(57)【要約】  多数の導電性フィラメントと、多数の略透明なフィラメントとを有し、導電性および透明フィラメントが結合されてフレキシブルな網状構造が形成される、光電デバイスの製造に使用される導体アセンブリが開示される。この導体アセンブリを備えて製造される光電デバイスまたはサブアセンブリもまた開示される。【選択図】  図４
2011530815.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光電デバイスの製造に使用される導体アセンブリであって、
多数の導電性フィラメントと、
多数の略透明なフィラメントと、
を含み、
前記導電性および透明フィラメントは結合されてフレキシブルな網状構造が形成される導体アセンブリ。
【請求項２】
前記網状構造はメッシュの形状である、請求項１に記載の導体アセンブリ。
【請求項３】
前記導電性フィラメントは主として第一の方向に整列され、前記透明フィラメントは主として第二の方向に整列される、請求項１または２に記載の導体アセンブリ。
【請求項４】
前記第一の方向と前記第二の方向は相互に略直交する、請求項３に記載の導体アセンブリ。
【請求項５】
前記導体は、銅、Ｔｉ、鋼鉄、ステンレススチール、Ｓｎ、Ｐｔ、Ｐｂ、Ｆｅ、マンガニン、コンスタンタン、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ、Ｗ、Ｎｉ、Ｍｏおよび、真鍮を含むこれらの合金のいずれかを含む材料から形成される、請求項１〜４のいずれか一項に記載の導体アセンブリ。
【請求項６】
前記略透明なフィラメントは、ポリエチレンテレフタレートまたはポリエチレンナフタレートを含むポリエステル、ポリアミド、ポリプロピレン等のポリオレフィン、ポリエーテルケトン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリアリールスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリフェニレンスルホン、ポリ塩化ビニルまたはフッ素化重合体等の重合体で形成される、請求項１〜５のいずれか一項に記載の導体アセンブリ。
【請求項７】
光電デバイスの製造に使用されるサブアセンブリであって、
フレキシブルで略透明な基板と、
請求項１〜６のいずれか一項に記載の導体アセンブリと、
前記基板と前記導体アセンブリに関連付けられる、透明な導電性材料の層と、
を含むサブアセンブリ。
【請求項８】
前記導体は少なくとも部分的に前記基板内に埋め込まれている、請求項７に記載のサブアセンブリ。
【請求項９】
前記導体は接着剤によって前記基板に固定されている、請求項７に記載のサブアセンブリ。
【請求項１０】
前記導体は異方性メッシュの一部である、請求項７〜９のいずれか一項に記載のサブアセンブリ。
【請求項１１】
前記導体アセンブリの前記導体は、前記透明な導電性材料と前記基板の間に配置される、請求項７〜１０のいずれか一項に記載のサブアセンブリ。
【請求項１２】
前記透明な導電性材料は、カーボンナノチューブ、ＩＴＯ、ＦＴＯ、ドープまたは改質された酸化錫または酸化亜鉛、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）（ＰＥＤＯＴ）、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）ポリ（スチレンスルホネート）（ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ）、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）−テトラメタクリレート（ＰＥＤＯＴ：ＴＭＡ）、ポリアニリンまたはポリピロールのいずれかを含む、請求項７〜１１のいずれか一項に記載のサブアセンブリ。
【請求項１３】
光電デバイスの製造に使用されるサブアセンブリの製造方法であって、
請求項１〜６のいずれか一項に記載の導体アセンブリを提供するステップと、
フレキシブルで、略透明な基板を提供するステップと、
前記導体アセンブリを前記基板に関連付けるステップと、
を含む方法。
【請求項１４】
前記導体アセンブリを前記基板に関連付ける前記ステップは、前記導体アセンブリを少なくとも部分的に前記フレキシブル基板に埋め込むステップを含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記導体アセンブリを埋め込む前記ステップは熱処理を含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記導体アセンブリを前記基板に関連付ける前記ステップには接着剤の使用を伴う、請求項１３に記載の方法。
【請求項１７】
前記導体アセンブリはロールから巻き出され、前記サブアセンブリは連続的なロールプロセスで形成される、請求項１３〜１６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１８】
透明な導電性材料の層を前記基板に関連付けるステップをさらに含む、請求項１３〜１７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１９】
前記透明な導電性材料は印刷または溶射工程で付着される、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
請求項１３〜１９のいずれか一項に従って、サブアセンブリを使用して製造されたフレキシブルな光電デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示デバイスを含む光電デバイスに使用するための略透明な集電システムに関する。このような装置としては、たとえば、限定されないが、太陽電池等の光電デバイス、水を水素と酸素に分離するために使用されるもの等の光触媒デバイス、エレクトロクロミック調光ガラス（electrochromic window）またはディスプレイ、あるいはＬＣＤまたはＯＬＥＤ（有機発光ダイオード）ディスプレイ等がある。
【背景技術】
【０００２】
太陽電池、より詳しくは色素増感太陽電池等のいずれの光電デバイスの少なくとも１つの電極には、導電率とＵＶ−ＶＩＳ−ＩＲの波長範囲の光透過率という２つの特性の両方が要求される。理想的には、高い導電率（たとえば、銀）を高い透過率（たとえば、＞９５％）と組み合わせるべきである。しかしながら、ほとんどすべての現実的な透明導電性材料は、これら２つの重要なパラメータの間に反比例の関係を示し、いずれの用途に関しても、２つの基準の間で妥協点を見つけなければならない。このような光電デバイスの設計では一般に、高い光透過率を得るために導電率を低くすることが有利であり、適切な高導電率の集電経路（「フィンガ」という）の間隔を十分に狭くすることによって、より低い導電率の透明導体からの電圧損失をできるだけ小さくしている。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
光電デバイスのための、別の、または改良された導体の配置と製造方法が引き続き必要とされている。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
第一の態様において、本発明は、光電デバイスの製造に使用される導体アセンブリであって、多数の導電性フィラメントと、多数の略透明なフィラメントとを備え、導電性および透明フィラメントが結合されてフレキシブルな網状構造を形成する導体アセンブリを提供する。
【０００５】
光電デバイスの大量生産においては、このような導体アセンブリは専用の生産ラインで製造され、たとえばロール状で次の製造段階に送られ、ロールツーロール(Roll-to-Roll)プロセスが促進される。透明フィラメントは、その後のプロセス中に導体アセンブリの構造を保持する役割を果たす。光電化学デバイスに組み込まれた場合、透明フィラメントは電池への光の入射を遮断しないため、捕捉された光が最大限に利用され、電池性能が最大限に高まる。
【０００６】
網状構造は、メッシュ状であってもよい。
【０００７】
導電性フィラメントは主として第一の方向に整列されていてもよく、透明フィラメントは主として第二の方向に整列されていてもよい。
【０００８】
第一の方向と第二の方向は、相互に略直交していてもよい。
【０００９】
導体は、銅、Ｔｉ、鋼鉄、ステンレススチール、Ｓｎ、Ｐｔ、Ｐｂ、Ｆｅ、マンガニン、コンスタンタン、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ、Ｗ、Ｎｉ、Ｍｏおよび真鍮を含むこれらの合金のいずれかを含む材料から形成されてもよい。
【００１０】
略透明なフィラメントは、ポリエチレンテレフタレートまたはポリエチレンナフタレートを含むポリエステル、ポリアミド、ポリプロピレン等のポリオレフィン、ポリエーテルケトン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリアリールスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリフェニレンスルホン、ポリ塩化ビニルまたはフッ素化重合体等の重合体で形成されてもよい。
【００１１】
第二の態様において、本発明は、光電デバイスの製造に使用されるサブアセンブリであって、フレキシブルな、略透明な基板と、本発明の第一の態様による導体アセンブリと、基板と導体アセンブリに関連付けられる透明な導電性材料の層とを備えるサブアセンブリを提供する。
【００１２】
導体は、少なくとも部分的に基板中に埋め込まれてもよい。
【００１３】
導体は接着剤で基板に固定されてもよい。
【００１４】
導体は異方性メッシュの一部であってもよい。
【００１５】
導体アセンブリの導体は、透明な導電性材料と基板の間に配置されてもよい。
【００１６】
透明な導電性材料は、カーボンナノチューブ、ＩＴＯ、ＦＴＯ、ドープまたは改質された酸化錫または酸化亜鉛、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）（ＰＥＤＯＴ）、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）ポリ（スチレンスルホネート）（ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ）、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）−テトラメタクリレート（ＰＥＤＯＴ：ＴＭＡ）、ポリアニリンまたはポリピロールのいずれかであってもよい。
【００１７】
第三の態様において、本発明は、光電デバイスの製造に使用されるサブアセンブリの製造方法であって、本発明の第一の態様による導体アセンブリを提供するステップと、フレキシブルで略透明な基板を提供するステップと、導体アセンブリを基板に関連付けるステップと、を含む方法を提供する。
【００１８】
導体アセンブリを基板に関連付けるステップは、導体アセンブリを少なくとも部分的にフレキシブル基板中に埋め込むステップを含んでいてもよい。
【００１９】
導体アセンブリを埋め込むステップは熱処理を含んでいてもよい。
【００２０】
導体アセンブリを基板に関連付けるステップは、接着剤の使用を含んでいてもよい。
【００２１】
導体アセンブリは、連続的なロールプロセスで形成されたロールとサブアセンブリから巻き出してもよい。
【００２２】
方法はさらに、透明な導電性材料の層を基板に関連付けるステップを含んでいてもよい。
【００２３】
透明な導電性材料は、印刷または溶射プロセスで付着させてもよい。
【００２４】
第四の態様において、本発明は、本発明の第三の態様にしたがって、サブアセンブリを使用して製造されるフレキシブルな光電デバイスを提供する。
【００２５】
ここで、本発明の単なる例としての実施形態を、図面を参照しながら説明する。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】光電デバイスの製造に使用するための、本発明のある実施形態によるサブアセンブリの断面図である。
【図２】図１のサブアセンブリの上面図である。
【図３Ａ】本発明の別の実施形態によるサブアセンブリの断面図である。
【図３Ｂ】本発明の別の実施形態によるサブアセンブリの断面図である。
【図３Ｃ】本発明の別の実施形態によるサブアセンブリの断面図である。
【図３Ｄ】本発明の別の実施形態によるサブアセンブリの断面図である。
【図３Ｅ】本発明の別の実施形態によるサブアセンブリの断面図である。
【図３Ｆ】本発明の別の実施形態によるサブアセンブリの断面図である。
【図３Ｇ】本発明の別の実施形態によるサブアセンブリの断面図である。
【図３Ｈ】本発明の別の実施形態によるサブアセンブリの断面図である。
【図４】本発明のある実施形態による導体アセンブリの略図である。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
図１を参照すると、光電デバイスの製造に使用されるサブアセンブリ１０が示されており、これはポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）等の重合体薄膜から形成されたフレキシブルな透明基板１０１と、チタンフィラメントの形態の多数のフレキシブルな導体１００と、カーボンナノチューブの非常に薄い薄膜等の透明な導電性材料の層１０２を含む。
【００２８】
図２は、図１のサブアセンブリの平面図であり、ある重要な範囲を特に示している。導体１００（ここでは「フィンガ」と呼ぶ）は「フィンガ」幅Ｗ（２０１）と「フィンガ」間隔Ｓ（２０２）を有する。高透過率導電層１０２は、「フィンガ」（１００）間に配置される。透明な集電装置をさらに特徴づけるのは、「フィンガ」間に配置された高透過率導体の２つのパラメータ、すなわち、高透過率導体の透過率（Ｔ）と高透過率導体のシート抵抗（γ）である。透明な集電装置をさらまた特徴づけるのは、「フィンガ」そのものの２つのパラメータ、すなわち、各「フィンガ」の断面積（Ａ）と「フィンガ」の材料の抵抗（ρ）である。
【００２９】
サブアセンブリ１０は、連続的なロールツーロールプロセスで製造される。基板１０１のシート材料は、ロールから巻き出される。この時、多数の銅フィラメントがリールから巻き出されて、基板に、所定の間隔で相互に平行に付着される。銅フィラメントに熱と圧力が加えられ、それによって基板材料が局所的に一部溶融する。導体は部分的に基板内に埋め込まれ、これによってある程度の機械的な強度が得られる。その後、透明材料の層が印刷プロセスによって付着される。
【００３０】
この実施形態では、導体が銅で形成される。別の実施形態では、他の材料を使用してもよい。「フィンガ」の材料は、抵抗ρが、好ましくは＜５００ｎΩｍ（たとえば、Ｔｉおよび、ステンレススチール等の各種合金）、より好ましくは＜２００ｎΩｍ（たとえば、Ｓｎ、Ｐｔ、Ｐｂ、Ｆｅおよび、マンガニンやコンスタンタン等の各種合金）、最も好ましくは＜１００ｎΩｍ（たとえば、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｌ、Ｗ、Ｎｉ、Ｍｏおよび、真鍮等の各種合金）の材料から選択するべきである。材料の抵抗がより低いと、「フィンガ」を通じた電子伝達の間の損失が低減するために、より効率の高いデバイスが得られる。システムの他の構成要素との適当な化学的適合性を有する材料を選択するように注意が必要である。
【００３１】
「フィンガ」の材料の寸法は、その断面積Ａが、好ましくは２５μｍ２＜Ａ＜２５，０００μｍ２、より好ましくは５００μｍ２＜Ａ＜１０，０００μｍ２、最も好ましくは１，０００μｍ２＜Ａ＜５，０００μｍ２となるようにするべきである。断面積が小さすぎる「フィンガ」は非常に微細であり、製造中の利用が困難であり、生産コストが高くなる。「フィンガ」の断面積が大きすぎると、デバイス全体が厚くなりすぎるため、デバイスの効率が低下する。高導電率の要素（図１の１００）は円形の断面を有するものとして示されているが、これらの要素の形状は円筒形に限定される必要はなく、たとえば楕円形、正方形、長方形またはその他の断面形状であってもよい。
【００３２】
高透過率の導体シート１０２の抵抗γは、好ましくは５オーム／□＜γ＜１０，０００オーム／□、より好ましくは１００オーム／□＜γ＜５，０００オーム／□、最も好ましくは２５０オーム／□＜γ＜１，０００オーム／□となるように選択するべきである。シート抵抗の低い透明導体は、材料または製造コストが高いか、透過率が低いかのいずれかである。しかしながら、透明導体のシート抵抗値が高すぎると、抵抗により「フィンガ」への、または「フィンガ」からの電子の伝達損失が生じるため、デバイスの性能が下がる。
【００３３】
高透過率導体の透過率Ｔは、好ましくはＴ＞８０％、より好ましくはＴ＞８５％、最も好ましくはＴ＞９０％となるように選択するべきである。透明導体の透過率がより高いと、通過する光の量が多いため、デバイスの効率が改善される。透明導体とデバイスのその他の構成要素との化学的適合性が確保されるように注意が必要である。
【００３４】
この実施形態において、高透過率の導体の材料は、カーボンナノチューブの薄膜をもとにしている。他の実施形態の高透過率導体の適当な材料としては、たとえばＩＴＯ、ＦＴＯ、その他のドープまたは改質された酸化錫または酸化亜鉛、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）（ＰＥＤＯＴ）、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）ポリ（スチレンスルホネート）（ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ）、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）−テトラメタクリレート（ＰＥＤＯＴ：ＴＭＡ）、ポリアニリンまたはポリピロール等の適当な寸法の顆粒層がある。好適な材料の密度の低いナノワイヤ、ナノファイバまたはナノチューブアレイでも、たとえばＰＥＤＯＴ、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ、ＰＥＤＯＴ：ＴＭＡまたはカーボンを用いた高透過率導体の役割を果たすことができる。
【００３５】
「フィンガ」の間隔Ｓは、好ましくは０．０５ｍｍ＜Ｓ＜１０ｍｍ、より好ましくは０．２５ｍｍ＜Ｓ＜５ｍｍ、最も好ましくは０．５ｍｍ＜Ｓ＜２ｍｍとするべきである。「フィンガ」の間隔が狭すぎると、遮蔽される入射光の量が多すぎるためにデバイスの性能が下がるだけでなく、コストおよび製造上の問題も発生する。「フィンガ」の間隔が広すぎると、「フィンガ」への、または「フィンガ」からの電子の伝達中の損失が抵抗により増大するため、デバイスの性能が低下する。
【００３６】
「フィンガ」は、各種の方法でデバイスの中に組み込んでよい。たとえば、「フィンガ」は、これらに限定されないが、ロータリスクリーン印刷、グラビア印刷またはフレキソグラフ印刷等、任意の一般的に利用されるロールツーロール方式または網状構造に適応可能な印刷技術と適当に調製された導電性インクとを組み合わせて利用することにより、好適な基板にパターニングされてもよい。
【００３７】
図４を参照すると、導電性「フィンガ」は、異方性の編成メッシュ３００のような網状構造の形態の導体アセンブリで提供されてもよく、この中では導電性フィラメント３０１が所望の導電方向に整列される。透明フィラメント３０２は導電性フィラメント３０１に直交するように整列され、透明度は高いが非導電性の材料から形成される。好適な材料としては、ポリエチレンテレフタレートまたはポリエチレンナフタレートを含むポリエステル、ポリアミド、ポリプロピレン等のポリオレフィン、ポリエーテルケトン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリアリールスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリフェニレンスルホン、ポリ塩化ビニル、フッ素化重合体、または所望の機械的および光学特性ならびに、デバイスが接触するいずれの溶液とも十分な耐薬品性を有する任意の重合体または共重合体等がある。
【００３８】
図４のメッシュ３００は、電流を導電性フィラメント３０１の方向の一方向に伝導する。しかしながら、このような異方性メッシュは、同じ間隔または断面の導電性／不透明フィラメントと非導電性／透明フィラメントを有していなくてもよく、また１：１のメッシュ編成でなくてもよく、あるいは所望の導電方向の各フィラメントを導電性／不透明材料で形成しなくてもよい。このような異方性メッシュのロールは、巻き出して、必要に応じて温度を上昇させたうえで、ローラによって基板上の巻き戻しロールに接合させることにより、必要な程度に埋め込み、異方性メッシュを基板に接合させてもよい。
【００３９】
メッシュは編成されても積層されてもよく、ノードにおいて熱加工および／または接着剤で結合されてもよい。メッシュは、編成後、メッシュを任意で加熱された１対のカレンダローラの間に通すこと等によって平坦にし、金属ワイヤが糸状の重合体に金属と重合体とが交差するノードにおいて部分的に埋め込まれるようにしてもよい。
【００４０】
メッシュは、基板に部分的に埋め込まれてもよい。重合体ファイバと基板（基板が積層体である場合は、最上層）の相対的融点に応じて、状況が変わってくる。重合体ファイバの融点または軟化点が基板（または基板が積層体の場合は最上層）の融点または軟化点より実質的に高い場合、重合体ファイバは金属ファイバとともに部分的に基板中（または基板が積層体の場合は最上層の中）に埋め込まれ、実質的に変形しない。これに対して、重合体ファイバの融点または軟化点が基板（または基板が積層体の場合は最上層）の融点または軟化点より実質的に低い場合、金属ファイバだけが基板中（または基板が積層体の場合は最上層の中）に実質的に埋め込まれ、重合体ファイバは完全に、または部分的に溶融して、実質的に変形し、基板中（または基板が積層体の場合は最上層の中）に実質的に埋め込まれない。本発明の好ましい実施形態においては、重合体ファイバの融点または軟化点は基板（または基板が積層体の場合は最上層）の融点または軟化点より実質的に高い。
【００４１】
図３Ａから図３Ｈを参照すると、別の実施形態において、高透過率の導電性材料を種々の態様で付着させてもよく、たとえば、「フィンガ」のパターニング／堆積／埋め込み／接合／その他を行う前に基板に直接付着させたり、異方性メッシュのような適切に自立し、事前に間隔があけられた「フィンガ」の場合は、「フィンガ」を基板上に埋め込みおよび／または接合させる前に「フィンガ」の間に、「フィンガ」の間だけか「フィンガ」の間と「フィンガ」の片面の上の両方に、あるいは「フィンガ」を包み込むように、あるいはその他付着させたり、パターニング／堆積／埋め込み／接合／その他を行った後の「フィンガ」の上に、「フィンガ」の間だけか「フィンガ」の間とその最上部の上の両方に、あるいは「フィンガ」の露出部分を包み込むように、あるいはその他付着させたり、またこれらをさまざまに組み合わせたりしてもよい。
【００４２】
本願で開示する透明な異方性導電性集電装置が色素増感太陽電池（ＤＳＣ）に用いられる実施形態において、集電装置はデバイスの陽極側、陰極側または両側に使用されてもよい。
【００４３】
デバイスの、電子が光誘電増感成分からメソ多孔性のナノ構造による足場へと遊離させられる陽極側、いわゆる「作用電極」（ＷＥ）側に使用される場合、メソ多孔性のナノ構造による足場には、選択された透明な異方性導電性集電装置と基板材料と適合するように、適当な低温加工が必要かもしれない。このような低温加工は、たとえば、低温で活性化する相互結合剤とともに適度に低温加工可能な媒質中に分散させた、適当なナノサイズの高バンドギャップ半導体酸化物（たとえば、ＴｉＯ２、ＺｎＯ、Ｎｂ２Ｏ５等）を用いることによって実現できる。このような材料と工程は、先行技術において周知である。
【００４４】
デバイスの、電子が外部の回路からデバイスに戻り、電気触媒によって電解質から酸化された酸化還元種と再結合する陰極側、いわゆる「対電極」（ＣＥ）側に使用される場合、電気触媒には、選択された透明な異方性導電性集電装置と基板材料と適合するように、適当な低温加工が必要かもしれない。このような低温加工は、たとえば溶射、ローラコーティング、浸漬、ディップコーティングまたは滴下コーティング等によって、たとえば、適当な電気触媒の化学的前駆体の薄膜で透明な異方性導電性集電装置を被覆し、この前駆体の適当な低温加工と組み合わせて、所望の形および形態の電気触媒を得ることによって実現できる。その一例として、低温での水素化ホウ素ナトリウム等の適当な還元剤によるヘキサクロロ白金酸の化学的還元によって、ナノプラチナクラスタ電気触媒（electrocatalytic agent）が形成される。電気触媒はまた、たとえば、プラチナ、ＰＥＤＯＴ、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ、ＰＥＤＯＴ：ＴＭＡまたはカーボンのスパッタコーティング等のＰＶＤによって堆積させてもよい。さらに、電気触媒は、たとえば、ＰＥＤＯＴ、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ、ＰＥＤＯＴ：ＴＭＡ、カーボンまたはプラチナの適当な分散調整物のドクタブレーディング、滴下コーティング、スピンコーティング等によって被覆またはその他堆積させてもよい。
【００４５】
いくつかの実施形態において、メッシュそのものが基板として機能してもよい。
【００４６】
メッシュを使用するいくつかの実施形態においては、メッシュが透明な導電層と関連付けられていない。
【００４７】
本願の開示は、光電デバイスとして色素増感太陽電池を例に用いているが、本発明の応用分野はずっと広く、この具体的な例の使用を、本発明が色素増感太陽電池にのみ適用されることを意味するとは解釈しないものとする。本発明の実施形態は、薄膜技術、ＣｄＴｅ、ＣＩＳ／ＣＩＧＳ、α−Ｓｉやシリコンに基づく技術および有機ＰＶにも利用可能である。
【００４８】
高導電率の要素（１００）は断面が円形として示されているが、これらの要素の形状は円筒形だけに限定されず、たとえば楕円形、正方形、長方形またはその他の断面形状であってもよい。
【図１】
2011530815.tif 000003
【図２】
2011530815.tif 000004
【図３Ａ】
2011530815.tif 000005
【図３Ｂ】
2011530815.tif 000006
【図３Ｃ】
2011530815.tif 000007
【図３Ｄ】
2011530815.tif 000008
【図３Ｅ】
2011530815.tif 000009
【図３Ｆ】
2011530815.tif 000010
【図３Ｇ】
2011530815.tif 000011
【図３Ｈ】
2011530815.tif 000012
【図４】
2011530815.tif 000013
【手続補正書】
【提出日】平成23年4月12日(2011.4.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光電デバイスの製造に使用されるサブアセンブリであって、
フレキシブルで略透明な基板と、
導体アセンブリであって、多数の導電性フィラメントと多数の略透明なフィラメントとを含み、前記導電性および透明フィラメントが結合されてフレキシブルな網状構造が形成され、前記網状構造が異方性である導体アセンブリと、
前記基板と前記導体アセンブリに関連付けられる、透明な導電性材料の層と、
を含むサブアセンブリ。
【請求項２】
前記導体は少なくとも部分的に前記基板内に埋め込まれている、請求項１に記載のサブアセンブリ。
【請求項３】
前記導体は接着剤によって前記基板に固定されている、請求項１に記載のサブアセンブリ。
【請求項４】
前記導体は異方性メッシュの一部である、請求項１〜３のいずれか一項に記載のサブアセンブリ。
【請求項５】
前記導体アセンブリの前記導体は、前記透明な導電性材料と前記基板の間に配置される、請求項１〜４のいずれか一項に記載のサブアセンブリ。
【請求項６】
前記透明な導電性材料は、カーボンナノチューブ、ＩＴＯ、ＦＴＯ、ドープまたは改質された酸化錫または酸化亜鉛、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）（ＰＥＤＯＴ）、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）ポリ（スチレンスルホネート）（ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ）、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）−テトラメタクリレート（ＰＥＤＯＴ：ＴＭＡ）、ポリアニリンまたはポリピロールのいずれかを含む、請求項１〜５のいずれか一項に記載のサブアセンブリ。
【請求項７】
前記網状構造はメッシュの形状である、請求項１〜６のいずれか一項に記載のサブアセンブリ。
【請求項８】
前記導電性フィラメントは主として第一の方向に整列され、前記透明フィラメントは主として第二の方向に整列される、請求項１〜７のいずれか一項に記載のサブアセンブリ。
【請求項９】
前記第一の方向と前記第二の方向は相互に略直交する、請求項８に記載のサブアセンブリ。
【請求項１０】
前記導体は、銅、Ｔｉ、鋼鉄、ステンレススチール、Ｓｎ、Ｐｔ、Ｐｂ、Ｆｅ、マンガニン、コンスタンタン、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ、Ｗ、Ｎｉ、Ｍｏおよび、真鍮を含むこれらの合金のいずれかを含む材料から形成される、請求項１〜９のいずれか一項に記載のサブアセンブリ。
【請求項１１】
前記略透明なフィラメントは、ポリエチレンテレフタレートまたはポリエチレンナフタレートを含むポリエステル、ポリアミド、ポリプロピレン等のポリオレフィン、ポリエーテルケトン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリアリールスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリフェニレンスルホン、ポリ塩化ビニルまたはフッ素化重合体等の重合体で形成される、請求項１〜１０のいずれか一項に記載のサブアセンブリ。
【請求項１２】
光電デバイスの製造に使用されるサブアセンブリの製造方法であって、
導体アセンブリであって、多数の導電性フィラメントと多数の略透明なフィラメントとを含み、前記導電性および透明フィラメントが結合されてフレキシブルな網状構造が形成され、前記網状構造が異方性である導体アセンブリを提供するステップと、
フレキシブルで略透明な基板を提供するステップと、
前記導体アセンブリを前記基板に関連付けるステップと、
を含む方法。
【請求項１３】
前記導体アセンブリを前記基板に関連付ける前記ステップは、前記導体アセンブリを少なくとも部分的に前記フレキシブル基板に埋め込むステップを含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記導体アセンブリを埋め込む前記ステップは熱処理を含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記導体アセンブリを前記基板に関連付ける前記ステップには接着剤の使用を伴う、請求項１２に記載の方法。
【請求項１６】
前記導体アセンブリはロールから巻き出され、前記サブアセンブリは連続的なロールプロセスで形成される、請求項１２〜１５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１７】
透明な導電性材料の層を前記基板に関連付けるステップをさらに含む、請求項１２〜１６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１８】
前記透明な導電性材料は印刷または溶射工程で付着される、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記網状構造はメッシュの形態である、請求項１２〜１８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２０】
前記導電性フィラメントは主として第一の方向に整列され、前記透明フィラメントは主として第二の方向に整列される、請求項１２〜１９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２１】
前記第一の方向と前記第二の方向は相互に略直交する、請求項１２〜２０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２２】
前記導体は、銅、Ｔｉ、鋼鉄、ステンレススチール、Ｓｎ、Ｐｔ、Ｐｂ、Ｆｅ、マンガニン、コンスタンタン、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ、Ｗ、Ｎｉ、Ｍｏおよび、真鍮を含むこれらの合金のいずれかを含む材料から形成される、請求項１２〜２１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２３】
前記略透明なフィラメントは、ポリエチレンテレフタレートまたはポリエチレンナフタレートを含むポリエステル、ポリアミド、ポリプロピレン等のポリオレフィン、ポリエーテルケトン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリアリールスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリフェニレンスルホン、ポリ塩化ビニルまたはフッ素化重合体等の重合体で形成される、請求項１２〜２２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２４】
請求項１〜１１のいずれか一項に従って、サブアセンブリを使用して製造されたフレキシブルな光電デバイス。
【国際調査報告】
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