(57)【要約】  本発明のウェハーの欠陥評価方法は、ウェハーのサンプルを用意するステップと、前記ウェハーのサンプル上に酸化膜を形成するステップと、表面光電圧で少数キャリアの拡散距離を測定するステップと、汚染度の結果を判定するステップとを含む。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウェハーのサンプルを用意するステップと、
前記ウェハーのサンプル上に酸化膜を形成するステップと、
表面光電圧で少数キャリアの拡散距離を測定するステップと、
汚染度の結果を判定するステップと、
を含むウェハーの欠陥評価方法。
【請求項２】
前記酸化膜の厚さは１００Å〜１２０００Åである請求項１に記載のウェハーの欠陥評価方法。
【請求項３】
前記酸化膜を形成するステップは、９００℃〜１０００℃の範囲の温度で６０分〜１４０分間行われる請求項２に記載のウェハーの欠陥評価方法。
【請求項４】
前記汚染度の結果を判定するステップで、
LDP欠陥領域が含まれる場合で、前記少数キャリアの拡散距離が４５０μm以上である場合、Pi領域は４４０μm以上、LDP欠陥領域は２９０〜４４０μmに設定される請求項１に記載のウェハーの欠陥評価方法。
【請求項５】
前記汚染度の結果を判定するステップで、
LDP欠陥領域が含まれない場合で、前記少数キャリアの拡散距離が４５０μm以上である場合、Pi及びPv領域は４２０μm、O-band領域は３８０μm以下に設定される請求項１に記載のウェハーの欠陥評価方法。
【請求項６】
前記汚染度の結果を判定するステップで、
前記少数キャリアの拡散距離が４５０μm〜４００μmである場合、Pi及びPv領域は３４０μm、O-band領域は２４０μm以下に設定される請求項１に記載のウェハーの欠陥評価方法。
【請求項７】
前記汚染度の結果を判定するステップで、
前記少数キャリアの拡散距離が４００μm〜３５０μmである場合、Pi及びPv領域は３４０μm、O-band領域は１２０μm以下に設定される請求項１に記載のウェハーの欠陥評価方法。
【請求項８】
前記汚染度の結果を判定するステップで、
前記少数キャリアの拡散距離が３５０μm〜３００μmである場合、Pi及びPv領域は２８０μm、P-band(O-band)領域は１２０μm以下に設定される請求項１に記載のウェハーの欠陥評価方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ウェハーの欠陥評価方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般的に、シリコンウェハーを製造する方法としてチョクラルスキー(CZochralski：以下CZ法)法が多く利用されており、CZ法では、石英ルツボに多結晶シリコンを装入し、これを黒鉛発熱体によって加熱して溶融させた後、溶融により形成されたシリコン溶融液にシード結晶を浸し、界面で結晶化が起きるようにして、シード結晶を回転させながら引上げることで、単結晶のシリコンインゴットを成長させる。その後、シリコンインゴットをスライシング、エッチング及び研磨してウェハーの形態に作り上げる。
【０００３】
このような方法で製造された単結晶シリコンインゴットまたはシリコンウェハーは、COP(Crystal Originated Particles)、FPD(Flow Pattern Defect)、OISF(Oxygen induced Stacking Fault)、BMD(Bulk Micro Defect)などの結晶欠陥が現れており、このような成長中に導入される欠陥(grown-in defect)の密度とサイズの減少が求められており、前記結晶欠陥は、素子の収率及び品質に影響を及ぼすことが確認されている。従って、結晶欠陥を完全に除去させるとともに、このような欠陥を容易かつ迅速に評価する技術は非常に重要である。
【０００４】
また、単結晶シリコンインゴットまたはシリコンウェハーは、その結晶の成長条件によって空孔型点欠陥が優勢して過飽和となった空孔(Vacancy)が凝集した欠陥を持つV-rich領域、空孔型点欠陥が優勢しているが凝集した欠陥がないPv領域、空孔／インターステシャル境界(V／I boundary)、インターステシャル(Interstitial)点欠陥が優勢しているが凝集した欠陥がないPi領域、インターステシャル点欠陥が優勢して過飽和となったインターステシャルシリコンが凝集した欠陥を持つI-rich領域などが存在する。
【０００５】
そして、このような領域が発生する位置と単結晶シリコンインゴットの結晶の長さ毎に、このような領域がどのように変化していくのかを確認することは、結晶の品質レベルを評価することにおいて重要である。
【０００６】
従来技術によれば、CZ法で製造される単結晶インゴットにおいて、V／Gと呼ばれるボロンコフの理論に基づいてV／Gの閾値以上に成長する場合(高速成長)には、ボイド(Void)欠陥が存在するV-rich領域が発生し、V／Gの閾値以下に成長する場合(低速成長)には、OISF(Oxidation Induced Stacking Fault)欠陥がエッジまたはセンター領域にリング状に発生し、さらに低速にした場合、格子間シリコンが集合した電位ループ(Dislocation Loop)が絡み合ってLDP(Loop Dominant Point defect zone)欠陥領域であるI-rich領域が発生する。
【０００７】
このようなV領域とI領域の境界の間には、V-richもI-richでもない無欠陥領域が存在する。無欠陥領域内でも、VDP(Vacancy Dominant Point defect zone)無欠陥領域であるPv領域と、IDP(Interstitial Dominant Point defect zone)無欠陥領域であるPi領域とに区分され、無欠陥ウェハーを製造するためには、前記領域を製造マージンとして認識している。
【０００８】
一方、従来技術によるシリコンウェハーの評価方法としては、以下のようなものがある。
【０００９】
第一の方法として、シリコンウェハーの表面欠陥評価方法として、６５nmサイズ以下のCOP欠陥が存在するウェハーを用いて、RTP処理を行った後、表面光電圧法(SPV：Surface Photo voltage Method)を利用してウェハー上の少数キャリアの拡散距離を計算し、COPは、少数キャリアの再結合センター(Recombination Center)として作用し、粒子カウンター装置によって検出されないCOPを検出できる方法がある。
【００１０】
一方、RTPを利用してSPV法で測定する場合、６５nmサイズあるいはそれ以下の結晶欠陥を確認することができるが、現在の粒子カウンター装置の場合、５０nm以下あるいは２０〜３０nmの欠陥レベル及び分布などを確認することができるので、より精密な測定方法が要求される。
【００１１】
第二のとして、V-Rich領域、OISF領域、そして銅デコレーション(Cu decoration)法によって検出される領域にも属さず、TZDB(Time zero dielectric breakdown)特性が向上した領域を、RIE(Reactive Ion Etching：反応性イオンエッチング)法を利用して検出する方法があり、この方法でRIE欠陥が検出されない場合、この領域で素子(Device)を製作しても、酸化膜の破壊特性が落ちない高品質のシリコンウェハーであることを確認する方法である。
【００１２】
一方、RIE法の場合、TZDB劣位領域の検出には良い方法であるが、別途のイオンエッチングのための装置が必要である問題と、実際の結果であるRIEが完了したウェハーを現わすためには別途の装置が必要であるという問題がある。
【００１３】
第三の方法として、前記第二の方法で確認することができなかった結晶劣位領域をTZDB法を改善して確認することができる方法がある。一方、このような方法は、既存のTZDB法を改善してRIE領域を確認することができるが、追加熱処理及びアニーリング(Annealing)処理が必要であるため、多くの時間が必要とされ、TZDBを測定するためのサンプルの製作過程でサンプル製作の失敗の可能性が存在する。
【００１４】
第四の方法として、銅ヘイズを利用した単結晶シリコンの結晶欠陥領域区分法及び結晶欠陥領域評価用の銅汚染溶液では、一定濃度の銅溶液を利用してウェハーの片面を汚染させた後、特定の温度と時間の熱処理をすると、特定の結晶領域で発生する銅ヘイズ(Cu haze)を目で観察して結晶欠陥領域を区分することができる。
【００１５】
一方、銅ヘイズの評価方法は、TZDB劣位領域以外に他の結晶欠陥領域まで把握できるという長所があるが、この方法の場合、正確な銅の濃度レベルを維持するための努力が必要であり、正確な結晶領域、例えばTZDB劣位領域あるいはRIE検出領域を確認するためには、別途の２つの熱処理過程を経なければならないという問題がある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
本発明は、TZDB(Time zero dielectric breakdown)特性が劣らない領域を、SPV(表面光電圧)法を利用して評価できるウェハーの欠陥評価方法を提供しようとする。
【００１７】
また、本発明は、LDP(Loop Dominant Point defect zone)領域、ピュア(Pure)領域、Pv領域、Pi領域などに結晶領域の区分が可能なウェハーの欠陥評価方法を提供しようとする。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
本発明のシリコンウェハーは、チョクラルスキー法により製造されたシリコンウェハーであって、表面光電圧法によってウェハーの少数キャリアの拡散距離を測定するために、所定厚さを有する酸化膜が蒸着されている。
【００１９】
本発明のウェハーの欠陥評価方法は、ウェハーのサンプルを用意するステップと、前記ウェハーのサンプル上に酸化膜(Oxidation layer)を形成するステップと、表面光電圧法によって少数キャリアの拡散距離を測定するステップと、汚染度の結果を判定するステップと、を含む。
【発明の効果】
【００２０】
本発明のウェハーの欠陥評価方法によれば、結晶領域の区分、特に既存のV-rich領域及びOISF領域、そして銅デコレーション(Cu decoration)法で検出されないとともにTZDB特性が劣らない領域を、SPV法を利用してウェハー内の少数キャリアの拡散距離を測定した後、簡単に評価する方法を提供することができる。
【００２１】
また、本発明によれば、簡単かつ短時間でウェハーまたはインゴットの汚染の有無を確認することができ、シリコンの欠陥領域を区分することに必要な基準が明確であるので、誰でも簡単に適用できる長所がある。
【００２２】
また、本発明は、SPV法を利用するので、結果の確認も既存の方法に比べて、作業者の技術(Skill)に依存せず、SPV測定前に実行する前処理過程が客観的なプロセス(Process)で行われるので、客観的な欠陥評価方法を提供することができる。
【００２３】
また、本発明によれば、LDP領域、ピュア領域、Pv領域、Pi領域などに結晶領域の区分が可能なウェハーの欠陥評価方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】実施例に係るウェハーの欠陥評価方法のフローチャートである。
【図２】シリコンウェハーの点欠陥評価方法を利用して評価した比較例の結果例示図である。
【図３】シリコンウェハーの点欠陥評価方法を利用して評価した比較例の結果例示図である。
【図４】シリコンウェハーの点欠陥評価方法を利用して評価した比較例の結果例示図である。
【図５】実施例に係るシリコンウェハーの点欠陥評価方法を利用したシリコン欠陥領域を区分する方法で観察したサンプルにおいて、それぞれの結晶領域別の少数キャリアの拡散距離を示した結果例示図である。
【図６】実施例に係るシリコンウェハーの点欠陥評価方法を利用したシリコン欠陥領域を区分する方法で観察したサンプルにおいて、それぞれの結晶領域別の少数キャリアの拡散距離を示した結果例示図である。
【図７】通常の研磨さらたウェハー(Normal Polished Wafer)を利用して実施例に係るシリコンウェハーの点欠陥評価方法を、より具体的に適用した例である。
【図８】SPVを利用して実施例に係る少数キャリアの拡散距離結果の例示図として、銅ヘイズを利用して結晶領域を区分したマップ及び銅ヘイズを利用して区分した結晶領域を図式化した状態で、横方向の少数キャリアの拡散距離を示した例示図である。
【図９】SPVを利用して実施例に係る少数キャリアの拡散距離結果の例示図として、銅ヘイズを利用して結晶領域を区分したマップ及び銅ヘイズを利用して区分した結晶領域を図式化した状態で、横方向の少数キャリアの拡散距離を示した例示図である。
【図１０】SPVを利用して実施例に係る少数キャリアの拡散距離結果の例示図として、銅ヘイズを利用して結晶領域を区分したマップ及び銅ヘイズを利用して区分した結晶領域を図式化した状態で、横方向の少数キャリアの拡散距離を示した例示図である。
【図１１】SPVを利用して実施例に係る少数キャリアの拡散距離結果の例示図として、銅ヘイズを利用して結晶領域を区分したマップ及び銅ヘイズを利用して区分した結晶領域を図式化した状態で、横方向の少数キャリアの拡散距離を示した例示図である。
【図１２】SPVを利用して実施例に係る少数キャリアの拡散距離結果の例示図として、銅ヘイズを利用して結晶領域を区分したマップ及び銅ヘイズを利用して区分した結晶領域を図式化した状態で、横方向の少数キャリアの拡散距離を示した例示図である。
【図１３】SPVを利用して実施例に係る少数キャリアの拡散距離結果の例示図として、銅ヘイズを利用して結晶領域を区分したマップ及び銅ヘイズを利用して区分した結晶領域を図式化した状態で、横方向の少数キャリアの拡散距離を示した例示図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
実施例は、TZDB特性が劣らない領域を、SPV法を利用して評価できるウェハーの欠陥評価方法を提供しようとする。
【００２６】
図１は、実施例に係るウェハーの欠陥評価方法のフローチャートである。
【００２７】
実施例に係るウェハーの欠陥評価方法は、ウェハーのサンプルを用意するステップ(S１１０)と、前記ウェハーのサンプル上に酸化膜を形成するステップ(S１２０)と、表面光電圧法によって少数キャリアの拡散距離を測定するステップ(S１３０)と、汚染度の結果を判定するステップ(S１４０)と、を含むことができる。
【００２８】
実施例に係るウェハーの欠陥評価方法によれば、結晶領域の区分、特に既存のV-rich領域及びOISF領域、そして銅デコレーション法で検出されないとともにTZDB特性が劣らない領域を、SPV法を利用してウェハー内の少数キャリアの拡散距離を測定した後、簡単に評価する方法を提供することができる。
【００２９】
特に、TZDB特性またはTDDB(Time dependent dielectric breakdown)特性が劣らない領域検出の他にも、シリコン点欠陥が凝集した形態の欠陥を有しない無欠陥領域であるPv領域及びPi領域も区分可能なシリコンウェハーの点欠陥評価方法を提供することができる。
【００３０】
また、実施例によれば、簡単かつ短時間でウェハーまたはインゴットの汚染の有無を確認することができ、シリコンの欠陥領域を区分することに必要な基準が明確であるので、誰でも簡単に適用できる長所がある。
【００３１】
また、実施例は、SPV法を利用するので、結果の確認も既存の方法に比べて、作業者の技術に依存せず、SPV測定前に実行する前処理過程が客観的なプロセスで行われ、客観的な欠陥評価方法を提供することができる。
【００３２】
以下、実施例に係るウェハーの欠陥評価方法を図面を参照して詳細に説明する。
【００３３】
まず、実施例に係るウェハーの欠陥評価方法は、評価サンプルを用意して(S１１０)、一定以上の温度で一定厚さのドライ酸化膜(Dry Oxidation layer)を形成する(S１２０)。
【００３４】
酸化膜を形成する温度及び厚さは、ウェハーの酸素濃度及びその他ウェハーの結晶欠陥分布によって異なり、各条件に応じた少数キャリアの拡散距離が変わるため、評価基準も変わってくる。
【００３５】
前記酸化膜は、ドライ酸化膜またはウェット酸化膜からなることができ、約１００Å〜数万Åの厚さを有することができる。例えば、前記酸化膜は、約１００Å〜約１２０００Åの厚さを有することができ、前記酸化膜の厚さが１００Å未満である場合、少数キャリアが検出(detecting)されず、１２０００Åを超える場合、少数キャリアの過度な拡散が発生することがある。
【００３６】
例えば、実施例で、前記酸化膜の形成は、約９００℃〜約１０００℃の温度で、約６０分〜１４０分間の酸化膜形成工程によって、約１００Å〜約１０００Åの厚さのドライ酸化膜を形成することができるが、これに限定されるものではない。
【００３７】
実施例によれば、前記酸化膜の形成によって、ウェハーの全体結晶領域に対して欠陥の有無を検出することができる。
【００３８】
次に、実施例は、乾式法で一定厚さの酸化膜が蒸着されているウェハーを用いて、SPV法を利用してウェハーの少数キャリアの拡散距離を測定(S１３０)する。
【００３９】
このとき、SPV方式を利用して少数キャリアの拡散距離を測定する場合、ウェハーに加えられる光は約４５０nm〜約１２００nmの波長を有することができ、実施例によれば、SPVを利用してバルク(Bulk)Fe濃度を測定する場合のように別途の事前処理を必要としない長所がある。光の波長が前記光の波長範囲を超える場合、約１μmのウェハー厚さを脱することになる。
【００４０】
実施例で、SPVの測定条件は、サンプルの条件及びサイズによって異なるが、同じ基準で測定し、結晶欠陥が存在し得る領域での拡散距離を基準に、領域を区分して汚染度の結果を判定(S１４０)することができる。
【００４１】
実施例によれば、SPV測定前に実行する前処理過程が客観的なプロセスで行われ、客観的な欠陥評価方法を提供することができる。
【００４２】
また、実施例によれば、簡単かつ短時間でウェハーまたはインゴットの汚染の有無を確認することができ、シリコンの欠陥領域を区分することに必要な基準が明確であるので、誰でも簡単に適用できる長所がある。
【００４３】
また、実施例に係るウェハーの欠陥評価方法によれば、結晶領域の区分、特に既存のV-rich領域及びOISF領域、そして銅デコレーション法で検出されないとともにTZDB特性が劣らない領域を、SPV法を利用してウェハー内の少数キャリアの拡散距離を測定した後、簡単に評価する方法を提供することができる長所がある。
【００４４】
特に、実施例は、TZDB特性またはTDDB特性が劣らない領域検出の他にも、シリコン点欠陥が凝集した形態の欠陥を有しない無欠陥領域であるPv領域及びPi領域も区分可能なシリコンウェハーの点欠陥評価方法を提供することができる。
【００４５】
図２〜図５は、シリコンウェハーの点欠陥評価方法を利用して評価した比較例と実施例の結果例示図である。
【００４６】
（比較例）
図２〜図４は、上記従来技術で説明した方法を利用して、V-rich領域からシリコン点欠陥が凝集した形態の欠陥を有しない無欠陥領域、例えばPv領域(VDP：Vacancy Dominant Point defect zone)、Pi領域(IDP：Interstitial Dominant Point defect zone)まで含まれたV-testサンプルを利用して、上述した評価方法を適用した結果である。
【００４７】
一方、従来でのRTPを適用した後、COPを検出する方法は行わなかった。
【００４８】
図２のように、５０nmあるいはその以下のCOP(Crystal Originated Particles)または小さいボイド(Small Void)形態の結晶欠陥を測定できるMAGCIS装置を利用して評価したサンプルの結果では、左側上端Aに微細サイズのCOP欠陥が存在することを確認することができる。
【００４９】
次に、図３のように銅ヘイズ法を利用して評価した結果を見ると、無欠陥(Perfection)領域のPv領域(VDP)とPi領域(IDP)を完全に区分できたことを確認することができる。
【００５０】
この結果を基に、一番目のTZDB評価結果(図４)を見ると、既存のCOP領域のみにTZDB FailがBモード基準に発生したことを観察することができる。
【００５１】
しかし、TZDBが劣位した領域、すなわち、素子を製作しても酸化膜の破壊特性が落ちにくい高品質のシリコンウェハーであることを確認する方法で、GOI failが現れない領域、を確認することができる方法を適用する場合、既存の方法では確認されないTZDB劣位領域でC&C+mode failが発生した結果を確認することができる(図４参照、二番目のTZDB map)。特に、このような領域は、RIE法を適用した場合、同じ位置でRIE欠陥が現れたことを確認することができる。
【００５２】
(実施例１)
図５及び図６は、実施例に係るシリコンウェハーの点欠陥評価方法を利用したシリコン欠陥領域を区分する方法で観察したサンプルにおいて、それぞれの結晶領域別の少数キャリアの拡散距離を示した結果である。
【００５３】
同じサンプルを利用して実施例で提示しようとする酸化膜を形成した後、表面光電圧法を利用して評価した結果(MCDL map)を見ると、既存の方法と同じ領域に独立するように区分することができるという事実を確認することができる。
【００５４】
本結果は、LDP領域が含まれないV-testサンプルを利用した評価結果であるが、LDP欠陥が検出されるInterstitial Rich領域が含まれたV-testサンプルでも区分が可能である。
【００５５】
まず、図５の場合、V-rich領域からPi領域(IDP)への少数キャリアの拡散距離をプロファイル(profile)形態で示したとき、中央部分で最も低い値を示す。
【００５６】
また、図６の場合、TZDB劣位領域とPv領域(VDP)が混在している領域でも、新しく開発した実施例が適用された結果では、TZDB劣位領域とPv領域(VDP)の区分が可能であることを確認することができる。
【００５７】
少数キャリアの拡散距離が最も低い区間を基準とする場合、劣位領域は約２７０μm以下の拡散距離を現わし、このような基準は、以後マップ(map)のみを利用した確認以外にも数字上の定量化が可能であることを確認することができる。もちろん、LDP領域が含まれたサンプルを利用する場合には、このような基準は変更されることになる。
【００５８】
上記の多様な結晶領域が含まれているサンプル以外に、一般的な研磨さらたウェハー(Polished Wafer)を利用して評価する場合にも、上記と同じ方法で領域確認及び追加領域区分が可能である。
【００５９】
図７は、通常の研磨さらたウェハーを利用して実施例に係るシリコンウェハーの点欠陥評価方法を、より具体的に適用した例である。
【００６０】
図８〜図１３は、SPVを利用して実施例に係る少数キャリアの拡散距離結果の例示図として、銅ヘイズを利用して結晶領域を区分したマップ及び銅ヘイズを利用して区分した結晶領域を図式化した状態で、横方向の少数キャリアの拡散距離を示した例示図であり、図８〜図１３でP-bandは、O-bandと同じ意味で図示されている。
【００６１】
図８は、LDP領域が含まれるとき少数キャリアの拡散距離が約４５０μm以上である場合の結果のサンプルとして、一番上の結果は、SPVを利用して実施例に係る少数キャリアの拡散距離結果の例示図であり、中間の結果は、銅ヘイズを利用して結晶領域を区分したマップであり、一番下の結果は、銅ヘイズを利用して区分した結晶領域を図式化した状態で、横方向の少数キャリアの拡散距離を示した例示図である。
【００６２】
LDP欠陥の場合、V-richとは異なり侵入型点欠陥(Interstitial point defect)が優勢しているI-rich領域に存在するので、殆どがPi領域と隣接して現れ、前面にLDP欠陥が分布する場合を除いては、B-band領域を含んでセンター領域にドーナツ状のチューブまたは円状(circle type)に存在する場合が殆どである。
【００６３】
図８のように、LDPが存在するサンプルの場合、MCDL(Minority Carrier Diff. Length)値はいずれも４５０μm以上と観察される。一方、図１２のように、LDP欠陥がないサンプル(MCDL_Pure ４５０μm以上)の場合、結晶領域がセンター領域にドーナツ状のチューブまたは円状に存在しないことがある。
【００６４】
図８で、Pi領域は４４０μm以上、LDPは２９０〜４４０μmに指定できるが、これに限定されるものではない。
【００６５】
実施例によれば、結晶領域上、エッジ部分にPvが発生することがあり、この場合MCDL値は３８０μm以下の値を有することができ、この場合３８０μmという基準は、エッジ部分のみに限定して適用することができる。
【００６６】
図９は、LDP領域が含まれない場合(pure)の少数キャリアの拡散距離が約４５０μm以上である場合の結果のサンプルとして、一番上の結果は、SPVを利用して実施例に係る少数キャリアの拡散距離結果の例示図であり、中間の結果は、銅ヘイズを利用して結晶領域を区分したマップであり、一番下の結果は、銅ヘイズを利用して区分した結晶領域を図式化した状態で、横方向の少数キャリアの拡散距離を示した例示図である。
【００６７】
実施例によれば、図９のように、LDP領域が含まれないとき、前記少数キャリアの拡散距離が４５０μm以上である場合、Pi及びPv領域は４２０μm、P-band(O-band)領域は約３８０μm以下に設定することができる。
【００６８】
図９のように、LDP欠陥がないサンプル(MCDL_Pure ４５０μm以上)の場合、結晶領域がセンター領域にドーナツ状のチューブまたは円状に存在しないことがある。
【００６９】
図９のように、MCDL値が４５０μm以上の場合、Pi及びPvが優勢している領域と判定することができ、エッジ部分でP-band領域を検出することができる。従って、このような場合、ラジアル(radial)方向(ウェハー基準、-１５０mm〜+１５０mm)のMCDLプロファイルを確認すると、ウェハーの-R／２〜+R／２地点はフラットに観察され、エッジ部分にP-bandが含まれている場合、エッジのMCDLたるみ現象がより著しく観察される。
【００７０】
図１０は、少数キャリアの拡散距離が約４５０μm〜約４００μmである場合の結果のサンプルとして、一番上の結果は、SPVを利用して実施例に係る少数キャリアの拡散距離結果の例示図であり、中間の結果は、銅ヘイズを利用して結晶領域を区分したマップであり、一番下の結果は、銅ヘイズを利用して区分した結晶領域を図式化した状態で、横方向の少数キャリアの拡散距離を示した例示図である。
【００７１】
実施例によれば、図１０のように、少数キャリアの拡散距離が約４５０μm〜約４００μmである場合、Pi及びPv領域は約３４０μm、P-band(O-band)領域は約２４０μm以下に設定することができる。
【００７２】
図１１は、少数キャリアの拡散距離が約４００μm〜約３５０μmである場合の結果のサンプルとして、一番上の結果は、SPVを利用して実施例に係る少数キャリアの拡散距離結果の例示図であり、中間の結果は、銅ヘイズを利用して結晶領域を区分したマップであり、一番下の結果は、銅ヘイズを利用して区分した結晶領域を図式化した状態で、横方向の少数キャリアの拡散距離を示した例示図である。
【００７３】
実施例によれば、図１１のように、少数キャリアの拡散距離が約４００μm〜約３５０μmである場合、Pi及びPv領域は約３４０μm、P-band(O-band)領域は約１２０μm以下に設定することができる。
【００７４】
図１２は、少数キャリアの拡散距離が約３５０μm〜約３００μmである場合の結果のサンプルとして、一番上の結果は、SPVを利用して実施例に係る少数キャリアの拡散距離結果の例示図であり、中間の結果は、銅ヘイズを利用して結晶領域を区分したマップであり、一番下の結果は、銅ヘイズを利用して区分した結晶領域を図式化した状態で、横方向の少数キャリアの拡散距離を示した例示図である。
【００７５】
実施例によれば、図１２のように、少数キャリアの拡散距離が約３５０μm〜約３００μmである場合、Pi及びPv領域は約２８０μm、P-band(O-band)領域は約１２０μm以下に設定することができる。
【００７６】
図１３は、少数キャリアの拡散距離が約３００μm以下である場合の結果のサンプルとして、一番上の結果は、SPVを利用して実施例に係る少数キャリアの拡散距離結果の例示図であり、中間の結果は、銅ヘイズを利用して結晶領域を区分したマップであり、一番下の結果は、銅ヘイズを利用して区分した結晶領域を図式化した状態で、横方向の少数キャリアの拡散距離を示した例示図である。
【００７７】
図１３によれば、少数キャリアの拡散距離が約３００μm以下である場合、P-band(Small Void含む)及びPvのみが存在し、MCDL値は、最高点(max. peak)と最低点(min. peak)の相対的な高低を利用した判別が可能である。
【００７８】
実施例に係るウェハーの欠陥評価方法によれば、結晶領域の区分、特に既存のV-rich領域及びOISF領域、そして銅デコレーション法で検出されないとともにTZDB特性が劣らない領域を、SPV法を利用してウェハー内の少数キャリアの拡散距離を測定した後、簡単に評価する方法を提供することができる。
【００７９】
また、実施例によれば、簡単かつ短時間でウェハーまたはインゴットの汚染の有無を確認することができ、シリコンの欠陥領域を区分することに必要な基準が明確であるので、誰でも簡単に適用できる長所がある。
【００８０】
また、実施例は、SPV法を利用するので、結果の確認も既存の方法に比べて、作業者の技術に依存せず、SPV測定前に実行する前処理過程が客観的なプロセスで行われるので、客観的な欠陥評価方法を提供することができる。
【００８１】
以上の実施例で説明された特徴、構造、効果などは少なくとも一つの実施例に含まれ、必ず一つの実施例に限定されるものではない。また、各実施例で例示された特徴、構造、効果などは、他の実施例に組合または変形して実施可能であり、またそうした組合と変形も本発明の範囲にあることは当業者に理解されるところである。
【産業上の利用可能性】
【００８２】
本発明は、ウェハーの欠陥検査に利用できる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【国際調査報告】
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