(57)【要約】オプトエレクトロニクス部品（１００）は、放射を放出するように構成されている活性層（１１０）と、主面（１１１）とを有する第１の半導体積層体（１０１）、を備えている。この主面の上には、半透過性のミラーを形成している分離層（１０３）が配置されている。このオプトエレクトロニクス部品は、分離層の上に配置されている第２の半導体積層体（１０２）を備えており、この積層体は、放射を放出するように構成されているさらなる活性層（１２０）を有する。
2011511446.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
−  放射を放出するように設計されている活性層（１１０）と、主領域（１１１）とを有する、第１の半導体積層体（１０１）と、
−  前記第１の半導体積層体の前記主領域（１１１）の上に配置され、半透過性のミラーを形成している、分離層（１０３）と、
−  放射を放出するように設計されているさらなる活性層（１２０）と、主領域（１２１）とを有し、前記分離層（１０３）に配置されている、第２の半導体積層体（１０２）と、
備えている、オプトエレクトロニクス部品（１００）。
【請求項２】
前記第１の半導体積層体（１０１）の前記活性層（１１０）によって放出される前記放射が、前記第２の半導体積層体（１０２）に取り込まれ、前記第１の半導体積層体（１０１）の前記活性層（１１０）によって放出される前記放射と、前記第２の半導体積層体（１０２）の前記活性層（１２０）によって放出される前記放射とが、前記第２の半導体積層体の前記主領域（１２１）から放出される、
請求項１に記載のオプトエレクトロニクス部品。
【請求項３】
前記第１の半導体積層体の前記活性層（１１０）が、第１の波長範囲の放射を放出するように設計され、前記第２の半導体積層体の前記活性層（１２０）が、第２の波長範囲の放射を放出するように設計されている、
請求項１または２のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス部品。
【請求項４】
前記分離層（１０３）が、前記第１の波長範囲の放射を透過し、前記第２の波長範囲の放射を反射する、
請求項３に記載のオプトエレクトロニクス部品。
【請求項５】
前記分離層（１０３）が少なくとも２つの層を備え、前記層が少なくとも２つの異なる屈折率を有する、
請求項１〜４のいずれか１項に記載のオプトエレクトロニクス部品。
【請求項６】
前記分離層（１０３）が導電性材料を備えている、
請求項１〜５のいずれか１項に記載のオプトエレクトロニクス部品。
【請求項７】
前記分離層（１０３）が誘電体を備えている、
請求項１〜５のいずれか１項に記載のオプトエレクトロニクス部品。
【請求項８】
前記分離層（１０３）が構造化部を有する、
請求項１〜７のいずれか１項に記載のオプトエレクトロニクス部品。
【請求項９】
前記分離層（１０３）が、導電性材料によって満たされる少なくとも１つの切欠部（１０４）、を備えている、
請求項７または８に記載のオプトエレクトロニクス部品。
【請求項１０】
−  前記主領域（１１１）とは反対側に位置している前記第１の半導体積層体のさらなる主領域（１１３）の上に配置されている、第１のコンタクト要素（１１２）と、
−  前記主領域（１１１）と前記さらなる主領域（１１３）との間に配置されている前記第１の半導体積層体のさらに別の主領域（１１５）の上に配置され、前記第１の半導体積層体の前記活性層（１１０）との電気的接続を前記第１のコンタクト要素（１１２）とともに提供する、第２のコンタクト要素（１１４）と、
をさらに備えている、請求項１〜９のいずれか１項に記載のオプトエレクトロニクス部品。
【請求項１１】
−  前記第２の半導体積層体に配置されている第１のコンタクト要素と、
−  前記第２の半導体積層体に配置され、前記第２の半導体積層体の前記活性層との電気的接続を前記第１のコンタクト要素とともに提供する、第２のコンタクト要素と、
をさらに備えている、請求項１〜９のいずれか１項に記載のオプトエレクトロニクス部品。
【請求項１２】
前記異なる半導体積層体（１０１，１０２）のそれぞれが個別に駆動可能である、
請求項１〜１１のいずれか１項に記載のオプトエレクトロニクス部品。
【請求項１３】
前記第２の半導体積層体の前記主領域（１２１，２２１）に配置され、放射の波長の一部分を変換する変換物質（２０４）、
をさらに備えている、請求項１〜１２のいずれか１項に記載のオプトエレクトロニクス部品。
【請求項１４】
オプトエレクトロニクス部品を製造する方法であって、
−  第１の基板（５００）を形成するステップと、
−  放射を放出するように設計されている活性層（５０３）を有する第１の半導体積層体（５０１）を、前記第１の基板の上に形成するステップと、
−  前記第１の半導体積層体から前記基板（５００）を除去するステップと、
−  第２の基板（５１０）を形成するステップと、
−  放射を放出するために適している活性層（５１３）を有する第２の半導体積層体（５１１）を、前記第２の基板の上に形成するステップと、
−  前記第２の半導体積層体から前記第２の基板（５１０）を除去するステップと、
−  半透過性のミラーを形成する分離層（５０５）を、前記半導体積層体の少なくとも一方の上に形成するステップと、
−  前記分離層（５０５）が前記第１の半導体積層体（５０１）と前記第２の半導体積層体（５１１）との間に配置されるように、前記第２の半導体積層体を前記第１の半導体積層体に結合するステップと、
を含んでいる、方法。
【請求項１５】
−  前記分離層（１０３）の少なくとも１つの切欠部（１０４）を形成するステップと、
−  前記分離層（１０３）の前記切欠部（１０４）を導電性材料によって満たすステップと、
を含んでいる、請求項１４に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、オプトエレクトロニクス部品と、オプトエレクトロニクス部品を製造する方法とに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、オプトエレクトロニクス部品を利用して白色光を生成する目的で、オプトエレクトロニクス半導体部品に、変換物質（converter substance）を含んでいる封止層が設けられている。この変換物質は、オプトエレクトロニクス部品によって放出される第１の波長範囲の放射（一次放射）を、第１の範囲とは異なる第２の波長範囲の放射（二次放射）に変換する。このようにして、一次放射を二次放射と混合する、または、変換後の放射の色成分を混合して白色光を生じさせることにより、白色光を生成することができる。
【０００３】
さらなる従来の構造では、それぞれが異なる波長範囲の放射を放出する複数のオプトエレクトロニクス部品を一緒に使用する。この構造の全体的な放射は、個々の部品の波長範囲を加えたものとなる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の目的は、より単純かつ高い空間効率で製造することのできる効率的なオプトエレクトロニクス部品と、そのようなオプトエレクトロニクス部品の製造方法とを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
この目的は、請求項１の特徴を備えているオプトエレクトロニクス部品と、請求項１４の特徴を備えている方法とによって、達成される。
【０００６】
本オプトエレクトロニクス部品は、放射を放出するように設計されている層と主領域とを有する第１の半導体積層体、を備えている。この主領域の上には分離層が配置されており、分離層は半透過性のミラーを形成している。本オプトエレクトロニクス部品は、第２の半導体積層体を備えており、この第２の半導体積層体は、分離層に配置されており、放射を放出するように設計されているさらなる活性層と、主領域とを有する。
【０００７】
一実施形態においては、第１の半導体積層体の活性層によって放出される放射は、第１の半導体積層体の主領域から放出される。第１の半導体積層体の活性層によって放出される放射は、第２の半導体積層体に取り込まれる。第１の半導体積層体の活性層によって放出される放射と、第２の半導体積層体の活性層によって放出される放射とを、第２の半導体積層体の主領域から放出させることができる。
【０００８】
２つの半導体積層体の活性層は、２つの異なる波長範囲の放射を放出するように設計することができる。分離層は、第１の波長範囲の放射に対して透過性であり、第２の波長範囲の放射を反射するように具体化することができる。
【０００９】
さらには、分離層を少なくとも２つの層から形成することができ、これらの層は少なくとも２つの異なる屈折率を有する。分離層は、導電性材料を備えていることができる。分離層は、誘電体を備えていることもできる。分離層は、構造化部（structuring）を備えていることができる。さらには、分離層は、導電性材料によって満たされる少なくとも１つの切欠部を備えていることができる。
【００１０】
さらには、本オプトエレクトロニクス部品は、第１の半導体積層体の第１のコンタクト要素を備えていることができ、このコンタクト要素は、第１の半導体積層体のさらなる主領域の上に配置されている。さらなる主領域は、第１の主領域の反対側に位置している。本オプトエレクトロニクス部品は、第１の半導体積層体の第２のコンタクト要素を備えていることができ、この第２のコンタクト要素は、第１の半導体積層体のさらに別の主領域の上に配置されている。さらに別の主領域は、主領域とさらなる主領域との間に配置することができる。第１のコンタクト要素および第２のコンタクト要素は、第１の半導体積層体の活性層との電気的接続を提供することができる。
【００１１】
本オプトエレクトロニクス部品の第１の半導体積層体および第２の半導体積層体のそれぞれは、少なくとも１つのｎ型ドープ層および少なくとも１つのｐ型ドープ層を備えている。第１のコンタクト要素は、これらの第１のドープ型の層の１つと接触しており、第２のコンタクト要素は、これらの第２のドープ型の層のさらなる１つと接触している。
【００１２】
第２の半導体積層体に第３のコンタクト要素を配置することができ、このコンタクト要素は、第２の半導体積層体の活性層との電気的接続を形成する。この第３のコンタクト要素は、第１のドープ型の層と接触していることができる。
【００１３】
さらなる実施形態においては、本オプトエレクトロニクス部品は、第２の半導体積層体に配置されている第１のコンタクト要素と、第２の半導体積層体に配置されている第２のコンタクト要素とを備えていることができ、これら第１のコンタクト要素および第２のコンタクト要素は、第２の半導体積層体の活性層との電気的接続を提供する。本部品は、少なくとも１つのさらなるコンタクト要素を有することができ、このコンタクト要素は、第１の半導体積層体に配置されており、第１の半導体積層体の活性層との電気的接続を形成している。
【００１４】
本オプトエレクトロニクス部品の複数の異なる半導体積層体、特に、放射を放出するように設計されている層それぞれは、個別に駆動することができる。特に、本オプトエレクトロニクス部品の複数の異なる半導体積層体、特に、放射を放出するように設計されている層それぞれを、個別に電気的に駆動することができる。本オプトエレクトロニクス部品は、複数の異なる半導体積層体からそれぞれ放出される放射を合成することによって生成される光を放出することができる。
【００１５】
さらには、本オプトエレクトロニクス部品は、放射の波長の一部分を変換するための変換物質を備えていることができる。この変換物質は、第２の半導体積層体の主領域に配置することができる。本オプトエレクトロニクス部品は、複数の異なる半導体積層体から放出される放射と、変換物質の放射とを合成することによって生成される放射を放出することができる。
【００１６】
オプトエレクトロニクス部品を製造する方法は、第１の基板を形成するステップと、放射を放出するように設計されている活性層を有する第１の半導体積層体を、第１の基板の上に形成するステップと、半導体積層体から基板を除去するステップと、を含んでいる。
【００１７】
第２の基板を形成し、その上に、放射を放出するために適している活性層を有する第２の半導体積層体を形成する。第２の半導体積層体から第２の基板を除去する。
【００１８】
さらには、本方法は、半透過性のミラーを形成する分離層を、半導体積層体の少なくとも一方の上に形成するステップと、分離層が第１の半導体積層体と第２の半導体積層体との間に配置されるように、第２の半導体積層体を第１の半導体積層体に結合するステップと、を含んでいる。
【００１９】
第２の半導体積層体のさらなる主領域の上に第１の補助キャリアを形成することができ、このさらなる主領域は、第２の半導体積層体の主領域とは反対側に位置している。第２の半導体積層体の主領域の上には、第２の補助キャリアを形成することができる。第１の補助キャリアおよび第２の補助キャリアは、同様に除去することができる。第１の半導体積層体の主領域の上にさらなる補助キャリアを形成し、同様に除去することができる。
【００２０】
さらには、本方法は、第１の半導体積層体の活性層への少なくとも２つのコンタクト要素を形成するステップ、を含んでいることができる。第２の半導体積層体の活性層への少なくとも１つのさらなるコンタクト要素を形成することができる。
【００２１】
さらなる実施形態においては、本方法は、第２の半導体積層体の活性層への少なくとも２つのコンタクト要素を形成するステップ、を含んでいることができる。第１の半導体積層体の活性層への少なくとも１つのさらなるコンタクト要素を形成することができる。
【００２２】
半導体積層体を形成するステップは、それぞれ、少なくとも２つの異なるドープ型の半導体層をエピタキシャルに堆積させるステップと、ドープされた半導体層を構造化して、電気的コンタクト接続部を形成するステップと、を含んでいることができる。
【００２３】
第１の半導体積層体には、第１のドープ型の層および活性層を貫通して少なくとも第２のドープ型の層に達している少なくとも１つの切欠部を形成することができる。
【００２４】
第２の半導体積層体には、第１のドープ型の層および活性層を貫通して少なくとも第２のドープ型の層に達している少なくとも１つの切欠部を形成することができる。
【００２５】
分離層は、少なくとも２つの層から形成することができ、これらの少なくとも２つの層は、少なくとも２つの異なる屈折率を有する。分離層は、構造化部を有することができる。分離層は、少なくとも１つの切欠部を有するように具体化することができ、この切欠部を導電性材料によって満たすことができる。
【００２６】
放出される放射の波長の一部分を変換する変換物質を、第２の半導体積層体の主領域に塗布することができる。
【００２７】
さらなる特徴、利点、および発展形態は、図１〜図５を参照しながら説明する以下の例から明らかになるであろう。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】一実施形態によるオプトエレクトロニクス部品の概略的な図を示している。
【図２】オプトエレクトロニクス部品のさらなる概略的な図を示している。
【図３】図３Ａ、図３Ｂは、オプトエレクトロニクス部品の例示的な実施形態の裏面および表側の概略的な平面図を示している。
【図４】図４Ａ、図４Ｂは、オプトエレクトロニクス部品のさらなる例示的な実施形態の裏面および表側の概略的な平面図を示している。
【図５】図５Ａ、図５Ｂ、図５Ｃ、図５Ｄ、図５Ｅ、図５Ｆ、図５Ｇ、図５Ｈは、本方法のさまざまな段階における半導体積層体の概略的な断面図を示している。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
図１は、第１の半導体積層体１０１および第２の半導体積層体１０２を有するオプトエレクトロニクス部品１００を示している。さらに、図１は、切欠部１０４を有する分離層１０３、活性層１１０、第１の主領域１１１、第１のコンタクト要素１１２、さらなる主領域１１３、さらなるコンタクト要素１１４、さらなる主領域１１５、第２の活性層１２０、第２の半導体積層体の主領域１２１、およびさらなるコンタクト要素１２２、を示している。
【００３０】
半導体積層体１０１は、示した図においては３つの層を備えている。第１の層（１１６）は、第１の型のドーピング（例えばｐ型ドーピング）と、主領域１１３とを有する。領域１１３の反対側には、第１の層に活性層１１０が隣接している。活性層には、例えばｎ型にドープされたさらなる半導体層（１１７）が隣接している。活性層は、活性層に隣接しているｐ型ドープ層およびｎ型ドープ層によって形成される、放射を発生させるｐｎ接合を有する。
【００３１】
主領域１１１の上には分離層１０３を配置することができる。分離層は、図示した例示的な実施形態のように、切欠部１０４を囲んでいることができる。第２の半導体積層体（例えば同様に３つの層を備えていることができる）は、分離層の上に配置することができる。分離層に隣接している層（１２３）は、例えはｎ型ドープ層である。この層に続いて、活性層とｐ型ドープ層（１２４）とを配置することができる。この活性層も、放射を発生させるｐｎ接合を有する。第１の半導体積層体および第２の半導体積層体のいずれも、４つ以上の層（例えば追加のバッファ層）を有することもできる。分離層に隣接している、第１の半導体積層体の層および第２の半導体積層体の層は、同じ型のドーピングを有することができる。
【００３２】
分離層は、複数の層から形成することができる。分離層は少なくとも２つの層を有し、これらの層は、それぞれの材料または層厚さが異なっていることができる。分離層の層それぞれは、異なる屈折率を有することができる。これらの層の屈折率は、例えば一定の間隔で繰り返す。分離層は、例えば誘電体である。分離層は、酸化ケイ素、酸化亜鉛、またはＩＺＯ（インジウム亜鉛酸化物）から形成することができるが、別の材料を備えていることもできる。分離層は、第１の半導体積層体もしくは第２の半導体積層体、またはその両方に形成される構造化部、例えば、微細構造化部（microstructuring）、特に、ナノ構造化部（nanostructuring）、特に、少なくとも１つのフォトニック結晶を備えていることができる。
【００３３】
コンタクト要素１１２は、第１の半導体積層体の例えばｐ型ドープ層の主領域１１３に配置することができる。このコンタクト要素は、１つのコンタクト領域から形成できるが、複数のコンタクト領域から形成することもできる。
【００３４】
図示した実施形態においては、主領域１２１は、主領域１１３から最も離れた距離にある。主領域１１１は、主領域１２１よりも主領域１１３から近い距離にある。主領域１１５は、主領域１１１よりも主領域１１３から近い距離にある。
【００３５】
半導体積層体１０１は、例えばｎ型ドープ層に接触するため、ｐ型ドープ領域と活性層とを貫通している切欠部を有することができる。この実施形態においては、ｎ型ドープ層は主領域１１５を有し、この主領域１１５には、例えば第２のコンタクト要素１１４を形成することができる。第１の半導体積層体は、このタイプの１つの切欠部を有することができるが、複数のこのような切欠部を有することもできる。
【００３６】
コンタクト要素は、例えば、導電性材料から形成されている。本オプトエレクトロニクス部品が対応するキャリア要素の上に取り付けられる場合、コンタクト要素を介して半導体積層体１０１に電圧を供給することができる。電圧が印加されたときに半導体積層体、特に活性層１１０によって放出される放射は、主として領域１１１から出る。
【００３７】
第２の半導体積層体１０２に電圧を印加する目的で、コンタクト要素１２２を領域１２１の上に取り付けることができる。このコンタクト要素は、１つのコンタクト領域から形成することができるが、複数のコンタクト領域から形成することもできる。コンタクト要素１２２は、例えばｐ型ドープ層と接触している。積層体１０２の例えばｎ型ドープ層には、コンタクト要素１１４を介して、または分離層を介して、または分離層の切欠部１０４の中の導電性材料によって、コンタクト接続する。したがって、半導体積層体１０２には、例えばコンタクト要素１１４とコンタクト要素１２２とによって電圧が供給される。コンタクト要素は、例えばＩＺＯ（インジウム亜鉛酸化物）を備えている光透過性の導体を有することができる。
【００３８】
一実施形態においては、コンタクト要素は、領域１２１の方向から活性層との接続を形成することができる。層１２４と層１２０とを貫通している少なくとも１つの切欠部を形成することができる。あるいは、層１２４と、層１２０と、層１２３と、分離層とを貫通している少なくとも１つの切欠部を、形成することができる。あるいは、層１２４と、層１２０と、層１２３と、分離層と、層１１７と、活性層１１０とを貫通している少なくとも１つの切欠部を、形成することができる。それ以外の層を貫通している少なくとも１つのさらなる切欠部を形成することができる。いずれの場合も、切欠部の中に少なくとも１つのコンタクト要素を配置することができる。
【００３９】
半導体積層体は、それぞれ、異なる波長範囲の放射を放出する。半導体積層体１０１は、例えば、半導体積層体１０２よりも長い波長を有する放射を放出する。一例として、第１の半導体積層体１０１は、赤色の範囲（６２５〜７４０ｎｍ）の放射を放出し、第２の半導体積層体１０２は、青色の範囲（４００〜５００ｎｍ）の放射を放出する。
【００４０】
分離層は、半導体積層体１０１によって放出される放射の波長範囲に対してできる限り透過性とすることができる。分離層は、半導体積層体１０２によって放出される放射に対してできる限り非透過性であり、この放射のできる限り高い割合を反射する。したがって、半導体積層体１０２の放射が半導体積層体１０１において再吸収されることを、最大限に防止することができる。半導体積層体１０１によって放出される放射と、半導体積層体１０２によって放出される放射は、いずれも、実質的に領域１２１から出る。放出される放射それぞれのスペクトル範囲が加えられて、全体的なスペクトルが形成される。
【００４１】
半導体積層体それぞれに異なる電圧が印加される結果として、異なる波長範囲が異なる程度だけ全体的なスペクトルに加わるようにすることが可能である。したがって、オプトエレクトロニクス部品の動作時に、所望の色位置（ｃｏｌｏｒ  ｌｏｃｕｓ）を設定することが可能である。
【００４２】
図２は、半導体積層体２０１とさらなる半導体積層体２０２とを備えているオプトエレクトロニクス部品２００を示している。さらに、図２は、分離層２０３、変換物質２０４、第１の活性層２１０、主領域２１１、第１のコンタクト要素２１２、第２の主領域２１３、第２のコンタクト要素２１４、さらなる主領域２１５、活性層２２０、さらなる主領域２２１、およびコンタクト要素２２２を示している。
【００４３】
半導体積層体２０１は、少なくとも３つの層、例えば、ｐ型ドープ層と、活性層と、ｎ型ドープ層とを有する。この積層体２０１は、さらに、例えばｎ型ドープ層まで延びている切欠部を有する。分離層は、例えばｐ型ドープ層に配置されている主領域２１３とは反対側のｎ型ドープ層の上に配置されている。図示した例示的な実施形態においては、分離層は導電性である。
【００４４】
一例として、第２の半導体積層体２０２（例えば同様に３つの層を備えている）が、分離層の上に配置されている。分離層に隣接してｎ型ドープ層が配置されている。このｎ型ドープ層に隣接して活性層が配置されており、この活性層に隣接してｐ型ドープ層が配置されている。ｐ型ドープ層は主領域２２１を有する。この主領域２２１の上に変換物質を配置することができる。
【００４５】
変換物質は、特定の波長範囲の電磁放射によって励起されると、異なる波長範囲の放射を放出することができる。この目的のため、変換物質は少なくとも１種類の蛍光体を含んでいることができる。蛍光体は、無機蛍光体または有機蛍光体を含んでいることができる。
【００４６】
変換物質を励起する放射の波長範囲と、変換物質によって放出される放射の波長範囲は、異なっていることができる。変換物質は、自身に入射する放射全体を変換することができる。あるいは、変換物質は、入射する放射の一部分のみを変換し、残りの部分については波長範囲に大きな影響を与えることなく透過させることができる。
【００４７】
半導体積層体２０１の切欠部の中、主領域２１５の上に、コンタクト要素２１４を配置することができる。主領域２１３の上には、さらなるコンタクト要素２１２を配置することができる。これらのコンタクト要素を介して半導体積層体に電圧を供給することができ、したがって、半導体積層体は放射を放出する。この放射は分離層２０３によって透過される。この放射は、第２の半導体積層体２０２に取り込まれる。
【００４８】
コンタクト要素の配置構成は自由に選択することができる。半導体積層体は、その前面からｐ側コンタクト接続およびｎ側コンタクト接続する、その裏面からｐ側コンタクト接続およびｎ側コンタクト接続する、前面からｐ側コンタクト接続し裏面からｎ側コンタクト接続する、前面からｎ側コンタクト接続し裏面からｐ側コンタクト接続する、または、前面および裏面の両方からｎ側コンタクト接続もしくはｐ側コンタクト接続またはその両方を行う、ように具体化することができる。
【００４９】
半導体積層体２０２には、例えば主領域２２１の上に配置されているコンタクト要素２２２を介してと、コンタクト要素２１４（およびしたがって分離層２０３）とを介して、電圧を供給することができる。この実施形態においては、分離層は導電性材料を備えている。
【００５０】
分離層は、電気絶縁効果を有する場合、図１に示したように導電性材料によって満たされている少なくとも１つの切欠部を備えている。したがって、半導体積層体２０２は、電圧が印加されたときに放射を放出することができる。半導体積層体２０２の活性層によって放出される波長範囲内の放射を、分離層２０３によって反射させることも可能である。
【００５１】
第１の半導体積層体によって放出される放射は、第２の半導体積層体によって放出される放射とは異なる波長範囲内にある。変換物質は、第２の半導体積層体の波長範囲内にある放射の一部分を変換する。変換物質は、第１の半導体積層体の波長範囲内にある放射を透過させることができる。したがって、本半導体部品によって放出される放射の全体的なスペクトルを、例えば少なくとも３つの異なる波長範囲から構成することができる。
【００５２】
図３Ａおよび図３Ｂは、主領域３０１、コンタクト要素３０２、さらなる主領域３０３、さらなるコンタクト要素３０４、さらなる主領域３０５、およびさらなるコンタクト要素３０６を示している。
【００５３】
図３Ａは、例えば図１に示したオプトエレクトロニクス部品の裏面の図を示している。領域３０１は、例えばｐ型にドープされた半導体層の領域である。この領域の上にはコンタクト要素３０２が形成されている。このコンタクト要素は、図示した実施形態におけるように連続的な要素とすることができる。しかしながら、このコンタクト要素を複数の個々の領域から形成することもできる。本部品は、例えばｐ型ドープ層と活性層とを例えばｎ型ドープ層まで貫通している切欠部を、例えば中央に有することができる。この例えばｎ型ドープ層は、主領域３０３を有する。この主領域の上には、さらなるコンタクト要素３０４を形成することができる。コンタクト要素３０２およびさらなるコンタクト要素３０４は、本半導体部品に電圧を供給できるようにする役割を果たす。層のドープ型は、この実施形態とは異なっていることもでき、一例として、ｐ型ドープ層をｎ型ドープ層とする、またはその逆とすることができる。本オプトエレクトロニクス部品の裏面は、さらなる要素、例えば金属層またはキャリア基板を備えていることができる。
【００５４】
図３Ｂは、図３Ａに対応するオプトエレクトロニクス部品の表側を示している。この部品は主領域３０５を有し、この領域にコンタクト要素３０６が形成されている。コンタクト要素３０６は、例えばコンタクト要素３０５の真上に形成されている。
【００５５】
コンタクト要素３０５の真上にコンタクト要素３０６が配置されているため、本部品は、全体として、放射が放出されない領域が最小限である。しかしながら、コンタクト要素３０６を主領域３０５の異なる位置、例えば縁部領域に配置することもできる。複数のコンタクト要素を配置することもできる。特に、コンタクト要素３０５，３０６の数は、互いに異なっていることができる。コンタクト接続を改良する目的で、コンタクト要素と主領域との間に透過性の導電性材料を塗布することができる。
【００５６】
図４Ａおよび図４Ｂは、主領域４０１、第１のコンタクト要素４０２、主領域４０３、第２のコンタクト要素４０４、さらなる主領域４０５、さらなるコンタクト要素４０６を示している。
【００５７】
図４Ａは、図３Ａに示した構造を１つの部品に４回具体化した状態示している。主領域４０１にコンタクト要素４０２を形成することができる。このコンタクト要素は、複数の個々の部分から形成することができる。領域４０３に接触できるようにする切欠部を、必要な数だけ繰り返すことができる。図示した例示的な実施形態においては、コンタクト要素４０４を有する４つの切欠部が対称的に配置されているが、これらの切欠部を別の様式に配置することもできる。
【００５８】
図４Ｂは、部品の対応する平面図を示している。コンタクト要素４０６は、コンタクト要素４０４の上方、主領域４０５の上に配置することができる。この場合、コンタクト要素４０６は、コンタクト要素４０４とまったく同じ数の個々の部分を備えていることができるが、より少ない、またはより多くの個々の部分を設けることもできる。コンタクト要素４０６の個々の部分は、図示したように要素４０４の真上に配置することができるが、これらの個々の部分を、主領域４０５の上に任意の所望の別の様式に配置することもできる。
【００５９】
図５Ａは、基板ウェハ５００および半導体積層体５０１の詳細を示しており、半導体積層体５０１は、ドープ層５０２と、活性層５０３と、さらなるドープ層５０４とを備えている。
【００６０】
基板ウェハは、例えばガリウムヒ素から形成されている。半導体積層体は、さらなる層を含んでいることができる。基板ウェハは、何らかの別の適切な材料から形成することもできる。一方法においては、基板ウェハの上に複数の半導体積層体を形成することができ、以降の方法ステップにおいて個片化する。
【００６１】
一方法ステップにおいて、基板の上に半導体積層体５０１の層を成長させる。この場合、半導体積層体は、例えばｎ型ドープ層から開始して基板上に成長させる。その後、一例として、活性層とｐ型ドープ層とを成長させる。次に、半導体積層体から基板を除去することができる。基板を除去する前に、半導体積層体に補助キャリアを形成することができる。
【００６２】
図５Ｂは、図５Ａからの半導体積層体を示しており、基板ウェハが除去されている。層５０２に分離層５０５が形成されている。この分離層は、例えば複数の層から形成されている。分離層は、半透過性であるミラーを形成している。分離層は、一例として、特定の波長範囲に対してできる限り透過性であり、それ以外の波長範囲を反射する。
【００６３】
図５Ｃは、さらなる基板ウェハ５１０およびさらなる半導体積層体５１１を示しており、さらなる半導体積層体５１１は、第１のドープ層５１２と、活性層５１３と、さらなるドープ層５１４とを備えている。積層体は、例えばサファイアを備えている基板ウェハの上に成長させる。積層体は、４層以上を備えていることもできる。一例として、この半導体積層体は、ｎ型ドープ層から開始して成長させる。基板ウェハ５１０の上に複数の半導体積層体を形成することができ、以降の方法ステップにおいて個片化する。
【００６４】
積層体５１１の上にも分離層５０５を形成することができる。分離層５０５は、積層体の一方の上に形成することもできるが、両方の積層体に形成することもできる。
【００６５】
図５Ｄは、例示的な実施形態の方法ステップを示しており、第２の半導体積層体の上、特に層５１４の上に補助キャリア５１５を形成する。
【００６６】
図５Ｅに示したように、半導体積層体５１１、特に層５１２に第２の補助キャリア５１６を形成することができる。基板５１０は、半導体積層体から除去することができる。
【００６７】
図５Ｆにおいては、第１の補助キャリア５１５を除去する方法ステップがすでに実行されている。図５Ｂに示した要素と図５Ｆに示した要素とを結合することができる。
【００６８】
図５Ｇは、２つの積層体の間に分離層５０５が配置されるように、図５Ｂからの要素を層５１４に形成した状態を示している。
【００６９】
図５Ｈは、層５１２から第２の補助キャリア５１６を除去した後の積層体を示している。この図に示した積層体は、図１に示した部品の積層体に実質的に一致している。
【００７０】
本方法は、さらなる方法ステップ、例えば、層５１２に変換物質を塗布するステップ、あるいは半導体層の上にコンタクト要素を形成するステップを含んでいることができる。本方法は、さらに、分離層の切欠部を形成するステップと、分離層を導電性材料によって満たすステップを含んでいることができる。特に、本方法は、上述した方法ステップすべてを含んでいる必要はない。一例として、基板を除去する前に、第１の半導体積層体を第２の半導体積層体に結合することができる。半導体積層体それぞれを形成するとき、１つまたは２つの補助キャリアを設ける、または補助キャリアを使用しないことができる。
【００７１】
（関連出願）
本特許出願は、独国特許出願第１０２００８００６９８８．４号の優先権を主張し、この文書の開示内容全体は参照によって本特許出願に組み込まれている。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【国際調査報告】
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