(57)【要約】  本発明は、高電圧発電機のステータバーに加わる磁束の半径方向成分を測定するための磁束センサに関する。この磁束センサは、光ファイバに形成され磁歪コーティングで囲まれたファイバブラッググレーティングを有している。磁歪コーティングは、ファイバに歪みが加わり磁束が変化することに反応し、そのような歪みによってブラッググレーティングの反射波長が変化し、それによって磁束の測定が行われる。１つの実施形態によれば、１つまたは複数の磁束センサが、個々のステータバーの絶縁層内にそのまま配置される。
2014524035.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高電圧発電機のステータコアにおける磁束を測定するための磁束センサシステムにおいて、
前記ステータコアの少なくとも１つのステータバーに相対して配置された少なくとも１つの磁歪ブラッググレーティング（ＭＢＧ）センサと、分析装置とが設けられており、
該少なくとも１つの磁歪ブラッググレーティングセンサは、光ファイバに形成されたファイバブラッググレーティング（ＦＢＧ）と、磁歪材料から成る外層コーティングとを有しており、
前記分析装置は、前記光ファイバに光入力信号を供給し、前記少なくとも１つの磁歪ブラッググレーティングセンサから反射した光信号を受信し、該反射した光信号によって、前記ステータバーからの磁束を測定することを特徴とする、
磁束センサシステム。
【請求項２】
前記少なくとも１つの磁歪ブラッググレーティングセンサは、前記ステータコアにおけるステータ歯間のスロット内に設けられている、請求項１記載のシステム。
【請求項３】
前記少なくとも１つの磁歪ブラッググレーティングセンサは、フィラーエリア内でウェッジと前記ステータバーとの間に配置されている、請求項２記載のシステム。
【請求項４】
前記少なくとも１つの磁歪ブラッググレーティングセンサは、前記ステータバー内部で積み重ねられた複数のステータバー撚り線周囲の保護層内のプロフィルストリップに配置されている、請求項２記載のシステム。
【請求項５】
前記磁歪材料から成るコーティングは磁歪バルク材料である、請求項１記載のシステム。
【請求項６】
前記磁歪材料は Terfenol-D, GalfenolおよびMETGLAS（登録商標）から成るグループから選択される、請求項５記載のシステム。
【請求項７】
前記磁歪材料から成るコーティングは薄膜材料である、請求項１記載のシステム。
【請求項８】
前記薄膜材料は、Sm-Fe, Tb-Fe, FeTb, FeCoから成るグループから選択される、請求項７記載のシステム。
【請求項９】
前記少なくとも１つの磁歪ブラッググレーティングセンサは、それぞれ間隔をおいて前記光ファイバに配置された複数の磁歪ブラッググレーティングセンサであり、各磁歪ブラッググレーティングセンサは、波長がそれぞれ異なる光信号を反射する、請求項１記載のシステム。
【請求項１０】
温度測定のために、前記少なくとも１つの磁歪ブラッググレーティングセンサに対応させて、ファイバブラッググレーティング温度センサが設けられており、該ファイバブラッググレーティング温度センサは温度補償用反射光信号を供給する、請求項１記載のシステム。
【請求項１１】
前記磁歪ブラッググレーティングセンサとファイバブラッググレーティング温度センサは、前記光ファイバに設けられている、請求項１０記載のシステム。
【請求項１２】
前記磁歪ブラッググレーティングセンサとファイバブラッググレーティング温度センサは、それぞれ別個の光ファイバに設けられている、請求項１０記載のシステム。
【請求項１３】
高電圧発電機のステータコアにおける磁束を測定するための磁束センサシステムにおいて、
複数の磁歪ブラッググレーティング（ＭＢＧ）センサが、１つの共通の光ファイバに互いに間隔をおいて設けられており、
該複数の磁歪ブラッググレーティングセンサは各々、前記光ファイバに形成されたファイバブラッググレーティング（ＦＢＧ）と、磁歪材料から成る外層コーティングとを含み、
該複数の磁歪ブラッググレーティングセンサは、前記ステータコアにおける各ステータ歯間のスロット内に、積み重ねられた複数のステータバー撚り線に近接して配置されており、
分析装置が設けられており、該分析装置は、光入力信号を前記光ファイバに供給し、かつ、前記複数の磁歪ブラッググレーティングセンサ各々から反射した光信号を受信し、各磁歪ブラッググレーティングセンサは、波長がそれぞれ異なる光信号を反射し、反射した光信号によって、前記ステータバーからの磁束を測定することを特徴とする、
磁束センサシステム。
【請求項１４】
前記複数の磁歪ブラッググレーティングセンサは、フィラーエリア内でウェッジと前記ステータバーとの間に配置されている、請求項１３記載のシステム。
【請求項１５】
前記複数の磁歪ブラッググレーティングセンサは、前記ステータバー内部で積み重ねられた複数のステータバー撚り線周囲の保護層内のプロフィルストリップに配置されている、請求項１３記載のシステム。
【請求項１６】
温度測定のために、前記磁歪ブラッググレーティングセンサ各々に対応させて、ファイバブラッググレーティング温度センサが設けられており、該ファイバブラッググレーティング温度センサは温度補償用反射光信号を供給する、請求項１３記載のシステム。
【請求項１７】
高電圧発電機用ステータコアにおいて、
中央ボア、該ボアと連通して周方向に配置された一連のスロット、および該スロット間のステータ歯を有するコア部分と、
該コア部分の各スロット内部に配置され、相互におよびステータコア端部のステータ端部巻線と電気的に共働する少なくとも１つのステータバーと、
少なくとも１つの前記スロット内に配置された少なくとも１つの磁歪ブラッググレーティング（ＭＢＧ）センサとが設けられており、
該磁歪ブラッググレーティングセンサは、光ファイバに形成されたファイバブラッググレーティング（ＦＢＧ）と、磁歪材料から成る外層コーティングとを含むことを特徴とする、
高電圧発電機用ステータコア。
【請求項１８】
前記少なくとも１つの磁歪ブラッググレーティングセンサは、互いに間隔をおいて前記光ファイバに配置され少なくとも１つのスロット内に設けられた複数の磁歪ブラッググレーティングセンサであり、各磁歪ブラッググレーティングセンサは波長がそれぞれ異なる光信号を反射する、請求項１７記載のステータコア。
【請求項１９】
前記少なくとも１つの磁歪ブラッググレーティングセンサは、フィラーエリア内でウェッジと前記ステータバーとの間に配置されている、請求項１７記載のステータコア。
【請求項２０】
前記少なくとも１つの磁歪ブラッググレーティングセンサは、ステータバー撚り線と前記ステータバー内部の保護層との間のプロフィルストリップ内に配置されている、請求項１７記載のステータバー。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は概略的には、高電圧発電機のステータバーにおける磁束を測定するための光ファイバ磁束センサに関し、さらに詳しくいえば、高電圧発電機のステータバーに加わる磁束の半径方向成分を測定するために、ファイバ内に設けられた磁歪ブラッググレーティング（ＭＢＧ）を用いた光ファイバ磁束センサに関する。
【０００２】
関連技術の説明
電力源として電気を発生するための高電圧発電機は、従来技術においてよく知られている。電力プラントにはガスタービンエンジンを設けることができ、それらはいずれも燃焼室内で燃料と空気を燃焼させることによって軸を回転させる。この場合、燃焼室はブレードと交差して延在し、ブレードが回転し、ひいてシャフトを回転させる。この種のエンジンの出力軸は高電圧発電機の入力軸と接続されており、この入力軸は特別な構造のコイルを備えたロータに取り付けられている。ロータコイルに生じる電流によってコイル周囲に磁束が形成され、ロータが回転すると、この磁束がロータを取り囲むステータコアの巻線と相互作用する。ステータコア巻線は相互に連結されたステータバーを有しており、これらのステータバーは巻線に生じる渦電流を低減するための特別な構造を備えている。そうでないと渦電流によって著しい熱が発生し、場合によっては発電機の様々な部品を損傷させてしまうおそれがある。
【０００３】
一般に必要とされるのは、高電圧発電機におけるステータバーと交差する方向で生じる磁束の分布を求めて、電気損をいっそう正確に計算することであり、したがってステータ巻線全体の損失をいっそう正確にモデリングすることである。このような測定の有用性は主として、ステータバーに対し個々の磁束センサをいかに近づけて配置できるかに左右される。なぜならば、測定個所からの距離が拡がったところで得られた測定は、センサからバーまでの距離を経て磁束フィールドが減衰するために補正しなければならないからである。
【０００４】
大きな発電機における磁束の監視は典型的には、ステータバーがステータコイルに設けられているまたは取り付けられているステータ歯間のスロットに挿入された銅線サーチコイルを用いることで行われる。この場合、ステータスロットに設けられたサーチコイルを、半径方向の磁束の存在を検出するために用いることができる。この磁束はロータに循環電流を引き起こすおそれがあり、その結果、ステータ巻線に損失が生じてしまう。ただし、導電性の銅製コイルの断面積は広くなりがちであり、それによって小さい磁束エリアを測定する能力が限られ、したがって局所的な磁束が平均的に測定されることになる。さらに銅製コイルには、銅のリード線がアークによる接地を引き起こしてステータ巻線を損傷しかねない、というリスクもある。
【０００５】
従来技術によれば、様々な用途のために歪み、振動ならびに温度を測定するセンサとして、ファイバブラッググレーティング（ＦＢＧ fiber Bragg grating）を用いることが提案されてきた。ＦＢＧセンサは、ブラッググレーティングの場所で光ファイバにおける歪みを測定する。そのような歪みによって、ＦＢＧにおける反射性のグレーティングラインの間隔が僅かに変化し、それによって反射特性に作用が及ぼされる。この場合、広帯域の赤外線（ＩＲ）信号が、光ファイバを介してＦＢＧへ伝送される。ＦＢＧから反射した赤外線放射の波長によって、ＦＢＧにおける歪みの程度が測定される。歪みによってファイバブラッグラインが拡げられると、反射光の波長もそれに比例して大きくなる。ブラッググレーティング各々からの赤外線反射光がオーバラップしないようブラッググレーティングラインの間隔を適切に設定すれば、単一の光ファイバで１００回ものこの種の測定を行うことができる。この種のＦＢＧシステムを伝送モードで動作させることもできる。
【０００６】
ＦＢＧセンサにより歪みを測定する場合、ＦＢＧセンサはその取り付け場所におけるコイル構造が曲がると機械的に歪みを受ける。ＦＢＧセンサにより温度を測定する場合、ブラッググレーティング自体の熱膨張によって、ブラッググレーティングラインの間隔が変化する。
【０００７】
発明の概要
本発明によれば、高電圧発電機のステータバーに加わる磁束の半径方向成分を測定する磁束センサが開示される。この磁束センサは、光ファイバに形成され磁歪コーティング内に封入されたファイバブラッググレーティングを有する。磁歪コーティングは、ファイバに歪みが加わり磁束が変化することに反応し、そのような歪みによってブラッググレーティングの反射波長が変化し、それによって磁束の測定が行われる。１つの実施形態によれば、１つまたは複数の磁束センサが、ステータバーの絶縁層内にそのまま配置される。
【０００８】
本発明のその他の特徴については、添付の図面を参照した以下の説明ならびに特許請求の範囲に示す。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】高電圧発電機用ステータコアをその切断面とともに示す斜視図
【図２】図１に示したステータコアの断面図
【図３】ファイバブラッググレーティング検出システムを略示したブロック図
【図４】光ファイバ磁束センサシステムを示すブロック図
【図５】磁束センサシステムにおける磁歪式ブラッググレーティングを示す側面図
【図６】ステータバーに対して設けられたスロット内に配置されている磁束センサを示すステータコアの部分断面図
【図７】複数のステータバーの撚り線を含むステータバーと、ステータバーの主絶縁層下方の非導電性フィラーレイヤ内に配置された磁束センサを含む、ステータバーの断面図
【００１０】
発明を実施するための形態
以下では、高電圧発電機のステータバーに加わる磁束の半径方向成分を測定するためのＭＢＧセンサに関する実施形態について説明するが、これは単なる例示にすぎず、本発明の限定あるいは本発明の用途や使用法の限定を意図したものではない。
【００１１】
図１は、高電圧発電機用のステータコア１０をその切断面とともに示す斜視図であり、図２はその断面図である。ステータコア１０は磁性円筒部１２を有しており、これはキーロッド１６によって位置合わせされた複数の鉄製成層薄板部材から成るアセンブリによって形成されており、これによって内部ボア１８が規定されている。一連の通しボルト２０が薄板部材中を延在して、それらの部材を押圧し保持することで、円筒部１２が形成される。円筒部１２の薄板部材によって、周方向に配置された一連のスロット２２が規定され、これらのスロットはボア１８に対し開放されており、それらの間にステータコアの歯２４が規定される。スロット２２内には、電気的に分離されている頭部ステータバー２６と底部ステータバー２８がそれぞれ設けられており、これら頭部ステータバー２６と底部ステータバー２８は各々、円筒部１２の長さにわたり延在している。あとで詳しく説明するようにこれらのステータバー２６および２８にはそれぞれ、複数の巻回された銅線から成る撚り線と、これらの撚り線の周囲に設けられた絶縁部材が含まれている。ステータバー２６および２８は電気的に互いに接続されて、３つの連続する巻線が形成され、その際、コア１０の各端部におけるステータ端部巻線３０が、ステータバー２６および２８と電気的に接続されている。コア１０の各端部には絶縁された支持部材３２が取り付けられており、これによって所定の位置にステータ端部巻線を保持する支持構造が形成される。
【００１２】
あとで詳しく説明するように本発明によれば、ステータバー２６および２８からの１つまたは複数のスロット２２における磁束を測定するために、ＦＧＢを含むＭＢＧセンサが提案される。ここで述べるＭＢＧセンサは、精密な磁束測定を行うために、ステータバー２６および２８における撚り線のできるかぎり近くに配置される。
【００１３】
図３には、光ファイバ４６から成るセクションにより形成されたＦＢＧセンサ４２を含むＦＢＧ検出システム４０の概略図が示されている。光ファイバ４６は光ファイバコア４８を有しており、これは外側のクラッド層５０により囲まれている。クラッド層５０の屈折率はファイバコア４８の屈折率よりも大きく、したがってファイバコア４８に沿った光ビームの伝播は、ファイバコア４８とクラッドコア５０との間の移行部分で反射し、そこで遮られる。１つの実施形態によれば、ファイバコア４８は約１０μｍの直径であり、これによって多重光学モードで伝播するための多重モードファイバが提供される。光ファイバ４６にＦＢＧセンサ４２が設けられており、これはファイバコア４８に周期的なパターンを有するセクション５４を設けるために適切な光学的書き込みプロセスを用いてＦＢＧ５２を形成することによって設けられる。この場合、セクション５４は、ファイバコア４８の残りの部分よりも高い屈折率を有しているが、クラッド層５０よりは低い屈折率を有している。たとえば、セクション５４の屈折率ｎ3はファイバコア４８の屈折率ｎ2よりも大きく、セクション５４の屈折率ｎ3はクラッド層５０の屈折率ｎ1よりも小さい。
【００１４】
当業者に周知のように、ＦＢＧ５２は選択的な設計が可能であり、ファイバコア４８の屈折率ｎ2とセクション５４の屈折率ｎ3とセクション５４間のスペースΛとによって、ＦＢＧ５２によりどの波長λβが反射されるのかが、次式（１）に基づき規定される。
λβ＝２ｎ3Λ                      （１）
【００１５】
システム４０は回路５８も有しており、この回路は光入力信号を発生し、１つまたは複数のＦＢＧ５２からの反射信号を検出する。回路５８には、光ビーム６２を発生する広帯域光源６０が含まれ、光ビーム６２は光カプラ６４を通過して光ファイバ４６中に配向され、光ファイバ４６に沿ってＦＢＧセンサ５２へ向かう。ＦＢＧセンサ４２によって反射した光は光ファイバ４６を通過して戻り、光カプラ６４によって分散素子６８に向けて配向される。分散素子６８は反射ビームの種々の波長成分を、線形電荷結合素子センサ（ＣＣＤ）６６あるいはブラッグオシロスコープといった他の何らかの適切な光検出アレイのそれぞれ異なる位置に分配する。システムコストを抑えるため光学フィルタシステムを使用することも可能であるが、この場合にはＦＢＧの個数が制限される。広帯域光源６０と分散素子６８を設けることによって、１つまたは複数の反射波長λβをＣＣＤセンサ６６によって検出することができ、これによって１つまたは複数のＦＢＧセンサ４２をファイバ４６内に設けることができるようになる。
【００１６】
図４はＭＢＧセンサシステム７０のブロック図であり、このシステムには複数のＭＢＧセンサ７２が含まれており、それらのＭＢＧセンサ７２各々は、ＦＢＧ５２のように光ファイバ７４に形成された１つまたは複数のファイバブラッググレーティングを有している。ここで述べておくと、ファイバ７４のブラッググレーティング部分は、ステータバー材料から機械的に分離されており、したがってバーの熱膨張によってもセンサ７２に歪みは引き起こされない。ＭＢＧセンサシステム７０には分析装置７６が含まれており、このような分析装置の多くは、上述の回路５８をベースとした装置などのように当業者に知られているものであり、この場合、分析装置７６は光入力信号を発生して伝送し、この光入力信号はファイバ７４に沿って伝播する。さらに分析装置７６は、ＭＢＧセンサ７２からの反射信号λβを受信し、この信号の波長は、センサ７２の特定の位置における光ファイバ７４の歪みに依存する。さらにＭＢＧセンサシステム７０には圧力封止部７８が設けられており、これによってＭＢＧセンサ７２が場合によってはステータコア１０の磁束測定に必要となる圧力環境内におくことができることが示されている。ＭＢＧセンサ７２各々はそれぞれ異なる波長の光を反射し、ファイバ７４における歪みによりそれらの反射光ビームの波長λβが変化し、それらの波長を分析装置７６によって検出することができる。ＭＢＧセンサ７２各々には、磁歪材料から成る外層コーティングが含まれている。このコーティングは、磁束密度に依存してファイバ７４における歪みを増加または減少させる磁束に応答してその形状を変化させ、上述のようにして磁束密度を測定することができる。
【００１７】
図５は、ファイバ７４に設けられたＭＢＧセンサのうちの１つの側面図である。ＭＢＧセンサ７２は磁歪材料から成る外層コーティング８０を有しており、これは蒸着など適切な手法によってファイバ７４に堆積させることができる。１つの限定的な実施形態によれば、センサ７２の長さは約１．１２５インチであり、センサ７２の厚さはコーティング８０を含め約０．１２５インチである。高電圧発電機の温度に耐性をもたせ、著しく狭いファイバに適切に堆積できるようにする目的で、適切な磁歪材料を利用することができる。磁歪材料を、Terfenol-D, Galfenol, METGLAS（登録商標）などのバルク材料とすることができ、あるいはSm-Fe, Tb-Fe, FeTb, FeCoなどの薄膜材料とすることができる。ＭＢＧセンサ７２は、このセンサ７２に既知の磁界を加え、ＦＢＧが反射した光ビームの波長における相応のシフトを測定することによって較正される。このようにして分析装置７６は、反射信号の波長における特定の変化が磁界の既知の変化を表すように較正される。
【００１８】
ＦＢＧの温度が変化すると、ＦＢＧにおけるセクション５４の間隔が変化し、それによって反射信号の波長が変化する。この現象に基づいて、温度を測定して温度較正を行うためにＦＢＧセンサを利用することは知られている。ある特定の磁束に対しＭＢＧセンサ７２が較正されると、ＭＢＧセンサ７２の温度変化が磁束測定に作用を及ぼすことになる。高電圧発電機のステータバーにおける磁束を測定するための多くの用途では、時間とともに変化する交流の磁束が測定される。交流測定の場合、一般的には温度補償は不要である。なぜならば温度変化は、磁束測定のすべてに加わるものであり信号に共通する１つのオフセットだからである。ただし一般に直流の磁束測定の場合には、磁束の精密な測定のためにＭＧＢの温度変化を把握しておく必要がある。このため本発明によれば、同じ光ファイバ７４においてＭＢＧセンサ７２の近くに、あるいはＭＢＧセンサ７２と隣り合う別個の（図示されていない）光ファイバに、第２のＭＢＧセンサが設けられる。したがってこの場合、温度が変化したときに、温度を測定するＦＢＧが温度変化の指標を供給するので、測定される直流の磁束を求めるために、その温度変化を較正に利用することができる。
【００１９】
図６には、ステータコア９０の部分断面図が一部をカットして描かれている。この図には、ステータバー２６または２８の１つのようなステータバー９２が示されており、これはスロット２２の１つのようなスロット９４内に配置されていて、このスロットは、歯２４のような２つのステータ歯９６の間に設けられている。ステータバー９２は、適切に対向しているステータ歯９６の開口部１００内に配置されたくさび形部材ないしはウェッジ９８によって、スロット９４内に保持されている。ステータバー９２には絶縁外層１０２が含まれ、この外側絶縁層１０２は複数のステータバー撚り線１０４を取り囲んでおり、これらの撚り線１０４はそれぞれ絶縁層に囲まれた銅線から成る撚り線を有している。ステータバー撚り線１０４は、絶縁層により囲まれた銅線から成る撚り線の区間として設けられており、これらの撚り線１０４は列状に互いに積み重ねられていて、当業者によく知られているように、このようにすることでステータバー９２に発生する渦電流が低減される。ウェッジ９８とステータバー９２との間に、ウェッジフィラーエリア１０６が設けられており、これによってステータバー９２のための間隔ならびに安定性が得られるようになる。
【００２０】
本発明によれば、ステータバー９２の磁束を望ましい位置で測定するために、上述の形式を有する１つまたは複数のＭＢＧセンサ１０８がフィラーエリア１０６に設けられている。この非限定的実施例によれば、スロット９４の横断方向において特定の位置で磁束を測定するために、５つのＭＢＧセンサ１０８が設けられている。しかしながら１つの非限定的実施例として、特定の用途に合わせて望ましい磁束測定の分解能のために、適切な個数のＭＢＧセンサ１０８を設けることができる。センサ１０８を上述のように何らかの適切な検出システムの一部とすることができ、たとえば複数のセンサ１０８を単一の光ファイバに設けてもよいし、複数の光ファイバに設けてもよく、それらのセンサ１０８のうちのいくつかを温度測定補償のために設けてもよい。この非限定的実施形態の場合には磁束測定を行うために、ステータコア１０の複数のスロットのうちただ１つのスロット９４だけにセンサ１０８が設けられる。ただし適切なものとなるように、ステータコア１０の長さ方向に沿って望ましいどのような位置に、そしてどのような個数のスロット９４であっても、ＭＢＧセンサ１０８を設けることができる。
【００２１】
この場合、ＭＢＧセンサ１０８は、磁束を発生するステータバー巻線１０４のすぐ近くに設けられているけれども、さらにいっそう精密に磁束を読み出すために、それらのセンサ１０８をもっと近くに配置することもできる。図７に示されているステータバー１１０の断面図の場合、ステータバー１１０には、ステータバー撚り線１０４と同じかまたは同等の複数のステータバー撚り線１１２が含まれている。ステータバー１１０は、やはりステータバーのスロット内に配置されることになる。ステータバー撚り線１１２はレーベルフィラー（Roebelfiller）１１４内に配置されており、当業者であればよく理解できるように、これによって撚り線１１２のための整列、規則性ならびに安定性が得られるようになる。レーベルフィラー１１４内にはクリンプ巻回部１１６が設けられており、当業者であればよく理解できるように、これによってステータ撚り線１１２の整列が行われる。クリンプ巻回部１１６によって、１つの導線の列から次の導線への列への適切な電気的接続が得られるようになる。ステータバー１１０は、ステータバー撚り線１１２の周囲に形成された内側コロナ保護層１１８を有しており、これは既述のステータバー９２の絶縁層１０２の下に位置することになる。図示されているようなステータバー１１０の一般的な構成の場合、保護層１１８とレーベルフィラー１１４との間のバー最上部１２０にプロフィルストリップ１２０が設けられており、これによって保護層１１８の湾曲と合致した非導電性フィラー部分が形成される。さらにこのプロフィルストリップ１２０内部に空隙１２２が設けられており、これによって１つまたは複数のＭＢＧセンサ１２４を取り付けるための開口部が形成される。したがってこの構成の場合、ＭＢＧセンサ１２４はステータ撚り線１１２の著しく近くに配置されており、このためきわめて精密に磁束を読み出すことができるようになる。
【００２２】
これまでの記述は、本発明の実施形態を開示し説明したものに過ぎない。当業者であれば、これまでの説明および添付の図面ならびに特許請求の範囲から、以下の請求項で規定する本発明の範囲を逸脱することなく、様々な変更、修正ならびに変形を容易に見出すことができる。
【図１】
2014524035.tif 000003
【図２】
2014524035.tif 000004
【図３】
2014524035.tif 000005
【図４】
2014524035.tif 000006
【図５】
2014524035.tif 000007
【図６】
2014524035.tif 000008
【図７】
2014524035.tif 000009
【国際調査報告】
2014524035.tif 000010
2014524035.tif 000011
2014524035.tif 000012