(57)【要約】  式（Ｉ）（Ｂ+）n x Ａy-［式中、Ｂは、窒素原子少なくとも１個を有するカチオンを表し、Ａは、アニオンを表し、かつｎは、１〜３の整数を表し、ｘ及びｙはそれぞれ、１〜３の整数を表し、かつｘ及びｙの積はｎに等しい］で示される塩を、式（ＩＩ）（Ｂ+）n x Ｃy-［式中、Ｂ及びｎ、ｘ及びｙは、前記の意味を有し、かつＣは、Ａとは異なり、１つ又はそれ以上のカルボキシラート基を有する化合物（カルボキシラートと略称する）を表す］で示される塩を、アニオンＡのアンモニウム塩と又はアンモニアの存在でのアニオンＡのプロトン酸と反応させることにより、製造する方法。【特許請求の範囲】
【請求項１】
式Ｉ
（Ｂ+）n x Ａy-
［式中、
Ｂは、窒素原子少なくとも１個を有するカチオンを表し、
Ａは、アニオンを表し、かつ
ｎは、１〜３の整数を表し、
ｘ及びｙはそれぞれ、１〜３の整数を表し、かつｘ及びｙの積はｎに等しい］で示される塩を製造する方法であって、
式ＩＩ
（Ｂ+）n x Ｃy-
［式中、Ｂ及びｎ、ｘ及びｙは、前記の意味を有し、かつＣは、Ａとは異なり、１つ又はそれ以上のカルボキシラート基を有する化合物（カルボキシラートと略称する）を表す］で示される塩を、
アニオンＡのアンモニウム塩と又はアンモニアの存在でのアニオンＡのプロトン酸と反応させる、式Ｉの塩の製造方法。
【請求項２】
式Ｉ中のカチオンＢが、グアニジニウム化合物又はアンモニウム化合物である、請求項１記載の方法。
【請求項３】
カチオンＢが、窒素原子少なくとも１個を有するヘテロ環系を含有する、請求項１又は２記載の方法。
【請求項４】
イミダゾリウム−カチオンである、請求項１から３までのいずれか１項記載の方法。
【請求項５】
アニオンが、塩化物、トリフルオロアセタート、メチルスルホナート又はロダン化物である、請求項１から４までのいずれか１項記載の方法。
【請求項６】
式Ｉの塩が、式ＩＩＩ
【化１】
2011503023.tif 000019
［式中、
Ａ、ｎ、ｘ及びｙは、前記の意味を有し、
Ｒ1及びＲ3は互いに独立して、炭素原子１〜２０個を有する有機基を表し、かつ
Ｒ2、Ｒ4及びＲ5は互いに独立して、水素原子を表すか又は炭素原子１〜２０個を有する有機基を表す］で示されるイミダゾリウム塩である、請求項１から５までのいずれか１項記載の方法。
【請求項７】
式ＩＩ中のカルボキシラートＣが、炭素原子１〜２０個及びカルボキシラート基１〜３個を有する化合物である、請求項１から６までのいずれか１項記載の方法。
【請求項８】
式ＩＩ中のカルボキシラートＣが、Ｃ1〜Ｃ10 アルカンカルボン酸のアニオンである、請求項１から７までのいずれか１項記載の方法。
【請求項９】
式ＩＩの塩を、アニオンＡのアンモニウム塩と反応させる、請求項１から８までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１０】
式ＩＩの塩を、アンモニアの存在でアニオンＡのプロトン酸と反応させる、請求項１から９までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１１】
反応を、アンモニア及びアニオンＡのプロトン酸を含有する溶液を用いて行う、請求項１０記載の方法。
【請求項１２】
反応の際又は反応後に、アニオンＣ（アンモニウムカルボキシラート）のアンモニウム塩もしくはアンモニア及びカルボキシラートの相応するプロトン酸を、蒸留により分離する、請求項１から１１までのいずれか１項記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、式Ｉ
（Ｂ+）n ｘ Ａy-
［式中、
Ｂは、窒素原子少なくとも１個を有するカチオンを表し、
Ａは、アニオンを表し、かつ
ｎは、１〜３の整数を表し、
ｘ及びｙはそれぞれ、１〜３の整数を表し、かつｘ及びｙの積はｎに等しい］で示される塩を、
式ＩＩ
（Ｂ+）n ｘ Ｃy-
［式中、Ｂ及びｎ、ｘ及びｙは、前記の意味を有し、かつＣは、Ａとは異なり、１つ又はそれ以上のカルボキシラート基を有する化合物（カルボキシラートと略称する）を表す］で示される塩を、アニオンＡのアンモニウム塩と又はアンモニアの存在でのアニオンＡのプロトン酸と反応させることによって、
製造する方法に関する。
【０００２】
２００℃未満の融点、特に１００℃未満の融点を有する塩は、イオン性液体と呼ばれる。室温で既に液体であるイオン性液体には、特に興味が引かれている。
【０００３】
イオン性液体のためには、多様な製造方法が存在する。アンモニウムカチオン及びカルボキシラートアニオンを有するイオン性液体は、例えば、国際公開(WO)第2005/021484号（カルボナート法）に又は国際公開(WO)第91/14678号（Arduengo法）に記載された方法により製造されることができる。カルボキシラートアニオン以外のアニオンを有するイオン性液体は、引き続き前記アニオンの交換により得ることができる。
【０００４】
国際公開(WO)第2006/027070号には、ｐＫａ値≦１４を有するプロトン酸の使用下でのこの種のアニオン交換が記載されている。前記の方法によっては、完全なアニオン交換は、達成されることができないか、又は費用のかかるプロセス手段によってのみ、例えば数回の蒸留によってのみ達成されることができる。
【０００５】
故に、本発明の課題は、塩、特にイオン性液体を、アニオン交換によって単純にかつ効率的に製造する方法である。
【０００６】
それに応じて、冒頭に定義された方法が見出された。
【０００７】
式Ｉの塩のカチオンＢについて
本発明による方法の場合に、前記の式Ｉの塩が製造される。
【０００８】
式Ｉ中のカチオンＢは、窒素原子少なくとも１個を有する。好ましくは、Ｂは、グアニジニウム化合物又はアンモニウム化合物である。アンモニウム化合物の概念は、ここでは、窒素原子上に置換基４個を有する化合物又はまた窒素原子少なくとも１個及び非局在化された陽電荷を有する環系であると理解される。
【０００９】
適したグアニジニウム−カチオンは、一般式（ＩＶ）
【化１】
2011503023.tif 000002
を有し、
式中、
基Ｒ32〜Ｒ36は互いに独立して、炭素原子１〜２０個を有する、飽和又は不飽和の、非環式又は環式の、脂肪族、芳香族又は芳香脂肪族の、非置換又は１〜５個のヘテロ原子又は官能基により中断されたか又は置換された含炭素有機基を表し、かつ基Ｒ33及びＲ35はさらにまた互いに独立して水素を表すか；又は
隣接した２つの基Ｒ33はＲ34と一緒になって；又はＲ35はＲ36と一緒になって、炭素原子１〜３０個を有する、飽和又は不飽和の、非環式又は環式の、脂肪族、芳香族又は芳香脂肪族の、非置換又は１〜５個のヘテロ原子又は官能基により中断されたか又は置換された二結合性の含炭素有機基を表し、かつ残りの基は、前記で定義された通りであり；
かつ基Ｒ31は、炭素原子１〜２０個を有する、飽和又は不飽和の、非環式又は環式の、脂肪族、芳香族又は芳香脂肪族の、非置換又は１〜５個のヘテロ原子又は官能基により中断されたか又は置換された含炭素有機基を表す。
【００１０】
適した第四級アンモニウム−カチオンは、例えば、式（Ｖ）
【化２】
2011503023.tif 000003
で示されるものであり、
式中、
Ｒ7は、Ｒ8と一緒になって、炭素原子１〜３０個を有する、飽和又は不飽和の、非環式又は環式の、脂肪族、芳香族又は芳香脂肪族の、非置換又は１〜５個のヘテロ原子又は官能基により中断されたか又は置換された二結合性の含炭素有機基を表すか；又は
Ｒ7は、Ｒ8及びＲ9と一緒になって、炭素原子１〜３０個を有する、飽和又は不飽和の、非環式又は環式の、脂肪族、芳香族又は芳香脂肪族の、非置換又は１〜５個のヘテロ原子又は官能基により中断されたか又は置換された三結合性の含炭素有機基を表し；
かつ残りの基は、炭素原子１〜２０個を有する、飽和又は不飽和の、非環式又は環式の、脂肪族、芳香族又は芳香脂肪族の、非置換又は１〜５個のヘテロ原子又は官能基により中断されたか又は置換された含炭素有機基を表し、ここでＲ6はさらに水素を表すこともできる。
【００１１】
好ましいカチオンＢは、窒素原子少なくとも１個を有するヘテロ環系を有する。
【００１２】
特に好ましいカチオンＢは、窒素原子少なくとも１個及び非局在化された陽電荷を有する芳香族ヘテロ環系を有する。
【００１３】
適したカチオンは、特に、イミダゾリウムの誘導体、イミダゾリニウムの誘導体、ピラゾリウムの誘導体、ピラゾリニウムの誘導体及びピリジニウムの誘導体である。
【００１４】
極めて特に好ましくは、イミダゾリウム−カチオンである。
【００１５】
適したイミダゾリウム−カチオンは、好ましくは、一般式（ＩＩＩ）
【化３】
2011503023.tif 000004
を有し、
式中、
Ｒ1及びＲ3は互いに独立して、炭素原子１〜２０個を有する有機基を表し、かつ
Ｒ2、Ｒ4及びＲ5は互いに独立して、水素原子を表すか又は炭素原子１〜２０個を有する有機基を表す。
【００１６】
Ｒ1及びＲ3は好ましくは、互いに独立して、炭素原子１〜１０個を有する有機基を表す。特に好ましくは、別のヘテロ原子を有しない炭化水素基、例えば飽和又は不飽和の脂肪族基、芳香族基であるか又は芳香族成分だけでなく脂肪族成分も有する炭化水素基である。極めて特に好ましくは、Ｃ1〜Ｃ10 アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10 アルケニル基、例えばアリル基、フェニル基、ベンジル基である。特に、Ｃ1〜Ｃ4 アルキル基、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基又はｎ−ブチル基である。
【００１７】
Ｒ2、Ｒ4及びＲ5は好ましくは、互いに独立して、水素原子を表すか又は炭素原子１〜１０個を有する有機基を表す。特に好ましくは、Ｒ2、Ｒ4及びＲ5は、水素原子であるか、又は別のヘテロ原子を有しない炭化水素基、例えば、脂肪族基、芳香族基であるか又は芳香族成分だけでなく脂肪族成分も有する炭化水素基である。極めて特に、Ｒ2、Ｒ4及びＲ5は互いに独立して、水素原子を表すか又はＣ1〜Ｃ10 アルキル基、フェニル基又はベンジル基を表す。特に、水素原子又はＣ1〜Ｃ4 アルキル基、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基又はｎ−ブチル基である。
【００１８】
適したイミダゾリニウム−カチオンは、好ましくは、一般式（ＶＩ）
【化４】
2011503023.tif 000005
を有し、
式中、
基Ｒ11〜Ｒ14は互いに独立して、スルホ基を表すか又は炭素原子１〜２０個を有する、飽和又は不飽和の、非環式又は環式の、脂肪族、芳香族又は芳香脂肪族の、非置換又は１〜５個のヘテロ原子又は官能基により中断されたか又は置換された含炭素有機基を表し、かつ基Ｒ11〜Ｒ13はさらにまた互いに独立して水素、ハロゲン又は官能基を表し、かつ基Ｒ14はさらに水素を表すこともできるか；又は
隣接した２つの基Ｒ11はＲ12と一緒になって；又はＲ12はＲ14と一緒になって；又はＲ14はＲ13と一緒になって、炭素原子１〜３０個を有する、飽和又は不飽和の、非環式又は環式の、脂肪族、芳香族又は芳香脂肪族の、非置換又は１〜５個のヘテロ原子又は官能基により中断されたか又は置換された二結合性の含炭素有機基を表し、かつ残りの基は、前記で定義された通りであり；
かつ基Ｒ10は、炭素原子１〜２０個を有する、飽和又は不飽和の、非環式又は環式の、脂肪族、芳香族又は芳香脂肪族の、非置換又は１〜５個のヘテロ原子又は官能基により中断されたか又は置換された含炭素有機基を表す。
【００１９】
適したピラゾリウム−カチオンは、好ましくは、一般式（ＶＩＩ）
【化５】
2011503023.tif 000006
を有し、
式中、
基Ｒ16〜Ｒ19は互いに独立して、スルホ基を表すか又は炭素原子１〜２０個を有する、飽和又は不飽和の、非環式又は環式の、脂肪族、芳香族又は芳香脂肪族の、非置換又は１〜５個のヘテロ原子又は官能基により中断されたか又は置換された含炭素有機基を表し、かつ基Ｒ16〜Ｒ18は、さらにまた互いに独立して水素、ハロゲン又は官能基を表し、かつ基Ｒ19はさらに水素を表すこともできるか；又は
隣接した２つの基Ｒ16はＲ17と一緒になって；又はＲ17はＲ18と一緒になって；又はＲ18はＲ19と一緒になって、炭素原子１〜３０個を有する、飽和又は不飽和の、非環式又は環式の、脂肪族、芳香族又は芳香脂肪族の、非置換又は１〜５個のヘテロ原子又は官能基により中断されたか又は置換された二結合性の含炭素有機基を表し、かつ残りの基は、前記で定義された通りであり；
かつ基Ｒ15は、炭素原子１〜２０個を有する、飽和又は不飽和の、非環式又は環式の、脂肪族、芳香族又は芳香脂肪族の、非置換又は１〜５個のヘテロ原子又は官能基により中断されたか又は置換された含炭素有機基を表す。
【００２０】
適したピラゾリニウム−カチオンは、好ましくは、一般式（ＶＩＩＩ）
【化６】
2011503023.tif 000007
を有し、
式中、
基Ｒ21〜Ｒ24は互いに独立して、スルホ基を表すか又は炭素原子１〜２０個を有する、飽和又は不飽和の、非環式又は環式の、脂肪族、芳香族又は芳香脂肪族の、非置換又は１〜５個のヘテロ原子又は官能基により中断されたか又は置換された含炭素有機基を表し、かつ基Ｒ21〜Ｒ23はさらにまた互いに独立して水素、ハロゲン又は官能基を表し、かつ基Ｒ24はさらに水素を表すこともできるか；又は
隣接した２つの基Ｒ21はＲ22と一緒になって；又はＲ22はＲ24と一緒になって；又はＲ24はＲ23と一緒になって、炭素原子１〜３０個を有する、飽和又は不飽和の、非環式又は環式の、脂肪族、芳香族又は芳香脂肪族の、非置換又は１〜５個のヘテロ原子又は官能基により中断されたか又は置換された二結合性の含炭素有機基を表し、かつ残りの基は、前記で定義された通りであり；
かつ基Ｒ20は、炭素原子１〜２０個を有する、飽和又は不飽和の、非環式又は環式の、脂肪族、芳香族又は芳香脂肪族の、非置換又は１〜５個のヘテロ原子又は官能基により中断されたか又は置換された含炭素有機基を表す。
【００２１】
適したピリジニウム−カチオンは、好ましくは、一般式（ＩＸ）
【化７】
2011503023.tif 000008
を有し、
式中、
基Ｒ26〜Ｒ30は互いに独立して、水素、ハロゲン、官能基を表すか又は炭素原子１〜２０個を有する、飽和又は不飽和の、非環式又は環式の、脂肪族、芳香族又は芳香脂肪族の、非置換又は１〜５個のヘテロ原子又は官能基により中断されたか又は置換された含炭素有機基を表すか；又は
隣接した２つの基Ｒ26はＲ27と一緒になって；又はＲ27はＲ28と一緒になって；又はＲ28はＲ29と一緒になって；又はＲ29はＲ30と一緒になって、炭素原子１〜３０個を有する、飽和又は不飽和の、非環式又は環式の、脂肪族、芳香族又は芳香脂肪族の、非置換又は１〜５個のヘテロ原子又は官能基により中断されたか又は置換された二結合性の含炭素有機基を表し、かつ残りの基は、前記で定義された通りであり；
かつ基Ｒ25は、炭素原子１〜２０個を有する、飽和又は不飽和の、非環式又は環式の、脂肪族、芳香族又は芳香脂肪族の、非置換又は１〜５個のヘテロ原子又は官能基により中断されたか又は置換された含炭素有機基を表す。
【００２２】
式Ｉの塩のアニオンＡについて
本発明による方法の場合に、カルボキシラート−アニオン（式ＩＩ参照）は、他のアニオンにより交換される。式Ｉ中のＡが、カルボキシラートである場合には、式ＩＩ中のもの以外のカルボキシラートである。
【００２３】
アニオンＡは、一価、二価又は三価であることができる。好ましくは、Ａは一価である（ｙ＝１）。相応して、ｘ＝１及びｎ＝１でもある。
【００２４】
特に、前記アニオンは、
フッ化物；ヘキサフルオロホスファート；ヘキサフルオロアルセナート；ヘキサフルオロアンチモナート；トリフルオロアルセナート；ニトリット；ニトラート；スルファート；ハイドロジェンスルファート；カルボナート；ハイドロジェンカルボナート；ホスファート；ハイドロジェンホスファート、ジハイドロジェンホスファート、ビニルホスホナート、ジシアナミド、ビス（ペンタフルオロエチル）ホスフィナート、トリス（ペンタフルオロエチル）トリフルオロホスファート、トリス（ヘプタフルオロプロピル）トリフルオロホスファート、ビス［オキサラト（２−）］ボラート、ビス［サリチラト（２−）］ボラート、ビス［１，２−ベンゼンジオラト（２−）−Ｏ，Ｏ′］ボラート、テトラシアノボラート、テトラカルボニルコバルタート；
四置換ボラート、特に一般式（Ｖａ）［ＢＲaＲbＲcＲd］-（式中、Ｒa〜Ｒdは互いに独立して、フッ素を表すか又は炭素原子１〜３０個を有する、飽和又は不飽和の、非環式又は環式の、脂肪族、芳香族又は芳香脂肪族の含炭素有機基を表し、前記基は１つ又はそれ以上のヘテロ原子を有していてよく、及び／又は１つ又はそれ以上の官能基又はハロゲンにより置換されていてよい）の四置換ボラート；
有機スルホナート、特に一般式（Ｖｂ）［Ｒe−ＳＯ3］-（式中、Ｒeは、炭素原子１〜３０個を有する、飽和又は不飽和の、非環式又は環式の、脂肪族、芳香族又は芳香脂肪族の含炭素有機基を表し、前記基は、１つ又はそれ以上のヘテロ原子を有していてよく、及び／又は１つ又はそれ以上の官能基又はハロゲンにより置換されていてよい）の有機スルホナート；
カルボキシラート、特に一般式（Ｖｃ）［Ｒf−ＣＯＯ］-（式中、Ｒfは、水素を表すか又は炭素原子１〜３０個を有する、飽和又は不飽和の、非環式又は環式の、脂肪族、芳香族又は芳香脂肪族の含炭素有機基を表し、前記基は、１つ又はそれ以上のヘテロ原子を有していてよく、及び／又は１つ又はそれ以上の官能基（これらは別のカルボキシラート基であってもよい）又はハロゲンにより置換されていてよい）のカルボキシラート；
（フルオロアルキル）フルオロホスファート、特に一般式（Ｖｄ）［ＰＦx（ＣyＦ2y+1-zＨz）6-x］-（式中、１≦ｘ≦６、１≦ｙ≦８及び０≦ｚ≦２ｙ＋１）の（フルオロアルキル）フルオロホスファート；
イミド、特に一般式（Ｖｅ）［Ｒg−ＳＯ2−Ｎ−ＳＯ2−Ｒh］-、（Ｖｆ）［Ｒi−ＳＯ2−Ｎ−ＣＯ−Ｒj］-又は（ＩＶｇ）［Ｒk−ＣＯ−Ｎ−ＣＯ−Ｒl］-（式中、Ｒg〜Ｒlは互いに独立して、水素を表すか又は炭素原子１〜３０個を有する、飽和又は不飽和の、非環式又は環式の、脂肪族、芳香族又は芳香脂肪族の含炭素有機基を表し、前記基は１つ又はそれ以上のヘテロ原子を有していてよく、及び／又は１つ又はそれ以上の官能基又はハロゲンにより置換されていてよい）のイミド；
メチド、特に一般式（Ｖｈ）
【化８】
2011503023.tif 000009
（式中、Ｒm〜Ｒoは互いに独立して、水素を表すか又は炭素原子１〜３０個を有する、飽和又は不飽和の、非環式又は環式の、脂肪族、芳香族又は芳香脂肪族の含炭素有機基を表し、前記基は１つ又はそれ以上のヘテロ原子を有していてよく、及び／又は１つ又はそれ以上の官能基又はハロゲンにより置換されていてよい）のメチド；
有機スルファート、特に一般式（Ｖｉ）［ＲpＯ−ＳＯ3］-（式中、Ｒpは、炭素原子１〜３０個を有する、飽和又は不飽和の、非環式又は環式の、脂肪族、芳香族又は芳香脂肪族の含炭素有機基を表し、前記基は、１つ又はそれ以上のヘテロ原子を有していてよく、及び／又は１つ又はそれ以上の官能基又はハロゲンにより置換されていてよい）の有機スルファート、又は
ハロメタラート、特に一般式（Ｖｊ）［ＭqHalr］s-（式中、Ｍは、金属を表し、かつHalは、フッ素、塩素、臭素又はヨウ素を表し、ｑ及びｒは、正の整数でありかつ前記錯体の化学量論を示し、かつｓは、正の整数でありかつ前記錯体の電荷を示す）のハロメタラート
である。
【００２５】
前記の式中のヘテロ原子として、形式的に１個の−ＣＨ2−、１個の−ＣＨ＝、１個のＣ≡又は１個の＝Ｃ＝基を置き換えることができる原則的に全てのヘテロ原子が考慮に値する。前記含炭素基がヘテロ原子を含有する場合には、酸素、窒素、硫黄、リン及びケイ素が好ましい。好ましい基として特に−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ2−、−ＮＲ−、−Ｎ＝、−ＰＲ−、−ＰＲ2及び−ＳｉＲ2−を挙げることができ、その際に基Ｒは、前記含炭素基の残りの部分である。
【００２６】
前記の式中の官能基として、１個の炭素原子又は１個のヘテロ原子に結合されていることができる原則的に全ての官能基が考慮に値する。適した例として、−ＯＨ（ヒドロキシ）、＝Ｏ（特にカルボニル基として）、−ＮＨ2（アミノ）、＝ＮＨ（イミノ）、−ＣＯＯＨ（カルボキシ）、−ＣＯＮＨ2（カルボキサミド）及び−ＣＮ（シアノ）を挙げることができる。官能基及びヘテロ原子は、直接隣接していてもよいので、隣接した複数の原子の組合せ、例えば−Ｏ−（エーテル）、−Ｓ−（チオエーテル）、−ＣＯＯ−（エステル）、−ＣＯＮＨ−（第二級アミド）又は−ＣＯＮＲ−（第三級アミド）も共に含まれている。
【００２７】
ハロゲンとして、フッ素、塩素、臭素及びヨウ素を挙げることができる。
【００２８】
炭素原子１〜３０個を有する、飽和又は不飽和の、非環式又は環式の、脂肪族、芳香族又は芳香脂肪族の含炭素有機基として、四置換ボラート（Ｖａ）の場合の基Ｒa〜Ｒd、有機スルホナート（Ｖｂ）の場合の基Ｒe、カルボキシラート（Ｖｃ）の場合の基Ｒf、イミド（Ｖｅ）、（Ｖｆ）及び（Ｖｇ）の場合の基Ｒg〜Ｒl、メチド（Ｖｈ）の場合の基Ｒm〜Ｒo及び有機スルファート（Ｖｉ）の場合の基Ｒpは、互いに独立して、好ましくは、
・Ｃ1〜Ｃ30−アルキル及びそのアリール−、ヘテロアリール−、シクロアルキル−、ハロゲン−、ヒドロキシ−、アミノ−、カルボキシ−、ホルミル−、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｏ−又は−ＣＯ−Ｎ＜置換成分、例えばメチル、エチル、１−プロピル、２−プロピル、１−ブチル、２−ブチル、２−メチル−１−プロピル（イソブチル）、２−メチル−２−プロピル（ｔ−ブチル）、１−ペンチル、２−ペンチル、３−ペンチル、２−メチル−１−ブチル、３−メチル−１−ブチル、２−メチル−２−ブチル、３−メチル−２−ブチル、２，２−ジメチル−１−プロピル、１−ヘキシル、２−ヘキシル、３−ヘキシル、２−メチル−１−ペンチル、３−メチル−１−ペンチル、４−メチル−１−ペンチル、２−メチル−２−ペンチル、３−メチル−２−ペンチル、４−メチル−２−ペンチル、２−メチル−３−ペンチル、３−メチル−３−ペンチル、２，２−ジメチル−１−ブチル、２，３−ジメチル−１−ブチル、３，３−ジメチル−１−ブチル、２−エチル−１−ブチル、２，３−ジメチル−２−ブチル、３，３−ジメチル−２−ブチル、ヘプチル、オクチル、ノニル、デシル、ウンデシル、ドデシル、トリデシル、テトラデシル、ペンタデシル、ヘキサデシル、ヘプタデシル、オクタデシル、ノナデシル、イコシル、ヘンイコシル、ドコシル、トリコシル、テトラコシル、ペンタコシル、ヘキサコシル、ヘプタコシル、オクタコシル、ノナコシル、トリアコンチル、フェニルメチル（ベンジル）、ジフェニルメチル、トリフェニルメチル、２−フェニルエチル、３−フェニルプロピル、シクロペンチルメチル、２−シクロペンチルエチル、３−シクロペンチルプロピル、シクロヘキシルメチル、２−シクロヘキシルエチル、３−シクロヘキシルプロピル、メトキシ、エトキシ、ホルミル、アセチル又はＣnＦ2(n-a)+(1-b)Ｈ2a+b、ここでｎ≦３０、０≦ａ≦ｎ及びｂ=０又は１（例えばＣＦ3、Ｃ2Ｆ5、ＣＨ2ＣＨ2−Ｃ(n-2)Ｆ2(n-2)+1、Ｃ6Ｆ13、Ｃ8Ｆ17、Ｃ10Ｆ21、Ｃ12Ｆ25）；
・Ｃ3〜Ｃ12−シクロアルキル及びそのアリール−、ヘテロアリール−、シクロアルキル−、ハロゲン−、ヒドロキシ−、アミノ−、カルボキシ−、ホルミル−、−Ｏ−、−ＣＯ−又は−ＣＯ−Ｏ−置換成分、例えばシクロペンチル、２−メチル−１−シクロペンチル、３−メチル−１−シクロペンチル、シクロヘキシル、２−メチル−１−シクロヘキシル、３−メチル−１−シクロヘキシル、４−メチル−１−シクロヘキシル又はＣnＦ2(n-a)-(1-b)Ｈ2a-b、ここでｎ≦３０、０≦ａ≦ｎ及びｂ=０又は１；
・Ｃ2〜Ｃ30−アルケニル及びそのアリール−、ヘテロアリール−、シクロアルキル−、ハロゲン−、ヒドロキシ−、アミノ−、カルボキシ−、ホルミル−、−Ｏ−、−ＣＯ−又は−ＣＯ−Ｏ−置換成分、例えば２−プロペニル、３−ブテニル、シス−２−ブテニル、トランス−２−ブテニル又はＣnＦ2(n-a)-(1-b)Ｈ2a-b、ここでｎ≦３０、０≦ａ≦ｎ及びｂ＝０又は１；
・Ｃ3〜Ｃ12−シクロアルケニル及びそのアリール−、ヘテロアリール−、シクロアルキル−、ハロゲン−、ヒドロキシ−、アミノ−、カルボキシ−、ホルミル−、−Ｏ−、−ＣＯ−又は−ＣＯ−Ｏ−置換成分、例えば３−シクロペンテニル、２−シクロヘキセニル、３−シクロヘキセニル、２，５−シクロヘキサジエニル又はＣnＦ2(n-a)-3(1-b)Ｈ2a-3b、ここでｎ≦３０、０≦ａ≦ｎ及びｂ＝０又は１；及び
・炭素原子２〜３０個を有するアリール又はヘテロアリール及びそのアルキル−、アリール−、ヘテロアリール−、シクロアルキル−、ハロゲン−、ヒドロキシ−、アミノ−、カルボキシ−、ホルミル−、−Ｏ−、−ＣＯ−又は−ＣＯ−Ｏ−置換成分、例えばフェニル、２−メチル−フェニル（２−トリル）、３−メチル−フェニル（３−トリル）、４−メチル−フェニル、２−エチル−フェニル、３−エチル−フェニル、４−エチル−フェニル、２，３−ジメチル−フェニル、２，４−ジメチル−フェニル、２，５−ジメチル−フェニル、２，６−ジメチル−フェニル、３，４−ジメチル−フェニル、３，５−ジメチル−フェニル、４−フェニル−フェニル、１−ナフチル、２−ナフチル、１−ピロリル、２−ピロリル、３−ピロリル、２−ピリジニル、３−ピリジニル、４−ピリジニル又はＣ6Ｆ(5-a)Ｈa、ここで０≦ａ≦５
を表す。
【００２９】
アニオンが、四置換ボラート（Ｖａ）［ＢＲaＲbＲcＲd］-である場合には、この場合に好ましくは４つ全ての基Ｒa〜Ｒdは同一であり、ここで、これらは好ましくは、フッ素、トリフルオロメチル、ペンタフルオロエチル、フェニル、３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル又はシアニド（ＣＮ）を表す。特に好ましい四置換ボラート（Ｖａ）は、テトラフルオロボラート、テトラフェニルボラート及びテトラ［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボラートである。
【００３０】
アニオンが、有機スルホナート（Ｖｂ）［Ｒe−ＳＯ3］-である場合には、基Ｒeは好ましくは、メチル、トリフルオロメチル、ペンタフルオロエチル、ｐ−トリル又はＣ9Ｆ19を表す。特に好ましい有機スルホナート（Ｖｂ）は、トリフルオロメタンスルホナート（トリフラート）、メタンスルホナート、ｐ−トリルスルホナート、ノナデカフルオロノナンスルホナート（ノナフラート）、ジメチレングリコールモノメチル−エーテルスルファート及びオクチルスルファートである。
【００３１】
アニオンが、カルボキシラート（Ｖｃ）［Ｒf−ＣＯＯ］-である場合には、基Ｒfは好ましくは、水素、トリフルオロメチル、ペンタフルオロエチル、フェニル、ヒドロキシ−フェニル−メチル、トリクロロメチル、ジクロロメチル、クロロメチル、トリフルオロメチル、ジフルオロメチル、フルオロメチル、エテニル（ビニル）、２−プロペニル、-ＯＯＣ−（ＣＨ2）n、ここでｎは０、１又は２に等しい、Ｒ''−ＯＯＣ−（ＣＨ2）n、ここでＲ''はＨ又はＣ1〜Ｃ8 アルキルに等しい；ＣＨ＝ＣＨ−ＣＯＯ-、ＣＨ＝ＣＨ−ＣＯＯ−Ｒ''、ここでＲ''はＨ又はＣ1〜Ｃ8 アルキルに等しい、シス−８−ヘプタデセニル、ＣＨ2−Ｃ（ＯＨ）（ＣＯＯＨ）−ＣＨ2−ＣＯＯ-又は非分枝鎖状又は分枝鎖状のＣ1〜Ｃ18−アルキル、例えばメチル、エチル、１−プロピル、２−プロピル、１−ブチル、２−ブチル、２−メチル−１−プロピル（イソブチル）、２−メチル−２−プロピル（ｔ−ブチル）、１−ペンチル、２−ペンチル、３−ペンチル、２−メチル−１−ブチル、３−メチル−１−ブチル、２−メチル−２−ブチル、３−メチル−２−ブチル、２，２−ジメチル−１−プロピル、１−ヘキシル、２−ヘキシル、３−ヘキシル、２−メチル−１−ペンチル、３−メチル−１−ペンチル、４−メチル−１−ペンチル、２−メチル−２−ペンチル、３−メチル−２−ペンチル、４−メチル−２−ペンチル、２−メチル−３−ペンチル、３−メチル−３−ペンチル、２，２−ジメチル−１−ブチル、２，３−ジメチル−１−ブチル、３，３−ジメチル−１−ブチル、２−エチル−１−ブチル、２，３−ジメチル−２−ブチル、３，３−ジメチル−２−ブチル、ヘプチル、オクチル、ノニル、デシル、ウンデシル、ドデシル、ヘプタデシルを表す。特に好ましいカルボキシラート（Ｖｃ）は、ホルマート、アセタート、プロピオナート、ブチラート、バレリアート、ベンゾアート、マンデラート、トリクロロアセタート、ジクロロアセタート、クロロアセタート、トリフルオロアセタート、ジフルオロアセタート、フルオロアセタートである。
【００３２】
アニオンが、（フルオロアルキル）フルオロホスファート（Ｖｄ）［ＰＦx（ＣyＦ2y+1-zＨz)6-x］-である場合には、ｚは好ましくは０である。（フルオロアルキル）フルオロホスファート（Ｖｄ）が特に好ましく、ここで、ｚ＝０、ｘ＝３及び１≦ｙ≦４、具体的には［ＰＦ3（ＣＦ3）3］-、［ＰＦ3（Ｃ2Ｆ5）3］-、［ＰＦ3（Ｃ3Ｆ7）3］-及び［ＰＦ3（Ｃ4Ｆ7）3］-である。
【００３３】
アニオンが、イミド（Ｖｅ）［Ｒg−ＳＯ2−Ｎ−ＳＯ2−Ｒh］-、（Ｖｆ）［Ｒｉ−ＳＯ2−Ｎ−ＣＯ−Ｒj］-又は（Ｖｇ）［Ｒk−ＣＯ−Ｎ−ＣＯ−Ｒl］-である場合には、基Ｒg〜Ｒlは互いに独立して、好ましくは、トリフルオロメチル、ペンタフルオロエチル、フェニル、トリクロロメチル、ジクロロメチル、クロロメチル、トリフルオロメチル、ジフルオロメチル、フルオロメチル又は非分枝鎖状もしくは分枝鎖状のＣ1〜Ｃ12−アルキル、例えばメチル、エチル、１−プロピル、２−プロピル、１−ブチル、２−ブチル、２−メチル−１−プロピル（イソブチル）、２−メチル−２−プロピル（ｔ−ブチル）、１−ペンチル、２−ペンチル、３−ペンチル、２−メチル−１−ブチル、３−メチル−１−ブチル、２−メチル−２−ブチル、３−メチル−２−ブチル、２，２−ジメチル−１−プロピル、１−ヘキシル、２−ヘキシル、３−ヘキシル、２−メチル−１−ペンチル、３−メチル−１−ペンチル、４−メチル−１−ペンチル、２−メチル−２−ペンチル、３−メチル−２−ペンチル、４−メチル−２−ペンチル、２−メチル−３−ペンチル、３−メチル−３−ペンチル、２，２−ジメチル−１−ブチル、２，３−ジメチル−１−ブチル、３，３−ジメチル−１−ブチル、２−エチル−１−ブチル、２，３−ジメチル−２−ブチル、３，３−ジメチル−２−ブチル、ヘプチル、オクチル、ノニル、デシル、ウンデシル又はドデシルを表す。特に好ましいイミド（Ｖｅ）、（Ｖｆ）及び（Ｖｇ）は、［Ｆ3Ｃ−ＳＯ2−Ｎ−ＳＯ2−ＣＦ3］-（ビス（トリフルオロメチルスルホニル）イミド）、［Ｆ5Ｃ2−ＳＯ2−Ｎ−ＳＯ2−Ｃ2Ｆ5］-（ビス（ペンタフルオロエチルスルホニル）イミド）、［Ｆ3Ｃ−ＳＯ2−Ｎ−ＣＯ−ＣＦ3］-、［Ｆ3Ｃ−ＣＯ−Ｎ−ＣＯ−ＣＦ3］-及び基Ｒg〜Ｒlが互いに独立してメチル、エチル、プロピル、ブチル、フェニル、トリクロロメチル、ジクロロメチル、クロロメチル、トリフルオロメチル、ジフルオロメチル又はフルオロメチルを表すものを表す。
【００３４】
アニオンが、メチド（Ｖｈ）
【化９】
2011503023.tif 000010
である場合には、基Ｒm〜Ｒoは互いに独立して、好ましくは、トリフルオロメチル、ペンタフルオロエチル、フェニル、トリクロロメチル、ジクロロメチル、クロロメチル、トリフルオロメチル、ジフルオロメチル、フルオロメチル又は非分枝鎖状又は分枝鎖状のＣ1〜Ｃ12−アルキル、例えばメチル、エチル、１−プロピル、２−プロピル、１−ブチル、２−ブチル、２−メチル−１−プロピル（イソブチル）、２−メチル−２−プロピル（ｔ−ブチル）、１−ペンチル、２−ペンチル、３−ペンチル、２−メチル−１−ブチル、３−メチル−１−ブチル、２−メチル−２−ブチル、３−メチル−２−ブチル、２，２−ジメチル−１−プロピル、１−ヘキシル、２−ヘキシル、３−ヘキシル、２−メチル−１−ペンチル、３−メチル−１−ペンチル、４−メチル−１−ペンチル、２−メチル−２−ペンチル、３−メチル−２−ペンチル、４−メチル−２−ペンチル、２−メチル−３−ペンチル、３−メチル−３−ペンチル、２，２−ジメチル−１−ブチル、２，３−ジメチル−１−ブチル、３，３−ジメチル−１−ブチル、２−エチル−１−ブチル、２，３−ジメチル−２−ブチル、３，３−ジメチル−２−ブチル、ヘプチル、オクチル、ノニル、デシル、ウンデシル又はドデシルを表す。特に好ましいメチド（Ｖｈ）は、［（Ｆ3Ｃ−ＳＯ2）3Ｃ］-（トリス（トリフルオロメチルスルホニル）メチド）、［（Ｆ5Ｃ2−ＳＯ2）3Ｃ］-（ビス（ペンタフルオロエチルスルホニル）メチド）であり、かつ基Ｒm〜Ｒoが互いに独立してメチル、エチル、プロピル、ブチル、フェニル、トリクロロメチル、ジクロロメチル、クロロメチル、トリフルオロメチル、ジフルオロメチル又はフルオロメチルを表すものを表す。
【００３５】
アニオンが、有機スルファート（Ｖｉ）［ＲpＯ−ＳＯ3］-である場合には、基Ｒpは好ましくは、分枝鎖状又は非分枝鎖状のＣ1〜Ｃ30−アルキル基を表す。特に好ましい有機スルファート（Ｖｉ）は、メチルスルファート、エチルスルファート、プロピルスルファート、ブチルスルファート、ペンチルスルファート、ヘキシルスルファート、ヘプチルスルファート又はオクチルスルファートである。
【００３６】
アニオンが、ハロメタラート（Ｖｊ）［ＭqHalr］s-である場合には、Ｍは、好ましくは、アルミニウム、亜鉛、鉄、コバルト、アンチモン又はスズを表す。Halは、好ましくは塩素又は臭素及び極めて特に好ましくは塩素を表す。ｑは、好ましくは１、２又は３であり、かつｒ及びｓは、前記金属イオンの化学量論及び電荷に相応して明らかになる。
【００３７】
特に好ましくは、式Ｉ中のアニオンは、テトラフルオロボラート、ヘキサフルオロホスファート、トリフルオロメタンスルホナート、メタンスルホナート、ホルマート、アセタート、マロナート、スクシナート、フタル酸又はトリメリト酸のアニオン、マンデラート、ニトラート、ニトリット、トリフルオロアセタート、スルファート、ハイドロジェンスルファート、メチルスルファート、エチルスルファート、プロピルスルファート、ブチルスルファート、ペンチルスルファート、ヘキシルスルファート、ヘプチルスルファート、オクチルスルファート、ホスファート、ジハイドロジェンホスファート、ハイドロジェンホスファート、プロピオナート、テトラクロロアルミナート、Ａｌ2Ｃｌ7-、クロロジンカート、クロロフェラート、ビス（トリフルオロメチルスルホニル）イミド、ビス（ペンタフルオロエチルスルホニル）イミド、トリス（トリフルオロメチルスルホニル）メチド、ビス（ペンタフルオロエチルスルホニル）メチド、ｐ−トリルスルホナート、ビス［サリチラト（２−）］ボラート、テトラカルボニルコバルタート、ジメチレングリコールモノメチルエーテルスルファート、オクチルスルファート、オレアート、ステアラート、アクリラート、メタクリラート、マレアート、ハイドロジェンシトラート、ビニルホスホナート、ビス（ペンタフルオロエチル）ホスフィナート、ビス［オキサラト（２−）］ボラート、ビス［１，２−ベンゼンジオラト（２−）−Ｏ，Ｏ′］ボラート、ジシアナミド、トリス（ペンタフルオロエチル）トリフルオロホスファート、トリス（ヘプタフルオロプロピル）トリフルオロホスファート、テトラシアノボラート又はクロロコバルタートである。
【００３８】
式Ｉ中の極めて特に好ましいアニオンＡは、ハロゲン化物、特に塩化物、アルキルスルホナート、特にＣ1〜Ｃ4 アルキルスルホナート、特に好ましくはメチルスルホナート、完全にか又は部分的にフッ素化されたカルボキシラート、特にトリフルオロアセタート、及びチオシアナート（ロダン化物）である。
【００３９】
式Ｉの塩についての一般
式Ｉの塩は好ましくは、イオン性液体、すなわち常圧（１bar）で２００℃未満、特に１００℃未満、好ましくは７５℃未満の融点を有する塩である。極めて特に好ましくは、室温（２１℃）及び常圧（１bar）で液体の塩である。
【００４０】
式Ｉの塩は、特に、１０００g/mol未満、特に７５０g/mol未満及び特に好ましくは５００g/mol未満のモル質量を有する。
【００４１】
特に好ましい塩は、式
【化１０】
2011503023.tif 000011
［式中、
Ｒ1及びＲ3は互いに独立して、炭素原子１〜２０個を有する有機基を表し、
Ｒ2、Ｒ4及びＲ5は互いに独立して、水素原子を表すか又は炭素原子１〜２０個を有する有機基を表し、
Ａ、ｎ、ｘ及びｙは、前記の意味を有し、かつ
ｎ、ｘ及びｙは、好ましくはそれぞれ１を表す］で示されるイミダゾリウム塩である。
【００４２】
Ｒ1及びＲ3は好ましくは、互いに独立して、炭素原子１〜１０個を有する有機基を表す。特に好ましくは、別のヘテロ原子を有しない炭化水素基、例えば飽和又は不飽和の脂肪族基、芳香族基であるか又は芳香族成分だけでなく脂肪族成分も有する炭化水素基である。極めて特に好ましくは、Ｃ1〜Ｃ10 アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10 アルケニル基、例えばアリル基、フェニル基、ベンジル基である。特に、Ｃ1〜Ｃ4 アルキル基、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基又はｎ−ブチル基である。
【００４３】
Ｒ2、Ｒ4及びＲ5は好ましくは、互いに独立して、水素原子を表すか又は炭素原子１〜１０個を有する有機基を表す。特に好ましくは、Ｒ2、Ｒ4及びＲ5は、水素原子であるか、又は別のヘテロ原子を有しない炭化水素基、例えば、脂肪族基、芳香族基であるか又は芳香族成分だけでなく脂肪族成分も有する炭化水素基である。極めて特に好ましくは、水素原子又はＣ1〜Ｃ10 アルキル基、フェニル基又はベンジル基である。特に、水素原子又はＣ1〜Ｃ4 アルキル基、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基又はｎ−ブチル基である。
【００４４】
Ａは、前記の意味を有し、かつ特に、ハロゲン化物、特に塩化物、アルキルスルホナート、特にＣ1〜Ｃ4 アルキルスルホナート、特に好ましくはメチルスルホナート、完全にか又は部分的にフッ素化されたカルボキシラート、特にトリフルオロアセタート、及びチオシアナート（ロダン化物）を表す。
【００４５】
式ＩＩ中のアニオンＣについて
式ＩＩ中のアニオンＣは、アニオンＡとは異なるカルボキシラート−アニオンである。
【００４６】
好ましくは、カルボキシラートＣは、式
Ｒ′−ＣＯＯ-
［式中、
Ｒ′は、
・水素；
・Ｃ1〜Ｃ7−アルキル；
・-ＯＯＣ−（ＣＨ2）n−、ここでｎは０、１又は２に等しい；
・Ｒ"ＯＯＣ−（ＣＨ2）n−、ここでｎは０、１又は２に等しい；
・-ＯＯＣ−ＣＨ＝ＣＨ−；
・Ｒ"ＯＯＣ−ＣＨ＝ＣＨ−；
・エテニル；
・２−プロペニル；
・非置換又はＣ1〜Ｃ6−アルキル、ヒドロキシ、カルボキシラート（−ＣＯＯ-）、カルボキシ（−ＣＯＯＨ）及びＣ1〜Ｃ6−アルキルオキシカルボニル（−ＣＯＯＲ#、ここでＲ#はＣ1〜Ｃ6−アルキルに等しい）の中からの互いに独立して選択される１〜５個の基により置換されたフェニル基
であり、かつ
Ｒ"は、水素又はＣ1〜Ｃ6−アルキル；
を表す］で示されるカルボキシラートである。
【００４７】
Ｃ1〜Ｃ7−アルキル基は、例えば、メチル、エチル、１−プロピル、２−プロピル、１−ブチル、２−ブチル、２−メチル−１−プロピル（イソブチル）、２−メチル−２−プロピル（ｔ−ブチル）、１−ペンチル、２−ペンチル、３−ペンチル、２−メチル−１−ブチル、３−メチル−１−ブチル、２−メチル−２−ブチル、３−メチル−２−ブチル、２，２−ジメチル−１−プロピル、１−ヘキシル、２−ヘキシル、３−ヘキシル、２−メチル−１−ペンチル、３−メチル−１−ペンチル、４−メチル−１−ペンチル、２−メチル−２−ペンチル、３−メチル−２−ペンチル、４−メチル−２−ペンチル、２−メチル−３−ペンチル、３−メチル−３−ペンチル、２，２−ジメチル−１−ブチル、２，３−ジメチル−１−ブチル、３，３−ジメチル−１−ブチル、２−エチル−１−ブチル、２，３−ジメチル−２−ブチル、３，３−ジメチル−２−ブチル、１−ヘプチル又は３−ヘプチルである。
【００４８】
非置換又はＣ1〜Ｃ6−アルキル、ヒドロキシ、カルボキシラート（−ＣＯＯ-）、カルボキシ（−ＣＯＯＨ）及びＣ1〜Ｃ6−アルキルオキシカルボニル（−ＣＯＯＲ2、ここでＲ2はＣ1〜Ｃ6−アルキルに等しい）の中から互いに独立して選択される１〜５個の基により置換されたフェニル基は、例えば、フェニル、２−メチルフェニル、３−メチルフェニル、４−メチルフェニル、２−ヒドロキシフェニル、３−ヒドロキシフェニル、４−ヒドロキシフェニル、
【化１１】
2011503023.tif 000012
であり、ここでＲ1はＣ1〜Ｃ6−アルキルを表す。
【００４９】
本発明による方法の場合に使用されることができる、相応するヘテロ環式第四級アンモニウム−カチオン及び／又はグアニジニウム−カチオンのカルボキシラートは、好ましくは、カルボキシラート−アニオンとして、ホルマート、アセタート、プロピオナート、ブチラート、ペンタノアート（バレリアート）、ヘキサノアート、ヘプタノアート、オクタノアート、２−エチルヘキサノアート、メチルオキサラート、エチルオキサラート、１−プロピルオキサラート、１−ブチルオキサラート、１−ペンチルオキサラート、１−ヘキシルオキサラート、１−ヘプチルオキサラート、１−オクチルオキサラート、１−（２−エチル）ヘキシルオキサラート、メチルマロナート、エチルマロナート、１−プロピルマロナート、１−ブチルマロナート、１−ペンチルマロナート、１−ヘキシルマロナート、１−ヘプチルマロナート、１−オクチルマロナート、１−（２−エチル）ヘキシルマロナート、メチルスクシナート、エチルスクシナート、１−プロピルスクシナート、１−ブチルスクシナート、１−ペンチルスクシナート、１−ヘキシルスクシナート、１−ヘプチルスクシナート、１−オクチルスクシナート、１−（２−エチル）ヘキシルスクシナート、メチルマレアート、エチルマレアート、１−プロピルマレアート、１−ブチルマレアート、１−ペンチルマレアート、１−ヘキシルマレアート、１−ヘプチルマレアート、１−オクチルマレアート、１−（２−エチル）ヘキシルマレアート、メチルフマラート、エチルフマラート、１−プロピルフマラート、１−ブチルフマラート、１−ペンチルフマラート、１−ヘキシルフマラート、１−ヘプチルフマラート、１−オクチルフマラート、１−（２−エチル）ヘキシルフマラート、アクリラート、メタクリラート、ベンゾアート、２−メチルベンゾアート、３−メチルベンゾアート、４−メチルベンゾアート、２−ヒドロキシベンゾアート（サリチラート）、３−ヒドロキシベンゾアート、４−ヒドロキシベンゾアート、ｏ−ハイドロジェンフタラート、ｍ−ハイドロジェンフタラート、ｐ−ハイドロジェンフタラート、ｏ−フタラート、ｍ−フタラート、ｐ−フタラート、ｏ−メチルフタラート、ｏ−エチルフタラート、ｏ−（１−プロピル）フタラート、ｏ−（１−ブチル）フタラート、ｏ−（１−ペンチル）フタラート、ｏ−（１−ヘキシル）フタラート、ｏ−（１−ヘプチル）フタラート、ｏ−（１−オクチル）フタラート、ｏ−（１−（２−エチル）ヘキシル）フタラート、ｍ−メチルフタラート、ｍ−エチルフタラート、ｍ−（１−プロピル）フタラート、ｍ−（１−ブチル）フタラート、ｍ−（１−ペンチル）フタラート、ｍ−（１−ヘキシル）フタラート、ｍ−（１−ヘプチル）フタラート、ｍ−（１−オクチル）フタラート、ｍ−（１−（２−エチル）ヘキシル）フタラート、ｐ−メチルフタラート、ｐ−エチルフタラート、ｐ−（１−プロピル）フタラート、ｐ−（１−ブチル）フタラート、ｐ−（１−ペンチル）フタラート、ｐ−（１−ヘキシル）フタラート、ｐ−（１−ヘプチル）フタラート、ｐ−（１−オクチル）フタラート、ｐ−（１−（２−エチル）ヘキシル）フタラートを含有する。
【００５０】
特に好ましくは、カルボキシラートＣは、
Ｒ′が、
水素；
メチル；
エチル；
【化１２】
2011503023.tif 000013
［式中、Ｒ"は、Ｃ1〜Ｃ4−アルキルである］であるものである。
【００５１】
極めて特に好ましくは、カルボキシラートＣは、ホルマート、アセタート又はプロピオナート、特にアセタートである。
【００５２】
方法について
イオン性液体には、多様な製造方法が存在する。
【００５３】
イオン性液体、特にイミダゾリウム塩は、α−ジカルボニル化合物、アミノ化合物、カルボニル化合物、アンモニア及びカルボナート化合物から選択される出発化合物の一段階又は多段階の反応により得られることができる。
【００５４】
製造方法として、例えば国際公開(WO)第2005/021484号及びに記載されているカルボナート法が知られている。
【００５５】
カルボナート法の場合に、イミダゾリウム塩は、第一段階におけるα−ジカルボニル化合物、カルボニル化合物（一般的にホルムアルデヒド）、アミノ化合物及びアンモニアの反応及び引き続き第二段階における反応生成物とカルボナート（一般的にジメチルカルボナート）との反応により、得られる。
【００５６】
イミダゾリウム塩の別の製造方法は、Arduengo他（国際公開(WO)第91/14678号、Arduengo法）により記載されている。この一段階の方法の場合に、前記製造は、酸の存在でのα−ジカルボニル化合物、カルボニル化合物（一般的にホルムアルデヒド）及びアミノ化合物の反応により行われる。
【００５７】
前記の方法の場合に、カルボキシラートが得られる。他のアニオン（またカルボキシラート）を有するイオン性液体もしくはイミダゾリウム塩が望ましい場合には、引き続き、アニオン交換が行われる。
【００５８】
アニオン交換は、国際公開(WO)第2006/27070号によれば、所望のアニオンＡのプロトン酸との反応により行われる。
【００５９】
本発明によれば、アニオンＡのアンモニウム塩又はアニオンＡのプロトン酸との交換は、アンモニアの存在で行われる。
【００６０】
アンモニアは例えば、予め既に、プロトン酸に又は交換されるべきアニオンＡを有する化合物に添加されることができるか、又はプロトン酸及び交換されるべきアニオンＣを有する化合物の混合物に添加されることができる。
【００６１】
アンモニウム塩との反応又はアンモニウム塩の存在でのプロトン酸との反応は、常圧で、好ましくは０℃〜１００℃、特に１０〜６０℃で行われる。
【００６２】
反応中に又は反応後に、生じたアニオンＣのアンモニウム塩（アンモニウムカルボキシラート）もしくはアンモニア及び前記カルボキシラートの相応するプロトン酸は、反応混合物から、例えば蒸留により、除去されることができる。
【００６３】
通常の、かつ当業者に知られた蒸留方法が適している。液体体積に比較して大きな表面積の蒸発器が有利である。故に、特に、薄膜型蒸発缶、流下薄膜型蒸発器又は短行程蒸留(Kurzwegdestillationen)（分子蒸留）を用いる蒸留が適している。
【００６４】
表面温度は、好ましくは１１０〜３００℃、特に好ましくは１３０〜２８０℃及び極めて特に好ましくは１４０℃〜２６０℃である。
【００６５】
蒸発器表面と凝縮器表面との間の領域内の圧力は、好ましくは０．０００１〜１０mbar、好ましくは０．００１〜５mbar、特に好ましくは０．０５〜５mbarである。
【００６６】
本方法は、連続的に又は不連続に実施されることができる。
【００６７】
本発明による方法により、完全なアニオン交換が単純な方法で行われることができる。前記交換は、唯一の反応工程において既に達成でき、完全なアニオン交換を達成するための蒸留のより頻繁な繰り返しはもはや必要ではない。
【実施例】
【００６８】
比較例Ｖ１〜Ｖ３：
ＢＭＩＭ ＯＡｃ（１−ブチル−３−メチル−イミダゾリウム アセタート）１９８g（１mol）を、滴下漏斗及び還流冷却器を備え、不活性化された丸底フラスコ中に装入する。ゆっくりと撹拌しながら、添えた表に記載された量の酸を添加し、その際に温度を５０℃未満に保持する（添加の際に発熱反応が観察される；温度を、空冷下に相応してゆっくりと添加することによるか又は水で冷却することによるかのいずれかにより、保持する）。
【００６９】
室温へ冷却した後に、揮発性成分の大部分を、０．１mbar圧力で除去し、その際に内部温度は１２０℃まで上昇する。混合物からこれらの条件下で低沸成分がもはやガス発生しなくなったときに、冷却し、かつ窒素で換気する。残留物を、短行程蒸留の受け器へ移し、かつ以下に記載された蒸発器温度で１００ml/hの速度で供給する。短行程蒸留の際の圧力を０．０５mbarに調節する。生成物は缶出液(Sumpfablauf)として得られるので、短行程蒸留はここでは、低沸成分ストリッピングの極めて効率的な形として機能する。
【００７０】
凝縮された低沸成分は、水（水性試薬を添加した場合）及び酢酸からなる。
【００７１】
【表１】
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【００７２】
例Ｂ１〜Ｂ４（本発明による）：
ＢＭＩＭ ＯＡｃ  １９８g（１mol）を、滴下漏斗及び還流冷却器を備え、不活性化された丸底フラスコ中に装入する。ゆっくりと撹拌しながら、添えた表に記載されたアンモニウム塩を添加し、その際に温度を５０℃未満に保持する（添加の際に発熱反応が観察される；温度を、空冷下に相応してゆっくりと添加することによるか又は水で冷却することによるかのいずれかにより、保持する）。
【００７３】
室温へ冷却した後に、揮発性成分の大部分を、３mbar圧力で除去し、その際に内部温度は１３０℃まで上昇する。混合物からこれらの条件下で低沸成分がもはやガス発生しなくなったときに、冷却し、かつ窒素で換気する。残留物を、短行程蒸留の受け器へ移し、かつ以下に記載された蒸発器温度で１００ml/hの速度で供給する。短行程蒸留の際の圧力を０．０５mbarに調節する。生成物は缶出液として得られるので、短行程蒸留はここでは、低沸成分ストリッピングの極めて効率的な形として機能する。
【００７４】
【表２】
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【００７５】
例Ｂ５〜Ｂ７（本発明による）：
ＢＭＩＭ ＯＡｃ  １９８g（１mol）を、滴下漏斗及び還流冷却器を備え、不活性化された丸底フラスコ中に装入する。ゆっくりと撹拌しながら、添えた表に記載された量の酸、その後、記載された量のアンモニア溶液（水中２５質量％）を添加し、その際に温度をそれぞれ５０℃未満に保持する（添加の際に発熱反応が観察される；温度を、空冷下に相応してゆっくりと添加することによるか又は水で冷却することによるかのいずれかにより、保持する）。
【００７６】
室温へ冷却した後に、揮発性成分の大部分を、３mbar圧力で除去し、その際に内部温度は１３０℃まで上昇する。混合物からこれらの条件下で低沸成分がもはやガス発生しなくなったときに、冷却し、かつ窒素で換気する。残留物を、短行程蒸留の受け器へ移し、かつ以下に記載された蒸発器温度で１００ml/hの速度で供給する。短行程蒸留の際の圧力を０．０５mbarに調節する。生成物は缶出液として得られるので、短行程蒸留はここでは、低沸成分ストリッピングの極めて効率的な形として機能する。
【００７７】
【表３】
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【００７８】
例Ｂ８及びＢ９（本発明による）：
ＥＭＩＭ  ＯＡｃ（１−エチル−３−メチル−イミダゾリウム  アセタート）１７０g（１mol）を、滴下漏斗及び還流冷却器を備え、不活性化された丸底フラスコ中に装入する。ゆっくりと撹拌しながら、添えた表に記載されたアンモニウム塩を添加し、その際に温度を５０℃未満に保持する（添加の際に発熱反応が観察される；温度を、空冷下に相応してゆっくりと添加することによるか又は水で冷却することによるかのいずれかにより保持する）。
【００７９】
室温へ冷却した後に、揮発性成分の大部分を、３mbar圧力で除去し、その際に内部温度は１３０℃まで上昇する。混合物からこれらの条件下で低沸成分がもはやガス発生しなくなったときに、冷却し、かつ窒素で換気する。残留物を、短行程蒸留の受け器へ移し、かつ以下に記載された蒸発器温度で１００ml/hの速度で供給する。短行程蒸留の際の圧力を０．０５mbarに調節する。生成物は缶出液として得られるので、短行程蒸留はここでは、低沸成分ストリッピングの極めて効率的な形として機能する。
【００８０】
【表４】
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【００８１】
例Ｂ１０〜Ｂ１２（本発明による）：
ＥＥＩＭ ＯＡｃ（１，３ジエチル−イミダゾリウムアセタート）１８４g（１mol）を、滴下漏斗及び還流冷却器を備え、不活性化された丸底フラスコ中に装入する。ゆっくりと撹拌しながら、添えた表に記載された量の酸、その後、記載された量のアンモニア溶液（水中２５質量％）を添加し、その際に温度をそれぞれ５０℃未満に保持する（添加の際に発熱反応が観察される；温度を、空冷下に相応してゆっくりと添加することによるか又は水で冷却することによるかのいずれかにより、保持する）。
【００８２】
室温へ冷却した後に、揮発性成分の大部分を、３mbar圧力で除去し、その際に内部温度は１３０℃まで上昇する。混合物からこれらの条件下で低沸成分がもはやガス発生しなくなったときに、冷却し、かつ窒素で換気する。残留物を、短行程蒸留の受け器へ移し、かつ以下に記載された蒸発器温度で１００ml/hの速度で供給する。短行程蒸留の際の圧力を０．０５mbarに調節する。生成物は缶出液として得られるので、短行程蒸留はここでは、低沸成分ストリッピングの極めて効率的な形として機能する。
【００８３】
【表５】
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【国際調査報告】
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