(57)【要約】  垂直に集積された画像センサ（４００）が、支持回路ウエハ（４０４）に接続されたセンサウエハ（４０２）を含む。センサウエハ上の各画素領域は、光検出器（３０２）、電荷・電圧変換機構（３０６）、電荷を光検出器から電荷・電圧変換機構に転送する転送ゲート（３０４）、及び電荷・電圧変換機構を放電するリセット機構（３０８）を含む。支持回路ウエハは、センサウエハ上の各画素領域のための増幅器（３１２）及びその他の支持回路を含む。ウエハ間コネクタ（３２０）は、センサウエハ上の各電荷・電圧変換機構を、それぞれのゲート（４１６）に、支持回路ウエハ上の増幅器に、直接接続する。
2011517510.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
(ａ)画素領域の第１のアレイを備えるセンサウエハであって、各画素領域が、
入射光に反応して電荷を収集する光検出器と、
電荷・電圧変換機構と、
電荷を前記光検出器から前記電荷・電圧変換機構に転送する転送機構と、
前記電荷・電圧変換機構を放電するリセット機構と、
を含む、センサウエハと、
（ｂ）前記センサウエハに接続され、且つ前記第１のアレイにおける各画素領域に対する支持回路を有する画素領域の第２のアレイを含む支持回路ウエハであって、
前記第２のアレイにおける各画素領域が前記第１のアレイにおける一つ又はそれ以上の画素領域に関連しており、且つ前記支持回路が増幅器を含む、支持回路ウエハと、
（ｃ）前記電荷・電圧変換機構から前記増幅器への電荷の転送のための前記センサウエハ上の各電荷・電圧変換機構と前記支持回路ウエハ上のそれぞれの画素領域における前記増幅器のゲートとの間のウエハ間コネクタと、
を備える、画像センサ。
【請求項２】
前記電荷・電圧変換機構が浮遊拡散部を含む、請求項１に記載の画像センサ。
【請求項３】
前記支持回路ウエハが配線層と相補型金属酸化物半導体装置層とを含む、請求項１に記載の画像センサ。
【請求項４】
前記相補型金属酸化物半導体装置層が、前記第１のアレイにおける各画素領域に対する支持回路を有する前記画素領域の第２のアレイを含む、請求項３に記載の画像センサ。
【請求項５】
前記リセット機構がリセットトランジスタのリセットドレインを含む、請求項１に記載の画像センサ。
【請求項６】
(ａ)画素領域の第１のアレイを備えるセンサウエハであって、各画素領域が、
入射光に反応して電荷を収集する光検出器と、
電荷・電圧変換機構と、
電荷を前記光検出器から前記電荷・電圧変換機構に転送する転送機構と、
前記電荷・電圧変換機構を放電するリセット機構と、
を含む、センサウエハと、
（ｂ）前記センサウエハに接続され、且つ前記第１のアレイにおける各画素領域に対する支持回路を有する画素領域の第２のアレイを含む支持回路ウエハであって、
前記第２のアレイにおける各画素領域が前記第１のアレイにおける一つ又はそれ以上の画素領域に関連しており、且つ前記支持回路が増幅器を含む、支持回路ウエハと、
（ｃ）前記電荷・電圧変換機構から前記増幅器への電荷の転送のための前記センサウエハ上の各電荷・電圧変換機構と前記支持回路ウエハ上のそれぞれの画素領域における前記増幅器のゲートとの間のウエハ間コネクタと、
を含む画像センサを備える、画像獲得装置。
【請求項７】
前記電荷・電圧変換機構が浮遊拡散部を含む、請求項６に記載の画像獲得装置。
【請求項８】
前記支持回路ウエハが配線層と相補型金属酸化物半導体装置層とを含む、請求項６に記載の画像獲得装置。
【請求項９】
前記相補型金属酸化物半導体装置層が、前記第１のアレイにおける各画素領域に対する支持回路を有する前記画素領域の第２のアレイを含む、請求項８に記載の画像獲得装置。
【請求項１０】
前記リセット機構がリセットトランジスタのリセットドレインを含む、請求項６に記載の画像獲得装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一般的にはアクティブ画素センサの分野に関しており、より具体的には、２枚の別個の半導体ウエハを有し、各ウエハが電気回路の一部を含むアクティブ画素センサに関する。
【背景技術】
【０００２】
ＣＭＯＳ画像センサ（ＣＩＳ）は、電荷結合素子（ＣＣＤ）の画素サイズに匹敵することができる小さな画素を実現するために、非常にスケーリングされた（deeply scaled）サブミクロン相補型金属酸化物半導体（ＣＭＯＳ）プロセスを必要とするという問題を抱えている。一般に、ＣＭＯＳプロセスがより小さな寸法にスケーリングされると、プロセスの集積化及び構造の詳細が変化し、画素性能が劣化する。この点の２つの例は、浅いトレンチ分離及び高ドープされたレトログレードウエルである。深サブミクロンＣＭＯＳ装置を形成するためには両方が必要であるが、両方とも画素に対する暗電流に関する逆効果を有する。結果として、光検出器及び画素を各々の新しい深サブミクロンＣＭＯＳ技術ノードに再集積化し且つ再最適化するために、多くの研究が行われなければならない。
【０００３】
しかし、設計者は、サブミクロンＣＭＯＳ装置の設計及び製造に関して、トレードオフに直面する。設計者は、よりスケーリングされたＣＭＯＳプロセスに移らないことで画素の画質を維持することができるが、これは小さな画素に対する低い占有ファクターをもたらす結果となり、あるいは、小さな画素を達成するために、より小さな設計ルールのプロセスに移ることができるが、これは、許容可能な画質を得るために光検出器を再集積化及び再設計する必要をもたらす。
【０００４】
これらの問題に対する一つの解決策は、光検出器をＣＭＯＳ回路とは別個に製造することである。画像センサは、例えば異なるウエハ上に形成されることができ、そのウエハは、３次元集積化又はウエハレベル配線技術を使用して一緒に結合される。米国特許第6,927,432号は、２枚の半導体ウエハを使用してアクティブ画素センサを製造する。一方のウエハ、ドナーウエハは光検出器を含み、他方のウエハ、ホストウエハは、画素内信号処理及び光検出器の読み出しのための配線層及び電気回路を含む。画素配線は、ドナーウエハ上の各光検出器をホストウエハ上のそれぞれのノード又は回路に直接接続する。
【０００５】
このアプローチは光検出器及び回路の処理を分離するが、光検出器との直接コンタクト又は接続のために、光検出器の性能を劣化させる。そのような性能の劣化の特定の例は、コンタクトのエッチングプロセスからのダメージのための暗電流の増加、点欠陥をもたらす光検出器における金属汚染の増加、及び高ドープのオーミックコンタクト領域に接続されることによる高い暗電流を含むが、これらに限られるものではない。
【０００６】
図１は、従来技術に従って２枚の半導体ウエハ上に具現化されることができる他の画素アーキテクチャの模式図である。この画素アーキテクチャは、共通に譲渡されている２００７年１０月４日付けで出願された米国特許出願第１１．８６７，１９９号に開示されている。画素１００は、光検出器１０２、転送ゲート１０４、電荷・電圧変換機構１０６（ＳＷ）、１０６（ＣＷ）、リセットトランジスタ１０８、電位ＶDD１１０、ソースフォロワ増幅器トランジスタ１１２、及び行選択トランジスタ１１４を含む。行選択トランジスタ１１４のドレインはソースフォロワ１１２のソースに接続され、行選択トランジスタ１１４のソースは出力Ｖout１１６に接続されている。リセットゲート１０８及びソースフォロワ１１２のドレインは電位ＶDD１１０に維持される。リセットゲート１０８のソース及びソースフォロワ１１２のゲートは、電荷・電圧変換機構１０６（ＣＷ）に接続されている。
【０００７】
破線１１８は、光検出器１０２、転送ゲート１０４、及び電荷・電圧変換機構１０６（ＳＷ）を囲み、一枚のウエハ、センサウエハに含まれる構成要素の輪郭を明示する。破線１１８で囲まれていない電荷・電圧変換機構１０６（ＣＷ）、リセットゲートトランジスタ１０８、電位ＶDD１１０、ソースフォロワ増幅器トランジスタ１１２、行選択トランジスタ１１４、出力１１６は、第２のウエハ、回路ウエハ上に形成された構成要素を表す。ウエハ間接続１２０は、センサウエハ上の電荷・電圧変換機構１０６（ＳＷ）を回路ウエハ上の電荷・電圧変換機構１０６（ＣＷ）に電気的に接続する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００１−３３９０５７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
図１に示されるアーキテクチャの画素を有する画像センサは、各ウエハ上に電荷・電圧変換機構を必要とする。この要件は、センサウエハ及び回路ウエハの両方ができるだけクリーンに処理されなければならないので、そのような画像センサの製造コストを増加させる。加えて、電荷・電圧変換機構１０６（ＳＷ）、１０６（ＣＷ）、リセットトランジスタ１０８、及びソースフォロワ増幅器トランジスタ１１２のための共通ノードとしてのウエハ間接続１２０の使用は、接続におけるキャパシタンスを増加させる。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
画像センサが、２枚の半導体ウエハ、支持回路ウエハに接続されたセンサウエハを含む。センサウエハは画素領域のアレイを含み、各画素領域が、光検出器、転送機構、電荷・電圧変換機構、及びリセット機構を含む。支持回路ウエハは、配線層とＣＭＯＳ装置層とを含む。ＣＭＯＳ装置層は、一つ又はそれ以上の画素領域のための支持回路を含む。ＣＭＯＳ装置層で使用される構成要素及び回路のタイプは、画像センサの目的又は使用に依存する。支持回路は、支持回路ウエハ上の対応する画素領域に含まれることができて、支持回路ウエハ上の各領域は、センサウエハ上の単一のそれぞれの画素領域によって使用される。あるいは、センサウエハ上の２つ又はそれ以上の画素領域は、支持ウエハ上のいくつか又は全ての支持回路を共有することができる。ウエハ間コネクタは、センサウエハ上の各電荷・電圧変換機構を、それぞれのゲートに、支持回路ウエハ上の増幅器に、直接接続する。
【００１１】
本発明のこれら及びその他の局面、目的、特徴、及び利点は、好適な実施形態の以下の詳細な記述及び添付の請求項のレビューから、且つ添付の図面の参照によって、より明瞭に理解及び認識されるであろう。
【発明の効果】
【００１２】
本発明は、高画質及び高い占有ファクターの両方を有するという利点を含む。センサウエハは、複数の支持回路ウエハ設計又は技術とともに使用されることができて、それによって、コストの低減とともに、改善された設計の柔軟さ及び最適化を提供する。センサウエハと支持回路ウエハとの間の接続は、センサウエハ上の各電荷・電圧変換機構及びそれぞれのゲートと支持回路ウエハ上の増幅器との間の直接接続を通して達成されることができて、それによって、キャパシタンス及び明るい点欠陥を低減する。回路ウエハからの明るい点欠陥は、ゲートのみの接続のために除去される。当業者は、トランジスタサイズがより小さな寸法にスケーリングされるにつれて、転移及びその他の欠陥の制御及び除去が困難になることを認識するであろう。それゆえ、回路ウエハへ指示接続をしないことは、現在の設計に対して、回路ウエハ上のリセット接続から明るい点欠陥を排除し、設計者が、センサウエハ上の画素欠陥の数を増さずに回路ウエハ上のトランジスタをより容易にスケーリングすることを可能にする。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】従来技術に従った２枚の半導体ウエハ上に具現化された画素アーキテクチャの模式図である。
【図２】本発明に従った実施形態における２枚の半導体ウエハを有する画像センサの上面図である。
【図３】本発明に従った実施形態において、図２に示された画像センサ２００で具現化されることができる画素アーキテクチャの模式図である。
【図４】本発明に従った実施形態において、図３の画素アーキテクチャを描く図２の線Ａ−Ａ’に沿った断面図である。
【図５】本発明に従った実施形態における２枚の半導体ウエハを有する画像センサを利用することができる撮像システムのブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下の詳細な記述では、その一部をなす添付の図面が参照され、そこでは、描写によって、本発明が実行され得る例示的な実施形態が示されている。これに関して、「上部（top）」「底部（bottom）」「正面（front）」「背面（back）」「立ち上がり（leading）」「立下り（trailing）」などのような方向的な用語法は、記述されている図面の向きに関して使用される。本発明の実施形態の構成要素は数多くの異なる向きに置かれることができるので、方向的な用語法は描写の目的で使用され、決して制約的なものではない。
【００１５】
明細書及び請求項を通じて、以下の用語は、文脈がそうでないことを明瞭に述べていない限りは、ここに明示的に関連した意味を取る。「ある（a）」「ある（an）」「その（the）」の意味は複数形を含み、「にて（in）」の意味は「中で（in）」及び「上で（on）」を含む。「接続された（connected）」という用語は、接続されるアイテムの間の直接的な電気的接続、又は一つ又はそれ以上の受動的又は能動的な中間装置を通した間接的な接続のいずれかを意味する。「回路（circuit）」という用語は、単一の構成要素又は複数の構成要素、能動的又は受動的を意味し、一緒に接続されて所望の機能を提供する。「信号（signal）」という用語は、少なくとも一つの電流、電圧、又はデータ信号を意味する。
【００１６】
ここで図２を参照すると、本発明に従った実施形態における２枚の半導体ウエハを有する画像センサの上面図が示されている。画像センサ２００は、行２０４及び列２０６に配列されてアレイを形成する画素領域２０２を含む。アレイは、例えば１２８０列×９６０行の画素領域のような任意の数の画素領域を有することができる。画像センサ２００は、例えば図２に示される相補型金属酸化物半導体（ＣＭＯＳ）画像センサのようなアクティブ画素センサとして具現化される。アクティブ画素センサは、各々がトランジスタのような一つ又はそれ以上の能動的電気素子を画素セルに含む画素を有する。
【００１７】
図３は、本発明に従った実施形態における図２に示された画像センサ２００にて具現化されることができる画素アーキテクチャの模式図である。画素３００は、光検出器３０２、転送機構３０４、電荷・電圧変換機構３０６、リセット機構３０８、電源電圧ＶDD３１０、増幅器３１２、及び行選択トランジスタ３１４を含む。本発明に従った実施形態では、転送機構３０４及びリセット機構３０８はトランジスタとして、増幅器３１２はソースフォロワトランジスタとして、電荷・電圧変換機構３０６は浮遊拡散部として、具現化される。
【００１８】
図３に示される実施形態では、行選択トランジスタ３１４のドレインはソースフォロワトランジスタ３１２のソースに接続され、行選択トランジスタ３１４のソースは出力３１６に接続される。リセットトランジシタ３０８及びソースフォロワトランジスタ３１２のドレインは、電源電圧ＶDD３１０に維持される。リセットトランジスタ３０８のソース及びソースフォロワトランジスタ３１２のゲートは、電荷・電圧変換機構３０６に直接接続されている。
【００１９】
破線３１８は、光検出器３０２、転送機構３０４、電荷・電圧変換機構３０６、及びリセット機構３０８を囲み、センサウエハ上に含まれる構成要素の輪郭を明示する。破線３１８で囲まれていない増幅器３１２、行選択トランジスタ３１４、及び出力３１６は、本発明に従った実施形態で支持回路ウエハ上に形成された構成要素を表す。ウエハ間コネクタ３２０は、センサウエハ上の電荷・電圧変換機構３０６を支持回路ウエハ上のソースフォロワトランジスタ３１２のゲートに直接接続する。
【００２０】
ここで図４を参照すると、本発明に従った実施形態において図３の画素アーキテクチャを描いた図２の線Ａ−Ａ’に沿った断面図が示されている。画像センサ４００は、センサウエハ４０２及び支持回路ウエハ４０４を含む。センサウエハ４０２は画素領域４０６を含み、各画素領域４０６は、光検出器３０２、転送機構３０４、電荷・電圧変換機構３０６、及びリセット機構３０８を含む。各リセット機構３０８は、本発明に従った実施形態では、リセットゲート４０８及びリセットドレイン４１０を含む。
【００２１】
支持回路ウエハ４０４は、本発明に従った実施形態では、配線層４１２とＣＭＯＳ装置層４１４とを含む。配線層４１２は誘電材料から形成され且つウエハ間コネクタ３２０を含み、これらは、本発明に従った実施形態では、各々金属層の組み合わせから形成されている。ウエハ間コネクタ３２０は、センサウエハ４０２上の各電荷・電圧変換機構３０６を支持回路ウエハ４０４上のソースフォロワトランジスタ３１２のゲート４１６に直接接続する。
【００２２】
ＣＭＯＳ装置層４１４は、画素領域４０６のための支持回路を含む。支持回路は、各画素領域４０６に専用であることができ、あるいは、いくつか又は全ての支持回路が２つ又はそれ以上の画素領域４０６によって共有されることができる。ＣＭＯＳ装置層４１４で使用される構成要素及び回路のタイプは、画像センサ４００の目的又は使用に依存する。例示のみによって、ＣＭＯＳ装置層４１４は、本発明に従った実施形態では、各画素領域４０６のためのソースフォロワトランジスタ３１２、行選択トランジスタ（図示せず）、及び電源電圧ＶDD３１０を含む。各ソースフォロワトランジスタ３１２は、ゲート４１６及びドレイン４１８を含む。ＣＭＯＳ装置層４１４は、本発明に従った他の実施形態では、追加の又は異なるアナログ及びデジタル回路を含む。そのようなアナログ及びデジタル回路の例は、行及び列デコーダ及びドライバ、列毎サンプル・ホールド回路、アナログ信号処理チェーン、デジタル画像処理ブロック、メモリ、タイミング及び制御回路、入力／出力（Ｉ／Ｏ）、及びボンドパッドを含むが、これらに限定されるわけではない。
【００２３】
カラーフィルタ４２０、４２２がセンサウエハ４０２上に形成され、各光検出器３０２によって受領される入射光の帯域をフィルタリングするために使用される。例示のみのために、カラーフィルタ４２０は、赤スペクトルで又はその近傍で伝搬する光がその下地の光検出器３０２によって受け取られるように構成され、カラーフィルタ４２２は、緑スペクトルで又はその近傍で伝搬する光がその下地の光検出器３０２によって受け取られるように構成される。マイクロレンズ４２４がカラーフィルタ４２０、４２２の上に形成され、光を光検出器３０２に向けるために使用される。
【００２４】
図５は、本発明に従った実施形態における２枚の半導体ウエハを有する画像センサを使用することができる撮像システムのブロック図である。撮像システム５００は、デジタルカメラフォン５０２及びコンピュータ装置５０４を含む。デジタルカメラフォン５０２は、２枚の半導体ウエハを有する画像センサを使用することができる画像獲得システムの例である。例えばデジタル静止カメラ及びデジタルビデオカムコーダのような他のタイプの画像獲得システムが、本発明とともに使用されることができる。
【００２５】
デジタルカメラフォン５０２は、本発明に従った実施形態では、携帯型で手持ちの電池駆動型装置である。デジタルカメラフォン５０２は、例えば内部フラッシュＥＰＲＯＭメモリ又は取り外し可能なメモリカードであることができるメモリ５０６に記憶されるデジタル画像を生成する。磁気ハードドライブ、磁気テープ、又は光ディスクのような他のタイプのデジタル画像記憶媒体が、メモリ５０６を具現化するために、代わりに使用されることができる。
【００２６】
デジタルカメラフォン５０２は、シーン（図示せず）からの光をアクティブ画素センサ５１２の画像センサアレイ５１０上にフォーカスするために、レンズ５０８を使用する。画像センサアレイ５１０は、本発明に従った実施形態では、バイエルカラーフィルタパターンを使用するカラー画像情報を提供する。画像センサアレイ５１０はタイミング生成器５１４によって制御され、これはまた、周囲の照明が低いときにシーンを照射するために、フラッシュ５１６もまた制御する。
【００２７】
画像センサアレイ５１０から出力されるアナログ出力信号は増幅され、アナログ・デジタル（Ａ／Ｄ）変換器回路５１８によってデジタルデータに変換される。デジタルデータはバッファメモリ５２０に記憶され、引き続いてデジタルプロセッサ５２２によって処理される。デジタルプロセッサ５２２は、フラッシュＥＰＲＯＭであることができるファームウエアメモリ５２４に記憶されたファームウエアによって制御される。デジタルプロセッサ５２２は実時間クロック５２６を含み、これは、デジタルカメラフォン５０２及びデジタルプロセッサ５２２が低電力状態であるときでさえ、日付及び時間を保持する。処理されたデジタル画像ファイルは、メモリ５０６に記憶される。メモリ５０６は、例えば音楽ファイル（例えばＭＰ３ファイル）、呼び出し音、電話番号、カレンダー、及び備忘録のような他のタイプのデータも記憶することができる。
【００２８】
本発明に従ったある実施形態では、デジタルカメラフォン５０２は静止画像を獲得する。デジタルプロセッサ５２２は、レンダリングされたｓＲＧＢ画像データを生成するために、色補間を、引き続いて色及びトーン訂正を実行する。レンダリングされたｓＲＧＢ画像データは、それから圧縮され、メモリ５０６に画像ファイルとして記憶される。例示のみのために、画像データはＪＰＥＧフォーマットに従って圧縮されることができて、これは既知の「Ｅｘｉｆ」画像フォーマットを使用する。このフォーマットはＥｘｉｆアプリケーションセグメントを含み、これは様々なＴＩＦＦタグを使用して特定の画像メタデータを記憶する。別個のＴＩＦＦタグは、例えば、写真が獲得された日付及び時刻、レンズのｆ／番号、及びその他のカメラ設定の記憶、及び画像キャプションの記憶のために使用されることができる。
【００２９】
デジタルプロセッサ５２２は異なる画像サイズを生成し、これは、本発明に従ったある実施形態ではユーザによって選択される。一つのそのようなサイズは、低解像度の「サムネイル」サイズ画像である。サムネイルサイズ画像の生成は、クフタら（Kuchta et al.）に対する「フル及び低減された解像度画像のマルチフォーマット記憶を提供する電子静止カメラ」という名称の共通に譲渡された米国特許第5,164,831号に記述されている。サムネイル画像はＲＡＭメモリ５２８に記憶され、例えばアクティブマトリクスＬＣＤ又は有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）であることができるディスプレー５３０に供給される。
【００３０】
本発明に従った他の実施形態では、デジタルカメラフォン５０２はビデオクリップも生成及び記憶する。ビデオクリップは、画像センサアレイ５１０の複数の画素を一緒に合計する（例えば画像センサアレイ５１０の各４列×４行内の同じ色の画素を合計する）ことによって生成され、低解像度ビデオ画像フレームを生成する。ビデオ画像フレームは、定期的な間隔で、例えば毎秒１５フレームの読み出しレートを使用して、画像センサアレイ５１０から読み出される。
【００３１】
音声コーデック５３２はデジタルプロセッサ５２２に接続され、マイク（Ｍｉｃ）５３４から音声信号を受け取る。音声コーデック５３２はまた、音声信号をスピーカ５３６に提供する。これらの構成要素は、ビデオシーケンス又は静止画像とともに、電話会話のため及び音声トラックの記録及び再生の両方のために、使用される。
【００３２】
スピーカ５３６はまた、本発明に従ったある実施形態では、ユーザに電話の着信を知らせるためにも使用される。これは、ファームウエアメモリ５２４に記憶された標準的な呼び出し音を使用して、又は、携帯電話ネットワーク５３８からダウンロードされてメモリ５０６に記憶されたカスタム呼び出し音を使用することによって、行われることができる。加えて、振動装置（図示せず）が、電話の着信のサイレント（例えば非可聴の）通知を提供するために使用されることができる。
【００３３】
デジタルプロセッサ５２２は無線モデム５４０に接続され、これが、デジタルカメラフォン５０２が無線（ＲＦ）チャンネル５４２を介して情報を送信及び受信することを可能にする。無線モデム５４０は、３ＧＳＭネットワークのような他のＲＦリンク（図示せず）を使用して携帯電話ネットワーク５３８と通信する。携帯電話ネットワーク５３８は写真サービスプロバイダ５４４と通信し、これが、デジタルカメラフォン５０２からアップロードされたデジタル画像を記憶する。コンピュータ装置５０４を含む他の装置は、インターネット５４６を介してこれらの画像にアクセスする。携帯電話ネットワーク５３８はまた、本発明に従ったある実施形態では、普通の電話サービスを提供するために、標準的な電話ネットワーク（図示せず）にも接続する。
【００３４】
グラフィックユーザインターフェース（図示せず）がディスプレー５３０上に表示され、ユーザコントロール５４８によって制御される。ユーザコントロール５４８は、本発明に従ったある実施形態では、電話番号をダイアルするための専用押しボタン（例えば電話キーパッド）、モード（例えば、「電話」モード、「カレンダー」モード、「カメラ」モード）を設定するためのコントロール、４方向コントロール（上、下、左、右）を含むジョイスティックコントローラ、及び押しボタン中央の「ＯＫ」又は「選択」スイッチを含む。
【００３５】
ドック５５０は、デジタルカメラフォン５０２内の電池（図示せず）を再充電する。ドック５５０は、ドックインターフェース５５２を介してデジタルカメラフォン５０２をコンピュータ装置５０４に接続する。ドックインターフェース５５２は、本発明に従ったある実施形態では、ＵＳＢインターフェースのような有線インターフェースとして具現化される。あるいは、本発明に従った他の実施形態では、ドックインターフェース５５２は、ブルートゥース又はＩＥＥＥ８０２．１１ｂ無線インターフェースのような無線インターフェースとして具現化される。ドックインターフェース５５２は、画像をメモリ５０６からコンピュータ装置５０４にダウンロードするために使用される。ドックインターフェース５５２はまた、カレンダー情報をコンピュータ装置５０４からデジタルカメラフォン５０２内のメモリ５０６に転送するために使用される。
【符号の説明】
【００３６】
１００  画素、１０２  光検出器、１０４  転送ゲート、１０６ＳＷ  センサウエハ上の電荷・電圧変換機構、１０６ＣＷ  回路ウエハ上の電荷・電圧変換機構、１０８  リセットトランジスタ、１１０  電源電圧ＶDD、１１２  増幅器、１１４  行選択トランジスタ、１１６  出力、１１８  破線、１２０  ウエハ間接続、２００  画像センサ、２０２  画素領域、２０４  行、２０６  列、３００  画素、３０２  光検出器、３０４  転送機構、３０６  電荷・電圧変換機構、３０８  リセット機構、３１０  電源電圧ＶDD、３１２  増幅器、３１４  行選択トランジスタ、３１６  出力、３１８  破線、３２０  ウエハ間コネクタ、４００  画像センサ、４０２  センサウエハ、４０４  支持回路ウエハ、４０６  画素領域、４０８  リセットトランジスタのゲート、４１０  リセットトランジスタのドレイン、４１２  配線層、４１４  ＣＭＯＳ装置層、４１６  増幅器のゲート、４１８  増幅器のドレイン、４２０  カラーフィルタ、４２２  カラーフィルタ、４２４  マイクロレンズ、５００  撮像システム、５０２  カメラフォン、５０４  コンピュータ装置、５０６  メモリ、５０８  レンズ、５１０  画像センサアレイ、５１２  アクティブ画素センサ、５１６  フラッシュ、５１８  アナログ・デジタル変換器、５２０  バッファメモリ、５２２  デジタルプロセッサ、５２４  ファームウエアメモリ、５２６  クロック、５２８  ＲＡＭメモリ、５３０  ディスプレー、５３２  音声コーデック、５３４  マイク、５３６  スピーカ、５３８  携帯電話ネットワーク、５４０  無線モデム、５４２  ＲＦチャンネル、５４４  写真サービスプロバイダ、５４６  インターネット、５４８  ユーザコントロール、５５０  ドック、５５２  ドックインターフェース。
【図１】
2011517510.tif 000003
【図２】
2011517510.tif 000004
【図３】
2011517510.tif 000005
【図４】
2011517510.tif 000006
【図５】
2011517510.tif 000007
【国際調査報告】
2011517510.tif 000008
2011517510.tif 000009
2011517510.tif 000010