(57)【要約】  本発明は、ビスイミダゾリウム塩と、それらに由来する新規のモノおよびビスカルベンと、対応するモノおよびビスカルベンをリガンドとして含有する金属錯体と、本発明のビスイミダゾリウム塩、本発明のモノおよびビスカルベンならびに本発明の金属錯体を調製するための方法と、本発明のビスイミダゾリウム塩、本発明のモノおよびビスカルベンの使用と、本発明の金属錯体の使用とに関する。【選択図】      なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（１）、（２）又は（３）の化合物：
【化１】
2014506241.tif 000051
式中、使用された記号および添え字は以下の意味を有する：
Ｍ、Ｍ’は、出現するごとに同一であるかまたは異なり、元素の周期表の１〜１３族、ランタノイドまたはアクチノイドから選択される荷電または非荷電金属原子であり；
Ｒ、Ｒ’は、互いに独立して同一であるかまたは異なり、水素、１〜２０個のＣ原子を有する直鎖もしくは分枝アルキル、２〜２０個のＣ原子および少なくとも１つの二重結合を有する直鎖もしくは分枝アルケニル、２〜２０個のＣ原子および少なくとも１つの三重結合を有する直鎖もしくは分枝アルキニル、３〜１０個のＣ原子を有する飽和、部分もしくは完全不飽和のシクロアルキル（これは、１〜１０個のＣ原子を有するアルキル基により置換されていてもよい。）、無置換もしくは置換のアリールもしくは芳香族環系、無置換もしくは置換の複素環もしくはヘテロ芳香族環系または置換もしくは無置換のアラルキルもしくはヘテロアラルキルであり、ここで、一方または両方の置換基ＲおよびＲ’は、ハロゲンにより任意の所望の位置で部分的に置換されているかもしくは完全に置換されているか、またはＣＮもしくはＮＯ2により任意の所望の位置で部分的に置換されていてもよく、ハロゲンは、Ｆ、Ｃｌ、ＢｒおよびＩから選択され、一方または両方の置換基ＲおよびＲ’の炭素原子は、−Ｏ−、−Ｃ（Ｏ）−、−Ｃ（Ｏ）Ｏ−、−Ｓ−、−Ｓ（Ｏ）−、−ＳＯ2−、−ＳＯ3−、−Ｎ＝、−Ｎ＝Ｎ−、−ＮＨ−、−ＮＲ1−、−ＰＲ1−、−Ｐ（Ｏ）Ｒ1−、−Ｐ（Ｏ）Ｒ1−Ｏ−、−Ｏ−Ｐ（Ｏ）Ｒ1−Ｏ−、および−Ｐ（Ｒ1）2＝Ｎ−から選択される原子および／または原子団により置きかえられていてもよく、ここで、Ｒ1は、１〜６個のＣ原子を有する非フッ素化、部分もしくは全フッ素化アルキル、３〜１０個のＣ原子を有する飽和もしくは部分不飽和シクロアルキル、無置換もしくは置換のアリールまたは飽和もしくは不飽和の、無置換もしくは置換の複素環であり；
Ｘ、Ｘ’は、互いに独立して同一であるかまたは異なり、Ｃ、ＣＲ2、ＳｉＲ2、Ｎ、Ｐ、ＯまたはＳであり、ここで、Ｒ2は、同一であるかまたは異なり、ＲまたはＲ’と同じ意味を有し、Ｒ2は、ＲまたはＲ’と結合して３〜２０員環を形成していてもよく、ラジカルＲ又はＲ’は、ＸまたはＸ’がＯまたはＳを表す場合、ＸまたはＸ’に結合しておらず；
Ｗ、Ｗ’は、互いに独立して同一であるかまたは異なり、Ｃ、ＣＲ3、ＳｉＲ3、Ｎ、ＮＲ3またはＰ、ＰＲ3であり、ここで、Ｒ3は、同一であるかまたは異なり、ＲまたはＲ’と同じ意味を有し、ＷおよびＷ’のラジカルのＲ3は、互いに結合して架橋を形成していてもよく；
Ａは、１〜５個の架橋原子からなる架橋、飽和または不飽和単位であり、ここで、架橋原子は、ＣＲ4、ＣＲ4Ｒ5、Ｎ、ＮＲ4、Ｐ、ＰＲ4、Ｏ、Ｓ（式中、Ｒ4およびＲ5は、互いに独立して、同一であるかまたは異なっていてもよく、ＲもしくはＲ’と同じ意味を有するか、またはハロゲンＦ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉである。）から選択され、炭素の場合、該単位は、場合により任意の所望の位置でヘテロ原子Ｎ、Ｐ、Ｏ、Ｓにより１回以上割り込まれていてもよく；
Ｙ、Ｙ’は、互いに独立して同一であるかまたは異なり、ＣＲ6、Ｎ、−ＣＲ6Ｒ7−、−ＳｉＲ6Ｒ7−、−ＮＲ6−、−ＰＲ6−、−ＢＲ6−、−ＢＮＲ6−、−ＢＮＲ6Ｒ7−、−Ｏ−または−Ｓ−であり、ここで、Ｒ6およびＲ7は、互いに独立して、同一であるかまたは異なっていてもよく、ＲもしくはＲ’と同じ意味を有するか、または１〜３個の架橋原子からなる架橋単位であり、架橋原子は、ＣＲ6、−ＣＲ6Ｒ7−、−ＳｉＲ6Ｒ7−、−ＢＲ6−、−ＢＮＲ6−、−ＢＮＲ6Ｒ7−、−ＮＲ6−、−ＰＲ6−、−Ｏ−、−Ｓ−（式中、Ｒ6は、ＲまたはＲ’と同じ意味を有する。）から選択され、炭素の場合、該単位は、場合により任意の所望の位置でヘテロ原子Ｂ、Ｓｉ、Ｎ、Ｐ、Ｏ、Ｓにより１回以上割り込まれているか、および／またはＲ6およびＲ7により置換されているか、および／またはハロゲン原子Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉにより置換されていてもよく、少なくとも２個のＣ原子の場合、これらは、飽和または一〜多価不飽和の様式で互いに結合していてもよく、さらに、ラジカルＲ6および／またはＲ7は、ＹまたはＹ’内、さらにはＹとＹ’の間の両方で、互いに結合していてもよく；
Ｚ、Ｚ’は、互いに独立して同一であるかまたは異なり、Ｃ、ＣＲ8、ＳｉＲ8、Ｂ、ＮまたはＰであり、ここで、Ｒ8は、同一であるかまたは異なり、ＲまたはＲ’と同じ意味を有し、ＺおよびＺ’のラジカルＲ8は、互いに結合して環を形成していてもよく；
ただし、Ｗ、Ｘ、Ｙ、Ｚからの少なくとも１個の原子およびＷ’、Ｘ’、Ｙ’、Ｚ’からの少なくとも１個の原子は、同一であるかまたは互いに独立し、Ｓｉ、Ｂ、Ｎ、Ｏ、ＳまたはＰから選択されるヘテロ原子を含有し；
Ｋ、Ｋ’は、出現するごとに同一であるかまたは異なり、モノ、ジまたはトリアニオン性リガンドであり、これは、単座、二座、三座、四座、五座または六座であってもよく；
Ｌ、Ｌ’は、出現するごとに同一であるかまたは異なり、中性の単座、二座、三座、四座、五座または六座配位子であり、
ｏ、ｏ’は、出現するごとに同一であるかまたは異なり、リガンドＫまたはＫ’の数の０〜６であり、ここで、ｏが１より大きい場合、リガンドＫおよびＫ’は、同一であるかまたは異なっていてもよく；
ｐ、ｐ’は、出現するごとに同一であるかまたは異なり、リガンドＬまたはＬ’の数の０〜６であり、ここで、ｐが１より大きい場合、リガンドＬおよびＬ’は、同一であるかまたは異なっていてもよく；
ここで、ｏまたはｏ’は、全てのリガンドＫおよびＫ’の電荷が使用される金属原子の原子価に対応するように選択され、ｏとｐまたはｏ’とｐ’の合計は、使用される金属原子の配位数ならびにリガンドＫとＬまたはＫ’とＬ’の添え字ｓおよび配座性によって決まり、
ここで、ＫまたはＫ’は、弱配位性または非配位性であってもよく、対イオンとして、金属錯体の電荷を平衡させ、
ここで、ｓは、金属錯体が１、２または３個のビスカルベンリガンドを含有するような１〜３の整数であり、これは、互いに独立して同一でも異なっていてもよく、
ここで、金属原子ＭおよびＭ’に応じて、リガンドＬp、Ｌ’p’、Ｋo、Ｋ’o’およびビスカルベンリガンドの立体的影響は、また、金属原子に対して非常に弱い結合を形成するか、または配位的結合のみ形成してもよく、
さらに、同じ原子または隣接する原子に結合した２つ以上のラジカルは、互いに芳香族、ヘテロ芳香族または脂肪族環系を形成していてもよく、
さらに、２つ以上のリガンドは、また、基ＲまたはＲ’を介して互いに結合し、四座配位子系または多脚型配位子を形成してもよく、または、基Ｒおよび／またはＲ’はＭ又はＭ’に配位してもよい。
【請求項２】
ＭおよびＭ’は、出現するごとに同一であるかまたは異なり、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｖ、Ｍｎ、Ｓｃ、Ｃｒ、Ｍｏ、ＷおよびＡｌなる群、好ましくはＩｒ、ＰｔおよびＣｕからなる群から選択されることを特徴とする請求項１に記載の化合物。
【請求項３】
ＲおよびＲ’は、出現するごとに同一であるかまたは異なり、１〜１０個のＣ原子を有する直鎖もしくは分枝アルキル、３〜６個のＣ原子を有する飽和シクロアルキル（これは、１〜４個のＣ原子を有するアルキル基により置換されていてもよい。）、無置換もしくは置換のアリールもしくは芳香族環系、無置換もしくは置換の複素環もしくはヘテロ芳香族環系または置換もしくは無置換のアラルキルもしくはヘテロアラルキルからなる群から選択され（ここで、置換基ＲおよびＲ’の一方または両方の炭素原子は−Ｏ−により置きかえられていてもよい）、あるいは、ＲまたはＲ’が金属に配位している場合、ＲまたはＲ’は、置換または無置換のアラルキルまたはヘテロアラルキル基を表す（ここで、Ｃ原子はさらにＯ、ＳまたはＮＲにより置き換えられていてもよい）ことを特徴とする請求項１又は２に記載の化合物。
【請求項４】
式（１ａ）、（２ａ）及び（３ａ）の化合物から選択される請求項１〜３の１項以上に記載の化合物：
【化２】
2014506241.tif 000052
式中、Ｒ、Ｒ’、Ｒ1〜Ｒ8、Ｋ、Ｋ’、Ｌ、Ｌ’、ｏ、ｏ’、ｐ、ｐ’及びｓは、請求項１に記載の意味を有し、使用された他の記号および添え字は以下の意味を有する：
Ｍ、Ｍ’は、出現するごとに同一であるかまたは異なり、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｖ、Ｍｎ、Ｓｃ、Ｃｒ、ＭｏおよびＷからなる群から選択され；
Ｘ、Ｘ’は、互いに独立して同一であるかまたは異なり、ＣＲ2またはＮであり；
Ａは、−ＣＲ4＝ＣＲ4−、−ＣＲ4＝Ｎ−または−ＣＲ4Ｒ5−ＣＲ4Ｒ5−であり；
Ｙ、Ｙ’は、互いに独立して同一であるかまたは異なり、ＣＲ6またはＮであり；
Ｚ、Ｚ’は、互いに独立して同一であるかまたは異なり、ＣＲ8またはＮであり；
ただし、Ｗ、Ｘ、Ｙ、Ｚからの少なくとも１個の原子およびＷ’、Ｘ’、Ｙ’、Ｚ’からの少なくとも１個の原子は、同一であるかまたは互いに独立し、窒素原子を含有する。
【請求項５】
式（１ｂ）、（２ｂ）及び（３ｂ）の化合物から選択される請求項１〜４の１項以上に記載の化合物：
【化３】
2014506241.tif 000053
式中、Ｒ、Ｒ’、Ｒ1〜Ｒ8、Ｋ、Ｋ’、Ｌ、Ｌ’、ｏ、ｏ’、ｐ、ｐ’及びｓは、請求項１に記載の意味を有し、使用された他の記号および添え字は以下の意味を有する：
Ｍ、Ｍ’は、出現するごとに同一であるかまたは異なり、Ｉｒ、ＰｔおよびＣｕからなる群から選択され；
Ａは、−ＣＲ4＝ＣＲ4−または−ＣＲ4＝Ｎ−、好ましくは−ＣＲ4＝ＣＲ4−であり；
Ｙ、Ｙ’は、互いに独立して同一であるかまたは異なり、ＣＲ6またはＮであり；
Ｚ、Ｚ’は、互いに独立して同一であるかまたは異なり、ＣＲ8またはＮ、好ましくはＮである。
【請求項６】
式（１ｃ）、（１ｄ）、（２ｃ）、（２ｄ）及び（３ｃ）の化合物から選択される請求項１〜５の１項以上に記載の化合物：
【化４】
2014506241.tif 000054
式中、使用された記号および添え字は請求項１に記載の意味を有する。
【請求項７】
配位子ＫおよびＫ’は、水素化物、重水素化物、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、擬ハロゲン化物、アジド、トリフルオロスルホネート、アルキルアセチリド、アリール−またはヘテロアリールアセチリド、アルキル基、アルキルアリールラジカル、アリール基（二座又は多座であってもよい）、ヘテロアリール基（二座又は多座であってもよい）、水酸化物、シアン化物、シアネート、イソシアネート、チオシアネート、イソチオシアネート、脂肪族または芳香族アルコレート、脂肪族または芳香族チオアルコレート、アミド、カルボキシレート、アニオン性の窒素含有複素環、脂肪族および芳香族ホスフィドＰＲ2-、脂肪族または芳香族セレニドＳｅＲ-、シクロペンタジエニル（Ｃｐ）（ここで、シクロペンタジエニル基は、アルキル置換基により置換されていてもよい）、インデニル（ここで、インデニルラジカルは、アルキル置換基により置換されていてもよい）、Ｏ2-、Ｓ2-、ニトレン、１，３−ジケトンに由来する１，３−ジケトネート、３−ケトエステルに由来する３−ケトネート、アミノカルボン酸に由来するカルボキシレート、サリチルイミンに由来するサリチルイミネート、ジアルコールに由来するジアルコレート、および、ジチオールに由来するジチオレートからなる群から選択されることを特徴とする請求項１〜６の１項以上に記載の化合物。
【請求項８】
ＬおよびＬ’は、アミン、エーテル、水、アルコール、一酸化炭素、ニトリル、一酸化窒素、イソニトリル、オレフィン、窒素含有複素環、ホスフィン、ホスホネート、アルセネート、ホスフィット、アルシン、スチビン、脂肪族もしくは芳香族スルフィド、脂肪族もしくは芳香族セレニド、カルベン、アセチレン不飽和多重結合系、ジアミン、イミン、２個の窒素原子を含有する複素環、ジホスフィン、及び、共役ジエンからなる群から選択されることを特徴とする請求項１〜７の１項以上に記載の化合物。
【請求項９】
請求項１〜８の１項以上に記載の少なくとも１種の化合物と少なくとも１種の溶媒を含有する配合物、特に溶液、懸濁液またはミニエマルジョン。
【請求項１０】
式（４）又は式（５）の化合物：
【化５】
2014506241.tif 000055
式中、Ｒ、Ｒ’、Ｘ、Ｘ’、Ｗ、Ｗ’、Ａ、Ｙ、Ｙ’、Ｚ、Ｚ’は、請求項１に記載の意味を有し、Ｑ-は、アニオン性対イオンであり、式（５）の化合物は、部分的にプロトン化された形態のモノカルベンであってもよい。
【請求項１１】
リガンド前駆体の脱プロトン化、モノ又はビスカルベンリガンドの錯化、ハロホルムアミジニウム誘導体の酸化的付加、金属化合物による電子が豊富なオレフィンの切断、又は、金属カルベン錯体の金属交換反応により、請求項９に記載の化合物をビスカルベンリガンドまたはモノカルベンリガンドとして反応させることによる請求項１〜８の１項以上に記載の化合物の調製方法。
【請求項１２】
有機触媒又はイオン性液体としての請求項９に記載の化合物の使用。
【請求項１３】
カルボニル化、ヒドロアミノ化、水素化、ヒドロアミノメチル化、ヒドロホルミル化、ヒドロシリル化、ヒドロシアン化、水添二量化、酸化、酸化カップリング、Ｈｅｃｋ反応、Ｔｓｕｊｉ−Ｔｒｏｓｔカップリング、Ｓｕｚｕｋｉ−Ｍｉｙａｕｒａカップリング、Ｋｕｍａｄａカップリング、Ｎｅｇｉｓｈｉカップリング、Ｓｔｉｌｌｅカップリング、Ｓｏｎｏｇａｓｈｉｒａ反応、Ｃ（ｓｐ3）−Ｃ（ｓｐ3）カップリング反応、Ｃ（ｓｐ3）−Ｃ（ｓｐ2）カップリング反応、Ｈａｒｔｗｉｇ−Ｂｕｃｈｗａｌｄアミノ化、Ｕｌｌｍａｎｎ−Ｇｏｌｄｂｅｒｇカップリング、異性化、再配列、Ｄｉｅｌｓ−Ａｌｄｅｒ反応、メタセシス、アルカンおよびアルケンのＣ−Ｈ活性化、１，３−ジエンの１，４−官能化、単鎖重合、オリゴマー化および／または重合からなる群から選択されるプロセスにおける請求項１〜８の１項以上に記載の化合物の使用、又は、電子デバイスにおける請求項１〜８の１項以上に記載の化合物の使用。
【請求項１４】
請求項１〜８の１項以上に記載の少なくとも１種の化合物を含有する電子デバイスであって、好ましくは、有機エレクトロルミネッセンスデバイス、有機集積回路、有機電界効果トランジスタ、有機薄膜トランジスタ、有機発光トランジスタ、有機太陽電池、有機光学検出器、有機感光体、有機電場消光デバイス、発光電気化学電池または有機レーザーダイオードからなる群から選択される電子デバイス。
【請求項１５】
有機エレクトロルミネッセンスデバイスであって、１以上の発光層において請求項１〜１３の１項以上に記載の化合物が発光化合物として使用されることを特徴とする請求項１９に記載の電子デバイス。
【発明の詳細な説明】
【発明の概要】
【０００１】
本発明は、ビスイミダゾリウム塩と、それらに由来する新規のモノおよびビスカルベンと、対応するモノおよびビスカルベンをリガンドとして含有する金属錯体と、本発明のビスイミダゾリウム塩、本発明のモノおよびビスカルベンならびに本発明の金属錯体を調製するための方法と、本発明のビスイミダゾリウム塩、本発明のモノおよびビスカルベンの使用と、本発明の金属錯体の使用とに関する。
【０００２】
イミダゾリウムおよびビスイミダゾリウム塩ならびにそれらの調製は、文献から知られている。これらは、Ｎ−複素環式カルベンおよびそれらの金属錯体の前駆体として働く化合物である。カルベン自体は、求核有機触媒として使用することができる。Ｎ−複素環式カルベンの金属錯体は、金属触媒として使用することができる（Ｈｅｒｒｍａｎｎ、Ａｎｇｅｗ．Ｃｈｅｍ．Ｉｎｔ．Ｅｄ．２００２、４１、１２９０〜１３０９）。これらの金属錯体は、さらに、電子デバイスにおいて、例えば有機エレクトロルミネッセンスデバイスにおいて発光体として使用することができる。
【０００３】
Ｎ−複素環式カルベンの領域の重要なクラスの化合物は、いわゆるビスカルベンであり、これらは、互いに結合した２つのカルベン単位を含有する。それらは、二座キレート配位子として機能することができ、したがって、対応する金属錯体が高い安定性を達成するのを促進する。特に、１以上のＣＨ2単位を介して架橋されたビスイミダゾリウム塩またはビスカルベンが文献（Ｐｅｒｉｓら、Ｃｈｅｍ．Ｒｅｖ．２００９、１０９、３６７７〜３７０７）から知られている。
【化１】
2014506241.tif 000002
【０００４】
大部分のビスカルベンリガンドの特色の１つは、リガンド構造の回転を伴うバイメタル錯体も形成する可能性があることである。
【０００５】
ビスカルベンの中で、２つのカルベン単位の直接的なＮ−Ｎ結合が存在している例はごくわずかしかない。
【０００６】
Ｎ−Ｎ結合ビスカルベンの非常に早期の例は、Ｔｓｃｈｕｇａｊｅｆｆらによる１９２５年のものである（Ｚ．Ａｎｏｒｇ．Ａｌｌｇ．Ｃｈｅｍ．１９２５、３７〜４２）。しかし、著者らは、このとき、彼らが単離した化合物がビスカルベン錯体であることに気付いていなかった。カルベン構造は、１９７０年にＢｕｒｋｅら（Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．１９７０、２５５５〜２５５７）およびＳｈａｗ（Ｃｈｅｍ．Ｃｏｍｍ．１９７０、１８３）によって最初に推論され、Ｂｕｒｋｅは、Ｘ線構造分析により構造的証拠を示すことができた。Ｔｓｃｈｕｇａｊｅｆｆカルベンの構造は以下で示す。
【化２】
2014506241.tif 000003
【０００７】
様々なＴｓｃｈｕｇａｊｅｆｆカルベンが、ＳｌａｕｇｈｔｅｒらによりＳｕｚｕｋｉ−Ｍｉｙａｕｒａ反応における触媒として首尾よく使用された（Ｓｌａｕｇｈｔｅｒら、Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ  Ｌｅｔｔ．２００５、４６、１３９９〜１４０３およびＯｒｇａｎｏｍｅｔａｌｌｉｃｓ、２００６、２５、４９１〜５０５）。
【０００８】
Ｒ．Ｈ．Ｃｒａｂｔｒｅｅら（Ｃｈｅｍ．Ｃｏｍｍ．２００７、２２６７〜２２６９およびＯｒｇａｎｏｍｅｔａｌｌｉｃｓ  ２００８、２７、２１２８〜２１３６）は、トリアゾールベースのＮ−Ｎ結合ビスイミダゾリウム塩およびその金属錯体の一部について記載している。しかし、ここで平面配位は自動的に生じるものではないことに留意されたい。同様に、リガンド構造の回転を伴う２つの金属中心への非キレート配位が観察された。
【化３】
2014506241.tif 000004
【０００９】
Ｐｅｒｉｓら（Ｄａｌｔｏｎ  Ｔｒａｎｓ．２０１０、３９、６３３９〜６３４３）は、触媒的水素移動のためのルテニウム錯体の調製目的でのＣｒａｂｔｒｅｅらにより開発されたリガンドの使用について記載している。
【００１０】
Ｃｒａｂｔｒｅｅらにより記載されている系は、分子が強塩基性の反応条件下で再配列され、もはや金属中心に配位することができないので、ビスカルベンを生じるためのビスイミダゾリウム塩の脱プロトン化が可能ではないという不利益を有する。したがって、遊離ビスカルベンから出発する金属錯体の合成が可能ではなく、それにより、金属前駆体の選択が制限される。さらに、リガンド解離の場合、遊離カルベンの分解が予期されるので、金属錯体の安定性が低いと予期される。
【００１１】
したがって、本発明の目的は、モノおよびビスカルベンならびにそれらの金属錯体用の前駆体として働くことができるクラスのＮ−Ｎ結合ビスイミダゾリウム塩を開発することであった。Ｃｒａｂｔｒｅｅらにより観察された再配列が防止され、さらに、Ｎ−Ｎ結合周りの回転がこのように妨害されたことにより、金属錯体におけるキレート配位が優先される。さらに、本発明は、ビスイミダゾリウム塩、モノおよびビスカルベンならびにそれらの金属錯体を調製するための方法を提供するという目的に基づいていた。本発明のさらなる目的は、触媒および／または電子デバイスにおける、特に有機エレクトロルミネッセンスデバイスにおける発光体としての使用に適した金属錯体を提供することであった。
【００１２】
この目的は、以下に記載の式（１）、（２）および（３）の金属錯体の提供、ならびにこれらの金属錯体がベースにしている式（４）および（５）のリガンドの提供により達成される。
【００１３】
本発明の金属錯体は、高い安定性により区別され、これは、おそらく、ビスカルベンリガンドが適切なバイト角を有する強固なコンホメーションを有し、フェナントロリンおよびビピリジンリガンドと同様に挙動することができるという事実に起因している。
【００１４】
したがって、本出願は、以下の一般式（１）、（２）および（３）の金属錯体に関し、
【化４】
2014506241.tif 000005
【００１５】
ここで、使用された記号および添え字は、以下の意味を有する：
Ｍ、Ｍ’は、出現するごとに同一であるかまたは異なり、元素の周期表の１〜１３族、ランタノイドまたはアクチノイドから選択される荷電または非荷電金属原子であり；
Ｒ、Ｒ’は、互いに独立して同一であるかまたは異なり、水素、１〜２０個のＣ原子を有する直鎖もしくは分枝アルキル、２〜２０個のＣ原子および少なくとも１つの二重結合を有する直鎖もしくは分枝アルケニル、２〜２０個のＣ原子および少なくとも１つの三重結合を有する直鎖もしくは分枝アルキニル、３〜１０個のＣ原子を有する飽和、部分もしくは完全不飽和のシクロアルキル（これは、１〜１０個のＣ原子を有するアルキル基により置換されていてもよい。）、無置換もしくは置換のアリールもしくは芳香族環系、無置換もしくは置換の複素環もしくはヘテロ芳香族環系または置換もしくは無置換のアラルキルもしくはヘテロアラルキルであり、ここで、一方または両方の置換基ＲおよびＲ’は、ハロゲンにより任意の所望の位置で部分的に置換されているかもしくは完全に置換されているか、またはＣＮもしくはＮＯ2により任意の所望の位置で部分的に置換されていてもよく、ハロゲンは、Ｆ、Ｃｌ、ＢｒおよびＩから選択され、一方または両方の置換基ＲおよびＲ’の炭素原子は、−Ｏ−、−Ｃ（Ｏ）−、−Ｃ（Ｏ）Ｏ−、−Ｓ−、−Ｓ（Ｏ）−、−ＳＯ2−、−ＳＯ3−、−Ｎ＝、−Ｎ＝Ｎ−、−ＮＨ−、−ＮＲ1−、−ＰＲ1−、−Ｐ（Ｏ）Ｒ1−、−Ｐ（Ｏ）Ｒ1−Ｏ−、−Ｏ−Ｐ（Ｏ）Ｒ1−Ｏ−、および−Ｐ（Ｒ1）2＝Ｎ−から選択される原子および／または原子団により置きかえられていてもよく、ここで、Ｒ1は、１〜６個のＣ原子を有する非フッ素化、部分もしくは全フッ素化アルキル、３〜１０個のＣ原子を有する飽和もしくは部分不飽和シクロアルキル、無置換もしくは置換のアリールまたは飽和もしくは不飽和、無置換もしくは置換の複素環であり；
Ｘ、Ｘ’は、互いに独立して同一であるかまたは異なり、Ｃ、ＣＲ2、ＳｉＲ2、Ｎ、Ｐ、ＯまたはＳであり、ここで、Ｒ2は、同一であるかまたは異なり、ＲまたはＲ’と同じ意味を有し、Ｒ2は、ＲまたはＲ’と結合して３〜２０員環を形成していてもよく、ラジカルＲもＲ’も、ＸまたはＸ’がＯまたはＳを表す場合、ＸまたはＸ’に結合しておらず；
Ｗ、Ｗ’は、互いに独立して同一であるかまたは異なり、Ｃ、ＣＲ3、ＳｉＲ3、Ｎ、ＮＲ3またはＰ、ＰＲ3であり、ここで、Ｒ3は、同一であるかまたは異なり、ＲまたはＲ’と同じ意味を有し、ＷおよびＷ’のラジカルのＲ3は、互いに結合して架橋を形成していてもよく；
Ａは、１〜５個の架橋原子からなる架橋、飽和または不飽和単位であり、ここで、架橋原子は、ＣＲ4、ＣＲ4Ｒ5、Ｎ、ＮＲ4、Ｐ、ＰＲ4、Ｏ、Ｓ（式中、Ｒ4およびＲ5は、互いに独立して、同一であるかまたは異なっていてもよく、ＲもしくはＲ’と同じ意味を有するか、またはハロゲンＦ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉである。）から選択され、炭素の場合、該単位は、場合により任意の所望の位置でヘテロ原子Ｎ、Ｐ、Ｏ、Ｓにより１回以上割り込まれていてもよく；
Ｙ、Ｙ’は、互いに独立して同一であるかまたは異なり、ＣＲ6、Ｎ、−ＣＲ6Ｒ7−、−ＳｉＲ6Ｒ7−、−ＮＲ6−、−ＰＲ6−、−ＢＲ6−、−ＢＮＲ6−、−ＢＮＲ6Ｒ7−、−Ｏ−または−Ｓ−であり、ここで、Ｒ6およびＲ7は、互いに独立して、同一であるかまたは異なっていてもよく、ＲもしくはＲ’と同じ意味を有するか、または１〜３個の架橋原子からなる架橋単位であり、架橋原子は、ＣＲ6、−ＣＲ6Ｒ7−、−ＳｉＲ6Ｒ7−、−ＢＲ6−、−ＢＮＲ6−、−ＢＮＲ6Ｒ7−、−ＮＲ6−、−ＰＲ6−、−Ｏ−、−Ｓ−（式中、Ｒ6は、ＲまたはＲ’と同じ意味を有する。）から選択され、炭素の場合、該単位は、場合により任意の所望の位置でヘテロ原子Ｂ、Ｓｉ、Ｎ、Ｐ、Ｏ、Ｓにより１回以上割り込まれているか、および／またはＲ6およびＲ7により置換されているか、および／またはハロゲン原子Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉにより置換されていてもよく、少なくとも２個のＣ原子の場合、これらは、飽和または一〜多価不飽和の様式で互いに結合していてもよく、さらに、ラジカルＲ6および／またはＲ7は、ＹまたはＹ’内、さらにはＹとＹ’の間の両方で、互いに結合していてもよく；
Ｚ、Ｚ’は、互いに独立して同一であるかまたは異なり、Ｃ、ＣＲ8、ＳｉＲ8、Ｂ、ＮまたはＰであり、ここで、Ｒ8は、同一であるかまたは異なり、ＲまたはＲ’と同じ意味を有し、ＺおよびＺ’のラジカルＲ8は、互いに結合して環を形成していてもよく；
ただし、Ｗ、Ｘ、Ｙ、Ｚからの少なくとも１個の原子およびＷ’、Ｘ’、Ｙ’、Ｚ’からの少なくとも１個の原子は、同一であるかまたは互いに独立し、Ｓｉ、Ｂ、Ｎ、Ｏ、ＳまたはＰから選択されるヘテロ原子を含有し；
Ｋ、Ｋ’は、出現するごとに同一であるかまたは異なり、モノ、ジまたはトリアニオン性リガンドであり、これは、単座、二座、三座、四座、五座または六座であってもよく；
Ｌ、Ｌ’は、出現するごとに同一であるかまたは異なり、中性の単座、二座、三座、四座、五座または六座配位子であり、
ｏ、ｏ’は、出現するごとに同一であるかまたは異なり、リガンドＫまたはＫ’の数０〜６であり、ここで、ｏが１より大きい場合、リガンドＫおよびＫ’は、同一であるかまたは異なっていてもよく；
ｐ、ｐ’は、出現するごとに同一であるかまたは異なり、リガンドＬまたはＬ’の数０〜６であり、ここで、ｐが１より大きい場合、リガンドＬおよびＬ’は、同一であるかまたは異なっていてもよく；
ここで、ｏまたはｏ’は、全てのリガンドＫおよびＫ’の電荷が使用される金属原子の原子価に対応するように選択され、ｏとｐまたはｏ’とｐ’の合計は、使用される金属原子の配位数ならびにリガンドＫとＬまたはＫ’とＬ’の添え字ｓおよび配座性によって決まり、
ここで、ＫまたはＫ’は、弱配位性または非配位性であってもよく、対イオンとして、金属錯体の電荷を平衡させ、
ここで、ｓは、金属錯体が１、２または３個のビスカルベンリガンドを含有するような１〜３の整数であり、これは、互いに独立して同一でも異なっていてもよく、
ここで、金属原子ＭおよびＭ’に応じて、リガンドＬp、Ｌ’p’、Ｋo、Ｋ’o’およびビスカルベンリガンドの立体的影響は、また、金属原子に対して非常に弱い結合を形成するか、または配位的結合のみ形成してもよい。
【００１６】
式（２）のＭとＭ’の間には相互作用、結合相互作用または反結合相互作用が存在せず、第２のカルベンリガンドは、オリゴマーまたはポリマー構造が形成するように架橋様式で別の金属原子にも結合していてもよい。
【００１７】
さらに、同じ原子または隣接する原子のいずれかに結合した２つ以上のラジカルは、互いに芳香族、ヘテロ芳香族または脂肪族環系を形成していてもよい。このことは、例えば、基Ａで隣接する原子に結合する２つのラジカルに当てはまる。したがって、芳香族基Ａも形成することができる。
【００１８】
さらに、２つ以上のリガンドは、また、基ＲまたはＲ’を介して互いに結合していてもよく、したがって、四座配位子系または多脚型配位子を形成する。
【００１９】
またさらに、基Ｒおよび／またはＲ’は、ＭまたはＭ’にも配位していてもよい。
【００２０】
本発明の意味における完全不飽和の置換基は、芳香族置換基も意味するものとされる。
【００２１】
詳細には、様々なラジカルに使用した総称は、以下の意味を有する：
１〜２０個のＣ原子を有する直鎖または分枝アルキル：最大で２０個のＣ原子を有する直鎖または分枝炭化水素ラジカル、好ましくはＣ1〜Ｃ12−アルキル、例えば、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ペンチル、１−、２−または３−メチルブチル、１，１−、１，２−または１，３−ジメチルプロピル、１−エチルプロピル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、２−エチルヘキシル、ノニル、デシル、ウンデシルおよびドデシルならびにそれらの異性体。１〜８個のＣ原子を有するアルキルラジカルが特に優先される。
【００２２】
２〜２０個のＣ原子および少なくとも１つの二重結合を有する直鎖または分枝アルケニル：少なくとも１つの二重結合を任意の所望の位置に有する不飽和、直鎖または分枝炭化水素ラジカル、好ましくはＣ2〜Ｃ12−アルケニル、例えば、エテニル、１−または２−プロペニル、１−メチルエテニル、１−、２−または３−ブテニル、１−メチル−１−プロペニル、１−メチル−２−プロペニル、２−メチル−２−プロペニル、１−、２−、３−または４−ペンテニル、１−、２−、３−、４−または５−ヘキセニル、およびそれらの異性体ならびにヘプテニル、オクテニル、ノネニル、デセニル、ウンデセニルおよびドデセニルの異性体。２〜８個のＣ原子を有するアルケニルラジカルが特に優先される。
【００２３】
２〜２０個のＣ原子および少なくとも１つの三重結合を有する直鎖または分枝アルキニル：少なくとも１つの三重結合を任意の所望の位置に有する不飽和、直鎖または分枝炭化水素ラジカル、好ましくはＣ2〜Ｃ12−アルキニル、例えば、エチニル、１−または２−プロピニル、１−、２−または３−ブチニル、１−メチル−２−プロピニル、１−、２−、３−または４−ペンチニル、１−、２−、３−、４−または５−ヘキシニル、およびそれらの異性体ならびにヘプチニル、オクチニル、ノニニル、デシニル、ウンデシニルおよびドデシニルの異性体。２〜８個のＣ原子を有するアルキニルラジカルが特に優先される。
【００２４】
３〜１０個のＣ原子を有する飽和、部分または完全不飽和のシクロアルキル（これは、１〜１０個のＣ原子を有するアルキル基により置換されていてもよい。）：単環式、飽和、部分または完全不飽和の、すなわち、３〜１０個の炭素環員を有する、好ましくは３〜７個の炭素環員を有する芳香族炭化水素基、例えば、シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘプチル、シクロペンテニル、シクロペンタ−１，３−ジエニル、シクロヘキセニル、シクロヘキサ−１，３−ジエニル、シクロヘキサ−１，４−ジエニル、フェニル、シクロヘプテニル、シクロヘプタ−１，３−ジエニル、シクロヘプタ−１，４−ジエニルまたはシクロヘプタ−１，５−ジエニル、（各々は、Ｃ1〜Ｃ10−アルキル基により置換されていてもよい。）。
【００２５】
個々の置換基は、上記の通り、互いに独立して、任意の所望の位置で、ハロゲンにより部分的もしくは完全に置換されているか、またはＣＮもしくはＮＯ2により部分的に置換されていてもよく、ここで、ハロゲンは、Ｆ、Ｃｌ、ＢｒおよびＩからなる群から選択される。置換基内のハロゲン原子の数は、好ましくは最大で１９、特に好ましくは最大で９、非常に特に好ましくは最大で３であり、特に、置換基は、ハロゲン原子により置換されていない。置換基内のＣＮおよびＮＯ2基の数は、好ましくは最大で４、特に好ましくは１であり、特に、置換基は、ＣＮまたはＮＯ2基により置換されていない。
【００２６】
本発明において、１以上の置換基ＲおよびＲ’の炭素原子は、−Ｏ−、−Ｃ（Ｏ）−、−Ｃ（Ｏ）Ｏ−、−Ｓ−、−Ｓ（Ｏ）−、−ＳＯ2−、−ＳＯ3−、−Ｎ＝、−Ｎ＝Ｎ−、−ＮＨ−、−ＮＲ1−、−ＰＲ1−、−Ｐ（Ｏ）Ｒ1、−Ｐ（Ｏ）Ｒ1−Ｏ−、−Ｏ−Ｐ（Ｏ）Ｒ1−Ｏ−、および−Ｐ（Ｒ1）2＝Ｎ−から選択される原子および／または原子団により置きかえられていてもよく、ここで、Ｒ1は、１〜６個のＣ原子を有する非フッ素化、部分もしくは全フッ素化アルキル、飽和または部分もしくは完全不飽和の３〜７個のＣ原子を有するシクロアルキル、無置換もしくは置換のフェニルまたは無置換もしくは置換の複素環であり、アルキルおよびシクロアルキルという用語は、上記の意味を有する。Ｒ1からの複素環は、酸素、窒素および／または硫黄原子を含有する好ましくは５〜９員、特に５〜６員環系、例えば、２−または３−フリル、２−または３−チエニル、１−、２−または３−ピロリル、１−、２−、４−または５−イミダゾリル、３−、４−または５−ピラゾリルを表す。
【００２７】
本発明の意味におけるアリール基は、６〜４０個のＣ原子を含有し；本発明の意味におけるヘテロアリール基は、２〜４０個のＣ原子および少なくとも１個のヘテロ原子を含有し、ここで、Ｃ原子とヘテロ原子の合計は、少なくとも５である。ヘテロ原子は、好ましくは、Ｎ、Ｏおよび／またはＳから選択される。ここで、アリール基またはヘテロアリール基は、単純芳香族環、すなわち、ベンゼン、または、単純芳香族複素環、例えばピリジン、ピリミジン、チオフェン等、または、縮合されたアリールまたはヘテロアリール基、例えばナフタレン、アントラセン、フェナントレン、キノリン、イソキノリン等のいずれかを意味するものとされる。
【００２８】
本発明の意味における芳香族環系は、該環系に６〜６０個のＣ原子を含有する。本発明の意味における芳香族複素環系は、該環系に１〜６０個のＣ原子および少なくとも１個のヘテロ原子を含有し、ここで、Ｃ原子とヘテロ原子の合計は、少なくとも５である。ヘテロ原子は、好ましくは、Ｎ、Ｏおよび／またはＳから選択される。本発明の意味における芳香族環または芳香族複素環系は、必ずしもアリールまたはヘテロアリール基のみを含有するとは限らず、その代わり、ここでさらに、複数のアリールまたはヘテロアリール基が非芳香族単位（好ましくは、１０％未満のＨ以外の原子）、例えば、Ｃ、ＮまたはＯ原子またはカルボニル基などにより割り込まれていてもよい系を意味することが意図される。したがって、例えば、９，９’−スピロビフルオレン、９，９−ジアリールフルオレン、トリアリールアミン、ジアリールエーテル、スチルベンなどの系、２個以上のアリール基が、例えば、線状または環式のアルキル基、または、シリル基により割り込まれている同様の系も本発明の目的のための芳香族環系であることが意図される。さらに、２以上のアリールまたはヘテロアリール基が直接互いに結合した系、例えば、ビフェニルまたはテルフェニルは、同様に、芳香族またはヘテロ芳香族環系を意味することが意図される。
【００２９】
本発明の目的のために、Ｃ1−〜Ｃ40−アルキル基（これらはさらに、個々のＨ原子またはＣＨ2基は、上述の基により置換されていてもよい。）は、例えば、ラジカルメチル、エチル、ｎ−プロピル、ｉ−プロピル、シクロプロピル、ｎ−ブチル、ｉ−ブチル、ｓ−ブチル、ｔ−ブチル、シクロブチル、２−メチルブチル、ｎ−ペンチル、ｓ−ペンチル、ｔｅｒｔ−ペンチル、２−ペンチル、ネオペンチル、シクロペンチル、ｎ−ヘキシル、ｓ−ヘキシル、ｔｅｒｔ−ヘキシル、２−ヘキシル、３−ヘキシル、ネオヘキシル、シクロヘキシル、１−メチルシクロペンチル、２−メチルペンチル、ｎ−ヘプチル、２−ヘプチル、３−ヘプチル、４−ヘプチル、シクロヘプチル、１−メチルシクロヘキシル、ｎ−オクチル、２−エチルヘキシル、シクロオクチル、１−ビシクロ［２．２．２］オクチル、２−ビシクロ［２．２．２］オクチル、２−（２，６−ジメチル）オクチル、３−（３，７−ジメチル）オクチル、アダマンチル、トリフルオロメチル、ペンタフルオロエチルまたは２，２，２−トリフルオロエチルを意味するものとされる。アルケニル基は、例えば、エテニル、プロペニル、ブテニル、ペンテニル、シクロペンテニル、ヘキセニル、シクロヘキセニル、ヘプテニル、シクロヘプテニル、オクテニル、シクロオクテニルまたはシクロオクタジエニルを意味するものとされる。アルキニル基は、例えば、エチニル、プロピニル、ブチニル、ペンチニル、ヘキシニル、ヘプチニルまたはオクチニルを意味するものとされる。Ｃ1−〜Ｃ40−アルコキシ基は、例えば、メトキシ、トリフルオロメトキシ、エトキシ、ｎ−プロポキシ、ｉ−プロポキシ、ｎ−ブトキシ、ｉ−ブトキシ、ｓ−ブトキシ、ｔ−ブトキシまたは２−メチルブトキシを意味するものとされる。
【００３０】
５〜６０個の芳香族環原子を有する芳香族環または芳香族複素環系（各々は上述のラジカルＲにより置換されていてもよく、任意の所望の位置を介して芳香族または複素環式芳香族環系に連結していてもよい。）は、例えば、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン、ベンズアントラセン、フェナントレン、ベンゾフェナントレン、ピレン、クリセン、ペリレン、フルオランテン、ベンゾフルオランテン、ペンタセン、ベンゾピレン、ビフェニル、ビフェニレン、テルフェニル、テルフェニレン、フルオレン、スピロビフルオレン、ジヒドロフェナントレン、ジヒドロピレン、テトラヒドロピレン、ｃｉｓ−またはｔｒａｎｓ−インデノフルオレン、ｃｉｓ−またはｔｒａｎｓ−インデノカルバゾール、ｃｉｓ−またはｔｒａｎｓ−インドロカルバゾール、ｃｉｓ−またはｔｒａｎｓ−モノベンゼンインデノフルオレン、ｃｉｓ−またはｔｒａｎｓ−ジベンゾインデノフルオレン、トルキセン、イソトルキセン、スピロトルキセン、スピロイソトルキセン、フラン、ベンゾフラン、イソベンゾフラン、ジベンゾフラン、チオフェン、ベンゾチオフェン、イソベンゾチオフェン、ジベンゾチオフェン、ピロール、インドール、イソインドール、カルバゾール、インドロカルバゾール、インデノカルバゾール、ピリジン、キノリン、イソキノリン、アクリジン、フェナントリジン、ベンゾ−５，６−キノリン、ベンゾ−６，７−キノリン、ベンゾ−７，８−キノリン、フェノチアジン、フェノキサジン、ピラゾール、インダゾール、イミダゾール、ベンズイミダゾール、ナフチイミダゾール（naphthimidazole）、フェナントリイミダゾール（phenanthrimidazole）、ピリジミイミダゾール（pyridimidazole）、ピラジンイミダゾール、キノキサリンイミダゾール、オキサゾール、ベンゾオキサゾール、ナフトオキサゾール、アントロオキサゾール、フェナントロオキサゾール、イソオキサゾール、１，２−チアゾール、１，３−チアゾール、ベンゾチアゾール、ピリダジン、ベンゾピリダジン、ピリミジン、ベンゾピリミジン、キノキサリン、１，５−ジアザアントラセン、２，７−ジアザピレン、２，３−ジアザピレン、１，６−ジアザピレン、１，８−ジアザピレン、４，５−ジアザピレン、４，５，９，１０−テトラアザペリレン、ピラジン、フェナジン、フェノキサジン、フェノチアジン、フルオルビン（fluorubin）、ナフチリジン、アザカルバゾール、ベンゾカルボリン、フェナントロリン、１，２，３−トリアゾール、１，２，４−トリアゾール、ベンゾトリアゾール、１，２，３−オキサジアゾール、１，２，４−オキサジアゾール、１，２，５−オキサジアゾール、１，３，４−オキサジアゾール、１，２，３−チアジアゾール、１，２，４−チアジアゾール、１，２，５チアジアゾール、１，３，４−チアジアゾール、１，３，５−トリアジン、１，２，４−トリアジン、１，２，３−トリアジン、テトラゾール、１，２，４，５−テトラジン、１，２，３，４−テトラジン、１，２，３，５−テトラジン、プリン、プテリジン、インドリジンおよびベンゾチアジアゾールに由来する基を意味するものとされる。
【００３１】
式（１）、（２）および（３）の化合物の好ましい態様を以下に記載する。
【００３２】
Ｘ、Ｘ’は、互いに独立して同一であるかまたは異なり、意味Ｃ、ＣＲ2、ＳｉＲ2、Ｎ、Ｐ、ＯまたはＳを有し、ここで、Ｒ2は、同一であるかまたは異なり、ＲおよびＲ’と同じ意味、好ましくはＣ、ＣＲ2、Ｎ、Ｐ、Ｏ、またはＳ、特に好ましくはＣＲ2、ＮおよびＳを有し、Ｒ2は、ＲまたはＲ’と結合して３〜２０員環を形成していてもよく、好ましくは３〜１２員環を形成していてもよく、特に好ましくは５〜８員環を形成していてもよい。ＸまたはＸ’がＯまたはＳを表す場合、ラジカルＲもＲ’もこれらの基に結合していない。ＸおよびＸ’は、非常に特に好ましくは、出現するごとに同一であるかまたは異なり、ＣＲ2またはＮ、特にＮである。
【００３３】
二重結合は、好ましくは各々の場合、ＷとＹの間およびＷ’とＹ’の間に形式上存在し、すなわち、二重結合は、Ｌｅｗｉｓ表記法で引くことができる。これは、例えば、ＷがＣを表しＹがＣＲ6またはＮを表す場合である。
【００３４】
Ｗ、Ｗ’は、互いに独立して同一であるかまたは異なり、意味Ｃ、ＣＲ3、ＳｉＲ3、ＮまたはＰを有し、ここで、Ｒ3は、同一であるかまたは異なり、ＲおよびＲ’と同じ意味、好ましくはＣ、ＣＲ3、Ｎ、Ｐ、特に好ましくはＣ、ＣＲ3を有し、ＷおよびＷ’のラジカルＲ3は、また、互いに結合していてもよく、したがって、好ましくは１〜６個の架橋原子、特に好ましくは２〜４個の架橋原子からなる架橋を形成する。ＷおよびＷ’は、非常に特に好ましくは、Ｃを表す。
【００３５】
Ａは、１〜５個の架橋原子、好ましくは１、２または３個の架橋原子、特に好ましくは２個の架橋原子からなる架橋単位の意味を有する。該単位は、飽和でも不飽和でもよく、特に不飽和である。架橋原子は、Ｃ、−ＣＲ4−、−ＣＲ4Ｒ5−、Ｎ、−ＮＲ4−、Ｐ、−ＰＲ4−、−Ｏ−、−Ｓ−（式中、Ｒ4およびＲ5は、互いに独立して、同一であるかまたは異なっていてよく、ＲもしくはＲ’と同じ意味を有する。）から選択されるか、またはハロゲンである。架橋原子は、好ましくはＣ、−ＣＲ4−、−ＣＲ4Ｒ5−、Ｎ、−ＮＲ4−、−Ｏ−、−Ｓ−、特に好ましくはＣＲ4、Ｎであり、炭素の場合、該単位は、場合により任意の所望の位置でヘテロ原子Ｎ、Ｐ、Ｏ、Ｓ、好ましくはＮ、Ｏ、Ｓにより１回以上割り込まれていてもよい。特に好ましい基Ａは、−ＣＲ4＝ＣＲ4−、−ＣＲ4＝Ｎ−および−ＣＲ4Ｒ5−ＣＲ4Ｒ5−、非常に特に好ましくは−ＣＲ4＝ＣＲ4−および−ＣＲ4＝Ｎ−、特に−ＣＲ4＝ＣＲ4−である。ラジカルＲ4が互いに環を形成する場合、アリールまたはヘテロアリール基の形成も可能である。さらに好ましい基Ａは、任意に置換されたオルト−フェニレン基である。
【００３６】
Ｙ、Ｙ’は、互いに独立して同一であるかまたは異なり、意味ＣＲ6、Ｎ、ＣＲ6Ｒ7、ＳｉＲ6Ｒ7、ＮＲ6、ＰＲ6、ＢＲ6、ＢＮＲ6、ＢＮＲ6Ｒ7、ＯまたはＳを有し、ここで、Ｒ6およびＲ7は、互いに独立して、同一であるかまたは異なっていてよく、ＲおよびＲ’と同じ意味を有する。ＹおよびＹ’は、好ましくは、意味ＣＲ6、Ｎ、ＣＲ6Ｒ7、ＮＲ6、ＰＲ6、ＢＲ6、ＢＮＲ6、ＢＮＲ6Ｒ7、特に好ましくはＣＲ6、Ｎ、ＣＲ6Ｒ7、ＮＲ6を有する。ＹおよびＹ’は、最大で３個の架橋原子からなる架橋単位を形成し、ここで、架橋原子は、炭素および／またはヘテロ原子から選択され、ヘテロ原子の場合、該単位は、最大で３個の架橋原子としてのヘテロ原子からなり、−ＢＲ6−、ＢＮＲ6−、ＢＮＲ6Ｒ7−、ＳｉＲ6Ｒ7、−ＮＲ6−、−ＰＲ6−、−Ｏ−、−Ｓ−（式中、Ｒ6は、同一であるかまたは異なり、ＲおよびＲ’と同じ意味を有する。）から、好ましくはＢＲ6、ＢＮＲ6、ＢＮＲ6Ｒ7、−ＮＲ6−、特に−ＮＲ6−から選択され、炭素の場合、該単位は、最大で３、好ましくは１または２、特に好ましくは１個の架橋原子としての炭素原子からなり、これは、場合により任意の所望の位置でヘテロ原子Ｂ、Ｎ、Ｐ、Ｏ、Ｓにより１回以上割り込まれているか、および／またはＲ3およびＲ4により置換されているか、および／またはハロゲン原子Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉにより置換されていてもよく、少なくとも１個のＣ原子の場合、これらは、飽和または一〜多価不飽和の様式で互いに結合していてもよく、さらに、ラジカルＲ6および／またはＲ7は、ＹとＹ’の間で互いに結合していてもよい。
【００３７】
ＹおよびＹ’は、特に好ましくは、出現するごとに同一であるかまたは異なり、ＣＲ6またはＮであり、ここで、これらの基は、次いで、各々の場合、隣接する基ＷまたはＷ’、非常に特に好ましくはＣＲ6に対して二重結合を形成する。
【００３８】
Ｚ、Ｚ’は、互いに独立して同一であるかまたは異なり、意味Ｃ、ＣＲ8、ＳｉＲ8、Ｂ、ＮまたはＰを有し、ここで、Ｒ8は、同一であるかまたは異なり、ＲおよびＲ’と同じ意味を有し；ＺおよびＺ’は、好ましくは、意味Ｃ、ＣＲ8、ＮおよびＰ、特に好ましくはＣおよびＮを有し、ＺおよびＺ’のラジカルＲ8は、互いに結合して環を形成してもよく、この環は、好ましくは３〜８個の環原子、特に好ましくは３〜６個の環原子からなる。ＺおよびＺ’は、非常に特に好ましくはＮに等しい。
【００３９】
さらに、Ｗ、Ｘ、Ｙ、Ｚからの少なくとも１個の原子およびＷ’、Ｘ’、Ｙ’、Ｚ’からの少なくとも１個の原子が、同一であるかまたは互いに独立し、Ｓｉ、Ｂ、Ｎ、Ｏ、ＳまたはＰから選択されるヘテロ原子を含有することが本発明にとって必須である。Ｘ、Ｘ’、Ｚ、Ｚ’および／またはＹ、Ｙ’は、好ましくはヘテロ原子であり、特に好ましくはＸ、Ｘ’およびＺ、Ｚ’がヘテロ原子である。本発明の特に好ましい態様において、Ｘ、Ｘ’およびＺ、Ｚ’は、窒素である。
【００４０】
ＭおよびＭ’は、好ましくは、出現するごとに同一であるかまたは異なり、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｖ、Ｍｎ、Ｓｃ、Ｃｒ、Ｍｏ、ＷおよびＡｌ、特に好ましくはＮｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｃｏ  ＲｈおよびＩｒ、非常に特に好ましくはＩｒ、ＰｔおよびＣｕからなる群から選択される。
【００４１】
ＲおよびＲ’は、好ましくは、出現するごとに同一であるかまたは異なり、１〜１０個のＣ原子を有する直鎖もしくは分枝アルキル、２〜１０個のＣ原子および少なくとも１つの二重結合を有する直鎖もしくは分枝アルケニル、３〜８個のＣ原子を有する飽和、部分もしくは完全不飽和のシクロアルキル（これは、１〜１０個のＣ原子を有するアルキル基により置換されていてもよい。）、無置換もしくは置換のアリールもしくは芳香族環系、無置換もしくは置換の複素環もしくはヘテロ芳香族環系または置換もしくは無置換のアラルキルもしくはヘテロアラルキルからなる群から選択され、ここで、一方または両方の置換基ＲおよびＲ’は、Ｆにより任意の所望の位置で部分的に置換されているかまたは完全に置換されていてもよく、一方または両方の置換基ＲおよびＲ’の炭素原子は、−Ｏ−、−Ｃ（Ｏ）−、−Ｃ（Ｏ）Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＲ1−、−ＰＲ1−または−Ｐ（Ｏ）Ｒ1−から選択される原子および／または原子団により置きかえられていてもよく、ここでＲ1は、１〜６個のＣ原子を有する非フッ素化、部分もしくは全フッ素化アルキル、３〜１０個のＣ原子を有する飽和もしくは部分不飽和シクロアルキル、無置換もしくは置換のアリールまたは飽和もしくは不飽和、無置換もしくは置換の複素環である。
【００４２】
ＲおよびＲ’は、特に好ましくは、出現するごとに同一であるかまたは異なり、１〜１０個のＣ原子を有する直鎖もしくは分枝アルキル、３〜６個のＣ原子を有する飽和シクロアルキル（これは、１〜４個のＣ原子を有するアルキル基により置換されていてもよい。）、無置換もしくは置換のアリールもしくは芳香族環系、無置換もしくは置換の複素環もしくはヘテロ芳香族環系または置換もしくは無置換のアラルキルもしくはヘテロアラルキルからなる群から選択され、ここで、一方または両方の置換基ＲおよびＲ’の炭素原子は、−Ｏ−により置きかえられていてもよい。
【００４３】
ＲまたはＲ’が金属に配位している場合、ＲまたはＲ’は、好ましくは置換または無置換のアラルキルまたはヘテロアラルキル基、特に−ＣＨ2−ＣＨ2−アリールまたは−ＣＨ2−ＣＨ2−ヘテロアリール基を表し、ここで、アリールまたはヘテロアリールおよび／またはＣＨ2基は、また、各々が置換されていてもよく、好ましい置換基は、１〜５個のＣ原子を有するアルキル基または芳香族もしくはヘテロ芳香族環系（これらは、場合によりアルキル基により置換されている。）である。さらに、ＣＨ2基のうちの１つは、やはりＯ、ＳまたはＮＲにより置換されていてもよい。この目的にさらに適しているのは、また、アリールまたはヘテロアリール基配位基であり、これらは、各々の場合、任意に置換されたオルト−アリーレンまたはオルト−ヘテロアリーレン基を介してＸまたはＸ’に結合している。
【００４４】
上述の態様は、所望により互いに組み合わせることができる。上述の好ましい態様は、好ましくは同時に発生する。
【００４５】
式（１）、（２）および（３）の化合物の好ましい態様は、したがって、それぞれ、以下の式（１ａ）、（２ａ）および（３ａ）の化合物であり、
【化５】
2014506241.tif 000006
【００４６】
ここで、Ｒ、Ｒ’、Ｒ1〜Ｒ8、Ｋ、Ｋ’、Ｌ、Ｌ’、ｏ、ｏ’、ｐ、ｐ’およびｓは、上記の意味を有し、使用された他の記号および添え字は、以下の意味を有する：
Ｍ、Ｍ’は、出現するごとに同一であるかまたは異なり、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｖ、Ｍｎ、Ｓｃ、Ｃｒ、ＭｏおよびＷからなる群から選択され；
Ｘ、Ｘ’は、互いに独立して同一であるかまたは異なり、ＣＲ2またはＮであり；
Ａは、−ＣＲ4＝ＣＲ4−、−ＣＲ4＝Ｎ−または−ＣＲ4Ｒ5−ＣＲ4Ｒ5−であり；
Ｙ、Ｙ’は、互いに独立して同一であるかまたは異なり、ＣＲ6またはＮであり；
Ｚ、Ｚ’は、互いに独立して同一であるかまたは異なり、ＣＲ8またはＮであり；
ただし、Ｗ、Ｘ、Ｙ、Ｚからの少なくとも１個の原子およびＷ’、Ｘ’、Ｙ’、Ｚ’からの少なくとも１個の原子は、同一であるかまたは互いに独立し、窒素原子を含有する。
【００４７】
式（１）、（２）および（３）の化合物の特に好ましい態様は、したがって、それぞれ、以下の式（１ｂ）、（２ｂ）および（３ｂ）の化合物であり、
【化６】
2014506241.tif 000007
【００４８】
ここで、Ｒ、Ｒ’、Ｒ1〜Ｒ8、Ｋ、Ｋ’、Ｌ、Ｌ’、ｏ、ｏ’、ｐ、ｐ’およびｓは、上記の意味を有し、使用された他の記号および添え字は、以下の意味を有する：
Ｍ、Ｍ’は、出現するごとに同一であるかまたは異なり、Ｉｒ、ＰｔおよびＣｕからなる群から選択され；
Ａは、−ＣＲ4＝ＣＲ4−または−ＣＲ4＝Ｎ−、好ましくは−ＣＲ4＝ＣＲ4−であり；
Ｙ、Ｙ’は、互いに独立して同一であるかまたは異なり、ＣＲ6またはＮであり；
Ｚ、Ｚ’は、互いに独立して同一であるかまたは異なり、ＣＲ8またはＮ、好ましくはＮである。
【００４９】
本発明の式（１）、（２）および（３）の金属錯体の好ましい例は、Ｘ、Ｘ’、Ｚ、Ｚ’が窒素に等しく、Ｙ、Ｙ’が−ＣＨ＝に等しく、Ｗ、Ｗ’が炭素に等しく、Ａが−ＣＨ＝ＣＨ−に等しく、Ｒ、Ｒ’がアルキル、特にメチル、エチル、ｎ−プロピル、ｉ−プロピルまたはｔｅｒｔ−ブチルに等しく、Ｍ、Ｍ’がＰｔ2+、Ｉｒ+、Ｉｒ3+、Ｐｄ2+、Ｃｕ+、Ａｇ+、Ａｕ+またはＲｈ+に等しく、Ｋ、Ｋ’がヨージド（Ｐｄ2+の場合）、ＰＦ6-（Ｃｕ+、Ａｇ+、Ａｕ+の場合）に等しく、Ｌ、Ｌ’がＣＯ、ＣＯＤ（Ｒｈ+の場合）に等しく、ｓがＰｄ2+、Ｒｈ+の場合１に等しく、ｓがＣｕ+、Ａｇ+、Ａｕ+の場合２に等しいことを特徴とする。
【００５０】
上記の通り、ラジカルＲおよび／またはＲ’は、金属（１以上）に配位することも可能である。このことは、以下の式（１ｃ）、（１ｄ）、（２ｃ）、（２ｄ）および（３ｃ）の化合物に関して図式的に示し、
【化７】
2014506241.tif 000008
【００５１】
ここで、使用された記号および添え字は、上記の意味を有する。
【００５２】
さらに、上記の通り、リガンドの２以上は、架橋基により互いに結合していてもよく、すなわち、基ＲまたはＲ’が、それにより全体として四座または多脚型配位子が形成するように２以上のリガンドを結合している。架橋基として使用することができる適切な基は、当業者に知られており、進歩性なしに、ここで言及したリガンドにも使用することができる。
【００５３】
適切なモノアニオン性の配位子ＫおよびＫ’は、単座、二座、三座、四座、五座または六座であってもよく、水素化物、重水素化物、ハロゲン化物Ｆ、Ｃｌ、ＢｒおよびＩ、擬ハロゲン化物、アジド、トリフルオロスルホネート、アルキルアセチリド、例えば、メチル−Ｃ≡Ｃ-、ｔｅｒｔ−ブチル−Ｃ≡Ｃ-など、アリール−またはヘテロアリールアセチリド、例えば、フェニル−Ｃ≡Ｃ-など、σ結合によって金属原子Ｍに連結することができるアルキル基、例えば、メチル、エチル、ｎ−プロピル、ｉ−プロピル、ｎ−ブチル、ｓ−ブチル、ｔ−ブチルなど、σ結合によって金属原子Ｍに連結することができるアルキルアリールラジカル、アリール基、例えば、フェニル、ナフチルなど、ヘテロアリール、例えば、ピリジル、水酸化物、シアン化物、シアネート、イソシアネート、チオシアネート、イソチオシアネートなど、脂肪族または芳香族アルコレート、例えば、メタノレート、エタノレート、プロパノレート、イソプロパノレート、ｔｅｒｔ−ブチレート、フェノレートなど、脂肪族または芳香族チオアルコレート、例えば、メタンチオレート、エタンチオレート、プロパンチオレート、イソプロパンチオレート、ｔｅｒｔ−チオブチレート、チオフェノレートなど、アミド、例えば、ジメチルアミド、ジエチルアミド、ジイソプロピルアミド、モルホリドなど、カルボキシレート、例えば、アセテート、トリフルオロアセテート、プロピオネート、ベンゾエートなど、アニオン性の窒素含有複素環、例えば、ピロリド、イミダゾリド、ピラゾリドなど、脂肪族および芳香族ホスフィドＰＲ2-、脂肪族または芳香族セレニドＳｅＲ-、シクロペンタジエニル（Ｃｐ）（ここで、シクロペンタジエニル基は、シクロペンタジエニルラジカルが、ペンタメチルシクロペンタジエニル（Ｃｐ*）またはインデニルを示す（ここで、インデニルラジカルは、アルキル置換基、好ましくはメチルによって場合により置換されていてもよい）ように、アルキル置換基、好ましくはメチルまたはｔｅｒｔ−ブチル、特に好ましくは５個のメチル基によって置換されていてもよい）からなる群から選択される。これらの基におけるアルキル基は、好ましくはＣ1〜Ｃ20−アルキル基、特に好ましくはＣ1〜Ｃ10−アルキル基、非常に特に好ましくはＣ1〜Ｃ4−アルキル基である。アリール基は、ヘテロアリール基も意味するものとされる。適切なジ−またはトリアニオン性リガンドＫおよびＫ’は、Ｒ−Ｎ＝Ｍ（式中、Ｒは、一般に、置換基またはＮ3-を表す）の形態の配位を生じる、Ｏ2-、Ｓ2-、ニトレンである。
【００５４】
リガンドＫは、特に好ましくは、ハロゲン化物、擬ハロゲン化物、アルコレート、カルボキシレート、アセチルアセトネートおよびその誘導体、トリフルオロスルホネート、アルキニル基、アリール基およびヘテロアリール基からなる群から選択される。
【００５５】
適切なモノ−またはジアニオン性二座配位子ＫおよびＫ’は、１，３−ジケトンに由来する１，３−ジケトネート、例えば、アセチルアセトン、ｔｅｒｔ−ブチルアセチルアセトン（２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオン）、ベンゾイルアセトン、１，５−ジフェニルアセチルアセトン、ジベンゾイルメタン、ビス（１，１，１−トリフルオロアセチル）メタンなど、３−ケトエステルに由来する３−ケトネート、例えば、エチルアセトアセテートなど、アミノカルボン酸に由来するカルボキシレート、例えば、ピリジン−２−カルボン酸、キノリン−２−カルボン酸、グリシン、Ｎ，Ｎ−ジメチルグリシン、アラニン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノアラニンなど、サリチルイミンに由来するサリチルイミネート、例えば、メチルサリチルイミン、エチルサリチルイミン、フェニルサリチルイミンなど、ジアルコールに由来するジアルコレート、例えば、エチレングリコール、１，３−プロピレングリコールなど、およびジチオールに由来するジチオレート、例えば、１，２−エチレンジチオール、１，３−プロピレンジチオールなどから選択される。
【００５６】
金属と共に、少なくとも１つの金属−炭素結合を有するまたは２つの金属−窒素結合を有するシクロメタル化５員環または６員環、特にシクロメタル化５員環を有する二座モノアニオン性またはジアニオン性リガンドＫおよびＫ’がさらに優先される。これらは、特に、有機エレクトロルミネッセンスデバイス用の燐光金属錯体の分野において一般に使用されるリガンド、すなわち、フェニルピリジン、ナフチルピリジン、フェニルキノリン、フェニルイソキノリン等のタイプのリガンドであり、これらの各々は、１以上のラジカルＲ1により置換されていてもよい。非常に多数のこのタイプのリガンドは、燐光エレクトロルミネッセンスデバイスの分野の当業者に知られており、当業者は、進歩性なしに、このタイプのさらなるリガンドを式（１）、（２）または（３）の化合物のリガンドＫまたはＫ’として選択することができる。一般に、以下の式（Ａ）〜（ＢＢ）により示される２つの基の組合せは、この目的に特に適している。一般に、中性窒素原子またはカルベン原子を介して、および負に荷電している炭素原子または負に荷電している窒素原子を介して結合する組合せ、さらに、例えば、２個の中性窒素原子または２個の負に荷電している窒素原子または２個の負に荷電している炭素原子が金属に結合する組合せが、この目的に適している。次いで、二座配位子ＫまたはＫ’は、式（Ａ）〜（ＢＢ）の基から、これらの基を、各々の場合、＃により示される位置で互いに結合させることにより形成することができる。基が金属に配位する位置は、＊により示される。
【化８−１】
2014506241.tif 000009
【化８−２】
2014506241.tif 000010
【００５７】
本明細書で使用された記号は、上記と同一の意味を有し、ここで、各基において最大で３つの記号Ｅは、Ｎを表し、Ｑは、出現するごとに同一であるかまたは異なり、ＯまたはＳを表す。好ましくは、各基において最大で２つの記号ＥがＮを表し、特に好ましくは各基において最大で１つの記号ＥがＮを表し、非常に特に好ましくは全ての記号ＥがＣＲを表す。
【００５８】
式（Ａ）〜（ＢＢ）の基も単座配位子ＫまたはＫ’として好適である。この場合、＊により示される位置は、金属に配位している。炭素原子の代わりに、基Ｅ、すなわち、基ＣＲまたはＮが、次いで、＃により示す位置に存在している。
【００５９】
ＫまたはＫ’が非配位性アニオンである場合、これは、好ましくは、以下で式（４）についてアニオンＱ-として記載しているアニオンから選択される。
【００６０】
適切な中性の単座、二座、三座、四座、五座または六座配位子ＬおよびＬ’は、好ましくはアミン、例えば、トリメチルアミン、トリエチルアミン、モルホリンなど、エーテル、例えば、ジメチルエーテル、ジエチルエーテルなど、水、アルコール、一酸化炭素、ニトリル、特にアルキルニトリル、一酸化窒素、イソニトリル、例えば、ｔｅｒｔ−ブチルイソニトリル、シクロヘキシルイソニトリル、アダマンチルイソニトリル、フェニルイソニトリル、メシチルイソニトリル、２，６−ジメチルフェニルイソニトリル、２，６−ジイソプロピルフェニルイソニトリル、２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルイソニトリルなど、オレフィン、窒素含有複素環、例えば、ピリジン、ピリダジン、ピラジン、ピリミジン、トリアジンなど（ここで、これらの各々はアルキルまたはアリール基により置換されていてもよい。）、ホスフィン、好ましくはトリアルキル、トリアリールもしくはアルキルアリールホスフィン、特に好ましくはＰＡｒ3（ここで、Ａｒは、置換もしくは無置換のアリールラジカルであり、ＰＡｒ3中の３つのアリールラジカルは、同一であるかまたは異なっていてもよい。）、例えば、ＰＰｈ3、ＰＭｅ3、ＰＥｔ3、Ｐ（ｎ−Ｂｕ）3、Ｐ（ｔ−Ｂｕ）3、ＰＥｔ2Ｐｈ、ＰＭｅ2Ｐｈ、Ｐ（ｎ−Ｂｕ）2Ｐｈ、ＰＡｄ3、ＰＭｅＡｄ2、ＰＣｙ3、ＰＦ3など、トリス（ペンタフルオロフェニル）ホスフィン、ホスホネートおよび誘導体、それらのアルセネートおよびそれらの誘導体、ホスフィット、例えば、トリメチルホスフィット、トリエチルホスフィットなど、アルシン、例えば、トリフルオロアルシン、トリメチルアルシン、トリシクロヘキシルアルシン、トリ−ｔｅｒｔ−ブチルアルシン、トリフェニルアルシニン、トリス（ペンタフルオロフェニル）アルシンなど、スチビン、例えば、トリフルオロスチビン、トリメチルスチビン、トリシクロヘキシルスチビン、トリ−ｔｅｒｔ−ブチルスチビン、トリフェニルスチビン、トリス（ペンタフルオロフェニル）スチビンなど、脂肪族もしくは芳香族スルフィド、例えば、硫化ジメチル、ジエチルスルフィドなど、または脂肪族もしくは芳香族セレニド、例えば、ジメチルセレニド、ジエチルセレニドなど、カルベンおよびアセチレン不飽和多重結合系からなる群から選択される。
【００６１】
適切な中性二座配位子ＬおよびＬ’は、ジアミン、例えば、エチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルエチレンジアミン、プロピレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルプロピレンジアミンなど、ｃｉｓ−またはｔｒａｎｓ−ジアミノシクロヘキサン、ｃｉｓ−またはｔｒａｎｓ−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルジアミノシクロヘキサン、イミン、例えば、２−［１−（フェニルイミノ）エチル］ピリジン、２−［１−（２−メチルフェニルイミノ）エチル］ピリジン、２−［１−（２，６−ジイソプロピルフェニルイミノ）エチル］ピリジン、２−［１−（メチルイミノ）エチル］ピリジン、２−［１−（エチルイミノ）エチル］ピリジン、２−［１−（イソプロピルイミノ）エチル］ピリジン、２−［１−（ｔｅｒｔ−ブチルイミノ）エチル］ピリジンなど、ジイミン、例えば、１，２−ビス（メチルイミノ）エタン、１，２−ビス（エチルイミノ）エタン、１，２−ビス（イソプロピルイミノ）エタン、１，２−ビス（ｔｅｒｔ−ブチルイミノ）エタン、２，３−ビス（メチルイミノ）ブタン、２，３−ビス（エチルイミノ）ブタン、２，３−ビス（イソプロピルイミノ）ブタン、２，３−ビス（ｔｅｒｔ−ブチルイミノ）ブタン、１，２−ビス（フェニルイミノ）エタン、１，２−ビス（２−メチルフェニルイミノ）エタン、１，２−ビス（２，６−ジイソプロピルフェニルイミノ）エタン、１，２−ビス（２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルイミノ）エタン、２，３−ビス（フェニルイミノ）ブタン、２，３−ビス（２−メチルフェニルイミノ）ブタン、２，３−ビス（２，６−ジイソプロピルフェニルイミノ）ブタン、２，３−ビス（２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルイミノ）ブタンなど、２個の窒素原子を含有する複素環、例えば、２，２’−ビピリジン、ｏ−フェナントロリンなど、ならびにジホスフィン、例えば、ビス（ジフェニルホスフィノ）メタン、ビス（ジフェニルホスフィノ）エタン、ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパン、ビス（ジフェニルホスフィノ）ブタン、ビス（ジメチルホスフィノ）メタン、ビス（ジメチルホスフィノ）エタン、ビス（ジメチルホスフィノ）プロパン、ビス（ジメチルホスフィノ）ブタン、ビス（ジエチルホスフィノ）メタン、ビス（ジエチルホスフィノ）エタン、ビス（ジエチルホスフィノ）プロパン、ビス（ジエチルホスフィノ）ブタン、ビス（ジ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィノ）メタン、ビス（ジ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィノ）エタン、ビス（ｔｅｒｔ−ブチルホスフィノ）プロパン、ビス（ｔｅｒｔ−ブチルホスフィノ）ブタンなど、ならびに金属原子Ｍとｐ−錯体を形成する共役ジエン、好ましくはη4−１，３−ブタジエン、η4−ジフェニル−１，３−ブタジエン、η4−１，３−ペンタジエン、η4−１−フェニル−１，３−ペンタジエン、η4−１，４−ジベンジル−１，３−ブタジエン、η4−２，４−ヘキサジエン、η4−３−メチル−１，３−ペンタジエン、η4−１，４−ジトリル−１，３−ブタジエン、η4−１，４−ビス（トリメチルシリル）−１，３−ブタジエンおよびη2−またはη4−シクロオクタジエン（ＣＯＤ）（各１，３および各１，５）、特に好ましくはη4−１，４−ジフェニル−１，３−ブタジエン、η4−１−フェニル−１，３−ペンタジエン、η4−２，４−ヘキサジエン、ブタジエン、η4−１，３−シクロオクタジエンおよびη2−１，５−シクロオクタジエンからさらに選択される。
【００６２】
アミン、エーテル水、アルコール、ピリジン（ここで、ピリジンは、アルキルまたはアリール基により置換されていてもよい。）、一酸化炭素、ニトリル、好ましくはアルキルニトリル、オレフィン、好ましくはエチレン、シクロオクテン、η4−１，４−ジフェニル−１，３−ブタジエン、η4−１−フェニル−１，３−ペンタジエン、η4−２，４−ヘキサジエン、ブタジエン、η4−１，３−シクロオクタジエンおよびη2−１，５−シクロオクタジエンからなる群から選択される中性の単座、二座、三座、四座、五座または六座のリンを含まないリガンドの使用が特に優先される。
【００６３】
本発明の適切な金属錯体の例は、以下の表に示す化合物である。
【表１−１】
2014506241.tif 000011
【表１−２】
2014506241.tif 000012
【表１−３】
2014506241.tif 000013
【表１−４】
2014506241.tif 000014
【表１−５】
2014506241.tif 000015
【表１−６】
2014506241.tif 000016
【表１−７】
2014506241.tif 000017
【表１−８】
2014506241.tif 000018
【表１−９】
2014506241.tif 000019
【００６４】
本発明の化合物は、例えば比較的長いアルキル基（約４〜２０個のＣ原子）、特に分枝アルキル基、または任意に置換されたアリール基、例えばキシリル、メシチルまたは分枝テルフェニルもしくはクアテルフェニル基による適切な置換により可溶性にすることもできる。このタイプの化合物は、次いで、室温で、溶液からの錯体の加工を可能にするための十分な濃度で、一般的な有機溶媒、例えば、トルエンまたはキシレンなどに可溶である。これらの可溶性化合物は、例えば、印刷プロセスによる加工に特に適している。
【００６５】
したがって、本発明は、さらに、式（１）、（２）もしくは（３）または上記の好ましい態様の少なくとも１種の化合物および少なくとも１種の溶媒を含む配合物、特に溶液、懸濁液またはミニエマルジョンに関する。
【００６６】
本発明は、さらに、対応するビスイミダゾリウム塩およびそれらに由来するビスカルベンと同様に、式（１）〜（３）の化合物がベースにしているリガンドに関する。
【００６７】
したがって、本発明は、さらに、式（４）の化合物およびそれらに由来する式（５）のビスカルベンに関し、
【化９】
2014506241.tif 000020
【００６８】
ここで、Ｒ、Ｒ’、Ｘ、Ｘ’、Ｗ、Ｗ’、Ａ、Ｙ、Ｙ’、Ｚ、Ｚ’は、上記の意味を有し、ただし、Ｗ、Ｘ、Ｙ、Ｚからの少なくとも１個の原子およびＷ’、Ｘ’、Ｙ’、Ｚ’からの少なくとも１個の原子は、同一であるかまたは互いに独立し、Ｓｉ、Ｂ、Ｎ、Ｏ、ＳまたはＰから選択されるヘテロ原子を含有し、さらに：
Ｑ-は、アニオン性対イオンであり、好ましくはＦ-、Ｃｌ-、Ｂｒ-、Ｉ-、ＣＮ-、［ＣｌＯ4］-、［ＢＦ4］-、［ＢＦzＲF4-z］-、［ＢＦz（ＣＮ）4-z］-、［Ｂ（ＣＮ）4］-、［Ｂ（Ｃ6Ｆ5）4］-、［Ｂ（ＯＲ9）4］-、［Ｎ（ＣＦ3）2］-、［Ｎ（ＣＮ）2］-、［ＡｌＣｌ4］-、［ＳｂＦ6］-、［ＳｉＦ6］-、［Ｒ9ＳＯ3］-、［ＲFＳＯ3］-、［（ＲFＳＯ2）2Ｎ）］-、［（ＲFＳＯ2）3Ｃ）］-、［（ＦＳＯ2）3Ｃ］-、［Ｒ9ＣＨ2ＯＳＯ3］-、［Ｒ9Ｃ（Ｏ）Ｏ］-、［ＲFＣ（Ｏ）Ｏ］-、［ＣＣｌ3Ｃ（Ｏ）Ｏ］-、［（ＣＮ）3Ｃ］-、［（ＣＮ）2ＣＲ9］-、［（Ｒ9Ｏ（Ｏ）Ｃ）2ＣＲ9］、［Ｐ（ＣnＦ2n+1-mＨm）yＦ6-y］-、［Ｐ（Ｃ6Ｆ5）yＦ6-y］-、［Ｒ92Ｐ（Ｏ）Ｏ］-、［Ｒ9Ｐ（Ｏ）Ｏ2］2-、［（Ｒ9Ｏ）2Ｐ（Ｏ）Ｏ］-、［（Ｒ9Ｏ）Ｐ（Ｏ）Ｏ2］2-、［（Ｒ9Ｏ）（Ｒ9）Ｐ（Ｏ）Ｏ］-、［ＲF2Ｐ（Ｏ）Ｏ］-、［ＲFＰ（Ｏ）Ｏ2］2-からなる群から選択され、
ここで、置換基ＲFは、各々、互いに独立して、１〜２０個のＣ原子を有する全フッ素化および直鎖または分枝アルキル、２〜２０個のＣ原子および少なくとも１つの二重結合を有する全フッ素化および直鎖または分枝アルケニル、全フッ素化フェニルおよび３〜７個のＣ原子を有する飽和、部分または完全不飽和のシクロアルキル（これは、ペルフルオロアルキル基により置換されていてもよい。）を示し、［ＲF2Ｐ（Ｏ）Ｏ］-中の置換基ＲFは、それらが一緒に３〜８員環を形成するように単または二重結合により互いに結合していてもよく、
ここで、置換基ＲFの１個の炭素原子または２個の非隣接炭素原子は、−Ｏ−、−Ｃ（Ｏ）−、−Ｓ−、−Ｓ（Ｏ）−、−ＳＯ2−、−Ｎ＝、−Ｎ＝Ｎ−、−ＮＲ1−、−ＰＲ1−および−Ｐ（Ｏ）Ｒ1−から選択される原子および／もしくは原子団により置きかえられているか、または末端基Ｒ1−Ｏ−ＳＯ2−もしくはＲ1−ＯＣ（Ｏ）−（ここでＲ1は、上記の意味を有する。）を含有していてもよく、
ここで、置換基Ｒ9は、各々、互いに独立して、水素、１〜２０個のＣ原子を有する直鎖または分枝アルキル、２〜２０個のＣ原子および少なくとも１つの二重結合を有する直鎖または分枝アルケニル、２〜２０個のＣ原子および１以上の三重結合を有する直鎖または分枝アルキニル、３〜７個のＣ原子を有する飽和、部分または完全不飽和のシクロアルキル（これは、１〜６個のＣ原子を有するアルキル基により置換されていてもよい。）を示し、Ｒ9は、ＣＮ-、ＮＯ2-、Ｆ-、Ｃｌ-、Ｂｒ-またはＩ-により部分的に置換されていてもよく、アニオン［（Ｒ9）2Ｐ（Ｏ）Ｏ］-、［（Ｒ9Ｏ（Ｏ）Ｃ）2ＣＲ9］および［（Ｒ9Ｏ）（Ｒ9）Ｐ（Ｏ）Ｏ］-中の２つの置換基Ｒ9は、それらが一緒に３〜８員環を形成するように単または二重結合により互いに結合していてもよく、
ここで、Ｒ9の炭素原子は、−Ｏ−、−Ｃ（Ｏ）−、−Ｃ（Ｏ）Ｏ−、−Ｓ−、−Ｓ（Ｏ）−、−ＳＯ2−、−ＳＯ3−、−Ｎ＝、−Ｎ＝Ｎ−、−ＮＨ−、−ＮＲ1−、−ＰＲ1−および−Ｐ（Ｏ）Ｒ1−、−Ｐ（Ｏ）Ｒ1Ｏ−、−ＯＰ（Ｏ）Ｒ1Ｏ−、−ＰＲ12＝Ｎ−、−Ｃ（Ｏ）ＮＨ−、−Ｃ（Ｏ）ＮＲ1−、−ＳＯ2ＮＨ−または−ＳＯ2ＮＲ1−（ここでＲ1は、上記の意味を有する。）から選択される原子および／または原子団により置きかえられていてもよく、
変数ｎ、ｍ、ｙおよびｚは、各々整数であり、
ｎは、１〜２０を示し、
ｍは、０、１、２または３を示し、
ｙは、０、１、２、３または４を示し、
ｚは、０、１、２または３を示し、
ここで、Ｑ-は、また、前記アニオンの任意の所望の混合物であってもよい。
【００６９】
使用された記号の好ましい態様は、ここで、既に式（１）〜（３）の化合物について上記したものに対応する。
【００７０】
Ｗ、Ｘ、Ｙ、Ｚからの少なくとも１個の原子およびＷ’、Ｘ’、Ｙ’、Ｚ’からの少なくとも１個の原子が、同一であるかまたは互いに独立し、Ｓｉ、Ｂ、Ｎ、Ｏ、ＳまたはＰから選択されるヘテロ原子を含有することが本発明にとってさらに必須である。Ｘ、Ｘ’、Ｚ、Ｚ’およびＹ、Ｙ’は、好ましくはヘテロ原子であり、特に好ましくはＸ、Ｘ’およびＺ、Ｚ’がヘテロ原子である。本発明の特に好ましい態様において、Ｘ、Ｘ’およびＺ、Ｚ’は、窒素である。
【００７１】
特に好ましいアニオンＱ−は、Ｆ-、Ｃｌ-、Ｂｒ-、Ｉ-、ＣＮ-、［ＣｌＯ4］-、［ＢＦ4］-、［Ｒ9ＣＨ2ＯＳＯ3］-、［ＳｂＦ6］-および［ＰＦ6］-、非常に特に好ましくはＣｌ-、Ｂｒ-、Ｉ-、［ＢＦ4］-および［ＰＦ6］-である。
【００７２】
アニオンＱ-中の２つの置換基ＲFまたはＲ9が単または二重結合により互いに結合している場合、それらは、一般的な３〜８員環、好ましくは５〜７員、特に好ましくは５または６員環を形成することができる。
【００７３】
本発明の式（４）のビスイミダゾリウム塩の好ましい例は、Ｘ、Ｘ’、Ｚ、Ｚ’が窒素に等しく、Ｙ、Ｙ’が−ＣＨ＝に等しく、Ｗ、Ｗ’が炭素に等しく、Ａが−ＣＨ＝ＣＨ−に等しく、ＱがＣｌ-またはＰＦ6-に等しく、Ｒ、Ｒ’がアルキル、好ましくはメチル、エチルまたはｎ−プロピルに等しいことを特徴とする。
【００７４】
本発明の式（５）のビスカルベンの好ましい例は、Ｘ、Ｘ’、Ｚ、Ｚ’が窒素に等しく、Ｙ、Ｙ’が−ＣＨ＝に等しく、Ｗ、Ｗ’が炭素に等しく、Ａが−ＣＨ＝ＣＨ−に等しく、Ｒ、Ｒ’がアルキル、特にメチル、エチルまたはｎ−プロピルに等しいことを特徴とする。
【００７５】
本発明において、ビスカルベン（５）は、また、部分的にプロトン化された形態であってもよく、その結果、モノカルベンが生じ、これは、本発明の目的のために一般式（５）に含まれ、したがって、同様に本発明の主題である。
【００７６】
本出願は、さらに、上述の金属錯体を調製するための方法に関する。
【００７７】
この調製は、本発明において、式（４）または式（５）の化合物をビスカルベンリガンドまたはモノカルベンリガンドとして使用して実施される。適切なプロセスは、特に、当業者に知られている、好ましくはｉｎ  ｓｉｔｕでのリガンド前駆体の脱プロトン化、遊離した単離モノおよびビスカルベンリガンドの錯化、ハロホルムアミジニウム誘導体の酸化的付加、金属化合物による電子が豊富なオレフィンの切断ならびに金属カルベン錯体の金属交換反応のプロセスである。適切な調製プロセスは、例えば、Ｆ．Ｅ．Ｈａｈｎ、Ｍ．Ｃ．Ｊａｈｎｋｅ、Ａｎｇｅｗ．Ｃｈｅｍ．２００８、１２０、３１６６〜３２１６；Ａｎｇｅｗ．Ｃｈｅｍ．Ｉｎｔ．Ｅｄ．２００８、４７、３１２２〜３１７２およびそれらの中で列挙されている文献に開示されている。
【００７８】
特に適切なプロセスは、式（４）の対応するリガンド前駆体の脱プロトン化およびその後の金属化合物との反応である。さらに、単離された代表の式（５）のビスカルベンは、また、金属化合物と、またはそれらのモノカルベンとも反応させることができる。さらなる可能性は、式（１）、（２）または（３）の適切な金属錯体と金属化合物との反応（金属交換反応）、および（３）の脱プロトン化であり、必要であれば、式（２）の金属錯体を形成するためのさらなる金属化合物とのその後の反応である。
【００７９】
本発明の金属錯体（１）、（２）および（３）の調製は、好ましくはｉｎ  ｓｉｔｕでのリガンド前駆体の脱プロトン化、および適切な金属化合物との反応、または本発明の金属錯体（１）および（２）の場合、本発明の金属錯体（３）の脱プロトン化、ならびに金属錯体（２）の場合、適切な金属化合物とのその後の反応により実施することが好ましい。
【００８０】
式（４）の化合物の脱プロトン化は、一般に、塩基性のアニオンにより、ならびに式（４）の化合物から出発する式（５）のモノおよびビスカルベンの調製について以下に記載する条件の下で実施される。
【００８１】
このようにｉｎ  ｓｉｔｕで生成した式（５）のカルベンまたは式（５）の単離カルベンの金属化は、式（１）、（２）または（３）の所望の金属錯体を生じるのに適切な金属化合物を使用して実施される。金属化は、一般に、適切な溶媒に溶解または懸濁される脱プロトン化により得られた反応混合物または単離カルベンの反応混合物への対応する金属化合物の添加により実施される。
【００８２】
先に単離したまたはｉｎ  ｓｉｔｕで生成したカルベンの金属化は、適切な溶媒、好ましくは極性非プロトン性溶媒、例えばテトラヒドロフラン、アセトニトリルまたはジメチルスルホキシドにおいて、対応する金属錯体の添加により実施される。一般に、反応は、−１１０〜１８０℃、好ましくは−３０〜１００℃、特に好ましくは０〜５０℃の温度で実施される。反応持続期間は、一般に１分〜５日間、好ましくは１時間〜１日である。
【００８３】
金属交換反応の場合、式（１）、（２）および（３）の適切な金属カルベン錯体が、適切な溶媒、好ましくは極性非プロトン性溶媒、例えばテトラヒドロフラン、アセトニトリルまたはジメチルスルホキシドに最初に導入され、金属化合物が添加される。一般に、反応は、−３０〜２００℃、好ましくは２０〜１２０℃の温度で実施される。反応持続期間は、一般に１分〜５日間、好ましくは１時間〜２日間である。
【００８４】
使用した塩基および金属塩の反応性および化学量論に応じて、式（４）のビスイミダゾリウム塩の脱プロトン化は、部分的にのみ生じてもよく、式（５）のビスカルベンの代わりに対応するモノカルベンをリガンドとして含有する式（３）の金属錯体を生じる。
【００８５】
式（１）、（２）および（３）の金属錯体の調製に適した金属化合物は、例えば、ＰｄＣｌ2、ＰｄＣｌ2（ＰＰｈ3）2、Ｐｄ（ＰＰｈ3）4、Ｐｄ2（ジベンジリデンアセトン）3、アリルパラジウムクロリド、［ＰｄＣｌ2（ＣＨ3ＣＮ）2］、Ｐｄ（ＣＨ3ＣＮ）4（ＢＦ4）2、ＮｉＣｌ2、ＮｉＢｒ2（ジメトキシエタン）、ビス（１，５−シクロオクタジエン）ニッケル、ＮｉＣｌ2（ＰＰｈ3）2、Ｒｕ（Ｃｌ）2（ＰＰｈ3）2（カルベン）、ＣｐＲｕＣｌ（ＰＰｈ3）2、［ＣｐＲｕ（ＣＯ）2］2、［ＣｐＲｕ（ＣＨ3ＣＮ）3］+、［Ｃｐ*Ｒｕ（ＣＨ3ＣＮ）3］+、［ＲｕＣｌ2（ＣＯ）3］2、ＲｕＣｌ2（ｄｍｓｏ）4、ジ−μ−クロロビス［（ｐ−シメン）クロロルテニウム（ＩＩ）］、［ＲｕＣｌ2（Ｃ6Ｈ6）］2、ＲｕＣｌ3、ＲｕＩ3、トリス（アセチルアセトナト）ルテニウム（ＩＩＩ）、ビス（１，５−シクロオクタジエン）ロジウム、アセチルアセトナトビス（エチレン）ロジウム、ビス（ジカルボニルクロロロジウム（Ｉ））、ＲｈＣｌ3*ｘＨ2Ｏ、アセチルアセトナトイルジウム（acetylacetonatoirdium）（Ｉ）、トリス（アセチルアセトナト）イルジウム（tris(acetylacetonato)irdium）（ＩＩＩ）、ビス（１，５−シクロオクタジエン）イリジウム、ビス（ジカルボニルクロロイリジウム（Ｉ））、場合により水和物の形態の三ハロゲン化イリジウム、Ｎａ2［Ｉｒ（ａｃａｃ）2Ｃｌ2］、ＰｔＣｌ2、ＰｔＣｌ2（ＰＰｈ3）2、Ｐｔ（ＰＰｈ3）4、ビス（１，５−シクロオクタジエン）白金、ヘキサクロロプラチネート（ＩＶ）、（ＤＭＳＯ）2ＰｔＭｅ2、ＣｕＣｌ2、ＣｕＣｌ、ＣｕＯ2、Ｃｕ2Ｏ2、ＣｕＩ2、ＣｕＩ  ＣｕＢｒ2、ＣｕＢｒ、Ａｇ2Ｏ、Ａｇ（トシレート）、Ａｇ（トリフレート）、ＡｇＮＯ3、ＡｕＣｌ、ＡｕＣｌ（ＰＰｈ3）、ＡｕＣｌ（ＳＭｅ2）、ＡｕＣｌ（テトラヒドロチオフェン）、ＡｕＣｌ3、ＴｉＣｌ3、ＴｉＣｌ4、Ｔｉ（Ｏ−ｉ−プロピル）4、Ｔｉ（Ｎアルキル2）4、ＴｉＣｌ2（Ｎアルキル2）2、ＣｐＴｉＣｌ3、Ｃｐ2ＴｉＣｌ2、ＺｒＣｌ4、Ｚｒ（Ｎアルキル2）4、ＺｒＣｌ2（Ｎアルキル2）2、ＣｐＺｒＣｌ3、Ｃｐ2ＺｒＣｌ2、Ｗ（ＣＯ）6、Ｗ（ＣＯ）5（ＴＨＦ）、Ｗ（ＣＯ）5（ピリジン）、Ｃｒ（ＣＯ）6、Ｃｒ（ＣＯ）5（ＴＨＦ）、Ｃｒ（ＣＯ）5（ピリジン）、Ｍｏ（ＣＯ）6、Ｍｏ（ＣＯ）5（ＴＨＦ）、Ｍｏ（ＣＯ）5（ピリジン）、ＣｏＣｌ2、Ｃｏ2（ＣＯ）8、ＦｅＣｌ2、ＦｅＣｌ3、ＦｅＢｒ2、ＦｅＢｒ3、Ｆｅ（ＣＯ）5、Ｆｅ2（ＣＯ）9である。
【００８６】
塩基の添加による脱プロトン化の代わりに、塩基性のアニオンを有する適切な金属化合物、例えば、Ｐｄ（ＩＩ）もしくはＮｉ（ＩＩ）のジアセテートもしくはアセチルアセトネート、Ｉｒ（Ｉ）のアセチルアセトネート、またはアルコキシリガンドを有するＲｈ（Ｉ）およびＩｒ（Ｉ）化合物、ならびにＣｕ2ＯおよびＡｇ2Ｏを使用することも可能である。
【００８７】
金属交換反応に使用される式（１）、（２）および（３）の金属カルベン錯体に特に適しているのは、Ｍ、Ｍ’＝ＡｇおよびＣｕである錯体である。金属交換反応は、上述の金属化合物に対して実施される。
【００８８】
得られた式（１）、（２）および（３）の金属錯体は、当業者に知られている方法により処理される。処理は、例えば、（蒸留または濾過による。）溶媒の除去およびその後の結果として得られた生成物のクロマトグラフィーまたは結果として得られた生成物の再結晶により実施することができる。
【００８９】
式（４）のビスイミダゾリウム塩は、一般に２：１〜１：４、好ましくは１：２．２〜１．２：１の塩基性のアニオンに対するモル比で使用される。
【００９０】
式（１）、（２）および（３）の金属錯体の調製において、式（４）および（５）のイミダゾリウム塩もしくはモノおよびビスカルベン、または金属交換反応に使用される式（１）、（２）および（３）の金属錯体は、一般に８：１〜１．８：１の適切な金属錯体に対するモル比で、好ましくは０〜２０％のモノおよびビスカルベンの過剰または０〜１０％のモノおよびビスカルベンの欠乏という化学量論に一致した比で使用される。
【００９１】
各々の場合、アニオン性リガンドＫの別のアニオン性リガンドＫによる置きかえのために適切な塩も反応混合物に添加することができる。
【００９２】
したがって、本発明は、さらに、リガンド前駆体の脱プロトン化、またはモノもしくはビスカルベンリガンドの錯化、またはハロホルムアミジニウム誘導体の酸化的付加、または金属化合物による電子が豊富なオレフィンの切断、または金属カルベン錯体の金属交換反応によるビスもしくはモノカルベンリガンドとしての式（４）もしくは式（５）の化合物の反応により、式（１）、（２）または（３）の化合物を調製するための方法に関する。
【００９３】
本発明は、さらに、式（４）のビスイミダゾリウム塩を調製するための方法に関し、式（４）のビスイミダゾリウム塩は、本発明において、化合物４を調製するための４ステッププロセスを参照しながら現時点での一例として説明するプロセスにより調製される：
（ｉ）対応するジ（ハロメチル）ピリダジン１を生じるための３，６−ジメチルピリダジンとハロゲン化剤との反応。
【化１０】
2014506241.tif 000021
【００９４】
（ｉｉ）対応するアミノメチルピリダジン２を生じるためのジ（ハロメチル）ピリダジンと第一級アミンとの反応。
【化１１】
2014506241.tif 000022
【００９５】
（ｉｉｉ）無水酢酸または他の好適なギ酸誘導体による促進を伴う、ジ（ホルムアミドイルメチル）ピリダジン３を生じるためのギ酸を使用した対応するジ（アミノメチル）ピリダジンのホルムアミド化。
【化１２】
2014506241.tif 000023
【００９６】
（ｉｖ）ビスイミダゾリウム塩４（Ｈａｌ）を生じるための塩化ホスホリルまたは他の適切なハロホルムアミド形成剤を使用した対応するジ（ホルムアミドメチル）ピリダジンの環化および場合によりビスイミダゾリウム塩４を生じるためのＱ-による対イオンの置きかえのための塩交換。
【化１３】
2014506241.tif 000024
【００９７】
ステップ（ｉ）は、一般に、溶液中で実施される。適切な溶媒は、ハロゲン化炭化水素、例えば、クロロホルム、ジクロロメタン、ジクロロエタンまたは四塩化炭素であり；クロロホルムが好ましい。
【００９８】
一般的ハロゲン化剤は、トリハロイソシカヌル酸（trihaloisocycanuric acid）またはＮ−ハロスクシンイミドであり；トリクロロイソシアヌル酸が好ましい。
【００９９】
ステップ（ｉ）において、通常、３，６−ジメチルピリダジンが最初に導入され、ハロゲン化剤が５分間〜３日間の期間にわたって少量ずつ添加され；１５分間〜５時間が好ましく、特に好ましくは３０〜９０分間である。
【０１００】
反応溶液は、一般に、−１０〜１８０℃、好ましくは２５〜１００℃、特に好ましくは３５〜８０℃まで加熱される。反応混合物は、ハロゲン化剤の最終分量の添加後に、１分〜１０日間、好ましくは１０分間〜２４時間、特に好ましくは３０分間〜３時間の期間にわたって前記温度で維持される。反応混合物は、その後、冷却され、生成物は、副産物からの濾過により、または当業者に知られている方法により処理される。
【０１０１】
ピリダジンおよびハロゲン化生成物は、一般に、移動されたハロゲン原子の数に基づいて、１：１０〜１：１、好ましくは１：１．５〜１：３のモル比で使用される。
【０１０２】
出発原料として使用されるピリダジン化合物およびその誘導体ならびにハロゲン化剤は、当業者に知られているプロセスにより調製することができ、市販されている場合もある（Ｒ．Ｈ．Ｗｉｌｅｙ、Ｊ．Ｍａｃｒｏｍｏｌ．Ｓｃｉ．−Ｃｈｅｍ．１９８７、Ａ２４、１１８３〜１１９０）。
【０１０３】
ステップ（ｉｉ）は、一般に、溶媒中で実施される。適切な溶媒は、アルキルニトリル、エーテルまたは芳香族および脂肪族炭化水素、例えば、トルエンまたはヘキサンであり；アセトニトリルが好ましい。
【０１０４】
反応は、一般式Ｒ−ＮＨ2およびＲ’−ＮＨ2の第一級脂肪族または芳香族アミンを用いて実施することが好ましい。
【０１０５】
化合物１および第一級アミンは、一般に１：１〜１：１００、好ましくは１：２〜１：５０のモル比で使用される。アミンは、直ちにまたは分割して添加することができる。２種の異なるアミンＲ’−ＮＨ2およびＲ−ＮＨ2を使用することも可能である。ここで、２種のアミン等価物は、形成されるハロゲン化水素酸の捕捉にも役立つ。必要であれば、当業者に知られている他のハロゲン化水素酸捕捉剤も使用することができる。
【０１０６】
反応溶液は、一般に、−３０〜１８０℃、好ましくは０〜１２０℃、特に好ましくは１０〜８０℃の温度で、一般に５分間〜１０日間、好ましくは１時間〜５日間、特に好ましくは５時間〜２日間の期間温められる。
【０１０７】
反応混合物は、当業者に知られている方法により処理される。好ましくはジエチルエーテルおよびアセトニトリルからなる溶媒混合物による生成物の抽出が優先される。生成物は、適切な溶媒から、好ましくはジエチルエーテルからの再結晶によりさらに精製することができる。
【０１０８】
その後のステップ（ｉｉｉ）において、ホルムアミド化が実施される。これは、ホルミル無水物の中間体生成により反応するギ酸または誘導体、好ましくは無水酢酸混合物中のギ酸を使用して実施することができる。
【０１０９】
反応は、適切な溶媒中で、好ましくはギ酸中で実施することが好ましい。反応溶液は、一般に−３０〜１２０℃、好ましくは０〜８０℃、特に好ましくは１０〜５０℃の温度で維持される。その期間は、一般に１分〜５日間、好ましくは１５分間〜１２時間、特に好ましくは３０分間〜３時間である。
【０１１０】
反応混合物は、当業者に知られている方法により処理される。混合物は、好ましくは水を使用して加水分解され、真空中で蒸発乾固させられる。生成物は、適切な溶媒、好ましくはジエチルエーテルによる抽出により抽出され、適切な乾燥剤を使用して乾燥され、好ましくは真空中で溶媒を除去される。生成物は、好ましくは、さらに精製せずに次のステップにおいても使用することができる。
【０１１１】
その後のステップ（ｉｖ）において、ビスイミダゾリウム塩への環化が当業者に知られているプロセスにより実施される。一般に、ホルムアミドは、好ましくは酸塩化物形成剤により、特に好ましくは塩化ホスホリル、三塩化リンまたは塩化チオニルを使用して活性化される。
【０１１２】
反応は、一般に、溶媒中で、好ましくは脂肪族または芳香族炭化水素中で、特に好ましくはトルエン中で実施される。
【０１１３】
反応温度は、一般に−３０〜１８０℃、好ましくは０〜１５０℃、特に好ましくは３０〜１２０℃である。
【０１１４】
生成物は、一般に、真空中での溶媒の除去および適切な溶媒混合物、例えばＴＨＦ／ペンタン混合物による残渣の洗浄により単離および精製される。
【０１１５】
必要であれば、対イオンは、塩交換により置きかえることができる。このため、ビスイミダゾリウム塩は、一般に、水に溶解され、所望の対イオンの塩が添加される。生成物は、当業者に知られている方法により、特に結晶化により単離および精製される。
【０１１６】
式（４）のビスイミダゾリウム塩を調製するための代替の方法は、３，６−ジホルミルピリダジンから出発することができ、これを、知られているプロセスにより第一級アルキルおよびアリールアミンと（Ｊ．Ｒ．Ｐｒｉｃｅ、Ｙ．Ｌａｎ、Ｓ．Ｂｒｏｏｋｅｒ  Ｄａｌｔｏｎ  Ｔｒａｎｓ．２００７、１８０７〜１８２０；Ｓ．Ｂｒｏｏｋｅｒ、Ｒ．Ｊ．Ｋｅｌｌｙ、Ｐ．Ｇ．Ｐｌｉｅｇｅｒ  Ｃｈｅｍ．Ｃｏｍｍｕｎ．１９９８、１０７９）ならびにヒドロキシルアミンと（Ｎ．Ｋ．Ｓｚｙｍｃｚｅａｋ、Ｌ．Ａ．Ｂｅｒｂｅｎ、Ｊ．Ｃ．Ｐｅｔｅｒｓ、Ｃｈｅｍ．Ｃｏｍｍｕｎ．２００９、６７２９〜６７３１；またはＢ．Ｍｅｒｎａｒｉ、Ｍ．Ｌａｇｒａｎｅｅ、Ｊ．Ｈｅｔｅｒｏｃｙｃｌｉｃ  Ｃｈｅｍ．１９９６、３３、２０５９〜２０６１）反応させて、それぞれのビスイミンａを生じることができる。
【０１１７】
ビスイミンａから出発すると、銀トリフレートおよびピバル酸クロロメチルを用いた環化により、Ｇｌｏｒｉｕｓがビスイミンについて記載している通り、一般式（４）のビスイミダゾリウム塩４を直接導くことができるが、イミダゾ［１，５−ａ］ピリジニウム塩の調製にもつながる（Ｆ．Ｇｌｏｒｉｕｓ  ＵＳ２００５／０２４００２５  Ａ１；Ｃ．Ｂｕｒｓｔｅｉｎ、Ｃ．Ｗ．Ｌｅｈｍａｎｎ、Ｆ．Ｇｌｏｒｉｕｓ、Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ  ２００５、６１、６２０７〜６２１７）。
【０１１８】
さらなる可能性は、例えば、文献（Ｐ．Ｒ．Ｐｌｉｅｇｅｒ、Ａ．Ｊ．Ｄｏｗｎａｒｄ、Ｂ．Ｍｏｕｂａｒａｋｉ、Ｋ．Ｓ．Ｍｕｒｒａｙ、Ｓ．Ｂｒｏｏｋｅｒ、Ｄａｌｔｏｎ  Ｔｒａｎｓ．２００４、２１５７〜２１６５；Ｓ．Ｂｒｏｏｋｅｒ、Ｓ．Ｓ．Ｉｒｅｍｏｎｇｅｒ、Ｐ．Ｇ．Ｐｌｉｅｇｅｒ、Ｐｏｌｙｈｅｄｒｏｎ  ２００３、２２、６６５〜６７１）から知られている通り、対応するビス（アミノメチル）ピリダジンを生じるための水素化ホウ素ナトリウムを使用したビスイミンの還元である。これは、次いで、ステップ（ｉｉｉ）および（ｉｖ）の後に、一般式（４）に対応するビスイミダゾリウム塩４に同様に転換することができる。
【０１１９】
ヒドロキシルアミンの場合、水素化ホウ素ナトリウムまたは触媒水素化を使用した還元により３，６−ジ（アミノメチル）ピリダジンｄを生じることが可能であり、これを、次いで、（ステップ（ｉｉｉ）と同様に）ギ酸を使用してホルミルアミド化して、化合物ｃを生じ、ステップ（ｉｖ）と同様に、塩化ホスホリルまたは類似の試薬を使用して環化して、ジ（イミダゾ）ピリダジンｆを生じることができる。次いで、これを、ハロゲン化アルキルまたは電子不足のハロゲン化アリールと反応させて、式（Ｉ）に対応するビスイミダゾリウム塩４を生じることができる。この経路は、イミダゾ［１，５−ａ］ピリジニウム塩について記載したものと類似している（Ｍ．Ｎｏｎｎｅｎｍａｃｈｅｒ、ｄｉｓｓｅｒｔａｔｉｏｎ、Ｈｅｉｄｅｌｂｅｒｇ、２００８）。
【化１４】
2014506241.tif 000025
【０１２０】
本出願は、さらに、式（４）の化合物のイオン性液体としての使用に関する。
【０１２１】
本出願は、さらに、一般式（５）のビスカルベンを調製するための方法に関する。
【０１２２】
調製は、本発明において、例えば当業者に知られているプロセスによる脱プロトン化により一般式（４）のビスイミダゾリウム塩から出発して実施される。これらには、（４）の不完全な脱プロトン化も含まれ、モノカルベンあるいはビスイミダゾリウム塩（４）およびモノカルベン、ビスイミダゾリウム塩およびビスカルベン（５）、またはモノカルベンおよびビスカルベン（５）の混合物が生じ、これは塩基等価物により制御することができる。
【０１２３】
脱プロトン化は、一般に、溶媒中で実施される。適切な溶媒は、環式および非環式エーテル、脂肪族および芳香族炭化水素、特にテトラヒドロフランである。
【０１２４】
適切な脱プロトン化剤は、一般に中強度および強塩基、特に金属水素化物、金属アミド、アルキル金属およびアリール金属化合物、金属アルコキシド、金属カルボキシレートおよび嵩高い第三級アミン、特にメチルリチウム、カリウムｔｅｒｔ−ブトキシド、酢酸カリウムおよびリチウムジイソプロピルアミドである。
【０１２５】
脱プロトン化は、式（４）のビスイミダゾリウム塩１当量当たり最大で２０当量、好ましくは最大で１０当量、特に好ましくは最大で１．８〜２．２当量、モノカルベンの場合、ビスイミダゾリウム塩（Ｉ）１当量当たり０．８〜１．２当量の塩基を使用して実施される。
【０１２６】
反応は、一般に、−１１０〜１００℃、特に−７８〜５０℃、特に−３０〜３０℃の温度で実施される。
【０１２７】
ビスイミダゾリウム塩は、通常、溶媒に溶解または懸濁され、塩基は、一度にまたは分割して添加される。塩基の添加が完了すると、反応混合物は、さらなる１秒〜５日間の時間、特に２分間〜６時間、特に５分間および２時間に適応される温度で放置される。モノまたはビスカルベンは、ｉｎ  ｓｉｔｕでさらに加工するか、または濾過により副産物から分離して取り除き、その後の真空中での濾液の蒸発乾固により単離することができ、その間、温度は、カルベンが安定するように適合させなければならない。式（５）のモノおよびビスカルベンは、適切な溶媒により再結晶させることができる。
【０１２８】
本発明は、さらに、式（５）の化合物の有機触媒としての使用に関し、これは、ビスイミダゾリウム塩（４）の不完全な脱プロトン化または不完全なプロトン化により生成されるモノカルベンも意味するものとされる。
【０１２９】
本発明は、さらに、カルボニル化、ヒドロアミノ化、水素化、ヒドロアミノメチル化、ヒドロホルミル化、ヒドロシリル化、ヒドロシアン化、水添二量化、酸化、酸化カップリング、Ｈｅｃｋ反応、Ｔｓｕｊｉ−Ｔｒｏｓｔカップリング、Ｓｕｚｕｋｉ−Ｍｉｙａｕｒａカップリング、Ｋｕｍａｄａカップリング、Ｎｅｇｉｓｈｉカップリング、Ｓｔｉｌｌｅカップリング、Ｓｏｎｏｇａｓｈｉｒａ反応、Ｃ（ｓｐ3）−Ｃ（ｓｐ3）カップリング反応、Ｃ（ｓｐ3）−Ｃ（ｓｐ2）カップリング反応、Ｈａｒｔｗｉｇ−Ｂｕｃｈｗａｌｄアミノ化、Ｕｌｌｍａｎｎ−Ｇｏｌｄｂｅｒｇカップリング、異性化、再配列、Ｄｉｅｌｓ−Ａｌｄｅｒ反応、メタセシス、アルカンおよびアルケンのＣ−Ｈ活性化、１，３−ジエンの１，４−官能化、単鎖重合、オリゴマー化および／または重合からなる群から選択されるプロセスにおける式（１）、（２）および（３）の金属錯体の使用に関する。それらは、一般に、前記反応において触媒として使用される。
【０１３０】
上記の式（１）、（２）もしくは（３）または上記の好ましい態様の錯体は、電子デバイスにおける能動素子としてさらに使用することもできる。したがって、本発明は、さらに、電子デバイスにおける式（１）、（２）もしくは（３）または上記の好ましい態様の化合物の使用に関する。
【０１３１】
本発明は、また、さらに、少なくとも１種の式（１）、（２）もしくは（３）または上記の好ましい態様の化合物を含む電子デバイスに関する。本発明の電子デバイスは、陽極、陰極および少なくとも１種の上述の式（１）、（２）または（３）の化合物を含む少なくとも１つの層を含む。ここで、好ましい電子デバイスは、少なくとも１つの層に少なくとも１種の上述の式（１）、（２）もしくは（３）または上記の好ましい態様の化合物を含む、有機エレクトロルミネッセンスデバイス（ＯＬＥＤ）、有機集積回路（Ｏ−ＩＣ）、有機電界効果トランジスタ（Ｏ−ＦＥＴ）、有機薄膜トランジスタ（Ｏ−ＴＦＴ）、有機発光トランジスタ（Ｏ−ＬＥＴ）、有機太陽電池（Ｏ−ＳＣ）、有機光学検出器、有機感光体、有機電場消光デバイス（Ｏ−ＦＱＤ）、発光電気化学電池（ＬＥＣ）または有機レーザーダイオード（Ｏ−レーザー）からなる群から選択される。
【０１３２】
有機エレクトロルミネッセンスデバイスが特に優先される。能動素子は、一般に、陽極と陰極の間に導入される有機または無機材料、例えば電荷注入、電荷輸送または電荷ブロッキング材料であるが、特に発光材料およびマトリックス材料である。本発明の化合物は、有機エレクトロルミネッセンスデバイスにおける発光材料として特に良好な性質を示す。したがって、本発明の好ましい態様は、有機エレクトロルミネッセンスデバイスである。
【０１３３】
有機エレクトロルミネッセンスデバイスは、陰極、陽極および少なくとも１つの発光層を含む。これらの層とは別に、該デバイスは、さらなる層、例えば、各々の場合、１以上の正孔注入層、正孔輸送層、正孔ブロッキング層、電子輸送層、電子注入層、励起ブロッキング層、電子ブロッキング層、電荷発生層および／または有機もしくは無機ｐ／ｎ接合も含んでいてもよい。例えば、励起ブロッキング機能を有するか、および／またはエレクトロルミネッセンスデバイスにおける電荷バランスを制御する中間層を２つの発光層の間に導入することが同様に可能である。しかし、これらの各々の層が必ず存在していなければならないとは限らないことを指摘すべきである。
【０１３４】
ここで、有機エレクトロルミネッセンスデバイスは、１つまたは複数の発光層を含んでいてもよい。複数の発光層が存在している場合、それらは、好ましくは、全体で３８０ｎｍ〜７５０ｎｍの複数の発光最大値を有し、その結果、全体的に白色の発光が生じ、すなわち、蛍光または燐光を発することができる様々な発光化合物が発光層において使用される。３つの層が青、緑およびオレンジまたは赤色の発光を示す３層系（基本構造に関しては、例えば、ＷＯ２００５／０１１０１３を参照されたい。）または４以上の発光層を有する系が特に優先される。それは、また、１以上の層が蛍光を発し、１以上の他の層が燐光を発するハイブリッド系であってもよい。
【０１３５】
本発明の好ましい態様において、有機エレクトロルミネッセンスデバイスは、式（１）、（２）もしくは（３）または上記の好ましい態様の化合物を１以上の発光層において発光化合物として含む。
【０１３６】
式（１）、（２）もしくは（３）または上記の好ましい態様の化合物が発光層における発光化合物として使用される場合、それは、好ましくは、１以上のマトリックス材料と組み合わせて使用される。本発明の意味におけるマトリックス材料は、一般に＜２５％の体積濃度で発光材料にドープするために発光層において使用することができるが、ドープされた発光体材料とは対照的にそれ自体は発光にほとんど寄与しない材料である。どの材料が発光体層における発光に有意に寄与し、どの材料が寄与しないのか、したがってどの材料が発光体と見なされ、どの材料がマトリックス材料と見なされるのかは、個々の材料の光ルミネッセンススペクトルと発光体層が存在しているＯＬＥＤのエレクトロルミネッセンススペクトルとの比較により認識することができる。式（１）、（２）もしくは（３）または上記の好ましい態様の化合物およびマトリックス材料の混合物は、発光体およびマトリックス材料の混合物全体に対して、０．１〜９９体積％、好ましくは１〜９０体積％、特に好ましくは３〜４０体積％、特に５〜１５体積％の式（１）、（２）もしくは（３）または上記の好ましい態様の化合物を含む。それに対応して、混合物は、発光体およびマトリックス材料の混合物全体に対して、９９．９〜１体積％、好ましくは９９〜１０体積％、特に好ましくは９７〜６０体積％、特に９５〜８５体積％のマトリックス材料を含む。
【０１３７】
使用されるマトリックス材料は、一般に、先行技術によるこの目的に関して知られている全ての材料とすることができる。マトリックス材料の三重項レベルは、好ましくは、発光体の三重項レベルより高い。
【０１３８】
本発明の化合物用の適切なマトリックス材料は、ケトン、ホスフィンオキシド、スルホキシドおよびスルホン、例えばＷＯ２００４／０１３０８０、ＷＯ２００４／０９３２０７、ＷＯ２００６／００５６２７またはＷＯ２０１０／００６６８０によるもの、トリアリールアミン、カルバゾール誘導体、例えばＣＢＰ（Ｎ，Ｎ−ビスカルバゾリルビフェニル）、ｍ−ＣＢＰまたはＷＯ２００５／０３９２４６、ＵＳ２００５／００６９７２９、ＪＰ２００４／２８８３８１、ＥＰ１２０５５２７、ＷＯ２００８／０８６８５１またはＵＳ２００９／０１３４７８４に開示されているカルバゾール誘導体、インドロカルバゾール誘導体、例えばＷＯ２００７／０６３７５４またはＷＯ２００８／０５６７４６によるもの、インデノカルバゾール誘導体、例えばＷＯ２０１０／１３６１０９またはＷＯ２０１１／０００４５５によるもの、アザカルバゾール、例えばＥＰ１６１７７１０、ＥＰ１６１７７１１、ＥＰ１７３１５８４、ＪＰ２００５／３４７１６０によるもの、双極性マトリックス材料、例えばＷＯ２００７／１３７７２５によるもの、シラン、例えばＷＯ２００５／１１１１７２によるもの、アザボロールまたはボロン酸エステル、例えばＷＯ２００６／１１７０５２によるもの、ジアザシロール誘導体、例えばＷＯ２０１０／０５４７２９によるもの、ジアザホスホール誘導体、例えばＷＯ２０１０／０５４７３０によるもの、トリアジン誘導体、例えばＷＯ２０１０／０１５３０６、ＷＯ２００７／０６３７５４またはＷＯ２００８／０５６７４６によるもの、亜鉛錯体、例えばＥＰ６５２２７３またはＷＯ２００９／０６２５７８によるもの、ジベンゾフラン誘導体、例えばＷＯ２００９／１４８０１５によるもの、または、架橋されたカルバゾール誘導体、例えばＵＳ２００９／０１３６７７９、ＷＯ２０１０／０５０７７８、ＷＯ２０１１／０４２１０７、ＷＯ２０１１／０８８８７７、ＷＯ２０１１／１１６８６５、ＷＯ２０１１／１３７９５１または未公開出願ＥＰ１１００３２３２．３によるものである。
【０１３９】
混合物として複数の異なるマトリックス材料、特に少なくとも１種の電子伝導マトリックス材料および少なくとも１種の正孔伝導マトリックス材料を使用することも好ましくてもよい。好ましい組合せは、例えば、本発明の金属錯体としての芳香族ケトン、トリアジン誘導体またはホスフィンオキシド誘導体とトリアリールアミン誘導体またはカルバゾール誘導体との混合マトリックスの使用である。同様に、例えば、ＷＯ２０１０／１０８５７９に記載されている、電荷輸送マトリックス材料および電荷輸送に関与していないかまたはほとんど関与していない電気的に不活性なマトリックス材料の混合物の使用が優先される。
【０１４０】
２以上の三重項発光体の混合物をマトリックスと共に使用することがさらに好ましい。短波発光スペクトルを有する三重項発光体は、ここで、長波発光スペクトルを有する三重項発光体用の共マトリックスとして機能する。したがって、例えば、本発明の式（１）、（２）または（３）の錯体は、より長波長で発光する三重項発光体、例えば緑色または赤色発光三重項発光体用の共マトリックスとして使用することができる。同様に、本発明の錯体は、より短波長で発光する金属錯体と共に三重項発光体として使用することができる。ここで、２種の白金錯体の組合せまたは１種の白金錯体と１種のイリジウム錯体との組合せが優先される。
【０１４１】
本発明の化合物は、電子デバイスにおける他の機能において、例えば正孔注入または輸送層における正孔輸送材料として、電荷発生材料または電子ブロッキング材料として使用することもできる。本発明の錯体は、発光層において他の燐光金属錯体用のマトリックス材料として同様に使用することができる。
【０１４２】
各層に関して先行技術により使用されている全ての材料を、一般に、さらなる層において使用することができ、当業者は、進歩性なしに、電子デバイスにおいてこれらの材料の各々を本発明の材料と組み合わせることができよう。
【０１４３】
該デバイスは、対応して（用途に応じて）構造化され、接点を設けられ、そのようなデバイスの寿命は水および／または空気の存在下で大幅に短縮されるので、最終的に気密封止される。
【０１４４】
さらに、１以上の層が昇華プロセスにより適用される（ここで、材料は、真空昇華装置において、通常１０-5ｍｂａｒ未満、好ましくは１０-6ｍｂａｒ未満の初期圧力で蒸着される）ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンスデバイスが優先される。初期圧力は、さらに低くまたはさらに高く、例えば１０-7ｍｂａｒ未満とすることもできる。
【０１４５】
同様に、１以上の層がＯＶＰＤ（有機気相堆積）プロセスにより、または、キャリアガス昇華を用いてコーティングされる（ここで、材料は、１０-5ｍｂａｒ〜１ｂａｒの圧力で適用される）ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンスデバイスが優先される。このプロセスの特別な場合は、ＯＶＪＰ（有機蒸気ジェット印刷）プロセスであり、ここで、材料は、ノズルを通して直接適用され、したがって構造化される（例えばＭ．Ｓ．Ａｒｎｏｌｄら、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．２００８、９２、０５３３０１）。
【０１４６】
さらに、１以上の層が、溶液から、例えば、スピンコーティングなどにより、または、任意の所望の印刷プロセス、例えば、スクリーン印刷、フレキソ印刷、オフセット印刷またはノズル印刷、特に好ましくはＬＩＴＩ（光誘起熱画像法、熱転写印刷）またはインクジェット印刷などにより製造されることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンスデバイスが優先される。可溶性化合物は、この目的のために必要であり、例えば、適切な置換を通して得られる。
【０１４７】
有機エレクトロルミネッセンスデバイスは、１以上の層を溶液から適用すること、および１以上の他の層を蒸着により適用することによりハイブリッド系として製造することもできる。したがって、例えば、式（１）、（２）または（３）の化合物およびマトリックス材料を含む発光層を溶液から適用すること、ならびに正孔ブロッキング層および／または電子輸送層を真空蒸着によりその上に適用することが可能である。
【０１４８】
これらのプロセスは、一般に当業者に知られており、式（１）、（２）または（３）または上記の好ましい態様の化合物を含む有機エレクトロルミネッセンスデバイスに問題なく当業者が適用することができる。
【０１４９】
本発明の電子デバイス、特に有機エレクトロルミネッセンスデバイスは、先行技術に勝る以下の驚くべき利点により区別される：
１．発光材料として式（１）、（２）または（３）の化合物を含む有機エレクトロルミネッセンスデバイスは、良好な寿命を有する。
【０１５０】
２．発光材料として式（１）、（２）または（３）の化合物を含む有機エレクトロルミネッセンスデバイスは、同時に良好な効率を有する。
【０１５１】
これらの上記の利点は、他の電子的特性の低下を伴うものではない。
【０１５２】
本発明は、以下の例によってより詳細に説明されるが、それにより本発明を限定することを望むものではない。当業者は、進歩性なしに、説明から本発明のさらなる電子デバイスを製造し、したがって、特許請求された範囲全体にわたって本発明を実施することができよう。
【０１５３】
［実施例］
各反応は、別段の定めのない限り、Ｓｃｈｌｅｎｋ技術を使用して空気および湿気を排除して行った。使用した不活性ガスは、Ｗｅｓｔｐｈａｌｅｎ  ＡＧからのアルゴン５．０であった。使用したガラス機器は、油ポンプ真空（＜１０-3ｍｂａｒ）でホットエアガンを用いて加熱することにより使用前に乾燥させ、アルゴンで通気した。溶媒は、標準的方法（Ｗ．Ｌ．Ｆ．Ａｒｍａｒｅｇｏ、Ｃ．Ｌ．Ｌ．Ｃｈａｉ、「Ｐｕｒｉｆｉｃａｔｉｏｎ  ｏｆ  Ｌａｂｏｒａｔｏｒｙ  Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ」、第５版、Ｅｌｓｅｖｉｅｒ、Ｏｘｆｏｒｄ  ２００３）により、またはＭＢｒａｕｎからのＭＢｒａｕｎ−ＳＰＳ−８００溶媒精製システムを使用して無水にした。重水素化溶媒は、標準的方法により同様に乾燥させ、蒸留し、その後の液体窒素中での凍結、上方の気層の排気およびアルゴンによる飽和により脱気した。溶媒の移動は、セプタムおよびカニューレ技術により実施した。固体は、フィルターシリンジ（ＳａｒｔｏｒｉｕｓからのＭｉｎｉｓａｒｔ  ＳＲＰ  １５  ０．４５μｍ）、Ｄ４孔径を有するガラス吸引フィルターを使用して、またはＴｅｆｌｏｎ（登録商標）テープを使用してＴｅｆｌｏｎカニューレに取り付けられたＷｈａｔｍａｎ（登録商標）フィルター（ガラスマイクロファイバーフィルター）を使用して、分離して取り除いた。空気および湿気感受性の固体および液体は、不活性ガスとしてアルゴン５．０を用いながらＭＢｒａｕｎからのグローブボックス（ＭＢｒａｕｎ  Ｌａｂｍａｓｔｅｒ）内で処理した。気密様式で封止することができるＴｅｆｌｏｎスクリューキャップを有する標準的ＮＭＲ管およびＹｏｕｎｇ（登録商標）ＮＭＲ管は、Ｄｅｕｔｅｒｏから得られる。市販されている化学物質は、ＡｃｒｏｓおよびＳｉｇｍａ−Ａｌｄｒｉｃｈから購入した。
【０１５４】
核共鳴スペクトルは、ＢＡＣＳ−６０試料交換器を備えたＢｒｕｋｅｒ  ＡＶＩＩ＋４００分光計で記録した。13Ｃ−ＮＭＲスペクトルは、広帯域｛1Ｈ｝デカップリングにより記録した。化学シフト（δ）は、テトラメチルシランに対するｐｐｍ単位で示す。結合定数（Ｊ）は、ヘルツ（Ｈｚ）単位で示す。1Ｈ−ＮＭＲスペクトル（４００．１３ＭＨｚ）における標準化は、重水素化溶媒の残留するプロトン信号の較正により内部で実施する：ＴＨＦ−ｄ7δ＝１．７３、３．５８；ＣＤ2ＨＣＮδ＝１．９４；ＤＭＳＯ−ｄ5δ＝２．５０およびＣＨＣｌ3δ＝７．２７。13Ｃ｛1Ｈ｝−ＮＭＲスペクトル（１００．６１ＭＨｚ）に使用する内標準は、溶媒信号：ＴＨＦ−ｄ8δ＝２５．５、６７．７；ＣＤ3ＣＮδ＝１．４、１１８．７；ＣＤＣｌ3δ＝７７．０およびＤＭＳＯ−ｄ6δ＝３９．５である。スペクトルの説明において、非常に多数の信号について以下の略語を使用する：ｓ＝一重項、ｄ＝二重項、ｔ＝三重項、ｑ＝四重項、ｍ＝多重項、ｓｅｘｔ＝六重項。ｂｒの付加は、広幅の信号であることを示す。各信号は、適切な２Ｄ実験により割り当てた。
【０１５５】
質量スペクトルは、溶媒としてのアセトニトリルまたはメタノールにおいてＢｒｕｋｅｒ  Ｄａｌｔｏｎｉｃｓ  ＡＰＥＸ  ＩＩ  ＦＴ−ＩＣＲで測定した。全ての測定は、Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ  ｏｆ  ＴｕｂｉｎｇｅｎのＭａｓｓ  Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ  Ｄｅｐａｒｔｍｅｎｔにおいて行った。
【０１５６】
元素分析は、Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ  ｏｆ  ＴｕｂｉｎｇｅｎのＤｅｐａｒｔｍｅｎｔ  ｏｆ  Ｉｎｏｒｇａｎｉｃ  ＣｈｅｍｉｓｔｒｙにおいてＥｌｅｍｅｎｔａｒからのｖａｒｉｏＭｉｃｒｏ  Ｃｕｂｅおよびａ  ｖａｒｉｏＥＬ−ＩＩで行った。
【０１５７】
例１
３，６−ビス（クロロメチル）ピリダジン
【化１５】
2014506241.tif 000026
【０１５８】
３，６−ジメチルピリダジン（６．６０ｇ、６１．０ｍｍｏｌ）の無水ＣＨＣｌ3（４００ｍｌ）溶液を保護ガス雰囲気下で沸騰するまで加熱する。次いで、トリクロロイソシアヌル酸（１２．３ｇ、５２．９ｍｍｏｌ）を１時間の間に少量ずつ添加する。各々の場合、混合物は、短く泡立ち、褐色を帯びた懸濁液が形成され、これをさらに２．５ｈ加熱還流する。室温への冷却後、フリット（Ｄ４）を介してベージュ色の固体を分離して取り除き、濾液を毎回１５０ｍｌの０．２Ｍ  ＮａＯＨ水溶液で２回、および毎回２００ｍｌの水で２回洗浄する。有機相をＮａ2ＳＯ4上で乾燥させ、溶媒を真空中で除去すると、褐色の油が残り、そこに少量のペンタンを添加し、混合物を−３０℃で一晩貯蔵する。形成された褐色の結晶を濾過して取り除き、５０ｍｌの無水ジエチルエーテルで抽出する。エーテル不溶性の褐色の固体を廃棄し、エーテル溶液を真空中で蒸発乾固させる。生成物は、ベージュ色の固体として得られる（４．４９ｇ、４２％）。分解を防止するために、生成物を保護ガス下で−３０℃で貯蔵する。
【０１５９】
1H-NMR (CDCl3, 400.13 MHz):
δ = 7.77 (s, 2H, 4/5-H), 4.92 (s, 4H, CH2).
13C{1H}-NMR (CDCl3, 100.61 MHz):
δ = 158.9 (C3/6), 127.2 (C4/5), 44.2 (CH2).
元素分析:
計算値:    C 40.71    H 3.42    N 15.82
実測値:    C 40.26    H 3.04    N 15.62
例２
３，６−ビス（ｎ−プロピルアミノメチル）ピリダジン
【化１６】
2014506241.tif 000027
【０１６０】
ｎ−プロピルアミン（１．８５ｍｌ、１．３３ｇ、２２．６ｍｍｏｌ）を保護ガス下で例１からの３，６−ビス（クロロメチル）ピリダジン（２００ｍｇ、１．１３ｍｍｏｌ）の無水アセトニトリル（５ｍｌ）溶液に添加する。褐色を帯びた溶液を室温で一晩撹拌し、次いで、蒸発乾固させる。残渣を毎回５ｍｌのジエチルエーテルおよびアセトニトリルの混合物（１：１）で２回、ならびにジエチルエーテル（５ｍｌ）で１回抽出する。溶液を真空中で蒸発させ、油状残渣を−３０℃でジエチルエーテルから再結晶させる。生成物は、黄褐色の固体として得られる（１７４ｍｇ、６９％）。
【０１６１】
1H-NMR (CD3CN, 400.13 MHz):
δ = 7.56 (s, 2H, 4/5-H), 3.99 (s, 4H, NCH2), 2.54 (t, 3JHH = 7.1 Hz, 4H, NCH2-Pr), 1.91 (s, br, 2H, NH), 1.48 (六重線, 3JHH = 7.3 Hz, 4H, CH2-Pr), 0.90 (t, 3JHH = 7.4 Hz, 6H, CH3-Pr).
13C{1H}-NMR (CD3CN, 100.61 MHz):
δ = 162.7 (C3/6), 127.5 (C4/5), 54.3 (NCH2), 52.4 (NCH2-Pr), 24.3 (CH2-Pr), 12.5 (CH3-Pr).
同様に下記化合物が調製される。
【表２】
2014506241.tif 000028
【０１６２】
例９
３，６−ビス（ｎ−プロピルホルムアミドメチル）ピリダジン
【化１７】
2014506241.tif 000029
【０１６３】
例２からの３，６−ビス（ｎ−プロピルアミノメチル）ピリダジン（１．６０ｇ、７．１８ｍｍｏｌ）をアルゴン雰囲気下でギ酸（純度９９＋％、１０ｍｌ）および無水酢酸（１．５ｍｌ）の混合物に添加する。ガスのわずかな放出が発生し、黄褐色の溶液が形成され、これを室温で１．５ｈ撹拌する。５ｍｌの水を、次いで、添加し、溶液を真空中で蒸発乾固させる。油状の褐色の残渣を毎回１０ｍｌのジエチルエーテルで５回抽出する。エーテル溶液をＮａ2ＳＯ4上での乾燥後、真空中で蒸発乾固させると、生成物は、その３種の異性体Ａ、ＢおよびＣの形態の黄色がかった油として得られ、これは、さらに精製せずに使用することができる（１．７５ｇ、８８％）。
【０１６４】
1H-NMR (CD3CN, 400.13 MHz): 
(異性体A, BおよびCをできる限り帰属させた)
δ = 8.34, 8.33, (各々s, 3H, CHO, AおよびB), 8.21, 8.20 (各々s, 3H, CHO, BおよびC), 7.72 (s, 2H, 4/5-H, A), 7.65 (d, 1H, 3JHH=8.6 Hz, 4/5-H, B), 7.56 (d, 1H, 3JHH=8.6 Hz, 4/5-H, B), 7.51 (s, 2H, 4/5-H, C), 4.75 (s, 4H, NCH2, A), 4.73 (s, 2H, NCH2, B), 4.70 (s, 2H, NCH2, B), 4.69 (s, 4H, NCH2, C), 3.24-3.28 (m, 6H, NCH2-Pr, BおよびC), 3.06-3.10 (m, 6H, NCH2-Pr, AおよびB), 1.42-1.51 (m, 6H, CH2-Pr, BおよびC), 1.30-1.40 (m, 6H, CH2-Pr, AおよびB), 0.71-0.78 (m, 18H, CH3-Pr, A, BおよびC).
13C{1H}-NMR (CD3CN, 100.61 MHz): 
(異性体A, BおよびCをできる限り帰属させた)
δ = 163.5, 163.3 (各々の場合に2つのシグナル, CHO, A, BおよびC), 158.8, 158.4 (各々の場合に2つのシグナル, C3/6, A, BおよびC), 126.7 (C4/5, A), 126.6 (C4/5, B), 126.5 (C4/5, B), 126.4 (C4/5, C), 50.1 (2つのシグナル, NCH2, AおよびB), 48.8 (2つのシグナル, NCH2-Pr, BおよびC), 45.3, 45.2 (NCH2, BおよびC), 43.4 (2つのシグナル, NCH2-Pr, AおよびB), 21.1 (CH2-Pr, BおよびC) 19.8 (CH2-Pr, AおよびB), 11.0, 10.6 (CH3-Pr, A, BおよびC).
同様に下記化合物が調製される。
【表３】
2014506241.tif 000030
【０１６５】
例１６
ビスイミダゾリウム塩
【化１８】
2014506241.tif 000031
【０１６６】
ＰＯＣｌ3（１．２６ｍｌ、２．１２ｇ、１４ｍｍｏｌ）を１００ｍｌの無水トルエン中の例９からの３，６−ビス（ｎ−プロピルホルムアミドメチル）ピリダジンの３種の異性体の混合物（１．７５ｇ、６．２８ｍｍｏｌ）に添加する。反応混合物を８５℃で一晩撹拌し、その間に褐色の油がフラスコの壁に形成される。２０ｈ後、溶媒を真空中で除去し、２５ｍｌのＴＨＦ、５０ｍｌのＴＨＦ／ペンタンの混合物（１：１）および２５ｍｌのペンタンを使用して油状残渣を精製する。褐色を帯びた残渣を可能な最小量の水（約１０ｍｌ）に溶解する。ＫＰＦ6の飽和水溶液（２．１３ｇ、１３ｍｍｏｌ）を水溶液に添加すると、ベージュ色の固体が直ちに沈殿する。固体を濾過して取り除き、冷水（２０ｍｌ）および乾燥ジエチルエーテル（５０ｍｌ）で洗浄する。真空中で乾燥させることによりベージュ色の固体として生成物が生じる（１．８２ｇ、５４％）。
【０１６７】
1H-NMR (CD3CN, 400.13 MHz):
δ = 9.36 (s, 2H, 5/8-H), 8.06 (s, 2H, 3/10-H), 7.57 (s, 2H, 1/2-H), 4.47 (t, 3JHH = 7.1 Hz, 4H, NCH2), 2.02 (六重線, 4H, 3JHH = 7.3 Hz, CH2), 1.00 (t, 6H, 3JHH = 7.4 Hz, CH3).
13C{1H}-NMR (CD3CN, 100.61 MHz):
δ = 127.2 (C5/8), 125.9 (C2a/10a), 119.4 (C3/10), 116.1 (C1/2), 54.8 (NCH2), 24.2 (CH2), 10.7 (CH3).
19F-NMR (CD3CN, 376.50 MHz):
δ = -72.9 (d, JFP = 706.9 Hz, PF6-).
【表４】
2014506241.tif 000032
【０１６８】
例２３
ＮＭＲ実験における遊離カルベンの合成
【化１９】
2014506241.tif 000033
【０１６９】
例６からのビスイミダゾリウム塩（１０．０ｍｇ、０．０１９ｍｍｏｌ）をＹｏｕｎｇのＮＭＲ管においてアルゴン雰囲気下で０．５ｍｌの無水ＴＨＦ−ｄ8に懸濁し、メチルリチウム（０．８ｍｇ、０．０４ｍｍｏｌ）を添加する。カルベンの褐色を帯びた溶液が形成され、これは、その後、カルベンの漸進的な分解と共に暗色となり、室温で黒色となる。メチルリチウムの添加の直後に記録した1Ｈ−ＮＭＲスペクトルは、２種のイミダゾリウムプロトンの信号の消失を示す。
【０１７０】
1H-NMR (THF-d8, 400.13 MHz):
δ = 7.57 (s, 2H, 1/2-H), 7.03 (s, 2H, 3/10-H), 4.19 (t, 4H, 3JHH=7.0 Hz, NCH2), 1.93 (六重線, 4H, 3JHH=7.2 Hz, CH2), 0.95 (t, 6H, 3JHH=7.4 Hz, CH3).
13C{1H}-NMR (THF-d8, 100.61 MHz):
δ = 124.7 (C2a/10a), 117.0 (C3/10), 113.2 (C1/2), 54.7 (NCH2), 22.3 (CH2), 11.4 (CH3), C5/8は検出されず.
例２４
Ｐｔカルベン錯体
【化２０】
2014506241.tif 000034
【０１７１】
４．８０ｇ（１０．０ｍｍｏｌ）の例１７からのビスイミダゾリウム塩、２．４７ｇ（１０．０ｍｍｏｌ）の白金（ＩＩ）シアニド、２．９７ｇ（３０．０ｍｍｏｌ）の酢酸カリウムおよび１００ｍｌのアセトニトリルの混合物を５０℃で２０ｈ撹拌する。冷却後、反応混合物を約３０ｍｌまで蒸発させ、形成された固体を吸引濾過し、毎回５ｍｌのアセトニトリルで３回および毎回５ｍｌのｎ−ヘプタンで３回洗浄し、次いで、減圧中で乾燥させる。精製は、３回の分別昇華により実施する（ｐ約１０-6ｍｂａｒ、Ｔ＝２６０〜２８０℃）。収率：１．２７ｇ（２．９ｍｍｏｌ）、２９％。純度：1Ｈ−ＮＭＲによると＞９９．５％。
【０１７２】
同様に下記化合物が調製される。
【表５】
2014506241.tif 000035
【０１７３】
例２９
Ｐｔカルベン錯体
【化２１】
2014506241.tif 000036
【０１７４】
６．３２ｇ（１０ｍｍｏｌ）の例２１のビスイミダゾリウム塩、３．５FF10ｇ（１０ｍｍｏｌ）のジメチルジ（１−Ｓ−ジメチルスルホキシジル）白金（ＩＩ）、２．９７ｇ（３０ｍｍｏｌ）の酢酸カリウムおよび１００ｍｌのベンゾニトリルの混合物を５０℃で１０ｈ撹拌する。反応混合物をその後１６０℃で１２ｈ加熱し、次いで、冷却させ、ベンゾニトリルを真空中で除去し、ジクロロメタンを用いて残渣をシリカゲルでクロマトグラフする。真空中で黄色の溶出液からジクロロメタンを除去し、ジクロロメタンを用いて残渣をシリカゲルで再びクロマトグラフし、溶媒を取り除いた後、ＤＭＦから３回再結晶させる。さらなる精製は、３回の分別昇華により実施する（ｐ約１０-6ｍｂａｒ、Ｔ＝２９０〜３００℃）。収率：１．４４ｇ（２．７０ｍｍｏｌ）、２７％。純度：1Ｈ−ＮＭＲによると＞９９．５％。
【０１７５】
例３０
Ｉｒカルベン錯体
【化２２】
2014506241.tif 000037
【０１７６】
４．８０ｇ（１０ｍｍｏｌ）の例１７からのビスイミダゾリウム塩、７．７１ｇ（１０ｍｍｏｌ）のカルボニルビス（トリフェニルホスフィノ）イリジウム（Ｉ）シアニド、２．９７ｇ（３０ｍｍｏｌ）の酢酸カリウムおよび１００ｍｌのアセトニトリルの混合物を５０℃で２０ｈ撹拌する。冷却後、反応混合物を約３０ｍｌまで蒸発させ、形成された固体を吸引濾過し、毎回５ｍｌのアセトニトリルで３回および毎回５ｍｌのｎ−ヘプタンで３回洗浄し、次いで、減圧中で乾燥させる。精製は、３回の分別昇華により実施する（ｐ約１０-6ｍｂａｒ、Ｔ＝２６０〜２８０℃）。収率：１．２１ｇ（２．５９ｍｍｏｌ）、２６％。純度：1Ｈ−ＮＭＲによると＞９９．５％。
【０１７７】
同様に下記化合物が調製される。
【表６】
2014506241.tif 000038
【０１７８】
例３３
Ｏｓカルベン錯体
【化２３】
2014506241.tif 000039
【０１７９】
９．６ｇ（２０ｍｍｏｌ）の例１７のビスイミダゾリウム塩、４．３９ｇ（１０ｍｍｏｌ）のヘキサクロロオスミウム（ＩＩ）酸アンモウニウム（ammounium hexachloroosmate(II)）、９．９７ｇ（６０ｍｍｏｌ）のシュウ酸二カリウムおよび１００ｍｌのエチレングリコールの混合物を１６０℃で１２ｈ撹拌する。冷却後、２．２６ｇ（１１ｍｍｏｌ）の亜ジチオン酸ナトリウムの５ｍｌの水溶液を添加し、混合物を室温でさらに２ｈ撹拌し、３００ｍｌの水を滴下添加し、沈殿した固体を吸引濾過し、毎回１０ｍｌのメタノール／水混合物（１：１、ｖｖ）で３回、毎回１０ｍｌのメタノールで３回洗浄し、次いで、減圧中で乾燥させる。ジクロロメタンを用いて残渣をシリカゲルでクロマトグラフする。真空中で黄色の溶出液からジクロロメタンを除去し、ジクロロメタンを用いて残渣をシリカゲルで再びクロマトグラフし、溶媒を取り除いた後、ＤＭＦから３回再結晶させる。さらなる精製は、３回の分別昇華により実施する（ｐ約１０-6ｍｂａｒ、Ｔ＝３４０〜３５０℃）。収率：２．００ｇ（３．０５ｍｍｏｌ）、３０％。純度：1Ｈ−ＮＭＲによると＞９９．５％。
【０１８０】
例３４
Ｃｕカルベン錯体
【化２４】
2014506241.tif 000040
【０１８１】
Ｃｕ2Ｏ（２９．５ｍｇ、０．２０６ｍｍｏｌ）を例１６からのビスイミダゾリウム塩（１００ｍｇ、１８７μｍｏｌ）の無水ＣＨ3ＣＮ（１０ｍｌ）溶液に添加する。懸濁液を１００℃で一晩撹拌する。室温への冷却後、混合物をセライトを通して濾過し、濾液を真空中で蒸発乾固させる。残渣をＣＨ2Ｃｌ2（１０ｍｌ）で抽出し、溶液を真空中で蒸発乾固させる。油状残渣をペンタン（１０ｍｌ）中で１ｈ撹拌し、濾過して取り除く。真空中で乾燥させることにより、ベージュ色の固体として生成物が生じる（６９ｍｇ、８２％）。
【０１８２】
1H-NMR (CD3CN, 400.13 MHz):
δ = 7.56 (s, 4H, 3/10-H), 7.06 (s, 4H, 2/10-H), 4.42 (t, 8H, 3JHH=7.5 Hz, NCH2), 1.99 (六重線, 8H, 3JHH=7.5 Hz, CH2), 0.98 (t, 12H, 3JHH = 7.4 Hz, CH3). 
13C{1H}-NMR (CD3CN, 100.61 MHz):
δ = 167.9 (C5/8, 1H,13C-HMBCから), 126.8 (C2a/10a), 117.7 (C3/10), 113.8 (C1/2), 55.3 (NCH2), 25.6 (CH2), 11.3 (CH3).
例３５
Ａｇカルベン錯体
【化２５】
2014506241.tif 000041
【０１８３】
Ａｇ2Ｏ（４３ｍｇ、０．２０６ｍｍｏｌ）を例１６からのビスイミダゾリウム塩（１００ｍｇ、１８７μｍｏｌ）の無水ＣＨ3ＣＮ（１０ｍｌ）溶液に添加する。黒っぽい懸濁液を遮光しながら５０℃で一晩撹拌し、ヨウ化ナトリウム（７５ｍｇ、５００ｍｍｏｌ）を次いで添加する。室温への冷却後、混合物をセライトを通して濾過し、溶液を真空中で蒸発乾固させる。残渣を無水ＣＨ2Ｃｌ2（１０ｍｌ）で抽出し、溶液を真空中で蒸発乾固させる。油状残渣を無水ペンタン（１０ｍｌ）中で一晩撹拌し、濾過して取り除き、真空中で乾燥させる。生成物は、ベージュ色の固体として得られる（８２ｍｇ、８８％）。
【０１８４】
1H-NMR (DMSO-d6, 400.13 MHz):
δ = 8.23 (s, 4H, 3/10-H), 7.40 (s, 4H, 1/2-H), 4.44 (t, 8H, 3JHH=7.3 Hz, NCH2), 1.96 (六重線, 8H, 3JHH=7.4 Hz, CH2), 0.94 (t, 12H, 3JHH = 7.4 Hz, CH3).
13C{1H}-NMR (DMSO-d6, 100.61 MHz):
δ = 168.0 (C5/8, 1H,13C-HMBC), 126.3 (C2a/10a), 117.9 (C3/10), 113.2 (C1/2), 55.3 (NCH2), 24.6 (CH2), 10.7 (CH3).
元素分析: C14H18AgIN4
計算値:    C 35.24    H 3.80    N 11.74
実測値:    C 34.64    H 4.92    N 11.47
例３６
Ａｕカルベン錯体
【化２６】
2014506241.tif 000042
【０１８５】
Ａｇ2Ｏ（４７．７ｍｇ、２０６μｍｏｌ）をビスイミダゾリウム塩、例１６（１００ｍｇ、１８７μｍｏｌ）の無水ＣＨ3ＣＮ（１０ｍｌ）溶液に添加する。黒っぽい懸濁液を遮光しながら５０℃で一晩撹拌する。次いで、沈殿物を濾過して取り除き、［ＡｕＣｌ（ＳＭｅ2）］（５２．４ｍｇ、１７８μｍｏｌ）を濾液に添加する。青白い固体が直ちに沈殿し、これは、時間とともに灰色となる。混合物を室温で７ｈ撹拌する。混合物を、次いで、セライトを通して濾過し、濾液を真空中で蒸発乾固させる。黄色の残渣をＣＨ2Ｃｌ2（１０ｍｌ）で抽出し、溶液を蒸発乾固し、黄色の懸濁液の形成と共に油状残渣をペンタン（１０ｍｌ）中で一晩撹拌する。固体の真空中での濾過および乾燥により、黄色の固体として生成物が生じる（９７ｍｇ、８９％）。
【０１８６】
1H-NMR (CD3CN, 400.13 MHz):
δ = 7.80 (s, 2H, 3/10-H), 7.26 (s, 2H, 1/2-H), 4.47 (t, 4H, 3JHH=7.3 Hz, NCH2), 2.03 (六重線, 4H, 3JHH=7.4 Hz, CH2), 0.97 (t, 6H, 3JHH = 7.4 Hz, CH3).
1H-NMR (DMSO-d6, 400.13 MHz):
δ = 8.29 (s, 4H, 3/10-H), 7.44 (s, 4H, 1/2-H), 4.50 (t, 8H, 3JHH=7.2 Hz, NCH2), 1.98 (六重線, 8H, 3JHH=7.4 Hz, CH2), 0.94 (t, 12H, 3JHH = 7.4 Hz, CH3).
13C{1H}-NMR (DMSO-d6, 100.61 MHz):
δ = 170.0 (C5/8), 127.2 (C2a/10a), 118.1 (C3/10), 113.8 (C1/2), 55.4 (NCH2), 24.4 (CH2), 10.7 (CH3).
例３７
Ｐｄカルベン錯体
【化２７】
2014506241.tif 000043
【０１８７】
例１６からのビスイミダゾリウム塩（１５０ｍｇ、０．２８１ｍｍｏｌ）およびＰｄ（ＯＡｃ）2（６３．０ｍｇ、０．２８ｍｍｏｌ）を１５ｍｌの無水ＣＨ3ＣＮに溶解し、ＮａＩ（８４．２ｍｇ、０．５６ｍｍｏｌ）を添加する。黄色の溶液はこのプロセスにおいて暗色となる。混合物を５０℃で一晩撹拌し、２０ｈ後に黄色の溶液中で赤色の固体が形成される。溶液を濾過して取り除き、固体をＣＨ3ＣＮ（１０ｍｌ）およびペンタン（５ｍｌ）で洗浄する。真空中で乾燥させることにより、赤色の固体の生成物が生じる。
【０１８８】
1H-NMR (DMSO-d6, 400.13 MHz):
δ = 8.11 (s, 2H, 3/10-H), 7.16 (s, 2H, 1/2-H), 4.91 (t, 4H, 3JHH=7.5 Hz, NCH2), 2.11 (六重線, 4H, 3JHH=7.3 Hz, CH2), 0.97 (t, 6H, 3JHH =7.3 Hz, CH3).
13C{1H}-NMR (DMSO-d6, 100.61 MHz):
δ = 127.6 (C2a/10a), 118.25 (C3/10), 112.6 (C1/2), 55.4 (NCH2), 23.2 (CH2), 10.8 (CH3), C5/8は検出されず.
元素分析: C14H18I2N4Pd
計算値:    C 27.91    H 3.01    N 9.30
実測値:    C 27.50    H 2.75    N 8.83
例３８
Ｒｈカルベン錯体
【化２８】
2014506241.tif 000044
【０１８９】
ビスイミダゾリウム塩、例１６（１０．０ｍｇ、１８．７μｍｏｌ）、［Ｒｈ（μ−Ｃｌ）（ｃｏｄ）］2（４．６ｍｇ、９．３μｍｏｌ）およびＫＯＡｃ（１．８ｍｇ、１９μｍｏｌ）をＣＤ3ＣＮ（０．５ｍｌ）に懸濁する。青白い固体を有する黄色の懸濁液が形成し、これは、３ｈ後、非対称性Ｒｈ（Ｉ）錯体の完全な転換および形成を示す。
【０１９０】
1H-NMR (CD3CN, 400.13 MHz):
δ = 12.63 (s, br, 1H, 8-H), 7.83 (d, 1H, 4JHH = 1.8 Hz, 10-H), 7.67 (s, 1H, 3-H), 7.25 (d, 1H, 3JHH = 10.3 Hz, 1-H), 7.12 (d, 1H, 3JHH = 10.3 Hz, 2-H), 5.18-5.28 (m, 2H, =CHcod), 4.96 (ddd, 2JHH = 13.2 Hz, 3JHH = 8.8 Hz, 3JHH = 6.3 Hz, 1H, 11-H), 4.59 (ddd, 2JHH = 13.2 Hz, 3JHH = 8.7 Hz, 3JHH = 6.4 Hz, 1H, 11-H), 4.45-4.58 (m, 2H, 11'-H), 3.61-3.69 (m, 1H, =CHcod), 3.49-3.57 (m, 1H, =CHcod), 2.37-2.60 (m, 4H, CH2cod), 2.02-2.23 (m, 8H, CH2cod, 12/12'-H), 1.08 (t, 3H, 3JHH = 7.4 Hz, 13-H), 1.05 (t, 3H, 3JHH = 7.4 Hz, 13'-H).
13C{1H}-NMR (CD3CN, 100.61 MHz):
δ = 127.2 (C10a), 127.1 (C2a), 126.0 (C8), 119.0 (C3), 117.9 (C10), 117.3 (C1), 111.9 (C2), 102.5 (d, 1JRhC = 7.1 Hz, =CHcod), 101.4 (d, 1JRhC = 7.1 Hz, =CHcod), 74.1 (br, =CHcod), 56.2 (C11), 54.2 (C11'), 34.1 (CH2cod), 32.4 (CH2cod), 30.0 (CH2cod), 29.4 (CH2cod), 25.2 (C12), 24.5 (C12'), 11.5 (C13), 10.9 (C13').
例３９
Ｒｈカルベン錯体
【化２９】
2014506241.tif 000045
【０１９１】
ビスイミダゾリウム塩、例１６（１５．０ｍｇ、２８．１μｍｏｌ）、［Ｒｈ（μ−Ｃｌ）（ＣＯ）］2（５．５ｍｇ、１４μｍｏｌ）およびＫＯＡｃ（２．８ｍｇ、２８μｍｏｌ）をＣＤ3ＣＮ（０．５ｍｌ）に懸濁する。青白い固体を有する黄色の懸濁液が形成し、これは、４０℃で３ｈ後、非対称性Ｒｈ（Ｉ）錯体の完全な転換および形成を示す。
【０１９２】
1H-NMR (CD3CN, 400.13 MHz):
δ = 11.46 (d, 1H, 4JHH = 1.6 Hz, 8-H), 7.85 (d, 1H, 4JHH = 1.6 Hz, 10-H), 7.36 (d, 1H, 3JHH = 10.3 Hz, 1-H), 7.23 (d, 1H, 3JHH = 10.3 Hz, 2-H), 4.50-4.62 (m, 2H, 11-H), 4.45 (t, 2H, 3JHH = 7.1 Hz, 11'-H), 1.97-2.09 (m, 4H, 12/12'-H), 1.00 (t, 3H, 3JHH = 7.4 Hz, 13-H), 0.99 (t, 3H, 3JHH = 7.4 Hz, 13'-H).
13C{1H}-NMR (CD3CN, 100.61 MHz):
δ = 186.0 (d, 1JRhC = 56.0 Hz, CO), 182.2 (d, 1JRhC = 73.0 Hz, CO), 165.6 (d, 1JRhC = 44.7 Hz, C5), 127.6 (C2a), 127.0 (C10a), 126.4 (C8), 119.6 (C3), 117.9 (C10), 117.0 (C1), 112.9 (C2), 56.7 (C11), 53.9 (C11'), 25.1 (C12), 24.6 (C12'), 11.2 (C13), 10.7 (C13').
例４０
Ｒｈカルベン錯体
【化３０】
2014506241.tif 000046
【０１９３】
ＫＯＡｃを使用した脱プロトン化：
ＫＯＡｃ（１．８ｍｇ、１９μｍｏｌ）をｉｎ  ｓｉｔｕで生成した非対称性Ｒｈ（Ｉ）錯体、例３８（１１．９ｍｇ、１８．７μｍｏｌ）の０．５ｍｌの無水ＣＤ3ＣＮ溶液に添加する。この添加の間、溶液はいくぶん黒っぽくなり、３０ｍｉｎ後、対称性錯体への転換をＮＭＲ分光分析法により観察することができる。
【０１９４】
Ａｇ2Ｏを使用した脱プロトン化：
Ａｇ2Ｏ（３．３ｍｇ、１４μｍｏｌ）をｉｎ  ｓｉｔｕで生成した非対称性Ｒｈ（Ｉ）錯体、例３８（１６．８ｍｇ、２８．１μｍｏｌ）の０．５ｍｌの無水ＣＤ3ＣＮ溶液に添加する。灰色の固体が沈殿し、対称性錯体の形成をＮＭＲ分光分析法により追跡することができる。
【０１９５】
1H-NMR (CD3CN, 400.13 MHz):
δ = 7.44 (s, 2H, 3/10-H), 7.16 (s, 2H, 1/2-H), 5.37 (s, br, 4H, CHcod), 3.96 (t, 4H, 3JHH = 7.4 Hz, NCH2), 2.33-2.36 (m, 4H, CH2cod), 2.18-2.24 (m, 4H, CH2cod), 1.90 (六重線, 4H, 3JHH = 7.4 Hz, CH2), 0.96 (t, 6H, 3JHH = 7.4 Hz).
13C{1H}-NMR (CD3CN, 100.61 MHz):
δ = 160.9 (d, 1JRhC = 54.2 Hz, C5/8), 122.5 (C2a/10a), 117.7 (C3/10), 114.8 (C1/2), 86.8 (d, 1JRhC = 9.0 Hz, CHcod), 52.8 (NCH2), 31.7 (CH2cod), 31.5 (CH2cod), 26.0 (CH2), 11.2 (CH3).
例
ＯＬＥＤの製造
本発明のＯＬＥＤは、本明細書に記載の状況（層厚さの変動、使用する材料）に適応させたＷＯ２００４／０５８９１１に従う一般的プロセスにより製造する。
【０１９６】
様々なＯＬＥＤに関する結果は、以下の例４１〜４９（表１および２）に示す。厚さ１５０ｎｍの構造化ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）でコーティングされたガラス板を、加工性の改善のために２０ｎｍのＰＥＤＯＴ（ポリ（３，４−エチレンジオキシ−２，５−チオフェン）、水からのスピンコーティングにより適用する；Ｈ．Ｃ．Ｓｔａｒｃｋ、Ｇｏｓｌａｒ、Ｇｅｒｍａｎｙから購入）でコーティングする。これらのコーティングされたガラス板は、ＯＬＥＤが適用される基材を形成する。ＯＬＥＤは、原理上、以下の層構造：基材／正孔注入層（ＨＩＬ）／正孔輸送層（ＨＴＬ）／発光層（ＥＭＬ）／正孔ブロッキング層（ＨＢＬ）／電子輸送層（ＥＴＬ）／電子注入層（ＥＩＬ）および最終的に陰極を有する。陰極は、厚さ１００ｎｍのアルミニウム層により形成する。
【０１９７】
最初に、真空処理したＯＬＥＤについて説明する。この目的のために、全ての材料を真空チャンバにおいて熱蒸着により適用する。ここで、発光層は、常に、少なくとも１種のマトリックス材料（ホスト材料）および発光ドーパント（発光体）からなり、発光ドーパントとマトリックス材料（１以上）を特定の体積割合で同時蒸着により混ぜ合わせる。ここで、Ｍ１：Ｍ２：例ＸＹ（５５％：３５％：１０％）などの表現は、材料Ｍ１が５５％の体積割合で該層に存在し、Ｍ２が３５％の割合で該層に存在し、例ＸＹの発光体が１０％の割合で該層に存在することを意味する。ＯＬＥＤの正確な構造を表１に示す。ＯＬＥＤの製造に使用した材料を表３に示す。
【０１９８】
ＯＬＥＤは、標準的方法により特徴付けられる。この目的のために、エレクトロルミネッセンススペクトル、電流効率（ｃｄ／Ａで測定）および電圧（Ｖ単位で１０００ｃｄ／ｍ2で測定）を電流／電圧／輝度特性線（ＩＵＬ特性線）から決定する。選択した実験のために、寿命を決定する。寿命は、その時間を超えると、光束密度が特定の初期の光束密度から特定の割合に低下する時間として定義する。ＬＴ５０という表現は、示している寿命が、光束密度が初期の光束密度の５０％、すなわち、例えば、４０００ｃｄ／ｍ2から、２０００ｃｄ／ｍ2に低下する時間であることを意味する。発光色に応じて様々な初期の輝度を選択する。寿命に関する値は、当業者に知られている転換式を用いて他の初期の光束密度に関する数値に転換することができる。１０００ｃｄ／ｍ2という初期の光束密度の寿命がここでは通常の数値である。
【０１９９】
燐光ＯＬＥＤにおける発光体材料としての本発明の化合物の使用
本発明の化合物は、とりわけ、ＯＬＥＤの発光層において燐光発光体材料として使用することができる。中心原子ＩｒおよびＰｔを含有する金属錯体をここで使用する。ＯＬＥＤに関する結果を表２において要約する。ＯＬＥＤの場合、本発明の材料により効率的な発光ＯＬＥＤが得られることがここで分かっている。
【表７】
2014506241.tif 000047
【表８】
2014506241.tif 000048
【表９】
2014506241.tif 000049
【０２００】
本発明の材料は、溶液から使用することもでき、その場合、それらは、良好な性質を有するにもかかわらず、真空処理されたＯＬＥＤと比較して単純なＯＬＥＤとなる。このタイプの素子の製造は、文献（例えばＷＯ２００４／０３７８８７）において既に何回も記載されているポリマー発光ダイオード（ＰＬＥＤ）の製造に基づいている。その構造は、基材／ＩＴＯ／ＰＥＤＯＴ（８０ｎｍ）／中間層／発光層（８０ｎｍ）／陰極からなる。使用する中間層は、正孔注入に役立ち；この場合、ＭｅｒｃｋからのＨＩＬ−０１２を使用する。本発明の場合、本発明の発光体は、マトリックス以外の発光層のためにトルエンまたはＴＨＦに溶解する。そのような溶液の一般的な固形分は、今回のように、スピンコーティングによりデバイスの一般的な層厚さを８０ｎｍにする場合、１６〜２５ｇ／ｌである。発光層は、不活性ガス、本発明の場合はアルゴン雰囲気でスピンコーティングにより適用し、１２０℃で１０ｍｉｎ加熱することにより乾燥させる。最終的に、バリウムおよびアルミニウムを含む陰極を真空蒸着により適用する。上述の例において使用した層ＨＢＬおよびＥＴＬは、蒸着によりＥＭＬと陰極の間に適用することもでき、中間層は、また、１以上の層により置きかえてもよく、これらは、溶液からのＥＭＬ沈着というその後の加工ステップにより再び分離されないという条件を満たすだけでよい。溶液処理したデバイスは、マトリックスＰＳ（ポリスチレン）：Ｍ１：Ｍ２：例ＸＹ（３０％：２０％：４０％：１０％）において標準的であると特徴付けられ、前記ＯＬＥＤ例は、未だ最適化されていない。表４は、得られたデータを要約したものである。溶液処理したＯＬＥＤの場合、本発明の材料により効率的な発光ＯＬＥＤが得られることがここで分かっている。
【表１０】
2014506241.tif 000050
【国際調査報告】
2014506241.tif 000056
2014506241.tif 000057
2014506241.tif 000058
2014506241.tif 000059