(57)【要約】  本発明はウェーブロウ付けまたはスズメッキ装置にガスを供給するための供給デバイス(20)に関し、前記装置は、少なくとも1つのハンダ波を作ることができるものであり、ガス流入チャネル(22)と、前記ハンダ付けまたはスズメッキ装置のハンダ浴(9)中に浸漬されたN個の二次チャネル(24)の組と、前記ガスを前記少なくとも1つの波(8A,8B)の近くに注入する少なくとも1つのインジェクション手段(14,19)に供給するためのインジェクションチャネル(26)とを含み、各二次チャネル(24)は前記インジェクションチャネル(26)に接続された流入端を有し、前記二次チャネル(24)の数Nは1以上であり、前記二次チャネル(24)の内径dおよび前記流入チャネル(22)中のガス流量Q0は、前記二次チャネル(24)中のガス流が乱流モードとなるように選択されることを特徴とする。
2011510816.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウェーブハンダ付けまたはスズメッキ装置のためのガス供給デバイス(20)であって、前記装置は少なくとも1つのハンダ波を発生させることができ、
-  ガス流入ダクト(22)と、
-  前記ハンダ付けまたはスズメッキ装置のハンダ浴(9)中に浸漬されたN個の二次ダクト(24)の組と、
-  少なくとも1つの注入手段(14,19)にガスを供給する、前記少なくとも1つの波(8A,8B)の近くにあるインジェクションダクト(26)と
を含み、各二次ダクト(24)は、前記流入ダクト(22)に接続された流入端と、前記インジェクションダクト(26)に接続された流出端とを有し、前記二次ダクト(24)の数Nが1以上であり、前記二次ダクト(24)の内径dおよび前記流入ダクト(22)中のガス流量Q0が、前記二次ダクト(24)の内側のガス流が乱流状態にあるように選択されることを特徴とするデバイス。
【請求項２】
前記二次ダクト(24)の数N、前記流入ダクト(22)中のガス流量Q0 (Nm3.s-1)および前記二次ダクトの内径d (メートル)が以下の関係式(前記二次ダクトの流出口での「レイノルズ」関係式と呼ばれる):
(4ρ0Q0)/(μsπNd)≧2500
を、好ましくは(4ρ0Q0)/(μsπNd)≧4000を満足することを特徴とする請求項１に記載のデバイス(ここで、ρ0は前記ガスの密度(kg.m-3) (0℃かつ1013 mbarの条件下で「標準」)であり、μsは各二次ダクトの流出口での前記ガスの動粘性係数(Pa.s)である)。
【請求項３】
以下の関係式(「速度限界」関係式と呼ばれる):
Q0≦(ρsπd2N 170)/(4ρ0)
を、好ましくはQ0≦(ρsπd2N 200)/(4ρ0)を満足することを特徴とする先行する請求項のうちのいずれかに記載のデバイス(ここで、ρsは前記浸漬されたダクトの流出口での、前記ガスの密度(kg.m-3)である)。
【請求項４】
L/d≧100であることを特徴とする先行する請求項のうちのいずれか1項に記載のデバイス(ここでLはN個の前記二次ダクト(24)の長さ(メートル)であり、dはそれらの内径(メートル)である)。
【請求項５】
L/d≦275であることを特徴とする先行する請求項のうちのいずれか1項に記載のデバイス(ここでLはN個の前記二次ダクト(24)の長さ(メートル)であり、dはそれらの内径(メートル)である)。
【請求項６】
前記二次ダクト(24)が10 mm以下の内径dを有することを特徴とする先行する請求項のうちのいずれか1項に記載のデバイス。
【請求項７】
前記流入ダクト(22)中のガス流量Q0が、15 Nm3.h-1以下、および/または1 Nm3.h-1以上であることを特徴とする先行する請求項のうちのいずれか１項に記載のデバイス。
【請求項８】
先行する請求項のうちのいずれか１項に記載のデバイスを含むウェーブハンダ付けまたはスズメッキ装置。
【請求項９】
以下の一連の、
-  前記流入ダクト(22)にガスを供給するために必要なガス流量Q0 (Nm3.s-1)を見積もる工程と、
-  前記二次ダクト(24)中での乱流を可能にし、かつ前記「速度限界」関係式を満足させる１つまたは複数の組(N,d)を決定する工程と、
-  各組(N,d)について、前記長さの関係式(100≦L/d≦275)を満足させるN個の二次ダクト(24)の長さLを決定する工程と、
-  前記ガスデバイスの装備が意図されたウェーブハンダ付けまたはスズメッキ装置の形状の関数としての三つ組み(N,d,L)を選択する工程と
を含む請求項１〜７のうちのいずれか１項に記載のデバイスを設計する方法。
【請求項１０】
ウェーブハンダ付けまたはスズメッキプロセスであって、その間にハンダ付けまたはスズメッキされる部品(1)を少なくとも1つの液状ハンダ波(8A,8B)と接触させ、ここでガスがガスインジェクション手段(19,14)により前記波の少なくとも一部の上に導かれ、前記ガスインジェクション手段が、請求項１〜７のうちのいずれか１項に記載の供給デバイス(20)によってガスを供給されることを特徴とするプロセス。
【発明の詳細な説明】
【発明の概要】
【０００１】
本発明は、ウェーブハンダ付けまたはスズメッキ装置のための不活性ガス供給デバイスに関する。
【０００２】
これらのウェーブハンダ付けまたはスズメッキ装置は、特に、電子回路のような支持体上に電子部品をハンダ付けするため、または電子部品の端子をスズメッキするために使用される。
【０００３】
ウェーブハンダ付け装置は、ハンダ付けされる回路またはスズメッキされる部品を、タンク中に含まれるハンダ浴をポンプでノズルに通すことによって得られる1つ以上の液体ハンダの波と接触させるように設計されている。
【０００４】
当該部品は、一般に、主に金属表面を脱酸素化して、その後のハンダによる濡れをより容易にするために装置の上流の領域で予めフラックス塗布され、当該フラックス塗布操作の後に、回路上に予め堆積されたフラックスを活性化すること、ならびに回路および部品をそれらが高温のハンダ付け領域に到達する前に予熱することの両方のために実行される予熱操作が続く。
【０００５】
ノズルの形状は、得られるハンダ波の形状を決定する。ウェーブハンダ付け装置は、最も一般的には、第1の「乱流」波と、第2の「層流」波とを有し、この第2のタイプの波は、比較的幅のある平らな上面を与える。
【０００６】
ハンダ付けまたはスズメッキされる部品が装置中に無いと、液体ハンダは、この層流波中で装置の上流端に向って非常に低い速度で流れる。部品が層流波との接触に至るとき、ハンダ合金の流れの中に部分的な逆流が生じ、この合金の一部は、装置の下流端に向って流れる。
【０００７】
当該装置は、それ故に、しばしば「堰(weir)」と呼ばれ得るシステムを備え、その高さは、下流端に向うハンダの流量を調節することができる。この堰システムは、単純に、流れ落ちるハンダを周囲の浴中に導いて戻すための金属板またはシュート(chute)で構成され得る。
【０００８】
この層流波中の合金の流量および流れの方向は、得られるハンダ付けの品質に大きな影響を持つことに注意すべきである。
【０００９】
それらの製造の非常に特殊な特徴に応じるために、或る使用者は、下流でのハンダの流出現象を大幅に制限し、下流でのハンダの溢流が非常に少ないか、または事実上無いことを好むことに注意すべきである。
【００１０】
ハンダ付けまたはスズメッキ装置は、通常、周囲空気雰囲気に対して開放されている。このような装置の使用者が直面する問題のうちで、ハンダの少なからぬ損失をもたらし、浴を定期的に清掃する必要を生じる、空気への暴露に起因した、ハンダ浴の表面上でのドロスと呼ばれる酸化層の形成について言及がなされ得る。目安として、平均的なサイズの装置は、1時間の稼動あたり、1キログラムを超えるドロスの形成を生じ得る。
【００１１】
特定の層流波の状況を考える場合、下流でのハンダの溢流がゼロであるかまたは非常に少ないことは、波の平らな表面上に恒久的に生成するドロスは有効に除去され得ず、それ故に部品上に堆積され、得られるハンダ付けまたはスズメッキの品質を著しく損なうという事実に起因した大きな欠点を有し得ることが容易に理解されるであろう。
【００１２】
ウェーブハンダ付け装置の層流波の平らな表面の場合にここで記述したドロスの影響は、「デッド(dead)」浴(停滞した液体浴)の平らな表面の場合には常に存在する。
【００１３】
周囲空気による酸化からハンダ浴を保護することを試みた種々の技術的解決策がここで提案されている。これらの解決策は、3つのカテゴリーに分類され得る:
a)  第1の解決策のカテゴリーは、閉じ込められた保護雰囲気を少なくともハンダ浴の上に与えることであり、時折、装置の休止時にも与えることから構成される。現在では、最初からシールドトンネル(sealed tunnel)として設計された完全に不活性化された装置が存在する。文献US-5 161 727は、周囲空気に対して開放されている従来の現存する装置に、窒素カバーを少なくともハンダ浴の上に与えるためのフードシステムを記載している；
b) 解決策の第2のカテゴリーは、ハンダ波の近くに位置するインジェクタを介して、波の上に位置する閉じられた空間を生じることなく、閉じ込められていない保護雰囲気の供給を用いる。第2のカテゴリーにおいて、文献WO 93/11653中で報告されたデバイスについて言及がなされ得る;
c) ドロス形成の問題に対する解決策の第3のカテゴリーは、層流波の表面への、高い被覆力を有する油膜の使用を採用する。
【００１４】
オイルをベースとする保護システムは、オイルの使用という旧来の問題を有する(特に、高温源が存在する場合)。これは特に、カード上に堆積されたオイルの存在は、しばしば困難かつ不完全な清掃作業を要し、かつハンダ浴中のオイルの蓄積、およびオイルの蒸気の発散物にも起因した装置の頻繁なメンテナンスを必要とし、それは環境、装置または人体のいずれについても疑いの無い危害を意味する。
【００１５】
「European Directive 2002/95/CE of January 27, 2003 "relating to limiting the use of certain hazardous substances in electrical and electronic equipment"」を含む新たな環境基準は、とりわけ、ハンダ合金中での鉛の使用を禁じている。
【００１６】
従来の鉛ベースのハンダ合金は、置換合金よりも低い融点を有する。例えば、従来のスズ-鉛合金Sn63/Pb37はおよそ183℃の融点を有するが、Sn Ag3/Cu0.5 (スズ/銀/銅)合金はおよそ217℃の融点を有する。
【００１７】
これら新規な合金の使用は、ウェーブハンダ付けプロセス全体を変更することを要する。これら新規な合金は、ウェーブハンダ付けプロセスの実施について、例えばより高い予熱温度およびより高いハンダ付け温度、またはより激しい酸化のような新たな制約および問題を課す。
【００１８】
予熱およびハンダ付けの温度が高いという事実は、ウェーブハンダ付け装置の全長に渡って進行する間、特に予熱の終点と第1のハンダ波の到達との間、および2つのハンダ波の間の、回路の温度維持における問題を呈する。回路の移動中のこれら2つの位置にて温度の降下が生じると、これは、ハンダ付けの品質に悪影響を及ぼす。この温度降下は、ハンダ浴中に位置する不活性化システムを備えた装置中において、不活性ガスを注入することによって大きくなる。ハンダ付けを害する他の点は、冷却速度が大きく、大きな熱ショックをもたらす第2の波の流出口に関する(この第2の波のちょうど下流にガスインジェクションを有する装置の場合)。
【００１９】
インジェクションに先立ってガスを加熱するシステムを持たない装置については、使用者は、ハンダ浴を過熱することによってこのような温度降下を補うことを強いられる。これはハンダ付けに有害であり、さらに、電子部品を損傷し得る。
【００２０】
本発明の目的は、ハンダ付け装置を、新規な高融点合金の使用に適合させるための解決策を提供することである。
【００２１】
したがって、本発明は、ウェーブハンダ付けまたはスズメッキ装置のためのガス供給デバイスに関し、前記装置は、少なくとも1つのハンダ波を発生させることができるものであって、
-  ガス流入ダクトと、
-  前記ハンダ付けまたはスズメッキ装置のハンダ浴中に浸漬されたN個の二次ダクトの組と、
-  少なくとも1つのインジェクション手段にガスを供給する前記少なくとも1つの波の近くにあるインジェクションダクトと
を含み、各二次ダクトは前記流入ダクトに接続された流入端と、前記インジェクションダクトに接続された流出端とを有し、
前記デバイスは、二次ダクトの数Nが1以上であり、かつ、前記二次ダクトの内径dおよび前記流入ダクト中のガス流量Q0が、前記二次ダクトの内側のガス流が乱流状態となるように選択されることを特徴とする。
【００２２】
有利には、また驚くべきことに、前記１つまたは複数の二次ダクト中で乱流状態を確立することは、前記ガスと前記ハンダ浴との間のより良好な熱交換を可能にする。結果として、二次ダクトの長さおよび数は、有利に減らされる。
【００２３】
本発明によるデバイスは、以下の任意の特徴の1つ以上をさらに含むことができ、それらは別個にまたは任意の可能な組合せで考えられる:
・  二次ダクトの数N、流入ダクト中の流量Q0 (Nm3.s-1) (0℃かつ1013 mbarで「標準」m3)、および前記二次ダクトの内径d (メートル)は、以下の関係式を満足する(前記第2のダクトの流出口での「レイノルズ」関係式と呼ばれる):
(4ρ0Q0)/(μsπNd)≧2500、および好ましくは(4ρ0Q0)/(μsπNd)≧4000(ここで、ρ0はガスの濃度(kg.m-3) (0℃かつ1013 mbarで「標準」m3)であり、μsは前記浸漬されたダクトの流出口でのガスの動粘性係数(Pa.s)である)
・  前記デバイスは、「速度限界」の関係式を満足する:
Q0≦(ρsπd2N 170)/(4ρ0)、および好ましくはQ0≦(ρsπd2N 200)/(4ρ0)(ここで、ρsは前記浸漬されたダクト流出口でのガスの密度(kg.m-3)である)
・  前記デバイスは、以下の「長さ」関係式(「最大長さ」関係式)を満足する:L/d≦275 (ここで、Lは前記二次ダクトのうちの1つの長さ(メートル)である)
・  前記デバイスは、以下の「長さ」関係式(「最小長さ」関係式)を満足する:L/d≧100 (ここで、Lは前記二次ダクトのうちの1つの長さ(メートル)である)
・  前記二次ダクトは、10 mm以下の内径を有する
・  前記流入ダクト中のガス流量Q0は15 Nm3.h-1以下、好ましくは10 Nm3.h-1以下、および/または1 Nm3.h-1以上である。
【００２４】
当業者には明らかであろうが、前記浸漬されたダクトに採用された長さは、前記浸漬されたダクトの流出口でのガスの温度、および浴温度とこの流出口の温度との間の比較的大きな差異に影響を与えるパラメータのうちの1つとなり得る。
【００２５】
先述したように、比率L/d≧100を、好ましくはL/d≦275を採用することが有利あり、勿論、浸漬長を過度に大きくしても意味がないこと(ガスのさらなる加熱が一定の浸漬長を超えて起こることはないこと)は分かっている。
【００２６】
本発明は、本発明によるガス供給デバイスを含むウェーブハンダ付けまたはスズメッキ装置にも関する。
【００２７】
本発明は、本発明によるガス供給デバイスを設計する方法にも関し、以下の一連の、
-  流入ダクトに対するガスの供給のために必要な流量Q0 (Nm3.s-1)を見積もる工程と、
-  前記二次ダクト中での乱流を可能にし、かつ前記「速度限界」の関係式を満足させる１つまたは複数の組(N,d)を決定する工程と、
-  各組(N,d)について、前記長さ関係式(100≦L/d、および好ましくはL/d≦275)が満たされるのを可能とする前記N個の二次ダクトの長さLを決定する工程と、
-  前記ガス供給デバイスを装備することが意図されたウェーブハンダ付けまたはスズメッキ装置の形状の関数としての三つ組み（N,d,L)を選択する工程と
を含む。
【００２８】
前記流量Q0は、追及される技術的目的に依存して、経験によって(既に作られた同等のシステム、または当該機械での特定の実験によって)簡単に予測され得ることに注意すべきである。
【００２９】
例えば、前記浴中で限界含有率未満の残留酸素含有率を達成するために、前記浸漬されたダクト中でガスを加熱する操作が体積膨張を生じさせ、それ故に、前記システムの流出口での温度を考慮するとより低い流量が見積もられるという事実に留意しつつ、本発明による再加熱システム無しで前記流量を決定することが可能である。
【００３０】
換言すれば、前記流量は、追求される目的により決定される。使用者の目的がとりわけガスの消費を最小化させることである場合は、使用者は体積膨張に配慮するように努めるであろう。目的がとりわけ熱的な目的(複数の波の間のカードの温度を維持すること、冷却速度を下げることなど)である場合、使用者は体積膨張を無視するであろう。
【００３１】
本発明は、ウェーブハンダ付けまたはスズメッキプロセスにも関し、その間、ハンダ付けまたはスズメッキされる部品は少なくとも1つの液体ハンダ波と接触させられ、ここでガスは、ガスインジェクション手段によって前記少なくとも1つの波の少なくとも一部の上に導かれ、前記ガスインジェクション手段は本発明による供給デバイスによってガスを供給される。
【００３２】
本発明は、単に例示を与え、かつ添付図を参照した以下の記述を読む際により良く理解されるであろう。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】図１は、従来のウェーブハンダ付け装置構造の模式図である。
【図２】図２は、2つの波すなわち乱流波と層流波とを有する構造の部分断面図であって、多くの考えられる選択肢のうちのガスインジェクション手段の一定の位置を示す。
【図３】図３は、部品を待っている状況(ハンダは上流端に向けて流れる)における、層流波の模式図である。
【図４】図４は、ハンダ付けの状況における、層流波の模式図である(ハンダ流が部分的に逆流して、すなわちハンダのいくらかが溢れることによって下流端に向けて流れてシュート10に至る)。
【図５】図５は、本発明による装置の部分的な模式図である。
【図６】図６は、本発明によるガス供給デバイスの模式図である。
【００３４】
明確性のために、図中に示される種々の要素は、必ずしも寸法通りに示されていない。
【００３５】
本発明の文脈において、「ガス」という用語は、製造方法および純度に拘らず、窒素のような不活性ガスであるか、または、例えば不活性ガス/還元性ガス混合物のような活性ガスのいずれかである任意のタイプのガスを意味すると理解される。
【００３６】
図1に模式的に描かれたウェーブハンダ付け装置は3つの領域を含む。すなわち、部品1が例えばスプレータイプのフラックス塗布システム3によってフラックス塗布されるフラックス塗布領域Iと、フラックス塗布された部品を例えば赤外ランプで構成される手段4によって予熱する予熱領域IIと、ハンダ浴9をハンダノズル6を通して送出7することによって得られた単一のハンダ波に部品1が接触する事実上のハンダ付け領域IIIとである。
【００３７】
カード1は、例えば「フィンガー」チェーンコンベアで構成されるコンベアシステム2によって、装置の種々の領域に運ばれる。
【００３８】
図２は、ハンダ浴9が2波構造、すなわちノズル6Aの構造によって得られる比較的切り立った構造の第1の乱流波8A、およびノズル6Bの構造によって得られる比較的大きく広がる平らな上面をもたらす第2の層流波8Bを形成する場合の、部分的な模式断面図を与える。この図は、前記波8A、8Bのうちのどちらかの近くにあるガスインジェクション手段19のいくつかの例を示す。
【００３９】
図３および４は、それぞれ例えば溢流板またはシュートを供えた装置の例の場合において、部品を待っている状況、およびカード1をハンダ付けする状況での層流ハンダ波(8B)の流れを示す。
【００４０】
図３は部品を待っている状況を示し、ここでハンダは、装置の上流端に向けて流れる。ここで示される装置は、ガイドシュートの形態をとり、波のちょうど下流に位置し、かつ、その高さを調節することによって、下流へのハンダの溢流の速度を制御することを可能にする堰システム10の使用を含み、この場合、下流への流れが全く無いか、または実質的に無い。
【００４１】
図４は、下流への部分的な溢流効果を示す。部品1が層流波に到達すると、液体ハンダ流の部分的な逆流を生じさせ、それを装置の下流端に向けて、すなわち前方に向けて流し、前方への溢流の速度は、シュートシステム10の高さを調節することによって制御される。ノズル6Bに取付けられた単純なプレートの代わりにこのようなシュートを使用することは、ハンダの溢流の、浴9へのより良好なガイドおよび戻りを可能にする。
【００４２】
図５は、部分的かつ模式的な、本発明によるハンダ付けまたはスズメッキの1つの態様を示すが、その表現は、層流波/インジェクタ/シュート/スカートを中心とする部分的なものである。
【００４３】
この図に示される波は部品を待っている状態にあり、ここで波は上流端に向けて流れる。
【００４４】
図５は、それ故に、シュートシステム10に固定されている浸漬されたスカート11、および、前記スカートおよび前記シュートシステムに対向して配置され、オリフィス15および16からなる2つの群を含む面または壁17を有するガスインジェクタ19の存在を示す。
【００４５】
理解されるであろうが、図をより容易に理解させるために2つの別個の線によって前記シュートおよび前記スカートを表すことが図５中で選択されており、前記スカートは前記シュートに取付けられている。装置に依存して、前記スカートおよび前記シュートは、互いに接続された2つの別個の部品である必要はない。初めから、浸漬されたシュートを使うことも可能である。
【００４６】
オリフィス15および16からなる群は、それぞれ、第1のガスジェットを前記層流波8Bの平らな表面上に導き、第2のガスジェットを前記浸漬されたスカート11中に導くことができるように配置される。前記浸漬されたスカートおよび前記スカートの内側の第2のガスジェットの存在は、前記層流波の平らな表面上への、あらゆる空気の取り込み現象を防止するために、最も顕著に有効である。
【００４７】
前記インジェクタ19の内側には、本発明によるガス供給デバイスのインジェクションダクトから供給を受ける多孔質チューブ14が存在し、前記チューブは、前記インジェクタ19のボディが構成する膨張チャンバーの内側にこのガスを分配する。
【００４８】
図６は、本発明によるガス供給デバイスの模式図である。
【００４９】
図６に示されたガス供給デバイス20は、ガス流入ダクト22と、前記ハンダ付けまたはスズメッキ装置のハンダ浴9中に(当該装置の構造、およびそれ故に、その中で利用可能な空間を考慮して選択された、装置中での適切な位置で)浸漬された2つの二次ダクト24の組と、図５に示されたガスインジェクタ14または図２に示された1つ以上のインジェクタ19/14のような少なくとも1つのガスインジェクタに供給するインジェクションダクト26とを含む。
【００５０】
前記2つの二次ダクト24は、前記流入ダクト22に接続されたそれらの流入端と、前記インジェクションダクト26に接続されたそれらの流出端とを有する。
【００５１】
前記二次ダクトの内径dおよび前記流入ダクトの流量Q0は、前記二次ダクトの内側のガス流が乱流状態になるように(かつ、先述のレイノルズ関係式を満足するように)選択される。
【００５２】
発明者は、本発明によるガス供給デバイスの最初のガス温度が、ダクト中のガス流の状態、流入ダクト中のガス流量Q0、前記二次ダクトの径または前記二次ダクトの浸漬長のようなパラメータに依存することを観察している。
【００５３】
実際、前記流入ダクト22中のガス流量Q0は、有利には1 Nm3.h-1以上、好ましくは5 Nm3.h-1以上、および/または15 Nm3.h-1以下、好ましくは10 Nm3.h-1以下である。
【００５４】
驚くべきことに、発明者は、二次ダクト中のガス流が乱流状態にある場合に、熱交換が最適化されることを観察している(他方では、それどころか、熱交換を拡大するために、ダクト中で極めて遅い速度を採用することが好ましいことが予期されている)。
【００５５】
過剰なノイズおよび過剰な圧力降下を避けるために、好ましくは、先述した速度関係式が尊重される。
【００５６】
実際、前記ガス流入ダクト中のガス流量および前記ウェーブハンダ付け装置の形状を考慮すると、前記二次ダクトの内径は、好ましくは10 mm以下である。
【００５７】
前記ハンダ浴中に浸漬された二次ダクトは、好ましくは、例えばチタンまたはステンレス鋼製のような不活性な材料から作られる。
【００５８】
有利には、材料の選択を通じて、一方でより良い熱交換を得て、他方で、特に腐食性の無鉛合金の場合に、より長寿命の二次ダクトを得ることが可能である。
【００５９】
発明者は、前記2つの二次ダクトのおよそ4 mmの内径d、前記流入ダクト中のおよそ5 m3/hの流量Q0、および前記二次ダクトのおよそ1.1 mの長さを有する、図６に示されたデバイス中に酸素を注入することによって、前記インジェクションダクト中の窒素の温度が前記ハンダ浴の温度のおよそ99 %となることを観察している。
【００６０】
有利なことには、前記流入ダクト中で取り得るガス流量Q0についての値の範囲がより広くなるほど、前記ウェーブハンダ付け装置の性能は、前記流入ダクト中のガス流の安定性から独立する(換言すれば、与えられた流量Q0について、いくつかの組(N,d)が可能である。それ故に、レイノルズ関係式および速度関係式を満足する最も広い流量の範囲を有する組を選択することが有利である)。
【００６１】
本発明は、本発明による供給デバイスを設計する方法にも関し、以下の一連の、
-  ガスを流入ダクト22に供給するために必要な流量Q0 (Nm3.s-1)を見積もる工程と、
-  二次ダクト24中での乱流を可能にし、かつ、前記「速度限界」の関係式を満足させる１つまたは複数の組(N,d)を決定する工程と、
-  ガス供給デバイスの装備が意図されたウェーブハンダ付けまたはスズメッキ装置の形状の関数として、三つ組み(N,d,L)を選択する工程と
を含む。
【００６２】
各組(N,d)について、二次ダクトの長さLがL/d≧100、および好ましくはL/d≦275となるように決定される。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【国際調査報告】
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2011510816.tif 000010
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