(57)【要約】本明細書において、複数のダイを有する配線なしの半導体パッケージが開示され、当該ダイの少なくとも２つは熱伝導性及び導電性を有するヒートシンクに取り付けられる。当該パッケージは熱を放散させるのに効率的な手段を提供する。
2011501414.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
２つ以上のダイを３つの外部用導線に配線なしで接続するマルチチップモジュールであって、
第１及び第２の面を有すると共に、熱伝導性及び導電性を有する材料を含むヒートシンクと、
第１及び第２のダイであり、前記ダイの各々はその上面に少なくとも１つの端子を有し且つその下面に１つの端子を有し、前記ダイは前記ヒートシンクの１面に取り付けられて前記端子と前記ヒートシンクとの間の電気的接続を作出する、第１及び第２のダイと、
３つの延伸された導線を含む導線フレームであり、前記導線の各々は、パッケージ材料内部に配置されたダイ取付パッドをその一端に有し、前記パッケージ材料からその他端が伸長し、第１の導線はそのダイ取付パッドが前記第１のダイに接続され、第２の導線はそのダイ取付パッドが前記第２のダイに接続され、第３の導線はそのダイ取付パッドが前記ヒートシンクに接続され、これによって前記第１の導線は前記第１のダイに外部接続を提供し、前記第２の導線は前記第２のダイに外部接続を提供し、前記第３の導線は前記ダイの下面上の端子の電気的接続に外部接続を提供する、導線フレームと、
前記導線の一部、前記ダイ及び前記ヒートシンクを包み、前記ヒートシンクの他面を露出したままにすることで熱を前記ダイから周囲環境に伝達するパッケージ材料と、
含むことを特徴とするマルチチップモジュール。
【請求項２】
取付用穴を有することを特徴とする請求項１に記載のマルチチップモジュール。
【請求項３】
前記第１及び第２のダイはダイオードであることを特徴とする請求項１に記載のマルチチップモジュール。
【請求項４】
前記第１及び第２のダイはＭＯＳＦＥＴダイであることを特徴とする請求項１に記載のチップモジュール。
【請求項５】
パッケージ化された半導体アセンブリであって、
パッケージ材料であり、その少なくとも１面が導電性及び熱伝導性を有するヒートシンクを含む、パッケージ材料と、
第１、第２及び第３の延伸された導線であり、前記導線の各々は、パッケージ材料内部に配置されたダイ取付パッドをその一端に有し、前記パッケージ材料からその他端が伸長する、導線と、
第１及び第２のダイオードであり、それら双方は前記パッケージ材料内に配置され、前記ダイの各々はその上面上に少なくとも１つの端子を有し且つその下面に１つの端子を有し、前記ダイオードは前記ヒートシンクの１面に配線なしで取り付けられて前記端子と前記ヒートシンクとの間に電気的接続を作出し、前記第１のダイオードは前記第１の導線のダイ取付パッドに配線なしで接続され、前記第２のダイオードは前記第２の導線のダイ取付パッドに配線なしで接続され、前記ヒートシンクは前記第３の導線に配線なしで接続されている、第１及び第２のダイオードと、
を含むことを特徴とする半導体アセンブリ。
【請求項６】
前記第１のダイオードの表面領域の少なくとも半分が前記第１の導線のダイ取付パッドよって覆われるように、前記第１のダイオードの表面領域は前記第１の導線のダイ取付パッドに接触していることを特徴とする請求項５に記載の半導体アセンブリ。
【請求項７】
前記第２のダイオードの表面領域が前記第２の導線のダイ取付パッドに接触していることによって、前記第２のダイオードの表面領域の少なくとも半分は前記第１の導線のダイ取付パッドよって覆われていることを特徴とする請求項６に記載の半導体アセンブリ。
【請求項８】
前記第１のダイオード及び前記第２のダイオードは直列に接続されていることを特徴とする請求項５に記載の半導体アセンブリ。
【請求項９】
前記第１及び第２のダイオードは、前記ヒートシンクの１面に第１のハンダによって取り付けられ且つ前記第１及び第２の導線のダイ取付パッドに第２のハンダを用いて各々接続され、前記第１のハンダと第２のハンダとは少なくとも略１０℃の融点差を有することを特徴とする請求項５に記載の半導体アセンブリ。
【請求項１０】
２つ以上のダイを３つの外部用導線に配線なしで接続するマルチチップモジュールであって、
第１及び第２の面を有すると共に、熱伝導性及び導電性を有する材料を含むヒートシンクと、
直列に接続された第１及び第２のダイであり、前記ダイの各々はその上面に少なくとも１つの端子を有し且つその下面に１つの端子を有し、前記ダイは前記ヒートシンクの１面に取り付けられて前記端子と前記ヒートシンクとの間の電気的接続を作出する、第１及び第２のダイと、
３つの延伸された導線であり、前記導線の各々は、パッケージ材料内部に配置されたダイ取付パッドをその一端に有し、前記パッケージ材料からその他端が伸長し、第１の導線はそのダイ取付パッドが前記第１のダイに接続されることによって、前記第１のダイからそのダイ取付パッドに熱が伝達し、第２の導線はそのダイ取付パッドが前記第２のダイに接続されることによって、前記第２のダイからそのダイ取付パッドに熱が伝達し、第２の導線はそのダイ取付パッドが前記ヒートシンクに接続され、これによって前記第１の導線は前記第１のダイに外部接続を提供し、前記第２の導線は前記第２のダイに外部接続を提供し、前記第３の導線は前記ダイの下面上の端子の電気的接続に外部接続を提供する、導線と、
前記導線の一部、前記ダイ及び前記ヒートシンクの１面を包み、前記ヒートシンクの他面を露出したままにすることで熱を前記ダイから周囲環境に伝達するパッケージ材料と、
含むことを特徴とするマルチチップモジュール。
【請求項１１】
前記ヒートシンクは銅からなることを特徴とする請求項１０に記載のアセンブリ。
【請求項１２】
前記第１の半導体ダイ及び前記第２の半導体ダイが配線なしに直列に接続されていることを特徴とする請求項１０に記載のアセンブリ。
【請求項１３】
前記第１及び第２の半導体ダイはダイオードであることを特徴とする請求項１０に記載のアセンブリ。
【請求項１４】
パッケージ化された半導体アセンブリを形成する方法であって、
第１及び第２の面を有すると共に、熱電導性及び導電性を有する材料からなるヒートシンク上に第１の伝導性接着剤を配置するステップと、
第１及び第２のダイを前記ヒートシンクに前記第１の伝導性接着剤によって取り付けるステップであり、前記ダイの各々はその上面に少なくとも１つの端子を有し且つその下面に１つの端子を有し、前記ダイは前記ヒートシンクの１面に前記第１の伝導性接着剤によって取り付けられて前記端子と前記ヒートシンクとの間の電気的接続を作出する、ステップと、
前記第１及び第２のダイの他面上に第２の伝導性接着剤を配置するステップと、
３つの延伸された導線を有する導線フレームを、前記第１及び第２のダイの他面に前記第２の伝導性接着剤によって取り付けるステップであり、前記３つの延伸された導線は前記第１のダイに取り付けられた第１の導線、前記第２のダイに取り付けられた第２の導線、及び前記ヒートシンクに取り付けられた第３の導線を含む、ステップと、
前記第１及び第２のダイ及び前記延伸された導線の一部をエポキシ成形合成物によって包むことよって、前記延伸された導線は前記第１のダイ、第２のダイ及び前記ヒートシンクに外部接続を提供するステップと、
を含むことを特徴とする方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本出願は、２００７年１０月９日付けの米国通常特許出願第１１／８６９，３０７号に基づく優先権を主張している。
【０００２】
本発明は１つ実施形態において少なくとも２つの半導体ダイを備える配線なし半導体パッケージに関する。当該２つのダイは熱が効率的に放散され得る形に構成されている。
【背景技術】
【０００３】
半導体デバイスはしばしば熱放散問題に悩まされる。例えば、単純なダイオードは使用中に熱を発生し、過度の加熱は当該半導体デバイスを損傷し破壊されるはずである。他の半導体デバイスも類似した欠点を有する。過熱に加えて、加熱と冷却の反復サイクルはしばしば当該デバイスの部品の故障の原因となる。かかるデバイスに存在する導線は機械的な故障の他の原因である。さらに、かかる取り付けには専用の機械や特別な製造工程が必要であるように、かかる導線を当該半導体ダイに取り付けることは困難且つ高価である。これらの欠点を克服するために幾つかの試みがなされたが、完全には満足できるものとは何れもが判明していない。
【０００４】
「半導体デバイスのための過温度センサ及び保護器」と題されたブッシュ氏及び他に付与された米国特許第４，９９０，９８７号は、半導体と熱検出の関係にあるサーミスタを備える半導体デバイスを開示している。当該デバイスの温度が特定閾値を越えて上がるにつれて、当該サーミスタの抵抗が増加する。この形態において当該デバイスの過熱が防止され得る。
【０００５】
「回路基板搭載ＩＣパッケージ冷却装置」と題するエステス氏及び他に付与されたが米国特許第５，７１４，７８９号は、熱放散を助ける熱伝導性液体で充填された半導体パッケージを開示している。残念なことに、かかる液体システムの使用は問題があることが判明している。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
従って、半導体デバイスよって発生する熱を放散するより効率的な方法が望まれている。
【０００７】
また、ダイを導線フレームに接続する配線を不要とする半導体デバイスを提供することも望まれている。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、その１つの実施形態において、ダイオードの如き複数の半導体デバイスを備えるパッケージ化されたアセンブリを含む。１つの実施形態において、これらのダイは直列に配線なしで接続される。かかる構成は、当該半導体デバイスから熱放散を促進するのみならず、堅牢な配線なしの構造物を提供する。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の優位点は、熱がより広い領域に分散され、従ってより効率的に放散されるということである。
【００１０】
本発明の更なる優位点は、半導体ダイを導線フレームに接続するのに配線が必要ではないということである。かかる構成は、従来技術の半導体に比して実質的により堅牢であり、当該デバイスの製造中に配線ステップを省略するものである。加えて、当該配線なしアタッチメントは、また、熱伝導体として機能し熱を放散させる。
【００１１】
本発明が添付の図面を参照して開示される、
幾つかの図面を通して対応する参照符号は対応する部品を示している。本明細書で提示される例は、本発明の幾つかの実施形態を例示しているが、如何なる形でも本発明の範囲を制限するものとして解釈されるべきでない。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】ハウジングの内部コンポーネントを示しているパッケージ化された半導体アセンブリの図である。
【図２】図１のパッケージの側面図である。
【図３】図１のパッケージのコンポーネントの分解図である。
【図４】本発明の１つのプロセスの工程フローである。
【図５】本発明の１つの実施形態の内部コンポーネントの概略図である。
【図６】配線なしパッケージの内部コンポーネントの概略側面図である。
【図７】本発明の他の実施形態の側面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
図１は、パッケージ化された半導体パッケージ１００の図である。半導体パッケージ１００は、複数の導線１０６、１０８及び１１０を有し、それら各々はエポキシ成形合成物１０４の外に伸張している。エポキシ成形合成物１０４は、パッケージ１００の内部コンポーネントをより良く示すために仮想的に示されている。エポキシ成形合成物１０４の底面はヒートシンク１０２を保持している。１つの実施形態において、ヒートシンク１０２は、銅の如き電気的且つ熱的に伝導性の材料である。ダイ１１２及び１１４はエポキシ成形合成物１０４内に配置される。図１に示される実施形態において、これらのダイは直列に配線なしで接続される。他の実施形態（図示せず）において、当該ダイは並列に配線なしで接続される。本明細書の他の箇所で更なる詳細が説明されるように、かかる配線なし構成は、ダイ１１２及び１１４が、ヒートシンク１０２と取り付けパッド２１０との間に配置されるのを可能とし（図２参照）、それら双方は熱的及び電気的伝達性を有する。この配線なし構成は、当該２つのダイが共通導線（導線１１０）を共有するのを可能にするのみならず、熱放散のための効率的な手段を提供する。典型的な従来技術の半導体デバイスは、当該デバイス上で各端子毎に１つの導線を有する。本明細書で開示される配線なし構成は端子よりも少ない導線を含む。当該配線なし構成は、また、２つの熱的に伝導性の部材、すなわちヒートシンク及び導線が接触する部位に当該ダイを置く。かかる系において、当該ヒートシンク及び当該導線は、熱伝導体及び電気導体両方の如き二重の目的に奉仕する。図２はこの新規な構成の部分を示している。
【００１４】
図２は、図１のパッケージ１００の側面図であり、エポキシ成形合成物１０４内の幾つかのコンポーネントを示している。図２に示された実施形態において、エポキシ成形合成物１０４の片側は、埋め込まれたヒートシンク１０２を保持する。パッケージ１００は、ネジを取付用穴２０８に通すことよって面（図示せず）に取り付けられてもよい。ダイ１１２（例えば、陰極）の１つの端子は、ヒートシンク１０２と電気的に繋がり、伝導性接着剤２０２よってヒートシンク１０２に取り付けられている。例えば、伝導性接着剤２０２は、伝導性のエポキシ又は、鉛含有又は鉛無含有ハンダの如きハンダ材料であってもよい。ダイ１１２（例えば、陽極）の他の端子は、導線１０６のダイ取付パッド２１０と電気的に繋がっている。かかる接続は伝導性接着剤２０６を介してなされる。１つの実施形態において、接着性伝導体２０２は高溶点ハンダであり、接着剤２０６は低溶点ハンダである。かかるハンダの組成は本明細書において他の箇所で説明される。優位点として、かかる構成は、接着剤２０６の溶解を伝導体２０２の溶解無し（これにより非接着）に可能とする。エポキシ成形合成物１０４内から伸張する導線１０６は、エポキシ成形合成物１０４内には配置されない端部２１２で終端する。
【００１５】
図２は、また、導線１１０と、ヒートシンク１０２への接続とを示している。導線１１０（また図１参照）は、伝導性接着剤２０６を介してヒートシンク１０２に接続されている。導線１１０は、また、エポキシ成形合成物１０４から伸張し、導線１０６に平行して走る（図１参照）。図１のダイ１１４は同様の形で導線１０８に接続されることができ、但しかかる接続の詳細は本明細書において他の箇所で説明される。
【００１６】
図３は、図１の当該パッケージ１００の分解図であり、本発明の１つの実施形態の場合のエポキシ成形合成物１０４内のコンポーネントの各層を示している。エポキシ成形合成物１０４は、通常、成形合成物の如きプラスチック材料から作られる。成形合成物は、典型的には重合体の樹脂であるが、他の適切なパッケージ材料がまた用いられてもよい。ダイ１１２及び１１４の底側は、ヒートシンク１０２に高融点の伝導性接着剤２０２よって接続されている。ダイ１１２及び１１４は、例えば、単純なシリコンダイオードであってもよい。もう１つの実施形態において、より複雑な半導体ダイが用いられてもよい。例えば、フリップチップダイが用いられてもよい。ヒートシンク１０２は、熱的及び電気的両方の伝導性がある何らかの材料でもあってもよい。例えば、ヒートシンク１０２は銅からなってもよい。伝導性接着剤２０２は、例えば、９５．５％の鉛、２％のスズ及び２．５％の銀の如き鉛ベースのハンダであってもよく、又はエポキシの如き鉛非含有の材料であってもよい。ダイ１１２及び１１４の上側は導線フレーム３００のダイ取付パッドに接続され、導線フレーム３００は伝導性接着剤２０６を介して導線１０６、１０８及び１１０を含む。接着剤２０６は、実施形態において、接着剤２０２より低い融点を有するハンダ材料である。例えば、接着剤２０２は、９５．５％のＰｂと、２％のＳｎと、２．５％のＡｇとからなり、接着剤２０２は、８８％のＰｂと、１０％のＳとｎ、２％のＡｇとからなってもよい。優位点として、ハンダ組成におけるこの差異は、当該高融点ハンダが接着はずれすることなく当該低融点ハンダが活性化され得る。１つの実施形態において、当該ハンダは少なくとも略１０℃の融点差を有する。導線フレーム３００及び導線１０６、１０８及び１１０は、熱的且つ電気的な伝導性を有し、銅の如き伝導性の金属を含む伝導性基板から形成されてもよい。当該基板は、ニッケル、パラジウム及びその他の如き伝導性の金属及び金属合金からなる１つ以上の層によってメッキがなされてもよい。導線フレーム材料の１つ例は、ＴＡＭＡＣ４（Ｆｅを０．０７、Ｐを０．０３、Ｚｎを０．０５、残りをＣｕとする）である。他の適切な導線フレーム材料は当業者にとって明らかであろう。エポキシ成形合成物１０４は当該アセンブリの内部コンポーネントを覆って配置される。
【００１７】
図４は、配線なし半導体パッケージ１００を生産するプロセス４００の描写である。図４で示される実施形態において、パッケージ１００（図１を参照）が作成される。当業者は、本明細書を読むことから利益を得た後に、本明細書の他の箇所で説明される他のアセンブリを生産する代替的なプロセスを容易に認識するであろう。配線なしのプロセス４００の１つの優位点は、配線がある従来のプロセスに比して配線ステップが省略されることにある。かかる別のステップが省略されてもよいことから、当該結果のプロセスはより効率的且つ経済的である。当該結果として生産品の配線なし構成は、また、本明細書の他の箇所で説明される特定の熱的優位性がある。
【００１８】
プロセス４００のステップ４０２において、伝導性接着剤２０２がヒートシンク１０２に取り付けられる。例えば、９５．５％のＰｂ、２％のＳｎ及び２．５％のＡｇから形成されるハンダを用いて、ヒートシンク１０２にハンダ被覆を行ってもよい。ヒートシンク１０２は、電気的及び熱的伝導体の両方である適切な材料でもあってもよい。ステップ４０４において、当該ダイ１１２及び１１４はヒートシンク１０２に接着剤２０２を用いて取り付けられる。一旦当該ダイ１１２及び１１４が確りと取り付けられると、ステップ４０６において、伝導性接着剤２０６がかかるダイの上面を被覆するのに用いられる。伝導性接着剤２０６は、ある実施形態において、接着剤２０２より低融点を有するように選択されてもよい。例えば、伝導性接着剤は、８８％のＰｂ、１０％のＳｎ及び２％のＡｇの組成から形成されてもよい。ステップ４０８において、導線フレーム３００が取り付けられる時、適切な温度が接着剤２０２を溶解することなく接着剤２０６を溶解させるのに用いられてもよい。導線フレーム３００は、銅の如き伝導性の材料から形成されてもよく、通常、様々な金属又は金属合金によってメッキがなされる。かかる導線フレーム３００は、無地の金属に印を押すか又はエッチングを行うことよって導線１０６、１０８及び１１０並びにつなぎバー４０９を作成する。方法４００のステップ４１０において、エポキシ成形合成物１０４が適用されて中間アセンブリ４１１が生産される。ステップ４１２において当該導線フレームの望ましくないつなぎバー４０９が次いで切り離され、パッケージ１００が生成される。
【００１９】
図５は、パッケージ１００における電気的接続の概略図である。簡略の図示のために、接着剤は省略されている。図５で認められるように、ダイ１１２は伝導性のヒートシンク１０２に陰極側（Ｃ）を下方にして配置される。逆に、ダイ１１４はヒートシンク１０２に陽極側（Ａ）を下方にして配置される。このように、２つのダイ１１２及び１１４は直列に接続される。電気的にダイ１１２及び１１４が導通するとき熱が発生する。パッケージ１００は直列に接続された少なくとも２つの半導体ダイを用いる。当該ダイが互いに間隔を置いて配置されるので、当該ダイは周囲によってより容易に冷却され当該熱はより効率的に放散される。かかる構成は熱放散の効率を高め、従来技術の半導体デバイスに対して実質的な優位性を提供する。
【００２０】
図５を再び参照すると、導線１０６及び１０８が各々の延伸された一端にダイ取付パッドを有することが分かる。例えば、導線１０８はダイ取付パッド５０２で終端する。当該ダイ取付パッド５０２がダイ１１４の表面領域を覆って配置されることによって、当該２つのコンポーネントの表面領域は、それら各々の領域の実質的な部位に亘って接触している。１つの実施形態において、ダイ１１４の表面領域の少なくとも半分はダイ取付パッド５０２よって覆われる。かかる構成は、配線なし電気接続を可能とし、パッケージ１００の耐久性を高める。ダイ取付パッド５０２の面とダイ１１４とが接触する重なりに起因して、ダイ取付パッド５０２は熱的及び電気的な伝導体として働く。かかる構成は、導線１０６及び１０８が熱を放散するのを可能とし、熱放散効率を著しく高める。２つのダイのみが図に示されたにもかかわらず、いかなる数のダイもが同様に用いられてもよいことは言うまでもない。その上、他のダイ構成の態様が可能であり、かかる態様が本発明の用途として企図される。
【００２１】
図６は、パッケージ１００の構成とは異なる電気的構成を有するパッケージ６００の模式的な描写である。パッケージ６００において、ダイ３０４は、接続６０６よって導線１０８と電気的通信状態に置かれた導体６０４に接続されている。接続６０６は、例えば、金ワイヤ又は導電性リボンの如き有線の接続であってもよい。導体６０４は、例えば、銅プレートであってもよい。導体６０４は、ヒートシンク１０２から絶縁体６０２よって電気的に絶縁されて、ダイ３０４の一方の端子がヒートシンク１０２に電気的に接続されないことを確実にする。絶縁体６０２は、例えば、アルミナ層であってもよい。ダイ３０４の他方の端子がヒートシンク１０２に導体６０８よって接続されている。ダイ２０４は、ヒートシンク１０２に電気的に接続され、導線１０６にも導体６１０を介して接続されている。パッケージ６００の電気的接続のより詳細な模式図が図７で与えられている。
【００２２】
比較用のコンピュータモデルが用いられてパッケージ１００及びパッケージ６００熱放散能力の比較がなされた。このモデルにおいて、コンピュータシミュレーションが用いられてパッケージ１００のダイ１１２及び１１３とパッケージ６００のダイ２０４及び３０４との温度予測がなされた。これらシミュレーションにおいて、両方のアセンブリが２５０℃の温度を有するアルミニウム製の無限冷却ブロック上に置かれることによって、ヒートシンク１０２が当該ブロックに接触するようにしている。これらシミュレーションにおいて、低融点ダイ接着剤が８８％のＰｂ、１０％のＳｎ及び２％のＡｇからなり、高融点ダイ接着剤が９５．５％のＰｂ、２％のＳｎ及び２．５％のＡｇからなるとし、当該ダイはシリコンダイオードであり、当該絶縁体はアルミナであり、当該ヒートシンクは純粋な銅であった。当該パワー入力はチップ当たり１００Ｗであった。当該ダイの各々によって達成された温度は以下のテーブルで与えられる。
【００２３】
【表１】
2011501414.tif 000003
【００２４】
ヒートシンク１０２と熱的接合がないダイ３０４は１６１０℃を達成し、この温度は配線なしのパッケージ１００における対応するダイの２倍程熱い。熱伝導体として働いているダイ取付パッドの効果は、ダイ２０４（配線あり取付）とダイ１１４（熱伝導性のあるダイ取付パッドによる配線なし取付）との温度比較によって分かるであろう。パッケージ１００の配線なし構成は、対応する配線あり構成を越える７０℃の温度優位性を提供すると予測される。
【００２５】
図７は、第１のダイ７０２及び第２のダイ７０４を有するパッケージ７００の描写である。図７で表される実施形態において、ダイ７０２及び７０４はＭＯＳＦＥＴのダイである。図７に示されるように、導線１１０は、ドレイン７０６ａ及びドレイン７０６ｂに接触するヒートシンク１０２に取り付けられている。ソース７０８ａ及び７０８ｂが導線１０６に電気的に接続されている一方、ゲート７１０ａ及び７１０ｂが導線１０８に電気的に接続されている。ダイ７０２及び７０４は、共通の導線１１０にヒートシンク１０２を介して接続されている。
【００２６】
当業者は、ヒートシンク１０２が単純な金属クリップであっても、又はより複雑なのであってもよいことを理解する。例えば、ヒートシンク１０２は、絶縁面を備える金属クリップであることができ、当該金属クリップは当該絶縁面上に接点及び／又は導電性トレースを備える。この形で、ダイの１つ以上の端子は他のダイの端子に配線の必要なく接続され得る。
【００２７】
本発明が好適な実施形態に関して説明された一方、様々な変更がなされてもよく、本発明の範囲から逸脱することなく特定の状況に適応するために要素が均等物で置換されてもよいことは当業者よって理解されるであろう。従って、本発明を実施するために企図されたベストセードとして開示された特定の実施形態に本発明を限定しないことが意図されるが、本発明は添付の特許請求の範囲及び思想の内にある全ての実施形態を含むことになる。
【図１】
2011501414.tif 000004
【図２】
2011501414.tif 000005
【図３】
2011501414.tif 000006
【図４】
2011501414.tif 000007
【図５】
2011501414.tif 000008
【図６】
2011501414.tif 000009
【図７】
2011501414.tif 000010
【手続補正書】
【提出日】平成22年5月12日(2010.5.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
２つ以上のダイを３つの外部用導線に配線なしで接続するマルチチップモジュールであ
って、
第１及び第２の面を有すると共に、熱伝導性及び導電性を有する材料を含むヒートシン
クと、
第１及び第２のダイであり、前記ダイの各々はその上面に少なくとも１つの端子を有し
且つその下面に１つの端子を有し、前記ダイは前記ヒートシンクの１面に取り付けられて
前記端子と前記ヒートシンクとの間の電気的接続を作出する、第１及び第２のダイと、
３つの延伸された導線を含む導線フレームであり、前記導線の各々は、パッケージ材料
内部に配置されたダイ取付パッドをその一端に有し、前記パッケージ材料からその他端が
伸長し、第１の導線はそのダイ取付パッドが前記第１のダイに接続され、第２の導線はそ
のダイ取付パッドが前記第２のダイに接続され、第３の導線はそのダイ取付パッドが前記
ヒートシンクに接続され、これによって前記第１の導線は前記第１のダイに外部接続を提
供し、前記第２の導線は前記第２のダイに外部接続を提供し、前記第３の導線は前記ダイ
の下面上の端子の電気的接続に外部接続を提供する、導線フレームと、
前記導線の一部、前記ダイ及び前記ヒートシンクを包み、前記ヒートシンクの他面を露
出したままにすることで熱を前記ダイから周囲環境に伝達するパッケージ材料と、
含むことを特徴とするマルチチップモジュール。
【請求項２】
取付用穴を有することを特徴とする請求項１に記載のマルチチップモジュール。
【請求項３】
前記第１及び第２のダイはダイオードであることを特徴とする請求項１に記載のマルチ
チップモジュール。
【請求項４】
前記第１及び第２のダイはＭＯＳＦＥＴダイであることを特徴とする請求項１に記載の
チップモジュール。
【請求項５】
パッケージ化された半導体アセンブリであって、
パッケージ材料であり、その少なくとも１面が導電性及び熱伝導性を有するヒートシン
クを含む、パッケージ材料と、
第１、第２及び第３の延伸された導線であり、前記導線の各々は、パッケージ材料内部
に配置されたダイ取付パッドをその一端に有し、前記パッケージ材料からその他端が伸長
する、導線と、
第１及び第２のダイオードであり、それら双方は前記パッケージ材料内に配置され、前
記ダイの各々はその上面上に少なくとも１つの端子を有し且つその下面に１つの端子を有
し、前記ダイオードは前記ヒートシンクの１面に配線なしで取り付けられて前記端子と前
記ヒートシンクとの間に電気的接続を作出し、前記第１のダイオードは前記第１の導線の
ダイ取付パッドに配線なしで接続され、前記第２のダイオードは前記第２の導線のダイ取
付パッドに配線なしで接続され、前記ヒートシンクは前記第３の導線に配線なしで接続さ
れている、第１及び第２のダイオードと、
を含むことを特徴とする半導体アセンブリ。
【請求項６】
前記第１のダイオードの表面領域の少なくとも半分が前記第１の導線のダイ取付パッド
よって覆われるように、前記第１のダイオードの表面領域は前記第１の導線のダイ取付パ
ッドに接触していることを特徴とする請求項５に記載の半導体アセンブリ。
【請求項７】
前記第２のダイオードの表面領域が前記第２の導線のダイ取付パッドに接触しているこ
とによって、前記第２のダイオードの表面領域の少なくとも半分は前記第１の導線のダイ
取付パッドよって覆われていることを特徴とする請求項６に記載の半導体アセンブリ。
【請求項８】
前記第１のダイオード及び前記第２のダイオードは直列に接続されていることを特徴と
する請求項５に記載の半導体アセンブリ。
【請求項９】
前記第１及び第２のダイオードは、前記ヒートシンクの１面に第１のハンダによって取
り付けられ且つ前記第１及び第２の導線のダイ取付パッドに第２のハンダを用いて各々接
続され、前記第１のハンダと第２のハンダとは少なくとも略１０℃の融点差を有すること
を特徴とする請求項５に記載の半導体アセンブリ。
【請求項１０】
２つ以上のダイを３つの外部用導線に配線なしで接続するマルチチップモジュールであって、
第１及び第２の面を有すると共に、熱伝導性及び導電性を有する材料を含むヒートシン
クと、
直列に接続された第１及び第２のダイであり、前記ダイの各々はその上面に少なくとも
１つの端子を有し且つその下面に１つの端子を有し、前記ダイは前記ヒートシンクの１面
に取り付けられて前記端子と前記ヒートシンクとの間の電気的接続を作出する、第１及び
第２のダイと、
３つの延伸された導線であり、前記導線の各々は、パッケージ材料内部に配置されたダ
イ取付パッドをその一端に有し、前記パッケージ材料からその他端が伸長し、第１の導線
はそのダイ取付パッドが前記第１のダイに接続されることによって、前記第１のダイから
そのダイ取付パッドに熱が伝達し、第２の導線はそのダイ取付パッドが前記第２のダイに
接続されることによって、前記第２のダイからそのダイ取付パッドに熱が伝達し、第２の
導線はそのダイ取付パッドが前記ヒートシンクに接続され、これによって前記第１の導線
は前記第１のダイに外部接続を提供し、前記第２の導線は前記第２のダイに外部接続を提
供し、前記第３の導線は前記ダイの下面上の端子の電気的接続に外部接続を提供する、導
線と、
前記導線の一部、前記ダイ及び前記ヒートシンクの１面を包み、前記ヒートシンクの他
面を露出したままにすることで熱を前記ダイから周囲環境に伝達するパッケージ材料と、
含むことを特徴とするマルチチップモジュール。
【請求項１１】
前記ヒートシンクは銅からなることを特徴とする請求項１０に記載のマルチチップモジュール。
【請求項１２】
前記第１の半導体ダイ及び前記第２の半導体ダイが配線なしに直列に接続されていること
を特徴とする請求項１０に記載のマルチチップモジュール。
【請求項１３】
前記第１及び第２の半導体ダイはダイオードであることを特徴とする請求項１０に記載のマルチチップモジュール。
【国際調査報告】
2011501414.tif 000011
2011501414.tif 000012