(57)【要約】本発明は、ウエハの対向する面に第１および第２表面１１８、１１９を有する半導体ウエハ１７５に光電子部品が実装された、光電子部品のパッケージを製造するウエハレベルの方法に関する。本発明にかかる方法は、半導体ウエハの第１の表面にビアをエッチングする。熱パッド１２４と陽極および陰極の接触パッド１２６とを規定するために、半導体ウエハの第１の表面とビアの表面とを金属被覆し、かつ前記金属被覆を構造化する。半導体ウエハの第１の表面側１１８にキャリアウエハを接合し、ビアの金属被覆を露出するために、半導体ウエハの第２の表面１１９から半導体ウエハを薄くする。ダイアタッチパッド１１０ａと、ビアの金属被覆に電気的に接続された、光電子部品の付加的な陽極および陰極パッド１１０ｂとを規定するために、第２の表面を金属被覆し、金属被覆を構造化する。光電子部品をダイアタッチパッド上に実装し、光電子部品上に、光電子部品が放射した、または受光した光の波長に透明である保護カバーを形成する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウエハの対向する面に第１および第２表面を有する半導体ウエハに光電子部品が実装された、光電子部品のパッケージを製造するウエハレベルの方法であって、前記第１の表面は、前記半導体ウエハの前記第２の表面側に実装された前記光電子部品に電気的に接続された陽極および陰極接触パッドを含み、前記方法は、
前記半導体ウエハの前記第１の表面にあり、前記半導体ウエハを部分的に貫通して延伸したビアをエッチングするステップと、
前記光電子部品から熱を伝導する熱パッドと前記ビアの金属被覆に電気的に接続された陽極および陰極の接触パッドとを規定するために、前記半導体ウエハの前記第１の表面と前記ビアの表面とを金属被覆し、かつ前記金属被覆を構造化するステップと、
前記半導体ウエハの前記第１の表面側にキャリアウエハを接合するステップと、
前記ビアの前記金属被覆を露出するために、前記半導体ウエハの前記第２の表面から前記半導体ウエハを薄くするステップと、
ダイアタッチパッドと、前記ビアの金属被覆に電気的に接続された、前記光電子部品の付加的な陽極および陰極パッドとを規定するために、前記半導体ウエハの前記第２の表面を金属被覆し、前記金属被覆を構造化するステップと、
前記光電子部品を前記ダイアタッチパッド上に実装するステップと、
前記光電子部品上に、前記光電子部品が放射した、または受光した光の波長に透明である保護カバーを形成するステップと、を含む方法。
【請求項２】
前記半導体ウエハを薄くした後、前記第２の表面を不動態化するステップと、
前記半導体ウエハの前記第２の表面を金属被覆する前に、前記金属被覆の周囲の前記領域の不動態を開口するステップと、を更に含む請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記半導体ウエハの前記第２の表面側に、前記光電子部品からの光を前記パッケージから導き出すように配置される光学反射器を接合するステップを更に含む上記請求項のいずれか１項に記載の方法。
【請求項４】
前記光電子部品から前記付加的な陽極および陰極パッドの少なくとも１つにワイヤボンディングの接合を形成するステップを更に含む上記請求項のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
光電子部品をそれぞれ収容する個別のパッケージを形成するために前記ウエハを分割するステップを更に含む上記請求項のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
前記半導体ウエハを薄くする前に、前記キャリアウエハを前記半導体ウエハに接合するステップを更に含む上記請求項のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
前記半導体ウエハを薄くするステップは、
前記半導体ウエハの前記第２の表面を機械的に研磨するステップと、
前記半導体ウエハをエッチングするステップと、を含む請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記半導体ウエハのエッチングは、反応性イオンエッチングを含む請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記薄くするステップの後、前記キャリアウエハを除去するステップを更に含む請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記半導体ウエハの前記第２の表面の金属被覆は、前記光電子部品からの光を前記パッケージから導き出す光学反射器を向上させるように配置された金属被覆を提供するステップを含む上記請求項のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
はんだダムを形成するために、前記半導体ウエハの前記第１の表面側に金属を提供するステップを更に含む上記請求項のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１２】
前記半導体ウエハの前記第２の表面の金属被覆は、前記光電子部品からの光を前記パッケージから導き出す光学反射器を向上させるように配置された金属被覆を提供するステップを含む上記請求項のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１３】
前記半導体ウエハの前記第２の表面側に、前記光電子部品から出力された光を増大させるモールドレンズ（molded lens）を接合するステップを更に含む請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
ウエハの対向する面に第１および第２表面を有する半導体ウエハに光電子部品が実装された、光電子部品のパッケージを製造するウエハレベルの方法であって、前記第１の表面は、前記半導体ウエハの前記第２の表面側に実装された前記光電子部品に電気的に接続された電子回路を含み、前記方法は、
前記半導体ウエハを部分的に貫通して延伸するビアの領域を規定するために前記第１の表面の電子回路層の部分を選択的に除去し、かつ前記半導体ウエハの前記第１の表面から前記ビアをエッチングするステップと、
前記光電子部品から熱を伝導する熱パッドと前記ビアの金属被覆に電気的に接続された光電子部品用の陽極および陰極の接触パッドとを規定するために、前記半導体ウエハの前記第１の表面と前記ビアの表面とを金属被覆し、かつ前記金属被覆を構造化するステップと、
前記半導体ウエハの前記第１の表面にキャリアウエハを接合するステップと、
前記ビアの前記金属被覆を露出するために、前記半導体ウエハの前記第２の表面から前記半導体ウエハを薄くするステップと、
ダイアタッチパッドと、前記ビアの金属被覆に電気的に接続された、前記光電子部品の付加的な陽極および陰極パッドとを規定するために、前記半導体ウエハの前記第２の表面を金属被覆し、前記金属被覆を構造化するステップと、
前記光電子部品を前記ダイアタッチパッド上に実装するステップと、
前記光電子部品上に、前記光電子部品が放射した、または受光した光の波長に透明である保護カバーを形成するステップと、を含む方法。
【請求項１５】
前記ビアの領域を規定するために前記第１の表面上の前記電子回路層の部分を選択的に除去するステップは、反応性イオンエッチング技術を用いるステップを含む請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記半導体ウエハを部分的に貫通して延伸するビアの領域を規定するために前記第１の表面の電子回路層の部分を選択的に除去した後で、かつ前記半導体ウエハの前記第１の表面からビアをエッチングする前に、
低温パッシベーションプロセスを用いて、前記電子回路層の上及び前記電子回路層の下の半導体材料の露出された部分の上に、パッシベーション層を形成するステップと、
前記ビアがエッチングされる前記領域の前記パッシベーション層の部分を除去するステップと、を更に含む請求項１４および請求項１５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１７】
前記パッシベーション層は、プラズマ化学気相蒸着を用いて形成される請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記ビアのエッチング後、
前記パッシベーション層を剥離するステップと、
低温パッシベーションプロセスを用いて、前記電子回路層の上にもう１つのパッシベーション層を形成するステップと、
次いで前記半導体ウエハの前記第１の表面および前記ビアの表面に前記金属被覆を提供し、かつ前記第１表面上において前記金属被覆を構造化するステップと、を更に含む請求項１６および請求項１７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１９】
TMAHを用いて前記ビアをエッチングするステップを含む請求項１４〜請求項１８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２０】
前記半導体ウエハの前記第２の表面側に、前記光電子部品からの光を前記パッケージから導き出すように配置される光学反射器を接合するステップを更に含む請求項１４〜請求項１９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２１】
前記半導体ウエハの前記第２の表面側に、前記光電子部品から出力された光を増大させるように配置されるモールドレンズを接合するステップを更に含む請求項１４〜請求項２０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２２】
前記光電子部品から前記付加的な陽極および陰極パッドの少なくとも１つにワイヤボンディングの接合を形成するステップを更に含む請求項１４〜請求項２１のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２３】
光電子部品をそれぞれ収容する個別のパッケージを形成するために前記ウエハを分割するステップを更に含む請求項１４〜請求項２２のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２４】
前記半導体ウエハを薄くする前に、前記キャリアウエハを前記半導体ウエハに接合するステップを更に含む請求項１４〜請求項２３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２５】
前記半導体ウエハを薄くするステップは、
前記半導体ウエハの前記第２の表面を機械的に研磨するステップと、
前記半導体ウエハをエッチングするステップと、を含む請求項２４に記載の方法。
【請求項２６】
前記半導体ウエハのエッチングは、反応性イオンエッチングを含む請求項２５に記載の方法。
【請求項２７】
前記薄くするステップの後、前記キャリアウエハを除去するステップを更に含む請求項２４に記載の方法。
【請求項２８】
はんだダムを形成するために、前記半導体ウエハの前記第１の表面側に金属を提供するステップを更に含む請求項１４〜請求項１９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２９】
前記半導体ウエハを薄くした後、前記第２の表面を不動態化するステップと、
前記半導体ウエハの前記第２の表面を金属被覆する前に、前記金属被覆の周囲の前記領域の不動態を開口するステップと、を更に含む請求項１４〜請求項１９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項３０】
光電子部品のパッケージであって、
ウエハの対向する面にある第１および第２の表面を含み、その高さが１００μｍ〜４００μｍである半導体ウエハと、
前記第１の表面から前記第２の表面までウエハを貫通して延伸し、その内部表面上に金属被覆を有するビアと、
前記第１の表面上にあり、前記光電子部品から熱を移動させる熱パッドと、
前記ウエハの前記第１の表面上にあり、かつビアの金属被覆に電気的に接続される陽極および陰極接触パッドと、
前記第２の表面上にあり、光電子部品が実装されているダイアタッチパッドと、
前記ダイアタッチパッド上に実装された光電子部品と、
前記ウエハの前記第２の表面上にあり、かつ前記ビアの金属被覆を介して前記光電子部品に電気的に接続される陽極および陰極接触パッドと、
前記ウエハの前記第２の表面上に実装され、かつ前記光電子部品からの光を前記パッケージから導き出すように配置される光学部品と、を含む光電子部品のパッケージ。
【請求項３１】
前記ウエハの前記第１の表面上にあり、かつ光電子部品に電気的に接続される電子回路を更に含む請求項３０に記載の光電子部品のパッケージ。
【請求項３２】
前記光学部品は、光学反射器またはモールドレンズの少なくとも１つである請求項３０または請求項３１のいずれか１項に記載の光電子部品のパッケージ。
【請求項３３】
前記光電子部品上に、前記光電子部品が放射した、または受光した光の波長に透明である保護カバーを更に含む請求項３０〜請求項３２のいずれか１項に記載の光電子部品のパッケージ。
【請求項３４】
前記半導体ウエハの表面を機械的に研磨し、かつ前記半導体ウエハをエッチングすることで、前記半導体ウエハを薄くする請求項３０〜請求項３３のいずれか１項に記載の光電子部品のパッケージ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光電子部品のパッケージ（opto-electronic component package）に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
電気製品における発光ダイオードの使用は絶えず増え続け、場合により、既存のアプリケーションの電球など、従来の光源を代替する。例えば、LEDは、懐中電灯、自動車前照灯、およびLCD画面のバックライトユニットに用いられている。
【０００３】
酸化アルミニウム（Al2O3）または窒化アルミニウム（AlN）などのセラミックは、高輝度LEDのパッケージングに用いられる。セラミックに加えて、プラスチックリードレスチップキャリア（Plastic Leadless Chip Carrier ; PLCC）および他のリードフレーム構造も用いられる。これらのタイプのパッケージは、しばしば占有面積が大きく、熱導電性が乏しく、かつ機械公差が大きく、設計の変更に柔軟に対応しないため、特定のアプリケーションの設計を難しくする。
【０００４】
消費家電製品の特性および性能の向上に伴って、より多くの回路素子（例えば、電子回路素子（electrical circuit components）、集積回路ダイ、LED、サーミスタ、ダイオード、整流器、温度センサ、およびLEDドライバ）をより小さいスペースに納める必要が増している。通常、プリント回路板の大きさは、消費家電製品のサイズおよび製品内の利用可能空間によって決められる。例えば、携帯電話または他の携帯製品などのいくつかの消費家電では、組み立てPCB（例えばPCBの両側に実装された回路素子）の高さは、約１ミリメートル（mm）に制限され、組み立てPCBの典型的な高さは、約１.５mmである（PCBの典型的な高さは、５００ミクロン（μｍ）であり、回路素子の典型的な高さは、５００μｍである）。よって、組み立てPCBを制限された利用可能空間に納めるためには、組み立てPCBのサイズを減少させるか、または特性または性能を減少させる必要がある。また、回路素子の熱性能も考慮に入れなければならない。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００５】
光電子部品が半導体ウエハに実装された光電子部品のパッケージを製造する技術が開示される。パッケージは、例えばウエハレベルのバッチプロセスで製造され得る。
【０００６】
製造技術は、光電子部品がウエハの対向する面に第１および第２表面を有する半導体ウエハに実装された、光電子部品のパッケージを開示している。前記第１の表面は、前記半導体ウエハの前記第２の表面側に実装された、前記光電子部品に電気的に接続された陽極および陰極接触パッドを含む。
【０００７】
１つの態様では、前記方法は、半導体ウエハの第１の表面にある、ビアをエッチングする。ビアは、半導体ウエハを部分的に貫通して延伸する。金属が半導体ウエハの第１の表面とビアの表面に提供される。金属は、構造化されて、光電子部品から熱を伝導する熱パッドを規定し、かつビアの金属被覆に電気的に接続された陽極と陰極の接触パッドを規定する。
【０００８】
キャリアウエハは、半導体ウエハの第１の表面側に接合され、かつ前記半導体ウエハは、半導体ウエハの第２の表面から半導体ウエハを薄くし、ビアの金属被覆を露出する。金属は、半導体ウエハの第２の表面に提供され、かつ構造化されて、ダイアタッチパッドを規定し、光電子部品の付加的な陽極および陰極パッドを規定する。付加的な陽極および陰極パッドは、ビアの金属被覆に電気的に接続され、光電子部品は、ダイアタッチパッド上に実装される。前記光電子部品が放射した、または受光した光の波長に透明である保護カバーは、前記光電子部品上に形成される。
【０００９】
いくつかの実施は、よりよい熱分離および熱性能を提供するより小さいまたはより薄いパッケージをもたらし、かつ、設計の変更が製造プロセスに容易に導入できる、より高い設計の柔軟性を提供することができる。更に、プロセスが集積電子回路構造をもつ発光ダイオードや他の光電子部品のパッケージと一緒に用いられるように、プロセスを多様に改良することができる。
【００１０】
本発明の１つまたは１つ以上の実施の形態の詳細が添付の図面および以下の記載に説明される。
【００１１】
他の特性および利点は、詳細な説明および図面から、かつ請求範囲から明白になる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１ａ】LEDパッケージの実施例である。
【図１ｂ】LEDパッケージの第２実施例である。
【図１ｃ】LEDパッケージの第３実施例である。
【図２】薄型LEDパッケージを形成するプロセスの実施例を示す流れ図である。
【図３】半導体ウエハの図である。
【図４】ベースの図である。
【図５】ビアを有するベースの図である。
【図６】メタライゼーションプロセス後のベースのSMD側の図である。
【図７】キャリアウエハが接合された後のベースのLED側の図である。
【図８】メタライゼーションプロセス後のベースのLED側の図である。
【図９】集積電子回路構造を有する薄型LEDパッケージを形成するプロセスの実施例を示す流れ図である。
【図１０】ベースに接合された電子回路構造の図である。
【図１１】電子回路構造の所定の部分が除去された後の電子回路構造の図である。
【図１２】パッシベーションプロセスを行った後の電子回路構造の図である。
【図１３】ビアがエッチングプロセスによって形成された後のベースの図である。
【図１４】電子回路構造に接合されたキャリアウエハの図である。
【図１５】露出されたフィードスルーメタライゼーション（feed-through metallization）を有するベースの図である。
【図１６】熱パッドおよびワイヤボンディングパッドが形成された後の集積電子回路構造を有する薄型LEDパッケージの図である。
【図１７】集積電子回路構造を有する薄型LEDパッケージのSMD側の図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
図１aおよび図１bは、向上した熱性能１００および１５０を有する薄型LEDパッケージ１００および１５０の実施例を示している。図１aおよび図１bは、LED１０８に関連して述べられるが、LED１０８は、他のタイプの光電子部品と代替されてもよい。例えば、いくつかの実施では、LED１０８は、赤外線エミッタ（例えば、垂直キャビティ面発光レーザ）、赤外線受信器（例えばPINダイオード）、または赤外線トランシーバによって代替される。同様に、以下に述べられる製造プロセスは、LED以外の光電子部品のパッケージを形成するのに用いられてもよい。
【００１４】
LEDパッケージは、ベース１０２、反射器１０４、フィードスルーメタライゼーション（金属被覆）１０６、反射面１０７、LED１０８、LEDダイアタッチパッド１１０a（LED１０８の下方に位置される）、およびワイヤボンドパッド１１０bを含む。示された実施例では、ベース１０２は、シリコンまたは他の半導体ウエハから形成される。LEDパッケージ１００の物理的寸法（例えば、高さ１１２、幅１１４、および深さ１１６）は、LEDのサイズ、アプリケーション、またはLEDパッケージのアプリケーションに応じて変化し得る。実施例のパッケージ１００は、約５５０μｍに等しい高さ１１２、約３１００μｍに等しい幅１１４、および約３１００μｍに等しい深さ１１６を有する。高さ１１２は、反射器１０４の高さおよびベース１０２の高さを含む。例えば、反射器１０４の高さは、４００μｍであり得、ベース１０２の高さは、１５０μｍであり得る。物理的寸法は、異なるサイズの光電子部品１０８を収容するように、またはLEDパッケージ１００のアプリケーションに基づいて増加または減少し得る。例えば、ベース１０２は、１００μｍ〜４００μｍの高さを有してよい。
【００１５】
ベース１０２は、ベースの表面実装部品（Surface Mount Device；SMD）側１１８（即ち、PCBに実装されるベース１０２の側）から延伸したフィードスルーメタライゼーション１０６を有する１つまたは１つ以上のビアを含む。各ビアのフィードスルーメタライゼーション１０６は、ベースのLED側１１９（即ち、LED１０８が実装され、かつSMD側１１８と反対のベース１０２の側）から突出し、PCBおよびLEDパッケージ１００間の電気的な交互接続を形成するのに用いられる。フィードスルーメタライゼーション１０６を有するビアの数は、一般的に２つであるが、LED１０８の数に応じて増加され得る。例えば、LED１０８のアレイがベース１０２上に設置されてもよい。
【００１６】
ベース１０２は反射面１０７を含む。反射面１０７は、アルミニウム、銀、または他の反射材料などの金属の薄い層とすることができる。図１aは、単一の円形の反射表面１０７を有するLEDパッケージ１００を示しているが、ベース１０２は、複数の反射面１０７を有してもよく、円形形状に限定されるものではない。例えば、図１bは、長方形の反射面１０７を示している。反射面１０７は、光出力の効率を向上させ、光をLEDパッケージに導くのを助ける。
【００１７】
反射器１０４は、LEDパッケージ１００から導かれた光を増大するのに用いられ得る。反射器１０４は、図１aに示されるように、例えば円形の放物線状の壁または垂直壁を有するプラスチック成形構造で有り得る。放物線状の壁の傾斜は、LEDパッケージ１００のアプリケーションに応じて４５度または任意の別の角度でもよい。他の実施では、反射器１０４は、放物線状の壁を有さない。例えば、図１bは、垂直壁を有する反射器１０４を示し、空洞基板（cavity substrate）と称される場合もある。
【００１８】
反射器１０４は、光学部品のスタンドオフ（stand-off）として用いられてもよい。例えば、ビーム成形（beam shaping）用のレンズが反射器１０４の上部に実装されてもよい。
【００１９】
LEDパッケージ１００および１５０の両方は、反射器１０４を含むが、いくつかの実施では、反射器１０４は、省略される。例えば、図１cは、例示のLEDパッケージ１９０であり、反射器１０４は、省略される。反射器の代わりに、LEDパッケージ１９０は、ベースのLED側１１９に接合されLED１０８を覆っているレンズ１９２を含む。いくつかの実施では、レンズ１９２は、LEDパッケージ１９０から放射された光の焦点を合わせるか、またはLEDパッケージ１９０の光出力を向上させるのに用いられ得る。
【００２０】
LED１０８は、LED１０８の下方に配置されたLEDダイアタッチパッド１１０aによってベース１０２に実装される。LEDダイアタッチパッド１１０aは、ベースのLED側１１９上に形成され、電気接地に接続され得る。LED１０８は、陽極および陰極パッドとも称されるワイヤボンドパッド１１０bにも電気的に接続され得る。よって、陽極および陰極パッド１１０bは、ダイアタッチパッド１１０aに近接して提供される。いくつかの実施では、ダイアタッチパッド１１０aは、電気的な接地電極となり、ワイヤボンドパッド１１０bは、LED１０８の陰極のみに接続される。
【００２１】
図２は、LEDパッケージ１００または１５０を形成するウエハレベルプロセス２００を示す流れ図である。プロセス２００は、一般的にシリコンまたは他の半導体ウエハを用いて実施され、個々（individual）、個別（discrete）パッケージの複数のベース１０２を規定する。複数のベース１０２を規定する領域を有する半導体ウエハ１７５の実施例は、図３に示される。製造プロセスは、ウエハレベルで行われ得るが、討論および図を簡単にするために、プロセス２００の個々のステップは、単一のベース１０２を規定する半導体ウエハ１７５の一部に関連して実施されるように以下に述べられる。
【００２２】
プロセス２００は、例えば６５０μｍの厚さを有するシリコンまたは他の半導体ウエハより始まる。図４は、任意の処理が起こる前に単一のベース１０２を規定するウエハ１７５の一部を示している。誘電マスク、例えば二酸化ケイ素（SiO2）または窒化ケイ素（SixNy）がベース１０２に成長される（ブロック２０２）。次いで、ビア１２２がベースのSMD側１１８内にエッチングされる（ブロック２０４）。ビア１２２は、水酸化カリウム（KOH）エッチングまたはテトラメチルアンモニウムヒドロキシド（TMAH）エッチングなどのウエットエッチング技術を用いてエッチングされ得る。また、ビア１２２は、ドライエッチング技術を用いてエッチングされてもよい。ビア１２２は、ベース１０２の底部（即ち、ビア１２２は、埋め込まれたままである）を貫通しなければ、任意の所望の深さにエッチングされてよい。図５は、ビア１２２がエッチングされた後のベース１０２を示している。次いでベースのSMD側１１８とビア１２２は、酸化プロセスが行われる。例えば、SiO2は、ベースのSMD側１１８の上、ビア１２２の中、かつLED 側１１９の上に成長され得る。
【００２３】
ベースのSMD側１１８とビア１２２は、フィードスルーメタライゼーション１０６を形成するメタライゼーションプロセスを受ける（ブロック２０６）。フィードスルーメタライゼーション１０６は、例えば、ビア１２２の中に導電性の金属を堆積することで形成され得る。クロム、チタン、金、銅、ニッケル、アルミニウム、および銀などの金属がベースのSMD側１１８とビア１２２の所定の部分に堆積され、かつ１層または１層以上の金属が堆積され得る（即ち、金属堆積）。例えば、いくつかの実施では、金属は、ベースのSMD側１１８とビア１２２の全表面上に堆積される。別の実施の形態では、金属は、選択的にビア１２２内、およびベースのSMD側１１８の角周辺の領域に堆積される。
【００２４】
次いで図６に示されるように、熱パッド１２４および電気的接触パッド１２６を形成するために、ベースのSMD側１１８を処理（即ち、構造化）する（ブロック２０８）。SMD側１１８は、SMD側１１８に堆積された金属の所定の部分を除去することによって処理される。マスクを施し、かつ既知のエッチング技術を用いることで、金属は、選択的に除去され、熱パッド１２４および電気的接触パッド１２６を形成し得る。例えば、ウエットエッチング技術またはドライエッチング技術が用いられ得る。熱パッド１２４は、電気的接触パッド１２６から電気的に絶縁される。熱パッド１２４は、LED１０８からパッケージ１００が実装された表面（例えば、PCB）に効果的に熱を伝える。接触パッド１２６は、陽極または陰極の接触パッドとなり、LEDパッケージ１００をフィードスルーメタライゼーションによってPCBに電気的接続するようにさせる。図６は、構造化されて、かつ熱パッド１２４および電気的接触パッド１２６が形成された後のベースのSMD側１１８の図である。図６は、単一の熱パッド１２４を示しているが、ベースのSMD側１１８は、複数の熱パッド１２４を含んでもよい。例えば、複数のLEDまたはLEDのアレイがパッケージに含まれた場合、ベースのSMD側１１８は、複数の熱パッド１２４を含み得る。
【００２５】
熱パッド１２４および電気的接続パッド１２６の形成に加えて、ベースのSMD側１１８が処理され、フィードスルーメタライゼーション１０６の周辺の領域に、はんだダム１２８を形成してもよい。例えば、はんだダム１２８は、ベースのSMD側１１８上にマスクを堆積し、金属スタックの部分を選択的に除去して、はんだによる濡れ性のない金属堆積層を露出することによって形成され得る。例えば、金属が除去されてチタン層を露出し得る。はんだダム１２８は、はんだが電気的接続パッド１２６からフィードスルーメタライゼーション１０６内に流れ込むのを防ぐ。
【００２６】
図７に示されるように、次いでキャリアウエハ１３０が、提供されているウエハのSMD側１１８に結合される（ブロック２１０）。キャリアウエハ１３０は、例えばシリコンウエハ、ガラスウエハ、または別の材料のウエハであり得る。キャリアウエハ１３０は、例えば接着プロセス、または別のタイプの非永久性の接着プロセスでベース１０２に接着（attach）され得る。
【００２７】
キャリアウエハ１３０が接着された後、ベースのLED側１１９は、処理されてビア１２２のフィードスルーメタライゼーション１０６を露出する（ブロック２１２）。機械研磨技術は、ベース１０２のLED側１１９からベース１０２の厚さを減少するのに用いられ得る。ベース１０２は、研磨プロセスおよび後に続くプロセスのステップの間、力学的な安定性のために、キャリアウエハ１３０によって支持される。いくつかの実施では、ベース１０２を、その厚さが約２１０μｍになるまで薄くする。次いで、ベース１０２のLED側１１９をドライエッチングして、フィードスルーメタライゼーション１０６を開口する。例えば、ベース１０２は、反応性イオンエッチング（RIE）プロセスを用いてドライエッチされ得る。いくつかの実施では、RIEプロセスによって約６０μｍ除去し、フィードスルーメタライゼーション１０６を開口する。ベース１０２がシリコンで作製され、かつビア１２２がメタライゼーションされてブロック２０４で行われた酸化プロセスにより堆積された誘電体材料層で保護されるため、ベース１０２の材料は、ビア１２２の誘電体コーティングより早い速度で除去される。図７に示されるように、このエッチングの速度の違いは、フィードスルーメタライゼーション１０６が露出されて、ベースのSMD側１１８をやや超えて突出させる。
【００２８】
次いで、電気的絶縁を提供するために、誘電体マスクをベースのSMD側１１８に堆積する（ブロック２１３）。いくつかの実施では、誘電体マスクは、プラズマ化学気相蒸着（PE-CVD）プロセスによって堆積され得る。次いで、フィードスルーメタライゼーション１０６から誘電体コーティングを除去することで、フィードスルーメタライゼーション１０６を開口する。誘電体コーティングは、フォトレジストなどのマスクを施し、かつフィードスルーメタライゼーション１０６を覆う誘電体コーティングをエッチングすることで除去され得る。ウエットエッチング技術、またはドライエッチング技術が用いられてもよい。フィードスルーメタライゼーションを露出するための別の技術が用いられてもよい。
【００２９】
次いで、フィードスルーメタライゼーション１０６、陽極および陰極パッド１１０b、並びに反射面１０７との電気的接続を形成するために、ベース１０２のLED側１１９に金属を堆積する（ブロック２１４）。陽極および陰極パッド１１０b並びに反射面１０７は、フォトレジストマスクを施し、かつウェット、またはドライエッチングプロセスを用いることで形成され得る。チタン、クロム、アルミニウム、ニッケル、銅、銀、金などの金属、またはこれらの金属の組み合わせがLEDダイアタッチパッド１１０a、パッド１１０b、および反射面１０７を形成するのに用いられ得る。堆積される金属の量および厚さは、堆積される金属のタイプによって変化する。例えば、いくつかの実施では、チタンは金属として用いられて堆積されるため、チタン層が約１００nmの厚さを有する。他の実施では、金が金属として用いられて堆積されるため、金の層を約１０００nmの厚さとする。金属は、スパッタ蒸着プロセスなどの薄膜メタライゼーションプロセスを用いて、かつLEDダイアタッチパッド１１０aおよびワイヤボンドパッド１１０bに対して金メッキ仕上げを施すことで堆積され得る。他の実施では、金属は、電気めっき技術を用いて堆積されてもよい。金属は、マスクを施し、かつ周知のウェット、またはドライエッチング技術を用いることで選択的に除去され得る。いくつかの実施では、陽極と陰極パッド１１０bは、フィードスルーメタライゼーション１０６に電気的に接続され得る。図８は、LEDダイアタッチパッド１１０a、パッド１１０b、および反射面１０７が形成された後のベースのSMD側１１８の図である。
【００３０】
反射器１０４は、ベース１０２のLED側に位置合わせされ、次いでベース１０２に接合される（ブロック２１６）。反射器１０４は、例えば接着プロセス、またはトランスファー成形、または圧縮成形を用いてベース１０２に接合され得る。反射器１０４は、反射面１０７、LEDダイアタッチパッド１１０a、およびパッド１１０bが反射器１０４によって規定されたキャビティ（cavity）内にあるようにベース１０２上に配置される。いくつかの実施では、キャビティ基板は、円形の放物線状の壁を有する反射器に代替して接合される。キャビティ基板は、高分子から作製され、かつ例えば、接着プロセス、またはトランスファー成形、または圧縮成形を用いてベース１０２に接合され得る。
【００３１】
反射器１０４がベース１０２に接合された後、キャリアウエハ１３０は、ベースのSMD側１１８から除去される（ブロック２１８）。次いで、LED１０８または他の光電子部品がLEDダイアタッチパッド１１０a上に実装される（ブロック２２０）。LED１０８は、接着プロセス、または金−スズ（AuSn）結合プロセスなどの別の実装プロセスを用いて、LEDダイアタッチパッド１１０a上に実装され得る。次いで、LED１０８は、陽極および陰極パッド１００bに電気的に接続される。いくつかの実施では、細線がLED１０８に接合され、LED１０８を陽極および陰極パッド１１０bに接続する（即ちワイヤボンディング）（ブロック２２２）。例えば、細線は、LED１０８の陽極および／または陰極をパッド１１０bに接続するのに用いられ得る。他の実施では、LED１０８は、フリップチップボンディングによって陽極および陰極パッド１１０bに電気的に接続され得る。
【００３２】
ワイヤボンディングが完了した後、保護カバーまたは薄膜がLED１０８に堆積される（ブロック２２４）。さまざまなタイプの保護カバーが用いられ得るが、保護カバーは、LED１０８より放射された光の波長に透明でなければならない。LED１０８が別の赤外線受信器などの光電子部品で代替される実施例では、保護カバーは、光電子部品により放射されるおよび／または受けられる光の波長に透明でなければならない。例えば、いくつかの実施では、LED１０８をカバーするシリコンカバーが用いられる。保護カバーは、LED１０８の内部反射を最小化できる屈折率を有する材料で作製され得る。例えば、LEDの屈折率と空気の屈折率との間にある屈折率を有する材料が選択され得る。いくつかの実施では、保護カバーはフィルターの役目を果たすか、またはLED１０８から放射された光の色を変える。例えば、リンケイ素化物（phosphor silicone）カバーを青色LED１０８に用いて、LED １０８から放射された光の色を変えてもよい。いくつかの実施では、保護カバーは、省略される。
【００３３】
保護カバーがLED１０８上に堆積された後、個別のLEDパッケージはダイシングプロセスによって分割される（ブロック２２６）。図１aおよび１bは、反射器１０４がベース１０２に接合され、かつキャリアウエハ１３０が除去された後の個別のLEDパッケージ１００および１５０を示している。
【００３４】
さまざまな変形例が前述のプロセスで作製され得る。例えば、プロセス２００は、図１cに示されたLEDパッケージと同様に、反射器１０４が含まれないか、またはレンズがベースのLED側１１９に直接、成形（mold）され得るようにしてもよい。また、プロセス２００は、個別の薄型LEDパッケージが形成された後（即ちキャリアウエハ１３０がダイシングプロセス後に除去される）、ダイシングプロセスの直前に、反射器１０４、レンズ１９２、またはキャビティ基板を接合する前に、またはLEDダイが実装される前に、キャリアウエハ１３０がベースのSMD側１１８から除去されるようにしてもよい。
【００３５】
プロセス２００は、更に、CMOS、MOS、またはバイポーラ技術によって作製された集積電子回路構造を有する薄型LEDパッケージを形成するようにしてもよい。図１７は、ベース１００２を薄くする前の集積電子回路構造１００４を有する薄型LEDパッケージ１０００のSMD側の実施例を示している。LEDパッケージ１０００は、プロセス２００およびパッケージ１００および１５０に関連した上述のLEDパッケージと同様であるが、LEDパッケージ１０００は、ベース１００２と一体化した、電子回路を含む電子回路構造１００４を含む。
【００３６】
電子回路構造１００４は、LED、LEDパッケージ１０００および／またはLEDドライバに電気的に結合された１つまたは１つ以上の電子回路を含む。電子回路構造１００４は、LEDダイアタッチパッドまあはワイヤボンドパッドを介してLEDに接合され得る。このような回路は、例えば、LEDドライバ回路、AC／DCコンバータ、静電気放電保護回路、トランジェント電圧抑制回路、増幅回路、温度および光学センサ回路、制御およびフィードバック回路を含み得る。電子回路構造１００４は、一般的に、半導体基板上の多層、または半導体基板に埋め込まれた複数の層を含み、電子回路を収容する。
【００３７】
ウエハのSMD側１００５は、PCBに実装される、電子回路構造１００４の表面であり、熱パッド１００７、接触パッド１００９、およびフィードスルーメタライゼーション１０１１を含む。熱パッド１００７、接触パッド１００９、およびフィードスルーメタライゼーション１０１１は、プロセス２００およびLEDパッケージ１００および１５０に関連した上述の熱パッド１２４、接触パッド１２６、およびフィードスルーメタライゼーション１０６と同様である。しかしながら、フィードスルーメタライゼーション１０１１は、電子回路構造１００４からベース１００２を貫通して（即ち、半導体基板のもう一方の側に）延伸する。
【００３８】
図９は、集積電子回路構造１００４を有する薄型LEDパッケージ１０００を形成するウエハレベルプロセス３００を示す流れ図である。プロセス３００は、一般的に、電子回路層が既に存在するシリコン、または他の半導体ウエハを用いて実施される。議論および図示を簡略化するために、プロセス３００の個別のステップが単一のベース１００２を規定するウエハの一部に関して実施される場合について説明する。プロセス３００は、電子回路への損傷を避けるさまざまな詳細を含む。
【００３９】
プロセス３００は、ベース１００２の機能を果たすシリコンまたは他の半導体ウエハで開始する。図１０に示されるように、ベース１００２は、電子回路構造１００４を含む。電子回路構造１００４に対して、低温パッシベーションプロセスが実施される（ブロック３０２）。さまざまなタイプのパッシベーションプロセスが用いられ得るが、前記プロセスは、電子回路構造１００４内のキャリアに影響を与えてはならず、さもなければ電子回路層に損傷を与えることになる。例えば、PE−CVDプロセスが用いられてもよい。パッシベーションプロセスの結果、電子回路構造１００４は、酸化物または窒化物ベースのマスクなど、薄膜マスク１００８によって覆われる。他のパッシベーションプロセスが用いられてもよい。そしてマスクは、電子回路層の所定の部分を露出するために、開口される。マスクは、ウェットエッチングプロセスまたはドライエッチングプロセスを用いて開口され得る。露出された電子回路層の所定の部分は、一般的に電子回路を含まない領域に対応し、かつフィードスルーメタライゼーション用のビア１０１０が形成されるベース１００２の部分に対応する。
【００４０】
図１１に示されるように、電子回路層の所定の部分を除去して、ベース１００２の表面の部分１００６を露出するために、ウエハの上表面をエッチングする（ブロック３０４）。電子回路層１００４は、例えば、深堀り反応性イオンエッチング（Deep RIE）プロセスを用いてエッチングされ得る。半導体基板に埋め込まれた電子回路層１００４を含む実施では、電子回路層１００４は、ウェットエッチングプロセスを用いてエッチングされ得る。除去された電子回路層の所定の部分は、一般的に電子回路素子（electrical circuit elements）を含まない領域に対応し、かつフィードスルーメタライゼーション用のビア１０１０が形成されるベース１００２の部分に対応する。エッチングが完了した後、マスクは除去される（即ち、剥離される）。図１１は、電子回路層の所定の部分およびマスクが除去された後の電子回路層１００４を示している。
【００４１】
電子回路構造１００４およびベース１００２の露出された部分１００６は、低温パッシベーションプロセスを受ける（ブロック３０６）。ブロック３０２に関連した上述のパッシベーションプロセスと同様に、パッシベーションプロセスは、電子回路構造１００４内の電子回路キャリアに影響を与えてはならず、さもなければ電子回路層に損傷を与えることになる。例えば、PE−CVDプロセスが用いられてもよい。パッシベーションプロセスの結果、電子回路構造１００４およびベース１００２の露出された部分１００６は、酸化物または窒化物ベースのマスクなど、薄膜マスク１００８によって覆われる。図１２は、マスク１００８で覆われた電子回路構造１００４およびベース１００２の露出された部分１００６の図である。
【００４２】
次いで、ベース１００２の表面を覆うマスク１００８の部分は、例えば、RIEプロセスなどのドライエッチングプロセスを用いて開口される（ブロック３０８）。次いで、ベース１００２の露出された部分１００６がエッチングされて、ビア１０１０を形成する（ブロック３１０）。さまざまなタイプのエッチングプロセスが用いられ得るが、エッチングプロセスは、電子回路構造１００４または電子回路層に含まれる電子回路に損傷を与えてはならない。例えば、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（TMAH）エッチングプロセスがビア１０１０を形成するのに用いられ得る。図１３は、ビア１０１０が形成された後のベース１００２の図である。マスクは剥離され、次いで、電子回路構造１００４およびビア１０１０がPE−CVDパッシベーションプロセスを用いて不動態化される。パッシベーションプロセスは、酸化物または窒化物ベースのマスクを堆積し、電気的絶縁を提供する。
【００４３】
ビアの形成に加えて、フィードスルーメタライゼーション１０１１を形成するために、プロセス２００のブロック２０６と同様の方式（ブロック３１２）で、ベース１００２の露出された部分１００６を金属被覆する。ベース１００２の露出された部分１００６もPE−CVDパッシベーションプロセスを用いて不動態化され、かつプロセス２００のブロック２０６と同様に、電子回路構造のSMD側１００５は、メタライゼーションプロセスを受けて、熱パッド１００７および電気接触パッド１００９を形成する（ブロック３１４）。熱パッド１００７および電気接触パッド１００９の形成に加えて、電子回路構造１００４との接続に用いられる相互配線および他の電気的接続が形成される。熱パッド１００７および電気接触パッド１００９は、電子回路構造１００４のSMD側１００５に形成される。
【００４４】
図１４に示されるように、次いでキャリアウエハ１０１２は、処理されるウエハのSMD側１００５に接合される（ブロック３１６）。キャリアウエハ１０１２は、シリコンウエハ、ガラスウエハ、または別の材料のウエハであり得、かつ接着プロセス、または別のタイプの非永久性の接着プロセスでベース１０２に接着（attach）され得る。
【００４５】
キャリアウエハ１０１２が接合された後、ベースのLED側１０１３は、処理されてビア１０１０のフィードスルーメタライゼーション１０１１を露出する（ブロック３１８）。機械研磨技術がベースのLED側１０１３からベース１００２の厚さを減少するのに用いられ得る。ベース１００２は、研磨プロセスの間、力学的な安定性のために、キャリアウエハ１０１２によって支持される。いくつかの実施では、ベース１００２を、その厚さが約２１０μｍになるまで薄くする。次いで、ベース１００２のLED側１０１３は、ドライエッチングされて、フィードスルーメタライゼーション１０６を露出する。図１５は、露出されたフィードスルーメタライゼーション１０１１を有するベース１００２を示している。
【００４６】
次いで、LED側１０１３は、誘電体層をLED側１０１３上に堆積することで不動態化される（ブロック３１９）。例えば、LED側１０１３上に誘電体層を堆積するために、PE−CVD プロセスを用いてもよい。フィードスルーメタライゼーション１０６を開口するために、フォトマスクがLED側１０１３上に施され、かつ誘電体層の部分が誘電体層をエッチングすることで選択的に除去される。ウェットまたはドライエッチングプロセスは、誘電体層を選択的に除去するのに用いられ得る。フィードスルーメタライゼーション１０１１を形成するためにビア１０１０に堆積された金属は、エッチストップとして用いられ得る（即ち、LED側１０１３の誘電体層は、フィードスルーメタライゼーション１０１１が露出されるまでエッチングされる）。例えば、いくつかの実施では、アルミニウムは、第１の金属層としてビア１０１０に堆積され、フィードスルーメタライゼーション１０１１を形成し、かつベース１００２の材料がフィードスルーメタライゼーション１０１１のアルミニウムより早い速度で除去されるため、アルミニウムは、エッチストップとしての機能を果たす。
【００４７】
ベースのLED側１０１３は、メタライゼーションプロセスを受け、LEDダイアタッチパッド１０１４a、陽極および／または陰極のパッド１０１４b、および反射器（図示されていない）を形成する（ブロック３２０）。メタライゼーションプロセスは、プロセス２００のブロック２１４と同様である。図１６は、LEDダイアタッチパッド１０１４aおよびパッド１０１４bがベースのLED側１０１３に形成された後の薄型LEDパッケージ１０００の図である。
【００４８】
プロセス２００のブロック２１６および２１８に関連した上述のように、反射器は、ベース１００２に位置合わせされて接合され、かつキャリアウエハ１０１２は、除去される（ブロック３２２）。次いで、LED１０８は、LEDダイアタッチパッド１０１４aに接合される（ブロック３２４）。LED１０８は、接着プロセス、または別の実装プロセスを用いてLEDダイアタッチパッド１１０aに実装され得る。次いで、LED１０８は、陽極および陰極パッド１００bに電気的に接続される。次いで、いくつかの実施では、細線がLED１０８に接合され、LEDを陽極および陰極パッド１１０bに接続する（ブロック３２６）。例えば、細線は、LED１０８の陽極および／または陰極をワイヤボンディングパッド１１０bに接続するのに用いられ得る。他の実施では、LED１０８は、フリップチップボンディングによって陽極および陰極パッド１１０bに電気的に接続され得る。
【００４９】
プロセス２００のブロック２２４に関連した上述のように、保護カバーまたはフィルムがLED上に堆積される（ブロック３２８）。保護カバーがLED上に堆積された後、個別のLEDパッケージは、ダイシングプロセスによって分割される（ブロック３３０）。上述のように、キャリア基板は、プロセス３００の間、何度除去されてもよい。
【００５０】
上述のプロセスは、利点を提供し得る。例えば、プロセス２００および３００は、ビアがLEDダイアタッチパッドにより近づいて配置されるようにし、これは、セラミック、プラスチックリードレスチップキャリア（PLCC）、またはリードフレームパッケージより、より小さい占有面積を有する、比較的薄いパッケージとなり得る。薄型パッケージは、アレイ構成で配置されたLED または複数のLEDを有するアプリケーションに、よりよい熱分離および熱性能も提供し得る。また、薄型パッケージは、より小さい占有面積、より小さい高さ、およびより小さいLED間の距離により、向上した光学性能も提供し得る。また、これらのプロセスは、より高い製造の柔軟性を導き、特定のアプリケーションの設計および設計変更を製造プロセスに容易に導入することを可能にする。
【００５１】
他の実施例も請求項の範囲内にある。
【図１ａ】
2011525715.tif 000003
【図１ｂ】
2011525715.tif 000004
【図１ｃ】
2011525715.tif 000005
【図２】
2011525715.tif 000006
【図３】
2011525715.tif 000007
【図４】
2011525715.tif 000008
【図５】
2011525715.tif 000009
【図６】
2011525715.tif 000010
【図７】
2011525715.tif 000011
【図８】
2011525715.tif 000012
【図９】
2011525715.tif 000013
【図１０】
2011525715.tif 000014
【図１１】
2011525715.tif 000015
【図１２】
2011525715.tif 000016
【図１３】
2011525715.tif 000017
【図１４】
2011525715.tif 000018
【図１５】
2011525715.tif 000019
【図１６】
2011525715.tif 000020
【図１７】
2011525715.tif 000021
【手続補正書】
【提出日】平成23年1月25日(2011.1.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光電子部品のパッケージであって、
ウエハの対向する面にある第１および第２の表面を含み、その高さが１００μｍ〜４００μｍである半導体ウエハと、
前記第１の表面から前記第２の表面までウエハを貫通して延伸し、その内部表面上に金属被覆を有するビアと、
前記第１の表面上にあり、前記光電子部品から熱を移動させる熱パッドと、
前記ウエハの前記第１の表面上にあり、かつビアの金属被覆に電気的に接続される陽極および陰極接触パッドと、
前記第２の表面上にあり、光電子部品が実装されているダイアタッチパッドと、
前記ダイアタッチパッド上に実装された光電子部品と、
前記ウエハの前記第２の表面上にあり、かつ前記ビアの金属被覆を介して前記光電子部品に電気的に接続される陽極および陰極接触パッドと、
前記ウエハの前記第２の表面上に実装され、かつ前記光電子部品からの光を前記パッケージから導き出すように配置される光学部品と、を含む光電子部品のパッケージ。
【請求項２】
前記ウエハの前記第１の表面上にあり、かつ光電子部品に電気的に接続される電子回路を更に含む請求項１に記載の光電子部品のパッケージ。
【請求項３】
前記光学部品は、光学反射器またはモールドレンズの少なくとも１つである請求項１に記載の光電子部品のパッケージ。
【請求項４】
前記光電子部品上に、前記光電子部品が放射した、または受光した光の波長に透明である保護カバーを更に含む請求項１に記載の光電子部品のパッケージ。
【請求項５】
前記半導体ウエハの表面を機械的に研磨し、かつ前記半導体ウエハをエッチングすることで、前記半導体ウエハを薄くする請求項１に記載の光電子部品のパッケージ。
【請求項６】
光電子部品のパッケージの形成方法であって、
ウエハの対向する面にある第１および第２の表面を含み、その高さが１００μｍ〜４００μｍである半導体ウエハを提供するステップと、
前記第１の表面から前記第２の表面までウエハを貫通して延伸し、その内部表面上に金属被覆を有するビアを形成するステップと、
前記第１の表面上にあり、前記光電子部品から熱を移動させる熱パッドを形成するステップと、
前記ウエハの前記第１の表面上にあり、かつビアの金属被覆に電気的に接続される陽極および陰極接触パッドを形成するステップと、
前記ウエハの前記第２の表面上にあるダイアタッチパッドを形成するステップと、
前記ダイアタッチパッド上に実装された光電子部品を形成するステップと、
前記ウエハの前記第２の表面上にあり、かつ前記ビアの金属被覆を介して前記光電子部品に電気的に接続される陽極および陰極接触パッドを形成するステップと、
前記ウエハの前記第２の表面上に実装され、かつ前記光電子部品からの光を前記パッケージから導き出すように配置される光学部品を形成するステップと、を含む光電子部品のパッケージの形成方法。
【請求項７】
前記ウエハの前記第１の表面上にあり、かつ光電子部品に電気的に接続される電子回路を形成するステップを更に含む請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記光学部品は、光学反射器またはモールドレンズの少なくとも１つである請求項６に記載の方法。
【請求項９】
前記光電子部品上に、前記光電子部品が放射した、または受光した光の波長に透明である保護カバーを形成するステップを更に含む請求項６に記載の方法。
【請求項１０】
前記半導体ウエハの表面を機械的に研磨し、かつ前記半導体ウエハをエッチングすることで、前記半導体ウエハを薄くする請求項６に記載の方法。
【国際調査報告】
2011525715.tif 000022
2011525715.tif 000023
2011525715.tif 000024