(57)【要約】  対向する両側面を有し、ＵＶ透過性中心高分子基板と、高分子基板のそれぞれの対向する両主表面上の透明導電性層と、各透明導電性層上の金属導電性層と、各金属導電性層上のパターン化された写真影像マスクと、を含む、多層構造体（例えば、接触センサなど）を含む、物品。【選択図】３ａ
2014534458.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向する両側面を有し、対向する両主表面を有するＵＶ透過性中心高分子基板と、前記高分子基板のそれぞれの対向する両主表面上の透明導電性層と、各透明導電性層上の金属導電性層と、を含む、多層構造体を用意する工程と、
両方の金属導電性層上に第１写真影像層を塗布及びパターン化して、前記透明導電性層用の所望のパターンを有する写真影像マスクを形成する工程と、
前記写真影像マスクによって露出された前記金属導電性層及び透明導電性層の部分をエッチングする工程と、
前記写真影像マスクを除去する工程と、
各金属導電性層の残部の上に第２写真影像層を塗布及びパターン化して、前記金属導電性層用の所望のパターンを有する写真影像マスクを形成する工程と、
前記金属導電性層の露出部分をエッチングする工程と、を含む、方法。
【請求項２】
対向する両側面を有し、対向する両主表面を有するＵＶ透過性中心高分子基板と、前記高分子基板のそれぞれの対向する両主表面上の透明導電性層と、各透明導電性層上の金属導電性層と、を含む、多層構造体を用意する工程と、
両方の金属導電性層上に第１写真影像層を塗布及びパターン化して、前記透明導電性層及び前記金属導電性層用の所望のパターンを有する写真影像マスクを形成する工程と、
前記写真影像マスクによって露出された前記金属導電性層及び透明導電性層の部分をエッチングする工程と、
前記写真影像マスクを除去する工程と、
各金属導電性層の残部の上に第２写真影像層を塗布及びパターン化して、前記金属導電性層の所望のパターンを保護する写真影像マスクを形成する工程と、
前記金属導電性層の露出部分をエッチングする工程と、を含む、方法。
【請求項３】
前記多層構造体の対向する側面上の前記写真影像層が、同時に紫外線に露光される、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
前記多層構造体の対向する側面上の前記金属導電性層が、同時にエッチングされる、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項５】
前記多層構造体の対向する側面上の前記透明導電性層が、同時にエッチングされる、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項６】
前記金属導電性層の一方又は両方用の所望のパターンが、前記透明導電性層を装置に接続するための回路を含む、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項７】
前記金属導電性層の露出部分が、ＩＴＯをエッチングしないエッチング剤を使用してエッチングされる、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項８】
対向する両側面を有し、ＵＶ透過性中心高分子基板と、前記高分子基板のそれぞれの対向する両主表面上の透明導電性層と、各透明導電性層上の金属導電性層と、を含む、多層構造体を含む、物品。
【請求項９】
前記多層構造体が、各金属導電性層上のパターン化された写真影像マスクを更に含む、請求項８に記載の物品。
【請求項１０】
両方の透明導電性層がパターン化される、請求項８に記載の物品。
【請求項１１】
前記透明導電性層がインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）を含む、請求項８に記載の物品。
【請求項１２】
前記透明導電性層がＩＴＯ及び酸化ケイ素の層を含む、請求項８に記載の物品。
【請求項１３】
前記多層構造体が、非接触感知領域と、前記非接触感知領域から延びる少なとも１つの長手方向コネクタ尾部と、を含む、請求項８に記載の物品。
【請求項１４】
対向する両側面を有し、対向する主表面を有するＵＶ透過性中心高分子基板と、前記基板の対向する主表面上のパターン化された透明導電性層と、を含む、多層構造体を含み、前記ＵＶ透過性高分子基板が約１．６０を超える屈折率を有する、物品。
【請求項１５】
両方の透明導電性層上のパターン化された金属導電性層を更に含む、請求項１４に記載の物品。
【発明の詳細な説明】
【背景技術】
【０００１】
接触感知装置は、ユーザーが、タブレット、タッチホン、及び他の市販の接触式対話型システムを典型的に含む電子システムと情報をやりとりするための、ますます一般的な方法になってきている。接触感知装置は、機械的ボタン、キーパッド、キーボード、及び位置決め装置の必要性を低減すること又は排除することによって、ユーザーが電子システム及び電子ディスプレイと好都合にインターフェースをとるのを可能にする。例えば、ユーザーは、アイコンによって識別される位置にあるディスプレイ上のタッチスクリーンに単純に触れることで、複雑な一連の指示を実行することができる。
【０００２】
例えば、抵抗、赤外線、容量、弾性表面波、電磁気、近視野像等を含む、接触感知装置を実施するのを目的とした何種類かの技術が存在する。容量式接触感知装置は、多くの用途で有効に機能することが見出されている。多くの接触感知装置では、センサの導電性物体がユーザーの指などの導電性接触手段と容量的に結合したときに、入力が感知される。一般に、２つの導電性部材が実際の接触を伴わずに相互に接近するときはいつでも、これらの間に静電容量が形成される。容量式接触感知装置の場合、指などの物体が接触感知表面に接近すると、この物体と、この物体にごく近接している感知点との間にごくわずかな静電容量が生じる。感知点それぞれの静電容量の変化を感知し、かつ感知点の位置を認識することによって、感知回路は、複数の物体を認識し、物体が接触面を横断する際にこの物体の特徴を判定することができる。
【０００３】
容量式接触感知装置は、多くの場合に感知素子としてパターン化された透明導電体の層を含む。パターン化された透明導電体は、多くの場合に長くて細い透明導電性電極の配列を行及び列の形態で含む。電気コンタクトは、導電性金属パターンを提供することにより制御装置と透明電極との間に設定される。ある既知の方法では、異方性導電フィルム（ＡＣＦ）結合を使用してフレキシブルプリント回路（ＦＰＣ）を透明導電体の尾部に直接結合する。別の既知の方法では、印刷法により導電性金属パターン及びボンディングパッドを各透明電極に提供する。例えば、導電性インクを透明導電体上に適用し、焼成して、透明電極の尾部に導電トレースを生成する。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ＦＰＣ及びＡＣＦ結合プロセスは高コストであり、高サイクル時間を伴う。導電性インク印刷法は、導電性インク印刷プロセスによりファインピッチを提供する際の制約のために、センサの広い非感知領域を必要とする。更に、より高い焼成温度によって、例えば、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）でのひび割れ及びベースフィルムからのヘイズ形成などの、信頼性の問題が生じる。
【０００５】
マトリックス形式のセンサを得るには、光学的に透明な接着剤を使用して行電極及び列電極を直交方向に積層する。行及び列電極間で精密な配列が重要であり、そうでなければ結果的に低い歩留りになるであろう。更に、積層プロセス中の気泡及びエアギャップの形成は避けられない。光学的に透明な接着剤及びベースポリエステルフィルムを共に有する行及び列電極の層は、結果的に厚いセンサになることがある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
一態様では、本発明は、対向する両側面を有し、対向する両主表面を有するＵＶ透過性中心高分子基板と、高分子基板のそれぞれの対向する両主表面上の透明導電性層と、各透明導電性層上の金属導電性層と、を含む、多層構造体（例えば、接触センサなど）を用意する工程と、両方の金属導電性層上に第１写真影像層を塗布及びパターン化して、透明導電性層用の所望のパターンを有する写真影像マスクを形成する工程と、写真影像マスクによって露出された金属導電性層及び透明導電性層の部分をエッチングする工程と、写真影像マスクを除去する工程と、各金属導電性層の残部の上に第２写真影像層を塗布及びパターン化して、金属導電性層用の所望のパターンを有する写真影像マスクを形成する工程と、金属導電性層の露出部分をエッチングする工程と、を含む、方法を提供する。
【０００７】
別の態様では、本発明は、対向する両側面を有し、対向する両主表面を有するＵＶ透過性中心高分子基板と、高分子基板のそれぞれの対向する両主表面上の透明導電性層と、各透明導電性層上の金属導電性層と、を含む、多層構造体（例えば、接触センサなど）を用意する工程と、両方の金属導電性層上に第１写真影像層を塗布及びパターン化して、透明導電性層及び金属導電性層用の所望のパターンを有する写真影像マスクを形成する工程と、写真影像マスクによって露出された金属導電性層及び透明導電性層の部分をエッチングする工程と、写真影像マスクを除去する工程と、各金属導電性層の残部の上に第２写真影像層を塗布及びパターン化して、金属導電性層の所望のパターンを保護する写真影像マスクを形成する工程と、金属導電性層の露出部分をエッチングする工程と、を含む、方法を提供する。
【０００８】
別の態様では、本発明は、対向する両側面を有し、ＵＶ透過性中心高分子基板と、高分子基板のそれぞれの対向する両主表面上の透明導電性層と、各透明導電性層上の金属導電性層と、各金属導電性層上のパターン化された写真影像マスクと、を含む、多層構造体（例えば、接触センサなど）を含む、物品を提供する。
【０００９】
別の態様では、本発明は、対向する両側面を有し、対向する主表面を有するＵＶ透過性中心高分子基板と、基板の対向する主表面上のパターン化された透明導電性層と、両方の透明導電性層上のパターン化された金属導電性層と、を含む、多層構造体（例えば、接触センサなど）を含み、ＵＶ透過性高分子基板が約１．６０を超える屈折率を有する、物品を提供する。
【００１０】
上記の本発明の課題を解決するための手段は、本発明の開示されるそれぞれの実施形態、又は本発明のすべての実施を説明することを目的としたものではない。以下の添付図面及び詳細な説明により、例示的な実施形態をより具体的に例示する。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の態様による接触感知装置及び電子機器の代表的な実施形態の概略平面図である。
【図２】本発明の態様による多層構造体の代表的な実施形態の断面図である。
【図３ａ】本発明の態様による多層構造体の代表的な実施形態の平面図であり。
【図３ｂ】本発明の態様による多層構造体の代表的な実施形態の断面図である。
【図４】本発明の態様による多層構造体の代表的な実施形態の断面図である。
【図５】本発明の態様による多層構造体の代表的な実施形態の断面図である。
【図６】本発明の態様による多層構造体の代表的な実施形態の断面図である。
【図７ａ】本発明の態様による多層構造体の代表的な実施形態の平面図であり。
【図７ｂ】本発明の態様による多層構造体の代表的な実施形態の断面図である。
【図８ａ】本発明の態様による多層構造体の代表的な実施形態の概略平面図である。
【図８ｂ】本発明の態様による多層構造体の代表的な実施形態の概略平面図である。
【図８ｃ】本発明の態様による多層構造体の代表的な実施形態の概略平面図である。
【図８ｄ】本発明の態様による多層構造体の代表的な実施形態の概略平面図である。
【図８ｅ】本発明の態様による多層構造体の代表的な実施形態の概略平面図である。
【図９】本発明の態様による多層構造体の代表的な実施形態の断面図である。
【図１０ａ】本発明の態様による多層構造体の代表的な製造方法の工程の断面図である。
【図１０ｂ】本発明の態様による多層構造体の代表的な製造方法の工程の断面図である。
【図１０ｃ】本発明の態様による多層構造体の代表的な製造方法の工程の断面図である。
【図１０ｄ】本発明の態様による多層構造体の代表的な製造方法の工程の断面図である。
【図１０ｅ】本発明の態様による多層構造体の代表的な製造方法の工程の断面図である。
【図１０ｆ】本発明の態様による多層構造体の代表的な製造方法の工程の断面図である。
【図１０ｇ】本発明の態様による多層構造体の代表的な製造方法の工程の断面図である。
【図１０ｈ】本発明の態様による多層構造体の代表的な製造方法の工程の断面図である。
【図１０ｉ】本発明の態様による多層構造体の代表的な製造方法の工程の断面図である。
【図１１】本発明の態様による多層構造体の代表的な実施形態の断面図である。
【図１２ａ】本発明の態様による多層構造体の代表的な実施形態の平面図、断面図、及び反射率のグラフである。
【図１２ｂ】本発明の態様による多層構造体の代表的な実施形態の平面図、断面図、及び反射率のグラフである。
【図１２ｃ】本発明の態様による多層構造体の代表的な実施形態の平面図、断面図、及び反射率のグラフである。
【図１２ｄ】本発明の態様による多層構造体の代表的な実施形態の平面図、断面図、及び反射率のグラフである。
【図１２ｅ】本発明の態様による多層構造体の代表的な実施形態の平面図、断面図、及び反射率のグラフである。
【図１２ｆ】本発明の態様による多層構造体の代表的な実施形態の平面図、断面図、及び反射率のグラフである。
【００１２】
図中、同様の参照番号は同様の構成要素を示す。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下の好適な実施形態の詳細な説明では、その一部をなす添付の図面を参照する。添付の図面は、本発明を実施することが可能な具体的な実施形態を例として示す。他の実施形態の使用も可能であり、また本発明の範囲から逸脱することなく構造上又は論理上の変更を行い得る点は理解されるであろう。したがって、以下の詳細な説明は限定的な意味で解釈されるべきものではなく、本発明の範囲は添付の特許請求の範囲によって定義されるものである。
【００１４】
本発明の少なくともいくつかの実施形態は、基板の対向する側面上の行及び列電極からなるマトリックス形式の電極を含む。これは、透明電極、光学的に透明な接着剤、及び積層プロセスを伴う、２つの基板層を不要にすることができる。更に、本発明の少なくともいくつかの実施形態では、透明電極を、例えば、制御ユニットに接続するために、ファインピッチ密度を有する導電母線及びボンディングパッドを提供する。透明電極の縁部に沿ったファインピッチ導電母線は、非接触感知領域を減らし、より大型の別個のコネクタ、高価な別個のＦＰＣ、透明電極に結合するＡＣＦ、導電性インク印刷、及び焼成プロセスを不要にする。導電性インク印刷と比べて、実質的な垂直壁及び最適化された上面領域を有する導電母線を実現することができる。本発明の実施形態は、例えば、約８７％を超える高透過率と、例えば、１％を下回る低ヘイズと、を提供し得る。比較的密集した導電母線を提供できることから、本発明の実施形態は、低い抵抗と高い信号応答とを提供することができる。
【００１５】
電極パターンは、棒状、三角形、ハニカム、又は任意の他の好適なパターンを具現し得る。透明電極は、電極間又は対接地静電容量の電極の変化を検出し、それによって、接触又はニア接触の座標を決定する電子部品に連結され得る。
【００１６】
図１は、本発明の態様による接触感知装置及び電子機器の代表的な実施形態を示す。接触感知装置１１０は、電子回路（簡略化のために１１４と表示される１つの概略的なボックスにまとめられ、総じて制御装置と呼ばれる）に接続された接触パネル１１２を含む。
【００１７】
接触パネル１１２は、列電極１１６ａ〜ｅ及び行電極１１８ａ〜ｅの５×５マトリックスを有するものとして示されるが、他の数の電極及びマトリックスの寸法も用いることができる。接触パネル１１２は、典型的には、ユーザーが、コンピュータ、手持ち式の装置、携帯電話、又は他の周辺機器の画素化されたディスプレイなどの物体をパネル１１２を通して見ることができるように、実質的に透明である。境界１２０は、パネル１１２の表示領域、またかかるディスプレイを使用する場合は、好ましくはその表示領域を表す。電極１１６ａ〜ｅ、１１８ａ〜ｅは、平面透視図で見て、表示画面１２０全体に空間的に分布する。図の簡略化のために、電極は、幅広で目立つように示されているが、実際には、これらは比較的狭く、ユーザーの注意を引かなくてもよい。更に、電極間のフリンジフィールドを増大させて、それにより電極間の容量結合における接触の影響を増大させるために、電極は、可変幅、例えば、マトリックスのノード付近でダイヤモンド又はその他の形状のパッドに拡大した幅を有するように設計され得る。代表的な実施形態では、電極は、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）又はその他の好適な導電性材料で構成されてもよい。奥行きの観点からすると、列電極と行電極との間で著しい導電性接触が生じず、所与の列電極と所与の行電極との間の唯一の著しい電気的結合が容量結合であるように、列電極は行電極とは異なる面に位置してよい（図１の観点からすると、列電極１１６ａ〜ｅは行電極１１８ａ〜ｅの下に位置する）。ユーザーの指又は他の接触関連手段との直接的な物理的接触から電極が保護されるように、電極のマトリックスは、典型的には、カバーガラス、プラスチックフィルムなどの下に位置する。かかるカバーガラス、フィルムなどの露出面は、接触面と呼ばれる場合がある。
【００１８】
所与の行電極と列電極との間の容量結合は、電極が互いに最も近接している領域内の電極の形状と主に相関する。このような領域は、電極マトリックスの「ノード」に対応し、このノードのいくつかが図１に示されている。例えば、列電極１１６ａと行電極１１８ｄとの間の容量結合は、主にノード１２２で発生し、列電極１１６ｂと行電極１１８ｅとの間の容量結合は、主にノード１２４で発生する。図１の５×５マトリックスは２５のこのようなノードを有し、これらのうちの任意の１つは、対応する列電極１１６ａ〜ｅを制御装置に個別に連結する制御線１２６の１つの適切な選択、及び対応する行電極１１８ａ〜ｅを制御装置に個別に連結する制御線１２８の１つの適切な選択を介して、制御装置１１４によってアドレス指定される。
【００１９】
ユーザーの指１３０又は他の接触手段が、接触位置１３１に示すような装置１１０の接触面に接触又はほぼ接触するとき、指は、電極マトリックスに容量的に結合し、マトリックスから、特に接触位置に最も近い位置にあるそれらの電極から、離れる方向に電荷を引き出し、そうすることで最も近いノードに対応する電極間の結合静電容量を変化させる。例えば、接触位置１３１における接触は、電極１１６ｃ／１１８ｂに対応するノードに最も近い位置にある。下記に詳述するように、結合静電容量のこの変化は、制御装置１１４によって検出され得、１１６ｃ／１１８ｂノードにおける接触又は１１６ｃ／１１８ｂノード付近の接触であると判断され得る。好ましくは、制御装置は、容量の変化がある場合には、マトリックスの全てのノードでの静電容量の変化を迅速に検出するように構成され、ノード間にある接触位置を補間によって正確に判定するために、隣接するノードの静電容量変化の大きさを分析することが可能である。更に、制御装置１１４は、接触装置の異なる部分に、同時に又は重複する時間で加えられた複数の異なる接触を検出するように有利に設計される。したがって、例えば、指１３０の接触と同時に別の指１３２が装置１１０の接触面の接触位置１３３を接触する場合、又はそれぞれの接触が少なくとも時間的に重複している場合、制御装置は、好ましくは両方のかかる接触の位置１３１、１３３を検出し、かかる位置を接触出力１１４ａに提供することが可能である。制御装置１１４が検出可能な別個の同時に起こる又は時間的に重複する接触の数は、好ましくは２つに限定されず、例えば、電極マトリックスの大きさに応じて、３つ、４つ、又はそれ以上であってよい。
【００２０】
制御装置１１４は、電極マトリックスのいくつかの又は全てのノードでの結合静電容量を迅速に判定することを可能にする、様々な回路モジュール及び構成要素を採用してもよい。例えば、制御装置は、少なくとも１つの信号発生器、つまり駆動ユニットを含んでもよい。駆動ユニットは、駆動電極と呼ばれる１組の電極に駆動信号を供給する。図１の実施形態では、列電極１１６ａ〜ｅが駆動電極として用いられてよいか、行電極１１８ａ〜ｅが駆動電極として用いられてよい。駆動信号は、様々な方法で電極に供給されてもよく、例えば、スキャンされる順序で最初の駆動電極から最後の駆動電極まで１度に１つの駆動電極に供給されてもよい。かかる電極のそれぞれが駆動されると、制御装置は、受信電極と呼ばれる他の電極のセットをモニタする。制御装置１１４は、全ての受信電極に結合された１つ以上の感知ユニットを含んでよい。接触パネル１１２になされた多数の接触を感知するのに好適な回路は、米国特許出願公開第２０１０／０３００７７３号「Ｈｉｇｈ  Ｓｐｅｅｄ  Ｍｕｌｔｉ−Ｔｏｕｃｈ  Ｄｅｖｉｃｅ  ａｎｄ  Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ  Ｔｈｅｒｅｆｏｒ」に更に記載されている。
【００２１】
制御装置は、一連の応答信号入力から電荷を蓄積するための回路も含むことができる。このための代表的な回路装置は、１つ以上の蓄電池、例えば、１つ以上のコンデンサを含んでよく、その選択は、駆動信号及び対応する応答信号の性質に依存してよい。各パルスは、電荷の一部の量子の蓄積をもたらし、更なる各パルスは、引き続きより多くの蓄積を加える。電荷は、１サイクルでまた結合され得、任意の追加パルスは、ノイズ除去のために電荷を平均化させるだけであってもよい。制御装置は、蓄積信号のアナログ振幅をデジタル形式に変換するために、１つ以上のアナログ・デジタル変換器（ＡＤＣ）も含むことができる。１つ以上のマルチプレクサは、回路素子の不要な重複を回避するためにも用いられてよい。当然ながら、制御装置はまた、好ましくは測定した振幅及び関連パラメータを保存するための１つ以上のメモリ装置と、必要な計算及び制御機能を実行するためのマイクロプロセッサと、を含む。
【００２２】
所与の測定サイクルに伴う１つ以上のパルスに対して、電極マトリックスでの各ノードの応答信号に伴う蓄積電荷の電圧を測定することにより、制御装置は、電極マトリックスの各ノードの結合静電容量に関する測定値のマトリックスを生成することができる。これらの測定値は、接触の存在により結合静電容量が変化したノードがある場合は、そのノードを特定するために、予め求めた基準値と同様のマトリックスと比較できる。
【００２３】
図２は、本発明の態様による多層構造体の代表的な実施形態を示す。一態様では、多層構造体２００は、接触感知装置（例えば、図１の接触感知装置１１０など）に使用するための接触センサであってもよい。多層構造体２００は、対向する両側面を有し、対向する両主表面２０２ａ及び２０２ｂを有するＵＶ透過性中心高分子基板２０２と、ＵＶ透過性中心高分子基板２０２の第１主表面２０２ａ上の第１透明導電性層２０４と、ＵＶ透過性中心高分子基板２０２の第２主表面２０２ｂ上の第２透明導電性層２０６と、を含む。ＵＶ透過性とは、本明細書では、約３３６ｎｍの波長から始まり、近赤外まで少なくとも約７０％の透過率を有することと定義される。例えば、いくつかの実施形態では、ＵＶ透過性中心高分子基板２０２は、約３０９ｎｍ未満の吸収極大、約３１４ｎｍ未満の遮断波長、約３３６ｎｍの波長で少なくとも約７０％の透過率、及び約８００ｎｍの波長で約８９％の透過率を有する。いくつかの実施形態では、透過率は、約８００ｎｍの波長で約９７％であってもよい。少なくとも一実施形態では、ＵＶ透過性中心高分子基板２０２は、約１２５μｍの厚さを有する。いくつかの実施形態では、ＵＶ透過性中心高分子基板は、約２５〜約１７５μｍの範囲の厚さを有する。いくつかの実施形態では、ＵＶ透過性中心高分子基板２０２は、ポリエステル、ポリカーボネート液晶高分子、ポリイミド、及びポリエチレンナフタレートからなる群から選択される。少なくとも一実施形態では、ＵＶ透過性中心高分子基板２０２は、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）を含む。他の実施形態では、ＵＶ透過性中心高分子基板２０２は、例えば、約１．７０の高屈折率を有するポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、例えば、約９５％の高透過率を有するトリアセタート（ＴＡＣ）フィルム、又は例えば、約９６％の高透過率を有する表面処理ＰＥＴを含む。ＵＶ透過性中心高分子基板２０２は、第１透明導電性層２０４を第２透明導電性層２０６から分離する。少なくとも一実施形態では、第１透明導電性層２０４及び第２透明導電性層２０６は、約８５ｎｍの厚さを有する。いくつかの実施形態では、透明導電性層は、約２０ｎｍ〜約１００ｎｍの範囲の厚さを有する。第１透明導電性層２０４及び第２透明導電性層２０６は、異なる厚さを有してもよく、又は実質的に同じ厚さを有してもよい。いくつかの実施形態では、第１透明導電性層２０４及び第２透明導電性層２０６は、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）を含む。いくつかの実施形態では、ＩＴＯは非晶質である。いくつかの実施形態では、第１透明導電性層２０４及び第２透明導電性層２０６は、ＩＴＯ及び酸化ケイ素の層を含み、いくつかの実施形態では、酸化ケイ素は、シンガポール特許出願第２０１１０５１６８−７号「Ｅｔｃｈｉｎｇ  Ｍｅｔｈｏｄ  ａｎｄ  Ｄｅｖｉｃｅｓ  Ｐｒｏｄｕｃｅｄ  Ｕｓｉｎｇ  ｔｈｅ  Ｅｔｃｈｉｎｇ  Ｍｅｔｈｏｄ」に更に記載されているように、アルミニウムが添加されている。例えば、少なくとも一実施形態では、透明導電性層は、約５ｎｍの厚さを有するアルミニウム添加酸化ケイ素（ＳｉＡｌＯ）の第１層と、約２０ｎｍの厚さを有するＩＴＯの第１層と、約４０ｎｍの厚さを有するアルミニウム添���酸化ケイ素（ＳｉＡｌＯ）の第２層と、約２０ｎｍの厚さを有するＩＴＯの第２層と、を含む、ＳｉＡｌＯ−ＩＴＯ−ＳｉＡｌＯ−ＩＴＯ層構造を含む。この実施形態では、アルミニウム添加酸化ケイ素の第１層は、ＩＴＯの第１層をＵＶ透過性中心高分子基板に接着するための結合層として機能する。ＩＴＯの単一層と比べて、ＩＴＯの第２層と、その上のアルミニウム添加酸化ケイ素の第２層と、その上のＩＴＯの第１層と、の多層スタックは、光透過率の向上、脆弱性の低下、より高い導電率、及び高温多湿条件での信頼性の向上をもたらす。第１透明導電性層２０４は、第１組の電極を形成するようにパターン化され、第２透明導電性層２０６は、第２組の電極を形成するようにパターン化される。少なくとも一実施形態では、電極は約１ｍｍの幅を有する。いくつかの実施形態では、電極は、約３．５ｍｍ〜約６．５ｍｍの範囲の間隔又はピッチで配置される。電極は、異なる幅を有してもよく、又は実質的に同じ幅を有してもよい。いくつかの実施形態では、第１組の電極は、第２組の電極と直交している。他の実施形態では、第１組の電極及び第２組の電極は、互いに直交していない。いくつかの実施形態では、透明導電性層の両方がパターン化されるか、又は両方ともパターン化されないが、他の実施形態では、第１透明導電性層２０４及び第２透明導電性層２０６の一方のみがパターン化される。多層構造体２００は、第１透明導電性層２０４上の第１金属導電性層２０８と、第２透明導電性層２０６上の第２金属導電性層２１０と、を更に含む。少なくとも一実施形態では、第１金属導電性層２０８及び第２金属導電性層２１０は、約８μｍの厚さを有する。いくつかの実施形態では、金属導電性層は、例えば、結合及び導電率の必要条件に応じて、約３μｍ〜約５０μｍの範囲の厚さを有する。一態様では、金属導電性層は、多層構造体の信号速度を有利に高めるために、約５μｍ〜約２０μｍの範囲の厚さで提供されてもよい。第１金属導電性層２０８及び第２金属導電性層２１０は、異なる厚さを有してもよく、又は実質的に同じ厚さを有してもよい。いくつかの実施形態では、第１金属導電性層２０８及び第２金属導電性層２１０は、銅、アルミニウム、金、銀、ニッケル、及びスズからなる群から選択される。いくつかの実施形態では、第１金属導電性層２０８及び第２金属導電性層２１０は、多層の銅を含む。例えば、少なくとも一実施形態では、金属導電性層は、約１００ｎｍ〜約２００ｎｍの範囲の厚さを有する銅の第１層と、銅の第１層上に配置された約６μｍ〜約３５μｍの厚さを有する銅の第２層と、を含む。この実施形態では、銅の第１層は、銅の第２層を透明導電性層に接着するための結合層として機能する。いくつかの実施形態では、第１金属導電性層２０８は、第１組の導電回路を形成するようにパターン化され、第２金属導電性層２１０は、第２組の導電回路を形成するようにパターン化される。
【００２４】
図３ａ及び３ｂは、本発明の態様による多層構造体の別の代表的な実施形態を示す。多層構造体３００は、接触感知装置（例えば、図１の接触感知装置１１０など）に使用するための接触センサであってもよい。いくつかの実施形態では、多層構造体３００は、約２５μｍ〜約１ｍｍの範囲の厚さを有する。多層構造体３００の寸法は、意図した用途に基づいて選択され得る。いくつかの実施形態では、多層構造体３００は、約２４インチ（６１ｃｍ）〜約５０インチ（１２７ｃｍ）の範囲の対角線幅と、３：４の縦横比と、を有する。図２に示される多層構造体２００と同様に、多層構造体３００は、対向する両側面を有し、ＵＶ透過性中心高分子基板と、ＵＶ透過性中心高分子基板のそれぞれの対向する両主表面上の透明導電性層と、各透明導電性層上の金属導電性層と、を含む。多層構造体３００では、第１透明導電性層３０４は、第１組の電極３０４ａ〜３０４ｅを形成するようにパターン化され、第２透明導電性層３０６は、第２組の電極３０６ａ〜３０６ｆを形成するようにパターン化される。電極３０４ａ〜３０４ｅ及び電極３０６ａ〜３０６ｆは、多層構造体３００の接触感知領域を表す、第１の境界３１２の内側に設けられる。いくつかの実施形態では、第１の境界３１２は、ディスプレイを使用する場合は、その表示領域も表す。図３ａ及び３ｂに示される実施形態では、５つの電極３０４ａ〜３０４ｅ及び６つの電極３０６ａ〜３０６ｆは、直交して配列され、ＵＶ透過性中心高分子基板の対向する側面上に列及び行電極のマトリックスを画定する。図３ａ及び３ｂに見られるように、各電極は、電極間のフリンジフィールドを増大させて、それにより電極間の容量結合における接触の影響を増大させるために、直列に及びマトリックスのノード付近に配置された多数のダイヤモンド形の導電性パッドを含む。いくつかの実施形態では、ダイヤモンド形の導電性パッドは、約３ｍｍ〜約６ｍｍの範囲の対角線幅を有する。ダイヤモンド形の導電性パッドは、電極３０４ａ〜３０４ｅ（列電極）の導電性パッド及び電極３０６ａ〜３０６ｆ（行電極）の導電性パッドが、基板の主表面の平面に垂直な方向で重なり合わないように配置される。ダイヤモンド形の導電性パッドは、更に、一般にＵＶ透過性中心高分子基板の一方の側面上に配置された電極の導電性パッドが、ＵＶ透過性中心高分子基板の反対側の側面上に配置された電極の４つの隣接する導電性パッドの中心に位置するように配置される。多層構造体３００は、第１透明導電性層３０４上の第１金属導電性層３０８と、第２透明導電性層３０６上の第２金属導電性層３１０と、を更に含む。第１金属導電性層３０８は、第１組の導電回路３０８ａ〜３０８ｅを形成するようにパターン化され、第２金属導電性層３１０は、第２組の導電回路３１０ａ〜３１０ｆを形成するようにパターン化される。導電回路３０８ａ〜３０８ｅ及び導電回路３１０ａ〜３１０ｆは、多層構造体３００の非接触感知領域を表す、第２の境界３１４内に延びている。導電回路３０８ａ〜３０８ｅは、一般に電極３０４ａ〜３０４ｅの長手方向（列方向）に延びており、導電回路３１０ａ〜３１０ｆは、一般に電極３０６ａ〜３０６ｆの長手方向（行方向）に延びている。本���明の態様による多層構造体の利点は、導電回路（本明細書では母線とも呼ぶ）が、例えば、最小化された非接触感知領域を占める接触感知領域の縁部に沿って多層構造体に組み込まれた、接触感知装置の電子回路に透明電極を接続するためのファインピッチ相互接続を構成し、これにより、多層構造体の外形寸法が最小化され、より大型の別個のコネクタ、高価な別個のＦＰＣ、透明電極に結合するＡＣＦ、導電性インク印刷、及び焼成プロセスが不要になることである。図３ａ及び３ｂに見られるように、導電回路３０８ａ〜３０８ｅ及び導電回路３１０ａ〜３１０ｆは、より幅広の導電性パッドに接続された細い導電トレースをそれぞれ含む。少なくとも一実施形態では、導電トレースは約２５０μｍの幅を有する。いくつかの実施形態では、導電トレース線は、３０μｍ〜約１００μｍの範囲の幅を有する。導電トレースは、異なる幅を有してもよく、又は実質的に同じ幅を有してもよい。少なくとも一実施形態では、導電トレースは、約５００μｍの間隔又はピッチで配置される。いくつかの実施形態では、導電トレースは、約６０μｍ〜約２００μｍの範囲の間隔又はピッチで配置される。一態様では、より幅広の導電性パッドは、別個のフレキシブルプリント回路（例えば、Ｔ字形のフレキシブルプリント回路など）を多層構造体３００の導電性パッド及び電子回路に結合することにより、多層構造体３００を接触感知装置の電子回路（例えば、制御装置を含む）に接続しやすくするように機能する。これらの導電性パッドは、この接続を容易にするために、多層構造体の一方又は両方の側面上に提供されてもよい。少なくとも一実施形態では、導電性パッドは約２５０μｍの幅を有する。いくつかの実施形態では、導電性パッドは、約７５μｍ〜約２５０μｍの範囲の幅を有する。いくつかの実施形態では、パターン化された金属導電性層を含む非接触感知領域の面積は、多層構造体に使用される電極の数に比例する。行又は列電極の数は、多層構造体の用途及び寸法によって異なり得る。いくつかの実施形態では、多層構造体３００の一方の側面上のパターン化された第１金属導電性層３０８の導電トレースは、多層構造体３００の他方の側面上のパターン化された第２金属導電性層３１０の導電トレースからずれており、その結果、トレースは、基板の主表面の平面に垂直な方向で重なり合わない。有益なことに、このような配置では、トレースは、容量的に結合されず、それによって電気的干渉を回避する。
【００２５】
図４は、本発明の態様による多層構造体の別の代表的な実施形態を示す。多層構造体４００は、接触感知装置（例えば、図１の接触感知装置１１０など）に使用するための接触センサであってもよい。図２に示される多層構造体２００と同様に、多層構造体４００は、対向する両側面を有し、対向する両主表面４０２ａ及び４０２ｂを有するＵＶ透過性中心高分子基板４０２と、ＵＶ透過性中心高分子基板４０２の第１主表面４０２ａ上の第１透明導電性層４０４と、ＵＶ透過性中心高分子基板４０２の第２主表面４０２ｂ上の第２透明導電性層４０６と、第１透明導電性層４０４上の第１金属導電性層４０８と、第２透明導電性層４０６上の第２金属導電性層４１０と、を含む。第１透明導電性層４０４は、第１組の電極を形成するようにパターン化され、第２透明導電性層４０６は、第２組の電極を形成するようにパターン化される。いくつかの実施形態では、第１金属導電性層４０８は、第１組の導電回路を形成するようにパターン化され、第２金属導電性層４１０は、第２組の導電回路を形成するようにパターン化される。多層構造体４００は、第１透明導電性層４０４上に配置された第１接着層４１６と、第２透明導電性層４０６上に配置された第２接着層４１８と、を更に含む。第１透明導電性層４０４が第１組の電極を形成するようにパターン化され、第２透明導電性層４０６が第２組の電極を形成するようにパターン化されるいくつかの実施形態では、第１接着層４１６は、第１組の電極と、第１組の電極によって覆われていないＵＶ透過性中心高分子基板４０２の部分と、を実質的に覆うように配置され、第２接着層４１８は、第２組の電極と、第２組の電極によって覆われていないＵＶ透過性中心高分子基板４０２の部分と、を実質的に覆うように配置される。第１金属導電性層４０８が第１組の導電回路を形成するようにパターン化され、第２金属導電性層４１０が第２組の導電回路を形成するようにパターン化されるいくつかの実施形態では、導電回路の少なくとも一部は、接着層によって覆われていない。一態様では、これは、別個のフレキシブルプリント回路を多層構造体４００の導電性パッド及び電子回路に結合することにより、多層構造体４００を接触感知装置の電子回路（例えば、制御装置を含む）に接続しやすくする。少なくとも一実施形態では、第１接着層４１６及び第２接着層４１８は、約５０μｍの厚さを有する。いくつかの実施形態では、接着層は、約５０μｍ〜約１００μｍの範囲の厚さを有する。第１接着層４１６及び第２接着層４１８は、異なる厚さを有してもよく、又は実質的に同じ厚さを有してもよい。いくつかの実施形態では、第１接着層４１６及び第２接着層４１８は、感圧接着剤を含む。いくつかの実施形態では、第１接着層４１６及び第２接着層４１８は、光学的に透明な接着剤を含む。光学的に透明な接着剤は、帯電防止特性を有し得る。多層構造体４００は、第１接着層４１６に接着された第１ハードコート層４２０と、第２接着層４１８に接着された第２ハードコート層４２２と、を更に含む。少なくとも一実施形態では、第１ハードコート層４２０及び第２ハードコート層４２２は、約６μｍの厚さを有する。いくつかの実施形態では、ハードコート層は、約���μｍ〜約６μｍの範囲の厚さを有する。第１ハードコート層４２０及び第２ハードコート層４２２は、異なる厚さを有してもよく、又は実質的に同じ厚さを有してもよい。少なくとも一実施形態では、第１ハードコート層４２０及び第２ハードコート層４２２は、ＰＥＴを含む。いくつかの実施形態では、ハードコート層は、例えば、ＰＥＴ、ＰＥＮ、又はトリアセタート（ＴＡＣ）フィルムを含む、透過性基板に適用されたハードコートを含むことができる。ハードコートは、例えば、引っかき傷から基板を保護するために、ナノ粒子（例えば、シリカ及びアルミナなど）を含んでいてもよい。ハードコートは、反射防止及び指紋付着防止特性も有し得る。
【００２６】
図５は、本発明の態様による多層構造体の別の代表的な実施形態を示す。多層構造体５００は、接触感知装置（例えば、図１の接触感知装置１１０など）に使用するための接触センサであってもよい。図４に示される多層構造体４００と同様に、多層構造体５００は、対向する両側面を有し、対向する両主表面５０２ａ及び５０２ｂを有するＵＶ透過性中心高分子基板５０２と、ＵＶ透過性中心高分子基板５０２の第１主表面５０２ａ上の第１透明導電性層５０４と、ＵＶ透過性中心高分子基板５０２の第２主表面５０２ｂ上の第２透明導電性層５０６と、第１透明導電性層５０４上の第１金属導電性層５０８と、第２透明導電性層５０６上の第２金属導電性層５１０と、第１透明導電性層５０４上に配置された第１接着層５１６と、第２透明導電性層５０６上に配置された第２接着層５１８と、を含む。第１透明導電性層５０４は、第１組の電極を形成するようにパターン化され、第２透明導電性層５０６は、第２組の電極を形成するようにパターン化される。いくつかの実施形態では、第１金属導電性層５０８は、第１組の導電回路を形成するようにパターン化され、第２金属導電性層５１０は、第２組の導電回路を形成するようにパターン化される。第１透明導電性層５０４が第１組の電極を形成するようにパターン化され、第２透明導電性層５０６が第２組の電極を形成するようにパターン化されるいくつかの実施形態では、第１接着層５１６は、第１組の電極と、第１組の電極によって覆われていないＵＶ透過性中心高分子基板５０２の部分と、を実質的に覆うように配置され、第２接着層５１８は、第２組の電極と、第２組の電極によって覆われていないＵＶ透過性中心高分子基板５０２の部分と、を実質的に覆うように配置される。第１金属導電性層５０８が第１組の導電回路を形成するようにパターン化され、第２金属導電性層５１０が第２組の導電回路を形成するようにパターン化される、いくつかの実施形態では、導電回路の少なくとも一部は、接着層によって覆われていない。一態様では、これは、別個のフレキシブルプリント回路を多層構造体５００の導電性パッド及び電子回路に結合することにより、多層構造体５００を接触感知装置の電子回路（例えば、制御装置を含む）に接続しやすくする。多層構造体５００は、第１接着層５１６に接着されたガラスパネル５２４と、第２接着層５１８に接着されたディスプレイ装置５２６と、を更に含む。少なくとも一実施形態では、ガラスパネル５２４は、約０．７ｍｍの厚さを有する。いくつかの実施形態では、ガラスパネル５２４は、約０．５ｍｍ〜約１ｍｍの範囲の厚さを有する。一態様では、ガラスパネル５２４は、多層構造体を摩損から保護するように機能する。少なくとも一実施形態では、ディスプレイ装置５２６は、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）パネルである。
【００２７】
図６は、本発明の態様による多層構造体の別の代表的な実施形態を示す。多層構造体６００は、接触感知装置（例えば、図１の接触感知装置１１０など）に使用するための接触センサであってもよい。多層構造体６００は、対向する両側面を有し、対向する両主表面６０２ａ及び６０２ｂを有するＵＶ透過性中心高分子基板６０２と、ＵＶ透過性中心高分子基板６０２の第１主表面６０２ａ上の第１コーティング６２８と、ＵＶ透過性中心高分子基板６０２の第２主表面６０２ｂ上の第２コーティング６３０と、第１コーティング６２８上の第１透明導電性層６０４と、第２コーティング６３０上の第２透明導電性層６０６と、を含む。少なくとも一実施形態では、ＵＶ透過性中心高分子基板６０２は、約１２５μｍの厚さを有する。いくつかの実施形態では、ＵＶ透過性中心高分子基板は、約２５μｍ〜約２００μｍの範囲の厚さを有する。いくつかの実施形態では、ＵＶ透過性中心高分子基板６０２は、ポリエステル、ポリカーボネート、液晶高分子、ポリイミド、及びポリエチレンナフタレートからなる群から選択される。少なくとも一実施形態では、ＵＶ透過性中心高分子基板６０２は、ＰＥＴを含む。いくつかの実施形態では、第１コーティング６２８及び第２コーティング６３０は、ＵＶ透過性中心高分子基板６０２からのオリゴマー移動を防ぐことにより、ヘイズ形成レベルを下げるように機能する。少なくとも一実施形態では、第１コーティング６２８及び第２コーティング６３０は、約１μｍの厚さを有する。いくつかの実施形態では、コーティングは、１μｍ〜約６μｍの範囲の厚さを有する。第１コーティング６２８及び第２コーティング６３０は、異なる厚さを有してもよく、又は実質的に同じ厚さを有してもよい。有益なことに、コーティング厚さを増加（又は減少）させることにより、透明導電性層間の静電容量を増加（又は減少）させることができる。少なくとも一実施形態では、第１コーティング６２８及び第２コーティング６３０は、約１．５０の屈折率を有する。いくつかの実施形態では、コーティングは、約１．４７〜約２．００の範囲の屈折率を有する。いくつかの実施形態では、多層構造体の一方の側面での屈折率は、他方の側面での屈折率とは異なる。いくつかの実施形態は、異なる屈折率を有する多数のコーティングを含む。少なくとも一実施形態では、コーティングは、好適なＵＶ硬化性接着剤（例えば、アクリレート又はエポキシなど）を含む。好適なＵＶ硬化性接着剤は、ナノ粒子を添加して、又はナノ粒子を添加せずに、提供され得る。約１ｎｍ〜約７５ｎｍの範囲の寸法を有するナノ粒子（例えば、シリカ又はジルコニアなど）をコーティング製剤中に分散してもよい。少なくとも一実施形態では、ナノ粒子の寸法は、コーティング層の厚さを超えない。ＵＶ透過性中心高分子基板６０２、第１コーティング６２８、及び第２コーティング６３０は、第１透明導電性層６０４を第２透明導電性層６０６から分離する。少なくとも一実施形態では、第１透明導電性層６０４及び第２透明導電性層６０６は、約２０ｎｍの厚さを有する。いくつかの実施形態では、透明導電性層は、約１５ｎｍ〜約３０ｎｍの範囲の厚さを有する。第１透明導電性層６０４及び第２透明導電性層６０６は、異なる厚さを有してもよく、又は実質的に同じ厚さを有してもよい。いくつかの実施形態では、第１透明導電性層６０４及び第２透明導電性層６０６は、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）を含む。いくつかの実施形態では、ＩＴＯは非晶質である。いくつかの実施形態では、第１透明導電性層６０４及び第２透明導電性層６０６は、ＩＴＯ及び酸化ケイ素の層を含む。いくつかの実施形態では、酸化ケイ素には、アルミニウムが添加されている。第１透明導電性層６０４は、第１組の電極を形成するようにパターン化され、第２透明導電性層６０６は、第２組の電極を形成するようにパターン化される。少なくとも一実施形態では、電極は約１ｍｍの幅を有する。いくつかの実施形態では、電極は、約３．５ｍｍ〜約６．５ｍｍの範囲の間隔又はピッチで配置される。電極は、異なる幅を有してもよく、又は実質的に同じ幅を有してもよい。いくつかの実施形態では、第１組の電極は、第２組の電極と直交している。他の実施形態では、第１組の電極及び第２組の電極は、互いに直交していない。
【００２８】
図７ａ〜７ｂは、本発明の態様による多層構造体の別の代表的な実施形態を示す。多層構造体７００は、接触感知装置（例えば、図１の接触感知装置１１０など）に使用するための接触センサであってもよい。図２に示される多層構造体２００と同様に、多層構造体７００は、対向する両側面を有し、ＵＶ透過性中心高分子基板と、ＵＶ透過性中心高分子基板のそれぞれの対向する両主表面上の透明導電性層と、各透明導電性層上の金属導電性層と、を含む。多層構造体７００は、図３ａ〜３ｂに示される多層構造体３００とほぼ同じである。多層構造体７００は、電極３０４ａ〜３０４ｅの長手方向（列方向）に非接触感知領域から延びる第１長手方向コネクタ尾部７３２と、電極３０６ａ〜３０６ｆの長手方向（行方向）に非接触感知領域から延びる第２長手方向コネクタ尾部７３４と、を含む点で、図３ａ及び図３ｂに示される多層構造体３００とは異なる。導電回路３０８ａ〜３０８ｅ及び導電回路３１０ａ〜３１０ｆは、多層構造体７００の非接触感知領域内にそれぞれコネクタ尾部７３２及びコネクタ尾部７３４の長さに沿って延びている。一態様では、コネクタ尾部は、１つ以上の別個のフレキシブルプリント回路を必要とせずに、導電性パッドを直接電子回路に結合することにより、多層構造体７００の幅広の導電性パッドと接触感知装置の電子回路（例えば、制御装置を含む）とを直接接続しやすくするように機能する。したがって、１つ以上の別個のフレキシブルプリント回路を含む多要素構造の代わりに、一体成形の構造を提供することができる。１つ以上の別個のフレキシブルプリント回路が不要になると、特にいったん多層構造体を、例えば、ガラスパネルに積層した場合に、１つ以上のフレキシブルプリント回路を多層構造体に結合するのに伴う困難も解消される。コネクタ尾部は、ＵＶ透過性中心高分子基板を所望の形状に打抜くことによって形成され得る。一態様では、コネクタ尾部の長さは、電子回路の位置及び電子回路と非接触感知領域との間の距離に基づいて選択され得る。
【００２９】
意図した用途に好適なように、１つ以上のコネクタ尾部は、任意の好適な位置で多層構造体の非接触感知領域から延びることができる。図８ａ〜８ｅは、種々の代表的なコネクタ尾部の配置を示す、本発明の態様による多層構造体の代表的な実施形態を示す。図８ａを参照すると、多層構造体８００ａは、電極８０４ａ〜８０４ｇの長手方向（列方向）に非接触感知領域から延びる長手方向コネクタ尾部８３２ａを含む。電極８０４ａ〜８０４ｇに伴う導電回路８０８ａ及び電極８０６ａ〜８０６ｌに伴う導電回路８１０ａは、多層構造体８００ａの非接触感知領域内にコネクタ尾部８３２ａの長さに沿って延びている。図８ｂを参照すると、多層構造体８００ｂは、電極８０６ａ〜８０６ｌの長手方向（行方向）に非接触感知領域から延びる長手方向コネクタ尾部８３２ｂを含む。電極８０４ａ〜８０４ｇに伴う導電回路８０８ｂ及び電極８０６ａ〜８０６ｌに伴う導電回路８１０ｂは、多層構造体８００ｂの非接触感知領域内にコネクタ尾部８３２ｂの長さに沿って延びている。図８ｃを参照すると、多層構造体８００ｃは、電極８０６ａ〜８０６ｌの長手方向（行方向）に非接触感知領域から延びる第１長手方向コネクタ尾部８３２ｃを含む。電極８０４ａ〜８０４ｃに伴う導電回路８０８ｃ及び電極８０６ａ〜８０６ｅに伴う導電回路８１０ｃは、多層構造体８００ｃの非接触感知領域内にコネクタ尾部８３２ｃの長さに沿って延びている。多層構造体８００ｃは、第１コネクタ尾部８３２ｃと反対側の電極８０６ａ〜８０６ｌの長手方向（行方向）に非接触感知領域から延びる第２長手方向コネクタ尾部８３２ｃ’を更に含む。電極８０４ｄ〜８０４ｇに伴う導電回路８０８ｃ’及び電極８０６ｆ〜８０６ｌに伴う導電回路８１０ｃ’は、多層構造体８００ｃの非接触感知領域内にコネクタ尾部８３２ｃ’の長さに沿って延びている。図８ｄを参照すると、多層構造体８００ｄは、電極８０６ａ〜８０６ｌの長手方向（行方向）に非接触感知領域から延びる長手方向コネクタ尾部８３２ｄを含む。電極８０４ａ〜８０４ｇに伴う導電回路８０８ｄ及び電極８０６ａ〜８０６ｌに伴う導電回路８１０ｄは、多層構造体８００ｄの非接触感知領域内にコネクタ尾部８３２ｄの長さに沿って延びている。図８ｅを参照すると、多層構造体８００ｅは、電極８０４ａ〜８０４ｇの長手方向（列方向）に非接触感知領域から延びる長手方向コネクタ尾部８３２ｅを含む。電極８０４ａ〜８０４ｇに伴う導電回路８０８ｅ及び電極８０６ａ〜８０６ｌに伴う導電回路８１０ｅは、多層構造体８００ｅの非接触感知領域内にコネクタ尾部８３２ｅの長さに沿って延びている。
【００３０】
いくつかの実施形態では、多層構造体の非接触感知領域及び／又はコネクタ尾部領域内の導電回路は、保護層によって保護される。保護層を設けることにより、例えば、導電回路の腐食及び導電回路への物理的損傷を防ぐことができる。図９は、このような保護層を含む、本発明の態様による多層構造体の代表的な実施形態を示す。多層構造体９００は、接触感知装置（例えば、図１の接触感知装置１１０など）に使用するための接触センサであってもよい。図４に示される多層構造体４００と同様に、多層構造体９００は、対向する両側面を有し、対向する両主表面９０２ａ及び９０２ｂを有するＵＶ透過性中心高分子基板９０２と、ＵＶ透過性中心高分子基板９０２の第１主表面９０２ａ上の第１透明導電性層９０４と、ＵＶ透過性中心高分子基板９０２の第２主表面９０２ｂ上の第２透明導電性層９０６と、第１透明導電性層９０４上の第１金属導電性層９０８と、第２透明導電性層９０６上の第２金属導電性層９１０と、第１透明導電性層９０４上に配置された第１接着層９１６と、第２透明導電性層９０６上に配置された第２接着層９１８と、第１接着層９１６に接着された第１ハードコート層９２０と、第２接着層９１８に接着された第２ハードコート層９２２と、を含む。多層構造体９００は、第１金属導電性層９０８上の第１保護層９３６と、第２金属導電性層９１０上の第２保護層９３８と、を更に含む。図９に示される実施形態では、保護層は、非接触感知領域（図９では「Ａ」で示される）及びコネクタ尾部領域（図９では「Ｂ」で示される）の両方で金属導電性層上に配置され、例えば、これらの領域で導電回路の保護をもたらす。いくつかの実施形態では、保護層は、非接触感知領域及びコネクタ尾部領域の一方のみで金属導電性層上に配置される。いくつかの実施形態では、金属導電性層の一部のみが保護層によって覆われる。例えば、第１金属導電性層９０８が第１組の導電回路を形成するようにパターン化され、第２金属導電性層９１０が第２組の導電回路を形成するようにパターン化される場合、第１保護層９３６及び第２保護層９３８は、それに応じてパターン化されて導電回路を覆っていてもよい。一態様では、保護層は、写真影像マスクであってもよく、その結果、多層の層構造体は、各金属導電性層上にパターン化された写真影像マスクを含む。少なくとも一実施形態では、第１保護層９３６及び第２保護層９３８は、約２５μｍの厚さを有する。いくつかの実施形態では、保護層は、約１２μｍ〜約２５μｍの範囲の厚さを有する。第１保護層９３６及び第２保護層９３８は、異なる厚さを有してもよく、又は実質的に同じ厚さを有してもよい。保護層は、意図した用途に好適なように、多層構造体の非接触感知領域よりも多層構造体のコネクタ尾部領域で異なる厚さを有してもよい。保護層は、金属、例えば、銀、ニッケル、金、及びスズなどを含むことができる。金属性保護層は、約０．０３μｍ〜約１μｍの範囲の厚さを有してもよい。
【００３１】
本発明の態様による多層構造体の製造は、いくつかの方法で達成され得る。方法には、写真影像層を塗布及びパターン化する工程と、下位層をエッチングする工程と、が含まれる。本発明の態様による多層構造体の製造方法の利点には、高い製造歩留りをもたらす層間の良好な重ね合わせ、層数の減少（例えば、代表的な従来の構造での５層から、本発明の態様による代表的な構造での３層へ）、処理工程数の減少、及び製造コストの削減が挙げられる。更に、本発明の態様による多層構造体の製造方法は、透明導電性層間で気泡及び異物を回避し、例えば、誘電体媒質としてＰＥＴを使用することにより、透明導電性層間での滑動を回避し、より薄い多層構造体を用意し、パターン化された透明導電性層が肉眼で識別できない構造を提供することができる。図１０ａ〜１０ｉは、本発明の態様による多層構造体の代表的な製造方法の工程を示す。
【００３２】
図１０ａを参照すると、多層構造体１０００が提供される。多層構造体１０００は、対向する両側面を有し、対向する両主表面１００２ａ及び１００２ｂを有するＵＶ透過性中心高分子基板１００２と、ＵＶ透過性中心高分子基板１００２の第１主表面１００２ａ上の第１透明導電性層１００４と、ＵＶ透過性中心高分子基板１００２の第２主表面１００２ｂ上の第２透明導電性層１００６と、第１透明導電性層１００４上の第１金属導電性層１００８と、第２透明導電性層１００６上の第２金属導電性層１０１０と、を含む。多層構造体１０００は、いくつかの方法で製造され得る。例えば、透明導電性層をＵＶ透過性中心高分子基板のロール上にスパッタリングしてもよく、金属導電性層を透明導電性層上にスパッタリングしてもよい。透明導電性層は、同時又は連続的にＵＶ透過性中心高分子基板上に配置され得る。いくつかの実施形態では、第１透明導電性層１００４及び第２透明導電性層１００６を同時に適用することは、より効率的であり、より良好に層を整列させることができる。金属導電性層は、同時又は連続的に透明導電性層上に配置され得る。いくつかの実施形態では、第１金属導電性層１００８及び第２金属導電性層１０１０を同時に適用することは、より効率的であり、より良好に層を整列させることができる。一態様では、金属導電性層（例えば、銅）の硬度は、透明導電性層（例えば、ＩＴＯ）の硬度より大きくてもよい。同時の方法では、これは、製造プロセス中に透明導電性層を引っかき傷から保護するのに役立ち、そうでなければ、透明導電性層の脆弱性のために歩留りの低下を招くであろう。更に、金属導電性層は、両側面に同時にＵＶを露光させるのに役立ち、そうでなければ、ＵＶ透過性中心高分子基板（例えば、ＰＥＴ）及び透明導電性層のＵＶ透過性のために不可能であろう。
【００３３】
図１０ｂ〜１０ｃを参照すると、第１写真影像層１０４０、１０４２が、両方の金属導電性層上に適用（図１０ｂ）及びパターン化（図１０ｃ）され、透明導電性層用の所望のパターンを有する写真影像マスクを形成する。代替方法では、写真影像マスクは、透明導電性層及び金属導電性層用の所望のパターンを有する。第１写真影像層１０４０、１０４２は、標準的な積層技術を用いることによって適用され得る。第１写真影像層１０４０、１０４２の適用は、同時又は連続的に行われてもよい。いくつかの実施形態では、第１写真影像層１０４０、１０４２を同時に適用することは、より効率的であり、より良好な層の整列を提供することができる。少なくとも一実施形態では、第１写真影像層は、約３５μｍ〜約５０μｍの範囲の厚さを有する。第１写真影像層１０４０、１０４２は、マスクを介してそれらを紫外線に露光し、それによって写真影像層の露光部分を架橋し、続いて非架橋部分が溶解するまで写真影像層を希釈水溶液（例えば、０．５〜１．５重量％の炭酸塩溶液）で現像し、所望のパターンを得ることにより、パターン化することができる。第１写真影像層１０４０、１０４２のパターン化は、同時又は連続的に行われてもよい。いくつかの実施形態では、第１写真影像層１０４０、１０４２を同時にパターン化することは、より効率的であり、より良好なパターンに整列させることができる。同時パターン化の一環として、多層構造体１０００の対向する側面上の写真影像層を同時に紫外線に露光してもよい。本発明の態様に使用可能な第１写真影像層１０４０、１０４２の例としては、米国特許第３，４６９，９８２号、同第３，４４８，０９８号、同第３，８６７，１５３号、及び同第３，５２６，５０４号に開示されるもののような、フォトレジストとも呼ばれる、陰性の水処理可能な重合性光硬化性組成物（negative aqueous processable polymerizable photohardenablecompositions）が挙げられる。このようなフォトレジストは、少なくとも１つのポリマー、追加の架橋性モノマー単位、及び光開始剤を含む。フォトレジストに用いられるポリマーの例としては、メチルメタクリレート、エチルアクリレート、及びアクリル酸のコポリマー、スチレンと無水マレイン酸イソブチルエステルとのコポリマーなどが挙げられる。架橋性モノマー単位は、トリメチロールプロパントリアクリレートなどのマルチアクリレートであってもよい。本発明の態様に使用可能ないくつかの水処理可能な陰性フォトレジストの例は、ポリメチルメタクリレート由来である。
【００３４】
図１０ｄを参照すると、写真影像マスクによって露出された第１金属導電性層１００８、第２金属導電性層１０１０、第１透明導電性層１００４、及び第２透明導電性層１００６の部分がエッチングされ、それによって第１透明導電性層１００４がパターン化されて第１組の電極を形成し、第２透明導電性層１００６がパターン化されて第２組の電極を形成する。有用なエッチング剤は、シンガポール特許出願第２０１１０５１６８−７号「Ｅｔｃｈｉｎｇ  Ｍｅｔｈｏｄ  ａｎｄ  Ｄｅｖｉｃｅｓ  Ｐｒｏｄｕｃｅｄ  Ｕｓｉｎｇ  ｔｈｅ  Ｅｔｃｈｉｎｇ  Ｍｅｔｈｏｄ」に更に記載されるような、水溶性レドックス金属塩化物（塩化第二銅及び塩化第二鉄を含む）及び鉱酸（塩酸、リン酸、及び硝酸など）である。有用なエッチング剤の濃度は、それらの特異的選択、エッチングされる透明導電性層及び金属導電性層の厚さ、並びに選択したフォトレジストの種類及び厚さによって異なる。有用な塩化第二銅の濃度は、約１００ｇ／Ｌ〜約１８０ｇ／Ｌであり、塩酸の濃度は、約０．０４〜約２Ｎである。エッチング工程は、透明導電性層及び金属導電性層の非マスク領域をレドックス金属塩化物エッチング剤に接触させることにより達成される。エッチング時間は、エッチングされる透明導電性層及び金属導電性層の種類及び厚さによって異なり、典型的には約１０秒〜約２０分である。例えば、塩化第二銅エッチング剤を使用する場合、約９５ｎｍの厚さを有するＩＴＯ−ＳｉＡｌＯ−ＩＴＯの透明導電性層（約２０ｎｍのＩＴＯ＋約４５ｎｍのＳｉＡｌＯ＋約２０ｎｍのＩＴＯ）及び約８μｍの厚さを有する銅の金属導電性層でのエッチング時間は、約２分である。エッチング液は、一般に約５０℃〜約８０℃の温度である。多層構造体１０００の対向する側面上の透明導電性層のエッチングは、同時又は連続的に行われてもよい。いくつかの実施形態では、多層構造体１０００の対向する側面上の透明導電性層を同時にエッチングすることは、より効率的であり得る。多層構造体１０００の対向する側面上の金属導電性層のエッチングは、同時又は連続的に行われてもよい。いくつかの実施形態では、多層構造体１０００の対向する側面上の金属導電性層を同時にエッチングすることは、より効率的であり得る。一態様では、塩化第二銅エッチング剤は、透明導電性層（例えば、ＩＴＯ）及び金属導電性層（例えば、銅）を同時にエッチングでき、それによって透明導電性層及び金属導電性層を連続的にエッチングするための２つの異なるエッチング剤は不要になる。
【００３５】
図１０ｅを参照すると、写真影像マスクが除去される。これは、多層構造体１０００を約４０℃〜約５０℃の温度でモノエタノールアミンの３０〜５０％溶液中に置くことにより達成され得る。
【００３６】
図１０ｆ〜１０ｇを参照すると、第２写真影像層１０４４、１０４６が、各金属導電性層の残部の上に適用（図１０ｆ）及びパターン化（図１０ｇ）され、金属導電性層用の所望のパターンを有する写真影像マスクを形成する。別の方法では、例えば、写真影像マスクが透明導電性層及び金属導電性層用の所望のパターンを有する場合、写真影像マスクは、金属導電性層の所望のパターンを保護する。いくつかの実施形態では、第１金属導電性層１００８は、第１組の導電回路を形成するようにパターン化され、第２金属導電性層１０１０は、第２組の導電回路を形成するようにパターン化される。少なくとも一実施形態では、金属導電性層の一方又は両方用の所望のパターンは、透明導電性層を装置（例えば、接触感知装置など）に接続するための回路を含む。第２写真影像層１０４４、１０４６の塗布及びパターン化は、図１０ｂ〜１０ｃに関して上述したように行われ得る。
【００３７】
図１０ｈを参照すると、第１金属導電性層１００８及び第２金属導電性層１０１０の露出部分がエッチングされる。金属導電性層の露出部分のエッチングは、図１０ｄに関して上述したように行われ得る。少なくとも一実施形態では、金属導電性層の露出部分は、ＩＴＯをエッチングしないエッチング剤を使用してエッチングされる。例えば、エッチング剤はアンモニア系であってもよい。アンモニア系エッチング剤は、透明導電性層（例えば、ＩＴＯ−ＳｉＡｌＯ−ＩＴＯ）に影響を与えずに、金属導電性層（例えば、銅）を選択的にエッチングすることができる。
【００３８】
図１０ｉを参照すると、写真影像マスクが除去される。これは、多層構造体１０００を約４０℃〜約５０℃の温度でモノエタノールアミンの３０〜５０％溶液中に置くことにより達成され得る。
【００３９】
図１１は、パターン化された透明導電性層が少なくともＵＶ透過性中心高分子基板と屈折率が整合している、代表的な実施形態を示す。結果として、パターン化された透明導電性層のパターンは、肉眼で識別できない。一態様では、多層構造体１１００は、接触感知装置（例えば、図１の接触感知装置１１０など）に使用するための接触センサであってもよい。多層構造体１１００は、対向する両側面を有し、対向する両主表面１１０２ａ及び１１０２ｂを有するＵＶ透過性中心高分子基板１１０２と、ＵＶ透過性中心高分子基板１１０２の第１主表面１１０２ａ上の第１透明導電性層１１０４と、ＵＶ透過性中心高分子基板１１０２の第２主表面１１０２ｂ上の第２透明導電性層１１０６と、を含む。第１透明導電性層１１０４は、第１組の電極を形成するようにパターン化され、第２透明導電性層１１０６は、第２組の電極を形成するようにパターン化される。ＵＶ透過性中心高分子基板１１０２は、ＤｕＰｏｎｔ  Ｔｅｉｊｉｎ  ＦｉｌｍｓからＭｅｌｉｎｅｘ  ＳＴ  ５０５の商品名で入手可能なＰＥＴを含み、約１２５μｍの厚さ及び約１．６３の屈折率を有する。いくつかの実施形態では、ＵＶ透過性中心高分子基板は、肉眼で識別できない電極パターンをもたらす、約１．６０を超える、又は約１．６３を超える屈折率を有する。ＵＶ透過性中心高分子基板１１０２は、第１透明導電性層１１０４を第２透明導電性層１１０６から分離する。第１透明導電性層１１０４は、約２３ｎｍの厚さを有するＩＴＯの第２層１１０４ｃと、その上の約４９ｎｍの厚さを有するアルミニウム添加酸化ケイ素の第１層１１０４ｂと、その上の約２３ｎｍの厚さを有するＩＴＯの第１層１１０４ａと、を含む。第２透明導電性層１１０６は、約２３ｎｍの厚さを有するＩＴＯの第２層１１０６ｃと、その上の約４９ｎｍの厚さを有するアルミニウム添加酸化ケイ素の第１層１１０６ｂと、その上の約２３ｎｍの厚さを有するＩＴＯの第１層１１０６ａと、を含む。多層構造体１１００は、第１透明導電性層１１０４上に配置された第１接着層１１１６と、第２透明導電性層１１０６上に配置された第２接着層１１１８と、を更に含む。第１接着層１１１６は、第１組の電極と、第１組の電極によって覆われていないＵＶ透過性中心高分子基板１１０２の部分と、を実質的に覆うように配置され、第２接着層１１１８は、第２組の電極と、第２組の電極によって覆われていないＵＶ透過性中心高分子基板１１０２の部分と、を実質的に覆うように配置される。第１接着層１１１６は、３Ｍ  Ｃｏｍｐａｎｙ（Ｍｉｎｎｅｓｏｔａ，Ｕ．Ｓ．Ａ．）から８１４２ＫＣＬの商品名で入手可能な光学的に透明な接着剤を含み、約５０μｍの厚さ及び約１．４７の屈折率を有する。第２接着層１１１８は、３Ｍ  Ｃｏｍｐａｎｙ（Ｍｉｎｎｅｓｏｔａ，Ｕ．Ｓ．Ａ．）から８２７１の商品名で入手可能な光学的に透明な接着剤を含み、約２５μｍの厚さ及び約１．４９の屈折率を有する。多層構造体１１００は、第１接着層１１１６に接着されたガラスパネル１１２４を更に含む。ガラスパネル１１２４は、約０．７ｍｍの厚さを有する。多層構造体１１００は、第２接着層１１１８に接着されたハードコート層１１２２を更に含む。ハードコート層１１２２は、ＤｕＰｏｎｔ  Ｔｅｉｊｉｎ  ＦｉｌｍｓからＭｅｌｉｎｅｘ  ＳＴ  ５０５の商品名で入手可能なＰＥＴを含み、約１２５μｍの厚さを有する。
【００４０】
ここで図１２ａ〜１２ｆを参照すると、本発明の態様による多層構造体の代表的な実施形態の異なる領域で測定された反射率は、多層構造体のパターン化された透明導電性層が肉眼で識別できないレベルであることを示している。多層構造体１２００は、接触感知装置（例えば、図１の接触感知装置１１０など）に使用するための接触センサであってもよい。図１２ａ〜１２ｅを参照すると、多層構造体１２００は、対向する両側面を有し、対向する両主表面１２０２ａ及び１２０２ｂを有するＵＶ透過性中心高分子基板１２０２と、ＵＶ透過性中心高分子基板１２０２の第１主表面１２０２ａ上の第１透明導電性層１２０４と、ＵＶ透過性中心高分子基板１２０２の第２主表面１２０２ｂ上の第２透明導電性層１２０６と、を含む。第１透明導電性層１２０４は、第１組の電極を形成するようにパターン化され、第２透明導電性層１２０６は、第２組の電極を形成するようにパターン化される。多層構造体１２００は、第１透明導電性層１２０４上に配置された第１接着層１２１６と、第２透明導電性層１２０６上に配置された第２接着層１２１８と、を更に含む。第１接着層１２１６は、第１組の電極と、第１組の電極によって覆われていないＵＶ透過性中心高分子基板１２０２の部分と、を実質的に覆うように配置され、第２接着層１２１８は、第２組の電極と、第２組の電極によって覆われていないＵＶ透過性中心高分子基板１２０２の部分と、を実質的に覆うように配置される。多層構造体１２００は、第１接着層１２１６に接着された第１ハードコート層１２２０と、第２接着層１２１８に接着された第２ハードコート層１２２２と、を更に含む。図１２ａは、第１透明導電性層１２０４によって形成される第１組の電極の一部と、第２透明導電性層１２０６によって形成される第２組の電極の一部と、を示す、多層構造体１２００の一部の平面図である。図１２ｂ〜１２ｅは、Ａ１〜Ａ４の領域（図１２ａ）でそれぞれ得られる多層構造体１２００の断面図である。ＵＶ透過性中心高分子基板１２０２は、ＤｕＰｏｎｔ  Ｔｅｉｊｉｎ  ＦｉｌｍｓからＭｅｌｉｎｅｘ  ＳＴ  ５０５の商品名で入手可能なＰＥＴを含み、約１２５μｍの厚さ及び約１．６３の屈折率を有する。第１透明導電性層１２０４は、約２３ｎｍの厚さを有するＩＴＯの第２層と、その上の約４９ｎｍの厚さを有するアルミニウム添加酸化ケイ素の第１層と、その上の約２３ｎｍの厚さを有するＩＴＯの第１層と、を含む。第２透明導電性層１２０６は、約２３ｎｍの厚さを有するＩＴＯの第２層と、その上の約４９ｎｍの厚さを有するアルミニウム添加酸化ケイ素の第１層と、その上の約２３ｎｍの厚さを有するＩＴＯの第１層と、を含む。第１接着層１２１６は、３Ｍ  Ｃｏｍｐａｎｙ（Ｍｉｎｎｅｓｏｔａ，Ｕ．Ｓ．Ａ．）から８１４２ＫＣＬの商品名で入手可能な光学的に透明な接着剤を含み、約５０μｍの厚さ及び約１．４７の屈折率を有する。第２接着層１２１８は、３Ｍ  Ｃｏｍｐａｎｙ（Ｍｉｎｎｅｓｏｔａ，Ｕ．Ｓ．Ａ．）から８２７１の商品名で入手可能な光学的に透明な接着剤を含み、約２５μｍの厚さ及び約１．４９の屈折率を有する。第１ハードコート層１２２０及び第２ハードコート層１２２２は、ＤｕＰｏｎｔ  Ｔｅｉ���ｉｎ  ＦｉｌｍｓからＭｅｌｉｎｅｘ  ＳＴ  ５０５の商品名で入手可能なＰＥＴをそれぞれ含み、約１２５μｍの厚さを有する。あるいは、ＤｕＰｏｎｔ  Ｔｅｉｊｉｎ  ＦｉｌｍｓからＭｅｌｉｎｅｘ  ＳＴ  ５０４の商品名で入手可能なＰＥＴ、又は任意の好適な光学的に透明な熱安定化ＰＥＴを使用してもよい。いくつかの実施形態では、ハードコート層は、ハードコートを有するＰＥＴをそれぞれ含む。いくつかの実施形態では、第１ハードコート層１２２０はガラスを含み、第２ハードコート層１２２２は剥離ライナーを含み、一態様では安価で薄いアセンブリを提供する。剥離ライナーを取り除いた後、多層構造体を、例えば、ＬＣＤパネルに積層することができる。図１２ｆに示されるように、多層構造体１２００の異なる領域における、少なくとも約４００ｎｍ〜約８００ｎｍの範囲の波長での反射率は、約１％の範囲内である。可視光線は紫色（約４００ｎｍ）〜深紅色（約７００ｎｍ）であるため、これらの測定値は、多層構造体のパターン化された透明導電性層が肉眼で識別できない良好なレベルであることを示す。
【００４１】
次に示すものは、本発明の態様による方法又は物品の代表的な実施形態である。
【００４２】
実施形態１は、対向する両側面を有し、対向する両主表面を有するＵＶ透過性中心高分子基板と、高分子基板のそれぞれの対向する両主表面上の透明導電性層と、各透明導電性層上の金属導電性層と、を含む、多層構造体を用意する工程と、両方の金属導電性層上に第１写真影像層を塗布及びパターン化して、透明導電性層用の所望のパターンを有する写真影像マスクを形成する工程と、写真影像マスクによって露出された金属導電性層及び透明導電性層の部分をエッチングする工程と、写真影像マスクを除去する工程と、各金属導電性層の残部の上に第２写真影像層を塗布及びパターン化して、金属導電性層用の所望のパターンを有する写真影像マスクを形成する工程と、金属導電性層の露出部分をエッチングする工程と、を含む、方法である。
【００４３】
実施形態２は、対向する両側面を有し、対向する両主表面を有するＵＶ透過性中心高分子基板と、高分子基板のそれぞれの対向する両主表面上の透明導電性層と、各透明導電性層上の金属導電性層と、を含む、多層構造体を用意する工程と、両方の金属導電性層上に第１写真影像層を塗布及びパターン化して、透明導電性層及び金属導電性層用の所望のパターンを有する写真影像マスクを形成する工程と、写真影像マスクによって露出された金属導電性層及び透明導電性層の部分をエッチングする工程と、写真影像マスクを除去する工程と、各金属導電性層の残部の上に第２写真影像層を塗布及びパターン化して、金属導電性層の所望のパターンを保護する写真影像マスクを形成する工程と、金属導電性層の露出部分をエッチングする工程と、を含む、方法である。
【００４４】
実施形態３は、中心高分子基板が、ポリエステル、ポリカーボネート、液晶高分子、ポリイミド、及びポリエチレンナフタレートからなる群から選択される、実施形態１又は実施形態２に記載の方法である。
【００４５】
実施形態４は、中心フレキシブル基板がポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）を含む、実施形態１又は実施形態２に記載の方法である。
【００４６】
実施形態５は、透明導電性層がインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）を含む、実施形態１又は実施形態２に記載の方法である。
【００４７】
実施形態６は、ＩＴＯが非晶質である、実施形態５に記載の方法である。
【００４８】
実施形態７は、透明導電性層がＩＴＯ及び酸化ケイ素の層を含む、実施形態１又は実施形態２に記載の方法である。
【００４９】
実施形態８は、酸化ケイ素にアルミニウムが添加されている、実施形態７に記載の方法である。
【００５０】
実施形態９は、多層構造体の対向する側面上の写真影像層が同時に紫外線に露光される、実施形態１又は実施形態２に記載の方法である。
【００５１】
実施形態１０は、多層構造体の対向する側面上の金属導電性層が同時にエッチングされる、実施形態１又は実施形態２に記載の方法である。
【００５２】
実施形態１１は、多層構造体の対向する側面上の透明導電性層が同時にエッチングされる、実施形態１又は実施形態２に記載の方法である。
【００５３】
実施形態１２は、金属導電性層が、銅、アルミニウム、金、銀、ニッケル、及びスズからなる群から選択される、実施形態１又は実施形態２に記載の方法である。
【００５４】
実施形態１３は、金属導電性層の一方又は両方用の所望のパターンが、透明導電性層を装置に接続するための回路を含む、実施形態１又は実施形態２に記載の方法である。
【００５５】
実施形態１４は、金属導電性層の露出部分が、ＩＴＯをエッチングしないエッチング剤を使用してエッチングされる、実施形態１又は実施形態２に記載の方法である。
【００５６】
実施形態１５は、エッチング剤がアンモニア系である、実施形態１４に記載の方法である。
【００５７】
実施形態１６は、対向する両側面を有し、ＵＶ透過性中心高分子基板と、高分子基板のそれぞれの対向する両主表面上の透明導電性層と、各透明導電性層上の金属導電性層と、を含む、多層構造体を含む、物品である。
【００５８】
実施形態１７は、多層構造体が各金属導電性層上のパターン化された写真影像マスクを更に含む、実施形態１６に記載の物品である。
【００５９】
実施形態１８は、両方の透明導電性層がパターン化される、実施形態１６に記載の物品である。
【００６０】
実施形態１９は、両方の金属導電性層がパターン化される、実施形態１８に記載の物品である。
【００６１】
実施形態２０は、パターン化された金属導電性層が、約３０〜約１００マイクロメートルの幅と、約３〜約３５マイクロメートルの高さと、約６０〜約２００マイクロメートルのピッチと、を有するトレースを含む回路を含む、実施形態１９に記載の物品である。
【００６２】
実施形態２１は、パターン化された金属導電性層がトレースを含む回路を含み、多層構造体の一方の側面上のパターン化された金属導電性層のトレースが、多層構造体の他方の側面上のパターン化された金属導電性層のトレースからずれており、その結果、トレースは基板の主表面の平面に垂直な方向で重なり合わない、実施形態１９に記載の物品である。
【００６３】
実施形態２２は、中心高分子基板が、ポリエステル、ポリカーボネート、液晶高分子、ポリイミド、及びポリエチレンナフタレートからなる群から選択される、実施形態１６に記載の物品である。
【００６４】
実施形態２３は、中心高分子基板がポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）を含む、実施形態１６に記載の物品である。
【００６５】
実施形態２４は、透明導電性層がインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）を含む、実施形態１６に記載の物品である。
【００６６】
実施形態２５は、ＩＴＯが非晶質である、実施形態２４に記載の物品である。
【００６７】
実施形態２６は、透明導電性層がＩＴＯ及び酸化ケイ素の層を含む、実施形態１６に記載の物品である。
【００６８】
実施形態２７は、酸化ケイ素にアルミニウムが添加されている、実施形態２６に記載の物品である。
【００６９】
実施形態２８は、金属導電性層が、銅、アルミニウム、及び金からなる群から選択される、実施形態１６に記載の物品である。
【００７０】
実施形態２９は、多層構造体が、非接触感知領域と、非接触感知領域から延びる少なくとも１つの長手方向コネクタ尾部と、を含む、実施形態１６に記載の物品である。
【００７１】
実施形態３０は、対向する両側面を有し、対向する主表面を有するＵＶ透過性中心高分子基板と、基板の対向する主表面上のパターン化された透明導電性層と、を含む、多層構造体を含み、ＵＶ透過性高分子基板が約１．６０を超える屈折率を有する、物品である。
【００７２】
実施形態３１は、ＵＶ透過性高分子基板が約１．６３を超える屈折率を有する、実施形態３０に記載の物品である。
【００７３】
実施形態３２は、両方の透明導電性層上のパターン化された金属導電性層を更に含む、実施形態３０に記載の物品である。
【００７４】
実施形態３３は、パターン化された金属導電性層が、約３０〜約１００マイクロメートルの幅と、約３〜約３５マイクロメートルの高さと、約６０〜約２００マイクロメートルのピッチと、を有するトレースを含む回路を含む、実施形態３２に記載の物品である。
【００７５】
実施形態３４は、パターン化された金属導電性層がトレースを含む回路を含み、多層構造体の一方の側面上のパターン化された金属導電性層のトレースが、多層構造体の他方の側面上のパターン化された金属導電性層のトレースからずれており、その結果、トレースは基板の主表面の平面に垂直な方向で重なり合わない、実施形態３２に記載の物品である。
【００７６】
特記しない限り、本明細書及び「特許請求の範囲」で使用されている量、性質の測定などを表現する全ての数は、用語「約」により改変されていると理解されるべきである。したがって、反することが示されない限り、本明細書及び添付特許請求の範囲に記載の数値的パラメータは、本発明の教示を利用して当業者により得ることが求められる所望の性質に応じて変化する近似値である。均等論を特許請求の範囲の範疇に適用することを制限しようとする試みとしてではなく、各数値パラメータは少なくとも、記録された有効数字の桁数を考慮して、また通常の四捨五入を適用することによって解釈されるべきである。本発明の広範な範囲を示す数値範囲及びパラメータは近似であるにも拘わらず、いかなる数値も本明細書で述べられる具体的な例で示される程度に、これらは妥当に可能な限り精確に報告される。しかしながら、いかなる数値も試験及び測定の限界に関連する誤差を含み得る。
【００７７】
以上、好適な実施形態の説明を目的として特定の実施形態を本明細書に図示、説明したが、同様の目的を達成することが予想される広範な代替的かつ／又は同等の実施の態様を、本発明の範囲を逸脱することなく、図示及び説明された特定の実施形態に置き換えることができる点は当業者には認識されるであろう。機械、光学、及び電気の分野における当業者には、本発明が非常に多種多様な実施形態で実現され得ることは容易に理解されよう。本出願は、本明細書で考察した好適な実施形態のあらゆる適合形態又は変形例を含むものである。したがって、本発明が特許請求の範囲及びその均等物によってのみ限定される点を明示するものである。
【図１】
2014534458.tif 000003
【図２】
2014534458.tif 000004
【図３ａ】
2014534458.tif 000005
【図３ｂ】
2014534458.tif 000006
【図４】
2014534458.tif 000007
【図５】
2014534458.tif 000008
【図６】
2014534458.tif 000009
【図７ａ】
2014534458.tif 000010
【図７ｂ】
2014534458.tif 000011
【図８ａ】
2014534458.tif 000012
【図８ｂ】
2014534458.tif 000013
【図８ｃ】
2014534458.tif 000014
【図８ｄ】
2014534458.tif 000015
【図８ｅ】
2014534458.tif 000016
【図９】
2014534458.tif 000017
【図１０ａ】
2014534458.tif 000018
【図１０ｂ】
2014534458.tif 000019
【図１０ｃ】
2014534458.tif 000020
【図１０ｄ】
2014534458.tif 000021
【図１０ｅ】
2014534458.tif 000022
【図１０ｆ】
2014534458.tif 000023
【図１０ｇ】
2014534458.tif 000024
【図１０ｈ】
2014534458.tif 000025
【図１０ｉ】
2014534458.tif 000026
【図１１】
2014534458.tif 000027
【図１２ａ】
2014534458.tif 000028
【図１２ｂ】
2014534458.tif 000029
【図１２ｃ】
2014534458.tif 000030
【図１２ｄ】
2014534458.tif 000031
【図１２ｅ】
2014534458.tif 000032
【図１２ｆ】
2014534458.tif 000033
【国際調査報告】
2014534458.tif 000034
2014534458.tif 000035