(57)【要約】  high-k膜を堆積させるための方法および組成物がここに記載される。一般に、開示された方法はTaまたはNbを含む前駆体化合物を利用する。より具体的には、開示された前駆体化合物は、揮発性を増大させるために、1-メトキシ-2-メチル-2-プロパノラート (mmp)のようなTaおよび/またはNbに結合される幾つかの配位子を利用する。さらに、TaドープHfまたはNbドープHfおよび/またはTaドープZrまたはNbドープZrを堆積させるために、Hfおよび/またはZr前駆体の使用とともに、TaまたはNb化合物を堆積させる方法が開示される。本方法および組成物はCVD、ALD、またはパルスCVD堆積プロセスにおいて使用され得る。【特許請求の範囲】
【請求項１】
1つ以上の基板上にhigh-k膜を堆積させるための方法であって、
a)  第1の金属前駆体を反応チャンバー中に導入することであって、前記第1の金属前駆体は、
式M1(OR)4L1を持つ化合物(ここで、M1はTaおよびNbからなる群より選択され、Rはアルキル基であり、L1は式-O-(CR1R2)n-X-(R3)(R4)または-NR0-(CR1R2)n-X-(R3)(R4)を持つ(ここで、R0は水素原子、または1ないし4個の炭素原子を持つアルキル基であり、R1およびR2は各々独立に水素原子、メチル基またはエチル基であり得、nは0〜3の整数であり、XはOまたはN原子であり、R3は水素原子、または1ないし4個の炭素原子を持つアルキル基であり、R4は水素原子、または1ないし4個の炭素原子を持つアルキル基であり、R0〜4は互いに同一または異なり得る))、
式M1(NR1R2)(NR3R4)(NR5R6)(NR7R8)(NR9R10)を持つ化合物(ここで、M1はTaおよびNbからなる群より選択され、R0〜10は各々独立に1ないし6個の炭素原子を持つアルキル基であり得、かつR0〜10は互いに同一または異なり得る)、
式M1(=NR0)(-NR1R2)(-NR3R4)(-NR5R6)を持つ化合物(ここで、R0〜6は各々独立に1ないし6個の炭素原子を持つアルキル基であり得、かつR0〜6は互いに同一または異なり得る)、
式M1(X)5,S(R1R2)を持つ化合物(ここで、M1はTaまたはNbであり、Xはハロゲンであり、R1およびR2は各々独立に1ないし4個の炭素原子を持つアルキル基であり得る)、
またはその組み合わせ
を含むこと、
b)  第2の金属前駆体を反応チャンバー中に導入することであって、前記第2の金属前駆体はハフニウムまたはジルコニウムを含み、前記反応チャンバーが1つ以上の基板を収容すること、
c)  前記第1および第2の前駆体を気化させ、前記1つ以上の基板上にhigh-k膜を堆積させること
を含む方法。
【請求項２】
前記第2の金属前駆体が式M2 M2(L2)(L3)(L4)(L5)を持ち、ここでM2はハフニウムまたはジルコニウムを含み、かつL2〜5はハロゲン基、アミド基、アルコキシド基またはニトラート基を含み、L2〜5は互いに同一または異なり得る請求項１の方法。
【請求項３】
L2〜5が、各々独立にCl、NMeEt、NMe2、NEt2、NO3またはO-t-Buを含み得る請求項１の方法。
【請求項４】
(a)と(b)とが同時に起こる請求項１の方法。
【請求項５】
(a)と(b)とが逐次に起こる請求項１の方法。
【請求項６】
(a)と(b)とが、前記第1の金属前駆体および前記第2の金属前駆体を前記反応チャンバー中にパルス送出することを含む請求項１の方法。
【請求項７】
各パルスがおよそ0.01 sないしおよそ10 sの範囲の時間の間持続する請求項６の方法。
【請求項８】
1つ以上のガスを前記反応チャンバー中に導入することをさらに含み、ここで前記1つ以上のガスが酸化性ガス、窒化性ガス、イナートガスまたはその組み合わせを含む請求項１の方法。
【請求項９】
前記酸化性ガスが、酸素、オゾン、過酸化水素、一酸化窒素、亜酸化窒素またはその組み合わせを含む請求項９の方法。
【請求項１０】
前記窒化性ガスが、アンモニア、ヒドラジン、置換されたアルキルヒドラジン、アミン、一酸化窒素、亜酸化窒素またはその組み合わせを含む請求項８の方法。
【請求項１１】
前記1つ以上のガスが前記反応チャンバー中にパルス送出される請求項８の方法。
【請求項１２】
各パルスがおよそ0.01 sないしおよそ10 sの時間の間持続する請求項１1の方法。
【請求項１３】
前記1つ以上の基板が、シリコン、シリカ、ケイ窒化物、ケイ酸窒化物、タングステンまたはその組み合わせを含む請求項１の方法。
【請求項１４】
前記反応チャンバーが、(c)においておよそ300℃ないしおよそ700℃の温度にある請求項１の方法。
【請求項１５】
前記反応チャンバーが、およそ0.01 Torrないしおよそ10 Torrの圧力にある請求項１の方法。
【請求項１６】
前記第1の金属前駆体に対する前記第2の金属前駆体の比がおよそ100:1ないしおよそ1:100である請求項１の方法。
【請求項１７】
high-k膜を堆積させるための前駆体であって、
式M1(OR)4L1を持つ化合物(ここで、M1はTaおよびNbからなる群より選択され、Rはアルキル基であり、L1は式-O-(CR1R2)n-X-(R3)(R4)または-NR0-(CR1R2)n-X-(R3)(R4)を持つ(ここで、R0は水素原子、または1ないし4個の炭素原子を持つアルキル基であり、R1およびR2は各々独立に水素原子、メチル基またはエチル基であり得、nは0〜3の整数であり、XはOまたはN原子であり、R3は水素原子、または1ないし4個の炭素原子を持つアルキル基であり、R4は水素原子、または1ないし4個の炭素原子を持つアルキル基であり、R0〜4は互いに同一または異なり得る))、
式M1(NR1R2)(NR3R4)(NR5R6)(NR7R8)(NR9R10)を持つ化合物(ここで、M1はTaおよびNbからなる群より選択され、R0〜10は各々独立に1ないし6個の炭素原子を持つアルキル基であり得、かつR0〜10は互いに同一または異なり得る)、
式M1(=NR0)(-NR1R2)(-NR3R4)(-NR5R6)を持つ化合物(ここで、R0〜6は各々独立に1ないし6個の炭素原子を持つアルキル基であり得、かつR0〜6は互いに同一または異なり得る)、
式M1(X)5,S(R1R2)を持つ化合物(ここで、M1はTaまたはNbであり、Xはハロゲンであり、R1およびR2は各々独立に1ないし4個の炭素原子を持つアルキル基であり得る)、
またはその組み合わせ
を含む前駆体。
【請求項１８】
前記化合物がTa(OMe)4(1-メトキシ-2-メチル-2-プロパノラート)である請求項１７の前駆体。
【請求項１９】
前記化合物がTa(=N-t-Bu)(NEt2)3である請求項１７の前駆体。
【請求項２０】
前記化合物がTaC15,S(Et)2である請求項１７の前駆体。
【請求項２１】
XがClである請求項１７の前駆体。
【請求項２２】
気化温度がおよそ200℃未満である請求項１７の前駆体。
【発明の詳細な説明】
【発明の概要】
【０００１】
関連出願の相互参照
本願は、全ての目的について全体が参照によってここに組み入れられる2007年4月6日に出願された米国仮特許出願第60/910,522号の利益を主張する。
【０００２】
発明の分野
この発明は、一般に半導体製造の分野に関する。より具体的には、本発明はTaまたはNbドープhigh-k材料の半導体膜堆積のための組成物および方法に関する。
【０００３】
発明の背景
新規の半導体がベースであるデバイスにおける劇的な小型化に伴い、金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)をスケーリングするに際しての最も関心のある問題の一つは、二酸化シリコン(SiO2)ゲート絶縁体の厚さをおよそ1 nm未満に減らすことができないということから、直接トンネリングによるゲート漏洩電流の増大である。二酸化シリコンは数十年来、ゲート酸化物材料として使われてきた。トランジスタのサイズが減少するにつれて、ゲートキャパシタンスを増大させ、それにより駆動電流および駆動性能を増大させるために、二酸化シリコンゲート誘電体の厚さは着実に減少してきている。厚さ寸法が2 nmを下回ると、トンネリングに起因した漏洩電流が激烈に増大し、過大な電力消費を生じさせ、デバイスの信頼性を損なう。二酸化シリコン誘電体を高誘電率(high-k)材料で置換することにより、漏洩効果を生じずにゲートキャパシタンスを増大させることができる。
【０００４】
ハフニウムシリケートおよびハフニウムシリコン酸窒化物は、二酸化シリコンと置き換えるための最も有望なhigh-k材料のうちのいくらかであると見なされている。シリコンおよび窒素を含有することは、理論上、high-kと基板の界面にて、SiOガスの生成および拡散を防ぐ。ハフニウムシリケートおよびハフニウムシリコン酸窒化物についての最も出回っている代替物はHfAlOx 膜である。
【０００５】
他のアプローチは、Hf前駆体、H2O (または他のO源)、Ta前駆体、再びH2O、という交互のパルスによってHfTaOx膜を作ることであり、これらのパルスはイナートガスによる適切なパージによって隔てられる(この手順は1つのサイクルを形成し、典型的に数千回繰り返される)。結果として、H2OパルスおよびHfまたはTa前駆体各々が、その後のパルス送出中に基板表面と適切に反応したならば、その後、基板表面はOHで終端する。いずれにせよ、タンタルは、その非常に限定された揮発性が問題となる。最も出回っているタンタルアルコキシド、ポリエチレンテレフタレート (PET) Ta(OEt)5は、およそ130℃程度で揮発する。しかしながら、薄膜堆積のためには、一般に150℃超の気化温度が要求される。これらの化合物の揮発性の欠如は、主に分子のダイマー構造に起因する。高級アルコキシドを使用することは、各配位子上のさらなる炭素原子が分子量を増大させ得るので、顕著により揮発性がある分子をもたらし得ないであろう。それ故に、化学気相堆積(CVD)、パルスCVDまたは原子層堆積(ALD)のような通常の堆積技術を用いて、化学前駆体によって適切にHfTaOまたはHfTaONを堆積するための既知の解決策は存在しない。
【０００６】
したがって、半導体製造のための金属-TaOおよび/または金属-TaONのための方法および組成物についての需要が存在する。
【０００７】
概要
high-k膜を堆積するための方法および組成物がここに開示される。一般に、開示された方法は、TaまたはNbを含む前駆体化合物を利用する。より具体的には、開示された前駆体は、揮発性を増大させるために1-メトキシ-2-メチル-2-プロパノラート(mmp)のような、Taおよび/またはNbに結合される幾つかの配位子を利用する。さらに、TaドープHf膜またはNbドープHf膜および/またはTaドープZr膜またはNbドープZr膜を堆積させるために、Hfおよび/またはZr前駆体の使用とともに、TaまたはNb化合物を堆積させる方法が開示される。本方法および組成物の他の側面を、以下でより詳細に記載する。
【０００８】
一つの態様において、1つ以上の基板上にhigh-k膜を堆積させるための方法は、反応チャンバー中に第1の金属前駆体を導入することを含む。第1の金属前駆体は、式M1(OR)4L1を持つ化合物を含む。M1は、TaおよびNbを含む。Rはアルキル基であり、L1は式-O-(CR1R2)n-X-(R3)(R4)または-NR0-(CR1R2)n-X-(R3)(R4)を持ち、ここでR0は水素原子、または1ないし4個の炭素原子を持つアルキル基である。R1およびR2は、各々独立に水素原子、メチル基またはエチル基であり得る。添え字「n」は0〜3の整数であり、XはOまたはN原子である。R3は水素原子、または1ないし4個の炭素原子を持つアルキル基であり、R4は水素原子、または1ないし4個の炭素原子を持つアルキル基である。R0〜4は互いに同一または異なり得る。第1の金属前駆体は、式M1(NR1R2)(NR3R4)(NR5R6)(NR7R8)(NR9R10)を持つ化合物をさらに含み得る。M1はTaまたはNbを含む。R0〜10は、各々独立に1ないし6個の炭素原子を持つアルキル基であり得、かつR0〜10は互いに同一または異なり得る。さらに、第1の金属前駆体は式M1(=NR0)(-NR1R2)(-NR3R4)(-NR5R6)を持つ化合物であり得、ここでR0〜6は各々独立に1ないし6個の炭素原子を持つアルキル基であり得、かつR0〜6は互いに同一または異なり得る。第1の金属前駆体は、式M1(X)5, S(R1R2)を持つ化合物でもあり得る。M1はTaまたはNbである。Xはハロゲンであり、R1およびR2は各々独立に1ないし4個の炭素原子を持つアルキル基であり得る。第1の金属前駆体はさらに、上記化合物の任意の組み合わせであり得る。本方法は、第2の金属前駆体を反応チャンバー中に導入することをさらに含む。第2の金属前駆体はハフニウムまたはジルコニウムを含む。反応チャンバーは1つ以上の基板を収容する。さらに。本方法は、high-k膜を1つ以上の基板上に堆積させるために、第1の金属前駆体および第2の金属前駆体を気化させることを含む。
【０００９】
一つの態様において、high-k膜の堆積のための前駆体は、式M1(OR)4L1を持つ化合物を含む。M1はTaおよびNbを含む。Rはアルキル基であり、L1は式-O-(CR1R2)n-X-(R3)(R4)または-NR0-(CR1R2)n-X-(R3)(R4)を持ち、ここでR0は水素原子、または1ないし4個の炭素原子を持つアルキル基である。R1およびR2は、各々独立に水素原子、メチル基またはエチル基であり得る。添え字「n」は0〜3の整数であり、XはOまたはN原子であるR3は水素原子、または1ないし4個の炭素原子を持つアルキル基であり、R4は水素原子、または1ないし4個の炭素原子を持つアルキル基である。R0〜4は互いに同一または異なり得る。また前駆体は、式M1(NR1R2)(NR3R4)(NR5R6)(NR7R8)(NR9R10)を持つ化合物を含み得る。M1はTaまたはNbを含み得る。R0〜10は、各々が独立に1ないし6個の炭素原子を持つアルキル基であり得、かつR0〜10は互いに同一または異なり得る。さらに、前駆体は式M1(=NR0)(-NR1R2)(-NR3R4)(-NR5R6)を持つ化合物であり得、ここでR0〜6は各々独立に1ないし6個の炭素原子を持つアルキル基であり得、かつR0〜6は互いに同一または異なり得る。さらに、前駆体は式M1(X)5,S(R1R2)を持つ化合物であり得る。M1はTaまたはNbである。Xはハロゲンであり、R1およびR2は各々独立に1ないし4個の炭素原子を持つアルキル基であり得る。第1の金属前駆体はさらに、上記化合物の任意の組み合わせであり得る。
【００１０】
開示された前駆体化合物は、既存の前駆体化合物よりも高い揮発性を持ち得る。増大した揮発性は膜としてのhigh-k化合物の堆積を促進する。より揮発性の高い前駆体はよりパージしやすいので、ALDのようなプロセスにおいても、より高い揮発性は有利である。
【００１１】
先述したものは、以下の詳細な説明がより良く理解され得るように、本発明の特徴および技術的利点を幾分広く概説している。本発明のさらなる特徴および利点は以下に記載され、本発明の要旨を形成する。開示された概念および特定の態様は、本発明の同じ目的を実行するための他の構成を変更または設計するための根拠として容易に利用され得ることが、当業者に理解されるべきである。このような均等の構成は、添付の請求項に記載された本発明の精神および範囲から逸脱しないことも当業者に理解されるべきである。
【００１２】
表記および命名
いくつかの用語は、特定の系の要素に言及するために以下の記載および請求項に渡って使用される。本文は、名称が異なるが機能が異ならない要素を区別することを意図したものではない。
【００１３】
以下の議論、および請求項において、用語「含む」は、非制限的な方法で使用され、したがって「〜を含むが、これに限定されるわけではない」という意味に解釈されるべきである。また、「結合」とは、間接または直接いずれかの電気的接続を指すことを意図している。したがって、第1のデバイスが第2のデバイスと結合する場合、その接続は直接の電気的接続によるか、または他のデバイスおよび接続を介した間接的な電気的接続によるものであり得る。
【００１４】
ここで使用されるように、略語「mmp」は1-メトキシ-2-メチル-2-プロパノラート [OCMe2CH2OMe]を表す。さらに、略語「Me」はメチル(CH3-)基を表し、略語「Et」はエチル(CH4CH2-)基を表し、略語「Bu」はブチル基を表す。略語「t-Bu」は四級ブチル基を表す。
【００１５】
ここで使用されるように、用語「アルキル基」は、炭素および水素原子を専ら含む飽和官能基を表す。さらに、「アルキル基」は、直鎖、分岐鎖または環状のアルキル基を表す。直鎖アルキル基の例は、限定されないが、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基などを含む。分岐鎖アルキル基の例は、限定されないが、t-ブチルを含む。環状アルキル基の例は、限定されないが、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などを含む。
【００１６】
好ましい態様の詳細な説明
一つの態様において、high-k膜の堆積のための前駆体は式M1(OR)4L1を持つ化合物を含む。M1はVB族金属であり得る。好ましくは、M1はTaまたはNbである。Rは、好ましくは、限定されないが、MeまたはEtのようなアルキル基である。しかしながら、Rは任意の数の炭素原子を持つアルキル基でもよい。L1は、堆積目的の前駆体の揮発性を増大させるためのキレート配位子または基である。キレート基は-O-(CR1R2)n-X-(R3)(R4)または-NR0-(CR1R2)n-X-(R3)(R4)の形態のものであり得、ここでR0は水素、または1ないし4個の炭素原子を持つアルキル基を含む。アルキル基は分岐鎖、直鎖または環状であり得る。さらに、R1およびR2は、各々独立に水素基、メチル基またはエチル基であり得る。添え字「n」は0〜3の整数であり得る。XはOまたはN原子である。R3は水素基、または1ないし4個の炭素原子を持つ直鎖、環状もしくは分岐鎖アルキル基であり得る。R4は水素基、または1ないし4個の炭素原子を持つ直鎖、環状もしくは分岐鎖アルキル基であり得る。R0〜4は互いに同一または異なり得る。一つの態様において、前駆体はTa(OMe)4(mmp)であり得る。前駆体の他の例は、限定されないが、Nb(OMe)4(mmp)、Ta(OEt)4(mmp)およびNb(OEt)4(mmp)を含む。
【００１７】
前駆体は、当業者に既知の任意の方法で調製され得る。例えばTa(OMe)4(mmp)は、Ta(OMe)5を含有する溶液に、攪拌下でmmp-Hを添加することで調製され得る(Ta(OMe)5とmmpHのモル比は1:1であり得る)。攪拌後、該溶液を還流してもよい。その後、溶媒が真空下で留去され、真空蒸留した後に純化合物を得てもよい。
【００１８】
前駆体は、該前駆体の態様がダイマー型のTa(OMe)5またはTa(OEt)5のような既存のTa/Nb前駆体よりも揮発性が高くなるように設計される。理論により制限されないが、開示された前駆体は、モノマー型になりやすいことにより、ダイマー型の前駆体よりもより揮発性が高くなり得る。したがって、前駆体の態様は、好ましくは室温または穏やかな温度で(すなわち、気化温度よりも低い温度で)液体である。一般に、前駆体の態様は、およそ室温ないしおよそ200℃、あるいはおよそ50℃ないしおよそ150℃の気化温度を持ち得る。
【００１９】
代替の態様において、前駆体は式M1(NR1R2)(NR3R4)(NR5R6)(NR7R8)(NR9R10)を持つ金属アミドであり得る。M1は、先に開示されたもの(例えばTa、Nbなど)と同じである。R1〜10は、各々独立にメチルまたはエチル基であり得る。あるいは、前駆体の態様は、M1(=NR0)(-NR1R2)(-NR3R4)(-NR5R6)のような混成アミドイミド配位子を持ち得、ここでR0〜6は1ないし6個の炭素原子を持つ直鎖、分岐鎖または環状アルキル基であり得る。特定の態様において、R0〜6は各々独立にメチル基またはエチル基であり得る。R0〜6は互いに同一または異なり得る。典型的な態様において、前駆体はTa(=N-t-Bu)(NEt2)3であり得る。
【００２０】
さらに他の態様において、前駆体は式M1(X)5,S(R1R2)を持つ化合物であり得る。M1はVB族金属であり得る。好ましくは、M1はTaまたはNbである。Xは、限定されないが、Cl、Br、Fなどのハロゲンである。R1およびR2は、各々独立に1ないし4個の炭素原子を持つ直鎖、分岐鎖または環状アルキル基であり得る。R1およびR2は互いに同一または異なり得る。典型的な態様において、前駆体はTaC15,S(Et)2付加物であり得る。
【００２１】
開示された化合物は、当業者に既知の任意の堆積方法を用いて堆積され得る。適切な堆積方法の例は、限定されないが、通常のCVD、低圧化学気相堆積(LPCVD)、原子層堆積(ALD)、パルス化学気相堆積(P-CVD)、プラズマ強化原子層堆積(PE-ALD)またはその組み合わせを含む。一つの態様において、第1の金属前駆体および第2の金属前駆体が反応チャンバー中に導入され得る。反応チャンバーは限定されないが、冷壁型反応器、熱壁型反応器、単葉ウェーハ反応器、多葉ウェーハ反応器、または他のタイプの堆積装置のような、前駆体を反応させて層を形成するために適切な条件下で堆積方法が実行されるデバイス内の任意の格納容器またはチャンバーであり得る。
【００２２】
一般に、反応チャンバーは、high-k層または膜が上に堆積される1つ以上の基板を収容する。1つ以上の基板は、半導体製造に使用される任意の適切な基板であり得る。適切な基板の例は、限定されないが、シリコン基板、シリカ基板、窒化シリコン基板、酸窒シリコン基板、タングステン基板、またはその組み合わせを含む。さらに、タングステンまたは貴金属(例えば、プラチナ、パラジウム、ロジウムまたは金)を含む基板が使用され得る。
【００２３】
第1の金属前駆体は、先述したTa/Nb前駆体のいずれかであり得る。第2の金属前駆体は、式M2(L2)(L3)(L4)(L5)を持つ化合物であり得る。M2は、限定されないが、Hf、Zrなどを含むIVB族金属であり得る。L2〜5は、限定されないが、各々独立にハロゲン、アミド基、アルコキシド基、ニトラート基を含む任意の適切な基であり得る。特に、適切な基は、限定されないが、Cl、NMeEt、NMe2、NEt2、NO3またはO-t-Buも含む。L2〜5は互いに同一または異なり得る。反応チャンバー中に導入される第1の金属前駆体に対する第2の前駆体の比は、およそ100:1ないしおよそ1:100、あるいはおよそ1:1ないしおよそ10:1であり得る。
【００２４】
いくつかの態様において、反応チャンバーはおよそ0.1 torrないしおよそ1000 Torrの圧力に維持され得る。さらに、反応チャンバー内の温度は、およそ300℃ないしおよそ700℃に維持され得る。さらに、high-k膜の堆積は、酸化性ガスまたは酸素源の存在のもとで実行され得る。適切なガスの例は、限定されないが、酸素、オゾン、過酸化水素、一酸化窒素、亜酸化窒素、またはその組み合わせを含む。さらに、high-k膜の堆積は、限定されないが、アンモニア、ヒドラジン、置換されたアルキルヒドラジン、アミン、一酸化窒素、亜酸化窒素、またはその組み合わせのような、窒化性ガス(すなわち、窒素含有ガス)の存在のもとで実行され得る。酸化性ガスおよび窒化性ガス両方が、反応チャンバー中に導入され得ることが予期される。さらなる態様において、イナートガスが反応チャンバー中に導入され得る。イナートガスの例は、限定されないが、He、Ar、Neまたはその組み合わせを含む。
【００２５】
第1および第2の金属前駆体は、逐次に(ALDの場合)、または同時に(CVDの場合)反応チャンバー中に導入され得る。一つの態様において、第1および第2の前駆体が逐次または同時に反応チャンバー中にパルス送出(例えば、パルスCVD)され得る一方で、酸化性ガスまたは窒化性ガスが反応チャンバー中に連続的に導入される。第1および/または第2の金属前駆体の各々のパルスは、およそ0.01 sないしおよそ10 s、あるいはおよそ1 sないしおよそ5 s、あるいはおよそ1 sないしおよそ3 sの範囲にある時間の間持続し得る。他の態様において、酸化性ガスおよび/または窒化性ガスも反応チャンバー中にパルス送出され得る。このような態様において、各ガスのパルスは、およそ0.01 sないしおよそ10 s、あるいはおよそ1 sないしおよそ5 s、あるいはおよそ1 sないしおよそ3 sの範囲にある時間の間持続し得る。
【００２６】
本発明の態様が図示され、記載されているが、本発明の精神および教唆から逸脱することなく、その変更が当業者によって為され得る。記載された態様およびここに与えられた例は単なる例示であって、限定を意図しない。ここに開示された本発明の多くの変形および変更が、本発明の範囲内で可能である。したがって、保護範囲は、先に提示された記載に限定されず、以下の請求項によってのみ限定され、その範囲は請求項の要旨の全ての均等物を包含する。
【００２７】
参考文献、特にこの出願の優先日の後の刊行日を持ち得る任意の参考文献の議論は、それが本発明に対する先行技術であるという自認ではない。全ての特許の開示、特許出願およびここで引用された刊行物は、それらがここで記載されたものに対する典型的、手続き的、または補完的な他の詳細事項の範囲で、それら全ての参照によってここに組み入れられる。
【国際調査報告】
2011517056.tif 000002
2011517056.tif 000003
2011517056.tif 000004