(57)【要約】  本発明の実施形態は、２つの透明電極を有する透明なアップコンバージョン装置を対象とする。本発明の実施形態では、このアップコンバージョン装置は、陽極、ホール遮断層、ＩＲ感知層、ホール・トランスポート層、発光層、電子トランスポート層、陰極および反射防止層を含む透明な基板から連なる層のスタックを含んでいる。本発明の一実施形態では、このアップコンバージョン装置は、ＩＲ通過可視遮断層を含んでいる。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明なアップコンバージョン装置において、
透明な陽極、少なくとも１つのホール遮断層、ＩＲ感知層、少なくとも１つのホール・トランスポート層、発光層、少なくとも１つの電子トランスポート層、および透明な陰極を含むスタック化層構造を有することを特徴とするアップコンバージョン装置。
【請求項２】
請求項１に記載のアップコンバージョン装置において、前記スタック化層構造の厚さがミクロン未満であることを特徴とするアップコンバージョン装置。
【請求項３】
請求項１に記載のアップコンバージョン装置において、前記スタック化層構造が可視光の前記スタック化層構造を通過する少なくとも２０透過パーセントを可能にすることを特徴とするアップコンバージョン装置。
【請求項４】
請求項１に記載のアップコンバージョン装置において、前記透明陽極または前記スタック化層構造への入射ＩＲ放射の入射表面の前記透明陰極が少なくとも５０％のＩＲ透過率を有し、かつ、前記スタック化層からの可視光の出口表面が少なくとも５０透過％の可視光透過率を有することを特徴とするアップコンバージョン装置。
【請求項５】
請求項１に記載のアップコンバージョン装置において、前記透明陽極がインジウム・スズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、アルミニウム・スズ酸化物（ＡＴＯ）、アルミニウム亜鉛酸化物（ＡＺＯ）、カーボン・ナノチューブ、または銀ナノワイヤを含むことを特徴とするアップコンバージョン装置。
【請求項６】
請求項１に記載のアップコンバージョン装置において、前記ホール遮断層がＴｉＯ２、ＺｎＯ、ＢＣＰ、Ｂｐｈｅｎ，３ＴＰＹＭＢ、またはＵＧＨ２を含むことを特徴とするアップコンバージョン装置。
【請求項７】
請求項１に記載のアップコンバージョン装置において、前記ＩＲ感知層がＰｂＳｅ  ＱＤ、ＰｂＳ  ＱＤ、ＰｂＳｅフィルム、ＰｂＳフィルム、ＩｎＡｓフィルム、ＩｎＧａＡｓフィルム、Ｓｉフィルム、Ｇｅフィルム、ＧａＡｓフィルム、ペリレン−３，４，９，１０−テトラカルボン−３，４，９，１０−二酸無水物（ＰＴＣＤＡ）、スズ（ＩＩ）フタロシアニン（ＳｎＰｃ）、ＳｎＰｃ：Ｃ６０、アルミニウム・フタロシアニン塩化物（ＡｌＰｃＣｌ）、ＡｌＰｃＣｌ：Ｃ６０、チタニル・フタロシアニン（ＴｉＯＰｃ）、またはＴｉＯＰｃ：Ｃ６０を含むことを特徴とするアップコンバージョン装置。
【請求項８】
請求項１に記載のアップコンバージョン装置において、前記ホール・トランスポート層が１，１−ビス［（ジ−４−トリルアミノ）フェニル］シクロヘキサン（ＴＡＰＣ）、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’（２−ナフチル）−（１，１’−フェニル）−４，４’−ジアミン（ＮＰＢ）、またはＮ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ（ｍ−トリル）ベンジジン（ＴＰＤ）を含むことを特徴とするアップコンバージョン装置。
【請求項９】
請求項１に記載のアップコンバージョン装置において、前記発光層がトリス−（２−フェニルピイジン）イリジウム、Ｉｒ（ｐｐｙ）３、ポリ−［２−メトキシ，５−（２’−エチル−ヘキシルオキシ）フェニレン・ビニレン］（ＭＥＨ−ＰＰＶ）、トリス−（８−ヒドロキシ・キノリン）アルミニウム（Ａｌｑ３）、またはイリジウム（ＩＩＩ）ビス−［（４，６−ジ−フルオロフェニル）−ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’］ピコリナト（ＦＩｒｐｉｃ）を含むことを特徴とするアップコンバージョン装置。
【請求項１０】
請求項１に記載のアップコンバージョン装置において、前記電子トランスポート層がトリス［３−（３−ピリジル）−メシチル］ボラン（３ＴＰＹＭＢ）、２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（ＢＣＰ）、４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（ＢＰｈｅｎ）、またはトリス−（８−ヒドロキシ・キノリン）アルミニウム（Ａｌｑ３）を含むことを特徴とするアップコンバージョン装置。
【請求項１１】
請求項１に記載のアップコンバージョン装置において、前記透明陰極が厚さ３０ｎｍ未満の１０：１  Ｍｇ：Ａｇ層を含むことを特徴とするアップコンバージョン装置。
【請求項１２】
アップコンバージョン装置において、さらに反射防止層を含むことを特徴とするアップコンバージョン装置。
【請求項１３】
請求項１１に記載のアップコンバージョン装置において、前記反射防止層が２００ｎｍ未満の厚さを有するＡｌｑ３層を含むことを特徴とするアップコンバージョン装置。
【請求項１４】
請求項１に記載のアップコンバージョン装置において、さらにＩＲ通過可視遮断層を含むことを特徴とするアップコンバージョン装置。
【請求項１５】
請求項１３に記載のアップコンバージョン装置において、前記ＩＲ通過可視遮断層が異なる屈折率を有する材料の複数の交互層を含むことを特徴とするアップコンバージョン装置。
【請求項１６】
請求項１４に記載のアップコンバージョン装置において、前記材料がＴａ２Ｏ５およびＳｉＯ２を含み、かつ、２〜８０段の交互層のそれぞれが厚さ１０〜１００ｎｍであることを特徴とするアップコンバージョン装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
関連出願への相互参照
本出願は、２０１１年６月６日に出願され、本出願における参照により図、表または図面を含めて本出願に全体として組み込まれている米国仮特許出願第６１／４９３，６９６号明細書の利益を主張する。
【背景技術】
【０００２】
近年、光アップコンバージョン装置が暗視、距離測定およびセキュリティならびに半導体ウエハー検査における潜在的用途の故に多くの研究上の関心を惹きつけている。初期の近赤外線（ＮＩＲ）アップコンバージョン装置は、大部分が、光検出部と発光部とを直列とする無機半導体のヘテロ接合構造に基づいていた。無機化合物半導体に基づく赤外線ＩＲから可視へのアップコンバージョン装置の製造は、光検出器および発光ダイオードＬＥＤのために使用される２種類の半導体材料間の格子不整合のために、かなり難しい課題である。エピタキシャル成長無機装置が高コストであるため、無機装置は小面積応用の製造に限定されてきた。
【０００３】
その他のアップコンバージョン装置は、一般的に非常に低い効率を示す傾向がある。たとえば、ＬＥＤを半導体ベース光検出器と一体化するＮＩＲ光から可視光へのアップコンバージョン装置は、わずか０．０４８（４．８％）Ｗ／Ｗの最大外部変換効率を示している。近年になって、ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ光検出器を有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）に結合するハイブリッド有機／無機アップコンバージョン装置は、０．７％  Ｗ／Ｗの外部変換効率を示した。現在、無機およびハイブリッド・アップコンバージョン装置は、製造費用が高く、これらの装置を製造するために使用される工程は、大面積応用と両立し得ない。高い変換効率、高い感度、高い利得、および高い画像忠実度を有する低コストのアップコンバージョン装置を実現する努力が尽くされている。加えて、ＩＲ照射が１つの面から入り、光が第２の面のみから出る装置が暗視応用などの多くの応用にとって望ましい。
【発明の概要】
【０００４】
本発明の実施形態は、スタック化層構造を有する透明なアップコンバージョン装置を対象とする。層は、透明な陽極、少なくとも１つのホール遮断層、ＩＲ感知層、少なくとも１つのホール・トランスポート層、発光層、少なくとも１つの電子トランスポート層、および透明な陰極を含む。このスタック化層構造の厚さは、ミクロン未満とすることができる。陽極は、以下を含む任意の適切な導電材料から選ぶことができる：インジウム・スズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、アルミニウム・スズ酸化物（ＡＴＯ）、アルミニウム亜鉛酸化物（ＡＺＯ）、カーボン・ナノチューブ、または銀ナノワイヤ。ホール遮断層は、以下を含む任意の適切な材料から選ぶことができる：ＴｉＯ２、ＺｎＯ、ＢＣＰ、Ｂｐｈｅｎ、３ＴＰＹＭＢ、またはＵＧＨ２。ＩＲ感知層は、以下を含む任意の適切な材料とすることができる：ＰｂＳｅ  ＱＤ、ＰｂＳ  ＱＤ、ＰｂＳｅフィルム、ＰｂＳフィルム、ＩｎＡｓフィルム、ＩｎＧａＡｓフィルム、Ｓｉフィルム、Ｇｅフィルム、ＧａＡｓフィルム、ペリレン−３，４，９，１０−テトラカルボン−３，４，９，１０−二酸無水物（ＰＴＣＤＡ）、スズ（ＩＩ）フタロシアニン（ＳｎＰｃ）、ＳｎＰｃ：Ｃ６０、アルミニウム・フタロシアニン塩化物（ＡｌＰｃＣｌ）、ＡｌＰｃＣｌ：Ｃ６０、チタニル・フタロシアニン（ＴｉＯＰｃ）、またはＴｉＯＰｃ：Ｃ６０。ホール・トランスポート層は、以下を含む任意の適切な材料とすることができる：１，１−ビス［（ジ−４−トリルアミノ）フェニル］シクロヘキサン（ＴＡＰＣ）、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’（２−ナフチル）−（１，１’−フェニル）−４，４’−ジアミン（ＮＰＢ）、およびＮ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ（ｍ−トリル）ベンジジン（ＴＰＤ）。発光層は、以下を含む任意の適切な材料とすることができる：トリス−（２−フェニルピイジン）イリジウム、Ｉｒ（ｐｐｙ）３、ポリ−［２−メトキシ、５−（２’−エチル−ヘキシルオキシ）フェニレン・ビニレン］（ＭＥＨ−ＰＰＶ）、トリス−（８−ヒドロキシ・キノリン）アルミニウム（Ａｌｑ３）、またはイリジウム（ＩＩＩ）ビス−［（４，６−ジ−フルオロフェニル）−ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’］ピコリナト（ＦＩｒｐｉｃ）。電子トランスポート層は、以下を含む任意の適切な材料とすることができる：トリス［３−（３−ピリジル）−メシチル］ボラン（３ＴＰＹＭＢ）、２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（ＢＣＰ）、４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（ＢＰｈｅｎ）、およびトリス−（８−ヒドロキシ・キノリン）アルミニウム（Ａｌｑ３）。陰極は、インジウム・スズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、アルミニウム・スズ酸化物（ＡＴＯ）、アルミニウム亜鉛酸化物（ＡＺＯ）、カーボン・ナノチューブ、銀ナノワイヤ、Ｍｇ：Ａｌ層、または任意の適切な透明な導体とすることができる。
【０００５】
本発明の一実施形態では、このアップコンバージョン装置は、さらに反射防止層を含む。一実施形態では、この反射防止層は、厚さ２００ｎｍ未満のＡｌｑ３層とすることができる。本発明の他の実施形態では、このアップコンバージョン装置は、さらにＩＲ通過可視遮断層を含む。このＩＲ通過可視遮断層は、Ｔａ２Ｏ５およびＳｉＯ２の交互層などの異なる屈折率を有する材料の複数の交互層を含むことができる。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】図１は、反射赤外線（ＩＲ）アップコンバージョン装置の略図である。
【図２】図２は、本発明の一実施形態による１対の透明電極を有する透明なＩＲアップコンバージョン装置の略図である。
【図３】図３は、本発明の一実施形態による透明なＩＲアップコンバージョン装置の略図である。この装置では、放射された可視光は装置の２つの表面から出る。
【図４】図４は、本発明の一実施形態による可視光の放射をスタック化装置の単一の出口面に限定するＩＲ通過可視遮断層を含む透明なＩＲアップコンバージョン装置の略図である。
【図５】図５は、種々の組成の反射防止層を示す反射防止層を有する／有しない１０：１  Ｍｇ：Ａｇを有する陰極の可視スペクトルを示す。
【図６】図６は、本発明の一実施形態によるＩＲ通過可視遮断層を含む例示透明ＩＲアップコンバージョン装置の略図である。
【図７】図７は、図６のＩＲアップコンバージョン装置の異なる印加電圧に対応するルミネセンスのプロットである。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
本発明の実施形態は、可視光（本出願においては、可視または光としても示される）に対して透明な２つの電極を有する透明なＩＲから可視へのアップコンバージョン装置を対象とする。本発明の一実施形態では、可視光はＩＲの入射する表面または面から入射することができるにもかかわらず、発生された可視光の出力は、ＩＲ放射（本出願では、ＩＲとしても示される）の入射する表面からの放射を抑止される。典型的な反射アップコンバージョン装置を図１に示す。この装置では、線源ＩＲが入射し、発生した可視光がＩＲ入射表面から出る。本発明の一実施形態による透明なアップコンバージョン装置を図２に示す。ここでは、電極の一方の側に配置されているＩＲ感知層が電荷担体、すなわち電子または正孔のいずれかを生成し、それがこの装置のバイアスの下で発光層に差し向けられる。ここで電荷担体は、その相補電荷と結合して可視光を発生する。図２に示すように、このアップコンバージョン装置は２つの透明な電極を備えており、可視光は、入射しているものまたは装置内で発生したもののいずれもが、装置のＩＲ入射表面の反対側の面経由で伝達される。しかし、図３に示すように、発光層により生成された光は、発光層から装置のＩＲ入射表面を含むすべての方向に放射する。高い透明度を達成するために、アップコンバージョン装置は一連の層からなる全体として薄い装置である。その組み合わされた層の厚さは、装置およびいずれかのＩＲ通過可視遮断層を支持する基板を除いて、約１ミクロン未満、たとえば、０．５ミクロン未満の厚さである。支持基板は、たとえば、ＩＲおよび可視光に対して透過度の高いガラスまたはポリマー材料とすることができる。また、ＩＲアップコンバージョン装置の第１の支持基板の反対側の面上で第２の基板を使用することができる。
【０００８】
本発明の実施形態では、ＩＲ感知層は、混合ＰｂＳｅ  ＱＤまたは混合ＰｂＳ  ＱＤを含む幅広い吸収ＩＲ感知層とすることができる。本発明の別の実施形態では、ＩＲ感知層は、以下の連続薄膜を含む：ＰｂＳｅ、ＰｂＳ、ＩｎＡｓ、ＩｎＧａＡｓ、Ｓｉ、Ｇｅ、またはＧａＡｓ。本発明の他の実施形態では、ＩＲ感知層は、以下の材料を含むがそれらに限られない有機または有機金属包含材料である：ペリレン−３，４，９，１０−テトラカルボン−３，４，９，１０−二酸無水物（ＰＴＣＤＡ）、スズ（ＩＩ）フタロシアニン（ＳｎＰｃ）、ＳｎＰｃ：Ｃ６０、アルミニウム・フタロシアニン塩化物（ＡｌＰｃＣｌ）、ＡｌＰｃＣｌ：Ｃ６０、チタニル・フタロシアニン（ＴｉＯＰｃ）、およびＴｉＯＰｃ：Ｃ６０。
【０００９】
本発明の一実施形態では、発光層は、５１５ｎｍの緑色光を放射するｆａｃ−トリス（２−フェニルピリジン）イリジウム（Ｉｒ（ｐｐｙ）３）を含む有機発光層である。本発明の実施形態において使用できるその他の発光材料は、以下を含むがそれらに限られない：ポリ−［２−メトキシ、５−（２’−エチル−ヘキシルオキシ）フェニレン・ビニレン］（ＭＥＨ−ＰＰＶ）、トリス−（８−ヒドロキシ・キノリン）アルミニウム（Ａｌｑ３）、およびイリジウム（ＩＩＩ）ビス−［（４，６−ジ−フルオロフェニル）−ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’］ピコリナト（ＦＩｒｐｉｃ）。
【００１０】
本発明の実施形態では、電子トランスポート層（ＥＴＬ）は、発光層と陰極との間に配置される。ＥＴＬは、トリス［３−（３−ピリジル）−メシチル］ボラン（３ＴＰＹＭＢ）、２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（ＢＣＰ）、４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（ＢＰｈｅｎ）、トリス−（８−ヒドロキシ・キノリン）アルミニウム（Ａｌｑ３）、またはその他の任意の適切な材料を含む。
【００１１】
本発明の実施形態では、発光層とＩＲ感知層との間に配置されるホール・トランスポート層（ＨＴＬ）は、１，１−ビス［（ジ−４−トリルアミノ）フェニル］シクロヘキサン（ＴＡＰＣ）、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’（２−ナフチル）−（１，１’−フェニル）−４，４’−ジアミン（ＮＰＢ）、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ（ｍ−トリル）ベンジジン（ＴＰＤ）またはその他の任意の適切な材料を含む。
【００１２】
本発明の実施形態では、ホール遮断層（ＨＢＬ）は、陽極とＩＲ感知層との間に配置される。ＨＢＬは、ＺｎＯ、ＴｉＯ２、またはその他の任意の適切な無機金属を含む無機ＨＢＬとすることができる。ＨＢＬは、たとえば、２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（ＢＣＰ）ｐ−ビス（トリフェニルシリル）ベンゼン（ＵＧＨ２）、４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（ＢＰｈｅｎ）、トリス−（８−ヒドロキシ・キノリン）アルミニウム（Ａｌｑ３）、３，５’−Ｎ，Ｎ’−ジカルバゾル−ベンゼン（ｍＣＰ）、Ｃ６０、またはトリス［３−（３−ピリジル）−メシチル］ボラン（３ＴＰＹＭＢ）を含む有機ＨＢＬとすることできる。
【００１３】
図３または図４において陽極として示したＩＲ入射表面で使用することができる透明電極は、インジウム・スズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、アルミニウム・スズ酸化物（ＡＴＯ）、アルミニウム亜鉛酸化物（ＡＺＯ）、カーボン・ナノチューブ・フィルム、または銀ナノワイヤを含むがそれらに限られない。図３または図４において陰極として示した可視出口表面で使用することができる透明電極は、インジウム・スズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、アルミニウム・スズ酸化物（ＡＴＯ）、アルミニウム亜鉛酸化物（ＡＺＯ）、カーボン・ナノチューブ、銀ナノワイヤまたはＭｇ：Ａｌ層を含むがそれらに限られない。本発明の一実施形態では、厚さ２０ｎｍ未満のスタック化１０：１  Ｍｇ：Ａｇ層を透明電極として使用する。本発明の一実施形態では、可視出口表面の透明電極の外部表面上に反射防止層を配置することができる。たとえば、Ａｌｑ３層は、Ａｌｑ３層の厚さが約１００ｎｍ未満である場合に、良好な透明性を与える反射防止層となることができる。別案として、反射防止層は、ＭｏＯ３などの金属酸化物の厚さ約５０ｎｍ以下の層とすることもできる。本発明の一実施形態では、可視光出口表面の電極は、約１０ｎｍの１０：１  Ｍｇ：Ａｌ層を含み、かつ、５０ｎｍのＡｌｑ３層がこの電極の上に配置される。図５に示すように、異なる厚さの１０：１  Ｍｇ：Ａｇ層および異なる厚さの反射防止層を有する種々の陰極が反射防止層の長所を示している。図５から分かるように、陰極は反射防止層が存在する場合に厚くすることができ、厚さ約５０ｎｍ以下の反射防止層を有する薄い陰極から優れた透明性がもたらされる。
【００１４】
本発明の一実施形態によるアップコンバージョン装置を図４に示す。ここでは、ＩＲ入射表面とＬＥＤ層の間にＩＲ通過可視遮断層を含めることにより、この装置は、ＩＲ入射面において可視光に対して不透明となる。ＩＲ通過可視遮断層は、図４に示すように、ＩＲ放射のこの層通過を許容しつつ、ＩＲ入射表面経由の可視光損失を与えると言うよりむしろ可視光を吸収し、かつ／または内面的に反射する。ＩＲ入射表面に近い方の電極は高度にＩＲ透過とし、少なくとも５０透過％を有しなければならず、また、可視検出表面に近い方の電極は高度に可視光透過とし、ＬＥＤから発射される可視光の波長範囲にわたり少なくとも５０透過％を有しなければならない。ＩＲ通過可視遮断層を有しない本発明の実施形態では、この装置は、層のスタック全体を通じて少なくとも２０％の光の透過率を示す。ＩＲ通過可視遮断層が反射表面を有する場合、装置の光出口表面に差し向けられる可視光の比率の増加は、層すなわち非反射（光吸収）ＩＲ通過可視遮断層を有しない装置を基準として可能である。スタック化層に垂直なアップコンバージョン装置の表面を不透明な被覆により覆うか、そうでなければ、吸収性および／または反射性の表面である不透明な表面に隣接させることにより、可視光が装置の両側面から失われないようにすることができる。ＩＲ通過可視遮断層の位置は、図４に示すように、基板と陽極の間の層として配置することができる。この層は、陽極の反対側の基板の表面上に配置することも、または両方の層がこの装置における相互接続層または能動層として働く適切な電子特性を持っている場合には、ＩＲ通過可視遮断層は、この装置において使用されるＬＥＤのＩＲ入射側に置かれるこの装置の任意の層相互間に配置することもできる。
【００１５】
本発明の一実施形態によるアップコンバージョン装置において使用されるＩＲ通過可視遮断層は、多段誘電体スタック層を使用することができる。このＩＲ通過可視遮断層は、異なる屈折率を有する交互フィルム（一方が高い屈折率を有し、他方がそれよりかなり低い屈折率を有する）による誘電体フィルム・スタックを含む。例示的ＩＲ通過可視遮断層は、厚さ１０〜１００ｎｍのＴａ２Ｏ５（ＲＩ＝２．１）およびＳｉＯ２（ＲＩ＝１．４５）の２〜８０段の交互層の複合である。
【００１６】
方法および材料
本発明の一実施形態による例示的アップコンバージョン装置を図６に示す。この装置は、平均の厚さ約７０ｎｍのＴａ２Ｏ５とＳｉＯ２との１４段交互層からなるＩＲ通過可視ミラーおよび厚さ約１００ｎｍの透明なＩＴＯ陽極を支持するガラス基板を有する。陽極の上に配置されているのは、ＨＢＬとしてのＺｎＯの３０ｎｍのフィルム、およびＩＲ感知層としての１００ｎｍの厚さのＰＢＳｅ  ＱＤの層である。ＩＲ感知層は、３０ｎｍの厚さの７％Ｉｒｐｐｙ３  ＣＢＰ発光層から４５ｎｍのＴＡＰＣのＨＴＬにより隔てられている。発光層は、２０ｎｍの３ＴＰＹＭＢおよび２５ｎｍのＢｐｈｅｎの複合ＥＴＬにより１０ｎｍの１０：１  Ｍｇ：Ａｇ陰極から隔てられている。この陰極の反対側の表面には、５０ｎｍのＡｌｑ３反射防止層が配置されている。図６のアップバージョン装置は、図７に示すように、暗黒では殆どルミネセンスを示さないが、５Ｖ〜１５Ｖの閾値からルミネセンスの約１００倍の増加を経る。
【００１７】
本明細書において参照または言及されたすべての特許、特許出願、仮出願、および公刊物は、それらが本明細書の明示的教示に矛盾しない限りにおいて参照によりすべての図および表を含めて全体として組み込まれる。
【００１８】
当然のことであるが、本出願において記述された例および実施形態は、もっぱら説明のためであり、また、それを踏まえる種々の改良形態または変更形態が当業者に示唆され、かつ、本出願の精神および範囲の中に含まれている。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【国際調査報告】
2014529090.tif 000010
2014529090.tif 000011
2014529090.tif 000012