(57)【要約】  光電池製造の枠組みの中に含まれ、シリコン化合物層が、キャリア構造体上に堆積される。一方で、このようなシリコン化合物層の外気暴露を組み込むことにより、製造の柔軟性が増し、他方では、外気に暴露されることになる対応するシリコン化合物層の表面を強化し、酸素で強化することにより、このような外気暴露による再現性の低下を防ぐ。【特許請求の範囲】
【請求項１】
２つの電極を有し、少なくとも一つのシリコン化合物層を備える光電池構造体の製造方法であって、
一つの前記シリコン化合物層用のキャリア構造体上に前記シリコン化合物層を堆積するステップであって、前記キャリア構造体上にあるシリコン化合物層の第１表面と前記シリコン化合物層の覆われていない第２表面とが生じるステップと、
所定の酸素含有雰囲気において、前記シリコン化合物層の前記第２表面を処理するステップであって、これにより、前記シリコン化合物層の前記第２表面を酸素で強化するステップと、
強化された前記第２表面を外気に暴露するステップと、を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記処理するステップが、前記第２表面を、所定時間の間、酸素を含む所定のガス雰囲気に暴露することにより実施されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ガス雰囲気が、大気圧よりも高い圧力であることを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記ガス雰囲気が、大気温度よりも高い温度であることを特徴とする請求項２又は３に記載の方法。
【請求項５】
前記処理するステップが、所定時間の間、酸素を含むガスの所定の流れに、前記第２表面を暴露することにより実施される、ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記処理するステップが、前記表面を、所定時間の間、酸素含有ラジカルを含む熱−触媒処理に曝すことにより実施される、ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項７】
プラズマ放電により、前記雰囲気のガスが、活性化されることを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項８】
前記雰囲気の前記ガスが、ＣＯ２を含むことを特徴とする請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記雰囲気が、真空圧下であることを特徴とする請求項２及び４から７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
前記処理するステップが、湿式処理で実施されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
雰囲気へ前記暴露するステップの後に、前記第２表面上にさらなる層を堆積するステップをさらに含むことを特徴とする請求項１から９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
前記さらなる層が、シリコン化合物により形成されることを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、２つの電極を有し、少なくとも一つのシリコン化合物層を備えた光電池構造体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
本願明細書及び特許請求の範囲の全体を通して、“シリコン化合物”は、シリコンを含む材料と理解される。この材料が、さらに、及び、シリコンに加えて、少なくとも一つの要素を含む。特に、例として、水素化シリコン及び炭化シリコンが、この定義に該当する。さらに、対応するシリコン化合物が、光電池構造体の製造に適用されることが多い、いずれの材料構造体のものであってよく、特に、非晶質又は微結晶構造体であってよい。これにより、この材料構造体が、非晶質マトリクス中に、少なくとも１０容量％の、好ましくは、３５容量％以上の結晶を含む場合、この構造体が微結晶であると理解される。
【０００３】
太陽光エネルギー変換は、発電に対し、環境に優しい手段を提供するという観点を提案する。しかしながら、現状において、太陽光エネルギー変換ユニットによって提供される電気エネルギーは、従来の発電所によって提供される電気よりも、未だに著しく高価である。従って、近年、太陽光エネルギー変換ユニットのさらに費用効果が高い製造法の開発が、注目されている。低コストな太陽電池を製造する異なるアプローチのうち、薄膜シリコン太陽電池が、いくつかの有利な側面を兼ね備える：第一に、薄膜シリコン太陽電池は、プラズマ化学気相成長法（ＰＥＣＶＤ）等の薄膜蒸着技術に基づいて製造することが可能であり、この結果、例えば、ディスプレイ製造分野等の他の薄膜蒸着技術の分野において、これまでに経験から得た技術を使用することにより、製造コストを下げるための周知の蒸着技術との相乗効果の観点を提案する。第二に、薄膜シリコン太陽電池は、１０％及びそれ以上を求める、高−エネルギー変換効率を達成することが可能である。第三に、薄膜シリコンベースの太陽電池の製造のための主な原料が、豊富であり、毒性ではない。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００４】
【非特許文献１】Ｊ．Ｌｏｅｆｆｌｅｒら“Ａｍｏｒｐｈｏｕｓ  ａｎｄ  ｍｉｃｒｏｍｏｒｐｈ  ｓｉｌｉｃｏｎ  ｔａｎｄｅｍ  ｃｅｌｌｓ  ｗｉｔｈ  ｈｉｇｈ  ｏｐｅｎ−ｃｉｒｃｕｉｔ  ｖｏｌｔａｇｅ”，Ｓｏｌａｒ  Ｅｎｅｒｇｙ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ  ａｎｄ  Ｓｏｌａｒ  Ｃｅｌｌｓ  ８７（２００５）２５１−２５９
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
薄膜シリコン太陽電池又は太陽電池構造体を製造するための様々なアプローチの中で、特に、例えば、タンデムコンセプト（ｔａｎｄｅｍ  ｃｏｎｃｅｐｔ）としても知られている２つ又は多数のセルを積層するというコンセプトが、例えば、単一のセルと比較して太陽放射スペクトルをさらに良好に活用することにより、１０％を超えるエネルギー変換効率を達成するという観点を提案する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
（定義）
本願明細書及び特許請求の範囲を通して、光電池の一つの“構造”は、ｐｉｎ又はｎｉｐ構造の単一の光電池と理解され、光電池の複数の構造は、２つの積層されたセルを備えたタンデム構造としてのｎｉｐ−ｎｉｐ又はｐｉｎ−ｐｉｎ構造の積層されたセルから構成されると理解される。
【０００７】
これによって、タンデム，トリプル又はさらに高いオーダーの光電池構造体を形成するために結合された単一のセルが、いずれも、特に、真性水素化シリコンのような、真性シリコン化合物層を備える。
【０００８】
（定義）
“真性シリコン化合物材料”とは、中立的にいずれかにドープされたシリコン化合物、すなわち、負のドーピングが、正のドーピングによって相殺される、若しくは、その逆、又は、堆積されたままドープされていないシリコン化合物等であると理解される。
【０００９】
対応する真性シリコン化合物層は、微結晶構造体の又は非晶質構造体の層であってよい。セルのこのような真性層は、非晶質であり、その結果、セルは、非晶質型、ａ−Ｓｉと名付けられ、セルのｉ−層が、微結晶構造体の層である場合には、セルは、微結晶型μｃ−Ｓｉと名付けられる。タンデム及び高いオーダーのセル構造体において、全てのセルが、ａ−Ｓｉ又はμｃ−Ｓｉのいずれかであってよい。慣例上、タンデム及び高いオーダーのセル構造体が、混合型、ａ−Ｓｉ及びμｃ−Ｓｉのセルを提供し、光電池構造体における両方のセルの型の利点を活用する。
【００１０】
薄膜光電池構造体が、第一電極、ｐ−ｉ−ｎ又はｎ−ｉ−ｐ構造の一つ又はそれ以上の積層された単一セル、及び第二電極を備える。電極が、セル構造から電流を取り出すために必要である。
【００１１】
図１は、基本的かつ単純な光起電性の単一セル４０を示す。これが、例えばガラスである透明基板４１を備え、該基板４１が、それ上に堆積され、かつ、電極の一つとして機能する透明導電性酸化物（ＴＣＯ）４２の層を備える。当業界において、この層は、“フロントコンタクト”ＦＣとも称される。次に、セル４３の活性層が続く。例示されたようなセル４３が、正にドープされたＴＣＯと隣接する層４４のｐ−ｉ−ｎ構造体にある。次の層４５が真性であり、最後の層４６が負にドープされる。代替実施形態において、記載されたような層順序ｐ−ｉ−ｎが、ｎ−ｉ−ｐに反転されてもよい。その結果、層４４がｎ−ドープであり、層４６がｐ−ドープである。
【００１２】
最後に、セル構造体が、“バックコンタクト”，ＢＣとも呼ばれる裏面接触層を備え、この裏面接触層が、酸化亜鉛、酸化スズ又はＩＴＯから形成されてよく、通例、反射層４８と共に備えられる。あるいは、バックコンタクトが、背面反射体４８とバックコンタクト４７との物理的特性を兼ね備えうる金属材料によって実現されうる。説明を目的として、図１における矢印が、衝突光を示す。
【００１３】
タンデム光電池構造体の場合、当業界において、短波長スペクトルの感度を有するａ−Ｓｉ単一セルを、太陽のスペクトルの長波長を利用するμｃ−Ｓｉセルと組み合わせることが知られている。しかしながら、光起電性及び特に太陽電池構造体に対して、ａ−Ｓｉ／ａ−Ｓｉ又はμｃ−Ｓｉ／μｃ−Ｓｉ又は他の組み合わせが可能である。説明を目的として、図２が、光起電力タンデンセル構造体を示す。図１のセルのように、これが、基板４１と、第１電極として、前面接触ＦＣ又は前面電極との名前にも対応したような透明導電性酸化物ＴＣＯ層４４と、を備える。このセル構造体が、さらに、例えば水素化シリコン４３の第１セルを備え、この水素化シリコン４３が、図１の実施形態における対応する層のような、３つの層４４，４５及び４６を備える。第２電極としての裏面接触層４７及び反射層４８がさらに備えられる。ここで説明されるような図２による構造の特性及び要件が、既に、図１に関連して説明されている。セル構造体が、例えば、水素化シリコン５１の第２セルをさらに備える。後者が、各々が、正にドープされた層、真性の層、及び負にドープされた層である、３つの層５２，５３，５４を備え、これらが、第２セルのｐ−ｉ−ｎ構造体を形成する。図２に示されるように、セル５１が、前面接触層４２とセル４３との間に配置されてよいが、この代わりに、２つのセル４３及び５１が、それらの順序に関して、反対となってもよく、この結果、層及びセル４２，４３，５１，４７となる。また、説明を目的として、矢印が、衝突光を示す。入射光の方向から考えると、入射光に近いセルを“上部セル”と呼び、他方を“下部セル”と呼ぶことが一般的である。従って、図２の実施例において、セル５１が、上部セルであり、セル５３が、下部セルである。このようなタンデムセル構造体において、通例、セル４３及び５１の両方が、ａ−Ｓｉ型であるか、又は、セル５１が、ａ−Ｓｉ型であり、セル４３が、μｃ−Ｓｉ型である。
【００１４】
上記において述べられ及び例示されたような光電池構造体を工業的に製造するためには、再現性が重要な要件である。多数の異なる層において、一方が他方に積層されなければならない。従って、一つの層を堆積するために定められた処理環境が、次に続く層を堆積するための処理環境と、大きく異なっていてもよい。一つの堆積チャンバにおいて実施されるため、これが、第１の対応する層の堆積後、かつ、次に続く層の堆積を成長させる前に、処理環境の時間のかかる修正を必要とする。従って、共通チャンバにおいて処理環境を修正する必要性を取り除くために、多くの場合では、一つの層を堆積するチャンバにおいて第１層の堆積を行い、堆積された対応する層を備えた製品を、次の層を堆積するためのさらなるチャンバに移動させることが好ましい。従って、多くの場合、このような移動が、外気中で行われる。このことが、全体の製造プラントを大いに単純化し、様々な堆積装置を相互に結合することに対する柔軟性を改善する。
【００１５】
さらに、光電池構造体を製造する過程において、さらなる被覆基板又はコーティングを適用する前に、覆われていないシリコン化合物層を備えたセル構造体の中間製品を、中間で保持することが望ましいものとなりうることが考慮されなければならない。例えば、中間製品を製造するために適用された全プロセスとは全く異なるプロセスをベースとした追加の被覆を行う場合に、この必要性又は要求が生じうる。従って、全体の製造において、覆われていないシリコン化合物層を備えた中間製品を、外気に、長時間暴露することが望ましいものとなりうる。
【００１６】
外気への任意の暴露が、主に、酸化効果により、製品の未だ覆われていない表面に影響を与えることになる。従って、ここで、全体の製造プロセスにおいて、外気への暴露を行い、このような酸化効果が、結果として生じる光電池構造体の光起電力特性を少なくとも害せず、又は、さらには、外気暴露のこのような効果が、光電池構造体の特性を改善する。従って、多くの場合、構造体を製造する間に層の表面を外気に暴露させることは、極めて望ましいと言える。例えば、非特許文献１から、光電池構造体の幅広いギャップのｉ−層を堆積するステップと、μｃ−Ｓｉのｎ−層を堆積するステップとの間に、第１エアーブレーク（ａｉｒ  ｂｒｅａｋ）を導入し、対応するμｃ−Ｓｉのｎ−層を堆積するステップと、μｃ−Ｓｉのｐ−層を堆積するステップとの間に、第２エアーブレークを導入することが知られている。
【００１７】
暴露された層表面への外気暴露の影響を念頭において、このような影響が、支配的な外気条件に大きく依存することを考慮しなければならない。従って、正確に制御された処理環境を備えた堆積チャンバ内で実施される処理ステップとは反対に、このような暴露が、制御されていない処理ステップを表す。制御されていない処理ステップ、すなわち、外気に対して対応する暴露を全体の製造順序の中に導入することは、光電池構造体の再現性に悪影響を及ぼす。本発明の目的は、この対応する欠点を改善することである。
【００１８】
これは、２つの電極を有し、少なくとも一つのシリコン化合物層を備える光電池構造体を製造する方法によって達成され、
・前記一つのシリコン化合物層用のキャリア構造体上に前記シリコン化合物層を堆積するステップであって、キャリア構造体上にあるシリコン化合物層の第１表面とシリコン化合物層の覆われていない第２表面とが生じるステップと、
・所定の酸素含有雰囲気においてシリコン化合物層の第２表面を処理するステップであって、これにより、前記シリコン化合物層の前記第２表面を酸素で強化するステップと、
・強化された前記第２表面を外気に暴露するステップと、を含む。
【００１９】
所定の酸素含有雰囲気においてシリコン化合物層の対応する覆われていない表面を処理することによって、対応する表面に対して上手く制御された処理ステップが達成され、この処理ステップにより、対応する表面が、その後の外気暴露に実質的に影響されないようにするか、又は、このような外気暴露が、対応する処理の前に適用されるならば、外気暴露の効果を“無効にする”。
【００２０】
例えば、堆積チャンバから、被覆基板を、外気中に取り外すことによって、通常、基板は、いまだ、室温又は大気温度を大きく上回る温度のままである。支配的な外気条件に依存し、予測できない酸化効果が、シリコン層の覆われていない表面に生じる。このような酸化効果が、気圧、温度、又は空気湿度、暴露時間等の、異なる外気条件に依存し、特に、気圧、温度及び湿度が制御されない。さらに、この対応する効果が、支配的な基板温度に依存する。本発明によると、酸素含有雰囲気内での処理ステップが、好ましくは、表面を外気に暴露するステップを実施する前に、きちんと予め定められた及び制御された方法で実施され、外気暴露の残りの影響が、無視できるほどに減少しうることが明らかとなっている。
【００２１】
また、多くの場合、上手く制御された条件下における対応する処理を達成する前の外気暴露の影響が、制御された暴露ステップによって上書きされ、無視できるものとなりうる。
【００２２】
従って、本発明による方法により、新たに処理されたワークピースの酸化が、処理パラメータを調節することにより正確に制御され、外気へ暴露された各表面を有するにもかかわらず、工業生産に対して再現可能な結果が生じる。
【００２３】
従って、本発明により、対応する処理ステップを導入することで、光電池構造体を工業的に製造する間における外気暴露を柔軟に利用することが可能になることを考慮すべきである。
【００２４】
本発明による方法の一実施形態において、所定時間の間、所定の酸素含有ガス雰囲気に第２表面を暴露することにより、対応する処理が実施される。さらなる実施形態において、対応するガス雰囲気が、大気圧を超える圧力で維持される。さらに、一実施形態において、所定の時間の間、第２表面が暴露されるガス雰囲気が、大気温度を超える温度に維持される。
【００２５】
さらに、本発明による方法のさらなる実施形態において、所定時間の間、酸素を含有するガスの所定の流れに、第２表面を暴露することにより、対応する処理が実施される。
【００２６】
さらに、本発明による方法のさらなる実施形態において、所定の時間の間、酸素含有ラジカルとの熱触媒処理に、表面を暴露することにより、対応する処理が実施される。
【００２７】
さらに、本発明による方法のさらなる実施形態において、所定の時間の間、所定の酸素含有ガス雰囲気に、第２表面が暴露され、対応するガスが、プラズマ放電によって活性化される。これによって、及びさらなる実施形態において、対応するプラズマ放電が、ＣＯ２を含有する雰囲気のガス中に形成される。
【００２８】
さらに、本発明による方法のさらなる実施形態において、酸素含有雰囲気が、真空下である。
【００２９】
さらに、本発明による方法のさらなる実施形態において、第２表面の対応する処理が、湿式処理によって実施される。
【００３０】
さらに、本発明による方法のさらなる実施形態において、外気に暴露された後で、さらなる層が、第２表面上に堆積される。ここで、このようなさらなる層が、一実施形態において、シリコン化合物の層である。
【発明の効果】
【００３１】
本発明によって、構造体を製造する間に外気雰囲気へ暴露されるにもかかわらず、光電池構造体製造の再現性が、大いに改善される。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】光起電性の単一セルを示す。
【図２】光起電力タンデンセル構造体を示す。
【発明を実施するための形態】
【００３３】
その実施形態を含むこの発明が、ここでさらに例示される。ここで、所定の酸素含有雰囲気においてシリコン化合物の覆われていない第２表面を処理するための異なる試みが説明される。
【００３４】
以下において、覆われていない一つのシリコン化合物層を備えたキャリア構造体が、“ワークピース”と対応する。
【００３５】
ａ）高温かつ大気圧下における酸素含有雰囲気中での酸化
ワークピースが、例えば、空気、純酸素、窒素／酸素ガス混合物、Ｈ２Ｏ又は他の有機又は酸素含有化合物を含むガス混合物等の、大気圧下における、酸素含有雰囲気に暴露される。温度が、５０℃から３００℃の間に維持され、ここで、１００℃から２００℃の間が好ましい。暴露時間が、１時間から１０時間の間である。処理されたワークピースの暴露が、暴露時間（分）と温度（度Ｃ）の製品として決定されることが可能である。“暴露率（ｅｘｐｏｓｕｒｅ  ｒａｔｅ）”と呼ぶこの値が、基本的に、５０００から３００００の間に維持されなければならない。
【００３６】
暴露時間の間に温度が変化する場合、暴露率が、温度経過の時間積分によって計算されうる。
【００３７】
さらに、大気圧に対して、圧力が減少又は増加する場合、一般的規則として、１０％の圧力増加又は圧力減少の各々に対して、暴露率が、例えば、大気圧である予め設定された圧力に対して計算された暴露率と比較して、各々１０％だけ増加または減少すると言ってよい。従って、大気圧に対して計算された暴露率が、このような大気圧から離れる圧力の変化に比例して変化すると言ってよい。
【００３８】
ｂ）ガス流処理
ワークピースの対応する処理を行うさらなる可能性として、高温酸化（ｈｏｔ  ｏｘｉｄｉｚｉｎｇ）ガス流によるものがある。ワークピースを、加熱されたガス流に暴露することにより、これが実現され、例えば、炉内で、例えば、ファンによって、空気等の高温酸化ガスを、ワークピースから、処理される表面上及び表面に沿って向かわせることにより実現されうる。
【００３９】
ｃ）酸素ラジカルへの暴露
本発明によりワークピースの処理を行うさらなる可能性は、例えば、いわゆる、ホットワイヤーリアクタ（ｈｏｔ  ｗｉｒｅ  ｒｅａｃｔｏｒ）において使用されるような熱触媒堆積システムのセットアップにおいて、当業者には周知の触媒である、酸素含有ラジカルのソースを追加することにより、酸素含有ラジカルの形成が促進される雰囲気に、ワークピースを暴露することである。ここで、有機又は酸素含有化合物を含むガス混合物が、ガス相における二次反応によって及び／又は触媒の表面上において、触媒的に分解される。
【００４０】
ｄ）プラズマ放電を含む雰囲気への暴露
シリコン化合物層の第２表面の、すなわち、ワークピースの、対応する処理を実施するさらなる可能性は、処理チャンバ内にプラズマ放電を生成することであり、これによって、酸素ラジカルのソースとしての役割を果たすガス又はガス混合物を含む雰囲気を、対応するチャンバ内に形成し、ここで、この酸素ラジカルのソースが、例えば、Ｏ２，ＣＯ２，Ｈ２Ｏ又は他の有機若しくは酸素含有化合物を含む任意のガス混合物である。例えば、マイクロ波放電によって、例えば、Ｒｆ−，Ｈｆ−，ＶＨＦ−，ＤＣ−放電等のプラズマ放電が、実現されることが可能である。このような処理ステップが、最後の層の堆積ステップに、場合によっては、同じ処理チャンバ内で、直接的に続くことが可能である。このようなプラズマ処理の間の圧力が、０．０１から１００ｍｂａｒの間の範囲であることが可能であり、好ましくは、０．３ｍｂａｒから１ｍｂａｒの範囲の値に設定される。プラズマの出力密度が、好ましくは、５から２５００ｍＷ／ｃｍ２（電極表面に関する）の間から選択され、好ましくは、１５から１００ｍＷ／ｃｍ２の間から選択される。さらに、シリコン化合物層を堆積するために使用されたものと同じ温度で、ワークピースを操作することが有利であり、その表面が処理される。これによって、加熱又は冷却サイクルが回避されうる。このようなプラズマ−ベースの処理に対する処理時間が、２秒から６００秒の間で変化してよく、好ましくは、２秒から１５秒の間、続くように合わせられる。このような処理の一実施例において、ワークピースが、処理チャンバ内に残り、最後のシリコン化合物層が堆積される。このような層が堆積した後で、ＣＯ２ガスが、チャンバ内に流しこまれる。１分あたり及び１ｍ２の電極面積あたり、０．０５から５０基準リットルの流れ、好ましくは、１分あたり及び１ｍ２の電極面積あたり、０．１から５基準リットルの流れ、が、対応する処理に対して好ましい選択であることが明らかとなっている。ＣＯ２含有ガス雰囲気において点火され生成されたプラズマが、二酸化炭素から、酸素を、リリースさせ、この結果、基本的に、一酸化炭素及び酸素ラジカルを生じる。酸素ラジカルが、処理されるシリコン化合物表面と相互作用する。２秒から２分の間の短時間のプラズマ処理が行われ、２秒から３０秒の間のさらに短い時間のプラズマ処理が行われる。プラズマエネルギーが、１５から１００ｍＷ／ｃｍ２電極表面の間のレベルに設定され、好ましくは、２５から５０ｍＷ／ｃｍ２の間に設定される。
【００４１】
プラズマ活性化酸素含有ガス雰囲気によって処理ステップを実現することが、処理時間を短くし、その表面が後に外気に暴露されることになる最後のシリコン化合物層が堆積されたものと同じ処理チャンバ内で適応されうるため、対応する処理を実現するこの種のものが、少なくとも今日において、好ましいものである。
【００４２】
一般的に、長時間続く外気への暴露に対して、及び、スループット又は全体の処理を考慮して、本発明により、ワークピースを処理するための長い間続く処理ステップを有効に利用することが可能であり、外気への短時間のみの暴露が行われる場合、この結果、このような処理が、例えば、酸素含有雰囲気下におけるプラズマアシスト処理のような、短時間のみ継続するように選択されることに留意すべきである。
【００４３】
ｅ）湿式処理
湿式処理ステップによってワークピースの対応する処理を実施することも可能である。これにより、ワークピースが、このような湿式処理に曝され、例えば、表面酸化を引き起こす液体で満たされた容器内におけるワークピースのディッピング操作によって又はソーキング操作によって、表面酸化が引き起こされる。これが、例えば、水浴によって、他の有機又は酸素含有化合物又はアルカノール又は有機溶媒の溶液中に、過酸化水素を含む溶液中における浴によって、実現されうる。このような湿式処理の継続時間が、液体の組成、及びその温度に依存する。例えば、６０℃の温度における、脱イオン化された水中において、各処理が、２から６０分の間、通常、５から３０分間続く。
【００４４】
本発明により、液体又は気体である、酸素含有雰囲気内で、正確に制御された方法で、シリコン化合物表面を処理することにより、シリコン化合物表面の外気への暴露の制御されない影響を防ぐことが可能となる。
【符号の説明】
【００４５】
４０  単一セル
４１  透明基板
４２  透明導電性酸化物
４３  セル
４４，４５，４６  層
４７  裏面接触層
４８  反射層
【図１】
2011530161.tif 000002
【図２】
2011530161.tif 000003
【国際調査報告】
2011530161.tif 000004
2011530161.tif 000005
2011530161.tif 000006