(57)【要約】  有機電子デバイス用のバックプレーンが提供される。このバックプレーンは、ＴＦＴ基板と；複数の電極構造体と；電極構造体に複数のピクセル開口を画定するバンク構造体とを有する。このバンク構造体は、ピクセル開口に隣接する高さｈAと、ピクセル開口から離れた高さｈRとを有し、ｈAはｈRより大幅に低い。
2011504278.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機電子デバイス用のバックプレーンを形成するための方法であって、
複数の電極構造体を上に有するＴＦＴ基板を提供する工程と；
全体にフォトレジスト層を形成する工程と；
前記フォトレジスト層の複数の第１の領域が完全に露光され、前記フォトレジスト層の複数の第２の領域が部分的に露光され、前記フォトレジスト層の複数の第３の領域が露光されないように、透明領域、不透明領域、および半透過性領域の所定のパターンを有するグラデーションマスクを介して前記フォトレジストを活性化放射線に露光する工程と；
前記フォトレジスト層を現像して有機バンク構造体を形成する工程と
を含む方法。
【請求項２】
前記グラデーションマスクの前記半透過性領域が均質である請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記グラデーションマスクの前記半透過性領域が均質でない請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記グラデーションマスクの前記半透過性領域がそれぞれ、前記不透明領域に隣接してより低い透明性から前記透明領域に隣接してより高い透明性へと徐々に変化する請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記フォトレジストがポジ型である請求項１に記載の方法。
【請求項６】
現像が溶剤による処理によって行われる請求項１に記載の方法。
【請求項７】
有機電子デバイス用のバックプレーンを形成するための方法であって、
複数の電極構造体を上に有するＴＦＴ基板を提供する工程と；
全体に電気絶縁無機層を形成する工程と；
全体にフォトレジスト層を形成する工程と；
前記フォトレジスト層の複数の第１の領域が完全に露光され、前記フォトレジスト層の複数の第２の領域が部分的に露光され、前記フォトレジスト層の複数の第３の領域が露光されないように、透明領域、不透明領域、および半透過性領域の所定のパターンを有するグラデーションマスクを介して前記フォトレジストを活性化放射線に露光する工程と；
前記フォトレジスト層を現像してエッチングマスクを形成する工程と；
エッチング液で処理して下位の電気絶縁無機層の部分を除去することにより、無機バンク構造体を形成する工程と
を含む方法。
【請求項８】
前記無機層から前記エッチングマスクを除去する工程をさらに含む請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記電気絶縁無機層が、酸化ケイ素、窒化ケイ素、およびそれらの組み合わせから選択される材料を含む請求項７または８に記載の方法。
【請求項１０】
前記グラデーションマスクの前記半透過性領域が均質である請求項７に記載の方法。
【請求項１１】
前記グラデーションマスクの前記半透過性領域が均質でない請求項７に記載の方法。
【請求項１２】
前記グラデーションマスクの前記半透過性領域が、前記不透明領域に隣接してより低い透明性から前記透明領域に隣接してより高い透明性へと徐々に変化する請求項７に記載の方法。
【請求項１３】
前記フォトレジストがポジ型であり、前記エッチングマスクを除去する工程が、活性化放射線への第２の露光および液体媒体による処理によって行われる請求項８に記載の方法。
【請求項１４】
有機電子デバイス用のバックプレーンであって、
ＴＦＴ基板と；
複数の電極構造体と；
前記電極構造体に複数のピクセル開口を画定するバンク構造体と
を含み；
前記バンク構造体が、前記ピクセル開口に隣接する高さｈAと、前記ピクセル開口から離れた高さｈRとを有し、ｈAがｈRより大幅に低いバックプレーン。
【請求項１５】
ｈA≦０．７５（ｈR）である請求項１４に記載のバックプレーン。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
関連出願
本出願は、米国特許法第１１９条（ｅ）に基づいて、２００７年９月２５日に出願の仮特許出願第６０／９７４，９７２号の優先権を主張するものであり、この仮特許出願は、本明細書に完全に記載されているかのように参照により援用される。
【０００２】
本開示は、一般に、電子デバイスおよびその形成方法に関する。より詳細には、本開示は、バックプレーン構造体、およびバックプレーン構造体を用いて溶液処理によって形成されるデバイスに関する。
【背景技術】
【０００３】
有機電子デバイスを含む電子デバイスは、日常生活の中でますます広く用いられるようになってきている。有機電子デバイスの例としては、有機発光ダイオード（「ＯＬＥＤ」）が挙げられる。ＯＬＥＤに用いられる層を形成するのに様々な堆積技術を用いることができる。液相堆積技術としては、インクジェット印刷および連続ノズル印刷などの印刷技術が挙げられる。
【０００４】
デバイスがより複雑になり、その解像度が上がるにつれて、薄膜トランジスタ（「ＴＦＴ」）を用いたアクティブマトリックス回路を使用する必要性が高まる。しかしながら、ほとんどのＴＦＴ基板の表面は平坦ではない。これらの平坦でない表面への液相堆積により、不均一なフィルムが形成され得る。コーティング配合物用の溶媒を選択することによって、および／または乾燥条件を制御することによって、不均一性は軽減され得る。しかしながら、フィルムの均一性を向上させ得るＴＦＴ基板構造体が依然として必要とされている。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００５】
一実施形態において、有機電子デバイス用のバックプレーンを形成するための方法であって、
複数の電極構造体を上に有するＴＦＴ基板を提供する工程と；
全体にフォトレジスト層を形成する工程と；
フォトレジスト層の複数の第１の領域が完全に露光され、フォトレジスト層の複数の第２の領域が部分的に露光され、フォトレジスト層の複数の第３の領域が露光されないように、透明領域、不透明領域、および半透過性領域の所定のパターンを有するグラデーションマスク（ｇｒａｄｉｅｎｔ  ｍａｓｋ）を介してフォトレジストを活性化放射線に露光する工程と；
フォトレジスト層を現像して有機バンク構造体を形成する工程と
を含む方法が提供される。
【０００６】
別の実施形態において、有機電子デバイス用のバックプレーンを形成するための他の方法であって、
複数の電極構造体を上に有するＴＦＴ基板を提供する工程と；
全体に電気絶縁無機層を形成する工程と；
全体にフォトレジスト層を形成する工程と；
フォトレジスト層の複数の第１の領域が完全に露光され、フォトレジスト層の複数の第２の領域が部分的に露光され、フォトレジスト層の複数の第３の領域が露光されないように、透明領域、不透明領域、および半透過性領域の所定のパターンを有するグラデーションマスクを介してフォトレジストを活性化放射線に露光する工程と；
フォトレジスト層を現像してエッチングマスクを形成する工程と；
エッチング液で処理して下位の電気絶縁無機層の部分を除去することにより、無機バンク構造体を形成する工程と
を含む方法が提供される。
【０００７】
また、有機電子デバイス用のバックプレーンであって、
ＴＦＴ基板と；
複数の電極構造体と；
電極構造体に複数のピクセル開口を画定するバンク構造体とを含み；
このバンク構造体が、ピクセル開口に隣接する高さｈAと、ピクセル開口から離れた高さｈRとを有し、ｈAがｈRより大幅に低いバックプレーンも提供される。
【０００８】
以上の概要および以下の詳細な説明は、単に例示的および説明的なものであり、添付の特許請求の範囲を限定するものではない。
【０００９】
本開示において提示される概念の理解を助けるために、添付の図面において実施形態を説明する。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本明細書に記載のグラデーションマスクの一実施形態の概略図を例示として含む。
【図２】本明細書に記載のグラデーションマスクの一実施形態の概略図を例示として含む。
【図３】本明細書に記載のグラデーションマスクの一実施形態の概略図を例示として含む。
【図４】本明細書に記載の電子デバイス用のバックプレーンの概略図を例示として含む。
【図５】本明細書に記載の電子デバイス用のバックプレーンの概略図を例示として含む。
【図６】活性有機材料の層を含む先行技術のバンク構造体の概略図を例示として含む。
【図７】活性有機材料の層を含む、本明細書に記載の新規なバンク構造体の概略図を例示として含む。
【００１１】
当業者であれば理解するように、図面中の物体は、平易かつ明快にするために示されており、必ずしも縮尺通りに描かれているわけではない。たとえば、実施形態を理解しやすいようにするために、図面中の一部の物体の寸法が他の物体よりも誇張されている場合がある。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
本開示全体を通して多くの態様および実施形態が記載されており、これらは例示であり限定されるものではない。当業者は、本明細書を読めば、他の態様および実施形態が本発明の範囲から逸脱せずに可能であることが分かる。
【００１３】
実施形態のいずれか１つまたは複数の他の特徴および利点は、以下の詳細な説明および特許請求の範囲から明らかになるであろう。詳細な説明はまず、用語の定義および説明に触れ、その後、バックプレーンの形成方法の第１の実施形態、バックプレーンの形成方法の第２の実施形態、グラデーションマスク、バックプレーンおよびバンク構造体、電子デバイスの形成方法、および最後に実施例と続いている。
【００１４】
１．用語の定義および説明
下記の実施形態の詳細に触れる前に、いくつかの用語を定義または説明する。定義には、定義された用語の活用形などの変形が含まれる。
【００１５】
本明細書において使用される場合、用語「活性」は、層または材料について言及される場合、デバイスの動作を電子的に促進する層または材料を意味する。活性材料の例としては、電荷を伝導、注入、輸送または阻止する材料が挙げられるが、これらに限定されるものではない。ここで、電荷は電子または正孔のいずれかであり得る。例としては、電子的特性または電気放射的（ｅｌｅｃｔｒｏ−ｒａｄｉａｔｉｖｅ）特性を有する層または材料も挙げられる。活性層材料は、放射線を受けたときに、放射線を放出するかまたは電子−正孔対の濃度の変化を示し得る。
【００１６】
用語「アクティブマトリックス」は、電子部品のアレイおよびアレイ内の対応するドライバ回路を意味することを意図している。
【００１７】
用語「バックプレーン」は、上に有機層が堆積されて電子デバイスが形成される加工物を意味することを意図している。
【００１８】
用語「回路」は、適切に接続され適切な電位が供給されたときに、集合的にある機能を果たす電子部品の集まりを意味することを意図している。回路は、ディスプレイのアレイ内のアクティブマトリックスピクセル、カラムデコーダまたはロウデコーダ、カラムアレイストローブまたはロウアレイストローブ、センス増幅器、信号ドライバまたはデータドライバなどを含み得る。
【００１９】
電子部品、回路、またはそれらの一部に関する用語「接続」は、２つ以上の電子部品、回路、あるいは少なくとも１つの電子部品と少なくとも１つの回路との任意の組み合わせが、それらの間に介在する電子部品を何ら有さないことを意味することを意図している。寄生抵抗、寄生容量、またはその両方は、この定義の目的では電子部品とはみなされない。一実施形態においては、複数の電子部品が互いに電気的に短絡し、かつ実質的に同じ電圧にある場合に、複数の電子部品は接続されている。複数の電子部品を、光ファイバラインを用いて互いに接続すると、そのような電子部品の間で光信号を伝送することができることに留意されたい。
【００２０】
用語「結合」は、２つ以上の電子部品、回路、システム、あるいは（１）少なくとも１つの電子部品、（２）少なくとも１つの回路、または（３）少なくとも１つのシステムの少なくとも２つの任意の組み合わせの、信号（たとえば、電流、電圧、または光信号）を互いに転送することができるような、接続、連結、または関連づけを意味することを意図している。「結合」の非限定的な例としては、複数の電子部品、回路、または電子部品と、それらの間に接続されたスイッチ（たとえば、トランジスタ）との間の直接接続などを挙げることができる。
【００２１】
用語「ドライバ回路」は、有機電子部品などの電子部品の作動を制御するように構成された回路を意味することを意図している。
【００２２】
用語「電気的に連続」は、回路の電気的な断線なしに導電経路を形成している層、部材、または構造体を意味することを意図している。
【００２３】
用語「電気絶縁」は、有意な電流が材料、層、部材または構造体に流れるのを実質的に防ぐような電気的特性を有する材料、層、部材または構造体を意味することを意図している。
【００２４】
用語「電極」は、キャリアを輸送するように構成された構造体を意味することを意図している。たとえば、電極は、アノードまたはカソードであってよい。電極は、トランジスタ、コンデンサ、抵抗器、インダクタ、ダイオード、有機電子部品、および電源の一部を含むことができる。
【００２５】
用語「電子部品」は、電気的機能を果たす回路の最小レベルの単位を意味することを意図している。電子部品としては、トランジスタ、ダイオード、抵抗器、コンデンサ、インダクタなどが挙げられる。電子部品は、寄生抵抗（たとえば、電線の抵抗）も寄生容量（たとえば、異なる電子部品に接続された２つの導体の間の静電結合であり、これらの導体の間のコンデンサが意図的でない、すなわち偶発的なものである場合）も含まない。
【００２６】
用語「電子デバイス」は、適切に接続され適切な電位が供給されたときに、集合的にある機能を果たす回路、電子部品、またはそれらの組み合わせの集まりを意味することを意図している。電子デバイスは、システムの一部を含むかまたはシステムの一部であり得る。電子デバイスの例としては、ディスプレイ、センサーアレイ、コンピュータシステム、航空電子機器、自動車、携帯電話、および多くの他の家庭用および工業用電化製品が挙げられる。
【００２７】
用語「層」は、用語「フィルム」と同義的に使用され、所望の領域を覆うコーティングを意味する。この領域は、デバイス全体の大きさであってもよく、あるいは実際の視覚的表示などの特殊機能領域の小ささ、または１つのサブピクセルの小ささであってもよい。フィルムは、気相堆積、液相堆積および熱転写を含む任意の従来の堆積技術によって形成することができる。典型的な液相堆積技術としては、スピンコーティング、グラビアコーティング、カーテンコーティング、浸漬コーティング、スロットダイコーティング、スプレーコーティング、および連続ノズルコーティングなどの連続堆積技術；ならびにインクジェット印刷、グラビア印刷、およびスクリーン印刷などの不連続堆積技術が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【００２８】
用語「光透過性」は「透明」と同義的に使用され、所与の波長の入射光の少なくとも５０％が透過されることを意味することを意図している。ある実施形態において、光の７０％が透過される。
【００２９】
用語「液体組成物」は、１つまたは複数の液体媒体に溶解して溶液を形成するか、１つまたは複数の液体媒体に分散して分散体を形成するか、あるいは１つまたは複数の液体媒体に懸濁して懸濁液またはエマルジョンを形成する有機活性材料を意味することを意図している。
【００３０】
用語「開口」は、平面図で見た場合に、領域を取り囲む特定の構造体がないことを特徴とする領域を意味することを意図している。
【００３１】
用語「有機電子デバイス」は、１つまたは複数の半導体の層または材料を含むデバイスを意味することを意図している。有機電子デバイスとしては（１）電気エネルギーを放射線に変換するデバイス（たとえば、発光ダイオード、発光ダイオードディスプレイ、またはダイオードレーザー）、（２）電子的過程を介して信号を検出するデバイス（たとえば、光検出器（たとえば、光導電セル、フォトレジスタ、フォトスイッチ、フォトトランジスタ、または光電管）、ＩＲ検出器、またはバイオセンサー）、（３）放射線を電気エネルギーに変換するデバイス（たとえば、光起電性デバイスまたは太陽電池）、ならびに（４）１つまたは複数の有機半導体層を含む１つまたは複数の電子部品を含むデバイス（たとえば、トランジスタまたはダイオード）が挙げられる。
【００３２】
デバイス内の層、部材、または構造体について言及するのに使用される場合、用語「上にある」は、ある層、部材、または構造体が、別の層、部材、または構造体のすぐ隣にあったり接触していたりすることを必ずしも意味しない。
【００３３】
用語「周辺部」は、平面図において、閉じた平面形状を形成している、層、部材、または構造体の境界を意味することを意図している。
【００３４】
用語「フォトレジスト」は、成形して層にすることができる感光性材料を意味することを意図している。活性化放射線に露光されたとき、露光された領域と露光されていない領域とが物理的に区別され得るように、フォトレジストの少なくとも１つの物理的特性および／または化学的特性が変化される。
【００３５】
用語「構造体（structure）」は、それ自体でまたは他のパターン形成された層または部材と組み合わされて意図された目的を果たすユニットを形成する、１つまたは複数のパターン形成された層または部材を意味することを意図している。構造体の例としては、電極、ウェル構造体、カソードセパレータなどが挙げられる。
【００３６】
用語「基板」は、剛性または可撓性のいずれであってもよく、１つまたは複数の材料の１つまたは複数の層（レイヤを含む）を含むことができる基材を意味することを意図しており、そのような基材としては、ガラス、ポリマー、金属、またはセラミック材料、あるいはそれらの組み合わせを挙げることができるが、これらに限定されるものではない。
【００３７】
用語「ＴＦＴ基板」は、パネル機能を果たすための、ＴＦＴのアレイおよび／または駆動回路を含む基板を意味することを意図している。
【００３８】
本明細書において使用される場合、用語「含んでなる」、「含んでなること」、「含む」、「含むこと」、「有する」、「有すること」、またはそれらの他のあらゆる変形は、非排他的な包含を扱うことを意図している。たとえば、ある一連の要素を含むプロセス、方法、物品、または装置は、それらの要素のみに必ずしも限定されるわけではなく、そのようなプロセス、方法、物品、または装置に関して明示されないかまたはそれらに固有のものでもない他の要素を含むことができる。さらに、相反する明示的な記載がない限り、「または」は、包含的な「または」を意味するのであって、排他的な「または」を意味するのではない。たとえば、条件ＡまたはＢが満たされるのは：Ａが真であり（または存在する）Ｂが偽である（または存在しない）、Ａが偽であり（または存在しない）Ｂが真である（または存在する）、ならびにＡおよびＢの両方が真である（または存在する）のいずれか１つによってである。
【００３９】
また、本発明に記載の要素および成分を説明するために単数形（「ａ」または「ａｎ」）も使用されている。これは単に便宜的なものであり、本発明の範囲の一般的な意味を提供するために行われている。この記述は、１つまたは少なくとも１つを含むものと読むべきであり、明らかに他の意味となる場合を除けば、単数形は複数形も含んでいる。
【００４０】
元素周期表の縦列に対応する族番号は、「ＣＲＣ  Ｈａｎｄｂｏｏｋ  ｏｆ  Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ  ａｎｄ  Ｐｈｙｓｉｃｓ」、第８１版（２０００〜２００１年）に見られるような「新表記法（Ｎｅｗ  Ｎｏｔａｔｉｏｎ）」規約を使用する。
【００４１】
特に定義しない限り、本明細書において使用されるすべての技術用語および科学用語は、本発明が属する技術分野の当業者によって一般に理解されている意味と同じ意味を有する。本明細書に記載されるものと類似または等価の方法および材料を、本発明の実施形態の実施または試験において使用することができるが、好適な方法および材料について以下に説明する。本明細書において言及されるあらゆる刊行物、特許出願、特許、およびその他の参考文献は、特定の段落が引用されない限りそれらの記載内容全体が援用される。矛盾が生じる場合には、定義を含めて本明細書に従うものとする。さらに、材料、方法、および実施例は、単に説明的なものであり、限定を意図したものではない。
【００４２】
本明細書に記載されない程度に、特定の材料、処理行為、および回路に関する多くの詳細が、従来のものであり、有機発光ダイオードディスプレイ技術、光検出器技術、光起電力技術、および半導体部材技術の範囲内のテキストブックおよび他の出典に見出されるであろう。
【００４３】
２．バックプレーンの形成方法の第１の実施形態
第１の実施形態において、電子デバイス用のバックプレーンの形成方法は、
複数の電極構造体を上に有するＴＦＴ基板を提供する工程と；
全体にフォトレジスト層を形成する工程と；
フォトレジスト層の複数の第１の領域が完全に露光され、フォトレジスト層の複数の第２の領域が部分的に露光され、フォトレジスト層の複数の第３の領域が露光されないように、透明領域、不透明領域、および半透過性領域の所定のパターンを有するグラデーションマスクを介してフォトレジストを活性化放射線に露光する工程と；
フォトレジスト層を現像して有機バンク構造体を形成する工程と
を含む。
【００４４】
一実施形態において、各半透過性領域の放射線に対する透明性は一様であり、すなわち、ほぼ均一である。
【００４５】
ＴＦＴ基板は、電子技術分野で周知である。この基板は、有機電子デバイスの技術分野で用いられるような従来の基板であり得る。この基板は、可撓性または剛性であってもよく、有機または無機であってもよい。ある実施形態において、この基板は透明である。ある実施形態において、この基板はガラスまたは可撓性有機フィルムである。公知のように、ＴＦＴアレイがこの基板上またはこの基板内に配置されてもよい。この基板は、約１２〜２５００ミクロンの範囲の厚さを有し得る。
【００４６】
用語「薄膜トランジスタ」または「ＴＦＴ」は、電界効果トランジスタの少なくとも１つのチャネル領域が基本的に基板の基材の一部でない電界効果トランジスタを意味することを意図している。一実施形態において、ＴＦＴのチャネル領域は、ａ−Ｓｉ、多結晶ケイ素、またはそれらの組み合わせを含む。用語「電界効果トランジスタ」は、導電性がゲート電極にかかる電圧によって影響されるトランジスタを意味することを意図している。電界効果トランジスタとしては、接合型電界効果トランジスタ（ＪＦＥＴ）または金属−酸化物−半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）を含む金属−絶縁体−半導体電界効果トランジスタ（ＭＩＳＦＥＴ）、金属−窒化物−酸化物−半導体（ＭＮＯＳ）電界効果トランジスタなどが挙げられる。電界効果トランジスタは、ｎ型（ｎ型キャリアがチャネル領域内を流れる）またはｐ型（ｐ型キャリアがチャネル領域内を流れる）であり得る。電界効果トランジスタは、エンハンスメント型（ｅｎｈａｎｃｅｍｅｎｔ−ｍｏｄｅ）トランジスタ（チャネル領域がトランジスタのＳ／Ｄ領域と比較して異なる導電型を有する）またはデプレッション型（ｄｅｐｌｅｔｉｏｎ−ｍｏｄｅ）トランジスタ（トランジスタのチャネルおよびＳ／Ｄ領域が同じ導電型を有する）であり得る。
【００４７】
複数の電極構造体がＴＦＴ基板に設けられる。電極はアノードまたはカソードであり得る。ある実施形態において、電極は平行な細片として形成される。電極は、交互に、正方形、矩形、円、三角形、楕円などの平面形状を有する構造体の、パターン形成されたアレイであり得る。一般に、電極は、従来のプロセス（たとえば堆積、パターン形成、またはそれらの組み合わせ）を用いて形成され得る。
【００４８】
ある実施形態において、電極は透明である。ある実施形態において、電極は、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）などの透明な導電材料を含む。他の透明な導電材料としては、たとえば、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、酸化亜鉛、酸化スズ、亜鉛スズ酸化物（ＺＴＯ）、元素金属、金属合金、およびそれらの組み合わせが挙げられる。ある実施形態において、電極は電子デバイス用のアノードである。電極は、ステンシルマスクを用いた選択的堆積、またはブランケット堆積、および一部を取り除いてパターンを形成するための従来のリソグラフィー技術などの従来の技術を用いて形成され得る。電極の厚さは、一般に、約５０〜１５０ｎｍの範囲にある。
【００４９】
次に、フォトレジストは、電極構造体を有するＴＦＴ基板に適用される。ある実施形態において、フォトレジストは、液相堆積技術を用いて液体として適用される。
【００５０】
ある実施形態において、フォトレジストはポジ型であり、これは、フォトレジスト層が活性化放射線に露光された領域においてより除去されやすくなることを意味する。ある実施形態において、ポジ型フォトレジストは、放射線で軟化可能な組成物である。この場合、フォトレジストは、放射線に露光されると、液体媒体により溶解または分散しやすくなり得、より粘着性が高く、より軟性が高く、より流動性が高く、より取り外し易く（ｌｉｆｔａｂｌｅ）、またはより吸収性が高くなり得る。他の物理的特性も影響され得る。
【００５１】
ある実施形態において、フォトレジストはネガ型であり、これは、フォトレジスト層が活性化放射線に露光された領域においてより除去されにくくなることを意味する。ある実施形態において、ネガ型フォトレジストは放射線で硬化可能な組成物である。この場合、フォトレジストは、放射線に露光されると、液体媒体により溶解または分散しにくくなり得、より粘着性が低く、より軟性が低く、より流動性が低く、より取り外しにくく、またはより吸収性が低くなり得る。他の物理的特性も影響され得る。
【００５２】
フォトレジスト材料は当該技術分野で周知である。参照文献の例としては、Ｗ．Ｓ．ＤｅＦｏｒｅｓｔによるＰｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔ：Ｍａｔｅｒｉａｌｓ  ａｎｄ  Ｐｒｏｃｅｓｓｅｓ（ＭｃＧｒａｗ−Ｈｉｌｌ、１９７５）およびＡ．ＲｅｉｓｅｒによるＰｈｏｔｏｒｅａｃｔｉｖｅ  Ｐｏｌｙｍｅｒｓ：Ｔｈｅ  Ｓｃｉｅｎｃｅ  ａｎｄ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ  ｏｆ  Ｒｅｓｉｓｔｓ（Ｊｏｈｎ  Ｗｉｌｅｙ  ＆  Ｓｏｎｓ、１９８９）が挙げられる。多くの市販のフォトレジストがある。用いられ得る材料の種類の例としては、重クロム酸コロイド、ポリケイ皮酸ビニル、およびジアゾ樹脂などの光架橋材料；キノンジアジドなどの光可溶化材料；ならびにビニルエーテル、エポキシ、およびアクリレート／メタクリレートなどの光重合性材料が挙げられるが、これらに限定されるものではない。場合によっては、光反応性ポリイミド系を使用することができる。
【００５３】
フォトレジストは、堆積され乾燥されて、任意選択的に焼成されて層が形成された後、グラデーションマスクを介して活性化放射線に露光される。用語「活性化放射線」は、放射線が光線、波、または粒子であるかを問わず、任意の形態の熱、全電磁スペクトル、または亜原子粒子を含めた任意の形態のエネルギーを意味する。ある実施形態において、活性化放射線は赤外線、可視線、紫外線、およびそれらの組み合わせから選択される。ある実施形態において、活性化放射線は紫外線である。
【００５４】
グラデーションマスクは、活性化放射線に対して透明な領域、活性化放射線に対して不透明な領域、および活性化放射線に対して部分的に透明な（半透過性の）領域があるパターンを有する。ある実施形態において、部分的に透明な領域は、５〜９５％の透過率；ある実施形態において、１０〜８０％の透過率；ある実施形態において、１０〜６０％の透過率；ある実施形態において、１０〜４０％の透過率；ある実施形態において、１０〜２０％の透過率を有する。
【００５５】
ポジ型フォトレジストが用いられる実施形態において、フォトレジスト層における、グラデーションマスクの透明領域の下の部分がより除去されやすくなる一方、マスクの不透明領域の下の部分は、除去されやすくならない。フォトレジストにおける、マスクの部分的透明領域の下の部分は、部分的に除去されやすくなる。
【００５６】
ネガ型フォトレジストが用いられる実施形態において、フォトレジスト層における、グラデーションマスクの透明領域の下の部分がより除去されにくくなる一方、マスクの不透明領域の下の部分は、除去されやすいままである。フォトレジストにおける、マスクの部分的透明領域の下の部分は、部分的に除去されやすくなる。
【００５７】
露光の時間および線量は、用いられるフォトレジストの組成、および放射線源に依存することとなる。例示的な時間および線量は、フォトレジストの技術分野で周知である。
【００５８】
活性化放射線に露光した後、フォトレジストは現像される。用語「現像」および全てのその様々な形態は、フォトレジストにおける、放射線に露光される領域と放射線に露光されない領域とを物理的に分けることを意味することを意図しており、これは、これ以降で「現像」と呼ばれ、任意の公知の技術によって行うことができる。そのような技術は、フォトレジストの技術分野において広く用いられている。現像技術の例としては、液体媒体による処理、吸収材による処理、粘着材による処理などが挙げられるが、これらに限定されるものではない。ある実施形態において、フォトレジストは、現像剤または現像液と呼ばれる液体媒体で処理される。
【００５９】
現像工程によりバンク構造体が得られる。バンク構造体は、有機活性材料が堆積されることとなるピクセル領域において、フォトレジストを完全に除去することから生じる開口を有する。各ピクセル開口を囲んでいるのがバンクである。バンク構造体は、ピクセル開口のすぐ隣の領域に部分的に除去されたフォトレジストを有し、これはマスクの部分的透明領域を介して露光した結果である。バンク構造体は、ピクセル開口からさらに離れると、無傷のままのフォトレジストを有する。
【００６０】
３．バックプレーンの形成方法の第２の実施形態
第２の実施形態において、有機電子デバイス用のバックプレーンを形成するための他の方法が提供され、このバックプレーンは無機バンク構造体を有する。本方法は、
複数の電極構造体を上に有するＴＦＴ基板を提供する工程と；
全体に電気絶縁無機層を形成する工程と；
全体にフォトレジスト層を形成する工程と；
フォトレジスト層の複数の第１の領域が完全に露光され、フォトレジスト層の複数の第２の領域が部分的に露光され、フォトレジスト層の複数の第３の領域が露光されないように、透明領域、不透明領域、および半透過性領域の所定のパターンを有するグラデーションマスクを介してフォトレジストを活性化放射線に露光する工程と；
フォトレジスト層を現像してエッチングマスクを形成する工程と；
エッチング液で処理して下位の電気絶縁無機層の部分を除去することにより、無機バンク構造体を形成する工程と
を含む。
【００６１】
この実施形態において、ＴＦＴ基板および複数の電極構造体は、第１の実施形態と同じである。一実施形態において、各半透過性領域の放射線に対する透明性は、透明性が各半透過性領域にわたって変わることから一様でない（不均一である）。
【００６２】
電極構造体が形成された後、電気絶縁無機材料の層が全体に適用される。後のいかなる処理工程においても有害に反応しない限り、任意の電気絶縁無機材料を使用することができる。好適な材料の例としては、酸化ケイ素および窒化ケイ素が挙げられるが、これらに限定されるものではない。電気絶縁無機層は、一般に、約１〜３ミクロン；ある実施形態において、１〜２ミクロンの範囲の厚さを有する。
【００６３】
電気絶縁無機層の形成の後、フォトレジストが全体に適用される。フォトレジスト材料およびそれらの堆積方法は上述されている。この実施形態において、フォトレジスト層は、現像後にフォトレジストが残る領域における下位の無機層のエッチングを防止するのに十分な厚さを有していなければならない。一般に、約２．０〜５．５ミクロン；ある実施形態において、２．５〜５．０ミクロンの範囲の厚さが十分である。
【００６４】
上記のように、フォトレジスト層は次に化学線に露光され、現像される。
【００６５】
フォトレジストの現像の後、エッチング処理がある。エッチング材料は、フォトレジストが除去された領域における電気絶縁無機層を除去する。フォトレジストが部分的に除去された領域において、電気絶縁無機層が部分的にエッチングされることとなる。フォトレジストが無傷のままである領域において、電気絶縁無機層は、全くエッチングされないこととなる。用いられるべき的確なエッチング液は、無機層の組成に依存することとなり、そのようなエッチング材料は周知である。エッチング液の例としては、ＨＦ、フッ化アンモニウムで緩衝されたＨＦ、およびリン酸などの酸性材料が挙げられるが、これらに限定されるものではない。エッチング工程により、無機バンク構造体が形成される。このバンク構造体は、有機活性材料が堆積されることとなるピクセル領域において、完全にエッチングすることから生じる開口を有する。このバンク構造体は、ピクセル開口のすぐ隣の領域に部分的に除去された無機層を有し、これはフォトレジストを部分的に除去した結果である。ピクセル開口からさらに離れると、無機層は無傷のままである。
【００６６】
任意選択的に、エッチング工程の後、残っているフォトレジスト材料を剥がすことができる。この工程も、フォトレジストの技術分野で周知である。ポジ型フォトレジストの場合、残っているレジストは活性化放射線に露光され、現像液で除去され得る。あるいは、フォトレジストは、溶剤型剥離剤（ｓｏｌｖｅｎｔ  ｓｔｒｉｐｐｅｒｓ）によって除去され得る。ネガ型フォトレジストは、塩素化炭化水素、フェノール、クレゾール、芳香族アルデヒド、ならびにグリコールエーテルおよびグリコールエステルなどの溶剤型剥離剤で処理することによって除去され得る。場合によっては、レジストは、苛性の剥離剤（ｃａｕｓｔｉｃ  ｓｔｒｉｐｐｅｒｓ）による処理によって除去される。
【００６７】
４．グラデーションマスク
フォトレジストマスクの製造は、画像形成および電子の技術分野で周知である。任意の従来の方法を用いて、マスクを作製することができる。マスクは、必要な解像度および構造的完全性を与える限り、無機または有機の任意の従来の材料で作製され得る。
【００６８】
マスクは、光透過性領域および不透明領域、ならびにそれらの間の半透過性領域を有するようにパターン形成される。半透過性領域は、ハーフトーン画像形成の技術分野において公知のようにスクリーンまたはメッシュパターンを用いて作製することができる。図１〜３は、いくつかの例示的なグラデーションマスクの断面の概略図を示す。図１において、マスク１０は、光透過性領域１１および不透明領域１２を有する。領域１１と領域１２との間に半透過性領域１３がある。この実施形態において、半透過性領域１３は均質であり、領域全体にわたって同じレベルの透明性を有する。グラデーションマスクの別の実施形態が図２に示される。マスク２０は、光透過性領域２１、不透明領域２２、および半透過性領域２３を有する。この場合、領域２３の透明性は、より透明性の低い隣接領域２２からより透明性の高い隣接領域２１まで徐々に変化する。グラデーションマスクの別の実施形態が、図３に示される。マスク３０は、光透過性領域３１、不透明領域３２、および半透過性領域３３を有し、ここで、半透過性領域はまた、異なるパターンを用いて徐々に変化する透明性を有する。半透過性領域の変化に対する透明性の他のパターンを用いて、徐々に変化する透明性の領域を得ることができること、ならびに透明性の変化のレベルおよび／または勾配は、図に示されるものと異なっていてもよいことが理解されるであろう。
【００６９】
５．バックプレーンおよびバンク構造体
有機電子デバイス用の新規なバックプレーンが本明細書に記載される。このバックプレーンは、溶液処理によってデバイスを形成するのに特に有用である。このバックプレーンは、
ＴＦＴ基板と；
複数の電極構造体と；
電極構造体に複数のピクセル開口を画定するバンク構造体とを含み；
このバンク構造体は、ピクセル開口に隣接する高さｈAと、ピクセル開口から離れた高さｈRとを有し、ｈAはｈRより大幅に低い。このバンク構造体は、有機または無機のいずれかであり得る。
【００７０】
本明細書において使用される場合、用語「大幅に低い」は、ｈA≦０．７５（ｈR）であるように値が少なくとも２５％以下であることを示す。ある実施形態において、ｈA≦０．５０（ｈR）である。ある実施形態においてｈA≦０．１０（ｈR）である。
【００７１】
図４は、図１のマスクを用いて作製されたバックプレーンの断面の図を示す。バックプレーンは、ＴＦＴ基板１１０、電極１２０、ならびにバンク１４０およびピクセル開口１５０で構成されたバンク構造体を含む。バンクは、ピクセル開口に隣接する部分１４１およびピクセル開口から離れた部分１４２を有する。ｈAとして示される、隣接部分１４１の高さは、ｈRとして示される、離れた部分１４２の高さよりかなり低い。図１のマスクは、均一な透明性を有する半透過性領域を有するため、バンクは、ＴＦＴ基板に実質的に平行な隣接部分１４１を有する輪郭を有する。隣接部分１４１の高さｈAは、隣接部分の任意の箇所における、隣接部分の上縁と基板の表面との間の距離とみなされる。
【００７２】
図５は、図２または３のマスクを用いて作製されたバックプレーン２００の断面の図を示す。バックプレーンは、ＴＦＴ基板２１０、電極２２０、ならびにバンク２４０およびピクセル開口２５０で構成されたバンク構造体を含む。バンクは、ピクセル開口に隣接する部分２４１およびピクセル開口から離れた部分２４２を有する。ｈAとして示される、隣接部分２４１の高さは、ｈRとして示される、離れた部分２４２の高さよりかなり低い。図２および３のマスクは、徐々に変化する透明性を有する半透過性領域を有するため、バンクは、離れた部分２４２に隣接するより高いレベルから始まりピクセル開口に隣接するより低いレベルへと傾斜している隣接部分２４１を有する輪郭を有する。隣接部分２４１の高さｈAは、離れた部分とピクセル開口との間の隣接部分の中間点における、隣接部分の上縁と基板の表面との間の距離とみなされる。
【００７３】
ある実施形態において、バンク高さｈAは、約０．５〜３．０ミクロン；ある実施形態において１〜２ミクロンの範囲にある。ある実施形態において、バンク高さｈRは、約１００〜５０００Å；ある実施形態において、５００〜４０００Åの範囲にある。
【００７４】
６．電子デバイスの形成方法
本明細書に記載のバックプレーンは、有機活性材料用の液相堆積技術に特に適している。
【００７５】
液相堆積技術が従来のバンク構造体とともに使用される場合、活性材料を含む、得られるフィルムは、ピクセル開口にわたって不均一な輪郭を有し得る。そのような不均一な輪郭の例が図６に示される。バンク３に囲まれた電極２を有するＴＦＴ基板１が示される。活性（ａｃｔｉｖｅ）ピクセル開口が５として示される。活性材料が液体として堆積される場合、得られる乾燥フィルム６は、ピクセル開口５全体にわたって均一な厚さを有さない。活性フィルムは、９で示されるウェルの縁部においてより厚くなっている。
【００７６】
図７は、本明細書に記載の新規のバックプレーン上に堆積される活性材料のフィルムの輪郭を示す。ＴＦＴ基板３１０は、ピクセル開口に隣接する部分３４１およびピクセル開口から離れた部分３４２を有する周囲のバンク構造体を有する電極３２０を有する。ピクセル開口の活性領域が３５０として示される。活性材料のフィルムが３６０として示される。フィルム３６０は、ウェルの外縁においていくらか厚くなった領域を有するが、ピクセル開口の活性領域の厚さはほぼ均一である。放射領域において均一な活性材料を形成することの利点は、より良好な色の安定性およびより良好なパネル寿命に寄与し得る均一な放射を提供することである。
【００７７】
電子デバイスを形成するための例示的プロセスは、液相堆積技術を用いて、本明細書に記載のバックプレーンのピクセルウェルに１つまたは複数の有機活性層を形成することを含む。ある実施形態において、１つまたは複数の光活性層および１つまたは複数の電荷輸送層がある。次に、通常、気相堆積技術によって、第２の電極が有機層上に形成される。電荷輸送層および光活性層の各々が、１つまたは複数の層を含み得る。別の実施形態において、徐々にすなわち連続的に変化する組成を有する単一層が、別個の電荷輸送層および光活性層の代わりに用いられてもよい。
【００７８】
例示的実施形態において、バックプレーンの電極はアノードである。ある実施形態において、緩衝材料を含む第１の有機層が、液相堆積によって適用される。ある実施形態において、正孔輸送材料を含む第１の有機層が、液相堆積によって適用される。ある実施形態において、緩衝材料を含む第１の層および正孔輸送材料を含む第２の層が連続して形成される。バッファ層および／または正孔輸送層が形成された後、光活性層が液相堆積によって形成される。赤色、緑色、または青色発光材料を含む、異なる光活性組成物が、異なるピクセル領域に適用されて、フルカラーのディスプレイが形成され得る。光活性層が形成された後、電子輸送層が気相堆積によって形成される。電子輸送層が形成された後、任意選択の電子注入層および次にカソードが気相堆積によって形成される。
【００７９】
用語「バッファ層」または「緩衝材料」は、導電性材料または半導体材料を意味することを意図しており、下位層の平坦化、電荷輸送特性および／または電荷注入特性、酸素または金属イオンなどの不純物の捕捉（ｓｃａｖｅｎｇｉｎｇ）、および有機電子デバイスの性能を促進または改良するための他の態様を含むがこれらに限定されるものではない、有機電子デバイスの１つまたは複数の機能を有していてもよい。緩衝材料は、ポリマー、オリゴマー、または小分子であってもよく、溶液、分散体、懸濁液、エマルジョン、コロイド混合物、または他の組成物の形態であってもよい。
【００８０】
バッファ層は、ポリアニリン（ＰＡＮＩ）またはポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）などのポリマー材料（これらはプロトン酸でドープされることが多い）で形成することができる。プロトン酸は、たとえば、ポリ（スチレンスルホン酸）、ポリ（２−アクリルアミド−２−メチル−１−プロパンスルホン酸）などであり得る。バッファ層は、銅フタロシアニンおよびテトラチアフルバレン−テトラシアノキノジメタン系（ＴＴＦ−ＴＣＮＱ）などの電荷輸送化合物などを含み得る。一実施形態において、バッファ層は、導電性ポリマーおよびコロイド形成性ポリマー酸の分散体から作製される。そのような材料は、たとえば、米国特許出願公開第２００４−０１０２５７７号明細書、同第２００４−０１２７６３７号明細書、および同第２００５−０２０５８６０号明細書に記載されている。バッファ層は、典型的に、約２０〜２００ｎｍの範囲の厚さを有する。
【００８１】
用語「正孔輸送」は、層、材料、部材、または構造体について言及される場合、そのような層、材料、部材、または構造体が、比較的効率的かつ少ない電荷損失で、そのような層、材料、部材、または構造体の厚さを通過する正電荷の移動を促進することを意味することを意図している。発光材料がいくらかの電荷輸送特性を有していることもあるが、用語「電荷輸送層、材料、部材、または構造体」は、主な機能が発光である層、材料、部材、または構造体を含むことを意図していない。
【００８２】
電荷輸送層の正孔輸送材料の例は、たとえば、Ｙ．Ｗａｎｇによる「Ｋｉｒｋ  Ｏｔｈｍｅｒ  Ｅｎｃｙｃｌｏｐｅｄｉａ  ｏｆ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ」、第４版、第１８巻、８３７−８６０頁（１９９６年）にまとめられている。正孔輸送分子とポリマーとの両方を使用することができる。慣用的に使用される正孔輸送分子としては、：４，４’，４”−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニル−アミノ）−トリフェニルアミン（ＴＤＡＴＡ）；４，４’，４”−トリス（Ｎ−３−メチルフェニル−Ｎ−フェニル−アミノ）−トリフェニルアミン（ＭＴＤＡＴＡ）；Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（ＴＰＤ）；１，１−ビス［（ジ−４−トリルアミノ）フェニル］シクロヘキサン（ＴＡＰＣ）；Ｎ，Ｎ’−ビス（４−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（４−エチルフェニル）−［１，１’−（３，３’−ジメチル）ビフェニル］−４，４’−ジアミン（ＥＴＰＤ）；テトラキス−（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−２，５−フェニレンジアミン（ＰＤＡ）；α−フェニル−４−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノスチレン（ＴＰＳ）；ｐ−（ジエチルアミノ）ベンズアルデヒドジフェニルヒドラゾン（ＤＥＨ）；トリフェニルアミン（ＴＰＡ）；ビス［４−（Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ）−２−メチルフェニル］（４−メチルフェニル）メタン（ＭＰＭＰ）；１−フェニル−３−［ｐ−（ジエチルアミノ）スチリル］−５−［ｐ−（ジエチルアミノ）フェニル］ピラゾリン（ＰＰＲまたはＤＥＡＳＰ）；１，２−ｔｒａｎｓ−ビス（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）シクロブタン（ＤＣＺＢ）；Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−メチルフェニル）−（１，１’−ビフェニル）−４，４’−ジアミン（ＴＴＢ）；Ｎ，Ｎ’−ビス（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ビス−（フェニル）ベンジジン（α−ＮＰＢ）；および銅フタロシアニンなどのポルフィリン化合物が挙げられるが、これらに限定されるものではない。慣用的に使用される正孔輸送ポリマーとしては、ポリビニルカルバゾール、（フェニルメチル）ポリシラン、ポリ（ジオキシチオフェン）、ポリアニリン、およびポリピロールが挙げられるが、これらに限定されるものではない。前述のような正孔輸送分子を、ポリスチレンおよびポリカーボネートなどのポリマー中にドープすることによって正孔輸送ポリマーを得ることも可能である。正孔輸送層は、典型的に、約４０〜１００ｎｍの範囲の厚さを有する。
【００８３】
用語「光活性」は、電圧を印加することによって励起されたときに発光する材料（発光ダイオードまたは化学電池中など）、あるいは放射エネルギーに応答し、印加バイアス電圧を使用しまたは使用せずに信号を発生する材料（光検出器中など）を意味する。任意の有機エレクトロルミネッセンス（「ＥＬ」）材料を光活性層に使用することができ、そのような材料は当該技術分野で周知である。そのような材料としては、小分子有機蛍光化合物、蛍光性およびリン光性の金属錯体、共役ポリマー、ならびにそれらの混合物が挙げられるが、これらに限定されるものではない。光活性材料は、単独で、あるいは１つまたは複数のホスト材料との混合物として存在し得る。蛍光化合物の例としては、ナフタレン、アントラセン、クリセン、ピレン、テトラセン、キサンテン、ペリレン、クマリン、ローダミン、キナクリドン、ルブレン、それらの誘導体、およびそれらの混合物が挙げられるが、これらに限定されるものではない。金属錯体の例としては、トリス（８−ヒドロキシキノラト）アルミニウム（Ａｌｑ3）などの金属キレート化オキシノイド化合物；Ｐｅｔｒｏｖらの米国特許第６，６７０，６４５号明細書ならびにＰＣＴ出願公開の国際公開第０３／０６３５５５号パンフレットおよび国際公開第２００４／０１６７１０号パンフレットに開示されるようなフェニルピリジン、フェニルキノリン、またはフェニルピリミジンの配位子を有するイリジウム錯体などの、シクロメタレート化されたイリジウムおよび白金のエレクトロルミネッセンス化合物、ならびに、たとえば、ＰＣＴ出願公開の国際公開第０３／００８４２４号パンフレット、国際公開第０３／０９１６８８号パンフレット、および国際公開第０３／０４０２５７号パンフレットに記載されるような有機金属錯体、ならびにそれらの混合物が挙げられるが、これらに限定されるものではない。共役ポリマーの例としては、ポリ（フェニレンビニレン）、ポリフルオレン、ポリ（スピロビフルオレン）、ポリチオフェン、ポリ（ｐ−フェニレン）、それらのコポリマー、およびそれらの混合物が挙げられるが、これらに限定されるものではない。光活性層１９１２は、典型的に、約５０〜５００ｎｍの範囲の厚さを有する。
【００８４】
「電子輸送」は、層、材料、部材または構造体について言及される場合、そのような層、材料、部材または構造体を通過して別の層、材料、部材または構造体への負電荷の移動を促進または容易にするそのような層、材料、部材または構造体を意味する。任意選択の電子輸送層に用いられ得る電子輸送材料の例としては、トリス（８−ヒドロキシキノラト）アルミニウム（ＡｌＱ）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（ｐ−フェニルフェノラト）アルミニウム（ＢＡｌｑ）、テトラキス−（８−ヒドロキシキノラト）ハフニウム（ＨｆＱ）およびテトラキス−（８−ヒドロキシキノラト）ジルコニウム（ＺｒＱ）などの金属キレート化オキシノイド化合物；ならびに２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（ＰＢＤ）、３−（４−ビフェニリル）−４−フェニル−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール（ＴＡＺ）、および１，３，５−トリ（フェニル−２−ベンズイミダゾール）ベンゼン（ＴＰＢＩ）などのアゾール化合物；２，３−ビス（４−フルオロフェニル）キノキサリンなどのキノキサリン誘導体；４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（ＤＰＡ）および２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（ＤＤＰＡ）などのフェナントロリン；ならびにそれらの混合物が挙げられる。電子輸送層は、典型的に、約３０〜５００ｎｍの範囲の厚さを有する。
【００８５】
本明細書において使用される場合、用語「電子注入」は、層、材料、部材、または構造体について言及される場合、そのような層、材料、部材、または構造体が、比較的効率的かつ少ない電荷損失で、そのような層、材料、部材、または構造体の厚さを通過する負電荷の移動を促進することを意味することを意図している。任意選択の電子輸送層は無機であってもよく、ＢａＯ、ＬｉＦ、またはＬｉ2Ｏを含んでもよい。電子注入層は、典型的に、約２０〜１００Åの範囲の厚さを有する。
【００８６】
カソードは、第１族金属（たとえば、Ｌｉ、Ｃｓ）、第２族（アルカリ土類）金属、ランタニドおよびアクチニドを含む希土類金属から選択され得る。カソードは、約３００〜１０００ｎｍの範囲の厚さを有する。
【００８７】
封入層が、アレイならびに周囲の離れた回路にわたって形成されて、ほぼ完成した電気デバイスが形成され得る。
【００８８】
概要または実施例において前述したすべての行為が必要なわけではなく、特定の行為の一部は不要である場合があり、１つまたは複数のさらに別の行為が、前述の行為に加えて実施される場合があることに留意されたい。さらに、行為が列挙されている順序は、必ずしもそれらが実施される順序ではない。
【００８９】
以上の明細書において、具体的な実施形態を参照しながら本発明の概念を説明した。しかし、当業者であれば、特許請求の範囲に記載される本発明の範囲から逸脱せずに種々の変更および変形を行えることが理解できるであろう。したがって、本明細書および図面は、限定的な意味ではなく説明的なものであるとみなすべきであり、すべてのこのような変更は、以下の特許請求の範囲内に含まれることを意図している。
【００９０】
特定の実施形態に関して、利益、その他の利点、および問題に対する解決法を以上に記載してきた。しかし、これらの利益、利点、問題の解決法、ならびに、何らかの利益、利点、または解決法を発生させたり、より顕著にしたりすることがある、あらゆる特徴が、特許請求の範囲のいずれかまたはすべての重要な、必要な、または本質的な特徴として解釈されるものではない。
【００９１】
別々の実施形態の状況において、明確にするために本明細書に記載されている特定の複数の特徴は、１つの実施形態の中で組み合わせても提供できることを理解されたい。逆に、簡潔にするため１つの実施形態の状況において説明した種々の特徴も、別々に提供したり、あらゆる副次的な組み合わせで提供したりすることができる。さらに、範囲で記載された値への言及は、その範囲内のあらゆる値を含む。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【国際調査報告】
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