(57)【要約】【課題】リソグラフィ及び撮像を含む、１３．５ｎｍ等の超紫外線（ＥＵＶ）又はＸ線の集光光学系であって、レーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）源と組み合わせた斜入射集光器を提供する。  【解決手段】一実施形態においては、一以上の他の光学要素が、ＥＵＶ又はＸ線プラズマ源の生成に使用される一以上のレーザ光に作用することにより、レーザ光は、燃料ターゲットに対しその中間焦点側から衝撃を与える。また、ＥＵＶ及びＸ線に用いられる集光器であって、レーザ生成プラズマ光源からの光を中間焦点に対し集光器によって反射させ、光源と中間焦点とを結ぶ線は光軸を形成し、光軸上の第１方向は光源から中間焦点まで形成される。集光器は、一以上の斜入射ミラーを備え、集光器は、（ａ）第１方向とは反対方向である第２方向において、又は（ｂ）第２方向に対し鋭角で、光源に入射するように受光したレーザ光の向きを変える一以上の他の光学要素を備える。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
１３．５ｎｍ等のＥＵＶ及びＸ線用の光源−集光光学系であって、レーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）源と組み合わせた斜入射集光器を備える、光学系。
【請求項２】
一以上の他の光学要素が、ＥＵＶ又はＸ線プラズマ源を生成するために使用される一以上のレーザ光に作用することにより、前記レーザ光は、燃料ターゲットに対しその中間焦点が配された側から衝撃を与える、
請求項１に記載の光学系。
【請求項３】
レーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）源と組み合わせた斜入射集光器を１３．５ｎｍ等のＥＵＶ及びＸ線用に使用する方法。
【請求項４】
ＥＵＶ及びＸ線用の集光器であって、プラズマ光源からの光を中間焦点に対し集光器によって反射し、光源と中間焦点とを結ぶ線は光軸を形成し、光軸上の第１方向は光源から中間焦点まで形成され、
前記集光器は、一以上の斜入射ミラーを備え、
前記集光器は、（ａ）前記第１方向とは反対方向である第２方向において、又は（ｂ）前記第２方向に対し鋭角で、光源に入射するように受光したレーザ光の向きを変える一以上の他の光学要素を備えることを特徴とする、
集光器。
【請求項５】
前記一以上の他の光学要素は、平面ミラーを備え、光軸に平行でない方向に伝播する前記受光したレーザ光を反射する、
請求項４に記載の集光器。
【請求項６】
前記平面ミラーは、前記集光器と前記中間焦点との間に配される、
請求項５に記載の集光器。
【請求項７】
前記平面ミラーは、集光器の光源と反対側に配される、
請求項５又は６に記載の集光器。
【請求項８】
前記平面ミラーは、前記光軸上に配される、
請求項７に記載の集光器。
【請求項９】
前記平面ミラーは、前記光軸に対し４５度の平面に配され、前記光軸に交わる方向に伝播する前記受光したレーザ光を反射する、
請求項７又は８に記載の集光器。
【請求項１０】
前記一以上の他の光学要素は、前記光源と前記中間焦点との間に配された球面ミラーを備え、前記光源の集光器とは反対側から前記第１方向に伝播する前記受光したレーザ光を反射させる、
請求項４に記載の集光器。
【請求項１１】
前記球面ミラーは、前記光源と前期集光器との間に配されるか、前記光源に最も近い集光器の端部に配される、
請求項１０に記載の集光器。
【請求項１２】
前記一以上の他の光学要素は、
前記光源の集光器とは反対側に配され、前記光源の集光器とは反対側から前記第１方向に伝播する前記受光したレーザ光の焦点を合わせるための凸レンズと、
前記光源と前記中間焦点との間に配され、前記光源に向かって前記第２方向に伝播する前記レーザ光を反射させる平面ミラーと、
を備える、
請求項４に記載の集光器。
【請求項１３】
前記一以上の他の光学要素は、
前記光源と前記中間焦点との間に配され、前記光軸に交わる方向に伝播する前記レーザ光を反射させるとともに、前記光軸に対し４５度の平面に配された平面ミラーと、
前記平面ミラーと前記光源との間に配され、前記光源上にレーザ光の焦点を合わせる凸レンズと、
を備える、
請求項４に記載の集光器。
【請求項１４】
ＬＰＰ源等の光源と、
請求項４から１３のいずれかに記載の集光光学系と、
前記光学集光レンズと、
前記反射マスクと、
を備える、
ＥＵＶリソグラフィシステム。
【請求項１５】
レーザ生成プラズマ源を用いた約１３．５ｎｍで用いられる集光器であって、５から１６、好適には６から１２の同心に配されたミラーであって、光源からの最大集光角度が約４０度から約８５度、好ましくは約４５度から約７５度とするために、入射光とミラーの反射面との間の最大グレージング角が約３０度、好ましくは約２５度となるような斜入射で作用するミラーを備える、
集光器。
【請求項１６】
各ミラーは、Ｗｏｌｔｅｒミラーを備える、
請求項１５に記載の集光器。
【請求項１７】
各ミラーは、楕円形ミラーを備える、
請求項１５に記載の集光器。
【請求項１８】
各ミラーは、「等反射角」(equal reflection angle)ミラーを備える、
請求項１５に記載の集光器。
【請求項１９】
各ミラーは、「軸外Ｗｏｌｔｅｒ」(off-axis Wolter)ミラーを備える、
請求項１５に記載の集光器。
【請求項２０】
複数の同心に配された異なる構成のミラーを備え、同構成はＷｏｌｔｅｒ、楕円形、「等反射角」、「軸外Ｗｏｌｔｅｒ」を含む、
請求項１５に記載の集光器。
【請求項２１】
レーザ生成プラズマ源を用いた約１３．５ｎｍで使用される集光器であって、複数の同心に配されたミラーを備え、前記ミラーは、金属、好適にはＮｉ、Ｃｕ又はＡｌからなり、ミラーの厚みが約０．５ｍｍから約４ｍｍの間、好適には約１ｍｍから約３ｍｍの間となるようにダイアモンド旋盤により形成された、
集光器。
【請求項２２】
レーザ生成プラズマ源を用いた約１３．５ｎｍで使用される集光器であって、複数の同心に配されたミラーを備え、同ミラーは、ミラーの厚みが約０．５ｍｍから約４ｍｍの間、好適には約１ｍｍから約３ｍｍの間となるように金属電鋳、好適にはＮｉ又はＣｕにより形成された、
集光器。
【請求項２３】
レーザ生成プラズマ源を用いた約１３．５ｎｍで使用される集光器であって、複数の同心に配されたミラーを備え、前記ミラーは、マルチレイヤの電鋳金属からなり、前記マルチレイヤは、好適には約０．０１ｍｍから約０．３ｍｍの厚みを有するＮｉの薄い層と、続く好適には約０．５ｍｍから約４ｍｍの厚みを有するＣｕの厚い層と、続く好適には約０．０１ｍｍから約０．３ｍｍの厚みを有するＮｉの薄い層とを備える、
集光器。
【請求項２４】
レーザ生成プラズマ源を用いた約１３．５ｎｍで使用される集光器であって、複数の同心に配されたミラーを備え、前記ミラーは、マルチレイヤの電鋳金属からなり、前記マルチレイヤは、好適には約０．０１ｍｍから約０．３ｍｍの厚みを有するＮｉＣｏ合金の薄い層と、続く好適には０．５ｍｍから４ｍｍの厚みを有するＣｕの厚い層と、続く好適には約０．０１ｍｍから約０．３ｍｍの厚みを有するＮｉＣｏ合金の薄い層とからなる、
集光器。
【請求項２５】
前記電鋳ミラーは、１ｍｍから１０ｎｍの空間波長範囲において好適には２ｎｍ未満の表面粗さを有し、更に好適には、１ｍｍから１０ｎｍの空間波長範囲において１ｎｍ未満の表面粗さを有する、
請求項２０から２２のいずれかに記載の集光器。
【請求項２６】
レーザ生成プラズマ源を用いた約１３．５ｎｍで使用される集光器であって、複数の同心に配されたミラーからなり、前記ミラーは、分離層がＡｕとは異なる材料からなるか、若しくは適当な障壁材料を使用してＡｕをほぼ完全に流出させないことによってミラー基材と反射コーティングとの間にＡｕを遮蔽する電気鋳造により生成される、
集光器。
【請求項２７】
レーザ生成プラズマ源を用いた約１３．５ｎｍで使用される集光器であって、複数の同心に配されたミラーからなり、前記ミラーは、１ｍｍから１０ｎｍの空間波長範囲において好適には２ｎｍ未満の表面粗さを有し、更に好適には、１ｍｍから１０ｎｍの空間波長範囲において１ｎｍ未満の表面粗さを有する、
集光器。
【請求項２８】
レーザ生成プラズマ源を用いた１３．５ｎｍ辺りで使用される集光器であって、複数の同心に配されたミラーと、統合熱管理システムとを備え、前記統合熱管理システムは、使用において、ミラー及び支持構造体の温度を時間においてほぼ一定、好ましくは所望の温度に対して±５℃以内、更に好ましくは±２℃以内、更に好ましくは±１℃以内に保ち、及び／又はミラー表面全体にわたってほぼ均一な温度、好ましくは所望の温度に対して±５℃以内、更に好ましくは±２℃以内、更に好ましくは±１℃以内に保つ、
集光器。
【請求項２９】
統合熱管理システムは、制御フィードバックループと制御ソフトウエアとを含む、
請求項２８に記載の発明。
【請求項３０】
前記統合熱管理システムは、一以上のミラーの裏側等に取り付けられた冷却及び加熱素子を含む、
請求項２８又は２９に記載の発明。
【請求項３１】
前記冷却加熱素子は、流体や移送遷移流体、ペルチェセル、ミラーの裏側を微細加工したり電鋳工程の際にミラーの裏側を適切にマスキングしたりすることによって得られるマイクロチャンネル、或いはジュール効果によって加熱された適当な流体やワイヤによって加熱されたパイプラインを備える、
請求項３０に記載の発明。
【請求項３２】
レーザ生成プラズマ源を用いた約１３．５ｎｍで使用される集光器であって、複数の同心に配されたミラーを備え、ミラーの縁の同じ寸法を有する薄い円形の環状のシールドが一以上のミラーの入口縁の前方に配され、ミラーとわずかな限られた熱接触をするメカニカルなカップリングによって取り付けられて、シールドが完全又は部分的に光源又はミラーの縁を照射するデブリ軽減ツールからの光を防ぐ、
集光器。
【請求項３３】
レーザ生成プラズマ源を用いた約１３．５ｎｍで使用される集光器であって、複数の同心に配されたミラーを備え、冷却されたパイプラインは一以上のミラーの入口縁の前方に取り付けられている、
集光器。
【請求項３４】
レーザ生成プラズマ源を用いた１３．５ｎｍ辺りで使用される集光器であって、複数の同心に配されたミラーを備え、光学面が反射層によってコーティングされ、前記反射層は、好適には（ａ）Ｐｄ、Ａｕ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｍｏ、Ｒｈのうちの一つ、更に好適にはＲｕからなるか、（ｂ）Ｐｄ、Ａｕ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｍｏ、Ｒｈ、及びＲｕのうちの二以上からなるナノ複合合金からなり、前記反射層は約５０ｎｍから約５００ｎｍの厚みを有し、集光器の長さ方向の反射層の厚みは例えば均一である、
集光器。
【請求項３５】
レーザ生成プラズマ源を用いた約１３．５ｎｍで使用される集光器であって、複数の同心に配されたミラーを備え、前記ミラーの光学面は、（ａ）Ｐｄ、Ａｕ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｍｏ、Ｒｈ及びＲｕのうちの一つからなるか、（ｂ）Ｐｄ、Ａｕ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｍｏ、Ｒｈ、及びＲｕのうちの二以上からなるナノ複合合金からなる反射層によってコーティングされ、前記反射層は光源からのデブリによる腐食に対し集光器の寿命を延ばすために約５００ｎｍから約３０００ｎｍの厚みを有し、集光器の長さ方向の反射層の厚みは例えば均一である、
集光器。
【請求項３６】
レーザ生成プラズマ源及びデブリ軽減ツールを用いた約１３．５ｎｍで使用される集光器であって、複数の同心に配されたミラーを備え、集光器の形状がデブリ軽減ツールの形状と整合させた、
集光器。
【請求項３７】
レーザ生成プラズマ源及びデブリ軽減ツールを用いた約１３．５ｎｍで使用される集光器であって、複数の同心に配されたミラーと支持構造体とを備え、集光器の支持構造体とデブリ軽減ツールとは寸法が整合されており、整列されてオブスキュレーションの付加を防ぎ、デブリ軽減ツールと集光器との集光効率を最大化させる、
集光器。
【請求項３８】
レーザ生成プラズマ源を用いた約１３．５ｎｍで使用される集光器であって、複数の同心に配されたミラーを備え、一以上のミラーは、その裏側等に光源からのデブリを軽減させる一以上の装置、例えば腐食検出器、ソレノイド、ＲＦ源を取り付けている、
集光器。
【請求項３９】
レーザ生成プラズマ源を用いた約１３．５ｎｍで使用される集光器であって、複数の同心に配されたミラーと支持構造体とを備え、非強磁性材料からなる、
集光器。
【請求項４０】
レーザ生成プラズマ源を用いた約１３．５ｎｍで使用される集光器であって、複数の同心に配されたミラーを備え、ミラーの非反射面は、Ｒｈの保護層によってコーティングされ、好適には約５０ｎｍから約３０００ｎｍの厚みを有し、好適には電気めっきによって堆積された、
集光器。
【請求項４１】
前記ミラーは、好ましくは厚みが約０．５ｍｍから約４ｍｍの電鋳Ｃｕと、同電鋳Ｃｕの光学面上に設けられ、好ましくは厚みが５０ｍｍから３０００ｎｍ、更に好ましくは約５００から約３０００ｎｍの反射層とからなり、集光器の長さ方向の反射層の厚みは例えば均一である、
請求項４０に記載の光学系。
【請求項４２】
請求項２０から２４のいずれかに記載の集光器の製造方法であって、マスタを作成し、前記マスタ上にミラーを電気鋳造し、前記マスタは、ダイアモンド旋盤によって製造され、空間波長範囲が１ｍｍから１０ｎｍにおいては表面の粗さが２ｎｍ未満、好ましくは１ｎｍ未満の表面粗さを有するように研磨される、
製造方法。
【請求項４３】
マスタの製造方法であって、前記マスタは電気鋳造によりミラーを生成するためのものであって、前記ミラーは請求項２０から２４のいずれかに記載の集光器に使用され、マスタを形成する基材を、空間波長範囲が１ｍｍから１０ｎｍにおいてはマスタの表面の粗さが２ｎｍ未満、好ましくは１ｎｍ未満の表面粗さとなるようにダイアモンド旋盤と研磨することとを含む、
製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＥＵＶ及びＸ線用の反射光学系に関し、特にレーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）源の斜入射集光光学系に関する。
【背景技術】
【０００２】
本発明は、ＥＵＶ及びＸ線光が用いられる状況の多様な用途があるが、特にリソグラフィや撮像の用途として有益である。
【０００３】
ＥＵＶリソグラフィシステムの簡略化したブロック図を図１（先行技術）に示す。１３．５ｎｍのＥＵＶ源１０２は、通常はホットプラズマであり、そこからの発光は集光器１０４に集光され、中間焦点（ＩＦ）を介して照射器１０６に伝えられる。照射器は、マスクやレチクル１０８にパターンを照射し、同パターンはウエハ１１０に転写される。マスクやレチクルの像は、投射光学ボックス１１２によってウエハ１１０に投影される。集光器１０４の主な目的は、光源１０２からの帯域内パワーの最大出力を照射器１０６に伝えることであって、これは光源１０２と照射器１０６自身による制限を整合させることにより行われる。ＩＦにおけるＥＵＶ出力全てと、２πｓｒで光源１０２によって発光されるＥＵＶ出力全てとの間の比率を「集光効率」と呼ぶ。集光器１０４の光学設計の第一の目標は、光源１０２と照射器１０６による境界の制限を整合させつつ、集光効率を最大化にすることである。
【０００４】
好適な用途では、ＥＵＶ光はおよそ１３．５ｎｍの波長を有し、これには、二つのタイプのプラズマ源がかかる光を発生させ得る解決手段として現在考えられている。それは、放電生成プラズマ（ＤＰＰ）源とレーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）源である。前者の場合、プラズマは燃料（Ｓｎ、Ｘｅ等）による放電により生成される。後者の場合、プラズマは、レーザ光が燃料ターゲット（Ｌｉ、Ｓｎ、Ｘｅ等）に衝撃を与えることによって生成される。
【０００５】
ＬＰＰ源としては、従来の最適な構成が図２（先行技術）に示されている。特許文献１を参照のこと。単一の楕円形（集光）ミラー１０４が光源１０２の後に配されている。この標準的な構成では、レーザ光２０４は、ミラー１０４のＩＦとは反対側から、ミラー１０４の中心の孔２０６を通って光源（焦点）１０２における燃料ターゲットに到達する。ミラー１０４の入射角は通常約３０°よりも小さく、１３．５ｎｍにおいて十分な反射を確実に実現するためには（通常Ｍｏ及びＳｉのスタックからなる）マルチレイヤコーティングが必要となる。小さな入射角のミラーとしてここでは垂直入射ミラー（ＮＩＭ）と称する。図２の構成が最も効率的である。しかし、この構成は次のようないくつかの欠点を有する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】米国特許第２００５／０１９９８２９号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
１）図２の楕円形ＮＩＭは、複雑且つ高コストなＭｏ/Ｓｉマルチレイヤコーティングを必要とする。
２）ＮＩＭの表面領域は比較的小さいため、結果的に熱負荷密度が非常に高い。これにより、ＮＩＭの熱制御は困難となる。
３）プラズマ源のほとんどの出力は約１０ｎｍから１２０ｎｍの間であるが、マルチレイヤコーティングが１３．５ｎｍ付近の極めて狭い帯域幅でしか反射しない非常に狭い通過帯域として作用するため、熱負荷の総量はＮＩＭでは高くなる。これにより更にＮＩＭの熱制御が複雑となる。
４）図２の構成は、ＤＰＰ源では一般的に使用されるデブリ軽減ツール（ＤＭＴ）が使用できなくなる。このタイプのＤＭＴは、光源からの高速の粒子の速度を弱めるため、光源付近に放射状に配されガス（Ａｒ、Ｎ２等）が充填された多数のラメラからなる。しかし、このタイプのＤＭＴは図２の構成における放射を完全に遮ってしまう。
５）光源からの高エネルギーのイオンや粒子による反射層の腐食を解消し、ミラーの寿命を延ばすためには、反射層の厚みを増やす必要がある。しかし、ＮＩＭにおいては、これはマルチレイヤコーティングの層の数を増やすことになると共に、製造工程を複雑にし、製造コストを増加させる。
６）（一単位領域毎の）イオンや粒子の流れは、ＮＩＭにおいては小さな領域のわりには比較的高い。よって、腐食及び／又は堆積はＮＩＭにおいては比較的高い。
【０００８】
本発明は上記及びその他の問題に対応することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一の観点によれば、１３．５ｎｍ等のＥＵＶ及びＸ線用の光源−集光光学系であって、レーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）源と組み合わせた斜入射集光器を備える光学系が提供される。
【００１０】
好適には、一以上の他の光学要素が、ＥＵＶ又はＸ線プラズマ源を生成するために使用される一以上のレーザ光に作用することにより、前記レーザ光は、燃料ターゲットに対しその中間焦点が配された側から衝撃を与える。
【００１１】
本発明の他の観点によれば、レーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）源と組み合わせた斜入射集光器を１３．５ｎｍ等のＥＵＶ及びＸ線用に使用する方法が提供される。
【００１２】
本発明の他の観点によれば、ＥＵＶ及びＸ線用の集光器であって、プラズマ光源からの光を中間焦点に対し集光器によって反射し、光源と中間焦点とを結ぶ線は光軸を形成し、光軸上の第１方向は光源から中間焦点まで形成され、集光器は一以上の斜入射ミラーを備え、集光器は、（ａ）前記第１方向とは反対方向である第２方向において、又は（ｂ）前記第２方向に対し鋭角で、光源に入射するように受光したレーザ光の向きを変える一以上の他の光学要素を備えることを特徴とする集光器が提供される。
【００１３】
一実施形態においては、前記一以上の他の光学要素は、平面ミラーを備え、光軸に平行でない方向に伝播する前記受光したレーザ光を反射させる。一実施形態においては、平面ミラーは集光器と中間焦点との間に配される。一実施形態においては、平面ミラーは集光器の光源と反対側に配される。好適には、平面ミラーは光軸上に配される。好適には、平面ミラーは光軸に対し４５度の平面に配され、前記光軸に交わる方向に伝播する前記受光したレーザ光を反射する。
【００１４】
他の実施形態においては、前記一以上の他の光学要素は光源と中間焦点との間に配された球面ミラーを備え、光源の集光器とは反対側から前記第１方向に伝播する前記受光したレーザ光を反射する。好適には、球面ミラーは光源と集光器との間に配されるか、光源に最も近い集光器の端部に配される。
【００１５】
他の実施形態においては、前記一以上の他の光学要素は、光源の集光器とは反対側に配され、光源の集光器とは反対側から前記第１方向に伝播する前記受光したレーザ光の焦点を合わせるための凸レンズと、光源と中間焦点との間に配され、光源に向かって前記第２方向に伝播する前記レーザ光を反射させる平面ミラーとを備える。
【００１６】
他の実施形態においては、前記一以上の他の光学要素は、光源と中間焦点との間に配され、前記光軸に交わる方向に伝播する前記レーザ光を反射させるとともに、光軸に対し４５度の平面に配された平面ミラーと、平面ミラーと光源との間に配され、光源上にレーザ光の焦点を合わせる凸レンズと、を備える。
【００１７】
本発明の他の観点によれば、ＬＰＰ源等の光源と、添付の請求の範囲の請求項４から１１のいずれかに記載の集光光学系と、光学集光レンズと、反射マスクとを備える、ＥＵＶリソグラフィシステムが提供される。
【００１８】
本発明の他の観点によれば、レーザ生成プラズマ源を用いた約１３．５ｎｍで用いられる集光器であって、５から１６、好適には６から１２の同心に配されたミラーであって、光源からの最大集光角度が約４０度から約８５度、好ましくは約４５度から約７５度とするために、入射光とミラーの反射面との間の最大グレージング角が約３０度、好ましくは約２５度となるような斜入射で作用するミラーを備える、集光器が提供される。
【００１９】
一実施形態においては、各ミラーはＷｏｌｔｅｒミラーを備える。一実施形態においては、各ミラーは楕円形ミラーを備える。一実施形態においては、各ミラーは「等反射角」(equal reflection angle)ミラーを備える。一実施形態においては、各ミラーは「軸外Ｗｏｌｔｅｒ」(off-axis Wolter)ミラーを備える。
【００２０】
一実施形態においては。集光器は、複数の同心に配された異なる構成のミラーを備え、同設計はＷｏｌｔｅｒ、楕円形、「等反射角」、「軸外Ｗｏｌｔｅｒ」を含む。
【００２１】
本発明の他の観点によれば、レーザ生成プラズマ源を用いた約１３．５ｎｍで使用される集光器であって、複数の同心に配されたミラーを備え、同ミラーは金属、好適にはＮｉ、Ｃｕ又はＡｌからなり、ミラーの厚みが約０．５ｍｍから約４ｍｍの間、好適には約１ｍｍから３ｍｍの間となるようにダイアモンド旋盤により形成された、集光器が提供される。
【００２２】
本発明の他の観点によれば、レーザ生成プラズマ源を用いた約１３．５ｎｍで使用される集光器であって、複数の同心に配されたミラーを備え、同ミラーは、ミラーの厚みが約０．５ｍｍから約４ｍｍの間、好適には約１ｍｍから約３ｍｍの間となるように金属電鋳、好適にはＮｉ又はＣｕにより形成された、集光器が提供される。
【００２３】
本発明の他の観点によれば、レーザ生成プラズマ源を用いた約１３．５ｎｍで使用される集光器であって、複数の同心に配されたミラーを備え、同ミラーは、マルチレイヤの電鋳金属からなり、同マルチレイヤは、好適には約０．０１ｍｍから約０．３ｍｍの厚みを有するＮｉの薄い層と、続く好適には約０．５ｍｍから約４ｍｍの厚みを有するＣｕの厚い層と、続く好適には約０．０１ｍｍから約０．３ｍｍの厚みを有するＮｉの薄い層とを備える、集光器が提供される。
【００２４】
本発明の他の観点によれば、レーザ生成プラズマ源を用いた約１３．５ｎｍで使用される集光器であって、複数の同心に配されたミラーを備え、同ミラーは、マルチレイヤの電鋳金属からなり、同マルチレイヤは、好適には約０．０１ｍｍから約０．３ｍｍの厚みを有するＮｉＣｏ合金の薄い層と、続く好適には約０．５ｍｍから約４ｍｍの厚みを有するＣｕの厚い層と、続く好適には約０．０１ｍｍから約０．３ｍｍの厚みを有するＮｉＣｏ合金の薄い層とからなる、集光器が提供される。
【００２５】
好適には、電鋳ミラーは、１ｍｍから１０ｎｍの空間波長範囲において好適には２ｎｍ未満の表面粗さを有し、更に好適には、１ｍｍから１０ｎｍの空間波長範囲において１ｎｍ未満の表面粗さを有する。
【００２６】
本発明の他の観点によれば、レーザ生成プラズマ源を用いた約１３．５ｎｍで使用される集光器であって、複数の同心に配されたミラーからなり、同ミラーは、分離層がＡｕとは異なる材料からなるか、若しくは適当な障壁材料を使用してＡｕをほぼ完全に流出させないことによってミラー基材と反射コーティングとの間にＡｕを遮蔽する電気鋳造により生成される、集光器が提供される。
【００２７】
本発明の他の観点によれば、レーザ生成プラズマ源を用いた約１３．５ｎｍで使用される集光器であって、複数の同心に配されたミラーからなり、ミラーは、１ｍｍから１０ｎｍの空間波長範囲において好適には２ｎｍ未満の表面粗さを有し、更に好適には、１ｍｍから１０ｎｍの空間波長範囲において１ｎｍ未満の表面粗さを有する、集光器が提供される。
【００２８】
本発明の他の観点によれば、レーザ生成プラズマ源を用いた１３．５ｎｍ辺りで使用される集光器であって、複数の同心に配されたミラーと、統合熱管理システムとを備え、前記統合熱管理システムは、使用において、ミラー及び支持構造体の温度を時間上ほぼ一定、好ましくは所望の温度に対して±５℃以内、更に好ましくは±２℃以内、更に好ましくは±１℃以内に保ち、及び／又はミラー表面全体にわたってほぼ均一な温度、好ましくは所望の温度に対して±５℃以内、更に好ましくは±２℃以内、更に好ましくは±１℃以内に保つ、集光器が提供される。
【００２９】
好適には、統合熱管理システムは、制御フィードバックループと制御ソフトウエアとを含む。
【００３０】
代わりに又は追加として、統合熱管理システムは、一以上のミラーの裏側等に取り付けられた冷却及び加熱素子を含む。好適には、同冷却加熱素子は、流体や移送遷移流体、ペルチェセル、ミラーの裏側を微細加工したり電鋳工程の際にミラーの裏側を適切にマスキングしたりすることによって得られるマイクロチャンネル、或いはジュール効果によって加熱された適当な流体やワイヤによって加熱されたパイプラインを備える。
【００３１】
本発明の他の観点によれば、レーザ生成プラズマ源を用いた約１３．５ｎｍで使用される集光器であって、複数の同心に配されたミラーを備え、ミラーの縁の同じ寸法を有する薄い円形の環状のシールドが一以上のミラーの入口縁の前方に配され、ミラーとわずかな限られた熱接触をするメカニカルなカップリングによって取り付けられて、シールドが完全又は部分的に光源又はミラーの縁を照射するデブリ軽減ツールからの光を防ぐ、集光器が提供される。
【００３２】
本発明の他の観点によれば、レーザ生成プラズマ源を用いた約１３．５ｎｍで使用される集光器であって、複数の同心に配されたミラーを備え、冷却されたパイプラインは一以上のミラーの入口縁の前方に取り付けられている、集光器が提供される。
【００３３】
本発明の他の観点によれば、レーザ生成プラズマ源を用いた１３．５ｎｍ辺りで使用される集光器であって、複数の同心に配されたミラーを備え、光学面が反射層によってコーティングされ、同反射層は、好適には（ａ）Ｐｄ、Ａｕ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｍｏ、Ｒｈのうちの一つ、更に好適にはＲｕからなるか、（ｂ）Ｐｄ、Ａｕ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｍｏ、Ｒｈ、及びＲｕのうちの二以上からなるナノ複合合金からなり、反射層は約５０ｎｍから約５００ｎｍの厚みを有し、集光器の長さ方向の反射層の厚みが例えば均一である、集光器が提供される。
【００３４】
本発明の他の観点によれば、レーザ生成プラズマ源を用いた約１３．５ｎｍで使用される集光器であって、複数の同心に配されたミラーを備え、ミラーの光学面は、（ａ）Ｐｄ、Ａｕ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｍｏ、Ｒｈ及びＲｕのうちの一つからなるか、（ｂ）Ｐｄ、Ａｕ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｍｏ、Ｒｈ、及びＲｕのうちの二以上からなるナノ複合合金からなる反射層によってコーティングされ、同反射層は光源からのデブリによる腐食に対し集光器の寿命を延ばすために約５００ｎｍから約３０００ｎｍの厚みを有し、集光器の長さ方向の反射層の厚みは例えば均一である、集光器が提供される。
【００３５】
本発明の他の観点によれば、レーザ生成プラズマ源及びデブリ軽減ツールを用いた約１３．５ｎｍで使用される集光器であって、複数の同心に配されたミラーを備え、集光器の形状がデブリ軽減ツールの形状と整合させた、集光器が提供される。
【００３６】
本発明の他の観点によれば、レーザ生成プラズマ源及びデブリ軽減ツールを用いた約１３．５ｎｍで使用される集光器であって、複数の同心に配されたミラーと支持構造体とを備え、集光器の支持構造体とデブリ軽減ツールとは寸法が整合されており、整列されてオブスキュレーションの付加を防ぎ、デブリ軽減ツールと集光器との集光効率を最大化させる、集光器が提供される。
【００３７】
本発明の他の観点によれば、レーザ生成プラズマ源を用いた約１３．５ｎｍで使用される集光器であって、複数の同心に配されたミラーを備え、一以上のミラーは、その裏側等に光源からのデブリを軽減させる一以上の装置、例えば腐食検出器、ソレノイド、ＲＦ源を取り付けている、集光器が提供される。
【００３８】
本発明の他の観点によれば、レーザ生成プラズマ源を用いた約１３．５ｎｍで使用される集光器であって、複数の同心に配されたミラーと支持構造体とを備え、非強磁性材料からなる、集光器が提供される。
【００３９】
本発明の他の観点によれば、レーザ生成プラズマ源を用いた約１３．５ｎｍで使用される集光器であって、複数の同心に配されたミラーを備え、ミラーの非反射面は、Ｒｈの保護層によってコーティングされ、好適には５０ｎｍから３０００ｎｍの厚みを有し、好適には電気めっきによって堆積（deposit）された、集光器が提供される。
【００４０】
好適には、ミラーは、好ましくは厚みが約０．５ｍｍから約４ｍｍの電鋳Ｃｕと、同電鋳Ｃｕの光学面上に設けられ、好ましくは厚みが５０ｍｍから３０００ｎｍ、更に好ましくは約５００から約３０００ｎｍの反射層とからなり、集光器の長さ方向の反射層の厚みは例えば均一である。
【００４１】
本発明の他の観点によれば、請求項２０から２２のいずれかに記載の集光器の製造方法であって、マスタを作成し、同マスタ上にミラーを電気鋳造し、同マスタは、ダイアモンド旋盤によって製造され、空間波長範囲が１ｍｍから１０ｎｍにおいては表面の粗さが２ｎｍ未満、好ましくは１ｎｍ未満の表面粗さを有するように研磨される、製造方法が提供される。
【００４２】
本発明の他の観点によれば、マスタの製造方法であって、マスタは電気鋳造によりミラーを生成するためのものであって、ミラーは請求項２０から２２のいずれかに記載の集光器に使用され、同方法は、マスタを形成する基材を、空間波長範囲が１ｍｍから１０ｎｍにおいてはマスタの表面の粗さが２ｎｍ未満、好ましくは１ｎｍ未満の表面粗さとなるようにダイアモンド旋盤と研磨することとを含む、製造方法が提供される。
【００４３】
本発明の好適な実施形態によれば、複数の同心に配された２反射ミラーが、例えばタイプＩのＷｏｌｔｅｒ集光器に用いられる。集光器のミラーの入射角は、ｃ．６０度（つまり、グレージング角＜ｃ．３０度）よりも通常大きく、（例えば、Ｒｕ、Ｐｄ等を用いた）ミラー表面の単一層のコーティングは１３．５ｎｍにおいて大きなトランスミッションを確実にするのに十分である。大きな入射角のミラーとしてここでは斜入射ミラー（ＧＩＭ）と称する。
【発明の効果】
【００４４】
本発明の効果は、ＧＩＭ（例えば図３）は、マルチレイヤではなく、Ｒｕ、Ｐｄ等の反射モノレイヤコーティングで足りることである。
【００４５】
本発明の別の効果は、ＧＩＭの表面領域はＮＩＭよりもはるかに大きいため、熱負荷密度は従来の場合よりもはるかに低く、熱制御が容易となることである。
【００４６】
本発明の別の効果は、ＧＩＭにモノレイヤを用いることによって、マルチレイヤの狭い通過帯域フィルタ効果を除外することができるため、熱負荷の総量はＮＩＭよりもＧＩＭの方が低くなることである。
【００４７】
本発明の別の効果は、ＤＰＰ源に一般に使用されるデブリ軽減ツール（ＤＭＴ）を使用することもできることである。
【００４８】
本発明の別の効果は、マルチレイヤコーティングのレイヤ数を増やして反射層の厚みを増大させる必要は少なくなるか全くなくなり、光源からの高エネルギーのイオンや粒子によって反射層が腐食する問題を解消し、ミラーの寿命を延ばすことである。ＧＩＭにおいては、単一の反射コーティングの厚みだけを大きくすればよい。
【００４９】
本発明の別の効果は、（領域単位の）イオンや粒子の流入はＮＩＭよりもＧＩＭの方が低い。これはＧＩＭの領域が広いことに因る。その結果、均等なイオン・粒子流入レートでは、腐食及び／又は堆積はＮＩＭよりＧＩＭの方が小さい。
【００５０】
本発明の実施形態について、添付の図面を参照しながら詳細に説明する。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】（先行技術）公知のＥＵＶリソグラフィシステムの一例を示す。
【図２】（先行技術）図１のＥＵＶリソグラフィの集光光学系の一例で、ＬＰＰ光源を用いたものを示す。
【図３】本発明の第１実施形態に係る斜入射集光器であって、ＬＰＰ光源を用いたものを示す。
【図４】図３の集光器を用いたＬＰＰ光源の放射されたＥＵＶ出力の角度的な配置状態を示す。
【図５】本発明の第２実施形態に係る斜入射集光器を示す。
【図６】本発明の第３実施形態に係る斜入射集光器を示す。
【図７】本発明の第４実施形態に係る斜入射集光器を示す。
【図８】本発明の第５実施形態に係る斜入射集光器を示す。
【発明を実施するための形態】
【００５２】
本明細書及び図面において、同じ符号は同様の要素を示す。特に記載しない限り、それぞれの設計上の要素及び部材はここに開示するその他の設計上の要素及び部材と組み合わせて用いてもよいものとする。
【００５３】
ここで述べる光学要素又は光学系の例では、特に示さない限り、光軸を中心とする円筒対称とし、「像焦点」は像焦点又は中間焦点を指す。
【００５４】
図３は、本発明の第１実施形態に係る斜入射集光器３０２であって、ＬＰＰ光源３０４を用いたものを示す。集光器３０２は、複数の同心に配されたミラー即ちシェル３０６からなる。この実施形態においては、図３に示すように、６つのミラー３０６がある。しかし、当然のことながら適当な数のミラーを使用できる。各ミラー３０６は同一又は異なる設計であってもよいが、Ｗｏｌｔｅｒ、楕円形、「等反射角」、「軸外Ｗｏｌｔｅｒ」によるものに限定されない。「等反射角」の斜入射集光器の設計は、例えば、欧州特許出願第06425539.1号で説明されている。「軸外Ｗｏｌｔｅｒ」の斜入射集光器の設計は、例えば、欧州特許出願第06425634.0号で説明されている。
【００５５】
本実施形態では、レーザ光３０８は、集光器３０２のＩＦと同じ側から平坦な折りたたみミラー３１０を介して伝播する。ミラー３０１に反射後、レーザ光３０８は（矢印Ａ方向に）、光源（燃料）３０４（Ｌｉ、Ｓｎ、Ｘｅ等）に向かって伝播する。ＬＰＰ源３０４の角度のついた発光は異方性であってもよく、レーザ光の伝播と反対方向に発光のピークがある。放射されたＥＵＶ出力の角度的な配置状態の一例を図４に示す。図３に戻ると、この場合、光源３０４からの発光は異方性があり、光の最大強度の発光は集光器３０２に向かっている（つまり矢印Ａとは反対方向）。
【００５６】
＜集光器ミラー（シェル）＞
同心のミラー構成において、図３に示すＷｏｌｔｅｒ設計のように、ミラー３０６の厚みは、集光効率に直接的な影響を及ぼす。これは、光源３０４から発光されたＥＵＶ光の一部がミラーの厚みによってブロックされるからである。集光効率を可能な限り最大限にするため、ミラー３０６の厚みはできるだけ小さくしなければならない。従って、ミラー３０６の製造には金属が適宜使用される。これにより、ミラーの厚みを小さくすることができ、自重によりミラーが変形することを防ぐための十分なメカニカル且つ構造的な剛性を付与する。
【００５７】
プラズマ源から発光されたＥＵＶ光の一部は、光源から放射された全出力、約数キロワットの大きな出力のうちのわずかな部分にすぎず、集光器ミラーの反射面に当たる。この出力の一部は、集光器によって吸収され、ミラーが過度に変形することを防ぐため適宜設計された冷却システムによって除去されなければならない。よって、ミラーの製造に金属を用いることにより十分に大きな熱伝導性が付与され、ミラーによって吸収された熱を冷却システムに流れるようにすることができる。
【００５８】
ミラーの厚みは、光源からの光のオブスキュレーションを制限する必要性と、熱伝導性をできる限り増加させる必要性とをトレードオフとして適宜選択しなければならない。よって、代表的な使用例としては、厚みは約０．５ｍｍから４ｍｍである。
【００５９】
同様に、ミラー３０６用の金属の選択は、ミラー３０６の十分な剛性を確保する必要性と、熱伝導性をできる限り増加させる必要性とをトレードオフとする。ミラーの製造に適した材料の例としては、Ｎｉ、Ａｌ、Ｃｕがある。ＥＵＶ及びＸ線を用いるミラーは精度が高く極めて低い粗さ（好適には１−２ｎｍ  ｒｍｓ未満）が必要であるため、ミラーは当業者に知られているダイアモンド旋盤によって適宜製造される。
【００６０】
代わりに、金属ミラーは、当業者に知られている技術を用いて負のマスタ（図示せず）から電気鋳造によって製造されてもよい（例えば、ＷＯ０１８４７４７を参照）。電気鋳造による生成により以下のことが可能となる。
１．薄い金属のシェルの製造
２．マスタの形状の再現、特に２反射ミラーでは、モノシリック構造の二つの反射面の再現が可能であり、しかもその二面間において他の光学的な整合を必要とすることがない
３．典型的には１−２ｎｍ  ｒｍｓ未満で研磨されるマスタの粗さの再現（１ｍｍから１０ｎｍの空間波長範囲において十分に高い反射率を確実にするため）であり、ミラーの内側面よりもはるかに簡単に研磨できる
電鋳工程によってマスタの形状が再現されるため、マスタは最終製品のミラーの光学的性能を確実に満たすのに十分な表面精度を有する必要がある。良好な性能を実現するため、マスタはダイアモンド旋盤によって製造されてもよい。
【００６１】
電気鋳造されたミラーは、ＮｉやＮｉ−Ｃｏ合金を含む多様な金属で製造してもよい。電気鋳造されたミラーはＣｕで製造されてもよく、これにより熱伝導性を高めることができる。後者の場合、銅は汚染の原因となり得るため、動作環境においては使用できないかもしれないため、電気鋳造されたミラーは、好適には厚みが約０．０１ｍｍから約０．３ｍｍのＮｉの薄い層と、続いて好適には厚みが０．５ｍｍから４ｍｍのＣｕの厚い層と、続いて好適には厚みが約０．０１ｍｍから約０．３ｍｍのＮｉの薄い層とからなるマルチレイヤ構造で製造することができる。代わりに、電気鋳造されたミラーは、好適には厚みが約０．０１ｍｍから約０．３ｍｍのＮｉ−Ｃｏ合金の薄い層と、続いて好適には厚みが０．５ｍｍから４ｍｍのＣｕの厚い層と、続いて好適には厚みが約０．０１ｍｍから約０．３ｍｍのＮｉ−Ｃｏ合金の薄い層とからなるマルチレイヤ構造で製造することができる。
【００６２】
電鋳工程の前に、適切な分離層をマスタに堆積させることにより、電鋳工程の終わりにミラーがマスタから取り外すことができるようにする。分離層として使用される代表的な材料は、Ａｕ（金）であり、取り外し後はミラーの光学面全体に固着する。Ａｕは動作環境を汚染する場合があるため、かかる環境においては使用できない。この場合は二つの解決策を用いることができる。
１．異なる分離層、例えばミラーの面に固着しない窒化物層、炭化物層、炭窒化物層等、不活性セラミック材料を選択できる
２．適切な障壁材料を用いてミラー基材と反射層との間にＡｕを遮蔽することができる
また、集光器３０２は、シェル（ミラー３０６）の温度を略一定且つ均一に保ち、プラズマ源３０４からの大きな熱負荷によって引き起こされる過度の変形を防ぐことができる。熱制御システム（図示せず）は、ミラー３０６の裏面の光源３０４からの光の光路をブロックしない領域に一体的に設けられる。統合熱管理システム（図示せず）は、（ａ）適切な流体によって冷却されるパイプ、（ｂ）ペルチェセル、（ｃ）位相遷移流体によって冷却されるパイプ、（ｄ）ミラーの裏面を微細加工すること或いは電鋳工程の際にミラーの裏面を適宜マスキングすることによって得られるマイクロチャンネル等の冷却素子を含む。統合熱管理システム（図示せず）は、代わりに又は追加として、ジュール効果によって加熱された適当な流体やワイヤによって加熱されたパイプ等の加熱素子を含む。統合熱管理システム（図示せず）は、代わりに又は追加として、温度センサや熱制御のハードウエアやソフトウエアを有する。
【００６３】
上記素子は、全てフィードバック制御ループを含む統合熱管理システム（図示せず）において集積されていてもよい。かかる統合熱管理システム（図示せず）においては、ミラー及び全ての支持構造体の温度分布は、リアルタイムに監視され、冷却素子（図示せず）と加熱素子（図示せず）とを動作させ、ミラー３０６及び支持構造体の温度を時間上一定に保ちミラー表面の均一性と保つためのフィードバック信号として使用される。各ケースにおいて、かかる制御は、所望の温度に対し±５℃以内、更に好ましくは±２℃以内、更に好ましくは±１℃以内の差を含む。
【００６４】
ミラー３０６の入口縁３１２の熱負荷はほぼ垂直入射角であるため、かかる熱負荷は縁３１２によって完全に吸収されるため、隣接する反射面の部分的変形を引き起こす可能性がある。かかる熱を防ぐため、次の二つの解決策のうちいずれか又は双方を採用することができる。
【００６５】
１．ミラーの縁と同じ寸法を有する薄い円形の環状のシールドを、ミラーとわずかな限られた熱接触をするメカニカルなカップリング（図示せず）介して、ミラー入口縁３１２の前方に配する
２．ミラー入口縁３１２の前方に流体冷却パイプライン（図示せず）を取り付ける
ミラーシェル３０６が取り付けられる集光器３０２の支持構造（図示せず）はまた、例えば、周囲のボディ（図示せず）からの熱放射や真空空間（図示せず）における不純なプラズマ等による熱負荷の影響を削減又は排除するため、冷却される。
【００６６】
プラズマ源３０４は、イオン、中性原子、デブリである汚染及び腐食物質を生成するため、集光器ミラー３０６の反射コーティング（図示せず）は、好適には適切なデブリ軽減ツール（ＤＭＴ）（図示せず）を用いてクリーニング技術により適宜保護される。そして集光器３０２は、オブスキュレーション等を制限するため、支持構造体（図示せず）の寸法や位置がＤＭＴ（図示せず）と整合されていなければならない。集光器３０２自身が、腐食検出器、ソレノイド及びＲＦ源、保護層等のデブリ軽減又は保護システム（図示せず）を備えていてもよい。好ましくは、集光器はまた、光学（ミラー）面上の非反射物質の堆積を除去するために必要なクリーニング環境と整合するよう設計されている。特に、非光学面は全て、好適には厚みが５０ｎｍから３０００ｎｍのＲｈの保護層によって適宜カバーされ、クリーニング環境に対し化学的に耐性があるようにする。保護コーティング（図示せず）を堆積させる一つの便利な方法は、電気めっきによるものである。これにより、ミラー３０６や支持構造体（図示せず）の裏面等の複雑な面のコーティングが可能となるからである。
【００６７】
ミラー３０６の反射面（図示せず）においては、反射コーティング（図示せず）の厚みは約５０ｎｍから約５００ｎｍが適切である。しかし、プラズマ源３０４からの活発なイオンや中性子、デブリの存在（光学材料のスパッタリングの閾値を超えるエネルギーをもつ）により、反射コーティング（図示せず）は腐食することがある。集光器の寿命を延ばすためには、好適には厚みを大きくした反射コーティング（図示せず）が用いられ、その厚みは好ましくは５００ｎｍから３０００ｎｍの間の厚み又はそれ以上である。集光器の長さ方向の反射コーティングの厚みは均一であってもよいが、必ずしも均一である必要はない。
【００６８】
ＬＰＰ源では、プラズマ源３０４からのイオンのフラックスやスペクトラムを制御する一つの有用な方法は、適度な磁界を介することである。従って、集光器３０２は強い磁界（約１Ｔ以上）を生成するための電磁石（図示せず）によって包囲するようにしてもよい。この磁界は、集光器３０２がＮｉやＮｉ−Ｃｏ合金等の強磁性材料を含むと集光器３０２の変形の原因となる。よって、この場合、集光器３０２の生成には非強磁性材料を用いなければならない。例えば、集光器３０２は、電気鋳造されたＣｕで製造され、光学面上の厚い反射コーティング（Ｒｕ等；図示せず）や光学面上の厚い保護ガルバニックコーティング（Ｒｈ等；図示せず）によって保護されていてもよい。
【００６９】
＜ミラーの数と形状＞
再び図１及び図３を参照すると、集光器３０２の最大出口開口数（ＮＡ）は、通常照射器１０６の入口ＮＡによって制限される。この制限は、光源３０４とＩＦ間の距離の実際の制限と共に、ミラー３０６の長さの制限も決める。この制限により、各ミラー３０６は、光源３０４からの光の角度のついた部分のみを集光する場合がある。集光効率を最大化するために、光源２０４からの集光器３０２で捕らえられる最も大きい角度も最大化されなければならない。その結果、複数のミラー３０６は、典型的には最大集光角度が約４０度から約８５度の範囲となるように光源３０４からの所望の角度範囲をカバーするため同心に配されなければならない。本発明の第一実施形態（図３）では、６つの同心のミラー３０６が採用されている。しかし、好適な実施形態では、集光器３０２の同心ミラー３０６の数は５から１６である。
【００７０】
＜ミラーコーティング＞
１３．５ｎｍの代表的な動作波長で十分な反射を実現するため、ミラー３０６の光学面は、好適には（限定されるわけではないが）Ｐｄ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｍｏ、Ｒｈ、更に好ましくはＲｕからなる適切な材料（ここでは「反射層」と称する）によってコーティングされる。
【００７１】
反射層として同質の単一層材料（主に約５００ｎｍを越える厚み）の他に、上記列挙したものから一以上のＥＵＶエレメントによって構成されたナノ構造層を、一以上のＥＵＶ反射エレメントを代替構造や成長パラメータにより（共）堆積させることによって得られたナノメータ周期性又はナノ複合を有するマルチレイヤの構造で使用できる。これらの材料は、異なるナノ構造やインターフェース（例えば、アモルファス／アモルファス、ナノ結晶／アモルファス等）を有する二つのエレメント（例えば、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｐｄ等）のマルチレイヤを含む。生成方法の一部として、上記エレメントの窒化物、水素化物、（亜）酸化物を堆積させるため（Ｈ2、Ｏ2及びＮ2等の）反応ガスが付加されてもよい。このようにして得られた反射層全体は圧力補償されており（つまり、圧力が全くないか、基材に対しメカニカルに安定した光学層を得るのに適度な最終的な残余圧力）、全体の最大厚みは約数マイクロメートル（例えば、約３−５マイクロメートル）である。このような構造の層に堆積させる好適な方法は、プラズマやイオンの助け（例えば、スパッタリング、反応スパッタリング、蒸着（evaporation）等）を用いた物理的なものであるが、これらの生成方法に限定されない。反射層の材料は、堆積工程の結果としてすでにナノ合金化されていてもよいし、或いは最終的なナノ構造を実現するため前処理されていてもよい。上記反射層合成体の一つの変形例は、次の通りである。複数ではなく、皮膜密度や固有の残余圧力を変化させる成長時のイオン衝撃によって得られる、調整された電子的且つ物理的性質を有する単一エレメント（例えば、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｚｒ、Ｎｂ又はＰｄ）を形成する。この圧力補償ナノ構造ＥＵＶ層は、高いＥＵＶ反射率を示し、最大数マイクロメートル（例えば、３−５マイクロメートル）まで成長できる。
【００７２】
ミラー３０６の入射光と反射面の角度は、一定の限界未満に抑える必要がり、それを越えると反射コーティングの反射率が小さい値になってしまうため、集光効率を下げてしまう。代表的なコーティング材料（Ｒｕ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｍｏ、Ｒｈ）は、グレージング角度が約２０から３０度である。集光ミラーの光学設計は、好適にはグレージング角度が３０度未満になるようにする。
【００７３】
図５は、本発明の第二実施形態に係る斜入射集光器を示す。同実施形態は、次の点を除いて第一実施形態と同じである。この実施形態においては、レーザ光３０８はまず集光器３０２´のＩＦとは反対側から（つまり矢印Ｂ方向）伝播し、燃料ターゲット（光源３０４に対応し、燃料液滴ジェネレータ３１３により生成される）に球面ミラー３１４によって反射され焦点を合わせられる。ミラー３１４は、冷却されたミラーである。結果として発光／反射されたＥＵＶ光の例は、符号３１６により示す。
【００７４】
図６は、本発明の第三実施形態に係る斜入射集光器を示す。同実施形態は、次の点を除いて第一実施形態と同じである。同様に、レーザ光３０８はまず集光器３０２″のＩＦとは反対側から伝播する。大径のレンズ３１８、よってレーザパルスのエネルギー密度が低くなるレンズによって焦点を合わせられる。そして光３０８は、燃料ターゲット（光源３０４に対応し、燃料液滴ジェネレータ３１３により生成される）に平面ミラー３２０によって反射される。ミラー３２０は、冷却されたミラーである。結果として発光／反射されたＥＵＶ光の例は、符号３１６により示す。
【００７５】
図７は、本発明の第四実施形態に係る斜入射集光器を示す。これは、次の点を除いて第一実施形態と同じである。この実施形態では、レーザ光３０８はまず、集光器３０２´´´の光軸３２２に直交して伝播する。次いで光３０８は、（集光器３０２´´´のＩＦと同じ側の光軸上に配された）平面ミラー３２４によって９０度屈折し、燃料ターゲット（光源３０４に対応し、燃料液滴ジェネレータ３１３により生成される）にレンズ３２６によって焦点を合わせられる。この場合、燃料の液滴を生成するのに、磁界等を生じさせるのに必要なハードウエア（図示せず）として、比較的大きいボリューム３２８が利用可能である。
【００７６】
図８は、本発明の第五実施形態に係る斜入射集光器を示す。これは、次の点を除いて第一実施形態と同じである。同様に、レーザ光３０８はまず集光器３０２″″のＩＦとは反対側から伝播する。しかし、この場合、レーザ光は光源に直接入射する。光源の角度がある発光は、異方性がある場合（図４）、図２の延長でありレーザ光が集光器３０２″″のＩＦとは反対側から伝播する図８の構成は、実質的に効率性が下がる。これは、光源からの最大発光が集光器と反対方向に生じるためである。
【００７７】
ここで説明した変形例の他にも実施形態が可能である。当然のことながら、例えば、ＥＵＶプラズマを生成するのに複数のレーザ光を用いてもよい。また当然に、レーザ光は、燃料ターゲット（光源焦点）に当たると、必ずしも光軸に沿って伝播せず、角度があってもよい。
【００７８】
本発明には、（例えばＥＵＶやＸ線）撮像のための集光光学系、かかる光学系を備えたＥＵＶリソグラフィシステム（図１）及び撮像システムが含まれる。かかる撮像光学系及び撮像システムの構成は、例えば欧州特許出願第06425539.1号において説明されている。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【国際調査報告】
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