(57)【要約】  イオンガイド（２）を形成する複数の電極１を含むイオン−イオン反応セルが提供される。１つまたは複数の過渡ＤＣ電圧波（８、９）を電極２に印加する。試薬アニオンと検体カチオンとを、反応セル内でイオン−イオン反応を行わせるように配置し、次いで、結果として反応セル内で形成されたフラグメントイオンを、１つまたは複数の過渡ＤＣ電圧波（８、９）によって反応セル外へ並進させる。【選択図】  図１
2011504642.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つの使用時にイオンが移送されるアパーチャを有する複数の電極を含むイオンガイドと、
少なくともいくらかの第１のイオンを駆動または付勢して第１の方向に前記イオンガイドの軸方向長さの少なくとも一部に沿わせるおよび／または通すために、１つまたは複数の第１の過渡ＤＣ電圧もしくは電位あるいは１つまたは複数の第１の過渡ＤＣ電圧もしくは電位波形を前記複数の電極の少なくともいくつかに印加するように構成および適合された第１のデバイスと、
少なくともいくらかの第２のイオンを駆動または付勢して第２の異なる方向に前記イオンガイドの軸方向長さの少なくとも一部に沿わせるおよび／または通すために、１つまたは複数の第２の過渡ＤＣ電圧もしくは電位あるいは１つまたは複数の第２の過渡ＤＣ電圧もしくは電位波形を前記複数の電極の少なくともいくつかに印加するように構成および適合された第２のデバイスとを含む電子移動解離またはプロトン移動反応デバイス。
【請求項２】
（ａ）前記第１のデバイスが、少なくともいくらかの前記第１のイオンを駆動または付勢して前記第１の方向に前記イオンガイドの軸方向長さの少なくとも０〜５％、５〜１０％、１０〜１５％、１５〜２０％、２０〜２５％、２５〜３０％、３０〜３５％、３５〜４０％、４０〜４５％、４５〜５０％、５０〜５５％、５５〜６０％、６０〜６５％、６５〜７０％、７０〜７５％、７５〜８０％、８０〜８５％、８５〜９０％、９０〜９５％または９５〜１００％に沿わせるおよび／または通すために、前記１つまたは複数の第１の過渡ＤＣ電圧もしくは電位あるいは前記１つまたは複数の第１の過渡ＤＣ電圧もしくは電位波形を前記複数の電極の０〜５％、５〜１０％、１０〜１５％、１５〜２０％、２０〜２５％、２５〜３０％、３０〜３５％、３５〜４０％、４０〜４５％、４５〜５０％、５０〜５５％、５５〜６０％、６０〜６５％、６５〜７０％、７０〜７５％、７５〜８０％、８０〜８５％、８５〜９０％、９０〜９５％または９５〜１００％に印加するように構成および適合され、かつ／または、
（ｂ）前記第２のデバイスが、少なくともいくらかの前記第２のイオンを駆動または付勢して前記第２の方向に前記イオンガイドの軸方向長さの少なくとも０〜５％、５〜１０％、１０〜１５％、１５〜２０％、２０〜２５％、２５〜３０％、３０〜３５％、３５〜４０％、４０〜４５％、４５〜５０％、５０〜５５％、５５〜６０％、６０〜６５％、６５〜７０％、７０〜７５％、７５〜８０％、８０〜８５％、８５〜９０％、９０〜９５％または９５〜１００％に沿わせるおよび／または通すために、前記１つまたは複数の第２の過渡ＤＣ電圧もしくは電位あるいは前記１つまたは複数の第２の過渡ＤＣ電圧もしくは電位波形を前記複数の電極の０〜５％、５〜１０％、１０〜１５％、１５〜２０％、２０〜２５％、２５〜３０％、３０〜３５％、３５〜４０％、４０〜４５％、４５〜５０％、５０〜５５％、５５〜６０％、６０〜６５％、６５〜７０％、７０〜７５％、７５〜８０％、８０〜８５％、８５〜９０％、９０〜９５％または９５〜１００％に印加するように構成および適合された請求項１に記載の電子移動解離またはプロトン移動反応デバイス。
【請求項３】
（ａ）前記第２の方向が前記第１の方向と実質的に反対つまり逆であるか、または、
（ｂ）前記第１の方向と前記第２の方向とのなす角度が、（ｉ）＜３０°、（ｉｉ）３０〜６０°、（ｉｉｉ）６０〜９０°、（ｉｖ）９０〜１２０°、（ｖ）１２０〜１５０°、（ｖｉ）１５０〜１８０°および（ｖｉｉ）１８０°からなる群から選択される請求項１または２に記載の電子移動解離またはプロトン移動反応デバイス。
【請求項４】
前記第１のイオンが、
（ｉ）アニオンつまり負の電荷を持つイオン、
（ｉｉ）カチオンつまり正の電荷を持つイオン、または、
（ｉｉｉ）アニオンとカチオンとの組み合わせつまり混合物を含む請求項１、２または３に記載の電子移動解離またはプロトン移動反応デバイス。
【請求項５】
前記第２のイオンが、
（ｉ）アニオンつまり負の電荷を持つイオン、
（ｉｉ）カチオンつまり正の電荷を持つイオン、または、
（ｉｉｉ）アニオンとカチオンとの組み合わせつまり混合物を含む先行する請求項のいずれか１項に記載の電子移動解離またはプロトン移動反応デバイス。
【請求項６】
前記第１のイオンが第１の極性を有し、前記第２のイオンが前記第１の極性と反対の第２の極性を有する先行する請求項のいずれか１項に記載の電子移動解離またはプロトン移動反応デバイス。
【請求項７】
使用時にイオンを前記イオンガイド内に半径方向に閉じ込めるように第１の周波数および第１の振幅を有する第１のＡＣまたはＲＦ電圧を前記複数の電極の少なくともいくつかに印加するように構成および適合された第１のＲＦデバイスをさらに含み、
（ａ）前記第１の周波数が、（ｉ）＜１００ｋＨｚ、（ｉｉ）１００〜２００ｋＨｚ、（ｉｉｉ）２００〜３００ｋＨｚ、（ｉｖ）３００〜４００ｋＨｚ、（ｖ）４００〜５００ｋＨｚ、（ｖｉ）０．５〜１．０ＭＨｚ、（ｖｉｉ）１．０〜１．５ＭＨｚ、（ｖｉｉｉ）１．５〜２．０ＭＨｚ、（ｉｘ）２．０〜２．５ＭＨｚ、（ｘ）２．５〜３．０ＭＨｚ、（ｘｉ）３．０〜３．５ＭＨｚ、（ｘｉｉ）３．５〜４．０ＭＨｚ、（ｘｉｉｉ）４．０〜４．５ＭＨｚ、（ｘｉｖ）４．５〜５．０ＭＨｚ、（ｘｖ）５．０〜５．５ＭＨｚ、（ｘｖｉ）５．５〜６．０ＭＨｚ、（ｘｖｉｉ）６．０〜６．５ＭＨｚ、（ｘｖｉｉｉ）６．５〜７．０ＭＨｚ、（ｘｉｘ）７．０〜７．５ＭＨｚ、（ｘｘ）７．５〜８．０ＭＨｚ、（ｘｘｉ）８．０〜８．５ＭＨｚ、（ｘｘｉｉ）８．５〜９．０ＭＨｚ、（ｘｘｉｉｉ）９．０〜９．５ＭＨｚ、（ｘｘｉｖ）９．５〜１０．０ＭＨｚおよび（ｘｘｖ）＞１０．０ＭＨｚからなる群から選択され、かつ／または、
（ｂ）前記第１の振幅が、（ｉ）＜５０Ｖピークトゥピーク、（ｉｉ）５０〜１００Ｖピークトゥピーク、（ｉｉｉ）１００〜１５０Ｖピークトゥピーク、（ｉｖ）１５０〜２００Ｖピークトゥピーク、（ｖ）２００〜２５０Ｖピークトゥピーク、（ｖｉ）２５０〜３００Ｖピークトゥピーク、（ｖｉｉ）３００〜３５０Ｖピークトゥピーク、（ｖｉｉｉ）３５０〜４００Ｖピークトゥピーク、（ｉｘ）４００〜４５０Ｖピークトゥピーク、（ｘ）４５０〜５００Ｖピークトゥピークおよび（ｘｉ）＞５００Ｖピークトゥピークからなる群から選択され、かつ／または、
（ｃ）一動作モードにおいて、隣接するつまり隣り合う電極に、逆位相の前記第１のＡＣまたはＲＦ電圧が供給され、かつ／または、
（ｄ）前記イオンガイドが、１〜１０、１０〜２０、２０〜３０、３０〜４０、４０〜５０、５０〜６０、６０〜７０、７０〜８０、８０〜９０、９０〜１００または＞１００の電極群を含み、各電極群は少なくとも１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１１、１２、１３、１４、１５、１６、１７、１８、１９または２０の電極を含み、各群における少なくとも１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１１、１２、１３、１４、１５、１６、１７、１８、１９または２０の電極に同位相の前記第１のＡＣまたはＲＦ電圧が供給される先行する請求項のいずれか１項に記載の電子移動解離またはプロトン移動反応デバイス。
【請求項８】
前記第１の周波数を期間ｔ1にわたってｘ1ＭＨｚだけ、漸進的に増加、漸進的に減少、漸進的に変化、走査、直線的に増加、直線的に減少、段階的、漸進的もしくは別の方法で増加または段階的、漸進的もしくは別の方法で減少させるように構成および適合されたデバイスをさらに含み、
ｘ1が、（ｉ）＜１００ｋＨｚ、（ｉｉ）１００〜２００ｋＨｚ、（ｉｉｉ）２００〜３００ｋＨｚ、（ｉｖ）３００〜４００ｋＨｚ、（ｖ）４００〜５００ｋＨｚ、（ｖｉ）０．５〜１．０ＭＨｚ、（ｖｉｉ）１．０〜１．５ＭＨｚ、（ｖｉｉｉ）１．５〜２．０ＭＨｚ、（ｉｘ）２．０〜２．５ＭＨｚ、（ｘ）２．５〜３．０ＭＨｚ、（ｘｉ）３．０〜３．５ＭＨｚ、（ｘｉｉ）３．５〜４．０ＭＨｚ、（ｘｉｉｉ）４．０〜４．５ＭＨｚ、（ｘｉｖ）４．５〜５．０ＭＨｚ、（ｘｖ）５．０〜５．５ＭＨｚ、（ｘｖｉ）５．５〜６．０ＭＨｚ、（ｘｖｉｉ）６．０〜６．５ＭＨｚ、（ｘｖｉｉｉ）６．５〜７．０ＭＨｚ、（ｘｉｘ）７．０〜７．５ＭＨｚ、（ｘｘ）７．５〜８．０ＭＨｚ、（ｘｘｉ）８．０〜８．５ＭＨｚ、（ｘｘｉｉ）８．５〜９．０ＭＨｚ、（ｘｘｉｉｉ）９．０〜９．５ＭＨｚ、（ｘｘｉｖ）９．５〜１０．０ＭＨｚおよび（ｘｘｖ）＞１０．０ＭＨｚからなる群から選択され、
ｔ1が、（ｉ）＜１ミリ秒、（ｉｉ）１〜１０ミリ秒、（ｉｉｉ）１０〜２０ミリ秒、（ｉｖ）２０〜３０ミリ秒、（ｖ）３０〜４０ミリ秒、（ｖｉ）４０〜５０ミリ秒、（ｖｉｉ）５０〜６０ミリ秒、（ｖｉｉｉ）６０〜７０ミリ秒、（ｉｘ）７０〜８０ミリ秒、（ｘ）８０〜９０ミリ秒、（ｘｉ）９０〜１００ミリ秒、（ｘｉｉ）１００〜２００ミリ秒、（ｘｉｉｉ）２００〜３００ミリ秒、（ｘｉｖ）３００〜４００ミリ秒、（ｘｖ）４００〜５００ミリ秒、（ｘｖｉ）５００〜６００ミリ秒、（ｘｖｉｉ）６００〜７００ミリ秒、（ｘｖｉｉｉ）７００〜８００ミリ秒、（ｘｉｘ）８００〜９００ミリ秒、（ｘｘ）９００〜１０００ミリ秒、（ｘｘｉ）１〜２秒、（ｘｘｉｉ）２〜３秒、（ｘｘｉｉｉ）３〜４秒、（ｘｘｉｖ）４〜５秒および（ｘｘｖ）＞５秒からなる群から選択される請求項７に記載の電子移動解離またはプロトン移動反応デバイス。
【請求項９】
前記第１の振幅を期間ｔ2にわたってｘ2ボルトだけ、漸進的に増加、漸進的に減少、漸進的に変化、走査、直線的に増加、直線的に減少、段階的、漸進的もしくは別の方法で増加または段階的、漸進的もしくは別の方法で減少させるように構成および適合されたデバイスをさらに含み、
ｘ2が、（ｉ）＜５０Ｖピークトゥピーク、（ｉｉ）５０〜１００Ｖピークトゥピーク、（ｉｉｉ）１００〜１５０Ｖピークトゥピーク、（ｉｖ）１５０〜２００Ｖピークトゥピーク、（ｖ）２００〜２５０Ｖピークトゥピーク、（ｖｉ）２５０〜３００Ｖピークトゥピーク、（ｖｉｉ）３００〜３５０Ｖピークトゥピーク、（ｖｉｉｉ）３５０〜４００Ｖピークトゥピーク、（ｉｘ）４００〜４５０Ｖピークトゥピーク、（ｘ）４５０〜５００Ｖピークトゥピークおよび（ｘｉ）＞５００Ｖピークトゥピークからなる群から選択され
ｔ2が、（ｉ）＜１ミリ秒、（ｉｉ）１〜１０ミリ秒、（ｉｉｉ）１０〜２０ミリ秒、（ｉｖ）２０〜３０ミリ秒、（ｖ）３０〜４０ミリ秒、（ｖｉ）４０〜５０ミリ秒、（ｖｉｉ）５０〜６０ミリ秒、（ｖｉｉｉ）６０〜７０ミリ秒、（ｉｘ）７０〜８０ミリ秒、（ｘ）８０〜９０ミリ秒、（ｘｉ）９０〜１００ミリ秒、（ｘｉｉ）１００〜２００ミリ秒、（ｘｉｉｉ）２００〜３００ミリ秒、（ｘｉｖ）３００〜４００ミリ秒、（ｘｖ）４００〜５００ミリ秒、（ｘｖｉ）５００〜６００ミリ秒、（ｘｖｉｉ）６００〜７００ミリ秒、（ｘｖｉｉｉ）７００〜８００ミリ秒、（ｘｉｘ）８００〜９００ミリ秒、（ｘｘ）９００〜１０００ミリ秒、（ｘｘｉ）１〜２秒、（ｘｘｉｉ）２〜３秒、（ｘｘｉｉｉ）３〜４秒、（ｘｘｉｖ）４〜５秒および（ｘｘｖ）＞５秒からなる群から選択される請求項７または８に記載の電子移動解離またはプロトン移動反応デバイス。
【請求項１０】
前記イオンガイドの第１または上流端において、前記第１のイオンの少なくともいくらかおよび／または前記第２のイオンの少なくともいくらかを前記第１または上流端を介して前記イオンガイドから出射可能にしながら前記第１のイオンの少なくともいくらかおよび／または前記第２のイオンの少なくともいくらかを前記イオンガイド内に閉じ込めるように作用する正または負の電位を印加するためのデバイス、および／または、
前記イオンガイドの第２または下流端において、前記第１のイオンの少なくともいくらかおよび／または前記第２のイオンの少なくともいくらかを前記第２または下流端を介して前記イオンガイドから出射可能にしながら前記第１のイオンの少なくともいくらかおよび／または前記第２のイオンの少なくともいくらかを前記イオンガイド内に閉じ込めるように作用する正または負の電位を印加するためのデバイスをさらに含む先行する請求項のいずれか１項に記載の電子移動解離またはプロトン移動反応デバイス。
【請求項１１】
（ａ）前記電極の少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％が、実質的に円形、長方形、正方形または楕円形のアパーチャを有し、かつ／あるいは、
（ｂ）前記電極の少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％が、実質的に同じ第１のサイズであるかまたは実質的に同じ第１の面積を有するアパーチャを有し、かつ／または、前記電極の少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％が、実質的に同じ第２の異なるサイズであるかまたは実質的に同じ第２の異なる面積を有するアパーチャを有し、かつ／あるいは、
（ｃ）前記電極の少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％が、前記イオンガイドの軸に沿う方向にサイズまたは面積が漸進的に大きくおよび／または小さくなるアパーチャを有し、かつ／あるいは、
（ｄ）前記電極の少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％が、（ｉ）≦１．０ｍｍ、（ｉｉ）≦２．０ｍｍ、（ｉｉｉ）≦３．０ｍｍ、（ｉｖ）≦４．０ｍｍ、（ｖ）≦５．０ｍｍ、（ｖｉ）≦６．０ｍｍ、（ｖｉｉ）≦７．０ｍｍ、（ｖｉｉｉ）≦８．０ｍｍ、（ｉｘ）≦９．０ｍｍ、（ｘ）≦１０．０ｍｍおよび（ｘｉ）＞１０．０ｍｍからなる群から選択される内径または内寸を有するアパーチャを有し、かつ／あるいは、
（ｅ）前記電極の少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％が、（ｉ）５ｍｍ以下、（ｉｉ）４．５ｍｍ以下、（ｉｉｉ）４ｍｍ以下、（ｉｖ）３．５ｍｍ以下、（ｖ）３ｍｍ以下、（ｖｉ）２．５ｍｍ以下、（ｖｉｉ）２ｍｍ以下、（ｖｉｉｉ）１．５ｍｍ以下、（ｉｘ）１ｍｍ以下、（ｘ）０．８ｍｍ以下、（ｘｉ）０．６ｍｍ以下、（ｘｉｉ）０．４ｍｍ以下、（ｘｉｉｉ）０．２ｍｍ以下、（ｘｉｖ）０．１ｍｍ以下および（ｘｖ）０．２５ｍｍ以下からなる群から選択される軸方向距離だけ互いに離間され、かつ／あるいは、
（ｆ）前記複数の電極の少なくともいくつかがアパーチャを含み、前記アパーチャの内径または内寸の、隣接する電極間の中心から中心までの軸方向間隔に対する比が、（ｉ）＜１．０、（ｉｉ）１．０〜１．２、（ｉｉｉ）１．２〜１．４、（ｉｖ）１．４〜１．６、（ｖ）１．６〜１．８、（ｖｉ）１．８〜２．０、（ｖｉｉ）２．０〜２．２、（ｖｉｉｉ）２．２〜２．４、（ｉｘ）２．４〜２．６、（ｘ）２．６〜２．８、（ｘｉ）２．８〜３．０、（ｘｉｉ）３．０〜３．２、（ｘｉｉｉ）３．２〜３．４、（ｘｉｖ）３．４〜３．６、（ｘｖ）３．６〜３．８、（ｘｖｉ）３．８〜４．０、（ｘｖｉｉ）４．０〜４．２、（ｘｖｉｉｉ）４．２〜４．４、（ｘｉｘ）４．４〜４．６、（ｘｘ）４．６〜４．８、（ｘｘｉ）４．８〜５．０および（ｘｘｉｉ）＞５．０からなる群から選択され、かつ／あるいは、
（ｇ）前記複数の電極のアパーチャの内径が、前記イオンガイドの長手方向軸に沿って、１回または複数回、漸進的に増加または減少した後で漸進的に減少または増加し、かつ／あるいは、
（ｈ）前記複数の電極が、（ｉ）１つまたは複数の球、（ｉｉ）１つまたは複数の扁球、（ｉｉｉ）１つまたは複数の長球、（ｉｖ）１つまたは複数の楕円体および（ｖ）１つまたは複数の三軸不等楕円体からなる群から選択される幾何学的空間を規定し、かつ／あるいは、
（ｉ）前記イオンガイドが、（ｉ）＜２０ｍｍ、（ｉｉ）２０〜４０ｍｍ、（ｉｉｉ）４０〜６０ｍｍ、（ｉｖ）６０〜８０ｍｍ、（ｖ）８０〜１００ｍｍ、（ｖｉ）１００〜１２０ｍｍ、（ｖｉｉ）１２０〜１４０ｍｍ、（ｖｉｉｉ）１４０〜１６０ｍｍ、（ｉｘ）１６０〜１８０ｍｍ、（ｘ）１８０〜２００ｍｍおよび（ｘｉ）＞２００ｍｍからなる群から選択される長さを有し、かつ／あるいは、
（ｊ）前記イオンガイドが、少なくとも（ｉ）１〜１０の電極、（ｉｉ）１０〜２０の電極、（ｉｉｉ）２０〜３０の電極、（ｉｖ）３０〜４０の電極、（ｖ）４０〜５０の電極、（ｖｉ）５０〜６０の電極、（ｖｉｉ）６０〜７０の電極、（ｖｉｉｉ）７０〜８０の電極、（ｉｘ）８０〜９０の電極、（ｘ）９０〜１００の電極、（ｘｉ）１００〜１１０の電極、（ｘｉｉ）１１０〜１２０の電極、（ｘｉｉｉ）１２０〜１３０の電極、（ｘｉｖ）１３０〜１４０の電極、（ｘｖ）１４０〜１５０の電極、（ｘｖｉ）１５０〜１６０の電極、（ｘｖｉｉ）１６０〜１７０の電極、（ｘｖｉｉｉ）１７０〜１８０の電極、（ｘｉｘ）１８０〜１９０の電極、（ｘｘ）１９０〜２００の電極および（ｘｘｉ）＞２００の電極を含み、かつ／あるいは、
（ｋ）前記電極の少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％が、（ｉ）５ｍｍ以下、（ｉｉ）４．５ｍｍ以下、（ｉｉｉ）４ｍｍ以下、（ｉｖ）３．５ｍｍ以下、（ｖ）３ｍｍ以下、（ｖｉ）２．５ｍｍ以下、（ｖｉｉ）２ｍｍ以下、（ｖｉｉｉ）１．５ｍｍ以下、（ｉｘ）１ｍｍ以下、（ｘ）０．８ｍｍ以下、（ｘｉ）０．６ｍｍ以下、（ｘｉｉ）０．４ｍｍ以下、（ｘｉｉｉ）０．２ｍｍ以下、（ｘｉｖ）０．１ｍｍ以下および（ｘｖ）０．２５ｍｍ以下からなる群から選択される厚さつまり軸方向長さを有し、かつ／あるいは、
（ｌ）前記複数の電極のピッチつまり軸方向間隔が、前記イオンガイドの長手方向軸に沿って、１回または複数回、漸進的に減少または増加する先行する請求項のいずれか１項に記載の電子移動解離またはプロトン移動反応デバイス。
【請求項１２】
（ｉ）前記イオンガイドの軸方向長さの少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％に沿って線形軸方向ＤＣ電場を生成するように、または、
（ｉｉ）前記イオンガイドの軸方向長さの少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％に沿って非線形または階段状軸方向ＤＣ電場を生成するように、構成および適合されたデバイスをさらに含む先行する請求項のいずれか１項に記載の電子移動解離またはプロトン移動反応デバイス。
【請求項１３】
前記１つまたは複数の第１の過渡ＤＣ電圧もしくは電位あるいは前記１つまたは複数の第１の過渡ＤＣ電圧もしくは電位波形の振幅、高さまたは深さを、期間ｔ3にわたってｘ3ボルトだけ、漸進的に増加、漸進的に減少、漸進的に変化、走査、直線的に増加、直線的に減少、段階的、漸進的もしくは別の方法で増加または段階的、漸進的もしくは別の方法で減少させるように構成および適合されたデバイスをさらに含み、
ｘ3が、（ｉ）＜０．１Ｖ、（ｉｉ）０．１〜０．２Ｖ、（ｉｉｉ）０．２〜０．３Ｖ、（ｉｖ）０．３〜０．４Ｖ、（ｖ）０．４〜０．５Ｖ、（ｖｉ）０．５〜０．６Ｖ、（ｖｉｉ）０．６〜０．７Ｖ、（ｖｉｉｉ）０．７〜０．８Ｖ、（ｉｘ）０．８〜０．９Ｖ、（ｘ）０．９〜１．０Ｖ、（ｘｉ）１．０〜１．５Ｖ、（ｘｉｉ）１．５〜２．０Ｖ、（ｘｉｉｉ）２．０〜２．５Ｖ、（ｘｉｖ）２．５〜３．０Ｖ、（ｘｖ）３．０〜３．５Ｖ、（ｘｖｉ）３．５〜４．０Ｖ、（ｘｖｉｉ）４．０〜４．５Ｖ、（ｘｖｉｉｉ）４．５〜５．０Ｖ、（ｘｉｘ）５．０〜５．５Ｖ、（ｘｘ）５．５〜６．０Ｖ、（ｘｘｉ）６．０〜６．５Ｖ、（ｘｘｉｉ）６．５〜７．０Ｖ、（ｘｘｉｉｉ）７．０〜７．５Ｖ、（ｘｘｉｖ）７．５〜８．０Ｖ、（ｘｘｖ）８．０〜８．５Ｖ、（ｘｘｖｉ）８．５〜９．０Ｖ、（ｘｘｖｉｉ）９．０〜９．５Ｖ、（ｘｘｖｉｉｉ）９．５〜１０．０Ｖおよび（ｘｘｉｘ）＞１０．０Ｖからなる群から選択され、
ｔ3が、（ｉ）＜１ミリ秒、（ｉｉ）１〜１０ミリ秒、（ｉｉｉ）１０〜２０ミリ秒、（ｉｖ）２０〜３０ミリ秒、（ｖ）３０〜４０ミリ秒、（ｖｉ）４０〜５０ミリ秒、（ｖｉｉ）５０〜６０ミリ秒、（ｖｉｉｉ）６０〜７０ミリ秒、（ｉｘ）７０〜８０ミリ秒、（ｘ）８０〜９０ミリ秒、（ｘｉ）９０〜１００ミリ秒、（ｘｉｉ）１００〜２００ミリ秒、（ｘｉｉｉ）２００〜３００ミリ秒、（ｘｉｖ）３００〜４００ミリ秒、（ｘｖ）４００〜５００ミリ秒、（ｘｖｉ）５００〜６００ミリ秒、（ｘｖｉｉ）６００〜７００ミリ秒、（ｘｖｉｉｉ）７００〜８００ミリ秒、（ｘｉｘ）８００〜９００ミリ秒、（ｘｘ）９００〜１０００ミリ秒、（ｘｘｉ）１〜２秒、（ｘｘｉｉ）２〜３秒、（ｘｘｉｉｉ）３〜４秒、（ｘｘｉｖ）４〜５秒および（ｘｘｖ）＞５秒からなる群から選択される先行する請求項のいずれか１項に記載の電子移動解離またはプロトン移動反応デバイス。
【請求項１４】
（ａ）前記第１のデバイスが、前記複数の電極に印加される前記１つまたは複数の第１の過渡ＤＣ電圧もしくは電位あるいは前記１つまたは複数の第１の過渡ＤＣ電圧もしくは電位波形の振幅、高さまたは深さを、前記イオンガイドの長さに沿った位置または変位量の関数として、漸進的に増加、漸進的に減少、漸進的に変化、直線的に増加、直線的に減少、段階的、漸進的もしくは別の方法で増加または段階的、漸進的もしくは別の方法で減少させるように構成および適合され、かつ／または、
（ｂ）前記第１のデバイスが、前記複数の電極に印加される前記１つまたは複数の第１の過渡ＤＣ電圧もしくは電位あるいは前記１つまたは複数の第１の過渡ＤＣ電圧もしくは電位波形の振幅、高さまたは深さを、前記イオンガイドの長さに沿って前記イオンガイドの第１端から前記イオンガイドの中心領域または別の領域まで低減させるように構成および適合され、かつ／または、
（ｃ）前記イオンガイドの長さに沿った第１の位置において前記複数の電極に印加される前記１つまたは複数の第１の過渡ＤＣ電圧もしくは電位あるいは前記１つまたは複数の第１の過渡ＤＣ電圧もしくは電位波形の振幅、高さまたは深さがＸであり、前記イオンガイドの長さに沿った第２の異なる位置において前記複数の電極に印加される前記１つまたは複数の第１の過渡ＤＣ電圧もしくは電位あるいは前記１つまたは複数の第１の過渡ＤＣ電圧もしくは電位波形の振幅、高さまたは深さが、０〜０．０５Ｘ、０．０５〜０．１０Ｘ、０．１０〜０．１５Ｘ、０．１５〜０．２０Ｘ、  ０．２０〜０．２５Ｘ、０．２５〜０．３０Ｘ、０．３０〜０．３５Ｘ、０．３５〜０．４０Ｘ、０．４０〜０．４５Ｘ、０．４５〜０．５０Ｘ、０．５０〜０．５５Ｘ、０．５５〜０．６０Ｘ、０．６０〜０．６５Ｘ、０．６５〜０．７０Ｘ、０．７０〜０．７５Ｘ、０．７５〜０．８０Ｘ、０．８０〜０．８５Ｘ、０．８５〜０．９０Ｘ、０．９０〜０．９５Ｘまたは０．９５〜１．００Ｘであり、かつ／または、
（ｄ）前記複数の電極に印加される前記１つまたは複数の第１の過渡ＤＣ電圧もしくは電位あるいは前記１つまたは複数の第１の過渡ＤＣ電圧もしくは電位波形の振幅、高さまたは深さが、前記第１のイオンがもはや１つまたは複数のＤＣポテンシャル障壁によって軸方向に閉じ込められなくなるように、前記イオンガイドの軸方向長さの少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％または９５％に沿ってゼロまたはゼロ近くまで低減する先行する請求項のいずれか１項に記載の電子移動解離またはプロトン移動反応デバイス。
【請求項１５】
前記１つまたは複数の第１の過渡ＤＣ電圧もしくは電位あるいは前記１つまたは複数の第１の過渡ＤＣ電圧もしくは電位波形を前記電極に印加または前記電極に沿って並進させる速度または割合を、期間ｔ4にわたってｘ4ミリ秒だけ、漸進的に増加、漸進的に減少、漸進的に変化、走査、直線的に増加、直線的に減少、段階的、漸進的もしくは別の方法で増加または段階的、漸進的もしくは別の方法で減少させるように構成および適合されたデバイスをさらに含み、
ｘ4が、（ｉ）＜１、（ｉｉ）１〜２、（ｉｉｉ）２〜３、（ｉｖ）３〜４、（ｖ）４〜５、（ｖｉ）５〜６、（ｖｉｉ）６〜７、（ｖｉｉｉ）７〜８、（ｉｘ）８〜９、（ｘ）９〜１０、（ｘｉ）１０〜１１、（ｘｉｉ）１１〜１２、（ｘｉｉｉ）１２〜１３、（ｘｉｖ）１３〜１４、（ｘｖ）１４〜１５、（ｘｖｉ）１５〜１６、（ｘｖｉｉ）１６〜１７、（ｘｖｉｉｉ）１７〜１８、（ｘｉｘ）１８〜１９、（ｘｘ）１９〜２０、（ｘｘｉ）２０〜３０、（ｘｘｉｉ）３０〜４０、（ｘｘｉｉｉ）４０〜５０、（ｘｘｉｖ）５０〜６０、（ｘｘｖ）６０〜７０、（ｘｘｖｉ）７０〜８０、（ｘｘｖｉｉ）８０〜９０、（ｘｘｖｉｉｉ）９０〜１００、（ｘｘｉｘ）１００〜１５０、（ｘｘｘ）１５０〜２００、（ｘｘｘｉ）２００〜２５０、（ｘｘｘｉｉ）２５０〜３００、（ｘｘｘｉｉｉ）３００〜３５０、（ｘｘｘｉｖ）３５０〜４００、（ｘｘｘｖ）４００〜４５０、（ｘｘｘｖｉ）４５０〜５００、（ｘｘｘｖｉｉ）５００〜６００、（ｘｘｘｖｉｉｉ）６００〜７００、（ｘｘｘｉｘ）７００〜８００、（ｘｌ）８００〜９００、（ｘｌｉ）９００〜１０００、（ｘｌｉｉ）１０００〜２０００、（ｘｌｉｉｉ）２０００〜３０００、（ｘｌｉｖ）３０００〜４０００、（ｘｌｖ）４０００〜５０００、（ｘｌｖｉ）５０００〜６０００、（ｘｌｖｉｉ）６０００〜７０００、（ｘｌｖｉｉｉ）７０００〜８０００、（ｘｌｉｘ）８０００〜９０００、（ｌ）９０００〜１００００および（ｌｉ）＞１００００からなる群から選択され、
ｔ4が、（ｉ）＜１ミリ秒、（ｉｉ）１〜１０ミリ秒、（ｉｉｉ）１０〜２０ミリ秒、（ｉｖ）２０〜３０ミリ秒、（ｖ）３０〜４０ミリ秒、（ｖｉ）４０〜５０ミリ秒、（ｖｉｉ）５０〜６０ミリ秒、（ｖｉｉｉ）６０〜７０ミリ秒、（ｉｘ）７０〜８０ミリ秒、（ｘ）８０〜９０ミリ秒、（ｘｉ）９０〜１００ミリ秒、（ｘｉｉ）１００〜２００ミリ秒、（ｘｉｉｉ）２００〜３００ミリ秒、（ｘｉｖ）３００〜４００ミリ秒、（ｘｖ）４００〜５００ミリ秒、（ｘｖｉ）５００〜６００ミリ秒、（ｘｖｉｉ）６００〜７００ミリ秒、（ｘｖｉｉｉ）７００〜８００ミリ秒、（ｘｉｘ）８００〜９００ミリ秒、（ｘｘ）９００〜１０００ミリ秒、（ｘｘｉ）１〜２秒、（ｘｘｉｉ）２〜３秒、（ｘｘｉｉｉ）３〜４秒、（ｘｘｉｖ）４〜５秒および（ｘｘｖ）＞５秒からなる群から選択される先行する請求項のいずれか１項に記載の電子移動解離またはプロトン移動反応デバイス。
【請求項１６】
前記１つまたは複数の第２の過渡ＤＣ電圧もしくは電位あるいは前記１つまたは複数の第２の過渡ＤＣ電圧もしくは電位波形の振幅、高さまたは深さを、期間ｔ5にわたってｘ5ボルトだけ、漸進的に増加、漸進的に減少、漸進的に変化、走査、直線的に増加、直線的に減少、段階的、漸進的もしくは別の方法で増加または段階的、漸進的もしくは別の方法で減少させるように構成および適合されたデバイスをさらに含み、
ｘ5が、（ｉ）＜０．１Ｖ、（ｉｉ）０．１〜０．２Ｖ、（ｉｉｉ）０．２〜０．３Ｖ、（ｉｖ）０．３〜０．４Ｖ、（ｖ）０．４〜０．５Ｖ、（ｖｉ）０．５〜０．６Ｖ、（ｖｉｉ）０．６〜０．７Ｖ、（ｖｉｉｉ）０．７〜０．８Ｖ、（ｉｘ）０．８〜０．９Ｖ、（ｘ）０．９〜１．０Ｖ、（ｘｉ）１．０〜１．５Ｖ、（ｘｉｉ）１．５〜２．０Ｖ、（ｘｉｉｉ）２．０〜２．５Ｖ、（ｘｉｖ）２．５〜３．０Ｖ、（ｘｖ）３．０〜３．５Ｖ、（ｘｖｉ）３．５〜４．０Ｖ、（ｘｖｉｉ）４．０〜４．５Ｖ、（ｘｖｉｉｉ）４．５〜５．０Ｖ、（ｘｉｘ）５．０〜５．５Ｖ、（ｘｘ）５．５〜６．０Ｖ、（ｘｘｉ）６．０〜６．５Ｖ、（ｘｘｉｉ）６．５〜７．０Ｖ、（ｘｘｉｉｉ）７．０〜７．５Ｖ、（ｘｘｉｖ）７．５〜８．０Ｖ、（ｘｘｖ）８．０〜８．５Ｖ、（ｘｘｖｉ）８．５〜９．０Ｖ、（ｘｘｖｉｉ）９．０〜９．５Ｖ、（ｘｘｖｉｉｉ）９．５〜１０．０Ｖおよび（ｘｘｉｘ）＞１０．０Ｖからなる群から選択され、
ｔ5が、（ｉ）＜１ミリ秒、（ｉｉ）１〜１０ミリ秒、（ｉｉｉ）１０〜２０ミリ秒、（ｉｖ）２０〜３０ミリ秒、（ｖ）３０〜４０ミリ秒、（ｖｉ）４０〜５０ミリ秒、（ｖｉｉ）５０〜６０ミリ秒、（ｖｉｉｉ）６０〜７０ミリ秒、（ｉｘ）７０〜８０ミリ秒、（ｘ）８０〜９０ミリ秒、（ｘｉ）９０〜１００ミリ秒、（ｘｉｉ）１００〜２００ミリ秒、（ｘｉｉｉ）２００〜３００ミリ秒、（ｘｉｖ）３００〜４００ミリ秒、（ｘｖ）４００〜５００ミリ秒、（ｘｖｉ）５００〜６００ミリ秒、（ｘｖｉｉ）６００〜７００ミリ秒、（ｘｖｉｉｉ）７００〜８００ミリ秒、（ｘｉｘ）８００〜９００ミリ秒、（ｘｘ）９００〜１０００ミリ秒、（ｘｘｉ）１〜２秒、（ｘｘｉｉ）２〜３秒、（ｘｘｉｉｉ）３〜４秒、（ｘｘｉｖ）４〜５秒および（ｘｘｖ）＞５秒からなる群から選択される先行する請求項のいずれか１項に記載の電子移動解離またはプロトン移動反応デバイス。
【請求項１７】
（ａ）前記第２のデバイスが、前記複数の電極に印加される前記１つまたは複数の第２の過渡ＤＣ電圧もしくは電位あるいは前記１つまたは複数の第２の過渡ＤＣ電圧もしくは電位波形の振幅、高さまたは深さを、前記イオンガイドの長さに沿った位置または変位量の関数として、漸進的に増加、漸進的に減少、漸進的に変化、直線的に増加、直線的に減少、段階的、漸進的もしくは別の方法で増加または段階的、漸進的もしくは別の方法で減少させるように構成および適合され、かつ／または、
（ｂ）前記第２のデバイスが、前記複数の電極に印加される前記１つまたは複数の第２の過渡ＤＣ電圧もしくは電位あるいは前記１つまたは複数の第２の過渡ＤＣ電圧もしくは電位波形の振幅、高さまたは深さを、前記イオンガイドの長さに沿って前記イオンガイドの第２端から前記イオンガイドの中心領域または別の領域まで低減させるように構成および適合され、かつ／または、
（ｃ）前記イオンガイドの長さに沿った第２の位置において前記複数の電極に印加される前記１つまたは複数の第２の過渡ＤＣ電圧もしくは電位あるいは前記１つまたは複数の第２の過渡ＤＣ電圧もしくは電位波形の振幅、高さまたは深さがＸであり、前記イオンガイドの長さに沿った第２の異なる位置において前記複数の電極に印加される前記１つまたは複数の第２の過渡ＤＣ電圧もしくは電位あるいは前記１つまたは複数の第２の過渡ＤＣ電圧もしくは電位波形の振幅、高さまたは深さが、０〜０．０５Ｘ、０．０５〜０．１０Ｘ、０．１０〜０．１５Ｘ、０．１５〜０．２０Ｘ、０．２０〜０．２５Ｘ、０．２５〜０．３０Ｘ、０．３０〜０．３５Ｘ、０．３５〜０．４０Ｘ、０．４０〜０．４５Ｘ、０．４５〜０．５０Ｘ、０．５０〜０．５５Ｘ、０．５５〜０．６０Ｘ、０．６０〜０．６５Ｘ、０．６５〜０．７０Ｘ、０．７０〜０．７５Ｘ、０．７５〜０．８０Ｘ、０．８０〜０．８５Ｘ、０．８５〜０．９０Ｘ、０．９０〜０．９５Ｘまたは０．９５〜１．００Ｘであり、かつ／または、
（ｄ）前記複数の電極に印加される前記１つまたは複数の第２の過渡ＤＣ電圧もしくは電位あるいは前記１つまたは複数の第２の過渡ＤＣ電圧もしくは電位波形の振幅、高さまたは深さが、前記第２のイオンがもはや１つまたは複数のポテンシャル障壁によって軸方向に閉じ込められなくなるように、前記イオンガイドの軸方向長さの少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％または９５％に沿ってゼロまたはゼロ近くまで低減する先行する請求項のいずれか１項に記載の電子移動解離またはプロトン移動反応デバイス。
【請求項１８】
前記１つまたは複数の第２の過渡ＤＣ電圧もしくは電位あるいは前記１つまたは複数の第２の過渡ＤＣ電圧もしくは電位波形を前記電極に印加または前記電極に沿って並進させる速度または割合を、期間ｔ6にわたってｘ6ミリ秒だけ、漸進的に増加、漸進的に減少、漸進的に変化、走査、直線的に増加、直線的に減少、段階的、漸進的もしくは別の方法で増加または段階的、漸進的もしくは別の方法で減少させるように構成および適合されたデバイスをさらに含み、
ｘ6が、（ｉ）＜１、（ｉｉ）１〜２、（ｉｉｉ）２〜３、（ｉｖ）３〜４、（ｖ）４〜５、（ｖｉ）５〜６、（ｖｉｉ）６〜７、（ｖｉｉｉ）７〜８、（ｉｘ）８〜９、（ｘ）９〜１０、（ｘｉ）１０〜１１、（ｘｉｉ）１１〜１２、（ｘｉｉｉ）１２〜１３、（ｘｉｖ）１３〜１４、（ｘｖ）１４〜１５、（ｘｖｉ）１５〜１６、（ｘｖｉｉ）１６〜１７、（ｘｖｉｉｉ）１７〜１８、（ｘｉｘ）１８〜１９、（ｘｘ）１９〜２０、（ｘｘｉ）２０〜３０、（ｘｘｉｉ）３０〜４０、（ｘｘｉｉｉ）４０〜５０、（ｘｘｉｖ）５０〜６０、（ｘｘｖ）６０〜７０、（ｘｘｖｉ）７０〜８０、（ｘｘｖｉｉ）８０〜９０、（ｘｘｖｉｉｉ）９０〜１００、（ｘｘｉｘ）１００〜１５０、（ｘｘｘ）１５０〜２００、（ｘｘｘｉ）２００〜２５０、（ｘｘｘｉｉ）２５０〜３００、（ｘｘｘｉｉｉ）３００〜３５０、（ｘｘｘｉｖ）３５０〜４００、（ｘｘｘｖ）４００〜４５０、（ｘｘｘｖｉ）４５０〜５００、（ｘｘｘｖｉｉ）５００〜６００、（ｘｘｘｖｉｉｉ）６００〜７００、（ｘｘｘｉｘ）７００〜８００、（ｘｌ）８００〜９００、（ｘｌｉ）９００〜１０００、（ｘｌｉｉ）１０００〜２０００、（ｘｌｉｉｉ）２０００〜３０００、（ｘｌｉｖ）３０００〜４０００、（ｘｌｖ）４０００〜５０００、（ｘｌｖｉ）５０００〜６０００、（ｘｌｖｉｉ）６０００〜７０００、（ｘｌｖｉｉｉ）７０００〜８０００、（ｘｌｉｘ）８０００〜９０００、（ｌ）９０００〜１００００および（ｌｉ）＞１００００からなる群から選択され、
ｔ6が、（ｉ）＜１ミリ秒、（ｉｉ）１〜１０ミリ秒、（ｉｉｉ）１０〜２０ミリ秒、（ｉｖ）２０〜３０ミリ秒、（ｖ）３０〜４０ミリ秒、（ｖｉ）４０〜５０ミリ秒、（ｖｉｉ）５０〜６０ミリ秒、（ｖｉｉｉ）６０〜７０ミリ秒、（ｉｘ）７０〜８０ミリ秒、（ｘ）８０〜９０ミリ秒、（ｘｉ）９０〜１００ミリ秒、（ｘｉｉ）１００〜２００ミリ秒、（ｘｉｉｉ）２００〜３００ミリ秒、（ｘｉｖ）３００〜４００ミリ秒、（ｘｖ）４００〜５００ミリ秒、（ｘｖｉ）５００〜６００ミリ秒、（ｘｖｉｉ）６００〜７００ミリ秒、（ｘｖｉｉｉ）７００〜８００ミリ秒、（ｘｉｘ）８００〜９００ミリ秒、（ｘｘ）９００〜１０００ミリ秒、（ｘｘｉ）１〜２秒、（ｘｘｉｉ）２〜３秒、（ｘｘｉｉｉ）３〜４秒、（ｘｘｉｖ）４〜５秒および（ｘｘｖ）＞５秒からなる群から選択される先行する請求項のいずれか１項に記載の電子移動解離またはプロトン移動反応デバイス。
【請求項１９】
（ｉ）前記電極に印加または前記電極に沿って並進させる前記１つまたは複数の第１の過渡ＤＣ電圧もしくは電位あるいは前記１つまたは複数の第１の過渡ＤＣ電圧もしくは電位波形の周期性および／または形状および／または波形および／またはパターンおよび／またはプロファイルを、変化、漸進的に増加、漸進的に減少、漸進的に変化、走査、直線的に増加、直線的に減少、段階的、漸進的もしくは別の方法で増加または段階的、漸進的もしくは別の方法で減少させるように構成および適合されたデバイス、および／または、
（ｉｉ）前記電極に印加または前記電極に沿って並進させる前記１つまたは複数の第２の過渡ＤＣ電圧もしくは電位あるいは前記１つまたは複数の第２の過渡ＤＣ電圧もしくは電位波形の周期性および／または形状および／または波形および／またはパターンおよび／またはプロファイルを、変化、漸進的に増加、漸進的に減少、漸進的に変化、走査、直線的に増加、直線的に減少、段階的、漸進的もしくは別の方法で増加または段階的、漸進的もしくは別の方法で減少させるように構成および適合されたデバイスをさらに含む先行する請求項のいずれか１項に記載の電子移動解離またはプロトン移動反応デバイス。
【請求項２０】
（ａ）一動作モードにおいて、少なくともいくらかの生成またはフラグメントイオンを駆動または付勢して前記第１の方向と異なるかまたは逆の方向に前記イオンガイドの軸方向長さの少なくとも一部に沿わせるおよび／または通すために、前記１つまたは複数の第１の過渡ＤＣ電圧もしくは電位あるいは前記１つまたは複数の第１の過渡ＤＣ電圧もしくは電位波形が次に前記複数の電極の少なくともいくつかに印加され、かつ／または、
（ｂ）一動作モードにおいて、少なくともいくらかの生成またはフラグメントイオンを駆動または付勢して前記第２の方向と異なるかまたは逆の方向に前記イオンガイドの軸方向長さの少なくとも一部に沿わせるおよび／または通すために、前記１つまたは複数の第２の過渡ＤＣ電圧もしくは電位あるいは１つまたは複数の第２の過渡ＤＣ電圧もしくは電位波形が次に前記複数の電極の少なくともいくつかに印加される先行する請求項のいずれか１項に記載の電子移動解離またはプロトン移動反応デバイス。
【請求項２１】
（ａ）静的なイオン−イオン反応領域、イオン−中性ガス反応領域または反応空間が、前記イオンガイド内に形成または生成されるか、あるいは、
（ｂ）動的なイオン−イオン反応領域、イオン−中性ガス反応領域または反応空間が、前記イオンガイド内に形成または生成される先行する請求項のいずれか１項に記載の電子移動解離またはプロトン移動反応デバイス。
【請求項２２】
（ａ）前記イオンガイドを、一動作モードにおいて（ｉ）＜１００ｍｂａｒ、（ｉｉ）＜１０ｍｂａｒ、（ｉｉｉ）＜１ｍｂａｒ、（ｉｖ）＜０．１ｍｂａｒ、（ｖ）＜０．０１ｍｂａｒ、（ｖｉ）＜０．００１ｍｂａｒ、（ｖｉｉ）＜０．０００１ｍｂａｒおよび（ｖｉｉｉ）＜０．００００１ｍｂａｒからなる群から選択される圧力に維持するように、かつ／または、
（ｂ）前記イオンガイドを、一動作モードにおいて（ｉ）＞１００ｍｂａｒ、（ｉｉ）＞１０ｍｂａｒ、（ｉｉｉ）＞１ｍｂａｒ、（ｉｖ）＞０．１ｍｂａｒ、（ｖ）＞０．０１ｍｂａｒ、（ｖｉ）＞０．００１ｍｂａｒおよび（ｖｉｉ）＞０．０００１ｍｂａｒからなる群から選択される圧力に維持するように、かつ／または、
（ｃ）前記イオンガイドを、一動作モードにおいて（ｉ）０．０００１〜０．００１ｍｂａｒ、（ｉｉ）０．００１〜０．０１ｍｂａｒ、（ｉｉｉ）０．０１〜０．１ｍｂａｒ、（ｉｖ）０．１〜１ｍｂａｒ、（ｖ）１〜１０ｍｂａｒ、（ｖｉ）１０〜１００ｍｂａｒおよび（ｖｉｉ）１００〜１０００ｍｂａｒからなる群から選択される圧力に維持するように、構成および適合されたデバイスをさらに含む先行する請求項のいずれか１項に記載の電子移動解離またはプロトン移動反応デバイス。
【請求項２３】
（ａ）前記イオンガイド内における前記第１のイオンの少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％の滞在、通過または反応時間が、（ｉ）＜１ミリ秒、（ｉｉ）１〜５ミリ秒、（ｉｉｉ）５〜１０ミリ秒、（ｉｖ）１０〜１５ミリ秒、（ｖ）１５〜２０ミリ秒、（ｖｉ）２０〜２５ミリ秒、（ｖｉｉ）２５〜３０ミリ秒、（ｖｉｉｉ）３０〜３５ミリ秒、（ｉｘ）３５〜４０ミリ秒、（ｘ）４０〜４５ミリ秒、（ｘｉ）４５〜５０ミリ秒、（ｘｉｉ）５０〜５５ミリ秒、（ｘｉｉｉ）５５〜６０ミリ秒、（ｘｉｖ）６０〜６５ミリ秒、（ｘｖ）６５〜７０ミリ秒、（ｘｖｉ）７０〜７５ミリ秒、（ｘｖｉｉ）７５〜８０ミリ秒、（ｘｖｉｉｉ）８０〜８５ミリ秒、（ｘｉｘ）８５〜９０ミリ秒、（ｘｘ）９０〜９５ミリ秒、（ｘｘｉ）９５〜１００ミリ秒、（ｘｘｉｉ）１００〜１０５ミリ秒、（ｘｘｉｉｉ）１０５〜１１０ミリ秒、（ｘｘｉｖ）１１０〜１１５ミリ秒、（ｘｘｖ）１１５〜１２０ミリ秒、（ｘｘｖｉ）１２０〜１２５ミリ秒、（ｘｘｖｉｉ）１２５〜１３０ミリ秒、（ｘｘｖｉｉｉ）１３０〜１３５ミリ秒、（ｘｘｉｘ）１３５〜１４０ミリ秒、（ｘｘｘ）１４０〜１４５ミリ秒、（ｘｘｘｉ）１４５〜１５０ミリ秒、（ｘｘｘｉｉ）１５０〜１５５ミリ秒、（ｘｘｘｉｉｉ）１５５〜１６０ミリ秒、（ｘｘｘｉｖ）１６０〜１６５ミリ秒、（ｘｘｘｖ）１６５〜１７０ミリ秒、（ｘｘｘｖｉ）１７０〜１７５ミリ秒、（ｘｘｘｖｉｉ）１７５〜１８０ミリ秒、（ｘｘｘｖｉｉｉ）１８０〜１８５ミリ秒、（ｘｘｘｉｘ）１８５〜１９０ミリ秒、（ｘｌ）１９０〜１９５ミリ秒、（ｘｌｉ）１９５〜２００ミリ秒および（ｘｌｉｉ）＞２００ミリ秒からなる群から選択され、かつ／または、
（ｂ）前記イオンガイド内における前記第２のイオンの少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％の滞在、通過または反応時間が、（ｉ）＜１ミリ秒、（ｉｉ）１〜５ミリ秒、（ｉｉｉ）５〜１０ミリ秒、（ｉｖ）１０〜１５ミリ秒、（ｖ）１５〜２０ミリ秒、（ｖｉ）２０〜２５ミリ秒、（ｖｉｉ）２５〜３０ミリ秒、（ｖｉｉｉ）３０〜３５ミリ秒、（ｉｘ）３５〜４０ミリ秒、（ｘ）４０〜４５ミリ秒、（ｘｉ）４５〜５０ミリ秒、（ｘｉｉ）５０〜５５ミリ秒、（ｘｉｉｉ）５５〜６０ミリ秒、（ｘｉｖ）６０〜６５ミリ秒、（ｘｖ）６５〜７０ミリ秒、（ｘｖｉ）７０〜７５ミリ秒、（ｘｖｉｉ）７５〜８０ミリ秒、（ｘｖｉｉｉ）８０〜８５ミリ秒、（ｘｉｘ）８５〜９０ミリ秒、（ｘｘ）９０〜９５ミリ秒、（ｘｘｉ）９５〜１００ミリ秒、（ｘｘｉｉ）１００〜１０５ミリ秒、（ｘｘｉｉｉ）１０５〜１１０ミリ秒、（ｘｘｉｖ）１１０〜１１５ミリ秒、（ｘｘｖ）１１５〜１２０ミリ秒、（ｘｘｖｉ）１２０〜１２５ミリ秒、（ｘｘｖｉｉ）１２５〜１３０ミリ秒、（ｘｘｖｉｉｉ）１３０〜１３５ミリ秒、（ｘｘｉｘ）１３５〜１４０ミリ秒、（ｘｘｘ）１４０〜１４５ミリ秒、（ｘｘｘｉ）１４５〜１５０ミリ秒、（ｘｘｘｉｉ）１５０〜１５５ミリ秒、（ｘｘｘｉｉｉ）１５５〜１６０ミリ秒、（ｘｘｘｉｖ）１６０〜１６５ミリ秒、（ｘｘｘｖ）１６５〜１７０ミリ秒、（ｘｘｘｖｉ）１７０〜１７５ミリ秒、（ｘｘｘｖｉｉ）１７５〜１８０ミリ秒、（ｘｘｘｖｉｉｉ）１８０〜１８５ミリ秒、（ｘｘｘｉｘ）１８５〜１９０ミリ秒、（ｘｌ）１９０〜１９５ミリ秒、（ｘｌｉ）１９５〜２００ミリ秒および（ｘｌｉｉ）＞２００ミリ秒からなる群から選択され、かつ／または、
（ｃ）前記イオンガイド内で作り出されるかまたは形成される生成またはフラグメントイオンの少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％の滞在、通過または反応時間が、（ｉ）＜１ミリ秒、（ｉｉ）１〜５ミリ秒、（ｉｉｉ）５〜１０ミリ秒、（ｉｖ）１０〜１５ミリ秒、（ｖ）１５〜２０ミリ秒、（ｖｉ）２０〜２５ミリ秒、（ｖｉｉ）２５〜３０ミリ秒、（ｖｉｉｉ）３０〜３５ミリ秒、（ｉｘ）３５〜４０ミリ秒、（ｘ）４０〜４５ミリ秒、（ｘｉ）４５〜５０ミリ秒、（ｘｉｉ）５０〜５５ミリ秒、（ｘｉｉｉ）５５〜６０ミリ秒、（ｘｉｖ）６０〜６５ミリ秒、（ｘｖ）６５〜７０ミリ秒、（ｘｖｉ）７０〜７５ミリ秒、（ｘｖｉｉ）７５〜８０ミリ秒、（ｘｖｉｉｉ）８０〜８５ミリ秒、（ｘｉｘ）８５〜９０ミリ秒、（ｘｘ）９０〜９５ミリ秒、（ｘｘｉ）９５〜１００ミリ秒、（ｘｘｉｉ）１００〜１０５ミリ秒、（ｘｘｉｉｉ）１０５〜１１０ミリ秒、（ｘｘｉｖ）１１０〜１１５ミリ秒、（ｘｘｖ）１１５〜１２０ミリ秒、（ｘｘｖｉ）１２０〜１２５ミリ秒、（ｘｘｖｉｉ）１２５〜１３０ミリ秒、（ｘｘｖｉｉｉ）１３０〜１３５ミリ秒、（ｘｘｉｘ）１３５〜１４０ミリ秒、（ｘｘｘ）１４０〜１４５ミリ秒、（ｘｘｘｉ）１４５〜１５０ミリ秒、（ｘｘｘｉｉ）１５０〜１５５ミリ秒、（ｘｘｘｉｉｉ）１５５〜１６０ミリ秒、（ｘｘｘｉｖ）１６０〜１６５ミリ秒、（ｘｘｘｖ）１６５〜１７０ミリ秒、（ｘｘｘｖｉ）１７０〜１７５ミリ秒、（ｘｘｘｖｉｉ）１７５〜１８０ミリ秒、（ｘｘｘｖｉｉｉ）１８０〜１８５ミリ秒、（ｘｘｘｉｘ）１８５〜１９０ミリ秒、（ｘｌ）１９０〜１９５ミリ秒、（ｘｌｉ）１９５〜２００ミリ秒および（ｘｌｉｉ）＞２００ミリ秒からなる群から選択され、かつ／または、
（ｄ）前記イオンガイドが、（ｉ）＜１ミリ秒、（ｉｉ）１〜１０ミリ秒、（ｉｉｉ）１０〜２０ミリ秒、（ｉｖ）２０〜３０ミリ秒、（ｖ）３０〜４０ミリ秒、（ｖｉ）４０〜５０ミリ秒、（ｖｉｉ）５０〜６０ミリ秒、（ｖｉｉｉ）６０〜７０ミリ秒、（ｉｘ）７０〜８０ミリ秒、（ｘ）８０〜９０ミリ秒、（ｘｉ）９０〜１００ミリ秒、（ｘｉｉ）１００〜２００ミリ秒、（ｘｉｉｉ）２００〜３００ミリ秒、（ｘｉｖ）３００〜４００ミリ秒、（ｘｖ）４００〜５００ミリ秒、（ｘｖｉ）５００〜６００ミリ秒、（ｘｖｉｉ）６００〜７００ミリ秒、（ｘｖｉｉｉ）７００〜８００ミリ秒、（ｘｉｘ）８００〜９００ミリ秒、（ｘｘ）９００〜１０００ミリ秒、（ｘｘｉ）１〜２秒、（ｘｘｉｉ）２〜３秒、（ｘｘｉｉｉ）３〜４秒、（ｘｘｉｖ）４〜５秒および（ｘｘｖ）＞５秒からなる群から選択されるサイクルタイムを有する先行する請求項のいずれか１項に記載の電子移動解離またはプロトン移動反応デバイス。
【請求項２４】
（ａ）一動作モードにおいて、第１のイオンおよび／または第２のイオンが、前記イオンガイド内でトラップされるが実質的に断片化および／または反応および／または電荷減少されないように構成および適合され、かつ／または、
（ｂ）一動作モードにおいて、第１のイオンおよび／または第２のイオンが、前記イオンガイド内で衝突により冷却されるかまたは実質的に熱化されるように構成および適合され、かつ／または、
（ｃ）一動作モードにおいて、第１のイオンおよび／または第２のイオンが、前記イオンガイド内で実質的に断片化および／または反応および／または電荷減少されるように構成および適合され、かつ／または、
（ｄ）一動作モードにおいて、第１のイオンおよび／または第２のイオンが、前記イオンガイドの入射口および／または出射口に配置された１つまたは複数の電極によってパルス状に前記イオンガイドに入射および／または前記イオンガイドから出射されるように構成および適合された先行する請求項のいずれか１項に記載の電子移動解離またはプロトン移動反応デバイス。
【請求項２５】
（ａ）一動作モードにおいて、イオンの大部分が、衝突誘起解離により断片化して大多数のｂ系列生成もしくはフラグメントイオンおよび／またはｙ系列生成もしくはフラグメントイオンを含む生成またはフラグメントイオンを形成するように構成され、かつ／または、
（ｂ）一動作モードにおいて、イオンの大部分が、電子移動解離により断片化して大多数のｃ系列生成もしくはフラグメントイオンおよび／またはｚ系列生成もしくはフラグメントイオンを含む生成またはフラグメントイオンを形成するように構成された先行する請求項のいずれか１項に記載の電子移動解離またはプロトン移動反応デバイス。
【請求項２６】
電子移動解離を起こさせるために、
（ａ）試薬イオンとの相互作用により、検体イオンを断片化または解離させて生成またはフラグメントイオンを形成させ、かつ／あるいは、
（ｂ）電子を１つまたは複数の試薬アニオンつまり負の電荷を持つイオンから１つまたは複数の多価検体カチオンつまり正の電荷を持つイオンへ移動させ、その結果、前記多価検体カチオンつまり正の電荷を持つイオンの少なくともいくらかを解離させて生成またはフラグメントイオンを形成させ、かつ／あるいは、
（ｃ）中性試薬ガス分子もしくは原子または非イオン性試薬ガスとの相互作用により、検体イオンを断片化または解離させて生成またはフラグメントイオンを形成させ、かつ／あるいは、
（ｄ）電子を１つまたは複数の中性、非イオン性または非荷電塩基性ガスもしくは蒸気から１つまたは複数の多価検体カチオンつまり正の電荷を持つイオンへ移動させ、その結果、前記多価検体カチオンつまり正の電荷を持つイオンの少なくともいくらかを解離させて生成またはフラグメントイオンを形成させ、かつ／あるいは、
（ｅ）電子を１つまたは複数の中性、非イオン性または非荷電超塩基試薬ガスもしくは蒸気から１つまたは複数の多価検体カチオンつまり正の電荷を持つイオンへ移動させ、その結果、前記多価検体カチオンつまり正の電荷を持つイオンの少なくともいくらかを解離させて生成またはフラグメントイオンを形成させ、かつ／あるいは、
（ｆ）電子を１つまたは複数の中性、非イオン性または非荷電アルカリ金属ガスもしくは蒸気から１つまたは複数の多価検体カチオンつまり正の電荷を持つイオンへ移動させ、その結果、前記多価検体カチオンつまり正の電荷を持つイオンの少なくともいくらかを解離させて生成またはフラグメントイオンを形成させ、かつ／あるいは、
（ｇ）電子を、（ｉ）ナトリウム蒸気または原子、（ｉｉ）リチウム蒸気または原子、（ｉｉｉ）カリウム蒸気または原子、（ｉｖ）ルビジウム蒸気または原子、（ｖ）セシウム蒸気または原子、（ｖｉ）フランシウム蒸気または原子、（ｖｉｉ）Ｃ60蒸気または原子および（ｖｉｉｉ）マグネシウム蒸気または原子からなる群から選択される１つまたは複数の中性、非イオン性または非荷電ガス、蒸気もしくは原子から１つまたは複数の多価検体カチオンつまり正の電荷を持つイオンへ移動させ、その結果、前記多価検体カチオンつまり正の電荷を持つイオンの少なくともいくらかを解離させて生成またはフラグメントイオンを形成させる先行する請求項のいずれか１項に記載の電子移動解離またはプロトン移動反応デバイス。
【請求項２７】
前記多価検体カチオンつまり正の電荷を持つイオンが、ペプチド、ポリペプチド、タンパク質または生体分子を含む請求項２６に記載の電子移動解離またはプロトン移動反応デバイス。
【請求項２８】
電子移動解離を起こさせるために、
（ａ）前記試薬アニオンつまり負の電荷を持つイオンを、多環芳香族炭化水素または置換多環芳香族炭化水素から誘導し、かつ／または、
（ｂ）前記試薬アニオンつまり負の電荷を持つイオンを、（ｉ）アントラセン、（ｉｉ）９，１０ジフェニルアントラセン、（ｉｉｉ）ナフタレン、（ｉｖ）フッ素、（ｖ）フェナントレン、（ｖｉ）ピレン、（ｖｉｉ）フルオランテン、（ｖｉｉｉ）クリセン、（ｉｘ）トリフェニレン、（ｘ）ペリレン、（ｘｉ）アクリジン、（ｘｉｉ）２，２’ジピリジル、（ｘｉｉｉ）２，２’ビキノリン、（ｘｉｖ）９−アントラセンカルボニトリル、（ｘｖ）ジベンゾチオフェン、（ｘｖｉ）１，１０’−フェナントロリン、（ｘｖｉｉ）９’アントラセンカルボニトリルおよび（ｘｖｉｉｉ）アントラキノンからなる群から誘導し、かつ／または、
（ｃ）前記試薬イオンつまり負の電荷を持つイオンが、アゾベンゼンアニオンまたはアゾベンゼンラジカルアニオンを含む請求項２６または２７に記載の電子移動解離またはプロトン移動反応デバイス。
【請求項２９】
プロトン移動反応を起こさせるために、
（ｉ）プロトンを１つまたは複数の多価検体カチオンつまり正の電荷を持つイオンから１つまたは複数の試薬アニオンつまり負の電荷を持つイオンへ移動させ、その結果、前記多価検体カチオンつまり正の電荷を持つイオンの少なくともいくらかを、電荷状態を減少させ、かつ／または、解離させて生成またはフラグメントイオンを形成させ、かつ／あるいは、
（ｉｉ）プロトンを１つまたは複数の多価検体カチオンつまり正の電荷を持つイオンから１つまたは複数の中性、非イオン性または非荷電試薬ガスもしくは蒸気へ移動させ、その結果、前記多価検体カチオンつまり正の電荷を持つイオンの少なくともいくらかを、電荷状態を減少させ、かつ／または、解離させて生成またはフラグメントイオンを形成させる先行する請求項のいずれか１項に記載の電子移動解離またはプロトン移動反応デバイス。
【請求項３０】
前記多価検体カチオンつまり正の電荷を持つイオンが、ペプチド、ポリペプチド、タンパク質または生体分子を含む請求項２９に記載の電子移動解離またはプロトン移動反応デバイス。
【請求項３１】
プロトン移動反応を起こさせるために、
（ａ）前記試薬アニオンつまり負の電荷を持つイオンを、（ｉ）カルボン酸、（ｉｉ）フェノール（ｐｈｅｎｏｌｉｃ）および（ｉｉｉ）アルコキシド含有化合物からなる群から選択される化合物から誘導し、かつ／または、
（ｂ）前記試薬アニオンつまり負の電荷を持つイオンを、（ｉ）安息香酸、（ｉｉ）パーフルオロ−１，３−ジメチルシクロヘキサンすなわちＰＤＣＨ、（ｉｉｉ）  六フッ化硫黄すなわちＳＦ６および（ｉｖ）パーフルオロトリブチルアミンすなわちＰＦＴＢＡからなる群から選択される化合物から誘導し、かつ／または、
（ｃ）前記１つまたは複数の試薬ガスもしくは蒸気が、超塩基ガスを含み、かつ／または、
（ｄ）前記１つまたは複数の試薬ガスもしくは蒸気が、（ｉ）１，１，３，３−テトラメチルグアニジン（「ＴＭＧ」）、（ｉｉ）２，３，４，６，７，８，９，１０−オクタヒドロピリミドール［１，２−ａ］アゼピン｛別名：１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデカ−７−エン（「ＤＢＵ」）｝または（ｉｉｉ）７−メチル−１，５，７−トリアザビシクロ［４．４．０］デカ−５−エン（「ＭＴＢＤ」）｛別名：１，３，４，６，７，８−ヘキサヒドロ−１−メチル−２Ｈ−ピリミド［１，２−ａ］ピリミジン｝からなる群から選択される請求項２９または３０に記載の電子移動解離またはプロトン移動反応デバイス。
【請求項３２】
先行する請求項のいずれか１項に記載の電子移動解離またはプロトン移動反応デバイスを含む質量分析計。
【請求項３３】
（ａ）前記電子移動解離またはプロトン移動反応デバイスの上流および／または下流に配置され、（ｉ）エレクトロスプレーイオン化（「ＥＳＩ」）イオン源、（ｉｉ）大気圧光イオン化（「ＡＰＰＩ」）イオン源、（ｉｉｉ）大気圧化学イオン化（「ＡＰＣＩ」）イオン源、（ｉｖ）マトリックス支援レーザ脱離イオン化（「ＭＡＬＤＩ」）イオン源、（ｖ）レーザ脱離イオン化（「ＬＤＩ」）イオン源、（ｖｉ）大気圧イオン化（「ＡＰＩ」）イオン源、（ｖｉｉ）シリコン上脱離イオン化（「ＤＩＯＳ」）イオン源、（ｖｉｉｉ）電子衝撃（「ＥＩ」）イオン源、（ｉｘ）化学イオン化（「ＣＩ」）イオン源、（ｘ）電界イオン化（「ＦＩ」）イオン源、（ｘｉ）電界脱離（「ＦＤ」）イオン源、（ｘｉｉ）誘導結合プラズマ（「ＩＣＰ」）イオン源、（ｘｉｉｉ）高速原子衝撃（「ＦＡＢ」）イオン源、（ｘｉｖ）液体二次イオン質量分析（「ＬＳＩＭＳ」）イオン源、（ｘｖ）脱離エレクトロスプレーイオン化（「ＤＥＳＩ」）イオン源、（ｘｖｉ）ニッケル−６３放射性イオン源、（ｘｖｉｉ）大気圧マトリックス支援レーザ脱離イオン化イオン源、（ｘｖｉｉｉ）サーモスプレーイオン源、（ｘｉｘ）大気サンプリンググロー放電イオン化（「ＡＳＧＤＩ」）イオン源および（ｘｘ）グロー放電（「ＧＤ」）イオン源からなる群から選択されるイオン源、ならびに／あるいは、
（ｂ）１つまたは複数の連続またはパルス化イオン源、ならびに／あるいは、
（ｃ）前記電子移動解離またはプロトン移動反応デバイスの上流および／または下流に配置される１つまたは複数のイオンガイド、ならびに／あるいは、
（ｄ）前記電子移動解離またはプロトン移動反応デバイスの上流および／または下流に配置される１つもしくは複数のイオン移動度分離デバイスおよび／または１つもしくは複数のフィールド非対称イオン移動度分光計デバイス、ならびに／あるいは、
（ｅ）前記電子移動解離またはプロトン移動反応デバイスの上流および／または下流に配置される１つもしくは複数のイオントラップまたは１つもしくは複数のイオントラッピング領域、ならびに／あるいは、
（ｆ）前記電子移動解離またはプロトン移動反応デバイスの上流および／または下流に配置され、（ｉ）衝突誘起解離（「ＣＩＤ」）フラグメンテーションデバイス、（ｉｉ）表面誘起解離（「ＳＩＤ」）フラグメンテーションデバイス、（ｉｉｉ）電子移動解離（「ＥＴＤ」）フラグメンテーションデバイス、（ｉｖ）電子捕獲解離（「ＥＣＤ」）フラグメンテーションデバイス、（ｖ）電子衝突または衝撃解離フラグメンテーションデバイス、（ｖｉ）光誘起解離（「ＰＩＤ」）フラグメンテーションデバイス、（ｖｉｉ）レーザ誘起解離フラグメンテーションデバイス、（ｖｉｉｉ）赤外放射誘起解離デバイス、（ｉｘ）紫外放射誘起解離デバイス、（ｘ）ノズル−スキマー間インターフェースフラグメンテーションデバイス、（ｘｉ）インソースフラグメンテーションデバイス、（ｘｉｉ）インソース衝突誘起解離フラグメンテーションデバイス、（ｘｉｉｉ）熱または温度源フラグメンテーションデバイス、（ｘｉｖ）電界誘起フラグメンテーションデバイス、（ｘｖ）磁場誘起フラグメンテーションデバイス、（ｘｖｉ）酵素消化または酵素分解フラグメンテーションデバイス、（ｘｖｉｉ）イオン−イオン反応フラグメンテーションデバイス、（ｘｖｉｉｉ）イオン−分子反応フラグメンテーションデバイス、（ｘｉｘ）イオン−原子反応フラグメンテーションデバイス、（ｘｘ）イオン−メタステーブルイオン反応フラグメンテーションデバイス、（ｘｘｉ）イオン−メタステーブル分子反応フラグメンテーションデバイス、（ｘｘｉｉ）イオン−メタステーブル原子反応フラグメンテーションデバイス、（ｘｘｉｉｉ）イオンを反応させて付加または生成イオンを形成するイオン−イオン反応デバイス、（ｘｘｉｖ）イオンを反応させて付加または生成イオンを形成するイオン−分子反応デバイス、（ｘｘｖ）イオンを反応させて付加または生成イオンを形成するイオン−原子反応デバイス、（ｘｘｖｉ）イオンを反応させて付加または生成イオンを形成するイオン−メタステーブルイオン反応デバイス、（ｘｘｖｉｉ）イオンを反応させて付加または生成イオンを形成するイオン−メタステーブル分子反応デバイス、（ｘｘｖｉｉｉ）イオンを反応させて付加または生成イオンを形成するイオン−メタステーブル原子反応デバイスおよび（ｘｘｉｘ）電子イオン化解離（「ＥＩＤ」）フラグメンテーションデバイスからなる群から選択される１つまたは複数の衝突、フラグメンテーションもしくは反応セル、ならびに／あるいは、
（ｇ）（ｉ）四重極質量分析部、（ｉｉ）二次元または線形四重極質量分析部、（ｉｉｉ）ポールまたは三次元四重極質量分析部、（ｉｖ）ペニングトラップ質量分析部、（ｖ）イオントラップ質量分析部、（ｖｉ）磁場型質量分析部、（ｖｉｉ）イオンサイクロトロン共鳴（「ＩＣＲ」）質量分析部、（ｖｉｉｉ）フーリエ変換イオンサイクロトロン共鳴（「ＦＴＩＣＲ」）質量分析部、（ｉｘ）静電またはオービトラップ質量分析部、（ｘ）フーリエ変換静電またはオービトラップ質量分析部、（ｘｉ）フーリエ変換質量分析部、（ｘｉｉ）飛行時間質量分析部、（ｘｉｉｉ）直交加速式飛行時間質量分析部および（ｘｉｖ）直線加速式飛行時間質量分析部からなる群から選択される質量分析部、ならびに／あるいは、
（ｈ）前記電子移動解離またはプロトン移動反応デバイスの上流および／または下流に配置される１つまたは複数のエネルギー分析器もしくは静電エネルギー分析器、ならびに／あるいは、
（ｉ）前記電子移動解離またはプロトン移動反応デバイスの上流および／または下流に配置される１つまたは複数のイオン検出器、ならびに／あるいは、
（ｊ）前記電子移動解離またはプロトン移動反応デバイスの上流および／または下流に配置され、（ｉ）四重極質量フィルタ、（ｉｉ）二次元または線形四重極イオントラップ、（ｉｉｉ）ポールまたは三次元四重極イオントラップ、（ｉｖ）ペニングイオントラップ、（ｖ）イオントラップ、（ｖｉ）磁場型質量フィルタ、（ｖｉｉ）飛行時間質量フィルタおよび（ｖｉｉｉ）ウィーンフィルタからなる群から選択される１つまたは複数の質量フィルタ、ならびに／あるいは、
（ｋ）イオンをパルス状に前記電子移動解離またはプロトン移動反応デバイスへ入射させるためのデバイスまたはイオンゲート、ならびに／あるいは、
（ｌ）実質的に連続したイオンビームをパルス化イオンビームに変換するためのデバイスをさらに含む請求項３２に記載の質量分析計。
【請求項３４】
（ａ）検体イオンおよび／または試薬イオンを生成するための１つまたは複数の大気圧イオン源、ならびに／あるいは、
（ｂ）検体イオンおよび／または試薬イオンを生成するための１つまたは複数のエレクトロスプレーイオン源、ならびに／あるいは、
（ｃ）検体イオンおよび／または試薬イオンを生成するための１つまたは複数の大気圧化学イオン源、ならびに／あるいは、
（ｄ）検体イオンおよび／または試薬イオンを生成するための１つまたは複数のグロー放電イオン源をさらに含む請求項３２または３３に記載の質量分析計。
【請求項３５】
１つまたは複数のグロー放電イオン源が前記質量分析計の１つまたは複数の真空室中に設置された請求項３２、３３または３４のいずれか１項に記載の質量分析計。
【請求項３６】
Ｃ−トラップと、
オービトラップ質量分析部とを含み、
第１の動作モードにおいて、イオンが、前記Ｃ−トラップへ移送され、次いで、前記オービトラップ質量分析部に注入され、
第２の動作モードにおいて、イオンが、前記Ｃ−トラップへ移送され、次いで、少なくともいくらかのイオンをフラグメントイオンに断片化する衝突セルあるいは前記電子移動解離および／またはプロトン移動反応デバイスへ移送され、その後、前記フラグメントイオンが、前記Ｃ−トラップへ移送された後で前記オービトラップ質量分析部に注入される請求項３２から３５のいずれか１項に記載の質量分析計。
【請求項３７】
少なくとも１つの使用時にイオンが移送されるアパーチャを有する複数の電極を含む電子移動解離またはプロトン移動反応デバイスを含む質量分析計の制御システムによって実行可能なコンピュータプログラムであって、前記制御システムに、
（ｉ）少なくともいくらかの第１のイオンを駆動または付勢して第１の方向に前記イオンガイドの軸方向長さの少なくとも一部に沿わせるおよび／または通すために、１つまたは複数の第１の過渡ＤＣ電圧もしくは電位あるいは１つまたは複数の第１の過渡ＤＣ電圧もしくは電位波形を前記複数の電極の少なくともいくつかに印加させ、
（ｉｉ）少なくともいくらかの第２のイオンを駆動または付勢して第２の異なる方向に前記イオンガイドの軸方向長さの少なくとも一部に沿わせるおよび／または通すために、１つまたは複数の第２の過渡ＤＣ電圧もしくは電位あるいは１つまたは複数の第２の過渡ＤＣ電圧もしくは電位波形を前記複数の電極の少なくともいくつかに印加させるように構成されたコンピュータプログラム。
【請求項３８】
少なくとも１つの使用時にイオンが移送されるアパーチャを有する複数の電極を含む電子移動解離またはプロトン移動反応デバイスを含む質量分析計の制御システムによって実行可能に構成されたコンピュータ実行可能な命令を格納するコンピュータ読み取り可能な媒体であって、前記コンピュータプログラムが、前記制御システムに、
（ｉ）少なくともいくらかの第１のイオンを駆動または付勢して第１の方向に前記イオンガイドの軸方向長さの少なくとも一部に沿わせるおよび／または通すために、１つまたは複数の第１の過渡ＤＣ電圧もしくは電位あるいは１つまたは複数の第１の過渡ＤＣ電圧もしくは電位波形を前記複数の電極の少なくともいくつかに印加させ、
（ｉｉ）少なくともいくらかの第２のイオンを駆動または付勢して第２の異なる方向に前記イオンガイドの軸方向長さの少なくとも一部に沿わせるおよび／または通すために、１つまたは複数の第２の過渡ＤＣ電圧もしくは電位あるいは１つまたは複数の第２の過渡ＤＣ電圧もしくは電位波形を前記複数の電極の少なくともいくつかに印加させるように構成されたコンピュータ読み取り可能な媒体。
【請求項３９】
（ｉ）ＲＯＭ、（ｉｉ）ＥＡＲＯＭ、（ｉｉｉ）ＥＰＲＯＭ、（ｉｖ）ＥＥＰＲＯＭ、（ｖ）フラッシュメモリおよび（ｖｉ）光ディスクからなる群から選択される請求項３８に記載のコンピュータ読み取り可能な媒体。
【請求項４０】
少なくとも１つのイオンが移送されるアパーチャを有する複数の電極を含むイオンガイドを含む電子移動解離またはプロトン移動反応デバイスを準備することと、
少なくともいくらかの第１のイオンを駆動または付勢して第１の方向に前記イオンガイドの軸方向長さの少なくとも一部に沿わせるおよび／または通すために、１つまたは複数の第１の過渡ＤＣ電圧もしくは電位あるいは１つまたは複数の第１の過渡ＤＣ電圧もしくは電位波形を前記複数の電極の少なくともいくつかに印加することと、
少なくともいくらかの第２のイオンを駆動または付勢して第２の異なる方向に前記イオンガイドの軸方向長さの少なくとも一部に沿わせるおよび／または通すために、１つまたは複数の第２の過渡ＤＣ電圧もしくは電位あるいは１つまたは複数の第２の過渡ＤＣ電圧もしくは電位波形を前記複数の電極の少なくともいくつかに印加することとを含む、電子移動解離またはプロトン移動反応の反応を行う方法。
【請求項４１】
請求項４０に記載の方法を含む質量分析の方法。
【請求項４２】
少なくとも１つの使用時にイオンが移送されるアパーチャを有する複数の電極を含むイオンガイドと、
少なくともいくらかの多価検体カチオンを駆動または付勢して第１の方向に前記イオンガイドの軸方向長さの少なくとも一部に沿わせるおよび／または通すために、１つまたは複数の第１の過渡ＤＣ電圧もしくは電位あるいは１つまたは複数の第１の過渡ＤＣ電圧もしくは電位波形を前記複数の電極の少なくともいくつかに印加するように構成および適合された第１のデバイスと、
少なくともいくらかの試薬アニオンを駆動または付勢して前記第１の方向と反対の第２の方向に前記イオンガイドの軸方向長さの少なくとも一部に沿わせるおよび／または通すために、１つまたは複数の第２の過渡ＤＣ電圧もしくは電位あるいは１つまたは複数の第２の過渡ＤＣ電圧もしくは電位波形を前記複数の電極の少なくともいくつかに印加するように構成および適合された第２のデバイスとを含み、
使用時に、前記多価検体カチオンの少なくともいくらかを前記試薬イオンの少なくともいくらかと相互作用させ、少なくともいくらかの電子を前記試薬アニオンから前記多価検体カチオンの少なくともいくらかへ移動させ、その結果、前記多価検体カチオンの少なくともいくらかを解離させて生成またはフラグメントイオンを形成させる電子移動解離デバイス。
【請求項４３】
少なくとも１つのイオンが移送されるアパーチャを有する複数の電極を含むイオンガイドを準備することと、
少なくともいくらかの多価検体カチオンを駆動または付勢して第１の方向に前記イオンガイドの軸方向長さの少なくとも一部に沿わせるおよび／または通すために、１つまたは複数の第１の過渡ＤＣ電圧もしくは電位あるいは１つまたは複数の第１の過渡ＤＣ電圧もしくは電位波形を前記複数の電極の少なくともいくつかに印加することと、
少なくともいくらかの試薬アニオンを駆動または付勢して前記第１の方向と反対の第２の方向に前記イオンガイドの軸方向長さの少なくとも一部に沿わせるおよび／または通すために、１つまたは複数の第２の過渡ＤＣ電圧もしくは電位あるいは１つまたは複数の第２の過渡ＤＣ電圧もしくは電位波形を前記複数の電極の少なくともいくつかに印加することとを含み、
前記多価検体カチオンの少なくともいくらかを前記試薬イオンの少なくともいくらかと相互作用させ、少なくともいくらかの電子を前記試薬アニオンから前記多価検体カチオンの少なくともいくらかへ移動させ、その結果、前記多価検体カチオンの少なくともいくらかを解離させて生成またはフラグメントイオンを形成させる、電子移動解離を行う方法。
【請求項４４】
少なくとも１つの使用時に試薬および／または検体イオンが移送されるアパーチャを有する複数の電極を含むイオンガイドを含む電子移動解離デバイスおよび／またはプロトン移動反応デバイス。
【請求項４５】
少なくとも１つの試薬および／または検体イオンが移送されるアパーチャを有する複数の電極を含むイオンガイドを含む反応デバイスにおいて電子移動解離および／またはプロトン移動反応を行うことを含む、電子移動解離および／またはプロトン移動反応の方法。
【請求項４６】
少なくとも１つのイオンが移送されるアパーチャをそれぞれが有する複数の電極を含むイオンガイドを準備することと、
前記イオンガイド内に、検体カチオンと試薬アニオンとを含むイオンを準備することと、
前記イオンの少なくともいくらかを第１の方向に付勢して前記イオンガイドの軸方向長さの少なくとも第１の部分に沿わせるために１つまたは複数の第１の過渡ＤＣ電圧を前記複数の電極の少なくともいくつかに印加することと、
残りのイオンの少なくともいくらかを前記第１の方向と反対の方向に付勢して前記イオンガイドの軸方向長さの少なくとも第２の部分に沿わせるために１つまたは複数の第２の過渡ＤＣ電圧を前記複数の電極の少なくともいくつかに印加することとを含み、
前記検体カチオンの少なくともいくらかを前記試薬イオンの少なくともいくらかと相互作用させ、その結果、前記検体カチオンの少なくともいくらかが解離してフラグメントイオンを形成する、電子移動解離またはプロトン移動反応を行う方法。
【請求項４７】
少なくとも１つのイオンが移送されるアパーチャをそれぞれが有する複数の電極を含むイオンガイドと、
前記イオンガイド内に検体カチオンを導入するための源と、
前記イオンガイド内に試薬アニオンを導入するための源と、
制御システムであって、該制御システムによって実行されると該制御システムに、
（ｉ）前記イオンの少なくともいくらかを第１の方向に付勢して前記イオンガイドの軸方向長さの少なくとも第１の部分に沿わせるために１つまたは複数の第１の過渡ＤＣ電圧を前記複数の電極の少なくともいくつかに印加する工程と、
（ｉｉ）残りのイオンの少なくともいくらかを前記第１の方向と反対の方向に付勢して前記イオンガイドの軸方向長さの少なくとも第２の部分に沿わせるために１つまたは複数の第２の過渡ＤＣ電圧を前記複数の電極の少なくともいくつかに印加する工程とを実行させるコンピュータ実行可能な命令を格納するコンピュータ読み取り可能な媒体を含む制御システムとを含み、
前記検体カチオンの少なくともいくらかを前記試薬イオンの少なくともいくらかと相互作用させ、その結果、前記検体カチオンの少なくともいくらかが解離してフラグメントイオンを形成する電子移動解離またはプロトン移動反応デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、イオン−イオン反応またはフラグメンテーションデバイスおよびイオン−イオン反応またはフラグメンテーションを行う方法に関する。本発明は、電子移動解離および／またはプロトン移動反応デバイスにも関する。イオン−イオン反応によってかまたはイオン−中性ガス反応によって検体イオンを断片化させ得る。また、プロトン移動反応によって検体イオンおよび／またはフラグメントイオンを電荷減少させ得る。
【背景技術】
【０００２】
エレクトロスプレーイオン化イオン源は、よく知られており、ＨＰＬＣカラムから溶出する中性ペプチドを気相検体イオンに変換するのに用い得る。酸性水溶液中で、トリプシンペプチドが、アミノ末端とＣ末端アミノ酸の側鎖との両方でイオン化される。それに続いてペプチドイオンが質量分析計に入射すると、正の電荷を持つアミノ基が水素結合し、ペプチドの主鎖に沿ってプロトンがアミド基に移動する。
【０００３】
衝突ガスとの衝突によってペプチドイオンの内部エネルギーを増加させることによりペプチドイオンを断片化することが知られている。ペプチドイオンの内部エネルギーを、内部エネルギーが分子の主鎖に沿ったアミド結合を開裂するのに必要な活性化エネルギーを超えるまで増加させる。中性衝突ガスとの衝突によってイオンを断片化するこのプロセスは、一般に、衝突誘起解離（「ＣＩＤ」）と呼ばれる。衝突誘起解離によって生じたフラグメントイオンは、一般に、ｂ系列およびｙ系列のフラグメントまたは生成イオンと呼ばれ、ｂ系列のフラグメントイオンはアミノ末端に加えて１つまたは複数のアミノ酸残基を含み、ｙ系列のフラグメントイオンはカルボキシル末端に加えて１つまたは複数のアミノ酸残基を含む。
【０００４】
その他のペプチド断片化方法が知られている。ペプチドイオンを断片化する別の方法は、電子捕獲解離（「ＥＣＤ」）として知られているプロセスによってペプチドイオンを熱電子と相互作用させることである。電子捕獲解離は、衝突誘起解離で観察されるフラグメンテーションプロセスとはかなり異なるようにペプチドを開裂させる。特に、電子捕獲解離は、主鎖Ｎ−Ｃα結合またはアミン結合を開裂し、結果として生成されたフラグメントイオンは、一般に、ｃ系列およびｚ系列のフラグメントまたは生成イオンと呼ばれる。電子捕獲解離は、非エルゴード的である、すなわち、移動されたエネルギーが分子全体に行き渡る前に開裂が起こる、と考えられている。また、電子捕獲解離は、隣接アミノ酸の性質にそれほど依存することなく起こり、電子捕獲解離開裂に１００％抵抗性があるのはプロリンのＮ側だけである。
【０００５】
衝突誘起解離ではなく電子捕獲解離によってペプチドイオンを断片化することの１つの利点は、衝突誘起解離は、翻訳後修飾（「ＰＴＭ」）を開裂する傾向があり、修飾部位の同定を困難にしていることである。これとは対照的に、電子捕獲解離によってペプチドイオンを断片化すると、例えばリン酸化およびグリコシル化による翻訳後修飾が保たれやすい。
【０００６】
しかしながら、電子捕獲解離技術には、熱運動エネルギーの近い正イオンと電子との両方を同時に閉じ込める必要があるという重大な問題がある。電子捕獲解離は、超伝導磁石を用いて大きな磁場を発生させるフーリエ変換イオンサイクロトロン共鳴（「ＦＴ−ＩＣＲ」）質量分析部を用いて実証されている。しかしながら、このような質量分析計は、非常に大型で、質量分析の利用者の大多数には手が出せないほど高価である。
【０００７】
電子捕獲解離の代わりとして、線形イオントラップ内で負の電荷を持つ試薬イオンを多価検体カチオンと反応させることによってペプチドイオンを断片化することが可能であることが実証されている。正の電荷を持つ検体イオンを負の電荷を持つ試薬イオンと反応させるプロセスは、電子移動解離（「ＥＴＤ」）と呼ばれている。電子移動解離は、電子を負の電荷を持つ試薬イオンから正の電荷を持つ検体イオンへ移動させる機構である。電子の移動後、電荷減少されたペプチドすなわち検体イオンは、電子捕獲解離によるフラグメンテーションの原因と考えられているのと同じ機構によって解離する。すなわち、電子移動解離は電子捕獲解離と同様にしてアミン結合を開裂すると考えられている。結果として、ペプチド検体イオンの電子移動解離により生成された生成またはフラグメントイオンは、主にｃ系列およびｚ系列のフラグメントまたは生成イオンを含む。
【０００８】
電子移動解離の１つの格別の利点は、このようなプロセスが翻訳後修飾（ＰＴＭ）の同定に特に適していることである。これは、リン酸化またはグリコシル化のような弱い結合のＰＴＭがアミノ酸鎖の主鎖の電子誘起フラグメンテーション後も残るためである。
【０００９】
現在、電子移動解離は、試薬アニオンと検体カチオンとの間のイオン−イオン反応を促進するように構成された二次元線形イオントラップ内にカチオンとアニオンとを互いに閉じ込めることによって実証されている。補助的な軸方向閉じ込め用ＲＦ擬ポテンシャル障壁を二次元線形四重極イオントラップの両端に印加することにより、カチオンとアニオンとを同時に二次元線形イオントラップ内にトラップする。しかしながら、この手法は、イオントラップ内のイオンから見た有効なＲＦ擬ポテンシャル障壁高さがそのイオンの質量電荷比の関数となるため、問題を抱えている。結果として、イオン−イオン反応を促進するためにイオントラップ内に同時に閉じ込めることができる検体および試薬イオンの質量電荷比範囲がいくぶん限定される。
【００１０】
ある特定の極性を有するイオン（例えば試薬アニオン）をイオントラップ内に閉じ込めるために一定のＤＣ軸方向電位を二次元線形四重極イオントラップの両端に印加する、電子移動解離を行う別の方法が知られている。その後、イオントラップ内に閉じ込められたイオンとは反対の極性を有するイオン（例えば検体カチオン）をイオントラップ内へ向かわせる。検体カチオンは、イオントラップ内に既に閉じ込められていた試薬アニオンと反応する。しかしながら、試薬アニオンをイオントラップ内に保持するのに用いられる軸方向ＤＣ障壁は、イオントラップ内に導入される検体カチオンに対して加速電位として作用するという逆効果も有する。結果として、試薬アニオンと検体カチオンとの間に大きな運動エネルギー差または不一致が生じ、起こり得るあらゆるイオン−イオン反応は最適に起こらない。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
イオン−イオン反応およびイオン−中性ガス反応を行う改良された方法および装置を提供すること、特に、ペプチドのような検体およびフラグメントイオンの電子移動解離（「ＥＴＤ」）フラグメンテーションプロセスおよび／またはプロトン移動反応電荷状態減少プロセスを最適化する改良された方法および装置を提供することが望まれている。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の一態様によると、少なくとも１つの使用時にイオンが移送されるアパーチャを有する複数の電極を含むイオンガイドを含む電子移動解離またはプロトン移動反応デバイスが提供される。
【００１３】
第１のデバイスが、少なくともいくらかの第１のイオンを駆動または付勢して（ｕｒｇｅ）第１の方向にイオンガイドの軸方向長さの少なくとも一部に沿わせるおよび／または通すために、１つまたは複数の第１の過渡ＤＣ電圧もしくは電位あるいは１つまたは複数の第１の過渡ＤＣ電圧もしくは電位波形を複数の電極の少なくともいくつかに印加するように構成および適合されることが好ましい。
【００１４】
第２のデバイスが、少なくともいくらかの第２のイオンを駆動または付勢して第２の異なる方向にイオンガイドの軸方向長さの少なくとも一部に沿わせるおよび／または通すために、１つまたは複数の第２の過渡ＤＣ電圧もしくは電位あるいは１つまたは複数の第２の過渡ＤＣ電圧もしくは電位波形を複数の電極の少なくともいくつかに印加するように構成および適合されることが好ましい。第１および第２の過渡ＤＣ電圧もしくは電位または電圧もしくは電位波形または進行波は、順次または同時に電極に印加されることが好ましい。
【００１５】
一実施形態によると、第１のデバイスは、少なくともいくらかの第１のイオンを駆動または付勢して第１の方向にイオンガイドの軸方向長さの少なくとも０〜５％、５〜１０％、１０〜１５％、１５〜２０％、２０〜２５％、２５〜３０％、３０〜３５％、３５〜４０％、４０〜４５％、４５〜５０％、５０〜５５％、５５〜６０％、６０〜６５％、６５〜７０％、７０〜７５％、７５〜８０％、８０〜８５％、８５〜９０％、９０〜９５％または９５〜１００％に沿わせるおよび／または通すために、１つまたは複数の第１の過渡ＤＣ電圧もしくは電位あるいは１つまたは複数の第１の過渡ＤＣ電圧もしくは電位波形を複数の電極の０〜５％、５〜１０％、１０〜１５％、１５〜２０％、２０〜２５％、２５〜３０％、３０〜３５％、３５〜４０％、４０〜４５％、４５〜５０％、５０〜５５％、５５〜６０％、６０〜６５％、６５〜７０％、７０〜７５％、７５〜８０％、８０〜８５％、８５〜９０％、９０〜９５％または９５〜１００％に印加するように構成および適合されることが好ましい。
【００１６】
一実施形態によると、第２のデバイスは、少なくともいくらかの第２のイオンを駆動または付勢して第２の方向にイオンガイドの軸方向長さの少なくとも０〜５％、５〜１０％、１０〜１５％、１５〜２０％、２０〜２５％、２５〜３０％、３０〜３５％、３５〜４０％、４０〜４５％、４５〜５０％、５０〜５５％、５５〜６０％、６０〜６５％、６５〜７０％、７０〜７５％、７５〜８０％、８０〜８５％、８５〜９０％、９０〜９５％または９５〜１００％に沿わせるおよび／または通すために、１つまたは複数の第２の過渡ＤＣ電圧もしくは電位あるいは１つまたは複数の第２の過渡ＤＣ電圧もしくは電位波形を複数の電極の０〜５％、５〜１０％、１０〜１５％、１５〜２０％、２０〜２５％、２５〜３０％、３０〜３５％、３５〜４０％、４０〜４５％、４５〜５０％、５０〜５５％、５５〜６０％、６０〜６５％、６５〜７０％、７０〜７５％、７５〜８０％、８０〜８５％、８５〜９０％、９０〜９５％または９５〜１００％に印加するように構成および適合されることが好ましい。
【００１７】
第２の方向は、第１の方向と実質的に反対つまり逆であることが好ましい。あるいは、第１の方向と第２の方向とのなす角度が、（ｉ）＜３０°、（ｉｉ）３０〜６０°、（ｉｉｉ）６０〜９０°、（ｉｖ）９０〜１２０°、（ｖ）１２０〜１５０°、（ｖｉ）１５０〜１８０°および（ｖｉｉ）１８０°からなる群から選択されてもよい。
【００１８】
第１のイオンは、（ｉ）アニオンつまり負の電荷を持つイオン、（ｉｉ）カチオンつまり正の電荷を持つイオンまたは（ｉｉｉ）アニオンとカチオンとの組み合わせつまり混合物のいずれかを含むことが好ましい。
【００１９】
第２のイオンは、（ｉ）アニオンつまり負の電荷を持つイオン、（ｉｉ）カチオンつまり正の電荷を持つイオンまたは（ｉｉｉ）アニオンとカチオンとの組み合わせつまり混合物を含むことが好ましい。
【００２０】
異なる種のカチオンおよび／または試薬イオンを反応デバイスの両端から反応デバイス内に導入する実施形態が考えられる。
【００２１】
第１のイオンは第１の極性を有することが好ましく、第２のイオンは第１の極性と反対であることが好ましい第２の極性を有することが好ましい。
【００２２】
一実施形態によると、デバイスは、使用時にイオンをイオンガイド内に半径方向に閉じ込めるように、第１の周波数および第１の振幅を有する第１のＡＣまたはＲＦ電圧を複数の電極の少なくともいくつかに印加するように構成および適合された第１のＲＦデバイスをさらに含むことが好ましい。
【００２３】
第１の周波数は、（ｉ）＜１００ｋＨｚ、（ｉｉ）１００〜２００ｋＨｚ、（ｉｉｉ）２００〜３００ｋＨｚ、（ｉｖ）３００〜４００ｋＨｚ、（ｖ）４００〜５００ｋＨｚ、（ｖｉ）０．５〜１．０ＭＨｚ、（ｖｉｉ）１．０〜１．５ＭＨｚ、（ｖｉｉｉ）１．５〜２．０ＭＨｚ、（ｉｘ）２．０〜２．５ＭＨｚ、（ｘ）２．５〜３．０ＭＨｚ、（ｘｉ）３．０〜３．５ＭＨｚ、（ｘｉｉ）３．５〜４．０ＭＨｚ、（ｘｉｉｉ）４．０〜４．５ＭＨｚ、（ｘｉｖ）４．５〜５．０ＭＨｚ、（ｘｖ）５．０〜５．５ＭＨｚ、（ｘｖｉ）５．５〜６．０ＭＨｚ、（ｘｖｉｉ）６．０〜６．５ＭＨｚ、（ｘｖｉｉｉ）６．５〜７．０ＭＨｚ、（ｘｉｘ）７．０〜７．５ＭＨｚ、（ｘｘ）７．５〜８．０ＭＨｚ、（ｘｘｉ）８．０〜８．５ＭＨｚ、（ｘｘｉｉ）８．５〜９．０ＭＨｚ、（ｘｘｉｉｉ）９．０〜９．５ＭＨｚ、（ｘｘｉｖ）９．５〜１０．０ＭＨｚおよび（ｘｘｖ）＞１０．０ＭＨｚからなる群から選択されることが好ましい。
【００２４】
第１の振幅は、（ｉ）＜５０Ｖピークトゥピーク、（ｉｉ）５０〜１００Ｖピークトゥピーク、（ｉｉｉ）１００〜１５０Ｖピークトゥピーク、（ｉｖ）１５０〜２００Ｖピークトゥピーク、（ｖ）２００〜２５０Ｖピークトゥピーク、（ｖｉ）２５０〜３００Ｖピークトゥピーク、（ｖｉｉ）３００〜３５０Ｖピークトゥピーク、（ｖｉｉｉ）３５０〜４００Ｖピークトゥピーク、（ｉｘ）４００〜４５０Ｖピークトゥピーク、（ｘ）４５０〜５００Ｖピークトゥピークおよび（ｘｉ）＞５００Ｖピークトゥピークからなる群から選択されることが好ましい。
【００２５】
一動作モードにおいて、隣接するつまり隣り合う電極に、逆位相の第１のＡＣまたはＲＦ電圧が供給されることが好ましい。
【００２６】
イオンガイドは、１〜１０、１０〜２０、２０〜３０、３０〜４０、４０〜５０、５０〜６０、６０〜７０、７０〜８０、８０〜９０、９０〜１００または＞１００の電極群を含み、各電極群は、少なくとも１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１１、１２、１３、１４、１５、１６、１７、１８、１９または２０の電極を含み、各群における少なくとも１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１１、１２、１３、１４、１５、１６、１７、１８、１９または２０の電極に同位相の第１のＡＣまたはＲＦ電圧が供給されることが好ましい。
【００２７】
一実施形態によると、電子移動解離またはプロトン移動反応デバイスは、第１の周波数を、期間ｔ1にわたってｘ1ＭＨｚだけ、漸進的に増加、漸進的に減少、漸進的に変化、走査、直線的に増加、直線的に減少、段階的、漸進的もしくは別の方法で増加または段階的、漸進的もしくは別の方法で減少させるように構成および適合されたデバイスをさらに含むことが好ましい。
【００２８】
一実施形態によると、ｘ1は、（ｉ）＜１００ｋＨｚ、（ｉｉ）１００〜２００ｋＨｚ、（ｉｉｉ）２００〜３００ｋＨｚ、（ｉｖ）３００〜４００ｋＨｚ、（ｖ）４００〜５００ｋＨｚ、（ｖｉ）０．５〜１．０ＭＨｚ、（ｖｉｉ）１．０〜１．５ＭＨｚ、（ｖｉｉｉ）１．５〜２．０ＭＨｚ、（ｉｘ）２．０〜２．５ＭＨｚ、（ｘ）２．５〜３．０ＭＨｚ、（ｘｉ）３．０〜３．５ＭＨｚ、（ｘｉｉ）３．５〜４．０ＭＨｚ、（ｘｉｉｉ）４．０〜４．５ＭＨｚ、（ｘｉｖ）４．５〜５．０ＭＨｚ、（ｘｖ）５．０〜５．５ＭＨｚ、（ｘｖｉ）５．５〜６．０ＭＨｚ、（ｘｖｉｉ）６．０〜６．５ＭＨｚ、（ｘｖｉｉｉ）６．５〜７．０ＭＨｚ、（ｘｉｘ）７．０〜７．５ＭＨｚ、（ｘｘ）７．５〜８．０ＭＨｚ、（ｘｘｉ）８．０〜８．５ＭＨｚ、（ｘｘｉｉ）８．５〜９．０ＭＨｚ、（ｘｘｉｉｉ）９．０〜９．５ＭＨｚ、（ｘｘｉｖ）９．５〜１０．０ＭＨｚおよび（ｘｘｖ）＞１０．０ＭＨｚからなる群から選択されることが好ましい。
【００２９】
一実施形態によると、ｔ1は、（ｉ）＜１ミリ秒、（ｉｉ）１〜１０ミリ秒、（ｉｉｉ）１０〜２０ミリ秒、（ｉｖ）２０〜３０ミリ秒、（ｖ）３０〜４０ミリ秒、（ｖｉ）４０〜５０ミリ秒、（ｖｉｉ）５０〜６０ミリ秒、（ｖｉｉｉ）６０〜７０ミリ秒、（ｉｘ）７０〜８０ミリ秒、（ｘ）８０〜９０ミリ秒、（ｘｉ）９０〜１００ミリ秒、（ｘｉｉ）１００〜２００ミリ秒、（ｘｉｉｉ）２００〜３００ミリ秒、（ｘｉｖ）３００〜４００ミリ秒、（ｘｖ）４００〜５００ミリ秒、（ｘｖｉ）５００〜６００ミリ秒、（ｘｖｉｉ）６００〜７００ミリ秒、（ｘｖｉｉｉ）７００〜８００ミリ秒、（ｘｉｘ）８００〜９００ミリ秒、（ｘｘ）９００〜１０００ミリ秒、（ｘｘｉ）１〜２秒、（ｘｘｉｉ）２〜３秒、（ｘｘｉｉｉ）３〜４秒、（ｘｘｉｖ）４〜５秒および（ｘｘｖ）＞５秒からなる群から選択されることが好ましい。
【００３０】
一実施形態によると、電子移動解離またはプロトン移動反応デバイスは、第１の振幅を、期間ｔ2にわたってｘ2ボルトだけ、漸進的に増加、漸進的に減少、漸進的に変化、走査、直線的に増加、直線的に減少、段階的、漸進的もしくは別の方法で増加または段階的、漸進的もしくは別の方法で減少させるように構成および適合されたデバイスをさらに含む。
【００３１】
一実施形態によると、ｘ2は、（ｉ）＜５０Ｖピークトゥピーク、（ｉｉ）５０〜１００Ｖピークトゥピーク、（ｉｉｉ）１００〜１５０Ｖピークトゥピーク、（ｉｖ）１５０〜２００Ｖピークトゥピーク、（ｖ）２００〜２５０Ｖピークトゥピーク、（ｖｉ）２５０〜３００Ｖピークトゥピーク、（ｖｉｉ）３００〜３５０Ｖピークトゥピーク、（ｖｉｉｉ）３５０〜４００Ｖピークトゥピーク、（ｉｘ）４００〜４５０Ｖピークトゥピーク、（ｘ）４５０〜５００Ｖピークトゥピークおよび（ｘｉ）＞５００Ｖピークトゥピークからなる群から選択されることが好ましい。
【００３２】
一実施形態によると、ｔ2は、（ｉ）＜１ミリ秒、（ｉｉ）１〜１０ミリ秒、（ｉｉｉ）１０〜２０ミリ秒、（ｉｖ）２０〜３０ミリ秒、（ｖ）３０〜４０ミリ秒、（ｖｉ）４０〜５０ミリ秒、（ｖｉｉ）５０〜６０ミリ秒、（ｖｉｉｉ）６０〜７０ミリ秒、（ｉｘ）７０〜８０ミリ秒、（ｘ）８０〜９０ミリ秒、（ｘｉ）９０〜１００ミリ秒、（ｘｉｉ）１００〜２００ミリ秒、（ｘｉｉｉ）２００〜３００ミリ秒、（ｘｉｖ）３００〜４００ミリ秒、（ｘｖ）４００〜５００ミリ秒、（ｘｖｉ）５００〜６００ミリ秒、（ｘｖｉｉ）６００〜７００ミリ秒、（ｘｖｉｉｉ）７００〜８００ミリ秒、（ｘｉｘ）８００〜９００ミリ秒、（ｘｘ）９００〜１０００ミリ秒、（ｘｘｉ）１〜２秒、（ｘｘｉｉ）２〜３秒、（ｘｘｉｉｉ）３〜４秒、（ｘｘｉｖ）４〜５秒および（ｘｘｖ）＞５秒からなる群から選択されることが好ましい。
【００３３】
一実施形態によると、電子移動解離またはプロトン移動反応デバイスは、第１のイオンの少なくともいくらかおよび／または第２のイオンの少なくともいくらかをイオンガイド内に閉じ込めるように作用する正または負の電位をイオンガイドの第１または上流端において印加するためのデバイスをさらに含むことが好ましい。この電位は、第１のイオンの少なくともいくらかおよび／または第２のイオンの少なくともいくらかを第１または上流端を介してイオンガイドから出射可能にもすることが好ましい。
【００３４】
一実施形態によると、第１のイオンの少なくともいくらかおよび／または第２のイオンの少なくともいくらかをイオンガイド内に閉じ込めるように作用する正または負の電位をイオンガイドの第２または下流端において印加するためのデバイスが提供される。この電位は、第１のイオンの少なくともいくらかおよび／または第２のイオンの少なくともいくらかを第２または下流端を介してイオンガイドから出射可能にもすることが好ましい。
【００３５】
一実施形態によると、
（ａ）電極の少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％が、実質的に円形、長方形、正方形または楕円形のアパーチャを有し、かつ／あるいは、
（ｂ）電極の少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％が、実質的に同じ第１のサイズであるかまたは実質的に同じ第１の面積を有するアパーチャを有し、かつ／または、電極の少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％が、実質的に同じ第２の異なるサイズであるかまたは実質的に同じ第２の異なる面積を有するアパーチャを有し、かつ／あるいは、
（ｃ）電極の少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％が、イオンガイドの軸に沿う方向にサイズまたは面積が漸進的に大きくおよび／または小さくなるアパーチャを有し、かつ／あるいは、
（ｄ）電極の少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％が、（ｉ）≦１．０ｍｍ、（ｉｉ）≦２．０ｍｍ、（ｉｉｉ）≦３．０ｍｍ、（ｉｖ）≦４．０ｍｍ、（ｖ）≦５．０ｍｍ、（ｖｉ）≦６．０ｍｍ、（ｖｉｉ）≦７．０ｍｍ、（ｖｉｉｉ）≦８．０ｍｍ、（ｉｘ）≦９．０ｍｍ、（ｘ）≦１０．０ｍｍおよび（ｘｉ）＞１０．０ｍｍからなる群から選択される内径または内寸を有するアパーチャを有し、かつ／あるいは、
（ｅ）電極の少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％が、（ｉ）５ｍｍ以下、（ｉｉ）４．５ｍｍ以下、（ｉｉｉ）４ｍｍ以下、（ｉｖ）３．５ｍｍ以下、（ｖ）３ｍｍ以下、（ｖｉ）２．５ｍｍ以下、（ｖｉｉ）２ｍｍ以下、（ｖｉｉｉ）１．５ｍｍ以下、（ｉｘ）１ｍｍ以下、（ｘ）０．８ｍｍ以下、（ｘｉ）０．６ｍｍ以下、（ｘｉｉ）０．４ｍｍ以下、（ｘｉｉｉ）０．２ｍｍ以下、（ｘｉｖ）０．１ｍｍ以下および（ｘｖ）０．２５ｍｍ以下からなる群から選択される軸方向距離だけ互いに離間され、かつ／あるいは、
（ｆ）複数の電極の少なくともいくつかがアパーチャを含み、アパーチャの内径または内寸の、隣接する電極間の中心から中心までの軸方向間隔に対する比が、（ｉ）＜１．０、（ｉｉ）１．０〜１．２、（ｉｉｉ）１．２〜１．４、（ｉｖ）１．４〜１．６、（ｖ）１．６〜１．８、（ｖｉ）１．８〜２．０、（ｖｉｉ）２．０〜２．２、（ｖｉｉｉ）２．２〜２．４、（ｉｘ）２．４〜２．６、（ｘ）２．６〜２．８、（ｘｉ）２．８〜３．０、（ｘｉｉ）３．０〜３．２、（ｘｉｉｉ）３．２〜３．４、（ｘｉｖ）３．４〜３．６、（ｘｖ）３．６〜３．８、（ｘｖｉ）３．８〜４．０、（ｘｖｉｉ）４．０〜４．２、（ｘｖｉｉｉ）４．２〜４．４、（ｘｉｘ）４．４〜４．６、（ｘｘ）４．６〜４．８、（ｘｘｉ）４．８〜５．０および（ｘｘｉｉ）＞５．０からなる群から選択され、かつ／あるいは、
（ｇ）複数の電極のアパーチャの内径が、イオンガイドの長手方向軸に沿って、１回または複数回、漸進的に増加または減少した後で漸進的に減少または増加し、かつ／あるいは、
（ｈ）複数の電極が、（ｉ）１つまたは複数の球、（ｉｉ）１つまたは複数の扁球、（ｉｉｉ）１つまたは複数の長球、（ｉｖ）１つまたは複数の楕円体および（ｖ）１つまたは複数の三軸不等楕円体（ｓｃａｌｅｎｅ  ｅｌｌｉｐｓｏｉｄｓ）からなる群から選択される幾何学的空間を規定し、かつ／あるいは、
（ｉ）イオンガイドが、（ｉ）＜２０ｍｍ、（ｉｉ）２０〜４０ｍｍ、（ｉｉｉ）４０〜６０ｍｍ、（ｉｖ）６０〜８０ｍｍ、（ｖ）８０〜１００ｍｍ、（ｖｉ）１００〜１２０ｍｍ、（ｖｉｉ）１２０〜１４０ｍｍ、（ｖｉｉｉ）１４０〜１６０ｍｍ、（ｉｘ）１６０〜１８０ｍｍ、（ｘ）１８０〜２００ｍｍおよび（ｘｉ）＞２００ｍｍからなる群から選択される長さを有し、かつ／あるいは、
（ｊ）イオンガイドが、少なくとも（ｉ）１〜１０の電極、（ｉｉ）１０〜２０の電極、（ｉｉｉ）２０〜３０の電極、（ｉｖ）３０〜４０の電極、（ｖ）４０〜５０の電極、（ｖｉ）５０〜６０の電極、（ｖｉｉ）６０〜７０の電極、（ｖｉｉｉ）７０〜８０の電極、（ｉｘ）８０〜９０の電極、（ｘ）９０〜１００の電極、（ｘｉ）１００〜１１０の電極、（ｘｉｉ）１１０〜１２０の電極、（ｘｉｉｉ）１２０〜１３０の電極、（ｘｉｖ）１３０〜１４０の電極、（ｘｖ）１４０〜１５０の電極、（ｘｖｉ）１５０〜１６０の電極、（ｘｖｉｉ）１６０〜１７０の電極、（ｘｖｉｉｉ）１７０〜１８０の電極、（ｘｉｘ）１８０〜１９０の電極、（ｘｘ）１９０〜２００の電極および（ｘｘｉ）＞２００の電極を含み、かつ／あるいは、
（ｋ）電極の少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％が、（ｉ）５ｍｍ以下、（ｉｉ）４．５ｍｍ以下、（ｉｉｉ）４ｍｍ以下、（ｉｖ）３．５ｍｍ以下、（ｖ）３ｍｍ以下、（ｖｉ）２．５ｍｍ以下、（ｖｉｉ）２ｍｍ以下、（ｖｉｉｉ）１．５ｍｍ以下、（ｉｘ）１ｍｍ以下、（ｘ）０．８ｍｍ以下、（ｘｉ）０．６ｍｍ以下、（ｘｉｉ）０．４ｍｍ以下、（ｘｉｉｉ）０．２ｍｍ以下、（ｘｉｖ）０．１ｍｍ以下および（ｘｖ）０．２５ｍｍ以下からなる群から選択される厚さつまり軸方向長さを有し、かつ／あるいは、
（ｌ）複数の電極のピッチつまり軸方向間隔が、イオンガイドの長手方向軸に沿って、１回または複数回、漸進的に減少または増加する。
【００３６】
一実施形態によると、このデバイスは、２つの隣接するイオントンネル部を含み得る。第１のイオントンネル部内の電極は第１の内径を有することが好ましく、第２のイオントンネル部内の電極は第２の異なる内径（一実施形態によると、第１の内径より小さくても大きくてもよい）を有することが好ましい。第１および／または第２のイオントンネル部を、質量分析計の全体的な中心長手方向軸に対して傾斜させるかまたは軸外に配置してもよい。これにより、真空室を通して絶えず直線的に移動する中性粒子からイオンを分離させることができる。
【００３７】
一実施形態によると、電子移動解離またはプロトン移動反応デバイスは、
（ｉ）イオンガイドの軸方向長さの少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％に沿って線形軸方向ＤＣ電場を生成するように、または、
（ｉｉ）イオンガイドの軸方向長さの少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％に沿って非線形または階段状軸方向ＤＣ電場を生成するように、構成および適合されたデバイスをさらに含む。
【００３８】
一実施形態によると、電子移動解離またはプロトン移動反応デバイスは、１つまたは複数の第１の過渡ＤＣ電圧もしくは電位あるいは１つまたは複数の第１の過渡ＤＣ電圧もしくは電位波形の振幅、高さまたは深さを、期間ｔ3にわたってｘ3ボルトだけ、漸進的に増加、漸進的に減少、漸進的に変化、走査、直線的に増加、直線的に減少、段階的、漸進的もしくは別の方法で増加または段階的、漸進的もしくは別の方法で減少させるように構成および適合されたデバイスをさらに含むことが好ましい。
【００３９】
一実施形態によると、ｘ3は、（ｉ）＜０．１Ｖ、（ｉｉ）０．１〜０．２Ｖ、（ｉｉｉ）０．２〜０．３Ｖ、（ｉｖ）０．３〜０．４Ｖ、（ｖ）０．４〜０．５Ｖ、（ｖｉ）０．５〜０．６Ｖ、（ｖｉｉ）０．６〜０．７Ｖ、（ｖｉｉｉ）０．７〜０．８Ｖ、（ｉｘ）０．８〜０．９Ｖ、（ｘ）０．９〜１．０Ｖ、（ｘｉ）１．０〜１．５Ｖ、（ｘｉｉ）１．５〜２．０Ｖ、（ｘｉｉｉ）２．０〜２．５Ｖ、（ｘｉｖ）２．５〜３．０Ｖ、（ｘｖ）３．０〜３．５Ｖ、（ｘｖｉ）３．５〜４．０Ｖ、（ｘｖｉｉ）４．０〜４．５Ｖ、（ｘｖｉｉｉ）４．５〜５．０Ｖ、（ｘｉｘ）５．０〜５．５Ｖ、（ｘｘ）５．５〜６．０Ｖ、（ｘｘｉ）６．０〜６．５Ｖ、（ｘｘｉｉ）６．５〜７．０Ｖ、（ｘｘｉｉｉ）７．０〜７．５Ｖ、（ｘｘｉｖ）７．５〜８．０Ｖ、（ｘｘｖ）８．０〜８．５Ｖ、（ｘｘｖｉ）８．５〜９．０Ｖ、（ｘｘｖｉｉ）９．０〜９．５Ｖ、（ｘｘｖｉｉｉ）９．５〜１０．０Ｖおよび（ｘｘｉｘ）＞１０．０Ｖからなる群から選択されることが好ましい。
【００４０】
一実施形態によると、ｔ3は、（ｉ）＜１ミリ秒、（ｉｉ）１〜１０ミリ秒、（ｉｉｉ）１０〜２０ミリ秒、（ｉｖ）２０〜３０ミリ秒、（ｖ）３０〜４０ミリ秒、（ｖｉ）４０〜５０ミリ秒、（ｖｉｉ）５０〜６０ミリ秒、（ｖｉｉｉ）６０〜７０ミリ秒、（ｉｘ）７０〜８０ミリ秒、（ｘ）８０〜９０ミリ秒、（ｘｉ）９０〜１００ミリ秒、（ｘｉｉ）１００〜２００ミリ秒、（ｘｉｉｉ）２００〜３００ミリ秒、（ｘｉｖ）３００〜４００ミリ秒、（ｘｖ）４００〜５００ミリ秒、（ｘｖｉ）５００〜６００ミリ秒、（ｘｖｉｉ）６００〜７００ミリ秒、（ｘｖｉｉｉ）７００〜８００ミリ秒、（ｘｉｘ）８００〜９００ミリ秒、（ｘｘ）９００〜１０００ミリ秒、（ｘｘｉ）１〜２秒、（ｘｘｉｉ）２〜３秒、（ｘｘｉｉｉ）３〜４秒、（ｘｘｉｖ）４〜５秒および（ｘｘｖ）＞５秒からなる群から選択されることが好ましい。
【００４１】
一実施形態によると、
（ａ）第１のデバイスが、複数の電極に印加される１つまたは複数の第１の過渡ＤＣ電圧もしくは電位あるいは１つまたは複数の第１の過渡ＤＣ電圧もしくは電位波形の振幅、高さまたは深さを、イオンガイドの長さに沿った位置または変位量の関数として、漸進的に増加、漸進的に減少、漸進的に変化、直線的に増加、直線的に減少、段階的、漸進的もしくは別の方法で増加または段階的、漸進的もしくは別の方法で減少させるように構成および適合され、かつ／または、
（ｂ）第１のデバイスが、複数の電極に印加される１つまたは複数の第１の過渡ＤＣ電圧もしくは電位あるいは１つまたは複数の第１の過渡ＤＣ電圧もしくは電位波形の振幅、高さまたは深さを、イオンガイドの長さに沿ってイオンガイドの第１端からイオンガイドの中心領域または別の領域まで低減させるように構成および適合される。
【００４２】
イオンガイドの長さに沿った第１の位置において複数の電極に印加される１つまたは複数の第１の過渡ＤＣ電圧もしくは電位あるいは１つまたは複数の第１の過渡ＤＣ電圧もしくは電位波形の振幅、高さまたは深さをＸとし得る。イオンガイドの長さに沿った第２の異なる位置において複数の電極に印加される１つまたは複数の第１の過渡ＤＣ電圧もしくは電位あるいは１つまたは複数の第１の過渡ＤＣ電圧もしくは電位波形の振幅、高さまたは深さは、０〜０．０５Ｘ、０．０５〜０．１０Ｘ、  ０．１０〜０．１５Ｘ、０．１５〜０．２０Ｘ、０．２０〜０．２５Ｘ、０．２５〜０．３０Ｘ、０．３０〜０．３５Ｘ、０．３５〜０．４０Ｘ、０．４０〜０．４５Ｘ、０．４５〜０．５０Ｘ、０．５０〜０．５５Ｘ、０．５５〜０．６０Ｘ、０．６０〜０．６５Ｘ、０．６５〜０．７０Ｘ、０．７０〜０．７５Ｘ、０．７５〜０．８０Ｘ、０．８０〜０．８５Ｘ、０．８５〜０．９０Ｘ、０．９０〜０．９５Ｘまたは０．９５〜１．００Ｘとなるように構成され得る。
【００４３】
複数の電極に印加される１つまたは複数の第１の過渡ＤＣ電圧もしくは電位あるいは１つまたは複数の第１の過渡ＤＣ電圧もしくは電位波形の振幅、高さまたは深さは、第１のイオンがもはや１つまたは複数のＤＣポテンシャル障壁によって軸方向に閉じ込められなくなるように、イオンガイドの軸方向長さの少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％または９５％に沿ってゼロまたはゼロ近くまで低減し得る。
【００４４】
一実施形態によると、電子移動解離またはプロトン移動反応デバイスは、１つまたは複数の第１の過渡ＤＣ電圧もしくは電位あるいは１つまたは複数の第１の過渡ＤＣ電圧もしくは電位波形を電極に印加または電極に沿って並進させる（ｔｒａｎｓｌａｔｅ）速度または割合を、期間ｔ4にわたってｘ4ミリ秒だけ、漸進的に増加、漸進的に減少、漸進的に変化、走査、直線的に増加、直線的に減少、段階的、漸進的もしくは別の方法で増加または段階的、漸進的もしくは別の方法で減少させるように構成および適合されたデバイスをさらに含み得る。
【００４５】
一実施形態によると、ｘ4は、（ｉ）＜１、（ｉｉ）１〜２、（ｉｉｉ）２〜３、（ｉｖ）３〜４、（ｖ）４〜５、（ｖｉ）５〜６、（ｖｉｉ）６〜７、（ｖｉｉｉ）７〜８、（ｉｘ）８〜９、（ｘ）９〜１０、（ｘｉ）１０〜１１、（ｘｉｉ）１１〜１２、（ｘｉｉｉ）１２〜１３、（ｘｉｖ）１３〜１４、（ｘｖ）１４〜１５、（ｘｖｉ）１５〜１６、（ｘｖｉｉ）１６〜１７、（ｘｖｉｉｉ）１７〜１８、（ｘｉｘ）１８〜１９、（ｘｘ）１９〜２０、（ｘｘｉ）２０〜３０、（ｘｘｉｉ）３０〜４０、（ｘｘｉｉｉ）４０〜５０、（ｘｘｉｖ）５０〜６０、（ｘｘｖ）６０〜７０、（ｘｘｖｉ）７０〜８０、（ｘｘｖｉｉ）８０〜９０、（ｘｘｖｉｉｉ）９０〜１００、（ｘｘｉｘ）１００〜１５０、（ｘｘｘ）１５０〜２００、（ｘｘｘｉ）２００〜２５０、（ｘｘｘｉｉ）２５０〜３００、（ｘｘｘｉｉｉ）３００〜３５０、（ｘｘｘｉｖ）３５０〜４００、（ｘｘｘｖ）４００〜４５０、（ｘｘｘｖｉ）４５０〜５００、（ｘｘｘｖｉｉ）５００〜６００、（ｘｘｘｖｉｉｉ）６００〜７００、（ｘｘｘｉｘ）７００〜８００、（ｘｌ）８００〜９００、（ｘｌｉ）９００〜１０００、（ｘｌｉｉ）１０００〜２０００、（ｘｌｉｉｉ）２０００〜３０００、（ｘｌｉｖ）３０００〜４０００、（ｘｌｖ）４０００〜５０００、（ｘｌｖｉ）５０００〜６０００、（ｘｌｖｉｉ）６０００〜７０００、（ｘｌｖｉｉｉ）７０００〜８０００、（ｘｌｉｘ）８０００〜９０００、（ｌ）９０００〜１００００および（ｌｉ）＞１００００からなる群から選択されることが好ましい。
【００４６】
一実施形態によると、ｔ4は、（ｉ）＜１ミリ秒、（ｉｉ）１〜１０ミリ秒、（ｉｉｉ）１０〜２０ミリ秒、（ｉｖ）２０〜３０ミリ秒、（ｖ）３０〜４０ミリ秒、（ｖｉ）４０〜５０ミリ秒、（ｖｉｉ）５０〜６０ミリ秒、（ｖｉｉｉ）６０〜７０ミリ秒、（ｉｘ）７０〜８０ミリ秒、（ｘ）８０〜９０ミリ秒、（ｘｉ）９０〜１００ミリ秒、（ｘｉｉ）１００〜２００ミリ秒、（ｘｉｉｉ）２００〜３００ミリ秒、（ｘｉｖ）３００〜４００ミリ秒、（ｘｖ）４００〜５００ミリ秒、（ｘｖｉ）５００〜６００ミリ秒、（ｘｖｉｉ）６００〜７００ミリ秒、（ｘｖｉｉｉ）７００〜８００ミリ秒、（ｘｉｘ）８００〜９００ミリ秒、（ｘｘ）９００〜１０００ミリ秒、（ｘｘｉ）１〜２秒、（ｘｘｉｉ）２〜３秒、（ｘｘｉｉｉ）３〜４秒、（ｘｘｉｖ）４〜５秒および（ｘｘｖ）＞５秒からなる群から選択されることが好ましい。
【００４７】
一実施形態によると、電子移動解離またはプロトン移動反応デバイスは、１つまたは複数の第２の過渡ＤＣ電圧もしくは電位あるいは１つまたは複数の第２の過渡ＤＣ電圧もしくは電位波形の振幅、高さまたは深さを、期間ｔ5にわたってｘ5ボルトだけ、漸進的に増加、漸進的に減少、漸進的に変化、走査、直線的に増加、直線的に減少、段階的、漸進的もしくは別の方法で増加または段階的、漸進的もしくは別の方法で減少させるように構成および適合されたデバイスをさらに含むことが好ましい。
【００４８】
一実施形態によると、ｘ5は、（ｉ）＜０．１Ｖ、（ｉｉ）０．１〜０．２Ｖ、（ｉｉｉ）０．２〜０．３Ｖ、（ｉｖ）０．３〜０．４Ｖ、（ｖ）０．４〜０．５Ｖ、（ｖｉ）０．５〜０．６Ｖ、（ｖｉｉ）０．６〜０．７Ｖ、（ｖｉｉｉ）０．７〜０．８Ｖ、（ｉｘ）０．８〜０．９Ｖ、（ｘ）０．９〜１．０Ｖ、（ｘｉ）１．０〜１．５Ｖ、（ｘｉｉ）１．５〜２．０Ｖ、（ｘｉｉｉ）２．０〜２．５Ｖ、（ｘｉｖ）２．５〜３．０Ｖ、（ｘｖ）３．０〜３．５Ｖ、（ｘｖｉ）３．５〜４．０Ｖ、（ｘｖｉｉ）４．０〜４．５Ｖ、（ｘｖｉｉｉ）４．５〜５．０Ｖ、（ｘｉｘ）５．０〜５．５Ｖ、（ｘｘ）５．５〜６．０Ｖ、（ｘｘｉ）６．０〜６．５Ｖ、（ｘｘｉｉ）６．５〜７．０Ｖ、（ｘｘｉｉｉ）７．０〜７．５Ｖ、（ｘｘｉｖ）７．５〜８．０Ｖ、（ｘｘｖ）８．０〜８．５Ｖ、（ｘｘｖｉ）８．５〜９．０Ｖ、（ｘｘｖｉｉ）９．０〜９．５Ｖ、（ｘｘｖｉｉｉ）９．５〜１０．０Ｖおよび（ｘｘｉｘ）＞１０．０Ｖからなる群から選択されることが好ましい。
【００４９】
一実施形態によると、ｔ5は、（ｉ）＜１ミリ秒、（ｉｉ）１〜１０ミリ秒、（ｉｉｉ）１０〜２０ミリ秒、（ｉｖ）２０〜３０ミリ秒、（ｖ）３０〜４０ミリ秒、（ｖｉ）４０〜５０ミリ秒、（ｖｉｉ）５０〜６０ミリ秒、（ｖｉｉｉ）６０〜７０ミリ秒、（ｉｘ）７０〜８０ミリ秒、（ｘ）８０〜９０ミリ秒、（ｘｉ）９０〜１００ミリ秒、（ｘｉｉ）１００〜２００ミリ秒、（ｘｉｉｉ）２００〜３００ミリ秒、（ｘｉｖ）３００〜４００ミリ秒、（ｘｖ）４００〜５００ミリ秒、（ｘｖｉ）５００〜６００ミリ秒、（ｘｖｉｉ）６００〜７００ミリ秒、（ｘｖｉｉｉ）７００〜８００ミリ秒、（ｘｉｘ）８００〜９００ミリ秒、（ｘｘ）９００〜１０００ミリ秒、（ｘｘｉ）１〜２秒、（ｘｘｉｉ）２〜３秒、（ｘｘｉｉｉ）３〜４秒、（ｘｘｉｖ）４〜５秒および（ｘｘｖ）＞５秒からなる群から選択されることが好ましい。
【００５０】
一実施形態によると、
（ａ）第２のデバイスが、複数の電極に印加される１つまたは複数の第２の過渡ＤＣ電圧もしくは電位あるいは１つまたは複数の第２の過渡ＤＣ電圧もしくは電位波形の振幅、高さまたは深さを、イオンガイドの長さに沿った位置または変位量の関数として、漸進的に増加、漸進的に減少、漸進的に変化、直線的に増加、直線的に減少、段階的、漸進的もしくは別の方法で増加または段階的、漸進的もしくは別の方法で減少させるように構成および適合され、かつ／または、
（ｂ）第２のデバイスが、複数の電極に印加される１つまたは複数の第２の過渡ＤＣ電圧もしくは電位あるいは１つまたは複数の第２の過渡ＤＣ電圧もしくは電位波形の振幅、高さまたは深さを、イオンガイドの長さに沿ってイオンガイドの第２端からイオンガイドの中心領域または別の領域まで低減させるように構成および適合される。
【００５１】
イオンガイドの長さに沿った第２の位置において複数の電極に印加される１つまたは複数の第２の過渡ＤＣ電圧もしくは電位あるいは１つまたは複数の第２の過渡ＤＣ電圧もしくは電位波形の振幅、高さまたは深さをＸとし得る。イオンガイドの長さに沿った第２の異なる位置において複数の電極に印加される１つまたは複数の第２の過渡ＤＣ電圧もしくは電位あるいは１つまたは複数の第２の過渡ＤＣ電圧もしくは電位波形の振幅、高さまたは深さは、０〜０．０５Ｘ、０．０５〜０．１０Ｘ、０．１０〜０．１５Ｘ、０．１５〜０．２０Ｘ、０．２０〜０．２５Ｘ、０．２５〜０．３０Ｘ、０．３０〜０．３５Ｘ、０．３５〜０．４０Ｘ、０．４０〜０．４５Ｘ、０．４５〜０．５０Ｘ、０．５０〜０．５５Ｘ、０．５５〜０．６０Ｘ、０．６０〜０．６５Ｘ、０．６５〜０．７０Ｘ、０．７０〜０．７５Ｘ、０．７５〜０．８０Ｘ、０．８０〜０．８５Ｘ、０．８５〜０．９０Ｘ、０．９０〜０．９５Ｘまたは０．９５〜１．００Ｘとなるように構成され得る。
【００５２】
複数の電極に印加される１つまたは複数の第２の過渡ＤＣ電圧もしくは電位あるいは１つまたは複数の第２の過渡ＤＣ電圧もしくは電位波形の振幅、高さまたは深さは、第２のイオンがもはや１つまたは複数のポテンシャル障壁によって軸方向に閉じ込められなくなるように、イオンガイドの軸方向長さの少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％または９５％に沿ってゼロまたはゼロ近くまで低減するように構成され得る。
【００５３】
一実施形態によると、電子移動解離またはプロトン移動反応デバイスは、１つまたは複数の第２の過渡ＤＣ電圧もしくは電位あるいは１つまたは複数の第２の過渡ＤＣ電圧もしくは電位波形を電極に印加または電極に沿って並進させる速度または割合を、期間ｔ6にわたってｘ6ミリ秒だけ、漸進的に増加、漸進的に減少、漸進的に変化、走査、直線的に増加、直線的に減少、段階的、漸進的もしくは別の方法で増加または段階的、漸進的もしくは別の方法で減少させるように構成および適合されたデバイスをさらに含むことが好ましい。
【００５４】
一実施形態によると、ｘ6は、（ｉ）＜１、（ｉｉ）１〜２、（ｉｉｉ）２〜３、（ｉｖ）３〜４、（ｖ）４〜５、（ｖｉ）５〜６、（ｖｉｉ）６〜７、（ｖｉｉｉ）７〜８、（ｉｘ）８〜９、（ｘ）９〜１０、（ｘｉ）１０〜１１、（ｘｉｉ）１１〜１２、（ｘｉｉｉ）１２〜１３、（ｘｉｖ）１３〜１４、（ｘｖ）１４〜１５、（ｘｖｉ）１５〜１６、（ｘｖｉｉ）１６〜１７、（ｘｖｉｉｉ）１７〜１８、（ｘｉｘ）１８〜１９、（ｘｘ）１９〜２０、（ｘｘｉ）２０〜３０、（ｘｘｉｉ）３０〜４０、（ｘｘｉｉｉ）４０〜５０、（ｘｘｉｖ）５０〜６０、（ｘｘｖ）６０〜７０、（ｘｘｖｉ）７０〜８０、（ｘｘｖｉｉ）８０〜９０、（ｘｘｖｉｉｉ）９０〜１００、（ｘｘｉｘ）１００〜１５０、（ｘｘｘ）１５０〜２００、（ｘｘｘｉ）２００〜２５０、（ｘｘｘｉｉ）２５０〜３００、（ｘｘｘｉｉｉ）３００〜３５０、（ｘｘｘｉｖ）３５０〜４００、（ｘｘｘｖ）４００〜４５０、（ｘｘｘｖｉ）４５０〜５００、（ｘｘｘｖｉｉ）５００〜６００、（ｘｘｘｖｉｉｉ）６００〜７００、（ｘｘｘｉｘ）７００〜８００、（ｘｌ）８００〜９００、（ｘｌｉ）９００〜１０００、（ｘｌｉｉ）１０００〜２０００、（ｘｌｉｉｉ）２０００〜３０００、（ｘｌｉｖ）３０００〜４０００、（ｘｌｖ）４０００〜５０００、（ｘｌｖｉ）５０００〜６０００、（ｘｌｖｉｉ）６０００〜７０００、（ｘｌｖｉｉｉ）７０００〜８０００、（ｘｌｉｘ）８０００〜９０００、（ｌ）９０００〜１００００および（ｌｉ）＞１００００からなる群から選択されることが好ましい。
【００５５】
一実施形態によると、ｔ6は、（ｉ）＜１ミリ秒、（ｉｉ）１〜１０ミリ秒、（ｉｉｉ）１０〜２０ミリ秒、（ｉｖ）２０〜３０ミリ秒、（ｖ）３０〜４０ミリ秒、（ｖｉ）４０〜５０ミリ秒、（ｖｉｉ）５０〜６０ミリ秒、（ｖｉｉｉ）６０〜７０ミリ秒、（ｉｘ）７０〜８０ミリ秒、（ｘ）８０〜９０ミリ秒、（ｘｉ）９０〜１００ミリ秒、（ｘｉｉ）１００〜２００ミリ秒、（ｘｉｉｉ）２００〜３００ミリ秒、（ｘｉｖ）３００〜４００ミリ秒、（ｘｖ）４００〜５００ミリ秒、（ｘｖｉ）５００〜６００ミリ秒、（ｘｖｉｉ）６００〜７００ミリ秒、（ｘｖｉｉｉ）７００〜８００ミリ秒、（ｘｉｘ）８００〜９００ミリ秒、（ｘｘ）９００〜１０００ミリ秒、（ｘｘｉ）１〜２秒、（ｘｘｉｉ）２〜３秒、（ｘｘｉｉｉ）３〜４秒、（ｘｘｉｖ）４〜５秒および（ｘｘｖ）＞５秒からなる群から選択されることが好ましい。
【００５６】
一実施形態によると、電子移動解離またはプロトン移動反応デバイスは、
（ｉ）電極に印加または電極に沿って並進させる１つまたは複数の第１の過渡ＤＣ電圧もしくは電位あるいは１つまたは複数の第１の過渡ＤＣ電圧もしくは電位波形の周期性および／または形状および／または波形および／またはパターンおよび／またはプロファイルを、変化、漸進的に増加、漸進的に減少、漸進的に変化、走査、直線的に増加、直線的に減少、段階的、漸進的もしくは別の方法で増加または段階的、漸進的もしくは別の方法で減少させるように構成および適合されたデバイス、および／または、
（ｉｉ）電極に印加または電極に沿って並進させる１つまたは複数の第２の過渡ＤＣ電圧もしくは電位あるいは１つまたは複数の第２の過渡ＤＣ電圧もしくは電位波形の周期性および／または形状および／または波形および／またはパターンおよび／またはプロファイルを、変化、漸進的に増加、漸進的に減少、漸進的に変化、走査、直線的に増加、直線的に減少、段階的、漸進的もしくは別の方法で増加または段階的、漸進的もしくは別の方法で減少させるように構成および適合されたデバイスをさらに含む。
【００５７】
一実施形態によると、
（ａ）一動作モードにおいて、少なくともいくらかの生成またはフラグメントイオンを駆動または付勢して第１の方向と異なるかまたは逆の方向にイオンガイドの軸方向長さの少なくとも一部に沿わせるおよび／または通すために、１つまたは複数の第１の過渡ＤＣ電圧もしくは電位あるいは１つまたは複数の第１の過渡ＤＣ電圧もしくは電位波形が次に複数の電極の少なくともいくつかに印加され、かつ／または、
（ｂ）一動作モードにおいて、少なくともいくらかの生成またはフラグメントイオンを駆動または付勢して第２の方向と異なるかまたは逆の方向にイオンガイドの軸方向長さの少なくとも一部に沿わせるおよび／または通すために、１つまたは複数の第２の過渡ＤＣ電圧もしくは電位あるいは１つまたは複数の第２の過渡ＤＣ電圧もしくは電位波形が次に複数の電極の少なくともいくつかに印加される。
【００５８】
一実施形態によると、静的または動的なイオン−イオン反応領域、イオン−中性ガス領域もしくは反応空間が、イオンガイド内に形成または生成される。例えば、イオン−イオン反応領域、イオン−中性ガス領域または反応空間の軸方向位置を、イオンガイドの少なくとも一部に沿って絶えず並進させるように配置してもよい。
【００５９】
一実施形態によると、電子移動解離またはプロトン移動反応デバイスは、
（ａ）イオンガイドを、一動作モードにおいて（ｉ）＜１００ｍｂａｒ、（ｉｉ）＜１０ｍｂａｒ、（ｉｉｉ）＜１ｍｂａｒ、（ｉｖ）＜０．１ｍｂａｒ、（ｖ）＜０．０１ｍｂａｒ、（ｖｉ）＜０．００１ｍｂａｒ、（ｖｉｉ）＜０．０００１ｍｂａｒおよび（ｖｉｉｉ）＜０．００００１ｍｂａｒからなる群から選択される圧力に維持するように、かつ／または、
（ｂ）イオンガイドを、一動作モードにおいて（ｉ）＞１００ｍｂａｒ、（ｉｉ）＞１０ｍｂａｒ、（ｉｉｉ）＞１ｍｂａｒ、（ｉｖ）＞０．１ｍｂａｒ、（ｖ）＞０．０１ｍｂａｒ、（ｖｉ）＞０．００１ｍｂａｒおよび（ｖｉｉ）＞０．０００１ｍｂａｒからなる群から選択される圧力に維持するように、かつ／または、
（ｃ）イオンガイドを、一動作モードにおいて（ｉ）０．０００１〜０．００１ｍｂａｒ、（ｉｉ）０．００１〜０．０１ｍｂａｒ、（ｉｉｉ）０．０１〜０．１ｍｂａｒ、（ｉｖ）０．１〜１ｍｂａｒ、（ｖ）１〜１０ｍｂａｒ、（ｖｉ）１０〜１００ｍｂａｒおよび（ｖｉｉ）１００〜１０００ｍｂａｒからなる群から選択される圧力に維持するように構成および適合されたデバイスをさらに含む。
【００６０】
一実施形態によると、
（ａ）イオンガイド内における第１のイオンの少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％の滞在、通過または反応時間が、（ｉ）＜１ミリ秒、（ｉｉ）１〜５ミリ秒、（ｉｉｉ）５〜１０ミリ秒、（ｉｖ）１０〜１５ミリ秒、（ｖ）１５〜２０ミリ秒、（ｖｉ）２０〜２５ミリ秒、（ｖｉｉ）２５〜３０ミリ秒、（ｖｉｉｉ）３０〜３５ミリ秒、（ｉｘ）３５〜４０ミリ秒、（ｘ）４０〜４５ミリ秒、（ｘｉ）４５〜５０ミリ秒、（ｘｉｉ）５０〜５５ミリ秒、（ｘｉｉｉ）５５〜６０ミリ秒、（ｘｉｖ）６０〜６５ミリ秒、（ｘｖ）６５〜７０ミリ秒、（ｘｖｉ）７０〜７５ミリ秒、（ｘｖｉｉ）７５〜８０ミリ秒、（ｘｖｉｉｉ）８０〜８５ミリ秒、（ｘｉｘ）８５〜９０ミリ秒、（ｘｘ）９０〜９５ミリ秒、（ｘｘｉ）９５〜１００ミリ秒、（ｘｘｉｉ）１００〜１０５ミリ秒、（ｘｘｉｉｉ）１０５〜１１０ミリ秒、（ｘｘｉｖ）１１０〜１１５ミリ秒、（ｘｘｖ）１１５〜１２０ミリ秒、（ｘｘｖｉ）１２０〜１２５ミリ秒、（ｘｘｖｉｉ）１２５〜１３０ミリ秒、（ｘｘｖｉｉｉ）１３０〜１３５ミリ秒、（ｘｘｉｘ）１３５〜１４０ミリ秒、（ｘｘｘ）１４０〜１４５ミリ秒、（ｘｘｘｉ）１４５〜１５０ミリ秒、（ｘｘｘｉｉ）１５０〜１５５ミリ秒、（ｘｘｘｉｉｉ）１５５〜１６０ミリ秒、（ｘｘｘｉｖ）１６０〜１６５ミリ秒、（ｘｘｘｖ）１６５〜１７０ミリ秒、（ｘｘｘｖｉ）１７０〜１７５ミリ秒、（ｘｘｘｖｉｉ）１７５〜１８０ミリ秒、（ｘｘｘｖｉｉｉ）１８０〜１８５ミリ秒、（ｘｘｘｉｘ）１８５〜１９０ミリ秒、（ｘｌ）１９０〜１９５ミリ秒、（ｘｌｉ）１９５〜２００ミリ秒および（ｘｌｉｉ）＞２００ミリ秒からなる群から選択され、かつ／または、
（ｂ）イオンガイド内における第２のイオンの少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％の滞在、通過または反応時間が、（ｉ）＜１ミリ秒、（ｉｉ）１〜５ミリ秒、（ｉｉｉ）５〜１０ミリ秒、（ｉｖ）１０〜１５ミリ秒、（ｖ）１５〜２０ミリ秒、（ｖｉ）２０〜２５ミリ秒、（ｖｉｉ）２５〜３０ミリ秒、（ｖｉｉｉ）３０〜３５ミリ秒、（ｉｘ）３５〜４０ミリ秒、（ｘ）４０〜４５ミリ秒、（ｘｉ）４５〜５０ミリ秒、（ｘｉｉ）５０〜５５ミリ秒、（ｘｉｉｉ）５５〜６０ミリ秒、（ｘｉｖ）６０〜６５ミリ秒、（ｘｖ）６５〜７０ミリ秒、（ｘｖｉ）７０〜７５ミリ秒、（ｘｖｉｉ）７５〜８０ミリ秒、（ｘｖｉｉｉ）８０〜８５ミリ秒、（ｘｉｘ）８５〜９０ミリ秒、（ｘｘ）９０〜９５ミリ秒、（ｘｘｉ）９５〜１００ミリ秒、（ｘｘｉｉ）１００〜１０５ミリ秒、（ｘｘｉｉｉ）１０５〜１１０ミリ秒、（ｘｘｉｖ）１１０〜１１５ミリ秒、（ｘｘｖ）１１５〜１２０ミリ秒、（ｘｘｖｉ）１２０〜１２５ミリ秒、（ｘｘｖｉｉ）１２５〜１３０ミリ秒、（ｘｘｖｉｉｉ）１３０〜１３５ミリ秒、（ｘｘｉｘ）１３５〜１４０ミリ秒、（ｘｘｘ）１４０〜１４５ミリ秒、（ｘｘｘｉ）１４５〜１５０ミリ秒、（ｘｘｘｉｉ）１５０〜１５５ミリ秒、（ｘｘｘｉｉｉ）１５５〜１６０ミリ秒、（ｘｘｘｉｖ）１６０〜１６５ミリ秒、（ｘｘｘｖ）１６５〜１７０ミリ秒、（ｘｘｘｖｉ）１７０〜１７５ミリ秒、（ｘｘｘｖｉｉ）１７５〜１８０ミリ秒、（ｘｘｘｖｉｉｉ）１８０〜１８５ミリ秒、（ｘｘｘｉｘ）１８５〜１９０ミリ秒、（ｘｌ）１９０〜１９５ミリ秒、（ｘｌｉ）１９５〜２００ミリ秒および（ｘｌｉｉ）＞２００ミリ秒からなる群から選択され、かつ／または、
（ｃ）イオンガイド内で作り出されるかまたは形成される生成またはフラグメントイオンの少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％の滞在、通過または反応時間が、（ｉ）＜１ミリ秒、（ｉｉ）１〜５ミリ秒、（ｉｉｉ）５〜１０ミリ秒、（ｉｖ）１０〜１５ミリ秒、（ｖ）１５〜２０ミリ秒、（ｖｉ）２０〜２５ミリ秒、（ｖｉｉ）２５〜３０ミリ秒、（ｖｉｉｉ）３０〜３５ミリ秒、（ｉｘ）３５〜４０ミリ秒、（ｘ）４０〜４５ミリ秒、（ｘｉ）４５〜５０ミリ秒、（ｘｉｉ）５０〜５５ミリ秒、（ｘｉｉｉ）５５〜６０ミリ秒、（ｘｉｖ）６０〜６５ミリ秒、（ｘｖ）６５〜７０ミリ秒、（ｘｖｉ）７０〜７５ミリ秒、（ｘｖｉｉ）７５〜８０ミリ秒、（ｘｖｉｉｉ）８０〜８５ミリ秒、（ｘｉｘ）８５〜９０ミリ秒、（ｘｘ）９０〜９５ミリ秒、（ｘｘｉ）９５〜１００ミリ秒、（ｘｘｉｉ）１００〜１０５ミリ秒、（ｘｘｉｉｉ）１０５〜１１０ミリ秒、（ｘｘｉｖ）１１０〜１１５ミリ秒、（ｘｘｖ）１１５〜１２０ミリ秒、（ｘｘｖｉ）１２０〜１２５ミリ秒、（ｘｘｖｉｉ）１２５〜１３０ミリ秒、（ｘｘｖｉｉｉ）１３０〜１３５ミリ秒、（ｘｘｉｘ）１３５〜１４０ミリ秒、（ｘｘｘ）１４０〜１４５ミリ秒、（ｘｘｘｉ）１４５〜１５０ミリ秒、（ｘｘｘｉｉ）１５０〜１５５ミリ秒、（ｘｘｘｉｉｉ）１５５〜１６０ミリ秒、（ｘｘｘｉｖ）１６０〜１６５ミリ秒、（ｘｘｘｖ）１６５〜１７０ミリ秒、（ｘｘｘｖｉ）１７０〜１７５ミリ秒、（ｘｘｘｖｉｉ）１７５〜１８０ミリ秒、（ｘｘｘｖｉｉｉ）１８０〜１８５ミリ秒、（ｘｘｘｉｘ）１８５〜１９０ミリ秒、（ｘｌ）１９０〜１９５ミリ秒、（ｘｌｉ）１９５〜２００ミリ秒および（ｘｌｉｉ）＞２００ミリ秒からなる群から選択される。
【００６１】
イオンガイドは、（ｉ）＜１ミリ秒、（ｉｉ）１〜１０ミリ秒、（ｉｉｉ）１０〜２０ミリ秒、（ｉｖ）２０〜３０ミリ秒、（ｖ）３０〜４０ミリ秒、（ｖｉ）４０〜５０ミリ秒、（ｖｉｉ）５０〜６０ミリ秒、（ｖｉｉｉ）６０〜７０ミリ秒、（ｉｘ）７０〜８０ミリ秒、（ｘ）８０〜９０ミリ秒、（ｘｉ）９０〜１００ミリ秒、（ｘｉｉ）１００〜２００ミリ秒、（ｘｉｉｉ）２００〜３００ミリ秒、（ｘｉｖ）３００〜４００ミリ秒、（ｘｖ）４００〜５００ミリ秒、（ｘｖｉ）５００〜６００ミリ秒、（ｘｖｉｉ）６００〜７００ミリ秒、（ｘｖｉｉｉ）７００〜８００ミリ秒、（ｘｉｘ）８００〜９００ミリ秒、（ｘｘ）９００〜１０００ミリ秒、（ｘｘｉ）１〜２秒、（ｘｘｉｉ）２〜３秒、（ｘｘｉｉｉ）３〜４秒、（ｘｘｉｖ）４〜５秒および（ｘｘｖ）＞５秒からなる群から選択されるサイクルタイムを有することが好ましい。サイクルタイムは、検体イオンを試薬イオンまたは中性試薬ガスと反応させ、次いで、その結果生じた生成またはフラグメントイオンをデバイスから抽出する１周期ならびに／あるいは反応デバイスへの検体イオンおよび／または試薬イオンの投入速度に対応することが好ましい。
【００６２】
一実施形態によると、
（ａ）一動作モードにおいて、第１のイオンおよび／または第２のイオンが、イオンガイド内でトラップされるが実質的に断片化および／または反応および／または電荷減少されないように構成および適合され、かつ／または、
（ｂ）一動作モードにおいて、第１のイオンおよび／または第２のイオンが、イオンガイド内で衝突により冷却されるかまたは実質的に熱化されるように構成および適合され、かつ／または、
（ｃ）一動作モードにおいて、第１のイオンおよび／または第２のイオンが、イオンガイド内で実質的に断片化および／または反応および／または電荷減少されるように構成および適合され、かつ／または、
（ｄ）一動作モードにおいて、第１のイオンおよび／または第２のイオンが、イオンガイドの入射口および／または出射口に配置された１つまたは複数の電極によってパルス状にイオンガイドに入射および／またはイオンガイドから出射されるように構成および適合される。
【００６３】
一実施形態によると、
（ａ）一動作モードにおいて、イオンの大部分が、衝突誘起解離により断片化して大多数のｂ系列生成もしくはフラグメントイオンおよび／またはｙ系列生成もしくはフラグメントイオンを含む生成またはフラグメントイオンを形成するように構成され、かつ／または、
（ｂ）一動作モードにおいて、イオンの大部分が、電子移動解離により断片化して大多数のｃ系列生成もしくはフラグメントイオンおよび／またはｚ系列生成もしくはフラグメントイオンを含む生成またはフラグメントイオンを形成するように構成される。
【００６４】
一実施形態によると、電子移動解離を起こさせるために、
（ａ）試薬イオンとの相互作用により、検体イオンを断片化または解離させて生成またはフラグメントイオンを形成させ、かつ／あるいは、
（ｂ）電子を１つまたは複数の試薬アニオンつまり負の電荷を持つイオンから１つまたは複数の多価検体カチオンつまり正の電荷を持つイオンへ移動させ、その結果、多価検体カチオンつまり正の電荷を持つイオンの少なくともいくらかを解離させて生成またはフラグメントイオンを形成させ、かつ／あるいは、
（ｃ）中性試薬ガス分子もしくは原子または非イオン性試薬ガスとの相互作用により、検体イオンを断片化または解離させて生成またはフラグメントイオンを形成させ、かつ／あるいは、
（ｄ）電子を１つまたは複数の中性、非イオン性または非荷電（好ましくは塩基性）ガスもしくは蒸気（ｖａｐｏｕｒｓ）から１つまたは複数の多価検体カチオンつまり正の電荷を持つイオンへ移動させ、その結果、多価検体カチオンつまり正の電荷を持つイオンの少なくともいくらかを解離させて生成またはフラグメントイオンを形成させ、かつ／あるいは、
（ｅ）電子を１つまたは複数の中性、非イオン性または非荷電（好ましくは超塩基）試薬ガスもしくは蒸気から１つまたは複数の多価検体カチオンつまり正の電荷を持つイオンへ移動させ、その結果、多価検体カチオンつまり正の電荷を持つイオンの少なくともいくらかを解離させて生成またはフラグメントイオンを形成させ、かつ／あるいは、
（ｆ）電子を１つまたは複数の中性、非イオン性または非荷電アルカリ金属ガスもしくは蒸気から１つまたは複数の多価検体カチオンつまり正の電荷を持つイオンへ移動させ、その結果、多価検体カチオンつまり正の電荷を持つイオンの少なくともいくらかを解離させて生成またはフラグメントイオンを形成させ、かつ／あるいは、
（ｇ）電子を、（ｉ）ナトリウム蒸気または原子、（ｉｉ）リチウム蒸気または原子、（ｉｉｉ）カリウム蒸気または原子、（ｉｖ）ルビジウム蒸気または原子、（ｖ）セシウム蒸気または原子、（ｖｉ）フランシウム蒸気または原子、（ｖｉｉ）Ｃ60蒸気または原子および（ｖｉｉｉ）マグネシウム蒸気または原子からなる群から選択される１つまたは複数の中性、非イオン性または非荷電ガス、蒸気もしくは原子から１つまたは複数の多価検体カチオンつまり正の電荷を持つイオンへ移動させ、その結果、多価検体カチオンつまり正の電荷を持つイオンの少なくともいくらかを解離させて生成またはフラグメントイオンを形成させる。
【００６５】
一実施形態によると、多価検体カチオンつまり正の電荷を持つイオンは、ペプチド、ポリペプチド、タンパク質または生体分子を含むことが好ましい。
【００６６】
一実施形態によると、電子移動解離を起こさせるために、試薬アニオンつまり負の電荷を持つイオンを多環芳香族炭化水素または置換多環芳香族炭化水素から誘導してもよい。試薬アニオンつまり負の電荷を持つイオンを電子親和力の低い基質から誘導してもよい。一実施形態によると、試薬イオンを、（ｉ）アントラセン、（ｉｉ）９，１０ジフェニルアントラセン、（ｉｉｉ）ナフタレン、（ｉｖ）フッ素、（ｖ）フェナントレン、（ｖｉ）ピレン、（ｖｉｉ）フルオランテン、（ｖｉｉｉ）クリセン、（ｉｘ）トリフェニレン、（ｘ）ペリレン、（ｘｉ）アクリジン、（ｘｉｉ）２，２’ジピリジル、（ｘｉｉｉ）２，２’ビキノリン、（ｘｉｖ）９−アントラセンカルボニトリル、（ｘｖ）ジベンゾチオフェン、（ｘｖｉ）１，１０’−フェナントロリン、（ｘｖｉｉ）９’アントラセンカルボニトリルおよび（ｘｖｉｉｉ）アントラキノンからなる群から誘導してもよい。試薬イオンつまり負の電荷を持つイオンはアゾベンゼンアニオンまたはアゾベンゼンラジカルアニオンを含んでいてもよい。試薬イオンがその他のイオン、ラジカルアニオンまたはメタステーブルイオンを含むその他の実施形態が考えられる。
【００６７】
一実施形態によると、プロトン移動反応を起こさせるために、プロトンを１つまたは複数の多価検体カチオンつまり正の電荷を持つイオンから１つまたは複数の試薬アニオンつまり負の電荷を持つイオンへ移動させてもよく、その結果、多価検体カチオンつまり正の電荷を持つイオンの少なくともいくらかの電荷状態を減少させることが好ましい。カチオンのいくらかを解離させて生成またはフラグメントイオンを形成させてもよいことも考えられる。
【００６８】
プロトンを１つまたは複数の多価検体カチオンつまり正の電荷を持つイオンから１つまたは複数の中性、非イオン性または非荷電試薬ガスもしくは蒸気へ移動させてもよく、その結果、多価検体カチオンつまり正の電荷を持つイオンの少なくともいくらかの電荷状態を減少させることが好ましい。カチオンのいくらかを解離させて生成またはフラグメントイオンを形成させてもよいことも考えられる。
【００６９】
多価検体カチオンつまり正の電荷を持つイオンは、ペプチド、ポリペプチド、タンパク質または生体分子を含むことが好ましい。
【００７０】
一実施形態によると、プロトン移動反応を起こさせるために、試薬アニオンつまり負の電荷を持つイオンを、（ｉ）カルボン酸、（ｉｉ）フェノールおよび（ｉｉｉ）アルコキシド含有化合物からなる群から選択される化合物から誘導してもよい。あるいは、試薬アニオンつまり負の電荷を持つイオンを、（ｉ）安息香酸、（ｉｉ）パーフルオロ−１，３−ジメチルシクロヘキサンすなわちＰＤＣＨ、（ｉｉｉ）六フッ化硫黄すなわちＳＦ６および（ｉｖ）パーフルオロトリブチルアミンすなわちＰＦＴＢＡからなる群から選択される化合物から誘導してもよい。
【００７１】
一実施形態によると、１つまたは複数の試薬ガスまたは蒸気が超塩基ガス（ｓｕｐｅｒｂａｓｅ  ｇａｓ）を含んでいてもよい。１つまたは複数の試薬ガスまたは蒸気が、（ｉ）１，１，３，３−テトラメチルグアニジン（「ＴＭＧ」）、（ｉｉ）２，３，４，６，７，８，９，１０−オクタヒドロピリミドール［１，２−ａ］アゼピン｛別名：１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデカ−７−エン（「ＤＢＵ」）｝または（ｉｉｉ）７−メチル−１，５，７−トリアザビシクロ［４．４．０］デカ−５−エン（「ＭＴＢＤ」）｛別名：１，３，４，６，７，８−ヘキサヒドロ−１−メチル−２Ｈ−ピリミド［１，２−ａ］ピリミジン｝からなる群から選択されてもよい。
【００７２】
電子移動解離を起こさせることに関して上記に開示したのと同じ試薬イオンまたは中性試薬ガスがプロトン移動反応を起こさせるのにも用いられ得るさらなる実施形態が考えられる。
【００７３】
本発明の別の態様によると、上記のような電子移動解離またはプロトン移動反応デバイスを含む質量分析計が提供される。
【００７４】
質量分析計は、
（ａ）イオン−イオン反応デバイスの上流および／または下流に配置され、（ｉ）エレクトロスプレーイオン化（「ＥＳＩ」）イオン源、（ｉｉ）大気圧光イオン化（「ＡＰＰＩ」）イオン源、（ｉｉｉ）大気圧化学イオン化（「ＡＰＣＩ」）イオン源、（ｉｖ）マトリックス支援レーザ脱離イオン化（「ＭＡＬＤＩ」）イオン源、（ｖ）レーザ脱離イオン化（「ＬＤＩ」）イオン源、（ｖｉ）大気圧イオン化（「ＡＰＩ」）イオン源、（ｖｉｉ）シリコン上脱離イオン化（「ＤＩＯＳ」）イオン源、（ｖｉｉｉ）電子衝撃（「ＥＩ」）イオン源、（ｉｘ）化学イオン化（「ＣＩ」）イオン源、（ｘ）電界イオン化（「ＦＩ」）イオン源、（ｘｉ）電界脱離（「ＦＤ」）イオン源、（ｘｉｉ）誘導結合プラズマ（「ＩＣＰ」）イオン源、（ｘｉｉｉ）高速原子衝撃（「ＦＡＢ」）イオン源、（ｘｉｖ）液体二次イオン質量分析（「ＬＳＩＭＳ」）イオン源、（ｘｖ）脱離エレクトロスプレーイオン化（「ＤＥＳＩ」）イオン源、（ｘｖｉ）ニッケル−６３放射性イオン源、（ｘｖｉｉ）大気圧マトリックス支援レーザ脱離イオン化イオン源、（ｘｖｉｉｉ）サーモスプレーイオン源、（ｘｉｘ）大気サンプリンググロー放電イオン化（「ＡＳＧＤＩ」）イオン源および（ｘｘ）グロー放電（「ＧＤ」）イオン源からなる群から選択されるイオン源、ならびに／あるいは、
（ｂ）１つまたは複数の連続またはパルス化イオン源、ならびに／あるいは、
（ｃ）電子移動解離またはプロトン移動反応デバイスの上流および／または下流に配置される１つまたは複数のイオンガイド、ならびに／あるいは、
（ｄ）電子移動解離またはプロトン移動反応デバイスの上流および／または下流に配置される１つもしくは複数のイオン移動度分離デバイスおよび／または１つもしくは複数のフィールド非対称イオン移動度分光計デバイス、ならびに／あるいは
（ｅ）電子移動解離またはプロトン移動反応デバイスの上流および／または下流に配置される１つもしくは複数のイオントラップまたは１つもしくは複数のイオントラッピング領域、ならびに／あるいは、
（ｆ）電子移動解離またはプロトン移動反応デバイスの上流および／または下流に配置され、（ｉ）衝突誘起解離（「ＣＩＤ」）フラグメンテーションデバイス、（ｉｉ）表面誘起解離（「ＳＩＤ」）フラグメンテーションデバイス、（ｉｉｉ）電子移動解離（「ＥＴＤ」）フラグメンテーションデバイス、（ｉｖ）電子捕獲解離（「ＥＣＤ」）フラグメンテーションデバイス、（ｖ）電子衝突または衝撃解離フラグメンテーションデバイス、（ｖｉ）光誘起解離（「ＰＩＤ」）フラグメンテーションデバイス、（ｖｉｉ）レーザ誘起解離フラグメンテーションデバイス、（ｖｉｉｉ）赤外放射誘起解離デバイス、（ｉｘ）紫外放射誘起解離デバイス、（ｘ）ノズル−スキマー間インターフェースフラグメンテーションデバイス、（ｘｉ）インソースフラグメンテーションデバイス、（ｘｉｉ）インソース衝突誘起解離フラグメンテーションデバイス、（ｘｉｉｉ）熱または温度源フラグメンテーションデバイス、（ｘｉｖ）電界誘起フラグメンテーションデバイス、（ｘｖ）磁場誘起フラグメンテーションデバイス、（ｘｖｉ）酵素消化または酵素分解フラグメンテーションデバイス、（ｘｖｉｉ）イオン−イオン反応フラグメンテーションデバイス、（ｘｖｉｉｉ）イオン−分子反応フラグメンテーションデバイス、（ｘｉｘ）イオン−原子反応フラグメンテーションデバイス、（ｘｘ）イオン−メタステーブルイオン反応フラグメンテーションデバイス、（ｘｘｉ）イオン−メタステーブル分子反応フラグメンテーションデバイス、（ｘｘｉｉ）イオン−メタステーブル原子反応フラグメンテーションデバイス、（ｘｘｉｉｉ）イオンを反応させて付加または生成イオンを形成するイオン−イオン反応デバイス、（ｘｘｉｖ）イオンを反応させて付加または生成イオンを形成するイオン−分子反応デバイス、（ｘｘｖ）イオンを反応させて付加または生成イオンを形成するイオン−原子反応デバイス、（ｘｘｖｉ）イオンを反応させて付加または生成イオンを形成するイオン−メタステーブルイオン反応デバイス、（ｘｘｖｉｉ）イオンを反応させて付加または生成イオンを形成するイオン−メタステーブル分子反応デバイス、（ｘｘｖｉｉｉ）イオンを反応させて付加または生成イオンを形成するイオン−メタステーブル原子反応デバイスおよび（ｘｘｉｘ）電子イオン化解離（「ＥＩＤ」）フラグメンテーションデバイスからなる群から選択される１つまたは複数の衝突、フラグメンテーションもしくは反応セル、ならびに／あるいは、
（ｇ）（ｉ）四重極質量分析部、（ｉｉ）二次元または線形四重極質量分析部、（ｉｉｉ）ポールまたは三次元四重極質量分析部、（ｉｖ）ペニングトラップ質量分析部、（ｖ）イオントラップ質量分析部、（ｖｉ）磁場型質量分析部、（ｖｉｉ）イオンサイクロトロン共鳴（「ＩＣＲ」）質量分析部、（ｖｉｉｉ）フーリエ変換イオンサイクロトロン共鳴（「ＦＴＩＣＲ」）質量分析部、（ｉｘ）静電またはオービトラップ質量分析部、（ｘ）フーリエ変換静電またはオービトラップ質量分析部、（ｘｉ）フーリエ変換質量分析部、（ｘｉｉ）飛行時間質量分析部、（ｘｉｉｉ）直交加速式飛行時間質量分析部および（ｘｉｖ）直線加速式飛行時間質量分析部からなる群から選択される質量分析部、ならびに／あるいは、
（ｈ）電子移動解離またはプロトン移動反応デバイスの上流および／または下流に配置される１つまたは複数のエネルギー分析器もしくは静電エネルギー分析器、ならびに／あるいは、
（ｉ）電子移動解離またはプロトン移動反応デバイスの上流および／または下流に配置される１つまたは複数のイオン検出器、ならびに／あるいは、
（ｊ）電子移動解離またはプロトン移動反応デバイスの上流および／または下流に配置され、（ｉ）四重極質量フィルタ、（ｉｉ）二次元または線形四重極イオントラップ、（ｉｉｉ）ポールまたは三次元四重極イオントラップ、（ｉｖ）ペニングイオントラップ、（ｖ）イオントラップ、（ｖｉ）磁場型質量フィルタ（ｍａｇｎｅｔｉｃ  ｓｅｃｔｏｒ  ｍａｓｓ  ｆｉｌｔｅｒ）、（ｖｉｉ）飛行時間質量フィルタおよび（ｖｉｉｉ）ウィーンフィルタからなる群から選択される１つまたは複数の質量フィルタ、ならびに／あるいは、
（ｋ）イオンをパルス状に電子移動解離またはプロトン移動反応デバイスへ入射させるためのデバイスまたはイオンゲート、ならびに／あるいは、
（ｌ）実質的に連続したイオンビームをパルス化イオンビームに変換するためのデバイスをさらに含むことが好ましい。
【００７５】
一実施形態によると、質量分析計は、
（ａ）検体イオンおよび／または試薬イオンを生成するための１つまたは複数の大気圧イオン源、ならびに／あるいは、
（ｂ）検体イオンおよび／または試薬イオンを生成するための１つまたは複数のエレクトロスプレーイオン源、ならびに／あるいは、
（ｃ）検体イオンおよび／または試薬イオンを生成するための１つまたは複数の大気圧化学イオン源、ならびに／あるいは、
（ｄ）検体イオンおよび／または試薬イオンを生成するための１つまたは複数のグロー放電イオン源をさらに含む。
【００７６】
好ましくは、１つまたは複数のグロー放電イオン源が質量分析計の１つまたは複数の真空室中に設置されてもよい。
【００７７】
一実施形態によると、二重モードイオン源または双イオン源（ｔｗｉｎ  ｉｏｎ  ｓｏｕｒｃｅ）を設置してもよい。例えば、一実施形態によると、正の検体イオンを生成するのにエレクトロスプレーイオン源を用い、負の試薬イオンを生成するのに大気圧化学イオン化イオン源を用いるようにしてもよい。検体および／または試薬イオンを生成するのにエレクトロスプレーイオン源、大気圧化学イオン化イオン源またはグロー放電イオン源のような単一のイオン源を用いてもよい実施形態も考えられる。
【００７８】
一実施形態によると、質量分析計は、
Ｃ−トラップと、
オービトラップ質量分析部とを含み、
第１の動作モードにおいて、イオンが、Ｃ−トラップへ移送され、次いで、オービトラップ質量分析部に注入され、
第２の動作モードにおいて、イオンが、Ｃ−トラップへ移送され、次いで、少なくともいくらかのイオンをフラグメントイオンに断片化する衝突セルあるいは電子移動解離および／またはプロトン移動反応デバイスへ移送され、その後、フラグメントイオンが、Ｃ−トラップへ移送された後でオービトラップ質量分析部に注入される。
【００７９】
衝突セルは、好適な実施形態による電子移動解離デバイスおよび／またはプロトン移動反応デバイスを含むことが好ましい。
【００８０】
本発明の別の態様によると、少なくとも１つの使用時にイオンが移送されるアパーチャを有する複数の電極を含む電子移動解離またはプロトン移動反応デバイスを含む質量分析計の制御システムによって実行可能なコンピュータプログラムであって、制御システムに、
（ｉ）少なくともいくらかの第１のイオンを駆動または付勢して第１の方向にイオンガイドの軸方向長さの少なくとも一部に沿わせるおよび／または通すために、１つまたは複数の第１の過渡ＤＣ電圧もしくは電位あるいは１つまたは複数の第１の過渡ＤＣ電圧もしくは電位波形を複数の電極の少なくともいくつかに印加させ、
（ｉｉ）少なくともいくらかの第２のイオンを駆動または付勢して第２の異なる方向にイオンガイドの軸方向長さの少なくとも一部に沿わせるおよび／または通すために、１つまたは複数の第２の過渡ＤＣ電圧もしくは電位あるいは１つまたは複数の第２の過渡ＤＣ電圧もしくは電位波形を複数の電極の少なくともいくつかに印加させるように構成されたコンピュータプログラムが提供される。
【００８１】
本発明の別の態様によると、少なくとも１つの使用時にイオンが移送されるアパーチャを有する複数の電極を含む電子移動解離またはプロトン移動反応デバイスを含む質量分析計の制御システムによって実行可能に構成されたコンピュータ実行可能な命令を格納するコンピュータ読み取り可能な媒体であって、コンピュータプログラムが、制御システムに、
（ｉ）少なくともいくらかの第１のイオンを駆動または付勢して第１の方向にイオンガイドの軸方向長さの少なくとも一部に沿わせるおよび／または通すために、１つまたは複数の第１の過渡ＤＣ電圧もしくは電位あるいは１つまたは複数の第１の過渡ＤＣ電圧もしくは電位波形を複数の電極の少なくともいくつかに印加させ、
（ｉｉ）少なくともいくらかの第２のイオンを駆動または付勢して第２の異なる方向にイオンガイドの軸方向長さの少なくとも一部に沿わせるおよび／または通すために、１つまたは複数の第２の過渡ＤＣ電圧もしくは電位あるいは１つまたは複数の第２の過渡ＤＣ電圧もしくは電位波形を複数の電極の少なくともいくつかに印加させるように構成されたコンピュータ読み取り可能な媒体が提供される。
【００８２】
一実施形態によると、コンピュータ読み取り可能な媒体は、（ｉ）ＲＯＭ、（ｉｉ）ＥＡＲＯＭ、（ｉｉｉ）ＥＰＲＯＭ、（ｉｖ）ＥＥＰＲＯＭ、（ｖ）フラッシュメモリおよび（ｖｉ）光ディスクからなる群から選択される。
【００８３】
本発明の別の態様によると、
少なくとも１つのイオンが移送されるアパーチャを有する複数の電極を含むイオンガイドを含む電子移動解離またはプロトン移動反応デバイスを準備することを含む、電子移動解離またはプロトン移動反応を行う方法が提供される。
【００８４】
この方法は、少なくともいくらかの第１のイオンを駆動または付勢して第１の方向にイオンガイドの軸方向長さの少なくとも一部に沿わせるおよび／または通すために、１つまたは複数の第１の過渡ＤＣ電圧もしくは電位あるいは１つまたは複数の第１の過渡ＤＣ電圧もしくは電位波形を複数の電極の少なくともいくつかに印加することをさらに含むことが好ましい。
【００８５】
この方法は、少なくともいくらかの第２のイオンを駆動または付勢して第２の異なる方向にイオンガイドの軸方向長さの少なくとも一部に沿わせるおよび／または通すために、１つまたは複数の第２の過渡ＤＣ電圧もしくは電位あるいは１つまたは複数の第２の過渡ＤＣ電圧もしくは電位波形を複数の電極の少なくともいくつかに印加することをさらに含むことが好ましい。
【００８６】
本発明の別の態様によると、上記のような方法を含む質量分析の方法が提供される。
【００８７】
本発明の別の態様によると、少なくとも１つの使用時にイオンが移送されるアパーチャを有する複数の電極を含むイオンガイドを含む電子移動解離デバイスが提供される。
【００８８】
このデバイスは、少なくともいくらかの多価検体カチオンを駆動または付勢して第１の方向にイオンガイドの軸方向長さの少なくとも一部に沿わせるおよび／または通すために、１つまたは複数の第１の過渡ＤＣ電圧もしくは電位あるいは１つまたは複数の第１の過渡ＤＣ電圧もしくは電位波形を複数の電極の少なくともいくつかに印加するように構成および適合された第１のデバイスを含むことが好ましい。
【００８９】
このデバイスは、少なくともいくらかの試薬アニオンを駆動または付勢して第１の方向と反対の第２の方向にイオンガイドの軸方向長さの少なくとも一部に沿わせるおよび／または通すために、１つまたは複数の第２の過渡ＤＣ電圧もしくは電位あるいは１つまたは複数の第２の過渡ＤＣ電圧もしくは電位波形を複数の電極の少なくともいくつかに印加するように構成および適合された第２のデバイスをさらに含むことが好ましい。
【００９０】
多価検体カチオンの少なくともいくらかを試薬イオンの少なくともいくらかと相互作用させることが好ましく、少なくともいくらかの電子を試薬アニオンから多価検体カチオンの少なくともいくらかへ移動させ、その結果、多価検体カチオンの少なくともいくらかを解離させて生成またはフラグメントイオンを形成させることが好ましい。
【００９１】
本発明の別の態様によると、少なくとも１つのイオンが移送されるアパーチャを有する複数の電極を含むイオンガイドを準備することを含む電子移動解離を行う方法が提供される。
【００９２】
この方法は、少なくともいくらかの多価検体カチオンを駆動または付勢して第１の方向にイオンガイドの軸方向長さの少なくとも一部に沿わせるおよび／または通すために、１つまたは複数の第１の過渡ＤＣ電圧もしくは電位あるいは１つまたは複数の第１の過渡ＤＣ電圧もしくは電位波形を複数の電極の少なくともいくつかに印加することをさらに含むことが好ましい。
【００９３】
この方法は、少なくともいくらかの試薬アニオンを駆動または付勢して第１の方向と反対の第２の方向にイオンガイドの軸方向長さの少なくとも一部に沿わせるおよび／または通すために、１つまたは複数の第２の過渡ＤＣ電圧もしくは電位あるいは１つまたは複数の第２の過渡ＤＣ電圧もしくは電位波形を複数の電極の少なくともいくつかに印加することをさらに含むことが好ましい。
【００９４】
多価検体カチオンの少なくともいくらかを試薬イオンの少なくともいくらかと相互作用させることが好ましく、少なくともいくらかの電子を試薬アニオンから多価検体カチオンの少なくともいくらかへ移動させ、その結果、多価検体カチオンの少なくともいくらかを解離させて生成またはフラグメントイオンを形成させることが好ましい。
【００９５】
本発明の別の態様によると、少なくとも１つの使用時に試薬および／または検体イオンが移送されるアパーチャを有する複数の電極を含むイオンガイドを含む電子移動解離デバイスおよび／またはプロトン移動反応デバイスが提供される。
【００９６】
本発明の別の態様によると、
少なくとも１つの試薬および／または検体イオンが移送されるアパーチャを有する複数の電極を含むイオンガイドを含む反応デバイスにおいて電子移動解離および／またはプロトン移動反応を行うことを含む、電子移動解離および／またはプロトン移動反応の方法が提供される。
【００９７】
本発明の別の態様によると、
少なくとも１つのイオンが移送されるアパーチャをそれぞれが有する複数の電極を含むイオンガイドを準備することと、
イオンガイド内に、検体カチオンと試薬アニオンとを含むイオンを準備することと、
イオンの少なくともいくらかを第１の方向に付勢してイオンガイドの軸方向長さの少なくとも第１の部分に沿わせるために１つまたは複数の第１の過渡ＤＣ電圧を複数の電極の少なくともいくつかに印加することと、
残りのイオンの少なくともいくらかを第１の方向と反対の方向に付勢してイオンガイドの軸方向長さの少なくとも第２の部分に沿わせるために１つまたは複数の第２の過渡ＤＣ電圧を複数の電極の少なくともいくつかに印加することとを含み、
検体カチオンの少なくともいくらかを試薬イオンの少なくともいくらかと相互作用させ、その結果、検体カチオンの少なくともいくらかが解離してフラグメントイオンを形成する、電子移動解離またはプロトン移動反応を行う方法が提供される。
【００９８】
本発明の別の態様によると、
少なくとも１つのイオンが移送されるアパーチャをそれぞれが有する複数の電極を含むイオンガイドと、
前記イオンガイド内に検体カチオンを導入するための源（ｓｏｕｒｃｅ）と、
前記イオンガイド内に試薬アニオンを導入するための源と、
制御システムであって、該制御システムによって実行されると該制御システムに、
（ｉ）イオンの少なくともいくらかを第１の方向に付勢してイオンガイドの軸方向長さの少なくとも第１の部分に沿わせるために１つまたは複数の第１の過渡ＤＣ電圧を複数の電極の少なくともいくつかに印加する工程と、
（ｉｉ）残りのイオンの少なくともいくらかを第１の方向と反対の方向に付勢してイオンガイドの軸方向長さの少なくとも第２の部分に沿わせるために１つまたは複数の第２の過渡ＤＣ電圧を複数の電極の少なくともいくつかに印加する工程とを実行させるコンピュータ実行可能な命令を格納するコンピュータ読み取り可能な媒体を含む制御システムとを含み、
検体カチオンの少なくともいくらかを試薬イオンの少なくともいくらかと相互作用させ、その結果、検体カチオンの少なくともいくらかが解離してフラグメントイオンを形成する電子移動解離またはプロトン移動反応デバイスが提供される。
【００９９】
好適な実施形態は、１つまたは複数の進行波もしくは静電場をＲＦイオンガイドの電極に印加することが好ましいイオン−イオン反応デバイスおよび／またはイオン−中性ガス反応デバイスに関する。ＲＦイオンガイドは、使用時にイオンが移送されるアパーチャを有する複数の電極を含むことが好ましい。１つまたは複数の進行波もしくは静電場は、イオンガイドの電極に印加されることが好ましい１つまたは複数の過渡ＤＣ電圧もしくは電位あるいは１つまたは複数の過渡ＤＣ電圧もしくは電位波形を含むことが好ましい。
【０１００】
好適な実施形態は、イオン−イオン反応を促進するために反対の電荷を有するイオンを空間的に操作するように設計された質量分析のための装置に関する。特に、この装置は、イオンの電子移動解離（「ＥＴＤ」）フラグメンテーションおよび／またはプロトン移動反応（「ＰＴＲ」）電荷状態減少を行うように構成および適合される。
【０１０１】
一実施形態によると、負の電荷を持つ試薬イオン（または中性試薬ガス）が、イオン−イオン反応またはイオン−中性ガス反応デバイス内に装填または準備もしくは配置され得る。負の電荷を持つ試薬イオンは、例えば、ＤＣ進行波あるいは１つまたは複数の過渡ＤＣ電圧もしくは電位をイオン−イオン反応デバイスを形成する電極に印加することによって、イオン−イオン反応デバイス内へ移送され得る。
【０１０２】
試薬アニオン（または中性試薬ガス）がイオン−イオン反応デバイス（またはイオン−中性ガス反応デバイス）に装填されると、次いで、多価検体カチオンを好ましくは１つまたは複数の連続または別個のＤＣ進行波によって駆動または付勢して反応デバイスに通すかまたは入らせ得ることが好ましい。１つまたは複数のＤＣ進行波は反応デバイスの電極に印加されることが好ましい。
【０１０３】
１つまたは複数のＤＣ進行波は、イオンを並進または付勢させてイオンガイドの軸方向長さの少なくとも一部に沿わせることが好ましい１つまたは複数の過渡ＤＣ電圧もしくは電位あるいは１つまたは複数の過渡ＤＣ電圧もしくは電位波形を含むことが好ましい。したがって、イオンは、イオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイスの長さに沿って電極に順次印加されることが好ましい１つまたは複数の本物のつまりＤＣポテンシャル障壁によって、イオンガイドの長さに沿って有効に並進させられる。結果として、ＤＣポテンシャル障壁間にトラップされた正の電荷を持つ検体イオンを、イオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイスの長さに沿って並進させるという効果があり、ＤＣポテンシャル障壁間にトラップされた正の電荷を持つ検体イオンを、駆動または付勢して、イオンガイドまたは反応デバイスの中つまり内部に既に存在していることが好ましい負の電荷を持つ試薬イオン（または中性試薬ガス）に通しかつ近接させるという効果がある。
【０１０４】
この実施形態の格別の利点は、イオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイス内で、イオン−イオン反応および／またはイオン−中性ガス反応のための最適条件が達成されるという効果があることである。特に、試薬アニオン（または試薬ガス）および検体カチオンの運動エネルギーを厳密に一致させることができる。電子移動解離（またはプロトン移動反応）プロセスにより生じる生成またはフラグメントイオンの滞在時間を、結果として生じたフラグメントまたは生成イオンが順当に中性化されることがないように注意深く制御することができる。
【０１０５】
したがって、本発明の好適な実施形態は、従来の構成に比べて、主流の（すなわち非ＦＴＩＣＲ）市販の質量分析計で効率的に電子移動解離および／またはプロトン移動反応を行う能力の大幅な向上を示す。
【０１０６】
例えば正の電荷を持つ検体イオンをイオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイスを通して並進させるのに用いられることが好ましい１つまたは複数のＤＣ進行波の速さおよび／または振幅を、電子移動解離による検体イオンのフラグメンテーションおよび／またはプロトン移動反応による検体イオンの電荷状態減少を最適化するために、制御し得る。電子移動解離（またはプロトン移動反応）プロセスにより生じた正の電荷を持つフラグメントまたは生成イオンを、形成されてから過度に長期間にわたってイオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイス内にとどまらせた場合、それらのイオンが中性化されやすい。好適な実施形態により、正の電荷を持つフラグメントまたは生成イオンを、イオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイス内での形成後すぐに、イオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイスから除去または抽出することが可能である。
【０１０７】
好適な実施形態によると、必要に応じて、イオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイスの前方（例えば上流）端に、また後方（例えば下流）端にも、負の電位またはポテンシャル障壁を印加し得る。負の電位またはポテンシャル障壁は、負の電荷を持つ試薬イオンをイオンガイド内に閉じ込め、それと同時に、イオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイス内で作り出される正の電荷を持つ生成またはフラグメントイオンを比較的迅速にイオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイスから出現および出射可能にするかまたはそうさせるように作用することが好ましい。検体イオンが中性ガス分子と相互作用して電子移動解離および／またはプロトン移動反応を起こし得るその他の実施形態も考えられる。中性試薬ガスが供される場合は、ポテンシャル障壁を設けても設けなくてもよい。
【０１０８】
イオンガイドの前方（例えば上流）端にのみ負の電位またはポテンシャル障壁を印加する別の実施形態が考えられる。負の電位またはポテンシャル障壁をイオンガイドの後方（例えば下流）端にのみ印加するさらなる実施形態が考えられる。イオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイスの長さに沿った異なる位置において１つまたは複数の負の電位もしくはポテンシャル障壁を維持するその他の実施形態が考えられる。例えば、１つまたは複数の負の電位もしくはポテンシャル障壁を、イオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイスの長さに沿った１つまたは複数の中間位置に設けてもよい。
【０１０９】
やや好適な実施形態によると、１つまたは複数の正の電位によって正の検体イオンをイオンガイド内に保持し、その後で試薬イオンまたは中性試薬ガスをイオンガイド内に導入するようにしてもよい。
【０１１０】
別の実施形態によると、２つの静電進行波またはＤＣ進行波を実質的に同時にイオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイスの電極に印加してもよい。進行波静電場または過渡ＤＣ電圧波形を、イオンを実質的に同時に反対方向に、例えばイオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイスの中心領域に向かって、移動または並進させるように構成することが好ましい。
【０１１１】
イオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイスは、ＡＣまたはＲＦ電圧が供給されることが好ましい複数の積層リング電極を含むことが好ましい。電極は、使用時にイオンが移送されるアパーチャを含むことが好ましい。好ましくは半径方向の擬ポテンシャル障壁が生成されるように隣接電極に逆位相のＡＣまたはＲＦ電圧を印加することによって、イオンをイオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイス内に半径方向に閉じ込めることが好ましい。半径方向の擬ポテンシャル障壁により、イオンが、イオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイスの中心長手方向軸に沿って半径方向に閉じ込められることが好ましい。イオンガイドの電極に印加されることが好ましい進行波または複数の過渡ＤＣ電位もしくは電圧により、カチオンとアニオン（またはカチオンとカチオンもしくはアニオンとアニオン）を、イオン−イオン反応および／またはイオン−中性ガス反応のための好条件がイオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイスの中央（または別の部分もしくは領域）に作り出されるように、互いに向かわせることが好ましい。
【０１１２】
一実施形態によると、２つの異なる検体試料をイオンガイドの異なる端から導入してもよい。さらにまたはもしくは、２つの異なる種の試薬イオンをイオンガイドの異なる端からイオンガイド内に導入してもよい。
【０１１３】
進行波静電場は軸方向の質量電荷比に依存したＲＦ擬ポテンシャル障壁を生成しないため、好適な実施形態によるイオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイスは、従来の電子移動解離構成に関連付けられる欠点を持たない。したがって、イオンが質量電荷比依存的にイオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイス内に閉じ込められることがない。
【０１１４】
好適な実施形態の別の利点は、イオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイスの電極に印加される１つあるいは複数のＤＣ進行波または過渡ＤＣ電位もしくは電圧の種々のパラメータを制御および最適化できることである。例えば、１つまたは複数のＤＣ進行電圧波の波の形状、波長、波のプロファイル、波速度および振幅のようなパラメータを制御および最適化することができる。好適な実施形態により、イオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイス中のイオンの空間位置を、イオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイス内のイオンの質量電荷比または極性に関係なく柔軟に制御することが可能である。
【０１１５】
ＤＣ進行波パラメータ（すなわち、電極に印加される１つまたは複数の過渡ＤＣ電圧もしくは電位のパラメータ）を最適化してイオンガイドまたは反応デバイスのイオン−イオン反応またはイオン−中性ガス反応領域におけるカチオンとアニオンとの（または検体カチオンと中性試薬ガスとの）相対イオン速度を制御することができる。カチオンとアニオンとのまたはカチオンと中性試薬ガスとの相対イオン速度は、電子移動解離およびプロテイン移動反応実験における反応速度定数を決定する重要なパラメータである。
【０１１６】
高速進行波を用いてかまたは定在つまり静止ＤＣ波を用いることによってイオン−中性衝突の速度を増加させることができるその他の実施形態も考えられる。このような衝突を用いて衝突誘起解離（「ＣＩＤ」）を促進することもできる。特に、電子移動解離またはプロトン移動反応により生じた生成またはフラグメントイオンは、非共有結合を形成し得る。これらの非共有結合は、衝突誘起解離によって切断することができる。衝突誘起解離は、別個の衝突誘起解離セルにおいて電子移動解離プロセスと空間的に連続して、および／または、同じイオン−イオン反応またはイオン−中性ガス反応デバイスにおいて電子移動解離プロセスと時間的に連続して行われ得る。
【０１１７】
本発明の一実施形態によると、多価フラグメントまたは生成イオン（あるいは検体イオン）の電荷状態を減少させるために、電子移動解離プロセスの後で（または前に）プロトン移動反応を行ってもよい。
【０１１８】
一実施形態によると、電子移動解離に用いられる試薬イオンとプロトン移動反応に用いられる試薬イオンとは、同じ中性化合物から生成されても異なる中性化合物から生成されてもよい。試薬および検体イオンは、同じイオン源によって生成されても２つ以上の別個のイオン源によって生成されてもよい。
【図面の簡単な説明】
【０１１９】
【図１】図１は、イオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイスの中心領域に検体カチオンと試薬アニオンとが集められるように、イオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイスの電極に同時に２つの過渡ＤＣ電圧または電位を印加する本発明の一実施形態を示す。
【図２】図２は、イオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイスの電極に印加される進行ＤＣ電圧波形を、正負イオンの両方を同時に同一方向に並進させるのにどのように用いることができるかを示す。
【図３】図３は、２つの進行ＤＣ電圧波形が同時にイオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイスの電極に印加され、当該進行ＤＣ電圧波形の振幅がイオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイスの中心に向かって漸進的に低減する本発明の一実施形態に係るイオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイスのＳＩＭＩＯＮ（登録商標）シミュレーションの断面図を示す。
【図４】図４は、２つの対向する進行ＤＣ電圧波形がイオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイスの電極に印加されたものとしてモデル化された場合の、当該進行ＤＣ電圧波形の振幅がイオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイスの中心に向かって漸進的に低減する好適なイオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイス内のポテンシャルエネルギー表面のスナップ写真を示す。
【図５】図５は、初めにイオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイスの端部に提供されたものとしてモデル化された２組の質量電荷比３００のカチオンおよびアニオンの時間の関数としての軸方向位置を示し、２つの対向する進行ＤＣ電圧波形が、イオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイスの中心領域においてイオンを集束させるようにイオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイスの電極に印加されたものとしてモデル化されている。
【図６】図６Ａ，図６Ｂ、図６Ｃおよび図６Ｄは、焦点つまりイオン−イオン反応領域がイオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイスの中心領域に固定されたままではなくイオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイスの長さに沿って漸進的に移動するように構成された一実施形態に係る好適なイオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイス内のポテンシャルエネルギーを表すＳＩＭＩＯＮ（登録商標）シミュレーションを示す。
【図７】図７は、検体および試薬イオンをイオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイス内へ向かわせることができるように好適なイオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイスの上流にイオンガイドカプラ（ｉｏｎ  ｇｕｉｄｅ  ｃｏｕｐｌｅｒ）を設置し、当該好適なイオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイスを直交加速式飛行時間質量分析部に連結した本発明の一実施形態を示す。
【図８】図８Ａは、０Ｖの振幅を有する進行波電圧を好適なイオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイスの電極に印加した場合に得られたマススペクトルを示し、図８Ｂは、０．５Ｖの振幅を有する進行波電圧をイオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイスの電極に印加した場合に得られた対応するマススペクトルを示し、図８Ｃは、イオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイスの電極に印加される進行波電圧を１Ｖまで増加させた場合に得られたマススペクトルを示す。
【図９】図９は、検体イオンを生成するのにエレクトロスプレーイオン源を用い、試薬イオンを質量分析計の投入真空室内部に配置されたグロー放電領域内で生成する本発明の一実施形態による質量分析計のイオン源部を示す。
【発明を実施するための形態】
【０１２０】
ここで、添付の図面を参照しながら、単なる例示として、本発明の種々の実施形態を説明する。
【０１２１】
ここで、本発明の一実施形態について図１を参照しながらさらに詳細に説明する。図１は、本発明の好適な実施形態に係る積層リングイオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイス２を一体となって形成するレンズ素子またはリング電極１の断面図を示す。
【０１２２】
イオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイス２は、使用時にイオンが移送される１つまたは複数のアパーチャを有する複数の電極１を含むことが好ましい。使用時に一パターンまたは一連のデジタル電圧パルス７が電極１に印加されることが好ましい。デジタル電圧パルス７は、段階的に順次印加されることが好ましく、矢印６で示すように順次電極１に印加されることが好ましい。図１に示すような一実施形態によると、第１の進行波８または一連の過渡ＤＣ電圧もしくは電位は、イオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイス２の第１（上流）端からイオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイス２の中央に向かって時間とともに移動するように構成されることが好ましい。同時に、第２の進行波９または一連の過渡ＤＣ電圧もしくは電位は、イオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイス２の第２（下流）端から同様にイオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイス２の中央に向かって時間とともに移動するように構成されることが好ましい。結果として、２つのＤＣ進行波８、９または一連の過渡ＤＣ電圧もしくは電位が、イオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイス２の両側からイオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイス２の中央つまり中心領域に向かって集束することが好ましい。
【０１２３】
図１は、時間の関数として（例えば、電子タイミングクロックの進行とともに）電極１に印加されることが好ましいデジタル電圧パルス７を示す。イオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイス２の電極１への時間の関数としてのデジタル電圧パルス７の印加の際の漸進性は、矢印６によって示されるようなものであることが好ましい。第１の時間Ｔ１において、Ｔ１によって示される電圧パルスが電極１に印加されることが好ましい。それに続く時間Ｔ２において、Ｔ２によって示される電圧パルスが電極１に印加されることが好ましい。それに続く時間Ｔ３において、Ｔ３によって示される電圧パルスＴ３が電極１に印加されることが好ましい。最後に、それに続く時間Ｔ４において、Ｔ４によって示される電圧パルスが電極１に印加されることが好ましい。電圧パルス７は、図示するような矩形波電位プロファイルを有することが好ましい。
【０１２４】
図１から分かるように、電極１に印加されるデジタルパルス７の強度または振幅は、イオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイス２の中央または中心に向かって低減するように構成されることが好ましい。結果として、イオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイス２の投入または出射領域つまり端部に近い電極１に印加されることが好ましいデジタル電圧パルス７の強度または振幅が、イオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイス２の中心領域の電極１に印加されることが好ましいデジタル電圧パルス７の強度または振幅よりも大きいことが好ましい。電極１に印加されることが好ましい過渡ＤＣ電圧もしくは電位またはデジタル電圧パルス７の振幅がイオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイス２の長さに沿った軸方向変位に伴って低減しないその他のやや好適な実施形態が考えられる。この実施形態によると、デジタル電圧パルス７の振幅は、イオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイス２の長さに沿った軸方向変位に対して実質的に一定のままであってもよい。
【０１２５】
イオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイス２のレンズ素子またはリング電極１に印加されることが好ましい電圧パルス７は、矩形波であることが好ましい。イオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイス２内の電位が、イオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイス２内の波動関数ポテンシャルが好ましくは滑らかな関数になるように緩和することが好ましい。
【０１２６】
一実施形態によると、検体カチオン（例えば正の電荷を持つ検体イオン）および／または試薬アニオン（例えば負の電荷を持つ試薬イオン）を、同時にイオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイス２の両端からイオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイス２内に導入し得る。イオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイス２内では、正イオン（カチオン）は、イオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイス２の電極１に印加されることが好ましいＤＣ進行波あるいは１つまたは複数の過渡ＤＣ電圧もしくは電位の正の（山の）電位によってはね返されることが好ましい。静電進行波がイオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイス２の長さに沿って移動するにつれて、正イオンが、イオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイス２に沿って進行波と同じ方向に、実質的に図２に示すように押されることが好ましい。
【０１２７】
負の電荷を持つ試薬イオン（すなわち試薬アニオン）は、進行波の正の電位の方へ引き付けられ、同様に、進行ＤＣ電圧または電位がイオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイス２の長さに沿って移動するにつれて、進行波の方向に引き寄せられ、付勢され、または引き付けられる。結果として、正イオンは、進行ＤＣ波の負の山（正の谷）において進行することが好ましく、負イオンは、進行ＤＣ波あるいは１つまたは複数の過渡ＤＣ電圧もしくは電位の正の山（負の谷）において進行することが好ましい。
【０１２８】
一実施形態によると、２つの対向する進行ＤＣ波８、９が、イオンを実質的に同時にイオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイス２の両端からイオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイス２の中央または中心に向かって並進させるように構成されてもよい。進行ＤＣ波８、９は、互いに向かって移動するように構成されることが好ましく、イオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイス２の中心領域において有効に集束または融合するとみなすことができる。カチオンとアニオンとはイオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイス２の中央に向かって同時に搬送されることが好ましい。検体カチオンを反応デバイスの異なる端から同時に導入し得るやや好適な実施形態が考えられる。この実施形態によると、検体イオンを、反応デバイス内に存在するかまたは後で反応デバイスに加えられる中性試薬ガスと反応させてもよい。別の実施形態によると、２つの異なる種の試薬イオンを好適な反応デバイスの異なる端から当該反応デバイス内に導入（同時にまたは順次に）してもよい。
【０１２９】
一実施形態によると、第１の進行ＤＣ波８によってカチオンをイオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイス２の中心に向かって並進させ、第２の異なる進行ＤＣ波９によってアニオンをイオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイス２の中心に向かって並進させるようにしてもよい。
【０１３０】
しかしながら、カチオンとアニオンとの両方を第１の進行波８によってイオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイス２の中心（または別の領域）に向かって同時に並進させ得る他の実施形態が考えられる。この実施形態によると、必要に応じて、カチオンおよび／またはアニオンを、第２の進行ＤＣ電圧波９によってイオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイス２の中心（または別の領域）に向かって同時に並進させてもよい。したがって例えば、一実施形態によると、アニオンとカチオンとを第１の進行ＤＣ波８によって第１の方向に同時に並進させると同時にその他のアニオンとカチオンとを第１の方向と反対であることが好ましい第２の方向に移動することが好ましい第２の進行ＤＣ波９によって同時に並進させるようにしてもよい。
【０１３１】
好適な実施形態によると、イオンがイオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイス２の中央または中心領域に接近するにつれて進行波８、９の推進力が減少するようにプログラムされていることが好ましく、イオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイス２の中心領域における進行波の振幅を、有効にゼロになるかまたは少なくとも著しく低減するように構成してもよい。結果として、進行波の谷およびピークが、一実施形態によると反対の極性（またはそれほど好ましくはないが同じ極性）のイオンをイオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイス２の中心領域内で互いに合流および相互作用可能にするかまたはさせるように、イオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイス２の中央（中心）で有効に消滅（または著しく低減）することが好ましい。例えば緩衝ガス分子との多重衝突によるかまたは高い空間電荷効果によりイオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイス２の中央または中心領域から軸方向に離れてランダムに漂遊するイオンがあれば、これらのイオンは、イオンを並進または付勢してイオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイス２の中心に向かって戻らせる効果を有することが好ましい次の進行ＤＣ波に出会うことが好ましい。
【０１３２】
一実施形態によると、正の検体イオンが、第１の方向に移動するように構成されることが好ましい第１の進行波８によってイオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイス２の中心に向かって並進させられるように構成され、負の試薬イオンが、第１の方向と反対の第２の方向に移動するように構成されることが好ましい第２の進行波９によってイオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイス２の中心に向かって並進させられるように構成されてもよい。
【０１３３】
その他の実施形態によると、２つの対向する進行ＤＣ波８、９をイオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイス２の電極１に印加する代わりに、いかなる特定の時点においても１つの進行ＤＣ波をイオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイス２の電極１に印加するようにしてもよい。この実施形態によると、負の電荷を持つ試薬イオン（またはそれほど好適ではないが正の電荷を持つ検体イオン）を最初にイオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイス２内へ装填または向かわせてもよい。試薬アニオンを進行ＤＣ波によってイオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイス２の入射領域からイオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイスに沿っておよび通して並進させることが好ましい。イオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイス２の反対端すなわち出射端に負の電位を印加することにより、試薬アニオンをイオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイス２内に保持してもよい。
【０１３４】
試薬アニオン（またはそれほど好適ではないが検体カチオン）をイオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイス２内に装填した後、正の電荷を持つ検体イオン（またはそれほど好適ではないが負の電荷を持つ試薬イオン）を、電極１に印加される進行ＤＣ波または複数の過渡ＤＣ電圧もしくは電位によって、イオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイス２に沿っておよび通して並進させることが好ましい。
【０１３５】
試薬アニオンと検体カチオンとを並進させる進行ＤＣ波は、イオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイス２の電極１に印加されることが好ましい１つまたは複数の過渡ＤＣ電圧もしくは電位あるいは１つまたは複数の過渡ＤＣ電圧もしくは電位波形を含むことが好ましい。負の電荷を持つ試薬イオンと正の電荷を持つ検体イオンとの間のイオン−イオン反応を最適化するために、進行ＤＣ波のパラメータ、特に過渡ＤＣ電圧または電位をイオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイス２の長さに沿って各電極１に印加する速さまたは速度を変化または制御し得る。
【０１３６】
イオン−イオン相互作用から生じるフラグメントまたは生成イオンは、当該フラグメントまたは生成イオンが中性化され得る前に、好ましくはＤＣ進行波によって、イオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイス２から押し流されることが好ましい。所望の場合には、未反応の検体イオンおよび／または未反応の試薬イオンを、好ましくはＤＣ進行波によって、イオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイス２から除去してもよい。イオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイス２の少なくとも下流端に印加されることが好ましい負の電位が、正の電荷を持つ生成またはフラグメントアニオンを加速してイオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイス２から出すようにも作用することが好ましい。
【０１３７】
一実施形態によると、負の電荷を持つイオンをイオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイス２内に保持するために、負の電位を必要に応じてイオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイス２の一端または両端に印加してもよい。印加される負の電位は、イオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイス２内で作り出されるまたは形成される正の電荷を持つフラグメントまたは生成イオンを、イオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイス２からイオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイス２の一端または両端を介して出射するように促進または付勢する効果も有することが好ましい。
【０１３８】
一実施形態によると、正の電荷を持つフラグメントまたは生成イオンを、その形成から約３０ミリ秒後にイオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイス２から出射するように構成し、それによりイオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイス２内の正の電荷を持つフラグメントまたは生成イオンの中性化を回避してもよい。しかしながら、イオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイス２内で形成されたフラグメントまたは生成イオンが、より迅速に、例えば０〜１０ミリ秒、１０〜２０ミリ秒または２０〜３０ミリ秒の時間スケール内でイオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイス２から出射するように構成され得るその他の実施形態が考えられる。あるいは、イオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイス２内で形成されたフラグメントまたは生成イオンを、よりゆっくりと、例えば３０〜４０ミリ秒、４０〜５０ミリ秒、５０〜６０ミリ秒、６０〜７０ミリ秒、７０〜８０ミリ秒、８０〜９０ミリ秒、９０〜１００ミリ秒または＞１００ミリ秒の時間スケール内でイオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイス２から出射するように構成してもよい。
【０１３９】
好適なイオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイス２の内部のおよびこれを通るイオンの動きを、ＳＩＭＩＯＮ８（登録商標）を用いてモデル化した。図３は、イオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイス２を形成する一連のリング電極１を通る断面図を示す。図３に示すようなイオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイス２を通るイオンの動きを、ＳＩＭＩＯＮ８（登録商標）を用いてモデル化した。図３は、本発明の一実施形態によるイオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイス２を形成する電極１に漸進的に印加されるとしてモデル化された２つの集束する進行ＤＣ波電圧８、９または一連の過渡ＤＣ電圧８、９も示している。進行ＤＣ波電圧８、９は、イオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイス２の中心に向かって集束するとしてモデル化され、イオンを同時にイオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイス２の両端からイオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイス２の中心に向かって並進させる効果を有していた。
【０１４０】
図４は、ＳＩＭＩＯＮ（登録商標）によってモデル化された、特定の時点におけるイオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイス２内のポテンシャルエネルギー表面のスナップ写真を示す。
【０１４１】
図５は、第１の組のカチオンとアニオンとを初めにイオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイス２の上流端に提供されるとしてモデル化し、第２の組のカチオンとアニオンとを初めにイオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイスの下流端に提供されるとしてモデル化したシミュレーションの結果を示す。２つの進行ＤＣ電圧波を、同時にイオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイス２の電極１に印加されるとしてモデル化した。一方の進行ＤＣ電圧波または一連の過渡ＤＣ電圧は、イオンをイオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイス２の前方つまり上流端からイオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイス２の中心へと並進させるように構成されるとしてモデル化し、他方の進行ＤＣ電圧波または一連の過渡ＤＣ電圧は、イオンをイオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイス２の後方つまり下流端からイオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイス２の中心へと並進させるように構成されるとしてモデル化した。
【０１４２】
図５は、これら２つの組のカチオンとアニオンとのその後の軸方向位置を時間の関数として示す。４つのイオンすべてを質量電荷比３００としてモデル化した。図５から、いずれの組のイオンも、約２００μ秒後にイオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイス２の軸方向長さの中心または中央領域（変位量４５ｍｍの位置にある）に向かって移動するのが分かる。
【０１４３】
イオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイス２は、ステンレス鋼製の複数の積層導電性円形リング電極１を含むとしてモデル化した。リング電極は、ピッチが１．５ｍｍ、厚さが０．５ｍｍ、中心アパーチャ直径が５ｍｍとなるように構成した。進行波プロファイルは、イオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイス２の中央または中心に向かう等価波速度（ｅｑｕｉｖａｌｅｎｔ  ｗａｖｅ  ｖｅｌｏｃｉｔｙ）が３００ミリ秒としてモデル化されるように、５μ秒間隔で前進するとしてモデル化した。アルゴン緩衝ガスを、０．０７６Ｔｏｒｒ（すなわち０．１ｍｂａｒ）の圧力のイオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイス２内に提供されるとしてモデル化した。イオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイス２の長さは９０ｍｍとしてモデル化した。電圧パルスの典型的な振幅は１０Ｖとしてモデル化した。イオンをイオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイス２内に半径方向に、半径方向の擬ポテンシャル谷に閉じ込めるように、１００ＶのＲＦ電圧の相反する位相をイオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイス２を形成する隣接した電極１に印加されるとしてモデル化した。
【０１４４】
図５から、イオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイス２の中心領域内では、反対の極性を有するイオンが、比較的低くかつ実質的に等しい運動エネルギーで近接して一緒に配置されることが分かるであろう。したがってイオン−イオン反応領域がイオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイス２の中心領域内に設けられるかまたは作り出されることが好ましい。さらに、イオン−イオン相互作用のための条件が実質的に最適化される。
【０１４５】
イオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイス２内のイオン−イオン反応の位置または部位は、イオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイス２の焦点を試薬アニオンと検体カチオンとが互いに近接しそれゆえ相互作用することができる場所であるとみなすことができるという意味で、イオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイス２の焦点と呼ばれることがある。一実施形態によると、対向する進行波８、９を、焦点または反応空間でぶつかるように構成してもよい。進行ＤＣ電圧波８、９または過渡ＤＣ電圧もしくは電位の振幅を、焦点または反応空間で実質的にゼロ振幅に減衰するように構成してもよい。
【０１４６】
いかなるイオン−イオン反応（またはイオン−中性ガス反応）が起こったとしてもすぐに、結果として生じるあらゆる生成またはフラグメントイオンを好ましくは比較的迅速にイオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイス２の反応空間から押し流すかまたは離れる方向に並進させるように構成してもよい。一実施形態によると、結果として生じる生成またはフラグメントイオンを、イオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイス２から出射させることが好ましく、その後、さらに先へ、飛行時間質量分析部のような質量分析部またはイオン検出器へと移送してもよい。
【０１４７】
イオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイス２内で形成された生成またはフラグメントイオンを、種々の方法で抽出し得る。２つの対向する進行ＤＣ電圧波８、９をイオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイスの電極１に印加する実施形態に関しては、イオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイス２の下流領域つまり出射領域に印加される進行ＤＣ波９の進行方向を反転させ得る。イオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイス２を従来の進行波イオンガイドとして有効に動作させる、すなわち、単一の方向に移動する単一の一定振幅進行ＤＣ電圧波をイオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイス２の実質的に全体にわたって印加するように、進行ＤＣ波振幅をイオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイス２の長さに沿って正規化してもよい。
【０１４８】
同様に、単一の進行ＤＣ電圧波が初めに試薬アニオンをイオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイス２内へ装填し、その後続いて検体カチオンが同じ進行ＤＣ電圧波によってイオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイス２内へ装填される実施形態に関しては、当該単一の進行ＤＣ電圧波は、イオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイス２内で作り出される正の電荷を持つフラグメントまたは生成イオンを抽出するようにも作用する。いったんフラグメントまたは生成イオンが生成されると、進行ＤＣ電圧波振幅をイオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイス２の長さに沿って正規化して、イオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイス２を従来の進行波イオンガイドとして有効に動作させてもよい。
【０１４９】
イオンを進行波の場によって並進させて十分な高圧（例えば、＞０．１ｍｂａｒ）に維持されたイオンガイドに通した場合、イオンはそのイオン移動度の順に進行波イオンガイドの終端から出現し得ることが示されている。イオン移動度が比較的高いイオンは、イオン移動度が比較的低いイオンよりも先にイオンガイドから出現することが好ましい。したがって、イオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイス２の中心領域で生成される生成またはフラグメントイオンのイオン移動度分離を利用することにより、感度およびデューティサイクルの向上などのさらなる分析上のメリットを本発明の実施形態によって提供することができる。
【０１５０】
一実施形態によると、イオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイス２の上流および／または下流にイオン移動度分光計または分離段階（ｓｔａｇｅ）を設置してもよい。例えば、一実施形態によると、イオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイス２内で形成され、その後でイオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイス２から抽出された生成またはフラグメントイオンを、次に、イオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイス２の下流に配置されることが好ましいイオン移動度分光計または分離器の中でイオン移動度に従って（またはそれほど好ましくはないが、電場強度に伴うイオン移動度の変化率に従って）分離してもよい。
【０１５１】
一実施形態によると、イオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイス２を形成するリング電極１の内側アパーチャの直径を、イオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイス２の長さに沿った電極位置に伴って漸進的に増加するように構成してもよい。アパーチャ直径は、例えば、イオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイス２の入射部および出射部ではより小さくなり、イオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイス２の中心または中央寄りでは比較的より大きくなるように構成し得る。これにより、種々の電極１に印加されるＤＣ電圧の振幅は実質的に一定に保つことができる一方で、イオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイス２の中心領域内でイオンが受けるＤＣ電位の振幅を低減させる効果が得られる。したがって、この実施形態によると、進行波イオンガイド電位は、イオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイス２の中央または中心領域で最小となる。
【０１５２】
別の実施形態によると、リングアパーチャ直径と、電極１に印加される過渡ＤＣ電圧または電位の振幅とを、イオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイス２の長さに沿って変化させてもよい。
【０１５３】
リング電極のアパーチャの直径がイオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイス２の中心に向かうにつれて増加する実施形態においては、中心軸近くのＲＦ場も減少する。このことは、イオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイス２の中心領域においてイオンのＲＦ加熱をそれほど生じさせないという効果がある。この効果は、電子移動解離型の反応を最適化しかつ衝突誘起反応を最小化するうえで特に有益となり得る。
【０１５４】
さらなる実施形態によると、イオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイス２内の焦点または反応領域の位置を、イオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイス２の長さに沿って軸方向に時間の関数として移動または変化させてもよい。このことには、イオンをイオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイス２を中心反応領域で止まることなく連続的に流れているまたは通過しているように構成することができるという利点がある。これにより、イオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイス２の入射口において検体イオンと試薬イオンとを導入し、イオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイス２の出射口から生成またはフラグメントイオンを射出するという連続的プロセスを達成することが可能になる。イオン−イオン反応効率を最適化するために、焦点の並進速度などの種々のパラメータを変化または制御し得る。焦点の動きは、適切なレンズまたはリング電極１に印加される電圧を切り換えるかまたは制御することによって段階的に達成または電子制御可能である。
【０１５５】
焦点を時間とともに変化させるイオンガイドまたはイオン−イオン反応領域２内のイオンの動きを、ＳＩＭＩＯＮ（登録商標）を用いて調べた。図６Ａ〜図６Ｄは、焦点または反応領域の軸方向位置が時間とともに変化する一実施形態による異なる時点におけるイオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイス２内のポテンシャルエネルギー表面を示す。破線矢印は、本発明の一実施形態によるイオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイス２の電極１に印加されることが好ましい対向する進行波ＤＣ電圧の方向を示している。図６Ａ〜図６Ｄから、進行ＤＣ波電圧の強度が焦点からの距離または変位量に伴って直線的に増加するようにプログラムされたことがわかる。しかしながら、進行ＤＣ電圧波についてのその他の種々の振幅関数を代わりに用いてもよい。反応領域または焦点の動きを、例えばイオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイス２の入射口（すなわち左）からイオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイス２の出射口（すなわち右）へと進むようにプログラムすることが可能であることもわかる。したがって、電子移動解離（および／またはプロトン移動反応）のプロセスを、焦点がイオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイス２の長さに沿って移動するかまたは並進させられるにつれて実質的に連続して起こるように構成することが可能である。最終的に、電子移動解離反応により生じた生成またはフラグメントイオンを、イオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイス２の出射口から出現するように構成することが好ましく、さらに先へ、例えば飛行時間質量分析部へと移送してもよい。システムの総感度を高めるには、イオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイス２からのイオンの放出のタイミングを直交加速式飛行時間質量分析部の押し出し電極と同期させ得る。イオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイス２の長さに沿って多数の焦点を設置し得るとともに必要に応じてそれらの焦点のいくつかまたはすべてをイオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイス２の長さに沿って並進させる、この実施形態の変形例も考えられる。
【０１５６】
一実施形態によると、好適なイオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイス２に投入される検体カチオンと試薬アニオンとを、別個のつまり異なるイオン源から生成してもよい。別個のイオン源からのカチオンとアニオンとの両方を好適な実施形態によるイオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイス２内に効率的に導入するために、好適なイオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイス２の上流（および／または下流）にさらなるイオンガイドを設置してもよい。このさらなるイオンガイドは、異なる位置にある別個のイオン源からの両方の極性のイオンを同時にかつ連続的に受け取ったり輸送し、検体および試薬イオンの両方を好適なイオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイス２内へ向かわせるように構成され得る。
【０１５７】
図７は、イオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイス２における電子移動解離によって生成またはフラグメントイオンを形成するために検体カチオン１１と試薬アニオン１２との両方を好適なイオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイス２内に導入するのにイオンガイドカプラ１０が用いられ得る一実施形態を示す。イオンガイドカプラ１０は、例えば米国特許第６８９１１５７号に開示されているような多重プレートＲＦイオンガイドを含み得る。イオンガイドカプラ１０は、概ねイオン移送平面上に配置された複数の平板状電極を含み得る。隣接する平板状電極を逆の位相のＡＣまたはＲＦ電位に維持することが好ましい。平板状電極を、イオンガイドカプラ１０内にイオン案内領域が形成されるような形状にすることも好ましい。イオンをイオンガイドカプラ１０内に保持するために、上部および／または下部平板状電極を設置し、ＤＣおよび／またはＲＦ電圧を上部および／または下部平板状電極に印加するようにしてもよい。
【０１５８】
１つまたは複数の質量選択的四重極を、イオン源から受け取った特定の検体および／または試薬イオンを選択したり、所望のイオンだけをさらに先へ、イオンガイドカプラ１０へと移送したりするのに利用してもよい。イオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイス２内の反応領域５で作り出され、その後イオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイス２から出現する生成またはフラグメントイオンを受け取って分析するために、好適なイオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイス２の下流に飛行時間質量分析部１１を配置してもよい。
【０１５９】
積層リングＲＦイオンガイドの電極に進行ＤＣ電圧波を印加することを含む実験により、イオン反応空間内で進行ＤＣ波電圧パルスの振幅を増加させかつ／もしくは進行ＤＣ波電圧パルスの速さを増加させることによってイオン−イオン反応率を低下させるかまたは必要な場合には停止させることまでもが可能であることが示されている。これは、進行ＤＣ電圧波が検体カチオンの試薬アニオンに対する相対速度を局所的に増加させ得ることによる。イオン−イオン反応率はカチオンとアニオンとの間の相対速度の三乗に反比例することが示されている。
【０１６０】
進行ＤＣ電圧波の振幅および／または速さを増加させることで、イオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイス２内でカチオンとアニオンとが同時に存在する時間もより少なくなり得、ひいては反応効率を低減させる効果を奏し得る。
【０１６１】
図８Ａ〜図８Ｃは、進行ＤＣ電圧波の振幅を変化させることがハイブリッド四重極飛行時間質量分析計のガスセル内で生成される電子移動解離生成またはフラグメントイオンの生成または形成に及ぼす影響を示す。特に、図８Ａ〜図８Ｃは、アゾベンゼン試薬アニオンとのイオン−イオン反応に引き続いて質量電荷比４４９．９の物質−Ｐの３価の前駆カチオンを断片化することにより生じる電子移動解離生成またはフラグメントイオンを示す。図８Ａは、進行波振幅を０Ｖに設定した場合に記録されたマススペクトルを示し、図８Ｂは、進行波振幅を０．５Ｖに設定した場合に記録されたマススペクトルを示し、図８Ｃは、進行波振幅を１．０Ｖに増加した場合に記録されたマススペクトルを示す。１．０Ｖの進行波をイオンガイドに印加した場合に電子移動解離生成またはフラグメントイオンの存在度が著しく低下することがわかる。この効果は、所望の場合に電子移動解離フラグメントまたは生成イオンの生成（およびプロトン移動反応による電荷状態の減少）を実質的に防止または抑制するのに用いることができる。
【０１６２】
本発明の一実施形態によると、イオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイス２の電極１に印加される１つまたは複数のＤＣ進行波の振幅および／または速さを変化させることにより、イオン−イオン反応を制御または最適化し得る。しかしながら、進行ＤＣ波場の振幅を電子制御する代わりに、内径または軸方向間隔が変化する積層リング電極を利用することによって場の振幅を機械的に制御し得るその他の実施形態が考えられる。リング積層体つまりリング電極１のアパーチャの直径が増加するように構成されている場合、すべての電極１に同一振幅電圧が印加されるとすると、イオンが受ける進行波振幅は減少する。
【０１６３】
１つまたは複数の進行ＤＣ電圧波の振幅をさらに増加させ得、その後、定在波が有効に生成されるように進行ＤＣ電圧波速度をゼロまで低減させる実施形態が考えられる。この実施形態によると、反応空間の中のイオンをイオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイス２の軸に沿って繰返し加速そして減速させ得る。この手法は、生成またはフラグメントイオンの内部エネルギーを増加させて、生成またはフラグメントイオンが衝突誘起解離（ＣＩＤ）のプロセスによりさらに分解し得るようにするのに用いることができる。この衝突誘起解離の方法は、電子移動解離により生じた非共有結合的に結合した生成またはフラグメントイオンを分離する際に特に有用である。以前に電子移動解離反応に供された前駆イオンは、しばしば部分的に分解し（特に１価および２価の前駆イオン）、部分的に分解したイオンは、互いに非共有結合的に付着したままとなり得る。
【０１６４】
別の実施形態によると、当該非共有結合的に結合した生成またはフラグメントイオンを、イオンを輸送する通常モードで動作する進行ＤＣ波によって積層リングイオンガイドから押し流す際に互いに分離させてもよい。これは、進行波イオンガイドの速度を、イオン−分子衝突が起こり非共有結合的に結合したフラグメントまたは生成イオンの分離を誘起するように十分に高い値に設定することによって達成し得る。
【０１６５】
本発明の別の実施形態によると、検体イオンと試薬イオンとを、同一のイオン源によってかまたは質量分析計の共通のイオン生成部または段階によって生成してもよい。例えば、一実施形態によると、検体イオンをエレクトロスプレーイオン源によって生成し、試薬イオンをエレクトロスプレーイオン源の下流に配置されることが好ましいグロー放電領域において生成するようにしてもよい。図９は、検体イオンをエレクトロスプレーイオン源によって発生させる本発明の一実施形態を示す。エレクトロスプレーイオン源のキャピラリーは、＋３ｋＶに維持することが好ましい。検体イオンを、０Ｖに維持されることが好ましい質量分析計のサンプルコーン１５の方へ引き寄せることが好ましい。イオンが、サンプルコーン１５を通り抜け、真空ポンプ１７によって排気されることが好ましい真空室１６へ入ることが好ましい。高電圧源に接続されることが好ましいグロー放電ピン１８を、真空室１６内においてサンプルコーン１５の近くかつ下流に配置することが好ましい。グロー放電ピン１８は、一実施形態によると−７５０Ｖに維持され得る。試薬源１９からの試薬を、グロー放電ピン１８に近い位置で真空室１６内に流出させるかまたは供給することが好ましい。結果として、真空室１６内でグロー放電領域２０において試薬イオンが生成されることが好ましい。試薬イオンは、その後、抽出コーン２１を通して引き寄せられ、さらなる下流真空室２２へ入ることが好ましい。さらなる真空室２２の中にイオンガイド２３が配置されていることが好ましい。試薬イオンは、その後、さらに先へ、質量分析計のさらなる段階２４へと移送されることが好ましく、電子移動解離および／またはプロトン移動反応デバイスとして用いられることが好ましい好適なイオンガイド、イオン−イオン反応デバイスまたはイオン−中性ガス反応デバイス２へ移送されることが好ましい。
【０１６６】
本発明の一実施形態によると、二重モードまたは二重イオン源を設置してもよい。例えば、一実施形態によると、検体（または試薬）イオンを生成するのにエレクトロスプレーイオン源を用い、試薬（または検体）イオンを生成するのに大気圧化学イオン化イオン源を用いるようにしてもよい。反応デバイスの電極に印加される１つまたは複数の進行ＤＣ電圧もしくは過渡ＤＣ電圧によって負の電荷を持つ試薬イオンを反応デバイスに送り込んでもよい。負の電荷を持つ試薬イオンを反応デバイス内に保持するために、負のＤＣ電位を反応デバイスに印加してもよい。その後、１つまたは複数の進行ＤＣ電圧もしくは過渡ＤＣ電圧を反応デバイスの電極に印加することによって、正の電荷を持つ検体イオンを反応デバイスに投入してもよい。正の電荷を持つ検体イオンは、反応デバイスに保持されない、つまり反応デバイスから出射するのを妨げられないことが好ましい。電子移動解離ならびに／あるいはプロトン移動反応による検体イオンおよび／または生成もしくはフラグメントイオンの電荷状態減少によるフラグメンテーションの程度を最適化するために、反応デバイスの電極に印加される進行ＤＣ電圧または過渡ＤＣ電圧の種々のパラメータを最適化し得る。
【０１６７】
試薬イオンおよび／または検体イオンを生成するのにグロー放電イオン源を用いる場合、イオン源のピン電極は、一実施形態によると、±５００〜７００Ｖの電位に維持され得る。一実施形態によると、イオン源の電位を、正の電位（カチオンを生成するため）と負の電位（アニオンを生成するため）との間で比較的高速に切り換えてもよい。
【０１６８】
二重モードまたは二重イオン源を設置する場合は、約５０ミリ秒ごとにイオン源を各モード間で切り換えてもよいかまたは各イオン源を相互に切り換えてもよいと考えられる。イオン源の各モード間での切り換えかまたは各イオン源の相互の切り換えを、＜１ミリ秒、１〜１０ミリ秒、１０〜２０ミリ秒、２０〜３０ミリ秒、３０〜４０ミリ秒、４０〜５０ミリ秒、５０〜６０ミリ秒、６０〜７０ミリ秒、７０〜８０ミリ秒、８０〜９０ミリ秒、９０〜１００ミリ秒、１００〜２００ミリ秒、２００〜３００ミリ秒、３００〜４００ミリ秒、４００〜５００ミリ秒、５００〜６００ミリ秒、６００〜７００ミリ秒、７００〜８００ミリ秒、８００〜９００ミリ秒、９００〜１０００ミリ秒、１〜２秒、２〜３秒、３〜４秒、４〜５秒または＞５秒の時間スケールで行い得るその他の実施形態が考えられる。１つまたは複数のイオン源をオンおよびオフに切り換える代わりに、１つまたは複数のイオン源を実質的にオンのままにしておいてもよいその他の実施形態が考えられる。この実施形態によると、バッフルまたは回転イオンビームブロックのようなイオン源選択デバイスが用いられ得る。例えば、２つのイオン源をオンのままにしておいてもよいが、イオンビーム選択器がいかなる特定の時点においてもイオン源の一方からのイオンだけを質量分析計へ移送させることが好ましい。１つのイオン源をオンのままにしておき、別のイオン源を繰返しオンおよびオフに切り換えるようにしてもよい実施形態が考えられる。
【０１６９】
一実施形態によると、電極に印加される進行ＤＣ電圧の速度を制御することによって電子移動解離フラグメンテーション（および／またはプロトン移動反応電荷状態減少）を制御、増進または実質的に阻止し得る。進行ＤＣ電圧を非常に急速に電極に印加する場合、電子移動解離によって断片化する検体イオンが非常に少なくなり得る（かつ／またはプロトン移動反応による電荷状態減少が著しく低減し得る）。
【０１７０】
反応空間を反応デバイスの中心に向かって最適化する種々の実施形態を説明したが、反応デバイスを例えば反応デバイスの上流端および／または下流端に向かって最適化してもよいその他の実施形態が考えられる。例えば、リング電極の内径が反応デバイスの下流端に向かって漸進的に増加または減少してもよい。さらにまたはもしくは、リング電極のピッチが反応デバイスの下流端に向かって漸進的に減少または増加してもよい。
【０１７１】
検体および／または試薬イオンを付勢または強制して反応デバイスの各部分に通すために、ガス流の動的効果および／または差圧効果を用い得るやや好適な実施形態も考えられる。イオンを駆動または付勢して好適な反応デバイスに沿わせるおよび／または通すその他の方法または手段に加えて、ガス流の動的効果を用いてもよい。
【０１７２】
反応デバイスから出現したイオンを、反応デバイスの下流および／または上流に配置されることが好ましい別個のイオン移動度分離セルまたは段階においてイオン移動度分離に供してもよい。
【０１７３】
検体イオンの電荷状態を、検体イオンが試薬イオンおよび／または中性試薬ガスと相互作用する前に、プロトン移動反応によって減少させ得ることが考えられる。さらにまたはもしくは、電子移動解離によって生じた生成またはフラグメントイオンの電荷状態を、プロトン移動反応によって減少させ得る。
【０１７４】
プロトンを試薬イオンまたは中性試薬ガスへ移動させることによって検体イオンを断片化するかまたは解離させ得ることも考えられる。
【０１７５】
電子移動解離により生じる生成またはフラグメントイオンは非共有結合的に結合したものであり得る。非共有結合的に結合した生成またはフラグメントイオンを、電子移動解離が行われたのと同じ反応デバイスにおいてかまたは別個の反応デバイスもしくはセルにおいて、衝突誘起解離、表面誘起解離、または他のフラグメンテーションプロセスによって断片化させ得る本発明の実施形態が考えられる。
【０１７６】
キセノン、セシウム、ヘリウムまたは窒素の原子もしくはイオンのようなメタステーブル原子またはイオンとの反応または相互作用の後で検体イオンを断片化または解離させ得るさらなる実施形態が考えられる。
【０１７７】
別の実施形態によると、上記において電子移動解離に用いるのに適したものとして開示したのと実質的に同一の試薬イオンを、さらにまたは代わりにプロトン移動反応に用いてもよい。したがって、例えば、一実施形態によると、多環芳香族炭化水素または置換多環芳香族炭化水素から誘導される試薬アニオンつまり負の電荷を持つイオンを、プロトン移動反応を開始させるのに用いてもよい。同様に、プロトン移動反応において用いられる試薬アニオンつまり負の電荷を持つイオンを、（ｉ）アントラセン、（ｉｉ）９，１０ジフェニルアントラセン、（ｉｉｉ）ナフタレン、（ｉｖ）フッ素、（ｖ）フェナントレン、（ｖｉ）ピレン、（ｖｉｉ）フルオランテン、（ｖｉｉｉ）クリセン、（ｉｘ）トリフェニレン、（ｘ）ペリレン、（ｘｉ）アクリジン、（ｘｉｉ）２，２’ジピリジル、（ｘｉｉｉ）２，２’ビキノリン、（ｘｉｖ）９−アントラセンカルボニトリル、（ｘｖ）ジベンゾチオフェン、（ｘｖｉ）１，１０’−フェナントロリン、（ｘｖｉｉ）９’アントラセンカルボニトリルおよび（ｘｖｉｉｉ）アントラキノンからなる群から選択された物質から誘導してもよい。アゾベンゼンアニオン、アゾベンゼンラジカルアニオンまたはその他のラジカルアニオンを含む試薬イオンつまり負の電荷を持つイオンも、プロトン移動反応を行うのに用いてよい。
【０１７８】
一実施形態によると、中性ヘリウムガスを、０．０１〜０．１ｍｂａｒ、それほど好ましくはないが０．００１〜１ｍｂａｒ、の範囲の圧力の反応デバイスに提供してもよい。ヘリウムガスは、反応デバイスにおける電子移動解離および／またはプロトン移動反応を支援するのに特に有用であることがわかっている。窒素およびアルゴンガスは、やや好適であり、少なくともいくらかのイオンを、電子移動解離によってではなく衝突誘起解離によって断片化させ得る。
【０１７９】
二重モードイオン源の各モード間での切り換えかまたは２つのイオン源のオン／オフ切り換えが対称的または非対称的に行われ得る実施形態も考えられる。例えば、一実施形態によると、検体イオンを発生させるイオン源をデューティサイクルの約９０％の間オンのままにしておいてもよい。デューティサイクルの残りの１０％の間は、検体イオンを発生させるイオン源をオフに切り換え、好適な反応デバイス内に試薬イオンを補充するために試薬イオンを生成するようにしてもよい。検体イオンを生成するイオン源をオンに切り換える（つまり、検体イオンが質量分析計内に移送される）期間の、試薬イオンを生成するイオン源をオンに切り換える（つまり、試薬イオンが質量分析計内に移送されるかもしくは質量分析計内で生成される）期間に対する比が、＜１、１〜２、２〜３、３〜４、４〜５、５〜６、６〜７、７〜８、８〜９、９〜１０、１０〜１５、１５〜２０、２０〜２５、２５〜３０、３０〜３５、３５〜４０、４０〜４５、４５〜５０または＞５０の範囲内に入り得るその他の実施形態が考えられる。
【０１８０】
好適な実施形態を参照しながら本発明を説明したが、添付の特許請求の範囲に記載の本発明の範囲から逸脱することなく形態および内容ともに種々の変更を加え得ることが当業者には理解されよう。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図６Ｃ】
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【図６Ｄ】
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【図７】
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【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
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【図８Ｃ】
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【図９】
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【手続補正書】
【提出日】平成22年8月26日(2010.8.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つの使用時にイオンが移送されるアパーチャを有する複数の電極を含むイオンガイドと、
少なくともいくらかの第１のイオンを駆動または付勢して第１の方向に前記イオンガイドの軸方向長さの少なくとも一部に沿わせるまたは通すために、１つまたは複数の第１の過渡ＤＣ電圧もしくは電位あるいは１つまたは複数の第１の過渡ＤＣ電圧もしくは電位波形を前記複数の電極の少なくともいくつかに印加するように構成および適合された第１のデバイスと、
少なくともいくらかの第２のイオンを駆動または付勢して第２の異なる方向に前記イオンガイドの軸方向長さの少なくとも一部に沿わせるまたは通すために、１つまたは複数の第２の過渡ＤＣ電圧もしくは電位あるいは１つまたは複数の第２の過渡ＤＣ電圧もしくは電位波形を前記複数の電極の少なくともいくつかに印加するように構成および適合された第２のデバイスとを含む電子移動解離またはプロトン移動反応デバイス。
【請求項２】
（ａ）前記第１のデバイスが、少なくともいくらかの前記第１のイオンを駆動または付勢して前記第１の方向に前記イオンガイドの軸方向長さの少なくとも０〜５％、５〜１０％、１０〜１５％、１５〜２０％、２０〜２５％、２５〜３０％、３０〜３５％、３５〜４０％、４０〜４５％、４５〜５０％、５０〜５５％、５５〜６０％、６０〜６５％、６５〜７０％、７０〜７５％、７５〜８０％、８０〜８５％、８５〜９０％、９０〜９５％または９５〜１００％に沿わせるまたは通すために、前記１つまたは複数の第１の過渡ＤＣ電圧もしくは電位あるいは前記１つまたは複数の第１の過渡ＤＣ電圧もしくは電位波形を前記複数の電極の０〜５％、５〜１０％、１０〜１５％、１５〜２０％、２０〜２５％、２５〜３０％、３０〜３５％、３５〜４０％、４０〜４５％、４５〜５０％、５０〜５５％、５５〜６０％、６０〜６５％、６５〜７０％、７０〜７５％、７５〜８０％、８０〜８５％、８５〜９０％、９０〜９５％または９５〜１００％に印加するように構成および適合され、および、
（ｂ）前記第２のデバイスが、少なくともいくらかの前記第２のイオンを駆動または付勢して前記第２の方向に前記イオンガイドの軸方向長さの少なくとも０〜５％、５〜１０％、１０〜１５％、１５〜２０％、２０〜２５％、２５〜３０％、３０〜３５％、３５〜４０％、４０〜４５％、４５〜５０％、５０〜５５％、５５〜６０％、６０〜６５％、６５〜７０％、７０〜７５％、７５〜８０％、８０〜８５％、８５〜９０％、９０〜９５％または９５〜１００％に沿わせるまたは通すために、前記１つまたは複数の第２の過渡ＤＣ電圧もしくは電位あるいは前記１つまたは複数の第２の過渡ＤＣ電圧もしくは電位波形を前記複数の電極の０〜５％、５〜１０％、１０〜１５％、１５〜２０％、２０〜２５％、２５〜３０％、３０〜３５％、３５〜４０％、４０〜４５％、４５〜５０％、５０〜５５％、５５〜６０％、６０〜６５％、６５〜７０％、７０〜７５％、７５〜８０％、８０〜８５％、８５〜９０％、９０〜９５％または９５〜１００％に印加するように構成および適合された請求項１に記載の電子移動解離またはプロトン移動反応デバイス。
【請求項３】
（ａ）前記第２の方向が前記第１の方向と反対つまり逆であるか、または、
（ｂ）前記第１の方向と前記第２の方向とのなす角度が、（ｉ）＜３０°、（ｉｉ）３０〜６０°、（ｉｉｉ）６０〜９０°、（ｉｖ）９０〜１２０°、（ｖ）１２０〜１５０°、（ｖｉ）１５０〜１８０°および（ｖｉｉ）１８０°からなる群から選択される請求項１または２に記載の電子移動解離またはプロトン移動反応デバイス。
【請求項４】
前記第１のイオンが、
（ｉ）アニオンつまり負の電荷を持つイオン、
（ｉｉ）カチオンつまり正の電荷を持つイオン、または、
（ｉｉｉ）アニオンとカチオンとの組み合わせつまり混合物を含み、
前記第２のイオンが、
（ｉ）アニオンつまり負の電荷を持つイオン、
（ｉｉ）カチオンつまり正の電荷を持つイオン、または、
（ｉｉｉ）アニオンとカチオンとの組み合わせつまり混合物を含み、
前記第１のイオンが第１の極性を有し、前記第２のイオンが前記第１の極性と反対の第２の極性を有する請求項１、２または３に記載の電子移動解離またはプロトン移動反応デバイス。
【請求項５】
使用時にイオンを前記イオンガイド内に半径方向に閉じ込めるように第１の周波数および第１の振幅を有する第１のＡＣまたはＲＦ電圧を前記複数の電極の少なくともいくつかに印加するように構成および適合された第１のＲＦデバイスをさらに含み、
（ａ）前記第１の周波数が、（ｉ）＜１００ｋＨｚ、（ｉｉ）１００〜２００ｋＨｚ、（ｉｉｉ）２００〜３００ｋＨｚ、（ｉｖ）３００〜４００ｋＨｚ、（ｖ）４００〜５００ｋＨｚ、（ｖｉ）０．５〜１．０ＭＨｚ、（ｖｉｉ）１．０〜１．５ＭＨｚ、（ｖｉｉｉ）１．５〜２．０ＭＨｚ、（ｉｘ）２．０〜２．５ＭＨｚ、（ｘ）２．５〜３．０ＭＨｚ、（ｘｉ）３．０〜３．５ＭＨｚ、（ｘｉｉ）３．５〜４．０ＭＨｚ、（ｘｉｉｉ）４．０〜４．５ＭＨｚ、（ｘｉｖ）４．５〜５．０ＭＨｚ、（ｘｖ）５．０〜５．５ＭＨｚ、（ｘｖｉ）５．５〜６．０ＭＨｚ、（ｘｖｉｉ）６．０〜６．５ＭＨｚ、（ｘｖｉｉｉ）６．５〜７．０ＭＨｚ、（ｘｉｘ）７．０〜７．５ＭＨｚ、（ｘｘ）７．５〜８．０ＭＨｚ、（ｘｘｉ）８．０〜８．５ＭＨｚ、（ｘｘｉｉ）８．５〜９．０ＭＨｚ、（ｘｘｉｉｉ）９．０〜９．５ＭＨｚ、（ｘｘｉｖ）９．５〜１０．０ＭＨｚおよび（ｘｘｖ）＞１０．０ＭＨｚからなる群から選択され、または、
（ｂ）前記第１の振幅が、（ｉ）＜５０Ｖピークトゥピーク、（ｉｉ）５０〜１００Ｖピークトゥピーク、（ｉｉｉ）１００〜１５０Ｖピークトゥピーク、（ｉｖ）１５０〜２００Ｖピークトゥピーク、（ｖ）２００〜２５０Ｖピークトゥピーク、（ｖｉ）２５０〜３００Ｖピークトゥピーク、（ｖｉｉ）３００〜３５０Ｖピークトゥピーク、（ｖｉｉｉ）３５０〜４００Ｖピークトゥピーク、（ｉｘ）４００〜４５０Ｖピークトゥピーク、（ｘ）４５０〜５００Ｖピークトゥピークおよび（ｘｉ）＞５００Ｖピークトゥピークからなる群から選択され、または、
（ｃ）一動作モードにおいて、隣接するつまり隣り合う電極に、逆位相の前記第１のＡＣまたはＲＦ電圧が供給され、または、
（ｄ）前記イオンガイドが、１〜１０、１０〜２０、２０〜３０、３０〜４０、４０〜５０、５０〜６０、６０〜７０、７０〜８０、８０〜９０、９０〜１００または＞１００の電極群を含み、各電極群は少なくとも１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１１、１２、１３、１４、１５、１６、１７、１８、１９または２０の電極を含み、各群における少なくとも１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１１、１２、１３、１４、１５、１６、１７、１８、１９または２０の電極に同位相の前記第１のＡＣまたはＲＦ電圧が供給される請求項１〜４のいずれか１項に記載の電子移動解離またはプロトン移動反応デバイス。
【請求項６】
（ａ）前記第１の周波数を期間ｔ1にわたってｘ1ＭＨｚだけ、漸進的に増加、漸進的に減少、漸進的に変化、走査、直線的に増加、直線的に減少、段階的、漸進的もしくは別の方法で増加または段階的、漸進的もしくは別の方法で減少させるように構成および適合されたデバイスをさらに含み、
ｘ1が、（ｉ）＜１００ｋＨｚ、（ｉｉ）１００〜２００ｋＨｚ、（ｉｉｉ）２００〜３００ｋＨｚ、（ｉｖ）３００〜４００ｋＨｚ、（ｖ）４００〜５００ｋＨｚ、（ｖｉ）０．５〜１．０ＭＨｚ、（ｖｉｉ）１．０〜１．５ＭＨｚ、（ｖｉｉｉ）１．５〜２．０ＭＨｚ、（ｉｘ）２．０〜２．５ＭＨｚ、（ｘ）２．５〜３．０ＭＨｚ、（ｘｉ）３．０〜３．５ＭＨｚ、（ｘｉｉ）３．５〜４．０ＭＨｚ、（ｘｉｉｉ）４．０〜４．５ＭＨｚ、（ｘｉｖ）４．５〜５．０ＭＨｚ、（ｘｖ）５．０〜５．５ＭＨｚ、（ｘｖｉ）５．５〜６．０ＭＨｚ、（ｘｖｉｉ）６．０〜６．５ＭＨｚ、（ｘｖｉｉｉ）６．５〜７．０ＭＨｚ、（ｘｉｘ）７．０〜７．５ＭＨｚ、（ｘｘ）７．５〜８．０ＭＨｚ、（ｘｘｉ）８．０〜８．５ＭＨｚ、（ｘｘｉｉ）８．５〜９．０ＭＨｚ、（ｘｘｉｉｉ）９．０〜９．５ＭＨｚ、（ｘｘｉｖ）９．５〜１０．０ＭＨｚおよび（ｘｘｖ）＞１０．０ＭＨｚからなる群から選択され、
ｔ1が、（ｉ）＜１ミリ秒、（ｉｉ）１〜１０ミリ秒、（ｉｉｉ）１０〜２０ミリ秒、（ｉｖ）２０〜３０ミリ秒、（ｖ）３０〜４０ミリ秒、（ｖｉ）４０〜５０ミリ秒、（ｖｉｉ）５０〜６０ミリ秒、（ｖｉｉｉ）６０〜７０ミリ秒、（ｉｘ）７０〜８０ミリ秒、（ｘ）８０〜９０ミリ秒、（ｘｉ）９０〜１００ミリ秒、（ｘｉｉ）１００〜２００ミリ秒、（ｘｉｉｉ）２００〜３００ミリ秒、（ｘｉｖ）３００〜４００ミリ秒、（ｘｖ）４００〜５００ミリ秒、（ｘｖｉ）５００〜６００ミリ秒、（ｘｖｉｉ）６００〜７００ミリ秒、（ｘｖｉｉｉ）７００〜８００ミリ秒、（ｘｉｘ）８００〜９００ミリ秒、（ｘｘ）９００〜１０００ミリ秒、（ｘｘｉ）１〜２秒、（ｘｘｉｉ）２〜３秒、（ｘｘｉｉｉ）３〜４秒、（ｘｘｉｖ）４〜５秒および（ｘｘｖ）＞５秒からなる群から選択される、または、
（ｂ）前記第１の振幅を期間ｔ2にわたってｘ2ボルトだけ、漸進的に増加、漸進的に減少、漸進的に変化、走査、直線的に増加、直線的に減少、段階的、漸進的もしくは別の方法で増加または段階的、漸進的もしくは別の方法で減少させるように構成および適合されたデバイスをさらに含み、
ｘ2が、（ｉ）＜５０Ｖピークトゥピーク、（ｉｉ）５０〜１００Ｖピークトゥピーク、（ｉｉｉ）１００〜１５０Ｖピークトゥピーク、（ｉｖ）１５０〜２００Ｖピークトゥピーク、（ｖ）２００〜２５０Ｖピークトゥピーク、（ｖｉ）２５０〜３００Ｖピークトゥピーク、（ｖｉｉ）３００〜３５０Ｖピークトゥピーク、（ｖｉｉｉ）３５０〜４００Ｖピークトゥピーク、（ｉｘ）４００〜４５０Ｖピークトゥピーク、（ｘ）４５０〜５００Ｖピークトゥピークおよび（ｘｉ）＞５００Ｖピークトゥピークからなる群から選択され、
ｔ2が、（ｉ）＜１ミリ秒、（ｉｉ）１〜１０ミリ秒、（ｉｉｉ）１０〜２０ミリ秒、（ｉｖ）２０〜３０ミリ秒、（ｖ）３０〜４０ミリ秒、（ｖｉ）４０〜５０ミリ秒、（ｖｉｉ）５０〜６０ミリ秒、（ｖｉｉｉ）６０〜７０ミリ秒、（ｉｘ）７０〜８０ミリ秒、（ｘ）８０〜９０ミリ秒、（ｘｉ）９０〜１００ミリ秒、（ｘｉｉ）１００〜２００ミリ秒、（ｘｉｉｉ）２００〜３００ミリ秒、（ｘｉｖ）３００〜４００ミリ秒、（ｘｖ）４００〜５００ミリ秒、（ｘｖｉ）５００〜６００ミリ秒、（ｘｖｉｉ）６００〜７００ミリ秒、（ｘｖｉｉｉ）７００〜８００ミリ秒、（ｘｉｘ）８００〜９００ミリ秒、（ｘｘ）９００〜１０００ミリ秒、（ｘｘｉ）１〜２秒、（ｘｘｉｉ）２〜３秒、（ｘｘｉｉｉ）３〜４秒、（ｘｘｉｖ）４〜５秒および（ｘｘｖ）＞５秒からなる群から選択される請求項５に記載の電子移動解離またはプロトン移動反応デバイス。
【請求項７】
（ａ）前記電極の少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％が、円形、長方形、正方形または楕円形のアパーチャを有し、あるいは、
（ｂ）前記電極の少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％が、同じ第１のサイズであるかまたは同じ第１の面積を有するアパーチャを有し、かつ、前記電極の少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％が、同じ第２の異なるサイズであるかまたは同じ第２の異なる面積を有するアパーチャを有し、あるいは、
（ｃ）前記電極の少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％が、前記イオンガイドの軸に沿う方向にサイズまたは面積が漸進的に大きくまたは小さくなるアパーチャを有し、あるいは、
（ｄ）前記電極の少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％が、（ｉ）≦１．０ｍｍ、（ｉｉ）≦２．０ｍｍ、（ｉｉｉ）≦３．０ｍｍ、（ｉｖ）≦４．０ｍｍ、（ｖ）≦５．０ｍｍ、（ｖｉ）≦６．０ｍｍ、（ｖｉｉ）≦７．０ｍｍ、（ｖｉｉｉ）≦８．０ｍｍ、（ｉｘ）≦９．０ｍｍ、（ｘ）≦１０．０ｍｍおよび（ｘｉ）＞１０．０ｍｍからなる群から選択される内径または内寸を有するアパーチャを有し、あるいは、
（ｅ）前記電極の少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％が、（ｉ）５ｍｍ以下、（ｉｉ）４．５ｍｍ以下、（ｉｉｉ）４ｍｍ以下、（ｉｖ）３．５ｍｍ以下、（ｖ）３ｍｍ以下、（ｖｉ）２．５ｍｍ以下、（ｖｉｉ）２ｍｍ以下、（ｖｉｉｉ）１．５ｍｍ以下、（ｉｘ）１ｍｍ以下、（ｘ）０．８ｍｍ以下、（ｘｉ）０．６ｍｍ以下、（ｘｉｉ）０．４ｍｍ以下、（ｘｉｉｉ）０．２ｍｍ以下、（ｘｉｖ）０．１ｍｍ以下および（ｘｖ）０．２５ｍｍ以下からなる群から選択される軸方向距離だけ互いに離間され、あるいは、
（ｆ）前記複数の電極の少なくともいくつかがアパーチャを含み、前記アパーチャの内径または内寸の、隣接する電極間の中心から中心までの軸方向間隔に対する比が、（ｉ）＜１．０、（ｉｉ）１．０〜１．２、（ｉｉｉ）１．２〜１．４、（ｉｖ）１．４〜１．６、（ｖ）１．６〜１．８、（ｖｉ）１．８〜２．０、（ｖｉｉ）２．０〜２．２、（ｖｉｉｉ）２．２〜２．４、（ｉｘ）２．４〜２．６、（ｘ）２．６〜２．８、（ｘｉ）２．８〜３．０、（ｘｉｉ）３．０〜３．２、（ｘｉｉｉ）３．２〜３．４、（ｘｉｖ）３．４〜３．６、（ｘｖ）３．６〜３．８、（ｘｖｉ）３．８〜４．０、（ｘｖｉｉ）４．０〜４．２、（ｘｖｉｉｉ）４．２〜４．４、（ｘｉｘ）４．４〜４．６、（ｘｘ）４．６〜４．８、（ｘｘｉ）４．８〜５．０および（ｘｘｉｉ）＞５．０からなる群から選択され、あるいは、
（ｇ）前記複数の電極のアパーチャの内径が、前記イオンガイドの長手方向軸に沿って、１回または複数回、漸進的に増加または減少した後で漸進的に減少または増加し、あるいは、
（ｈ）前記複数の電極が、（ｉ）１つまたは複数の球、（ｉｉ）１つまたは複数の扁球、（ｉｉｉ）１つまたは複数の長球、（ｉｖ）１つまたは複数の楕円体および（ｖ）１つまたは複数の三軸不等楕円体からなる群から選択される幾何学的空間を規定し、あるいは、
（ｉ）前記イオンガイドが、（ｉ）＜２０ｍｍ、（ｉｉ）２０〜４０ｍｍ、（ｉｉｉ）４０〜６０ｍｍ、（ｉｖ）６０〜８０ｍｍ、（ｖ）８０〜１００ｍｍ、（ｖｉ）１００〜１２０ｍｍ、（ｖｉｉ）１２０〜１４０ｍｍ、（ｖｉｉｉ）１４０〜１６０ｍｍ、（ｉｘ）１６０〜１８０ｍｍ、（ｘ）１８０〜２００ｍｍおよび（ｘｉ）＞２００ｍｍからなる群から選択される長さを有し、あるいは、
（ｊ）前記イオンガイドが、少なくとも（ｉ）１〜１０の電極、（ｉｉ）１０〜２０の電極、（ｉｉｉ）２０〜３０の電極、（ｉｖ）３０〜４０の電極、（ｖ）４０〜５０の電極、（ｖｉ）５０〜６０の電極、（ｖｉｉ）６０〜７０の電極、（ｖｉｉｉ）７０〜８０の電極、（ｉｘ）８０〜９０の電極、（ｘ）９０〜１００の電極、（ｘｉ）１００〜１１０の電極、（ｘｉｉ）１１０〜１２０の電極、（ｘｉｉｉ）１２０〜１３０の電極、（ｘｉｖ）１３０〜１４０の電極、（ｘｖ）１４０〜１５０の電極、（ｘｖｉ）１５０〜１６０の電極、（ｘｖｉｉ）１６０〜１７０の電極、（ｘｖｉｉｉ）１７０〜１８０の電極、（ｘｉｘ）１８０〜１９０の電極、（ｘｘ）１９０〜２００の電極および（ｘｘｉ）＞２００の電極を含み、あるいは、
（ｋ）前記電極の少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％が、（ｉ）５ｍｍ以下、（ｉｉ）４．５ｍｍ以下、（ｉｉｉ）４ｍｍ以下、（ｉｖ）３．５ｍｍ以下、（ｖ）３ｍｍ以下、（ｖｉ）２．５ｍｍ以下、（ｖｉｉ）２ｍｍ以下、（ｖｉｉｉ）１．５ｍｍ以下、（ｉｘ）１ｍｍ以下、（ｘ）０．８ｍｍ以下、（ｘｉ）０．６ｍｍ以下、（ｘｉｉ）０．４ｍｍ以下、（ｘｉｉｉ）０．２ｍｍ以下、（ｘｉｖ）０．１ｍｍ以下および（ｘｖ）０．２５ｍｍ以下からなる群から選択される厚さつまり軸方向長さを有し、あるいは、
（ｌ）前記複数の電極のピッチつまり軸方向間隔が、前記イオンガイドの長手方向軸に沿って、１回または複数回、漸進的に減少または増加する請求項１〜６のいずれか１項に記載の電子移動解離またはプロトン移動反応デバイス。
【請求項８】
（ａ）前記１つまたは複数の第１の過渡ＤＣ電圧もしくは電位あるいは前記１つまたは複数の第１の過渡ＤＣ電圧もしくは電位波形の振幅、高さまたは深さを、期間ｔ3にわたってｘ3ボルトだけ、漸進的に増加、漸進的に減少、漸進的に変化、走査、直線的に増加、直線的に減少、段階的、漸進的もしくは別の方法で増加または段階的、漸進的もしくは別の方法で減少させるように構成および適合されたデバイスをさらに含み、
ｘ3が、（ｉ）＜０．１Ｖ、（ｉｉ）０．１〜０．２Ｖ、（ｉｉｉ）０．２〜０．３Ｖ、（ｉｖ）０．３〜０．４Ｖ、（ｖ）０．４〜０．５Ｖ、（ｖｉ）０．５〜０．６Ｖ、（ｖｉｉ）０．６〜０．７Ｖ、（ｖｉｉｉ）０．７〜０．８Ｖ、（ｉｘ）０．８〜０．９Ｖ、（ｘ）０．９〜１．０Ｖ、（ｘｉ）１．０〜１．５Ｖ、（ｘｉｉ）１．５〜２．０Ｖ、（ｘｉｉｉ）２．０〜２．５Ｖ、（ｘｉｖ）２．５〜３．０Ｖ、（ｘｖ）３．０〜３．５Ｖ、（ｘｖｉ）３．５〜４．０Ｖ、（ｘｖｉｉ）４．０〜４．５Ｖ、（ｘｖｉｉｉ）４．５〜５．０Ｖ、（ｘｉｘ）５．０〜５．５Ｖ、（ｘｘ）５．５〜６．０Ｖ、（ｘｘｉ）６．０〜６．５Ｖ、（ｘｘｉｉ）６．５〜７．０Ｖ、（ｘｘｉｉｉ）７．０〜７．５Ｖ、（ｘｘｉｖ）７．５〜８．０Ｖ、（ｘｘｖ）８．０〜８．５Ｖ、（ｘｘｖｉ）８．５〜９．０Ｖ、（ｘｘｖｉｉ）９．０〜９．５Ｖ、（ｘｘｖｉｉｉ）９．５〜１０．０Ｖおよび（ｘｘｉｘ）＞１０．０Ｖからなる群から選択され、
ｔ3が、（ｉ）＜１ミリ秒、（ｉｉ）１〜１０ミリ秒、（ｉｉｉ）１０〜２０ミリ秒、（ｉｖ）２０〜３０ミリ秒、（ｖ）３０〜４０ミリ秒、（ｖｉ）４０〜５０ミリ秒、（ｖｉｉ）５０〜６０ミリ秒、（ｖｉｉｉ）６０〜７０ミリ秒、（ｉｘ）７０〜８０ミリ秒、（ｘ）８０〜９０ミリ秒、（ｘｉ）９０〜１００ミリ秒、（ｘｉｉ）１００〜２００ミリ秒、（ｘｉｉｉ）２００〜３００ミリ秒、（ｘｉｖ）３００〜４００ミリ秒、（ｘｖ）４００〜５００ミリ秒、（ｘｖｉ）５００〜６００ミリ秒、（ｘｖｉｉ）６００〜７００ミリ秒、（ｘｖｉｉｉ）７００〜８００ミリ秒、（ｘｉｘ）８００〜９００ミリ秒、（ｘｘ）９００〜１０００ミリ秒、（ｘｘｉ）１〜２秒、（ｘｘｉｉ）２〜３秒、（ｘｘｉｉｉ）３〜４秒、（ｘｘｉｖ）４〜５秒および（ｘｘｖ）＞５秒からなる群から選択される、または
（ｂ）前記１つまたは複数の第１の過渡ＤＣ電圧もしくは電位あるいは前記１つまたは複数の第１の過渡ＤＣ電圧もしくは電位波形を前記電極に印加または前記電極に沿って並進させる速度または割合を、期間ｔ4にわたってｘ4ミリ秒だけ、漸進的に増加、漸進的に減少、漸進的に変化、走査、直線的に増加、直線的に減少、段階的、漸進的もしくは別の方法で増加または段階的、漸進的もしくは別の方法で減少させるように構成および適合されたデバイスをさらに含み、
ｘ4が、（ｉ）＜１、（ｉｉ）１〜２、（ｉｉｉ）２〜３、（ｉｖ）３〜４、（ｖ）４〜５、（ｖｉ）５〜６、（ｖｉｉ）６〜７、（ｖｉｉｉ）７〜８、（ｉｘ）８〜９、（ｘ）９〜１０、（ｘｉ）１０〜１１、（ｘｉｉ）１１〜１２、（ｘｉｉｉ）１２〜１３、（ｘｉｖ）１３〜１４、（ｘｖ）１４〜１５、（ｘｖｉ）１５〜１６、（ｘｖｉｉ）１６〜１７、（ｘｖｉｉｉ）１７〜１８、（ｘｉｘ）１８〜１９、（ｘｘ）１９〜２０、（ｘｘｉ）２０〜３０、（ｘｘｉｉ）３０〜４０、（ｘｘｉｉｉ）４０〜５０、（ｘｘｉｖ）５０〜６０、（ｘｘｖ）６０〜７０、（ｘｘｖｉ）７０〜８０、（ｘｘｖｉｉ）８０〜９０、（ｘｘｖｉｉｉ）９０〜１００、（ｘｘｉｘ）１００〜１５０、（ｘｘｘ）１５０〜２００、（ｘｘｘｉ）２００〜２５０、（ｘｘｘｉｉ）２５０〜３００、（ｘｘｘｉｉｉ）３００〜３５０、（ｘｘｘｉｖ）３５０〜４００、（ｘｘｘｖ）４００〜４５０、（ｘｘｘｖｉ）４５０〜５００、（ｘｘｘｖｉｉ）５００〜６００、（ｘｘｘｖｉｉｉ）６００〜７００、（ｘｘｘｉｘ）７００〜８００、（ｘｌ）８００〜９００、（ｘｌｉ）９００〜１０００、（ｘｌｉｉ）１０００〜２０００、（ｘｌｉｉｉ）２０００〜３０００、（ｘｌｉｖ）３０００〜４０００、（ｘｌｖ）４０００〜５０００、（ｘｌｖｉ）５０００〜６０００、（ｘｌｖｉｉ）６０００〜７０００、（ｘｌｖｉｉｉ）７０００〜８０００、（ｘｌｉｘ）８０００〜９０００、（ｌ）９０００〜１００００および（ｌｉ）＞１００００からなる群から選択され、
ｔ4が、（ｉ）＜１ミリ秒、（ｉｉ）１〜１０ミリ秒、（ｉｉｉ）１０〜２０ミリ秒、（ｉｖ）２０〜３０ミリ秒、（ｖ）３０〜４０ミリ秒、（ｖｉ）４０〜５０ミリ秒、（ｖｉｉ）５０〜６０ミリ秒、（ｖｉｉｉ）６０〜７０ミリ秒、（ｉｘ）７０〜８０ミリ秒、（ｘ）８０〜９０ミリ秒、（ｘｉ）９０〜１００ミリ秒、（ｘｉｉ）１００〜２００ミリ秒、（ｘｉｉｉ）２００〜３００ミリ秒、（ｘｉｖ）３００〜４００ミリ秒、（ｘｖ）４００〜５００ミリ秒、（ｘｖｉ）５００〜６００ミリ秒、（ｘｖｉｉ）６００〜７００ミリ秒、（ｘｖｉｉｉ）７００〜８００ミリ秒、（ｘｉｘ）８００〜９００ミリ秒、（ｘｘ）９００〜１０００ミリ秒、（ｘｘｉ）１〜２秒、（ｘｘｉｉ）２〜３秒、（ｘｘｉｉｉ）３〜４秒、（ｘｘｉｖ）４〜５秒および（ｘｘｖ）＞５秒からなる群から選択される、または、
（ｃ）前記１つまたは複数の第２の過渡ＤＣ電圧もしくは電位あるいは前記１つまたは複数の第２の過渡ＤＣ電圧もしくは電位波形の振幅、高さまたは深さを、期間ｔ5にわたってｘ5ボルトだけ、漸進的に増加、漸進的に減少、漸進的に変化、走査、直線的に増加、直線的に減少、段階的、漸進的もしくは別の方法で増加または段階的、漸進的もしくは別の方法で減少させるように構成および適合されたデバイスをさらに含み、
ｘ5が、（ｉ）＜０．１Ｖ、（ｉｉ）０．１〜０．２Ｖ、（ｉｉｉ）０．２〜０．３Ｖ、（ｉｖ）０．３〜０．４Ｖ、（ｖ）０．４〜０．５Ｖ、（ｖｉ）０．５〜０．６Ｖ、（ｖｉｉ）０．６〜０．７Ｖ、（ｖｉｉｉ）０．７〜０．８Ｖ、（ｉｘ）０．８〜０．９Ｖ、（ｘ）０．９〜１．０Ｖ、（ｘｉ）１．０〜１．５Ｖ、（ｘｉｉ）１．５〜２．０Ｖ、（ｘｉｉｉ）２．０〜２．５Ｖ、（ｘｉｖ）２．５〜３．０Ｖ、（ｘｖ）３．０〜３．５Ｖ、（ｘｖｉ）３．５〜４．０Ｖ、（ｘｖｉｉ）４．０〜４．５Ｖ、（ｘｖｉｉｉ）４．５〜５．０Ｖ、（ｘｉｘ）５．０〜５．５Ｖ、（ｘｘ）５．５〜６．０Ｖ、（ｘｘｉ）６．０〜６．５Ｖ、（ｘｘｉｉ）６．５〜７．０Ｖ、（ｘｘｉｉｉ）７．０〜７．５Ｖ、（ｘｘｉｖ）７．５〜８．０Ｖ、（ｘｘｖ）８．０〜８．５Ｖ、（ｘｘｖｉ）８．５〜９．０Ｖ、（ｘｘｖｉｉ）９．０〜９．５Ｖ、（ｘｘｖｉｉｉ）９．５〜１０．０Ｖおよび（ｘｘｉｘ）＞１０．０Ｖからなる群から選択され、
ｔ5が、（ｉ）＜１ミリ秒、（ｉｉ）１〜１０ミリ秒、（ｉｉｉ）１０〜２０ミリ秒、（ｉｖ）２０〜３０ミリ秒、（ｖ）３０〜４０ミリ秒、（ｖｉ）４０〜５０ミリ秒、（ｖｉｉ）５０〜６０ミリ秒、（ｖｉｉｉ）６０〜７０ミリ秒、（ｉｘ）７０〜８０ミリ秒、（ｘ）８０〜９０ミリ秒、（ｘｉ）９０〜１００ミリ秒、（ｘｉｉ）１００〜２００ミリ秒、（ｘｉｉｉ）２００〜３００ミリ秒、（ｘｉｖ）３００〜４００ミリ秒、（ｘｖ）４００〜５００ミリ秒、（ｘｖｉ）５００〜６００ミリ秒、（ｘｖｉｉ）６００〜７００ミリ秒、（ｘｖｉｉｉ）７００〜８００ミリ秒、（ｘｉｘ）８００〜９００ミリ秒、（ｘｘ）９００〜１０００ミリ秒、（ｘｘｉ）１〜２秒、（ｘｘｉｉ）２〜３秒、（ｘｘｉｉｉ）３〜４秒、（ｘｘｉｖ）４〜５秒および（ｘｘｖ）＞５秒からなる群から選択される、または、
（ｄ）前記１つまたは複数の第２の過渡ＤＣ電圧もしくは電位あるいは前記１つまたは複数の第２の過渡ＤＣ電圧もしくは電位波形を前記電極に印加または前記電極に沿って並進させる速度または割合を、期間ｔ6にわたってｘ6ミリ秒だけ、漸進的に増加、漸進的に減少、漸進的に変化、走査、直線的に増加、直線的に減少、段階的、漸進的もしくは別の方法で増加または段階的、漸進的もしくは別の方法で減少させるように構成および適合されたデバイスをさらに含み、
ｘ6が、（ｉ）＜１、（ｉｉ）１〜２、（ｉｉｉ）２〜３、（ｉｖ）３〜４、（ｖ）４〜５、（ｖｉ）５〜６、（ｖｉｉ）６〜７、（ｖｉｉｉ）７〜８、（ｉｘ）８〜９、（ｘ）９〜１０、（ｘｉ）１０〜１１、（ｘｉｉ）１１〜１２、（ｘｉｉｉ）１２〜１３、（ｘｉｖ）１３〜１４、（ｘｖ）１４〜１５、（ｘｖｉ）１５〜１６、（ｘｖｉｉ）１６〜１７、（ｘｖｉｉｉ）１７〜１８、（ｘｉｘ）１８〜１９、（ｘｘ）１９〜２０、（ｘｘｉ）２０〜３０、（ｘｘｉｉ）３０〜４０、（ｘｘｉｉｉ）４０〜５０、（ｘｘｉｖ）５０〜６０、（ｘｘｖ）６０〜７０、（ｘｘｖｉ）７０〜８０、（ｘｘｖｉｉ）８０〜９０、（ｘｘｖｉｉｉ）９０〜１００、（ｘｘｉｘ）１００〜１５０、（ｘｘｘ）１５０〜２００、（ｘｘｘｉ）２００〜２５０、（ｘｘｘｉｉ）２５０〜３００、（ｘｘｘｉｉｉ）３００〜３５０、（ｘｘｘｉｖ）３５０〜４００、（ｘｘｘｖ）４００〜４５０、（ｘｘｘｖｉ）４５０〜５００、（ｘｘｘｖｉｉ）５００〜６００、（ｘｘｘｖｉｉｉ）６００〜７００、（ｘｘｘｉｘ）７００〜８００、（ｘｌ）８００〜９００、（ｘｌｉ）９００〜１０００、（ｘｌｉｉ）１０００〜２０００、（ｘｌｉｉｉ）２０００〜３０００、（ｘｌｉｖ）３０００〜４０００、（ｘｌｖ）４０００〜５０００、（ｘｌｖｉ）５０００〜６０００、（ｘｌｖｉｉ）６０００〜７０００、（ｘｌｖｉｉｉ）７０００〜８０００、（ｘｌｉｘ）８０００〜９０００、（ｌ）９０００〜１００００および（ｌｉ）＞１００００からなる群から選択され、
ｔ6が、（ｉ）＜１ミリ秒、（ｉｉ）１〜１０ミリ秒、（ｉｉｉ）１０〜２０ミリ秒、（ｉｖ）２０〜３０ミリ秒、（ｖ）３０〜４０ミリ秒、（ｖｉ）４０〜５０ミリ秒、（ｖｉｉ）５０〜６０ミリ秒、（ｖｉｉｉ）６０〜７０ミリ秒、（ｉｘ）７０〜８０ミリ秒、（ｘ）８０〜９０ミリ秒、（ｘｉ）９０〜１００ミリ秒、（ｘｉｉ）１００〜２００ミリ秒、（ｘｉｉｉ）２００〜３００ミリ秒、（ｘｉｖ）３００〜４００ミリ秒、（ｘｖ）４００〜５００ミリ秒、（ｘｖｉ）５００〜６００ミリ秒、（ｘｖｉｉ）６００〜７００ミリ秒、（ｘｖｉｉｉ）７００〜８００ミリ秒、（ｘｉｘ）８００〜９００ミリ秒、（ｘｘ）９００〜１０００ミリ秒、（ｘｘｉ）１〜２秒、（ｘｘｉｉ）２〜３秒、（ｘｘｉｉｉ）３〜４秒、（ｘｘｉｖ）４〜５秒および（ｘｘｖ）＞５秒からなる群から選択される請求項１〜７のいずれか１項に記載の電子移動解離またはプロトン移動反応デバイス。
【請求項９】
（ａ）前記第１のデバイスが、前記複数の電極に印加される前記１つまたは複数の第１の過渡ＤＣ電圧もしくは電位あるいは前記１つまたは複数の第１の過渡ＤＣ電圧もしくは電位波形の振幅、高さまたは深さを、前記イオンガイドの長さに沿った位置または変位量の関数として、漸進的に増加、漸進的に減少、漸進的に変化、直線的に増加、直線的に減少、段階的、漸進的もしくは別の方法で増加または段階的、漸進的もしくは別の方法で減少させるように構成および適合され、または、
（ｂ）前記第１のデバイスが、前記複数の電極に印加される前記１つまたは複数の第１の過渡ＤＣ電圧もしくは電位あるいは前記１つまたは複数の第１の過渡ＤＣ電圧もしくは電位波形の振幅、高さまたは深さを、前記イオンガイドの長さに沿って前記イオンガイドの第１端から前記イオンガイドの中心領域または別の領域まで低減させるように構成および適合され、または、
（ｃ）前記イオンガイドの長さに沿った第１の位置において前記複数の電極に印加される前記１つまたは複数の第１の過渡ＤＣ電圧もしくは電位あるいは前記１つまたは複数の第１の過渡ＤＣ電圧もしくは電位波形の振幅、高さまたは深さがＸであり、前記イオンガイドの長さに沿った第２の異なる位置において前記複数の電極に印加される前記１つまたは複数の第１の過渡ＤＣ電圧もしくは電位あるいは前記１つまたは複数の第１の過渡ＤＣ電圧もしくは電位波形の振幅、高さまたは深さが、０〜０．０５Ｘ、０．０５〜０．１０Ｘ、０．１０〜０．１５Ｘ、０．１５〜０．２０Ｘ、  ０．２０〜０．２５Ｘ、０．２５〜０．３０Ｘ、０．３０〜０．３５Ｘ、０．３５〜０．４０Ｘ、０．４０〜０．４５Ｘ、０．４５〜０．５０Ｘ、０．５０〜０．５５Ｘ、０．５５〜０．６０Ｘ、０．６０〜０．６５Ｘ、０．６５〜０．７０Ｘ、０．７０〜０．７５Ｘ、０．７５〜０．８０Ｘ、０．８０〜０．８５Ｘ、０．８５〜０．９０Ｘ、０．９０〜０．９５Ｘまたは０．９５〜１．００Ｘであり、または、
（ｄ）前記複数の電極に印加される前記１つまたは複数の第１の過渡ＤＣ電圧もしくは電位あるいは前記１つまたは複数の第１の過渡ＤＣ電圧もしくは電位波形の振幅、高さまたは深さが、前記第１のイオンがもはや１つまたは複数のＤＣポテンシャル障壁によって軸方向に閉じ込められなくなるように、前記イオンガイドの軸方向長さの少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％または９５％に沿ってゼロまたはゼロ近くまで低減する先行する、あるいは、
（ｅ）前記第２のデバイスが、前記複数の電極に印加される前記１つまたは複数の第２の過渡ＤＣ電圧もしくは電位あるいは前記１つまたは複数の第２の過渡ＤＣ電圧もしくは電位波形の振幅、高さまたは深さを、前記イオンガイドの長さに沿った位置または変位量の関数として、漸進的に増加、漸進的に減少、漸進的に変化、直線的に増加、直線的に減少、段階的、漸進的もしくは別の方法で増加または段階的、漸進的もしくは別の方法で減少させるように構成および適合され、または、
（ｆ）前記第２のデバイスが、前記複数の電極に印加される前記１つまたは複数の第２の過渡ＤＣ電圧もしくは電位あるいは前記１つまたは複数の第２の過渡ＤＣ電圧もしくは電位波形の振幅、高さまたは深さを、前記イオンガイドの長さに沿って前記イオンガイドの第２端から前記イオンガイドの中心領域または別の領域まで低減させるように構成および適合され、または、
（ｇ）前記イオンガイドの長さに沿った第２の位置において前記複数の電極に印加される前記１つまたは複数の第２の過渡ＤＣ電圧もしくは電位あるいは前記１つまたは複数の第２の過渡ＤＣ電圧もしくは電位波形の振幅、高さまたは深さがＸであり、前記イオンガイドの長さに沿った第２の異なる位置において前記複数の電極に印加される前記１つまたは複数の第２の過渡ＤＣ電圧もしくは電位あるいは前記１つまたは複数の第２の過渡ＤＣ電圧もしくは電位波形の振幅、高さまたは深さが、０〜０．０５Ｘ、０．０５〜０．１０Ｘ、０．１０〜０．１５Ｘ、０．１５〜０．２０Ｘ、０．２０〜０．２５Ｘ、０．２５〜０．３０Ｘ、０．３０〜０．３５Ｘ、０．３５〜０．４０Ｘ、０．４０〜０．４５Ｘ、０．４５〜０．５０Ｘ、０．５０〜０．５５Ｘ、０．５５〜０．６０Ｘ、０．６０〜０．６５Ｘ、０．６５〜０．７０Ｘ、０．７０〜０．７５Ｘ、０．７５〜０．８０Ｘ、０．８０〜０．８５Ｘ、０．８５〜０．９０Ｘ、０．９０〜０．９５Ｘまたは０．９５〜１．００Ｘであり、または、
（ｈ）前記複数の電極に印加される前記１つまたは複数の第２の過渡ＤＣ電圧もしくは電位あるいは前記１つまたは複数の第２の過渡ＤＣ電圧もしくは電位波形の振幅、高さまたは深さが、前記第２のイオンがもはや１つまたは複数のポテンシャル障壁によって軸方向に閉じ込められなくなるように、前記イオンガイドの軸方向長さの少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％または９５％に沿ってゼロまたはゼロ近くまで低減する請求項１〜８のいずれか１項に記載の電子移動解離またはプロトン移動反応デバイス。
【請求項１０】
（ａ）一動作モードにおいて、少なくともいくらかの生成またはフラグメントイオンを駆動または付勢して前記第１の方向と異なるかまたは逆の方向に前記イオンガイドの軸方向長さの少なくとも一部に沿わせるまたは通すために、前記１つまたは複数の第１の過渡ＤＣ電圧もしくは電位あるいは前記１つまたは複数の第１の過渡ＤＣ電圧もしくは電位波形が次に前記複数の電極の少なくともいくつかに印加され、または、
（ｂ）一動作モードにおいて、少なくともいくらかの生成またはフラグメントイオンを駆動または付勢して前記第２の方向と異なるかまたは逆の方向に前記イオンガイドの軸方向長さの少なくとも一部に沿わせるまたは通すために、前記１つまたは複数の第２の過渡ＤＣ電圧もしくは電位あるいは１つまたは複数の第２の過渡ＤＣ電圧もしくは電位波形が次に前記複数の電極の少なくともいくつかに印加される請求項１〜９のいずれか１項に記載の電子移動解離またはプロトン移動反応デバイス。
【請求項１１】
（ａ）前記イオンガイドを、一動作モードにおいて（ｉ）＜１００ｍｂａｒ、（ｉｉ）＜１０ｍｂａｒ、（ｉｉｉ）＜１ｍｂａｒ、（ｉｖ）＜０．１ｍｂａｒ、（ｖ）＜０．０１ｍｂａｒ、（ｖｉ）＜０．００１ｍｂａｒ、（ｖｉｉ）＜０．０００１ｍｂａｒおよび（ｖｉｉｉ）＜０．００００１ｍｂａｒからなる群から選択される圧力に維持するように、または、
（ｂ）前記イオンガイドを、一動作モードにおいて（ｉ）＞１００ｍｂａｒ、（ｉｉ）＞１０ｍｂａｒ、（ｉｉｉ）＞１ｍｂａｒ、（ｉｖ）＞０．１ｍｂａｒ、（ｖ）＞０．０１ｍｂａｒ、（ｖｉ）＞０．００１ｍｂａｒおよび（ｖｉｉ）＞０．０００１ｍｂａｒからなる群から選択される圧力に維持するように、または、
（ｃ）前記イオンガイドを、一動作モードにおいて（ｉ）０．０００１〜０．００１ｍｂａｒ、（ｉｉ）０．００１〜０．０１ｍｂａｒ、（ｉｉｉ）０．０１〜０．１ｍｂａｒ、（ｉｖ）０．１〜１ｍｂａｒ、（ｖ）１〜１０ｍｂａｒ、（ｖｉ）１０〜１００ｍｂａｒおよび（ｖｉｉ）１００〜１０００ｍｂａｒからなる群から選択される圧力に維持するように、構成および適合されたデバイスをさらに含む請求項１〜１０のいずれか１項に記載の電子移動解離またはプロトン移動反応デバイス。
【請求項１２】
電子移動解離を起こさせるために、
（ａ）試薬イオンとの相互作用により、検体イオンを断片化または解離させて生成またはフラグメントイオンを形成させ、または、
（ｂ）電子を１つまたは複数の試薬アニオンつまり負の電荷を持つイオンから１つもしくは複数の多価検体カチオンつまり正の電荷を持つイオンへ移動させ、その結果、前記多価検体カチオンつまり正の電荷を持つイオンの少なくともいくらかを解離させて生成またはフラグメントイオンを形成させ、または、
（ｃ）中性試薬ガス分子もしくは原子または非イオン性試薬ガスとの相互作用により、検体イオンを断片化もしくは解離させて生成もしくはフラグメントイオンを形成させ、または、
（ｄ）電子を１つまたは複数の中性、非イオン性または非荷電塩基性ガスもしくは蒸気から１つまたは複数の多価検体カチオンつまり正の電荷を持つイオンへ移動させ、その結果、前記多価検体カチオンつまり正の電荷を持つイオンの少なくともいくらかを解離させて生成またはフラグメントイオンを形成させ、または、
（ｅ）電子を１つまたは複数の中性、非イオン性または非荷電超塩基試薬ガスもしくは蒸気から１つまたは複数の多価検体カチオンつまり正の電荷を持つイオンへ移動させ、その結果、前記多価検体カチオンつまり正の電荷を持つイオンの少なくともいくらかを解離させて生成またはフラグメントイオンを形成させ、または、
（ｆ）電子を１つまたは複数の中性、非イオン性または非荷電アルカリ金属ガスもしくは蒸気から１つまたは複数の多価検体カチオンつまり正の電荷を持つイオンへ移動させ、その結果、前記多価検体カチオンつまり正の電荷を持つイオンの少なくともいくらかを解離させて生成またはフラグメントイオンを形成させ、または、
（ｇ）電子を、（ｉ）ナトリウム蒸気または原子、（ｉｉ）リチウム蒸気または原子、（ｉｉｉ）カリウム蒸気または原子、（ｉｖ）ルビジウム蒸気または原子、（ｖ）セシウム蒸気または原子、（ｖｉ）フランシウム蒸気または原子、（ｖｉｉ）Ｃ60蒸気または原子および（ｖｉｉｉ）マグネシウム蒸気または原子からなる群から選択される１つまたは複数の中性、非イオン性または非荷電ガス、蒸気もしくは原子から１つまたは複数の多価検体カチオンつまり正の電荷を持つイオンへ移動させ、その結果、前記多価検体カチオンつまり正の電荷を持つイオンの少なくともいくらかを解離させて生成またはフラグメントイオンを形成させる、あるいは、
プロトン移動反応を起こさせるために、
（ｈ）プロトンを１つまたは複数の多価検体カチオンつまり正の電荷を持つイオンから１つまたは複数の試薬アニオンつまり負の電荷を持つイオンへ移動させ、その結果、前記多価検体カチオンつまり正の電荷を持つイオンの少なくともいくらかを、電荷状態を減少させ、または、解離させて生成またはフラグメントイオンを形成させ、または、
（ｉ）プロトンを１つまたは複数の多価検体カチオンつまり正の電荷を持つイオンから１つまたは複数の中性、非イオン性または非荷電試薬ガスもしくは蒸気へ移動させ、その結果、前記多価検体カチオンつまり正の電荷を持つイオンの少なくともいくらかを、電荷状態を減少させ、または、解離させて生成またはフラグメントイオンを形成させる、あるいは、
電子移動解離を起こさせるために、
（ｊ）前記試薬アニオンつまり負の電荷を持つイオンを、多環芳香族炭化水素または置換多環芳香族炭化水素から誘導し、または、
（ｋ）前記試薬アニオンつまり負の電荷を持つイオンを、（ｉ）アントラセン、（ｉｉ）９，１０ジフェニルアントラセン、（ｉｉｉ）ナフタレン、（ｉｖ）フッ素、（ｖ）フェナントレン、（ｖｉ）ピレン、（ｖｉｉ）フルオランテン、（ｖｉｉｉ）クリセン、（ｉｘ）トリフェニレン、（ｘ）ペリレン、（ｘｉ）アクリジン、（ｘｉｉ）２，２’ジピリジル、（ｘｉｉｉ）２，２’ビキノリン、（ｘｉｖ）９−アントラセンカルボニトリル、（ｘｖ）ジベンゾチオフェン、（ｘｖｉ）１，１０’−フェナントロリン、（ｘｖｉｉ）９’アントラセンカルボニトリルおよび（ｘｖｉｉｉ）アントラキノンからなる群から誘導し、または、
（ｌ）前記試薬イオンつまり負の電荷を持つイオンが、アゾベンゼンアニオンまたはアゾベンゼンラジカルアニオンを含む、あるいは、
プロトン移動反応を起こさせるために、
（ｍ）前記試薬アニオンつまり負の電荷を持つイオンを、（ｉ）カルボン酸、（ｉｉ）フェノール（ｐｈｅｎｏｌｉｃ）および（ｉｉｉ）アルコキシド含有化合物からなる群から選択される化合物から誘導し、または、
（ｎ）前記試薬アニオンつまり負の電荷を持つイオンを、（ｉ）安息香酸、（ｉｉ）パーフルオロ−１，３−ジメチルシクロヘキサンすなわちＰＤＣＨ、（ｉｉｉ）六フッ化硫黄すなわちＳＦ６および（ｉｖ）パーフルオロトリブチルアミンすなわちＰＦＴＢＡからなる群から選択される化合物から誘導し、または、
（ｏ）前記１つまたは複数の試薬ガスもしくは蒸気が、超塩基ガスを含み、または、
（ｄ）前記１つまたは複数の試薬ガスもしくは蒸気が、（ｉ）１，１，３，３−テトラメチルグアニジン（「ＴＭＧ」）、（ｉｉ）２，３，４，６，７，８，９，１０−オクタヒドロピリミドール［１，２−ａ］アゼピン｛別名：１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデカ−７−エン（「ＤＢＵ」）｝または（ｉｉｉ）７−メチル−１，５，７−トリアザビシクロ［４．４．０］デカ−５−エン（「ＭＴＢＤ」）｛別名：１，３，４，６，７，８−ヘキサヒドロ−１−メチル−２Ｈ−ピリミド［１，２−ａ］ピリミジン｝からなる群から選択される請求項１〜１１のいずれか１項に記載の電子移動解離またはプロトン移動反応デバイス。
【請求項１３】
請求項１〜１２のいずれか１項に記載の電子移動解離またはプロトン移動反応デバイスを含む質量分析計であり、
（ａ）前記電子移動解離またはプロトン移動反応デバイスの上流または下流に配置され、（ｉ）エレクトロスプレーイオン化（「ＥＳＩ」）イオン源、（ｉｉ）大気圧光イオン化（「ＡＰＰＩ」）イオン源、（ｉｉｉ）大気圧化学イオン化（「ＡＰＣＩ」）イオン源、（ｉｖ）マトリックス支援レーザ脱離イオン化（「ＭＡＬＤＩ」）イオン源、（ｖ）レーザ脱離イオン化（「ＬＤＩ」）イオン源、（ｖｉ）大気圧イオン化（「ＡＰＩ」）イオン源、（ｖｉｉ）シリコン上脱離イオン化（「ＤＩＯＳ」）イオン源、（ｖｉｉｉ）電子衝撃（「ＥＩ」）イオン源、（ｉｘ）化学イオン化（「ＣＩ」）イオン源、（ｘ）電界イオン化（「ＦＩ」）イオン源、（ｘｉ）電界脱離（「ＦＤ」）イオン源、（ｘｉｉ）誘導結合プラズマ（「ＩＣＰ」）イオン源、（ｘｉｉｉ）高速原子衝撃（「ＦＡＢ」）イオン源、（ｘｉｖ）液体二次イオン質量分析（「ＬＳＩＭＳ」）イオン源、（ｘｖ）脱離エレクトロスプレーイオン化（「ＤＥＳＩ」）イオン源、（ｘｖｉ）ニッケル−６３放射性イオン源、（ｘｖｉｉ）大気圧マトリックス支援レーザ脱離イオン化イオン源、（ｘｖｉｉｉ）サーモスプレーイオン源、（ｘｉｘ）大気サンプリンググロー放電イオン化（「ＡＳＧＤＩ」）イオン源および（ｘｘ）グロー放電（「ＧＤ」）イオン源からなる群から選択されるイオン源、あるいは、
（ｂ）１つまたは複数の連続またはパルス化イオン源、あるいは、
（ｃ）前記電子移動解離またはプロトン移動反応デバイスの上流または下流に配置される１つまたは複数のイオンガイド、あるいは、
（ｄ）前記電子移動解離またはプロトン移動反応デバイスの上流または下流に配置される１つもしくは複数のイオン移動度分離デバイスまたは１つもしくは複数のフィールド非対称イオン移動度分光計デバイス、あるいは、
（ｅ）前記電子移動解離またはプロトン移動反応デバイスの上流または下流に配置される１つもしくは複数のイオントラップまたは１つもしくは複数のイオントラッピング領域、あるいは、
（ｆ）前記電子移動解離またはプロトン移動反応デバイスの上流または下流に配置され、（ｉ）衝突誘起解離（「ＣＩＤ」）フラグメンテーションデバイス、（ｉｉ）表面誘起解離（「ＳＩＤ」）フラグメンテーションデバイス、（ｉｉｉ）電子移動解離（「ＥＴＤ」）フラグメンテーションデバイス、（ｉｖ）電子捕獲解離（「ＥＣＤ」）フラグメンテーションデバイス、（ｖ）電子衝突または衝撃解離フラグメンテーションデバイス、（ｖｉ）光誘起解離（「ＰＩＤ」）フラグメンテーションデバイス、（ｖｉｉ）レーザ誘起解離フラグメンテーションデバイス、（ｖｉｉｉ）赤外放射誘起解離デバイス、（ｉｘ）紫外放射誘起解離デバイス、（ｘ）ノズル−スキマー間インターフェースフラグメンテーションデバイス、（ｘｉ）インソースフラグメンテーションデバイス、（ｘｉｉ）インソース衝突誘起解離フラグメンテーションデバイス、（ｘｉｉｉ）熱または温度源フラグメンテーションデバイス、（ｘｉｖ）電界誘起フラグメンテーションデバイス、（ｘｖ）磁場誘起フラグメンテーションデバイス、（ｘｖｉ）酵素消化または酵素分解フラグメンテーションデバイス、（ｘｖｉｉ）イオン−イオン反応フラグメンテーションデバイス、（ｘｖｉｉｉ）イオン−分子反応フラグメンテーションデバイス、（ｘｉｘ）イオン−原子反応フラグメンテーションデバイス、（ｘｘ）イオン−メタステーブルイオン反応フラグメンテーションデバイス、（ｘｘｉ）イオン−メタステーブル分子反応フラグメンテーションデバイス、（ｘｘｉｉ）イオン−メタステーブル原子反応フラグメンテーションデバイス、（ｘｘｉｉｉ）イオンを反応させて付加または生成イオンを形成するイオン−イオン反応デバイス、（ｘｘｉｖ）イオンを反応させて付加または生成イオンを形成するイオン−分子反応デバイス、（ｘｘｖ）イオンを反応させて付加または生成イオンを形成するイオン−原子反応デバイス、（ｘｘｖｉ）イオンを反応させて付加または生成イオンを形成するイオン−メタステーブルイオン反応デバイス、（ｘｘｖｉｉ）イオンを反応させて付加または生成イオンを形成するイオン−メタステーブル分子反応デバイス、（ｘｘｖｉｉｉ）イオンを反応させて付加または生成イオンを形成するイオン−メタステーブル原子反応デバイスおよび（ｘｘｉｘ）電子イオン化解離（「ＥＩＤ」）フラグメンテーションデバイスからなる群から選択される１つまたは複数の衝突、フラグメンテーションもしくは反応セル、あるいは、
（ｇ）（ｉ）四重極質量分析部、（ｉｉ）二次元または線形四重極質量分析部、（ｉｉｉ）ポールまたは三次元四重極質量分析部、（ｉｖ）ペニングトラップ質量分析部、（ｖ）イオントラップ質量分析部、（ｖｉ）磁場型質量分析部、（ｖｉｉ）イオンサイクロトロン共鳴（「ＩＣＲ」）質量分析部、（ｖｉｉｉ）フーリエ変換イオンサイクロトロン共鳴（「ＦＴＩＣＲ」）質量分析部、（ｉｘ）静電またはオービトラップ質量分析部、（ｘ）フーリエ変換静電またはオービトラップ質量分析部、（ｘｉ）フーリエ変換質量分析部、（ｘｉｉ）飛行時間質量分析部、（ｘｉｉｉ）直交加速式飛行時間質量分析部および（ｘｉｖ）直線加速式飛行時間質量分析部からなる群から選択される質量分析部、あるいは、
（ｈ）前記電子移動解離またはプロトン移動反応デバイスの上流または下流に配置される１つまたは複数のエネルギー分析器もしくは静電エネルギー分析器、あるいは、
（ｉ）前記電子移動解離またはプロトン移動反応デバイスの上流または下流に配置される１つまたは複数のイオン検出器、あるいは、
（ｊ）前記電子移動解離またはプロトン移動反応デバイスの上流または下流に配置され、（ｉ）四重極質量フィルタ、（ｉｉ）二次元または線形四重極イオントラップ、（ｉｉｉ）ポールまたは三次元四重極イオントラップ、（ｉｖ）ペニングイオントラップ、（ｖ）イオントラップ、（ｖｉ）磁場型質量フィルタ、（ｖｉｉ）飛行時間質量フィルタおよび（ｖｉｉｉ）ウィーンフィルタからなる群から選択される１つまたは複数の質量フィルタ、あるいは、
（ｋ）イオンをパルス状に前記電子移動解離またはプロトン移動反応デバイスへ入射させるためのデバイスまたはイオンゲート、あるいは、
（ｌ）連続したイオンビームをパルス化イオンビームに変換するためのデバイスをさらに含む質量分析計。
【請求項１４】
（ａ）検体イオンまたは試薬イオンを生成するための１つまたは複数の大気圧イオン源、あるいは、
（ｂ）検体イオンまたは試薬イオンを生成するための１つまたは複数のエレクトロスプレーイオン源、あるいは、
（ｃ）検体イオンまたは試薬イオンを生成するための１つまたは複数の大気圧化学イオン源、あるいは、
（ｄ）検体イオンまたは試薬イオンを生成するための１つまたは複数のグロー放電イオン源をさらに含む請求項１３に記載の質量分析計。
【請求項１５】
少なくとも１つのイオンが移送されるアパーチャを有する複数の電極を含むイオンガイドを含む電子移動解離またはプロトン移動反応デバイスを準備することと、
少なくともいくらかの第１のイオンを駆動または付勢して第１の方向に前記イオンガイドの軸方向長さの少なくとも一部に沿わせるまたは通すために、１つまたは複数の第１の過渡ＤＣ電圧もしくは電位あるいは１つまたは複数の第１の過渡ＤＣ電圧もしくは電位波形を前記複数の電極の少なくともいくつかに印加することと、
少なくともいくらかの第２のイオンを駆動または付勢して第２の異なる方向に前記イオンガイドの軸方向長さの少なくとも一部に沿わせるまたは通すために、１つまたは複数の第２の過渡ＤＣ電圧もしくは電位あるいは１つまたは複数の第２の過渡ＤＣ電圧もしくは電位波形を前記複数の電極の少なくともいくつかに印加することとを含む、電子移動解離またはプロトン移動反応の反応を行う方法。
【国際調査報告】
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