(57)【要約】  本発明は、基板を積層したイメージセンサに関するものである。本発明にかかる基板積層型イメージセンサは、第１基板に第１フォトダイオードを形成し、第２基板に第２フォトダイオードを形成した後、両基板を互いに整列して接着することによって両フォトダイオードが電気的に結合して１ピクセル内の完全なフォトダイオードをなすことを特徴とする。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板に形成された第１フォトダイオードと、
第２基板に形成された第２フォトダイオードとを備え、
前記第１フォトダイオードと前記第２フォトダイオードとが互いに電気的に接触したことを特徴とする、二重感知機能を有する基板積層型イメージセンサ。
【請求項２】
第１基板に形成された第１フォトダイオードおよび第１パッドと、
第２基板に形成された第２フォトダイオードおよび第２パッドとを備え、
前記第１フォトダイオードと前記第２フォトダイオードとが、前記第１パッドおよび前記第２パッドの接触によって互いに電気的に連結されたことを特徴とする、二重感知機能を有する基板積層型イメージセンサ。
【請求項３】
前記第１基板および前記第２基板は、シリコン（Ｓｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、またはガリウム−砒素（ＧａＡｓ）であることを特徴とする、請求項１または請求項２に記載の二重感知機能を有する基板積層型イメージセンサ。
【請求項４】
前記第２基板には、アクセストランジスタのうちの一部または全部が形成されたことを特徴とする、請求項１または請求項２に記載の二重感知機能を有する基板積層型イメージセンサ。
【請求項５】
前記第１基板または前記第２基板のうちの１つにのみ選択的に伝達トランジスタが形成されたことを特徴とする、請求項１または請求項２に記載の二重感知機能を有する基板積層型イメージセンサ。
【請求項６】
前記第１基板にはアクセストランジスタのうちの第１伝達トランジスタが、前記第２基板には第２伝達トランジスタが形成されたことを特徴とする、請求項１または請求項２に記載の二重感知機能を有する基板積層型イメージセンサ。
【請求項７】
前記第１フォトダイオードと前記第２フォトダイオードとは、前記接触によって１ピクセル内の完全なフォトダイオードとして合わされることを特徴とする、請求項１または請求項２に記載の二重感知機能を有する基板積層型イメージセンサ。
【請求項８】
前記第１フォトダイオードおよび前記第２フォトダイオードは、そのＰ−Ｎ接合の大きさが互いに異なることを特徴とする、請求項１または請求項２に記載の二重感知機能を有する基板積層型イメージセンサ。
【請求項９】
前記第１フォトダイオードまたは前記第２フォトダイオードのうちの少なくとも１つ以上において周辺部にトレンチが形成されていることを特徴とする、請求項１または請求項２に記載の二重感知機能を有する基板積層型イメージセンサ。
【請求項１０】
前記トレンチには、不透過性成分が満たされていることを特徴とする、請求項９に記載の二重感知機能を有する基板積層型イメージセンサ。
【請求項１１】
第１基板に形成された第１フォトダイオードおよび第１伝達トランジスタと、
第２基板に形成された第２フォトダイオードおよび第２伝達トランジスタとを備え、
前記第１フォトダイオードと前記第２フォトダイオード、前記第１伝達トランジスタと前記第２伝達トランジスタとが互いに電気的に接触したことを特徴とする、二重感知機能を有する基板積層型イメージセンサ。
【請求項１２】
第１基板に形成された第１フォトダイオードおよび第１伝達トランジスタと、
第２基板に形成された第２フォトダイオードとを備え、
前記第１フォトダイオードと前記第２フォトダイオードとが互いに電気的に接触したことを特徴とする、二重感知機能を有する基板積層型イメージセンサ。
【請求項１３】
第１基板に形成された第１フォトダイオードと、
第２基板に形成された第２フォトダイオードおよび第２伝達トランジスタとを備え、
前記第１フォトダイオードと前記第２フォトダイオードとが互いに電気的に接触したことを特徴とする、二重感知機能を有する基板積層型イメージセンサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、互いに異なる基板にイメージセンサピクセルの一部構造をそれぞれ形成した後、これら基板を３次元に積層して接合することによってピクセルを完成する、いわゆる、基板積層型イメージセンサに関するものである。より詳細には、第１基板に第１フォトダイオードを配し、第２基板に第２フォトダイオードを配してこれら基板を積層して結合する時、第１フォトダイオードと第２フォトダイオードも結合されて１ピクセルの構成要素としての完全なフォトダイオードになるようにし、必要によっては、各フォトダイオードから個別に感知された信号を選択的に読み出したり、または合算して読み出すことができるようにする、二重感知機能を有する基板積層型イメージセンサに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
背景技術は、２つの観点から説明される。１つは、半導体集積回路の積層による観点、もう１つの観点は、イメージセンサの小型化に関するものである。
【０００３】
以下、半導体集積回路の積層に関する従来技術を説明する。半導体集積回路が微細化され続けるにつれ、パッケージング（ｐａｃｋａｇｉｎｇ）技術も小型化に対する要求および実装の信頼性を満足させるために発展し続けている。最近は、２個以上の半導体チップまたは、半導体パッケージを垂直に積み上げる３次元（３Ｄ）構造の基板積層（ｓｔａｃｋｉｎｇ）に対する多様な技術が開発されている。
【０００４】
このような基板積層（ｓｔａｃｋｉｎｇ）を利用した３次元（３Ｄ）構造の素子は、基板を積層した後、厚さを減少させるために基板の後面を研磨するグラインディング（ｇｒｉｎｄｉｎｇ）工程（ｔｈｉｎｎｉｎｇ）を経た後、後続の製造工程を行い、ソーイング（ｓａｗｉｎｇ）工程を経てからパッケージング（ｐａｃｋａｇｉｎｇ）化される。
【０００５】
基板を積層する従来技術は、多様な部分に非常に多く、本出願人によっても多様な技術が試みられている。例えば、基板を接合して積層した後、基板をエッチングする工程を省略して、より経済的に製造可能な方法が、本出願人によって大韓民国特許出願第２０１０−００１５６３２号（２０１０年２月２日）として出願されている。
【０００６】
また、基板を接合する時、各基板上のボンディングパッドの位置ずれ（ｍｉｓ  ａｌｉｇｎ）問題を最小化するための技術も、本出願人によって大韓民国特許出願第２０１０−００４６４００号（２０１０年５月１８日）として出願されている。
【０００７】
さらに、基板を積層する時、接合をより容易にするために、各基板上のパッド（ｐａｄ）をより突出させる製造方法も、本出願人によって大韓民国特許出願第２０１０−５３９５９号（２０１０年６月８日）に開示されている。
【０００８】
背景技術をイメージセンサの小型化という観点からみると、携帯電話のようなモバイル機器の発展と共に、ここに内蔵されるカメラモジュールの高さは低くし、カメラモジュールに含まれるイメージセンサの解像度は増加させてはじめて、モバイル機器における設計自由度が増加する。このような傾向によって、イメージセンサの画素の大きさも減少し続けている。
【０００９】
最近は、半導体集積回路技術の発展により、画素の大きさが可視光線の波長帯に近い１．４μｍ×１．４μｍ程度の大きさでも製造できるようになった。これによって、従来の前面照射（Ｆｒｏｎｔ  Ｓｉｄｅ  Ｉｌｌｕｍｉｎａｔｉｏｎ：ＦＳＩ）方式では、画素上に配置されている金属配線に妨げられて外部から入射した光がフォトダイオードに十分に集光しない現象も顕著になってきた。このような問題を解決するための方式としては、フォトダイオードを光の入射する方向にできるだけ近く配置する背面照射（Ｂａｃｋ  Ｓｉｄｅ  Ｉｌｌｕｍｉｎａｔｉｏｎ：ＢＳＩ）方式のイメージセンサも浮上した。
【００１０】
図１は、このようなＢＳＩ方式のイメージセンサを簡略に示したもので、それぞれ赤色、緑色、青色のカラーフィルタ１１,２１,３１,４１およびフォトダイオード１２,２２,３２,４２からなる４つの単位画素を立体的に示したものである。図２は、これら画素のうち、赤色画素のみを別途に切り離して表示したものである。図１〜図３では、イメージセンサピクセルをなす画素のうち、カラーフィルタ部分および半導体基板に形成されたフォトダイオード部分のみを形状化して示したことに留意しなければならない。
【００１１】
しかし、半導体技術の持続的な発展により、ＢＳＩ方式のイメージセンサにおいても、図２に示されているように、画素の大きさは、深さが３μｍ〜５μｍ程度に達するのに対し、幅は１．１μｍ程度とより小さくなって、単位面積あたりより多い画素を集積するに至った。この場合、従来は深刻でなかった信号の撹乱現象が新たな問題として浮上した。
【００１２】
このような問題を、連続的に配置された２つの画素に対する断面図である図３を用いてより詳細に説明する。図３において、緑色のカラーフィルタ２１を介して入射した光は、対応するフォトダイオード２２内で光電子を生成する。これら光電子の大部分は、緑色カラーフィルタ２１に連結されたフォトダイオード２２への空乏領域（ｄｅｐｌｅｔｉｏｎ  ｒｅｇｉｏｎ、図３では破線で表示）に正常に捕獲されて有効な電流成分をなす。しかし、一部の光電子は隣接画素のフォトダイオード１２へ移るが、この量は、フォトダイオード１２,２２の幅が狭くなるほど増加する。これは、緑色カラーフィルタ２１に連結されたフォトダイオード２２にとっては信号の損失となり、赤色カラーフィルタ１１に連結されたフォトダイオード１２にとっては不要な信号、つまり、カラーノイズとなる。これをクロストーク（ｃｒｏｓｓ−ｔａｌｋ）現象ともいう。結局、深さが３μｍ〜５μｍ程度に達するのに対し、幅は１．１μｍ程度と狭い画素ではクロストーク現象が深刻になり、ＢＳＩ方式の利点がそれ以上現れなくなる問題が発生する。
【００１３】
仮に、画素の大きさ（間隔）が１．１μｍ程度の状況でクロストーク現象を低減させるために、基板を半分以下の厚さ（例えば、４μｍから２μｍ）に薄くすると、今度は入射した光が十分にシリコンフォトダイオードによって吸収されず、フォトダイオードを透過する割合が高くなる。つまり、量子効率（ＱＥ、Ｑｕａｎｔｕｍ  Ｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ）は低下し、電気信号の大きさがより小さくなる問題が現れる。ここで、量子効率（ＱＥ）とは、入射する光、つまり、入射する光量子（ｐｈｏｔｏｎ）とそれによって生成／捕獲される電荷の割合を指すもので、イメージセンサによって光信号がどれだけ効果的に電気信号に変換されたかが分かる指数（ｉｎｄｅｘ）である。
【００１４】
また、従来の背面照射型イメージセンサで厚さを薄くしてクロストークを低減させようとすれば、青色光（Ｂｌｕｅ）はほぼ大部分が第１基板のフォトダイオードによって吸収されるが、緑色光（Ｇｒｅｅｎ）は部分的に吸収される。赤色光（Ｒｅｄ）も部分的に吸収されるが、緑色光よりも少なく吸収されることがよく知られている。さらに、赤外線はこれらよりもさらに少なく吸収される傾向がある。
【００１５】
光の吸収とは、結局、光量子が電荷に変換されたことを意味するため、量子効率（ＱＥ、Ｑｕａｎｔｕｍ  Ｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ）は、青色光＞緑色光＞赤色光＞赤外線の大きさの順に減少する問題が背面照射型イメージセンサではより大きくなる。また、吸収されない光成分は、フォトダイオード以外の部分で吸収されたり、金属配線に当たって散乱したり、積層された基板に深く透過して、結局、量子効率とは無関係になるため、光の無駄が発生する問題がある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
本発明の目的は、より高い量子効率を有しながらも、クロストークを起こさないようにする、二重感知機能を有する基板積層型イメージセンサを提供することである。
【００１７】
本発明の他の目的は、第１基板に第１フォトダイオードを配し、第２基板に第２フォトダイオードを配してこれら基板を結合する時、第１フォトダイオードと第２フォトダイオードも同時に結合されて１ピクセルの構成要素としての完全なフォトダイオードになるようにし、入射する光を二重に感知する機能を有する基板積層型イメージセンサを提供することである。
【００１８】
本発明の目的は、前述した目的に制限されない。本発明の他の目的および利点は、以下の説明によってより明らかに理解される。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
上記の目的を達成するため、本発明の二重感知機能を有する基板積層型イメージセンサは、第１基板に形成された第１フォトダイオードと、第２基板に形成された第２フォトダイオードとを備え、前記第１フォトダイオードと前記第２フォトダイオードとが互いに電気的に接触したことを特徴とする。
【００２０】
上記の目的を達成するため、本発明の二重感知機能を有する基板積層型イメージセンサは、第１基板に形成された第１フォトダイオードおよび第１伝達トランジスタと、第２基板に形成された第２フォトダイオードおよび第２伝達トランジスタとを備え、前記第１フォトダイオードと前記第２フォトダイオード、前記第１伝達トランジスタと前記第２伝達トランジスタとが互いに電気的に接触したことを特徴とする。
【００２１】
上記の目的を達成するため、本発明の二重感知機能を有する基板積層型イメージセンサは、第１基板に形成された第１フォトダイオードおよび第１伝達トランジスタと、第２基板に形成された第２フォトダイオードおよび第２伝達トランジスタとを備え、前記第１フォトダイオードと前記第２フォトダイオード、前記第１伝達トランジスタと前記第２伝達トランジスタとが互いに電気的に接触したことを特徴とする。
【００２２】
上記の目的を達成するため、本発明の二重感知機能を有する基板積層型イメージセンサは、第１基板に形成された第１フォトダイオードおよび第１伝達トランジスタと、第２基板に形成された第２フォトダイオードとを備え、前記第１フォトダイオードと前記第２フォトダイオードとが互いに電気的に接触したことを特徴とする。
【００２３】
上記の目的を達成するため、本発明の二重感知機能を有する基板積層型イメージセンサは、第１基板に形成された第１フォトダイオードと、第２基板に形成された第２フォトダイオードおよび第２伝達トランジスタとを備え、前記第１フォトダイオードと前記第２フォトダイオードとが互いに電気的に接触したことを特徴とする。
【発明の効果】
【００２４】
本発明にかかる基板積層型イメージセンサの構造によれば、第１基板の第１フォトダイオードによって青色光の大部分、緑色光の一部、および赤色光の一部が吸収され、第２基板の第２フォトダイオードによっては、青色光の極めて一部、緑色光の残りの一部、赤色光の残りの一部、および赤外線が再吸収されて量子効率がより増大し、入射する光の無駄が最小化されるという利点がある。
【００２５】
本発明にかかる他の効果は、上側基板および下側基板の２つのフォトダイオードが外部の光学系（外部レンズ）を基準として、物理的に異なる距離に位置することにより、外部レンズが有する各３色（緑、青、赤）の収差と、上側基板の３色それぞれの撮像された映像の周波数成分分析と、下側基板の３色それぞれの撮像された映像の周波数分析とにより最終的に映像に撮像される被写体の相対的な距離を測定することにより、３次元映像を復元することができる基礎映像資料を作ることができる。
【００２６】
本発明は、既存の３次元映像を生成させるステレオカメラとは全く異なる方式で３次元映像を生成させるのに活用できる。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】イメージセンサ画素の断面を立体的に示したものである。
【図２】図１において１つの画素のみを選択して大きさを表示したものである。
【図３】クロストーク現象を説明するための図である。
【図４】本発明の一実施形態にかかる基板積層型イメージセンサの構造を示す簡略回路図である。
【図５】図４に示された回路図を半導体基板に実現した時の断面図を例示的に示したものである。
【図６】本発明の他の実施形態にかかる基板積層型イメージセンサの構造を示す簡略回路図である。
【図７】本発明のさらに他の実施形態にかかる基板積層型イメージセンサの構造を示す簡略回路図である。
【図８】本発明において各フォトダイオードの間にトレンチを形成した図である。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
以下、添付した図面を参照して、本発明をより詳細に説明する。
【００２９】
図４は、本発明の技術的思想をよく表現するために示された回路図であって、本発明の一実施形態である。説明の便宜のために、１つのピクセルには、１つのフォトダイオードと４つのトランジスタとがある場合を仮定する。場合によっては、１つのダイオードと３つのトランジスタとから構成されたピクセルもあり得る。しかし、トランジスタの個数と本発明の核心思想とは無関係である。たとえ、複数のトランジスタからなるピクセルであっても、本発明の特徴はそのまま実現できる。
【００３０】
第２基板には、第２フォトダイオード２１２と、第２伝達トランジスタ２２２と、第２パッド２７０とが備えられており、第１基板には、第１フォトダイオード２１１と、第１伝達トランジスタ２２１と、リセットトランジスタ２３０と、追跡トランジスタ２４０と、選択トランジスタ２５０と、第２パッド２６０とが備えられている。
【００３１】
第１伝達トランジスタ２２１、第２伝達トランジスタ２２２、リセットトランジスタ２３０、追跡トランジスタ２４０、選択トランジスタ２５０などは、フォトダイオードによって変換された電気信号がピクセル出力に出るようにする役割を果たすため、これらを通称して、アクセストランジスタ（Ａｃｃｅｓｓ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒｓ）と呼ぶこととする。
【００３２】
第１基板に形成された素子と第２基板に形成された素子とは、周知の半導体製造工程でそれぞれ製造された後に、２つの基板のうち、１つの基板を裏返した後に接合される。この時、第１パッドおよび第２パッドは、互いにずれないように正確に整列されなければならない。
【００３３】
本発明の主な特徴は、第１基板に第１フォトダイオードが形成され、第２基板に第２フォトダイオードがそれぞれ形成された後、これら基板を接合した時にはじめて、第１フォトダイオードおよび第２フォトダイオードが電気的に１つに合わされるのである。
【００３４】
第１伝達トランジスタ２２１および第２伝達トランジスタ２２２も、両基板が整列され接合される時、電気的に１つに合わされる。ここで、「トランジスタが合わされる」とは、２つのトランジスタのゲートノードとドレインノードとが互いに短絡（ｓｈｏｒｔ）することを意味する。もちろん当然ながら、各トランジスタのゲートノード信号であるＴＧは共通に印加されることを意味する。かくして、合わされることによって、電流駆動能力も各トランジスタの幅／長さ比（Ｗ／Ｌ  ｒａｔｉｏ）だけ加えられて増加する。さらに当然ながら、回路設計者は、合わされることによって駆動能力が増加するという事実を予め念頭に置いて、各トランジスタの幅／長さ比（Ｗ／Ｌ  ｒａｔｉｏ）を予め設定する。
【００３５】
また、第１伝達トランジスタ２２１および第２伝達トランジスタ２２２は、必要によって選択的に制御できるように、ゲートノード信号ＴＧもそれぞれ分離されて独立に制御されてもよい。
【００３６】
第１フォトダイオード２１１が第１基板に占める面積は、第２フォトダイオード２１２が第２基板に占める面積とは異なり得る。これは、第２基板に限定されたピクセル面積内において、第２フォトダイオード２１２だけでなく、残りのアクセストランジスタも同一平面に配置しなければならないからである。かくして、第１基板に形成された単位画素の一部の素子が有するピッチ（ｐｉｔｃｈ）と第 基板に形成された単位画素の残りの素子が有するピッチとは正確に一致する。
【００３７】
以下、図５の断面図を参照して、本発明の一実施形態を他の側面で詳細に説明する。
【００３８】
青色光、緑色光、赤色光をそれぞれ分離するカラーフィルタも、当然ながら、それぞれ個別に存在するため、図５は、３原色の青緑赤（ＢＧＲ）のうちの１つに対応するピクセルのみを代表的に示したものである。
【００３９】
イメージセンサに入射する光は、大体、第２基板の背面から入射してマイクロレンズによって集光され、第２バッファ層を経てカラーフィルタによってそれぞれ選別され、第１バッファ層、Ｐ型不純物領域などを経て、第２フォトダイオード２１２のＰ−Ｎ接合領域に到達する。マイクロレンズ、第２バッファ層、カラーフィルタ、第１バッファ層、Ｐ型不純物領域などの順序は通常のものであり、本発明の主な特徴ではないので、具体的な説明は省略する。図５の断面図では、第２基板が第１基板上に配置されていることに留意しなければならない。
【００４０】
この時、選別された光が青色光の場合には大部分が、緑色光の場合には一部が、赤色光の場合にもその一部が第２フォトダイオード２１２で吸収されて光電荷に変換される。
【００４１】
第２フォトダイオードで吸収されずに残る光は、図示しない金属配線などによって一部散乱するが、透過し続けて第１基板の第１フォトダイオード２１１まで十分に到達する。かくして、残りの青色光の極めて一部、残りの緑色光の一部、および残りの赤色光の一部がさらに第１フォトダイオード２１１によって再び光電荷に変換される。つまり、光の感知が二重に行われるのである。特に、赤外線の場合には、その高い透過性によって、第２フォトダイオード２１２より第１フォトダイオード２１１によって変換される光電荷が多いこともある。
【００４２】
前述のように、第２フォトダイオード２１２は、第１フォトダイオード２１１よりもＰ−Ｎ接合面積が大きい。これは、第１基板および第２基板が同一のピクセル面積を有しなければならないのに対し、大部分のアクセストランジスタは第１基板に追加的に配置されなければならないからである。図５には、便宜上、第１伝達トランジスタ２２１のみを第１基板上に示したが、これは、すべてのアクセストランジスタが同一平面上には存在していても、配置上、１つの断面には全部見えないことがあるからである。
【００４３】
仮に、大部分のアクセストランジスタを第２基板に配置する場合には、第２フォトダイオード２１２のＰ−Ｎ接合面積が第１フォトダイオード２１１のＰ−Ｎ接合面積よりもむしろ小さいこともあり、これは、本発明で示される多様な特徴のうちの１つである。
図６は、本発明の他の実施形態を示す簡略回路図である。図４に示されているように、第２基板には、第２伝達トランジスタがなく、第２フォトダイオード２１２および第２パッド２７０だけがある点を除けば、図４と同様である。伝達トランジスタ２２１が１つであるので、図２に示された実施形態とは異なり、第２フォトダイオード２１２および第１フォトダイオード２１１のうちの１つを選択することはできない。この実施形態は、第２基板には伝達トランジスタおよび伝達トランジスタのための配線なしにフォトダイオードのみを配置できるため、フォトダイオードの面積が極大化されるという利点がある。
【００４４】
図７は、本発明のさらに他の実施形態を示す簡略回路図である。図５に示されているように、第１基板には第１伝達トランジスタがない。留意すべき点は、第１フォトダイオード２１１と第２フォトダイオード２１２との電気的連結のために、２つのパッド２８０,２９０が付加された点である。この実施形態も、伝達トランジスタ２２２が１つであるので、図４に示された実施形態とは異なり、第２フォトダイオード２１２および第１フォトダイオード２１１のうちの１つを選択することはできない。この実施形態は、第１基板には、伝達トランジスタおよび伝達トランジスタのための配線を必要とせず、第１フォトダイオードの面積がより大きくなるという利点がある。
【００４５】
この分野における技術者には、図６や図７に対応する断面を容易に想到できるため、これもあえて断面図を提示しない。図６や図７の図面符号も、図４と同じ符号を用いることで、同じ符号は同じ構成要素を意味することが容易に分かるようにした。
【００４６】
図８は、本発明の様々な実施形態において、第１フォトダイオードや第２フォトダイオードのうち、少なくとも１つ以上のフォトダイオードにおいて各画素の間にトレンチ８７を形成した後、不透過性材質で満たしたことを示したものである。これによって、カラーフィルタ８１,８２を透過して生成された光電子は、各フォトダイオード８５,８６の内部にのみ留まり、隣接したフォトダイオードへ移るのを防止することができる。つまり、各画素間のクロストーク現象を低減させることができる。
【００４７】
以上、本発明の好ましい実施形態について詳細に説明したが、本発明の権利範囲がこれに限定されるものではなく、以下の請求の範囲で定義する本発明の基本概念に基づいてより多様な実施形態で実現可能であり、このような実施形態も本発明の権利範囲に属する。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2014523148.tif 000009
【図８】
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【手続補正書】
【提出日】平成26年2月12日(2014.2.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
第２基板には、第２フォトダイオード２１２と、第２伝達トランジスタ２２２と、第２パッド２７０とが備えられており、第１基板には、第１フォトダイオード２１１と、第１伝達トランジスタ２２１と、リセットトランジスタ２３０と、追跡トランジスタ２４０と、選択トランジスタ２５０と、第１パッド２６０とが備えられている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
第１フォトダイオード２１１が第１基板に占める面積は、第２フォトダイオード２１２が第２基板に占める面積とは異なり得る。これは、第２基板に限定されたピクセル面積内において、第２フォトダイオード２１２だけでなく、残りのアクセストランジスタも同一平面に配置しなければならないからである。かくして、第１基板に形成された単位画素の一部の素子が有するピッチ（ｐｉｔｃｈ）と第２基板に形成された単位画素の残りの素子が有するピッチとは正確に一致する。
【国際調査報告】
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2014523148.tif 000012
2014523148.tif 000013
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