(57)【要約】【課題】本発明は、抑制システムの抑制能を求める方法を提供する。【解決手段】抑制システムは第１システムからの汚染物質ガスの移動を抑制するように構成される。抑制能は前記抑制システムの性能の指標である。かかる方法は、サブシステム内にトレーサガスを導入することと、第１システムから移動したトレーサガスの量を検出するように構成された検出システムを設けることと、トレーサガスに対する抑制システムの第１抑制能を求めることとを含む。かかる方法はさらに、第１抑制能に基づいた、汚染物質ガスに対する抑制システムの第２抑制能を求めることを含む。【選択図】  図８
2011503868.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
抑制システムの抑制能を求める方法であって、前記抑制システムは第１システムからの汚染物質ガスの移動を抑制し、前記抑制能は前記抑制システムの性能の指標である、方法であって、
前記第１システム内にトレーサガスを導入することと、
前記第１システムから移動したトレーサガスの量を検出することと、
前記トレーサガスに対する前記抑制システムの第１抑制能を求めることと、
前記第１抑制能に基づいた、前記汚染物質ガスに対する前記抑制システムの第２抑制能を求めることと、
を含む、方法。
【請求項２】
前記抑制システムはガスロックである、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記抑制システムはリソグラフィ装置内に設けられ、前記抑制システムは前記リソグラフィ装置の第２システムへの前記汚染物質ガスの移動を防止するように設けられる、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記第１システムは放射源サブシステムであり、前記第２システムは照明サブシステムである、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記第１システムは投影サブシステムであり、前記第２システムは基板テーブルサブシステムである、請求項３に記載の方法。
【請求項６】
前記トレーサガスは、前記汚染物質ガスの拡散係数より大きい拡散係数を有する：Ｄｔｒａｃｅｒ＞Ｄｃｏｎｔ、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記トレーサガスは、前記汚染物質ガスより検出システムによってより良好に検出可能である：Ｓｅｔｒａｃｅｒ＞Ｓｅｃｏｎｔ、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記トレーサガスは拡散係数Ｄｔｒａｃｅｒを有し、前記汚染物質ガスは拡散係数Ｄｃｏｎｔを有し、前記抑制システムは前記トレーサガスに対する検出能Ｓｅｔｒａｃｅｒを有し、前記抑制システムは前記汚染物質ガスに対する検出能Ｓｅｃｏｎｔを有し、Ｄｔｒａｃｅｒ・Ｓｅｔｒａｃｅｒ＞Ｄｃｏｎｔ・Ｓｅｃｏｎｔである、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記トレーサガスは希ガスである、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記トレーサガスは、前記第１システム内に既に存在するガスの同位体によって形成され、且つ、重水素または三重水素が混入された水素を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記第２抑制能Ｓｃｏｎｔは、前記第１抑制能Ｓｔｒａｃｅｒから、
【数１】
2011503868.tif 000013
によって計算され、ただし、Ｄｔｒａｃｅｒは前記トレーサガスの拡散係数であり、Ｄｃｏｎｔは前記汚染物質ガスの拡散係数である、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
第１システムと、前記第１システムからの汚染物質ガスの移動を抑制する抑制システムとを含むシステムであって、前記抑制システムは前記抑制システムの性能の指標である抑制能を有する、システムであって、
前記第１システム内にトレーサガスを導入するトレーサガス供給源と、
前記第１システムから移動したトレーサガスの量を検出するディテクタシステムと、
前記トレーサガスに対する前記抑制システムの第１抑制能を求め且つ前記第１抑制能に基づいた、前記汚染物質ガスに対する前記抑制システムの第２抑制能を求める制御ユニットと、
をさらに含む、システム。
【請求項１３】
前記抑制システムはガスロックである、請求項１２に記載のシステム。
【請求項１４】
前記トレーサガスは、前記汚染物質ガスの拡散係数より大きい拡散係数を有する：Ｄｔｒａｃｅｒ＞Ｄｃｏｎｔ、請求項１２に記載のシステム。
【請求項１５】
前記トレーサガスは、前記汚染物質ガスより高い検出能を有する：Ｓｅｔｒａｃｅｒ＞Ｓｅｃｏｎｔ、請求項１２に記載のシステム。
【請求項１６】
前記トレーサガスは拡散係数Ｄｔｒａｃｅｒを有し、前記汚染物質ガスは拡散係数Ｄｃｏｎｔを有し、前記抑制システムは前記トレーサガスに対する検出能Ｓｅｔｒａｃｅｒを有し、前記抑制システムは前記汚染物質ガスに対する検出能Ｓｅｃｏｎｔを有し、Ｄｔｒａｃｅｒ・Ｓｅｔｒａｃｅｒ＞Ｄｃｏｎｔ・Ｓｅｃｏｎｔである、請求項１２に記載のシステム。
【請求項１７】
前記トレーサガスは希ガスである、請求項１２に記載のシステム。
【請求項１８】
前記トレーサガスは、サブシステム内に既に存在するガスの同位体によって形成され、且つ、重水素または三重水素が混入された水素を含む、請求項１２に記載のシステム。
【請求項１９】
前記第２抑制能Ｓｃｏｎｔは、前記第１抑制能Ｓｔｒａｃｅｒから、
【数２】
2011503868.tif 000014
によって計算され、ただし、Ｄｔｒａｃｅｒは前記トレーサガスの拡散係数であり、Ｄｃｏｎｔは前記汚染物質ガスの拡散係数である、請求項１２に記載のシステム。
【請求項２０】
リソグラフィ装置であって、
第１システム、および、前記第１システムからの汚染物質ガスの移動を抑制する抑制システムであって、前記抑制システムの性能の指標である抑制能を有する、抑制システムと、
前記第１システム内にトレーサガスを導入するトレーサガス供給源と、
前記第１システムから移動したトレーサガスの量を検出するディテクタシステムと、
前記トレーサガスに対する前記抑制システムの第１抑制能を求め且つ前記第１抑制能に基づいた、前記汚染物質ガスに対する前記抑制システムの第２抑制能を求める制御ユニットと、
を含み、
前記抑制システムは、前記前記リソグラフィ装置の第２システムへの前記汚染物質ガスの移動を防止するように設けられる、リソグラフィ装置。
【請求項２１】
前記第１システムは放射源サブシステムであり、更なるサブシステムは照明サブシステムである、請求項２０に記載のリソグラフィ装置。
【請求項２２】
前記第１システムは投影サブシステムであり、第２サブシステムは基板テーブルサブシステムである、請求項２０に記載のリソグラフィ装置。
【請求項２３】
前記第１システムおよび前記第２システムは、
放射ビームを生成する放射源サブシステムと、
前記放射ビームの断面にパターンを付与してパターン付き放射ビームを形成可能なパターニングデバイスを支持するサポート構造サブシステムと、
前記パターン付き放射ビームを基板のターゲット部分上に投影する投影サブシステムと、
基板を保持する基板テーブルサブシステムと、
を含む群からである、請求項２０に記載のリソグラフィ装置。
【請求項２４】
機械実行可能命令を有するコンピュータプロダクトであって、前記命令は、抑制システムの抑制能を求める方法を行うように機械によって実行可能であり、前記抑制システムは第１システムからの汚染物質の移動を抑制し、前記抑制能は前記抑制システムの性能の指標であり、前記方法は、
前記第１システム内にトレーサガスを導入することと、
前記第１システムから移動したトレーサガスの量を検出することと、
前記トレーサガスに対する前記抑制システムの第１抑制能を求めることと、
前記第１抑制能に基づいた、前記汚染物質ガスに対する前記抑制システムの第２抑制能を求めることと、
を含む、コンピュータプロダクト。
【請求項２５】
請求項２５に記載のコンピュータプログラムを含むデータキャリア。
【請求項２６】
清浄なサブシステムを含む真空システムであって、前記清浄なサブシステムは少なくとも２つの更なるサブシステムを有し、流体接続部が前記更なるサブシステムの夫々と前記清浄なサブシステムとの間に設けられ、更なる流体接続部が前記更なるサブシステム間に設けられ、前記更なる流体接続部は前記清浄なサブシステムを迂回する、真空システム。
【請求項２７】
前記更なる流体接続部は、前記更なる流体接続部を開閉する少なくとも１つのバルブを含む、請求項２６に記載の真空システム。
【請求項２８】
前記真空システムは１つ以上のポンプを含み、前記ポンプのそれぞれは、前記更なるサブシステム内に存在するガスを前記清浄なサブシステムから実質的に離れた流路に沿って送り出すことによって前記更なるサブシステムのうちの１つ以上を排気する、請求項２７または２８に記載の真空システム。
【請求項２９】
前記更なる流体接続部は、前記清浄なサブシステムのガス流に対する伝導性より高い、ガス流に対する伝導性を有する、請求項２６、２７、または２８に記載の真空システム。
【請求項３０】
前記更なるサブシステムのうちの１つは、基板を保持する基板テーブルサブシステムである、請求項２６〜２９のうちいずれか一項に記載の真空システム。
【請求項３１】
前記更なるサブシステムのうちの１つは、前記放射ビームの断面にパターンを付与してパターン付き放射ビームを形成可能なパターニングデバイスを保持するサポート構造サブシステムである、請求項２６〜３０のうちいずれか一項に記載の真空システム。
【請求項３２】
前記清浄なサブシステムは、パターン付き放射ビームを基板のターゲット部分上に投影する投影サブシステムである、請求項２６〜３１のうちいずれか一項に記載の真空システム。
【請求項３３】
前記真空システムは、請求項１２〜１９のうちいずれか一項に記載のシステムを含む、請求項２６〜３１のうちいずれか一項に記載の真空システム。
【請求項３４】
請求項２６〜３３のうちいずれか一項に記載のシステムを含むリソグラフィ装置。
【請求項３５】
請求項２６〜３３のうちいずれか一項に記載の真空システムを排気する方法であって、
前記更なるサブシステムのうちの１つ以上は、前記清浄なサブシステムから実質的に離れた流路に沿ってガスを送り出すことによって排気され、
前記更なるサブシステム間に更なる流れが与えられ、前記更なる流れは、前記更なる流体接続部を流れる、方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
関連出願への相互参照
[0001]  本願は、２００７年１１月８日に出願した米国仮出願第６０／９９６，２８１号の優先権を主張し、その全体を本願に参考として組み込む。
【０００２】
[0002]  本発明は、抑制システムの抑制能（suppression factor）を求める方法、そのような方法を実行するシステム、およびそのようなシステムを含むリソグラフィ装置に関する。本発明はさらに、コンピュータプログラム、およびそのようなコンピュータプログラムを含むデータキャリアに関する。
【背景技術】
【０００３】
[0003]  リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板上、通常、基板のターゲット部分上に付与する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に用いることができる。その場合、ＩＣの個々の層上に形成される回路パターンを生成するために、マスクまたはレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを用いることができる。このパターンは、基板（例えば、シリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば、ダイの一部、または１つ以上のダイを含む）に転写することができる。通常、パターンの転写は、基板上に設けられた放射感応性材料（レジスト）層上への結像によって行われる。一般には、単一の基板が、連続的にパターニングされる隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。公知のリソグラフィ装置としては、ターゲット部分上にパターン全体を一度に露光することにより各ターゲット部分を照射するいわゆるステッパ、および放射ビームによってある特定の方向（「スキャン」方向）にパターンをスキャンすると同時に、この方向に平行または逆平行に基板をスキャンすることにより各ターゲット部分を照射するいわゆるスキャナが含まれる。パターンを基板上にインプリントすることにより、パターニングデバイスから基板にパターンを転写することも可能である。
【０００４】
[0004]  現在利用可能なリソグラフィデバイスでは、用いられる放射は、通常、紫外線（ＵＶ）光であり、これは例えばエキシマレーザまたは水銀ランプから生成されうる。かかるリソグラフィデバイスの多くは、３６５ｎｍまたは２４８ｎｍの波長を有するＵＶ光を利用する。しかし、急激に発展しているエレクトロニクス産業では、より高い解像度を実現可能なリソグラフィデバイスが絶えず求められており、これによりエレクトロニクス産業をさらに短波長の放射、特に１９３ｎｍまたは１５７ｎｍの波長を有するＵＶ光に向かわせている。この波長以上では、極端ＵＶ光（ＥＵＶ：５０ｎｍ以下、例えば１３と１４ｎｍの間または１１ｎｍの波長）、Ｘ線、イオンビーム、または電子ビームの使用を含む幾つかの可能なシナリオがある。これらのいわゆる次世代放射はいずれも、空中で吸収されるので、それらが用いられる環境を少なくとも部分的に排気することが望ましくなる。しかし、このことは困難でありうる。
【０００５】
[0005]  リソグラフィ投影装置におけるＥＵＶの使用の概論は、例えばアプライド・オプティクス（Applied Optics）３２（２４）におけるＪ．Ｂ．マーフィ（Murphy）他による記事（ｐ６９２０〜６９２９、１９９３年）に記載される。電子ビームリソグラフィに関する同様の概論は、米国特許第５，０７９，１１２号および米国特許第５，２６０，１５１号、並びにＥＰ‐Ａ９８２０１９９７．８に記載される。
【０００６】
[0006]  ＥＵＶリソグラフィ装置は、通常、次に挙げるような幾つかのサブシステムによって形成される：
‐例えばＥＵＶ源を含む放射源サブシステム、
‐例えばイルミネータを含む照明サブシステム、
‐例えばマスクテーブルを含むサポート構造サブシステム、
‐例えば屈折投影システムを含む投影サブシステム、および
‐例えば基板テーブルまたはウェーハテーブルを含む基板テーブルサブシステム。
【０００７】
[0007]  リソグラフィ装置の質を向上するためには、汚染物質を入念に管理することが望ましい。汚染物質がリソグラフィ装置内を移動することを阻止するために、ガスロックが用いられうる。ガスロックは、ガスの対向流を与えることによって汚染物質の移動を抑制しうる。
【０００８】
[0008]  ガスロックを用いて１つのサブシステムから別のサブシステムに汚染物質が移動することを抑制しうる。さらに、ガスロックを用いてあるサブシステム内の１つの場所（第１小環境）から別の場所（第２小環境）に汚染物質が移動することを抑制しうる。
【０００９】
[0009]  一例では、基板テーブルサブシステムは、ガスロックによって投影サブシステムから切り離される。このようなガスロックは、不所望のガス種が基板テーブルサブシステムから投影サブシステムに移動することを抑制するように設計される。このガスロックは、特定の抑制能でこの移動を抑制するように構成される。この例では、ガスロックは、水素の対向流を用いることで基板Ｗから発生する炭化水素を抑制するように構成されうる。
【００１０】
[0010]  さらに、ガスロックを用いて（汚染物質として放射源ミラーを清浄にするための攻撃的な化学物質を含みうる）放射源サブシステムを照明サブシステムから切り離しうる。
【００１１】
[0011]  したがって、ガスロックは、汚染物質が、あるサブシステムから移動しないように、すなわち、システム内の１つの部分から別の部分に移らないように抑制するように設けられる。なお、他の抑制システムを用いてもよく、また、ガスロックは可能な抑制システムの一例に過ぎないことは理解されよう。汚染物質を抑制する他の機構には、直交流（すなわち、ガス流が汚染物質の移動方向に垂直に向けられるガスロック）や、電場、磁場、重力場もしくは他の力場を用いた、または、温度勾配、圧力勾配および／もしくは（例えば遠心分離機内の）力勾配を用いた抑制システムが含まれる。実際、従来のロック（２つの連続する扉によって形成される）を、汚染物質が移動しないようにロックも設けられているので、抑制システムとみなすこともできる。
【００１２】
[0012]  放射源サブシステム内に存在する一部の汚染ガス（例えば放射源ミラーを清浄にするための攻撃的な化学物質、または、重質炭化水素といった汚染化学物質）について、照明サブシステム及び投影サブシステムにおける最大許容濃度が比較的低い。汚染物質の特定の最大分圧は、しばしば、実現可能な検出限界よりかなり低い。
【００１３】
[0013]  このことは、抑制システムを通り漏出する汚染物質の最大許容量が、利用可能な検出システムを用いて検出可能な量より少ない場合に問題となりうる。このことは、後段に説明するように抑制システムの能力認定（qualification）および／または抑制システムのモニタリングに問題に生じさせることがある。
【００１４】
[0014]  このことは、抑制システムの設計および性能を認定する必要がある場合に問題となりうる。抑制器を通り漏出する可能性のある汚染物質の量が検出されない場合があることから、抑制システムの性能は認定されないことがある。例えば、ガスロックが抑制システムとして用いられる場合、許容可能な汚染物質の量はガスロックの「上流」において検出されないことがある。
【００１５】
[0015]  さらに、抑制システムの性能は、動作時には確認されないことがある。抑制システムにおける可能な欠陥が、その仕様が十分な精度で測定されないため検出されないことがある。例えば、ガスロックが抑制システムとして用いられる場合であって、誤差として、対向流が所望の対向流の半分しかない場合、このことは、漏出する汚染物質の量がシステムを損傷するには十分に多いが検出されるには十分に多くないので、対向流の「上流」において検出されない。また、攻撃的な化学物質の供給源が開放される前に、抑制システムが正常に機能していることを確実にすることが望ましい。
【発明の概要】
【００１６】
[0016]  本発明の一態様では、抑制システムの抑制能を求める方法が提供される。抑制システムは、例えばシステムのサブシステムである第１システムからの汚染物質ガスの移動を抑制するように構成され、抑制能は抑制システムの性能の指標であり、この方法は、例えばサブシステムである第１システム内にトレーサガスを導入することと、例えばサブシステムである第１システムから移動したトレーサガスの量を検出するように構成された検出システムを設けることと、トレーサガスに対する抑制システムの第１抑制能を求めることと、第１抑制能に基づいた、汚染物質ガスに対する抑制システムの第２抑制能を求めることとを含む。
【００１７】
[0017]  本発明の更なる態様では、例えばサブシステムである第１システムと、例えばサブシステムである第１システムからの汚染物質ガスの移動を抑制するように構成された抑制システムとを含むシステムが提供される。抑制システムは抑制システムの性能の指標である抑制能を有する。このシステムは、例えばサブシステムである第１システム内にトレーサガスを導入するように構成されたトレーサガス供給源と、例えばサブシステムである第１システムから移動したトレーサガスの量を検出するように構成された検出システムと、トレーサガスに対する抑制システムの第１抑制能を求め且つ第１抑制能に基づいた、汚染物質ガスに対する抑制システムの第２抑制能を求めるように構成された制御ユニットとをさらに含む。
【００１８】
[0018]  本発明の更なる態様では、例えばサブシステムである第１システムと、例えばサブシステムである第１システムからの汚染物質ガスの移動を抑制するように構成された抑制システムであって、抑制システムの性能の指標である抑制能を有する、抑制システムとを含むリソグラフィ装置が提供される。リソグラフィ装置は、第１システム内にトレーサガスを導入するように構成されたトレーサガス供給源と、第１システムから移動したトレーサガスの量を検出するように構成された検出システムと、トレーサガスに対する抑制システムの第１抑制能を求め且つ第１抑制能に基づいた、汚染物質ガスに対する抑制システムの第２抑制能を求めるように構成された制御ユニットとをさらに含み、抑制システムは、リソグラフィ装置の第２システムへの汚染物質ガスの移動を防止するように設けられる。
【００１９】
[0019]  本発明の更なる態様では、機械実行可能命令を有するコンピュータプロダクトが提供される。命令は、抑制システムの抑制能を求める方法を行うように機械によって実行可能であり、抑制システムは第１システムからの汚染物質の移動を抑制するように構成され、抑制能は抑制システムの性能の指標であり、方法は、第１システム内にトレーサガスを導入することと、検出システムを用いて第１システムから移動したトレーサガスの量を検出することと、トレーサガスに対する抑制システムの第１抑制能を求めることと、第１抑制能に基づいた、汚染物質ガスに対する抑制システムの第２抑制能を求めることとを含む。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
[0020]  本発明のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の概略図を参照して以下に説明する。これらの図面において同じ参照符号は対応する部分を示す。
【図１】[0021]  図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示す。
【図２】[0021]  図２は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示す。
【図３】[0022]  図３は、本発明の一実施形態による抑制システムを有する投影サブシステムを概略的に示す。
【図４】[0023]  図４は、本発明の一実施形態による抑制システムを有する放射源サブシステムを概略的に示す。
【図５】[0024]  図５は、本発明の一実施形態によるサブシステムを概略的に示す。
【図６】[0025]  図６は、本発明の一実施形態による抑制システムを有する投影サブシステムを概略的に示す。
【図７】[0026]  図７は、本発明の一実施形態による抑制システムを有する放射源サブシステムを概略的に示す。
【図８】[0027]  図８は、本発明の一実施形態によるフロー図を概略的に示す。
【図９】[0028]  図９は、本発明の一実施形態による真空システムを概略的に示す。
【図１０】[0029]  図１０は、本発明の一実施形態による更なる真空システムを概略的に示す。
【図１１】[0030]  図１１は、本発明の一実施形態によるさらに更なる真空システムを概略的に示す。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
[0031]  図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示している。このリソグラフィ装置は、放射ビームＢ（例えばＵＶ放射またはＥＵＶ放射）を調整するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを支持するように構成され、かつ特定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置決めるように構成された第１ポジショナＰＭに連結されたサポート構造またはパターニングデバイスサポート（例えばマスクテーブル）ＭＴと、基板（例えばレジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成され、かつ特定のパラメータに従って基板を正確に位置決めるように構成された第２ポジショナＰＷに連結された基板テーブル（例えばウェーハテーブル）ＷＴと、パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに付けられたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば１つ以上のダイを含む）上に投影するように構成された投影システム（例えば屈折投影レンズシステム）ＰＳを含む。
【００２２】
[0032]  照明システムとしては、放射を誘導し、整形し、または制御するために、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、またはその他のタイプの光コンポーネント、あるいはそれらのあらゆる組合せなどの様々なタイプの光コンポーネントを含むことができる。
【００２３】
[0033]  サポート構造は、パターニングデバイスの向き、リソグラフィ装置の設計、および、パターニングデバイスが真空環境内で保持されているか否かなどの他の条件に応じた態様で、パターニングデバイスを保持する。サポート構造は、機械式、真空式、静電式またはその他のクランプ技術を使って、パターニングデバイスを保持することができる。サポート構造は、例えば、必要に応じて固定または可動式にすることができるフレームまたはテーブルであってもよい。サポート構造は、パターニングデバイスを、例えば、投影システムに対して所望の位置に確実に置くことができる。本明細書において使用される「レチクル」または「マスク」という用語はすべて、より一般的な「パターニングデバイス」という用語と同義であると考えるとよい。
【００２４】
[0034]  本明細書において使用される「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分内にパターンを作り出すように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用できるあらゆるデバイスを指していると、広く解釈されるべきである。なお、留意すべき点として、放射ビームに付与されたパターンは、例えば、そのパターンが位相シフトフィーチャまたはいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板のターゲット部分内の所望のパターンに正確に一致しない場合もある。通常、放射ビームに付与されたパターンは、集積回路などのターゲット部分内に作り出されるデバイス内の特定の機能層に対応することになる。
【００２５】
[0035]  パターニングデバイスは、透過型であっても反射型であってもよい。パターニングデバイスの例としては、マスク、プログラマブルミラーアレイ、およびプログラマブルＬＣＤパネルが含まれる。マスクは、リソグラフィでは公知であり、バイナリ、レべンソン型（alternating）位相シフト、およびハーフトーン型（attenuated）位相シフトなどのマスク型、ならびに種々のハイブリッドマスク型を含む。プログラマブルミラーアレイの一例では、小型ミラーのマトリックス配列が用いられており、各小型ミラーは、入射する放射ビームを様々な方向に反射させるように、個別に傾斜させることができる。傾斜されたミラーは、ミラーマトリックスによって反射される放射ビームにパターンを付ける。
【００２６】
[0036]    本明細書において使用される「投影システム」という用語は、使われている露光放射に、あるいは液浸液の使用または真空の使用といった他の要因に適切な、屈折型、反射型、反射屈折型、磁気型、電磁型、および静電型光学系、またはそれらのあらゆる組合せを含むあらゆる型の投影システムを包含していると広く解釈されるべきである。本明細書において使用される「投影レンズ」という用語はすべて、より一般的な「投影システム」という用語と同義であると考えるとよい。
【００２７】
[0037]  本明細書に示されているとおり、リソグラフィ装置は、反射型のもの（例えば反射型マスクを採用しているもの）である。また、リソグラフィ装置は、透過型のもの（例えば透過型マスクを採用しているもの）であってもよい。
【００２８】
[0038]  リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）以上の基板テーブル（および／または２つ以上のマスクテーブル）を有する型のものであってもよい。そのような「マルチステージ」機械においては、追加のテーブルは並行して使うことができ、または予備工程を１つ以上のテーブル上で実行しつつ、別の１つ以上のテーブルを露光用に使うこともできる。
【００２９】
[0039]  また、リソグラフィ装置は、投影システムと基板との間の空間を満たすように、比較的高い屈折率を有する液体（例えば水）によって基板の少なくとも一部を覆うことができるタイプのものであってもよい。また、リソグラフィ装置内の別の空間（例えば、マスクと投影システムとの間）に液浸液を加えてもよい。浸漬技術は、投影システムの開口数を増加させることで当技術分野において周知である。本明細書において使用される「液浸」という用語は、基板のような構造物を液体内に沈めなければならないという意味ではなく、単に、露光中、投影システムと基板との間に液体があるということを意味するものである。
【００３０】
[0040]  図１を参照すると、イルミネータＩＬは、放射源ＳＯから放射ビームを受ける。例えば、放射源がエキシマレーザである場合、放射源とリソグラフィ装置は、別個の構成要素であってもよい。そのような場合、放射源は、リソグラフィ装置の一部を形成しているとはみなされず、また放射ビームは、放射源ＳＯからイルミネータＩＬへ、例えば、適切な誘導ミラーおよび／またはビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムを使って送られる。その他の場合、例えば、放射源が水銀ランプである場合、放射源は、リソグラフィ装置の一体部分とすることもできる。放射源ＳＯおよびイルミネータＩＬは、必要ならばビームデリバリシステムとともに、放射システムと呼んでもよい。
【００３１】
[0041]  イルミネータＩＬは、放射ビームの角強度分布を調節するアジャスタを含むことができる。一般に、イルミネータの瞳面内の強度分布の少なくとも外側および／または内側半径範囲（通常、それぞれσ-outerおよびσ-innerと呼ばれる）を調節することができる。さらに、イルミネータＩＬは、インテグレータおよびコンデンサといった様々な他のコンポーネントを含むことができる。イルミネータを使って放射ビームを調整すれば、放射ビームの断面に所望の均一性および強度分布をもたせることができる。
【００３２】
[0042]  放射ビームＢは、サポート構造またはパターニングデバイスサポート（例えばマスクテーブル）ＭＴ上に保持されているパターニングデバイス（例えばマスクＭＡ）上に入射して、パターニングデバイスによってパターン形成される。パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを反射した後、放射ビームＢは投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上にビームの焦点を合わせる。第２ポジショナＰＷおよび位置センサＩＦ２（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、または静電容量センサ）を使って、例えば、様々なターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路内に位置決めるように、基板テーブルＷＴを正確に動かすことができる。同様に、第１ポジショナＰＭおよび別の位置センサＩＦ１を使い、例えば、マスクライブラリから機械的に取り出した後またはスキャン中に、パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを放射ビームＢの経路に対して正確に位置決めることもできる。通常、パターニングデバイスサポートまたはサポート構造（例えばマスクテーブル）ＭＴの移動は、第１ポジショナＰＭの一部を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）およびショートストロークモジュール（微動位置決め）を使って実現することができる。同様に、基板テーブルＷＴの移動も、第２ポジショナＰＷの一部を形成するロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールを使って実現することができる。ステッパの場合は（スキャナとは対照的に）、パターニングデバイスサポートまたはサポート構造（例えばマスクテーブル）ＭＴは、ショートストロークアクチュエータのみに連結されてもよく、または固定されてもよい。パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡおよび基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１、Ｍ２と、基板アライメントマークＰ１、Ｐ２とを使って、位置合わせされてもよい。例示では基板アライメントマークが専用ターゲット部分を占めているが、基板アライメントマークをターゲット部分とターゲット部分との間の空間内に置くこともできる（これらは、スクライブラインアライメントマークとして公知である）。同様に、複数のダイがパターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡ上に設けられている場合、マスクアライメントマークは、ダイとダイの間に置かれてもよい。
【００３３】
[0043]  例示の装置は、以下に説明するモードのうち少なくとも１つのモードで使用できる。
【００３４】
[0044]  １．ステップモードにおいては、パターニングデバイスサポートまたはサポート構造（例えばマスクテーブル）ＭＴおよび基板テーブルＷＴを基本的に静止状態に保ちつつ、放射ビームに付けられたパターン全体を一度にターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一静的露光）。その後、基板テーブルＷＴは、Ｘおよび／またはＹ方向に移動され、それによって別のターゲット部分Ｃを露光することができる。ステップモードにおいては、露光フィールドの最大サイズによって、単一静的露光時に結像されるターゲット部分Ｃのサイズが限定される。
【００３５】
[0045]  ２．スキャンモードにおいては、パターニングデバイスサポートまたはサポート構造（例えばマスクテーブル）ＭＴおよび基板テーブルＷＴを同期的にスキャンする一方で、放射ビームに付けられたパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一動的露光）。パターニングデバイスサポートまたはサポート構造（例えばマスクテーブル）ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度および方向は、投影システムＰＳの（縮小）拡大率および像反転特性によって決めることができる。スキャンモードにおいては、露光フィールドの最大サイズによって、単一動的露光時のターゲット部分の幅（非スキャン方向）が限定される一方、スキャン動作の長さによって、ターゲット部分の高さ（スキャン方向）が決まる。
【００３６】
[0046]  ３．別のモードにおいては、プログラマブルパターニングデバイスを保持した状態で、パターニングデバイスサポートまたはサポート構造（例えばマスクテーブル）ＭＴを基本的に静止状態に保ち、また基板テーブルＷＴを動かす、またはスキャンする一方で、放射ビームに付けられているパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する。このモードにおいては、通常、パルス放射源が採用されており、さらにプログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルＷＴの移動後ごとに、またはスキャン中の連続する放射パルスと放射パルスとの間に、必要に応じて更新される。この動作モードは、前述の型のプログラマブルミラーアレイといったプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。
【００３７】
[0047]  上述の使用モードの組合せおよび／またはバリエーション、あるいは完全に異なる使用モードもまた採用可能である。
【００３８】
[0048]  図２は、本発明の一実施形態による図１のリソグラフィ装置の概略バージョンを示す。図２は、例えばＥＵＶ源（図示せず）を含む放射源サブシステム１１と、例えばイルミネータＩＬ（図示せず）を含む照明サブシステム１２と、例えばパターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを有するサポート構造またはパターニングデバイスサポート（例えばマスクテーブル）ＭＴを含むサポート構造サブシステム１３と、例えば屈折投影レンズシステムＰＳ（図示せず）を含む投影サブシステム１４と、例えば基板又はウェーハＷを有する基板テーブル又はウェーハテーブルＷＴを含む基板テーブルサブシステム１５とを含むリソグラフィ装置を示す。
【００３９】
[0049]  ＥＵＶ放射を使用するリソグラフィ装置では、リソグラフィ装置内を、例えば１つのサブシステムを含む第１システムから例えば別のサブシステムを含む第２システムに汚染物質が移動することを抑制する抑制システムが設けられてよい。このような抑制システムの一例としては、図３を参照してより詳細に説明するガスロックがある。
【００４０】
[0050]  図３は、一実施形態による投影サブシステム１４を概略的に示す。投影サブシステム１４は、パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを支持するサポート構造サブシステム１３からパターン付き放射ビームＢを受け、かかる放射ビームを基板テーブルサブシステム１５内に含まれた基板Ｗに投影するように構成される。放射ビームＢを適切に投影するために、投影サブシステム１４は、複数のミラーＭ１、Ｍ２、Ｍ３、Ｍ４を含む投影システムＰＳを含む。ここに図示する投影システムＰＳは可能な投影システムの一例に過ぎないことは理解されよう。
【００４１】
[0051]  図３に示すように、基板テーブルサブシステム１５から投影サブシステム１４に汚染物質が移動することを抑制する抑制システム２０がさらに設けられる。ここでは、抑制システム２０はガスロックとして設けられている。
【００４２】
[0052]  このガスロックは、投影サブシステム１４内の「最終」ミラーＭ４と、基板テーブルサブシステム１５内の基板Ｗとによって範囲が定められる介在空間内に位置決めされる中空のチューブＴを設けることによって与えられる。チューブＴは、最終ミラーＭ４から基板Ｗまたは基板テーブルＷＴ（基板がない場合）に進む際の放射ビームＢの経路の周りに位置決めされる。このチューブＴは、チューブの壁が放射ビームを遮断しないように形成され、そのようなサイズにされ、かつ位置決めされる。この特定の実施形態では、チューブＴは、投影サブシステム１４を囲む囲いＥＮの延長部として具現化され、また、チューブＴは、囲いＥＮから外側に向かって突き出ている。
【００４３】
[0053]  この例では、チューブＴは、例えばＡｒまたはＫｒといったＥＵＶを実質的に吸収しないガスを含有する。このガスは、基板Ｗの方向にチューブＴ内をフラッシュされてよい。このことは、例えば、チューブＴの上縁（Ｅ１）またはチューブＴの上縁と下縁との間のどこかの位置（Ｅ２）に近接してチューブＴ内にガスＧの下方向の流れを導入するフラッシュユニットＦＵを用いることにより実現しうる。後者の中間点（Ｅ２）における導入の場合、例えば流れの一部が下方向であり、また、流れの一部が上方向であってよい。
【００４４】
[0054]  図４は、例えばＥＵＶ源を含む放射源サブシステム１１から、照明サブシステム１２といった隣接するサブシステムに汚染物質が移動することを抑制するために用いられうるガスロックの形の抑制システムを概略的に示す。
【００４５】
[0055]  図４は、放射ビームＢが生成される、第１焦点ＦＰを有するＥＵＶ源を含む放射源サブシステム１１を示す。この放射Ｂは、湾曲形状のミラーＭ１によって中間焦点ＩＦＰに焦合する。放射ビームＢは、放射源サブシステム１１から照明サブシステム１２内に移動する。
【００４６】
[0056]  図４に示すように、放射源サブシステム１１の出口付近において、放射源サブシステム１１は、放射ビームＢの輪郭に実質的に従う円錐状の構造を含む。この円錐状の構造は、長さＬ、放射源サブシステム１１の出口位置における第１直径Ｄ１、および円錐状の構造の第１焦点ＦＰに面する側における第２直径Ｄ２を有する。
【００４７】
[0057]  ここでも、抑制システム２０が設けられて放射源サブシステム１１から照明サブシステム１２への汚染物質の移動を抑制する。ここでは、抑制システム２０はガスロックとして設けられている。放射源サブシステム内に存在しうる汚染物質の例としては、Ｓｎを使用するＥＵＶ源における作業ガスとして用いられてよいＨＩ、ＳｎＨ４、ＳｎＢｒ４、ＳｎＢｒ２が挙げられる。
【００４８】
[0058]  このガスロックは、中空のチューブＴを設けることによって与えられる。このチューブは、チューブの端部が、放射ビームＢが放射源サブシステム１１を射出し照明サブシステム１２内に入射する位置に近いように位置決めされる。このチューブＴは、放射ビームＢを遮断しないようにされる。この例では、チューブＴは、例えばＡｒ、Ｋｒ、Ｈｅ、またはＨ２といったＥＵＶを実質的に吸収しないガスを含有する。このガスは、放射源サブシステム１１の方向にチューブＴ内をフラッシュされてよい。このことは、例えば、チューブＴ内にガスＧの流れを導入することで、二重矢印によって示すように放射源サブシステム１１（および照明サブシステム１２）内へと対向流を生成するフラッシュユニットＦＵを用いることにより実現しうる。
【００４９】
[0059]  ガスロックは、汚染物質の移動に対抗する無害のガスの流れ（例えば、放射ビームＢを妨げない）を生成するように設計される。汚染物質の移動は、通常、濃度勾配によって決定され、また、拡散プロセスと表現される。したがって、一般に、ガスロックガスの対流は、汚染物質の拡散と等しいかそれよりも大きい必要がある。対流と拡散の比率は、無次元のペクレ数を用いて表される。この無次元のペクレ数は、質量拡散に対し、次の通りに定義される：
【数１】
2011503868.tif 000003
【００５０】
[0060]  図４を参照して上述した円錐状の構造に関して、ペクレ数は次の通りとなる：
【数２】
2011503868.tif 000004
【００５１】
[0061]  抑制システムの効率は、抑制能Ｓとして表される。抑制システムが、ペクレ数によって特徴付けられるガスロックである場合（これは少なくとも、一次元の流れの場合である）、抑制能Ｓは、
【数３】
2011503868.tif 000005
と定義される。
【００５２】
[0062]  代替の抑制方法を同様に説明することができる。一般に、代替の抑制システムは、汚染物質粒子に作用する推進力に基づく。この推進力は、次に、例えば、汚染物質粒子を汚染された領域内に閉じ込め、それにより汚染物質から保護する必要のある領域から離すことによって汚染物質の拡散に対抗する。さらに、この推進力は、清浄領域から汚染領域への方向に平行ではないように与えられてよい。後者の場合、汚染物質粒子は、それらが引出される、吸収される、もしくは別の方法で排除される、または非汚染粒子に変換される領域へと強制されうる。
【００５３】
[0063]  これらの代替の場合では、抑制効果は、粒子の拡散とそれらに作用する推進力とのバランスによって生じる。
【００５４】
[0064]  上述したように、他の抑制システムを用いてもよく、例えば、直交流を含む抑制システム（すなわち、ガス流が汚染物質の移動方向に垂直に向けられるガスロック）や、電場、磁場、重力場、もしくは他の力場を用いる、または、温度勾配、圧力勾配、および／若しくは（例えば遠心分離機内の）力勾配を用いる抑制システムがある。実際、（負荷）ロックも、汚染物質が移動しないようにロックが設けられるので、抑制システムとみなすことができる。
【００５５】
[0065]  当業者には検出システムが周知であり、検出システムを用いて、第１サブシステムから汚染物質が移動しているか否かを検出し、また、検出される場合は、どれくらいの量の汚染物質が第１サブシステムから移動しているのかを測定しうる。
【００５６】
[0066]  検出システムは、分圧アナライザ（残留ガスアナライザ）、化学プローブのうちの少なくとも１つを含むか、または、次の技術、すなわち、同位体により生成される放射、吸収スペクトル（ラジオ波、ＩＲ、可視、ＵＶ、ＥＵＶ、ＥＵＶ、Ｘ線）、核磁気共鳴のうちの１つを用いうる。しかし、他の好適な検出システムを用いてもよい。
【００５７】
[0067]  しかし、上述したように、一部の汚染物質（例えば放射源ミラーを清浄にするための攻撃的な化学物質、または、重質炭化水素といった汚染化学物質）について、照明サブシステム１２における最大許容濃度が比較的極低であり、すなわち、利用可能な検出システムでは検出できない。このことは、抑制システムの能力認定および／または抑制システムのモニタリングに問題を生じさせることがある。
【００５８】
[0068]  ここに提供する実施形態では、抑制システムは、例えばサブシステムである第１システムから例えば別のサブシステムである第２システムへの汚染物質の移動を抑制するように設けられ、また、第１システム内にトレーサガスを導入することが提案される。このトレーサガスを用いて、抑制システムの性能を認定および／または確認しうる。トレーサガスに関して得られる結果を用いて、汚染物質に対する抑制システムの性能を判定しうる。
【００５９】
[0069]  トレーサガスは、汚染物質より高い拡散係数を有するガスであってよい。すなわち、Ｄｔｒａｃｅｒ＞Ｄｃｏｎｔ、したがって、
【数４】
2011503868.tif 000006
、また、したがって、Ｓｔｒａｃｅｒ＞Ｓｃｏｎｔである。したがって、抑制システムがトレーサガスに対して良好に作動する場合、抑制システムは汚染物質に対しても良好に作動する確証が得られる。
【００６０】
[0070]  トレーサガスは、汚染物質よりも良好に検出システムによって検出可能である。一部のガスは、他のガスよりも良好に検出システムによって検出可能である。ガスの検出能はＳｅによって与えられ、これは、検出可能な最小分圧として定義されうる。最小分圧は、全圧によって変化しうる。
【００６１】
[0071]  汚染物質よりも良好に検出可能であるトレーサガスを用いることによって、抑制システムは、トレーサガスに基づいて能力が認定されるおよび／またはモニタリングされる。
【００６２】
[0072]  トレーサガスは、例えば、そのガスのタイプ用の良好な検出システムが利用可能であることにより、より良好に検出可能でありうる。したがって、トレーサ分圧の検出範囲は、汚染物質の検出範囲より大きいことが確実にされる。
【００６３】
[0073]  検出範囲の上限は、設計によって存在しうる（すなわち、既知のポンピング能力を有するチャンバ内の既知の流れは、測定はできないが、設計パラメータから高精度に計算可能な分圧をもたらす）。
【００６４】
[0074]  一実施形態では、トレーサガスは、上述した２つの特性、すなわち、（汚染物質の拡散係数と比較される）拡散係数と、（汚染物質の検出能と比較される）検出能との組み合わせに基づいて選択されてよい。例えば、質量スペクトロメータについて、種ｉの検出能Ｓｅｉは、次の通りに定義しうる：
【数５】
2011503868.tif 000007
ただし、Ｉｉ，ｂａｃｋｇｒｏｕｎｄは関心の質量のバックグランド電流であり、Ｉｉはｉガスの分圧がＰｉ分増加されることにより現れる電流である。アナライザによって検出可能な電流の最小値があり、これは、様々なガスの分圧の最小検出可能値となる。
【００６５】
[0075]  検出能の別の可能な定義は、上と同じ記号を用いて次の通りである：
【数６】
2011503868.tif 000008
後者の定義は、信号対雑音比（または信号対バックグランド比）を強調する。ガスのタイプ、センサの動作原理、およびセンサの実際の構造等に依存して、検出能の他の定義も適用可能である。検出能にどの定義を用いるべきかは、上述したような因子を考慮した当業者による解析から分かる。
【００６６】
[0076]  一般に、検出能の定義を選択した後、以下の不等式に基づいて好適なトレーサガスを選択しうる。
Ｄｔｒａｃｅｒ・Ｓｅｔｒａｃｅｒ＞Ｄｃｏｎｔ・Ｓｅｃｏｎｔ
【００６７】
[0077]  したがって、汚染物質と実質的に同じ拡散係数（したがって実質的に同じ抑制比率）を有するが非常に低いレベルで検出可能なトレーサガスが、比較的低い抑制比率と比較的良好な検出範囲を有するトレーサガスと同様に良好である。一般に、トレーサガスの選択は、汚染物質に対するトレーサガスの抑制能における差と、トレーサガスと汚染物質との、選択された測定装置の検出能における差とに基づきうる。さらに、トレーサガスおよび汚染物質に対する抑制能と、トレーサガスおよび汚染物質に対する検出能を決定する特性間のバランスが、対向流以外の、移動を抑制する他の機構を用いる移動バリア用のトレーサガスの選択を決定する。
【００６８】
[0078]  ガスロックまたは他の抑制システムによるトレーサガスの抑制は最小値を有しうる。例えば仮に特定の汚染物質が１０１０倍で抑制されるとする。非常に高い拡散係数と、非常に良好な検出能を有するトレーサガスを見つけている。このトレーサガスは、１．０１倍でしか抑制されない。この例では、測定装置は、抑制が全く行われない場合と、抑制は十分に良好な状況とにおけるトレーサガスの値を区別するための精度を有さない場合がある。これは、これらの２つの状況は、センサから読み出される値には１％の差しかないからである（これは、トレーサガスが非常に低く抑制されることによる）。したがって、トレーサガスの選択は、妥当な精度を実現するために、トレーサガスの最小抑制により制限される。典型的な一例では、１００の倍数のトレーサガスの最小抑制が考えられうる。この（前の状況における１．０１と比較して）より大きい倍数は、抑制機構が適切に機能するか否かの問いに対するより正確な解を与えうる。
【００６９】
[0079]  トレーサガスは、第１および／または第２サブシステムの残りの部分および／またはシステム全体を妨げないガスであってよい。ガスは、例えば、第１サブシステム、第２サブシステム、およびまたは、システム全体内にあるような既に存在するガスであってよい。したがって、サブシステムが放射源サブシステム１１である場合、ガスは、ヘリウムまたはネオンといった希ガスであってよい。
【００７０】
[0080]  第１、第２、および／またはシステム全体内で既に使用されているガスの同位体を用いてもよい。第１サブシステムが放射源サブシステムである場合、トレーサガスは、重水素または三重水素が混入された水素であってよい。
【００７１】
[0081]  既存ガスロックにおける抑制は、そのガスロックがそれに対して設計されている化学物質の抑制より高くてよい。これはトレーサガスの拡散係数が汚染物質ガスより高いことを意味する。
【００７２】
[0082]  図５は、汚染物質ガスＣを含むサブシステムを示す一実施形態を示す。図５に示すように、このサブシステムは、開口ＯＰを含み、この開口を通って汚染物質ガスが出てしまうことがある。このことを防ぐために、抑制システムＳＳが設けられて汚染物質ガスがサブシステムから移動することを抑制する。抑制システムＳＳは、抑制システム内にガスの対向流を与えるガスロックであってよい。抑制システムは、抑制システムの性能の指標である抑制能を有する。さらに、サブシステム内にトレーサガスＴＲを導入するように構成されたトレーサガスＴＳ供給源が設けられる。
【００７３】
[0083]  図５はさらに、サブシステムから移動するトレーサガスを検出するように構成された検出システムＤＳを示す。検出されたトレーサガスＴＲの量に基づいて、そのトレーサガスに対する抑制システムの第１抑制能が求められうる。この第１抑制能を用いて、第１抑制能に基づいた、汚染物質ガスに対する抑制システムの第２抑制能を求めうる。制御ユニット（図５には図示せず）を設けて第１および／または第２抑制能を求めてもよい。
【００７４】
[0084]  したがって、少なくとも１つのサブシステムと、かかるサブシステムからの汚染物質ガスの移動を抑制するように構成された抑制システムとを含むシステムが提供される。この抑制システムは、抑制システムの性能の指標である抑制能を有する。このシステムはさらに、サブシステム内にトレーサガスを導入するように構成されたトレーサガス供給源と、サブシステムから移動したトレーサガスの量を検出するように構成された検出システムと、トレーサガスに対する抑制システムの第１抑制能を求め且つ第１抑制能に基づいた、汚染物質ガスに対する抑制システムの第２抑制能を求めるように構成された制御ユニットと、を含む。
【００７５】
[0085]  トレーサガスＴＲは、汚染物質ガスの拡散係数より大きい拡散係数（Ｄｔｒａｃｅｒ＞Ｄｃｏｎｔ）を有しうる。トレーサガスＴＲはさらに、汚染物質ガスよりも検出システムによってより良好に検出可能でありうる（Ｓｅｔｒａｃｅｒ＞Ｓｅｃｏｎｔ）。組み合わせると、次の関係が有効となりうる：
Ｄｔｒａｃｅｒ・Ｓｅｔｒａｃｅｒ＞Ｄｃｏｎｔ・Ｓｅｃｏｎｔ
【００７６】
[0086]  トレーサガスＴＲは希ガスであってよい。トレーサガスは、サブシステム内に既に存在するガスの同位体から形成されてよく、また、重水素または三重水素が混入された水素を含む群のうちの１つであってよい。このようなトレーサガスＴＲは、特にサブシステムがＥＵＶ源を含む放射源サブシステム１１である場合、サブシステムをほとんど妨げない。
【００７７】
[0087]  このシステムは、リソグラフィ装置に用いられてよい。したがって、システムを含むリソグラフィ装置が提供される。このリソグラフィ装置において、このシステムは、少なくとも１つのサブシステムと、かかるサブシステムからの汚染物質ガスの移動を抑制するように構成された抑制システムとを含む。この抑制システムは、抑制システムの性能の指標である抑制能を有する。このシステムはさらに、サブシステム内にトレーサガスを導入するように構成されたトレーサガス供給源と、サブシステムから移動したトレーサガスの量を検出するように構成された検出システムと、トレーサガスに対する抑制システムの第１抑制能を求め且つ第１抑制能に基づいた、汚染物質ガスに対する抑制システムの第２抑制能を求めるように構成された制御ユニットとを含む。この抑制システムは、汚染物質ガスがリソグラフィ装置の更なるサブシステムに移動することを防ぐように設けられる。
【００７８】
[0088]  一実施形態では、サブシステムは放射源サブシステム１１であり、更なるサブシステムは照明サブシステム１２である。更なる実施形態では、サブシステムは投影サブシステム１４であり、第２サブシステムは基板テーブルサブシステム１５である。
【００７９】
[0089]  この例を、図６を参照して以下にさらに説明する。
【００８０】
[0090]  図６は、図３と同様の、投影サブシステム１４および基板テーブルサブシステム１５を概略的に示し、対応する参照記号は対応する部分を示す。
【００８１】
[0091]  図６はさらに、基板テーブルサブシステム１５内にトレーサガスＴＲを導入するように構成されたトレーサガス供給源ＴＳを含む。図６はさらに、基板テーブルサブシステム１５から投影サブシステム１５内に移動したトレーサガスの量を検出するように構成された検出システムＤＳを示す。さらに、トレーサガスに対する抑制システム２０の第１抑制能を求め、且つ、第１抑制能に基づいた、汚染物質ガスに対する抑制システム２０の第２抑制能を求めるように構成された制御ユニットＣＵが設けられる。制御ユニットＣＵは、投影サブシステム１４内で検出されたトレーサガスＴＲの量に関する情報を検出システムＤＳから受信するように構成される。一実施形態では、この制御ユニットＣＵは、抑制システム２０およびトレーサガス供給源ＴＳから情報を受信する、および／または、これらを制御するように構成されてよい。
【００８２】
[0092]  したがって、上述したようなリソグラフィ装置が提供される。このリソグラフィ装置において、サブシステムは投影サブシステムであり、第２サブシステムは基板テーブルサブシステムである。
【００８３】
[0093]  図７は、図４と同様の、放射源サブシステム１１および照明テーブルサブシステム１２を概略的に示し、対応する参照記号は対応する部分を示す。
【００８４】
[0094]  図７はさらに、放射源サブシステム１１内にトレーサガスＴＲを導入するように構成されたトレーサガス供給源ＴＳを含む。図６はさらに、放射源サブシステム１１から照明サブシステム１２内に移動したトレーサガスの量を検出するように構成された検出システムＤＳを示す。さらに、トレーサガスに対する抑制システム２０の第１抑制能を求め、且つ、第１抑制能に基づいた、汚染物質ガスに対する抑制システム２０の第２抑制能を求めるように構成された制御ユニットＣＵが設けられる。制御ユニットＣＵは、投影サブシステム１４内で検出されたトレーサガスＴＲの量に関する情報を検出システムＤＳから受信するように構成される。１つのオプションとして、この制御ユニットＣＵは、抑制システム２０およびトレーサガス供給源ＴＳから情報を受信する、および／または、これらを制御するように構成されてよい。
【００８５】
[0095]  したがって、上述したようなリソグラフィ装置が提供される。このリソグラフィ装置において、サブシステムは放射源サブシステムであり、更なるサブシステムは照明サブシステムである。
【００８６】
[0096]  一般に、上述したようなリソグラフィ装置が提供される。このリソグラフィ装置において、上述したようなサブシステムおよび更なるサブシステムは、放射ビームを生成するように構成された放射源サブシステムと、放射ビームを調整するように構成された照明サブシステムと、放射ビームの断面にパターンを付与してパターン付き放射ビームを形成可能なパターニングデバイスを支持するように構成されたサポート構造サブシステムと、パターン付き放射ビームを基板のターゲット部分上に投影するように構成された投影サブシステムと、基板を保持するように構成された基板テーブルサブシステムとを含む群からである。
【００８７】
[0097]  図８は、本発明の一実施形態に従って、上述したようなシステムによって実行されうるフロー図を概略的に示す。このフロー図は、上述したような制御ユニットＣＵによって実行されうる。第１動作１０１として、方法は、第１サブシステム内にトレーサガスＴＲを導入することを含みうる。第２動作１０２として、方法は、トレーサガスに対する抑制システムの第１抑制能を求めることを含みうる。さらに、方法は、第１抑制能に基づいた、汚染物質ガスに対する抑制システムの第２抑制能を求める更なる動作１０３を含んでよい。
【００８８】
[0098]  一実施形態では、抑制システムの抑制能を求める方法が提供される。この抑制システムは、サブシステムからの汚染物質ガスの移動を抑制するように構成され、抑制能は抑制システムの性能の指標である。この方法は、サブシステム内にトレーサガスを導入すること（１０１）と、サブシステムから移動したトレーサガスの量を検出するように構成された検出システムを設けることと、トレーサガスに対する抑制システムの第１抑制能を求めること（１０２）と、第１抑制能に基づいた、汚染物質ガスに対する抑制システムの第２抑制能を求めること（１０３）とを含む。
【００８９】
[0099]  このシステムは、リソグラフィ装置に用いられてよい。一実施形態では、ある方法が提供される。この方法では、かかる抑制システムがリソグラフィ装置内に設けられ、この抑制システムは汚染物質ガスのリソグラフィ装置の更なるサブシステムへの移動を防止するように設けられている。更なる実施形態では、サブシステムは放射源サブシステム１１であり、更なるサブシステムは照明サブシステム１２であってよい。更なる実施形態では、サブシステムは投影サブシステム１４であり、第２サブシステムは基板テーブルサブシステム１５であってよい。
【００９０】
[00100]  この方法は、制御ユニットＣＵによって実行されてよい。制御ユニットＣＵは、メモリへのアクセスを有するプロセッサを含むコンピュータデバイスであってよく、メモリは、プロセッサに本明細書に記載した実施形態を実行させるようにプロセッサにより読み出し可能且つ実行可能なコンピュータプログラムを含む。一実施形態では、コンピュータ配置にロードされると、上述した方法のうちのいずれかを実行するように構成されたコンピュータプログラムが提供される。更なる実施形態では、そのようなコンピュータプログラムを含むデータキャリアが提供される。
【００９１】
[00101]  一例では、抑制システムの性能を認定し且つ動作時に抑制システムの性能をモニタリングするために用いられるトレーサガスが提供される。
【００９２】
[00102]  この例では、放射源サブシステム１１および照明サブシステム１２が、図４および図６に示すように設けられる。放射源サブシステム１１内では、攻撃的な化学物質が存在する。
【００９３】
[00103]  この化学物質は比較的攻撃性が高いので、イルミネータサブシステム１２内で許容されるこの攻撃性のレベルは非常に低く、１０１０倍の抑制能が望まれうる。
【００９４】
[0104]  まず、１０１０以上の抑制能を与える（または与えることになっている）抑制システムが提供される。しかし、利用可能な検出システムは、この抑制能を確認することができない。これは、抑制システムから移動する量が検出するには少なすぎるためである。したがって、放射源サブシステム１１内にトレーサガスが導入される。トレーサガスは、次： 
Ｄｔｒａｃｅｒ・Ｓｅｔｒａｃｅｒ＞Ｄｃｏｎｔ・Ｓｅｃｏｎｔ
を満足するように選択され、また、放射源サブシステム１１内に一定量のトレーサガスが与えられ、指定された抑制能によってトレーサガスの量が検出システムによって検出可能となるべきである。トレーサガスの量は、既に存在するトレーサガスのバックグランドレベルより高く、また、検出システムによって検出可能であるように選択されてよい。トレーサおよび汚染物質の既知の拡散係数を用いることにより、汚染物質に対する抑制システムの抑制能を求めることができる。
【００９５】
[00105]  汚染物質の拡散係数は、汚染物質に関して測定可能な比較的低い抑制能を有する抑制システムの小さい部分を試験することによって検証することができる。抑制能は、抑制システムの特性長さに比例しうる。したがって、短い抑制システムに関して、すなわち、抑制システムの小さい部分に関して、抑制能は、汚染物質の検出可能な量を有するのに十分に低い。さらに、拡散定数も、公称値より小さい流れを用いて検証しうる。
【００９６】
[00106]  抑制システムの能力が認定されると、汚染物質の抑制に関して確実にするために存在する必要のある最小トレーサガス抑制能が既知となる。
【００９７】
[00107]  汚染物質が放射源サブシステム１１内に導入される前に、トレーサガスレベルが放射源サブシステム１１内に導入されて、イルミネータサブシステム１２内のトレーサガスのレベルを測定することによって抑制システムの抑制能を測定する。トレーサの抑制能が能力認定の際に見出されたレベルより上であると検出される場合にのみ、汚染物質の流れが可能にされる。
【００９８】
[00108]  次に、放射源サブシステム１１の動作中、一定量のトレーサガスが放射源サブシステム１１内に連続的にまたは所定の時間に導入されて、イルミネータサブシステム１２内に存在するトレーサガスの量を測定することにより抑制システムの性能を確認しうる。
【００９９】
[00109]  上記を、計算例を用いてさらに説明する。
【０１００】
[00110]  開始直径Ｄ１および終了直径Ｄ２と、流れＱと、圧力ｐでの長さＬを有する円錐における、拡散定数Ｄを有する汚染物質の抑制のためのペクレ数は、既に上述したように
【数７】
2011503868.tif 000009
である。抑制能は、
【数８】
2011503868.tif 000010
によって与えられる。
【０１０１】
[00111]  特定のバックグランドガスにおける特定の汚染物質の拡散定数は、１Ｐａの圧力および３００Ｋの温度で６．９９ｍ２／ｓに等しく、バックグランドガスにおけるトレーサガスの拡散定数は、１Ｐａの圧力および３００Ｋの温度で１８．３ｍ２／ｓに等しいことが見出されうる。
【０１０２】
[00112]  Ｑ＝０．３８Ｐａｍ２／ｓ、Ｄ１＝０．００６ｍ、Ｄ２＝０．０４４ｍ、Ｌ＝０．１１６ｍ、（ｐは任意である）の場合、次のことが分かる：
抑制能
Ｓｃｏｎｔ          １．６５・１０１３    イルミネータの保護には十分に良好であるが検出システムによる検出不可
Ｓｔｒａｃｅｒ        １．１・１０５        検出システムによる検出可能
【０１０３】
[00113]  上記から、少なくとも約１．１・１０５倍のトレーサガスの抑制を維持する抑制システムは、約１．６・１０１３の汚染物質の抑制能を保証する。
【０１０４】
[00114]  一実施形態では、第１トレーサガスを用いて抑制システムの性能を認定してよく、また、第２トレーサガスを用いて動作中の抑制システムの性能をモニタリングしてよい。例えば、第２トレーサガスのサブシステムの一部への例えばトレーサガスの影響に関する仕様は、第１トレーサガスの仕様と異なってよく、例えばより厳しくてよい。これは、モニタリングは電源がオンにされた放射源と共に行われてよく、能力認定は電源がオフにされた放射源と共にまたは放射源を有さないシステム内で行われてよいからである。
【０１０５】
[00115]  一実施形態では、第２抑制能Ｓｃｏｎｔは、第１抑制能Ｓｔｒａｃｅｒから
【数９】
2011503868.tif 000011
によって計算される。
【０１０６】
[00116]  上述した実施形態は、リソグラフィ装置、特に、放射源サブシステム１１である第１サブシステムおよび照明サブシステム１２である第２サブシステムに関連して提供されたものである。しかし、これらの実施形態は、リソグラフィ装置内の２つの他のサブシステム間でも用いられてよいことは理解されよう。実際に、これらの実施形態は、任意の他の種類のシステムに用いられてもよい。実際に、汚染物質が制限される必要のなるサブシステムを含む第２の環境へのシステムまたはサブシステムからのガスの移動を防止する抑制システムを含む、環境または第２システムもしくはサブシステムと開いた接続部を有する任意の種類のシステムまたはサブシステム。
【０１０７】
[00117]  これらの実施形態は、ガスロックといった抑制システムのより良好な能力認定を可能にする。トレーサガスを用いることにより、抑制システムの能力が認定され、また、トレーサガスの能力認定は、抑制されるべき汚染物質に対する抑制システムの性能の相対的に正確な能力認定と解釈されうる。
【０１０８】
[00118]  さらに、これらの実施形態は、動作中、または、汚染物質源がオンに切り替えられる前に抑制システムの性能をモニタリングすることを可能にする。
【０１０９】
[00119]  図９は、清浄なサブシステム１１４、および、２つの更なるサブシステム１１３、１１５を含む真空システム１０１を開示する。真空システム１０１のこの実施形態では、清浄なサブシステム１１４にガスインレット１２１が設けられうる。真空システムはさらに、更なるサブシステム１１３と更なるサブシステム１１５との間に流体接続部１２２を含む。図９に示すように、更なる流体接続部１２２は、清浄なサブシステム１１５を迂回する。この更なる流体接続部は、清浄なサブシステムのガス流に対する伝導性（conductance）より高い、ガス流に対する伝導性を有することが好適である。図９の真空システムは、例えば、図２のリソグラフィ装置内で実現されてよい。更なるサブシステム１１３はサポート構造サブシステム１３であってよく、更なるサブシステム１１５は基板テーブルサブシステム１４であってよい。清浄なサブシステム１１４は投影サブシステム１５であってよい。
【０１１０】
[00120]  図９に戻るに、更なる流体接続部１２２は、更なる流体接続部１２２を開閉するように構成されたバルブ１２４を含んでよい。さらにまたはあるいは、真空システムは２つのポンプ１２６を含んでよく、それぞれ、更なるサブシステム内に存在するガスを清浄なサブシステム１１４から実質的に離れた流路に沿って送り出すことで更なるサブシステム１１３、１１５のうちの１つを排気するように構成される。この例では、ポンプ１２６のうち片方かまたは両方であるポンプのうち１つ以上を制御するように構成された更なる制御ユニット
【数１０】
2011503868.tif 000012
（以降「Ｓ∧」と記載する）が設けられてよい。この更なる制御ユニットＳ∧はさらに、開閉するようバルブ１２４を制御するように構成される。
【０１１１】
[00121]  正常動作では、非汚染ガスが、ガスインレット１２１を経由して与えられうる。清浄なサブシステム１１４内の圧力は、サブシステム１１３、１１５内の圧力より高くてよい。
【０１１２】
[00122]  排気中、更なるサブシステム１１３、１１５のうち１つ以上が、清浄なサブシステム１１４から実質的に離れた流路に沿ってガスを送り出すことによって、排気されうる。バルブ１２４を開くことによって、更なる流れが、更なるサブシステム１１３と更なるサブシステム１１５との間に与えられる。更なるサブシステム１１３、１１５のうちの１つのサブシステムをポンプによって排気することによって生成される圧力差は、清浄なサブシステム１１４および／または更なる流体接続部１２２を通るこの流れによって補償される。清浄なサブシステム１１４の汚染は、更なる流体接続部１２２を通る流れの方向を転換させることによって回避されうる。清浄なサブシステム１１４の流れの伝導性に対して流体接続部１２２の流れの伝導性が高いほど、より多くの流れが流体接続部１２２によって迂回される。
【０１１３】
[00123]  図１０は、真空システム１０１の別の実施形態を示す。本実施形態では、１つのポンプ１２６しか設けられていない。しかし、追加のバルブ１２８を選択的に開くことによって、所定の更なるサブシステム１１３、１１５が排気されるように真空システムを調節することができる。制御ユニットＳ∧は、バルブ１２８を開閉するように構成される。
【０１１４】
[00124]  図１１は、真空システム１０１のさらに別の実施形態を示す。図１１の実施形態では、更なる流体接続部１２２自体がさらにポンプ１２６と流体接続する。両方のバルブ１２８を開くことによって流体接続部１２２は開かれて、それにより、清浄なサブシステム１１４が迂回される。
【０１１５】
[00125]  本明細書において、ＩＣ製造におけるリソグラフィ装置の使用について具体的な言及がなされているが、本明細書記載のリソグラフィ装置が、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイダンスパターンおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド等の製造といった他の用途を有し得ることが理解されるべきである。当業者にとっては当然のことであるが、そのような別の用途においては、本明細書で使用される「ウェーハ」または「ダイ」という用語はすべて、それぞれより一般的な「基板」または「ターゲット部分」という用語と同義であるとみなしてよい。本明細書に記載した基板は、露光の前後を問わず、例えば、トラック（通常、基板にレジスト層を塗布し、かつ露光されたレジストを現像するツール）、メトロロジーツール、および／またはインスペクションツールで処理されてもよい。適用可能な場合には、本明細書中の開示内容を上記のような基板プロセシングツールおよびその他の基板プロセシングツールに適用してもよい。さらに基板は、例えば、多層ＩＣを作るために複数回処理されてもよいので、本明細書で使用される基板という用語は、すでに多重処理層を包含している基板を表すものとしてもよい。
【０１１６】
[00126]  光リソグラフィの関連での本発明の実施形態の使用について上述のとおり具体的な言及がなされたが、当然のことながら、本発明は、他の用途、例えば、インプリントリソグラフィに使われてもよく、さらに状況が許すのであれば、光リソグラフィに限定されることはない。インプリントリソグラフィにおいては、パターニングデバイス内のトポグラフィによって、基板上に創出されるパターンが定義される。パターニングデバイスのトポグラフィは、基板に供給されたレジスト層の中にプレス加工され、基板上では、電磁放射、熱、圧力、またはそれらの組合せによってレジストは硬化される。パターニングデバイスは、レジストが硬化した後、レジスト内にパターンを残してレジストの外へ移動される。
【０１１７】
[00127]  本明細書で使用される「放射」および「ビーム」という用語は、紫外線（ＵＶ）（例えば、３６５ｎｍ、３５５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ、または１２６ｎｍの波長、またはおよそこれらの値の波長を有する）、および極端紫外線（ＥＵＶ）（例えば、５〜２０ｎｍの範囲の波長を有する）、ならびにイオンビームや電子ビームなどの微粒子ビームを含むあらゆる種類の電磁放射を包含している。
【０１１８】
[00128]  「レンズ」という用語は、文脈によっては、屈折、反射、磁気、電磁気、および静電型光コンポーネントを含む様々な種類の光コンポーネントのいずれか１つまたはこれらの組合せを指すことができる。
【０１１９】
[00129]  以上、本発明の具体的な実施形態を説明してきたが、本発明は、上述以外の態様で実施できることが明らかである。例えば、本発明は、上記に開示した方法を表す１つ以上の機械可読命令のシーケンスを含むコンピュータプログラムの形態、またはこのようなコンピュータプログラムが記憶されたデータ記憶媒体もしくはコンピュータ可読媒体（例えば、半導体メモリ、磁気ディスクまたは光ディスク）の形態であってもよい。
【０１２０】
[00130]  上記の説明は、制限ではなく例示を意図したものである。したがって、当業者には明らかなように、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本記載の発明に変更を加えてもよい。
【図１】
2011503868.tif 000015
【図２】
2011503868.tif 000016
【図３】
2011503868.tif 000017
【図４】
2011503868.tif 000018
【図５】
2011503868.tif 000019
【図６】
2011503868.tif 000020
【図７】
2011503868.tif 000021
【図１０】
2011503868.tif 000022
【図１１】
2011503868.tif 000023
【図８】
2011503868.tif 000024
【図９】
2011503868.tif 000025
【国際調査報告】
2011503868.tif 000026
2011503868.tif 000027
2011503868.tif 000028
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