(57)【要約】ＥＵＶリソグラフィ用の反射光学素子を製造する方法。反応性水素の存在下での多層系の最上層の膨れ及び割れ並びにチッピングの傾向を低減するために、５ｎｍ〜２０ｎｍの範囲の作動波長で最大反射率を有するＥＵＶリソグラフィ用の反射光学素子５０を製造する方法であって、上下に配置した３０個〜６０個のスタック５３からなる多層系５１を基板５２に被着するステップであり、各スタックは、作動波長での屈折率の実部が大きな材料からなる厚さｄＭＬｓを有する層５４と、作動波長での屈折率の実部が小さな材料からなる厚さｄＭＬａを有する層５５とを有し、厚さ比がｄＭＬａ／（ｄＭＬａ＋ｄＭＬｓ）＝ΓＭＬであるステップと、１つ、２つ、３つ、４つ、又は５つの追加スタック５６を多層系に被着するステップであり、上記少なくとも１つの追加スタックは、作動波長での屈折率の実部が大きな材料からなる厚さｄｓを有する層５４と、作動波長での屈折率の実部の小さな材料からなる厚さｄＭＬａを有する層５５とを有し、厚さ比がｄａ／（ｄａ＋ｄｓ）＝Γであり、Γ≠ΓＭＬであるステップとを含む方法が提案される。【選択図】図１ａ
2014523118.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
５ｎｍ〜２０ｎｍの範囲の作動波長で最大反射率を有するＥＵＶリソグラフィ用の反射光学素子を製造する方法であって、
上下に配置した３０個〜６０個のスタックからなる多層系を基板に被着するステップであり、各スタックは、前記作動波長での屈折率の実部が大きな材料からなる厚さｄＭＬｓを有する層と、前記作動波長での屈折率の実部が小さな材料からなる厚さｄＭＬａを有する層とを有し、厚さ比がｄＭＬａ／（ｄＭＬａ＋ｄＭＬｓ）＝ΓＭＬであるステップと、
１つ、２つ、３つ、４つ、又は５つの追加スタックを前記多層系に被着するステップであり、前記少なくとも１つの追加スタックは、前記作動波長での屈折率の実部が大きな材料からなる厚さｄｓを有する層と、前記作動波長での屈折率の実部の小さな材料からなる厚さｄＭＬａを有する層とを有し、厚さ比がｄａ／（ｄａ＋ｄｓ）＝Γであり、Γ≠ΓＭＬであるステップと
を含む方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法において、Γ＞１．２×ΓＭＬ又はΓ＜０．８×ΓＭＬを設定する方法。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の方法において、前記少なくとも１つの追加スタックの少なくとも１つの層を、電子ビーム蒸着又は熱粒子でのマグネトロンスパッタリング又はイオンビームアシストコーティングにより被着する方法。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項に記載の方法において、前記少なくとも１つの追加スタックの少なくとも１つの層を、イオンビーム研磨しないか、又は層全体を貫通するようにエネルギーを設定したイオンビームで研磨する方法。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法において、前記作動波長での屈折率の実部が大きな材料及び／又は前記作動波長での屈折率の実部が小さな材料として、前記多層系のスタックに選択される材料は、前記少なくとも１つの追加スタックにそれぞれ選択される材料と同じである方法。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項に記載の方法において、前記多層系のスタック及び前記少なくとも１つの追加スタックの両方に関して、シリコンを前記作動波長での屈折率の実部が大きな材料として選択し、前記多層系のスタック及び前記少なくとも１つの追加スタックの両方に関して、モリブデンを前記作動波長での屈折率の実部が小さな材料として選択する方法。
【請求項７】
請求項１〜５のいずれか１項に記載の方法において、前記作動波長での屈折率の実部が大きな材料及び／又は前記作動波長での屈折率の実部が小さな材料として、前記多層系のスタックに選択される材料は、前記少なくとも１つの追加スタックにそれぞれ選択される材料と異なる方法。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか１項に記載の方法において、拡散バリアとしての付加層を、前記少なくとも１つの追加スタックおいて前記作動波長で低屈折率を有する層と前記作動波長で高屈折率を有する層との間に被着する方法。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか１項に記載の方法において、低密度及び低応力を有する材料からなる層を前記少なくとも１つの追加スタックに被着する方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の方法において、ケイ素、窒化ケイ素、酸化ケイ素、炭化ケイ素、ホウ素、炭化硼素、窒化ホウ素、ベリリウム、及び炭素からなる群からの材料からなる層を被着する方法。
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれか１項に記載の方法において、ルテニウム、セリウム、イットリウム、ケイ化モリブデン、酸化イットリウム、硫化モリブデン、ジルコニウム、ニオブ、炭化モリブデン、酸化ジルコニウム、レニウム、及びロジウムからなる群からの材料からなる追加層を、前記少なくとも１つの追加スタックに被着する方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、５ｎｍ〜２０ｎｍの範囲の作動波長で最大反射率を有するＥＵＶリソグラフィ用の反射光学素子を製造する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＥＵＶリソグラフィ装置では、極紫外（ＥＵＶ）波長域（例えば、約５ｎｍ〜２０ｎｍの波長）用の反射光学素子、例えば多層系に基づくフォトマスク又はミラー等を、半導体コンポーネントのリソグラフィに用いる。ＥＵＶリソグラフィ装置は、概して複数の反射光学素子を有するので、反射光学素子は、十分に高い全反射率を確保するために最大限の反射率を有さなければならない。反射光学素子の反射率及び寿命は、反射光学素子の光学的に使用される反射面の汚染により低下することがあり、こうした汚染は、動作雰囲気中の残留ガスと共に短波照射に起因して生じる。複数の反射光学素子は、通常はＥＵＶリソグラフィ装置内で縦列に配置されるので、個々の反射光学素子それぞれにおける汚染物が比較的僅かであっても、全反射に比較的大きな影響を及ぼす。
【０００３】
汚染は、例えば残留水分に起因して生じ得る。この場合、水分子がＥＵＶ放射線により解離し、得られる酸素フリーラジカル（free oxygen radicals）が反射光学素子の光学活性面を酸化させる。さらに別の汚染源は、例えば、ＥＵＶリソグラフィ装置で使用される真空ポンプから、又はパターニングされる半導体基板で使用されるフォトレジストの残渣から生じ得るポリマーであり、これは、作動放射線の影響下で反射光学素子の炭素汚染につながる。酸化汚染は概して不可逆的であるが、特に、反応性水素を炭素含有残渣と反応させて揮発性化合物を形成することによる反応性水素での処理により、特に炭素汚染を除去することができる。反応性水素は、水素ラジカル又はイオン化水素原子又は分子であり得る。
【０００４】
しかしながら、洗浄に使用する、又はＥＵＶ放射線と残留雰囲気中に存在する水素との相互作用により生じ得る反応性水素の影響下で、特に多層系の表面に近い個々の層の膨れ、及び分離さえもが生じ得ることが観察された。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
したがって、本発明の目的は、反応性水素の存在下でもＥＵＶリソグラフィで使用することができる反射光学素子を製造する方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
この目的は、５ｎｍ〜２０ｎｍの範囲の作動波長で最大反射率を有するＥＵＶリソグラフィ用の反射光学素子を製造する方法であって、
上下に配置した３０個〜６０個のスタックからなる多層系を基板に被着するステップであり、各スタックは、作動波長での屈折率の実部が大きな材料からなる厚さｄＭＬｓを有する層と、作動波長での屈折率の実部が小さな材料からなる厚さｄＭＬａを有する層とを有し、厚さ比がｄＭＬａ／（ｄＭＬａ＋ｄＭＬｓ）＝ΓＭＬであるステップと、
１つ、２つ、３つ、４つ、又は５つの追加スタックを多層系に被着するステップであり、上記少なくとも１つの追加スタックは、作動波長での屈折率の実部が大きな材料からなる厚さｄｓを有する層と、作動波長での屈折率の実部の小さな材料からなる厚さｄＭＬａを有する層とを有し、厚さ比がｄａ／（ｄａ＋ｄｓ）＝Γであり、Γ≠ΓＭＬであるステップと
を含む方法により達成される。
【０００７】
調査によれば、特に残留ガス雰囲気中の水素の存在下での多層系の最上層の膨れ又は分離は、５ｎｍ〜２０ｎｍの範囲の特定の作動波長の反射に最適化した多層系に、屈折率の実部の大きな層及び小さな層の厚さ比が下の多層系の場合とは異なる比である少なくとも１つの追加スタックを被着した場合に、大幅に低減できることが明らかとなった。厚さ比のこの所期の変動には、最上層の領域で生じる応力が小さくなり、且つそれにより最上層の膨れ又は分離の傾向が低減されるという効果があると考えられる。
【０００８】
１つ又は最大５つの追加スタックは、多層系のいずれのスタックよりも基板から遠くにあることに留意されたい。
【０００９】
応力補償機能を有する２つ、３つ、４つ、又は５つの追加スタックを、反射光学素子の光学特性を基本的に規定すると共に有利には３０個〜６０個のスタックを備えた上記多層系に被着すれば、特に有利であることが分かった。経験上、水素が最上層にしか侵入しないので、膨れ及び分離からの効果的な保護を少数の追加スタックで確保することができる。さらに、同時に、下の多層系の光学特性に生じ得る悪化が最小限に制限される。追加スタックの実際の数は、ＥＵＶリソグラフィ用に製造した反射光学素子がＥＵＶリソグラフィプロセス中に曝されることが見込まれるエネルギー及び反応性水素の濃度を考慮に入れて決定することもできる。
【００１０】
好適な実施形態では、少なくとも１つの追加スタックの厚さ比Γは、多層系の０．８×ΓＭＬ未満である。特に好ましくは、少なくとも１つの追加スタックの厚さ比Γは、多層系の厚さ比ΓＭＬの１．２倍よりも大きい。２番目に述べた変形形態では、特に、結果として生じる引張応力が光学素子の最上層で発生し、これは、観察によれば最上層の膨れ及び分離の傾向の低減に特に好影響を及ぼす。
【００１１】
特に、作動波長を反射するよう働く多層系の下に応力補償用のさらに別の多層系を有する反射光学素子の場合、ここで提案する製造法において、このとき応力が低減した層も真空への移行部で光学的に活性な多層系に設けられるので、応力補償多層系の層数を減らすことができることを指摘しておく。Γ＜ΓＭＬという選択では、応力補償多層系の層数を増やす必要があり得る。
【００１２】
製造法の特に好適な実施形態では、少なくとも１つの追加スタックの少なくとも１つの層を、電子ビーム蒸着若しくはイオンビームアシストコーティング（ＩＢＡＤイオンビームアシスト蒸着とも称する）又は熱粒子でのマグネトロンスパッタリング（ＴＰＭ熱粒子マグネトロンスパッタリングとも称する）により被着する。イオンビームアシストコーティングの場合、層の被着中にその層に１００ｅＶ未満のエネルギーを有するイオンビームを当てることで、この層を緻密化する。イオンビームアシストコーティングは、電子ビーム蒸着と組み合わせることが好ましい。熱粒子でのマグネトロンスパッタリングの場合、標的と基板との間の距離は、従来のマグネトロンスパッタリングの場合のように僅か数センチメートルでなく、数十ｃｍ〜約１ｍである。この特殊マグネトロンスパッタリングも、イオンビームアシスト式に実行することができる。作動波長での屈折率の実部が大きな材料からなる少なくとも１つ又は複数の層をこのように被着することが特に好ましいのは、これらの層が反応性水素に曝された後に特に開裂しやすいことが観察されているからである。好ましくは、純粋な電子ビーム蒸着が、特に高エネルギー、すなわち１００ｅＶよりも大きなエネルギーを有する反応性水素に曝されることが意図される反射光学素子に用いられる傾向がある。
【００１３】
少なくとも１つの追加スタックの少なくとも１つの層の場合、層表面を平滑化するためのイオンビームでの慣習的な研磨を省けば、特に有利であることが分かった。これが特に非常に有利なのは、電子ビーム蒸着又は熱粒子でのマグネトロンスパッタリング、適切な場合はイオンビームアシストコーティングにより被着した層を伴う場合である。しかしながら、従来のマグネトロンスパッタリングにより被着した少なくとも１つの追加スタックの層の場合にも、膨れ又は分離の傾向に対する好影響が観察された。代替的に、表面粗さに関する要件を理由として研磨を省くことができない場合、研磨用のイオンビームのエネルギーをイオンビームが研磨中に被研磨層全体を貫通するように設定することにより、好影響を達成することができる。概して、観察によれば、個々のコーティングプロセスを各層のできる限り均一な被着に従って選択すべきであることが示されると思われる。イオンビーム研磨用に高エネルギーを有するイオンビームを使用する場合、好影響は、研磨層と下の層との混合がより大きくなり、こうして形成された混合層が研磨層のチッピングを抑えることにもよると考えられ得る。
【００１４】
有利には、作動波長での屈折率の実部の大きな材料及び／又は作動波長での屈折率の実部の小さな材料として、多層系のスタックに選択される材料は、少なくとも１つの追加スタックにそれぞれ選択される材料と同じである。好ましくは、作動波長での屈折率の実部の小さな材料及び大きな材料の両方が、追加スタック及び多層系のスタックで同様に選択される。特に好適な実施形態では、多層系及び少なくとも１つの追加スタックの両方で、ケイ素が作動波長での屈折率の実部の大きな材料として選択され、モリブデンが作動波長での屈折率の実部の小さな材料として選択される。多層系及び追加スタックの両方で同じ材料の組み合わせを選択することにより、概して、製造法をより単純且つより費用効果的に実行することができる。ケイ素及びモリブデンという特定の選択には、１２．５ｎｍ〜１５ｎｍの波長域での特に高い反射率をこの材料の組み合わせで達成できるという利点がある。さらに、これら２つの材料でのコーティングの経験が積まれており、ここで提案する方法に従った複数の反射光学素子の製造中に高い再現性を達成できる。当然ながら、光学多層系及び少なくとも１つの追加スタックにおいて、異なる材料を用いることができ、ケイ素及びモリブデン以外に、５ｎｍ〜２０ｎｍの範囲の作動波長での高い反射率に使用できることが知られているさらに他のあらゆる材料の組み合わせを使用することが可能であることを指摘しておく。
【００１５】
さらに他の好適な実施形態では、作動波長での屈折率の実部の大きな材料及び作動波長での屈折率の実部の小さな材料として、多層系のスタックに選択した材料が少なくとも１つの追加スタックに選択した材料とは異なることにより、得られる反射光学素子を計画した使用条件に特によく適合させることを可能にし、また少なくとも１つの追加スタックの層材料として反応性水素の存在下で特に低い膨張傾向をそれ自体がすでに示す層材料を特に選択可能にするようにする。
【００１６】
特に、得られる光学素子が低エネルギー水素ラジカル及びイオンを受け且つ／又は露光が高温で実行されるリソグラフィプロセスでの使用に関して、拡散バリアとしての付加層が、少なくとも１つの追加スタックにおいて作動波長で低屈折率を有する層と作動波長で高屈折率を有する層との間に被着されることが有利であり、この付加層も作動波長での反射光学素子の反射率に好影響を及ぼし得ることが分かった。
【００１７】
好適な実施形態では、低密度及び低応力を有する材料からなる層が少なくとも１つの追加スタックに被着されることが有利であることが分かった。上記層は、特に、多層系の光学特性に著しく影響することなく、また比較的大きな付加的なストレスを引き起こすことなく、水素を吸収することができる。有利には、上記層は、ケイ素、窒化ケイ素、酸化ケイ素、炭化ケイ素、ホウ素、炭化硼素、窒化ホウ素、ベリリウム、及び炭素からなる群からの材料からなる。
【００１８】
好適な実施形態の１つの変形形態では、酸化汚染又は炭素含有汚染等のさらなる影響からの保護も可能とするか、又は水素洗浄による汚染が容易に除去され得る材料からなる層を、少なくとも１つの追加層に被着する。好適な材料は、ルテニウム、セリウム、イットリウム、ケイ化モリブデン、酸化イットリウム、硫化モリブデン、ジルコニウム、ニオブ、炭化モリブデン、酸化ジルコニウム、ロジウム、及びレニウムからなる群に属する。入射する水素の大部分は、上記層に吸収され得るので、少なくとも１つの追加スタックの又は多層系の下の層まで侵入しない。
【００１９】
特に好ましくは、特に、得られる反射光学素子が高エネルギーを有する反応性水素に主に曝される場合、低密度及び低応力を有する材料からなる層及び上記材料からなる保護層の両方を、少なくとも１つの追加スタックに被着する。
【００２０】
好適な例示的な実施形態を参照して、本発明をより詳細に説明する。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１ａ】ここで提案する方法に従って製造したＥＵＶリソグラフィ用の反射光学素子の概略図を示す。
【図１ｂ】ここで提案する方法に従って製造したＥＵＶリソグラフィ用の反射光学素子の概略図を示す。
【図２ａ】ＥＵＶリソグラフィ用の反射光学素子を製造するためのここで提案する方法の例示的な変形形態のフローチャートを示す。
【図２ｂ】ＥＵＶリソグラフィ用の反射光学素子を製造するためのここで提案する方法の例示的な変形形態のフローチャートを示す。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
図１ａ及び図１ｂは、ここで提案する方法に従って製造した例示的な反射光学素子５０の構造を概略的に示すものである。図示の例は、多層系５１に基づく反射光学素子を含む。これは、例えばリソグラフィ露光が行われる作動波長での屈折率の実部が大きな材料（スペーサ５４とも称する）と、作動波長での屈折率の実部が小さな材料（アブソーバ５５とも称する）とを交互に被着した層であり、アブソーバ−スペーサ対がスタック５３を形成する。ある意味では、ブラッグ反射が起こるアブソーバ層に相当する格子面を有する結晶がそれにより模倣される。各スタック５３は、特に、スペーサ層厚ｄＭＬｓに対するアブソーバ層厚ｄＭＬａの比を特徴とする。特に、層厚比ΓＭＬ＝ｄＭＬａ／（ｄＭＬａ＋ｄＭＬｓ）を規定することができる。多層系５１は基板５２に被着される。熱膨張率の低い材料を基板材料として選択することが好ましい。
【００２３】
図１ａに示す例及び図１ｂに示す例の両方で、２つの追加スタック５６が多層系５１に被着され、したがって光学的に活性な多層系５０のスタック５３よりも基板５２から遠くにある。さらに他の例示的な実施形態では、追加スタック５６を１つだけ、又は３つ、４つ、又は５つの追加スタック５６を設けることもできることを指摘しておく。図示の２つの例では、各付加スタック５６はそれぞれ、スペーサ層５４及びアブソーバ層５５を備える。図示の例では、下の多層系５１と同じ材料をアブソーバ材料及びスペーサ材料として選択した。具体的な特に好適な一実施形態では、アブソーバ材料はモリブデンであり、スペーサ材料はケイ素である。かかる多層系５１に基づくＥＵＶリソグラフィ用の反射光学素子５０は、特に１２．５ｎｍ〜１５ｎｍの範囲の作動波長に対して特に高い反射率に最適化することができる。
【００２４】
所望の作動波長の位置に応じて、また光学特性及び寿命に関する要件に応じて、モリブデン及びケイ素以外のアブソーバ材料及びスペーサ材料が多層系５１及び追加スタック５６の両方に選択されている場合がある。特に、スペーサ層及びアブソーバ層に関して異なる材料を、一方では多層系５１、他方では追加スタック５６で選択することもできる。追加スタック５６の材料の選択及び数の選択において、リソグラフィプロセス中に反射光学素子が曝されることが見込まれる反応性水素の濃度及び曝される時間の長さと、上記水素が平均で有するエネルギーとを考慮することが有利である。さらに、追加スタック５６の結果として受け入れざるを得ない可能性のある反射率損失を考慮することが有利である。
【００２５】
追加スタックがアブソーバ層及びスペーサ層５４、５５とは別の追加層を有し得ることを指摘しておく。特に好ましくは、拡散バリアとしての付加層を、スペーサ層及びアブソーバ層間又はアブソーバ層及びスペーサ層間の界面に被着する。ケイ素をスペーサ材料として、モリブデンをアブソーバ材料として使用する場合、例えば炭化ホウ素が拡散バリアの材料として有利であることが分かった。追加スタック５６に拡散バリアを設けることは、反射光学素子５０が１００ｅＶ未満のエネルギーの低エネルギー水素原子及びラジカルに主に曝される場合に特に有利である。さらに、拡散バリアは、室温を大幅に上回る温度で動作する反射光学素子の場合に有利である。
【００２６】
ｄａが追加スタック５６のアブソーバ層５５の厚さであり、ｄｓが追加スタック５６のスペーサ層５４の厚さである場合の厚さ比Γ＝ｄａ／（ｄａ＋ｄｓ）が、多層系５１のΓＭＬにおける対応の厚さ比とは異なることが主に重要である。ΓＭＬが多層系及びその個々のスタック５３で変わる場合及び／又は厚さ比Γが個々の追加スタック５６で変わる場合、全部のΓが全部のΓＭＬとは異なることが重要である。好ましくは、Γ及びΓＭＬは有意に異なる。Γは、１．２×ΓＭＬよりも大きいか又は０．８×ΓＭＬよりも小さいことが好ましい。図示の例では、多層系５１は、全部のΓＭＬが０．４でスタック厚が７．２ｎｍの５０個のスタック５３を備えた従来のモリブデン−ケイ素系である。一方、２つの追加スタック５６は、Γが０．６でスタック厚が同様に７．２ｎｍである。これにより得られる応力は、２つの追加スタック５６にわたって２００ＭＰａであり、これは下の多層系５１における応力を補償する。応力は、特に多層系５１の最上スタック５３の領域で補償される。これは、反応性水素の作用下で観察された個々の層、特にケイ素層の膨れ及び分離の傾向が著しく低い理由であると考えられる。他の方法での反射光学素子全体の応力低減のために、基板５２と多層系５１との間に応力低減層を配置することもできることを指摘しておく。
【００２７】
図１ｂに示す例示的な実施形態が図１ａに示す例示的な実施形態と異なるのは、２つのさらなる付加層５７及び５８も２つの追加スタック５６に被着された点である。真空との界面に位置する付加層５８は、汚染からの保護用の従来の保護層であり、これは、反応性水素が多層系まで侵入するのを抑制するために、水素洗浄に対して不活性でもあることが理想的であり、さらに反応性水素に対するバッファ層として働く。適切な材料は、ルテニウム、セリウム、イットリウム、ケイ化モリブデン、酸化イットリウム、硫化モリブデン、ジルコニウム、ニオブ、炭化モリブデン、酸化ジルコニウム、ロジウム、又はレニウムである。図示の例では、ルテニウムを保護層５８の材料として選択した。
【００２８】
下の層５７は、水素を吸収できる低密度を有する低応力材料からなる層である。当該層は、図示の例のように保護層５８の下に配置され得る。他の変形形態では、これは保護層５８の上に配置することもできる。適切な材料は、例えば、ケイ素、窒化ケイ素、酸化ケイ素、炭化ケイ素、ホウ素、炭化ホウ素、窒化ホウ素、ベリリウム、又は炭素である。図示の例では、窒化ケイ素を層５７の層材料として選択した。付加層５７、５８の厚さの対応の選択により、個々の最上層の膨れ及び分離に対する反射光学素子５０の抵抗を増すことが可能なだけでなく、多層系５１上に位置するスタック５６及び層５７、５８に起因した反射率損失が高すぎる結果とならないという点で反射光学素子５０を最適化することも可能である。付加層５７及び／又は５８を設けることで、特により大きなエネルギーも有する反応性水素のより大きな流量での該当の反射光学素子５０の寿命が延びる。さらに他の実施形態では、低密度の低応力層５７のみ又は保護層５８のみを１つ又は最大５つの追加スタック５６に設けることができることに留意されたい。
【００２９】
反応性水素の特に大きな流量及び／又は反応性水素の特に大きなエネルギーでは、反射光学素子に入射する粒子のエネルギーを予め減らしておくために、反射光学素子を使用するＥＵＶリソグラフィ装置の内部の残留ガス雰囲気中にバッファガスをさらに導入することにより、使用する反射光学素子の寿命をある程度延ばすこともできることを指摘しておく。
【００３０】
図１ｂに示す例示的な実施形態は、例えば、図２ａに示すようにここで提示する製造法の変形形態に従って製造することができる。この目的で、最初に、層厚比ΓＭＬを有する多層系を基板に従来通りに被着する（ステップ２０１）。その後、本例では層厚比Γ＝１．５×ΓＭＬを有する２つの追加スタック５６を多層系５１に導入し、イオンビーム研磨なしの電子ビーム蒸着によりスペーサ層を被着する（ステップ２０３）。変更形態では、イオンビーム研磨なしの電子ビーム蒸着によりアブソーバ層も被着することができる。しかしながら、特に、スペーサ層としてケイ素、アブソーバ層としてモリブデンを使用すると、高エネルギーを有する高流量の反応性水素の存在下でも、イオンビーム研磨なしの電子ビーム蒸着によりスペーサ層を被着することにより膨れ及び分離の低減を大幅に低減しておくことができる。したがって、製造法を全体的により効率的にするために、電子ビーム蒸着よりも高い成長速度を有する従来のコーティング法によりアブソーバ層を被着することもできる。特にモリブデン及びケイ素の材料の組み合わせの場合に、アブソーバ層のイオンビーム研磨が膨れ及び分離挙動に及ぼす影響がスペーサ層の場合のイオンビーム研磨よりも大幅に小さいことが、同様に観察された。したがって、追加スタック５６の付加層の場合を含め、表面粗さに高い要求を課した反射光学素子の場合、アブソーバ層をイオンビームで従来通りに研磨することができる。
【００３１】
その後、低密度及び低応力を有する材料からなる層５７（ステップ２０５）及び保護層５８（ステップ２０７）を、それよりも下の２つのスタック５６に従来通りに被着した。
【００３２】
ここで提示する製造法の別の変形形態は、例えば、図１ａに示す反射光学素子の製造に使用することができる。これを図２ｂにフローチャートで概略的に示す。層厚比ΓＭＬを有する多層系５１を基板に被着する第１ステップ２０１の後、本例では層厚比Γ＝１．５×ΓＭＬを有する２つの追加スタック５６を、特にスペーサ層をいずれの場合もイオンビームアシストにより被着してから高エネルギーイオンビームで研磨する手順により多層系５１に被着した（ステップ２０４）。イオンビームアシストによる被着は、非常に低速である電子ビーム蒸着よりも多少高い成長速度を有するが、電子ビーム蒸着により達成されるのとほぼ同程度に均一な層をもたらす。スペーサ層全体にイオンビームが貫通するようにイオンビームのエネルギーを設定する高エネルギーイオンビーム研磨により、スペーサ層構造の均一性も同様に維持される。さらに、高エネルギーイオンビームでの研磨には、スペーサ層とその下のアブソーバ層との間の境界層に混合層が形成され、当該混合層が、スペーサ層の最大限の均一性のように、反応性水素の存在下での最上層の膨れ及び分離を抑制するという効果があり得る。
【００３３】
図２ａに示す例に従った手順の場合及び図２ｂに示す例に従った手順の場合の両方で、追加スタックの層を電子ビーム蒸着の代わりに熱粒子でのマグネトロンスパッタリングにより被着することができることを指摘しておく。電子ビーム蒸着、非イオンビーム研磨、イオンアシスト被着、及び高エネルギーイオンでの研磨等の措置を、任意の所望の様式で相互に組み合わせることができることも指摘しておく。
【００３４】
さらに、反応性水素に曝されている間の反射光学素子の温度も、層の膨れ又は分離の傾向に影響し得ることを指摘しておく。特に１００ｅＶ未満のエネルギーを有する反応性水素に曝される場合、約５０℃よりも低い温度及び約２５０℃よりも高い温度では層の膨れ又は分離の傾向が低いことが観察された。
【図１ａ】
2014523118.tif 000003
【図１ｂ】
2014523118.tif 000004
【図２ａ】
2014523118.tif 000005
【図２ｂ】
2014523118.tif 000006
【手続補正書】
【提出日】平成26年2月24日(2014.2.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
５ｎｍ〜２０ｎｍの範囲の作動波長で最大反射率を有するＥＵＶリソグラフィ用の反射光学素子を製造する方法であって、
上下に配置した３０個〜６０個のスタックからなる多層系を基板に被着するステップであり、各スタックは、前記作動波長での屈折率の実部が大きな材料からなる厚さｄＭＬｓを有する層と、前記作動波長での屈折率の実部が小さな材料からなる厚さｄＭＬａを有する層とを有し、厚さ比がｄＭＬａ／（ｄＭＬａ＋ｄＭＬｓ）＝ΓＭＬであるステップと、
２つ、３つ、４つ、又は５つの追加スタックを前記多層系に被着するステップであり、前記少なくとも２つの追加スタックは、前記作動波長での屈折率の実部が大きな材料からなる厚さｄｓを有する層と、前記作動波長での屈折率の実部の小さな材料からなる厚さｄＭＬａを有する層とを有し、厚さ比がｄａ／（ｄａ＋ｄｓ）＝Γであり、Γ＞１．２×ΓＭＬ又はΓ＜０．８×ΓＭＬであるステップと
を含む方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法において、前記少なくとも１つの追加スタックの少なくとも１つの層を、電子ビーム蒸着又は熱粒子でのマグネトロンスパッタリング又はイオンビームアシストコーティングにより被着する方法。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の方法において、前記少なくとも１つの追加スタックの少なくとも１つの層を、イオンビーム研磨しないか、又は層全体を貫通するようにエネルギーを設定したイオンビームで研磨する方法。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項に記載の方法において、前記作動波長での屈折率の実部が大きな材料及び／又は前記作動波長での屈折率の実部が小さな材料として、前記多層系のスタックに選択される材料は、前記少なくとも１つの追加スタックにそれぞれ選択される材料と同じである方法。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法において、前記多層系のスタック及び前記少なくとも１つの追加スタックの両方に関して、シリコンを前記作動波長での屈折率の実部が大きな材料として選択し、前記多層系のスタック及び前記少なくとも１つの追加スタックの両方に関して、モリブデンを前記作動波長での屈折率の実部が小さな材料として選択する方法。
【請求項６】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法において、前記作動波長での屈折率の実部が大きな材料及び／又は前記作動波長での屈折率の実部が小さな材料として、前記多層系のスタックに選択される材料は、前記少なくとも１つの追加スタックにそれぞれ選択される材料と異なる方法。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１項に記載の方法において、拡散バリアとしての付加層を、前記少なくとも１つの追加スタックおいて前記作動波長で低屈折率を有する層と前記作動波長で高屈折率を有する層との間に被着する方法。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか１項に記載の方法において、低密度及び低応力を有する材料からなる層を前記少なくとも１つの追加スタックに被着する方法。
【請求項９】
請求項８に記載の方法において、ケイ素、窒化ケイ素、酸化ケイ素、炭化ケイ素、ホウ素、炭化硼素、窒化ホウ素、ベリリウム、及び炭素からなる群からの材料からなる層を被着する方法。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれか１項に記載の方法において、ルテニウム、セリウム、イットリウム、ケイ化モリブデン、酸化イットリウム、硫化モリブデン、ジルコニウム、ニオブ、炭化モリブデン、酸化ジルコニウム、レニウム、及びロジウムからなる群からの材料からなる追加層を、前記少なくとも１つの追加スタックに被着する方法。
【国際調査報告】
2014523118.tif 000007
2014523118.tif 000008
2014523118.tif 000009