(57)【要約】システムには、処理チャンバーの入力セットと出力セットが含まれる。各入力セット及び出力セットの処理チャンバーは、変更容易に結合され、入力方向及び出力方向に直線状に並べられている。処理チャンバーは、デバイスを処理し、処理チャンバー間でデバイスを対応する入力方向及び出力方向に移動させる。入力セットの処理チャンバーは、入力セットの処理チャンバーの各々の中にデバイスがあるときに、デバイスを別々に処理する。出力セットの処理チャンバーは、出力セットの処理チャンバーの各々の中にデバイスがあるときに、デバイスを別々に処理する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
変更容易に結合され、入力方向に相互に直線状に並べて構成された処理チャンバーの入力セットであって、前記入力セットの処理チャンバーは、デバイスを加工し、前記入力セットの処理チャンバー間でデバイスを入力方向に移動させるよう構成されるとともに、前記入力セットの処理チャンバーは、前記入力セットの処理チャンバーの各々の中に前記デバイスがあるときに、前記デバイスを別々に処理するよう構成されることを特徴とする処理チャンバーの入力セットと、
変更容易に結合させ、出力方向に相互に直線状に並べて構成された処理チャンバーの出力セットであって、前記出力セットの処理チャンバーは、デバイスを加工し、前記出力セットの処理チャンバー間でデバイスを出力方向に移動させるよう構成されるとともに、前記出力セットの処理チャンバーは、前記出力セットの処理チャンバーの各々の中に前記デバイスがあるときに、前記デバイスを別々に処理するよう構成されることを特徴とする処理チャンバーの出力セットと、
を具備することを特徴とするシステム。
【請求項２】
相互に平行に配置され、複数の、少なくとも１つの共通する処理機能をおこなう、少なくとも１つの処理チャンバーの入力セット又は出力セットをさらに具備することを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記少なくとも１つの共通する処理機能をおこなう前記処理チャンバーは、少なくとも１つの、共通する制御又は共通する供給部品を共有することを特徴とする請求項２に記載のシステム。
【請求項４】
処理チャンバーの少なくとも１つの前記入力セット又は前記出力セットは２０以下の処理チャンバーを含むことを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項５】
処理チャンバーの少なくとも１つの前記入力セット又は前記出力セットは１３以下の処理チャンバーを含むことを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項６】
前記処理チャンバーの少なくとも１つは、前記デバイス上に半導体材料を蒸着させるよう構成されていることを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項７】
前記入力セットの処理チャンバーと前記出力セットの処理チャンバーは、グループになるよう配置され、前記グループは、前記各グループにおいて前記デバイス上に１つ以上の半導体接合部を形成するために半導体材料の１つ以上のサブレイヤーを蒸着するように構成されていることを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項８】
前記入力方向と前記出力方向とは互いに逆方向を向いていることを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項９】
前記入力方向と前記出力方向とは互いに同じ方向を向いていることを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項１０】
前記入力セットの１つ以上の前記処理チャンバー及び前記出力セットの１つ以上の前記処理チャンバーと変更容易に結合するよう構成されたブリッジングチャンバーであって、前記ブリッジングチャンバーは、前記入力セットの前記１つ以上の処理チャンバーから前記デバイスを受け取り、前記出力セットの前記１つ以上の処理チャンバーへ移送する方向にデバイスを移動させるよう構成され、前記移送する方向は、前記入力方向又は前記出力方向のうちの少なくとも１つを横切る方向に向いていることを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項１１】
前記移送方向は、前記入力方向又は前記出力方向のうちの少なくとも１つと垂直な方向であることを特徴とする請求項１０に記載のシステム。
【請求項１２】
前記ブリッジングチャンバーは、前記処理チャンバー及び前記ブリッジングチャンバー中の１つの媒体ガスより高い温度又は前記媒体ガスより低い圧力のうちの少なくとも１つを維持するために、前記入力セットの処理チャンバー及び前記出力セットの処理チャンバーと変更容易に結合するよう構成されていることを特徴とする請求項１０に記載のシステム。
【請求項１３】
前記処理チャンバーの入力セット、前記ブリッジングチャンバー、及び前記処理チャンバーの出力セットは、第１の処理回路を形成し、前記処理チャンバーの追加の入力セット、追加のブリッジングチャンバー、前記処理チャンバーの追加の出力セット、及び、お互いに変更容易に結合させ第２の処理回路を形成するよう構成された移行チャンバーをさらに具備することを特徴とする請求項１０に記載のシステム。
【請求項１４】
前記移行チャンバーは、前記デバイスを受け取り前記デバイスを前記処理チャンバーの前記追加の入力セットに移動させるための、前記第１の処理回路の前記出力セット中の１つ以上の前記処理チャンバーと変更容易に結合するよう構成されており、前記処理チャンバーの前記追加の入力セットは、前記デバイスを加工し前記追加のブリッジングチャンバーへと追加の入力方向に移動させるよう構成されており、前記追加のブリッジングチャンバーは、前記追加の出力セットの１つ以上の前記処理チャンバーへと、追加の移送方向に前記デバイスを移動させるよう構成されており、そして、前記追加の出力セットの前記処理チャンバーは、前記デバイスを加工し追加の出力方向に移動させるよう構成されていることを特徴とする請求項１３に記載のシステム。
【請求項１５】
前記第１の処理回路は前記第２の処理回路の上に配置され、或いは、前記第１の処理回路は前記第２の処理回路の下に配置され、前記移行チャンバーは、前記第１の処理回路と前記第２の処理回路との間でデバイスを上昇又は下降させるよう構成されていることを特徴とする請求項１４に記載のシステム。
【請求項１６】
第１の処理回路中の処理チャンバーは、前記デバイスを加工するために前記第１の処理回路の処理チャンバー内の第１の温度又は第１の圧力の内の少なくとも１つを維持するように構成され、前記第２の処理回路中の処理チャンバーは、前記デバイスを加工するために前記第２の処理回路の処理チャンバー内の別の第２の温度又は別の第２の圧力の内の少なくとも１つを維持するように構成されていることを特徴とする請求項１３に記載のシステム。
【請求項１７】
相互に変更容易に結合させ、第１の入力方向に直線的に配置する構成とした処理チャンバーの第１の入力セット、相互に変更容易に結合させ、第１の出力方向に直線的に配置する構成とした前記処理チャンバーの第１の出力セット、及び、処理チャンバーの前記第１の入力セットと処理チャンバーの前記第１の出力セットとの間に伸びる第１のブリッジングチャンバーを有することを特徴とする、第１の処理回路と、
相互に変更容易に結合させ、第２の入力方向に直線的に配置する構成とした処理チャンバーの第２の入力セット、相互に変更容易に結合させ、第２の出力方向に直線的に配置する構成とした前記処理チャンバーの第２の出力セット、及び、処理チャンバーの前記第２の入力セットと処理チャンバーの前記第２の出力セットとの間に伸びる第２のブリッジングチャンバーを有することを特徴とする、第２の処理回路と、
前記第１の処理回路及び前記第２の処理回路と変更容易に結合するように構成されている移行チャンバーであって、前記第１の処理回路は、半導体デバイスを処理し、前記第１の入力方向、前記第１の移送方向、及び、前記第１の出力方向に沿って、前記第１の処理回路の前記処理チャンバーを通過させるよう構成され、前記移行チャンバーは、前記デバイスを前記第２の処理回路に移動させるよう構成され、前記第２の処理回路は、前記デバイスを処理し、前記第２の入力方向、前記第２の移送方向、及び、前記第２の出力方向に沿って、前記第２の処理回路の前記処理チャンバーを通過させ、前記デバイス上に１つ以上の半導体レイヤーを蒸着させるよう構成されていることを特徴とする、移行チャンバーと、
を具備することを特徴とするシステム。
【請求項１８】
前記処理チャンバーは、各グループにおいて前記デバイス上に１つ以上の半導体接合部を形成するために半導体材料の１つ以上のサブレイヤーを蒸着させるように構成したグループになるよう配置されていることを特徴とする請求項１７に記載のシステム。
【請求項１９】
前記第１の入力方向と前記第１の出力方向とは、互いに逆方向を向いているか、又は、前記第２の入力方向と前記第２の出力方向とは、互いに逆方向を向いていることを特徴とする請求項１７に記載のシステム。
【請求項２０】
前記第１の移送方向は、前記第１の入力方向又は前記第１の出力方向のうちの少なくとも１つに対して垂直になっているか、又は、前記第２の移送方向は、前記第２の入力方向又は前記第２の出力方向のうちの少なくとも１つに対して垂直になっていることを特徴とする請求項１７に記載のシステム。
【請求項２１】
前記第１のブリッジングチャンバー及び前記第２のブリッジングチャンバーは、それぞれ、前記第１の処理回路の処理チャンバー及び前記第２の処理回路の処理チャンバーと変更容易に結合するよう構成され、前記第１の処理回路及び前記第２の処理回路中の媒体ガスより高い温度又は媒体ガスより低い圧力のいずれか１つを維持することを特徴とする請求項１７に記載のシステム。
【請求項２２】
前記第１の処理回路の処理チャンバーは、前記デバイスを加工するための第１の温度を維持するよう構成されており、前記第２の処理回路の処理チャンバーは、前記デバイスを加工するための、別の、第２の温度を維持するよう構成されていることを特徴とする請求項１７に記載のシステム。
【請求項２３】
前記移行チャンバーは、前記第１の処理回路中の前記処理チャンバーから前記デバイスと第１の搬送台とを受け取り、前記デバイスを前記第１の搬送台から分離し、前記デバイスを前記第２の処理回路中の第２の搬送台に移動させ、前記デバイスと前記第２の搬送台とを前記第２の処理回路の処理チャンバーへと移動させることを特徴とする請求項１７に記載のシステム。
【請求項２４】
前記移行チャンバーは、前記第１の処理チャンバーの前記第１の入力セット中の１つ以上の前記処理チャンバーへと前記第１の搬送台を移動させ、前記第１の処理回路の処理チャンバーを通過させて運ぶための、別の第２の搬送台に、他のデバイスを乗せるよう構成されていることを特徴とする請求項２３に記載のシステム。
【請求項２５】
前記移行チャンバーは、前記第２の処理回路の処理チャンバーから前記第２の搬送台を受け取り、前記第２の処理回路の処理チャンバーを通過させて運ぶために前記第２の搬送台の上に他のデバイスを乗せるよう構成されていることを特徴とする請求項２３に記載のシステム。
【請求項２６】
お互いに直線的に並べた複数のチャンバーを具備し、各チャンバーは、太陽電池モジュールの製造工程において、相異なる加工機能又はステップを実行することを特徴とする、
マルチチャンバーシステム。
【請求項２７】
前記チャンバー間で前記太陽電池モジュールを直線的に移動させるコンベアサブシステムさらに具備することを特徴とする請求項２６に記載のシステム。
【請求項２８】
第１のチャンバーでは、前記太陽電池モジュールの導電性下部電極を蒸着させ、別の第２のチャンバーでは、半導体レイヤーを蒸着させ、別の第３のチャンバーでは、前記太陽電池モジュールの導電性上部電極を蒸着させることを特徴とする請求項２６に記載のシステム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
（関連出願の相互参照）
この出願は、２０１１年２月２１日に出願された「太陽電池モジュールの製造に用いられる相互接続されたマルチチャンバーシステム（Ｉｎｔｅｒｃｏｎｎｅｃｔｅｄ  Ｍｕｌｔｉ-Ｃｈａｍｂｅｒ  Ｓｙｓｔｅｍ  Ｕｓｅｄ  Ｆｏｒ  Ｍａｎｕｆａｃｔｕｒｉｎｇ  Ａ  Ｐｈｏｔｏｖｏｌｔａｉｃ  Ｍｏｄｕｌｅ）」と題された米国仮特許出願番号６１/４４４，９１８（’９１８出願と称す）、及び、２０１２年１月１８日に出願された「マルチチャンバー太陽電池モジュール処理ステム及び方法（Ｓｙｓｔｅｍｓ  ａｎｄ  Ｍｅｔｈｏｄｓ  ｆｏｒ  Ｍｕｌｔｉ-Ｃｈａｍｂｅｒ  Ｐｈｏｔｏｖｏｌｔａｉｃ  Ｍｏｄｕｌｅ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ）」と題された米国特許出願番号１３/３５３，１５１（’１５１出願と称す）に基づく優先権を主張する。’９１８出願と’１５１出願のすべてを参照することにより本出願に組み込むものとする。
【背景技術】
【０００２】
太陽電池モジュール、又は、太陽電池デバイスの製造では、これらに限定されるものではないが、加熱、冷却、エッチング、材料の蒸着、ドーピング、といった多くの工程を伴う。一般に、最終的な太陽電池モジュールは、製造工程中にこれらの工程の少なくともいくつかを経た後に得ることができる。
【０００３】
現在、処理システムとして、プラズマエッチングや化学蒸着のような、単一の工程を専用とするシングルチャンバーでのシングルチャンバーバッチ処理システムがある。このような専用処理のバッチ型システムは、一度に単一のモジュール又は単一のモジュール群を処理するよう設計されている。しかし、工程管理を含めてバッチ型システムに関して多くの問題がある。例えば、モジュールの個々の処理に比べたとき、モジュールの全バッチで均一性を得ることは難しいかもしれない。
【０００４】
いくつかの既知のシステムには、チャンバー内の真空その他の低圧雰囲気を壊すことなく１つのチャンバーから他のチャンバーへ、処理中のモジュールの基板を移動させるために、いくつかのチャンバーに接続した共通のプラットフォームが含まれる。これらのモジュールは、１つのチャンバー内での処理が完了した後、これらのチャンバー間を移動させることができる。モジュールの汚染を減らすため、及び／又は、圧力を減少させるのに必要な時間を減らすため、及び／又は、チャンバー内の温度を上昇させるため、チャンバーは、外部の雰囲気ガスが入り込まないようにしておくことができる。しかし、共通のプラットフォームと共にチャンバーを密封することは、相互に接続したチャンバーの数が制限されることを意味することでもある。
【０００５】
例えば、いくつかの既知のシステムには、数の制限がない直列に接続したチャンバーが含まれる。フロアスペースの適応性の他に、数の制限がないチャンバーでは、熱膨張の問題も生じる。例えば、チャンバー間の密封性を保つためにチャンバーを相互に近づけすぎた場合、チャンバーの熱膨張により、チャンバーを相互に接触させ、及び／又は、損傷させることがある。一方、チャンバー同士が離れすぎている場合、適切に密封状態を保持することができないことがある。チャンバーが一直線上に並べられたとき、チャンバー相互の方向に向かう全体的な熱膨張又は変位が付加されることがある。その結果、相互に結合することのできるチャンバーの数は、過大な熱膨張を避けるため、及び／又は、大きすぎて適切に密封できないかもしれなくなるようなチャンバー同士の間隔を必要とすることを避けるために、制限されることがある。
【発明の概要】
【０００６】
１つの実施の形態において、システム（例えば、デバイス上に１以上の半導体レイヤーを形成するシステム）には、処理チャンバーの入力セットと出力セットが含まれる。入力セットの処理チャンバーは、変更容易に結合させ、入力方向に相互に直線状に並べて構成される。入力セットの処理チャンバーは、デバイスを処理し、入力セットの処理チャンバー間でデバイスを入力方向に移動させるよう構成されるとともに、入力セットの処理チャンバーは、入力セットの処理チャンバーの各々の中にデバイスがあるときに、デバイスを別々に処理するよう構成される。出力セットの処理チャンバーは、変更容易に結合させ、出力方向に相互に直線状に並べて構成され、出力セットの処理チャンバーは、デバイスを処理し、出力セットの処理チャンバー間でデバイスを出力方向に移動させるよう構成されるとともに、出力セットの処理チャンバーは、出力セットの処理チャンバーの各々の中にデバイスがあるときに、デバイスを別々に処理するよう構成される。
【０００７】
１つの特徴において、処理チャンバーのいくつかのライン又はいくつかのセットは、平行に配置、及び／又は、相互に隣接して配置することができる。処理チャンバーのライン又はセットは、同じ処理機能をもたらすことができる。例えば、第１の直線的な処理チャンバーのセット（例えば、入力セット）が、ｎ型にドープした半導体レイヤー、固有の半導体レイヤー、及びｐ型にドープした半導体レイヤーを蒸着させる場合、第１の直線的なセット（例えば、出力セット）に並列方向の第２の直線的な処理チャンバーのセットも、同じレイヤーを同じ順序で蒸着することができる。加えて、１つ以上の制御部品、及び／又は、供給部品を、同じ処理を行う処理チャンバーが１つ以上の共通する（例えば、同じ）制御、及び／又は、供給部品を共有することができるように、処理チャンバー同士の間のスペースに又は処理チャンバーに隣接させて、配置することができる。例えば、同じ機能又は処理を行う処理チャンバーは、システムのコストと複雑さを減少させるために、コンピューター又はプロセッサーの同じ制御、同じ制御システム、真空ポンプ、ガスパネル、又は、他の共通する機能要素を共有することができる。制御部品として、処理機能の動作を制御、及び／又は、指揮するデバイス、システム、又は、装置（例えば、コンピューター、プロセッサー、アクチュエーター、及びこれに類するもの）を挙げることができる。供給部品として、処理機能を果たすために用いられる、材料、媒体ガス、及びこれに類するものを供給する、デバイス、システム、又は、装置を挙げることができる。例えば、供給部品には、低圧媒体ガスを供給する真空ポンプ、モジュール上にレイヤーを蒸着させるためのガスを供給するガス供給ポンプ、レイヤーの蒸着のために電界を作る電源、チャンバーの内部を加熱する加熱要素、及び、これに類するものを含めることができる。
【０００８】
別の実施の形態において、別のシステム（例えば、モジュールを処理するためのシステム）には第１の処理回路、第２の処理回路、及び、移行チャンバーを含めることができる。第１の処理回路は、変更容易に結合させ、第１の入力方向に相互に直線状に並べて構成された第１の入力セットの処理チャンバーと、変更容易に結合させ、第１の出力方向に相互に直線状に並べて構成された第１の出力セットの処理チャンバーと、第１の入力セットの処理チャンバーと第１の出力セットの処理チャンバーとの間に伸びるブリッジングチャンバーとを有する。第２の処理回路は、変更容易に結合させ、第２の入力方向に相互に直線状に並べて構成された第２の入力セットの処理チャンバーと、変更容易に結合させ、第２の出力方向に相互に直線状に並べて構成された第２の出力セットの処理チャンバーと、第２の入力セットの処理チャンバーと第２の出力セットの処理チャンバーとの間に伸びるブリッジングチャンバーとを有する。移行チャンバーは、第１の処理回路と第２の処理回路とに変更容易に結合させるように構成されている。第１の処理回路は、半導体デバイスを処理し、第１の入力方向、第１の移送方向、そして第１の出力方向に、第１の処理回路の処理チャンバーを半導体デバイスが通り抜けるように移動させる構成になっている。第２の処理回路は、このデバイスを処理し、デバイス上に１つ以上の半導体レイヤーを蒸着させるために、第２の入力方向、第２の移送方向、そして第２の出力方向に、第２の処理回路の処理チャンバーをデバイスが通り抜けるように移動させる構成になっている。
【０００９】
別の実施の形態において、マルチチャンバーシステムには、相互に直線状に並べた複数のチャンバーが含まれ、各チャンバーは、太陽電池モジュールの製造工程における別々の処理機能と処理ステップとを行う。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
図面は、類似する番号で類似する部品を表し、原則として限定する趣旨ではなく例示として、本明細書に記載の種々の実施の形態を記載するものである。
【００１１】
【図１】システムの操作員の側から見たマルチチャンバーシステムの１つの実施の形態の透視図である。
【００１２】
【図２】ローディングロボットの１つの実施の形態の透視図である。
【００１３】
【図３】システムのガス供給側から見たマルチチャンバーシステムの透視図である。
【００１４】
【図４】マルチチャンバーシステムの線図である。
【００１５】
【図５】マルチチャンバーシステムに種々のガスを供給するための回路図である。
【図６】マルチチャンバーシステムに種々のガスを供給するための回路図である。
【図７】マルチチャンバーシステムに種々のガスを供給するための回路図である。
【図８】マルチチャンバーシステムに種々のガスを供給するための回路図である。
【００１６】
【図９】太陽電池モジュールの１つの実施例の断面図である。
【００１７】
【図１０】マルチチャンバーシステムの別の実施の形態の断面図である。
【００１８】
【図１１】１つの実施の形態による半導体レイヤーの断面図である。
【００１９】
【図１２】マルチチャンバーシステムの他の実施の形態の断面図である。
【００２０】
【図１３】図１２に示したシステムの平面図である。
【００２１】
【図１４】１つの実施の形態による、図１２に示した移行チャンバーの透視図である。
【００２２】
【図１５】１つの実施の形態による、図１０に示したリフト機構と搬送台の透視図である。
【００２３】
【図１６】太陽電池モジュール或いはソーラーモジュールのようなデバイスを処理する方法の１つの実施の形態のフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
前述の概要は、ここに記載した主題の実施の形態について以下に記載した詳細な説明と同様、添付図と合わせて読むことでよく理解できるであろう。ここで用いられる、「１つの」の語が先行する、単数として用いられる要素又はステップは、明示的に記載がない限り、複数の要素又はステップを除外するものではない。さらに、「１つの実施の形態」について言及があったとしてもこれは、説明している特徴に組み込む追加の実施の形態の存在を除外すると解釈することを意図するものではない。加えて、これに反する明示的な記載がない限り、特定の特性を有する単数又は複数の要素を「具備する」又は「有する」実施の形態は、このような特性を持たない追加的な要素を含むことができる。
【００２５】
以下の詳細な説明において、説明の一部をなす添付図を参照しており、これにより、ここに開示した主題を実行する具体的な実施の形態が図解の形で示される。これらの実施の形態は、ここで「実施例」と記載されることもあるが、本技術分野の通常の知識を有する者がここに開示した主題を実施できる程度に十分詳細に記載したものである。これらの実施の形態を組み合わせることができ、或いは、他の実施の形態を用いることができ、そして、ここに開示した主題の範囲から逸脱することなく構造的に、理論的に、電気的に変化させた形態も可能であることは了解されるべきである。従って、以下の詳細な説明は、限定するためのもとして受け止めるべきでなく、ここに開示した主題の範囲は、添付した特許請求の範囲及びその均等物により確定される。この詳細な説明において、番号又は参照記号を付加した記載は、一貫して同様の部品又は同様の要素に言及するために用いられる。詳細な説明において、特許書面に共通するものとしての「１つの」の語は、１以上を含むものとして用いる。詳細な説明において、他に明示的な記載がない限り、「又は」の語は、非排他的論理和を指すものとして用いられる。
【００２６】
図１は、システム１００の操作員の側から見たマルチチャンバーシステム１００の１つの実施の形態の透視図である。システム１００は、太陽電池デバイス（例えば、１００以上のソーラーセルを相互に直列に接続したソーラーモジュール）のような半導体デバイスを製造するために用いられる。システム１００には、相互に直線状に並べたいくつかのチャンバー１０２，１０４，１０６，１０８，１１０，１１２が含まれる。これらのチャンバー１０２，１０４，１０６，１０８，１１０，１１２は、平面の太陽電池モジュール又は他の基板がチャンバー１０２，１０４，１０６，１０８，１１０，１１２の間を直線的に動くように相互に直線状に並べられている。
【００２７】
図９は、マルチチャンバーシステム１００により製造することのできるソーラーモジュール９００の断面図である。ソーラーモジュール９００には、入力光から電流を生じさせる、導電可能に接続されたいくつかのソーラーセル９１８が含まれる。図示の実施の形態において、ソーラーモジュール９００には、基板９０２、導電下部電極９０４、半導体レイヤー９０６、導電上部電極９０８、及びカバーシート９１０が含まれる。いくつかのギャップ９１２が下部電極９０４に刻まれ、いくつかのギャップ９１４が半導体レイヤー９０６に刻まれ、いくつかのギャップ９１６が上部電極９０８に刻まれ、ソーラーセル９１８を画定し分離する。入射光線は、カバーシート９１０又は基板９０２を通過して受け取られ、半導体レイヤー９０６内で受け取られる。半導体レイヤー９０６は、光を、上部電極９０８及び下部電極９０６に流れる電流に変換する。この電流は、モジュール９００から引き出され貯蔵のため又は電気負荷に電力を供給するために用いられる。
【００２８】
マルチチャンバーシステム１００に戻ると、チャンバー１０２，１０４，１０６，１０８，１１０，１１２の各々は、太陽電池モジュールを形成する基板の処理を行うことができる。例えば、１つのチャンバーは下部電極９０４を蒸着させることができ、他のチャンバーは、半導体レイヤー９０６（又は、１つ以上の半導体レイヤー９０６のサブレイヤー又はフィルム）を蒸着させることができ、別のチャンバーは、上部電極９０８を蒸着させることができ、そして１つ以上のチャンバーは、下部電極９０４、半導体レイヤー９０６、及び／又は、上部電極９０８に１つ以上のギャップ９１２をエッチング（例えば、レーザーエッチング）を行うことができる。
【００２９】
コンベアサブシステム１１４は、チャンバー間でモジュール９００を直線的に移動させることができる。例示の方法によれば、コンベアサブシステム１１４には、モジュール９００を乗せてチャンバーを移動させる１つ以上のコンベアベルト、（モジュール９００又はモジュール９００を乗せる搬送台にアタッチし、モジュール９００及び搬送台を移動させることにより）モジュール９００を前後させる１１つ以上のチェーン又はベルト、その他を含めることができる。
【００３０】
チャンバー１０２，１０４，１０６，１０８，１１０，１１２は、種々の処理ステップ又は操作を行うために、コンベアサブシステム１１４がチャンバー間でモジュール９００を順番に移動させるように配置することができる。例えば、コンベアサブシステム１１４は、下部電極９０４を蒸着する第１のチャンバーから、下部電極９０４にギャップ９１２をエッチングする隣の第２のチャンバーに直線的にモジュール９００を移動させることができる。コンベアサブシステム１１４は、残りの処理ステップを実行させるために、モジュール９００を他のチャンバーに移動させることができる。１つの実施の形態において、コンベアサブシステム１１４は、モジュール９００を前のチャンバーに返送し１つ以上の処理ステップを実行させるために移動方向を切り替えることができる。
【００３１】
図２は、１つの実施の形態における、ローディングロボットアセンブリー２００の透視図である。ロボットアセンブリー２００は、１つ以上のチャンバーにおける１つの垂直位置にモジュール９００を揚げ降ろしするよう構成することができる。例えば、ロボットアセンブリー２００は、モジュール９００を第１の処理チャンバーに、低い位置から持ち揚げることができる。
【００３２】
図３は、ガス供給側から見たマルチチャンバーシステム１００の透視図である。図３は、図１で示した側の反対側から見たシステム１００を図示している。いくつかのポンプ、高周波（ＲＦ）発生器、及び／又は、ガス発生源（一般に３００で示す）をチャンバー１０２，１０４，１０６，１０８，１１０，１１２の内の１つ以上と変更容易に結合させることができる。ポンプは、モジュール９００の下部電極９０４、半導体レイヤー９０６、又は上部電極９０８の内の１つ以上を蒸着するためといった目的で、１つ以上のチャンバーの圧力を真空レベルまで下げることができる。ＲＦ発生器は、１つ以上のチャンバー内にＲＦフィールドを生じさせることができる。例えば、ＲＦ発生器は、半導体レイヤー９０６のプラズマ促進化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）のためのＲＦフィールドを作り出すことができる。ガス発生源は、半導体レイヤー９０６のような、１つ以上のレイヤーの蒸着に用いる蒸着ガスを供給することができる。
【００３３】
図４は、マルチチャンバーシステム１００の平面図、側面図、及び端面図を提供する。図５〜図８は、種々のガス経路のマルチチャンバーシステム１００の１つ以上のチャンバーへの流れを示す回路図を提供する。図５〜図８に示すように、単一のガス発生源からいくつかのチャンバーにガスを供給することができる。
【００３４】
６個のチャンバーを、図示した実施の形態で示したが、代替的に、異なる数量のチャンバーを用意することもできる。チャンバーは相互に締め切ることができるようにしてもよい。例えば、一旦、モジュール９００をチャンバー内に配置すると、チャンバーは、大気がチャンバー内に入らないよう、そして蒸着ガスがチャンバーの外に出て行かないよう自ずから閉止するようにすることができる。
【００３５】
図１０は、マルチチャンバーシステム１０００の別の実施の形態の断面図である。図１０に示した図は、システム１０００の底部を半分に切ったものを示す。システム１０００は、２つ以上の上述のシステム１００（図１示す）を含めることができる。システム１０００には、相互に連結された複数の処理チャンバー１００６のセット１００２，１００４が含まれる。セット１００２，１００４には、処理チャンバー１００６の入力セット１００２と処理チャンバー１００６の出力セット１００４とが含まれる。入力セット１００２及び出力セット１００４は、ブリッジングチャンバー１００８により変更容易に結合している。１つの実施の形態において、入力セット１００２及び出力セット１００４は、流体（例えば、ガス）、及び／又は、現存する低圧媒体ガス（１気圧以下の媒体ガス又は真空）を、入力セット１００２、出力セット１００４、及びブリッジングチャンバー１００８で区画される内部空間内に保持することができるように、ブリッジングチャンバー１００８に対して密封することができる。
【００３６】
各セット１００２，１００４の処理チャンバー１００６は相互に変更容易に結合されている。例えば、お互いに隣う処理チャンバー１００６は、流体及び／又は、現存する低圧媒体ガスを、相互に連結した処理チャンバー１００６で区画される内部空間内に保持することができるように、相互に密封することができる。１つの実施の形態において、デバイス１０１０、及び／又は、搬送台１０１２が、処理チャンバー１００６間を移動することができるように、隣り合う処理チャンバー１００６との間に開口、及び／又は、ゲート又はドアを設けることができる。デバイス１０１０は、太陽電池デバイスのような半導体デバイスを表すことができ、搬送台１０１２は、デバイス１０１０を機械的に支えるが、デバイス１０１０の製造が完了した時デバイス１０１０の一部に含まれることはない１つ以上の部品を含むことができる。１つの実施の形態において、デバイス１０１０は、図９及び／又は１１に示した１つ以上のソーラーモジュール９００及び／又は１１００を含み、又は、この１つ以上のソーラーモジュール９００及び／又は１１００により表される。
【００３７】
処理チャンバー１００６の入力セット１００２及び出力セット１００４は、太陽電池デバイスのような半導体デバイスの形成における種々の処理ステップ又は操作を行う。例えば、ある処理チャンバー１００６は、（酸化被膜を成長させるため、デバイス１０１０中の１つ以上の半導体レイヤーの結晶化度を増大させ、デバイス１０１０中にドーパントその他の種をデバイス１０１０中に拡散させるため、等のために）デバイス１０１０を加熱することができ、ある処理チャンバー１００６は、（ｐタイプドーパント又はｎタイプドーパントをドープさせた半導体レイヤー又は真性半導体レイヤーのような）デバイス１０１０の上にレイヤーを蒸着させることができ、ある処理チャンバー１００６は、（太陽電池モジュール中の個々の太陽電池セルを区画するために）デバイス１０１０の一部をエッチングする等のことができる。
【００３８】
１つ以上の（上述の運搬サブシステム１１４のような）運搬サブシステムを処理チャンバー１００６間でデバイス１０１０を移動させるために提供することができる。例えば、（モーターに連結されたコンベアベルトのような）第１のコンベア１０１４は、入力セット１００２中の処理チャンバー１００６を通過して延長させることができ、第２のコンベア１０１６は、ブリッジングチャンバー１００８を通過して延長させることができ、そして、第３のコンベア１０１は、出力セット１００４中の処理チャンバー１００６を通過して延長させることができる。１のコンベア１０１４は、入力セット１００２の処理チャンバー１００６を通過させてブリッジングチャンバー１００８に連続的にデバイス１０１０を移動させる。第２のコンベア１０１６は、処理チャンバー１００６の入力セット１００２から処理チャンバー１００６の出力セット１００４へとデバイス１０１０を移動させる。第３のコンベア１０１は、ブリッジングチャンバー１００８から処理チャンバー１００６出力セット１００４を通過させてデバイス１０１０を移動させる。例えば、デバイス１０１０の処理を行っている間、一般にシステム１０００は、入力処理方向１０２２に入力セット１００２中の処理チャンバー１００６を通過してデバイス１０１０を移動させることができる。一旦デバイス１０１０が入力セット１００２の処理チャンバー１００６を通過すると、システム１０００は、一般にデバイス１０１０を移送方向１０２４に移動させることにより、入力セット１００２と出力セット１００４との間でデバイス１０１０の移転を行う。次いで、デバイス１０１０は、出力処理方向１０２６に出力セット１００４の処理チャンバー１００６を通過する。
【００３９】
図示した実施の形態において、移送方向１０２４は、入力処理方向１０２２と出力処理方向１０２６とに対して直角になっている。例えば、入力セット１００２中の処理チャンバー１００６は、第１の方向（例えば、入力処理方向１０２２）に相互に直線的に並べられており、出力セット１００２中の処理チャンバー１００６は、第２の方向（例えば、出力処理方向１０２６）に相互に直線的に並べられており、第１の方向及び第２の方向の両方が移送方向１０２４と垂直になっている。入力処理方向１０２２と出力処理方向１０２６とは、図１０に示すように、お互いに平行で反対方向とすることができる。代替的に、入力処理方向１０２２と出力処理方向１０２６とは、お互いに平行、及び／又は、同じ方向にすることができる。例えば、出力セット１００４の処理チャンバー１００６は、ブリッジングチャンバー１００８の、図１０で示したのとは、反対側に設置し、出力処理方向１０２６を入力処理方向１０２２と同じ方向とすることができる。
【００４０】
運転操作において、デバイス１０１０（又は、デバイス１０１０の基板）は、基板１２１２の上に載せられ、処理チャンバー１００６の入力セット１００２の第１の処理チャンバー１００６Ａ（積載チャンバー又は入力チャンバーとも称される）に取り込まれる。デバイス１０１０は、処理前にデバイス１０１０を保持する試料台コンテナ又は試料台トレー１０２０から手動または自動で取り込むことができる。第１の処理チャンバー１００６Ａは低圧媒体ガスを確保するために閉鎖することができる。デバイス１０１０及び基板１２１２は、次の又は隣接する第２の処理チャンバー１００６Ｂがデバイス１０１０及び基板１２１２を受け取る準備ができるまで、第１の処理チャンバー１００６Ａ内に留まることができる。１つの実施の形態において、いくつかのデバイス１０１０は、システム１０００により同時に処理することができる。例えば、複数の又は全ての処理チャンバー１００６は異なるデバイス１０１０（例えば、同様に又は同一に作られた別のデバイス）を有することができる。
【００４１】
各デバイス１０１０は、処理チャンバー１００６中のデバイス１０１０の処理が完了するまで、及び／又は、次の処理チャンバー１００６（例えば、デバイス１０１０が入って行く次の処理チャンバー１００６）が利用可能になるまで、各々別の処理チャンバー１００６に保持される。例えば、第１の処理チャンバー１００６が、設定した温度、及び／又は、指定時間、デバイス１０１０を加熱することになっている場合、デバイス１０１０がそのように加熱され、及び／又は、第１の処理チャンバー１００６の下流側（該当する、入力処理方向１０２２又は出力処理方向１０２６）に配置された隣接する処理チャンバー１００６がデバイス１０１０を受け取ることが可能になるまで（例えば、隣接する処理チャンバー１００６内の別のデバイス１０１０の処理が完了した時まで）、デバイス１０１０を、第１の処理チャンバー１００６内に保持することができる。次いで、デバイス１０１０は、デバイス１０１０が位置する現在の処理チャンバー１００６の下流にある、次の又は隣接する処理チャンバー１００６に移動することができる。次に、デバイス１０１０を、この隣接する処理チャンバー１００６で処理することができる。このようなデバイス１０１０の逐次処理及び移動は、デバイス１０１０が移動し、及び／又は、入力セット１００２の処理チャンバー１００６における処理チャンバー１００６により処理されるまで、入力セット１００２から処理チャンバー１００６の出力セット１００４まで移動するまで、そして、デバイス１０１０が移動するまで、及び／又は、出力セット１００４における処理チャンバー１００６により処理されるまで、続く。次に、システム１０００中をこのように移動するデバイス１０１０を、デバイス１０１０を取り外すことにより、及び／又は、処理チャンバー１００６の出力チャンバー１００６Ｂから搬送台１０１２取り外すことにより、システム１０００から取り去る。
【００４２】
いくつかのデバイス１０１０を、同時に処理チャンバー１００６内に置くことができる。例えば、第１のデバイス１０１０が第１の処理チャンバー１００６内で処理されているときに、第２のデバイス１０１０を隣接する（又は隣接していない）第２の処理チャンバー１００６で同時に処理し、第３のデバイス１０１０を第３の処理チャンバー１００６に置くことができる、等のことができる。それぞれの処理チャンバー１００６でデバイス１０１０を処理しているときに、これらのデバイス１０１０は共に又は同時に、次の又は隣接する処理チャンバー１００６へと、対応する方向１０２２，１０２４，又は１０２６に移動することができる。
【００４３】
図１０に示す処理チャンバー１００６の方向により、システム１０００中のデバイス１０１０の処理に用いられる量又は処理部品を減らすことができる。例えば、１つ以上のＲＦ発生器、真空ポンプ、（図３に示した構成要素３００に類似する）ガス発生源を処理チャンバー１００６の入力セット１００２と処理チャンバー１００６の出力セット１００４との間に設置することができる。これらの構成要素は、処理チャンバー１００６の入力セット１００２中の１つ以上の処理チャンバー１００６と接続することができると同時に処理チャンバー１００６の出力セット１００４中の１つ以上の処理チャンバー１００６と接続することができる。例えば、デバイス１０１０の１つ以上のレイヤーを蒸着するために用いられるガスを供給するガス発生源は、入力セット１００２の処理チャンバー１００６及び出力セット１００４の処理チャンバー１００６と同時に変更容易に結合されている。ガス発生源は、別々の処理チャンバー１００６に配置されたデバイス１０１０中のレイヤーの蒸着のために、これらの処理チャンバー１００６の両方に同時にガスを供給することができる。他の例として、単一の真空ポンプを入力セット１００２及び出力セット１００４内の２つ以上の処理チャンバー１００６に接続し、処理チャンバー１００６中に低圧媒体ガス雰囲気を同時に確立することができる。
【００４４】
図１１は、１つの実施の形態による半導体レイヤー１１００の断面図である。半導体レイヤー１１００は、図９で示したソーラーモジュール９００の半導体レイヤー９０６を表すことができる。加えて、半導体レイヤー１１００を図１０で示すシステム１０００を用いて形成することができる。例えば、（図１０で示す）処理チャンバー１００６を、図９に示す少なくとも基板９０２及び下部電極９０４を表す、図１０に示すデバイス１０１０で半導体レイヤー１１００を蒸着するために用いることができる。
【００４５】
半導体レイヤー１１００には、下部接合部１１０２及び上部接合部１１０４を形成するいくつかのサブレイヤーが含まれる。図示の実施の形態において、下部接合部１１０２のサブレイヤーには、下部サブレイヤー１１０６、いくつかの（例えば８層の）中間サブレイヤー１１０８、及び、いくつかの（例えば２層の）上部サブレイヤー１１１０が含まれる一方、上部接合部１１０４には、下部サブレイヤー１１１２、いくつかの（例えば４層の）中間サブレイヤー１１１４、及び、いくつかの（例えば２層の）上部サブレイヤー１１１６が含まれる。接合部及び／又はサブレイヤーの数は単に例示として示すものである。図１１で示したものとは異なる数の（例えば１つ以上の）接合部及び／又はサブレイヤーを１つ以上の実施の形態で用いることができる。
【００４６】
続けて、図９に示すソーラーモジュール９００及び図１０に示すシステム１０００を参照すると、１つの実施の形態において、下部電極９０４を持つ基板９０２は、図１０に示す搬送台１０１２に置くことができ、図１に示すシステム１０００のチャンバー１００６Ａ内に取り付けることができる。上述のとおり、基板９０２及び下部電極９０４を、第１のコンベア１０１４で、入力チャンバー１００６Ａから入力セット１００２内の他の処理チャンバー１００６に移動させることができる。一旦基板９０２及び下部電極９０４が入力チャンバー１０１４から他のチャンバー１００６に移動すると、上述のとおり、下部電極９０４を持つ基板９０２は、入力チャンバー１０１４内に置くことができる。
【００４７】
図示した実施の形態において、入力セット１００２内の複数の処理チャンバー１００６は、基板９０２及び下部電極９０４を指定した温度、及び／又は、指定した時間加熱する加熱チャンバー１００６Ｂ、１００６Ｃで加熱することができる。基板９０２及び下部電極９０４が加熱された後、基板９０２及び下部電極９０４は、処理チャンバー１００６の第１の蒸着チャンバー１００６Ｄ内に移動させることができる。第１の蒸着チャンバー１００６Ｄは、図１１に示す半導体多層構造１１００の下部サブレイヤー１１０６を下部電極９０４の上に蒸着させることができる。例えば、第１の蒸着チャンバー１００６Ｄは、プラズマ促進化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）、又は、下部電極９０４の上にｎ型にドープした半導体レイヤーを蒸着する他のＣＶＤチャンバーとすることができる。
【００４８】
下部サブレイヤー１１０６を蒸着させた後、システム１０００は、デバイス１０１０（例えば、基板９０２、下部電極９０４、及び下部サブレイヤー１１０６）を第２の蒸着チャンバー１００６Ｅのような次の処理チャンバー１００６に移動させることができる。第２の蒸着チャンバー１００６Ｅは、中間サブレイヤー１１０８Ａのような第１の中間サブレイヤー１１０８を下部サブレイヤー１１０６上に蒸着することができる。第１の中間サブレイヤー１１０８Ａを蒸着した後、デバイス１０１０（例えば、基板９０２、下部電極９０４、下部サブレイヤー１１０６及び第１の中間サブレイヤー１１０８Ａ）は、第３の蒸着チャンバー１００６Ｆのような、後に続く処理チャンバー１００６に移される。デバイス１０１０は、更なるサブレイヤー１１０８、１１１０、１１１２、１１１４、及び１１１６を蒸着するために、処理チャンバー１００６への移動を続けることができる。図示の実施の形態において、サブレイヤーを蒸着させる処理チャンバー１００６の各々は、他の処理チャンバー１００６で蒸着したサブレイヤーと概略同じ厚さでサブレイヤーを蒸着させることができる。例えば、デバイス１０１０は、同時に別の処理チャンバー１００６で別のデバイス１０１０に蒸着中のサブレイヤーがほぼ同じ厚さになるように、各処理チャンバー１００６内に同じ時間滞在することができる。代替的に、１つ以上の処理チャンバー１００６では、１つ以上の他の処理チャンバー１００６よりも厚く又は薄くサブレイヤーを蒸着させることができ、及び／又は、デバイス１０１０は、１つ以上の処理チャンバー１００６では、１つ以上の他の処理チャンバー１００６よりも長い時間又は短い時間滞在することができる。
【００４９】
別のサブレイヤーを蒸着するために用いる処理チャンバー１００６の数は、サブレイヤーのグループの各々の全厚さに基づく。例えば、低部のサブレイヤー１１０６は、低部のＮＩＰ接合部中にｎ型にドープしたレイヤー（又は低部のＰＩＮ接合部中にｐ型にドープしたレイヤー）を形成する第１のグループとすることができ、中間サブレイヤー１１０８は、低部のＮＩＰ接合部又は低部のＰＩＮ接合部内に固有のレイヤーを形成する第２のグループとすることができ、上部サブレイヤー１１１０は、低部のＮＩ接合部内にｎ型にドープしたレイヤー又は低部のＰＩＮ接合部内にｐ型にドープしたレイヤーを形成する第３のグループとすることができる。低部サブレイヤー１１１２は、上部のＰＩＮ接合部中にｎ型にドープしたレイヤー（又は上部のＰＩＮ接合部中にｐ型にドープしたレイヤー）を形成する第４のグループとすることができ、中間サブレイヤー１１１４は、上部のＮＩＰ接合部又は上部のＰＩＮ接合部内に固有のレイヤーを形成する第５のグループとすることができ、上部サブレイヤー１１１６は、上部のＮＩＰ接合部内にｐ型にドープしたレイヤー又は上部のＰＩＮ接合部内にｎ型にドープしたレイヤーを形成する第６のグループとすることができる。各グループ中にサブレイヤーを蒸着するために用いる処理チャンバー１００６の数はサブレイヤーにより形成されるレイヤーの厚さに基づく。例えば、図示した実施の形態において、下部接合部１１０２（例えば、サブレイヤー１１０８を蒸着する処理チャンバー１００６Ｅ〜Ｌ）の固有のレイヤーを蒸着するために用いる処理チャンバー１００６の数は、同じ下部接合部１１０２（例えば、サブレイヤー１１０６を蒸着する処理チャンバー１００６Ｄ）のｎ型にドープしたレイヤーを蒸着するために用いる処理チャンバー１００６の数の８倍とすることができる。同じ下部接合部１１０２のｎ型にドープしたレイヤーを蒸着するために用いる処理チャンバー１００６（例えば、処理チャンバー１００６Ｍ、Ｎ）の数は、下部接合部１１０２の固有のレイヤーを蒸着するために用いる処理チャンバー１００６（例えば、処理チャンバー１００６Ｅ〜Ｌ）の処理チャンバー１００６の４分の１とすることができ、及び／又は、下部接合部１１０２のｎ型にドープしたレイヤーを蒸着するために用いる処理チャンバー１００６（例えば、処理チャンバー１００６Ｄ）の数の２倍とすることができる。
【００５０】
上部接合部１１０４に関して、固有のレイヤーを蒸着するために用いる処理チャンバー１００６（例えば、処理チャンバー１００６Ｑ〜Ｔ）の数は、上部接合部１１０４のｎ型にドープしたレイヤーを蒸着するために用いる処理チャンバー１００６（例えば、処理チャンバー１００６Ｏ）の数の４倍とすることができ、上部接合部１１０４のｐ型にドープしたレイヤーを蒸着するために用いる処理チャンバー１００６（例えば、処理チャンバー１００６Ｕ、Ｖ）の数の２倍とすることができる。処理チャンバー１００６の数、及び上述の接合部１１０２、１１０４のレイヤーの相対的厚みは、例示として示すもので、現在説明している発明の対象のすべての実施の形態を限定することを意図しない。
【００５１】
一旦デバイス１０１０をシステム１０００から取り去ると、上部接合部１１０４及び下部接合部１１０２を図９に示す下部電極９０４上に蒸着することができる。上部接合部１１０４及び下部接合部１１０２は、ソーラーモジュール９００のアクティブな半導体材料（例えば半導体レイヤー９０６）を形成することができる。システム１０００は、システム１０００からデバイス（例えば、基板９０２、下部電極９０４、及びその上に蒸着した他のレイヤー）を除去することなく、及び／又は、システム１０００外部の大気雰囲気にデバイスを露出することなく、２つの接合部１１０２、１１０４を有するような直列の半導体レイヤー９０６のような半導体レイヤー９０６を蒸着するために用いることができる。
【００５２】
システム１０００にブリッジングチャンバー１００８を含めることにより、システム１０００内が多くの処理チャンバー１００６を具備することができる。ブリッジングチャンバー１００８により、結合した処理チャンバー１００６間で低圧媒体ガスを保持することができるように、変更容易に結合させた多数の処理チャンバー１００６を設けることが可能となる。例えば、変更容易に結合させ、相互に直線的に並べられた処理チャンバー１００６の数は、サブレイヤー１１０６、１１０８、１１１０、１１１２、１１１４、１１１６の蒸着期間中の個々の処理チャンバー１００６の熱膨張により制限されることがある。サブレイヤー１１０６、１１０８、１１１０、１１１２、１１１４、１１１６の蒸着は、処理チャンバー１００６が（例えば、入力セット１００２又は出力セット１００４内において）各々相互に膨張し、相互間の距離が近づくように温度が上昇することで生じることがある。膨張の量が大きい場合、処理チャンバー１００６間のシールが比較的大きくなることがある。お互いに直線的に並べた処理チャンバー１００６が大きくなりすぎると、（例えば、処理チャンバー１００６が膨張しすぎてお互いにダメージを与えないために）処理チャンバー１００６間の距離を大きくし、チャンバー１００６間のシールもかなり厚くする必要が生じる可能性がある。しかし、チャンバー１００６内の低圧媒体ガスを保持するために、適切なシールを維持できなくなるのでシールを厚くしすぎることはできない。
【００５３】
１つの実施の形態において、入力セット１００２、及び／又は、出力セット１００４中の（処理チャンバー１００６間のシールを維持しつつ）直線的に並べ相互に変更容易に結合させた処理チャンバー１００６の数は、２０以下の処理チャンバー１００６に制限する必要がある。あるいは、入力セット１００２、及び／又は、出力セット１００４中の直線的に並べ相互に変更容易に結合させた処理チャンバー１００６の数は、１３以下の処理チャンバー１００６に制限する必要がある。各セット１００２、１００４における処理チャンバー１００６の数の制限について、これらの例は、各セットにおけるチャンバー１００６が熱的に膨張した時の処理チャンバー１００６間のシールの上限値に基づく。
【００５４】
処理チャンバー１００６の入力セット１００２と出力セット１００４とをブリッジングチャンバー１００８に結合させることにより、ブリッジングチャンバー１００８を含まないシステムと比較して、多くの数の処理チャンバー１００６を相互に変更容易に結合させることができる。例えば、処理チャンバー１００６間の熱膨張により、相互に直線的に並べることのできる処理チャンバー１００６の数が制限され、処理チャンバー１００６からデバイスを取り出し、他のグループの処理チャンバー１００６にこのデバイスを設置することなく、すべての半導体レイヤー９０６（例えば、下部接合部１１０２、上部接合部１１０４、又は下部接合部１１０２及び上部接合部１１０４の両方）を蒸着させることができないかもしれない。処理チャンバー１００６の熱膨張は、処理チャンバー１００６を並べた直線方向に加わるので、別のセットの処理チャンバー１００６と結合させたブリッジングチャンバー１００８を用いることにより、システム１０００に含まれる処理チャンバー１００６の数を増やすことができる。例えば、熱膨張により指定した数の処理チャンバー１００６（例えば、１３以下のチャンバー１００６）を直線的にならベることができさえすれば、ブリッジングチャンバー１００８により、指定した数の処理チャンバー１００６まで、入力セット１００２中で相互に変更容易に結合させ、処理チャンバー１００６の数を指定した数にすることができる。相互に変更容易に結合させた処理チャンバー１００６の数をさらに増大させるために追加のブリッジングチャンバー１００８を提供することができる。
【００５５】
図１２は、マルチチャンバーシステム１２００の別の実施の形態の断面図である。図１２で示したものは、システム１２００における処理チャンバー１００６の底部を示す。図１３は、図１２で示したシステム１２００の平面図である。システム１２００には、（図１に示した）２以上のシステム１００、及び／又は、（図１０に示した）上記システム１０００を含むことができる。図示の実施の形態において、システム１２００は、第１段、又はそれより上段の処理回路１２０２、及び、第２段、又はそれより下段の処理回路１２０４を有する複数段システムである。処理回路１２０２、１２０４は、各々、システム１０００の１つに類似させることができる。例えば、各処理回路１２０２、１２０４には、相互に変更容易に結合させた、処理チャンバー１００６の入力セット１２０６、１２０８及び出力セット１２１０、１２１２を含めることができる。上述の通り、入力セット１２０６、１２０８及び出力セット１２１０、１２１２における処理チャンバー１００６は、相互に直線的に並べられコンベア（図１２及び１３には示されていないが、図１０に示したコンベア１０１４、１０１６、１０１８に類似するものとなろう）がデバイス１０１０を上段の処理回路１２０２及び下段の処理回路１２０４を直線的に通過させることができるようにすることができる。図１２に示すように、上段の処理回路１２０２は下段の処理回路１２０４の上方におかれる。代替的に、（Ｓ型構成のように）処理回路１２０２、１２０４を隣り合わせて配置することができ、及び／又は、相互に関連付けて構成することができる。
【００５６】
上部ブリッジングチャンバー１２１４により、上段の処理回路１２０２の入力セット１２０６と出力セット１２１０とは相互に変更容易に結合されている。下部ブリッジングチャンバー１２１６により、下段の処理回路１２０４の入力セット１２０８と出力セット１２１２とは相互に変更容易に結合されている。ブリッジングチャンバー１２１４、１２１６は、（図１０に示した）ブリッジングチャンバー１００８に類似したものとすることができる。例えば、ブリッジングチャンバー１２１４、１２１６は、入力セット１２０６、１２０８の処理チャンバー１００６で定まる区画内の低圧媒体ガス、及び／又は、高い温度を維持することができ、処理チャンバー１００６の入力セット１２０６、１２０８及び出力セット１２１０、１２１２間でブリッジングチャンバー１２１４、１２１６を経由してデバイス１０１０が動くようした出力セット１２１０、１２１２は、同じ又は実質的に同じ低圧媒体ガス、及び／又は、高い温度維持する。
【００５７】
図１０に示したシステム１０００と同様に、システム１２００のセット１２０６、１２０８、１２１０、１２１２中の処理チャンバー１００６は、相互に直線的に配置される。例えば、上部処理回路１２０２の入力セット１２０６の中にある処理チャンバー１００６は、上部入力方向１２１８に相互に直線的に並べられ、上部処理回路１２０２の出力セット１２０８の中にある処理チャンバー１００６は、上部出力方向１２２０に相互に直線的に並べられ、下部処理回路１２０４の入力セット１２１０の中にある処理チャンバー１００６は、下部入力方向１２２２に相互に直線的に並べられ、そして、下部処理回路１２０４の出力セット１２１２の中にある処理チャンバー１００６は、下部出力方向１２２４に相互に直線的に並べられる。図示の実施の形態において、各処理回路１２０２、１２０４における入力方向１２１８、１２２２及び出力方向１２２０、１２２４は、反対方向を向いている。代替的に、１つ以上の入力方向１２１８、１２２２及び１つ以上の出力方向１２２０、１２２４を同じ方向とすることができる。入力方向１２１８、１２２２を同じ方向とし、出力方向１２２０、１２２４を同じ方向とすることができる。図１２に示されていないが、（例えば、コンベアサブシステム１１４、１０１４、１０１６、１０１８と同様の）コンベアサブシステムを、システム１２００に含め、システム１０００について上述したのと同様に、システム１２００の処理チャンバー１００６を通過してデバイス１０１０を移動させることができる。
【００５８】
システム１２００には、処理回路１２０２と１２０４との間でデバイス１０１０に移転を行う移行チャンバー１２２６が含まれる。移行チャンバー１２２６は、上部処理回路１２０２の処理チャンバー１００６を下部処理回路１２０４の処理チャンバー１００６と変更容易に結合させる。デバイス１０１０が上部処理回路１２０２を通り過ぎると、デバイス１０１０は、（例えば、コンベアサブシステムにより）移行チャンバー１２２６に乗せられる。移行チャンバー１２２６は、デバイス１０１０を下部処理回路１２０４のある面まで下げること等により、デバイス１０１０を下部処理回路１２０４に移動させることができる。次に、デバイス１０１０を、（例えば、コンベアサブシステムにより）処理チャンバー１００６の下部入力セット１２１０へ移動することができる。そして、デバイス１０１０を下部処理回路１２０４の処理チャンバー１００６を通過させることができる。
【００５９】
例えば、デバイス１０１０を、上部処理回路１２０２の入力処理チャンバー１２２８に乗せることができる。そして、デバイス１０１０は、処理チャンバー１００６を通過して上部ブリッジングチャンバー１２１４へと、入力方向１２１８に連続的に移動することができる。次いで、デバイス１０１０は、処理チャンバー１００６の上部出力セット１２１０へと、上部ブリッジングチャンバー１２１４の中を上部移転方向１２３０に移動することができる。図示の実施の形態において、上部移転方向１２３０は、上部入力方向１２１８及び上部出力方向１２２０に対して垂直である。次に、デバイス１０１０は、上部出力セット１２１０の処理チャンバー１００６を通過して、上部出力方向１２２０に沿って移行チャンバー１２２６へと移動する。移行チャンバー１２２６は、下部処理回路１２０４までデバイス１０１０を下げる。例えば、移行チャンバー１２２６は、出力方向１２１８、１２２０、１２２２、１２２４及び移転方向１２３０に対して垂直である垂直方向にデバイス１０１０を下げる。代替的に、上部処理回路１２０２及び下部処理回路１２０４の位置が切り替えられた場合、移行チャンバー１２２６は、垂直方向にデバイス１０１０を上げる。
【００６０】
一旦、移行チャンバー１２２６の下部処理回路１２０４までデバイス１０１０が下げられると、デバイス１０１０を、下部入力セット１２０８の処理チャンバー１００６を通過するよう、コンベアサブシステムのようなものにより下部入力方向１２２２に移動させることができる。図示の実施の形態において、下部入力セット１２０８の処理チャンバー１００６は、上部出力セット１２０１０の処理チャンバー１００６の下方におかれる。デバイス１０１０を下部入力セット１２０８の処理チャンバー１００６を通過させ下部ブリッジングチャンバー１２１６へと移動させることができる。デバイス１０１０は下部入力セット１２０８から下部出力セット１２１２へと横方向に移動させることができる。例えば、（不図示の）コンベアサブシステムは、下部ブリッジングチャンバー１２１６の中のデバイス１０１０を移転方向１２３０とは反対に向く移転方向に移動させることができる。
【００６１】
一旦デバイス１０１０を下部ブリッジングチャンバー１２１６により移動させると、デバイス１０１０は（例えば、コンベアサブシステムにより）下部出力セット１２１２の処理チャンバー１００６を通って下部出力方向１２２４に移動することができる。デバイス１０１０は出力チャンバー１２３０へ移動しそこでシステム１２００から取り去ることができる。代替的に、デバイス１０１０は他のブリッジングチャンバー又は他の移行チャンバーへ移動させ、デバイス１０１０を他の処理チャンバー１０１０のセットへ移動、上昇、下降させることができる。
【００６２】
図１０に示したシステム１０００と同様に、別々のグループの処理チャンバー１００６で（図９に示した）ソーラーモジュール９００の（図９に示した）半導体レイヤー９０６の別々の１つ以上の接合部を蒸着させることができる。処理チャンバー１００６は、図１３において、１３００〜１３６２の符号が付けられている。図示の実施の形態において、処理チャンバー１３００では、デバイス１０１０を加熱することができ、処理チャンバー１３０２では、半導体レイヤー９０６の下部ＮＩＰ接合部のｎ型にドープしたレイヤー（又は、下部ＰＩＮ接合部のｐ型にドープしたレイヤー）を蒸着させることができ、上部処理回路１２０２及び下部処理回路１２０４の処理チャンバー１３０４〜１３４２では、下部ＮＩＰ接合部（又は、下部ＰＩＮ接合部）の固有のレイヤーを蒸着させることができ、下部処理回路１２０４の処理チャンバー１３４４では、下部ＮＩＰ接合部のｐ型にドープしたレイヤー（又は、下部ＰＩＮ接合部のｎ型にドープしたレイヤー）を蒸着させることができ、下部処理回路１２０４の処理チャンバー１３４６では、上部ＮＩＰ接合部のｎ型にドープしたレイヤー（又は、上部ＰＩＮ接合部のｐ型にドープしたレイヤー）を蒸着させることができ、処理チャンバー１３４８〜１３５４では、上部ＮＩＰ接合部（又は、上部ＰＩＮ接合部）の固有のレイヤーを蒸着させることができ、そして、下部処理回路１２０４の処理チャンバー１３５６では、上部ＮＩＰ接合部のｐ型にドープしたレイヤー（又は、上部ＰＩＮ接合部のｎ型にドープしたレイヤー）を蒸着させることができる。次に、システム１２００の出力チャンバー１２３０から、デバイス１０１０をシステム１２００から取り外すことができる。代替的に、ソーラーモジュール９００の１つ以上の他のレイヤー、接合部、要素、その他を、システム１２００を用いて形成することができ、及び／又は、システム１２００の１つ以上の処理チャンバー１００６で上述したものとは異なるサブレイヤーを蒸着させることができる。
【００６３】
引き続き、図１２及び１３に示したシステム１２００を参照するものとする。図１４は、１つの実施の形態による、移行チャンバー１２２６の透視図である。移行チャンバー１２２６は、処理チャンバー１００６の上部入力セット１２２６と上部出力セット１２１０との橋渡しをすることができる。例えば、移行チャンバー１２２６は、上部入力セット１２２６の処理チャンバー１３６２と上部出力セット１２１０の処理チャンバー１３２６とに変更容易に結合させた上部１４００を有することができる。また、移行チャンバー１２２６は、下部入力セット１２０８の処理チャンバー１３２８に変更容易に結合させた下部１４０２を有することができる。１つの実施の形態において、移行チャンバー１２２６の下部１４０２は、下部出力セット１２１２の処理チャンバー１３５６と変更容易に結合させることができる。例えば、移行チャンバー１２２６の下部１４０２は、上部処理回路１２０２の処理チャンバー１３６２の下を通って下部処理回路１２０４の処理チャンバー１３５６に伸ばすことができる。
【００６４】
１つの実施の形態において、システム１２００で処理されるデバイス１０１０は、基板１２１２から分離することができ、及び／又は、移行チャンバー１２２６により別の基板１２１２におくことができる。例えば、第１のデバイス１０１０は、第１の搬送台１０１２により、上部処理回路１２０２の処理チャンバーを通り抜けて運ぶことができる。第１のデバイス１０１０と第１の搬送台１０１２とが、上部処理回路１２０２の処理チャンバー１３２６から移行チャンバー１２２６に入ったとき、第１のデバイス１０１０と第１の搬送台１０１２とは、移行チャンバー１２２６の下部１４０２の上に位置するよう側方に移動させることができる。第１のデバイス１０１０は、（第１のデバイス１０１０を第１の搬送台１０１２の上部に持ち上げること等により）第１の搬送台１０１２から分離することができる。次いで、第１の搬送台１０１２は側方に移動して、上部処理回路１２０２の処理チャンバー１３６２に入ることができる。第１のデバイス１０１０は、別の、移行チャンバー１２２６の下部１４０２におかれた第２の搬送台１０１２まで、下げることができる。そして、第１のデバイス１０１０は、第２の搬送台１０１２に支えられながら、下部処理回路１２０４を通過させることができる。
【００６５】
第１の搬送台１０１２は、移行チャンバー１２２６の上部１４００を上部処理回路１２０２の処理チャンバー１３６２で側方に移動し続けることができる。別の、第２のデバイス１０１０は、入力チャンバー１２２８から処理チャンバー１３６２に積み込み、処理チャンバー１３６２の第１の搬送台１０１２に乗せることができる。例えば、第２のデバイス１０１０は、基板なしで入力チャンバー１３６２に挿入することができるが、第１の搬送台１０１２に乗せるために処理チャンバー１３６２に移動することがある。そして、第２のデバイス１０１０は、第１の搬送台１０１２に支えられて、上部処理回路１２０２を通って移動することができる。第２のデバイス１０１０と第１の搬送台１０１２とは、上述の通り、移行チャンバー１２２６内でお互いに別々になり、第２のデバイス１０１０は、下部処理回路１２０４を通って移動することができるようになり、第１の搬送台１０１２は別のデバイス１０１０を受け取るために処理チャンバー１３６２に戻ることができるようになる。
【００６６】
第２の搬送台１０１２及び第１のデバイス１０１０は、移行チャンバー１２２６の下部１４０２から下部処理回路１２０４を通って移動することができる。第２の搬送台１０１２及び第１のデバイス１０１０が移行チャンバー１２２６の下部１４０２と変更容易に結合させた処理チャンバー１３５６に到着したとき、第１のデバイス１０１０は、（例えば、第１のデバイス１０１０を持ちあげることにより）第２の搬送台１０１２から分離することができる。次に、第１のデバイス１０１０は、システム１２００から取り外すために、処理チャンバー１３５８、１３６０に移動することができる。第２の搬送台１０１２は、処理チャンバー１３５６から移行チャンバー１２２６の下部１４０２へと側方に移動することができる。例えば、第２の搬送台１０１２は、別のデバイス１０１０が移行チャンバー１２２６の上部１４００から下げて移行チャンバー１２２６の下部１４０２にある第２の搬送台１０１２に乗せることのできる位置に、戻すことができる。この別のデバイス１０１０は、次に、第２の搬送台１０１２の上の下部処理回路１２０４を通って移動する。
【００６７】
上述の通り、搬送台１０１２は、上部処理回路１２０２、又は、下部処理回路１２０４のデバイス１０１０を、各搬送台１０１２が支え共に動くだけのことができるように、下部処理回路１２０２、１２０４中に別々に残ることができる。別々の搬送台１０１２は、別々の処理回路１２０２、１２０４でのみ動くことができるように専用化することができる。別々の処理回路１２０２、１２０４は、温度、及び／又は、圧力のような異なる動作条件と結び付けることができる。例えば、上部処理回路１２０２の処理チャンバー内の温度、及び／又は、圧力を、下部処理回路１２０２の処理チャンバー内の温度、及び／又は、圧力とは異なるように（例えば、より熱く、及び／又は、より低圧力に）することができる。搬送台１０１２、及び／又は、デバイス１０１０へのダメージ（例えば、搬送台１０１２への熱衝撃、及び／又は、搬送台１０１２の温度変化によるデバイス１０１０への熱衝撃、又は他の機械的ダメージ）を避けるため、システム１２００は、搬送台１０１２を一定の温度に保ち、及び／又は、各処理回路１２０２、１２０４を一定の圧力に保つことができる。移行チャンバー１２２６は、処理回路１２０２、１２０４間での温度移行領域としての役割を果たすことができる。
【００６８】
図１５は、１つの実施の形態によるリフト機構１５００及び搬送台１０１２の透視図である。図１５に示すように、搬送台１０１２は、境界線を規定するフレームとして形成することができる。図示した実施の形態において、搬送台１０１２は、長方形を形作る細長いボディー１５０２、１５０４からなる。代替的にボディー１５０２、１５０４を別の形状にすることができる。デバイス１０１０は、搬送台１０１２がデバイス１０１０をシステム１００、１０００、及び／又は、１２００を通過させるときに、２つ以上のボディー１５０２、１５０４に乗るようにすることができる。例えば、デバイス１０１０は、すべてのボディー１５０２、１５０４に、又は長いボディー１５０２のみに、又は短いボディー１５０４のみに、嵌合し又は支えられることができる。他の実施の形態において、搬送台１０１２は、ボディー１５０２と１５０４との間に開口を持たない固形のボディーのように、異なる形に形成することができる。
【００６９】
リフト機構１５００は、搬送台１０１２上で搬送台１０１２及びデバイス１０１０の垂直位置を変更することのできるデバイスである。リフト機構１５００には、搬送台１０１２がその上に乗るプラットフォーム１５０６と、プラットフォーム１５０６の垂直位置を変更するために伸縮するアクチュエーター１５０８とが含まれる。例えば、アクチュエーター１５０８は、プラットフォーム１５０６を第１の方向１５１０へ動かすために伸び、プラットフォーム１５０６を反対の第２の方向１５１２へ動かすために縮む、長いボディー又は伸縮式ボディーとすることができる。
【００７０】
リフト機構１５００は、１つ以上の処理チャンバー１００６に配置され、デバイス１０１０の処理を手助けする。例えば、リフト機構１５００は、デバイス１０１０上に１つ以上のサブレイヤーを蒸着させるＰＥＣＶＤチャンバー中の電極であってもよい。別の実施の形態において、移行チャンバー１２２６中でデバイス１０１０を垂直に移動させるために、図１２及び図１３に示すようなシステム１２００の移行チャンバー１２２６中にリフト機構１５００を含めることができる。例えば、デバイス１０１０を搬送台１０１２から分離し、移行チャンバー１２２６中のデバイス１０１０を下降させるために、リフト機構１５００に置くことができる。１つの実施の形態において、デバイス１０１０の露出されている側をつかみデバイス１０１０の上面に吸引圧力を加えることによりデバイス１０１０を搬送台から分離することができ、或いは、別のやり方でデバイス１０１０に吸引圧力を加えてデバイス１０１０を搬送台から分離することができる。次いで、搬送台１０１２を下でつかんだデバイス１０１０から移動させ、デバイス１０１０を、アクチュエーター１５０８により垂直方向に動かすためにプラットフォーム１５０６等の上に置くことができる。リフト機構１５００がデバイス１０１０を、移行チャンバー１２２６中でデバイス１０１０を下降させるように、デバイス１０１０を移動させたとき、デバイス１０１０は、上述したように、つかまれて別の搬送台１０１２の上に乗せられる。
【００７１】
図１６は、太陽電池モジュール又はソーラーモジュールのようなデバイスを処理するための方法１６００の１つの実施の形態のフローチャートである。この方法１６００は、ソーラーモジュール１００、及び／又は、９００を製造するための図１、１０、及び１２に示したシステム１００、１０００、１２００の１つ以上の実施の形態で用いることができる。
【００７２】
１６０２にて、デバイスは、システム中に置かれる。例えば、（蒸着した下部電極レイヤーを有するガラス基板のような）デバイス１０１０を、システム１００、１０００、及び／又は、１２００の入力チャンバー中に入れることができる。１６０４にて、デバイスを搬送台上に載せる。例えば、デバイス１０１０をつかみデバイス１０１０を搬送台１０１２の上に降ろすこと等により、デバイス１０１０を搬送台１０１２上に乗せることができる。
【００７３】
１６０６にて、搬送台及びデバイスは、処理チャンバーの入力セット中の処理チャンバーを通り抜ける。上述したように、搬送台１０１２びデバイス１０１０は、第１の処理回路の処理チャンバーの入力セット中の処理チャンバーを連続的に通り抜けることができる。搬送台１０１２びデバイス１０１０は、一時的に各処理チャンバー内で停止し、そのチャンバーで加工されることがある。例えば、上述したように、デバイス１０１０上にサブレイヤーを蒸着することができるように、デバイス１０１０を停止させることができる。
【００７４】
１６０８にて、搬送台１０１２及びデバイス１０１０は、第１の処理回路中の処理チャンバーの入力セットから処理チャンバーの出力セットの処理チャンバーに、側方に移動させられる。上述の通り、ブリッジングチャンバーは、搬送台１０１２及びデバイス１０１０を、同じ処理回路中の入力セットから出力セットへ、側方に移動させることができる。
【００７５】
１６１０にて、搬送台及びデバイスは、処理チャンバーの出力セット中の処理チャンバーを通り抜ける。上述の通り、搬送台１０１２及びデバイス１０１０は、各処理チャンバーで一時停止し、そのチャンバー内で加工することができる。例えば、上述したように、デバイス１０１０上にサブレイヤーを蒸着することができるように、デバイス１０１０を停止することができる。
【００７６】
１６１２にて、デバイスを別の処理回路に移動させるべきかどうかの決定を行う。例えば、第１の処理回路（例えば、上部処理回路１２０２）から、他の第２の処理回路（例えば、下部処理回路１２０４）へ、デバイス１０１０を上昇、下降、又は他の方法で移動させるべきかどうかの決定を行うことができる。他の処理回路へデバイスを移動させるべきでない場合（例えば、デバイスの可高架完成している場合、又は、他の処理回路がない場合）、方法１６００の流れは１６１４に向かう。（下部処理回路１２０４のような）他の処理回路へデバイスを移動させるべきである場合、方法１６００の流れは１６１６に向かう。
【００７７】
１６１６にて、搬送台からデバイスを取り去る。例えば、デバイス１０１０をつかんで搬送台１０１２から持ち上げる一方、デバイス１０１０の下から搬送台を取り去ることができる。代替的に、搬送台１０１２を、デバイス１０１０の下からスライドさせ、搬送台１０１２がデバイス１０１０の下にはない状態にすることができる。
【００７８】
１６１８にて、他の搬送台の上にデバイスを下降させる。例えば、下部処理回路１２０４内の搬送台１０１２の上に、移行チャンバー１２２６内でデバイス１０１０を下降させることができる。別の実施の形態において、１６１６にて、搬送台からデバイスを分離せず、１６１８にて、別の搬送台の上にデバイスを下降させない。例えば、デバイス及び搬送台の両方を、一緒に、第１の処理回路から第２の処理回路へ移動させてもよい。
【００７９】
１６２０にて、搬送台及びデバイスは、処理回路中の処理チャンバーの入力セット中の処理チャンバーを通り抜ける。上述の通り、搬送台１０１２びデバイス１０１０は、第２の処理回路の処理チャンバーの入力セット中の処理チャンバーを連続的に通り抜けることができる。搬送台１０１２及びデバイス１０１０は、一時的に各処理チャンバー内で停止し、そのチャンバーで加工されることがある。例えば、上述したように、デバイス１０１０上にサブレイヤーを蒸着することができるように、デバイス１０１０を停止させることができる。
【００８０】
１６２２にて、搬送台１０１２及びデバイス１０１０は、第２の処理回路中の処理チャンバーの入力セットから処理チャンバーの出力セットの処理チャンバーに、側方に移動させられる。上述の通り、ブリッジングチャンバーは、搬送台１０１２及びデバイス１０１０を、同じ処理回路中の入力セットから出力セットへ、側方に移動させることができる。
【００８１】
１６２４にて、搬送台及びデバイスは、処理チャンバーの出力セット中の処理チャンバーを通り抜ける。上述の通り、搬送台１０１２及びデバイス１０１０は、各処理チャンバーで一時停止し、そのチャンバー内で加工することができる。例えば、上述したように、デバイス１０１０上にサブレイヤーを蒸着することができるように、デバイス１０１０を停止することができる。
【００８２】
１６２４の後、方法１６００の流れは１６１４に向かう。１６１４にて、システムからデバイスを取り去る。例えば、搬送台からデバイス１０１０を分離し、システムにより完成したデバイスの処理を完成させると共に（例えば、デバイス１０１０上に、半導体レイヤー又は接合部を蒸着させる）、システムの出力処理チャンバーから取り去ることができる。代替的に、１つ以上の付加的な処理回路がシステム中に供給された場合、１６１２から１６１８に関して上述した場合と同様に、付加的な処理回路にデバイスを移動させることができる。
【００８３】
別の実施の形態において、システム（例えば、デバイス上に１つ以上の半導体レイヤーを形成するためにシステム）には、処理チャンバーの入力セット及び処理チャンバーの出力セットが含まれる。入力セットの処理チャンバーは、互いに変更容易に結合させ入力方向に直線的に並べて構成されている。入力セットの処理チャンバーは、デバイスを加工し、入力セットの処理チャンバー間でデバイスを入力方向に移動させ、デバイスが入力セットの各処理チャンバー内に位置するとき、入力セットの処理チャンバーが別々にデバイスを処理するよう構成されている。出力セットの処理チャンバーは、互いに変更容易に結合させ出力方向に直線的に並べて構成されていて、出力セットの処理チャンバーは、デバイスを加工し、出力セットの処理チャンバー間でデバイスを出力方向に移動させ、デバイスが出力セットの各処理チャンバー内に位置するとき、出力セットの処理チャンバーが別々にデバイスを処理するよう構成されている。
【００８４】
他の特徴によれば、システムには、１つ以上の、相互に平行に配置され少なくとも１つの共通する処理機能を与える複数の処理チャンバーの入力セットと処理チャンバーの出力セットもまた含まれる。
【００８５】
他の特徴によれば、少なくとも１つの共通する処理機能を与える処理チャンバーは、少なくとも１つの共通する制御要素又は電源供給要素を共有する。
【００８６】
他の特徴によれば、処理チャンバーの入力セット又は処理チャンバーの出力セットの少なくとも１つには２０以下の処理チャンバーが含まれる。
【００８７】
他の特徴によれば、処理チャンバーの入力セット又は処理チャンバーの出力セットの少なくとも１つには１３以下の処理チャンバーが含まれる。
【００８８】
他の特徴によれば、少なくとも１つの処理チャンバーは、デバイス上に半導体材料を蒸着するように構成されている。
【００８９】
他の特徴によれば、入力セットの処理チャンバー及び出力セットの処理チャンバーは、各グループにおいてデバイス上に１つ以上の半導体接合部を形成するために半導体材料の１つ以上のサブレイヤーを蒸着するように構成したグループになるよう配置されている。
【００９０】
他の特徴によれば、入力方向と出力方向とは互いに逆方向を向いている。
【００９１】
他の特徴によれば、入力方向と出力方向とは互いに同じ方向を向いている。
【００９２】
他の特徴によれば、入力セットの１つ以上の処理チャンバー及び出力セットの１つ以上の処理チャンバーと変更容易に結合するよう構成されたブリッジングチャンバーも含まれる。ブリッジングチャンバーは、また、入力セットの１つ以上の処理チャンバーからデバイスを受け取り、出力セットの１つ以上の処理チャンバーへ移送する方向にデバイスを移動させるよう構成されている。移送方向は、入力方向又は出力方向のうちの少なくとも１つを横切る方向に向いている。
【００９３】
他の特徴によれば、移送方向は、入力方向又は出力方向のうちの少なくとも１つと垂直な方向である。
【００９４】
他の特徴によれば、ブリッジングチャンバーは、処理チャンバー及びブリッジングチャンバー中の１つの媒体ガスより高い温度又はこの媒体ガスより低い圧力のうちの少なくとも１つを維持するために、入力セットの処理チャンバー及び出力セットの処理チャンバーと変更容易に結合するよう構成されている。
【００９５】
他の特徴によれば、処理チャンバーの入力セット、ブリッジングチャンバー、及び処理チャンバーの出力セットは、第１の処理回路を形成し、処理チャンバーの追加の入力セット、追加のブリッジングチャンバー、処理チャンバーの追加の出力セット、及び、お互いに変更容易に結合させ第２の処理回路を形成するよう構成された移行チャンバーをさらに具備する。
【００９６】
他の特徴によれば、移行チャンバーは、デバイスを受け取りデバイスを処理チャンバーの追加の入力セットに移動させるための、第１の処理回路の出力セット中の１つ以上の処理チャンバーと変更容易に結合するよう構成されている。処理チャンバーの追加の入力セットは、デバイスを加工し追加のブリッジングチャンバーへと追加の入力方向に移動させるよう構成されている。追加のブリッジングチャンバーは、追加の出力セットの１つ以上の処理チャンバーへと、追加の移送方向にデバイスを移動させるよう構成されている。追加の出力セットの処理チャンバーは、デバイスを加工し追加の出力方向に移動させるよう構成されている。
【００９７】
他の特徴によれば、第１の処理回路は第２の処理回路の上に配置され、或いは、第１の処理回路は第２の処理回路の下に配置され、移行チャンバーは、第１の処理回路と第２の処理回路との間でデバイスを上昇又は下降させるよう構成されている。
【００９８】
他の特徴によれば、第１の処理回路中の処理チャンバーは、デバイスを加工するために第１の処理回路の処理チャンバー内の第１の温度又は第１の圧力の内の少なくとも１つを維持するように構成され、第２の処理回路中の処理チャンバーは、デバイスを加工するために第２の処理回路の処理チャンバー内の第２の温度又は第２の圧力の内の少なくとも１つを維持するように構成されている。
【００９９】
他の実施の形態によれば、他のシステム（例えばモジュールを加工するシステム）には、第１の処理回路、第２の処理回路、及び移行チャンバーが含まれる。第１の処理回路は、相互に変更容易に結合させ、第１の入力方向に直線的に配置する構成とした処理チャンバーの第１の入力セット、相互に変更容易に結合させ、第１の出力方向に直線的に配置する構成とした処理チャンバーの第１の出力セット、及び、処理チャンバーの第１の入力セットと処理チャンバーの第１の出力セットとの間に伸びる第１のブリッジングチャンバーを有する。第２の処理回路は、相互に変更容易に結合させ、第２の入力方向に直線的に配置する構成とした処理チャンバーの第２の入力セット、相互に変更容易に結合させ、第２の出力方向に直線的に配置する構成とした処理チャンバーの第２の出力セット、及び、処理チャンバーの第２の入力セットと処理チャンバーの第２の出力セットとの間に伸びる第２のブリッジングチャンバーを有する。移行チャンバーは、第１の処理回路及び第２の処理回路と変更容易に結合するように構成されている。第１の処理回路は、半導体デバイスを処理し、第１の入力方向、第１の移送方向、及び、第１の出力方向に沿って、第１の処理回路の処理チャンバーを通過させるよう構成されている。移行チャンバーは、デバイスを第２の処理回路にデバイスを移動させるよう構成されている。第２の処理回路は、デバイスを処理し、第２の入力方向、第２の移送方向、及び、第２の出力方向に沿って、第２の処理回路の処理チャンバーを通過させ、デバイス上に１つ以上の半導体レイヤーを蒸着するよう構成されている。
【０１００】
他の特徴によれば、処理チャンバーは、各グループにおいてデバイス上に１つ以上の半導体接合部を形成するために半導体材料の１つ以上のサブレイヤーを蒸着するように構成したグループになるよう配置されている。
【０１０１】
他の特徴によれば、第１の入力方向と第１の出力方向とは、互いに逆方向を向いているか、又は、第２の入力方向と第２の出力方向とは、互いに逆方向を向いている。
【０１０２】
他の特徴によれば、第１の移送方向は、第１の入力方向又は第１の出力方向のうちの少なくとも１つに対して垂直になっているか、又は、第２の移送方向は、第２の入力方向又は第２の出力方向のうちの少なくとも１つに対して垂直になっている。
【０１０３】
他の特徴によれば、第１のブリッジングチャンバー及び第２のブリッジングチャンバーは、それぞれ、第１の処理回路の処理チャンバー及び第２の処理回路の処理チャンバーと変更容易に結合するよう構成され、第１の処理回路及び第２の処理回路中の媒体ガスより高い温度又はこの媒体ガスより低い圧力のいずれか１つを維持する。
【０１０４】
他の特徴によれば、第１の処理回路の処理チャンバーは、デバイスを加工するための第１の温度を維持するよう構成されており、第２の処理回路の処理チャンバーは、デバイスを加工するための、別の、第２の温度を維持するよう構成されている。
【０１０５】
他の特徴によれば、移行チャンバーは、第１の処理回路中の処理チャンバーからデバイスと第１の搬送台とを受け取り、デバイスを第１の搬送台から分離し、デバイスを第２の処理回路中の第２の搬送台に移動させ、デバイスと第２の搬送台とを第２の処理回路の処理チャンバーへと移動させる。
【０１０６】
他の特徴によれば、移行チャンバーは、第１の処理チャンバーの第１の入力セット中の１つ以上の処理チャンバーへと第１の搬送台を移動させ、第１の処理回路の処理チャンバーを通過させて運ぶための、別の第２の搬送台に他のデバイスを乗せるよう構成されている。
【０１０７】
他の特徴によれば、移行チャンバーは、第２の処理回路の処理チャンバーから第２の搬送台を受け取り、第２の処理回路の処理チャンバーを通過させて運ぶために第２の搬送台の上に他のデバイスを乗せるよう構成されている。
【０１０８】
他の実施の形態によれば、マルチチャンバーシステムには、お互いに直線的に並べた複数のチャンバーが含まれ、各チャンバーは、太陽電池モジュールの製造工程において、相異なる加工機能又はステップを実行する。
【０１０９】
他の特徴によれば、システムには、チャンバー間で太陽電池モジュールを直線的に移動させるコンベアサブシステムも含まれる。
【０１１０】
他の特徴によれば、第１のチャンバーでは、太陽電池モジュールの導電性下部電極を蒸着させ、別の第２のチャンバーでは、半導体レイヤーを蒸着させ、別の第３のチャンバーでは、太陽電池モジュールの導電性上部電極を蒸着させる。
【０１１１】
当然のことながら、上記説明は解説のためのものであり、限定のためのものではない。例えば、上記実施の形態（及び／又は、その特徴）は、相互に組み合わせて用いることができる。加えて、発明対象の技術的思想に対して、特定の状況又は材料に適合させるために、発明の技術的範囲から離れることなく多くの変更を加えることができる。ここに記載の寸法、材料の形式、及びコーティングは、発明対象の項目を規定するものである一方、これらは限定のためのものではなく、典型的な実施の形態におけるものである。上記説明を検討することにより、本発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者であれば多くの他の実施の形態があることは明らかであろう。本発明対象の技術的範囲は、従って、添付特許請求の範囲と、このような特許請求の範囲で定められる範囲と均等な範囲とにより画定されるべきである。添付特許請求の範囲において、「含まれる」及び「ここで」は、「具備する」及び「ここで」と等価な平易な英語として用いられる。さらに、特許請求の範囲において、用語「第１の」、「第２の」、「第３の」、等は、単に標識として用いられ、対象物に数字的な必要性を組みこむことを意図するものではない。さらに、以下の請求項を限定する場合に、ミーンズ・プラス・ファンクション形式では記載していないので、請求項が「手段」の後に機能が続きさらなる構成がないような限定表現でない限り、米国特許法第１１２条第６パラグラフに基づく解釈を意図するものではない。
【０１１２】
本記載は、最良の形態を含む、発明対象の種々の実施の形態を例示するためのものであり、デバイス又はシステムを製造し用いること、及び記載の方法を実行することを含む、発明対象の種々の実施の形態を本発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が実施できるようにするものである。発明対象の種々の実施の形態の特許範囲は、請求項により定義され、当該技術の分野における通常の知識を有する者の心に浮かぶ他の例も含めることができる。このような他の例は、この例が請求項の文字通りの言葉とは異ならない構成要件を持っている場合、又はこの例が請求項の文字通りの言葉とは実質的に異ならない均等な構成要件を持っている場合、請求の範囲内であることを意図する。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【国際調査報告】
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