(57)【要約】  本発明は、一般的に、ソーラーセル及びソーラーセル製造プロセスを包含する。光発生電子及び電子−ホールは、寿命が短いか又は移動度が低く、電子又は電子−ホールが接合部に達する前に再結合するのを許容することがある。浸透型ソーラーセルデバイスは、電子及び電子−ホールが接合部に達するために走行する必要のある距離を短縮することができる。浸透型ソーラーセルは、ポラゲンと共にシリコン含有層を堆積し、次いで、ポラゲンを分解して、シリコン含有層に孔のような開口を生成することにより、形成することができる。一実施形態において、シリコン含有層が堆積され、次いで、アノードエッチングされて、シリコン含有層に開口を生成する。シリコン含有層上に堆積される層は、開口へと延ばすことができる。開口へ延ばすことで、電子及び電子−ホールに対する接合部への距離が減少され、より多くの電子及び電子−ホールが接合部に達することができる。【選択図】      図２
2011501469.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の開口を有する第１のシリコン含有層をソーラーセル基板の上に形成するステップと、
上記第１のシリコン含有層の少なくとも１つの開口へと延びる第２のシリコン含有層を上記第１のシリコン含有層の上に形成するステップと、
を備えたソーラーセル製造方法。
【請求項２】
上記第１のシリコン含有層は、アモルファスシリコン又は微結晶シリコンを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
第１のシリコン含有層を形成する上記ステップは、
シリコン含有蒸気及びポラゲン形成ガスを処理チャンバへ導入する段階と、
ポラゲンが分散された上記第１のシリコン含有層を基板の上に堆積する段階と、
上記ポラゲンを分解して、上記第１のシリコン含有層から上記ポラゲンを除去し、上記第１のシリコン含有層に１つ以上の開口を残す段階と、
を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
上記ポラゲンは、エチレン、プロピレン、イソブチレン、アセチレン、アリレン、エチルアセチレン、１、３−ブタジエン、イソプレン、２、３−ジメチル−１、３−ブタジエン、アルファ−テルピネン、ピペリレン、及びその組合せより成るグループから選択される、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
上記分解は、上記ポラゲンを酸素含有ガスに露出させて、孔の壁にトンネル接合部を形成することを含む、請求項３に記載の方法。
【請求項６】
第１のシリコン含有層を形成する上記ステップは、更に、
基板上に上記第１のシリコン含有層を堆積する段階と、
上記シリコン含有層に１つ以上の開口をエッチングする段階と、
を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
上記第１のシリコン含有層は、ｐドープのシリコンである、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
上記ソーラーセル基板上に堆積されたｐドープのシリコン層を、過酸化水素及びオゾンを含む溶液中に浸漬し、そのｐドープのシリコン層に酸化物層を成長させることを更に備えた、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
ソーラーセル基板の上にｐドープのシリコン層を堆積するステップと、
上記ｐドープのシリコン層上に第２の層を堆積するステップと、
上記ｐドープのシリコン層と上記第２の層との間に非均一な界面を生成して、上記第２の層が上記ｐドープのシリコン層へ少なくとも部分的に延びるようにするステップと、
を備えたソーラーセル製造方法。
【請求項１０】
上記ｐドープのシリコン層は、ポラゲンと共に堆積され、上記生成するステップは、更に、ポラゲンを分解して、ポラゲンを上記ｐドープのシリコン層から除去する段階を含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
上記生成するステップは、上記ｐドープのシリコン層をアノードエッチングする段階を含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
上記ｐドープのシリコン層は、アモルファス又は微結晶である、請求項９に記載の方法。
【請求項１３】
上記ソーラーセル基板上に堆積されたｐドープのシリコン層を、過酸化水素及びオゾンを含む溶液中に浸漬し、そのｐドープのシリコン層に酸化物層を成長させるステップを更に備えた、請求項９に記載の方法。
【請求項１４】
ソーラーセル基板の上に堆積された第１のシリコン含有層と、
上記第１のシリコン含有層に結合される第２のシリコン含有層と、
上記第１のシリコン含有層と第２のシリコン含有層との間の界面であって、上記第２のシリコン含有層が上記第１のシリコン層へ少なくとも部分的に延びるように非均一にされた界面と、
を備えたソーラーセル。
【請求項１５】
上記第１のシリコン含有層は、アモルファスシリコン、微結晶シリコン、ｐドープのシリコン、ポリシリコン、及びその組合せより成るグループから選択された材料を含む、請求項１４に記載のソーラーセル。
【発明の詳細な説明】
【発明の背景】
【０００１】
発明の分野
[0001]本発明の実施形態は、一般的に、ソーラーセル及びソーラーセル製造プロセスに関する。
【０００２】
関連技術の説明
[0002]光発生電子及び電子−ホールを収集する能力は、ソーラーセル、特に短寿命又は低移動度材料で作られたソーラーセルの性能に対する主な制限要素の１つである。図１に示すように、在来のソーラーセル１００は、ｐ型半導体層１０２の上にｎ型半導体層１０４をもつｐ−ｎ接合部より成る平坦な構造を有する。吸収された光子が電子／電子−ホール対を形成する。ｐ型半導体層１０２では、電子１０６が少数である。ｎ型半導体層１０４では、電子−ホール１０８が少数キャリアである。少数キャリアは接合部へと拡散し、そこでスイープされて光電流を形成する。キャリアは、接合部１１０に達する前に再結合する場合には、失われる。それ故、層は、Ｌ２＝（ｋＴ／ｑ）μτで与えられる拡散長さに比して薄くなければならない（但し、ｋは、ボルツマン定数であり、Ｔは、温度であり、ｑは、電子の電荷であり、μは、移動度であり、τは、寿命である）。移動度又は寿命が短いときには、Ｌは、効率的に光を吸収するのに要する距離より短いことがある。その場合、キャリアは、収集される前に失われ、セルは、理想的な効率より低くなる。
【０００３】
[0003]図１に示すように、電子１０６は、矢印Ｃで示す短い距離、矢印Ｂで示す中間距離、又は矢印Ａで示すように長い距離を走行しなければならないことがある。同様に、電子−ホール１０８も、矢印Ｄで示すように短い距離、矢印Ｅで示すように中間距離、又は矢印Ｆで示すように長い距離を走行しなければならないことがある。走行距離が長いほど、電子−ホール１０８又は電子１０６が接合部１１０に達する前に再結合する見込みが高くなる。
【０００４】
[0004]効率の改善された浸透構造を有する有機ソーラーセルは、ポリ（３、４−エチレン−ジオキシチオフェン）ドープのポリ（スチレンスルホン酸）のような第１層を基板上にスピンコーティングし、次いで、ポリ［２−メトキシ−５−（３’，７’−ジメチルオクチルオキシ）−１、４−フェニレンビニレン］（ＭＤＭＯ−ＰＰＶ）及び［６、６］−フェニル−Ｃ６１−酪酸メチルエスター（ＰＣＢＭ）の混合組成物を堆積することにより形成される。ＭＤＭＯ−ＰＰＶ及びＰＣＢＭの混合組成物は、キャリア搬送特性を改善する浸透層であるが、この混合組成物は、電力効率が５％よりかなり低い。
【０００５】
[0005]他方、シリコン系のソーラーセルは、有機ソーラーセルより電力効率が高いが、接合部に達するために走行すべき電子及び電子−ホールの経路が長いために、電力効率は約２５％しかない。接合部に達するための電子及び電子−ホールの経路を短縮することによりソーラーセルの電力効率を高めることが有益である。それ故、この技術では、接合部に達するために電子及び電子−ホールが走行する短い経路を有するソーラーセルが要望される。
【発明の概要】
【０００６】
[0006]本発明は、一般的に、ソーラーセル及びソーラーセル製造プロセスを包含する。光発生電子及び電子−ホールは、寿命が短いか又は移動度が低く、電子又は電子−ホールが接合部に達する前に再結合するのを許容することがある。浸透型ソーラーセルデバイスは、電子及び電子−ホールが接合部に達するために走行する必要のある距離を短縮することができる。浸透型ソーラーセルは、ポラゲンと共にシリコン含有層を堆積し、次いで、ポラゲンを分解して、シリコン含有層に孔のような開口を生成することにより、形成することができる。一実施形態において、シリコン含有層が堆積され、次いで、アノードエッチングされて、シリコン含有層に開口を生成する。シリコン含有層上に堆積される層は、開口へと延ばすことができる。開口へ延ばすことにより、電子及び電子−ホールに対する接合部への距離が減少され、より多くの電子及び電子−ホールが接合部に達することができる。
【０００７】
[0007]一実施形態において、ソーラーセル製造プロセスは、１つ以上の開口を有する第１のシリコン含有層をソーラーセル基板の上に形成し、第１のシリコン含有層の少なくとも１つの開口へと延びる第２のシリコン含有層を第１のシリコン含有層の上に形成することを含む。
【０００８】
[0008]別の実施形態において、ソーラーセル製造プロセスは、ソーラーセル基板の上にｐドープのシリコン層を堆積し、ｐドープのシリコン層の上に第２の層を堆積し、ｐドープのシリコン層と第２の層との間に非均一な界面を生成して、第２の層がｐドープのシリコン層へ少なくとも部分的に延びるようにすることを含む。
【０００９】
[0009]別の実施形態において、ソーラーセルは、ソーラーセル基板の上に堆積された第１のシリコン含有層と、この第１のシリコン含有層に結合される第２のシリコン含有層と、これら第１のシリコン含有層と第２のシリコン含有層との間の界面であって、第２のシリコン含有層が第１のシリコン層へ少なくとも部分的に延びるように非均一にされた界面と、を備えている。
【００１０】
[0010]本発明の前述した特徴を詳細に理解できるように、概要について簡単に前述した本発明について、幾つかを添付図面に例示している実施形態に関して、以下により特定して説明する。しかしながら、添付図面は、本発明の典型的な実施形態のみを例示したもので、従って、本発明の範囲は、それに限定されるものではなく、本発明は、同等の効果を発揮できる他の実施形態も包含できることに注意されたい。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】ソーラーセルの概略断面図である。
【図２】浸透層を有するソーラーセルの概略断面図である。
【図３】本発明の一実施形態によるソーラーセルを製造するプロセスのフローチャートである。
【図４Ａ】図３に示す実施形態による一製造段階におけるソーラーセルの概略断面図である。
【図４Ｂ】図３に示す実施形態による一製造段階におけるソーラーセルの概略断面図である。
【図４Ｃ】図３に示す実施形態による一製造段階におけるソーラーセルの概略断面図である。
【図４Ｄ】図３に示す実施形態による一製造段階におけるソーラーセルの概略断面図である。
【図５】本発明の別の実施形態によるソーラーセルを製造するプロセスのフローチャートである。
【図６Ａ】図５に示す実施形態による一製造段階におけるソーラーセルの概略断面図である。
【図６Ｂ】図５に示す実施形態による一製造段階におけるソーラーセルの概略断面図である。
【図６Ｃ】図５に示す実施形態による一製造段階におけるソーラーセルの概略断面図である。
【詳細な説明】
【００１２】
[0017]理解を容易にするため、各図面に共通の同じ要素を示すのにできるだけ同じ参照番号を使用する。一実施形態に開示された要素は、特に詳述しなくても、他の実施形態にも有益に使用できるものとする。
【００１３】
[0018]本発明は、一般的に、ソーラーセル及びソーラーセル製造プロセスを包含する。光発生電子及び電子−ホールは、寿命が短いか又は移動度が低く、電子又は電子−ホールが接合部に達する前に再結合するのを許容することがある。浸透型ソーラーセルデバイスは、電子及び電子−ホールが接合部に達するために走行する必要のある距離を短縮することができる。浸透型ソーラーセルは、ポラゲンを伴うシリコン含有層を堆積し、次いで、ポラゲンを分解して、シリコン含有層に孔又は開口を生成することにより形成することができる。一実施形態において、シリコン含有層が堆積され、次いで、アノードエッチングされて、シリコン含有層に孔又は開口を生成する。シリコン含有層上に堆積される層は、孔又は開口へと延ばすことができる。孔又は開口へ延ばすことにより、電子及び電子−ホールに対する接合部への距離が減少され、より多くの電子及び電子−ホールが接合部に達することができる。
【００１４】
[0019]本明細書全体にわたり使用する「多孔度」「多孔性」及び「多孔性層」という語は、開口を例示するために使用される。「多孔性層」、又は「多孔性」である層、或いは「多孔度」を有する層は、複数の孔を含む層である。
【００１５】
[0020]図２は、浸透層を有するソーラーセル２００の概略断面図である。ソーラーセル２００は、第１の層２０２及び第２の層２０４を備えている。第１の層２０２は、アモルファスシリコン、微結晶シリコン、ポリシリコン、薄膜シリコン、ｐドープのシリコン、又は真性シリコンのようなシリコン含有材料で構成することができる。第２の層２０４は、アモルファスシリコン、微結晶シリコン、ポリシリコン、薄膜シリコン、ｎドープのシリコン、又は真性シリコンのようなシリコン含有材料で構成することができる。第１の層２０２と第２の層２０４との間の接合部２１０は、浸透構造を有する。浸透構造は、電子−ホール２０８が接合部２１０に達するために走行する必要のある距離（矢印Ｇで表される）を在来の平坦型ソーラーセルに比して短縮する。また、浸透構造は、電子２０６が接合部２１０に達するために走行する必要のある距離（矢印Ｈで表される）も在来の平坦型ソーラーセルに比して短縮する。換言すれば、浸透構造は、図１に示された長い距離Ａ又はＦを走行する必要のある電子２０６及び電子−ホール２０８の量を減少し、短い距離を走行すればよい電子２０６及び電子−ホール２０８の数を増加する。一実施形態において、浸透構造は、第１の層２０２と共に堆積されるポラゲンを分解することにより形成できる。別の実施形態において、浸透構造は、第１の層２０２をアノードエッチングすることにより形成できる。非浸透領域が浸透層をサンドイッチし、短絡を生じることなくｎ型領域及びｐ型領域への接触をなすことができる。
【００１６】
[0021]図３は、本発明の一実施形態によるソーラーセルを形成するためのプロセスのフローチャート３００である。図４Ａ−図４Ｄは、図３に示す実施形態による種々の製造段階におけるソーラーセル４００の概略断面図である。図４Ａに示すように、底部接触層４０２が形成される（ステップ３０２）。接触層４０２は、ｐ型（即ち、ｐドープ）のような単一導電型の均一層で構成できる。また、接触層４０２は、化学気相堆積（ＣＶＤ）、プラズマ増強化学気相堆積（ＰＥＣＶＤ）、原子層堆積（ＡＬＤ）、及び物理気相堆積（ＰＶＤ）のような在来の堆積方法によって形成することができる。このプロセスを遂行できるチャンバは、例えば、カリフォルニア州サンタクララのアプライドマテリアルズ社から入手できるＰＥＣＶＤチャンバを含む。本発明は、他の製造者により製造された他のチャンバで実施されてもよいことを理解されたい。
【００１７】
[0022]図４Ｂに示すように、次いで、接触層４０２の上に第１の層４０４を堆積することができる（ステップ３０４）。第１の層４０４は、ＣＶＤ、ＰＥＣＶＤ、ＡＬＤ及びＰＶＤのような在来の堆積方法により形成することができる。第１の層４０４は、真性層でもよいし、又は接触層４０２と同じ導電型の層でもよい。第１の層４０４は、アモルファスシリコン、微結晶シリコン、ポリシリコン、薄膜シリコン、ｐドープのシリコン、又は真性シリコンのようなシリコン含有層で構成することができる。第１の層４０４は、ポラゲン４０６を全体に分散させて堆積することができる。ポラゲン４０６は、エチレン、プロピレン、イソブチレン、アセチレン、アリレン、エチルアセチレン、１、３−ブタジエン、イソプレン、２、３−ジメチル−１、３−ブタジエン、アルファ−テルピネン、ピペリレン、及びその組合せより成るグループから選択することができる。一般的に、ポラゲンとは、堆積層に含有物を形成し、その層が紫外線、高温度又は適当なプロセスガスに曝されたときに分解してガス状になる材料、最も一般的には、有機材料である。アモルファスシリコンは、高い温度において再結晶化する。従って、浸透層は、アモルファスシリコンであり、そのアモルファスシリコンが再結晶化する温度より下で分解が生じ得る。一実施形態において、温度は、約６００℃より低くてよい。ポラゲン４０６が第１の層４０４と反応して第１の層４０４の望ましい特性を変化させることのないように、ポラゲン４０６は、第１の層４０４に対して不活性でよい。また、一実施形態において、第１の層４０４を望ましい特性へと調整するために第１の層４０４の特性がポラゲン４０６により影響を受けるように、ポラゲン４０６は、第１の層４０４と選択的に反応するように選択されてもよい。一実施形態において、接触層４０２及び第１の層４０４は、単一の層として堆積される。別の実施形態において、接触層４０２及び第１の層４０４は、個別の層である。また、一実施形態において、ポラゲン４０６は、直径が約２０オングストロームから約５０オングストロームでよい。
【００１８】
[0023]一実施形態において、第１の層４０４及びポラゲン４０６は、ＣＶＤによって堆積されてもよく、この場合、シリコン含有ガス及びポラゲン生成ガスが処理チャンバへ同時に供給されて、内部でポラゲン４０６が分散したシリコン含有第１層４０４が堆積される。
【００１９】
[0024]図４Ｃに示すように、ポラゲン４０６を分解して（ステップ３０６）、ポラゲン４０６の場所に孔４０８を残すことができる。ポラゲン４０６は、第１の層４０４をＵＶ処理するか、又は第１の層４０４を熱処理して、ポラゲンを追い出すことにより、分解することができる。熱処理は、第１の層４０４を、約４００℃から約５００℃の温度に加熱することを含んでもよい。一実施形態において、第１の層４０４は、約４４０℃から約４６０℃の温度に加熱されてもよい。あるケースでは、更に、酸素又は水素のようなプロセスガスを添加して分解を加速することが望まれることもある。酸素は、薄い酸化物層を形成することがあるが、キャリアが酸化物層をトンネル通過できるので、薄い酸化物層が性能を低下させることはない。
【００２０】
[0025]図４Ｄに示すように、フィラー又は第２の層４１０を第１の層４０４の上に堆積することができる（ステップ３０８）。第２の層４１０は、ＣＶＤ、ＰＥＣＶＤ、ＡＬＤ及びＰＶＤのような在来の堆積方法により形成することができる。フィラー又は第２の層４１０は、アモルファスシリコン、微結晶シリコン、ポリシリコン、薄膜シリコン、ｎドープのシリコン、又は真性シリコンのようなシリコン含有材料で構成することができる。一実施形態において、第２の層４１０は、真性層である。別の実施形態において、第２の層４１０は、ｎドープの層で構成される。第２の層４１０は、第１の層４０４の表面にある孔４０８を埋める。更に、第２の層４１０は、第１の層４０４の表面にある孔４０８に接続された孔４０８を埋めることもできる。一実施形態において、第２の層４１０は、ＣＶＤにより堆積することができる。ＣＶＤの適合成長で第２の層４１０が第１の層４０４の孔４０８を埋めることができる。従って、浸透構造が形成される。第２の層４１０の上に頂部接触層４１２を堆積することができる。頂部接触層４１２は、接触層４０２と同様に堆積することができる（ステップ３１０）。接触層４１２は、ｎ型（即ち、ｎドープ）のような単一導電型の均一層で構成することができる。
【００２１】
[0026]図５は、本発明の別の実施形態によりソーラーセルを形成するためのプロセスのフローチャート５００である。図６Ａ−図６Ｃは、図５に示す実施形態による種々の製造段階におけるソーラーセル６００の概略断面図である。図６Ａに示すように、底部接触層６０２が形成される（ステップ５０２）。接触層６０２は、ｐ型（即ち、ｐドープ）のような単一導電型の均一層で構成できる。また、接触層６０２は、ＣＶＤ、ＰＥＣＶＤ、ＡＬＤ及びＰＶＤのような在来の堆積方法により形成することができる。次いで、接触層６０２の上に第１の層６０４を堆積することができる（ステップ５０４）。第１の層６０４は、ＣＶＤ、ＰＥＣＶＤ、ＡＬＤ及びＰＶＤのような在来の堆積方法によって形成することができる。第１の層６０４は、真性層でもよいし、接触層６０２と同じ導電型の層でもよい。第１の層６０４は、アモルファスシリコン、微結晶シリコン、ポリシリコン、薄膜シリコン、ｐドープのシリコン、又は真性シリコンのようなシリコン含有層で構成することができる。
【００２２】
[0027]図６Ｂに示すように、第１の層６０４が堆積された後、第１の層をアノードエッチングして（ステップ５０６）、第１の層６０４内に孔又はチャンネル６０５を形成することができる。孔又はチャンネル６０５は、その幅が約０．００５ミクロンから約０．０１５ミクロンでよい。第１の層６０４は、ポリトリフルオロクロロエチレン槽において定電位条件のもとで窒素を循環させてアノードエッチングすることができる。フッ化水素及び塩化アンモニアの電解液を槽に導入して、第１の層６０４をアノードエッチングすることができる。
【００２３】
[0028]図６Ｃに示すように、フィラー又は第２の層６０８を第１の層６０８の上に堆積することができる（ステップ５０８）。第２の層６０８は、ＣＶＤ、ＰＥＣＶＤ、ＡＬＤ及びＰＶＤのような在来の堆積方法により形成することができる。フィラー又は第２の層６０８は、アモルファスシリコン、微結晶シリコン、ポリシリコン、薄膜シリコン、ｎドープのシリコン、又は真性シリコンのようなシリコン含有材料で構成することができる。一実施形態において、第２の層６０８は、真性層である。別の実施形態において、第２の層６０８は、ｎドープの層で構成される。第２の層６０８は、第１の層６０４のチャンネル６０５を埋める。一実施形態において、第２の層６０８は、ＣＶＤにより堆積することができる。ＣＶＤの適合成長で第２の層６０８が第１の層６０４のチャンネル６０５を埋めることができる。従って、浸透構造が形成される。第２の層６０８の上に頂部接触層６１０を堆積することができる。頂部接触層６１０は、接触層６０２と同様に堆積することができる（ステップ５１０）。接触層６１０は、ｎ型（即ち、ｎドープ）のような単一導電型の均一層で構成することができる。
【００２４】
[0029]アノードエッチングとフィラー又は第２の層６０８の堆積との間で、大気中の酸素に露出することによりチャンネルの壁に薄い自然酸化物層を形成することができる。この薄い酸化物層は、デバイスを傷つけることがない。というのは、自然酸化物層は薄いものであり、キャリアは、その薄い酸化物層をトンネル通過できるからである。一実施形態において、ソーラーセル６００は、第１の層６０４が堆積されてエッチングされた後に、過酸化水素及びオゾンを含む溶液中に浸漬され、薄い酸化物層を制御しながら意図的に形成して、自然酸化物層の更なる成長を防止することができる。
【００２５】
[0030]ソーラーセルが厚いほど、ソーラーセルによって収集できる光が多くなる。浸透構造は、電子又は電子−ホールが接合部に達するために走行する必要のある距離を短縮する。それ故、浸透型ソーラーセルは、平坦型ソーラーセルよりも厚くすることができる。浸透型ソーラーセルが充分厚く作られた場合には、電子又は電子−ホールが浸透型ソーラーセル内を走行する必要のある距離は、電子又は電子−ホールが平坦型ソーラーセル内を走行する必要のある距離に近くなり又は一致し得る。従って、充分に厚い浸透型ソーラーセルは、その効率が、薄い平坦型ソーラーセルの効率に実質的に等しいが、より厚い浸透型ソーラーセルは、より多くの光を収集することができる。或いは又、同じ厚みの場合、浸透型ソーラーセルは、電子−ホール及び電子が接合部に達するために走行する距離が短いために、平坦型ソーラーセルより効率を高くできる。
【００２６】
[0031]電子及び電子−ホールに対する接合部への距離を短縮するために、ソーラーセルに多孔性層を使用することができる。電子−ホール及び電子が接合部に達するために走行する必要のある距離を短縮することで、電子及び電子−ホールは、接合部に到着する前に再結合するおそれが少ない。電子及び電子−ホールが再結合するおそれが少ないために、より多くの電子及び電子−ホールが接合部に到達でき、ソーラーセルの効率を高めることができる。
【００２７】
[0032]以上、本発明の実施形態を説明したが、本発明の基本的な範囲から逸脱せずに、他の実施形態及び更に別の実施形態を案出することができ、従って、本発明の範囲は、特許請求の範囲によって決定される。
【符号の説明】
【００２８】
１００…在来のソーラーセル、１０２…ｐ型半導体層、１０４…ｎ型半導体層、１０６…電子、１０８…電子−ホール、１１０…接合部、２００…浸透層を有するソーラーセル、２０２…第１の層、２０４…第２の層、２０６…電子、２０８…電子−ホール、２１０…接合部、３００…フローチャート、４００…ソーラーセル、４０２…底部接触層、４０４…第１の層、４０６…ポラゲン、４０８…孔、４１０…第２の層、４１２…頂部接触層、５００…フローチャート、６００…ソーラーセル、６０２…接触層、６０４…第１の層、６０５…孔又はチャンネル、６０８…フィラー又は第２の層、６１０…接触層
【図１】
2011501469.tif 000003
【図２】
2011501469.tif 000004
【図３】
2011501469.tif 000005
【図４Ａ】
2011501469.tif 000006
【図４Ｂ】
2011501469.tif 000007
【図４Ｃ】
2011501469.tif 000008
【図４Ｄ】
2011501469.tif 000009
【図５】
2011501469.tif 000010
【図６Ａ】
2011501469.tif 000011
【図６Ｂ】
2011501469.tif 000012
【図６Ｃ】
2011501469.tif 000013
【国際調査報告】
2011501469.tif 000014