(57)【要約】  リソグラフィ装置（１）は、放射ビーム（Ｂ）を基板（Ｗ）のターゲット部分（Ｃ）上に投影するように構成された投影システム（ＰＳ）と、検知面（２０２）を有する内部センサ（２０１）と、センサ（２０１）に対して移動可能なミニリアクタ（２１０）と、を備える。ミニリアクタは、水素含有ガス（２２６）用の入口（２２０）、水素ラジカルジェネレータ（２６０）、および水素ラジカル含有ガス（２２６）用の出口（２３０）を備える。ミニリアクタ（２１０）は、検知面（２０２）を処理するために水素ラジカルを含む局所的小環境（２５５）を生成するように構成される。
2011517135.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板のターゲット部分上に放射ビームを投影する投影システムと、
検知面を有する内部センサと、
前記センサに対して移動可能なミニリアクタであって、水素含有ガス用の入口、水素ラジカルジェネレータ、および水素ラジカル含有ガス用の出口を備えるミニリアクタと、を備えるリソグラフィ装置であって、
前記ミニリアクタは、前記検知面を処理するために、水素ラジカルを含む局所的小環境を生成する、
リソグラフィ装置。
【請求項２】
前記ミニリアクタは、前記リソグラフィ装置の使用中、前記局所的小環境を実質的に検知面のみに対して生成するために、前記センサに対して移動可能である、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項３】
前記小環境を生成するべく前記ミニリアクタが前記センサの近傍に運ばれるために、前記ミニリアクタは前記センサに対して移動可能である、請求項１または２に記載のリソグラフィ装置。
【請求項４】
前記センサは、ウェーハステージセンサ、マスクステージセンサ、ディテクタセンサ、コレクタセンサ、コレクタフレームセンサ、イルミネータセンサ、イルミネータフレームセンサ、位置センサ、およびエネルギセンサから成る群から選択されるセンサを含む、請求項１、２、または３に記載のリソグラフィ装置。
【請求項５】
前記ミニリアクタは、前記センサの前記検知面をパージする、請求項１〜４のいずれか１項に記載のリソグラフィ装置。
【請求項６】
前記ミニリアクタは、チャンバ開口部を有するリアクタチャンバを備え、前記検知面は、検知面面積または検知面断面積を有し、前記リアクタチャンバ開口部は、チャンバ開口部面積を有し、前記リアクタチャンバ開口部面積と前記検知面面積または前記検知面断面積との比は、約０．２〜２の範囲にあり、前記リアクタチャンバ開口部面積は、前記検知面面積または前記検知面断面積と実質的に同等か、またはより大きい、請求項１〜５のいずれか１項に記載のリソグラフィ装置。
【請求項７】
前記ミニリアクタは、チャンバ開口部を有するリアクタチャンバを備え、前記リアクタチャンバの内側表面は、水素および水素ラジカルと実質的に反応しない材料を含む、請求項１〜６のいずれか１項に記載のリソグラフィ装置。
【請求項８】
前記処理の結果を評価する処理センサをさらに備える、請求項１〜７のいずれか１項に記載のリソグラフィ装置。
【請求項９】
リソグラフィ装置の内部センサの検知面を処理する方法であって、前記センサは検知面を有し、前記方法は、
水素ラジカルを含む局所的小環境を提供することと、
前記水素ラジカルにより前記検知面を処理することと、
を含む、方法。
【請求項１０】
前記局所的小環境は、実質的に前記検知面のみに対して提供される、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
少なくとも部分的に前記検知面から炭素含有堆積を取り除きクリーニングすることをさらに含む、請求項９または１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記処理された検知面を評価することをさらに含む、請求項９〜１１のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１３】
前記検知面からの放出ガスを評価することをさらに含む、請求項９〜１２のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１４】
前記リソグラフィ装置は、さらにミニリアクタを備え、前記ミニリアクタは、水素含有ガス用の入口、水素ラジカルジェネレータ、および水素ラジカル含有ガス用の出口を備え、前記方法は、
前記検知面を前記ミニリアクタに対して配置すること、または前記ミニリアクタを前記検知面に対して配置すること、または前記検知面および前記ミニリアクタを互いに対して配置することと、
水素ラジカルを含む前記局所的小環境を生成することと、
前記検知面を前記水素ラジカルで処理することと、
をさらに含む、請求項９〜１３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１５】
リソグラフィ装置を使用するデバイス製造方法であって、前記リソグラフィ装置は検知面を有するセンサを備え、前記方法は、
放射ビームにパターンを形成することと、
前記放射ビームを基板のターゲット部分上に投影することと、
水素ラジカルを含む局所的小環境を提供することと、
前記検知面を前記水素ラジカルで処理することと、
を含む、デバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
［関連出願の相互参照］
[0001]  本出願は、２００８年４月１５日出願の米国特許仮出願第６１／０７１，１５６号の利益を主張し、その全体が参照することにより本明細書に組み込まれる。
【背景技術】
【０００２】
[0002]  本発明は、内部センサおよびミニリアクタを備えるリソグラフィ装置に関連する。本発明は、さらに、リソグラフィ装置の内部センサの検知面を処理する方法に関連する。また、本発明は、デバイス製造方法にも関連する。
【０００３】
[0003]  リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板上、通常、基板のターゲット部分上に付与する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に用いることができる。その場合、ＩＣの個々の層上に形成される回路パターンを生成するために、マスクまたはレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを用いることができる。このパターンは、基板（例えば、シリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば、１つ以上のダイの一部を含む）に転写することができる。通常、パターンの転写は、基板上に設けられた放射感応性材料（レジスト）層上への結像によって行われる。一般には、単一の基板が、連続的にパターニングされる隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。公知のリソグラフィ装置としては、ターゲット部分上にパターン全体を一度に露光することにより各ターゲット部分を照射するステッパ、および放射ビームによってある特定の方向（「スキャン」方向）にパターンをスキャンすると同時に、この方向に平行または逆平行に基板をスキャンすることにより各ターゲット部分を照射する、スキャナが含まれる。パターンを基板上にインプリントすることにより、パターニングデバイスから基板にパターンを転写することも可能である。
【０００４】
[0004]  リソグラフィ装置では、基板上に結像できるフィーチャのサイズは、投影放射の波長により制限されることがある。デバイスの密度がより高く、ひいては動作速度のより速い集積回路を生成するためには、より小さいフィーチャを結像することが望ましい。現在のリソグラフィ投影装置の大半が水銀ランプまたはエキシマレーザにより生成される紫外光を採用する一方、例えば１３ｎｍといったより短い波長の放射を使用することが提案されている。このような放射は、極端紫外線（ＥＵＶ）または軟Ｘ線と呼ばれ、想定される放射源には、例えばレーザ生成プラズマ源、放電プラズマ源、または電子蓄積リング(Electron Storage Ring)からのシンクロトロン放射が含まれる。
【０００５】
[0005]  ＥＵＶ放射の放射源は、一般的に、プラズマ源、例えばレーザ生成プラズマ源または放電源である。プラズマ源の共通した特徴は、高速イオンおよび高速原子を生成することであり、これらはプラズマからあらゆる方向へ放たれる。これらの粒子は、通常多層ミラーまたはかすめ入射ミラーなどの、脆い表面を有するコレクタやコンデンサミラーに損傷を与え得る。この表面は、プラズマから放たれた粒子の衝突またはスパッタリングにより徐々に劣化し、このためミラーの寿命が短くなる。スパッタリング効果は、放射コレクタまたは集光ミラーに対して特に問題となる。このミラーの目的は、プラズマ源によりあらゆる方向へ放出された放射を集光し、かつその放射を照明システム内の他のミラーへと誘導することである。放射コレクタは、プラズマ源に対して、非常に近く、かつ同一見通し線上（in line-of-sight with）に位置決めされるため、プラズマからの大きい高速粒子束を受ける。システム内の他のミラーは、ある程度遮蔽され得るため、一般的にはプラズマから放たれた粒子のスパッタリングによって受ける損傷の程度は、より小さい。
【０００６】
[0006]  近い将来、極端紫外線（ＥＵＶ）放射源は、スズ（Ｓｎ）または別の金属の蒸気を使用してＥＵＶ放射を生成し得る。このスズは、リソグラフィ装置内へと漏れ、リソグラフィ装置内のミラー、例えば放射コレクタのミラー上に堆積し得る。このような放射コレクタのミラーは、例えばルテニウム（Ｒｕ）のＥＵＶ反射最上層を有し得る。反射Ｒｕ層上に約１０ｎｍを超えるスズ（Ｓｎ）が堆積すると、バルク状のＳｎと同様にＥＵＶ放射を反射することになる。スズの反射係数はルテニウムの反射係数よりもかなり低いため、コレクタの全体的な透過率は大幅に低下し得る。放射源からのデブリまたはこのデブリにより生成される二次粒子が放射コレクタ上に堆積するのを防止するために、汚染バリアを使用することができる。デブリの一部はこのような汚染バリアまたはトラップにより除去することはできるものの、依然として一部のデブリは放射コレクタまたは他の光エレメント上に堆積することになる。
【０００７】
[0007]  望ましくない堆積を除去するため、クリーニング方法が検討されてきたが、これらのクリーニング方法は、例えば、国際特許出願公報第ＷＯ２００８／００２１３４号に記載されるもののような水素ラジカルクリーニングを含む。このように、Ｈ２および水素ラジカルはリソグラフィ装置の少なくとも一部に導入される。ＷＯ２００８／００２１３４号は、ＥＵＶリソグラフィ装置、例えばＳｎ源を有するＥＵＶリソグラフィ装置で使用するためのクリーニング構成を記載する。このクリーニング構成は、水素含有ガス用のガス源および水素ラジカル源を備える。水素ラジカル源は、水素の光解離を含む（ＵＶ）放射の放射源（これはＥＵＶ源でもあり得る）、または水素ラジカルを生成する熱フィラメントである。ラジカルは、（存在する場合）酸化Ｓｎを減少させ、Ｓｎ堆積および／または炭素堆積の揮発性水素化物を形成し得る。このようにして、クリーニング構成は、光エレメントからＳｎおよび／またはＣ堆積を取り除きクリーニングする。
【発明の概要】
【０００８】
[0008]  リソグラフィ装置は、アライメント制御、ドーズ制御、イメージ最適化、ひとみ検査（pupil viewing）、スペクトル純度などの複数の用途に使用することができる１つ以上の内部センサを備え得る。このようなセンサは、例えば炭素または炭化水素のような炭素質材料の堆積を被ることがある。
【０００９】
[0009]  本発明の一態様では、内部センサを備えるリソグラフィ装置が提供される。本発明のさらなる態様では、リソグラフィ装置の内部センサの検知面を処理する方法が提供される。本発明のさらなる態様では、デバイス製造方法が提供される。
【００１０】
[0010]  この目的で、本発明は、一実施形態において内部センサおよびミニリアクタを備えるリソグラフィ装置を提供し、ミニリアクタは、センサに対して移動可能であり、センサは検知面を有し、ミニリアクタは、水素含有ガス用の入口、水素ラジカルジェネレータ、および水素ラジカル含有ガス用の出口を備え、ミニリアクタは、検知面を処理するために、センサの検知面を処理する方法においてミニリアクタの使用中、水素ラジカルを含む局所的小環境を生成するように構成される、
【００１１】
[0011]  一実施形態では、基板のターゲット部分上に放射ビームを投影するように構成された投影システムと、検知面を有する内部センサと、センサに対して移動可能なミニリアクタと、を備えるリソグラフィ装置が提供される。ミニリアクタは、水素含有ガス用の入口、水素ラジカルジェネレータ、および水素ラジカル含有ガス用の出口を備える。ミニリアクタは、検知面を処理するために、水素ラジカルを含む局所的小環境を生成するように構成される。
【００１２】
[0012]  センサは、ウェーハステージセンサ、マスクステージセンサ、ディテクタセンサ、コレクタセンサ、コレクタフレームセンサ、イルミネータセンサ、イルミネータフレームセンサ、位置センサ、およびエネルギセンサから成る群から選択されるセンサを含み得る。一実施形態では、検知面はルテニウムを含む。本明細書において、「センサ」という用語は、内部センサ、つまりリソグラフィ装置内のセンサを意味する。
【００１３】
[0013]  一実施形態では、水素ラジカルジェネレータは、分子の水素を水素ラジカルへと変換させるために加熱されるように構成されたフィラメントを備え得る。一実施形態では、ミニリアクタは、センサの検知面をパージするように構成され得る。リソグラフィ装置は、一実施形態において、ミニリアクタの少なくとも一部、特にミニリアクタ壁を冷却するように構成された冷却要素をさらに備え得る。
【００１４】
[0014]  一実施形態では、ミニリアクタは、チャンバ開口部を有するリアクタチャンバを備え得る。上述したように、センサ、またはミニリアクタ、またはセンサおよびミニリアクタが搬送可能であるため、このようなリアクタチャンバ開口部は検知面に対して配置可能であってもよく、または検知面がリアクタチャンバ開口部に対して配置可能であってもよく、またはリアクタチャンバ開口部と検知面の両方が互いに対して配置可能であってもよい。このようにして、ミニリアクタは、２つ以上のセンサなど複数のセンサに「供する（serve）」こともできる。例えば、複数のセンサがそれぞれミニリアクタに向けて搬送される、またはミニリアクタが複数のセンサのそれぞれに向けて搬送される、または、複数のセンサのそれぞれとミニリアクタが互いに向けて搬送される、のうちいずれかであるため、異なるセンサの検知面は順次処理され得る。
【００１５】
[0015]  検知面は、検知面面積または検知面断面積を有してよく、リアクタチャンバ開口部はチャンバ開口部面積（またはチャンバ開口部断面積）を有してよい。特に、リアクタチャンバ開口部面積は、検知面面積または検知面断面積と実質的に同等か、あるいはより大きい。このようにして、（つまり、検知面上方の）クリーニング位置は、環境からほぼ閉鎖または遮断され得る。通常、リアクタチャンバ開口部面積と検知面面積または検知面断面積との比は、約０．２〜２の範囲にある。
【００１６】
[0016]  ミニリアクタの内側表面、特にリアクタチャンバの内側表面は、特に処理条件で、水素、または水素ラジカル、または水素および水素ラジカルの両方と実質的に反応しない材料を含み得る。一実施形態では、リアクタ壁の内側表面、特にリアクタチャンバの内側表面は、≦０．０２の水素ラジカル表面再結合係数を有する材料を含み得る。一実施形態では、検知面および／またはその周囲の一部に向けられるように構成され得るリアクタの外側部分、特にリアクタチャンバの外側部分は、約０．０２より大きい、特に約＞０．１の水素ラジカル表面再結合係数を有する材料を含み得る。
【００１７】
[0017]  一態様では、本発明の実施形態は、リソグラフィ装置の内部センサの検知面を処理する方法であって、センサは検知面を有し、この方法は、水素ラジカルを含む局所的小環境を提供することと、水素ラジカルにより検知面を処理することと、を含む方法を提供する。
【００１８】
[0018]  一実施形態では、リソグラフィ装置の内部センサの検知面を処理する方法が提供され、このセンサは検知面を有する。この方法は、水素ラジカルを含む局所的小環境を提供することと、検知面を水素ラジカルで処理することと、を含む。
【００１９】
[0019]  本発明の一実施形態により、局所的小環境が実質的に検知面のみに対して提供されることが可能となる。一実施形態では、方法は、少なくとも部分的に、検知面から炭素堆積および／または炭化水素堆積などの炭素含有堆積（炭素質堆積とも示される）を取り除きクリーニングする。よって、一実施形態では、ミニリアクタは、局所的小環境を実質的にセンサの検知面のみに対して生成するように構成可能である。
【００２０】
[0020]  一実施形態では、水素ラジカルは、水素含有ガスを熱フィラメントに沿って誘導することにより提供され得る。ミニリアクタ内、特にリアクタチャンバ内のＨ２分圧は、約０．１〜１００Ｐａの範囲であってよく、水素ラジカル分圧は約１０−５〜１０Ｐａの範囲であってよい。一実施形態では、水素含有ガスは、Ｈ２、ＨＤ、Ｄ２、ＨＴ、ＤＴおよびＴ２から成る群から選択される１つ以上のガスを含む。
【００２１】
[0021]  この方法は、例えば、検知面からの放出ガスを評価することによる処理結果の評価をさらに含み得る。例えば、質量スペクトロメータにより、例えば炭化水素などの反応生成物を検出することができる。炭化水素が所定の下限値に到達したときに、処理を終了し得る。それゆえ、リソグラフィ装置は、処理結果を評価するように構成された処理センサをさらに備え得る。この方法は、処理された検知面を評価することをさらに含み得る。評価に応じて、処理は、例えば検知面に当たる光の所定の吸収、反射または屈折の値など所定の結果が得られるまで継続されてもよく、あるいは処理は終了され、例えばリソグラフィ処理（つまりデバイスの製造）が継続されてもよい。
【００２２】
[0022]  一実施形態では、リソグラフィ装置はさらに（上述したような）ミニリアクタを備え、ミニリアクタは、水素含有ガス用の入口、水素ラジカルジェネレータ、および水素ラジカル含有ガス用の出口を備え、ミニリアクタは（センサの検知面を処理する方法においてミニリアクタの使用中）検知面を処理するために、水素ラジカルを含む局所的小環境を検知面に対して生成するように構成され、センサの検知面を処理する方法は、検知面をミニリアクタに対して配置すること、またはミニリアクタを検知面に対して配置すること、または検知面とミニリアクタとの両方を互いに対して配置することと、水素ラジカルを含む局所的小環境を検知面に対して生成し、検知面を水素ラジカルで処理することと、を含む。
【００２３】
[0023]  検知面を処理する方法は、リソグラフィ装置によるデバイス製造前またはデバイス製造後に適用することができる。しかし、一実施形態では、さらなる態様において、リソグラフィ装置を使用するデバイス製造方法も提供され、この方法において、リソグラフィ装置は検知面を備えるセンサを備え、デバイスを製造している間、デバイス製造方法においてセンサが重要ではない製造段階中、センサの検知面を処理する方法が適用され、この方法は、水素ラジカルを含む局所的小環境を検知面に対して提供することと、水素ラジカルを用いて検知面を処理することと、を含む。
【００２４】
[0024]  一実施形態では、リソグラフィ装置を使用するデバイス製造方法が提供される。リソグラフィ装置は検知面を備えるセンサを備える。この方法は、放射ビームにパターンを形成することと、放射ビームを基板のターゲット部分上に投影することと、水素ラジカルを含む局所的小環境を提供することと、検知面を水素ラジカルで処理することと、を含む。
【００２５】
[0025]  一実施形態では、リソグラフィ装置は、ＥＵＶ放射を生成するように構成された放射源を備え、この放射源はＳｎプラズマ源である。本明細書において、「ＥＵＶ放射を生成するように構成された」と言う表現は、特にＥＵＶ放射を生成するように設計され、かつＥＵＶリソグラフィにおいて使用されるように設計された放射源のことを言う。特定の変形では、放射源は、それぞれ、レーザ生成プラズマ源（ＬＰＰ）または放電生成プラズマ源（Ｓｎプラズマ源）を含み得る。
【００２６】
[0026]  リソグラフィ装置は、一実施形態では、放射ビームを調整するように構成された照明システムと、パターニングデバイスを支持するように構成されたサポートであって、このパターニングデバイスが放射ビームの断面にパターンを付与してパターン付き放射ビームを形成することができる、サポートと、基板を保持するように構成された基板テーブルと、基板のターゲット部分上にパターン付きビームを投影するように構成された投影システムと、を備える。一実施形態では、リソグラフィ装置は、ＥＵＶリソグラフィ装置である。リソグラフィ装置は、一実施形態においてＥＵＶ放射ビームであり得る放射ビームを生成するように構成された放射源を備え、この放射源はＥＵＶ放射を生成するように構成される。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
[0027]  本発明のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の概略図を参照して以下に説明する。これらの図面において同じ参照符号は対応する部分を示す。
【００２８】
【図１】[0028]  図１は、本発明の一実施形態に係るリソグラフィ装置を概略的に示す。
【図２】[0029]  図２は、図１の実施形態に係るリソグラフィ投影装置のＥＵＶ照明システムおよび投影光学系の側面図を概略的に示す。
【図３】[0030]  図３ａ〜３ｅは、図１のリソグラフィ装置の一部としてのミニリアクタの複数の実施形態およびその変形を概略的に示す。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
[0031]  図１は、本発明の一実施形態に係るリソグラフィ装置１を概略的に示している。この装置１は、放射を生成する放射源ＳＯと、放射源ＳＯから受光した放射からの放射ビームＢ（例えばＵＶ放射またはＥＵＶ放射）を調整するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、を備える。放射源ＳＯは、別ユニットとして提供されてもよい。サポート（例えば、マスクテーブル）ＭＴは、パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡを支持するように構成され、かつ特定のパラメータに従ってパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めするように構成された第１位置決めデバイスＰＭに連結されている。基板テーブル（例えば、ウェーハテーブル）ＷＴは、基板（例えば、レジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成され、かつ特定のパラメータに従って基板Ｗを正確に位置決めするように構成された第２位置決めデバイスＰＷに連結されている。投影システム（例えば、屈折投影レンズシステム）ＰＬは、パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに付けられたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば、１つ以上のダイを含む）上に投影するように構成されている。
【００３０】
[0032]  照明システムとしては、放射を誘導し、整形し、または制御するために、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、またはその他のタイプの光コンポーネント、あるいはそれらのあらゆる組合せなどのさまざまなタイプの光コンポーネントを含むことができる。
【００３１】
[0033]  サポートは、パターニングデバイスの重量を支えるなどしてパターニングデバイスを支持する。サポートは、パターニングデバイスの向き、リソグラフィ装置の設計、および、パターニングデバイスが真空環境内で保持されているか否かなどの他の条件に応じた態様で、パターニングデバイスを保持する。サポートは、機械式、真空式、静電式またはその他のクランプ技術を使って、パターニングデバイスを保持することができる。サポートは、例えば、必要に応じて固定または可動式にすることができるフレームまたはテーブルであってもよい。サポートは、パターニングデバイスを、例えば、投影システムに対して所望の位置に確実に置くことができる。本明細書において使用される「レチクル」または「マスク」という用語はすべて、より一般的な「パターニングデバイス」という用語と同義であると考えるとよい。
【００３２】
[0034]  本明細書において使用される「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分内にパターンを作り出すように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用できるあらゆるデバイスを指していると、広く解釈されるべきである。なお、留意すべき点として、放射ビームに付与されたパターンは、例えば、そのパターンが位相シフトフィーチャまたはいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板のターゲット部分内の所望のパターンに正確に一致しない場合もある。通常、放射ビームに付けたパターンは、集積回路などのターゲット部分内に作り出されるデバイス内の特定の機能層に対応することになる。
【００３３】
[0035]  パターニングデバイスは、透過型であっても、反射型であってもよい。パターニングデバイスの例としては、マスク、プログラマブルミラーアレイ、およびプログラマブルＬＣＤパネルが含まれる。マスクは、リソグラフィでは公知であり、バイナリ、レべンソン型(alternating)位相シフト、およびハーフトーン型(attenuated)位相シフトなどのマスク型、ならびに種々のハイブリッドマスク型を含む。プログラマブルミラーアレイの一例では、小型ミラーのマトリックス配列が用いられており、各小型ミラーは、入射する放射ビームを様々な方向に反射させるように、個別に傾斜させることができる。傾斜されたミラーは、ミラーマトリックスによって反射される放射ビームにパターンを付ける。
【００３４】
[0036]  本明細書において使用される「投影システム」という用語は、使われている露光放射にとって、あるいは液浸液の使用または真空の使用といった他の要因にとって適切な、屈折型、反射型、反射屈折型、磁気型、電磁型、および静電型光学系、またはそれらのあらゆる組合せを含むあらゆる型の投影システムを包含していると広く解釈されるべきである。本明細書において使用される「投影レンズ」という用語はすべて、より一般的な「投影システム」という用語と同義であると考えるとよい。
【００３５】
[0037]  本明細書に示されているとおり、リソグラフィ装置は、反射型のもの（例えば、反射型マスクを採用しているもの）である。また、リソグラフィ装置は、透過型のもの（例えば、透過型マスクを採用しているもの）であってもよい。
【００３６】
[0038]  リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）以上の基板テーブル（および／または２つ以上のマスクテーブル）を有する型のものであってもよい。そのような「マルチステージ」機械においては、追加のテーブルは並行して使うことができ、または予備工程を１つ以上のテーブル上で実行しつつ、別の１つ以上のテーブルを露光用に使うこともできる。
【００３７】
[0039]  また、リソグラフィ装置は、投影システムと基板との間の空間を満たすように、比較的高屈折率を有する液体（例えば水）によって基板の少なくとも一部を覆うことができるタイプのものであってもよい。また、リソグラフィ装置内の別の空間（例えば、マスクと投影システムとの間）に液浸液を加えてもよい。液浸技術は、投影システムの開口数を増加させることで当技術分野において周知である。本明細書において使用される「液浸」という用語は、基板のような構造物を液体内に沈めなければならないという意味ではなく、単に、露光中、投影システムと基板との間に液体があるということを意味するものである。
【００３８】
[0040]  図１を参照すると、イルミネータＩＬは、放射源ＳＯから放射を受ける。例えば、放射源がエキシマレーザである場合、放射源とリソグラフィ装置は、別個の構成要素であってもよい。そのような場合には、放射源は、リソグラフィ装置の一部を形成しているとはみなされず、また放射は、放射源ＳＯからイルミネータＩＬへ、例えば、適切な誘導ミラーおよび／またはビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムを使って送られる。その他の場合においては、例えば、放射源が水銀ランプである場合、放射源は、リソグラフィ装置の一体部分とすることもできる。放射源ＳＯおよびイルミネータＩＬは、必要ならばビームデリバリシステムＢＤとともに、放射システムと呼んでもよい。
【００３９】
[0041]  イルミネータＩＬは、放射ビームの角強度分布を調節する調節デバイスを含むことができる。一般に、イルミネータの瞳面内の強度分布の少なくとも外側および／または内側半径範囲（通常、それぞれσ-outerおよびσ-innerと呼ばれる）を調節することができる。さらに、イルミネータＩＬは、インテグレータおよびコンデンサといったさまざまな他のコンポーネントを含むことができる。イルミネータを使って放射ビームを調整すれば、放射ビームの断面に所望の均一性および強度分布をもたせることができる。
【００４０】
[0042]  放射ビームＢは、サポート（例えば、マスクテーブルＭＴ）上に保持されているパターニングデバイス（例えば、マスクＭＡ）上に入射して、パターニングデバイスによってパターン形成される。マスクＭＡを通り抜けた後、放射ビームＢは投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上にビームを投影する。第２位置決めデバイスＰＷおよび位置センサＩＦ２（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、または静電容量センサ）を使って、例えば、さまざまなターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路内に位置決めするように、基板テーブルＷＴを正確に動かすことができる。同様に、第１位置決めデバイスＰＭおよび別の位置センサＩＦ１（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、または静電容量センサ）を使い、例えば、マスクライブラリから機械的に取り出した後またはスキャン中に、マスクＭＡを放射ビームＢの経路に対して正確に位置決めすることもできる。通常、マスクテーブルＭＴの移動は、第１位置決めデバイスＰＭの一部を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）およびショートストロークモジュール（微動位置決め）を使って達成することができる。同様に、基板テーブルＷＴの移動も、第２位置決めデバイスＰＷの一部を形成するロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールを使って達成することができる。ステッパの場合は（スキャナとは対照的に）、マスクテーブルＭＴは、ショートストロークアクチュエータのみに連結されてもよく、または固定されてもよい。マスクＭＡおよび基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１およびＭ２と、基板アライメントマークＰ１およびＰ２とを使って、位置合わせされてもよい。例示では基板アライメントマークが専用ターゲット部分を占めているが、基板アライメントマークをターゲット部分とターゲット部分との間の空間内に置くこともできる（これらは、スクライブラインアライメントマークとして公知である）。同様に、複数のダイがマスクＭＡ上に設けられている場合、マスクアライメントマークは、ダイとダイの間に置かれてもよい。 
【００４１】
[0043]  例示の装置は、以下に説明するモードのうち少なくとも１つのモードで使用できる。
【００４２】
[0044]  ａ．ステップモードにおいては、マスクテーブルＭＴおよび基板テーブルＷＴを基本的に静止状態に保ちつつ、放射ビームに付けられたパターン全体を一度にターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一静的露光）。その後、基板テーブルＷＴは、Ｘおよび／またはＹ方向に移動され、それによって別のターゲット部分Ｃを露光することができる。ステップモードにおいては、露光フィールドの最大サイズによって、単一静的露光時に結像されるターゲット部分Ｃのサイズが限定される。
【００４３】
[0045]  ｂ．スキャンモードにおいては、マスクテーブルＭＴおよび基板テーブルＷＴを同期的にスキャンする一方で、放射ビームに付けられたパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一動的露光）。マスクテーブルＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度および方向は、投影システムＰＳの（縮小）拡大率および像反転特性によって決めることができる。スキャンモードにおいては、露光フィールドの最大サイズによって、単一動的露光時のターゲット部分の幅（非スキャン方向）が限定される一方、スキャン動作の長さによって、ターゲット部分の高さ（スキャン方向）が決まる。
【００４４】
[0046]  ｃ．別のモードにおいては、プログラマブルパターニングデバイスを保持した状態で、マスクテーブルＭＴを基本的に静止状態に保ち、また基板テーブルＷＴを動かす、またはスキャンする一方で、放射ビームに付けられているパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する。このモードにおいては、通常、パルス放射源が採用されており、さらにプログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルＷＴの移動後ごとに、またはスキャン中の連続する放射パルスと放射パルスとの間に、必要に応じて更新される。この動作モードは、前述の型のプログラマブルミラーアレイといったプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。
【００４５】
[0047]  上述の使用モードの組合せおよび／またはバリエーション、あるいは完全に異なる使用モードもまた採用可能である。
【００４６】
[0048]  「レンズ」という用語は、文脈によっては、屈折、反射、磁気、電磁気、および静電型光コンポーネントを含む様々な種類の光コンポーネントのいずれか１つまたはこれらの組合せを指すことができる。
【００４７】
[0049]  本明細書で使用する「放射」および「ビーム」という用語は、紫外（ＵＶ）放射（例えば、波長λが３６５、２４８、１９３、１５７、または１２６ｎｍ）および極端紫外（ＥＵＶまたは軟Ｘ線）放射（例えば、波長が５〜２０ｎｍの範囲内、例えば１３．５ｎｍ）、ならびにイオンビームや電子ビームなどの粒子ビームを含めた全てのタイプの電磁放射を包含する。一般的に、約７８０〜３０００ｎｍの間（または、それ以上）の波長を有する放射が、ＩＲ放射とみなされる。ＵＶは、約１００〜４００ｎｍの波長を有する放射を表す。リソグラフィにおいては、ＵＶは、通常、水銀放電ランプによって発生することができる波長、すなわちＧ線４３６ｎｍ、Ｈ線４０５ｎｍ、および／またはＩ線３６５ｎｍにも適用される。ＶＵＶは、真空ＵＶ（すなわち、空気によって吸収されるＵＶ）であり、約１００〜２００ｎｍの波長を表す。ＤＵＶは、深ＵＶであり、リソグラフィにおいては通常、１２６ｎｍ〜２４８ｎｍなどエキシマレーザによって発生される波長に関して使用される。例えば５〜２０ｎｍの範囲内の波長を有する放射は、少なくとも一部が５〜２０ｎｍの範囲内にある何らかの波長帯域を有する放射に関係することを当業者は理解されよう。
【００４８】
[0050]  図２は、放射システム４２、照明光学ユニット４４、および投影システムＰＳを備える投影装置１をより詳細に示す。放射システム４２は、放電プラズマにより形成され得る放射源ＳＯを備える。ＥＵＶ放射は、ガスまたは蒸気、例えばＸｅガス、Ｌｉ蒸気、またはＳｎ蒸気によって生成することができ、このとき、電磁スペクトルのＥＵＶ範囲内で放射を放出するために非常に高温のプラズマが生成される。非常に高温のプラズマは、例えば放電によって少なくとも部分的にイオン化されたプラズマを生じさせることにより生成される。例えば１０Ｐａの、Ｘｅ、Ｌｉ、Ｓｎ蒸気または任意の他の好適なガスまたは蒸気の分圧が、放射の効率的な発生に必要とされる。一実施形態では、ＥＵＶ源としてのＳｎ源が適用される。放射源ＳＯによって放出される放射は、放射源チャンバ４７から、放射源チャンバ４７の開口部内または開口部の後方に位置決めされた任意選択のガスバリアまたは汚染物質トラップ４９（汚染物質バリアまたはフォイルトラップとも示される）を介して、コレクタチャンバ４８内に進められる。汚染トラップ４９は、チャネル構造を含むことができる。汚染トラップ４９は、ガスバリア、またはガスバリアとチャネル構造との組合せも含むことができる。本明細書でさらに示される汚染物質トラップまたは汚染物質バリア４９は、当該技術分野で公知のチャネル構造を少なくとも含む。
【００４９】
[0051]  コレクタチャンバ４８は、かすめ入射コレクタによって形成され得る放射コレクタ５０（本明細書ではコレクタミラーとも示される）を備える。放射コレクタ５０は、上流放射コレクタ側５０ａと下流放射コレクタ側５０ｂとを有する。コレクタ５０を通された放射は、格子スペクトルフィルタ５１で反射させることができ、コレクタチャンバ４８のアパーチャで仮想放射源点５２にフォーカスされる。コレクタチャンバ４８から、放射ビーム５６は、照明光学ユニット４４内で、法線入射リフレクタ５３、５４を介して、レチクルまたはマスクテーブルＭＴ上に位置決めされたレチクルまたはマスク上に反射される。パターン付きビーム５７が形成され、このビームは、投影システムＰＳ内で反射エレメント５８、５９を介してウェーハステージまたは基板テーブルＷＴ上に結像される。一般的に、図示されるよりも多くのエレメントが、照明光学ユニット４４および投影システムＰＳ内に存在し得る。格子スペクトルフィルタ５１は、リソグラフィ装置のタイプに応じて任意選択で存在してもよい。さらに、図示されるものよりも多くのミラーが存在してもよく、例えば、５８、５９に加えて１〜４個多くの反射エレメントが存在してもよい。放射コレクタ５０は、従来技術から公知である。
【００５０】
[0052]  集光ミラー５０としてのかすめ入射ミラーの代わりに、法線入射ミラーが適用されてもよい。リフレクタ１４２、１４３および１４６を有する入れ子型の（nested）コレクタとして、本明細書中の一実施形態により詳細に説明され、かつ、特に図２に概略的に示されている集光ミラー５０は、本明細書中、コレクタ（または集光ミラー）の一例としてさらに使用されている。したがって、適用可能な場合には、かすめ入射コレクタとしての集光ミラー５０は、一般的なコレクタとして解釈することができ、したがって、一実施形態では法線入射コレクタとして解釈することができる。
【００５１】
[0053]  さらに、図２に概略的に示されたような格子スペクトルフィルタ５１の代わりに、透過型光フィルタが適用されてもよく、あるいは一実施形態では、フィルタが全く使用されなくてもよい。ＥＵＶに対して透過性があり、かつＵＶ放射に対しては透過性が低いか、または実質的にＵＶ放射を吸収さえする光フィルタが当該技術分野で公知である。したがって、「格子スペクトル純度フィルタ」は、本明細書中、格子または透過型フィルタを含む「スペクトル純度フィルタ」としてさらに示される。図２には示されていないが、任意選択の光エレメントとしてさらに含まれるものとして、例えば集光ミラー５０の上流に配置されたＥＵＶ透過型光フィルタ、または照明ユニット４４および／または投影システムＰＳ内の光ＥＵＶ透過型フィルタがあり得る。
【００５２】
[0054]  一実施形態では（上記も参照のこと）、放射コレクタ５０は、かすめ入射コレクタであってよい。コレクタ５０は、光軸０に沿って位置合わせされる。放射源ＳＯまたはそのイメージは、光軸Ｏ状に配置される。放射コレクタ５０は、リフレクタ１４２、１４３、１４６（いくつかのＷｏｌｔｅｒ型リフレクタを含むＷｏｌｔｅｒ型リフレクタとしても知られている）を備え得る。時として、それらはシェルとも呼ばれる。これらのリフレクタ（またはシェル）１４２、１４３、１４６は、入れ子化され、光軸Ｏを中心に回転対称であることがある。図２（ならびに他の図面）では、内側リフレクタは参照番号１４２で示され、中間リフレクタは参照番号１４３で示され、かつ外側リフレクタは参照番号１４６で示されている。放射コレクタ５０は、ある容積、すなわち外側リフレクタ１４６内の容積を取り囲む。通常、外側リフレクタ１４６内のこの容積は、小さい開口部が存在することも可能であるが、円周方向で閉じられている。全てのリフレクタ１４２、１４３および１４６が、少なくとも一部が一層の反射層または多数の反射層を含む表面を含む。したがって、リフレクタ１４２、１４３および１４６（より多くのリフレクタが存在することもあり、３つより多いリフレクタまたはシェルを有する放射コレクタ（集光コレクタとも呼ばれる）５０の実施形態は本明細書に含まれる）は、放射源ＳＯからのＥＵＶ放射を反射および収集するように少なくとも部分的に設計され、リフレクタの少なくとも一部は、ＥＵＶ放射を反射および収集するようには設計されないことがある。例えば、リフレクタの裏面の少なくとも一部は、ＥＵＶ放射を反射および収集するようには設計されなくてもよい。後者の部分も裏面と呼ばれ得る。これらの反射層の表面上には、保護のために、または反射層の表面の少なくとも一部上に設けられる光フィルタとして、キャップ層が存在してもよい。
【００５３】
[0055]  放射コレクタ５０は、通常、放射源ＳＯまたは放射源ＳＯのイメージの近傍に配置される。各リフレクタ１４２、１４３、１４６は、少なくとも２つの隣接する反射面を含むことができ、放射源ＳＯから離れた反射面ほど、放射源ＳＯにより近い反射面よりも光軸Ｏに対して小さい角度で配置される。このようにして、かすめ入射コレクタ５０は、光軸Ｏに沿って伝搬する（Ｅ）ＵＶ放射のビームを生成するように構成される。少なくとも２つのリフレクタは、実質的に同軸に配置され、光軸Ｏを中心にして実質的に回転対称に延在し得る。放射コレクタ５０は、例えば保護ホルダやヒータなど、外側リフレクタ１４６の外面上にさらなる特徴部、または外側リフレクタ１４６の周りにさらなる特徴部を有し得ることを理解されたい。参照番号１８０は、２つのリフレクタ間、例えばリフレクタ１４２とリフレクタ１４３との間のスペースを示す。
【００５４】
[0056]  図１および２を参照すると、リソグラフィ装置１内のセンサ、つまり内部センサは、放射システム４２内、照明ユニット４４内および／または投影システムＰＳ内など、リソグラフィ装置１のどこにでも存在し得る。当業者にとって公知のあらゆる潜在的なセンサおよびセンサ位置を図示することは不要であろうが、例示を目的として、２つの位置センサＩＦ１およびＩＦ２が図１に示されている。このようなセンサは、マスクＭＡまたはウェーハＷの位置合わせに使用することができる。上述したように、センサは、例えば、ウェーハステージセンサ、マスクステージセンサ、ディテクタセンサ、コレクタセンサ、イルミネータセンサ、（位置センサＩＦ１およびＩＦ２のような）位置センサ、エネルギセンサ、などであってよい。センサは、位置合わせ、照明、位置などを測定するように構成され得る。一実施形態では、センサの検知面はルテニウムを含む。
【００５５】
[0057]  図３ａおよび３ｂは、より詳細に、検知面２０２を有するセンサ２０１を側面視で概略的に示す。図３ｃおよび３ｄは、斜視図を概略的に示す。ここで、ミニリアクタ（下記参照のこと）は、段階Ｉ（図３ｃ）の間は検知面２０２の上方に配置されておらず、段階ＩＩ（図３ｄ）の間に検知面２０２の上方に配置される。段階ＩＩでは、本発明に係る検知面２０２を処理する方法が適用され得る。図３ｅは、図３ａに示した実施形態に関連する代替的な実施形態を概略的に示し、ここでミニリアクタは、延出したエッジ（下記参照のこと）を有する。
【００５６】
[0058]  本発明の実施形態を、具体的に図３ａ〜３ｅを参照して以下にさらに説明する。
【００５７】
[0059]  検知面２０２は、実質的に平坦であるが、凹面または凸面であってもよい（図３ｂも参照のこと）。センサ２０１は、リソグラフィ装置内のいずれかの位置に配置される。つまり、センサ２０１は内部センサである。センサ２０１をその文脈で説明するために、壁、マスクテーブル、ウェーハテーブル、ミラーといったセンサ用のサポートは、参照符号２００で示されている。検知面２０２は、参照符号２９１で示される炭素含有堆積としても示される、炭素堆積または炭化水素堆積といった炭素質堆積を被る。このような炭素含有堆積２９１は、リソグラフィ装置１内のまたはリソグラフィ処理用のポンプ、潤滑剤、レジストなどの使用により形成され得る。堆積２９１は、デブリとしても示される。炭素含有堆積２９１は、Ｈで示される水素ラジカルによって少なくとも部分的に除去可能なようであり、これが、メタンなどの揮発性水素化炭素の形成につながり得る。これらは、（リソグラフィ処理の間）リソグラフィ装置１内を大気圧未満に維持するように構成され得る１つ以上のポンプ（図示なし）により排出され得る。
【００５８】
[0060]  水素ラジカルを使用することの潜在的な短所として、水素ラジカルがリソグラフィ装置１内に存在する他の物質とも反応することが挙げられる。リソグラフィ装置１は、例えばはんだ中のスズ（Ｓｎ）、またはステンレス鋼中の微量元素としての亜鉛（Ｚｎ）、およびＳｎ源に起因するＳｎ堆積のＳｎも含み得る。水素ラジカルが放出されると、水素ラジカルは他の金属または金属酸化物と反応し得て、これにより、場合によってはＺｎＨ２またはＳｎＨ４などの金属水素化物が形成され、この金属水素化物が光エレメント上に再堆積し得る。このプロセスは、「水素誘発ガス放出（hydrogen induced outgassing）」と呼ぶことができる。これは、望ましくない。したがって、検知面２０２から炭素含有堆積２９１を除去する一方、リソグラフィ装置内に存在する他の表面、特にＺｎまたはＳｎ含有表面を水素ラジカルに曝さないようにすることが望まれる。本発明の別の潜在的な利点は、リソグラフィ装置１の全ての部分が原子Ｈの影響を受けるわけではないため、かつ本発明によりラジカルは実質的に小環境（mini-environment）の外には移動し得ないため、材料コンプライアンスは、より小さくなるか、または問題にならなくなり得る。
【００５９】
[0061]  したがって、本発明は、そのような内部センサ２０１、および追加的にミニリアクタ２１０を備えるリソグラフィ装置１であって、センサ２０１、またはミニリアクタ２０１、またはセンサ２０１およびミニリアクタ２１０が搬送可能である、リソグラフィ装置１の一実施形態を提供する。ミニリアクタ２１０は、水素含有ガス２２６用の入口２２０、水素ラジカルジェネレータ２６０、および水素ラジカル含有ガス２６６用の出口２３０を備え得る。当業者には明らかなように、「入口」および「出口」という用語は、それぞれ複数の入口および複数の出口を指すこともある。ミニリアクタ２１０は、特に、本発明の一実施形態に係るセンサ２０１の検知面２０２を処理する方法におけるミニリアクタ２１０の使用中、この検知面２０２を処理するために検知面２０２に対して水素ラジカルを含む局所的小環境２５５を生成するように構成されている。一実施形態において、ミニリアクタ２１０は、センサ２０１の検知面２０２をパージするように構成され得る。有益なことに、揮発性水素化物はこのようにして小環境２５５外に出て排気され、これにより検知面２０２上への揮発性水素化物の堆積を実質的に防止する。水素ラジカル含有ガス２６６のガス流は、律動的または連続的とすることができる。
【００６０】
[0062]  このようにして、ミニリアクタ２１０とセンサ２０１（特に検知面２０２）とは、一方が他方の上方に（逆の場合も同様）配置されているため、リソグラフィ装置１の他の要素を水素ラジカルに実質的に曝すことなく、検知面２０２、特に実質的に検知面２０２のみを水素ラジカルで処理することができる。したがって「小環境」という用語が本明細書において使用される。
【００６１】
[0063]  感知する場所から処理する場所へと（また、その逆も同様）センサ２０１を搬送するために、当該技術において公知のデバイスおよび方法を使用することでき、ここでミニリアクタ２１０は、センサ２０１に向けて搬送される、あるいは両者を互いに向けて搬送することもできる。このようなデバイスは、レール、可動アーム、テレスコープアーム、ウェーハステージ、マスクステージ等を含む搬送装置を含み得る。例示を目的として、図３ａには、搬送装置２１５が概略的に示され、本実施形態では、この搬送装置２１５がミニリアクタ２１０の搬送を可能にする。搬送装置２１５は、例えば、テレスコープアームであってよい。概略的に示された本実施形態では、搬送装置はリソグラフィ装置の壁１００１に接続される。ここで、搬送装置２１５は、ミニリアクタ２１０を搬送するように図示されている。しかし、搬送装置２１５は、センサ２０１を搬送するように適用されてもよく、あるいはミニリアクタ２１０を搬送する搬送装置２１５とセンサ２０１を搬送する第２搬送装置２１５とが適用されてもよい。
【００６２】
[0064]  図３ｂにおいて、概略的に示された搬送装置２１５はホイールを備え、センサ２０１、あるいは実際にはセンサ２０１が配置されるサポート２００の搬送を可能にする。ここで、搬送装置２１５は、例えばリソグラフィ装置の底面１００２上で搬送を行い得る。
【００６３】
[0065]ミニリアクタ２１０は、水素ラジカルジェネレータ２６０を備える。すなわち、ミニリアクタ２１０内において、水素含有ガス２２６からの水素分子全量の少なくとも一部が水素ラジカル、つまり水素ラジカル含有ガス２６６に変換される。水素ラジカルジェネレータ２６０は、１つ以上の振動磁場電極（oscillating field electrodes）、マグネトロンＲＦジェネレータ、および１つ以上の熱（つまり、加熱可能）フィラメントから成る群から選択される１つ以上の水素ラジカルジェネレータ２６０を含み得る。特定の実施形態では、水素ラジカルジェネレータ２６０は、分子の水素を水素ラジカルへと変換するために加熱されるように構成されたフィラメントを含む。
【００６４】
[0066]図３ａ〜３ｂは、このような実施形態を概略的に示し、図中、フィラメントは参照符号２６５で示される。一実施形態では、フィラメント２６５は、例えば、Ｗ（タングステン）またはＴａ（タンタル）のワイヤまたはコイル（あるいは当業者に公知の別の材料）であってよく、これは、材料の種類、ならびにＨ２含有ガス１００内の全Ｈ２分子の少なくとも一部のＨ２の化学結合を分解するために望ましい温度およびそれに必要とされる温度に応じて、例えば約１５００〜３０００°Ｋまたはそれ以上まで加熱され得る。
【００６５】
[0067]  一実施形態では、水素ラジカルは、水素含有ガス２２６を熱フィラメントに沿って誘導し、これにより水素ラジカル含有ガス２６６を生成することにより提供され得る。一実施形態では、水素含有ガス２２６は、Ｈ２、ＨＤ、Ｄ２、ＨＴ、ＤＴおよびＴ２から成る群から選択される１つ以上のガスを含む。ここで、「水素含有ガス」という用語は、水素分子（つまり、Ｈ２およびその類似物質（analogue））を含むガスを指す。「水素ラジカル含有ガス」は、水素ラジカル（つまり、Ｈおよびその類似物質）を含むガスを指す。水素原子または水素ラジカルの類似物質には、Ｄ（重水素）およびＴ（トリチウム）が含まれ、Ｈ２の類似物質にはＤ２、Ｔ２、ＨＤ、ＴＤ、およびＨＴが含まれる。簡素化を目的として、Ｈ２（その類似物を含む）およびＨ（その類似物を含む）は、それぞれ、さらにＨ２およびＨとして示す。したがって、Ｈ２は、Ｈ２、Ｄ２、Ｔ２、ＨＤ、ＴＤ、およびＨＴから成る群から選択される１つ以上を指すことができ、ＨはＨ、ＤおよびＴから成る群から選択される１つ以上を指すことができる。ここで、「水素含有ガス」という用語は、特に、そのような分子を含むまたは該分子から成るガス、例えばＨ２含有ガスで希釈されたＨ２のケースでは、Ｈ２と１つ以上の希ガス（例えばＨｅなど）との混合物、に関連する。ここで、「水素ラジカル含有ガス」という用語は、特に、そのようなラジカルを含有するガスに関連し、このガスは通常さらにＨ２と１つ以上の希ガス（例えばＨｅなど）とを含む。
【００６６】
[0068]  この水素ラジカル含有ガス２６６の少なくとも一部は、出口２３０を介してミニリアクタ２１０から出て行く。水素ラジカルは、検知面２０２上の堆積２９１と接触し、この堆積、特に炭素含有堆積は、除去され得る。参照符号２９０で示された放出ガス（図３ｂ参照のこと）は、ミニリアクタ２１０と一体化されるか、または他の場所に配置される排気口（exhaust）（図示なし）により排気され得る。
【００６７】
[0069]  本発明の実施形態は、局所的小環境２５５が実質的に検知面２０２のみに提供されるように提供され得る。一実施形態では、方法は、少なくとも部分的に、検知面２０２から炭素堆積および／または炭化水素堆積などの炭素含有堆積２９１を取り除きクリーニングすることを含む。これにより、材料、特にセンサ以外の材料が水素ラジカル（つまり、ラジカル含有ガス）に実質的に曝されないため、これらの材料の選択の自由度はより高められる。局所的小環境２５５は、検知面２０２の上方であって検知面２０２からは離れていない容積内に生成される。ゆえに、参照符号２５０で示されるセンサ２０１の環境は、実質的に水素ラジカルを含み得ない、または受け得ない。なお、水素ラジカルは、比較的急速に（再）結合（(re)associate）する。ゆえに、局所的小環境２５５は、水素ラジカルを含んで生成され得る一方、参照符号２５０で示される（さらなる）環境は実質的に水素ラジカルを含まない、または受けない。このようにして、環境２５０は、水素誘発ガス放出および／または材料劣化を被らないようにすることができる。
【００６８】
[0070]  これは、例えば図３ｂ〜３ｄに示される。この処理を行う際、水素ラジカル、つまり水素ラジカル含有ガス２６６は、リアクタ２１０から遠くへは実質的に移動し得ない。水素ラジカルがミニリアクタ２１０から移動し得る距離は、参照符号Ｌ２で示され、約５ｃｍ未満の範囲、例えば、０〜５ｃｍ、または０〜２ｃｍ、または０〜１ｃｍなどであり得る。これにより、小環境２５５の外側の水素誘発ガス放出は、非常に制限されることになる。これは、水素ガスがさらに遠くへ拡散し得ないことを意味するのではなく、そのようなガスがもはや水素ラジカルを実質的に含まないことを意味する。
【００６９】
[0071]  検知面２０２および／またはその周囲（つまり環境２５０）の一部に向けて構成され得るミニリアクタ２１０の外側部分、特にリアクタチャンバの外側部分が、約＞０．０２または約＞０．１の水素ラジカル表面再結合係数を有する材料を含み得るように適用することにより（下記も参照のこと）、水素ラジカルの移動は特に抑制され得る。よって、このような部分を適用することにより、水素ラジカルの再結合が促進されるため、リソグラフィ装置１内への（さらなる）水素ラジカルの搬送を減少することができ、局所的小環境を（検知面２０２に対して）局所的に維持することができる。
【００７０】
[0072]  水素含有ガスは、リソグラフィ装置１の内部または外部に存在し得るガス源２５５により提供され得る。さらに、加熱可能なフィラメント２６５を想定した場合、やはりリソグラフィ装置１の内部または外部に存在し得る電圧源２６４が提供され得る。
【００７１】
[0073]  一実施形態では、ミニリアクタ２１０は、チャンバ開口部２４０を有するリアクタチャンバ２４１を備え得る。このチャンバ開口部２４０は、少なくとも部分的に出口２３０と同一空間を占め得る。ただし、水素ラジカルジェネレータ２６０は、ミニリアクタ２１０内に設けられる別個のチャンバ内に配置されてもよい。例えば、ミニリアクタ２１０は１つ以上のチャンバ、例えば２つのチャンバからから成り得る。概略図では、１つのチャンバのみが示されている。しかし、ミニリアクタ２１０は、例えば、出口２３０を有し、水素ラジカルを生成するように構成された水素ラジカル生成チャンバと、その下流側に、出口２３０を介して水素ラジカル生成チャンバ内で生成された水素ラジカルの全個数のうち少なくとも一部を受け、かつ検知面２０２に対する小環境２５５を生成するように構成されたチャンバと、を備えてもよい。このような実施形態は、図示されていない。よって、一実施形態では、特に概略図に示されるように出口２３０がリアクタチャンバ開口部２４０と実質的に同一空間を占める場合、この出口２３０は、処理方法におけるミニリアクタ２１０の使用中、水素ラジカル含有ガス２６６をセンサ２０１の検知面２０２へと提供するように構成される。ただし、一実施形態では、出口２３０は、処理方法におけるミニリアクタ２１０の使用中、出口の下流側にある別個のリアクタチャンバ２４１へと水素ラジカル含有ガス２６６を提供するように構成されてもよい。そして、リアクタチャンバ２４１から、水素ラジカル含有ガス２６６はリアクタチャンバ開口部２４０を介してセンサ２０１の検知面２０２に提供され得る（この実施形態は図示せず）。
【００７２】
[0074]  図３ａおよび図３ｂに概略的に示される実施形態では、ミニリアクタ２１０はリアクタチャンバ２４１を備え、このリアクタチャンバ２４１は水素ラジカルジェネレータ２６０も備え、出口２３０はリアクタチャンバ開口部２４０と実質的に同一空間を占める。リアクタ２１０、および本実施形態ではリアクタチャンバ２４１は、内側表面２１１を有する壁２１２を有する。
【００７３】
[0075]  ここで、リアクタチャンバ２４１は、センサ２０１およびミニリアクタ２１０が処理のために配置される際、特に、リアクタチャンバ２４１のリアクタチャンバ開口部２４０が検知面２０２に向けられるように構成されている。このようなリアクタチャンバ開口部２４０が検知面２０２の近傍の位置へと移動するように構成されてもよく、または検知面２０２がリアクタチャンバ開口部２４０の近傍へと移動するように構成されてもよく、またはリアクタチャンバ開口部２４０および検知面２０２の両方が互いの近傍である相対位置へと移動するように構成されてもよい。
【００７４】
[0076]  リアクタチャンバ開口部２４０および検知面２０２は、互いの近傍に好適に配置され、特にリアクタチャンバ２４１および検知面２０２により実質的に囲まれた容積内に、検知面２０２を処理する方法が適用可能な構成が得られる。この構成は、図３ａおよび図３ｂに概略的に示されている。図３ｃでは、センサ２０１およびミニリアクタ２１０は、（例えば、本発明に係る検知面２０２を処理する方法の実行前または実行後の場合のように）オフセットされ（これは段階Ｉとして示される）、処理段階、つまり、検知面２０２が本発明の方法に従って処理される段階としても示され得る段階ＩＩにおいて（ミニリアクタ２１０を移動すること、センサ２０１を移動すること、あるいは両方を移動すること、のいずれかにより）互いの近傍の位置へと搬送される（図３ｄ）。リアクタチャンバ２４１および検知面２０２により実質的に囲まれる容積は、参照符号２４２で示される。
【００７５】
[0077]  検知面２０２は、参照符号２０５で示される検知面面積、または検知面断面積を有し得る（図３ｃおよび３ｄ参照のこと）。図３ａに示すように、検知面２０２が実質的に平坦な場合、検知面面積が適用される。センサが、例えば図３ｂに示すように凸面であるか、または凹面である場合、検知面断面積が適用される。これらは、両方とも参照符号２０５で示される。この面積は、通常、約１ｍｍ２〜１００ｃｍ２の範囲内になる。なお、センサ２０１という用語は、センサアレイのような複数のセンサ２０１も含み得る。さらに、リアクタチャンバ開口部２４０は、チャンバ開口部面積を有し得る。このチャンバ開口部面積は、参照符号２４５（図３ｃおよび図３ｄ）で示される。リアクタチャンバ開口部面積２４５が検知面面積または検知面断面積よりも小さい場合、検知面２０２は、検知面２０２を「スキャン」することにより、つまり、リアクタチャンバ開口部２４０を検知面２０２上の異なる複数の位置に配置することにより、クリーニングされ得る。これもまた、センサ２０１を搬送することにより、またはミニリアクタ２１０を搬送することにより、またはセンサ２０１およびミニリアクタ２１０の両方を移動することにより、実行され得る。
【００７６】
[0078]  なお、本明細書において「上（方）（over）」という用語は、ミニリアクタ２１０が検知面２０２の上方に存在することを含意するものではなく、むしろ検知面２０２とミニリアクタ２１０またはリアクタチャンバ開口部２４０とが互いの近くに存在し、水素ラジカル含有ガス２６０が、例えば０．２〜２ｃｍといった約２ｃｍ未満の距離、または０．２〜１ｃｍといった１ｃｍ未満の距離で検知面２０２に到達可能であることを意味する。これらの距離は、リアクタチャンバ開口部２４０と検知面との間の最短距離、およびミニリアクタ２１０と検知面２０２との間の最短距離に該当し、これらの距離は、それぞれ参照符号Ｌ３およびＬ４で示され、かつ図３ａ〜３ｃにおいては実質的に同一である。
【００７７】
[0079]  図３ａ、３ｂおよび３ｃでは、ミニリアクタ２１０が最上部にあるが、これらの側面図は、（図の平面において）０〜３６０°の範囲であらゆる回転が可能であり、それでもなお本発明に従い実現可能な構成を表す。
【００７８】
[0080]  リアクタチャンバ開口部面積２４５は、検知面面積または検知面断面積２０５と実質的に同等か、またはより大きくてもよい。このような実施形態では、リアクタチャンバ２４１は、検知面２０２を部分的にでも囲むことが可能となり得る。特に、チャンバ開口部面積２４５が上記寸法を有する場合、または検知面面積または検知面断面積２０５より小さい場合、小環境２５５は、実質的に検知面２０２のみに対して生成され得る。一実施形態では、ミニリアクタ２１０は、実質的に検知面２０２のみに対して小環境２５５を生成するように構成可能である。したがって、リアクタチャンバ開口部面積２４５と検知面面積または検知面断面積２０５との比は、特に、約０．２〜２の範囲、または０．５〜２、または約０．５〜１．５の範囲、または約０．５〜１．２の範囲である。リアクタチャンバ開口部面積２４５と検知面面積または検知面断面積２０５との比は、約１〜２の範囲、または約１．０５〜２、または約１．１〜１．５の範囲、または１．１〜１．２の範囲であってもよい。
【００７９】
[0081]  検知面面積または検知面断面積２０５が、あるいはセンサ２０１（つまり、センサ断面積）がリアクタチャンバ開口部面積２４５よりも小さい場合、チャンバ開口部２４０は、検知面２０２またはセンサ２０１の上方を少なくとも部分的に摺動し得る。このことは、図３ｂにおいて、ミニリアクタ２１０が、検知面２０２を実質的に囲むまで、サポート２００の方向に（さらに）移動することを含意することになる。
【００８０】
[0082]  一実施形態では、リソグラフィ装置１は、ミニリアクタ２１０の少なくとも一部を冷却するように構成された参照符号２７０で示される冷却要素をさらに備え得る。このように、リアクタ壁２１２の内側表面２１１、特にリアクタチャンバ２４１の複数のリアクタ壁の内側表面２１１は冷却され得る。これは、この壁を保護するために有利であろう。また、本発明に係る処理中に検知面２０２から放出された炭化水素の堆積に対してさらに有利であり得る。これにより、リソグラフィ装置１またはその要素の熱安定性に対するクリーニング動作の作用を制限することが可能になり得る。つまり、ミニリアクタ２１０の環境２５０に対する処理の影響が制限され得る。
【００８１】
[0083]  特定の実施形態では、リアクタ壁２１２の内側表面２１１、特にリアクタチャンバ２４１の内側表面２１１は、特に処理条件で、水素、または水素ラジカル、または水素および水素ラジカルの両方と実質的に反応しない材料を含み得る。例えば、そのような壁２１２、あるいは特に面２１１は、アルミニウムまたはステンレス鋼から成る。一実施形態では、リアクタチャンバ２４１の内側表面２１１は、約≦０．０２の水素ラジカル表面再結合係数、また変形においては≦０．００１の水素ラジカル表面再結合係数、を有する材料を含み得る。この基準を満たす材料または材料の組合せを使用することにより、＞０．０２の水素ラジカル表面再結合係数を有する材料と比較して、水素ラジカルの再結合が減少するようである。再結合係数に関する情報は、特に、以下の文献で確認することができる：W. V. Smith著“The surface recombination of H atoms and OH radicals”、J. Chem. Phys. 11, 110-125（１９４３年）およびB. J. Wood、H. Wise著“Kinetics of Hydrogen Atom Recombination on Surface”、J. Phys. Chem. 65, 1976-1983（１９６１年）。一実施形態では、壁２１２はステンレス鋼またはアルミニウムを含むことができ、特定の実施形態では、壁２１２は、例えば石英またはＳｉ３Ｎ４、あるいは以下に記載の、または当業者に公知の他の材料などのラジカル表面再結合係数の低いコーティング（つまり、一実施形態では内側表面２１１）を有するステンレス鋼またはアルミニウムを含む。一実施形態では、参照符号２１９で示されるミニリアクタ２１０の外側部分、特にリアクタチャンバ２４１の外側部分であって、検知面２０２および／またはその周囲（基板２００など）の一部に向けられるように構成され得る外側部分は、約＞０．０２または約＞０．１の水素ラジカル表面再結合係数を有する材料を含み得る。
【００８２】
[0084]  図３ｃ〜３ｅに一例が示される。図３ｃおよび３ｄでは、検知面２０２の処理する方法の実行中、検知面２０２に向けられるように構成され、かつ参照符号２１３で示される（外側部分２１９としての）壁２１２のエッジ（つまり、壁２１２の最も下流側に配置される部分）は、比較的高いラジカル表面再結合２１６を（コーティングまたは外側面として）有する、つまり少なくとも約０．０２の表面再結合係数を有するような材料を含む。
【００８３】
[0085]  図３ｅでは、壁２１２は、（外側部分２１９として）延出エッジ２１７を有することによりある種の「帽子形」を生成し、ここで、延出エッジの下流側表面（参照符号２１８で示される）は、比較的高いラジカル表面再結合を有するような材料２１６を含む。やはり、延出エッジ下流側表面２１７は、検知面２０２を処理する方法の実行中、検知面２０２に向けられるように構成される。
【００８４】
[0086]  以下の表１は、多数の材料と、それら各々の水素ラジカルに対する表面再結合係数を示す。
表１：多様な材料に対する水素表面再結合係数γ（約３００〜８００Ｋの範囲）
【表１】
2011517135.tif 000003
【００８５】
[0087]  ミニリアクタ２１０内、特にリアクタチャンバ２４１内のＨ２分圧は、約０．１〜１００Ｐａの範囲であってよく、水素ラジカル分圧は約１・１０−５〜１０Ｐａの範囲、例えば１・１０−４〜１Ｐａなどであってよい。したがって、局所的小環境２５５内でも、やはりＨ２分圧は０．１〜１００Ｐａであってよく、水素ラジカル分圧は約１・１０−５〜１０Ｐａの範囲、例えば１・１０−４〜１Ｐａなどであってよい。
【００８６】
[0088]  本発明は、リソグラフィ装置、例えば、これに限定されないが本明細書に記載するリソグラフィ装置１の内部センサ２０１の検知面２０２を処理する方法も提供し、この方法は、水素ラジカルを含む局所的小環境２５５を検知面２０２に対して提供することと、検知面２０２を水素ラジカルで処理することと、を含む。したがって、本発明は、センサ２０１の検知面２０２の処理、特に検知面２０２から炭素質堆積を取り除きクリーニングするクリーニングするためのインシチュ（in-situ）方法も提供する。
【００８７】
[0089]  この方法は、例えば、検知面２０２からの放出ガスを評価することによる処理結果の評価をさらに含み得る。例えば、質量スペクトロメータにより、炭化水素を検出することができる。炭化水素が所定の下限値に到達したときに、処理を終了し得る。ゆえに、リソグラフィ装置１は、処理結果を評価するように構成された処理センサをさらに備え得る。このような処理センサは、図３ａおよび３ｂに参照符号２８０で概略的に示される。
【００８８】
[0090]  この方法は、処理された検知面２０２を（センサ２８０の実施形態のようなセンサを用いて）評価することをさらに含み得る。評価に応じて、処理は、例えば検知面２０２に当たる光の所定の反射または屈折の値といった所定の結果が得られるまで継続されてもよく、または（例えば、所定の結果が得られると）終了され、例えばリソグラフィ処理（つまりデバイスの製造）が継続されてもよい。あるいは、処理は（例えば較正後に規定される）所定時間を経過した後、終了されてもよい。
【００８９】
[0091]  検知面２０２を処理する方法は、リソグラフィ装置１によるデバイス製造前または製造後に適用され得る。しかし、本発明は、さらなる態様において、例えば本明細書に記載するリソグラフィ装置１を使用するデバイス製造方法も提供し、この方法では、デバイスを製造している間、デバイス製造方法中センサ２０１が使用されていない製造段階において、センサ２０１の検知面２０２を処理する方法が適用され、この方法は水素ラジカルを含む局所的小環境２５５を検知面２０２に対して提供することと、水素ラジカルを用いて検知面２０２を処理することと、を含む。よって、上述したように、本発明は、センサ２０１の検知面２０２の処理のための方法、特に検知面２０２から炭素質堆積を取り除きクリーニングするためのインシチュ（in-situ）方法も提供する。
【００９０】
[0092]  図３ｃおよび３ｄは、例えば位置合わせ中などのデバイス製造中にセンサ２０１が使用されているため、センサ２０１およびミニリアクタ２１０がオフセット段階Ｉ（図３ｃ）にある間、あるいはセンサ２０１およびミニリアクタ２１０が処理段階ＩＩ（図３ｄ）にある間の、センサ２０１およびミニリアクタ２１０の斜視図を概略的に示す。本実施形態のこの概略図では、センサ２０１、とりわけ検知面２０２は、一例として、実質的に円形である。検知面２０２の長さ／幅または直径などの寸法はＬ１で示され、検知面面積２０５が、通常約１ｍｍ２〜１００ｃｍ２の範囲となるような寸法であり得る（上記も参照のこと）。例えば位置合わせ後など、デバイス製造方法（つまり、リソグラフィプロセス）中センサ２０１が使用されていない場合、センサ２０１、またはミニリアクタ２１０、またはセンサ２０１とミニリアクタ２１０との両方は、ミニリアクタ２１０が検知面２０１の上方に配置されるように搬送され得る。その後、検知面２０２を処理する方法が適用され、検知面２０２から水素含有化合物が取り除かれてクリーニングされ得る。
【００９１】
[0093]  水素ラジカルがミニリアクタ２１０、とりわけ検知面２０２から移動し得る距離は、参照符号Ｌ２で示され、約５ｃｍ未満の範囲、例えば、０〜５ｃｍ、０〜２ｃｍ、または０〜１ｃｍなどとすることができる。小環境２５５の外側の水素誘発ガス放出は、これにより制限されることになる（そして、上述した比較的高い表面水素ラジカル結合係数を有する材料を適用することにより減少され得る）。これは、水素ガスがさらに遠くへ拡散し得ないことを意味するのではなく、そのようなガスがもはや実質的に水素ラジカルを含まないことを意味する。さらに、ガス状のガス生成物は、検知面へと戻り再堆積することは実質的にあり得ない。これにより、センサ２０１の環境２５０（ここでは、例えばサポート２００）は、水素ラジカル反応に実質的に曝されず、これによりセンサ２０１の環境２５０内に存在する材料の選択がより容易になる。
【００９２】
[0094]  特定の実施形態では、リソグラフィ装置１は、ＥＵＶ放射を生成するように構成された放射源を備え、この放射源はＳｎプラズマ源である。本明細書では、「ＥＵＶ放射を生成するように構成された」と言う表現は、特に、ＥＵＶ放射を生成するように設計され、かつＥＵＶリソグラフィにおいて使用されるように設計された放射源のことを表す。特定の変形では、放射源は、それぞれ、レーザ生成プラズマ源（ＬＰＰ）または放電生成プラズマ源（Ｓｎプラズマ源）含み得る。
【００９３】
[0095]  リソグラフィ装置１は、一実施形態では、放射ビームを調整するように構成された照明システムと、パターニングデバイスを支持するように構成されたサポートであって、このパターニングデバイスは放射ビームの断面にパターンを付与してパターン付き放射ビームを形成することができる、サポートと、基板を保持するように構成された基板テーブルと、基板のターゲット部分上へパターン付き放射ビームを投影するように構成された投影システムと、を備える。変形では、リソグラフィ装置１は、ＥＵＶリソグラフィ装置１である。リソグラフィ装置１は、一実施形態では特にＥＵＶ放射ビームである放射ビームを生成するように構成された放射源を備え、この放射源はＥＵＶ放射を生成するように構成される。
【００９４】
[0096]  したがって、本発明は、一実施形態では、内部センサ２０１を有するリソグラフィ装置１を提供する。リソグラフィ装置１は、さらにミニリアクタ２１０を有する。センサ２０１、またはミニリアクタ２１０、またはセンサ２０１およびミニリアクタ２０２は搬送可能である。センサ２０１は、検知面２０２を有する。ミニリアクタ２１０は、水素含有ガス用の入口、水素ラジカルジェネレータ、および水素ラジカル含有ガス用の出口を備える。ミニリアクタ２１０は、センサ２０１の検知面２０２を処理する方法においてミニリアクタ２１０の使用中、検知面２０２を処理するために検知面２０２に対して水素ラジカルを含む局所的小環境を生成するように構成される。このようにして、検知面２０２の環境に実質的な影響を与えることなく、検知面２０２を局所的にクリーニングすることができる。したがって、一実施形態では、本発明の実施形態に係る方法およびミニリアクタ２１０により、検知面２０２に対して小環境２５５を生成することが可能となり、同時にリソグラフィ装置１の他の部分が水素ラジカル（つまり、水素ラジカル含有ガス２６６）に暴露されるのを軽減するか、あるいは防止さえすることが可能となる。
【００９５】
[0097]  本明細書で使用される「実質的に（substantially）」という用語は、一実施形態では「完全に（completely）」を意味する。別の実施形態、特に値に関連する場合では、この用語は例えば約９５％〜１００％を意味し得る。当業者は、「実質的に」と言う用語を理解している。同様に「少なくとも部分的に（at least partially）」という表現は、一実施形態では「完全に」を意味する。別の実施形態では、この表現は例えば９５〜１００％を意味し得る。「備える／含む（comprise）」という用語は、「備える／含む」という用語が「から成る（consist of）」を意味する実施形態も含む。
【００９６】
[0098]  本明細書において、ＩＣ製造におけるリソグラフィ装置１の使用について具体的な言及がなされているが、本明細書記載のリソグラフィ装置１が、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイダンスパターンおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）を含むフラットパネルディスプレイ、薄膜磁気ヘッド等の製造といった他の用途を有し得ることが理解されるべきである。また、そのような別の用途においては、本明細書で使用される「ウェーハ」または「ダイ」という用語はすべて、それぞれより一般的な「基板」または「ターゲット部分」という用語と同義であるとみなしてよいと理解されるべきである。本明細書に記載した基板は、露光の前後を問わず、例えば、トラック（通常、基板にレジスト層を塗布し、かつ露光されたレジストを現像するツール）、メトロロジーツール、および／またはインスペクションツールで処理されてもよい。適用可能な場合には、本明細書中の開示内容を上記のような基板プロセシングツールおよびその他の基板プロセシングツールに適用してもよい。さらに基板は、例えば、多層ＩＣを作るために複数回処理されてもよいので、本明細書で使用される基板という用語は、すでに多重処理層を包含している基板を表すものとしてもよい。
【００９７】
[0099]  光リソグラフィの関連での本発明の実施形態の使用について上述のとおり具体的な言及がなされたが、当然のことながら、本発明は、他の用途、例えば、インプリントリソグラフィに使われてもよく、さらに状況が許すのであれば、光リソグラフィに限定されることはない。インプリントリソグラフィにおいては、パターニングデバイス内のトポグラフィによって、基板上に創出されるパターンが定義される。パターニングデバイスのトポグラフィは、基板に供給されたレジスト層の中にプレス加工され、基板上では、電磁放射、熱、圧力、またはそれらの組合せによってレジストは硬化される。パターニングデバイスは、レジストが硬化した後、レジスト内にパターンを残してレジストの外へ移動される。
【００９８】
[0100]  以上、本発明の具体的な実施形態を説明してきたが、本発明は、上述以外の態様で実施できることが明らかである。例えば、本発明は、上記に開示した方法を表す１つ以上の機械読取可能命令のシーケンスを含むコンピュータプログラムの形態、またはこのようなコンピュータプログラムが記憶されたデータ記憶媒体（例えば、半導体メモリ、磁気ディスクまたは光ディスク）の形態であってもよい。このコンピュータプログラムは、堆積の除去の制御、圧力の制御等に使用することができる。
【００９９】
[0101]  上記の説明は、制限ではなく例示を意図したものである。したがって、当業者には明らかなように、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本記載の発明に変更を加えてもよい。「備える／含む（to comprise）」という動詞およびその活用形を使用することは、クレーム中に記載されるもの以外の要素またはステップの存在を排除するものではない。要素の前に付与された「ある／１つの（“a” or “an”）」という冠詞は、当該要素が複数存在する場合を排除するものではない。したがって、例えば「（ある／ひとつの）センサ２０１（a sensor 201）」という用語は、一実施形態では複数の（隣接しない）センサ２０１にも関連し得る。一実施形態では、ミニリアクタ２１０は、複数の（隣接しない）センサ２０１の複数の検知面２０２、特にこれらのような表面２０２を順次処理するようにも構成され、よって小環境２５５は各検知面２０２に対して生成される。
【０１００】
[0102]  本発明は、上記実施形態で説明したリソグラフィ装置１の用途またはリソグラフィ装置１における使用に限定されるものではない。さらに、図面は、通常本発明の理解に使用される要素および特徴のみを含んでいる。それに加えて、リソグラフィ装置１の図面は、概略図であり、縮尺どおりではない。本発明は、概略図に示される要素に限定されない。さらに、本発明は、図１または２に関連して説明されたリソグラフィ装置１に制限されない。上述した実施形態は、組合せてもよいことを理解されたい。
【図１】
2011517135.tif 000004
【図２】
2011517135.tif 000005
【図３ａ】
2011517135.tif 000006
【図３ｂ】
2011517135.tif 000007
【図３ｃ．１】
2011517135.tif 000008
【図３ｃ．２】
2011517135.tif 000009
【図３ｄ】
2011517135.tif 000010
【国際調査報告】
2011517135.tif 000011
2011517135.tif 000012
2011517135.tif 000013