(57)【要約】  本発明は、発光素子パッケージ及びその製造方法に関するものである。本発明に係る発光素子パッケージは、 基板と、上記基板の上に発光素子と、上記基板の内に第１導電型のドーパント領域と、上記第１導電型のドーパント領域内の２つの領域に離隔して形成された第２導電型のドーパント領域を含むツェナーダイオードと、上記第２導電型のドーパント領域及び上記発光素子と電気的に連結される第１電極層及び第２電極層と、を含む。
2011502356.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の上に発光素子と、
前記基板の内に第１導電型のドーパント領域と、前記第１導電型のドーパント領域内の２つの領域に離隔して形成された第２導電型のドーパント領域を含むツェナーダイオードと、
前記第２導電型のドーパント領域及び前記発光素子と電気的に連結される第１電極層及び第２電極層と、
を含むことを特徴とする発光素子パッケージ。
【請求項２】
前記発光素子と前記ツェナーダイオードは複数個で備えられることを特徴とする請求項１に記載の発光素子パッケージ。
【請求項３】
前記ツェナーダイオードは、前記基板の下部に形成されたことを特徴とする請求項１に記載の発光素子パッケージ。
【請求項４】
前記発光素子と前記ツェナーダイオードとは並列に連結されたことを特徴とする請求項１に記載の発光素子パッケージ。
【請求項５】
前記基板と前記第１電極層及び第２電極層との間には絶縁層が形成されたことを特徴とする請求項１に記載の発光素子パッケージ。
【請求項６】
前記第１電極層及び第２電極層は前記基板を貫通することを特徴とする請求項１に記載の発光素子パッケージ。
【請求項７】
前記基板にはキャビティーが形成され、前記発光素子は前記キャビティーの内に設けられたことを特徴とする請求項１に記載の発光素子パッケージ。
【請求項８】
前記発光素子は前記第１電極層及び第２電極層の上に形成され、バンプを通じて前記第１電極層及び第２電極層と電気的に連結されることを特徴とする請求項１に記載の発光素子パッケージ。
【請求項９】
基板と、
前記基板の上に発光素子と、
前記基板の内に第１導電型のドーパント領域と、２つの領域に離隔して形成された第２導電型のドーパント領域を含むツェナーダイオードと、
前記第２導電型のドーパント領域及び前記発光素子と各々電気的に連結される第１電極層及び第２電極層と、
前記基板と少なくとも１つの前記電極層との間に絶縁層と、
を含むことを特徴とする発光素子パッケージ。
【請求項１０】
前記第１電極層及び第２電極層は前記基板を貫通し、前記基板の下に電気的に互いに分離されて形成されることを特徴とする請求項９に記載の発光素子パッケージ。
【請求項１１】
前記第１電極層及び第２電極層は前記基板の上に形成され、 は前記基板内で前記発光素子と対向する領域に形成されることを特徴とする請求項９に記載の発光素子パッケージ。
【請求項１２】
前記発光素子と前記ツェナーダイオードは同一個数で備えられることを特徴とする請求項９に記載の発光素子パッケージ。
【請求項１３】
基板に第１導電型のドーパント領域を形成するステップと前記第１導電型のドーパント領域内の２つの領域に第２導電型のドーパント領域を形成するステップを含むツェナーダイオード形成ステップと、
前記基板の上に発光素子を設置するステップと、
前記発光素子及び前記ツェナーダイオードと各々電気的に連結される第１電極層及び第２電極層を形成するステップと、
を含むことを特徴とする発光素子パッケージの製造方法。
【請求項１４】
前記発光素子、第１電極層及び第２電極層を形成するステップの以前に、前記基板の上に絶縁層を形成するステップが含まれることを特徴とする請求項１３に記載の発光素子パッケージの製造方法。
【請求項１５】
前記ツェナーダイオードを形成するステップの以前に、前記基板に第２導電型のドーパントを注入するステップが含まれることを特徴とする請求項１３に記載の発光素子パッケージの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光素子パッケージ及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
発光ダイオード（Light Emitting Diode：ＬＥＤ）は、電流を光に変換させる半導体発光素子である。
【０００３】
このようなＬＥＤにより放出される光の波長はＬＥＤを製造することに使われる半導体材料に従う。これは、放出された光の波長が価電子帯（valence band）電子と伝導帯（conduction band）電子の間のエネルギー差を表す半導体材料のバンドギャップ（band-gap）に従うためである。
【０００４】
最近、発光ダイオード（Light Emitting Diode；ＬＥＤ）は輝度が次第に増加するようになって、ディスプレイ用光源、自動車用光源、及び照明用光源に使われており、蛍光物質を利用するか、多様な色のＬＥＤを組み合せることで、効率の優れる白色光を発光するＬＥＤも具現可能である。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的は、新たな構造の発光素子パッケージ及びその製造方法を提供することにある。
【０００６】
本発明の他の目的は、電気的な安定性が向上した発光素子パッケージ及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係る発光素子パッケージは、基板と、上記基板の上に発光素子と、上記基板の内に第１導電型のドーパント領域と、上記第１導電型のドーパント領域内の２つの領域に離隔して形成された第２導電型のドーパント領域を含むツェナーダイオードと、上記第２導電型のドーパント領域及び上記発光素子と電気的に連結される第１電極層及び第２電極層と、を含む。
【０００８】
本発明に係る発光素子パッケージは、基板と、上記基板の上に発光素子と、上記基板の内に第１導電型のドーパント領域と、２つの領域に離隔して形成された第２導電型のドーパント領域を含むツェナーダイオードと、上記第２導電型のドーパント領域及び上記発光素子と各々電気的に連結される第１電極層及び第２電極層と、上記基板と少なくとも１つの上記電極層の間に絶縁層と、を含む。
【０００９】
本発明に係る発光素子パッケージの製造方法は、基板に第１導電型のドーパント領域を形成するステップと上記第１導電型のドーパント領域内の２つの領域に第２導電型のドーパント領域を形成するステップを含むツェナーダイオード形成ステップと、上記基板の上に発光素子を設置するステップと、上記発光素子及び上記ツェナーダイオードと各々電気的に連結される第１電極層及び第２電極層を形成するステップと、を含む。
【発明の効果】
【００１０】
本発明は、新たな構造の発光素子パッケージ及びその製造方法を提供することができる。
【００１１】
本発明は、電気的な安定性が向上した発光素子パッケージ及びその製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】第１実施形態に係る発光素子パッケージを説明する図である。
【図２】第１実施形態に係る発光素子パッケージの等価回路である。
【図３】第１実施形態に係る発光素子パッケージの製造方法を説明する図である。
【図４】第１実施形態に係る発光素子パッケージの製造方法を説明する図である。
【図５】第１実施形態に係る発光素子パッケージの製造方法を説明する図である。
【図６】第１実施形態に係る発光素子パッケージの製造方法を説明する図である。
【図７】第１実施形態に係る発光素子パッケージの製造方法を説明する図である。
【図８】第１実施形態に係る発光素子パッケージの製造方法を説明する図である。
【図９】第１実施形態に係る発光素子パッケージに複数の発光素子が設けられた基板を上側から見た図である。
【図１０】図９の基板の下部に形成された複数のツェナーダイオードを示す図である。
【図１１】第２実施形態に係る発光素子パッケージを説明する図である。
【図１２】第３実施形態に係る発光素子パッケージを説明する図である。
【図１３】本発明の実施形態に係る発光素子パッケージにおけるツェナーダイオードの電圧及び電流特性を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、添付図面を参考にして本発明の実施形態に従う発光素子パッケージ及びその製造方法を詳細に説明する。
【００１４】
本発明が種々の修正及び変形を許容しながらも、その特定の実施形態を図面に例示して表し、以下に詳細に説明される。しかしながら、本発明を開示された特別な形態に限定しようとする意図ではなく、むしろ本発明は請求項により定義された本発明の思想と合致される全ての修正、均等、及び代用を含む。
【００１５】
同一な参照番号は、図面の説明を通じて同一な要素を表す。図面において、層及び領域等の寸法は明瞭性のために誇張されている。
【００１６】
層、領域、または基板のような要素が相異する構成要素“上／上部（on）”または“下／下部（under）”に存在すると言及される時、これは直接的に異なる要素上に存在したり、またはその間に中間要素が存在することもできることが分かる。表面のような構成要素の一部が‘内部（inner）’と表現されれば、これはその要素の他の部分よりも素子の外側からさらに遠くあるということを意味すると理解することができる。
【００１７】
このような用語は、図面で描写された方向に加えて素子の異なる方向を含もうとする意図であるということが分かる。最後に、‘直接（directly）’という用語は、中間に介される如何なる要素がないということを意味する。ここで使われるように、‘及び／または’という用語は、記録された関連項目のうちの１つまたはその以上のどんな組合及び全ての組合を含む。
【００１８】
図１は第１実施形態に係る発光素子パッケージを説明する図であり、図２は第１実施形態に係る発光素子パッケージの等価回路である。
【００１９】
図１を参照すると、本発明に係る発光素子パッケージは、基板１０の上にキャビティー１１が形成され、上記基板１０の表面に絶縁層２０が形成される。
【００２０】
上記基板１０のキャビティー１１の内には発光素子３０が設けられ、上記発光素子３０はワイヤー４０を介して第１電極層５１及び第２電極層５２と電気的に連結される。
【００２１】
上記基板１０の下部には第１導電型のドーパント領域６１が形成され、上記第１導電型のドーパント領域６１には互いに離隔した２つの領域に第２導電型のドーパント領域６２が形成される。そして、上記第２導電型のドーパント領域６２は各々上記第１電極層５１及び第２電極層５２と電気的に連結される。
【００２２】
上記第１導電型のドーパント領域６１と上記第２導電型のドーパント領域６２はツェナーダイオード６０を形成する。
【００２３】
したがって、図２に示すように、上記発光素子３０と上記ツェナーダイオード６０とは並列に連結される。
【００２４】
より詳細に説明すれば、上記基板１０はシリコンウエハで形成されることができ、上記基板１０の上に形成されたキャビティー１１は上記シリコンウエハを湿式エッチングまたは乾式エッチングして形成されることができる。
【００２５】
上記絶縁層２０は、上記シリコンウエハを酸化させて形成したシリコン酸化膜になることができ、上記絶縁層２０は、上記基板１０と、上記第１電極層５１及び／または上記第２電極層５２を電気的に分離する。
【００２６】
上記発光素子３０は発光ダイオードで形成されることができ、図１ではラテラル（lateral）タイプの発光ダイオードが例示されているが、バーチカル（vertical）タイプの発光素子が使われることができる。
【００２７】
また、図１では上記発光素子３０が上記ワイヤー４０を介して上記第１電極層５１及び第２電極層５２と電気的に連結されたことが開示されているが、上記発光ダイオードのタイプに従い電極層と直接接触して電気的に連結されるか、バンプ（bump）を通じて上記第１電極層５１及び第２電極層５２と電気的に連結されることもできる。
【００２８】
上記第１電極層５１及び第２電極層５２は金属層で形成されることができ、反射度の高いアルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、または金（Ａｕ）のうち、少なくとも１つが使われるか、銅（Ｃｕ）、チタニウム（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、またはニッケル（Ｎｉ）のうち、少なくともいずれか１つのような金属層の表面に上記アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、または金（Ａｕ）のうち、少なくとも１つがメッキされて形成できる。
【００２９】
上記第１電極層５１及び第２電極層５２は、上記基板１０の上面から下面まで延びて形成されるので、本発明に従う発光素子パッケージが回路パターンが形成された回路基板の上に実装される時、上記第１電極層５１及び第２電極層５２を通じて上記発光素子３０に電源が提供できる。
【００３０】
上記ツェナーダイオード６０は、上記基板１０にドーパントを注入することによって形成される。上記ツェナーダイオード６０は、上記基板１０の上部、下部、及び側面部に形成できる。
【００３１】
本発明では上記ツェナーダイオード６０が上記基板１０の下部に形成されたものが開示されており、上記ツェナーダイオード６０は上記基板１０の内で上記発光素子３０と対向する領域に形成できる。即ち、上記ツェナーダイオード６０と上記発光素子３０は垂直方向にオーバーラップされるように配置できる。
【００３２】
上記ツェナーダイオード６０の降伏電圧は上記発光素子３０に印加される電圧よりは大きく、上記発光素子３０の内電圧よりは小さく設計される。
【００３３】
したがって、上記ツェナーダイオード６０は上記第１電極層５１及び第２電極層５２に過電圧が印加される場合、上記ツェナーダイオード６０を通じて電流が流れるようにして上記発光素子３０を過電圧から保護する。
【００３４】
上記第１導電型のドーパント領域６１はｐ型ドーパントが、上記第２導電型のドーパント領域６２はｎ型ドーパントが注入されて形成できる。この際、上記基板１０にもｎ型ドーパントが注入されることもできる。
【００３５】
反対に、上記第１導電型のドーパント領域６１はｎ型ドーパントが、上記第２導電型のドーパント領域６２はｐ型ドーパントが注入されて形成できる。この際、上記基板１０にもｐ型ドーパントが注入されることもできる。
【００３６】
図１３には、本発明に係る発光素子パッケージにおけるツェナーダイオードの電圧及び電流特性が図示されている。
【００３７】
図１３に示すように、上記ツェナーダイオード６０は、一定の電圧、例えば＋７Ｖまたは−７Ｖに隣接した電圧が印加される場合、降伏が発生しながら電流が急激に増加する。したがって、上記発光素子３０の過電圧による損傷が防止できる。
【００３８】
この際、上記ｎ型ドーパント及びｐ型ドーパントの注入濃度は、上記ツェナーダイオード６０の設計された降伏電圧に従って決定できる。
【００３９】
図３乃至図８は、第１実施形態に係る発光素子パッケージの製造方法を説明する図である。
【００４０】
図３及び図４を参照すると、上記基板１０の上に第１マスク層１２を形成し、上記第１マスク層１２を選択的に除去して、第１マスクパターン１２ａを形成する。そして、上記第１マスクパターン１２ａをマスクにして湿式エッチングまたは乾式エッチングの方法により上記基板１０をエッチングしてキャビティー１１を形成する。
【００４１】
この際、上記基板１０は第２導電型のドーパントが含まれたシリコンウエハが使われることができ、上記第１マスク層１２はシリコン窒化膜またはシリコン酸化膜で形成できる。
【００４２】
図５及び図６を参照すると、上記第１マスクパターン１２ａを除去し、上記基板１０の表面に第２マスク層２１を形成し、上記第２マスク層２１を選択的に除去して、上記基板１０の下部が露出するように第２マスクパターン２１ａを形成する。
【００４３】
この際、上記第２マスク層２１はシリコン窒化膜またはシリコン酸化膜で形成できる。
【００４４】
そして、上記第２マスクパターン２１ａをマスクにして上記基板１０の下部に上記第１導電型のドーパント領域６１を形成する。
【００４５】
図７を参照すると、上記第２マスクパターン２１ａを除去し、上記基板１０の表面に絶縁層２０を形成する。そして、上記第１導電型のドーパント領域６１が形成された領域の絶縁層２０を選択的に除去して、上記第１導電型のドーパント領域６１が２つの部分で露出されるようにする。
【００４６】
そして、上記露出された第１導電型のドーパント領域６１に第２導電型のドーパントを注入して、上記第２導電型のドーパント領域６２を形成する。
【００４７】
上記第１導電型のドーパント領域６１と上記第２導電型のドーパント領域６２は上記ツェナーダイオード６０を形成する。
【００４８】
図８を参照すると、上記絶縁層２０及び基板１０の上に金属層を形成した後、選択的に除去して上記第１電極層５１及び第２電極層５２を形成する。
【００４９】
上記第１電極層５１と第２電極層５２とは互いに分離形成され、各々上記第２導電型のドーパント領域６２と電気的に連結されて、上記基板１０の側面に沿って上記キャビティー１１まで延びる。
【００５０】
そして、上記キャビティー１１の内に上記発光素子３０を形成し、上記発光素子３０と上記第１電極層５１及び第２電極層５２を上記ワイヤー４０を介して電気的に連結する。
【００５１】
したがって、図１で説明したような発光素子パッケージが製造される。
【００５２】
本発明に従う発光素子パッケージにおける上記ツェナーダイオード６０は、上記第１導電型のドーパント領域６１がウェル構造を形成し、上記第２導電型のドーパント領域６２が上記ウェル構造の内に形成される。
【００５３】
したがって、発光素子パッケージに複数の発光素子３０が設けられ、それによって複数のツェナーダイオード６０が形成された場合、隣接したツェナーダイオード６０の間のクロストークの発生が防止できる。
【００５４】
図９及び図１０は、第１実施形態に係る発光素子パッケージに複数の発光素子が形成されたものを説明する図である。
【００５５】
図９は複数の発光素子が設けられた基板を上側から見た図であり、図１０は基板の下部に形成された複数のツェナーダイオードを示す図である。
【００５６】
図９及び図１０を参照すると、上記基板１０には上記キャビティー１１が形成され、上記キャビティー１１の内には複数の発光素子３０が設けられる。但し、本実施形態では４個の発光素子３０が設けられたものが例示されており、図１で説明した絶縁層２０は図示を省略した。
【００５７】
そして、上記基板１０の上には上記複数の発光素子３０に対応する上記第１電極層５１及び第２電極層５２が形成され、上記第１電極層５１及び第２電極層５２は上記ワイヤー４０を介して上記発光素子３０と電気的に連結される。
【００５８】
上記基板１０の下部には上記複数の発光素子３０と対応する個数のツェナーダイオード６０が形成される。但し、本実施形態では４個のツェナーダイオード６０が形成されたものが例示されており、図１で説明した絶縁層２０及び第１電極層５１と第２電極層５２は図示を省略した。
【００５９】
上記第１電極層５１及び第２電極層５２は、各々上記第１導電型のドーパント領域６１に形成された上記第２導電型のドーパント領域６２と電気的に連結される。上記第２導電型のドーパント領域６２は、各々上記基板１０の隣り合う２つの側面に隣接して形成されることができ、上記第１導電型のドーパント領域６２は上記基板１０の側面に沿って形成されることができる。
【００６０】
図１１は、第２実施形態に係る発光素子パッケージを説明する図である。
【００６１】
第２実施形態を説明するに当たって、前述した第１実施形態と重複する説明は省略する。
図１１を参照すると、基板１１０の上部に複数の第１導電型のドーパント領域１６１が形成され、上記複数の第１導電型のドーパント領域１６１に各々第２導電型のドーパント領域１６２が形成される。
【００６２】
上記第２導電型のドーパント領域１６２は上記第１導電型のドーパント領域１６１の内の２つの部分に互いに離隔して形成され、上記第１導電型のドーパント領域１６１と上記第２導電型のドーパント領域１６２はツェナーダイオード１６０を形成する。
【００６３】
上記基板１１０の上面には絶縁層１２０が形成され、上記絶縁層１２０は選択的に除去されて上記絶縁層１２０の上に形成された第１電極層１５１及び第２電極層１５２が各々上記第２導電型のドーパント領域１６２と電気的に連結される。
【００６４】
そして、上記第１電極層１５１及び第２電極層１５２の上には発光素子１３０が設けられる。上記発光素子１３０はバンプ１３１を通じて上記第１電極層１５１及び第２電極層１５２と電気的に連結される。
【００６５】
上記複数の発光素子１３０は、赤色、緑色、及び青色を各々発光する発光ダイオードで形成できる。
【００６６】
上記第１導電型のドーパント領域１６１及び第２導電型のドーパント領域１６２により形成された上記ツェナーダイオード１６０は上記発光素子１３０と並列に連結される。
【００６７】
したがって、上記発光素子１３０に過電圧が印加される場合、上記ツェナーダイオード１６０を通じて電流が流れるようにして、上記発光素子１３０を過電圧から保護することができる。
【００６８】
図１２は、第３実施形態に係る発光素子パッケージを説明する図である。
【００６９】
第３実施形態を説明するに当たって、前述した第１実施形態と重複する説明は省略する。
【００７０】
図１２を参照すると、基板２１０の上にキャビティー２１１が形成され、上記キャビティー２１１の内には発光素子２３０が設けられる。そして、上記基板２１０の下部には第１導電型のドーパント領域２６１が形成され、上記第１導電型のドーパント領域２６１の内には互いに離隔した２つの部分に第２導電型のドーパント領域２６２が形成される。
【００７１】
上記第１導電型のドーパント領域２６１と上記第２導電型のドーパント領域２６２はツェナーダイオード２６０を形成する。
【００７２】
上記基板２１０の下面には絶縁層２２０が形成され、上記絶縁層２２０は選択的に除去されて上記絶縁層２２０に形成された第１電極層２５１及び第２電極層２５２が各々上記第２導電型のドーパント領域２６２と電気的に連結される。
【００７３】
上記第１電極層２５１及び第２電極層２５２は、上記基板２１０を貫通して上記基板２１０の上面に延びて、上記キャビティー２１１の内に設けられた上記発光素子２３０とワイヤー２４０を介して電気的に連結される。
【００７４】
上記第１導電型のドーパント領域２６１及び第２導電型のドーパント領域２６２により形成された上記ツェナーダイオード２６０は上記発光素子２３０と並列に連結される。
【００７５】
したがって、上記発光素子２３０に過電圧が印加される場合、上記ツェナーダイオード２６０を通じて電流が流れるようにして上記発光素子２３０を過電圧から保護することができる。
【００７６】
以上、実施形態を中心として説明したが、これは単に例示であり、本発明を限定するのでなく、本発明が属する分野の通常の知識を有する者であれば、本発明の本質的な特性から外れない範囲で以上に例示されていない種々の変形及び応用が可能であることが分かる。例えば、本発明の実施形態に具体的に表れた各構成要素は変形して実施することができる。そして、このような変形及び応用に関連した差異点は添付された請求範囲で規定する本発明の範囲に含まれるものと解釈されるべきである。
【産業上の利用可能性】
【００７７】
本発明の実施形態に従う発光素子パッケージは、照明装置だけでなく、多様な電子機器の光源に使用できる。
【図１】
2011502356.tif 000003
【図２】
2011502356.tif 000004
【図３】
2011502356.tif 000005
【図４】
2011502356.tif 000006
【図５】
2011502356.tif 000007
【図６】
2011502356.tif 000008
【図７】
2011502356.tif 000009
【図８】
2011502356.tif 000010
【図９】
2011502356.tif 000011
【図１０】
2011502356.tif 000012
【図１１】
2011502356.tif 000013
【図１２】
2011502356.tif 000014
【図１３】
2011502356.tif 000015
【手続補正書】
【提出日】平成22年4月30日(2010.4.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の上に発光素子と、
前記基板の内に第１導電型のドーパント領域と、前記第１導電型のドーパント領域内の２つの領域に離隔して形成された第２導電型のドーパント領域を含むツェナーダイオードと、
前記第２導電型のドーパント領域及び前記発光素子と電気的に連結される第１電極層及び第２電極層と、
を含むことを特徴とする発光素子パッケージ。
【請求項２】
前記発光素子と前記ツェナーダイオードは複数個で備えられることを特徴とする請求項１に記載の発光素子パッケージ。
【請求項３】
前記ツェナーダイオードは、前記基板の下部に形成されたことを特徴とする請求項１に記載の発光素子パッケージ。
【請求項４】
前記発光素子と前記ツェナーダイオードとは並列に連結されたことを特徴とする請求項１に記載の発光素子パッケージ。
【請求項５】
前記基板と前記第１電極層及び第２電極層との間には絶縁層が形成されたことを特徴とする請求項１に記載の発光素子パッケージ。
【請求項６】
前記第１電極層及び第２電極層は前記基板を貫通することを特徴とする請求項１に記載の発光素子パッケージ。
【請求項７】
前記基板にはキャビティーが形成され、前記発光素子は前記キャビティーの内に設けられたことを特徴とする請求項１に記載の発光素子パッケージ。
【請求項８】
前記発光素子は前記第１電極層及び第２電極層の上に形成され、バンプを通じて前記第１電極層及び第２電極層と電気的に連結されることを特徴とする請求項１に記載の発光素子パッケージ。
【請求項９】
前記第１導電型のドーパント領域は前記基板の隣り合う２つの側面に沿って形成され、前記第２導電型のドーパント領域は各々前記基板の隣り合う２つの側面に隣接して配置されることを特徴とする請求項１に記載の発光素子パッケージ。
【請求項１０】
前記第１電極層及び第２電極層は前記キャビティーの下に位置する前記基板を貫通し、前記基板の下に電気的に互いに分離されて形成されることを特徴とする請求項７に記載の発光素子パッケージ。
【請求項１１】
前記ツェナーダイオード及び前記発光素子は垂直方向でオーバーラップされることを特徴とする請求項１に記載の発光素子パッケージ。
【請求項１２】
前記発光素子と前記ツェナーダイオードは同一個数で備えられることを特徴とする請求項１に記載の発光素子パッケージ。
【請求項１３】
基板に第１導電型のドーパント領域を形成するステップと前記第１導電型のドーパント領域内の２つの領域に第２導電型のドーパント領域を形成するステップを含むツェナーダイオード形成ステップと、
前記基板の上に発光素子を設置するステップと、
前記発光素子及び前記ツェナーダイオードと各々電気的に連結される第１電極層及び第２電極層を形成するステップと、
を含むことを特徴とする発光素子パッケージの製造方法。
【請求項１４】
前記発光素子、第１電極層及び第２電極層を形成するステップの以前に、前記基板の上に絶縁層を形成するステップが含まれることを特徴とする請求項１３に記載の発光素子パッケージの製造方法。
【請求項１５】
前記ツェナーダイオードを形成するステップの以前に、前記基板に第２導電型のドーパントを注入するステップが含まれることを特徴とする請求項１３に記載の発光素子パッケージの製造方法。
【国際調査報告】
2011502356.tif 000016
2011502356.tif 000017