(57)【要約】  ｃＭＵＴの実装形態は、デュアルモード動作を有する。ｃＭＵＴは、ｃＭＵＴ内のバネ部材がｃＭＵＴ内の接触点において対向する表面と接触するか否かに応じて、２つの異なる切替可能な動作条件を有する。２つの異なる動作条件は、接触により異なる周波数応答を有する。ｃＭＵＴは、ｃＭＵＴが第１の動作条件にある場合は伝送モードで動作し、ｃＭＵＴが第２の動作条件にある場合は受信モードで動作するように構成され得る。デュアルモード動作ｃＭＵＴの実装形態は、特に、受信モードがより高い高調波周波数を受信する、超音波高調波撮像に好適である。
2011522444.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｃＭＵＴを動作させる方法であって、
第１の電極および第２の電極が互いに向かって、また互いから離れて移動できるようにするためのバネ部材を含む、容量性マイクロマシン超音波トランスデューサ（ｃＭＵＴ）を提供するステップであって、前記ｃＭＵＴは、前記ｃＭＵＴの第１の動作条件において、前記バネ部材を、前記バネ部材に面する対向表面と接続せず、かつ第２の動作条件において、前記バネ部材を、前記バネ部材に面する前記対向表面と接続する接触点を有し、前記ｃＭＵＴが前記第１の動作条件において第１の周波数応答を有し、かつ前記第２の動作条件において第２の周波数応答を有し、前記第１の周波数応答および前記第２の周波数応答は、実質的に互いに異なる、ステップと、
前記ｃＭＵＴが前記第１の動作条件にある場合は前記ｃＭＵＴが第１の動作モードで動作し、前記ｃＭＵＴが前記第２の動作条件にある場合は第２の動作モードで動作するように前記ｃＭＵＴを構成する、ステップと、
前記ｃＭＵＴを前記第１の動作条件と前記第２の動作条件との間で切り替えるステップと
を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記第１の動作モードは、伝送モードおよび受信モードのうちの一方を含み、前記第２の動作モードは、前記伝送モードおよび前記受信モードのうちの他方を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第１の動作モードは、第１の周波数での伝送および／または受信を含み、前記第２の動作モードは、第２の周波数での伝送および／または受信を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記第１の動作モードは、撮像のための伝送および受信を含み、前記第２の動作モードは、高密度焦点式超音波（ＨＩＦＵ）動作のための伝送を含むことを特徴とする請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記第１の周波数応答は、第１の周波数帯域によって特徴付けられ、前記第２の周波数応答は、前記第１の周波数帯域に対して、より高い周波数に向けて実質的にシフトされる第２の周波数帯域によって特徴付けられ、前記第１の動作モードは伝送モードを含み、前記第２の動作モードは受信モードを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記第１の動作条件は、第１の動作電圧によって特徴付けられ、前記第２の動作条件は、前記第１の動作電圧よりも高い第２の動作電圧によって特徴付けられることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記ｃＭＵＴは超音波高調波撮像に適応され、前記第２の動作モードは、高調波周波数を有する超音波信号を受信するための受信モードを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記ｃＭＵＴを前記第１の動作条件と前記第２の動作条件との間で切り替えるステップは、バイアス信号に基づいて、切替信号を使用して達成されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記ｃＭＵＴを前記第１の動作条件と前記第２の動作条件との間で切り替えるステップは、伝送入力信号の構成要素に基づいて、少なくとも部分的に切替信号を使用して達成されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記ｃＭＵＴを第１の撮像モードと第２の撮像モードとの間で切り替えるステップをさらに含み、前記第１の撮像モードは、前記ｃＭＵＴが前記第１の動作条件にある場合、前記第１の動作モードでの動作、および前記ｃＭＵＴが前記第２の動作条件にある場合は、前記第２の動作モードでの動作を含み、前記第２の撮像モードは、すべての動作モードに対して、前記第１の動作条件および前記第２の動作条件のうちの１つでの動作を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記第１の撮像モードは、高調波撮像を含むことを特徴とする請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
ｃＭＵＴを動作させる方法であって、
第１の電極および第２の電極が互いに向かって、また互いから離れて移動できるようにするためのバネ部材を含む、容量性マイクロマシン超音波トランスデューサ（ｃＭＵＴ）を提供するステップであって、前記ｃＭＵＴは、前記ｃＭＵＴの第１の動作条件において、前記バネ部材を、前記バネ部材に面する対向表面と接続せず、かつ第２の動作条件において、前記バネ部材を、前記バネ部材に面する前記対向表面と接続する接触点を有し、前記ｃＭＵＴが前記第１の動作条件において第１の周波数応答を有し、かつ前記第２の動作条件において第２の周波数応答を有するようにし、前記第１の周波数応答は、第１の周波数帯域によって特徴付けられ、前記第２の周波数応答は、前記第１の周波数帯域に対して、より高い周波数に向けて実質的にシフトされる第２の周波数帯域によって特徴付けられる、ステップと、
前記ｃＭＵＴが前記第１の動作条件にある場合は、前記ｃＭＵＴが伝送モードで動作し、前記ｃＭＵＴが前記第２の動作条件にある場合は、受信モードで動作するように前記ｃＭＵＴを構成するステップと、
前記ｃＭＵＴを前記第１の動作条件と前記第２の動作条件との間で切り替えるステップと
を含むことを特徴とする方法。
【請求項１３】
前記ｃＭＵＴは、超音波高調波撮像に適応され、前記受信モードは、高調波周波数を有する超音波信号を受信することを特徴とする請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
容量性マイクロマシン超音波トランスデューサ（ｃＭＵＴ）であって、
第１の電極と、
キャパシタンスが前記第１の電極と第２の電極との間に存在するように、電極間隙だけ前記第１の電極から離れている前記第２の電極と、
前記第１の電極および前記第２の電極が互いに向かって、または互いから離れて移動できるようにするための、前記第２の電極を支持するバネ部材と、
前記バネ部材上または前記バネ部材に面する対向表面上に配置される接触構造であって、前記ｃＭＵＴの第１の動作条件において前記バネ部材を対向表面と接続せず、前記ｃＭＵＴの第２の動作条件において、前記バネ部材を前記対向表面と接続して、前記ｃＭＵＴが前記第１の動作条件において第１の周波数応答を有し、前記第２の動作条件において第２の周波数応答を有するようにし、前記第１の周波数応答および前記第２の周波数応答は、実質的に互いに異なる、接触構造と、
前記ｃＭＵＴを前記第１の動作条件および前記第２の動作条件との間で切り替えるために適応される切替手段であって、前記第１の動作条件は、第１の動作モードに対応し、前記第２の動作条件は、第２の動作モードに対応する、切替手段と
を備えることを特徴とする容量性マイクロマシン超音波トランスデューサ（ｃＭＵＴ）。
【請求項１５】
前記第１の動作モードは、伝送モードおよび受信モードのうちの一方を含み、前記第２の動作モードは、前記伝送モードおよび前記受信モードのうちの他方を含むことを特徴とする請求項１４に記載のｃＭＵＴ。
【請求項１６】
前記第１の動作モードは、第１の周波数での伝送および／または受信を含み、前記第２の動作モードは、第２の周波数での伝送および／または受信を含むことを特徴とする請求項１４に記載のｃＭＵＴ。
【請求項１７】
前記第１の周波数応答は、第１の周波数帯域によって特徴付けられ、前記第２の周波数応答は、前記第１の周波数帯域に対して、より高い周波数に向けて実質的にシフトされる第２の周波数帯域によって特徴付けられることを特徴とする請求項１４に記載のｃＭＵＴ。
【請求項１８】
前記第１の動作モードは伝送モードを含み、前記第２の動作モードは受信モードを含むことを特徴とする請求項１７に記載のｃＭＵＴ。
【請求項１９】
前記第１の動作条件は、第１の動作電圧によって特徴付けられ、前記第２の動作条件は、前記第１の動作電圧よりも高い第２の動作電圧によって特徴付けられることを特徴とする請求項１４に記載のｃＭＵＴ。
【請求項２０】
前記バネ部材は、前記第１の電極から離され、動作中に前記電極間隙内で前記第２の電極とともに移動し、前記接触構造は、前記第１の電極および前記第２の電極のうちの一方に接続されるストッパを備え、前記ストッパと前記第１の電極および前記第２の電極のうちの他方との間のより狭い間隙を定めることを特徴とする請求項１４に記載のｃＭＵＴ。
【請求項２１】
前記接触構造は、互いから離間した少なくとも２つの接触点を提供し、前記接触点は、前記接触構造と前記第１の電極および前記第２の電極のうちの１つとの間のより狭い間隙を定めることを特徴とする請求項１４に記載のｃＭＵＴ。
【請求項２２】
前記バネ部材は、前記第１の電極に接続され、前記第２の電極は、支持部材によって前記バネ部材から吊設されて前記電極間隙を定め、前記バネ部材は、動作中に前記電極間隙に対して前記バネ部材の反対側でバネ空洞内を移動し、また前記接触構造は、前記バネ部材および前記バネ空洞の反対側のうちの一方と接続されるストッパを備え、前記ストッパと、前記バネ部材および前記バネ空洞の反対側のうちの他方との間のより狭い間隙を定めることを特徴とする請求項１４に記載のｃＭＵＴ。
【請求項２３】
前記バネ部材は、前記第１の電極に接続され、前記第２の電極は、支持部材によって前記バネ部材から吊設されて前記電極間隙を定め、前記バネ部材は、動作中に前記電極間隙に対して前記バネ部材の反対側でバネ空洞内を移動し、また前記接触構造は、互いから離間した少なくとも２つの接触点を提供し、前記接触点は、前記接触構造と、前記バネ部材および前記第２のバネ空洞の反対側のうちの１つとの間のより狭い間隙を定めることを特徴とする請求項１４に記載のｃＭＵＴ。
【請求項２４】
前記ｃＭＵＴは、超音波高調波撮像に適応され、前記第２の動作モードは、高調波周波数を有する超音波信号を受信するための受信モードを含むことを特徴とする請求項１４に記載のｃＭＵＴ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
＜関連出願＞
本出願は、全体を本出願が参照することによって本明細書に組み込まれる、２００７年１２月３日に出願された米国仮特許出願第６０／９９２，０３８号、名称「ＯＰＥＲＡＴＩＯＮ  ＯＦ  ＭＩＣＲＯＭＡＣＨＩＮＥＤ  ＵＬＴＲＡＳＯＮＩＣ  ＴＲＡＮＳＤＵＣＥＲＳ」の優先権を主張する。
【０００２】
本発明は、デュアルモード動作マイクロマシン超音波トランスデューサに関する。
【背景技術】
【０００３】
容量性マイクロマシン超音波トランスデューサ（ｃＭＵＴ）は、静電アクチュエータ／トランスデューサであり、様々な用途において広く使用されている。超音波トランスデューサは、液体、固体、および気体を含む多様な媒体で動作し得る。超音波トランスデューサは、一般に、診断および治療のための医療撮像、生化学的撮像、材料の非破壊評価、ソナー、通信、近接センサ、ガスフロー測定、ｉｎ−ｓｉｔｕプロセスモニタリング、音響顕微鏡、水中感知と撮像、および多数の他の実用的な用途に使用される。ｃＭＵＴの典型的な構造は、ｃＭＵＴは、柔軟な膜の上または内部に備え付けられた、固定底面電極および可動上部電極を有する平行板キャパシタであり、近接する媒体中で音響波を伝送／正確化（ＴＸ）または受信／検出（ＲＸ）するために使用される。通常、感度および帯域幅を最大化することを目標として、直流電流（ＤＣ）バイアス電圧を電極間に印加し、ｃＭＵＴ動作に最適な位置に膜を偏向させることができる。伝送中に、交流電流（ＡＣ）をトランスデューサに印加する。上部電極と底部電極との間の交番静電力は、ｃＭＵＴを取り囲む媒体に音響エネルギーを送達するために、膜を作動させる。受信中に、衝突する音響波は膜を振動させ、２つの電極間のキャパシタンスを変える。
【０００４】
ｃＭＵＴの最も重要な特徴の１つは、その周波数応答である。既存のｃＭＵＴは、単一の周波数帯域に渡るそれぞれの固有周波数応答を有する。同一のトランスデューサまたはトランスデューサアレイがＴＸおよびＲＸ動作に使用される場合、ＴＸおよびＲＸ動作におけるトランスデューサの周波数応答は、同一であるか、またはほぼ同一である。これは、ＴＸ動作モードとＲＸ動作モードとの間の干渉回避を困難にする。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】国際公開第０９／０７３５６１号パンフレット
【発明の概要】
【０００６】
デュアル動作モードを有するｃＭＵＴの実装形態が開示される。当該ｃＭＵＴは、ｃＭＵＴ内のバネ部材がｃＭＵＴ内の接触点と接触するか否かに応じて２つの異なる切替可能な動作条件を有する。２つの異なる動作条件は、接触点との接触に応じた異なる周波数応答を有する。ｃＭＵＴは、ｃＭＵＴが第１の動作条件にある場合は伝送モードで動作し、ｃＭＵＴが第２の動作条件にある場合は受信モードで動作するように構成されることができる
本開示の一態様は、第１の電極と、キャパシタンスが第１の電極と第２の電極との間に存在するような電極間の幅だけ第１の電極から離された第２の電極と、を含むｃＭＵＴである。バネ部材は第２の電極を支持し、第１の電極および第２の電極が互いに向けて、または互いから離れて移動できるようにする。ｃＭＵＴは、ｃＭＵＴの２つの異なる動作条件を定める接触構造を有する。ｃＭＵＴの第１の動作条件において、接触構造はバネ部材を、バネ部材に面する対向表面と接続させない。しかし、第２の動作条件において、接触構造は、バネ部材を、バネ部材に面する対向表面と接続させて、ｃＭＵＴが第１の動作条件において第１の周波数応答、および第２の動作条件において第２の周波数応答を有するようにする。第１の周波数応答および第２の周波数応答は、実質的に互いに異なる。切替手段は、第１の動作条件と第２の動作条件との間でｃＭＵＴを切り替えるように選択される。第１の動作条件は、伝送モードおよび受信モードのうちの一方にあり、第２の動作条件は、伝送モードおよび受信モードのうちの他方にある。
【０００７】
一実施形態において、第１の周波数応答は、第１の周波数帯域によって特徴付けられ、第２の周波数応答は、第１の周波数帯域に対してより高い周波数側に実質的にシフトされる、第２の周波数帯域によって特徴付けられる。伝送モードは第１の動作条件にあり、受信モードは第２の動作条件にある。
【０００８】
動作中、第１の動作条件は、第１の動作電圧によって特徴付けられ、第２の動作条件は、第２の動作電圧によって特徴付けられ、第２の動作電圧は第１の動作電圧より高くてもよい。
【０００９】
ｃＭＵＴは膜ベースのｃＭＵＴであることができ、動作中、バネ部材（例えば、膜）は第１の電極から離れ、電極間の幅内を第２の電極とともに移動し、接触構造は第１の電極および第２の電極のうちのいずれか１つに接続されるストッパを有し、ストッパと第１の電極および第２の電極のうちの他方との間のより狭い幅を定める。接触構造は、互いに離れた２つ以上の同様のストッパを有することがある。
【００１０】
ｃＭＵＴは埋め込まれたバネｃＭＵＴ（ＥＳｃＭＵＴ）でもあることができ、バネ部材は第１の電極に接続され、第２の電極は、支持部材によってバネ部材から吊設されて電極間幅を定め、動作中、バネ部材は、電極間隙間に対して、バネ部材の反対側面上のバネ空洞内を移動する。接触構造は、バネ部材に接続されるストッパおよびバネ空洞の反対側の一方を含み、ストッパと他方のバネ部材との間と、バネ空洞の反対側との間のより狭い幅を定める。接触構造は、互いに離れた２つ以上の同様のストッパも含み得る。
【００１１】
本開示の別の態様は、ｃＭＵＴを動作させるための方法である。本方法は、第１の電極および第２の電極を互いに向けて、および互いから離して移動させるようにするためのバネ部材を含む容量性マイクロマシン超音波トランスデューサ（ｃＭＵＴ）を提供する。ｃＭＵＴは、２つの異なる動作条件を定める接触点を有する。接触点は、ｃＭＵＴの第１の動作条件において、バネ部材を、バネ部材に面する対向表面と接続しないが、第２の動作条件において、バネ部材を、バネ部材に面する対向表面と接続し、ｃＭＵＴが第１の動作条件において第１の周波数応答を有し、第２の動作条件において第２の周波数応答を有するようにする。本方法は、ｃＭＵＴが第１の動作条件にある場合は、第１の動作モード（例えば、伝送モード）で動作し、ｃＭＵＴが第２の動作条件にある場合は、第２の動作モード（例えば、受信モード）で動作するようにｃＭＵＴを構成する。本方法は、第１の動作条件と第２の動作条件との間でｃＭＵＴを切り替える。
【００１２】
デュアル動作モードｃＭＵＴの実施形態は、受信モードがより高い高調波周波数を受信する、超音波高調波撮像に特に好適である。
【００１３】
本発明の概要は、発明を実施するための形態において以下でさらに説明される一連の概念を簡略化された形態で導入するために提供される。本発明の概要は、特許請求される主題の主要な特徴または本質的な特徴を定義することを意図せず、特許請求される主題の範囲を決定する補助として使用されることも意図しない。
【００１４】
発明を実施するための形態を、添付の図面を参照して説明する。図面において、参照番号の左端の数字（１つまたは複数）は、参照番号が最初に現れる図を特定する。異なる図における同一の符号の使用は、同様または同一の項目を示す。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】高調波撮像に使用される従来のｃＭＵＴの周波数応答（信号アプリカント対周波数曲線）を示す図である。
【図２】本開示に係るデュアルモード動作ｃＭＵＴの周波数応答（信号アプリカント対周波数曲線）を示す図である。
【図３Ａ】２つの異なる動作条件を有するデュアルモードｃＭＵＴの第１の典型的な実施形態を示す図である。
【図３Ｂ】２つの異なる動作条件を有するデュアルモードｃＭＵＴの第１の典型的な実施形態を示す図である。
【図４Ａ】２つの異なる動作条件を有するデュアルモードｃＭＵＴの第２の典型的な実施形態を示す図である。
【図４Ｂ】２つの異なる動作条件を有するデュアルモードｃＭＵＴの第２の典型的な実施形態を示す図である。
【図５】典型的な切替信号を示す図である。
【図６Ａ】切替信号を形成する第１の典型的な実施形態を示す図である。
【図６Ｂ】切替信号を形成する第１の典型的な実施形態を示す図である。
【図７Ａ】切替信号を形成する第２の典型的な実施形態を示す図である。
【図７Ｂ】切替信号を形成する第２の典型的な実施形態を示す図である。
【図８Ａ】デュアルモードｃＭＵＴの第３の典型的な実施形態を示す図である。
【図８Ｂ】デュアルモードｃＭＵＴの第３の典型的な実施形態を示す図である。
【図９Ａ】デュアルモードｃＭＵＴの第４の典型的な実施形態を示す図である。
【図９Ｂ】デュアルモードｃＭＵＴの第４の典型的な実施形態を示す図である。
【図１０Ａ】デュアルモードｃＭＵＴの第５の典型的な実施形態を示す図である。
【図１０Ｂ】デュアルモードｃＭＵＴの第５の典型的な実施形態を示す図である。
【図１１Ａ】デュアルモードｃＭＵＴの第６の典型的な実施形態を示す図である。
【図１１Ｂ】デュアルモードｃＭＵＴの第６の典型的な実施形態を示す図である。
【図１２Ａ】デュアルモードｃＭＵＴの第７の典型的な実施形態を示す図である。
【図１２Ｂ】デュアルモードｃＭＵＴの第７の典型的な実施形態を示す図である。
【図１３】ｃＭＵＴを動作させるための典型的なデュアルモード動作方法を示すフローチャート図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
本開示は、デュアル動作モードの容量性マイクロマシン超音波トランスデューサ（ｃＭＵＴ）およびｃＭＵＴを動作させるための方法を開示する。この方法は、それぞれ動作モード、例えば、伝送（ＴＸ）および受信（ＲＸ）動作に対応する、異なる切替可能な動作条件（例えば、異なる電圧レベル）でｃＭＵＴを構成する。ｃＭＵＴの機械的特性または音響的特性は、ＴＸおよびＲＸ動作等の異なる動作モードに対して設定される、異なる動作条件において異なるように設計される。
【００１７】
開示されるｃＭＵＴの典型的な用途および動作方法の１つは、一般の超音波高調波撮像である。開示されるｃＭＵＴおよび動作方法は、既存の技術が有するいくつかの問題を克服する可能性がある。超音波高調波撮像において、通常、トランスデューサは所望の音響出力を生成し、それをＴＸ動作において媒体に放出し、ＲＸ動作において媒体からエコー信号を受信する。受信された信号の一部は、ＴＸ出力の中心周波数（システムの基本周波数と称される）の周囲に集中し、受信信号の別の部分は、ＴＸ出力の高調波周波数領域（システムの高調波周波数と称される）の周囲に集中する。高調波撮像方法は、通常、受信信号の高調波部分を使用して撮像解像度を改善する。これは、高調波信号がより高い周波数であるためであり、音響波長はより短く、より良い軸方向分解能を可能にする。
【００１８】
既存の高調波撮像技術は、ＴＸおよびＲＸ動作の両方に対して、単一の動作条件を有する、同一のトランスデューサまたはトランスデューサアレイを使用した。これらの技術において、ＴＸおよびＲＸ動作におけるトランスデューサの周波数応答はほぼ同一である。
【００１９】
図１は、高調波撮像に使用される従来のｃＭＵＴの周波数応答（信号印加対周波数曲線）を示す。図１に示されるように、トランスデューサ／システムは、ＴＸモードおよびＲＸモードの両方を網羅する全体周波数応答帯域１０１を有する。高調波撮像において、ＴＸ動作は、トランスデューサ／システムの全体周波数応答帯域１０１の低周波部分を占める基本周波数のＴＸ作動１０２を有し、一方ＲＸ動作は、トランスデューサ／システムの周波数応答帯域１０１の全体または高周波部分を占める高調波周波数のＲＸ信号１０４を有する。この同一周波数帯域の共有は、ＴＸ出力信号が受信されるＲＸ高調波信号を干渉しないようにするために、ＴＸ動作が高調波周波数領域において極めて最小の出力信号を放出することを要求する。
【００２０】
しかしながら、既存の技術を使用して、高調波周波数領域における出力信号を回避または最小化することは困難である。ｃＭＵＴによって生成される静電作動（圧力／力）は、印加される電圧に対して線形ではない。ｃＭＵＴ  ＴＸ動作の場合、通常、ＤＣ電圧および比較的大きいＡＣ電圧が使用される。この組み合わせは、システムの基本周波数で望ましい静電ＴＸ作動１０２を生成するが、システムの高調波周波数の周辺で非常に大きい所望されないＴＸ作動１０３も生成する。つまり、従来のｃＭＵＴのｃＭＵＴ周波数応答１０１は、基本周波数領域および高調波周波数領域の両方を網羅するため、ｃＭＵＴは、システムの高調波周波数周辺の所望されないＴＸ作動１０３から生じるかなり大きい所望されない出力を有する。かかる状態は、通常、超音波高調波撮像用途に許容されない。通常のｃＭＵＴ動作条件において、バイアス電力を変えることでｃＭＵＴの周波数応答がわずかに変換するが、この変換による周波数シフトは小さすぎるため、干渉問題においていかなる有意義な効果をも有し得ない。言い換えれば、従来のｃＭＵＴの通常のｃＭＵＴ動作において、ＴＸおよびＲＸの両方は、ほぼ同一の周波数応答を共有する。
【００２１】
上述の問題に対処するため、本開示は、ｃＭＵＴを動作させるためのデュアルモード動作方法、およびデュアルモード動作方法に好適なｃＭＵＴの様々な設計を開示する。以下、デュアルモードモードｃＭＵＴの周波数応答、デュアルモード動作の切替方法、デュアルモード動作に好適なｃＭＵＴの様々な設計に関する説明を最初に提供し、続いて、デュアルモード動作方法およびそれらの用途に関する説明を提供する。本説明において、プロセスが説明される順序は、限定として見なされることを意図せず、任意の数の説明されるプロセスブロックは、当該方法または代替方法を実現するために任意の順序で組み合わされてもよい。
【００２２】
本明細書で示されるように、ｃＭＵＴの動作条件は、様々な電圧レベルを印加する等の任意の好適な手段を使用して達成および／または維持され得る。ｃＭＵＴに印加される電圧レベルは、バイアス信号のみ、またはバイアス信号とＴＸ入力信号の任意の組み合わせによって設定され得る。
【００２３】
図２は、本開示に従うデュアルモード動作ｃＭＵＴの周波数応答（信号印加対周波数曲線）を示す。デュアルモード動作ｃＭＵＴは、２つの異なる周波数応答を有する。第１の周波数応答２０１Ａは、第１の動作条件に対応する。第２の周波数応答２０１Ｂは、第２の動作条件に対応する。第１の動作条件の第１の周波数応答２０１Ａは、基本周波数の周辺に中心周波数を有し、第２の周波数応答２０１Ｂは、超音波システムの高調波周波数の周辺に中心周波数を有する。これは、高調波周波数での所望されない出力によってもたらされる干渉を低減する機会を提供する。
【００２４】
例えば、ｃＭＵＴのＴＸ動作条件は、その中心周波数を超音波システムの基本周波数周辺に有するように設定されてもよく、ｃＭＵＴのＲＸ動作条件は、その中心周波数を超音波システムの高調波周波数周辺に有するように設定されてもよい。図２に示されるように、静電作動は依然として、所望の基本周波数領域（ＴＸ作動２０２）および所望されない高調波周波数領域（所望されないＴＸ作動２０３）の両方において、静電圧力／力を生成し得る。しかしながら、ＴＸモードにおいて、ｃＭＵＴは、第１の周波数応答２０１Ａに従って、ＴＸ作動２０２および所望されないＴＸ作動２０３に応答する。ＴＸ動作条件におけるｃＭＵＴは、高調波周波数領域において非常に小さい応答を有するように設計され得るため、所望されないＴＸ作動２０３は、極めて小さい実干渉を生成する。
【００２５】
本質的に、ＴＸ動作条件におけるｃＭＵＴは、音響出力における所望されない高調波周波数構成要素を遮断するためのフィルタのように機能し、ｃＭＵＴ  ＴＸ出力における高調波構成要素が、高調波撮像用途に対して望ましく低いレベルに制御され得るようにする。対照的に、ｃＭＵＴがＲＸモードである場合、ｃＭＵＴは、ＴＸモードにおける第１のｃＭＵＴ周波数応答２０１Ａに対して、より高い周波数領域（高調波周波数領域）の方向へシフトされる第２のｃＭＵＴ周波数応答２０１Ｂに従って、高調波周波数においてＲＸ信号２０４に応答する。ＲＸにおけるｃＭＵＴは、ｃＭＵＴが高調波周波数領域において良好な応答を有する、異なる動作条件で設定されるため、ｃＭＵＴは依然として高調波検出に対して良好な感度を有する。
【００２６】
図示されるように、ｃＭＵＴは、バネ部材または表面板等の移動構成要素を有する。バネ部材は、可撓性膜または埋め込まれたバネ部材（例えば、バネ膜）であり得る。一実施形態において、ｃＭＵＴの第１の動作条件は、その通常動作状態であり、一方ｃＭＵＴの第２の動作条件は、ｃＭＵＴの移動部材の一部が、ｃＭＵＴ内の接触点を通じて、移動部分に面する対向表面に接続される接触動作条件である。接触点は、移動部分に面する対向表面（例えば、移動構成要素が移動する空洞の表面）上に配置され得る。接触点は、バネ部材上の点またはこの部材に面する対向表面、あるいは特別に設計される接触構造またはこの部材もしくは対向表面に配置される物体上の点のいずれかであり得る。複数の接触点、接触構造、または接触物体を使用してもよい。例えば、設計される接触構造は、空洞の底面または移動部材の底面上のいずれかに設置されて接触点を決定し得、一方、ｃＭＵＴの移動部材の機械的境界条件が一方から他方に変化することに基づいて、異なる動作条件を定める。
【００２７】
ｃＭＵＴは、異なる動作条件において、異なる機械的特性または周波数応答を有する。この設計により、ｃＭＵＴが異なる動作条件においてＴＸおよびＲＸ動作モードで作動するように構成される場合、ｃＭＵＴはＴＸおよびＲＸ動作において異なる周波数応答（例えば、異なる中心周波数、帯域幅、および帯域形状等）を有し得る。例えば、第１の動作条件は、基本周波数の周辺に中心周波数を有する周波数応答を有し得、一方第２の動作条件は、超音波システムの高調波周波数付近に中心周波数を有する周波数応答を有し得る。したがって、ｃＭＵＴのＴＸ動作は、超音波システムの基本周波数周辺にその中心周波数を有するように設定され得、ｃＭＵＴのＲＸ動作条件は、超音波システムの高調波周波数周辺にその中心周波数を有するように設定され得る。ＴＸ動作とＲＸ動作との間の周波数応答におけるこの差異が、図２に示されるようなＴＸ作動に対する所望されない応答を低減するのを助ける。
【００２８】
図３Ａおよび３Ｂは、２つの異なる動作条件を有するデュアルモードｃＭＵＴの第１の典型的な実施形態を示す。ｃＭＵＴは、２つの異なる動作条件３００Ａおよび３００Ｂで示される。第１の動作条件３００Ａは、接触を形成する前の通常動作条件である。同一ｃＭＵＴの第２の動作条件３００Ｂは、接触を形成した後の接触動作条件である。
【００２９】
ｃＭＵＴは、移動部材３１１、移動部材３１１を支持するアンカー３１２、およびｃＭＵＴ空洞の底面３１４上に配置される接触構造３１３を有する。さらなる実施形態において示されるように、ｃＭＵＴは２つの電極を有する（図示せず）。少なくとも電極の１つは、移動部材３１１によって支持される。他方の電極は、キャパシタンスが第１の電極と第２の電極との間に存在するように、電極間隙によって第１の電極から離される。移動部材３１１によって、２つの電極は、互いに向けて、または互いから離れて移動することができる。移動部材３１１は、バネ部材（可撓性膜もしくはバネ膜等）であり得、またはバネ部材によって支持および移動される表面板であり得る。
【００３０】
ｃＭＵＴの第１の動作条件３００Ａにおいて、接触構造３１３は、移動部材３１１を、移動部材３１１に面する底面３１４と接続しない。第２の動作条件において、接触点３１３は、移動部材３１１を、移動部材３１１に面する底面３１４と接続する。物理的境界条件のこの変化の結果として、ｃＭＵＴは、第１の動作条件および第２の動作条件において異なる周波数応答を有する。好適な実施形態において、第１の周波数応答および第２の周波数応答は、実質的に互いに異なるように設計される。
【００３１】
最も具体的には、図３Ａに示される通常動作条件３００Ａにおいて、ｃＭＵＴにおける移動部材３１１の可撓性は、長さＬによって定義される。図３Ｂに示される接触動作条件３００Ｂにおいて、移動部材３１１は、その下の接触構造３１３と接触するように変形または移動する。接触動作条件３００ＢにおけるｃＭＵＴの可撓性は、移動部材３１１と接触構造３１３との間の接触が、移動部材３１１の境界条件を変更するため、ここで長さ１、Ｌ２、およびＬ３によって定義される。Ｌは通常Ｌ１、Ｌ２およびＬ３よりも長いため、接触動作条件３００ＢにおけるｃＭＵＴの周波数応答は、通常動作条件３００Ａに対して、より高い周波数に向けてシフトされる。通常、低い周波数応答を有する動作条件はＴＸ動作に好適であり、高い周波数応答を有する動作条件はＲＸ動作に好適である。これら２つの動作条件３００Ａおよび３００ＢにおけるｃＭＵＴの周波数応答を適切に選択することによって、デュアルモードｃＭＵＴは高調波撮像を行うために十分好適となり得る。
【００３２】
本明細書に示されるように、一部の実施形態において、ｃＭＵＴは、ｃＭＵＴが第１の動作条件にある場合は第１の動作モードで動作し、ｃＭＵＴが第２の動作条件にある場合は第２の動作モードで動作するように構成される。ｃＭＵＴは、第１の動作条件と第２の動作条件との間で切り替えられる。
【００３３】
図４Ａおよび４Ｂは、２つの異なる動作条件を有するデュアルモードｃＭＵＴの第２の典型的な実施形態を示す。図４Ａおよび４ＢのｃＭＵＴは、接触構造の位置を除いて図３Ａおよび３ＢのｃＭＵＴに類似する。図４Ａおよび４Ｂに示されるように、第１の動作条件４００Ａは、接触を形成する前の通常動作条件であり、同一ｃＭＵＴの第２の動作条件４００Ｂは、接触を形成した後の接触動作条件である。ｃＭＵＴは、移動部材４１１、移動部材４１１を支持するアンカー４１２、およびｃＭＵＴの移動部材４１１の底面４１４上に配置される接触構造４１３を有する。第１の電極（図示せず）および第２の電極（図示せず）は、キャパシタンスが第１の電極と第２の電極との間に存在するように、互いに離れて電極間隙を定める。接触構造４１３が反対位置であるにもかかわらず、図４Ａおよび４ＢのｃＭＵＴは、図３Ａおよび３ＢのｃＭＵＴと同様の効果を有する。
【００３４】
図３Ａ、３Ｂ、４Ａおよび４ＢのｃＭＵＴは、可撓性部材の境界条件を変えることによって、ｃＭＵＴの機械的特性を変えることを示す単なる例である。さらなる例は、本開示の後の項で示される。移動部材（３１１または４１１）は、様々な形状の可撓性膜、カンチレバーまたはブリッジであり得る。１つまたは複数の接触構造が存在し得、移動部材の下の望ましい位置に配置されて、接触動作条件において望ましい周波数応答を達成する。移動部材（３１１あるいは４１１）と接触構造（３１３あるいは４１３）との間の接触、または対向表面（３１４あるいは４１４）と接触構造（３１３あるいは４１３）との間の接触は、点、線形、または領域であり得る。さらに、接触構造（３１３あるいは４１３）は、特別に設計される構造、または移動部材あるいは移動部材に面する対向表面の自然な一部のいずれかであり得る。移動部材および移動部材に面する対向表面は、平坦または非平坦であり得る。接触構造は、適切な接触点を決定し、接触動作条件においてｃＭＵＴに対する望ましい周波数応答を達成するように設計される。
【００３５】
＜デュアルモード動作間の切替＞
ｃＭＵＴの移動部材（例えば、可撓性膜、バネ膜、または表面板）は、その通常動作条件からその接触動作条件に切り替えられ得るか、またはその逆もあり得る。実際の物理的切替は、静電作動、電磁作動、および熱作動等の任意の適切な作動方法を使用する作動を通じて行われ得る。静電作動は、切替信号を印加することによって行い、ｃＭＵＴ上の異なる電圧レベルを設定し得る。
【００３６】
ｃＭＵＴ上に印加される切替信号は、通常、ｃＭＵＴのみのバイアス信号、またはバイアス信号およびＴＸ入力信号の組み合わせのいずれかによって決定される。適切なバイアス信号およびＴＸ入力信号を選択することによって、ｃＭＵＴに印加される切替信号は、２つの動作条件、例えば、通常動作条件（３００Ａまたは４００Ａ）および接触動作条件（３００Ｂまたは４００Ｂ）の間でｃＭＵＴを切り替えることができる。
【００３７】
切替信号がバイアス信号のみによって形成される場合、ＴＸ音響出力のみを生成するためにＴＸ入力信号が使用され、よってこの特定の実施形態におけるＴＸ入力信号は、従来のｃＭＵＴ動作方法において使用されるものと同様である。しかしながら、この実装形態において切替信号として使用されるバイアス信号はＡＣ信号であり、従来のｃＭＵＴ動作方法において使用されるＤＣ信号ではない。そのため、デュアルモードｃＭＵＴ動作において使用されるＡＣ信号は２つある。一部の好適な実施形態において、２つのＡＣ信号は同期される。
【００３８】
切替信号がＴＸ入力信号およびバイアス信号の両方によって形成される場合、バイアス信号は、従来のｃＭＵＴ動作方法において使用されるようなＤＣ信号であり得る。しかしながら、この実施形態におけるＴＸ入力信号は、従来のｃＭＵＴ動作方法において使用されるものとは異なる。この場合において、ＴＸ入力信号は、望ましい超音波出力を生成するだけでなく、バイアス信号と組み合わされて、ｃＭＵＴ動作条件を切り替えるための切替信号を形成し得る。したがって、この実施形態において、ＡＣ信号は１つのみしかないが、ＡＣ信号（ＴＸ入力信号）は、１つは音響出力用の、もう１つは動作条件を切り替えるための２つの構成要素を含み得る。
【００３９】
図５は、典型的な切替信号を示す。切替信号５００は、電圧／時間のグラフによって表される。切替信号５００は、バイアス信号のみによって、またはバイアス信号およびＴＸ入力信号の組み合わせによって形成され得る。
【００４０】
ｃＭＵＴに印加される切替信号５００は、ＴＸ期間およびＲＸ期間を含み得る。ｃＭＵＴは、ＴＸ期間中に超音波伝送器として作動し、ＲＸ期間中は超音波受信器として作動する。切替信号５００の電圧レベルは、ＴＸおよびＲＸ動作条件において異なるように設計される。通常、ＴＸ期間においてｃＭＵＴに印加される切替信号５００の絶対電圧レベルは、ＲＸ期間において印加されるものよりも低い。
【００４１】
移行期間を含み、切替信号は４つの時間または期間：ＴＸ期間、ＲＸ期間、ＲＸからＴＸへの移行、およびＴＸからＲＸへの移行を含み得る。これらの期間は、図５および以降の図においてそれぞれ「Ｔ」、「Ｒ」、「ＲＴ」、および「ＴＲ」と示される。１つまたは２つの移行領域が、ＲＸまたはＴＸ期間のいずれかと合併する場合がある。図５の典型的な切替信号は、伝送および受信動作のための異なる電圧レベルＶ１およびＶ２をそれぞれ有する。通常、伝送（ＴＸ）のための切替電圧レベルＶ１は、受信（ＲＸ）のための切替電圧レベルＶ２よりも低い。切替信号における電圧レベルは、ＴＸおよびＲＸ動作における動作条件を決定する。
【００４２】
好ましくは、動作条件を切り替えるために使用される切替信号５００は、超音波システムのＴＸ出力と干渉するような重要な超音波作動または信号を、超音波システムの周波数領域において生成すべきではない。そのため切替信号５００は、ｃＭＵＴ動作の動作周波数領域または帯域（帯域幅）においてわずかな周波数構成要素を有するように設計され得、切替信号５００単独で、ｃＭＵＴ動作中にｃＭＵＴ動作周波数において任意の有意義な超音波出力を生成しないようにする。ｃＭＵＴ動作の動作周波数領域または帯域は、ＴＸ動作およびＲＸ動作の両方を含み得、ｃＭＵＴが超音波を伝送するか、またはエコー信号から有用な情報を効率的に抽出し得る周波数領域である。通常、切替信号５００の周波数は、ｃＭＵＴ  ＴＸ出力の周波数よりも低く、さらにｃＭＵＴ  ＲＸ信号の周波数よりも低い。
【００４３】
切替信号５００は、適切な信号発生器を使用して最初に生成され得、次いで、適切なローパスまたはバンドパスフィルタを使用し、ｃＭＵＴ動作の周波数領域よりも低いカットオフ周波数でフィルタリングされ得る。
【００４４】
図６Ａおよび６Ｂは、切替信号を形成する第１の典型的な実施形態を示す。この実施形態において、切替信号はバイアス信号のみを使用して形成される。図６Ａおよび６Ｂは、それぞれ典型的なバイアス信号および典型的なＴＸ入力信号を示す。バイアス信号６００Ａは、図６Ａにおいて電圧／時間のグラフによって表され、同様にＴＸ入力信号６００Ｂは、図６Ｂにおいて電圧／時間のグラフによって表される。図６Ａのバイアス信号６００Ａを単独で使用することによって、図５の切替信号５００が生成される。この典型的な実施形態において、切替信号５００はバイアス信号６００Ａのみによって形成されるため、図６Ａに示される典型的なバイアス信号６００Ａは、図５における切替信号５００と同一である。この場合において、ＴＸ入力信号６００Ｂのみを使用して、音響出力を生成する。
【００４５】
図７Ａおよび７Ｂは、切替信号を形成する第２の典型的な実施形態を示す。この実施形態において、切替信号は、バイアス信号およびＴＸ入力信号の構成要素の組み合わせを使用して形成される。図７Ａおよび７Ｂは、それぞれ典型的なバイアス信号および典型的なＴＸ入力信号を示す。バイアス信号７００Ａは、図７Ａにおける電圧／時間のグラフによって表され、同様にＴＸ入力信号７００Ｂは、図７Ｂにおける電圧／時間のグラフによって表される。図７Ａおよび７Ｂのバイアス信号７００ＡおよびＴＸ入力信号７００Ｂを組み合わせて、図５の切替信号５００を生成する。この実施形態において、バイアス信号７００ＡはＤＣ信号である。ＴＸ入力信号７００Ｂは２つの構成要素：作動信号構成要素７００Ｂ１および切替信号構成要素７００Ｂ２を有する。作動信号構成要素７００Ｂ１は、図６において示されるＴＸ入力信号６００Ｂと同一であり得、音響出力を生成するために使用される。切替信号構成要素７００Ｂ２をバイアス信号７００Ａとともに使用し、動作条件を切り替えるための適切な切替信号（例えば、切替信号５００）を形成する。これは、図６に示されるバイアス信号６００Ａとは異なる。
【００４６】
この図示される第２の典型的な実施形態において、図５に示される切替信号は、図７Ａにおけるバイアス信号から切替信号構成要素７００Ｂ２を差し引くことによって得られる。実際の実施形態において、２つの信号の減算は、ｃＭＵＴの２つの対向する電極上に２つの信号を個別に印加することによって行うことができる。代替として、２つの信号（バイアス信号およびＴＸ入力信号の切替信号）は、ｃＭＵＴの２つの電極の同一側に印加され得る。この代替例において、切替信号は、バイアス信号および切替信号構成要素の追加によって形成される。しかし、この代替実施形態において、ＴＸ入力信号における切替信号構成要素は図５に示される同一の切替信号５００を取得するため、図７に示される切替信号構成要素７００Ｂ２とは異なって設計される必要があり得る。
【００４７】
切替信号を形成する上述の第２の典型的な実施形態は、上述の第１の典型的な実施形態と比較して、有利な可能性があり得る。図６Ａおよび６Ｂに示される第１の典型的な実施形態において、２つのＡＣ信号（ＡＣバイアス信号６００ＡおよびＡＣ  ＴＸ入力信号６００Ｂ）は、各ｃＭＵＴ要素に使用される。これらの２つのＡＣ信号は、同期される必要があり得る。この構成は、各ｃＭＵＴ要素に対して２つの個別のワイヤを必要とし得る。対照的に、図７Ａおよび７Ｂに示される第２の典型的な実施形態においては、たった１つのＡＣ信号（ＡＣ  ＴＸ入力信号７００Ｂ）が各ｃＭＵＴ要素に使用される。これは、より簡素なハードウェアおよびより安価な加工をもたらし得る。ｃＭＵＴの様々な切替信号（動作電圧）を形成するための方法のさらなる詳細およびさらなる実施例は、特許文献１において開示される。参照されるＰＣＴ特許出願は、その全体を参照することにより本明細書に組み込まれる。
【００４８】
＜デュアルモードｃＭＵＴ構造のさらなる実施形態＞
開示されるデュアルモード動作方法は、可撓性膜ｃＭＵＴおよび埋め込まれたバネｃＭＵＴ（ＥＳｃＭＵＴ）を含む、様々なｃＭＵＴ構造に適用され得る。
【００４９】
図８Ａおよび８Ｂは、デュアルモードｃＭＵＴの第３の典型的な実施形態を示す。ｃＭＵＴは、可撓性膜ｃＭＵＴに基づく。ｃＭＵＴ８００Ａは通常条件（接触を形成する前）であり、ｃＭＵＴ８００Ｂは接触動作条件（接触を形成した後）である。ｃＭＵＴは、膜８１１、および膜８１１を支持するアンカー８１２を有する。基板８０１によって支持される第１の電極８１４および膜８１１によって支持される第２の電極８１０は互いに離され、キャパシタンスが第１の電極８１４と第２の電極８１０との間に存在するように電極間隙８１５を定める。絶縁層８１６は、第１の電極８１４と第２の電極８１０との間に配置される。示される実施形態において、絶縁層８１６は、電極間隙８５０（本実施形態においてはｃＭＵＴ空洞）の底面を提供する。ｃＭＵＴは、いかなる特別に形成される接触構造も有しない。代わりに、膜８１１が下方に移動して接触点８０３において第１の電極８１４の表面に接触する場合、動作条件が変更される。
【００５０】
可撓性膜ｃＭＵＴの機械的／音響的特性は、主に可撓性膜によって定められる。したがって、異なる機械的／音響的特性（周波数応答）を有する２つの動作条件は、異なる切替電圧レベルを使用して達成され得、ＲＸおよびＴＸ動作のための異なるｃＭＵＴ膜境界条件を設定する。異なる切替電圧レベルは、膜８１１を望ましい位置に移動させることによって、膜境界条件を変更し、絶縁層８１６の表面上の接触点８０３と接触させる。膜が接触した後、相当するｃＭＵＴ膜のサイズは、ｃＭＵＴの周波数応答が増加するように小さくなる。そのため、特別に形成される接触構造の欠如にもかかわらず、図８Ａおよび８ＢのｃＭＵＴは、開示されるデュアルモード動作方法を使用して動作される場合、図３Ａおよび３ＢのｃＭＵＴと同様の効果を有する。膜８１１がｃＭＵＴ空洞の底面（絶縁層８１６の表面）と接触を形成する前と後で相当する膜のサイズが変化するため、ｃＭＵＴの周波数応答は、２つの異なる動作条件８００Ａおよび８００Ｂにおいて異なり、それらは本明細書で説明されるように、２つの異なる切替電圧レベルにおいて達成される。
【００５１】
しかしながら、標準可撓性膜ｃＭＵＴに基づくデュアルモードｃＭＵＴの上記実施形態は、原理上は機能するが、何らかの困難または制限を有し得る。接触した後のｃＭＵＴの膜サイズは、印加される信号のレベルが変化するにつれて接触領域が変化し得るため、十分に定められない。また、接触点８０３は常に中心または中心付近にあるため、接触動作条件８００Ｂにおける膜のサイズおよび形状を設計するための可撓性はない。これらの問題は、接触動作条件８００Ｂに対して望ましい周波数応答を達成する際に、この設計を制限し得る。
【００５２】
デュアルモードｃＭＵＴの動作をさらに改善し、接触動作条件において望ましい周波数応答を達成するための１つの方法は、設計される形状および位置を有する１つまたは複数の接触構造を使用することである。接触動作条件におけるｃＭＵＴの膜形状を決定するために、特別に設計される接触構造を使用することができる。
【００５３】
図９Ａおよび９Ｂは、デュアルモードｃＭＵＴの第４の典型的な実施形態を示す。このｃＭＵＴは、可撓性膜ｃＭＵＴに基づき、図９Ａおよび９ＢのｃＭＵＴが、ｃＭＵＴ空洞の底部の自然表面に依存して接触点を提供する代わりに、接触構造を有して接触点を提供することを除いて、図８Ａおよび８ＢのｃＭＵＴと同様である。ｃＭＵＴ９００Ａは、通常条件（接触を形成する前）であり、ｃＭＵＴ９００Ｂは、接触動作条件（接触を形成した後）である。ｃＭＵＴは、膜９１１、および膜９１１を支持するアンカー９１２を有する。基板９０１によって支持される第１の電極９１４および膜９１１によって支持される第２の電極９１０は、互いに離されて電極間隙９１５を定める。絶縁層９１６は、第１の電極９１４と第２の電極層９１０との間に配置される。接触構造９１３は絶縁層９１６上に構築され、接触構造膜９１３と膜９１１（または第２の電極９１０）との間により狭い間隙膜９１７を定める接触点９０３を提供する。膜９１１の動きに対して、接触構造９１３は、ストッパとして機能し、接触構造９１３と接触した膜９１１の一部のさらなる移動を停止する。図示される実施形態において、接触構造９１３は、絶縁層９１６に接続され、その上に立つ支柱である。接触構造９１３は、絶縁層９１６の統合部分（例えば、同一の加工材料から絶縁層９１６とともに一体的に形成される）、または絶縁層９１６に個別に追加されるか、または追加または削除技術を使用して絶縁層９１６上で加工される部分のいずれかであり得る。
【００５４】
図８Ａおよび８Ｂを越える図９Ａおよび９ＢのｃＭＵＴの可能な利点は、接触構造９１３を選択される位置において構築し、より精密に接触点９０３を定めることができることである。さらに、接触構造９１３は、より精密に接触動作条件を定めるように選択された高さも有する。例えば、接触構造９１３の高さは、引き込み（崩壊）条件が生じる前に、膜９１１が接触構造９１３に接触するように選択され得る。
【００５５】
図１０Ａおよび１０Ｂは、デュアルモードｃＭＵＴの第５の典型的な実施形態を示す。このｃＭＵＴは可撓性膜ｃＭＵＴに基づき、図１０Ａおよび１０ＢのｃＭＵＴが互いに離された２つの接触点１００３を有することを除いて、図９Ａおよび９ＢのｃＭＵＴに類似する。接触点１００３は、ｃＭＵＴ空洞の底部の自然表面に依存して接触点を提供する代わりに、接触構造１０１３によって提供され得る。設計に応じて、接触構造１０１３は、２つの個別の構造（例えば、個別の支柱）または断面図において離間して表れるにすぎない同一の拡張接触構造の部分のいずれかであり得る。例えば、接触構造１０１３はリング形状または線形状であり得る。
【００５６】
ｃＭＵＴ１０００Ａは通常条件（接触を形成する前）であり、ｃＭＵＴ１０００Ｂは、接触動作条件（接触を形成した後）である。ｃＭＵＴは、膜１０１１および膜１０１１を支持するアンカー１０１２を有する。基板１００１によって支持される第１の電極１０１４および膜１０１１によって支持される第２の電極１０１０は、互いに離されて電極間隙１０１５を定める。絶縁層１０１６は、第１の電極１０１４と第２の電極層１０１０との間に配置される。接触構造１０１３は絶縁層１０１６上に構築され、接触点１００３を提供する。各接触点１００３は、接触構造１０１３と膜１０１１（または第２の電極１０１０）との間により狭い間隙を定める。膜１０１１の動きに対して、接触構造１０１３はストッパとして機能し、接触構造１０１３と接触した膜１０１１の部分のさらなる移動を停止する。図示される実施形態において、接触構造１０１３は、互いに離されて絶縁層１０１６上に立つ２つの支柱を含む。同様に、接触構造１０１３のような２つより多くの支柱を使用してもよい。支柱は、絶縁層１０１６の領域全体に分散され得、接触動作条件１０００Ｂの周波数応答のさらなる制御を提供する。
【００５７】
図１１Ａおよび１１Ｂは、デュアルモードｃＭＵＴの第６の典型的な実施形態を示す。このｃＭＵＴは、可撓性膜ｃＭＵＴに基づくが、より狭い支柱を接触構造として使用する代わりに、図１１Ａおよび１１ＢのｃＭＵＴは、膜に面する非平坦底面を使用して接触点を提供する。ｃＭＵＴ１１００Ａは、通常条件（接触を形成する前）であり、ｃＭＵＴ１１００Ｂは、接触動作条件（接触を形成した後）である。ｃＭＵＴは、膜１１１１および膜１１１１を支持するアンカー１１１２を有する。基板１１０１によって支持される第１の電極１１１４および膜１１１１によって支持される第２の電極１１１０は、互いに離されて電極間隙１１１５を定める。絶縁層１１１６は、第１の電極１１１４と第２の電極層１１１０との間に配置される。絶縁層１１１６は、顕著な特徴部１１１３を有して接触点１１０３を提供する非平坦表面を有する。各接触点１１０３は、顕著な特徴部１１１３と膜１１１１（または第２の電極１１１０）との間により狭い間隙を定める。膜１１１１の動きに対して、顕著な特徴部１１１３は、ストッパとして機能し、接触構造１１１３と接触した膜１１１１の部分のさらなる移動を停止する。図示される実施形態において、顕著な特徴部１１１３は、絶縁層１１１６上の他の領域より高く伸長する幅広いステップを含む。
【００５８】
平坦な底面と比較して、非平坦底面はさらなる可撓性を有して接触点の位置を制御し得、接触動作条件における膜の周波数応答を設計するためにさらなる自由度を付与する。
【００５９】
図９〜１１に示される接触構造の形状、位置、および分布ならびにｃＭＵＴ空洞の形状は、説明のための単なる例である。他の構成を使用して、接触動作条件におけるｃＭＵＴの望ましい周波数応答を達成できる。図９〜１１に示される典型的な実施形態において、埋め込まれたバネｃＭＵＴ（ＥＳｃＭＵＴ）において同様の結果を達成し、接触構造または接触特徴部を通じて、バネ部材が接触点において対向表面に接触する前および後に、ＥＳｃＭＵＴが異なる周波数応答を有するようにするために、ｃＭＵＴに埋め込まれたバネ部材の機械的特性を変更するために使用される技術も使用することができる。かかる接触構造の実施例は、バネ部材の下面またはバネ部材の下にあるＥＳｃＭＵＴバネ空洞の底面に接続される支柱である。
【００６０】
図１２Ａおよび１２Ｂは、デュアルモードｃＭＵＴの第７の典型的な実施形態を示す。このｃＭＵＴは埋め込まれたバネｃＭＵＴ（ＥＳｃＭＵＴ）に基づく。ｃＭＵＴ１２００Ａは通常条件（接触を形成する前）であり、ｃＭＵＴ１２００Ｂは接触動作条件（接触を形成した後）である。ｃＭＵＴは、基板１２０１によって支持される第１の電極１２１４に接続される（または支持される）バネ層１２１１を有する。第２の電極１２１０は、板１２２１によって支持され、バネ−板コネクタ１２２２によってバネ層１２１１から吊設されて電極間隙１２１５を定める。バネ層１２１１は、動作中に電極間隙１２１５に対して、バネ層１２１１の反対側に配置されるバネ空洞１２２５内を移動する。接触構造１２１３は、バネ層１２１１に対向するバネ空洞１２２５の側面１２２６に接続され、接触構造１２１３とバネ層１２１１との間により狭い間隙１２１７を定める。代替として、接触構造１２１３は、バネ空洞１２２５の対向側１２２６に面するバネ層１２１１の下側に接続されて、接触構造１２１３とその対向側１２２６との間により狭い間隙１２１７を定めることができる。
【００６１】
代替として、バネ空洞１２２５が電極間隙１２１５よりも狭くなるよう設計される場合、接触構造１２１３は随意であり得る。つまり、より狭い間隙１２１７は、バネ空洞１２２５と同一であり得るが、電極間隙１２１５より狭くなり得る。この場合、バネ空洞１２２５の対向側１２２６は、内在ストッパとして機能する。
【００６２】
バネ空洞１２２５の反対側において、バネ層１２１１はバネ空洞１２２５ａ内を移動し、バネ空洞１２２５から離間され得るか、または同一円形または管状バネ空洞１２２５の単なる別の部分のいずれかであり得る。接触構造１２１３に類似する接触構造は、バネ空洞１２２５ａの側面でも認められる。
【００６３】
本明細書で説明されるようにｃＭＵＴを動作させるデュアルモード動作方法は、図１２Ａおよび１２ＢのＥＳｃＭＵＴに適用されて、ＥＳｃＭＵＴを通常動作条件１２００Ａから接触動作条件１２００Ｂに切り替え得、その逆も可能である。接触が形成される前に、ＥＳｃＭＵＴ１２００Ａは、その通常のピストン様動作で作動する。接触動作条件１２００Ｂ（例えば、切替信号電圧レベルＶ２）において、接触は、接触点１２０３においてバネ層１２１１と接触構造１２１３との間（または、接触構造１２１３が通常動作条件でバネ層１２１１に接続される場合は、接触構造１２１３とバネ空洞１２２５の対向側１２２６との間）に形成される。バネ−板コネクタ１２２２が直接一対一の様式で接触構造１２１３と接触するように、接触構造１２１３および接触点１２０３がバネ−板コネクタ１２２２の下に直接配置される場合、バネ層１２１１は、効率的に不動化され、接触後はＥＳｃＭＵＴ性能において活性機能を果たさなくなる。この実施形態において、接触動作条件では、ＥＳｃＭＵＴ１２００Ｂは可撓性膜ｃＭＵＴのように動作し、ここで板１２２１は相当する可撓性膜として機能し、バネ−板コネクタ１２２２は相当する膜アンカーとして機能する。板１２２１の適切な寸法および機械的特性を選択することによって、望ましい周波数応答は、接触動作条件のために取得され得る。
【００６４】
代替として、接触構造１２１３および接触点１２０３は、バネ−板コネクタ１２２２および接触構造１２１３が直接一対一接触を回避するように、代替としてバネ層１２１１の水平領域全体で互いに離れることができる。この実施形態において、バネ層１２１１は、部分的にのみ不動化され、接触後だが変更されたバネ動作を用いて、ＥＳｃＭＵＴ性能における活性機能を果たす。この実施形態において、接触構造１２１３およびバネ−板コネクタ１２２２のサイズおよび相対位置を選択することによって、接触動作条件に対する望ましい周波数応答を得ることができる。
【００６５】
本明細書で説明される、デュアルモード動作のために意図的に設計されたｃＭＵＴに加えて、開示されるデュアルモード動作方法は、原則として、崩壊（引き込み）状態を有する任意のｃＭＵＴ上で使用され得る。静電トランスデューサは、通常、崩壊電圧下で崩壊（引き込み）状態を有する。既存のｃＭＵＴ動作方法を使用して、印加される電圧が崩壊電圧より高い場合、トランスデューサの動きは制御できなくなる。開示されるデュアルモード動作方法を使用して、切替信号電圧レベル（例えば、レベルＶ１）は、ｃＭＵＴが崩壊せずに動作するように設定され得、第２の切替信号電圧レベル（例えば、レベルＶ２）は、ｃＭＵＴが崩壊後に動作するように十分高く設定され得る。２つの動作条件は、異なる動作条件の異なる周波数応答を利用するように、２つの異なるｃＭＵＴ動作モード（例えば、それぞれＴＸおよびＲＸ動作モード）に適応される。
【００６６】
しかしながら、崩壊（引き込み）状態を有するｃＭＵＴは、原則として開示されるデュアルモード動作方法で作動し得るが、このような構成は好適な種類でない場合がある。ＴＸおよびＲＸ移行期間中に、ｃＭＵＴは、崩壊プロセスおよびスナップバックプロセスを経る。このプロセスは入力電圧信号によって十分に制御されないため、望ましくない超音波出力圧力（例えば、ｃＭＵＴ動作周波数領域内に周波数を有する相当に大きい超音波出力）は、切り替え信号によって生成され、伝送（ＴＸ）信号を干渉し得る。
【００６７】
したがって、崩壊することなく２つ以上の動作条件を有する意図的に設計されたｃＭＵＴ、例えば、図９〜１２において説明されるそれらの実施形態が好適である。本明細書で説明される実施形態に従って、ｃＭＵＴは、それが崩壊する前に接触動作条件に切り替えられるように設計され得る。例えば、ｃＭＵＴは、切替電圧レベル（例えば、Ｖ２）を有するように設計され、ｃＭＵＴが崩壊する前に、ｃＭＵＴを接触動作条件にし得る。切替電圧レベルは、一般に、崩壊電圧より低くなければならない。
【００６８】
＜動作方法および適用＞
図１３は、ｃＭＵＴを動作させるための典型的なデュアルモード動作方法のフローチャートを示す。この方法は、以下のように説明される。
【００６９】
ブロック１３０１：ｃＭＵＴが提供される。ｃＭＵＴは、第１の電極および第２の電極が互いに向かって、および互いから離れて移動できるようにするためのバネ部材を含む。ｃＭＵＴは、ｃＭＵＴの２つの異なる動作条件を画定する接触点を有する。第１の動作条件において、接触点は、バネ部材を、バネ部材に面する対向表面と接続しない。第２の動作条件において、接触点は、バネ部材を、バネ部材に面する対向表面と接続し、ｃＭＵＴが第１の動作条件において第１の周波数応答を有し、第２の動作条件において第２の周波数応答を有するようにする。一実施形態において、第１の周波数応答は、第１の周波数帯域によって特徴付けられ、第２の周波数応答は、第１の周波数帯域に対して、より高い周波数に向けて実質的にシフトされる第２の周波数帯域によって特徴付けられる。
【００７０】
この目的で提供され得る適切なｃＭＵＴの実施例がこの開示において説明される。
【００７１】
ブロック１３０２は、ｃＭＵＴが第１の動作条件にある場合は、ｃＭＵＴが第１の動作モードで動作するように、ｃＭＵＴが第２の動作条件にある場合は、第２の動作モードで動作するようにｃＭＵＴを構成する。一実施形態において、ｃＭＵＴは、ｃＭＵＴが第１の動作条件にある場合は、伝送モードで動作し、ｃＭＵＴが第２の動作条件にある場合は、受信モードで動作するように構成される。デュアルモード動作のためのかかる構成は、ｃＭＵＴの動作を制御する、適切に設計された回路を使用して達成され得る。
【００７２】
ブロック１３０３は、第１の動作条件と第２の動作条件との間でｃＭＵＴを切り替える、ステップまたは動作を表す。ｃＭＵＴ動作のかかる切替制御の典型的な方法は、本明細書においてさらに詳述されるように、可変電圧または切替信号を使用することである。
【００７３】
デュアルモード動作方法は、ＲＸおよびＴＸ動作モード等の異なる動作モードで、異なる動作条件においてｃＭＵＴを動作させることである。ｃＭＵＴの動作条件は、ｃＭＵＴに印加される電圧レベルによって決定され得る。ｃＭＵＴの異なる動作条件は、異なる外部条件だけでなく、ｃＭＵＴの異なる物理的状態によっても示される。例えば、ｃＭＵＴの機械的特性または音響特性は、異なる動作条件において異なる。ｃＭＵＴの異なる機械的特性または音響特性は、ｃＭＵＴが異なる動作条件において異なる周波数応答を有するように設計され得る。周波数応答間の差は、中心周波数の差、帯域幅の差、または帯域形状の差であり得る。例えば、第２の動作条件の周波数応答は、第１の動作条件の周波数応答より高い中心周波数、または第１の動作条件の周波数応答に対して、より幅広いおよび／またはより高い周波数に向けてシフトされる周波数帯域（帯域幅）を有し得る。
【００７４】
一実施形態において、ｃＭＵＴは、ＴＸおよびＲＸ動作において、異なる動作条件で作動する。ｃＭＵＴは２つの異なる動作条件の間で切り替えられると、ＴＸとＲＸ動作との間でも切り替える。したがって、ｃＭＵＴは、ＴＸおよびＲＸ動作において異なる周波数応答を有し得る。
【００７５】
別の実施形態において、ｃＭＵＴは、異なる動作周波数を有する２つの異なる動作モードで異なる動作条件において作動する。第１の動作モードは、ｃＭＵＴの第１の動作条件に対応する第１の周波数において、ＴＸおよびＲＸ動作の両方を有するが、第２の動作モードは、ｃＭＵＴの第２の動作条件に対応する第２の周波数において、ＴＸおよびＲＸ動作の両方を有する。
【００７６】
本明細書に開示されるｃＭＵＴを動作させる上述のデュアルモード動作方法は、特に高調波撮像に有用であり得る。高調波撮像において、デュアルモードｃＭＵＴは、本明細書で説明される切替方法を使用して、低周波数標準撮像（例えば、通常動作モード）とより高い高調波周波数撮像（例えば、接触動作モード）との間で切り替えられる。
【００７７】
さらに別の実施形態において、ｃＭＵＴは、標準撮像モードと高調波撮像モードとの間で切り替えるよう構成される。標準撮像モードにおいて、ｃＭＵＴは、２つの異なる動作条件の間で切り替えるために切替制御を使用しない。代わりに、ｃＭＵＴは、ＴＸ信号およびＲＸ信号が同一の周波数帯域内にある標準撮像に使用される。高調波撮像モードにおいて、ｃＭＵＴは、切替制御を使用して低周波数モードと高調波周波数撮像との間でデュアルモードｃＭＵＴを切り替える。言い換えれば、デュアルモードｃＭＵＴを使用する標準撮像と高調波撮像との間の切替は、撮像動作に切替信号を使用するか否かを単に制御することによって行われ得る。切替信号が使用される場合、デュアルモードｃＭＵＴは高調波撮像モードにあって高調波撮像を行い、切替信号が使用されない場合、デュアルモードｃＭＵＴは標準撮像モードにあって標準撮像を行う。
【００７８】
媒体における音響波の減衰は、通常、音響周波数において大きい。通常、低周波における音響波は、高周波における音響波よりもはるかに遠く貫通し得る。しかしながら、高周波音響波を用いる撮像は、低周波の音響波を用いる撮像よりも良好な解像度を有する。そのため撮像は、より大容量の撮像の場合、より低周波であることが好適であるが、より高い解像度のためにはより高周波であることが好適である。既存の技術は、通常、単一の超音波プローブまたはそれぞれ単一のトランスデューサを有する２つのプローブにおいて２つのトランスデューサを使用して、より大きい媒体においてより深部の撮像を行うと同時に、トランスデューサに近い媒体において高解像度を達成する。これは、２つのトランスデューサ／プローブ間の切替を要し、撮像時間を増加させ、所定の用途において、２つのトランスデューサ／プローブ間の位置登録を困難にもする。デュアルモード動作方法は、２つの異なる周波数領域において１つのトランスデューサを作動できるようにすることによって、この問題を解決する。
【００７９】
ｃＭＵＴをＴＸのための１つの動作条件、およびＲＸのための別の動作条件で動作させる代わりに、ｃＭＵＴは、ＲＸ／ＴＸの両方に対して低周波で１つの動作条件においても動作され得、またＲＸ／ＴＸの両方に対して高周波で別の動作条件においても動作され得る。この後者の実装形態において、ｃＭＵＴは異なる装置パラメータ（例えば、異なる周波数領域）を有する２つの装置のように動作する。２つの装置モード間の切替は、本特許において開示される切替方法を用いて行われ得る。ｃＭＵＴは、ＲＸ／ＴＸの両方に対して、高周波で１つの動作条件においても動作され得、またＴＸのみに対して、低周波で別の動作条件においても動作され得るか、または逆に、ＲＸ／ＴＸの両方に対して、低周波で１つの動作条件で動作され得、またＴＸのみに対して、高周波で別の動作条件においても動作され得るか、または任意の他の組み合わせで動作され得る。特に、ｃＭＵＴは、１つの動作モードにおいて、高周波でＲＸ／ＴＸの両方を使用して、超音波撮像を行うように構成され得、また別の動作モードにおいて、低周波でＴＸのみを使用して、高密度焦点式超音波（ＨＩＦＵ）動作を切替可能に行うよう構成され得る。
【００８０】
本明細書で論じられる可能な利益および利点は、添付の特許請求の範囲に対する制限または限定と見なされない。
【００８１】
主題は、構造的特徴および／または方法論的行為に特徴的な言語で説明されているが、添付の特許請求の範囲において定義される主題は、説明される特定の機能または行為に必ずしも限定されないことを理解されたい。むしろ、特定の機能および行為は、特許請求の範囲を実現する典型的な形態として開示される。
【図１】
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【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図５】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
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【図９Ａ】
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【図９Ｂ】
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【図１０Ａ】
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【図１０Ｂ】
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【図１１Ａ】
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【図１１Ｂ】
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【図１２Ａ】
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【図１２Ｂ】
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【図１３】
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【国際調査報告】
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