(57)【要約】  本発明は、コンデンサデバイスに関する。このコンデンサデバイスは、インテグレートされた第１のコンデンサ（Ｃ１）と、インテグレートされたＹコンデンサとを備え、このＹコンデンサは、第２のコンデンサ（Ｃ２）と、第３のコンデンサ（Ｃ３）とを備え、この第２および第３のコンデンサ（Ｃ３）は、互いに直列に接続され、第１のコンデンサ（Ｃ１）に対し並列に回路接続されている。  さらに、本発明は、このようなコンデンサデバイスの製造方法に関する。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
インテグレートされた第１のコンデンサ（Ｃ１）と、
第２のコンデンサ（Ｃ２）と第３のコンデンサ（Ｃ３）とを備え、当該第２のコンデンサ（Ｃ２）と当該第３のコンデンサ（Ｃ３）とが、互いに直列に接続され、前記第１のコンデンサ（Ｃ１）に対し並列に回路接続された、インテグレートされたＹコンデンサと、
を備えることを特徴とするコンデンサデバイス。
【請求項２】
請求項１に記載のコンデンサデバイスにおいて、
前記第１のコンデンサと、前記第２のコンデンサと、前記第３のコンデンサとの共通の電気的接続を行う、第１のバスバーおよび第２のバスバー（２，３）を備えることを特徴とするコンデンサデバイス。
【請求項３】
請求項１または２に記載のコンデンサデバイスにおいて、
前記コンデンサデバイスは円環形状であることを特徴とするコンデンサデバイス。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか１項に記載のコンデンサデバイスにおいて、
複数の内部電極（５）と当該複数の内部電極の間に配設された誘電体薄膜（６．１，６．２，６．３）とを有する薄膜積層体（４）を備えた基体を備え、
前記第２のコンデンサおよび前記第３のコンデンサは、前記基体の上に取り付けられているか、または前記第２のコンデンサおよび前記第３のコンデンサは、前記基体によって形成されることを特徴とするコンデンサデバイス。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか１項に記載のコンデンサデバイスにおいて、
前記コンデンサデバイスの第１の外面（７）および第２の外面（８）は、少なくとも部分的に金属層（９，１０）で覆われていることを特徴とするコンデンサデバイス。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか１項に記載のコンデンサデバイスにおいて、
前記薄膜積層体（４）を、前記第１のコンデンサ（Ｃ１）と、前記第２のコンデンサ（Ｃ２）と、前記第３のコンデンサ（Ｃ３）とに分離する、第１の電気的絶縁用分離薄膜（１１）と第２の電気的絶縁用分離薄膜（１２）とを備えることを特徴とするコンデンサデバイス。
【請求項７】
請求項５または６に記載のコンデンサデバイスにおいて、
前記第１の外面（７）の上で、前記第１の電気的絶縁用分離薄膜（１１）によって、前記金属層（９）は、互いに絶縁された第１の部分領域（１３）と第２の部分領域（１４）とに分離されており、
前記第２の外面（８）の上で、前記第２の電気的絶縁用分離薄膜（１２）によって、前記金属層（１０）は、互いに絶縁された第１の部分領域（１５）と第２の部分領域（１６）とに分離されていることを特徴とするコンデンサデバイス。
【請求項８】
請求項７に記載のコンデンサデバイスにおいて、
前記第１のバスバー（２）は、前記第１の外面（７）の上で、前記金属層（９）の前記第１の部分領域（１３）と電気的に接続されており、
前記第２のバスバー（３）は、前記第２の外面（８）の上で、前記金属層（１０）の前記第１の部分領域（１５）と接続されており、かつ前記第１の外面（７）の上で、前記金属層（９）の前記第２の部分領域（１４）と接続されており、
前記金属層（１０）の前記第２の部分領域（１６）は、前記第２の外面（８）の上で基準電位（１）と接続されていることを特徴とするコンデンサデバイス。
【請求項９】
請求項２乃至８のいずれか１項に記載のコンデンサデバイスにおいて、
前記第１のバスバー（２）および前記第２のバスバー（３）と、前記第１のコンデンサ（Ｃ１）と、前記第２のコンデンサ（Ｃ２）と、前記第３のコンデンサ（Ｃ３）とは、１つの共通な軸を円環形状で包囲し、前記第１のバスバー（２）および前記第２のバスバー（３）は共に、前記第１のコンデンサ（Ｃ１）、前記第２のコンデンサ（Ｃ２）、前記第３のコンデンサ（Ｃ３）より大きい直径を備えることを特徴とするコンデンサデバイス。
【請求項１０】
請求項２乃至８のいずれか１項に記載のコンデンサデバイスにおいて、
前記Ｙコンデンサは、前記第１のバスバー（２）と前記第２のバスバー（３）との間に配設されていることを特徴とするコンデンサデバイス。
【請求項１１】
請求項１０に記載のコンデンサデバイスにおいて、
前記Ｙコンデンサは、金属薄膜（５ａ）と、第１の誘電体薄膜（６ａ）と、第２の誘電体薄膜（６ｂ）とを備え、
前記金属薄膜（５ａ）は、基準電位（１）と接続されており、前記第１の誘電体薄膜（６ａ）と前記第２の誘電体薄膜（６ｂ）との間に封止されており、
前記金属薄膜（５ａ）と、前記第１の誘電体薄膜（６ａ）および前記第２の誘電体薄膜（６ｂ）とは、前記第１のバスバー（２）と前記第２のバスバー（３）との間に配設されて、前記第２のコンデンサ（Ｃ２）が、前記第１のバスバー（２）と、前記金属薄膜（５ａ）と、前記第１の誘電体薄膜（６ａ）とによって形成され、前記第３のコンデンサ（Ｃ３）が前記第２のバスバー（３）と、前記金属薄膜（５ａ）、および前記第２の誘電体薄膜（６ｂ）とによって形成されることを特徴とするコンデンサデバイス。
【請求項１２】
請求項１０または１１に記載のコンデンサデバイスにおいて、
前記第１のバスバー（２）と前記第２のバスバー（３）との間に、複数の金属薄膜（５ａ−５ｅ）が配設されており、当該複数の金属薄膜はそれぞれ２つの誘電体薄膜（６ａ）の間に封止されており、
前記誘電体薄膜（６ａ）と，前記複数の金属薄膜（５ａ−５ｅ）と、前記第１のバスバー（２）および前記第２のバスバー（３）とによって、複数の第２のコンデンサ（Ｃ２）および複数の第３のコンデンサ（Ｃ３）を形成し、それぞれの１つの第２のコンデンサ（Ｃ２）と１つの第３のコンデンサ（Ｃ３）とが互いに直列に接続され、かつ他のコンデンサと並列に回路接続されていることを特徴とするコンデンサデバイス。
【請求項１３】
軸（１９）を包囲し、その面法線が前記軸（１９）から放射方向に向いた外面（３０）を備える円環形状の基体と、前記外面（３０）の上に配設されたバスバー（２）を備えることを特徴とするコンデンサデバイス。
【請求項１４】
請求項１乃至９のいずれか１項に記載のコンデンサデバイスを製造するための方法であって、
その間に配設された誘電体薄膜（６．１）を有する内部電極（５）からなる第１のコンデンサ（Ｃ１）が形成されるステップと、
前記第１のコンデンサ（Ｃ１）の上に、第１の分離薄膜（１１）が取り付けられるステップと、
前記第１の分離薄膜（１１）の上に、その間に配設された第２の誘電体薄膜（６．２）を有する内部電極（５）からなる第２のコンデンサ（Ｃ２）が形成されるステップと、
前記第２のコンデンサ（Ｃ２）の上に、第２の分離薄膜（１２）が取り付けられるステップと、
前記第２の分離薄膜（１２）の上に、その間に配設された誘電体薄膜（６．３）を有する内部電極（５）からなる第３のコンデンサ（Ｃ３）が形成されるステップと、
前記第１のコンデンサ（Ｃ１）と、前記第２のコンデンサ（Ｃ２）および前記第３のコンデンサ（Ｃ３）との上に、前記第１のバスバー（２）および前記第２のバスバー（３）が押し込まれ、前記第１のバスバー（２）および前記第２のバスバー（３）は、前記第１のコンデンサ（Ｃ１）、前記第２のコンデンサ（Ｃ２）および前記第３のコンデンサ（Ｃ３）に電気的に接続されることを特徴とするコンデンサデバイスの製造方法。
【請求項１５】
請求項１乃至５または請求項１０乃至１２のいずれか１項に記載のコンデンサデバイスを製造するための方法であって、
その間に配設された誘電体薄膜（６．１）を有する内部電極（５）からなる第１のコンデンサ（Ｃ１）が形成されるステップと、
前記第１のコンデンサ（Ｃ１）の上に、前記第１のバスバー（２）および前記第２のバスバー（３）が押し込まれ、前記前記第１のバスバー（２）および前記第２のバスバー（３）は、前記第１のコンデンサ（Ｃ１）に電気的に接続されるステップと、
前記第１のバスバー（２）および前記第２のバスバー（３）の間に、２つの誘電体薄膜（６ａ，６ｂ）の間に封止された金属薄膜（５ａ）が配設されるステップ、
とを備えることを特徴とするコンデンサデバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数のコンデンサを備えたコンデンサデバイスに関し、また、このコンデンサデバイスの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
本発明のコンデンサデバイスは、好ましくは電力用コンデンサであり、たとえば放射対称性の設置空間での使用に適合している。コンバータの中間回路には、中間回路コンデンサおよびＹコンデンサが使用される。このＹコンデンサの役割は、非対称な擾乱を抑えることである。
【０００３】
従来は、この中間回路コンデンサおよびＹコンデンサは、個別のハウジングと個別の電源を備えた独立したデバイスであった。このような構造は、低い容積占有率を有している。この容積占有率は、デバイスまたはモジュールの幾何学的な容積と実際に使用されている容積との比である。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の課題は、改善された特性、たとえば大きな容積占有率を備えたコンデンサデバイスを提供することであり、またこのようなコンデンサデバイスの製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
この課題は、請求項１に記載の特徴を有するコンデンサデバイスによって解決される。さらに、本発明によるコンデンサデバイスの製造方法が開示される。本発明の有利な実施形態はその他の請求項に示されている。
【発明を実施するための形態】
【０００６】
インテグレートされた（integrierten）第１のコンデンサとインテグレートされたＹコンデンサとを備えたコンデンサデバイスを以下に説明する。Ｙコンデンサは、第２のコンデンサと第３のコンデンサとを備え、当該第２のコンデンサと当該第３のコンデンサとは、互いに直列に接続され、第１のコンデンサに対し並列に回路接続されている。たとえばデバイスとコンデンサとが少なくとも１つの共通な電圧源を備えるかまたは１つの共通なハウジングを備える場合には、このコンデンサは、「デバイスにインテグレートされた」と表現されてよい。
【０００７】
第１のコンデンサは第１の容量を備える。第２のコンデンサは第２の容量を備える。第３のコンデンサは第３の容量を備える。
【０００８】
Ｙコンデンサにおいては、好ましくは第２のコンデンサの電極および第３のコンデンサの電極が基準電位に接続されている。
【０００９】
本発明は、第１のコンデンサとＹコンデンサとを１個のデバイスにインテグレートすることを可能とする。これにより、システムインテグレーションを改善することができる。本発明でのシステムインテグレーションの基本的アイデアは、多数の個別素子を可能な限り少ないデバイスに集約することであり、こうしてこれらの素子により占有される容積を最小とすることである。
【００１０】
この第1のコンデンサは、たとえば中間回路コンデンサ（Zwischenkreiskondensator）である。コンバータの中間回路には、中間回路コンデンサおよびＹコンデンサが使用されてよい。このＹコンデンサの役割は、非対称な擾乱（Storungen）を抑えることである。
【００１１】
好ましくは、この第１のコンデンサとＹコンデンサとを１つのデバイスにインテグレーションすることにより、個別のデバイスを用いたキャパシタ電池（Kondensatorbatterie）に比べて、顕著に大きな容積占有率が達成される。
【００１２】
１つの実施形態では、このコンデンサデバイスは、複数のコンデンサの電気的接続のための少なくとも１つのバスバーを備える。好ましくは、このコンデンサデバイスは、第１および第２のバスバーを備える。これら２つのバスバーは、少なくとも第１のコンデンサと接続されている。これらのバスバーは、好ましくは第１のコンデンサとＹコンデンサとの接続を同時に行うことができる。この場合、このコンデンサデバイスは、第１のコンデンサとＹコンデンサのコンデンサとを一緒に接続するための共通の接続端子が使用され得ることを特徴とする。これに対応してシステムインテグレーションが改善されるが、これは全てのコンデンサに電源供給のための個別の接続端子を設ける必要がないからである。
【００１３】
１つの実施形態では、このコンデンサデバイスは円環形状となっている。代替として、本発明によるコンデンサデバイスは、扁平に形成されてよく、またはいかなる他の幾何学的形状を有してもよい。円環形状のコンデンサデバイスは、とりわけ放射対称性の設置空間、たとえばホイールハブモータ（Radnabenmotor）の設置空間への設置に適している。第１のコンデンサ、第２のコンデンサ、第３のコンデンサおよびこれらのバスバーは、円環形状に形成されてよい。第１のコンデンサ、第２のコンデンサ、第３のコンデンサ、およびバスバーから選択された少なくとも１つの素子は円環形状に形成されてよい。好ましくは、第１のコンデンサ、第２のコンデンサ、第３のコンデンサ、およびバスバーは円環形状となっている。
【００１４】
さらに、第１のコンデンサ、第２のコンデンサ、第３のコンデンサ、および／またはバスバーは、共通な対称軸に対し放射対称に形成されてよい。第１のコンデンサ、第２のコンデンサ、第３のコンデンサ、およびバスバーから選択された少なくとも１つの素子は、共通な対称軸に対し放射対称に形成されてよい。好ましくは、第１のコンデンサ、第２のコンデンサ、第３のコンデンサ、およびバスバーは共通な対称軸に対し放射対称になっている。
【００１５】
１つの実施形態では、このコンデンサデバイスは、基体を備える。好ましくは、この基体は、複数の内部電極とこれらの間に配設された誘電体薄膜とを有する薄膜積層体を備える。好ましくは、この誘電体薄膜はポリマー薄膜である。この誘電体薄膜は、少なくとも１つの外面がメタライズ化されてよい。この場合、内部電極が誘電体のメタライズ化によって形成される。好ましくは、これらのメタライズ化されたポリマー薄膜は、この薄膜積層体における誘電体層とメタライズ化層とが薄膜の面法線に沿って交互になっている。
【００１６】
Ｙコンデンサのこれらのコンデンサは、基体の薄膜から形成されてよい。このため、この基体は、第１，第２，および第３のコンデンサを形成するための第１，第２，および第３の薄膜を備える。代替として、Ｙコンデンサのこれらのコンデンサは、バスバー、さらなる金属薄膜、およびさらなる誘電体薄膜によって形成されてよい。このさらなる金属薄膜は、たとえばアルミニウム薄膜であってよい。このさらなる誘電体薄膜は、ポリアミドを含んでよい。
【００１７】
さらに、このコンデンサデバイスの基体は、薄膜積層体の電気的回路接続のための手段、たとえばメタライジング部を備えてよい。これらのメタライジング部は、基体の外面の上に配設されていてよい。
【００１８】
第１のコンデンサは、基体の一部であってよい。第２および第３のコンデンサは、このコンデンサデバイスの基体の上に取り付けられているか、または基体によって形成されてよい。
【００１９】
１つの実施形態では、この基体に少なくとも１つの絶縁用の分離薄膜が配設されている。この場合には、基体を用いてＹコンデンサをとりわけ容易に形成することができる。この絶縁用分離薄膜によって、薄膜積層体は、複数の互いに絶縁された容量に分離されてよい。好ましくは、この薄膜積層体は、第１，第２，および第３の容量に分離され、この第１の容量は、第１のメタライズ化された誘電体薄膜によって形成され、第２の容量は、第２のメタライズ化された誘電体薄膜によって形成され、第３の容量は、第３のメタライズ化された誘電体薄膜によって形成される。ここで全ての容量は、好ましくは薄膜積層体の内部電極によって形成され、２つの内部電極の間にはそれぞれ誘電体薄膜が配設されている。この第１の容量は、好ましくは第１のコンデンサの容量である。第２の容量は、好ましくは第２のコンデンサの容量であり、第３の容量は、好ましくは第３のコンデンサの容量である
【００２０】
代替として、Ｙコンデンサは、このコンデンサデバイスの基体の上に取り付けられていてよい。この場合、このＹコンデンサは、この薄膜積層体の部分ではない薄膜を含んでよい。たとえば、このＹコンデンサは、薄膜積層体の上に配設されていてよい。たとえば、基体の上に、２つのバスバーが配設されてよく、Ｙコンデンサは、これら２つのバスバーおよびこれらのバスバーの間に配設された少なくとも１つの金属薄膜と誘電体薄膜とによって形成されてよい。
【００２１】
この実施形態においては、Ｙコンデンサは、好ましくは金属薄膜、第１の誘電体薄膜、および第２の誘電体薄膜を備える。この金属薄膜は、基準電位との接続のために設けられる。この金属薄膜は、第１および第２の誘電体薄膜の間に封止されている。これらの金属薄膜と２つの誘電体薄膜は、２つのバスバーの間に配設されて、第２のコンデンサが、第１のバスバー、金属薄膜、および第１の誘電体薄膜によって形成され、第３のコンデンサが第２のバスバー、金属薄膜、および第２の誘電体薄膜によって形成される。この金属薄膜は、単に基準電圧との電気的接続のために設けられるものであって、２つのバスバーと回路接続されていない。このような構造は、これら２つのバスバーへの金属薄膜の「誘電体カップリング（"dielektrische Ankopplung"）」と呼ばれている。
【００２２】
１つの実施形態では、コンデンサデバイスは、第１および第２の外面を備える。この第１および第２の外面は、少なくとも部分的に金属層によって覆われていてよい。これらの金属層は、薄膜積層体における金属薄膜の電気的接続を可能とする。これらの金属層は、シュープ層（"Schoopschicht"）とも呼ばれている。この層は自己修復性のコンデンサでは一般的である。
【００２３】
好ましくは、第１および第２の外面は、第１および第２の端面（"Stirnflache"）である。好ましくは、コンデンサデバイスは軸を含み、第１および第２の端面は、この軸に対し直角に立っており、それぞれ金属層によって少なくとも部分的に覆われている。
【００２４】
平坦なコンデンサデバイスにおいては、その間に配設された誘電体薄膜を有する薄膜積層体の内部電極は平坦な面に配設されている。ここで、誘電体薄膜の面法線に対し平行に立っている、薄膜積層体の２つの互いに対向する外面は、金属層で少なくとも部分的に覆われてよい。
【００２５】
１つの実施形態においては、第１の外面の上に配設された金属層は、第１の電気的絶縁用分離薄膜によって、第１および第２の部分領域に分離され、この第１および第２の部分領域は互いに電気的に絶縁されていてよい。第２の外面の上に配設された金属層は、第２の電気的絶縁用分離薄膜によって、第１および第２の部分領域に分離され、この第１および第２の部分領域は互いに電気的に絶縁されていてよい。さらに、第１のバスバーは、第１の外面の上で、金属層の第１の部分領域と電気的に接続されてよい。
【００２６】
さらに、第２のバスバーは、第２の外面の上で、金属層の第１の部分領域と接続されてよく、かつ第１の外面の上で、金属層の第２の部分領域と接続されてよい。この場合、第２のバスバーは、たとえば溶接接合によって、第２の外面の上で、金属層の第１の部分領域における電気的接続点と電気的に接続されてよく、かつ第１の外面の上で、金属層の第２の部分領域における接続点と電気的に接続されてよい。
【００２７】
第２の外面で、金属層の第２の部分領域は、基準電位と接続されてよい。このようにして、第１および第２の外面での金属層と、これらの金属層に接続されている２つのバスバーとで、３つのコンデンサの回路接続が可能となる。この構造は、非常に高い容積占有率を特徴とする。電気的接続のための部品の数は最小となり、簡単かつ安価な構造となり、さらに加えてコンデンサデバイスのコンパクトな構造形態が可能となる。この構造形態では、利用できる容積が技術的に殆ど完全に利用される。
【００２８】
好ましくは、少なくとも第２および第３のコンデンサは、自己修復性があり、２つのメタライズ化薄膜の間の局所的短絡（"punktueller Kurzschluss"）は、このコンデンサの破壊をもたらさない。ここで好ましくは、２つの薄膜の間の局所的な短絡の際に、高い温度のために、貫通部位の誘電体およびメタライジング部が蒸発し、薄膜積層体に穴が発生するが、この穴はコンデンサの破壊をもたらさない。
【００２９】
１つの実施形態では、２つのバスバーは、第１のコンデンサ、第２のコンデンサ、および第３のコンデンサを１つの共通な軸の円環形状で包囲する。これら２つのバスバーの少なくとも１つは、第１，第２，および第３のコンデンサより大きい直径を有する。好ましくは、２つのバスバーは、第１，第２，および第３のコンデンサより大きい直径を有する。この場合、これらのバスバーは、第１，第２，および第３のコンデンサより放射方向で外側にある。
【００３０】
代替として、Ｙコンデンサの２つのコンデンサは、２つのバスバーの間に配設されていてよい。この場合、好ましくは第１のコンデンサは、最も小さな直径を有する。第１のバスバーは、好ましくは第１のコンデンサの直径より大きな直径を有する。第２および第３のコンデンサは、好ましくはここでは第１のバスバーの直径より大きな直径を有する。好ましくはこの第２のバスバーは、最も大きな直径を有する。
【００３１】
１つの実施形態では、これら２つのバスバーの間に、複数の金属薄膜が配設され、これらの金属薄膜はそれぞれ２つの誘電体薄膜の間に封止されている。誘電体薄膜と金属薄膜の数により、およびこれら２つのバスバーによって、Ｙコンデンサの複数の第２および第３のコンデンサが形成される。第２および第３のコンデンサは、直列に互いに回路接続されていてよい。このように形成された第２および第３のコンデンサからなるコンデンサ対は、好ましくは、第２および第３のコンデンサからなる他のコンデンサ対に並列に回路接続されている。それぞれ第２および第３のコンデンサからなる複数のコンデンサ対の並列回路接続によって、Ｙコンデンサの総容量は著しく大きくすることができる。
【００３２】
本発明のもう１つの態様は、コンデンサデバイスに関し、このコンデンサデバイスは、その上にバスバーが配設されている外面を有する円環状の基体を備える。好ましくは、この円環状の基体は軸、好ましくは対称軸を包囲している。好ましくは、その上にバスバーが配設されている外面は、基体の面であり、その面法線は、この対称軸から放射方向に向いている。その上にバスバーが配設されている外面の面法線は、特に軸に直角に延びていてよい。基体は、内部電極を備えてよい。バスバーは、内部電極と接続されていてよく、これによって内部電極全部の接続が行われてよい。
【００３３】
基体の端面、すなわち好ましくはその面法線が対称軸に平行となっている面は、それぞれ内部電極と接続されたシュープ層を備えて良い。さらに、バスバーは、このバスバーをシュープ層に接続する接続部材を備えてよい。さらにバスバーは、外部の電圧源との接続のための接続部材および／または接地電位と接続するためのさらなる接続部材を備えてよい。
【００３４】
基体の外面の上には、好ましくは第１および第２のバスバーが配設されている。これら２つのバスバーのそれぞれは、基体を円環状に包囲している。これら２つのバスバーのそれぞれは、上述の接続部材を備えてよい。第１のバスバーは、第１の端面上の第１のシュープ層と接続されていてよい。第２のバスバーは、第２の端面上の第２のシュープ層と接続されていてよい。この場合、第１のバスバーに第１の電位が印加され、そして第２のバスバーに第２の電位が印加されると、第１のバスバーと接続されている基体の内部電極と、第２のバスバーと接続されている基体の内部電極との間に電位差が生成される。
【００３５】
このような、円環形状のコンデンサデバイスは、上述したコンデンサデバイスのすべての構造的および機能的特徴をさらに備えてよい。
【００３６】
とりわけ、この円環形状の基体とこの外面の上に配設されたバスバーとを有するコンデンサデバイスは、上述のコンデンサのように構成されてよく、インテグレートされた第１のコンデンサと、インテグレートされたＹコンデンサとを備える。もう１つの実施形態においては、この円環形状の基体とこの外面の上に配設されたバスバーとを有するコンデンサデバイスは、インテグレートされた第１のコンデンサとインテグレートされたＹコンデンサとを有するコンデンサデバイスとして形成されない。たとえばこのコンデンサデバイスは、単に第１のコンデンサを備える。
【００３７】
さらに、本発明は、第２および第３のコンデンサの薄膜のもう１つの実施形態に関し、この実施形態は本願に記載するいずれのコンデンサデバイスの構造とも組み合わせ可能である。このもう１つの実施形態によれば、第２および第３のコンデンサを形成する薄膜は、第１のコンデンサを形成する薄膜と異なっていてよい。
【００３８】
とりわけこの第２および第３のコンデンサはそれぞれ、重なって巻回された金属薄膜、誘電体薄膜および部分的にメタライズ化された薄膜を備える。この部分的にメタライズ化された薄膜は、２つのメタライズ化された領域と、これら２つのメタライズ化された領域を互いに分離する、１つのメタライズ化されていない領域とを備える。それぞれのコンデンサの第１の容量は、この部分的にメタライズ化された薄膜の第１のメタライズ化された領域と金属薄膜とによって形成され、この第１のメタライズ化された領域と金属薄膜との間に、さらに誘電体薄膜が配設されていてよい。それぞれのコンデンサの第２の容量は、この部分的にメタライズ化された薄膜の第１のメタライズ化された領域と金属薄膜とによって形成され、この第２のメタライズ化された領域と金属薄膜との間に、さらに誘電体薄膜が配設されていてよい。
【００３９】
それぞれのコンデンサの第１および第２の容量は、内部の直列回路として直列に接続されていてよく、こうして第２あるいは第３のコンデンサの総容量が定められる。
【００４０】
このもう１つの実施形態によれば、第２および第３のコンデンサは、自己修復性の領域と非自己修復性の領域とを備えてよい。とりわけ、部分的にメタライズ化された薄膜のメタライズ化された領域と金属薄膜との間の領域は、自己修復性であってよい。部分的にメタライズ化された薄膜のメタライズ化されていない領域と金属薄膜との間の領域は、非自己修復性であってよい。
【００４１】
さらに、本発明はコンデンサデバイスの製造方法に関する。第１のコンデンサは、その間に配設された第１の誘電体薄膜を有する内部電極から形成されてよい。第１のコンデンサの上には第１の電気的絶縁用分離薄膜が取り付けられてよい。この第１の分離薄膜の上に、その間に配設された第２の誘電体薄膜を有する内部電極からなる、第２のコンデンサが形成されてよい。第２のコンデンサの上には分離薄膜が取り付けられてよい。この第２の分離薄膜の上に、その間に配設された第３の誘電体薄膜を有する内部電極からなる、第３のコンデンサが形成されてよい。さらに薄膜積層体の上の２つのバスバーは、第１、第２、および第３のコンデンサに押し込まれて、これらのコンデンサと電気的に接続されてよい。これにより、この３つのコンデンサの形成のために薄膜積層体が形成され、この薄膜積層体は２つの分離薄膜によって３つの容量に分離されている。これらの内部電極は、誘電体薄膜のメタライズ化によって形成されてよい。積層体のこれらの内部電極は、このようにして第１、第２および第３のコンデンサを形成する。２つのバスバーは、これらのコンデンサの電気的接続を可能とする。
【００４２】
コンデンサデバイスの１つの代替の製造方法においては、第１のコンデンサは、その間に配設された誘電体薄膜を有する内部電極から形成されてよい。これらの内部電極は、誘電体薄膜のメタライジング部であってよい。２つのバスバーは、第１のコンデンサに押し込まれて、このコンデンサと電気的に接続されてよい。これら２つのバスバーの間には、２つの誘電体薄膜の間に封止された金属薄膜が挿入されてよい。このようにしてコンデンサデバイスが完成され、このコンデンサデバイスでは、薄膜積層体の内部電極が第１のコンデンサを形成し、この薄膜積層体の上に押し込まれたバスバーは、これらのバスバーの間に配設された金属薄膜および誘電体薄膜と共に第２および第３のコンデンサを形成する。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
以下では、実施形態例とこれに付随する図を参照して、本発明を詳細に説明する。これらの図は、本発明の様々な実施形態例を示すが、これらの表示は概略的であり寸法は正確でない。
【図１】本発明によるコンデンサデバイスの等価回路図を示す図である。
【図２】本発明によるコンデンサデバイスの第１の実施形態例の一部分を示す図である。
【図３】このコンデンサデバイスを三次元表示した図である。
【図４】本発明によるコンデンサデバイスの第２の実施形態例の一部分を示す図である。
【図５ａ】この第２の実施形態例によるＹコンデンサの概略断面を示す図である。
【図５ｂ】この第２の実施形態例によるＹコンデンサの平面視を概略的に示す図である。
【図６ａ】図５ａ，５ｂに示すＹコンデンサの部分としての、誘電体薄膜によって封止された金属薄膜を示す図である。
【図６ｂ】図６ａの誘電体薄膜によって封止された金属薄膜を平面視で示す図である。
【図７ａ】１つの代替実施形態例における第２および第３のコンデンサの薄膜断面を示す図である。
【図７ｂ】この代替実施形態例による第２のコンデンサの薄膜を平面視で示す図である。
【００４４】
図１は、本発明によるコンデンサデバイス２５の等価回路図を示す図である。このコンデンサデバイス２５は、第１のコンデンサＣ１および第２のコンデンサＣ２と第３のコンデンサＣ３とを備える第２および第３のコンデンサＣ２，Ｃ３は互いに直列に回路接続され、第１のコンデンサＣ１に並列に回路接続されている。第２のコンデンサＣ２の電極Ｅ１＿Ｃ２と第３のコンデンサＣ３の電極Ｅ１＿Ｃ３とは、それぞれ接地接続端子を介して基準電位１と接続されている。
【００４５】
さらにこのコンデンサデバイス２５は２つのバスバー２，３を備える。基準電位１と接続されていない、第２のコンデンサの電極Ｅ２＿Ｃ２は、第１のバスバー２と接続されている。さらに基準電位１と接続されていない、第３のコンデンサの電極Ｅ２＿Ｃ３は、第２のバスバー３と接続されている。さらに第１のコンデンサＣ１の電極Ｅ１＿Ｃ１は、第１のバスバー２と接続され、第１のコンデンサＣ１の第２の電極Ｅ２＿Ｃ１は、第２のバスバー３と接続されている。
【００４６】
バスバー２，３は、コンデンサデバイス２５の電気的接続に用いられる。これらのバスバーは、コンデンサＣ１，Ｃ２，Ｃ３を電流源およびまたはＩＧＢＴモジュール（ＩＧＢＴ＝Insulated-Gate Bipolar Transistor）に接続する。
【００４７】
このコンデンサデバイス２５は、電力用コンデンサであってよい。第１のコンデンサＣ１は、たとえば、複数の電源のエネルギー的カップリングのためのコンバータの中間回路に使用される中間回路コンデンサであってよい。
【００４８】
第２および第３のコンデンサＣ２，Ｃ３は、Ｙコンデンサの部分である。Ｙコンデンサは、２つの互いに直列に回路接続されたコンデンサＣ２，Ｃ３を備え、コンデンサＣ２，Ｃ３の電極Ｅ１＿Ｃ２，Ｅ１＿Ｃ３は、それぞれ基準電位１と接続されている。Ｙコンデンサは、非対称なスプリアス信号（Storsignale）を抑圧する。
【００４９】
Ｙコンデンサおよび第１のコンデンサＣ１は、１つの共通なコンデンサデバイス２５にインテグレートされている。
【００５０】
図２は、このコンデンサデバイス２５の第１の実施形態例の断面を示す。このコンデンサデバイスは図１に示す等価回路図を実現化したものである。図２に示す構造は、円環形状のコンデンサデバイス２５の断面であっても、あるいは平坦なコンデンサデバイス２５の断面であってもよい。
【００５１】
このコンデンサデバイス２５は、薄膜積層体４を備え、この薄膜積層体は、複数の内部電極５と、この間に配設された第１，第２，および第３の誘電体薄膜６．１，６．２，６．３とを備える。これらの薄膜６．１，６．２，６．３は、それぞれ誘電体材料、たとえばポリマーを備える。とりわけこれらの薄膜６．１，６．２，６．３は、ポリマー膜であってよい。これらの薄膜６．１，６．２，６．３の少なくとも１つの外面は、それぞれメタライジング部を備える。これらの誘電体薄膜６．１，６．２，６．３のメタライジング部は、この場合内部電極５を形成する。
【００５２】
これら第１，第２，および第３の薄膜６．１，６．２，６．３は、これらの薄膜６．１，６．２，６．３の面法線に沿って、メタライジング部と誘電体の領域とが交互に積層されている。この積層体の第１および第２の端面７，８は、誘電体薄膜６．１，６．２，６．３の面法線に対し平行になっており、いわゆるシュープ層と呼ばれる金属層９，１０で覆われている。このシュープ層の形成のため、第１および第２の端面は、いわゆるシュープ処理によって、錫，亜鉛，および／またはアルミニウムでメタライズ化され（シュープ化され"schoopiert"）、電気的に接続することができる。これらの薄膜６．１，６．２，６．３は、さらに、全ての内部電極５が第１の端面９または第２の端面１０と接続されるように形成される。これらの内部電極５は、薄膜積層体４の積層方向に沿って交互に、１つの内部電極５が第１の端面９に接続され、１つの内部電極５が第２の端面１０と接続されるように配設されている。ここで薄膜積層体４の積層方向は、誘電体薄膜６．１，６．２，６．３の面法線に対応する。
【００５３】
さらにこの薄膜積層体４は、２つの電気的絶縁用分離薄膜１１，１２を備える。これらの電気的絶縁用分離薄膜１１，１２によって、この薄膜積層体４は、第１のコンデンサＣ１の容量と、第２のコンデンサＣ２の容量と、第３のコンデンサＣ３の容量とに分離される。第１の分離薄膜１１は、さらに薄膜積層体４の第１の端面７を覆う第１の金属層９を２つの部分領域１３，１４に分離する。第２の分離薄膜１２は、薄膜積層体４の第２の端面８を覆う第２の金属層１０を、同様に２つの部分領域１５，１６に分離する。
【００５４】
さらにこのコンデンサデバイス２５は２つのバスバー２，３を備える。これらのバスバー２，３は、第１の電気的絶縁層１７によって薄膜積層体４から分離されている。さらに第２の電気的絶縁層１８が、これら２つのバスバー２，３の間に配設されている。これら２つのバスバー２，３は、薄膜積層体４の同じ側に配設されている。これら２つのバスバー２，３は共に、放射方向で内部に向いた、薄膜積層体の電気的接続のためのコンタクトアーム２０を備える。これら２つのバスバーは、導電性の材料、好ましくは金属から製造されている。さらにこれらのバスバーは、図２に示されていない、バスバーの外部電圧源との接続のためのさらなる接続部を備える。
【００５５】
第１のバスバー２は、第１の端面７を覆う第１の金属層９の第１の部分領域１３と接続されている。第２のバスバー３は、第２の端面８を覆う第２の金属層１０の第１の部分領域１５と電気的に接続されている。第２のバスバー３は、第１の端面７を覆う第１の金属層９の第２の部分領域１４と電気的に接続されている。これにより、第２の金属層１０の第１の部分領域１５と第１の金属層９の第２の部分領域１４には、同じ電位が印加される。
【００５６】
さらに第２の端面８を覆う第２の金属層１０の部分領域１６は、基準電位１と接続されている。
【００５７】
第１の金属層９の第１の部分領域１３と第１の端面７の上で接続されている内部電極５と、第２の金属層１０の第１の部分領域１５と第２の端面８の上で接続されている内部電極５との間には、第１のコンデンサＣ１の容量が形成され、このコンデンサＣ１は、中間回路コンデンサであってよい。
【００５８】
第１および第２の分離薄膜１１，１２によって分離された薄膜積層体４の領域には、さらに第２および第３のコンデンサＣ２，Ｃ３の容量が形成される。
【００５９】
第１の金属層９の第１の部分領域１３と第１の端面７の上で接続されている内部電極５と、第２の金属層１０の第２の部分領域１６と第２の端面８の上で接続されている内部電極５との間には、第２のコンデンサＣ２の容量が形成される。
【００６０】
第１の金属層９の第１の部分領域１４と第１の端面７の上で接続されている内部電極５と、第２の金属層１０の第２の部分領域１６と第２の端面８の上で接続されている内部電極５との間には、第３のコンデンサＣ３の容量が形成される。
【００６１】
好ましくは、第２および第３のコンデンサＣ２，Ｃ３は、同一の容量を備える。第２および第３のコンデンサの容量Ｃ２，Ｃ３は、好ましくは第１のコンデンサＣ１より小さい。第２および第３のコンデンサＣ２，Ｃ３は、たとえば数ｎＦの程度の容量を備える。
【００６２】
コンデンサデバイスのこれら３つのコンデンサＣ１，Ｃ２，Ｃ３は、自己修復性である。これらのコンデンサでは、高いアーク温度（Lichtbogentemperatur）による２つの内部電極５の間の局所的な短絡の際に、この短絡部位の周りの誘電体およびメタライジング部が蒸発して、単に局所的な穴が薄膜積層体４に生成され、この穴はコンデンサデバイスの破壊をもたらさない。
【００６３】
図２に示すコンデンサデバイスの実施形態例は、とりわけ放射対称性の設置空間（Einbauraum）に適合している。ここではこのコンデンサデバイスは円環形状であり、好ましくは対称軸１９に対し放射対称性に形成される。図２は、円環形状のコンデンサデバイスの断面を示し、ここでバスバー２，３は、第１，第２，および第３のコンデンサより大きな直径を有し、これにより薄膜積層体４の外側に向いた側部の上に配設されている。
【００６４】
以下では、図２に示すコンデンサデバイスの１つの可能な製造方法について説明する。
【００６５】
まず誘電体材料からなる、始端空巻き部（Anfangsleerwindung）２２が巻回される。この上に第１のコンデンサＣ１の活性巻回部（aktiven Windungen）が巻回される。この活性巻回部には、第１の誘電体薄膜６．１が巻回される。この誘電体薄膜の少なくとも１つの外面はメタライズ化されてよい。薄膜積層体４は、この薄膜６．１の面法線に沿って、メタライジング層と誘電体層とが交互に配設されるように巻回される。これらの誘電体薄膜６．１のメタライジング部は、内部電極５を形成することになる。
【００６６】
ここでこの第１のコンデンサＣ１の活性巻回部の上に電気的絶縁用分離薄膜１１が巻回される。
【００６７】
この分離薄膜１１の取付が終了したら、この上にメタライジング化された第２の誘電体薄膜６．２が巻回される。この第２の誘電体薄膜は、完成したデバイスの第２のコンデンサＣ２を形成する。
【００６８】
第２の誘電体薄膜６．２の上に、次に第２の電気的絶縁用分離薄膜１２が巻回される。
【００６９】
第２の分離薄膜１２の取付が終了したら、この第２の分離薄膜の上に、メタライジング化された第２の誘電体薄膜６．３が巻回される。この第２の誘電体薄膜は、完成したデバイスの第２のコンデンサＣ３を形成する。この第３のコンデンサＣ３の上に、誘電体材料からなる終端空巻き部（Endleerwindung）２３が巻回される。
【００７０】
薄膜６．１，６．２，６．３の面法線に対し平行に立っている、薄膜積層体４の２つの端面７，８は、ここでいわゆるシュープ層と呼ばれる金属層９，１０が吹き付けられる。この際、端面７の上の金属層９は、分離薄膜１１によって２つの部分領域１３，１４に分割され、第２の端面８の上の金属層１０は、第２の分離薄膜１２によって２つの部分領域１５，１６に分割される。
【００７１】
次にバスバー２，３が薄膜積層体４に押し込まれ、ここで第２のバスバー３と薄膜積層体４との間に第１の絶縁層１７が設けられ、２つのバスバー２，３の間に第２の絶縁層１８が配設されている。次にバスバー２，３のコンタクトアーム２０が、コンデンサデバイスの端面７，８の上の金属層９，１０とはんだ付けされ、こうして図１の等価回路に示すようなコンデンサＣ１，Ｃ２，Ｃ３の回路接続が生成される。
【００７２】
円環状のコンデンサデバイスの場合には、これらのバスバー２，３および薄膜積層体４は、円形または楕円形であるので、これらのバスバー２，３は、薄膜積層体４より大きい直径を備え、これに合わせて、その中心点あるいは焦点から見てこの薄膜積層体４の外面に配設されている。
【００７３】
図３は、本発明による、外面３０の上に配設されたバスバーを備える円環形状のコンデンサデバイスの３次元図を示す。たとえばこのコンデンサデバイスは、図２に示す薄膜積層体４を備える。さらに、このコンデンサデバイスは、好ましくは基体２をサポートするための補強部材（不図示）を備える。
【００７４】
この薄膜積層体４およびバスバー２，３は、対称軸１９の回りで放射対称に構成されている。これら２つのバスバー２，３は、薄膜積層体４より大きな直径を備えており、これらはこの薄膜積層体を外側から包囲している。これら２つのバスバー２，３は、このようにして円環形状の薄膜積層体４の外面３０の上に配設されている。さらにこれら２つのバスバー２，３は、薄膜積層体４の電気的接続のためのコンタクトアーム２０、およびこれらバスバー２，３の電流源との接続のための接続部２１を備える。
【００７５】
これらバスバー２，３は、事前に作製された部品として製造され、基体の上に押し込まれる。好ましくは、この事前に作製された部品は、既にコンタクトアーム２０を備える。これに続いて、これらのコンタクトアーム２０が、対称軸１９の方向にほぼ９０°に内側に曲げられ、それぞれの端面７，８の上のシュープ層と、たとえば溶接されて接続される。これに対応して、それぞれのシュープ層と接続されている、基体の内部電極には、コンタクト２１を介してそれぞれのバスバー２，３に印加されている電位が印加される。しかしながら図２に示すコンデンサデバイスに対しては、代替として扁平な形態で実装することも可能である。この場合薄膜積層体４およびバスバー２，３は、たとえば直方体形状に、扁平に形成される。
【００７６】
図４は、本発明によるコンデンサデバイス２５の第２の実施形態例を示す。このコンデンサデバイス２５は、第１の誘電体薄膜６．１が積層されている薄膜積層体４を備える。この第１の誘電体薄膜６．１は、メタライジング部を備える。これらのメタライジング部は、内部電極５を形成する。これらのメタライジング部すなわち内部電極５は、交互に薄膜積層体４の第１および第２の端面７，８と接続されている。薄膜積層体４のこれらの端面７，８は、金属層９，１０を備える。ここに示す実施形態例では、この薄膜積層体４は第１のコンデンサＣ１の容量を形成する。
【００７７】
図２に示す実施形態例とは対照的に、この実施形態では、第２および第３のコンデンサの容量は、薄膜積層体から形成されない。
【００７８】
さらに図４に示すコンデンサデバイス２５は、２つのバスバー２，３を備える。第１のバスバー２は、この薄膜積層体４の第１の端面７と電気的に接続され、第２のバスバー３は、この薄膜積層体４の第２の端面と電気的に接続されている。これら２つのバスバー２，３の間には、金属薄膜５ａが配設され、この金属薄膜は、２つの誘電体薄膜６ａ，６ｂの間に配設されている。この金属薄膜５ａは、基準電位１に接続されている。
【００７９】
これらのバスバー２，３および金属薄膜５ａと２つの誘電体薄膜６ａ，６ｂとによって、第２および第３のコンデンサＣ２，Ｃ３の容量が形成される。第１のバスバー２，第１の金属薄膜５ａ，および誘電体薄膜６ａは第２のコンデンサＣ２の容量を形成する。第２のバスバー、金属薄膜５ｂ，および誘電体薄膜６ｂは、第３のコンデンサＣ３を形成する。
【００８０】
図４に示す実施形態例も、図１の等価回路に示す回路を実装したものである。第１のコンデンサＣ１は、第２および第３のコンデンサＣ２，Ｃ３に対し並列に回路接続されており、ここでもＣ２およびＣ３は互いに直列に回路接続されている。
【００８１】
図４に示す第２の実施形態例もまた、放射対称の組込空間にも、扁平な組込空間にも適合している。コンデンサデバイスの円環形状の構成では、２つのバスバー２，３の直径は、これら２つのバスバー２，３が薄膜積層体４の外面に接続されるように、薄膜積層体４の直径より大きく設定される。金属薄膜５ａおよび２つの誘電体薄膜６ａ，６ｂは、さらにこれらが２つのバスバー２，３の間に押し込むことができるような寸法とされる。
【００８２】
図５ａは、図５に示す第２の実施形態例によるＹ−コンデンサを概略的に示す。図５ｂは、金属薄膜５ａおよび誘電体薄膜６ａの上面図を示し、これらは金属薄膜５ａと第１のバスバー２との間に配設されている。この金属薄膜５ａは、さらに誘電体薄膜６ａから突出した接続ピン２４を備える。図５ａおよび５ｂに示されているように、誘電体薄膜６ａから突出している接続ピン２４を除いて、誘電体薄膜６ａは全ての辺で金属薄膜５ａから突出している。この接続ピン２４の役割は、金属薄膜５ａの基準電位１との接続であり、この基準電位は好ましくは接地電位である。金属薄膜５ａとバスバー３との間には、さらなる誘電体薄膜６ｂが配設されており、この誘電体薄膜は誘電体薄膜６ａと同構造である。
【００８３】
この第２の実施形態によるコンデンサデバイスの可能な製造方法によれば、図４に示すように、まず薄膜積層体４が巻回される。このためまず誘電体材料からなる、始端空巻き部（Anfangsleerwindung）２２が巻回される。続いてその一方の側がメタライズ化された第１の誘電体薄膜６．１が巻回され、図４に示すような薄膜積層体４が生成される。ここで第１の誘電体薄膜６．１のメタライジング部が、この薄膜積層体４の内部電極５を形成する。
【００８４】
薄膜積層体４のこれらの端面７，８は、電気的接続のための金属層９，１０が吹き付けられる。続いてその間に金属薄膜５ａおよび２つの誘電体薄膜６ａ，６ｂが配設された２つのバスバー２，３が、薄膜積層体４に押し込まれ、端面７，８の上の金属薄膜９，１０とはんだ付けされる。これら２つのバスバー２，３は、好ましくはコンタクトアーム２０を備え、これらのコンタクトアームは端面７，８の上の金属薄膜９，１０とはんだ付けされる。
【００８５】
図６ａは、金属薄膜５ａを示す。この金属薄膜は、２つの誘電体薄膜６ａ，６ｂの間に配設されており、２つのバスバー２，３の間に差し込むのに適している。誘電体薄膜６ａ，６ｂは、たとえばポリアミド薄膜である。誘電体薄膜５ａは、たとえばアルミニウム薄膜である。
【００８６】
たとえば図６ａの構成体の製造のために、誘電体薄膜６ａに接着剤がコーティングされ、次に平坦にローラで延ばされる。続いて金属薄膜５ａがポリアミド薄膜６ａの上に取り付けられ、この金属薄膜５ａはさらにもう１つの誘電体薄膜６ｂで覆われる。この際、金属薄膜５ａとこのさらにもう１つの誘電体薄膜６ｂとの間には接着剤が同様に塗布される。誘電体薄膜６ａ，金属墓膜５ａおよびさらにもう１つの誘電体薄膜６ｂからなる、この薄膜積層体は次に押圧および加熱されて、安定した接続体を生成する。この薄膜積層体のこれらの薄膜５ａ，６ａ，６ｂは、可撓性を保持しており、図３および４のように、２つの円環形状のバスバー２，３の間に組み込まれるのに適している。この製造方法は連続ラミネート法（Durchlauf-Kaschierverfahren）と呼ばれている。
【００８７】
図６ｂは、その間に金属薄膜５ａが封止された２つの誘電体薄膜６ａ，６ｂからなる積層体の上面を示す。この積層体の一方の側には接続ピン２４が突出している。この接続ピン２４は、金属薄膜５ａの一部であり、ここでこの接続ピン２４は、誘電体薄膜６ａ，６ｂから突出している。ここではこの接続ピンは接地接続端子である。この金属薄膜５ａが引き延ばされた形状であることから、非対称となることを避けるために複数の接地接続端子が設定される。接続ピン２４から見て、金属薄膜５ａの残りの部分は誘電体薄膜６ａ，６ｂの間に封止されており、したがって図６ｂで見えていない。
【００８８】
図７ａおよび７ｂに示すように、可撓性の金属薄膜５ａが、２つの誘電体薄膜６ａ，６ｂの間に封止され、続いて２つのバスバー２，３の間に差し込まれると、望ましくない空隙が誘電体薄膜６ａ，６ｂとバスバー２，３との間に形成される。これによって第２および／または第３のコンデンサＣ２，Ｃ３の容量が変歪され得る。
【００８９】
この連続ラミネート法の変形例では、このため、封止された金属薄膜５ａから反対側に向いた誘電体薄膜６ａ，６ｂの面が、１つの金属層によって少なくとも部分的に覆われる。これによって、空隙の生成を避けることができる。
【００９０】
この連続ラミネート法のもう１つの変型例では、封止された金属薄膜５ａを誘電体薄膜６ａ，６ｂとともに平坦に封止し、ここで金属薄膜５ａはさらなる接続ピン２４を備える。このさらなる接続ピンは、誘電体薄膜６ａ，６ｂから突出し、金属薄膜５ａの基準電位との接続を生成する。絶縁は、追加の部材によって行うことができ、この追加の部材は金属薄膜５ａからなる積層体と誘電体薄膜６ａ，６ｂの終端部にそれぞれ配設されてよい。この際、この追加の部材は、たとえばこの積層体の終端部を覆う、さらなる接着用薄膜であってよい。
【００９１】
封止された金属薄膜５ａから反対側に向いた誘電体薄膜６ａ，６ｂの面は、同様にさらなる金属層とラミネートされてよい。第２の実施形態の変形例が、本発明の範囲で可能である。ここでは２つのバスバー２，３の間に複数のメタライズ化された誘電体薄膜が配設される。この際複数の第２のコンデンサＣ２および複数の第３のコンデンサＣ３が生成されるように、これらの薄膜のメタライズ化された面は、互いに回路接続され、かつバスバー２，３と回路接続される。
【００９２】
ここで第２および第３のコンデンサＣ２，Ｃ３からなる１つのコンデンサ対は、直列に回路接続されており、かつさらなる第２および第３のコンデンサＣ２，Ｃ３からなる第２のコンデンサ対に対し並列に回路接続されている。
【００９３】
図７ａおよび７ｂは、第２および第３のコンデンサＣ２、Ｃ３のさらにもう１つの実施形態を示し、これらのコンデンサはＹコンデンサの一部となっている。第２および第３のコンデンサＣ２，Ｃ３は互いに直列に回路接続され、第１のコンデンサＣ１に並列に回路接続されている。これら２つのコンデンサＣ２，Ｃ３は全て、複数の薄膜を備えた積層形状の構造を備える。第２および第３のコンデンサＣ２，Ｃ３の薄膜は、図２に示すように、第１のコンデンサＣ１の薄膜と共に１つの薄膜積層体に巻回されてよく、この薄膜積層体は、分離薄膜によって異なる容量に分離される。代替として、第２および第３のコンデンサＣ２，Ｃ３の薄膜は、図４に示す実施形態例と組み合わされてよく、ここで第２および第３のコンデンサＣ２，Ｃ３の薄膜は、２つのバスバーの間に配設される。
【００９４】
図７ａは、第２および第３のコンデンサＣ２，Ｃ３の積層形状の構造を断面で示す。図７ｂは、２つのコンデンサＣ２，Ｃ３の構造を上面図で示し、ここで構造が見やすいようにするために個々の薄膜は互いにずらされている。
【００９５】
積層方向に沿って、第２のコンデンサＣ２は、最下層として、たとえばアルミニウムからなる金属薄膜３１を備える。この金属薄膜３１の上に、積層方向に沿って、たとえば蒸着されていないポリプロピレン層で形成された誘電体薄膜３２が配設されている。この誘電体薄膜３２の上に、積層方向に沿って、部分的にメタライズ化された薄膜３３が配設されている。この部分的にメタライズ化された薄膜は、ポリプロピレン層を備え、この上に第１および第２のメタライズ化領域３４，３５が蒸着されている。これらのメタライズ化された領域は、ここではストライプ状に形成されている。巻回された状態では、これらのストライブは、互いに平行しかつデバイスの対称軸の回りに放射状に延びている。２つのメタライズ化された領域３４，３５の間には、非メタライズ化領域３６が設けられている。この非メタライズ化領域３６は、蒸着されていないポリプロピレンのストライプであってよい。
【００９６】
これら２つのメタライズ化領域３４，３５には、それぞれ電位が印加されてよい。さらに金属薄膜３１は、接地接続されていてよい。これにより、第１のメタライズ化領域３４と金属薄膜３１との間に第２のコンデンサＣ２の第１の容量が形成される。第２のメタライズ化領域３５と金属薄膜３１との間に第２のコンデンサＣ２の第２の容量が形成される。これら第１および第２の容量は、互いに直列に回路接続され、内部回路として第２のコンデンサＣ２の総容量を形成する。
【００９７】
第２のコンデンサＣ２の上側に、積層方向に沿って配設されている第３のコンデンサＣ３は、同一の構造を備えている。
【００９８】
これら第１および第２のメタライズ化領域３４，３５と金属薄膜３１との間の領域は、自己修復性である。非メタライズ化領域３６と金属層３１との間の領域は、非自己修復性である。局所的な短絡の際に、高いアーク温度の結果、メタライジング部３４，３５と金属薄膜３１で形成された電極との２つの間で、誘電体およびメタライジング部が貫通部位の周囲で蒸発する。これにより、この薄膜積層体には単に穴が形成され、この穴はコンデンサデバイスの破壊をもたらさない。しかしながら、部分的にメタライズ化された薄膜３３の非メタライズ化領域３６と金属薄膜３１との間に電極が無いと、この蒸発は局所的に限定されず、コンデンサデバイスのより大きな領域が破壊される。このため、これらの領域は非自己修復性となる。この第２および第３のコンデンサＣ２，Ｃ３が、本発明で記載したような２つの容量の内部直列回路で形成されていると、こうしてこれらのコンデンサは、改善された電流およびインパルス耐性を備えることになる。
【符号の説明】
【００９９】
Ｃ１        ： 第１のコンデンサ
Ｃ２        ： 第２のコンデンサ
Ｃ３        ： 第３のコンデンサ
Ｅ１＿Ｃ１   ： 第１のコンデンサの第１の電極
Ｅ２＿Ｃ１   ： 第１のコンデンサの第２の電極
Ｅ１＿Ｃ２  ： 第２のコンデンサの第１の電極
Ｅ２＿Ｃ２  ： 第２のコンデンサの第２の電極
Ｅ１＿Ｃ３  ： 第３のコンデンサの第１の電極
Ｅ２＿Ｃ３  ：  第３のコンデンサの第２の電極
１          ：  基準電位
２，３      ：  バスバー
４          ：  薄膜積層体
５          ：  内部電極
６．１      ：  第１の誘電体薄膜
６．２      ：  第２の誘電体薄膜
６．３      ：  第３の誘電体薄膜
５ａ        ：  金属薄膜
６ａ，６ｂ  ：  誘電体薄膜
７，８      ：  薄膜積層体の端面
９，１９    ：  金属層
１１，１２  ：  分離薄膜
１３，１４  ：  第１の端面７の部分領域
１５，１６  ：  第２の端面８の部分領域
１７        ：  絶縁層
１８        ：  絶縁層
１９        ：  対称軸
２０        ：  コンタクトアーム
２１        ：  バスバーのコンタクト
２２        ：  始端空巻き部
２３        ：  終端空巻き部
２４        ：  接続ピン
２５        ：  コンデンサデバイス
２６        ：  接続ピン
２７        ：  接続ピン
３０        ：  外面
３１        ：  金属薄膜
３２        ：  誘電体薄膜
３３        ：  部分的にメタライズ化された薄膜
３４        ：  第１のメタライズ化領域
３５        ：  第２のメタライズ化領域
３６        ：  非メタライズ化領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５ａ】
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【図５ｂ】
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【図６ａ】
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【図６ｂ】
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【図７ａ】
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【図７ｂ】
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【国際調査報告】
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