(57)【要約】本発明は、リフトオフプロセスによって導電性の構造化されたポリマー層を製造するためのプロセス、およびこのプロセスによって製造される導電性の構造化されたポリマー層に関する。【選択図】図１
2011505059.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リフトオフプロセスを使用して導電性の構造化されたポリマー層を製造するためのプロセスであって、ポリカチオンとしての少なくとも１つの導電性ポリマーおよび１０００〜１０００００ｇ／ｍｏｌの範囲内の平均分子量Ｍｗを有する少なくとも１つのポリアニオンが基体に付与されることを特徴とする、プロセス。
【請求項２】
前記ポリカチオンが、任意に置換されたポリチオフェン、ポリアニリンまたはポリピロールであってもよいことを特徴とする、請求項１に記載のプロセス。
【請求項３】
前記ポリカチオンが、一般式（Ｉ）の繰り返し単位を含む任意に置換されたポリチオフェン
【化１】
2011505059.tif 000007
（式中、
Ａは、任意に置換されたＣ１〜Ｃ５−アルキレンラジカルであり、
Ｒは、直鎖状もしくは分枝状の、任意に置換されたＣ１〜Ｃ１８−アルキルラジカル、任意に置換されたＣ５〜Ｃ１２−シクロアルキルラジカル、任意に置換されたＣ６〜Ｃ１４−アリールラジカル、任意に置換されたＣ７〜Ｃ１８−アラルキルラジカル、任意に置換されたＣ１〜Ｃ４−ヒドロキシアルキルラジカルまたはヒドロキシルラジカルであり、
ｘは０〜８の整数であり、
複数のＲラジカルがＡに結合されている場合、それらは同じであってもよいし異なっていてもよい）
であることを特徴とする、請求項１または請求項２に記載のプロセス。
【請求項４】
前記ポリアニオンが高分子カルボン酸または高分子スルホン酸のアニオンであることを特徴とする、請求項１から請求項３のいずれか１項に記載のプロセス。
【請求項５】
前記ポリカチオンが、一般式（Ｉａａ）の繰り返し単位を含むポリチオフェンであり、
【化２】
2011505059.tif 000008
前記ポリアニオンがポリスチレンスルホン酸アニオンであることを特徴とする、請求項１から請求項４のいずれか１項に記載のプロセス。
【請求項６】
前記ポリアニオンの平均分子量Ｍｗが２００００〜７００００ｇ／ｍｏｌの範囲にあることを特徴とする、請求項１から請求項５のいずれか１項に記載のプロセス。
【請求項７】
前記ポリアニオンに対する前記ポリカチオンの重量比が１：２〜１：７であることを特徴とする、請求項１から請求項６のいずれか１項に記載のプロセス。
【請求項８】
前記導電性ポリマー層が溶液からまたは分散液から付与されることを特徴とする、請求項１から請求項７のいずれか１項に記載のプロセス。
【請求項９】
電気伝導率向上剤が添加されることを特徴とする、請求項１から請求項８のいずれか１項に記載のプロセス。
【請求項１０】
請求項１から請求項９のいずれか１項に記載のプロセスに従って製造される導電性の構造化されたポリマー層。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、リフトオフ（Ｌｉｆｔ−ｏｆｆ）プロセスによって導電性の構造化されたポリマー層を製造するためのプロセス、およびこのプロセスによって製造される導電性の構造化されたポリマー層に関する。
【背景技術】
【０００２】
過去数年において、導電性ポリマーは、改善された特性のプロファイルのため経済的重要性を獲得した。一方で電気伝導率を増加させることおよび他方で環境の影響に対する化学的安定性を改善することで、多くの新しい応用例が開発されることが可能となった。例えば、導電性ポリマーは、コンデンサまたはセンサにおける帯電防止層、透明電極、正孔注入層、対電極としての増加する成功例とともに使用されつつある。
【０００３】
導電性ポリマーが使用されるかまたは使用できると考えられる多くの応用例のために、この導電性ポリマー層を構造化することが必要である。ポリマー層の構造化は、その層が担体、例えばフィルムまたはガラスプレートの面積全体にわたって均一に堆積されるのではなく、むしろ互いから空間的に分離し、従って互いから電気的に絶縁されている個々の分節、例えば個々の導体トラック（Ｌｅｉｔｅｒｂａｈｎｅｎ）からなるということを意味すると理解される。従って、難題は、これらの三次元的な横方向の構造を、最大の空間分解能で支持体上に付与することである。これは、導電性ポリマーが層として存在する領域およびポリマーが存在しない領域が互いにシャープに境界を分けるということを意味する。これらの領域の境界で生じるステップは、空間分解能を決定する。これは、２つのパラメータ、ステップ高さｈおよびステップ幅ｂによって特徴付けることができる。ステップ高さは、当該ポリマー層の厚さに対応し、典型的に３０ｎｍ＜ｈ＜１０μｍである。ステップ幅は、当該ポリマー層の幅に対応し、２０μｍ未満のステップ幅ｂ、好ましくはｂ＜５μｍが多くの応用例のために必要である。これらとしては、例えば、有機発光ダイオード「ＯＬＥＤ」（非特許文献１）用の電極または有機電界効果トランジスタ「ＯＦＥＴ」（非特許文献２）用の電極が挙げられ、これらの電極はわずかμｍだけ互いに離されている。
【０００４】
導電性ポリマーを横方向に構造化された態様で担体に付与するために、種々の印刷プロセスが現在開発されている。特に適切であると考えられる印刷プロセスとしては、インクジェット印刷、スクリーン印刷、フレキソ印刷、パッド印刷、オフセット印刷およびグラビア印刷（非特許文献３）が挙げられる。これらの印刷プロセスは確立されており、適切な印刷用インキの堆積において有用であることが見出されている。しかしながら、これらの印刷技術は主に印刷された画像を視覚化するために開発されたため、それらの横方向の分解は肉眼の分離のシャープさに限定され、すなわちこの場合のステップ幅は典型的にｂ＞２０μｍである。
【０００５】
しかしながら、導電性ポリマーの多くの興味深い応用例のために、２０μｍ未満のステップ幅ｂが必要とされる。とりわけ、数ある構造の中でもとりわけ、電界効果トランジスタが完全にポリマーから構築される、見出し「Ｐｏｌｙｍｅｒ  Ｅｌｅｋｔｒｏｎｉｋ（ポリマーエレクトロニクス）」の下で論じられる構造は、確立された印刷技術が現在提供することができるよりも著しく微細な構造を必要とする。
【０００６】
さらに、上に列挙された確立された印刷プロセスは、堆積されたインキまたは染料がしばしば不均一でかつ微視的な粗さを有する表面を有する、印刷された画像につながる。例えば、スクリーン印刷、フレキソ印刷、パッド印刷、オフセット印刷およびグラビア印刷は、本質的に高粘度インキを必要とし、この高粘度インキは乾燥の間もはや十分には流れることができず、従って粗い表面を形成する。しかしながら、平均粗さＲａ＞５ｎｍを有する導電性ポリマー層の粗い表面は，とりわけＯＬＥＤまたはＯＦＥＴでは所望されない。なぜなら、この場合、それらは電気的短絡につながる可能性があるからである。インクジェット印刷の場合は、対照的に、良好な流れ性を有する低粘度インキが使用されるが、この場合はいわゆる「ｃｏｆｆｅｅ−ｄｒｏｐ  ｅｆｆｅｃｔ（コーヒーの染み効果）」（非特許文献４）が、堆積された液滴の周縁の層厚さは中央よりも著しく高いという効果につながる。この効果は、均一な導電性ポリマー層（面積または線など）の生成を、同様に困難にする。
【０００７】
高い空間分解能を有し、すなわち２０μｍ未満のステップ幅ｂを有しポリマー表面が滑らかである、すなわち平均粗さＲａが５ｎｍ未満である構造として導電性ポリマーを堆積する１つの手段は、特許文献１に記載されている。この場合、スピンコーターによって付与される導電性ポリマーの均一層は、レーザー光線によって構造化される。エキシマレーザーまたはＮｄ：ＹＡＧレーザーのレーザー光線は、当該ポリマーが除去される必要がある部位にわたって導かれ、適切な部位の有機層を破壊する（レーザーアブレーション）。このプロセスは、現在は、ガラス基体からポリマー層を除去するためにのみ使用されており、そのプロセスは遅く、かつレーザーの購入費用および運転費用のため費用がかかるという欠点を有する。さらなる欠点は、このポリマーの取り除かれた断片が隣接するポリマー層の表面上に堆積し、すなわちそれを汚染し、そしてこれらの断片が当該導電性ポリマーの電気特性および表面特性を変える可能性があるということである。導電性ポリマーの所望の除去の過程において基体材料も同時に取り除かれるため、高分子基体、例えばポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム上での導電性ポリマーのレーザーアブレーションは、苦労してようやく制御することができるということも同様に欠点である。レーザー構造化における分解能は、そのレーザー光線の焦点制御性（Ｆｏｋｕｓｓｉｅｒｂａｒｋｅｉｔ）までに限定され、そしてそれは１〜５μｍである。
【０００８】
特許文献２は、フォトリソグラフィによる導電性ポリマーの構造化を記載する。この場合、ポジ型フォトレジスト層が導電性ポリマー層に付与され、シャドーマスクを介して露光される。このフォトレジストは、露光された部位で現像剤を用いて除去することができ、従ってその下の導電性ポリマー層を露出させることができる。次にこの導電性ポリマー層は、それを適切な溶媒の中に置くことによって除去することができる。所望の導電性ポリマー構造は、その上の不溶性のフォトレジストを大面積のＵＶ照射、いわゆる全面露光（Ｆｌｕｒｂｅｌｉｃｈｔｕｎｇ）によって可溶化し、その後の洗い流しによって現像剤を用いて除去される。このプロセスは以下の欠点を有する：当該導電性ポリマー層はこのフォトレジストと直接接触する、すなわちこのフォトレジストは当該導電性ポリマー層を汚染する可能性があり、従ってその電子特性、例えば仕事関数を変える可能性がある。さらなる欠点は、この全面露光は光酸化によって当該導電性ポリマーを永久的に損傷させる可能性があり、従って電気伝導率は低下するということである。
【０００９】
導電性ポリマーを構造化するさらなる方法がＨｏｈｎｈｏｌｚ、ＯｋｕｚａｋｉおよびＭａｃＤｉａｒｍｉｄによって記載されている（非特許文献５）。この方法では、ポリエチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルホン酸（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）は、レーザープリンタによって焼かれたトナーのパターンを予め備えたフィルムに、この導電性ポリマーを付与することにより、構造化される。トルエンまたはアセトンの中でのトナーの除去は、その上のＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ層も同様に取り除くが、当該導電性ポリマーはトナーをまったく含有しないフィルムの領域上に残る。この方法は単純であるが、そのトナー粒子の粒状度に起因して、５０μｍを超えるステップ幅ｂを有する粗い構造のみしか成し遂げることができないという欠点を有する。
【００１０】
Ｄｏｎｇ、Ｚｈｏｎｇ、ＣｈｉおよびＦｕｃｈｓは、非特許文献６において、導電性ポリマーを構造化することができる別のアプローチを記載している。ここで用いられるプロセスは、フォトリソグラフィから公知のリフトオフ加工のプロセスである（非特許文献７を参照、図１参照）。このプロセスでは、ポジ型フォトレジストが最初に基体に付与され、導電性ポリマーが後でその表面を覆わないことになる地点で電子線に露光される。次いで、露光されていないフォトレジストは、溶媒を用いて除去される。次いで、露光されたフォトレジストは熱硬化され、その結果、それは後で所望される構造のネガを形成する。次いでピロールまたはアニリンが、酸化剤ＦｅＣｌ３の存在下で、溶液からスピンコーティングにより薄膜として付与され、その基体上で完結するまで重合される。この膜は、その硬化されたフォトレジスト上、およびそのフォトレジストが取り除かれたその基体上の地点の両方に存在する。次いで、トルエンまたはアセトンの中で洗い流すことによって、この硬化されたフォトレジストを再び除去することができ、その結果、その上の導電性ポリマーの層も除去される。トルエンまたはアセトンに不溶性の導電性ポリマーは、このフォトレジストが取り除かれた地点でその基体上に付着したまま留まる。このリフトオフプロセスは、１μｍ未満のステップ幅を有する導電性ポリマーの構造を成し遂げるために使用することができる。しかしながら、記載されたプロセスの欠点は、当該導電性ポリマーはその基体上でその場で（ｉｎ−ｓｉｔｕ）重合される必要があり、すなわち化学反応がその基体上で進行し、このことは、高レベルの複雑さを伴わずには工業規模で実行することはできないということである。その場で（ｉｎ−ｓｉｔｕ）重合された層はさらに、中程度に滑らかな表面しか形成しない、およびその張力のために剥げ落ちる傾向があるという欠点を有する。
【００１１】
このように、導電性ポリマーが溶液または分散液から基体上に堆積することができ、導電性ポリマー層の構造が高い横方向の空間分解能を生じ、かつ導電性ポリマー層の表面が滑らかである、導電性の構造化されたポリマー層を製造するためのプロセスについてのニーズが依然としてあった。加えて、例えば電界効果トランジスタまたはセンサの製造のために、高電気伝導率ポリマー、すなわちσ＞１００Ｓ／ｃｍの電気伝導率を有するポリマーを構造化するためのプロセスに対するニーズがあった。ここで、隣接する電極の間隔ｄは、できるだけ小さくなければならず、ｄは５００μｍ未満であることが好ましい。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１２】
【特許文献１】欧州特許出願公開第１０７９３９７号明細書
【特許文献２】独国特許出願公開第１０３４０６４１号明細書
【非特許文献】
【００１３】
【非特許文献１】Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｅｖｉｃｅｓ、Ｊｏｓｅｐｈ  Ｓｈｉｎａｒ編、２００４年、Ｓｐｒｉｎｇｅｒ−Ｖｅｒｌａｇ
【非特許文献２】Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ、Ｈａｇｅｎ  Ｋｌａｕｋ編、２００６年、Ｗｉｌｅｙ−ＶＣＨ、３頁以降
【非特許文献３】Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ、Ｈａｇｅｎ  Ｋｌａｕｋ編、２００６年、Ｗｉｌｅｙ−ＶＣＨ、２９７頁以降
【非特許文献４】Ｔｅｋｉｎ，Ｅｍｉｎｅ；ｄｅ  Ｇａｎｓ，Ｂｅｒｅｎｄ−Ｊａｎ；Ｓｃｈｕｂｅｒｔ，Ｕｌｒｉｃｈ  Ｓ．、Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ  Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ、２００４年、第１４巻、第１７号、２６２７−２６３２頁
【非特許文献５】Ｈｏｈｎｈｏｌｚ、ＯｋｕｚａｋｉおよびＭａｃＤｉａｒｍｉｄ  、「Ｐｌａｓｔｉｃ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ  Ｄｅｖｉｃｅｓ  Ｔｈｒｏｕｇｈ  Ｌｉｎｅ  Ｐａｔｔｅｒｎｉｎｇ  ｏｆ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ  Ｐｏｌｙｍｅｒｓ」、Ａｄｖａｎｃｅｄ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ、２００５年、第１５巻、５１−５６頁
【非特許文献６】Ｄｏｎｇ，  Ｚｈｏｎｇ、ＣｈｉおよびＦｕｃｈｓ、「Ｐａｔｔｅｒｎｉｎｇ  ｏｆ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ  Ｐｏｌｙｍｅｒｓ  Ｂａｓｅｄ  ｏｎ  ａ  Ｒａｎｄｏｍ  Ｃｏｐｏｌｙｍｅｒ  Ｓｔｒａｔｅｇｙ：  Ｔｏｗａｒｄ  ｔｈｅ  Ｆａｃｉｌｅ  Ｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ  ｏｆ  Ｎａｎｏｓｅｎｓｏｒｓ  Ｅｘｃｌｕｓｉｖｅｌｙ  Ｂａｓｅｄ  ｏｎ  Ｐｏｌｙｍｅｒｓ」、Ａｄｖａｎｃｅｄ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ、２００５年、第１７巻、２７３６−２７４１頁
【非特許文献７】「Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｉｃ  Ｐｒｏｃｅｓｓｅｓ」、ＭｉｃｒｏＣｈｅｍｉｃａｌｓ  ＧｍｂＨからの冊子、２００５年
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
それゆえ、導電性ポリマーを溶液または分散液から基体へ堆積させることができ、その導電性ポリマー層の構造が高い横方向の空間分解能を生じ、そしてその導電性ポリマー層の表面が滑らかである導電性の構造化されたポリマー層を製造するためのプロセスを提供することが本発明の目的であった。高電気伝導率ポリマー、すなわちσ＞１００Ｓ／ｃｍの電気伝導率を有するポリマーを構造化するためのプロセスを提供することが本発明のさらなる目的であった。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
驚くべきことに、本発明において、上述の条件を満たす導電性の構造化されたポリマー層が、リフトオフプロセスを使用して、そしてポリカチオンとしての少なくとも１つの導電性ポリマーおよび少なくとも１つのポリアニオンを基体に付与することによって製造できるということが見出された。
【００１６】
それゆえ本発明は、リフトオフプロセスを使用して導電性の構造化されたポリマー層を製造するためのプロセスであって、ポリカチオンとしての少なくとも１つの導電性ポリマーおよび１０００〜１０００００ｇ／ｍｏｌの範囲内の平均分子量Ｍｗを有する少なくとも１つのポリアニオンが基体に付与されることを特徴とするプロセスを提供する。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】リフトオフプロセスに含まれる工程を示す。
【図２】いくつかの実施例で得られたフォトレジスト構造体の高さプロファイルを示す。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
これに関して、当該リフトオフプロセスは図１に示される工程を含む。このプロセスは、５μｍ未満のステップ幅ｂを有する構造体を生成するために使用することができる。
【００１９】
本発明に関しては、ポリカチオンとしての導電性ポリマーは、任意に置換されたポリチオフェン、ポリアニリンまたはポリピロールであってもよい。これらの導電性ポリマーのうちの２以上の混合物がポリカチオンとして使用されることも、その場合に当てはまる。
【００２０】
好ましい実施形態では、当該ポリカチオンは、一般式（Ｉ）の繰り返し単位
【化１】
2011505059.tif 000003
（式中、
Ａは、任意に置換されたＣ１〜Ｃ５−アルキレンラジカル、好ましくは任意に置換されたＣ２〜Ｃ３−アルキレンラジカルであり、
ＹはＯまたはＳであり、
Ｒは、直鎖状もしくは分枝状の、任意に置換されたＣ１〜Ｃ１８−アルキルラジカル、好ましくは直鎖状もしくは分枝状の、任意に置換されたＣ１〜Ｃ１４−アルキルラジカル、任意に置換されたＣ５〜Ｃ１２−シクロアルキルラジカル、任意に置換されたＣ６〜Ｃ１４−アリールラジカル、任意に置換されたＣ７〜Ｃ１８−アラルキルラジカル、任意に置換されたＣ１〜Ｃ４−ヒドロキシアルキルラジカルまたはヒドロキシルラジカルであり、
ｘは、０〜８の整数、好ましくは０、１または２、より好ましくは０または１であり、
複数のＲラジカルがＡに結合されている場合、このＲラジカルは同じであってもよいし異なっていてもよい）
を含む任意に置換されたポリチオフェンである。
【００２１】
一般式（Ｉ）は、置換基ＲがアルキレンラジカルＡにｘ回結合することができるというように理解されるべきである。
【００２２】
さらなる好ましい実施形態では、当該ポリカチオンは、一般式（Ｉ−ａ）および／または一般式（Ｉ−ｂ）の繰り返し単位
【化２】
2011505059.tif 000004
（式中、Ｒおよびｘは、各々、上で定義されたとおりである）を含むポリチオフェンであってもよい。
【００２３】
なおさらに好ましい実施形態では、当該ポリカチオンは、一般式（Ｉ−ａａ）および／または一般式（Ｉ−ｂａ）の繰り返し単位
【化３】
2011505059.tif 000005
を含むポリチオフェンである。
【００２４】
本発明に関しては、接頭辞「ポリ」は、複数の同じまたは異なる繰り返し単位が当該ポリチオフェンの中に含まれるということを意味すると理解される。当該ポリチオフェンは全部でｎ個の一般式（Ｉ）の繰り返し単位を含み、ここでｎは２〜２０００、好ましくは２〜１００の整数であってよい。一般式（Ｉ）の繰り返し単位は、ポリチオフェン内で各々、同じであってもよいし異なっていてもよい。各々が同一の一般式（Ｉ）の繰り返し単位を含むポリチオフェンが好ましい。
【００２５】
末端基に、当該ポリチオフェンは、各々Ｈを有することが好ましい。
【００２６】
特に好ましい実施形態では、当該ポリカチオンはポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）またはポリ（３，４−エチレンオキシチアチオフェン）、すなわち式（Ｉ−ａａ）または（Ｉ−ｂａ）の繰り返し単位から形成されるホモポリチオフェンである。
【００２７】
さらに特に好ましい実施形態では、当該ポリカチオンは式（Ｉ−ａａ）および（Ｉ−ｂａ）の繰り返し単位から形成される共重合体である。
【００２８】
本発明に関しては、Ｃ１〜Ｃ５−アルキレンラジカルＡは、メチレン、エチレン、ｎ−プロピレン、ｎ−ブチレンまたはｎ−ペンチレンであり、本発明に関しては、Ｃ１〜Ｃ１８−アルキルは、直鎖状もしくは分枝状のＣ１〜Ｃ１８−アルキルラジカル、例えばメチル、エチル、ｎ−またはイソプロピル、ｎ−、ｉｓｏ−、ｓｅｃ−またはｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−ペンチル、１−メチルブチル、２−メチルブチル、３−メチルブチル、１−エチルプロピル、１，１−ジメチルプロピル、１，２−ジメチルプロピル、２，２−ジメチルプロピル、ｎ−ヘキシル、ｎ−ヘプチル、ｎ−オクチル、２−エチルヘキシル、ｎ−ノニル、ｎ−デシル、ｎ−ウンデシル、ｎ−ドデシル、ｎ−トリデシル、ｎ−テトラデシル、ｎ−ヘキサデシルまたはｎ−オクタデシルを表し、Ｃ５〜Ｃ１２−シクロアルキルは、Ｃ５〜Ｃ１２−シクロアルキルラジカル、例えばシクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘプチル、シクロオクチル、シクロノニルまたはシクロデシルを表し、Ｃ６〜Ｃ１４−アリールラジカルは、例えば、フェニルまたはナフチルを表し、そしてＣ７〜Ｃ１８−アラルキルはＣ７〜Ｃ１８−アラルキルラジカル、例えばベンジル、ｏ−、ｍ−、ｐ−トリル、２，３−、２，４−、２，５−、２，６−、３，４−、３，５−キシリルまたはメシチルを表す。本発明に関しては、Ｃ１〜Ｃ４−ヒドロキシアルキルラジカルは、１つのヒドロキシル基を有する上記のＣ１〜Ｃ４−アルキルラジカルを表す。
【００２９】
上記の一覧は、本発明を例として記載する役割を果たすが、排他的なものであるとみなされるべきではない。上記のラジカルの可能な任意のさらなる置換基としては、多くの有機基、例えばアルキル、シクロアルキル、アリール、ハロゲン、エーテル、チオエーテル、ジスルフィド、スルホキシド、スルホン、スルホネート、アミノ、アルデヒド、ケト、カルボン酸エステル、カルボン酸、カーボネート、カルボキシレート、シアノ、アルキルシランおよびアルコキシシラン基、ならびにカルボキシルアミド基が挙げられる。
【００３０】
当該ポリカチオン、特にポリチオフェンはカチオン性である。「カチオン性」は、単にこのポリチオフェン骨格上に存在する電荷のみを指す。Ｒラジカルの置換基に依存して、当該ポリチオフェンは正電荷および負電荷をその構造単位の中に有することができ、この正電荷は当該ポリチオフェン骨格上に存在し、負電荷は任意に、スルホネート基またはカルボキシレート基によって置換されたＲラジカル上に存在する。当該ポリチオフェン骨格の正電荷は、Ｒラジカルに任意に存在するいずれかのアニオン性基によって部分的にまたは完全に飽和されていてもよい。全体的に見ると、このポリチオフェンは、これらの場合にはカチオン性であってもよく、電荷を帯びていなくてもよく、またはアニオン性でさえあってもよい。とはいうものの、本発明に関しては、それらは、すべてカチオン性ポリチオフェンであると考えられる。なぜなら、このポリチオフェン骨格上の正電荷が非常に重要だからである。この正電荷は、上記式の中には示されていない。なぜなら、それらの正確な数および位置は明確に特定できないからである。しかしながら正電荷の数は、少なくとも１であり、多くともｎである（ｎは、このポリチオフェン内のすべての（同じまたは異なる）繰り返し単位の総数である）。
【００３１】
いずれかのスルホネートまたはカルボキシレート置換された、従って負に帯電したＲラジカルによってこの正電荷が打ち消されていない限りでは、この正電荷を打ち消すために、このポリカチオンまたはカチオン性ポリチオフェンは対イオンとしてアニオンを必要とする。
【００３２】
有用な対イオンは、本願明細書中で以降、ポリアニオンとも呼ばれる高分子アニオンであることが好ましい。
【００３３】
適切なポリアニオンとしては、例えばポリアクリル酸、ポリメタクリル酸またはポリマレイン酸などの高分子カルボン酸のアニオン、またはポリスチレンスルホン酸およびポリビニルスルホン酸などの高分子スルホン酸のアニオンが挙げられる。これらのポリカルボン酸およびポリスルホン酸は、ビニルカルボン酸およびビニルスルホン酸と他の重合性単量体（アクリル酸エステルおよびスチレンなど）とのコポリマーであってもよい。これらは、例えば、ＳＯ３−Ｍ＋またはＣＯＯ−Ｍ＋基（式中、Ｍ＋は、例えば、Ｌｉ＋、Ｎａ＋、Ｋ＋、Ｒｂ＋、Ｃｓ＋またはＮＨ４＋、好ましくはＨ＋、Ｎａ＋またはＫ＋である）を含む部分的にフッ素化されたかまたはペルフルオロ化されていてもよい。
【００３４】
特に好ましい高分子アニオンは、ポリスチレンスルホン酸（ＰＳＳ）のアニオンである。
【００３５】
電荷補償のために対イオンとしてのアニオンを含むカチオン性ポリチオフェンは、当該技術分野においてポリチオフェン／（ポリ）アニオン錯体とも呼ばれることが多い。
【００３６】
本発明の特に好ましい実施形態では、当該ポリカチオンは３，４−（エチレンジオキシチオフェン）であり、当該ポリアニオンはポリスチレンスルホン酸アニオンである。
【００３７】
このポリアニオンを提供するポリ酸の平均分子量Ｍｗ（重量平均）は、好ましくは２００００〜７００００ｇ／ｍｏｌの範囲、より好ましくは３００００〜６００００ｇ／ｍｏｌの範囲にある。このポリ酸またはそのアルカリ塩は市販されており、例えばポリスチレンスルホン酸およびポリアクリル酸などは、公知の方法（例えばＨｏｕｂｅｎ  Ｗｅｙｌ、Ｍｅｔｈｏｄｅｎ  ｄｅｒ  ｏｒｇａｎｉｓｃｈｅｎ  Ｃｈｅｍｉｅ、第Ｅ２０巻、Ｍａｋｒｏｍｏｌｅｋｕｌａｒｅ  Ｓｔｏｆｆｅ、第２部、（１９８７）、１１４１頁以下参照）を使用して製造することができる。
【００３８】
この平均分子量Ｍｗは、溶離液としてのリン酸緩衝液およびＭＣＸカラムの組み合わせを使用して、水系ゲル透過クロマトグラフィ（ＧＰＣ）によって測定される。検出は、この場合は、ＲＩ検出器によって行われる。そのシグナルは、ポリスチレンスルホン酸校正を使用して２５℃で評価される。
【００３９】
なおさらに好ましい実施形態では、少なくとも１つのポリカチオンおよび少なくとも１つのポリアニオンを含む導電性ポリマー層は、分散液または溶液の形態で基体に付与することができる。この導電性ポリマー層を付与するための適切なプロセスの例は、スピンコーティング、ドクターブレードコーティング、浸漬コーティングおよび噴霧コーティング、または印刷プロセス（インクジェット印刷、オフセット印刷、グラビア印刷およびフレキソ印刷など）などのプロセスであり、スピンコーティングが好ましい。
【００４０】
適切な基体は、ガラス、シリコンウェーハ、紙およびポリマーフィルム（ポリエステル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリスルホンまたはポリイミドのフィルムなど）である。
【００４１】
付与された導電性ポリマー層は、典型的にはＲａ＜５ｎｍの平均の表面粗さを有する均一な層を形成する。この値は、原子間力顕微鏡（デジタル・インスツルメンツ（Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ））によって１μｍ２の面積にわたって測定することができる。この層の電気伝導率は、好ましくはσ＝５００Ｓ／ｃｍである。この値は、測定された表面抵抗率Ｒｓｑおよび層厚さｄから、σ＝（Ｒｓｑ・ｄ）−１に従って算出することができる。この目的のために、２つの平行なＡｇ電極がその層の上へと蒸着され、それらの間の電気抵抗Ｒが測定される。表面抵抗率についてはＲｓｑ＝Ｒ  Ｗ／Ｌ（式中、Ｌは電極間隔であり、Ｗは電極の長さである）である。層厚さｄは、触針式表面形状測定装置（Ｔｅｎｃｏｒ  ５００）を用いてこのポリマー層の中の擦過痕のレベルで測定される。
【００４２】
本発明に関しては、当該分散液または溶液は、水系またはアルコール性であってもよい。「アルコール性」は、水およびアルコール（１種または複数種）を含む混合物が使用されるということを意味すると理解される。適切なアルコールは、例えば、メタノール、エタノール、ｉ−プロパノールおよびブタノールなどの脂肪族アルコールである。これらの分散液または溶液は、さらに少なくとも１つの高分子結合剤を含んでもよい。適切な結合剤は、高分子有機結合剤、例えばポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、ポリ塩化ビニル、ポリ酢酸ビニル、ポリ酪酸ビニル、ポリアクリル酸エステル、ポリアクリルアミド、ポリメタクリル酸エステル、ポリメタクリルアミド、ポリアクリロニトリル、スチレン／アクリルエステル、酢酸ビニル／アクリルエステルおよびエチレン／酢酸ビニルコポリマー、ポリブタジエン、ポリイソプレン、ポリスチレン、ポリエーテル、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリウレタン、ポリアミド、ポリイミド、ポリスルホン、メラミン−ホルムアルデヒド樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂またはセルロース誘導体である。高分子結合剤の固形分含量は、０〜３重量パーセント（重量％）、好ましくは０〜１重量％である。
【００４３】
この分散液または溶液は、さらに、接着促進剤、例えば有機官能性シランまたはその加水分解生成物、例えば３−グリシドオキシプロピルトリアルコキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３−メタクリルオキシプロピルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシランまたはオクチルトリエトキシシランを含んでもよい。
【００４４】
上述の分散液または溶液の電気伝導率を高めるために、本発明に関しては、ジメチルスルホキシドなどの電気伝導率向上剤をそれら分散液または溶液に加えることが可能である。しかしながら、欧州特許第０６８６６６２号明細書に、またはＯｕｙａｎｇら、Ｐｏｌｙｍｅｒ、４５（２００４）、８４４３−８４５０頁によって開示される他の電気伝導率向上剤も、本発明に関する電気伝導率向上剤として使用することができる。適切な電気伝導率向上剤は、特に、エーテル基を含有する化合物（例えばテトラヒドロフラン）、ラクトン基を含有する化合物（γ−ブチロラクトン、γ−バレロラクトンなど）、アミドまたはラクタム基を含有する化合物（カプロラクタム、Ｎ−メチルカプロラクタム、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、Ｎ−メチルホルムアミド、Ｎ−メチルホルムアニリド、Ｎ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）、Ｎ−オクチルピロリドン、ピロリドンなど）、スルホンおよびスルホキシド（例えばスルホラン（テトラメチレンスルホン）、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ））、糖類または糖類誘導体（例えばスクロース、グルコース、フルクトース、ラクトース）、糖アルコール（例えばソルビトール、マンニトール）、フラン誘導体（例えば２−フランカルボン酸、３−フランカルボン酸）、および／または二価アルコールまたはポリアルコール（例えばエチレングリコール、グリセロール、ジエチレングリコールまたはトリエチレングリコール）である。電気伝導率向上性添加剤として、テトラヒドロフラン、Ｎ−メチルホルムアミド、Ｎ−メチルピロリドン、ジメチルスルホキシドまたはソルビトールを使用することが特に好ましい。
【００４５】
本発明に関しては、当該ポリカチオン（１種または複数種）およびポリアニオン（１種または複数種）は、１：２〜１：７、好ましくは１：２．５〜１：６．５、より好ましくは１：３〜１：６の重量比で存在してもよい。このポリカチオンの重量は、この場合は、単量体は完全に重合で変換されると仮定して、使用される単量体の初期重量に対応する。
【００４６】
本発明はさらに、本発明に係るプロセスによって製造される導電性の構造化されたポリマー層を提供する。本発明に係るプロセスによって製造されるこの導電性ポリマー層のステップ幅ｂは、好ましくは５μｍ未満、より好ましくは１μｍ未満である。成し遂げられるステップ幅は、触針式表面形状測定装置（Ｔｅｎｃｏｒ  ５００）を用いて測定することができる。本発明に係るプロセスによって製造される構造化された導電性ポリマー層のステップは５μｍ未満の幅ｂを有する。この幅はこの触針式表面形状測定装置の横方向の分解能に相当するため、真のステップ幅は現実には５μｍ未満でさえあるということが想定できる。
【００４７】
以下の実施例は、本発明を単に具体例によって例証する働きをするが、決して限定として解釈されるべきではない。
【実施例】
【００４８】
（実施例１）
５０ｍｍ×５０ｍｍのサイズのガラス基体を、まずアセトンで、次いで超音波浴の中でＭｕｃａｓｏｌ溶液で、最後にＵＶ／オゾン反応器（ＵＰＶ，Ｉｎｃ．；ＰＲ−１００）の中で清浄にした。次いで、ＡＺ  １５１２  ＨＳ  フォトレジスト（マイクロケミカルズ（ＭｉｃｒｏＣｈｅｍｉｃａｌｓ  ＧｍｂＨ））を、蓋を開けて２００ｒｅｖ／ｓｅｃ２の加速での、１０００ｒｐｍで３０秒間のスピンコーター（カール・シュス（Ｃａｒｌ  Ｓｕｅｓｓ）、ＲＣ８）を用いるスピンコーティングによりこのガラス基体に付与した。生成した膜を最初にホットプレート上で１００℃で３分間乾燥し、次いで乾燥機の中で１１５℃で３０分間乾燥した。乾燥後、層厚さｄは２．８μｍであった（図１−１を参照）。このフォトレジストをコーティングした基体を、幅１００〜４００μｍの凹部を有する厚さ５０μｍのニッケル膜からなるシャドーマスクで覆い、そしてフォトレジスト照射装置（ワルター・レメン（Ｗａｌｔｅｒ  Ｌｅｍｍｅｎ）、クロイツヴェルトハイム（Ｋｒｅｕｚｗｅｒｔｈｅｉｍ）から入手、Ａｋｔｉｎａ  Ｅ）の中で８０秒間、ＵＶ光に露光した。その後この基体を、１部のＡＺ  ３５１Ｂ（マイクロケミカル（ＭｉｃｒｏＣｈｅｍｉｃａｌｓ  ＧｍｂＨ））および３部の水からなる現像剤溶液の中へ、撹拌しながら１２０秒間入れた（図１−２および図１−３を参照）。そのとき、予めシャドーマスクを介して露光された領域をフォトレジストを有しない状態に、および陰にされた領域をフォトレジストで覆われた状態に残す構造化されたフォトレジストでこのガラス基体は覆われた。このフォトレジスト構造体の高さプロファイルを図２−１に概略的に示す。
【００４９】
（実施例２）
ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ分散液を、公知のプロセスにより水溶液中で調製した（Ｌ．Ｇｒｏｅｎｅｎｄａａｌ、Ｆ．Ｊｏｎａｓ、Ｄ．Ｆｒｅｉｔａｇ、Ｈ．ＰｉｅｌａｒｔｚｉｋおよびＪ．Ｒ．Ｒｅｙｎｏｌｄｓ、Ａｄｖ．Ｍａｔｅｒ．  １２（２０００）４８１−４９４）。
【００５０】
撹拌機および内部温度計を備えた２ｌの３つ口フラスコに、最初に８９５．２ｇの脱イオン水および４９００００ｇ／ｍｏｌの重量平均Ｍｗおよび５．５２重量％の固形分含量を有するポリスチレンスルホン酸水溶液３２３ｇを加えた。この分子量は、水系ゲル透過クロマトグラフィ（ＧＰＣ）によって測定した。この溶液を０．０７５ｇの硫酸鉄（ＩＩＩ）と混合した。反応温度を２０〜２５℃に保った。２．９７ｇの３，４−エチレンジオキシチオフェン（ＥＤＴ；Ｂａｙｔｒｏｎ（登録商標）  Ｍ、エイチ・シー・スタルク（Ｈ．Ｃ．Ｓｔａｒｃｋ  ＧｍｂＨ））を、撹拌しながら加えた。溶液をさらに３０分間撹拌した。その後、６．９ｇの過硫酸ナトリウムを加え、この溶液をさらに２４時間撹拌した。この反応が完結すると、６０ｇのカチオン交換体（Ｌｅｗａｔｉｔ  Ｓ１００  Ｈ、ランクセス（Ｌａｎｘｅｓｓ  ＡＧ））および８０ｇのアニオン交換体（Ｌｅｗａｔｉｔ  ＭＰ  ６２、ランクセス（Ｌａｎｘｅｓｓ  ＡＧ））を加えることにより無機塩を除去し、この溶液をさらに２時間撹拌した。その後、このイオン交換体を濾別した。この溶液の中のＰＳＳに対するＰＥＤＯＴの重量比は１：６であった。このフォトレジスト表面のより良好な濡れを得るために、３滴のフッ素系界面活性剤溶液（Ｆ０９１０８  Ｚｏｎｙｌ  ＦＳＮ、フッ素化界面活性剤１０％水溶液；ＡＢＣＲ  ＧｍｂＨ）を、１０ｍｌの上記ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ溶液に加えた。この溶液を、蓋を開けて２００ｒｅｖ／ｓｅｃ２の加速度で８５０ｒｐｍで３０秒間、実施例１からのフォトレジストで構造化した基体の上へとスピンコーティングし、次いでホットプレート上で１３０℃で１５分間乾燥した。このようにして得られた層は、このガラス表面のフォトレジストがコーティングされた領域およびコーティングされていない領域の両方を均一に覆った。層厚さｄは１００ｎｍであり、電気伝導率σは２．２ｍＳ／ｃｍであった。この層をアセトン中で洗い流すことで、架橋されたフォトレジストを完全に溶解させた。架橋されたフォトレジストが茶色がかった黄色の固有の色を有するため、この溶解プロセスを視覚的にモニターすることが可能であった。このフォトレジスト上に存在するＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ層は同時には取り除かれず、むしろ、それは粘着性のはがれやすい（ｌｏｏｓｅ）薄膜としてこの基体に残った。これは、図２−３に示されるように、取り除かれた領域と残りの領域との間の明確に認識できる境界がなく、広範性の高さプロファイルで明らかになった。図１−５に示されるようなこの導電性ポリマー層の所望のリフトオフは、このように起こらなかった。
【００５１】
実施例３（本発明）
方法は実施例２と同様であったが、今回は、ＥＤＴの重合において、４７０００ｇ／ｍｏｌの重量平均Ｍｗを有するＰＳＳを使用したことが異なっていた。実施例２におけるように、この溶液中のＰＥＤＯＴ：ＰＳＳの重量比は同様に１：６であった。この溶液を、蓋を開けて２００ｒｅｖ／ｓｅｃ２の加速度で、５００ｒｐｍでの３０秒間のスピンコーティングによって塗布した。層厚さｄは１００ｎｍであり、電気伝導率σは１７ｍＳ／ｃｍであった。実施例２とは対照的に、この層をアセトンの中で洗い流すと、架橋されたフォトレジスト上のポリマー層をこの架橋されたフォトレジストと一緒に取り除くことが可能であった。対照的に、このＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ層は、この基体上に付着したまま留まった。残っている領域と取り除かれた領域との間の移行はシャープであった。なぜなら、高さプロファイルにおけるここで形成されたステップは、ｂ＜５μｍという狭いステップ幅を呈するからである（図２−２を参照）。このように、この導電性ポリマー層のリフトオフプロセスは、成功裏に実施できた。
【００５２】
実施例２および実施例３を比較すると示されるように、このＰＳＳの平均分子量Ｍｗは、リフトオフプロセスによる当該導電性ポリマー層の構造化が成功するかどうかに対して大きな影響を及ぼす。この構造化は、使用したＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ分散液が、短鎖ＰＳＳと呼ぶ、＜１０００００ｇ／ｍｏｌの平均分子量Ｍｗを有するＰＳＳを有する場合は、成功する。これに対する理由は、この短鎖ＰＳＳを使用することで、この導電性ポリマー層の破断強度が、この導電性ポリマー層を取り除くことができるのに十分に低くなることである可能性がある。
【００５３】
（実施例４）
撹拌機および内部温度計を備えた２ｌの３つ口フラスコに、最初に８６８ｇの脱イオン水および４５００００ｇ／ｍｏｌの重量平均Ｍｗおよび３．８重量％の固形分含量を有するポリスチレンスルホン酸水溶液３３０ｇを加えた。この分子量は、水系ゲル透過クロマトグラフィ（ＧＰＣ）によって測定した。この溶液を０．０７５ｇの硫酸鉄（ＩＩＩ）と混合した。反応温度を２０〜２５℃に保った。５．１ｇの３，４−エチレンジオキシチオフェンを、撹拌しながら加えた。この溶液を３０分間撹拌した。その後、９．５ｇの過硫酸ナトリウムを加え、この溶液をさらに２４時間撹拌した。この反応が完結すると、１２０ｇのカチオン交換体（Ｌｅｗａｔｉｔ  Ｓ１００  Ｈ、ランクセス（Ｌａｎｘｅｓｓ  ＡＧ））および８０ｍｌのアニオン交換体（Ｌｅｗａｔｉｔ  ＭＰ  ６２、ランクセス（Ｌａｎｘｅｓｓ  ＡＧ））を加えることにより無機塩を除去し、この溶液をさらに２時間撹拌した。このイオン交換体を濾別した。この溶液の中のＰＳＳに対するＰＥＤＯＴの重量比は１：２．５であった。
【００５４】
得られたＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ分散液を高圧ホモジナイザーを用いて９００ｂａｒ（９０ＭＰａ）の圧力で５回ホモジナイズし、次いで９５ｇのこの溶液を５ｇのジメチルスルホキシドと混合した。
【００５５】
この混合物を、実施例１からのフォトレジストで構造化した基体の上へと分散させた。この上澄み溶液を、蓋を開けて２００ｒｅｖ／ｓｅｃ２の加速度で１２００ｒｐｍで３０秒間にわたって振り落とした。得られた層を、ホットプレート上で１３０℃で１０分間乾燥した。層厚さｄは８０ｎｍであり、電気伝導率σは３５０Ｓ／ｃｍであった。
【００５６】
この層をアセトン中で洗い流すことで、架橋されたフォトレジストを完全に溶解させた。架橋されたフォトレジストの茶色がかった黄色の固有の色のため、この溶解プロセスを視覚的にモニターすることが可能であった。しかしながら、これもまた、このフォトレジスト上に存在するＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ層を取り除かず、むしろ、それは粘着性のはがれやすい（ｌｏｏｓｅ）薄膜としてこの基体に残る。図１−５に示されるような所望のリフトオフは、このように起こらなかった。
【００５７】
実施例５（本発明）
方法は実施例４と同様であったが、重合において、４９０００ｇ／ｍｏｌの重量平均Ｍｗを有するポリスチレンスルホン酸を使用したことが異なっていた。このＰＳＳポリマーに対するＰＥＤＯＴの重量比は、実施例４におけるように、１：２．５であった。
【００５８】
このＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ分散液を高圧ホモジナイザーを用いて９００ｂａｒ（９０ＭＰａ）の圧力で５回ホモジナイズし、次いで９５ｇのこの溶液を５ｇのジメチルスルホキシドと混合した。
【００５９】
この混合物を、実施例１からのフォトレジストで構造化した基体の上へと分散させた。この上澄み溶液を、蓋を開けて２００ｒｅｖ／ｓｅｃ２の加速度で１５００ｒｐｍで３０秒間にわたって振り落とした。得られた層をホットプレート上で、１３０℃で１０分間乾燥した。層厚さｄは７６０ｎｍであり、電気伝導率σは３９０Ｓ／ｃｍであった。
【００６０】
この層をアセトン中で洗い流すことで、架橋されたフォトレジストを完全に溶解させた。架橋されたフォトレジストの茶色がかった黄色の固有の色のため、この溶解プロセスを視覚的にモニターすることが可能であった。これは、いくつかの場所でこのフォトレジスト上に存在するＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ層を取り除いた。図１−５に示されるような所望のリフトオフは、こうして部分的に起こった。
【００６１】
実施例６（本発明）
実施例５に従って製造した分散液をさらなるポリスチレンスルホン酸で希釈した。この目的のために使用したＰＳＳは、４９０００ｇ／ｍｏｌの重量平均Ｍｗを有していた。この分散液中のＰＳＳに対するＰＥＤＯＴの比が１：３に対応するように、この混合物を作製し、その後、９５ｇのこの溶液を５ｇのジメチルスルホキシドと混合した。
【００６２】
この溶液を、蓋を開けて２００ｒｅｖ／ｓｅｃ２の加速度で１５００ｒｐｍで３０秒間にわたって振り落とした。その後、この層を、ホットプレート上で１３０℃で１５分間乾燥した。層厚さｄは７６ｎｍであり、電気伝導率σは３６０Ｓ／ｃｍであった。
【００６３】
実施例５とは対照的に、リフトオフによってこの混合物を完全に除去することが可能であった。
【００６４】
実施例７（本発明）
実施例５に従って製造した分散液をさらなるポリスチレンスルホン酸で希釈した。この目的のために使用したＰＳＳは、４９０００ｇ／ｍｏｌの重量平均Ｍｗを有していた。この分散液中のＰＳＳに対するＰＥＤＯＴの比が１：３．５に対応するように、この混合物を作製した。その後、９５ｇのこの溶液を５ｇのジメチルスルホキシドと混合した。
【００６５】
この溶液を、蓋を開けて２００ｒｅｖ／ｓｅｃ２の加速度で１１００ｒｐｍで３０秒間にわたって振り落とした。その後、この層を、ホットプレート上で１３０℃で１５分間乾燥した。層厚さｄは７７ｎｍであり、電気伝導率σは３１０Ｓ／ｃｍであった。
【００６６】
実施例５とは対照的に、リフトオフによってこの混合物を完全に除去することが可能であった。
【００６７】
実施例８（本発明）
実施例５に従って製造した分散液をさらなるポリスチレンスルホン酸で希釈した。この目的のために使用したＰＳＳは、４９０００ｇ／ｍｏｌの重量平均Ｍｗを有していた。この分散液中のＰＳＳに対するＰＥＤＯＴの比が１：４に対応するように、この混合物を作製した。その後、９５ｇのこの溶液を５ｇのジメチルスルホキシドと混合した。
【００６８】
この溶液を、蓋を開けて２００ｒｅｖ／ｓｅｃ２の加速度で１１００ｒｐｍで３０秒間にわたって振り落とした。その後、この層を、ホットプレート上で１３０℃で１５分間乾燥した。層厚さｄは７７ｎｍであり、電気伝導率σは２９０Ｓ／ｃｍであった。
【００６９】
実施例５とは対照的に、リフトオフによってこの混合物を完全に除去することが可能であった。
【００７０】
実施例９（本発明）
実施例５に従って製造した分散液をさらなるポリスチレンスルホン酸で希釈した。この目的のために使用したＰＳＳは、４９０００ｇ／ｍｏｌの重量平均Ｍｗを有していた。この分散液中のＰＳＳに対するＰＥＤＯＴの比が１：４．５に対応するように、この混合物を作製した。その後、９５ｇのこの溶液を５ｇのジメチルスルホキシドと混合した。
【００７１】
この溶液を、蓋を開けて２００ｒｅｖ／ｓｅｃ２の加速度で、１０００ｒｐｍで３０秒間にわたって振り落とした。その後、この層を、ホットプレート上で１３０℃で１５分間乾燥した。層厚さｄは７７ｎｍであり、電気伝導率σは２６０Ｓ／ｃｍであった。
【００７２】
実施例５とは対照的に、リフトオフによってこの混合物を完全に除去することが可能であった。
表１：実施例２〜９の結果の概要
【表１】
2011505059.tif 000006
＊  本発明の実施例
【図１】
2011505059.tif 000009
【図２】
2011505059.tif 000010
【国際調査報告】
2011505059.tif 000011
2011505059.tif 000012
2011505059.tif 000013
2011505059.tif 000014
2011505059.tif 000015
2011505059.tif 000016