(57)【要約】  本発明は、基板位置において低圧原子層堆積に使用するためのガス供給デバイスに関する。このデバイスは、処理ゾーン（２２）に処理ガスを供給するための第１の概して細長い注入器（２１）と、処理ゾーン（２２）の周囲にある第１の排出ゾーン（２３）と、処理ゾーンを包囲する出口において、パージガス又は不活性ガスを供給するための、第１の排出ガスの周囲にあるさらなる注入器であって、少なくとも１つの部分ガスシール部を画定するための出口の周囲にある基板位置に対面する壁を有するさらなる注入器とを含む。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板位置での低圧原子層堆積に使用するためのガス供給デバイスであって、
処理ゾーンに処理ガスを供給するための第１の概して細長い注入器と、
処理ゾーンの周囲にある第１の排出ゾーンと、
処理ゾーンを包囲する出口において、パージガス又は不活性ガスを供給するための、第１の排出ガスの周囲にあるさらなる注入器であって、少なくとも１つの部分ガスシール部を画定するための出口の周囲にある基板位置に対面する壁を有するさらなる注入器と、
を含む、
デバイス。
【請求項２】
内部及び外部のパージガス注入器によって画定され、かつさらなる排出領域内部に画定される活性領域（プラズマ／ＵＶ又は熱線の励起作用）が存在する、
請求項１に記載のデバイス。
【請求項３】
処理領域が、典型的には高さ１０ｍｍ〜４０ｍｍである、
請求項１又は２に記載のデバイス。
【請求項４】
さらに、さらなる注入器の周囲にあるさらなるガス排出領域を含む、
請求項１〜４のいずれか１項に記載のデバイス。
【請求項５】
ガス供給デバイスであって、
処理チャンバ内に置くことができ、かつ、
ガス処理領域を画定するように、その周囲全体の周りにガスシール部を有する
ガス供給デバイス。
【請求項６】
基板上に層を形成するための低圧原子層堆積装置であって、
少なくとも１つのガス注入器と、
請求項１〜５のいずれか１項に記載の少なくとも１つのガス供給デバイスと、
を有する処理チャンバと、
基板を、処理チャンバの周りに、かつガス供給デバイスの処理領域を通って移動させるための回転可能支持体と、
を含む、
装置。
【請求項７】
さらに、ガス供給デバイスを作動状態又は非作動状態にするための制御機構を含み、それにより、基板が、基板上で行われるべき処理に応じて、チャンバ内において単独で、又はガス供給デバイスから処理チャンバに順次に、若しくは逆もまた同様に、処理されることができる、
請求項６に記載の装置。
【請求項８】
少なくとも部分的に、幅約１．５ｍｍ〜約３ｍｍの通路によって構成される部分ガスシール部により、反応ゾーン同士の間で１０，０００ｐｐｍ未満の閉じ込め作用をもたらす、
請求項５〜７のいずれか１項に記載の装置。
【請求項９】
部分ガスシール部が、少なくとも部分的に、長さ約３０ｍｍ〜約１００ｍｍの通路によって構成される、
請求項５〜７のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１０】
通路が、
長さ約６０ｍｍ〜約１００ｍｍであり、
幅約１５ｍｍ〜３ｍｍである、
請求項９に記載の装置。
【請求項１１】
部分ガスシール部が、反応ゾーン同士の間で１０，０００ｐｐｍ未満の閉じ込め作用をもたらす、
請求項５〜７のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１２】
前記処理領域での圧力が、前記チャンバ内の圧力の約±５０％の範囲を出ない、
請求項５〜１０のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１３】
さらなる注入器でのガスの速度が、少なくとも約５０ｍ／ｓである、
請求項５〜１１のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１４】
処理チャンバから分離処理領域を画定するための全周シール作用を有するガス供給デバイスと、処理チャンバの周りにかつ処理領域を通って基板を移動させるための回転可能支持体とを含む処理チャンバ内において、原子層堆積を行う方法であって、
基板が、この方法の少なくとも一部の間に、チャンバ及び処理領域内の両方において処理される、
方法。
【請求項１５】
ガス供給デバイスが、支持体の１回転又はそれ以上の回転の間に停止される、
請求項７に記載の方法。
【請求項１６】
処理ガスが、処理チャンバに供給される、
請求項１４に記載の方法。
【請求項１７】
プラズマ／ＵＶ又は熱線の励起によって励起された処理ガスが、処理チャンバに供給される、
請求項１４に記載の方法。
【請求項１８】
処理チャンバが、プラズマ、ＵＶ又は熱線の励起源を含む、
請求項１４〜１６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１９】
パージガスが、処理チャンバに供給される、
請求項１４〜１７のいずれか１項に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、低圧原子層堆積に使用するためのガス供給デバイス及び処理チャンバと、低圧原子層堆積を行う方法とに関する。
【背景技術】
【０００２】
原子層堆積（ＡＬＤ）の処理は周知である。その処理は、本質的に、最初の単分子層が基板の表面に化学的に吸収されるような化学的な層を堆積することと、その後、同じでも又は互いに異なる化学的性質であってもよいさらなる単分子層を構築することができるように、処理チャンバを浄化するのに使用されることもできるパージガスを使用して、過剰な材料を吹き飛ばすこととを含む。
【０００３】
ＡＬＤを、大気及び低圧の両方で行うことができる。大気圧において、克服されるべき大気圧のために、多量のガスが供給されなければならず、結果として生じるガスの流速は、基板が処理ガスの線又は円錐を確認する傾向となり、基板は、処理ガスの下を次第に通過する。それに対して、低圧において、より遅い流速でより少量のガスを供給することができ、それにより、ガスが拡散されることが可能になり、それにより、基板の表面の全体までを、同時に処理することができる。したがって、経済性及び均一性の理由のために、低圧ＡＬＤにおいて著しい利点があるが、互いに全く異なる流れの特徴により、大気ＡＬＤのために開発された方法及び技術を低圧ＡＬＤの構成に自動的に組み込むことができなくなる。
【０００４】
今日まで、大気であろうと低圧であろうと大抵のＡＬＤは、単一のウェーハ上で作用する。大抵の堆積処理と同様に、均一性が維持されることが提供されるバッチ処理を達成することができるならば、かなりの経済的な利点がある。
【０００５】
様々なアプローチが提案されており、それにより、バッチＡＬＤが達成されるであろう。特許文献１は典型的でない例ではなく、他のアプローチを特許文献２において理解することができる。各特許文献は、ウェーハが様々な処理セクタによって円形の進路に沿って進むことを想定している。この構成において、ウェーハの処理は、行われる最も遅い処理によってもっぱら決定され、使用時における柔軟性がほとんどない。さらに、注入器セクタは発散的であり、実際には、セクタの小さい部分のみが使用され、又は著しい均一性の課題が存在する。類似する構成が特許文献３に提案される一方で、特許文献４は、線形アプローチを提案している。
【０００６】
他の試みが特許文献５に示される。これは、単一のチャンバ内において複数のシャワヘッドを使用し、不活性ガスが供給される中間シャワヘッドを有することによって活性処理領域を分離することを試み、処理ガス同士の間の反応を行うことができる。提案された構成が実際に実用的であるかは、全くわからない。そのような技術を使用するチャンバを直径方向に横断する全直径アルゴン‘カーテン’を実現させることは、著しく困難であることがわかるからである。
【０００７】
１９８９年まで遡って、例えば特許文献６を見ると、ＣＶＤのための線形注入器がガスを処理領域に供給し、その後にこの処理領域の両側に排出することができるものであることが、公知となっている。不活性ガス又はパージガスを、処理領域の両側に供給することができる。線形注入器の最も洗練された構成はおそらく、特許文献７に示されている。“シーリング”が、扱われている基板の移動の線形方向でのみ説明されることに留意する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】米国特許第６８２１５６３号明細書
【特許文献２】米国特許第７１０４４７６号明細書
【特許文献３】米国特許出願公開第２００５／００８４６１０号明細書
【特許文献４】米国特許出願公開第２００７／００７３５６号明細書
【特許文献５】米国特許第６９０２６２０号明細書
【特許文献６】米国特許第４８３４０２０号明細書
【特許文献７】米国特許第６２００３８９号明細書
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００９】
１つの態様から、本発明は、基板位置での低圧原子層堆積に使用するためのガス供給デバイスであって、
処理ゾーンに処理ガスを供給するための第１の概して細長い注入器と、
処理ゾーンの周囲にある第１の排出ゾーンと、
処理ゾーンを包囲する出口において、パージガス又は不活性ガスを供給するための、第１の排出ガスの周囲にあるさらなる注入器であって、少なくとも１つの部分ガスシール部を画定するための出口の周囲にある基板位置に対面する壁を有するさらなる注入器と、
を含む、
デバイスから構成される。
【００１０】
この仕様のために、部分ガスシール部は、漏れが１０，０００ｐｐｍ未満のものである。
【００１１】
好ましくは、注入器は、ポートの１又は複数の線を有し、処理領域は、処理ガスの拡散を可能にするように高さ１５〜２５ｍｍであることができ、それにより、基板は、処理ガスの均一な雲又は霧を効果的に確認することができる。
【００１２】
内部の及び外部のパージガス注入器によって画定されるプラズマ領域が存在してもよく、プラズマ領域は、部分ガスシール部の内側にあってもよい。
【００１３】
装置はさらに、さらなる注入器の周囲にあるさらなるガス排出領域を含んでもよい。
【００１４】
他の態様から、本発明は、ガス供給デバイスであって、処理チャンバ内に置くことができ、かつ、その周囲全体の周りにガスシール部を有するガス供給デバイスを含んでもよい。
【００１５】
デバイスはさらに、さらなる注入器の周囲にあるさらなるガス排出領域を含んでもよい。
【００１６】
さらなる態様から、本発明は、
少なくとも１つのガス注入器と、
上記記載で画定されたような少なくとも１つのガス供給デバイスと、
を有する処理チャンバと、
基板を、処理チャンバの周りに、かつガス供給デバイスの処理領域を通って移動させるための回転可能支持体と、
を含む基板上に層を形成するための低圧原子層堆積装置から構成される。
【００１７】
装置はさらに、ガス供給デバイスを作動状態又は非作動状態にするための制御機構を含んでもよく、それにより、基板が、基板上で行われるべき処理に応じて、チャンバ内において単独で、又はガス供給デバイスから処理チャンバに順次に、若しくは逆もまた同様に、処理されることができる。
【００１８】
部分ガスシール部を、少なくとも部分的に、幅約１．５ｍｍ〜約３ｍｍの通路によって構成することができる。この通路を、使用中に、基板（例えば半導体ウェーハ）の表面と基板位置に対面する壁の面との間の距離によって画定することができる。好都合には、これら壁は、出口の両側に対称的に延びることができ、又は簡易に、出口の一側、好ましくは処理領域から最も遠い一側に延びることができる。
【００１９】
部分ガスシール部を、少なくとも部分的に、長さ約３０ｍｍ〜約１００ｍｍの上述のような通路、特に好都合には、長さ約６０ｍｍ〜約１００ｍｍかつ幅約１．５ｍｍ〜約３ｍｍの通路によって構成することができる。これらの寸法は、処理ガス又はパージガスとして使用されている１又は複数のガスの分子のサイズに応じていくらか変わることができる。これらの寸法は、前記ゾーンと前記チャンバとの間のガス圧力及び圧力差に応じて拡大及び縮小することが可能である。
【００２０】
好ましくは、処理領域内の圧力は、チャンバ内の圧力の約１３３．３Ｐａ（１Ｔｏｒｒ）から±約３０Ｐａ（＋／−０．２５Ｔｏｒｒ）の範囲を出ない。
【００２１】
さらなる注入器においてガスの速度は、少なくとも約５０ｍ／ｓであることができる。この速度又は流速は、ガス供給システムの排出能力を超えるべきでない。
【００２２】
さらなる態様から、本発明は、処理チャンバから分離処理領域を画定するための全周シール作用を有するガス供給デバイスと、処理チャンバの周りにかつ処理領域を通って基板を移動させるための回転可能支持体とを含む処理チャンバ内において、低圧原子層堆積を行う方法であって、この方法では、基板が、この方法の少なくとも一部の間に、チャンバ及び処理領域内の両方において処理される方法から構成される。
【００２３】
例えば、ガス供給デバイスを、支持体の１回転又はそれ以上の回転の間に停止することができる。このことにより、基板例えば半導体ウェーハが、所望の期間にわたって処理チャンバ内で処理ガスに露出され、その後に処理領域内で後続の処理をすることが可能になる。このことは、処理時間が著しく不均一なときに、バッチでのウェーハの処理の特に有用なやり方である。したがって、処理ガスを処理チャンバに供給することができ、又は過剰な堆積物を取り除くためのパージガスを処理チャンバに供給することができ、この場合に、ガス供給デバイスは、他の１又は複数の処理を行うことができる。
【００２４】
ガス供給デバイスの周りに完全シール部が存在するときに、処理同士の間の相互汚染は、発生すべきでない。
【００２５】
本発明は上記記載において画定されているが、本発明が上記記載に示された特徴又は以下の記載にある特徴のあらゆる発明的な組み合わせを包含することが、理解されるべきである。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】本発明の特に簡易な実施形態の平面図。
【図２】さらに複雑なバッチ処理機の対応する平面図。
【図３】バッチ処理機のさらなる実施形態のさらに詳細な概略図。
【図４】図５のＩＶ−ＩＶ線に沿った、ガス供給デバイスの略断面図。
【図５】平面図。
【図６−１】シール作用の有効性に対する様々なパラメータの変化の結果を示すグラフであって、図４に示されたガス供給デバイスの区域でのシミュレーションモデルの結果を図示する一連のグラフである。左方の軸から延びかつ降下している線は、処理領域の中心からの位置でのＴｉＣｌ４の濃度を示し、右から左に降下している他の線は、ＮＨ３の濃度である。
【図６−２】シール作用の有効性に対する様々なパラメータの変化の結果を示すグラフであって、図４に示されたガス供給デバイスの区域でのシミュレーションモデルの結果を図示する一連のグラフである。左方の軸から延びかつ降下している線は、処理領域の中心からの位置でのＴｉＣｌ４の濃度を示し、右から左に降下している他の線は、ＮＨ３の濃度である。
【図７】シール作用の有効性に対する様々なパラメータの変化の結果を示すグラフであって、図４に示されたガス供給デバイスの区域でのシミュレーションモデルの結果を図示する一連のグラフである。左方の軸から延びかつ降下している線は、処理領域の中心からの位置でのＴｉＣｌ４の濃度を示し、右から左に降下している他の線は、ＮＨ３の濃度である。
【図８−１】シール作用の有効性に対する様々なパラメータの変化の結果を示すグラフであって、図４に示されたガス供給デバイスの区域でのシミュレーションモデルの結果を図示する一連のグラフである。左方の軸から延びかつ降下している線は、処理領域の中心からの位置でのＴｉＣｌ４の濃度を示し、右から左に降下している他の線は、ＮＨ３の濃度である。
【図８−２】シール作用の有効性に対する様々なパラメータの変化の結果を示すグラフであって、図４に示されたガス供給デバイスの区域でのシミュレーションモデルの結果を図示する一連のグラフである。左方の軸から延びかつ降下している線は、処理領域の中心からの位置でのＴｉＣｌ４の濃度を示し、右から左に降下している他の線は、ＮＨ３の濃度である。
【図９】シール作用の有効性に対する様々なパラメータの変化の結果を示すグラフであって、図４に示されたガス供給デバイスの区域でのシミュレーションモデルの結果を図示する一連のグラフである。左方の軸から延びかつ降下している線は、処理領域の中心からの位置でのＴｉＣｌ４の濃度を示し、右から左に降下している他の線は、ＮＨ３の濃度である。
【図１０】シール作用の有効性に対する様々なパラメータの変化の結果を示すグラフであって、図４に示されたガス供給デバイスの区域でのシミュレーションモデルの結果を図示する一連のグラフである。左方の軸から延びかつ降下している線は、処理領域の中心からの位置でのＴｉＣｌ４の濃度を示し、右から左に降下している他の線は、ＮＨ３の濃度である。
【図１１】ガス供給デバイスの別の実施形態に関する、図３に対応する図。
【図１２】ガス供給デバイスの別の実施形態に関する、図４に対応する図。
【図１３】プラズマ処理段階の組み込みを図示するガス供給デバイスの概略図。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
本発明を、添付の図面を参照しつつ、例としてこれより説明される様々なやり方及び特定の実施形態で実施することができる。
【００２８】
図１は、低圧ＡＬＤの使用に適した装置１０を図示する。装置１０は処理チャンバ１１を有し、処理チャンバ１１は、参照番号１２で概して示された標準ロードロック構造を通して供給されることができ、それにより、ウェーハを自動的に、チャンバ１１に入れ、かつチャンバ１１から取り除くことができる。放出器１３は、チャンバ１１内部に延びる。チャンバ１１は、ポンプポート１４を通して排気される。典型的な圧力は、約６６．６６〜約１３３３Ｐａ（０．５〜１０Ｔｏｒｒ）の範囲内である。
【００２９】
以下でさらに詳細に説明されるように、注入器１３の注入器デバイス１５は、処理ガスを供給するための主要要素であり、この要素は、ガスが処理チャンバからガス供給デバイス１５の中央処理領域に入ることができず、処理ガスがガス供給デバイス１５から処理チャンバ１１内部に漏れることもできないという意味では、主処理チャンバ１１から３６０°にわたり効果的にシールされている。矢印Ａで概略的に示されるように、処理チャンバは、この分野で周知であるタイプの回転可能支持体を含み、半導体ウェーハなどの基板１６は、ガス供給デバイス１５の下を通過するように、回転可能支持体上に位置しかつチャンバの周りに回転されることができる。ガス供給デバイス１５を作動状態又は非作動状態にするために制御機構１７が設けられ、制御機構１７は、支持体の回転速度及びロードロック１２の作用などの、装置１０の他の態様を制御することもできる。
【００３０】
処理チャンバ１１には、１つ又は複数の処理ガス入口を設けることができ、そのうちの１つは、参照番号１８で概略的に説明される。
【００３１】
使用中に、ウェーハを、バッチで支持体の上に導入し、チャンバ１１の周りを回転させることができる。目的とされる化学的性質に応じて、チャンバ１１が処理の少なくともいくつかの段階でパージガスを容れることができ、ガス供給デバイス１５が処理の様々な段階で作動状態であってもよいし、又は作動状態でなくてもよい。
【００３２】
例として、ＴｉＮは、まず基盤１６の表面をＮＨ３で処理することにより堆積されることができ、その後に引き続いてＴｉＣｌ４に露出される。ＮＨ３への通常の露出は１秒以上である一方で、ＴｉＣｌ４への０．１秒未満の露出が必要とされる。このことは、初めにガス供給システムを停止し、所望の期間にわたって処理チャンバ１１にＮＨ３を供給し、その後にＴｉＣｌ４を供給するためにガス供給デバイス１５を起動することによって、チャンバ１１内で非常に便利に達成されることができる。例えばＴｉＣｌ４の濃度を変更することによって、１回転以内のタイミングとバランスを取ることが多くの場合にできるであろう。この場合では、ＮＨ３を永久に残しておくことができる。確実にウェーハが処理の最初の部分の間にガス供給システム１５の下に位置しないように、又は確実に支持体がガス供給デバイス１５に対応する間隙に関して不変であることができるように、ウェーハを、全ての段階の間で回転することができる。
【００３３】
先行技術で説明された装置では、そのような大きな露出の相違は、調節することが困難である。しかしながら、本発明の装置は、ガスの堆積期間が互いに類似する処理を互いに等しく良好に調節することができことが、同様に理解されることになる。装置を、基板１６がガス供給デバイス１５から出てくるときに、過剰な材料を取り除くパージガスで満たすことができる処理チャンバ１１と共に使用することもできる。
【００３４】
図２では、同種類の構成が示されるが、複数のガス供給デバイスを有することの可能性が図示される。
【００３５】
図３は、標準のチャンバ及びロードロックを利用する図１及び図２よりもむしろ、目的のために具体的に構成されている実施形態の装置１０を図示する。具体的には、回転可能プラテン２０に５つのウェーハ１６を支持していることが図示されている。ロボットアーム１９は、ウェーハ１６をプラテン２０に、及びウェーハ１６をプラテン２０からロードロック１２に移送する。
【００３６】
ガス供給デバイス１５の特性は、図４及び図５においてさらに詳細に示される。ここでは、例えばＴｉＣｌ４の注入を可能にするための中央注入器２１が存在することが理解される。注入器２１は、処理領域又は処理ゾーン２２を画定し、排出ダクト２３によって包囲される。排出ダクト２３は次いで、矩形アルゴン入口２５を含む厚壁２４によって包囲される。
【００３７】
使用中に、ウェーハは、チャンバ１１から入口２６によって生成されたアルゴンのカーテンの下を通過し、壁２５の部分の下を通過し、排出ダクト２３を通り越して処理領域２２を、いわば右から左に通過し、その後ウェーハが再びチャンバ１１に到達するまで外部に向かって進み続ける。
【００３８】
大部分のＴｉＣｌ４が、包囲している排出ダクト２３によって排出されることが理解される。排気ダクト２３を越えて拡散するあらゆるものは次いで、通路２７を下方に通過しなくてはならず、入口２６によって生成されたアルゴンカーテンによって捕獲され、かつ排出ダクト２３に向かって追い返されやすい。ウェーハに対する損害又は過剰な引きずりを生成するリスクなしにできるだけ狭い通路の幅を作ることによって、任意の分子が通路の下方に漏れる可能性が、著しく減少される。通路の長さも、関係のある要素である。他の要素は、出口２６を通るアルゴンの流速である。
【００３９】
ＮＨ３に関する限りは、同じ基準の通路の寸法及び空気のカーテンにより、チャンバから処理領域２２を通しての拡散の可能性を減少させた。例え分子が通路２７の左手末端に達したとしても、分子は、排出ダクト２３によって排出されやすいであろう。
【００４０】
図６〜図１０は、チャンバ１１が約１３３．３Ｐａ（１Ｔ）の処理圧力及び３００℃のプラテン２０の温度でどのように作用するかを示し、処理領域２２からの存在又はチャンバ１１からの進入の百万分率は、上述のパラメータの変動と共に変わる。通路２７の幅である、壁２５の半分幅（セミシールとしても公知である）は、特に著しい違いを作り出すことができ、前記間隙でも同様に著しい違いを作り出すことができる。半分幅が大きければ大きいほど、より許容範囲である間隙が大きくなる。
【００４１】
一定の状況では、通路がアルゴン入口とチャンバ１１との間に延びることが必要であるにすぎない。このことは、処理領域内部へのガスのほんの低い流速の場合に特に当てはまり、通路が本質的に、ＮＨ３の進入を防ぐことが簡易に試されていた。
【００４２】
図１１及び図１２は、ガス供給デバイス１５のさらなる実施形態を図示する。ここで、ガス供給要素２１は、包囲矩形不活性ガス供給部２６によって画定される排出チャンバ２３内部にあり、包囲矩形不活性ガス供給部２６は次いで、周囲壁２９によって画定されるさらなる排出チャンバ２８内部にある。
【００４３】
図１１で理解できるように、使用中に、ガス供給装置１５を回転支持体２０のすぐ上に置くことができ、その結果、ウェーハ１６を、矢印Ｂによって示される方向に移動するように壁２９の底端部の下を通過させることができ、ウェーハ１６は、排出チャンバ２８を通過し、不活性ガス供給部２６の下を通過し、排出チャンバ２３を通過し、処理領域２２内部を通過し、供給部２１の下を通過する。処理領域２２は、ウェーハの少なくとも直径にわたって縦方向に延びるであろうが、一度に全部のウェーハ１６を収容するのに十分に大きくてもよく、又はウェーハの直径よりも狭くてもよい。
【００４４】
ウェーハは次いで、同じ方向にさらに進み続けて、デバイス１５から出て行く。
【００４５】
図１１で理解されるように、チャンバ２３，２８は、例えばポンプ１９に接続されることによって排気される。アルゴンは、不活性ガス入口２６に供給され、不活性ガス入口２６において、排出チャンバ２３の周りひいては処理領域の周りに効果的な不活性ガスのスクリーンを形成し、さらにパージガスとして作用することができる。壁２９の下（矢印Ｃ参照）を漏れるあらゆるガスは、チャンバ２８を通して排気され、若しくはアルゴンカーテンによって遮断され、又はそれらの両方が行われる。同様に、供給部２１に供給されるＴｉＣｌ４などの処理ガスは、処理領域２２を通過し、チャンバ２３を通して排出される。処理ガスが、アルゴンカーテンによって横方向に存在するのを防ぐ。
【００４６】
したがって、図５、図１１及び図１２の構成は、処理ガス２１の周りの３６０°シール作用を提供し、したがって、処理チャンバの残りの部分から処理領域２２を隔離する。この特徴は特に、上述の装置１０の使用の柔軟性を高める。図１３に図示されるようなさらに複雑なガス供給ヘッド１５を構成することによって、このように隔離する能力をさらに利用することもできる。ここで、参照番号３０において概して示されるプラズマ処理領域は、第１の浄化供給部３１によって包囲され、第２の浄化供給部３２によって処理領域２２から分離される。このように、所望のとおりに、事前のプラズマ処理又は事後のプラズマ処理を基板の表面に行うことができる。あるいは、この活性領域３０は、ＵＶ又は熱線の励起作用を提供することができる。同様に、そのような励起源を、処理ガスを励起するために、チャンバ１１内に設けることができる。
【００４７】
図５、図１１、図１２及び図１３を参照しつつ図示されかつ説明されるガス供給デバイス１５の原理を、様々な形状で組み込み、かつさらに複雑な連続の処理領域と組み合わせることができることが理解されるであろう。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６−１】
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【図６−２】
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【図７】
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【図８−１】
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【図８−２】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【国際調査報告】
2011528069.tif 000018
2011528069.tif 000019