(57)【要約】  本発明は、複数の個別チップ(９)を一つのベースウェハ(１)にボンディングする方法に関するものであって、個別チップが複数の層でベースウェハ上にスタックされ、これら垂直方向に隣接する個別チップならびにベースウェハと、ベースウェハに垂直方向に隣接する個別チップ層との間に導電性接続(７)が存在する方法は、  ａ)ベースウェハを担体(５)に固定するステップ、  ｂ)チップの少なくとも一つの層をベースウェハ上の所定の位置に配置するステップ、  ｃ)担体と一緒に固定されたベースウェハの上でチップを熱処理するステップを、この順番で有する。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のチップ(３)を一つのベースウェハ(１)にボンディングする方法であって、前記チップ(３)が複数の層になって前記ベースウェハ(１)上にスタックされ、これら垂直方向に隣接するチップ(３)ならびに前記ベースウェハ(１)と、前記ベースウェハ(１)に垂直方向に隣接するチップ(３)層との間に導電性接続(７)が存在する方法において、以下のステップ；
ａ)前記ベースウェハ(１)を担体(５)上に固定するステップ、
ｂ)チップ(３)の少なくとも一つの層を前記ベースウェハ(１)上の所定の位置に配置するステップ、
ｃ)前記担体(５)に固定された前記ベースウェハ(１)の上で前記チップ(３)を熱処理するステップ、
をこの順番で有することを特徴とする方法。
【請求項２】
前記ステップｂ)およびステップｃ)が異なる装置内で実施されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記担体(５)が少なくとも部分的にシリコンで構成されていて、前記ベースウェハ(１)の大きさにほぼ相当しており、特に、前記ベースウェハ(１)との半径差が１０ｍｍ以下、特に５ｍｍ以下、望ましくは２ｍｍ以下、さらに望ましくは１ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の方法。
【請求項４】
固定のために、固定手段、特に真空、静電手段、機械的なクランピング、および／または接着剤、望ましくは耐熱性接着剤が使用されることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
チップ(３)が所定の位置に配置される際に、接点が、その下のチップ層またはベースウェハの相応する接点に対応させられ、接続されることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
チップ(３)配置の際、チップ(３)が、その下の層の、機能しているチップ(３)の上にのみ配置されることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
前記熱処理が、酸素が含まれない雰囲気中で、特に不活性な雰囲気中で、望ましくは還元性の雰囲気中で、さらに望ましくはパージガスまたは蟻酸の雰囲気中で行われることを特徴とする請求項１から請求項６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
前記チップ(３)が、配置された後に望ましくは有機接着剤により接着されるかまたは分子結合により固定されることを特徴とする請求項１から請求項７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
前記ベースウェハ(１)の厚さが２００μｍ未満、特に１００μｍ未満、望ましくは５０μｍ未満、さらに望ましくは２０μｍ未満であることを特徴とする請求項１から請求項８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
前記ベースウェハ(１)の直径が少なくとも２００ｍｍ、特に少なくとも３００ｍｍ、望ましくは少なくとも４５０ｍｍであることを特徴とする請求項１から請求項９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
前記チップ(３)またはチップスタックが前記ステップｂ)またはｃ)の後に、ある物質(１１)内、特に熱的および／または力学的および／または化学的に高い安定性、および／または、疎水性の特性を有する、特に有機的材料、望ましくはエポキシ樹脂、またはセラミック材料の物質(１１)内に流し込まれることを特徴とする請求項１から請求項１０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
前記流し込み後に、前記物質(１１)に圧力がかけられること、特に、大気圧未満、望ましくは真空内で前記流し込みが実施された後に大気圧に膨張することにより圧力がかけられることを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記物質(１１)が室温またはそれより高い温度において流体の形で流し込まれることを特徴とする請求項１１または請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記ベースウェハ(１)が、前記流し込み後に前記担体(５)から取外されることを特徴とする請求項１２または請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記ベースウェハ(１)が前記物質(１１)および前記物質(１１)内に流し込まれたチップ(３)と共に、前記流し込み後または前記流し込み中に、前記ベースウェハ(１)に対応する基礎モールド内に入れられ、かつ／または、前記物質(１１)が前記個別チップ(９)の一番上の層まで除去される、特に研削されることを特徴とする請求項１２から請求項１４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１６】
前記ステップｂ)またはｃ)の後、特に前記流し込み後に、各チップスタックを基板またはさらなるチップスタックに接合するために、はんだビーズ(１２)が載せられることを特徴とする請求項１から請求項１５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１７】
前記ベースウェハ(１)および／または前記担体(５)がシリコン製であることを特徴とする請求項１から請求項１６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１８】
チップ(３)の少なくとも２つの層が前記ベースウェハ(１)上に載せられていることを特徴とする請求項１から請求項１７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１９】
前記チップ(３)またはチップスタックが前記ステップｂ)またはｃ)の後に、物質(１１)、特に熱硬化性物質によりホットエンボスされることを特徴とする請求項１から請求項１０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２０】
前記ベースウェハ(１)が前記担体(５)から分離される前に、前記ベースウェハ(１)が、その上にスタックされた前記チップ(３)と一緒に分離フレーム(１３)上に固定されることを特徴とする請求項１から請求項１９のいずれか一項に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は請求項１に記載の方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体産業において優勢な小型化圧力により、いわゆる「三次元集積回路」(３ＤＩＣ)を製造する方法が必要になっている。３ＤＩＣは、複数のチップが垂直方向にスタックされたチップスタックおよび、垂直方向に隣接するチップにまでシリコンを貫通する接続により構成されている。この接続はシリコン貫通ビア(ＴＳＶ)と呼ばれる。
【０００３】
そのようなチップには、より高い実装密度、および、より低コストかつより高い性能が期待される。さらにそれにより新しい態様と形態のチップを製造できる。３ＤＩＣ製造には基本的にさまざまな方法があり、すなわち、個々のチップを個々のチップ上に重ね合わせる「チップツウチップ」(Ｃ２Ｃ)法とも呼ばれる非常に時間のかかる方法、または、ウェハをウェハ上に重ねる「ウェハツウウェハ」(Ｗ２Ｗ)法と呼ばれるものがある。また、いわゆるチップ・オン・ウェハ法である「チップツウウェハ」(Ｃ２Ｗ)法も取り上げられる。技術的問題が非常に大きいためまだ合理的な適用技術には至っていない。本発明は、３ＤＩＣ製造のための、技術的に実施可能なＣ２Ｗ法に関する。
【０００４】
Ｃ２Ｃ法はスループットが低く製造コストが比較的高いため、大量生産においてはほとんど使用されない。
【０００５】
Ｗ２Ｗ法では両方のウェハの大きさが同じであること、および、両方のウェハ上のチップが同じ大きさであることが必要である。その際、問題となるのは、特にチップスタックの高さが比較的高い場合のシリコン利用率(いわゆる収率)が平均以下であることである。また、機能するチップにおける達成可能なチップ収量もＣ２Ｃ法またはＣ２Ｗ法より低い。
【０００６】
チップスタックまたは３ＤＩＣ製造のためにＣ２Ｗ法を適用する際の技術的問題としては、ウェハの操作、特にチップがスタックされているウェハの操作、および、プリント基板上または基本的に上に位置するパッケージユニット上へ実装するためのスタック工程およびチップのコネクタ(インターフェース)のための、特に温度など、さまざまに異なる要件が挙げられる。
【０００７】
ウェハ上の複数のチップスタックを分離する直前にベースウェハが破損すると、数千個の高価なチップが不良品となる恐れがあるため、ベースウェハの操作は大変重要である。上に複数のチップスタックが固定／ボンディングされたベースウェハの操作は、ベースウェハが薄いかつ／または面積が大きいほど困難になる。ベースウェハとは、Ｃ２Ｗ法においてその上にチップがスタックされるウェハを指す。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明の課題は、できるだけ高いスループットでチップスタック(３ＤＩＣ)を製造するための、できるだけ不良品が出ない方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
この課題は、請求項１に記載の特徴により解決される。本発明の好適な発展形は従属請求項に記載されている。本明細書および／または請求項および／または図に示された少なくとも２つの特徴のあらゆる組み合わせも、本発明の範囲に入る。
【００１０】
本発明の基礎となっている考えは、少なくとも、ベースウェハ上にチップをスタックする間、および、ボンディングのためにチップを熱処理する間に、ウェハを担体上に固定すること、または担体に接合することである。
【００１１】
ベースウェハを担体上に固定することにより、Ｃ２Ｗ法のスループットにとって驚くほど好適に、チップをスタックするまたはチップをベースウェハ上の所定位置へ配置する方法ステップと、チップを熱処理するかまたはチップをベースウェハにボンディングする方法ステップとを分離することが可能になる。熱処理またはボンディングステップは、使用する材料によっては非常に長い時間がかかることがある一方、ベースウェハ上でのチップの位置決めまたはスタックおよび配置という方法ステップは、たとえば１時間に数千チップという非常にゆっくりとした速さで進む可能性がある。
【００１２】
そのため、複数の熱処理チャンバ／ボンディングステーションを設け、かつ／または、スタックされたチップを持つ複数のベースウェハを一つの熱処理チャンバ／ボンディングステーション内で加工することにより、スループットを高めることができる。熱処理チャンバとしてはホットプレート、連続加熱炉、またはそれに類するものが考慮される。特に好適なプロセスは、熱処理工程の間、チップに圧力をかけることができるよう修正されたウェハボンドチャンバにより実現できる。
【００１３】
その他の方法と比較して、本発明の方法の長所として特に挙げられるのは、大きさの異なるチップをスタックできるということである。
【００１４】
特にベースウェハの応力または湾曲を補償すること、またはこれらを妨げることができるのは、担体にゆるく接続されたベースウェハを使用することだけではない。
【００１５】
担体をベースウェハの大きさにほぼ対応させること、特に、半径の差が１０ｍｍより大きくならないようにすることにより、操作をさらに容易にすることができる。
【００１６】
特に好適な固定手段は負圧または真空、静電手段、機械的クランプおよび／または接着であり、接着の際は、熱処理の際の高温においてもベースウェハを担体に確実に固定するために、望ましくは耐熱接着剤が使用される。作り出すべき接合の種類またはチップスタックの高さまたはその他の因子に応じて、異なる固定手段または作用を組み合わせることにより、操作をさらに改善することができる。
【００１７】
本発明の望ましい実施形態においては、垂直方向に隣接するチップの位置合わせが、チップを所定の位置に配置する際に直ちに行われ、その際、配置すべきチップの接点と、その下のチップ層の対応する接点またはベースウェハの接点とが互いに位置合わせされ、接続される。
【００１８】
この方法におけるチップ収量は、チップ配置の際に、下の層において機能しているチップの上にのみ、チップを配置するよう注意することにより好適に改善できる。さらに好適には、配置すべきチップに機能的に接続されたすべてのチップの機能を検査し、チップに機能的に接続すべき全てのチップが機能している場合にのみ、チップが配置される。
【００１９】
熱処理またはボンディングステップにおいて、ウェハと、その上に配置されたチップとの間または配置されたチップ間の導電性接続が作り出される。その際、金属接続表面の酸化を回避するために、加熱が、適切な雰囲気、望ましくは酸素を含まない雰囲気内で行われることが好適である。これは特に窒素雰囲気またはその他のたとえばアルゴンなどの不活性な雰囲気を使用することにより達成可能であり、その際、適用例の中には、不活性なだけでなく還元性の雰囲気が特に好適であるものがある。この特性はたとえばパージガスまたは蟻酸蒸気などにより達成できる。このときパージガスは水素と窒素との混合、特に水素２％と窒素９８％から水素１５％と窒素８５％までの混合で構成することができる。この混合において窒素はその他の不活性ガスに置き換えることもできる。
【００２０】
チップ配置後にチップの操作性を向上させ、また、ずれが起こらないよう、配置後にチップを接着すること、望ましくは、後続のボンディングステップ中に気化する有機接着剤により接着することが好適である。代替的に、チップは、たとえばシリコン表面または二酸化ケイ素表面または窒化ケイ素表面の間で、好適には室温で自然に生じる分子結合により固定することができる。
【００２１】
本発明の特別な実施形態においてはベースウェハの厚みは、特にバックグラインディングにより、２００μｍ未満、特に１００μｍ未満、望ましくは５０μｍ未満、さらに望ましくは２０μｍ未満である。
【００２２】
特に多くのチップが配置されるベースウェハの直径は少なくとも２００ｍｍ、特に少なくとも３００ｍｍ、望ましくは少なくとも４５０ｍｍである。
【００２３】
本発明の特別な実施形態においては、ステップＢまたはＣの後に、各チップスタックを基板または基本的に上に位置する最も近いパッケージユニットに接合するために、はんだビーズ(いわゆる「はんだバンプ」または「Ｃ４バンプ」)を載せることが、本発明により初めて可能になった。
【００２４】
はんだビーズは、融点が低い合金でできており、概してチップ／チップスタックを他の電気／電子部品に接合するのに役立つ。
【００２５】
特に、ベースウェハを貫通する伝導性接続(ＴＳＶ)を持つベースウェハを使用する場合、チップまたはチップスタックを、ステップＢまたはＣの後に一つの物質、特に、高温安定性および／または力学的安定性という特徴を持つ物質、特に、有機材料および／またはセラミック材料の物質内に流し込むのが好適である。特に望ましい実施形態においては、該物質内に少なくとも部分的にエポキシ樹脂が含まれているか、または、その物質が完全にエポキシ樹脂で構成されている。本発明の一つの特別な実施形態においてはエポキシ樹脂を含む該物質は繊維強化されたものとすることができる。
【００２６】
本発明の好適な実施形態においては、上記物質には、特に、大気圧未満の圧力、望ましくは真空内において流し込みを実施した後に、大気圧に膨張させることにより、流し込み後に圧力がかけられる。
【００２７】
上記物質、望ましくは熱硬化性物質の効果により、ベースウェハは好適に、流し込み後に担体から取外すことができる。
【００２８】
本発明の望ましい実施形態において上記物質の加工は、流し込み後または流し込み中に該物質がベースウェハに対応する基本モールドに入れられ、かつ／または、該物質が、個々のチップの一番上の層まで除去される、特に削り取られるように行われる。それにより、ベースウェハ、流し込まれたチップおよび上記物質から構成された本体のさらなる操作がさらに容易になり、特に、その操作のために周知の構造を利用することができる。上記物質を除去することにより、正確な平面の表面が作られ、それにより好適に、最上層に冷却要素を載せることができる。
【００２９】
本発明において特に望ましい実施形態においては、ベースウェハおよび／または担体がシリコン製、つまり、担体もウェハである。該ウェハは周知の構造により操作可能であり、追加的な長所として、ベースウェハおよび担体がシリコン製であるならば、担体の熱膨張係数が同一であることが挙げられる。
【００３０】
本発明のさらなる長所、特徴、特性は、以下の望ましい実施形態の説明および図により理解できる。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】本発明の方法を実施するための装置の構造を示した図である。
【図２ａ】本発明の第１の実施例による方法の流れを図式的に示した図である。
【図２ｂ】本発明の第１の実施例による方法の流れを図式的に示した図である。
【図２ｃ】本発明の第１の実施例による方法の流れを図式的に示した図である。
【図２ｄ】本発明の第１の実施例による方法の流れを図式的に示した図である。
【図２ｅ】本発明の第１の実施例による方法の流れを図式的に示した図である。
【図２ｆ】本発明の第１の実施例による方法の流れを図式的に示した図である。
【図２ｇ】本発明の第１の実施例による方法の流れを図式的に示した図である。
【図２ｈ】本発明の第１の実施例による方法の流れを図式的に示した図である。
【図２ｉ】本発明の第１の実施例による方法の流れを図式的に示した図である。
【図２ｊ】本発明の第１の実施例による方法の流れを図式的に示した図である。
【図２ｋ】本発明の第１の実施例による方法の流れを図式的に示した図である。
【図２ｌ】本発明の第１の実施例による方法の流れを図式的に示した図である。
【図２ｍ】本発明の第１の実施例による方法の流れを図式的に示した図である。
【図３ａ】本発明により製造されたチップスタックを図式的に示した図である。
【図３ｂ】複数のチップを有する本発明のチップスタックを図式的に示した図である。
【図４ａ】本発明の第２の実施例による方法の流れを図式的に示した図である。
【図４ｂ】本発明の第２の実施例による方法の流れを図式的に示した図である。
【図４ｃ】本発明の第２の実施例による方法の流れを図式的に示した図である。
【図４ｄ】本発明の第２の実施例による方法の流れを図式的に示した図である。
【図４ｅ】本発明の第２の実施例による方法の流れを図式的に示した図である。
【図４ｆ】本発明の第２の実施例による方法の流れを図式的に示した図である。
【図４ｇ】本発明の第２の実施例による方法の流れを図式的に示した図である。
【図４ｈ】本発明の第２の実施例による方法の流れを図式的に示した図である。
【図４ｉ】本発明の第２の実施例による方法の流れを図式的に示した図である。
【図５ａ】本発明により製造されたチップを図式的に示した図である。
【図５ｂ】複数のチップを有する、本発明により製造されたチップスタックを図式的に示した図である。
【発明を実施するための形態】
【００３２】
これらの図では、同じ部品、および同じ機能を持つ部品には同じ符号が付与されている。
【００３３】
図１は、本発明の方法を実施するための装置の構成を図式的に示したものであり、ベースウェハがステーションＢ.１上において、または、予備取付された状態で、担体に取付けられ、また、テープ除去ステーションＢ.２上において、以前のバックグラインディングプロセスにより存在するバックグラインドテープが除去された後に、図２ｅまたは図４ｆに基づいて範囲Ａにおいてベースウェハ上へチップ層が配置される。
【００３４】
ベースウェハが取付けられた担体は、ロボットアームを備えるロボットＢ.３を介して操作される。
【００３５】
操作モジュールＢにはカセットステーションＢ.４が設けられており、ここから本方法に必要な材料が取り出され、または再び収容される。
【００３６】
チップをチップ配置システムＡに配置した後、ベースウェハおよび該ベースウェハ上に場合によっては接着剤で固定されてスタックされたチップを備える担体は、熱処理のためまたはチップのボンディングのためのボンディングステーションＣへと導かれる。熱処理中またはボンディング中、すでに次のベースウェハにチップを載せることができる。特にチップ配置に比較して、ボンディングには、要件プロフィールによっては非常に時間がかかる可能性があるため、ボンディングステーションＣは複数のボンディングユニットで構成することもできる。
【００３７】
たとえばチップスタックのダイスモジュール内での分離など、ベースウェハ上にボンディングされたチップスタックのさらなる操作ステップは図１には示されていないが、ボンディングステーションＣに隣接させるか、または望ましくは操作モジュールＢの範囲、つまり図１における操作モジュールＢの上方に配置することができるため、チップスタックをロボットアームを介して操作することができる。本発明の望ましい実施形態においては、ダイスモジュール内でもまだ担体を使用できるため、チップスタックはベースウェハにボンディングされた後も引続き確実に操作可能とすることができる。
【００３８】
図２ａにはシリコン製のベースウェハ１が図示されており、その前面２には、以前の操作ステップによりチップ３が取付けられており、該チップ３は表面２に面一にセットされている。
【００３９】
ベースウェハ１は、接合手段４を介して、ここではやはりシリコン製のウェハである担体５に接合されているため、図２ｂに示すようにベースウェハ１の裏面６からバックグラインディングすることができる。
【００４０】
図２ｃに示すように、各チップ３の範囲において、ベースウェハ１の裏面６からそれぞれのチップ３まで至る電気的接続７が、ベースウェハ１の裏面６から作り出される。
【００４１】
ベースウェハ１の裏面６には、さらなる個別チップ９を電気的に接続するために、導電性接続７上に導電性薄板８が載せられる(図２ｄ参照)。本発明の特別な実施形態においては、チップも導電性接続７に直接接続するかまたはその他の導電性接続ポイントが作り出される。個別チップ９はそれぞれ、一つのチップ３および、該チップ３を収容する一つのシリコン製保持部により構成されている。
【００４２】
図２ｅに示すように、個別チップ９のチップ面１０が導電性薄板８上に載せられ、その際、ステップ２ｃから２ｅを場合によっては複数回繰り返して複数の個別チップ９を重ねてスタックする(図３ｂ参照)ことができる。この連続プロセスは、熱処理ステップまたは個々の配置ステップ間のボンディングステップの有無に関わらず実施することができる。個別チップ９は、チップ配置ステーションＡにおいてベースウェハ１に配置される。
【００４３】
図２ｆの方法ステップでは、個別チップ９または場合によっては個別チップ９の複数の層が、本図の実施例ではエポキシ樹脂である物質１１内に流し込まれる。
【００４４】
チップのボンディングおよび物質１１の硬化後、薄くて面積の大きなベースウェハ１が物質１１により十分に安定するため、担体５を取外すことができる。担体５の取外しは、図２ｆに示した流し込みステップ(熱依存)において接合手段を除去することにより自動的に行うことができる。さらに、この取外しステップを後続のプロセスステップの一つにおいて別個に行うことが好適となる可能性があり、その際、該取外しステップは、熱的、化学的、または外部のエネルギー源(たとえば紫外線、赤外線、レーザー、マイクロ波など)の作用により作動させることができる。
【００４５】
図２ｈに示した方法ステップにおいて、ベースウェハ１は、前面２が上を向くように回転される。
【００４６】
図２ｉに示されたさらなる方法ステップにおいて、図２ｋに示したようにはんだビーズ１２を載せるために、今や上に載っているチップ３の上に再び導電性薄板８が置かれる。はんだビーズ１２は、後にチップ(３ＤＩＣ)を基板または上に位置する一番近いパッケージユニット／チップ層に接合するためのものである。
【００４７】
チップ３の間の結合のための材料としては、さまざまなバリエーションが考慮される。基本的には金属結合、有機結合、無機結合、ハイブリッド結合に分けられる。金属結合においては金属拡散結合、ボンディング中に生じる共晶結合、ボンディング前にすでに存在し、ボンディング中に合金を融解させることができる共晶が挙げられる。該合金は、はんだビーズでもあり、はんだビーズは球の形でウェハ上に置かれ、実質的に圧力の影響なしに結合を行える。また、導電性ポリマーの使用も考慮できる。
【００４８】
図２ｌの方法ステップにおいては、チップスタックおよびはんだビーズ１２を載せたベースウェハが分離フレーム１３(ダイシング・フレーム)上に置かれ、次に図２ｍに示したようにチップスタックが互いに分離される(ダイシング)。
【００４９】
図３ａおよび図３ｂには、上記方法により製造されたチップスタックの２つの例が図示されており、図３ａでは、ベースウェハ１のチップ３に一つの個別チップ９のみが取付けられており、図３ｂのチップスタックでは、ベースウェハ１に４つの個別チップ９が取付けられている。
【００５０】
図４ａにはバックグラインドテープ１４に接着されたベースウェハ１が図示されており、該ベースウェハ１にはすでに、チップ３および導電性薄板８がベースウェハ１の前面２に取付けられている。
【００５１】
図４ｂの方法ステップにおいては、ベースウェハ１は背面６からバックグラインディングされ、図４ｃで回転されることによりベースウェハ１の背面６が下向きになる。
【００５２】
図４ｄの方法ステップにおいてベースウェハ１の背面６が担体５に固定され、次にバックグラインドテープ１４がベースウェハ１の前面２から剥がされる(図４ｅ参照)。
【００５３】
次に続く方法ステップでは、図４ｆに示すように個別チップ９が、図１のチップ配置ステーションＡ内において、ベースウェハ１のチップ３の対応する導電性薄板８上に配置され、場合によっては固定される。
【００５４】
チップスタックが配置され、場合によっては固定された後、これらチップスタックを載せたベースウェハ１は分離フレーム１３上に載せられ、個々のチップスタックが互いに分離される(図４ｇ、図４ｈ、図４ｉ参照)。
【００５５】
ベースウェハ１の破損およびチップの損傷を回避するために、ベースウェハ１は望ましくは担体５と一緒に分離フレーム１３に載せることができる。
【００５６】
図５ａおよび図５ｂに図示された、完成したチップスタックの例では、図３ａおよび３ｂに図示されたチップスタックとは異なり、チップ３に導電的に接続されている、多くはワイヤの形の配線コネクタ１５を介して一つの基板(図示されず)または最終的なチップキャリア(リードフレームとも呼ばれる)の接点に接続することができる。
【符号の説明】
【００５７】
Ａ  チップ配置ステーション
Ｂ  操作モジュール
Ｂ.１  移送ステーション
Ｂ.２  テープ除去ステーション
Ｂ.３  ロボットアームを有するロボット
Ｂ.４  カセットステーション
Ｃ  ボンディングステーション
１  ベースウェハ
２  前面
３  チップ
４  接合手段
５  担体
６  裏面
７  導電性接続
８  導電性薄板
９  個別チップ
１０  チップ面
１１  物質
１２  はんだビーズ
１３  分離フレーム
１４  バックグラインドテープ
１５  配線セット
【図１】
2011514686.tif 000003
【図２ａ−２ｋ】
2011514686.tif 000004
【図２ｌ−２ｍ】
2011514686.tif 000005
【図３ａ−３ｂ】
2011514686.tif 000006
【図４ａ−４ｉ】
2011514686.tif 000007
【図５ａ−５ｂ】
2011514686.tif 000008
【国際調査報告】
2011514686.tif 000009
2011514686.tif 000010
2011514686.tif 000011
2011514686.tif 000012
2011514686.tif 000013
2011514686.tif 000014