(57)【要約】  放射源は、極端紫外線放射を生成するように構成および配置される。前記放射源は、チャンバと、前記チャンバ内に少なくとも部分的に含まれる第１電極と、前記チャンバ内に少なくとも部分的に含まれる第２電極と、前記チャンバに放電ガスを提供するように構成および配置された供給部と、を備える。前記第１電極および前記第２電極は、前記極端紫外線放射を生成するようにプラズマを形成するために、前記放電ガス中に放電を生成するように構成される。前記放射源は、前記放電付近の位置に約１Ｐａ〜約１０Ｐａの分圧でガスを提供するように構成および配置されたガス供給部も備える。前記ガスは、水素、ヘリウム、および水素とヘリウムとの混合物から成る群から選択される。
2011508442.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
極端紫外線放射を生成する放射源であって、
チャンバと、
前記チャンバ内に少なくとも部分的に含まれる第１電極と、
前記チャンバ内に少なくとも部分的に含まれる第２電極と、
前記チャンバに放電ガスを提供する供給部であって、前記第１電極および前記第２電極が前記極端紫外線放射を生成するように前記放電ガス中に放電を生成してプラズマを形成する、供給部と、
前記放電付近の位置に約１Ｐａ〜約１０Ｐａの分圧でガスを提供するガス供給部であって、前記ガスは水素、ヘリウム、および水素とヘリウムとの混合物から成る群から選択される、ガス供給部と、
を備える放射源。
【請求項２】
圧力センサと、既定のガス圧力を維持するように前記ガス供給部を制御する圧力制御装置と、をさらに備える、請求項１に記載の放射源。
【請求項３】
前記分圧は、前記放電の位置から約５ｃｍの距離内の場所におけるものである、請求項１または２に記載の放射源。
【請求項４】
前記分圧は、前記放電の位置から約１ｃｍの距離内の場所におけるものである、請求項３に記載の放射源。
【請求項５】
極端紫外線放射を生成する放射源を備える、リソグラフィ装置であって、
前記放射源は、
チャンバと、
前記チャンバ内に少なくとも部分的に含まれる第１電極と、
前記チャンバ内に少なくとも部分的に含まれる第２電極と、
前記チャンバに放電ガスを提供する供給部であって、前記第１電極および前記第２電極が前記極端紫外線放射を生成するように前記放電ガス中に放電を生成してプラズマを形成する、供給部と、
前記放電付近の位置に約１Ｐａ〜約１０Ｐａの分圧でガスを提供するガス供給部であって、前記ガスは水素、ヘリウム、および水素とヘリウムとの混合物から成る群から選択される、ガス供給部と、を備える、
リソグラフィ装置。
【請求項６】
パターニングデバイスを支持するサポートであって、前記パターニングデバイスは放射ビームの断面にパターンを付与してパターン付きビームを形成することができる、サポートと、
基板を保持する基板テーブルと、
前記極端紫外線放射を前記放射ビームへと変換し、かつ前記放射ビームを前記パターニングデバイスへと誘導する照明システムと、
前記基板のターゲット部分上へと前記パターン付き放射ビームを投影する投影システムと、をさらに備える、
請求項５に記載のリソグラフィ装置。
【請求項７】
第１電極および第２電極を備えるチャンバに放電ガスを提供することと、
前記第１電極および前記第２電極に電圧を印加して、極端紫外線放射を放出するプラズマを形成する放電を前記放電ガス内に生成することと、
水素、ヘリウム、および水素とヘリウムとの混合物から成る群から選択されるガスを、前記放電付近の位置で約１．５Ｐａ〜１０Ｐａの分圧に維持することと、
を含む、極端紫外線放射を生成する方法。
【請求項８】
前記位置で維持される前記分圧は、約２Ｐａ〜約９Ｐａである、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記位置で維持される前記分圧は、約３．５Ｐａ〜約７Ｐａである、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記位置で維持される前記分圧は、約４Ｐａ〜約６Ｐａである、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記水素圧力を前記圧力範囲内に維持するために、前記チャンバに水素が供給される、請求項７〜１０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１２】
前記水素圧力を前記圧力範囲内に維持するために、前記チャンバから水素が排気される、請求項７〜１１のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１３】
前記分圧は、前記放電の前記位置から約５ｃｍの距離内の場所におけるものである、請求項７〜１２のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１４】
前記分圧は、前記放電の位置から約１ｃｍの距離内の場所におけるものである、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
第１電極および第２電極を備えるチャンバに放電ガスを提供することと、
前記第１電極および前記第２電極に電圧を印加して、極端紫外線放射を放出するプラズマを形成する放電を前記放電ガス内に生成することと、
水素、ヘリウム、および水素とヘリウムとの混合物から成る群から選択されるガスを、前記放電付近の位置で約１．５Ｐａ〜１０Ｐａの分圧に維持することと、
前記極端紫外線放射を放射ビームへと変換することと、
前記放射ビームにパターンを形成することと、
前記パターン付き放射ビームを基板のターゲット部分上へと投影することと、
を含む、デバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
[関連出願の相互参照]
[0001]  本出願は、２００７年１２月２７日出願の米国特許仮出願第６１／００９，１９３号の利益を主張し、その全体が参照することにより本明細書に組み込まれる。
【０００２】
[0002]  本発明は、リソグラフィ装置および極端紫外線放射を生成する方法に関する。
【背景技術】
【０００３】
[0003]  リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板上、通常、基板のターゲット部分上に付与する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に用いることができる。その場合、ＩＣの個々の層上に形成される回路パターンを生成するために、マスクまたはレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを用いることができる。このパターンは、基板（例えば、シリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば、ダイの一部、または１つ以上のダイを含む）に転写することができる。通常、パターンの転写は、基板上に設けられた放射感応性材料（レジスト）層上への結像によって行われる。一般には、単一の基板が、連続的にパターニングされる隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。
【０００４】
[0004]  リソグラフィは、ＩＣならびに他のデバイスおよび／または構造の製造における重要なステップの1つとして広く認識されている。しかしながら、リソグラフィを使用して作られるフィーチャの寸法が小さくなるにつれ、リソグラフィは、小型ＩＣあるいは他のデバイス及び／又は構造を製造できるようにするためのより重要な要因になりつつある。
【０００５】
[0005]  パターンプリンティングの限界の理論的な推測は、式（１）で示される解像度についてのレイリー基準によって与えられ得る：
【数１】
2011508442.tif 000003
上の式で、λは、使用される放射の波長であり、ＮＡＰＳは、パターンを印刷するために使用される投影システムの開口数であり、ｋ１は、レイリー定数とも呼ばれているプロセス依存調整係数であり、ＣＤは、印刷されたフィーチャのフィーチャサイズ（またはクリティカルディメンジョン）である。式（１）から、フィーチャの最小印刷可能サイズの縮小は、３つの方法：露光波長λを短くすることによって、開口数ＮＡＰＳを大きくすることによって、あるいはｋ１の値を小さくすることによって達成することができる、と言える。
【０００６】
[0006]  露光波長を縮小するため、したがって、最小印刷可能サイズを縮小させるためには、極端紫外線（ＥＵＶ）放射源を使用することが提案されている。ＥＵＶ放射源は、約１３ｎｍの放射波長を出力するように構成される。したがって、ＥＵＶ放射源は、小さなフィーチャの印刷を達成するための重大なステップを構成し得る。そのような放射は、極端紫外線または軟Ｘ線と呼ばれ、可能な放射源としては、例えば、レーザ生成プラズマ源、放電プラズマ源、または電子蓄積リングからのシンクロトロン放射が挙げられる。
【０００７】
[0007]  放電プラズマ源を使用する際、ＥＵＶ放射の副生成物として粒子放射が生成される。一般的に、粒子放射を構成する粒子がリソグラフィ装置の部分上、とりわけプラズマ源の近傍に配置されるミラー上に損傷を与えるため、このような粒子放射は望ましくないと考えられている。
【０００８】
[0008]  粒子放射により与えられる損傷を軽減するために、米国特許第７，０２６，６２９号では、壁によって放電プラズマ源から離隔されたスペース内にバッファガスを提供することが提案されている。
【発明の概要】
【０００９】
[0009]  粒子放射により与えられる損傷をさらに軽減することが望ましい。
【００１０】
[0010]  本発明の一態様では、極端紫外線放射を生成するように構成および配置された放射源が提供される。この放射源は、チャンバと、前記チャンバ内に少なくとも部分的に含まれる第１電極と、前記チャンバ内に少なくとも部分的に含まれる第２電極と、前記チャンバに放電ガスを提供するように構成および配置された供給部を備える。前記第１電極および前記第２電極は、前記極端紫外線放射を生成するようにプラズマを形成するために、前記放電ガス中に放電を生成するように構成される。また、前記放射源は、前記放電付近の位置に約１Ｐａ〜約１０Ｐａの分圧でガスを提供するように構成および配置されたガス供給部も備える。前記ガスは水素、ヘリウム、および水素とヘリウムとの混合物から成る群から選択される。前記ガス供給部は、前記位置に約２Ｐａ〜約９Ｐａ、または約３．５Ｐａ〜約７Ｐａ、または約４Ｐａ〜約６Ｐａの分圧で前記ガスを提供するように構成および配置され得る。
【００１１】
[0011]  前記放射源は、前記極端紫外線放射を中間焦点にフォーカスするように構成されるコレクタを備えることが好ましい。
【００１２】
[0012]  本発明の一態様では、極端紫外線放射を生成するように構成および配置された放射源を備える、リソグラフィ装置が提供される。前記放射源は、チャンバと、前記チャンバ内に少なくとも部分的に含まれる第１電極と、前記チャンバ内に少なくとも部分的に含まれる第２電極と、前記チャンバに放電ガスを提供するように構成および配置された供給部を備える。前記第１電極および前記第２電極は、前記極端紫外線放射を生成するようにプラズマを形成するために、前記放電ガス中に放電を生成するように構成される。また、前記放射源は、前記放電付近の位置に約１Ｐａ〜約１０Ｐａの分圧でガスを提供するように構成および配置されたガス供給部も備える。前記ガスは水素、ヘリウム、および水素とヘリウムとの混合物から成る群から選択される。ここでも、前記分圧は、前記位置で、約２Ｐａ〜約９Ｐａ、または約３．５Ｐａ〜約７Ｐａ、または約４Ｐａ〜約６Ｐａのうちいずれの分圧であってよい。
【００１３】
[0013]  本発明の一態様では、極端紫外線を生成する方法が提供される。この方法は、第１電極および第２電極を備えるチャンバに放電ガスを提供することと、前記第１電極および前記第２電極に電圧を印加して、前記放電ガス内に放電を生成することと、を含む。前記放電は、極端紫外線放射を放出するプラズマを形成する。また、前記方法は、水素、ヘリウム、および水素とヘリウムとの混合物から成る群から選択されるガスを、前記放電付近の位置で約１．５Ｐａ〜１０Ｐａの分圧に維持することも含む。
【００１４】
[0014]  本発明の一態様では、第１電極および第２電極を備えるチャンバに放電ガスを提供することと、前記第１電極および前記第２電極に電圧を印加して、放電を前記放電ガス内に生成することと、を含むデバイス製造方法が提供される。前記放電は、極端紫外線放射を放出するプラズマを形成する。また、前記方法は、前記放電付近の位置でガスを約１．５Ｐａ〜１０Ｐａの分圧に維持することも含む。前記ガスは、水素、ヘリウム、および水素とヘリウムとの混合物から成る群から選択される。前記方法は、前記極端紫外線放射を放射ビームへと変換することと、前記放射ビームにパターンを形成することと、前記パターン付き放射ビームを基板のターゲット部分上へと投影することと、をさらに含む。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
[0016]  本発明のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の概略図を参照して以下に説明する。これらの図面において同じ参照符号は対応する部分を示す。
【００１６】
【図１】[0017]  図１は、本発明の一実施形態に係るリソグラフィ装置を示す。
【図２ａ】[0018]  図２ａは、本発明の一実施形態に係る放射源を概略的に示す上面図である。
【図２ｂ】[0019]  図２ｂは、図２ａの放射源で使用されるトラップデバイスの一部の線Ａ−Ａ’に沿った前面図である。
【図２ｃ】[0020]  図２ｃは、図２ａの放射源を概略的に示す側面図である。
【図３ａ】[0021]  図３ａは、かすめ入射コレクタの一実施形態を示す。
【図３ｂ】[0022]  図３ｂは、法線入射コレクタの一実施形態を示す。
【図３ｃ】[0023]  図３ｃは、シュヴァルツシルトコレクタの一実施形態を示す。
【図４】[0024]  図４は、本発明の一実施形態に係る放射源を概略的に示す上面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
[0025]  図１は、本発明の非限定的な一実施形態に係るリソグラフィ装置を概略的に示している。このリソグラフィ装置は、放射ビームＢ（例えばＥＵＶ放射）を調整するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、パターニングデバイス（例えば、マスクまたはレチクル）ＭＡを支持するように構成され、かつパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第１ポジショナＰＭに連結されるサポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴと、基板（例えば、レジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成され、かつ基板を正確に位置決めするように構成された第２ポジショナＰＷに連結される基板テーブル（例えば、ウェーハテーブル）ＷＴと、パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに付けられたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば、１つ以上のダイを含む）上に投影するように構成された投影システム（例えば、反射投影レンズシステム）ＰＬと、を含む。
【００１８】
[0026]  照明システムとしては、放射を誘導し、整形し、かつ／または制御するために、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、またはその他のタイプの光コンポーネント、あるいはそれらのあらゆる組合せなどのさまざまなタイプの光コンポーネントを含むことができる。
【００１９】
[0027]  サポート構造は、パターニングデバイスの向き、リソグラフィ装置の設計、および、パターニングデバイスが真空環境内で保持されているか否かなどの他の条件に応じた態様で、パターニングデバイスを保持する。サポート構造は、機械式、真空式、静電式またはその他のクランプ技術を使って、パターニングデバイスを保持することができる。サポート構造は、例えば、必要に応じて固定または可動式にすることができるフレームまたはテーブルであってもよい。サポート構造は、パターニングデバイスを、例えば、投影システムに対して所望の場所に確実に置くことができる。
【００２０】
[0028]  「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分内にパターンを作り出すように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用できるあらゆるデバイスを指していると、広く解釈されるべきである。放射ビームに付与されたパターンは、集積回路などのターゲット部分内に作り出されるデバイス内の特定の機能層に対応し得る。
【００２１】
[0029]  パターニングデバイスは、透過型であっても、反射型であってもよい。パターニングデバイスの例としては、マスク、プログラマブルミラーアレイ、およびプログラマブルＬＣＤパネルが含まれる。マスクは、リソグラフィでは公知であり、バイナリ、レベンソン型(alternating)位相シフト、およびハーフトーン型(attenuated)位相シフトなどのマスク型、ならびに種々のハイブリッドマスク型を含む。プログラマブルミラーアレイの一例では、小型ミラーのマトリックス配列が用いられており、各小型ミラーは、入射する放射ビームを様々な方向に反射させるように、個別に傾斜させることができる。傾斜されたミラーは、ミラーマトリックスによって反射される放射ビームにパターンを付ける。
【００２２】
[0030]  「投影システム」という用語は、使われている露光放射にとって、あるいは液浸液の使用または真空の使用といった他の要因にとって適切な、屈折型、反射型、反射屈折型、磁気型、電磁型、および静電型光学系、またはそれらのあらゆる組合せを含むあらゆる型の投影システムを包含し得る。ＥＵＶまたは電子ビーム放射では、他のガスが過剰に放射または電子を吸収する可能性があるため、真空の使用が必要な場合がある。したがって、真空環境は、真空壁および真空ポンプを利用してビーム経路の全体に提供され得る。
【００２３】
[0031]  本明細書に示されているとおり、リソグラフィ装置は、反射型のもの（例えば、反射型マスクを採用しているもの）である。また、リソグラフィ装置は、透過型のもの（例えば、透過型マスクを採用しているもの）であってもよい。
【００２４】
[0032]  リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）以上の基板テーブル（および／または２つ以上のマスクテーブル）を有する型のものであってもよい。そのような「マルチステージ」機械においては、追加のテーブルは並行して使うことができ、または予備工程を１つ以上のテーブル上で実行しつつ、別の１つ以上のテーブルを露光用に使うこともできる。
【００２５】
[0033]  図１を参照すると、イルミネータＩＬは、放射源ＳＯから放射ビームを受ける。例えば、放射源がエキシマレーザである場合、放射源とリソグラフィ装置は、別個の構成要素であってもよい。そのような場合には、放射源は、リソグラフィ装置の一部を形成しているとはみなされず、また放射ビームは、放射源ＳＯからイルミネータＩＬへ、例えば、適切な誘導ミラーおよび／またはビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムを使って送られる。その他の場合においては、例えば、放射源が水銀ランプである場合、放射源は、リソグラフィ装置の一体部分とすることもできる。放射源ＳＯおよびイルミネータＩＬは、必要ならばビームデリバリシステムとともに、放射システムと呼んでもよい。
【００２６】
[0034]  イルミネータＩＬは、放射ビームの角強度分布を調節するアジャスタＡＤを含むことができる。一般に、イルミネータの瞳面内の強度分布の少なくとも外側および／または内側半径範囲（通常、それぞれσ-outerおよびσ-innerと呼ばれる）を調節することができる。さらに、イルミネータＩＬは、インテグレータおよびコンデンサといったさまざまな他のコンポーネントを含むことができる。イルミネータを使って放射ビームを調整すれば、放射ビームの断面に所望の均一性および強度分布をもたせることができる。
【００２７】
[0035]  放射ビームＢは、サポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴ上に保持されているパターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡ上に入射して、パターニングデバイスによってパターン形成される。パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡにより反射された後、放射ビームＢは投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上にビームの焦点をあわせる。第２ポジショナＰＷおよび位置センサＩＦ２（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、または静電容量センサ）を使って、例えば、異なるターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路内に位置決めするように、基板テーブルＷＴを正確に動かすことができる。同様に、第１ポジショナＰＭおよび別の位置センサＩＦ１を使い、パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡを放射ビームＢの経路に対して正確に位置決めすることもできる。マスクＭＡおよび基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１およびＭ２と、基板アライメントマークＰ１およびＰ２とを使って、位置合わせされてもよい。
【００２８】
[0036]  例示の装置は、以下に説明するモードのうち少なくとも１つのモードで使用できる。
【００２９】
[0037]  １．ステップモードにおいては、マスクテーブルＭＴおよび基板テーブルＷＴを基本的に静止状態に保ちつつ、放射ビームに付けられたパターン全体を一度にターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一静的露光）。その後、基板テーブルＷＴは、Ｘおよび／またはＹ方向に移動され、それによって別のターゲット部分Ｃを露光することができる。
【００３０】
[0038]  ２．スキャンモードにおいては、マスクテーブルＭＴおよび基板テーブルＷＴを同期的にスキャンする一方で、放射ビームに付けられたパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一動的露光）。サポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度および方向は、投影システムＰＳの（縮小）拡大率および像反転特性によって決めることができる。
【００３１】
[0039]  ３．別のモードにおいては、プログラマブルパターニングデバイスを保持した状態で、サポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴを基本的に静止状態に保ち、また基板テーブルＷＴを動かす、またはスキャンする一方で、放射ビームに付けられているパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する。このモードにおいては、通常、パルス放射源が採用されており、さらにプログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルＷＴの移動後ごとに、またはスキャン中の連続する放射パルスと放射パルスとの間に、必要に応じて更新される。この動作モードは、前述の型のプログラマブルミラーアレイといったプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。
【００３２】
[0040]  上述の使用モードの組合せおよび／またはバリエーション、あるいは完全に異なる使用モードもまた採用可能である。
【００３３】
[0041]  図２ａ〜２ｃは、極端紫外線（ＥＵＶ）放射を生成するように構成かつ配置された放射源１を備えるモジュールを示す。放射源１は、第１電極４および第２電極６が少なくとも部分的に含まれるチャンバ２を備える。電極４、６は、図２ｃに示すように、車輪形状であり、かつ各軸周りに回転可能であってよい。放射源１は、（図２ｃに示す）２つの槽８、９により形成される供給部も備え得て、槽８、９は、それぞれ、電極４、６の各々と接触する液体スズＳｎを含み得る。スズの代わりに、リチウムのような別の材料を使用してもよい。放射源１は、さらに、一方の電極４の表面１１上の場所Ｐを照射するように構成および配置されたレーザ１０を備える。
【００３４】
[0042]  放射源の動作中、電極４、６には電圧が印加される。電極４、６は、図２ｃに示すように、例えばそれぞれの方向ＱおよびＱ’に回転し得る。この回転のため、電極４、６はそれぞれの槽８、９により常に冷却され得る。槽８、９内のスズは、電極４、６に付着し、これにより各電極４、６上に膜４’、６’が形成される。図２ｃにおいて、一方の電極４について、電極に付着した液体スズが回転により場所Ｐまで運ばれ、そこでスズがレーザ１０により照射されることが示されている。レーザ１０により照射された液体スズはチャンバ２に放電ガスを提供する。２つの上記電極４、６上の電圧により、放電ガス内に放電が生成される。この放電から、ＥＵＶ放射を生成するいわゆるピンチ１２内にプラズマが生成される。
【００３５】
[0043]放射源１は、ピンチ１２で生成されたＥＵＶ放射を中間焦点ＩＦにフォーカスするように構成および配置されたコレクタ１６を備え得る。このようなコレクタ１６は、チャンバ２内に含まれ得る。コレクタ１６の例を図３ａ〜３ｃに示す。しかし、当業者には理解されるように、リソグラフィ装置では図３ａ〜３ｃに示す例以外のコレクタが好適な場合もある。
【００３６】
[0044]  図３ａは、互いに対して同軸上に配置され、かつ、かすめ角でＥＵＶ放射を反射するように構成および配置された複数のシェル形状ミラー１８により形成されるコレクタ１６を示す。
【００３７】
[0045]  図３ｂは、単一の法線入射ミラー２０により形成されるコレクタ１６を示す。ミラー２０は、ＥＵＶ放射を生成するプラズマがミラー２０と中間焦点ＩＦとの間に配置されるように配置される。
【００３８】
[0046]  図３ｃは、通常シュヴァルツシルトコレクタ１６と呼ばれるコレクタ１６を示す。このコレクタは、第１ミラー２２、第２ミラー２４を備える。
【００３９】
[0047]  イルミネータＩＬにより受光および調整され得る放射ビームを形成するのに使用されるＥＵＶ放射に加えて、ピンチ１２および電極４、６は、ＥＵＶ放射ビームの光軸に沿った下流側に配置されるあらゆる光学部品、特にコレクタ１６に衝突し得るかなりの量の粒子デブリを生成し得る。
【００４０】
[0048]  粒子放射によりコレクタ１６に与えられる損傷を軽減するために、ＥＵＶ放射の最大限の透過を確実にするべくプラズマの位置と位置合わせされた複数のブレードを使用して粒子を遮断するためのトラップデバイスを構築することが提案されている。
【００４１】
[0049]このようなトラップデバイスの可能な構成として、図２ａおよび２ｂに示すものがある。図２ａでは、トラップデバイス２６の第１部分が複数のブレード２８（図２ｂにより詳細に示す）を備えていることがわかる。ブレード２８は、生成されたＥＵＶ放射を透過させるためにピンチ１２と位置合わせされることが好ましい。しかし、ブレード２８は、第１電極４および／または第２電極６から放出されたあらゆる粒子が少なくともブレード２８の１つにより遮断することができるように、寸法決めおよび位置決めされる。
【００４２】
[0050]  トラップデバイス２６の第１部分の代わりに、またはこれに加えて、トラップデバイス２６は、複数の静止ラメラ（lamella）３０を備える第２部分を含んでもよい（図２ａ）。これらのラメラの各々は、ピンチ１２と位置合わせされ得る。ラメラ３０は、ピンチ１２から放出されるいずれの放射も妨害しないにもかかわらず、電極４、６から放出されるあらゆるデブリを捕捉するように寸法決めおよび位置決めされ得る。
【００４３】
[0051]  ピンチ１２から放出されるあらゆる粒子を遮断可能とするために、ブレード２８は、ピンチ１２から放出される粒子の移動方向を横断する方向に移動できるように回転可能に配置され得て、これによりブレード２８がピンチ１２から放出される粒子を遮断することが可能となる。
【００４４】
[0052]  図２ａの放射源は、ポンプデバイスＰを含み得る供給部３２を備える。供給部３２は、チャンバ２に水素および／またはヘリウムを提供するように構成および配置される。図２の実施形態では、供給部は、距離δをあけてピンチ１２の位置付近に配置される。距離δは約３ｃｍの値を有し得る。しかし、距離δについては、たとえば約５ｃｍの距離δの値または約１ｃｍの距離δの値など、他の値も好適な場合がある。
【００４５】
[0053]  供給部３２は、ピンチ１２の位置付近の位置に、約１Ｐａ〜約１０Ｐａ、または約１．５Ｐａ〜約１０Ｐａ、または約２Ｐａ〜約９Ｐａ、または約３．５Ｐａ〜約７Ｐａ、または約４Ｐａ〜約６Ｐａ、または約５Ｐａの分圧で水素および／またはヘリウムが存在し得るように構成され得る。しかし、これらの範囲外の他の好適な圧力を適用してもよい。
【００４６】
[0054]  電極４と電極６との間の少なくとも任意の放電が、本例ではスズである放電ガス以外の物質を介して起こるため、この水素および／またはヘリウムの存在が変換効率に悪影響をもたらすであろうと当業者は推測するものと思われる。
【００４７】
[0055]  驚くべきことに、変換効率、ひいてはＥＵＶ放射源のパワーに対するあらゆる悪影響は限られていることが分かっている。さらに、水素、ヘリウム、又はそれらの混合物をピンチ１２の近くに約１Ｐａ〜約１０Ｐａの分圧で提供することにより、ピンチ１２から放出されるデブリの量に特に有益な効果をもたらし得ることが示されている。
【００４８】
[0056]  放電付近の位置に水素および／またはヘリウムを存在させることは、水素がチャンバ２の全体に所定の圧力で存在していることを意味するものと解釈すべきではない。別の位置には別のガスが提供されることもある。例えば、トラップデバイス２８の第１部分の複数のブレード２８と第２部分の複数のラメラ３０との間の位置にアルゴンを供給してもよい。
【００４９】
[0057]  図４には、放射源１の一実施形態が示される。本実施形態は、図２ａに示す実施形態とかなり類似している。図４の実施形態は、水素、ヘリウム、またはそれらの混合物の分圧を測定するように構成および配置された圧力センサ３４と、出口３６と、放電付近の位置から出口３６を介してガスを送出するように構成および配置されたさらなるポンプデバイスＰ’と、を備え得る。さらに、本実施形態は、水素、ヘリウム、またはそれらの混合物の分圧を圧力センサ３４の測定値に基づいて所定の分圧に維持するべく両方のポンプデバイスＰ、Ｐ’を制御するように構成された圧力制御装置Ｓを備える。
【００５０】
[0058]  動作中、センサ３４は、水素、ヘリウム、またはそれらの混合物の分圧を測定する。センサ３４が測定した分圧が低すぎる場合、圧力制御装置Ｓは、ポンプデバイスＰのポンプ能力を増加させ得る、および／または、ポンプデバイスＰ’のポンプ能力を減少させ得る。結果として、分圧を好適なレベルまで上昇させることができる。
【００５１】
[0059]  一方、センサ３４が測定した分圧が高すぎる場合、圧力制御装置Ｓは、ポンプデバイスＰのポンプ能力を減少させ得る、および／または、ポンプデバイスＰ’のポンプ能力を増加させ得る。結果として、分圧を好適なレベルまで低下させることができる。
【００５２】
[0060]  水素、ヘリウム、またはそれらの混合物から成る群から選択されるガスの分圧を維持するために好適な分圧範囲は、ピンチ１２に近い位置で、約１Ｐａ〜約１０Ｐａ、または約１．５Ｐａ〜約１０Ｐａ、または約２Ｐａ〜約９Ｐａ、または約３．５Ｐａ〜約７Ｐａ、または約４Ｐａ〜約６Ｐａ、または約５Ｐａである。
【００５３】
[0061]  本明細書において、ＩＣ製造におけるリソグラフィ装置の使用について具体的な言及がなされているが、本明細書記載のリソグラフィ装置が、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイダンスパターンおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド等の製造といった他の用途を有し得ることが理解されるべきである。
【００５４】
[0062]  光リソグラフィの関連での本発明の実施形態の使用について上述のとおり具体的な言及がなされたが、当然のことながら、本発明は、他の用途、例えば、インプリントリソグラフィに使われてもよく、さらに状況が許すのであれば、光リソグラフィに限定されることはない。
【００５５】
[0063]  本明細書で使用される「放射」および「ビーム」という用語は、紫外線（ＵＶ）（例えば、３６５ｎｍ、３５５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ、または１２６ｎｍの波長、またはおよそこれらの値の波長を有する）、および極端紫外線（ＥＵＶ）（例えば、５〜２０ｎｍの範囲の波長を有する）、ならびにイオンビームや電子ビームなどの微粒子ビームを含むあらゆる種類の電磁放射を包含している。
【００５６】
[0064]  以上、本発明の具体的な実施形態を説明してきたが、本発明は、上述以外の態様で実施できることが明らかである。例えば、本発明は、上記に開示した方法を表す１つ以上の機械読取可能命令のシーケンスを含むコンピュータプログラムの形態、またはこのようなコンピュータプログラムが記憶されたデータ記憶媒体（例えば、半導体メモリ、磁気ディスクまたは光ディスク）の形態であってもよい。
【００５７】
[0065]  上記の説明は、制限ではなく例示を意図したものである。したがって、当業者には明らかなように、以下に記載する特許請求の範囲を逸脱することなく本記載の発明に変更を加えてもよい。
【図１】
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【図２ａ】
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【図２ｂ】
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【図２ｃ】
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【図３ａ】
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【図３ｂ】
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【図３ｃ】
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【図４】
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【国際調査報告】
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