(57)【要約】  表面側ならびに表面側と実質的に平行をなす裏面側を有する半導体基板と、表面側金属薄膜および裏面側金属薄膜と、少なくとも２つの異なった導電型を有する少なくとも３つのドープ領域とを含んでおり、前記半導体基板の前記表面側には実質的に表面側全体を占めるように第１の導電型の第１のドープ領域が配置され、前記半導体基板の前記裏面側には裏面側の一部を占めるように、第１の導電型逆の導電型である第２の導電型の第２のドープ領域が配置され、前記裏面側には裏面側の一部を占めるように第１の導電型の第３のドープ領域が配置され、前記表面側金属薄膜は前記第１のドープ領域と導電接続され、前記裏面側金属薄膜は前記第２のドープ領域と導電接続され、前記第３のドープ領域を前記表面側金属薄膜または前記第１のドープ領域あるいはその両方と導電接続する導電接続手段を有する太陽電池に関する。【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面側ならびに表面側と実質的に平行をなす裏面側を有する半導体基板と、
表面側金属薄膜（２）および裏面側金属薄膜（６）と、
少なくとも２つの異なった導電型を有する少なくとも３つのドープ領域と、を含んでいる太陽電池であって、
前記半導体基板の表面側には、実質的に表面側全体を占めるように第１の導電型の第１のドープ領域が配置され、
前記半導体基板の裏面側には、裏面側の一部を占めるように、第１の導電型逆の導電型である第２の導電型の第２のドープ領域が配置され、
前記裏面側には、裏面側の一部を占めるように第１の導電型の第３のドープ領域が配置されており、
前記表面側金属薄膜（２）は前記第１のドープ領域と導電接続され、前記裏面側金属薄膜（６）は前記第２のドープ領域と導電接続され、
前記第３のドープ領域を前記表面側金属薄膜（２）または前記第１のドープ領域あるいはその両方と導電接続する導電接続手段を有するものにおいて、
前記表面側金属薄膜（２）は少なくとも１つの、表面側と略平行をなす表面側接触面を含み、前記裏面側金属薄膜（６）は少なくとも１つの、裏面側と略平行をなす裏面側接触面を含んでおり、前記表面側接触面と前記裏面側接触面とはそれぞれ長さが少なくとも０．５ｍｍ、幅が少なくとも０．５ｍｍであり、
表面側および裏面側の前記接触面は裏面側に対して垂直をなす１つの共通の仮想面によって貫かれるようにして配置されており、
太陽電池の裏面側において、太陽電池の裏面側と前記仮想面との間に想定された仮想裏面側交線に沿って、前記第３のドープ領域への電気接続も、前記第１のドープ領域への電気接続も存在せず、前記仮想裏面側交線に沿って太陽電池の裏面側を案内される導電セルコネクタ（１１）は、前記裏面側金属薄膜（６）または前記第２のドープ領域あるいはその両方と導電接続されているだけであるように形成されていることを特徴とする太陽電池。
【請求項２】
太陽電池の裏面側が、前記仮想裏面側交線に沿って第２の導電型の領域で覆われていることを特徴とする請求項１に記載の太陽電池。
【請求項３】
太陽電池の前記裏面側が、前記仮想裏面側交線に沿って、さらに前記接触面を除いて、絶縁被膜層で覆われていることを特徴とする請求項１または２に記載の太陽電池。
【請求項４】
前記表面側金属薄膜（２）の前記接触面が、実質的に当該太陽電池の幅全体に延設されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の太陽電池。
【請求項５】
前記表面側金属薄膜（２）または前記裏面側金属薄膜（６）あるいはその両方が、表面側に対して垂直をなす共通の切断面に位置する複数の接触面を有することを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の太陽電池。
【請求項６】
表面側の前記接触面が、裏面側の前記接触面の上方に配置されていることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の太陽電池。
【請求項７】
前記半導体基板がｐ型ドープしたシリコンウェーハ（１）であり、前記第１と第３の領域はｎ型ドープしたエミッタとして形成されており、その際、前記第１の領域は２０オーム／ｓｑ〜７０オーム／ｓｑの範囲の低オームエミッタとして形成され、前記第３の領域は７０オーム／ｓｑ〜１３０オーム／ｓｑの範囲の高オームエミッタとして形成され、特に、前記第１の領域は約５０オーム／ｓｑエミッタとして形成され、前記第３の領域は８０オーム／ｓｑ〜１００オーム／ｓｑの範囲のエミッタとして形成されていることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の太陽電池。
【請求項８】
前記表面側金属薄膜（２）が、実質的に互いに平行に配置された、３０μｍ〜２００μｍの範囲の幅を有する複数本の直線形金属薄膜フィンガと、前記金属薄膜フィンガを導電接続するために前記金属薄膜フィンガに対して実質的に垂直をなして配置されたバスバーとして形成された少なくとも１つの接触面とを含んでなる標準型接触格子として形成されていることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の太陽電池。
【請求項９】
裏面側に第１の導電型の複数の島状領域を有し、前記複数の島状領域は第２の導電型の少なくとも１つの領域によって互いに分離されていることを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載の太陽電池。
【請求項１０】
第１の導電型の前記島状領域の各々が、該領域と導電接続された金属薄膜、特に３０μｍ〜２００μｍの範囲の幅を有する金属薄膜フィンガとして形成された金属薄膜を有することを特徴とする請求項９に記載の太陽電池。
【請求項１１】
前記裏面側金属薄膜（６）が、実質的に互いに平行に配置された、３０μｍ〜２００μｍの範囲の幅を有する複数本の直線形金属薄膜フィンガと、前記金属薄膜フィンガを導電接続するために前記金属薄膜フィンガに対して実質的に垂直をなして配置されたバスバーとして形成された少なくとも１つの接触面とを含んでなる標準型接触格子として形成され、裏面側において前記金属薄膜フィンガと前記バスバーとの間に第１の導電型の島状領域が配置されていることを特徴とする請求項９または１０に記載の太陽電池。
【請求項１２】
太陽電池の表面側に対して実質的に垂直をなして、前記第１の領域と前記第３の領域の両方を貫通するホールが設けられ、前記第１の領域と前記第３の領域とは前記ホールによって導電接続されていることを特徴とする請求項１〜１１のいずれか１項に記載の太陽電池。
【請求項１３】
前記ホールがそれらの壁面に少なくとも部分的に、前記第１と第３の領域を導電接続するように配置された第１の導電型の領域を有することを特徴とする請求項１２に記載の太陽電池。
【請求項１４】
前記ホールが少なくとも部分的に、前記第１と第３の領域を導電接続するかまたは単に前記ホールの導電率を高める金属薄膜を有することを特徴とする請求項１２または１３に記載の太陽電池。
【請求項１５】
太陽電池の裏面が、実質的に光学ミラー、特にアルミニウム被膜によって被覆されていることを特徴とする請求項１〜１４のいずれか１項に記載の太陽電池。
【請求項１６】
前記裏面側金属薄膜（６）は実質的に直線形の裏面側バスバー（７）を含み、前記裏面側バスバー（７）は、前記仮想裏面側交線上にほぼ位置しているか、または前記表面側金属薄膜（２）は実質的に直線形の表面側バスバー（３）を含み、前記表面側バスバー（３）は太陽電池の表面側と前記仮想面との間に想定された仮想表面側交線上に位置しているか、あるいはその両方であることを特徴とする請求項１〜１５のいずれか１項に記載の太陽電池。
【請求項１７】
前記第２のドープ領域が、少なくとも前記の仮想裏面側交線の領域で前記半導体基板の裏面側を覆うように配置されていることを特徴とする請求項１〜１６のいずれか１項に記載の太陽電池。
【請求項１８】
前記半導体基板が実質的に立方形であり、前記仮想面は前記半導体基板の端面と平行であることを特徴とする請求項１〜１７のいずれか１項に記載の太陽電池。
【請求項１９】
それぞれ表面側金属薄膜（２）ならびに裏面側金属薄膜（６）を有する少なくとも２個の太陽電池と、少なくとも１個のセルコネクタ（１１）とを含んでおり、前記太陽電池はモジュール内において互いに隣接配置され、前記セルコネクタ（１１）は第１の太陽電池の前記裏面側金属薄膜（６）を第２の太陽電池の前記表面側金属薄膜（２）と接続し、かつ、前記セルコネクタ（１１）は垂直断面で見て実質的に直線的に形成されている太陽電池モジュールであって、
前記２個の太陽電池はいずれも先行する請求項のいずれか１項に準拠して形成されていると共に、前記セルコネクタ（１１）が前記第１の太陽電池の前記裏面側金属薄膜（６）の前記接触面から出発して、垂直断面で見て実質的に直線的に、前記第２の太陽電池の表面側の前記接触面に向かって延びて、前記２つの接触面を導電接続するようにして互いに隣接配置されていることを特徴とする太陽電池モジュール。
【請求項２０】
請求項１〜１９のいずれか１項記載の太陽電池を表面側と当該表面側に対して実質的に平行な裏面側をを有する半導体ウェーハから製造するための方法であって、
前記半導体ウェーハの切断時損傷を取り除くステップｂ−２と、
第１の導電型の第１のドープ領域を拡散させ、その際、前記第１のドープ領域は実質的に太陽電池の表面側全体に及び、かつ、第１の導電型の少なくとも１つの第３のドープ領域を拡散させ、その際、前記第３のドープ領域は太陽電池の裏面側の一部を占めるようにようにするステップｂ−４と、
裏面側金属薄膜を被着するステップｂ−７と、
表面側を部分的に覆う表面側金属薄膜を被着するステップｂ−８と、
を含むものにおいて、
前記ステップｂ−７において、前記裏面側金属薄膜は裏面側を部分的に覆って被着され、表面側への被着に際して、表面側と略平行をなす表面側接触面が形成され、裏面側への被着に際して、裏面側と略平行をなす裏面側接触面が形成され、前記の表面側ならびに裏面側の接触面はそれぞれ長さが少なくとも０．５ｍｍ、幅が０．５ｍｍであり、前記の表面側ならびに裏面側の接触面は、裏面側に対して垂直をなす１つの共通の仮想面によって貫かれるようにして配置されており、太陽電池は、当該太陽電池の裏面側において、太陽電池の裏面側と前記仮想面との間に想定された仮想裏面側交線に沿って、前記第３のドープ領域への電気接続も、前記第１のドープ領域への電気接続も存在せず、前記仮想裏面側交線に沿って太陽電池の裏面側を案内される導電セルコネクタ（１１）は前記裏面側金属薄膜（６）または前記第２のドープ領域あるいはその両方と導電接続されているだけとなるように形成されることを特徴とする方法。
【請求項２１】
太陽電池の裏面側において、前記裏面側交線に沿って、第２の導電型のドープ領域が形成されることを特徴とする請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
太陽電池の裏面側において、前記仮想裏面側交線に沿って、かつ、前記裏面側接触面を除いて、裏面側が絶縁被膜層で覆われることを特徴とする請求項２０または２１に記載の方法。
【請求項２３】
前記方法ステップｂ−１において、太陽電池の表面側に対して実質的に垂直をなすホールが太陽電池に作り出され、これらのホールはレーザによって作り出されることを特徴とする請求項２０〜２２のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２４】
前記方法ステップｂ−４において、さらに、前記ホールの壁面に第１の導電型のドープ領域が設けられ、前記第３のドープ領域は、第１のドープ領域と第３のドープ領域とがホール壁面に設けられた前記ドープ領域を経て互いに導電接続されるようにホール領域に位置することを特徴とする請求項２０〜２３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２５】
前記方法ステップｂ−４の前に、拡散障壁が太陽電池の裏面側に被着されることを特徴とする請求項２０〜２４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２６】
方法ステップｂ−４で拡散された前記ドープ領域が、太陽電池の裏面側または表面側あるいはその両方でレーザによって電気絶縁されることを特徴とする請求項２０〜２４のいずれか１項に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は請求項１に記載の上位概念に基づく太陽電池ならびに請求項２０に記載の太陽電池の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
太陽電池では、入射する電磁線によって半導体基板内で正負の電荷（電子とそれに対応する「正孔」）が分離されて、互いに分離された２つの接触点に供給されるため、外部電流回路を通じて電力を取り出すことができる。
【０００３】
一般に半導体基板はｐ型ドープした平坦なシリコンウェーハからなっている。このｐ型ドープしたドープ領域はベースとも称される。ベース内では、正孔は多数キャリアを表し、電子は少数キャリアを表している。
【０００４】
一般的な太陽電池は、シリコンウェーハの表面側にｎ型ドープしたドープ領域、すなわち、エミッタを有している。エミッタと残りのｐ型ドープした基板（ベース）との間にはｐｎ接合が生じ、キャリアはその接合領域で分離される。エミッタ内では、電子は多数キャリアを表し、正孔は少数キャリアを表している。
【０００５】
一般的な太陽電池は、表面側に格子状金属薄膜を有し、裏面側に全面金属薄膜を有している。表面側金属薄膜はエミッタと導電接続されているため、エミッタ内の電子は表面側金属薄膜を経て外部電流回路に達することができる。同様に、裏面側金属薄膜も太陽電池のｐ型ドープしたドープ領域と導電接続されているため、正孔は裏面側金属薄膜を経て同じく外部電流回路に達することができる。
【０００６】
表面側金属薄膜は十分な大きさを有する少なくとも１つの接触面を有するために、セルコネクタによって表面側金属薄膜はさらに別の太陽電池または外部電流回路と導電接続可能である。
【０００７】
一般に電気エネルギーを発生させるために太陽電池が使用される場合には、複数の太陽電池が互いに接続されて太陽電池モジュールが形成される。その際、一般に直列接続が行われる。すなわち、一方の太陽電池の裏面側金属薄膜は隣接する他方の太陽電池の表面側金属薄膜と導電接続される。
【０００８】
太陽電池の効率を高めるために、さらに、太陽電池の裏面側をｎ型ドープした裏面側エミッタによって部分的に覆うことが知られている。これによって、入射光線によりドープ領域内または太陽電池の裏面側近傍で生成される電子も裏面側エミッタによって収集（集電）することができ、電子が正孔と再結合してしまい、それゆえ、外部から取出し可能な電気エネルギーに寄与しない確率が減少するからである（例えば、米国特許第５，４６８，６５２号明細書参照）。
【０００９】
表面側のエミッタも裏面側のエミッタもいずれも金属薄膜を有し、その際、裏面側において、櫛形のｐ型ドープ領域金属薄膜と、同じく櫛形の裏面側エミッタ・ドープ領域金属薄膜とが互いに入り組んで形成されている太陽電池が既知である。エミッタの表面側および裏面側の金属薄膜は、太陽電池に設けられた薄膜形成ホールによって互いに導電接続されている。こうした太陽電池において、裏面側は一方でｐ型金属薄膜の接触面を有すると共にｎ型金属薄膜の接触面も有するために、裏面側で太陽電池の完全な接触が行われる。
【００１０】
ただし、それゆえ、モジュール内の個々の太陽電池の接触と接続のために複雑でコスト高な方法が必須となるために、こうした太陽電池を標準型モジュール内で使用するにあたっては一連の短所が生じる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】米国特許第５，４６８，６５２号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
上記実情に鑑み、本発明の目的は、従来の太陽電池構造に比較して効率を高めると同時に、モジュール内におけるシンプルかつ低コストな接続を可能にする太陽電池をを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記課題は請求項１に記載の太陽電池ならびに請求項２０に記載の方法によって達成される。好適な実施形態は請求項２〜１８に記載されていると共に、請求項１９に記載の太陽電池モジュールに見い出すことができる。本方法の好適な実施形態は請求項２１〜２６に記載した通りである。
【００１４】
したがって、本発明による太陽電池は表面側ならびに表面側と実質的に平行をなす裏面側を有する半導体基板と、表面側金属薄膜および裏面側金属薄膜とを含んでいる。
【００１５】
太陽電池はさらに、少なくとも２つの異なった導電型を有する少なくとも３つのドープ領域を有している。
【００１６】
一方において、半導体基板の表面側には、実質的に半導体基板の表面側全体を占めるように第１の導電型の第１のドープ領域が配置されている。
【００１７】
半導体基板の裏面側には、裏面側の一部を占めるように、第１の導電型逆の導電型である第２の導電型の第２のドープ領域が配置されている。さらに、その裏面側は、一部が第１の導電型の第３のドープ領域により覆われている。
【００１８】
ドープ領域の導電型は、ｐ型ドープないしそれ逆の導電型であるｎ型ドープによって所与である。
【００１９】
さらに、表面側金属薄膜は第１のドープ領域と導電接続され、裏面側金属薄膜は第２のドープ領域と導電接続されているために、第１のドープ領域から表面側金属薄膜を経てキャリアを引き出すことができると共に、第２のドープ領域から裏面側の金属薄膜をへてキャリアを引き出すことができる。
【００２０】
太陽電池はさらに、表面側金属薄膜または第１のドープ領域あるいはその両方を第３のドープ領域と導電接続する導電接続手段を含んでいる。したがって、キャリアは該第３のドープ領域から直接にまたは第１のドープ領域を経て表面側金属薄膜に達し、同所から引き出されることができる。
【００２１】
重要なのは、表面側金属薄膜は少なくとも１つの表面側接触面を含むと共に、裏面側金属薄膜も同じく少なくとも１つの裏面側接触面を含んでいることであり、その際、これらの接触面はそれぞれ長さが少なくとも０．５ｍｍ、幅が少なくとも０．５ｍｍである。これらの接触面は半導体基板のそれぞれの側の面と略平行をなして配置されている。
【００２２】
これにより、表面側金属薄膜も裏面側金属薄膜も共に通例の接触方法によって接触可能であり、特に、通例のセルコネクタで電気接続可能である。
【００２３】
本発明による太陽電池はさらに、双方の接触面が基板の裏面に対して垂直をなす１つの共通の仮想面に位置しているという特徴を有している。この仮想面は太陽電池の裏面側との間に仮想裏面側交線を形成し、本発明による太陽電池は、この仮想裏面側交線に沿って、第３のドープ領域への電気接続も、第１のドープ領域への電気接続も、さらに表面側金属薄膜への電気接続も存在しないように形成されている。
【００２４】
本発明による太陽電池のこうした構成により、実質的に直線的なセルコネクタを仮想裏面側交線に沿って太陽電池の裏面側上を案内することが可能である。このセルコネクタは、本発明による太陽電池の形態から、単に裏面側金属薄膜の接触面と導電接続しているにすぎず、とりわけ、第３のドープ領域とも、第１のドープ領域とも、表面側金属薄膜とも導電接続されていない。
【００２５】
同じく、表面側において、仮想面と太陽電池の表面側との間の仮想表面側交線に沿って、実質的に直線的なセルコネクタを配置することが可能である。このセルコネクタは、本発明による太陽電池の上記の形態から、もっぱら表面側金属薄膜と該金属薄膜の表面側接触面を経て導電接続されていると共に、裏面側セルコネクタと平行をなして延びている。
【００２６】
本発明による太陽電池は、これにより、標準型太陽電池モジュール内で、単に表面側にエミッタを有するだけの従来の太陽電池と同じようにして接続可能である。
【００２７】
ただし、本発明による太陽電池は第１の導電型の第１のドープ領域に加えてさらに少なくとも１つの第３のドープ領域を有し、この第３のドープ領域が太陽電池の裏面側に配置されていることにより、本発明による太陽電池の効率は従来の太陽電池に比較して向上している。
【００２８】
以上に説明した一般的な太陽電池において、表面側のｎ型ドープしたエミッタは第１のドープ領域を表し、ｐ型ドープした（したがって、前記エミッタ逆の導電型である導電型を有する）ベースは第２のドープ領域を表し、ｎ型ドープした裏面側エミッタは第３のドープ領域を表している。ただし、ｎ型ドープとｐ型ドープを交換することも同じく本発明の範囲に属する。
【００２９】
本願出願人の研究によれば、接触面の所定の接触方法にとって相対的に大きい面積の方が有利であることが判明した。したがって、好ましくは、表面側接触面または裏面側接触面あるいはその両方の長さが少なくとも０．５ｍｍ、幅が少なくとも０．５ｍｍ、特に、少なくとも長さが１ｍｍ、幅が少なくとも１ｍｍ、とりわけ少なくとも長さが１．５ｍｍ、幅が１．５ｍｍである。
【００３０】
好適な実施形態では、本発明による太陽電池は、太陽電池の裏面側が仮想裏面側交線に沿って第２の導電型のドープ領域で覆われるようにして形成されている。これにより、裏面側金属薄膜が仮想裏面側交線に沿って案内されているので、この線に沿ってキャリアが捕集されて、裏面側金属薄膜の仮想裏面側交線上にある接触面に誘導されるようにすることが可能である。
【００３１】
さらに別の好適な実施形態において、太陽電池の裏面側は仮想裏面側交線に沿って、接触面を除いて絶縁被膜層で覆われている。
【００３２】
したがって、太陽電池の裏面側を仮想裏面側交線に沿って案内されるセルコネクタは単に接触面で裏面側金属薄膜と電気接続されているにすぎない。これは裏面側での再結合を減少させることができるという利点を有する。
【００３３】
この太陽電池では、太陽電池の裏面側を仮想裏面側交線に沿って案内されるセルコネクタが、第１のドープ領域とも、第３のドープ領域とも、さらに、表面側金属薄膜とも電気接続していないように形成されていることが重要である。これは、上述したように、裏面側金属薄膜が仮想裏面側交線の全体に沿って案内されるかあるいは仮想裏面側交線に沿って単に裏面側金属薄膜または第２のドープ領域が配置されているにすぎないことによって保証されることができる。また、太陽電池の裏面側の仮想裏面側交線の領域が少なくとも部分的に絶縁被膜層を有し、そのため、太陽電池の裏面側に仮想裏面側交線に沿って載設されるセルコネクタは絶縁被膜層の下に配置されたドープ領域への電気接続を持たないようにすることも同じく可能である。
【００３４】
さらに、表面側金属薄膜の接触面が実質的に太陽電池の幅全体を占めるようにため、キャリアは太陽電池の幅全体にわたって第１のドープ領域から表面側金属薄膜内に流れ込むことができ、表面側金属薄膜内部で表面側金属薄膜の接触面に達することができるのが有利である。
【００３５】
さらに別の好適な実施態様において、表面側金属薄膜または裏面側金属薄膜あるいはその両方は、表面側に対して垂直をなす共通の切断面に位置する複数の接触面を含んでいる。
【００３６】
したがって、裏面側を仮想裏面側交線に沿ってまたは表面側を仮想表面側交線に沿って案内されるセルコネクタは複数の接触面と導電接続されているために、金属薄膜内の横伝導抵抗に起因する損失を減少させることが可能である。
【００３７】
好ましくは、表面側の接触面は裏面側の接触面の上方に配置されているため、表面側セルコネクタと裏面側セルコネクタは表面側および裏面側の同じポジションで結合され、それゆえ、結合に際してそれぞれ発生する圧力は相殺される。
【００３８】
好適な実施形態の１つとして、本発明による太陽電池はｐ型シリコン太陽電池として形成されている。すなわち、半導体基板はｐ型ドープしたシリコンウェーハであり、第１および第３のドープ領域はｎ型ドープしたエミッタとなっている。
【００３９】
この場合、第１のドープ領域は２０オーム／ｓｑ〜７０オーム／ｓｑの範囲の低オームエミッタとして形成され、第３の領域は７０オーム／ｓｑ〜１３０オーム／ｓｑの範囲の高オームエミッタとして形成されていれば好適である。というのも、本発明者の研究によれば、これにより、一方で、エミッタ内の横伝導抵抗に起因する損失をできるだけ小さくし、他方で、表面側金属薄膜に対する接触抵抗に起因する損失を低くし、こうして、太陽電池の効率を最適化し得ることが判明したからである。
【００４０】
第１のドープ領域は約５０オーム／ｓｑエミッタとして形成され、第３のドープ領域はドープ範囲８０オーム／ｓｑ〜１００オーム／ｓｑのエミッタとして形成されていれば特に好適である。
【００４１】
さらに別の好適な実施形態において、表面側金属薄膜は標準型接触格子として形成されている。これは、実質的に互いに平行に配置された、それぞれ３０μｍ〜２００μｍの範囲の幅を有する複数本の直線形金属薄膜フィンガを含んでいる。これらの金属薄膜フィンガはそれらに対して垂直をなす１本のバスバーによって互いに結合されている。このバスバーは接触面として形成されており、すなわち、少なくとも１．５ｍｍの幅を有すると共に、長さに関していえば、太陽電池のおおよそ表面側全体を覆っている。このバスバーは金属薄膜フィンガと導電接続されているために、これらの金属薄膜フィンガによって捕集されるキャリアはこのバスバーを経て引き出すことが可能である。
【００４２】
さらに別の好適な実施形態において、本発明による太陽電池はその裏面側に、第２の導電型の少なくとも１つのドープ領域によって互いに分離された、第１の導電型の複数の島状ドープ領域を有している。
【００４３】
これらの島状ドープ領域のそれぞれは表面側金属薄膜と導電接続されているため、これらの島状ドープ領域のキャリアは表面側金属薄膜の接触面を経て引き出すことが可能である。
【００４４】
この場合、特に好適なのは、第１の導電型の島状ドープ領域の各々がこのドープ領域と導電接続された金属薄膜を有している場合である。これらの金属薄膜はまたも表面側金属薄膜と導電接続されている。したがって、島状ドープ領域によって捕集されたキャリアはこの島状ドープ領域の金属薄膜に流入し、次いで、該金属薄膜の内部で表面側金属薄膜の接触面に達し、同所から引き出すことが可能である。これによって、直列抵抗が低下するため、太陽電池の効率を向上させることが可能である。
好ましくは、島状ドープ領域の金属薄膜は、３０〜２００μｍのドープ領域幅を有する金属薄膜フィンガとして形成されている。
【００４５】
さらに別の好適な実施形態において、裏面側金属薄膜は、上述したように、実質的に互いに平行に配置された、３０〜２００μｍの範囲の幅を有する複数本の直線形金属薄膜フィンガを含んでなる標準型接触格子として形成されている。さらに、裏面側金属薄膜は、金属薄膜フィンガに対して実質的に垂直をなして配置され、これらの金属薄膜フィンガを互いに導電結合するバスバーとして形成された接触面を有している。
【００４６】
こうした形の裏面側金属薄膜は、裏面側において金属薄膜フィンガとバスバーとの間に第１の導電型の島状ドープ領域が配置されていてよいため、島状ドープ領域は裏面側金属薄膜に櫛状に入り組み、したがって、太陽電池の裏面側において第２の導電型のドープ領域にも同様に入り組んでいるという利点を有する。
このことにより、島状ドープ領域が裏面を櫛形状に覆う場合キャリアの捕集に際して高い効率を達成することができ、太陽電池の高い効率が実現される。
【００４７】
好適な実施形態において、太陽電池は、太陽電池の表面側に対して実質的に垂直をなして第１ならびに第３のドープ領域のいずれをも貫通する複数の除去部を有しており、第１と第３のドープ領域はこれらの除去部（ホールなど）によって導電接続されている。これらの除去部は、例えば孔、すなわち実質的に円筒形または角柱形の除去として形成することができる。
【００４８】
第１と第３のドープ領域間の導電接続は、好ましくは、除去部がその壁面に少なくとも部分的に、第１と第３のドープ領域を導電接続するように配置された第１の導電型のドープ領域を有することによって保証されるとよい。
したがって、この好適な実施形態において、キャリアは裏面側の第３のドープ領域から除去部の壁面を経て表面側の第１のドープ領域に達し、同所で表面側金属薄膜に流入することができる。
【００４９】
また、除去が少なくとも部分的に、第１と第３のドープ領域を導電接続する金属薄膜を有しているのも同じく有利である。この場合、キャリアは第３のドープ領域から除去の金属薄膜に流入し、この金属薄膜を経て表面側金属薄膜に達することができる。
【００５０】
従来の太陽電池では一般に全面を占めるように裏面側金属薄膜が形成されている。これは裏面側接触面としてのその機能のほかに、表面側から侵入する電磁線を反射して、太陽電池に吸収される電磁線が増大されるようにする光学ミラーとしての機能を持っている。
【００５１】
本発明による太陽電池において、裏面側金属薄膜によって裏面側が全面にわたって覆われることはない。したがって、本発明による太陽電池は、有利には、表面側を経て太陽電池に入射する電磁線が反射され、これによって、太陽電池内の吸収が向上されるようにして太陽電池の裏面側を覆う光学ミラーを有している。好ましくは、このミラーはアルミニウム被膜層として形成されている。
【００５２】
上述したように、本発明による太陽電池は、それらが標準型太陽電池方式で接続されてモジュール化可能であるという利点を有する。好ましい実施形態において、本発明による太陽電池を擁した太陽電池モジュールは、少なくとも２個の太陽電池が隣接配置されて、少なくとも１個のセルコネクタが第１の太陽電池の裏面側金属薄膜を第２の太陽電池の表面側金属薄膜と接続するように構成されている。その際、太陽電池コネクタは、実質的に直線状の延びを有するように形成されている。
【００５３】
好適な形態では、半導体基板は、例えばシリコンウェーハのように、フラットな形を有している。太陽電池の表面側および裏面側は一般に実質的に平坦であり、その際、テキスチャー付与のための僅かなパターン化、すなわち、太陽電池の表面側または裏面側の光学的特性を改善するための僅かなパターン付与あるいはドープ領域を限界するためのパターン化が好都合である。一般に、半導体基板の厚さは５０〜３００μｍの範囲にあり、その際、太陽電池の表面側または裏面側のテキスチャー付与ないしパターン化は一般に１５μｍ以下の高度差を有している。
さらには、半導体基板は実質的に立方形であり、仮想面は半導体基板の端面と平行をなしていることが好ましい。
【００５４】
上述した本発明による太陽電池はさらに、実質的には従来の標準的な製造方法によって製造可能であるという利点を有する。したがって、本発明の目的は同じく、請求項２０に記載の以下の方法ステップを含んでなる方法によって解決される（この場合、ナンバリングはすでに図８に示した実施例に関する）。
【００５５】
本発明による方法において、表面側ならびに表面側と実質的に平行をなす裏面側を有する半導体ウェーハから、ステップｂ−２において、切断時損傷が取り除かれる。
【００５６】
さらに、ステップｂ−４において、第１の導電型の第１のドープ領域が拡散させられる。第１のドープ領域は実質的に半導体ウェーハ、したがって、その後の太陽電池の表面側の全体を占める。さらに、第１の導電型の少なくとも１つの第３のドープ領域が拡散させられ、その際、第３のドープ領域は太陽電池の裏面側の一部を占める。
ステップｂ−７において、裏面側の一部を覆う裏面側金属薄膜が被着され、相応して、ステップｂ−８において、表面側の一部を覆う表面側金属薄膜が被着される。
【００５７】
重要な点は、上述したステップｂ−７において、裏面側金属薄膜は裏面側の一部を覆うにすぎないこと、表面側への被着に際し、表面側と略平行をなす表面側接触面が形成され、裏面側では、裏面側と略平行をなす裏面側接触面が形成されることである。この表面側および裏面側の接触面はそれぞれ少なくとも長さが０．５ｍｍ、幅が０．５ｍｍであり、かつ、表面側および裏面側の接触面は、裏面に対して垂直をなす１つの共通の仮想面によって貫通されるようにして配置される。
【００５８】
太陽電池はさらに、この太陽電池の裏面側において、太陽電池の裏面側と仮想面との間に想定された仮想裏面側交線に沿って、第３のドープ領域への電気接続も、第１のドープ領域への電気接続も存在しないように形成される。
これによって、仮想裏面側交線に沿って太陽電池の裏面側を案内される導電セルコネクタは単に裏面側金属薄膜または第２のドープ領域あるいはその両方と導電接続されているにすぎないことが保証される。
【００５９】
好ましくは、本発明による方法において、太陽電池の裏面側には仮想裏面側交線に沿って第２の導電型の１つのドープ領域が形成される。
【００６０】
本発明による方法のさらに別の好適な実施形態において、太陽電池の裏面側については、仮想裏面側交線に沿って、かつ、仮想裏面側接触面を除いて、裏面側は絶縁被膜層で覆われる。
【００６１】
第１と第３のドープ領域を接続するには、ステップｂ−１において、太陽電池の表面側と実質的に垂直をなす複数のホールが太陽電池に作り出されるのが好都合である。これらのホールは、それらを正確な場所に速やかに作り出すことができるため、レーザによって作り出されるのが特に好都合である。
【００６２】
本発明のさらに別の好適な実施形態では、ステップｂ−４において、さらにホールの壁面に第１の導電型のドープ領域が設けられて、第３のドープ領域がこれらのホールの領域に配置されるため、第１と第３のドープ領域はホールの壁面に設けられたドープ領域を経て互いに導電接続される。
【図面の簡単な説明】
【００６３】
【図１】本発明による太陽電池の表面側を概略的に示す図である。
【図２】本発明による太陽電池の裏面側を概略的に示す図である。
【図３】図１および図２において符号Ｉで示された線に沿った断面図であり、この場合、断面は図１および図２の描画面に対して垂直をなしている。
【図４】図１および図２において符号ＩＩで示された線に沿った断面図であり、この場合にも、断面は図１および図２の描画面に対して垂直をなしている。
【図５】セルコネクタで直列接続された本発明による複数の太陽電池を上方から眺めた平面図である。
【図６】セルコネクタで直列接続された本発明による複数の太陽電池を下方から眺めた平面図である。
【図７】図５および図６に示したセルコネクタで結合された太陽電池の断面図であり、その断面は、図５および図６の描画面に対して垂直をなし、かつ、セルコネクタによって形成される線のほぼ中央を貫いて延びている。
【図８】従来の技術による太陽電池の製造方法と本発明による太陽電池の製造方法との比較対照を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００６４】
以下、図面によって示した実施例を参照して、その他の好適な実施形態を詳細に説明する。
図中に示した本発明による太陽電池の半導体基板は立方形のシリコンウェーハであり、その長さと幅はおよそ１２ｃｍ、厚さは約２５０μｍである。
【００６５】
図から理解できるように、シリコンウェーハ１の表面側には複式の櫛形状表面側金属薄膜２が被着されている。表面側金属薄膜２は中央に配置された表面側バスバー３を含んでおり、このバスバーを起点としてバスバーに比較して細い金属薄膜条帯いわゆるフィンガが太陽電池の表面上を延びている。
【００６６】
シリコンウェーハ１の表面側は、図１に斜線格子パターンで表したｎ型ドープした領域すなわち表面側エミッタ４で完全に覆われている。したがって、表面側エミッタ４は第１のドープ領域を表している。
【００６７】
さらに、シリコンウェーハ１は、実質的に円筒形の複数のホール５によって貫通されている。
【００６８】
図２に表した、本発明による太陽電池の裏面側の図から理解できるように、シリコンウェーハ１の裏面側には裏面側金属薄膜６が配置されている。この裏面側金属薄膜も同じく複式の櫛形状に形成されて、中央の裏面側バスバー７を含んでおり、このバスバーを起点として裏面側金属薄膜のフィンガはシリコンウェーハ１の裏面側上を延びている。
【００６９】
裏面側もｎ型ドープした領域、すなわち、図２に斜線格子パターンで表した裏面側エミッタ８を有している。裏面側エミッタは裏面側を、特にホール５の領域において部分的に覆っている。したがって、裏面側エミッタ８は第３のドープ領域を表している。
【００７０】
シリコンウェーハ１はｐ型基礎ドープされており、すなわち、それはエミッタ領域を除いてｐ型ドープされている。したがって、このｐ型ドープ領域は本発明による太陽電池のベースを表している。図２から見て取れるように、シリコンウェーハ１の裏面側において、裏面側金属薄膜６の領域は裏面側エミッタ８によって覆われていないため、裏面側金属薄膜６はベース９上に直接被着されて、ベースと導電接続されている。ベース９は、それゆえ、第２のドープ領域となっている。
【００７１】
図３は、図１および図２の描画面に対して垂直をなす、符号Ｉで示された鎖線に沿った断面を示している。
ホール５によって貫通されたシリコンウェーハ１において、表面側には、表面側全体を覆う表面側エミッタ４が配置されている。シリコンウェーハ１の裏面側は、一部が裏面側エミッタ８により、一部がベース９によって覆われている。ホール５の壁面には中継エミッタ１０が配置されているため、裏面側エミッタ８は中継エミッタ１０を経て表面側エミッタ４と導電接続されている。
【００７２】
選択形態としてまたはさらに付加形態として、裏面側エミッタ８を表面側エミッタ４または表面側金属薄膜２あるいはその両方と導電接続する中継金属薄膜をホール５に設けることも可能である。
【００７３】
図４は、図１および２において符号ＩＩで示された鎖線に沿った断面を示しており、この場合、断面は図１および図２の描画面に対して垂直をなしている。符号ＩＩで示された断面領域にはエミッタは存在せず、ベース９が、中央に配置された表面側バスバー３を有した表面側金属薄膜２から、中央に配置された裏面側バスバー７を有した裏面側金属薄膜６にまで達している。
【００７４】
重要な点は、今や、表面側金属薄膜と裏面側金属薄膜とはそれぞれ１つの接触面を含んでいることであり、その際、接触面は、長さが少なくとも０．５ｍｍであり、幅が少なくとも０．５ｍｍである。
【００７５】
これらの接触面は、図示した実施例において、表面側バスバー３ならびに裏面側バスバー７によって実現されている。表面側ならびに裏面側のバスバーは、幅２ｍｍ、長さ約１１ｃｍである。したがって、これらのバスバーはセルコネクタによって接続されるのに十分な面積を有している。
【００７６】
表面側ならびに裏面側のバスバーは、シリコンウェーハ１の裏面に対して垂直をなす１つの共通の仮想面によって貫かれている。
【００７７】
この仮想面は図１〜４において、それぞれ１本の中央鎖線によって表されており、その際、該仮想面は図１〜４において、それぞれ描画面に対して垂直をなしている。
【００７８】
太陽電池の表面側において表面側バスバー３は該仮想面の領域において最大の隆起を表しているため、表面側バスバー３の上側面と該仮想面との交線が仮想表面側交線を表している。この交線は図１において鎖線で表され、符号Ａが付されている。この場合、太陽電池の最も外側の上下端には表面側金属薄膜は存在しないため、仮想表面側交線Ａはこの領域においてはシリコンウェーハ１の表面側と該仮想面との間の仮想交線である。
【００７９】
同様に、太陽電池の裏面側においても裏面側バスバー７は該仮想面の領域において最大の隆起を表しているため、裏面側バスバー７の下側面と該仮想面との間の仮想交線が、図２において符号Ｂによって示された鎖線によって示された仮想裏面側交線を表している。裏面側においても最も外側の上下端領域には裏面側金属薄膜は存在しないため、この領域において仮想裏面側交線は裏面側エミッタ８に沿って、すなわち、シリコンウェーハ１の裏面側上を延びている。
【００８０】
上記に相応して、図３と４には、仮想表面側交線Ａと仮想裏面側交線Ｂのポジションが示されており、その際、これらの仮想交線はこれらの図中においてそれぞれ描画面に対して垂直をなしている。
【００８１】
シリコンウェーハ１の裏面側において、裏面側エミッタ８で覆われた領域では、シリコンウェーハ１は、約１０ｎｍの厚さを有する（図示していない）二酸化ケイ素被膜で覆われている。この「天然の」二酸化ケイ素被膜は周囲の酸素による酸化によって生ずるものであり、したがって、別個のプロセスステップによって作り出される必要はない。二酸化ケイ素被膜は絶縁性を有するため、裏面側金属薄膜によって覆われていない領域において、仮想裏面側交線Ｂに沿って、二酸化ケイ素被膜による裏面側エミッタ８に対する絶縁が生ずる。別個のプロセスステップにおいて絶縁性被膜をこれらの領域に被着することも同じく可能である。
【００８２】
したがって、仮想裏面側交線Ｂの全体に沿って、裏面側エミッタ８、表面側エミッタ４、中継エミッタ１０または表面側金属薄膜２への電気接続は生じない。
【００８３】
こうした構成により、この実施例で示した本発明による太陽電池はモジュール内で標準接続方式によって接続されることができる。
【００８４】
すでに冒頭で述べたように、モジュール内の太陽電池は、導電セルコネクタが一方の太陽電池の表面側金属薄膜を隣接する他方の太陽電池の裏面側金属薄膜と接続することにより、一般にセルコネクタによって直列接続される。
【００８５】
その際、重要な点は、セルコネクタが実質的に直線的であるため、太陽電池が列状に隣接配置されている場合に、太陽電池の表面側接触面と裏面側接触面とは、それらが裏面に対して垂直をなす１つの共通の仮想面によって貫かれ、こうして、セルコネクタが一方の電池上を、例えば仮想表面側交線に沿って案内され、かつ、隣接した他方の電池上を仮想裏面側交線に沿って案内されるようにして配置されていなければならないということである。
【００８６】
この接続方式は図５〜７に表されている。
【００８７】
図５において、本発明による４個の太陽電池は列状に隣接配置されており、その際、それぞれの太陽電池はセルコネクタ１１を経て隣接する太陽電池と導電接続されている。図７に示した断面図に示されているように、セルコネクタ１１は一方の太陽電池の裏面側バスバー７を隣接した他方の太陽電池の表面側バスバー３と接続する。
【００８８】
この場合、本発明による太陽電池における表面側ならびに裏面側のバスバーの配置によって、セルコネクタは直線的に案内されることが可能である。すなわち、図５に示したように上方から眺めた平面図において、セルコネクタ１１は一方の太陽電池の表面側から、隣接する他方の太陽電池の裏面側に向かって直線的に延びている。同じく、セルコネクタ１１の直線的な延びは、直列接続された本発明による太陽電池を下方から眺めた図６に示した平面図からも見て取れる。
【００８９】
上方から眺めた平面図において直線的に案内されたセルコネクタによるこうした接続方法は、モジュール接続に際する標準方式を表している。とりわけ、セルコネクタが実質的に太陽電池の幅全体を覆い、こうして、セルコネクタ１１と表面側バスバー３ないし裏面側バスバー７との間の接触抵抗を、接触面積が広いことによって、できるだけ小さくすることができると共に、他方でさらに、平行をなして延びるセルコネクタ１１によって、表面側ならびに裏面側のバスバーの横伝導抵抗が減少させられ、こうして、全体として、オーム抵抗に起因する出力損失が最小化されるのが特に有利である。
【００９０】
したがって、本発明による太陽電池は、それらを標準的な方式で接続してモジュール化することが可能であるという利点と、加えてさらに、第１のドープ領域（本実施例の表面側エミッタ４）を経てキャリアが表面側で捕集されると共に、第３のドープ領域（本実施例の裏面側エミッタ８）を経て裏面側でキャリアが捕集されるという利点とを一体化している。
【００９１】
本発明による太陽電池のさらに別の利点は、それが産業上通例の太陽電池を製造するための標準的なプロセスステップによって製造可能であって、その際、僅かな変更が必要となるにすぎないという点である。
【００９２】
図８において、左側の欄ａ）には、従来の産業用太陽電池の製造フローが表されている。この種の産業用太陽電池は表面側にエミッタを有しており、残りの半導体基板はベースを表している。エミッタは表面側に被着された表面側金属薄膜によって接触されており、ベースは裏面側に被着された裏面側金属薄膜によって接触されている。
【００９３】
製造にあたり、先ずステップａ−１において、半導体の切断時損傷が取り除かれ、太陽電池の光収量を高めるべく、表面側にテキスチャーが付与される。この場合、半導体は一般に均一にｐ型ドープされている。
【００９４】
拡散ステップａ−２において、エミッタは、テキスチャーの付与された半導体ウェーハ表面側で拡散浸透させられる。
【００９５】
これらのプロセスステップに際して、ステップａ−３でエッチングされるリンケイ酸ガラスが生ずる。
【００９６】
太陽電池の光収量をさらに高めるために、ステップａ−４において、表面側に反射防止被膜層が被着される。これは、例えば、単層の二酸化ケイ素被膜層または窒化ケイ素被膜層であってよいが、ただし、多層の反射防止被膜層も同じく既知である。
【００９７】
ａ−５からａ−７までのステップにおいて、プリント方式によって表面側ならびに裏面側金属薄膜が被着される。
【００９８】
この場合、標準方式にあっては、先ずステップａ−５において、いわゆる「パッド」、すなわち接触面が裏面側にプリントされ、この接触面が乾燥させられた後、ステップａ−６において、裏面側が全面的に金属薄膜形成される。
【００９９】
この場合、ステップａ−７において、先に述べたように櫛形状の金属薄膜格子の形の表面側金属薄膜がプリントされる。以上のプリントステップの順序は変えられてもよい。
【０１００】
プリントされた金属薄膜がその下にあるドープ領域との電気接点を形成することは熱作用によって達成される。これは「接点加熱」とも称され、図８にステップａ−８として表されている。
【０１０１】
一般に半導体ウェーハの端縁に発生する電気的な短絡ならびに損傷を回避するため、ステップａ−９において、レーザによる端縁絶縁処理が実施される。すなわち、半導体ウェーハの薄い周縁領域がレーザの作用によって太陽電池の残りの部分から電気的に切り離されるため、この端縁領域においても、場合により半導体構造に短絡またはその他の損傷が生じても、太陽電池の電気的特性になんらの影響も生じないかもしくは無視し得る程度の僅かな影響が生ずるだけにすぎない。また、レーザによる端縁絶縁処理を拡散ステップの直後に、特に、ステップａ−２（または本発明による方法においてはｂ−４）の直後に実施することも同じく可能である。有利には、レーザによる端縁絶縁処理は表面側から実施される。
【０１０２】
従来技術と区別するため図８においてｂ）で示されている右側の欄から理解できるように、図８に一例として示している本発明による太陽電池の製造方法は、従来の太陽電池の製造方法に比較して、１つだけ多いプロセスステップを有しているにすぎない。
【０１０３】
付加的なステップｂ−１において最初に、切断時損傷が取り除かれる前に、第１と第３のドープ領域の電気的接続を可能にするホールが半導体ウェーハに作り出される。半導体ウェーハに設けられた、表面側と裏面側に対してほぼ垂直に半導体ウェーハを貫通するこれらのホールは、好ましくはレーザによって作り出される。すなわち、レーザによる熱作用によって半導体材料はいくつかの箇所が蒸発させられ、こうして、例えば図１および２に示したように、太陽電池にホールが設けられる。
【０１０４】
ｂ−３で示された方法ステップはさらに別の付加的なステップを表している。この場合、裏面側にいわゆる拡散障壁が付与される。この拡散障壁は、裏面側において互いに櫛形状に組み合わされたドープ領域（図２参照）を互いに電気的に切り離すために使用される。したがって、この拡散障壁は、図２に見られる第２と第３のドープ領域間の境界におおよそ沿って延びている。
【０１０５】
好ましくは、さらに、裏面側において、特に、方法ステップｂ−３における拡散障壁と同時に、端縁の領域に拡散障壁が被着されるため、そのための追加的な方法ステップは不要である。この拡散障壁によって端縁絶縁処理を不要とすることができるから、方法ステップｂ−１０の省略が可能である。
【０１０６】
太陽電池の表面側および裏面側には櫛形格子様の金属薄膜が被着されるにすぎないことから、標準型産業用太陽電池において方法ステップａ５〜ａ７として表された方法ステップは、単に２つの方法ステップｂ７〜ｂ８、すなわち、一方において、裏面側格子のプリントと乾燥、他方において、表面側格子のプリントと乾燥によって実現することができる。また、表面側格子と裏面側格子のいずれかまたは両方を多段式プリントステップによって被着することも同じく本発明の範囲に属する。
【０１０７】
先に述べた方法ステップｂ−３における拡散障壁の被着に代えて、ステップｂ−３を省き、それに代えて、拡散ステップ（方法ステップｂ−４）の後に、太陽電池の裏面側での第２と第３のドープ領域間の電気的分離をレーザによって実施することも可能である。そのため、レーザビームは太陽電池の裏面側で第３のドープ領域の辺縁に沿って案内されるため、熱作用によって第２と第３のドープ領域間の電気的絶縁が達成される。好ましくは、これはステップｂ−１０において端縁絶縁処理と同時に実施される。
【０１０８】
上記の説明における「導電接続」なる表現は、一定の条件下で太陽電池のｐｎ接合を経て流れるかあるいはｐｎ接合での再結合効果によって発生する電流を除外している。
【０１０９】
本願明細書の趣旨において、表面側金属薄膜は第１と第３のドープ領域と導電接続されているが、ただし、第２のドープ領域または裏面側金属薄膜とは導電接続されていない。なぜなら、それには第１と第３のドープ領域において多数キャリアはｐｎ接合を乗り越えなければならないからである。同じく、多数キャリアが第２のドープ領域においてｐｎ接合を乗り越えなければならないため、第２のドープ領域は第１と第２のドープ領域または表面側金属薄膜と導電接続されていない。
【図１】
2011524088.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【国際調査報告】
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