(57)【要約】  本発明は、発光及び非発光領域を含む、構造化された有機エレクトロルミネッセンス発光デバイス（ＯＬＥＤ）を製造する方法と、当該方法に従って製造されるＯＬＥＤとに関し、当該方法は、第１の電極３として少なくとも１つの導電層で少なくとも局所的に覆われた基板２を提供するステップＰと、所望の構造化パターンを形成する、スタック変更層４で覆われた第１の領域３１と、第１の領域３１に隣接する、覆われていない第２の領域３２とを確立するように、第１の電極３上に局所的にスタック変更層４を堆積させるステップＤ−ＳＭＬと、スタック変更層４で局所的に被覆された第１の電極３上に、少なくとも１つの有機発光層５１を含む有機層スタック５を堆積させるステップＤ−ＯＬＳであって、有機層スタック５は、第１の領域３１では、有機層スタック５と第１の電極３との間のスタック変更層４によって、第１の電極３から分離され、第２の領域３２では、第１の電極３と直接的に電気的に接触する、ステップと、機能層スタック７を完成するように、有機層スタック５上に、第２の電極６として導電金属層を堆積させるステップＤ−ＳＥと、を含み、第１の領域３１は、スタック変更層４の上方では、第１の領域３１をマスクすることなく、導電金属層がないままである。マスクプロセスの間に使用されるものと同じ堆積プロセスを機能層スタックにも使用可能にする、容易、可変かつ信頼性の高い、ＯＬＥＤの機能層スタックのマスクレス構造化方法を提供する。
2014534594.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光及び非発光領域の構造化パターンを有する有機エレクトロルミネッセンス発光デバイスを製造する方法であって、
第１の電極として少なくとも１つの導電層で少なくとも局所的に覆われた基板を提供するステップと、
所望の構造化パターンを形成する、スタック変更層で覆われた第１の領域と、前記第１の領域に隣接する、覆われていない第２の領域とを確立するように、前記第１の電極上に局所的に前記スタック変更層を堆積させるステップと、
前記スタック変更層で局所的に被覆された前記第１の電極上に、少なくとも１つの有機発光層を含む有機層スタックを堆積させるステップであって、前記有機層スタックは、前記第１の領域では、前記有機層スタックと前記第１の電極との間の前記スタック変更層によって、前記第１の電極から分離され、前記第２の領域では、前記第１の電極と直接的に電気的に接触する、ステップと、
機能層スタックを完成するように、前記有機層スタック上に、第２の電極として導電金属層を堆積させるステップと、
を含み、
前記第１の領域は、前記スタック変更層の上方では、前記第１の領域をマスクすることなく、前記導電金属層がないままである、方法。
【請求項２】
前記スタック変更層は、好適にはＩｎｌａｎｄ  Ｖａｃｕｕｍ  Ｉｎｄｕｓｔｒｉｅｓ社（ニューヨーク州チャーチヴィル１４４２８）からのＰＴＦＥ  ＴＥＣグリース、Ｄｕ  Ｐｏｎｔ社からのＫｒｙｔｏｘグリースである過フッ化物質を含む真空グリース、又は、好適にはＳｏｌｖａｙ社からのＦｏｍｂｌｉｎ（品質等級Ｙ）、Ｄｕ  Ｐｏｎｔ社からのＫｒｙｔｏｘ流体、Ｋｌｕｅｂｅｒ社からの過フッ化Ｔｙｒｅｎｏ流体、より好適にはＴｙｒｅｎｏ流体１２／２５Ｖである過フッ化真空ポンプオイルの群のうちの少なくとも１つの物質から作られる、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記スタック変更層を堆積させるステップは、前記第１の電極上に前記所望の構造化パターンに従ってプリンティングすることによって行われる、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
前記構造化パターンは、前記基板上の発光する前記第２の領域を分割するように、前記第１の領域を前記第２の領域の間に配置することによって、前記第２の領域を互いから分離させ、これにより、前記第１の領域に沿った前記基板の切断を可能にするようにデザインされ、好適には、前記第２の領域は、縞状の前記第１の領域が間にある列及び行で配置される矩形の前記第２の領域のアレイに配置される、請求項１乃至３の何れか一項に記載の方法。
【請求項５】
前記有機層スタックを堆積させるステップ及び前記第２の電極を堆積させるステップは、真空チャンバ内で、蒸発を含む薄膜堆積技術を使用することによって行われ、前記スタック変更層を堆積させるステップは、前記基板が、前記真空チャンバ内に入る前に行われる、請求項１乃至４の何れか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記第２の電極としての前記導電金属層の物質は、アルミニウム又は銀である、請求項１乃至５の何れか一項に記載の方法。
【請求項７】
前記第２の電極を堆積させるステップの後に、前記第２の領域上の前記有機層スタックを攻撃しないように前記有機層スタックに対し十分に化学的に不活性である溶媒を使用して、前記スタック変更層と、前記スタック変更層上の前記有機層スタックとを、前記第１の領域から除去する除去ステップが適用される、請求項１乃至６の何れか一項に記載の方法。
【請求項８】
前記溶媒は、前記溶媒の使用による寿命への負の影響を排除するように、フッ化液状物質、好適には３Ｍ社のフッ化液体、より好適にはＦＣ−４３又はＦＣ−８７である、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記除去ステップの後に、好適には前記第１の領域に限定される、前記第２の電極に酸素プラズマを当てる洗浄ステップが続く、請求項７又は８に記載の方法。
【請求項１０】
前記機能層スタックを完成した後、前記機能層スタックは、グルーオン蓋によって、又は、薄膜封止を用いて封入される、請求項７乃至９の何れか一項に記載の方法。
【請求項１１】
前記機能層スタックを完成した後、前記機能層スタックを封入するカバー蓋が、前記基板に取付けられ、これに先んじて、前記機能層スタックと前記カバー蓋との間のボリュームは、第２の化学的に不活性の液体で少なくとも部分的に充填されている、請求項１乃至９の何れか一項に記載の方法。
【請求項１２】
非発光及び発光領域の構造化されたパターンを有する有機エレクトロルミネッセンス発光デバイスであって、所望の構造化パターンを形成するスタック変更層で覆われた第１の電極上の第１の領域と、前記第１の領域に隣接し、前記スタック変更層によって覆われていない前記第１の電極上の第２の領域とを有する前記第１の電極として少なくとも１つの導電層で少なくとも局所的に被覆された基板と、前記第１の電極上に堆積されることによって、有機層スタックは、前記第１の領域では、前記有機層スタックと前記第１の電極との間の前記スタック変更層によって前記第１の電極から分離され、前記第２の領域では、前記第１の電極と直接的に電気的に接触する、少なくとも１つの有機発光層を有する前記有機層スタックと、機能層スタックを完成するための前記有機層スタック上の第２の電極と、を含み、前記第１の領域を覆う前記スタック変更層は、任意のシャドウマスク技術を使用することなく、前記第１の領域における前記有機層スタックが、前記第２の電極で覆われることを阻止する一方で、前記第２の電極は、依然として、前記第２の領域上の前記有機層スタックを覆う、有機エレクトロルミネッセンス発光デバイス。
【請求項１３】
前記スタック変更層は、好適にはＩｎｌａｎｄ  Ｖａｃｕｕｍ  Ｉｎｄｕｓｔｒｉｅｓ社（ニューヨーク州チャーチヴィル１４４２８）からのＰＴＦＥ  ＴＥＣグリース、Ｄｕ  Ｐｏｎｔ社からのＫｒｙｔｏｘグリースである過フッ化物質を含む真空グリース、又は、好適にはＳｏｌｖａｙ社からのＦｏｍｂｌｉｎ（品質等級Ｙ）、Ｄｕ  Ｐｏｎｔ社からのＫｒｙｔｏｘ流体、Ｋｌｕｅｂｅｒ社からの過フッ化Ｔｙｒｅｎｏ流体、より好適にはＴｙｒｅｎｏ流体１２／２５Ｖである過フッ化真空ポンプオイルの群のうちの少なくとも１つの物質から作られる、請求項１２に記載の有機エレクトロルミネッセンス発光デバイス。
【請求項１４】
前記基板に取付けられ、前記機能層スタックを封入するカバー蓋を更に含み、前記機能層スタックと前記カバー蓋との間のボリュームは、第２の化学的に不活性の液体で少なくとも部分的に充填される、請求項１２に記載の有機エレクトロルミネッセンス発光デバイス。
【請求項１５】
発光する第２の領域及び非発光の第１の領域の構造化されたパターンを有する有機エレクトロルミネッセンス発光デバイスであって、第１の電極として導電層で被覆された基板と、前記第２の領域上の、少なくとも１つの有機発光層を有する有機層スタックと、機能層スタックを完成するための前記有機層スタック上の第２の電極と、を含み、覆われていない前記第１の領域は、請求項７に記載の方法によって調製され、好適には、請求項９に記載の方法に従って洗浄され、前記機能層スタックは、前記基板に取付けられるカバー蓋によって封入され、前記機能層スタックと前記カバー蓋との間のボリュームは、第２の化学的に不活性の液体で少なくとも部分的に充填されるか、又は、グルーオン蓋によって若しくは薄膜封止によって封入される、有機エレクトロルミネッセンス発光デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光領域及び非発光領域を含む構造化された有機エレクトロルミネッセンス発光デバイス（ＯＬＥＤ）を製造する方法と、当該方法によって製造されるＯＬＥＤとに関する。
【背景技術】
【０００２】
今日の標準的なＯＬＥＤは、薄膜堆積技術を使用して、通常、ガラス基板である基板上に堆積された２つの電極間に少なくとも１つの有機発光層が配置された有機層スタックを含む。２つの電極間の層と電極とは、数十ナノメートル乃至数百ナノメートルのオーダーの厚さを有する薄層の有機層スタックを形成する。２つの電極と共に、層のスタックは、以下において、機能層スタックと表される。発光方向に関して、２つの異なるタイプのＯＬＥＤが区別される。いわゆるボトムエミッタでは、光は、透明の底面電極（通常、大抵の場合、インジウム‐スズ‐酸化物（ＩＴＯ）で作られるアノード）及び透明の基板（例えばガラス）を通り、ＯＬＥＤデバイスから出射する一方で、第２の電極（大抵アルミニウムで作られるカソード）は反射性である。いわゆるトップエミッタでは、光は、透明の頂部電極（例えばＩＴＯ）及び透明のカバー蓋（例えばガラス）を通り、ＯＬＥＤデバイスから出射する一方で、底面電極（例えばアルミニウム、又は、反射性基板の場合はＩＴＯ）及び／又は基板は反射性である。カバー蓋は、環境、特に湿気及び酸素が、有機層スタック内に到達するのを防ぐために、これらのＯＬＥＤには必須である。底面発光ＯＬＥＤは、一般的に、照明目的に使用される。いわゆる透明ＯＬＥＤは、透明の基板及び透明のカバー蓋を有する、ボトムエミッタ及びトップエミッタの組み合わせである。
【０００３】
有機発光層から光を生成するために必要な基板上の機能層スタックは、電極の電気的接触を可能にすること、特定の動作スキームを機能層スタックに適用すること、機能層スタックを封入するカバー蓋を取り付けること、及び／又は、所望の視覚効果を提供するために発光領域を成形することといった様々な目的に適うように成形されなければならない。ＯＬＥＤ、特に機能層スタックを構造化する一般的な方法は、薄膜堆積（例えば蒸発）中にシャドウマスクを使用する。シャドウマスクは、次々と層をインライン堆積させることによって、機能層スタックを処理する可能性を提供する。シャドウマスクによってシールドされる領域は、マスクのシャドウイング効果によって、蒸発物質によって被覆されず、これにより、構造化された機能層スタックは、基板の非マスク領域にしか存在しない。一部の場合では、個別にデザインされたマスクが、堆積中に各層に必要なことがある。シャドウマスクの１つの大きな不利点は、マスク領域のそれぞれ異なるパターンに対し１つのマスクが必要であり、この結果、様々な非発光領域パターンを有するＯＬＥＤを製造するには、多数のマスクが必要となる点である。この多数のマスクによって、マスクプロセスは非常に高価なものとなる。シャドウマスクを使用することのもう１つの不利点は、シールド領域の限界である。シールド領域は、堆積物質によって完全に封入されることができない。シールドマスク領域は、担持マスクフレームに接続されなければならず、この結果、ＯＬＥＤ発光領域を横切る少なくとも１つの細く、被覆されていない線がもたらされる。
【０００４】
米国特許出願公開番号第２０１０／０１５５４９６Ａ１号は、ＯＬＥＤを製造する代替マスクレスプロセスとして、基板上の管から液体を静電スプレーすることを開示する。この技術は、ＯＬＥＤの発光物質としては好適ではない有機ポリマーに限定される。有機物質として小有機分子が、最良のＯＬＥＤ性能をもたらすが、小有機分子は蒸発されなければならない。シャドウマスクは回避するが、障害のない方法で、実績のある物質の使用を可能にするＯＬＥＤの、一般的で、信頼性の高い製造ステップを適用することを可能にする構造化方法を適用することが望ましい。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、機能層スタックについて、マスクプロセス中に使用されるものと同じ堆積プロセスを維持しつつ、ＯＬＥＤの発光領域内に非発光領域を含むＯＬＥＤを提供するために、ＯＬＥＤの機能層スタックのマスクレス構造化を可能にする、容易で、柔軟性及び信頼性の高い方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
当該目的は、発光及び非発光領域の構造化パターンを有する有機エレクトロルミネッセンス発光デバイスを製造する方法によって達成される。当該方法は、
第１の電極として少なくとも１つの導電層で少なくとも局所的に覆われた基板を提供するステップと、
所望の構造化パターンを形成する、スタック変更層で覆われた第１の領域と、第１の領域に隣接する、覆われていない第２の領域とを確立するように、第１の電極上に局所的にスタック変更層を堆積させるステップと、
スタック変更層で局所的に被覆された第１の電極上に、少なくとも１つの有機発光層を含む有機層スタックを堆積させるステップであって、有機層スタックは、第１の領域では、有機層スタックと第１の電極との間のスタック変更層によって、第１の電極から分離され、第２の領域では、第１の電極と直接的に電気的に接触する、ステップと、
機能層スタックを完成するように、有機層スタック上に、第２の電極として導電金属層を堆積させるステップと、を含み、第１の領域は、スタック変更層の上方では、第１の領域をマスクすることなく、導電金属がないままである。
【０００７】
ＯＬＥＤの発光領域間に非発光領域を含むＯＬＥＤ又はＯＬＥＤのアレイを提供するＯＬＥＤの機能層スタックのマスクレス構造化は、スタック変更層の一層をその下に有する有機層スタック上に、第２の電極を堆積させることによって達成される。スタック変更層は、例えば、第１の領域内で、真空蒸発によって、第２の電極の物質を有機層スタック上に堆積させる間に、当該第２の電極の物質が上部の有機層の表面にくっつかないようにする効果（脱湿潤効果）を提供する。スタック変更層によって覆われた第１の領域の上方の領域は、少なくとも、第２の電極の物質がないままであり、結果として、第２の電極は、スタック変更層のない第２の領域の上方にしかないことになる。第１の領域は、第１の電極に局所的にスタック変更層を付与することによって調製される非発光領域であり、電極及び／又は有機層の特定の形状を調製するために更なる構造化プロセスを必要とせず、更には、非発光領域を得るために機能層スタックを構造化するためのシャドウマスクも必要としない。有機層スタックと第１の電極との間に、所望の領域パターンを有するスタック変更層を使用することによって、容易、可変かつ信頼性の高い方法で、発光ＯＬＥＤデバイス内、及び／又は、ＯＬＥＤデバイスのアレイ内の隣接発光ＯＬＥＤデバイス間の非発光領域を達成することができる。更に、発光機能層スタックによって完全に封入された非発光の第１の領域をも得ることができ、これは、シャドウマスク技術が可能ではない。本発明の方法では、非発光の第１の領域を製造するのに、様々な第１の領域間、又は、第１の領域とＯＬＥＤの発光領域周りのリムとの間の接続が不要である。一実施形態では、構造化されたパターンは、例えば、基板上で、縞状の第１の領域が間にある列及び行で配置される矩形の第２の領域のアレイに第２の領域を分割するように、第１の領域を第２の領域間に配置することによって、発光する第２の領域を互いから分離させるようにデザインされる。機能層スタックの確立されたアレイは、第１の領域に沿って基板を機械的に切断することによって、別個の第２の領域のそれぞれによって画定される個別のＯＬＥＤを製造するように使用される。第１の領域に沿って基板を切断する前に、スタック変更層、及び、スタック変更層上に堆積されるすべての物質は、適切な溶媒によって除去され、これにより、基板のより簡単な機械的切断を可能にする、覆われていない第１の領域が得られる。したがって、シャドウマスクを使用することなく機能層スタックを構造化するように使用される方法は、可変かつ信頼性が高く、マスクプロセスの間に使用されるものと同じ堆積プロセスを機能層スタックにも使用可能にする。したがって、当該方法は、機能層の堆積プロセスを変更する必要がないため、容易に適用可能である。スタック変更層を堆積させる１つの追加のステップだけを、真空チャンバ外で、追加すればよい。この追加ステップは、機能層スタックを完成するための後続の堆積ステップに影響を及ぼさない。
【０００８】
上述の脱湿潤効果を提供するスタック変更層に適した物質は、少なくとも、上部の第２の電極内に使用される金属に対し、脱湿潤効果を提供する物質である。スタック変更層の物質は、好適には、以下の追加の要件を満たす。
‐ＯＬＥＤ機能スタックに使用される有機及び無機物質（例えばフッ化された又は過フッ化物質）に対し十分に化学的に不活性であり、
‐当該物質によって覆われた基板が、蒸発してシステムを（例えば真空ポンプオイル又は真空グリースによって）汚染することなく、真空堆積システム内に導入されるように低蒸気圧を有し、及び／又は、
‐接触プリンティング方法又はインクジェットプリンティングのように非接触プリンティング方法でＯＬＥＤ基板に付与されるように適切な粘度を有する。
【０００９】
一実施形態では、スタック変更層は、好適にはＩｎｌａｎｄ  Ｖａｃｕｕｍ  Ｉｎｄｕｓｔｒｉｅｓ社（ニューヨーク州チャーチヴィル１４４２８）からのＰＴＦＥ  ＴＥＣグリース、Ｄｕ  Ｐｏｎｔ社からのＫｒｙｔｏｘグリースである過フッ化物質を含む真空グリース、又は、好適にはＳｏｌｖａｙ社からのＦｏｍｂｌｉｎ（品質等級Ｙ）、Ｄｕ  Ｐｏｎｔ社からのＫｒｙｔｏｘ流体、Ｋｌｕｅｂｅｒ社からの過フッ化Ｔｙｒｅｎｏ流体、より好適にはＴｙｒｅｎｏ流体１２／２５Ｖである過フッ化真空ポンプオイルの群のうちの少なくとも１つの物質から作られる。
【００１０】
ボトムエミッタの基板は、例えばガラス又はプラスチックである透明の物質で作られる。「透明」との用語は、その大部分（領域）が透明である層又は物質を表す。トップエミッタの場合、基板は、透明であっても、非透明（例えば反射性）であってもよい。透明ＯＬＥＤの場合は、基板は透明である。透明ＯＬＥＤ又は底面発光ＯＬＥＤの場合、第１の電極は、通常ガラス基板上に堆積されるインジウム‐スズ‐酸化物（ＩＴＯ）で作られる。代替の適切な透明導電性酸化物は、ドープされた酸化亜鉛、酸化スズ又はポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）ポリ（スチレンスルホネート）（通常、Ｐｅｄｏｔ：ＰＰＳと呼ばれる）若しくは同様のポリマーである。頂面発光ＯＬＥＤでは、第１の電極は、透明（例えば金属で作られる反射性基板の場合）であっても、反射性であってもよい。反射性の第１の電極（例えばアルミニウム）の場合、基板は、透明又は非透明物質で作られてよい。当業者には、基板及び第１の電極の適切な物質、層パラメータ（例えば層厚）及び堆積条件は知られている。好適な実施形態では、本発明のＯＬＥＤは、非発光領域として透明の第１の領域を得るために、透明の第１の電極及び透明の基板を有する底面発光ＯＬＥＤである。対応する、ＯＬＥＤを製造する方法は、透明の基板及び透明の第１の電極を使用して、非発光領域として透明の第１の領域を有する底面発光ＯＬＥＤを提供する。透明の第１の領域は、例えば、透明の非発光の第１の領域の背後の様々な色の付いた背景と組み合わされて光効果を生成するか、又は、記号若しくは文字を、当該記号若しくは文字の周りの外側領域と同様に透明である第１の領域によって囲むことで表示するために使用される。
【００１１】
有機エレクトロルミネッセンスデバイス（ＯＬＥＤ）は、頂部又は底面電極を介してエレクトロルミネッセンス層スタックに、数ボルトの駆動電圧が印加されると光を生成する有機小分子又はポリマーを使用する。したがって、ＯＬＥＤは、小分子有機発光デバイス（ＳＭＯＬＥＤ）又はポリマー発光デバイス（ＰＬＥＤ）とも呼ばれる。しかし、ＳＭＯＬＥＤは、発光性能がよいことから好適である。機能層スタックは、少なくとも２つの電極、即ち、通常、アノードとして第１の（底面）電極を、通常、カソードとして第２の（頂部）電極と、その間の有機層スタックとを含む。幾つかの実施形態では、有機層スタック内には、正孔輸送層、電子輸送層、正孔遮断層、電子遮断層、１つ以上の発光層（例えば発光分子が埋め込まれたホスト物質を含む）といった、電極間に配置される複数の有機層があってよい。当業者には、様々な数／タイプの層を含む多数の様々な有機層スタックが知られており、また、所望のアプリケーションに依存して、適切なエレクトロルミネッセンス層スタックを選択することができる。或いは、有機層スタックは、発光可能な１つの有機発光層しか含まない場合もある。
【００１２】
第２の（頂部）電極は、通常、２０〜１５０ｎｍの厚さを有し、アルミニウムで作られる金属層である。ボトムエミッタの場合、第２の電極は、光を基板の後方に反射するために十分な厚さを有する。トップエミッタの場合、金属で作られる第２の電極は、２０ｎｍ未満の厚さを有することで、光が第２の電極を通り放射されるように十分な透明度を与える。一実施形態では、第２の電極としての導電層の物質がアルミニウム又は銀であることで、層が厚い場合には、高い反射性を、層が薄い場合には、薄層であっても良好な伝導率を維持しつつ、十分な透明度を提供する。
【００１３】
機能層スタックの層は、数十乃至数百ナノメートルのオーダーの薄層を調製する任意の適切な堆積技術を用いて堆積される。適切な技術は、例えば第１の電極を堆積させるためのスパッタリング、及び、例えば有機層スタック及び第２の電極用の熱蒸発である。
【００１４】
第１の領域を覆うスタック変更層の厚さは、１乃至１０００マイクロメートルの間で変動する。スタック変更層は、スプレー、プリント又はペイントプロセスによって、又は、更にはティップ、ペイントブラシ又はスタンプを用いて手動で付与されてよい。一実施形態では、スタック変更層の堆積は、スタック変更層を、第１の電極上に、所望のパターンに従ってプリンティングすることによって行われる。プリンティングプロセスは、第１の領域に所望のパターンを、高速、可変、信頼性及び精度が高くかつ再現可能な方法で与えることを可能にする。プリンティングプロセスは、接触プリンティングプロセスであっても、非接触プリンティングプロセスであってもよい。インクジェットプリンティングのような非接触プリンティングプロセスでは、所望のスタック変更層パターンは、１つの基板と後続の基板とで異ならせることが可能である。プリントプロセスは、高速プロセスであるので、スタック変更層の局所的な層が、短い期間の間に、多数の基板上に堆積されることが可能である。別の実施形態では、有機層スタックの堆積及び第２の電極の堆積は、真空チャンバ内で、蒸発を含む薄膜堆積技術を使用することによって行われ、スタック変更層を堆積させるステップは、基板が、真空チャンバ内に入る前に行われる。本発明の方法を使用しても、一般的な真空堆積ステップは変更される必要がない。スタック変更層の堆積は、真空チャンバの外での別個のプロセスステップとして行われてもよいため、ＯＬＥＤの製造におけるモジュールプロセスステップである。したがって、スタック変更層の堆積ステップの場所及び堆積時間は、製造ライン及び利用可能な空間並びにプロセス時間に適切であるように選択されることが可能である。
【００１５】
本発明では、「伝導性」との用語は、「電気的」との用語が使用されていなくても、常に、導電性物質又は構成要素を表す。「非伝導性」との用語は、高い抵抗又は高いシート抵抗を有する物質又は層を表し、当該物質を、ＯＬＥＤデバイスの動作又は有機発光層から光を生成させるのには無視できない電流が流れることが阻止される。
【００１６】
一実施形態では、機能層スタックを完成した後、機能層スタックを封入するカバー蓋が基板に取付けられ、これに先んじて、機能層スタックとカバー蓋との間のボリュームは、第２の化学的に不活性の液体で少なくとも部分的に充填されている。カバー蓋は、湿気又は酸素が、有機発光層スタック内に侵入することを防ぐことで、ＯＬＥＤデバイスに十分な寿命を与える。カバー蓋は、カバー蓋と基板との間に封止されたボリューム内への湿気及び／又は酸素の拡散に対する十分なバリアを提供する任意の適切な剛性物質で作られる。カバー蓋は、例えばガラスフリット（非導電性物質）又は接着剤（例えばエポキシ接着剤）である、少なくとも湿気及び酸素に対して十分に気密である適切な密閉物質を、基板上に付与し、続いて、カバー蓋をこの物質に取付けることによって、基板に取付けられる（又は密閉される）。「基板に取付けられる」との表現は、カバー蓋と基板との間の密接な接続を表す。上部に追加の層（例えば第１及び／又は第２の電極用の接点パッド）を有する基板の場合、カバー蓋は、これらの層を越えて基板に取付けられる。カバー蓋は、内側と外側とを有し、内側は、カバー蓋の機能層スタックに面する側面を表す。外側は、対応して、カバー蓋のもう一方の側面である。カバー蓋の形状は、カバー蓋の内側と機能層スタックとの間に間隙を提供するように適応される。間隙は、ＯＬＥＤデバイスの外側からのカバー蓋への任意の機械的衝撃が、機能層スタックに到達することを防ぐ。間隙内には、ゲッター物質が配置されていてもよく、通常、カバー蓋の内側に取付けられる。カバー蓋と機能層スタックとの間の間隙（ボリューム）は、数ミリメートルの寸法を有してよい。カバー蓋内のボリューム（間隙）は、湿気及び／又は酸素といった環境影響に対するロバスト性を増大させることによってＯＬＥＤの寿命を更に長くするために、第２の化学的に不活性液体で少なくとも部分的に充填される。或いは、当該ボリュームは、乾性ガス、例えば乾性窒素で充填されてもよい。第２の物質は、第１の電極上に堆積されるように使用されるスタック変更層と同じ物質であってよい。しかし、第２の物質は、非伝導性であるべきである。
【００１７】
別の実施形態では、第２の電極を堆積させた後、第２の領域上の有機層スタックを攻撃しないように、有機層スタックに対し十分に化学的に不活性である溶媒を使用して、スタック変更層と、スタック変更層上の有機層スタックとを、第１の領域から除去する除去ステップが適用される。除去ステップによって、機能層スタック内にスタック変更層が堆積されていないＯＬＥＤデバイスと同一の寿命を有するＯＬＥＤデバイスがもたらされる。スタック変更層に対して十分に化学的に不活性の物質を使用した場合でも、機能層スタックを完成した後で、スタック変更層を除去することによって、寿命への任意の影響を阻止することができる。これに追加して、除去ステップの実行後、第１の電極は、第１の領域内では任意の物質によって覆われず、これにより、第１の領域の場所及び形状に依存して、ＯＬＥＤの側面から又は機能層スタックの背面から、第１の領域を介する第１の電極の電気的接触が可能にされる。更に、被覆されていない第１の領域は、例えば機能層スタックを封止するカバー蓋である追加の構成要素を、ＯＬＥＤに取付けるために使用されてもよい。
【００１８】
好適な実施形態では、溶媒は、溶媒の使用による寿命への負の影響を排除するように、フッ化液状物質、好適には３Ｍ社のフッ化液体、より好適にはＦＣ−４３又はＦＣ−８７である。スタック変更層の物質は、これらの溶媒中で溶解可能であり、これらの溶媒は、ＯＬＥＤ機能スタックに使用される有機及び無機物質を攻撃しない。これにより、ＯＬＥＤの封止といった追加の生産ステップを問題なく行うことができるように、物質が除去される。
【００１９】
別の実施形態では、除去ステップの後に、好適には第１の領域に限定される、第２の電極に（低圧力又は周囲圧力における）酸素プラズマを当てる洗浄ステップが続く。酸素プラズマ処理は、第１の領域の周りの機能層スタックの尖鋭部に起因する短絡の危険性を減少させる。洗浄ステップ及び除去ステップは、機能層スタックを完成した後、任意の真空チャンバの外で行われてよい。
【００２０】
別の実施形態では、機能層スタックを完成した後、当該機能層スタックは、グルーオン（glued-on）蓋によって、又は、薄膜封止を用いて封入される。このような蓋を付与するには、スタック変更層を事前に除去することが必要となる。グルーオン蓋又は薄膜封止は、薄いＯＬＥＤを製造することを可能にし、これは、薄膜封止の場合にも柔軟性が高い。
【００２１】
本発明は更に、発光及び非発光領域の構造化されたパターンを有する有機エレクトロルミネッセンス発光デバイスに関する。当該デバイスは、所望の構造化パターンを形成するスタック変更層で覆われた第１の電極上の第１の領域と、第１の領域に隣接し、スタック変更層によって覆われていない第１の電極上の第２の領域とを有する第１の電極として少なくとも１つの導電層で少なくとも局所的に被覆された基板と、第１の電極上に堆積されることによって、有機層スタックは、第１の領域では、有機層スタックと第１の電極との間のスタック変更層によって第１の電極から分離され、第２の領域では、第１の電極と直接的に電気的に接触する、少なくとも１つの有機発光層を有する有機層スタックと、機能層スタックを完成するための有機層スタック上の第２の電極と、を含み、第１の領域を覆うスタック変更層は、任意のシャドウマスク技術を使用することなく、第１の領域における有機層スタックが、第２の電極で覆われることを阻止する一方で、第２の電極は、依然として、第２の領域上の有機層スタックを覆う。このようなＯＬＥＤは、通常、発光する第２の領域をもたらす第２の領域内で動作される一方で、第１の領域は、発光しない。基板及び第１の電極に使用される物質に依存して、第１の領域は、透明であっても、非透明であってもよい。一実施形態では、スタック変更層は、好適にはＩｎｌａｎｄ  Ｖａｃｕｕｍ  Ｉｎｄｕｓｔｒｉｅｓ社（ニューヨーク州チャーチヴィル１４４２８）からのＰＴＦＥ  ＴＥＣグリース、Ｄｕ  Ｐｏｎｔ社からのＫｒｙｔｏｘグリースである過フッ化物質を含む真空グリース、又は、好適にはＳｏｌｖａｙ社からのＦｏｍｂｌｉｎ（品質等級Ｙ）、Ｄｕ  Ｐｏｎｔ社からのＫｒｙｔｏｘ流体、Ｋｌｕｅｂｅｒ社からの過フッ化Ｔｙｒｅｎｏ流体、より好適にはＴｙｒｅｎｏ流体１２／２５Ｖである過フッ化真空ポンプオイルの群のうちの少なくとも１つの物質から作られる。
【００２２】
別の実施形態では、カバー蓋が、基板に取付けられ、機能層スタックを封入し、機能層スタックとカバー蓋との間のボリュームは、第２の化学的に不活性の液体で少なくとも部分的に充填される。この実施形態は、ＯＬＥＤデバイスの寿命安定性を更に向上させる。
【００２３】
本発明は更に、発光する第２の領域及び非発光の第１の領域の構造化されたパターンを有する別の有機エレクトロルミネッセンス発光デバイスに関する。当該デバイスは、第１の電極として導電層で被覆された基板と、第２の領域上の、少なくとも１つの有機発光層を有する有機層スタックと、機能層スタックを完成するための有機層スタック上の第２の電極と、を含み、覆われていない第１の領域は、スタック変更層を除去する除去ステップを含む本発明の方法によって調製され、好適には、本発明の洗浄ステップを適用することによって洗浄され、機能層スタックは、基板に取付けられるカバー蓋によって封入され、機能層スタックとカバー蓋との間のボリュームは、第２の化学的に不活性の液体で少なくとも部分的に充填されるか、又は、グルーオン蓋によって若しくは薄膜封止によって封入される。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
本発明のこれらの及び他の態様は、以下に説明される実施形態を参照することにより明らかとなろう。
【００２５】
【図１】図１は、本発明のＯＬＥＤデバイスの一実施形態の側面図である。
【図２】図２は、カバー蓋を含む本発明のＯＬＥＤデバイスの別の実施形態の側面図である。
【図３】図３は、本発明のＯＬＥＤデバイスの別の実施形態の平面図である。
【図４】図４は、本発明のＯＬＥＤデバイスの別の実施形態の平面図である。
【図５】図５は、本発明のＯＬＥＤデバイスを製造する方法ステップの一実施形態である。
【図６】図６は、第１の領域に沿って基板を切断することによって第２の領域のアレイから本発明のＯＬＥＤデバイスを製造する方法ステップの一実施形態である。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
図１は、非発光領域３１及び発光領域３２の構造化パターンを有し、第１の電極３として、少なくとも部分的に導電層で被覆された基板２を含む本発明のＯＬＥＤデバイス１の一実施形態を側面図で示す。第１の電極３は、スタック変更層４で覆われた第１の領域３１と、第１の領域３１に隣接してスタック変更層４によって覆われていない第１の電極３上の第２の領域３２とを含み、矢印によって示されるように所望の構造化パターンを形成する。少なくとも１つの有機発光層５１を含む有機層スタック５が、スタック変更層４によって覆われている又は覆われていない第１の電極の第１及び第２の領域を覆うように第１の電極３上に堆積される。図示される第１の領域３１内にスタック変更層４が堆積されることによって、有機層スタック５は、第１の領域３１では、第１の電極３から分離され、また、第２の領域３２では、第１の電極３と直接的に電気的に接触する。第２の電極６が、機能層スタック７を完成させるために、有機層スタック５上に堆積される。第１の領域３１を覆うスタック変更層４は、意外にも、任意のシャドウマスク技術を使用することなく、第１の領域３１内の有機層スタック５が、第２の電極６で覆われることを防ぐ一方で、第２の電極６は、依然として、第２の領域３２上の有機層スタック５を覆う。非発光の第１の領域を得るために、第１の領域における第２の電極を除去する追加の除去ステップ、又は、第１の領域内への第２の電極の堆積を阻止するマスクプロセスが不要である。本実施形態では、有機発光層５１内で生成された光１３は、透明の第１の電極３（例えばＩＴＯで作られる）及び透明の基板２（例えばガラス又はプラスチックで作られる）を通り、環境へと出力される。有機層スタックは、当業者には知られている一般的な層を含んでもよい。これらの層は、例えば熱蒸着によって堆積される。第２の電極の物質は、アルミニウム又は銅である。本実施形態では、スタック変更層の物質は、ＯＬＥＤ機能層内で使用される有機及び無機物質（例えばフッ化された又は過フッ化物質）に対し十分に化学的に不活性であり、当該物質によって覆われた基板が、蒸発してシステムを（例えば真空ポンプオイル又は真空グリースによって）汚染することなく、真空堆積システム内に導入されるように低蒸気圧を有し、また、接触プリンティング方法又はインクジェットプリンティングのように非接触プリンティング方法でＯＬＥＤ基板に付与されるように適切な粘度を有する。一例として、スタック変更層の物質は、好適にはＩｎｌａｎｄ  Ｖａｃｕｕｍ  Ｉｎｄｕｓｔｒｉｅｓ社（ニューヨーク州チャーチヴィル１４４２８）からのＰＴＦＥ  ＴＥＣグリース、Ｄｕ  Ｐｏｎｔ社からのＫｒｙｔｏｘグリースである過フッ化物質を含む真空グリース、又は、好適にはＳｏｌｖａｙ社からのＦｏｍｂｌｉｎ（品質等級Ｙ）、Ｄｕ  Ｐｏｎｔ社からのＫｒｙｔｏｘ流体、Ｋｌｕｅｂｅｒ社からの過フッ化Ｔｙｒｅｎｏ流体、より好適にはＴｙｒｅｎｏ流体１２／２５Ｖである過フッ化真空ポンプオイルの群のうちの１つの物質である。
【００２７】
図２は、カバー蓋８を含む本発明のＯＬＥＤデバイス１の別の実施形態を側面図で示す。このＯＬＥＤデバイス１も、発光する第２の領域３２及び非発光の第１の領域３１の構造化されたパターンを含み、基板２は、第１の電極３として、導電層で被覆され、少なくとも１つの有機発光層５１を有する有機層スタック５は、第２の領域３２の上にあり、第２の電極６は、有機層スタック５上にあり、機能層スタック７が完成される。被覆されていない第１の領域３１は、スタック変更層を堆積させ、構造化された第２の電極６を上述の通りに得て、次に、スタック変更層４を、スタック変更層４上の有機層スタック５と共に、第２の領域３２上の有機層スタック５を攻撃しないように有機層スタック５に対し十分に化学的に不活性である溶媒１０を使用して除去する除去ステップを通じて、本発明の方法によって調製される。図２では、スタック変更層４は既に除去されているため、スタック変更層４及び溶媒１０は、ここでは図示されない。スタック変更層４を除去する適切な溶媒１０は、例えばＦＣ−４３又はＦＣ−８７といった３Ｍ社のフッ化液体であるフッ化液状物質である。ＯＬＥＤデバイス、特に第１の領域は、機能層スタック７を封止する前に酸素プラズマを当てることによって、洗浄（Ｃ）される。ＯＬＥＤデバイス１を完成させるために、機能層スタック７は、基板２に取付けられるカバー蓋８（ここでは詳細に示されない）によって封入される。機能層スタック７とカバー蓋８との間のボリューム８１は、第２の化学的に不活性の液体９で充填される。第２の化学的に不活性の液体９は、非導電性であるべきであり、また、スタック変更層４にも使用される物質であってもよい。カバー蓋８と機能層スタック７との間の間隙（ボリューム）８１は、最大で数ミリメートルの寸法を有する。第２の化学的に不活性の液体９は、湿気及び／又は酸素といった環境的影響に対するロバスト性を増大することによって、ＯＬＥＤデバイス１の十分な寿命を確保する。或いは、ボリューム８１は、乾性ガス、例えば乾性窒素で充填されてもよい。本実施形態では、ＯＬＥＤデバイス１は、ボトムエミッタであり、光１３は、透明の第１の電極３及び透明の基板２を通り、放射される。
【００２８】
図３は、カバー蓋、グルーオン（glued-on）蓋又は薄膜封止によって機能層スタックを封入する前の本発明のＯＬＥＤデバイスの別の実施形態の平面図を示す。図２に示されるように、スタック変更層４は、上述の方法ステップによって既に除去されている。第１の領域（非発光領域）３１及び第２の領域（発光領域）３２のパターンは、発光する第２の領域３２内に埋め込まれている円形の第１の領域３１からなる。第１の領域３１は、第２の領域３２によって完全に取り囲まれている。このような非発光領域３１及び発光領域３２のパターンは、シャドウマスクでは得られない。シャドウマスクが使用される場合、少なくとも非発光領域の細い線が、第１の領域３１を、層（スタック）３、５、６を含む機能層スタック７の周りの被覆されていないリムに接続する。第１の電極３は、電気的接点を、図３の下部における覆われていない領域に取付けることによって電源に電気的に接続される。第２の電極は、電気的接点を、覆われていない領域６１に取付ける、つまり、いわゆる接点パッドが第２の電極６に電気的に接触することによって、電源に接続される。
【００２９】
図４は、本発明のＯＬＥＤデバイスの別の実施形態を平面図で示す。パターンは、有機発光層５１を含む有機層スタック５と第２の電極６で覆われる発光する第２の領域３２の縞状パターンである。第１の領域３１上に堆積されるスタック変更層４は、上述したように除去される。除去後、カバー蓋８が、基板２に取付けられる。例えば、基板２上に接着される。機能層スタックをカバー蓋８で封入した後、当該機能層スタックに動作電圧を印加するために、一般的な電気的フィードスルーを使用してもよい。
【００３０】
図５は、本発明のＯＬＥＤデバイス１を製造する方法ステップの一実施形態を示す。当該方法は、第１の電極３として、少なくとも１つの導電層で少なくとも局所的に覆われる基板２を提供するステップ（Ｐ）と、次に、スタック変更層４で覆われた第１の領域３１と、第１の領域３１に隣接する、覆われていない第２の領域３２とを確立して、所望の構造化パターンを形成するために、第１の電極３上にスタック変更層４を局所的に堆積させるステップ（Ｄ−ＳＭＬ）とを含む。スタック変更層４を堆積させるステップ（Ｄ−ＳＭＬ）は、好適には、第１の電極３上に所望のパターンをプリント（ＰＲ）することによって実行される。或いは、スタック変更層は、手動（Ｍ）で堆積されても、又は、他の局所的堆積技術（Ｏ）を使用して堆積されてもよい。このステップは、共通の環境で実行される。所望の構造化パターンを形成する第１及び第２の領域３１、３２を担持する、結果として得られる基板２は、次に、真空チャンバに入れられ、後続の真空プロセス（ＶＰ）が適用されて、次の層が堆積される（破線の処理領域として示される）。少なくとも１つの有機発光層５１を含む有機層スタック５が、スタック変更層４で局所的に被覆されている第１の電極３上に、熱蒸着によって、堆積され（Ｄ−ＯＬＳ）、結果として、有機層スタック５は、第１の領域３１では、有機層スタック５と第１の電極３との間のスタック変更層４によって第１の電極３から分離され、第２の領域３２では、第１の電極３と直接的に電気的に接触する。次に、有機層スタック５上に、第２の電極６として導電金属層を堆積させる（Ｄ−ＳＥ）ことによって、機能層スタック７が完成される（Ｆ−ＦＬＳ）。ここで、第１の領域３１は、スタック変更層４の上方では、これらの第１の領域３１をマスクすることなく、導電性金属がないままである。所望の構造化パターンを含む完成した機能層スタック（Ｆ−ＦＬＳ）を有するＯＬＥＤデバイス１は、真空チャンバ（ＶＰ）を出る。機能層スタックの所望の囲いに依存して、又は、基板を小さい部分への最終的な所望の切断に依存して、上述のステップに加えて様々なプロセスステップが使用される。基本的に、完成した機能層スタックは、一般的なカバー蓋８によって封入される（ＣＬ）。好適な製造プロセスでは、カバー蓋８と機能層スタック７との間のボリューム８１は、環境的な影響に対するＯＬＥＤデバイス１のロバスト性を更に増大するために、第２の化学的に不活性の液体９で少なくとも部分的に充填される（Ｆ−ＳＬ）。これに代えて又はこれに加えて、第２の領域３２上の有機層スタック５を攻撃しないように、有機層スタック５に対し十分に化学的に不活性である溶媒１０を使用して、スタック変更層４と、スタック変更層４上の有機層スタック５とを、第１の領域３１から除去する除去ステップ（Ｒ−ＳＭＬ）を使用してもよい。溶媒１０は、溶媒の使用による寿命への負の影響を排除するように、フッ化液状物質、好適には３Ｍ社のフッ化液体、より好適にはＦＣ−４３又はＦＣ−８７である。除去ステップ（Ｒ−ＳＭＬ）の間、完成した機能層スタック７は、溶媒１０で湿潤される。或いは、溶媒１０は、機能層スタック７上にスプレーされてもよい。しかし、溶媒１０は、機能層スタック７を機械的に損傷しないように注意深く付与されなければならない。除去ステップ（Ｒ−ＳＭＬ）後、第１の領域３１に限定されることが好適である、第２の電極６に酸素プラズマを当てることによって洗浄ステップ（Ｃ）が行われる。ここでは、低Ｏ２圧又は環境Ｏ２圧が、Ｏ２プラズマエッチングに使用される。除去ステップ（Ｒ−ＳＭＬ）、及び、その後に続く任意選択的な洗浄ステップ（Ｃ）後、ＯＬＥＤデバイス１は、封入される準備が整う。ＯＬＥＤデバイス１のバッチ生産の場合、構造化されたパターンは、基板２上の発光する第２の領域３２を分割するように、第１の領域３１を第２の領域３２間に配置することによって、第２の領域３２を互いから分離させ、これにより、第１の領域３１に沿った基板２の切断（ＣＴ）を可能にし、好適には、第２の領域３２は、縞状の第１の領域３１が間にある列及び行で配置される矩形の第２の領域３２のアレイに配置されるようにデザインされる。ここでは、カバー蓋によって封入されるＯＬＥＤデバイス１は、第１の領域に沿って基板を切断する切断ステップ（ＣＴ）によって、互いから分離されなければならない。結果として得られるＯＬＥＤ基板は、１つの堆積プロセスで幾つかのＯＬＥＤを生産するバッチ生産に使用される上述の大型の単一基板のサブ領域である。分離されたＯＬＥＤデバイス１を得た後、ＯＬＥＤデバイス１を封入するための更なる方法ステップは、切断ステップ（Ｃ）を伴っても伴わないでも同じである。機能層スタック７は、グルーオン蓋１１によって封入されても（ＧＬ）、又は、薄膜封止１２で封入されても（ＴＦＥ）、若しくは、カバー蓋８と機能層スタック７との間のボリューム８１を第２の化学的に不活性の液体９で任意選択的に充填する共通カバー蓋８で封入されてもよい。
【００３１】
以下の実施例は、上述した方法ステップの少なくとも幾つかのステップを使用することによって製造される。
【００３２】
実施例１：
１５０ｎｍのＩＴＯをその上に有する基板ガラス
スタック変更層：Ｔｙｒｅｎｏ流体（真空ポンプオイル）が、ペイントブラシを用いて手動で付与される。
有機層スタック：基板上への正孔注入層、正孔輸送層、エミッタ層、正孔遮断層及び電子輸送層の堆積。次に、Ｌｉｆ及びアルミニウムが蒸発される、一般的な蒸発プロセス。
第２の電極：アルミニウムが、第２の領域は覆うが、第１の領域内ではあるようにスタック変更層が下にある場合は、この膜には付着しない。
除去ステップ：溶媒としてＦＣ−４３（洗浄）を使用。オイルのすべての可視の痕跡を除去する。
洗浄ステップ：追加のＯ２プラズマ洗浄（以下参照）。
【００３３】
実施例２：
スタック変更層：ＴＥＣグリース
除去ステップ：溶媒としてＦＣ−４３を使用する。ＦＣ−４３を用いた洗浄は、オイル又はグリースを溶解し、スタック変更層上の有機層の一部を除去させる。
洗浄ステップ：Ｏ２プラズマ洗浄（Ｄｉｅｎｅｒ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ社のプラズマプロセッサ「Ｎａｎｏ（ナノ）」）によって、スタック変更層又は溶媒の残っている痕跡を除去する。カバー蓋は、接着剤を使用して付与される。
言及されていない層は、実施例１に記載されるものと同じである。
【００３４】
図６は、第１の領域３１に沿って基板２を（破線ＣＴによって示されるように）切断（ＣＴ）することによって、第２の領域３２のアレイから本発明のＯＬＥＤデバイス１を製造する方法ステップの一実施形態を示す。第２の領域３２は、縞状の第１の領域３１が間にある行及び列で配置される矩形の第２の領域３２のアレイに配置される。構造化されたパターンは、第１の領域３１を発光する第２の領域３２間に配置することによって、第２の領域３２を互いから分離させ、基板２上の第２の領域３２を分割し、これにより、第１の領域３１に沿った基板２の機械的切断（ＣＴ）（例えばソーイング）を可能にするようにデザインされる。理解し易くするために、図６では、機能層スタック７の他の層は示していない。しかし、機能層スタックは、少なくとも、発光する第２の領域３２上に完成される。
【００３５】
本発明は、図面及び上述の記載において詳しく例示かつ説明されたが、当該例示及び説明は、例示であって限定と解釈されるべきではない。本発明は、開示された実施形態に限定されない。開示された実施形態に対する他の変更は、図面、開示内容及び添付の請求項の検討から、クレームされる発明を実施する際に、当業者によって理解かつ実現されよう。請求項において、「含む」との用語は、他の要素又はステップを排除するものではなく、また、「ａ」又は「ａｎ」との不定冠詞も、複数形を排除するものではない。単一の要素又は他のユニットが、請求項に記載される幾つかのアイテムの機能を発揮してもよい。特定の手段が相互に異なる従属請求項に記載されるからといって、これらの手段の組み合わせを有利に使用することができないことを示すものではない。請求項における任意の参照符号は、範囲を限定しているものと解釈されるべきではない。
【符号の説明】
【００３６】
１    本発明のＯＬＥＤデバイス（有機エレクトロルミネッセンス発光デバイス）
２    基板
３    第１の電極
３１  第１の電極の第１の領域
３２  第１の電極の第２の領域
４    第１の電極上に堆積されるスタック変更層
５    有機層スタック
５１  有機発光層
６    第２の電極
６１  第２の電極の接点パッド
７    機能層スタック
８    カバー蓋
８１  カバー蓋と機能層スタックとの間のボリューム
９    第２の化学的に不活性な液体
１０  溶媒
１１  グルーオン蓋
１２  薄膜封止
１３  放射された光
Ｃ          洗浄ステップ
ＣＬ        機能層スタックを封入するカバー蓋を基板に取り付ける
ＣＴ        第１の領域／切断線に沿って基板を切断する
Ｄ−ＯＬＳ  第１の電極又はスタック変更層上に有機層スタックを堆積させる
Ｄ−ＳＥ    有機層スタック上に第２の電極を堆積させる
Ｄ−ＳＭＬ  第１の電極上にスタック変更層を堆積させる
Ｆ−ＦＬＳ  機能層スタックを完成する
Ｆ−ＳＬ    少なくとも部分的に、第２の化学的に不活性の液体でカバー蓋を充填する
ＧＬ        グルーオン蓋を用いて機能層スタックを封入する
Ｍ          スタック変更層を手動で堆積させる
Ｏ          スタック変更層を堆積させる他の技術を使用する
Ｐ          基板に第１の電極を提供する
ＰＲ        スタック変更層をプリンティングする
Ｒ−ＳＭＬ  スタック変更層を除去する（除去ステップ）
ＴＦＥ      薄膜封止によって機能層スタックを封入する
ＶＰ        真空チャンバ内で薄膜堆積技術を使用する
【図１】
2014534594.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【国際調査報告】
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2014534594.tif 000010
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