(57)【要約】本発明は、第１の導電型の第１の縦方向領域（１２１）と、第２の導電型の第２の縦方向領域（１２２）と、第１の半導体ナノワイヤ（１０５）の前記第１の領域（１２１）に配置された少なくとも第１のラップゲート電極（１１１）とを含み、電圧が前記第１のラップゲート電極（１１１）に印加された場合に前記第１の縦方向領域（１２１）において電荷キャリア濃度を変更する少なくとも第１の半導体ナノワイヤ（１０５）を備えた半導体デバイスを提供する。第２のラップゲート電極（１１２）は、第２の縦方向領域（１２２）に配置されるのが好ましい。これにより、調整可能な擬似的な接合（１１４）がナノワイヤ（１０５）の実質的なドーピングなしで達成される。【選択図】図２Ｂ
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも第１の半導体ナノワイヤ（１０５）を備えた半導体デバイスであって、
前記第１のナノワイヤ（１０５）は、第１の導電型の第１の縦方向領域（１２１）と、第２の導電型の第２の縦方向領域（１２２）と、前記ナノワイヤ（１５０）の前記第１の縦方向領域（１２１）に配置された少なくとも第１のラップゲート電極とを備え、電圧が前記第１のラップゲート電極（１１１）に印加された場合に前記第１の縦方向領域（１２１）と関連付けられた前記ナノワイヤ（１０５）の少なくとも第１の部分（１０１）において電荷キャリア濃度を変更することを特徴とする半導体デバイス。
【請求項２】
前記第２の縦方向領域（１２２）は、前記ナノワイヤ（１０５）の長さに沿って前記第１の縦方向領域（１２１）と一列に配置されることを特徴とする請求項１に記載の半導体デバイス。
【請求項３】
前記第２の縦方向領域（１２２）は、前記第１のナノワイヤと電気的に接続されている第２のナノワイヤ（１０６）に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体デバイス。
【請求項４】
第２のラップゲート電極（１１２）は、電圧が前記第２のラップゲート電極（１１２）に印加された場合に前記第２の縦方向領域（１２２）と関連付けられた少なくとも一部分（１０２）において電荷キャリア濃度を変更するために、前記第２の縦方向領域（１２２）に配置されていることを特徴とする請求項１乃至３のうちいずれか１項に記載の半導体デバイス。
【請求項５】
前記第１の縦方向領域（１２１）及び前記第２の縦方向領域（１２２）は、同一の導電型であることを特徴とする請求項１又は４に記載の半導体デバイス。
【請求項６】
少なくとも前記第１の縦方向領域（１２１）及び前記第２の縦方向領域（１２２）は、組成及び／又はドーピングに関して同一であることを特徴とする請求項５に記載の半導体デバイス。
【請求項７】
前記第１の縦方向領域（１２１）及び前記第２の縦方向領域（１２２）は、異なる組成の少なくとも２つのヘテロ構造セグメントを含むことを特徴とする請求項５に記載の半導体デバイス。
【請求項８】
前記第１の縦方向領域（１２１）と前記第２の縦方向領域（１２２）との間の界面（１１６）において擬似的な縦方向接合（１１４）を含み、前記接合（１１４）の各側に異なる導電型を有し、且つ、前記接合（１１４）の一方側に前記部分（１０１）を有し、前記接合は、前記電圧が印加された場合に形成されることを特徴とする請求項１乃至７のうちいずれか１項に記載の半導体デバイス。
【請求項９】
前記擬似的な縦方向接合（１１４）は、ｐｎ接合であることを特徴とする請求項８に記載の半導体デバイス。
【請求項１０】
前記第１の縦方向領域（１２１）及び前記第２の縦方向領域（１２２）は、異なる導電型であることを特徴とする請求項１乃至３のうちいずれか１項に記載の半導体デバイス。
【請求項１１】
一方側に前記部分（１０１）を有する、前記第１の縦方向領域（１２１）と前記第２の縦方向領域（１２２）との間の界面（１１６）は、各側に異なる導電型を有する縦方向接合（１１４）を含み、前記第１のラップゲート電極（１１１）は、前記電圧が印加された場合に前記縦方向接合（１１４）を移動するように構成されていることを特徴とする請求項１０に記載の半導体デバイス。
【請求項１２】
前記第１のナノワイヤ（１０５）は第３の縦方向領域（１２３）を含み、前記第１の縦方向領域（１２１）は前記第２の縦方向領域（１２２）と前記第３の縦方向領域（１２３）との間に配置され、１つ以上のラップゲート電極（１１１、１１２、１１３）は、ｐ型領域とｎ型領域との間の空乏領域の幅及び位置を制御するように構成されていることを特徴とする請求項１乃至１１のうちいずれか１項に記載の半導体デバイス。
【請求項１３】
前記ナノワイヤ（１０５）は、前記第１のラップゲート電極（１１１）を有する前記第１の領域（１２１）及び前記第２のラップゲート電極（１１２）を有する前記第２の領域（１２２）により形成された擬似的な接合（１１４）を含み、前記擬似的な接合（１１４）は、前記第１の領域（１２１）及び前記第２の領域（１２２）のいずれか一方がｐ型領域であり、且つ、他方がｎ型領域であるように前記電荷キャリア濃度を変更するように構成されていることを特徴とする請求項４乃至１２のうちいずれか１項に記載の半導体デバイス。
【請求項１４】
前記領域（１２１、１２２、１２３）及び前記１つ以上のラップゲート電極（１１１、１１２、１１３）は、光を生成するための擬似的なｐｎ接合又はｐｉｎ接合を提供し、アクティブな領域は、異なる波長を有する光を生成するために異なる組成及び／又は次元のヘテロ構造セグメント間で移動されるように構成されていることを特徴とする請求項１乃至１３のうちいずれか１項に記載の半導体デバイス。
【請求項１５】
前記領域（１２１、１２２、１２３）及び前記１つ以上のラップゲート電極（１１１、１１２、１１３）は、光を生成するための擬似的なｐｎ接合を提供し、アクティブな領域は、異なる波長を有する光を生成するために傾斜組成のナノワイヤセグメントに沿って移動されるように構成されていることを特徴とする請求項１乃至１４のうちいずれか１項に記載の半導体デバイス。
【請求項１６】
前記ナノワイヤ（１０５）は、コア（１０７）と、径方向のヘテロ構造を形成する少なくとも第１のシェル層（１０８）とを含み、前記第１のラップゲート電極（１１１）は、電圧が前記第１のラップゲート電極（１１１）に印加された場合に前記第１のナノワイヤ（１０５）の前記第１の縦方向領域（１２１）の径方向において前記電荷キャリア濃度を変更するために使用されるように構成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体デバイス。
【請求項１７】
前記径方向のヘテロ構造は、前記電圧が印加された場合に光を生成するためのアクティブな領域を含むように構成されていることを特徴とする請求項１６に記載の半導体デバイス。
【請求項１８】
前記第１のナノワイヤ（１０５）の少なくとも前記第１の縦方向領域（１２１）は、前記第１の縦方向領域（１２１）の前記電荷キャリア濃度の変更により変更される強磁性特性を有する磁気半導体材料を含んでいることを特徴とする請求項１乃至１７のうちいずれか１項に記載の半導体デバイス。
【請求項１９】
前記第１のラップゲート電極（４１１）は、前記第１の領域（４２１）の前記強磁性をオン及びオフに切り替えるために、前記第１のナノワイヤ（４０５）の前記第１の領域（４２１）に配置されていることを特徴とする請求項１８に記載の半導体デバイス。
【請求項２０】
前記ナノワイヤ（１０５、１０６）は、基板（１０２）の上にエピタキシャル配置され、前記ナノワイヤ（１０５、１０６）は、前記基板から突出していることを特徴とする請求項１乃至１９のうちいずれか１項に記載の半導体デバイス。
【請求項２１】
前記第１のナノワイヤは、長さに沿って分布された一連の量子井戸を含み、１つ以上のラップゲート電極は、前記量子井戸のいずれかに対して光を生成するためのアクティブな領域を調整するために、前記ナノワイヤの長さに沿って異なる位置に配置されていることを特徴とする請求項１乃至２０のうちいずれか１項に記載の半導体デバイス。
【請求項２２】
第１のナノワイヤ（１０５）の第１の領域（１２１）に配置された少なくとも第１のラップゲート電極（１１１）を使用して前記第１のナノワイヤ（１０５）の特性を変調する方法であって、
電圧が前記第１のラップゲート電極（１１１）に印加された場合に前記第１のナノワイヤ（１０５）の前記第１の領域（１２１）の強磁性特性、又は、電荷キャリア濃度及び／又は電荷キャリア型を変更するステップを含むことを特徴とする方法。
【請求項２３】
前記電荷キャリア濃度及び／又は前記電荷キャリア型を変更する前記ステップは、前記電圧が前記第１のラップゲート電極（１１１）に印加された場合に擬似的なｐｎ接合を提供することを特徴とする請求項２２に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一般には、ナノワイヤを用いた半導体デバイスに関し、特に、バンドギャップ、電荷キャリア型、電荷キャリア濃度、強磁性特性等に関して高精度特性を要求するナノワイヤを用いた半導体デバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
以下に更に説明するように、半導体デバイスは、最近まで、小型化及び最適な材料の選択に関して制約を与えるプレーナ技術に基づいていた。ナノテクノロジーの発展、及び、特に、ナノワイヤを生成する新しい技術により、プレーナ技術では不可能であった、改善された特性を有する半導体デバイスを設計し、且つ、新しいデバイスを作成する新しい可能性が得られた。このような半導体デバイスは、ナノワイヤ固有の特性、２次元、１次元又は０次元の量子閉じ込め、格子整合性の制約が軽減されたことによる軸方向の材料不均一性の適応性、アンテナ特性、バリスティック輸送、導波特性等から利点が得られる。
【０００３】
しかしながら、電界効果トランジスタ、発光ダイオード、半導体レーザ及びセンサ等の半導体デバイスをナノワイヤから製造するために、ナノワイヤにおいて注入領域（ｄｏｐｅｄ  ｒｅｇｉｏｎｓ）を形成できることは非常に重要である。これは、いくつかの半導体デバイスの重要な部分である構造、即ち、基本的なｐｎ接合を考慮すると理解される。ここで、ビルトイン電圧は、互いに隣接するｐ注入領域及びｎ注入領域を形成することにより得られる。ナノワイヤを用いた半導体デバイスにおいて、ナノワイヤの長さに沿ったｐｎ接合は、異なる組成及び／又はドーピングの縦方向セグメントを形成することにより提供される。この種のナノワイヤに沿ったバンドギャップの調整は、例えば、異なるバンドギャップ及び／又はドーピングレベルの縦方向セグメントを使用することにより、ナノワイヤを用いた電界効果トランジスタのソース／ゲート間及びゲート／ドレイン間のアクセス抵抗を低減するために使用可能である。一般に、バンドギャップは、異なるバンドギャップを有する種々の半導体材料の縦方向セグメントを含むヘテロ構造を使用することにより変更される。更に、ドーパントの種類及びドーピングレベルは、ナノワイヤの成長中又は成長後に長さに沿って変動する。成長中、ドーパントは気相で注入され、成長後、ドーパントは拡散によりナノワイヤに注入される、或いは、電荷キャリア濃度は周囲の層からのいわゆる変調ドーピングにより影響を受ける。
【０００４】
米国特許第５，３６２，９７２号において、ラップゲート電界効果トランジスタが開示されている。ラップゲート電界効果トランジスタは、一部分がゲートにより取り囲まれる又は覆われるナノワイヤを含む。ナノワイヤは、トランジスタの電流チャネルとして動作し、ゲートにより生成された電界は、トランジスタの動作のために、即ち、電流チャネルに沿って電荷キャリアの流れを制御するために使用される。ナノワイヤのドーピングにより、ｎチャネル、ｐチャネル、増加型又は空乏型トランジスタが形成されることが国際公開第２００８／０３４８５０号から理解される。国際公開第２００６／１３５３３６号において、ヘテロ構造セグメントは、電流制御、閾値電圧制御及び電流オンオフ比等の特性を向上するために、ラップゲート電界効果トランジスタのナノワイヤに更に導入される。
【０００５】
ナノワイヤのドーピングは、いくつかの原因により困難である。例えば、結晶ナノワイヤへのドーパントの物理的な注入は禁止されている可能性があり、特定のドーパント濃度から得られた電荷キャリア濃度は、対応するバルク半導体材料のドーピングから予想したものより低い。例えば、いわゆるＶＬＳ（気相−液相−固相）機構を使用して触媒粒子から成長するナノワイヤの場合、触媒粒子におけるドーパントの溶解度及び拡散は、ドーパントの注入に影響を及ぼす。一般に、ナノワイヤに対する同様の長期結果を有する１つの関連した効果は、表面サイトに対するナノワイヤにおけるドーパントの外方拡散である。この効果は、ナノワイヤの高い表面対体積比により向上される。キャリアリザーバの体積を減少させる表面空乏効果は、ナノワイヤの高い表面対体積比のために増加される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】米国特許第５，３６２，９７２号明細書
【特許文献２】国際公開第２００８／０３４８５０号パンフレット
【特許文献３】国際公開第２００６／１３５３３６号パンフレット
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記を考慮すると、本発明の目的は、ナノワイヤのドーピングに関連した特性に関してナノワイヤを含む半導体デバイスを改善することである。これは、独立請求項で規定される半導体デバイス及び方法により達成される。
【０００８】
本発明の第１の側面において、少なくとも第１の半導体ナノワイヤを備えた半導体デバイスが提供される。ナノワイヤは、第１の導電型の第１の縦方向領域と、第２の導電型の第２の縦方向領域と、前記第１の領域に配置された少なくとも第１のラップゲート電極とを有する。前記ラップゲート電極は、電圧が第１のラップゲート電極に印加された時に、第１の縦方向領域と関連付けられたナノワイヤの少なくとも第１の部分において電荷キャリア濃度を変更するように構成される。
【０００９】
第２の縦方向領域は、第１のナノワイヤと電気的に接続される第２のナノワイヤ又はナノワイヤの長さに沿って第１の縦方向領域と一列に配置されてもよい。追加のラップゲートは、ナノワイヤの長さに沿って電荷キャリア濃度を変更するために第２の縦方向領域又は他の領域に配置される。
【００１０】
半導体デバイスの第１のナノワイヤは、コアと、径方向のヘテロ構造を形成する少なくとも第１のシェル層とを含んでもよく、ヘテロ構造は、光を生成するために使用されてもよい。
【００１１】
本発明の一実施形態において、半導体デバイスは熱電素子として動作するように構成される。
【００１２】
本発明の第２の側面において、半導体デバイスが、例えば、メモリ素子として動作するように、強磁性体を含むナノワイヤを含む半導体デバイスが提供される。これは、強磁性体の強磁性特性が変更されるように電荷キャリア濃度を変更するためにナノワイヤの領域に配置されたラップゲート電極に電圧を印加することにより達成される。
【００１３】
本発明によれば、特に、局所的ゲート制御及び反転により半導体デバイス及びナノワイヤを用いた半導体デバイスの従来のドーピングを置換できる、或いは、実質的なドーッピングを回避できる。一例として、本発明によれば、従来のデバイス及び波長調整可能なＬＥＤ（発光ダイオード）等の調整可能な半導体デバイスのように空乏領域に空間電荷を有することなく改善されたｐｎ接合の形成が可能となる。
【００１４】
本発明の実施形態は、従属請求項で規定される。添付の図面及び請求項を考慮して、本発明の他の目的、利点及び新しい特徴は、本発明の以下の詳細な説明で明らかとなるだろう。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
添付の図面を参照して本発明の好適な実施形態を説明する。
【図１Ａ】図１Ａは、本発明におけるナノワイヤの導電性の変動に対するラップゲート電極を有するナノワイヤを示す概略図である。
【図１Ｂ】図１Ｂは、本発明におけるナノワイヤの導電性の変動に対するラップゲート電極を有するナノワイヤを示す概略図である。
【図２Ａ】図２Ａは、本発明における擬似的なｐｎ接合を形成するためのダブルラップゲートを有するナノワイヤを示す概略図である。
【図２Ｂ】図２Ｂは、本発明における擬似的なｐｎ接合を形成するためのダブルラップゲートを有するナノワイヤを示す概略図である。
【図３】Ａ〜Ｉは、本発明のいくつかの実施形態におけるラップゲート電極の起動の効果を示す概略図である。
【図４Ａ】図４Ａは、本発明における空乏化したナノワイヤから擬似的なｐｎ接合を含むナノワイヤへの変換を示す概略図である。
【図４Ｂ】図４Ｂは、本発明における空乏化したナノワイヤから擬似的なｐｎ接合を含むナノワイヤへの変換を示す概略図である。
【図４Ｃ】図４Ｃは、本発明における空乏化したナノワイヤから擬似的なｐｎ接合を含むナノワイヤへの変換を示す概略図である。
【図５Ａ】図５Ａは、本発明における複数の量子井戸を含むナノワイヤを示す概略図である。
【図５Ｂ】図５Ｂは、本発明における複数の量子井戸を含むナノワイヤを示す概略図である。
【図６】図６は、本発明における径方向のヘテロ構造を含むナノワイヤ及びそのような構造の励起により得られるＰＬ図を示す概略図である。
【図７Ａ】図７Ａは、本発明における熱電素子を示す概略図である。
【図７Ｂ】図７Ｂは、本発明における熱電素子を示す概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
本発明の実施形態は、いわゆるナノワイヤを含むナノ構造に基づいている。本出願の目的のために、ナノワイヤは、ナノメートルの寸法の幅及び直径を有し、且つ、典型的には、１次元特性を提供する縦長の形状を有するものと解釈される。このような構造は、一般に、ナノウィスカ、ナノロッド、ナノチューブ、１次元ナノ素子とも呼ばれる。粒子支援成長又は米国特許第７，３３５，９０８号に説明されているいわゆるＶＬＳ（気相−液相−固相）機構により基板上にナノワイヤを形成する基本的な処理、種々の化学ビームエピタキシー法及び気相エピタキシー法が知られている。但し、本発明は、このようなナノワイヤにもＶＬＳ法にも限定されない。ナノワイヤを成長させる他の適切な方法は、当業界で知られており、例えば、国際公開第２００７／１０４７８４号において示されている。これによると、ナノワイヤは、粒子を触媒として使用せずに成長させられる。従って、選択的に成長されたナノワイヤ及びナノ構造、エッチングされた構造、他のナノワイヤ、及び、ナノワイヤから製造された構造が更に含まれる。
【００１７】
ナノワイヤは、必ずしもその長さに沿って均一であるとは限らない。ナノメートルの寸法により、ナノワイヤ材料に一致しない格子である基板上での成長が可能になるだけでなく、ヘテロ構造がナノワイヤに提供される。ヘテロ構造は、ナノワイヤの隣接する１つ以上の部分とは異なる性質の半導体材料のセグメントから構成される。ヘテロ構造セグメントの材料は、異なる組成及び／又はドーピングであってもよい。ヘテロ接合は、階段接合でも傾斜接合でもよい。
【００１８】
本発明は、ラップゲート電極の使用に基づいて、ナノワイヤの特性を変調するために、半導体デバイスにおいて輸送チャネルとして使用されるナノワイヤの少なくとも一部分の電荷キャリア濃度を制御する。
【００１９】
図１Ａを参照するに、本発明における半導体デバイスは、半導体デバイスの輸送チャネルを形成する少なくとも第１の半導体ナノワイヤ１０５と、第１の縦方向領域１２１と、第２の導電型の第２の縦方向領域１２２と、第１のナノワイヤ１０５の第１の縦方向領域１２１に配置された少なくとも第１のラップゲート電極１１１とを含み、電圧が第１のラップゲート電極１１１に印加された場合に、第１の縦方向領域１２１と関連付けられたナノワイヤの少なくとも一部分において電荷キャリア濃度を変更する。第１のラップゲート電極１１１は、その間に誘電体（不図示）を有するナノワイヤ１０５の少なくとも一部分を囲む。
【００２０】
このゲート制御の効果は、印加された電圧及び半導体デバイス、特に、第１のゲート電極１１１及びナノワイヤ１０５の特定の設計に依存するが、例えば、これは完全な第１の縦方向領域において電荷キャリア濃度を変更する可能性がある。電荷キャリア濃度は、ナノワイヤの一部分の電荷キャリア型を変更するほど変更される可能性がある。これにより、擬似的なｐｎ接合等の種々の「擬似的な」デバイスの作成が可能になる。電荷キャリア濃度の変更は、ナノワイヤの強磁性特性を変更するために使用することも可能である。本発明の概略的な説明を以下に詳述する。
【００２１】
電荷キャリア型は、一般に、ｐ型又はｎ型と呼ばれる。本出願の目的のために、電荷キャリア型は、真性、即ち、ｉ型である可能性もある。ｐ型材料は、多数電荷キャリアとして正孔を有し、ｎ型材料は、多数電荷キャリアとして電子を有する。一方、真性材料は、十分な多数電荷キャリア濃度を有さない材料である。従って、このような低い濃度において、導電性はそれらの電荷キャリア以外の材料特性によるものであるが、真性材料は電荷キャリアとして電子又は正孔を有してもよい。
【００２２】
上述したように、例えば、ナノワイヤに沿ってヘテロ構造を形成することにより、ナノワイヤ１０５は、組成及びドーピングに関して均一であってもよく、或いは、ナノワイヤに対してバンドギャップエンジニアリングが行われてもよい。図１Ｂは、基板１０４から直交方向に成長した第１の不均一ナノワイヤ１０５を含む本発明の１つの実施形態における半導体デバイスを概略的に示している。第１のラップゲート電極１１１は、ナノワイヤの一部分に沿って基板から延在し、その間に誘電体１０４を有するナノワイヤ１０５の第１の縦方向領域１２１を囲む。ナノワイヤ１０５は、輸送チャネルを形成し、これは、ナノワイヤ１０５の一方の端部にトップコンタクトにより電気的に接続され、基板１０４は、ナノワイヤ１０５の他方の端部に電気的に接続される。第１のナノワイヤ１０５は、少なくとも１つの量子井戸１１５を含み、これは、第１のラップゲート電極１１１及び第１の縦方向領域１２１内の量子ドットの両側の広いバンドギャップのバリアセグメントにより囲まれた量子ドットの形態であってもよい。
【００２３】
第１の縦方向領域１２１及び第２の縦方向領域１２２は、同一の導電型であっても異なる導電型であってもよく、更に、導電特性は、１つ以上のラップゲート電極に電圧を印加することにより変更される。例えば、本発明の１つの実施形態において、半導体デバイスは、ナノワイヤ１２１の長さに沿った第１の縦方向領域１２１と一列に配置された第２の縦方向領域１２２により均一にｎドープされた少なくとも第１のナノワイヤ１０５を含む。第１のラップゲート電極１１１は、第１のナノワイヤ１０５の第１の縦方向領域１２１に配置され、所定の電圧が第１のラップゲート電極１１１に印加された場合に、第１の領域１２１がｐ型領域になるように電荷キャリア濃度を変更する。このように、ｐｎ接合は、能動的に形成される。
【００２４】
電荷キャリア濃度は、縦方向領域に複数のラップゲート電極を配置することにより複数の縦方向領域において変更される。図２Ａを参照するに、本発明の１つの実施形態における半導体デバイスは、少なくとも第１のナノワイヤ１０５を含む。第１のナノワイヤ１０５は、第１のナノワイヤ１０５の第１の縦方向領域１２１に配置された第１のラップゲート電極１１１と、第１のナノワイヤ１０５の第２の縦方向領域１２２に配置された第２のラップゲート電極１１２とを有する。各ラップゲート電極は、電圧がラップゲート電極１１１、１１２に印加された場合に、第１のナノワイヤ１０５の対応する領域１２１、１２２の電荷キャリア濃度を変更するように構成される。図２Ｂは、第１の縦方向領域及び第２の縦方向領域の電荷キャリア濃度が真性から第１の縦方向領域１２１においてはｐ型に、第２の縦方向領域１２２においてはｎ型に変更され、それにより、第１の縦方向領域１２１と第２の縦方向領域１２２との界面１１６においてｐｎ接合又はｐｉｎ接合１１４を形成するように、ラップゲート電極が起動されたダブルゲートナノワイヤ１０５を概略的に示している。ｐ型領域とｎ型領域との間の空乏領域の幅及び位置又はｐ型領域及びｎ型領域の幅で規定される特性等のｐｎ接合の特性は、印加された電圧を変更することにより変更される。当業者には理解されるように、領域１２１、１２２の一方は、ｐ型又はｎ型にされ、擬似的なｐｎ接合は、元々ｎ型であるナノワイヤ又はｐ型であるナノワイヤから形成される。
【００２５】
このように、第１の領域１２１及び第２の領域１２２の１つ以上の電荷キャリア濃度の変更は、縦方向領域間の界面１１６において接合１１４を形成するために使用されてもよい。この接合はラップゲート電極１２１、１２２の起動前に第１のナノワイヤ１０５に実際に存在しない、或いは、不動態で既に存在している異なる導電型の領域間の接合がナノワイヤの長さに沿って移動されてもよい。この種の接合は、以下では、擬似的な接合と呼ばれる、或いは、ｐ型及びｎ型の領域が隣接する特定の例においては擬似的なｐｎ接合と呼ばれる。本発明は、ナノワイヤごとに１つ又は２つのラップゲート構造を有する実施形態の例で示されたが、当然、ナノワイヤごとに３つ以上のラップゲート構造を有することも考えられる。複数のラップゲート電極は、ナノワイヤの長さに沿って電荷キャリア濃度及び／又は電荷キャリア型を調整するために、ナノワイヤに沿って種々の位置に配置されてもよい。
【００２６】
なお、第１の縦方向領域１２１を取り囲む第１のラップゲート電極１１１に電圧が印加されると、第１の縦方向領域１２１と関連付けられたナノワイヤ１０５の一部分１０１は、電荷キャリア濃度を変更する。同様に、第２の縦方向領域１２１及び第３の縦方向領域１１３を取り囲む第２又は第３のラップゲート電極１１１に電圧が印加されると、ナノワイヤ１０５の一部分１０２、１０３は、電荷キャリア濃度を変更する。印加された電圧の大きさにより、上述した部分の拡張部分が判定され、導電型が変更されるかが判定される。図３Ａ〜図３Ｉは、異なるラップゲート電極及び導電型構成を有する本発明の実施形態を概略的に示している。印加された電圧が相対的に低く、且つ、導電型を変更した部分がナノワイヤ又は隣接する領域に部分的にのみ延在する場合に活性態で実施形態を示しているが、より高い電圧レベルにおいて上述した部分がより大きな拡張部分を有すること、即ち、ナノワイヤが所定の電圧レベルで幅全体及び領域全体にわたって導電型を変更することが理解されるであろう。特定の電圧レベルにおいてのみ、縦方向接合が形成される。以下、図３Ａ〜図３Ｉのそれぞれについて簡単に説明する。図３Ａにおいて、第１の縦方向領域１２１及び第２の縦方向領域１２２はｐ型であり、第１の領域１２１に配置された第１のラップゲート電極１１１に電圧（電位）を印加すると、第１の領域の少なくとも一部分がｎ型に転換される。従って、ｐｎ接合は、最終的に、第１の領域１２１と第２の領域１２２との間に形成される。図３Ｂにおいて、第１の領域１２１及び第２の領域１２２は、第１のラップゲート電極１１１及び第２のラップゲート電極１１２のそれぞれによりゲート制御される。ナノワイヤは、少なくとも上述した領域において真性であり、ラップゲート電極１１１、１１２に電圧を印加することにより、第１の領域の少なくとも一部分はｎ型になり、第２の領域の少なくとも一部分はｐ型になる。これにより、最終的に、第１の領域と第２の領域との間に擬似的なｐｎ接合が形成される。図３Ｃに示すナノワイヤは、ｎ型領域１２３及びｐ型領域２を含み、その間に真性領域を含む。それぞれが各領域を取り囲む１つ以上のラップゲート電極に電圧を印加することにより、真性領域１２１と隣接する領域１２２、１２３との間の界面が移動する。図３Ｄにおいて、ナノワイヤは、第１の領域１２１においてｐ型材料を含み、第２の領域１２２においてｎ型材料を含む。図３Ａに従ってデバイスを動作させることにより、第１の領域と第２の領域との間のｐｎ接合は消去される。図３Ｅは、図３Ａと同一であるが、真性領域１２１、１２２を有する。図３Ｆにおいて、第１の領域１２１はｐ型であり、第２の領域１２２はｎ型であるが、各領域１２１、１２２に配置されたラップゲート電極に電圧を印加することにより、電荷キャリア型が変更され、即ち、ｐｎ接合がｎｐ接合になる。図３Ｇ及び図３Ｈは、図３ｃと同様であるが、異なる電圧がラップゲート電極に印加され、異なる構成のラップゲート電極がアクティブである。図３Ｉは、ｐ型領域とｎ型領域との間の界面の移動方法を概略的に示している。
【００２７】
１つ又は複数のラップゲートをアクティブにすることにより、一方向又は他の方向のバンドギャップが局所的に押される可能性がある。異なる方向にバンドギャップを押す２つの隣接するラップゲート電極を有することにより、擬似的なｐｎ接合が達成されてもよい。これにより、ナノワイヤの従来のドーピングを置換できる。一例として、これにより、従来のデバイスのように空乏領域において空間電荷を有することなく、改善されたｐｎ接合の形成が可能となる。
【００２８】
上述したように、本発明のナノワイヤは、例えば、非ドープ（真性）であってもよく、或いは、ｐドープ又はｎドープのみされてもよい。これにより、ナノワイヤ半導体デバイスの製造が容易になる。ナノワイヤは、ドーピングに関して均一であってもよいが、これに限定されない。これにより、真の１次元動作を有するより薄いナノワイヤを使用する可能性等の新しい可能性が与えられる。
【００２９】
本発明によれば、輸送が電子及び／又は正孔によりナノワイヤに沿って搬送される領域の不均一な誘導を含む半導体デバイスの構成が可能になる。ここで、例えば、ナノワイヤの半分は電子伝導を行い、残りの半分は正孔伝導を行う。これにより、ナノワイヤの長さに沿って調整可能な擬似的なｐｎ接合が効果的に提供される。本発明の１つの利点は、原則として、キャリアがゲート制御された領域から提供される非ドープナノワイヤが使用されることである。これは、ナノワイヤにより提供された特有の機会に密接に基づいた整流器及び発光ダイオード等の半導体デバイスを可能にする。これまでは、単一ｐｎ接合を説明したが、ｎ領域及びｐ領域として動作する領域の他の種類の組合せが可能である。例えば、ゲート誘導ｎ−ｐ−ｎバイポーラトランジスタ構成が可能である。
【００３０】
図４Ａは、図２Ｂにおける空乏化した公称非ドープ（直径６０ｎｍ）ＧａＡｓナノワイヤ１０５の局所的な変換を概略的に示している。図中、電圧がラップゲート電極１１１、１１２に印加された場合、（ｐ型）基板１０４に最近接する第１の領域１２１はｐ型導電性に変換され、ナノワイヤのｎ型端子に最近接する第２の領域１２２はｎ型導電性に変換される。これらのラップゲート電極１１１、１１２は、その間に共通の電圧源を有する１つの電気回路の一部分であってもよい。これにより、変換された領域間の界面は移動される。ゲートにおいてゼロ電位の場合には、ナノワイヤ１０５は空乏化され、２つのゲート１１１、１１２において＋／−３Ｖの場合には、ｎドープ及びｐドープされた動作が類似する。バイアスが基板とｎ型端子との間に印加された場合、これは、一例として、ナノＬＥＤとして使用するために、擬似的なｐｎ接合として動作する。本発明の１つの実施形態において、半導体デバイスは、例えば、ナノワイヤの長さに沿って傾斜組成を有する波長調整可能なＬＥＤを得るために、ＬＥＤの再結合領域がナノワイヤの長さに沿って移動されることを可能にする少なくとも２つのラップゲート電極を有するＬＥＤとして機能できる。傾斜組成は、ナノワイヤの長さに沿って異なる組成のセグメントを含んでもよい。変化する寸法、即ち、直径は、ナノワイヤの長さに沿い、調整可能なＬＥＤを達成するために単独で又は変化する組成と組み合わせて使用可能である。図４Ｂは、印加されたバイアスによる挙動を概略的に示し、図４Ｃは、０Ｖのバイアス及び１．３Ｖのバイアスにおける電子及び正孔の空間分布を示している。
【００３１】
図５Ａ及び図５Ｂを参照するに、本発明における半導体デバイスの１つの実施形態は、長さに沿って分布される一連の量子井戸１１５を有する第１のナノワイヤ１０５を含む。１つ以上のラップゲート電極は、量子井戸の組成により判定された所定の波長を有する光を生成するために量子井戸のいずれかに対して光を生成するように再結合領域の調整を可能にするナノワイヤの長さに沿って異なる位置に配置される。このように、ナノワイヤＬＥＤデバイスにおいて離散的な波長を切り替えることが考えられる。複数のナノワイヤから射出された光の波長は、より幅の広いスペクトルを有するように組み合わされてもよい。図５Ａは、第１のラップゲート電極と第２のラップゲート電極との間の位置において異なる組成の２つの量子井戸を有するナノワイヤ１０５を示している。第１のラップゲート電極１１１及び第２のラップゲート電極１１２に印加された電圧を変更することにより、電荷キャリア型を真性からｐ型又はｎ型に変更したナノワイヤ１０５の部分の拡張部分の拡張が変更される。これにより、再結合領域は、量子井戸のいずれかに対して移動される。図５Ｂは、不動態の真性導電型を有する第１の縦方向領域１２１に配置された第１のゲート１１１のみを含む別の実施形態を示している。第２の縦方向領域１２２において、ナノワイヤはｐ型である。再結合領域は、第１の領域１２１と第２の領域１２２との間の異なる組成の２つの量子井戸間で移動可能である。
【００３２】
上述したように、ナノワイヤのドーピングは困難である。特に、III−Ｖ族窒化物半導体、例えば、ＧａＮのＭｇドーピングは困難である。ナノワイヤＬＥＤ等のこの種の材料からなる半導体デバイスの性能は、ラップゲートを使用して再結合領域の正孔の濃度を増加することにより向上される。
【００３３】
図６を参照するに、本発明における半導体デバイスの１つの実施形態は、ナノワイヤコア２０７と、コア２０７にエピタキシャル配置され、且つ、少なくとも部分的にナノワイヤコア２０７を取り囲み、径方向のヘテロ構造を提供する少なくとも第１のシェル層２０８とを含む少なくとも第１のナノワイヤ２０５を含む。少なくとも第１のラップゲート電極２１１は、ナノワイヤ２０５の第１の領域２２１に配置される。
【００３４】
本発明の１つの実施形態において、コア及びコアを取り囲む第１のシェル層で規定された１つ以上の量子井戸の双方は導電し、シェル層におけるキャリア濃度は第１のラップゲートにより制御される。
【００３５】
本実施形態の１つの実現例において、コア及びシェル層は、ラップゲート電極の起動により電子伝導されるように構成される。本実施形態の別の実現例において、ラップゲート電極の起動により、コアはｎ伝導されるように構成され、シェルはｐ伝導されるように構成される。本実施形態の更に別の実現例において、電荷キャリア型は調整可能である。
【００３６】
本発明における半導体デバイスの１つの実施形態は、ＧａＡｓコア及びＡｌＧａＡｓシェル層を有するナノワイヤを含む。このコア／シェル構造により、空間間接励起子を形成する機会が可能になり、電子及び正孔は、径方向に分離される。ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓコア／シェル構造のコア及びシェル層において再結合する励起子から得られるＰＬの具体例を図４に示す。
【００３７】
図７Ａ及び図７Ｂを参照するに、本発明の１つの実施形態において、半導体デバイスは熱電素子である。ラップゲートで制御されるナノワイヤ３０５により、室温熱電において本発明の熱電素子を使用することが可能となる。一般に、ナノワイヤに基づいた技術は、従来の冷却及び電力変換技術を超えるエネルギー変換効率を有する熱電材料に対する非常に将来性のある技術であると考えられる。しかしながら、当分野における１つの問題は、熱電対を形成するために、同程度に優れた性能特性を有するｐ型ナノワイヤ及びｎ型ナノワイヤの双方が必要となることである。一般に、ｎ型デバイスは、典型的なIII−Ｖ族材料において、正孔よりも電子に対する方が実質的に高い移動度を有すると考えられる。本実施形態において、ラップゲート誘導キャリア伝導は、規定しない場合には同一のナノワイヤからｐ型ナノワイヤ３０５及びｎ型ナノワイヤ３０６を規定し、それらの性能が一致するようにこれらのナノワイヤを調整し、それにより、例えば、熱電対又はペルチェ素子等の熱電素子の性能を最適化するために使用される。本実施形態の１つの実現例において、ｎ領域及びｐ領域のチェッカーボードパターンを有するウエハ全体は、加熱／冷却するための熱電効果を提供するために動作される。
【００３８】
本発明の別の実施形態において、半導体デバイスが熱電素子として機能する場合、半導体デバイスは、上述したように、径方向のヘテロ構造、即ち、ｎ型コア３０７及びｐ型シェル層３０８を含むナノワイヤを含む。少なくとも第１のラップゲート電極３１１は、ナノワイヤ３０５の第１の領域３２１を取り囲むと共に、単一ナノワイヤペルチェ素子を形成する。非常に多数のそのようなナノペルチェ素子のアレイは冷却又は電力生成に使用されるが、単一のそのような素子は非常に効果的なナノスポット冷却器であってもよい。
【００３９】
本発明の１つの実施形態は、スピントロニクスに関する。本実施形態において、ラップゲート誘導キャリア変調は、低濃度ドープされた磁気半導体の強磁性特性を構成及び操作するために使用される。自由キャリア、即ち、自由正孔は、殆どの場合に最大％レベルまでの濃度を有するＭｎ不純物である磁気不純物の間を媒介し、且つ、その間のスピン結合を誘導する。これまで、強磁性挙動を招くキャリア媒介スピン結合は、正孔濃度がＭｎドーピング濃度と密接に関連付けられるため、制御することが非常に困難であった。本発明において、上述した方法で磁気半導体を含むナノワイヤの周囲に１つ以上のラップゲートを配置することにより、ラップゲート誘導キャリア変調を使用して自由キャリア濃度を別個に調整することができる。
【００４０】
本実施形態の１つの実現例において、本発明における半導体デバイスは、強磁性のオン及びオフを切り替えるために外部ゲートが使用されるＭｎドープIII−Ｖ族ナノワイヤの高密度のアレイを含む。このデバイスは、磁気記憶装置に使用される。例えば、行及び列にナノワイヤを配置することにより、単一ナノワイヤが容易に対処される。ナノワイヤの１次元特性及び２次元アレイ構成により判定された異方性は、従来の記憶媒体と比較して高い温度になるほど性能を向上する。上述した擬似的な接合を作成し、且つ、複数の領域を調整可能なＬＥＤを提供するために、ナノワイヤのゲート制御と同様に、１つのナノワイヤの複数領域の強磁性特性は、ナノワイヤの長さに沿って配置された複数のラップゲートにより制御される。強磁性特性の構成及び操作を行うためのラップゲート誘導キャリア変調の基本的な構造は、図１Ａ及び図２Ａに最もよく示されている。ナノワイヤの電荷キャリア濃度は、電荷キャリア型を変更するためでなく、強磁性特性が変更されるように、局所的に制御される。
【００４１】
本発明における半導体デバイスのナノワイヤは、従来技術において使用されていたものより直径が小さくてもよい。従来技術の半導体デバイスのナノワイヤの直径は、典型的には、３０ｎｍを超え、３０〜５０ｎｍの範囲である場合が多い。本発明により、直径が３０ｎｍ未満、好ましくは、２０ｎｍ未満であり、更に好ましくは、１０〜２０ｎｍの範囲であるナノワイヤが使用可能である。これは、実質的に非ドープのナノワイヤの電荷キャリア濃度及び／又は電荷キャリア型の変調が使用されるため可能である。しかしながら、本発明は均一なナノワイヤに限定されず、ナノワイヤの長さに沿って傾斜組成又は変化する組成を有するナノワイヤが使用されてもよい。更に、上述したように、径方向のヘテロ構造が使用されてもよい。
【００４２】
本発明により、広い範囲にわたってキャリア濃度を操作できるようになり、ナノワイヤに沿った種々のセグメントごとに独立してこれを行える。これは電荷反転を含む。この方法により、理想的な１次元ナノワイヤにおけるフェルミエネルギーが完全に調整される。
【００４３】
超短ゲート長（約５０ｎｍ）を作成した経験に基づいて、そのようなラップゲートを垂直に積み重ねることができる。これにより、単一量子ドット又は単一電子ターンスタイル設計によるナノワイヤの長さに沿ったナノワイヤの輸送チャネルの制御が可能になる。
【００４４】
単一ナノワイヤに関して本発明を説明したが、大量（数個〜数百万個）のナノワイヤが同一の方法で統括的にゲート制御されてもよいことが理解される。
【００４５】
現時点で最も実用的で好適な実施形態であると考えられるものに関連して本発明を説明したが、本発明は、開示した実施形態に限定されることを意図せず、添付の請求項の範囲内の種々の変形及び同等な構成を範囲に含むことを意図する。
【図１Ａ】
2011523200.tif 000003
【図１Ｂ】
2011523200.tif 000004
【図２Ａ】
2011523200.tif 000005
【図２Ｂ】
2011523200.tif 000006
【図３】
2011523200.tif 000007
【図４Ａ】
2011523200.tif 000008
【図４Ｂ】
2011523200.tif 000009
【図４Ｃ】
2011523200.tif 000010
【図５Ａ】
2011523200.tif 000011
【図５Ｂ】
2011523200.tif 000012
【図６】
2011523200.tif 000013
【図７Ａ】
2011523200.tif 000014
【図７Ｂ】
2011523200.tif 000015
【手続補正書】
【提出日】平成22年12月2日(2010.12.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも第１の半導体ナノワイヤ（１０５）を備えた半導体デバイスであって、
前記第１のナノワイヤ（１０５）は、第１の導電型の第１の縦方向領域（１２１）と、第２の導電型の第２の縦方向領域（１２２）と、前記ナノワイヤ（１５０）の前記第１の縦方向領域（１２１）に配置された少なくとも第１のラップゲート電極とを備え、電圧が前記第１のラップゲート電極（１１１）に印加された場合に前記第１の縦方向領域（１２１）と関連付けられた前記ナノワイヤ（１０５）の少なくとも第１の部分（１０１）において電荷キャリア濃度を変更し、少なくとも前記第１の縦方向領域（１２１）は、前記第１のナノワイヤ（１０５）に配置されていることを特徴とする半導体デバイス。
【請求項２】
前記第２の縦方向領域（１２２）は、前記ナノワイヤ（１０５）の長さに沿って前記第１の縦方向領域（１２１）と一列に配置されることを特徴とする請求項１に記載の半導体デバイス。
【請求項３】
前記第２の縦方向領域（１２２）は、前記第１のナノワイヤと電気的に接続されている第２のナノワイヤ（１０６）に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体デバイス。
【請求項４】
第２のラップゲート電極（１１２）は、電圧が前記第２のラップゲート電極（１１２）に印加された場合に前記第２の縦方向領域（１２２）と関連付けられた少なくとも一部分（１０２）において電荷キャリア濃度を変更するために、前記第２の縦方向領域（１２２）に配置されていることを特徴とする請求項１乃至３のうちいずれか１項に記載の半導体デバイス。
【請求項５】
前記第１の縦方向領域（１２１）及び前記第２の縦方向領域（１２２）は、同一の導電型であることを特徴とする請求項１又は４に記載の半導体デバイス。
【請求項６】
少なくとも前記第１の縦方向領域（１２１）及び前記第２の縦方向領域（１２２）は、組成及びドーピングの少なくとも一方に関して同一であることを特徴とする請求項５に記載の半導体デバイス。
【請求項７】
前記第１の縦方向領域（１２１）及び前記第２の縦方向領域（１２２）は、異なる組成の少なくとも２つのヘテロ構造セグメントを含むことを特徴とする請求項５に記載の半導体デバイス。
【請求項８】
前記第１の縦方向領域（１２１）と前記第２の縦方向領域（１２２）との間の界面（１１６）において擬似的な縦方向接合（１１４）を含み、前記接合（１１４）の各側に異なる導電型を有し、且つ、前記接合（１１４）の一方側に前記部分（１０１）を有し、前記接合は、前記電圧が印加された場合に形成されることを特徴とする請求項１乃至７のうちいずれか１項に記載の半導体デバイス。
【請求項９】
前記擬似的な縦方向接合（１１４）は、ｐｎ接合であることを特徴とする請求項８に記載の半導体デバイス。
【請求項１０】
前記第１の縦方向領域（１２１）及び前記第２の縦方向領域（１２２）は、異なる導電型であることを特徴とする請求項１乃至３のうちいずれか１項に記載の半導体デバイス。
【請求項１１】
一方側に前記部分（１０１）を有する、前記第１の縦方向領域（１２１）と前記第２の縦方向領域（１２２）との間の界面（１１６）は、各側に異なる導電型を有する縦方向接合（１１４）を含み、前記第１のラップゲート電極（１１１）は、前記電圧が印加された場合に前記縦方向接合（１１４）を移動するように構成されていることを特徴とする請求項１０に記載の半導体デバイス。
【請求項１２】
前記第１のナノワイヤ（１０５）は第３の縦方向領域（１２３）を含み、前記第１の縦方向領域（１２１）は前記第２の縦方向領域（１２２）と前記第３の縦方向領域（１２３）との間に配置され、１つ以上のラップゲート電極（１１１、１１２、１１３）は、ｐ型領域とｎ型領域との間の空乏領域の幅及び位置を制御するように構成されていることを特徴とする請求項１乃至１１のうちいずれか１項に記載の半導体デバイス。
【請求項１３】
前記ナノワイヤ（１０５）は、前記第１のラップゲート電極（１１１）を有する前記第１の領域（１２１）及び前記第２のラップゲート電極（１１２）を有する前記第２の領域（１２２）により形成された擬似的な接合（１１４）を含み、前記擬似的な接合（１１４）は、前記第１の領域（１２１）及び前記第２の領域（１２２）のいずれか一方がｐ型領域であり、且つ、他方がｎ型領域であるように前記電荷キャリア濃度を変更するように構成されていることを特徴とする請求項４乃至１２のうちいずれか１項に記載の半導体デバイス。
【請求項１４】
前記領域（１２１、１２２、１２３）及び前記１つ以上のラップゲート電極（１１１、１１２、１１３）は、光を生成するための擬似的なｐｎ接合又はｐｉｎ接合を提供し、アクティブな領域は、異なる波長を有する光を生成するために異なる組成及び／又は次元のヘテロ構造セグメント間で移動されるように構成されていることを特徴とする請求項１乃至１３のうちいずれか１項に記載の半導体デバイス。
【請求項１５】
前記領域（１２１、１２２、１２３）及び前記１つ以上のラップゲート電極（１１１、１１２、１１３）は、光を生成するための擬似的なｐｎ接合を提供し、アクティブな領域は、異なる波長を有する光を生成するために傾斜組成のナノワイヤセグメントに沿って移動されるように構成されていることを特徴とする請求項１乃至１４のうちいずれか１項に記載の半導体デバイス。
【請求項１６】
前記ナノワイヤ（１０５）は、コア（１０７）と、径方向のヘテロ構造を形成する少なくとも第１のシェル層（１０８）とを含み、前記第１のラップゲート電極（１１１）は、電圧が前記第１のラップゲート電極（１１１）に印加された場合に前記第１のナノワイヤ（１０５）の前記第１の縦方向領域（１２１）の径方向において前記電荷キャリア濃度を変更するために使用されるように構成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体デバイス。
【請求項１７】
前記径方向のヘテロ構造は、前記電圧が印加された場合に光を生成するためのアクティブな領域を含むように構成されていることを特徴とする請求項１６に記載の半導体デバイス。
【請求項１８】
前記第１のナノワイヤ（１０５）の少なくとも前記第１の縦方向領域（１２１）は、前記第１の縦方向領域（１２１）の前記電荷キャリア濃度の変更により変更される強磁性特性を有する磁気半導体材料を含んでいることを特徴とする請求項１乃至１７のうちいずれか１項に記載の半導体デバイス。
【請求項１９】
前記第１のラップゲート電極（４１１）は、前記第１の領域（４２１）の前記強磁性をオン及びオフに切り替えるために、前記第１のナノワイヤ（４０５）の前記第１の領域（４２１）に配置されていることを特徴とする請求項１８に記載の半導体デバイス。
【請求項２０】
前記ナノワイヤ（１０５、１０６）は、基板（１０２）の上にエピタキシャル配置され、前記ナノワイヤ（１０５、１０６）は、前記基板から突出していることを特徴とする請求項１乃至１９のうちいずれか１項に記載の半導体デバイス。
【請求項２１】
前記第１のナノワイヤは、長さに沿って分布された一連の量子井戸を含み、１つ以上のラップゲート電極は、前記量子井戸のいずれかに対して光を生成するためのアクティブな領域を調整するために、前記ナノワイヤの長さに沿って異なる位置に配置されていることを特徴とする請求項１乃至２０のうちいずれか１項に記載の半導体デバイス。
【請求項２２】
第１のナノワイヤ（１０５）の第１の領域（１２１）に配置された少なくとも第１のラップゲート電極（１１１）を使用して前記第１のナノワイヤ（１０５）の特性を変調する方法であって、
電圧が前記第１のラップゲート電極（１１１）に印加された場合に前記第１のナノワイヤ（１０５）の前記第１の領域（１２１）の強磁性特性、又は、電荷キャリア濃度及び電荷キャリア型の少なくとも一方を変更するステップを含むことを特徴とする方法。
【請求項２３】
前記電荷キャリア濃度及び前記電荷キャリア型の少なくとも一方を変更する前記ステップは、前記電圧が前記第１のラップゲート電極（１１１）に印加された場合に擬似的なｐｎ接合を提供することを特徴とする請求項２２に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】全図
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１Ａ】
2011523200.tif 000016
【図１Ｂ】
2011523200.tif 000017
【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
2011523200.tif 000019
【図３】
2011523200.tif 000020
【図４Ａ】
2011523200.tif 000021
【図４Ｂ】
2011523200.tif 000022
【図４Ｃ】
2011523200.tif 000023
【図５Ａ】
2011523200.tif 000024
【図５Ｂ】
2011523200.tif 000025
【図６】
2011523200.tif 000026
【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【国際調査報告】
2011523200.tif 000029
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2011523200.tif 000031
2011523200.tif 000032
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