(57)【要約】１組の研削ホイール（２０９）を有するダブルサイドグラインダ（１０１）を用いてウェーハを処理する。ゆがみデータは、ダブルサイドグラインダ（１０１）によって研削したままのウェーハのゆがみを測定するためのゆがみ測定装置（１０３）により得られる。ゆがみデータを受信し、そして受信したゆがみデータに基づいて、ウェーハのナノトポグラフィーを予測する。研削パラメータは、予測されたウェーハのナノトポグラフィーに基づいて決定される。ダブルサイドグラインダ（１０１）の操作は、決定した研削パラメータに基づいて調節される。
2011507719.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ダブルサイドグラインダを用いてウェーハを加工する方法であって、前記ダブルサイドグラインダは、少なくとも１組の研削ホイールを有しており、
前記方法は、
前記ダブルサイドグラインダによって研削されたままのウェーハのゆがみを測定するためのゆがみ測定装置により得られたデータを受信する工程であって、受信したゆがみデータは、測定された前記ゆがみを示している、データ受信工程と、
受信した前記ゆがみデータに基づいて、前記ウェーハのナノトポグラフィーの予測する工程と、
予測された前記ウェーハの前記ナノトポグラフィーに基づいて、研削パラメータを決定する工程と、
決定した前記研削パラメータに基づいて、前記ダブルサイドグラインダの操作を調節する工程と、を含むことを特徴とするウェーハ加工方法。
【請求項２】
前記ダブルサイドグラインダの操作を調節する工程は、前記ダブルサイドグラインダにフィードバックを提供する過程を含み、
前記フィードバックは、決定した前記研削パラメータを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記決定する工程は、予測された前記ウェーハの前記ナノトポグラフィーに基づいて、シフトパラメータを決定する過程を含み、
前記シフトパラメータは、前記ダブルサイドグラインダによってその後に研削されるウェーハのナノトポグラフィーを改善するために、前記１組の研削ホイールを移動させる大きさを示していることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記決定する工程は、予測された前記ウェーハの前記ナノトポグラフィーに基づいて、シフトパラメータを決定する過程を含み、
前記シフトパラメータは、前記ダブルサイドグラインダによってその後に研削されるウェーハのナノトポグラフィーを改善するために、前記１組の研削ホイールを移動させる方向を示していることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】
受信した前記ゆがみデータをフィルタリングする工程をさらに含み、
前記予測する工程が、フィルタリングされた前記ゆがみデータに基づいて、前記ウェーハの前記ナノトポグラフィーを予測する過程を含んでいることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記決定する工程は、予測された前記ウェーハの前記ナノトポグラフィーに、ファジー論理アルゴリズムを適用する過程を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記予測する工程は、前記ウェーハの表面のプロファイルを計算する過程を含み、
前記決定する工程は、計算された前記プロファイルのＢリング領域に基づいて、研削パラメータを決定する過程を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記ダブルサイドグラインダによって研削されたままの前記ウェーハは、未エッチング及び未研磨であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記ウェーハを研磨する工程と、
研磨後の前記ウェーハのナノトポグラフィーを測定する工程と、をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
測定された研磨後の前記ウェーハの前記ナノトポグラフィーに基づいて、前記ダブルサイドグラインダの操作を調節する工程をさらに含むことを特徴とする請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
ダブルサイドグラインダによって研削されたウェーハのナノトポグラフィーを改善する、コンピュータで実施される方法であって、前記ダブルサイドグラインダは、少なくとも１組の研削ホイールを有しており、
前記方法は、
前記ダブルサイドグラインダによって研削されたままのウェーハのプロファイルを示すデータを受信する工程と、
ファジー論理アルゴリズムを実行して、受信した前記データの関数として研削パラメータを決定する工程と、
前記ダブルサイドグラインダの操作を調節するために、前記ダブルサイドグラインダに、決定した前記研削パラメータを含むフィードバックを提供する工程と、を含むことを特徴とするコンピュータで実施される方法。
【請求項１２】
前記決定する工程は、予測された前記ウェーハの前記ナノトポグラフィーに基づいて、シフトパラメータを決定する過程を含み、
前記シフトパラメータは、前記ダブルサイドグラインダによってその後に研削されるウェーハのナノトポグラフィーを改善するために、前記１組の研削ホイールを移動させる大きさを示していることを特徴とする請求項１１に記載のコンピュータで実施される方法。
【請求項１３】
前記決定する工程は、予測された前記ウェーハの前記ナノトポグラフィーに基づいて、シフトパラメータを決定する過程を含み、
前記シフトパラメータは、前記ダブルサイドグラインダによってその後に研削されるウェーハのナノトポグラフィーを改善するために、前記１組の研削ホイールを移動させる方向を示していることを特徴とする請求項１１に記載のコンピュータで実施される方法。
【請求項１４】
前記受信する工程は、前記ダブルサイドグラインダによって研削されたウェーハのゆがみを測定するためのゆがみ測定装置により得られたデータを受信する過程を含み、
前記ウェーハは、未エッチング及び未研磨であることを特徴とする請求項１１に記載のコンピュータで実施される方法。
【請求項１５】
前記受信する工程は、前記ダブルサイドグラインダによって研削されたウェーハの厚さを測定するための測定装置により得られたデータを受信する過程を含み、
前記ウェーハは、未エッチング及び未研磨であることを特徴とする請求項１１に記載のコンピュータで実施される方法。
【請求項１６】
前記ダブルサイドグラインダによって研削されたままの前記ウェーハは、未エッチング及び未研磨であることを特徴とする請求項１１に記載のコンピュータで実施される方法。
【請求項１７】
半導体ウェーハを加工するためのシステムであって、
前記システムは、
ウェーハを研削するための１組のホイールを有するダブルサイドグラインダと、
研削した前記ウェーハのプロファイルを示すデータを測定するための測定装置と、
ファジー論理アルゴリズムを実行して、測定した前記データの関数として研削パラメータを決定するように構成されたプロセッサと、を含み
前記ダブルサイドグラインダの前記ホイールの少なくとも１つは、決定した前記研削パラメータに基づいて調節されることを特徴とするシステム。
【請求項１８】
前記測定装置は、研削した前記ウェーハからゆがみデータを得るためのゆがみ測定装置で、研削した前記ウェーハは、未エッチング及び未研磨であり、
前記プロセッサは、ファジー論理アルゴリズムを実行して、測定した前記ゆがみデータの関数として研削パラメータを決定するように構成されたプロセッサであることを特徴とする請求項１７に記載のシステム。
【請求項１９】
前記測定装置は、研削した前記ウェーハのプロファイルを示すデータを測定するための容量性センサを含み、
研削した前記ウェーハは、未エッチング及び未研磨であることを特徴とする請求項１７に記載のシステム。
【請求項２０】
決定した前記研削パラメータに基づいて調節される少なくとも１つのホイールを有する前記ダブルサイドグラインダが、別のウェーハを研削することを特徴とする請求項１７に記載のシステム。
【請求項２１】
研削した前記ウェーハをエッチングするためのエッチング装置と、
エッチングした前記ウェーハを研磨するための研磨装置と、
研磨した前記ウェーハのナノトポグラフィーを測定するためのナノトポグラフィー測定装置と、をさらに含むことを特徴とする請求項１７のシステム。
【請求項２２】
前記プロセッサは、ファジー論理アルゴリズムを実行して、測定した前記データの関数としてシフトパラメータを決定するように構成されたプロセッサであり、
前記シフトパラメータは、前記ダブルサイドグラインダによってその後に研削されるウェーハのナノトポグラフィーを改善するために、前記１組の研削ホイールを移動させる大きさを示していることを特徴とする請求項１７に記載のシステム。
【請求項２３】
前記プロセッサは、ファジー論理アルゴリズムを実行して、測定した前記データの関数としてシフトパラメータを決定するように構成されたプロセッサであり、
前記シフトパラメータは、前記ダブルサイドグラインダによってその後に研削されるウェーハのナノトポグラフィーを改善するために、前記１組の研削ホイールを移動させる方向を示していることを特徴とする請求項１７に記載のシステム。
【請求項２４】
別のウェーハを研削するために、１組のホイールを有する第２のダブルグラインダをさらに含み、
前記測定装置は、研削した前記ウェーハの第１のプロファイルを示すデータと、研削した前記別のウェーハの別のプロファイルを示すデータと、を測定するための１つの測定装置であり、
前記プロセッサは、ファジー論理アルゴリズムを実行して、前記第１のプロファイルを示している測定した前記データの関数として研削パラメータを決定するように、及び前記ファジー論理アルゴリズムを実行して、前記別のプロファイルを示している測定した前記データの関数として前記研削パラメータを決定するように、構成されていることを特徴とする請求項１７に記載のシステム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
＜本発明の背景＞
本発明の態様は、概して半導体ウェーハの加工に関し、特に、加工中に、ウェーハナノトポグラフィー(wafer nanotopography)を制御し、最適化することに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体ウェーハは、集積回路(IC)チップの製造において、基板として一般的に用いられている。半導体メーカーは、各ウェーハから最大数のチップを確実に作成できるように、極めて平坦で平行な面を有するウェーハを要求する。インゴットからスライスされた後に、ウェーハは、典型的には、例えば平坦性及び平行性などの特定の表面特徴を改善することを目的とした研削(grinding)工程及び研磨(polishing)工程を受ける。
【０００３】
同時両面研削(simultaneous double side grinding)は、ウェーハの両面上に同時に作用し、高度に平坦化された表面のウェーハを製造する。両面研削を行うグラインダには、例えば、光洋機械工業株式会社によって製造されたものが含まれる。これらのグラインダは、ウェーハクランプデバイス(wafer clamping device)を用いて、研削中に半導体ウェーハを保持する。クランプデバイスは、典型的には、１組の静水圧パッド(hydrostatic pads)と１組の研削ホイール(grinding wheels)とを含む。パッドとホイールとは対向関係に方向付けられて、それらの間で垂直方向にウェーハを保持する。研削中に、ウェーハと物理的に接触する固いパッドなしにウェーハを保持するために、静水圧パッドは、パッドとウェーハ表面との間に流体バリア(fluid barrier)を有利に生じる。これにより、物理的なクランプにより生じるであろうウェーハへのダメージが低減され、ウェーハは、少ない摩擦で、パッド表面に対して接線方向に移動（回転する）することができる。この研削工程は、研削したウェーハ表面の平坦性及び／又は平行性を改善できるが、ウェーハ表面のトポロジーの低下を引き起こす可能性がある。具体的には、静水圧パッドと研削ホイールとのミスアラインメントが、そのような低下をもたらすことが知られている。研削後の研磨は、研削したウェーハ上に、高反射性で鏡面仕上げのウェーハ表面を生じるが、トポロジー低下には対処しない。
【０００４】
トポロジー低下の懸念を確認し対処するために、装置メーカー及び半導体材料メーカーは、ウェーハ表面のナノトポグラフィーを考慮する。例えば、半導体産業の世界的な貿易協会（ＳＥＭＩドキュメント３０８９）である国際半導体製造装置材料協会（ＳＥＭＩ）は、ナノトポグラフィーを、空間波長約０．２ｍｍ〜約２０ｍｍの範囲内のウェーハ表面の偏差(deviation)として定義する。この空間波長は、加工した半導体ウェーハのナノメートルスケールの表面特徴(surface features)に非常に緊密に対応している。ナノトポグラフィーは、ウェーハの１つの表面の高さ偏差(elevational deviation)を測定するものであり、従来の平坦度測定のようにウェーハの厚さの変動を考慮しない。一般に、光散乱法と干渉分光法の２つの技術を用いて、ナノトポグラフィーを測定する。これらの技術は、研磨したウェーハの表面で反射された光を用いて、非常に小さな表面変化を検出する。
【０００５】
ナノトポグラフィー（ＮＴ）は仕上げ研磨後まで測定されないが、両面研削は、完成したウェーハのＮＴに影響するプロセスの１つである。特に、ＣマークやＢリングなどのＮＴ欠陥は、静水圧パッドと研削ホイールとのクランプ面のミスアラインメントによって、研削工程中に形成され、実質的な歩留り損失をもたらす。静水圧パッドと研削ホイールとのクランプ面のミスアラインメントに起因するＮＴ欠陥を低減することを目的とした現在の技術は、クランプ面を手作業で再アライメントすることを含んでいる。残念なことに、研削操作のダイナミクスと、研削ホイール上の異なる摩耗(differential wear)の影響とにより、比較的少ない回数の操作後には、アラインメントからそれてしまう。アラインメント工程は、オペレーターによって行わる場合には非常に時間がかかるが、その工程を、商業的に実用的でないグラインダの制御操作法となってしまうほどに、頻繁に繰り返さなければならない。さらに、現在の技術は、クランプ面に行うべき特定の調整について、オペレーターに通知しない。その代わりに、オペレーターは、ウェーハ表面について記述しているデータを単に提供されて、そして次に、ナノトポグラフィー低下を低減するアラインメントを探すために試行錯誤を行う。従って、手作業でのアラインメントは、オペレーターの間で一貫性がなく、ウェーハナノトポグラフィーを改善できないことが多い。
【０００６】
さらに、通常は、望ましくないナノトポグラフィーの特徴がダブルサイドグラインダ(double side grinder)によってウェーハに導入される時点と、それらが発見される時点との間に、いくらかの遅延がある。両面研削の後で、ナノマッパー(nanomapper)等によってＮＴをチェックする前に、ウェーハは、平坦度とエッジ欠陥の測定だけでなく、エッジ研磨、両側研磨、仕上げ研磨などの様々な後加工(downstream processes)を受ける。このように、ウェーハがグラインダから取り出された時点の近くでのウェーハナノトポグラフィーは知られていない。その代わりに、ナノトポグラフィーは、研削したウェーハを研磨装置で研磨した後に従来のプロセスによってのみ決定される。そのようなわけで、ダブルサイドグラインダによってウェーハに導入された望ましくないナノトポグラフィーの特徴は、研磨後まで確認することができない。さらに、ウェーハのカセットが機械加工されるまで、ウェーハは測定されない。そして、グラインダの準最適な設定(suboptimal settings)が、ＮＴ欠陥を引き起こす場合には、カセット内の全てのウェーハが、大きな歩留り損失をもたらすこの欠陥を有するだろう。従来のウェハプロセスにおけるこのような不可避の遅延に加えて、オペレーターは、測定結果からフィードバックを得るまでに、各カセットが加工されるのを待たなければならない。このことは、相当な量のダウンタイムをもたらす。もし、フィードバックを受け取る前に次のカセットがすでに研削された場合には、不適当な研削設定によって次のカセット内でのさらなる歩留り損失のリスクがある。
【発明の概要】
【０００７】
本発明の態様は、より短時間でナノトポグラフィーのフィードバックを可能にして、改善された品質制御及び／又はウェーハ歩留まりのために、ナノトポグラフィーを改善するための調整を、より短い遅延時間で認識し実施することを可能にする。発明の１つの態様により、ダブルサイドグラインダを用いて研削されたウェーハのプロファイルを示すデータは、研削したウェーハのナノトポグラフィーを予測するために用いられる。その後に切削されるウェ−ハのナノトポグラフィーを改善するための研削パラメータは、予測されたナノトポグラフィーに基づいて決定される。ダブルサイドグラインダの操作は、決定した研削パラメータに従って調節される。このようにして、本発明の態様は、ダブルサイドグラインダによってその後に研削されるウェーハに、改善されたナノトポグラフィーを提供する。別の態様では、本発明は、ゆがみデータ(warp data)を利用して、ナノトポグラフィーのフィードバックを提供する。例えば、本発明は、ウェーハ加工で一般に用いられているゆがみ測定装置から得られたゆがみデータを用いてもよい。このようにして、本発明は、ナノトポグラフィーを改善するための、コスト効率が良く便利な方法を、有利に提供する。
【０００８】
発明の態様を具体化するウェーハ加工方法では、少なくとも１組の研削ホイールを有するダブルサイドグラインダを用いる。本方法は、ダブルサイドグラインダによって研削されたままのウェーハのゆがみを測定するためのゆがみ測定装置により得られたデータを受信する工程を含んでいる。受信したゆがみデータは、測定されたゆがみを示す。本方法は、受信したゆがみデータに基づいて、ウェーハのナノトポグラフィーを予測する工程と、予測されたウェーハのナノトポグラフィーに基づいて、研削パラメータを決定する工程と、もまた含んでいる。本方法によれば、ダブルサイドグラインダの操作は、決定した研削パラメータに基づいて調節される。
【０００９】
別の態様では、コンピュータで実施される方法によって、ダブルサイドグラインダによって研削されたウェーハのナノトポグラフィーを改善する。本方法は、ダブルサイドグラインダによって研削されたままのウェーハのプロファイルを示すデータを受信する工程と、ファジー論理アルゴリズムを実行して、受信したデータの関数として研削パラメータを決定する工程と、を含んでいる。本方法は、ダブルサイドグラインダにフィードバックを提供する工程も含んでいる。フィードバックは、グラインダの操作を調節するために決定した研削パラメータを含んでいる。
【００１０】
半導体ウェーハを加工するためのシステムも、本発明の態様を具体化する。システムは、ウェーハを研削するための１組のホイールを有するダブルサイドグラインダと、研削したウェーハのプロファイルを示すデータを測定するための測定装置と、ファジー論理アルゴリズムを実行して、測定したデータの関数として研削パラメータを決定するように構成されたプロセッサと、を含んでいる。このシステムでは、ダブルサイドグラインダのホイールの少なくとも１つは、決定した研削パラメータに基づいて調節される。
【００１１】
他の目的及び特徴は、一部は明確になり、一部は以下に指摘されるだろう。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】図１は、本発明の実施形態に係る、半導体ウェーハを加工するためのシステムを示すブロック図である。
【図２】図２は、本発明の実施形態に係る、ウェーハクランプデバイスと静水圧パッドとを有するグラインダの概略側面図である。
【図３】図３は、本発明の実施形態において使用される静水圧パッドのウェーハ側からの正面図である。
【図４】図４は、図２に類似した概略側面図であるが、研削ホイールの典型的な横方向シフト(lateral shifting)と垂直傾斜(vertical tilting)とを示している。
【図５Ａ】図５Ａは、研削ホイールの概略正面図である。
【図５Ｂ】図５Ｂは、図５Ａの研削ホイールの水平傾斜(horizontal tilt)を示している。
【図５Ｂ】図５Ｃは、図５Ａの研削ホイールの垂直傾斜を示している。
【図６】図６は、本発明の実施形態に係る測定装置によって実行される典型的なライン走査プロセスを示す図である。
【図７Ａ】図７Ａは、本発明の実施形態に係る測定装置によって実行される典型的なライン走査プロセスをさらに示す図である。
【図７Ｂ】図７Ｂは、本発明の実施形態に係る測定装置によって実行される典型的なライン走査プロセスをさらに示す図である。
【図８Ａ】図８Ａは、ウェーハのワープパラメータ(warp parameter)及びバウパラメータ(bow parameter)を説明するウェーハの側面図である。
【図８Ｂ】図８Ｂは、ウェーハの厚さパラメータを説明するウェーハの側面図である。
【図９Ａ】図９Ａは、本発明の実施形態に係るウェーハ加工方法を示す典型的なフロー図である。
【図９Ｂ】図９Ｂは、本発明の実施形態に係るウェーハ加工方法を示す典型的なフロー図である。
【図１０】図１０は、本発明の実施形態に係るウェーハのために取得された走査ラインを示すウェーハの上面図である。
【図１１】図１１は、ゆがみデータから得られた、予測された研削後の半径方向のナノトポグラフィーの平均プロファイルを、ナノトポグラフィー測定装置により得られた本発明の実施形態による研削後の半径方向のナノトポグラフィーと比較した典型的なグラフである。
【図１２】図１２は、本発明の実施形態により予測されたナノトポグラフィーのプロファイルのＢリング領域に基づいて、シフトパラメータを決定するためのアルゴリズムを示す典型的なグラフである。
【図１３】図１３は、予測されたナノトポグラフィーの平均プロファイルと、本発明の実施形態によりウェーハのＢリング用に実測されたナノトポグラフィーのプロファイルと、を比較した典型的なグラフである。
【図１４】図１４は、予測されたナノトポグラフィーの平均プロファイルと、発明の実施形態によりウェーハのＣマーク領域用に実測されたナノトポグラフィーのプロファイルと、を比較した典型的なグラフである。
【図１５】図１５は、Ｂリング及びＣマーク領域を示すウェーハ表面の典型的なトポグラフィーマップである。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
対応する引用文字は、いくつかの図面の全体を通して対応する部分を示している。
【００１４】
＜発明の詳細な説明＞
ここで図面を参照すると、本発明の態様は、より短時間でナノトポグラフィーのフィードバックを可能にして、改善された品質制御及び／又はウェーハ歩留まりのために、ナノトポグラフィーを改善するための調整を、より短い遅延時間で認識し実施することを可能にする。図１では、ブロック図は、本発明の実施形態に係る半導体ウェーハを加工するためのシステムを示している。限定ではなく例示の目的のために、システムは、グラインダ１０１と、測定装置１０３と、関連する記憶装置１０７を有するプロセッサ１０５とを含んでいる。グラインダ１０１はウェーハを研削し、測定装置１０３は、研磨したウェーハのプロファイルを示すデータを測定する。この時点での研削したウェーハは、未エッチング、未研磨である。プロセッサ１０５は、測定データに基づいた研削パラメータを調節するためのフィードバックを提供するように構成される。例えば、グラインダによって次に研削されるウェーハのナノトポグラフィーを改善するために、グラインダ１０１の１つ以上の研削ホイールを移動することができる。
【００１５】
代わりの実施形態では、システムは複数のグラインダ１０１を含んでおり、各グラインダは、図１のシステムによるさらなる加工のために、ウェーハを研削する。測定装置１０３は、複数のグラインダ１０１の各々によって研削されたウェーハのプロファイルを示すデータを測定する。プロセッサ１０５は、複数のグラインダ１０１の各々にそれぞれ対応する測定データに基づいて、複数のグラインダ１０１の各々にフィードバックを提供するように構成される。
【００１６】
図１に示された実施形態では、システムは、次のような研削後の装置---研削したウェーハをエッチングするためのエッチング装置１０９、エッチングしたウェーハの表面を測定するための表面測定装置１１１（例えば、表面平坦度測定ツール）、エッチングしたウェーハを研磨するための研磨装置１１３、及び研磨したウェーハのナノトポグラフィーを測定するためのナノトポグラフィー測定装置１１５---の１つ以上を、さらに含んでいる。例えば、適したエッチング装置１０９としては、Atlas社から入手可能なXS300-0100 rev Cがある。適した表面測定装置１１１としては、Lapmaster SFT社から入手可能なWafercom 300がある。適したポリッシング装置１１３としては、ドイツのPeter Wolters社から入手可能なMICROLINER(登録商標) AC 2000-P2がある。適したナノトポグラフィー測定装置１１５は、ADE Phase Shift社から入手可能なNANOMAPPER(登録商標)がある。グラインダ１０１は、研磨したウェーハについて測定されたナノトポグラフィーに基づいて、さらに調節することができる。
【００１７】
ある実施形態では、グラインダ１０１は、ダブルサイドグラインダである。図２は、そのようなダブルサイドグラインダのウェーハクランプデバイス２０１を示す。クランプデバイス２０１は、１組の静水圧パッド２１１と、１組の研削ホイール２０９とを含んでいる。２つの研削ホイール２０９は実質的に同一であり、各ホイール２０９は通常は平坦である。研削ホイール２０９と静水圧パッド２１１とは、互いに依存することなく半導体ウェーハＷ（広義には「ワークピース」）を保持しており、それぞれがクランプ面２７１及び２７３を規定する。ウェーハＷ上での研削ホイール２０９のクランプ圧(clamping pressure)は、ホイールの回転軸２６７に集中し、その一方、ウェーハ上での静水圧パッド２１１のクランプ圧は、ウェーハの中心ＷＣの近くに集中する。
【００１８】
操作中に静水圧パッド２１１は静止しているが、その一方で、符号２４１で大まかに示された駆動リングがウェーハＷを動かして、パッド及び研削ホイール２０９に対して相対的に回転させている。図３は、典型的な静水圧パッド２１１を示している。静水圧パッド２１１（１１）は、ポケット内に流体を導入するための流体注入ポート(fluid injection port)６１を各々有している静水圧ポケット(hydrostatic pockets)２１、２３、２５、２７、２９、３１を含んでいる。パッド本体１７内のチャンネル２６３（破線で図示）は、流体注入ポート６１を相互に連結して、外部の流体源（図示せず）からポケットに流体を供給する。研削中に流体（パッド面２９ではない）がウェーハＷと接触するように、流体は、操作中に、比較的一定の圧力でポケット２１、２３、２５、２７、２９、３１の中に押し入れる。このように、ポケット２１、２３、２５、２７、２９、３１にある流体は、パッドのクランプ面２７３内にウェーハＷを垂直に保持するが、潤滑されたベアリングエリア(bearing area)、又はスライドバリア(sliding barrier)も提供し、それによって、ウェーハＷは、非常に低い摩擦抵抗により、研削中にパッド２１１に対して相対的に回転できる。パッド２１１のクランプ力(clamping force)は、主としてポケット２１、２３、２５、２７、２９、３１において提供される。
【００１９】
図２を再び参照すると、本技術分野で知られているように、駆動リング２１４の戻り止め(detent)又はクーポン(coupon)２１５が、通常は、ウェーハの周縁に形成されたノッチＮ（図２に破線で図示されている）の位置でウェーハＷに係合して、ウェーハをその中心軸ＷＣの周りに回転運動させる。それと同時に、（２つの）研削ホイール２０９がウェーハＷに係合して、互いに反対方向に回転する。一方のホイール２０９は、ウェーハＷと同じ方向に回転し、他方のホイール２０９は、ウェーハと反対の方向に回転する。クランプ面２７１及び２７３が研削中に同じ位置に維持される限りは、ウェーハは平面のまま（つまり、曲がらない）であり、ホイール２０９によって均一に研削される。
【００２０】
クランプ面２７１、２７３のミスアラインメントは、両面研削操作中に発生することがあり、それは一般的に、静水圧パッド２１１に対する研削ホイール２０９の移動に起因する。図４及び図５を参照すると、ミスアラインメントの３つのモード又はそれらの組合せを用いて、クランプ面２７１、２７３のミスアラインメントを特徴づけている。第１のモードでは、研削ホイールの回転軸２６７に沿った移動の中に、静水圧パッド２１１に対する研削ホイール２０９の横方向シフトＳが存在する（図４）。第２のモードでは、それぞれの研削ホイールの中心を通る水平軸Ｘの周りでの、ホイール２０９の垂直傾斜ＶＴが特徴である（図４及び図５）。図４は、第１のモードと第２のモードとを示している。第３のモードでは、それぞれの研削ホイール２０９の中心を通る縦軸Ｙの周りでの、ホイール２０９の水平傾斜ＨＴが存在する（図５）。概念を説明するために、これらのモードは、図面中では誇張されているが、当然のことながら、実際のミスアラインメントは比較的小さいであろう。さらに、左のホイールの水平傾斜ＨＴを右のホイールの水平傾斜と異ならせることができるように、そして、２つのホイール２０９の垂直傾斜ＶＴについても同様にできるように、各ホイール２０９を、他方に依存せずに動かすことができる。
【００２１】
既に記述したように、クランプ面２７１、２７３のミスアラインメントは、ナノトポグラフィー測定装置１１５で測定されたときに、望ましくないナノトポグラフィーの特徴をもたらす。望ましくないナノトポグラフィーの特徴は、ウェーハの不均一な研削及び／又はウェーハの屈曲によって生じるだろう。さらに、クランプ面２７１、２７３のミスアラインメントは、研削ホイール２０９を不均一に摩耗させる可能性があり、そのことがさらに、ウェーハＷの研削中に生じる望ましくないナノトポグラフィー特徴の発生に寄与する可能性がある。場合によっては、ウェーハは、その後の加工（例えば研磨）によって除去することのできない、望ましくない特徴を生じる可能性がある。有利なことに、本発明は、クランプ面のミスアラインメントを最小化する。特に、研削ホイール２０９は、ナノトポグラフィー測定装置１１５によって望ましくないナノトポグラフィーの特徴が検出されるまで待つのではなく、測定装置１０３によって研削したウェーハから得られたデータに基づいて、プロセッサ１０５で調節される。
【００２２】
ある実施形態では、測定装置１０３は、プロセッサ１０５と連動するように構成されたゆがみ測定装置１０３である。半導体ウェーハメーカーに用いられているように、ゆがみ測定装置１０３は、ウェーハのゆがみデータを取得し（例えば、検知し）、そのゆがみデータに基づいてウェーハのゆがみを測定する。ある実施形態では、ゆがみ測定装置１０３は、ゆがみデータを得るための１つ以上の容量性センサを含んでいる。得られたゆがみデータは、支持されたウェーハのプロファイル（例えばウェーハ形状）を示す。
【００２３】
例えば、ゆがみ測定装置１０３は、図６に示されるようなライン走査プロセスを実行してもよい。このライン走査プロセスでは、ウェーハＷは、ウェーハの第１の表面６０５に接触する１つ以上の支持ピン６０３に支持される。無重力状態のウェーハの形状（符号６０７で示されている）と、支持された状態のウェーハの形状（符号６０９で示されている）との間の比較によって示されているように、支持されたウェーハの形状６０９は、重力の関数及びウェーハＷの質量により反らされる。ゆがみ測定装置１０３は、第１のセンサ６２１Ａと第１の表面６０５Ａ（例えば前面）との間の複数の距離（例えば「距離Ｂ」）を、支持されたウェーハ６０９の直径に沿って測定するための第１の静電容量センサ６２１Ａを含んでいる。同様に、ゆがみ測定装置１０３は、第２のセンサ６２１Ｂと第２の表面６０５Ｂ（例えば裏面）との間の複数の距離（例えば「距離Ｆ」）を、支持されたウェーハ６０９の直径に沿って測定するための第２の静電容量センサ６２１Ｂを含んでいる。得られたゆがみデータは、直径に対応するライン走査データセットを含んでいる。ライン走査データセットは、第１のセンサ６２１Ａで、支持されたウェーハ６０９の直径に沿って測定された複数の距離と、第２のセンサ６２１Ｂで、支持されたウェーハ６０９の直径に沿って測定された複数の距離と、を含む。ライン走査データセットは、直径に沿ったウェーハプロファイルを示す。
【００２４】
図７Ａ及び図７Ｂは、複数のライン走査データセットを得るためのゆがみ測定装置１０３によって実行されたライン走査プロセスを示しており、各データセットは、特定の直径に沿ったウェーハプロファイルを示す。図７Ａに示されているように、第１のライン走査（矢印７０１で示す）は、ウェーハの第１の直径に沿って実行される。特に、第１のセンサ６２１Ａは、第１の表面６０５Ａの上側の面内を、ウェーハの第１の直径に沿った第１の方向に移動する。第１のセンサ６２１Ａは、第１のセンサ６２１Ａとウェーハの第１の表面６０５Ａとの間の距離を、所定の間隔（つまり、ピッチＲ、測定周波数）で測定する。あらかじめ規定された距離は、図７ＡのウェーハＷの表面にマークを有しているものとして示されている。例えば、第１のセンサ６２１Ａは、ウェーハの第１の直径に沿って１ｍｍ又は２ｍｍの間隔で距離を測定してもよい。同様に、第２のセンサ６２１Ｂは、第２の表面６０５Ｂの下側の面内を第１の方向に移動して、第２のセンサ６２１Ｂと第２の表面６０５Ｂとの間の距離を、ウェーハの第１の直径に沿って測定する。ウェーハの第１の直径は、基準点の関数として規定されてもよい。例えば、図示されたプロセスでは、第１の直径は、ウェーハの周縁に設けられたノッチＮを通過する。
【００２５】
図７Ｂに示されているように、第１のライン走査７０１の完了後にウェーハＷを回転する（矢印７０９で示す）。特に、支持ピン６０３の下側に位置した回転ステージ７０５を上昇して、ウェーハＷを支持ピン６０３より上側の位置（符号７０７で示す）までリフトする。回転ステージは、ウェーハをリフト位置７０７に支持しながら回転する。その結果、ウェーハはいくらかの角度（θ）だけ回転する。回転ステージ７０５が下降して、回転したウェーハは、支持ピン６０３の上に再度置かれる。ウェーハの第２の表面に対する支持ピン６０３の位置は、図７Ａ及び図７Ｂに破線で示されている。次には、ウェーハの第２の直径に沿ったライン走査（矢印７１５で示す）が実行される。図示したプロセスによれば、第１のセンサ６２１Ａ及び第２のセンサ６２１Ｂは、第１の表面６０５Ａ及び第２表面６０５Ｂのぞれぞれと対応する面中を、ウェーハの第２の直径に沿った第２の方向（例えば、第１の方向と反対の方向）に移動する。第１のライン走査７０１に関連して上に説明したように、第１のセンサ６２１Ａ及び第２のセンサ６２１Ｂは、第１のセンサ６２１Ａ、第２のセンサ６２１Ｂと、ウェーハの第１の表面６０５Ａ、第２表面６０５Ｂとの間の距離を、ウェーハの第２の直径に沿って、あらかじめ規定された間隔で、それぞれ測定する。複数のライン走査データセットの各々を得るために、回転７０９とライン走査の作業７０１、７０５とが繰り返される。
【００２６】
ある実施形態では、ゆがみ測定装置１０３は、自己質量補償アルゴリズム(self mass compensation algorithm)を用いて、無重力状態６０７でのウェーハ形状を決定する。自己質量補償は、（複数の）ライン走査データセット、ウェーハ密度、弾性定数、ウェーハの直径及び支持ピン６０３の位置の関数として、ウェーハの形状を決定する。ある実施形態では、ゆがみ測定装置１０３は、ウェーハ形状に基づいて１つ以上のウェーハパラメータを測定する。ウェーハパラメータには、ワープ(warp)、バウ(bow)、ＴＴＶ（total thickness variation：全厚み変化量）及び／又はＧＢＩＲ(global back surface ideal range：グローバル裏面理想範囲)のうちの１つ以上を含むことができる。図８Ａを参照すると、ワープ及びバウは、通常は基準面に対して決定される。基準面は、（複数の）支持ピン６０３とウェーハの表面６０５Ａとの間の（複数の）接点の関数として規定される。具体的には、ワープは、基準面からの平均領域(median area)の最大偏差(maximum deviation)と最少偏差(minimum deviation)との間の差の絶対値として規定される。平均領域は、ウェーハの前面６０５Ｂとウェーハの裏面６０５Ａとから等距離にある点の軌跡(locus)である。バウは、ウェーハ中心での基準面からの偏差の量として定義される。図８Ｂを参照すると、ＧＢＩＲ及びＴＴＶは、ウェーハの線形の厚さ変化量(linear thickness variation)を反映しており、ウェーハの裏面から基準面までの最大距離と最小距離との間の差に基づいて計算することができる。
【００２７】
図１に図示されたシステムを再び参照すると、グラインダ１０１によって研削されたままのウェーハのゆがみを測定するためのゆがみ測定装置１０３により得られたデータは、プロセッサ１０５に伝達される。例えば、ライン走査データセット及び／又は決定したウェーハ形状が、プロセッサ１０５に伝達されてもよい。プロセッサ１０５は、ゆがみデータを受信し、そして、受信したゆがみデータ処理のために複数の作業を行うコンピュータ実行可能命令(computer-executable instructions)を実行する。特に、プロセッサ１０５は、受信したゆがみデータに基づいてウェーハのナノトポグラフィーを予測し、そして予測されたウェーハのナノトポグラフィーに基づいて研削パラメータを決定する。グラインダ１０１の操作は、適宜調節される。ある実施例では、プロセッサ１０５は、１つ以上のソフトウェアアプリケーション、アプリケーション又はソフトウェア内のコンポーネント、実行可能ライブラリファイル(executable library file)、実行可能アプレット(executable applets)等によって具体化されたコンピュータ実行可能命令を実行するだろう。プロセッサ１０５に付随した(associated with)記憶装置１０７は、プロセッサ１０５がアクセスするための情報とデータと記憶する。例えば、記憶装置１０７は、例えばソフトウェア、アプリケーション、データ等のプロセッサ１０５が使用するデータ又はプロセッサ１０５がアクセスするデータを記憶してもよい。
【００２８】
ある実施形態では、記憶装置１０７は、揮発性メディア又は不揮発性メディア(volatile or nonvolatile media)、リムーバブルメディア又はリムーバブルでないメディア(removable and non-removable media)及び／又は、コンピュータ又はコンピュータの集合体（図示せず）がアクセスできる入手可能なメディア(any available medium)であろう。限定ではなく例示として、コンピュータ読取り可能メディアは、コンピュータ記憶メディアを含んでいる。情報を記憶するための方法又は技術におけるコンピュータ記憶メディアは、例えばコンピュータ読取り可能命令、データ構造、プログラムモジュール又は他のデータなどである。例えば、コンピュータ記憶装置メディアは、ＲＡＭ、ＲＯＭ、ＥＥＰＲＯＭ、フラッシュメモリ若しくは他のメモリ技術、ＣＤ−ＲＯＭ、デジタル多用途ディスク（ＤＶＤ）若しくは他の光学ディスク記憶、磁気カセット、磁気テープ、磁気ディスク記憶若しくは他の磁気記憶装置、又は所望の情報を記憶するために用いられてコンピュータにアクセスされるその他の媒体を含んでいる。
【００２９】
ある実施形態では、プロセッサ１０５と記憶装置１０７は、１つ以上のコンピュータデバイスに組み入れられてもよい。当業者に知られているように、コンピュータデバイスは、プロセッサ１０５、１つ以上のコンピュータ読取り可能メディア、コンピュータデバイス内の様々な構成部品と接続した内部バスシステム(internal bus system)、入出力装置、ネットワークデバイス及びその他の装置の組合せを含んでいる。典型的なコンピュータデバイスは、パーソナルコンピュータ（ＰＣ）、ワークステーション、デジタルメディアプレイヤー及びその他のデジタルデバイスのうちの１つ又はそれらの組合せを含んでいる。別の実施形態では、プロセッサ１０５は、ネットワークを経由して、記憶装置１０７に記憶されたデータにアクセスする。
【００３０】
ある実施形態では、プロセッサ１０５は、受信したゆがみデータを処理するために、フィードバックプログラムにアクセスする。受信したゆがみデータが、研削したウェーハのライン走査データセット及び／又は決定したウェーハ形状を含んでいてもよい。特に、プロセッサ１０５は、受信したゆがみデータに基づいて、ウェーハのナノトポグラフィーを予測する。測定装置１０３でウェーハを測定するときに、ウェーハはまだ研磨が行われていないことから、ウェーハのナノトポグラフィーは、実際に測定されるというよりは、むしろ予測される、といえる。上述のように、現在のナノトポグラフィー測定装置は、研磨状態にされるべきの測定されたウェーハを頼りにする技術を利用している。プロセッサ１０５は、予測されたウェーハのナノトポグラフィーに基づいて、１つ以上の研削パラメータを決定する。ある実施形態では、プロセッサ１０５は、シフトパラメータを決定する。シフトパラメータは、研削ホイール２０９のミスアラインメントに起因するナノトポグラフィー低下を低減するために、１組の研削ホイール２０９を移動させる大きさ及び方向を示している。別の実施形態では、プロセッサ１０５は、追加で又はその代わりに、傾斜パラメータ(tilt parameters)を決定する。傾斜パラメータは、研削ホイール２０９のミスアラインメントに起因するナノトポグラフィー低下を低減するために、ウェーハに対して１組の研削ホイールを位置決めする角度を示す。
【００３１】
グラインダ１０１の操作は、決定した研削パラメータに基づいて調節される。例えば、研削ホイールは、決定した移動及び／又は傾斜パラメータで特定されているように調節されてもよい。ある実施形態では、研削ホイール２０９は、決定したシフト及び／又は傾斜パラメータの関数として、及びあらかじめ規定された補償量の関数として、調節される。ある実施形態では、グラインダ１０１は、決定した研削パラメータを受信し、決定した研削パラメータの関数としてグラインダ１０１の１つ以上の構成部品を調節するように、構成される。別の実施形態では、決定した研削パラメータがオペレーターに提供され、オペレーターは、決定した研削パラメータの関数としてグラインダ１０１の１つ以上の構成部品を調節するように、グラインダ１０１を構成する。
【００３２】
図９Ａと図９Ｂは、本発明の実施形態に係る典型的なウェーハ加工方法を示している。符号９０３において、グラインダ１０１はウェーハを研削する。符号９０５において、研削したウェーハが第１のウェーハであるかどうか、が判断される。研削したウェーハが第１のウェーハであることが確定した場合、符号９０７において、測定装置１０３は、第１のウェーハのゆがみ及び／又は厚さを測定するためのデータを取得する。例えば、測定装置１０３は、図１０に図示されるような４つのライン走査データセットを取得してもよい。各ライン走査データセットは、ウェーハの直径のプロファイルを示す。
【００３３】
図９Ａに示された符号９０９〜９１５を参照すると、プロセッサ１０５は、第１のウェーハについて予測されたナノトポグラフィーのプロファイルを計算する作業を行う。具体的には、符号９０９において、プロセッサ１０５は、測定装置１０３で測定されたゆがみデータ（例えばライン走査データセット）をレベリング(level)する。ある実施形態では、測定されたゆがみデータは、規定された移動窓(defined moving window)内で最小二乗フィットを用いてレベリングされる。符号９１１において、プロセッサ１０５は、レベリングされたデータの関数として第１のプロファイルを計算するように、構成される。具体的には、レベリングされたデータは、規定された窓寸法を備えた第１のフィルタ（例えばローパスフィルタ）を用いてスムージング(smoothed)される。符号９１３において、第２のプロファイルは、レベリングされたデータの関数として計算される。具体的には、レベリングされたデータは、規定された窓寸法を備えた第２のフィルタを用いてフィルタリングされる。第２のフィルタは、ナノトポグラフィーではない波長(non-nanotopography wavelengths)を実質的に除去するために機能する。符号９１５において、ウェーハについて予測されたナノトポグラフィーのプロファイルは、計算された第１及び第２のプロファイルの関数として計算される。ある実施形態では、予測されたＮＴプロファイルは、第１のプロファイルから第２のプロファイルを減算することにより計算される。
【００３４】
本発明の態様によれば、プロセッサ１０５は、符号９０９〜９１５の作業を繰り返して、測定装置１０３により得られたライン走査データセットごとに、予測された直径のナノトポグラフィーのプロファイルを計算する。図１０に示した実施例では、４つの予測された直径のＮＴプロファイルが計算される。４つの予測された直径のＮＴプロファイルの各々は、４つのライン走査データセットのうちの１つから計算される。８つの予測された半径方向のＮＴプロファイルが、４つの予測された直径のＮＴプロファイルから決定される。８つの予測された半径方向のプロファイルの各々は、ウェーハの半径（例えば、０〜１５０ｍｍの範囲）に沿った複数の位置における、予測されたＮＴ高さデータを表わしている。予測された半径方向の平均ＮＴプロファイルは、８つの予測された半径方向のプロファイルごとの予測されたＮＴ高さデータを、半径の関数として平均することによって、計算される。図１１は、ゆがみデータから得られた、予測された研削後の半径方向の平均ＮＴプロファイルと、ナノトポグラフィー測定装置により得られた研磨後のＮＴプロファイルと、を比較したグラフである。
【００３５】
図９Ｂは、予測されたＮＴプロファイル（例えば、予測した半径方向の平均ＮＴプロファイル）に基づいて研削パラメータを決定するために、プロセッサ１０５によって実行される作業を図示する。具体的には、図示された作業は、シフトパラメータを決定するために予測されたＮＴプロファイルに適用されるファジー論理アルゴリズムを表わしている。シフトパラメータは、研削ホイール２０９のシフトを示す方向成分と大きさ成分とを有している。以下にさらに詳細に説明する作業によれば、研削パラメータは、予測されたＮＴプロファイルのＢリング領域に基づいて決定される。Ｂリング領域とは、半径が１００ｍｍ〜１５０ｍｍの間にあるウェーハの領域を指している。Ｂリング値(B-Ring value)とは、予測された半径方向の平均ＮＴプロファイルにおける、Ｂリング領域内での最大ピークバレー値(maximum peak-to-valley value)を指している。一般に、より低いＢリング値（例えば５ｎｍ未満）が、より望ましいナノトポグラフィーに対応する。図１２は、予測された平均ＮＴプロファイルのＢリング領域に基づいてシフトパラメータを決定するために用いられる典型的なアルゴリズムを示している。図１３は、予測された平均ＮＴプロファイルを、ウェーハのＢリング用に実測されたＮＴプロファイルと比較したグラフである。別の実施形態では、Ｅマークを最適化するために、同様の方法が行われる（図示せず）。Ｅマーク領域とは、Ｂリング領域と同様に、半径が１００ｍｍ〜１５０ｍｍの間にあるウェーハの領域を指している。Ｅマーク値(E-Mark value)とは、（予測された半径方向の平均ＮＴプロファイルというよりは）予測されたＮＴプロファイルの各々から決定した最大ピークバレー値を指している。さらに別の実施形態では、Ｃマークを最適化するために、同様の方法が行われる（図示せず）。Ｃマーク領域とは、半径が０ｍｍ〜５０ｍｍの間にあるウェーハの領域を指している。Ｃマーク値(C-Mark value)とは、予測された半径方向の平均ＮＴプロファイルにおける、Ｃマーク領域内での最大ピークバレー値を指している。図１４は、予測された平均ＮＴプロファイルを、Ｃマーク領域用に実測されたＮＴプロファイルと比較したグラフである。図１５は、Ｂリング及びＣマークの領域を示すウェーハ表面の典型的なトポグラフィーマップである。
【００３６】
図９Ｂを再び参照すると、符号９２１において、プロセッサ１０５は、予測されたＮＴプロファイルのＢリング値を決定する。符号９２３において、プロセッサ１０５は、Ｂリング値が、低く（つまり５ｎｍ）規定されたＢリング値未満であるかどうかを判断する。Ｂリング値が低い場合、プロセッサ１０５は、符号９２５において、調整が不要である（つまり、研削パラメータの値がゼロである）、と決定する。あるいは、Ｂリング値が低くない（つまり５ｎｍ以上）場合、最適化サイクルが開始され、そしてこのウェーハは、最適化サイクルにおける第１のウェーハになる。最適化サイクルは、このウェーハのために、図の方法のうち後述する残りの作業を実行し、そして、その後のウェーハのために、前述の作業を繰り返す。研削パラメータに従ってグラインダで研削されたその後のウェーハが、規定された低い値(つまり５ｎｍ)より低くなったと判断されたＢリング値を有するようになるまで、最適化サイクルが繰り返される。
【００３７】
最適化サイクルによれば、プロセッサ１０５は、Ｂリング領域内の予測されたＮＴプロファイルに基づいて予備的なシフト方向を決定する。符号９３１を参照すると、プロセッサ１０５は、予測されたＮＴプロファイルが、Ｂリング領域内においてバレー(谷)に続いてピーク(山)（「ＶＰプロファイル」と呼ばれる）を有する(have a valley followed by a peak)かどうか、を判断する。予測されたＮＴプロファイルが、Ｂリング領域内においてバレーに続いてピークを有すると判断された場合、研削ホイール２０９の予備的なシフト方向は右になる。符号９３３を参照すると、プロセッサ１０５は、予測されたＮＴプロファイルが、Ｂリング領域内においてピークに続いてバレー（「ＰＶプロファイル」と呼ばれる）を有するかどうか、を同様に判断する。予測されたＮＴプロファイルが、Ｂリング領域内においてピークに続いてバレーを有すると判断された場合、研削ホイール２０９の予備的なシフト方向は左になる。
【００３８】
予備的なシフト方向を決定した後、プロセッサ１０５は、Ｂリング値に基づいてシフト量(shift magnitude)を決定する。符号９４１において、プロセッサ１０５は、ウェーハが最適化サイクルにおける第１のウェーハであるかどうか判断する。このウェーハが、最適化サイクルにおける第１のウェーハであると判断された場合、プロセッサ１０５は、所定のガイドラインに基づいて、グラインダで研削されたその後のウェーハ（つまり第２のウェーハ）の研削に用いるためのシフト量を決定する。ある実施形態では、所定のガイドラインは複数のＢリング値の範囲を含んでおり、その各々は、特定のシフト量の値に関連している。グラインダ１０１でその後に研削されるウェーハのナノトポグラフィーを改善するために、特定のシフト量の値が選択される。図の方法によれば、符号９４３において、プロセッサ１０５は、Ｂリング値が１８ｎｍ以上であるかどうかを判断する。Ｂリング値が１８ｎｍ以上であると判断された場合、シフト量は１５μｍであり、そしてシフト方向は、決定した予備的なシフト方向になる。符号９４５において、プロセッサ１０５は、Ｂリング値が８ｎｍより大きく１８ｎｍ以下であるかどうかを判断する。Ｂリング値が８ｎｍより大きく１８ｎｍ以下であると判断された場合、シフト量は１０μｍであり、そしてシフト方向は、決定した予備的なシフト方向になる。符号９４７において、プロセッサ１０５は、Ｂリング値が５ｎｍより大きく８ｎｍ以下であるかどうかを判断する。Ｂリング値が５ｎｍより大きく８ｎｍ以下であると判断された場合、シフト量は１μｍであり、そしてシフト方向は、決定した予備的なシフト方向になる。
【００３９】
プロセッサ１０５が、符号９４１において、このウェーハは最適化サイクルにおける第１のウェーハではないと判断した場合、プロセッサ１０５は、符号９５１において、最適化プログラムを実行して、次のウェーハを研削するのに用いられるシフトパラメータを決定する。特に、最適化サイクルにおける第（ｎ）番目のウェーハを確認し、そして、次の第（ｎ＋１）番目のウェーハ用のシフトパラメータを、第ｎ番目のウェーハに対するＢリング値と対応するシフトパラメータ値との関数として決定する。ある実施形態では、第ｎ番目のウェーハに対するＢリング値と対応するシフトパラメータとは、（ｎ−１）次の多項式フィットティングを用いてフィッティングされる。第ｎ番目のウェーハを用いて決定したシフトパラメータは、Ｂリング値がゼロ（０）のときの多項式の値に対応する。
【００４０】
図に示されているように、本発明の態様を具体化する典型的な方法によるプロセスは、符号９４３、９４５、９４７又は９５１でシフトパラメータを決定した後に、符号９０３に戻る。同様に、符号９２５において、グラインダ１０１の調整が不要であるとプロセッサ１０５が判断した場合、最適化サイクルが終了し、方法は９０３に戻る。符号９０３において、グラインダ１０１は、決定した研削パラメータ（例えば、決定したシフトパラメータ）に従って、次のウェーハを研削する。符号９０５において、プロセッサ１０５は、次のウェーハが第１のウェーハであるかどうかを判断する。次のウェーハは第１のウェーハではないので、プロセッサ１０５は、符号９６１において、下記の１つ以上の条件が正しいかどうかを判断する。
・前のウェーハのＢリングは、所定の値（例えば８ｎｍ）より大きい。
・カセット番号は、測定装置１０３によって最後に測定されたウェーハ用のカセットよりも２つ大きい。１つ以上の条件が正しい場合、測定装置１０３は、上述した実施方法の符号９０７において、ウェーハのゆがみデータを取得する。いずれの条件も正しくない場合、そのウェーハに対して図示した方法のウェーハの次の工程(wafer subsequent steps)は行われず、そして本方法は、その後のウェーハを研削するための工程９０３に戻す。
【００４１】
本発明又はその好ましい実施形態の要素を導入するときに、冠詞の「ある("a", "an")」、「前記("the", "said")」は、１つ以上の要素が存在することを意味するように意図している。用語の「含む("comprising")」、「含む("including")」、「有する("having")」は、記載された要素以外の追加の要素が存在しうることを含み且つ意味するように意図している。
【００４２】
発明の範囲から逸脱することなく上記の方法に様々な変更を行なうことができるとともに、上記の説明に含まれそして添付の図面に図示された全ての事項は、例示として解釈されるべきであり、制限する意味ではないことを意図している。
【図１】
2011507719.tif 000003
【図２】
2011507719.tif 000004
【図３】
2011507719.tif 000005
【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図５Ｃ】
2011507719.tif 000009
【図６】
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【図７Ａ】
2011507719.tif 000011
【図７Ｂ】
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【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
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【図９Ａ】
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【図９Ｂ】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
2011507719.tif 000021
【図１５】
2011507719.tif 000022
【国際調査報告】
2011507719.tif 000023
2011507719.tif 000024
2011507719.tif 000025