(57)【要約】ウェーハ(1)上に施されたフレーム(3)は、水平にされて、素子構造(5)のため、特にフィルターまたはMEMS構造のため気密にされたハウジングが形成されるように、被覆フィルムで覆われる。内側のカラム(4)はハウジングを支持し接地接続するために備えられ、外部のカラム(4)は電気接続するために備えられ、フレーム(3)から電気的に絶縁された導体トラック(6)によって素子構造に接続される。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
素子のハウジングであって、
表面がある基板(1)と、
前記基板の前記表面上に施され、完全に前記表面の領域を囲むフレーム(3)とを備え、
前記フレームは一の金属あるいは二以上の金属からなり、
前記フレーム上に施され、前記フレームに対し気密接続を形成する被覆フィルム(7)を含んでなることを特徴とする。
【請求項２】
請求項１に記載のハウジングであって、
前記被覆フィルム(7)は、金属、金属複合材あるいは合金であることを特徴とする。
【請求項３】
請求項１に記載のハウジングであって、
前記被覆フィルム(7)は、ガラス、陶器あるいは片側面または両面が金属被覆されたプラスチックからなる担体フィルム(70) で構成されることを特徴とする。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれかに記載のハウジングであって、
前記フレーム(3)によって囲まれる前記基板(1)の前記表面の前記領域内に配置される少なくとも一つのカラム(41,42,43)が存在し、前記カラム(41,42,43)は、前記被覆フィルム(7)の支持及び素子構造(5)と前記被覆フィルム(7)との間の電気接続の形成の少なくともいずれかに供することを特徴とする。
【請求項５】
請求項４に記載のハウジングであって、
前記被覆フィルム(7)は、全体的あるいは部分的に導電性であり、
前記カラム(41,43)は、前記フレームによって囲まれる前記表面の前記領域内に配置された前記素子構造(5)と前記被覆フィルム(7)の導電性の領域との間に電気接続を形成することを特徴とする。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれかに記載のハウジングであって、
前記フレーム(3)によって囲まれる前記基板(1)の前記表面の前記領域外に配置される少なくとも一つのカラム(40,44)が存在し、
導体トラック(6)が前記基板の前記表面と前記フレームとの間に存在し、
前記導体トラックは、前記カラム(40,44)、および前記フレームによって囲まれる前記表面の前記領域内に配置された素子構造(5)に接続され、絶縁体(16)によって前記フレームと電気的に絶縁されてなることを特徴とする。
【請求項７】
請求項４〜６のいずれかに記載のハウジングであって、
前記フレーム(3)および前記カラム(4)は同じ金属を含みあるいは同じ金属からなることを特徴とする。
【請求項８】
素子のハウジングを製造する方法であって、
金属からなる複数のフレーム(3)が電気分解によって基板またはウェーハ(1)の表面に施され、前記フレームはそれぞれ前記表面の領域を完全に囲んでおり、
被覆フィルム(7)が前記フレームに施され、前記被覆フィルムと前記フレームの間の気密接続が生起され、
前記被覆フィルムがそれぞれフレームおよび前記フレームに囲まれる前記表面の前記領域を覆う部分に細分化されることを特徴とする。
【請求項９】
請求項８に記載の方法であって、
前記被覆フィルム(7)が支持されるカラム(41,42,43)が生成されることを特徴とする。
【請求項１０】
請求項９に記載の方法であって、
前記カラム(41,42,43)は、前記フレーム(3)と共に電気鋳造により金属から生成され、
前記被覆フィルム(7)は、全体的あるいは部分的に導電性を有するよう生成され、
少なくともカラム(41,43)のうちのいくつかは前記被覆フィルム(7)の導電性の領域に接続されることを特徴とする。
【請求項１１】
請求項７〜１０のいずれかに記載の方法であって、
前記フレーム(3)が施される前に導体トラック(6)が表面上に施され、
絶縁体(16)が前記導体トラック上に施され、
前記フレーム(3)が前記絶縁体(16)上の区画に配置され、
金属からなる前記カラム(40,44)が前記フレーム(3)によって囲まれる表面の領域の外で前記導体トラック(6)上に配置されることを特徴とする。
【請求項１２】
請求項１０または１１に記載の方法であって、
構造化した金属被覆(23,24)が前記被覆フィルム(7)上に生成され、前記金属被覆は少なくとも前記カラム(40,41,43,44)のうちのいくつかに導電的に接続されていることを特徴とする。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、密閉されるとともに必要に応じて電気的にシールドされた任意の気密基板上のハウジングの製造に関する。
【背景技術】
【０００２】
多くの電子素子、主に表面感知可能な構造を含む素子、例えばSAW素子（微小電気機械素子）やMEMS素子（表面弾性波フィルター）では、周囲の影響から素子を十分に保護し、特に気密様式で製造することができるハウジングを備えることが必要とされている。そのようなハウジングは、素子がウェーハ、例えばシリコン基板の集合体である間に製造できるように意図される。如何なる場合にも、どんな任意の気密基板も、原則としてこれに適合する必要がある。更に、素子における素子部品の外部への電気接続も適合する必要がある。従来、そのようなハウジングは様々な製造方法、例えばいわゆるウェーハレベルパッケージ（WLP）あるいはチップサイズパッケージとして製造されていた。そして、ウェーハ上のチップサイズのパッケージの製造もウェーハレベルチップサイズパッケージ（WLCSP）として言及されている。
【０００３】
特許文献１は、電子素子がフリップチップ配置で基板に接続されてなるハウジングについて述べている。フレーム構造は素子と基板の間に配置され、それらの間に存在する空洞を横方向から囲んでいる。フレーム構造は有機化合物、特に重合体からなるとともに導電性があり、その密度を増加させるべく圧縮された緩衝層から形成されている。緩衝層は、当初は全体のエリア一帯に適用された層がフォトリソグラフィーまたはレーザーにより比例して削除される手順、あるいは前もって形作られた開口を備えた緩衝層が使用される手順からなる構成により形成される。基板と反対側の素子の表面は、電気的なシールドを供する導電層で覆われていてもよい。
【０００４】
特許文献２は、当初はまだ硬化しておらず液化された封止剤からなるフレーム構造が生成された電子素子のための気密のハウジングについて記述されている。カバー材料は、密閉のためにフレーム構造上に押圧され、この場合、スペーサ要素に支持されており、その後に封止剤が硬化させるべく加熱される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】独国特許出願公開第１０２００４０４０４６５号明細書
【特許文献２】特開２０００−２９９３９６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、表面感知可能な素子用に簡単な方法で製造することができる改善されたハウジング、及び、そのハウジングが気密様式で製造される方法につき明示することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
この目的は、請求項１の特徴を含むハウジング、および請求項８の特徴を含む製造方法によって達成される。形態は従属項から明らかとなる。
ハウジングは、気密基板の表面上に配置され、少なくとも表面感知領域を完全に囲む金属フレームを含む。特に、前記フレームは、前記領域に配設された表面感知構造を囲むことができる。好ましくは、使用される基板は共同するさまざまな素子のためのハウジングを有したウェーハである。好ましくは同様に金属からなる柱、すなわち小さなカラムは、前記フレームと共に施される。前記柱は、前記フレームによって囲まれる表面の領域、あるいは該領域の外側に配置される。前記フレームの外側に配設された前記柱のため、それぞれの素子構造から関連ある前記柱までの適切な導電性のフィードスルーが前記フレームの下に存在している場合には、前記フィードスルーは関連ある前記フレームから電気的に絶縁されている。前記フィードスルーの電気的な前記絶縁は、無機物層を密閉することにより、あるいは有機質層を準密閉することにより達成できる。
【０００８】
前記フレームの表面および前記柱の上部端は、必要に応じて平滑化によってウェーハ表面の上方で同じ高さとされる。前記平滑化は、本質的に公知であり、通常ウェーハ後側の支持領域について共面となる表面を生成することを含み、二次元チャックに支持される平滑化プロセス、好ましくは金属の場合にはダイヤモンドによる切削によって遂行可能である。得られる表面の精度および質は非常に高く、このようにサブμm平面で平面をなす光学的に鏡面のように反射する平面を生成する。ウェーハの接着の次工程で、前記ウェーハは、チャックに支持され、前記ウェーハがチャックと平行をなすよう水平の状態で切削される金属フレームを備え、フィルムと接続される。
【０００９】
前記フィルムは、気密接続が前記フレームと前記フィルムの間で生成されるようにして前記フレームおよび柱の平滑構造に施される。前記フィルムは、金属または金属複合材、または他の片側面あるいは両面上に金属被覆された有機または無機、非導体または半導体の基材として構成されたフィルムからなる。有機の基材からなるフィルムは、ファイバーを混合することで更に安定し、あるいはフィルムに異方性の機械的性質を与えてもよい。
【００１０】
ハウジングおよび製造方法の例は、図を参照して以下詳述される。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】ハウジングのための金属フレームを備えたウェーハの平面図である。
【図２】図１中に印された被覆フィルムを適用した後のウェーハの断面図である。
【図３】図２に従う他の実施例の断面図である。
【図４】図２に従う被覆フィルムを適用する工程段階での断面図である。
【図５】図４に従う更なる実施例の断面図である。
【図６】図４に従う被覆フィルムとレジストマスクを適用した後の断面図である。
【図７】図６に従う被覆フィルムの開口を施した後の断面図である。
【図８】図７に従う絶縁体層を適用した後の断面図である。
【図９】図８に従う接続金属被覆を生成し且つ半田ボールを適用した後の断面図である。
【図１０】図６に従う補完的なレジストマスクを備えた断面図である。
【図１１】ハウジングのための金属フレームを備えたウェーハの更なる平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
図１は、複数の素子が同時に生成されるウェーハ１の平面図を示す。ウェーハは、後に収容される個々の素子へ分離されるように意図されている。それは、図１中に示された水平及び垂直の切離線２に沿ってなされる。この目的のため、本質的によく知られた例えばレーザーや鋸で切る手法あるいはエッチングが使用される。下記に述べる実施例において、供される個々の素子は、それぞれ切離線２に縁取られたウェーハの１つの領域内に配置されている。図１には、存在する素子構造５のうちの１つだけが一例として示されている。ウェーハ上にて生成される素子の数は図示するよりも遙かに多く、図１中の平面図もかなり大きなウェーハからの抜粋と見なすことができる。
【００１３】
フレームは、それぞれ供されるハウジングのために生成され、この実施例中においてフレームは金属フレーム３であり、例えば銅、ニッケル、銀あるいは金等、あるいは２つ以上の金属、例えば銅とスズから形成されている。金属フレーム３には、好ましくは電気鋳造法が適用される。如何なる要求のベース領域を有した金属の柱も、以下に金属カラム４として示されるが、金属フレーム３と一緒に生成される。金属カラム４は、好ましくは金属フレーム３と同じ金属あるいは同じ金属組成から生成される。金属カラム４は、それぞれ金属フレーム３内、即ち金属フレームによって囲まれた領域、あるいはその他金属フレーム３の外側に配置される。
【００１４】
半田接続の場合には、金属フレームの（金属カラムの）金属複合材は、少なくとも１つの金属が高融点を有し（例えば、Cu、Ni、Ag、Au）、あるいは合金が高融点を有し金属が低融点を有し（例えばSn、In）、あるいは合金が低融点を有する（例えば、Sn／Ag／Cu、Sn／Ag、Sn／Cu、Sn／Pb等）という配合からなる。好ましくは、被覆フィルムとの結合において、この結合プロセスの後の金属フレーム／カラムと被覆フィルムとの間で、リフロー温度（＞２６０℃）で溶けない合金、例えばSn２０Au８０（融点２８３℃）、あるいはSnCu（固体方法、融点４００℃以上）が形成される傾向にある。
【００１５】
サーモソニックボンディングが採用される場合、接続相手が容易に結合可能な金属フレーム／カラムおよび被覆フィルムの組合せ、例えばAu／Au、Al／ Al、Cu／Cu、Ag／Agが特に相応しい。妨害となる酸化被膜は、およそ１００nmの厚さの酸化しないメタル層あるいはメタル層配列によって防ぐことができる。サーモソニックによる方法は、金属フレーム／カラムおよび被覆フィルムの少なくともいずれか一方が接合される場合に、金属フレーム／カラムおよび被覆フィルムを接続するためにも使用される。この場合、サーモソニックによる方法は、更に半田上の酸化被膜を破壊するのに都合がよい。
【００１６】
あるいは、半田層は、酸化しない層、例えばAg、Pd、Pt、Ag／Pd、Ag／Pt等を備えていてもよい。典型的な層の厚みは７０nmから１５０nmの範囲である。あるいは、結合プロセスの温度で酸化被膜を溶かすような薄い有機質層も半田層に適用可能である。
【００１７】
基板の膨脹係数は、基板と被覆フィルムの膨脹係数の誤った組合せに起因する問題を回避するために被覆フィルムの構成において考慮される。したがって、例えばVaconフィルムや金属被覆されたガラス塗膜がシリコン製の基板の熱膨張に最適な被覆フィルムとして使用される。
【００１８】
あるいは、非常に薄い金属フィルム、例えば６μm未満の典型的な厚さを持つAu、AgあるいはCuが被覆フィルムとして使用される。金属フレーム／カラムと被覆フィルムの間の接続が生成された後、被覆フィルムは、環境温度に近い温度で電気分解され、好ましくはガス不浸透性を保証するか１０MPaまでの成形圧力を許容する厚さまで強化される（例えば、CuまたはNiを含むCuフィルム）。例えばLT（LiTaO３）のように異方性の熱膨脹係数を有し、直交して７ppm／Kから１４ppm／Kの範囲の値の膨脹係数を持っている基板の場合には、膨脹係数がほぼ中間のおよそ１０.５ppm／Kの典型的な金属被覆が都合がよい。
【００１９】
誤った組合せのため、ウェーハのたわみが結合プロセスおよび環境温度への冷却の後に次工程にとって大きすぎる場合には、ウェーハ／金属複合材は結合プロセスの温度（即ち、冷却前）において、例えばレーザー切断とレーザーけがきによって個々の素子に分離することも可能である。
接続相手がナノ構造を備えていれば、結合プロセスの温度は相当に下げることができる。
【００２０】
図１は、多くの異なるフレームと柱の構成を示す。金属カラム４は、表面上に適用されてハウジングを密閉する被覆フィルムを支持するために備えられている。金属カラム４は、代替としてあるいは付加的に、素子の電気接続のために備えられている。素子構造５の一つの例は図１中に示されており、その構造は例えば表面弾性波フィルターである。素子構造５において、例えば銅からなる並列の側方導線トラックは、例えばAlCuからなり、接続されるとともに櫛状にして互いに噛み合う導体トラックが素子の機能を備える一方、電気接続のために備えられている。外部電気接続のため、導体トラック６が素子構造を外部金属カラム４に導電的に接続している。導体トラック６は金属フレーム３の下を通って導かれ、絶縁材である薄い中間層によって金属フレーム３から絶縁されている。素子を作動させる電圧は金属フレームの外部に配設された適当な金属カラムに印加される。素子構造５の他方の接続は、接地され、以下に述べるように、素子構造５上に配設された金属カラム及び少なくとも部分的に導電性の被覆フィルムによって達成される。接地接続は、代替的に、対応する導体トラックに配設された一または複数、適当であれば全てのフレームへの接続によって達成することができる。
【００２１】
図２は、ウェーハ１、金属フレーム３および金属カラム４についての図１に印した断面図である。金属フレーム３によって囲まれた領域の寸法および配置及び金属カラム４の数は、要求に応じて任意に具現化され、原則として、図２中の断面図に示されたものは図１中の単純な例に対応した単なる一例に過ぎない。図２には、ハウジングを完成するため、表面のフレームおよび柱に被覆フィルム７が適用されることが示されている。被覆フィルム７は金属から成り、例えば銅、ニッケル、銀あるいは金である。一方、被覆フィルムについては、金属複合材が使用され、例えば、銅とスズからなり、あるいは銅、スズおよび金からなり、あるいは他の合金、例えばVacon、鉄とニッケルとコバルトの合金からなり、好ましくはニッケルメッキ、付加的に銅メッキ、亜鉛メッキされているのがよい。
【００２２】
図３は図２に従う他の実施例の断面図を示し、ここでは被覆フィルム７は多層によって具現化されている。ガラス、陶器あるいはプラスチック（例えば、ポリイミド［カプトン］、LCP［液晶ポリマー］、BCB［ベンゾシクロブテン］）から構成された担体フィルム７０は、表面および裏面に金属被覆が施されている。ウェーハ１から離間して配置される上側の金属被覆７１は、例えば銅から構成され、ウェーハ１と向かい合う下側の金属被膜７２は、例えば銅とスズから構成される。金属被覆は担体フィルム７０の片側面に存在するだけでも十分と考えられる。好ましくは、下側の金属被膜７２は、直接に金属フレーム３および金属カラム４と接触する導電性接触子を生成するよう存在しているのがよい。
【００２３】
ここで、図２および３に対応して断面図を示す図４〜１０を参照して製造方法の実施例について説明する。図４は、ほぼ素子の領域を包含するよう抜粋したウェーハ１の断面図を示す。切離線２は、ほぼ図４中にマークした場所に位置している。図４は、一実施例として素子構造５を取り巻く金属フレーム３０の断面図を示す。図４の右側は、この側に隣接した素子のための更なる金属フレーム３１の断面図を示す。それぞれの金属フレームの外部に配設された外メタルカラム４０および４４の断面図も同様に示されている。図１中の平面図によれば、図４の実施例中において、左側に示された外メタルカラム４０はこの側で隣接した素子に結合される一方、金属カラム４４は金属フレーム３０に配設された素子構造５に結合されている。このように図４中におよそ示された配置は、図４が金属フレーム３０によって囲まれた領域中にある内メタルカラム４１を示す点が違うものの、図２の断面図の配置に一致する。この実施例では、内メタルカラム４１は、両方被覆フィルム７の支持および接地接続のために備えられ、それ故、図４には例として素子構造５の導体トラック上に示されている。素子構造５は、内メタルカラム４１を介して被覆フィルム７に導電的に接続される。金属被覆８は、それぞれ金属フレーム３０、３１および金属カラム４０、４１、４４上に施され、その金属被覆は、例えば金属フレームおよび金属カラムが電気分解によって表面上に亜鉛メッキされることで生成される。
【００２４】
素子構造５は金属フレーム３０によって囲まれた領域２１内に配置される。結合される外メタルカラム４４は、中間の領域２２によって金属フレーム３０から分けられている。外メタルカラム４４は、適切な導体トラックを介して素子構造５の電気接続に適している。この目的のためには、外メタルカラム４４と、金属フレーム３０によって囲まれた領域２１の導体との導電接続を施すことが必要である。この目的のために、ウェーハ１の表面には、金属フレーム３０の生成の前に組み立てられる導体トラック６が施されて存在している。金属フレーム３０からの電気的絶縁のため、絶縁材からなる絶縁体１６が導体トラック６上に施されている。供された型の中で金属カラムと一体となる金属フレーム３０は、例えば金属フレームが断面で絶縁体１６上に配置されるような電気鋳造法によって金属カラム上に生成される。ウェーハ１の非平面の表面のために、当初は金属フレームおよび金属カラムの表面は同一レベルではない。したがって、平滑化ステップが行なわれ、これにより、金属フレーム３０、３１の表面および金属カラム４０、４１、４４の上部端は同一レベルにならされる。その後、被覆フィルム７は水平状態にある平滑化されたメタル素子部分に設置される。
【００２５】
図５は、図４の断面図に従う更なる実施例のための断面図を示し、ここでは被覆フィルム７は例えばガラス、陶器あるいはプラスチックからなる担体フィルム７０を含み、担体フィルム７０の下側には、例えば銅またはニッケルからなる金属被覆９が備えられている。金属被覆９は、異なる電位を供給するメタル素子部分が互いに電気的に分離されるよう、金属フレームおよび金属カラムの配置に従って構成される。更なる例として、図５は、図４の実施例と配置が異なるが、金属フレーム３０によって囲まれた領域２１内の内メタルカラム４２および４３の配置を示す。この実施例の場合、外メタルカラムは存在せず、あるいは少なくとも示された断面図の中には外メタルカラムは存在していない。隣接した素子の金属フレーム３１および３２も図５の右側及び左側に示されている。金属フレーム３０内に存在する素子構造５は多くの素子部品を含む。これらの素子部品のうち導体トラックとして示された一つは、被覆フィルム７の金属被覆９への電気接続を生成する金属カラム４３を備えている。左辺の内メタルカラム４２は、素子構造５の素子部品に接しておらず、この例では被覆フィルム７の機械的な支持として備えられている。図４、５は、直接に被覆フィルム７を取り付ける前での方法ステップにおける配置をそれぞれ示す。
【００２６】
図６は、図４に従う被覆フィルム７を取り付けた後の更なる方法ステップについての断面図を示す。被覆フィルム７は、導電的に金属被覆８に接続され、特に金属フレームの内部領域を外部に対し密閉している。この実施例では、被覆フィルム７は一または複数の金属からなる。これに代えて、例えば図３および５に従い、多層の被覆フィルムを使用することも可能である。レジストマスク１０は表面上に取り付けられ、切離線２の上の開口１１および金属フレームと外メタルカラムの間の領域２２の上の更なる開口１２を備えている。図６の中で示された他の素子部品は、図４中の素子部品に一致し、同じ符号が付されている。
【００２７】
レジストマスク１０を用いて、被覆フィルム７の材料はエッチングによって開口１１および更なる開口１２の領域が除去される。この方法ステップの結果は図７中の断面図に示されている。被覆フィルム７は、切離線２および金属フレーム３０と外メタルカラム４４の間の領域２２の上方で除去されている。被覆フィルム７の残りの部分は、生成されたハウジングのカバーを形成し、それらの側壁は金属フレーム３０によって形成される。被覆フィルム７の更なる部分は外メタルカラム４０および４４上に残っている。フォトレジストの代わりに、他の重合体層あるいは重合体層配列を適用することができる。ハウジングはエッチング方法の代わりにレーザー切断によっても互いに切り離すことができる。
【００２８】
図８は、図７に従う電気接続が後にメタル素子部分と生成されるべく意図される領域に開口１４が生成される初期全体エリア絶縁体層１３を取り付けた後の断面図を示す。
図９は、図８に従う金属フレームの接続用の構造化金属被覆２３と外メタルカラムの接続用の更なる構造化金属被覆２４とを生成した後の断面図を示す。これらの金属被覆については、最初に金属被覆は全体のエリアに取り付けられ、次にマスクを使用して構成される。これに代えて、最初にマスクを施し、次に全体のエリアに金属被覆を生成し、図９中に示すように金属被覆２３および２４が残るよう、本質的に公知のリフトオフ法によりマスクを用いて部分的に金属被覆を除去することも可能である。その後、好ましくは外部電気接続のための半田ボール１８が後に配置される領域に開口を備えたソルダレジスト層１７が生成される。ソルダレジスト層１７は、図９中の半田材料が半田ボール１８のフォームをほぼ維持するように半田材料が流れることを防ぐものである。
【００２９】
図１０は、図６に従う図６中で示されたレジストマスク１０とほぼ補完的である更なるレジストマスク１９を備えた断面図を示す。それは、更なるレジストマスク１９は切離線２の上、金属フレームと外メタルカラムの間の領域２２の上の領域をカバーすることを意味する。レジストマスク１９の代わりに、例えばレーザーによって構成可能な他の重合体層あるいは重合体層配列が適用され相応じて構成されてもよく、あるいは構造化重合体層を例えばジェット印刷による印刷方式によって生成することもできる。そして、更なるメタル層が、好ましくは電気分解によって被覆フィルム７の表面上に施され、当該更なるメタル層は、更なるレジストマスク１９の開口の領域の被覆フィルム７を強化している。更なるレジストマスク１９の除去の後、図６中の断面図の構造にほぼ相当する構造、レジストマスク１０の位置をとる金属強化材２０が得られる。そして、図７に従う構造は、被覆フィルム７のエッチング、およびその上に存在する強化材２０のエッチングによって生成される。被覆フィルム７の開口は、この場合、強化材２０の領域の被覆フィルムの除去なく形成される。被覆フィルムおよび強化材を備えた被覆フィルムのそれぞれ異なる厚さの領域のこの特異なエッチングによって、図７中の断面図中に示される構造は簡単な方法で生成される。更に、強化材２０の厚さは、特異なエッチングの後に残るケーシングカバーが、後にオーバーモールドされる場合に十分に安定しているよう、即ち埋込混合物が施されるようにして、それぞれの要求に適応している。後の方法ステップは、図８および９について既に述べた方法ステップに一致する。図１１は、フレームの更なる実施例を示す。櫛状にして互いに噛み合うように具現化されたフィルター構造を含む素子の場合（図１１中の上部の例のように）、もし櫛構造へのアースリードが金属カラム４で生成されていることによって低インピーダンスで導電的に終端カバーに接続されているならば、それはフィルターの電気的特性には有利である（実施例中に示されたウェブのフォームで）。更なるフレームと並んだ（図１１中の中央の例のように）、あるいは更なるフレーム内の（図１１の中のより下部の例のように）一または複数のフレームの配置は、フレームによって囲まれた領域から更なる通電した（生きた）ラインを引き出すために、低いインダクタンスのアースラインを備えるために、あるいはその他インダクタンスを有して直列に接地するために都合がよい。
【００３０】
配置の典型的な寸法は、ウェーハの厚さについては研削の結果により後側を薄くする前におよそ２５０μmから３５０μm、適切ならば、金属フレームの高さについてはシンギュレーション（DBG、ダイシングビフォーグラインディング）の後においておよそ５μm から１００μm、および金属フレーム上に施された金属被覆８の厚さについてはおよそ３μmである。被覆フィルム７はおよそ６μmから６０μm の厚さを有している。
【符号の説明】
【００３１】
１  ウェーハ
２  切離線
３  金属フレーム
４  金属カラム
５  素子構造
６  導体トラック
７  被覆フィルム
８  金属被覆
９  金属被覆
１０  レジストマスク
１１  切離線の上の開口
１２  更なる開口
１３  絶縁体層
１４  開口
１６  絶縁体
１７  ソルダレジスト層
１８  半田ボール
１９  更なるレジストマスク
２０  強化材
２１  金属フレームによって囲まれた領域
２２  中間の領域
２３  金属フレームの接続用の金属被覆
２４  外メタルカラムの接続用の金属被覆
３０、３１、３２  金属フレーム
４０  外メタルカラム
４１、４２、４３  内メタルカラム
４４  外メタルカラム
７０  担体フィルム
７１  上側の金属被覆
７２  下側の金属被覆
【図１】
2011522409.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2011522409.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【国際調査報告】
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2011522409.tif 000015
2011522409.tif 000016
2011522409.tif 000017
2011522409.tif 000018
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