(57)【要約】  本願発明は、ビーム放射型薄膜半導体チップ（１０）に関しており、第１の活性ゾーンを備えた第１の領域（Ｉ）と、前記第１の領域（Ｉ）から介在空間（１１）によって横方向に分離され第２の活性ゾーン（２）を備えた第２の領域（ＩＩ）とを有しており、前記第２の活性ゾーン（２）は、異なる平面において前記第１の活性ゾーン（１）に対して平行に延在し、さらに補償層（５）が設けられ、前記補償層（５）は、前記第２の領域（ＩＩ）において前記第１の活性ゾーン（１）の高さまで存在し、前記補償層（５）は半導体材料を含んでいない。
2011519171.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ビーム放射型薄膜半導体チップ（１０）において、
第１の活性ゾーン（１）を備えた第１の領域（Ｉ）と、
前記第１の領域（Ｉ）から介在空間（１１）によって横方向に分離され第２の活性ゾーン（２）を備えた第２の領域（ＩＩ）とを有しており、
前記第２の活性ゾーン（２）は、異なる平面において前記第１の活性ゾーン（１）に対して平行に延在しており、
さらに補償層（５）が設けられており、
前記補償層（５）は、前記第２の領域（ＩＩ）において前記第１の活性ゾーン（１）の高さまで存在しており、この場合前記補償層（５）は半導体材料を含んでいないことを特徴とするビーム放射型薄膜半導体チップ。
【請求項２】
前記第１の領域（Ｉ）は、ビームを生成する領域であり、前記第１の活性ゾーン（１）は、第１の波長のビームを生成するために設けられている、請求項１記載のビーム放射型薄膜半導体チップ。
【請求項３】
前記第２の領域（ＩＩ）は、ビームを生成する領域であり、前記第２の活性ゾーン（２）は、第２の波長のビームを生成するために設けられている、請求項２記載のビーム放射型薄膜半導体チップ。
【請求項４】
前記第２の領域（ＩＩ）は、第１の領域（Ｉ）を過電圧又は許容できない電圧から保護するための保護領域である、請求項２記載のビーム放射型薄膜半導体チップ。
【請求項５】
前記第２の領域（ＩＩ）は、ビームを検出するためのビーム受信領域である、請求項２記載のビーム放射型薄膜半導体チップ。
【請求項６】
前記補償層（５）は、金属またはＴＣＯ（透明導電酸化物）を含んでいる、請求項１から５いずれか１項記載のビーム放射型薄膜半導体チップ。
【請求項７】
前記補償層（５）の厚さは、第１の活性ゾーン（１）の厚さに相応する、請求項１から６いずれか１項記載のビーム放射型薄膜半導体チップ。
【請求項８】
前記第２の領域（ＩＩ）は、第２の活性ゾーン（２）の補償層（５）に向いた側にエッチング停止層（４）を有している、請求項１から７いずれか１項記載のビーム放射型薄膜半導体チップ。
【請求項９】
前記介在空間（１１）は誘電材料（１２）を備えており、それにより前記第１の活性ゾーン（１）は第２の活性ゾーン（２）から電気的に絶縁される、請求項１から８いずれか１項記載のビーム放射型薄膜半導体チップ。
【請求項１０】
ビーム放射型薄膜半導体チップ（１０）を製造するための方法において、
成長基板（３）上に第２の活性ゾーン（２）を成長させるステップと、
第２の活性ゾーン（２）上に第１の活性ゾーン（１）を成長させるステップと、
第２の領域（ＩＩ）において前記第１の活性ゾーン（１）を除去するステップと、
第１の領域（Ｉ）内の第２の活性ゾーン（２）を除去するステップとを有し、これによって前記２つの領域（Ｉ，ＩＩ）が介在空間（１１）によって横方向で相互に分離されるようにしたことを特徴とする方法。
【請求項１１】
前記第１の活性ゾーン（１）と第２の活性ゾーン（２）は、エッチングによって除去される、請求項１０記載の方法。
【請求項１２】
前記第１の活性ゾーン（１）と第２の活性ゾーン（２）の間にエッチング停止層（４）が配設され、前記第２の領域（ＩＩ）内で第１の活性ゾーン（１）が前記エッチング停止層（４）まで除去され、第１の領域（Ｉ）内で第２の活性ゾーン（２）が前記エッチング停止層（４）まで除去される、請求項１１記載の方法。
【請求項１３】
前記第２の領域（ＩＩ）内で第１の活性ゾーン（１）が除去された後で、補償層（５）が第２の活性ゾーン（２）に配設される、請求項１０から１２いずれか１項記載の方法。
【請求項１４】
成長基板（３）の除去前に、前記薄膜半導体チップ（１０）における前記成長基板（３）とは反対側に支持体（７）が設けられる、請求項１０から１３いずれか１項記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はビーム放射型薄膜半導体チップ及び該ビーム放射型薄膜半導体チップの製造方法に関している。
【０００２】
なお本願発明はドイツ国特許出願第１０２００８０２１６２０．８号明細書の優先権を主張するものであり、そのため当該優先権主張の基礎出願に開示されている内容も本願では参照される。
【０００３】
国際公開第２００５／０５５３７９号パンフレットには次のような半導体層列を含んだ発光型半導体素子が開示されている。すなわちｐ型ドープされた領域とｎ型ドープされた領域を備え、これらの領域の間に第１のｐｎ接合部が形成されている半導体層列である。前記ｐｎ接合部は、絶縁区分から横方向において光放射区分と保護ダイオード区分に分けられている。保護ダイオード区分の領域では、ｐ型ドープ領域にｎ型ドープ層が被着されており、それによってこのｎ型ドープ層はｐ型ドープ領域と共に保護ダイオードとして機能する第２のｐｎ接合部を形成している。つまりこのような半導体素子の場合においては、保護ダイオード区分において２つのｐｎ接合部が必要となる。その他にも保護ダイオード区分における第１のｐｎ接合部は、光放射区分における第１のｐｎ接合部よりも面積が大きくなる。
【０００４】
本願発明の課題は、構造的にもそれらの形成が容易である、様々な機能性を備えた複数の領域を有する薄膜半導体チップを提供することである。また本発明のもう一つの課題は、このような様々な機能性を備えた複数の領域を有するビーム放射型薄膜半導体チップを容易に製造することのできる方法を提供することである。
【０００５】
これらの課題は請求項１の特徴部分に記載されている薄膜半導体チップによって解決され、また請求項１０の特徴部分に記載されている、薄膜半導体チップを製造するための方法によって解決される。
【０００６】
このような薄膜半導体チップの別の有利な構成例並びにその改善例、またはこのような薄膜半導体チップを製造するための方法の別の有利な実施例並びにその改善例も、前述の独立請求項に記載されている本発明の対象である。
【０００７】
本発明の有利な実施形態によれば、ビーム放射型薄膜半導体チップは、第１の活性ゾーンを備えた第１の領域と、介在空間によって前記第１の領域から横方向に分離されている、第２の活性ゾーンを備えた第２の領域とを含んでおり、前記第２の活性ゾーンは、異なる平面において前記第１の活性ゾーンに平行に延在しており、さらに補償層が含まれており、該補償層は、前記第２の領域において第１の活性ゾーンのレベルまで存在しており、この場合当該補償層は半導体材料を何も含んでいない。
【０００８】
ここでの「横方向」とは、活性ゾーンが延在している平面に対して平行に延在する方向と理解されたい。
【０００９】
補償層を用いることによって、第１の領域の上側と第２の領域の上側の間の高低差が適切に設定できるようになる。
【００１０】
つまり本発明によればそのような高低差が補償できるようになる。それに対して手間のかかる成長層は本願の半導体層には必要ない。それどころかこの補償層は半導体材料とは異なる材料を使用することによって例えば蒸着処理またはスパッタリング処理されるだけでよい。有利にはこの補償層と第２の活性ゾーンは相互に直接接していてもよい。
【００１１】
横方向に分離された２つの領域は、有利にはそれらの技術的な機能に関して互いに異なったものであってもよい。それにより有利には当該構成素子において集積密度が高められるようになる（より小さな面積でより多くの機能をもつ）。というのも異なる機能のために複数のチップを備えていた従来の構成素子に比べて、本発明による素子では、複数の機能に対して唯１つのチップを用いるだけでよいからである。
【００１２】
本発明の有利な実施形態によれば、補償層の厚さは、第１の活性ゾーンの厚さに相応している。この補償層によって前記２つの領域は、当該薄膜半導体チップの第１の側において同じレベルに存在するようになる。このことは、これらの２つの領域が簡単な手法で共通の１つの支持体平面に配設できることを意味している。
【００１３】
本発明によるビーム放射型薄膜半導体チップの有利な変化実施例によれば、前記第１の領域は、ビームを発生する領域であり、この場合前記第１の活性ゾーンは、第１の波長のビームを生成するのに設けられている。この第１の波長は有利には可視スペクトル領域の波長に相応する。
【００１４】
前記活性ゾーンはｐｎ接合部を有しており、該ｐｎ接合部は最も簡単なケースではｐ導電型の半導体層とｎ導電型の半導体層から形成され、相互に直接接している。有利にはｐ導電型半導体層とｎ導電型半導体層の間で本来のビームを生成する層が、ドープされた量子井戸層か若しくはドープされない量子井戸層の形態で形成される。この量子井戸層は単一量子井戸構造（ＳＱＷ；Single Quantum Well）若しくは多重量子井戸構造（ＭＱＷ；Multiple Quantum Well）か又は量子細線構造若しくは量子ポイント構造として形成されていてもよい。
【００１５】
さらにまた前記第２の領域もビームを生成する領域であってもよい。この場合前記第２の活性ゾーンは、第２の波長のビームを生成するために設けられ得る。有利にはこの第２の波長は可視スペクトル領域の波長であるとよい。
【００１６】
異なった色のビームを生成する２つの領域を備えた薄膜半導体チップによれば、当該の２つの領域を同時に作動させることにより、１つの面で、相応に異なるカラーの照明が可能になるという利点が得られる。この場合に発生するカラーコントラストは、例えばシンボル表示に用いることが可能である。
【００１７】
代替的に前記２つの領域を相前後して作動させ、それによって第１の領域の作動時には第１の照明色のビームが放射され、第２の領域の作動時には第２の照明色のビームが放射される。この種の半導体チップは例えば車両の室内におけるウインカー表示に用いることが可能である。それによりウインカー操作のときには第１の照明色のビームが放射され、ハザード操作のときには第２の照明色のビームが放射される。
【００１８】
さらに別の実施形態によれば、前記第２の領域は、第１の領域を過電圧又は許容できない電圧から保護するための保護領域である。特に第２の活性ゾーンはｐｎ接合部を有している。ここでは、ｐ導電型の半導体層とｎ導電型の半導体層の順序が第１の活性ゾーンにおける順序とは異なって入れ替わる。
【００１９】
別の変化実施例によれば、前記第２の領域は、ビームを検出するためのビーム受信領域である。それにより、第１の領域のビーム出力を監視し、場合によっては相応に調整することが可能となる。
【００２０】
第１の活性ゾーンの高さまで配設された補償層は、有利には導電性材料を含み、それによって第２の活性ゾーンはこの補償層を用いて電気的にコンタクト形成可能となる。
【００２１】
特に有利にはね前記補償層は、金属かまたはＴＣＯ（transparent conductive oxide）を含んでいる。この"ＴＣＯ"とは、透明導電酸化物であり、例えば酸化亜鉛、酸化スズ、酸化カドミウム、酸化チタン、酸化インジウム、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）などの金属酸化物である。これについては二元系酸化金属化合物、例えばＺｎＯ、ＳｎＯ2、Ｉｎ2Ｏ3、の他に、三元系酸化金属化合物、例えばＺｎ2ＳｎＯ4、ＣｄＳｎＯ3、ＺｎＳｎＯ3、ＭｇＩｎ2Ｏ4、ＧａＩｎＯ3、Ｚｎ2Ｉｎ2Ｏ5、Ｉｎ4Ｓｎ3Ｏ12、またはＴＣＯグループに対する異なる透明導電酸化物の混合物が挙げられる。
【００２２】
さらにこのＴＣＯグループは必ずしも化学量論比である必要はなく、ｐ型ドープ若しくはｎ型ドープされていてもよい。
【００２３】
第１の活性ゾーンの高さまで配設された補償層によって、コンタクト層と第１の活性ゾーンの接続が可能となる。それにより２つの領域が共に薄膜半導体チップの一方の側において電気的にコンタクト可能になる。
【００２４】
第２の領域は、第２の活性ゾーンの補償層に向いた側にエッチング停止層を有している。このエッチング停止層は第２の活性ゾーンの構造化の際に第１の活性ゾーンの侵食を阻止している。有利にはエッチング停止層は導電的に構成されており、それによって構造化の後で除去する必要はなく、完成された半導体チップ内に残すことが可能である。
【００２５】
２つの領域の間の介在空間は誘電材料を備え得る。それにより第１の活性ゾーンは第２の活性ゾーンから電気的に絶縁される。これにより２つの活性ゾーンの間の通流エラーが回避される。この場合に適した誘電材料は、例えば窒化珪素、シリコン窒化酸化膜、シリコン酸化膜などである。
【００２６】
本発明によるビーム放射型薄膜半導体チップの製造方法の有利な実施例によれば、まず成長基板の上に第２の活性ゾーンが成長される。その後で第２の活性ゾーン上に第１の活性ゾーンが成長される。それに続いて第２の領域において前記第１の活性ゾーンの除去と成長基板が除去が行われる。最後に第１の領域内の第２の活性ゾーンが除去され、これによって前記２つの領域が介在空間によって横方向で相互に分離される。
【００２７】
２つの活性ゾーンの製造に対しては、別個に導かれる成長プロセスは必要とされない。２つの活性ゾーンは１つの共通の成長プロセスにおいて上下で成長され、引き続きそれぞれ１つの活性ゾーン有する２つの別個に機能する領域が現れるように構造化される。
【００２８】
有利には、第１の領域における第２の活性ゾーンは、エッチングによって選択的に除去される。相応に第２の領域内の第１の活性ゾーンはエッチングによって選択的に除去される。この場合さらに有利には、第１の活性ゾーンと第２の活性ゾーンの間にエッチング停止層が設けられ、前記第２の領域内では第１の活性ゾーンが前記エッチング停止層まで除去され、第１の領域内で第２の活性ゾーンが前記エッチング停止層まで除去される。それによりエッチングプロセスが、エッチングされるべきでない層内にまで及ぶようなことが回避され得る。
【００２９】
本発明の有利な実施例によれば、前記第２の領域内で第１の活性ゾーンが除去された後で、補償層が第２の活性ゾーン上に配設される。既に上述してきたように、この補償層を用いることによって第２の領域の上側と第１の領域の上側の間の高低差が適切な方式で設定され得る。特にこの高低差は補償できるようになる。
【００３０】
有利には成長基板の除去前に、前記薄膜半導体チップにおける前記成長基板の向かい側に、支持体が設けられる。それにより第１の領域と第２の領域は成長基板の欠落の際に安定化される。
【００３１】
以下の明細書では、図１から図６に基づいて本発明による薄膜半導体チップの有利な変化例と、薄膜半導体チップの製造のための方法を詳細に説明する。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】Ａ〜Ｆは本発明による薄膜半導体チップ製造方法の第１実施例における様々なステップを概略的に示した図
【図２】Ａ〜Ｉは本発明による薄膜半導体チップ製造方法の第２実施例の様々なステップを概略的に示した図
【図３】本発明による薄膜半導体チップの異なる実施例を概略的に表した図
【図４】本発明による薄膜半導体チップの異なる実施例を概略的に表した図
【図５】本発明による薄膜半導体チップの異なる実施例を概略的に表した図
【図６】本発明による薄膜半導体チップの異なる実施例を概略的に表した図
【実施例】
【００３３】
次に本発明を図面に基づき以下の明細書で説明する。これらの図面中、同じ構成要素若しくはその機能が同じ構成要素には同じ参照符号が付されている。
【００３４】
図１Ａには、本発明によるビーム放射型薄膜半導体チップの製造方法の有利な実施例の第１の方法ステップが示されている。
【００３５】
成長基板３上には第２の活性ゾーン２がエピタキシャル成長される。第２の活性ゾーンはｐｎ接合部を有しており、このｐｎ接合部は最も簡単なケースではｐ導電型半導体層とｎ導電型半導体層によって形成されている。これらの層は互いに接している。第２の活性ゾーン２には第１の活性ゾーン１がエピタキシャル成長され、該第１の活性ゾーン１は第２の活性ゾーン２のようにｐｎ接合部を有している。このｐｎ接合部も最も簡単なケースでは上下に互いに接している、ｐ導電型半導体層とｎ導電型半導体層によって形成されている。
【００３６】
有利には第１の活性ゾーン１と第２の活性ゾーン２は、リン化物半導体をベースにした材料から形成される。このことは当該組成関係において、活性ゾーン１と２が有利にはＡｌnＧａmＩｎ1-n-mＰを含み、この場合０≦ｎ≦１，０≦ｍ≦１、ｎ＋ｍ≦１であることを意味する。但しこの材料は必ずしも数値的にみて厳密に前述の化学式に沿った組成比を有していなければならないというわけではない。それどころか材料の物理的な特性を実質的に変更させない限りは、１つ若しくは複数のドープ材や付加的な成分を有することが可能である。単純化の理由から前述の式には結晶格子の主要な構成要素（Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｐ）しか含んでいないが、これらのうちの一部は少量の別の材料で置換えることも可能である。特に有利には第１の活性ゾーン１と第２の活性ゾーンはＩｎＧａＡｌＰを含む。
【００３７】
前記２つの活性ゾーン１、２に対してリン化物半導体をベースにした材料を利用する場合には、成長基板３に対して有利には、ヒ化物半導体をベースにした材料、例えばＧａＡｓを用いることが可能にある。
【００３８】
後続の方法ステップにおいて第１の活性ゾーン１は構造化される。特に第２の領域ＩＩにおいて第１の活性ゾーン１が除去され、それによって第１の領域Ｉだけが第１の活性ゾーン１を有するようになる（図１Ｂ参照）。例えば第２の領域ＩＩの第１の活性ゾーン１はエッチング処理によって除去され得る。この場合有利には第１の活性ゾーン１と第２の活性ゾーン２の間にエッチング停止層４が設けられ、この停止層が第１の活性ゾーン１のエッチングの際に第２の活性ゾーン２が一緒にエッチングされるのを防いでいる。リン化物半導体をベースにした材料を前記２つの活性ゾーン１及び２に用いるケースでは、このエッチング停止層４には、ヒ化物半導体をベースにした材料、例えばＡｌＧａＡｓが適している。
【００３９】
第２の領域ＩＩにおける第１の活性ゾーン１の除去によって生じた露出面は、補償層５によって覆われる（図１Ｃ参照）。この補償層５は、第２の領域ＩＩにおいて第１の活性ゾーン１の高さに合わせて配置されている。有利には補償層５の厚さは、第１の活性ゾーン１の厚さに相当しており、そのため成長基板３とは反対側の第１の領域Ｉと第２の領域ＩＩは同じレベルで存在している。
【００４０】
有利には補償層５は導電的である。それにより第２の活性ゾーン２は、この補償層５を用いて電気的にコンタクト形成できる。補償層５は例えばＡｕ若しくはＡｌなどの金属かまたはＡｕＺｎ若しくはＡｕＳｎなどの合金を含み得る。前記補償層５は例えば第２の活性ゾーン２の上に蒸着処理若しくはスパッタリング処理によって形成されていてもよい。
【００４１】
それと共に第２の活性ゾーン２も構造化が可能である。例えば成長基板３，第２の活性ゾーン２、構造化された第１の活性ゾーン１及び補償層５からなる結合部を成長基板３とは反対側の支持体７上に配設し、成長基板３を除去することも可能である（図１Ｄ参照）。
【００４２】
なお前記結合部はコンタクト層６を用いて支持体７上にボンディングさせることも可能である。このコンタクト層６は例えばＡｎＺｎなどの合金を含み得る。このような合金はボンディングの目的だけに適しているだけでなく、反射性と導電性に関しても非常に有利な特性を有している。
【００４３】
図１Ｅには次の方法ステップが示されている。このステップでは第２の活性ゾーン２が構造化されている。特にここでは第１の領域Ｉの第２の活性ゾーン２が除去されており、それによって第２の領域ＩＩだけが第２の活性ゾーン２を有するようになる。この第２の活性ゾーン２は、有利には第１の領域においてエッチングにより除去される。この場合エッチング停止層４は第１の活性ゾーン１が一緒にエッチングされることを防いでいる。
【００４４】
前記エッチング停止層４に対しては有利には導電性材料が用いられる。それによりこのエッチング停止層４は完成した薄膜半導体チップ１０内に残すことが可能となる（図１Ｆ参照）。引き続き第１の活性ゾーン１にコンタクト用金属化部９が被着され、第２の活性ゾーン２にはコンタクト用金属化部８が被着される。これによって、第１の領域Ｉと第２の領域ＩＩは、支持体７とは反対の側において互いに離れたまま電気的なコンタクトを形成することが可能になる。
【００４５】
これらの２つの領域ＩとＩＩは、介在空間１１によって横方向で互いに分離されており、それによって当該２つの領域ＩとＩＩの間で誤った通電が回避される。
【００４６】
有利には図１Ａ〜図１Ｆに示されているような方法の場合、薄膜技術の利用によって、つまり成長基板３の剥離と支持体７上への結合部の被着、２つの活性ゾーン１及び２の構造化などによって、最終的にはそれぞれ別々の活性ゾーン１及び２を伴った２つの個別領域Ｉ及びＩＩが形成されるようになる。
【００４７】
図１Ａ〜図１Ｆに描写されている方法によれば、例えば図１Ｆに示されているようなビーム放射型薄膜半導体チップ１０が製造され得る。このビーム放射型薄膜半導体チップ１０は、第１の活性ゾーン１を備えた第１の領域Ｉと、介在空間１１によって第１の領域Ｉから横方向に分離された、第２の活性ゾーン２を備えた第２の領域ＩＩを有しており、前記第２の活性ゾーン２は、異なる平面において前記第１の活性ゾーン１に対して平行に延在しており、さらに補償層５が設けられており、この補償層５は第２の領域ＩＩにおいて第１の活性ゾーン１の高さと同じ位置まで存在しており、この場合当該補償層５は半導体材料を何も含んでいない。
【００４８】
前記２つの領域ＩとＩＩは、特に次のように形成されていてもよい。すなわち活性ゾーン１及び２が可視スペクトル領域内の異なった波長のビームをそれぞれ放射するように形成されていてもよい。それにより当該の薄膜半導体チップ１０は異なった色の光を発光することができるようになる。これにより、１つの平面で異なったカラーの照明ができるようになる（図３〜図５参照）。有利には支持体７とは反対側がビームの出力側となる。
【００４９】
さらに第１の領域Ｉをビーム放射領域として形成し、第２の領域ＩＩは、当該第１の領域を過電圧若しくは許容不能な電圧から保護するための保護領域として形成することも可能である（図６参照）。
【００５０】
さらに別の変化実施例によれば、第１の領域Ｉがビーム放射領域であり、第２の領域ＩＩはビームを検出するためのビーム受信領域である。
【００５１】
図２Ａ〜図２Ｉには本発明による方法のさらに別の変化実施例が示されている。
【００５２】
まず最初に成長基板３上に第２の活性ゾーン２が成長され、この第２の活性ゾーン２上に第１の活性ゾーン１が成長される（図２Ａ参照）。
【００５３】
続いて第１の活性ゾーン１の成長基板３とは反対側が構造化される。この構造化は図１Ｂとの関連において既に説明したように行われ得る。
【００５４】
第２の領域ＩＩにおいて第１の活性ゾーン１を除去した後では（図２Ｂ参照）、成長基板３とは反対側の全面に亘って補償層５が被着される。それにより当該の成長基板３とは反対側では、第１の活性ゾーン１も第２の活性ゾーン２も補償層５で覆われるようになる（図２Ｃ参照）。有利にはこの補償層５はＴＣＯを含んでいるかＴＣＯからなっている。例えばこの補償層５はスパッタリングされてもよい。
【００５５】
前記補償層５は次のステップにおいて構造化され得る（図２Ｄ参照）。それにより、ＴＣＯを使用した場合には、第１の活性ゾーン１と第２の活性ゾーン２の間で電気的な接続は生じない。この補償層５は、第１の領域Ｉにおいて有利には電流拡張層として利用されてもよい。また、第２の領域ＩＩにおいて第１の活性ゾーン１の高さまで存在する補償層５の場合も同じ様に電流拡張層として利用することが可能である。
【００５６】
さらに第１の領域Ｉと第２の領域ＩＩの間の絶縁性のためのさらなる手段として、当該第１の領域Ｉと第２の領域ＩＩの間の介在空間１１に誘電材料１２、例えば窒化ケイ素、酸化ケイ素、酸窒化ケイ素などが設けられてもよい。さらに誘電材料１２は、次のように被着されてもよい。すなわち、第１の領域Ｉと第２の領域ＩＩにおいて補償層５の側縁が誘電材料１２によって覆われるように被着されてもよい（図２Ｅ）。
【００５７】
図２Ｅに示されている結合部の支持体７上への移し替えを容易にするために、成長基板とは反対側にフラットなコンタクト層６が被着される。このコンタクト層は同時に支持体７へ結合部を固定するための蝋付け層としても用いられる。結合部が支持体７に固定されると同時に成長基板３は剥離される（図２Ｆ参照）。
【００５８】
成長基板３の剥離された側では第２の活性ゾーン２が露出されるので、元々の成長基板の側からは何の問題もなく構造化が可能になる（図２Ｇ参照）。第２の活性ゾーン２と第１の活性ゾーン１は、互いに対向する側において構造化がなされる。
【００５９】
図２Ｈに示されているように、２つの活性ゾーン１と２は、支持体７とは反対側においてそれらの側縁が誘電材料１２に埋込まれるようにしてもよい。それによりこれらの２つの活性ゾーン１，２の側縁と支持体７とは反対側の主要面１３の一部が当該の誘電材料１２によって覆われるようになる。
【００６０】
続いて前記２つの活性ゾーン１及び２の誘電材料によって覆われていない主要面１３には電流拡張層１４が被着される。この電流拡張層は２つの活性ゾーン１及び２に亘って均質な電流分布がなされるようにしている。有利には２つの電流拡張層１４はＴＣＯを含んでいるかＴＣＯからなっている。コンタクト用金属化部８及び９を用いることによって２つの電流拡張層１４と２つの活性ゾーン１及び２は支持体とは反対側においてそれぞれ電気的にコンタクト形成可能になる（図２Ｉ参照）。共通の電気的なコンタクトは支持体側においてコンタクト層６によって形成されている。
【００６１】
図２Ａ〜図２Ｉによる方法によって製造されるビーム放射型薄膜半導体チップ１０は、それにより第１の活性ゾーン１を備えた第１の領域Ｉと、前記第１の領域Ｉから介在空間１１によって横方向に分離され第２の活性ゾーン２を備えた第２の領域ＩＩとを有し、前記第２の活性ゾーン２は、異なる平面において前記第１の活性ゾーン１に対して平行に延在し、さらに補償層５を有し、前記補償層５は、前記第２の領域ＩＩにおいて前記第１の活性ゾーン１の高さまで存在しており、この場合前記補償層５は半導体材料を含んでいない。
【００６２】
前記領域ＩとＩＩは異なる機能を備えた領域であり、それらは図１Ｆに関連して説明したような特性を有し得る。さらに図１Ａ〜図１Ｆに関連して説明した材料も図２Ａ〜図１Ｆによる方法において使用することが可能である。
【００６３】
さらに本発明によるビーム放射型薄膜半導体チップ１０は、３つ以上の領域ないしは３つ以上の活性ゾーンを有するものであってもよいことを述べておく。それに応じて複数の活性ゾーンが上下に成長され、それぞれ１つの領域が他の活性ゾーンと分離された１つの活性ゾーンを有するように構造化され得る。この場合有利には、それぞれ２つの上下に続く活性ゾーンが２つの異なる側から出発して構造化されてもよい。
【００６４】
図３には、前述してきた方法の１つに従って製造された薄膜半導体チップ１０の有利な実施形態の平面図である。この薄膜半導体チップ１０は第１の領域Ｉと第２の領域ＩＩを有し、それらの領域Ｉ及びＩＩは、介在空間１１によって横方向で互いに分離されている。第１の領域Ｉは特に次のように設けられている。すなわち可視スペクトル領域内の第１の波長のビームが放射されるように設けられている。それに対して第２の領域ＩＩは次のように設けられている。すなわち、可視スペクトル領域内の第２の波長のビームが放射されるように設けられている。そのため、当該の薄膜半導体チップ１０の作動中は、前記２つの領域Ｉ及びＩＩによって、２つの異なる発光面が形成されるようになる。これらの発光面は当該半導体チップ１０に後置接続される光学系によって適切な方式で結像される。この種の薄膜半導体チップ１０は例えば車両室内のウインカー表示部に用いることが可能である。
【００６５】
図４及び図５には、前述してきた方法の１つに従って製造された薄膜半導体チップ１０のさらに別の有利な実施形態が示されている。これらの実施形態においては第１の領域Ｉがシンボルとして円形の平面形態（図４）か若しくは矢印の形態に（図５）構成されている。第１の領域Ｉと第２の領域ＩＩの間のカラーコントラストによって当該のシンボルが観察者に対する相応の結像処理のもとで可視となり、例えばナビゲーションシステムの支援手段の１つとして例えば建物表示に利用することが可能となる。
【００６６】
図６に示されているビーム放射型薄膜半導体チップ１０の場合には、第１の領域Ｉがビームを生成している領域であり、第２の領域ＩＩはその保護領域である。これらの２つの領域Ｉ及びＩＩは、個別のコンタクト用金属化部は有しておらず、当該２つの領域Ｉ及びＩＩを電気的に接続するコンタクト構造部１５を用いることで、支持体とは反対側において共に電気的にコンタクト可能となっている。有利には図示されていないコンタクト層によって前記２つの領域Ｉ及びＩＩを支持体上で電気的に接続するために、当該２つの領域Ｉ及びＩＩは並列に接続されている。
【００６７】
有利には前記第１の領域Ｉは、ビームを生成する領域であり、前記第１の活性ゾーン１は、第１の波長のビームを生成するために設けられている。
【００６８】
有利には前記第２の領域ＩＩは、ビームを生成する領域であり、前記第２の活性ゾーン２は、第２の波長のビームを生成するために設けられている。
【００６９】
また有利には前記第２の領域ＩＩは、第１の領域Ｉを過電圧又は許容できない電圧から保護するための保護領域である。
【００７０】
さらに有利には前記第２の領域ＩＩは、ビームを検出するためのビーム受信領域である。
【００７１】
有利には前記補償層５は、金属またはＴＣＯ（透明導電酸化物）を含み得る。
【００７２】
前記補償層５の厚さは、第１の活性ゾーン１の厚さに相応している。
【００７３】
有利には前記第２の領域ＩＩは、第２の活性ゾーン２の補償層５に向いた側にエッチング停止層４を有していてもよい。
【００７４】
有利には前記介在空間１１は誘電材料１２を備えており、それにより前記第１の活性ゾーン１は第２の活性ゾーン２から電気的に絶縁され得る。
【００７５】
有利には本発明による方法は、成長基板３上に第２の活性ゾーン２を成長させるステップと、第２の活性ゾーン２上に第１の活性ゾーン１を成長させるステップと、第２の領域ＩＩにおいて前記第１の活性ゾーン１を除去するステップと、第１の領域Ｉ内の第２の活性ゾーン２を除去するステップとを有し、これによって前記２つの領域Ｉ，ＩＩが介在空間１１によって横方向で相互に分離される。
【００７６】
有利には前記第１の活性ゾーン１と第２の活性ゾーン２は、エッチングによって除去可能である。
【００７７】
有利には前記第１の活性ゾーン１と第２の活性ゾーン２の間にエッチング停止層４が設けられ、前記第２の領域ＩＩ内で第１の活性ゾーン１が前記エッチング停止層４まで除去され、第１の領域Ｉ内で第２の活性ゾーン２が前記エッチング停止層４まで除去される。
【００７８】
有利には前記第２の領域ＩＩ内で第１の活性ゾーン１が除去された後で、補償層５が第２の活性ゾーン２に設けられていてもよい。
【００７９】
有利には前記成長基板３の除去前に、薄膜半導体チップ１０における前記成長基板３の反対側に支持体７が設けられる。
【００８０】
基本的にこれまで説明してきた本発明は、前述の実施形態に限定されるものではない。それどころか本発明はあらゆる新たな特徴のみならず、これらの特徴のあらゆる組合わせも含んでいる。このことは特に請求の範囲に記載されている特徴部分のあらゆる組合わせも含むことを意味する。これは、たとえそれらの特徴部分若しくはその組合わせ自体が特許請求の範囲若しくは実施例の説明に明示的に記載されていないものであったとしてもその有効性にかわりはないことを述べておく。
【図１Ａ】
2011519171.tif 000003
【図１Ｂ】
2011519171.tif 000004
【図１Ｃ】
2011519171.tif 000005
【図１Ｄ】
2011519171.tif 000006
【図１Ｅ】
2011519171.tif 000007
【図１Ｆ】
2011519171.tif 000008
【図２Ａ】
2011519171.tif 000009
【図２Ｂ】
2011519171.tif 000010
【図２Ｃ】
2011519171.tif 000011
【図２Ｄ】
2011519171.tif 000012
【図２Ｅ】
2011519171.tif 000013
【図２Ｆ】
2011519171.tif 000014
【図２Ｇ】
2011519171.tif 000015
【図２Ｈ】
2011519171.tif 000016
【図２Ｉ】
2011519171.tif 000017
【図３】
2011519171.tif 000018
【図４】
2011519171.tif 000019
【図５】
2011519171.tif 000020
【図６】
2011519171.tif 000021
【国際調査報告】
2011519171.tif 000022
2011519171.tif 000023
2011519171.tif 000024
2011519171.tif 000025
2011519171.tif 000026
2011519171.tif 000027