(57)【要約】  低価値残留ガス、好ましくはＲＯＧから出発する少なくとも１つのエチレン誘導体化合物の製造方法であって、ａ）低価値残留ガスが、その中に存在する望ましくない成分を除去するためにならびにエチレンおよび他の成分を含有する生成物の混合物を得るために低価値残留ガス回収装置での一連の処理工程にかけられ；ｂ）生成物の前記混合物が、エチレンの一部を含有する、エチレンより軽質である化合物に富む画分（画分Ａ）へ、エチレンに富む画分（画分Ｂ）へおよび重質画分（画分Ｃ）へ分離され；ｃ）画分Ａおよび画分Ｂが別々に少なくとも１つのエチレン誘導体化合物の製造に搬送される方法。【特許請求の範囲】
【請求項１】
低価値残留ガスから出発する少なくとも１つのエチレン誘導体化合物の製造方法であって、
ａ）低価値残留ガスが、その中に存在する望ましくない成分を除去するためにならびにエチレンおよび他の成分を含有する生成物の混合物を得るために低価値残留ガス回収装置での一連の処理工程にかけられ；
ｂ）生成物の前記混合物が、エチレンの一部を含有する、エチレンより軽質である化合物に富む画分（画分Ａ）へ、エチレンに富む画分（画分Ｂ）へおよび重質画分（画分Ｃ）へ分離され；
ｃ）画分Ａおよび画分Ｂが別々に少なくとも１つのエチレン誘導体化合物の製造に搬送される
方法。
【請求項２】
工程ａ）およびｂ）の後に、
ｃ）画分Ａおよび画分Ｂのうちの一方の画分が、任意選択的にアセチレン水素化にかけられた後に、１，２−ジクロロエタンのおよび任意選択的にそれから誘導される任意の化合物の製造に搬送され、そして一方では、他方の画分が、１，２−ジクロロエタンとは異なるエチレンから出発して直接製造される少なくとも１つのエチレン誘導体化合物のおよび任意選択的にそれから誘導される任意の化合物の製造に搬送される
請求項１に記載の方法。
【請求項３】
工程ａ）およびｂ）の後に、
ｃ）画分Ａおよび画分Ｂが両方とも、任意選択的にアセチレン水素化にかけられた後に、１，２−ジクロロエタンのおよび任意選択的にそれから誘導される任意の化合物の製造に搬送される
請求項１に記載の方法。
【請求項４】
工程ａ）およびｂ）の後に、
ｃ）任意選択的にアセチレン水素化にかけられた後に、画分Ａが塩素化反応器に、そして画分Ｂがオキシ塩素化反応器に搬送され、それらの反応器で画分ＡおよびＢ中に存在するエチレンのほとんどが１，２−ジクロロエタンに転化される；ならびに
ｄ）得られた１，２−ジクロロエタンが塩素化およびオキシ塩素化反応器に由来する生成物の流れから分離される
請求項３に記載の方法。
【請求項５】
１，２−ジクロロエタンが塩化ビニルを生成するためにＤＣＥ分解工程にかけられることを特徴とする請求項２〜４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
塩化ビニルがＰＶＣを生成するために重合されることを特徴とする請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記低価値残留ガスが製油所オフガスであることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
前記製油所オフガスが少なくとも１つの流動接触分解装置で生成されることを特徴とする請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記低価値残留ガスが、エチレンおよび／またはそれの前駆体を含有する数種のガスの混合物であり、１０〜６０重量％のエチレンを含むことを特徴とする請求項１〜８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
前記低価値残留ガスが乾燥ガス１ｋｇ当たり２０〜７５ＭＪの範囲の低位発熱量で特徴づけられる請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
画分Ｂが、画分Ｂの全体積に対して６０体積％〜９９．５体積％のエチレンを含有することを特徴とする請求項１〜１０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
画分Ａが、画分Ｂのエチレンの体積含有率の１０％〜９０％を表わすようなものである体積含有率のエチレンを含有することを特徴とする請求項１〜１１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１３】
画分Ｃが燃料として燃やされるかまたは化学的に付加価値化されることを特徴とする請求項１〜１２のいずれか一項に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、少なくとも１つのエチレン誘導体化合物の製造方法に、特に１，２−ジクロロエタン（ＤＣＥ）のおよびＤＣＥとは異なるエチレンから出発して直接製造される少なくとも１つのエチレン誘導体化合物の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
今日まで、９９．８％純度を超えるエチレンが、エチレン誘導体化合物の、特にＤＣＥの製造のために通常使用されている。非常に高い純度のこのエチレンは、様々な石油製品の分解、引き続く分解の他の生成物からエチレンを単離し、そして非常に高い純度の製品を得るための多数の複雑な、費用のかかる分離操作によって得られる。
【０００３】
かかる高純度のエチレンの生産に関連した高いコストを鑑みて、９９．８％未満の純度を有するエチレンを使用する、エチレン誘導体化合物、特にＤＣＥの様々な製造方法が開発されてきた。これらの方法は、分解から生じた生成物を分離する過程を簡略化することによって、このようにしてエチレン誘導体化合物、特にＤＣＥの製造にとって何の利益もない複雑な分離を放棄することによってコストを削減するという利点を有する。
【０００４】
例えば、国際公開第００／２６１６４号パンフレットは、エチレンの塩素化と結び付いたエタンの簡略化分解によるＤＣＥの製造方法を記載している。この趣旨で、エチレン塩素化工程は、エタンの分解中に得られた不純物の存在下に行われる。
【０００５】
国際公開第０３／０４８０８８号パンフレットは、エタンの脱水素を用いた塩素との化学反応用の低濃度エチレンの製造を記載している。エタン負荷ガス流れは、水素およびメタンのみならず、多量の未転化エタンをも含有する。この方法の経済的デザインのためには、未転化エタンは、複雑な清浄化工程の後にエタン脱水素にフィードバックしなければならない。この方法は、供給原料としてエタンを使用できるにすぎない。重大な不利点は、水素、プロピレン、ブタジエンなどのガス流れのさらなる成分が非常に特別なプロセスでエチレンを使用するのを可能にするにすぎないという事実だけでなく、エチレンの非常に低い濃度−６０％未満−である。
【０００６】
さらに、国際公開第２００６／０６７１８８号パンフレット、同第２００６／０６７１９０号パンフレット、同第２００６／０６７１９１号パンフレット、同第２００６／０６７１９２号パンフレット、同第２００６／０６７１９３号パンフレットおよび同第２００７／１４７８７０号パンフレットは、先ず簡略化分解にかけられる、炭化水素源、特にナフサ、ガスオイル、天然ガス液、エタン、プロパン、ブタン、イソブタンまたはそれらの混合物から出発するＤＣＥの製造方法を記載している。国際公開第２００８／０００７０５号パンフレット、同第２００８／０００７０２号パンフレットおよび同第２００８／０００６９３号パンフレットは、一方で、先ず接触オキシ脱水素にかけられるエタンの流れから出発するＤＣＥの製造方法を記載している。その目標が９９．８％未満の純度を有するエチレンを製造し、使用することである、上述の特許出願に記載されている方法は、しかしながら、生産コストの増大をもたらす重大な投資を必要とする分解のまたは接触オキシ脱水素の第１工程を必要とするという、およびさらに高価な炭化水素源の使用を伴うという不利点を示す。
【０００７】
製油所で（製油所の流動接触分解（ＦＣＣ）装置、コーカー装置などで）生成する製油所オフガス（石油化学オフガスとも呼ばれる）などの低価値残留ガスは通常、オレフィン含有率が比較的低く、かつ、かかる回収プロセスと関連したコストが余りにも高いので、それに含有されるオレフィンのいかなる回収もなしに、例えば製油所内で、燃やされ、燃料として使用されている。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明の目標は、一方で、９９．８％未満の純度のエチレンを使用する、少なくとも１つのエチレン誘導体化合物の、特に少なくともＤＣＥの製造方法であって、９９．８％未満の純度を有するエチレンを使用する上述の方法の不利点を示さず、かつ、通常燃やされ、燃料として使用されている製油所オフガスなどの低価値残留ガスの付加価値化（ｖａｌｏｒｉｚａｔｉｏｎ）を可能にする方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
この趣旨で、本発明は、低価値残留ガスから出発する少なくとも１つのエチレン誘導体化合物の製造方法であって、
ａ）低価値残留ガスが、その中に存在する望ましくない成分を除去するためにならびにエチレンおよび他の成分を含有する生成物の混合物を得るために低価値残留ガス回収装置での一連の処理工程にかけられ；
ｂ）生成物の前記混合物が、エチレンの一部を含有する、エチレンより軽質である化合物に富む画分（画分Ａ）へ、エチレンに富む画分（画分Ｂ）へおよび重質画分（画分Ｃ）へ分離され；
ｃ）画分Ａおよび画分Ｂが別々に少なくとも１つのエチレン誘導体化合物の製造に搬送される
方法に関する。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
表現「少なくとも１つのエチレン誘導体化合物」は、本発明の目的のためには、１つ以上のエチレン誘導体化合物が本発明による方法によって製造され得ることを意味すると理解される。
【００１１】
単数形でまたは複数形で本明細書で以下用いられる、表現「エチレン誘導体化合物」は、本発明の目的のためには、エチレンから出発して直接製造される任意のエチレン誘導体化合物ならびにそれから誘導される任意の化合物を意味すると理解される。
【００１２】
単数形でまたは複数形で本明細書で以下用いられる、表現「エチレンから出発して直接製造されるエチレン誘導体化合物」は、本発明の目的のためには、エチレンから直接製造される任意の化合物を意味すると理解される。
【００１３】
単数形でまたは複数形で本明細書で以下用いられる、表現「それから誘導される化合物」は、本発明の目的のためには、エチレンから製造される１つの化合物そのものから製造される任意の化合物ならびにそれから誘導される任意の化合物を意味すると理解される。
【００１４】
エチレンから出発して直接製造されるかかるエチレン誘導体化合物の例として、とりわけ、エチレンオキシド、線状アルファ−オレフィン、線状第一級アルコール、エチレンのホモポリマーおよびコポリマー、エチルベンゼン、酢酸ビニル、アセトアルデヒド、エチルアルコール、プロピオンアルデヒドおよびＤＣＥが挙げられてもよい。
【００１５】
それから誘導されるかかる化合物の例として、とりわけ、
−  エチレンオキシドから製造されるグリコールおよびエーテル、
−  エチルベンゼンから製造されるスチレンおよびスチレンから誘導されるスチレンのポリマー、
−  ＤＣＥから製造されるＶＣ、
−  ＶＣから誘導される塩化ビニリデン、フッ素化炭化水素およびＰＶＣならびにフッ素化炭化水素から誘導されるフッ素化ポリマー、ならびに
−  塩化ビニリデンから誘導されるポリ塩化ビニリデンおよびフッ素化炭化水素（およびフッ素化ポリマー）
が挙げられてもよい。
【００１６】
本発明による方法は、低価値残留ガスから出発する方法である。
【００１７】
単数形で本明細書で以下用いられる、表現「低価値残留ガス」（ＬＶＲＧ）は、本発明の目的のためには、その目標が少なくとも１つの可燃性液体を製造することである装置で副生物として生成するオフガスである、エチレンおよび／またはそれの前駆体を含有する１つのガスまたは数種のガスの混合物を意味すると理解され；ＬＶＲＧは、１０重量％超の永久ガスから構成される。
【００１８】
表現「ガス」は、本発明の目的のためには、爆発予防システム（Ｅｘｐｌｏｓｉｏｎ  Ｐｒｅｖｅｎｔｉｏｎ  Ｓｙｓｔｅｍｓ）に関するＮＦＰＡ６９標準（ＮＦＰＡ６９  Ｓｔａｎｄａｒｄ）、１９９７年版によって与えられる定義、すなわち、完全な分子運動性および無制限の拡大で特徴づけられる物質の状態の意味で理解されるべきである。
【００１９】
表現「前駆体」は、本発明の目的のためには、エチレン以外の２個の炭素原子を含有する任意の炭化水素化合物、特にエタン、エタノールおよびアセチレン、より特にエタンおよびアセチレンを意味すると理解される。
【００２０】
表現「可燃性液体」は、本発明の目的のためには、その封入圧力下に２１℃で少なくとも部分的に液体であり、かつ、燃焼を受けることができる、炭素、水素および多分酸素を含有する任意の炭化水素画分を意味すると理解される。
【００２１】
表現「燃焼」は、本発明の目的のためには、Ｅｘｐｌｏｓｉｏｎ  Ｐｒｅｖｅｎｔｉｏｎ  Ｓｙｓｔｅｍｓに関するＮＦＰＡ６９  Ｓｔａｎｄａｒｄ、１９９７年版によって与えられる定義、すなわち、白熱か火炎かのどちらかの形態で、熱および通常光を生成するのに十分に速い速度で起こる酸化の化学プロセスの意味で理解されるべきである。
【００２２】
表現「永久ガス」は、本発明の目的のためには、その臨界温度が０℃未満であり、かつ、簡単な圧縮によって液化できない任意のガスを意味すると理解される。永久ガスの例は、水素、酸素、窒素、アルゴン、一酸化炭素およびメタンである。
【００２３】
ＬＶＲＧは、可燃性液体を製造するために炭化水素源を処理する少なくとも１種類の装置で製造することができる。かかる装置は、炭化水素源熱分解、水素化熱分解、接触熱分解、電気アーク熱分解、フィッシャー−トロプシュ（Ｆｉｓｃｈｅｒ−Ｔｒｏｐｓｃｈ）合成または製油装置であり得る。炭化水素源は、石炭、褐炭および木材のような固体源、油（石油）およびナフサのような液体源、または合成ガスまたは油田および／またはガス田からの残留ガスのようなガス状源であり得る。かかるＬＶＲＧは通常、燃料として燃やされるかまたはフレアにされる。
【００２４】
表現「炭化水素源を処理する少なくとも１種類の装置」は、本発明の目的のためには、ＬＶＲＧが炭化水素源を処理する１種類の装置で、または炭化水素源を処理する数種類の装置で製造できることを意味すると理解される。好ましくは、ＬＶＲＧは、炭化水素源を処理する１種類の装置で製造される。
【００２５】
ＬＶＲＧは有利には、大気圧より上の圧力に、好ましくは大気圧とそれが発生する装置の圧力との間に含まれる圧力にある。
【００２６】
本発明による方法にとって特に好ましいＬＶＲＧは、通常製油所オフガスと呼ばれる（石油化学オフガスとも呼ばれる）、本明細書で以下ＲＯＧと称される、製油所で生成するＬＶＲＧである。
【００２７】
本発明による方法はそれ故好ましくは、ＲＯＧから出発する方法である。
【００２８】
ＲＯＧは、製油所に存在する１つ以上の装置で製造することができる。ＲＯＧは好ましくは、製油所に存在する次の装置：流動接触分解（ＦＣＣ）、コーカー（ディレードコーカー、フルードコーカー、フレキシコーカー）、ガスプラント、改質装置、水素添加分解装置、水素化処理装置および水素化脱硫（ＨＤＳ）の少なくとも１つで製造される。ＲＯＧはより好ましくは、少なくとも１つのＦＣＣ装置で製造される。
【００２９】
ＲＯＧは、１つの製油所でまたは幾つかの製油所で製造することができる。
【００３０】
最も好ましくは、ＲＯＧは、１つの製油所で、特に好ましくは１つのＦＣＣ装置で製造される。
【００３１】
ＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧは通常、とりわけ：
−  水素、メタン、エタン、エチレン、プロパン、プロピレン、４、５もしくは６個の炭素原子を含有する炭化水素、重質Ｃ６＋および硫化水素；
−  窒素、アルゴン、二酸化炭素および水；
−  酸素、一酸化炭素および窒素酸化物；
−  塩化水素、シアン化水素、アンモニア、窒化物、ニトリル、硫化カルボニル、メルカプタンおよびスルフィドのような１分子当たり１原子の硫黄を含有する有機化合物、ジスルフィドのような２原子以上の硫黄を含有する有機化合物、硫黄酸化物、アセチレン、プロパジエン、メチルアセチレン、ブタジエン、ジエタノールアミン、メタノール、ホスフィン、塩素を含有する他の無機化合物および窒素を含有する有機化合物；ならびに
−  ヒ素（アルシンのような）、水銀、バナジウム、臭素、フッ素、ケイ素、アルミニウムおよび金属カルボニル
を含む。
【００３２】
エチレンを除いて上述の成分は全て、望ましくない成分と称することができる。表現「望ましくない成分」は、本発明の目的のためには、それらが本方法の以下の工程の少なくとも１つにとって有害である場合に、少なくとも部分的に除去されるべきである成分全てを意味すると理解される。
【００３３】
これらの望ましくない成分は、とりわけ：
−  水素、メタン、エタン、プロパン、４、５もしくは６個の炭素原子を含有する炭化水素、重質Ｃ６＋のような可燃性ガス；
−  窒素およびアルゴンのような不活性ガス；
−  酸素および窒素酸化物のような含酸素合物；
−  二酸化炭素、硫化水素、水、塩化水素、シアン化水素、アンモニア、窒化物、ニトリル、硫化カルボニル、メルカプタンおよびスルフィドのような１分子当たり１原子の硫黄を含有する有機化合物ならびに硫黄酸化物のような腐食性化合物；
−  プロピレン、アセチレン、プロパジエン、メチルアセチレン、ブタジエン、ジエタノールアミン、メタノール、ホスフィン、塩素を含有する他の無機化合物、窒素を含有する有機化合物、ジスルフィドのような１分子当たり２原子以上の硫黄を含有する有機化合物ならびに一酸化炭素のような反応性化合物；ならびに
−  ヒ素（アルシンのような）、水銀、バナジウム、臭素、フッ素、ケイ素、アルミニウムおよび金属カルボニルのような触媒毒化合物
のように分類することができる。
【００３４】
これらの望ましくない成分はまた、とりわけ：
１．少なくとも工程ｂ）にとって有害であり得る、かつ、有利には工程ａ）中に実質的に除去される望ましくない成分、すなわち、
−  二酸化炭素、硫化水素、水、塩化水素、シアン化水素、アンモニア、窒化物、ニトリル、硫化カルボニル、メルカプタンおよびスルフィドのような１分子当たり１原子の硫黄を含有する有機化合物ならびに硫黄酸化物のような腐食性化合物；
−  ヒ素（アルシンのような）、水銀、バナジウム、臭素、フッ素、ケイ素、アルミニウムおよび金属カルボニルのような触媒毒化合物。
２．工程ｂ）内では受け入れることができるが、工程ｂ）に続く本方法の工程の少なくとも１つにとって有害であり得る、かつ、工程ａ）中に少なくとも部分的に多分除去することができる望ましくない成分、すなわち、
−  水素、メタン、エタン、プロパン、４、５もしくは６個の炭素原子を含有する炭化水素、重質Ｃ６＋のような可燃性ガス；
−  窒素およびアルゴンのような不活性ガス；
−  酸素および窒素酸化物のような含酸素合物；ならびに
−  プロピレン、アセチレン、プロパジエン、メチルアセチレン、ブタジエン、ジエタノールアミン、メタノール、ホスフィン、塩素を含有する他の無機化合物、窒素を含有する有機化合物、ジスルフィドのような１分子当たり２原子以上の硫黄を含有する有機化合物ならびに一酸化炭素のような反応性化合物
のように分類することができる。
【００３５】
表現「少なくとも部分的に除去される」は、本発明の目的のためには、工程ａ）に供給されるおよび／または工程ａ）中に形成される、ＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧ中に存在する各望ましくない成分の量の有利には少なくとも２５％、好ましくは少なくとも４０％、より好ましくは少なくとも５０％が除去されることを意味すると理解される。有利には、工程ａ）に供給されるおよび／または工程ａ）中に形成される、ＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧ中に存在するかかる各望ましくない成分の量の多くとも９０％が除去される。
【００３６】
表現「実質的に除去される」は、本発明の目的のためには、工程ａ）に供給されるおよび／または工程ａ）中に形成される、ＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧ中に存在する各望ましくない成分の量の有利には少なくとも９５％、好ましくは少なくとも９８％、より好ましくは少なくとも９９％が除去されることを意味すると理解される。
【００３７】
ＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧについて本明細書で以下与えられる組成は、乾燥ガス基準（水が含まれない）で表される。上述のように、ＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧは、エチレンおよび／またはそれの前駆体を含有する１つのガスまたは数種のガスの混合物（組み合わせＬＶＲＧ）であることができる。個々のＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧについて言及するときに本明細書で以下与えられる組成は、ＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧがエチレンおよび／またはそれの前駆体を含有する１つのガスである場合に相当する。組み合わせＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧについて言及するとき、組成は、ＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧがエチレンおよび／またはそれの前駆体を含有する数種のガスの混合物である場合に相当する。
【００３８】
個々のＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧは、有利には０．２５〜６０重量％のエチレンを含む。ＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧは、有利には少なくとも０．２５重量％、好ましくは少なくとも２重量％、より好ましくは少なくとも５重量％、最も好ましくは少なくとも８重量％、特に好ましくは少なくとも１０重量％のエチレンを含む。ＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧは、有利には多くとも６０重量％、好ましくは多くとも５５重量％、より好ましくは多くとも５０重量％、最も好ましくは多くとも４８重量％のエチレンを含む。
【００３９】
組み合わせＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧは、有利には１０〜６０重量％のエチレンを含む。ＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧは、有利には少なくとも１０重量％、好ましくは少なくとも１５重量％、より好ましくは少なくとも１８重量％、最も好ましくは少なくとも２０重量％のエチレンを含む。ＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧは、有利には多くとも６０重量％、好ましくは多くとも５５重量％、より好ましくは多くとも５０重量％、最も好ましくは多くとも４８重量％のエチレンを含む。
【００４０】
個々のＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧは、有利には３〜６０重量％のエチレンとその前駆体を含む。ＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧは、有利には少なくとも３重量％、好ましくは少なくとも５重量％、より好ましくは少なくとも８重量％、最も好ましくは少なくとも１０重量％のエチレンとその前駆体を含む。ＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧは、有利には多くとも６０重量％、好ましくは多くとも５５重量％、より好ましくは多くとも５０重量％、最も好ましくは多くとも４８重量％のエチレンと前駆体を含む。
【００４１】
組み合わせＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧは、有利には１０〜６０重量％のエチレンとその前駆体を含む。ＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧは、有利には少なくとも１０重量％、好ましくは少なくとも１５重量％、より好ましくは少なくとも２０重量％、最も好ましくは少なくとも２２重量％、さらに最も好ましくは少なくとも２２．５重量％のエチレンと前駆体を含む。ＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧは、有利には多くとも６０重量％、好ましくは多くとも５５重量％、より好ましくは多くとも５０重量％、最も好ましくは多くとも４８重量％のエチレンと前駆体を含む。
【００４２】
個々のＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧは、乾燥ガス１ｋｇ当たり有利には１０〜９０ＭＪの範囲の低位発熱量で特徴づけられる。ＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧは、乾燥ガス１ｋｇ当たり有利には少なくとも１０ＭＪ、好ましくは少なくとも１２ＭＪ、より好ましくは少なくとも１５ＭＪの低位発熱量で特徴づけられる。ＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧは、乾燥ガス１ｋｇ当たり有利には多くとも９０ＭＪ、好ましくは多くとも８５ＭＪ、より好ましくは多くとも８０ＭＪの低位発熱量で特徴づけられる。
【００４３】
組み合わせＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧは、乾燥ガス１ｋｇ当たり有利には２０〜７５ＭＪの範囲の低位発熱量で特徴づけられる。ＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧは、乾燥ガス１ｋｇ当たり有利には少なくとも２０ＭＪ、好ましくは少なくとも２５ＭＪ、より好ましくは少なくとも３０ＭＪ、最も好ましくは少なくとも３５ＭＪの低位発熱量で特徴づけられる。ＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧは、乾燥ガス１ｋｇ当たり有利には多くとも７５ＭＪ、好ましくは多くとも７０ＭＪ、より好ましくは多くとも６０ＭＪ、最も好ましくは多くとも５５ＭＪの低位発熱量で特徴づけられる。
【００４４】
個々のＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧは、有利には多くとも９０体積％、好ましくは多くとも８５体積％、より好ましくは多くとも８０体積％、最も好ましくは多くとも７５体積％の不活性ガスを含む。
【００４５】
組み合わせＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧは、有利には多くとも２５体積％、好ましくは多くとも２０体積％、より好ましくは多くとも１８体積％、最も好ましくは多くとも１５体積％の不活性ガスを含む。
【００４６】
組み合わせＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧは、有利には多くとも２５体積％、好ましくは多くとも２０体積％、より好ましくは多くとも１８体積％、最も好ましくは多くとも１５体積％の窒素を含む。
【００４７】
個々のＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧは、ガス混合物を可燃性にするのに必要とされるレベルより有利には低いまたは高い（だから可燃性領域の外側の）、好ましくは多くとも２１体積％、より好ましくは多くとも１８体積％、最も好ましくは多くとも１５体積％の総量で含酸素合物を含む。
【００４８】
組み合わせＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧは、有利にはガス混合物を可燃性にするのに必要とされるレベルより低い、好ましくは多くとも１０体積％、より好ましくは多くとも７体積％、最も好ましくは多くとも５体積％の総量で含酸素合物を含む。
【００４９】
組み合わせＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧは、有利には多くとも９体積％、好ましくは多くとも７体積％、より好ましくは多くとも５体積％の量で酸素を含む。
【００５０】
個々のＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧは、有利には多くとも５０体積％、好ましくは多くとも４０体積％、より好ましくは多くとも３５体積％の総量で腐食性化合物を含む。
【００５１】
組み合わせＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧは、有利には多くとも２０体積％、好ましくは多くとも１５体積％、より好ましくは多くとも１０体積％の総量で腐食性化合物を含む。
【００５２】
組み合わせＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧは、有利には多くとも１０体積％、好ましくは多くとも８体積％、より好ましくは多くとも５体積％の個々の量で各腐食性化合物を含む。
【００５３】
個々のＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧは、有利には多くとも４０体積％、好ましくは多くとも３５体積％、より好ましくは多くとも３３体積％の総量で反応性化合物を含む。
【００５４】
組み合わせＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧは、有利には多くとも２０体積％、好ましくは多くとも１８体積％、より好ましくは多くとも１５体積％の総量で反応性化合物を含む。
【００５５】
組み合わせＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧは、有利には多くとも１５体積％、好ましくは多くとも１２体積％、より好ましくは多くとも１０体積％の個々の量で各反応性化合物を含む。
【００５６】
組み合わせＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧは、有利には多くとも５体積％、好ましくは多くとも３体積％、より好ましくは多くとも２体積％の量で一酸化炭素を含む。
【００５７】
個々のＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧは、有利には多くとも２００体積ｐｐｍ、好ましくは多くとも１００体積ｐｐｍ、より好ましくは多くとも５０体積ｐｐｍの総量で触媒毒化合物を含む。
【００５８】
組み合わせＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧは、有利には多くとも５体積ｐｐｍ、好ましくは多くとも２体積ｐｐｍ、より好ましくは多くとも１体積ｐｐｍの総量で触媒毒化合物を含む。
【００５９】
組み合わせＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧは、有利には多くとも５００体積ｐｐｂ、好ましくは多くとも３００体積ｐｐｂ、より好ましくは多くとも２００体積ｐｐｂの個々の体積で触媒毒化合物を含む。
【００６０】
本発明による、ＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧから出発する、少なくとも１つのエチレン誘導体化合物の製造方法、特にＤＣＥのおよびＤＣＥとは異なるエチレンから出発して直接製造される少なくとも１つのエチレン誘導体化合物の製造方法において、ＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧは、その中に存在する望ましくない成分を除去するためにならびに工程ｂ）にかけられるエチレンおよび他の成分を含有する生成物の混合物を得るためにＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧ回収装置で一連の処理工程（工程ａ））にかけられる。
【００６１】
ＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧが数種のガスの混合物であるとき、異なるガスが全て工程ａ）における同じ一連の処理工程にかけられてもよく、それらのそれぞれが工程ａ）における専用の一連の処理工程にかけられてもよいかまたはそれらのそれぞれが、工程ａ）における専用の一連の処理工程と共通の一連の処理工程との組み合わせにかけられてもよい。好ましくは、それらのそれぞれが工程ａ）における専用の一連の処理工程と共通の一連の処理工程との組み合わせにかけられる。
【００６２】
工程ａ）におけるＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧ回収装置での一連の処理工程は有利には、それらが列挙される順番に必ずしも行われない、以下の工程：
ａ１）任意選択的に圧縮工程、
ａ１ｂｉｓ）任意選択的に１つまたは幾つかの除塵工程、
ａ２）腐食性化合物除去、
ａ３）触媒毒化合物除去、
ａ４）任意選択的に冷却、
ａ５）任意選択的に可燃性ガスの幾つかの少なくとも部分的な除去、
ａ６）任意選択的に不活性ガスの幾つかの少なくとも部分的な除去、
ａ７）任意選択的に含酸素化合物の幾つかの少なくとも部分的な除去；および
ａ８）任意選択的に反応性化合物の幾つかの少なくとも部分的な除去
からなる。
【００６３】
圧縮工程（工程ａ１））は任意選択的に行われる。
【００６４】
存在するとき、ＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧの圧縮工程は有利には、圧力を少なくとも８ｋｇ／ｃｍ２・ｇ、好ましくは少なくとも１０ｋｇ／ｃｍ２・ｇ、より好ましくは少なくとも１２ｋｇ／ｃｍ２・ｇ、最も好ましくは少なくとも１４ｋｇ／ｃｍ２・ｇに、そして有利には高くても６０ｋｇ／ｃｍ２・ｇ、好ましくは高くても５５ｋｇ／ｃｍ２・ｇ、より好ましくは高くても５０ｋｇ／ｃｍ２・ｇ、最も好ましくは高くても４５ｋｇ／ｃｍ２・ｇに上げる。
【００６５】
工程ａ１）は好ましくは、多段ガス圧縮機でか幾つかの圧縮機でかのどちらかで、数段階で行われる。液滴分離は好ましくは圧縮工程ａ１）の前に行われる。
【００６６】
各圧縮段階での圧縮比は、圧縮段階の出口での温度が有利には高くても１５０℃の、好ましくは高くても１２０℃の、より好ましくは高くても１００℃のものであるようなものである。この段階を出るガスは後で有利には、冷却媒体での間接冷却によって冷却される。冷却媒体は有利には、冷却塔水、冷水、大気空気およびプロセスから出るより冷たいガスの中から選択される。冷却媒体は好ましくは、冷却塔水および大気空気の中から選択される。冷却流体はより好ましくは冷却塔水である。
【００６７】
ガスは有利には、５０℃より下、好ましくは４８℃より下、より好ましくは４５℃より下に、しかし有利には、０℃以上、好ましくは５℃以上、より好ましくは１０℃以上に冷却される。
【００６８】
冷却の終わりに、幾らかの凝縮物が生成し得るであろう。幾らかの凝縮物が生成する場合、それらは分離できるかまたは分離できない。それらは好ましくは分離される。凝縮物は有利には、圧力放出、好ましくは上流段階の圧力での圧力放出によって脱ガスされる。分離した液体のストリッピングは、揮発性画分を回収するために行うことができる。生成したガスはより好ましくは、上流段階のガスと共にリサイクルされる。
【００６９】
ガス中に存在するかまたは前処理工程のいずれかによって発生した固体粒子は任意選択的に、好適な操作、すなわち、１つまたは幾つかの除塵工程（除塵工程ａ１ｂｉｓ））によって除去することができる。好適な操作の中に、例えば、重力沈降、衝突、サイクロンの使用、濾過、エレクトロ濾過および／または電気沈殿が挙げられてもよい。サイクロンの使用、濾過およびエレクトロ濾過が好ましい。
【００７０】
腐食性化合物除去（工程ａ２））は、それぞれが１つまたは幾つかの工程を含む、１つまたは幾つかのグループの工程で行われてもよい。
【００７１】
第１グループの工程（工程ａ２ａ））は有利には、吸収の１つまたは幾つかの工程を含む。
【００７２】
吸収は有利には、アミン（好ましくはアルカノールアミン）溶液のような再生可能な溶液での吸収、メタノールもしくはジメチルエーテルポリエチレングリコールのような好適な溶媒での物理吸収、またはアルカリ性溶液でガス洗浄することによって行われる化学反応での吸収である。
【００７３】
アルカリは好ましくは水酸化物、酸化物または炭酸塩である。アルカリの例は、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、炭酸ナトリウムおよび炭酸カリウムである。
【００７４】
吸収による腐食性化合物除去（工程ａ２ａ））は好ましくは、アミン、好ましくはアルカノールアミンの再生可能な溶液での吸収、引き続くアルカリ性溶液（苛性／水洗浄塔）、好ましくは水酸化ナトリウム溶液での吸収である第１工程を含む。
【００７５】
再生可能な溶液は、再生されてもされなくてもよい。再生が行われる場合、それは有利には、特に二酸化炭素と硫化水素とを分離するために、１つまたは幾つかの段階で起こる。再生可能な溶液は好ましくは再生され、より好ましくは２段階で再生される。
【００７６】
吸収による腐食性化合物除去（工程ａ２ａ））はより好ましくは、２段階で再生される、アミン、好ましくはアルカノールアミンの再生可能な溶液での吸収、引き続くアルカリ性溶液（苛性／水洗浄塔）、好ましくは水酸化ナトリウム溶液での吸収である第１工程を含む。
【００７７】
かかる工程ａ２ａ）によって少なくとも部分的に除去することができる腐食性化合物は有利には、硫化水素、塩化水素、硫化カルボニル、シアン化水素、二酸化炭素、アンモニアならびにメルカプタンおよびスルフィドのような１分子当たり１原子の硫黄を含有する有機化合物である。
【００７８】
あるいはまた、メルカプタンおよびスルフィドのような１分子当たり１原子の硫黄を含有する有機化合物、アンモニアならびに硫黄酸化物は、工程ａ２ａ）中に少なくとも部分的に加水分解することができる。
【００７９】
水はまた、メタノールのような物理吸着剤が使用される場合、かかる工程ａ２ａ）によって少なくとも部分的に除去することができる。
【００８０】
第２グループの工程（工程ａ２ｂ））は有利には、水素化の１つまたは幾つかの工程を含む。
【００８１】
例えば、シアン化水素、窒化物、ニトリル、硫化カルボニル、メルカプタンおよびスルフィドのような１分子当たり１原子の硫黄を含有する有機化合物ならびに硫黄酸化物などの腐食性化合物の水素化は有利には、水素化触媒を使用することによって水素化反応器で行われる。工程ａ２ｂ）後に、シアン化水素、窒化物、ニトリル、硫化カルボニル、メルカプタンおよびスルフィドのような１分子当たり１原子の硫黄を含有する有機化合物ならびに硫黄酸化物は有利には、少なくとも部分的に水素化される。
【００８２】
好適な触媒種には有利には、ＶＩＩＩ族の金属、Ｉｂ族の金属およびＶＩｂ族の金属が含まれる。パラジウムを、ニッケルをまたは金をベースとする触媒が好ましい。パラジウムをまたはニッケルをベースとする触媒がより好ましい。ニッケルベースの触媒、特に好ましくは硫化されたニッケル触媒が最も好ましい。水素化触媒は担持されていてもされていなくてもよい。それらは好ましくは担持されている。工程ａ７）について明示されるものなどの触媒がまた使用されてもよい。
【００８３】
硫化カルボニルは、水素化供給物中に依然として存在する場合、有利には、好ましくはパラジウムまたはニッケルベースの触媒で、より好ましくは硫化されたニッケル触媒で、水素化工程ａ２ｂ）中に、少なくとも部分的にメルカプタンへ転化される。
【００８４】
水素化供給物中に存在するニトリルはまた有利には、好ましくはパラジウムまたはニッケルベースの触媒で、より好ましくは硫化されたニッケル触媒で、水素化工程ａ２ｂ）中にアミンへ少なくとも部分的に転化される。
【００８５】
シアン化水素は、水素化供給物中に依然として存在する場合、有利には、好ましくはパラジウムまたはニッケルベースの触媒で、より好ましくは硫化されたニッケル触媒で、水素化工程ａ２ｂ）中に、少なくとも部分的に除去される。
【００８６】
工程ａ２ｂ）は有利には２５〜１００℃の温度で行われる。
【００８７】
第３グループの工程（工程ａ２ｃ））は、１つまたは幾つかの冷却工程を含む。
【００８８】
冷却は有利には、冷却媒体での直接または間接冷却によって行われる。直接冷却とは、冷却媒体とのプロセス流れの物理的接触を意味する。直接接触冷却のための好適な冷却媒体の例は、水、メタノール、炭化水素またはそれらの混合物である。好適な冷却媒体の他の例は、アルカノールアミン、金属炭酸塩もしくは重炭酸塩、硫酸または硝酸のような無機酸の水溶液である。好適な媒体の他の例は、アルカノールアミンまたは金属炭酸塩もしくは重炭酸塩のメタノール溶液である。好ましくは、冷却媒体は、流れ温度より低い温度にある。冷却は好ましくは、冷却媒体での間接冷却によって行われる。冷却媒体は有利には、冷却塔水、冷水、大気空気およびプロセスから出るより冷たいガスの中から選択される。冷却媒体は好ましくは、冷却塔水および大気空気の中から選択される。冷却流体はより好ましくは冷却塔水である。
【００８９】
ガスは有利には、５０℃より下、好ましくは４８℃より下、より好ましくは４５℃より下に、しかし有利には、０℃以上、好ましくは５℃以上、より好ましくは１０℃以上に冷却される。あるいはまた、凍結乾燥工程を乾燥するために用いることができる。
【００９０】
凝縮物は分離することもしないこともできる。それらは好ましくは分離される。
【００９１】
第４グループの工程（工程ａ２ｄ））は有利には、吸着の１つまたは幾つかの工程を含む。
【００９２】
吸着は有利には、活性炭、チャーコール、モレキュラーシーブ、ゼオライト、シリカゲルまたはアルミナのような好適な固体上への吸着である。
【００９３】
水吸着は有利には、モレキュラーシーブ、シリカゲルまたはアルミナ上への吸着工程によって少なくとも部分的に実現される。
【００９４】
好ましくは、水除去は、冷却（工程ａ２ｃ））と吸着（工程ａ２ｄ））との組み合わせによって少なくとも部分的に行われる。
【００９５】
硫化カルボニル、硫化カルボニルならびにスルフィドから誘導されるメルカプタンは有利には、好適な材料の床での吸着によって少なくとも部分的に除去される。好適な吸着剤には有利には、活性炭および特に５００〜２５００ｍ２／ｇの比面積を有する活性炭などの炭素質材料、モレキュラーシーブ３、４Ａまたは１３Ｘ、ゼオライト、１５０ｍ２／ｇ〜８００ｍ２／ｇの比ＢＥＴ表面積のメソ多孔性活性アルミナなどの活性アルミナをはじめとするメソ多孔性吸着剤、シリカゲル、１５０ｍ２／ｇ〜８００ｍ２／ｇの比ＢＥＴ表面積のメソ多孔性シリカゲル吸着剤、タイプＡゼオライト、タイプ５Ａゼオライト、タイプＸフォージャサイトゼオライト、タイプＹフォージャサイトゼオライトおよびＭＦＩゼオライトが含まれる。活性炭、モレキュラーシーブ３または４Ａおよび活性アルミナが好ましい。
【００９６】
残留ニトリルだけでなくニトリルから誘導されたアミンは有利には、メルカプタンを除去するためのものと同じ種類の吸着剤での吸着によって少なくとも部分的に除去される。窒化物はまた、工程ａ２ｄ）中に少なくとも部分的に吸着される可能性がある。
【００９７】
アンモニアはまた、既に除去されていない場合、有利には、メルカプタンを除去するためのものと同じ種類の吸着剤での吸着によって少なくとも部分的に除去される。
【００９８】
二酸化炭素はまた、工程ａ２ａ）中に除去されなかった場合、有利には、好適な吸着剤上での吸着によって少なくとも部分的に除去することができる。好適な吸着剤には、活性銅、鉱物粘土、シリカゲルおよび活性アルミナが含まれる。
【００９９】
触媒毒化合物除去（工程ａ３））は、それぞれが１つまたは幾つかの工程を含む、１つまたは幾つかのグループの工程で行われてもよい。
【０１００】
第１グループの工程（工程ａ３ａ））は有利には、吸着の１つまたは幾つかの工程を含む。
【０１０１】
吸着は有利には、活性炭、チャーコール、モレキュラーシーブ、ゼオライトまたは活性化されているもしくは活性化されていないアルミナのような好適な固体上への化学的または物理的吸着である。
【０１０２】
好ましくは、触媒毒化合物は、好ましくは活性化された、アルミナ上への、または活性炭上への化学的または物理的吸着によって少なくとも部分的に除去される。
【０１０３】
有利には少なくとも１つ、好ましくは少なくとも２つの吸着剤が、吸着のために使用される。有利には多くとも６つ、好ましくは多くとも５つ、より好ましくは多くとも４つの吸着剤が吸着のために使用される。最も好ましくは３つの吸着剤が使用される。
【０１０４】
ガス流れは、任意の好適な装置で固体吸着剤と接触させることができる。空気圧搬送移動床および固定床を好適な装置として挙げることができる。固定床が好ましい。
【０１０５】
吸着剤は、混床にまたは専用床に配置することができる。それらは、単一容器にまたは分離容器に配置することができる。吸着剤は好ましくは、専用床に、より好ましくは３つの専用床に、好ましくは分離容器に配置される。
【０１０６】
各吸着工程は、１つまたは幾つかの並列床で実現することができる。各吸着工程は好ましくは、幾つかの並列床で、より好ましくは少なくとも２つの分離床で実現される。
【０１０７】
再生は、装置そのものでまたは装置の外側で実現することができる。再生は好ましくは装置そのもので実現される。
【０１０８】
第２グループの工程（工程ａ３ｂ））は有利には、吸収の１つまたは幾つかの段階を含む。
【０１０９】
吸収は有利には、例えば、ジメチルエーテルポリエチレングリコールもしくはメタノールのような好適な溶媒での、物理吸収、または例えば、工程ａ２ａ）について記載されたようなアルカリ性水溶液での、化学吸収である。
【０１１０】
工程ａ３）は有利には２５〜１００℃の温度で行われる。
【０１１１】
工程ａ２ｃ）に加えて、冷却工程（工程ａ４））が任意選択的に冷却媒体での間接冷却によって行われる。冷却媒体は有利には、冷却塔水、冷水、エチレン、エタン、プロピレン、プロパンもしくはそれらの２つ以上の混合物などの炭化水素、ＣＯ２、ハイドロフルオロカーボン冷媒、大気空気およびプロセスから出るより冷たいガスの中から選択される。冷却媒体は好ましくは、冷却塔水、エチレン、エタン、プロピレン、プロパンもしくはそれらの２つ以上の混合物などの炭化水素またはプロセスから出るより冷たいガスまたは大気空気の中から選択される。冷却媒体はより好ましくは、冷却塔水またはエチレン、エタン、プロピレン、プロパンもしくはそれらの２つ以上の混合物などの炭化水素またはプロセスから出るより冷たいガスである。
【０１１２】
ガスは有利には、０℃より下、好ましくは−１０℃より下、より好ましくは−２０℃より下に、しかし有利には、−１５０℃以上、好ましくは−１２０℃以上、より好ましくは−１００℃以上に冷却される。
【０１１３】
凝縮物は分離することもしないこともできる。それらは好ましくは分離される。
【０１１４】
可燃性ガスの幾つかの少なくとも部分的な除去が任意選択的に行われる（工程ａ５））。
【０１１５】
水素および／またはメタンの少なくとも一部が少なくとも部分的に除去されてもよい（工程ａ５ａ））。この除去は任意選択的に、本発明による方法の工程ａ）中に行われる。水素および／またはメタンの少なくとも一部を除去するためのかかる工程はまた、本発明による方法の工程ｂ）中に、例えば工程ａ）に由来する生成物の混合物の分離中にまたは画分Ａに関して行われてもよい。好ましくは、行われるとき、水素および／またはメタンの少なくとも一部の除去は、本発明による方法の工程ａ）（工程ａ５ａ））中に行われる。
【０１１６】
水素および／またはメタンのための好適な分離工程は有利には、膜透過および圧力スイング吸着（ＰＳＡ）である。ＰＳＡが好ましい。
【０１１７】
エタン、プロパンおよび／または４、５もしくは６個の炭素原子を含有する炭化水素もしくは重質Ｃ６＋の少なくとも一部が、有利には数工程で、少なくとも部分的に除去されてもよい（工程ａ５ｂ））。
【０１１８】
この除去は任意選択的に、本発明による方法の工程ａ）中に行われる。エタン、プロパンおよび／または４、５もしくは６個の炭素原子を含有する炭化水素または重質Ｃ６＋の少なくとも一部を除去するためのかかる工程はまた、本発明による方法の工程ｂ）中に、例えば工程ａ）に由来する生成物の混合物の分離中に行われてもよい。
【０１１９】
エタン、プロパンおよび／または４、５もしくは６個の炭素原子を含有する炭化水素または重質Ｃ６＋のための好適な分離工程は、有利には凝縮である。有利には工程ａ５ｂ）は、圧縮工程ａ１）および／または冷却工程ａ２ｃ）および／またはａ４）と組み合わせられる。
【０１２０】
不活性ガスの幾つかの少なくとも部分的な除去が任意選択的に行われる（工程ａ６））。
【０１２１】
この除去は任意選択的に、本発明による方法の工程ａ）中に行われる。不活性ガスの少なくとも一部を除去するためのかかる工程はまた、本発明による方法の工程ｂ）中に、例えば工程ａ）に由来する生成物の混合物の分離中にまたは画分Ａに関して行われてもよい。好ましくは、行われるとき、不活性ガスの少なくとも一部の除去は、本発明による方法の工程ａ）（工程ａ６））中に行われる。
【０１２２】
不活性ガスのための好適な分離工程は有利には、膜浸透および圧力スイング吸着（ＰＳＡ）である。ＰＳＡが好ましい。
【０１２３】
含酸素化合物の幾つかの少なくとも部分的な除去が任意選択的に行われる（工程ａ７））。
【０１２４】
酸素の少なくとも一部は、化学的工程によってかまたは物理的工程によって少なくとも部分的に除去することができる（工程ａ７ａ））。
【０１２５】
好適な化学的工程は有利には、銅または硫化されたニッケル触媒の還元床を使用することによって、好ましくは硫化されたニッケル触媒を使用することによって行われる（工程ａ７ａ１））。
【０１２６】
別の好適な化学的工程は有利には、触媒するまたはしないことができる、好ましくは触媒される水素化工程である（工程ａ７ａ２））。
【０１２７】
水素化工程は、例えば、アルミナ、シリカ、シリカ／アルミナ、炭素、炭酸カルシウムまたは硫酸バリウムなどの担体上に沈着されたパラジウム、白金、ロジウム、ルテニウム、イリジウム、金、銀またはこれらの元素の混合物をベースとする触媒、しかしまたニッケルをベースとする触媒およびコバルト−モリブデン錯体をベースとするものなどの任意の公知の水素化触媒を用いて行われてもよい。好ましくは、水素化工程は、アルミナもしくは炭素上に沈着されたパラジウムもしくは白金をベースとする触媒を用いて、ニッケルをベースとする触媒でまたはコバルト−モリブデン錯体をベースとする触媒で行われる。特に好ましいやり方では、それはニッケルをベースとする触媒を用いて行われる。
【０１２８】
水素化工程は有利には、ＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧ中の利用可能な水素の一部を使用する。
【０１２９】
好適な物理的工程は有利には、吸着（工程ａ７ａ３））によって、例えばＰＳＡ（圧力スイング吸着）によって、吸収（工程ａ７ａ４））によってまたは膜プロセス（工程ａ７ａ５））によって行われる。
【０１３０】
工程ａ７ａ２）がより特に好ましい。
【０１３１】
工程ａ７ａ）は有利には２５〜１００℃の温度で行われる。
【０１３２】
窒素酸化物の少なくとも一部（工程ａ７ｂ））は、化学的工程によってかまたは物理的工程によって少なくとも部分的に除去することができる。
【０１３３】
好適な化学的工程は有利には、アンモニアまたは尿素での、好ましくは尿素での窒素酸化物除去によって行われる（工程ａ７ｂ１））。
【０１３４】
別の好適な化学的工程は有利には、触媒するまたはしないことができる、好ましくは触媒される水素化工程である（工程ａ７ｂ２））。好適な触媒は有利には、パラジウムまたはニッケルベースの触媒、より好ましくは硫化されたニッケル触媒である。
【０１３５】
水素化工程は、同じ好ましさで、酸素の水素化について明示されるものと同じ触媒を用いて行われてもよい。水素化工程は有利には、ＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧ中の利用可能な水素の一部を使用する。
【０１３６】
水素化は窒素酸化物除去よりも好ましい。
【０１３７】
好適な物理的工程は有利には、吸着（工程ａ７ｂ３））によって、例えばＰＳＡ（圧力スイング吸着）によって、吸収（工程ａ７ｂ４））によってまたは膜プロセス（工程ａ７ｂ５））によって行われる。好適な吸着剤には、活性銅、鉱物粘土、シリカゲルおよび活性アルミナが含まれる。
【０１３８】
工程ａ７ｂ２）およびａ７ｂ３）がより特に好ましい。
【０１３９】
工程ａ７ｂ）は有利には２５〜１００℃の温度で行われる。
【０１４０】
反応性化合物の幾つかの少なくとも部分的な除去が任意選択的に行われる（工程ａ８））。
【０１４１】
反応性化合物除去（工程ａ８））は、それぞれが１つまたは幾つかの工程を含む、１つまたは幾つかのグループの工程で行われてもよい。
【０１４２】
第１グループの工程（工程ａ８ａ））は有利には、水素化の１つまたは幾つかの工程を含む。
【０１４３】
アセチレンの部分水素化は有利には、水素化触媒を使用することによってアセチレン変換器で行われる。工程ａ８ａ）後に、アセチレンは有利には、少なくとも部分的に水素化される。好適な触媒種には有利には、ＶＩＩＩ族の金属、Ｉｂ族の金属およびＶＩｂ族の金属が含まれる。パラジウムを、ニッケルをまたは金をベースとする触媒が好ましい。パラジウムをまたはニッケルをベースとする触媒がより好ましい。ニッケルベースの触媒、特に好ましくは硫化されたニッケル触媒が最も好ましい。水素化触媒は担持されていてもされていなくてもよい。それらは好ましくは担持されている。言い換えれば、工程ａ２ｂ）について明示されるものなどの触媒が使用されてもよい。
【０１４４】
水素化供給物中に存在する窒素を含有する有機化合物は有利には、パラジウムまたはニッケルベースの触媒で、より好ましくは硫化されたニッケル触媒で、水素化工程ａ８ａ）中に少なくとも部分的に除去される。
【０１４５】
ジスルフィドのような２原子以上の硫黄を含有する有機化合物は、工程ａ８ａ）中に部分的に水素化することができる。
【０１４６】
メチルアセチレン、プロパジエンおよびブタジエンをはじめとする水素化供給物中に存在するより高級のアセチレン化合物は有利には、好ましくはパラジウムまたはニッケルベースの触媒で、より好ましくは硫化されたニッケル触媒で、工程ａ８ａ）中に少なくとも部分的に水素化される。
【０１４７】
工程ａ８ａ）は有利には２５〜１００℃の温度で行われる。
【０１４８】
第２グループの工程（工程ａ８ｂ））は有利には、吸着の１つまたは幾つかの工程を含む。
【０１４９】
吸着は有利には、他の望ましくない成分を少なくとも部分的に除去するために化学的に特異な吸着剤で行われる。
【０１５０】
ジスルフィドのような２原子以上の硫黄を含有する有機化合物は有利には、好適な材料の床での吸着によって少なくとも部分的に除去される。好適な吸着剤には有利には、活性炭および特に５００〜２５００ｍ２／ｇの比面積を有する活性炭などの炭素質材料、モレキュラーシーブ３、４Ａまたは１３Ｘ、ゼオライト、１５０ｍ２／ｇ〜８００ｍ２／ｇの比ＢＥＴ表面積のメソ多孔性活性アルミナなどの活性アルミナをはじめとするメソ多孔性吸着剤、シリカゲル、１５０ｍ２／ｇ〜８００ｍ２／ｇの比ＢＥＴ表面積のメソ多孔性シリカゲル吸着剤、タイプＡゼオライト、タイプ５Ａゼオライト、タイプＸフォージャサイトゼオライト、タイプＹフォージャサイトゼオライトおよびＭＦＩゼオライトが含まれる。活性炭、モレキュラーシーブ３または４Ａおよび活性アルミナが好ましい。
【０１５１】
ホスフィン、メタノールおよび塩素を含有する無機化合物はまた、工程ａ８ｂ）中に少なくとも部分的に吸着されてもよい。
【０１５２】
有利には少なくとも１つ、好ましくは少なくとも２つの吸着剤が吸着工程ａ８ｂ）のために使用される。有利には多くとも６つ、好ましくは多くとも５つ、より好ましくは多くとも４つの吸着剤が吸着工程ａ８ｂ）のために使用される。最も好ましくは３つの吸着剤が使用される。実現される場合、工程ａ８ｂ）は工程ａ３）と組み合わせるまたは組み合わせないことができよう。
【０１５３】
ガス流れは、任意の好適な装置で固体吸着剤と接触させることができる。空気圧搬送移動床および固定床を好適な装置として挙げることができる。固定床が好ましい。
【０１５４】
吸着剤は、混床にまたは専用床に配置することができる。それらは、単一容器にまたは分離容器に配置することができる。吸着剤は好ましくは、専用床に、より好ましくは３つの専用床に、好ましくは分離容器に配置される。
【０１５５】
各吸着工程は、１つまたは幾つかの並列床で実現することができる。各吸着工程は好ましくは、幾つかの並列床で、より好ましくは少なくとも２つの分離床で実現される。
【０１５６】
再生は、装置そのものでまたは装置の外側で実現することができる。再生は好ましくは装置そのもので実現される。
【０１５７】
工程ａ８ｂ）は有利には２５〜１００℃の温度で行われる。
【０１５８】
第３グループの工程（工程ａ８ｃ））は有利には、吸収の１つまたは幾つかの工程を含む。
【０１５９】
吸収は有利には、とりわけ、ジスルフィドのような１分子当たり２原子以上の硫黄を含有する有機化合物を少なくとも部分的に除去するために、好適な溶媒で、例えば、ジメチルエーテルポリエチレングリコールで行われる。
【０１６０】
ジエタノールアミンおよびメタノールは有利には、工程ａ８ｃ）中に少なくとも部分的に除去することができる。
【０１６１】
前述の異なる工程は、それらが列挙される順番に必ずしも行われない。それらは、任意の他の順番に実現することができる。
【０１６２】
しかしながら、工程ａ４）は有利には、処理工程の最後の工程である。
【０１６３】
水素化工程ａ２ｂ）、ａ７ａ２）、ａ７ｂ２）およびａ８ａ）の全てまたは幾つかは有利には組み合わせることができる。吸着工程ａ３ａ）、ａ７ａ３）、ａ７ｂ３）およびａ８ｂ）の全てまたは幾つかは有利には組み合わせることができる。吸収工程ａ２ａ）、ａ３ｂ）、ａ７ａ４）、ａ７ｂ４）およびａ８ｃ）の全てまたは幾つかは有利には組み合わせることができる。
【０１６４】
処理工程ａ２）およびａ３）が行われる好ましい順番は：
１．工程ａ３ａ）、
２．工程ａ３ｂ）、
３．工程ａ２ｂ）、
４．工程ａ２ａ）、
５．工程ａ２ｃ）、そして
６．工程ａ２ｄ）
である。
【０１６５】
任意選択的な圧縮工程ａ１）が行われるとき、工程ａ３ａ）、ａ３ｂ）、ａ２ｂ）およびａ２ｃ）は好ましくは、最後の圧縮段階の前に挿入される。任意選択的な除塵工程ａ１ｂｉｓ）が行われるとき、それは好ましくは工程ａ２ｄ）の後である。
【０１６６】
任意選択的な冷却工程ａ４）が行われるとき、それは好ましくは最後の工程である。
【０１６７】
工程ａ５ａ）が行われるとき、それは有利には冷却工程ａ２ｃ）に挿入される。
【０１６８】
工程ａ５ｂ）が行われるとき、それは有利には、冷却工程ａ２ｃ）および／または工程ａ４）に置かれた幾つかの工程で行われる。
【０１６９】
工程ａ６）が行われるとき、それは有利には冷却工程ａ２ｃ）に挿入される。
【０１７０】
工程ａ５ａ）および工程ａ６）が行われるとき、それらは有利には組み合わせられる。
【０１７１】
工程ａ７ａ２）が行われるとき、それは有利には工程ａ２ｂ）と組み合わせられる。
【０１７２】
工程ａ７ｂ２）が行われるとき、それは好ましくは工程ａ２ｂ）と組み合わせられる。
【０１７３】
工程ａ７ｂ３）が行われるとき、それは好ましくは工程ａ３ａ）と組み合わせられる。
【０１７４】
工程ａ８ａ）、ａ８ｂ）およびａ８ｃ）が行われるとき、それらは有利には、それぞれ工程ａ２ｂ）、ａ３ａ）およびａ３ｂ）と組み合わせられる。
【０１７５】
処理工程が行われるより好ましい順番は：
１．最後のまたは独特の圧縮段階の前に挿入される以下の工程と共に工程ａ１）の第１段階、
２．工程ａ８ｂ）および工程ａ７ｂ３）と組み合わせられた工程ａ３ａ）、
３．工程ａ８ｃ）と組み合わせられた工程ａ３ｂ）、
４．工程ａ７ａ２）、工程ａ８ａ）および工程ａ７ｂ２）と組み合わせられた工程ａ２ｂ）、
５．工程ａ２ａ）、
６．工程ａ１）の最後の圧縮段階、
７．工程ａ５ｂ）の一部と組み合わせられた工程ａ２ｃ）、
８．工程ａ２ｄ）、
９．工程ａ１ｂｉｓ）、そして
１０．工程ａ５ｂ）の一部と組み合わせられた工程ａ４）
である。
【０１７６】
処理工程が行われる最も好ましい順番は：
１．最後のまたは独特の圧縮段階の前に挿入される以下の工程と共に工程ａ１）の第１段階、
２．工程ａ８ｂ）および工程ａ７ｂ３）と組み合わせられた工程ａ３ａ）、
３．工程ａ８ｃ）と組み合わせられた工程ａ３ｂ）、
４．工程ａ７ａ２）、工程ａ８ａ）および工程ａ７ｂ２）と組み合わせられた工程ａ２ｂ）、
５．工程ａ２ａ）、
６．工程ａ１）の最後の圧縮段階、
７．工程ａ５ａ）、工程ａ６）および工程ａ５ｂ）の一部と組み合わせられた工程ａ２ｃ）
８．工程ａ２ｄ）、
９．工程ａ１ｂｉｓ）、そして
１０．工程ａ５ｂ）の一部と組み合わせられた工程ａ４）
である。
【０１７７】
有利には、本発明による方法において、工程ａ）に由来するエチレンおよび他の成分を含有する生成物の混合物は、水素、メタン、エタン、エチレン、プロパン、４、５もしくは６個の炭素原子を含有する炭化水素および重質Ｃ６＋、不活性ガス、含酸素化合物、反応性化合物および実質的に低下した量の腐食性化合物および触媒毒化合物を含む。
【０１７８】
任意選択的に、不活性ガスの含有率は、それらの入口含有率に対して少なくとも部分的に下げられる。
【０１７９】
任意選択的に、反応性化合物の幾つかの含有率は、それらの入口含有率に対して少なくとも部分的に下げられる。好ましくは、反応性化合物の幾つかの含有率は、それらの入口含有率に対して少なくとも部分的に下げられる。
【０１８０】
任意選択的に、（エチレン以外の）可燃性ガスの含有率は、それらの入口含有率に対して少なくとも部分的に下げられる。好ましくは、エチレンの標準沸点より高い標準沸点を有する可燃性ガスの幾つかの含有率は、それらの入口含有率に対して少なくとも部分的に下げられる。有利には、エチレンの標準沸点より低い標準沸点を有する可燃性ガスの幾つかの含有率は、それらの入口含有率に対して少なくとも部分的に下げられる。より好ましくは、エチレンの標準沸点より低い標準沸点を有する可燃性ガスの幾つかの含有率、およびエチレンの標準沸点より高い標準沸点を有する可燃性ガスの幾つかの含有率は、それらの入口含有率に対して少なくとも部分的に下げられる。
【０１８１】
工程ａ）に由来するエチレンおよび他の成分を含有する生成物の混合物について本明細書で以下与えられる組成は、乾燥ガス基準（水が含まれない）で表される。
【０１８２】
工程ａ）に由来するエチレンおよび他の成分を含有する生成物の混合物は有利には、少なくとも１０体積％、好ましくは少なくとも１５体積％、より好ましくは少なくとも２０体積％のエチレンを含む。それは有利には、多くとも６０体積％、好ましくは多くとも５５体積％、より好ましくは多くとも５０体積％のエチレンを含む。
【０１８３】
工程ａ）に由来するエチレンおよび他の成分を含有する生成物の混合物は、乾燥ガス１ｋｇ当たり有利には少なくとも３０ＭＪ、好ましくは少なくとも３３ＭＪ、より好ましくは少なくとも３５ＭＪ、最も好ましくは少なくとも３７ＭＪの低位発熱量で特徴づけられる。工程ａ）に由来するエチレンおよび他の成分を含有する生成物の混合物は、乾燥ガス１ｋｇ当たり有利には多くとも７５ＭＪ、好ましくは多くとも７０ＭＪ、より好ましくは多くとも６５ＭＪ、最も好ましくは多くとも６０ＭＪの低位発熱量で特徴づけられる。
【０１８４】
工程ａ）に由来するエチレンおよび他の成分を含有する生成物の混合物中に含まれる水の分圧は、有利には水銀の５５ｍｍより低い、好ましくは２５ｍｍより低い、より好ましくは１５ｍｍより低い、最も好ましくは１０ｍｍより低い。
【０１８５】
工程ａ）に由来するエチレンおよび他の成分を含有する生成物の混合物は、工程ａ）に供給されるおよび／または工程ａ）中に形成される、ＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧ中の同じ成分の量の多くとも５％、好ましくは多くとも２％、より好ましくは多くとも１％のものである量で、以下の成分、すなわち、二酸化炭素、硫化水素、硫化カルボニル、メルカプタンおよびスルフィドのような１分子当たり１原子の硫黄を含有する有機化合物、硫黄酸化物、アンモニア、窒化物、ニトリル、塩化水素、シアン化水素、水銀、ヒ素（アルシンのような）、バナジウム、臭素、フッ素、ケイ素、アルミニウムおよび金属カルボニルのそれぞれを含む。
【０１８６】
上に定義された工程ａ）の後に、エチレンおよび他の成分を含有する生成物の混合物は、工程ｂ）によって、エチレンの一部を含有する、エチレンより軽質である化合物に富む画分（画分Ａ）へ、エチレンに富む画分（画分Ｂ）へおよび重質画分（画分Ｃ）へ分離される。
【０１８７】
工程ｂ）は有利には、エチレンを含有する２つの画分、すなわち、画分Ａおよび画分Ｂ、ならびに重質画分、すなわち、画分Ｃを得るために最大４つの、好ましくは最大３つの分離工程を含む。
【０１８８】
本発明による方法の工程ｂ）の第１実施形態によれば、工程ａ）に由来する生成物の混合物は有利には、画分Ａ、画分Ｂおよび画分Ｃを得るために工程Ｓ１と呼ばれる第１分離工程に、および工程Ｓ１’と呼ばれる第２分離工程にかけられる。
【０１８９】
工程Ｓ１は有利には、主塔（塔Ｃ１と呼ばれる）内部での３つの異なる画分、すなわち、塔Ｃ１のトップで出る画分Ａ、塔Ｃ１のボトムで出る画分Ｃおよび塔Ｃ１の側面から抜き取られる画分（画分Ｆ１と呼ばれる）への工程ａ）に由来する生成物の混合物の分離にある。
【０１９０】
工程Ｓ１’は有利には、画分Ｆ１を２つの異なる画分、すなわち、塔Ｃ１に搬送される画分Ｆ１’と画分Ｂとへ分離することにある。
【０１９１】
本発明による方法の工程ｂ）の第１実施形態によれば、工程ｂ）はそれ故好ましくは：
−  主塔Ｃ１内部での塔Ｃ１のトップでの画分Ａへの、塔Ｃ１のボトムでの画分Ｃへのおよび塔Ｃ１の側面から抜き取られる画分Ｆ１への生成物の前記混合物の分離にある第１分離工程Ｓ１と、
−  塔Ｃ１に搬送される画分Ｆ１’へのおよび画分Ｂへの画分Ｆ１の分離にある第２分離工程Ｓ１’と
を含む。
【０１９２】
特に好ましいやり方では、工程ｂ）は上述の２つの工程を含むにすぎない。
【０１９３】
塔Ｃ１へのその導入の前に、工程ａ）に由来する生成物の混合物は、熱調節工程にかけられてもよい。表現熱調節工程は、エネルギーの使用を最適化する一連の熱交換、例えば、先ず冷却水で、次に氷冷水で、次に段々と冷えた流体で冷却される一連の交換器と、生成する流れの顕熱を回収するクロス交換器とでの生成物の混合物の漸次冷却を意味すると理解される。
【０１９４】
生成物の前記混合物は、単一画分としてかまたは幾つかのサブ画分として工程Ｓ１中に塔Ｃ１へ導入されてもよい。それは好ましくは幾つかのサブ画分として導入される。
【０１９５】
主塔Ｃ１は有利には、ストリッピング部および／または精留部を含む塔である。これらの２つの部分が存在する場合、精留部が好ましくはストリッピング部の上にある。
【０１９６】
塔Ｃ１は有利には、上述の２つの部分を含む蒸留塔およびこれら２つの部分の１つだけを含有する塔から選択される。好ましくは塔Ｃ１は蒸留塔である。
【０１９７】
工程Ｓ１はそれ故好ましくは蒸留工程である。
【０１９８】
塔Ｃ１は有利には、例えば少なくとも１つのリボイラーおよび少なくとも１つの凝縮器などの関連補助装置を備えつけられる。中間抜き取りおよび中間熱交換を可能にする装置が主塔に追加されてもよい。
【０１９９】
最も揮発性の化合物に富む画分Ａは有利には塔Ｃ１のトップで出るが、揮発性が最も少ない化合物に富む画分Ｃは有利には塔Ｃ１のボトムで出る。
【０２００】
画分Ｆ１に関しては、それは有利には、塔中を循環する液体またはスチームを集めることによって塔Ｃ１の側面から抜き取られる。この抜き取りは好ましくは液体に関して行われる。
【０２０１】
この抜き取りは、塔のストリッピング部でまたは精留部で行われてもよい。それは好ましくは精留部で行われる。精留部の中央第３番目での抜き取りが特に好ましい。精留部の中央第３番目での液体の抜き取りが最も特に好ましい。
【０２０２】
上述の工程Ｓ１は有利には、少なくとも８バール、好ましくは少なくとも１０バール、特に好ましいやり方では少なくとも１２バールの圧力で行われる。工程Ｓ１は有利には、高くても４５バール、好ましくは高くても４０バール、特に好ましいやり方では高くても３８バールの圧力で行われる。
【０２０３】
工程Ｓ１が行われる温度は、塔Ｃ１のトップで、有利には少なくとも−１４０℃、好ましくは少なくとも−１２０℃、特に好ましいやり方では少なくとも−１００℃である。それは、塔Ｃ１のトップで、有利には高くても−２０℃、好ましくは高くても−３０℃、特に好ましいやり方では高くても−４０℃である。
【０２０４】
塔Ｃ１の側面から抜き取られる画分Ｆ１は有利には、２つの異なる画分、すなわち、塔Ｃ１に搬送される画分Ｆ１’と画分Ｂとへ分離されるように分離工程Ｓ１’にかけられる。
【０２０５】
画分Ｆ１は、液体状態でまたはガス状態で塔Ｃ１から抜き取られてもよい。
【０２０６】
画分Ｆ１が液体状態で抜き取られる場合、それは、エバポレーターにまたは補助塔Ｃ１’に搬送されてもよい。
【０２０７】
画分Ｆ１がエバポレーターに搬送される場合には、画分Ｆ１の一部は、画分Ｆ１’の形態で、有利には蒸発され、主塔Ｃ１にリサイクルされるが、他の部分は有利にはエバポレーターから抜き出され、こうして画分Ｂを構成する。変形として、画分Ｆ１はまた、画分Ｂを生成するために部分的に気化されてもよく、残りは、画分Ｆ１’の形態で、塔Ｃ１にリサイクルされる。
【０２０８】
画分Ｆ１が補助塔Ｃ１’に搬送される場合には、補助塔Ｃ１’は好ましくはストリッピング塔、すなわち、たった１つのストリッピング部を含む塔である。補助塔Ｃ１’は有利には、関連補助装置、好ましくはリボイラーを備えつけられる。画分Ｂは有利にはそれから抜き出され、画分Ｆ１の残りは、そのときエチレンより揮発性である不純物（Ｈ２、ＣＯ、Ｎ２、Ｏ２およびＣＨ４）が濃縮した流れである画分Ｆ１’の形態で、有利には塔Ｃ１に搬送される。
【０２０９】
画分Ｆ１が液体状態で抜き取られる場合、それは、好ましくはストリッピング塔である補助塔Ｃ１’に好ましくは搬送される。工程Ｓ１’はその結果この場合には好ましくはストリッピング工程である。
【０２１０】
画分Ｆ１がガス状態で抜き取られる場合、それは、凝縮器にかまたは補助塔Ｃ１’に搬送されてもよい。
【０２１１】
画分Ｆ１が凝縮器に搬送される場合には、画分Ｆ１の一部は、画分Ｆ１’の形態で、有利には凝縮され、主塔Ｃ１にリサイクルされるが、他の部分は有利には凝縮器から抜き出され、こうして画分Ｂを構成する。変形として、画分Ｆ１はまた、画分Ｂを生成するために部分的に凝縮されてもよく、残りは、画分Ｆ１’の形態で、塔Ｃ１にリサイクルされる。
【０２１２】
画分Ｆ１が補助塔Ｃ１’に搬送される場合には、補助塔Ｃ１’は好ましくは精留塔、すなわち、精留部のみを含む塔である。補助塔Ｃ１’は有利には、関連補助装置、好ましくは凝縮器を備えつけられる。画分Ｂは有利にはそれから抜き出され、画分Ｆ１の残りは、そのときエチレンより揮発性が少ない不純物（エタン、少なくとも３個の炭素原子を含有する化合物）が濃縮した流れである画分Ｆ１’の形態で、有利には塔Ｃ１に搬送される。
【０２１３】
画分Ｆ１がガス状態で抜き取られる場合、それは、好ましくは精留塔である補助塔Ｃ１’に好ましくは搬送される。工程Ｓ１’はその結果この場合には好ましくは精製工程である。
【０２１４】
本発明による方法の工程ｂ）の第１実施形態によれば、画分Ｆ１が補助塔Ｃ１’に搬送される場合が最も特に好ましい。
【０２１５】
この最も特に好ましいものによれば、工程ｂ）はそれ故特に好ましいやり方では：
−  主塔Ｃ１内部での塔Ｃ１のトップでの画分Ａへの、塔Ｃ１のボトムでの画分Ｃへのおよび塔Ｃ１の側面から抜き取られる画分Ｆ１への生成物の前記混合物の分離にある第１分離工程Ｓ１と、
−  塔Ｃ１’内部での塔Ｃ１’のトップでの塔Ｃ１に搬送される画分Ｆ１’へのおよび塔Ｃ１’のボトムでの画分Ｂへの画分Ｆ１の分離にある第２分離工程Ｓ１’と
を含む。
【０２１６】
本発明による方法の工程ｂ）の第１実施形態によれば、画分Ｆ１が液体状態で塔Ｃ１から抜き取られ、そしてストリッピング塔である補助塔Ｃ１’に搬送される場合が真に最も特に好ましい。
【０２１７】
上述の工程Ｓ１’はそのとき有利には、少なくとも８バール、好ましくは少なくとも１０バール、特に好ましいやり方では少なくとも１２バールの圧力で行われる。工程Ｓ１’は有利には、高くても４５バール、好ましくは高くても４０バール、特に好ましいやり方では高くても３８バールの圧力で行われる。
【０２１８】
工程Ｓ１’が行われる温度は、ストリッピング塔Ｃ１’のトップで、有利には少なくとも−７０℃、好ましくは少なくとも−６５℃、特に好ましいやり方では少なくとも−６０℃である。それは、塔Ｃ１’のトップで、有利には高くても０℃、好ましくは高くても−１０℃、特に好ましいやり方では高くても−１５℃である。
【０２１９】
ストリッピング塔Ｃ１’のボトムでの温度は、少なくとも−３０℃、好ましくは少なくとも−２０℃、特に好ましいやり方では少なくとも−１５℃である。それは、有利には高くても２０℃、好ましくは高くても１５℃、特に好ましいやり方では高くても１０℃である。
【０２２０】
本発明による方法の工程ｂ）の第１実施形態によれば、画分Ｂは有利には、画分Ｆ１が液体状態で抜き取られる場合には蒸発および膨張後に、または画分Ｆ１がガス状態で抜き取られる場合には膨張後に、両場合とも有利にはエネルギーを回収して、少なくとも１つのエチレン誘導体化合物の製造に搬送される。特に好ましいやり方では、画分Ｂは、画分Ｆ１が液体状態で抜き取られる場合には蒸発および膨張後に、有利にはエネルギーを回収して、少なくとも１つのエチレン誘導体化合物の製造に搬送される。
【０２２１】
本発明による方法の工程ｂ）の第１実施形態の好ましい亜変形は、両塔が任意選択的に熱的に統合され、異なる圧力で動作し；１方の凝縮器が他方へのリボイラーとして働く、主塔Ｃ１と同一の補助塔Ｃ１’を用いて分離工程Ｓ１’を実施することである。
【０２２２】
本発明による方法の工程ｂ）の第２実施形態によれば、工程ａ）に由来する生成物の混合物は有利には、画分Ａ、画分Ｂおよび画分Ｃを得るために画分工程Ｓ２と呼ばれる第１分離工程に、工程Ｓ２’と呼ばれる第２分離工程に、および工程Ｓ２”と呼ばれる第３分離工程にかけられる。
【０２２３】
工程Ｓ２は有利には、塔（塔Ｃ２と呼ばれる）における２つの異なる画分、すなわち、塔Ｃ２のトップで出る画分Ｆ２と塔Ｃ２のボトムで出る画分Ｃとへの工程ａ）に由来する生成物の混合物の分離にある。
【０２２４】
工程Ｓ２’は有利には、２つの異なる画分、すなわち、画分Ａと画分Ｆ２’とへの画分Ｆ２の分離にある。
【０２２５】
工程Ｓ２”は有利には、２つの異なる画分、すなわち、画分Ｂと画分Ｆ２”とへの画分Ｆ２’の分離にある。
【０２２６】
本発明による方法の工程ｂ）の第２実施形態によれば、工程ｂ）はそれ故好ましくは：
−  主塔Ｃ２における塔Ｃ２のトップでの画分Ｆ２へのおよび塔Ｃ２のボトムでの画分Ｃへの生成物の前記混合物の分離にある第１分離工程Ｓ２と、
−  画分Ａへのおよび画分Ｆ２’への画分Ｆ２の分離にある第２分離工程Ｓ２’と、
−  画分Ｂへのおよび画分Ｆ２”への画分Ｆ２’の分離にある第３分離工程Ｓ２”と
を含む。
【０２２７】
特に好ましいやり方では、工程ｂ）は上述の３つの工程を含むにすぎない。
【０２２８】
塔Ｃ２へのその導入の前に、工程ａ）に由来する生成物の混合物は、その定義が塔Ｃ１の説明において見いだされ得る、熱調節工程にかけられてもよい。
【０２２９】
生成物の前記混合物は、単一画分としてかまたは幾つかのサブ画分として工程Ｓ２中に塔Ｃ２へ導入されてもよい。それは好ましくは幾つかのサブ画分として導入される。
【０２３０】
主塔Ｃ２は有利には、ストリッピング部および／または精留部を含む塔である。これらの２つの部分が存在する場合、精留部が好ましくはストリッピング部の上にある。
【０２３１】
塔Ｃ２は有利には、上述の２つの部分を含む蒸留塔およびこれら２つの部分の１つだけを含む塔から選択される。好ましくは、塔Ｃ２は蒸留塔である。
【０２３２】
工程Ｓ２はそれ故好ましくは蒸留工程である。
【０２３３】
塔Ｃ２は有利には、例えば少なくとも１つのリボイラーおよび少なくとも１つの凝縮器などの関連補助装置を備えつけられる。
【０２３４】
最も揮発性の化合物に富む画分Ｆ２は有利には塔Ｃ２のトップで出るが、揮発性が最も少ない化合物に富む画分Ｃは有利には塔Ｃ２のボトムで出る。
【０２３５】
上述の工程Ｓ２は有利には、少なくとも１５バール、好ましくは少なくとも２０バール、特に好ましいやり方では少なくとも２５バールの圧力で行われる。工程Ｓ２は有利には、高くても４５バール、好ましくは高くても４０バール、特に好ましいやり方では高くても３８バールの圧力で行われる。
【０２３６】
工程Ｓ２が行われる温度は、塔Ｃ２のトップで、有利には少なくとも−７０℃、好ましくは少なくとも−６５℃、特に好ましいやり方では少なくとも−６０℃である。それは、塔Ｃ２のトップで、有利には高くても−２０℃、好ましくは高くても−３０℃、特に好ましいやり方では高くても−４０℃である。
【０２３７】
塔Ｃ２のトップで出る画分Ｆ２は有利には、２つの異なる画分、すなわち、画分Ａと画分Ｆ２’とへ分離されるように分離工程Ｓ２’にかけられる。
【０２３８】
分離工程Ｓ２’は有利には、画分Ｆ２が溶媒を含有する洗浄剤と接触させられる吸収工程である。
【０２３９】
本説明では、用語「溶媒を含有する洗浄剤」またはより簡単に「洗浄剤」は、溶媒が液体状態で存在する組成物を意味すると理解される。
【０２４０】
本発明に従って使用されてもよい洗浄剤はそれ故有利には、液体状態で溶媒を含有する。前記洗浄剤中の、他の化合物の存在は、本発明の範囲から決して排除されない。しかしながら、洗浄剤が少なくとも５０体積％、より特に少なくとも６５体積％、特に好ましいやり方では少なくとも７０体積％の溶媒を含有することが好ましい。
【０２４１】
溶媒は有利には、アルコール、グリコール、ポリオール、エーテル、グリコールとエーテルとの混合物、炭化水素、炭化水素の混合物、鉱油ならびにＤＣＥの中から選択される。炭化水素混合物の例は、Ｃ４、Ｃ５またはＣ６カットである。溶媒は好ましくは、アルコール、炭化水素、炭化水素の混合物、鉱油およびＤＣＥの中から、より好ましくは共沸エタノール（有利には少なくとも７０体積％、好ましくは少なくとも８０体積％、より好ましくは少なくとも８５体積％のエタノールの水性エタノール）およびＤＣＥの中から選択される。溶媒は最も好ましくはＤＣＥである。
【０２４２】
工程Ｓ２’のために使用される洗浄剤は、任意の起源の新鮮洗浄剤からなり、例えば粗共沸エタノールまたはオキシ塩素化装置を出たＤＣＥであり、そしてそれらは精製されておらず、前記洗浄剤は、前もって精製されるか、洗浄剤は、下に詳述される工程Ｓ２”中に回収され、任意選択的に新鮮洗浄剤で補足される。
【０２４３】
好ましくは、工程Ｓ２’のために使用される洗浄剤は、任意選択的に新鮮洗浄剤で補足された、画分Ｆ２”からなる。特に好ましいやり方では、工程Ｓ２’のために使用される洗浄剤は、（工程Ｓ２’およびＳ２”中の洗浄剤の損失を補うために）新鮮洗浄剤で補足された画分Ｆ２”からなる。
【０２４４】
本発明による方法の工程ｂ）の第２実施形態の主な利点は、本発明による方法の第１実施形態（ＤＣＥのおよび任意選択的にそれから誘導される任意の化合物のならびにＤＣＥとは異なるエチレンから出発して直接製造されるエチレン誘導体化合物の製造）または第２実施形態（エチレンから出発して直接製造される唯一のエチレン誘導体化合物としてのＤＣＥの製造）が考えられるとき、ＤＣＥがオキシ塩素化または塩素化中に主として形成される化合物であるので、このＤＣＥの存在が全く面倒ではないという事実にある。
【０２４５】
洗浄剤および画分Ｆ２から抜き出されるべきエチレンのそれぞれのスループット間の比は、決定的に重要であるわけではなく、大幅に変わることができる。それは実際に、洗浄剤の再生のコストによって制限されるにすぎない。一般に、洗浄剤のスループットは、画分Ｆ２から抜き出されるべきエチレンの１トン当たり少なくとも１トン、好ましくは少なくとも５トン、特に好ましいやり方では少なくとも１０トンである。一般に、洗浄剤のスループットは、画分Ｆ２から抜き出されるべきエチレンの１トン当たり多くとも１００トン、好ましくは多くとも５０トン、特に好ましいやり方では多くとも２５トンである。
【０２４６】
工程Ｓ２’は有利には、例えば流下膜もしくは上昇膜吸収装置またはプレート塔、充填塔、構造化充填剤の塔、上述のインターナルの１つ以上を組み合わせた塔およびスプレー塔から選択される吸収塔Ｃ２’のような吸収装置を用いて行われる。工程Ｓ２’は好ましくは、吸収塔Ｃ２’を用いて、特に好ましいやり方ではプレート吸収塔Ｃ２’を用いて行われる。
【０２４７】
塔Ｃ２’は有利には、例えば、少なくとも１つの凝縮器または塔の内部もしくは外部の１つの冷却器などの関連補助装置を備えつけられる。
【０２４８】
上述の工程Ｓ２’は有利には、少なくとも１５バール、好ましくは少なくとも２０バール、特に好ましいやり方では少なくとも２５バールの圧力で行われる。工程Ｓ２’は有利には、高くても４０バール、好ましくは高くても３５バール、特に好ましいやり方では高くても３０バールの圧力で行われる。
【０２４９】
工程Ｓ２’が行われる温度は、吸収装置のまたは塔Ｃ２’のトップで、有利には少なくとも−１０℃、好ましくは少なくとも０℃、特に好ましくは少なくとも１０℃である。それは、吸収装置のまたは塔Ｃ２’のトップで、有利には高くても６０℃、好ましくは高くても５０℃、特に好ましくは高くても４０℃である。
【０２５０】
吸収装置または塔Ｃ２’のボトムでの温度は、少なくとも０℃、好ましくは少なくとも１０℃、特に好ましいやり方では少なくとも２０℃である。それは有利には高くても７０℃、好ましくは高くても６０℃、特に好ましいやり方では高くても５０℃である。
【０２５１】
画分Ｆ２’は有利には、２つの異なる画分、すなわち、画分Ｂと画分Ｆ２”とへ分離されるように分離工程Ｓ２”にかけられる。
【０２５２】
分離工程Ｓ２”は有利には、画分Ｂが洗浄剤から抜き出される脱着工程である。
【０２５３】
画分Ｆ２”を構成する工程Ｓ２”後に回収される洗浄剤は取り除かれ、任意選択的に、必要な場合中間のさらなる処理ありで、存在するとき完全にまたは部分的にオキシ塩素化セクションにまたは塩素化セクションに搬送されても、または新鮮洗浄剤を任意選択的に添加して工程Ｓ２’に搬送されてもよい。好ましくは、画分Ｆ２”は、新鮮洗浄剤を任意選択的に添加して工程Ｓ２’に搬送される。特に好ましいやり方では、画分Ｆ２”は、新鮮洗浄剤を任意選択的に添加して工程Ｓ２’に搬送される。
【０２５４】
工程Ｓ２”は有利には、例えば流下膜もしくは上昇膜脱着装置、リボイラーまたはプレート塔、充填塔、構造化充填剤の塔、上述のインターナルの１つ以上を組み合わせた塔およびスプレー塔から選択される脱着塔Ｃ２”のような脱着装置を用いて行われる。工程Ｓ２”は好ましくは、脱着塔Ｃ２”を用いて、特に好ましいやり方ではプレート脱着塔Ｃ２”を用いて行われる。
【０２５５】
塔Ｃ２”は有利には、例えば、少なくとも１つの凝縮器または塔の内部もしくは外部の１つの冷却器および少なくとも１つのリボイラーなどの関連補助装置を備えつけられる。
【０２５６】
上述の工程Ｓ２”は有利には、少なくとも１バール、好ましくは少なくとも２バール、特に好ましいやり方では少なくとも３バールの圧力で行われる。工程Ｓ２”は有利には、高くても２０バール、好ましくは高くても１５バール、特に好ましいやり方では高くても１０バールの圧力で行われる。
【０２５７】
工程Ｓ２”が行われる温度は有利には、画分Ｆ２’中に含有されるエチレンの９０％超、好ましくは９５％超が画分Ｂ中に見いだされるように選択される。工程Ｓ２”が行われる温度は、脱着装置のまたは塔Ｃ２”のトップで、有利には少なくとも−１０℃、好ましくは少なくとも０℃、特に好ましいやり方では少なくとも１０℃である。それは、脱着装置または塔Ｃ２”のトップで、有利には高くても６０℃、好ましくは高くても５０℃、特に好ましいやり方では高くても４０℃である。
【０２５８】
脱着装置または塔Ｃ２”のボトムでの温度は、少なくとも６０℃、好ましくは少なくとも８０℃、特に好ましいやり方では少なくとも１００℃である。それは、有利には高くても２００℃、好ましくは高くても１６０℃、特に好ましいやり方では高くても１５０℃である。
【０２５９】
本発明による方法の工程ｂ）の第２実施形態によれば、画分Ｆ２が吸収塔Ｃ２’に搬送され、そして画分Ｆ２’が脱着塔Ｃ２”に搬送される場合が最も特に好ましい。
【０２６０】
この最も特に好ましいものによれば、工程ｂ）はそれ故特に好ましいやり方では：
−  主塔Ｃ２における塔Ｃ２のトップでの画分Ｆ２へのおよび塔Ｃ２のボトムでの画分Ｃへの生成物の前記混合物の分離にある第１分離工程Ｓ２と、
−  吸収塔Ｃ２’における塔Ｃ２’のトップでの画分Ａへのおよび塔Ｃ２’のボトムでの画分Ｆ２’への画分Ｆ２の分離にある第２分離工程Ｓ２’と、
−  脱着塔Ｃ２”における塔Ｃ２”のトップでの画分Ｂへのおよび塔Ｃ２”のボトムでの画分Ｆ２”への画分Ｆ２’の分離にある第３分離工程Ｓ２”と
を含む。
【０２６１】
本発明による方法の工程ｂ）の第３実施形態によれば、工程ａ）に由来する生成物の混合物は有利には、画分Ａ、画分Ｂおよび画分Ｃを得るために工程Ｓ３と呼ばれる第１分離工程に、および工程Ｓ３’と呼ばれる第２分離工程にかけられる。
【０２６２】
工程Ｓ３は有利には、主塔（塔Ｃ３と呼ばれる）における２つの異なる画分、すなわち、塔Ｃ３のトップで出る画分Ｆ３と塔Ｃ３のボトムで出る画分Ｃとへの工程ａ）に由来する生成物の混合物の分離にある。
【０２６３】
工程Ｓ３’は有利には、塔Ｃ３’における２つの異なる画分、すなわち、塔Ｃ３’のトップで出る画分Ａと塔Ｃ３’のボトムで出る画分Ｂとへの画分Ｆ３の分離にある。
【０２６４】
本発明による方法の工程ｂ）の第３実施形態によれば、工程ｂ）はそれ故好ましくは：
−  主塔３における塔Ｃ３のトップでの画分Ｆ３へのおよび塔Ｃ３のボトムでの画分Ｃへの生成物の前記混合物の分離にある第１分離工程Ｓ３と、
−  塔Ｃ３’における塔Ｃ３’のトップでの画分Ａへのおよび塔Ｃ３’のボトムでの画分Ｂへの画分Ｆ３の分離にある第２分離工程Ｓ３’と
を含む。
【０２６５】
特に好ましいやり方では、工程ｂ）は上述の２つの工程を含むにすぎない。
【０２６６】
塔Ｃ３へのその導入の前に、工程ａ）に由来する生成物の混合物は、その定義が塔Ｃ１の説明において見いだされ得る、熱調節工程にかけられてもよい。
【０２６７】
生成物の前記混合物は、単一画分としてかまたは幾つかのサブ画分として工程Ｓ３中に塔Ｃ３へ導入されてもよい。それは好ましくは幾つかのサブ画分として導入される。
【０２６８】
主塔Ｃ３は有利には、ストリッピング部および／または精留部を含む塔である。これらの２つの部分が存在する場合、精留部が好ましくはストリッピング部の上にある。
【０２６９】
塔Ｃ３は有利には、上述の２つの部分を含む蒸留塔およびこれら２つの部分の１つだけを含有する塔から選択される。好ましくは、塔Ｃ３は蒸留塔である。
【０２７０】
工程Ｓ３はそれ故好ましくは蒸留工程である。
【０２７１】
塔Ｃ３は有利には、例えば、少なくとも１つのリボイラーおよび少なくとも１つの凝縮器などの関連補助装置を備えつけられる。
【０２７２】
最も揮発性の化合物に富む画分Ｆ３は有利には塔Ｃ３のトップで出るが、揮発性が最も少ない化合物に富む画分Ｃは有利には塔Ｃ３のボトムで出る。
【０２７３】
上述の工程Ｓ３は有利には、少なくとも８バール、好ましくは少なくとも１０バール、特に好ましいやり方では少なくとも１２バールの圧力で行われる。工程Ｓ３は有利には、高くても４５バール、好ましくは高くても４０バール、特に好ましいやり方では高くても３８バールの圧力で行われる。
【０２７４】
工程Ｓ３が行われる温度は、塔Ｃ３のトップで、有利には少なくとも−１４０℃、好ましくは少なくとも−１２０℃、特に好ましいやり方では少なくとも−１００℃である。それは、塔Ｃ３のトップで、有利には高くても−２０℃、好ましくは高くても−３０℃、特に好ましいやり方では高くても−４０℃である。
【０２７５】
塔Ｃ３のトップで出る画分Ｆ３は次に有利には、２つの異なる画分、すなわち、塔Ｃ３’のトップでの画分Ａと塔Ｃ３’のボトムでの画分Ｂとへ分離されるように塔Ｃ３’で分離工程Ｓ３’にかけられる。
【０２７６】
塔Ｃ３’は有利には、ストリッピング部および／または精留部を含む塔である。これらの２つの部分が存在する場合、精留部が好ましくはストリッピング部の上にある。
【０２７７】
塔Ｃ３’は有利には、上述の２つの部分を含む蒸留塔およびこれら２つの部分の１つだけを含む塔から選択される。好ましくは、塔Ｃ３’は蒸留塔である。
【０２７８】
工程Ｓ３’はそれ故好ましくは蒸留工程である。
【０２７９】
塔Ｃ３’は有利には、例えば、少なくとも１つのリボイラーおよび少なくとも１つの凝縮器などの関連補助装置を備えつけられる。
【０２８０】
上述の工程Ｓ３’は有利には、少なくとも８バール、好ましくは少なくとも１０バール、特に好ましいやり方では少なくとも１２バールの圧力で行われる。工程Ｓ３’は有利には、高くても４０バール、好ましくは高くても３７バール、特に好ましいやり方では高くても３５バールの圧力で行われる。
【０２８１】
工程Ｓ３’が行われる温度は、塔Ｃ３’のトップで、有利には少なくとも−９０℃、好ましくは少なくとも−８５℃、特に好ましくは少なくとも−８０℃である。それは、塔Ｃ３’のトップで、有利には高くても−４０℃、好ましくは高くても−４５℃、特に好ましくは高くても−５０℃である。
【０２８２】
塔Ｃ３’のボトムでの温度は、少なくとも−３０℃、好ましくは少なくとも−２５℃、特に好ましいやり方では少なくとも−２０℃である。それは、有利には高くても２０℃、好ましくは高くても１５℃、特に好ましいやり方では高くても１０℃である。
【０２８３】
本発明による方法の工程ｂ）の第４実施形態によれば、工程ａ）に由来する生成物の混合物は有利には、画分Ａ、画分Ｂおよび画分Ｃを得るために工程Ｓ４と呼ばれる第１分離工程に、および工程Ｓ４’と呼ばれる第２分離工程にかけられる。
【０２８４】
工程Ｓ４は有利には、主塔（塔Ｃ４と呼ばれる）における２つの異なる画分、すなわち、塔Ｃ４のトップで出る画分Ａと塔Ｃ４のボトムで出る画分Ｆ４とへの工程ａ）に由来する生成物の混合物の分離にある。
【０２８５】
工程Ｓ４’は有利には、塔Ｃ４’における２つの異なる画分、すなわち、塔Ｃ４’のトップで出る画分Ｂと塔Ｃ４’のボトムで出る画分Ｃとへの画分Ｆ４の分離にある。
【０２８６】
本発明による方法の工程ｂ）の第４実施形態によれば、工程ｂ）はそれ故好ましくは：
−  主塔Ｃ４における塔Ｃ４のトップでの画分Ａへのおよび塔Ｃ４のボトムでの画分Ｆ４への生成物の前記混合物の分離にある第１分離工程Ｓ４と、
−  塔Ｃ４’における塔Ｃ４’のトップでの画分Ｂへのおよび塔Ｃ４’のボトムでの画分Ｃへの画分Ｆ４の分離にある第２分離工程Ｓ４’と
を含む。
【０２８７】
特に好ましいやり方では、工程ｂ）は上述の２つの工程を含むにすぎない。
【０２８８】
塔Ｃ４へのその導入の前に、工程ａ）に由来する生成物の混合物は、その定義が塔Ｃ１の説明において見いだされ得る、熱調節工程にかけられてもよい。
【０２８９】
生成物の前記混合物は、単一画分としてかまたは幾つかのサブ画分として工程Ｓ４中に塔Ｃ４へ導入されてもよい。それは好ましくは幾つかのサブ画分として導入される。
【０２９０】
主塔Ｃ４は有利には、ストリッピング部および／または精留部を含む塔である。これらの２つの部分が存在する場合、精留部が好ましくはストリッピング部の上にある。
【０２９１】
塔Ｃ４は有利には、上述の２つの部分を含む蒸留塔およびこれら２つの部分の１つだけを含む塔から選択される。好ましくは、塔Ｃ４は蒸留塔である。
【０２９２】
工程Ｓ４はそれ故好ましくは蒸留工程である。
【０２９３】
塔Ｃ４は有利には、例えば、少なくとも１つのリボイラーおよび少なくとも１つの凝縮器などの関連補助装置を備えつけられる。
【０２９４】
最も揮発性の化合物に富む画分Ａは有利には塔Ｃ４のトップで出るが、揮発性が最も少ない化合物に富む画分Ｆ４は有利には塔Ｃ４のボトムで出る。
【０２９５】
上述の工程Ｓ４は有利には、少なくとも８バール、好ましくは少なくとも１０バール、特に好ましいやり方では少なくとも１２バールの圧力で行われる。工程Ｓ４は有利には、高くても４５バール、好ましくは高くても４０バール、特に好ましいやり方では高くても３８バールの圧力で行われる。
【０２９６】
工程Ｓ４が行われる温度は、塔Ｃ４のトップで、有利には少なくとも−１４０℃、好ましくは少なくとも−１２０℃、特に好ましいやり方では少なくとも−１００℃である。それは、塔Ｃ４のトップで、有利には高くても−２０℃、好ましくは高くても−３０℃、特に好ましいやり方では高くても−４０℃である。
【０２９７】
塔Ｃ４のボトムで出る画分Ｆ４は次に有利には、２つの異なる画分、すなわち、塔Ｃ４’のトップでの画分Ｂと塔Ｃ４’のボトムでの画分Ｃとへ分離されるように塔Ｃ４’での分離工程Ｓ４’にかけられる。
【０２９８】
塔Ｃ４’は有利には、ストリッピング部および／または精留部を含む塔である。これらの２つの部分が存在する場合、精留部が好ましくはストリッピング部の上にある。
【０２９９】
塔Ｃ４’は有利には、上述の２つの部分を含む蒸留塔およびこれら２つの部分の１つだけを含む塔から選択される。好ましくは、塔Ｃ４’は蒸留塔である。
【０３００】
工程Ｓ４’はそれ故好ましくは蒸留工程である。
【０３０１】
塔Ｃ４’は有利には、例えば、少なくとも１つのリボイラーおよび少なくとも１つの凝縮器などの関連補助装置を備えつけられる。
【０３０２】
上述の工程Ｓ４’は有利には、少なくとも８バール、好ましくは少なくとも１０バール、特に好ましいやり方では少なくとも１２バールの圧力で行われる。工程Ｓ４’は有利には、高くても４０バール、好ましくは高くても３７バール、特に好ましいやり方では高くても３５バールの圧力で行われる。
【０３０３】
工程Ｓ４’が行われる温度は、塔Ｃ４’のトップで、有利には少なくとも−７０℃、好ましくは少なくとも−６５℃、特に好ましいやり方では少なくとも−６０℃である。それは、塔Ｃ４’のトップで、有利には高くても０℃、好ましくは高くても−５℃、特に好ましいやり方では高くても−１０℃である。
【０３０４】
塔Ｃ４’のボトムでの温度は、少なくとも−２０℃、好ましくは少なくとも−１５℃、特に好ましいやり方では少なくとも−１０℃である。それは、有利には高くても２０℃、好ましくは高くても１５℃、特に好ましいやり方では高くても１０℃である。
【０３０５】
本発明による方法の工程ｂ）の第５実施形態によれば、工程ａ）に由来する生成物の混合物は有利には、画分Ａ、画分Ｂおよび画分Ｃを得るために工程Ｓ５と呼ばれる第１分離工程に、工程Ｓ５’と呼ばれる第２分離工程に、および工程Ｓ５”と呼ばれる第３分離工程にかけられる。
【０３０６】
工程Ｓ５は有利には、２つの異なる画分、すなわち、塔Ｃ５のトップで出る画分Ａと塔Ｃ５のボトムで出る画分Ｆ５とへの主塔（塔Ｃ５と呼ばれる）での工程ａ）に由来する生成物の混合物の分離にある。
【０３０７】
工程Ｓ５’は有利には、２つの異なる画分、すなわち、塔Ｃ５’のトップで出る画分Ｆ５’と塔Ｃ５’のボトムで出る画分Ｃとへの塔Ｃ５’での画分Ｆ５の分離にある。
【０３０８】
工程Ｓ５”は有利には、２つの異なる画分、すなわち、塔Ｃ５”のトップで出る画分Ｂと塔Ｃ５”のボトムで出る画分Ｆ５”とへの塔Ｃ５”での画分Ｆ５’の分離にある。
【０３０９】
本発明による方法の工程ｂ）の第５実施形態によれば、工程ｂ）はそれ故好ましくは：
−  主塔Ｃ５における塔Ｃ５のトップでの画分Ａへのおよび塔Ｃ５のボトムでの画分Ｆ５への生成物の前記混合物の分離にある第１分離工程Ｓ５と、
−  塔Ｃ５’における塔Ｃ５’のトップでの画分Ｃへのおよび塔Ｃ５’のボトムでの画分Ｆ５’への画分Ｆ５の分離にある第２分離工程Ｓ５’と、
−  塔Ｃ５”における塔Ｃ５”のトップでの画分Ｂへのおよび塔Ｃ５”のボトムでの画分Ｆ５”への画分Ｆ５’の分離にある第３分離工程Ｓ５”と
を含む。
【０３１０】
特に好ましいやり方では、工程ｂ）は上述の３つの分離工程を含むにすぎない。
【０３１１】
塔Ｃ５へのその導入の前に、工程ａ）に由来する生成物の混合物は、その定義が塔Ｃ１の説明において見いだされ得る、熱調節工程にかけられてもよい。
【０３１２】
生成物の前記混合物は、単一画分としてかまたは幾つかのサブ画分として工程Ｓ５中に塔Ｃ５へ導入されてもよい。それは好ましくは幾つかのサブ画分として導入される。
【０３１３】
主塔Ｃ５は有利には、ストリッピング部および／または精留部を含む塔である。これらの２つの部分が存在する場合、精留部が好ましくはストリッピング部の上にある
【０３１４】
塔Ｃ５は有利には、上述の２つの部分を含む蒸留塔およびこれら２つの部分の１つだけを含む塔から選択される。好ましくは、塔Ｃ５は蒸留塔である。
【０３１５】
工程Ｓ５はそれ故好ましくは蒸留工程である。
【０３１６】
塔Ｃ５は有利には、例えば、少なくとも１つのリボイラーおよび少なくとも１つの凝縮器などの関連補助装置を備えつけられる。
【０３１７】
画分Ａは有利には塔Ｃ５のトップから出るが、有利には少なくとも揮発性の化合物に富む、画分Ｆ５は有利には塔Ｃ５のボトムから出る。
【０３１８】
上述の工程Ｓ５は有利には、少なくとも５バール絶対、好ましくは少なくとも１０バール絶対、特に好ましくは少なくとも１２バール絶対の圧力で実施される。工程Ｓ５は有利には、高くても４０バール絶対、好ましくは高くても３８バール絶対、特に好ましくは高くても３６バール絶対の圧力で実施される。
【０３１９】
工程Ｓ５が実施される温度は、塔Ｃ５のボトムで有利には少なくとも０℃、好ましくは少なくとも５℃、特に好ましくは少なくとも１０℃である。それは、塔Ｃ５のボトムで有利には高くても８０℃、好ましくは高くても６０℃、特に好ましくは高くても４０℃である。
【０３２０】
工程Ｓ５が実施される温度は、塔Ｃ５のトップで有利には少なくとも−１４０℃、好ましくは少なくとも−１２０℃、特に好ましくは少なくとも−１００℃である。それは、塔Ｃ５のトップで有利には高くても０℃、好ましくは高くても−１５℃、特に好ましくは高くても−２５℃である。
【０３２１】
塔Ｃ５のボトムで出る画分Ｆ５は次に有利には、画分Ｆ５を塔Ｃ５’内部で画分Ｆ５’へおよび重質画分（画分Ｃ）へ分離することからなる第２分離工程Ｓ５’にかけられる。
【０３２２】
塔Ｃ５’へのその導入の前に、生成物の混合物は、例えば、アセチレン水素化などの、熱および／または化学的調節工程にかけられてもよい。用語「熱調節工程」は、エネルギーの使用を最適化する一連の熱交換、例えば、先ず冷却水で、次に氷冷水で、次に段々と冷えた液体で冷却される一連の交換器と、生成する流れの顕熱を回収するクロス交換器とでの生成物の混合物の漸次冷却を意味すると理解される。
【０３２３】
生成物の前記混合物は、単一画分としてかまたは幾つかのサブ画分として工程Ｓ５’中に塔Ｃ５’へ導入されてもよい。それは好ましくは幾つかのサブ画分として導入される。
【０３２４】
塔Ｃ５’は有利には、ストリッピング部および／または精留部を含む塔である。両部分が存在する場合、精留部が好ましくはストリッピング部の上にある。
【０３２５】
塔Ｃ５’は有利には、上述の２つの部分を含む蒸留塔およびこれら２つの部分の１つを含むにすぎない塔から選択される。好ましくは、塔Ｃ５’は蒸留塔である。
【０３２６】
工程Ｓ５’はそれ故好ましくは蒸留工程である。
【０３２７】
塔Ｃ５’は有利には、例えば、少なくとも１つのリボイラーおよび少なくとも１つの凝縮器などの関連補助装置を備えつけられる。
【０３２８】
有利には最も揮発性の化合物に富む、画分Ｆ５’は、有利には塔Ｃ５’のトップから出るが、有利には揮発性が最も少ない化合物に富む、重質画分Ｃは、有利には塔Ｃ５’のボトムから出る。
【０３２９】
上述の工程Ｓ５’は有利には、少なくとも５バール絶対、好ましくは少なくとも８バール絶対、特に好ましくは少なくとも１０バール絶対の圧力で実施される。工程Ｓ５’は有利には、高くても４０バール絶対、好ましくは高くても３７バール絶対、特に好ましくは高くても３５バール絶対の圧力で実施される。
【０３３０】
工程Ｓ５’が実施される温度は、塔Ｃ５’のボトムで、有利には少なくとも０℃、好ましくは少なくとも１０℃、特に好ましくは少なくとも１５℃である。それは、塔Ｃ５’のボトムで、有利には高くても９０℃、好ましくは高くても８６℃、特に好ましくは高くても８３℃である。
【０３３１】
工程Ｓ５’が実施される温度は、塔Ｃ５’のトップで、有利には少なくとも−６５℃、好ましくは少なくとも−５５℃、特に好ましくは少なくとも−５０℃である。それは、塔Ｃ５’のトップで、有利には高くても５℃、好ましくは高くても０℃、特に好ましくは高くても−２℃である。
【０３３２】
塔Ｃ５のボトムで出る画分Ｆ５は次に有利には、画分Ｆ５を塔Ｃ５’内部で画分Ｆ５’へおよび重質画分（画分Ｃ）へ分離することからなる第２分離工程Ｓ５’にかけられる。
【０３３３】
画分Ｆ５’は、画分Ｆ５’を塔Ｃ５”内部でエチレンに富む画分（画分Ｂ）へおよびエタンから主としてなる画分Ｆ５”へ分離することからなる第３分離工程Ｓ５”にかけられる。
【０３３４】
塔Ｃ５”へのその導入の前に、生成物の混合物は、例えば、アセチレン水素化などの、熱および／または化学的調節工程にかけられてもよい。用語「熱調節工程」は、エネルギーの使用を最適化する一連の熱交換、例えば、先ず冷却水で、次に氷冷水で、次に段々と冷えた液体で冷却される一連の交換器と、生成する流れの顕熱を回収するクロス交換器とでの生成物の混合物の漸次冷却を意味すると理解される。
【０３３５】
生成物の前記混合物は、単一画分としてかまたは幾つかのサブ画分として工程Ｓ５”中に塔Ｃ５”へ導入されてもよい。それは好ましくは幾つかのサブ画分として導入される。
【０３３６】
主塔Ｃ５”は有利には、ストリッピング部および／または精留部を含む塔である。両部分が存在する場合、精留部が好ましくはストリッピング部の上にある。
【０３３７】
塔Ｃ５”は有利には、上述の２つの部分を含む蒸留塔およびこれら２つの部分の１つを含むにすぎない塔から選択される。好ましくは、塔Ｃ５”は蒸留塔である。
【０３３８】
工程Ｓ５”はそれ故好ましくは蒸留工程である。
【０３３９】
画分Ｂは有利には塔のトップから出るが、エタンから主としてなる、画分Ｆ５”は有利には塔のボトムから出る。
【０３４０】
上述の工程Ｓ５”は有利には、少なくとも５バール絶対、好ましくは少なくとも６バール絶対、特に好ましくは少なくとも７バール絶対の圧力で実施される。工程Ｓ５”は有利には、高くても３０バール絶対、好ましくは高くても２５バール絶対、特に好ましくは高くても２２バール絶対の圧力で実施される。
【０３４１】
工程Ｓ５”が実施される温度は、塔Ｃ５のボトムで有利には少なくとも−５０℃、好ましくは少なくとも−４５℃、特に好ましくは少なくとも−４０℃である。それは、塔Ｃ５”のボトムで有利には高くても１０℃、好ましくは高くても０℃、特に好ましくは高くても−５℃である。
【０３４２】
工程Ｓ５”が実施される温度は、塔Ｃ５”のトップで有利には少なくとも−７０℃、好ましくは少なくとも−６５℃、特に好ましくは少なくとも−６０℃である。それは、塔Ｃ５”のトップで有利には高くても−１５℃、好ましくは高くても−２０℃、特に好ましくは高くても−２５℃である。
【０３４３】
本発明による方法では、蒸留塔の使用が述べられるたびに、それは、プレート蒸留塔、充填蒸留塔、構造化充填剤の蒸留塔および上述のインターナルの２つ以上を組み合わせた蒸留塔から選択されてもよい。
【０３４４】
本発明による方法の異なる実施形態による分離工程は有利には熱的に統合される。熱的統合は好ましくは、直接にか、多かれ少なかれ冷たい温度レベルの１つ以上の冷凍サイクル、好ましくは低温での１つと中温での他方との２つの冷凍サイクルによってか、それらの組み合わせによってかのどれかで、より好ましくはそれらの組み合わせによって行われる。
【０３４５】
冷凍サイクルは有利には、２個の炭素原子を含有する化合物、３個の炭素原子を含有する化合物またはそれらの混合物をベースとしている。２個の炭素原子を含有する化合物の中には、エチレン、エタンおよびそれらの混合物が挙げられてもよい。エチレンが好ましい。３個の炭素原子を含有する化合物の中には、プロピレン、プロパンおよびそれらの混合物が挙げられてもよい。プロピレンが好ましい。
【０３４６】
低温サイクルおよび中温サイクルは好ましくは相互連結され、それは、低温サイクルの高熱源が中温サイクルの冷熱源であり、そして一方中温サイクルの高熱源が大気冷却塔からの水であることを意味する。低温サイクルは好ましくは２個の炭素原子の化合物を使用し、より好ましくは少なくとも９５モル％のエチレンンを含有する。中温サイクルは好ましくは３個の炭素原子の化合物を使用し、より好ましくは少なくとも９５モル％のプロパンまたは少なくとも９５モル％のプロピレンを含有する。より好ましくは、中温サイクルは少なくとも９５モル％のプロピレンを含有する。
【０３４７】
本発明による方法の工程ｂ）の第６実施形態によれば、工程ａ）に由来する生成物の混合物は有利には、画分Ａ、画分Ｂおよび画分Ｃを得るために工程Ｓ６と呼ばれる一分離工程にかけられる。
【０３４８】
工程Ｓ６は有利には、主塔（塔Ｃ６と呼ばれる）内部での３つの異なる画分、すなわち、塔Ｃ６のトップで出る画分Ａ、塔Ｃ６のボトムで出る画分Ｃおよび塔Ｃ６の側面から抜き取られる画分Ｂへの工程ａ）に由来する生成物の混合物の分離にある。
【０３４９】
本発明による方法の工程ｂ）の第６実施形態によれば、工程ｂ）はそれ故好ましくは、主塔Ｃ６内部での塔Ｃ６のトップでの画分Ａへの、塔Ｃ６のボトムでの画分Ｃへの、塔Ｃ６の側面から抜き取られる画分Ｂへの生成物の前記混合物の分離にある一分離工程Ｓ６を含む。
【０３５０】
塔Ｃ６へのその導入の前に、工程ａ）に由来する生成物の混合物は、熱調節工程にかけられてもよい。表現熱調節工程は、エネルギーの使用を最適化する一連の熱交換、例えば、先ず冷却水で、次に氷冷水で、次に段々と冷えた流体で冷却される一連の交換器と、生成する流れの顕熱を回収するクロス交換器とでの生成物の混合物の漸次冷却を意味すると理解される。
【０３５１】
生成物の前記混合物は、単一画分としてかまたは幾つかのサブ画分として工程Ｓ６中に塔Ｃ６へ導入されてもよい。それは好ましくは幾つかのサブ画分として導入される。
【０３５２】
主塔Ｃ６は有利には、ストリッピング部および／または精留部を含む塔である。これらの２つの部分が存在する場合、精留部が好ましくはストリッピング部の上にある。
【０３５３】
塔Ｃ６は有利には、上述の２つの部分を含む蒸留塔およびこれら２つの部分の１つだけを含む塔から選択される。好ましくは、塔Ｃ６は蒸留塔である。
【０３５４】
蒸留塔Ｃ６は、従来の蒸留塔および分割壁塔から選択することができる。
【０３５５】
蒸留塔が分割壁塔である場合には、供給物は有利には分割壁部分に導入され、側流は、供給物が導入されるゾーン以外のゾーンで分割壁部分から抜き取られる。
【０３５６】
より好ましくは、塔Ｃ６は従来の蒸留塔である。
【０３５７】
工程Ｓ６はそれ故好ましくは蒸留工程である。
【０３５８】
塔Ｃ６は有利には、例えば少なくとも１つのリボイラーおよび少なくとも１つの凝縮器などの関連補助装置を備えつけられる。中間抜き取りおよび中間熱交換を可能にする装置が主塔に追加されてもよい。
【０３５９】
最も揮発性の化合物に富む画分Ａは有利には塔Ｃ６のトップで出るが、揮発性が最も少ない化合物に富む画分Ｃは有利には塔Ｃ６のボトムで出る。
【０３６０】
画分Ｂに関しては、それは有利には、塔中を循環する液体またはスチームを集めることによって塔Ｃ６の側面から抜き取られる。この抜き取りは好ましくは液体に関して行われる。
【０３６１】
この抜き取りは、塔のストリッピング部でまたは精留部で行われてもよい。それは好ましくは精留部で行われる。精留部の中央第３番目での抜き取りが特に好ましい。精留部の中央第３番目での液体の抜き取りが最も特に好ましい。
【０３６２】
上述の工程Ｓ６は有利には、少なくとも８バール、好ましくは少なくとも１０バール、特に好ましいやり方では少なくとも１２バールの圧力で行われる。工程Ｓ６は有利には、高くても４５バール、好ましくは高くても４０バール、特に好ましいやり方では高くても３８バールの圧力で行われる。
【０３６３】
工程Ｓ６が行われる温度は、塔Ｃ６のトップで、有利には少なくとも−１４０℃、好ましくは少なくとも−１２０℃、特に好ましいやり方では少なくとも−１００℃である。それは、塔Ｃ６のトップで、有利には高くても−２０℃、好ましくは高くても−３０℃、特に好ましいやり方では高くても−４０℃である。
【０３６４】
本発明による方法の工程ｂ）の第１実施形態によれば、画分Ｂは有利には、両方の場合に有利にはエネルギーを回収して、画分Ｂが液体状態で抜き取られる場合には蒸発および膨張後に、または画分Ｂがガス状態で抜き取られる場合には膨張後に少なくとも１つのエチレン誘導体化合物の製造に搬送される。特に好ましいやり方では、画分Ｂは、有利にはエネルギーを回収して、画分Ｂが液体状態で抜き取られる場合には蒸発および膨張後にエチレン誘導体化合物の製造に搬送される。
【０３６５】
本発明による方法では、工程ｂ）の第４および第５実施形態が好ましい。
【０３６６】
画分Ａおよび画分Ｂを特徴づけるために下に明示される量は、エチレン誘導体化合物のそれぞれの製造へのそれらの入場前のものである。
【０３６７】
画分Ｂは有利には、２０％より低い、好ましくは１５％より低い、より好ましくは１２％より低いエチレン以外の可燃性ガスの体積含有率で特徴づけられる。
【０３６８】
画分Ｂは有利には、画分Ｂの総体積に対して２体積％以下、好ましくは０．５％体積以下、特に好ましいやり方では０．１体積％以下の水素含有率で特徴づけられる。
【０３６９】
画分Ｂは有利には、２０％より低い、好ましくは１８％より低い、より好ましくは１５％より低い不活性ガスの体積含有率で特徴づけられる。
【０３７０】
画分Ｂは有利には、２％より低い、好ましくは１％より低い、より好ましくは０．８％より低い含酸素化合物の体積含有率で特徴づけられる。
【０３７１】
画分Ｂは有利には、１．８％より低い、好ましくは１％より低い、より好ましくは０．８％より低い酸素の体積含有率で特徴づけられる。
【０３７２】
画分Ｂは有利には、０．０００２５％より低い、好ましくは０．０００２％より低い、より好ましくは０．０００１５％より低い窒素酸化物の体積含有率で特徴づけられる。
【０３７３】
画分Ｂは有利には、０．２％より低い、好ましくは０．１％より低い、より好ましくは０．０８％より低い腐食性化合物の体積含有率で特徴づけられる。
【０３７４】
画分Ｂは有利には、０．００５％より低い、好ましくは０．００１％より低い、より好ましくは０．０００５％より低い硫化水素の体積含有率で特徴づけられる。
【０３７５】
画分Ｂは有利には、２％より低い、好ましくは１％より低い、より好ましくは０．８％より低い反応性化合物の体積含有率で特徴づけられる。
【０３７６】
画分Ｂは有利には、０．０２％より低い、好ましくは０．０１％より低い、より好ましくは０．００５％より低い一酸化炭素以外の反応性化合物の体積含有率で特徴づけられる。
【０３７７】
画分Ｂは有利には、０．２％より低い、好ましくは０．１％より低い、より好ましくは０．０５％より低い、最も好ましくは０．０２％より低いアセチレンの体積含有率で特徴づけられる。
【０３７８】
画分Ｂは、画分Ｂの総体積に対して有利には０．０１体積％以下、好ましくは０．００５体積％以下、特に好ましいやり方では０．００１体積％以下の少なくとも３個の炭素原子を含有する化合物の含有率で特徴づけられる。
【０３７９】
画分Ｂは有利には、０．００１％より低い、好ましくは０．０００５％より低い、より好ましくは０．０００２％より低い触媒毒化合物の体積含有率で特徴づけられる。
【０３８０】
画分Ｂは有利には、画分Ｂの総体積に対して６０体積％〜９９．５体積％のエチレンを含有する。画分Ｂは有利には、画分Ｂの総体積に対して少なくとも６０体積％、好ましくは少なくとも７０体積％、特に好ましいやり方では少なくとも８０体積％、より特に好ましいやり方では少なくとも８５体積％のエチレンを含有する。画分Ｂは有利には、画分Ｂの総体積に対して多くとも９９．５体積％、好ましくは多くとも９９体積％、特に好ましいやり方では多くとも９８．５体積％、より特に好ましいやり方では多くとも９８体積％のエチレンを含有する。
【０３８１】
画分Ａは、エチレンより軽質である化合物に富む。これらの化合物は一般に、メタン、窒素、酸素、水素および一酸化炭素である。有利には、画分Ａは、工程ｂ）にかけられる生成物の混合物中に含有されるエチレンより軽質の化合物の少なくとも７０％、好ましくは少なくとも８０％、特に好ましいやり方では少なくとも８５％を含有する。有利には、画分Ａは、工程ｂ）にかけられる生成物の混合物中に含有されるエチレンより軽質の化合物の多くとも９９．９９％、好ましくは多くとも９９．９７％、特に好ましいやり方では多くとも９９．９５％を含有する。
【０３８２】
画分Ａは有利には、２％より低い、好ましくは１％より低い、より好ましくは０．８％より低い含酸素化合物の体積含有率で特徴づけられる。
【０３８３】
画分Ａは有利には、１．８％より低い、好ましくは１％より低い、より好ましくは０．８％より低い酸素の体積含有率で特徴づけられる。
【０３８４】
画分Ａは有利には、０．０００２５％より低い、好ましくは０．０００２％より低い、より好ましくは０．０００１５％より低い窒素酸化物の体積含有率で特徴づけられる。
【０３８５】
画分Ａは有利には、０．２％より低い、好ましくは０．１％より低い、より好ましくは０．０８％より低い腐食性化合物の体積含有率で特徴づけられる。
【０３８６】
画分Ａは有利には、０．００１％より低い、好ましくは０．０００５％より低い、より好ましくは０．０００２％より低い硫化水素の体積含有率で特徴づけられる。
【０３８７】
画分Ａは有利には、２％より低い、好ましくは１％より低い、より好ましくは０．８％より低い反応性化合物の体積含有率で特徴づけられる。
【０３８８】
画分Ａは有利には、０．０１％より低い、好ましくは０．００５％より低い、より好ましくは０．００１％より低い一酸化炭素以外の反応性化合物の体積含有率で特徴づけられる。
【０３８９】
画分Ａは有利には、０．２％より低い、好ましくは０．１％より低い、より好ましくは０．０５％より低い、最も好ましくは０．０２％より低いアセチレンの体積含有率で特徴づけられる。
【０３９０】
画分Ａは、画分Ａの総体積に対して有利には０．０１体積％以下、好ましくは０．００５体積％以下、特に好ましいやり方では０．００１体積％以下の少なくとも３個の炭素原子を含有する化合物の含有率で特徴づけられる。
【０３９１】
画分Ａは有利には、０．０００５％より低い、好ましくは０．０００２％より低い、より好ましくは０．０００１％より低い触媒毒化合物の体積含有率で特徴づけられる。
【０３９２】
画分Ａは有利には、それが画分Ｂのエチレンの体積含有率の１０％〜９０％を表すようなものである体積含有率のエチレンを含有する。画分Ａは有利には、それが画分Ｂのエチレンの体積含有率の９０％以下、好ましくは８５％以下、特に好ましいやり方では８０％以下であるようなものである体積含有率のエチレンを含有する。画分Ａは有利には、それが画分Ｂのエチレンの体積含有率の少なくとも１０％、好ましくは少なくとも１５％、特に好ましいやり方では少なくとも２０％であるようなものである体積含有率のエチレンを含有する。
【０３９３】
画分Ｃは有利には、少なくとも３個の炭素原子を含む化合物を含有する。有利には、少なくとも３個の炭素原子を含むこれらの化合物は、工程ａ）に由来するエチレンおよび他の成分を含有する生成物の混合物に由来するか、または工程ｂ）中の副反応によって発生する。少なくとも３個の炭素原子を含む化合物の中には、プロパン、プロピレン、ブタンおよびそれらの不飽和誘導体ならびに飽和または不飽和のより重質の化合物全てが挙げられてもよい。
【０３９４】
画分Ｃは有利には、工程ｂ）にかけられる生成物の混合物中に含有される少なくとも３個の炭素原子を含む化合物の少なくとも９５％、好ましくは少なくとも９８％および特に好ましくは少なくとも９９％を含有する。
【０３９５】
画分Ｃは有利には、画分Ｃの総重量に対して多くとも１重量％、好ましくは多くとも０．８重量％、特に好ましくは多くとも０．５重量％のエチレンを含有する。
【０３９６】
画分Ｃは有利にはエチレンより重質の成分に富む。好ましくは、画分Ｃは燃料として燃やされるかまたは化学的に付加価値化される。より好ましくは、画分Ｃは化学的に付加価値化される。
【０３９７】
ＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧがエタンに非常に富む場合には、それを付加価値化するためにエタンを単離することは興味深いことであり得る。これらの状況では、本発明による方法は、エタンが画分Ｃに、塩素化に向けられるかまたは個々の画分として単離される画分Ａと画分Ｂとの間の画分に導かれるように適合させることができる。
【０３９８】
エタンが画分Ｃに導かれる場合には、エタンは、さらなる蒸留塔を用いて画分Ｃ中に存在する重質炭化水素から分離することができる。エタンはまた、他の画分から（ボトムで抜き取られる）画分Ｃを単離するために使用される蒸留塔の側面からそれを抜き取ることによってか、または画分Ｃを単離するときに従来の蒸留塔の代わりに分割壁塔を使用することによって回収することができる。
【０３９９】
エタンが塩素化に向けられる画分に導かれる場合には、エタンは、好ましくはガス透過、パーベーパレーションまたは圧力スイング吸着の中間工程によって、塩素化のガス流出物から回収することができる。
【０４００】
エタンが個々の画分として単離される場合には、それは工程ｂ）中に他の画分から分離することができる。
【０４０１】
回収された後に、エタンは、燃料として燃やすかまたは化学的に付加価値化することができる。エタンは好ましくは化学的に付加価値化される。エタンはそれ故より好ましくは、後でオキシ塩素化にかけられるエチレンを生成するために国際公開第２００８／０００７０５号パンフレット、同第２００８／０００７０２号パンフレットおよび同第２００８／０００６９３号パンフレットに記載されているようにオキシ脱水素化（ＯＤＨ）にかけられる。
【０４０２】
本発明による方法の工程ｃ）によれば、画分Ａおよび画分Ｂは別々に、少なくとも１つのエチレン誘導体化合物の製造に搬送される。
【０４０３】
工程ｃ）の前に、画分Ａおよび／または画分Ｂは任意選択的に、特にＤＣＥのおよび任意選択的にそれから誘導される任意の化合物の製造に向けられるときに、アセチレン水素化工程、引き続く任意選択的に乾燥工程にかけられる。好ましくは、ＤＣＥのおよび任意選択的にそれから誘導される任意の化合物の製造に向けられる画分Ａおよび／または画分Ｂは、アセチレン水素化にかけられる。より好ましくは、直接塩素化によるＤＣＥの製造に向けられる画分Ａおよび／または画分Ｂは、アセチレン水素化工程、引き続く乾燥工程にかけられる。より好ましくは、オキシ塩素化によるＤＣＥの製造に向けられる画分Ａおよび／または画分Ｂは、乾燥工程なしのアセチレン水素化にかけられる。
【０４０４】
アセチレンの水素化は有利には、工程ａ８ａ）について先に記載されたように行われる。
【０４０５】
有利には、画分Ａのかかるアセチレン水素化の場合には、処理された画分Ａは有利には、０．０１％より低い、好ましくは０．００５％より低い、より好ましくは０．００２％より低い、最も好ましくは０．００１％より低いアセチレン体積含有率で特徴づけられる。
【０４０６】
有利には、画分Ｂのかかるアセチレン水素化の場合には、処理された画分Ｂは有利には、０．０１％より低い、好ましくは０．００５％より低い、より好ましくは０．００２％より低い、最も好ましくは０．００１％より低いアセチレン体積含有率で特徴づけられる。
【０４０７】
第１実施形態によれば、本発明による方法は有利には、それがＤＣＥのおよび任意選択的にそれから誘導される任意の化合物のならびにＤＣＥとは異なるエチレンから出発して直接製造される少なくとも１つのエチレン誘導体化合物のおよび任意選択的にそれから誘導される任意の化合物の製造を可能にするようなものである。
【０４０８】
この趣旨で、第１実施形態による本方法は好ましくは、工程ａ）およびｂ）の後に、ｃ）画分Ａおよび画分Ｂの中の一画分が、任意選択的にアセチレン水素化にかけられた後に、ＤＣＥのおよび任意選択的にそれから誘導される任意の化合物の製造に搬送され、そして一方他の画分がＤＣＥとは異なるエチレンから出発して直接製造される少なくとも１つのエチレン誘導体化合物のおよび任意選択的にそれから誘導される任意の化合物の製造に搬送されるようなものである。
【０４０９】
第１実施形態によれば、ＤＣＥはより好ましくはさらに、ＶＣを生成するためにＤＣＥ分解工程にかけられ、ＶＣは最も好ましくは後で、ＰＶＣを生成するために重合される。
【０４１０】
第１実施形態の第１変形によれば、本発明による方法は有利には、工程ａ）およびｂ）の後に、ｃ）画分Ａが、任意選択的にアセチレン水素化にかけられた後に、ＤＣＥのおよび任意選択的にそれから誘導される任意の化合物の製造に搬送され、そして画分ＢがＤＣＥとは異なるエチレンから出発して直接製造される少なくとも１つのエチレン誘導体化合物のおよび任意選択的にそれから誘導される任意の化合物の製造に搬送されるようなものである。
【０４１１】
第１実施形態の第１変形の第１亜変性によれば、本方法は有利には、工程ａ）およびｂ）の後に、
ｃ）画分Ａが、任意選択的にアセチレン水素化にかけられた後に、画分Ａ中に存在するエチレンのほとんどが分子塩素との反応によってＤＣＥに転化される塩素化反応器でのＤＣＥの製造に搬送され、そして画分ＢがＤＣＥとは異なるエチレンから出発して直接製造される少なくとも１つのエチレン誘導体化合物のおよび任意選択的にそれから誘導される任意の化合物の製造に搬送される；
ｄ）得られたＤＣＥが塩素化反応器に由来する生成物の流れから分離される；
ｅ）分離されたＤＣＥがＤＣＥ分解工程にかけられ、こうしてＶＣおよび塩化水素を生成する；ならびに
ｆ）得られたＶＣおよび塩化水素がＤＣＥ分解工程に由来する生成物の流れから分離されるようなものである。
【０４１２】
塩素化反応（普通は直接塩素化と呼ばれる）は有利には、ＦｅＣｌ３または別のルイス（Ｌｅｗｉｓ）酸などの溶解触媒を含有する液相（好ましくは主にＤＣＥ）で実施される。この触媒をアルカリ金属塩化物などの共触媒と有利に組み合わせることが可能である。良好な結果を与えたペアは、ＦｅＣｌ３とＬｉＣｌとの錯体（リチウムテトラクロロフェラート−オランダ国特許出願第６９０１３９８号明細書に記載されている）である。
【０４１３】
有利に使用されるＦｅＣｌ３の量は、液体ストックの１ｋｇ当たり約１〜３０ｇのＦｅＣｌ３である。ＦｅＣｌ３対ＬｉＣｌのモル比は有利にはおよそ０．５〜２である。
【０４１４】
加えて、塩素化反応は好ましくは塩素化有機液体媒体中で行われる。より好ましくは、液体ストックとも呼ばれる、この塩素化有機液体媒体は主にＤＣＥからなる。
【０４１５】
本発明による塩素化反応は有利には、３０〜１５０℃の温度で行われる。良好な結果は、沸点より下の温度（サブクールされた条件下での塩素化法）でおよび沸点そのもの（沸点での塩素法）での両方で圧力にかかわらず得られた。
【０４１６】
本発明による塩素化プロセスがサブクール条件下の塩素化プロセスであるとき、それは、有利には５０℃以上、好ましくは６０℃以上、しかし有利には８０℃以下、好ましくは７０℃以下の温度で、そして有利には１バール絶対以上、好ましくは１．１バール絶対以上、しかし有利には２０バール絶対以下、好ましくは１０バール絶対以下、特に好ましくは６バール絶対以下の気相での圧力で操作することによって良好な結果を与えた。
【０４１７】
沸点での塩素化方法が反応熱を役立つように回収するために好ましいかもしれない。この場合、反応は有利には、６０℃以上、好ましくは７０℃以上、特に好ましくは８５℃以上、しかし有利には１５０℃以下、好ましくは１３５℃以下の温度で、そして有利には０．２バール絶対以上、好ましくは０．５バール絶対以上、特に好ましくは１．１バール絶対以上、より特に好ましくは１．３バール絶対以上、しかし有利には１．３バール絶対以下、好ましくは６バール絶対以下の気相での圧力で行われる。
【０４１８】
塩素化プロセスはまた、沸点での塩素化のためのハイブリッド・ループ冷却プロセスであってもよい。表現「沸点での塩素化のためのハイブリッド・ループ冷却プロセス」は、形成されたＤＣＥの少なくともその量を気相に生成しながら、反応媒体の冷却が、例えば反応媒体中に浸漬された交換器を用いてか、または交換器中を循環するループによって実施されるプロセスを意味すると理解される。有利には、反応温度および圧力は、生成したＤＣＥが気相にあるままにし、かつ、反応媒体からの熱の残りが交換表面積によって除去されるように調整される。
【０４１９】
塩素化を受ける画分およびまた分子塩素（それ自体純粋なまたは希釈された）は、一緒にかまたは別々に、任意の公知の装置によって反応媒体へ導入されてもよい。塩素化を受ける画分の別個の導入が、その分圧を高め、そしてプロセスの律速段階を多くの場合に構成するその溶解を容易にするために有利である可能性がある。
【０４２０】
分子塩素がエチレンのほとんどを転化するのに十分な量で、かつ、過剰の未転化塩素の添加を必要とせずに加えられる。用いられる塩素／エチレン比は、好ましくは１．２〜０．８モル／モル、特に好ましくは１．０５〜０．９５モル／モルである。
【０４２１】
得られた塩素化生成物は主にＤＣＥ、そしてまた１，１，２−トリクロロエタンなどの少量の副生物または少量のエタンもしくはメタン塩素化生成物を含有する。
【０４２２】
塩素化反応器に由来する生成物の流れから得られるＤＣＥの分離は、公知のモードに従って実施され、一般に塩素化反応の熱を利用することを可能にする。それは次に好ましくは、凝縮および気／液分離によって実施される。
【０４２３】
未転化生成物（メタン、エタン、一酸化炭素、窒素、酸素および水素）は次に有利には、最初の混合物から出発して純エチレンを分離するために必要であったであろうものより容易な分離にかけられる。
【０４２４】
特に水素は未転化生成物から抜き出し、例えば過酸化水素製造における作業溶液の水素化のためかまたは過酸化水素の直接合成のためのように付加価値化することができる。
【０４２５】
ＤＣＥ分解工程が実施されてもよい条件は、当業者に公知である。ＤＣＥ分解は、その中に触媒を挙げることができる第３化合物の存在下にまたは不存在下に行うことができ；ＤＣＥ分解はこの場合には接触ＤＣＥ分解である。しかしながら、ＤＣＥ分解は好ましくは、第３化合物の不存在下に、熱のみの作用下に行われ；ＤＣＥ分解はこの場合にはしばしば熱分解と呼ばれる。
【０４２６】
この熱分解は有利には、管型炉での気相反応によって得られる。通常の熱分解温度は４００〜６００℃であり、４８０℃〜５４０℃の範囲が好ましい。滞留時間は有利には１〜６０秒であり、５〜２５秒の範囲が好ましい。ＤＣＥの転化率は有利には、副生物の形成および管型炉の管の汚れを制限するために４５〜７５％に制限される。
【０４２７】
熱分解に由来する生成物の流れから得られるＶＣと塩化水素との分離は、精製されたＶＣおよび塩化水素を集めるために、任意の公知の装置を使用して、公知のモードに従って実施される。精製後に、未転化ＤＣＥは有利には熱分解炉に搬送される。
【０４２８】
第１実施形態の第１変形のこの第１亜変形によれば、ＶＣは好ましくは後で、ＰＶＣを生成するために重合される。
【０４２９】
ＰＶＣの製造は、塊状、溶液または水性分散重合法であってもよく、好ましくはそれは水性分散重合法である。
【０４３０】
表現水性分散重合は、水性エマルジョンでのフリーラジカル重合および水性マイクロサスペンジョンでの重合だけでなく水性懸濁液でのフリーラジカル重合を意味すると理解される。
【０４３１】
表現水性懸濁液でのフリーラジカル重合は、分散剤および油溶性フリーラジカル開始剤の存在下に水性媒体中で行われる任意のフリーラジカル重合法を意味すると理解される。
【０４３２】
表現水性エマルジョンでのフリーラジカル重合は、乳化剤および水溶性フリーラジカル開始剤の存在下に水性媒体中で行われる任意のフリーラジカル重合法を意味すると理解される。
【０４３３】
均質化水性分散系での重合とも呼ばれる、表現水性マイクロサスペンジョン重合は、油溶性開始剤が使用され、そしてモノマー小滴のエマルジョンが強力な機械撹拌および乳化剤の存在によって調製される任意のフリーラジカル重合法を意味すると理解される。
【０４３４】
分離後に、塩化水素は任意の目的のために使用されてもよい。それは、例えば、塩化カルシウム、１，２−プロパンジオール、１，３−プロパンジオールまたは１，２，３−プロパントリオール（エピクロロヒドリンの合成につながるグリセリンまたはグリセロール）との反応によるクロロプロパノールなどのクロロアルコール、メタノールとの反応によるクロロメタンなどのクロロアルカン、水性塩酸、塩化第二鉄、塩化アルミニウム、クロロシラン、塩化チタン、塩化亜鉛、塩化アンモニウムのような他の無機塩化物のような化合物の合成に、しかしまた例えば芳香族化合物のオキシ塩素化法、アルキンの塩化水素化（例えばＶＣへのアセチレンの塩化水素化）もしくはアルケンの塩化水素化に搬送するかまたは分子塩素へ酸化することができる。
【０４３５】
工程ｆ）による分離の後に、ｇ）塩化水素は好ましくは、後でより好ましくは塩素化反応器にリサイクルされる分子塩素への酸化にかけられる。
【０４３６】
分離された塩化水素の分子塩素への酸化は、任意の公知の方法に従って行うことができる。
【０４３７】
それらの公知の方法の中に、塩酸の電解、Ｋｅｌｌｏｇｇと呼ばれるＫＥＬ塩素法（触媒として濃硫酸およびニトロシル硫酸を使用する）、Ｓｈｅｌｌ−Ｄｅａｃｏｎ法（触媒としてシリケート担体上の塩化銅（ＩＩ）と他の金属塩化物との混合物を使用する）および三井東圧（ＭＴ−塩素）法（触媒としてシリケート担体上の酸化クロム（ＩＩＩ）を使用する）のような修正Ｄｅａｃｏｎ法のような酸素による塩化水素の接触酸化法ならびに硝酸による塩化水素の酸化が挙げられてもよい。
【０４３８】
酸素による塩化水素の接触酸化が本発明による方法にとって好ましい。この酸化は有利には、酸素を含有するガスで行われる。
【０４３９】
酸素を含有するガスとして、分子酸素または空気を使用することができる。酸素は、空気の圧力スイング法または空気の深冷分離などの、通常の工業的方法によって製造されてもよい。
【０４４０】
１モルの塩化水素を酸化するために必要な酸素の理論的モル量は０．２５モルであるが、理論量を超える量の酸素を使用することが好ましく、より好ましくは、塩化水素の１モル当たり０．２５〜２モルの酸素が使用される。
【０４４１】
本発明による酸化反応に使用される触媒は、塩化水素の酸化による塩素の製造に使用される任意の公知の触媒であってもよい。
【０４４２】
触媒の例は、Ｄｅａｃｏｎ法におけるような銅ベースの触媒、酸化クロム、酸化ルテニウムまたは酸化ルテニウムと酸化チタンとの混合物である。Ｄｅａｃｏｎ触媒は、有利には塩化銅、塩化カリウムおよび様々な種類の化合物を第３成分として含む。
【０４４３】
触媒の形状は、球形粒子、円筒形ペレット、押出形態、リング形態、ハニカム形態、または成形材料のミリング引き続く篩い分けによって製造される好適なサイズを有する顆粒などの通常使用される形状のいずれであってもよい。触媒のサイズは好ましくは１０ｍｍ以下である。触媒のサイズの下限は限定されなくてもよいが、触媒のサイズは有利には少なくとも０．１ｍｍである。本明細書では、触媒のサイズは、球形粒子の場合には球の直径、円筒形ペレットの場合には横断面の直径または他の形態の場合には横断面の最大サイズを意味する。
【０４４４】
酸素を含有するガスを部分に分割し、そしてそれを少なくとも２つの反応ゾーンに導入することは興味深いことであり得る。
【０４４５】
酸化反応は有利には、それぞれが、好ましくは直列に配置された、触媒充填層を含む、少なくとも２つの反応ゾーンで実施される。
【０４４６】
反応圧力は有利には０．１〜５ＭＰａである。反応温度は有利には２００〜６５０℃、より好ましくは２００〜５００℃である。
【０４４７】
反応器は有利には管型反応器であり、それらの内径は好ましくは１０〜５０ｍｍ、より好ましくは１０〜４０ｍｍである。
【０４４８】
分子塩素はより好ましくは塩素化反応器にリサイクルされる。このリサイクリングは、任意の公知の方法に従って行うことができる。分子塩素は有利には先ず乾燥され、次に塩素化に入るための必要な圧力にされる。乾燥は有利には、圧縮による出口での凝縮でまたは硫酸のもしくは塩素と相性がよい吸着剤の塔を使ってのどれか、好ましくは硫酸の塔を使って行われる。
【０４４９】
第１実施形態の第１変形の第１亜変形によれば、画分Ｂは、ＤＣＥとは異なるエチレンから出発して直接製造される少なくとも１つのエチレン誘導体化合物の、および任意選択的にそれから誘導される任意の化合物の製造に搬送される。
【０４５０】
ＤＣＥとは異なる、画分Ｂから製造することができるエチレンから出発して直接製造されるエチレン誘導体化合物の例として、とりわけ、エチレンオキシド、線状アルファ−オレフィン、線状第一級アルコール、エチレンのホモポリマーおよびコポリマー、エチルベンゼン、酢酸ビニル、アセトアルデヒド、エチルアルコールおよびプロピオンアルデヒドが挙げられてもよい。
【０４５１】
それから誘導される任意選択的な化合物の例として、とりわけ、エチレンオキシドから製造されるグリコール、エチルベンゼンから製造されるスチレンおよびスチレンから誘導されるスチレンのポリマーが挙げられてもよい。
【０４５２】
画分Ｂはそれ故、ＤＣＥとは異なるエチレンから出発して直接製造される１つのまたは幾つかのエチレン誘導体化合物の製造に搬送することができる。
【０４５３】
ＤＣＥとは異なるエチレンから出発して直接製造される幾つかのエチレン誘導体化合物の製造に送られるために、画分Ｂは有利には、必要に応じて同じ組成の多くの画分として分けられる。
【０４５４】
好ましくは、画分Ｂは、ＤＣＥとは異なるエチレンから出発して直接製造される１つのエチレン誘導体化合物の製造に搬送される。
【０４５５】
画分Ｂはより好ましくはエチルベンゼンの製造に、最も好ましくはスチレンのポリマーを得るために後で重合されるスチレンの製造に搬送されるエチルベンゼンそのものの製造に搬送される。
【０４５６】
第１実施形態の第１変形の第２亜変形によれば、本方法は、工程ａ）およびｂ）の後に、
ｃ）画分Ａが、任意選択的にアセチレン水素化にかけられた後に、画分Ａ中に存在するエチレンの多くとも９０％が分子塩素との反応によってＤＣＥに転化される塩素化反応器でのＤＣＥの製造に搬送され、そして画分ＢがＤＣＥとは異なるエチレンから出発して直接製造されるエチレン誘導体化合物のおよび任意選択的にそれから誘導される任意の化合物の製造に搬送される；
ｄ）塩素化反応器で形成されたＤＣＥが塩素化反応器に由来する生成物の流れから任意選択的に単離される；
ｅ）ＤＣＥが任意選択的にそれから抜き出された、塩素化反応器に由来する生成物の流れが、塩素化反応器で形成されたＤＣＥが前に抜き出されなかった場合に任意選択的に抜き出される、吸収／脱着工程ｅ’）に後者を任意選択的にかけた後に、エチレンの残りの大部分がＤＣＥに転化されるオキシ塩素化反応器に搬送される；ならびに
ｆ）オキシ塩素化反応器で形成されたＤＣＥがオキシ塩素化反応器に由来する生成物の流れから単離され、塩素化反応器で形成されたＤＣＥに任意選択的に加えられる
ようなものである。
【０４５７】
第１実施形態の第１変形のこの第２亜変形によれば、ＤＣＥは有利にはさらに、ＶＣを生成するためにＤＣＥ分解工程にかけられ、ＶＣは好ましくは後で、ＰＶＣを生成するために重合される。
【０４５８】
本明細書で以下に詳述される塩素のフローを除いて第１実施形態の第１変形の第２亜変形の特定の場合には、塩素化反応に関する詳細については第１実施形態の第１変形の第１亜変形について言及される。
【０４５９】
塩素の流量は、エチレンの有利には少なくとも１０％、好ましくは少なくとも２０％、特に好ましくは少なくとも３０％がＤＣＥに転化されるようなものである。塩素の流量は、エチレンの有利には多くとも９０％、好ましくは多くとも８０％、特に好ましくは多くとも７０％がＤＣＥに転化されるようなものである。
【０４６０】
第１実施形態の第１変形の第２亜変形の工程ｄ）によれば、塩素化反応器で形成されたＤＣＥは任意選択的に、塩素化反応器に由来する生成物の流れから単離される。場合によっては、塩素化反応器に由来する生成物の流れから塩素化反応器で形成されたＤＣＥを単離しないことが有利であるかもしれない。しかしながら好ましくは、塩素化反応器で形成されたＤＣＥは塩素化反応器に由来する生成物の流れから単離される。
【０４６１】
それが行われる場合、塩素化反応器に由来する生成物の流れからの得られたＤＣＥの分離は公知方法に従って実施され、塩素化反応の熱を利用することを一般に可能にする。それはそのとき好ましくは凝縮および気／液分離によって実施される。
【０４６２】
第１実施形態の第１変形の第２亜変形の工程ｅ）によれば、ＤＣＥが任意選択的にそれから抜き出された、塩素化反応器に由来する生成物の流れは、塩素化反応器で形成されたＤＣＥが前に抜き出されなかった場合に任意選択的に抜き出される、吸収／脱着工程ｅ’）に後者を任意選択的にかけた後に、エチレンの残りの大部分がＤＣＥに転化されるオキシ塩素化反応器に搬送される。
【０４６３】
オキシ塩素化反応は有利には、不活性担体上に沈着された銅をはじめとする、活性元素を含む触媒の存在下に実施される。不活性担体は有利には、アルミナ、シリカゲル、混合酸化物、粘土および天然起源の他の担体から選択される。アルミナが好ましい不活性担体である。
【０４６４】
数が有利には少なくとも２つであり、その１つが銅である活性元素を含む触媒が好ましい。銅以外の活性元素のうち、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属ならびにルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウム、白金および金からなる群からの金属が挙げられてもよい。以下の活性元素を含有する触媒が特に有利である：銅／マグネシウム／カリウム、銅／マグネシウム／ナトリウム；銅／マグネシウム／リチウム、銅／マグネシウム／セシウム、銅／マグネシウム／ナトリウム／リチウム、銅／マグネシウム／カリウム／リチウムおよび銅／マグネシウム／セシウム／リチウム、銅／マグネシウム／ナトリウム／カリウム、銅／マグネシウム／ナトリウム／セシウムおよび銅／マグネシウム／カリウム／セシウム。参照により援用される、欧州特許出願公開第２５５  １５６Ａ号明細書、欧州特許出願公開第４９４  ４７４Ａ号明細書、欧州特許出願公開第６５７  ２１２Ａ号明細書および欧州特許出願公開第６５７  ２１３Ａ号明細書に記載されている触媒が最も特に好ましい。
【０４６５】
金属形態で計算される、銅含有率は有利には、触媒１ｋｇ当たり３０〜９０ｇ、好ましくは触媒１ｋｇ当たり４０〜８０ｇ、特に好ましくは触媒１ｋｇ当たり５０〜７０ｇの触媒である。
【０４６６】
金属形態で計算される、マグネシウム含有率は有利には、触媒１ｋｇ当たり１０〜３０ｇ、好ましくは触媒１ｋｇ当たり１２〜２５ｇ、特に好ましくは触媒１ｋｇ当たり１５〜２０ｇである。
【０４６７】
金属形態で計算される、アルカリ金属含有率は有利には、触媒１ｋｇ当たり０．１〜３０ｇ、好ましくは触媒１ｋｇ当たり０．５〜２０ｇ、特に好ましくは触媒１ｋｇ当たり１〜１５ｇの触媒である。
【０４６８】
Ｃｕ：Ｍｇ：アルカリ金属原子比は、有利には１：０．１〜２：０．０５〜２、好ましくは１：０．２〜１．５：０．１〜１．５、特に好ましくは１：０．５〜１：０．１５〜１である。
【０４６９】
窒素でＢＥＴ法に従って測定される、有利には２５ｍ２／ｇ〜３００ｍ２／ｇ、好ましくは５０〜２００ｍ２／ｇ、特に好ましくは７５〜１７５ｍ２／ｇの比表面積を有する触媒が特に有利である。
【０４７０】
触媒は固定床でまたは流動床で使用されてもよい。この第２選択肢が好ましい。オキシ塩素化プロセスは、この反応向けに通常推奨される範囲の条件下に操作される。温度は有利には１５０〜３００℃、好ましくは２００〜２７５℃、最も好ましくは２１５〜２５５℃である。圧力は有利には大気圧より上である。２〜１０バール絶対の値が良好な結果を与えた。４〜７バール絶対の範囲が好ましい。この圧力は、反応器での最適滞留時間を達成するためにおよび様々な運転速度に対して一定の通過速度を維持するために役立つように調整されてもよい。通常の滞留時間は、１〜６０秒、好ましくは１０〜４０秒の範囲である。
【０４７１】
このオキシ塩素化のための酸素源は、空気、純酸素またはそれらの混合物、好ましくは純酸素であってもよい。未転化反応体の容易なリサイクリングを可能にする後者の解決策が好ましい。
【０４７２】
反応体は、任意の公知デバイスによって床へ導入されてもよい。安全上の理由から酸素を他の反応体とは別々に導入することが一般に有利である。これらの安全性理由はまた、反応器を出るまたはそれにリサイクルされるガス混合物が当該圧力および温度で可燃限界外に保たれることを要求する。いわゆる濃混合気を維持すること、すなわち、燃料に対して余りにも少ない酸素を含有するので点火しないことが好ましい。この関連で、水素の豊富な存在（＞２ｖｏｌ％、好ましくは＞５ｖｏｌ％）は、この化合物の広範囲の可燃性を考えると不利点を構成するであろう。
【０４７３】
用いられる塩化水素／酸素比は有利には３〜６モル／モルである。エチレン／塩化水素比は有利には０．４〜０．６モル／モルである。
【０４７４】
得られた塩素化生成物は、主としてＤＣＥおよびまた１，１，２−トリクロロエタンなどの少量の副生物を含有する。
【０４７５】
場合によっては、オキシ塩素化反応器に入る前に、ＤＣＥが場合により抽出された、塩素化反応器に由来する生成物の流れを、塩素化反応器で形成されたＤＣＥが予め抽出されなかった場合には場合により抽出される吸収／脱着工程ｅ’）にかけることが有利であるかもしれない。
【０４７６】
表現「塩素化反応器で形成されたＤＣＥが予め抽出されなかった場合には場合により抽出される工程ｅ’）」は、塩素化反応器で形成されたＤＣＥが、工程ｅ’）が行われる場合およびそれが予め抽出されなかった場合にはこの工程中に抽出されてもよいことを意味すると理解される。好ましくは、塩素化反応器で形成されたＤＣＥは、工程ｅ’）が行われる場合およびそれが予め抽出されなかった場合にはこの工程中に抽出される。
【０４７７】
こうして、ＤＣＥが場合により抽出された、塩素化反応器に由来する生成物の流れ（本明細書では以下塩素化流れとして知られる）は有利には、吸収工程におよび脱着工程にかけられ、そこで前記流れは溶媒を含有する洗浄剤と好ましくは接触させられる。
【０４７８】
表現「溶媒を含有する洗浄剤」またはより簡単に「洗浄剤」は、溶媒が液体状態で存在する組成物を意味すると理解される。
【０４７９】
本発明に従って使用することができる洗浄剤はそれ故有利には、液体状態での溶媒を含有する。前記洗浄剤中の、他の化合物の存在は、本発明の範囲から決して排除されない。しかしながら、洗浄剤は少なくとも５０体積％、より特に少なくとも６５体積％、最も特に好ましくは少なくとも７０体積％の溶媒を含有することが好ましい。
【０４８０】
溶媒は有利には、アルコール、グリコール、ポリオール、エーテル、グリコールとエーテルとの混合物、鉱油ならびにＤＣＥの中から選択される。溶媒は好ましくは、アルコール、鉱油およびＤＣＥの中から、より好ましくは共沸エタノール（有利には少なくとも７０体積％、好ましくは少なくとも８０体積％、より好ましくは少なくとも８５体積％のエタノールの水性エタノール）およびＤＣＥの中から選択される。溶媒は最も好ましくはＤＣＥである。
【０４８１】
吸収工程のために使用される洗浄剤は、任意の起源の新しい洗浄剤、例えば粗共沸エタノールまたは塩素化装置を出る粗ＤＣＥ、オキシ塩素化装置を出る粗ＤＣＥまたは精製されなかったこれら２つの混合物からなってもよい。それはまた、予め精製された前記ＤＣＥから、場合により新しい洗浄剤を添加した、下に説明されるような、エタンより重質な化合物の、ＤＣＥ中の濃度を下げることを可能にする任意の処理後の、塩素化反応器で形成された、そして脱着工程で抽出されるＤＣＥを場合により含有する下に説明される脱着工程中に回収された洗浄剤の全てかもしくは一部からなってもよい。
【０４８２】
好ましくは、吸収工程のために使用される洗浄剤は、場合により新しい洗浄剤を添加した、上述の任意の処理後の、塩素化反応器で形成された、そして脱着工程で抽出されるＤＣＥを場合により含有する脱着工程中に回収された洗浄剤の全てかもしくは一部からなる。塩素化反応で形成されたＤＣＥが塩素化出口で塩素化反応器に由来する生成物の流れから単離される場合、特に好ましい方法では、吸収工程のために使用される洗浄剤は、新しい洗浄剤（吸収および脱着工程中の洗浄剤の損失を補填するための）を添加した、前述の任意の処理後の、脱着工程中に回収された洗浄剤の全てかもしくは一部からなる。
【０４８３】
エタンより重質な化合物の、好ましくは少なくとも３個の炭素原子を含む化合物の洗浄剤中の濃度を下げることを可能にする上述の任意の処理は、エタンより重質で、そして洗浄剤より軽質な化合物を脱着する工程かまたは洗浄剤を蒸留する工程であってもよい。好ましくは、それは、エタンより重質で、そして洗浄剤より軽質な化合物を脱着する工程からなる。好ましくは、洗浄剤のこの処理が行われる。
【０４８４】
ＤＣＥが洗浄剤であるときの最も好ましい場合の本質的な利点は、それがオキシ塩素化または塩素化中に主として形成される化合物であるので、このＤＣＥの存在が全く面倒ではないという事実にある。
【０４８５】
洗浄剤および塩素化流れのそれぞれのスループット間の比は決定的に重要であるわけではなく、大幅に変わることができる。それは実際には、洗浄剤の再生コストによって制限されるにすぎない。一般に、洗浄剤のスループットは、塩素化流れの１トン当たり少なくとも１、好ましくは少なくとも５、特に好ましくは少なくとも１０トンである。一般に、洗浄剤のスループットは、塩素化流れから抽出されるべきエチレンおよびエタン混合物の１トン当たり１００トン以下、好ましくは５０トン以下、特に好ましくは２５トン以下である。
【０４８６】
吸収工程は有利には、例えば、クライミングフィルムもしくは流下薄膜吸収器などの吸収器またはプレート塔、ランダム充填材の塔、構造化充填材の塔、前述のインターナルおよびスプレー塔の１つ以上を組み合わせた塔から選択された吸収塔を用いて実施される。吸収工程は好ましくは吸収塔を用いて、特に好ましくはプレート吸収塔を用いて実施される。
【０４８７】
吸収塔は有利には、塔の内部または外部にある、例えば、少なくとも１つの凝縮器または冷却装置などの関連付属品を備えている。
【０４８８】
上述の吸収工程は有利には、少なくとも１５、好ましくは少なくとも２０、特に好ましくは少なくとも２５バール絶対の圧力で実施される。吸収工程は有利には、４０バール絶対以下、好ましくは３５バール絶対以下、特に好ましくは３０バール絶対以下の圧力で実施される。
【０４８９】
吸収工程が実施される温度は有利には、吸収器または吸収塔の頂部で少なくとも−１０、好ましくは少なくとも０、特に好ましくは少なくとも１０℃である。それは有利には、吸収器または吸収塔の頂部で６０℃以下、好ましくは５０以下℃、特に好ましくは４０℃以下である。
【０４９０】
吸収器または吸収塔の底部での温度は、少なくとも０、好ましくは少なくとも１０、特に好ましくは少なくとも２０℃である。それは有利には、７０℃以下、好ましくは６０℃以下、特に好ましくは５０℃以下である。
【０４９１】
エチレンより軽質で洗浄剤に富む化合物から精製された塩素化流れである、吸収工程から生じた流れは、有利には脱着工程にかけられる。
【０４９２】
塩素化反応器で形成された、その後抽出されるＤＣＥを場合により含有する、脱着工程後に回収された洗浄剤は取り出され、このＤＣＥがオキシ塩素化反応器で形成されたＤＣＥと一緒になるオキシ塩素化部に完全にもしくは部分的に搬送されても、または場合により上述の処理後に、場合により新しい洗浄剤を添加して、吸収工程に完全にもしくは部分的に搬送されてもよい。好ましくは、脱着工程後に回収された洗浄剤は、上述の任意の処理後に、場合により新しい洗浄剤を添加して、吸収工程に、またはオキシ塩素化部に再搬送される。塩素化反応器で形成されたＤＣＥが塩素化出口で塩素化反応器に由来する生成物の流れから単離される場合、特に好ましい方法では、脱着工程後に回収された洗浄剤は、上述の任意の処理後に、新しい洗浄剤を添加して、吸収工程に完全にまたは部分的に再搬送される。
【０４９３】
脱着工程は有利には、例えば、クライミングフィルムもしくは流下薄膜脱着器などの脱着器、リボイラーまたはプレート塔、ランダム充填材の塔、構造化充填材の塔、前述のインターナルおよびスプレー塔の１つ以上を組み合わせた塔から選択された脱着塔を用いて実施される。脱着はまた、ＤＣＥを集めるために蒸気の直接注入によって行うことができる。脱着工程は好ましくは、脱着塔を用いて、特に好ましくはプレート脱着塔を用いて実施される。
【０４９４】
脱着塔は有利には、塔の内部または外部にある、例えば、少なくとも１つの凝縮器または冷却装置および少なくとも１つのリボイラーなどの関連付属品を備えている。
【０４９５】
脱着圧力は有利には、脱着ガス中の少なくとも３個の炭素原子を有する化合物の含有率が１００体積ｐｐｍ未満、好ましくは５０体積ｐｐｍ以下、特に好ましくは２０体積ｐｐｍｍ以下であるように選択される。
【０４９６】
上述の脱着工程は有利には、少なくとも１、好ましくは少なくとも２、特に好ましくは少なくとも３バール絶対の圧力で実施される。脱着工程は有利には、２０バール絶対以下、好ましくは１５バール絶対以下、特に好ましくは１０バール絶対以下の圧力で実施される。
【０４９７】
脱着工程が実施される温度は有利には、脱着器または脱着塔の頂部で少なくとも−１０、好ましくは少なくとも０、特に好ましくは少なくとも１０℃である。それは有利には、脱着器または脱着塔の頂部で６０℃以下、好ましくは５０℃以下、特に好ましくは４５℃以下である。
【０４９８】
脱着器または脱着塔の底部での温度は、少なくとも６０、好ましくは少なくとも８０、特に好ましくは少なくとも１００℃である。それは有利には、２００℃以下、好ましくは１６０℃以下、特に好ましくは１５０℃以下である。
【０４９９】
吸収工程が吸収塔で、そして脱着工程が脱着塔で実施される場合が最も特に好ましい。
【０５００】
吸収工程の後に回収される水素は有利には、燃料としてまたは、場合により精製工程後に反応体として展開される。このように、水素は、ＤＣＥ分解工程における燃料として開発されてもよい。それはまた、例えば水素化反応器用の反応剤として開発されてもよい。
【０５０１】
第１実施形態の第１変形の第２亜変形の工程ｆ）によれば、オキシ塩素化反応器で形成されたＤＣＥは、オキシ塩素化反応器に由来する生成物の流れから単離され、塩素化反応器で形成されたＤＣＥに任意選択的に加えられる。
【０５０２】
オキシ塩素化反応器に由来する生成物の流れからの得られたＤＣＥの分離は、公知方法に従って実施される。それは好ましくは先ず凝縮によって実施される。オキシ塩素化反応器の熱は蒸気状態で一般に回収され、それは分離のために、または任意の他の使用のために使用されてもよい。
【０５０３】
オキシ塩素化反応器から出た後、この反応器に由来する生成物の流れはまた有利には、未転化ＨＣｌを回収するために洗浄される。この洗浄操作は有利にはアルカリ性洗浄工程である。それに好ましくは気／液分離工程が続き、それは液体形態で形成されたＤＣＥを回収し、そして最終的にＤＣＥを乾燥させることを可能にする。
【０５０４】
表現「塩素化反応器で形成されたＤＣＥに場合により加えられる」は、塩素化反応器で形成されたＤＣＥがこの反応器に由来する生成物の流れから単離される場合、塩素化反応器を出るとすぐに、または工程ｅ’）の後に、オキシ塩素化反応器で形成されたＤＣＥがそれに加えられても加えられなくてもよいことを意味すると理解される。好ましくは、ＤＣＥはそれに加えられる。一方、この第１ＤＣＥが単離されない場合、オキシ塩素化反応器に由来する生成物の流れから単離されたＤＣＥは有利には、回収されたＤＣＥの唯一の流れである。別の代替策は有利には、オキシ塩素化反応器に由来する生成物の流れから単離されたＤＣＥを塩素化反応器に由来する生成物の流れから単離されたＤＣＥの一部と混合することおよびこの後者の他の部分をＤＣＥ分解工程に直接送ることである。
【０５０５】
ＤＣＥ分解工程に関するおよびＤＣＥ分解工程に由来する生成物の流れから得られるＶＣの分離に関するより詳細については第１実施形態の第１変形の第１亜変形について言及される。
【０５０６】
第１実施形態の第１変形のこの第２亜変形によれば、ＶＣは好ましくは後で、ＰＶＣを生成するために重合される。ＰＶＣの製造に関するより詳細については第１実施形態の第１変形の第１亜変形について言及される。
【０５０７】
画分Ｂから製造することができるエチレン誘導体化合物とは何を意味するかについては、およびそれに関連する特徴および好ましさについては第１実施形態の第１変形の第１亜変形について言及される。
【０５０８】
第１実施形態の第１変形の第３亜変性によれば、本方法は有利には、工程ａ）およびｂ）の後に、
ｃ）画分Ａが、同じ組成のまたは異なる組成の画分Ａ１と画分Ａ２とへ分離された後に、任意選択的にアセチレン水素化にかけられた後に、ＤＣＥの製造に搬送され、そして画分ＢがＤＣＥとは異なるエチレンから出発して直接製造されるエチレン誘導体化合物のおよび任意選択的にそれから誘導される任意の化合物の製造に搬送される；
ｄ）画分Ａ１が塩素化反応器に、そして画分Ａ２がオキシ塩素化反応器に搬送され、それらの反応器で画分Ａ１およびＡ２中に存在するエチレンのほとんどがＤＣＥに転化される；ならびに
ｅ）得られたＤＣＥが塩素化およびオキシ塩素化反応器に由来する生成物の流れから分離される
ようなものである。
【０５０９】
画分Ａ１と画分Ａ２とへの画分Ａの分離は有利には、画分Ａを、任意の公知の手段を用いて同じ組成のまたは異なる組成の２つの別個の画分へ分割することによって操作される。
【０５１０】
画分Ａが同じ組成の画分Ａ１と画分Ａ２とへ分割される場合は、工程ａ）を出るエチレンおよび他の成分を含有する生成物の混合物が簡単に分割できるときに、好ましくは工程ａ）を出る生成物の混合物が水素に乏しいおよび／または水素化工程中に水素と反応するときにまたは工程ａ８）行われるときに第１実施形態の第１変形の第３亜変形との関連で特に興味深い。
【０５１１】
画分Ａが異なる組成の画分Ａ１と画分Ａ２とへ分割される場合は、異なる組成の画分が工程ｃ）のために必要とされるときに第１実施形態の第１変形の第３亜変形との関連で特に興味深い。画分Ａはそれ故有利には、画分Ａ１が後で塩素化反応器に、そして画分Ａ２がオキシ塩素化反応器に搬送されるように異なる組成の画分Ａ１と画分Ａ２とへ分割される。
【０５１２】
画分Ａ１と画分Ａ２とへの画分Ａの分割は、任意の公知の手段によって行うことができる。好ましくは、画分Ａは熱交換器での間接冷却によって冷やされ、熱交換器で画分Ａ２は好適な圧力への膨張後に気化し、冷却された熱交換器での好適な冷却媒体との間接接触によってその温度の規定の低下まで過冷却される。液体蒸気は好ましくは、蒸気画分Ａ１と液体画分Ａ２とを生成するために分割される。温度低下は有利には５℃より大きく、好ましくは７℃より大きく、より好ましくは８℃より大きい。温度低下は有利には３０℃より少なく、好ましくは２５℃より少なく、より好ましくは２２℃より少ない。
【０５１３】
画分Ａ１は有利には、画分Ａ中に含有されるエチレン量の１０％超、好ましくは２０％超、より好ましくは２５％超を含有する。画分Ａ１は有利には、画分Ａ中に含有されるエチレン量の９０％未満、好ましくは８０％未満、より好ましくは７５％未満を含有する。
【０５１４】
画分Ａ１は有利には、画分Ａ中に含有される水素量の８０％超、好ましくは８５％超、より好ましくは９０％超を含有する。
【０５１５】
画分Ａ１は有利には、画分Ａ中に含有されるメタン量の７０％超、好ましくは７５％超、より好ましくは８０％超を含有する。
【０５１６】
画分Ａ１は有利には、画分Ａ中に含有されるエタン量の４０％未満、好ましくは３０％未満、より好ましくは２５％未満を含有する。
【０５１７】
第１実施形態の第１変形のこの第３亜変形によれば、ＤＣＥは有利にはさらに、ＶＣを生成するためにＤＣＥ分解工程にかけられ、ＶＣは好ましくは後で、ＰＶＣを生成するために重合される。
【０５１８】
塩素化反応器に由来する生成物の流れから分離されたＤＣＥは、ＤＣＥ分解工程の前にオキシ塩素化反応器に由来する生成物の流れから分離されたＤＣＥと混合することもしないこともできる。両ＤＣＥが混合されるとき、それらは全体的にまたは部分的に混合することができる。好ましい場合は、オキシ塩素化反応器に由来する生成物の流れから単離されたＤＣＥが塩素化反応器に由来する生成物の流れから単離されたＤＣＥの一部と混合され、そしてこの後者の他の部分がＤＣＥ分解工程に直接送られるときである。
【０５１９】
塩素化反応および塩素化反応器に由来する生成物の流れから得られるＤＣＥの分離に関する詳細については第１実施形態の第１変形の第１亜変形について言及される。ＤＣＥ分解工程およびＤＣＥ分解工程に由来する生成物の流れから得られるＶＣの分離に関する詳細については同じ第１亜変形についてまた言及される。オキシ塩素化反応およびオキシ塩素化反応器に由来する生成物の流れから得られるＤＣＥの分離に関する詳細については第１実施形態の第１変形の第２亜変形について言及される。
【０５２０】
第１実施形態の第１変形のこの第３亜変形によれば、ＶＣは好ましくは後で、ＰＶＣを生成するために重合される。ＰＶＣの製造に関するより詳細については第１実施形態の第１変形の第１亜変形について言及される。
【０５２１】
画分Ｂから製造することができるエチレン誘導体化合物とは何を意味するかについては、およびそれに関連する特徴および好ましさについては第１実施形態の第１変形の第１亜変形について言及される。
【０５２２】
第１実施形態の第２変形によれば、本発明による方法は有利には、工程ａ）およびｂ）の後に、ｃ）画分Ａが、ＤＣＥとは異なるエチレンから出発して直接製造されるエチレン誘導体化合物のおよび任意選択的にそれから誘導される任意の化合物の製造に搬送され、そして画分Ｂが、任意選択的にアセチレン水素化にかけられた後に、ＤＣＥのおよび任意選択的にそれから誘導される任意の化合物の製造に搬送されるようなものである。
【０５２３】
第１実施形態の第２変形の第１亜変性によれば、本方法は有利には、工程ａ）およびｂ）の後に、
ｃ）画分Ａが、ＤＣＥとは異なるエチレンから出発して直接製造されるエチレン誘導体化合物のおよび任意選択的にそれから誘導される任意の化合物の製造に搬送され、そして画分Ｂが、任意選択的にアセチレン水素化にかけられた後に、画分Ｂ中に存在するエチレンのほとんどが分子塩素との反応によってＤＣＥに転化される塩素化反応器でのＤＣＥの製造に搬送される；
ｄ）得られたＤＣＥが塩素化反応器に由来する生成物の流れから分離される；
ｅ）分離されたＤＣＥがＤＣＥ分解工程にかけられ、こうしてＶＣおよび塩化水素を生成する；ならびに
ｆ）得られたＶＣおよび塩化水素がＤＣＥ分解工程に由来する生成物の流れから分離される
ようなものである。
【０５２４】
第１実施形態の第２変形のこの第１亜変形の特徴および好ましさは、画分Ａを画分Ｂでおよび逆に置き換えて、本発明による第１実施形態の第１変形の第１亜変形について明示されるものと同じものである。
【０５２５】
第１実施形態の第２変形の第２亜変性によれば、本方法は有利には、工程ａ）およびｂ）の後に、
ｃ）画分Ａが、ＤＣＥとは異なるエチレンから出発して直接製造されるエチレン誘導体化合物のおよび任意選択的にそれから誘導される任意の化合物の製造に搬送され、そして画分Ｂが、任意選択的にアセチレン水素化にかけられた後に、画分Ｂ中に存在するエチレンの多くとも９０％が分子塩素との反応によってＤＣＥに転化される塩素化反応器でのＤＣＥの製造に搬送される；
ｄ）塩素化反応器で形成されたＤＣＥが任意選択的に塩素化反応器に由来する生成物の流れから単離される；
ｅ）ＤＣＥが任意選択的にそれから抜き出された、塩素化反応器に由来する生成物の流れが、塩素化反応器で形成されたＤＣＥが前に抜き出されなかった場合に任意選択的に抜き出される、吸収／脱着工程ｅ’）に後者を任意選択的にかけた後に、エチレンの残りの大部分がＤＣＥに転化されるオキシ塩素化反応器に搬送される；ならびに
ｆ）オキシ塩素化反応器で形成されたＤＣＥがオキシ塩素化反応器に由来する生成物の流れから単離され、塩素化反応器で形成されたＤＣＥに任意選択的に加えられる
ようなものである。
【０５２６】
第１実施形態の第２変形のこの第２亜変形によれば、ＤＣＥは有利にはさらに、ＶＣを生成するためにＤＣＥ分解工程にかけられ、ＶＣは好ましくは後で、ＰＶＣを生成するために重合される。
【０５２７】
第１実施形態の第２変形のこの第２亜変形の特徴および好ましさは、画分Ａを画分Ｂでおよび逆に置き換えて、しかしながら、この特定の第２亜変形において、オキシ塩素化反応器へ入る前に、ＤＣＥが任意選択的にそれから抜き出された、塩素化反応器に由来する生成物の流れを吸収／脱着工程ｅ’）にかけないことが有利である可能性があるという特殊性つきで、本発明による第１実施形態の第１変形の第２亜変形について明示されるものと同じものである。
【０５２８】
第１実施形態の第２変形の第３亜変性によれば、本方法は有利には、工程ａ）およびｂ）の後に、
ｃ）画分Ａが、ＤＣＥとは異なるエチレンから出発して直接製造されるエチレン誘導体化合物のおよび任意選択的にそれから誘導される任意の化合物の製造に搬送され、そして画分Ｂが、同じ組成のまたは異なる組成の画分Ｂ１と画分Ｂ２とへ分離された後に、任意選択的にアセチレン水素化にかけられた後に、ＤＣＥの製造に搬送される；
ｄ）画分Ｂ１が塩素化反応器に搬送され、そして画分Ｂ２がオキシ塩素化反応器に搬送され、それらの反応器で画分Ｂ１およびＢ２中に存在するエチレンのほとんどがＤＣＥに転化される；ならびに
ｅ）得られたＤＣＥが塩素化およびオキシ塩素化反応器に由来する生成物の流れから分離される
ようなものである。
【０５２９】
第１実施形態の第２変形のこの第３亜変形によれば、ＤＣＥは有利にはさらに、ＶＣを生成するためにＤＣＥ分解工程にかけられ、ＶＣは好ましくは後で、ＰＶＣを生成するために重合される。
【０５３０】
第１実施形態の第２変形のこの第３亜変形の特徴および好ましさは、画分Ａを画分Ｂでおよび逆にならびに画分Ａ１およびＡ２を画分Ｂ１およびＢ２で置き換えて、本発明による第１実施形態の第１変形の第３亜変形について明示されるものと同じものである。
【０５３１】
第２実施形態によれば、本発明による方法は有利には、それがエチレンから出発して直接製造される唯一のエチレン誘導体化合物としてのＤＣＥの製造を可能にするようなものである。
【０５３２】
この趣旨で、第２実施形態による本方法は好ましくは、工程ａ）およびｂ）の後に、ｃ）画分Ａおよび画分Ｂが両方とも、任意選択的にアセチレン水素化にかけられた後に、ＤＣＥのおよび任意選択的にそれから誘導される任意の化合物の製造に搬送されるようなものである。
【０５３３】
より好ましくは、第２実施形態による本方法は、
ｃ）任意選択的にアセチレン水素化にかけられた後に、画分Ａが塩素化反応器に、そして画分Ｂがオキシ塩素化反応器に搬送され、それらの反応器で画分ＡおよびＢ中に存在するエチレンのほとんどがＤＣＥに転化される；ならびに
ｄ）得られたＤＣＥが、塩素化およびオキシ塩素化反応器に由来する生成物の流れから分離される
ようなものである。
【０５３４】
第２実施形態によれば、ＤＣＥは有利にはさらに、ＶＣを生成するためにＤＣＥ分解工程にかけられ、ＶＣは好ましくは後で、ＰＶＣを生成するために重合される。
【０５３５】
塩素化反応および塩素化反応器に由来する生成物の流れから得られるＤＣＥの分離に関する詳細については第１実施形態の第１変形の第１亜変形について言及される。ＤＣＥ分解工程およびＤＣＥ分解工程に由来する生成物の流れから得られるＶＣの分離に関する詳細については同じ第１亜変形について言及される。オキシ塩素化反応およびオキシ塩素化反応器に由来する生成物の流れから得られるＤＣＥの分離に関する詳細については第１実施形態の第１変形の第２亜変形について言及される。
【０５３６】
本発明による第２実施形態の第１変形によれば、ＤＣＥの製造方法が有利にはバランスしていること（すなわち、エチレンの塩素化およびオキシ塩素化ならびに形成されたＤＣＥのＤＣＥ分解工程による製造方法がこの方法に必要な量のＨＣｌを発生させることを可能にすること）を考えると、画分ＡおよびＢのそれぞれ中のエチレンスループットの重量分率は有利には、生成エチレンの総量（画分Ａ＋画分Ｂ）の４５〜５５％である。好ましくは、画分Ａ中のエチレンのスループットの重量分率はほぼ５５％程度であり、そして画分Ｂ中のエチレンのスループットの重量分率は生成総量のほぼ４５％程度である。特に好ましいやり方では、画分Ａ中のエチレンのスループットの重量分率はほぼ５２．５％程度であり、そして画分Ｂ中のエチレンのスループットの重量分率は生成総量のほぼ４７．５％程度である。
【０５３７】
本発明による第２実施形態の第２変形によれば、ＤＣＥの製造方法が有利にはバランスしていないこと（すなわち、例えばＨＣｌの外部源がオキシ塩素化のためのＨＣｌの供給の一部を提供することを可能にすること、または生成ＤＣＥの何分の１かがＤＣＥ分解工程にかけられないこと）を考えると、画分ＡおよびＢのそれぞれ中のエチレンのスループットの重量分率は有利には、生成エチレンの総量（画分Ａ＋画分Ｂ）の２０〜８０％である。好ましくは、画分Ａ中のエチレンのスループットの重量分率は生成エチレンの総量（画分Ａ＋画分Ｂ）の２５〜７５％である。
【０５３８】
本発明による第２実施形態の第２変形の第１亜変形によれば、ＤＣＥの製造方法が有利にはＨＣｌの外部源によってバランスしていないことを考えると、画分Ａ中のエチレンのスループットのモル分率は有利には、工程ｂ）にかけられた生成物の混合物中に含有されるエチレンの総モル量と外部源のＨＣｌのモル量との差の４５〜５５％、好ましくは５０〜５４％、特に好ましいやり方ではほぼ５２．５％程度である。
【０５３９】
本発明による第２実施形態の第２変形の第２亜変形によれば、ＤＣＥの製造方法が有利にはＤＣＥの同時生産（ＤＣＥの幾らかがそれ故ＤＣＥ分解工程にかけられない）によってバランスしていないことを考えると、画分Ｂ中のエチレンのスループットのモル分率は有利には、工程ｂ）にかけられた生成物の混合物中に含有されるエチレンの総モル量と同時生産されるＤＣＥのモル量との差の４５〜５５％、好ましくは４６〜５０％、特に好ましいやり方ではほぼ４７．５％程度である。
【０５４０】
本発明による方法の利点は、それが本発明までは低い付加価値化で特徴づけられた、かなりの量のエチレンおよび／またはそれの前駆体を含有するガス流れ（低価値残留ガス）を回収し、転化することである。
【０５４１】
本発明による方法の別の利点は、それが分解工程、引き続く有機および水性急冷工程も、生産コストの増大をもたらす重大な投資を必要とし、かつ、高価な炭化水素源の使用を伴う接触オキシ脱水素化工程も含まないことである。
【０５４２】
本発明による方法の第１実施形態の利点は、それがＤＣＥ製造と、ＤＣＥとは異なる少なくとも１つのエチレン誘導体化合物の製造との統合を可能にすることである。
【０５４３】
この統合は、共通工程に関連したコストの共有のおかげで総コストの低減を可能にする。
【０５４４】
本発明による方法の利点はまた、それが、同じ工業用地で、完全に統合されたプロセスを有することを可能にすることである。
【国際調査報告】
2011513270.tif 000002
2011513270.tif 000003