(57)【要約】  本発明は、少なくとも２個の金属原子と、前記少なくとも２個の金属原子に結合した金属架橋配位子とを含む多核金属錯体を含む発光材料に関する。より詳細には、式（Ｉ）：｛−［Ｌ］２Ｍ−Ｂ−｝ｎ〔式中、Ｌは、二座配位子であり、Ｍは、少なくとも４０の原子番号を有する遷移金属を表し、各Ｍは、存在ごとに同一であっても異なっていてもよく、Ｂは、前記少なくとも２個の金属原子に結合した二結合性の短い金属架橋配位子であり、この金属架橋配位子は、窒素、リン、炭素、酸素、硫黄、およびセレンから独立して選択される配位原子を１，２または１，３の相互位置（１，２−μまたは１，３−μの結合モード）で含み、かつｎは、１よりも大きい整数である〕で表される多核錯体に関する。【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（Ｉ）：
｛−［Ｌ］２Ｍ−Ｂ−｝ｎ
〔式中、
Ｌは、二座配位子であり、
Ｍは、少なくとも４０の原子番号を有する遷移金属を表し、かつ、各Ｍは、存在ごとに同一であっても異なっていてもよく、
Ｂは、前記少なくとも２個の金属原子に結合した二結合性の短い金属架橋配位子であり、前記金属架橋配位子は、窒素、リン、炭素、酸素、硫黄、およびセレンから独立して選択される配位原子を１，２または１，３の相互位置（１，２−μまたは１，３−μの結合モード）で含み、かつ、
ｎは、１よりも大きい整数である〕
で示される多核錯体。
【請求項２】
各Ｂは、同一であっても異なっていてもよく、短架橋擬ハロゲン化物配位子、好ましくは、
・  ＣＮ−（シアノ）
・  短いニトリル、たとえば、ｄｃａ（ジシアナミド）およびｔｃｍ（トリシアノメタニド）
・  ＮＣＸ−、〔式中、Ｘは、Ｏ（イソシアネート）、Ｓ（イソチオシアネート）、またはＳｅ（イソセレノシアネート）である〕
・  Ｎ３−（アジド）
・  Ｒ−ＣＯ２−（カルボキシレート）
・  ＮＯ
から独立して選択される、請求項１に記載の多核錯体。
【請求項３】
Ｌが、存在ごとに同一であっても異なっていてもよく、かつ
【化１】
2011528024.tif 000023
〔式中、
Ｅ１は、さらなる芳香族部分または非芳香環で場合により縮合されていてもよい芳香環またはヘテロ芳香環を表し、前記環は、１個以上の置換基を場合により有していてもよく、ｓｐ２混成炭素を介して金属Ｍに配位しており、場合により環Ｅ２と共に縮合構造を形成していてもよく、
Ｅ２は、さらなる芳香族部分または非芳香環で場合により縮合されてもよい芳香環またはヘテロ芳香環を表し、前記環は、１個以上の置換基を場合により有していてもよく、周期系のＩＶａ族、Ｖａ族、またはＶＩａ族から選択される原子Ｘを介して金属Ｍに配位している〕
を表す、請求項１または２に記載の多核錯体。
【請求項４】
配位原子Ｘが炭素または窒素である、請求項３に記載の多核錯体。
【請求項５】
前記錯体が、次式：
【化２】
2011528024.tif 000024
〔式中、
Ｘは、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＲ＝ＣＨ−、−ＣＲ＝ＣＲ−、Ｎ−Ｈ、Ｎ−Ｒ１、Ｏ、Ｓ、およびＳｅよりなる群から選択され、好ましくは、Ｘは、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＲ＝ＣＨ−、またはＳの中から選択される基であり、最も好ましくは、Ｘは、−ＣＨ＝ＣＨ−であり、
Ｙは、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＲ＝ＣＨ−、−ＣＲ＝ＣＲ−、Ｎ−Ｈ、Ｎ−Ｒ１、Ｏ、Ｓ、またはＳｅよりなる群から選択され、好ましくは、Ｙは、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＲ＝ＣＨ−、またはＳの中から選択される基であり、最も好ましくは、Ｙは、−ＣＨ＝ＣＨ−であり、
Ｒは、存在ごとに同一であるかもしくは異なり、−Ｆ、−Ｃｌ、−Ｂｒ、−ＮＯ２、−ＣＮ、１〜２０個の炭素原子を有する直鎖状もしくは分岐状もしくは環状のアルキル基またはアルコキシ基またはジアルキルアミノ基（これらはいずれも、１個以上の非隣接−ＣＨ２−基が、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＲ１−、または−ＣＯＮＲ２−で置換されていてもよく、かつ、これらはいずれも、１個以上の水素原子が、Ｆ、−ＣＯＯＲ３、１個以上の非芳香族基で置換されていてもよい４〜１４個の炭素原子を有するアリール基またはヘテロアリール基で置換されていてもよい）であり、複数のＲは、同一の環上のＲであっても２つの異なる環上のＲであっても、一緒になって単環式もしくは多環式の環（場合により芳香環）を形成してもよく、Ｒ１、Ｒ２、およびＲ３は、存在ごとに同一であるかもしくは異なり、Ｈまたは１〜２０個の炭素原子を有する脂肪族もしくは芳香族の炭化水素基であり、
ａは、０〜４の整数であり、かつ
ｂは、０〜４の整数である〕
を有する、請求項４に記載の多核錯体。
【請求項６】
前記錯体が、次式：
【化３】
2011528024.tif 000025
〔式中、
Ｙは、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＲ＝ＣＨ−、−ＣＲ＝ＣＲ−、Ｎ−Ｈ、Ｎ−Ｒ１、Ｏ、Ｓ、またはＳｅよりなる群から選択され、好ましくは、Ｙは、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＲ＝ＣＨ−、またはＳの中から選択される基であり、最も好ましくは、Ｙは、−ＣＨ＝ＣＨ−であり、
Ｒは、存在ごとに同一であるかもしくは異なり、−Ｆ、−Ｃｌ、−Ｂｒ、−ＮＯ２、−ＣＮ、１〜２０個の炭素原子を有する直鎖状もしくは分岐状もしくは環状のアルキル基またはアルコキシ基またはジアルキルアミノ基（これらのいずれも、１個以上の非隣接−ＣＨ２−基が、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＲ１−、または−ＣＯＮＲ２−で置換されていてもよく、かつ、これらはいずれも、１個以上の水素原子が、Ｆ、−ＣＯＯＲ３、１個以上の非芳香族基で置換されていてもよい４〜１４個の炭素原子を有するアリール基またはヘテロアリール基で置換されていてもよい）であり、複数のＲは、同一の環上のＲであっても２つの異なる環上のＲであっても、一緒になって単環式もしくは多環式の環（場合により芳香環）を形成してもよく、Ｒ１、Ｒ２、およびＲ３は、存在ごとに同一であるかもしくは異なり、Ｈまたは１〜２０個の炭素原子を有する脂肪族もしくは芳香族の炭化水素基であり、
ａは、０〜４の整数であり、
ｂは、０〜３の整数であり、かつ
ｎは、１よりも大きい整数である〕
を有する、請求項４に記載の多核錯体。
【請求項７】
前記錯体が、次式：
【化４】
2011528024.tif 000026
〔式中、
Ｙは、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＲ＝ＣＨ−、−ＣＲ＝ＣＲ−、Ｎ−Ｈ、Ｎ−Ｒ１、Ｏ、Ｓ、またはＳｅよりなる群から選択され、好ましくは、Ｙは、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＲ＝ＣＨ−、またはＳの中から選択される基であり、最も好ましくは、Ｙは、−ＣＨ＝ＣＨ−であり、
Ｒは、存在ごとに同一であるかもしくは異なり、−Ｆ、−Ｃｌ、−Ｂｒ、−ＮＯ２、−ＣＮ、１〜２０個の炭素原子を有する直鎖状もしくは分岐状もしくは環状のアルキル基またはアルコキシ基またはジアルキルアミノ基（これらのいずれも、１個以上の非隣接−ＣＨ２−基が、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＲ１−、または−ＣＯＮＲ２−で置換されていてもよく、かつ、これらはいずれも、１個以上の水素原子が、Ｆ、−ＣＯＯＲ３、１個以上の非芳香族基で置換されていてもよい４〜１４個の炭素原子を有するアリール基またはヘテロアリール基で置換されていてもよい）であり、複数のＲは、同一の環上のＲであっても２つの異なる環上のＲであっても、一緒になって単環式もしくは多環式の環（場合により芳香環）を形成してもよく、Ｒ１、Ｒ２、およびＲ３は、存在ごとに同一であるかもしくは異なり、Ｈまたは１〜２０個の炭素原子を有する脂肪族もしくは芳香族の炭化水素基であり、
ａは、０〜４の整数であり、
ｂは、０〜２の整数であり、かつ
ｎは、１よりも大きい整数である〕
を有する、請求項４に記載の多核錯体。
【請求項８】
前記錯体が、次式：
【化５】
2011528024.tif 000027
〔式中、
Ｙは、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＲ＝ＣＨ−、−ＣＲ＝ＣＲ−、Ｎ−Ｈ、Ｎ−Ｒ１、Ｏ、Ｓ、またはＳｅよりなる群から選択され、
Ｒは、存在ごとに同一であるかもしくは異なり、−Ｆ、−Ｃｌ、−Ｂｒ、−ＮＯ２、−ＣＮ、１〜２０個の炭素原子を有する直鎖状もしくは分岐状もしくは環状のアルキル基またはアルコキシ基またはジアルキルアミノ基（これらはいずれも、１個以上の非隣接−ＣＨ２−基が、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＲ１−、または−ＣＯＮＲ２−で置換されていてもよく、かつ、これらはいずれも、１個以上の水素原子が、Ｆ、−ＣＯＯＲ３、１個以上の非芳香族基で置換されていてもよい４〜１４個の炭素原子を有するアリール基またはヘテロアリール基で置換されていてもよい）であり、複数のＲは、同一の環上のＲであっても２つの異なる環上のＲであっても、一緒になって単環式もしくは多環式の環（場合により芳香環）を形成してもよく、Ｒ１、Ｒ２、およびＲ３は、存在ごとに同一であるかもしくは異なり、Ｈまたは１〜２０個の炭素原子を有する脂肪族もしくは芳香族の炭化水素基であり、
ａは、０〜４の整数であり、
ｂは、０〜２の整数であり、かつ
ｎは、１よりも大きい整数である〕
を有する、請求項４に記載の多核錯体。
【請求項９】
ｎ＝２〜１０である、請求項１〜８のいずれか一項に記載の多核錯体。
【請求項１０】
ｎ＝４である、請求項９に記載の多核錯体。
【請求項１１】
大環状分子を形成する、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の多核錯体。
【請求項１２】
前記架橋配位子がＣＮ−である、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の多核錯体。
【請求項１３】
前記錯体が、
【化６Ａ】
2011528024.tif 000028
【化６Ｂ】
2011528024.tif 000029
【化６Ｃ】
2011528024.tif 000030
【化６Ｄ】
2011528024.tif 000031
よりなる群から選択される式を有する、請求項４に記載の多核錯体。
【請求項１４】
発光層を含む有機発光デバイスであって、前記発光層が、請求項１〜１３のいずれか一項に記載の発光材料を含み、場合によりホスト材料を含んでいてよいことを特徴とする、有機発光デバイス。
【請求項１５】
請求項１４に記載の有機発光デバイスを含む表示デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光材料およびそのような材料の使用に関する。本発明はさらに、電気エネルギーを光に変換可能な発光デバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、種々の表示デバイス、とくに、有機材料からの電界発光（ＥＬ）に基づく表示デバイスが、積極的に研究開発されている。フォトルミネセンス（すなわち、光吸収と、励起状態の放射性減衰による緩和とに基づく活性物質からの発光）とは対照的に、ＥＬは、基板に電界を印加することから生じる光の非熱的発生に起因する。ＥＬの場合、励起は、外部回路の存在下で有機半導体に注入された逆符号の電荷担体（電子および正孔）が再結合することにより達成される。
【０００３】
有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）の単純プロトタイプ、すなわち単層ＯＬＥＤは、典型的には、２つの電極間に挟まれた活性有機材料製の薄膜で構成される。一方の電極は、有機層からの発光を観測するために半透明である必要がある。典型的には、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）被覆ガラス基板がアノードとして使用される。
【０００４】
多くの有機材料は、一重項励起子からの蛍光、すなわち、対称許容過程からのルミネセンスを呈する。このルミネセンスは、この過程が同一の対称性の状態間で起こるので効率的であると考えられる。それとは対照的に、励起子の対称性が基底状態のものと異なる場合、励起子の放射性緩和は禁制であり、ルミネセンスは遅くかつ非効率的であろう。基底状態は通常は反対称であるので、三重項からの減衰は対称性に反する。この場合、プロセスは禁制であり、ＥＬの効率は非常に低い。したがって、三重項状態に含まれるエネルギーは、ほとんどが無駄になる。
【０００５】
対称禁制過程からのルミネセンスは、燐光として知られる。典型的には、燐光は、急速減衰で起こる蛍光とは異なり、遷移確率が低いため励起後数秒間持続する可能性がある。しかし、三重項からの効率的な室温燐光を示すごく少数の有機材料が確認されている。
【０００６】
燐光材料をうまく利用すれば、有機電界発光デバイスに対してきわめて大きな将来性および有益性が確保される。たとえば、燐光材料を利用する利点は、燐光デバイス中の部分的に三重項に基づくすべての励起子（ＥＬにおいて正孔と電子とを結合させることにより形成された励起子）がエネルギー移動およびルミネセンスに関与しうることである。これは、燐光発光自体により達成可能であるか、あるいは、燐光ホストとして、または蛍光ゲスト中のドーパントとして、蛍光過程の効率を向上させるために燐光材料を用いることにより達成可能であり、ホストの三重項状態からの燐光発光が、ホストの三重項状態からゲストの一重項状態へのエネルギー移動を可能にする。
【０００７】
イリジウム（ＩＩＩ）錯体は、最近、電子デバイスおよび生物学的用途においてルミネセンス材料および電気化学発光材料として有望な三重項発光体として高い関心を集めてきた。イリジウム錯体中の配位子を変化させることにより、帯青緑色から赤色までの範囲の色が生成される。しかし、１個のみのイリジウム原子を有するイリジウム錯体は、非常に狭いスペクトル領域の光を発したので、白色発光には、たとえば、白熱電球の代替には好適でない。各発光ダイオード（ＬＥＤ）が狭いスペクトル領域でのみ発光する場合、白色光ディスプレイは、複数のＬＥＤを必要とするであろう。その場合、複数のＬＥＤは、白色光の提供に必要な所要の広帯域照明を得るために複雑かつ高価なＬＥＤモジュールに組み込まれるであろう。これに関連して、少なくとも２個のイリジウム原子を有するイリジウム錯体の開発に関するいくつかの研究がなされてきた。
【０００８】
（非特許文献１）には、ビピリジン誘導体と共に２個のオルトメタル化配位子２−フェニルピリジンを含有するヘテロレプチックな単核および二核のイリジウム（ＩＩＩ）錯体が開示されている。次式：
【化１】
2011528024.tif 000002
により表されるイリジウム（ＩＩＩ）錯体は、緑色領域から赤色領域までの範囲の光を発する。
【０００９】
（非特許文献２）には、次式：
【化２】
2011528024.tif 000003
により表される二核イリジウム錯体が開示されている。これは、溶液中で強い赤色燐光を呈する。
【００１０】
（非特許文献３）には、四核シクロメタル化イリジウム錯体の２種のジアステレオ異性体の調製が開示されている。これらはいずれも、ヘキソール型［Ｉｒ（ＩｒＣｌ２）３］６＋ユニットの内側コアと、エナンチオピュアなピネノピリジン誘導体に由来する６個のキラルな二座シクロメタル化配位子の表面と、を有する。
【００１１】
（特許文献１）は、架橋配位子としてハロゲンを有する一価イリジウム二核錯体を特徴とする、三価六座オルトメタル化イリジウム錯体の製造プロセスに関する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１２】
【特許文献１】国際公開第２００４／０４３９７４号パンフレット
【非特許文献】
【００１３】
【非特許文献１】Ｐｌｕｍｍｅｒ  ｅｔ  ａｌ．，”Ｍｏｎｏ−  ａｎｄ  Ｄｉ−ｎｕｃｌｅａｒ  Ｉｒｉｄｉｕｍ（ＩＩＩ）  Ｃｏｍｐｌｅｘｅｓ：Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ  ａｎｄ  Ｐｈｏｔｏｐｈｙｓｉｃｓ，”Ｄａｌｔｏｎ  Ｔｒａｎｓ．，２０８０−２０８４（２００３）
【非特許文献２】Ｔｓｕｂｏｙａｍａ  ｅｔ  ａｌ．，”Ａ  Ｎｏｖｅｌ  Ｄｉｎｕｃｌｅａｒ  Ｃｙｃｌｏｍｅｔａｌａｔｅｄ  Ｉｒｉｄｉｕｍ  Ｃｏｍｐｌｅｘ  Ｂｒｉｄｇｅｄ  ｗｉｔｈ  １，４−ｂｉｓ［ｐｙｒｉｄｉｎｅ−２−ｙｌ］ｂｅｎｚｅｎｅ：Ｉｔｓ  Ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ  ａｎｄ  Ｐｈｏｔｏｐｈｙｓｉｃａｌ  Ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ，”Ｄａｌｔｏｎ  Ｔｒａｎｓ．，１１１５−１１１６（２００４）
【非特許文献３】Ｌ．Ｙａｎｇ．，”Ｎｏｖｅｌ  ＨＥＸＯＬ−Ｔｙｐｅ  Ｃｙｃｌｏｍｅｔａｌｌａｔｅｄ  Ｉｒｉｄｉｕｍ（ＩＩＩ）  Ｃｏｍｐｌｅｘｅｓ：Ｓｔｅｒｅｏｓｅｌｅｃｔｉｖｅ  Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ  ａｎｄ  Ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ  Ｅｌｕｃｉｄａｔｉｏｎ，”Ｃｈｅｍ．  Ｃｏｍｍｕｎ．，４１５５−４１５７（２００５）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
しかし、当技術分野で開示されたイリジウム錯体を含有する上述した発光材料は、十分に高い効率を示さず、さらには白色光を得るためのブロードな発光を示さない。したがって、ブロードなスペクトル領域、とくに橙色領域、緑色領域、および青色領域の光を効果的に発光可能な発光材料を開発することが望ましいであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明は、以下に記述するように、白色発光を得るために効率的な、ブロードなスペクトル領域の光を発光可能な発光材料に関する。
【００１６】
本発明の他の態様は、この発光材料の使用、およびこの発光材料を含む有機発光デバイスに関する。
【００１７】
本発明は、少なくとも２個の金属原子と、これらの少なくとも２個の金属原子に結合している二結合性の短い金属架橋配位子とを含む多核錯体を含む発光材料を提供する。ここで、この金属架橋配位子は、窒素、リン、炭素、酸素、硫黄、およびセレンから独立して選択される配位原子を１，２または１，３の相互位置（１，２−μまたは１，３−μの結合モード）で含む。
【００１８】
本発明によれば、「二結合性」とは、配位子がその２個の異なる原子を介して金属原子に結合していることを意味し、この２個の異なる原子は、ビシナル（互いに隣接、１，２−μに相当）であってもよいし、１個の他の原子により分離されていてもよい（１，３−μに相当）。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明の有機発光デバイスを含有する表示デバイスの断面図である。
【図２】本発明の式（ＶＩＩ）および（ＶＩＩＩ）で示される錯体を含有する混合物の１Ｈ−ＮＭＲスペクトルを示す。
【図３】本発明の式（ＶＩＩ）および（ＶＩＩＩ）で示される錯体のマススペクトログラムを示す。
【図４】４個のイリジウム中心がシアニド架橋を介して結合している、本発明の式（ＩＸ）で示される錯体のＸ線結晶構造を示す。
【図５】本発明の架橋シアニドを有するイリジウムの概略透視図を示す。
【図６】いくつかのバタフライ分子、すなわち、右から左に式（ＶＩ）、式（ＶＩＩ）、式（ＶＩＩＩ）、式（ＩＸ）の、ＣＨ２Ｃｌ２中４００ｎｍ励起でのフォトルミネセンス発光スペクトルを示す。
【図７】強い緑色ルミネセンスを生じる本発明の式（ＩＸ）で示される錯体の固体発光を示す。
【図８】本発明の種々の錯体、すなわち、左から右に式（Ｘ）、式（ＸＩ）、式（ＩＸ）、式（ＶＩ）の、非脱気ジクロロメタン中での発光スペクトルを示す。
【図９】本発明の種々の錯体、すなわち、左から右に式（Ｘ）、式（ＩＸ）、式（ＶＩＩＩ）の、固体発光およびＰＭＭＡ膜中でのルミネセンスを示す。
【図１０】対応するＣＩＥ座標と一緒に、式ＩＸおよびベンチマーク分子Ｉｒ（ｍｐｐｙ）３の規格化発光スペクトルを示す。
【図１１】式ＩＸを用いたデバイスで得られた輝度に対する電流効率および電力効率を示している。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
より特定的には、本発明の多核錯体は、式（Ｉ）：
｛−［Ｌ］２Ｍ−Ｂ−｝ｎ
〔式中、
Ｌは、二座配位子であり、
Ｍは、少なくとも４０の原子番号を有する遷移金属、特定的には第８〜１２族の遷移金属、より特定的にはＩｒまたはＰｔ、最も特定的にはＩｒを表し、各Ｍは、存在ごとに同一であっても異なっていてもよく、
Ｂは、上述により定義したとおりであり、かつ、ｎは、１よりも大きい整数である〕
で表すことができる。
【００２１】
好ましい一実施形態では、各Ｂは、同一であっても異なっていてもよく、短い架橋「擬ハロゲン化物」配位子、好ましくは、
・  ＣＮ−（シアノ）
・  短いニトリル、たとえば、ｄｃａ（ジシアナミド）およびｔｃｍ（トリシアノメタニド）
・  ＮＣＸ−〔式中、Ｘは、Ｏ（イソシアネート）、Ｓ（イソチオシアネート）、またはＳｅ（イソセレノシアネート）である〕
・  Ｎ３−（アジド）
・  Ｒ−ＣＯ２−（カルボキシレート）
・  ＮＯ
から独立して選択される。
【００２２】
好ましくは、Ｌは、
【化３】
2011528024.tif 000004
〔式中、
Ｅ１は、さらなる芳香族部分または非芳香環で場合により縮合されてもよい芳香環またはヘテロ芳香環を表し、前記環は、１個以上の置換基を場合により有していてもよく、ｓｐ２混成炭素を介して金属Ｍに配位しており、場合により環Ｅ２と共に縮合構造を形成していてもよく、
Ｅ２は、さらなる芳香族部分または非芳香環で場合により縮合されてもよい芳香環またはヘテロ芳香環を表し、前記環は、１個以上の置換基を場合により有していてもよく、周期系のＩＶａ族、Ｖａ族、またはＶＩａ族から選択される原子Ｘ、好ましくはｓｐ２混成炭素または窒素を介して金属Ｍに配位している〕
を表す。Ｌは、好ましくは、二座のＣ＾Ｎ配位子またはＣ＾Ｃ配位子である。
【００２３】
式（Ｉ）で示される多核錯体は、線状の高分子であってもオリゴ分子であってもよく、より好ましくは多核金属大環状分子である。最も好ましいのは、自己集合により個別化合物として適切な条件下で容易に形成される二核、三核、および四核の環状錯体である。四核環状錯体は、Ｃ＾Ｎ配位子間で分子内相互作用を示し、分子の安定化および全体的剛性化を引き起こす。これらの作用により、観測された特有の光物理的性質および延長された寿命がもたらされると考えられる。
【００２４】
本発明の一実施形態では、多核錯体は、次式：
【化４】
2011528024.tif 000005
〔式中、
Ｂおよびｎは、式（Ｉ）に関連して上述により定義したとおりであり、
Ｘは、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＲ＝ＣＨ−、−ＣＲ＝ＣＲ−、Ｎ−Ｈ、Ｎ−Ｒ１、Ｏ、Ｓ、およびＳｅよりなる群から選択され、特定的には、Ｘは、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＲ＝ＣＨ−、またはＳの中から選択される基であり、最も特定的には、Ｘは、−ＣＨ＝ＣＨ−であり、
Ｙは、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＲ＝ＣＨ−、−ＣＲ＝ＣＲ−、Ｎ−Ｈ、Ｎ−Ｒ１、Ｏ、Ｓ、およびＳｅよりなる群から選択され、特定的には、Ｙは、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＲ＝ＣＨ−、またはＳの中から選択される基であり、最も特定的には、Ｙは、−ＣＨ＝ＣＨ−であり、
Ｒは、存在ごとに同一であるかもしくは異なり、−Ｆ、−Ｃｌ、−Ｂｒ、−ＮＯ２、−ＣＮ、１〜２０個の炭素原子を有する直鎖状もしくは分岐状もしくは環状のアルキル基またはアルコキシ基またはジアルキルアミノ基（これらはいずれも、１個以上の非隣接−ＣＨ２−基が、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＲ１−、または−ＣＯＮＲ２−で置換されていてもよく、かつ、これらはいずれも、１個以上の水素原子が、Ｆ、−ＣＯＯＲ３、１個以上の非芳香族基で置換されていてもよい４〜１４個の炭素原子を有するアリール基またはヘテロアリール基で置換されていてもよい）であり、複数のＲは、同一の環上のＲであっても２つの異なる環上のＲであっても、一緒になって単環式もしくは多環式の環（場合により芳香環）を形成していてもよく、Ｒ１、Ｒ２、およびＲ３は、存在ごとに同一であるかもしくは異なり、それぞれ、Ｈまたは１〜２０個の炭素原子を有する脂肪族もしくは芳香族の炭化水素基であり、
ａは、０〜４の整数であり、かつ
ｂは、０〜４の整数である〕
を有する。
【００２５】
本発明の別の実施形態では、多核錯体は、次式： 
【化５】
2011528024.tif 000006
〔式中、
Ｒ、Ｙ、Ｂ、ａ、およびｎは、式（Ｉ）および（ＩＩ）に関連して上述により定義したとおりであり、かつ、ｂは、０〜３の整数である〕
を有する。
【００２６】
本発明の別の実施形態では、多核錯体は、次式： 
【化６】
2011528024.tif 000007
〔式中、
Ｒ、Ｙ、Ｂ、ａ、およびｎは、式（Ｉ）〜（ＩＩＩ）に関連して上述により定義したとおりであり、かつ、ｂは、０〜２の整数である〕
を有する。
【００２７】
本発明の別の実施形態では、多核錯体は、次式： 
【化７】
2011528024.tif 000008
〔式中、
Ｒ、Ｙ、Ｂ、ａ、ｂ、およびｎは、式（ＩＶ）に関連して上述により定義したとおりである〕
を有する。
【００２８】
本発明の他の実施形態は、同一であっても異なっていてもよい各Ｂが、シアノ配位子およびチオシアネート配位子の配位子（好ましくはシアノ配位子）から選択され、かつ、ｎが特定的には４（すなわち四核錯体）である、多核錯体に関する。
【００２９】
特定的には、本発明の多核錯体の他の実施形態には、帯青緑色〜濃青色の発光を有する式（ＩＩＩ）および（Ｖ）で表される以下の錯体が含まれる。
【化８Ａ】
2011528024.tif 000009
【化８Ｂ】
2011528024.tif 000010
【００３０】
Ｅ１部分およびＥ２部分を含むオルトメタル化配位子と架橋配位子との両方に結合する少なくとも２個の金属を有する錯体の場合、それらの金属は、金属原子がオルトメタル化配位子によりかご状にされた（caged）剛性構造を形成し、それにより、可視領域の発光が有意にブロード化されると同時に、相当する単核錯体と比較して固体状態の発光強度が向上されることが判明した。また、上述した環状構造（少なくとも２個の金属とそれらの架橋配位子とが環を形成している構造）は、非常に安定であることが判明した。
【００３１】
本発明に係る多核錯体のさらなる実施形態には、式（ＶＩ）〜（ＸＩＩ）で表される以下の錯体が含まれる。
【化９】
2011528024.tif 000011
【化１０】
2011528024.tif 000012
【化１１】
2011528024.tif 000013
【００３２】
式（ＶＩ）〜（ＸＩＩ）で示される上記錯体を含む発光材料を用いて、優れた結果を得ることが可能である。オルトメタル化配位子とシアノ架橋配位子とを含む式（ＶＩ）〜（ＸＩＩ）で示される錯体は、白色発光に必要な種々の波長領域でそれらの発光がブロードかつ強力であるのでとくに有利である。
【００３３】
式（Ｉ）で示される錯体、すなわち、２個のオルトメタル化配位子（Ｃ＾Ｎ配位子）と架橋配位子（Ｂ１およびＢ２）とを含む金属錯体の合成は、任意の公知の方法により達成可能である。式（Ｉ）で示される錯体の調製に好適な合成方法は、Ｋ．Ｄｅｄｉａｎ  ｅｔ  ａｌ，Ｉｎｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．，３０：１６８５（１９９１）、Ｆ．Ｏ．Ｇａｒｃｅｓ，Ｋ．Ａ．Ｋｉｎｇ，ａｎｄ  Ｒ．Ｊ．Ｗａｔｔｓ，Ｉｎｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．，２７：３４６４（１９８８）、Ｍ．Ｇ．Ｃｏｌｏｍｂｏ，ｅｔ  ａｌ，Ｉｎｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．，３３：５４５（１９９４）、ＪＨ  ｖａｎ  Ｄｉｅｍｅｎ，ＪＧ  Ｈａａｓｎｏｏｔ，Ｒ．Ｈａｇｅ，Ｅ．Ｍｉｉｌｌｅｒ  ａｎｄ  Ｊ．Ｒｅｅｄｉｊｋ，Ｉｎｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．Ａｃｔａ，１８１：２４５（１９９１）、Ｋ．Ａ．Ｋｉｎｇ，ｅｔ  ａｌ．，Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，１０７：１４３１（１９８５）（参照によりこれらの全体を本明細書に組み入れる）に詳細に記載されている。
【００３４】
一般的には、式（Ｉ）で示される四核錯体などの本発明の多核錯体の例は、以下の反応スキームに従って調製可能である。
【化１２】
2011528024.tif 000014
【００３５】
オルトメタル化配位子（Ｈ−Ｃ＾Ｎ）は、ＬＯＨＳＥ  ｅｔ  ａｌ．，”Ｔｈｅ  Ｐａｌｌａｄｉｕｍ  Ｃａｔａｌｙｚｅｄ  Ｓｕｚｕｋｉ  Ｃｏｕｐｌｉｎｇ  ｏｆ  ２−  ａｎｄ  ４−ｃｈｌｏｒｏｐｙｒｉｄｉｎｅｓ，”Ｓｙｎ．Ｌｅｔｔ．，１：１５−１８（１９９９）および米国特許第６，６７０，６４５号明細書（参照によりこれらの全体を本明細書に組み入れる）に記載されているように、置換ピリジン化合物と、相当するアリールボロン酸との鈴木カップリングを用いて、良好ないし優れた収率で調製可能である。
【００３６】
フッ素化オルトメタル化配位子（Ｈ−Ｃ＾Ｎ）の調製にとくに適した合成方法は、特開２００３−１１３１６４号公報および同２００３−１１３１６３号公報（参照によりこれらの全体を本明細書に組み入れる）に記載されている。
【００３７】
遷移金属がイリジウムである場合、ＩｒＣｌ３・Ｈ２Ｏなどのトリハロゲン化イリジウム（ＩＩＩ）化合物、Ｍ°３ＩｒＸ°６〔式中、Ｘ°は、ハロゲン、特定的にはＣｌであり、かつ、Ｍ°は、アルカリ金属、特定的にはＫである〕などのヘキサハロゲン化イリジウム（ＩＩＩ）化合物、およびＭ°２ＩｒＸ°６〔式中、Ｘ°は、ハロゲン、特定的にはＣｌであり、かつ、Ｍ°は、アルカリ金属、特定的にはＫである〕などのヘキサハロゲン化イリジウム（ＩＶ）化合物（Ｉｒハロゲン化前駆体）を出発材料として使用し、本発明の錯体を合成することが可能である。
【００３８】
［Ｃ＾Ｎ］２Ｉｒ（ＣＮ）２（化合物Ｘ、式中、Ｍ＝Ｉｒ）錯体は、ＮＡＺＥＥＲＵＤＤＩＮ  ｅｔ  ａｌ．”Ｈｉｇｈｌｙ  ｐｈｏｓｐｈｏｒｅｓｃｅｎｔ  ｉｒｉｄｉｕｍ  ｃｏｍｐｌｅｘｅｓ  ａｎｄ  ｔｈｅｉｒ  ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ  ｉｎ  ｏｒｇａｎｉｃ  ｌｉｇｈｔ−ｅｍｉｔｔｉｎｇ  ｄｅｖｉｃｅｓ，”Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．１２５（２９）：８７９０−８７９７（２００３）（その全体を参照により本明細書に組み入れる）に記載されているように、［Ｉｒ（ｐｐｙ）２（ＣＩ）］２（ｐｐｙ＝２−フェニルピリジン）とテトラアルキルアンモニウムシアニドとの反応により調製可能である。
【００３９】
Ｘ°がハロゲン、特定的にはＣｌである［Ｃ＾Ｎ］２Ｉｒ（μ−Ｘ°）２Ｉｒ［Ｃ＾Ｎ］２錯体（化合物ＸＩＩＩ、式中、Ｍ＝Ｉｒ）（特定的には、［（２−（２，４−ジフルオロフェニル）−４−ジメチルアミノピリジン）２ＩｒＣｌ］２、［（２−（２，４−ジフルオロフェニル）ピリジン）２ＩｒＣｌ］２、［（２−フェニルピリジン）２ＩｒＣｌ］２および［（２−（２，４−ジフルオロフェニル）−５−ジメチルアミノピリジン）２ＩｒＣｌ］２）は、Ｋｉｎｇ  ａｎｄ  Ｗａｔｔｓ，Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．１０９：１５８９−１５９０（１９８７）（その全体を参照により本明細書に組み入れる）に記載されているように、文献で公知の手順を利用することにより、前述のＩｒハロゲン化前駆体および適切なオルトメタル化配位子から調製可能である。
【００４０】
［Ｃ＾Ｎ］２Ｍ（ＣＮ）２と［Ｃ＾Ｎ］２Ｍ（μ−Ｘ°）２Ｍ［Ｃ＾Ｎ］２とを反応させることによる四核錯体の調製は、有機溶媒中で有利に行われる。極性非プロトン性溶媒は、この反応に一般に使用される。特に良好な結果を与える溶媒は、メチレンジクロリド（ＣＨ２Ｃｌ２）である。溶媒は、そのまま、あるいは他の溶媒と混合して、使用することができる。
【００４１】
反応は、０〜１００℃、特定的には２０〜８０℃、より特定的には４０〜５０℃の温度で、最も特定的にはメチレンジクロリドの還流温度で、０．５〜４８時間、特定的には２〜２４時間、最も特定的には４〜１２時間かけて実施することができる。
【００４２】
反応は、好適な金属塩、例えば、非配位性もしくは弱配位性の対イオンを有する銀塩、たとえば、テトラフルオロホウ酸銀（ＡｇＢＦ４）およびヘキサフルオロリン酸銀（ＡｇＰＦ６）、特定的には硝酸銀（ＡｇＮＯ３）またはトリフル酸銀（ＡｇＣＦ３ＳＯ３）などの存在下で実施することができる。
【００４３】
本発明は、有機発光デバイス（ＯＬＥＤ）の発光層で以上に記載の多核錯体を含む発光材料を使用することにも関する。
【００４４】
さらに、本発明は、有機発光デバイス中の発光層として機能するのに有効な条件下で、ホスト層中のドーパントとして、上述した多核錯体を含む発光材料を使用することに関する。
【００４５】
発光材料をホスト層中のドーパントとして使用する場合、発光材料を、ホストおよびドーパントの全質量を基準にして、一般的には少なくとも１質量％、特定的には少なくとも３質量％、より特定的には少なくとも５質量％、かつ一般的には多くとも２５質量％、特定的には多くとも２０質量％、より特定的には多くとも１５質量％の量で使用する。
【００４６】
本発明は、発光層（ＥＭＬ）を含む有機発光デバイス（ＯＬＥＤ）にも関する。発光層は、上述した発光材料を含み、場合によりホスト材料を共に含んでいてよい（この場合、発光材料は特定的にはドーパントとして存在する）。ホスト材料は、とくに、デバイス構造体を横切って電圧が印加された時にルミネセンスを発するように適合化される。
【００４７】
ＯＬＥＤは、一般的には、
ガラス基板、
アノード（一般的には、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）アノードなどの透明アノードである）、
正孔輸送層（ＨＴＬ）、
発光層（ＥＭＬ）、
電子輸送層（ＥＴＬ）、および
カソード（一般的には、Ａｌ層などの金属カソードである）、
を含む。
【００４８】
正孔伝導発光層に関して、発光層と電子輸送層との間に、励起子阻止層、特に、正孔阻止層（ＨＢＬ）を有していてもよい。電子伝導発光層に関して、発光層と正孔輸送層との間に、励起子阻止層、特に、電子阻止層（ＥＢＬ）を有していてもよい。発光層は、正孔輸送層と同じであってもよく（その場合、励起子阻止層はアノードの近傍またはアノードにある）、あるいは、電子輸送層と同じであってもよい（その場合、励起子阻止層はカソードの近傍またはカソードにある）。
【００４９】
発光層は、上述した発光材料がゲストとして存在するホスト材料を用いて形成してもよく、または発光層は、発光材料より本質的になるものであってもよい。前者の場合、ホスト材料は、置換トリアリールアミンの群から選択される正孔輸送材料であってよい。特定的には、発光層は、発光材料がゲストとして存在するホスト材料を用いて形成される。ホスト材料は、金属キノキソレート類（たとえば、アルミニウムキノレート（Ａｌｑ３）、リチウムキノレート（Ｌｉｑ））、オキサジアゾール類、およびトリアゾール類よりなる群から選択される電子輸送材料であってよい。ホスト材料の例は、次式：
【化１３】
2011528024.tif 000015
を有する４，４’−Ｎ，Ｎ’−ジカルバゾール−ビフェニル「［ＣＢＰ」］である。
【００５０】
場合により、発光層は、前述したホスト材料中にドーパントとして存在しかつ双極子モーメントを有する分極分子を含有していてもよく、この分子は、一般的には、ドーパントとして使用する前記発光材料がルミネセンスを発する時に発せられる光の波長に影響を及ぼす。
【００５１】
電子輸送材料で形成された層は、発光材料と（場合により）ホスト材料とを含む発光層中に電子を輸送するために有利に使用される。電子輸送材料は、金属キノキソレート類（たとえば、Ａｌｑ３、Ｌｉｑ）、オキサジアゾール類、およびトリアゾール類よりなる群から選択される電子輸送マトリックスであってよい。電子輸送材料の例は、式「［Ａｌｑ３」］：
【化１４】
2011528024.tif 000016
で示されるトリス−（８−ヒドロキシキノリン）アルミニウムである。
【００５２】
正孔輸送材料で形成された層は、上述した発光材料と（場合により）ホスト材料とを含む発光層中に正孔を輸送するために有利に使用される。正孔輸送材料の例は、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル［「α−ＮＰＤ」］である。
【化１５】
2011528024.tif 000017
【００５３】
励起子阻止層（「障壁層」）は、発光層（「発光ゾーン」）内に励起子を閉じ込めるために使用可能である。正孔輸送ホストに関して、阻止層を発光層と電子輸送層との間に配置してもよい。そのような障壁層に使用する材料の例は、次式：
【化１６】
2011528024.tif 000018
を有する２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（バソクプロインまたは「ＢＣＰ」とも呼ばれる）である。
【００５４】
特定的には、ＯＬＥＤは、図１に示すように多層構造を有していてもよい。図中、１は、ガラス基板であり、２は、ＩＴＯ層であり、３は、α−ＮＰＤを含むＨＴＬ層であり、４は、ホスト材料としてのＣＢＰと、ホストおよびドーパントの全質量を基準にして約８質量％の量のドーパントとしての発光材料と、を含むＥＭＬであり、５は、ＢＣＰを含むＨＢＬであり、６は、Ａｌｑ３を含むＥＴＬであり、かつ、７は、Ａｌ層カソードである。
【００５５】
本発明の別の態様は、上述したＯＬＥＤを含む表示デバイスに関する。
【実施例】
【００５６】
［実施例１］−多核錯体の合成
配位子（Ｌ）を有するシクロメタル化Ｉｒ（ＩＩＩ）μ−クロロ架橋二量体、ビスシクロメタル化Ｉｒ（ＩＩＩ）（Ｌ）２（ＣＮ）２ＴＢＡ、およびＩｒ（ＩＩＩ）（Ｌ）２（アセトニトリル）２ＣＦ３ＳＯ３を、本明細書中で引用した文献に記載されているようにして得た。
【００５７】
［ホモレプチック錯体の調製］
式（Ｘ）および（ＸＩ）などのホモレプチック多核錯体は、以下に示すとおりに調製した。
【００５８】
〔方法１〕：
凝縮器を備えた２５０ｍＬ二口丸底フラスコ中に、［（Ｌ）２Ｉｒ（μ−Ｃｌ）２Ｉｒ（Ｌ）２］錯体（錯体に依存して約２００ｍｇ、１当量）、テトラブチルアンモニウムシアニド（１．９当量）、および銀（Ｉ）トリフルオロメタンスルホネート（２．２当量）、ならびにジクロロメタン（２００ｍＬ）を入れた。フラスコの減圧処理およびアルゴンガス充填を３回行った。反応混合物をアルゴンガス下で８時間還流し、室温に冷却した。反応混合物を短いシリカゲルパッドで濾過し、続いて、ジクロロメタンまたはジクロロメタン／メタノール３％混合物で洗浄した。溶媒を減圧下で除去し、Ｓｅｐｈａｄｅｘクロマトグラフィーカラムにより錯体をさらに精製した。主バンドを捕集し、減圧下で濃縮し、ヘキサンで沈殿させた。沈殿をフリットガラスで濾過し、ヘキサンで洗浄し、乾燥させ、予想された四核錯体を３０〜７０％の収率で固体として得た。
【００５９】
〔方法２〕：
凝縮器を備えた２５０ｍＬ二口丸底フラスコ中に、Ｉｒ（ＩＩＩ）（Ｌ）２（ＣＮ）２ＴＢＡ錯体（錯体に依存して約２００ｍｇ、１当量）、Ｉｒ（ＩＩＩ）（Ｌ）２（アセトニトリル）２ＣＦ３ＳＯ２（錯体に依存して約２００ｍｇ、１当量）、およびジクロロメタン（２００ｍＬ）を入れた。フラスコの減圧処理およびアルゴンガス充填を３回行った。反応混合物をアルゴンガス下で８時間還流し、室温に冷却した。反応混合物を短いシリカゲルパッドで濾過し、続いて、ジクロロメタンまたはジクロロメタン／メタノール３％混合物で洗浄した。溶媒を減圧下で除去し、Ｓｅｐｈａｄｅｘクロマトグラフィーカラムにより錯体をさらに精製した。主バンドを捕集し、減圧下で濃縮し、ヘキサンで沈殿させた。沈殿をフリットガラスで濾過し、ヘキサンで洗浄し、乾燥させ、予想された四核錯体を３０〜７０％の収率で固体として得た。
【００６０】
［ヘテロレプチック錯体の調製］
式（ＶＩＩ）および（ＶＩＩＩ）などのヘテロレプチック多核錯体は、以下に示す方法と同一の方法で調製する。
【００６１】
１．  タイプ［Ｉｒ（Ｌ）２］［Ｉｒ（Ｌ’）２］［Ｉｒ（Ｌ）２］［Ｉｒ（Ｌ’）２］：
〔方法３〕：
出発材料としてＩｒ（ＩＩＩ）（Ｌ）２（ＣＮ）２ＴＢＡおよびＩｒ（ＩＩＩ）（Ｌ’）２（アセトニトリル）２ＣＦ３ＳＯ２を用いて、ホモレプチック錯体合成のための方法２を使用した。
【００６２】
〔方法４〕：
凝縮器を備えた２５０ｍＬ二口丸底フラスコ中に、［（Ｌ）２Ｉｒ（μ−Ｃｌ）２Ｉｒ（Ｌ）２］錯体（錯体に依存して約２００ｍｇ、０．５当量）、Ｉｒ（ＩＩＩ）（Ｌ）２（ＣＮ）２ＴＢＡ錯体（錯体に依存して約１００ｍｇ、１当量）、および銀（Ｉ）トリフルオロメタンスルホネート（１．２当量）、ならびにジクロロメタン（２００ｍＬ）を入れた。フラスコの減圧処理およびアルゴンガス充填を３回行った。反応混合物をアルゴンガス下で８時間還流し、室温に冷却した。反応混合物を短いシリカゲルパッドで濾過し、続いて、ジクロロメタンまたはジクロロメタン／メタノール３％混合物で洗浄した。溶媒を減圧下で除去し、Ｓｅｐｈａｄｅｘクロマトグラフィーカラムにより錯体をさらに精製した。主バンドを捕集し、減圧下で濃縮し、ヘキサンで沈殿させた。沈殿をフリットガラスで濾過し、ヘキサンで洗浄し、乾燥させ、予想された四核錯体を２０〜７０％の収率で固体として得た。
【００６３】
２．  タイプ［Ｉｒ（Ｌ）２］［Ｉｒ（Ｌ’）２］［Ｉｒ（Ｌ）２］［Ｉｒ（Ｌ’’）２］：
〔方法５〕：
凝縮器を備えた２５０ｍＬ二口丸底フラスコ中に、［（Ｌ’）２Ｉｒ（μ−Ｃｌ）２Ｉｒ（Ｌ’）２］錯体（錯体に依存して約１００ｍｇ、０．２５当量）、［（Ｌ）２Ｉｒ（μ−Ｃｌ）２Ｉｒ（Ｌ）２］錯体（錯体に依存して約２００ｍｇ、０．５当量）、［（Ｌ”）２Ｉｒ（μ−Ｃｌ）２Ｉｒ（Ｌ”）２］錯体（錯体に依存して約１００ｍｇ、０．２５当量）、テトラブチルアンモニウムシアニド（１．９当量）、および銀（Ｉ）トリフルオロメタンスルホネート（２．２当量）、ならびにジクロロメタン（２００ｍＬ）を入れた。フラスコの減圧処理およびアルゴンガス充填を３回行った。反応混合物をアルゴンガス下で８時間還流し、室温に冷却した。反応混合物を短いシリカゲルパッドで濾過し、続いて、ジクロロメタンまたはジクロロメタン／メタノール３％混合物で洗浄した。溶媒を減圧下で除去し、Ｓｅｐｈａｄｅｘクロマトグラフィーカラムにより錯体をさらに精製した。主バンドを捕集し、減圧下で濃縮し、ヘキサンで沈殿させた。沈殿をフリットガラスで濾過し、ヘキサンで洗浄し、乾燥させ、さまざまな組合せの予想された四核錯体を５〜１０％の収率で固体として得た。
【００６４】
〔方法６〕：
〔第１の工程〕：  凝縮器を備えた２５０ｍＬ二口丸底フラスコ中に、Ｉｒ（ＩＩＩ）（Ｌ）２（ＣＮ）２ＴＢＡ錯体（錯体に依存して約２００ｍｇ、３当量）、Ｉｒ（ＩＩＩ）（Ｌ’）２（アセトニトリル）２ＣＦ３ＳＯ３（錯体に依存して約６０ｍｇ、１当量）、およびジクロロメタン（２００ｍＬ）を入れた。フラスコの減圧処理およびアルゴンガス充填を３回行った。反応混合物をアルゴンガス下で８時間還流し、室温に冷却した。反応混合物を短いシリカゲルパッドで濾過し、続いて、ジクロロメタンまたはジクロロメタン／メタノール３％混合物で洗浄した。溶媒を減圧下で除去し、Ｓｅｐｈａｄｅｘクロマトグラフィーカラムにより錯体をさらに精製した。主バンドを捕集し、減圧下で濃縮し、ヘキサンで沈殿させた。沈殿をフリットガラスで濾過し、ヘキサンで洗浄し、乾燥させ、予想された非閉（non-closed）三核錯体［Ｉｒ（Ｌ）２］［Ｉｒ（Ｌ’）２］［Ｉｒ（Ｌ）２］を３０〜７０％の収率で固体として得た。
【００６５】
〔第２の工程：  凝縮器を備えた２５０ｍＬ二口丸底フラスコ中で、［Ｉｒ（Ｌ）２］［Ｉｒ（Ｌ’）２］［Ｉｒ（Ｌ）２］錯体（錯体に依存して約２００ｍｇ、１当量）、Ｉｒ（ＩＩＩ）（Ｌ”）２（アセトニトリル）２ＣＦ３ＳＯ３（錯体に依存して約６０ｍｇ、１当量）、およびジクロロメタン（２００ｍＬ）を入れた。フラスコの減圧処理およびアルゴンガス充填を３回行った。反応混合物をアルゴンガス下で８時間還流し、室温に冷却した。反応混合物を短いシリカゲルパッドで濾過し、続いて、ジクロロメタンまたはジクロロメタン／メタノール３％混合物で洗浄した。溶媒を減圧下で除去し、Ｓｅｐｈａｄｅｘクロマトグラフィーカラムにより錯体をさらに精製した。主バンドを捕集し、減圧下で濃縮し、ヘキサンで沈殿させた。沈殿をフリットガラスで濾過し、ヘキサンで洗浄し、乾燥させ、予想された四核錯体［Ｉｒ（Ｌ）２］［Ｉｒ（Ｌ’）２］［Ｉｒ（Ｌ）２］［Ｉｒ（Ｌ”）２］を３０〜７０％の収率で固体として得た。
【００６６】
Ａ．  式（ＩＸ）：［Ｉｒ（フェニル−ピリジン）２（ＣＮ）］４で示される化合物の調製
式（ＩＸ）で示される多核錯体の調製のために、以下のスキームに従って１つタイプのみのイリジウム錯体を利用してホモレプチック四核錯体を得た（方法１）。
【化１７】
2011528024.tif 000019
［スキーム１］：式（ＩＸ）で示される多核イリジウム錯体のワンポット合成スキーム
式（ＩＸ）で示される化合物を、６８％の収率で、鮮緑色発光黄色固体として得た。ＭＳ：ｍ／ｚ：１０５４．６１１２（［ＭＨ］２＋に対する計算値１０５４．６９８６）
【００６７】
Ｂ．式（Ｘ）：［Ｉｒ（２−（２，４−ジフルオロ−フェニル）−４−ＮＭｅ２−ピリジン）２（ＣＮ）］４で示される化合物の調製
【化１８】
2011528024.tif 000020
式（Ｘ）で示される化合物を、方法１に従って調製した。濾過およびヘキサンによる洗浄の後、鮮やかな薄青色発光の淡黄色固体を２９％の収率で得た。
【００６８】
Ｃ．式（ＶＩ）：［Ｉｒ（２−フェニル−４−ＣＯＯＭｅ−ピリジン）２（ＣＮ）］４で示される化合物の調製
式（ＶＩ）で示される化合物を、方法１に従って調製した。濾過およびヘキサンによる洗浄の後、鮮橙色発光赤色固体を４６％の収率で得た。
【００６９】
Ｄ．式（ＸＩ）：［Ｉｒ（２−（２，４−ジフルオロフェニル）−ピリジン）２（ＣＮ）］４で示される化合物の調製
式（ＸＩ）で示される化合物を、方法１に従って調製した。濾過およびヘキサンによる洗浄の後、薄青色発光淡黄色固体を５４％の収率で得た。
【００７０】
Ｅ．式（ＸＩＩ）：［Ｉｒ（１−フェニル−ピラゾリル）２（ＣＮ）］４で示される化合物の調製
式（ＸＩＩ）で示される化合物を、方法１に従って調製した。濾過およびヘキサンによる洗浄の後、鮮やかな薄緑色発光の無色固体を３８％の収率で得た。
【００７１】
Ｆ．式（ＶＩＩ）：［Ｉｒ（２−フェニル−ピリジン）２（ＣＮ）２］［Ｉｒ（２−フェニル−４−ＣＯＯＭｅ−ピリジン）２］［Ｉｒ（２−フェニル−ピリジン）２（ＣＮ）２］［Ｉｒ（２−フェニル−４−ＣＯＯＭｅ−ピリジン）２］で示される化合物の調製
［（２−フェニル−４−ＣＯＯＭｅ−ピリジン）２Ｉｒ（μ−Ｃｌ）２Ｉｒ（２−フェニル−４−ＣＯＯＭｅ−ピリジン）２］錯体およびＩｒ（ＩＩＩ）（２−フェニル−ピリジン）２（ＣＮ）２ＴＢＡを用いて、式（ＶＩＩ）で示される化合物を、方法４に従って調製し、３１％の収率で、鮮橙色発光橙色固体として得た。ＭＳ：ｍ／ｚ＝１１６９．１７８５（計算値１１６９．７０５６［Ｍ−Ｈ］２＋）。
【００７２】
Ｇ．式（ＶＩＩＩ）：［Ｉｒ（２−フェニル−ピリジン）２（ＣＮ）２］［Ｉｒ（２−フェニル−４−ＣＯＯＭｅ−ピリジン）２］［Ｉｒ（２−フェニル−ピリジン）２（ＣＮ）２］［Ｉｒ（２−フェニル−ピリジン）２］で示される化合物の調製
第１の工程で、Ｉｒ（ＩＩＩ）（２−フェニル−４−ＣＯＯＭｅ−ピリジン）２（アセトニトリル）２ＣＦ３ＳＯ３錯体およびＩｒ（ＩＩＩ）（２−フェニル−ピリジン）２（ＣＮ）２ＴＢＡを用い、第２の工程で、Ｉｒ（ＩＩＩ）（２−フェニル−ピリジン）２（アセトニトリル）２ＣＦ３ＳＯ２錯体を用いて、式（ＶＩＩＩ）で示される化合物を方法６に従って調製し、２２％の収率で鮮橙色発光橙色固体として得た。ＭＳ：ｍ／ｚ＝１１１１．０５３２（計算値１１１１．７００１［Ｍ−Ｈ］２＋）。
【化１９】
2011528024.tif 000021
［スキーム２］：式（ＶＩＩ）および（ＶＩＩＩ）で示される多核イリジウム錯体の合成スキーム
【００７３】
得られた粗製物は、通常のイリジウム錯体と比較して、とくに固体状態で、明らかに強いルミネセンスを発した。しかし、薄層クロマトグラフィー（ＴＬＣ）分析は、いくつかの明瞭なスポットを示した。そこで、２つの主スポットを式（ＶＩＩ）および式（ＶＩＩＩ）としてカラムクロマトグラフィーにより分離した。それらの画分の１Ｈ−ＮＭＲは、非常に複雑であったが、互いに異なり（図２参照）、テトラブチルアンモニウムカチオンは、観測されなかった（図示せず）。
【００７４】
驚くべきことに、質量分析の結果では、二重荷電化合物に対応する各画分が、ただ１つのピークを有しており、非常に純粋な生成物であることが示された。式（ＶＩＩ）ｍ／ｚ＝１１６９．１８および式（ＶＩＩＩ）ｍ／ｚ＝１１１１．０５（図３参照）。主スポットのカラム精製の後の１Ｈ−ＮＭＲおよび質量分析の結果は、ブロードかつ複雑な１Ｈ  ＮＭＲおよび質量分析の単一ピークを有しており、式（ＶＩＩ）および（ＶＩＩＩ）のものと非常に類似していた。
【００７５】
［実施例２］−多核錯体の結晶構造
式（ＩＸ）のアセトニトリル溶液中にメタノールを徐々に拡散させることにより、Ｘ線分析のための式（ＩＸ）で示される化合物の結晶を首尾よく得た。結晶構造およびイリジウム中心の概略図をそれぞれ図４および５に示す。
【００７６】
結晶構造の結果は、化合物が実際にシアニドにより架橋された四核イリジウム錯体であることを示した。ただし、正方形でなく、正方形と四面体形との中間であった。この構成では、シアニド架橋は、２個のイリジウム原子を直線状に架橋するのではなく、概略図に示されるように、それらの歪んだ配位により２個のイリジウム原子間の曲線になる。この構造を別の見方で見ると、１辺で結合された２つの非共面上三角形であることがわかる。この構造は、化学ではときどき「バタフライ」と呼ばれ、したがって、この新しい部類の分子は、「イリジウムバタフライ」として命名可能である。
【００７７】
シアニド架橋の配位により、正方形内で次の２つの異なるイリジウム錯体のタイプを生じることに留意されたい。すなわち、２個のイリジウム中心は、シアニド架橋の２個の窒素原子で配位され、かつ２個の他のイリジウム中心は、シアニド架橋の２個の炭素原子で配位される。しかし、Ｘ線分析に使用される結晶の質に起因して、すべての４個のイリジウム中心が１個の窒素原子と１個の炭素原子とで配位された他の配位パターンが形成されることもある。データによれば、式（ＶＩＩ）、（ＶＩＩＩ）、（Ｘ）、および（ＸＩ）などの本発明に係る他の化合物の構造は、式（ＩＸ）とほとんど同一の構造すなわちバタフライ構造を有し得る。
【００７８】
［実施例３］−光物理的結果
式（ＩＸ）のフォトルミネセンス量子収率をアセトニトリル中で測定したところ、かなり高い。すなわち、Φ＝６６％である。加えて、式（ＶＩＩ）、（ＶＩＩＩ）、および（ＩＸ）の固体ルミネセンスは、肉眼で容易に見えることから、おそらく固体状態で高い量子収率であることが示唆される（図６参照）。特定的には、式（ＩＸ）は、固体状態で強い緑色ルミネセンスを明瞭に示す（図７参照）。要約すると、４００ｎｍで励起した場合のＣＨ２Ｃｌ２中での光物理的結果は、次のとおりである。式（ＩＸ）：λｍａｘ＝４９８ｎｍ、半値全幅（ｆｗｈｍ）＝８０ｎｍ、式（ＶＩＩ）：λｍａｘ＝５７３ｎｍ、ｆｗｈｍ＝１２４ｎｍ、式（ＶＩＩＩ）：λｍａｘ＝５７８ｎｍ、ｆｗｈｍ＝１０５ｎｍ。固体ルミネセンスは、式（Ｘ）では普通であり、式（ＸＩ）では非常に弱く（図示せず）、式（ＩＸ）では強く、式（ＶＩＩＩ）では非常に強い（図８および９を参照されたい）。
【００７９】
４個のイリジウム中心がフェニルピリジン配位子により「ケージ化」されることおよび本発明に係る錯体の全体構造がＮＭＲ分析からわかるように確実に剛性であることから、固体状態での強いルミネセンスのこれらの観測結果を説明することが可能である。このことは、この部類の燐光分子を、固体デバイス用として潜在的に興味深いものとしている。
【００８０】
当業者には自明なことであろうが、本発明の趣旨および範囲から逸脱することなく本発明に種々の修正および変更を加えることが可能である。したがって、本発明は、添付の特許請求およびその等価物の範囲内に入るかぎり、本発明の修正形態および変更形態を包含するものとみなされる。
【００８１】
［実施例４］−式ＩＸを用いた場合のＯＬＥＤの結果
スピンコートＯＬＥＤ
ＯＬＥＤ構造：
ＩＴＯ／ＣＨ８０００／ＰＶＫ：ＯＸＤ７：式ＩＸ／ＴＰＢｉ／Ｃｓ２ＣＯ３／Ａｌ
比較のＯＬＥＤ構造：
ＩＴＯ／ＣＨ８０００／ＰＶＫ：ＰＢＤ：Ｉｒ（ｍｐｐｙ）３／ＴＰＢｉ／Ｃｓ２ＣＯ３／Ａｌ
【００８２】
［実験の部］
ＯＸＤ−７（１，３−ビス［（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチル）フェニル−１，３，４−オキサジアゾイル］ベンゼン）およびＰＢＤ（２−（４−ビフェニリル−５−（４−ｔｅｒｔブチルフェニル）−１，２，３−オキサジアゾール）は、Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ  Ｃｏｒｐ．から入手した。
ポリ（９−ビニルカルバゾール）（ＰＶＫ、Ｍｗ＝１，１００，００）は、ＳＰ２から入手した。
ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）：ポリ（スチレンスルホネート）（ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ、Ｃｌｅｖｉｏｓ  ＣＨ８０００）、および１，３，５−トリス［Ｎ−（フェニル）ベンゾイミダゾール］ベンゼン（ＴＰＢＩ）は、それぞれ、ＨＣ  Ｓｔａｒｃｋから、およびＬｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ  Ｃｏｒｐ．から購入した。
デバイス構造は、ガラス基板上に支持された底部電極としての１２０ｎｍ透明ＩＴＯ層で構成される。Ｓｕｓｓ  Ｍｉｃｒｏｔｅｃ社製のＤｅｌｔａ６  ＲＣスピンコーターを用いて、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ層および発光層をＩＴＯの上に逐次スピン塗布した。次に、Ｌｅｓｋｅｒ  Ｓｐｅｃｔｒｏｓシステムを用いて、ＴＰＢＩ、Ｃｓ２ＣＯ３、およびアルミニウム頂部金属接点を逐次蒸着した。さらなる処理の前に、ＩＴＯ表面をＯ２プラズマクリーナーで１０分間処理した。ＰＶＫ：ＯＸＤ７およびさまざまな質量比の式ＩＸを含有するクロロベンゼン溶液から発光層をスピン塗布した。ＨＡＭＡＭＡＴＳＵ社製のＣ９９２０−１２  Ｅｘｔｅｒｎａｌ  Ｑｕａｎｔｕｍ  Ｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ  Ｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔ  Ｓｙｓｔｅｍを用いてＯＬＥＤを光学的および電気的に特徴付けた。
【００８３】
［結果のまとめ］
１００Ｃｄ／ｍ２において、３％の式ＩＸを含有するデバイスを用いた場合の外部量子効率は１０．１％であり、電流効率および電力効率は、それぞれ、３１．６Ｃｄ／Ａおよび１９ｌｍ／Ｗであった。しかし、４〜１０％の濃度範囲内で無視しうる差が見いだされた。これらのデバイスでは、起動電圧は約３．５Ｖである。同一の構造を有しかつ式ＩＸの代わりにベンチマーク分子Ｉｒ（ｍｐｐｙ）３を有する他のデバイスと比較することにより、全体性能の改良は明らかである。表１中に、式ＩＸを用いたデバイスの性能を、Ｉｒ（ｍｐｐｙ）３と対比して、１００および１０００Ｃｄ／ｍ２で測定して報告する。
【００８４】
【表１】
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【００８５】
式ＩＸおよびベンチマーク分子Ｉｒ（ｍｐｐｙ）３［トリス（２−（ｐ−トリル）ピリジン）イリジウム（ＩＩＩ）］の規格化ＥＬスペクトルを、対応するＣＩＥ座標と一緒に図１０に示す。
【００８６】
式ＩＸを用いたデバイスで得られた輝度に対する電流効率および電力効率のプロットを図１１に示す。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図１０】
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【図１１】
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【図９】
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【国際調査報告】
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