(57)【要約】  本発明は熱電気に関し、ペルチェおよびゼーベック効果に基づく熱電気装置を生産するために用いられ得る。特に、本発明は熱電気積層材料でできている結晶質のプレートに関し、特に、nおよびｐ型伝導タイプ脚を生産するために用いられるコンポーネントに関する。本発明は、また、方向付け結晶化プロセスを用いてАVＢVI固溶体をベースとして熱電気層をなした材料の結晶質のプレートの製造方法に関する。
2011528850.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
結晶質プレートであって、そのベース表面が並行であり、{0001}方位を備え、ｎまたはｐ型の伝導タイプの菱面体系の熱電気層材料の方位付け結晶化方法により成長され、
実質的に単一の結晶学的な方位を備えた多数の結晶へき開面によって特徴付けられ、ミスアライメント角度α≦６°のテクスチャの構成を備え、インゴットプレートのベース表面と実質的に並行に差し向けられ、
最大の熱電気効果の材料の方位と、結晶プレートの最大の成長速度の方位との間の角度が実質的にゼロに等しい、ことを特徴とする結晶質プレート。
【請求項２】
その厚さが０．１乃至５ｍｍのレンジ内にある値であることを特徴とする、請求項１に記載の結晶質プレート。
【請求項３】
ｎまたはｐ型の伝導タイプのАVＢVI材料の固溶体が、熱電気材料として使用されることを特徴とする請求項１に記載の結晶質プレート。
【請求項４】
請求項１に記載の少なくとも２つの結晶質プレートのスタックの切り出しである直角バーであって、
３つの対の面を有し、そのうちの１つが、{0001}方位を備えた対向する平行な面を形成し、他の２つの対が、対向する平行な長手方向の側と、バーの対向する側方側とをそれぞれ形成し、前記バーの対向する平行な長手方向の側が、{0001}面に対して垂直な方位のインゴットプレートのスタックを切断した面であることを特徴とする直角バー。
【請求項５】
各結晶質プレートと、結晶質プレートのスタックの双方における、最大の熱電気効果の方位と、直角バー切断面との間の角度が、実質的に９０°に等しいことを特徴とする請求項４に記載の直角バー。
【請求項６】
前記バーの対向する側方側の各々に、スタックの結晶質プレートをはんだ付けする層があることを特徴とする請求項４に記載の直角バー。
【請求項７】
Ｓｎ−Ｂｉ合金が、スタックのインゴットプレートをはんだ付けする材料として使用されることを特徴とする請求項４に記載の直角バー。
【請求項８】
請求項４に記載の直交するインゴットバーを切り出す熱電気モジュールを生成するコンポーネントであって、
相互に垂直な３つの面の対を有し、そのうちの１つが、{0001}方位を備えた対向する平行な面を形成し、一方、他の２つの面の対がそれぞれ、第１の対ではそれらに適用される金属コーティングを備えた対向する切断面を有し、第２の対では、切断面の第１の対に対して垂直な対向する切断面を有し、
最大の熱電気効果の方位と、それらに適用される層状の金属コーティングを備えた切断面の第１の対との間の角度が、実質的に９０°に等しい
ことを特徴とするコンポーネント。
【請求項９】
切断面の第１の対の金属コーティングが、モリブデン、ニッケル錫化合物、ビスマス−アンチモン化合物、錫ビスマス化合物、または、上記金属の組み合わせからなる範囲から得られる材料からなることを特徴とする請求項８に記載のコンポーネント。
【請求項１０】
温度勾配フィールドの方位付け結晶化技術による請求項１の結晶質プレートを製造する方法であって、
垂直に方位付けされたグラファイトプレートのマトリックスに取り付けられ、ヒーターを備えたコンテナ内に原材料をローディングするステップであって、グラファイトプレートの各々がジグザグチャネルを備えたその下方部分に結合されたキャビティと入り口チャネルとを備えることを特徴とするローディングするステップと、
グラファイトプレートのキャビティに入り口チャネルを通して溶融した材料を流すことを伴って、コンテナ内の原材料を融点まで加熱するステップと、
垂直に方位付けされた温度勾配を生成するステップと、
を有し、方位付けされた結晶化が、ヒーター温度を低下させることにより０．５ｍｍ／分以内のレートで実行されることを特徴とする方法。
【請求項１１】
各グラファイトプレートのジグザグチャネル及びキャビティの両者が、フラット構成を有し、同じ面に横たわることを特徴とする請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
各々のプロファイルを備えたグラファイトプレートのキャビティの温度勾配が、冷却された台上に垂直に方位づけされたグラファイトプレートのマトリックスを配置することにより生成され、その結果、各グラファイトプレートのジグザグチャネルが冷却された台の側に配置され、各グラファイトプレートの入り口チャネルが、ヒーターの側に配置される、ことを特徴とする請求項１０に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、工業的に作られる熱電気計測器に関し、ペルチェおよびゼーベック効果に基づいて熱電気装置の製造のために用いられうる。特に、本発明は、熱電気層をなした材料、直角バーおよび、熱電気モジュールの製造におけるn型およびｐ型の伝導タイプの脚部を生産するための構成要素からなる結晶質のプレートに関する。この他、本発明はまた、方位結晶化技術、特にブリッジマン法を用いてАVＢVI固体溶液をベースとする熱電気層をなした材料の結晶質プレートを生産するための方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
熱電気モジュールは、АVＢVI固溶体をベースとして、結晶が作られた伝導がｎ型およびｐ型の半導体脚からなり、２つの誘電基板の間に配置され、それらの表面は、単一の電気回路に半導体脚を接続しているパッドを切替えることを特徴とする。温度勾配を電流に直接変換、およびその逆の変換をするために用いられるワイドレンジの材料がある。ビスマス・テルル化合物の固体溶液ベースの材料は、それらの高い熱電気効率Zの値のために、熱電気モジュールの脚部の製造に関して、長い間標準的な材料として用いられてきた。しかしながら、АVＢVI材料の要求される特性として、熱電気および機械的なものは、構造的に敏感であり、すなわち、材料の結晶構造によって予め決定されており、同時に、へき開面のはっきりした方位を備えた層構造を有し、アーティクルの所望の機械の強さを同時に保持するデバイスの高い熱電気パラメータ得て、厳密に定義された方法で完成された製品の材料へき開面を方位づける必要がある（例えば、米国特許第5950067号、米国特許第6815244号、米国特許第6114052号参照）。АVＢVI材料のへき開面の能力、すなわち特定の結晶面に沿って割れるそれらの能力のへき開の有効性は、熱電気材料の階層構造を決定する。それゆえに、材料を熱電気モジュールの脚部としての用途に適している構成要素に切る。したがって、ペルチェおよびゼーベック効果に基づく動作の熱電気装置を作製することは、斬新な必要条件（装置の高い熱電気パラメータを得ること）を含み、そして、装置の繰り返されたサーモサイクルのうちに脚の材料の機械の強度を保持することも含む。
【０００３】
ロシア特許第2160484号は、熱電気層材料のキャストプレートおよび鋳造方法による上述のプレートを製作する技術を開示する。第1のマトリックスのへき開面が第２のマトリックスのへき開面に、そして、プレートのベース表面に傾けられるというような方法で、АVＢVI材料の鋳造されたプレートは平行対向する表面を有して、相互にミスアライメントのへき開面の少なくとも2つのマトリックスを形成している階層構造を特徴とする。鋳造方法によって、得られるプレート材料の構造がへき開面の少なくとも2つのミスアライメントのマトリックスを有するという事実によって、プレートの少なくとも2つのへき開マトリックスおよびベース表面に関しては、切断平面の方向づけの判定の不確実性があり、プレートを矩形のバーに切る際の課題が生じる。
【０００４】
ロシア特許第2181516号および公開された国際出願WO/KR2002/021606は、平行接触面を有する熱電気装置および組成物において、異なる少なくとも２つのパーツから成っている脚のための半導体品およびゼーベック係数の値の設計を開示する。あらかじめ、方位付けされた結晶化技術によって、インゴット・プレートはビスマス・テルル化合物の固溶体を主成分として成長される。そこにおいて、インゴット・プレートはそれらのベース表面に正常な方向のパーツに切られる。アーティクルの一部のこの種の実現は、そこのアーティクルの一部の熱電気パラメータから離れて、出てくる事実のために装置のパラメータを改善することを可能にするパラメータの制御（すなわち、幅および高さ）の2つ以上の幾何学的なパラメータに加えて、アーティクル脚の設計を最適化することができる。周知の装置は、信頼性の高い機械の強さを有する。しかし、基板材のへき開面の相当な相互のミスアライメントが方位付けされた結晶化技術によって、インゴット・プレートを成長させる途中のへき開面の方向づけの規制の可能性がある。そして、電気物理的（electrophysical）な特徴を切って、改善する課題と同様に、それは装置の減少する機械の強さに結果としてなる。
【０００５】
熱電気装置の脚部の周知の実現とは、すなわち、異なる熱電気特徴の2つ以上の一部から成る合成ものとしてあることである（L.I. Anatyrchuk. Thermocouples and thermoelectric devices. Reference book. Kiev, Naukova dumka, 1979, pp. 155-156  参照）。周知の装置（それは合成脚でできていて、集合することの間予め定められた方法で方位付けされなければならない）の効率はかなり増大する。そして、それらの特性の脚ユニフォームと比較される。しかし、合成脚を有する装置の製造は脚を構成している一部を接続する技術に関連した多くの課題を含み、その一方で、多くのより小さい脚からなる熱電気モジュールの次の組立に関して同程度よく、必須の熱電気パラメータおよび組成の脚の機械の強さを保存する。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本出願のフレームワークの範囲内で、課題は方向付け結晶化技術によって、結晶質のプレートを得るこの種の方法を開発することで解決される。そして、それはへき開面（クリスタル核形成の段階の両方とも）の方位の上の、そして、成長の方法の制御の増加する効率のためにへき開面のミスアライメントのより少ない角度を有するプレート材料のより完璧な結晶構造を得ることを可能にする。また、課題は熱電気装置の中で繰り返しサーモサイクルする途中のインゴット・プレートの機械の強さを保持することで解決される。より低価格な装置を製造する主要費用について、熱電気パラメータを改善する課題もまた、解決される。
【０００７】
実質的に平行で｛0001｝方位を有する結晶質プレートのベース表面が、ｎまたはｐ型の伝導タイプの菱面体系を備えた熱電気層材料の方位付け結晶化方法の助けで成長されることに解決すべき問題があり、実質的に単一の結晶学的方位を備えた多数の結晶へき開面により特徴づけられ、インゴットプレートのベース表面に実質的に平行に方位付けされ、ミスアライメントの角度α≦６°となるテクスチャの構成を備え、最大の熱電気効率の材料の方位と、インゴットプレートの最大成長速度の方位との間の角度が実質的にゼロに等しい。また、結晶質プレートの厚さが０．１乃至５ｍｍの範囲内の値である
実際問題として、n-またはｐ型伝導タイプのАVＢVI材料の固溶体を使用することは好都合である。ここで、インゴット・プレートのための材料として、ファンデアワールス力は水晶のへき開面の間で作用する。
【０００８】
設定された課題の解決はまた、多くの少なくとも２つの上述したインゴット・プレートから切られる直角バーが3つの対の面（その一つは対向する平行面を｛0001｝方位により形成する）を備えているという事実により提供される。そして、それぞれ、他の２つの対は対向する平行の長手方向の側およびバーの対向する横方向の側を形成する。ここで、バーの対向する平行の長手方向の側は、｛0001｝面に対して垂直に方位付けされたインゴットプレートのスタックを切断する面である。ここで、各々のインゴット・プレート並びに、インゴットプレートのスタックの双方における、最大熱電気効率の方向と、矩形のインゴットバーの切断面の角度は、実質的に90°に等しい角度になる。
【０００９】
また、バーの各々の対向する横方向の側に、スタックの結晶質のプレートを結合しているはんだの層がある。ここで、Sn-Bi合金がスタックのインゴット・プレートを結合しているはんだの材料として使われる。
【００１０】
設定された課題の解決はまた、上述した結晶質のプレートから切られる熱電気モジュールの製造のための部品が３つの対の相互に垂直な面（その一つは対向する平行面を｛0001｝方位により形成する）を備えているという事実により提供される。その一方で、それぞれ、面の他の2つの対は、それらに塗布される金属コーティングを有する対向する切断平面の第１の対を形成する。そして、最大熱電気効率の方位と、層をなした金属コーティングを有する切断平面の第1の対との間の角度が実質的に90°に等しい角度になる。モリブデン、ニッケル、ニッケル-スズ化合物、ビスマス-アンチモン化合物、錫-ビスマス化合物、またはまたは上記の金属の組合せの範囲から得られる材料からなる切断面の第１の対の金属コーティングが好ましい。
【００１１】
設定された課題の解決は、以下の内容により達成される：すなわち、温度勾配フィールドの方位付け結晶化技術による請求項１の結晶質プレートを製造する方法であって、垂直に方位付けされたグラファイトプレートのマトリックスに取り付けられ、ヒーターを備えたコンテナ内に原材料をローディングするステップであって、グラファイトプレートの各々がジグザグチャネルを備えたその下方部分に結合されたキャビティと入り口チャネルとを備えることを特徴とするローディングするステップと、グラファイトプレートのキャビティに入り口チャネルを通して溶融した材料を流すことを伴って、コンテナ内の原材料を融点まで加熱するステップと、垂直に方位付けされた温度勾配を生成するステップと、を有し、方位付けされた結晶化が、ヒーター温度を低下させることにより０．５ｍｍ／分以内のレートで実行されることを特徴とする方法である。
【００１２】
ここで、各々のグラファイトプレートのキャビティおよびジグザグチャネルが、フラットな構成を有し、同じ面に横たわり、冷却された台上に垂直に方位付けされたグラファイトプレートのマトリックスを配置することにより生成された各々プロファイルを備えたグラファイトプレートのキャビティに温度勾配を備え、その結果、各グラファイトプレートのジグザグチャネルが、冷却された台の側に配置され、各グラファイトプレートの入り口チャネルがヒーターの側に配置される。
【００１３】
本発明の本質はその実施形態を限定しない実施例において、図面を参照して例示される。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】図１は、温度勾配分野の方位結晶化技術によって、結晶質のプレートを生成するように特許請求の範囲に記載された方法の実装のためのデバイスのサーマルユニットの全体図である。
【図２】図２は、グラファイトプレートの全体図である。
【図３】図３は、特許請求の範囲の方法の実施によって、得られた熱電気材料の結晶質のプレートの全体図であり、ベース面｛0001｝の結晶方位を有する。
【図４】図４は、結晶質プレートのスタックの全体図である。
【図５】図５は、結晶質プレートのスタックから切り出された直角バーの全体図である。
【図６】図６は、金属コーティングおよびはんだの接着層を備えた直角バーの全体図である。
【図７】図７は、熱電気モジュールを生成するためのコンポーネントの全体図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
薄い（0.25mm）結晶面は、方位結晶化技術、すなわちブリッジマン法により、ビスマス・テルル化合物、例えば、Bi2Te3-Bi2Se3およびSb2Te3-Bi2Te3合成物の予め合成された固溶体から成長する。結晶質プレート11（図3参照）は、プラントによって製造され、そのサーマルユニットを以下に示すように図１に示す。
【００１６】
この方法の実施のために設計されるサーマルユニットは、サーマルユニットの上部に位置するヒーター1、冷やされた台4、並びに、合成された材料および黒鉛プレート5のマトリックス３のローディングのためのコンテナ2からなるアタッチメントの取付不可能なセットとを備える。黒鉛プレート５のマトリックス3は冷やされた台4上にインストールされ、合成された材料のローディングのためのコンテナ２はマトリックス3の上に取り付けられ、一部（図示せず）と接続し、それは黒鉛プレート5のキャビティ6にコンテナ2から合成された材料の加熱中の溶融の中で流れることを保証する。
【００１７】
黒鉛プレート５は、垂直に取り付けられて、方位付け結晶化の方法で冷やされる台4に配置される。キャビティ６（図２参照）を有する黒鉛プレートは、各々に密接に取り付けられ、温度勾配分野のビスマス・テルル化合物の固溶体の方位付けされた結晶化を行使するためのいわゆるセルの形成を伴うる。グラファイトプレートの各々は、オリフィス１０を有し、入口チャンネル8およびキャビティ6がジグザクのチャネル7に連結する。オリフィス１０は、各々に密接に取り付けられた黒鉛プレートを有する平面6によって形成したいわゆるセルの中の溶融の配布のためのチャネルを、マトリックス3に形成する。各々のグラファイトプレートのジグザクのチャネル7およびキャビティ6は、平坦な構成であり、同じ平面にある。各々のグラファイトプレート5の上部に作られ、対向するジグザクのチャネル7に配置された入口チャンネル8は、nまたはp型伝導タイプの溶解された熱電気材料の分布を目的とする。ジグザクのチャネル7の構成と組み合わせた、50°/時間のレートでのヒーター1（図１参照）の温度の制御減少は、シード材料の制御された方位、および、多くても5度のミスアライメント角度を有するテクスチャを得た厚さ0.25mmのプレートを成長させる制御されたレートを確実にする。
【００１８】
結晶化のプロセスを実行するために、コンテナ2は、予め合成された原料（ビスマス・テルル化合物の固溶体および予め定められた重量比の必須の添加物）を載せられる。制御される冷やされた台4の温度については、黒鉛プレート5からの方位付けされた熱拒絶は、結晶化の方法で運動する。成長セットアップチャンバ（図示せず）は、10-2 mm Hgの圧力に真空引きされ、そこにアルゴンが導かれ、加熱スイッチが入れられる。合成された材料を有するコンテナ2は、850℃の温度まで1時間加熱され、溶融の均質化のための上記の温度で、30分間さらされ、そこにおいて、コンテナ2は950℃の温度に更に加熱される。コンテナ2の合成された材料の加熱は、黒鉛プレート（図２参照）の入口チャンネル８に、コンテナ2から溶解する材料の中で流れ、黒鉛プレート5のキャビティ6およびシードチャネル7で、更に顕著である。
【００１９】
それから、ヒーター温度は、減少する。温度が減少するにつれて、結晶化プロセスはチャネル7およびキャビティ6の全ての量に広がる。
熱電気材料の結晶化の方法は、グラファイトプレートのキャビティの一連の厚さ0.25mmのインゴット・プレートの形成を伴う。結晶化のプロセスは、シードチャネル7の材料の構造を延長した構造を有するように結晶化しているプレートの材料に関するレートで実行される。結晶化レート（すなわち結晶化正面のシフトの最大レート）は、0.1-0.2mm/分の範囲である。
【００２０】
黒鉛プレート５のうちの3つのマトリックスそれ自身が、サーマルユニットの上部に配置されたヒーター1、および、サーマルユニットの下部に位置する冷やされた台4で作られる温度勾配フィールドであるとき、ジグザクのチャネル7の低い部分の温度の減少とともに、結晶化が始まり、結晶化フロントが、マトリックス3の一部を作っている各々のグラファイトプレートのキャビティ6において、上方に段階的にシフトされる。ジグザクのチャネル7（図２参照）の下部は、冷やされた台4に最も近いものであり、したがって、結晶化が、グラファイトプレートのキャビティ6に連結するシードチャネル6の最も冷えた一部からはじまる。シードチャネル7の全ての区画およびグラファイトプレートのキャビティ6が、同じ平面にある。キャビティ6の温度の減少に伴って、決定される特定の率の溶融材料の結晶化は、温度勾配の値およびヒーター温度の減少の率によって、進行する。段階的に結晶化している材料は、シードチャネル7の全ての区画を満たす。その結果、結晶化プロセスがシードチャネル7からグラファイトプレートのキャビティ6へ移動する瞬間までに、シード結晶は形成され、そのへき開面がシードチャネル7の平面と平行し、したがって、グラファイトプレートのキャビティ6の平面にある。
【００２１】
温度勾配と結合された温度減少のレートは、結晶化正面のシフトのレートがセットされる。
ビスマス・テルル化合物を主成分としたもっと高く、すなわち、最大結晶化率の方向のシードチャネル7に沿って材料の成長率の相当な異方性のために、最速の成長の方向において、へき開面の方位が、最大結晶化レートの方向と一致する。他の方位を有する結晶は、段階的に変質する。更に、シードチャネル7のターンのために、結晶化は、新しい方向に進む。結晶化は、主たる方向に対して垂直な方位に進む。垂直な方向の温度勾配がないにもかかわらず、結晶化および結晶の成長はこの方向において、進行している。これは、新規な結晶の核形成が溶融の特定の過冷却を必要とするという事実により、その一方で、すでに利用できる結晶の成長は実質的に過冷却することを必要としない。更に、シードチャネル7および結晶化プロセスの成長の各々のターンは、結晶の退化を伴い、へき開面は、最大結晶化率の方向と平行ではない。
【００２２】
温度勾配フィールドに方位付けされた結晶化の結果、温度勾配フィールドの方位付けされた結晶化のために使用されるこの装置については、厚さ0.25mmのインゴット・プレートの連続は、単一の成長方法で得られ、インゴット・プレートの材料は、6°の範囲内でミスアライメント角を備えたテクスチャ構造を有する。
【００２３】
シードチャネルが異なる形状であってよく、相互に交差している方向でさえぎられる結晶化のためのある。
5つのピースの量において、得られた0.25mm厚のプレート11（図3参照）は、スタックに結合され、次いで、方位｛0001｝（図４参照）を備えたインゴット・プレートのベース表面に垂直な方位に第１の切断面17（図5参照）に沿って切断し、例えば、はんだ21（図6参照）の層を有するそれらの端で結合された、一連の直角バー（図5参照）を有することに結果としてなる。結合バーの切断表面の金属コーティングは、全てのバーに関して共通であり、切られた表層側でバーを結合する。スタックのバーを結合するために役に立っている材料は、BiSnはんだである。結合材料は、プロセス材料であって、これからは脚の設計に含まれない。同時に、各々のビスマス・テルル化合物プレートおよびスタックの最大熱電気効率の方向は、一致する。
【００２４】
ｎおよびｐ型伝導タイプの熱電対の脚部として使われるように設計されたコンポーネント24（図7参照）は、層化されたビスマス・テルル化合物の５つの結晶質のプレート11からなるバーから、第２の切断平面26（図7参照）に沿って切断され、他方、最大熱電気効率の方向と金属コーティングを有する表面との間の角度は90°を作る。その結果、１の金属コーティング２２第２の切断面２６（図7参照）から、働く構成要素24に対向するもの（図6,7を参照）に対する電流の方向は、コンポーネント２４（図７参照）を構成するプレート２５の材料（ビスマス・テルル化合物）の最大熱電気効率の方向と一致する。
【００２５】
予め定められたパラメータを有する熱電気生成プログラム・モジュールを得るために、合成の多層金属を被覆したコーティングが、ビスマス・テルル化合物の構成要素の表層につくられる。モジュールのために課される必要条件に基づいて、コーティングの組成は、決定される。ビスマス・テルル化合物にハンダ要素および銅の拡散係数およびむしろ高い粘着力の安い価格で測定される良い反拡散特性を有するモリブデンの下にある層を有するビスマス・テルル化合物元素の用意された表面をカバーすることは好都合であると確認された。アンチ拡散層は、要素の熱抵抗を増やし、サービス寿命を延長するために必要であり、それはハンダ要素および銅とビスマス・テルル化合物との合金をつくることによって、生じる特性の低下のために減少する。モリブデン・コーティングの湿潤性（「tinnability」）の条件を改善するために、これはニッケルの層でおおわれ、スズベースのはんだを用いるときと同様に、それはスズによって「濡らされる」。
【００２６】
他の種類のАVＢVI熱電気材料が、問題の方法によって、熱電気デバイスの脚部の製造のためのインゴット・プレートを製作するプロセスにもまた用いられ得ることは明らかである。
【００２７】
本発明は、直接（冷却/加熱、熱安定化）と逆（電気エネルギー生成、熱フローのレジストレーション）のエネルギ変換の熱電気バッテリ（モジュール）の製造で使うことができ、それが、冷却デバイス、サーモスタット制御デバイス、気候システムと同様に、異なる最終的な用途で他の家庭および産業目的装置に関するコンポーネントとして用いられ得る。本発明は、方位付けされた結晶化技術によって、結晶質のプレートを得ることに提供する、最適構造上で物理的な所有物によって、特徴づけられ、高い熱電気効率および機械の強さの信頼性が高い熱電対を製造することを可能にする。これは、保持されるそれらの熱電気特性については、より少ない幾何学的な寸法の非常に効率的な熱電気冷却および生成モジュールを得る能力を含む多くの商業効果をもたらし、それは熱電気装置のコストを減らす。
【符号の説明】
【００２８】
1 - ヒータ
2 - コンテナ
3 - グラファイトプレートに垂直に配置されたマトリックス
4 - 冷却された台（ペデスタイル）
5 - グラファイトプレート
6 - グラファイトプレートキャビティ
7 - ジグザグチャネル
8 - グラファイトプレート入口チャネル
9 - 熱電対の導入のためのオリフィス
10 - 溶解物を流すためのグラファイトプレートのマトリックスにチャネルを形成するオリフィス
11 - 結晶質プレート
12 - {0001}方位を備えたプレートのベース面
13 - 結晶プレート材料のへき開の層
14 - プレートのスタック
15 - スタックを形成するインゴットプレートの側方面とベース面とを備えた切断面の第１の対の交差
16 - 直角バー
17 - バーの対向する長手側を形成する切断面の第１の対
18 - 直角バーの対向する側方側
19 - 直角バーを形成するプレート
20 - {0001}方位を備えたバーの対向する並列側
21 - はんだの層
22 - 切断面の第１の対上の金属コーティング
23 - 切断面の第２の対を形成する切断ライン
24 - コンポーネント
25 - 電子コンポーネントを構成するプレート
26 - 切断面の第２の対
【図１】
2011528850.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【国際調査報告】
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2011528850.tif 000011
2011528850.tif 000012
2011528850.tif 000013
2011528850.tif 000014
2011528850.tif 000015