(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
気相で、必要なら不活性媒体の存在下でアミンをホスゲンと反応させるイソシアネートの製造方法であって、
該アミンを気化器中で気化させてアミン含有ガス流を得て、ホスゲンを該アミン含有ガス流中に混合し、該アミンとホスゲンを反応器中でイソシアネートに変換し、その際ホスゲンと混合する前のガス状アミンと接触する表面の温度を、アミン含有ガス流の露点限界より高く維持し、
ガス状アミンと接触する表面の温度が、配管と装置を絶縁して熱損失を最小に抑え、さらに、以下の方法（ａ）〜（ｃ）の少なくとも一つにより、アミン含有ガス流の露点限界より高く維持されていることを特徴とする方法：
（ａ）ガス状アミン流を過熱して、熱損失の結果としての上記蒸気露点未満への局所的な温度低下を防止する方法、
（ｂ）配管と装置を加熱して露点未満への温度低下を防止する方法、及び
（ｃ）不活性ガス流をアミン含有ガス流に供給する方法であって、混合温度が結露限界より少なくとも５Ｋ高くなるように不活性ガスの温度を制御して供給する方法。
【請求項２】
アミンと接触可能な表面を加熱する温度が、アミン含有ガス流の凝縮温度より少なくとも５Ｋ高い請求項１に記載の方法。
【請求項３】
上記表面が、電気的な加熱装置又はジャケットヒーターで加熱される請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
用いる不活性ガスが、窒素、ヘリウム、アルゴン、クロロベンゼン、ｏ−ジクロロベンゼン、トルエン、キシレン、クロロナフタレン、デカヒドロナフタレン、二酸化炭素、一酸化炭素またはこれらの混合物である請求項１〜３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
イソシアネートと塩化水素を含む反応器から排出される反応ガスが液体急冷媒体の添加により急冷され、反応ガスと急冷媒体の混合物を生成物として与える請求項１〜４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記急冷媒体が、モノクロロベンゼンと、ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼン、ヘキサン、ベンゼン、１，３，５−トリメチルベンゼン、ニトロベンゼン、アニソール、クロロトルエン、ｏ−ジクロロベンゼン、ジエチルイソフタレート、テトラヒドロフラン、ジメチルホルムアミド、キシレン、クロロナフタレン、デカヒドロナフタレン、及びトルエンからなる群から選ばれる溶媒を含む請求項５に記載の方法。
【請求項７】
上記の急冷後に生成物を処理する他の工程がある請求項５または６に記載の方法。
【請求項８】
気相で相当するアミンとホスゲンとを反応させてイソシアネートを製造する装置であって、該アミンを蒸発させる蒸発器と反応を行う反応器と蒸発器と反応器とを接続する手段とからなり、ガス状アミンと接触可能な表面には、ＤＩＮ−ＩＳＯ４２８７による平均粗度Ｒｚが１０μｍ以下でありアミンにより濡れない塗膜があり、及び／又は該装置がデッドスペースまたは熱的なブリッジを有さず、前記塗膜がＳｉＯｘを含むことを特徴とする装置。
【請求項９】
ガス状アミンと接触可能な表面を加熱する装置が含まれている請求項８に記載の装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、必要なら不活性媒体の存在下で、気相で相当するアミンをホスゲンと反応させてイソシアネートを製造する方法であって、該アミンを気化器で気化させてホスゲンと混合し、該アミンとホスゲンを反応期中でイソシアネートに変換させる方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
相当するアミンのホスゲン化によるイソシアネートの製造は、原則として液相ホスゲン化または気相ホスゲン化で行われる。気相ホスゲン化は、高選択性で、有毒なホスゲンの保持量が少なく、所要エネルギー量が小さいことに特徴がある。
【０００３】
気相ホスゲン化では、それぞれガス状のアミン含有反応物流とホスゲン含有反応物流が混合される。アミンとホスゲンは反応して、相当するイソシアネートを与えるとともに、塩化水素（ＨＣｌ）を放出する。このアミン含有反応物流は、通常液相で存在するため、ホスゲン含有流との混合の前に加熱と過熱が必要である。
【０００４】
対応する気相でのイソシアネートの製造方法が、例えばＥＰ−Ａ１３１９６５５、ＥＰ−Ａ１５５５２５８、ＥＰ−Ａ１９３５８７６またはＥＰ−Ａ０２８９８４０に記載されている。
【０００５】
気相のアミン含有反応物流をホスゲン含有反応物流と混合するために、まずアミン含有反応物流を気化させる必要がある。適当な気化器が、例えばＥＰ−Ａ１７５４６９８に開示されている。
【０００６】
しかしながら、既知の気相ホスゲン化法の欠点は、気化器と混合装置の間に固体析出物が生成して系の洗浄が必要となることである。この原因は、気化したアミンに接触する表面の温度が、部分的または全面的に混合ガスの露点温度より低下することである。アミンがこれらの表面に付着し、滞留時間が長く高温であるため、徐々に分解して、表面上に析出物を形成する。これは、成長して膜状となったり、固体成分の同伴の結果として下流の装置部品、例えば混合ノズルを閉塞させたりすることがある。このため定期的な洗浄が必要となる。このためにプラントを停止する必要が出てくる。凝縮分解アミンによる析出は、例えば気化器の壁面や、下流の配管や装置、例えば液滴分離器や熱交換器に起こる。
【０００７】
アミン供給系の内側表面上での露点限界以下に温度が降下する原因は、例えば配管や装置中での熱の損失や、冷たいガス状の不活性ガス流の添加である。凝縮発生のリスクは、熱ブリッジに近いところやガス流のデッドゾーンにおいて特に大きい。ガス流中のデッドゾーンは、例えば、例えば圧力測定や温度測定用の検出口や、栓や弁などの制御装置が原因で生じることがある。しかしながら、固体析出物は、粗い表面や割れ目、傷跡の上にも多量に生成する。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
したがって、本発明の目的は、気相で相当するアミンをホスゲンと反応させてイソシアネートを製造する方法であって、洗浄が必要となる、またこのためプラントの停止が必要となる混合部へのアミン供給系での閉塞が防がれている製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本目的は、気相で、必要に応じて不活性媒体の存在下で、相当するアミンをホスゲンと反応させるイソシアネートの製造方法であって、該アミンが気化器中で気化してアミン含有ガス流となり、ホスゲンが該アミン含有ガス流に混合され、該アミンとホスゲンが反応器中でイソシアネートに変換され、その際のガス状アミンと接触する表面の温度がアミン含有ガス流の露点限界より高く維持されている製造方法により達成される。
【００１０】
ガス状アミンと接触する表面は、例えば、相当するアミンとホスゲンとを反応させてイソシアネートを製造する装置内の装置や部品、配管の表面である。用いる装置は、例えば、混合器、伝熱器または反応器である。部品は、例えば、弁や栓、あるいは測定器や制御器である。
【００１１】
ガス状アミンと接触する表面の温度を、アミン含有ガス流の露点限界より高く維持するための適当な方策としては、例えば：（ａ）ガス状アミン流の過熱による、熱損失の結果起こる局所的な露点未満の温度への冷却の防止や、（ｂ）配管や装置の絶縁による熱損失の最小化、（ｃ）配管と装置の加熱による局所的な露点未満への温度低下の防止、（ｄ）制御された温度の不活性ガス流の供給によるアミン含有混合ガスの露点の上昇
があげられる。
【００１２】
これらの方策は個別に行ってもよいし、二つ以上の方策を組み合わせて行ってもよい。
【００１３】
本発明の方法は、イソシアネート製造用プラントの壁面の析出物の形成を防止するか、大幅に減少させる。
【００１４】
また、固形の析出物は、構造的な方策により防止又は削減することができる。
【００１５】
ある圧力でアミン含有ガス流からアミンが凝縮する温度は、アミン含有ガス流の露点限界または露点温度と呼ばれている。
【００１６】
気相で相当するアミンをホスゲンと反応させてイソシアネートを製造するのに好適な装置は、アミンを気化させるための気化器と、反応を行う反応器と、気化器と反応器とを接続させる手段とを有している。本発明によれば、ガス状アミンと接触可能な表面が、ＤＩＮ−ＩＳＯ４２８７による平均粗度が１０μｍ以下であるアミンで濡れない塗膜を有しており、及び／又はこの装置がデッドスペースまたは熱ブリッジを有していない。本発明の装置を使用すると、ガス状アミンと接触可能なプラント部品上での、例えばアミン気化器や気化器を反応器に接続する配管の表面や反応器の表面の上での析出物の形成が防止される。
【００１７】
アミン流を過熱すると、熱損失が起こった場合でも、温度が露点温度未満に低下することがなくなる。適切な設計を行えば、この過熱を気化器中で行うことができる。しかしながら、高温下ではアミンが熱分解するため、アミン流の過熱は最小限にすることが好ましい。配管と装置を絶縁すると熱損失が最小に抑えられるため、必要な過熱を小さくすることができる。好ましい結露限界からの温度差は、少なくとも５Ｋであり、好ましくは少なくとも１０Ｋ、より好ましくは少なくとも２０Ｋであることが分かっている。これにより、特に局所的な温度が、特に熱ブリッジまたは流れのデッドゾーンで結露限界未満にまで低下することが防がれる。
【００１８】
ガス状アミンと接触する表面上での凝縮の発生を特に効果的に防止するもう一つの方法は、装置と配管を少し加熱して、ガス状アミンと接触する表面の表面温度を、露点温度より上で確保することである。このようにして熱損失を防止あるいは補償することができる。この微加熱は、表面温度が、結露限界より少なくとも５Ｋ高くなるように、好ましくは少なくとも１０Ｋ、より好ましくは少なくとも２０Ｋ高くなるように調整される。表面の微加熱は、例えば、絶縁被覆された壁面の設計や、加熱媒体が流れるコイル状配管の設置、あるいは電気加熱により行うことができる。
【００１９】
制御された温度で不活性ガスをアミン流に供給すると、アミンの分圧を低下させ、このため混合ガスの露点を上げることができる。用いる不活性媒体としては、例えば、窒素や、ヘリウムまたはアルゴンなどの希ガス、クロロベンゼンやｏ−ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼン、トルエン、キシレン、クロロナフタレンなどの芳香族化合物、デカヒドロナフタレン、二酸化炭素、一酸化炭素、またはこれらの混合物があげられる。窒素及び／又はクロロベンゼンの使用が好ましい。供給する不活性ガスの温度は、混合温度の結露限界からの温度差が、少なくとも５Ｋあるように、好ましくは少なくとも１０Ｋ、より好ましくは少なくとも２０Ｋあるように調整される。
【００２０】
本発明の方法により析出物の形成を防止すると、イソシアネートの製造プラントの使用寿命が、既存のプロセスと較べて増加する。プラントの洗浄に必要な停止の回数が低下する。
【００２１】
イソシアネートの製造には、好ましくは、まずホスゲンとアミンを混合ゾーンに供給し、そこでアミンとホスゲンとを混合して反応混合物を得る。次いで、この反応混合物を反応器に供給しそこでイソシアネートに変換させる。この反応器中でのアミンとホスゲンの変換は気相で進行する。このため、反応器内の圧力は、好ましくは０．３〜５絶対ｂａｒの範囲であり、より好ましくは０．８〜３．５絶対ｂａｒの範囲である。この温度は、好ましくは２５０〜５５０℃の範囲であり、特に３００〜５００℃の範囲である。
【００２２】
反応を気相で行うためにアミンとホスゲンをガス状で添加する。このため、このアミンの温度は好ましくは２００〜４００℃の範囲である。加えるアミンの圧力は、好ましくは０．０５〜３絶対ｂａｒの範囲である。加えるホスゲンの温度は、好ましくは２５０〜５００℃の範囲である。このために、ホスゲンは通常、当業界の熟練者には既知の方法で添加前に加熱される。
【００２３】
ホスゲンとアミンを加熱するため、またアミンを気化させるために、例えば、電気加熱または燃料燃焼による直接加熱または間接加熱が用いられる。用いる燃料は通常、燃料ガスであり、例えば天然ガスである。しかしながら、気化中の圧力低下とこのためのアミン沸点の低下のため、スチームによる加熱も可能である。なお、このスチームの圧力はアミンの沸点に応じて選ばれる。好適なスチームの蒸気圧は、例えば４０〜１００ｂａｒの範囲である。この結果、スチームの温度は２５０〜３１１℃の範囲となる。
【００２４】
通常、複数の段階でアミンを、この反応温度に加熱する必要がある。このためには通常、アミンをまず前加熱し、次いで気化させ、さらに過熱させる。一般に、この気化には、最も長い滞留時間が必要であり、このためアミンの分解が引き起こされる。これを最小のするためには、低温での気化が、例えば低圧による低温気化が有利である。気化したアミンを、気化後に反応温度にまで過熱するためには、スチーム加熱は一般的に不十分である。過熱のためには、電気加熱または燃料燃焼による直接加熱か間接加熱が通常必要となる。
【００２５】
アミンの高沸点温度と、その結果としての大きな環境と温度差のために、気化器を反応器に接続する配管などのプラント部材の壁面、または供給ラインまたは供給ノズルなどの反応器の部材の壁面は、アミンの気化温度より低い温度を持っていてもよい。この結果、アミンが壁面上でガスから凝縮して出てくることがある。凝縮した液滴は壁面に付着し、高温であるため、固体や析出物を形成する。このような析出物は、例えば十分に小さな口径の場合、パイプの断面を縮小させ、場合によっては完全に封鎖する。このため定期的なプラント部材の洗浄が必要となる。本発明の方法は、このような析出物の形成を防止又は低下させ、プラントの使用期間を延長させる。
【００２６】
アミンの気化とは対照的に、ホスゲンは、通常かなり低温で気化する。このため、ホスゲンは、通常スチームを用いて気化させることができる。しかしながら、ホスゲンを反応温度に持っていくのに必要な加熱は、通常電気加熱または燃料燃焼による直接加熱か間接加熱のみが可能である。
【００２７】
アミンのホスゲン化でイソシアネートを製造するために用いられる反応器は、当業界の熟練者には既知である。一般に、用いる反応器は円管状の反応器である。この反応器中でアミンがホスゲンと反応して、相当するイソシアネートと塩化水素を与える。通常ホスゲンは過剰に加えられるため、反応器中で生成する反応ガスや、生成するイソシアネートや塩化水素もまたホスゲンを含有している。
【００２８】
イソシアネートの製造に使用できるアミンとしては、モノアミン、ジアミン、トリアミン、またはより多官能なアミンがあげられる。モノアミンまたはジアミンの使用が好ましい。用いるアミンに応じて、相当するものイソシアネート、ジイソシアネート、トリイソシアネートまたは多官能イソシアネートが得られる。本発明の方法でモノイソシアネートまたはジイソシアネートを製造することが好ましい。
【００２９】
ジアミンとジイソシアネートは、脂肪族であっても脂環式または芳香族であってもよい。
【００３０】
脂環式イソシアネートとは、少なくとも一個の脂環式環系をもつものである。
【００３１】
脂肪族イソシアネートは、直鎖又は分岐鎖に結合したイソシアネート基のみを持つものである。
【００３２】
芳香族イソシアネートは、少なくとも一個の芳香族環系に結合した少なくとも一個のイソシアネート基をもつものである。
【００３３】
「脂肪族（環式）イソシアネート」は、本明細書中では、脂環式及び／又は脂肪族のイソシアネートに用いられる。
【００３４】
芳香族モノイソシアネートとジイソシアネートの例としては、好ましくは６〜２０個の炭素原子を持つもの、例えばフェニルイソシアネート、モノマー状の２，４’−及び／又は４，４’−メチレン−ジ（フェニルイソシアネート）（ＭＤｌ）、２，４−及び／又は２，６−トリレンジイソシアネート（ＴＤＩ）、１，５−または１，８−ナフチルジイソシアネート（ＮＤＩ）があげられる。
【００３５】
脂肪族（環式）ジイソシアネートの例としては、１，４−テトラメチレンジイソシアネート、１，６−ヘキサメチレンジイソシアネート（１，６−ジイソシアナトヘキサン）、１，８−オクタメチレンジイソシアネート、１，１０−デカメチレンジイソシアネート、１，１２−ドデカメチレンジイソシアネート、１，１４−テトラデカメチレンジイソシアネート、１，５−ジイソシアナトペンタン、ネオペンタンジイソシアネートなどの脂肪族ジイソシアネート、リシンジイソシアネートの誘導体、テトラメチルキシリレンジイソシアネート（ＴＭＸＤＩ）、トリメチルヘキサンジイソシアネートまたはテトラメチルヘキサンジイソシアネート、３（または４）、８（または９）−ビス（イソシアナトメチル）トリシクロ−［５．２．１．０２，６］デカン異性体混合物、および１，４−、１，３−または１，２−ジイソシアナトシクロヘキサン、４，４’−または２，４’−ジ（イソシアナトシクロヘキシル）メタン、１−イソシアナト−３，３，５−トリメチル−５−（イソシアナトメチル）シクロヘキサン（イソホロンジイソシアネート）、１，３−または１，４−ビス（イソシアナトメチル）シクロヘキサン、２，４−または２，６−ジイソシアナト−１−メチルシクロヘキサンなどの脂環式ジイソシアネートがあげられる。
【００３６】
好ましい脂肪族（環式）ジイソシアネートは、１，６−ジイソシアナトヘキサンや、１−イソシアナト−３，３，５−トリメチル−５−（イソシアナトメチル）シクロヘキサン、４−４’−ジ（イソシアナトシクロヘキシル）メタンである。
【００３７】
特に好ましいのは、１，６−ジイソシアナトヘキサンと、１−イソシアナト−３，３，５−トリメチル−５−（イソシアナトメチル）シクロヘキサン、４，４’−ジ（イソシアナトシクロヘキシル）メタンである。
【００３８】
相当するイソシアネートを与える反応のために本発明の方法で用いられるアミンは、選ばれた反応条件下で、そのアミン、相当する中間体、および相当するイソシアネートが気相で存在するものである。反応期間中にその反応条件下で、多くとも２モル％、より好ましくは多くとも１モル％、最も好ましくは多くとも０．５モル％の量にまで分解するアミンが好ましい。なお、特に適当なアミンは、特に２〜１８個の炭素原子を有する脂肪族（環式）炭化水素系のジアミンである。その例としては、１，６−ジアミノヘキサンや、１，５−ジアミノペンタン、１，３−ビス（アミノメチル）シクロヘキサン、１−アミノ−３，３，５−トリメチル−５−アミノメチルシクロヘキサン（ＩＰＤＡ）、４，４−ジアミノジシクロヘキシルメタンがあげられる。１，６−ジアミノヘキサン（ＨＤＡ）の使用が好ましい。
【００３９】
本発明の方法に、大きな分解なしに気化可能な芳香族アミンを使用することも可能である。好ましい芳香族アミンの例としては、トリレンジアミン（ＴＤＡ）の２，４−または２，６−異性体またはこれらの混合物、例えば８０：２０〜６５：３５（ｍｏｌ／ｍｏｌ）混合物、ジアミノベンゼン、２，６−キシリジン、ナフチルジアミン（ＮＤＡ）、２，４’−または４，４’−メチレン（ジフェニルジアミン）（ＭＤＡ）またはこれらの異性体混合物があげられる。これらの中では、ジアミンが好ましく、２，４−及び／又は２，６−ＴＤＡまたは２，４’−及び／又は４，４’−ＭＤＡが特に好ましい。
【００４０】
モノイソシアネートを製造するのに、脂肪族アミン、脂環式アミンまたは芳香族アミンを、通常モノアミンを使用することができる。好ましい芳香族モノアミンは、特にアニリンである。
【００４１】
気相ホスゲン化においては、反応中に発生する化合物が、即ち反応物（アミンとホスゲン）と、中間体（特に、中間体として形成されるカルバモイルとアミン塩酸塩）、最終生成物（ジイソシアネート）、および投入されるいずれかの不活性化合物すべてが、反応条件下で気相にあることが望ましい。もし、これらの成分や他成分が気相から、例えば反応器壁面や他の装置部品に析出する場合、これらの析出物が、付着した部品での熱伝達や流動に悪影響を与える。特にこれは、アミノ基と塩化水素とからアミン塩酸塩が生成する場合に当てはまる。これは、得られるアミン塩酸塩が容易に析出して再気化が難しいためである。
【００４２】
円管状の反応器の使用に加えて、実質的に立方体状の反応槽、例えば板状反応器を使用することもできる。反応器の断面はいかなる形状であってもよい。
【００４３】
反応中の副生成物の生成を抑えるためには、ホスゲンを過剰に供給することが好ましい。反応に必要なアミンの一部のみを供給するために、そのアミンを不活性ガスと混合するができる。ある配置にあるアミン用とホスゲン用の供給オリフィスに導くアミンの量の調整するのに、アミン中の不活性ガスの比率を用いることができる。添加する不活性媒体は、反応器中で気相で存在し、反応中に生成する化合物と反応しないものである。用いる不活性媒体は、例えば、窒素であっても、ヘリウムまたはアルゴンなどの希ガス、クロロベンゼン、ｏ−ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼン、トルエン、キシレン、クロロナフタレンなどの芳香族化合物、デカヒドロナフタレン、二酸化炭素または一酸化炭素であってもよい。しかしながら、窒素及び／又はクロロベンゼンを不活性媒体として用いることが好ましい。
【００４４】
あるいは、例えばあまり大過剰のホスゲンを避けるために、ホスゲンに不活性媒体を加えることもできる。
【００４５】
一般に、不活性媒体は、不活性媒体のガス体積とアミンまたはホスゲンのガス体積の比率が、０．０００１未満〜３０、好ましくは０．０１未満〜１５、より好ましくは０．１未満〜５となるような量で添加される。
【００４６】
凝縮して出てきたアミンの付着を防止できる適当な塗膜は、例えばＳｉＯＸを含むものであり、具体的にはレステック社のシルコスチール塗膜である。
【００４７】
表面の加熱によりその表面上へのアミンの凝縮を防ぐ場合に、アミンと接触可能な表面を加熱する温度は、好ましくはアミン含有混合ガスの結露限界に対して少なくとも５Ｋ高く、より好ましくは少なくとも１０Ｋ、特に少なくとも１５Ｋ高い。この結露限界は、アミン配管中の圧力と混合ガス中の不活性ガスの含量により決まる。
【００４８】
例えば、ガス流中のアミンの比率が増加するか、イソシアネートの製造装置が比較的高圧で運転される場合、アミンと接触可能な表面を加熱する温度を増加させることも必要となる。
【００４９】
これらの表面は、当業界の熟練者には既知の加熱方法のいずれかで加熱できる。電気加熱装置で表面を加熱することが好ましい。電気加熱装置の使用の利点は、簡単に目的温度に設定できることである。
【００５０】
望ましくない副生成物の生成を抑制または防止するために、また生成するイソシアネートの分解を抑制するために、反応後に反応ガスを急速に冷却することが好ましい。このために通常には液体急冷媒体が添加される。急冷媒体の気化の結果、熱が吸収されて反応ガスが急速に冷却される。急冷媒体の添加の結果、反応ガスと急冷媒体の混合物が生成物となる。
【００５１】
急冷は、特に急冷媒体を霧状で添加することで行われる。その結果、この急冷媒体が大きな表面積を持ち、速やかに熱を吸収して反応ガスを冷却する。
【００５２】
本発明によれば、この急冷媒体は反応ガスの凝縮温度より高い温度で液状で添加される。急冷媒体が気化があまり早く起こらないようにするには、急冷空間中の圧力に較べて供給ライン中の圧力を大きくする必要があろう。その際、急冷空間の圧力の低下は、そのノズルで行うことができ、あるいは適当な制御装置で行うことができる。急冷媒体の圧力低下と熱い反応ガスとの混合の結果、急冷媒体の加熱及び／又は部分的または完全な気化が起こる。この過程での熱吸収は、反応ガスの冷却となる。
【００５３】
特に、急冷空間中の条件下において反応ガスの凝縮温度より低い沸点を持つ急冷媒体を使用する場合、急冷空間への添加に先立つ急冷媒体の気化を防止するために、供給ライン中の圧力は、急冷空間中の圧力と較べて上げられている。
【００５４】
急冷媒体を添加する際の圧力は、好ましくは１〜２０ｂａｒの範囲であり、より好ましくは１〜１０ｂａｒの範囲、特に１〜８ｂａｒの範囲である。
【００５５】
この冷却に用いる急冷媒体は、好ましくは、モノクロロベンゼンとジクロロベンゼン、トリクロロベンゼン、ヘキサン、ベンゼン、１，３，５−トリメチルベンゼン、ニトロベンゼン、アニソール、クロロトルエン、ｏ−ジクロロベンゼン、ジエチルイソフタレート、テトラヒドロフラン、ジメチルホルムアミド、キシレン、クロロナフタレン、デカヒドロナフタレン、トルエンからなる群から選ばれる溶媒を含んでいる。
【００５６】
本発明のある実施様態においては、この急冷後に他の反応ガスの冷却工程があってもよい。いずれの場合も、個々の冷却工程において、反応ガスが所望の最終温度に冷却され、この反応ガスが、例えば下流での処理に送られる。
【００５７】
ある実施様態においては、この急冷後の反応ガスの冷却工程の少なくとも一つが、もう一つの急冷である。
【００５８】
例えば、急冷後に得られる反応ガスや続く冷却工程後に得られる反応ガスを、溶媒で、好ましくは１３０℃を超える温度の溶媒でスクラビングすることができる。好適な溶媒は、例えば急冷媒体として用いることのできる同一物質である。
【００５９】
スクラビングの過程で、イソシアネートが選択的にスクラビング溶液中に移動されられる。次いで、残留ガスと得られるスクラビング溶液とを、好ましくは精留によりイソシアネートと溶媒とホスゲンと塩化水素に分離する。
【００６０】
反応器を去る混合ガスは、スクラバー塔中でスクラビングにかけ、ガス状の混合ガスから、生成したイソシアネートを不活性溶媒中での凝縮により分離する。過剰のホスゲンと塩化水素と適当なら不活性媒体は、ガス状でこの処理装置を通過する。選ばれたスクラビング媒体中で、不活性の溶媒の温度をそのアミンに対応するカルバモイル塩化物の溶解温度より高く維持することが好ましい。この不活性溶媒の温度は、アミンに対応するカルバモイル塩化物の溶融温度より高く維持することが好ましい。
【００６１】
このスクラビングは、当業界の熟練者には既知のいずれか所望の装置で行ってもよい。例えば、攪拌容器または他の既存の装置、例えばカラムやミキサーセトラー装置が好ましい。
【００６２】
反応器を去る反応ガスは、通常、例えばＷＯ−Ａ２００７／０２８７１５に記載のようにしてスクラビングにかけて処理される。
【００６３】
上述のように、塗膜はＳｉＯｘを含むことが好ましい。
【００６４】
他の好ましい実施様態においては、ガス状アミンと接触可能な表面を加熱する装置がさらに含まれる。適当な表面加熱装置は、特に電気加熱装置である。しかしながら、ジャケットヒーターと対応する熱媒を用いる実施様態もまた可能である。ガス状アミンと接触可能な表面は、例えば、気化器や反応器の表面やガス状アミン流が通過する管の壁面である。表面加熱装置の使用により、これらの表面をアミン含有混合ガスの凝縮温度より高い温度に維持することができ、このためアミンの凝縮を防止することができる。またこれにより表面上での析出物の形成が防がれる。