(57)【要約】  シリコン太陽電池のような基板を処理する方法が提供される。１つの実施形態では、シリコン太陽電池の表面をマスク層及びレーザ吸収層で被覆し、そしてレーザ放射線を前記表面に誘導して開口部をこれらのマスク層及びレーザ吸収層に形成し、その後、ドーピング材料を、前記開口部を通して添加し、そしてコンタクトを取り付けることにより、ポイントコンタクトをシリコン太陽電池の表面に形成する方法が提供される。ドーピングは、好ましくは、プラズマ浸漬イオン注入により行なわれる。
2011503904.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理する方法であって：
（ａ）保護層を前記基板の表面に形成する工程と；
（ｂ）吸収層を前記保護層の上に形成する工程と； 
（ｃ）レーザエネルギーを前記吸収層の選択領域に誘導して、開口部を前記吸収層及び前記保護層に形成する工程と；
（ｄ）ドーピング原子を、前記開口部を通して添加して、不純物ドープ領域を前記シリコン基板に設ける工程と；
（ｅ）電気コンタクトを前記不純物ドープ領域に形成する工程と、
を含む、方法。
【請求項２】
前記吸収層は、前記レーザエネルギーを有するレーザの波長を透過しない、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記レーザの波長は３６０ｎｍよりも長い、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記保護層は二酸化シリコンを含み、そして前記吸収層はアモルファスシリコンを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記保護層は二酸化シリコンを含み、そして前記吸収層はカーボンを含む、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記吸収層は連続堆積物の一部として、前記堆積物の構成成分を変更することにより形成される、請求項４に記載の方法。
【請求項７】
前記ドーピング原子は、ボロン、砒素、リン、またはこれらの元素の組み合わせから成るグループから選択される物質である、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記ドーピング原子は、同時に添加される砒素及びボロンである、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記ドーピング原子は、プラズマ浸漬イオン注入により添加される、請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
前記レーザエネルギーの強度は、前記保護層、下地の前記シリコン基板の表面、またはこれらの両方を溶融させるために十分に大きい、請求項７に記載の方法。
【請求項１１】
基板を処理する方法であって：
（ａ）誘電体層を前記基板の表面に、プラズマ堆積プロセスによって堆積させる工程と；
（ｂ）所定の波長を有するレーザエネルギーソースを提供する工程と； 
（ｃ）前記所定の波長を透過しない材料層を前記誘電体層の上に堆積させる工程と；
（ｄ）レーザエネルギーを、前記材料層の選択領域に集中させて、開口部を前記材料層に、そして前記誘電体層に形成する工程と；
（ｅ）前記基板の前記表面を、ドーピングイオン含有プラズマに曝して、イオンを前記シリコン基板の表面に注入する工程と、
（ｆ）前記基板をアニールして、ドーピング原子を活性化させ、そして不純物ドープ領域を前記基板に形成する工程と、
（ｇ）電気コンタクトを前記不純物ドープ領域に形成する工程と、
を含む、方法。
【請求項１２】
前記誘電体層は二酸化シリコンであり、そして前記材料層はアモルファスシリコンまたはアモルファスカーボンである、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記ドーピング原子は、ボロン、砒素、リン、またはこれらの元素の組み合わせから成るグループから選択される、請求項１１に記載の方法。
【請求項１４】
前記ドーピング原子は、同時に添加される砒素及びボロンである、請求項１１に記載の方法。
【請求項１５】
基板を処理する方法であって：
（ａ）保護層をシリコン基板の表面に形成する工程と；
（ｂ）開口部を前記保護層に、前記保護層の事前選択領域で形成する工程と；
（ｃ）ｐ型ドーピング原子及びｎ型ドーピング原子を、前記開口部を通して同時に添加して、不純物ドープ領域を前記シリコン基板に設ける工程と；
（ｄ）電気コンタクトを不純物ドープ領域に形成する工程と、
を含む、方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は概して、基板処理に関する。特に、ポイントコンタクトをシリコン太陽電池に形成する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
太陽電池の裏面のコンタクトは、スクリーン印刷のような先行技術における方法を利用して形成されてきた。スクリーン印刷法では、アルミニウムペーストなどを、スクリーンを通してシリコン基板の裏面全体に印刷し、そして次に、高温処理工程、例えば７００℃〜８００℃の高温処理工程において、電気コンタクトを形成する。
【０００３】
単結晶シリコンまたは微細結晶シリコンから形成される最大効率シリコン太陽電池は、ポイントコンタクト構造を、表面全体に亘って設けられるブランケットコンタクトとは反対側の当該シリコンの裏面に有するように形成される。これらのコンタクトを形成するこれまでの方法は、フォトリソグラフィを利用することにより行なわれる。二酸化シリコンのような保護誘電体層を基板表面に形成し、そして次に、フォトリソグラフィを利用して、誘電体層をパターニングして、開口部を当該誘電体層に設ける。フォトリソグラフィプロセスに使用された材料を除去した後、裏面コンタクトを、例えば所望の金属を気相堆積させることにより設けることができる。このフォトリソグラフィ法はコストが比較的高く付く方法であるので、太陽電池の大量生産には望ましくないと考えられる。
【０００４】
フォトリソグラフィを利用する別の実施形態では、局所的に高いドーピング濃度を種々の公知のプロセスにより複数のコンタクト部に持たせる。ドーピング後、ドーピング物質を拡散させて所望の高ドーピング領域を形成する。次に、金属コンタクトを、例えば所望の金属を気相堆積させることにより形成することができる。
【０００５】
先行技術において利用される更に別の方法では、二酸化シリコンのような保護誘電体被覆層をシリコンウェハまたは基板の裏面全体に亘って形成する。その後、アルミニウム層を領域全体に亘って形成し、そしてレーザを照射してアルミニウムを、誘電体を突き抜けて半導体と合金化させる。次に、基板を最高４００℃以上に加熱して、アルミニウムを拡散させ、そしてレーザダメージ部から分離された電気コンタクト領域を設ける。
【０００６】
先行技術において利用される別のプロセスでは、二酸化シリコンのような保護誘電体マスク層をシリコン基板の裏面全体に設ける。次に、レーザビームを利用して開口をアブレーションにより二酸化シリコンマスク層に形成して二酸化シリコンマスク層をパターニングする。マスク層または保護層をパターニングした後、コンタクト部を、マスク層に設けた開口部を通した拡散により形成する。ほとんどの誘電体マスク層は可視光領域で光を透過するので、ＵＶレーザをアブレーションに使用させるようにすることにより、マスク層における十分な吸収が得られるようにしている。しかしながら、ＵＶレーザの使用は、当該ＵＶレーザのパワーが非常に低く、かつ強いＵＶ光によって光学系が劣化し、更に下地のシリコン基板にダメージを与える恐れがあるので望ましくない。
【０００７】
図１は、ポイントコンタクトをシリコン太陽電池の裏面または背面に形成するために先行技術において採用される工程を表わすフローチャートを示している。この技術分野では良く知られているように、前面及び背面の両方に、保護層を被覆して高効率太陽電池を形成する必要がある。しかしながら、不純物ドープポイントコンタクト層を更に形成する必要がある。従って、先行技術プロセスにおける第１工程では、保護層を、工程１０に示すように、太陽電池基板の裏面に堆積させる。ポイントコンタクトを太陽電池基板の裏面に形成するための当該保護層は、工程１０に示すように公知である。
【０００８】
ポイントコンタクトを太陽電池の裏面に形成するために、マスク層を、工程１２に示すように、パターニングする必要があることは公知である。パターニングすることにより、マスク層を貫通する開口部が得られる。従って、例えば二酸化シリコンのような層をマスクとすることにより、ボロンのようなドーピング原子がＰ型シリコンボディに、パターニングにより形成される開口部以外の部分を通って拡散してしまうのを防止し、このパターニングは、フォトレジスト塗布、レーザアブレーションなどのような先行技術において知られている公知の方法のいずれかの方法により行なうことができる。その後、ボロンドーピング原子が、工程１４に示すように、当該層に形成されたパターニング済み開口部を通って拡散する。ボロン原子が拡散すると、Ｐ型不純物ドープ領域が、Ｐ型シリコンボディのうち、開口部がパターニングにより形成されている領域に形成される。その後、マスク層を、工程１６に示すように、シリコンウェハまたは基板の背面から剥離する。マスクを剥離した後、保護層を、工程１８に示すように堆積させる。保護層を工程１８に示すように堆積させた後、位置合わせパターンを形成して、開口部がここでも同じように再堆積保護層に設けられるようにするが、これらの開口部は、工程１４に示すボロン拡散時に形成される不純物ドープ領域に位置合わせされる。位置合わせパターンの形成を工程２０に示すように行なった後、金属コンタクトをＰ型不純物ドープ領域に工程２２に示すように取り付ける。この技術分野の当業者には明らかなことであるが、複数の工程が、裏面ポイントコンタクトを通常の先行技術プロセスに従って設けるために必要となる。
【０００９】
従って、スクリーン印刷またはフォトリソグラフィを利用するために要する費用を削減し、かつ下地のシリコンにダメージを与えることがないレーザアブレーションの利用を可能にするプロセスを提供することが一層望ましい。
【発明の概要】
【００１０】
シリコン太陽電池の裏面をマスク層及びレーザ吸収層で被覆し、そしてレーザ放射線を前記表面に誘導して、開口部を前記マスク層及びレーザ吸収層に形成し、その後、適切なドーピング材料を、前記開口部を通して添加することにより、ポイントコンタクトをシリコン太陽電池の裏面に形成する方法が与えられる。
【００１１】
１つの実施形態では、基板を処理する方法が提供され、前記方法は、保護層を前記基板の表面に形成する工程と、吸収層を前記保護層の上に形成する工程と、レーザエネルギーを前記吸収層の選択領域に誘導して、開口部を前記吸収層及び前記保護層に形成する工程と、ドーピング原子を前記開口部を通して添加して、不純物ドープ領域を前記シリコン基板に設ける工程と、そして電気コンタクトを前記不純物ドープ領域に形成する工程と、を含む。
【００１２】
別の実施形態では、基板を処理する方法が提供され、前記方法は、誘電体層を前記基板の表面に、プラズマ堆積プロセスにより堆積させる工程と、所定の波長を有するレーザエネルギーソースを設ける工程と、所定の波長を透過しない材料層を前記誘電体層の上に堆積させる工程と、レーザエネルギーを、前記材料層の選択領域に集中させて、開口部を前記材料層に、そして前記誘電体層に形成する工程と、前記基板の前記表面を、ドーピングイオン含有プラズマに曝して、イオンを前記シリコン基板の表面に注入する工程と、前記基板をアニールして、ドーピング原子を活性化させ、そして不純物ドープ領域を前記基板に形成する工程と、そして電気コンタクトを前記不純物ドープ領域に形成する工程と、を含む。
【００１３】
別の実施形態では、基板を処理する方法が提供され、前記方法は、保護層をシリコン基板の表面に形成する工程と、開口部を前記保護層に、前記保護層の事前選択領域で形成する工程と、ｐ型ドーピング原子及びｎ型ドーピング原子を、前記開口部を通して同時に添加して、不純物ドープ領域を前記シリコン基板に設ける工程と、そして電気コンタクトを前記不純物ドープ領域に形成する工程と、を含む。
【００１４】
上に列挙した本発明の特徴を詳細に理解することができるように、上に簡単に要約されている本発明に関する更に詳細な記述を、種々の実施形態を参照しながら行なうことができ、これらの実施形態の内の幾つかの実施形態が添付の図面に示される。しかしながら、添付の図面は本発明の代表的な実施形態を示しているに過ぎず、従って、本発明が他の同様に効果的な実施形態を包含することができるので、本発明の範囲を制限するものであると解釈されるべきではないことに留意されたい。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】図１は、ポイントコンタクトをシリコン太陽電池の裏面に形成するために先行技術において通常使用される行程を示すフローチャートである。
【図２】図２は、このようなコンタクトを形成する本発明の方法を示すフローチャートである。
【図３】図３は、保護マスク層及び吸収層が形成された状態の半導体ボディを示している。
【図４】図４は、レーザアブレーションによりパターニングされた図３のボディを示している。
【図５】図５は、パターニング済みマスクを通した拡散が行なわれた後の図４の構造を示している。
【図６】図６は、図５の構造とは別の構造であり、コンタクト部を構成する高不純物濃度の領域だけでなく、裏面領域を構成する相対的に低不純物濃度の領域が形成される様子を示している。
【図７】図７は、図３の構造と同様の構造を示している。
【図８】図８は、コンタクト領域が、構造を溶融させるレーザエネルギーを利用して形成された後の図７の構造を示している。
【図９】図９は、適切な金属コンタクトが不純物ドープ領域に形成された状態の図８の構造を示している。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
本発明は、少なくとも１つの誘電体層または保護層により被覆されている表面に電気的にコンタクトする方法の改良を可能にする。この方法によって、太陽電池のベース層とのコンタクトが可能になるので、先行技術において生じる不具合が解決される。本発明の方法により、高効率太陽電池を大量生産ベースで製造することができ、これにより、高効率を達成するという要求を、現在利用可能な設備及びプロセスフローを利用しながら満たすことができる。
【００１７】
図２は、このようなコンタクトを形成する本発明の方法を示すフローチャートである。シリコン半導体基板またはウェハは、工程３０に示すように、当該基板またはウェハに堆積させた保護マスク層を有する。次に、保護マスク層を工程３２に示すようにパターニングして、開口部を当該マスク層に設け、これらの開口部を通して、ドーピング原子をシリコン半導体基板またはウェハに添加して不純物ドープ領域を形成することにより、裏面ポイントコンタクトを設ける。
【００１８】
パターニングを工程３２に示すように行なった後、ドーピング原子を、パターニング工程３２により設けたこれらの開口部に注入する。以下の議論説明では、ボロンをドーピング原子として利用しているが、本発明では、Ｐ型ドーピング原子及びＮ型ドーピング原子の両方を含む更に別のドーピング原子を用いることを想到することができる。適切なドーピング原子はボロン、砒素、リン、またはこれらの元素の組み合わせを含む。例えば、ボロンを使用して、または同時に添加される砒素及びボロンを使用してドーピングしてもよい。
【００１９】
ドーピングは、プラズマ浸漬イオン注入を工程３４に示すように利用することにより行なうことができる。プラズマイオン注入（Ｐ３ｉ）を行なうために、パターニング済み保護マスク層が形成された状態のシリコン基板を化学気相堆積チャンバ、好ましくはプラズマ支援化学気相堆積（ＰＥＣＶＤ）チャンバに載置する。ボロン、例えば水素キャリアに混合したジボロンを含むガス流をチャンバに導入し、そして適切な電場エネルギーをガスに与えて、当該ガスのプラズマを発生させる。半導体基板をバイアスして、プラズマ内に発生したイオンを引き付けて半導体基板の表面に衝突させる。ボロンイオンがシリコン基板の表面に衝突すると、保護層がマスクとして機能し、そしてボロンイオンがマスクに設けられた開口部を通って堆積する。プラズマは、適切なドーズ量のボロンイオンが供給されるような時点まで継続し、そして次に、プラズマを終了させる。その後、Ｐ３ｉ（プラズマイオン注入）ボロンイオンを含んだ状態の半導体基板を工程３６に示すようにアニールしてイオンを活性化させ、そしてイオン／原子を半導体ボディに拡散させて、Ｐ型不純物ドープ領域を設け、シリコン太陽電池の裏面との低抵抗ポイントコンタクトを可能にするために使用する。別の方法として、ｐ型ドーピング原子及びｎ型ドーピング原子を、開口部を通して同時に添加することにより、不純物ドープ領域をシリコン基板に設けることができる。
【００２０】
プロセスの１つの実施形態によれば、シリコン基板の裏面に形成されるマスク層をレーザアブレーションすることにより、所望のパターンを形成する。１０６４ｎｍ波長のＮｄ：ＹＶＯ４レーザの第３高調波のようなＵＶレーザを使用してマスク層をアブレーションする場合、ダメージが下地のシリコンに生じ、更に、光学系の劣化も生じる可能性がある。これらの問題を解決する５３２ｎｍ（Ｎｄ：ＹＶＯ４レーザの第２高調波）のような従来のレーザ波長は、二酸化シリコン及び窒化シリコンのような従来のマスク層が光を透過し、かつ５３２ｎｍレーザ光を吸収しないので望ましくない。
【００２１】
吸収層をマスク層の上に形成する。吸収層はアモルファスシリコン材料を含むことができ、このアモルファスシリコン材料は、二酸化シリコン層のようなマスク層を堆積させた後に、単に堆積ガスを調整することにより、例えば二酸化シリコンを堆積させる時の酸素の供給を止めることにより形成することができる。別の構成として、吸収層はアモルファスカーボン材料を含むことができる。アモルファスカーボンは、レーザ光を一様に吸収することができ、かつパターンの影響を受けない。このような層は、単に二酸化シリコンを形成するためのガス流を止め、そしてメタンをその代わりにガス流に混入させることにより形成することができる。
【００２２】
図３は、保護マスク層及び吸収層が形成された状態の半導体ボディを示している。シリコン半導体基板４０は、二酸化シリコンのような保護層またはマスク層４２と、そして当該保護層またはマスク層４２の上に堆積させた吸収層４４と、を含む。吸収層４４を利用することにより、誘電体マスク層４２内のコンタクト開口を、３６０ｎｍよりも長い可視波長または赤外線波長を持つ従来のレーザを使用して形成することができる。二酸化シリコン層は、ＰＥＣＶＤチャンバを利用して、シラン（ＳｉＨ４）を酸素雰囲気中でプラズマ分解することにより堆積させることができる。同様のプロセスは、他の前駆体を使用して利用することができるが、原理は同じである。酸素流を止める場合、アモルファスシリコンが二酸化シリコン層の上に堆積する。従って、ガス流を単に変更することにより、２つの層を連続的に堆積させることができる。アモルファスシリコンは、約０．６８ミクロン超の波長の吸収量が非常に多い。従って、このような層は、５３２ｎｍの波長の吸収量が非常に多いと考えられる。上に指摘したように、単に酸素及びシランの供給を止め、そしてその代わりにメタン（ＣＨ４）を導入することにより、カーボンをプラズマ分解する。カーボンは、可視波長からＩＲ（赤外線）波長に対応する広い領域の波長の吸収量が非常に多いので、この場合も同じように、５３２ｎｍまたは１０６４ｎｍの波長を持つレーザの使用が可能になる。
【００２３】
図４は、図３のボディがレーザアブレーションによりパターニングされる様子を示している。番号４６で模式的に示されるレーザビームを吸収層４４に集光させる。吸収層４４が存在するので、レーザエネルギーで吸収層及び保護層４２をアブレーションすることにより、開口を２つの層に、４８，５０，及び５２で示すように形成することができる。
【００２４】
４８，５０，及び５２のような複数の開口を有し、かつ１つの開口がレーザビーム４６により形成されている状態の層に、次にドーピング原子ソースから原子を供給してＰ型不純物ドープ領域５４，５６，５８，及び６０をＰ型ボディ４０に、図５に示すように形成する。不純物ドープ領域５４，５６，５８，及び６０は、拡散により形成するか、または上に説明したように、Ｐ３ｉ（プラズマイオン注入）プロセスを利用することにより形成することができる。上に示したように、Ｐ３ｉプロセスを利用して、ボロン原子をボディ４０の表面に開口部４８〜５２を通して注入する場合、半導体基板をアニールして、これらの原子をボディに拡散させ、そしてこれらの原子を電気的に活性化させる必要がある。その後、電気コンタクトを取り付けて、ポイントコンタクトを半導体基板４０の裏面に形成する。しかしながら、拡散を利用して基板にドーピングする場合、膜がコンタクト開口に形成される可能性があり、この膜をまずエッチングして、ドーパントガスと残留酸素とが堆積炉内で反応する現象を防止する必要がある。このような膜は、プラズマ注入及びプラズマアニールを用いる場合には形成されない。
【００２５】
本発明の方法の別の実施形態によれば、裏面領域に、図６を参照して示されるような複数の不純物ドープ領域を同時に設けることができる。
【００２６】
図６に示すように、Ｐ型シリコンにより形成される半導体ボディ６２には、開口６４，６６，及び６８が、上で参照したようなレーザアブレーションにより形成される。Ｐ３ｉ（プラズマイオン注入）プロセスを利用することにより、ボロン原子及び砒素原子の両方を当該ボディに、水素キャリアガスに含まれるジボロン（５％）及びアルシン（５％）を使用してイオン注入することができる。注入後、かつアニール後、番号７０で示す不純物ドープ領域が砒素原子により形成されるのに対し、裏面領域は、番号７２で示すボロン原子を拡散させることにより形成される。
【００２７】
ボロンの拡散は、ボロン原子の原子質量（１１）が砒素原子の原子質量（７５）よりも小さいので生じ得るのであり、そして両方の原子を同じエネルギー量でイオン注入するので、ボロン原子がマスク層を突き抜けて半導体基板のボディに侵入するのに対し、砒素原子は開口部を除く領域では、マスク層により阻止される。このような２つの異なる原子のドーピングプロセスでは、保護酸化膜厚を正しく選択する必要がある。例えば、５０Å厚の酸化膜で、３ｋＶエネルギーの砒素原子を止めることができ、同様のエネルギーのボロン原子を止めることができない。ＳＲＩＭＴＭプログラムのようなモデル化プログラムをフリーウェアとして利用することができるので、このような計算が可能になる。
【００２８】
別の実施形態では、更に別のコンタクトは、裏面に第２のドーピング種を用いて形成することができる。このようなプロセスでは、第１セットのマスク層及び吸収層を堆積させ、第１パターンを用いてパターニングし、そして露出基板にここに説明したように、第１のドーピング種を注入する。次に、第１セットのマスク層及び吸収層を除去し、そして第２セットのマスク層及び吸収層を次に堆積させ、第２パターンを用いてパターニングし、そして露出基板にここに説明したように、第２のドーピング種を注入する。例えば、第１のドーピング種をボロンとし、そして第２のドーピング種を砒素とすることができる。別の構成として、第１のドーピング種をｐ型ドーパントとし、そして第２のドーピング種をｎ型ドーパントとすることができる。第１及び第２パターンは同じパターン、オーバーラップパターン、または非オーバーラップパターンとすることができる。
【００２９】
別の実施形態では、マスク酸化膜は、ボロン原子及び砒素原子の両方が止まるように十分厚く形成される。しかしながら、砒素はボロンよりも二酸化シリコン中の拡散が遅いので、活性化アニールの後は、ボロンが接合を半導体内で形成するが、砒素は酸化膜中に留まり、砒素は電気的に非活性の状態を維持する。
【００３０】
図７，８，及び９は、不純物ドープ領域を形成して、ポイントコンタクトを半導体基板の裏面に設ける別の実施形態を示している。これらの図に示すように、基板８０は、上に説明したように、当該基板の上に設けられる保護層８２と、当該保護層に続いて形成される吸収層８４と、を含む。保護層８２は、ここに説明したように、プラズマにより形成することができ、そして同時に、半導体基板８０がＰ型であるとすると砒素またはボロンのようなドーピング元素を含むことができる。このようなプラズマに暴露される場合、二酸化シリコン保護層８２には、下地のシリコン基板８０中の固溶度以上にドーピングできる。本発明のこの実施形態によれば、図８の番号８６で示すレーザパワーを増やして、保護層８２及びシリコンを基板８０の表面の近傍で、番号８８，９０，９２，及び９４で示すように溶融させる。従って、ドーパント物質が溶融領域で混合することにより低濃度接合を形成し、そして接合エッジを溶融領域のエッジのダメージ部から遠ざかるように移動させる。これにより、高ドーピングがコンタクト部に対応し、そして低ドーピングが接合部に対応するような理想的な高濃度／低濃度接合が形成される。
【００３１】
図９に示すように、金属コンタクト９６，９８，１００，及び１０２を次に不純物ドープ領域に取り付けて、低抵抗ポイントコンタクトを半導体基板８０の裏面に設ける。これらの金属コンタクトは、ニッケルのような導電材料を含むことができる。
【００３２】
以上のように、低抵抗ポイントコンタクトをシリコン半導体太陽電池の裏面に形成する方法を開示してきた。
【００３３】
これまでの記述は本発明の実施形態に関して為されているが、本発明の他の実施形態及び別の実施形態を、本発明の基本的範囲から逸脱しない範囲で想到することができ、そして本発明の範囲は、以下の請求項によって規定される。
【図１】
2011503904.tif 000003
【図２】
2011503904.tif 000004
【図３】
2011503904.tif 000005
【図４】
2011503904.tif 000006
【図５】
2011503904.tif 000007
【図６】
2011503904.tif 000008
【図７】
2011503904.tif 000009
【図８】
2011503904.tif 000010
【図９】
2011503904.tif 000011
【国際調査報告】
2011503904.tif 000012