(57)【要約】光透過性基板、基板に直接接触する強化フィルム、アノード、光活性層、およびカソードを含む有機電子デバイスが提供される。アノードは、単層または多層のいずれかであってよい。単層アノードは、１０５Ｓｃｍ−１を超える導電率および３８０〜７８０ｎｍの範囲内で２．１未満の実部屈折率を有する第１の金属の合金を含む。多層電極は：  （ａ）第１の厚さを有し第１の金属を含む層Ｍ１と；  （ｂ）第２の厚さを有し、第２の金属、第２の金属の合金、または混合金属酸化物からなる群から選択される材料を含む層Ｍ２であって、第２の金属は１０５Ｓｃｍ−１未満の導電率を有する層Ｍ２とを含む。多層電極中、層Ｍ１は層Ｍ２と物理的に接触しており、第１の厚さは第２の厚さよりも大きい。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光透過性基板、前記基板に直接接触する強化フィルム、アノード、光活性層、およびカソードを含む有機電子デバイスであって、前記アノードは、（ａ）単層Ａ１および（ｂ）多層の一方を含み、
前記単層Ａ１は、１０５Ｓｃｍ−１を超える導電率および３８０〜７８０ｎｍの範囲内で２．１未満の実部屈折率を有する第１の金属の合金を含み；
前記多層は：
（ａ）第１の厚さを有し前記第１の金属を含む層Ｍ１と；
（ｂ）第２の厚さを有し、第２の金属、前記第２の金属の合金、および混合金属酸化物からなる群から選択される材料を含む層Ｍ２であって、前記第２の金属は１０５Ｓｃｍ−１未満の導電率を有する層Ｍ２と
を含み；
層Ｍ１は層Ｍ２と物理的に接触しており、前記第１の厚さは前記第２の厚さよりも大きい、有機電子デバイス。
【請求項２】
前記強化フィルムが前記基板の第１の表面上に存在し、前記アノードが、前記第１の表面とは反対側の前記基板の第２の表面上に存在する、請求項１に記載のデバイス。
【請求項３】
前記強化フィルムが、前記基板と前記アノードとの間に存在する、請求項１に記載のデバイス。
【請求項４】
前記強化フィルムが、粒子状材料が内部に分散したポリマーマトリックスを含む、請求項１に記載のデバイス。
【請求項５】
前記ポリマーマトリックスが、ポリメチルメタクリレートフィルム、ポリカーボネートフィルム、およびポリシロキサンフィルムからなる群から選択される、請求項４に記載のデバイス。
【請求項６】
前記粒子状材料が、６３２．８ｎｍで測定される際に１．９を超える屈折率を有する、請求項４に記載のデバイス。
【請求項７】
前記粒子状材料が、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２、ＡｌＮ、ＢａＴｉＯ３、およびそれらの混合物からなる群から選択される、請求項４に記載のデバイス。
【請求項８】
前記強化フィルムが０．５ミクロン〜１．０ｍｍの範囲内の厚さを有する、請求項１に記載のデバイス。
【請求項９】
前記第１の金属が、銅、銀、および金からなる群から選択される、請求項１に記載のデバイス。
【請求項１０】
Ａ１が、銀／金、銀／金／銅、金／ニッケル、金／パラジウム、銀／ゲルマニウム、銀／銅、銀／パラジウム、銀／ニッケル、および銀／チタンからなる群から選択される合金を含む、請求項１に記載のデバイス。
【請求項１１】
層Ｍ１が５〜５０ｎｍの厚さを有し、層Ｍ２が０．１〜５ｎｍの厚さを有する、請求項１に記載のデバイス。
【請求項１２】
前記第２の金属が、クロム、ニッケル、パラジウム、チタン、およびゲルマニウムからなる群から選択される、請求項１に記載のデバイス。
【請求項１３】
層Ｍ２が、クロム、ニッケル、パラジウム、チタン、ゲルマニウム、インジウムスズ酸化物からなる群から選択される材料を含む、請求項１に記載のデバイス。
【請求項１４】
前記第１の厚さ未満の厚さを有する第２の層Ｍ２をさらに含む、請求項１に記載のデバイス。
【請求項１５】
インジウムスズ酸化物、インジウム亜鉛酸化物、アルミニウムスズ酸化物、アルミニウム亜鉛酸化物、またはジルコニウムスズ酸化物を含む層Ｍ３をさらに含む、請求項１に記載のデバイス。
【請求項１６】
有機正孔注入材料を含む層Ｍ４をさらに含む、請求項１に記載のデバイス。
【請求項１７】
前記正孔注入材料が、ヘキサアザトリフェニレンヘキサカルボニトリル、またはコロイド形成性ポリマースルホン酸がドープされた導電性ポリマーを含む、請求項１６に記載の複合電極。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、一般に有機電子デバイスに関し、特に照明に使用されるデバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
関連出願データ
本出願は、米国特許法第１１９条（ｅ）に基づいて、２０１１年３月８日に出願された米国仮特許出願第６１／４５０２９６号明細書（この記載内容全体が参照により本明細書に援用される）の優先権を主張する。
【０００３】
ＯＬＥＤディスプレイまたはＯＬＥＤ照明デバイスを構成する有機発光ダイオード（「ＯＬＥＤ」）などの有機光活性電子デバイス中では、２つの電気接触層の間に有機活性層が挟まれている。ＯＬＥＤ中、少なくとも１つの電気接触層は光透過性であり、電気接触層に電圧を印加すると、有機光活性層は、光透過性の電気接触層を通して光を発する。
【０００４】
発光ダイオードの活性成分として有機エレクトロルミネセンス化合物を使用することはよく知られている。単純な有機分子、共役ポリマー、および有機金属錯体が使用されている。デバイスは、多くの場合、光活性層（たとえば発光）と電気接触層との間に配置される１つ以上の電荷輸送層を含む。デバイスは２つ以上の接触層を含むことができる。光活性層と正孔注入接触層との間に正孔輸送層を配置することができる。正孔注入接触層はアノードと呼ばれる場合もある。光活性層と電子注入接触層との間に電子輸送層を配置することができる。電子注入接触層はカソードと呼ばれる場合もある。電荷輸送材料は、光活性材料と組み合わせてホストとして使用することもできる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
改善された性質を有するデバイスが引き続き必要とされている。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
光透過性基板、基板に直接接触する強化フィルム、アノード、光活性層、およびカソードを含む有機電子デバイスであって、アノードは、（ａ）単層Ａ１および（ｂ）多層の１つを含み、単層Ａ１は、１０５Ｓｃｍ−１を超える導電率および３８０〜７８０ｎｍの範囲内で２．１未満の実部屈折率を有する第１の金属の合金を含み；多層は：
（ａ）第１の厚さを有し第１の金属を含む層Ｍ１と；
（ｂ）第２の厚さを有し、第２の金属、第２の金属の合金、および混合金属酸化物からなる群から選択される材料を含む層Ｍ２であって、第２の金属は１０５Ｓｃｍ−１未満の導電率を有する層Ｍ２と
を含み；
層Ｍ１は層Ｍ２と物理的に接触しており、第１の厚さは第２の厚さよりも大きい、有機電子デバイスが提供される。
【０００７】
以上の概要および以下の詳細な説明は、単に例示的および説明的なものであり、添付の特許請求の範囲によって規定される本発明を限定するものではない。
【０００８】
本明細書において提示される概念の理解を進めるために、添付の図面において実施形態を説明する。
【０００９】
当業者であれば理解しているように、図面中の物体は、平易かつ明快にするために示されており、必ずしも縮尺通りに描かれているわけではない。たとえば、実施形態を理解しやすいようにするために、図面中の一部の物体の寸法が他の物体よりも誇張されている場合がある。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】有機電子デバイスの一例の図である。
【図２Ａ】複合アノードを有する有機電子デバイスの図である。
【図２Ｂ】複合アノードを有する有機電子デバイスの図である。
【図３】複合アノードを有する有機電子デバイスの別の図である。
【図４】複合アノードを有する有機電子デバイスの別の図である。
【図５】複合アノードを有する有機電子デバイスの別の図である。
【図６】複合アノードを有する有機電子デバイスの別の図である。
【図７】複合アノードを有する有機電子デバイスの別の図である。
【図８】複合アノードを有する有機電子デバイスの別の図である。
【図９】複合アノードを有する有機電子デバイスの別の図である。
【図１０】複合アノードを有する有機電子デバイスの別の図である。
【図１１】複合アノードを有する有機電子デバイスの別の図である。
【図１２】複合アノードを有する有機電子デバイスの別の図である。
【図１３】複合アノードを有する有機電子デバイスの別の図である。
【図１４】複合アノードを有する有機電子デバイスの別の図である。
【図１５】２つの比較例デバイスのエレクトロルミネッセンススペクトルである。
【図１６】２つの新規なデバイスおよび１つの比較例デバイスのエレクトロルミネッセンススペクトルである。
【図１７】２つの比較例デバイスのエレクトロルミネッセンススペクトルである。
【図１８】２つの新規なデバイスおよび１つの比較例デバイスのエレクトロルミネッセンススペクトルである。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
照明用途に使用される従来の白色ＯＬＥＤデバイスは、インジウムスズ酸化物（「ＩＴＯ」）アノードに基づいている。これらのデバイスでは、順方向で基板を通過するフォトンの約２０〜２５％しか発光することができない。残りのフォトンは、デバイスの内側に捕捉されるか、または案内されて端部から出ていくかのいずれかで浪費される。捕捉されたフォトンを収集するために、アウトカップリング強化方法を使用する必要がある。照明用途の場合、この強化方法によって、所望の黒体曲線に近い白色光スペクトルを維持できる必要がある。残念ながら、ほとんどのアウトカップリング強化方法は、スペクトルの一部のみを増強することができる。スペクトルを所望の白色点に修復するために、内部デバイス構造および材料の組成の調節を行う必要があるが、それによって効率が低下することがある。本明細書に記載の新規な電子デバイスは、バランスが取れた白色光を実現するために、スペクトルの種々の部分を増強させる相補的な特徴の組み合わせを有するデバイス構造を有する。この新規なデバイスは、アウトカップリング方法の最適化から独立した材料およびデバイス構造の最適化が可能になるというさらなる利点を有する。
【００１２】
多くの態様および実施形態が以上に記載されているが、それらは単に例示的なものであり、限定的なものではない。本明細書を読めば、本発明の範囲から逸脱することなく他の態様および実施形態が可能であることが、当業者には理解されよう。
【００１３】
いずれか１つ以上の実施形態のその他の特徴および利点は、以下の詳細な説明および特許請求の範囲から明らかとなるであろう。この詳細な説明では、最初に、用語の定義および説明を扱い、続いて、強化フィルム、アノード、電子デバイス、および実施例を扱う。
【００１４】
１．用語の定義および説明
以下に説明する実施形態の詳細を扱う前に、一部の用語について定義または説明を行う。
【００１５】
用語「青色」は、約４００〜５００ｎｍの範囲内の波長で発光極大を有する放射線を意味することを意図している。
【００１６】
層、材料、部材、または構造に関して言及される場合、用語「電荷輸送」は、そのような層、材料、部材、または構造が、比較的効率的かつ少ない電荷損失で、そのような層、材料、部材、または構造の厚さを通過するそのような電荷の移動を促進することを意味することを意図している。正孔輸送材料は正電荷を促進し、電子輸送材料は負電荷を促進する。発光材料も、ある程度の電荷輸送特性を有する場合があるが、用語「電荷輸送層、材料、部材、または構造」が、主要な機能が発光または光吸収である層、材料、部材、または構造を含むことは意図していない。
【００１７】
用語「ドーパント」は、ホスト材料を含む層中で、その層の電子的特性、あるいは放射線の放出、受容、またはフィルタリングの目標波長を、そのような材料を含まない層の電子的特性、あるいは放射線の放出、受容、またはフィルタリングの波長に対して変化させる材料を意味することを意図している。特定の色のドーパントは、その色を発光するドーパントのことである。
【００１８】
用語「緑色」は、約５００〜５８０ｎｍの範囲内の波長で発光極大を有する放射線を意味することを意図している。
【００１９】
層、材料、部材、または構造に言及する場合の用語「正孔注入」は、そのような層、材料、部材、または構造が、比較的効率的かつ少ない電荷損失で、そのような層、材料、部材、または構造の厚さを通過する正電荷の注入および移動を促進することを意味することを意図している。
【００２０】
用語「ホスト材料」は、ドーパントを加える場合も加えない場合もある、通常は層の形態である材料を意味することを意図している。ホスト材料は、電子的特性、あるいは放射線を放出、受信、またはフィルタリングする能力を有する場合もあるし、有さない場合もある。ドーパントがホスト材料中に存在する場合、ホスト材料はドーパント材料の発光波長を大きく変化させることがない。
【００２１】
用語「粒度」は、すべての粒子の大きさの平均を意味することを意図している。粒子は、円形、長方形、多角形、および不規則な形状などのあらゆる形状を有することができると理解されている。用語「大きさ」は、円形粒子の直径、長方形粒子の長い方の対角線、あるいは不規則な形状などのあらゆる他の形状の粒子を取り囲む円の直径を意味することを意図している。
【００２２】
用語「光活性」は、印加電圧によって活性化した場合に光を発する材料（発光ダイオード中または化学セル中など）、あるいは放射エネルギーに応答し、バイアス電圧の印加を伴ってまたは伴わずに信号を発生する材料（光検出器または光起電力セル中など）を意味することを意図している。
【００２３】
用語「赤色」は、約５８０〜７００ｎｍの範囲内の波長で発光極大を有する放射線を意味することを意図している。
【００２４】
物質の「屈折率」という用語は、その物質中の光の速度の尺度の１つである。これは、考慮される媒体中の光速に対する真空中の光速の比として定義される。一般に、屈折率は、実部と虚部との両方を有する複素数であり、虚部は場合により消衰係数ｋと呼ばれる。本明細書において使用される場合、「実部屈折率」は、この複素数の実部を意味する。屈折率は、光の波長に強く依存する。
【００２５】
化合物に言及する場合の用語「小分子」は、繰り返しモノマー単位を有さない化合物を意味することを意図している。一実施形態においては、小分子は約２０００ｇ／ｍｏｌ以下の分子量を有する。
【００２６】
用語「基板」は、剛性または可撓性のいずれであってもよく、１種類以上の材料の１つ以上の層を含むことができる母材を意味することを意図しており、このような材料としては、ガラス、ポリマー、金属、またはセラミック材料、あるいはそれらの組み合わせを挙げることができるが、これらに限定されるものではない。基板は、電子部品、回路、または導電性部材を含む場合もあるし、含まない場合もある。
【００２７】
本明細書において使用される場合、用語「含んでなる」、「含んでなること」、「含む」、「含むこと」、「有する」、「有すること」、またはそれらの他のあらゆる変形は、非排他的な包含を扱うことを意図している。たとえば、ある一連の要素を含むプロセス、方法、物品、または装置は、それらの要素にのみに必ずしも限定されるものではなく、そのようなプロセス、方法、物品、または装置に関して明示されず固有のものでもない他の要素を含むことができる。
【００２８】
本明細書において、特に明記されたり、使用の状況によって逆のことが示されたりするのでなければ、本明細書において開示される主題の実施形態が、特定の特徴または構造を含んでなる、特定の特徴または構造を含む、特定の特徴または構造を含有する、特定の特徴または構造を有する、特定の特徴または構造で構成される、あるいは特定の特徴または構造によって構成される、あるいは特定の特徴または構造が構成要素であると記載または説明される場合、明確に記載または説明される特徴または要素に加えて１つまたは複数の特徴または要素がその実施形態に存在することができる。本明細書において開示される主題の別の一実施形態が、特定の特徴または要素から本質的になると記載されるのは、その実施形態において、その実施形態の動作原理または際だった特徴を実質的に変化させる特徴および要素が、その中には存在しない場合である。本明細書に記載の主題のさらに別の一実施形態が、特定の特徴または要素からなると記載されるのは、その実施形態において、またはそれらの実質的でない変形において、具体的に記載または説明される特徴または要素のみが存在する場合である。
【００２９】
さらに、反対の意味で明記されない限り、「または」は、包含的なまたはを意味するのであって、排他的なまたはを意味するのではない。例えば、条件ＡまたはＢが満たされるのは、Ａが真であり（または存在し）Ｂが偽である（または存在しない）、Ａが偽であり（または存在せず）Ｂが真である（または存在する）、ならびにＡおよびＢの両方が真である（または存在する）のいずれか１つによってである。
【００３０】
また、「ａ」または「ａｎ」の使用は、本発明の要素および成分を記述するために使用される。これは、単に便宜上のものであり、本発明の範囲の一般的意味を示すために使用される。この記述は、１つまたは少なくとも１つを含むものと読むべきであり、明らかに他のものを意味しない限り、単数形は、複数形も包含するものとする。
【００３１】
元素周期表中の縦列に対応する族の番号には、ＣＲＣ  Ｈａｎｄｂｏｏｋ  ｏｆ  Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ  ａｎｄ  Ｐｈｙｓｉｃｓ，８１ｓｔ  Ｅｄｉｔｉｏｎ（２０００−２００１）に見ることができる「新表記法」（Ｎｅｗ  Ｎｏｔａｔｉｏｎ）の規則を使用している。
【００３２】
特に定義しない限り、本明細書において使用されるすべての技術用語および科学用語は、本発明が属する当業者によって一般に理解されている意味と同じ意味を有する。本明細書に記載されているものと類似または同等の方法および材料を使用して、本発明の実施形態の実施または試験を行うことができるが、好適な方法および材料については以下に説明する。本明細書において言及されるあらゆる刊行物、特許出願、特許、およびその他の参考文献は、特定の部分に言及される場合を除けば、それらの記載内容全体が援用される。矛盾が生じる場合には、定義を含めて本明細書に従うものとする。さらに、材料、方法、および実施例は、単に説明的なものであって、限定を意図したものではない。
【００３３】
本明細書に記載されていない程度の、具体的な材料、処理行為、および回路に関する多くの詳細は従来通りであり、それらについては、有機発光ダイオードディスプレイ、光検出器、光起電力技術、および半導体要素の技術分野の教科書およびその他の情報源中に見ることができる。
【００３４】
２．強化フィルム
ある実施形態においては、強化フィルムによって、光のアウトカップリングが改善される。ある実施形態においては、強化フィルムは、光散乱フィルム、テクスチャー加工されたフィルム、プリズムフィルム、およびマイクロレンズアレイからなる群から選択される。
【００３５】
ある実施形態においては、強化フィルムは光を散乱するフィルムである。ある実施形態においては、強化フィルムは、粒子状材料が内部に分散したマトリックスを含む。ある実施形態においては、マトリックスと粒子とは異なる屈折率を有する。ある実施形態においては、粒子はマトリックス材料よりも高い屈折率を有する。ある実施形態においては、粒子はマトリックス材料よりも低い屈折率を有する。
【００３６】
ある実施形態においては、マトリックスはポリマーフィルムである。例示的なポリマー材料としては、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリ（メタ）アクリレート、ポリシロキサン、ポリ塩化ビニル、ポリスチレン、ポリエステルスルホン、ポリブタジエン、ポリエーテルケトン、ポリウレタン、それらのコポリマー、およびそれらの重水素化類似体が挙げられるが、これらに限定されるものではない。ある実施形態においては、ポリマーフィルムは、ポリメチルメタクリレートフィルム、ポリカーボネートフィルム、およびポリシロキサンフィルムからなる群から選択される。用語「ポリシロキサン」は、少なくとも１つの構造単位［Ｒ２ＳｉＯ］ｎ（式中、Ｒは、出現ごとに同じまたは異なるものであり、有機基である）を有するポリマーを意味する。
【００３７】
粒子状材料は有機または無機であってよい。一部の例示的な有機粒子状材料としては、ポリ（メタ）アクリレート、ポリスチレン、ポリカーボネート、およびパリレンが挙げられるが、これらに限定されるものではない。一部の例示的な無機粒子状材料としては、金属酸化物、金属窒化物、金属ケイ酸塩、金属チタン酸塩、金属アルミノケイ酸塩、およびそれらの混合物が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【００３８】
ある実施形態においては、粒子状材料は、６３２．８ｎｍで測定される屈折率が１．９を超え、ある実施形態においては２．０を超え、ある実施形態においては２．３を超える。ある実施形態においては、粒子状材料は、６３２．８ｎｍで測定される屈折率が１．９を超える無機材料である。一部の例示的な無機材料としては、酸化チタンおよびケイ化チタン、酸化ジルコニウムおよびケイ化ジルコニウム、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、酸化ニオブ、チタン酸バリウム、ならびにそれらの混合物が挙げられるが、これらに限定されるものではない。ある実施形態においては、無機粒子状材料は、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２、ＡｌＮ、ＢａＴｉＯ３、およびそれらの混合物からなる群から選択される。
【００３９】
強化フィルムは、０．１ミクロン〜５．０ｍｍの範囲内の厚さを有することができる。ある実施形態においては、厚さは０．５ミクロン〜１．０ｍｍの範囲内である。粒子状材料は、フィルムの厚さ未満の粒度を有することができる。ある実施形態においては、粒度は０．０１ミクロン〜１００ミクロンの範囲内であり、ある実施形態においては０．１ミクロン〜１０ミクロンの範囲内である。粒子状材料は０．１〜８０重量％の量で存在し、ある実施形態においては０．５〜５０重量％の量で存在し、ある実施形態においては１〜２０重量％の量で存在する。
【００４０】
強化フィルムは、充填剤入りフィルムを形成するためのあらゆる方法によって作製することができる。このような方法は当技術分野において周知である。ある実施形態においては、強化フィルムは基板上に直接形成される。ある実施形態においては、強化フィルムは別個に形成され、次にたとえば積層によって基板に取り付けられる。
【００４１】
３．アノード
アノードは、（ａ）単層Ａ１および（ｂ）二重層の１つを含み、単層Ａ１は、１０５Ｓｃｍ−１を超える導電率、および３８０〜７８０ｎｍの範囲内で２．１未満の実部屈折率を有する金属の合金を含み；二重層は：
（ａ）第１の厚さを有し第１の金属を含む層Ｍ１と；
（ｂ）第２の厚さを有し、第２の金属、第２の金属の合金、および混合金属酸化物からなる群から選択される材料を含む層Ｍ２であって、第２の金属が１０５Ｓｃｍ−１未満の導電率を有する層Ｍ２とを含み；
層Ｍは、層Ｍ２と物理的に接触しており、第１の厚さは第２の厚さよりも大きい。
【００４２】
ａ．単層アノード
ある実施形態においては、アノードは単層Ａ１を含む。単層Ａ１は、第１の金属の合金を含み、第１の金属は、１０５Ｓｃｍ−１を超える導電率および３８０〜７８０ｎｍの範囲内で２．１未満の実部屈折率を有する。ある実施形態においては、第１の金属は２×１０５Ｓｃｍ−１を超える導電率を有する。
【００４３】
ある実施形態においては、層Ａ１は、第１の金属の合金から本質的になる。
【００４４】
ある実施形態においては、この合金は、第１の金属が少なくとも６０重量％であり；ある実施形態においては少なくとも７０重量％であり；ある実施形態においては少なくとも８０重量％であり；ある実施形態においては少なくとも９０重量％であり；ある実施形態においては少なくとも９５重量％である。
【００４５】
ある実施形態においては、第１の金属は、銅、銀、および金からなる群から選択される。
【００４６】
ある実施形態においては、第１の金属は銅であり、その導電率は６．０×１０５Ｓｃｍ−１であり、３８０〜７８０ｎｍの範囲内での実部屈折率は０．２５〜１．２である。
【００４７】
ある実施形態においては、第１の金属は銀であり、その導電率は６．３×１０５Ｓｃｍ−１であり、３８０〜７８０ｎｍの範囲内での実部屈折率は０．２〜０．１５である。
【００４８】
ある実施形態においては、第１の金属は金であり、その導電率は４．５×１０５Ｓｃｍ−１であり、３８０〜７８０ｎｍの範囲内での実部屈折率は１．７〜０．２の範囲内である。
【００４９】
ある実施形態においては、合金金属は、銀、金、銅、ニッケル、パラジウム、ゲルマニウム、およびチタンからなる群から選択される。
【００５０】
ある実施形態においては、アノードは、銀／金、銀／金／銅、金／ニッケル、金／パラジウム、銀／ゲルマニウム、銀／銅、銀／パラジウム、銀／ニッケル、および銀／チタンからなる群から選択される合金を含む。ある実施形態においては、アノードは、銀／金、銀／金／銅、金／ニッケル、金／パラジウム、銀／ゲルマニウム、銀／銅、銀／パラジウム、銀／ニッケル、および銀／チタンからなる群から選択される合金から本質的になる。
【００５１】
ある実施形態においては、単層Ａ１の厚さは５〜５０ｎｍの範囲内であり、ある実施形態においては１０〜３０ｎｍの範囲内である。
【００５２】
層Ａ１は、気相堆積、液相堆積（連続技術および不連続技術）、および熱転写などの層を形成するためのあらゆる従来の堆積技術によって形成することができる。ある実施形態においては、層Ａ１は、気相堆積法によって形成される。このような方法は当技術分野において周知である。
【００５３】
ｂ．多層アノード
ある実施形態においては、アノードは多層を含む。この多層は、
（ａ）第１の厚さを有し、第１の金属、または第１の金属の合金を含む層Ｍ１であって、第１の金属は、１０５Ｓｃｍ−１を超える導電率、および３８０〜７８０ｎｍの範囲内で２．１未満の実部屈折率を有する層Ｍ１と；
（ｂ）第２の厚さを有し、第２の金属、第２の金属の合金、および混合金属酸化物からなる群から選択される材料を含む層Ｍ２であって、第２の金属は１０５Ｓｃｍ−１未満の導電率を有する層Ｍ２とを含む。層Ｍ１は、層Ｍ２と物理的に接触しており、第１の厚さは第２の厚さよりも大きい。
【００５４】
ある実施形態においては、層Ｍ１は第１の金属から本質的になる。
【００５５】
ある実施形態においては、層Ｍ２は、第２の金属、第２の金属の合金、および第２の金属の酸化物からなる群から選択される材料から本質的になる。ある実施形態においては、層Ｍ２は第２の金属から本質的になる。
【００５６】
ある実施形態においては、Ｍ１の厚さ対Ｍ２厚さの比は、少なくとも５：１であり、ある実施形態においては少なくとも１０：１である。
【００５７】
ある実施形態においては、第１の金属は、第２の金属の熱伝導率よりも高い熱伝導率を有する。
【００５８】
ある実施形態においては、第１の金属は、銅、銀、金、およびそれらの合金からなる群から選択される。
【００５９】
ある実施形態においては、第１の金属は銅であり、その導電率は６．０×１０５Ｓｃｍ−１であり、３８０〜７８０ｎｍの範囲内での実部屈折率は１．２〜０．２５であり、熱伝導率は４．０１ワット／ｃｍ℃である。
【００６０】
ある実施形態においては、第１の金属は銀であり、その導電率は６．３×１０５Ｓｃｍ−１であり、３８０〜７８０ｎｍの範囲内での実部屈折率は０．２〜０．１５であり、熱伝導率は４．２９ワット／ｃｍ℃である。
【００６１】
ある実施形態においては、第１の金属は金であり、その導電率は４．５×１０５Ｓｃｍ−１であり、３８０〜７８０ｎｍの範囲内での実部屈折率は１．７〜０．２であり、熱伝導率は３．１７ワット／ｃｍ℃である。
【００６２】
ある実施形態においては、層Ｍ１は、銅、銀、または金から本質的になる。
【００６３】
ある実施形態においては、層Ｍ１の厚さは５〜５０ｎｍの範囲内であり、ある実施形態においては１０〜３０ｎｍの範囲内である。
【００６４】
ある実施形態においては、第２の金属の熱伝導率は１．０ワット／ｃｍ℃未満である。ある実施形態においては、第２の金属は第１の金属の融解熱よりも大きい融解熱を有する。ある実施形態においては、第２の金属の融解熱は１４ｋＪ／ｍｏｌを超える。
【００６５】
ある実施形態においては、第２の金属は、クロム、ニッケル、パラジウム、チタン、およびゲルマニウムからなる群から選択される。
【００６６】
ある実施形態においては、第２の金属はクロムであり、その導電率は７．７×１０４Ｓｃｍ−１であり、熱伝導率は０．９１ワット／ｃｍ℃である。
【００６７】
ある実施形態においては、第２の金属はニッケルであり、その導電率は１．４×１０５Ｓｃｍ−１であり、熱伝導率は０．９０ワット／ｃｍ℃である。
【００６８】
ある実施形態においては、第２の金属はパラジウムであり、その導電率は９．５×１０４Ｓｃｍ−１であり、熱伝導率は０．７２ワット／ｃｍ℃．
【００６９】
ある実施形態においては、第２の金属はチタンであり、その導電率は２．３×１０４Ｓｃｍ−１であり、熱伝導率は０．２２ワット／ｃｍ℃．
【００７０】
ある実施形態においては、第２の金属はゲルマニウムであり、その導電率は０Ｓｃｍ−１であり、熱伝導率は０．６０ワット／ｃｍ℃．
【００７１】
ある実施形態においては、層Ｍ２は、クロム、ニッケル、パラジウム、チタン、およびゲルマニウムからなる群から選択される金属から本質的になる。
【００７２】
ある実施形態においては、層Ｍ２は混合金属酸化物を含む。ある実施形態においては、この混合金属酸化物は、アルミニウム、インジウム、スズ、およびジルコニウムからなる群から選択される１種類以上の金属を有する。
【００７３】
ある実施形態においては、層Ｍ２は、インジウムスズ酸化物、インジウム亜鉛酸化物、アルミニウムスズ酸化物、アルミニウム亜鉛酸化物、またはジルコニウムスズ酸化物を含む。ある実施形態においては、層Ｍ２は、インジウムスズ酸化物、インジウム亜鉛酸化物、アルミニウムスズ酸化物、アルミニウム亜鉛酸化物、およびジルコニウムスズ酸化物からなる群から選択される材料から本質的になる。
【００７４】
ある実施形態においては、層Ｍ２は、クロム、ニッケル、パラジウム、チタン、ゲルマニウム、およびインジウムスズ酸化物からなる群から選択される材料を含む。ある実施形態においては、層Ｍ２は、クロム、ニッケル、パラジウム、チタン、ゲルマニウム、およびインジウムスズ酸化物からなる群から選択される材料から本質的になる。
【００７５】
ある実施形態においては、層Ｍ２の厚さは０．１〜５ｎｍの範囲内であり、ある実施形態においては０．５〜５ｎｍの範囲内である。
【００７６】
層Ｍ１およびＭ２は、気相堆積、液相堆積（連続技術および不連続技術）、および熱転写などの層を形成するためのあらゆる従来の堆積技術によって形成することができる。ある実施形態においては、層Ｍ１およびＭ２は、気相堆積法によって形成される。このような方法は当技術分野において周知である。
【００７７】
ｃ．追加の層
アノードは、場合により、第２の層Ｍ２、層Ｍ３、および層Ｍ４の１つ以上を含むことができる。
【００７８】
層Ｍ３は、可視光を少なくとも部分的に透過する導電性無機層である。ある実施形態においては、層Ｍ３は、インジウムスズ酸化物、インジウム亜鉛酸化物、アルミニウムスズ酸化物、アルミニウム亜鉛酸化物、またはジルコニウムスズ酸化物を含む。ある実施形態においては、層Ｍ３は、インジウムスズ酸化物、インジウム亜鉛酸化物、アルミニウムスズ酸化物、アルミニウム亜鉛酸化物、およびジルコニウムスズ酸化物からなる群から選択される材料から本質的になる。ある実施形態においては、層Ｍ３の厚さは３０〜２００ｎｍの範囲内であり、ある実施形態においては５０〜１５０ｎｍの範囲内である。
【００７９】
層Ｍ３は、気相堆積、液相堆積（連続技術および不連続技術）、および熱転写などの層を形成するためのあらゆる従来の堆積技術によって形成することができる。ある実施形態においては、層Ｍ３は、気相堆積法によって形成される。このような方法は当技術分野において周知である。
【００８０】
層Ｍ４は、有機正孔注入材料を含む。正孔注入材料は、ポリマー、オリゴマー、または小分子であってよい。正孔注入材料の例としては、ポリ（スチレンスルホン酸）、ポリ（２−アクリルアミド−２−メチル−１−プロパンスルホン酸）などがドープされたポリアニリン（ＰＡＮＩ）またはポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）などのポリマープロトン酸がドープされた導電性ポリマー；テトラフルオロテトラシアノキノジメタン、ペリレン−３，４，９，１０−テトラカルボン酸−３，４，９，１０−二無水物、ペリレン−３，４，９，１０−テトラカルボン酸−３，４，９，１０−ジイミド、ナフタレンテトラカルボン酸ジイミド、およびヘキサアザトリフェニレンヘキサカルボニトリルなどの小分子が挙げられるが、これらに限定されるものではない。ある実施形態においては、正孔注入材料は、コロイド形成性ポリマースルホン酸がドープされた導電性ポリマーである。このような材料は、たとえば、米国特許出願公開第２００４／０１０２５７７号明細書、米国特許出願公開第２００４／０１２７６３７号明細書、および米国特許出願公開第２００５／０２０５８６０号明細書、ならびに国際公開第２００９／０１８００９号パンフレットに記載されている。
【００８１】
ある実施形態においては、層Ｍ４は、ヘキサアザトリフェニレンヘキサカルボニトリル、およびコロイド形成性ポリマースルホン酸がドープされた導電性ポリマーからなる群から選択される材料を含む。ある実施形態においては、層Ｍ４は、ヘキサアザトリフェニレンヘキサカルボニトリル、およびコロイド形成性ポリマースルホン酸がドープされた導電性ポリマーからなる群から選択される材料から本質的になる。
【００８２】
ある実施形態においては、層Ｍ４の厚さは１０〜３００ｎｍの範囲内であり、ある実施形態においては５０〜２００ｎｍの範囲内である。
【００８３】
層Ｍ４は、気相堆積、液相堆積（連続技術および不連続技術）、および熱転写などの層を形成するためのあらゆる従来の堆積技術によって形成することができる。連続液相堆積技術としては、スピンコーティング、グラビアコーティング、カーテンコーティング、浸漬コーティング、スロットダイコーティング、スプレーコーティング、および連続ノズルコーティングが挙げられるが、これらに限定されるものではない。不連続液相堆積技術としては、インクジェット印刷、グラビア印刷、およびスクリーン印刷が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【００８４】
単層Ａ１が存在する場合、アノードは、以下に示す順序の層のあらゆる組み合わせを有することができる。
【００８５】
Ｍ３／Ｍ２／Ａ１／Ｍ２／Ｍ４
但し、少なくともＡ１は存在する。
【００８６】
Ｍ１およびＭ２の二重層が存在する場合、アノードは、以下に示す順序の層のあらゆる組み合わせを有することができる。
【００８７】
Ｍ３／Ｍ２／Ｍ１／Ｍ２／Ｍ４
但し、少なくとも１つのＭ１層および１つのＭ２層は存在する。
【００８８】
ある実施形態においては、以下のあらゆる組み合わせが存在することができる：
（ｉ）層Ｍ１は、銅、銀、金、またはそれらの合金から本質的になる；
（ｉｉ）層Ｍ２は、クロム、ニッケル、パラジウム、チタン、ゲルマニウム、クロムの合金、ニッケルの合金、パラジウムの合金、チタンの合金、ゲルマニウムの合金、クロムの酸化物、ニッケルの酸化物、パラジウムの酸化物、チタンの酸化物、ゲルマニウムの酸化物、インジウムスズ酸化物、インジウム亜鉛酸化物、アルミニウムスズ酸化物、アルミニウム亜鉛酸化物、またはジルコニウムスズ酸化物から本質的になる；
（ｉｉｉ）Ｍ１の厚さ対Ｍ２の厚さの比は少なくとも５：１である；
（ｉｖ）第１の金属は、第２の金属の熱伝導率よりも高い熱伝導率を有する。
（ｖ）層Ｍ１の厚さは５〜５０ｎｍの範囲内である；
（ｖｉ）第２の金属の熱伝導率は１．０ワット／ｃｍ℃未満である；Ｉ
（ｖｉｉ）第２の金属は、第１の金属の融解熱よりも大きい融解熱を有する。
（ｖｉｉｉ）第２の金属の融解熱は１４ｋＪ／ｍｏｌを超える；
（ｉｘ）層Ｍ２の厚さは０．１〜５ｎｍの範囲内である；
（ｘ）層Ｍ３が存在し、層Ｍ３は、インジウムスズ酸化物、インジウム亜鉛酸化物、アルミニウムスズ酸化物、アルミニウム亜鉛酸化物、およびジルコニウムスズ酸化物から本質的になる。
（ｘｉ）層Ｍ３の厚さは３０〜２００ｎｍの範囲内である；
（ｘｉｉ）層Ｍ４が存在し、層Ｍ４は、ヘキサアザトリフェニレンヘキサカルボニトリル、またはコロイド形成性ポリマースルホン酸がドープされた導電性ポリマーである材料から本質的になる；
（ｘｉｉｉ）層Ｍ４の厚さは１０〜３００ｎｍの範囲内である。
【００８９】
４．電子デバイス
本明細書に記載の構造を有することが有益となりうる有機電子デバイスとしては、（１）電気エネルギーを放射線に変換するデバイス（たとえば、発光ダイオード、発光ダイオードディスプレイ、点灯装置、照明器具、またはダイオードレーザー）、（２）電子的過程を介して信号を検出するデバイス（たとえば、光検出器、光導電セル、フォトレジスタ、光スイッチ、光トランジスタ、光電管、ＩＲ検出器、バイオセンサー）、（３）放射線を電気エネルギーに変換するデバイス（たとえば、光起電力デバイスまたは太陽電池）、および（４）１つ以上の有機半導体層を含む１つ以上の電子部品（たとえば、トランジスタまたはダイオード）を含むデバイスが挙げられるが、これらに限定されるものではない。特に、本発明の構造はＯＬＥＤ照明デバイスに使用することができる。
【００９０】
ＯＬＥＤデバイスは、一般に、アノードおよびカソードである２つの電気接触層の間に光活性層を含む。典型的なデバイス構造を図１に概略的に示している。デバイスＤ１は、基板１０、アノード２０、任意選択の正孔輸送層３０、光活性層４０、任意選択の電子輸送層５０、任意選択の電子注入層６０、およびカソード７０を含む。さらに、アノードと正孔輸送層との間に正孔注入層（図示せず）が存在することができる。照明デバイスの場合、光活性層はピクセル化されない。すべての図面において、層は縮尺通りには描かれておらず、層の相対厚さも示されていないことに留意されたい。
【００９１】
本明細書に記載の新規なデバイスは、図２Ａおよび図２Ｂに示される構造の１つを有する。図２Ａ中、デバイスＤ２Ａは強化フィルム１００を有する。強化フィルム１００は、基板１０の外側にあり基板１０と直接接触している。前述したように、アノード２００は単層Ａ１または多層構造である。光活性層４０およびカソード７０は前述したように存在する。この図中、および引き続くすべての図中で、他のデバイス層は示していないが、前述のように存在することができる。この図中、および引き続くすべての図中で、基板は１０として示されており、光活性層は４０として示されており、カソードは７０として示されている。
【００９２】
図２Ｂ中、デバイスＤ２Ｂは、基板１０のデバイス側に強化フィルム１００を有する。強化フィルムは基板１０と直接接触しており、基板とアノード２００との間に存在する。前述したように、アノード２００は単層Ａ１または多層構造である。
【００９３】
ある実施形態においては、アノード２００は、１０５Ｓｃｍ−１を超える導電率および３８０〜７８０ｎｍの範囲内で２．１未満の実部屈折率を有する金属の合金を含む単層Ａ１である。ある実施形態においては、アノード２００は、１０５Ｓｃｍ−１を超える導電率および３８０〜７８０ｎｍの範囲内で２．１未満の実部屈折率を有する金属の合金から本質的になる。
【００９４】
ある実施形態においては、アノードは二重層である。これは、図３および４に概略的に示されている。図３中のデバイスＤ３は、第１の層２０１と第２の層２０２とを有するアノード２００を有する。層２０１はＭ１であり、層２０２はＭ２である。この図中、強化フィルム１００は基板１０の外側に示されている。
【００９５】
図４中のデバイスＤ４は、層の順序が逆の二重層アノード２００を有する。Ｍ２である層２０２は基板１００と直接接触しており、Ｍ１である層２０１は層２０２の上にあり層２０２と直接物理的に接触している。
【００９６】
ある実施形態においては、アノードは、層Ｍ２、層Ｍ３、および層Ｍ４を含む１つ以上の追加の層を有することができる。
【００９７】
層Ｍ２が存在する場合、この層は層Ｍ１または層Ａ１と直接物理的に接触している。
【００９８】
層Ｍ３が存在する場合、この層は基板に隣接している。これは、層Ｍ３がアノードの基板側にあるが、基板と必ずしも直接物理的に接触しているわけではないことを意味する。ある実施形態においては、層Ｍ３は基板と物理的に接触している。ある実施形態においては、層Ｍ３は強化フィルムと物理的に接触している。
【００９９】
層Ｍ４が存在する場合、この層は光活性層に隣接している。これは、層Ｍ４がアノードの光活性層側にあるが、光活性層と必ずしも直接物理的に接触しているわけではないことを意味する。ある実施形態においては、層Ｍ４と光活性層との間に正孔輸送層が存在する。
【０１００】
図５〜１３は、１つ以上の追加の層がアノード中に存在する実施形態を示している。
【０１０１】
図５中のデバイスＤ５は、層２０２、２０１、および２０２をこの順序で有するアノード２００を有する。層２０２はＭ２であり、層２０１はＭ１であり、第２の２０２層はＭ２である。
【０１０２】
図６中のデバイスＤ６は、層２０３、２０２、および２０１をこの順序で有するアノード２００を有する。層２０３はＭ３であり、層２０２はＭ２であり、層２０１はＭ１である。
【０１０３】
図７中のデバイスＤ７は、層２０３、２０１、および２０２をこの順序で有するアノード２００を有する。層２０３はＭ３であり、層２０１はＭ１であり、層２０２はＭ２である。
【０１０４】
図８中のデバイスＤ８は、層２０２、２０１、および２０４をこの順序で有するアノード２００を有する。層２０２はＭ２であり、層２０１はＭ１であり、層２０４はＭ４である。
【０１０５】
図９中のデバイスＤ９は、層２０３、２１０、および２０４をこの順序で有するアノード２００を有する。層２０３はＭ３であり、層２１０はＡ１であり、層２０４はＭ４である。
【０１０６】
図１０中のデバイスＤ１０は、層２０３、２０２、２０１、および２０２をこの順序で有するアノード２００を有する。層２０３はＭ３であり、層２０２はＭ２であり、層２０１はＭ１であり、第２の層２０２はＭ２である。
【０１０７】
図１１中のデバイスＤ１１は、層２０２、２０１、２０２、および２０４をこの順序で有するアノード２００を有する。層２０２はＭ２であり、層２０１はＭ１であり、第２の層２０２はＭ２であり、層２０４はＭ４である。
【０１０８】
図１２中のデバイスＤ１２は、層２０３、２０２、２０１、および２０４をこの順序で有するアノード２００を有する。層２０３はＭ３であり、層２０２はＭ２であり、層２０１はＭ１であり、層２０４はＭ４である。
【０１０９】
図１３中のデバイスＤ１３は、層２０３、２０１、２０２、および２０４をこの順序で有するアノード２００を有する。層２０３はＭ３であり、層２０１はＭ１であり、層２０２はＭ２であり、層２０４はＭ４である。
【０１１０】
図１４中のデバイスＤ１４は、層２０３、２０２、２０１、２０２、および２０４をこの順序で有するアノード２００を有する。層２０３はＭ３であり、層２０２はＭ２であり、層２０１はＭ１であり、第２の層２０２はＭ２であり、層２０４はＭ４である。
【０１１１】
上記デバイスＤ３〜Ｄ１４のすべてにおいて、強化フィルムは基板１０の外側に示されている。上記デバイスＤ３〜Ｄ１４のいずれにおいても、強化フィルムは、基板の外側、図２Ｂに示されるように基板およびアノードとの間に配置可能である事を理解されたい。
【０１１２】
層Ｍ１〜Ｍ４の組み合わせを有する他のアノードも可能である。
【０１１３】
ａ．他のデバイス層
デバイス中の他の層は、そのような層中で有用となることが知られているあらゆる材料から作製することができる。
【０１１４】
基板１０は、剛性または可撓性のいずれであってもよい母材である。基板は、限定するものではないがガラス、ポリマー、金属、またはセラミック材料、あるいはそれらの組み合わせを含むことができる１種類以上の材料の１つ以上の層を含むことができる。基板は、電子部品、回路、または導電性部材を含む場合もあるし、含まない場合もある。
【０１１５】
任意選択の層３０の正孔輸送材料の例は、たとえば、Ｙ．ＷａｎｇによりＫｉｒｋ−Ｏｔｈｍｅｒ  Ｅｎｃｙｃｌｏｐｅｄｉａ  ｏｆ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，Ｆｏｕｒｔｈ  Ｅｄｉｔｉｏｎ，Ｖｏｌ．１８，ｐ．８３７−８６０，１９９６にまとめられている。正孔輸送分子および正孔輸送ポリマーの両方を使用することができる。一般に使用される正孔輸送分子は：Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（ＴＰＤ）、１，１−ビス［（ジ−４−トリルアミノ）フェニル］シクロヘキサン（ＴＡＰＣ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（４−エチルフェニル）−［１，１’−（３，３’−ジメチル）ビフェニル］−４，４’−ジアミン（ＥＴＰＤ）、テトラキス−（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−２，５−フェニレンジアミン（ＰＤＡ）、ａ−フェニル−４−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノスチレン（ＴＰＳ）、ｐ−（ジエチルアミノ）−ベンズアルデヒドジフェニルヒドラゾン（ＤＥＨ）、トリフェニルアミン（ＴＰＡ）、ビス［４−（Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ）−２−メチルフェニル］（４−メチルフェニル）メタン（ＭＰＭＰ）、１−フェニル−３−［ｐ−（ジエチルアミノ）スチリル］−５−［ｐ−（ジエチルアミノ）フェニル］ピラゾリン（ＰＰＲまたはＤＥＡＳＰ）、１，２−ｔｒａｎｓ−ビス（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）シクロブタン（ＤＣＺＢ）、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−メチルフェニル）−（１，１’−ビフェニル）−４，４’−ジアミン（ＴＴＢ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ビス−（フェニル）ベンジジン（ＮＰＢ）、および銅フタロシアニンなどのポルフィリン系化合物である。一般に使用される正孔輸送ポリマーは、ポリビニルカルバゾール、（フェニルメチル）−ポリシラン、およびポリアニリンである。ポリスチレンおよびポリカーボネートなどのポリマー中に、上述のものなどの正孔輸送分子をドープすることによって、正孔輸送ポリマーを得ることもできる。場合によっては、トリアリールアミンポリマー、特にトリアリールアミン−フルオレンコポリマーが使用される。場合によっては、これらのポリマーおよびコポリマーは架橋性である。ある実施形態においては、正孔輸送層は、ｐ−ドーパントをさらに含む。ある実施形態においては、正孔輸送層にはｐ−ドーパントがドープされる。ｐ−ドーパントの例としては、テトラフルオロテトラシアノキノジメタン（Ｆ４−ＴＣＮＱ）、およびペリレン−３，４，９，１０−テトラカルボン酸−３，４，９，１０−二無水物（ＰＴＣＤＡ）が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【０１１６】
デバイスの用途に依存するが、光活性層４００は、印加電圧によって活性化される発光層（発光ダイオードまたは発光電気化学セル中など）、放射エネルギーに応答し、バイアス電圧の印加を伴ってまたは伴わずに信号を発生する材料の層（光検出器中など）であってよい。一実施形態においては、電気活性層は、有機エレクトロルミネッセンス（「ＥＬ」）材料を含む。限定するものではないが、小分子有機蛍光化合物、発光性金属錯体、共役ポリマー、およびそれらの混合物などのあらゆるＥＬ材料をデバイス中に使用することができる。蛍光化合物の例としては、クリセン類、ピレン類、ペリレン類、ルブレン類、クマリン類、アントラセン類、チアジアゾール類、それらの誘導体、およびそれらの混合物が挙げられるが、これらに限定されるものではない。金属錯体の例としては、トリス（８−ヒドロキシキノラト）アルミニウム（Ａｌｑ３）などの金属キレート化オキシノイド化合物；Ｐｅｔｒｏｖらの米国特許第６，６７０，６４５号明細書ならびに国際公開第０３／０６３５５５号パンフレットおよび国際公開第２００４／０１６７１０号パンフレットに記載されるような、フェニルピリジン配位子、フェニルキノリン配位子、またはフェニルピリミジン配位子を有するイリジウム錯体などの、シクロメタレート化されたイリジウムおよび白金のエレクトルミネッセンス化合物、ならびにたとえば国際公開第０３／００８４２４号パンフレット、国際公開第０３／０９１６８８号パンフレット、および国際公開第０３／０４０２５７号パンフレットに記載される有機金属錯体、ならびにそれらの混合物が挙げられるが、これらに限定されるものではない。共役ポリマーの例としては、ポリ（フェニレンビニレン）類、ポリフルオレン類、ポリ（スピロビフルオレン）類、ポリチオフェン類、ポリ（ｐ−フェニレン）類、それらのコポリマー、およびそれらの混合物が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【０１１７】
場合によっては、加工特性および／または電子特性を改善するために、発光材料はドーパントとしてホスト材料とともに堆積される。
【０１１８】
赤色発光材料の例としては、フェニルキノリン配位子またはフェニルイソキノリン配位子を有するＩｒ錯体、ペリフランテン類、フルオランテン類、およびペリレン類が挙げられるが、これらに限定されるものではない。赤色発光材料は、たとえば、米国特許第６，８７５，５２４号明細書、および米国特許出願公開第２００５−０１５８５７７号明細書に開示されている。
【０１１９】
緑色発光材料の例としては、フェニルピリジン配位子を有するＩｒ錯体、ビス（ジアリールアミノ）アントラセン類、およびポリフェニレンビニレンポリマー類が挙げられるが、これらに限定されるものではない。緑色発光材料は、たとえば、国際公開第２００７／０２１１１７号パンフレットに開示されている。
【０１２０】
青色発光材料の例としては、フェニルピリジン配位子またはフェニルイミダゾール配位子を有するＩｒ錯体、ジアリールアントラセン類、ジアミノクリセン類、ジアミノピレン類、およびポリフルオレンポリマー類が挙げられるが、これらに限定されるものではない。青色発光材料は、たとえば、米国特許第６，８７５，５２４号明細書、ならびに米国特許出願公開第２００７−０２９２７１３号明細書、および米国特許出願公開第２００７−００６３６３８号明細書に開示されている。
【０１２１】
ある実施形態においては、照明用途で、三重項励起状態または混合一重項−三重項励起状態空の発光を示すエレクトロルミネッセンス材料の使用が望ましい。ある実施形態においては、エレクトロルミネッセンス材料は有機金属錯体である。ある実施形態においては、有機金属錯体はシクロメタレート化されている。「シクロメタレート化」は、少なくとも２つの位置で金属に結合して、少なくとも１つの炭素−金属結合を有する少なくとも１つの５または６員環を形成する少なくとも１つの配位子を、錯体が含有することを意味する。ある実施形態においては、この金属はイリジウムまたは白金である。ある実施形態においては、有機金属錯体は、電気的に中性であり、式ＩｒＬ３で表されるイリジウムのトリス−シクロメタレート化錯体、または式ＩｒＬ２Ｙで表されるイリジウムのビス−シクロメタレート化錯体である。ある実施形態においては、Ｌは、炭素原子および窒素原子を介して配位するモノアニオン性二座シクロメタレート化配位子である。ある実施形態においては、Ｌは、アリールＮ−複素環であり、ここで、アリールはフェニルまたはナプチル（ｎａｐｔｈｙｌ）であり、Ｎ−複素環は、ピリジン、キノリン、イソキノリン、ジアジン、ピロール、ピラゾール、またはイミダゾールである。ある実施形態においては、Ｙはモノアニオン性二座配位子である。ある実施形態においては、Ｌは、フェニルピリジン、フェニルキノリン、またはフェニルイソキノリンである。ある実施形態においては、Ｙは、β−ジエノレート、ジケチミン、ピコリネート、またはＮ−アルコキシピラゾールである。配位子は、非置換であってもよいし、Ｆ、Ｄ、アルキル、パーフルオロラルキル（ｐｅｒｆｌｕｏｒｏｒａｌｋｙｌ）、アルコキシル、アルキルアミノ、アリールアミノ、ＣＮ、シリル、フルオロアルコキシ、またはアリール基で置換されていてもよい。
【０１２２】
ある実施形態においては、発光材料は、イリジウムまたは白金のシクロメタレート化錯体である。このような材料は、たとえば米国特許第６，６７０，６４５号明細書、ならびに国際公開第０３／０６３５５５号パンフレット、国際公開第２００４／０１６７１０号パンフレット、および国際公開第０３／０４０２５７号パンフレットに開示されている。
【０１２３】
赤色発光色を示す有機金属イリジウム錯体の例としては以下の化合物Ｒ１〜Ｒ１０が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【０１２４】
【化１】
2014511005.tif 000003
【０１２５】
緑色発光色を示す有機金属イリジウム錯体の例としては以下の化合物Ｇ１〜Ｇ１０が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【０１２６】
【化２】
2014511005.tif 000004
【０１２７】
青色発光色を示す有機金属イリジウム錯体の例としては以下の化合物Ｂ１〜Ｂ１０が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【０１２８】
【化３】
2014511005.tif 000005
【０１２９】
ある実施形態においては、光活性層４０は、ホスト材料中のエレクトロルミネッセンス材料を含む。ある実施形態においては、第２のホスト材料も存在する。ホスト材料の例としては、カルバゾール類、インドロカルバゾール類、クリセン類、フェナントレン類、トリフェニレン類、フェナントロリン類、トリアジン類、ナフタレン類、アントラセン類、キノリン類、イソキノリン類、キノキサリン類、フェニルピリジン類、ベンゾジフラン類、金属キノリネート錯体、それらの重水素化類似体、およびそれらの組み合わせが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【０１３０】
任意選択の層５０は、電子輸送の促進と、層界面での励起子の消光を防止する正孔注入層または閉じ込め層としての両方の機能を果たすことができる。好ましくは、この層は、電子移動を促進し、励起子の消光を減少させる。任意選択の電子輸送層５０中に使用できる電子輸送材料の例としては、トリス（８−ヒドロキシキノラト）アルミニウム（ＡｌＱ）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（ｐ−フェニルフェノラト）アルミニウム（ＢＡｌｑ）、テトラキス−（８−ヒドロキシキノラト）ハフニウム（ＨｆＱ）、およびテトラキス−（８−ヒドロキシキノラト）ジルコニウム（ＺｒＱ）などの金属キノレート誘導体などの金属キレート化オキシノイド化合物；ならびに２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（ＰＢＤ）、３−（４−ビフェニリル）−４−フェニル−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール（ＴＡＺ）、および１，３，５−トリ（フェニル−２−ベンゾイミダゾール）ベンゼン（ＴＰＢＩ）などのアゾール化合物；２，３−ビス（４−フルオロフェニル）キノキサリンなどのキノキサリン誘導体類；４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（ＤＰＡ）および２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（ＤＤＰＡ）などのフェナントロリン類；トリアジン類；フラーレン類；ならびにそれらの混合物が挙げられる。ある実施形態においては、電子輸送材料は、金属キノレート類およびフェナントロリン誘導体類からなる群から選択される。ある実施形態においては、電子輸送層はｎ−ドーパントをさらに含む。ｎ−ドーパント材料は周知である。ｎ−ドーパントとしては、１族および２族の金属；ＬｉＦ、ＣｓＦ、およびＣｓ２ＣＯ３などの１族および２族の金属の塩；Ｌｉキノレートなどの１族および２族の金属の有機化合物；ならびにロイコ染料などの分子ｎ−ドーパント、Ｗ２（ｈｐｐ）４（ここでｈｐｐ＝１，３，４，６，７，８−ヘキサヒドロ−２Ｈ−ピリミド−［１，２−ａ］−ピリミジンである）、およびコバルトセンなどの金属錯体、テトラチアナフタセン、ビス（エチレンジチオ）テトラチアフルバレン、複素環式ラジカルまたはジラジカル、ならびに複素環式ラジカルまたはジラジカルのダイマー、オリゴマー、ポリマー、ジスピロ化合物、および多環化合物が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【０１３１】
カソード７０は、電子または負電荷キャリアの注入に特に有効な電極である。カソードは、アノードよりも低い仕事関数を有するあらゆる金属または非金属であってよい。カソードの材料は、１族のアルカリ金属（たとえば、Ｌｉ、Ｃｓ）、２族（アルカリ土類）金属、１２族金属、たとえば希土類元素およびランタニド、ならびにアクチニドから選択することができる。アルミニウム、インジウム、カルシウム、バリウム、サマリウム、およびマグネシウム、ならびにそれらの組み合わせなどの材料を使用することができる。動作電圧を低下させるために、Ｌｉ含有有機金属化合物、ＬｉＦ、Ｌｉ２Ｏ、Ｃｓ含有有機金属化合物、ＣｓＦ、Ｃｓ２Ｏ、およびＣｓ２ＣＯ３を有機層とカソード層との間に堆積することもできる。この任意選択の層は電子注入層６０と呼ばれる場合もある。ある実施形態においては、電子注入層用に堆積した材料は、下にある電子輸送層および／またはカソードと反応し、測定可能な層としては残留しない。
【０１３２】
有機電子デバイス中に他の層を有することが知られている。それぞれの構成層の材料の選択は、好ましくは、高いエレクトロルミネッセンス効率を有するデバイスを得るために、発光層中の正電荷と負電荷とのバランスをとることによって決定される。各機能層が２つ以上の層で構成されてよいことを理解されたい。
【０１３３】
一実施形態においては、種々の層は以下の範囲の厚さを有する：複合アノード、５００〜５０００Å、一実施形態においては１０００〜２０００Å；正孔輸送層、５０〜２０００Å、一実施形態においては２００〜１０００Å；光活性層、１０〜２０００Å、一実施形態においては１００〜１０００Å；電子輸送層、５０〜５００Å、一実施形態においては１００〜３００Å；カソード、２００〜１００００Å、一実施形態においては３００〜５０００Å。層の厚さの所望の比は、使用される材料の厳密な性質に依存する。
【０１３４】
デバイス層は、気相堆積、液相堆積、および熱転写などのあらゆる堆積技術、または複数の技術の組み合わせによって形成することができる。熱蒸着、化学気相堆積などの従来の気相堆積技術を使用することができる。有機層は、限定するものではないがスピンコーティング、浸漬コーティング、ロール・ツー・ロール技術、インクジェット印刷、連続ノズル印刷、スクリーン印刷、グラビア印刷などの従来のコーティングまたは印刷技術を用いて、好適な溶媒中の溶液または分散体から塗布することができる。
【０１３５】
液相堆積方法の場合、特定の化合物または関連する種類の化合物に好適な溶媒は、当業者が容易に決定することができる。一部の用途では、化合物が非水溶媒中に溶解することが望ましい。このような非水溶媒は、Ｃ１〜Ｃ２０アルコール類、エーテル類、および酸エステル類などの比較的極性であってよいし、あるいはＣ１〜Ｃ１２アルカン類、またはトルエン、キシレン類、トリフルオロトルエンなどの芳香族など比較的非極性であってもよい。新規化合物を含む本明細書に記載されるような溶液または分散体のいずれかとしての液体組成物の製造に使用すると好適な他の液体としては、塩素化炭化水素類（塩化メチレン、クロロホルム、クロロベンゼンなど）、芳香族炭化水素類（置換および非置換のトルエン類およびキシレン類など）、たとえばトリフルオロトルエン）、極性溶媒（テトラヒドロフラン（ＴＨＰ）、Ｎ−メチルピロリドンなど）エステル類（エチルアセテートなど）アルコール類（イソプロパノール）、ケイトン類（ｋｅｙｔｏｎｅｓ）（シクロペンタトン（ｃｙｃｌｏｐｅｎｔａｔｏｎｅ））、およびそれらの混合物が挙げられるが、これらに限定されるものではない。エレクトロルミネッセンス材料に好適な溶媒は、たとえば国際公開第２００７／１４５９７９号パンフレットに記載されている。
【０１３６】
ある実施形態においては、前述のような複合アノードの堆積に続いて、正孔輸送層および光活性層の液相堆積と、電子輸送層、電子注入層、およびカソードの気相堆積とによって、デバイスが製造される。
【０１３７】
本明細書に記載の新規組成物を用いて作製されるデバイスの効率は、デバイス中の他の層を最適化させることによってさらに改善できることを理解されたい。たとえば、Ｃａ、Ｂａ、またはＬｉＦなどのより効率的なカソードを使用することができる。動作電圧を下げたり量子効率を向上させたりする成形基体および新規な正孔輸送材料も利用可能である。種々の層のエネルギー準位を調整しエレクトロルミネッセンスを促進するために追加の層を加えることもできる。
【０１３８】
一実施形態においては、デバイスは、強化フィルム、基板、アノード、正孔輸送層、光活性層、電子輸送層、電子注入層、カソードの構造をこの順序で有する。
【０１３９】
本明細書に記載されているものと類似または同等の方法および材料を使用して、本発明の実施または試験を行うことができるが、好適な方法および材料について以下に説明する。さらに、これらの材料、方法、および実施例は、単に説明的なものであって、限定を意図したものではない。本明細書において言及されるすべての刊行物、特許出願、特許、およびその他の参考文献は、それらの記載内容全体が参照により援用される。
【実施例】
【０１４０】
本明細書に記載の概念を以下の実施例においてさらに説明するが、これらの実施例は、特許請求の範囲に記載される本発明の範囲を限定するものではない。
【０１４１】
材料
化合物１は、導電性ポリマーとポリマーフッ素化スルホン酸との水性分散体から形成される。このような材料は、たとえば米国特許出願公開第２００４／０１０２５７７号明細書、米国特許出願公開第２００４／０１２７６３７号明細書、および米国特許出願公開第２００５／０２０５８６０号明細書、ならびに国際公開第２００９／０１８００９号パンフレットに記載されている。
【０１４２】
化合物２はＮ−アリール−インドロカルバゾールである。このような材料は、たとえば米国特許出願公開第２００９／０３０２７４２号明細書に記載されている。
【０１４３】
化合物３は青色発光トリスシクロメタレート化イリジウム錯体である。
【０１４４】
化合物４は金属キノレート錯体である。
【０１４５】
化合物５はトリアリールアミンポリマーである。このような材料は、たとえば国際公開第２００９／０６７４１９号パンフレットに記載されている。
【０１４６】
化合物６は青色発光トリスシクロメタレート化イリジウム錯体である。
【０１４７】
化合物７は緑色発光トリスシクロメタレート化イリジウム錯体である。
【０１４８】
化合物８は赤色発光ビスシクロメタレート化イリジウムアセチルアセトネート錯体である。
【０１４９】
化合物９はカルバゾール誘導体である。
【０１５０】
化合物１０はＮ−アリール−インドロカルバゾールである。
【０１５１】
化合物１１はフェナントロリン誘導体である。
【０１５２】
化合物１２は以下に示すものである。このような材料は、たとえば同時係属出願［ＵＣ１００６］に記載されている。
【０１５３】
【化４】
2014511005.tif 000006
【０１５４】
化合物１３は以下に示すものである。このような材料は、たとえば同時係属出願［ＵＣ１００６］に記載されている。
【０１５５】
【化５】
2014511005.tif 000007
【０１５６】
化合物１４は以下に示すものである。このような材料は、たとえば米国特許出願公開第２０１０−１０８７９７７号明細書に記載されている。
【０１５７】
【化６】
2014511005.tif 000008
【０１５８】
化合物１５は以下に示すものである。このような材料は、たとえば米国特許第７，０２３，０１３号明細書に記載されている。
【０１５９】
【化７】
2014511005.tif 000009
【０１６０】
ＤＰＡは４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリンである。
【０１６１】
ＴＡＰＣは以下に示すものである。
【０１６２】
【化８】
2014511005.tif 000010
【０１６３】
実施例１
この実施例では、強化フィルムの形成を示す。
【０１６４】
強化フィルムは、粒子状材料が内部に分散されたポリマーマトリックスで構成された。ポリマー材料は、ポリシロキサンのＳｙｌｇａｒｄ（登録商標）１８４シリコーンエラストマー（Ｄｏｗ  Ｃｏｒｎｉｎｇ，Ｍｉｄｌａｎｄ，ＭＩ）であった。粒子状材料は、１００ｎｍ未満の粒度を有するＺｒＯ２ナノパウダー（Ｓｉｇｍａ−Ａｌｄｒｉｃｈ，Ｓｔ．Ｌｏｕｉｓ，ＭＯ）であった。
【０１６５】
ＺｒＯ２ナノパウダーをＳｙｌｇａｒｄ中に分散させ、１０重量％のＳｙｌｇａｒｄ  １８４硬化剤を用いて硬化させ、ガラス基板上に種々の厚さのフィルムにキャストして、強化フィルムを作製した。
【０１６６】
強化フィルム１は、２重量％のＺｒＯ２を有し、フィルム厚さは１０００ミクロンであった。
【０１６７】
強化フィルム２は、４重量％のＺｒＯ２を有し、フィルム厚さは１２５０ミクロンであった。
【０１６８】
実施例２および３ならびに比較例ＡおよびＢ
これらの例では、本明細書に記載の構造を有するデバイスの性能を示す。
【０１６９】
実施例２および３は、以下のデバイス層を記載の順序で有した：
強化フィルム
基板＝ガラス
アノード＝Ｃｒ（０．７ｎｍ）／Ａｇ（１５ｎｍ）
正孔注入層＝化合物１（５０ｎｍ）
正孔輸送層＝ＴＡＰＣ（２０ｎｍ）
光活性層＝化合物２中の６重量％の化合物３（５３ｎｍ）
電子輸送層＝化合物４（１０ｎｍ、塗布時）
電子注入層＝ＣｓＦ（１ｎｍ）
カソード＝Ａｌ（１００ｎｍ）
【０１７０】
実施例２は強化フィルム１を有した。
【０１７１】
実施例３は強化フィルム２を有した。
【０１７２】
比較例Ａは、ＩＴＯ（１２０ｎｍ）のアノードを有し、強化フィルムは有さなかった。
【０１７３】
比較例Ｂは、実施例２と同じアノードを有したが、強化フィルムは有さなかった。
【０１７４】
これらのデバイスは、ガラス基板の強化フィルムを有さない側に層を堆積することによって作製した。化合物１は、水性分散体からのスピンコーティングによって堆積した。他のすべての層は、蒸着によって取り付けた。
【０１７５】
比較例ＡおよびＢのエレクトロルミネッセンススペクトルを図１５に示す。比較例Ａのスペクトルである線Ａは、スペクトルの青色部分の４９５ｎｍにおいて主要ピークを有する。赤色部分における強度は非常に弱い。比較例Ｂのスペクトルである線Ｂは、スペクトルの赤色部分の５５６ｎｍにおいて主要ピークを有するが、スペクトルの青色部分は比較的弱い。したがって、ＩＴＯアノードの代わりに二重層アノードを使用することで、スペクトルの赤色部分の発光が増加するが、青色の発光が犠牲になることが分かる。
【０１７６】
実施例２および３のエレクトロルミネッセンススペクトルを、図１６にそれぞれ線２および線３で示している。参考のため比較例Ｂのスペクトルも含んでいる。実施例２の線２では、スペクトルの青色部分が比較例Ｂよりも増強され、比較例Ｂの増強した赤色ピークは維持されていることが分かる。実施例３の線３から、スペクトルの青色部分は、ＺｒＯ２充填量がより多い強化フィルムを使用することでさらに増強可能であることがさらに分かる。したがって、アノード層の厚さ、ならびに強化フィルムの粒子濃度およびフィルム厚さを微調整することで、白色スペクトルを所望の色に厳密に調節可能である。
【０１７７】
実施例４および５ならびに比較例ＣおよびＤ
これらの例では、本明細書に記載の構造を有するデバイスの性能を示す。
【０１７８】
実施例４および５は、以下のデバイス層を記載の順序で有した：
強化フィルム
基板＝ガラス
アノード＝Ｃｒ（０．７ｎｍ）／Ａｇ（１５ｎｍ）
正孔注入層＝化合物１（５０ｎｍ）
正孔輸送層＝化合物５（２０ｎｍ）
光活性層＝重量比０．７：０．１３：１５：７２：１２の化合物８、化合物７、化合物６、化合物９、および化合物１０（６０ｎｍ）
電子輸送層＝化合物１１（１０ｎｍ）
電子注入層＝ＣｓＦ（１ｎｍ、堆積時）
カソード＝Ａｌ（１００ｎｍ）
【０１７９】
比較例Ｃは、ＩＴＯ（１２０ｎｍ）のアノードを有し、強化フィルムは有さなかった。
【０１８０】
比較例Ｄは、実施例４と同じアノードを有したが、強化フィルムは有さなかった。
【０１８１】
これらのデバイスは、ガラス基板の強化フィルムを有さない側に層を堆積することによって作製した。化合物１は、水性分散体からのスピンコーティングによって堆積した。化合物５および光活性層は、有機溶媒からのスピンコーティングによって堆積した。他のすべての層は、蒸着によって取り付けた。
【０１８２】
比較例ＣおよびＤのエレクトロルミネッセンススペクトルを図１７に示す。比較例Ｄのスペクトルである線Ｄは、比較例Ｃの線Ｃと比較して赤色部分の増強を示している。したがって、ＩＴＯアノードの代わりに二重層アノードを使用することで、スペクトルの赤色部分の発光が増加するが、青色の発光が犠牲になることが分かる。
【０１８３】
実施例４および５のエレクトロルミネッセンススペクトルを図１８に線４および５で示している。参考のため比較例Ｄのスペクトルの線Ｄも含んでいる。実施例４のスペクトルの線４において、スペクトルの青色部分は、比較例Ｄの線Ｄよりも増強されていることが分かる。実施例５のスペクトルの線５では、強化フィルムのＺｒＯ２充填量がより多い場合で、スペクトルの青色部分がさらに増強されていることがさらに分かる。したがって、アノード層の厚さ、ならびに強化フィルムの粒子濃度およびフィルム厚さを微調整することで、白色スペクトルを所望の色に厳密に調節可能である。
【０１８４】
実施例６
この実施例では、本明細書に記載の構造を有する別のデバイスを示す。
【０１８５】
光活性層は、赤色、緑色、および青色の発光色を示す材料を有する。これらの材料は、前述のＲ３、Ｇ３、およびＢ１であり、これらは、米国特許第６，６７０，６４５号明細書およびＤａｌｔｏｎ  Ｔｒａｎｓ．，２００５，１５８３−１５９０に記載の手順により作製することができる。
【０１８６】
このデバイスは、以下の層を記載の順序で有する：
基板＝ガラス
強化フィルム１
アノード＝Ｃｒ（０．７ｎｍ）／Ａｇ（１５ｎｍ）／ＩＴＯ（２０ｎｍ）
正孔注入層＝化合物１（５０ｎｍ）
正孔輸送層＝ＴＡＰＣ（２０ｎｍ）
光活性層＝０．７：０．１３：１５：７２：１２の重量比のＲ３、Ｇ３、Ｂ１、化合物１３、および化合物１２（６０ｎｍ）
電子輸送層＝ＤＰＡ
電子注入層＝ＣｓＦ（１ｎｍ、堆積時）
カソード＝Ａｌ（１００ｎｍ）
【０１８７】
このデバイスは、強化フィルム上のガラス基板上に層を堆積することによって作製することができる。化合物１は、水性分散体からのスピンコーティングによって堆積することができる。他のすべての層は、蒸着によって取り付けることができる。
【０１８８】
実施例７
この実施例では、本明細書に記載の構造を有する別のデバイスを示す。
【０１８９】
光活性層は、赤色、緑色、および青色の発光色を示す材料を有する。これらの材料は、前述のＲ３、Ｇ３、およびＢ１であり、これらは、米国特許第６，６７０，６４５号明細書およびＤａｌｔｏｎ  Ｔｒａｎｓ．，２００５，１５８３−１５９０に記載の手順により作製することができる。Ｒ３およびＧ３を第１の光活性層中で混合し；Ｂ１は第２の別の光活性層中に配置する。
【０１９０】
このデバイスは、以下の層を記載の順序で有する：
強化フィルム１
基板＝ガラス
アノード＝Ｃｒ（０．７ｎｍ）／Ａｇ（１５ｎｍ）／ＩＴＯ（２０ｎｍ）
正孔注入層＝化合物１（５０ｎｍ）
正孔輸送層＝ＴＡＰＣ（２０ｎｍ）
光活性層１＝１：１５：６３：２１の重量比のＲ３、Ｇ３、化合物１４、および化合物１２（３０ｎｍ）
光活性層２＝８：９２の重量比のＢ１および化合物１５（３０ｎｍ）
電子輸送層＝ＤＰＡ
電子注入層＝ＣｓＦ（１ｎｍ、堆積時）
カソード＝Ａｌ（１００ｎｍ）
【０１９１】
このデバイスは、強化フィルム上のガラス基板上に層を堆積することによって作製することができる。化合物１は、水性分散体からのスピンコーティングによって堆積することができる。他のすべての層は、蒸着によって取り付けることができる。
【０１９２】
概要または実施例において前述したすべての行為が必要なわけではなく、特定の行為の一部は不要である場合があり、１つ以上のさらに別の行為が、前述の行為に加えて実施される場合があることに留意されたい。さらに、行為が列挙されている順序は、必ずしもそれらが実施される順序ではない。
【０１９３】
以上の明細書において、特定の実施形態を参照しながら本発明の概念を説明した。しかし、当業者であれば、以下の特許請求の範囲に記載される本発明の範囲から逸脱せずに種々の修正および変形が可能なことが理解できるであろう。したがって、本明細書および図面は、限定的な意味ではなく説明的なものであると見なすべきであり、すべてのこのような修正は本発明の範囲内に含まれることが意図される。
【０１９４】
特定の実施形態に関して、利益、その他の利点、および問題に対する解決法を以上に記載してきた。しかし、これらの利益、利点、問題の解決法、ならびに、なんらかの利益、利点、または解決法を発生させたり、より顕著となったりすることがある、あらゆる特徴が、特許請求の範囲のいずれかまたはすべての重要、必要、または本質的な特徴として構成されるものではない。
【０１９５】
別々の実施形態の状況において、明確にするために本明細書に記載されている特定の複数の特徴は、１つの実施形態の中で組み合わせても提供できることを理解されたい。逆に、簡潔にするため１つの実施形態の状況において説明される種々の特徴も、別々に提供したり、あらゆる副次的な組み合わせで提供したりすることができる。さらに、範囲内で記載される値に関する言及は、その範囲内のすべての値を含んでいる。
【図１】
2014511005.tif 000011
【図２Ａ】
2014511005.tif 000012
【図２Ｂ】
2014511005.tif 000013
【図３】
2014511005.tif 000014
【図４】
2014511005.tif 000015
【図５】
2014511005.tif 000016
【図６】
2014511005.tif 000017
【図７】
2014511005.tif 000018
【図８】
2014511005.tif 000019
【図９】
2014511005.tif 000020
【図１０】
2014511005.tif 000021
【図１１】
2014511005.tif 000022
【図１２】
2014511005.tif 000023
【図１３】
2014511005.tif 000024
【図１４】
2014511005.tif 000025
【図１５】
2014511005.tif 000026
【図１６】
2014511005.tif 000027
【図１７】
2014511005.tif 000028
【図１８】
2014511005.tif 000029
【国際調査報告】
2014511005.tif 000030
2014511005.tif 000031