(57)【要約】  複数のセル（１２，１４，１６，１８，２０，２２，２４，２６，２８）を有するトグルＭＲＡＭ（１０）をテストする方法は、前記複数のセルのうちのテスト対象のセル（１２）を選択するステップと、第１状態を前記セル（１２）に書き込むステップと、前記セル（１２）からの読み出しを行なって前記第１状態を検証するステップと、前記セルの第１隣接セル（１４，１６，１８，または２０）の状態、及び前記セルの第２隣接セル（１４，１６，１８，または２０）の状態を、所定の隣接セルシーケンスに従って連続的に切り替えるステップであって、前記セルの前記第１隣接セルが前記セルに隣接し、かつ前記セルの前記第２隣接セルが前記セルに隣接し、そして前記所定の隣接セルシーケンスが、前記第１隣接セルの前記状態、及び前記第２隣接セルの前記状態を連続的に切り替えるべき順番を示す、前記連続的に切り替えるステップと、そして前記連続的に切り替えるステップの後、前記セルからの読み出しを行なって、前記第１状態から第２状態への変化が生じたかどうかを判断するステップと、を含む。
2011503763.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のセルを有するトグルＭＲＡＭをテストするための方法において、
前記複数のセルのうちのテスト対象のセルを選択するステップと、
第１状態を前記セルに書き込むステップと、
前記セルからの読み出しを行なって前記第１状態を検証するステップと、
前記セルの第１隣接セルの状態、及び前記セルの第２隣接セルの状態を、所定の隣接セルシーケンスに従って連続的に切り替えるステップであって、前記セルの前記第１隣接セルが前記セルに隣接し、かつ前記セルの前記第２隣接セルが前記セルに隣接し、そして前記所定の隣接セルシーケンスが、前記第１隣接セルの前記状態、及び前記第２隣接セルの前記状態を連続的に切り替えるべき順番を示す、前記連続的に切り替えるステップと、
前記連続的に切り替えるステップの後、前記セルからの読み出しを行なって、前記第１状態から第２状態への変化が生じたかどうかを判断するステップとを備える方法。
【請求項２】
前記第１隣接セルの前記状態の前記切り替えは、前記第１隣接セルの読み出しに応答して行なわれるということがなく、そして前記第２隣接セルの前記状態の前記切り替えは、前記第２隣接セルの読み出しに応答して行なわれるということがない、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第１隣接セルの読み出しは、前記第１隣接セルの前記状態の前記切り替えの直前に行なわれるということがなく、そして前記第２隣接セルの読み出しは、前記第２隣接セルの前記状態の前記切り替えの直前に行なわれるということがない、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
更に、前記所定の隣接セルシーケンスをコンフィグレーション格納回路から取得するステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記コンフィグレーション格納回路は更に、前記所定の隣接セルシーケンスの中の最終隣接セルを指示する、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記コンフィグレーション格納回路はリピートインジケータを含み、該リピートインジケータを使用して、前記所定の隣接セルシーケンスを繰り返す回数を求め、前記セルからの前記読み出しを行なって、前記第１状態から前記第２状態への前記変化が生じたかどうかを判断する前に、前記第１及び第２隣接セルの前記連続的な状態切り替えを、前記所定の隣接セルシーケンスに従って、前記リピートインジケータを使用して求めた前記回数だけ繰り返す、請求項４に記載の方法。
【請求項７】
前記第１隣接セルは前記セルと同じビット線に沿って並んでおり、そして前記第２隣接セルは前記セルと同じワード線に沿って並んでいる、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記所定の隣接セルシーケンスは、前記第１隣接セルが前記第２隣接セルの後に続くことを示し、そして前記セルの前記第１隣接セルの前記状態、及び前記セルの前記第２隣接セルの前記状態の前記連続的な切り替えは、前記第２隣接セルの前記状態が前記第１隣接セルの前記状態よりも早く切り替わるように行なわれる、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
複数のセルを有するＭＲＡＭアレイと、
前記ＭＲＡＭアレイに接続されるＭＲＡＭコントローラと、
前記ＭＲＡＭコントローラに接続されるテストロジックとを備え、前記テストロジックは、少なくとも２つの隣接セルロケーションの所定シーケンスを格納するコンフィグレーション格納回路を備え、前記複数のセルの各セルをテストする場合に、前記テストロジックは、前記所定シーケンスの中の少なくとも２つの隣接セルロケーションで指示される通りにテストされる前記セルの隣接セル群の状態を連続的に切り替える、データ処理システム。
【請求項１０】
前記ＭＲＡＭアレイ、前記ＭＲＡＭコントローラ、及び前記テストロジックは、単一の集積回路に設けられる、請求項９に記載のデータ処理システム。
【請求項１１】
前記コンフィグレーション格納回路は、前記所定シーケンスの末尾を示す最終隣接セルインジケータを格納する、請求項９に記載のデータ処理システム。
【請求項１２】
前記コンフィグレーション格納回路はリピートインジケータを格納し、該リピートインジケータは、前記テストロジックが、前記所定シーケンスで示す通りにテストされる、前記セルの一連の少なくとも２つの隣接セルの連続的な状態切り替えを行なう回数を示す、請求項９に記載のデータ処理システム。
【請求項１３】
前記状態切り替えが、状態切り替えを行なう前記隣接セルの読み出しに応答して行なわれるということがない、請求項９に記載のデータ処理システム。
【請求項１４】
複数のセルを有するトグルＭＲＡＭをテストするための方法において、
テスト対象のセルを前記複数のセルから選択するステップと、
第１状態を前記セルに書き込むステップと、
前記セルからの読み出しを行なって前記第１状態を検証するステップと、
前記セルに隣接する前記セルの第１隣接セルを、所定の隣接セルシーケンスで示す通りに求めるステップと、
前記セルの前記第１隣接セルの状態を、前記第１隣接セルの前記状態の切り替えが、前記第１隣接セルの読み出しに応答して行なわれるということがないように切り替えるステップと、
前記セルに隣接する前記セルの第２隣接セルを、前記所定の隣接セルシーケンスで示す通りに求めるステップと、
前記セルの前記第２隣接セルの状態を、前記第２隣接セルの前記状態の切り替えが、前記第２隣接セルの読み出しに応答して行なわれるということがないように切り替えるステップと、
前記第２隣接セルの前記状態の前記切り替え後に、前記セルからの読み出しを行なって、前記第１状態から第２状態への変化が生じたかどうかを判断するステップと、
前記セルからの前記読み出しを行なって、前記第１状態から前記第２状態への前記変化が生じたかどうかを判断した後に、テスト対象の前記複数のセルの次のセルを選択するステップとを備える、方法。
【請求項１５】
前記セルの前記第１隣接セルの前記状態の前記切り替え後に、前記方法は更に、前記第１隣接セルが、前記所定シーケンスの最終隣接セルではないと判断するステップを含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記セルの前記第２隣接セルの前記状態の前記切り替え後に、かつ前記セルからの前記読み出しを行なって、前記第１状態から前記第２状態への前記変化が生じたかどうかを判断する前に、前記方法は更に、前記第２隣接セルが前記所定シーケンスの前記最終隣接セルであると判断するステップを含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記第２隣接セルが前記所定シーケンスの前記最終隣接セルであると判断する前記ステップの後に、前記方法は更に、前記所定シーケンスの繰り返しが指示されているかどうかを判断するステップを含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記次のセルを選択する前記ステップの後に、さらに、
第３状態を前記次のセルに書き込むステップと、
前記次のセルからの読み出しを行なって前記第３状態を検証するステップと、
前記次のセルに隣接する前記次のセルの第３隣接セルを、前記所定の隣接セルシーケンスで示す通りに求めるステップと、
前記次のセルの前記第３隣接セルの状態を切り替えて、前記次のセルの前記第３隣接セルの前記状態の前記切り替えが、前記次のセルの前記第３隣接セルの読み出しに応答して行なわれるということがないようにするステップと、
前記次のセルに隣接する前記次のセルの第４隣接セルを、前記所定の隣接セルシーケンスで示す通りに求めるステップと、
前記次のセルの前記第４隣接セルの状態を切り替えて、前記次のセルの前記第４隣接セルの前記状態の前記切り替えが、前記次のセルの前記第４隣接セルの読み出しに応答して行なわれるということがないようにするステップと、
前記次のセルの前記第４隣接セルの前記状態の前記切り替え後に、前記次のセルからの読み出しを行なって、前記第３状態から第４状態への変化が生じたかどうかを判断するステップとを備える、請求項１４に記載の方法。
【請求項１９】
前記第２状態は、論理状態または中間状態のうちの１つの状態である、請求項１４に記載の方法。
【請求項２０】
前記第１隣接セル及び前記第２隣接セルは、同じワード線または同じビット線に沿って並ぶことがない、請求項１４に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示はＭＲＡＭ一般に関する。より詳細には、ＭＲＡＭをテストするための方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気抵抗効果ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）は、ＭＲＡＭが不揮発性であり、かつ読み出し、及び書き込みの両方において高速動作を行なうのでメモリとして使用すると有利であることが分かっている。今まで効果的であったＭＲＡＭへの１つのアプローチでは、ＭＲＡＭをトグルメモリとして動作させる。このような場合においては、ＭＲＡＭセルの状態は、当該セルを、当該セルの現在の状態が所望の状態であるので現在の状態のままにしておくことにより、またはメモリ状態を現在の論理状態の反対の論理状態に切り替えることにより、所望の論理状態とすることができる。ＭＲＡＭをトグルメモリとして動作させることは、セルの状態を直接書き込むアプローチよりも信頼性の高い動作を実現する手法となることが分かっている。ＭＲＡＭセルの論理状態を直接書き込むと、書き込みディスターブの問題が、ビット線に沿った他のセル群も極めて頻繁に、同じ論理状態に不正に書き込まれるようになることにより生じることが分かっている。トグル書き込みは、直接書き込みよりも書き込みディスターブの影響をはるかに受け難いことが分かっている。トグル書き込みを効果的に行なうために、セルの論理状態を読み出して、状態切り替えを行なう必要があるかどうかを判断する必要がある。これに要する時間が書き込み動作に要する時間に加算されるが、余分な読み出し動作が行なわれる場合でも、書き込み動作が数十ナノ秒のオーダーで行なわれるのに対して、通常のフローティングゲート不揮発性メモリ（ＮＶＭ）は書き込みにミリ秒のオーダーの時間を必要とする。フラッシュ型フローティングゲートＮＶＭの使用が広く普及するようになっている。ＭＲＡＭの利点は明らかであるが、フラッシュの信頼性が深く理解されているということが少なくとも部分的な理由となって、フラッシュがＮＶＭとして一般的に好まれているという状態が続いている。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
従って、ＭＲＡＭが信頼性の高い素子と成り得て、しかも予想通りにそのような素子になるという状況を確立することができれば有利である。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
ＭＲＡＭは、書き込みディスターブ問題の対策のために、各セルを書き込みディスターブに関して、テスト対象のセルに隣接する隣接セル群の連続的な状態切り替えを行なってテストすることによりテストされる。１つの例では、書き込みディスターブは、同じワード線上の１つの隣接セルの状態切り替えを行ない、続いて同じビット線上の１つの隣接セルの状態切り替えを行なうときに生じる場合があることが分かっている。この種類のテストは、他の隣接メモリセル群の状態切り替えを更に行なうだけでなく、隣接セル群の状態切り替えを繰り返すことにより、更に完全に行なうことができる。
【図面の簡単な説明】
【０００５】
【図１】ＭＲＡＭの一部の回路図である。
【図２】図１のＭＲＡＭを使用するシステムのブロック図である。
【図３】図２のシステムの一部のブロック図である。
【図４】図３に示すブロック図の一部の詳細である。
【図５】１つの実施形態によるＭＲＡＭをテストする方法を記述したフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【０００６】
本発明は例を通して示され、そして添付の図によって制限されることがなく、これらの図では、同様の参照記号は同様の構成要素を指す。これらの図における構成要素は、図が簡単かつ明瞭になるように示され、そして必ずしも寸法通りには描かれていない。
【０００７】
図１に示すのは、ＭＲＡＭセル１２と、ＭＲＡＭセル１４と、ＭＲＡＭセル１６と、ＭＲＡＭセル１８と、ＭＲＡＭセル２０と、ＭＲＡＭセル２２と、ＭＲＡＭセル２４と、ＭＲＡＭセル２６と、そしてＭＲＡＭセル２８と、を含むメモリ１０の一部である。ＭＲＡＭセル２２，１４，２４は、ワード線３０に接続される行に沿って並んでいる。ＭＲＡＭセル２０，１２，１６は、ワード線３２に接続される行に沿って並んでいる。ＭＲＡＭセル２６，１８，２８は、ワード線３４に接続される行に沿って並んでいる。ＭＲＡＭセル２２，２０，２６は、ビット線３６に接続される列に沿って並んでいる。ＭＲＡＭセル１４，１２，１８は、ビット線３８に接続される列に沿って並んでいる。ＭＲＡＭセル２４，１６，２８は、ビット線４０に接続される列に沿って並んでいる。ＭＲＡＭセル１２がテスト対象セル（ＣＵＴ）である例では、ＭＲＡＭセル１４，１８は、これらのセルがＭＲＡＭセル１２に隣接し、かつＭＲＡＭセル１２と同じビット線に沿って並んでいるので、ＭＲＡＭセル１２の隣接セルである。ＭＲＡＭセル２０，１６もまた、これらのセルがＭＲＡＭセル１２に隣接し、かつＭＲＡＭセル１２と同じワード線に沿って並んでいるので、ＭＲＡＭセル１２の隣接セルである。ＭＲＡＭセル２２，２４，２６，２８は、これらのセルがＭＲＡＭセル１２と同じワード線上、または同じビット線上のいずれにも位置しないので、ＭＲＡＭセル１２の隣接セルであるとは見なされない。
【０００８】
書き込みディスターブは、隣接セル群の状態切り替えを行なう事例に関して、一方の隣接セルがテスト対象セル（ＣＵＴ）と同じワード線上に位置し、かつ他方の隣接セルがＣＵＴと同じビット線上に位置する場合に、一層深刻な問題となることが分かっている。従って、高信頼性を確保するために、ＭＲＡＭセル１２は、テスト中に連続的な状態切り替えを行なう隣接セル群を有する。
【０００９】
図２に示すのは、メモリ１０と、内蔵型自己テスト（ＢＩＳＴ）回路５２と、プロセッサ５４と、モジュール群５６と、インターフェース回路５８と、そしてバス６０と、を備えるシステム５０である。メモリ１０は、ＢＩＳＴ回路５２、インターフェース回路５８、及びバス６０に接続される。ＢＩＳＴ回路５２は更に、インターフェース回路５８に接続される。プロセッサ５４は、インターフェース回路５８及びバス６０に接続される。モジュール群５６は、プロセッサ５４、インターフェース回路５８、及びバス６０に接続される。インターフェース回路５８は更に、単一の集積回路とすることができるシステム５０に外部から接続するための入力／出力を有する。モジュール群５６は、周辺コントロール、メモリ、または別のプロセッサのような複数の回路機能とすることができる。ＢＩＳＴ回路５２によって、メモリ１０のテストが可能になり、当該テストでは、個々のメモリセルを、隣接セル群の連続的な状態切り替えを行なうことによりテストする。このテストは、外部ソースにインターフェース回路５８を介して応答することにより行なうことができる。プロセッサ５４は他の動作として、メモリ１０を制御し、そして少なくとも或る程度、モジュール群５６を制御する。システム５０は、図示の回路だけでなく他の回路を含むことができる。メモリ１０のテストは、プロセッサ５４による制御の下に、またはインターフェース５８を介して行なうこともできる。
【００１０】
図３に示すのは、ＢＩＳＴ回路５２及びメモリ１０の詳細である。ＢＩＳＴ回路５２とメモリ１０との間には他の回路群への接続手段も存在し、これらの他の回路は、図を簡単にするために図面には示していない。ＢＩＳＴ回路５２は、他のＢＩＳＴロジック６２と、コンフィグレーション格納回路６４と、そして強制切り替え論理回路６６と、を含む。メモリ１０は、メモリコントローラ６８及びメモリアレイ７０を含む。他のＢＩＳＴロジック６２及び強制切り替え論理回路６６は、メモリアレイ７０のテストを、メモリコントローラ６８を介して、コンフィグレーション格納回路６４からの入力に基づいて指示し、当該入力は、ＣＵＴ（テスト対象セル）の隣接セル群のうちの特定の隣接セルの状態切り替えを行なうシーケンスまたはシーケンス群を含む。別の信号、すなわち強制切り替えインジケータを強制切り替え論理回路６６により生成して、強制的な状態切り替えを行なう予定であることを通知する。強制的な状態切り替えは、セルの状態切り替えが、セルの内容がいずれであるかに関係なく確実に行なわれるようにする状態切り替えである。コンフィグレーション格納回路６４の内容は、他のＢＩＳＴロジック６２を介して読み出される。
【００１１】
図４に示すのは、コンフィグレーション格納回路６４の詳細である。コンフィグレーション格納回路６４はレジスタとすることができ、このレジスタは、ＣＵＴ（テスト対象セル）、及びＣＵＴをどのようにテストしようとしているかに関する情報を供給する。コンフィグレーション格納回路６４は、フィールド７２、フィールド７４、フィールド７６、フィールド７８、フィールド８０、及びフィールド８２を有する。フィールド７６は、隣接セル０のアドレスとすることができるロケーションである。フィールド７８は、隣接セル１のアドレスとすることができるロケーションである。フィールド８０は、隣接セル２のアドレスとすることができるロケーションである。フィールド８２は、隣接セル３のアドレスとすることができるロケーションである。ＭＲＡＭセル１２がＣＵＴ（テスト対象セル）である例では、フィールド７６〜８２で、メモリセル１４，１６，１８，及び２０のロケーションを、ＣＵＴのテストに望ましい順番で特定する。フィールド７２で、フィールド７６〜８２のうち、使用する予定の最終フィールドを特定し、この最終フィールドは、これらの隣接セルのうちのどの隣接セルが、当該シーケンスで状態切り替えを行なう予定の最終隣接セルであるかを特定することができるという効果を有する。例えば、シーケンスが２つの隣接セルしか含まないので、最終隣接セルが、当該シーケンスで状態切り替えを行なう２番目の隣接セルとなる。隣接セルがシーケンス内に２つしかない場合でも、当該シーケンスは、複数回実行することができる。フィールド７４は、隣接セル群の状態切り替えを行なうシーケンスが実行される初回以降の追加回数のカウントを示す。コンフィグレーション格納回路６４内のフィールド群は、互いに対してどのような順番でも並べることができ、この順番の１つの実施形態を図４に示している。
【００１２】
図５に示すのは、ＭＲＡＭセル１２とすることができるＣＵＴのテストを実行するフロー図１００である。ステップ１０２では、ＣＵＴに書き込みを行なって当該セルを既知の状態にし、この既知の状態は、読み出しを行ない、続いて必要に応じて状態切り替えを行なうことにより達成される。当該ＣＵＴの読み出しをステップ１０４で行なうことにより、ステップ１０２での書き込みを検証する。ステップ１０２及び１０４は、他のＢＩＳＴロジック６２の指示により、最終ステップ１２８及び１３０が実行されると実行される。他のステップは、コンフィグレーション格納回路６４及び強制切り替え論理回路６６の指示により行なわれる。ステップ１０６では、フィールド７６内で特定される隣接セルの状態切り替えを行なう。ＭＲＡＭセル１２の場合、この隣接セルは、メモリセル１４，１６，１８，及び２０のうちのいずれか１つのセルとすることができる。ステップ１０８では、状態切り替えを行なう隣接セルが、フィールド７２内で特定される最終隣接セルであるかどうかが判断される。最終隣接セルであると判断される場合、ステップ１１０において、状態切り替えをフィールド７４に基づいて繰り返す予定であるかどうかが判断される。行なうべき繰り返しが残っている場合、次のステップはステップ１０６となる。文字「Ａ」を使用して、ステップ１０６への戻りを示す。ステップ１１０において、行なうべき繰り返しが残っていないと判断される場合、ステップ１２８において、ＣＵＴの読み出しを行なって、ＣＵＴが状態を変化させておらず、従って、書き込みディスターブが発生していないことを検証する。ステップ１２８を実行するときには必ず、次のセルを次のＣＵＴとしてステップ１３０で選択する必要があるので、プロセスは、ステップ１０２から、ＣＵＴが新規に選択された状態で再開されることになる。
【００１３】
ステップ１０８において、ステップ１０６で状態切り替えを行なった隣接セルが、状態切り替えを行なう予定の最終隣接セルではなかったと判断される場合、次のステップでは、フィールド７８内で特定される隣接セルの状態切り替えを行なう。これによって更に、ＣＵＴの４つの隣接セルのうちのいずれかの隣接セルを特定することができる。当該隣接セルがステップ１１２での隣接セル１として示されるが、当該隣接セルはフィールド７６内で特定され、かつステップ１０６で状態切り替えを行なう隣接セルと同じとしてもよい。隣接セル１の状態切り替えを行なった後、当該隣接セルがフィールド７２内で特定される最終隣接セルであるかどうかがステップ１１４で判断される。当該隣接セルが最終隣接セルである場合、追加の繰り返しが、フィールド７４に基づいて未だ行なわれていないかどうかがステップ１１６で判断される。追加の繰り返しを行なわない場合、ステップ１２８において、ＣＵＴの読み出しを行なって、書き込みディスターブが発生していたかどうかを判断する。追加の繰り返しを更に行なう予定である場合、次のステップはステップ１０６となる。隣接セル１が最終隣接セルではない場合、隣接セル、すなわちフィールド８０内で特定される隣接セル２の状態切り替えをステップ１１８で行なう。この隣接セルは、隣接セル０または隣接セル１のいずれかを含む４つの隣接セルのうちのいずれかの隣接セルとしてもよい。ステップ１２０では、隣接セル２が最終隣接セルであるかどうかが判断される。隣接セル２が最終隣接セルである場合、追加の繰り返しがフィールド７４に基づいて行なわれるかどうかがステップ１２２で判断される。追加の繰り返しが行なわれない場合、ステップ１２８において、ＣＵＴの読み出しを行なって、書き込みディスターブが発生したかどうかを判断する。追加の繰り返しが行なわれる場合、次のステップはステップ１０６となる。隣接セル２が最終隣接セルではない場合、フィールド８２内で隣接セル３として特定される隣接セルの状態切り替えをステップ１２４で行なう。隣接セル０，１，及び２に関するのと同様にして、隣接セル３は、ＣＵＴの４つの隣接セルのうちのいずれかの隣接セルとしてもよい。隣接セル３として特定されるセルの状態切り替えをステップ１２４で行なった後、フィールド７４に基づいて行なうべき別の繰り返しが残っているかどうかが、ステップ１２６で判断される。行なうべき別の繰り返しがある場合、次のステップはステップ１０６となり、そしてプロセスが継続する。行なうべき他の繰り返しがない場合、ステップ１２８において、ＣＵＴの読み出しを行なって、書き込みディスターブが発生しているかどうかを判断する。
【００１４】
フローチャート１００は従って、隣接セル群の状態切り替えを行なう種々の選択肢を利用できることを示している。１つの例では、単に、２つの隣接セルの状態切り替えを行なうだけであり、この場合、一方の隣接セルがＣＵＴと同じ列に並んでおり、そして他方の隣接セルがＣＵＴと同じ行に並んでいる。
【００１５】
この２セルシーケンスは繰り返すことができる。実際、当該２セルシーケンスは、フィールド７４内で指示される回数だけ繰り返すことができる。このような場合、１つの列隣接セル及び１つの行隣接セルの連続的な状態切り替えを行ない、そして次に、この連続的な状態切り替えを所望通りに繰り返す。また、同じ隣接セルの連続的な状態切り替えを行なってもよい。これは、同じ隣接セルをフィールド７６及び７８の両方のフィールド内で特定することにより行なうことができる。この連続的な状態切り替えは所望通りに繰り返すこともでき、そして／または別のセル、または別のセル群をシーケンスに追加して繰り返すことができる。このフローチャートを使用してテストを行なうことにより、１つのセルの信頼性が高いかどうかを確認することができるだけでなく、当該フローチャートを使用して、書き込みディスターブを発生させる最も大きい危険をもたらす状態切り替えの異なる組み合わせを分析することもできる。これは、将来のマージンテストを確認するだけでなく、ＭＲＡＭを高信頼性素子として確立するための潜在的な改善領域を確認するために有用となり得る。
【００１６】
図１に示すように、ＭＲＡＭセルは楕円形として描かれ、この場合、長軸は行及び列と４５度の角度をなす。書き込みディスターブに関する最も深刻な問題は、２つの隣接セルの長軸が一直線になる場合に生じる。従って、ＭＲＡＭセル１２がＣＵＴである場合、書き込みディスターブに関して最も危険の大きい組み合わせは、ＭＲＡＭセル２０及び１４、またはＭＲＡＭセル１６及び１８の連続的な状態切り替えである。従って、単に、一直線に最も近くなっている長軸を有する隣接セル群の状態切り替えを行なって、書き込みディスターブをテストし、そして次に、次のＣＵＴに移動すると大きな利点が得られる。
【００１７】
以上の説明から、複数のセルを有するトグルＭＲＡＭをテストする方法が提供されてきたことを理解されたい。本方法では、当該複数のセルのうちのテスト対象のセルを選択する。本方法では更に、第１状態を前記セルに書き込む。本方法では更に、当該セルからの読み出しを行なって、第１状態を検証する。本方法では更に、当該セルの第１隣接セルの状態、及び当該セルの第２隣接セルの状態を、所定の隣接セルシーケンスに従って連続的に切り替え、この場合、当該セルの第１隣接セルは当該セルに隣接し、そして当該セルの第２隣接セルは当該セルに隣接し、更に、所定の隣接セルシーケンスは、第１隣接セルの状態、及び第２隣接セルの状態を連続的に切り替えるべき順番を示す。本方法では更に、連続的に切り替えるステップの後、当該セルの読み出しを行なって、第１状態から第２状態への変化が生じたかどうかを判断する。第１隣接セルの状態の切り替えは、第１隣接セルの読み出しに応答して行なわれることがなく、そして第２隣接セルの状態の切り替えは、第２隣接セルの読み出しに応答して行なわれることがない。本方法は更に、第１隣接セルの読み出しを、第１隣接セルの状態の切り替えの直前に行なうことがなく、そして第２隣接セルの読み出しを、第２隣接セルの状態の切り替えの直前に行なうことがないことを特徴とする。本方法では更に、所定の隣接セルシーケンスをコンフィグレーション格納回路から取得することができる。本方法は更に、コンフィグレーション格納回路が所定の隣接セルシーケンスの中の最終隣接セルを通知することを特徴とする。本方法は更に、コンフィグレーション格納回路がリピートインジケータを含み、当該リピートインジケータを使用して、所定の隣接セルシーケンスを繰り返す回数を求め、当該セルからの読み出しを行なって、第１状態から第２状態への変化が生じたかどうかを判断する前に、第１及び第２隣接セルの連続切り替えを、所定の隣接セルシーケンスに従って、リピートインジケータを使用して求めた回数だけ繰り返すことを特徴とする。本方法は更に、第１隣接セルが当該セルと同じビット線に沿って並んでおり、そして第２隣接セルが当該セルと同じワード線に沿って並んでいることを特徴とする。本方法は更に、所定の隣接セルシーケンスが、第１隣接セルが第２隣接セルの後に続くことを示し、そして当該セルの第１隣接セルの状態、及び当該セルの第２隣接セルの状態を連続的に切り替えるステップを、第２隣接セルの状態が第１隣接セルの状態よりも早く替わるように実行することを特徴とする。
【００１８】
また、複数のセルを有するＭＲＡＭアレイを有するデータ処理システムと、ＭＲＡＭアレイに接続されるＭＲＡＭコントローラと、そしてテストロジックと、を設ける。テストロジックはＭＲＡＭコントローラに接続され、そして少なくとも２つの隣接セルロケーションの所定シーケンスを格納するコンフィグレーション格納回路を含み、複数のセルの各セルをテストする場合に、テストロジックは、所定シーケンスの少なくとも２つの隣接セルロケーションが示す通りにテストされるセルの隣接セル群の状態を連続的に切り替える。データ処理システムは更に、ＭＲＡＭアレイ、ＭＲＡＭコントローラ、及びテストロジックが単一の集積回路に設けられることを特徴とする。データ処理システムは更に、コンフィグレーション格納回路が、所定シーケンスの末尾を示す最終隣接セルインジケータを格納することを特徴とする。データ処理システムは更に、コンフィグレーション格納回路がリピートインジケータを格納し、当該リピートインジケータは、テストロジックが、所定シーケンスが示す通りにテストされるセルの一連の少なくとも２つの隣接セルを連続的に切り替える回数を示すことを特徴とする。データ処理システムは更に、当該切り替えが、切り替え対象の隣接セルの読み出しに応答して行なわれるということがないことを特徴とする。
【００１９】
また、複数のセルを有するトグルＭＲＡＭをテストする方法が記述される。本方法では、テスト対象のセルを複数のセルから選択する。本方法では更に、第１状態を当該セルに書き込む。本方法では更に、当該セルからの読み出しを行なって当該第１状態を検証する。本方法では更に、当該セルの第１隣接セルの状態、及び当該セルの第２隣接セルの状態を、所定の隣接セルシーケンスに従って連続的に切り替え、当該セルの第１隣接セルが当該セルに隣接し、かつ当該セルの第２隣接セルが当該セルに隣接し、そして当該所定の隣接セルシーケンスが、当該第１隣接セルの当該状態、及び当該第２隣接セルの当該状態を連続的に切り替えるべき順番を示す。本方法では更に、連続的に切り替えるステップの後、当該セルからの読み出しを行なって、当該第１状態から当該第２状態への変化が生じたかどうかを判断する。当該第１隣接セルの当該状態の当該切り替えは、当該第１隣接セルの読み出しに応答して行なわれるということがなく、そして当該第２隣接セルの当該状態の当該切り替えは、当該第２隣接セルの読み出しに応答して行なわれるということがない。本方法では更に、当該第１隣接セルの読み出しは、当該第１隣接セルの当該状態の当該切り替えの直前に行なわれるということがなく、そして当該第２隣接セルの読み出しは、当該第２隣接セルの当該状態の当該切り替えの直前に行なわれるということがないことを特徴とする。本方法では更に、当該所定の隣接セルシーケンスを当該コンフィグレーション格納回路から取得する。本方法では更に、当該コンフィグレーション格納回路が更に、当該所定の隣接セルシーケンスの中の最終隣接セルを指示することを特徴とする。本方法では更に、当該コンフィグレーション格納回路がリピートインジケータを含み、該リピートインジケータを使用して、当該所定の隣接セルシーケンスを繰り返す回数を求め、当該セルからの読み出しを行なって、当該第１状態から当該第２状態への当該変化が生じたかどうかを判断する前に、当該第１及び第２隣接セルの連続的な状態切り替えを、当該所定の隣接セルシーケンスに従って、当該リピートインジケータを使用して求めた当該回数だけ繰り返すことを特徴とする。本方法では更に、当該第１隣接セルは当該セルと同じビット線に沿って並んでおり、そして当該第２隣接セルは当該セルと同じワード線に沿って並んでいることを特徴とする。本方法では更に、当該所定の隣接セルシーケンスは、当該第１隣接セルが当該第２隣接セルの後に続くことを示し、そして当該セルの当該第１隣接セルの当該状態、及び当該セルの当該第２隣接セルの当該状態の連続的な切り替えは、当該第２隣接セルの当該状態が当該第１隣接セルの当該状態よりも早く切り替わるように行なわれることを特徴とする。
【００２０】
更に、データ処理システムが提供され、当該データ処理システムは、複数のセルを有するＭＲＡＭアレイと、当該ＭＲＡＭアレイに接続されるＭＲＡＭコントローラと、そしてテストロジックと、を有する。当該テストロジックは、当該ＭＲＡＭコントローラに接続され、そして少なくとも２つの隣接セルロケーションの所定シーケンスを格納するコンフィグレーション格納回路を含み、当該複数のセルの各セルをテストする場合に、当該テストロジックは、当該所定シーケンスの中の少なくとも２つの隣接セルロケーションで指示される通りにテストされる当該セルの隣接セル群の状態を連続的に切り替える。当該データ処理システムは更に、当該ＭＲＡＭアレイ、当該ＭＲＡＭコントローラ、及び当該テストロジックが、単一の集積回路に設けられることを特徴とする。当該データ処理システムは更に、当該コンフィグレーション格納回路が、当該所定シーケンスの末尾を示す最終隣接セルインジケータを格納することを特徴とする。当該データ処理システムは更に、当該コンフィグレーション格納回路がリピートインジケータを格納し、当該リピートインジケータは、当該テストロジックが、当該所定シーケンスで示す通りにテストされる、当該セルの一連の少なくとも２つの隣接セルの連続的な状態切り替えを行なう回数を示すことを特徴とする。当該データ処理システムは更に、当該状態切り替えが、状態切り替えを行なう当該隣接セルの読み出しに応答して行なわれるということがないことを特徴とする。
【００２１】
更に、複数のセルを有するトグルＭＲＡＭをテストする方法が記述される。当該方法では、テスト対象のセルを当該複数のセルから選択する。当該方法では更に、第１状態を当該セルに書き込む。当該方法では更に、当該セルからの読み出しを行なって当該第１状態を検証する。当該方法では更に、当該セルに隣接する当該セルの第１隣接セルを、所定の隣接セルシーケンスで示す通りに求める。当該方法では更に、当該セルの当該第１隣接セルの状態を切り替え、当該第１隣接セルの当該状態の当該切り替えは、当該第１隣接セルの読み出しに応答して行なわれるということがない。当該方法では更に、当該セルに隣接する当該セルの第２隣接セルを、当該所定の隣接セルシーケンスで示す通りに求める。当該方法では更に、当該セルの当該第２隣接セルの状態を切り替え、当該第２隣接セルの当該状態の当該切り替えは、当該第２隣接セルの読み出しに応答して行なわれるということがない。当該方法では更に、当該第２隣接セルの当該状態の当該切り替え後に、当該セルからの読み出しを行なって、当該第１状態から第２状態への変化が生じたかどうかを判断する。当該方法では更に、当該セルからの当該読み出しを行なって、当該第１状態から当該第２状態への当該変化が生じたかどうかを判断した後に、テスト対象の当該複数のセルの次のセルを選択する。当該方法では更に、当該セルの当該第１隣接セルの当該状態の当該切り替え後に、当該第１隣接セルが、当該所定シーケンスの最終隣接セルではないと判断する。当該方法では更に、当該セルの当該第２隣接セルの当該状態の当該切り替え後に、かつ当該セルからの当該読み出しを行なって、当該第１状態から当該第２状態への当該変化が生じたかどうかを判断する前に、当該第２隣接セルが当該所定シーケンスの当該最終隣接セルであると判断する。当該方法では更に、当該第２隣接セルが当該所定シーケンスの当該最終隣接セルであると判断した後に、当該所定シーケンスの繰り返しが指示されているかどうかを判断する。当該方法では更に、当該次のセルを選択した後に、第３状態を当該次のセルに書き込み；当該次のセルからの読み出しを行なって当該第３状態を検証し；当該次のセルに隣接する当該次のセルの第３隣接セルを、当該所定の隣接セルシーケンスで示す通りに求め；当該次のセルの当該第３隣接セルの状態を、当該次のセルの当該第３隣接セルの当該状態の切り替えが、当該次のセルの当該第３隣接セルの読み出しに応答して行なわれるということがないように切り替え；当該次のセルに隣接する当該次のセルの第４隣接セルを、当該所定の隣接セルシーケンスで示す通りに求め；当該次のセルの当該第４隣接セルの状態を、当該次のセルの当該第４隣接セルの当該状態の切り替えが、当該次のセルの当該第４隣接セルの読み出しに応答して行なわれるということがないように切り替え；そして当該次のセルの当該第４隣接セルの当該状態の当該切り替え後に、当該次のセルからの読み出しを行なって、当該第３状態から第４状態への変化が生じたかどうかを判断する。当該方法では更に、当該第２状態は、論理状態または中間状態のうちの１つの状態であることを特徴とする。当該方法では更に、当該第１隣接セル及び当該第２隣接セルは、同じワード線または同じビット線に沿って並ぶことがないことを特徴とする。
【００２２】
本発明を実施する装置は、ほとんどの場合において、この技術分野の当業者には公知の電子部品及び回路により構成されるので、回路詳細については、上に示したように、必要であると考えられる程度以上には決して説明するということをしないで、本発明の基本をなすコンセプトを理解し、そして評価することができるようにしており、そして本発明の示唆を不明確に、または曖昧にしてしまうことがないようにしている。
【００２３】
上述した実施形態のうちの幾つかの実施形態は、適用形態に応じて、種々の異なる情報処理システムを使用して実施することができる。例えば、図１、及び図１についての説明は、例示的な情報処理アーキテクチャを記述しているが、この例示的なアーキテクチャは、本発明の種々の態様を説明するための有用な参照アーキテクチャとなるように提示されているに過ぎない。勿論、アーキテクチャの記述は、説明を簡単にするために簡易化されており、そして当該アーキテクチャが、本発明に従って使用することができる多くの異なるタイプの適切なアーキテクチャのうちの単なる１つのアーキテクチャに過ぎない。この技術分野の当業者であれば、論理ブロック群の境界は単なる例示に過ぎず、そして別の実施形態では、論理ブロック群または回路要素群を統合することができる、または分割された別の機能を、種々の論理ブロックまたは回路要素に付加することができることが理解できるであろう。
【００２４】
本発明について、特定の実施形態を参照しながら説明してきたが、種々の変形及び変更を、以下の請求項に示す本発明の範囲から逸脱しない限り加えることができる。例えば、図５のフローチャートでは、ボックス１１６，１２２，及び１２６を削除し、そしてボックス１１４及び１２０からのＹＥＳ出力、及びボックス１２４の出力は全て、ボックス１１０の入力に接続することができる。従って、明細書及び図は、制限的な意味ではなく例示として捉えられるべきであり、そして全てのこのような変形は、本発明の範囲に包含されるべきであると考えられる。本明細書において特定の実施形態に関して説明される全ての効果、利点、及び技術的問題解決策は、いずれかの請求項の、またはこれらの請求項の全ての必須の、必要な、または基本的な特徴または要素として捉えられるべきではない。
【００２５】
本明細書において使用する「ｃｏｕｐｌｅｄ」という用語は、直接的な接続、または機械的な接続に限定されるものではない。
更に、本明細書において使用する「ａ」または「ａｎ」という用語は、「ｏｎｅ」、または「ｍｏｒｅ  ｔｈａｎ  ｏｎｅ」として定義される。また、請求項群における「ａｔ  ｌｅａｓｔ  ｏｎｅ」及び「ｏｎｅ  ｏｒ  ｍｏｒｅ」のような前置き語句の使用は、別の請求要素の前に不定冠詞「ａ」または「ａｎ」を配置することによって、このような不定冠詞の付いた請求要素を含む特定の請求項が必ず、同じ請求項が前置き語句「ｏｎｅ  ｏｒ  ｍｏｒｅ」または「ａｔ  ｌｅａｓｔ  ｏｎｅ」、及び「ａ」または「ａｎ」のような不定冠詞を含む場合においても、このような要素を一つのみ含む発明に制限されることを意味するものとして解釈されてはならない。同じ解釈が定冠詞の使用に関しても当てはまる。
【００２６】
特に断らない限り、「ｆｉｒｓｔ」及び「ｓｅｃｏｎｄ」のような用語は、このような用語によって記述される要素群を任意に区別するために使用される。従って、これらの用語は、必ずしもこのような要素群の時間的な優先度、または他の優先度を指すために使用されるのではない。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【国際調査報告】
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