(57)【要約】  多結晶層の製造方法において、基材（１）上に一連の層を堆積し、前記一連の層は、非晶質初期層（４）、金属活性層（２）および初期層（４、１０）と活性層（２、１１）との間に堆積された中間層（３）を含む。中間層（３）をチタンをベースとして製造する。活性層（２）に位置する多結晶最終層を製造するために一連の層を熱処理する。【選択図】なし
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
多結晶層の製造方法であって、 
・基材（１）上に一連の層を堆積すること、ここで、前記一連の層は、非晶質初期層（４、１０）、金属活性層（２、１１）および初期層（４、１０）と活性層（２、１１）との間に堆積させた中間層（３）を含む；および
・活性層（２、１１）の位置で多結晶最終層（８、１５）を製造するために、熱処理を行なうこと、
を含み、中間層（３）をＴｉをベースとして製造することを特徴とする、前記製造方法。
【請求項２】
中間層（３）が、酸化チタンを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
中間層（３）が、１ｎｍ〜１０ｎｍの厚みを有する、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
非晶質初期層（４、１０）が、少なくとも一種の半導体材料を含む、請求項１〜３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
非晶質初期層（４、１０）が、Ｓｉおよび／またはＧｅを含む、請求項１〜４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
非晶質初期層（４、１０）が、１０ｎｍ〜６００ｎｍまたは１００ｎｍ〜３００ｎｍの厚みを有する、請求項１〜５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
活性層（２、１１）を、金属または遷移金属をベースとして製造する、請求項１〜６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
活性層（２、１１）を、Ａｌ、ＳｂまたはＡｇをベースとして製造する、請求項１〜７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
活性層（２、１１）が、１０ｎｍ〜６００ｎｍまたは１００ｎｍ〜３００ｎｍの厚みを有する、請求項１〜８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
活性層（２、１１）が、非晶質初期層（４、１０）よりも小さい厚みを有する、請求項１〜９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
熱処理のプロセス温度を、非晶質初期層（４、１０）および活性層（３）の成分によって形成された材料系の共晶温度未満に保持する、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
多結晶最終層（８、１５）をその層面積の９９．５％の被覆率で形成するための熱処理の持続時間が、
ｔ［ｈ］＝（Δｘ［ｎｍ］／１００ｎｍ）＊ｅｘｐ（（２＊１０＋４／Ｔ［Ｋ］）−３４．５）、
式中、Δｘはｎｍで測定された活性層（２、１１）の厚みであり、およびＴは熱処理のプロセス温度である、
よりも長い、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
基材（１）上に活性層（２）を堆積し、ここで多結晶最終層（８）を基材（１）に形成する、請求項１〜１２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１４】
基材（１）上に非晶質初期層（１０）を堆積し、ここで多結晶最終層（１５）を基材（１）上の金属最終層（１６）上に形成する、請求項１〜１２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１５】
放射線を電気エネルギーに変換するための製品であって、製品が、請求項１〜１４のいずれか一項に記載の方法で製造されることを特徴とする、前記製品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、
・基材(substrate)上に一連の層を堆積すること、ここで、前記一連の層は、非晶質初期層、金属活性層および非晶質初期層と活性層との間に堆積させた中間層を含む；および
・活性層の位置で多結晶最終層を製造するために、熱処理を行なうこと、
を含む多結晶層の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
このような方法は、SCHNEIDER, Jens: Nucleation and growth during the formation of polycrystalline silicon thin films, Dissertation, TU Berlin, 2005で知られている。既知の方法によれば、モリブデンから作られた中間層が、金属誘起結晶化（metal induced crystallization）＝（ＭＩＣ）プロセスのために用いられる。このプロセスにおいて、アルミニウム層が基材上に堆積され、モリブデン層により覆われる。アルミニウム層上へのモリブデン層の堆積後、モリブデン層上に非晶質シリコン層が形成される。一連の層は熱処理を受ける。
【０００３】
熱処理の間、非晶質シリコン層からのシリコン原子が、アルミニウム層へと拡散する。飽和限界に達した場合、拡散障壁として作用する中間層に沿って、活性層中に結晶シリコンシードが形成される。この拡散障壁は、熱安定性でなければならない。特に、中間層の融点は熱処理中のプロセス温度よりずっと高くなければならない。
【０００４】
この条件は、モリブデンによって満たされ、なぜならモリブデンの融点が、通常のプロセス温度よりもずっと高いためである。さらなる要件は、中間層の化学安定性である。しかしながら、ある種の実験において、モリブデンはアルミニウムおよびシリコンの両方と反応するために、モリブデン層で作られた中間層が不安定であることが判明した。
【０００５】
通常、金属誘起結晶化プロセスは、中間層として酸化層を用いる。GJUKIC, M.; BUSCHBECK, M.; LECHNER, R.; STUTZMANN, M.; Appl . Phys . Lett. 85, 2134, 2004は、アルミニウム誘起層交換(aluminum induced layer exchange)（＝ＡＬＩＬＥ）を開示しており、ここでは非晶質半導体層の堆積の前に表面を酸化させたアルミニウム層上に堆積させた非晶質半導体材料から、多結晶半導体材料が形成されている。
【０００６】
安価な基材、例えばガラス上への結晶薄層の製造は、空間的に拡張された電子回路要素、特に、いわゆる薄膜トランジスタ（＝ＴＦＴ）技術に基づいて製造される太陽電池およびモニターにとって、非常に重要である。これらの回路要素の機能性は、半導体材料の電気特性によって決定される。
【０００７】
これらの特性は、微視構造に強く依存する。これに関連して、非晶質、ナノ結晶、微結晶、多結晶および単結晶材料が区別される。非晶質材料から単結晶材料へと結晶化度が増加するのに伴い、電気特性が向上する。例えば、非晶質ＴＦＴ−モニターの切換時間は、微結晶ＴＦＴ−モニターの切換時間より長く、そして非晶質太陽電池の効率は多結晶太陽電池の効率より低い。
【０００８】
アルミニウム誘起層交換が、２０μｍ以上の粒度を有する粗粒多結晶層をもたらす場合、典型的に５００℃未満の低いプロセス温度を必要とする。これは、数時間続き得る非常に遅いプロセスとなる。
【０００９】
Selected topics of semiconductor physics and technology, no. 86, 2007において、GJUKIC, M.著、"Metal induced crystallization of silicon- germanium alloys"は、工業条件下で信頼性に問題のある銀誘起層交換(silver-induced layer exchange)（ＡｇＩＬＥ）プロセスを開示している。基材上の非晶質初期層および外側の金属活性層を有する、逆転した一連の層を有するプロセスはこれまで実行不可能と思われている。しかしながら、逆転した一連の層によるこのようなプロセスは、太陽電池の製造にとって有利であり、なぜならこのようなプロセスにより、多結晶半導体層の背面上に高度に反射する銀処理が得られ得るからである。
【発明の概要】
【００１０】
この関連技術から進化して、本発明は、速いおよび信頼性のある多結晶薄膜の製造方法を提供することに努めている。
この課題は独立項の特徴を有する方法によって達成される。有利な態様および改良をその従属項に明記する。
【００１１】
本方法において、中間層をチタンをベースとして製造する。チタンで作られた中間層は、金属誘起結晶化プロセスに対して、化学的および熱的に安定な拡散障壁であることが判明した。特に、比較的短いプロセス時間で高品質の結晶層が得られた。
【００１２】
酸化チタンの追加の層を生成するために、チタンをベースとした中間層を酸化した場合、結晶化プロセスの結果はさらに良かった。
中間層が１ｎｍ〜１０ｎｍの厚さを有してもよいことがさらに示された。したがって、比較的薄い中間層が、結晶化プロセスを安定化するのに十分である。
【００１３】
非晶質初期層は、通常、少なくとも一種の半導体材料、例えばシリコンまたはゲルマニウムを含む。これらの材料は、空間的に拡張された回路要素、例えば太陽電池および薄膜ディスプレイにとって、興味深い候補である。
活性層は、通常、金属、例えばアルミニウムをベースとして、遷移金属、例えば銀をベースとして、または半金属、例えばアンチモンをベースとして製造される。
【００１４】
活性層は、１０ｎｍ〜６００ｎｍ、好ましくは１００ｎｍ〜３００ｎｍの厚みを有していてもよい。多くの場合において、金属活性層は、非晶質初期層の厚みより小さい厚みを有するであろう。したがって、ほぼ完全な非晶質初期層を閉鎖多結晶材料膜(closed polycrystalline material film)へと変換することができる。
熱処理中に液相が生じないように、熱処理プロセスのプロセス温度を、非晶質初期層および活性層の成分によって形成された材料系の共晶温度未満に有利に保持する。
【００１５】
プロセスを完成に導くプロセス期間は、プロセスの活性化エネルギーに依存するため、熱処理の持続時間は、十分な被覆率を得るのに十分長くなければならない。層の初期シーケンスの面積の９９．５％の被覆のために、プロセス時間は、
ｔ［ｈ］＝（Δｘ［ｎｍ］／１００ｎｍ）＊ｅｘｐ（（２＊１０＋４／Ｔ［Ｋ］）−３４．５）、
式中、Δｘはｎｍで測定された活性層の厚みであり、およびＴはケルビンで測定された熱処理のプロセス温度である、
より長くあるべきである。
【００１６】
一特定の態様において、活性層を基材上に堆積させ、中間層を活性層上に形成させ、そして非晶質初期層を中間層上に堆積させる。このような方法は、基材に直接形成された多結晶層をもたらす。
【００１７】
さらなる態様において、非晶質初期層を基材上に堆積し、そして中間層を非晶質初期層上に形成する。最後に、活性層を中間層上に堆積する。このプロセスは、多結晶層と基材との間に堆積された金属最終層をもたらす。金属最終層は、反射体として作用し、さらに電気的接点として用いることができるため、このような処置は、放射線を電気エネルギーに変換する製品(product)に特に適している。
本発明のさらなる利点および特性を以下の説明に開示し、ここで本発明の例示的態様を図に基づいて詳細に説明する。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】図１は、基材上に堆積された金属活性層および外側の非晶質初期層による金属誘起結晶化プロセスを図示する図である。
【図２】図２は、基材上に堆積された金属活性層および外側の非晶質初期層による金属誘起結晶化プロセスを図示する図である。
【図３】図３は、基材上に堆積された金属活性層および外側の非晶質初期層による金属誘起結晶化プロセスを図示する図である。
【図４】図４は、基材上に堆積された金属活性層および外側の非晶質初期層による金属誘起結晶化プロセスを図示する図である。
【００１９】
【図５】図５は、基材上に堆積された非晶質初期層および外側の金属活性層による逆転した金属誘起結晶化プロセスを図示する図である。
【図６】図６は、基材上に堆積された非晶質初期層および外側の金属活性層による逆転した金属誘起結晶化プロセスを図示する図である。
【図７】図７は、基材上に堆積された非晶質初期層および外側の金属活性層による逆転した金属誘起結晶化プロセスを図示する図である。
【図８】図８は、基材上に堆積された非晶質初期層および外側の金属活性層による逆転した金属誘起結晶化プロセスを図示する図である。
【図９】図９は、従来のアルミニウム誘起層交換中のプロセス温度に依存する多結晶層の時間的変化を示す図である。
【図１０】図１０は、従来のアルミニウム誘起層交換中のプロセス温度に依存する多結晶層の時間的変化を示す図である。
【００２０】
【図１１】図１１は、チタンから作られた中間層でのアルミニウム誘起層交換におけるプロセス温度に依存する多結晶層の時間的変化を示す図である。
【図１２】図１２は、チタンから作られた中間層でのアルミニウム誘起層交換におけるプロセス温度に依存する多結晶層の時間的変化を示す図である。
【図１３】図１３は、様々なプロセスに対するプロセス温度へのプロセス時間の依存性を図示する図である。
【００２１】
【図１４】図１４は、拡散障壁として酸化アルミニウムを用いた金属誘起結晶化プロセスのプロセス期間に対して、多結晶材料による被覆率をプロットした図である。
【図１５】図１５は、中間層に銀を用いた金属誘起結晶化プロセスのプロセス期間に対して、多結晶材料による被覆率をプロットした図である。
【００２２】
【図１６】図１６は、酸化なしのチタン中間層を有する金属誘起結晶化プロセスのプロセス期間に対して、多結晶材料による被覆率をプロットした図である。
【図１７】図１７は、酸化されたチタン中間層を有する金属誘起結晶化プロセスのプロセス期間に対して、多結晶材料による被覆率をプロットした図である。
【００２３】
図１〜４は金属誘起結晶化プロセスを図示している。プロセスのために、非晶質または結晶構造を有してもよい基材１を用いる。基材１は例えば、ガラス、シリコンまたはシリコンウェハであってもよい。基材１上に、金属活性層２を堆積する。活性層２は通常アルミニウムから作られる。活性層２は１０ｎｍ〜６００ｎｍの厚みを有し、約２００ｎｍの典型的な厚みを有する。アルミニウムの代わりに、銀または任意の他の適した材料もまた用いてもよい。活性層２を、熱蒸着プロセス、電子ビーム蒸着、スパッタリングまたは電気化学堆積プロセスを用いることによって形成する。
【００２４】
堆積プロセス終了後、薄い中間層３を活性層２上に形成する。中間層３をチタンをベースとして製造し、これは典型的に１ｎｍ〜１０ｎｍの厚みを有する。
【００２５】
中間層３の表面上に、非晶質初期層４を形成する。非晶質初期層４を、半導体材料、例えばシリコンおよびゲルマニウムで構成する。非晶質初期層４を、熱蒸着、電子ビーム蒸着、スパッタリングまたは気相堆積によって堆積してもよい。非晶質初期層４の厚みは、活性層２の厚みと同程度であるべきである。ほとんどの場合において、活性層２は非晶質初期層４の０．６〜０．８の厚みを有するべきである。その後、活性層２および非晶質初期層４の成分を含む材料系の共晶温度未満のプロセス温度で、基材１および基材１上の一連の層を含むプローブをアニールする。
【００２６】
シリコンおよび／またはゲルマニウムを非晶質初期層４に用いる場合およびアルミニウムまたは銀を活性層２に用いる場合、プロセス温度は４２０℃〜８３０℃であり得る。例えば、アルミニウムおよびゲルマニウムを含む二成分系の共晶温度は、約４２０℃であり、シリコンおよびアルミニウムを含む二成分系の共晶温度は、約５７０℃であり、シリコンおよび銀を含む二成分系の共晶温度は、約８３０℃である。アニールプロセス中、非晶質初期層４から活性層２への拡散プロセス５が生じる。
【００２７】
図２に示すとおり、非晶質初期層４を形成している材料の結晶シードが、中間層３に沿って活性層２中に形成されている。結晶シード６は活性層２中へと成長し、そして基材１の表面によって垂直成長が最終的に制限された結晶７になる。結晶７はその後さらに横方向に、連続した多結晶最終層８が形成されるまで成長する。図４に示すように、多結晶最終層８を、金属を主とする最終層９で被覆する。外側の非晶質最終層９は、通常、元の活性層２および非晶質初期層４の成分を含む。
【００２８】
アニールプロセス終了後、非晶質最終層９を湿式化学プロセス、例えば非晶質最終層９を塩酸にさらすことによって除去することができる。チタンをベースとする中間層３をフッ化水素酸で除去することができる。最後に、基材１上に形成された多結晶シリコン−ゲルマニウム層が得られる。多結晶結晶子は典型的に５０μｍまでの横方向伸長部を有する。
【００２９】
中間層３の堆積後、酸化層を有する中間層３を製造するために、中間層３を空気または酸素雰囲気にさらしてもよいことに注目すべきである。このプロセス工程は必須ではないが、得られる多結晶最終層８の表面構造を改善する。
【００３０】
多結晶最終層８を形成するために必要とされる時間は、数秒〜数十時間の間で異なる。
チタンをベースとする中間層３を用いると、アニールのために従来の方法の温度と同程度のプロセス温度を用いる場合、プロセスを遅延させることなく、伸長した結晶子をもたらす新しい結晶子の形成のための活性化エネルギーが大きくなる。
【００３１】
中間層３にチタンを用いることのさらなる利点は、基材１上の一連の層を、図５〜８に示すように逆転させることもできるという事実である。逆転した金属誘起結晶化プロセスによれば、非晶質初期層１０を基材１上に堆積させる。その後中間層３を非晶質初期層１０上に形成し、そして中間層３上に外側の金属活性層１１を形成する。
【００３２】
基材１に形成されたプローブおよび基材１に形成された一連の層をアニールすることによって、非晶質初期層１０から活性層１１へと生じる拡散プロセス１２が、中間層３に沿って活性層１１へと成長するシード１３をもたらす。図６に示すシード１３はさらに成長し、図７に示す結晶子１４となる。
【００３３】
最後に、結晶子１４は、連続した多結晶最終層１５を形成し、これは多結晶層１５と基材１の間に堆積され、多結晶層１５に接触するための電気的接点として用いることができる、金属最終層１６上に位置する。特に、活性層１１が銀から作られている場合、最終金属層１６は、多結晶層１５を透過する放射線が、多結晶層１５へと反射することができるように、多結晶層１５に対する反射コーティングを提供する。
【００３４】
非晶質初期層１０を堆積させた後、非晶質初期層１０上に酸化層を形成させてもよい。このような半導体酸化層は、通常効果的な拡散障壁であり、特に半導体材料がシリコンの場合はそうである。しかしながら、チタンの電気陰性度はシリコンの電気陰性度よりも低いため、チタンから中間層３を製造することによって、非晶質初期層上の酸化層を脱酸素してもよい。例えば、シリコンの電気陰性度はポーリングスケールにおいて１．９であり、一方、チタンの電気陰性度は１．５４である。したがって、チタンは酸化層を脱酸素することができるであろう。
【００３５】
銀の電気陰性度が、ポーリングスケールにおいて１．９３であることに注目すべきである。したがって、中間層を省略するであろう場合および金属活性層１１を非晶質初期層上に直接形成する場合、非晶質初期層１０上の酸化層は脱酸素されないであろう。アルミニウムの電気陰性度は、ポーリングスケールにおいて約１．６１であり、したがってまたシリコンの電気陰性度よりも低いが、実験は、アルミニウムから作られた中間層３および銀から作られた金属活性層１１が、低品質の多結晶層１５をもたらすことをさらに示している。
以下において、チタンをベースとする中間層３の使用に関する利点を示すために、数種のさらなる実験結果を示す。
【００３６】
活性層２を形成する材料は、通常、多結晶最終層８を形成する材料とは別の反射率を有するため、基材１が透明の場合、基材１上に直接位置する層の反射率の変化を、活性層２から多結晶最終層８への変換の進行の目安として用いることができる。特に、アルミニウムを活性層２に対して用いる場合および非晶質初期層４をシリコンから作る場合、反射率は連続して減少し、基材１に隣接した層の外観は暗くなる。
【００３７】
図９は、ガラス基材１を介して見られるプローブの反射率の変化を示している。図９は、特に、酸化アルミニウム層でのアルミニウム誘起層交換を示す。プローブを４００℃のプロセス温度でアニールし、９０分後、発達した状態の多結晶最終層８を得る。
【００３８】
しかしながら、アニール温度を４００℃から５００℃に上げることによって、プロセスを加速することができる。図１０から理解できるように、この場合において、多結晶最終層８の形成は、２１０秒後に、４００℃の温度でのプローブのアニール間に１０分後でもまだ到達しない状態に到達することができる。
図１１および１２は、活性層２上の酸素が、チタンから作られた中間層３によって置き換えられるプロセス中の、基材１に近接した層の類似の写真を示す。
【００３９】
図１１は、５００℃のアニール温度に対する反射率の変化を示す。図１０との比較は、両方のプロセスに対して同じアニール温度を用いた場合、中間層３を形成するためにチタンを用いた場合、変換に、より時間がかかることを示している。
しかしながら、チタンを中間層３として用いる場合はまたアニール温度を上げることができる。図１２は、プローブを５５０℃でアニールする場合、８０秒後に相当量の結晶子集合(polycrystallites)が形成されることを示している。したがって、チタンを中間層３として用いることにより、結晶化プロセスを実に大幅に加速することができる。
【００４０】
図１３は、曲線１７が、銀を中間層３に対して用いる金属誘起結晶化プロセスに対する、プロセス期間とプロセス温度との関係を図示している図を示す。プロセス期間は、その面積の９９．５％の被覆率を達成するのに必要なプロセス時間である。さらなる曲線１８は、チタンを中間層３として用いる金属誘起結晶化のプロセス期間とプロセス温度との関係を図示している。曲線１７と１８との比較は、同じプロセス温度を用いた場合、チタンから作られた中間層３がより長いプロセス期間となることを示している。
【００４１】
プロセス期間は、アレニウスの式で表される。曲線１７および１８は、特にｔ９９．５＝ｅｘｐ（（２＊１０＋４／Ｔ［Ｋ］）＋Ｂ）［ｈ］、式中、曲線１７に対するＢ＝−３４．５および曲線１８に対するＢ＝−２８．５である、で表される。この関係が、活性層２または１１を１００ｎｍの厚みで保持することは注目すべきである。活性層２または１１の厚みが、１００ｎｍよりも小さいもしくは大きい場合、その結果プロセス期間は活性層２または１１の厚みに対して線形に変化する。
【００４２】
図１４〜１７は、多結晶層８の被覆率の変化を時間に対してプロットした種々の図を示す。
図１４は、中間層３として酸化アルミニウムを用いる、従来のアルミニウム誘起層交換プロセスの被覆率の変化を図示している。プロセス期間は、プロセス温度５００℃で１００秒からプロセス温度４００℃で１０００秒へと変わる。
【００４３】
図１５は、銀中間層３でのアルミニウム誘起層交換の２５０℃〜４５０℃温度に対する多結晶最終層８の被覆率の変化を図示している。プロセス期間は、プロセス温度４５０℃で５０秒からプロセス温度３００℃で大凡３時間へと変わる。
【００４４】
図１６は、チタンを酸化なしで中間層３として用いるプロセスに対する被覆率の変化を示す。プロセス期間は、プロセス温度５５０℃で５０秒から温度３００℃で６時間へと変わる。
チタン中間層３を酸化した場合、プロセス期間は、プロセス温度５５０℃で６０秒からプロセス温度３００℃で３０時間以上へと変わる。
【００４５】
しかしながら、多結晶最終層８および１５の質が、拡散障壁として酸化アルミニウムまたは独立した銀層を用いる金属誘起結晶化プロセスと比較して顕著に向上することに注目しなければならない。
また、チタンプロセスの使用は、中間層３として銀を用いることによって確実に行なうことができない逆転金属誘起結晶化プロセスをもまた可能にする。
【００４６】
中間層にチタンを用いる態様について詳細に説明したが、プロセスは、通常、酸化遷移金属を含む中間層を用いて行なうことができ、ここで酸化遷移金属は、別の部分的非酸化層に沿って形成された独立している部分的層に局在していてもよく、または中間層は、酸化遷移金属をベースとする層状でない構造を含んでいてもよい。
【００４７】
本明細書の記載および請求項を通して、文脈上別の解釈をする必要がない限り、単数形は複数形を包含する。特に、不定冠詞が用いられるところでは、文脈上別の解釈をする必要がない限り、本明細書は複数形を単数形と同様と意図するとして理解されたい。
【００４８】
発明の特定の側面、態様または例に関連して記載された、特徴、整数、特性、化合物もしくは基は、矛盾していない限り、本明細書に記載した任意の他の側面、態様もしくは例に適用できると理解されたい。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【手続補正書】
【提出日】平成22年4月8日(2010.4.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
多結晶層の製造方法であって、
・基板（１）上に一連の層を堆積すること、ここで、前記一連の層は、非晶質初期層（４、１０）、金属活性層（２、１１）および初期層（４、１０）と活性層（２、１１）との間に堆積させた中間層（３）を含む；および
・活性層（２、１１）の位置で多結晶最終層（８、１５）を製造するために、熱処理を行なうこと、
を含み、中間層（３）をＴｉをベースとして製造することを特徴とする、前記製造方法。
【請求項２】
中間層（３）が、酸化チタンを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
中間層（３）が、１ｎｍ〜１０ｎｍの厚みを有する、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
非晶質初期層（４、１０）が、少なくとも一種の半導体材料を含む、請求項１〜３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
非晶質初期層（４、１０）が、Ｓｉおよび／またはＧｅを含む、請求項１〜４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
非晶質初期層（４、１０）が、１０ｎｍ〜６００ｎｍの厚みを有する、請求項１〜５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
活性層（２、１１）を、遷移金属をベースとして製造する、請求項１〜６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
活性層（２、１１）を、Ａｌ、ＳｂまたはＡｇをベースとして製造する、請求項１〜７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
活性層（２、１１）が、１０ｎｍ〜６００ｎｍの厚みを有する、請求項１〜８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
活性層（２、１１）が、非晶質初期層（４、１０）よりも小さい厚みを有する、請求項１〜９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
熱処理のプロセス温度を、非晶質初期層（４、１０）および活性層（３）の成分によって形成された材料系の共晶温度未満に保持する、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
多結晶最終層（８、１５）を総面積の９９．５％の被覆率で形成するための熱処理の持続時間が、
ｔ［ｈ］＝（Δｘ［ｎｍ］／１００ｎｍ）＊ｅｘｐ（（２＊１０＋４／Ｔ［Ｋ］）−３４．５）、
式中、Δｘはｎｍで測定された活性層（２、１１）の厚みであり、およびＴは熱処理のプロセス温度である、
よりも長い、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
基板（１）上に活性層（２）を堆積し、ここで多結晶最終層（８）を基板（１）に形成する、請求項１〜１２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１４】
基板（１）上に非晶質初期層（１０）を堆積し、ここで多結晶最終層（１５）を基板（１）上の金属最終層（１６）上に形成する、請求項１〜１２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１５】
放射線を電気エネルギーに変換するための製品であって、製品が、請求項１〜１４のいずれか一項に記載の方法で製造されることを特徴とする、前記製品。
【国際調査報告】
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