(57)【要約】  並置された複数のストライプエミッタ（３１〜３８）を備えるダイオードレーザ構造体（２）において、前記ストライプエミッタのＳＡ軸は同じ方向に整列されており、該ストライプエミッタは当該方向に相互にずらして配置されており、少なくとも複数のストライプエミッタ（３１〜３８）の、ＳＡ軸を基準にしたそれぞれのビームパラメータ積（ＢＰＰＳＡ）が異なっている。本発明によれば、前記ストライプエミッタ（３１〜３８）の、ＳＡ軸を基準にしたビームパラメータ積（ＢＰＰＳＡ）が、ダイオードレーザ構造体（２）の中心から該ダイオードレーザ構造体（２）の両縁部に向かって、とりわけダイオードレーザ構造体（２）の中心を基準にして鏡面対称に減少する。
2011512039.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
並置された複数のストライプエミッタ（３１〜３８）を備えるダイオードレーザ構造体（２）であって、
前記ストライプエミッタのＳＡ軸は同じ方向に整列されており、該ストライプエミッタは当該方向に相互にずらして配置されており、
複数のストライプエミッタ（３１〜３８）の、ＳＡ軸を基準にしたそれぞれのビームパラメータ積（ＢＰＰＳＡ）が異なっているダイオードレーザ構造体において、
前記ストライプエミッタ（３１〜３８）の、ＳＡ軸を基準にしたビームパラメータ積（ＢＰＰＳＡ）が、ダイオードレーザ構造体（２）の中心から該ダイオードレーザ構造体（２）の両縁部に向かって、ダイオードレーザ構造体（２）の中心を基準にして鏡面対称に減少することを特徴とするダイオードレーザ構造体。
【請求項２】
請求項１記載のダイオードレーザ構造体において、
ストライプエミッタ（３１〜３８）の、ＳＡ軸を基準にしたビームパラメータ積（ＢＰＰＳＡ）は、当該ストライプエミッタがＢＰＰＳＡ−ＢＰＰＦＡ平面内で、ファイバのビームパラメータ積に近似的に相当するビームに、ファイバ断面に対応して光学的にまとめられるように選択されているダイオードレーザ構造体。
【請求項３】
請求項１または２記載のダイオードレーザ構造体において、
ストライプエミッタ（３１〜３８）の出力結合面が、該ストライプエミッタ（３１〜３８）から出射するレーザビーム（４１〜４８）の伝播方向に対して直角の平面内にあり、またはストライプエミッタ（３１〜３８）の出力結合面の少なくとも複数が相互に階段状にずらされて配置されているダイオードレーザ構造体。
【請求項４】
請求項１から３までのいずれか１項記載のダイオードレーザ構造体において、
ストライプエミッタ（３１〜３８）は単色エミッタ、とりわけそれぞれ同じレーザ波長を有するマルチモードエミッタにより形成されているダイオードレーザ構造体。
【請求項５】
請求項１から４までのいずれか１項記載のダイオードレーザ構造体において、
少なくとも複数のストライプエミッタ（３１〜３８）は、そのＳＡ軸方向に異なる幅であるダイオードレーザ構造体。
【請求項６】
請求項５記載のダイオードレーザ構造体において、
前記ストライプエミッタ（３１〜３８）の幅は、ダイオードレーザ構造体（２）の中心から該ダイオードレーザ構造体（２）の両縁部に向かって、ダイオードレーザ構造体（２）の中心を基準にして鏡面対称に減少するダイオードレーザ構造体。
【請求項７】
請求項１から６までのいずれか１項記載のダイオードレーザ構造体において、
少なくとも複数のストライプエミッタ（３１〜３８）は、ＳＡ軸を基準にしてそれぞれ異なる拡がり（θＳＡ）を有するダイオードレーザ構造体。
【請求項８】
請求項７記載のダイオードレーザ構造体において、
前記ストライプエミッタ（３１から３８）の、ＳＡ軸を基準にした拡がり（θＳＡ）が、ダイオードレーザ構造体（２）の中心から該ダイオードレーザ構造体（２）の両縁部に向かって、とりわけダイオードレーザ構造体（２）の中心を基準にして鏡面対称に減少するダイオードレーザ構造体。
【請求項９】
請求項１から８までのいずれか１項記載のダイオードレーザ構造体において、
１つまたは複数のストライプエミッタ（３１〜３８）が、それぞれ１つの個別のエミッタ（５３，５４）により形成されているダイオードレーザ構造体。
【請求項１０】
請求項１から８までのいずれか１項記載のダイオードレーザ構造体において、
１つまたは複数のストライプエミッタ（３１〜３８）が、それぞれ複数の個別のエミッタ（６，７，８）により形成されているダイオードレーザ構造体。
【請求項１１】
請求項１０記載のダイオードレーザ構造体において、
幅の異なるストライプエミッタ（３１〜３８）が、数の異なる同じ幅の個別のエミッタ（６）により形成されているダイオードレーザ構造体。
【請求項１２】
請求項１０記載のダイオードレーザ構造体において、
幅の異なるストライプエミッタ（３１〜３８）が、幅の異なる複数の個別のエミッタ（７，８）により形成されているダイオードレーザ構造体。
【請求項１３】
請求項１から１２までのいずれか１項記載のダイオードレーザ構造体において、
ストライプエミッタ（３１〜３８）に光学系が後置されており、
該光学系は、ストライプエミッタ（３１〜３８）から出射したレーザビーム（４１〜４８）を、そのＦＡ軸方向に光学的に並置された平行のレーザビームストライプとして円形のファイバ（１１）に結像し、
各レーザビームストライプのＳＡ軸を基準にしたビームパラメータ積（ＢＰＰＳＡ）が、所属のファイバ領域の、ＳＡ軸を基準にしたビームパラメータ積（ＢＰＰＳＡ）に適合されているダイオードレーザ構造体。
【請求項１４】
請求項１から１３までのいずれか１項記載のダイオードレーザ構造体において、
前記ストライプエミッタ（３１〜３８）は、レーザダイオードバー（１）に配置されているダイオードレーザ構造体。
【請求項１５】
請求項１４記載のダイオードレーザ構造体において、
複数のレーザダイオードバー（１）が１つのダイオード積層体（２０）に積層されているダイオードレーザ構造体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、並置された複数のストライプエミッタを備えるダイオードレーザ構造体に関する。それらストライプエミッタのＳＡ軸は同じ方向に配向されており、この方向で互いにずらされて配置されている。ここで少なくとも少数のストライプエミッタのビームパラメータ積はＳＡ軸を基準にして異なっている。
【背景技術】
【０００２】
この種のダイオードレーザ構造体は、例えば特許文献１によりすでに知られている。
【０００３】
効率的で高輝度のダイオードビームを形成するために、現在は、複数の個別のエミッタか（典型的には５０から５００μｍの幅を有する幅広ストライプエミッタ）、または複数の同じ幅の個別のエミッタ／幅広エミッタからなるダイオードバー（かさばり係数が１０から９５％であり、典型的には１０から１００個の同じ幅の幅広ストライプエミッタからなるダイオードバー）が使用されている。例えば、かさばり係数が３０から５０％であり、１００μｍから１ｃｍの幅を有する、３０から５０個のエミッタからなるダイオードバーがしばしば使用される。
【０００４】
ダイオードバーのストライプ状の個別のエミッタが放射するレーザビームはそれぞれ、いわゆるＦＡ（Fast Axis）方向に、例えば約５０°の放射角で高速に拡がって伝播する。またこれと直角である、いわゆるＳＡ（Slow Axis）方向には、例えば約１０゜の放射角で比較的緩慢拡がって伝播する。ＦＡ方向は最良の（回折がほぼ制限された）ビーム品質を有し、これに対してＳＡ方向は比較的劣化したビーム品質を有する。これら個別のビームをまとめるために、ビームは、ＦＡ方向でマイクロオプティカル円柱レンズによってまず視準化され、引き続き円柱レンズ列（アレイ）によってＳＡ方向に視準化される。その後、ビームは別のマイクロ光学系によって９０°回転され、並置される。したがってこのように成形されたレーザビームは、ストライプ状の個別のエミッタから放射されたレーザビームを同一平面で光学的に積層することによって形成される。個別のエミッタは同一であるから、それらの放射したレーザビームは、ＳＡ方向を基準にして同じビームパラメータ積（ＢＰＰＳＡ）を有し、ＦＡ方向を基準にして同じビームパラメータ積（ＢＰＰＦＡ）を有する。ここでビームパラメータ積ＢＰＰは次のように定義される。
【０００５】
ＢＰＰｉ＝θｉ＊ｗｉ    （ｉ＝ＳＡ，ＦＡ）
ただしθは、エミッタから放射されるレーザビームのＳＡ方向ないしＦＡ方向での拡がり、ｗは、ＳＡ方向ないしＦＡ方向でのエミッタの幅である。
【０００６】
それぞれ同じＢＰＰＳＡとＢＰＰＦＡを備えるレーザビームストライプを同一平面で光学的に積層することによって、ＢＰＰＳＡ−ＢＰＰＦＡ平面内に矩形または正方形のビームパラメータ積を有するレーザビームとなる。したがってこのレーザビームが、ＢＰＰＳＡ−ＢＰＰＦＡ平面内に円形のビームパラメータ積を有する円形のファイバに入力結合されると、そのためビーム損失が生じ、ファイバが完全に利用されない。
【０００７】
特許文献２から、ＳＡ方向に異なるエミッタ幅を有し、ＦＡ方向には上下に積層して配置された個別のエミッタが公知である。これによりＳＡ軸を基準にした各エミッタのビームパラメータ積が、ＳＡ軸を基準にした所属のファイバ領域のパラメータ積に適合される。しかし個々のエミッタの取扱いと位置決めが非常に面倒であり、とりわけこの配置は比較的大きな構造空間を必要とする。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】日本特許公開第０６−１３２６１０号
【特許文献２】米国特許願第２００７／０１９５８５０号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
したがって本発明の基礎とする課題は、とりわけ個別のエミッタを備えるダイオードバーまたは個別のエミッタがダイオードスタックの形に積層されたダイオードバーからなる冒頭に述べた形式のダイオード構造体をさらに改善し、形成されたレーザダイオードビームのビームパラメータ積が簡単に、かつコンパクトな寸法で、レーザダイオードビームが入力結合されるべきファイバの円形のビームパラメータ積に適合されるようにすることである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
この課題は本発明により、ストライプエミッタのＳＡ軸を基準にしたビームパラメータ積が、ダイオードレーザ構造体の中心からダイオードレーザ構造体の両縁部に向かって、とりわけダイオードレーザ構造体の中心を基準にして鏡面対称に減少することによって解決される。択一的におよび／または補充的に、ストライプエミッタのビーム放射方向を相互にずらすことができる。
【００１１】
本発明によれば、ＳＡ方向に並置された少なくとも複数のストライプエミッタが、ＳＡ軸を基準にして異なるビームパラメータ積を有し、このビームパラメータ積は、円形のファイバへの最適の入力結合のために、所属のファイバ領域のＳＡ軸を基準にしたビームパラメータ積に適合される。このためにＳＡ軸を基準にしたストライプエミッタのビームパラメータ積が好ましくは、ＢＰＰＳＡ−ＢＰＰＦＡ平面内で近似的に円形のビームパラメータ積に光学的に合成できるように選択される。言い替えると、ストライプエミッタの出力ビームは、ファイバにＳＡ方向でＢＰＰ適合される。これによりレーザダイオードビームを高効率でファイバに入力結合することができる。したがいストライプエミッタのビームパラメータ積を変化することによって、出力および／または効率を向上させることができる。この手段は、他のファイバ断面、例えば楕円形のファイバ断面にも転用することができる。
【００１２】
好ましくはストライプエミッタは単色エミッタ、とりわけそれぞれ同じレーザ波長を有するマルチモードエミッタにより形成される。ここで単色エミッタ、すなわち１つの波長を有するエミッタは、本願の枠内で同じ帯域幅にわたり放射するエミッタであると理解すべきである。
【００１３】
ストライプエミッタのビームパラメータ積は、ストライプエミッタの幅および放射されるレーザビームの拡がりにより調整することができる。とくに好ましい実施形態では、少なくとも複数のストライプエミッタの幅がそのＳＡ軸の方向に異なっており、一方、別の好ましい実施形態では、少なくとも複数のストライプエミッタがＳＡ軸を基準にしてそれぞれ異なる拡がりを有する。
【００１４】
好ましくは１つまたは複数のストライプエミッタはそれぞれ、ただ１つの個別のエミッタにより形成される。したがって本発明のダイオードレーザ構造体は幅の異なる個別のエミッタを有し、これらのエミッタはＳＡ軸を基準にして同じまたは異なる拡がりを有することができる。
【００１５】
同様に好ましくは、１つまたは複数のストライプエミッタをそれぞれ複数の幅が異なる、または幅の同じ個別のエミッタにより形成することができ、これらのエミッタはＳＡ軸を基準にして同じまたは異なる拡がりを有することができる。とくに好ましくは、幅の異なるストライプエミッタはそれぞれ、異なる数の同じ個別のエミッタにより形成される。この場合、このように形成されたストライプエミッタは、ＳＡ軸を基準にして同じ拡がりを有する。
【００１６】
レーザダイオードビームをファイバに入力結合する場合に対しては、ストライプエミッタに光学系が後置される。この光学系は、ストライプエミッタから出射したレーザビームを、そのＦＡ軸方向に光学的に並置された平行のレーザビームストライプとして円形のファイバに結像する。このときＳＡ軸を基準にした各レーザビームストライプのビームパラメータ積は、所属のファイバ領域のＳＡ軸を基準にしたビームパラメータ積に適合される。すなわちレーザビームストライプはその所属のファイバ領域においてＳＡ方向にＢＰＰ適合される。
【００１７】
本発明のさらなる利点は請求項、以下の説明および図面より明らかになる。上述した特徴および後述する特徴を単独であるいは任意に組み合わせて適用することも可能である。以下において説明する図面に示された実施形態は網羅的に列記したものではなく、むしろ本発明を説明するために例示的に示されたものに過ぎない。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】幅の異なる複数のストライプエミッタが並置された本発明の第１のダイオードレーザ構造体を有するダイオードレーザバーを示す図である。
【図２】図１の詳細部ＩＩに対応する、幅の異なる２つのストライプエミッタの種々の実施形態を示す図である。
【図３】拡がりの異なる複数のストライプエミッタが並置された本発明の第２のダイオードレーザ構造体を有するダイオードレーザバーを示す図である。
【図４】本発明のダイオードレーザ構造体から放射され、光学系によってファイバに入力結合されたレーザビームのビーム経路を示す図である。
【図５】ストライプエミッタから出射し、上下に積層されたレーザビームストライプのビームパラメータ積をＢＰＰＳＡ−ＢＰＰＦＡ平面において示す図である。これらレーザビームストライプのＳＡ軸を基準にするビームパラメータ積は所属のファイバ領域のビームパラメータ積に適合されている。
【図６】本発明のダイオードレーザ構造体の別のバー構造体を示す図である。
【図７】図１に示した本発明の第１のダイオードレーザ構造体をそれぞれ備える複数のダイオードレーザバーからなるダイオードスタック（ダイオード積層体）を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
図１に示したダイオードレーザバー１は、並列に並置された８つのストライプエミッタ３１〜３８を備えるダイオードレーザ構造体２を有する。これらのストライプエミッタのＳＡ軸は図１の同じ水平方向に整列されており、水平方向に相互にずらして配置されている。ストライプエミッタ３１〜３８はＳＡ方向に異なる幅ｗ１〜ｗ８を有し、ストライプエミッタ３１〜３８の幅はダイオードレーザ構造体２の中心からダイオードレーザ構造体２の両縁部に向かって、とりわけ鏡面対称に減少している。ここではｗ４＝ｗ５＞ｗ３＝ｗ６＞ｗ２＝ｗ７＞ｗ１＝ｗ８が当てはまる。例えば中央エミッタ３４，３５の幅は５０から５００μｍ、とりわけ１００から２００μｍである。エミッタ幅は縁部に向かってエミッタごとにそれぞれ５０％まで、とりわけ３０％まで減少する。エミッタごとのエミッタ幅の減少は相対的にも絶対的にも同じであるか、または異なることができる。ストライプエミッタ３１〜３８から放射されるレーザビーム４１〜４８はＳＡ方向に同じ拡がりθＳＡを有する。対応して、ＳＡ方向を基準にしたビームパラメータ積ＢＰＰＳＡ（ｉ）＝ｗＳＡ（ｉ）＊θＳＡ（ｉ）＝ｗＳＡ（ｉ）＊θＳＡ（ｉ＝１，．．．．８）はダイオードレーザ構造体２の中心で最も大きく、ダイオードレーザ構造体２の両縁部に向かって減少する。すなわち、ＢＰＰＳＡ（４）＝ＢＰＰＳＡ（５）＞ＢＰＰＳＡ（３）＝ＢＰＰＳＡ（６）＞ＢＰＰＳＡ（２）＝ＢＰＰＳＡ（７）＞ＢＰＰＳＡ（１）＝ＢＰＰＳＡ（８）が当てはまる。これに対してストライプエミッタ３１〜３８はＦＡ方向に同じ高さを有し、放射されるそれらのレーザビーム４１〜４８はＦＡ方向に同じ拡がりを有する。後で図５を参照して詳細に説明するが、ストライプエミッタ３１〜３８のＳＡ軸を基準にしたビームパラメータ積ＢＰＰＳＡ（１）〜ＢＰＰＳＡ（８）は好ましくは、ＢＰＰＳＡ−ＢＰＰＦＡ平面内で近似的に円形のビームパラメータ積に光学的にまとめられるに選択される。
【００２０】
好ましくはストライプエミッタ３１〜３８は、単色エミッタ、とりわけそれぞれ同じレーザ波長を備えるマルチモードエミッタにより形成される。ここで単色エミッタ、すなわち１つの波長を有するエミッタとは、本願の枠内で同じ帯域幅にわたり放射するエミッタであると理解されたい。
【００２１】
図２は、図１に示された種々異なる幅のストライプエミッタ３３，３４についての種々異なる実施形態を示す。図２ａでは、幅の異なるストライプエミッタ３２、３３が、それぞれ１つの個別のエミッタ５３，５４により形成されている。幅の異なる個別のエミッタを使用する代わりに、これらを数の異なるエミッタの群により形成することもできる。図２ｂでは、幅の異なるストライプエミッタ３３，３４がそれぞれ異なる数の同じ、すなわち同じ幅の個別のエミッタ６により形成されており、これによりすべてのストライプエミッタに対して同じ閾値電流が保証される。図２ｃでは、幅の比較的広いエミッタ３４が２つの異なる個別のエミッタ７，８により形成されており、これ図示のストライプエミッタにおいて２００μｍより大きな幅を提供する。
【００２２】
図３に示したダイオードバー１と図１のダイオードバーとの相違は、ここでは並置された複数のストライプエミッタ３１〜３８がそれぞれＳＡ軸を基準にして異なる拡がりθＳＡ（１）〜θＳＡ（８）を有し、すべてのストライプエミッタ３１〜３８が同じ幅ｗを有することである。ストライプエミッタ３１〜３８の拡がりは、ダイオードレーザ構造体２の中心からダイオードレーザ構造体２の両縁部に向かって、とりわけ鏡面対称に減少する。ここではθＳＡ（４）＝θＳＡ（５）＞θＳＡ（３）＝θＳＡ（６）＞θＳＡ（２）＝θＳＡ（７）＞θＳＡ（１）＝θＳＡ（８）が当てはまる。対応して、ＳＡ方向を基準にしたビームパラメータ積ＢＰＰＳＡ（ｉ）＝ｗ（ｉ）＊θＳＡ（ｉ）＝ｗ（ｉ）＊θＳＡ（ｉ＝１，．．．．８）はダイオードレーザ構造体２の中心で最も大きく、ダイオードレーザ構造体２の両縁部に向かって、とりわけ鏡面対称に減少する。すなわち、ＢＰＰＳＡ（４）＝ＢＰＰＳＡ（５）＞ＢＰＰＳＡ（３）＝ＢＰＰＳＡ（６）＞ＢＰＰＳＡ（２）＝ＢＰＰＳＡ（７）＞ＢＰＰＳＡ（１）＝ＢＰＰＳＡ（８）が当てはまる。後で図５を参照して詳細に説明するが、ストライプエミッタ３１〜３８のＳＡ軸を基準にしたビームパラメータ積ＢＰＰＳＡ（１）〜ＢＰＰＳＡ（８）は、これらがＢＰＰＳＡ−ＢＰＰＦＡ平面内で近似的に円形のビームパラメータ積に光学的に合成できるように選択される。
【００２３】
図４は、本発明のダイオードレーザ構造体２から放射され、光学系１０によって円形のファイバ１１入力結合されたレーザビーム４１〜４８のビーム路を概略的に示す。光学系１０は個々のレーザビーム４１〜４８を１つの共通のレーザビームに変換する。この共通のレーザビームでは、ストライプエミッタ３１〜３８から出射したレーザビーム４１〜４８が、そのＦＡ方向軸方向に上下に積層された平行のレーザビームストライプとして円形のファイバ１１に結像される。
【００２４】
図５は、ＢＰＰＳＡ−ＢＰＰＦＡ平面内に、ストライプエミッタ３１〜３８から出射し、上下に積層されたレーザビームストライプのビームパラメータ積ＢＰＰ（１）〜ＢＰＰ（８）を示す。ここでビームパラメータ積ＢＰＰ（１）〜ＢＰＰ（８）は、円形ファイバ１１の円形のビームパラメータ積ＢＰＰ（Ｆ）に適合されている。このためにビームパラメータ積ＢＰＰ（１）〜ＢＰＰ（８）はＳＡ軸内で、所属のファイバ領域の所属のビームパラメータ積に適合されている。言い替えると、ストライプエミッタ３１〜３８のＳＡ軸を基準にしたビームパラメータ積ＢＰＰＳＡ（１）〜ＢＰＰＳＡ（８）は、これらがＢＰＰＳＡ−ＢＰＰＦＡ平面内で、ファイバ１１の円形のビームパラメータ積ＢＰＰ（Ｆ）に光学的にまとめることができるように選択される。
【００２５】
図１から３に示されたダイオードレーザ構造体２では、ストライプエミッタ３１〜３８の出力結合面が、ストライプエミッタ３１〜３８から出射するレーザビーム４１〜４８の伝播方向に対して直角である。図６ａから６ｅは、本発明のダイオードレーザバー１の別のダイオードレーザ構造体２を示す。このダイオードレーザバーでは、ストライプエミッタ３１〜３８の出力結合面が、ストライプエミッタ３１〜３８から出射するレーザビーム４１〜４８の伝播方向に対して共通の平面で直角ではない。
【００２６】
図６ａから６ｂでは、ストライプエミッタ３１〜３８の出力結合面が、それらの出力結合面とは反対側の端部で共通の平面に配置されているが、それらＳＡ方向およびＦＡ方向に対して直角の方向には異なった長さである。ストライプエミッタ３１〜３８の長さは、ダイオードレーザ構造体２の中心から発してダイオードレーザ構造体２の両縁部に向かって増大（図６ａ）または減少（図６ｂ）している。これによりストライプエミッタ３１〜３８の出力結合面は、ダイオードレーザ構造体２の中心から両側へ、ＳＡを有方向に階段状に相互にずらされている。
【００２７】
図６ｃから６ｄで、ストライプエミッタ３１〜３８は、それらのＳＡ方向およびＦＡ方向とは直角の方向に同じ長さであり、それぞれ両側でＳＡ方向に階段状に相互にずらして配置されてる。これによりそれらの出力結合面はダイオードレーザ構造体２の中心から発して両側にＳＡ方向で階段状に相互にずらされている。図６ｃでダイオードレーザバー１は、ストライプエミッタ３１〜３８の出力結合面とは反対の側でストライプエミッタ３１〜３８に対応して同様に階段状に構成されている。一方、図６ｄでは、ダイオードレーザバー１は、ストライプエミッタ３１〜３８の出力結合面とは反対の側で階段状には構成されていない。図６ｅでは、同じストライプエミッタ３１〜３８がそれぞれ相互にＳＡ方向に階段状にずらして配置されている。
【００２８】
図７では、図１に示したダイオード構造体２を備える複数のダイオードレーザバー１が１つのダイオード積層体（ダイオードスタック）２０に統合されており、各ダイオードレーザバー１は２つのヒートシンク２１の間に配置されている。
【図１】
2011512039.tif 000003
【図２ａ】
2011512039.tif 000004
【図２ｂ】
2011512039.tif 000005
【図２ｃ】
2011512039.tif 000006
【図３】
2011512039.tif 000007
【図４】
2011512039.tif 000008
【図５】
2011512039.tif 000009
【図６ａ】
2011512039.tif 000010
【図６ｂ】
2011512039.tif 000011
【図６ｃ】
2011512039.tif 000012
【図６ｄ】
2011512039.tif 000013
【図６ｅ】
2011512039.tif 000014
【図７】
2011512039.tif 000015
【国際調査報告】
2011512039.tif 000016
2011512039.tif 000017
2011512039.tif 000018
2011512039.tif 000019
2011512039.tif 000020
2011512039.tif 000021