(57)【要約】本発明は、粉状または細粒状の石膏をか焼するための２つのステップから成る方法に関し、石膏をか焼炉(３)においてフラッシュか焼し、次いで熱い石膏を反応容器(６)において後か焼する。本発明では、後か焼は、反応容器(６)を加熱することなく湿りガスを加えることによって行われる。後か焼は、フラッシュか焼の時間よりも少なくとも１０倍,好ましくは５０〜１００倍の長い時間に亘って行われる。これによって、追加のエネルギを消費することなく完全なか焼を行うことができ、フラッシュか焼で残った二水石膏も、半水石膏に変化し、望ましくない無水石膏成分も減少する。この方法は、製造される石膏の品質の均一化と向上を保証する。上流側のか焼炉(３)の温度を下げることができるので、更にエネルギを節約できる。本発明は、か焼されたスタッコ石膏のエージングを加速するためにも用いることができる。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
粉状または細粒状の石膏をか焼する方法であって、
a)  か焼粉砕機(３)内で石膏をか焼し、
b)  熱い石膏を反応容器(６)内で後か焼する方法において、
上記か焼は、フラッシュか焼として実施され、
上記後か焼は、好ましくは熱い湿りガスを供給して上記反応容器(６)内で行われ、その際、反応容器は加熱されず、滞留時間は、フラッシュか焼における滞留時間の少なくとも１０倍、好ましくは５０〜１００倍であることを特徴とする方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法において、上記フラッシュか焼は、１〜１０秒、好ましくは２〜６秒の滞留時間で行われることを特徴とする方法。
【請求項３】
請求項１または２に記載の方法において、上記反応容器(６)内での石膏の滞留時間は、１０〜３０分、好ましくは１５〜２５分、更に好ましくは２０分であることを特徴とする方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか１つに記載の方法において、上記湿りガスまたはシステム排気は、上記反応容器(６)の流動化装置(６６)に供給されることを特徴とする方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか１つに記載の方法において、上記湿りガスは、上記反応容器(６)に供給される前に、外気(４１)を用いて混合器(４０)によって、または熱交換器によって冷却されることを特徴とする方法。
【請求項６】
請求項５に記載の方法において、上記反応容器(６)に供給される水分が、混合器(４０)によって調整されるようになっていることを特徴とする方法。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか１つに記載の方法において、上記石膏は、か焼の前に乾燥されることを特徴とする方法。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか１つに記載の方法において、上記反応容器(６)は、上記か焼粉砕機(３)における石膏の密度の少なくとも２倍の石膏密度で運転されることを特徴とする方法。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか１つに記載の方法において、反応を加速または遅延させる添加物が、上記反応容器(６)に適切に装填されることを特徴とする方法。
【請求項１０】
か焼粉砕機(３)、フィルタ装置(５)をもつ輸送導管(１５)、および処理進行方向の下流側に位置する別個の反応容器(６)を備えたか焼装置において、
上記か焼粉砕機(３)は、短い滞留時間をもつフラッシュか焼を行うように構成され、上記反応容器(６)は、熱パッシブであるとともに、湿りガス(４)を供給するための接続部が設けられ、
上記反応容器(６)における石膏の滞留時間が、上記フラッシュか焼における短い滞留時間の少なくとも１０倍、好ましくは５０〜１００倍になるように上記湿りガスの供給を制御するように構成された制御装置(９)が設けられていることを特徴とするか焼装置。
【請求項１１】
請求項１０に記載のか焼装置において、上記制御装置は、上記反応容器(６)の流動化装置(６６)へのガス供給を制御するように構成されていることを特徴とするか焼装置。
【請求項１２】
請求項１０または１１に記載のか焼装置において、上記反応容器(６)の湿りガスのための接続部(６９)が、ガス源としての上記フィルタ装置(５)に接続されていることを特徴とするか焼装置。
【請求項１３】
請求項１０,１１,１２のいずれか１つに記載のか焼装置において、上記反応容器(６)に供給される湿りガスを冷却するための混合器(４０)および熱交換器の少なくともいずれかを備えたことを特徴とするか焼装置。
【請求項１４】
請求項１０乃至１３のいずれか１つに記載のか焼装置において、供給される上記湿りガスの含水量の制御を行う水分離器(４４)を備えたことを特徴とするか焼装置。
【請求項１５】
請求項１０乃至１４のいずれか１つに記載のか焼装置において、上記制御装置(９)は、上記反応容器(６)内の温度、含水量、および充填高さの少なくとも１つを更に制御するようになっていることを特徴とするか焼装置。
【請求項１６】
少なくとも一部がか焼された熱い石膏を供給する供給装置(６２)と作業空間(６１)と完全にか焼された石膏を搬出する搬出装置(６３)を備えたか焼装置のための拡張反応容器において、
この拡張反応容器は、熱パッシブに作られ、好ましくは熱い湿りガスを作業空間(６１)に供給するための接続部を備えるとともに、供給される湿りガスの配量および搬出装置(６３)の少なくともいずれか１つによって上記作業空間内における石膏の滞留時間を制御するように構成された制御装置を備えることを特徴とする拡張反応容器。
【請求項１７】
請求項１６に記載の拡張反応容器において、この拡張反応容器は、請求項１２乃至１５のいずれか１つによって構成されることを特徴とする拡張反応容器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、石膏をまず粉砕機でか焼した後に反応容器内で後か焼する粉状または細粒状の石膏のか焼方法に関する。また、このか焼方法を実施するための装置および拡張反応容器も、本発明の対象である。
【背景技術】
【０００２】
石膏のか焼において、原料は、小さく砕かれ、乾燥(自由水の分離)の後に、反応容器内で加熱(結晶水の分離)される。そのために、本来の反応器の前段に、バーナーを持つ乾燥機(DE 37 38 301 A1)または高価な渦巻層乾燥機(DE 37 21 421 A1)が設けられる。反応容器の役割は、しばしば石膏加熱炉またはロータリキルンが果たす。これと択一的な方法は、特別のか焼粉砕機によって粉砕と加熱を纏めて行うようになっている。後者の方法は、エネルギ消費および最終生成物の細かさの観点から利点を有する。このようなか焼粉砕機には、粉砕機として球状/円筒環状粉砕機またはハンマー/ＨＩＣ(水平衝撃カルシネータ)が大抵用いられる。追加的に、石膏に含まれる二水(DH)を可能な限り最適に半水(HH)に変えるために、高温ガスが供給される。か焼粉砕機内での短い滞留時間を達成するために、か焼粉砕機の温度レベルは、本来のか焼温度以上でなければならない。このようなフラッシュか焼に必要なエネルギ消費は、かなりの量になる。さらに、石膏中に望ましくない無水石膏(AIII)が生じる。
【０００３】
セメントの製造方法では、後か焼を実施するための反応容器を設けることが周知である。但し、セメントの「か焼」は、石膏のか焼と全く異なる処理(セメントにおける化学的基礎構造の変化に対する石膏における結晶水の単なる分離)を基礎にしており、この処理は、他の目的(セメントにおける酸成分の除去に対する石膏における水分離)のために異なる温度で行われる。必要な温度を達成するため、後段の反応容器は、自身の加熱器を備えている(US 2007/0248925 A1, DE 32 15 793 A1)。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、少ないエネルギ消費でもって、従来と同等またはそれ以上の品質を達成できるように石膏のか焼処理を改善するという課題を基礎にしている。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明による解決手段は、独立請求項の特徴に存する。有利な更なる構成は、従属請求項の対象である。
【０００６】
本発明は、か焼粉砕機における石膏のか焼の処理ステップと、反応容器における加熱石膏の後か焼を含む石膏のか焼方法に関し、このか焼方法では、か焼は、フラッシュか焼として実施され、後か焼が、反応容器において湿りガス供給下で容器を加熱することなく行われ、石膏の滞留時間は、フラッシュか焼における滞留時間の少なくとも１０倍、好ましくは５０〜１００倍である。
【０００７】
本発明によるか焼方法の適用は、か焼後のスタッコ石膏のエージング過程を加速し、後段の反応容器内で冷却することに関し、その際、後段の反応容器に湿りガスが供給され、滞留時間が制御装置によって制御される。ここで、スタッコ石膏は、プラスタ石膏とも理解される。
【０００８】
本発明は、更に上記か焼方法を実施する装置に関する。即ち、この装置は、一方で、フラッシュか焼粉砕機と処理の流れ方向でその後段に配置された反応容器とを含むか焼装置に関し、反応容器は、好ましくは高温の湿りガスを供給するための接続部を備え、反応が熱パッシブで行われるとともに、反応容器内での石膏の滞留時間をフラッシュか焼での短い滞留時間の少なくとも１０倍,好ましくは５０〜１００倍になるように、湿りガスの供給を調整する制御装置を備えている。上記装置は、他方で、か焼装置のための対応する拡張(増強)反応容器を備える。
【０００９】
本発明において構成部材が熱パッシブであるとは、その構成部材の運転に、外部から全くエネルギが供給されず、他の処理ステップで損失エネルギとして生じた熱エネルギのみが供給されることと定義する。熱パッシブな構成部材は、処理熱のための加熱装置が存在しないことによって特に際立っている。
【００１０】
ここで、湿りガスとは、少なくとも３０％(ここでは体積％を言う)以上の水分を含むガスを言う。
【００１１】
システム排気とは、か焼装置の他の処理ステップで排気として生じたガスを言い、中でも特にか焼粉砕機および冷却器の排気が含まれる。加熱装置によって熱せられた自身のガスは、システム排気に含まれない。
【００１２】
本発明は、か焼されるべき石膏に粉砕処理とか焼処理を受けさせるか焼粉砕機を出発点とする。そのため、か焼粉砕機は、粉砕ステップとか焼ステップを備えるが、両ステップは、組み合わせることもできる。次に、両ステップを統合するか否かは、些細なことである。
【００１３】
か焼粉砕機において、粉砕された石膏は、１５０℃以上, 好ましくは１５０〜１６０℃の温度に加熱され、これによってか焼処理が始まり、所定時間の加熱が行われる。か焼粉砕機での滞留時間は、１〜１０秒,好ましくは２〜６秒,より好ましくは３秒である。このような非常に短い時間(フラッシュか焼)では、完全なか焼は、保証されない。石膏は、か焼粉砕機を出るとき部分的にしかか焼されていないので、未だ加熱された状態で反応容器に供給される。石膏の温度は、通常１００℃またはそれ以上である。さらに、フラッシュか焼では、望ましくない石膏成分が生成すること,特に二水石膏および無水石膏(AIII)の成分割合が増加することが避けられない。
【００１４】
フラッシュか焼に付随するこの欠点に対処すべく、本発明は、石膏の高温を利用した後段の反応容器内で,それも相当長い時間でのエネルギニュートラルな後か焼を企図した。ここで、後か焼に反応ガスとして働く湿りガスの供給が決定的な役割を果たす(前段のか焼粉砕機からの排気は、３５％以上の水分を含み、１５０℃以上と正に高温であるので、特に適している)。供給される水蒸気のお陰で、望ましくない無水石膏が、同じく存在する二水石膏に再水和され、更に半水石膏に変化させられる。
【００１５】
本発明は、湿りガスの供給が決定的意義をもつことを認識している。なぜなら、無水石膏の再水和に必要な水分が、このように供給されるとともに、熱パッシブな実施により、自身の加熱を必要とすることなく、十分な熱エネルギが利用できるからである。か焼粉砕機の出発生成物中の望ましくない組成は、このように追加のエネルギ消費なしでエレガントに低減できる。これにより、運転費用を高めることなく、製品品質の改善に成功した。確かに十分に長い滞留時間を守る必要があるが、これは、費用のかかるエネルギ供給が不要になるので、何ら欠点にならない。
【００１６】
反応容器内での滞留時間は、熱パッシブな構成形態のお陰で任意の長さに選ぶことができ、好ましくは１０〜３０分,より好ましくは１５〜２５分,更に好ましくは２０分である。
【００１７】
本発明のお陰で、か焼は、追加のエネルギ消費なしで完全なものになる。これにより、製品品質は、高められて、か焼粉砕機のか焼品質に最早制限されなくなる。本発明は、最終生成物の品質を、か焼粉砕機のか焼品質に関係しないものにする。従って、か焼粉砕機において従来技術よりも少ないか焼でも十分になる。このことは、か焼粉砕機の温度を低くできることを意味し、エネルギの節減になるとともに、望ましくない無水石膏の組成が低減する。
【００１８】
本発明は、反応容器内での長い滞留時間の後か焼によって、更に均質化を達成する。これにより、か焼された石膏の品質が高まるばかりでなく、原料の供給における流量変動が均一化される。従って、流量変動が製品品質に悪影響を及ぼすことは、最早なくなる。
【００１９】
反応容器は、主に後か焼を行う他、石膏の混合も行う。そのため、反応容器は、少なくとも１つの流動化装置を備えている。これによって、反応容器内における付着とデッドゾーンの形成が防止され、集中的な混合が行われる。流動化のためのガスとして、湿りガスが有利に用いられる。しかし、この目的のため、大気をシステム排気,特にか焼粉砕機から出るガスと混合することもできる。以下は、供給されるガスによって石膏のばら荷が流動化されるということを出発点とする。しかし、流体に似た混合で生じる利点を利用せずに、石膏をガスによって還流させるだけにすることも可能である。付着やデッドゾーンの形成を防止しつつ混合することは、他の方法でも達成できる。
【００２０】
後処理の成果は、反応容器内の石膏にシステム排気の形態で熱エネルギを供給すれば、更に改善することができる。その場合、主として前段のか焼粉砕機または後段の冷却器の排気が用いられる。
【００２１】
供給されるガスの組成を監視して、制御することが好ましい。制御量として、例えば、温度および水分が考えられる。更なる制御の可能性は、混合機や水分離器の使用によって生じる。
【００２２】
本発明は、上述のか焼方法を実施するための装置にも関連する。この装置の説明については、先の記載を参照されたい。
【００２３】
熱エネルギを多く消費せずに、石膏の品質を改善する更なる可能性は、エージング過程を加速することにある。エージング過程において、石膏は、表面で再水和,つまり無水石膏成分が半水石膏成分に変化し始める。
【００２４】
この過程を加速するために、か焼と冷却が行われた後に、後反応容器内での後処理を設けることができる。この後反応容器は、上述の反応容器に該当する。
【００２５】
後反応容器は、石膏を良好に混合させるために、流動化装置を備えるのが好ましい。ここで、流動化ガスは、同時に反応ガスとしても役立つことができる。この反応ガスには、反応を促進または遅延する添加物を加えることができる。反応ガスは、流動化ガスとは別に後反応容器に供給することもできる。
【００２６】
後反応容器の運転のために、熱エネルギは特に生成されない。後反応容器の運転には、か焼過程中に損失(無駄)エネルギとして生じた熱エネルギが利用される。しかし、他の処理からの損失エネルギを後反応容器に供給することも除外されない。
【００２７】
排気の温度は、好ましくは１５０℃以上,より好ましくは１６０℃までである。加えられる大気などの冷却ガスによって後反応容器内の温度を制御するように構成された温度制御部を設けることができる。この場合、冷却ガスは、排気に混合され、あるいは後反応容器に直接供給される。温度制御部は、更に後反応容器内のガスの水分を適合して調整するように構成されているのが好ましい。
【００２８】
このか焼方法の実施に適したアセンブリも、本発明の対象である。その説明については、上記か焼方法の既述の説明を参照されたい。
【００２９】
このか焼方法は、不変の高い製品品質を保証すべく、コンピュータ制御で行われることが好ましい。そのために、対応する測定センサとコンピュータユニットが備えられる。
【００３０】
このか焼方法を実施するためのか焼装置のための拡張(増強)反応容器も、本発明の対象である。この拡張反応容器は、少なくとも部分的にか焼された熱い石膏のための供給装置と、反応室と、完全にか焼された石膏のための搬出装置を備え、上記拡張反応容器は、本発明に従って熱パッシブに作られ、上記反応室内に好ましくは熱い湿りガスを供給するための接続部と制御装置を備えている。この制御装置は、供給される湿りガスの量や搬出装置の搬出量によって反応容器内での石膏の滞留時間を制御するように構成されている。この説明については、既述のか焼方法を参照されたい。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３１】
本発明は、有利な実施形態を示した添付の図を参照して、次に詳しく説明される。
【００３２】
本発明は、石膏をか焼するための装置の実施形態よって説明される。か焼されるべき石膏のための原料は、か焼装置の装填部１に運び込まれる。原料としては、例えば石膏構造板などのリサイクルされる石膏製品および排ガス脱硫装置(ＲＥＡ)から出る所謂ＲＥＡ-石膏が特に重要である。本発明の適用分野は、このような石膏に限定されず、特にリン-石膏などの他の種類の合成石膏にも及び、また、天然石膏にも及ぶ。石膏-原料は、装填部１から供給サイロ２の頂部２に達する。供給サイロは、高く配置され、か焼粉砕機３の上方に位置する。
【００３３】
この場合は石膏であるか焼されるべき材料は、導管１２を経てか焼粉砕機３に運び込まれる。石膏は、か焼粉砕機３内で粉砕され、か焼される。か焼は、フラッシュか焼として行われる。フラッシュか焼は、１５０〜１６０℃,従って本来のか焼温度以上の温度および１０秒以下の滞留時間でか焼が行われることを意味する。そのために、か焼粉砕機３には、導管３２を介して高温ガス発生器３１が接続されている。
【００３４】
例えば僅か３秒の滞留時間でフラッシュか焼が行われた後(本発明によれば、完全にか焼する必要はない)、まだ１００℃以上の熱い石膏は、か焼粉砕機３の上昇導管１３を経てフィルタ装置に導入される。導管１５が、石膏をフィルタ装置から本発明の反応容器６に導く。石膏は、反応容器６で２０分間滞留し、その間に外部からのエネルギを供給されずに後か焼される。冷却されない反応容器６の機能は、より詳しく後述する。まだ熱い石膏は、反応容器６から導管１８を経て回転円筒冷却機７の装填端に運ばれる。冷却機７を通って冷却され,完全にか焼された石膏は、分配導管１７を経て貯蔵サイロ１９に導かれる。石膏は、貯蔵サイロ１９から必要に応じて取り出すことができる。廃熱を搬出するため、か焼粉砕機３は、か焼粉砕機３とフィルタ５と冷却機７に接続されている。
【００３５】
更に、システム排気４に混合器４０が接続されている。か焼粉砕機３からの１５０℃以上の温度の熱い排気が導管４３を経て、冷却機７からの排気が導管４７を経て夫々混合器４０に供給される。導管４１は、外気の供給のために設けられ、必要に応じて外気を供給して排気の温度を低下させる。こうして生じた混合気は、水分離器４４に達する。この水分離器４４は、必要に応じて湿気を除去するか、追加することができる。このように処理された湿り混合気は、導管４９を経て反応ガスとして,場合によっては流動化用のガスとして反応容器６に供給される。
【００３６】
後反応容器６の実施形態は、図２に詳しく示されている。後反応容器６は、略３５ｍ3/時の流量に適した構造になっている。後反応容器６は、作業空間６１を囲む主構成部材としてのハウジング６０と、上端に配置され,導管１５が接続された供給装置６２と、下端に配置され,完全にか焼された石膏を導管１６を経て搬出する搬出装置６３を備える。図示の実施形態では、ハウジング６０は、略３ｍの直径をもつ円筒形状を成し、供給装置６２が頂壁に,搬出装置６３が底壁に夫々設けられている。同様に円筒形状の作業空間６１内には、多くの流動化床６６が水平方向に配置されている。流動化床６６は、流動化用のガスを供給するための中空室を下方にもつ１つの床を備え、流動化用のガスは、流動化床の複数の開口を通って上方へ抜け出し、流動化床に載せられた処理されるべき物質の層を貫流して流動化させる。作業空間６１の下端に更なる流動化床６６'が設けられ、この流動化床６６'は、搬出装置６３に連通する追加の貫通孔を有する。
【００３７】
供給装置６２の鉛直方向直下の作業空間６１上部に、分散要素６５が在る。この分散要素は、円錐に形成され、その軸は、円筒形状の作業空間の軸と同軸を成し、円錐の尖端は、上方の供給装置６２に向いている。供給された石膏は、落下運動中に円錐６５の円錐状外殻面に落ちて、回転対称な形状のお陰で、全周に亘って均等に半径方向に転向する。
【００３８】
円筒状の作業空間６１の軸上で円錐６５の下方には、上方に向かって延在する上昇管６７が設けられている。この上昇管は、２つの流動化床６６を貫いて配置される。上昇管は、開口した６０ｃｍの横断面をもつ金属製の円筒外殻を成す。上昇管の長さは、略３ｍで、下端が作業空間６１の床から略５０ｃｍ上方に在る。ハウジング６０の床には、上昇管６７の下方かつ軸上に中央ノズル６９が設けられ、このノズルは、湿りガス接続部６９を経て混合器４０から導かれる混合ガスを供給する。ノズル６８は、ガス流を上昇管６７に向かわせ、ガス流の静圧が上昇管で低下するので、作業空間に循環流が形成される。ノズル６８と上昇管の間の隙間から流入した混合ガスは、周囲の石膏粒子を引き裂き、引き裂かれた石膏粒子は、流動化床６６の上方の作業空間６１の上部へ再び運ばれる。こうして、循環流が生じて、流動化床６６の上方の作業空間６１の最上部から落下する石膏粒子は、上昇管６７と供給された排ガス流によって、再び上方へ輸送される。この循環運動によって、混合ガスの水分と供給装置６２を経て吸入する石膏の残熱を利用し尽くして、効率的な後か焼が達成される。
【００３９】
ハウジング６０の床には、出口部をもつ搬出装置６３が設けられている。出口部は、出口を開閉するためのアクチュエータ６４を揺する。アクチュエータ６４は、制御装置９に接続されている。
【００４０】
流動化床６６に代えて、他の種類の流動化装置を設けることもできる。上述のように、流動化のために排ガスを用いるのが好ましいが、外気や他のガスを流動化に用いることもできる。
【００４１】
制御装置９は、温度制御モジュール９３と湿度モジュール９５と滞留時間モジュール９４を有する。反応容器６には、制御装置９に接続された温度センサ９２が設けられている。制御装置９は、複数の測定値を結び付けて混合器４０を制御する。更に、滞留時間モジュール９４は、湿りガスと流動化用の空気の供給および石膏の搬出のためのアクチュエータ６４を制御する。温度モジュール９３と湿度モジュール９５は、温度センサ９０と湿度センサ９１を介して、反応容器６内の温度と湿度を決定するように構成されている。湿度を高めなければならない場合、か焼粉砕機３からの湿り排気が増えるように制御し、あるいは、他の処理ステップ,特に冷却機７からの乾き排気が減るように制御する。こうして、か焼粉砕機３から送られた石膏は、それ自身の熱と供給される排ガスの熱を利用して、制御されて後か焼されることが達成される。か焼粉砕機３で一部だけがか焼された石膏は、後か焼される,つまり二水石膏から半水石膏へ完全に変化し、存在する無水石膏が半水石膏に変化する。
【００４２】
レーダ高さセンサ９２によって、制御装置９は、反応容器６内の石膏の充填高さと滞留時間が制御されるように搬出装置６３を制御する。
【００４３】
これによって、か焼された石膏の均質化と品質の改善を達成することができる。一方で、作業空間６１内の滞留によって達せられる緩衝作用のお陰で、短時間の変動が相殺されることによる均質化が生じる。他方で、望ましくない可溶性の無水石膏および二水石膏の減少が生じる。更なる相当な利点は、粉砕とか焼ステップ３後の石膏の熱を、反応容器６内での更なるか焼処理に利用することによるエネルギ費用の低減に存する。最後に、更なる利点は、作業空間６１内の滞留時間の制御および場合によっては水蒸気の供給の制御によって、水分値と石膏値、凝固時間、および残結晶水の制御が可能なことに存する。
【００４４】
図３は、スタッコ石膏のエージング過程を加速するための装置を示している。
【００４５】
この装置は、本質的に図１に示した装置に相当する。図１について既に述べたと同じ構成要素は、同じ参照番号が付され、後述しない限り同じ作用を奏する。
【００４６】
冷却機７と貯蔵サイロ１９の間に、後反応容器６'が配置されている。この後反応容器の構成は、本質的に反応容器６の構成と同じである。か焼および冷却を受けた石膏は、導管１７を経てエージングを受けるために後反応容器６'に供給され、その後、導管１８を経て貯蔵サイロ１９に搬出される。エージングは、必ずしも冷却機７の後段に配置された後反応容器６'で行う必要はなく、冷却機７の前段に配置された反応容器６で行うこともできる。逆に、後反応容器６'を用いた場合、反応容器６を省略することもできる。
【００４７】
か焼処理中に生じるシステム排気は、主として１５０℃以上の温度を呈し、導管４２'を経て混合器４０'に供給される。この混合器において、必要に応じて外気導管４１'を経て外気が混合され、システム排気の温度が低下する。システム排気は、水分離器４４'に流入して、含水量が適合される。更に、システム排気は、コンタミネーション室４５'に流入し、混合ガスは、石膏の製品品質を更に改善すべく追加材料と混合される。
【００４８】
そして、システム排気は、後反応容器６'に達し、この後反応容器内に主として流動化ガスおよび反応ガスとして装填される。しかし、システム排気を反応ガスとしてのみ供給し、流動化ガスとして例えば外気などの他のガスを用いるようにすることもできる。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】図１は、か焼装置の一実施形態を示す概略全体図である。
【図２】図２は、図１のか焼装置の反応容器を示す断面図である。
【図３】図３は、スタッコ石膏のエージングを加速するための装置の一実施形態を示す概略全体図である。
【図１】
2011522766.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【国際調査報告】
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2011522766.tif 000009
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