(57)【要約】  本発明は、第２のウェーハ（３００）に接合された第１のウェーハ（２００）を含み、第１のウェーハが面取りされた縁を有する構造（５００）をトリミングする方法を提供する。この方法は、第１のウェーハ（２００）の厚さ（ｅ1）を含む第１の深さ（Ｐｄ1）、および第１のウェーハ（２００）の縁から測定される第１の幅（ｌｄ1）にわたって実行される第１のトリミングステップ（Ｓ４）を含む。少なくとも第１のウェーハ（２００）の厚さ（ｅ1）を含む第２の深さ（Ｐｄ2）、および第１の幅（ｌｄ1）よりも小さい第２の幅（ｌｄ2）にわたる第２のトリミングステップ（Ｓ５）も実行される。
2011524083.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第２のウェーハ（１０２）に接合された第１のウェーハ（１０１）を含み、前記第１のウェーハが面取りされた縁（１０４、１０５）を有する構造（１００）をトリミングする方法であって、
前記第１のウェーハ（１０１）の厚さ（ｅ1）を含む第１の深さ（Ｐｄ1）にわたって実行される第１のトリミングステップであり、さらに、前記第１のウェーハ（１０１）の縁から所定の第１の幅（ｌｄ1）にわたって実行される第１のトリミングステップと、
少なくとも前記第１のウェーハ（１０１）の厚さ（ｅ1）を含む第２の深さ（Ｐｄ2）にわたって実行される少なくとも１つの第２のトリミングステップであり、さらに、前記第１の幅（ｌｄ1）よりも小さい第２の幅（ｌｄ2）にわたって実行される第２のトリミングステップと
を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記第２の深さ（Ｐｄ2）は第１の深さ（Ｐｄ1）よりも小さいことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第２のウェーハ（１０２）の厚さのうち前記第１のトリミングステップの間に除去される部分の厚さは１０μｍから３０μｍであることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記第２のウェーハ（１０２）の厚さのうち前記第２のトリミングステップの間に除去される部分の厚さは０から１０μｍであることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
前記第１のトリミングステップは、２ｍｍから１０ｍｍ、好ましくは２ｍｍから６ｍｍの第１の幅（ｌｄ1）にわたって実行されることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記第２のトリミングステップは、０．１ｍｍから２ｍｍの第２の幅（ｌｄ2）にわたって実行されることを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
前記第１のウェーハ（１０１）は構成部品（１０３）を含むことを特徴とする請求項１から６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
前記トリミングステップのうちの少なくとも１つのトリミングステップは、その下面に溝を備えるグラインダを用いて実行されることを特徴とする請求項１から７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
３次元複合構造（５００）を製造する方法であって、第１のウェーハ（２００）の一方の面に構成部品（２０４）の層を製造する少なくとも１つのステップと、前記第１のウェーハ（２００）の前記構成部品（２０４）の層を含む面を第２のウェーハ（３００）上に接合するステップと、請求項１から８のいずれか一項に記載のトリミング法に従って、少なくとも前記第１のウェーハ（２００）のトリミングを実行するステップとを含むことを特徴とする方法。
【請求項１０】
前記接合ステップの後に、前記第１のウェーハ（２００）を薄くするステップを含むことを特徴とする請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記構成部品（２０４）の第１の層を含む面の反対側の前記第１のウェーハ（２００）の面に、微小構成部品（２１４）の第２の層を製造するステップをさらに含むことを特徴とする請求項９または請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記接合ステップの前に、前記第１のウェーハ（２００）の前記構成部品（２０４）の第１の層を含む面に、酸化物層（２０７）を形成するステップを含むことを特徴とする請求項９から１１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１３】
前記第１のウェーハ（２００）はＳＯＩ型構造であることを特徴とする請求項９から１２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１４】
少なくとも前記構成部品（２０４）の第１の層はイメージセンサを含むことを特徴とする請求項９から１３のいずれか一項に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、少なくとも１つの層を支持体上に転写（ｔｒａｎｓｆｅｒ）することによって製造された多層半導体構造ないし基板（多層半導体ウェーハとも言う）を製造する分野に関する。この転写された層（転写層）は、第２のウェーハまたは支持体上への第１のウェーハの分子接合（ｍｏｌｅｃｕｌａｒ  ｂｏｎｄｉｎｇ）によって形成され、接合後、第１のウェーハは一般に薄くされる。第１のウェーハはさらに、１つまたは複数の微小構成部品層を最終支持体上へ転写する必要がある構成部品の３次元（３Ｄ）集積化、および例えばバックライト型イメージングデバイス（ｂａｃｋ  ｌｉｔ  ｉｍａｇｉｎｇ  ｄｅｖｉｃｅ）を製造する際の回路転写の場合のように、構成部品（ｃｏｍｐｏｎｅｎｔ）の全部もしくは一部、または複数の微小構成部品（ｍｉｃｒｏｃｏｍｐｏｎｅｎｔ）を含むことがある。
【背景技術】
【０００２】
転写層および支持体を形成するのに使用されるウェーハの縁は一般に、ウェーハの取扱いを容易にし、ウェーハの縁が突き出す場合に起こりうる縁の破損を防ぐ役目を果たす面取り部（ｃｈａｍｆｅｒ）ないし縁丸め部（ｅｄｇｅ  ｒｏｕｎｄｉｎｇ）を有する。このような破損は、ウェーハ表面を汚染する粒子の供給源である。面取り部は、丸められかつ／または斜めに切られた形状を有することがある。
【０００３】
しかしながら、このような面取り部の存在は、支持体とウェーハの間のそれらの周縁における良好な接触を妨げる。その結果、転写層が支持基板に接合されていない、または適正に接合されていない周縁ゾーンが存在する。転写層のこの周縁ゾーンは無制御に破損しやすく、不要な破片または粒子で構造を汚染しやすいため、除去しなければならない。
【０００４】
したがって、面取り部がその上に広がる周縁ゾーンを除去するため、ウェーハが支持体に接合され、必要なウェーハのシンニング（ｔｈｉｎｎｉｎｇ）を実行した後に、転写層がトリミング（ｔｒｉｍｍｉｎｇ）される。トリミングは通常、本質的には機械的な機械加工によって、具体的には転写層の露出した表面から支持体までの研磨または研削によって実行される。
【０００５】
しかしながら、このようなトリミングは、転写層と支持体の間の接合界面と、転写層の内部の両方において、ピールオフ（ｐｅｅｌ−ｏｆｆ）の問題を引き起こす。より正確には、接合界面では、ピールオフ問題が、層の周縁の近傍のあるゾーン上での転写層の層間剥離に対応し、この層間剥離はマクロ（ｍａｃｒｏ）ピールオフと表現されることがある。面取り部が存在するため、層の周縁付近の接合エネルギーは相対的に小さい。その結果、この領域の研削によって、層と支持基板との接合界面において層の部分的な分離が起こる可能性がある。前記分離は、転写層が構成部品を含むときにより起こる確率が高い。接合界面を補強するため通常、接合後に実行される高温アニールは、転写層に構成部品が存在するときには構成部品がこのようなアニールの温度に耐えることができないため、使用されない。
【０００６】
さらに、層が、回路、コンタクトなどの構成部品、特に金属から形成されたゾーンを含むときには、研削によって、転写層に存在する構成部品のモチーフ（ｍｏｔｉｆ）のところに層間剥離が生じる可能性があり、この層間剥離はマイクロ（ｍｉｃｒｏ）ピールオフと表現されることがある。
【０００７】
このようなマクロおよびマイクロピールオフ現象は、トリミングステップ中に、構造内の発熱および／または機械的応力があるレベルを超えると起こる。転写層のトリミング全体を通じて、このレベルには頻繁に到達する。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、上述の欠点を解決するためになされたものであり、その目的とするところは、第２のウェーハに接合された第１のウェーハを含み、第１のウェーハが面取りされた縁を有する構造をトリミングする方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、第２のウェーハに接合された第１のウェーハを含み、第１のウェーハが面取りされた縁を有する構造をトリミングする方法であって、
・第１のウェーハの厚さを含む第１の深さにわたって実行される第１のトリミングステップであり、さらに、第１のウェーハの縁から所定の第１の幅にわたって実行される第１のトリミングステップと、
・少なくとも第１のウェーハの厚さを含む第２の深さにわたって実行される少なくとも１つの第２のトリミングステップであり、さらに、第１の幅よりも小さい第２の幅にわたって実行される第２のトリミングステップと
を含む方法によって、上述の欠点を解決する。
【００１０】
このように、第１のウェーハの縁のできるだけ近くで、所定の幅にわたって第１のトリミングステップを実行することによって、第１のウェーハの構成部品から比較的に離れている間に、第１のウェーハがアタック（ａｔｔａｃｋ）される。これにより、トリミングの強度が強いときであっても、すなわち第２のウェーハ内へかなり貫入するときであっても、構造内の発熱および／または応力は限定される。
【００１１】
さらに、第２のトリミングステップは、第１のウェーハの縁からより離れた距離のところで、すなわち構成部品の近くで実行されはするが、第２のトリミングステップ中の発熱および／または応力も限定される。実際、第１のトリミングステップ中に既に除去された部分のため、第２のトリミングステップ中に除去される材料は低減する。
【００１２】
その結果、本発明の方法の２つのトリミングステップは、少なくとも第１のウェーハを完全にトリミングすることができ、同時に、単一ステップのトリミング中には普通に見られるマクロおよびマイクロピールオフ現象を大幅に低減させることを意味する。
【００１３】
本発明の一態様によれば、第２のトリミングステップは、第１のトリミングステップが実行される第１の深さよりも小さいかまたは第１の深さに等しい第２の深さにわたって実行される。
【００１４】
本発明の他の態様によれば、第２のウェーハの厚さのうち第１のトリミングステップの間に除去される部分の厚さは１０μｍ（マイクロメートル）から３０μｍである。
【００１５】
本発明の他の態様によれば、第２のウェーハの厚さのうち第２のトリミングステップの間に除去される部分の厚さは０から１０μｍである。
【００１６】
本発明の他の態様によれば、第１のトリミングステップは、２ｍｍ（ミリメートル）から１０ｍｍ、好ましくは２ｍｍから６ｍｍの第１の幅にわたって実行され、第２のトリミングステップは、０．１ｍｍから２ｍｍの第２の幅にわたって実行される。
【００１７】
本発明はさらに、３次元複合構造を製造する方法であって、第１のウェーハの一方の面に構成部品の層を製造する少なくとも１つのステップと、第１のウェーハの構成部品の層を含む面を第２のウェーハ上に接合するステップと、本発明のトリミング法に従って、少なくとも第１のウェーハのトリミングを実行するステップとを含む方法を提供する。
【００１８】
本発明のトリミング法の使用は、ウェーハ間の接合界面と構成部品層の両方における層間剥離の危険をできるだけ小さくして２枚以上のウェーハを積み重ねることによって、３次元構造を製造することができることを意味する。構成部品層のうちの１つの層はイメージセンサを含むことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】トリミングする対象構造の上面図である。
【図２Ａ】本発明の一実施態様に基づくトリミング法の概略図である。
【図２Ｂ】本発明の一実施態様に基づくトリミング法の概略図である。
【図２Ｃ】本発明の一実施態様に基づくトリミング法の概略図である。
【図２Ｄ】本発明の一実施態様に基づくトリミング法の概略図である。
【図２Ｅ】本発明の一実施態様に基づくトリミング法の概略図である。
【図３】図２Ａから２Ｅに示した方法中に実行されるステップの流れ図である。
【図４Ａ】本発明のトリミング法を使用した３次元構造の製造を示す概略図である。
【図４Ｂ】本発明のトリミング法を使用した３次元構造の製造を示す概略図である。
【図４Ｃ】本発明のトリミング法を使用した３次元構造の製造を示す概略図である。
【図４Ｄ】本発明のトリミング法を使用した３次元構造の製造を示す概略図である。
【図４Ｅ】本発明のトリミング法を使用した３次元構造の製造を示す概略図である。
【図４Ｆ】本発明のトリミング法を使用した３次元構造の製造を示す概略図である。
【図５】図４Ａから４Ｆに示した３次元構造の製造中に実行されるステップの流れ図である。
【図６】図４Ｄおよび４Ｅで使用されているグラインダの下面を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
本発明は一般に、分子接合によって、またはアノード接合（ａｎｏｄｉｃ  ｂｏｎｄｉｎｇ）、金属接合、接着剤を用いた接合などの他のタイプの接合によって一体に組み立てられた少なくとも２枚のウェーハを含む構造のトリミングに対して使用される。第１のウェーハには予め構成部品を形成しておくことが可能であり、第１のウェーハは次いで、支持体を構成する第２のウェーハに接合される。これらのウェーハは一般に、さまざまな直径、具体的には１００ミリメートル（ｍｍ）、２００ｍｍまたは３００ｍｍの直径を有することができる円形の輪郭を有する。ここで使用する用語「構成部品」は、接合界面を補強する目的で通常使用される高温に対して敏感な、ウェーハの材料とは異なる材料を用いて製造された任意のタイプの素子を意味する。これらの構成部品は具体的には、電子構成部品の全部もしくは一部、または複数の電子微小構成部品を形成する、回路もしくはコンタクト、または高温にさらされた場合に損傷しもしくは破壊される可能性がある活性層などの素子に対応する。構成部品はさらに、ウェーハの膨張係数とは異なる膨張係数を有する材料を用いて製造され、高温で、ウェーハ内において、ウェーハを変形させ、かつ／またはウェーハに損傷を与える可能性があるさまざまな程度に膨張しやすい素子、モチーフまたは層に対応することがある。
【００２１】
言い換えると、第１のウェーハがこのような構成部品を含むとき、第１のウェーハは、接合後の高温アニールに耐えることができない。その結果、ウェーハ間の接合エネルギーは限定され、これにより、得られる構造は、前述の機械的トリミング中のマクロピールオフ現象に対して敏感になる。また、上で説明したとおり、トリミングはさらに、第１のウェーハ内の構成部品位置における層間剥離（第１のウェーハ内の構成部品を形成するスタック（ｓｔａｃｋ）のうちの１つまたは複数のスタックの分離）に対応するマイクロピールオフを引き起こすことがある。
【００２２】
より一般的には、本発明は特に、高温接合アニールにかけることができない組み立てられた構造に対して使用され、さらに、異なる膨張係数を有するウェーハを組み立てることによって形成されたヘテロ構造（例えばシリコンオンサファイア、シリコンオンガラスなど）に対しても使用される。本発明はさらに、より標準のシリコンオンインシュレータ（ＳＯＩ）型構造、すなわち２枚のウェーハがシリコンからなるＳＯＩ構造に対して使用することができる。このタイプの構造に関して、本発明は特に、１０マイクロメートル（μｍ）超の層厚を有する構造の形成、または異なる性質の層のスタックを含む構造の形成に対して使用される。実際、知られている先行技術の技法を使用してトリミングを実行したとき、これらの構造は、トリミングステップ中に損傷しやすいことが観察されている。
【００２３】
この目的のため、本発明は、第１のウェーハの縁から漸進的にトリミングを実行することを提案する。より正確には、後により詳細に説明するように、本発明のトリミング法は、少なくとも２つのステップ、すなわちウェーハの縁のできるだけ近くで実行される第１のトリミングステップ、および第１のウェーハの縁からより離れた距離のところで実行される、すなわちウェーハの構成部品により近い部分にわたって実行される第２のトリミングステップで実行される。
【００２４】
図１は、直下の支持体（図示せず）に接合されたウェーハ１０を含む構造１５を示す上面図である。ウェーハ１０は、「有効ゾーン（ｕｓｅｆｕｌ  ｚｏｎｅ）」と呼ばれるゾーン１４に形成された構成部品１１を含み、有効ゾーン１４は、ウェーハ１０の縁１０ａと有効ゾーン１４の境界との間の距離に対応する幅ｌ3を有する環状除外部分を除くウェーハの表面の大部分を覆う。この環状排除部分は少なくとも、ウェーハの面取り部がその上に広がるゾーンを含む。この環状部分を、第１の環状ゾーン１２と第２の環状ゾーン１３とに分けることができる。幅ｌ1を有する第１の環状ゾーン１２はウェーハの縁１０ａに最も近いゾーンである。この第１のゾーン１２上で、本発明の方法の第１のトリミングステップが実行される。この第１のゾーンは、構成部品１１を含む有効ゾーン１４から比較的に離れており、そのため、マクロまたはマイクロピールオフの危険を冒すことなく構造のトリミングを実行することができる。幅ｌ1よりも小さい幅ｌ2を有する第２の環状ゾーン１３は、ウェーハの縁１０ａからより離れており、すなわち有効ゾーン１４により近い。しかしながら、第１のトリミングステップの間に大量の材料が既に除去されているため、第２の環状ゾーン１３の第２のトリミングステップ中の発熱および応力は限定的である。したがって、トリミング中に起こりうるマクロおよび／またはマイクロピールオフ現象は限定される。
【００２５】
第１のトリミングステップが実行される深さよりも小さい深さにわたってトリミングを実行することによって、第２のトリミングステップ中の発熱および応力をさらに低減させることができる。
【００２６】
トリミング中の発熱および応力をさらに限定するために、本発明の方法を、２つよりも多くのステップ、例えば３つまたは４つのトリミングステップで実行することもできる。このような状況では、連続するそれぞれのトリミングステップが、直前のトリミングステップの幅よりも小さいかまたは同一の幅で実行される。それぞれのステップのトリミングの深さは、限定はされないが、直前のトリミングステップの深さよりも小さいことが好ましい。
【００２７】
次に、トリミング法の一実施態様を、図２Ａから２Ｅおよび図３を参照して説明する。
【００２８】
図２Ａに示すように、トリミングする対象である構造１００は、図１のウェーハと同じタイプの第１のウェーハ１０１と、例えばシリコンから形成された第２のウェーハ１０２とを組み立てることによって形成される。ここでは、第１のウェーハ１０１と第２のウェーハ１０２とが同じ直径を有する。しかしながら、これらのウェーハが異なる直径を有することもできる。ここで説明する例では、組立てが、当業者によく知られている分子接合技法を使用して実行される。分子接合の原理は、２つの表面を直接に、すなわち特定の接合材料（接着剤、ロウ、はんだなど）を使用することなく接触させることに基づくことに留意されたい。このような操作では、接合する表面が十分に滑らかであり、粒子または汚染物質を含まないこと、およびそれらの表面が互いに、接触を開始することを可能にする十分な距離、一般に数ナノメートル未満の距離に近づけられることが要求される。このような状況では、２つの表面間の引力が、分子接合（接合する２つの表面の原子間または分子間の電子の相互作用に起因する一組の引力（ファンデルワールス力）によって生じる接合）を生じさせる十分な大きさを有する。
【００２９】
構成部品および／または第１のウェーハに損傷を与えないように、２枚のウェーハ間の接着は低温で実行される。より正確には、ウェーハを周囲温度で接触させた後に、４５０℃よりも低い温度で接合補強アニールを実行することができる。４５０℃を超えると、アルミニウム、銅などのある種の金属はクリープ（ｃｒｅｅｐ）を起こし始める。
【００３０】
第２のウェーハ１０２と接触させる前に、第１のウェーハ１０１の接合面上および／または第２のウェーハ上に酸化物層型の接合層１０７が形成される。第１のウェーハ１０１は構成部品１０３の層を含み、面取りされた縁、すなわち上部面取り部１０４および下部面取り部１０５を含む縁を有する。図２Ａでは、これらのウェーハが、丸められた面取り部を有する。しかしながら、これらのウェーハは、ベベル（ｂｅｖｅｌ）の形態のものなど、異なる形状を有する面取り部ないし縁丸め部を有することもできる。一般に、用語「面取りされた縁」は、稜（ｒｉｄｇｅ）が斜めに切られており、その結果、２枚のウェーハ間のそれらの周縁付近における接触が十分でないウェーハの縁を意味する。
【００３１】
分子接合によってウェーハ１０１と１０２とを互いに組み立てて、構造１００を形成する（ステップＳ１、図２Ｂ）。第１のウェーハ１０１の最初の厚さによっては、所定の厚さｅ1、例えば約１０μｍの厚さを有する転写層１０６を形成するために、第１のウェーハ１０１を薄くすることができる（ステップＳ２、図２Ｃ）。厚さｅ1は、面取りされた縁以外の位置で、この層またはウェーハの上面と下面の間で測定される。このシンニングステップは、トリミング操作の前に実行することが好ましい。しかしながら、第１のウェーハのシンニングは任意であり、事前のシンニングステップを実行することなく第１のウェーハのトリミングを実行することができる。
【００３２】
次に、構造１００のトリミングを実行する。このトリミングは主に、面取り部１０５を含む層１０６の環状部分を除去することからなる。面取り部１０４は、第１のウェーハ１０１のシンニング中に既に排除されている。本発明によれば、トリミングは、第１のトリミングステップから始まり、第１のトリミングステップは、第１のウェーハ１０１の縁に対応する第１の層１０６の縁から、幅ｌｄ1にわたって実行される（ステップＳ３、図２Ｄ）。直径１００ｍｍ、２００ｍｍおよび３００ｍｍのウェーハに関しては、トリミング幅ｌｄ1が一般に２ｍｍから１０ｍｍ、好ましくは２ｍｍから６ｍｍである。トリミングは、層１０６の上面から機械的作用または機械加工によって実行される（縁の研削）。この機械的作用は、グラインダ（ｇｒｉｎｄｅｒ）または層の材料を機械的に摩耗させることができる他の工具を使用して加えることができる。
【００３３】
前記第１のトリミングステップの間に、構造１００は、接合界面（この例では、接合層１０７と第２のウェーハ１０２の接合面との間の接触面）に対応する基準面から定義される深さＰｄ1にわたってアタックされる。深さＰｄ1は、層１０６の厚さｅ1、接合層１０７の厚さｅ2、および第２のウェーハ１０２の一部分の厚さに対応する厚さｅ3を含む。厚さｅ3は１０μｍから３０μｍである。図２Ｄでは、トリミングされた層１０６の側面が、概略的に、基板の平面に対して垂直に示されている。しかしながら、使用するグラインダのタイプによっては、トリミング側面の輪郭が、わずかに内側へ湾曲した形状など、完全には直線ではない異なる形状を有することがある。具体的には、このような内側へ湾曲した側面は、グラインダまたはトリミングホイール（ｗｈｅｅｌ）が、これらの面のうちの少なくとも１つの面を横切る溝を備えるときに得られる。このような溝の存在は、除去された材料の排出、およびトリミング操作中にホイールの表面またはホイールの近くに与えられる液体（一般に水）の循環を助けることが明らかである。これは、ウェーハの縁における発熱／応力をさらに限定し、トリミングの質をさらに向上させることができる。層またはウェーハのトリミングされた側面の輪郭がほぼ直線とは言えない状況では、トリミングステップの（幅ｌｄ1およびｌｄ2などの）幅が、少なくとも、ウェーハまたは層がアタックされる幅に対応する（次いで、トリミング中にトリミング幅をわずかに小さくすることができる）。
【００３４】
次いで、やはり機械的作用または機械加工によって実行される第２のトリミングステップによって、トリミングを完了させる（ステップＳ４、図２Ｅ）。この第２のトリミングステップは、第１のステップのトリミング幅ｌｄ1に対応する、層１０６の縁から所定の距離のところから実行される。直径１００ｍｍ、２００ｍｍおよび３００ｍｍのウェーハに関しては、トリミング幅ｌｄ2が一般に０．１ｍｍから０．２ｍｍである。
【００３５】
この第２のトリミングステップでは、構造１００が、少なくとも層１０６の厚さｅ1を含む深さＰｄ2にわたってアタックされる。深さＰｄ2はさらに、第２のウェーハ１０２の厚さの一部分に対応する厚さｅ4を含むことができる。ここで説明する例では、厚さｅ4が厚さｅ3よりも小さい。厚さｅ4は０から１０μｍ、例えば５μｍである。上で指摘したとおり、厚さｅ4を、厚さｅ3よりも大きくし、または厚さｅ3と等しくすることもできる。
【００３６】
本発明のトリミング法に対する特定の、しかし非限定的な分野は、３次元構造を製造する分野である。
【００３７】
次に、初期基板上に形成された微小構成部品の層を本発明の一実施態様に従って支持体上に転写することによって３次元構造を製造する方法を、図４Ａから４Ｇおよび図５に関して説明する。
【００３８】
３次元構造の製造は、上部面取り部２０６および下部面取り部２０５を縁に有する第１のウェーハ２００の表面に、第１の一連の微小構成部品２０４を形成することから始まる（図４Ａ、ステップＳ１）。ここで説明する例では、第１のウェーハ２００がＳＯＩ型の多層構造である。すなわち、第１のウェーハ２００は、シリコン基板２０３上に配置されたやはりシリコンの層２０１を含み、層２０１と基板２０３の間には埋込み酸化物層２０２（例えばＳｉＯ2層）が存在する。ウェーハ２００の厚さは約６００μｍから９００μｍである。直径２００ｍｍ（８インチ）のウェーハに関しては、標準の厚さが７２５μｍである。
【００３９】
微小構成部品２０４は、製造する微小構成部品に対応するモチーフを形成するためのゾーンを画定することができるマスクを使用したフォトリソグラフィによって形成される。
【００４０】
次いで、分子接合によって接合する目的で、第１のウェーハ２００の微小構成部品２０４を含む面を、第２のウェーハ３００の一方の面と密着させる（ステップＳ２、図４Ｂ）。ウェーハ３００の厚さは約７２５μｍである。第１のウェーハ２００と同様に、第２のウェーハ３００の縁も、上部面取り部３０１および下部面取り部３０２を有する。第１のウェーハ２００の微小構成部品２０４を含む面にはさらに、酸化物層２０７、例えばＳｉＯ2から形成された酸化物層２０７が形成される。ここで説明する例では、第１および第２のウェーハ２００、３００の直径が２００ｍｍである。
【００４１】
接合後、図４Ｃに示すように、第１のウェーハ２００を薄くして、微小構成部品２０４の層の上方に存在する第１のウェーハ２００の一部分、ここでは基板２０３を除去する（ステップＳ３）。この方法のこの段階では、可能な汚染物質、粒子などから構成部品を保護するため、埋込み層２０２が維持されていることが好ましい。第１のウェーハ２００は、具体的には、接合界面から５０μｍのところで止まる基板２０３の研削または化学機械研磨（ＣＭＰ）ステップ、およびそれに続く埋込み酸化物層２０２までの化学的腐食ステップ、例えば水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）を用いたエッチングによって薄くすることができる。シンニングは、原子注入によってウェーハ２００内に予め形成した弱平面（ｐｌａｎｅ  ｏｆ  ｗｅａｋｎｅｓｓ）に沿った劈開または破壊によって実行することもできる。有利には、残存するウェーハ２００の厚さを画定するために埋込み絶縁層２０２が使用される。このシンニングステップの後、ウェーハ２００は約１０μｍの厚さｅを有する。別の状況では、ウェーハ２００の厚さを１μｍから１５μｍにすることができる。
【００４２】
このようにして、第２のウェーハ３００と第１のウェーハ２００の残存部分に対応する層２０１とによって形成された複合構造５００が得られる。
【００４３】
本発明によれば、ウェーハ２００の環状部分を除去することからなる構造５００の第１の機械的トリミングステップを実行する（ステップＳ４、図４Ｄ）。この第１のトリミングステップは、グラインダ４００を使用し、構造５００を回転板（図示せず）に保持して実行する。図６に示すように、グラインダ４００は、溝４１０の存在によって構造化された下面を有する。上で指摘したとおり、このような構造化された面を有するグラインダは、発熱および応力を限定することができることが観察されている。このような構造化された面を持たないグラインダによってもトリミングを実行することができることは明らかである。
【００４４】
この第１のトリミングステップの間に、構造５００は、２ｍｍから１０ｍｍの幅ｌｄ1、ならびに第１のウェーハ２００の残存部分の厚さｅ1、酸化物層２０７の厚さｅ2および第２のウェーハ３００の厚さの一部分に対応する厚さｅ3を含む深さＰｄ１にわたってアタックされる。前記厚さｅ3は１０μｍから３０μｍである。
【００４５】
次いで、第１のステップのトリミング幅ｌｄ1に対応する、ウェーハ２００の縁から所定の距離のところから、０．１ｍｍから２ｍｍの幅ｌｄ2にわたって実行される第２のトリミングステップによって、トリミングを完了させる（ステップＳ５、図４Ｅ）。この第２のトリミングステップでは、構造５００が、第１のウェーハ２００の残存部分の厚さｅ1、酸化物層２０７の厚さｅ2および第２のウェーハ３００の厚さの一部分に対応する０から１０μｍ、例えば５μｍの厚さｅ4を含む深さＰｄ2にわたってアタックされる。
【００４６】
構造５００のトリミングが終了し、層２０２を除去した後に、層２０１の露出された表面に、微小構成部品２１４の第２の層を形成する（図４Ｆ、ステップＳ６）。ここで説明する例では、微小構成部品２１４が、埋め込まれた微小構成部品２０４と整列するように形成される。この目的にはフォトリソグラフィマスクが使用され、このフォトリソグラフィマスクは、微小構成部品２０４を形成するために使用したマスクと同様のマスクである。
【００４７】
一変形実施態様では、層のスタックによって、すなわち層２０１上に１つまたは複数の追加の層を転写することによって３次元構造を形成する。追加の層はそれぞれ、直接に隣接する１つまたは複数の層と整列させる。追加の層はそれぞれ、本発明のトリミング法を使用して漸進的にトリミングする。さらに、組立てを容易にし、（直下のウェーハの材料が露出した）トリミングしたゾーンを後続の化学的腐食から保護するため、追加の層のそれぞれの転写の前に、露出した層上に酸化物層、例えばテトラエチルオキシシラン（ＴＥＯＳ）酸化物層を付着させることが可能である。あるいは、これらの一組の層を転写した後に、単一のトリミング操作を実行することもできる。この場合、本発明のトリミングステップの間に除去される材料の厚さｅ1およびｅ2は、スタックの上層の上面と支持ウェーハの表面または支持ウェーハ内のトリミングステップの停止界面との間に含まれる厚さに対応する。
【００４８】
ある特定の実施態様によれば、微小構成部品層のうちの一層が特に、イメージセンサを含むことができる。
【００４９】
他の実施態様によれば、第２の支持ウェーハと転写層を構成する第１のウェーハとを組み立てる前に、第２の支持ウェーハに構成部品が既に形成されている。
【００５０】
他の実施態様によれば、トリミングステップが、例えば図４Ｄに示したグラインダを使用した粗い第１の除去ステップと、それに続く、例えばウェーハの縁を研磨する工具を使用したより細かい除去ステップとを含むことができる。このことは、トリミング後に、残留粒子を受け取りにくい粗さが低減したウェーハ縁を形成することができることを意味する。
【図１】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図２Ｃ】
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【図２Ｄ】
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【図２Ｅ】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図４Ｃ】
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【図４Ｄ】
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【図４Ｅ】
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【図４Ｆ】
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【図５】
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【図６】
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【国際調査報告】
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