(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｌ１０型規則格子のＦｅ−Ｐｔ合金と非磁性材料を主成分とする焼結体スパッタリグターゲットであって、ＣｏもしくはＮｉのいずれか一方又は両方をスパッタリングターゲットの金属成分中の原子数比率で、０．０５〜０．５％含有することを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項２】
Ｆｅ、Ｐｔ、Ｃｏ、Ｎｉ以外に、Ａｇ、Ａｕ、Ｂ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｉｒ、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｐｄ、Ｒｅ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｔａ、Ｗ、Ｖ、Ｚｎから選択されるいずれか一種以上の元素を、金属成分として含有することを特徴とする請求項１記載のスパッタリングターゲット。
【請求項３】
非磁性材料として、炭素、炭化物、酸化物、窒化物のいずれか一種以上を含有することを特徴とする請求項１又は２記載のスパッタリングターゲット。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気記録媒体における磁性薄膜の形成に使用されるスパッタリングターゲットに関する。
【背景技術】
【０００２】
ハードディスクドライブに代表される磁気記録の分野では、磁気記録媒体の磁性薄膜の材料として、強磁性金属であるＣｏ、Ｆｅ、あるいはＮｉをベースとした材料が用いられている。例えば、面内磁気記録方式を採用するハードディスクの磁性薄膜にはＣｏを主成分とするＣｏ−Ｃｒ系やＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ系の強磁性合金が用いられてきた。
また、近年実用化された垂直磁気記録方式を採用するハードディスクの磁性薄膜には、Ｃｏを主成分とするＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ系の強磁性合金と酸化物からなる複合材料が多く用いられている。そして上記の磁性薄膜は、生産性の高さから、上記材料を成分とするスパッタリングターゲットをマグネトロンスパッタ装置でスパッタして作製されることが多い。【０００３】
一方、ハードディスクの記録密度は年々急速に増大しており、１ Ｔｂｉｔ／ｉｎ２を超えつつある。１Ｔｂｉｔ／ｉｎ２に記録密度が達すると記録ｂｉｔのサイズが１０ｎｍを下回るようになり、その場合、熱揺らぎによる超常磁性化が問題となってくると予想される。現在、使用されている磁気記録媒体の材料、例えばＣｏ基合金にＰｔを添加して結晶磁気異方性を高めた材料では十分ではないことが予想される。１０ｎｍ以下のサイズで安定的に強磁性として振る舞う磁性粒子は、より高い結晶磁気異方性を持っている必要があるからである。【０００４】
上記のような理由から、Ｌ１０構造を有するＦｅ−Ｐｔ合金が超高密度記録媒体用材料として注目されている。Ｌ１０構造を有するＦｅ−Ｐｔ合金は高い結晶磁気異方性とともに、耐食性、耐酸化性に優れているため、磁気記録媒体としての応用に適した材料として期待されているものである。
そしてＬ１０構造を有するＦｅ−Ｐｔ合金を超高密度記録媒体用材料として使用する場合には、Ｌ１０構造へ規則化したＦｅ−Ｐｔ磁性粒子を磁気的に孤立させた状態で出来るだけ高密度に方位をそろえて分散させるという技術の開発が求められている。【０００５】
このようなことから、Ｌ１０構造を有するＦｅ−Ｐｔ磁性粒子をＣ（炭素）や酸化物といった非磁性材料で孤立させたグラニュラー構造磁性薄膜が、熱アシスト磁気記録方式を採用した次世代ハードディスクの磁気記録媒体用として提案されている。このグラニュラー構造磁性薄膜は、非磁性材料が磁性粒子を取り囲むことにより磁性粒子間の磁気的相互作用を遮断する構造を有している。
グラニュラー構造の磁性薄膜を有する磁気記録媒体及びこれに関連する公知文献としては、特許文献１、特許文献２、特許文献３、特許文献４、特許文献５を挙げることができる。【０００６】
上記Ｌ１０構造を有するＦｅ−Ｐｔ磁性粒子を有するグラニュラー構造磁性薄膜としては、非磁性材料としてＣを含有する磁性薄膜が、特にその磁気特性の高さから注目されている。ところが、Ｆｅ−Ｐｔ合金とＣからなるスパッタリングターゲットをスパッタしようとすると、スパッタ時にＣの不用意な脱離が生じパーティクル（基板上に付着したゴミ）が大量に発生するという問題がある。この問題を解決するには、Ｆｅ−Ｐｔ合金とＣの密着性を高めたスパッタリングターゲットを提供する必要がある。また、Ｃのかわりに炭化物や窒化物を含有するターゲットを用いても、優れた磁性薄膜が得ることができるが、この場合もスパッタ時にパーティクルが多く発生するという問題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２０００−３０６２２８号公報
【特許文献２】特開２０００−３１１３２９号公報
【特許文献３】特開２００８−５９７３３号公報
【特許文献４】特開２００８−１６９４６４号公報
【特許文献５】特開２００４−１５２４７１号公報
【特許文献６】特開２０１２−２１４８７４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
上記Ｆｅ−Ｐｔ合金は１：１組成付近でＬ１０型規則格子を形成するが、一般に結晶構造が規則格子の材料は延性に乏しく、このような材料は加圧焼結装置を用いて焼結しても、焼結体の密度が上がり難いという問題がある。特に、難焼結材料であるＣ（炭素）を含有するＦｅ−Ｐｔ−Ｃ系では、緻密な焼結体を得ることが極めて難しい。そのためこのような密度の低い焼結体スパッタリングターゲットをスパッタすると、非磁性材料の不用意な脱離が生じて、パーティクル（基板上に付着したゴミ）が大量に発生するという問題がある。
また、Ｆｅ−Ｐｔ合金のＬ１０規則格子では、１３００℃以上まで加熱すると、規則状態から不規則状態へ転移し延性が増すが、そこに含有させる非磁性材料の種類によっては、１３００℃以上の温度で分解してしまうものもある。さらに、１３００℃以上の高温域では、結晶粒の成長による焼結体組織の粗大化が生じることがあり、このような粗大な結晶粒はスパッタ時の異常放電（アーキング）の起点となって、パーティクルが発生するという問題がある。
このようなことから、本発明は、スパッタ時に発生するパーティクル量を大幅に低減したＦｅ−Ｐｔ系合金と非磁性材料からなる焼結体スパッタリングターゲットを提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明者は、ＣｏやＮｉがＦｅ−Ｐｔ合金と同様に１：１組成付近でＬ１０型規則格子を形成するものの、規則状態から不規則状態に転移する温度が、ＣｏＰｔで約８２５℃、ＮｉＰｔで約６４５℃と、ＦｅＰｔの約１３００℃に比べると著しく低いことに着目し、このような元素をＦｅ−Ｐｔ系合金中に含有させることによって、従来技術よりも低い焼結温度で不規則な構造を発現させて、合金の延性を増加させ、高密度の焼結体を作製することができ、このような焼結体スパッタリングターゲットは、スパッタ時に発生するパーティクル量を大幅に低減できるとの知見を得た。
なお、特許文献６には、Ｆｅ、ＰｔおよびＣを含有し、さらにＦｅ、Ｐｔ以外の金属元素を含有するスパッタリングターゲットであって、Ｆｅ、Ｐｔ以外の金属元素としてＣｕ、Ａｇ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｐｄ、Ｃｒ、Ｖ、Ｂを０ａｔ％よりも多く２０ａｔ％以下含有することが記載されている。しかし、特許文献６には、Ｃｕを１０ａｔ％含有する一例しかなく、後述する本発明とは添加元素の種類及び含有量が大きく異なる。【００１０】
このような知見に基づき、本発明は、
１）Ｌ１０型規則格子のＦｅ−Ｐｔ合金と非磁性材料を主成分とする焼結体スパッタリグターゲットであって、ＣｏもしくはＮｉのいずれか一方又は両方をスパッタリングターゲットの金属成分中の原子数比率で０．０５〜０．５％含有することを特徴とするスパッタリングターゲット、
２）Ｆｅ、Ｐｔ、Ｃｏ、Ｎｉ以外に、Ａｇ、Ａｕ、Ｂ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｉｒ、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｐｄ、Ｒｅ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｔａ、Ｗ、Ｖ、Ｚｎから選択されるいずれか一種以上の元素を、金属成分として含有することを特徴とする上記１）記載のスパッタリングターゲット、
３）非磁性材料として、炭素、炭化物、酸化物、窒化物のいずれか一種以上を含有することを特徴とする上記１）又は２）記載のスパッタリングターゲット、を提供する。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、スパッタリングの際に、発生するパーティクル量を大幅に低減したスパッタリングターゲットを提供することができる。これにより、成膜時における歩留まりを著しく向上することができるという、優れた効果を有する。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
本発明のスパッタリングターゲットは、Ｌ１０型規則格子のＦｅ−Ｐｔ合金と非磁性材料を主成分とする焼結体スパッタリングターゲットであって、ＣｏもしくはＮｉのいずれか一方又は両方を、スパッタリングターゲットの金属成分中の原子数比率で０．０５〜０．５％の範囲で含有するものである。
Ｆｅ−Ｐｔ合金の組成として一般には、原子数比率においてＰｔが３５％以上５５％以下、残部がＦｅの割合で配合したものが用いることができるが、有効な磁気記録媒体としての特性を維持できる範囲内であれば、特に制限はない。
【００１３】
本願発明において特に重要なことは、スパッタリングターゲットの金属成分として、ＣｏもしくはＮｉのいずれか一方又は両方を、前記金属成分中の原子数比率で０．０５〜０．５％の範囲で含有することである。
ＣｏやＮｉは、Ｆｅ−Ｐｔ合金と同様に、１：１組成付近でＬ１０型規則格子を形成するが、その規則状態から不規則状態に転移する温度が、ＣｏＰｔで約８２５℃、ＮｉＰｔで約６４５℃と、ＦｅＰｔの約１３００℃に比べて格段に低いため、Ｆｅ−Ｐｔ系合金中にこれらの元素を含有させることにより、低い焼結温度であっても、高密度の焼結体を得ることができ、パーティクルの発生を抑制することができる。
【００１４】
前記のＣｏやＮｉの含有量は、前記金属成分中の原子数比率で、０．０５％以上０．５％以下とする。含有量が０．０５％未満であると、規則状態から不規則状態に転移する温度を十分に低下することができないため密度の向上が期待できず、一方、含有量が０．５％を超えると、磁性薄膜として十分な磁気特性が得られなくなる可能性がある。
ＣｏやＮｉは、いずれか一方又は両方を含有させても同様の効果が得られる。両方を含有させる場合には、その合計含有量をスパッタリングターゲットの金属成分中の原子数比率で０．０５％以上０．５％以下とする必要がある。
なお、本発明は、Ｃｏ、Ｎｉを金属粉として添加させることができるが、スパッタリングターゲットの金属成分中に上記した所定量が含まれていればよいので、その添加の手段については特に問わない。
【００１５】
本発明のスパッタリングターゲットは、Ｆｅ、Ｐｔ、Ｃｏ、Ｎｉ以外に、Ａｇ、Ａｕ、Ｂ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｉｒ、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｐｄ、Ｒｅ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｔａ、Ｗ、Ｖ、Ｚｎから選択されるいずれか一種以上の元素を、金属成分として含有することができる。
これらの金属元素は、スパッタされた薄膜において、主にＬ１０構造を発現するための熱処理の温度を下げるために添加するものである。その配合割合は、有効な磁気記録媒体としての特性を維持できる範囲内であれば、特に制限はないが、添加割合は前記金属成分中の原子数比率で１ａｔ％以上、１２ａｔ％以下とすることが望ましい。
【００１６】
また、本発明のスパッタリングターゲットは、非磁性材料として、炭素、炭化物、窒化物、酸化物を含有することができる。このようなスパッタリングターゲットから作製された磁性膜は、炭素、炭化物、窒化物、酸化物が磁性粒子同士の磁気的な相互作用を絶縁する構造をとるため、良好な磁気特性が期待される。特に、炭素を含有する場合、密度向上の観点から、上記のＣｏやＮｉを含有させることが効果的である。非磁性材料の配合量は、有効な磁気記録媒体としての特性を維持できる範囲内であれば、特に制限はないが、ターゲット中の体積比率で２０ｖｏｌ％以上、４０ｖｏｌ％以下とすることが好ましい。
【００１７】
本発明のスパッタリングターゲットは、粉末焼結法を用いて、例えば、以下の方法によって作製することができる。
まず、金属粉としてＦｅ粉、Ｐｔ粉、Ｃｏ粉、Ｎｉ粉、Ｃｕ粉などを用意する。金属粉としては、単元素の金属粉だけでなく、合金粉を用いることもできる。これらの金属粉は粒径が１〜１０μｍの範囲のものを用いることが望ましい。粒径が１〜１０μｍであるとより均一な混合が可能であり、偏析と粗大結晶化を防止できる。金属粉末の粒径が１０μｍより大きい場合には、非磁性材料が均一に分散しないことがあり、また、１μｍより小さい場合には、金属粉の酸化の影響でターゲットの組成が所望の組成から外れてくるという問題が生じることがある。なお、この粒径範囲はあくまで好ましい範囲であり、これを逸脱することが本願発明を否定する条件でないことは当然理解されるべきである。
【００１８】
また、非磁性材料の粉末として、Ｃ粉、炭化物粉、窒化物粉などを用意する。非磁性材料粉末は粒径が１〜３０μｍの範囲のものを用いることが望ましい。粒径が１〜３０μｍであると前述の金属粉と混合した際に、非磁性材料粉同士が凝集しにくくなり、均一に分散させることが可能になる。非磁性材料のうちＣ粉に関しては、グラファイト（黒鉛）やナノチューブのように結晶構造を有するものと、カーボンブラックに代表される非晶質のものがあるが、いずれのＣ粉を使用することができる。
【００１９】
次に、上記の原料粉を所望の組成になるように秤量し、ボールミル等の公知の手法を用いて粉砕を兼ねて混合する。このとき、粉砕容器内に不活性ガスを封入して原料粉の酸化をできるかぎり抑制することが望ましい。
【００２０】
このようにして得られた混合粉末をホットプレス法で真空雰囲気、あるいは、不活性ガス雰囲気において成型・焼結させる。また、前記ホットプレス以外にも、プラズマ放電焼結法など様々な加圧焼結方法を使用することができる。特に、熱間静水圧焼結法は焼結体の密度向上に有効である。焼結時の保持温度は、ターゲットの構成成分にもよるが、多くの場合、８００〜１５００°Ｃの温度範囲とする。
そして、得られた焼結体を旋盤で所望の形状に加工することにより、本発明のスパッタリングターゲットを作製することができる。
【００２１】
以上により本発明のスパッタリングターゲットを製造することができる。このようにして製造したスパッタリングターゲットは、スパッタ時に発生するパーティクル量を低減することができ、成膜時における歩留まりを向上することができるという優れた効果を有する。
【実施例】
【００２２】
以下、実施例および比較例に基づいて説明する。なお、本実施例はあくまで一例であり、この例によって何ら制限されるものではない。すなわち、本発明は特許請求の範囲によってのみ制限されるものであり、本発明に含まれる実施例以外の種々の変形を包含するものである。【００２３】
（実施例１）
原料粉として平均粒径３μｍのＦｅ粉、平均粒径３μｍのＰｔ粉、平均粒径３μｍのＣｏ粉、平均粒径１０μｍのＣ粉（グラファイト粉）を用意した。そして以下の組成比で合計の重量が２６００ｇとなるように秤量した。なお、実施例１では、スパッタリングターゲットの金属成分中の原子数比率で０．２５％に相当する量のＣｏを秤量した。
秤量組成（分子数比率）：２９．８５Ｆｅ−０．１５Ｃｏ−３０Ｐｔ−４０Ｃ【００２４】
次に秤量した全ての粉末を、粉砕媒体のＳＵＳボールと共に容量１０リットルのボールミルポットに投入し、Ａｒ雰囲気中で１６時間回転させて混合・粉砕した。そしてポットから取り出した粉末をカーボン製の型に充填しホットプレス装置を用いて成型・焼結させた。ホットプレスの条件は、真空雰囲気、昇温速度３００°Ｃ／時間、保持温度１５００°Ｃ、保持時間２時間とし、昇温開始時から保持終了まで３０ＭＰａで加圧した。保持終了後はチャンバー内でそのまま自然冷却させた。【００２５】
次に作製した焼結体から採取した小片を用いて組成分析を実施した。Ｆｅ、Ｐｔ、ＣｏはＩＣＰ−ＡＥＳ装置を用いて測定し、Ｃは高周波誘導加熱炉燃焼−赤外線吸収法を採用した炭素分析装置で測定した。こうして得られた重量比率から分子数比率を計算した結果、このターゲットの組成は以下のとおりであった。このとき、Ｃｏの含有量は、スパッタリングターゲットの金属成分中の原子数比率で、０．２５％であった。
分析組成（分子数比率）：３０．２０Ｆｅ−０．１５Ｃｏ−２９．９７Ｐｔ−３９．６８Ｃ【００２６】
さらに旋盤を用いて、焼結体を直径１８０．０ｍｍ、厚さ５．０ｍｍの形状へ切削加工し、円盤状のターゲットを得た。このターゲットをマグネトロンスパッタ装置（キヤノンアネルバ製Ｃ-３０１０スパッタリングシステム）に取り付け、スパッタリングを行った。スパッタリングの条件は、投入電力１ｋＷ、Ａｒガス圧１．７Ｐａとし、２ｋＷｈｒのプレスパッタリングを実施した後、４インチ径のシリコン基板上に２０秒間成膜した。基板上へ付着したパーティクルの個数をパーティクルカウンターで測定した。このときのパーティクル個数は１６６個であった。【００２７】
（比較例１）
原料粉として平均粒径３μｍのＦｅ粉、平均粒径３μｍのＰｔ粉、平均粒径１０μｍのＣ粉（グラファイト粉）を用意した。そして以下の組成比で合計の重量が２６００ｇとなるように秤量した。なお、比較例１ではＣｏ粉は添加しなかった。
秤量組成（分子数比率）：３０Ｆｅ−３０Ｐｔ−４０Ｃ【００２８】
次に秤量した全ての粉末を、粉砕媒体のＳＵＳボールと共に容量１０リットルのボールミルポットに投入し、Ａｒ雰囲気中で１６時間回転させて混合・粉砕した。そしてポットから取り出した粉末をカーボン製の型に充填しホットプレス装置を用いて成型・焼結させた。ホットプレスの条件は、真空雰囲気、昇温速度３００°Ｃ／時間、保持温度１５００°Ｃ、保持時間２時間とし、昇温開始時から保持終了まで３０ＭＰａで加圧した。保持終了後はチャンバー内でそのまま自然冷却させた。【００２９】
次に作製した焼結体から採取した小片を用いて組成分析を実施した。Ｆｅ、ＰｔはＩＣＰ−ＡＥＳ装置を用いて測定し、Ｃは高周波誘導加熱炉燃焼−赤外線吸収法を採用した炭素分析装置で測定した。こうして得られた重量比率から分子数比率を計算した結果、このターゲットの組成は以下のとおりであった。
分析組成（分子数比率）：３０．２５Ｆｅ−３０．０５Ｐｔ−３９．７０Ｃ【００３０】
さらに旋盤を用いて、焼結体を直径１８０．０ｍｍ、厚さ５．０ｍｍの形状へ切削加工し、円盤状のターゲットを得た。このターゲットを用いて実施例１と同一条件でスパッタリングを行い、基板上へ付着したパーティクルの個数をパーティクルカウンターで測定した。このときのパーティクル個数は３２４個と、実施例１より増加した。【００３１】
（比較例２）
原料粉として平均粒径３μｍのＦｅ粉、平均粒径３μｍのＰｔ粉、平均粒径３μｍのＣｏ粉、平均粒径１０μｍのＣ粉（グラファイト粉）を用意した。そして以下の組成比で合計の重量が２６００ｇとなるように秤量した。なお、比較例２では、スパッタリングターゲットの金属成分中の原子数比率で１０．０％に相当する量のＣｏを秤量した。
秤量組成（分子数比率）：２４Ｆｅ−６Ｃｏ−３０Ｐｔ−４０Ｃ【００３２】
次に秤量した全ての粉末を、粉砕媒体のＳＵＳボールと共に容量１０リットルのボールミルポットに投入し、Ａｒ雰囲気中で１６時間回転させて混合・粉砕した。そしてポットから取り出した粉末をカーボン製の型に充填しホットプレス装置を用いて成型・焼結させた。ホットプレスの条件は、真空雰囲気、昇温速度３００°Ｃ／時間、保持温度１５００°Ｃ、保持時間２時間とし、昇温開始時から保持終了まで３０ＭＰａで加圧した。保持終了後はチャンバー内でそのまま自然冷却させた。【００３３】
次に作製した焼結体から採取した小片を用いて組成分析を実施した。Ｆｅ、Ｐｔ、ＣｏはＩＣＰ−ＡＥＳ装置を用いて測定し、Ｃは高周波誘導加熱炉燃焼−赤外線吸収法を採用した炭素分析装置で測定した。こうして得られた重量比率から分子数比率を計算した結果、このターゲットの組成は以下のとおりであった。このとき、Ｃｏの含有量はスパッタリングターゲットの金属成分中の原子数比率で、１０．０５％であった。
分析組成（分子数比率）：２４．３３Ｆｅ−６．０７Ｃｏ−２９．９８Ｐｔ−３９．６２Ｃ【００３４】
さらに旋盤を用いて、焼結体を直径１８０．０ｍｍ、厚さ５．０ｍｍの形状へ切削加工し、円盤状のターゲットを得た。このターゲットを用いて実施例１と同一条件でスパッタリングを行い、基板上へ付着したパーティクルの個数をパーティクルカウンターで測定した。このときのパーティクル個数は１５３個と、実施例１より減少した。一方で、実施例１と比較すると十分な磁気特性が得られなかった。これは、Ｃｏの含有量が多く、飽和磁化や結晶磁気異方性エネルギーが低下したためと考えられる。【００３５】
（実施例２）
原料粉として平均粒径３μｍのＦｅ粉、平均粒径３μｍのＰｔ粉、平均粒径３μｍのＮｉ粉、平均粒径１μｍのＳｉＯ２粉を用意した。そして以下の組成比で合計の重量が２１００ｇとなるように秤量した。なお、実施例２では、スパッタリングターゲットの金属成分中の原子数比率で、０．０７５％に相当する量のＮｉを秤量した。
秤量組成（分子数比率）：３９．９４Ｆｅ−０．０６Ｎｉ−４０Ｐｔ−２０ＳｉＯ２【００３６】
次に秤量した全ての粉末を、粉砕媒体のＳＵＳボールと共に容量１０リットルのボールミルポットに投入し、Ａｒ雰囲気中で１６時間回転させて混合・粉砕した。そしてポットから取り出した粉末をカーボン製の型に充填しホットプレス装置を用いて成型・焼結させた。ホットプレスの条件は、真空雰囲気、昇温速度３００°Ｃ／時間、保持温度１２００°Ｃ、保持時間２時間とし、昇温開始時から保持終了まで３０ＭＰａで加圧した。保持終了後はチャンバー内でそのまま自然冷却させた。【００３７】
次に作製した焼結体から採取した小片を用いて組成分析を実施した。Ｆｅ、Ｐｔ、Ｎｉ、ＳｉをＩＣＰ−ＡＥＳ装置を用いて測定した。ＳｉＯ２の含有量はＳｉの測定値から化学量論比率を用いて計算した。測定結果として得られた重量比率から分子数比率を計算した結果、このターゲットの組成は以下のとおりであった。このとき、Ｎｉの含有量はスパッタリングターゲットの金属成分中の原子数比率で、０．０７５％であった。
分析組成（分子数比率）：３９．９２Ｆｅ−０．０６Ｎｉ−４０．０５Ｐｔ−１９．９７ＳｉＯ２【００３８】
さらに、旋盤を用いて、焼結体を直径１８０．０ｍｍ、厚さ５．０ｍｍの形状へ切削加工し、円盤状のターゲットを得た。このターゲットを用いて実施例１と同一条件でスパッタリングを行い、基板上へ付着したパーティクルの個数をパーティクルカウンターで測定した。このときのパーティクル個数は２１個であった。【００３９】
（比較例３）
原料粉として平均粒径３μｍのＦｅ粉、平均粒径３μｍのＰｔ粉、平均粒径１μｍのＳｉＯ２粉を用意した。そして以下の組成比で合計の重量が２１００ｇとなるように秤量した。また、比較例３では、Ｎｉ粉は添加しなかった。
秤量組成（分子数比率）：４０Ｆｅ−４０Ｐｔ−２０ＳｉＯ２【００４０】
次に秤量した全ての粉末を、粉砕媒体のＳＵＳボールと共に容量１０リットルのボールミルポットに投入し、Ａｒ雰囲気中で１６時間回転させて混合・粉砕した。そしてポットから取り出した粉末をカーボン製の型に充填しホットプレス装置を用いて成型・焼結させた。ホットプレスの条件は、真空雰囲気、昇温速度３００°Ｃ／時間、保持温度１２００°Ｃ、保持時間２時間とし、昇温開始時から保持終了まで３０ＭＰａで加圧した。保持終了後はチャンバー内でそのまま自然冷却させた。【００４１】
次に、作製した焼結体から採取した小片を用いて組成分析を実施した。Ｆｅ、Ｐｔ、ＳｉをＩＣＰ−ＡＥＳ装置を用いて測定した。ＳｉＯ２の含有量はＳｉの測定値から化学量論比率を用いて計算した。こうして得られた重量比率から分子数比率を計算した結果、このターゲットの組成は以下のとおりであった。
分析組成（分子数比率）：４０．０５Ｆｅ−３９．９２Ｐｔ−２０．０３ＳｉＯ２【００４２】
さらに旋盤を用いて、焼結体を直径１８０．０ｍｍ、厚さ５．０ｍｍの形状へ切削加工し、円盤状のターゲットを得た。このターゲットを用いてマグネトロンスパッタ装置に取り付け、実施例１と同一条件でスパッタリングを行い、基板上へ付着したパーティクルの個数をパーティクルカウンターで測定した。このときのパーティクル個数は３５個と、実施例２より増加した。【００４３】
（比較例４）
原料粉として平均粒径３μｍのＦｅ粉、平均粒径３μｍのＰｔ粉、平均粒径３μｍのＮｉ粉、平均粒径１μｍのＳｉＯ２粉を用意した。そして以下の組成比で合計の重量が２１００ｇとなるように秤量した。なお、比較例４では、スパッタリングターゲットの金属成分中の原子数比率で、２．０％に相当する量のＮｉを秤量した。
秤量組成（分子数比率）：３８．４Ｆｅ−１．６Ｎｉ−４０Ｐｔ−２０ＳｉＯ２【００４４】
次に秤量した全ての粉末を、粉砕媒体のＳＵＳボールと共に容量１０リットルのボールミルポットに投入し、Ａｒ雰囲気中で１６時間回転させて混合・粉砕した。そしてポットから取り出した粉末をカーボン製の型に充填しホットプレス装置を用いて成型・焼結させた。ホットプレスの条件は、真空雰囲気、昇温速度３００°Ｃ／時間、保持温度１２００°Ｃ、保持時間２時間とし、昇温開始時から保持終了まで３０ＭＰａで加圧した。保持終了後はチャンバー内でそのまま自然冷却させた。【００４５】
次に作製した焼結体から採取した小片を用いて組成分析を実施した。Ｆｅ、Ｐｔ、Ｎｉ、ＳｉをＩＣＰ−ＡＥＳ装置を用いて測定した。ＳｉＯ２の含有量はＳｉの測定値から化学量論比率を用いて計算した。こうして得られた重量比率から分子数比率を計算した結果、このターゲットの組成は以下のとおりであった。このときＮｉの含有量はスパッタリングターゲットの金属成分中の原子数比率で、２．０１％であった。
分析組成（分子数比率）：３８．３４Ｆｅ−１．６１Ｎｉ−３９．９８Ｐｔ−２０．０７ＳｉＯ２【００４６】
さらに旋盤を用いて、焼結体を直径１８０．０ｍｍ、厚さ５．０ｍｍの形状へ切削加工し、円盤状のターゲットを得た。このターゲットを用いて実施例１と同一条件でスパッタリングを行い、基板上へ付着したパーティクルの個数をパーティクルカウンターで測定した。このときのパーティクル個数は２５個と、実施例２とほぼ同程度であった。一方で、実施例２と比較すると十分な磁気特性が得られなかった。これは、Ｎｉの含有量が多く、飽和磁化や結晶磁気異方性エネルギーが低下したためと考えられる。【００４７】
（実施例３）
原料粉として平均粒径３μｍのＦｅ粉、平均粒径３μｍのＰｔ粉、平均粒径３μｍのＣｏ粉、平均粒径１０μｍのＢＮ粉を用意した。そして以下の組成比で合計の重量が２４００ｇとなるように秤量した。なお、実施例３では、スパッタリングターゲットの金属成分中の原子数比率で、０．２％に相当する量のＣｏを秤量した。
秤量組成（分子数比率）：３４．８６Ｆｅ−０．１４Ｃｏ−３５Ｐｔ−３０ＢＮ【００４８】
次に秤量した全ての粉末を、粉砕媒体のＳＵＳボールと共に容量１０リットルのボールミルポットに投入し、Ａｒ雰囲気中で１６時間回転させて混合・粉砕した。そしてポットから取り出した粉末をカーボン製の型に充填しホットプレス装置を用いて成型・焼結させた。ホットプレスの条件は、真空雰囲気、昇温速度３００°Ｃ／時間、保持温度１２００°Ｃ、保持時間２時間とし、昇温開始時から保持終了まで３０ＭＰａで加圧した。保持終了後はチャンバー内でそのまま自然冷却させた。【００４９】
次に、作製した焼結体から採取した小片を用いて組成分析を実施した。Ｆｅ、Ｐｔ、Ｃｏ、ＢをＩＣＰ−ＡＥＳ装置を用いて測定した。ＢＮの含有量はＢの測定値から化学量論比率を用いて計算した。測定結果として得られた重量比率から分子数比率を計算した結果、このターゲットの組成は以下のとおりであった。このときＣｏの含有量はスパッタリングターゲットの金属成分中の原子数比率で、０．２１％であった。
分析組成（分子数比率）：３５．１０Ｆｅ−０．１５Ｃｏ−３５．０３Ｐｔ−２９．７２ＢＮ【００５０】
さらに旋盤を用いて、焼結体を直径１８０．０ｍｍ、厚さ５．０ｍｍの形状へ切削加工し、円盤状のターゲットを得た。このターゲットを用いてマグネトロンスパッタ装置に取り付けスパッタリングを行い、基板上へ付着したパーティクルの個数をパーティクルカウンターで測定した。このときのパーティクル個数は８７個であった。【００５１】
（比較例５）
原料粉として平均粒径３μｍのＦｅ粉、平均粒径３μｍのＰｔ粉、平均粒径１０μｍのＢＮ粉を用意した。そして以下の組成比で合計の重量が２４００ｇとなるように秤量した。なお、比較例５では、Ｃｏ粉は添加しなかった。
秤量組成（分子数比率）：３５Ｆｅ−３５Ｐｔ−３０ＢＮ【００５２】
次に秤量した全ての粉末を、粉砕媒体のＳＵＳボールと共に容量１０リットルのボールミルポットに投入し、Ａｒ雰囲気中で１６時間回転させて混合・粉砕した。そしてポットから取り出した粉末をカーボン製の型に充填しホットプレス装置を用いて成型・焼結させた。ホットプレスの条件は、真空雰囲気、昇温速度３００°Ｃ／時間、保持温度１２００°Ｃ、保持時間２時間とし、昇温開始時から保持終了まで３０ＭＰａで加圧した。保持終了後はチャンバー内でそのまま自然冷却させた。【００５３】
次に、作製した焼結体から採取した小片を用いて組成分析を実施した。Ｆｅ、Ｐｔ、ＢをＩＣＰ−ＡＥＳ装置を用いて測定した。ＢＮの含有量はＢの測定値から化学量論比率を用いて計算した。こうして得られた重量比率から分子数比率を計算した結果、このターゲットの組成は以下のとおりであった。
分析組成（分子数比率）：３５．３７Ｆｅ−３４．７５Ｐｔ−２９．８８ＢＮ【００５４】
さらに旋盤を用いて、焼結体を直径１８０．０ｍｍ、厚さ５．０ｍｍの形状へ切削加工し、円盤状のターゲットを得た。このターゲットを用いてマグネトロンスパッタ装置に取り付け、実施例１と同一条件でスパッタリングを行い、基板上へ付着したパーティクルの個数をパーティクルカウンターで測定した。このときのパーティクル個数は２３５個と、実施例３より増加した。これは、合金とＢＮの密着性が不十分で、ＢＮがスパッタリング中に脱粒しやすい状態であったためと考えられる。【００５５】
（比較例６）
原料粉として平均粒径３μｍのＦｅ粉、平均粒径３μｍのＰｔ粉、平均粒径３μｍのＣｏ粉、平均粒径１０μｍのＢＮ粉を用意した。そして以下の組成比で合計の重量が２４００ｇとなるように秤量した。なお、比較例６では、スパッタリングターゲットの金属成分中の原子数比率で、２０．０％に相当する量のＣｏを秤量した。
秤量組成（分子数比率）：２１Ｆｅ−１４Ｃｏ−３５Ｐｔ−３０ＢＮ【００５６】
次に秤量した全ての粉末を、粉砕媒体のＳＵＳボールと共に容量１０リットルのボールミルポットに投入し、Ａｒ雰囲気中で１６時間回転させて混合・粉砕した。そしてポットから取り出した粉末をカーボン製の型に充填しホットプレス装置を用いて成型・焼結させた。ホットプレスの条件は、真空雰囲気、昇温速度３００°Ｃ／時間、保持温度１２００°Ｃ、保持時間２時間とし、昇温開始時から保持終了まで３０ＭＰａで加圧した。保持終了後はチャンバー内でそのまま自然冷却させた。【００５７】
次に、作製した焼結体から採取した小片を用いて組成分析を実施した。Ｆｅ、Ｐｔ、Ｃｏ、ＢをＩＣＰ−ＡＥＳ装置を用いて測定した。ＢＮの含有量はＢの測定値から化学量論比率を用いて計算した。こうして得られた重量比率から分子数比率を計算した結果、このターゲットの組成は以下のとおりであった。このときＣｏの含有量はスパッタリングターゲットの金属成分中の原子数比率で、１９．９１％であった。
分析組成（分子数比率）：２１．２１Ｆｅ−１３．９９Ｃｏ−３５．０５Ｐｔ−２９．７５ＢＮ【００５８】
さらに旋盤を用いて、焼結体を直径１８０．０ｍｍ、厚さ５．０ｍｍの形状へ切削加工し、円盤状のターゲットを得た。このターゲットを用いて実施例１と同一条件でスパッタリングを行い、基板上へ付着したパーティクルの個数をパーティクルカウンターで測定した。このときのパーティクル個数は１０１個で、実施例３とほぼ同等であった。一方で、実施例２と比較すると十分な磁気特性が得られなかった。これは、Ｃｏの含有量が多く、飽和磁化や結晶磁気異方性エネルギーが低下したためと考えられる。【００５９】
（実施例４）
原料粉として平均粒径３μｍのＦｅ粉、平均粒径３μｍのＰｔ粉、平均粒径３μｍのＮｉ粉、平均粒径５μｍのＣｕ粉、平均粒径５μｍのＴａＣ粉を用意した。そして以下の組成比で合計の重量が３４００ｇとなるように秤量した。なお、実施例４では、スパッタリングターゲットの金属成分中の原子数比率で、０．４％に相当する量のＮｉを秤量した。
秤量組成（分子数比率）：３７．２８Ｆｅ−０．３２Ｎｉ−３７．６Ｐｔ−４．８Ｃｕ−２０ＴａＣ【００６０】
次に秤量した全ての粉末を、粉砕媒体のＳＵＳボールと共に容量１０リットルのボールミルポットに投入し、Ａｒ雰囲気中で１６時間回転させて混合・粉砕した。そしてポットから取り出した粉末をカーボン製の型に充填しホットプレス装置を用いて成型・焼結させた。ホットプレスの条件は、真空雰囲気、昇温速度３００°Ｃ／時間、保持温度１１５０°Ｃ、保持時間２時間とし、昇温開始時から保持終了まで３０ＭＰａで加圧した。保持終了後はチャンバー内でそのまま自然冷却させた。【００６１】
次に作製した焼結体から採取した小片を用いて組成分析を実施した。Ｆｅ、Ｐｔ、Ｃｕ、ＮｉはＩＣＰ−ＡＥＳ装置を用いて、Ｃは高周波誘導加熱炉燃焼−赤外線吸収法を採用した炭素分析装置で測定した。ＴａＣの含有量はＣの測定値から化学量論比率を用いて計算した。測定結果として得られた重量比率から分子数比率を計算した結果、このターゲットの組成は以下のとおりであった。このときＮｉの含有量はスパッタリングターゲットの金属成分中の原子数比率で、０．４０％であった。
分析組成（分子数比率）：３７．２５Ｆｅ−０．３２Ｎｉ−３７．６２Ｐｔ−４．７８Ｃｕ−２０．０３ＴａＣ【００６２】
さらに旋盤を用いて、焼結体を直径１８０．０ｍｍ、厚さ５．０ｍｍの形状へ切削加工し、円盤状のターゲットを得た。このターゲットを用いて実施例１と同一条件でスパッタリングを行い、基板上へ付着したパーティクルの個数をパーティクルカウンターで測定した。このときのパーティクル個数は４８７個であった。【００６３】
（比較例７）
原料粉として平均粒径３μｍのＦｅ粉、平均粒径３μｍのＰｔ粉、平均粒径５μｍのＣｕ粉、平均粒径５μｍのＴａＣ粉を用意した。そして以下の組成比で合計の重量が３４００ｇとなるように秤量した。なお、比較例７では、Ｎｉ粉は添加しなかった。
秤量組成（分子数比率）：３７．６Ｆｅ−３７．６Ｐｔ−４．８Ｃｕ−２０ＴａＣ【００６４】
次に秤量した全ての粉末を、粉砕媒体のＳＵＳボールと共に容量１０リットルのボールミルポットに投入し、Ａｒ雰囲気中で１６時間回転させて混合・粉砕した。そしてポットから取り出した粉末をカーボン製の型に充填しホットプレス装置を用いて成型・焼結させた。ホットプレスの条件は、真空雰囲気、昇温速度３００°Ｃ／時間、保持温度１１５０°Ｃ、保持時間２時間とし、昇温開始時から保持終了まで３０ＭＰａで加圧した。保持終了後はチャンバー内でそのまま自然冷却させた。【００６５】
次に作製した焼結体から採取した小片を用いて組成分析を実施した。Ｆｅ、Ｐｔ、Ｃｕ、はＩＣＰ−ＡＥＳ装置を用いて、Ｃは高周波誘導加熱炉燃焼−赤外線吸収法を採用した炭素分析装置で測定した。ＴａＣの含有量はＣの測定値から化学量論比率を用いて計算した。こうして得られた重量比率から分子数比率を計算した結果、このターゲットの組成は以下のとおりであった。
分析組成（分子数比率）：３７．６０Ｆｅ−３７．５７Ｐｔ−４．７６Ｃｕ−２０．０７ＴａＣ【００６６】
さらに旋盤を用いて、焼結体を直径１８０．０ｍｍ、厚さ５．０ｍｍの形状へ切削加工し、円盤状のターゲットを得た。このターゲットを用いてマグネトロンスパッタ装置に取り付け、実施例１と同一条件でスパッタリングを行い、基板上へ付着したパーティクルの個数をパーティクルカウンターで測定した。このときのパーティクル個数は５９０個で、実施例４より増加した。これは、合金とＴａＣの密着性が不十分で、ＴａＣがスパッタリング中に脱粒しやすい状態であったためと考えられる。【００６７】
（比較例８）
原料粉として平均粒径３μｍのＦｅ粉、平均粒径３μｍのＰｔ粉、平均粒径３μｍのＮｉ粉、平均粒径５μｍのＣｕ粉、平均粒径５μｍのＴａＣ粉を用意した。そして以下の組成比で合計の重量が３４００ｇとなるように秤量した。なお、比較例８では、スパッタリングターゲットの金属成分中の原子数比率で、１７．０％に相当する量のＮｉを秤量した。
秤量組成（分子数比率）：２４Ｆｅ−１３．６Ｎｉ−３７．６Ｐｔ−４．８Ｃｕ−２０ＴａＣ【００６８】
次に秤量した全ての粉末を、粉砕媒体のＳＵＳボールと共に容量１０リットルのボールミルポットに投入し、Ａｒ雰囲気中で１６時間回転させて混合・粉砕した。そしてポットから取り出した粉末をカーボン製の型に充填しホットプレス装置を用いて成型・焼結させた。ホットプレスの条件は、真空雰囲気、昇温速度３００°Ｃ／時間、保持温度１１５０°Ｃ、保持時間２時間とし、昇温開始時から保持終了まで３０ＭＰａで加圧した。保持終了後はチャンバー内でそのまま自然冷却させた。【００６９】
次に、作製した焼結体から採取した小片を用いて組成分析を実施した。Ｆｅ、Ｐｔ、Ｃｕ、ＮｉはＩＣＰ−ＡＥＳ装置を用いて、Ｃは高周波誘導加熱炉燃焼−赤外線吸収法を採用した炭素分析装置で測定した。ＴａＣの含有量はＣの測定値から化学量論比率を用いて計算した。こうして得られた重量比率から分子数比率を計算した結果、このターゲットの組成は以下のとおりであった。このときＣｏの含有量はスパッタリングターゲットの金属成分中の原子数比率で、１７．０５％であった。
分析組成（分子数比率）：２３．９８Ｆｅ−１３．６３Ｎｉ−３７．５６Ｐｔ−４．７９Ｃｕ−２０．０４ＴａＣ【００７０】
さらに旋盤を用いて、焼結体を直径１８０．０ｍｍ、厚さ５．０ｍｍの形状へ切削加工し、円盤状のターゲットを得た。このターゲットを用いて実施例１と同一条件でスパッタリングを行い、基板上へ付着したパーティクルの個数をパーティクルカウンターで測定した。このときのパーティクル個数は４２５個と、実施例４より減少した。一方で、実施例４と比較すると十分な磁気特性が得られなかった。これは、Ｎｉの含有量が多く、飽和磁化や結晶磁気異方性エネルギーが低下したためと考えられる。【００７１】
（実施例５）
原料粉として平均粒径３μｍのＦｅ粉、平均粒径３μｍのＰｔ粉、平均粒径３μｍのＣｏ粉、平均粒径１０μｍのＣ粉、平均粒径１μｍのＳｉＯ２粉を用意した。そして以下の組成比で合計の重量が２５００ｇとなるように秤量した。なお、実施例５では、スパッタリングターゲットの金属成分中の原子数比率で、０．５％に相当する量のＣｏを秤量した。
秤量組成（分子数比率）：３４．６５Ｆｅ−０．３５Ｃｏ−３５Ｐｔ−２５Ｃ−５ＳｉＯ２【００７２】
次に秤量した全ての粉末を、粉砕媒体のＳＵＳボールと共に容量１０リットルのボールミルポットに投入し、Ａｒ雰囲気中で１６時間回転させて混合・粉砕した。そしてポットから取り出した粉末をカーボン製の型に充填しホットプレス装置を用いて成型・焼結させた。ホットプレスの条件は、窒素雰囲気、昇温速度３００°Ｃ／時間、保持温度１１００°Ｃ、保持時間２時間とし、昇温開始時から保持終了まで３０ＭＰａで加圧した。保持終了後はチャンバー内でそのまま自然冷却させた。【００７３】
次に、作製した焼結体から採取した小片を用いて組成分析を実施した。Ｆｅ、Ｐｔ、Ｃｏ、ＳｉはＩＣＰ−ＡＥＳ装置を用いて測定し、Ｃは高周波誘導加熱炉燃焼−赤外線吸収法を採用した炭素分析装置で測定した。ＳｉＯ２の含有量はＳｉの測定値から化学量論比率を用いて計算した。こうして得られた重量比率から分子数比率を計算した結果、このターゲットの組成は以下のとおりであった。このときＣｏの含有量はスパッタリングターゲットの金属成分中の原子数比率で、０．５０％であった。
分析組成（分子数比率）：３４．９８Ｆｅ−０．３５Ｃｏ−３４．９８Ｐｔ−２４．７２Ｃ−４．９７ＳｉＯ２【００７４】
さらに旋盤を用いて、焼結体を直径１８０．０ｍｍ、厚さ５．０ｍｍの形状へ切削加工し、円盤状のターゲットを得た。このターゲットを用いて実施例１と同一条件でスパッタリングを行い、基板上へ付着したパーティクルの個数をパーティクルカウンターで測定した。このときのパーティクル個数は１１７個であった。【００７５】
（比較例９）
原料粉として平均粒径３μｍのＦｅ粉、平均粒径３μｍのＰｔ粉、平均粒径１０μｍのＣ粉、平均粒径１μｍのＳｉＯ２粉を用意した。そして以下の組成比で合計の重量が２５００ｇとなるように秤量した。なお、比較例９では、Ｃｏ粉は添加しなかった。
秤量組成（分子数比率）：３５Ｆｅ−３５Ｐｔ−２５Ｃ−５ＳｉＯ２【００７６】
次に秤量した全ての粉末を、粉砕媒体のＳＵＳボールと共に容量１０リットルのボールミルポットに投入し、Ａｒ雰囲気中で１６時間回転させて混合・粉砕した。そしてポットから取り出した粉末をカーボン製の型に充填しホットプレス装置を用いて成型・焼結させた。ホットプレスの条件は、窒素雰囲気、昇温速度３００°Ｃ／時間、保持温度１１００°Ｃ、保持時間２時間とし、昇温開始時から保持終了まで３０ＭＰａで加圧した。保持終了後はチャンバー内でそのまま自然冷却させた。【００７７】
次に作製した焼結体から採取した小片を用いて組成分析を実施した。Ｆｅ、Ｐｔ、ＳｉはＩＣＰ−ＡＥＳ装置を用いて測定し、Ｃは高周波誘導加熱炉燃焼−赤外線吸収法を採用した炭素分析装置で測定した。ＳｉＯ２の含有量はＳｉの測定値から化学量論比率を用いて計算した。こうして得られた重量比率から分子数比率を計算した結果、このターゲットの組成は以下のとおりであった。
分析組成（分子数比率）：３４．９５Ｆｅ−３５．２７Ｐｔ−２４．８０Ｃ−４．９８ＳｉＯ２【００７８】
さらに旋盤を用いて、焼結体を直径１８０．０ｍｍ、厚さ５．０ｍｍの形状へ切削加工し、円盤状のターゲットを得た。このターゲットを用いて実施例１と同一条件でスパッタリングを行い、基板上へ付着したパーティクルの個数をパーティクルカウンターで測定した。このときのパーティクル個数は１６４個と、実施例５より増加した。【００７９】
（比較例１０）
原料粉として平均粒径３μｍのＦｅ粉、平均粒径３μｍのＰｔ粉、平均粒径３μｍのＣｏ粉、平均粒径１０μｍのＣ粉、平均粒径１μｍのＳｉＯ２粉を用意した。そして以下の組成比で合計の重量が２２００ｇとなるように秤量した。なお、比較例１０では、スパッタリングターゲットの金属成分中の原子数比率で、２．０％に相当する量のＣｏを秤量した。
秤量組成（分子数比率）：３３．６Ｆｅ−１．４Ｃｏ−３５Ｐｔ−２５Ｃ−５ＳｉＯ２【００８０】
次に秤量した全ての粉末を、粉砕媒体のＳＵＳボールと共に容量１０リットルのボールミルポットに投入し、Ａｒ雰囲気中で１６時間回転させて混合・粉砕した。そしてポットから取り出した粉末をカーボン製の型に充填しホットプレス装置を用いて成型・焼結させた。ホットプレスの条件は、窒素雰囲気、昇温速度３００°Ｃ／時間、保持温度１１００°Ｃ、保持時間２時間とし、昇温開始時から保持終了まで３０ＭＰａで加圧した。保持終了後はチャンバー内でそのまま自然冷却させた。【００８１】
次に、作製した焼結体から採取した小片を用いて組成分析を実施した。Ｆｅ、Ｐｔ、Ｃｏ、ＳｉはＩＣＰ−ＡＥＳ装置を用いて測定し、Ｃは高周波誘導加熱炉燃焼−赤外線吸収法を採用した炭素分析装置で測定した。ＳｉＯ２の含有量はＳｉの測定値から化学量論比率を用いて計算した。こうして得られた重量比率から分子数比率を計算した結果、このターゲットの組成は以下のとおりであった。このときＣｏの含有量はスパッタリングターゲットの金属成分中の原子数比率で、１．９８％であった。
分析組成（分子数比率）：３３．８９Ｆｅ−１．３９Ｃｏ−３４．８７Ｐｔ−２４．８２Ｃ−５．０３ＳｉＯ２【００８２】
さらに旋盤を用いて、焼結体を直径１８０．０ｍｍ、厚さ５．０ｍｍの形状へ切削加工し、円盤状のターゲットを得た。このターゲットを用いて実施例１と同一条件でスパッタリングを行い、基板上へ付着したパーティクルの個数をパーティクルカウンターで測定した。このときのパーティクル個数は１２１個と、実施例５とほぼ同等であった。一方で、実施例５と比較すると十分な磁気特性が得られなかった。これは、Ｃｏの含有量が多く、飽和磁化や結晶磁気異方性エネルギーが低下したためと考えられる。【００８３】
（実施例６）
原料粉として平均粒径３μｍのＦｅ粉、平均粒径３μｍのＰｔ粉、平均粒径３μｍのＣｏ粉、平均粒径３μｍのＮｉ粉、平均粒径１０μｍのＣ粉を用意した。そして以下の組成比で合計の重量が２６００ｇとなるように秤量した。なお、実施例６では、スパッタリングターゲットの金属成分中の原子数比率で、合計量が０．５％に相当する量のＣｏとＮｉを秤量した。
秤量組成（分子数比率）：３４．６５Ｆｅ−０．０５Ｃｏ−０．３０Ｎｉ−３５Ｐｔ−３０Ｃ【００８４】
次に秤量した全ての粉末を、粉砕媒体のＳＵＳボールと共に容量１０リットルのボールミルポットに投入し、Ａｒ雰囲気中で１６時間回転させて混合・粉砕した。そしてポットから取り出した粉末をカーボン製の型に充填しホットプレス装置を用いて成型・焼結させた。ホットプレスの条件は、窒素雰囲気、昇温速度３００°Ｃ／時間、保持温度１４００°Ｃ、保持時間２時間とし、昇温開始時から保持終了まで３０ＭＰａで加圧した。保持終了後はチャンバー内でそのまま自然冷却させた。【００８５】
次に、作製した焼結体から採取した小片を用いて組成分析を実施した。Ｆｅ、Ｐｔ、Ｃｏ、ＮｉはＩＣＰ−ＡＥＳ装置を用いて測定し、Ｃは高周波誘導加熱炉燃焼−赤外線吸収法を採用した炭素分析装置で測定した。こうして得られた重量比率から分子数比率を計算した結果、このターゲットの組成は以下のとおりであった。このときＣｏとＮｉ合計の含有量はスパッタリングターゲットの金属成分中の原子数比率で、０．５０％であった。
分析組成（分子数比率）：３４．７０Ｆｅ−０．０５Ｃｏ−０．３０Ｎｉ−３５．０８Ｐｔ−２９．８７Ｃ【００８６】
さらに旋盤を用いて、焼結体を直径１８０．０ｍｍ、厚さ５．０ｍｍの形状へ切削加工し、円盤状のターゲットを得た。このターゲットを用いて実施例１と同一条件でスパッタリングを行い、基板上へ付着したパーティクルの個数をパーティクルカウンターで測定した。このときのパーティクル個数は１２１個であった。【００８７】
（比較例１１）
原料粉として平均粒径３μｍのＦｅ粉、平均粒径３μｍのＰｔ粉、平均粒径１０μｍのＣ粉を用意した。そして以下の組成比で合計の重量が２６００ｇとなるように秤量した。なお、比較例１１では、Ｃｏ粉およびＮｉ粉のどちらも添加しなかった。
秤量組成（分子数比率）：３５Ｆｅ−３５Ｐｔ−３０Ｃ【００８８】
次に秤量した全ての粉末を、粉砕媒体のＳＵＳボールと共に容量１０リットルのボールミルポットに投入し、Ａｒ雰囲気中で１６時間回転させて混合・粉砕した。そしてポットから取り出した粉末をカーボン製の型に充填しホットプレス装置を用いて成型・焼結させた。ホットプレスの条件は、窒素雰囲気、昇温速度３００°Ｃ／時間、保持温度１４００°Ｃ、保持時間２時間とし、昇温開始時から保持終了まで３０ＭＰａで加圧した。保持終了後はチャンバー内でそのまま自然冷却させた。【００８９】
次に作製した焼結体から採取した小片を用いて組成分析を実施した。Ｆｅ、ＰｔはＩＣＰ−ＡＥＳ装置を用いて測定し、Ｃは高周波誘導加熱炉燃焼−赤外線吸収法を採用した炭素分析装置で測定した。こうして得られた重量比率から分子数比率を計算した結果、このターゲットの組成は以下のとおりであった。
分析組成（分子数比率）：３５．０４Ｆｅ−３５．０７Ｐｔ−２９．８９Ｃ【００９０】
さらに旋盤を用いて、焼結体を直径１８０．０ｍｍ、厚さ５．０ｍｍの形状へ切削加工し、円盤状のターゲットを得た。このターゲットを用いて実施例１と同一条件でスパッタリングを行い、基板上へ付着したパーティクルの個数をパーティクルカウンターで測定した。このときのパーティクル個数は１６４個と、実施例６より増加した。【００９１】
（比較例１２）
原料粉として平均粒径３μｍのＦｅ粉、平均粒径３μｍのＰｔ粉、平均粒径３μｍのＣｏ粉、平均粒径３μｍのＮｉ粉、平均粒径１０μｍのＣ粉を用意した。そして以下の組成比で合計の重量が２６００ｇとなるように秤量した。なお、比較例１２では、スパッタリングターゲットの金属成分中の原子数比率で、合計量が１．０％に相当する量のＣｏとＮｉを秤量した。
秤量組成（分子数比率）：３４．３Ｆｅ−０．４０Ｃｏ−０．３０Ｎｉ−３５Ｐｔ−３０Ｃ 【００９２】
次に秤量した全ての粉末を、粉砕媒体のＳＵＳボールと共に容量１０リットルのボールミルポットに投入し、Ａｒ雰囲気中で１６時間回転させて混合・粉砕した。そしてポットから取り出した粉末をカーボン製の型に充填しホットプレス装置を用いて成型・焼結させた。ホットプレスの条件は、窒素雰囲気、昇温速度３００°Ｃ／時間、保持温度１４００°Ｃ、保持時間２時間とし、昇温開始時から保持終了まで３０ＭＰａで加圧した。保持終了後はチャンバー内でそのまま自然冷却させた。【００９３】
次に、作製した焼結体から採取した小片を用いて組成分析を実施した。Ｆｅ、Ｐｔ、Ｃｏ、ＮｉはＩＣＰ−ＡＥＳ装置を用いて測定し、Ｃは高周波誘導加熱炉燃焼−赤外線吸収法を採用した炭素分析装置で測定した。こうして得られた重量比率から分子数比率を計算した結果、このターゲットの組成は以下のとおりであった。このときＣｏとＮｉの合計の含有量はスパッタリングターゲットの金属成分中の原子数比率で、０．９８％であった。
分析組成（分子数比率）：３４．３２Ｆｅ−０．４０Ｃｏ−０．２９Ｎｉ−３４．９７Ｐｔ−３０．０２Ｃ【００９４】
さらに旋盤を用いて、焼結体を直径１８０．０ｍｍ、厚さ５．０ｍｍの形状へ切削加工し、円盤状のターゲットを得た。このターゲットを用いて実施例１と同一条件でスパッタリングを行い、基板上へ付着したパーティクルの個数をパーティクルカウンターで測定した。このときのパーティクル個数は１２６個と、実施例６とほぼ同等であった。一方で、実施例６と比較すると十分な磁気特性が得られなかった。これは、ＣｏとＮｉの合計の含有量が多く、飽和磁化や結晶磁気異方性エネルギーが低下したためと考えられる。【００９５】
以上の通り、いずれの実施例においても、ＣｏやＮｉを所定の量添加することにより、スパッタリング時に発生するパーティクル量を低減することができ、成膜時の歩留まりを向上することができた。このように、ＣｏやＮｉを含有させることが、パーティクル発生の抑制に非常に重要な役割を有することが分かった。【００９６】
【表１】
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【産業上の利用可能性】
【００９７】
本発明のスパッタリングターゲットは、スパッタ時に発生するパーティクル量を低減することができ、成膜時における歩留まりを向上することができるという優れた効果を有する。したがって、グラニュラー構造型の磁性薄膜を形成するためのスパッタリングターゲットとして有用である。