(57)【要約】本発明によれば、常圧および加圧焼結により製造されたα−ＳｉＣ粉末とカーボン粉末を混合してなるカーボン／α−ＳｉＣ混合物を仮成形した後、真空の高温環境において抵抗調節済みの溶融シリコンと反応させて電気的な特性に見合う抵抗を有するβ−ＳｉＣ素材を製造することにより、半導体製造工程の部品に要される電気的特性と優れた機械化学的特性を有し、ＳｉＣ素材の製造が高速であり、しかも安価であるという特徴を有する半導体工程部品用α−ＳｉＣおよびβ−ＳｉＣを複合した反応焼結β−ＳｉＣ素材およびその製造方法が提供される。また、本発明の他の側面によれば、前記反応焼結β−ＳｉＣ素材を用いてカソードをシリコン−ＳｉＣ構造の二体型に構成して、高い熱伝導度と低抵抗により電気的特性と、耐久性、耐摩耗性などの機械的性質が向上するシリコン−ＳｉＣ構造の二体型プラズマチャンバーカソードが提供される。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
常圧および加圧焼結により製造されたα−ＳｉＣ粉末をカーボン粉末と混合してカーボン／α−ＳｉＣ混合物を得るステップ（Ｓ１１）と、
前記カーボン／α−ＳｉＣ混合物を高温で加圧してカーボン／α−ＳｉＣ成形体を得るステップ（Ｓ１２）と、
前記カーボン／α−ＳｉＣ成形体を、真空内において１４００℃〜２０００℃の高温で添加される抵抗を調節したシリコンと反応させて含浸させるステップ（Ｓ１３）と、
を含むα−ＳｉＣおよびβ−ＳｉＣを複合した反応焼結ＳｉＣ素材の製造方法。
【請求項２】
前記α−ＳｉＣ粉末は、大型のアチソン炉を用いてＳｉＯ２と石油コークスを混合し、電流を流して２２００℃〜２４００℃の高温で反応させて製造されたα−ＳｉＣ素材を使用することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記α−ＳｉＣ粉末をカーボン粉末と混合してカーボン／α−ＳｉＣ混合物を得るステップ（Ｓ１１）においては、それぞれ０〜５０μｍの粒子径を有するカーボン／α−ＳｉＣ混合物の総重量を基準として０．１〜２０ｗｔ％のシリコン粉末と０．１〜１０ｗｔ％のドーパント粉末を混入してシリコン含浸過程においてカーボンとシリコンの反応性を高めていることを特徴とする請求項１に記載のα−ＳｉＣおよびβ−ＳｉＣを複合した反応焼結ＳｉＣ素材の製造方法。
【請求項４】
前記α−ＳｉＣ粉末をカーボン粉末と混合してカーボン／α−ＳｉＣ混合物を得るステップ（Ｓ１１）においては、１〜１００μｍ粒径のα−ＳｉＣ粉末と、０〜５０μｍ粒径のカーボン粉末を使用することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記カーボン／α−ＳｉＣ成形体を抵抗調節済みのシリコンと反応させるステップ（Ｓ１３）においては、製造されるα−ＳｉＣおよびβ−ＳｉＣを複合した反応焼結ＳｉＣ素材の総重量を基準として、抵抗を調節したシリコンは３０〜８０ｗｔ％、ドーパントは０．１〜１０ｗｔ％を添加して反応焼結ＳｉＣ素材の電気的な抵抗を調節していることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項６】
α−ＳｉＣおよびβ−ＳｉＣを複合した半導体工程の部品として用いられるＳｉＣ素材であって、
請求項１から４のいずれかに記載の方法により製造されるＳｉＣ素材。
【請求項７】
半導体ウエハのエッチング工程においてチャンバーの内部に反応ガスを注入し、電流を印加してプラズマを生じさせる二体型プラズマチャンバーカソードにおいて、
シリコン電極（２０）の上部に請求項１から４のいずれかに記載の方法により製造される反応焼結ＳｉＣ素材のＳｉＣ電極（１０）を結合され、α−ＳｉＣおよびβ−ＳｉＣを複合した二体型プラズマチャンバーカソード。
【請求項８】
前記シリコン電極（２０）とＳｉＣ電極（１０）は、エラストマーボンディング（Ｅ）及び結合ボルト（Ｂ）のうちどちらか一方により結合されることを特徴とする請求項７に記載の二体型プラズマチャンバーカソード。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、最近半導体工程の部品としての使用が増大しているＳｉＣ素材のうち電気的特性を有するＳＩＣ素材の製造方法に係り、カーボン粉末とα−ＳｉＣ粉末を混合してなるカーボン／α−ＳｉＣ成形体を抵抗調節済みの溶融シリコンと反応させて含浸させることにより、機械的な特性に優れており、高純度・高強度の特性を有するとともに半導体工程に要される電気的特性を有し、製造コストが安価である他、高速焼結が行われるα−ＳｉＣおよびβ−ＳｉＣを複合した反応焼結ＳｉＣ素材とその製造方法およびその反応焼結素材を用いたシリコン−ＳｉＣ構造の二体型プラズマチャンバーカソードに関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、超高集積Ｓｉ半導体の製造工程においては、グラファイト、石英、Ａｌ２０３、ＳｉＣ、ＡＬＮ、ＢＮなどのセラミック製品が治具および部品として使用されており、高温環境の半導体製造工程およびエッチング工程に際しては石英、ガラス、ＳｉおよびＳｉＣが主な素材として使用されている。
これらの中で、半導体工程用高温セラミック部品の素材として、従来は石英が占める比重が高かったものの、最近では半導体装置の高集積化および使用するＳｉウエハの大型化が進むに伴い、石英ガラスが有する脆弱点を補完可能な熱、機械的特性、耐化学特性、電気的特性、耐久性および耐粒子汚染特性などに優れたＳｉＣ（炭化ケイ素）を多用されている。
このようなＳｉＣ素材の従来通常の製造方法としては、ケイ素副有ガスおよび炭素含有ガスを互いに高温で反応させてＳｉＣを合成し、活性化された環境下で気体状物質を化学反応や分解させ安定したＳｉＣを作り出す熱ＣＶＤ法と、プラズマＣＶＤ法が挙げられる。ところが、これらの方法は純度と密度が高く、優れた特性を有するＳｉＣ素材が製造可能であるというメリットがあるものの、厚い製品を製造することが困難であり、しかも、ＳｉＣ素材は高価であるという欠点に起因して半導体工程の部品に適用することが困難であるのが実情である。ＳｉＣ素材の一例が図７に示されている。
また、常圧および加圧焼結により製造されるα−ＳｉＣ素材は、熱、機械的、耐化学的特性には優れているとはいえ、焼結後の収縮率が高くて大型製品の製造が困難であり、製造時に多量の焼結助剤を使用するためＳｉＣ素材内の不純物含量の制御が困難であり、特に、電気的特性を調節することが困難であるため一部の半導体工程の簡単な部品タイプには適用可能であるが、電気的特性を有することが求められる部品には不向きであり、その使用先が限られているという欠点がある。
一方、上述した半導体工程に用いられる部品の中で、ウエハのエッチング作業に用いられるプラズマチャンバーカソードは、チャンバーの内部に反応ガスを注入し、電流を印加してプラズマを生じさせるものである。また、従来通常のプラズマチャンバーカソードの種類として、多数のガス注入口を有するシリコン単一材質のカソードまたはシリコンにカーボン系の素材、アルミニウムなどをボンディングまたはボルトにより結合してなる様々な構成のカソードの多数が文献に開示されている。
例えば、大韓民国登録特許第１０−０７０８３２１号公報の「プラズマエッチング装置におけるカソード電極の結合構造」においては、カソードを構成するシリコン電極およびグラファイト電極を結束基材に挿着して構成することにより、ボンディング中の剥離による結合力の低下による問題点を解決しようとしたが、チャンバー内部の高温・高圧の環境下でグラファイト素材が変形し易くて結束基材および結合部を損傷させてしまい、この場合、グラファイト電極とシリコン電極との接触が不安定であるため摩擦によるパーティクルの発生が懸念されるという不都合がある。
また、前記従来技術にて起こる問題点を解消するための試みとして、大韓民国公開特許第１０−２００７−００７７０４８号公報に記載のプラズマ発生用電極およびプラズマ処理装置においては、炭化ケイ素にシリコンを含浸させてなるＣＶＤ−炭化ケイ素の素材をカソードに適用して、優れた機械的な特性および高い均一性を有することができる。しかしながら、前記技術に採用されるＣＶＤ−炭化ケイ素は製造の際に素材の焼結に多量の高価な焼結助剤が用いられることを余儀なくされるためカソードの製造コストの沸騰を招き、しかも、焼結助剤の投入によりＳｉＣ焼結体内の不純物の含量が増えてしまう結果、ウエハ工程に適用することが困難になるという不都合がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】大韓民国登録特許第１０−０７０８３２１号公報
【特許文献２】大韓民国公開特許第１０−２００７−００７７０４８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は従来技術において起こる問題を解決するためになされたものであり、その目的は、優れた機械的な特性および電気的特性を有していて半導体工程用部品として用いて好適であり、しかも、素材の製造コストを削減可能なα−ＳｉＣおよびβ−ＳｉＣを複合した反応焼結ＳｉＣ素材とその製造方法を提供するところにある。また、本発明の他の目的は、半導体工程の部品の中でプラズマチャンバーカソードに前記α−ＳｉＣおよびβ−ＳｉＣを複合した反応焼結ＳｉＣ素材を適用することにより、電気的特性を維持し、高温・高圧の半導体工程に適した機械的特性を有するとともに、経済性にも富んでいるシリコン−ＳｉＣ素材製の二体型プラズマチャンバーカソードを提供するところにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記の目的を達成するために、本発明は、常圧および加圧焼結により製造されたα−ＳｉＣ粉末をカーボン粉末と混合してカーボン／α−ＳｉＣ混合物を得るステップと、前記カーボン／α−ＳｉＣ混合物を高温で加圧してカーボン／α−ＳｉＣ成形体を得るステップと、前記カーボン／α−ＳｉＣ成形体を、真空内において１４００℃〜２０００℃の高温で添加される抵抗を調節したシリコンと反応させて含浸させるステップと、を含むα−ＳｉＣおよびβ−ＳｉＣを複合した反応焼結ＳｉＣ素材の製造方法を提供する。また、本発明は、電気的特性とα−ＳｉＣおよびβ−ＳｉＣを有し、前記方法により製造された反応焼結ＳｉＣ素材製のＳｉＣ電極とシリコン電極を結合してなるプラズマチャンバーカソードを提供する。
【発明の効果】
【０００６】
本発明によれば、素材が使用用途に応じた電気的特性を有し、強度に優れているとともに、細かい結晶体を有し、しかも、不純物の含量が極めて少ない高純度のα−ＳｉＣおよびβ−ＳｉＣを複合した反応焼結ＳｉＣ素材が製造可能である。また、本発明によれば、素材の焼結中に寸法の変化がまったく、またはほとんどなく、事故発熱反応による高速焼結が行われるとともに、比較的に低温下でも焼結可能であることから、反応焼結ＳｉＣ素材の製造性を高められるという効果がある。
さらに、本発明の他の側面によれば、上述した方法により製造された、電気的特性を有するα−ＳｉＣおよびβ−ＳｉＣを複合した反応焼結ＳｉＣ素材製のＳｉＣ電極を下部のシリコン電極と結合して二体型のカソードを構成することにより、電極として使用するに際して電気的特性が安定しており、高温・高圧の半導体ウエハ工程に使用するに際してシリコン電極との熱伝導度の違いによる結合部の損傷を防ぐことができる。加えて、ＳｉＣ電極は優れた強度を有することからカソードの使用寿命を延ばし、耐摩耗性が向上してウエハへのパーティクルの発生を防ぐとともに、高い熱伝導度と低い抵抗の性質により良好な電気的特性を有することから高純度のウエハが生産可能である結果、ウエハの生産収率を高めることができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】本発明によるβ−ＳｉＣ焼結体の製造方法を示す工程手順図、
【図２】本発明によるβ−ＳｉＣ焼結体の製造方法の各工程を示す作業工程図、
【図３】本発明によるβ−ＳｉＣ焼結体の製造方法の各工程を示す作業工程図、
【図４】本発明の好適な実施形態によるプラズマチャンバーカソードを示す斜視図および断面図、
【図５】本発明の他の実施形態によるプラズマチャンバーカソードを示す断面図、
【図６】本発明によるプラズマチャンバーカソードと上プレートとの結合を示す断面図である。
【図７】ＳｉＣ素材の一例を示す。
【図８】α−ＳｉＣを示す。
【図９】反応焼結ＳｉＣ素材を示す
【発明を実施するための形態】
【０００８】
本発明は、最近、高温・高圧環境の半導体製造工程用の部品として汎用されているＳｉＣ素材の製造方法、及び該ＳｉＣ素材を用いたシリコン−ＳＩＣ構造の二体型プラズマチャンバーカソードに関する。本発明の一側面によれば、ＳＩＣ焼結体素材の製造方法において、常圧および加圧焼結により製造されたα−ＳｉＣ粉末をカーボン粉末と混合してカーボン／α−ＳｉＣ混合物を得るステップと、前記カーボン／α−ＳｉＣ混合物を高温で加圧してカーボン／α−ＳｉＣ成形体を得るステップと、前記カーボン／α−ＳｉＣ成形体を真空内において１４００℃〜２０００℃の高温で添加される抵抗を調節したシリコンと反応させて含浸させるステップと、を含むα−ＳｉＣおよびβ−ＳｉＣを複合した反応焼結ＳｉＣ素材の製造方法を提供する。
また、本発明は、前記方法により製造されるα−ＳｉＣおよびβ−ＳｉＣを複合した反応焼結ＳｉＣ素材を提供する。
さらに、本発明の他の側面によれば、半導体ウエハのエッチング工程に用いられるプラズマチャンバーカソードにおいて、下部のシリコン電極と、シリコン電極の上部に結合されるＳｉＣ電極を含み、α−ＳｉＣおよびβ−ＳｉＣを複合した反応焼結ＳｉＣ素材製のシリコン−ＳｉＣ構造の二体型プラズマチャンバーカソードが提供される。
以下、添付図面に基づき、本発明の構成および実施形態を詳述する。先ず、図１は、本発明の好適な実施形態によるα−ＳｉＣおよびβ−ＳｉＣを複合した反応焼結ＳｉＣ素材の製造方法を示す工程手順図であり、図２および図３は、本発明に好適な実施形態によるβ−ＳｉＣ焼結体の製造方法の各工程を示す作業工程図である。本発明の好適な実施形態によるβ−ＳｉＣ素材の製造方法によれば、図１に示すように、常圧および加圧焼結により製造されたα−ＳｉＣ粉末をカーボン粉末と混合してカーボン／α−ＳｉＣ混合物を得るステップ（Ｓ１１）と、前記カーボン／α−ＳｉＣ混合物を高温で加圧してカーボン／α−ＳｉＣ成形体を得るステップ（Ｓ１２）と、前記カーボン／α−ＳｉＣ成形体を真空内において１４００℃〜２０００℃の高温で溶融シリコンと反応させて含浸させるステップ（Ｓ１３）と、を含むことを特徴とする。
以下、各工程段階別の実施例を挙げて本発明を一層詳しく説明する。
−カーボン／α−ＳｉＣ混合物の形成−
一般的に、α−ＳｉＣ素材は、焼結時に焼結助剤が添加されるため焼結体内に多量の不純物が含まれてしまい、且つ、高い体内気孔率を有するため高温環境の半導体工程には不向きであるという特徴がある。α−ＳｉＣは図８に示される。
α−ＳｉＣ素材の特性を改善するために、粉末状のα−ＳｉＣ粉末をカーボン粉末と混合して焼結加工のためのカーボン／α−ＳｉＣ混合物を形成する。
前記カーボン粉末は粒子径が０〜５０μｍ以内のものを使用することが好ましく、前記α−ＳｉＣ粉末は、大型のアチソン炉を用いてＳｉＯ２と石油コークスを混合し、電流を流して２２００℃〜２４００℃の高温で反応させて製造されたα−ＳｉＣ素材を使用することが好ましく、前記α−ＳｉＣ粉末は、１〜１００μｍ以内のものを使用することが好ましい。
また、上記のステップにおいては、後述するシリコンを混合物に含浸してα−ＳｉＣおよびβ−ＳｉＣを複合した反応焼結ＳｉＣ素材を製造する過程における、シリコンと前記カーボン／α−ＳｉＣ混合物の炭素成分との反応性を高めるために、それぞれ０〜５０μｍ以内の粒子径を有するシリコン粉末とドーパント粉末を含浸してもよい。この場合、カーボン／α−ＳｉＣ混合物の総重量を基準として、前記シリコン粉末は０．１〜２０ｗｔ％、ドーパント粉末は０．１〜１０ｗｔ％を混入することが好ましい。
−カーボン／α−ＳｉＣ成形体の形成−
前記α−ＳｉＣ素材の粉末とカーボン粉末を混合してなるカーボンとα−ＳｉＣの混合物をプレスまたはＣＩＰなどを用いて加圧してカーボン／α−ＳｉＣ成形体を形成する。
−α−ＳｉＣおよびβ−ＳｉＣを複合する反応焼結ＳｉＣ焼結体の製造−
上記のようにして形成されたカーボン／α−ＳｉＣ成形体にシリコンを塗布し、真空の状態で高温に加熱すると、成形体の空隙にシリコンが含浸しつつシリコンとカーボンが反応されてβ−ＳｉＣが製造され、α−ＳｉＣはβ−ＳｉＣとシリコンに囲まれているとともに電気的特性を有するα−ＳｉＣおよびβ−ＳｉＣを複合した反応焼結ＳｉＣ素材が製造される。
上記において、シリコンを浸潤させたカーボン／α−ＳｉＣ成形体を加熱する温度は、常圧および加圧によるα−ＳｉＣ焼結温度よりも低温である１４００℃〜２０００℃であることが好ましく、前記シリコンの全体がカーボンとα−ＳｉＣの混合物の間に真空による毛細管圧力とシリコンの自重により含浸されて、無気孔のコンパクトな構造及び電気的特性を有するα−ＳｉＣおよびβ−ＳｉＣを複合した反応焼結ＳｉＣ素材が製造される。この反応焼結ＳｉＣは図３に示される。
この過程において、カーボンとα−ＳｉＣの混合物、またはカーボンとα−ＳｉＣ、シリコン、ドーパントの混合物と含浸抵抗を有するシリコンとの反応により電気的特性を持たせ、含浸させるシリコンに添加されるホウ素（ボロン）の量の調節により抵抗を調節して抵抗調節済みのシリコンを含浸させることにより、α−ＳｉＣおよびβ−ＳｉＣを複合した反応焼結ＳｉＣ素材の電気的抵抗を調節する。
参考までに、前記シリコンの抵抗調節のためにその添加量が調節されるホウ素は、その添加量が多量になるほどシリコンの抵抗が低下して炭素との反応性を高めることができ、上記のような抵抗調節済みのシリコンをカーボン／α−ＳｉＣの成形体の炭素と反応させることにより、所要の抵抗性または低抵抗性を有する素材を製造することができる。
ここで、カーボンとα−ＳｉＣ、シリコンおよびドーパントを混合する場合には、製造されるα−ＳｉＣおよびβ−ＳｉＣを複合した反応焼結ＳｉＣ素材の総重量を基準として、抵抗調節済みのシリコン３０〜８０ｗｔ％と、シリコンの抵抗を決める０．１〜１０ｗｔ％を使用することが好ましい。
−α−ＳｉＣおよびβ−ＳｉＣを複合した反応焼結ＳｉＣ素材の特性−（図９）
以上述べたように、本発明の製造方法により製造されたα−ＳｉＣおよびβ−ＳｉＣを複合した反応焼結ＳｉＣ素材は、反応焼結中に寸法の変化がほとんど、またはまったくなく、カーボンとα−ＳｉＣが反応して生成される混合物組織が素材の強度を増大させる役割を果たす。また、本発明の製造方法により製造されたα−ＳｉＣおよびβ−ＳｉＣを複合した反応焼結ＳｉＣ素材は、前記混合物組織の間にシリコンが含浸されて強度が高く、微粒の凝集体として分布されて無気孔のコンパクトな焼結体が得られる他、原料粉末の焼結を促すための焼結助剤をＳｉＣ素材に添加しないことから不純物の含量を大幅に低減することができる。
また、常圧および加圧による製造方法に比べて低温の加熱が可能であり、自己発熱反応が起きて高速焼結が行われることから、反応焼結後にβ−ＳｉＣ焼結体の寸法と形状をそのまま維持し、作業速度が速いというメリットがある。特に、ＳｉＣ素材の抵抗が調節できて所望の電気的特性に見合うように製造可能になる結果、単に機械化学的な性質を有するＳｉＣと比較してその活用先が多く半導体工程に広く適用可能である。
このため、本発明による場合、高温の環境および耐腐食性が要される半導体工程、特に、半導体エッチング工程に要される電気的特性を有しているとともに、高純度・高密度・高強度のＳｉＣ素材が製造可能である。加えて、優れた機械的性質を有するＳｉＣ素材の高速製造が可能になることから、製造コストを削減できるという効果があり、これにより、半導体製造装備において好適な電気的特性を有するα−ＳｉＣおよびβ−ＳｉＣを複合した反応焼結ＳｉＣ素材が製造可能であるという特徴がある。
さらに、本発明の他の側面によれば、半導体工程の中でウエハのエッチング工程に用いられるカソードにおいて、シリコン電極の上部に本発明の製造方法により製造されるα−ＳｉＣおよびβ−ＳｉＣを複合した反応焼結ＳｉＣ素材製のＳｉＣ電極を並べてこれらの上下に結合してなるシリコン−ＳｉＣからなる二体型プラズマチャンバーカソードが提供される。以下、本発明によるシリコン−ＳｉＣ構造の二体型プラズマチャンバーカソードの構成および作用について説明する。
図４は、本発明の好適な実施形態によるプラズマチャンバーカソードを示す斜視図および断面図であり、図５は、本発明の他の実施形態によるプラズマチャンバーカソードを示す断面図であり、図６は、本発明によるプラズマチャンバーカソードと上プレートとの結合を示す断面図である。図４に示すように、本発明の好適な実施形態によるプラズマチャンバーカソードは、下部のシリコン電極２０の上に本発明により製造されたα−ＳｉＣおよびβ−ＳｉＣを複合した反応焼結ＳｉＣ素材製のＳｉＣ電極１０を並べてこれらを上下に結合する二体型に構成される。このとき、前記シリコン電極２０とＳｉＣ電極１０はエラストマーボンディングＥにより結合されてもよく、結合ボルトＢにより結合されてもよい。
また、図５に示すように、シリコン電極２０とＳｉＣ電極１０を結合してなるカソード１００を単一体にして、図６に示すように、チャンバーの内部に任意に形成される上プレート３０に単独で結合できるように構成してもよく、あるいは図５に示すように、カソードの外側から外リング１１０が外れて、カソードと外リングが上プレート３０にそれぞれ別々に結合するように構成して、中央部のカソード１００を外側において外リング１１０が所定の間隔をあけて漏斗状に囲繞して結合するように構成してもよい。
このため、前記構成を有する本発明のプラズマチャンバーカソードによれば、α−ＳｉＣおよびβ−ＳｉＣを複合した反応焼結ＳｉＣ素材のＳｉＣ電極１０に優れた電気的特性、熱伝導率、硬度、耐酸化性、耐磨耗性、耐腐食性および高温安定性などの機械的性質を持たせることにより、下部に結合されるシリコン電極２０と上部に結合される上プレート３０の変形による結合ボルトＢの結合部の損傷を防ぎ、高純度のα−ＳｉＣおよびβ−ＳｉＣを複合した反応焼結ＳｉＣ素材を使用することにより、上記のシリコン電極２０と上プレート３０の変形による摩耗時にパーティクルが発生することを防ぐことができる。加えて、前記構成を有する本発明のプラズマチャンバーカソードによれば、前記ＳｉＣ電極１０が０．１０ｈｍ−ｃｍ以下の低い電気的抵抗および高い熱伝導率を有するように製造可能であり、上プレート３０に電圧をかけたときの通電性を良好にして良質のプラズマが生成可能であるとともに、均質なプラズマ密度などを有してウエハの上に高集積回路が生産可能であるという効果がある。
【符号の説明】
【０００９】
１０：ＳｉＣ電極
２０：シリコン電極
３０：上プレート
１００：カソード
１１０：外リング
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
2011506251.tif 000012
【国際調査報告】
2011506251.tif 000013
2011506251.tif 000014