(57)【要約】  一実施形態では、プラグを形成する方法は、ベース層を用意するステップと、ベース層の上側表面の上方に中間酸化膜層を設けるステップと、中間酸化膜層の上側表面の上方に上側層を設けるステップと、上側層を貫通して延びる第１のトレンチ部分、酸化膜層を貫通して延びる第２のトレンチ部分、およびベース層中へと延びる第３のトレンチ部分を含むトレンチをエッチングするステップと、第３のトレンチ部分の内部に第１の材料部分を堆積するステップと、第２のトレンチ部分の内部に第２の材料部分を堆積するステップと、第１のトレンチ部分の内部に第３の材料部分を堆積するステップとを含む。【選択図】図１０
2014515884.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラグを形成する方法であって、
ベース層を用意するステップと、
前記ベース層の上側表面の上方に中間酸化膜層を設けるステップと、
前記中間酸化膜層の上側表面の上方に上側層を設けるステップと、
前記上側層を貫通して延びる第１のトレンチ部分、前記酸化膜層を貫通して延びる第２のトレンチ部分、および前記ベース層中へと延びる第３のトレンチ部分を含むトレンチをエッチングするステップと、
前記第３のトレンチ部分の内部に第１の材料部分を堆積するステップと、
前記第２のトレンチ部分の内部に第２の材料部分を堆積するステップと、
前記第１のトレンチ部分の内部に第３の材料部分を堆積するステップと
を含む方法。
【請求項２】
前記酸化膜層の内部でかつ前記上側層のエッチングされていない領域の直下に第４のトレンチ部分をエッチングするステップ
をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
第４のトレンチ部分をエッチングするステップが、
等方性酸化膜エッチングを実行するサブステップ
を含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記ベース層の内部でかつ前記酸化膜層のエッチングされていない領域の直下に第５のトレンチ部分をエッチングするステップ
をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
第５のトレンチ部分をエッチングするステップが、
等方性シリコンエッチングを実行するサブステップ
を含む、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記ベース層の内部に第５のトレンチ部分、および前記酸化膜層の内部に第６のトレンチ部分をエッチングするステップをさらに含み、
前記第５のトレンチ部分および前記第６のトレンチ部分が、前記上側層のエッチングされていない領域の真下にあり、
前記第３のトレンチ部分の内部に第１の材料部分を堆積するステップが、前記第５のトレンチ部分の内部に前記第１の材料部分を堆積するサブステップを含み、
前記第２のトレンチ部分の内部に第２の材料部分を堆積するステップが、前記第１の材料の最大幅および前記第２の材料の最大幅が断面で見たときに前記第３の材料の最大幅よりも大きくなるように、前記第６のトレンチ部分の内部に前記第２の材料部分を堆積するサブステップを含む、
請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記第１の材料部分、前記第２の材料部分、および前記第３の材料部分が、窒化ケイ素からなる、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記第２の材料に隣接する前記中間酸化膜層の少なくとも一部分をリリースエッチングするステップ
をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
ベース層と、
前記ベース層の上側表面の上方の中間酸化膜層と、
前記中間酸化膜層の上側表面の上方の上側層と、
前記上側層を貫通して延びる第１のトレンチ部分、前記酸化膜層を貫通して延びる第２のトレンチ部分、および前記ベース層中へと一部だけ延びる第３のトレンチ部分を含むトレンチと、
プラグであって、
前記第３のトレンチ部分の内部に堆積された第１の材料部分、
前記第２のトレンチ部分の内部に堆積された第２の材料部分、および
前記第１のトレンチ部分の内部に堆積された第３の材料部分
を備えたプラグと
を備えたウェハ。
【請求項１０】
前記酸化膜層の内部でかつ前記上側層のエッチングされていない領域の直下の第４のトレンチ部分
をさらに備え、前記プラグが、
前記第４のトレンチ部分の内部に堆積された第４の材料部分
をさらに備えた、請求項９に記載のウェハ。
【請求項１１】
前記中間酸化膜層が、シリコン酸化膜層である、請求項１０に記載のウェハ。
【請求項１２】
前記ベース層の内部でかつ前記酸化膜層のエッチングされていない領域の直下の第５のトレンチ部分
をさらに備えた、請求項９に記載のウェハ。
【請求項１３】
前記ベース層が、シリコン基板である、請求項１２に記載のウェハ。
【請求項１４】
前記ベース層の内部の第５のトレンチ部分と、
前記酸化膜層の内部でかつ前記上側層のエッチングされていない領域の直下の第６のトレンチ部分と、
前記第５のトレンチ部分の内部に位置する第４の材料部分と、
前記第６のトレンチ部分の内部に位置する第５の材料部分と
をさらに備え、
前記第５および第６のトレンチ部分が、前記上側層の前記エッチングされていない領域の真下にあり、
前記ベース層の内部の複合体としての前記第１の材料および第４の材料の最大幅ならびに前記中間酸化膜層の内部の複合体としての前記第２の材料および第５の材料の最大幅が、断面で見たときに前記上側層の内部の前記第３の材料の最大幅よりも大きい、
請求項９に記載のウェハ。
【請求項１５】
前記第１の材料部分、前記第２の材料部分、および前記第３の材料部分が、窒化ケイ素からなる、請求項９に記載のウェハ。
【請求項１６】
前記第２の材料部分の最外表面の少なくとも一部分が、前記中間酸化膜層と接触しない、請求項９に記載のウェハ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本出願は、２０１１年４月１４日出願の米国特許仮出願第６１／４７５，４５７号の利益を主張するものである。
[0001]本発明は、微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）デバイスまたは半導体デバイスにおいて使用されるようなウェハおよび基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
[0002]デバイス分離は、通常、シリコンの局所酸化（「ＬＯＣＯＳ」）技術またはシャロートレンチアイソレーション（「ＳＴＩ」）技術を利用することによって実現される。ＳＴＩデバイス分離技術では、分離は、通常、２つの隣接する能動領域になるように予定される層内にリセスまたはトレンチを形成し、分離材料でトレンチを充填することによって実現される。トレンチ内の材料、通常、窒化物材料は、スペーサと呼ばれる。窒化物スペーサは、電気的な分離に加えて、流体バリアとしても使用され得る。
【０００３】
[0003]ＳＴＩは、従来の厚膜酸化膜分離（ＬＯＣＯＳ）を使用する際に直面する形状の異常を回避することによってパッキング密度をより高くし、分離を改善し、平坦性をより高くするのに有利である。特に、窒化膜などのマスクを使用する熱フィールド酸化膜の成長は、能動領域中への酸化膜の侵入を作り出し、この侵入はバーズビーク効果と呼ばれる。
【０００４】
[0004]ＳＴＩを使用する分離には、しかしながらいくつかの制限がある。例えば、流体（ガスおよび液体）用の、スペーサと下にある基板との接合部に沿った比較的短い拡散経路である。したがって、リークに対する可能性が増加する。加えて、スペーサが基板層の表面に堆積されるという理由で、スペーサは、スペーサと下にある基板との接合部のところでデバイスのリークおよび故障さえもたらすことがあるせん断力を受けやすい。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
[0005]このため、必要とされるものは、既知のプラグにおける１つまたは複数の問題を克服するプラグおよびプラグを形成する方法である。プラグおよびプラグを形成する方法がプラグを通る拡散経路を増加させるのであれば、有利なはずである。プラグおよびプラグを形成する方法がプラグ基板層界面の強度を増加させるのであれば、さらに有利なはずである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
[0006]一実施形態では、プラグを形成する方法は、ベース層を用意するステップと、ベース層の上側表面の上方に中間酸化膜層を設けるステップと、中間酸化膜層の上側表面の上方に上側層を設けるステップと、上側層を貫通して延びる第１のトレンチ部分、酸化膜層を貫通して延びる第２のトレンチ部分、およびベース層中へと延びる第３のトレンチ部分を含むトレンチをエッチングするステップと、第３のトレンチ部分の内部に第１の材料部分を堆積するステップと、第２のトレンチ部分の内部に第２の材料部分を堆積するステップと、第１のトレンチ部分の内部に第３の材料部分を堆積するステップとを含む。
【０００７】
[0007]さらなる実施形態では、ウェハは、ベース層と、ベース層の上側表面の上方の中間酸化膜層と、中間酸化膜層の上側表面の上方の上側層と、上側層を貫通して延びる第１のトレンチ部分、酸化膜層を貫通して延びる第２のトレンチ部分、およびベース層中へと一部だけ延びる第３のトレンチ部分を含むトレンチと、プラグであって、第３のトレンチ部分の内部に堆積された第１の材料部分、第２のトレンチ部分の内部に堆積された第２の材料部分、および第１のトレンチ部分の内部に堆積された第３の材料部分を含むプラグとを含む。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】[0008]本発明の原理に従って、リセスした部分がウェハのベース層すなわち基板層中へと延びるプラグを含むウェハの部分断面図である。
【図２】[0009]プラグが中に形成され得るベース層、中間層、および上側層を含むウェハの部分断面図である。
【図３】[0010]トレンチが上側層、中間層を貫通し、一部はベース層中へと形成された図２のウェハの部分断面図である。
【図４】[0011]トレンチがプラグ材料で充填され、プラグ材料が上側層の上側表面に堆積した図３のウェハの部分断面図である。
【図５】[0012]上側層の上側表面に堆積したプラグ材料の部分を、ＣＭＰを使用して除去した後の図４のウェハの部分断面図である。
【図６】[0013]中間層の一部分が選択的にエッチングされた後の図５のウェハの部分断面図である。
【図７】[0014]ベース層、中間層、および上側層を含むウェハの部分断面図であり、さまざまな形状を有するトレンチが、本発明の原理に従ってさまざまなエッチング技術を使用して形成されている。
【図８】[0015]プラグ材料がトレンチの内部および上側層の上側表面に堆積した図７のウェハの部分断面図である。
【図９】[0016]上側層の上側表面上のプラグ材料がウェハ内にさまざまな形状のプラグを残してＣＭＰによって除去された後の図８のウェハの部分断面図である。
【図１０】[0017]中間層の選択的な部分が除去された後の図９のウェハの部分断面図である。
【図１１】[0018]さまざまな幅を有しかつさまざまな長さのリセスした部分を有するプラグを含むウェハの部分断面図である。
【図１２】[0019]ウェハの２層以上の層を一緒にクランプするために使用され得るプラグを含むウェハの部分断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
[0020]本発明の原理の理解を深める目的で、図面に示され下記の明細書に説明される実施形態をここで参照する。図面及び明細書により本発明の範囲に対する限定が意図されていないことが、理解される。本発明は、図示した実施形態に対するすべての代替形態および変形形態を含み、本発明に関係する当業者なら普通に思い付くように本発明の原理のさらに多くの用途を含むことが、さらに理解される。
【００１０】
[0021]図１は、ベース層または基板層１０２、中間層１０４、および上側層１０６を含むウェハ１００を表す。基板層１０２および上側層１０６は、シリコンまたは別の適した材料で構成され得、一方で中間層１０４は、二酸化ケイ素で構成され得る。
【００１１】
[0022]ウェハ１００は、プラグ１０８をさらに含む。プラグ１０８は、ウェハ１００の上側表面から上側層１０６および中間層１０４を完全に貫通して延びると同時に、リセスした部分１１０が、基板層１０２中へと一部は延びる。リセスした部分１１０は、基板層１０２への固着の改善をもたらす。加えて、せん断力に抗するプラグ１０８の能力が、プラグ１０８を形成するために使用した材料に依存し、プラグ１０８と基板層１０２との間に形成された結合に単に依存しないという点で、リセスした部分１１０は、強度の増加をもたらす。
【００１２】
[0023]加えて、リセスした部分１１０は、プラグ１０８と基板層１０２との接合部に沿って入り組んだ経路を作り出す。その結果、プラグ１０８の一方の側上の中間層１０４内に存在する空気または液体などの流体は、プラグ１０８の他方の側上の中間層１０４の部分とは効果的に分離される。このように、図１におけるギャップ１１２は、中間層１０４の残りの部分が同じ状態にない場合でさえ、所望の状態に、すなわち、真空下で、所与の圧力で維持され得、または特定の流体から構成され得る。
【００１３】
[0024]図２〜図６は、ウェハ１００などのプラグを有するウェハを製造するために使用され得る１つの手順を表す。手順は、図２に表したウェハ１２０の準備を含む。ウェハ１２０は、基板層１２２、中間層１２４、および上側層１２６を含む。ウェハ１２０は、シリコン・オン・インシュレータウェハ、酸化物ウェハに堆積されたポリシリコン、または他の所望の材料の組合せであってもよい。一実施形態では、中間層１２４は、デバイス層であってもよく、上側層１２６は、キャップ層であってもよい。
【００１４】
[0025]トレンチ１２８は、次に、図３に表されたように、上側層１２６、中間層１２４を貫通し、一部は基板層１２２中へとエッチングされる。エッチングは、ドライエッチングによって達成され得る。一旦、トレンチ１２８が形成されると、プラグ材料１３０が、トレンチ１２８内および上側層１２６の上側表面に堆積される（図４参照）。プラグ材料１３０は、窒化ケイ素または別の所望の材料であってもよい。上側層１２６の上側表面に存在するプラグ材料１３０は、その後、望まれる場合には除去される。プラグ材料１３０の選択除去は、化学機械研磨（ＣＭＰ）または異方性エッチングを含むいずれかの他の容認できる技術を使用して実施可能である。この実施形態ではプラグ材料１３０の所望の量の除去が、図５の構成をもたらす。
【００１５】
[0026]図５では、プラグ材料１３０の残留部がプラグ１３２を形成する。プラグ１３２は、ウェハ１２０の上側表面から上側層１２６の下側表面まで延びる上側部分１３４を含む。プラグ１３２の中央部分１３６は、上側層１２６の下側表面から基板層１２２の上側表面まで延びる。プラグ１３２の下側部分１３８は、基板層１２２の上側表面からウェハ１２０内の中間位置まで延びる。
【００１６】
[0027]ウェハ１２０は、その後、任意の所望の方式でさらに処理され得る。この実施形態では、中間層１２４の一部分は、選択的にエッチングされて、図６に示されたギャップ１４０を形成する。ギャップ１４０は、流体で満たされる、圧力をかけられる、または真空中に置かれることがある。いずれにせよ、プラグ１３２は、ギャップ１４０を分離し、ウェハ１２０に対する構造的な支持部を実現する。
【００１７】
[0028]図２〜図６に表した手順は、さまざまな形に変形可能である。例として、図７は、基板層１５２、中間層１５４、および上側層１５６を含むウェハ１５０を表す。この実施形態における基板層１５２および上側層１５６は、シリコンであり、一方で中間層１５４は、二酸化ケイ素である。トレンチ１５８、１６０、および１６２は、上側層１５６、中間層１５４を貫通し、一部は基板層１５２中へとエッチングされる。
【００１８】
[0029]トレンチ１５８は、図３のトレンチ１２８と実質的に同じ方式でエッチングされ得る。トレンチ１６０は、等方性酸化膜エッチによってエッチングされ得る。等方性酸化膜エッチは、中間層１５４の増速されたエッチングをもたらし、膨らんだ領域１６４および１６６を形成する。リセスした領域１６８は、酸化膜エッチングに続く異方性エッチングによって形成され得る。膨らんだ領域１６４および１６６は、中間層１５４の内部で上側層１５６のエッチングされていない部分の直下でかつ基板層１５２のエッチングされていない部分の直上の位置まで横方向に延びる。リセスした領域１６８は、一部は基板層１５２中へと延びる。
【００１９】
[0030]トレンチ１６２は、等方性最終シリコンエッチを使用して形成され得る。トレンチ１６２は、膨らんだ領域１７２および１７４を含むリセスした部分１７０を含む。膨らんだ領域１７２および１７４は、基板層１５２の内部で中間層１５４のエッチングされていない部分の直下の位置まで横方向に延びる。トレンチ１６２は、側壁保護層１７６および１７８をさらに含む。側壁保護層１７６および１７８は、基板層１５２のエッチング中の上側層１５６のエッチングを防止する。
【００２０】
[0031]一旦、トレンチ１５８、１６０、および１６２が形成されると、プラグ材料１８０が、トレンチ１５８、１６０、および１６２内におよび上側層１５６の上側表面に堆積される（図８参照）。上側層１５６の上側表面に存在するプラグ材料１８０は、その後、望まれる場合には除去される。この実施形態におけるプラグ材料１８０の所望の量の除去は、図９の構成をもたらす。
【００２１】
[0032]図９では、プラグ材料１８０の残留部は、プラグ１８２、１８４、および１８６を形成する。プラグ１８２は、図６のプラグ１３２と同様である。プラグ１８４は、膨らんだ領域１８８および１９０ならびにリセスした領域１９２を含む。膨らんだ領域１８８および１９０は、中間層１５４の内部で上側層１５６のエッチングされていない部分の直下でかつ基板層１５２のエッチングされていない部分の直上の位置まで横方向に延びる。リセスした領域１９２は、一部は基板層１５２中へと延びる。
【００２２】
[0033]プラグ１８６は、膨らんだ領域１９６および１９８を含むリセスした部分１９４を含む。膨らんだ領域１９６および１９８は、基板層１５２の内部で中間層１５４のエッチングされていない部分の直下の位置まで横方向に延びる。
【００２３】
[0034]ウェハ１５０は、その後、任意の所望の方式でさらに処理され得る。この実施形態では、中間層１５４の一部分は、選択的にエッチングされて、図１０に示されたギャップ２００および２０２を作る。プラグ１８２、１８４、および１８６は、エッチングプロセス中にエッチストップとして使用され得る。プラグ１８４および１８６の増加した材料は、基板層１５２から上に向かって離れるプラグ１８４および１８６の動きに対する抵抗力の増加をもたらす。
【００２４】
[0035]上に記述した膨らんだ領域に加えて、プラグは、さらに変形されることがあり、さまざまな方式で所望の性能特性を与えることができる。図１１に表したように、プラグ２１０は、プラグ２１８のリセスした部分２１６よりも基板層２１４中へとより深く埋め込まれたリセスした部分２１２を含む。このように、プラグ２１８と比較して、プラグ２１０は、基板層２１４の外へのプラグ２１０の動きに対する抵抗力の増加をもたらす。その上、プラグ２２０は、プラグ２１０とプラグ２１８の両方よりも幅広い。プラグ２２０は、このように、せん断力に対する抵抗力の増加をもたらす。したがって、機械的な強度およびプラグと基板との間の接触面積は、特定の用途のために変形可能である。
【００２５】
[0036]図１２は、プラグを使用して１つまたは複数の層をクランプするために上に論じた手順の変形によって形成されることが可能なウェハ２３０を表す。ウェハ２３０は、ベース層または基板層２３２、中間層２３４、２３６、２３８、および２４０、ならびに上側層２４２を含む。ウェハ２３０は、プラグ２４４および２４６をさらに含む。プラグ２４４は、拡大した領域２４８および２５０を含み、一方でプラグ２４６は、拡大した領域２５２および２５４を含む。
【００２６】
[0037]上に記述したプラグのストレス抵抗力の増加に加えて、プラグ２４４および２４６は、プラグによってクランプされた層の剥離に対する抵抗力を与える。このように、プラグ２４４は、中間層２３６および２３８を一緒にクランプし、一方でプラグ２４６は、中間層２３４、２３６、２３８、および２４０を一緒にクランプする。したがって、本明細書において開示したようなプラグは、多数の異なる拡大した領域を組み込むように変形されることがあり、ウェハの完全性をさらに維持することができる。
【００２７】
[0038]本発明が図面および上述の説明において詳細に図示され記載されてきたが、これらは例示であり、特性を制限するものではないと考えるべきである。好ましい実施形態だけが、提示されており、すべての変更形態、変形形態、および本発明の意図内の適用例が保護されるべきものであることが理解される。
【図１】
2014515884.tif 000003
【図２】
2014515884.tif 000004
【図３】
2014515884.tif 000005
【図４】
2014515884.tif 000006
【図５】
2014515884.tif 000007
【図６】
2014515884.tif 000008
【図７】
2014515884.tif 000009
【図８】
2014515884.tif 000010
【図９】
2014515884.tif 000011
【図１０】
2014515884.tif 000012
【図１１】
2014515884.tif 000013
【図１２】
2014515884.tif 000014
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月12日(2013.12.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラグを形成する方法であって、
ベース層を用意するステップと、
前記ベース層の上側表面の上方に中間酸化膜層を設けるステップと、
前記中間酸化膜層の上側表面の上方に上側層を設けるステップと、
前記上側層を貫通して延びる第１のトレンチ部分、前記酸化膜層を貫通して延びる第２のトレンチ部分、および前記ベース層中へと延びる第３のトレンチ部分を含むトレンチをエッチングするステップと、
前記第３のトレンチ部分の内部に第１の材料部分を堆積するステップと、
前記第２のトレンチ部分の内部に第２の材料部分を堆積するステップと、
前記第１のトレンチ部分の内部に第３の材料部分を堆積するステップと
を含む方法。
【請求項２】
前記酸化膜層の内部でかつ前記上側層のエッチングされていない領域の直下に第４のトレンチ部分をエッチングするステップ
をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
第４のトレンチ部分をエッチングするステップが、
等方性酸化膜エッチングを実行するサブステップ
を含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記ベース層の内部でかつ前記酸化膜層のエッチングされていない領域の直下に第５のトレンチ部分をエッチングするステップ
をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
第５のトレンチ部分をエッチングするステップが、
等方性シリコンエッチングを実行するサブステップ
を含む、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記ベース層の内部に第５のトレンチ部分、および前記酸化膜層の内部に第６のトレンチ部分をエッチングするステップをさらに含み、
前記第５のトレンチ部分および前記第６のトレンチ部分が、前記上側層のエッチングされていない領域の真下にあり、
前記第３のトレンチ部分の内部に第１の材料部分を堆積するステップが、前記第５のトレンチ部分の内部に前記第１の材料部分を堆積するサブステップを含み、
前記第２のトレンチ部分の内部に第２の材料部分を堆積するステップが、前記第１の材料の最大幅および前記第２の材料の最大幅が断面で見たときに前記第３の材料の最大幅よりも大きくなるように、前記第６のトレンチ部分の内部に前記第２の材料部分を堆積するサブステップを含む、
請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記第１の材料部分、前記第２の材料部分、および前記第３の材料部分が、窒化ケイ素からなる、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記第２の材料に隣接する前記中間酸化膜層の少なくとも一部分をリリースエッチングするステップ
をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月17日(2013.12.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
[0038]本発明が図面および上述の説明において詳細に図示され記載されてきたが、これらは例示であり、特性を制限するものではないと考えるべきである。好ましい実施形態だけが、提示されており、すべての変更形態、変形形態、および本発明の意図内の適用例が保護されるべきものであることが理解される。
以下に本明細書が開示する形態のいくつかを記載しておく。
[形態１]
プラグを形成する方法であって、
ベース層を用意するステップと、
前記ベース層の上側表面の上方に中間酸化膜層を設けるステップと、
前記中間酸化膜層の上側表面の上方に上側層を設けるステップと、
前記上側層を貫通して延びる第１のトレンチ部分、前記酸化膜層を貫通して延びる第２のトレンチ部分、および前記ベース層中へと延びる第３のトレンチ部分を含むトレンチをエッチングするステップと、
前記第３のトレンチ部分の内部に第１の材料部分を堆積するステップと、
前記第２のトレンチ部分の内部に第２の材料部分を堆積するステップと、
前記第１のトレンチ部分の内部に第３の材料部分を堆積するステップと
を含む方法。
[形態２]
前記酸化膜層の内部でかつ前記上側層のエッチングされていない領域の直下に第４のトレンチ部分をエッチングするステップ
をさらに含む、形態１に記載の方法。
[形態３]
第４のトレンチ部分をエッチングするステップが、
等方性酸化膜エッチングを実行するサブステップ
を含む、形態２に記載の方法。
[形態４]
前記ベース層の内部でかつ前記酸化膜層のエッチングされていない領域の直下に第５のトレンチ部分をエッチングするステップ
をさらに含む、形態１に記載の方法。
[形態５]
第５のトレンチ部分をエッチングするステップが、
等方性シリコンエッチングを実行するサブステップ
を含む、形態４に記載の方法。
[形態６]
前記ベース層の内部に第５のトレンチ部分、および前記酸化膜層の内部に第６のトレンチ部分をエッチングするステップをさらに含み、
前記第５のトレンチ部分および前記第６のトレンチ部分が、前記上側層のエッチングされていない領域の真下にあり、
前記第３のトレンチ部分の内部に第１の材料部分を堆積するステップが、前記第５のトレンチ部分の内部に前記第１の材料部分を堆積するサブステップを含み、
前記第２のトレンチ部分の内部に第２の材料部分を堆積するステップが、前記第１の材料の最大幅および前記第２の材料の最大幅が断面で見たときに前記第３の材料の最大幅よりも大きくなるように、前記第６のトレンチ部分の内部に前記第２の材料部分を堆積するサブステップを含む、
形態１に記載の方法。
[形態７]
前記第１の材料部分、前記第２の材料部分、および前記第３の材料部分が、窒化ケイ素からなる、形態１に記載の方法。
[形態８]
前記第２の材料に隣接する前記中間酸化膜層の少なくとも一部分をリリースエッチングするステップ
をさらに含む、形態１に記載の方法。
[形態９]
ベース層と、
前記ベース層の上側表面の上方の中間酸化膜層と、
前記中間酸化膜層の上側表面の上方の上側層と、
前記上側層を貫通して延びる第１のトレンチ部分、前記酸化膜層を貫通して延びる第２のトレンチ部分、および前記ベース層中へと一部だけ延びる第３のトレンチ部分を含むトレンチと、
プラグであって、
前記第３のトレンチ部分の内部に堆積された第１の材料部分、
前記第２のトレンチ部分の内部に堆積された第２の材料部分、および
前記第１のトレンチ部分の内部に堆積された第３の材料部分
を備えたプラグと
を備えたウェハ。
[形態１０]
前記酸化膜層の内部でかつ前記上側層のエッチングされていない領域の直下の第４のトレンチ部分
をさらに備え、前記プラグが、
前記第４のトレンチ部分の内部に堆積された第４の材料部分
をさらに備えた、形態９に記載のウェハ。
[形態１１]
前記中間酸化膜層が、シリコン酸化膜層である、形態１０に記載のウェハ。
[形態１２]
前記ベース層の内部でかつ前記酸化膜層のエッチングされていない領域の直下の第５のトレンチ部分
をさらに備えた、形態９に記載のウェハ。
[形態１３]
前記ベース層が、シリコン基板である、形態１２に記載のウェハ。
[形態１４]
前記ベース層の内部の第５のトレンチ部分と、
前記酸化膜層の内部でかつ前記上側層のエッチングされていない領域の直下の第６のトレンチ部分と、
前記第５のトレンチ部分の内部に位置する第４の材料部分と、
前記第６のトレンチ部分の内部に位置する第５の材料部分と
をさらに備え、
前記第５および第６のトレンチ部分が、前記上側層の前記エッチングされていない領域の真下にあり、
前記ベース層の内部の複合体としての前記第１の材料および第４の材料の最大幅ならびに前記中間酸化膜層の内部の複合体としての前記第２の材料および第５の材料の最大幅が、断面で見たときに前記上側層の内部の前記第３の材料の最大幅よりも大きい、
形態９に記載のウェハ。
[形態１５]
前記第１の材料部分、前記第２の材料部分、および前記第３の材料部分が、窒化ケイ素からなる、形態９に記載のウェハ。
[形態１６]
前記第２の材料部分の最外表面の少なくとも一部分が、前記中間酸化膜層と接触しない、形態９に記載のウェハ。
【国際調査報告】
2014515884.tif 000015
2014515884.tif 000016