(57)【要約】  本発明の実施形態は、概して、基板をプラズマエッチングするための方法及び装置に関し、より具体的には、処理される基板の縁部、側部及び裏面に対する保護を備えた方法及び装置に関する。本発明の実施形態は、処理される基板よりもサイズが小さい開口を有し、プラズマチャンバ内で基板に近接して配置することができる縁部保護板を提供する。縁部保護板は、基板上の縁部及び／又は側部と重なり、これによって基板の縁部、側部及び裏面上の反射コーティングに保護を提供する。
2014518447.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理容積を画定するチャンバ本体と、
処理容積内に配置され、処理中に基板を支持するための凸部を含む支持アセンブリと、
処理容積内にプラズマを発生させる又は供給するように構成されたプラズマ源と、
支持アセンブリの上方の処理容積内に移動可能に配置され、中央領域に開口が形成された縁部保護板を含む基板処理装置。
【請求項２】
縁部保護板に結合され、処理容積内を鉛直方向に移動可能であるリフトフープを含む請求項１記載の装置。
【請求項３】
リフトフープから延びるシャフトを含み、リフトフープは支持アセンブリの周りに配置され、シャフトはリフトフープをアクチュエータに接続する請求項２記載の装置。
【請求項４】
縁部保護板をリフトフープに固定して取り付ける複数の支持ピンを含む請求項２記載の装置。
【請求項５】
縁部保護板の周囲に配置された縁部シールドを含む請求項４記載の装置。
【請求項６】
処理容積内で縁部保護板の上方に配置されたイオンラジカルシールドと、
イオンラジカルシールドを支持する複数の支持脚を含む請求項２記載の装置。
【請求項７】
縁部保護板は複数の貫通穴を有し、複数の支持脚の各々が縁部保護板の複数の貫通孔のうちの１つを通過し、これによって縁部保護板はイオンラジカルシールドとは独立して移動できる請求項６記載の装置。
【請求項８】
開口は処理される基板と実質的に類似した形状で基板よりも小さい請求項２記載の装置。
【請求項９】
処理容積を画定し、チャンバ壁と、チャンバ壁の上に配置されたチャンバ蓋とを含むチャンバ本体と、
処理容積内に配置され、処理中に基板を支持するための凸部を含む支持アセンブリと、
処理容積内にプラズマを発生させるように構成されたチャンバ蓋の上方に配置されたアンテナと、
処理容積内に配置された縁部保護アセンブリであって、縁部保護アセンブリは、アクチュエータと、支持アセンブリの上方に配置された開口を有し、アクチュエータに結合された縁部保護板を含み、縁部保護板の昇降はアクチュエータによって制御される縁部保護アセンブリを含む基板処理装置。
【請求項１０】
縁部保護板の開口は正方形である請求項９記載の装置。
【請求項１１】
縁部保護板は石英又はセラミックスから形成される請求項１又は９記載の装置。
【請求項１２】
処理容積内で縁部保護板の上方に配置されたイオンラジカルシールドと、
縁部保護板を貫通してイオンラジカルシールドを支持する複数の支持脚を含む請求項９記載の装置。
【請求項１３】
少なくとも約６インチの外径を有するディスクを含み、ディスクの中央部を貫通して矩形状の開口が形成され、ディスクの周辺部に複数の穴が形成され、ディスクは石英又はセラミックスを含むプラズマ処理チャンバ用縁部保護板。
【請求項１４】
開口の内壁は段差のある断面形状を有する請求項１３記載の縁部保護板。
【請求項１５】
開口は上穴及び下穴によって画定され、下穴が上穴よりも大きい請求項８、１０、又は１４のいずれか１項記載の発明。
【発明の詳細な説明】
【背景】
【０００１】
（分野）
本発明の実施形態は、概して、基板をプラズマエッチングするための方法及び装置に関し、より具体的には、処理される基板の縁部、側部及び裏面に対する保護を備えた方法及び装置に関する。
【０００２】
（関連技術の説明）
フォトリソグラフィの際、基板（フォトマスク等）又は「レチクル」は、通常、光源と処理されるウェハとの間に配置され、これによってウェハ上にパターニングされた構造を形成する。基板は、ウェハ上に形成される構造の構成を反映したパターンを含む。
【０００３】
フォトマスク基板は、典型的には、作業面上に遮光金属層金属（典型的にはクロム）が形成され、面の残りの部分に高反射コーティング（窒化クロム等）が形成された光学的に透明なシリコン系材料（石英等）の基板を含む。遮光金属層はパターニング及びエッチングされ、フォトリソグラフィプロセスによってウェハ（半導体ウェハ等）に転写されるべき構造に対応するパターンを画定する構造を形成する。
【０００４】
蒸着プロセス及びエッチングプロセスは、通常、パターニングされたフォトマスク基板を作製するために用いられる。高反射コーティングは、蒸着プロセス又はエッチングプロセス中に損傷を受ける可能性がある。例えば、遮光金属層内でパターンをエッチングするためにプラズマを使用している間、もしも高反射コーティングがプラズマにさらされたならば、高反射コーティングは劣化する可能性がある。図１は、プラズマ環境内で処理される基板１００の概略側面図である。基板１００は、上面１１２に遮光金属層１０４が形成され、底面１１４及び側部１１６に光反射コーティング１０６が形成された基板１０２を含む。伝統的には、遮光金属層１０４上にパターンを形成しながら、遮光金属層１０４をプラズマ１１０に向けて、基板１００を支持アセンブリ１０８上に配置する。しかしながら、光反射コーティング１０６（特に、側面１１６上の光反射コーティング１０６）は、プラズマ１１０にさらされ、こうしてプロセス中に損傷を受ける可能性がある。
【０００５】
従って、基板上の反射コーティングにダメージを与えることなく、基板上にパターンを形成する方法及び装置が必要である。
【概要】
【０００６】
本発明の実施形態は、概して、基板を処理するための装置及び方法を提供する。より具体的には、本発明の実施形態は、プラズマ処理中に、基板の縁部及び／又は側部を保護するための装置及び方法を提供する。
【０００７】
本発明の一実施形態は、基板を処理するための装置を提供する。本装置は、処理容積を画定するチャンバ本体と、処理容積内に配置された支持アセンブリを含む。支持アセンブリは、処理中に基板を支持するための凸部を含む。本装置は、処理容積内にプラズマを発生させる又は供給するように構成されたプラズマ源と、支持アセンブリの上方の処理容積内に移動可能に配置された縁部保護板も含む。縁部保護板は、中央領域に開口が形成されている。
【０００８】
本発明の別の一実施形態は、基板を処理するための装置を提供する。本装置は、処理容積を画定するチャンバ本体と、処理容積内に配置された支持アセンブリを含む。チャンバ本体は、チャンバ壁と、チャンバ壁の上に配置されたチャンバ蓋とを含む。支持アセンブリは、処理中に基板を支持するための凸部を含む。本装置は、処理容積内にプラズマを発生させるように構成されたチャンバ蓋の上方に配置されたアンテナと、処理容積内に配置された縁部保護アセンブリも含む。駆動型縁部保護アセンブリは、処理容積内に移動可能に配置されたリフトフープと、リフトフープから延びる３以上の支持ピンと、支持アセンブリの上方に配置された開口を有する縁部保護板を含む。縁部保護板は３以上の支持ピンに結合され、リフトフープと共に移動可能である。
【０００９】
本発明の更に別の一実施形態では、基板を処理するための方法を提供する。本方法は、プラズマチャンバの処理容積内に配置された支持アセンブリ上に基板を受ける工程と、基板の上に縁部保護板を位置決めする工程を含む。縁部保護板は、基板よりも小さい開口を有し、開口は、実質的に基板と同じ形状を有する。本方法は、基板を処理するために、縁部保護板の上方でプラズマを生成する工程を更に含む。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
本発明の上述した構成を詳細に理解することができるように、上記に簡単に要約した本発明のより具体的な説明を、実施形態を参照して行う。実施形態のいくつかは添付図面に示されている。しかしながら、添付図面は本発明の典型的な実施形態を示しているに過ぎず、従ってこの範囲を制限していると解釈されるべきではなく、本発明は他の等しく有効な実施形態を含み得ることに留意すべきである。
【図１】プラズマ環境内で処理される基板の概略側面図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る処理チャンバの概略側断面図である。
【図３】本発明の一実施形態に係る縁部保護アセンブリの部分斜視図である。
【図４Ａ】下方処理位置における縁部保護板を示す側断面図である。
【図４Ｂ】上方処理位置における縁部保護板を示す側断面図である。
【図４Ｃ】基板搬送位置における縁部保護板を示す側断面図である。
【図５Ａ】本発明の一実施形態に係る縁部保護板の上面図である。
【図５Ｂ】図５Ａの縁部保護板の側断面図である。
【図６Ａ】本発明の一実施形態に係る縁部保護板の上面図である。
【図６Ｂ】図６Ａの縁部保護板の側断面図である。
【００１１】
理解を促進するために、図面に共通する同一の要素を示す際には可能な限り同一の参照番号を使用している。一実施形態で開示された要素を、特に説明することなく、他の実施形態で有益に利用してもよいと理解される。
【詳細な説明】
【００１２】
本発明の実施形態は、概して、基板をプラズマエッチングするための方法及び装置に関し、より具体的には、処理される基板の縁部、側部及び裏面に対する保護を備えた方法及び装置に関する。特に、本発明の実施形態は、独立して駆動される縁部保護板を含む処理チャンバを提供する。
【００１３】
本発明の実施形態は、処理される基板よりもサイズが小さい開口を有し、プラズマチャンバ内で基板に近接して配置することができる縁部保護板を提供する。縁部保護板は、基板上の縁部及び／又は側部と重なり、これによって基板の縁部、側部及び裏面上の反射コーティングに保護を提供する。
【００１４】
用語「基板」は、半導体基板、電気絶縁基板、マスク、フォトマスク基板又はレチクル等の電子デバイスを形成するプロセスにおいて用いられる任意の基板を示す。
【００１５】
図２は、本発明の一実施形態に係る処理チャンバ２００の概略側断面図である。本明細書に開示された教示における使用に適合可能な適切な処理チャンバは、例えば、Ｄｅｃｏｕｐｌｅｄ  Ｐｌａｓｍａ  Ｓｏｕｒｃｅ（ＤＰＳ（商標名））ＩＩリアクタ、又はＴｅｔｒａ  Ｉ及びＴｅｔｒａ  ＩＩ  Ｐｈｏｔｏｍａｓｋエッチングシステムを含み、これらすべてがカリフォルニア州サンタクララのアプライドマテリアル社（Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，  Ｉｎｃ．）から入手可能である。本明細書内で図示される処理チャンバ２００の特定の実施形態は、例示の目的のために提供され、本発明の範囲を制限するために使用されるべきではない。なお、本発明は、他の製造業者によるものを含めた他のプラズマ処理チャンバで使用可能であることが理解される。
【００１６】
処理チャンバ２００は、概して、チャンバ壁２０２及びチャンバ蓋２０４によって画定される処理容積２０６を含む。処理チャンバ２００は、処理容積２０６内にプラズマを供給する又はプラズマを発生させるためのプラズマ源２２２を含む。一実施形態では、プラズマ源２２２は、処理容積２０６内に誘導結合プラズマを発生させるためのチャンバ蓋２０４の上方に配置されたアンテナ２１０を含む。図２に示されるように、アンテナ２１０は、１以上の同軸コイル２１０ａ、２１０ｂを含むことができる。アンテナ２１０は、整合回路網２１４を介してプラズマ電源２１２に結合することができる。
【００１７】
支持アセンブリ２０８は、凸部２３０上に処理される基板１００を支持するために、処理容積２０６内に配置される。支持アセンブリ２０８は、チャック電源２２０に接続される少なくとも１つのクランプ電極２１８を有する静電チャック２１６を含むことができる。支持アセンブリ２０８は、他の基板保持機構（例えば、サセプタクランプリング、メカニカルチャック等）を含むことができる。支持アセンブリ２０８は、静電チャック２１６以外の他の基板保持機構（例えば、サセプタクランプリング、メカニカルチャック等）を含むことができる。支持アセンブリ２０８は、温度制御用のヒータ電源２２６及びヒートシンク２２８に結合された抵抗ヒータ２２４を含むことができる。
【００１８】
支持アセンブリ２０８は、凸部２３０と外部搬送装置（外部ロボット等）の間で基板１００を搬送するための基板アダプタ２３４も含む。基板アダプタ２３４は、静電チャック２１６の上に配置され、凸部２３０が貫通することができる穴２３６を有することができる。基板アダプタ２３４は、リフト機構２３８に結合された複数のリフトピン２４０によって静電チャック２１６から持ち上げることができる。典型的な基板アダプタは、「Ｍａｓｋ  Ｅｔｃｈ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  Ａｐｐａｒａｔｕｓ（マスクエッチング処理装置）」と題される米国特許第７，１２８，８０６号に記載されている。
【００１９】
処理チャンバ２００は、支持アセンブリ２０８の上方に配置されたイオンラジカルシールド２４２を含むこともできる。イオンラジカルシールド２４２は、チャンバ壁２０２及び支持アセンブリ２０８から電気的に分離されている。イオンラジカルシールド２４２は、複数の貫通孔２４８を有する実質的な平板２４６と、平板２４６を支持し、平板２４６を支持アセンブリ２０８の上方に一定距離で位置決めする複数の支持脚２５０を含む。複数の支持脚２５０は、静電チャック２１６、基板アダプタ２３４又はバッフル２５６の上に配置することができる。複数の貫通孔２４８は、平板２４６の開放領域２５２内のみに分布することができる。開放領域２５２は、処理容積２０６の上部容積２５４内に形成されたプラズマからイオンラジカルシールド２４２と支持アセンブリ２０８の間に位置する下部容積２４４へと通過するイオンの量を制御する。例示的なイオンラジカルシールドは、「Ｍｅｔｈｏｄ  ａｎｄ  Ａｐｐａｒａｔｕｓ  ｆｏｒ  Ｐｈｏｔｏｍａｓｋ  Ｐｌａｓｍａ  Ｅｔｃｈｉｎｇ（フォトマスクプラズマエッチングのための方法及び装置）」と題される米国特許第７，９０９，９６１号に見出すことができる。
【００２０】
ガスパネル２５８は、処理容積２０６に向かって１以上の処理ガスを供給するための入口２６０に接続される。真空ポンプ２６４は、スロットルバルブ２６２を介して処理容積２０６に結合される。バッフル２５６は、スロットルバルブ２６２の上流の支持アセンブリ２０８の周りに配置することができ、これによって処理容積２０６内で均一な流量分布を可能にする。バッフル２５６は、基板アダプタ２３４からチャンバ壁２０２へと半径方向外方に延びる複数の水平スポーク２５６ａを含む。複数の水平スポーク２５６ａは、処理容積２０６の上部からスロットルバルブ２６２までの流体の流れを制限して均一にし、こうして処理容積２０６内の流体の流れの均一性を向上させる。バッフル２５６は、バッフル２５６の外縁部から上方へと延びる複数の縦棒２５６ｂも含むことができる。複数の縦棒２５６ｂは、処理中の基板１００近くの水平方向の流体の流れを制限して調整するように機能する。
【００２１】
一実施形態では、縁部シールド２８６は、縁部保護板２６８に結合することができる。縁部シールド２８６は、内方段差２８８を有するリング形状の管である。縁部シールド２８６は、縁部保護板２６８の周縁部上に置かれており、これによって縁部保護板２６８の周りにガス流を向ける。
【００２２】
本発明の実施形態に係る処理チャンバ２００は、基板１００の光反射コーティング１０６に保護を提供するように構成された駆動型縁部保護アセンブリ２６６を含む。駆動型縁部保護アセンブリ２６６は、基板１００の縁部２３２及び／又は（図１に示される）側面１１６の両方の表面の光反射コーティング１０６を保護するために使用することができる。
【００２３】
駆動型縁部保護アセンブリ２６６は、縁部保護板２６８、リフトフープ２７２、リフトフープ２７２と縁部保護板２６８の間に結合された３以上の支持ピン２７０を含む。アクチュエータ２７６は、チャンバ壁２０２を密閉貫通して延びるシャフト２７４によって、リフトフープ２７２に結合される。
【００２４】
リフトフープ２７２は、支持アセンブリ２０８の半径方向外方の処理容積２０６内に配置される。リフトフープ２７２は、シャフト２７４の上に実質的に水平姿勢に取り付けられる。シャフト２７４は、アクチュエータ２７６によって駆動され、処理容積２０６内でリフトフープ２７２を上下に移動させる。３以上の支持ピン２７０は、リフトフープ２７２から上方に延び、縁部保護板２６８を支持アセンブリ２０８の上方に位置決めする。３以上の支持ピン２７０は、縁部保護板２６８をリフトフープ２７２に固定して取り付けることができる。縁部保護板２６８は、処理容積２０６内でリフトフープ２７２と共に上下に移動し、これによって縁部保護板２６８は、基板１００の上方に所望の距離で位置決めすることができ、及び／又は基板１００を搬送するために縁部保護板２６８と支持アセンブリ２０８の間の処理容積２０６に外部基板ハンドリング装置が入ることができる。
【００２５】
３以上の支持ピン２７０は、支持ピン２７０間を処理チャンバ２００内外に基板１００を搬送可能となるように配置することができる。一実施形態では、３以上の支持ピン２７０の各々は、イオンラジカルシールドを支持する複数の支持脚２５０の１つに近接して配置することができる。
【００２６】
一実施形態では、縁部保護板２６８は、支持アセンブリ２０８の直径よりも大きく、チャンバ壁２０２の内側寸法よりも若干小さいサイズの平面板であり、これによって縁部保護板２６８は処理容積２０６内で処理ガス又はプラズマの下向きの流れを遮断することができる。一実施形態では、チャンバ壁２０２は円筒形であり、縁部保護板２６８はチャンバ壁２０２の内径よりもわずかに小さい外径を有する円形ディスクであることができる。縁部保護板２６８は、中央領域の近傍に開口２７８が形成されている。縁部保護板２６８は、支持アセンブリ２０８の上面２８２に実質的に平行に配置することができる。開口２７８は、静電チャック２１６の凸部２３０と位置合わせされる。開口２７８は、処理ガス又は活性種に対して制限された経路を提供し、基板１００が配置される凸部２３０に向かって下方へガスを向け、こうして基板１００のプラズマへの曝露を制御する。
【００２７】
開口２７８の形状は、処理される基板１００の形状と実質的に同様とすることができる。例えば、開口２７８の形状は、処理される基板の上に、正方形、長方形、円形、三角形、楕円形、平面を有する円形、六角形、八角形、又は任意の適切な形状の処理領域であることができる。一実施形態では、開口２７８は、基板１００の縁部２３２に保護を提供するために、基板１００の上面１１２よりもわずかに小さくてもよい。一実施形態では、縁部保護板２６８と凸部２３０の上面２８２との間の距離２８０は、基板１００が所望のプラズマ曝露を達成するように調整することができる。別の一実施形態では、開口２７８の大きさは、基板１００が所望のプラズマ曝露を達成するように調整することができる。
【００２８】
あるいはまた、距離２８０及び開口２７８の大きさは、基板１００が所望のプラズマ曝露を達成するように共に調整することができる。開口２７８の大きさが基板１００の大きさよりも若干小さい場合には、基板１００の縁部２３２は、上方の処理容積２０６から下降する処理ガス中のいずれの種からも縁部保護板２６８によって遮蔽することができる。開口２７８が小さければ小さいほど、縁部２３２の面積は大きくなる。一方、距離２８０を変えることによっても、縁部保護板２６８が基板１００にどのように影響を与えるかを変えることができる。開口２７８の大きさが同じままの場合には、小さな距離２８０は基板１００上に非保護領域から鋭く画定される保護縁部領域をもたらし、一方大きな距離２８０は保護領域と非保護領域の間に遷移領域をもたらすであろう。
【００２９】
一実施形態では、縁部保護板２６８は、イオンラジカルシールド２４２の下方、かつ支持アセンブリ２０８の上方に移動可能に位置決めされる。縁部保護板２６８は、イオンラジカルシールド２４２の平板２４６を支持している複数の支持脚２５０を収容する複数の貫通孔２８４を有することができる。
【００３０】
処理の際、プラズマは通常、処理容積２０６内で形成される。プラズマ内の種（ラジカルやイオン等）は、平板２４６及び縁部保護板２６８の開口２７８を基板１００へ向かって通過する。縁部保護板２６８は、プラズマ中の種を物理的に遮断することによって、プラズマ中の種の衝撃から基板１００の縁部及び／又は側部を保護する。縁部保護板２６８は、開口２７８の下方の領域を除く縁部保護板２６８の下方のチャンバ部品及び基板１００の領域に対して物理的なシールドを提供する。開口２７８は、開口２７８を通過する種が、基板１００の縁部及び／又は側部に到達しないように形成及び／又は配置することができる。上述したように、開口２７８の大きさ及び／又は距離２８０は、基板１００上に所望の保護を得るように、単独で又は一緒に調整することができる。
【００３１】
縁部保護板２６８は、処理化学物質と相性の良い材料から形成することができる。一実施形態では、縁部保護板２６８は、石英やセラミックス（とりわけ、アルミナ、イットリア（酸化イットリウム）、Ｋ１４０（京セラから入手可能な独自材料）等）から形成することができる。
【００３２】
図３は、チャンバ蓋２０４、チャンバ壁２０２、及び支持アセンブリ２０８を除去した、本発明の一実施形態に係る駆動型縁部保護アセンブリ２６６の部分斜視図である。図３に示されるように、複数の支持ピン２７０がバッフル２５６を貫通し、これによって縁部保護板２６８をバッフル２５６と平板２４６の間に位置決めしている。複数の貫通孔２８４は、バッフル２５６の上に平板２４６を支持する支持脚２５０を収容する。支持脚２５０及び支持ピン２７０を千鳥配置にすることによって、縁部保護板２６８は、バッフル２５６及び平板２４６から独立して移動することができる。
【００３３】
縁部保護板２６８は、リフトフープ２７２によって上下方向に移動される。リフトフープ２７２は、側部延長部３０２を有するリング状本体３０４を含むことができる。リング状本体３０４は、支持アセンブリ２０８を囲むのに十分な大きさの内側穴３０６を有する。側部延長部３０２は、リング状本体３０４から半径方向外側に配置される。側部延長部３０２によって、リフトループ２７２は、側部からアクチュエータに接続することができる。側部駆動配置によって、リフトフープ２７２及び縁部保護板２６８は、バッフル２５６及びイオンラジカルシールド２４２の平板２４６とは別の駆動機構を有することができ、これによって処理チャンバ２００のプロセスの柔軟性を向上させることができる。
【００３４】
可動縁部保護板２６８は、支持アセンブリ２０８の上方に異なる距離で配置することができ、これによって一定の効果を実現する、及び／又は基板１００及びその他のチャンバ部品の移動を可能にする。支持アセンブリ２０８に対して縁部保護板２６８の高さを調節可能に設定する機能は、処理ウィンドウを大幅に拡大し、より高い処理の柔軟性を可能にする。一実施形態では、縁部保護板２６８の高さは通例、プラズマ処理の前に異なる処理レシピに適合するように調整することができる。別の一実施形態では、縁部保護板２６８の高さは、プラズマ処理中に調整することができる。
【００３５】
図４Ａは、下方処理位置における縁部保護板２６８を示す側断面図である。下面４０６は、支持アセンブリ２０８の凸部２３０の上方のある距離４０２に配置される。下方処理位置において、処理される基板１００の近くに縁部保護板２６８を配置することによって、距離４０２は相対的に短くなる。下方処理位置では、縁部保護板２６８は、開口２７８を貫通する直接見通し線の実質的に外側の任意の領域にプラズマがアクセスするのを防止するシャドウリングのように機能することができ、基板１００の縁部２３２はイオンへの曝露からシャドウイング（遮断）される。
【００３６】
図４Ｂは、上方処理位置における縁部保護板２６８を示す側断面図である。下面４０６は、支持アセンブリ２０８の凸部２３０の上方のある距離４０４に配置される。距離４０４は、距離４０２よりも大きく、このため下方処理位置において端部保護板２６８によってシャドウイングされた基板１００の縁部と、より多くのイオン及び反応種が相互作用可能となる。上方処理位置では、縁部保護板２６８は、プラズマへの曝露から基板１００の縁部及び／側部を保護し、更に基板の縁部領域近くのエッチング速度を調節することができ、こうして基板１００の全域に亘って全体的な処理の均一性を向上させることができる。
【００３７】
図４Ｃは、基板１００を支持アセンブリ２０８へ、及び支持アセンブリ２０８から搬送することができるような搬送位置における縁部保護板２６８を示す側断面図である。リフトフープ２７２及び縁部保護板２６８は、イオンラジカルシールド２４２に近接して上昇され、これによってロボットブレードによってアクセスを可能にする基板搬送用の十分な空間を縁部保護板２６８と凸部２３０との間に作る。
【００３８】
本発明の実施形態に係る縁部保護板は、概して、処理される基板と同様の形状の開口を有する面状体を含む。一実施形態では、開口は正方形の形状である。しかしながら、開口２７８の形状は、処理される基板上の処理領域に対して任意の適した形状（例えば、正方形、長方形、円形、三角形、楕円形、平面を有する円形、六角形、又は八角形）であってもよい。
【００３９】
図５Ａは、本発明の一実施形態に係る縁部保護板２６８の上面図である。図５Ｂは、縁部保護板２６８の側断面図である。縁部保護板２６８は、平面円盤状本体５０２を有する。平面円盤状本体５０２は、円筒状の側壁を有する処理チャンバで使用するために円形であることができる。開口２７８は、平面円盤状本体５０２の中央領域を貫通して形成される。開口２７８は、正方形の基板１００を処理するために正方形であることができる。開口２７８は、実質的に垂直な内壁５０４によって画定される。一実施形態では、開口２７８の大きさは、基板１００のサイズよりも小さい２６平方インチよりもわずかに小さくてもよい。処理の際、開口２７８は、基板１００及び支持アセンブリ２０８の中心と同軸に位置合わせされ、これによって基板１００の縁部及び側部の周りに均一な保護を提供する。
【００４０】
一実施形態では、３以上の貫通孔２８４が平面円盤状本体５０２の外周に沿って形成される。貫通孔２８４は、イオンラジカルシールド２４２の支持脚２５０を収容するように構成される。支持機能（例えば、支持ピン２７０）は、場所５０６において平面円盤状本体５０２に取り付けることができる。場所５０６は、貫通孔２８４に隣接して、及び貫通孔２８４に半径方向に位置合わせして配置することができ、これによって隣の支持ピン２７０との間で基板１００を搬送することができる。
【００４１】
なお、縁部保護板２６８及び開口２７８は、チャンバの形状及び基板の形状に応じてそれぞれ異なる形状を有してもよいことに留意すべきである。
【００４２】
図６Ａは、本発明の他の一実施形態に係る縁部保護板６００の上面図である。図６Ｂは、縁部保護板６００の側断面図である。縁部保護板６００は、図６Ｂに破線で示されるように、基板１００の側部６１２に追加の保護を提供するように構成される。
【００４３】
縁部保護板６００は、縁部保護板６００が段差のある側壁によって画定された開口６１０を有することを除いて、縁部保護板２６８に類似している。開口６１０は、処理される基板１００の形状と実質的に同様な形状であってもよい。開口６１０は、上部内壁６０４、段差６０６、及び下部内壁６０８によって画定される。上部内壁６０４は、基板１００より小さい上穴６１０ａを形成し、下部内壁６０８は、基板１００より大きい下穴６１０ｂを形成している。
【００４４】
処理の間、基板１００は下穴６１０ｂ内に配置され、これによって下部内壁６０８は基板１００の側部６１２をプラズマ曝露から直接遮蔽し、同時に上穴６１０ａはプラズマ中の種が基板１００を処理可能とする。
【００４５】
本発明の実施形態に係る縁部保護板の利点は、以下を含むことができる。
【００４６】
縁部保護板を独立して駆動でき、これによって基板の縁部から縁部保護板までの距離を調整することができる。独立した駆動によって、縁部保護板を基板に近接して位置決めできる。縁部保護板を基板に対して近接させることによって、縁部保護板はエッチングからの反応性プラズマを効果的にシャドウイング及びブロックすることができ、もしもそうでないならば、基板の側部又は裏面の反射コーティングを損傷する可能性がある。結果として、縁部保護板は、基板の側部と裏面のエッチング速度を大幅に減少させ、こうしてプラズマによる攻撃から基板上の反射コーティングを保護する。
【００４７】
更に、縁部保護板は、基板の縁部近くのエッチング速度を調節するためにも使用し、こうして基板上のエッチングプロセスの全体的な均一性に影響を与えることができる。
【００４８】
上記は本発明の実施形態を対象としているが、本発明の他の及び更なる実施形態は本発明の基本的範囲を逸脱することなく創作することができ、その範囲は以下の特許請求の範囲に基づいて定められる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図４Ｃ】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【国際調査報告】
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