して保護される。
【００７１】
図１Ｆにおける概略側面図は、支持体本体１１と中間層１２の両方が有用層１３から除去され、支持体本体１１と中間層１２とを除去した後、電気端子支持体１００を備えるオプトエレクトロニクス半導体コンポーネント２００ができあがることを示している。一例として、中間層１２への高エネルギーレーザー光の照射によりこの除去が実行され、、中間層１２は、このレーザー光により少なくとも部分的に破壊される。一例として、依然として残っている中間層１２の残留物は、少なくとも１つの化学的ステップおよび／または機械的研磨ステップにより有用層１３から除去することができる。オプトエレクトロニクス半導体コンポーネント２００は、外面１３１の反対側に位置するコンタクト面１３２を有する。このケースでは、コンタクト面１３２は、導電材料６の外面によって所々に形成されている。開口４は、外面１３１から始まり有用層１３を完全に貫いてコンタクト面１３２の方向へ延在している。
【００７２】
図２Ａの概略側面図は、ここに記載されるオプトエレクトロニクス半導体コンポーネント２００の準備段階を示している。支持装置１は、とりわけ、横方向に互いに間隔をおいた状態で配置される開口４を有しており、前記開口は中間層１２の中へ部分的に突出しており、開口４は、導電材料６により満たされている。オプトエレクトロニクス半導体本体８は、支持体本体１１とは反対側の有用層１３１の外側面に配置されており、オプトエレクトロニクス半導体本体８の活性ゾーン８１は、導電材料６により貫通されており、導電材料６は、オプトエレクトロニクス半導体本体８のドープされた領域に接続されている。
【００７３】
図２Ｂと図２Ｃの概略側面図は、支持体本体１１の全体と、中間層１２の少なくとも一部が有用層１３から除去されることを示しており、この場合、導電材料６は、依然として一部存在する中間層１２との界面を形成する。よって中間層１２と導電材料６とから構成される界面は、端子エリア１３３を形成し、端子エリア１３３は、コンポーネント支持体への接続の役割を有することができる。端子エリア１３３は、導電材料で形成されており、例えばはんだで形成される。
【００７４】
図３Ａおよび図３Ｂの概略平面図は、それぞれ端子エリア１３３（図２Ｃ参照）に形成されるコンタクト層１３４の例示的な実施形態を示している。端子エリア１３３は界面であり、この界面は導電材料６と中間層１２２とから形成される。２つの例示的な実施形態から分かるように、コンタクト層１３４は、六角形または長方形の形状で具体化することができ（丁度コンポ−ネントと同様に）、コンタクト層１３４は、対称的におよび／または非対称的に具体化することができる。この場合、コンタクト層１３４は、開口４の領域において導電材料６で満たされており、特に絶縁ギャップ１０によって互いに分離されている。絶縁ギャップ１０は絶縁材料から成ることができ、コンタクト層１３４が、互いに対して電気的に絶縁する領域および／またはエリアを有するように、絶縁ギャップ１０はコンタクト層１３４を分離する。
【００７５】
図４の概略側面図は、例示的な実施形態において、追加的な金属層２０を有する絶縁層２１のコーティングを示している。金属層２０によるコーティングは、開口４による領域において実行され、特に側面４１および開口４２の底面および開口の端領域において支持体本体１１とは反対側の有用層１３１の外面で実行され、金属層は、平面図において輪状に具体化される。
【００７６】
ここまで、本発明について例示的な実施形態に基づいて説明してきたが、本発明はこれらの実施形態に限定されない。本発明は、任意の新規の特徴および特徴の任意の組合せを包含しており、特に、請求項における特徴の任意の組合せを含んでいる。これらの特徴または特徴の組合せは、それ自体が請求項あるいは例示的な実施形態に明示的に記載されていない場合であっても、本発明に含まれる。
【００７７】
本特許出願は、独国特許出願第１０２０１００５６０５６．１号の優先権を主張し、この文書の開示内容は参照によって本出願に組み込まれている。
【図１Ａ】
2014506004.tif 000004
【図１Ｂ】
2014506004.tif 000005
【図１Ｃ】
2014506004.tif 000006
【図１Ｄ】
2014506004.tif 000007
【図１Ｅ】
2014506004.tif 000008
【図１Ｆ】
2014506004.tif 000009
【図２Ａ】
2014506004.tif 000010
【図２Ｂ】
2014506004.tif 000011
【図２Ｃ】
2014506004.tif 000012
【図３Ａ】
2014506004.tif 000013
【図３Ｂ】
2014506004.tif 000014
【図４】
2014506004.tif 000015
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月22日(2013.8.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
オプトエレクトロニクス半導体コンポーネント（２００）のための電気端子支持体（１００）を製造する方法であって、
（Ａ）次の各ステップを含む電気端子支持体（１００）を製造するステップＡであって、
−  支持体本体（１１）と、前記支持体本体（１１）の外面（１１１）に配置された中間層（１２）と、前記支持体本体（１１）とは反対側の前記中間層（１２）の外面（１２１）に配置された有用層（１３）とを有する支持装置（１）を設けるステップと、
−  横方向（Ｌ）に互いに間隔を空けて配置された少なくとも２つの開口（４）を支持体本体（１１）とは反対側の前記有用層（１３）の外面（１３１）を介して前記有用層（１３）の中に設けるステップであって、前記開口は垂直方向（Ｖ）に前記有用層（１３）を完全に貫いて延在する、前記ステップと、
−  前記開口（４）の側面（４１）および前記支持体本体（１１）とは反対側の前記有用層（１３）の前記外面（１３１）を電気的に絶縁するステップと、
−  導電材料（６）を少なくとも所々前記開口（４）に配置するステップと、を少なくとも備え、
−  前記電気端子支持体（１００）の完成後、前記導電材料（６）は、横方向（Ｌ）に隣接する前記開口（４）の間で前記有用層（１３）の前記外面（１３１）に沿った方向に少なくとも１つの途切れ（Ｕ）を有する、前記ステップＡと、
（Ｂ）少なくとも１つのオプトエレクトロニクス半導体本体（８）を前記有用層（１３）の前記外面（１３１）に配置するステップＢであって、
前記オプトエレクトロニクス半導体本体（８）は、電磁放射を発生し、検出するのに適する少なくとも１つの活性ゾーン（８１）を備え、前記導電材料（６）に導電的に接続している、前記ステップＢと、
を備える方法。
【請求項２】
前記支持体本体（１１）は、シリコンで形成され、前記中間層（１２）は、シリコン酸化物および／またはシリコン窒化物で形成される、
請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記有用層（１３）は、少なくとも１つの材料で形成され、またはＳｉ、Ｎ、ＧａＮ、Ｇｅ、ＧａＡｓのうち、少なくとも１つの材料を含む、
請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
電気絶縁の前記ステップは、少なくとも１つの熱酸化法（５）により実行される、
請求項１から３のいずれかに記載の方法。
【請求項５】
前記導電材料（６）は、溶解した状態で前記開口（４）に導入され、次いで硬化し、
−  前記導電材料（６）は、Ａｌ、Ｚｎ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｓｉ、Ｃｄ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｐｏのうち少なくとも１つの材料で形成され、またはこれらのうち少なくとも１つの材料を含み
および／または
前記導電材料（６）は、少なくとも１つの２成分系共融混合物を含む
請求項１から４のいずれかに記載の方法。
【請求項６】
硬化後、前記導電材料（６）は、前記有用層（１３）を越えて垂直方向（Ｖ）に突出する、
請求項１から５のいずれかに記載の方法。
【請求項７】
少なくとも１つの研磨停止層（７）は、前記支持体本体（１１）の反対側の前記有用層（１３）の外面（１３１）に少なくとも所々形成され、
前記支持体本体（１１）の反対側の前記導電材料（６）の外面（６１）には研磨停止層（７）が少なくとも所々存在せず、前記研磨停止層（７）は、材料ＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４、ＳｒＯ、ＨｆＯ、ＨｆＯ２、ＺｒＯ、ＺｒＯ２のうち少なくとも１つの材料で形成され、またはこれらの材料のうち少なくとも１つの材料を含む、
請求項１から６のいずれかに記載の方法。
【請求項８】
少なくとも１つの研磨ステップを少なくとも前記導電材料（６）に適用した後、前記導電材料（６）は、前記研磨停止層（７）を越えて垂直方向（Ｖ）突出することはない、
請求項１から７のいずれかに記載の方法。
【請求項９】
前記導電材料（６）を配置した後、前記支持体本体（１１）は、前記中間層（１２）から除去される、
請求項１から８のいずれかに記載の方法。
【請求項１０】
さらなる導電材料（６０）が前記オプトエレクトロニクス半導体本体（８）の前記活性ゾーン（８１）を貫通して、前記オプトエレクトロニクス半導体本体（８）のドープされた領域が前記電気端子支持体（１００）の前記導電材料（６）に導電的に接続している、
請求項１から９のいずれかに記載の方法。
【請求項１１】
少なくとも１つの保護ダイオード構造（９）が前記有用層（１３）において形成され、前記半導体本体（８）と電気的に相互接続されている、
請求項１から１０のいずれかに記載の方法。
【請求項１２】
オプトエレクトロニクス半導体コンポーネント（２００）であって、
前記オプトエレクトロニクス半導体コンポーネント（２００）は、電気端子支持体（１００）を備え、前記電気端子支持体（１００）は、
−  外面（１３１）と前記外面（１３１）とは反対側に位置するコンタクト面（１３２）とを有する少なくとも１つの有用層（１３）と、
−  横方向（Ｌ）に互いに間隔をおいて有用層（１３）に配置されている少なくとも２つの開口（４）であって、前記少なくとも２つの開口（４）が前記有用層（１３）の外面（１３１）を介して前記有用層（１３）の中に設けられる前記少なくとも２つの開口（４）と、
−  少なくとも所々前記開口（４）において配置された導電材料（６）と、を備え、
−  前記開口（４）は、前記外面（１３１）から前記コンタクト面（１３２）の方向へ進み前記有用層（１３）を完全に貫いて延在しており，
−  前記開口（４）の側面（４１）および前記有用層（１３）の外面（１３１）は、電気絶縁された状態で具体化され、
−  前記導電材料（６）は、横方向（Ｌ）に隣接する開口（４）の間で前記有用層（１３）の前記外面（１３１）に沿った方向に少なくとも１つの途切れ（Ｕ）を有し、
前記オプトエレクトロニクス半導体コンポーネント（２００）は、
−  前記有用層（１３）の外面（１３１）に配置された少なくとも１つのオプトエレクトロニクス半導体本体（８）であって、電磁放射を生成または検出するのに適した少なくとも１つの活性ゾーン（８１）を備える、前記オプトエレクトロニクス半導体本体（８）と、
前記有用層（１３）において形成され、前記半導体本体（８）と相互に電気的に接続している、少なくとも１つの保護ダイオード構造（９）と、
をさらに備える、前記オプトエレクトロニクス半導体コンポーネント（２００）。
【国際調査報告】
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