(57)【要約】  明細書には、処理チャンバ内の静電チャックの温度を制御する装置の実施形態が記載されている。いくつかの実施形態では、この装置が、処理チャンバ内に配置された静電チャックであり、基板支持表面を有するセラミック板を含む静電チャックと、静電チャックの冷却能力を調整するために静電チャックの下方に配置された複数の冷却板を含む冷却アセンブリとを含む。いくつかの実施形態では、この複数の冷却板が、静電チャックの中心部分の温度を制御するように構成された内側冷却板と、静電チャックの外側部分の温度を制御するように構成された外側冷却板とを含む。いくつかの実施形態では、この複数の冷却板が、静電チャックの底面に接触した上冷却板と、上冷却板の底面に接触した下冷却板とを含む。【選択図】図１
2014534614.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理チャンバ内の静電チャックの温度を制御する装置であって、
処理チャンバ内に配置された静電チャックであり、基板支持表面を有するセラミック板を含む静電チャックと、
前記静電チャックの冷却能力を調整するために前記静電チャックの下方に配置された複数の冷却板を含む冷却アセンブリと
を備える装置。
【請求項２】
前記冷却アセンブリが、前記冷却アセンブリの底面と前記処理チャンバの胴体との間に配置された１つまたは複数のばねによって前記静電チャックに係合した、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記複数の冷却板がそれぞれ、その中を通して冷却材を循環させるように構成された１本または数本の冷却材導管を含む、請求項１または２に記載の装置。
【請求項４】
前記複数の冷却板が、前記静電チャックの中心部分の温度を制御するように構成された内側冷却板と、前記静電チャックの外側部分の温度を制御するように構成された外側冷却板とを含む、請求項３に記載の装置。
【請求項５】
前記内側および外側冷却板の温度を独立して制御することができる、請求項４に記載の装置。
【請求項６】
前記内側および外側冷却板の上面が前記静電チャックの底面に接触した、請求項４に記載の装置。
【請求項７】
前記セラミック板の前記基板支持表面に形成された複数の溝であり、前記静電チャック上に基板が配置されたときに前記基板の底面を横切ってガスを流すように構成された複数の溝と、
前記複数の溝のうちの少なくとも１つの溝に、前記セラミック板内の中心入口点を通してガスを供給する中心ガス管路と、
前記セラミック板内の複数の外側入口点を介して前記複数の溝のうちの少なくともいくつかの溝に至る複数の外側ガス管路と
をさらに備える、請求項４に記載の装置。
【請求項８】
前記内側冷却板が前記中心ガス管路の周りに配置され、前記外側冷却板が前記複数の外側ガス管路の周りに配置された、請求項７に記載の装置。
【請求項９】
前記セラミック板内に配置された１つまたは複数の電極と、
前記セラミック板内に配置された１つまたは複数のヒータと
をさらに備え、前記内側および外側冷却板が、（ａ）前記１つまたは複数の電極に供給された電力の量、及び（ｂ）前記１つまたは複数のヒータに供給された熱のうちの少なくとも一方に基づいて冷却能力を調整するように構成された、
請求項４から８のいずれかに記載の装置。
【請求項１０】
基板が存在するときに前記１つまたは複数のヒータと前記基板の間の熱伝達を制御するよう調節されるように、前記内側および外側冷却板が構成された、請求項９に記載の装置。
【請求項１１】
前記複数の冷却板が、前記静電チャックの底面に接触した上冷却板と、前記上冷却板の底面に接触した下冷却板とを含む、請求項３に記載の装置。
【請求項１２】
前記上冷却板と前記静電チャックの間に熱伝導性の箔が配置された、請求項１１に記載の装置。
【請求項１３】
前記上および下冷却板への冷却材の流れを独立して制御することにより、前記内側および外側冷却板の温度を独立して制御することができる、請求項１１に記載の装置。
【請求項１４】
前記内側および外側冷却板がそれぞれ上および下冷却板を含み、前記内側および外側冷却板に含まれる前記上および下冷却板の温度を独立して制御することができる、請求項４から８のいずれかに記載の装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は一般に、基板を支持する静電チャックに関する。
【背景技術】
【０００２】
処理する基板を基板支持体に固定する目的に静電チャックが利用されることがある。静電チャックの要素には、基板を固定するための電極、および基板の裏側の表面に裏側ガスを供給するために静電チャックの表面に配置された溝が含まれることがある。一部の典型的な静電チャックは、使用される冷却板が１枚だけのため、固定された冷却能力を有する。しかしながら、単一の冷却板は、使用温度または基板冷却要件に応じた可変の冷却能力を提供しない。静電チャックのこれらの要素が基板の処理に影響を及ぼすことがある。したがって、本明細書では、改良された静電チャック設計を提供する。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００３】
本明細書には、処理チャンバ内で使用する、温度制御を有する静電チャックの実施形態が記載されている。いくつかの実施形態では、この装置が、処理チャンバ内に配置された静電チャックであり、基板支持表面を有するセラミック板を含む静電チャックと、静電チャックの冷却能力を調整するために静電チャックの下方に配置された複数の冷却板を含む冷却アセンブリとを含む。いくつかの実施形態では、この複数の冷却板が、静電チャックの中心部分の温度を制御するように構成された内側冷却板と、静電チャックの外側部分の温度を制御するように構成された外側冷却板とを含む。いくつかの実施形態では、この複数の冷却板が、静電チャックの底面に接触した上冷却板と、上冷却板の底面に接触した下冷却板とを含む。
いくつかの実施形態では、基板を処理する装置が、処理領域を画定するチャンバと、処理領域内において基板を保持する静電チャックであり、基板支持表面を有するセラミック板を含む静電チャックと、セラミック板内に配置された複数の電極であり、それぞれ別々に制御可能な複数の電極と、セラミック板の基板支持表面に形成された複数の溝と、複数の電源であり、それぞれの電源が、前記複数の電極のうちの対応する電極に、それぞれの電極が独立して制御されるような態様で結合された複数の電源と、静電チャックの冷却能力を調整するために静電チャックの下方に配置された複数の冷却板を含む冷却アセンブリとを含む。
本発明の他の追加の実施形態については後述する。
上で簡単に概説した、以下でより詳細に論じる本発明の実施形態は、添付図面に示した本発明の例示的な実施形態を参照することによって理解することができる。しかしながら、添付図面は、本発明の典型的な実施形態だけを示したものであり、したがって、添付図面を、本発明の範囲を限定するものと考えるべきではないことを留意すべきである。等しく有効な別の実施形態を本発明が受け入れる可能性があるためである。
【図面の簡単な説明】
【０００４】
【図１】本発明のいくつかの実施形態に基づく基板支持体の略側面図である。
【図２Ａ】本発明のいくつかの実施形態に基づく静電チャックの略側面図および上面図である。
【図２Ｂ】本発明のいくつかの実施形態に基づく静電チャックの略側面図および上面図である。
【図２Ｃ】本発明のいくつかの実施形態に基づく静電チャックの略側面図および上面図である。
【図３】本発明のいくつかの実施形態に基づく静電チャックの基板に面する表面の溝の略上面図である。
【図４Ａ】本発明のいくつかの実施形態に基づく静電チャック内の電極の略上面図である。
【図４Ｂ】本発明のいくつかの実施形態に基づく静電チャック内の電極の略上面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００５】
理解を容易にするため、可能な場合には、上記の図に共通する同一の要素を示すのに同一の参照符号を使用した。これらの図は、一定の比率では描かれておらず、分かりやすくするために単純化されていることがある。特段の言及なしに、１つの実施形態の要素および特徴を別の実施形態に有利に組み込むことが企図される。
本明細書では静電チャックの実施形態が提供される。有利には、本発明の装置は、例えばプラズマと基板支持体の要素との間のアークを制限すること、および／または静電チャック上に配置された基板の領域に対して静電チャックが提供するチャック力の量を制御可能に調整することなどにより、改良された基板処理を提供することができる。さらに、この静電チャックは、取外しおよび／または交換ができるように取り付けることができる。いくつかの実施形態では、基板支持体を、高温で、例えば摂氏約２００から約４５０度の温度で利用することができる。いくつかの実施形態では、基板支持体を、直径が約４００ミリメートルよりも大きな基板と一緒に利用することができる。他の追加の利点については後に論じる。
【０００６】
図１は、本発明のいくつかの実施形態に基づく基板支持体１００の略側面図を示す。図１に示されているように、基板支持体１００は、ローディング位置において、基板１０１を受け取りまたは除去するように構成されている。例えば、図１に示されているように、ローディング位置では、基板１０１が複数のリフトピン１０３の上に載り、基板支持体１００の上方に位置することができる。リフトピン１０３は、例えばリフトピン穴１０７を通って、基板支持体１００の支持表面に対して移動可能である。リフトピン穴１０７は、リフトピン１０３の相対的な移動を容易にする。基板支持体１００は処理チャンバ内に配置することができる（図１にはチャンバ壁１０２の破断図が示されている）。この処理チャンバは、適当な任意の基板処理チャンバとすることができる。
【０００７】
基板支持体１００は胴体１０４を含むことができる。胴体１０４は、処理チャンバの処理容積１０８から分離された内部容積１０６を有することができる。内部容積１０６は、大気圧、例えば約１４．７ｐｓｉ（ｐｏｕｎｄｓ  ｐｅｒ  ｓｑｕａｒｅ  ｉｎｃｈ）に維持することができ、または窒素（Ｎ2）などの不活性雰囲気下に置くことができる。内部容積１０６はさらに、処理チャンバの処理容積１０８内に存在する一切のガスから隔離され、それらのガスから保護される。処理容積１０８は、大気圧または大気圧よりも低い圧力に維持することができる。
胴体１０４の上端１０５に位置する静電チャック１１０、および胴体１０４の下開口１１４に溶接またはろう付けすることができるフィードスルー構造体１１１によって、内部容積１０６を囲うことができる。例えば、図１に示されているように、ベローズ１１２が、フィードスルー構造体１１１の少なくとも一部分を取り囲み、チャンバの外部および内部容積１０６から処理容積１０８を分離してもよい。ベローズ１１２は、基板支持体１００の移動を容易にする柔軟な部分と、ガス、電力、冷却材などを基板支持体１００に供給する経路の両方を提供することができる。このガス、電力、冷却材などは、フィードスルー構造体１１１を通して供給することができる。
【０００８】
ベローズ１１２は、胴体１０４の下開口１１４に、例えば溶接またはろう付けによって結合することができる。反対側のベローズ１１２の下端１１６は、チャンバ壁１０２の開口１１８に結合することができる。例えば、図１に示されているように、ベロー１１２の下端１１６は、Ｏリング１１９または銅ガスケットなどを介してチャンバ壁１０２に結合することができるフランジ１１７を含むことができる。Ｏリング１１９は、チャンバ壁１０２の処理容積に面した表面の溝の中に載置することができる。ベローズ１１２の他の設計ならびに胴体１０４およびチャンバ壁１０２に対するベローズ１１２の他の結合も可能である。
基板支持体１００は、静電チャック１１０の下方の内部容積１０６内に配置された冷却板１３４を含むことができる。例えば、いくつかの実施形態では、冷却板１３４が、静電チャック１１０の内部容積に面した表面にじかに接触していてもよい。しかしながら、冷却板１３４のこの実施形態は単なる例であり、冷却板は、静電チャック１１０にじかに接触していなくてもよい。冷却板１３４は、その中を通して冷却材を循環させるための複数の冷却導管（図示せず）を含むことができる。この冷却材は、適当な任意の液体または気体冷却材を含むことができる。いくつかの実施形態では、冷却材が、フィードスルー構造体１１１を通して冷却板１３４に結合された冷却材源１３６によって冷却板１３４に供給される。例えば、冷却板１３４は、１つもしくは複数のばね１３５または適当な係合機構によって静電チャック１１０に係合させることができる。冷却板１３４の他の追加の実施形態が図２Ａ〜Ｃに示されており、それらの実施形態については後に論じる。
【０００９】
静電チャック１１０はセラミック板１２０を含むことができる。図１に示されているように、セラミック板１２０は、静電チャック１１０と胴体１０４の上端１０５との間に配置されたリング１２２の上に載置することができる。例えば、リング１２２は、ＫＯＶＡＲ（商標）または適当な任意の材料を含むことができる。例えば静電チャック１１０および胴体１０４の上端１０５にリング１２２を溶接またはろう付けすることにより、リング１２２は、胴体１０４の上端１０５に静電チャック１１０を固定することができる。セラミック板１２０は、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）、または二酸化チタン（ｔｉｔａｎｉａ）がドープされたアルミナ、カルシウムがドープされた窒化アルミニウムなどのドープされたセラミックなど、適当な任意のセラミック材料を含むことができる。図１に示されているように、セラミック板１２０は、セラミック板１２０の基板支持表面に形成された複数の溝１２４を含むことができる。これらの溝を使用して例えば、基板１０１の裏側の表面に裏側ガスを供給することができる。これらの溝については後に図３に関してより詳細に論じる。セラミック板１２０はさらに複数の電極１２６を含むことができ、これらの複数の電極１２６を使用して、静電チャック１１０の処理表面１２８に基板１０１を固定することができる。電極１２６については後により詳細に論じる。電極１２６は図４Ａ〜Ｂに示されている。
【００１０】
静電チャック１１０はさらに１つまたは複数のヒータ１２３を含むことができる。この１つまたは複数のヒータ１２３は１つまたは複数の電力供給装置１２５に結合することができ、また、この１つまたは複数のヒータ１２３を、独立して制御可能なヒータとすることができる。この１つまたは複数のヒータ１２３については図２Ａ〜Ｃに従って後により詳細に論じる。
【００１１】
図２Ａに示されているように、静電チャック１１０は、セラミック板１２０の露出部分の少なくとも一部を図２Ａに示されているように覆う、セラミック板１２０の周囲に配置された堆積リング２０６を含むことができる。いくつかの実施形態では、セラミック板１２０と堆積リング２０６の間に間隙２０１が存在する。しかしながら、間隙２０１は任意であり、いくつかの実施形態では堆積リング２０６がセラミック板１２０に接触する。堆積リング２０６は、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、ステンレス鋼、チタン（Ｔｉ）などのうちの１つまたは複数を含むことができる。堆積リング２０６を使用して、静電チャック１１０の露出部分を基板処理中の損傷から守ることができ、または露出部分の表面への材料の堆積を防ぐことができる。損傷には例えばアークなどが含まれる。
【００１２】
図２Ａに示されているように、堆積リング２０６は、静電チャック１１０の処理表面１２８の処理位置に配置されたときの基板１０１の高さよりも低いほぼ平らな表面輪郭を有することができる。あるいは、堆積リング２０６は、傾斜した輪郭、例えば基板１０１の周縁付近では厚くセラミック板１２０の周縁付近では薄い傾斜した輪郭を有することもできる（図示せず）。傾斜した輪郭は例えば、堆積リング２０６上への汚染物質、プロセス材料などの集積を低減させることができる。
【００１３】
いくつかの実施形態では、１つまたは複数の多孔栓２１１を介して前記複数の溝１２４にガス源（すなわち図１に示された後に論じるガス源１３０）が結合され得る。この１つまたは複数の多孔栓２１１は例えば、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）などの適当な任意の多孔性セラミック材料を含むことができる。この１つまたは複数の多孔栓２１１を使用して、溝１２４にガスを所望の流量で供給することができる。この所望の流量は例えば、後に論じるように高い周波数および／または大きな電力で動作することがある電極１２６に近いことにより生じるガスのアークを制限しまたは防ぐ密度または流量などである。例えば、いくつかの実施形態では、この１つまたは複数の多孔栓２１１が、リング２１３によって、セラミック板１２０の内部容積に面した表面に結合される。例えば、リング２１３はＫＯＶＡＲ（商標）などにすることができ、銅、銀などの適当な任意のろう付け材料によってセラミック板１２０の内部容積に面した表面に結合することができる。いくつかの実施形態では、この１つまたは複数の多孔栓２１１が、リング２１３の内部表面にろう付けまたは溶接された金属スリーブ、複数の金属ピンなどの構造体２１５によってリング２１３に結合される。いくつかの実施形態では、後に論じるようにガス源１３０からガスを供給するために、リング２１３にガス管路２１７がろう付けまたは溶接される。
【００１４】
いくつかの実施形態では、冷却板１３４は内側および外側冷却板２１２、２１４を含むことができる。いくつかの実施形態では、図２Ｂの上面図に示されているように、内側冷却板２１２が中心ガス管路２１７の周りに配置され、外側冷却板２１４が、複数の外側ガス管路２１７の周りに配置される。例えば、内側および外側冷却板２１２、２１４を使用して、冷却能力を、静電チャック１１０をどのように利用するのかに応じて、例えば電極１２６および／あるいは前記１つまたは複数のヒータ１２３などにどのように電力を供給するのかに応じて調整することができる。さらに、内側および外側冷却板２１２、２１４を利用して、基板温度の制御を改良し、または高温にならないように基板支持体１００を冷却することもできる。例えば、内側および外側冷却板２１２、２１４を調節して、前記１つまたは複数のヒータ１２３と基板１０１の間の熱伝達を制御することができる。
【００１５】
いくつかの実施形態では、図２Ｃに示されているように、冷却板１３４が上および下冷却板２１６、２１８を含む。上および下冷却板２１６、２１８を利用して、内側および外側冷却板２１２、２１４に関して上で論じた利点と同様の利点を提供することができる。上および下冷却板２１６、２１８は、上冷却板が箔を介して静電チャック１１０に接触し、下冷却板が上冷却板に接触するように積み重ねることができる。上および下冷却板への冷却材の流れを独立して制御することにより、セラミック体１２０と冷却板アセンブリ１３４の間の可変の熱伝達が達成される。
いくつかの実施形態では、上および下冷却板２１６、２１８がそれぞれ、冷却板１３４の直径全体にわたって均一な冷却を提供する。他の実施形態では、上および下冷却板２１６、２１８がそれぞれ、冷却板１３４の内側領域と外側領域に異なる冷却を提供することができる。すなわち、いくつかの実施形態では、上および下冷却板２１６、２１８を内側および外側冷却板２１２、２１４と組み合わせることができる。
【００１６】
いくつかの実施形態では、図２Ａおよび２Ｃに示されているように、前記１つまたは複数のヒータ１２３は複数のヒータ１２３を含むことができる。例えば、いくつかの実施形態では、この複数のヒータ１２３は、中心ヒータ２２０、中心ヒータ２２０の周りに配置された中間ヒータ２２２、および中間ヒータ２２２の周りに配置された外側ヒータ２２４を含むことができる。中心、中間および外側ヒータ２２０、２２２、２２４はそれぞれ、１つまたは複数の同じまたは別々の電力供給装置１２５に結合することができ、温度フィードバックループを介して独立して制御することができる。例えば、第１の熱電対２２１が、中心ヒータ２２０の位置の近くのセラミック板１２０の温度を監視することができる。同様に、熱電対２２３および２２５がそれぞれ、中間および外側ヒータ２２２、２２４の位置の近くのセラミック板１２０の温度を監視することができる。
【００１７】
静電チャック１１０の処理表面１２８に配置された本発明のいくつかの実施形態に基づく複数の溝１２４が図３に示されている。例えば、上で論じたように、これらの複数の溝１２４を利用して、基板１０１の裏側にガスを供給することができる。例えば、このガスを使用して、セラミック板１２０と基板１０１の間の均一な熱伝達を容易にすることができる。さらに、例えば圧力トランスデューサまたは適当な任意の圧力感知装置によって溝１２４の圧力を監視することができる。例えば、溝１２４内の圧力低下が、例えば亀裂などの基板１０１の損傷を知らせていることがある。この圧力低下の結末として、チャンバ内での堆積処理を停止して、静電チャック１１０が処理環境にさらされることを防ぐことができる。
【００１８】
いくつかの実施形態では、この複数の溝１２４は、図３に示されているように、複数の円形溝３０２、複数の半径方向溝３０４および複数のオフセット溝３０６を含むことができる。いくつかの実施形態では、オフセット溝３０６が、非半径方向オフセット溝である。本明細書で使用されるとき、非半径方向オフセット溝は、セラミック板１２０の中心から半径方向に延びる線に沿っていない溝である。例えば、いくつかの実施形態では、複数の円形溝３０２が同心であり、それらの溝は、複数のオフセット溝３０６によって流体連通している。複数の半径方向溝３０４は流体連通していてもよく、最も内側の円形溝の内側および最も外側の円形溝の外側に配置することができる。しかしながら、この設計は単なる例であり、他の構成も可能である。例えば、いくつかの実施形態では、半径方向溝が、セラミック板１２０の内側からセラミック板１２０の周縁まで連続的には延びていない。いくつかの実施形態では、半径方向溝が、一組の円形溝の間を超えて延びておらず、または溝１２４の中のプラズマによるアークを制限するのに適した任意の長さを超えて延びていない。例えば、アークは、大電力または高周波数のときに、連続する長い半径方向溝の中で発生することがある。したがって、いくつかの実施形態では、複数のオフセット溝３０６を導入して半径方向溝３０４の長さを制限する。例えば、アークは、連続する長い半径方向溝が使用されている場合に、大電力および／または高周波数のときに、溝の中を流れているガスの中で発生することがある。いくつかの実施形態では、半径方向溝３０４および／またはオフセット溝３０６の長さを約２から約５センチメートルとすることができる。しかしながら、他の長さを利用することもできる。
【００１９】
図４Ａ〜Ｂは、本発明のいくつかの実施形態に基づく複数の電極１２６を示す。例えば、上で論じたとおり、これらの複数の電極１２６を利用して、静電チャック１１０の処理表面１２８に基板１０１を固定することができる。例えば、いくつかの実施形態では、図４Ａ〜Ｂ内に配置された複数の電極１２６が、静電チャック１１０からの制御されたデチャック、弓形に湾曲した基板のチャック吸着などのために利用される。例えば、デチャック時に、ガスが溝１２４の中を依然として流れていることがあり、かつ／または溝の中の圧力が処理容積１０８内の圧力よりも高いことがある。したがって、例えば基板１０１が静電チャック１１０から勢いよく外れることを防ぐため、一部の電極１２６をオフにし、その後に他の電極１２６をオフにして、基板１０１を段階的にデチャックすることができる。例えば、４００ミリメートル以上の基板などの大きな基板は、チャック吸着時に弓形に湾曲することがある。したがって、湾曲した基板を静電チャック１１０に対して平らにするため、一部の電極１２６を他の電極１２６よりも大きな電力および／または高い周波数で動作させて、基板を平らにすることができる。
【００２０】
図４Ａに示されているように、複数の電極１２６を、複数の内部電極４０２の周りに複数の外部電極４０４が配置された同心パターンとして配置することができる。例えば、図４Ａに示されているように、セラミック板１２０の四分円がそれぞれ、１つの内部電極の半径方向外側に配置された１つの外部電極４０４を含む。しかしながら、適当な任意の数の内部および外部電極４０２、４０４を利用することができる。さらに、隣接するそれぞれの電極の極性が互いに反対になるように電極の極性を制御して、隣接する２つの電極の極性が同じにならないようにすることもできる。
【００２１】
図４Ｂに示されているように、複数の電極１２６を、セラミック板１２０を一周する放射パターンとして配置することができ、この放射パターンでは、ラジアル角（ｒａｄｉａｌ  ａｎｇｌｅ）４０６によって画定されたセラミック板１２０の中心と周縁の間のエリア４０８をそれぞれの電極が占有する。例えば、図４Ｂに示されているように、いくつかの実施形態では、８つの電極１２６が８つのエリア４０８を占有し、それぞれのエリア４０８は同じラジアル角４０６によって画定される。さらに、隣接するそれぞれの電極の極性が互いに反対になるように電極の極性を制御して、隣接する２つの電極の極性が同じにならないようにすることもできる。
【００２２】
図１に戻る。基板支持体１００は、例えば処理チャンバの外部にある源から前記複数の溝１２４にガスを供給し、または処理チャンバの外部にある源から前記複数の電極１２６に電力を供給し、または処理チャンバの外部にある源から他のものを供給するための経路を提供するフィードスルー構造体１１１を含むことができる。例えば、図１に示されているように、フィードスルー構造体１１１を通して、ガス源１３０および電源１３１、１３２をそれぞれ前記複数の溝１２４および前記複数の電極１２６に結合することができる。例えば、電源１３１、１３２を、例えばそれぞれの電源がそれぞれの電極１２６に結合されて、それぞれの電極１２６が独立して制御されるような複数の電源とすることができる（図示せず）。例えば、電源１３２を利用して、約１３．５６ＭＨｚから約１００ＭＨｚの範囲の周波数のＲＦ電力を供給することができる。いくつかの実施形態ではこの周波数を約６０ＭＨｚとすることができる。例えば、電源１３１を使用して、例えば基板１０１をチャック吸着しまたは基板１０１をデチャックするためのＤＣ電力を供給することができる。例えば、図１に示されているように、ガス源１３０を、２つ以上の入口点において複数の溝１２４に結合することができる。例えば、図１に示されているように、中心ガス管路を使用して中心入口点にガスを供給することができ、外側ガス管路を使用して複数の外側入口点にガスを供給することができる。しかしながら、溝１２４にガスを供給する他の適当な実施形態も可能である。
【００２３】
動作時、基板支持体をローディング位置から処理位置へ移動させるため、フィードスルー構造体１１１が基板支持体１００を処理位置まで持ち上げるような態様で、リフト機構１３８がフィードスルー構造体１１１と係合することができる。図１に示されているように、リフトピン１０３の上に載った基板１０１に向かって基板支持体１００が上昇するため、リフトピン１０３は静止したままとすることができる。
【００２４】
以上の説明は本発明の実施形態を対象としているが、本発明の基本的な範囲を逸脱することなく本発明の他の追加の実施形態を考案することができる。
【図１】
2014534614.tif 000003
【図２Ａ】
2014534614.tif 000004
【図２Ｂ】
2014534614.tif 000005
【図２Ｃ】
2014534614.tif 000006
【図３】
2014534614.tif 000007
【図４Ａ】
2014534614.tif 000008
【図４Ｂ】
2014534614.tif 000009
【国際調査報告】
2014534614.tif 000010
2014534614.tif 000011