(57)【要約】  本発明の様々な態様に応じた熱を伝達する方法及び装置は、基板の上の熱源と共同して働く。１つの実施例において、蓋が前記基板に係合する。前記蓋は、熱伝導性剛体と、該熱伝導性剛体と前記熱源との間のボンドライン間隔を制限する１つ以上のハードストップとを含む。熱界面材料が、前記蓋と前記熱源との間のボンドラインに配置されている。前記熱界面材料は、前記蓋と前記熱源との間の熱伝導性接着剤である。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の上の熱源のための熱伝達装置であって、前記基板に係合する蓋であって熱伝導性剛体と該熱伝導性剛体と前記熱源との間のボンドライン間隔を制限する複数のハードストップとを有する蓋と、該蓋と前記熱源との間のボンドラインに配置された熱界面材料とを含み、該熱界面材料は前記蓋と前記熱源との間の熱伝導性接着剤である、熱伝達装置。
【請求項２】
前記蓋の厚さは０．０６インチ未満である、請求項１に記載の熱伝達装置。
【請求項３】
前記熱界面材料は、少なくとも１０年間にわたって硬直することが無く、また脆弱になることが無い、請求項１に記載の熱伝達装置。
【請求項４】
前記熱界面材料は酸化アルミニウムで満たされた室温加硫型シリコンを含む、請求項３に記載の熱伝達装置。
【請求項５】
前記熱界面材料は質量損失比１％未満及び再凝縮物質比０．１％未満の気体放出速度を有する、請求項３に記載の熱伝達装置。
【請求項６】
前記蓋は、前記熱源の周囲に前記蓋を位置決める位置合わせガイドを含む、請求項１に記載の熱伝達装置。
【請求項７】
前記蓋の通気口であって前記熱源周辺で空気が循環することを可能にする通気口を含む、請求項１に記載の熱伝達装置。
【請求項８】
前記蓋は該蓋に作用する応力負荷から生じる撓みを減ずる補強材を含む、請求項１に記載の熱伝達装置。
【請求項９】
ヒートシンクと、前記蓋と前記ヒートシンクとの間に置かれた第２の熱界面材料とを含み、前記ヒートシンクは前記熱源と同様に前記蓋の反対側に係合する、請求項１に記載の熱伝達装置。
【請求項１０】
ダイ及び基板を備える集積回路のための熱伝達装置であって、前記集積回路に係合する蓋であって前記集積回路と実質的に同程度の寸法を有する熱伝導体と、前記基板の表面に配置されたハードストップであって前記熱伝導体及び前記ダイの直接の接触を妨げ、また前記熱伝導体と前記ダイとの間のボンドライン間隔を制限する複数のハードストップとを含む蓋と、前記集積回路と前記蓋との間に置かれた熱界面材料とを含み、前記熱伝導体は前記ダイからの熱を吸収し、前記熱界面材料は前記集積回路と前記蓋との間の熱伝導性接着剤である、熱伝達装置。
【請求項１１】
前記蓋の厚さは０．０６インチ未満である、請求項１０に記載の熱伝導装置。
【請求項１２】
前記熱界面材料は、少なくとも１０年間にわたって硬直することが無く、また脆弱になることが無い、請求項１０に記載の熱伝達装置。
【請求項１３】
前記熱界面材料は酸化アルミニウムで満たされた室温硬直シリコンを含む、請求項１２に記載の熱伝達装置。
【請求項１４】
前記熱界面材料は質量損失比１％未満及び再凝縮物質量比０．１％未満の気体放出速度を有する、請求項１２に記載の熱伝達装置。
【請求項１５】
前記蓋は前記熱源の周囲に前記蓋を位置決める位置合わせガイドを含む、請求項１０に記載の熱伝達装置。
【請求項１６】
前記蓋の通気口であって前記蓋と前記基板との間に空気が循環することを可能にする通気口を含む、請求項１０に記載の熱伝達装置。
【請求項１７】
前記蓋は該蓋に作用する応力負荷から生じる撓みを減ずる補強材を含む、請求項１０に記載の熱伝達装置。
【請求項１８】
ヒートシンクと、前記蓋と前記ヒートシンクとの間におかれた第２の熱界面材料とを含み、前記ヒートシンクは前記シリコンダイと同様に前記蓋の反対側に係合し、前記第２の熱界面材料は前記蓋と前記ヒートシンクとの間の熱伝導性接着剤である、請求項１０に記載の熱伝達装置。
【請求項１９】
ダイを有する集積回路を冷却する方法であって、ハードストップを含む熱伝導蓋を前記集積回路の表面に第１の熱伝導性接着剤により固定すること、ヒートシンクを前記熱伝導蓋に第２の熱伝導性接着剤により貼付することを含み、前記ハードストップは前記熱伝導蓋と前記ダイとの間のボンドライン間隔を制限し、また前記第１の熱伝導性接着剤は酸化アルミニウムで満たされた室温加硫型シリコンを含む、集積回路を冷却する方法。
【請求項２０】
前記熱伝導蓋は、前記集積回路の周囲に前記熱伝導蓋を位置決める複数の位置合わせガイドと、前記熱伝導蓋と前記集積回路との間に空気が循環することを可能にする通気口とを含む、請求項１９に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
〔政府のラインセンス権〕
【０００２】
本発明は、契約番号ＨＱ００６−０１−Ｃ−００に基づき米国政府の支持の下になされた。米国政府は、本発明における一定の権利を有する。
【０００３】
〔関連出願との相互参照〕
【０００４】
本出願は、２００８年１月３１日出願の米国仮特許出願Ｎｏ．６１／０２５，２４８の利益を主張し、引用によりその出願の開示と合体する。
【背景技術】
【０００５】
集積回路（ＩＣ）の熱の管理は、部品の適切な動作及び信頼性にとって重要である。マイクロプロセッサのような集積回路の恒常的な小型化は、より大きな電力がより小さなチップを通過するにつれて、熱の管理に関する問題を生じさせる。従来の冷却手段は、ダイの表面に生じる熱を放散させるべく、チップのダイにヒートシンクを取り付けることを含む。その他の方法は、チップ表面又はヒートシンクを横切る空気の流れを促すファンを利用する。
【０００６】
熱伝導性の材料は、熱の放散性を高める試みにおいて、前記チップと前記ヒートシンクとの間隙を埋めるべく用いられる。これは限定的成功をもたらす。研究では、前記チップと前記冷却手段との界面が、使用される複数の物質のそれぞれの表面間の間隙及び物質の種類のような要因に影響を受けることわかっている。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の様々な態様に応じた熱を伝達する方法及び装置は、基板の上の熱源と共同して働く。１つの実施例において、蓋が前記基板に係合する。前記蓋は、熱伝導性剛体と、該熱伝導性剛体と前記熱源との間のボンドライン間隔を制限する１つ以上のハードストップとを含む。熱界面材料が、前記蓋と前記熱源との間のボンドラインに配置されている。前記熱界面材料は、前記蓋と前記熱源との間の熱伝導性接着剤である。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
本発明のより完全な理解は、図面との関連を考慮して、詳細な説明及び特許請求の範囲を参照することにより導かれる。図面において、同じ参照符号は、同じ要素及びステップを示す。
【０００９】
【図１】本発明の実施例に従った、回路基板に組み込まれた集積回路を示す図。
【図２】本発明の実施例に従った熱伝導蓋を示す図。
【図３】前記熱伝導蓋と前記集積回路との間の境界の断面図。
【００１０】
図面中の要素とステップは、単純かつ明確に示され、必ずしも何らかの特定の順序に従って表されたものではない。例えば、同時に、又は異なる順序で行われ得るステップが、本発明の実施例の理解を助けるために図示されている。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
本発明は、機能的な部品、手段及び目的についての用語で部分的に説明される。そのような機能的な部品及び手段は、特定の機能を果たすよう、また様々な結果を達成するように設計された多くの部品、システム及び／又は手段により実現される。例えば、本発明は、熱界面材料、熱交換機、機械的部品のような多種多様な機能を実行する様々な熱伝導性部品、熱源、ヒートシンク、部品本体の形状、寸法及び重量を採用する。加えて、本発明は、多くの適用及び環境に関連して実施することができ、またここに挙げるシステムは、本発明に関する適用の単なる一例である。さらに、本発明は、製造、組み込みのような多くの従来技術を利用する。
【００１２】
図１を参照するに、本発明の様々な態様に応じた、熱源からヒートシンクへ熱を伝達する代表的な方法及び装置は、集積回路と共同して働く。熱伝導蓋１０８は、集積回路１０２から発生する熱をヒートシンク１１２に伝達する。ヒートシンク１１２は、周辺環境や冷却装置へ熱を伝達することで処分する。薄いボンドライン１０６は、熱伝導蓋１０８と集積回路１０２との間の空間を埋めている。ボンドライン１０６は、集積回路１０２から熱を熱伝導蓋１０８に伝達すべく熱伝導性界面材料１１０で満たされている。
【００１３】
集積回路１０２は、動作時に冷却が必要な何らかの集積回路又は類似のシステムを含む。例えば、集積回路１０２は、マイクロプロセッサのようなマイクロチップを含む。本実施例において、集積回路１０２は、シリコンダイ１０４に対応する基板１１４よりも著しく小さい表面領域を有するシリコンダイ１０４を備えるマイクロプロセッサを含む。代表的なマイクロプロセッサの例は、ＩＢＭ７５０ＦＸ及びＸｉｌｉｎｘＶ２ｐｒｏを含む。
【００１４】
熱伝導蓋１０８は、集積回路１０２からの熱をヒートシンク１１２に伝導的に伝達する。さらに、熱伝導蓋１０８は、ダイ１０４の周辺パッケージの１つ以上の壁を規定する。熱伝導蓋１０８は、集積回路１０２からの熱を吸収する何らかの適切な要素を含む。例えば、熱伝導蓋１０８は、熱源からの熱を吸収可能な１つ以上の表面を含む。さらに、熱伝導蓋１０８は、集積回路１０２から熱を奪って伝達する表面積を増加させるべく、シリコンダイ１０４の寸法よりも大きく、かつ基板１１４の寸法と同程度の寸法となっている。例えば、1つの実施例において、熱伝導蓋１０８の表面積は、ダイ１０４の表面積の約１０倍である。
【００１５】
熱伝導蓋１０８は、アルミニウム、銅又はベリウムのような何らかの適切な導電性材料から構成される。また、熱伝導蓋１０８は、熱伝導蓋１０８を通過する熱の伝達率を増加すべく、薄壁とされている。例えば、1つの実施例において、熱伝導蓋１０８は、集積回路１０２の基板１１４とほぼ同じ全体寸法を有し、０．０６インチより薄いアルミニウムヒートスプレッダを含む。
【００１６】
熱伝導蓋１０８の厚さが薄くなるにつれて、熱伝導蓋１０８の剛性は、補強材を必要とする程度にまで損なわれる。熱伝導蓋１０８に加わる力又は応力が熱伝導蓋１０８への過度の撓み又は変形をもたらさないように、補強材は、剛性を維持する何らかのシステムを含むことができる。例えば、熱伝導蓋１０８の中央に加わる力が熱伝導蓋１０８の端部に伝達されるように、補強用の棒状部材が熱伝導蓋１０８の表面に付け加えられてもよい。
【００１７】
図２を参照するに、熱伝導蓋１０８は、熱伝導蓋１０８内に設けられたいくつかの機械的ハードストップ２０２、位置合わせガイド２０４及び／又は通気口２０６を含む。ハードストップ２０２は、ダイ１０４が損傷する可能性を減ずべく、熱伝導蓋１０８がダイ１０４に直接接触することを防止している。また、ハードストップ２０２は、ヒートシンク１１２又は熱伝導蓋１０８に加わる何らかの力を、ダイ１０４から遠ざけ、或いは集積回路１０２の基板１１４に向ける。
【００１８】
ハードストップ２０２は、熱伝導蓋１０８とダイ１０４とのわずかな間隙を保持する何らかのシステムを含むことができる。例えば、ハードストップ２０２は、台、突起又は段を含み、また熱伝導蓋１０８に貼付、又は結合される。或いは、ハードストップ２０２は、熱伝導蓋１０８の表面に機械加工され、又は成型される。本実施例において、ハードストップ２０２は、熱伝導蓋１０８の表面の隅角に位置した複数の一段高いスタンドオフを含む。熱伝導蓋１０８が組み込まれるときに、一段高いスタンドオフは、基板１１４に対向する配置されるように設計される。ハードストップ２０２は、熱伝導蓋１０８の伝導面２０８とダイ１０４との間隙のボンドライン１０６の厚さを制御するように設計される。例えば、1つの実施例において、ボンドライン１０６は、３〜１０インチの間隔を隔てている。ハードストップ２０２は、ダイ１０４と熱伝導蓋１０８との間の効率的な熱伝導のためのボンドライン１０６の最大間隙を保持する一方で、集積回路１０２の製造プロセスに固有の公差を補うのに役立つ。
【００１９】
位置合わせガイド２０４は、熱源を覆う熱伝導蓋１０８の伝導面２０８に適した位置を組み込みのときに確保する。熱伝導蓋１０８の適切な配置は、基準杭、適合させた刻み目のような、何らかの適切な方法又は位置合わせガイド２０４によって達成される。本実施例において、位置合わせガイド２０４は、熱伝導蓋１０８の周囲に一連の棚のセットを含む。１つの実施例において、突出部又は棚が熱伝導蓋１０８の縁に沿って置かれている。他の実施例において、前記棚は、熱伝導蓋１０８の角のそれぞれの近くに配置された２つの突出部を含む。この突出部は、組み込みの際に集積回路１０２の周りに熱伝導蓋１０８の位置合わせを行い、熱伝導性界面材料１１０が硬化する間、熱伝導蓋１０８を適所に保持する。
【００２０】
通気口２０６は、外気が熱源の周囲に入り込み、また循環するような追加の冷却能力を与える通路となる。通気口２０６は、熱伝導蓋１０８の下方に空気が侵入することを可能にする何らかのシステムを含むことができる。本実施例において、通気口２０６は、熱伝導蓋１０８の対向する側面におかれた一対の刻み目を含む。他の実施例において、通気口２０６は、熱伝導蓋１０８におかれた１つ以上の穴、又は複数の位置合わせガイド２０４間の一連の隙間を含む。
【００２１】
図３を参照するに、熱界面材料１１０は、熱伝導蓋１０８と集積回路１０２との間の熱導伝性接着剤である。本実施例において、熱界面材料１１０は、ダイ１０４と熱伝導蓋１０８との間のボンドライン１０６を満たしている。前記熱界面材料は、熱伝導蓋１０８を集積回路１０２に接着して固定し、またダイ１０４から熱伝導蓋１０８の伝導面２０８への熱伝導用の伝導路を提供する何らかの適したシステムを含むことができる。また、熱界面材料１１０は、集積回路１０２の基板１１４の部分に熱伝導蓋１０８を固着するのに用いられる。
【００２２】
熱界面材料１１０は、室温加硫型（ＲＴＶ）シリコン接着剤又は硬化性パテのような何らかの適切な物質を含むことができる。本実施例において、ＲＴＶシリコンは、熱伝導性を高める付加的な添加剤を含む。例えば、そのような添加剤は、アルミナ、酸化アルミニウム、アルミナシリコン、メチルシリコン及びクロム酸アルミニウムを含む。また、熱界面材料１１０は、手作業による塗布、機械式の布置及び／又は噴霧のような様々な方法によって適用される。１つの実施例において、熱界面材料１１０は、熱界面材料１１０が熱伝導蓋１０８と集積回路１０２の基板１１４との間の空隙を塞いでしまうことを防止すべく、ステンシル手段により適用される。この方法における熱界面材料１１０の塗布は、ダイ１０４の上端及び基板１１４の局所に熱界面材料１１０の配置を制限する。
【００２３】
熱界面材料１１０の熱伝導性は、集積回路１０２から放散される熱量に応じて選択される。例えば、高出力のマイクロプロセッサは、８ワット以上の熱の放散を必要とする。本実施例において、熱界面材料１１０は、ダイ１０４と熱伝導蓋１０８の伝導面２０８との間で、少なくとも１．０Ｗ/（ｍ・Ｋ）の熱伝導率を備える。
【００２４】
熱界面材料１１０は、熱伝導蓋１０８をダイ１０４に固着させ、かつ熱伝導率を備えることに加え、広域の温度範囲、経時変化及び環境に関わらず所望の弾性を維持するように、多くの環境下における使用のために選択及び／又は適用される。１つの実施例において、熱界面材料１１０は、動作中に優先的に低温に曝される。他の実施例において、熱界面材料１１０は、宇宙環境での組み込みなどのように、低温及び高温の両方の温度の下で機能する。本実施例において、熱界面材料１１０は、ＲＴＶシリコンや不活性シリコングリスのように、−５４℃から１２５℃の間の温度に曝されたときに機能すべく適切に適用され、脆弱にならずに少なくとも１０年の耐用年数を有する。他の実施例において、熱界面材料１１０は、−１００℃以下の温度に曝される。そのような適用のために、熱界面材料１１０は、上述された添加剤に似た添加剤を有する、そのような温度下で比較的弾性がありかつ柔軟なＲＴＶ混合物を含むことができる。
【００２５】
また、熱界面材料１１０の接着力は、圧縮力又は剪断応力のような、予想される応力負荷の種類及び程度に応じて選択される。例えば、宇宙空間での適用において、熱界面材料１１０は、ブースターロケットから生じた圧力が集積回路１０２を組み込んだ回路カードに著しい歪みを及ぼすような打ち上げ条件に耐える。１つの代表的実施例において、熱界面材料１１０は、単位平方インチあたり５０〜９０ポンドの剪断強度を必要とする。他の実施例において、単位平方インチあたり１０〜５０ポンドの剪断強度が必要とされる一方で、第３の実施例において、単位平方インチあたり５０〜３００ポンドの剪断強度が必要とされる。前述したような物質は、これらの状況に適した剪断強度を提供することができる。
【００２６】
他の例における熱界面材料１１０の応力負荷のは、基板１１４、ダイ１０４、熱伝導蓋１０８と熱界面材料１１０との間の熱膨張係数（ＣＴＥ）の不一致から生ずる。様々な物質間のＣＴＥの違いが大きいほど、熱変化に応じて物質の応力負荷が大きくなる。ＣＴＥの不一致による１つの結果として、ダイ１０４が集積回路１０２の表面から剥がされ得る。或いは、ダイ１０４が熱伝導蓋１０８から分離する。本実施例では、熱界面材料１１０は、１℃あたり４００〜５００ｐｐｍのＣＴＥを有する。他の実施例において、前記熱界面材料は１℃あたり４００ｐｐｍ未満のＣＴＥを有する。アルミナ、酸化アルミニウム、クロム酸アルミニウム添加剤を有するＲＴＶ混合物のような様々な物質は、これらの状況に適したＣＴＥを提供することができる。
【００２７】
また、熱界面材料１１０は、低い気体放出速度を有する。いくつかの実施例において、熱界面材料１１０は、凝結を避けることができない宇宙環境下のような、物質の透湿又はガス放出が厳密に制御又は排除されねばならない状況において機能する。例えば、質量損失比１％未満及び再凝縮物質量比０．１％未満の気体放出速度の物質は、他の部品の性能の低下を避けるべく必要とされる。
【００２８】
再び図１を参照するに、ヒートシンク１１２は、熱伝導蓋１０８からの熱を吸収し、その熱を周囲へ放散させる。ヒートシンク１１２は、金属ブロック、多数のファンを備えた熱伝導表面及び冷却板のような、熱伝導蓋１０８からの熱を吸収するための何らかのシステムを含むことができる。本実施例において、ヒートシンク１１２は、熱伝導蓋１０８の上に置かれ、かつ回路カードアセンブリに貼付された金属ブロックを含む。
【００２９】
ヒートシンク１１２は、集積回路１０２及び／又は熱伝導蓋１０８よりも大きな表面積を備えることができるから、熱伝導蓋１０８と比較してより大きな熱放散率をもたらす。より大きな熱放散能力のため、ヒートシンク１１２と熱伝導蓋１０８との間の距離は、熱伝導蓋１０８とダイ１０４との間のボンドライン１０６ほどの制御を必要としない。また、ヒートシンク１１２による熱放散率の増加は、ダイ１０４と熱伝導蓋１０８との間のボンドライン１０６に比較して、ヒートシンク１１２と熱伝導蓋１０８との間への高い熱伝導性熱接着剤の必要性を同じように減ずる。結果として、熱伝導率が１．０Ｗ/（ｍ・Ｋ）未満の熱伝導接着剤が用いられる。
【００３０】
稼働時に、集積回路１０２は、回路カードアセンブリ（ＣＣＡ）に組み込まれる。ＣＣＡの最終アセンブリのとき、ダイ１０４と熱伝導蓋１０８との間のボンドライン１０６が可能な限り最小化されるように、熱伝導蓋１０８が集積回路１０２の上に組み込まれる。ダイ１０４の上に熱伝導蓋１０８を配置する前に、熱界面材料１１０が熱伝導蓋１０８に適用される。例えば、熱界面材料１１０は、熱界面材料１１０がハードストップ２０２の上に、又は基板１１４と熱伝導蓋１０８との間隙を形成する領域に置かれることを防ぐステンシル手段により適用される。
【００３１】
熱伝導蓋１０８の位置合わせガイド２０４は、ダイ１０４の上方に、伝導面２０８を整列させている。また、位置合わせガイド２０４は、熱界面材料１１０が硬化するまで、熱伝導蓋１０８を適所に保持する。さらに、ハードストップ２０２は、ダイ１０４と蓋１０８との間のボンドライン１０６の間隔を維持している。熱伝導性接着剤は、熱伝導蓋１０８のむき出しの表面又はヒートシンク１１２に適用される。この接着剤は、熱伝導蓋１０８とダイ１０４との間に使われる接着剤と同じものあってもよいし、異なるものでもよい。接着剤の適用後、ヒートシンク１１２は、組み込みを完成した熱伝導蓋１０８の上に貼付される。
【００３２】
集積回路１０２の動作中、集積回路１０２から発生する熱は、ダイ１０４の表面から熱界面材料１１０を介して熱伝導蓋１０８の伝導面２０８に放散される。その後、熱伝導蓋１０８の熱は、ヒートシンク１１２へ伝達される。ヒートシンク１１２は、その熱を周囲の空気へ放散する。
【００３３】
上記において、本発明を明確で典型的な実施例を参照して説明した。しかし、特許請求の範囲に記載の本発明の要旨から逸脱しない範囲で、様々な修正及び変更がなされうる。上記及び図面は、限定ではなく実施例であり、修正は、本発明の要旨に含むことを目的とする。したがって、本発明の範囲は、記載された単なる例示によってよりも、特許請求の範囲及びそれらの法律上均等なものによって決定されるべきである。
【００３４】
例えば、方法又はプロセスクレームに列挙されたステップは、何らかの命令で実行され、特許請求の範囲に表された特定の命令に制限されない。さらに、何らかの装置クレームに列挙された構成及び／又は要素は、様々な置き換えの下で、組み合わされ、さもなければ実施面から設計され、したがって、特許請求の範囲に列挙された特定の構造に制限されない。
【００３５】
利益、その他の利点及び問題の解決は、特定の実施例に関連して上述のように説明してきたが、利益、利点、問題の解決又は何らかの特定の利益、利点、解決を顕著に生じさせ若しくは顕著にする何らかの要素は、いずれかの又は全ての特許請求の範囲の重大な、必須の、不可欠な特徴若しくは構成と解釈してはならない。
【００３６】
この説明に用いられる用語「構成される」、「から成る」、「含む」、「備える」、「有する」、又はこれらの何らかの活用は、構成要素のリストに含まれるプロセス、方法、品物、構成又は装置が、列挙されたそれらの構成要素だけを含まず、プロセス、方法、品物、構成又は装置などに本来備わっている又はリストに表されないその他の要素を含む非排他的な包含に言及することを目的とする。本発明の実施に用いられる上述の構成、配置、適用、割合、要素、物質又は成分の他の組み合わせ及び／若しくは修正は、明確に列挙されなかったものに加えて変更され、又は、さもなければ、同一の一般原理から離れることなく、特定の環境、製造の仕様、パラメータ設計又は他の作動要求に特に適応される。
【符号の説明】
【００３７】
１０２    集積回路
１０４    ダイ
１０６    ボンドライン
１０８    熱伝導蓋
１１０    熱伝導性接着剤
１１２    ヒートシンク
１１４    基板
２０２    ハードストップ
２０４    位置合わせガイド
２０６    通気口
２０８    伝導面
【図１】
2011514663.tif 000003
【図２】
2011514663.tif 000004
【図３】
2011514663.tif 000005
【国際調査報告】
2011514663.tif 000006
2011514663.tif 000007
2011514663.tif 000008
2011514663.tif 000009
2011514663.tif 000010