(57)【要約】本発明は、太陽電池およびその製造方法に関し、より詳細には、乾式プラズマエッチングを用いて選択的エミッタ構造と表面テクスチャ化を同時に形成する太陽電池およびその太陽電池の製造方法に関する。この太陽電池は、シリコン半導体基板と、前記シリコン半導体基板の上部に、表面がテクスチャリング工程によりテクスチャ化され、選択的にドーピングされたエミッタドーピング層と、前記基板の前面に形成された反射防止膜層と、前記反射防止膜層を貫通させ、前記エミッタドーピング層に接続させた前面電極と、前記基板の背面に接続させた背面電極と、を含む。本発明によれば、単一の乾式プラズマエッチング装置で選択的ドーピングと表面テクスチャ化を同時に行うことにより高効率の太陽電池を実現することができる。【選択図】図１
2014505376.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン半導体基板と、
前記シリコン半導体基板の上部がテクスチャリング工程によりテクスチャ化され、選択的にドーピングされた表面を有するエミッタドーピング層と、
前記基板の前面に形成された反射防止膜層と、
前記反射防止膜層を貫通し、前記エミッタドーピング層に接続された前面電極と、
前記基板の背面に接続された背面電極と、を含むことを特徴とする太陽電池。
【請求項２】
前記シリコン半導体基板は、第３族元素または第５族元素の不純物でドーピングされ、前記エミッタドーピング層は、第３族元素または第５族元素の不純物が高濃度にドーピングされた第１エミッタドーピング層と、前記第３族元素または第５族元素の不純物が低濃度にドーピングされた第２エミッタドーピング層とに分けられ、前記第１エミッタドーピング層は、前記前面電極と接続された領域であることを特徴とする、請求項１に記載の太陽電池。
【請求項３】
前記エミッタドーピング層は、前記前面電極と接続されるエミッタドーピング層上にエッチングマスクパターンをマスクとしてスクリーンプリントを用いて形成され、前記第１エミッタドーピング層の線幅は５０〜２００μｍの範囲であり、前記第２エミッタドーピング層はエッチバックして形成されることを特徴とする、請求項２に記載の太陽電池。
【請求項４】
前記第１エミッタドーピング層は、面抵抗（Emitter Rsh）が６０Ω／ｓｑ以下の範囲であり、前記エミッタドーピング層のうち第２エミッタドーピング層は、面抵抗が７０Ω／ｓｑ〜１２０Ω／ｓｑの範囲であり、前記第２エミッタドーピング層はエッチバックして形成されることを特徴とする、請求項２に記載の太陽電池。
【請求項５】
シリコンウェハを準備するシリコンウェハ準備段階と、
前記シリコンウェハを切断した後、ＳＤＲ（Sawing Damage Removal）によりシリコン半導体基板を形成するシリコン半導体基板形成段階と、
前記シリコン半導体基板の上部にエミッタドーピング層を形成するエミッタドーピング層形成段階と、
スクリーンプリントを用いて、前記エミッタドーピング層上の前面電極接合点にエッチングマスクパターンを形成するエッチングマスクパターン形成段階と、
前記エッチングマスクパターンをマスクとし、前記エミッタドーピング層の表面にＲＩＥ（Reactive Ion Etching）テクスチャリング（texturing）を施すとともに、エミッタエッチバック（etch‐back）を形成するための選択的ドーピングを形成する選択的ドーピング形成段階と、
前記エッチバック後に残留するエッチングマスクパターンを除去するエッチングマスクパターン除去段階と、
前記シリコン半導体基板にＤＲＥ（Damage Removal Etching）を用いて前記エミッタドーピング層の表面のダメージを除去する表面ダメージ除去段階と、
前記シリコン半導体基板の前面に反射防止膜を形成する反射防止膜形成段階と、
前記反射防止膜を貫通させて前面電極を形成する前面電極形成段階と、
前記シリコン半導体基板の背面に背面電極を形成する背面電極形成段階と、を含むことを特徴とする、太陽電池の製造方法。
【請求項６】
前記シリコン半導体基板は、第３族元素または第５族元素の不純物でドーピングされ、前記エミッタドーピング層は、第３族元素または第５族元素の不純物が高濃度にドーピングされた第１エミッタドーピング層と、前記第３族元素または第５族元素の不純物が低濃度にドーピングされた第２エミッタドーピング層とに分けられ、前記第１エミッタドーピング層は、前記前面電極と接続された領域であることを特徴とする、請求項５に記載の太陽電池の製造方法。
【請求項７】
前記エッチングマスクパターン形成段階は、ペーストをスクリーン印刷してエッチングマスクパターンを形成する段階であることを特徴とする、請求項５または６に記載の太陽電池の製造方法。
【請求項８】
前記選択的ドーピング形成段階は、エッチングガス（Etch Gas）とＯ２が混合した乾式エッチャントを用いて前記エミッタドーピング層をエッチバックするとともに表面テクスチャ化を行う段階であることを特徴とする、請求項５または６に記載の太陽電池の製造方法。
【請求項９】
前記エミッタドーピング層のうち第１エミッタドーピング層は、面抵抗（Emitter Rsh）が６０Ω／ｓｑ以下の範囲であり、前記エミッタドーピング層のうち第２エミッタドーピング層は、面抵抗が７０Ω／ｓｑ〜１２０Ω／ｓｑの範囲であることを特徴とする、請求項６に記載の太陽電池の製造方法。
【請求項１０】
前記選択的ドーピング形成段階を経てエッチバックされたエミッタドーピング層は、エッチバックされていないエミッタドーピング層より面抵抗（Emitter Rsh）が高いことを特徴とする、請求項５または６に記載の太陽電池の製造方法。
【請求項１１】
前記第１エミッタドーピング層の線幅は５０〜２００μｍの範囲であることを特徴とする、請求項６に記載の太陽電池の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、太陽電池およびその製造方法に関し、より詳細には、乾式プラズマエッチングを用いて選択的エミッタ構造と表面テクスチャ化を同時に形成する太陽電池およびその太陽電池の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、石油や石炭のような既存のエネルギー資源の枯渇が予測されるにつれてこれらに代わる代替エネルギーへの関心が高まっている。その中でも太陽電池は、エネルギー資源が豊富で環境汚染に対する問題点がなく、特に注目されている。
【０００３】
太陽電池としては、太陽熱を用いてタービンを回転させるために必要な蒸気を発生する太陽熱電池と、半導体の性質を用いて太陽光（photons）を電気エネルギーに切り替える太陽光電池とが挙げられ、太陽電池とは、一般的に太陽光電池（以下、「太陽電池」とする）を指す。
【０００４】
太陽電池は、原料物質に応じてシリコン太陽電池（silicon solar cell）と、化合物半導体太陽電池（compound semiconductor solar cell）と、積層型太陽電池（tandem solar cell）とに大別される。このような３種類の太陽電池のうち太陽電池の市場ではシリコン太陽電池が主に使用されている。
【０００５】
このような太陽電池に太陽光が入射されると、光起電力効果（photovoltaic effect）によって不純物がドーピングされたシリコン半導体から電子と正孔が発生する。
【０００６】
これら電子と正孔は、それぞれｎ型シリコン半導体およびｐ型シリコン半導体の方に引き寄せられ、それぞれ基板の下部およびエミッタドーピング層の上部と接合した電極に移動し、この電極を電線で連結すると電流が流れる。
【０００７】
近年、電極とエミッタドーピング層との接触抵抗を低減するために、エミッタドーピング層のうち電極と接続するドーピング領域は厚く形成し（heavy doping）、そうでない領域はそれより薄く形成して（light doping）、キャリアのライフタイム（life time）を向上させる。このような構造を選択的エミッタ（selective emitter）と言う。
【０００８】
このような選択的エミッタに対するエッチバックによる選択的エミッタドーピング層の形成工程は、効率向上には有利であったが、高価の乾式プラズマエッチング装置を要したため量産ラインへの適用が困難であるという欠点があった。
【０００９】
また、このような選択的エミッタは、電極とエミッタドーピング層との接触抵抗を低減することで効率に大きく寄与するが、その製造工程が複雑で製造コストが高すぎるという問題がある。
【００１０】
また、表面テクスチャ化は、通常、湿式エッチング法を使用しているが、乾式エッチング法を使用する場合、表面反射率を低減できるという利点があるが工程コストが増加するという欠点がある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明は、上述の従来技術の問題を解決するために導き出されたものであり、シリコン太陽電池の効率性を向上させるための選択的ドーピングと乾式プラズマエッチングにより表面テクスチャ化を同時に行って工程数およびコストを低減する太陽電池およびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明は、上述の課題を解決するために、表面テクスチャ化と選択的ドーピングを一体型にし、ＲＩＥ工程により作製する太陽電池を提供する。この太陽電池は、シリコン半導体基板と、前記シリコン半導体基板の上部がテクスチャリング工程によりテクスチャ化され、選択的にドーピングされた表面を有するエミッタドーピング層と、前記基板の前面に形成された反射防止膜層と、前記反射防止膜層を貫通し、前記エミッタドーピング層に接続された前面電極と、前記基板の背面に接続させた背面電極と、を含む。
【００１３】
一方、本発明の他の実施例によれば、シリコンウェハを準備するシリコンウェハ準備段階と、前記シリコンウェハを切断した後、ＳＤＲ（Sawing Damage Removal）によりシリコン半導体基板を形成するシリコン半導体基板形成段階と、前記シリコン半導体基板の上部にエミッタドーピング層を形成するエミッタドーピング層形成段階と、スクリーンプリントを用いて前記エミッタドーピング層上の前面電極接合点にエッチングマスクパターンを形成するエッチングマスクパターン形成段階と、前記エッチングマスクパターンをマスクとし、前記エミッタドーピング層の表面にＲＩＥ（Reactive Ion Etching）テクスチャリング（texture）を施すとともに、エミッタエッチバック（etch‐back）を形成するための選択的ドーピングを形成する選択的ドーピング形成段階と、前記エッチバック後に残留するエッチングマスクパターンを除去するエッチングマスクパターン除去段階と、前記シリコン半導体基板にＤＲＥ（Damage Removal Etching）を用いて前記エミッタドーピング層の表面のダメージを除去する表面ダメージ除去段階と、前記シリコン半導体基板の前面に反射防止膜を形成する反射防止膜形成段階と、前記反射防止膜を貫通させて前面電極を形成する前面電極形成段階と、前記シリコン半導体基板の背面に背面電極を形成する背面電極形成段階と、を含むことを特徴とする太陽電池の製造方法を提供する。
【００１４】
ここで、前記シリコン半導体基板は、第３族元素または第５族元素の不純物でドーピングされ、前記エミッタドーピング層は、第３族元素または第５族元素の不純物が高濃度にドーピングされた第１エミッタドーピング層と、前記第３族元素または第５族元素の不純物が低濃度にドーピングされた第２エミッタドーピング層とに分けられることを特徴とする。
【００１５】
この際、前記第１エミッタドーピング層は、前記前面電極と接続された領域であることを特徴とする。
【００１６】
ここで、前記エッチングマスクパターン形成段階は、ペーストをスクリーン印刷してエッチングマスクパターンを形成する段階であることを特徴とする。
【００１７】
また、前記選択的ドーピング形成段階は、エッチングガス（Etch Gas）とＯ２が混合した乾式エッチャントを用いて前記エミッタドーピング層をエッチバックするとともに表面テクスチャ化を行う段階であることを特徴とする。
【００１８】
この際、前記エミッタドーピング層のうち第１エミッタドーピング層は、面抵抗（sheet resistance）（Emitter Rsh）が６０Ω／ｓｑ以下の範囲であることを特徴とする。
【００１９】
また、前記エミッタドーピング層のうち第２エミッタドーピング層は、面抵抗が７０Ω／ｓｑ〜１２０Ω／ｓｑの範囲であることを特徴とする。
【００２０】
また、前記選択的ドーピング形成段階を経てエッチバックされたエミッタドーピング層は、エッチバックされていないエミッタドーピング層より面抵抗（Emitter Rsh）が高いことを特徴とする。
【００２１】
ここで、前記第１エミッタドーピング層の線幅は５０〜２００μｍの範囲であることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、単一の乾式プラズマエッチング装置で選択的ドーピングと表面テクスチャ化を同時に行うことにより、高効率の太陽電池を実現することができる。
【００２３】
また、本発明の他の効果としては、湿式テクスチャリング装置の除去によりコストを低減して、量産ラインに適用できるエッチバックによる選択的ドーピング太陽電池の製造が可能であるという点が挙げられる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
前記目的および他の目的、特徴、および本発明の利点は、後述する図面に関する詳細な説明により明らかになる。
【図１】本発明の一実施例により乾式プラズマエッチングを用いてシリコン太陽電池の選択的ドーピングと表面テクスチャ化を同時に実現した時に生成される太陽電池を製造する過程を示すフローチャートである。
【図２】図１に示されたフローチャートに沿って太陽電池の製造工程を示す断面図である。
【図３】図１に示されたフローチャートに沿って太陽電池の製造工程を示す断面図である。
【図４】図１に示されたフローチャートに沿って太陽電池の製造工程を示す断面図である。
【図５】図１に示されたフローチャートに沿って太陽電池の製造工程を示す断面図である。
【図６】図１に示されたフローチャートに沿って太陽電池の製造工程を示す断面図である。
【図７】図１に示されたフローチャートに沿って太陽電池の製造工程を示す断面図である。
【図８】図１に示されたフローチャートに沿って太陽電池の製造工程を示す断面図である。
【図９】図１に示されたフローチャートに沿って太陽電池の製造工程を示す断面図である。
【符号の説明】
【００２５】
２００  シリコン半導体基板
２１０  エミッタドーピング層
２２０  エッチングマスクパターン
２３０  第２エミッタドーピング層
２４０  第１エミッタドーピング層
２３１  凹部
２３３  凸部
２５０  反射防止膜層
２７０  前面電極
２８０  背面電極
２９０  ｐ＋形成層
【発明を実施するための形態】
【００２６】
本発明は、様々な変更を施し、様々な実施例を有することにより、特定の実施例を図面に例示し、詳細に説明する。しかし、これは本発明を特定の実施形態に対して限定するためではなく、本発明の思想および技術範囲に含まれるすべての変更、均等物乃至代替物を含むことと理解しなければならない。各図について説明しながら類似の参照符号を類似の構成要素に対して使用した。
【００２７】
「第１、第２」などの用語は、様々な構成要素を説明するために使用されることができるが、前記構成要素は前記用語によって限定されてはならない。前記用語は一つの構成要素と他の構成要素とを区別する目的のみで使用される。例えば、本発明の権利範囲から外れることなく、第１構成要素を第２構成要素と名づけることができ、同様に第２構成要素も第１構成要素と名づけることができる。「および／または」という用語は、複数の関連記載の項目の組み合わせまたは複数の関連記載の項目のうちいずれかの項目を含む。
【００２８】
ある構成要素が他の構成要素に「連結されて」いるか「接続されて」いると言及されたときには、その他の構成要素に直接連結されているかまたは接続されていることもあるが、中間に他の構成要素が存在することがあると理解しなければならない。反面、ある構成要素が他の構成要素に「直接連結されて」いるか「直接接続されて」いると言及されたときには、中間に他の構成要素が存在していないと理解しなければならない。
【００２９】
本明細書で使用される用語は、単に特定の実施例を説明するために使用されたものであって、本発明を限定する意図は有していない。単数の表現は文脈上明らかに異なっていない限り、複数の表現を含む。本出願において、「含む」または「有する」などの用語は、明細書に記載の特徴、数字、段階、動作、構成要素、部品またはこれらを組み合わせたものが存在することを示すものであって、一つまたはそれ以上の他の特徴や数字、段階、動作、構成要素、部品またはこれらを組み合わせたものなどの存在または付加可能性を予め排除しないものと理解しなければならない。
【００３０】
他の定義がない限り、技術的または科学的な用語を含みここで使用されるすべての用語は、本発明が属する技術分野において通常の知識を有する者によって一般的に理解されるものと同一の意味を有している。通常使用される辞書に定義されているような用語は、関連技術の文脈上有する意味と一致する意味を有するものと解釈しなければならず、本出願において明白に定義しない限り、理想的または過度に形式的な意味に解釈しない。
【００３１】
以下、添付の図面を参照して本発明に係る太陽電池およびその製造方法について詳細に説明する。
【００３２】
通常、シリコン太陽電池は、ｐ型シリコン半導体からなる基板と、ｎ型シリコン半導体からなるエミッタドーピング層と、を含み、基板とエミッタドーピング層との界面にはダイオードと同様にｐ‐ｎ接合が形成されている。
【００３３】
前記のような構造を有する太陽電池に太陽光が入射されると、光起電力効果（photovoltaic effect）によって不純物がドーピングされたシリコン半導体から電子と正孔が発生する。
【００３４】
参考までに、ｎ型シリコン半導体からなるエミッタドーピング層からは電子が多数キャリアとして発生し、ｐ型シリコン半導体からなる基板からは正孔が多数キャリアとして発生する。
【００３５】
光起電力効果によって発生した電子と正孔は、それぞれｎ型シリコン半導体およびｐ型シリコン半導体の方に引き寄せられ、それぞれ基板の下部およびエミッタドーピング層の上部と接合した電極に移動し、この電極を電線で連結すると電流が流れる。
【００３６】
図１は本発明の一実施例により乾式プラズマエッチングを用いてシリコン太陽電池の選択的ドーピングと表面テクスチャ化を同時に実現したときに生成される太陽電池を製造する過程を示すフローチャートである。
【００３７】
すなわち、図１は、表面テクスチャリング（texturing）と選択的ドーピングを一体型にし、ＲＩＥ（Reactive Ion Etching）工程により太陽電池を製造する段階を示す。図１を参照すると、次のような過程を経て太陽電池が製造される。
【００３８】
（ａ）第３族元素の不純物がドーピングされたシリコンウェハ基板を準備し、準備したウェハ基板を切断して（sawing）、シリコン半導体基板を作製し、このシリコン半導体基板に対してＳＤＲ（Sawing Damage Removal）を行う（段階Ｓ１００）。
【００３９】
詳細に、切断（sawing）によって発生した損傷を除去するためにＳＤＲ工程が要求され、この場合、ＳＤＥ（Saw Damage Etching）が行われる。すなわち、ＳＤＥ工程では、ケミカルを使用して基板表面をエッチングするか表面に形成された酸化膜（Phosphoric silicate glass layer）を除去する。
【００４０】
このように生成されたシリコン半導体基板２００が図２に示される。
【００４１】
（ｂ）シリコン半導体基板（図２の２００）の上部に第５族元素を有する不純物をドーピングして基板の上部にエミッタドーピング層を形成する（段階Ｓ１１０）。これが図３に示される。これにより、シリコン半導体基板２００上に所定厚さのドーピング層２１０が形成される。
【００４２】
このようなドーピング工程には、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）方式、イオンプレーティング法、ＤＣ（Direct Current）またはＲＦ（Radio Frequency）または熱（thermal）を用いたプラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法、ＰＶＤ（Physical Vapor Deposition）法、またはＥＣＲ（Electron Cyclotron Resonance）、エピタキシャル成長法（epitaxial growth）、ＤＣ、ＲＦまたはイオンビームを用いたスパッタリング法、レーザ合成法などが使用されることができる。
【００４３】
（ｃ）スクリーンプリントを用いて前記エミッタドーピング層上の前面電極の接合点（すなわち、前面電極を形成するための位置）にエッチングマスクパターンを形成する（段階Ｓ１２０）。これが図４に示される。これにより、シリコン半導体基板２００上に、エミッタドーピング層２１０とこのエミッタドーピング層２１０上にエッチングマスクパターン２２０が順に積層される。
【００４４】
ここで、エッチングマスクパターンは、無機物粒子と、有機溶剤と、樹脂と、を含むガラスフリットペースト（glass fritpaste）をスクリーン印刷して形成される。
【００４５】
（ｄ）前記のエッチングマスクパターン（図４の２２０）をマスクとし、このエミッタドーピング層（図４の２２０）の表面にＲＩＥテクスチャリング（texturing：微細構造化）を施すとともにエミッタエッチバック（etch‐back）を形成して選択的ドーピングを行う（段階Ｓ１３０）。これが図５に示される。これにより、シリコン半導体基板２００上に積層されたエミッタドーピング層２１０が、第１エミッタドーピング層２４０と第２エミッタドーピング層２３０とに分けられる。
【００４６】
すなわち、第５族元素の不純物が高濃度にドーピングされた第１エミッタドーピング層２４０と第５族元素の不純物が低濃度にドーピングされた第２エミッタドーピング層２３０が段差を形成して分けられる。これは、エミッタドーピング層のうち電極と接続するドーピング領域は厚く形成し（heavy doping）、そうではない領域はそれより薄く形成して（light doping）、キャリアのライフタイム（life time）を向上させる。このような構造を選択的エミッタ（selective emitter）と言う。
【００４７】
次いで、図１における段階Ｓ１３０について説明すると、この際、テクスチャリング工程もともに行われることにより、第２エミッタドーピング層（図５の２３０）は図５の拡大図に示されたように表面が凹凸２３１、２３３をなす。したがって、このような凹凸表面により受光効率が向上する。ここで、第２エミッタドーピング層２３０の面抵抗（Emitter Rsh）は、７０Ｏｈｍ／ｓｑ〜１２０Ｏｈｍ／ｓｑの範囲であり、第１エミッタドーピング層２４０の面抵抗は、６０Ω／ｓｑ以下の範囲である。
【００４８】
代案として、エッチガス（Etch Gas）＋Ｏ２プラズマのような乾式エッチャントを用いてエミッタドーピング層をエッチバックし、表面テクスチャ化を行うことも可能である。
【００４９】
（ｅ）エッチバック後に残留するエッチングマスクパターン（図５の２２０）を除去する（段階Ｓ１４０）。これが図６に示される。
【００５０】
（ｆ）シリコン半導体基板からエッチングマスクパターンを除去した後、シリコン半導体基板に対してＤＲＥ（Damage Removal Etching）工程を行って受光部（すなわち、第２エミッタドーピング層（図６の２３０）表面）のダメージを除去し、シリコン半導体基板の表面の前面に反射防止膜を形成する（段階Ｓ１５０、Ｓ１６０）。これが図７に示される。
【００５１】
これにより、シリコン半導体基板２００のエミッタドーピング層２１０の表面に所定厚さの反射防止膜層２５０が蒸着されて積層される。反射防止膜層は、光が反射することを防止し、光が効率的に吸収されるようにするコーティング膜であって、ＳｉＯ、ＣｅＯ２、Ｓｉ３Ｎ４、Ａｌ２Ｏ３などが用いられる。
【００５２】
（ｇ）反射防止膜層（図７の２５０）が形成されると、電極をプリンティング（印刷）して前面電極と背面電極を形成する（段階Ｓ１７０）。これが図８に示される。図８を参照すると、第１エミッタドーピング層２４０上に前面電極２７０が形成され、シリコン半導体基板２００の下端に背面電極２８０が形成される。
【００５３】
この際、前面電極２７０は、熱処理される前の太陽電池電極用ペーストが太陽電池の反射防止膜層２５０の表面に塗布されて所定形状を維持している状態である。
【００５４】
太陽電池電極用ペーストとしては、銅、銀、アルミニウムなどの粉末ペーストが使用されてもよく、通常、反射防止膜層２５０上にグリッドパターンとして印刷された後に焼結されて前面電極２７０を形成する。また、背面電極２８０はアルミニウム金属を使用する。
【００５５】
（ｈ）次いで、図１について説明すると、電極をプリンティングした後、熱処理を施す（Ｓ１８０）。このような熱処理工程により太陽電池が製造される。これが図９に示される。
【００５６】
図９を参照すると、通常、太陽電池電極用ペーストは完全な固体状態でないため、熱処理（すなわち、焼成（firing））過程により固体化し、反射防止膜層２５０に侵透して電気的な連結をなす。
【００５７】
また、シリコン半導体基板２００の下端には背面電極２８０が形成される。したがって、本発明に係るシリコン太陽電池は、第３族の不純物がドーピングされたシリコン半導体基板２００と、シリコン半導体基板２００の上部に第５族元素を有する不純物がドーピングされたエミッタドーピング層２１０と、シリコン半導体基板２００の前面に形成された反射防止膜層２５０と、反射防止膜層２５０を貫通させてエミッタドーピング層２１０に接続した前面電極２７０と、シリコン半導体基板２００の背面に接続した背面電極２９０と、を含む。
【００５８】
この際、エミッタドーピング層２１０は、前記第５族元素の不純物が高濃度にドーピングされた第１エミッタドーピング層２４０と、第５族元素の不純物が低濃度にドーピングされた第２エミッタドーピング層２３０とに分けられ、第２エミッタドーピング層２３０の面抵抗（Emitter Rsh）が７０Ｏｈｍ／ｓｑ〜１２０Ｏｈｍ／ｓｑの範囲であることを特徴とする。
【００５９】
この際、面抵抗を増加させ、且つ太陽光の反射率を低減するために表面テクスチャ化が行われる。エミッタドーピング層２１０は、スクリーンプリントを用いて前面電極２７０と接続するエミッタドーピング層２１０上にエッチングマスクパターンをマスクとして形成されることを特徴とする。前記第２エミッタドーピング層は、エッチバックして形成されることを特徴とする。
【００６０】
第１エミッタドーピング層２４０は、前面電極２７０と接続する領域であることを特徴とする。第１エミッタドーピング層２４０の最適な線幅は５０〜２００μｍの範囲であることを特徴とする。
【００６１】
勿論、背面電極２８０の上端にはｐ＋形成層２９０が形成される。
【図１】
2014505376.tif 000003
【図２】
2014505376.tif 000004
【図３】
2014505376.tif 000005
【図４】
2014505376.tif 000006
【図５】
2014505376.tif 000007
【図６】
2014505376.tif 000008
【図７】
2014505376.tif 000009
【図８】
2014505376.tif 000010
【図９】
2014505376.tif 000011
【国際調査報告】
2014505376.tif 000012
2014505376.tif 000013