(57)【要約】  電子デバイスの製造方法は、半導体材料を含む基板の側に近接しているパターン化された層を形成する工程を含むことができる。また、本方法は、基板の一部である半導体層、及びパターン化された層を基板から分離する工程を含むこともできる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体材料を含む基板の第一の側に近接している第一のパターン化された層を形成する工程；及び
該基板の第一の部分である第一の半導体層、及び該第一のパターン化された層を該基板から分離する工程
を含む電子デバイスの製造方法。
【請求項２】
前記第一のパターン化された層を形成する工程が、パターン化された誘電体層を形成する工程を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
パターン化された誘電体層内の開口部に近接している基板の第一の領域にドープする工程；及び
基板の第二の領域に、該第一の領域の導電型と反対の導電型を有するドーパントをドープする工程
をさらに含み、そして該第一及び第二の領域は、該基板の第一の側に沿って並び、かつお互いに離れている、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記パターン化された誘電体層を形成する工程が、側壁及び底部を有する誘電体領域を形成する工程を含み、そして該側壁及び底部が鋭角を規定する、請求項２又は３に記載の方法。
【請求項５】
前記第一のパターン化された層を形成する工程が、パターン化された金属層を形成する工程を含む、請求項３に記載の方法。
【請求項６】
前記パターン化された金属層を形成する工程が：
該第一の側に近接しており、かつ基板内の第一のドープされた領域に電気的に接続されている第一の金属部分を形成する工程；及び
第一の側に近接しており、かつ基板内の第二のドープされた領域に電気的に接続されている第二の金属部分を形成する工程
を含み、そして該第一及び第二のドープされた領域は、相反する導電型を有し、かつお互いに離れている、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
該基板の第一の側からの第一の距離で、該基板中に第一の分離向上剤を導入する工程をさらに含む、請求項５又は６に記載の方法。
【請求項８】
金属シリサイド部分を形成する工程をさらに含み、そして金属シリサイド部分を形成する工程後に、前記第一のパターン化された金属層を形成する工程が行なわれる、請求項５〜７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
前記第一のパターン化された金属層を形成する工程が、接着膜、バリアー膜、種層、又はそれらの任意の組み合わせを形成する工程をさらに含む、請求項５〜８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
前記第一の半導体層及び第一のパターン化された層を基板から分離する工程が、該第一の半導体層及び該第一のパターン化された層を該基板から機械的に分離する工程を含む、請求項１〜９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
第一の半導体層の第二の側に近接している反射防止層を形成する工程をさらに含み、そして該第二の側が該第一の側と向かい合っている、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１２】
第一の半導体層の第二の側に近接している反射体を形成する工程をさらに含み、該第二の側が該第一の側と向かい合っている、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１３】
該電子デバイスが、該第一の半導体層及び該第一の金属層を含む光電池、該第一の半導体層及び該第一の金属層を含む発光素子、又は該第一の半導体層及び該第一の金属層を含む放射線検出器を含む、請求項１〜１２のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１４】
該基板の第二の側に近接している第二のパターン化された層を形成する工程；及び
該基板の第二の部分である第二の半導体層、及び該第二のパターン化された層を該基板から分離する工程
をさらに含む、請求項１〜１３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１５】
該半導体基板に第一の接合点を形成する工程；
半導体層を規定している該半導体基板に水素の領域を形成する工程；
半導体基板の第一の側の上に誘電体層を形成する工程；
該誘電体層をパターン化して、開口部を規定しているパターン化された誘電体層を形成する工程；
該パターン化された誘電体層の上と該開口部内に第一の金属層を形成する工程；
該第一の金属層をアニーリングして、シリサイド層を形成する工程；
電気化学プロセスを用いて、第二の金属層を該シリサイド層の上に形成する工程；及び
アニーリング及び該第二の金属層により誘起された変形のプロセスにより、該第一の金属層、該第二の金属層、及び半導体層の組み合わせを分離する工程
を含む、電子デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
開示内容の分野
一般に、本発明は、半導体、特に、基板から分離されている層上に半導体デバイスを形成する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
関連技術
基板、又は様々な成長プロセスを用いて厚くされた基板上に輸送されている半導体層の使用が、絶縁膜上のシリコン｛ｓｉｌｉｃｏｎ−ｏｎ−ｉｎｓｕｌａｔｏｒ（ＳＯＩ）｝技術などの技術に使用されている。そこでの層の輸送は、面の切断、異なる基板への貼着及び表層の分離のプロセス組み込みを伴う。面の切断の組み込みは、イオンプランテーション又は多孔質層の形成のプロセスを使用して行われる。異なる基板への結合は、極めて平滑な表面上のファン・デル・ワールス力；適切な材料を使用した共晶接合；又は適切な材料、高温及び高圧を使用した熱圧着を伴う。分離は、イオンインプランテーション中に形成された泡及び割れ目のアニーリングを伴う。デバイスの形成では、イオンインプランテーションなどのプロセスの鳴動時間及びコスト並びに平滑面の形成の費用が高い。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
電子デバイスの形成では、接合点は、光電池及び発光ダイオード（ＬＥＤ）などの用途に使用されることができる。典型的には、接合点は、基板の反対側に接触させられる。異なる用途では、複数の接触点が、デバイスの片側に沿って並ぶであろう。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
当業者は、図面中の構成要素が単純化及び明瞭化のために説明されており、必ずしも同じ縮尺で描かれてはいないことを理解されたい。例えば、図中の構成要素の幾つかの寸法は、本発明の実施形態を理解し易くするために、他の構成要素に比べて拡大されているであろう。
【０００５】
実施形態は、一例として描かれており、添付図面に限定されるものではない。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】基板内に分離向上剤を形成した後の被処理物の一部分の断面図である。
【図２】基板上に誘電体層を形成し、基板内にドープされた領域を形成した後の図１の被処理物の断面図である。また、図２は、種層の形成後の図１の被処理物を示す断面図の説明を含む。
【図３】金属含有層の形成後の図２の被処理物の断面図である。
【図４】金属含有層からの金属含有領域の形成後の図３の被処理物の断面図である。
【図５】誘電体層の部分が再形成された後の図４の被処理物の断面図である。
【図６】誘電体層の開口部内に金属領域を形成した後の図５の被処理物の断面図である。
【図７】基板から半導体層を分離した後の図６の被処理物の断面図である。
【図８】実施形態によって実質的に完成した半導体デバイスを形成した後の図７の被処理物の断面図である。
【図９】図１〜図７に関して説明された手順のいずれかを用いて半導体層が反対側から分離されている実施形態の断面図である。
【図１０】別の実施形態によって反射体を形成した後の図８の被処理物の断面図である。
【図１１】代替的な実施形態による被処理物の一部分の断面図である。
【図１２】代替的な実施形態による被処理物の一部分の断面図である。
【図１３】インゴット形態の基板、ドープ領域、及び導電層を含む被処理物の一部分の断面図である。
【図１４】半導体層、ドープ領域、導電層の組み合わせが基板から分離された後の図１３の被処理物の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
詳細な説明
下記説明と図面を併用することによって、本明細書で開示されている教示の理解に役立つ。下記説明は、教示の特定の実施及び実施形態に焦点を合わせているであろう。この焦点は、本教示の説明に役立つものであり、本教示の範囲及び適用性における限定として解釈されるべきではない。しかし、他の教示が、本用途において確かに利用されることができる。
【０００８】
後述される実施形態の詳細を説明する前に、幾つかの用語を規定するか、又は明確にする。用語「金属」及びその変化形のいずれかは、（１）第１〜１２族のいずれか、若しくは（２）第１３〜１５族である元素、原子番号１３（Ａｌ）、５０（Ｓｎ）及び８３（Ｂｉ）により規定されている線に沿っているか、若しくはその先より下にある元素、又はそれらの任意の組み合わせを含む材料をいうことを目的としている。金属は、ケイ素又はゲルマニウムを含まない。ただし、金属シリサイドが金属材料であることに注目されたい。
【０００９】
本明細書では、用語「含む（ｃｏｍｐｒｉｓｅ）」、「含んでいる（ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ）」、「含む（ｉｎｃｌｕｄｅ）」、「含んでいる（ｉｎｃｌｕｄｉｎｇ）」、「有する」、「有している」又はそれらの任意の他の変化形は、非排他的な含有を保護することを目的としている。例えば、要件の列挙を含む方法、物品又は装置は、必ずしもそれらの要件のみに限定されるものではないが、そのような方法、物品又は装置について明確に列挙されていないか、又はそれらに不利になる他の要件を含んでよい。さらに、明確に逆のことを述べない限り、「又は」とは、包含的な「又は」をいい、排他的な「又は」をいうものではない。例えば、条件Ａ又はＢは、下記のいずれか１つによって満たされる：Ａが正しく（若しくは存在し）、Ｂが誤りである（若しくは存在しない）；Ａが誤りであり（若しくは存在せず）、Ｂが正しい（若しくは存在する）；及びＡ及びＢの両方が正しい（若しくは存在しない）。
【００１０】
また、「ａ」又は「ａｎ」の使用は、本明細書で説明される要素及び成分を記述するために利用される。これは、便宜上、本発明の範囲の一般的な意味を与えるために行なわれているにすぎない。この記述は、１つ若しくは少なくとも１つを含むように読まれるべきであり、また単数形は、他を意味することを明確にしない限り、複数形、又は逆の意味も含む。例えば、単品が本明細書に記載されているとき、１つ以上の品が単品の代わりに使用されることができる。同様に、１つ以上の品が本明細書に記載されているとき、単品が１つ以上の品に代わることができる。
【００１１】
元素の周期表内の列に対応する族数は、ＣＲＣ  Ｈａｎｄｂｏｏｋ  ｏｆ  Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ  ａｎｄ  Ｐｈｙｓｉｃｓ、第８１版（２０００−２００１）に見られるように、「Ｎｅｗ  Ｎｏｔａｔｉｏｎ」コンベンションを使用する。
【００１２】
他に規定されない限り、本明細書で使用されるような全ての技術及び科学用語は、本発明が属する技術分野の当業者によって一般に理解されるものと同じ意味を有する。材料、方法、及び実施例は、説明的なものに過ぎず、限定していることを目的とするものではない。本明細書で記載されていない範囲まで、特定の材料及び処理行動に関する多くの詳細は、標準的であり、半導体及び電子技術内の教科書及び他の情報源において見られることができる。
【００１３】
本電子デバイスの製造方法は、半導体材料を含む基板の側に近接しているパターン化された層を形成する工程を含むことができる。また、本方法は、基板の一部分である半導体層、及びパターン化された層を基板から分離する工程を含むことができる。特定の実施形態では、本明細書で記載されている実施形態は、実行されるための分離技術を用いながら、基板の片側上に接触部を形成するのに向いている場合がある。特定の実施形態では、基板中に導入されるための分離向上剤は、基板から除去されることになる半導体材料の表層のより容易な分離を可能にする。機械的操作は、分離のために行なわれる必要がないかもしれないか、又は機械的操作が使用されるならば、そのような機械的操作は、分離向上剤なしで実行される機械的断裂操作と比べて悪性又は損傷を与えるものである必要はないであろう。さらに、ドープされた領域及び接触部は、光及び他の放射線が電子デバイスによって受け入れられる反対側に沿って、形成されることができる。したがって、接触部、相互接続部などが、電子デバイスの放射線受入表面に沿って形成されないときに、効率が向上する。下記説明は特定の数値及び構造を含む多くの詳細を提供するが、この明細書を読んだ後に、当業者は、本明細書で記載されている実施形態が、単なる説明にすぎず、本発明の範囲を限定しないことを理解されたい。
【００１４】
図１は、基板１０２の反対側に沿って一次側１０６及び反対側１１０を有する基板１０２を含む被処理物１００を示す。基板は、第１４族元素（ケイ素、ゲルマニウム、又は炭素）、第１４族（ケイ素、ゲルマニウム、炭素をドープしたケイ素など）の任意の組み合わせ、又は第１３族〜第１５族の半導体（ヒ化ガリウム、窒化ガリウム、リン化インジウム、ガリウムインジウムヒ化物など）を含む半導体基板でよい。基板１０２は、実質的に単結晶、非晶質、又は多結晶の半導体基板を含むことができる。他の実施形態では、材料の様々な組み合わせは、基板を形成してよい。特定の実施形態では、基板は、少なくとも約５０μｍ又は少なくとも約２００μｍの厚さを有することができる。厚みに理論的な上限はないが、本基板は、約５ｍ以下又は約０．１ｍ以下でよい。それに続く図では、反対側１１０付近の基板１０２の一部分は、簡略化のために図示していない。代替的な実施形態で説明されるように、インゴット加工は、実質的に長方形のシートを形成するために使用されることができる。
【００１５】
図１において示されるように、分離向上剤は、基板１０２の一次側１０６より下の深部１０４にインプラントされることができる。イオンインプランテーションが、欠陥部位を作り出す場合があり、これは、その後の分離操作中に、半導体層を形成するために、基板１０２の残部からの一次側１０６を含む基板１０２の一部分の分離に役立つ。深部１０４は、少なくとも基板１０２の組成における役割と、光電池、発光素子、放射線検出器などのような特定の電子的用途に基づいてよい。特定の実施形態では、投影飛程は、次の分離において形成されるであろう半導体層の所望の厚さと実質的に等しい。実施形態では、投影飛程は、少なくとも約１μｍ又は少なくとも約２０μｍであり、別の実施形態では、半導体層は、約１００μｍ以下又は約５０μｍ以下の厚さを有することができる。
【００１６】
分離向上剤は、水素、ヘリウム、ホウ素、ケイ素、フッ素、塩素などを含むことができる。これらの元素に限定されるものではないが、比較的重い物質（例えば、ゲルマニウム又はヒ素）が使用される場合よりも、比較的軽い物質が、その物質を比較的遠くの基板１０２中にインプラントさせることができる。したがって、基板１０２、特にその後に基板１０２から分離されるであろう半導体層に対する損傷が、ほとんどなくなるであろう。特定の物質が選択された後に、深部１０４に対応する所望の投影飛程を達成するために、インプラントエネルギーが決定される。投影飛程は、反対側１１０と比べて、基板１０２の一次側１０６により近く並ぶことができる。特定の実施形態では、投影飛程は、その後の分離において形成されるであろう半導体層の所望の厚さに実質的に等しい。インプラントの投与量は、少なくとも約１０１５イオン／ｃｍ２、約１０１６イオン／ｃｍ２、又はこれらの投与量を超えることができる。
【００１７】
別の実施形態では、分離向上剤は、プロセスフローにおいて、又はこの明細書で後述される電気化学プロセスなどの異なる技術を用いることにより、後で導入されることができる。さらに別の実施形態では、異なる技術の組み合わせが使用されることができる。
【００１８】
図１は、基板１０２の一次側１０６及び反対側１１０の両方の説明を含む。簡略化のために、図２〜８は、基板１０２の反対側１１０を含まないが、反対側１１０は未だに基板１０２の一部として残っている。
【００１９】
図２で示されるように、誘電体層２０２は、基板１０２の上に形成され、ドープされた領域２０４及び２０６は、基板１０２内に形成される。誘電体層２０２は、ドープされた領域２０４及び２０６への次の接触部の形成に役立つように使用されることができる。誘電体層２０２は、酸化物、窒化物、酸窒化物などを含むことができ、そして単一膜又は複数の膜を成長させるか、又は堆積させることにより形成されることができる。実施形態では、誘電体層２０２は、少なくとも約１ｎｍ又は少なくとも約１０００ｎｍの厚さを有することができ、そして別の実施形態では、誘電体層２０２は、約１０００μｍ以下又は約１００μｍ以下の厚さを有することができる。
【００２０】
開口部の幅又はパターン化された誘電体層中の開口部のパターンは、開口部直下の領域中の特定の深さでは基板１０２中に、そして異なる深さでは、誘電体層２０２の残部直下の領域における基板１０２中に、分離向上剤が組み込まれるように設計されることができる。分離向上剤は、基板１０２の連続領域が分離されるように連続領域を形成してよい。
【００２１】
誘電体層２０２は、ドープされた領域２０４及び２０６が形成される基板１０２の部分を露出させるように開口部を規定するパターン化された誘電体層を形成するように、パターン化される。ドープされた領域２０４及び２０６と対応する開口部は、実質的に同じ時間又は異なる時間で形成されることができる。特定の実施形態では、ドープされた領域２０４と対応する開口部が形成され、そして基板１０２の一部分が、ドープされた領域２０４を形成するようにドープされ、次にドープされた領域２０６と対応する別の開口部が形成され、そして基板１０２の一部分は、ドープされた領域２０６を形成するようにドープされる。別の実施形態では、更なる又はより少ないドープされた領域が形成されることができる。ドープされた領域２０４は、同一の導電型又は反対の導電型でよい。実施形態では、ドープされた領域２０４は、ｎ型ドープされ、そしてドープされた領域２０６は、ｐ型ドープされることができる。基板１０２がｐ型ドープされるとき、ドープされた領域２０６は本体接触部として使用されることができ、ｐｎ接合点は、ドープされた領域２０４と基板１０２の界面で形成される。別の実施形態では、導電型は逆でよい。
【００２２】
ドープされた領域２０４及び２０６は、気相炉ドーピング、スピンオンドーパント、ドープされた層（ドープされたガラス、ドープされた半導体層（非晶質、多結晶質、実質的に単結晶））の堆積若しくは成長、又はインプランテーションにより、形成されることができる。典型的には、ドープされた領域２０４及び２０６は、個別のドーピングシーケンス中に形成される。所望により、又は好ましくは、アニール又はドーパントドライブが行なわれてよい。実施形態では、ドープされた領域２０４及び２０６のピーク濃度は、少なくとも約１０１７、１０１８若しくは１０１９個の原子／ｃｍ３である。実施形態では、ドープされた領域２０４の接合点深さは、少なくとも約０．０１μｍ若しくは少なくとも約０．１μｍであり、別の実施形態では、ドープされた領域２０４及び２０６の接合点深さは、約５μｍ以下若しくは約１μｍ以下である。ドープされた領域２０４又は２０６のためのドーパント源が、基板１０２の上に形成された層を含むなら、対応するドープされた領域が形成された後に、その層は除去されるか、又は除去されなくてよい。例えば、ドープされたケイ素層は、基板１０２の上に形成され、残存してよい。特定の実施形態では、ドープされた領域２０４若しくは２０６は、主にドープされたケイ素層内に並んでよい。ドープされた領域２０６とドープされた領域２０４の間では、それらは、同一のドーパント濃度又は異なるドーパント濃度、及び同一の接合点深さ又は異なる接合点深さを有し、そして同一のドーピング技術又は異なるドーピング技術によって形成されることができる。
【００２３】
図３に示されるように、金属含有層３０２は、誘電体層２０２並びにドープされた領域２０４及び２０６の上に形成されることができる。金属含有層３０２は、接着膜、バリアー膜、種膜、別の適切な膜、又はそれらの任意の組み合わせを含むことができる。接着膜は、耐熱性金属（チタン、タンタル、タングステンなど）を含み、そしてバリアー膜は、金属窒化物（スズ、ＴａＮ、ＷＮなど）又は金属半導体窒化物（ＴａＳｉＮ、ＷＳｉＮなど）を含むことができる。種膜は、遷移金属又は遷移金属合金を含むことができ、そして特定の実施形態では、種膜は、チタン、ニッケル、パラジウム、タングステン、銅、銀又は金を含むことができる。他の実施形態では、他の材料は、接着膜、バリアー膜、種膜、又はそれらの任意の組み合わせ内で使用されることができる。金属含有層３０２は、物理気相成長（蒸発又はスパッタリングなどのＰＶＤ）、化学気相成長（ＣＶＤ）、原子層成長（ＡＬＤ）、電気化学法、別の適切な方法、又はそれらの任意の組み合わせにより、形成されることができる。実施形態では、金属含有層３０２は、少なくとも約１ｎｍ又は少なくとも約１０ｎｍの厚さを有することができ、そして別の実施形態では、金属含有層３０２は、約１０μｍ以下又は約０．１μｍ以下の厚さを有することができる。
【００２４】
特定の実施形態では、図４に示されるように、金属含有領域４０２を形成するために、ドープされた領域２０４及び２０６内で金属含有層３０２に半導体材料を反応させることにより、金属含有層３０２は、ドープされた領域２０４及び２０６に結合されることができる。金属含有層３０２は、チタン、タンタル、タングステン、コバルト、ニッケル、白金などを含んでよく、そして金属含有領域４０２は、金属シリサイド化合物を含むことができる。誘電体層２０４の上層になっているものなどの未反応部分は、除去される。
【００２５】
さらに別の実施形態では、レジスト層（図示せず）は、金属含有層３０２の上に形成され、そしてレジスト層は、誘電体層２０２の上層になっている金属含有層３０２の部分が曝露されるまでエッチングされる。誘電体層２０２の上層になっている金属含有層３０２の部分がエッチングされ、誘電体層２０２の開口部内に金属含有領域４０２を残す。次に、残りのレジスト層は除去されてよい。別の技術（例えば、研磨）が、金属含有領域４０２を形成するために使用されることができる。別の実施形態（図示せず）では、図３中の金属含有層３０２がパターン化され、そして被処理物の実質的に上方（誘電体層２０２の上と誘電体層２０２を通って伸びている開口部内を含む）に残る。
【００２６】
図５で示されるように、誘電体層２０２は再形成されることができる。再形成は、湿潤又は乾燥エッチングプロセスを用いることにより、実行されることができる。例えば、実施形態では、再形成は、ＨＦディップ又はプラズマエッチングを用いることにより、実行されることができる。別の実施形態では、本明細書で後述されるように、再形成は、プロセスにおいて更に早く実行されることができる。特定の実施形態では、図５で示されるような角度αが、誘電体層２０２の側及び一次側１０６により規定されている。角度αは、鋭角でよく、そして実施形態では、角度αは、少なくとも約３０°又は少なくとも約４５°であり、そして別の実施形態では、角度αは、約７５°以下又は約６０°以下である。
【００２７】
金属領域６０２は図６で示されるように形成される。異なる技術が、金属領域６０２を達成するために実行されることができる。金属領域６０２は、金属含有領域４０２と比べて、実質的により厚く、かつ比較的高い伝導度を有してよい。特定の実施形態では、金属領域６０２は、金属含有領域４０２より少なくとも約１１倍、約５０倍、又は約５００倍厚い。
【００２８】
金属含有領域４０２に関して前述されたように、金属領域６０２は、金属又は金属合金のいずれかを含むことができる。特定の実施形態では、金属領域６０２は、スズ、ニッケル、クロム、銅、銀、金、又はそれらの組み合わせを含む。金属含有領域４０２と同様に、金属領域６０２は、単一膜又は複数の膜を含むことができる。特定の実施形態では、金属領域６０２は、基本的に金から成り、別の実施形態では、金属領域６０２は、次の結合操作中にはんだ付けを向上させるのに役立つように、主に比較的薄いインジウム−スズ合金を有する銅でよい。金属領域６０２の組み合わせが特定の用途に適合されるように、材料の他の組み合わせが使用されることができる。金属領域６０２は、ＰＶＤ、ＣＶＤ、ＡＬＤ、電気化学、別の適切な方法、又はそれらの任意の組み合わせにより形成されることができる。金属領域６０２及び金属含有領域４０２は、同一組成又は異なる組成を含むことができ、同一の技術又は異なる技術を用いることにより形成されることができる。実施形態では、金属領域６０２は、少なくとも約１０μｍ又は少なくとも約３０μｍの厚さを有することができ、別の実施形態では、金属領域６０２は、約２ｍｍ以下又は約１００ｍｍ以下の厚さを有することができる。
【００２９】
特定の実施形態では、金属領域６０２が形成されるときに分離向上剤が金属領域６０２内に組み込まれるように、金属領域６０２は形成されることができる。前述のように、分離向上剤は、半導体層の形態の基板の一部分を、基板１０２の残部から分離するのに役立つことができる。特定の実施形態では、分離向上剤は水素である。金属領域６０２が、めっき（すなわち、電気めっき又は無電解めっき）などの電気化学プロセスを用いて形成されるとき、水素は、酸性溶液などのめっき槽から金属領域６０２内に組み込まれることができる。ＰＶＤ、ＣＶＤ、ＡＬＤプロセスが使用されるとき、水素は、有機金属前駆体、水蒸気、水素含有プラズマ、又はそれらの任意の組み合わせなどの水素含有ガスに由来してよい。水素は、次のアニール中に基板１０２中の金属領域６０２から移動させられる。
【００３０】
特定の実施形態では、金属含有領域４０２は、金属領域６０２の成長のための型を形成する。金属領域６０２が金属含有領域４０２から形成されるように電気化学操作が行なわれる；しかし、実質的に無いか、又はわずかな量のみの材料が、誘電体層２０２から成長させられる。別の実施形態では、アルミニウム、ニッケル、銀、適切な金属ケイ酸塩、又はそれらの任意の組み合わせを含む金属ペーストが、基板１０２の反対側よりも一次側に近い被処理物の側上に塗布されることができる。研磨が、誘電体層２０２の上層にある金属領域６０２の一部分を除去するために行なわれることができる。
【００３１】
別の実施形態では、分離向上剤は、電場により移動させられることができる。例えば、水素が正電荷であるならば、基板からの十分に強い負電荷、金属領域６０２上の正電荷、又は両方が、水素を金属領域６０２から基板１０２中に移動させるために使用されることができる。前述のようなアニール及び分離プロセスが行なわれることができる。
【００３２】
前述のように、分離向上剤は、電気化学プロセス又はイオンインプランテーションにより導入されることに留意されたい。特定の実施形態では、イオンインプランテーション及び電気化学プロセスの組み合わせが、分離向上剤を提供するために使用されることができる。両方が使用されるとき、分離向上剤のイオンインプランテーションのためのより低い投与量が使用されることができる。例えば、組み合わせは、インプラント中の投与量を約１〜２桁の大きさに減らすことができる。
【００３３】
図７で示されるように、アニール後の加熱及び冷却工程中、応力が、基板１０２内で上がり、そして金属領域６０２、金属含有領域４０２、誘電体層２０２、ドープされた領域２０４及び２０６、並びに基板１０２の一部分である半導体層７０２の組み合わせを基板１０２の残部から分離するために役立つことができる。したがって、図６中の分離向上剤１０４の位置は、分離が被処理物中の材料間の変形及び熱膨張率の不整合のために起こるであろう弱化点を示す。分離は、加熱及び冷却工程中又はその後に起こるであろう。例えば、機械的操作が、分離に役立つように使用されることができる。特定の実施形態では、分離が行なわれることになる場所かその付近の位置で、基板１０２を断裂するか、又は破砕することにより、分離が起こるであろう。クサビ、ワイヤー、ノコギリ、レーザー、吸音装置、又はそれらの任意の組み合わせが、機械的分離に役立つように使用されることができる。別の実施形態では、金属ペーストが、被処理物の上に機械的に塗布され、そして補強された又は取り扱う基板が、金属ペーストに取り付けられ、かつ分離操作に役立つように使用されることができる。特定の実施形態では、分離は、剥離操作と類似することがある。図７で示されるように、半導体層７０２は、金属領域６０２を含む被処理物の一部分と結合したままである。半導体層７２０、金属領域６０２、及び誘電体層２０２の組み合わせは、さらなる処理のために機械的に取り扱われるために十分な厚さを有する。
【００３４】
基板１０２は、形成されるための別の半導体デバイスのためのハンドルとして再利用されることができる。別の実施形態では、次の電子デバイスのために基板１０２を再利用する前に、化学的若しくは機械的方法又はそれらの組み合わせを用いることにより、基板１０２は研磨される。
【００３５】
図８は、実質的に完成した半導体デバイス８００を示す。反射防止コーティング８１２、パッシベーション層８１４、別のカプセル化層、又はそれらの任意の組み合わせが、半導体層７０２の反対側８０６に沿って形成されることができる。半導体デバイス８００の用途が光電池としてであるときに、層８１２及び８１４は使用されることができる。光又は他の放射線が、反対側８０６付近で受け入れられ、そして接触部（例えば、金属領域６０２）が、一次側１０６付近で形成される。両側以外のある側に沿って接触部を有することにより、更なる領域が放射線を受け入れるために使用されることができる。
【００３６】
電子デバイスは、半導体デバイス８００、又は半導体デバイス８００と同様であるか、若しくは異なる複数の半導体デバイスを含むことができる。電子デバイスは、１つ以上の半導体デバイス（ただし、半導体デバイスが光電池デバイスである）を含むソーラーパネルでよい。別の実施形態では、電子デバイスは、１つ以上の半導体デバイス（ただし、半導体デバイスが発光素子である）を含むディスプレイでよい。さらに別の実施形態では、電子デバイスは、１つ以上の半導体デバイス（ただし、半導体デバイスは放射線センサーである）を含む放射線検出器でよい。電子デバイスは、異なる種類の半導体デバイスを含むことができる。例えば、電子デバイスは、室内の周囲光度を基準としてディスプレイの強度を調整する制御理論を含むディスプレイを含んでよい。この特定の電子デバイスでは、発光素子及び放射線センサーの両方は使用されることができる。本明細書を読んだ後、当業者は、幅広い種類の用途を達成するために多くの異なる構成が使用されることができることを理解するであろう。
【００３７】
図９は、半導体層の分離の方法が基板１０２の反対側に沿って行なわれる別の実施形態における被処理物を示す。前述のプロセスのいずれかは、方法のために使用されることができる。図９で示されるような実施形態は、特定の非限定的な実施形態を含む。本明細書を参照した後、当業者は、他の実施形態が、本明細書で記載されている概念から逸脱することなく、使用されることができることを理解するであろう。
【００３８】
図９で示されるような実施形態では、誘電体層２０２並びにドープされた領域２０４及び２０６が、基板１０２の一次側１０６に沿って形成され、そして誘電体層９２２並びにドープされた領域９２４及び９２６が、基板１０２の反対側１１０に沿って形成される。金属含有領域４０２及び９４２が、それぞれ誘電体層２０２及び９２２内の開口部内に形成され、そして金属領域６０２及び９６２が、それぞれ金属含有領域４０２及び９４２から形成される。分離向上剤が、プロセスフローにおいて１つ以上の点で導入されることができる。アニールリングが、半導体層７０２及び９７２を基板１０２から分離させるようにする。
【００３９】
図２中の誘電体層２０２に関して前述されたような技術のいずれかを用いて、パターン化された誘電体層２０２及び９２２が形成されることができ、そして図２中のドープされた領域２０４及び２０６に関して前述されたような技術のいずれかを用いて、ドープされた領域２０４、２０６、９２４、９２６が形成されることができる。図４中の金属含有領域４０２に関して前述されたような技術のいずれかを用いて、金属含有領域４０２及び９４２が形成されることができる。誘電体層２０２及び９２２の再形成は任意であり、もし行なわれるならば、前述されたように行なわれることができる。図６中の金属領域６０２に関して前述されたような技術のいずれかを用いて、金属領域６０２及び９６２が形成されることができる。（プロセスフローにおける異なる点での）分離向上剤及び図７中の半導体７０２に関して前述されたような技術のいずれかを用いて、半導体層７０２及び９７２の形成における分離向上剤（図示せず）及び分離技術が、形成されるか、又は実行されることができる。
【００４０】
構成要素の各組に関しては（すなわち、誘電体層２０２及び９２２などに関しては）、そのような要素は、同一の組成若しくは異なる組成、同一の導電型若しくは異なる導電型を有し、同一の厚さ若しくは深さを有するか、又は異なる厚さ若しくは深さを有するか、同数の膜若しくは異なる数の膜を含むか、同一の形成技術若しくは異なる形成技術で形成されるか、又は実質的に同じ回数若しくは異なる回数で形成されることができる。
【００４１】
図９について前述され、かつ示された実施形態などの二重加工実施形態は、１つ以上の加工操作が同時に行なわれることを可能にすることによって、装置の処理能力を増加させることができる。同じ種類又は異なる種類の半導体デバイスは、基板１０２の反対側に沿って形成されることができる。
【００４２】
さらに別の実施形態では、材料の層は、金属領域６０２間の位置で光又は他の放射線を反射するように形成されることができる。図１０を参照すると、誘電体層１００４及び反射体１００６が、誘電体層２０２及び金属領域６０２の上に形成される。誘電体層１００４は、対象となる放射線（例えば、光、紫外線、又はそれらの組み合わせなど）に対する比較的高い透過率を有することができる。誘電体層１００４は、酸化物、窒化物、又はそれらの任意の組み合わせを含むことができる。反射体１００６が導電性材料を含むときに、反射体１００６から金属領域６０２を電気的に絶縁するために、誘電体層１００４が使用されることができる。実施形態では、誘電体層１００４は、少なくとも約１ｎｍ又は少なくとも約１００ｎｍの厚さを有することができ、別の実施形態では、誘電体層１００４は、約１０００μｍ以下又は約１μｍ以下の厚さを有することができる。
【００４３】
反射体１００６は反射材料を含むことができ、かつケイ素、銀、アルミニウム、ニッケル、鏡面状仕上げを提供できる別の適切な材料、又はそれらの任意の組み合わせを含むことができる。金属含有層３０２又は金属領域６０２に関する前述の技術のいずれかを用いて、反射体１００６は形成されることができる。反射体１００６は、主に反射のために使用されるので、その厚さは、極薄から極厚まで変わることができる。実施形態では、反射体１００６は、少なくとも約２ｎｍ又は少なくとも約３０ｎｍの厚さを有することができ、そして別の実施形態では、反射体１００６は、約２ｍｍ以下又は約１００ｍｍ以下の厚さを有することができる。
【００４４】
別の実施形態では、反射体１００６は、ＴｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５、別の適切な材料、又はそれらの任意の組み合わせなどの絶縁体を含むことができる。この特定の実施形態では、誘電体層１００４は、必要ではない場合があり、省略されることができる。
【００４５】
反射体１００６、及び任意の誘電体層１００４は、金属領域６０２が形成された後に、何度でも形成されることができる。したがって、特定の実施形態では、反射体１００６は、分離が行われる前に、形成されることができる。この実施形態では、反射体１００６は、厚さを有することができるので、その後に形成された半導体層７０２に対する十分な機械的支持体を提供できる。分離向上剤は、より早い加工に変えて、又はより早い加工に加えて、反射体１００６の形成中に基板１０２中に導入されることができる。反射体１００６が使用され、かつ十分に厚いとき、金属領域６０２の厚さは、それほど厚くなくてよい。
【００４６】
別の実施形態では、図１１及び１２に示されるものなどの角のある誘電体領域を形成するために、誘電体層はパターン化されることができる。角のある領域は、金属層が角のある誘電体領域の上層になっているランバート反射体として機能する。パターン化は、ウェットエッチング、ドライエッチング、又はそれらの組み合わせを用いて行なわれることができる。また、誘電体層は、複数の膜、異なる組成（例えば、膜内のリン又は他のドーパントの増量又は減量）を有する膜、又はそれらの任意の組み合わせを含むことができる。また、パターン化は、図１２に関して記載されたような反転パターン技術により起こってもよい。
【００４７】
図１１は、誘電体層２０２が、三角形を有するパターン化された誘電体層１１０２に置き換えられている別の実施形態における半導体デバイスを示す。別の誘電体層１１０４及び反射体１１０６は、図１０に関して説明されたような誘電体層１００４及び反射体と同様である。この特定の実施形態では、誘電体層１１０２及び１１０４は、半導体デバイスにより受け入れられるように、又は半導体デバイスから放射されるように設計された放射線に対して実質的に透明でよい。反射体１１０６は、鏡面状仕上げを有することができる。したがって、パターン化された誘電体層１１０２及び反射体１１０６の組み合わせは、ランバート反射体を形成する。別の実施形態（図示せず）では、酸化物の適切な反射性及び相互接続部の導電性を得るために、誘電体層は、導電性酸化物によって置き換えられることができる。この特定の実施形態では、単一のドープされた領域のみが、半導体層７０２の一次側１０６に沿って並ぶか、又はドープされた領域は、半導体層７０２の一次側１０６に沿って並ばないであろう。
【００４８】
図１２は、異なるランバート反射体を有する半導体デバイスを示す。図１１と比べて、パターン化された誘電体層１２０２は、半導体層７０２からの距離が増加するにつれて、より幅広くなる性質を有する。図１２において説明されたような形状に達するために、反転パターン技術が使用されることができる。その後に形成されたパターン化誘電体層１２０２の要素間の位置で形成されたパターン化犠牲層（図示せず）が並ぶであろう。パターン化された誘電体層１２０２の形成後、パターン化された犠牲層が除去される。パターン化された犠牲層は、単一要素又は要素の組み合わせ（例えば、側壁スペーサーを有する長方形断面）によって形成されることができる。パターン化された誘電体層１２０２を形成するために、他の技術が使用されることができる。
【００４９】
別の誘電体層１２０４及び反射体１２０６は、図１０に関して説明されたような誘電体層１００４及び反射体１００６と同様である。この特定の実施形態では、誘電体層１２０２及び１２０４は、半導体デバイスにより受け入れられるか、又は半導体デバイスから放射されるように設計された放射線に対して実質的に透明でよい。反射体１２０６は、鏡面状仕上げを有することができる。したがって、パターン化された誘電体層１２０２及び反射体１２０６の組み合わせは、ランバート反射体を形成する。別の実施形態（図示せず）では、単一のドープされた領域が、半導体層７０２の一次側１０６に沿って形成されるか、又はドープされた領域は、半導体層７０２の一次側１０６に沿って形成されないであろう。この特定の実施形態では、種層などの金属含有層は、パターン化された誘電体層１２０２の要素と同様の形状を有する要素を有するように、パターン化されることができる。
【００５０】
別の実施形態では、図５に関して説明されたような再形成操作は、プロセスにおいてより早く行なわれることができる。図２を参照すると、誘電体層２０２は、被処理物の上に堆積された単一の絶縁膜又は複数の絶縁膜から形成されることができる。特定の実施形態では、誘電体層２０２の特性は、基板１０２から離れている対応点と比べて、基板１０２により近い点によって異なる。実施形態では、誘電体層が複数の膜を含むとき、誘電体層２０２の組成は、堆積中又は堆積間で変わってよい。例えば、酸化物膜は、基板１０２により近くてよく、そして窒化物膜は、その酸化物膜の上に堆積されることができる。別の実施形態では、リンなどのドーパントは、堆積の後の部分中に、増加した濃度で組み込まれることができる。
【００５１】
さらなる実施形態では、誘電体層２０２は、ホウ素、リン、別の適切なドーパント又はそれらの任意の組み合わせを含むことができる。ドープされた領域２０４及び２０６内のドーパントを活性化させるためにアニールが行われるとき、誘電体層２０２は、誘電体層２０２の上方角の周りにリフロー接合されることができる。さらに別の実施形態では、組成が、誘電体層２０２の厚みの初めから終わりまで実質的に同一であるとしても、誘電体層２０２内の応力は、堆積パラメータ（例えば、ラジオ波出力、圧力など）を変えることにより変えられることができる。さらなる実施形態では、前述の組み合わせが使用されることができる。誘電体層２０２を通して開口部を形成するためにエッチングが行われるとき、エッチングは、誘電体層２０２の一部分のエッチング、絶縁体の代替的エッチング及び上層の防塵マスクの側壁エッチのエッチング、絶縁体のエッチング及び上層の防塵マスクの側壁エッチのエッチングのために等方性エッチングが使用されるように行なわれることができるので、異なる組成（未ドープ酸化物より速いドープされた酸化物エッチ）、次の側壁スペーサーのエッチング、別の適切な技術、又はそれらの任意の組み合わせという利点を得る。誘電体層２０２の形成において説明された技術の多くは、図１１及び１２中のランバート反射体のためのパターン化された層の形成において使用されることができる。
【００５２】
前述の実施形態は、ウエハー形態である基板を使用してよい。別の実施形態では、基板は、インゴット形態でよい。図１３で示されたような特定の実施形態では、基板１３０２は、実質的にシリンダー状でよい。そのような基板は、チョクラルスキー成長技術を用いるプール成長（ｂｏｕｌｅ  ｇｒｏｗｎ）から形成され、そして所望の形態に機械加工されることができる。インゴットは、約５０ｍｍ〜約３００ｍｍ、さらにはそれ以上の直径を有することができる。インゴットの長さは、直径より大きくてよく、かつ約１５０ｍｍ〜約５ｍの範囲でよい。基板１３０２は、基板１０２に関して前述された材料のいずれかを含むことができる。被処理物１３００は、ドープされた領域１３０４、金属含有領域１３０６、及び金属領域１３０８をさらに含み、それらは、それぞれ前述されたように、ドープされた領域２０４、金属含有領域４０２、及び金属領域６０２に関して前述されたような、材料のいずれかを含み、厚さのいずれかを有し、そして技術のいずれかを用いて形成されることができる。分離向上剤（図示せず）は、イオンインプランテーション操作中、金属領域６０２の形成中、又は両方において、被処理物中に導入されることができる。この明細書を読んだ後、当業者は、被処理物１３００の領域又は膜の１つ以上が、必要とされず、かつ使用されなくてもよく、そして図示されていないが前述されたような他の領域又は膜は、使用されることができることを理解するであろう。
【００５３】
分離がより容易に始まることができる弱化部分を提供するために、導電性膜１３０８は、分割されるか、孔を開けられるか、又は切断される。次に、被処理物１３００は、前述のアニーリング条件を用いてアニールされる。アニール後の加熱又は冷却工程後、図１４に示されたように、応力は、基板１３０２内で増加し、そして基板１３０２の残部から、基板１３０２の分離された部分である導電性膜１３０８、金属含有膜１３０６、ドープされた領域１３０４、及び半導体層１４１０の組み合わせを分離するために役立つことができる。また、図１４の実施形態は、パターン化された誘電体層１４０２及びドープされた領域１４０６を示し、それらは、それぞれ前述されたように、誘電体層２０２及びドープされた領域２０６に関して前述されたような、材料のいずれかを含み、厚さのいずれかを有し、そして技術のいずれかを用いて形成されることができる。得られた被処理物１４００は、半導体デバイスを形成するためにさらに加工されることができる。この特定の実施形態では、半導体デバイスは、円板とは対照的に、長方形シートの形態であることができる。さらに別の実施形態では、基板は、実質的に長方形であり、そしてエッジ限定成長技術を用いて形成されることができる。
【００５４】
本明細書で記載されている実施形態は、被実行分離技術を用いながら基板の片側上に接触部を形成するのに合っている場合がある。特定の実施形態では、基板中に導入されることになる分離向上剤は、基板からの被除去半導体材料の表層のより容易な分離を可能にする。機械的操作は、分離のために行なわれる必要がないかもしれないか、又は機械的操作が使用されるならば、そのような機械的操作は、分離向上剤なしで実行される機械的断裂操作と比べて悪性又は損傷を与えるものである必要はないであろう。さらに、ドープされた領域及び接触部は、光又は他の放射線が電子デバイスにより受け入れられるであろう反対側に沿って形成されることができる。したがって、接触部、相互接続部などが、電子デバイスの放射線受入表面に沿って形成されないときに、効率が向上する。
【００５５】
多くの異なる態様及び実施形態が可能である。それらの態様及び実施形態の幾つかは後述される。本明細書を読んだ後、当業者は、それらの態様及び実施形態が、説明的なものにすぎず、本発明の範囲を限定するものではないことを理解するであろう。
【００５６】
第一の態様では、本方法は、半導体基板中に第一の接合点を形成する工程、及び半導体基板中に水素の領域を形成する工程を含むことができる。また、本方法は、半導体基板の第一の側の上に誘電体層を形成する工程、及び誘電体層をパターン化して、開口部を規定しているパターン化された誘電体層を形成する工程を含むことができる。本方法は、パターン化された誘電体層の上と開口部内に第一の金属層を形成する工程、及び第一の金属層をアニーリングして、シリサイド層を形成する工程をさらに含むことができる。本方法は、電気化学プロセスを用いて、シリサイド層の上に第二の金属層を形成する工程、並びにアニーリングのプロセス及び第二の金属層により誘起された変形のプロセスにより、第一の金属層、第二の金属層、及び半導体層の組み合わせを分離する工程をさらに含むことができる。
【００５７】
第一の態様の実施形態では、本方法は、水素を第二の金属層から半導体基板中に移動させる工程をさらに含み、水素を第二の金属層から半導体基板中に移動させる工程は、半導体基板から半導体層を分離するのに役立つように半導体基板の領域を弱化させるために使用される。別の実施形態では、半導体中の水素の領域は、インプランテーションにより形成される。さらに別の実施形態では、半導体基板中に水素の領域を形成する工程は、半導体基板中に第一の深さまで第一の水素の領域を形成する工程、及び半導体基板中の第二の深さまで第二の水素の領域を形成する工程を含み、第一の深さは、第二の深さと異なる。特定の実施形態では、鋭角のそれぞれは、約７５°以下である。別の特定の実施形態では、本方法は、誘電体領域上に第三の金属層を形成して、光の反射体として機能させる工程をさらに含む。さらに特定の実施形態では、本方法は、第二の金属層の上に絶縁層を形成する工程；及び絶縁層の上に第三の金属層を形成する工程をさらに含み、第三の金属層は、第二の金属層内の導電性部分間の位置で光を反射する。
【００５８】
第一の態様のさらなる実施形態では、第一の金属層は、物理気相成長、原子層成長、化学気相成長、又はそれらの任意の組み合わせにより形成される。さらなる実施形態では、第二の金属層は、チタン、タングステン、パラジウム、銅、スズ、ニッケル、又はそれらの任意の組み合わせを含む。さらなる実施形態では、金属層の形成工程は、半導体基板の上に金属ペーストを機械的に塗布する工程をさらに含む。さらなる実施形態では、半導体基板は、ケイ素、ゲルマニウム、ヒ化ガリウム、窒化ガリウム、リン化インジウム、又はそれらの任意の組み合わせを含む。
【００５９】
第一の態様の別の実施形態では、半導体デバイスは、光電池又は発光素子である。さらに別の実施形態では、本方法は、第一の接合点から離して第二の接合点を形成する工程をさらに含む。特定の実施形態では、シリサイド層は、第一及び第二の接合点内の半導体材料から少なくとも部分的に形成される。より特定の実施形態では、第一の接合点は、第二の接合点と比べて、異なる多孔度を有する。
【００６０】
第二の態様では、電子デバイスの製造方法は、半導体材料を含む基板の第一の側に近接している第一のパターン化された層を形成する工程を含むことができる。また、本方法は、基板の第一の部分である第一の半導体層、及び第一のパターン化された層を基板から分離する工程を含むことができる。
【００６１】
第二の態様の実施形態では、基板は、実質的に単結晶の半導体基板である。別の実施形態では、基板は、主にケイ素、ゲルマニウム、ヒ化ガリウム、窒化ガリウム、リン化インジウム、又はそれらの任意の組み合わせを含む。さらに別の実施形態では、本方法は、第一の側からの第一の距離において、第一の分離向上剤を基板中に導入する工程をさらに含む。特定の実施形態では、分離向上剤の導入工程は、第一の側に対するものよりも近い第一の距離である投影飛程に対応するエネルギーで分離向上剤をインプラントする工程を含む。より特定の実施形態では、投影飛程は、第一の距離と実質的に等しい。別のさらに特定の実施形態では、分離向上剤は、水素、ヘリウム、又はホウ素を含む。
【００６２】
第二の態様のさらなる実施形態では、本方法は、基板及び第一のパターン化された層をアニーリングする工程をさらに含む。さらなる実施形態では、本方法は、該基板の第一の側に近接している第一の領域にドーピングする工程をさらに含む。さらなる実施形態では、第一のパターン化された層を形成する工程は、パターン化された誘電体層を形成する工程を含む。特定の実施形態では、本方法は、パターン化された誘電体層内の開口部に近接している基板の第一の領域にドーピングする工程をさらに含む。より特定の実施形態では、本方法は、第一の領域の導電型と反対の導電型を有するドーパントを基板の第二の領域にドーピングする工程をさらに含み、該第一及び第二の領域は、該基板の第一の側に沿って並び、かつお互いに離れている。
【００６３】
第二の態様の別の特定の実施形態では、本方法は、パターン化された誘電体層内の開口部内に第一の金属層を形成する工程をさらに含む。より特定の実施形態では、本方法は、第一の金属層の一部分に基板内の半導体材料を反応させて、金属シリサイド化合物を形成する工程、及び第一の金属層の未反応部分を除去する工程をさらに含む。さらに別の特定の実施形態では、パターン化された誘電体層の形成工程は、側壁及び底部を有する誘電体領域を形成する工程であって、該側壁及び底部が鋭角を規定する工程を含む。より特定の実施形態では、該鋭角が、約７５°以下である。別の特定の実施形態では、本方法は、誘電体領域の側壁上に部分的に形成された金属部分を形成する工程をさらに含む。
【００６４】
第二の態様の別の実施形態では、第一のパターン化された層を形成する工程は、パターン化された金属層を形成する工程を含む。特定の実施形態では、パターン化された金属層の形成工程は、第一の側に近接しており、かつ基板内の第一のドープされた領域に電気的に接続されている第一の金属部分を形成する工程を含む。より特定の実施形態では、パターン化された金属層の形成工程は、第一の側に近接しており、かつ基板内の第二のドープされた領域に電気的に接続されている第二の金属部分を形成する工程を含み、該第一及び第二のドープされた領域は、相反する導電型を有し、かつお互いに離れている。
【００６５】
第二の態様の別の特定の実施形態では、本方法は、パターン化された金属層の形成中又は形成後に、第一の側からの第一の距離に第一の分離向上剤を基板中に導入する工程をさらに含む。より特定の実施形態では、第一のパターン化された金属層は、チタン、タングステン、パラジウム、銅、スズ、ニッケル、又はそれらの任意の組み合わせを含む。別のより特定の実施形態では、本方法は、金属シリサイド部分を形成する工程をさらに含み、該第一のパターン化された金属層を形成する工程は、金属シリサイド部分の形成後に実行される。さらに別のより特定の実施形態では、第一のパターン化された金属層を形成する工程は、接着膜、バリアー膜、種膜、又はそれらの任意の組み合わせを形成する工程をさらに含む。
【００６６】
第二の態様のさらに別のより特定の実施形態では、第一のパターン化された金属層を形成する工程は、物理気相成長、原子層成長、化学気相成長、電気化学プロセス、又はそれらの任意の組み合わせを用いて実行される。さらなる特定の実施形態、第一のパターン化された金属層を形成する工程は、水素含有ガスを用いて実行される。さらなる特定の実施形態では、第一の分離向上剤を組み込む工程は、第一のパターン化された金属層中に水素を組み込む工程；及び水素を第一のパターン化された金属層から基板中に移動させる工程を含む。さらなる特定の実施形態では、第一のパターン化された金属層を形成する工程は、水素源として酸性溶液を用いて実行される。別のより特定の実施形態では、第一のパターン化された金属層を形成する工程及び水素を第一のパターン化された金属層中に組み込む工程は、特定の期間中に実質的に同時に行なわれる。
【００６７】
第二の態様のさらなる実施形態では、第一の半導体層及び第一のパターン化された層を基板から分離する工程は、第一の半導体層及び第一のパターン化された層を基板から機械的に分離する工程を含む。特定の実施形態では、第一の半導体層及び第一の金属層を基板から機械的に分離する工程は、クサビ、ワイヤー、又はノコギリ、レーザー、又は吸音装置を用いて行われる。さらなる実施形態では、第一の半導体層及び第一のパターン化された層を基板から分離する工程は、該基板の第一の側からの実質的に第一の距離で基板を破砕するか、又は断裂させる工程を含む。さらなる実施形態では、第一の半導体層及び第一のパターン化された層を基板から分離した後において、第一のパターン化された層は、第一の半導体層より厚い。別の実施形態では、本方法は、支持部材を基板及び第一のパターン化された層の組み合わせに取り付ける工程であって、支持部材は、基板の反対側と比べて、該基板の第一の側により近い工程をさらに含む。また、本方法は、第一の半導体層及び第一のパターン化された層を基板から分離した後、支持部材を除去する工程を含む。
【００６８】
第二の態様のさらに別の実施形態では、本方法は、第一の半導体層の第二の側に近接している反射防止層を形成する工程であって、第二の側が第一の側の反対である工程をさらに含む。特定の実施形態では、反射防止層は、５００ｎｍ未満の第一の波長に対する減少した反射率を有するように設計されており、そして別の実施形態では、反射防止層は、７００ｎｍを超える第二の波長に対する増加した反射率を有するように設計されている。特定の実施形態では、第一の波長は、おおよそ２９０ｎｍ〜４００ｎｍの範囲の第一特定波長の第一の倍数であり、そして第二の波長は、おおよそ（整数＋０．５）の合計の第一特定波長倍である。
【００６９】
さらなる実施形態では、本方法は、第一の半導体層の第二の側に近接している反射体を形成する工程であって、第二の側は第一の側の反対である工程をさらに含む。特定の実施形態では、反射体は、ランバート反射体を含む。さらなる実施形態では、電子デバイスは、第一の半導体層及び第一の金属層を含む光電池、第一の半導体層及び第一の金属層を含む発光素子、第一の半導体層及び第一の金属層を含む放射線検出器、又はそれらの任意の組み合わせを含む。
【００７０】
第二の態様の別の実施形態では、本方法は、基板の第二の側に近接している第二のパターン化された層を形成する工程、及び基板の第二の部分である第二の半導体層及び第二のパターン化された層を基板から分離する工程をさらに含む。特定の実施形態では、第一のパターン化された層を形成する工程及び第二のパターン化された層を形成する工程は、第一の期間中に実質的に同時に行われる。別の特定の実施形態では、第一の半導体層及び第一のパターン化された層の組み合わせが、第一の半導体デバイス型であり、第二の半導体層及び第二のパターン化された層の組み合わせが、第一の半導体デバイス型であり、そして第一の半導体層の厚さは、第二の半導体層の厚さと実質的に同一である。さらに別の特定の実施形態では、第一の半導体層及び第一のパターン化された層の組み合わせは、第一の半導体デバイス型であり、第二の半導体層及び第二のパターン化された層の組み合わせは、第二の半導体デバイス型であり、第一の半導体層の厚さは、第二の半導体層の厚さと異なる。
【００７１】
一般的な説明又は実施例において上述された動作の全てが必要ではなく、特定の動作の一部分が必要ではないことがあり、そして１つ以上のさらなる動作が、説明されたものに加えて行なわれてよいことに留意されたい。さらに、動作が列挙されている順序は、必ずしもそれらが行なわれる順序ではない。
【００７２】
利益、他の利点、及び課題に対する解決策が、特定の実施形態について上述された。しかし、利益、他の利点、課題に対する解決策、及び任意の利益、利点、若しくは解決策が発生するか、又はより顕著になるであろう任意の要素（単数又は複数）は、任意の又は全ての特許請求の範囲の重大な、必要な、又は本質的な要素と解釈されるべきではない。
【００７３】
明細書及び本明細書で記載されているの実施形態の説明は、様々な実施形態の構造の一般的な理解を提供することを意図している。明細書及び説明は、本明細書で記載されている構造又は方法を使用する機械又は装置の全ての要素及び要件の包括的及び総合的な説明になることを意図してはいない。また、個別の実施形態は、単一実施形態での組み合わせにおいて提供されることができ、逆に言えば、また、単一の実施形態について概略された様々な要件は、別々に又は任意のサブコンビネーションによって提供されることができる。さらに、ある範囲で示された値に対する言及は、その範囲内の各々の及び全ての値を含む。多くの他の実施形態は、当業者がこの明細書を読んで初めて、明らかになるであろう。他の実施形態が、使用されてよく、かつ本開示内容から導かれてよいので、構造的置換、論理的置換、又は別の変化が、本開示内容の範囲から逸脱することなく行なわれることができる。それ故に、本開示内容は、限定的よりも説明的とみなされるものである。
【図１】
2011521456.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【国際調査報告】
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