(57)【要約】本発明は一般構造式（Ｉ）の多環式有機化合物に関する。前記式中、Ｙは少なくとも部分的に芳香性である主に平面の多環系であり、Ｗ１、Ｗ２およびＷ３は有機溶媒中における可溶性を提供する異なる基であり、（ｎ１＋ｎ２＋ｎ３）の合計は１、２、３、４、５、６、７または８である。多環式有機化合物は、可視スペクトル範囲の電磁放射に対して実質的に透過性であり、有機溶媒中において超分子を形成することができる。
2011515340.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般構造式Ｉの多環式有機化合物であって、
【化１】
2011515340.tif 000023
前記式中、Ｙは少なくとも部分的に芳香性である主に平面の多環系であり、
Ｗ１、Ｗ２およびＷ３は有機溶媒中における可溶性を提供する異なる基であり、
（ｎ１＋ｎ２＋ｎ３）の合計は１、２、３、４、５、６、７または８であり、
前記多環式有機化合物は、有機溶媒中において超分子を形成することができ、かつ可視スペクトル範囲の電磁放射に対して実質的に透過性である、多環式有機化合物。
【請求項２】
前記多環系Ｙは複素環である、請求項１に記載の多環式有機化合物。
【請求項３】
前記複素環系の１つ以上のヘテロ原子は、Ｎ、ＯおよびＳを含むリストから選択される、請求項２に記載の多環式有機化合物。
【請求項４】
前記多環系Ｙは、フラン、オキシラン、４Ｈ−ピラン、２Ｈ−クロメン、ベンゾ［ｂ］フラン、２Ｈ−ピラン、チオフェン、ベンゾ［ｂ］チオフェン、パラチアジン、ピロール、ピロリジン、ピラゾール、イミダゾール、イミダゾリン、イミダゾリジン、ピラゾリジン、ピリミジン、ピリジン、ピペラジン、ピペリジン、ピラジン、インドール、プリン、ベンゾイミダゾール、キノリン、フェノチアジン、モルホリン、チアジオール、チアジアゾール、およびオキサゾールを含むリストから選択される少なくとも１つのフラグメントを含む、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の多環式有機化合物。
【請求項５】
前記多環系Ｙは、芳香族炭化水素を表わす少なくとも１つのフラグメントを含む、請求項１に記載の多環式有機化合物。
【請求項６】
前記芳香族炭化水素は、アセナフテン、アセナフチレン、アセフェナントリレン、ビフェニレンおよびナフタレンを含むリストから選択される、請求項５に記載の多環式有機化合物。
【請求項７】
前記多環系Ｙは、オリゴフェニル、イミダゾール、ピラゾール、アセナフテン、トリアイジンを含むリストから選択され、かつ下記構造１〜２４から選択される一般構造式を有するフラグメントを含む、請求項１乃至６のいずれか１項に記載の多環式有機化合物。
【表１】
2011515340.tif 000024
2011515340.tif 000025
2011515340.tif 000026
【請求項８】
前記可溶性を提供する基Ｗの少なくとも１つは、カルボン酸（ＣＯＯＨ）基、直鎖および分岐（Ｃ１〜Ｃ２０）アルキル、（Ｃ２〜Ｃ２０）アルケニルおよび（Ｃ２〜Ｃ２０）アルキニルを含むリストから選択される、請求項１乃至７のいずれか１項に記載の多環式有機化合物。
【請求項９】
前記可溶性を提供する基Ｗの少なくとも１つは、架橋基Ａによって、多環系Ｙと連結されている、請求項１乃至８のいずれか１項に記載の多環式有機化合物。
【請求項１０】
前記架橋基Ａは、−Ｃ（Ｏ）−、−Ｃ（Ｏ）Ｏ−、−Ｃ（Ｏ）−ＮＨ−、−（ＳＯ２）ＮＨ−、−Ｏ−、−ＣＨ２Ｏ−、−ＮＨ−、＞Ｎ−、およびそれらの任意の組み合わせを含むリストから選択される、請求項９に記載の多環式有機化合物。
【請求項１１】
前記多環系Ｙはπ−π−相互作用によって棒状超分子を形成することができる、請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の多環式有機化合物。
【請求項１２】
前記棒状超分子は、約３．１〜３７Ａの範囲の多環系間の面間距離を有する、請求項１１に記載の多環式有機化合物。
【請求項１３】
下記一般構造式Ｉの少なくとも１つの多環式有機化合物を含む溶液であって、
【化２】
2011515340.tif 000027
前記式中、Ｙは少なくとも部分的に芳香性である主に平面の多環系であり、
Ｗ１、Ｗ２およびＷ３は有機溶媒中における可溶性を提供する異なる基であり、
（ｎ１＋ｎ２＋ｎ３）の合計は１、２、３、４、５、６、７または８であり、
前記多環式有機化合物は、有機溶媒中において超分子を形成することができ、
前記多環式有機化合物は、可視スペクトル範囲の電磁放射に対して実質的に透過性であり、
前記溶液は、可視スペクトル範囲において実質的に透過性の位相差層を形成することができる、溶液。
【請求項１４】
前記多環系Ｙは複素環である、請求項１３に記載の溶液。
【請求項１５】
複素環の系Ｙのヘテロ原子はＮ、ＯおよびＳを含むリストから選択される、請求項１４に記載の溶液。
【請求項１６】
前記多環系Ｙは、フラン、オキシラン、４Ｈ−ピラン、２Ｈ−クロメン、ベンゾ［ｂ］フラン、２Ｈ−ピラン、チオフェン、ベンゾ［ｂ］チオフェン、パラチアジン、ピロール、ピロリジン、ピラゾール、イミダゾール、イミダゾリン、イミダゾリジン、ピラゾリジン、ピリミジン、ピリジン、ピペラジン、ピペリジン、ピラジン、インドール、プリン、ベンゾイミダゾール、キノリン、フェノチアジン、モルホリン、チアジオール、チアジアゾール、およびオキサゾールを含むリストから選択される少なくとも１つのフラグメントを含む、請求項１３乃至１５のいずれか１項に記載の溶液。
【請求項１７】
前記多環系Ｙは、芳香族炭化水素を表わす少なくとも１つのフラグメントを含む、請求項１３に記載の溶液。
【請求項１８】
前記多環式芳香族炭化水素は、アセナフテン、アセナフチレン、アセフェナントリレン、ビフェニレンおよびナフタレンを含むリストから選択される、請求項１７に記載の溶液。
【請求項１９】
前記多環系Ｙは、オリゴフェニル、イミダゾール、ピラゾール、アセナフテン、トリアイジンを含むリストから選択され、かつ下記構造１〜２４から選択される一般構造式を有する、請求項１３乃至１８のいずれか１項に記載の溶液。
【表２】
2011515340.tif 000028
2011515340.tif 000029
2011515340.tif 000030
【請求項２０】
前記可溶性を提供する基Ｗの少なくとも１つは、カルボン酸（ＣＯＯＨ）基、直鎖および分岐（Ｃ１〜Ｃ２０）アルキル、（Ｃ２〜Ｃ２０）アルケニルおよび（Ｃ２〜Ｃ２０）アルキニルを含むリストから選択される、請求項１３乃至１９のいずれか１項に記載の溶液。
【請求項２１】
前記多環式有機化合物において可溶性を提供する基Ｗの少なくとも１つは、架橋基Ａによって多環系Ｙと連結されている、請求項１３乃至２０のいずれか１項に記載の溶液。
【請求項２２】
前記架橋基Ａは、−Ｃ（Ｏ）−、−Ｃ（Ｏ）Ｏ−、−Ｃ（Ｏ）−ＮＨ−、−（ＳＯ２）ＮＨ−、−Ｏ−、−ＣＨ２Ｏ−、−ＮＨ−、＞Ｎ−、およびそれらの任意の組み合わせを含むリストから選択される、請求項２１に記載の溶液。
【請求項２３】
前記有機溶媒は、ケトン、カルボン酸、炭化水素、環式炭化水素、クロロ炭化水素、アルコール、エーテル、エステルおよび任意のそれらの組み合わせを含むリストから選択される、請求項１３乃至２２のいずれか１項に記載の溶液。
【請求項２４】
前記有機溶媒は、アセトン、キシレン、トルエン、エタノール、メチルシクロヘキサン、酢酸エチル、ジエチルエーテル、オクタン、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタン、トリクロロエテン、テトラクロロエテン、四塩化炭素、１，４−ジオキサン、テトラヒドロフラン、ピリジン、トリエチルアミン、ニトロメタン、アセトニトリル、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシドおよび任意のそれらの組み合わせを含むリストから選択される、請求項１３乃至２３のいずれか１項に記載の溶液。
【請求項２５】
前記溶液はリオトロピック液晶溶液である、請求項１３乃至２４のいずれか１項に記載の溶液。
【請求項２６】
前記溶液は等方性溶液である、請求項１３乃至２４のいずれか１項に記載の溶液。
【請求項２７】
前記超分子は、一般構造式Ｉの少なくとも２つの異なる化合物の相互作用によって形成される、請求項１３乃至２６のいずれか１項に記載の溶液。
【請求項２８】
前記超分子は一般構造式Ｉの同一の化合物の相互作用によって形成される、請求項１３乃至２６のいずれか１項に記載の溶液。
【請求項２９】
界面活性剤をさらに含む、請求項１３乃至２８のいずれか１項に記載の溶液。
【請求項３０】
可塑剤をさらに含む、請求項１３乃至２８のいずれか１項に記載の溶液。
【請求項３１】
可視スペクトル範囲において実質的に透過性であり、かつ少なくとも１つの下記一般構造式（Ｉ）の多環式有機化合物を含有する少なくとも１つの位相差層を備えた補償板であって、
【化３】
2011515340.tif 000031
前記式中、Ｙは少なくとも部分的に芳香性である主に平面の多環系であり、
Ｗ１、Ｗ２およびＷ３は有機溶媒中における可溶性を提供する異なる基であり、
（ｎ１＋ｎ２＋ｎ３）の合計は１、２、３、４、５、６、７または８であり、
前記多環式有機化合物は、有機溶媒中において超分子を形成することができ、かつ可視スペクトル範囲の電磁放射に対して実質的に透過性である、補償板。
【請求項３２】
前記多環系Ｙは複素環である、請求項３１に記載の補償板。
【請求項３３】
前記複素環系Ｙのヘテロ原子は、Ｎ、ＯおよびＳを含むリストから選択される、請求項３２に記載の補償板。
【請求項３４】
前記多環系Ｙは、フラン、オキシラン、４Ｈ−ピラン、２Ｈ−クロメン、ベンゾ［ｂ］フラン、２Ｈ−ピラン、チオフェン、ベンゾ［ｂ］チオフェン、パラチアジン、ピロール、ピロリジン、ピラゾール、イミダゾール、イミダゾリン、イミダゾリジン、ピラゾリジン、ピリミジン、ピリジン、ピペラジン、ピペリジン、ピラジン、インドール、プリン、ベンゾイミダゾール、キノリン、フェノチアジン、モルホリン、チアジオール、チアジアゾール、およびオキサゾールを含むリストから選択される少なくとも１つのフラグメントを含む、請求項３１乃至３３のいずれか１項に記載の補償板。
【請求項３５】
前記多環系は多環式芳香族炭化水素を表わす少なくとも１つのフラグメントを含む、請求項３１に記載の補償板。
【請求項３６】
前記多環式芳香族炭化水素は、アセナフテン、アセナフチレン、アセフェナントリレン、ビフェニレンおよびナフタレンを含むリストから選択される、請求項３５に記載の補償板。
【請求項３７】
前記多環系Ｙは、オリゴフェニル、イミダゾール、ピラゾール、アセナフテン、トリアイジンを含むリストから選択され、かつ下記構造１〜２４から選択される一般構造式を有する、請求項３１乃至３６のいずれか１項に記載の補償板。
【表３】
2011515340.tif 000032
2011515340.tif 000033
2011515340.tif 000034
【請求項３８】
前記有機溶媒中における多環式有機化合物の可溶性を提供する基Ｗのうちの少なくとも１つは、カルボン酸（ＣＯＯＨ）基、直鎖および分岐（Ｃ１〜Ｃ２０）アルキル、（Ｃ２〜Ｃ２０）アルケニル基、および（Ｃ２〜Ｃ２０）アルキニル基を含むリストから選択される、請求項３１乃至３７のいずれか１項に記載の補償板。
【請求項３９】
前記多環式有機化合物の可溶性を提供するＷ基の少なくとも１つは、架橋基Ａによって多環系Ｙと連結されている、請求項３１乃至３８のいずれか１項に記載の補償板。
【請求項４０】
前記多環式有機化合物の架橋基Ａは、−Ｃ（Ｏ）−、−Ｃ（Ｏ）Ｏ−、−Ｃ（Ｏ）−ＮＨ−、−（ＳＯ２）ＮＨ−、−Ｏ−、−ＣＨ２Ｏ−、−ＮＨ−、＞Ｎ−、およびそれらの任意の組み合わせを含むリストから選択される、請求項３９に記載の補償板。
【請求項４１】
２つ以上の位相差層を備え、前記層のうち少なくとも２つは、一般構造式（Ｉ）の異なる多環式化合物を含有する、請求項３１乃至４０のいずれか１項に記載の補償板。
【請求項４２】
さらに基材を備える、請求項３１乃至４１のいずれか１項に記載の補償板。
【請求項４３】
前記基材は可視スペクトル範囲の電磁放射に対して透過性である、請求項４２に記載の補償板。
【請求項４４】
前記基材はポリマー製である、請求項４２または４３のいずれか１項に記載の補償板。
【請求項４５】
前記基材はガラス製である、請求項４２または４３のいずれか１項に記載の補償板。
【請求項４６】
前記基材は箔から製造されている、請求項４２または４３のいずれか１項に記載の補償板。
【請求項４７】
前記位相差層の上部に施された透明接着剤層をさらに備える、請求項３１乃至４６のいずれか１項に記載の補償板。
【請求項４８】
前記接着剤透明層上に施された保護コーティングをさらに備える、請求項４７に記載の補償板。
【請求項４９】
前記位相差層は少なくとも部分的に結晶性である、請求項３１乃至４８のいずれか１項に記載の補償板。
【請求項５０】
前記位相差層は、ＢＡ型の二軸位相差層であり、前記ＢＡ型の二軸位相差層は、速主軸および遅主軸にそれぞれ対応する２つの面内屈折率（ｎｆおよびｎｓ）と、法線方向における１つの屈折率（ｎｎ）とによって特徴付けられ、それらの屈折率は可視スペクトル範囲の電磁放射に対して以下の条件：ｎｓ＞ｎｎ＞ｎｆに従う、請求項３１乃至４９のいずれか１項に記載の補償板。
【請求項５１】
位相差層は、ＡＣ型の二軸位相差層であり、前記ＡＣ型の二軸位相差層は、速主軸および遅主軸にそれぞれ対応する２つの面内屈折率（ｎｆおよびｎｓ）と、法線方向における１つの屈折率（ｎｎ）とによって特徴付けられ、それらの屈折率は可視スペクトル範囲の電磁放射に対して以下の条件：ｎｓ＞ｎｆ＞ｎｎに従う、請求項３１乃至４９のいずれか１項に記載の補償板。
【請求項５２】
少なくとも１つの第１型の位相差層であって、その第１型位相差層の平面内に実質的に存在する遅主軸および速主軸を有する、第１型の位相差層と、少なくとも１つの第２型の位相差層であって、その第２型位相差層の平面にほぼ直交するように指向する光学軸を有する、第２型の位相差層とを備える、請求項３１乃至４９のいずれか１項に記載の補償板。
【請求項５３】
第１型の位相差層は、負のＡ型の一軸位相差層であり、前記負のＡ型の一軸位相差層は、速主軸および遅主軸にそれぞれ対応する２つの面内屈折率（ｎｆおよびｎｓ）と、法線方向における１つの屈折率（ｎｎ）とによって特徴付けられ、それらの屈折率は可視スペクトル範囲の電磁放射に対して以下の条件：ｎｎ＝ｎｓ＞ｎｆに従う、請求項５２に記載
の補償板。
【請求項５４】
第１型の位相差層は、それらの長手軸線が速主軸とほぼ平行に配向されている棒状超分子を含む、請求項５２または５３のいずれか１項に記載の補償板。
【請求項５５】
前記棒状の超分子は、それらの長手軸線に直交する平面においてほぼ等方的な分極率を有する、請求項５４に記載の補償板。
【請求項５６】
第２型の位相差層は、負のＣ型の一軸位相差層であり、前記負のＣ型の一軸位相差層は、速主軸および遅主軸にそれぞれ対応する２つの面内屈折率（ｎｆおよびｎｓ）と、法線方向における１つの屈折率（ｎｎ）とによって特徴付けられ、それらの屈折率は可視スペクトル範囲の電磁放射に対して以下の条件：ｎｆ＝ｎｓ＞ｎｎに従う、請求項５２乃至５５のいずれか１項に記載の補償板。
【請求項５７】
第２型の位相差層は、前記位相差層の表面とほぼ平行に配向されたそれらの平面を有するシート状超分子を含む、請求項５２乃至５６のいずれか１項に記載の補償板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機化学、とりわけ多環式有機化合物、その溶液、およびこれらの化合物に基づいた位相差層を備えた補償板に関する。より具体的には、本発明は液晶表示装置のための光学的補償装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
光学的補償装置は、前記補償装置を通過する偏光の相対位相を変化させるために用いられ、よって偏光に対する制御が必要とされる用途における使用によく適している。例えば、少なくとも１つの位相差層を備えた光学的補償装置は、系内の他の光学部品によって導入された偏光の２つの成分の間の位相差を補正するために、入射光中に位相遅延を導入するために用いられる。
【０００３】
光学的位相差層の特に重要な１つの用途は、液晶表示（ＬＣＤ）パネルに偏光補償を提供することである。
ＬＣＤパネルは、腕時計および時計、写真用カメラ、技術機器、コンピューター、平面テレビ、投影スクリーン、コントロールパネル、情報提供装置の大部分において広く用いられている。多くのＬＣＤパネル内の情報は、数字または文字の列の形で示されており、それらの数字または文字の列は、一定パターンに配列された多数の分割電極(segmented electrodes)によって生成される。各部分は個々のリードによって駆動電子回路に接続されており、前記駆動電子回路は、適切な組み合わせの部分に電圧を印加して、前記部分を介して透過される光を制御することにより所望の情報を表示する。図形情報またはテレビの表示は、２組の直交する導体間におけるＸ−Ｙ順次アドレス指定方式によって接続されている画素のマトリックスによって行われ得る。より高度なアドレス方式は、駆動電圧を個々の画素において制御するために薄膜トランジスターのアレイを用いる。この方式は、主にねじれネマチック液晶表示装置に適用されているが、超ねじれネマチック液晶表示装置の高機能型にも用途が見出されている。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
理想的な表示装置は、通常の観察方向から逸れた異なる角度でその表示装置を見ているときでも、同等のコントラストおよび演色を示すべきである。しかしながら、ネマチック液晶に基づく様々な種類の表示装置は、コントラストの角度依存性を有する。これは、通常の観察方向から逸れた角度では、コントラストは低下し、情報の視認性が低減されるということである。一般的にネマチックＬＣＤに用いられる材料は、光学的に、正の一軸複屈折性であり、これは異常光屈折率ｎｅが常光屈折率ｎ０よりも大きいこと、つまりΔｎ＝ｎｅ−ｎ０＞０であることを意味する。斜めの角度における表示装置の視認性は、負の複屈折（Δｎ＜０）を有する光学的補償装置を用いることにより改善することができる。その他に、コントラストの喪失は、大きな視野角における、黒色状態の画素素子を介した光の漏出によって引き起こされる。カラー液晶表示装置では、前記漏出はまた、飽和色およびグレースケール色の双方に対して深刻な色ずれを生じる。これらの制限は、操縦士の表示装置を副操縦士が見ることが重要である航空機用途におけるコントロールパネルに用いられる表示装置にとって特に重要である。広い視野にわたって高品質で高コントラストの像を示すことができる液晶表示装置を提供することは、当業において大幅な改善になるであろう。
【０００５】
補償装置に用いられる化合物は、作用スペクトル波長範囲において透過性でなければならない。ほとんどのＬＣＤ装置はヒトの目に適合しており、これらの装置について、作用
範囲は可視スペクトル範囲である。
【０００６】
水性位相差フィルム(water-based retardation films)は、高度な湿潤状態ではそれら
のフィルムの安定性が低いために、一部の用途においては必ずしも最適な解だとは限らない。したがって、良好な環境安定性および機械的強度を備えた新規の光学的補償装置を提供する必要がある。本発明は上記に述べた不都合の克服をもたらす。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の説明および特許請求の範囲において用いられる様々な用語の定義を下記に列記する。
「部分的に芳香性」という用語は、分子内の芳香族共役系を指す。
【０００８】
「光学軸」という用語は、伝播光が複屈折を示さない方向を指す。
「可視スペクトル範囲」という用語は、４００ｎｍとほぼ等しい下方境界と、７００ｎｍとほぼ等しい上方境界とを有するスペクトル範囲を指す。
【０００９】
「位相差層」という用語は、入射単色偏光を各成分に分割し、それらの成分の間に相対的な位相差または位相ずれを導入する光学要素を指す。
位相差要素の「位相差」という用語は、直前に述べた位相ずれの相対的な位相差を指す。「４分の１波長板」は、９０°に相当する一定の位相差を有する位相差要素を指す。「半波長板」は、１８０°に相当する一定の位相差を有する位相差要素を指す。
【００１０】
「補償板」という用語は、位相差層を備えた光学装置を指す。
補償板におけるプレートの型は、プレートの自然座標系に対する特定の誘電率テンソルの主軸線の向きに緊密に関係している。プレートの自然ｘｙｚ座標系は、Ｚ軸が法線方向に平行であり、ｘｙ平面がプレート面と一致するように選択される。図１（従来技術）は、誘電率テンソルの主軸線（Ａ、Ｂ、Ｃ）がｘｙｚ系に対して任意に配向されるときの一般的な事例を示す。
【００１１】
主軸線の向きは３つのオイラー角（θ、φ、ψ）を用いて特徴付けることができる。前記オイラー角は、主要誘電率テンソル成分（εＡ、εＢ、εＣ）と共に、様々な種類の光学的補償装置（図１）を一意的に定義する。誘電率テンソルの主要成分がすべて異なる値を有するときの事例は、二軸補償装置に対応し、それによりプレートは２本の光学軸を有する。例えば、εＡ＜εＢ＜εＣの場合には、これらの光学軸は、Ｃ軸から両側に対称的にＣ軸およびＡ軸の平面上に位置する。εＡ＝εＢの一軸の事例では、２本の軸が一致して、Ｃ軸が単一光学軸であるとき、縮退事例が存在する。
【００１２】
Ｃ軸とｚ軸線との間の天頂角θは、様々な補償装置の型の定義に重要である。θ＝０の場合、いくつかの重要な型の位相差層があり、それらの位相差層はＬＣＤの補償に最もしばしば用いられる。以下、実験室枠のｘ軸，ｙ軸およびｚ軸は、Ａ軸、Ｂ軸およびＣ軸とそれぞれ一致して選択されている。
【００１３】
誘電体誘電率テンソルの３つの主値εＡ，εＢ，εＣの最低および最高の大きさがＡ軸およびＢ軸にそれぞれ対応する場合、そのときεＡ＜εＣ＜εＢであり、２つの光学軸はＡＢ平面に属する。この位相差層は、「ＡＢ」または「ＢＡ」型プレート（図２（従来技術））と名付けられている。負のＡＢプレートは、εＡ−εＢ＜０のとき、正のＢＡプレートと同等である（呼称の文字の順序を形式的に入れ替えることにより、誘電体誘電率の差の符号が変わる：εＢ−εＡ＞０）。
【００１４】
２本の光学軸がプレート面に直交する平面に属する場合、異なる事例が存在する。この
事例は、主要誘電率のうちの１つの最低または最高の大きさがＣ軸に対応する場合に生じる。例えばεＣ＜εＢ＜εＡの場合、２本の光学軸がＡ軸およびＣ軸によって形成された平面に属するので、位相差層は負のＣＡプレートまたは正のＡＣプレートと名付けられる。
【００１５】
ＬＣＤの補償に最もしばしば用いられる、いくつかの重要な型の一軸位相差層が存在する。
Ｃプレートは、εＡ＝εＢ≠εＣによって定義される。この場合、光学軸は主要Ｃ軸と一致する。εＡ＝εＢ＜εＣの場合には、前記プレートは「正のＣプレート」と呼ばれる。これとは反対に、εＡ＝εＢ＞εＣならば、前記プレートは「負のＣプレート」と呼ばれる。これらの２つの場合において、Ｃ軸はまた異常光屈折率に対応する。図３（従来技術）は、正（ａ）および負（ｂ）のＣプレートの自然座標系に関する特定の誘電率テンソルの主軸線の向きおよび値を示している。
【００１６】
εＡ≠εＢ＝εＣの場合には、Ａ主軸が光学軸であり、そのプレートは「Ａプレート」と名付けられる。εＡ＞εＢ＝εＣの場合には、そのプレートは「正のＡプレート」と名付けられる（図４ａ、従来技術）。さらに、εＡ＜εＢ＝εＣの場合には、そのプレートは「負のＡプレート」と名付けられる（図４ｂ、従来技術）。
【００１７】
一般的な場合において、誘電率テンソル成分（εＡ，εＢ，εＣ）は、複素数値である。一軸媒体については、主要誘電率テンソル成分（εＡ，εＢ，εＣ）、主要屈折率（ｎＡ，ｎＢ，ｎＣ）、および主要吸収係数（ｋＡ，ｋＢ，ｋＣ）は以下の関係に合致する：
【００１８】
【数１】
2011515340.tif 000003
所与の関係は非伝導性二軸媒体にも適用することができる。伝導性二軸材料の場合、導電率テンソルの主軸線の向きが誘電率テンソルのそれと異なるならば、所与の関係は有効ではない。
【００１９】
異方性プレートの法線に沿って伝播する電磁波の位相速度は、主軸線に対する波の偏波ベクトル(wave polarization vector)の向きを依存する。電磁波の電界ベクトルが最低屈折率の主軸線に沿って振動する場合、波の位相速度は最も高い。対応する主軸線は「速軸(fast axis)」と呼ばれ、屈折率は「ｎｆ」として示され得る。類似した方法で、最大屈
折率は「遅」主軸を定義し、対応する屈折率の称呼は「ｎｓ」である。
【００２０】
したがって、位相差層は、速主軸(fast principal axis)および遅主軸(slow principal
axis)に対応する２つの面内屈折率（ｎｆおよびｎｓ）と、法線方向における１つの屈折率（ｎｎ）とによって特徴付けられ得る。二軸プレートの場合には、屈折率ｎｆ，ｎｓ，ｎｎがすべて異なる値を有する。以前に検討したように、ＢＡプレートおよびＡＣプレートは二軸プレートである。屈折率は、ＢＡプレートについては、条件ｎｓ＞ｎｎ＞ｎｆに従い、正のＡＣプレートについては、条件ｎｓ＞ｎｆ＞ｎｎに従う。ＡプレートおよびＣプレートは一軸プレートである。負のＡプレートの屈折率は、条件ｎｎ＝ｎｓ＞ｎｆに従う。Ａプレートは位相差パラメーターＲＡ＝ｄ・（ｎｓ−ｎｆ）によって特徴付けることができ、前記式中、ｄは位相差層の厚さである。Ｃプレートの場合には、面内「速」軸、又は「遅」軸は存在しない（ｎｆ＝ｎｓ）。負のＡプレートの屈折指数は、条件：ｎｆ＝ｎｓ＞ｎｎに従う。Ｃ−プレートは、位相差パラメーター
【００２１】
【数２】
2011515340.tif 000004
によって特徴付けることができ、前記式中、ｄは位相差層の厚さである。
【００２２】
本発明の主題は以下の図によって示される。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】従来技術に対する例証として上記で説明した図。
【図２】従来技術に対する例証として上記で説明した図。
【図３】従来技術に対する例証として上記で説明した図。
【図４】従来技術に対する例証として上記で説明した図。
【図５】本発明に従ったＣ型の位相差層を備えた補償板のサンプルを示す図。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
添付の実施例および詳細な明細書を検討して、以下の詳細な説明を参照することによって、本発明およびその効果がよりよく理解されると、本発明およびその効果のより完全な評価が容易になされるであろう。前記実施例および詳細な明細書はすべて、本開示の一部を形成する。
【００２５】
第１態様において、本発明は、下記一般構造式（Ｉ）の多環式有機化合物を提供する。
【００２６】
【数３】
2011515340.tif 000005
前記式中、Ｙは少なくとも部分的に芳香性である主に平面の多環系であり、Ｗ１、Ｗ２およびＷ３は有機溶媒中における可溶性を提供する異なる基であり、（ｎ１＋ｎ２＋ｎ３）の合計は１、２、３、４、５、６、７または８である。本発明の多環式有機化合物は、有機溶媒中において超分子を形成することができ、可視スペクトル範囲の電磁放射に対して実質的に透過性である。
【００２７】
第２態様において、本発明は、少なくとも１つの下記一般構造式（Ｉ）の多環式有機化合物を含有する溶液を提供する。
【００２８】
【数４】
2011515340.tif 000006
前記式中、Ｙは少なくとも部分的に芳香性である主に平面の多環系であり、Ｗ１、Ｗ２およびＷ３は有機溶媒中における可溶性を提供する異なる基であり、（ｎ１＋ｎ２＋ｎ３）の合計は１、２、３、４、５、６、７または８である。前記多環式有機化合物は、有機溶媒中において超分子を形成することができ、この化合物は、可視スペクトル範囲の電磁放射に対して実質的に透過性である。前記化合物の溶液は、可視スペクトル範囲において実質的に透過性の位相差層を形成することができる。
【００２９】
第３態様において、本発明は、可視スペクトル範囲において実質的に透過性であり、かつ少なくとも１つの下記一般構造式（Ｉ）の多環式有機化合物を含有する少なくとも１つの位相差層を備えた補償板を提供する。
【００３０】
【数５】
2011515340.tif 000007
前記式中、Ｙは少なくとも部分的に芳香性である主に平面の多環系であり、Ｗ１、Ｗ２およびＷ３は有機溶媒中における可溶性を提供する異なる基であり、ｎ１＋ｎ２＋ｎ３の合計は１、２、３、４、５、６、７または８である。前記多環式有機化合物は、有機溶媒中において超分子を形成することができ、この化合物は、可視スペクトル範囲の電磁放射に対して実質的に透過性である。
【００３１】
開示した多環式有機化合物の一実施形態では、多環系Ｙは複素環である。別の実施形態において、複素環系中のヘテロ原子は、Ｎ、ＯおよびＳを含むリストから選択される。開示した多環式有機化合物のさらに別の実施形態において、多環系Ｙは、フラン、オキシラン、４Ｈ−ピラン、２Ｈ−クロメン、ベンゾ［ｂ］フラン、２Ｈ−ピラン、チオフェン、ベンゾ［ｂ］チオフェン、パラチアジン、ピロール、ピロリジン、ピラゾール、イミダゾール、イミダゾリン、イミダゾリジン、ピラゾリジン、ピリミジン、ピリジン、ピペラジン、ピペリジン、ピラジン、インドール、プリン、ベンゾイミダゾール、キノリン、フェノチアジン、モルホリン、チアジオール(thiaziole)、チアジアゾール、およびオキサゾ
ールを含むリストから選択される少なくとも１つのフラグメントを含む。
【００３２】
開示した多環式有機化合物のさらに別の実施形態において、多環系Ｙは、芳香族炭化水素を表わす少なくとも１つのフラグメントを含む。別の実施形態において、前記芳香族炭化水素は、アセナフテン、アセナフチレン、アセフェナントリレン、ビフェニレンおよびナフタレンを含むリストから選択される。
【００３３】
さらに別の実施形態において、多環系Ｙは、オリゴフェニル、イミダゾール、ピラゾール、アセナフテン、トリアイジン(triaizine)を含むリストから選択され、構造１〜２４
から選択される一般構造式を有して表１に示されたフラグメントを含む。
【００３４】
表１．多環式芳香族炭化水素、イミダゾール、ピラゾールおよびトリアイジンフラグメントを備えた多環系Ｙの例
【００３５】
【表１】
2011515340.tif 000008
2011515340.tif 000009
2011515340.tif 000010
開示した多環式有機化合物の一実施形態において、可溶性を提供する基Ｗのうちの少なくとも１つは、カルボン酸（ＣＯＯＨ）基、直鎖および分岐（Ｃ１〜Ｃ２０）アルキル、（Ｃ２〜Ｃ２０）アルケニル基、および（Ｃ２〜Ｃ２０）アルキニル(alkinyl)基を含む
リストから選択される。一実施形態において、前記基Ｗは、少なくとも１つの共有結合によって多環系Ｙと連結されている。さらに別の実施形態において、アルキル基は、少なくとも２つの共有結合によって多環系Ｙに連結することにより、環を形成する。アルキル鎖間の疎水的相互作用は、超分子の形成により可溶性を改善し、不飽和結合の分子間π−π相互作用は、有機溶媒の溶液中における超分子の形成を保証するために大きな役割を果たし得る。以下、超分子という用語は、溶液中における分子凝集を含む。超分子の種類とし
ては、棒状超分子、層状超分子、および当業者に知られている他の種類が挙げられる。
【００３６】
開示した多環式有機化合物の別の実施形態において、基Ｗのうちの少なくとも１つは架橋基Ａによって多環系Ｙと連結される。さらに別の実施形態において、架橋基Ａは、−Ｃ（Ｏ）−、−Ｃ（Ｏ）Ｏ−、−Ｃ（Ｏ）−ＮＨ−、−（ＳＯ２）ＮＨ−、−Ｏ−、−ＣＨ２Ｏ−、−ＮＨ−、＞Ｎ−、およびそれらの任意の組み合わせを含むリストから選択される。
【００３７】
開示した多環式有機化合物の一実施形態において、前記多環系はπ−π−相互作用によって棒状超分子を形成することができ得る。開示した多環式有機化合物の別の実施形態において、棒状超分子は、約３．１〜３．７Åの範囲にある多環系間における面間距離を有する。
【００３８】
本発明はまた上記に開示したような溶液を提供する。開示した溶液の別の実施形態では、多環系Ｙは複素環である。前記複素環系中のヘテロ原子は、Ｎ、ＯおよびＳを含むリストから選択される。本発明のさらに別の実施形態において、多環系Ｙは、フラン、オキシラン、４Ｈ−ピラン、２Ｈ−クロメン、ベンゾ［ｂ］フラン、２Ｈ−ピラン、チオフェン、ベンゾ［ｂ］チオフェン、パラチアジン、ピロール、ピロリジン、ピラゾール、イミダゾール、イミダゾリン、イミダゾリジン、ピラゾリジン、ピリミジン、ピリジン、ピペラジン、ピペリジン、ピラジン、インドール、プリン、ベンゾイミダゾール、キノリン、フェノチアジン、モルホリン、チアジオール(thiaziole)、チアジアゾール、およびオキサ
ゾールを含むリストから選択される少なくとも１つのフラグメントを含む。
【００３９】
開示した溶液の別の実施形態において、多環系Ｙは、芳香族炭化水素を表わす少なくとも１つのフラグメントを含む。さらに本発明の別の実施形態において、前記芳香族炭化水素は、アセナフテン、アセナフチレン、アセフェナントリレン、ビフェニレンおよびナフタレンを含むリストから選択される。
【００４０】
開示した溶液のさらに別の実施形態において、多環系Ｙは、オリゴフェニル、イミダゾール、ピラゾール、アセナフテン、トリアジン(triaizine)を含むリストから選択され、
構造１〜２４から選択される一般構造式を有して表１に示されたフラグメントを含む。
【００４１】
開示した溶液の一実施形態において多環式有機化合物における可溶性を提供する基Ｗのうちの少なくとも１つは、カルボン酸（ＣＯＯＨ）基、直鎖および分岐（Ｃ１〜Ｃ２０）アルキル、（Ｃ２〜Ｃ２０）アルケニル基、および（Ｃ２〜Ｃ２０）アルキニル基を含むリストから選択される。一実施形態において、開示した多環式有機化合物中の前記基Ｗは、少なくとも１つの共有結合によって多環系Ｙと連結されている。さらに別の実施形態において、アルキル基は、少なくとも２つの共有結合によって多環系Ｙに連結することにより、環を形成する。アルキル鎖間の疎水的相互作用は、超分子の形成により可溶性を改善し、不飽和結合の分子間π−π相互作用は、有機溶媒の溶液中における超分子の形成を保証するために大きな役割を果たし得る。
【００４２】
開示した溶液の別の実施形態において、多環式有機化合物の基Ｗのうちの少なくとも１つは、架橋基Ａによって多環系Ｙと連結される。さらに別の実施形態において、架橋基Ａは、−Ｃ（Ｏ）−、−Ｃ（Ｏ）Ｏ−、−Ｃ（Ｏ）−ＮＨ−、−（ＳＯ２）ＮＨ−、−Ｏ−、−ＣＨ２Ｏ−、−ＮＨ−、＞Ｎ−、およびそれらの任意の組み合わせを含むリストから選択される。
【００４３】
開示した溶液の他の実施形態において、基Ｗのうちの少なくとも１つは架橋基Ａによって多環系Ｙと連結される。さらに別の実施形態において、架橋基Ａは、−Ｃ（Ｏ）−、−
Ｃ（Ｏ）Ｏ−、−Ｃ（Ｏ）−ＮＨ−、−（ＳＯ２）ＮＨ−、−Ｏ−、−ＣＨ２Ｏ−、−ＮＨ−、＞Ｎ−、およびそれらの任意の組み合わせを含むリストから選択される。
【００４４】
さらに開示された溶液の別の実施形態において、有機溶媒は、ケトン、カルボン酸、炭化水素、環式炭化水素、クロロ炭化水素、アルコール、エーテル、エステルおよび任意のそれらの組み合わせを含むリストから選択される。さらに開示された溶液の別の実施形態において、有機溶媒は、アセトン、キシレン、トルエン、エタノール、メチルシクロヘキサン、酢酸エチル、ジエチルエーテル、オクタン、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタン、トリクロロエテン、テトラクロロエテン、四塩化炭素、１，４−ジオキサン、テトラヒドロフラン、ピリジン、トリエチルアミン、ニトロメタン、アセトニトリル、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド(dimethulsulfoxide)および任意のそれらの
組み合わせを含むリストから選択される。
【００４５】
本発明の一実施形態において、前記溶液はリオトロピック液晶溶液である。本発明の別の実施形態において、前記溶液は等方性溶液である。
開示した溶液の一実施形態において、超分子は、式（Ｉ）の少なくとも２つの前記異なる化合物の相互作用によって形成される。開示した溶液の別の実施形態において、超分子は、一般構造式（Ｉ）の同一の化合物の相互作用によって形成される。
【００４６】
本発明の別の実施形態において、前記溶液はさらに、有機溶媒中に可溶である界面活性剤のような添加物および／または可塑剤を含有し得る。前記添加物および／または可塑剤は、溶液の調整を損なわない化合物から選択される。
【００４７】
開示した溶液から位相差層を形成する方法は、ａ）有機溶媒中で一般構造式（Ｉ）の多環式有機化合物の溶液を調製する工程と、前記多環式有機化合物は、前記溶液中において超分子を形成することができ、前記化合物は、可視スペクトル範囲の電磁放射に対して実質的に透過性であることと、ｂ）前記溶液の層を基材上に堆積する工程と、ｃ）乾燥させて位相差層を形成する工程とを有する。本発明の一実施形態において、開示した補償板を調製する方法は、超分子の主要な配向を提供するために、前記溶液の層の上に外部からの配向作用を与えることをさらに含む。配向作用は、工程ｂ）の溶液の層の堆積の後に行われ得る。別の実施形態において、前記配向作用は工程ｂ）と同時であってもよい。前記配向作用は、外部からの機械的配向作用、電磁気配向作用、当業から知られている他の配向作用、およびそれらの任意の組み合わせを含むリストから選択され得る。
【００４８】
本発明はまた上記に開示したような補償板を提供する。
前記補償板の一実施形態では、多環系Ｙは複素環である。前記複素環系中のヘテロ原子は、Ｎ、ＯおよびＳを含むリストから選択される。前記補償板の別の実施形態において、多環系Ｙは、フラン、オキシラン、４Ｈ−ピラン、２Ｈ−クロメン、ベンゾ［ｂ］フラン、２Ｈ−ピラン、チオフェン、ベンゾ［ｂ］チオフェン、パラチアジン、ピロール、ピロリジン、ピラゾール、イミダゾール、イミダゾリン、イミダゾリジン、ピラゾリジン、ピリミジン、ピリジン、ピペラジン、ピペリジン、ピラジン、インドール、プリン、ベンゾイミダゾール、キノリン、フェノチアジン、モルホリン、チアジオール(thiaziole)、チ
アジアゾール、およびオキサゾールを含むリストから選択される少なくとも１つのフラグメントを含む。
【００４９】
開示した補償板のさらに別の実施形態において、多環系Ｙは、芳香族炭化水素を表わす少なくとも１つのフラグメントを含む。さらに別の実施形態において、前記芳香族炭化水素は、アセナフテン、アセナフチレン、アセフェナントリレン、ビフェニレンおよびナフタレンを含むリストから選択される。
【００５０】
開示した補償板の別の実施形態において、多環系Ｙは、オリゴフェニル、イミダゾール、ピラゾール、アセナフテン、トリアジン(triaizine)を含むリストから選択され、表１
の構造１〜２４から選択される一般構造式を有するフラグメントを含む。
【００５１】
開示した補償板の一実施形態において、多環式有機化合物における可溶性を提供する基Ｗは、カルボン酸（ＣＯＯＨ）基、直鎖および分岐（Ｃ１〜Ｃ２０）アルキル、（Ｃ２〜Ｃ２０）アルケニル基、および（Ｃ２〜Ｃ２０）アルキニル基を含むリストから選択される。開示した補償板の別の実施形態において、多環式有機化合物の基Ｗのうちの少なくとも１つは、架橋基Ａによって多環系Ｙと連結される。さらに別の実施形態において、架橋基Ａは、−Ｃ（Ｏ）−、−Ｃ（Ｏ）Ｏ−、−Ｃ（Ｏ）−ＮＨ−、−（ＳＯ２）ＮＨ−、−Ｏ−、−ＣＨ２Ｏ−、−ＮＨ−、＞Ｎ−、およびそれらの任意の組み合わせを含むリストから選択される。
【００５２】
本発明の別の実施形態において、補償板は２つ以上の位相差層を備え、前記層のうち少なくとも２つは、一般構造式（Ｉ）の異なる多環式化合物を含有する。
本発明の一実施形態において、開示した補償板は基材をさらに備える。開示した補償板の別の実施形態において、前記基材は可視スペクトル範囲にある電磁放射に対して透過性である。開示した補償板のさらに別の実施形態において、前記基材はポリマー製であってもよい。さらに別の実施形態において、前記基材はガラス製であってもよい。反射型ＬＣＤについては、前記基材は、鏡面反射面または乱反射面を有する箔から製造されていてもよい。一実施形態において、補償板は、位相差層の上面上に施された透明接着剤層をさらに備える。さらに別の実施形態において、補償板は接着剤透明層上に施された保護コーティングをさらに備える。
【００５３】
補償板の一実施形態において、位相差層は少なくとも部分的に結晶性である。
開示した補償板のさらに別の好ましい実施形態において、位相差層は、ＢＡ型の二軸位相差層であり、前記ＢＡ型の二軸位相差層は、速主軸および遅主軸にそれぞれ対応する２つの面内屈折率（ｎｆおよびｎｓ）と、法線方向における１つの屈折率（ｎｎ）とによって特徴付けられ、それらの屈折率は可視スペクトル範囲の電磁放射に対して以下の条件：ｎｓ＞ｎｎ＞ｎｆに従う。
【００５４】
開示した補償板のさらに別の好ましい実施形態において、位相差層は、ＡＣ型の二軸位相差層であり、前記ＡＣ型の二軸位相差層は、速主軸および遅主軸にそれぞれ対応する２つの面内屈折率（ｎｆおよびｎｓ）と、法線方向における１つの屈折率（ｎｎ）とによって特徴付けられ、それらの屈折率は可視スペクトル範囲の電磁放射に対して以下の条件：ｎｓ＞ｎｆ＞ｎｎに従う。
【００５５】
本発明の一実施形態では、開示した補償板は、少なくとも１つの第１型の位相差層であって、その第１型位相差層の平面内に実質的に存在する遅主軸および速主軸を有する、第１型の位相差層と、少なくとも１つの第２型の位相差層であって、その第２型位相差層の平面にほぼ直交するように指向する光学軸を有する、第２型の位相差層とを備える。
【００５６】
開示した補償板のさらに別の好ましい実施形態において、第１型の位相差層は、負のＡ型の一軸位相差層であり、前記負のＡ型の一軸位相差層は、速主軸および遅主軸にそれぞれ対応する２つの面内屈折率（ｎｆおよびｎｓ）と、法線方向における１つの屈折率（ｎｎ）とによって特徴付けられ、それらの屈折率は可視スペクトル範囲の電磁放射に対して以下の条件：ｎｎ＝ｎｓ＞ｎｆに従う。
【００５７】
開示した補償板の一実施形態において、第１型の位相差層は、それらの長手軸線が速主軸とほぼ平行に配向された棒状超分子を含む。本発明の別の実施形態において、開示した
補償板は、それらの長手軸線に直交する平面においてほぼ等方的な分極性を有する前記棒状の超分子を含む。開示した補償板のさらに別の好ましい実施形態において、第２型の位相差層は、負のＣ型の一軸の位相差層である。前記負のＣ型の一軸の位相差層は、速主軸および遅主軸にそれぞれ対応する２つの面内屈折率（ｎｆおよびｎｓ）と、法線方向における１つの屈折率（ｎｎ）とによって特徴付けられ、それらの屈折率は可視スペクトル範囲の電磁放射に対して以下の条件：ｎｆ＝ｎｓ＞ｎｎに従う。さらに開示された補償板の別の実施形態において、第２型の位相差層は、前記位相差層の表面とほぼ平行に配向されたそれらの平面を有するシート状超分子を含む。
【００５８】
以下の実施例は、本発明の特定の化合物の調製法および使用法の詳細な説明である。前記実施例は本発明の実施形態を示すために示され、本発明の範囲に対する限定として意図されない。
【００５９】
提供された手順を用いて異なる基Ｗを備えた多くの他の変形物を容易に得ることができるので、本発明の範囲は、これらの特定の構造に限定されないことが理解されるに違いない。
【００６０】
位相差層および補償板の詳細な調製を記載する以下の実施例は、例証のために含まれているものであり、当業者は、本発明の他の化合物を備えた位相差層および補償板を得ることができる。
【００６１】
以下の実施例において、すべてのパーセントは重量パーセントであり、温度はすべて摂氏におけるものである。
【実施例１】
【００６２】
実施例１は、Ｎ，Ｎ’−（１−ウンデシル）ドデシル−５，１１−ジヘキシルコロネン−２，３：８，９−テトラカルボキシジイミドの調製について説明しており、前記化合物の主に平面の多環系は表１の構造式２４に示されている。合成手順はスキーム１に示されており、６段階からなる。
【００６３】
【化１】
2011515340.tif 000011
スキーム１
市販のペリレン−３，４：９，１０−テトラカルボン酸二無水物（１００．０ｇ、０．２５５ｍｏｌ）を、１００％硫酸（８４５ｍＬ）中、〜８５℃で、臭素（２９ｍＬ）およびヨウ素（２．３８ｇ）の混合物によって、臭素化した。１，７−ジブロモペリレン−３，４：９，１０−テトラカルボン酸二無水物の収量は９０ｇ（６４％）であった。
【００６４】
分析：計算値：Ｃ２４Ｈ６Ｂｒ２Ｏ６、Ｃ  ５２．４０、Ｈ  １．１０、Ｂｒ  ２９．０５、Ｏ  １７．４５％；実測値：Ｃ  ５２．２９、Ｈ  １．０７、Ｂｒ  ２８．７９％。吸収スペクトル（９３％硫酸中９．８２×１０５Ｍの溶液）：４０５（９５７２）、５１６（２７８９２）、５５３（３７７６９）。
【００６５】
Ｎ，Ｎ’−ジシクロヘキシル−１，７−ジブロモペリレン−３，４：９，１０−テトラカルボキシジイミドは、１，７−ジブロモペリレン−３，４：９，１０−テトラカルボン酸二無水物（３０．０ｇ）を、Ｎ−メチルピロリドン（３９０ｍＬ）中、〜８５℃で、シクロヘキシルアミン（１８．６ｍＬ）と反応させることによって合成した。Ｎ，Ｎ’−ジシクロヘキシル−１，７−ジブロモペリレン−３，４：９，１０−テトラカルボキシジイミドの収量は３０ｇ（７７％）であった。
【００６６】
Ｎ，Ｎ’−ジシクロヘキシル−１，７−ジ（オクタ−１−イニル）ペリレン−３，４：９，１０−テトラカルボキシジイミドは、ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ｌｌ）塩化物（２．４２ｇ）、トリフェニルホスフィン(triphenylphospine)（０．９ｇ
）、および銅（Ｉ）ヨウ化物（０．６６ｇ）の存在下での、Ｎ，Ｎ’−ジシクロヘキシル−１，７−ジブロムペリレン(dibromperylene)−３，４：９，１０−テトラカルボキシジイミド（２４．７ｇ）およびオクチン−１（１５．２ｇ）の薗頭反応による。Ｎ，Ｎ’−ジシクロヘキシル−１，７−ジ（オクタ−１−イニル）ペリレン−３，４：９，１０−テトラカルボキシジイミドの収量は１５．７ｇ（６０％）であった。
【００６７】
Ｎ，Ｎ’−ジシクロヘキシル−５，１１−ジヘキシルコロネン−２，３：８，９−テトラカルボキシジイミドは、Ｎ，Ｎ’−ジシクロヘキシル−１，７−ジ（オクタ−１−イニ
ル）ペリレン−３，４：９，１０−テトラカルボキシジイミド（７．７ｇ）を、トルエン（４００ｍＬ）中、１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデカ−７−エン（０．６ｍＬ）の存在下、１００〜１１０℃で２０時間にわたって加熱することにより合成した。
【００６８】
５，１１−ジヘキシルコロネン−２，３：８，９−テトラカルボン酸二無水物は、Ｎ，Ｎ’−ジシクロヘキシル−５，１１−ジヘキシルコロネン−２，３：８，９−テトラカルボキシジイミド（６．４ｇ、８．３ｍｍｏｌ）を、ｔｅｒｔ−ブタノール（４００ｍＬ）と水（０．４ｍＬ）との混合物中、８５〜９０°で、水酸化カリウム（７．０ｇ、８５％）によって加水分解することによって調製した。５，１１−ジヘキシルコロネン−２，３：８，９−テトラカルボン酸二無水物の収量は４．２ｇ（８３％）であった。
【００６９】
Ｎ，Ｎ’−（１−ウンデシル）ドデシル−５，１１−ジヘキシルコロネン−２，３：８，９−テトラカルボキシジイミドは、５，１１−ジ（ヘキシル）コロネン−２，３：８，９−テトラカルボン酸二無水物と１２−トリコサンアミンとの反応による。
【００７０】
５，１１−ジ（ヘキシル）コロネン−２，３：８，９−テトラカルボン酸二無水物（３．４４ｇ）、１２−トリコサンアミン（７．３８ｇ）、安息香酸（４５ｍｇ）および３−クロロフェノール（１５ｍＬ）を、室温で２回、１００℃で２回にわたって、アルゴンで脱気して飽和させた。反応混合物を、アルゴン流中、〜１４０℃で１時間、１６０〜１６５℃で２０時間にわたって撹拌した。その後、反応混合物を〜１００℃で撹拌し、１０ｍｍＨｇで３０分間にわたって減圧した。次いで、装置をアルゴンで再び充填して、さらに２４時間にわたって加熱を継続した。
【００７１】
一滴の反応混合物を酢酸（５ｍＬ）と混合して、遠心分離機にかけ、固形物をクロロホルム（０．５ｍＬ）中に溶解させ、それを水で洗浄し、硫酸ナトリウム上で乾燥させた。薄層クロマトグラフィー調査は、Ｒｆ  ０．９を有する生成物の良好な形成を示した。（溶離液：クロロホルム−ヘキサン−酢酸エチル−メタノール（体積比で１００：５０：０．３：０．１））。
【００７２】
反応混合物を少量ずつ、酢酸（５００ｍＬ）に、同時に振盪しながら添加した。橙赤色の懸濁液を周期的に振盪しながら３時間にわたって維持し、次いで、濾過した。濾過ケーキを水（０．５Ｌ）で洗浄し、次いで、分離器漏斗中で水（０．５Ｌ）およびクロロホルム（２５０ｍＬ）と共に振盪した。有機層を分離し、水（２×３５０ｍＬ）で洗浄し、硫酸ナトリウム上で一晩乾燥させた。蒸発により、７．０ｇの粗製生成物を生じた。
【００７３】
正確に調整した溶離混合物：クロロホルム（７００ｍＬ）、石油エーテル（２Ｌ）、酢酸エチル（０．６ｍＬ）およびメタノール（０．２）を用いてカラムクロマトグラフィーを行った。
【００７４】
カラムクロマトグラフィーはｌ＝２０、ｄ＝７ｃｍのカラムを用いて行った。橙色画分の溶離および蒸発により、橙色の柔軟な固形物が生じた。該固形物をクロロホルム（２５ｍＬ）に溶解し、撹拌しながらメタノール（４００ｍＬ）にゆっくりと添加した。柔軟な沈澱物を空気中で一晩乾燥させ、次いで真空中（１５ｍｍＨｇ）で温和加熱（３５°）しながら５時間にわたって乾燥させた。Ｎ，Ｎ’−（１−ウンデシル）ドデシル−５，１１−ジヘキシルコロネン−２，３：８，９−テトラカルボキシジイミドの調製の収量は５．０ｇ（７０％）であった。
【実施例２】
【００７５】
実施例２は、Ｃ−型の位相差層と補償板の調製について説明する。コーティング液は、実施例１に従って調製したＮ，Ｎ’−（１−ウンデシル）ドデシル−５，１１−ジヘキシ
ルコロネン−２，３：８，９−テトラカルボキシジイミドの５％のクロロホルム溶液として調製した。
【００７６】
【化２】
2011515340.tif 000012
ＩＴＯ被覆ガラス基板を、標準的な有機物に基づいたプロトコルに従って清浄した。前記プロトコルは、５分間にわたって液体洗剤中に浸漬する工程、１時間にわたって脱イオン水によって超音波洗浄する工程、圧縮空気によって乾燥させる工程、１０分間にわたるアセトンによる超音波浴の工程、３０分間にわたって沸騰トリクロロエチレン中で洗浄する工程、１０分間にわたるアセトンによる超音波浴の工程、３０分間にわたって沸騰イソプロパノール中で洗浄する工程、および圧縮空気によってさらに乾燥させる工程を含む。
【００７７】
コーティング液層の層は、メイヤーロッド技術によって、新たに処理した基材上に堆積した。結果として生じる位相差層の厚さは、コーティング液濃度およびメイヤーロッドゲージに依存する。標準値は１００〜１０００ｎｍである。
【００７８】
試料を炉内に配置し、２３０℃まで急速に加熱した。次いで、試料を５℃／分の速度で室温まで冷却した。
位相差層は、図５に示すように、数平方センチメートル(several sq.cm.)の欠陥のない均質な領域を有する均一なものであった。
【００７９】
偏光顕微鏡検査は、ホメオトロピック分子配向テクスチャに特異的であること示している。透過率スペクトル領域における屈折率の異方性は、ｎｆ−ｎｎ＝０．３（ｎｆ＝ｎｓ）であると測定される。
【実施例３】
【００８０】
実施例３は、ビスベンズイミドアゾ［１’，２’：３，４；１”，２”：５，６］［１，３，５］トリアジノ［１，２−ａ］ベンゾイミダゾール−２，８，１４−トリカルボン酸の合成について説明する。該化合物の主に平面の多環系は表１の構造式３に示されている。
【００８１】
【化３】
2011515340.tif 000013
Ａ．  ５−メチル−１，３−ジヒドロ−２Ｈ−ベンズイミダゾール−２−オンの合成
４−メチル−１，２−フェニレンジアミンジヒドロクロリド（２０．７５ｇ、１０６ｍｍｏｌ）を尿素（７．６４ｇ、１２７ｍｍｏｌ）と共に粉砕した。その混合物を耐熱ビーカーに入れて、１５０℃まで加熱した。１．５時間後、反応混合物を室温に冷却した。固形物は粉砕して耐熱ビーカーに入れ、１５０℃で１．５時間にわたってさらに加熱した。次いで、反応混合物を、沸騰した１〜１．５％水酸化ナトリウム水溶液（１．５Ｌ）中に溶解させた。得られた溶液を、不溶解固形物から濾別し、活性黒色炭素(activated black
carbon)（ＢＡＵ−Ａ、２ｇ）と共に２０〜３０分間にわたって沸騰させて、濾過した。濾液を濃塩酸によってｐＨ〜６まで酸性化した。白色沈殿物を濾過して、水（１００ｍＬ）で洗浄し、デシケーター内において、リン酸化物の存在下、減圧下で乾燥した。収量：１３．１ｇ（８３．５％）。
【００８２】
Ｂ．  ２−クロロ−６−メチル−１Ｈ−ベンゾイミダゾールの合成
５−メチル−１，３−ジヒドロ−２Ｈ−ベンズイミダゾール−２−オン（１３．１ｇ，８８．５ｍｍｏｌ）およびオキシ塩化リン（１３０ｍＬ、新たに蒸留）を三つ口丸底フラスコに入れた。その混合物を、均一溶液が形成されるまで、沸点まで加熱した。その後、乾燥塩化水素を、注入ガス管を介して、反応混合物中にバブリングした。反応混合物を１５時間にわたって沸騰させた。過剰なオキシ塩化リンは減圧下で蒸留した。氷および水の混合物（２５０ｍＬ）を残留物に加えた。得られた懸濁液を室温に冷却して濾過した。濾液をアンモニア水溶液によってｐＨ８までアルカリ化し、冷水によって冷却し、粗製２−クロロ−６−メチル−１Ｈ−ベンゾイミダゾールを濾過した。白色粉体をメタノール水溶液（水−メタノール：  １：１、２００ｍＬ）から結晶化させ、その白色粉体をメタノール水溶液によって洗浄して、デシケーター内において、リン酸化物の存在下、減圧下で乾燥した。収量：８．１７ｇ（５５％）。
【００８３】
Ｃ．  ２，８，１４−トリメチル−ビスベンズイミドアゾ［１’，２’：３，４；１”，２”：５，６］［１，３，５］−トリアジノ［１，２−ａ］ベンゾイミダゾールの合成
２−クロロ−６−メチル−１Ｈ−ベンゾイミダゾール（２．７ｇ、１６．２ｍｍｏｌ）を丸底フラスコに入れ、約１時間にわたって２００〜２０５℃まで加熱した。反応混合物を室温に冷却した。固形物（２．２ｇ）を沸騰したジオキサン（７０ｍＬ）中に溶解させ、生じた溶液を室温に冷却した。溶液を濾過し、そのフィルタをジオキサン（２５ｍＬ）で洗浄し、洗浄したジオキサンを主溶液と合わせた。得られた溶液に水（４０ｍＬ）を滴下して加えた。沈澱物を濾過し、アセトンで洗浄して、約７０℃において、リン酸化物の存在下、減圧下で乾燥した。収量：１．１６ｇ（５４％）
Ｄ．  ビスベンズイミドアゾ［１’，２’：３，４；１”，２”：５，６］［１，３，５］トリアジノ［１，２−ａ］ベンゾイミダゾール−２，８，１４−トリカルボン酸の合
成
２，８，１４−トリメチル−ビスベンズイミドアゾ［１’，２’：３，４；１”，２”：５，６］［１，３，５］トリアジノ［１，２−ａ］ベンゾイミダゾール（１．０３ｇ、２．６ｍｍｏｌ）を、濃硫酸および氷酸(glacial acid)（比率８：１２）の混合物（２０ｍＬ）に加えた。次いで、三酸化クロム（３．５ｇ）の粉末を、反応混合物を冷却しながら、ゆっくりと加えた。その混合物を室温で３時間撹拌した。前記反応混合物に、水（２０ｍＬ）を、冷却（２０〜４０℃）しながら、滴下して加えた。沈澱物を濾過し、大量の水および希釈した塩化水素溶液（３０ｍＬ）でさらに洗浄した。次いで、沈澱物をリン酸化物の元、減圧下で乾燥した。収量：０．７２ｇ（５７．６％）。
【実施例４】
【００８４】
実施例４は、実施例３で説明したように調製したビスベンズイミドアゾ［１’，２’：３，４；１”，２”：５，６］［１，３，５］トリアジノ［１，２−ａ］ベンゾイミダゾール−２，８，１４−トリカルボン酸による負のＣ−型の固体光学的位相差層の調製について説明する。
【００８５】
１ｇのビスベンズイミドアゾ［１’，２’：３，４；１”，２”：５，６］［１，３，５］トリアジノ［１，２−ａ］ベンゾイミダゾール−２，８，１４−トリカルボン酸を９ｇのジメチルスルホキシド中に溶解させた。その懸濁液を完全に溶解するまで磁気撹拌器によって混合した。
【００８６】
実施例２で説明したように、コーティングを生成し、光学的に特徴付けた。得られた固体光学的位相差層は、約３００ｎｍに相当する厚さと、下記条件：
nz ＜ ny ≒ nx
に従う主屈折率によって特徴付けられる。面外複屈折は、０．１５に相当する。
【実施例５】
【００８７】
実施例５は、２，５，９−（ドデシン−１−イル）アセナフト［１，２−ｂ］キノキサリンの調製を説明する。該化合物の主に平面の多環系は表１の構造式４に示されている。合成手順はスキーム２に示されており、２段階からなる。
【００８８】
【化４】
2011515340.tif 000014
スキーム２
Ａ．  ２，５，９−トリブロモアセナフト［１，２−ｂ］キノキサリンの合成
１−ブロモ−３，４−ジアミノベンゼン（１８．７ｇ、１００ｍｍｏｌ）を４，７−ジブロモアセナフテンキノン（３４ｇ）の酢酸（３５０ｍＬ）中懸濁液に添加した。反応混合物を１２時間還流した。固形物を分離し、酢酸（８０ｍＬ）で洗浄し、１２０℃で３時間にわたって乾燥させると、３６．２６ｇ（７４％）の２，５，９−トリブロモアセナフト［１，２−ｂ］キノキサリンを生じた。
【００８９】
Ｂ．  ２，５，９−（ドデシン−１−イル）アセナフト［１，２−ｂ］キノキサリンの合成
トリブロモアセナフト［１，２−ｂ］キノキサリン（４９ｇ、１００ｍｍｏｌ）を、アルゴン雰囲気下、１００ｍＬの乾燥したトリエチルアミン中において、ＰｄＣｌ２（ＰＰｈ３）２（３．７ｇ、５ｍｏｌ％）およびＣｕＩ（４ｇ）と混合した。ドデシン−１（６６ｇ、４００ｍｍｏｌ）を添加し、その混合物を６５℃で一晩撹拌した。溶媒を減圧下で除去し、残留物を酢酸エチル中に溶解させて、ＮＨ４ＣｌおよびＮａＣｌの飽和溶液で連続的に洗浄した。濃縮した有機相から、溶離液としてヘキサン−酢酸エチル混合物（９：１）を用いたカラムクロマトグラフィーによって、２，５，９−（ドデシン−１−イル）アセナフト［１，２−ｂ］キノキサリンを分離した。収量：６３．４９ｇ、８５％
【実施例６】
【００９０】
実施例６は、２，５，９−トリス（デシロキシ）アセナフト［１，２−ｂ］ピリド［２，３−ｅ］ピラジンの調製について説明する。前記化合物の主に平面の多環系は表１の構造式６に示されている。合成手順はスキーム１に示されており、６段階からなる。
【００９１】
【化５】
2011515340.tif 000015
スキーム３
Ａ．  アセナフト［１，２−ｂ］ピリド［２，３−ｅ］ピラジン−２，５，９−トリオールの合成
５，６−ジアミノピリジン−２−オール（１２．５ｇ、１００ｍｍｏｌ）を、４，７−ジヒドロキシ−アセナフテンキノン（２１．４ｇ、１００ｍｍｏｌ）の酢酸（２５０ｍＬ）中懸濁液に添加した。反応混合物を１２時間還流した。固形物を分離し、酢酸（８０ｍＬ）で洗浄し、１２０℃で３時間にわたって乾燥させると、２１．２３ｇ（５８％）のアセナフト［１，２−ｂ］ピリド［２，３−ｅ］ピラジン−２，５，９−トリオールが生じた。
【００９２】
Ｂ．  ２，５，９−トリス（デシロキシ）アセナフト［１，２−ｂ］ピリド［２，３−ｅ］ピラジンの合成
アセナフト［１，２−ｂ］ピリド［２，３−ｅ］ピラジン−２，５，９−トリオール（３６．６ｇ、１００ｍｍｏｌ）をＤＣＭ（１５０ｍＬ）に溶解させた。１−ブロモデカン（６６．３ｍＬ、３００ｍｍｏｌ）、Ｋ２ＣＯ３（５５．２ｇ、４００ｍｍｏｌ）、およ
び１８−クラウン−６（１０ｍｏｌ％、２．６４ｇ）を撹拌して加えた。反応混合物を５０℃で１５時間にわたって撹拌した。溶媒を減圧下で除去し、残留物を酢酸エチル中に溶解させて、ＮＨ４ＣｌおよびＮａＣｌの飽和溶液で連続的に洗浄した。濃縮有機相から、溶離液としてヘキサン−酢酸エチル混合物（９：１）を用いたカラムクロマトグラフィーによって、２，５，９−トリス（デシロキシ）アセナフト［１，２−ｂ］ピリド［２，３−ｅ］ピラジンを分離した。収量：５７．２ｇ、７９％
【実施例７】
【００９３】
実施例７は、アセナフト［１，２−ｂ］ピリド［４，３−ｅ］ピラジン−２，５，１０−トリカルボン酸の調製について説明する。前記化合物の主に平面の多環系は表１の構造式７に示されている。合成手順はスキーム４に示されており、２段階から成る。
【００９４】
【化６】
2011515340.tif 000016
スキーム４
２，５，１０−トリメチルアセナフト［１，２−ｂ］ピリド［４，３−ｅ］ピラジンの合成
６−メチルピリジン−３，４−ジアミン（１２．３ｇ、１００ｍｍｏｌ）を、４，７−ジメチルアセナフテンキノン（２１ｇ、１００ｍｍｏｌ）の酢酸（１５０ｍＬ）中懸濁液に添加した。反応混合物を１２時間還流した。固形物を分離し、酢酸（３０ｍＬ）で洗浄し、１２０℃で３時間にわたって乾燥させると、２０．２ｇ（６８％）の２，５，１０−トリメチルアセナフト［１，２−ｂ］ピリド［４，３−ｅ］ピラジンを生じた。
【００９５】
Ｂ．  アセナフト［１，２−ｂ］ピリド［４，３−ｅ］ピラジン−２，５，１０−トリカルボン酸の合成
２，５，１０−トリメチルアセナフト［１，２−ｂ］ピリド［４，３−ｅ］ピラジン（２９．７ｇ、１００ｍｍｏｌ）を、濃硫酸および氷酸(glacial acid)（比率８：１２）の混合物（２００ｍＬ）に添加した。次いで、三酸化クロム（５０ｇ）の粉末を、反応混合物を同時に冷却しながら、ゆっくりと加えた。その混合物を室温で３時間撹拌した。冷却（２０〜４０℃）しながら、反応混合物に水（２００ｍＬ）を滴下して加えた。沈澱物を濾過し、水および希塩酸（３００ｍＬ）で洗浄した。生成物を、リン酸化物上、減圧下で乾燥させた。収量：２０．１２ｇ（５２％）。
【実施例８】
【００９６】
実施例８は、Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリス（３，５−ビス（オクチルオキシ）フェニル）−１，３，５−トリアジン−２，４，６−トリアミンの調製について説明する。前記化合物の主に平面の多環系は表１の構造式８に示されている。また、この実施例は、表１に示した構造式９および１３を有する多環式芳香族系を有する化合物の合成の代表である。合成手順はスキーム５に示されており、２段階から成る。
【００９７】
【化７】
2011515340.tif 000017
スキーム５
Ａ．  ５，５’，５”−（１，３，５−トリアジン−２，４，６−トリイル）トリス（アザンジイル）トリベンゼン−１，３−ジオールの合成
市販の１，３，５−トリアジン−２，４，６−トリアミン（１２．６ｇ、１００ｍｍｏｌ）および（３，５−ジヒドロキシフェニル）ボロン酸（１５．３ｇ、１００ｍｍｏｌ）をＤＣＭ（１００ｍＬ）中に溶解させ、トリエチルアミン（１０ｍＬ）およびＣｕ（ＯＡｃ）２（１０ｍｏｌ％、１．８２ｇ）を加えた。反応混合物を４０℃で２０時間にわたって撹拌し、次いで、ＮＨ４Ｃｌの飽和溶液でクエンチした。その混合物をＤＣＭ（３×１００ｍＬ）で抽出した。溶離液としてヘキサン−酢酸エチル混合物を用いたカラムクロマトグラフィーによって、５，５’，５”−（１，３，５−トリアジン−２，４，６−トリイル）トリス（アザンジイル）トリベンゼン−１，３−ジオールを分離した。収量：３８．２５ｇ（８５％）。
【００９８】
Ｂ．  Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリス（３，５−ビス（オクチルオキシ）フェニル）−１，３，５−トリアジン−２，４，６−トリアミンの合成
５，５’，５”−（１，３，５−トリアジン−２，４，６−トリイル）トリス（アザンジイル）トリベンゼン−１，３−ジオール（４５ｇ）をＤＣＭ（４５０ｍＬ）中に溶解させた。撹拌して、１−ブロモオクタン（９９ｇ、６００ｍｍｏｌ）、Ｋ２ＣＯ３（９６．６ｇ、７００ｍｍｏｌ）および１８−クラウン−６（１０ｍｏｌ％、２．６４ｇ）を加えた。反応混合物を５０℃で１５時間にわたって撹拌した。溶媒を減圧下で除去し、残留物を酢酸エチル中に溶解させて、ＮＨ４ＣｌおよびＮａＣｌの飽和溶液で連続的に洗浄した。濃縮有機相から、溶離液としてヘキサン−酢酸エチル混合物（９：１）を用いたカラムクロマトグラフィーによって、Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリス（３，５−ビス（オクチルオキシ）フェニル）−１，３，５−トリアジン−２，４，６−トリアミンを分離した。収量：１０２．２ｇ、９１％
【実施例９】
【００９９】
実施例８は、９，９’−（１，４−フェニレンビス（アザンジイル））ビス（オキソメ
チレン）ジアセナフト−［１，２−ｂ］キノキサリン−２，５−ジカルボン酸の調製について説明する。前記化合物の主に平面の多環系は表１の構造式１８に示されている。また、この実施例は、表１に示した構造式１１、１４、１６および１９を有する多環式芳香族系を有する化合物の合成の代表である。合成手順はスキーム６に示されており、４段階から成る。
【０１００】
【化８】
2011515340.tif 000018
スキーム６
Ａ．  ２，５−ジメチルアセナフト［１，２−ｂ］キノキサリン−９−カルボン酸の合成
３，４−ジアミノ安息香酸（１５．２ｇ、１００ｍｍｏｌ）を、４，７−ジメチルアセナフテンキノン（２１ｇ、１００ｍｍｏｌ）の酢酸（４５０ｍＬ）中懸濁液に加えた。反応混合物を１２時間還流した。固形物を分離し、酢酸（１３０ｍＬ）で洗浄し、１２０℃で３時間にわたって乾燥させると、１５．９７ｇ（４９％）の２，５−ジメチルアセナフト［１，２−ｂ］キノキサリン−９−カルボン酸を生じた。
【０１０１】
Ｂ．  ２，５−ジメチルアセナフト［１，２−ｂ］−キノキサリン−９−カルボニルクロリドの合成
２，５−ジメチルアセナフト［１，２−ｂ］キノキサリン−９−カルボン酸（３２．６ｇ、１００ｍｍｏｌ）を塩化チオニル（３００ｍＬ）に加え、その混合物を一晩還流した。前記混合物を室温に冷却して濾過した。過剰な塩化チオニルは減圧下で除去した。２，５−ジメチルアセナフト［１，２−ｂ］キノキサリン−９−カルボニルクロリドをヘキサンから再結晶した後に分離した。収量：２２．３６ｇ（６５％）。
【０１０２】
Ｃ．  Ｎ，Ｎ’−（１，４−フェニレン）ビス（２，５−ジメチルアセナフト［１，２−ｂ］キノキサリン−９−カルボキサミド）の合成
２，５−ジメチルアセナフト［１，２−ｂ］キノキサリン−９−カルボニルクロリド（３４．４ｇ、１００ｍｍｏｌ）および１，４−ジアミノベンゼン（５．４ｇ、５０ｍｍｏｌ）をＤＣＭ（１００ｍＬ）中に溶解させた。激しく撹拌して、ＮａＯＨ（７ｇ、２５ｍＬ）水溶液を滴下して加えた。反応混合物を６時間撹拌し、有機層を分離して、ＮＨ４Ｃｌの飽和溶液で３回洗浄し、ＮａＣｌの飽和溶液で２回洗浄した。溶液を減圧下で濃縮し、溶離液としてヘキサン−酢酸エチル混合物を用いて、シリカゲルを通して濾過した。溶媒を減圧下で除去すると、４４ｇ（６１ｇ）のＮ，Ｎ’−（１，４−フェニレン）ビス（２，５−ジメチルアセナフト［１，２−ｂ］キノキサリン−９−カルボキサミド）が残った。
【０１０３】
Ｄ．  ９，９’−（１，４−フェニレンビス（アザンジイル）ビス（オキソメチレン）ジアセナフト−［１，２−ｂ］キノキサリン−２，５−ジカルボン酸の合成
Ｎ，Ｎ’−（１，４−フェニレン）ビス（２，５−ジメチルアセナフト［１，２−ｂ］
キノキサリン−９−カルボキサミド）（３６．２ｇ、５０ｍｍｏｌ）を濃硫酸および氷酸(glacial acid)（比率８：１２）の混合物（１００ｍＬ）に加えた。次いで、三酸化クロム（３５ｇ）の粉末を、反応混合物を同時に冷却しながら、ゆっくりと加えた。その混合物を室温で３時間撹拌した。冷却（２０〜４０℃）しながら、反応混合物に水（２００ｍＬ）を滴下して加えた。沈澱物を濾過し、水および希塩酸（３００ｍＬ）で洗浄した。９，９’−（１，４−フェニレンビス（アザンジイル））ビス（オキソメチレン）ジアセナフト−［１，２−ｂ］キノキサリン−２，５−ジカルボン酸を、リン酸化物上、減圧下で乾燥した。収量：４７．２（５６％）
【実施例１０】
【０１０４】
実施例１０は、２，４，６−トリス（３，５−ビス（ドデシルオキシ）フェニル）−１，３，５−トリアジンの調製について説明する、前記化合物の主に平面の多環系は表１の構造式１０に示されている。合成手順はスキーム７に示されており、２段階から成る。
【０１０５】
【化９】
2011515340.tif 000019
スキーム７
Ａ．  ５．５’，５”−（１．３，５−トリアジン−２，４，６−トリイル）トリベンゼン−１，３−ジオールの合成
市販の２，４，６−トリクロロ−１，３，５−トリアジン（１８．４ｇ、１００ｍｍｏｌ）および（３，５−ジヒドロキシフェニル）ボロン酸（４５．９ｇ、３００ｍｍｏｌ）をＤＭＦ（５０ｍＬ）中に溶解させた。酢酸パラジウム（１．１２ｇ、５ｍｏｌ％）および炭酸カリウム（５５．２ｇ、４００ｍｍｏｌ）を加え、その反応混合物を４５℃で一晩撹拌した。前記反応を酢酸エチル(ethylactetate)で抽出し、有機相をＮＨ４Ｃｌおよび
ＮａＣｌの飽和溶液で連続的に洗浄した。溶離液としてヘキサン−酢酸エチル混合物（９：１）を用いたカラムクロマトグラフィーによって、５，５’，５”−（１，３，５−トリアジン−２，４，６−トリイル）トリベンゼン−１，３−ジオールを分離した。収量：３５．２ｇ、８７％。
【０１０６】
Ｂ．  ２，４，６−トリス（３，５−ビス（ドデシルオキシ）フェニル）−１，３，５−トリアジンの合成
５，５’，５”−（１，３，５−トリアジン−２，４，６−トリイル）トリベンゼン−１，３−ジオール（４０．５ｇ、１００ｍｍｏｌ）をＤＣＭ（３５０ｍＬ）中に溶解した。撹拌して、１−ブロモドデカン（１４９．４ｇ、６００ｍｍｏｌ）、Ｋ２ＣＯ３（９６．６ｇ、７００ｍｍｏｌ）および１８−クラウン−６（１０ｍｏｌ％、２．６４ｇ）を加えた。反応混合物を５０℃で１５時間にわたって撹拌した。溶媒を減圧下で除去し、残留物を酢酸エチル中に溶解させて、ＮＨ４ＣｌおよびＮａＣｌの飽和溶液で連続的に洗浄した。濃縮有機相から、溶離液としてヘキサン−酢酸エチル混合物（９：１）を用いたカラムクロマトグラフィーによって、２，４，６−トリス（３，５−ビス（ドデシルオキシ）フェニル）−１，３，５−トリアジンを分離した。収量：８３．５ｇ、５９％。
【実施例１１】
【０１０７】
実施例１１は、４，９−ジオクチル−２，７−ビス（オクチルオキシ）ピレンの調製について説明する。前記化合物の主に平面の多環系は表１の構造式２２に示されている。合成手順はスキーム８に示されており、４段階から成る。
【０１０８】
【化１０】
2011515340.tif 000020
スキーム８
Ａ．  （２，２’−ジ（デカ−１−イニル）ビフェニル−４，４’−ジイル）ビス（オキシ）ビス（ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシラン）の合成
アルゴン雰囲気下、１００ｍＬの乾燥したトリエチルアミン中において、（２，２’−ジブロモビフェニル−４，４’−ジイル）ビス（オキシ）ビス（ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシラン）（４３．３ｇ、１００ｍｍｏｌ）をＰｄＣｌ２（ＰＰｈ３）２（３．７ｇ、５ｍｏｌ％）およびＣｕＩ（４ｇ、２ｍｏｌ％）と混合した。デシン−１（２７．３ｇ、２００ｍｍｏｌ）を加え、その混合物を６５℃で一晩撹拌した。溶媒を減圧下で除去し、残留物を酢酸エチル中に溶解させ、ＮＨ４ＣｌおよびＮａＣｌの飽和溶液で連続的に洗浄した。濃縮有機相から、溶離液としてヘキサン−酢酸エチル混合物（９：１）を用いたカラムクロマトグラフィーによって、（２，２’−ジ（デカ−１−イニル）ビフェニル−４，４’−ジイル）ビス（オキシ）ビス（ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシラン）を分離した。収
量：３９．４５ｇ、７２％。
【０１０９】
Ｂ．  （４，９−ジオクチルピレン−２，７−ジイル）ビス（オキシ）ビス（ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシラン）の合成
トルエン（７００ｍＬ）中において、（２，２’−ジ（デカ−１−イニル）ビフェニル−４，４’−ジイル）ビス（オキシ）ビス（ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシラン）（２７．４ｇ、５０ｍｍｏｌ）を、１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデカ−７−エン（ＤＢＵ）（９１．２ｇ、６０ｍｍｏｌ）の存在下、１００〜１１０℃で２０時間にわたって加熱することにより、（４，９−ジオクチルピレン−２，７−ジイル）ビス（オキシ）ビス（ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシラン）を合成した。収量：１１．５０ｇ（４２％）
Ｃ．  ４，９−ジオクチルピレン−２，７−ジオールの合成
４，９−ジオクチルピレン−２，７−ジオールは、ＴＨＦ中において、ＴＢＡＦにより、ｔ−ブチルジメチルシリル保護除去の標準的な手順によって調製した。
【０１１０】
Ｄ．  ４，９−ジオクチル−２，７−ビス（オクチルオキシ）ピレンの合成
４，９−ジオクチルピレン−２，７−ジオール（４５．８ｇ、１００ｍｍｏｌ）をＤＣＭ（３５０ｍＬ）中に溶解した。撹拌の上、１−ブロモオクタン（３８．６ｇ、２００ｍｍｏｌ）、Ｋ２ＣＯ３（４１．４ｇ、３００ｍｍｏｌ）および１８−クラウン−６（１０ｍｏｌ％、２．６４ｇ）を添加した。反応混合物を５０℃で１５時間にわたって撹拌した。溶媒を減圧下で除去し、残留物を酢酸エチル中に溶解させ、ＮＨ４ＣｌおよびＮａＣｌの飽和溶液で連続的に洗浄した。濃縮有機相から、溶離液としてヘキサン−酢酸エチル混合物（９：１）を用いたカラムクロマトグラフィーによって、４，９−ジオクチル−２，７−ビス（オクチルオキシ）ピレンを分離した。収量：４９．８ｇ、７３％。
【実施例１２】
【０１１１】
実施例１２は、クリセン−２，５，８−トリカルボン酸の調製について説明する。前記化合物の主に平面の多環系は表１の構造式２３に示されている。合成手順はスキーム９に示されており、３段階から成る。
【０１１２】
【化１１】
2011515340.tif 000021
スキーム９
Ａ．  ２−メチル−６−（２−（プロプ−１−イニル）フェニル）ナフタレンの合成
１−ブロモ−２−（プロプ−１−イニル）ベンゼン（２０．９、１００ｍｍｏｌ）および６−メチルナフタレン−２−イルボロン酸（１８．６ｇ、１００ｍｍｏｌ）をＤＭＦ（５０ｍＬ）中に溶解させた。酢酸パラジウム（１．１２ｇ、５ｍｏｌ％）および炭酸カリウム（２７．６ｇ、２００ｍｍｏｌ）を加え、その反応混合物を４５℃で一晩撹拌した。前記反応を酢酸エチルで抽出し、有機相をＮＨ４ＣｌおよびＮａＣｌの飽和溶液で連続的
に洗浄した。溶離液としてヘキサン−酢酸エチル混合物（２０：１）を用いたカラムクロマトグラフィーによって、２−メチル−６−（２−（プロプ−１−イニル）フェニル）ナフタレンを分離した。収量：１８．９ｇ、７０％。
【０１１３】
Ｂ．  ２，５，８−トリメチルクリセンの合成
２，５，８−トリメチルクリセンは、２−メチル−６−（２−（プロプ−１−イニル）フェニル）ナフタレン（１３．５ｇ、５０ｍｍｏｌ）を、トルエン（７００ｍＬ）中において、１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデカ−７−エン（ＤＢＵ）（９１．２ｇ、６０ｍｍｏｌ）の存在下、１００〜１１０℃で２０時間にわたって加熱することにより合成した。収量：９．７２ｇ（５４％）
Ｃ．  クリセン−２，５，８−トリカルボン酸の合成
２，５，８−トリメチルクリセン（２７ｇ、１００ｍｍｏｌ）を、濃硫酸および氷酸(glacial acid)（比率８：１２）の混合物（２００ｍＬ）に加えた。次いで、反応混合物を冷却しながら、三酸化クロム（３５ｇ）の粉末をゆっくりと加えた。その混合物を室温で３時間撹拌した。冷却（２０〜４０℃）しながら、反応混合物に水（２００ｍＬ）を滴下して加えた。沈澱物を濾過して、水および希塩酸（３００ｍＬ）で洗浄し、２，５，８−トリカルボン酸を、リン酸化物上、減圧下で乾燥させた。収量：１６．２ｇ（４５％）
【実施例１３】
【０１１４】
実施例１３は、１，４−ジ（３，５−ジオクチルオキシフェニル）ベンゼンの調製について説明する。前記化合物の主に平面の多環系は表１の構造式１に示されている。合成手順はスキーム１０に示されており、２段階から成る。
【０１１５】
【化１２】
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スキーム１０
Ａ．  １，４−ジ（３，５−ジヒドロキシフェニル）ベンゼンの合成
５−ブロモベンゼン−１，３−ジオール（１８．９、１００ｍｍｏｌ）および１，４−フェニレンジボロン酸（８．２８ｇ、５０ｍｍｏｌ）をＤＭＦ（１５０ｍＬ）中に溶解した。酢酸パラジウム（１．１２ｇ、５ｍｏｌ％）および炭酸カリウム（２７．６ｇ、２００ｍｍｏｌ）を加え、その反応混合物を４５℃で一晩撹拌した。前記反応を酢酸エチル(ethylactetate)で抽出し、有機相をＮＨ４ＣｌおよびＮａＣｌの飽和溶液で連続的に洗浄
した。溶離液としてヘキサン−酢酸エチル混合物（７：１）を用いたカラムクロマトグラフィーによって、２−メチル−６−（２−（プロプ−１−イニル）フェニル）ナフタレンを分離した。収量：１１．４６ｇ、７５％。
【０１１６】
Ｂ．  １，４−ジ（３，５−ジオクチルオキシフェニル）ベンゼンの合成
１，４−ジ（３，５−ジヒドロキシフェニル）ベンゼン（２９．４ｇ、１００ｍｍｏｌ）をＤＣＭ（３５０ｍＬ）中に溶解した。１−ブロモオクタン（７７．２ｇ、４００ｍｍｏｌ）、Ｋ２ＣＯ３（４１．４ｇ、５００ｍｍｏｌ）および１８−クラウン−６（１０ｍ
ｏｌ％、２．６４ｇ）を、撹拌して、加えた。反応混合物を５０℃で１５時間にわたって撹拌した。溶媒を減圧下で除去し、残留物を酢酸エチル中に溶解させ、ＮＨ４ＣｌおよびＮａＣｌの飽和溶液で連続的に洗浄した。濃縮有機相から、溶離液としてヘキサン−酢酸エチル混合物（９：１）を用いたカラムクロマトグラフィーによって、４，９−ジオクチル−２，７−ビス（オクチルオキシ）ピレンを分離した。収量：６０．１ｇ、８１％。
【０１１７】
本発明の特定の好ましい実施形態を具体的に開示しているが、当業者には多くの変形物が容易に明らかとなるように、本発明がそれらの実施形態に限定されるものではなく、本発明は、以下の特許請求の用語の中において、できるだけ広い解釈を与えられるべきであることが理解されるに違いない。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【国際調査報告】
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