(57)【要約】ある実施形態によれば、集積回路は、導電性構造体間の望ましくない容量を減少させるためにもろいｌｏｗ−ｋ誘電体材料を使用して製造される。係る誘電体材料への恒久的な損傷を避けるために、ボンド・パッドは、ワイア・ボンディング中の有害な力から誘電体材料を保護するサポート構造体とともに製造される。一実施例では、サポート構造体は、ボンド・パッドと最上部のメタライゼーション層との間にパッシベーション構造体を含む。別の一実施例では、サポート構造体は最上部のメタライゼーション層と上から２番目のメタライゼーション層との間に金属構成物を含む。両方の場合に、ボンド・パッドの下の上から２番目のメタライゼーション層は、異なる信号配線経路に対応する複数の金属配線を有することができる。したがって、配線目的に関する上から２番目のメタライゼーション層の使用についての制限は、ボンド・パッドの下の上から２番目のメタライゼーション層の領域が１つの金属構造体であることを必要とする従来技術のボンド・パッド・サポート構造体と比較して、緩和される。
2011502352.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ボンド・パッド（例えば、２０４）と、
前記ボンド・パッドの直ぐ下側にあり前記ボンド・パッドの第１部分に直接接触する第１パッシベーション構造体（例えば、２０６）と、
前記ボンド・パッド及び前記第１パッシベーション構造体の下の第１メタライゼーション層（例えば、Ｍ７）であって、（ｉ）前記ボンド・パッドの第２部分及び（ｉｉ）前記第１パッシベーション構造体の両者の直ぐ下側にありこの両者と直接接触している第１金属構造体を備える、第１メタライゼーション層（例えば、Ｍ７）と、
前記第１メタライゼーション層の下の第２メタライゼーション層（例えば、Ｍ６）と、
前記第１メタライゼーション層と前記第２メタライゼーション層との間の第１誘電体材料と、を備え、前記第２メタライゼーション層で前記ボンド・パッドの直ぐ下側の部分は、２以上の別個の配線経路に対応する２以上の金属構造体を備える、
集積回路（ＩＣ）。
【請求項２】
前記第１メタライゼーション層は、前記ボンド・パッドの下方になく、前記第１金属構造体に直接接続されていない１又は複数の別個の配線経路を備える、請求項１に記載の発明。
【請求項３】
前記第１メタライゼーション層は、前記ボンド・パッドの下に１より多くの別個の配線経路を持たない、請求項１に記載の発明。
【請求項４】
前記第１誘電体材料及び前記第２誘電体材料は、３より小さい誘電率ｋを有する、請求項１に記載の発明。
【請求項５】
前記ボンド・パッド下側の領域において前記第１メタライゼーション層と前記第２メタライゼーション層との間には金属ビアがない、請求項１に記載の発明。
【請求項６】
前記ボンド・パッドはプローブ領域に直接接続される、請求項１に記載の発明。
【請求項７】
前記第１金属構造体は、前記ボンド・パッドと実質的に同じ面積を有するほぼ連続する平坦な金属構造体であり、前記ボンド・パッドの下側に位置し前記ボンド・パッドに直接接続される、請求項１に記載の発明。
【請求項８】
前記第１メタライゼーション層の上方に第２パッシベーション構造体（例えば、２０５）をさらに備える、請求項１に記載の発明。
【請求項９】
前記第２パッシベーション構造体は、前記第１メタライゼーション層と直接接触している前記ボンド・パッドの前記第２部分により前記第１パッシベーション構造体とは分離される、請求項８に記載の発明。
【請求項１０】
前記第１パッシベーション構造体は、実質的に（ｉ）正方形と（ｉｉ）楕円形のうちの１つの形状であり、前記第１パッシベーション構造体は、前記第２パッシベーション構造体の開口部のほぼ中央に置かれる、請求項９に記載の発明。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、集積回路ダイのためのボンド・パッドに関し、特にボンド・パッドを支持するメタライゼーション層に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの製造は、ウェーハ製造工程と組立て工程とを含む複数工程プロセスである。ウェーハ製造は、正確に形成された材料層を半導体基板上に付加することを含む。その層は、フォト−マスキングおよびエッチングによりパターン形成される。一般的に、最上層は、下層の様々な構成要素を接続する金属配線を含む複数のメタライゼーション層を含む。金属層間の直接接続は、金属層間の金属ビア、すなわち垂直配線、を使用して実現される。ウェーハ製造は、複数の集積回路（ＩＣ）を備えるウェーハを生産する。組立ては、（ｉ）ウェーハを切断して個々のＩＣダイにすること、（ｉｉ）各ダイを対応するリード・フレームに接着すること、（ｉｉｉ）各ダイのパッドを対応するリード・フレーム上のリードにワイア・ボンディングすること、および（ｉｖ）プラスチック・パッケージまたはセラミック・パッケージ中に各ダイ、ボンド・ワイア、および対応するリード・フレームを封止すること、を一般的に含む。別の組立てプロセスが、特定のチップ・タイプに対して使用される。例えば、ボール・グリッド・アレイ（ＢＧＡ：ｂａｌｌ  ｇｒｉｄ  ａｒｒａｙ）タイプのチップの組立ては、回路ボードへの電気的接続性を与える非リード・フレーム基体（基板と呼ばれる）へのダイの電気的接続、およびポリマ材料中への封止を一般的に含む。
【０００３】
工学技術の進歩は、時間の経過とともに、ＩＣの構成要素のサイズの縮小、ならびにＩＣの動作クロック速度の高速化をもたらす。サイズの縮小および速度の高速化は、新たな難題をもたらす。要素間、例えば金属配線間の寄生容量カップリングは、要素デバイス寸法が減少するにつれて増加し、その影響は、より高い動作周波数において拡大されることがある。２つの要素間の容量がそれらの間の距離に反比例するために、容量カップリングは増加する。この関係は、平行平板型キャパシタの容量Ｃに関する次の数式から理解できる。ここにおいて、容量は、Ｃ＝ε０ｋＡ／ｄとして表すことができ、ここで、ε０は真空の誘電率であり、ｋは誘電体、すなわちキャパシタ電極板を分離している物質の誘電率であり、Ａは電極板それぞれの面積であり、ｄは電極板間の距離である。
【０００４】
ＩＣの金属配線は、誘電率ｋが約４．３である二酸化シリコン（ＳｉＯ２）によって一般的に分離されている。誘電率を減少させることは、式（１）から分かるように、２つの要素間の容量を減少させるように働くはずである。ｌｏｗ−ｋ誘電体を用いるＩＣを製造する技術が開発されてきている。約３．０より小さいｋを有する誘電体材料は、ｌｏｗ−ｋ誘電体と考えられる。ｌｏｗ−ｋ誘電体は、通常のＳｉＯ２誘電体材料に、例えば、空洞空間、すなわち多孔体、および／または不純物、例えばある種の炭化水素を導入することにより形成できる。
【０００５】
ｌｏｗ−ｋＳｉＯ２誘電体は、通常のＳｉＯ２よりも構造的に弱くなる傾向がある。相対的な弱さは、例えば、低い弾性率を有することにより例示される。例えば、通常のＳｉＯ２片は、それを製造するために使用する技術に応じて、５０ＧＰａと１５０ＧＰａとの間のヤング率を有することがある、ところが対応するｌｏｗ−ｋ誘電体片は、２０ＧＰａより小さなヤング率を有することがある。誘電体が弱いほど容易に損傷を受け易く、組立て中に、例えば、ワイアがダイ上のボンド・パッドに接着された際のワイア・ボンディング・プロセス中に、破壊に至る割れをより受け易くなる可能性が大きい。ボンド・パッドへのワイアの接着は、圧力、超音波エネルギー、および／または熱を加えることを一般に含み、それはボンド・パッド、ならびにボンド・パッド下側の構造体へ機械的ストレスを与える。この機械的ストレスは、これらの下にある構造体に損傷を与える可能性がある。損傷を受ける可能性は、ボンド・パッドおよび下にある構造の強度が小さくになるにつれて増加する。それに加えて、ボンド・パッドの機械的ストレスがボンド・パッドの面積に反比例するので、損傷を受ける可能性は、シリコン技術の寸法、そしてその結果ボンド・パッドのサイズ、が減少するにつれて増加する。
【０００６】
図１は、アントル（Ａｎｔｏｌ）らに発行された米国特許第７，１１５，９８５号Ｂ２（‘９８５特許）による半導体デバイス１００のボンド・パッド領域の断面図であり、それは、ボンディング・パッドの下にあるデバイス構成要素への損傷の低減に寄与する１つの従来技術の補強されたボンド・パッドを説明している。半導体デバイス１００は、一番下に基板１０１を備える。基板１０１を覆うものは、７つのメタライゼーション層Ｍ１〜Ｍ７である。メタライゼーション層は、基板１０１上の複数の構成要素を接続するように配線されている（ｂｅ  ｒｏｕｔｅｄ）金属配線を備える。金属配線およびメタライゼーション層は、誘電体１０２により分離される。隣接するメタライゼーション層の選択金属配線は、ビア１０３のような金属ビアにより直接接続される。
【０００７】
最上部の金属層Ｍ７は、開口部、すなわち窓、を有する第１パッシベーション層１０４で部分的に覆われていて、例えば、アルミニウムを使用するボンド・パッド１０５の形成を可能にする。パッシベーション層は、例えば、シリコン窒化物（Ｓｉ３Ｎ４）からなることができる。ボンド・パッド１０５は、メタライゼーション層Ｍ７の一部に導電性で接続され、別のメタライゼーション層と中間ビアを介して基板１０１上の１または複数の適切な構成要素に導電性で接続される。第１パッシベーション層１０４の露出した領域およびボンド・パッド１０５の外周は、第２パッシベーション層１０６により覆われる。ボンド・パッド１０５のほぼ下方の領域（ｖｏｌｕｍｅ）では、金属層Ｍ６およびＭ７は、互いに横切るように配列された金属で埋められた凹部のアレイにより相互接続された実質的に連続する平坦な構造体であり、誘電体１０２の複数の分離した部分を含んでいるメッシュ状パターンを形成する。ボンド・パッド１０５下側のこの２層のアレイ相互接続された金属構造体は、（ｉ）ボンド・パッド１０５下側の領域に対する構造的補強、ならびに（ｉｉ）ボンド・パッド１０５から基板１０１上の適切な構成要素への導電経路、を提供する。
【０００８】
金属層Ｍ６とＭ７でボンド・パッド１０５下側にある部分が実質的に平坦であるという性質、およびこれらの間のメッシュの金属相互接続部のために、金属層Ｍ６およびＭ７のこれらの領域は、全体として配線の制限があり、構成要素相互接続のために通常の金属配線を配線することにはほとんど適さない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】米国特許第７，１１５，９８５号Ｂ２
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【００１０】
１つの実施形態では、本発明は、（ｉ）ボンド・パッドと、（ｉｉ）前記ボンド・パッドの直ぐ下側にあり前記ボンド・パッドの一部に直接接触するパッシベーション構造体と、（ｉｉｉ）前記ボンド・パッドおよび前記パッシベーション構造体の下の第１メタライゼーション層と、を備える集積回路（ＩＣ）であって、前記ボンド・パッドの別の部分が前記第１メタライゼーション層と直接接触する、集積回路であり得る。
【００１１】
別の一実施形態では、本発明は、（ｉ）ボンド・パッドと、（ｉｉ）前記ボンド・パッドの下にあり前記ボンド・パッドと直接接触する第１メタライゼーション層と、（ｉｉｉ）前記第１メタライゼーション層の下の第２メタライゼーション層と、（ｉｖ）前記第１メタライゼーション層と前記第２メタライゼーション層との間の第１ｌｏｗ−ｋ誘電体材料と、を備える集積回路（ＩＣ）であり得る。前記第２メタライゼーション層で前記ボンド・パッドの下の部分は、（ｉ）前記ＩＣにおけるさらに２の別個の配線経路の一部であり（ｉｉ）第２ｌｏｗ−ｋ誘電体材料により分離される２以上の金属配線を備える。前記第２メタライゼーション層で前記ボンド・パッドの下の前記部分中の前記金属配線のうちの少なくとも１つは、前記第１ｌｏｗ−ｋ誘電体材料中の１または複数の金属構成物により前記第１メタライゼーション層に直接接続される。前記第２メタライゼーション層で前記ボンド・パッドの下の前記部分中の前記金属配線の少なくとも１つは、前記第１ｌｏｗ−ｋ誘電体材料中のいずれの金属構成物によっても前記第１メタライゼーション層に直接接続されていない。
【００１２】
本発明の別の態様、特徴、および利点は、下記の詳細な説明、添付された特許請求の範囲、および付属の図面からより十分に明確になるであろう。図中、同様の参照符号は、類似または同一の要素を示している。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】従来技術の半導体デバイスのボンド・パッドの断面図である。
【図２】本発明のある実施形態による半導体デバイス・ボンド・パッドの断面図である。
【図３】図２のボンド・パッドの一実施例（Ｉｍｐｌｅｍｅｎｔａｔｉｏｎ）の透視上面図である。
【図４】図２のボンド・パッドの別の一実施例の透視上面図である。
【図５】本発明の別の一実施形態による半導体デバイス・ボンド・パッドの断面図である。
【図６】図５のボンド・パッドの一実施例の透視上面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
図２は、半導体デバイス２００でボンド・パッド２０４に対応する部分の断面図を示す。半導体デバイス２００は、一番下に基板２０１を備える。基板２０１を覆うものは、７つのメタライゼーション層Ｍ１〜Ｍ７である。メタライゼーション層は、基板２０１上の複数の構成要素を接続するように配線されている金属配線を備える。金属配線およびメタライゼーション層は、誘電体２０２によって分離される。隣接するメタライゼーション層の特定の金属配線は、ビア２０３のような金属ビアにより直接接続される。
【００１５】
最上部の金属層Ｍ７は、例えばアルミニウムを使用するボンド・パッド２０４の形成を可能にする開口部を有する第１パッシベーション層２０５で部分的に覆われている。第１パッシベーション層２０５にあるボンド・パッド２０４のための開口部は、フレームまたはアウトライン開口部である、すなわち、枠取り部分だけが、ボンド・パッド２０４に一致する部分を第１パッシベーション層２０５から除去され、それによりパッシベーション構造体２０６を残す。ボンド・パッド２０４は、メタライゼーション層Ｍ７の一部に接続され、別のメタライゼーション層と中間ビアを介して基板２０１上の１または複数の適切な構成要素に導電性で接続される。第１パッシベーション層２０５の露出した領域およびボンド・パッド２０４の外周は、第２パッシベーション層２０７により覆われる。ボンド・パッド２０４のほぼ下方の領域では、金属層Ｍ７は、実質的に連続する平坦構造であるが、その領域の金属層Ｍ１〜Ｍ６は、金属層Ｍ１〜Ｍ６が別の領域で一般に備えているように、配線された金属配線を備える。具体的に、メタライゼーション層Ｍ６でボンド・パッド２０４下側の部分は、半導体デバイス２００の別個の配線経路の部分である２以上の金属配線を備える。個々の配線経路は、直接接続されるだけでなく、他の構成要素を経由してつながれることができる。
【００１６】
メタライゼーション層Ｍ７でパッシベーション構造体２０６およびボンド・パッド２０４下側の実質的に連続する平坦な部分は、ボンド・パッド２０４下側の半導体デバイス２００の領域に対する構造的サポートを提供する。ワイア・ボンディング中に、パッシベーション構造体２０６は、下にある領域へのボンディング・プロセスからのストレスを緩和することに寄与する。メタライゼーション層Ｍ６でボンド・パッド２０４のほぼ下側の領域は、実質的に連続する平坦構造ではなく、図１のメタライゼーション層Ｍ６での対応する部分について全体として配線の制限がない、すなわち、その領域、同様にメタライゼーション層Ｍ６の残りの領域は、ボンド・パッド２０４の場所に直接関係するいかなる配線の制限をも受けない。むしろ、その領域は、金属配線を配線するために使用でき、このことはボンド・パッド２０４のほぼ下側の領域のより効率的な利用を可能にする。
【００１７】
図３は、図２のボンド・パッド部分の一実施例の透視上面図を示す。第１パッシベーション層２０５とパッシベーション構造体２０６は、斜めの網目パターンを使用して示されている。パッシベーション層２０５が図３に示された領域を超えて広がっていることに留意すべきである。ボンド・パッド２０４は、形がほぼ正方形である。パッシベーション構造体２０６は、おおむね（ｉ）ボンド・パッド２０４の領域内の中心に置かれ、（ｉｉ）形状が正方形である。ボンド・パッド２０４およびパッシベーション構造体２０６に関する具体例の寸法は、それぞれ６０×６０μｍおよび４０×４０μｍである。白で示される接続領域３０１は、パッシベーション構造体２０６と第１パッシベーション層２０５との間の区域である。接続領域３０１は、図２の最上部のメタライゼーション層Ｍ７へのボンド・パッド２０４の電気的接続を提供する。
【００１８】
図４は、図２のボンド・パッド部分の別の実施例の透視上面図を示す。第１パッシベーション層２０５とパッシベーション構造体２０６は、斜めの網目パターンを使用して示されており、パッシベーション層２０５は示された領域を超えて広がっている。ボンド・パッド２０４は、おおむね長方形である。パッシベーション構造体２０６は、おおむね（ｉ）ボンド・パッド２０４の領域内の中心に置かれ、（ｉｉ）形状が円形である。円形は、楕円形の特定のタイプであることに留意されたい。ボンド・パッド２０４およびパッシベーション構造体２０６に関する具体例の寸法は、それぞれ６０×４０μｍおよび直径４０μｍである。白で示される接続領域４０１は、パッシベーション構造体２０６と第１パッシベーション層２０５との間の区域である。接続領域４０１は、図２の最上部のメタライゼーション層Ｍ７へのボンド・パッド２０４の電気的接続を提供する。
【００１９】
図５は、本発明の別の一実施形態による半導体デバイス５００のボンド・パッドの断面図を示す。図２中の要素に実質的に同様である図５中の要素は、同様の形で番号を付けられているが、異なる接頭番号を有する。半導体デバイス５００のボンド・パッド５０４は、図２のパッシベーション構造体２０６に類似したパッシベーション構造を含まない。その代わりに、構造的な補強は、メタライゼーション層Ｍ６とＭ７との間の、ビア５０８のような、サポート・ビアを使用して与えられる。ボンド・パッド５０４下側のメタライゼーション層Ｍ６の領域は、部分的に配線することを制限されており、ある部分は金属配線を配線するために使用されるが、別の部分はメタライゼーション層Ｍ７に接続された専用の金属配線を備え、ボンド・パッド５０４に対する構造的なサポートを提供する。それにも拘わらず、専用の金属配線がボンド・パッド５０４を基板５０１上の適切な構成要素に接続する導電経路の一部として使用され得ることに留意すべきである。
【００２０】
図６は、図５のボンド・パッド部分の一実施例の透視上面図を示す。第１パッシベーション層５０５は、斜めの網目パターンを使用して示されており、パッシベーション層５０５は示された領域を超えて広がっている。ボンド・パッド５０４は、おおむね正方形である。メタライゼーション層Ｍ６の配線制限領域６０１は、図５のビア５０８のような構造的−サポート・ビアに対応し、直交する網目パターンを使用して示されている。図６の配線制限領域６０１は、部分的骨組みを形成しており、ボンド・パッド５０４の中心に関してほぼ対称的である。
【００２１】
図５のボンド・パッド部分の別の実施例では、メタライゼーション層Ｍ６の配線制限領域６０１および対応する構造サポート・ビアは、図６に示されたもの以外の形状を形成する。ボンド・パッド５０４下側の領域におけるメタライゼーション層Ｍ６とＭ７との間のビアの占有密度、すなわち、金属ビアである上面図断面積の割合、は、少なくとも３０％であるべきであり、約６０％〜８０％の好ましい占有密度である。その占有密度は、メタライゼーション層Ｍ６の専用金属配線を特別に配線すること、または相互接続する金属構成物に関する特別な占有パターンの使用のいずれかにより実現できる。
【００２２】
図４のボンド・パッド２０４の別の実施形態では、パッシベーション構造体２０６は、ボンド・パッド２０４の小さい方の寸法よりも小さな直径を有する。図２のボンド・パッド２０４の別の実施例では、パッシベーション構造体２０６は、真円でない楕円形の形状である。図２のボンド・パッド２０４の別の実施例では、パッシベーション構造体２０６は、正方形または楕円形以外の形状である。パッシベーション構造体２０６の具体的な形状の設計において、考慮されるべき要因は、半導体デバイスの設計ルール、パッシベーション構造体の面積を最大にして最大の構造的サポートを与えるという要求、および接触面積を最大にしてボンド・パッドから最上部のメタライゼーション層へ最大の信号伝送を与えるという要求、である。
【００２３】
図２の半導体デバイス２００の１つの別の実施例では、ボンド・パッド２０４下側の領域においてメタライゼーション層Ｍ６とＭ７との間に何も金属ビアがない。
【００２４】
半導体デバイスの実施形態を、メタライゼーション層を７つ有するものとして説明した。この個数は一例である。当業者により認識されるように、別の実施形態は、個々の半導体デバイスの設計者によって決定されるように、別の個数のメタライゼーション層を有することができる。
【００２５】
半導体デバイスの実施形態を、第２パッシベーション層を採用しているものとして説明した。ある別の実施形態は、第１パッシベーション層だけを有する。もう１つの別の実施形態は、３つ以上のパッシベーション層を有する。
【００２６】
ある種の集積回路は、プローブ領域に直接接続されたボンド・パッドを有する１または複数の金属構造体を備える。本明細書において使用されるように、用語「ボンド・パッド」は、そのような金属構造体のプローブ領域を含まない。
【００２７】
図２の半導体デバイス２００の１つの別の実施例では、ボンド・パッド２０４とのコンタクト構造を形成するメタライゼーション層Ｍ７の配線制限部分は、図３の接続領域３０１または図４の接続領域４０１のような接続領域とほぼ類似の形状にされている。そのように、パッシベーション構造体の下側にあるメタライゼーション層Ｍ７のある領域は、金属配線を配線するために使用できる。例えば、１つの実施形態では、図３のパッシベーション構造体２０６に対応するメタライゼーション層Ｍ７の領域は、金属配線を通常に配線するために使用できる。
【００２８】
本発明の本質を説明するために記述および図示した構成要素の詳細、材料、および配置の様々な変更が、下記の特許請求の範囲において述べられるような本発明の範囲から乖離することなく当業者により行われ得ることが、さらに理解されるであろう。
【００２９】
「１つの実施形態（ｏｎｅ  ｅｍｂｏｄｉｍｅｎｔ）」または「ある実施形態（ａｎ  ｅｍｂｏｄｉｍｅｎｔ）」との本明細書における言及は、その実施形態に関係して説明される特有の構成、構造、または特徴が本発明の少なくとも１つの実施形態において含まれ得ることを意味する。明細書中の様々な場所において表現「１つの実施形態では」が現れることは、必ずしも全て同じ実施形態を引用しているのではなく、個々の実施形態または別の実施形態が他の実施形態を相互に除外しているのでもない。同じことは、用語「実施例（ｉｍｐｌｅｍｅｎｔａｔｉｏｎ）」にも適用される。
【００３０】
明確に述べられない限りそれ以外は、それぞれの数値と範囲は、語「約（ａｂｏｕｔ）」または「ほぼ（ａｐｐｒｏｘｉｍａｔｅｌｙ）」がその値または範囲の値の前にあたかもあるように、近似として解釈されるべきである。本出願において使用されるように、明確に指示されない限り、用語「接続された（ｃｏｎｎｅｃｔｅｄ）」は、要素間の直接接続および間接接続の両者を含むように意図されている。
【００３１】
この説明の目的のために、用語「つなぐ（ｃｏｕｐｌｅ）」、「カップリング（ｃｏｕｐｌｉｎｇ）」、「つながれた（ｃｏｕｐｌｅｄ）」、「接続（する）（ｃｏｎｎｅｃｔ）」、「接続すること（ｃｏｎｎｅｃｔｉｎｇ）」、または「接続された（ｃｏｎｎｅｃｔｅｄ）」は、エネルギーが２以上の要素間で伝達されることを可能にする、この分野において公知のまたは後で開発されるいずれかの方式を言及しており、必ずしも必要ではないが、１または複数の追加の要素の挿入が意図される。用語「直接つながれた」、「直接接続された」等は、接続された複数の要素が伝達されるエネルギーのために伝導体を介して接触しているまたは接続される、のいずれかを意味する。
【００３２】
特許請求の範囲における図面番号および／または図面の参照符号の使用は、請求項の解釈を容易にするために特許請求される事項の１または複数の可能な実施形態を特定するように意図されている。係る使用は、対応する図面に示される実施形態にこれらの請求項の範囲を制限するように解釈されるべきではない。
【図１】
2011502352.tif 000003
【図２】
2011502352.tif 000004
【図３】
2011502352.tif 000005
【図４】
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【図５】
2011502352.tif 000007
【図６】
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【国際調査報告】
2011502352.tif 000009
2011502352.tif 000010
2011502352.tif 000011