(57)【要約】  本発明は、応力の加わったシリコン表面のみならず、歪んだシリコン−オン−インシュレーターを含む、多様なシリコン含有表面の処理に適したクロム不含エッチング組成物を提供する。  本発明による新規、かつ独創性あるエッチング組成物は、フッ化水素酸、硝酸、酢酸及びアルカリヨウ化合物、好ましくはヨウ化カリウムを含む。【特許請求の範囲】
【請求項１】
HF、ＨＮＯ3、酢酸及びアルカリヨウ化合物を含み、前記アルカリヨウ化合物が１ｍｍｏｌ／１００ｍｌ以上の量で存在する溶液エッチング組成物であって、前記組成物は溶液が好ましく、前記アルカリヨウ化合物はヨウ化カリウムが好ましいエッチング組成物。
【請求項２】
前記ヨウ化カリウムが１〜３０ｍｍｏｌ／１００ｍｌ、好ましくは１〜１２ｍｍｏｌ／１００ｍｌ、より好ましくは１〜５ｍｍｏｌ／１００ｍｌ、特に好ましくは１〜１．８ｍｍｏｌ／１００ｍｌの量で存在する請求項１に記載のエッチング溶液。
【請求項３】
HF/ＨＮＯ3体積比が１：１〜１：５０、好ましくは１：８〜１：３５、特に好ましくは１：３２である請求項１及び／又は２に記載のエッチング溶液。
【請求項４】
HF/酢酸体積比が１：２〜１：５０、好ましくは１：８〜１：３５、特に好ましくは１：３５である請求項１、２及び／又は３のいずれか1項に記載のエッチング溶液。
【請求項５】
前記エッチング組成物がHF、ＨＮＯ3、酢酸、ヨウ化カリウムからなる請求項１、２、３及び／又は４のいずれか1項に記載のエッチング溶液。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか1項に記載のエッチング溶液を用いて、シリコン表面を処理するプロセスを含む、シリコン表面上の欠陥を特性決定する方法。
【請求項７】
前記シリコン表面が、ＳＯＩ又はｓＳＯＩ基板又は応力を受けた（ＳｉＧｅ層上の）Ｓｉ表面である請求項６に記載の方法。
【請求項８】
処理された前記シリコン表面をHFを用いて後処理する工程、を含む請求項６及び／又は７のいずれか1項に記載の方法。
【請求項９】
さらに以下の工程： 
−HFを用いた前記シリコン表面の前処理工程、
−脱イオン水を用いた前記シリコン表面の洗浄による中間処理工程、
−前記シリコン表面の乾燥工程、
のいずれか１つを単独、又は組合せとして含む請求項６、７又は８のいずれか1項に記載の方法。
【請求項１０】
さらに前記処理シリコン表面を視覚的に評価するプロセスを含む、請求項６、７及び／又は９のいずれか1項に記載の方法。
【請求項１１】
請求項１〜５のいずれかに記載のエッチング溶液を用いて前記シリコン表面を処理する工程を含む、シリコン表面のエッチングプロセス。
【請求項１２】
前記シリコン表面が、ＳＯＩ又はｓＳＯＩ基板又はＳｉＧｅ層上の応力を受けたＳｉ表面である請求項１１に記載のプロセス。
【請求項１３】
前記方法が、HFを用いたシリコン表面の前処理工程をさらに含む請求項１１又は１２に記載のプロセス。
【請求項１４】
欠陥評価のため、シリコン基板を脱イオン水を用いて洗浄し、かつ４９％HF溶液に数秒間浸漬する後処理工程をさらに含む請求項１１、１２又は１３にプロセス。
【請求項１５】
請求項１〜５のいずれか1項に記載のエッチング溶液を用いて、シリコン表面を処理する工程が、５℃〜２５℃の温度で行われる請求項６、７、８、９もしくは１０に記載する方法、又は請求項１１、１２、１３、もしくは１４に記載するプロセス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、シリコン‐表面、特に歪みを有する又は応力を受けたシリコン‐表面の欠陥の特性決定する方法、シリコン‐表面を前記エッチング組成物で処理する方法、及び本発明の方法及びプロセスに用いられるエッチング溶液に関する。
【０００２】
特に本発明は堆積した欠陥及び/又は半導体薄膜に存在しうる転位の発見に関する。
【背景技術】
【０００３】
マイクロエレクトロニクス機器用基板の結晶構造の欠陥は、ウェーハ、特にシリコン‐オン‐インシュレータ（ＳＯＩ）型ウェーハのような基板を用いて形成された集積回路の機能性及び信頼性に悪影響を有することから、極めて望ましくない。典型的な結晶欠陥の識別手段及びそれによる基板表面品質の特性を決定するアプローチとして、いわゆるストラクチュアルエッチング（structural etching）溶液が利用される。結晶性欠陥は、ストラクチュアルエッチング溶液の適用後に小丘又は溶蝕孔を生じさせることから、これらのエッチング溶液は結晶性欠陥の飾り付けを可能とする。
【０００４】
シリコン表面のための様々なエッチング溶液が提案されてきたが、それらは典型的には強酸化剤を必要とする。
【０００５】
非特許文献１（F. Secco）において、溶蝕孔を発見するためのフッ化水素酸及びアルカリ重クロム酸塩水溶液の混合からなるシリコンのエッチング溶液を記述している。アルカリクロム酸塩が酸化剤として働くのに対し、フッ化水素酸が酸化生成物すなわち二酸化ケイ素を溶蝕する。しかしながら、クロム酸塩、及び特に重クロム酸塩は、細胞及びＤＮＡと作用する能力によって強い毒性を持つ。
【０００６】
非特許文献２においてW.C. Dashは、半導体基板上の欠陥を発見するフッ化水素酸、硝酸及び酢酸からなるエッチング溶液を開示している。このエッチング溶液はシリコン基板を含む半導体基板のエッチングを可能とする一方、Dashによるエッチング溶液は、異なるタイプの欠陥を区別することができず、さらには十分な溶蝕速度を提供することができない。
【０００７】
特許文献１は、さらに電気的特性を改良するため化学エッチング溶液の半導体表面への適用を開示する。特許文献１に開示する前記化学エッチング溶液は、酢酸、硝酸、フッ化水素酸、及び臭素を含む。特許文献１に開示される前記組成物の欠点は臭素の使用である、すなわち臭素は非常に不安定で揮発性であるため、この先行技術のエッチング溶液は非常に短期間に冷暗所のみで保管でき、臭素は組成物から蒸発するため、換気下でのみ扱うことができる。臭素はクロム酸塩や重クロム酸塩のような毒性はないが、特許文献１に拠ればエッチング溶液として使用する場合には予防策を採らなければならない。
【０００８】
特許文献２は、低電気抵抗を有するシリコンウェーハの結晶性欠陥をクロム不含エッチング溶液を用いて評価する方法に関する。前記エッチング溶液はフッ化水素酸、硝酸、酢酸、水、及び好ましくはヨウ化カリウムからなる。
【０００９】
特許文献３は、フッ化水素酸、硝酸、酢酸、水及び好ましくはヨウ化カリウムを用いて結晶性欠陥を評価するためのＳＯＩウェーハのエッチング方法について記載する。
【００１０】
特許文献４は、半導体装置の電気的特性を劣化させる結晶性欠陥を検出する方法に関する。前記検出に用いるエッチング溶液は、フッ化水素酸、硝酸、酢酸、水及びヨウ素又はヨウ素からなる。
【００１１】
特許文献５は、低電気抵抗性のシリコン単結晶のエッチング方法について開示する。特許文献に５のエッチング溶液はフッ化水素酸、硝酸、酢酸、水及び好ましくはヨウ化カリウムからなり、好ましくは０．１ μm/分より速いエッチング速度を有し、特にバルク微小陥（ＢＭＤｓ）の検出に効果的である。しかしながら、これらのエッチング溶液は、ＢＭＤｓを検出可能だが、異なる活性化エネルギーや低い歪場によって特徴付けられる転位や堆積欠陥を検出することはできない。
【００１２】
加えて、新規シリコン含有材料が開発され、それらの応用分野が見いだされ、シリコン−含有表面処理に供する化学薬品のさらなる適用及び調節が求められる。このような新規のシリコン含有材料の代表的例は、歪みを有するシリコン−オン−インシュレータ（ＳＯＩ）型ウェーハ基板であり、既知のエッチング組成物すべてが適しているとは限らず、さらに該ウェーハーは決定すべき新規の型の欠陥を示す。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１３】
【特許文献１】米国特許第２６１９４１４号明細書
【特許文献２】欧州特許１７３４５７２号明細書
【特許文献３】特開２００４−２３５３５０号公報
【特許文献４】特開２００３−２０９１５０号公報
【特許文献５】欧州特許１８５２９０５号明細書
【非特許文献】
【００１４】
【非特許文献１】Journal of Electrochemical Society, 119, no. 7, pp. 948-951 (1972)
【非特許文献２】Journal of Applied Physics, vol. 27, no. 10, pp. 1 193-1195 (1956)
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
集積回路の組立てに使われる最小形状の縮小を含め、シリコン−オン−インシュレータ（ＳＯＩ）や歪みを受けたシリコン−オン−インシュレータ（ｓＳＯＩ）のような新たな基材基板の導入といった半導体産業の進歩の背景に鑑み、品質評価のための改良方法、特に以下の特性についての改良方法が必要とされる：
−溶蝕速度／溶蝕時間／除去された表面の厚みを十分に制御することで、薄い基盤でも溶蝕できるような十分な溶蝕速度。
−溶蝕感度、すなわち異なる型の欠陥（空孔塊や酸素析出物に相当するＤ欠陥）を検出する可能性、最も好ましくは、一つの型のエッチング処理後に、異なる型の欠陥を識別する、特に転位の検出及び／又は堆積欠陥の検出する可能性。
−適正な成分を前記エッチング組成物に用いることによって、例えば所望の溶蝕速度や溶蝕感度等を犠牲にすることなく、健康上のリスクや、環境問題を低減すること。
−特定の期間、保管でき、高度に精密な安全対策なしに扱うことができるエッチング組成物の安定性。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
前記概説した目的は、請求項１に規定されたエッチング溶液によって解決された。好ましい形態は請求項２〜５に規定される。本発明はさらに、請求項６に規定する、シリコン表面の欠陥特性を決定する方法を提供する。好ましい形態については、請求項７〜１０及び１５に規定する。最後に、本発明は請求項１１に規定するシリコン表面をエッチングするプロセスを提供する。好ましい形態について請求項１２〜１５に規定する。
【００１７】
さらに本発明のすべての態様において好ましい形態は以下の記載において説明する。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明に基づく溶蝕速度と前記エッチング蝕溶液中のヨウ化カリウムの濃度との相関について示す。
【図２】溶蝕速度の、フッ化水素酸に対する硝酸の体積比への依存性を示す。
【図３】Secco（非特許文献１）による先行技術に属するエッチング溶液の典型例と比較した、本発明に基づくエッチング溶液を用いて得られた転位密度に関する結果を示す。
【図４】本発明に基づいたエッチング溶液と、Secco（非特許文献１）に基づく先行技術に属するエッチング溶液を用いた場合との同様な結果の比較を示す。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
本発明はエッチング溶液に関して最初に記載されることになる。しかしながら、特に明記しない限り、以下に議論される本発明の好ましい形態もまた本発明の方法に該当する。
【００２０】
本発明は、半導体表面処理用の新規エッチング溶液を提供することを主な特徴とする。本発明による前記エッチング溶液はフッ化水素酸、硝酸、酢酸及びアルカリヨウ化合物を含む、好ましくはヨウ化カリウムを含む。本発明によるエッチング溶液の組成は、以下にさらに詳細に説明される。
【００２１】
１）本発明によれば、用いられる前記フッ化水素酸は、好ましくは約３０％以上の濃度のＨＦ水溶液であり、好ましくは約４０％以上、さらに好ましくは、約４５％以上（例えば約４９％）の濃度のＨＦ水溶液である。
【００２２】
２）さらに本発明による前記エッチング溶液は硝酸を含む。本発明によれば、用いられる前記硝酸は、同様に水溶液が好ましく、５０％以上、より好ましくは６０％以上、典型的には６５％以上（たとえば７０％以上）の硝酸濃度を有する。
【００２３】
３）本発明によれば、用いられる酢酸は、好ましくは純粋な硝酸であり、たとえば酢酸濃度９９％である氷酢酸として市販される酢酸である。
【００２４】
４）前記アルカリヨウ化物は、好ましくはヨウ化カリウムであり、典型的には、水溶液の形態で用いられる。別の形態では、前記アルカリヨウ化物は、好ましくは固体として用いられる。
【００２５】
本発明によるエッチング溶液は好ましくは、上記特定された成分からなる、すなわち前記エッチング溶液は、上記の成分の水性の混合物であり、好ましくは溶液である。
【００２６】
本発明によるエッチング溶液のこれらの成分は、全混合物中以下の量で存在する：
酢酸：酢酸が９９％濃度であることを基に算出し、エッチング溶液の全組成に基づいて、２０〜９０体積％、好ましくは３０〜９０体積％、より好ましくは、５０〜９０体積％。
フッ化水素酸：HF水溶液が４９％濃度である（市販の４９％HF水溶液を指す）ことを基に算出し、１〜３０体積％、好ましくは１〜５体積％。
【００２７】
硝酸：それぞれのケースにおいて、硝酸：HFが４９％濃度で、含水硝酸が７０％濃度である（それぞれ、市販の含水HFが４９％、市販の含水硝酸が７０％なることを指す。）ことを基に算出し、HF/ＨＮＯ3比が１：２〜１：５０となるような添加量、好ましくは１：５〜１：４０、より好ましくは１：８〜１：３５、特に好ましくは１：８となるような添加量である。別の好ましい形態では、HF/ＨＮＯ3比は１：３２である。
【００２８】
HF/CH3COOH比：１：２〜１：５０、好ましくは１：５〜１：４０、より好ましくは１：８〜１：３５に特に好ましくは１：８の体積比に調節される。別の好ましい形態では、HF/CH3COOH体積比は、１：３５である。それぞれのケースにおいて含水HFが濃度４９％、含水酢酸が濃度９９％であることに基づいて算出される（それぞれ、市販の４９％HF水溶液、市販の９９％の酢酸を含有する氷酢酸を指している。）。
【００２９】
アルカリヨウ化物：モル濃度で１ｍｍｏｌ／１００ｍＬ以上、好ましくは１〜３０ｍｍｏｌ／１００ｍＬ。一形態では、モル濃度は２〜３０ｍｍｏｌ／１００ｍＬが好ましく、より好ましくは５〜２０ｍｍｏｌ／１００ｍＬ、特に好ましくは、５．５〜１８ｍｍｏｌ／１００ｍＬ、別の形態では、モル濃度は好ましくは１〜１２ｍｍｏｌ／１００ｍＬ、より好ましくは１〜５ｍｍｏｌ／１００ｍＬ、特に好ましくは１〜１．８ｍｍｏｌ／１００ｍＬである。
【００３０】
ヨウ化カリウムが前記アルカリヨウ化物として用いられる場合、前記濃度は１．６ｇ／Ｌ以上、好ましくは１．６〜４８ｇ／Ｌである。好ましい一形態では、濃度は３．２〜４８ｇ／Ｌ、より好ましくは８〜３２ｇ／Ｌ、特に好ましくは、８．８〜２８．８ｇ／Ｌである。別の形態では濃度は好ましくは１．６〜１９ｇ／Ｌ、より好ましくは１．６〜８ｇ／Ｌ、特に好ましくは１．６〜３ｇ／Ｌである。
【００３１】
本発明によるエッチング溶液は、上記で特定される成分を所望の比率で混合することによって調製することができ、典型的には、通常の安全手段を用いて行われる。成分を添加する順番については重要ではなく、成分は通常撹拌槽の中で混合される。得られた組成物は、溶蝕活性が低下することなく、数日間貯蔵可能であり、典型的には冷却状態である。
エッチング溶液の使用は、非常に満足にいくものである。前記に規定されエッチング溶液は、十分に遅い溶蝕速度を与えるので、薄い半導体基板さえも溶蝕でき、十分に発達した溶蝕孔の形成といった、所望のエッチング特性を損なうことなく、表面特性決定を容易にする。本発明における好ましいエッチング溶液中の、相対的に高い酢酸濃度のため、高度に十分な均一な表面が得られ、本明細書で記載のように、アルカリヨウ化物の使用が、非常に広範に多様なシリコン含有表面の処理を可能とする。
【００３２】
さらに本発明によるエッチング溶液は、とりわけＳＯＩ様基板に用いられる。ＳＯＩ様構造は、半導体材料上部の表面状態を修飾する埋設絶縁層を特徴とする。ＳＯＩ構造上表面における電荷の再配分は、埋設絶縁体における残留電荷が、微細半導体層における電荷を誘引／反発するため、バルク塊状シリコン表面における電荷の再配分とは異なる。結果として、半導体材料上でエッチング液の化学エッチング反応を開始することはより困難であり、特に、異なる活性化エネルギーと低歪場を特徴とする転位、及び／又は堆積欠陥のような欠陥を発見するため、エッチング溶液を用いる場合にはそうである。１〜３０ｍｍｏｌ／１００ｍＬ量のヨウ化カリウムを含む本発明によるエッチング溶液を用いる場合、エッチング反応を開始し、エッチング速度を正確に制御して、欠陥、典型的には転位及び／又は堆積欠陥の正確な検出を可能とすることができる。ヨウ化カリウム量が３０ｍｍｏｌ／１００ｍＬ以上の場合、エッチング速度は増加し、エッチングの制御はより困難となろう。ヨウ化カリウム量が１ｍｍｏｌ／１００ｍＬ未満であれば、エッチング反応の開始は困難となる。
【００３３】
図１は、フッ化水素酸：硝酸：酢酸の体積比が、前記に規定する１：３２．４：３４．６で、異なるヨウ化カリウム濃度におけるエッチング速度の実験結果を示す。図１は、ヨウ化カリウム濃度の増加に伴い、エッチング速度の約９から約３０Ａ／秒への増加を得るように、エッチング速度が調節できることを示す。他方、図２は、６ｍｍｏｌ／１００ｍＬのヨウ化カリウム濃度において、種々の割合の硝酸：フッ化水素酸、及び一定割合の酢酸を用いて、本発明によるエッチング組成物により得られた結果として示す。図２は、広範にわたるフッ化水素酸に対する硝酸比において、比較的安定したエッチング速度が得られることを示す。同様に、硝酸の体積比（対フッ化水素酸）が１５未満において、至適溶蝕速度が得られることを示す。
【００３４】
次に図３は、本発明によるエッチング組成物とＳｅｃｃｏによる先行技術エッチング組成物の間における、異なるタイプのシリコン−含有表面の比較を示す。同様な相関が図４に与えられ、発見された欠陥に関して、シリコン−含有表面における結果を同様に示す。図３及び図４において、実験で評価された欠陥は堆積欠陥（ＳＦ）である。図３及び図４から導き出せる結果は、本発明によるエッチング組成物は、先行技術において本質的であると報告されてきたクロム含有成分を含まないにもかかわらず、先行技術であるＳｅｃｃｏ組成物に匹敵する十分に信頼性の高い結果を明白に示す。
【００３５】
本発明によるエッチング溶液を用いることにより、ＳＯＩ又はｓＳＯＩのような薄い基板であっても半導体基板における表面欠陥を発見することが可能である。発見される溶蝕孔の形状は、エッチング処理後の浅い円錐形の孔、又は丸いへこみ（スポット）として観察可能であるか、又は線状欠陥ないし堆積欠陥である（エッチング後に線状として観察できる）。本発明によるエッチング溶液は現実の組成に依存して、初期表面のわずか１００〜５００Åの除去が要求とされるＳＯＩ又はｓＳＯＩのような薄い基板を用いた場合であっても、非常に満足のいく溶蝕時間を達成することができるように、例えば、１０〜４０Ａ／秒の溶蝕速度を満足させ、所望の溶蝕速度に調節することを可能としつつ、所望される溶蝕速度、例えば３〜７０Ａ／秒の溶蝕速度を提供する。
【００３６】
特に本発明によるエッチング溶液は、半導体薄膜の堆積欠陥及び／又転位を発見するのに効率がよい。正確なエッチング速度の制御、及びそれゆえ、欠陥、特に半導体薄膜における欠陥の正確な検出が提供される。例えば、半導体薄膜は、好ましくは、１０００オングストローム未満の上部シリコン層を有するＳＯＩタイプ膜、典型的には２００〜８００オングストロームの上部シリコン層を有する歪みを有するシリコン基板、又はシリコンゲルマニウム層である。さらに、シリコン層、又はシリコンゲルマニウム層の二重層、各々は歪みを有する層であってもよい）を含む構造上の欠陥は、本発明によるエッチング溶液を用いて発見することができる。一般的に歪みは圧縮又は引っ張り歪であってもよい。
好ましくは、本発明によるエッチング溶液は３０Ａ／秒未満、より好ましくは２５Ａ／秒未満のエッチング速度を提供する。
【００３７】
本発明によるエッチング溶液は、フッ化水素酸、硝酸及び酢酸のようなエッチング組成物の成分とともに導入される以外の追加の水を少しも含有しないことが好ましい。
この点において、さらに本発明による溶液が、Ｓｅｃｃｏによるエッチング溶液（前記参照）の使用を参照として、非常に類似する欠陥密度（例えば、図３及び図４に示すＳＦ値）が得られることから証明でき、これは、非常に十分かつ確実な欠陥の確認を可能とすることが示される。
【００３８】
概して、したがって、本発明によるエッチング溶液は、これまでに先行技術から知られているエッチング組成物と比して著しい進歩を可能とすることが容易にわかる。
【００３９】
驚くことに、フッ化水素酸、硝酸、酢酸及び好ましくはヨウ化カリウムを含むエッチング液の組成物を用いて、通常のシリコン表面だけではなく、下位層のゲルマニウム含量の割合に起因して応力を受けた歪みを有するＳＯＩ層、又はＳｉＧｅ層上に形成される応力を受けたＳｉ層のような歪みを有し応力を受けた表面においても、転位及び堆積欠陥を含む様々な欠陥が発見され得ることがさらにわかった。したがって、本発明は、通常のシリコン表面上だけではなく、これら特定のタイプのリコン表面上においても十分に良好な結果を提供することができる。加えて、さらに本発明の好ましい形態は、シリコン表面の本発明によるエッチング液処理の後、フッ化水素酸を用いた付加的な処理（及び処理された表面の脱イオン水による洗浄のような通常の中間処理）での使用である。そのようなフッ化水素酸を用いたさらなる処理の適用により、通常はＨＣｌガスを用いた場合にのみ検出できるような欠陥である新しいタイプの転位、したがって問題のある材料が検出できる。この付加的な処理を用いて検出できる新しい欠陥は、２つの堆積欠陥の交差部分にのみ存在し、該欠陥は前記Ｓｅｃｃｏエッチング液のような先行技術から公知となる通常のエッチング液組成物を用いては、それほど強く検出できない。
【００４０】
さらに本発明は、ＥＰＤすなわち、エッチングプロセスの信頼性を損なうことなく、一層のエッチングプロセスの制御を可能とするように、かなり低い温度で高いエッチング効率をもって本発明によるエッチング溶液を用いることができるという点で有利である。低温におけるかなり低いエッチング速度によって、処理基板全体の統合性を危険にさらすことなく、十分に高い程度の制御をもって、超薄基板の溶蝕が特に可能となる。
【００４１】
したがって、５〜５０℃、好ましくは５〜２５℃のような広い温度範囲でエッチングを行うことが可能となり、低温の状況、５もしくは８〜１５℃のような、２０〜２５℃のような溶液の状況（実施例では２３．１℃）に依存して、エッチングを行うことが可能となる
【００４２】
さらに、すでに上記に概要を述べたが、本発明は、シリコン表面をエッチングするプロセスを提供するのみならず、シリコン表面の欠陥特性を決定する方法を提供し、いずれも本明細書で規定するエッチング溶液を用いてシリコン表面をエッチングするプロセスを含む。
【００４３】
本発明のプロセス及び方法では、前記シリコン表面は、通常のシリコン基板又は好ましくはＳＯＩもしくはｓＳＯＩ材料もしくは応力を受けたＳｉ表面のような半導体基板表面であってもよい。
【００４４】
これらの基板は通常のいずれの前処理がなされてもよく、本発明によるエッチング溶液の適用の後、基板は通常の洗浄、乾燥などのような、必要により、後処理が再度なされてもよい。
【００４５】
前記のように、本発明によるエッチング溶液の使用は、十分に満足にいく溶蝕結果とともに、溶蝕速度の優れた制御を可能とする。すなわち処理表面上の信頼性の高い欠陥の検出を可能とする。
【００４６】
したがって、本発明は、記載されたエッチング溶液が、工業用エッチングプロセスにおいて、参照されるＳｅｃｃｏ液に代替した使用が可能であることを証明する。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【国際調査報告】
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2011519480.tif 000007
2011519480.tif 000008