(57)【要約】  予めアンダーフィルが塗布された半導体を作製するための方法は、上面に複数の金属バンプを有し、任意選択でシリコンウェハを垂直に貫通するシリカ貫通電極を有する半導体ウェハを用意するステップと、金属バンプおよびシリコン貫通電極を覆ってウェハの上面にバックグラインディングテープを積層するステップと、ウェハの裏面を薄くするステップと、薄型化されたウェハの裏面にダイシングテープを載置し、ダイシングフレームにシリコンウェハおよびダイシングテープを載置するステップと、バックグラインディングテープを除去するステップと、ウェハの形状にプレカットしたアンダーフィル材料を用意するステップと、ウェハにアンダーフィルの位置を合わせ、ウェハにアンダーフィルを積層するステップと、を含む。
2014511559.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アンダーフィルが塗布された薄型化された半導体ウェハを製造するための方法であって、
（ａ）上面に複数の金属バンプを有し、任意選択でシリコンウェハを垂直に貫通するシリカ貫通電極を有する半導体ウェハを用意するステップと、
（ｂ）金属バンプおよびシリコン貫通電極を覆ってウェハの上面にバックグラインディングテープを積層するステップと、
（ｃ）ウェハの裏面を薄くするステップと、
（ｄ）薄型化されたウェハの裏面にダイシングテープを載置し、ダイシングフレームにシリコンウェハおよびダイシングテープを載置するステップと、
（ｅ）バックグラインディングテープを除去するステップと、
（ｆ）ウェハの形状にプレカットしたアンダーフィル材料を用意するステップと、
（ｇ）ウェハにアンダーフィルの位置を合わせ、ウェハにアンダーフィルを積層するステップと、
を含む方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
関連出願の相互参照
本出願は、２０１１年２月１日に出願した米国特許仮出願番号第６１／４３８，３２７号の利益を主張するものであり、その内容は、参照によって本明細書に組み込まれる。
【０００２】
本発明は、半導体ダイを製造するためのプロセスに関する。
【背景技術】
【０００３】
電気・電子機器の小型化およびスリム化により、より薄い半導体デバイスおよびより薄い半導体パッケージングの両方が必要となっている。より薄い半導体ダイを生産するための１つの方法は、ダイの裏面（非能動面）から余分な材料を除去することである。これは、個々のダイがそこからダイスされる半導体ウェハの裏面から余分な材料を除去することによって、より簡単に行われる。余分なウェハの除去は、通常、一般にバックサイドグラインディングと呼ばれるグラインディングプロセスにおいて行われる。
【０００４】
より小さくより効率的な半導体パッケージを生産するための１つの方法は、パッケージの能動面に付けられた金属バンプのアレイを有するパッケージを利用することである。金属バンプは基板上のボンディングパッドと一致するように配置される。金属は、溶融物へとリフローされるとボンディングパッドと接続し、電気的接続および機械的接続の両方を形成する。バンプ付き半導体が裏返しにされてその基板に取り付けられるという理由で、一般に、この金属バンプパッケージングを「フリップチップ」と呼ぶ。
【０００５】
熱的なミスマッチが半導体と基板との間に存在し、そのため、繰返される熱サイクルにより金属相互接続がストレスを受け、故障につながる可能性がある。これを阻止するために、一般にアンダーフィルと呼ばれる封入材料が半導体と基板との間の金属バンプを取り囲むギャップ内に配置される。
【０００６】
半導体パッケージング製造における現在の傾向では、ウェハの段階で可能な限り多くのプロセスステップを完了させ、ダイの個片化（ｄｉｅ  ｓｉｎｇｕｌａｔｉｏｎ）の後で行われるように個別にではなく、複数の集積回路を同時に処理できるようにすることが好まれる。残念なことに、特にグラインディングステップでウェハが薄型化される場合は、薄型化されたウェハが脆弱なために取り扱いがより一層難しくなるため、アンダーフィルの塗布は、ウェハレベルでの処理に向いていない。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
したがって、ウェハの脆弱性を危険にさらすことのない、薄型化されたウェハにウェハレベルのアンダーフィル材料を付ける方法に対する要求が存在する。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、アンダーフィルが塗布された薄型化された半導体ウェハを製造するための方法であり、この方法は、（ａ）上面に複数の金属バンプを有し、任意選択でシリコンウェハを垂直に貫通するシリカ貫通電極を有する半導体ウェハを用意するステップと、（ｂ）金属バンプおよびシリコン貫通電極を覆ってウェハの上面にバックグラインディングテープを積層するステップと、（ｃ）ウェハの裏面を薄くするステップと、（ｄ）薄型化されたウェハの裏面にダイシングテープを載置し、ダイシングフレームにシリコンウェハおよびダイシングテープを載置するステップと、（ｅ）バックグラインディングテープを除去するステップと、（ｆ）ウェハの形状にプレカットしたアンダーフィル材料を用意するステップと、（ｇ）ウェハにアンダーフィルの位置を合わせ、ウェハにアンダーフィルを積層するステップと、を含む。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１ａ】金属バンプがアンダーフィルによって支持された、薄型化されたシリコンウェハを作製するための第１の従来技術の手法を順番に描いた図である。
【図１ｂ】金属バンプがアンダーフィルによって支持された、薄型化されたシリコンウェハを作製するための第１の従来技術の手法を順番に描いた図である。
【図２ａ】金属バンプがアンダーフィルによって支持された、薄型化されたシリコンウェハを作製するための第２の従来技術の手法を順番に描いた図である。
【図２ｂ】金属バンプがアンダーフィルによって支持された、薄型化されたシリコンウェハを作製するための第２の従来技術の手法を順番に描いた図である。
【図３ａ】金属バンプがアンダーフィルによって支持された、薄型化されたシリコンウェハを作製するための第３の従来技術の手法を順番に描いた図である。
【図３ｂ】金属バンプがアンダーフィルによって支持された、薄型化されたシリコンウェハを作製するための第３の従来技術の手法を順番に描いた図である。
【図４ａ】金属バンプがアンダーフィルによって支持された、薄型化されたシリコンウェハを作製するための本発明の手法を順番に描いた図である。
【図４ｂ】金属バンプがアンダーフィルによって支持された、薄型化されたシリコンウェハを作製するための本発明の手法を順番に描いた図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
ウェハは、半導体材料、典型的には、シリコン、ガリウムヒ素、ゲルマニウムまたは類似の化合物半導体材料である。ウェハの上面への複数の金属バンプの形成およびこれらの金属組成物の製造は、工業文献中に詳細に記載されている半導体および金属製造方法に従ってなされる。
【００１１】
シリコン貫通電極は、回路を１つのウェハからもう１つのウェハへと接続する目的でシリコンウェハを完全に貫通して延びる垂直な通路である。
【００１２】
本発明の方法において使用するダイシングテープの目的は、ダイシング作業中にウェハを支持することである。ダイシングテープは、多くの供給者から市販されており、一形態では、キャリア上の感熱性、感圧性またはＵＶ感受性接着剤から構成される。キャリアは、典型的にはポリオレフィンまたはポリイミドの柔軟な基板である。熱、引張り歪またはＵＶがそれぞれ加えられると接着性が低下する。一般には、リリースライナが接着剤層を覆い、ダイシングテープを使用する直前にリリースライナを容易に除去することができる。
【００１３】
バックグラインディングテープの目的は、ウェハ薄型化プロセス中に金属バンプおよびウェハの上面を保護し支持することである。バックグラインディングテープは、いくつかの供給者から市販されており、一形態では、キャリア上の感熱性、感圧性またはＵＶ感受性接着剤から構成される。キャリアは、典型的にはポリオレフィンまたはポリイミドの柔軟な基板である。熱、引張り歪またはＵＶがそれぞれ加えられると接着性が低下する。一般には、リリースライナが接着剤層を覆い、バックグラインディングテープを使用する直前にリリースライナを容易に除去することができる。バックグラインディング作業は、機械的グラインディング、レーザグラインディングまたはエッチングによって行うことができる。
【００１４】
膜の形態であってよいアンダーフィル化学物質として適した接着剤および封入剤は知られており、アンダーフィル膜を作るための方法も知られている。積層化後、金属バンプを完全にまたは部分的にだけ覆うことができるように、アンダーフィル材料の厚さを調節することができる。いずれの場合においてもアンダーフィル材料は、半導体と目的とする基板との間の空間を十分に埋めるように供給される。一実施形態では、アンダーフィル材料は、キャリア上に供給され、リリースライナで保護される。したがって、アンダーフィル材料を、第１の層が柔軟なポリオレフィンテープまたはポリイミドテープなどのキャリアであり、第２の層がアンダーフィル材料であり、第３の層がリリースライナであるこの順番の３層形態で供給することができる。使用の直前にリリースライナは除去され、アンダーフィルは、典型的にはキャリアにまだ付着している状態で付けられる。ウェハにアンダーフィルを付けた後でキャリアが除去される。
【００１５】
本発明を、図を参照することによってさらに説明する。図では、ダイシングテープ、シリコンウェハ、金属バンプ、アンダーフィルおよびバックグラインディングテープのうちの１つまたは複数の要素のアセンブリを、シリコンウェハの能動面（金属バンプを包含する面）が上または下を向いた状態で示すことができる。アセンブリは、実施者が決定する任意の向きで取り扱うことができる。ダイシングテープ、バックグラインディングテープおよびアンダーフィルの各々をリリースライナを用いずに示す。ダイシングテープおよびバックグラインディングテープは、キャリア上に供給され、使用後に廃棄される。リリースライナは、一般的にダイシングテープまたはバックグラインディングテープの感圧性接着剤を保護するために使用され、リリースライナは使用する直前に除去されることは、当業者には理解されよう。ウェハの能動側に積層されたアンダーフィル層は、ダイシングステップおよびボンディングステップへと進むことになる。
【００１６】
図１ａおよび図１ｂは、金属バンプがアンダーフィルによって支持された、薄型化されたシリコンウェハを作製するための第１の従来技術の手法を描く。シリコンウェハの一方の面（能動面）に金属バンプ１１を有するシリコンウェハ１０を準備する。金属バンプ１１は、ウェハを薄型化する間ウェハの能動面を保護するためにテープ１２で覆われる。一般にテープはバックグラインディングテープと呼ばれる。ウェハの裏面を薄くし、薄型化されたウェハ１３を作製する。バックグラインディングテープを除去するときには、バックグラインディングテープ１２を有する薄型化されたウェハ１３は、真空チャックテーブル１７上に置かれる。アンダーフィル材料１４は、ウェハの能動面上に積層され、金属バンプ１１を取り囲み封入する。ダイシングテープ１５はウェハの薄厚化された裏面の上に載置され、次いでウェハは、その後の個々の半導体へのダイシングのために、ダイシングフレーム（またはジグ）１６内に置かれる。この方法の弱点は、バックグラインディングテープを除去した後では、ウェハは脆く、ダイシングテープ上へと積層されダイシングフレーム内に設置されるまで、支持されないままでいることである。
【００１７】
図２ａおよび図２ｂは、金属バンプがアンダーフィルによって支持された、薄型化されたシリコンウェハを作製するための第２の従来技術の手法を描く。シリコンウェハの一方の面（能動面）上に金属バンプ１１を有するシリコンウェハ１０を準備する。金属バンプ１１は保護用バックグラインディングテープ１２で覆われる。ウェハの裏面を薄くし、薄型化されたウェハ１３を作製する。ウェハの裏面にダイシングテープ１５が載置され、ウェハは真空チャックテーブル２０上のダイシングフレーム１６内に置かれる。アンダーフィル材料１４はウェハの能動面上に積層され、金属バンプ１１を取り囲み封入する。この方法の弱点は、アンダーフィル材料が界面１８のところでダイシングフレームと接触して、積層化中にアンダーフィル中にしわが生じることである。
【００１８】
図３ａおよび図３ｂは、金属バンプがアンダーフィルによって支持された、薄型化されたシリコンウェハを作製するための第３の従来技術の手法を描く。シリコンウェハの一方の面（能動面）に金属バンプ１１を有するシリコンウェハ１０を準備する。１つの層が保護用バックグラインディングテープ１２であり、第２の層がアンダーフィル材料１４である２層テープ１９を、アンダーフィル層が金属バンプ１１に接触して覆うようにシリコンウェハの能動面に配置する。ウェハの裏面を薄くし薄型化されたウェハ１３を作製する。ウェハの裏面にダイシングテープ１５が載置され、ウェハは真空チャックテーブル２０上のダイシングフレーム１６内に置かれる。２層テープ１９のうちのバックグラインディングテープ１２が除去されアンダーフィル材料１４が残る。この方法の弱点は、バックグラインディングテープとアンダーフィル材料との間の相互作用である。アンダーフィル層へのバックグラインディングテープの接着が、ウェハへのアンダーフィル層の接着よりも強いことがある。このことは、バックグラインディングテープの除去中に、ウェハからのアンダーフィル層の剥離を引き起こすことがある。加えて、バックグラインディングテープの厚さのバラツキによって、ウェハの均一な薄型化が影響を受けることがある。アンダーフィルの厚さのバラツキがバックグラインディングテープの厚さのバラツキに加わると厚さの全バラツキが増加し、薄型化後のウェハ厚さの均一性に、より一層有害な影響を及ぼす。
【００１９】
図４ａおよび図４ｂは、本発明の方法を描く。複数の金属バンプ１１を有し、任意選択でシリカ貫通電極２１を有する厚みのあるシリコンウェハ１０を準備する。保護用バックグラインディングテープ１２を、金属バンプおよびシリコンウェハの上表面上に積層する。その後のダイシングの間薄型化されたウェハを支持するためのダイシングテープ１５を、薄型化されたウェハの裏面に載置する。ダイシングテープ１５およびバックグラインディングテープ１２を有するウェハ１３は、ウェハの上面を上に向け、ダイシングテープがダイシングフレームと接触した状態でダイシングフレーム１６内に載置される。バックグラインディングテープが除去される。一方の側にアンダーフィル材料１４を有するキャリアテープ１７を用意する。アンダーフィル材料１４をウェハの上表面に合うようにプレカットする。アンダーフィルは、ウェハと接触し、そろった形状で、（金属バンプを有する）ウェハの能動面に積層され、キャリアはまだ完全に残っている。キャリアはその後の加工の前に除去される。
【００２０】
したがって、一実施形態では、本発明は、アンダーフィルが塗布された薄型化された半導体ウェハを製造するための方法であって、（ａ）上面に複数の金属バンプを有し、任意選択でシリコンウェハを垂直に貫通するシリカ貫通電極を有する半導体ウェハを用意するステップと、（ｂ）金属バンプおよびシリコン貫通電極を覆って、ウェハの上面にバックグラインディングテープを積層するステップと、（ｃ）ウェハの裏面を薄くするステップと、（ｄ）薄型化されたウェハの裏面にダイシングテープを載置し、ダイシングフレームにシリコンウェハおよびダイシングテープを載置するステップと、（ｅ）バックグラインディングテープを除去するステップと、（ｆ）ウェハの形状にプレカットしたアンダーフィル材料を用意するステップと、（ｇ）ウェハにアンダーフィルの位置を合わせ、ウェハにアンダーフィルを積層するステップと、を含む。
【００２１】
本方法には２つの主な利点があり、すなわち（ｉ）薄型化されたウェハが、製造ステップの全体を通してバックグラインディングテープまたはダイシングテープまたはその両方によって支持されること、及び（ｉｉ）アンダーフィルがウェハの形状にプレカットされるため、アンダーフィルがダイシングフレームに当たらず、ウェハへのアンダーフィルの積層中にしわまたはボイドを形成するすべての可能性が排除されることである。
【図１ａ】
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【図１ｂ】
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【図２ａ】
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【図２ｂ】
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【図３ａ】
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【図３ｂ】
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【図４ａ】
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【図４ｂ】
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【国際調査報告】
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