(57)【要約】  本発明の実施形態はフォトマスクプラズマエッチングの後にインサイチュによるチャンバのドライクリーニングを行うための方法を含む。一実施形態において、本方法は支持ペデスタル上にフォトマスクを載置し、プロセスチャンバ内にプロセスガスを導入し、プロセスガスからプラズマを形成し、プラズマが存在する中フォトマスク上に載置されたクロムを含む層に対しエッチングを行い、支持ペデスタルからフォトマスクを取り除き、ペデスタルにダミー基板を載置し、ダミー基板が支持ペデスタル上に置かれている間に、プロセスチャンバに酸素を含むクリーニングガスを流すことによりインサイチュによるドライクリーニングプロセスを実行することを含む。
2011526082.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フォトマスクプラズマエッチングの後にインサイチュによるチャンバのドライクリーニングを行うための方法であって、
支持ペデスタル上にフォトマスクを載置し、
プロセスチャンバ内にプロセスガスを導入し、
前記プロセスガスからプラズマを形成し、
前記プラズマが存在する中、前記フォトマスク上のクロムを含む層をエッチングし、
前記支持ペデスタルから前記フォトマスクを除去し、
ダミー基板が前記支持ペデスタル上に置かれている間、前記プロセスチャンバに酸素を含むクリーニングガスを流すことによりインサイチュによるドライクリーニングプロセスを実行することを含む方法。
【請求項２】
前記クリーニングガスは塩素を含まない請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記クリーニングガスは更に塩素を含む請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記クリーニングガスは約５０から約１０００ｓｃｃｍの比率により供給される酸素を含む請求項３記載の方法。
【請求項５】
前記クリーニングガスの酸素の流量は約５０から約１０００ｓｃｃｍの間にあり、前記クリーニングガス内の塩素の流量は約２５から約５００ｓｃｃｍの間にある請求項１記載の方法。
【請求項６】
前記クリーニングガス内の酸素の流量は約５０から約４００ｓｃｃｍの間にあり、前記クリーニングガス内の塩素の流量は約５０から約４００ｓｃｃｍの間にある請求項１記載の方法。
【請求項７】
前記クリーニングガス内の酸素の流量は約１００ｓｃｃｍであり、前記第１のクリーニングガス内の塩素の流量は約１００ｓｃｃｍである請求項１記載の方法。
【請求項８】
前記ドライクリーニングプロセスはバイアス電力のない状態で実行される請求項１記載の方法。
【請求項９】
前記ＲＦ電力は前記クリーニングガスから形成されるプラズマを維持するために用いられ、前記ＲＦ電力はバイアス電力がない状態で１５０〜１５００Ｗの間の範囲で印加される請求項１記載の方法。
【請求項１０】
前記ＲＦ電力は約１５〜約８５％の間の内側コイルに対する外側コイルの電力比で前記チャンバに近接して位置する外側及び内側のコイルに印加される請求項９記載の方法。
【請求項１１】
フォトマスクプラズマエッチングの後に、インサイチュによるチャンバのドライクリーニングを行うための方法であって、
プロセスチャンバ内に置かれた支持ペデスタル上にフォトマスクを載置し、
バイアス電力を印加しながら、電気フォトマスク上のクロムを含む層をプラズマエッチングし、
前記プロセスチャンバから前記エッチングされたフォトマスクを取り除き、
前記エッチングされたフォトマスクが前記プロセスチャンバから取り除かれた後に、酸素を含むクリーニングガスから形成されるクリーニングプラズマが存在する中、バイアス電力なしにインサイチュによるドライクリーニングプロセスを実行することを含む方法。
【請求項１２】
クリーニングガス内の酸素の流量は約５０から約１０００ｓｃｃｍの間であり、前記クリーニングガス内の塩素の流量は約２５から約５００ｓｃｃｍの間である請求項１１記載の方法。
【請求項１３】
前記クリーニングガス内の酸素の流量は約５０から約４００ｓｃｃｍの間にあり、前記クリーニングガス内の塩素の流量は約５０から約４００ｓｃｃｍの間にある請求項１１の方法。
【請求項１４】
前記ＲＦ電力は前記クリーニングプラズマを維持するために用いられ、前記ＲＦ電力はバイアス電力のない状態で、約１５０と１５００ワットの間の範囲で引火される請求項１２記載の方法。
【請求項１５】
前記エッチングされたフォトマスクが除去された後、前記ペデスタル上にダミー基板を載置し、
前記ダミー基板が前記支持ペデスタル上に置かれている間に、前記インサイチュによるドライクリーニングを行うことを含む請求項１１記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【背景】
【０００１】
（分野）
本発明の実施形態は、概ね、プラズマエッチングを用いてフォトマスク基板を処理するための方法及び装置に関する。特に、本発明の実施形態は、フォトマスク基板のプラズマエッチングの間に、インサイチュ（in-situ）によりチャンバのドライクリーニングを行うための方法及び装置に関する。
【０００２】
（関連技術の説明）
マイクロエレクトロニクス又は集積回路デバイスの製造のためには、典型的には、半導体、誘電体、及び導電体の基板上で行われる数百もの個別ステップを要する複雑なプロセスシーケンスを必要とする。これらのプロセスステップの例として、酸化、デフュージョン、イオンインプランテーション、薄膜堆積、クリーニング、エッチング及びリソグラフィが含まれる。（しばしば、パターン転送ステップと呼ばれる）リソグラフ及びエッチングを用いて、所望のパターンが、例えばフォトレジストなどの感光材料層にまず転送され、そして次のエッチングの間に、その下層の材料層に転送される。リソグラフのステップにおいて、ブランケットフォトレジスト層は、主にガラス又は石英の基板上に保持された金属を含む層に形成され、パターンのイメージがフォトレジストに形成されたパターンを含む、レチクル又はフォトマスクを介して放射源にさらされる。適宜な化学的溶媒に、そのフォトレジストを感光することにより、フォトレジストの部分は除去され、パターン化されたフォトレジスト層が残る。このフォトレジストパターンがマスクとして機能し、例えばドライエッチングにより、下層の材料層は反応性の環境に曝され、所定のパターンが下層の材料層に転送されることとなる。
【０００３】
先進のデバイス製造において用いられるための適宜な市販されているフォトマスクエッチング装置の一例は、カリフォルニア州のサンタクララのアプライドマテリアルズ社から市販されているＴＥＴＲＡ（商標名）フォトマスクエッチングシステムである。フォトマスクプラズマエッチングプロセス等のプラズマプロセスにより、パターン化された金属を含む層は、マイクロエレクトロニクスデバイスの製造において、従来のウェットケミカルエッチングより、より精細に寸法を制御することができる。プラズマエッチング技術は、半導体及び薄膜トランジスタ液晶ディスプレイの産業（ＴＦＴ−ＬＣＤ）において、広く用いられている。
【０００４】
プラズマチャンバ内でフォトマスクをドライエッチングする間、クロム（Ｃｒ）、ＭｏＳｉ、クォーツ、ＳｉＯＮ、又はタンタルベースの化合物等の材料が堆積し、薄膜堆積の層を形成する。薄膜堆積の一例としては、フォトレジスト、Ｃｒ及びクォーツからなる層が挙げられる。エッチングが行われた後、エッチングの副生成物は、チャンバの内壁に蓄積又は堆積されるかもしれない。この副生成物は、エッチングプロセスの間、オプティカルエミッションスペクトラ（ＯＥＳ）を用いて判定されるかもしれない。例えば、Ｃｒをドライエッチングするとき、ＯＥＳにより見つけられるエッチングの副生成物は、主に幾らかのＣｒを伴ったフォトレジストである。堆積されたエッチングの副生成物がある厚さになると、この副生成物は内壁からはがれ、基板上に落下することによりフォトマスクを汚染し、フォトマスクに対し修復不可能な欠陥をもたらすかもしれない。従って、そのような堆積されたエッチングの副生成物を取り除くことが重要である。
【０００５】
プラズマチャンバをクリーニングするための１つの従来の方法は、チャンバを開け、その中の部品を分解することである。その後、エッチングの副生成物を物理的又は化学的な方法により取り除くことができる。例えば、脱イオン水（ＤＩＷ）及びイソプロパノール（ＩＰＡ）がチャンバの部品及び内壁をクリーニングするために用いられる。しかし、そのようなウェットクリーニングの方法は、時間がかかり、マスクの生産効率が落ちるという欠点があった。また、インサイチュによるドライクリーニングは他のプラズマチャンバにおいても用いられてきたが、フォトマスクエッチングプロセスに好適な商業上利用できるインサイチュによるドライクリーニングプロセスは知られていない。
【０００６】
従って、フォトマスク生産に好適なチャンバクリーニングのための改善されたプロセスの必要性が生じている。
【概要】
【０００７】
本発明の実施形態はフォトマスクプラズマエッチングの後のインサイチュによるチャンバのドライクリーニングのための方法を含む。一実施形態において、その方法は基板ペデスタルの上にフォトマスク等の基板を載置し、プロセスチャンバ内にプロセスガスを導入し、プロセスガスからプラズマを形成し、プラズマのある中でフォトマスク上に置かれたクロムを含む層をエッチングし、基板ペデスタルからエッチングされたフォトマスクを取り除き、支持ペデスタル上のダミー基板を載置し、ダミー基板が支持ペデスタル上にある間、プロセスチャンバを介してＯ２を含むクリーニングガスを流すことによりインサイチュによるドライクリーニングプロセスを実行することを提供することを含む。
【０００８】
他の実施形態において、フォトマスクプラズマエッチングの間、インサイチュによるチャンバのドライクリーニングを行うための方法は、プロセスチャンバ内に置かれた支持ペデスタル上にフォトマスクを載置し、バイアス電力を印加しつつ、フォトマスク上に置かれたクロムを含む層をプラズマエッチングし、プロセスチャンバからエッチングされたフォトマスクを取り除き、エッチングフォトマスクがプロセスチャンバから取り除かれた後、Ｏ２を含むクリーニングガスから形成されるクリーニングプラズマの存在のもとバイアス電力なしに、インサイチュによるドライクリーニングプロセスを実行することを含む。
【０００９】
一実施形態において、インサイチュによるチャンバドライクリーニングのための方法は、塩素を含まないクリーニングプラズマを用いることを含む。他の実施形態において、インサイチュによるチャンバドライクリーニングのための方法は、塩素及び酸素を含むクリーニングプラズマを使うことを含む。更に他の実施形態において、インサイチュによるチャンバドライクリーニングのための方法は、バイアス電力がない状態のクリーニングプラズマを含む。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
本発明の上述された構成がより詳細に理解されるように、上記に要約されるような本発明のより詳細な説明が、添付図面に説明されている実施形態を参照してなされる。しかしながら、添付図面は本発明の典型的な実施形態のみを説明するものであり、本発明の範囲を制限すると解釈されるべきでなく、本発明は同様に効果的な実施形態をも含む。
【００１１】
【図１】本発明の一実施形態によるフォトマスクプラズマエッチングのためのプロセスチャンバの概略図である。
【図２】本発明の一実施形態によるフォトマスクプラズマエッチングの後のプラズマチャンバをクリーニングするための方法のフローチャートである。
【図３】本発明の一実施形態によりクリーニングガスとして用いられるときの酸素（Ｏ２）及び塩素（Ｃｌ２）との間の安定した状態条件の比較を示すグラフである。
【００１２】
理解を容易にするために、可能な限り、図面に共通な同じ要素を示すために、同じ参照番号がふられている。一実施形態に開示される要素は、特に引用することなく、他の実施形態においても効果的に用いられ得ることが考えられる。
【詳細な説明】
【００１３】
本発明の実施形態はフォトマスクプラズマエッチングの間にインサイチュによるチャンバドライクリーニングを行うための方法及び装置が提供される。
【００１４】
図１は本発明が実施されるかもしれないエッチングリアクタ１００の概略図である。本明細書に開示される技術とともに用いられる適宜なリアクタは、例えば、分離プラズマソース（ＤＰＳ（商標名）ＩＩ）リアクタ、又はＴＥＴＲＡ（商標名）フォトマスクエッチングシステムであり、それらの全てはカリフォルニア州のサンタクララのアプライドマテリアル社から市販されている。本明細書に示されているリアクタ１００の特定の実施形態は、説明の目的のためのものであり、本発明の範囲を制限するために用いられるべきではない。本発明は、他の製造業者からのものを含む、他のプロセスチャンバに用いられるかもしれない。
【００１５】
一般に、リアクタ１００は、導電性の本体（ウォール）１０４内の基板ペデスタル１２４及びコントローラ１４６を有するプロセスチャンバ１０２を含む。
【００１６】
プロセスチャンバ１０２は実質的に平坦な誘電体の天井又は蓋１０８を含む。プロセスチャンバ１０２の他の実施形態は、例えば、ドーム型天井等の他のタイプの天井を有するかもしれない。アンテナ１１０は天井１０８の上に設けられ、選択的に制御されるかもしれない１つ以上の誘導性コイルエレメントを含む（２つの同軸のエレメント１１０ａ及び１１０ｂが図１に示されている）。アンテナ１１０は、第１の整合ネットワーク１１４を介してプラズマ電源１１２に接続され、それは大抵は約５０ｋＨｚから約１３．５６ＭＨｚの間の範囲において同調可能な周波数で、約３０００Ｗまでの電力を供給することができる。
【００１７】
基板ペデスタル（カソード）１２４は第２の整合ネットワーク１４２を介してバイアス電源１４０に結合される。バイアス電源１４０は、連続的又はパルス状の電力を供給することができ、約１３．５６ＭＨｚの周波数で約５００Ｗまでの電力供給を行う。また、電源１４０は直流又はパルス状の直流電源であるかもしれない。
【００１８】
一実施形態において、基板支持ペデスタル１２４は静電チャック１６０を含み、それは少なくとも１つのクランプ電極１３２を有し、チャック電力１６６により制御される。他の実施形態において、基板ペデスタル１２４はサセプタカバーリング、機械チャック等の基板保持機構を含むかもしれない。
【００１９】
レチクルアダプタ１８２は、基板（例えば、マスク又はレチクル）１２２を基板支持ペデスタル１２４の上に保持するのに用いられる。レチクルアダプタ１８２は主にペデスタル１２４の表面（例えば、静電チャック１６０）の上面をカバーする下側部分１８４と基板１２２を保持する大きさであり、形状である対向１８８を有する上側部分１８６を含む。開口１８８は、概ね、ペデスタル１２４と、ほぼ同じ中心を有する。アダプタ１８２はエッチングに対して耐性のある高温に対して耐性のある材料、例えば、ポリイミドセラミック又はクォーツ等の一体型のものから形成される。エッジリング１２６はアダプタ１８２を保護し、及び／又は、ペデスタル１２４に対しアダプタ１８２を固着保持するかもしれない。
【００２０】
リフトメカニズム１３８は、アダプタ１８２を上下動させるのに用いられ、基板支持ペデスタル１２４へ基板１２２を載せるか、又は、そこから基板１２２を取り出すのに用いられる。一般に、リフトメカニズム１６２は各々のガイドホール１３６を貫通する複数のリフトピン１３０（１つのリフトピンが図示されている）を含む。
【００２１】
動作状態において、基板１２２の温度は、基板ペデスタル１２４の温度を安定化させることにより制御される。一実施形態において、基板支持ペデスタル１２４は抵抗性ヒータ１４４及びヒートシンク１２８を含む。抵抗性ヒータ１２４は一般に少なくとも１つの加熱エレメント１３４を含み、加熱電源１６８により制御される。例えば、ヘリウム（Ｈｅ）等のバックサイドガスが、ガスソース１５６からガス供給管１５８を介して、基板１２２の下のペデスタルの表面内に形成されたチャネルに供給され、ペデスタル１２４と基板１２２との熱伝導を行わしめる。処理の間、ペデスタル１２４は安定状態の温度にまで抵抗性ヒータ１４４により加熱され、バックサイドガスと組み合わされて、基板１２２の均一な加熱を行う。そのような熱制御を用いることによって、基板１２２は摂氏約０〜約３５０度（℃）に維持されるかもしれない。
【００２２】
イオンラジカルシールド１７０はペデスタル１２４の上のプロセスチャンバ１０２内に置かれるかもしれない。イオンラジカルシールド１７０はチャンバのウォール１０４及びペデスタル１２４から電気的に隔絶され、絶縁され、プレートからのアースへの接地経路がもたらされないようにする。イオンラジカルシールド１７０の一実施形態は、実質的に平坦なプレート１７２及びプレート１７２を支持する複数のレッグ１７６を含む。プロセスの必要性に応じてさまざまな互換性ある材料からつくられ得るプレート１７２は、プレート１７２内に所要の開口領域を区画する１つ以上の開口（貫通口）１７４を含む。この開口領域は、プロセスチャンバ１０２の上側のプロセス空間１７８内に形成されたプラズマから、イオンラジカルシールド１７０と基板１２２との間に位置する下側のプロセス空間１８０へ、通過するイオンの総量を制御する。この開口領域が大きくなればなるほど、イオンラジカルシールド１７０を通過するイオンは多くなる。このように、貫通口１７４の大きさは、その空間１８０におけるイオンの濃度を制御し、シールド１７０はイオンのフィルタとして機能する。また、プレート１７２は、貫通口１７４によりもたらされる所望の開口領域に対応する部位に、開口領域を有するスクリーン又はメッシュを含む。選択的に、プレート及びスクリーン又はメッシュの組み合わせが用いられるかもしれない。
【００２３】
処理の間、プラズマからの電子の衝突の結果として、プレートの表面に電位が生じる。この電位はプラズマからイオンを引き寄せ、効果的にプラズマからそれらをフィルタリングし、例えばラジカル等の中性種がプレート１７２の貫通口１７４を通過することができるようにする。このように、イオンラジカルシールド１７０を介するイオンの総量を少なくすることにより、中性種又はラジカルによるマスクのエッチングが、より制御された態様により行われ得る。これによりパターン化された材料層の側壁へのレジストのスパッタリングと同様に、レジストのエロージョンを少なくし、より改善されたエッチングのバイアス及び寸法精度の均一性をもたらす。
【００２４】
プラズマエッチングに先立ち、１つ以上のプロセスガスが、基板ペデスタル１２４の上に位置する、（例えば、開口、インジェクタ、ノズル等の）１つ以上の入口１１６を介して、ガスパネル１２０からプロセスチャンバ１０２に供給される。図１の実施形態において、プロセスガスは円環状のガスチャネル１１８を用いて入口１６０に供給され、その円環状のガスチャネルは、ウォール１０４内に形成されるか、又は、ウォール１０４に結合されるガスリング（図示のとおり）内に形成されているかもしれない。エッチングプロセスの間、プロセスガスから形成されるプラズマは、アンテナ１１０へプラズマソース１１２から電力を供給することにより維持される。
【００２５】
プロセスチャンバ１０２内の圧力は、スロットルバルブ１６２及び真空ポンプ１６４を用いて制御される。ウォール１０４の温度はウォール１０４を通過する液体含有通路（図示せず）を用いて制御されるかもしれない。典型的に、チャンバのウォール１０４は、金属（例えば、アルミニウム、ステンレススチール等）から形成されており、アース１０６に接続される。また、プロセスチャンバ１０２は、プロセス制御、内部診断、エンドポイント検出等のための従来のシステムを含む。そのようなシステムはサポートシステム１５４として総称して示されている。一実施形態において、オプティカルエミッションスペクトラ（ＯＥＳ）がエンドポイント検出の装置として用いられるかもしれない。
【００２６】
コントローラ１４６は、中央制御ユニット（ＣＰＵ）１５０、メモリ１４８、ＣＰＵ１５０のためのサポート回路１５２を含み、以下に詳細に説明されるであろうエッチングプロセス等のプロセスチャンバ１０２の各部の制御を行う。コントローラ１４６は様々なチャンバ及びサブプロセッサを制御するための産業的に用いられ得る一般用途のコンピュータプロセッサのうちのいかなるものであってもよい。ＣＰＵ１５０のメモリ、又は、コンピュータにより読み取り可能なメディア６４２は、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、リードオンメモリ（ＲＯＭ）、フロッピーディスク、ハードディスク、他のいかなる形態のデジタルストレージのうちの市販されているメモリのうちの１つであってもよく、本装置に付属しているものでもよく、遠隔地に設置されているものでもよい。サポート回路１５２は、従来の方法によりプロセッサをサポートするためにＣＰＵ１５０に接続されている。これらの回路は、キャッシュ、電源供給、クロック回路、入力／出力回路、及びサブシステム等を含む。本発明の方法は、一般にソフトウェアルーチンとしてメモリ１４８内に保存されている。選択的に、そのようなソフトウェアルーチンはＣＰＵ１５０により制御されているハードウェアから別体として存在する第２のＣＰＵ（図示せず）により保存され、及び／又は、実行されるかもしれない。
【００２７】
図２は本発明の実施形態によるインサイチュによるチャンバのドライクリーニングを含むフォトマスクのエッチングのための方法２００を図示する。本方法２００はブロック２０２で開始され、基板はプロセスチャンバ内の支持ペデスタルに載置される。イオンシールドが存在する実施形態において、シールドは、相互に異なる、例えば、材料又はバイアス電位等の少なくとも１つ以上の特性を有する２つのゾーンを含む。エッチングされるべく基板は、クォーツからなる表面上に置かれた金属からなる、不透明な光遮蔽層を有する、クォーツ（すなわちシリコン酸化物、ＳｉＯ２）等の材料をベースとする光学的に透過性を有するシリコンを含む。一般に、不透明な光遮蔽層の金属は、クロム又はクロミウムオキシナイトライド等のクロム材料を含む。また、この基板はクォーツ及びクロムとの間に挿入されたモリブデン（Ｍｏ）によりドープされたシリコンナイトライド（ＳｉＮ）の層を含む。
【００２８】
ブロック２０４において、１つ以上のプロセスガスがガス入口を介してプロセスチャンバ内に導入される。例示的なプロセスガスは、金属層をエッチングするための、酸素（Ｏ２）、または、一酸化炭素（ＣＯ）などの酸素含有ガス、及び／又は、塩素含有ガスなどのハロゲン含有ガスを含むかもしれない。プロセスガスは、更に、希釈ガス又は他の酸素含有ガスを含む。一酸化炭素は、パターン化されたレジスト材料及びエッチングされたメタル層内に形成された開口又はパターンの表面、特に、側壁上の、ポリマ堆積物に対し表面処理を行うのに用いられる。塩素含有ガスは、塩素（Ｃｌ２）、４塩化シリコン（ＳｉＣｌ４）、塩化水素（ＨＣｌ）、及び、それらの組み合わせのグループから選択され、金属層をエッチングするための反応性のラジカルを供給するために用いられる。
【００２９】
選択的に、直流バイアス電位がイオンラジカルシールドの少なくとも１つのゾーンに印加されるかもしれない。ブロック２０６において、プラズマは、例えば、約２００から約２０００Ｗの間のＲＦ電力をプラズマ電源からアンテナに供給することにより、イオンラジカルシールドの上の処理空間内の１つ以上のプロセスガスから形成される。プラズマからのイオン及び中性種は、印加されるバイアス電力により形成される電位により決定される分布パターン、及び、イオンラジカルシールド上に形成されるプラズマに従い、イオンラジカルシールドを通過する。基板は、下側のプロセス空間におけるイオン及び中性種によりエッチングされる。
【００３０】
ブロック２０８において、基板はプロセスチャンバ内の支持ペデスタルから取り除かれ、ダミー基板が載置され、ペデスタルがダミー基板により保護された状態で、インサイチュによるドライクリーニングが行われる。
【００３１】
一実施形態において、インサイチュによるドライクリーニングは、ブロック２１０のところで、ガス入口からプロセスチャンバに供給されるＯ２を含むクリーニングガス（例えば、第１のクリーニングガス）を導入することを含む。プラズマがチャンバをクリーニングするためにクリーニングガスから形成される。選択的に、ブロック２１２において、第２のクリーニングガスがガス入口を経由してプロセスチャンバに導入され、第１のクリーニングガスによりプラズマ状態に誘起される。プロセスチャンバ内でドライクリーニングが実行されている間、ドライクリーニングプロセスのエンドポイント検出がプロセスチャンバ内の副生成物がブロック２１４において除去されたかどうかを決定するためにＯＥＳを用いて実行される。一実施形態において、所定の時間が、その副生成物の除去を判定するために用いられる。このクリーニングプロセスが完了した時点で、プロセスチャンバは次のエッチングプロセスのために準備される。
【００３２】
一実施形態において、このドライクリーニングは、約１００ｓｃｃｍ等の、例えば、約５０から４００ｓｃｃｍの間の、５０から１００標準立法センチ／毎分（ｓｃｃｍ）の間の流量による第１のクリーニングガスとしての酸素（Ｏ２）を用いて行われ得る。酸素はフォトマスクエッチングの後に残る副生成物をエッチングにより除くために用いられる。従って、ＲＦ電力が、例えば、約６００ワットの、例えば、約３００から１０００ワットの、１５０から１５００Ｗの間の範囲で、プラズマ電力源からアンテナに対して印加され得る。プロセスチャンバにおける圧力は、例えば、約８ミリトールなどの、例えば、約３から２０ミリトールの、例えば、約２から５０ミリトールの間で制御され得る。外側／内側のコイルの電力比率（ＣＰＲ）は、例えば、約５５％などの、例えば、約１５から７５％、例えば、１５から８５％との間で制御され得る。プロセスチャンバは、約２００秒の期間の間、プロセスガスに露出されるかもしれない。
【００３３】
一実施形態において、クリーニングガスは塩素を含まない。他の実施形態においてクリーニングプラズマはバイアス電力のない状態でクリーニングガスから形成される。
【００３４】
また、他の実施形態において、ドライクリーニングは、第１のクリーニングガスとともに第２のクリーニングガスを用いて行われ得る。第１のクリーニングガスは上記に説明されたように供給されるかもしれない。塩素（Ｃｌ２）が、例えば、約１００ｓｃｃｍ等の、例えば、約５０から４００ｓｃｃｍの間、例えば、２５から５００ｓｃｃｍの間の流量により第２のクリーニングガスとして供給されるかもしれない。従って、ＲＦ電力は、例えば、約３００から１０００ワットの間、より好ましくは、約６００ワットなどの、１５０ワットと１５００ワットとの間の範囲のプラズマ電力からアンテナに供給され得る。プロセスチャンバ内の圧力は、例えば、約８ミリトールの、好ましくは、約３から２０ミリトールの間、約２から５０ミリトールの間で制御され得る。外側／内側コイルの電力比（ＣＰＲ）は、１５から８５％の間、好ましくは、約１５から７５％の間、より好ましくは約５５％に制御され得る。プロセスチャンバは約２００秒の期間の間プロセスガスにさらされるかもしれない。他の実施形態において、クリーニングプラズマ酸素及び塩素の両者を含むクリーニングプラズマはバイアス電力のない状態でクリーニングガスから形成される。
【００３５】
図３は本発明の一実施形態によりクリーニングガスとして用いられたときのＯ２及びＣｌ２を、安定した状態での比較を図示するグラフ３００である。この安定した状態はＯＥＳを用いて測定され得、経時的に副生成物の除去が判定されるかもしれない。この安定した状態は２つの線により示され、１つの線３０２は、Ｏ２の安定した状態を表わし、１つの線３０４は、Ｃｌ２の安定した状態を表わす。ドライクリーニングプロセスの間にプロセスガスとしてＣｌ２が用いられるとき、Ｃｌ２はプロセスチャンバ内の副生成物を除去するのに用いられるかもしれないが、Ｃｌ２の攻撃的な特性に起因して、副生成物の除去の後、Ｃｌ２は、さらに、プロセスチャンバの表面、特に、石英による層を有し、プロセスチャンバ内のイオンの分布を制御するための複数の貫通口１７４を有するプレート１７２の表面を攻撃し続けるかもしれない。これは初期のドライクリーニングステップの後、Ｃｌ２が低下し続けることを表わすライン３０４の傾斜としてライン３０４により示される。このようにクリーニングプロセスの間、プロセスチャンバの状態は、繰り返しのプロセスに必要とされる安定した状態には到達しない。反対に、プロセスガスとしてＯ２が用いられると、Ｏ２の線３０２の傾斜は、平坦な線により安定した状態に近づき、繰り返しのプロセッシングにより好適なものとなる。従って、Ｏ２ガスの使用が、Ｃｌ２の除去を助けるのに必要とされ、安定した状態に状態を戻し、プロセスチャンバは基板の繰り返しの処理のために用いられるかもしれない。
【００３６】
上述の説明は本発明の実施形態に基づき成されてきたが、本発明の他のあるいは更なる実施形態が本発明の基本範囲を逸脱をすることなく成し得、本発明の範囲は添付の特許請求の範囲に基づいて定められる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【国際調査報告】
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