(57)【要約】【課題】  有機ＥＬ装置においては、共通電極に電流が流れて抵抗に起因する電圧の不均一が生じ、その結果シェーディングが発生する。【解決手段】  一対の電極と、前記一対の電極間に、前記一対の電極の一方をアノードとし、他方をカソードとして設けられた有機発光層とを備えた発光素子が基板上に複数、配列されてなる発光装置であって、  前記一対の電極の一方が前記複数の発光素子に共通の電極であり、  前記共通の電極をアノードとする発光素子と、前記共通の電極をカソードとする発光素子とが、交互に配置されていることを特徴とする。【選択図】  図２
2011526719.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の電極と、前記一対の電極間に、前記一対の電極の一方をアノードとし、他方をカソードとして設けられた有機発光層とを備えた発光素子が基板上に複数配列されてなる発光装置であって、
前記一対の電極の一方が前記複数の発光素子に共通の電極であり、
前記共通の電極をアノードとする発光素子と、前記共通の電極をカソードとする発光素子とが、交互に配置されていることを特徴とする発光装置。
【請求項２】
前記一対の電極の一方は、前記有機層の上に設けられた前記複数の発光素子に共通の電極であり、他方は、前記発光素子ごとに分離した電極であり、前記発光素子に流れる発光のための電流の向きが、隣接する発光素子ごとに逆であることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
赤、緑、青の３色の前記発光素子の組を画素とし、各色の発光素子に流れる発光のための電流の向きが隣接する画素ごとに逆であることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項４】
赤、緑、青の３色の前記発光素子の組を画素とし、各色の発光素子に流れる発光のための電流の向きが隣接する画素で同じであり、前記３色の発光素子のうち少なくとも２つの発光素子に流れる発光のための電流の向きが逆であることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項５】
前記１対の電極のうち、発光素子ごとに分離して設けられた電極に駆動回路が接続され、前記駆動回路は、前記発光のための電流の向きに応じて、異なる複数の電圧源のうちの１つに接続されていることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項６】
２層の有機発光層と前記有機発光層のそれぞれを２つの間隙に挟む３層の電極とで構成される積層された２つの発光素子が、前記基板上に複数、配列されてなる発光装置であって、
前記３層の電極のうち真中の電極は、前記積層された２つの発光素子の一方のアノードかつ他方のカソードであり、かつ前記基板上に配列した発光素子に共通の電極であって、前記積層された２つの発光素子は互いに異なる期間に発光し、
前記積層された２つの発光素子のうち前記共通の電極をアノードとする発光素子は、隣接する前記発光素子の組に含まれる積層された２つの発光素子のうち、前記共通の電極をカソードとする発光素子と同じ期間に発光することを特徴とする発光装置。
【請求項７】
前記積層された２つの発光素子の発光のための電流の向きは、積層の方向に対して同じであることを特徴とする請求項６に記載の発光装置。
【請求項８】
前記積層された２つの発光素子の発光のための電流の向きは、前記基板上に配列した発光素子の組の間で同じであることを特徴とする請求項７に記載の発光装置。
【請求項９】
前記積層された２つの発光素子が、積層された順に赤と青の発光素子である発光素子の１組と、前記積層された２つの発光素子が、積層された順に緑と青の発光素子である発光素子の１組とを行方向に隣接して画素とし、前記画素を配列させたことを特徴とする請求項６に記載の発光装置。
【請求項１０】
前記画素を構成する赤と青の発光素子の組と緑と青の発光素子の組との配置を行ごとに入れ替えて画素を配列させたことを特徴とする請求項９に記載の発光装置。
【請求項１１】
前記３層の電極のうち、発光素子ごとに分離して形成された２つの電極にそれぞれ駆動回路が接続され、前記駆動回路は、発光のための電流の向きに応じて、複数の異なる電圧源の１つに接続されていることを特徴とする請求項６に記載の発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は発光素子、詳しくは有機エレクトロルミネセンス発光素子を備えた発光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機材料のエレクトロルミネッセンス（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ：以下ＥＬと記す）を用いた有機ＥＬ素子は、第１電極と第２電極との間に、有機層を設けてなり、低電圧駆動による高輝度発光が可能な発光素子として注目されている。これを基板上にマトリクス状に配列させた発光装置は、表示装置として用いられる。
【０００３】
このような有機ＥＬ素子を用いた自発光型の表示装置（すなわち有機ＥＬディスプレイ）は、基板上の各画素に薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：以下ＴＦＴと記す）を備えている。そして、ＴＦＴを覆うように形成された層間絶縁膜上に有機ＥＬ素子が構築されている。この有機ＥＬ素子は、ＴＦＴに接続され、画素毎に分離独立した第１電極と、有機発光層を含む有機層と、この有機層を覆う状態で設けられた第２電極とで構成されている。第１電極の中央部は画素開口として周囲を覆う絶縁性素子分離膜から露出され、露出した第１電極の上に、有機発光層を含む有機層が設けられ、この有機層を覆う状態で第２電極が設けられている。第２電極は、通常、複数の画素を覆うように形成され、複数の画素間に共通した電極として用いられる。
【０００４】
このようなアクティブマトリックス型の表示装置において、有機ＥＬ素子の１画素領域における発光領域（開口率）を確保する為の手段として、基板の表面側から光を取り出すいわゆる上面光取出し（トップエミッション）構造とすることが知られている。
上面光取り出し構造とした場合、第２電極は、光透過性を確保するために抵抗率の比較的高い透明酸化膜を用いるか、もしくは半透過特性を有する程度に薄い薄膜金属膜を用いる事になる。その為、第２電極の抵抗値が高く、第２電極の抵抗起因で生じる電圧降下分に対応してシェーディング（面内で輝度が不均一になる現象）が発生する。
【０００５】
そこで、前記画素領域内における発光領域以外の領域に導電性の高い金属材料からなる補助配線を設け、第２電極と接続する事により、第２電極の抵抗値を下げる構造の提案がなされている。
【０００６】
特許文献１および特許文献２は、有機ＥＬ素子基板を上面視した際に、各画素における発光領域間に形成された絶縁性分離膜の上層であって、非発光領域である第２電極上にシャドーマスクを用いて補助電極を蒸着により形成する方法を開示する。
【０００７】
補助配線は前述したように、有機ＥＬ素子の発光を阻害する事なく、第２電極の抵抗値を下げる事が主な目的である。そのためには、補助配線は、表示領域では、画素と画素の間に狭い幅で設けられ、かつ表示領域の外側まで形成されている必要がある。しかし、蒸着に用いるシャドーマスクのよじれや撓みによって、補助配線のパタンが途切れたり幅が不均一になるという問題がある。
【０００８】
特許文献３は、補助電極をフォトリソにより第１電極と同一層に形成し、有機層を選択的に形成した上に第２電極を形成する方法を開示する。有機層のないところで補助電極と第２電極が電気的に接続される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２００７−０９２１０９号公報
【特許文献２】特開２００３−３１６２９１号公報
【特許文献３】特開２００５−１８９６７６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
補助配線を第１電極層のＡｌ等の配線と同時にフォトリソグラフィ技術を用いて形成すると、シャドーマスクによる問題は生じない。しかし、第１電極と同一の層に補助配線を形成すると、補助配線に割り当てられる寸法に限りがあるため、配線幅を広くすることが困難である。特に、画面サイズが大きくなると、補助配線が長くなって抵抗値が増し、第２電極の抵抗値を所望の値まで下げられなくなる。
【００１１】
補助配線の製造プロセスにおいても、第１電極と同一の層で形成された補助配線と第２電極とが有機層形成後に電気的に接続できるように、前記有機層を塗り分けて蒸着するなど、補助配線を露出させるための工程が必要になる。
【００１２】
このように補助配線による第２電極の低抵抗化には、精度と製造工程の両面に困難があり、シェーディングを完全に防止するには至っていない。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明は、第２電極の抵抗による電圧降下を原因とするシェーディングを、安価かつ平易な構成により低減するものである。
【００１４】
本発明は、一対の電極と、前記一対の電極間に、前記一対の電極の一方をアノードとし、他方をカソードとして設けられた有機発光層とを備えた発光素子が基板上に複数、配列されてなる発光装置であって、
前記一対の電極の一方が前記複数の発光素子に共通の電極であり、
前記共通の電極をアノードとする発光素子と、前記共通の電極をカソードとする発光素子とが、交互に配置されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、共通電極にカソード端子が接続された有機発光ダイオード素子と、アノード端子が接続された有機発光ダイオード素子とを交互に配置し、共存させるので、前記共通電極には差の電流が流れるようになり、電圧降下が低減される。
【００１６】
共通電極への電流供給量が少ない為、表示領域の外周部に配されている電流供給用配線の線幅を細くする事も可能になり、有機ＥＬ素子パネルの額縁幅を狭くする事も可能になる。
【００１７】
従来のシェーディング防止手法と異なり、共通電極やそれへの電流供給ラインの抵抗値を下げる必要がない。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る発光装置の副画素が表示する色とそれに流れる電流の方向を示す図である。
【図２】本発明の第１の実施形態に係る発光装置の断面を示す模式図である。
【図３】本発明の第１の実施形態に係る発光装置の等価回路図である。
【図４】本発明の第２の実施形態に係る発光装置の副画素が表示する色とそれに流れる電流の方向を示す図である。
【図５】本発明の第３の実施形態に係る発光装置が２つのサブフィールドで表示する色と流れる電流の方向を示す図である。
【図６】本発明の第３の実施形態に係る発光装置の断面を示す模式図である。
【図７】本発明の第３の実施形態に係る発光装置の等価回路図である。
【図８】本発明の第４の実施形態に係る発光装置が２つのサブフィールドで表示する色と流れる電流の方向を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明の実施形態について説明する。なお、本明細書で特に図示または記載されない部分に関しては、当該技術分野の周知または公知技術を適用する。また以下に説明する実施形態は、発明の一つの実施形態であって、これらに限定されるものではない。
【００２０】
（第１の実施形態）
図１は、本発明の発光装置の第１の実施形態であって、表示装置として用いられる例である。画素１００は３つの副画素Ｒ、Ｇ、Ｂで構成され，各副画素には赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の異なる３色の有機ＥＬ発光素子が備えられている。
【００２１】
図２は図１の１点鎖線ＸＸ‘に沿った１つの画素１００の断面図である。
Ｒ副画素は薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）３０Ｒによって駆動される。Ｒ副画素は、ＴＦＴ３０Ｒのドレイン電極４０に接続された下電極電極１２の上に、正孔注入層３１、発光層１４、電子注入層３２がこの順に積層され、さらにその上は上電極１６に覆われている。
【００２２】
その隣のＧ副画素は薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）３０Ｇによって駆動される。Ｇ副画素は、ＴＦＴ３０Ｇのドレイン電極４０に接続された下電極電極１３の上に、電子注入層３２、発光層１５、正孔注入層３１がこの順に積層され、さらにその上は上電極１６に覆われている。Ｒ副画素とＧ副画素とは３つの有機層の順序が逆になっている。
【００２３】
Ｂ副画素は薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）３０Ｂによって駆動される。Ｂ副画素は、Ｒ副画素と同じく、下電極電極１９の上に、有機層が、正孔注入層３１、発光層１７、電子注入層３２の順に積層されている。
【００２４】
有機ＥＬ素子は発光層が正孔注入層と電子注入層に挟まれ、さらにこれが１対の電極に挟まれた構造を持っている。１対の電極間に一方向に電流が流れやすいダイオード特性を有している。電流が、一方の電極から正孔注入層３１、発光層１７、電子注入層３２に向かう方向に流れ、他方の電極に流れ出るとき、発光層１７で、正孔注入層３１から流れ込む正孔と、電子注入層３２から流れ込む電子が再結合して発光が生じる。逆方向の電流が流れても発光層に流れ込む正孔と電子の数が少ないため、発光が生じない。発光を生じる方向の電流を順方向電流ということもある。
【００２５】
発光のための電流すなわち順方向の電流が流れるとき、電流が電極から有機層に向かって流れ出るほうの電極をアノード、電流が有機層から電極に流れ込むほうの電極をカソードという。図２のＲ副画素は、下電極１２から上電極１６に向かって電流が流れ、下電極１２がアノード、上電極１６がカソードとなる。Ｂ副画素も同じである。Ｇ副画素は、上電極１６から下電極１３に向かって電流が流れるので、下電極１３がカソード、上電極１６がアノードとなる。
【００２６】
ＲＧＢ各副画素の下電極１２，１３，１９は、副画素ごとに分離された電極である。独立にそれぞれの駆動回路で駆動される。駆動回路は図２では駆動ＴＦＴ３０Ｒ、３０Ｇ、３０Ｂだけが描かれているが、この他に保持容量とデータを取り入れるためのスイッチがある。
【００２７】
一方、上電極１６はすべての画素及び副画素に共通に形成されている。この場合の上電極１６のように、全画素に共通の電極があるとき、共通電極をカソードとする発光素子を本明細書では（＋）符号で表し、共通電極をアノードとする発光素子を（−）符号で表す。図１の各副画素の正負の符号は、この意味である。
【００２８】
本実施形態の発光装置は、図１に示すように、各副画素の積層構造が隣接する副画素同士逆向きになる配置を有している。すなわち、副画素が各行でＲＧＢＲＧＢ・・・の順に並び、列方向の隣接副画素が同色である図１の配置において、行方向、列方向ともに、隣接副画素の接続が逆方向である。
【００２９】
図１の副画素配置は、ＲＧＢの３色の副画素が１つの画素を形成する。１つの色（例えば赤）を画素間で比較しても、隣接画素で一定方向の電流の向きが逆になっている。
【００３０】
全副画素に同じ電流が流れて点灯したとき、共通電極に流れ込む電流と流れ出る電流が等しくなり、共通電極には全体として大きな電流が発生しない。従って共通電極全体にわたって電位は一定になり、シェーディングの発生が防止される。
【００３１】
隣合う画素の同色の副画素も、共通電極に対して逆符号の接続になっている。Ｒの発光が多い赤色勝ちの絵が表示されるときでも、共通電極に流れる電流は隣接画素で逆向きとなり、やはりシェーディングが抑えられる。
【００３２】
多くの自然画ではＲＧＢの色がいろいろな強度で発光し交じり合っている。そのときも、点灯している副画素は、（＋）の接続の副画素と（−）の接続の副画素とがほぼ同数である確率が高いので、やはりシェーディングは少ない。
【００３３】
図３は、本実施形態の発光装置の等価回路図である。
【００３４】
図３において、１０１はゲート（走査信号）配線、１０２はソース（情報信号）配線、１０３は電流供給配線、１０６は電圧書込み用ＴＦＴ、１０７は保持容量、１０８は電流供給用ＴＦＴ、１１２は共通電極制御配線である。
また、破線で囲った領域が１つの画素を示している。
【００３５】
ゲート（走査信号）配線１０１とソース（情報信号）配線１０２は、各副画素の信号取り込み用ＴＦＴ  １０６のゲート電極とソース電極にそれぞれ接続されている。ゲート（走査信号）配線１０１とソース（情報信号）配線１０２は、それぞれ図示しない走査信号処理回路と情報信号処理回路から電圧の供給を受けている。
【００３６】
各副画素の回路において、信号取り込み用ＴＦＴ１０６は、ドレイン電極が保持容量１０７と駆動ＴＦＴ１０８のゲート電極に接続されている。
【００３７】
駆動ＴＦＴ１０８のソース電極は電流供給配線（電源線）１０３に接続され、ドレイン電極は有機発光素子の下電極（アノードもしくはカソード）が接続されている。有機発光素子の上電極は一定電位（ＧＮＤとする）に保たれた共通電極に接続されている。
【００３８】
図３にも示されているように、隣接する各副画素の有機ＥＬ素子は、共通電極（Ｖｃ）に対して接続される方向が逆になっている。共通電極（Ｖｃ）でない方の電極に接続される駆動回路も、駆動電流の向きが逆である。これに対応して、Ｒ１−１とＢ１−１など、有機ＥＬ素子のアノードに接続される駆動回路は、正の電圧源１０３ａに接続され、Ｇ１−１など、有機ＥＬ素子のカソードに接続される駆動回路は、負の定電圧源１０３ｂに接続されている。
本実施形態の発光装置は、有機層の形成の際に、電子注入層と正孔注入層が副画素ごとにマスク蒸着されてパタンニングされる。
【００３９】
（第２の実施形態）
図４の画素配置は、実施形態１において、画素１００の３つの副画素ＲＧＢは、一定方向の電流の向きが逆（接続が逆符号）の積層構造とし、隣接画素では、同色の副画素の一定方向の電流の向きが同じ（接続が同符号）となるようにしたものである。図４においては、Ｇ発光素子のみが（−）方向に接続され、各ＲＢ発光素子はそれぞれ（＋）方向に接続されている。
【００４０】
本実施形態では、有機ＥＬ素子が前記共通電極（Ｖｃ）に対して電気的に接続される方向が色単位で異なっている。これにより、各ＲＧＢ毎に塗り分けている有機ＥＬ素子においては、有機ＥＬの成膜工程数を増やすことなく本発明の効果を発揮することが可能になる。
【００４１】
なお、図４の例は、ＲとＢの発光素子とＧの発光素子の接続方向を変えたが、その他の組み合わせも可能である。
【００４２】
（第３の実施形態）
本発明の第３の実施形態における副画素配列を図５に示す。
本実施形態においては、画素１００が２つの副画素１００ａと１００ｂで構成されており、各副画素が異なる時間に異なる２つの色を発光する。図５の（ａ）（ｂ）は、異なる２つのサブフィールドにおける各副画素の発光色を示している。実際にはこの２つのサブフィールドが合成されて１フレームの画像になる。
副画素１００ａは赤（Ｒ）と青（Ｂ）を交互に発光し、副画素１００ｂは緑（Ｇ）と青（Ｂ）を交互に発光する。副画素１００ａと１００ｂの配置は固定され、この配置が周期的に行方向と列方向に繰り返されている。
【００４３】
図５の例では、１つの画素の副画素１００ａと副画素１００ｂは交互に青色発光する。副画素１００ａと１００ｂが同時に赤と緑を発光したり、ともに青を発光することはない。
【００４４】
また、行方向に隣り合う画素の発光シーケンスは同じで、列方向に隣り合う画素では発光シーケンスが逆になっている。つまり、同じ行の副画素１００ａは、ある期間揃って赤色を出し、次の期間は揃って青色を出す。副画素１００ｂは、ある期間揃って青色を出し、次の期間は揃って緑色を出す。隣の行ではその位相が逆になっている。
【００４５】
このような各画素の発光の色順と隣接画素相互の関係は、以下に説明する画素の積層構造と関連している。
【００４６】
図６は、本実施形態の発光装置の画素１００の積層構造を示し、図５のＹＹ’に沿った断面図である。
【００４７】
各副画素は、３層の電極と、その間隙に配置された２層の有機ＥＬ素子で構成されている。１０はガラス基板、１１は平坦化層、１４は赤（Ｒ）発光層を含む有機層、１５は緑（Ｇ）発光層を含む有機層、１７，１８は青（Ｂ）発光層を含む有機層である。１２、１３は下電極、１６は中央電極、１９、２０は上電極である。中央電極１６は全画素に共通に形成されている共通電極である。下電極と上電極は副画素ごとに分離しており、ＲＧＢ各駆動回路のＴＦＴ３０Ｒ、３０Ｇ、３０ｂに接続され、独立に駆動される。
【００４８】
本実施形態では、各副画素はそれぞれ２つの発光素子が積層された構造になっている。積層された２つの発光素子を１組として、基板上にこの組が配列する。
【００４９】
２つの副画素は、積層された発光素子の色の組み合わせが異なり、一方は赤と青、他方は緑と青である。
【００５０】
図６では省略されているが、有機層１４、１５、１７、１８は、すべて正孔注入層、発光層、電子注入層が下からこの順に積層して形成された層である。したがって各発光素子は一定方向の電流が下電極から上電極に向かって流れた時に発光する。
【００５１】
３層の電極のうち、真中に位置する中央電極１６が画素に共通の電極になっているので、これに対する各副画素の接続は、Ｒ発光素子とＧ発光素子とが（＋）、Ｂ発光素子が（−）である。図５の各副画素にこの符号が記入されている。
【００５２】
図７は、図６の発光装置の回路を模式的に示す図である。
図７において、点線で囲った領域が１つの画素１００である。その中に、副画素１００ａと副画素１００ｂが含まれている。図６の積層された発光素子は、図７においては共通電極１１２に接続された互いに逆向きのダイオードで表されている。各ダイオードには、データ線１０２から信号を取り込むスイッチ１０６と、保持容量１０７と、２つのトランジスタで構成された駆動回路が接続されている。スイッチ１０６と保持容量１０７は１つの副画素で共有されている。
【００５３】
図３の回路と異なるところは、２本の画素選択配線１０４、１０５と２つの画素選択ＴＦＴ１１０、１１１とが設けられていることである。
【００５４】
副画素１００ａでは、画素選択配線１０４で制御される画素選択ＴＦＴ１１０のドレインにはＲ発光層を含む発光素子のアノード（図６の下電極１２）が接続され、画素選択配線１０５で制御される画素選択ＴＦＴ１１１のドレインにはＢ発光層を含む発光素子のカソード（図６の上電極１９）が接続されている。副画素１００ｂでは、逆に、画素選択配線１０５で制御される画素選択ＴＦＴ１１１のドレインにＧ発光層を含む発光素子のアノード（図６の下電極１３）が接続され、画素選択配線１０４で制御される画素選択ＴＦＴ１１０のドレインに、Ｂ発光層を含む発光素子のカソード（図６の上電極２０）が接続されている。
【００５５】
共通電極１６は各画素及び各副画素に共通に形成され、表示領域の外周領域に設けられたコンタクトホールを介して、基板１０の上に形成された金属配線に接続され、取り出し端子に導かれ、外部電源Ｖｃｃに接続される。
【００５６】
各情報信号配線１０２には、情報信号処理回路より時分割処理されたサブフィールドの情報信号が送られ、信号伝達用ＴＦＴ１０６を介して保持容量１０７に保持される。
【００５７】
画素選択配線１０４、１０５はサブフィールド毎に交互に選択状態（ハイレベル）になっている。このため、サブフィールドごとに積層された２つの発光素子のうちの一方が発光する。すなわち、画素選択配線１０４が選択されているサブフィールド期間には、副画素１００ａのＲ発光素子と副画素１００ｂのＢ発光素子が発光状態になる。画素選択配線１０５が選択されているサブフィールド期間には、副画素１００ａのＢ発光素子と副画素１００ｂのＧ発光素子が発光状態になる。
【００５８】
行方向の隣の画素はまったく同じ回路で構成されているので、発光のシーケンスが同一で、揃った色で発光する。
【００５９】
列方向の隣接画素は、図７に示すように、画素選択配線と画素選択ＴＦＴとの接続が入れ替わっているので、発光シーケンスは逆位相になる。すなわち、画素選択配線１０４が選択されているサブフィールド期間には、副画素１００ａのＢ発光素子と副画素１００ｂのＧ発光素子が発光状態になる。画素選択配線１０５が選択されているサブフィールド期間には、副画素１００ａのＲ発光素子と副画素１００ｂのＢ発光素子が発光状態になる。
これが上で説明した図６の発光シーケンスの起こる理由である。
【００６０】
図６の発光シーケンスは、どのサブフィールドにおいても、副画素の符号が隣接副画素で逆になる。この結果、第１の実施形態と同様に、多くの画像でシェーディングが抑制される。
【００６１】
以上説明したように、本発明によれば、隣り合う副画素は、共通電極（Ｖｃ）に対して電気的に異なる方向に一定方向の電流が流れるようになっている。そのため、各副画素の有機ＥＬ素子を流れる電流量の差分のみが共通電極（Ｖｃ）１１２を介して供給されることになる。
【００６２】
共通電極（Ｖｃ）１１２を流れる電流量の大幅減少に伴って、電圧降下起因で生じるシェーディングが大幅に低減される。また、ほとんどの画像表示において、共通電極に対する電流の向きが（＋）の副画素と（−）の副画素がほぼ同数になるので、シェーディング防止の効果が期待できる。
【００６３】
（製造方法）
次に、第３の実施形態の発光装置の製造方法を説明する。
まず、ガラス基板１０上に、ＴＦＴ４０を作製し、さらに、ＴＦＴを保護すべく絶縁層を形成する。
【００６４】
つづいて、前記ＴＦＴ形成により生じた凹凸を平坦化すべく有機平坦化層１１を形成する。
有機平坦化層１１上に、前記したＴＦＴ内に形成された各ドレイン４０と電気的コンタクトを取るべく、絶縁層および有機平坦化層１１にコンタクトホールを形成後、Ｒ画素用アノード１２、Ｇ画素用アノード１３を作製する。
これらの電極パタンの作製には、ウエットプロセス、ドライプロセスどちらを用いてもよい。各アノードパタンが分離されて形成されればよい。
【００６５】
前処理としてＵＶ／オゾン洗浄をしたのち、真空ベークを実施し、基板に有機ＥＬ層１４，１５を蒸着する。
【００６６】
なお、各Ｒ・Ｇ発光層の塗り分けには各配列に対応したシャドーマスクを用いてもよいし、レーザー転写方式等、別の方式を用いても何ら問題はない。
続いて、電子輸送層、電子注入層を形成後、共通電極（下の有機ＥＬ層のカソード兼上の有機ＥＬ層のアノード）１６として透明電極もしくは半透過膜を形成する。
【００６７】
カソード電極１６の上に、第２層目の有機ＥＬ層（Ｂ発光層を含む）が形成される。
【００６８】
正孔輸送層が形成された後、Ｂの発光層が形成され、続いて電子輸送、電子注入層が形成される。
【００６９】
最後に上電極１９、２０を形成しパタンニングする。以上の工程で、同一副画素内に積層してダイオード特性を示す有機ＥＬ素子が形成される。
【００７０】
（第４の実施形態）
第３の実施形態においては、第二層目の有機ＥＬ層として配したＢ発光素子が、各サブフィールドにおいて隣接して発光することなくドット状に配置されていた。これに対して、図８に示すようにＢ発光の画素が列方向につながり、青の発光がライン状になるようにすることもできる。赤と青の発光素子の組と緑と青の発光素子の組との配置を１行ごとに入れ替えて画素を配列させることにより、このようにＢ発光を列方向に揃えることができる。
【００７１】
この構成においても、共通電極を流れる電流量を低減することが可能である。ただし、この場合は、同一信号線上に配された各副画素における各有機発光素子のダイオード接続方向が等しくなるので、電流供給線に対する負荷が増す。
【００７２】
本実施の形態においては、第二層目の有機発光層が発光する際に、各サブフィールドにおいて垂直方向にライン状に発光させたが、水平方向に発光させることも可能である。
【００７３】
第二層目の有機発光層をＢ発光としてきたが、Ｒ発光素子、Ｇ発光素子を用いる事も可能である。
【００７４】
さらに本実施の形態では、各第一層目の有機ＥＬ層と第二層目の有機ＥＬ層が層毎に電気的に同じ方向で共通電極（Ｖｃ）に接続がなされていたが、各第一層目の有機ＥＬ層もしくは各第二層目の有機ＥＬ層毎に共通電極（Ｖｃ）への接続方向を変える事も可能である。
【符号の説明】
【００７５】
１２  アノード電極（Ｒ画素用）
１３  アノード電極（Ｇ画素用）
１４  Ｒ有機ＥＬ層
１５  Ｇ有機ＥＬ層
１６  共通電極
１７  Ｂ有機ＥＬ層
１８  Ｂ有機ＥＬ層
１９  アノード電極（Ｂ画素用）
２０  アノード電極（Ｂ画素用）
１０１  ゲート（走査信号）配線
１０２  ソース（情報信号）配線
１０３  電流供給配線
１０４  画素選択配線１
１０５  画素選択配線２
１０６  信号伝達ＴＦＴ
１０７  保持容量
１０８  駆動ＴＦＴ１
１０９  駆動ＴＦＴ２
１１０  画素選択ＴＦＴ１
１１１  画素選択ＴＦＴ２
１１２  共通電極
【図１】
2011526719.tif 000003
【図２】
2011526719.tif 000004
【図３】
2011526719.tif 000005
【図４】
2011526719.tif 000006
【図５】
2011526719.tif 000007
【図６】
2011526719.tif 000008
【図７】
2011526719.tif 000009
【図８】
2011526719.tif 000010
【国際調査報告】
2011526719.tif 000011
2011526719.tif 000012