(57)【要約】  本明細書では、静電チャックの実施形態が提供される。いくつかの実施形態では、基板を保持する静電チャックが、底板と、底板によって支持され、基板支持表面を有するセラミック板と、セラミック板内に配置され、第１の極性を有する第１の複数の電極と、セラミック板内に配置され、第１の極性とは逆の第２の極性を有する第２の複数の電極とを含み、第１および第２の複数の電極は、所望のチャッキング力および周波数を提供するように独立して制御可能である。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を保持する静電チャックであって、
底板と、
前記底板によって支持され、基板支持表面を有するセラミック板と、
前記セラミック板内に配置され、第１の極性を有する第１の複数の電極と、
前記セラミック板内に配置され、前記第１の極性とは逆の第２の極性を有する第２の複数の電極とを備え、前記第１および第２の複数の電極が、所望のチャッキング力および周波数を提供するように独立して制御可能である、静電チャック。
【請求項２】
前記第１および第２の複数の電極が、複数の内部電極の周りに配置された複数の外部電極を含むように、同心円状のパターンで配置される、請求項１に記載の静電チャック。
【請求項３】
前記第１および第２の複数の電極が、前記セラミック板の４つの４半分内に配置され、前記セラミック板の各４半分が、１つの内部電極から径方向に外方へ配置された１つの外部電極を含む、請求項１に記載の静電チャック。
【請求項４】
２つの隣接する電極が同じ極性をもたないように、隣接するそれぞれの電極の極性が互いに逆である、請求項１から３までのいずれか１項に記載の静電チャック。
【請求項５】
２つの隣接する電極が同じ極性をもたないように、前記第１および第２の複数の電極が前記セラミック板の周りに放射状のパターンで交互に配置される、請求項１に記載の静電チャック。
【請求項６】
各電極が、１２５度の径方向の角度によって画定された前記セラミック板の中心と前記セラミック板の周縁部との間の領域を占める、請求項５に記載の静電チャック。
【請求項７】
前記第１の複数の電極のそれぞれおよび前記第２の複数の電極のそれぞれが独立して制御可能である、請求項１に記載の静電チャック。
【請求項８】
前記底板が基板支持体の本体に結合され、前記本体が、前記静電チャックに隣接する中心開口を含み、前記中心開口が、前記静電チャックとともに、前記静電チャックの前記底板の下に密閉された空胴を形成する、請求項１から３までおよび請求項５から７までのいずれか１項に記載の静電チャック。
【請求項９】
前記静電チャックの前記底板の下に形成された前記空胴が、径方向に内側の体積と径方向に外側の体積とを含む、請求項８に記載の静電チャック。
【請求項１０】
前記内側の体積と前記外側の体積が、前記空胴内で前記静電チャックの前記底板の下に配置された内壁によって分離される、請求項９に記載の静電チャック。
【請求項１１】
前記空胴内で前記静電チャックの前記底板の下に冷却板が配置される、請求項８に記載の静電チャック。
【請求項１２】
前記セラミック板の前記基板支持表面内に形成された複数の溝をさらに備え、前記複数の溝が、前記セラミック板の中心軸の周りに同心円状に配置された１つまたは複数の円形の溝と、前記１つまたは複数の同心円状の円形の溝に流動的に結合された１つまたは複数の放射状の溝と、前記１つまたは複数の同心円状の円形の溝に流動的に結合された１つまたは複数の放射状でないオフセット溝とを含む、請求項１から３までおよび請求項５から７までのいずれか１項に記載の静電チャック。
【請求項１３】
前記１つまたは複数の同心円状の円形の溝が、前記１つまたは複数の放射状でないオフセット溝を介して互いに流動的に結合された複数の同心円状の円形の溝を含む、請求項１２に記載の静電チャック。
【請求項１４】
前記複数の同心円状の円形の溝が、最も内側の円形の溝および最も外側の円形の溝を含み、前記１つまたは複数の放射状でないオフセット溝が、互いから均一に隔置された４つの放射状でないオフセット溝を含み、それぞれの放射状でないオフセット溝が、前記最も内側の円形の溝を前記最も外側の円形の溝に流動的に結合する、請求項１３に記載の静電チャック。
【請求項１５】
前記１つまたは複数の放射状の溝が、複数の放射状の溝を含み、前記複数の放射状の溝の少なくとも１つが、最も内側の円形の溝の内側半径に流動的に結合され、前記セラミック板の中心の方へ延び、前記複数の放射状の溝の少なくとも１つが、最も外側の円形の溝の外側半径に流動的に結合され、前記セラミック板の周縁部の方へ延びる、請求項１４に記載の静電チャック。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、一般に、基板を支持する静電チャックに関する。
【背景技術】
【０００２】
静電チャックは、処理すべき基板を基板支持体に固定するために利用することができる。静電チャックの要素には、基板を固定するための電極と、基板の裏面に裏面ガスを提供するように静電チャックの表面内に配置された溝とを含むことができる。
典型的な静電チャックは電極を含むことができ、これらの電極は、強いチャッキング力を提供するが、デチャッキング中の部分的なチャッキングのための制御を提供しない。さらに、これらの電極は、左右に不均一なチャッキング力を与える可能性がある。さらに、溝を有するいくつかの静電チャックでは、基板の中心および縁部における基板の冷却速度が不十分なことがある。さらに、基板の下のガス溝内で、アークの発生が見られることがある。静電チャックのそのような要素は、基板の処理に影響を与えることがある。したがって、本明細書では、改善された静電チャック設計が提供される。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００３】
本明細書では、静電チャックの実施形態が提供される。いくつかの実施形態では、基板を保持する静電チャックが、底板と、底板によって支持され、基板支持表面を有するセラミック板と、セラミック板内に配置され、第１の極性を有する第１の複数の電極と、セラミック板内に配置され、第１の極性とは逆の第２の極性を有する第２の複数の電極とを含み、第１および第２の複数の電極は、所望のチャッキング力および周波数を提供するように独立して制御可能である。
いくつかの実施形態では、静電チャックが、底板と、底板によって支持され、基板支持表面を有するセラミック板と、セラミック板内に配置された少なくとも１つの電極と、セラミック板の基板支持表面内に形成された複数の溝とを含み、複数の溝は、セラミック板の中心軸の周りに同心円状に配置された１つまたは複数の円形の溝と、１つまたは複数の同心円状の円形の溝に流動的に結合された１つまたは複数の放射状の溝と、１つまたは複数の同心円状の円形の溝に流動的に結合された１つまたは複数の放射状でないオフセット溝とを含む。
いくつかの実施形態では、基板を処理する装置が、プロセス領域を画定するチャンバと、プロセス領域内で基板を保持する静電チャックとを含み、静電チャックは、底板と、底板によって支持され、基板支持表面を有するセラミック板と、セラミック板内に配置され、それぞれ別個に制御可能な複数の電極と、セラミック板の基板支持表面内に形成され、１つまたは複数の円形の溝、１つまたは複数の放射状の溝、および１つまたは複数の放射状でないオフセット溝を含む複数の溝と、それぞれ独立して制御されるように複数の電極のうちの対応する電極に結合された複数の電源とを含む。
本発明の他のさらなる実施形態は、以下に説明する。
上記で簡単に要約し、以下でより詳細に論じる本発明の実施形態は、添付の図面に示す本発明の例示的な実施形態を参照することによって理解することができる。しかし、本発明は他の等しく有効な実施形態も許容しうるため、添付の図面は本発明の典型的な実施形態のみを示しており、したがって本発明の範囲を限定すると見なすべきではないことに留意されたい。
【図面の簡単な説明】
【０００４】
【図１】本発明のいくつかの実施形態による基板支持体の側面概略図である。
【図２】本発明のいくつかの実施形態による静電チャックの側面概略図である。
【図３】本発明のいくつかの実施形態による静電チャックの表面に対向する基板内の溝の上面概略図である。
【図４Ａ】本発明のいくつかの実施形態による静電チャック内の電極の上面概略図である。
【図４Ｂ】本発明のいくつかの実施形態による静電チャック内の電極の上面概略図である。
【発明を実施するための形態】
【０００５】
理解を容易にするために、可能な場合、複数の図に共通の同一の要素を指すのに同一の参照番号を使用した。これらの図は、原寸に比例して描かれたものではなく、見やすいように簡略化されることもある。一実施形態の要素および特徴は、さらなる記述がなくても、他の実施形態内に有益に組み込むことができることが企図される。
本明細書では、静電チャックの実施形態が提供される。本発明の装置は、たとえばプラズマと基板支持体の要素との間のアークの発生を制限すること、および／または静電チャック上に配置された基板領域に静電チャックによって提供されるチャッキング力の量を制御可能に調整することなどによって、改善された基板処理を有利に提供することができる。さらに、静電チャックは、取外し可能および／または交換可能に取り付けることができる。いくつかの実施形態では、基板支持体は、低温、たとえば摂氏約−４０〜約２５０度の範囲で利用することができる。いくつかの実施形態では、基板支持体は、約４００ミリメートルより大きい直径を有する基板とともに利用することができる。他のさらなる利点について、以下で論じる。
【０００６】
図１は、本発明のいくつかの実施形態による基板支持体１００の側面概略図を示す。図１に示すように、基板支持体１００は、ローディング位置で、基板１０１を受け取り、または基板１０１を取り除くように構成される。たとえば、図１に示すように、ローディング位置では、基板支持体１００の上で複数のリフトピン１０３上に基板１０１を載置することができる。基板支持体１００は、プロセスチャンバ（チャンバ壁１０２の切欠図を図１に示す）内に配置することができる。プロセスチャンバは、任意の適した基板処理チャンバとすることができる。
【０００７】
基板支持体１００は、本体１０４を含むことができる。本体１０４は、内部体積１０６および外側体積１１３を有することができる。内部体積１０６は、プロセスチャンバの処理体積１０８から分離することができる。内部体積１０６は、大気、たとえば約１４．７ポンド／平方インチ（ｐｓｉ）で保持することができ、または窒素（Ｎ2）などの不活性雰囲気下で保持することができる。内部体積１０６は、プロセスチャンバの内部体積１０６内に存在しうるあらゆるガスからさらに分離され、これらのガスから保護される。プロセス体積１０８は、大気圧または大気圧未満で保持することができる。外側体積は、処理体積１０８に対して開かれた状態とすることができ、リフトピン１０３のための通過体積として使用することができる。たとえば、基板支持体１００は、静電チャック１１０内に配置された上部のリフトピン孔１０７および本体１０４内に配置された下部のリフトピン孔１０９でリフトピン１０３（静止している）を囲むことができる。
【０００８】
内部体積１０６は、本体１０４の上端部１０５に位置する静電チャック１１０と、本体１０４の下部開口１１４に溶接または蝋付けすることができる貫通接続構造１１１とによって密閉することができる。たとえば、図１〜２に示すように、本体１０４の外壁１１９および内壁１２１のそれぞれと静電チャック１１０との間に、複数のＯリング１１５を配置することができる。図１〜２に示すように、外側体積１１３は、内壁１１９と外壁１２１との間に形成することができる。たとえば、図１に示すように、貫通接続構造１１１の少なくとも一部分を蛇腹１１２で取り囲むことができ、チャンバの外部および内部体積１０６から処理体積１０８を分離することができる。蛇腹１１２は、基板支持体１００の運動を容易にするための可撓性のある区間と、ガス、電力、冷媒などを基板支持体１００に提供する経路との両方を提供することができる。ガス、電力、冷媒などは、貫通接続構造１１１を介して提供することができる。図１に示すように、貫通接続構造１１１は、内部体積１０６内に貫通接続構造１１１からの個々のガス、電気、および冷媒ラインを提供する器具１２３を含むことができる。器具１２３は、個々のガス、電気、および冷媒ラインを分離するために利用することができ、それに適した任意の材料を含むことができる。図１では本体１０４上に載置されるものとして示すが、器具１２３は、貫通接続構造１１１内などの任意の適した場所に配置することができる。
【０００９】
蛇腹１１２は、たとえば溶接または蝋付けによって、下部開口１１４で本体１０４に結合することができる。蛇腹１１２の反対側の下端部１１６は、チャンバ壁１０２内の開口１１８に結合することができる。たとえば、図１に示すように、蛇腹１１２の下端部１１６は、Ｏリング１１９または銅ガスケットなどを介してチャンバ壁１０２に結合できるフランジ１１７を含むことができる。Ｏリング１１９は、チャンバ壁１０２の表面に対向して処理体積上の溝の中に載置することができる。本体１０４およびチャンバ壁１０２に対する蛇腹１１２の他の設計および結合も可能である。
静電チャック１１０は、セラミック板１２０および底板１２２を含むことができる。図１に示すように、セラミック板１２０は、底板１２２上に載置することができ、底板は、本体１０４の上端部１０５に固定することができる。セラミック板１２０は、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）などの任意の適したセラミック材料、またはチタニアでドープされたアルミナ、セリア、サマリウムでドープされた窒化アルミニウムなどのドープされたセラミックを含むことができる。図１に示すように、セラミック板１２０は、セラミック板１２０の基板支持表面内に形成された複数の溝１２４を含むことができる。これらの溝は、たとえば基板１０１の裏面に裏面ガスを提供するために使用することができる。これらの溝については、図３に関してより詳細に以下で論じる。セラミック板１２０は、複数の電極１２６をさらに含むことができ、複数の電極１２６は、基板１０１を静電チャック１１０の処理表面１２８に固定するために使用することができる。電極１２６については、以下でより詳細に論じ、図４Ａ〜Ｂに示す。底板１２２は、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、炭化ケイ素−アルミニウムケイ素合金の複合材料などの１つまたは複数を含むことができる。
【００１０】
図２に示すように、底板１２２は、複数の締め具２００によって本体１０４の上端部１０５に固定することができる。そのような締付け方法により、補修、交換などのために基板支持体１００から静電チャック１１０を取り外すことを可能にすることができる。
たとえば、締め具２００は、図２に示すようなねじ、ボルトなどとすることができる。たとえば、ファスターズ（ｆａｓｔｅｒｓ）は、底板１２２と本体１０４の上端部１０５との間でＯリング（Ｏリング１１５など）、ガスケットなどを圧縮して封止を形成するために使用することができる。締め具２００は、たとえば底板１２２と上端部１０５との間に均一の封止を提供するように均一に隔置するなど、底板１２２の周りに配置することができる。いくつかの実施形態では、使用される締め具２００の数を約２４とすることができる。
【００１１】
いくつかの実施形態では、締め具２００は、図２に示すように、底板１２２内へ少なくとも部分的に凹ませることができる。たとえば、底板１２２は、締め具２００を少なくとも部分的に凹ませるために、複数の端ぐり開口２０２を含むことができる。図２に示すように、各端ぐり開口２０２は各締め具２００を部分的に凹ませ、その結果、各締め具の先端部２０４は、底板１２２の上に部分的に延びることができる。たとえば、いくつかの実施形態では、各締め具の先端部２０４は、最大約２ミリメートルまで底板１２２の上に延びることができる。これらの締め具は、ステンレス鋼、チタン（Ｔｉ）などの１つまたは複数などの任意の適した材料を含むことができる。
いくつかの実施形態では、静電チャック１１０は、堆積リング２０６を含むことができ、堆積リング２０６は、図２に示すように、セラミック板１２０の周りに配置され、底板１２２の露出部分の少なくとも一部を覆う。図２に示すように、セラミック板１２０と堆積リング２０６との間には、間隙２０１が存在する。しかし、間隙２０１は任意選択とすることができ、いくつかの実施形態では、堆積リング２０６はセラミック板１２０に接触することができる。堆積リング２０６は、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、ステンレス鋼、チタン（Ｔｉ）などの１つまたは複数を含むことができる。堆積リング２０６は、底板１２２、締め具２００などの露出部分を基板処理中の損傷から保護するために、またはそのような表面上への材料の堆積を防止するために使用することができる。たとえば、プラズマ損傷には、アークの発生などが含まれることがある。
【００１２】
図２に示すように、堆積リング２０６は、静電チャック１１０の処理表面１２８上の処理位置に配置されたときに基板１０１の高さより下で略平坦の表面プロファイルを有することができる。別法として（図示せず）、堆積リング２０６は、基板１０１の周縁部近傍でより厚く、底板１２２の周縁部近傍でより薄いプロファイルなど、傾斜したプロファイルを有することができる。たとえば、傾斜したプロファイルを用いて、堆積リング２０６上の汚染物質、プロセス材料などの蓄積を低減させることができる。さらに、堆積リング２０６は、締め具２００の先端部２０４を収容するように堆積リング２０６の下面の複数の場所に配置された特徴２１２を含むことができ、その結果、堆積リング２０６の下面は底板１２２に接触することができる。たとえば、特徴２１２は、締め具２００の先端部２０４を収容するように構成された溝、または複数の凹みもしくはスロットとすることができる。
【００１３】
いくつかの実施形態では、堆積リング２０６は、複数の締め具２０８によって底板１２２に締め付けることができる。たとえば、締め具２０８は、図２に示すようなねじ、ボルトなどにすることができる。締め具２００と同様に、各締め具２０８は、端ぐり開口２１０を介して堆積リング２０６の表面内へ少なくとも部分的に凹ませることができる。図２では、締め具２０８を基板支持体１００の周りで締め具２００と径方向に同様の長さであるが径方向に異なる位置に配置できることを示すために、締め具２０８を破線で示す。たとえば、締め具２０８は、ステンレス鋼、チタン（Ｔｉ）などの１つまたは複数などの任意の適した材料を含むことができる。
図２に示すように、複数の溝１２４には、中心ガスライン２１７を介してガス源（すなわち、以下で論じ、図１に示すガス源１３０）を結合することができる。いくつかの実施形態では、中心ガスライン２１７は、底板１２２内に配置された複数のガスチャネル２１９によって複数の溝１２４に結合することができる。いくつかの実施形態では、ガスチャネル２１９は、底板１２２の上面内に形成され、セラミック板１２０の下面によって覆われる。別法として（図示せず）、ガスチャネル２１９は、セラミック板１２０、底板１２２、またはこれらの組合せ内に配置することができる。いくつかの実施形態では（図示せず）、約４つのガスチャネル２１９を設けることができ、各ガスチャネル２１９は、中心ガスライン２１７近傍の静電チャック１１０内に端を発する。いくつかの実施形態では、各ガスチャネル２１９は、多孔質のプラグ２１１を介して、対応する溝１２４に結合することができる。たとえば、多孔質のプラグ２１１は、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ＶＥＳＰＥＬ（登録商標）などの任意の適した多孔質のセラミック材料を含むことができる。多孔質のプラグ２１１は、所望の流量で、たとえば以下で論じるように高い周波数および／または電力で動作できる電極１２６に近接することでガスのアークが発生するのを制限または防止する密度または流量などで、溝１２４にガスを提供するために使用することができる。
【００１４】
さらに、ガスチャネル２１９のそれぞれと、中心ガスライン２１７の周りに配置された溝１２４（外側の溝１２４）のそれぞれとの間には、多孔質のプラグ２１１を提供することが望まれることがある。そのような実施形態では、内部体積１０６を処理体積１０８から分離したまま保持しながら、多孔質のプラグ２１１をより容易に挿入できるように、２つのプラグ構造を使用することができる。たとえば、底板１２２内の開口２２１を通じて多孔質のプラグ２１１を挿入することができ、Ｏリング２２４が周りに配置された第２のプラグ２２３をプラグ２１１の後ろへ挿入して、開口２２１を封止することができる。開口２２１を通じて配置された多孔質のプラグ２１１は、多孔質のプラグをセラミック板１２０内に固定して保持するために、多孔質のプラグの周りに配置されたＯリング（Ｏリング２２５など）をさらに（任意選択で）含むことができる。さらに、いくつかの実施形態（図示せず）では、それぞれの多孔質のプラグ２１１は、溝１２４の底部内に流動的に配置された複数の孔に当接することができ、それぞれの多孔質のプラグ２１１を介して溝１２４をガスチャネル２１９に結合することができる。複数の孔は、それぞれの多孔質のプラグ２１１の直径より小さくすることができ、したがってそれぞれの多孔質のプラグ２１１が溝１２４に入るのを防止することができる。さらに、Ｏリング２２５などのＯリングが使用されるとき、プラグ２１１の外面上に溝（図示せず）を形成してＯリング２２５を収容することができる。
【００１５】
いくつかの実施形態では、ばね式機構を使用して、中心ガスライン２１７を底板１２２の裏面に押し付けることができる。たとえば、図２に示すように、中心ガスライン２１７の外側の周りにばね２２６を配置することができる。ばね２２６は、張力を受けると、中心ガスライン２１７の端部に配置されたＯリング２２８を底板１２２の裏面に押し付けてガスライン２１７と底板１２２の裏面との間に封止を形成するように動作することができる。ばね２２６は、図２に示すように、Ｏリング２２８を底板１２２の裏面に押し付けるのに必要な張力を提供するように、ばね２２６の下端部で器具１２３を押すことができる。
【００１６】
本発明のいくつかの実施形態による静電チャック１１０の処理表面１２８内に配置された複数の溝１２４を図３に示す。たとえば、上記で論じたように、複数の溝１２４を利用して、基板１０１の裏面にガスを提供することができる。たとえば、このガスを使用して、セラミック板１２０と基板１０１との間で均一な熱伝達を容易にすることができる。さらに、たとえば圧力変換器または任意の適した圧力感知デバイスによって、溝１２４の圧力を監視することができる。たとえば、溝１２４内の圧力降下を用いて、基板１０１がたとえば亀裂などの損傷を受けたことを合図することができる。圧力降下の結果、チャンバ内の堆積プロセスを停止して、プロセス環境に対する静電チャック１１０の露出を防止することができる。
【００１７】
いくつかの実施形態では、複数の溝１２４は、図３に示すように、複数の円形の溝３０２、複数の放射状の溝３０４、および複数のオフセット溝３０６を含むことができる。いくつかの実施形態では、オフセット溝３０６は放射状でないオフセット溝である。本明細書では、放射状でないオフセット溝は、セラミック板１２０の中心から放射状に延びるラインをたどらない溝である。たとえば、いくつかの実施形態では、複数の円形の溝３０２は、同心円状とすることができ、複数のオフセット溝３０６を介して流動的に結合することができる。複数の放射状の溝３０４は、流動的に結合することができ、最も内側の円形の溝の内部および最も外側の円形の溝の外部に配置することができる。しかし、この設計は単なる例示であり、他の構成も可能である。たとえば、いくつかの実施形態では、放射状の溝は、セラミック板１２０の内部からセラミック板１２０の周縁部まで連続して延びない。いくつかの実施形態では、放射状の溝は、１組の円形の溝間を越えて延びず、または溝１２４内のプラズマによるアークの発生を制限するのに適した任意の長さより長く延びない。たとえば、アークの発生は、長い連続する放射状の溝の中で、高い電力または高い周波数で生じることがある。したがって、いくつかの実施形態では、複数のオフセット溝３０６は、放射状の溝３０４の長さを制限するために導入される。たとえば、アークの発生は、長い連続する放射状の溝が使用される場合、高い電力および／または高い周波数で溝を通って流れるガス内で生じることがある。いくつかの実施形態では、放射状の溝３０４および／またはオフセット溝３０６の長さは、約２〜約５センチメートルの範囲とすることができる。しかし、他の長さを利用することもできる。
【００１８】
図４Ａ〜Ｂは、本発明のいくつかの実施形態による複数の電極１２６を示す。たとえば、上記で論じたように、複数の電極１２６を利用して、基板１０１を静電チャック１１０の処理表面１２８に固定することができる。たとえば、いくつかの実施形態では、図４Ａ〜Ｂに配置された複数の電極１２６は、曲がった基板のチャッキングなどの際に、静電チャック１１０からの制御されたデチャッキングに利用することができる。たとえば、デチャッキング中、ガスは溝１２４を通って流れ続けることができ、かつ／またはこれらの溝の中の圧力は、処理体積１０８内の圧力より高くすることができる。したがって、たとえば、基板１０１が静電チャック１１０から落ちるのを防止するために、一部の電極１２６を切ってから他の電極１２６を切って、基板１０１を徐々にデチャッキングすることができる。たとえば、チャッキング中、４００ミリメートル以上などのより大きい基板が曲がることがある。したがって、静電チャック１１０に対して曲がった基板を平坦にするために、一部の電極１２６を他の電極１２６より高い電力および／または周波数で動作させて、基板を平坦にすることができる。
【００１９】
図４Ａに示すように、複数の電極１２６は、同心円状のパターンで配置することができ、複数の内部電極４０２の周りに複数の外部電極４０４が配置される。たとえば、図４Ａに示すように、セラミック板１２０の各４半分は、１つの内部電極から径方向に外方へ配置された１つの外部電極４０４を含む。しかし、任意の適した数の内部電極４０２および外部電極４０４を利用することができる。さらに、２つの隣接する電極が同じ極性をもたないように、隣接するそれぞれの電極の極性は互いに逆になるように制御することができる。
【００２０】
図４Ｂに示すように、複数の電極１２６は、セラミック板１２０の周りに放射状のパターンで配置することができ、各電極は、径方向の角度４０８によって画定されたセラミック板１２０の中心と周縁部との間の領域４０６を占める。たとえば、図４Ｂに示すように、いくつかの実施形態では、８つの領域４０６を占める８つの電極１２６を設けることができ、各領域４０６は、同じ径方向の角度４０８によって画定される。さらに、２つの隣接する電極が同じ極性をもたないように、隣接するそれぞれの電極の極性は互いに逆になるように制御することができる。
図１に戻ると、基板支持体１００は、たとえばプロセスチャンバの外部にある供給源から複数の溝１２４にガスを提供するため、複数の電極１２６に電力を提供するためなどの経路を提供するために、貫通接続構造１１１を含むことができる。たとえば、図１に示すように、貫通接続構造１１１を介して、ガス源１３０および電源１３１、１３２をそれぞれ複数の溝１２４および複数の電極１２６に結合することができる。たとえば（図示せず）、電源１３１、１３２を複数の電源とすることができ、たとえば、その結果、各電極１２６を独立して制御できるように各電源を各電極１２６に結合することができる。たとえば、電源１３２を利用して、約１３．５６ＭＨｚ〜約１００ＭＨｚの範囲の周波数でＲＦ電力を提供することができる。いくつかの実施形態では、この周波数を約６０ＭＨｚとすることができる。たとえば、電源１３１を使用して、たとえば基板１０１のチャッキングまたはデチャッキングのためのＤＣ電力を提供することができる。たとえば、ガス源１３０は、図２に示すように、中心ガスライン２１７を介して複数の溝１２４に結合することができる。
【００２１】
任意選択で、基板支持体１００は、内部体積１０６内で静電チャック１１０の底板１２２の下に配置された冷却板１３４を含むことができる。たとえば、図１に示すように、冷却板１３４は、底板１２２の表面に対向して内部体積に直接接触することができる。しかし、冷却板１３４のこの実施形態は単なる例示であり、冷却板は底板１２２に直接接触しなくてもよい。冷却板１３４は、冷媒をその内部に循環させるための複数の冷却チャネル（図示せず）を含むことができる。たとえば、冷媒は、任意の適した液体または気体の冷媒を含むことができる。冷媒は、貫通接続構造１１１を介して冷却板１３４に結合された冷媒源１３６を介して、冷却板１３４に供給することができる。本体１０４のわずかな部分を占めるものとして示したが、いくつかの実施形態では、冷却板１３４は、貫通接続構造１１１の方へ延びて内部体積１０６および／または外側体積１１３の大部分を占めることもできる。冷却板１３４は、図１に示すように、基板１０１と実質上類似の面積を有することができる。したがって、冷却板１３４は、基板１０１の実質上すべての領域に冷却を提供することができる。
【００２２】
動作の際には、基板支持体をローディング位置から処理位置へ動かすために、リフト機構１３８が貫通接続構造１１１に係合することができ、その結果、貫通接続構造１１１は基板支持体１００を処理位置へ持ち上げる。リフトピン１０３は、図１に示すようにリフトピン１０３上に載置された基板１０１の方へ基板支持体１００を上昇させる間に静止したままとすることができる。
【００２３】
上記は本発明の実施形態を対象とするが、本発明の基本的な範囲から逸脱することなく、本発明の他のさらなる実施形態を考案することもできる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【国際調査報告】
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