(57)【要約】プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）は、相当量の電磁波を遮断／遮蔽するために、前部にフィルタを有する。当該フィルタは、高い可視透過率を有し、電磁波の遮断／遮蔽が可能である。実施形態例において、ＥＭＩフィルタの銀ベース被膜は、高い可視透過率を維持しつつ、高導電性のＡｇ層を通したＥＭＩ放射からの損傷を減らし、ＰＤＰパネルの温度を下げる屋外の日光からのＮＩＲおよびＩＲ放射の相当量を遮断し、反射を減らしてコントラスト比を高める。実施形態例において、被膜品の熱処理性能を改善するため、窒化ケイ素からなるまたは有する少なくとも１層は、Ｓｉリッチであってもよく、および／またはＮｉおよび／またはＣｒの酸化物を有する少なくとも１層は、亜酸化物であってもよい。
2011522287.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマディスプレイパネルと、プラズマディスプレイパネルの前部に設けた電磁妨害（ＥＭＩ）フィルタとを備え、前記ＥＭＩフィルタは、ガラス基板によって支持されたＥＭＩ被膜を備え、前記ＥＭＩ被膜は、前記ガラス基板から遠ざかる順に以下の層：
窒化ケイ素からなる第１層、
少なくとも約２．２の屈折率（ｎ）を有する第１の高屈折率層、
酸化亜鉛からなる第１層、
酸化亜鉛からなる第１層と接触する銀からなる第１のＥＭＩ遮蔽層、
銀からなる第１のＥＭＩ遮蔽層と接触するＮｉおよび／またはＣｒの酸化物からなる第１層、
第１の金属酸化物層、
酸化亜鉛からなる第２層、
酸化亜鉛からなる第２層と接触する銀からなる第２のＥＭＩ遮蔽層、
銀からなる第２のＥＭＩ遮蔽層と接触するＮｉおよび／またはＣｒの酸化物からなる第２層、
第２の金属酸化物層、
酸化亜鉛からなる第３層、
酸化亜鉛からなる第３層と接触する銀からなる第３のＥＭＩ遮蔽層、
銀からなる第３のＥＭＩ遮蔽層と接触するＮｉおよび／またはＣｒの酸化物からなる第３層、
第３の金属酸化物層、
および保護層
を有する、プラズマディスプレイ装置。
【請求項２】
第１の高屈折率層は、チタン酸化物を含む、請求項１に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項３】
ガラス基板およびこれに結合したＥＭＩ被膜は、少なくとも５５％、さらに好ましくは少なくとも６０％の可視透過率を有する、請求項１に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項４】
銀からなる第３のＥＭＩ遮蔽層は、銀からなる第１のＥＭＩ遮蔽層よりも厚い、請求項１に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項５】
銀からなる第３のＥＭＩ遮蔽層は、銀からなる第１および第２のＥＭＩ遮蔽層のいずれよりも厚い、請求項１に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項６】
チタン酸化物からなり、第２および第３のＥＭＩ遮蔽層間に位置する少なくとも２．２の屈折率を有する第２の高屈折率層をさらに有する、請求項１に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項７】
チタン酸化物からなる高屈折率層は、第１および第２のＥＭＩ遮蔽層間に位置しない、請求項６に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項８】
プラズマディスプレイパネルと、プラズマディスプレイパネルの前部に設けた電磁妨害（ＥＭＩ）フィルタとを備え、前記ＥＭＩフィルタは、ガラス基板によって支持されたＥＭＩ被膜を備え、前記ＥＭＩ被膜は、前記ガラス基板から遠ざかる順に以下の層：
酸化亜鉛からなる第１層、
酸化亜鉛からなる第１層と接触する銀からなる第１のＥＭＩ遮蔽層、
銀からなる第１のＥＭＩ遮蔽層と接触するＮｉおよび／またはＣｒの酸化物からなる第１層、
酸化亜鉛からなる第２層、
酸化亜鉛からなる第２層と接触する銀からなる第２のＥＭＩ遮蔽層、
銀からなる第２のＥＭＩ遮蔽層と接触するＮｉおよび／またはＣｒの酸化物からなる第２層、
酸化亜鉛からなる第３層、
酸化亜鉛からなる第３層と接触する銀からなる第３のＥＭＩ遮蔽層、
銀からなる第３のＥＭＩ遮蔽層と接触するＮｉおよび／またはＣｒの酸化物からなる第３層、
および保護層
を有し、銀からなる第３のＥＭＩ遮蔽層は、銀からなる第１および／または第２のＥＭＩ遮蔽層よりも厚い、プラズマディスプレイ装置。  
【請求項９】
銀からなる第３のＥＭＩ遮蔽層は、銀からなる第１および／または第２のＥＭＩ遮蔽層よりも少なくとも１ｎｍ厚い（さらに好ましくは少なくとも２ｎｍ厚く、最も好ましくは少なくとも３ｎｍ厚い）、請求項８に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項１０】
ガラス基板およびこれに結合したＥＭＩ被膜は、少なくとも５５％、さらに好ましくは少なくとも６０％の可視透過率を有する、請求項８に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項１１】
ガラス基板および第１のＥＭＩ遮蔽層間に位置するが、第１および第２のＥＭＩ遮蔽層間に位置しない、チタン酸化物からなる高屈折率層をさらに有する、請求項８に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項１２】
ガラス基板によって支持され、かつ、ガラス基板から遠ざかる順に以下の層：
酸化亜鉛からなる第１層、
酸化亜鉛からなる第１層と接触する銀からなる第１のＥＭＩ遮蔽層、
銀からなる第１のＥＭＩ遮蔽層と接触するＮｉおよび／またはＣｒの酸化物からなる第１層、
酸化亜鉛からなる第２層、
酸化亜鉛からなる第２層と接触する銀からなる第２のＥＭＩ遮蔽層、
銀からなる第２のＥＭＩ遮蔽層と接触するＮｉおよび／またはＣｒの酸化物からなる第２層、
酸化亜鉛からなる第３層、
酸化亜鉛からなる第３層と接触する銀からなる第３のＥＭＩ遮蔽層、
銀からなる第３のＥＭＩ遮蔽層と接触するＮｉおよび／またはＣｒの酸化物からなる第３層、
および保護層
を有するＥＭＩ被膜を備え、銀からなる第３のＥＭＩ遮蔽層は、銀からなる第１および／または第２のＥＭＩ遮蔽層よりも厚い、ディスプレイ装置用のＥＭＩフィルタ。
【請求項１３】
プラズマディスプレイパネルと、プラズマディスプレイパネルの前部に設けた電磁妨害（ＥＭＩ）フィルタとを備え、前記ＥＭＩフィルタは、ガラス基板によって支持されたＥＭＩ被膜を備え、前記ＥＭＩ被膜は、前記ガラス基板から遠ざかる順に以下の層：
窒化ケイ素からなる第１層、
酸化亜鉛からなる第１層、
酸化亜鉛からなる第１層と接触する銀からなる第１のＥＭＩ遮蔽層、
銀からなる第１のＥＭＩ遮蔽層と接触するＮｉおよび／またはＣｒの酸化物からなる第１層、
第１の金属酸化物層、
酸化亜鉛からなる第２層、
酸化亜鉛からなる第２層と接触する銀からなる第２のＥＭＩ遮蔽層、
銀からなる第２のＥＭＩ遮蔽層と接触するＮｉおよび／またはＣｒの酸化物からなる第２層、
第２の金属酸化物層、
酸化亜鉛からなる第３層、
酸化亜鉛からなる第３層と接触する銀からなる第３のＥＭＩ遮蔽層、
銀からなる第３のＥＭＩ遮蔽層と接触するＮｉおよび／またはＣｒの酸化物からなる第３層、
第３の金属酸化物層、
および保護層
を有し、Ｎｉおよび／またはＣｒの酸化物からなる第３層は、Ｎｉおよび／またはＣｒの酸化物からなる第１および／または第２層の両方またはいずれか一方よりも少なく酸化される、プラズマディスプレイ装置。
【請求項１４】
Ｎｉおよび／またはＣｒの酸化物からなる第３層は、Ｎｉおよび／またはＣｒの酸化物からなる第１および第２層の両方よりも少なく酸化される、請求項１３に記載のディスプレイ装置。
【請求項１５】
銀からなる第４のＥＭＩ遮蔽層および少なくとも第３の金属酸化物層より上に位置するＮｉおよび／またはＣｒの酸化物からなる第４層をさらに有し、
Ｎｉおよび／またはＣｒの酸化物からなる第４層は、Ｎｉおよび／またはＣｒの酸化物からなる少なくとも第１、第２および第３層よりも少なく酸化される、請求項１３に記載のディスプレイ装置。
【請求項１６】
窒化ケイ素からなる第１層は、ｘ／ｙが０．７６から１．５までのＳｉxＮy層を有する、請求項１３に記載のディスプレイ装置。
【請求項１７】
窒化ケイ素からなる第１層は、ｘ／ｙが０．８５から１．２までのＳｉxＮy層を有する、請求項１３に記載のディスプレイ装置。
【請求項１８】
プラズマディスプレイパネルと、プラズマディスプレイパネルの前部に設けた電磁妨害（ＥＭＩ）フィルタとを備え、前記ＥＭＩフィルタは、ガラス基板によって支持されたＥＭＩ被膜を備え、前記ＥＭＩ被膜は、前記ガラス基板から遠ざかる順に以下の層：
窒化ケイ素からなる第１層、
酸化亜鉛からなる第１層、
酸化亜鉛からなる第１層と接触する銀からなる第１のＥＭＩ遮蔽層、
銀からなる第１のＥＭＩ遮蔽層と接触するＮｉおよび／またはＣｒの酸化物からなる第１層、
第１の金属酸化物層、
酸化亜鉛からなる第２層、
酸化亜鉛からなる第２層と接触する銀からなる第２のＥＭＩ遮蔽層、
銀からなる第２のＥＭＩ遮蔽層と接触するＮｉおよび／またはＣｒの酸化物からなる第２層、
第２の金属酸化物層、
酸化亜鉛からなる第３層、
酸化亜鉛からなる第３層と接触する銀からなる第３のＥＭＩ遮蔽層、
銀からなる第３のＥＭＩ遮蔽層と接触するＮｉおよび／またはＣｒの酸化物からなる第３層、
第３の金属酸化物層、
および保護層
を有し、窒化ケイ素からなる第１層は、ｘ／ｙが０．８５から１．２までのＳｉxＮy層を有する、プラズマディスプレイ装置。
【請求項１９】
少なくとも第１および第２のＥＭＩ遮蔽層間に位置する窒化ケイ素からなる別の層をさらに有し、当該窒化ケイ素からなる別の層は、ｘ／ｙが０．８５から１．２までのＳｉxＮy層を有する、請求項１８に記載のディスプレイ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この出願は、２００８年５月２７日に出願された米国仮特許出願番号61/071,936の優先権を主張する。当該出願全体の開示は、参照により本明細書に組み込まれる。
【０００２】
この発明は、相当量の電磁波を遮断／遮蔽するために、前部にフィルタを有するプラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）に関する。当該フィルタは、高い可視透過率を有し、電磁波の遮断／遮蔽が可能である。
【背景技術】
【０００３】
画像表示装置は、テレビ画面、パーソナル・コンピュータのモニターなどを含む、様々な用途に広く用いられている。プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）は薄く、複数のユニットで大画面が容易に組み立てられるため、ＣＲＴに代わる次世代の表示装置として人気を得つつある。ＰＤＰは、ガスの放電現象を利用して画像を表示するプラズマディスプレイパネルを有し、高表示性能、高輝度、高コントラスト、高潜像、広視野角などを含む、優れた表示性能を示す。ＰＤＰ装置において、直流電流（ＤＣ）または交流電流（ＡＣ）の電圧を電極に印加すると、気体プラズマの放電が作られ、紫外（ＵＶ）線の発光を生じる。当該紫外線の発光は、近くの蛍光体材料を励起する。前記の利点にもかかわらず、ＰＤＰは、電磁波放射、近赤外線放射、蛍光体表面反射、および封入ガスとして用いられるヘリウム（Ｈｅ）、ネオン、またはキセノン（Ｘｅ）から放出されるオレンジ光によって低下する色純度を含む、駆動特性に関連する幾つかの課題に直面している。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ＰＤＰ内に生じる電磁波および赤外線は、人体に悪影響を与え、無線電話やリモートコントローラーのような精密機械の故障を引き起こす可能性がある（例えば、U.S.2006/0083938、参照により本明細書に組み込まれる）。これらの波は、個別にまたはまとめて、電磁妨害（ＥＭＩ）と呼ばれる。それゆえ、このようなＰＤＰを用いるため、ＰＤＰから放出された電磁波および近赤外（ＩＲまたはＮＩＲ）線を所定の水準以下にする要望がある。この点において、ＰＤＰから放出される電磁波または近赤外線を遮蔽し、光反射を減少し、および／または色純度を高めるための様々なＰＤＰフィルタが提案されている。フィルタは各ＰＤＰの前面に設置されるため、提案されたＰＤＰフィルタは、透過率条件も満たすよう要求される。
【０００５】
プラズマディスプレイパネルから放出された電磁波およびＮＩＲを所定の水準以下にするため、様々なＰＤＰフィルタが、例えば、ＰＤＰから放出される電磁波またはＮＩＲを遮蔽し、光反射を減少し、および／または色純度を高める目的のために用いられている。そのようなフィルタは、通常ＰＤＰの前面に取り付けられるため、高い透過率を要する。このような条件および特徴を満たす典型的な電磁波遮蔽フィルタは、金属メッシュパターンフィルタおよび透明導電膜フィルタに分類される。金属メッシュパターンフィルタは、良好な電磁波遮蔽効果を示すが、低い透過率、画像の歪曲、高価なメッシュによる製造コストの増大を含む幾つかの不利な点がある。このような不利な点により、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）を用いた透明導電膜を用いた電磁波遮蔽フィルタは、金属メッシュパターンフィルタの代わりに広く用いられている。透明導電膜は、通常金属膜および高屈折率透明薄層をサンドイッチ状に挟み込んだ多層薄膜構造からなっている。銀または銀ベース合金を、金属膜として用いてもよい。しかしながら、従来のＰＤＰＥＭＩフィルタは、耐久性に欠ける傾向があり、および／または可視透過率および／または遮蔽特性に関する改善に耐えられない。
【０００６】
さらに、ある種のＰＤＰＥＭＩフィルタは、熱処理（例えば、熱的強化）を要する。このような熱処理は、通常少なくとも５８０℃、さらに好ましくは少なくとも約６００℃、さらに好ましくは少なくとも６２０℃の温度の使用が必要である。ここで用いられる用語「熱処理（heat treatmentおよびheat treating）」とは、ガラス含有製品を熱による焼き戻し（thermal tempering）および／または熱強化（heat strengthening）するのに十分な温度に製品を加熱することを意味する。この定義は、例えば、少なくとも約５８０℃、さらに好ましくは少なくとも約６００℃の温度で焼き戻しおよび／または熱強化するのに十分な期間、オーブンまたは加熱炉内で被膜された製品を加熱することを含む。場合によっては、熱処理は、少なくとも約４または５分間であってもよい。（例えば、５〜１０分以上の）そのような高温の使用は、しばしば被膜を破壊し、および／または１以上の前記の望ましい特性を不必要に著しく劣化させる。従来のＰＤＰＥＭＩフィルタは、熱処理の際、熱安定性および／または耐久性が不足しがちである。特に、熱処理は、従来のＰＤＰフィルタの破壊を生じる傾向がある。
【０００７】
上を考慮して、改善されたＰＤＰフィルタの技術の需要が存在する。当該ＰＤＰフィルタは、（従来のＰＤＰＥＭＩフィルタに対して）(i) 改善された化学的耐久性、(ii) （例えば、焼き戻しのような任意の熱処理の際の）改善された熱的安定性、(iii) 改善された可視透過率、および／または(iv) 改善されたＥＭＩ遮蔽特性の１以上について改善されている。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
この発明の実施形態例において、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）は、視聴者と反対側の基板面によって支持されるフィルタであって、相当量の電磁波を遮断／遮蔽するために、前部にフィルタを有する。フィルタは、高い可視透過率を有し、電磁波を遮断／遮蔽可能である。実施形態例において、ＥＭＩフィルタの銀ベース被膜は、高い可視透過率を維持しつつ、高導電性のＡｇ層を通したＥＭＩ放射からの損傷を減らし、ＰＤＰパネルの温度を下げる屋外の日光からのＮＩＲおよびＩＲ放射の相当量を遮断し、反射を減らしてコントラスト比を高める。実施形態例において、フィルタはＴＣＣフィルタである。有利なことに、ＴＣＣは、在庫の未カットのガラスシートに被膜してもよい。
【０００９】
この発明の実施形態例において、プラズマディスプレイパネルと、プラズマディスプレイパネルの前部に設けた電磁妨害（ＥＭＩ）フィルタとを備え、前記ＥＭＩフィルタは、ガラス基板によって支持されたＥＭＩ被膜を備え、前記ＥＭＩ被膜は、前記ガラス基板から遠ざかる順に以下の層：窒化ケイ素からなる第１層、少なくとも約２．２の屈折率（ｎ）を有する第１の高屈折率層、酸化亜鉛からなる第１層、酸化亜鉛からなる第１層と接触する銀からなる第１のＥＭＩ遮蔽層、銀からなる第１のＥＭＩ遮蔽層と接触するＮｉおよび／またはＣｒの酸化物からなる第１層、第１の金属酸化物層、酸化亜鉛からなる第２層、酸化亜鉛からなる第２層と接触する銀からなる第２のＥＭＩ遮蔽層、銀からなる第２のＥＭＩ遮蔽層と接触するＮｉおよび／またはＣｒの酸化物からなる第２層、第２の金属酸化物層、酸化亜鉛からなる第３層、酸化亜鉛からなる第３層と接触する銀からなる第３のＥＭＩ遮蔽層、銀からなる第３のＥＭＩ遮蔽層と接触するＮｉおよび／またはＣｒの酸化物からなる第３層、第３の金属酸化物層、および保護層を有する、プラズマディスプレイ装置が提供される。
【００１０】
この発明の別の実施形態において、ガラス基板によって支持され、かつ、ガラス基板から遠ざかる順に以下の層：酸化亜鉛からなる第１層、酸化亜鉛からなる第１層と接触する銀からなる第１のＥＭＩ遮蔽層、銀からなる第１のＥＭＩ遮蔽層と接触するＮｉおよび／またはＣｒの酸化物からなる第１層、酸化亜鉛からなる第２層、酸化亜鉛からなる第２層と接触する銀からなる第２のＥＭＩ遮蔽層、銀からなる第２のＥＭＩ遮蔽層と接触するＮｉおよび／またはＣｒの酸化物からなる第２層、酸化亜鉛からなる第３層、酸化亜鉛からなる第３層と接触する銀からなる第３のＥＭＩ遮蔽層、銀からなる第３のＥＭＩ遮蔽層と接触するＮｉおよび／またはＣｒの酸化物からなる第３層、および保護層を有するＥＭＩ被膜を備え、銀からなる第３のＥＭＩ遮蔽層は、銀からなる第１および／または第２のＥＭＩ遮蔽層よりも厚い、ディスプレイ装置用のＥＭＩフィルタが提供される。  
【００１１】
プラズマディスプレイパネルと、プラズマディスプレイパネルの前部に設けた電磁妨害（ＥＭＩ）フィルタとを備え、前記ＥＭＩフィルタは、ガラス基板によって支持されたＥＭＩ被膜を備え、前記ＥＭＩ被膜は、前記ガラス基板から遠ざかる順に以下の層：窒化ケイ素からなる第１層、酸化亜鉛からなる第１層、酸化亜鉛からなる第１層と接触する銀からなる第１のＥＭＩ遮蔽層、銀からなる第１のＥＭＩ遮蔽層と接触するＮｉおよび／またはＣｒの酸化物からなる第１層、第１の金属酸化物層、酸化亜鉛からなる第２層、酸化亜鉛からなる第２層と接触する銀からなる第２のＥＭＩ遮蔽層、銀からなる第２のＥＭＩ遮蔽層と接触するＮｉおよび／またはＣｒの酸化物からなる第２層、第２の金属酸化物層、酸化亜鉛からなる第３層、酸化亜鉛からなる第３層と接触する銀からなる第３のＥＭＩ遮蔽層、銀からなる第３のＥＭＩ遮蔽層と接触するＮｉおよび／またはＣｒの酸化物からなる第３層、第３の金属酸化物層、および保護層を有し、Ｎｉおよび／またはＣｒの酸化物からなる第３層は、Ｎｉおよび／またはＣｒの酸化物からなる第１および／または第２層の両方またはいずれか一方よりも少なく酸化される、プラズマディスプレイ装置。  
【００１２】
実施形態例において、窒化ケイ素からなる第１層は、ｘ／ｙが０．７６から１．５まで（さらに好ましくは、ｘ／ｙが０．８５から１．２まで）のＳｉxＮy層を有する。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】図１（ａ）は、この発明の実施形態例によるプラズマディスプレイパネル（例えば、ＰＤＰパネル）用のＥＭＩフィルタの断面図である。
【００１４】
図１（ｂ）は、この発明の実施形態例によるＥＭＩフィルタ（この発明の全ての実施形態のフィルタ）を有するＰＤＰパネルの断面図である。
【００１５】
【図２】図２は、この発明の実施形態例による図１（ａ）のフィルタの光学特性を示す透過率／反射率の波長依存性のグラフである。
【００１６】
【図３】図３は、この発明の実施形態の別の例によるディスプレイパネル（例えば、ＰＤＰパネル）用のＥＭＩフィルタの断面図である。
【００１７】
【図４】図４は、この発明の実施形態の別の例によるプラズマディスプレイパネル（例えば、ＰＤＰパネル）用のＥＭＩフィルタ層を示す表である。
【００１８】
【図５】図５は、この発明の実施形態例におけるＥＭＩ被膜に関連して任意に用いてもよい反射防止（ＡＲ）膜の層を示す表である。
【００１９】
【図６】図６は、この発明の実施形態例によるＰＤＰパネルの前部で用いるための（この発明の全ての実施形態の）ＥＭＩフィルタ（ＴＣＣ）、カバーガラス、および任意のＡＲ膜の断面図である。
【００２０】
【図７】図７は、この発明の実施形態の別の例によるＰＤＰパネルの前部で用いるための（この発明の全ての実施形態の）ＥＭＩフィルタ（ＴＣＣ）、カバーガラス、および一対のＡＲ膜の断面図である。
【００２１】
【図８】図８は、この発明の実施形態の別の例によるＰＤＰパネルの前部で用いるための（この発明の全ての実施形態の）ＥＭＩフィルタ（ＴＣＣ）、カバーガラス、および一対のＡＲ膜の断面図である。
【００２２】
【図９】図９は、この発明の実施形態例の任意のフィルタ構造の光学特性の例を示す表である。
【００２３】
【図１０】図１０は、この発明の実施形態の様々な例によるフィルタの光学特性を示す透過率（Ｔ）／反射率（Ｒ）の波長依存性のグラフである。
【００２４】
【図１１】図１１は、この発明の実施形態例において用いてもよい光学ピンク染料の例の規格化された吸収スペクトルを示すグラフである。
【００２５】
【図１２】図１２は、染料の使用を含むこの発明の実施形態例のフィルタ構造の光学特性の例を示す表である。
【００２６】
【図１３】図１３は、染料の使用を含むこの発明の実施形態の様々な例によるフィルタの光学特性を示す透過率（Ｔ）／反射率（Ｒ）の波長依存性のグラフである。
【００２７】
【図１４】図１４は、この発明の別の実施形態例によるプラズマディスプレイパネル（例えば、ＰＤＰパネル）用のＥＭＩフィルタの断面図である。
【００２８】
【図１５】図１５は、この発明の別の実施形態例によるプラズマディスプレイパネル（例えば、ＰＤＰパネル）用のＥＭＩフィルタの断面図である。
【００２９】
【図１６】図１６は、この発明の別の実施形態例によるプラズマディスプレイパネル（例えば、ＰＤＰパネル）用のＥＭＩフィルタの断面図である。
【００３０】
【図１７】図１７は、この発明の別の実施形態例によるプラズマディスプレイパネル（例えば、ＰＤＰパネル）用のＥＭＩフィルタの断面図である。
【００３１】
【図１８】図１８は、この発明の別の実施形態例によるプラズマディスプレイパネル（例えば、ＰＤＰパネル）用のＥＭＩフィルタの断面図である。
【００３２】
【図１９】図１９は、この発明の別の実施形態例によるプラズマディスプレイパネル（例えば、ＰＤＰパネル）用のＥＭＩフィルタの断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３３】
ここで、とりわけ添付図を参照する。当該添付図において、幾つかの図を通じて類似の参照符号は類似の部分／層を示す。
【００３４】
プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）は、相当量の電磁波を遮断／遮蔽するために、前部にフィルタを有する。当該フィルタは、高い可視透過率を有し、相当量の電磁波の遮断／遮蔽が可能である。この発明の実施形態例は、ディスプレイ用（例えば、ＰＤＰ用）の銀ベース多層透明導電層（ＴＣＣ）に関する。ＥＭＩフィルタの被膜は、金属酸化物、窒化物、またはオキシ窒化物間に挟まれた３層以上の銀ベース層を有する。それは、ＥＭＩの放射を遮断し、近赤外線および赤外線の透過を最小化／減少する機能を与える。実施形態例において、銀ベース透明導電膜をガラス上へのマグネトロンスパッタリングによって製造しうる。ガラス上の被膜は、実施形態例（例えば、熱処理）においてガラス強度を高め、被膜の伝導性または透明性を増すため、典型的な炉または焼き戻し炉内で後熱処理を行ってもよい。実施形態例において、銀ベースＴＣＣ（または、ＥＭＩフィルタ）膜は、金属酸化物および窒化物間で挟まれたＺｎＯｘ／Ａｇ／ＮｉＣｒＯｘの４層からなるまたは有する。実施形態例において、使用される金属酸化物（例えば、酸化スズ、酸化亜鉛）および窒化物（例えば、窒化ケイ素）は、１．８より高い可視光での屈折率（ｎ）を有し、ＳｉＮｘのような非導電性またはＺｎＡｌＯｘのような導電性になりうる。実施形態例において、特定の材料（例えば、銀、酸化亜鉛ベース層、およびＮｉＣｒＯｘベース層）は、全３または４スタックについては同じであるが、誘電体および銀の層は、層のスタックのそれぞれに対するシート抵抗および光学目標を満たすように調節される。さらに、他の層は、耐久性および光学性能を高めるためスタックごとに異なっていてもよい。実施形態例において、ＥＭＩフィルタは、プラズマテレビの筐体に低伝導性の接点を与えるため、周辺に伝導性のフリットフレームを有するものであってもよい。完成したフィルタは、ディスプレイの反射率を減少するため前面に積層されたＡＲ膜およびプラズマテレビのカラー性能を改善するため被膜ガラスの背面に付着した紫色および／または桃色の染料を有する薄板を有していてもよい。
【００３５】
図１（ａ）は、この発明の実施形態例によるＰＤＰパネル（または、別の種類のディスプレイパネル）で使用するためのＥＭＩフィルタの断面図である。図１（ｂ）は、ＰＤＰパネル上の図１（ａ）のフィルタを示す断面図である。図１（ｂ）に示されるように、図１（ａ）のフィルタをＰＤＰの前部の前面カバーガラスの内側（太陽から見て外側に向かう側）に設ける。この発明の実施形態例によるＥＭＩフィルタは、反射防止（ＡＲ）膜と併用して使用してもしなくてもよい。ＡＲ膜を、ＥＭＩフィルタ被膜と反対または同じ側のカバーガラスに設けてもよい。図１（ｂ）に示されるＰＤＰパネル４０は、どのような適当な種類のＰＤＰパネルであってもよい。ＰＤＰパネルの例は、US2006/0083938（例えば、図６を参照）に記載されているが、その全体は、参照により本明細書に組み込まれる。例えば、この発明の出願例として、図１（ａ）のフィルタ構造をUS2006/0083938のＰＤＰ装置の１００または１００'の位置で用いてもよい。
【００３６】
図１のＥＭＩフィルタ構造は、基板１に直接的または間接的に設けたカバーガラス基板１（例えば、約１．０から１０．０ｍｍの厚さ、さらに好ましくは約１．０ｍｍから３．５ｍｍの厚さの透明、緑色、青銅色、青緑色のガラス基板）およびＥＭＩフィルタ被膜（または層構造）３０を有する。膜（または層構造）３０は有する：ヘイズ減少のためＳｉリッチの、またはこの発明の別の実施形態における他の適した化学量論のＳｉ3Ｎ4であってもよい誘電性の窒化ケイ素ベース層３、高屈折率酸化チタン含有層４、（導電性ＥＭＩ遮蔽層９と接触する）第１の低接触層７、第１の導電性、かつ、好ましくは金属製のＥＭＩ遮蔽層９、（層９と接触する）第１の上部接触層１１、（この発明の別の実施形態において１または多段階で蒸着してもよい）誘電性または導電性の金属酸化物層１３、（ＥＭＩ遮蔽層１９と接触する）第２の低接触層１７、第２の導電性、かつ、好ましくは金属性のＥＭＩ遮蔽層１９、（層１９と接触する）第２の上部接触層２１、誘電性または導電性金属酸化物層２３、ヘイズ減少のためＳｉリッチの、またはこの発明の別の実施形態における他の適した化学量論のＳｉ3Ｎ4であってもよい誘電性の窒化ケイ素ベース層２５，２６、第２の高屈折率の酸化チタン含有層２４、（導電性のＥＭＩ遮蔽層２９と接触する）第３の低接触層２７、第３の導電性、かつ、好ましくは金属製のＥＭＩ遮蔽層２９、（層２９と接触する）第３の上部接触層３１、（この発明の別の実施形態において１または多段階で蒸着してもよい）誘電性または導電性の金属酸化物層３３、（ＥＭＩ遮蔽層３９と接触する）第４の低接触層３７、第４の導電性、かつ、好ましくは金属製のＥＭＩ遮蔽層３９、（層３９と接触する）第４の上部接触層４１、誘電性または導電性の金属酸化物層４３、窒化ケイ素または同種のものからなる、または有する保護膜層４５。「接触」層７，１１，１７，２１，２７，３１，３７および４１はそれぞれ、少なくとも１つのＥＭＩ遮蔽／反射層（例えば、Ａｇベース層）（９，１９，２９，３９）である。前記の層３〜４５は、ＰＤＰ装置から放出されるＥＭＩの相当量を遮断するため基板１上に設けたＥＭＩ遮蔽被膜３０を構成する。シート抵抗の例は、別の実施形態における被膜３０に対し、０．８，１．２および１．６オーム／ｓｑ．である。実施形態例において、被膜３０は、約０．５から１．８オーム／ｓｑ．までのシート抵抗を有していてもよい。
【００３７】
図１の実施形態の（図示しない）代案は、２つの別々の層への金属酸化物層１３および３３の分割を有し、分割された層間で窒化ケイ素ベース層を与える。言い換えれば、例えば、酸化物ベース層１３は、第１の酸化スズベース層１３'、窒化ケイ素層１３''および第２の酸化スズベース層１３'''に置き換えられる。同様に、酸化物ベース層３３は、第１の酸化スズベース層３３'、酸化スズベース層３３''および第２の酸化スズベース層３３'''に置き換えられる。前記代用層のスタックは、例えば、母線／黒フリットを被膜３０の上部に取り付けるときに用いられる熱処理されおよび熱処理可能なフィルタについて特に有利である。このような実施形態において、１１，２１，３１および４１のＮｉＣｒＯｘ材料の使用は、酸化亜鉛または酸化亜鉛アルミニウムのような他の可能な材料と比較して、さらに耐久性があり、さらに良好な熱的安定性を与えるという点において有利である。
【００３８】
誘電体層３，２５，２６および４５は、好ましくは約１．９から２．１まで、さらに好ましくは１．９７から２．０８までの屈折率（ｎ）を有し、この発明の実施形態例において窒化ケイ素からなる、または有するものであってもよい。窒化ケイ素層３，３ａ，２５，２６および４５は、とりわけ、被膜された製品の、例えば、熱による焼き戻しや同種の方法のような熱処理性能を改善する。この発明の別の実施形態において、これらの１、２または全層の窒化ケイ素は、化学量論型の（Ｓｉ3Ｎ4）型、または代わりにＳｉリッチのものであってもよい。例えば、銀ベースＥＭＩ遮蔽層９（および／または２９）のもと、酸化亜鉛含有層７（および／または２７）と結合したＳｉリッチの窒化ケイ素３，３ａ，２６は、（例えば、スパッタリングまたはそれと同種の方法）によって、他の特定の材料が銀の下にあった場合と比較して、シート抵抗が低下する（それゆえ、ＥＭＩ遮蔽が改善される）ように銀を蒸着してもよい。さらに、Ｓｉリッチの窒化ケイ素含有層３および／または３ａ内の遊離ケイ素の存在は、熱処理中にガラス１から外側に移動するナトリウム（Ｎａ）のような特定の原子を、銀に到達して損傷を与える前にＳｉリッチの窒化ケイ素含有層によって効率よく止めさせることがある。このように、熱処理によって生じる酸化は可視透過率を増大させ、ＳｉリッチのＳｉxＮyは、この発明の実施形態例における熱処理中に銀層に与えられる損傷量を減らし、それによってシート抵抗（ＲS）を満足のいくように低下し、ＥＭＩ遮蔽を改善することが信じられている。実施形態例において、Ｓｉリッチの窒化ケイ素が層３，３ａおよび／または２５，２６に用いられるとき、蒸着されるＳｉリッチの窒化ケイ素層は、ＳｉxＮy層（例えば、３および／または３ａ）によって特徴付けられるものであってもよい。ここで、ｘ／ｙは、０．７６から１．５まで、さらに好ましくは０．８から１．４まで、さらに好ましくは０．８５から１．２までであってもよい。さらに、この発明の実施形態例において、熱処理前および／または後に、ＳｉリッチのＳｉxＮy層は、少なくとも２．０５、さらに好ましくは少なくとも２．０７、そして時々少なくとも２．１０（例えば、６３２ｎｍ）の屈折率「ｎ」を有していてもよい（注：２．０２〜２．０４の屈折率「ｎ」を有する化学量論Ｓｉ3Ｎ4を用いてもよい）。実施形態例において、蒸着されるＳｉリッチの窒化ケイ素層が、少なくとも２．１０、さらに好ましくは少なくとも２．２、さらに好ましくは２．２から２．４までの屈折率を有するときに、改善された熱的安定性が特に実現可能なものであってもよい。また、実施形態例におけるＳｉリッチのＳｉxＮy層は、少なくとも０．００１、さらに好ましくは少なくとも０．００３の吸光係数「ｋ」を有していてもよい（注：化学量論Ｓｉ3Ｎ4は事実上０の吸光係数「ｋ」を有する）。さらに、実施形態例において、蒸着される（５５０ｎｍ）ＳｉリッチのＳｉxＮy層の「ｋ」が０．００１から０．０５までのとき、熱的安定性の改善を実現しうる。ｎおよびｋは、熱処理によって減少する傾向がある。ここで議論される窒化ケイ素層（３，２５，２６，４５）のいずれかおよび／または全ては、この発明の実施形態例においてス���ンレス鋼またはアルミニウムのような他の材料でドープしてもよい。例えば、ここで議論されるいずれかおよび／または全ての窒化ケイ素層は、この発明の実施形態例において、約０〜１５％のアルミニウム、さらに好ましくは約１から１０％までのアルミニウム、最も好ましくは１〜４％のアルミニウムを任意に含んでいてもよい。この発明の実施形態例において、ＳｉまたはＳｉＡｌのターゲットをスパッタリングすることによって、窒化ケイ素を蒸着してもよい。これらの層を可視透過率を犠牲にすることなく、ＥＭＩの反射を改善するために設ける。
【００３９】
この発明の実施形態例において、高屈折率層４および２４は、好ましくはチタン酸化物（例えば、ＴｉＯ2または、他の適当な化学量論）からなる、または有する。この発明の実施形態例において、層４および２４は、好ましくは少なくとも約２．２、さらに好ましくは少なくとも約２．３，２．４または２．４５の屈折率（ｎ）を有する。この発明の実施形態の別の例において、これらの層４および２４は、導電性または誘電性があってもよい。これらの層を可視透過率を犠牲にすることなく、ＥＭＩの反射を改善するために設ける。
【００４０】
ＥＭＩ遮蔽／反射層９，１９，２９および３９は、好ましくは実質的にまたは完全に金属性および／または導電性があり、基本的に銀（Ａｇ）、金、または他の適切なＥＭＩ反射材料からなるまたは有するものであってもよい。ＥＭＩ遮蔽層９，１９，２９および３９は、被膜が良好な導電性を有し、ＰＤＰパネルから放射されるＥＭＩを遮断するのに役立つ。この発明の実施形態例において、これらの層がわずかに酸化するのが可能である。
【００４１】
この発明の実施形態例において、上部接触層１１，２１，３１および４１は、酸化ニッケル（Ｎｉ）、酸化クロム（chromium/chrome）（Ｃｒ）、または酸化ニッケルクロム（ＮｉＣｒＯX）のような酸化ニッケル合金、または他の適当な材料からなるまたは有するものであってもよい。例えば、これらの層におけるＮｉＣｒＯXの使用が耐久性を改善する。ＮｉＣｒＯX層１１および／または２１は、この発明の実施形態例において、完全に酸化してもよく（すなわち、完全に化学量論的であってもよく）、または代わりに一部のみ参加してもよい。場合によっては、ＮｉＣｒＯX層は、少なくとも約５０％酸化してもよい。（Ｎｉおよび／またはＣｒの酸化物からなるまたは有する）これらの層は、この発明の別の実施形態において、酸化等級（oxidation grading）であってもよい。酸化等級とは、例えば、直接隣接したＩＲ反射層から遠くのまたはさらに／最も離れた一部の接触面より直接隣接したＩＲ反射層との接触面で酸化度が低くなるよう接触層が等級付けられるように、層の厚さ全体で層内の酸化度が変化することであり、これらの接触層は、全ＩＲ層にわたってこの発明の別の実施形態において連続的であっても連続的でなくてもよい。層１１，２１，３１および４１の１，２，３または全層のＮｉＣｒＯXの使用は、酸化亜鉛または酸化亜鉛アルミニウムのような他の可能性のある材料と比較して、さらに耐久性があり、さらに良好な熱的安定性を与える点で有利である。このことは、例えば、特定の用途において、母線／黒フリットを被膜３０の上部に取り付けるときに用いられる熱処理されおよび熱処理可能なフィルタについて特に有利である。
【００４２】
金属酸化物層１３，２３，３３および４３は、この発明の実施形態例において、酸化スズからなるまたは有するものであってもよい。これらの層は、好ましくはこの発明の実施形態例において、約１．９から２．１まで、さらに好ましくは約１．９５まで２．０５までの屈折率（ｎ）を有する。場合によっては、亜鉛のような他の材料でドープしてもよい。しかしながら、別の場合に、ここでの他の層と同様に他の材料を用いてもよい。これらの層を可視透過率を犠牲にすることなく、ＥＭＩの反射を改善するために設ける。
【００４３】
この発明の実施形態例において、低接触層７，１７，２７および３７は、酸化亜鉛（例えば、ＺｎＯ）からなるまたは有する。これらの層の酸化亜鉛は、同様にＡｌのような（例えば、ＺｎＡｌＯXを形成する）他の材料を有するものであってもよい。例えば、この発明の実施形態例において、１以上のこれらの酸化亜鉛層に、約１から１０％まで、さらに好ましくは約１から５％までのＡｌ、最も好ましくは約２から４％までのＡｌをドープしてもよい。銀９，１９，２９および３９の下での酸化亜鉛の使用は、銀の優れた品質を実現し、それによって導電性を改善し、ＥＭＩ遮蔽を改善させる。
【００４４】
例示された被膜の下または上の他の層を設けてもよい。それゆえ、層構造または被膜が（直接的または間接的に）基板１「上にある」または「によって支持される」一方で、それらの間に他の層を設けてもよい。それゆえ、たとえ層３および基板１間に他の層を設けていたとしても、例えば、図１の被膜が基板１「上にあって」、「支持される」ものと考えてもよい。さらに、実施形態例において、例示された被膜の一部の層を除去してもよい。その一方で、この発明の実施形態例の全体の精神から離れることなく、この発明の別の実施形態において、他の被膜層は、様々な層間に加えてもよいし、または様々な層は、分割した部分間に加えられる他の層によって分割してもよい。
【００４５】
この発明の実施形態例において、被膜における銀ベースＥＭＩ遮蔽層は、異なる厚さを有する。これは意図的であり、特に有利である。銀ベース層９，１９，２９，３９の異なる厚さは、ＰＤＰ装置の外側から（すなわち、被膜３０がプラズマに面する基板１の内側表面上にあるとき、大抵の実施形態において、膜のガラス側から）見えるように低可視反射率を得、同時に高可視透過率を可能にするために最適化される。スタックの奥深くに埋められた（すなわち、プラズマから離れた）銀層は、先行する層内の吸収によってある程度隠される。それゆえ、かなりの程度、外側の反射率に悪影響を与えることなくＥＭＩ遮蔽を改善するため、銀層はさらに厚くなりうる。それゆえ、ＰＤＰパネルのプラズマから離れた銀ベースＥＭＩ遮蔽層の厚さ（物理的厚さ）（例えば、３９）は、ＰＤＰパネルのプラズマに近い銀ベースＥＭＩ遮蔽層の厚さ（物理的厚さ）（例えば、９）よりもかなり厚くなりうる。銀の全厚は、この影響を利用するため、被膜３０にわたって不規則に分布している。この発明の実施形態例において、銀ベース層（９，１９，２９，３９）を全て合わせた全厚は、この発明の実施形態例において約２５〜８０ｎｍ、さらに好ましくは約３０〜７０ｎｍであってもよい。その一方で、全体の被膜３０の全厚は、約３００から４００ｎｍまで、さらに好ましくは約３２５から３８０ｎｍまで、最も好ましくは約３３０から３７５までであってもよい。実施形態例において、ＰＤＰパネルのプラズマから離れた銀ベースＥＭＩ遮蔽層（例えば、３９または２９）の厚さ（物理的厚さ）は、ＰＤＰパネルのプラズマに近い銀ベースＥＭＩ遮蔽層（例えば、９）の厚さよりも、少なくとも約１ｎｍ厚い（さらに好ましくは、少なくとも約２ｎｍ厚く、場合によっては約３または４ｎｍ厚い）。
【００４６】
図２は、０．８オーム／ｓｑ．のシート抵抗を有するよう設計したとき、それによって厚い銀の層を有する図１（ａ）のフィルタの光学特性を例示する透過率／反射率の波長依存性のグラフである。図２において、Ｔは透過率を表し、Ｇはガラス側の反射率を表し、Ｆは膜側の反射率を表す。図２に示されるように、ＮＩＲのようなＥＭＩの膜側（すなわち、プラズマに最も近い側）の反射率が高められる（高反射率）一方、（４５０〜６５０ｎｍの）可視透過率は高く保たれる。これは、かなりの／高い可視透過率を有するが、望ましくない波長が存在するＮＩＲ領域において高い反射／吸収を有するフィルタを提供する。この実施形態例において、被膜３０および基板１の組み合わせは、少なくとも約５０％、さらに好ましくは少なくとも５５％、５８％または６０％の可視透過率を有する。
【００４７】
図３は、この発明の実施形態の別の例によるディスプレイパネル（例えば、ＰＤＰパネル）のＥＭＩフィルタの断面図である。図３の実施形態は、一部の厚さが異なる点を除き、前記の図１（ａ）〜（ｂ）の実施形態と同じである。図３のフィルタは、高いシート抵抗（１．６４オーム／ｓｑ．の抵抗）を有するように設計されているからである。
【００４８】
この発明の別の実施形態における層に様々な厚さおよび材料を用いてもよい。その一方で、図１〜３の実施形態におけるガラス基板１上の各層の厚さおよび材料の例は、ガラス基板から外側へ、以下の通りである：
2011522287.tif 000003
【００４９】
この発明の実施形態の別の例において、図４は、前記と同様のＰＤＰの用途におけるＥＭＩフィルタとして用いるための銀ベースＴＣＣ被膜を示す。図４の被膜３０は、金属酸化物および金属窒化物間で挟まれたＺｎＯX／Ａｇ／ＮｉＣｒＯXの４層スタックを有する。図４の被膜は、図１〜３の被膜と異なる厚さを有する。図４においても、図１〜３の実施形態から層３，２５，２６，２４，４３が除かれている。このことは、図１の実施形態の全層は必要不可欠でなく、場合によっては一部の層を除去してもよい、ということを示す。前記図４の被膜３０は、この発明の実施形態例において、それぞれ被膜時および熱処理後に測定されるとき、１．５オーム／ｓｑ．および１．０オーム／ｓｑ．よりも低いシート抵抗と、可視光において５５％または６０％より高い中間透過率とを有していてもよい。前記シート抵抗は、Ａｇの厚さの増加による可視透過率の相殺によってさらに減少しうる。さらに低い透過率が望ましい場合、ＮｉＣｒＯｘの厚さの増加および／またはｘの値の減少により、透過率を減少しうる。金属酸化物および窒化物は、１．８よりも高い可視光の屈折率を有すべきであり、実施形態の別の例において、ＳｉＮｘのような非導電性またはＺｎＡｌＯｘのような導電性でもありうる。多層構造は、ＴｉＯｘをＳｉＮｘ／ＴｉＯｘまたはＳｉＮｘをＳｎＯｘ／ＳｉＮｘ／ＺｎＯｘに置換するように、各金属酸化物、窒化物、またはオキシ窒化物を置換するためにも用いられる。
【００５０】
図５を参照して、この発明の実施形態例において、ＡｇベースＥＭＩ保護被膜３０の光学性能をさらに高めるために、図５に記載されているもののような広帯域の可視光反射防止（ＡＲ）被膜５０または他の適当なＡＲ被膜を基板１（図６〜８を参照）の反対側に取り付け、および／またはＴＣＣ３０（図７〜８を参照）上に積層しうる。ディスプレイ用の前記銀ベースＴＣＣ被膜の使用例は、図６〜８に示されている。上で示されるように、この発明の用途の例において、様々な図６〜８のフィルタ構造をUS2006/0083938の図６のＰＤＰ装置の１００または１００'の位置に用いてもよい。図６〜８において、任意の追加基板１'、１''は、ガラスまたはプラスチックであってもよく、接着剤は適当な粘着性のあるものまたは同様のものであってもよい。例えば、一例において、（図１（ａ），３および４に示される）４層のＡｇを有するＴＣＣ被膜３０は、屋外のディスプレイ用のカバーガラス１の構造の一部として用いられる。そして、図６〜８は、任意にＡＲ被膜５０とともに用いてもよい前記カバーガラス構造の例を示す。ＴＣＣ３０（例えば、図４、または図１を参照）およびＡＲ（図５を参照）が基板１の反対面に被膜されるとき、光学性能の一例が、図９に要約されている。透過および反射スペクトルの詳細を図１０に示す。ここでの他の実施形態と同様に、ＴＣＣＥＭＩフィルタ被膜３０は、以下の機能／利点を提供する：高伝導性のＡｇ層を通したＥＭＩ放射からの損傷を減らし、パネル温度を下げる屋外の日光からのＮＩＲおよびＩＲ放射の相当量を遮断し、減少した反射によりコントラスト比を高める。
【００５１】
図１１〜１３を参照して、この発明の他の例は、図１〜１０の実施形態に類似しているが、プラズマディスプレイ用に色中性（color neutrality）を改善するために（図１１に示されるように）約５９５ｎｍで透過率を減少する追加の染料吸収層も有する。実施形態例において、染料は選択波長範囲での吸収用であり、他の範囲ではない。例えば、実施形態例において、ＰＤＰ装置の色特性を改善するため、染料は５９５ｎｍ近傍の光（例えば、図１１参照）を吸収してもよい。（図示しない）染料含有層をＡＲ被膜５０および基板１間、またはＴＣＣ３０および基板１間、ＴＣＣ３０および接着層間のような１以上の位置に挿入し、接着層または基板１内に埋め込みうる（図６〜８を参照）。前記染料を有するＰＤＰ装置の実施形態例の光学性能が図１２に示され、前記実施形態例の透過および反射スペクトルが図１３に示される。前記カバーガラス構造において、ＴＣＣ被膜３０は、以下の機能を提供する：高伝導率のＡｇ層によるプラズマパネルからのＥＭＩの放射を遮断し、屋外用のパネルの温度を減少するため太陽光からのＮＩＲおよびＩＲ放射を遮断し、反射の減少によってコントラスト比を高め、近くの電子機器への干渉を減少するためプラズマパネルからのＮＩＲ（８５０〜９５０ｎｍ）の放射を遮断する。
【００５２】
図１４〜１９は、この発明の別の実施形態例によるプラズマディスプレイパネル（例えば、ＰＤＰパネル）用のＥＭＩフィルタの断面図である。これらの実施形態は、熱処理可能であってもよく、異なるシート抵抗（Ｒ）用に設計してもよい。これらの実施形態のＥＭＩフィルタ被膜は、典型的なまたは従来の焼き戻し炉内で熱処理し、被膜品を熱処理するとき、ガラス基板１を強化してもよい。
【００５３】
図１４〜１９は、熱処理（ＨＴ）可能な変形例であり、これらの実施形態の被膜は、約５００〜７５０℃から（さらに好ましくは、５２０〜６５０℃から）の温度での熱処理を存続しうる一方、ＨＴに続く許容できるヘイズ値を依然として維持する。そして、これらの実施形態の被膜は、ＨＴ後、約１．３または１．２オーム／ｓｑ．程度（さらに好ましくは、１．０または０．９０オーム／ｓｑ．程度）のシート抵抗（Ｒ））を有し、少なくとも約６０％（さらに好ましくは、少なくとも約６２または６３％）の可視透過率を有しうる。実施形態例において、これらの実施形態の被膜品は、ＨＴ後、約３程度（さらに好ましくは、約２．０または１．０程度）のヘイズ値を有する。図１４〜１９の実施形態において、窒化ケイ素ベース層３および／または３ａ（場合によっては、３ａ'）は、実施形態例において前記のようにＳｉリッチであってもよく、ＮｉＣｒ酸化ベース層および／または４１は、実施形態例において一部酸化されるのみである。そのようなＳｉリッチ窒化ケイ素の使用およびＮｉＣｒＯｘベース層のうち少なくとも１層のみの部分酸化は、熱処理にさらに耐えうる被膜品を生じる一方、ＨＴ後、適切な可視透過率およびヘイズ値を維持する。実施形態例において、ＮｉＣｒＯｘベース層４１は、ＮｉＣｒＯｘベース層１１，２１および／または３１の１、２または３層全てよりも少なく酸化される。実施形態例において、ＮｉＣｒＯｘベース層３１および／または４１の１つまたは両方は、ＮｉＣｒＯｘベース層１１および／または２１の１つまたは両方より少なく酸化される。このことは、ＨＴにおけるより良い熱的安定を有するさらなる熱処理が可能な被膜の提供に役立つことが明らかにされている。図１４〜１９の実施形態において、金属酸化物（例えば、酸化スズ）ベース層１３ａ（および１３ａ'）を窒化ケイ素ベース層１３ａおよび酸化亜鉛ベース層１７間の密着性を改善するために有する。
【００５４】
図面内の様々な層で示される材料は、この発明の実施形態例において、好ましい材料である一方、明示的に主張されていなければ、限定を目的とするものではない。この発明の実施形態の別の例において、図面に示される材料を置換するため他の材料を用いてもよい。さらに、この発明の別の実施形態において、一部の層を除去してもよく、他の層を追加してもよい。同様に、例示された厚さも明示的に主張されていなければ、限定を目的とするものではない。
【００５５】
この発明が、最も実用的で好ましい実施形態であると現在考えられているものと関連して記載される一方で、この発明が開示された実施形態に限定されないことを理解すべきである。それとは逆に、添付の請求項の精神および範囲内に含まれる様々な改良および同等の装置を保護することを目的としている。
【図１（ａ）】
2011522287.tif 000004
【図１（ｂ）】
2011522287.tif 000005
【図２】
2011522287.tif 000006
【図３】
2011522287.tif 000007
【図４】
2011522287.tif 000008
【図５】
2011522287.tif 000009
【図６】
2011522287.tif 000010
【図７】
2011522287.tif 000011
【図８】
2011522287.tif 000012
【図９】
2011522287.tif 000013
【図１０】
2011522287.tif 000014
【図１１】
2011522287.tif 000015
【図１２】
2011522287.tif 000016
【図１３】
2011522287.tif 000017
【図１４】
2011522287.tif 000018
【図１５】
2011522287.tif 000019
【図１６】
2011522287.tif 000020
【図１７】
2011522287.tif 000021
【図１８】
2011522287.tif 000022
【図１９】
2011522287.tif 000023
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月23日(2010.3.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマディスプレイパネルと、プラズマディスプレイパネルの前部に設けた電磁妨害（ＥＭＩ）フィルタとを備え、前記ＥＭＩフィルタは、ガラス基板によって支持されたＥＭＩ被膜を備え、前記ＥＭＩ被膜は、前記ガラス基板から遠ざかる順に以下の層：
窒化ケイ素からなる第１層、
少なくとも約２．２の屈折率（ｎ）を有する第１の高屈折率層、
酸化亜鉛からなる第１層、
酸化亜鉛からなる第１層と接触する銀からなる第１のＥＭＩ遮蔽層、
銀からなる第１のＥＭＩ遮蔽層と接触するＮｉおよび／またはＣｒの酸化物からなる第１層、
第１の金属酸化物層、
酸化亜鉛からなる第２層、
酸化亜鉛からなる第２層と接触する銀からなる第２のＥＭＩ遮蔽層、
銀からなる第２のＥＭＩ遮蔽層と接触するＮｉおよび／またはＣｒの酸化物からなる第２層、
第２の金属酸化物層、
酸化亜鉛からなる第３層、
酸化亜鉛からなる第３層と接触する銀からなる第３のＥＭＩ遮蔽層であって、銀からなる第３のＥＭＩ遮蔽層は、銀からなる第２のＥＭＩ遮蔽層より厚く、
銀からなる第３のＥＭＩ遮蔽層と接触するＮｉおよび／またはＣｒの酸化物からなる第３層、
第３の金属酸化物層、
および保護層
を有する、プラズマディスプレイ装置。
【請求項２】
第１の高屈折率層は、チタン酸化物を含む、請求項１に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項３】
ガラス基板およびこれに結合したＥＭＩ被膜は、少なくとも５５％、さらに好ましくは少なくとも６０％の可視透過率を有する、請求項１に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項４】
銀からなる第３のＥＭＩ遮蔽層は、銀からなる第１のＥＭＩ遮蔽層よりも厚い、請求項１に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項５】
銀からなる第３のＥＭＩ遮蔽層は、銀からなる第１および第２のＥＭＩ遮蔽層のいずれよりも厚い、請求項１に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項６】
チタン酸化物からなり、第２および第３のＥＭＩ遮蔽層間に位置する少なくとも２．２の屈折率を有する第２の高屈折率層をさらに有する、請求項１に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項７】
チタン酸化物からなる高屈折率層は、第１および第２のＥＭＩ遮蔽層間に位置しない、請求項６に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項８】
プラズマディスプレイパネルと、プラズマディスプレイパネルの前部に設けた電磁妨害（ＥＭＩ）フィルタとを備え、前記ＥＭＩフィルタは、ガラス基板によって支持されたＥＭＩ被膜を備え、前記ＥＭＩ被膜は、前記ガラス基板から遠ざかる順に以下の層：
酸化亜鉛からなる第１層、
酸化亜鉛からなる第１層と接触する銀からなる第１のＥＭＩ遮蔽層、
銀からなる第１のＥＭＩ遮蔽層と接触するＮｉおよび／またはＣｒの酸化物からなる第１層、
酸化亜鉛からなる第２層、
酸化亜鉛からなる第２層と接触する銀からなる第２のＥＭＩ遮蔽層、
銀からなる第２のＥＭＩ遮蔽層と接触するＮｉおよび／またはＣｒの酸化物からなる第２層、
酸化亜鉛からなる第３層、
酸化亜鉛からなる第３層と接触する銀からなる第３のＥＭＩ遮蔽層、
銀からなる第３のＥＭＩ遮蔽層と接触するＮｉおよび／またはＣｒの酸化物からなる第３層、
および保護層
を有し、銀からなる第３のＥＭＩ遮蔽層は、銀からなる第１および／または第２のＥＭＩ遮蔽層よりも厚い、プラズマディスプレイ装置。
【請求項９】
銀からなる第３のＥＭＩ遮蔽層は、銀からなる第１および／または第２のＥＭＩ遮蔽層よりも少なくとも１ｎｍ厚い（さらに好ましくは少なくとも２ｎｍ厚く、最も好ましくは少なくとも３ｎｍ厚い）、請求項８に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項１０】
ガラス基板およびこれに結合したＥＭＩ被膜は、少なくとも５５％、さらに好ましくは少なくとも６０％の可視透過率を有する、請求項８に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項１１】
ガラス基板および第１のＥＭＩ遮蔽層間に位置するが、第１および第２のＥＭＩ遮蔽層間に位置しない、チタン酸化物からなる高屈折率層をさらに有する、請求項８に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項１２】
ガラス基板によって支持され、かつ、ガラス基板から遠ざかる順に以下の層：
酸化亜鉛からなる第１層、
酸化亜鉛からなる第１層と接触する銀からなる第１のＥＭＩ遮蔽層、
銀からなる第１のＥＭＩ遮蔽層と接触するＮｉおよび／またはＣｒの酸化物からなる第１層、
酸化亜鉛からなる第２層、
酸化亜鉛からなる第２層と接触する銀からなる第２のＥＭＩ遮蔽層、
銀からなる第２のＥＭＩ遮蔽層と接触するＮｉおよび／またはＣｒの酸化物からなる第２層、
酸化亜鉛からなる第３層、
酸化亜鉛からなる第３層と接触する銀からなる第３のＥＭＩ遮蔽層、
銀からなる第３のＥＭＩ遮蔽層と接触するＮｉおよび／またはＣｒの酸化物からなる第３層、
および保護層
を有するＥＭＩ被膜を備え、銀からなる第３のＥＭＩ遮蔽層は、銀からなる第１および／または第２のＥＭＩ遮蔽層よりも厚い、ディスプレイ装置用のＥＭＩフィルタ。  
【請求項１３】
プラズマディスプレイパネルと、プラズマディスプレイパネルの前部に設けた電磁妨害（ＥＭＩ）フィルタとを備え、前記ＥＭＩフィルタは、ガラス基板によって支持されたＥＭＩ被膜を備え、前記ＥＭＩ被膜は、前記ガラス基板から遠ざかる順に以下の層：
窒化ケイ素からなる第１層、
酸化亜鉛からなる第１層、
酸化亜鉛からなる第１層と接触する銀からなる第１のＥＭＩ遮蔽層、
銀からなる第１のＥＭＩ遮蔽層と接触するＮｉおよび／またはＣｒの酸化物からなる第１層、
第１の金属酸化物層、
酸化亜鉛からなる第２層、
酸化亜鉛からなる第２層と接触する銀からなる第２のＥＭＩ遮蔽層、
銀からなる第２のＥＭＩ遮蔽層と接触するＮｉおよび／またはＣｒの酸化物からなる第２層、
第２の金属酸化物層、
酸化亜鉛からなる第３層、
酸化亜鉛からなる第３層と接触する銀からなる第３のＥＭＩ遮蔽層、
銀からなる第３のＥＭＩ遮蔽層と接触するＮｉおよび／またはＣｒの酸化物からなる第３層、
第３の金属酸化物層、
および保護層
を有し、Ｎｉおよび／またはＣｒの酸化物からなる第３層は、Ｎｉおよび／またはＣｒの酸化物からなる第１および／または第２層の両方またはいずれか一方よりも少なく酸化される、プラズマディスプレイ装置。
【請求項１４】
Ｎｉおよび／またはＣｒの酸化物からなる第３層は、Ｎｉおよび／またはＣｒの酸化物からなる第１および第２層の両方よりも少なく酸化される、請求項１３に記載のディスプレイ装置。
【請求項１５】
銀からなる第４のＥＭＩ遮蔽層および少なくとも第３の金属酸化物層より上に位置するＮｉおよび／またはＣｒの酸化物からなる第４層をさらに有し、
Ｎｉおよび／またはＣｒの酸化物からなる第４層は、Ｎｉおよび／またはＣｒの酸化物からなる少なくとも第１、第２および第３層よりも少なく酸化される、請求項１３に記載のディスプレイ装置。
【請求項１６】
窒化ケイ素からなる第１層は、ｘ／ｙが０．７６から１．５までのＳｉxＮy層を有する、請求項１３に記載のディスプレイ装置。
【請求項１７】
窒化ケイ素からなる第１層は、ｘ／ｙが０．８５から１．２までのＳｉxＮy層を有する、請求項１３に記載のディスプレイ装置。
【請求項１８】
プラズマディスプレイパネルと、プラズマディスプレイパネルの前部に設けた電磁妨害（ＥＭＩ）フィルタとを備え、前記ＥＭＩフィルタは、ガラス基板によって支持されたＥＭＩ被膜を備え、前記ＥＭＩ被膜は、前記ガラス基板から遠ざかる順に以下の層：
窒化ケイ素からなる第１層、
酸化亜鉛からなる第１層、
酸化亜鉛からなる第１層と接触する銀からなる第１のＥＭＩ遮蔽層、
銀からなる第１のＥＭＩ遮蔽層と接触するＮｉおよび／またはＣｒの酸化物からなる第１層、
第１の金属酸化物層、
酸化亜鉛からなる第２層、
酸化亜鉛からなる第２層と接触する銀からなる第２のＥＭＩ遮蔽層、
銀からなる第２のＥＭＩ遮蔽層と接触するＮｉおよび／またはＣｒの酸化物からなる第２層、
第２の金属酸化物層、
酸化亜鉛からなる第３層、
酸化亜鉛からなる第３層と接触する銀からなる第３のＥＭＩ遮蔽層、
銀からなる第３のＥＭＩ遮蔽層と接触するＮｉおよび／またはＣｒの酸化物からなる第３層、
第３の金属酸化物層、
および保護層
を有し、窒化ケイ素からなる第１層は、ｘ／ｙが０．８５から１．２までのＳｉxＮy層を有する、プラズマディスプレイ装置。
【請求項１９】
少なくとも第１および第２のＥＭＩ遮蔽層間に位置する窒化ケイ素からなる別の層をさらに有し、当該窒化ケイ素からなる別の層は、ｘ／ｙが０．８５から１．２までのＳｉxＮy層を有する、請求項１８に記載のディスプレイ装置。
【国際調査報告】
2011522287.tif 000024
2011522287.tif 000025
2011522287.tif 000026