(57)【要約】  本発明は、窒化ハフニウムの酸化物又はケイ酸塩から薄膜を作製する方法を提供し、また、非対称グアニジネート配位化合物を提供する。さらに、本発明は、本発明の上記方法により窒化ハフニウムの酸化物又はケイ酸塩から薄膜を作製する工程を含む、電子回路を製造する方法を提供する。本発明に従って窒化酸化ハフニウム又は窒化ハフニウムシリケートから薄膜を作製する方法は、下記式（Ｉ）：Ｈｆ（ＮＲ１Ｒ２）４−ｘ［Ｒ３−Ｎ＝Ｃ（ＮＲ１Ｒ２）−ＮＲ４］ｘ（式中、Ｒ１及びＲ２は、同じ又は異なり、Ｃ１〜Ｃ１２の飽和又は不飽和直鎖又は分岐状アルキル基、及びＣ３〜Ｃ１２の飽和又は不飽和環状基から選択され、Ｒ３及びＲ４は、異なり、Ｃ１〜Ｃ１２の飽和又は不飽和直鎖又は分岐状アルキル基、及びＣ３〜Ｃ１２の飽和又は不飽和環状基、又は式Ｓｉ（Ｒ５）３による基（式中、Ｒ５はＣ１〜Ｃ６の直鎖アルキル基である）から選択され、ｘは１〜４（両端を含む）の整数である）による少なくとも１つの配位化合物を加熱することによって、気相を発生させること、その後、この気相を加熱した基板上で分解することを伴う。本発明は、とりわけ、マイクロエレクトロニクス分野で使用される。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
アモルファス窒化酸化ハフニウムであるか、若しくは酸化ハフニウムが主に非単斜構造を有する薄膜、又はアモルファス窒化ハフニウムシリケートの薄膜を製造する方法であって、溶媒中に溶解させた、下記式１：
Ｈｆ（ＮＲ１Ｒ２）４−ｘ［Ｒ３−Ｎ＝Ｃ（ＮＲ１Ｒ２）−ＮＲ４］ｘ
（式中、
Ｒ１及びＲ２は、同一であるか又は異なり、Ｃ１〜Ｃ１２を有する飽和又は不飽和直鎖又は分岐状アルキル基、及びＣ３〜Ｃ１２を有する飽和又は不飽和環状基から選択され、
Ｒ３及びＲ４は、異なり、Ｃ１〜Ｃ１２を有する飽和又は不飽和直鎖又は分岐状アルキル基、Ｃ３〜Ｃ１２を有する飽和又は不飽和環状基、及びＳｉ（Ｒ５）３基（Ｒ５はＣ１〜Ｃ６を有する直鎖アルキル基である）から選択され、
ｘは１〜４（両端を含む）の整数である）
の少なくとも１つの配位化合物を蒸発させることによって気相を発生させること、その後、この気相を加熱した基板上で分解することから成ることを特徴とする、方法。
【請求項２】
前記少なくとも１つの配位化合物が、Ｒ１及びＲ２が、同一であるか又は互いに異なり、メチル基又はエチル基から選択され、Ｒ３基及びＲ４基が、異なり、エチル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基又はＳｉＭｅ３基から選択され、ｘが１又は２に等しい、式１を有することを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
オクタン中に溶解させた、Ｒ３及びＲ４がＳｉ（Ｒ５）３と異なる式１の少なくとも１つの配位化合物を、１６０℃〜２２０℃（両端を含む）の温度に加熱することによって、前記気相を発生させ、その後、３００℃〜６００℃（両端を含む）の温度に加熱された基板上で該気相を分解することを特徴とする、請求項１又は２に記載の窒化酸化ハフニウムの薄膜を製造する方法。
【請求項４】
Ｒ３及びＲ４がＳｉ（Ｒ５）３と異なる式１の少なくとも１つの配位化合物を、１６０℃〜２２０℃（両端を含む）の温度に加熱することによって、前記気相を発生させ、その後、３５０℃〜４７５℃（両端を含む）の温度に加熱された基板上で該気相を分解することを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一項に記載のアモルファス窒化酸化ハフニウムの薄膜を製造する方法。
【請求項５】
Ｒ３及びＲ４がＳｉ（Ｒ５）３と異なる式１を有する少なくとも１つの配位化合物を、１６０℃〜２２０℃の温度に加熱することによって、前記気相を発生させ、４７５℃を超えかつ６００℃以下の温度に加熱された基板上で該気相を分解することを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一項に記載の酸化ハフニウム相が主に非単斜構造を有する窒化酸化ハフニウムの薄膜を製造する方法。
【請求項６】
Ｒ３又はＲ４のいずれかが式Ｓｉ（Ｒ５）３の基である式１の少なくとも１つの化合物を、１６０℃〜２２０℃の温度に加熱することによって、前記気相を発生させ、３５０℃〜６００℃（両端を含む）の温度に加熱された基板上で該気相を分解することを特徴とする、請求項１又は２に記載の窒化ハフニウムシリケートの薄膜を製造する方法。
【請求項７】
下記式１ａ：
Ｈｆ（ＮＲ１Ｒ２）４−ｘ［Ｒ３−Ｎ＝Ｃ（ＮＲ１Ｒ２）−ＮＲ４］ｘ
（式中、
Ｒ１及びＲ２は、同一であるか又は異なり、Ｃ１〜Ｃ１２を有する飽和又は不飽和直鎖又は分岐状アルキル基、及びＣ３〜Ｃ１２を有する飽和又は不飽和環状基から選択され、
Ｒ３及びＲ４は、互いに異なり、Ｃ１〜Ｃ１２を有する飽和又は不飽和直鎖又は分岐状アルキル基、Ｃ３〜Ｃ１２を有する飽和又は不飽和環状基、及び式Ｓｉ（Ｒ５）３の基（Ｒ５はＣ１〜Ｃ６を有する直鎖アルキル基であり得る）から選択され、Ｒ３又はＲ４のいずれかがＳｉ（Ｒ５）３基であり、
ｘは１〜４（両端を含む）の値の整数である）を有する配位化合物。
【請求項８】
Ｒ１及びＲ２が、同一であるか又は異なり、メチル基又はエチル基から選択され、Ｒ３及びＲ４が、互いに異なり、エチル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基又はＳｉＭｅ３基から選択され、Ｒ３又はＲ４のいずれかがＳｉＭｅ３基であり、ｘが１又は２に等しい、式１ａを有することを特徴とする、請求項７に記載の配位化合物。
【請求項９】
電子回路を製造する方法であって、請求項１〜６のいずれか一項に記載の方法によって、窒化酸化ハフニウム又は窒化ハフニウムシリケートの膜を製造する工程を含むことを特徴とする、電子回路を製造する方法。
【請求項１０】
電子回路であって、請求項１〜６のいずれか一項に記載の方法によって得られる、窒化酸化ハフニウム又は窒化ハフニウムシリケートをベースとする薄層部分又は薄膜部分を含むことを特徴とする、電子回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、非対称配位子を伴うグアニジネート型の配位化合物から窒化酸化ハフニウム又は窒化ハフニウムシリケートの薄膜を製造する方法を提供する。また、本発明は、本発明の方法によって酸化ケイ酸塩又は窒化ハフニウムシリケートの薄膜を製造する工程を含む、集積電子回路を製造する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子デバイスの小型化へと向かう近年の傾向では、とりわけ、例えばＣＭＯＳトランジスタのグリッド用の酸化物並びにＭＩＭキャパシタ及びＤＲＡＭキャパシタ用の酸化物を生成するためにＳｉＯ２膜に取って代わることを視野に入れて、酸化ハフニウム又はケイ酸ハフニウムの膜が集中的に研究されている。
【０００３】
集積電子回路の製造における、化学量論式ＨｆＯ２の酸化ハフニウム又は式ＨｆＳｉｘＯｙのケイ酸ハフニウムの薄層の使用は、特に、誘電体の誘電率の値が高い材料部分を調製することについて知られている。しかしながら、誘電体の誘電率のこの高い値は、酸化ハフニウムの結晶構造に依存するものである。その単斜相中で、酸化ハフニウムは、１６〜２０未満程度の誘電体の比誘電率εｒを有するのに対し、酸化ハフニウムが、立方構造、正方構造又は斜方構造を有する場合には、この値が２５〜８０にある。これらの対称性が最も高い構造を安定化するために、添加剤の添加が提案されている（例えば、ランタニド、Ｙ、Ｓｃ等）。一般的には、それらの熱安定性並びに酸素及びドーパントの拡散に対するそれらのバリア性を改善するために、形成される膜を堆積後に窒化処理する。
【０００４】
マイクロエレクトロニクス用途によっては、酸化物層のためにアモルファス構造を保持することが望まれる場合がある。アモルファス形態では、ＨｆＯ２の誘電率がおよそ２２〜２６程度である。しかしながら、材料がアモルファスである場合、酸化ハフニウム部分の形成後、製造中に回路を加熱すると、材料がその後単斜形態へと結晶化する。このため、酸化ハフニウム部分の誘電体の比誘電率は再び、およそ２０未満となる。
【０００５】
基板上に膜を堆積する多くの方法が存在する。これらの全ての方法のうち、有機金属又は配位化合物の化学気相成長法（ＭＯＣＶＤ）及び原子層堆積法（ＡＬＤ）が、マイクロエレクトロニクス用途のための薄膜を堆積するのに特に好適である。
【０００６】
ＡＬＤ法において、各原料化合物は、気化されて、他の化合物の各々とは別々に、かわるがわる堆積チャンバに導入される。
【０００７】
不活性ガスでパージする工程又は真空にする工程が、各原料化合物の蒸気のそれぞれの導入の前後に設けられる。
【０００８】
化合物の単原子層は、基板の曝露面における化学反応によるガス状特定化合物の注入毎に形成される。
【０００９】
ＭＯＣＶＤ法では、蒸気形態の複数の化合物を、基板の曝露面上に膜を形成するように１つ又は複数の化学反応が起こる堆積チャンバ内に一緒に又は別々に導入する。
【００１０】
酸化ハフニウム又はケイ酸ハフニウムの膜を得るのにこれまでに通常用いられてきた化合物は、ハフニウムアルコキシド及び式Ｈｆ（ＮＲ１Ｒ２）４（式中、Ｒ１及びＲ２は、同じであっても異なっていてもよく、一般的にアルキル基である）の化合物等の、ハフニウムアミドである。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明の目的は、非対称配位子を伴うグアニジネート構造を有する特定のハフニウム前駆体の堆積物についての使用を提案することにより化学的手段によって、酸化ハフニウム又はケイ酸ハフニウムの膜を調製する従来技術の方法に用いられる前駆体の欠点を克服することであり、これによって、
膜を堆積させた後に窒化処理工程を行うことなく、窒化酸化ハフニウム又は窒化ハフニウムシリケートの、数ナノメートル厚程度の薄膜を得ることができ、
ＨｆＯ２相が主に非単斜晶構造を有する膜を得ることができ、
窒化ハフニウムシリケート相がアモルファスである膜を得ることができ、
ＨｆＯ２相の結晶点が４７５℃を超える膜を得ることができる。
【００１２】
以下の説明の記述を読めば、本発明をより理解し、また本発明の他の利点及び特徴がよりはっきりと明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
前後の記述において、用語「非単斜相」又は「非単斜」は、単斜相よりも対称性の高い結晶構造を有する、即ち、斜方構造又は二次立方構造（quadratic cubic structure）で成るＨｆＯ２相を示す。
【００１４】
本発明の意図する範囲内で、用語「主に非単斜晶構造を有する膜」又は「主に非単斜構造を有する膜」は、本発明中では、対象となる結晶構造を有する膜が、存在する結晶構造の全体積に基づき、少なくとも５０体積％の非単斜晶構造を含有することを意味すると理解される。
【００１５】
本発明の意図する範囲内で、「薄層又は薄膜」は、１００ｎｍ未満の層厚で分離される２つの実質的に平行な面を有する材料層を意味すると理解される。ハフニウムベースの酸化物材料をこのような薄層の形態で得ることが、基板上に重ねられる層状構造を有する集積電子回路の製造に特に適する。
【００１６】
本発明は、化学気相法により、アモルファス窒化酸化ハフニウムであるか、若しくは酸化ハフニウム相が主に非単斜晶構造を有する薄膜、又はアモルファス窒化ハフニウムシリケートの薄膜を調製する方法であって、溶媒中に溶解させた、下記式１：
Ｈｆ（ＮＲ１Ｒ２）４−ｘ［Ｒ３−Ｎ＝Ｃ（ＮＲ１Ｒ２）−ＮＲ４］ｘ
（式中、
Ｒ１及びＲ２は、同一であるか又は異なり、Ｃ１〜Ｃ１２を有する飽和又は不飽和の直鎖又は分岐状アルキル基、及びＣ３〜Ｃ１２を有する飽和又は不飽和環状基から選択され、
Ｒ３及びＲ４は、異なり、Ｃ１〜Ｃ１２を有する飽和又は不飽和直鎖又は分岐状アルキル基、Ｃ３〜Ｃ１２を有する飽和又は不飽和環状基、又は式Ｓｉ（Ｒ５）３の基（Ｒ５はＣ１〜Ｃ６を有する直鎖アルキル基である）から選択され、
ｘは１〜４（両端を含む）の整数である）
の少なくとも１つの配位化合物を蒸発させることによって気相を発生させること、その後、この気相を加熱した基板上で分解することから成る、方法を提供する。
【００１７】
好ましくは、式１の化合物中、Ｒ１基及びＲ２基は、同一であるか又は異なり、メチル基又はエチル基から選択され、Ｒ３基及びＲ４基は、エチル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル（tertiobutyl）基及びＳｉＭｅ３基から選択され、ｘは１又は２に等しい。
【００１８】
好ましくは、本方法中、溶媒としてオクタンに溶解させた、式１の少なくとも１つの配位化合物を、１６０℃〜２２０℃の温度に加熱することによって、気相を発生させ、この気相を、３００℃〜６００℃（両端を含む）の温度に加熱された基板上で分解する。
【００１９】
炭化水素型のいずれの他の溶媒を使用してもよいことは、当業者にとってはっきりと明らかであろう。
【００２０】
６００℃を超える基板の加熱温度は、追加の利点は得られないものの、用いることができる。
【００２１】
好ましくは、堆積法に用いられる圧力は、およそ１Ｔｏｒｒ〜１０Ｔｏｒｒ（即ち、０．１３ｋＰａ〜１．３ｋＰａ）である。
【００２２】
当然のことながら、窒化酸化ハフニウムの薄膜を得るためには、配位化合物を、Ｒ３もＲ４も式Ｓｉ（Ｒ５）３を有しない式１の化合物とし、窒化ハフニウムシリケートの薄膜を得るためには、配位化合物を、Ｒ３又はＲ４のいずれかが式Ｓｉ（Ｒ５）３を有する式１の化合物とする。
【００２３】
さらに、ＨｆＯ２の窒化アモルファス薄膜を得るためには、基板の温度が３００℃〜４７５℃（両端を含む）であることが好ましい。
【００２４】
実際のところ、従来技術のハフニウム前駆体で得られる膜と異なり、式１の配位化合物で得られる膜は４７５℃を超える温度で結晶化するため、４７５℃以下の温度で行われると考えられるその後の熱処理中でも、とりわけ、該膜を集積してなるデバイスのアモルファス構造を保つことができる。
【００２５】
他方、主に非単斜構造を有する酸化ハフニウムの窒化薄膜を得るために、基板の温度は、４７５℃より高くかつ６００℃以下であることが好ましい。
【００２６】
ここでも、６００℃よりも高い温度を用いてもよいが、利点はもたらされない。
【００２７】
いずれの場合にも、気相は、式１の化合物を１６０℃〜２２０℃（両端を含む）の温度に加熱することによって発生する。
【００２８】
それゆえ、単一の堆積工程において、即ち、その後の窒化処理工程を伴うことなく、窒化アモルファス構造又は主に非単斜構造を有する薄膜を得ること、及び所望であれば４７５℃までアモルファス構造を維持することが、特に有益である。
【００２９】
本発明の窒化酸化ハフニウム又は窒化ハフニウムシリケートの薄膜を得る方法は、これらの膜をその場で窒化処理することができるため、追加の窒化処理工程を排除することを可能にし、これにより時間及び試薬を節約する（gain）ことが可能となる。その上、通常得られる単斜ＨｆＯ２相よりも高い誘電率を有する非単斜ＨｆＯ２相を得ることは、窒化酸化ハフニウム又は窒化ハフニウムシリケートの層の実際の厚みと電子的に等価であるシリカの厚みを考慮すれば、ＭＯＳトランジスタ又はＭＩＭキャパシタ構造（capacitive structures）を製造するための利点をもたらす。
【００３０】
「等価酸化膜厚（Equivalent Electric Oxide Thickness）」としてＥＯＴで表されるこの等価な厚みは、
【００３１】
【数１】
2011521440.tif 000002
【００３２】
（式中、εｒ及びｅはそれぞれ、窒化酸化ハフニウム又は窒化ハフニウムシリケートの薄層の誘電体の比誘電率及び実際の厚みを表し、かつεｒ（ＳｉＯ２）はシリカの誘電体の比誘電率を表す）に等しい。通常、εｒ（ＳｉＯ２）はおよそ３．９に等しい。
【００３３】
このため、誘電率を上げると、より小さいＥＯＴが得られると共に、十分な膜厚を保つことができるため、リーク電流が用途に許容可能な限度範囲内にとどまる。
【００３４】
さらに、アモルファスの場合、得られる膜は、およそ４７５℃の温度までの高い熱安定性を有する。
【００３５】
本発明の少なくとも１つの配位化合物からの窒化酸化ハフニウム又は窒化ハフニウムシリケートの堆積は、当業者にはっきりと明らかなように、パルス注入を用いても又は用いなくともＭＯＣＶＤ法によって、またＡＬＤ法によって実行され得る。
【００３６】
本発明で得られる膜は０．９ｎｍ〜３０ｎｍの厚みを有する。
【００３７】
また、本発明は、本発明の方法によって窒化ハフニウムシリケートの薄膜を得ることができる配位化合物に関する。
【００３８】
これらの化合物は、下記式１ａ：
Ｈｆ（ＮＲ１Ｒ２）４−ｘ［Ｒ３−Ｎ＝Ｃ（ＮＲ１Ｒ２）−ＮＲ４］ｘ
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４及びｘは、式１の化合物について定義した通りであるが、Ｒ３又はＲ４のいずれかかが式Ｓｉ（Ｒ５）３を有し、好ましくはＲ３又はＲ４のいずれかがＳｉＭｅ３である）を有する。
【００３９】
本発明はまた、窒化酸化ハフニウム又は窒化ハフニウムシリケートをベースとする薄膜層部分を含む電子回路を製造する方法を提供する。
【００４０】
本発明によれば、該方法は、これまでに記載した本発明の方法による、窒化酸化ハフニウム又は窒化ハフニウムシリケートの膜を製造する工程を含む。
【００４１】
本発明はまた、本発明の方法によって製造される窒化ハフニウムベースの酸化物又は窒化ハフニウムシリケートの膜の層部分を含む電子回路を提供する。
【００４２】
本発明をより理解するために、単に例示的かつ非限定的な例として幾つかの実施形態をここに記載する。
【実施例】
【００４３】
実施例１
式
Ｈｆ［Ｎ（ＣＨ２ＣＨ３）２］３｛（ＣＨ３）２ＣＨ−Ｎ＝Ｃ［Ｎ（ＣＨ２ＣＨ３）２］−ＮＣ（ＣＨ３）３｝
の配位化合物を０．０５Ｍの濃度までオクタンで希釈する。
【００４４】
窒化酸化ハフニウムの薄膜をパルス注入ＭＯＣＶＤ法によって形成した。オクタンで希釈した上記配位化合物溶液の０．６０ｍｌの体積を注入した。
【００４５】
注入周波数は１ｍｓの空き時間を設けて１Ｈｚとした。アルゴンの圧力が１ｂａｒとなるまでインジェクタ（injector）を加圧した。配位化合物は、１６０℃の温度で気化させた後、０．８ｎｍの厚みを有する３５０℃に加熱されたＳｉ／ＳｉＯ２基板上で、０．１３ｋＰａの全圧で窒素の１００ｓｃｃｍの流量及び酸素の２００ｓｃｃｍの流量を用いて分解した。
【００４６】
得られた窒化酸化ハフニウム膜は、アモルファスであり、かつ１２．６ｎｍ厚であった。
【００４７】
配位化合物を気化する温度を１８０℃及び２０５℃にそれぞれ上げた場合にも、同じ結果が得られた。
実施例２
基板を３７５℃の温度に加熱し、オクタンで希釈した配位化合物溶液の０．５８ｍｌの体積を注入した以外、手順は実施例１と同様とした。
【００４８】
得られた膜は、アモルファスであり、かつ４．９ｎｍ厚であった。
実施例３
基板を４００℃の温度に加熱した以外、手順は実施例１と同様とした。本実施例では、オクタンで希釈した配位化合物溶液の０．６０ｍｌの体積を注入した。
【００４９】
得られた膜は、アモルファスであり、かつ２．９ｎｍ厚であった。
実施例４
基板を４５０℃の温度に加熱した以外、手順は実施例１と同様とした。オクタンで希釈した配位化合物溶液の注入体積は０．６０ｍｌとした。
【００５０】
得られた膜は、アモルファスであり、かつ４．１ｎｍ厚であった。
実施例５
基板を４７５℃の温度に加熱した以外、手順は実施例１と同様とした。オクタンで希釈した配位化合物溶液の注入体積は０．５３ｍｌとした。
【００５１】
得られた膜は、アモルファスであり、かつ１．３ｎｍ厚であった。
実施例６
基板を５３０℃の温度に加熱し、オクタンで希釈した配位化合物溶液の注入体積を０．８０ｍｌとした以外、手順は実施例１と同様とした。
【００５２】
得られた膜は、ＨｆＯ２相が主に非単斜構造を有する窒化ＨｆＯ２から成っていた。得られた膜は１２．３ｎｍ厚であった。
実施例７
基板を５８０℃の温度に加熱し、オクタンで希釈した配位化合物溶液の０．８６ｍｌの体積を注入した以外、手順は実施例１と同様とした。
【００５３】
得られた膜は、窒化酸化ハフニウムの１４．７ｎｍ厚膜であった。ＨｆＯ２相は主に非単斜晶構造を有していた。
実施例８
式：
Ｈｆ［Ｎ（ＣＨ３）２］２｛ＣＨ３ＣＨ２−Ｎ＝Ｃ［Ｎ（ＣＨ３）２］−ＮＣ（ＣＨ３）３｝２
の配位化合物を用いた以外、手順は実施例６と同様とした。オクタンで希釈したこの配位化合物の注入体積は０．４０ｍｌとした。
【００５４】
得られた膜は、ＨｆＯ２相が単斜／斜方型、又は単斜／平方型、又は単斜／立方型の混合結晶構造を有する窒化ＨｆＯ２から成っていた。膜は４．１ｎｍ厚であった。
実施例９
基板を５８０℃の温度に加熱し、オクタンで希釈した配位化合物溶液の０．７０ｍｌの体積を注入した以外、手順は実施例８と同様とした。
【００５５】
得られた膜は、ＨｆＯ２相が主に非単斜構造を有する窒化酸化ハフニウムの膜であった。得られた膜は２４．９ｎｍ厚であった。
実施例１０
基板を４７５℃の温度に加熱し、オクタンで希釈した配位化合物溶液の注入体積を０．４５ｍｌとした以外、手順は実施例１と同様とした。
【００５６】
得られた膜はアモルファスであり、かつ４．４５ｎｍ厚であった。
実施例１１
本実施例は、本発明で用いられる配位化合物の合成を記載する。
【００５７】
Ｈｆ［Ｎ（ＣＨ２ＣＨ３）２］３｛（ＣＨ３）２ＣＨ−Ｎ＝Ｃ［Ｎ（ＣＨ２ＣＨ３）２］−ＮＣ（ＣＨ３）３｝
トルエン５ｍｌ中の１当量のＮ，Ｎ’エチル−ｔｅｒブチルカルボジイミド（terbutylcarbodiimide）（２８０ｍｇ、２．２２ｍｍｏｌ）を、トルエン１５ｍｌ中のＨｆ［Ｎ（ＣＨ２ＣＨ３）２］４の溶液（１．０５ｇ、２．２４ｍｍｏｌ）に添加した。室温で１８時間攪拌した後、真空下で溶媒を蒸発除去した。ペンタンによる抽出後、Ｈｆ［Ｎ（ＣＨ２ＣＨ３）２］３｛（ＣＨ３）２ＣＨ−Ｎ＝Ｃ［Ｎ（ＣＨ２ＣＨ３）２］−ＮＣ（ＣＨ３）３｝が黄色油の形態で得られた（重量＝１．２５ｇ、収率＝９５％）。
【００５８】
ＮＭＲ  １Ｈ（２５℃、Ｃ６Ｄ６、ｐｐｍ）：０．９６（６Ｈ，二重線，３Ｊ＝７．１６Ｈｚ）；１．１１（３Ｈ，三重線，３Ｊ＝７．００Ｈｚ）；１．１６（１８Ｈ，三重線，３Ｊ＝７．００Ｈｚ）；１．３２（９Ｈ，一重線）；２．９３（４Ｈ，四重線，３Ｊ＝７．１６Ｈｚ）；３．２１（２Ｈ，四重線，３Ｊ＝７．００Ｈｚ）；３．４４（１２Ｈ，四重線，３Ｊ＝７．００Ｈｚ）。
【国際調査報告】
2011521440.tif 000003
2011521440.tif 000004
2011521440.tif 000005
2011521440.tif 000006
2011521440.tif 000007
2011521440.tif 000008