(57)【要約】  基板、例えば、感光材料で被覆したシリコンウェーハ上にＥＵＶ光を生成、パターン化、及び誘導する極紫外線（ＥＵＶ）露光ツール、例えば、ステッパ、スキャナなどを提供する。第１の態様では、ターゲット材料と、ターゲット材料を照射してＥＵＶ放射線を発生させ、かつ１次偏光方向を定める波長λを有するレーザビームを発生させるレーザ源と、基板への経路に沿ってＥＵＶ放射線を反射する少なくとも１つのミラーと、波長λを有する光の少なくとも一部をフィルタリングする経路に沿って配置された偏光フィルタとを含むことができるＥＵＶ放射線で基板を露光するための装置を本明細書で説明する。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＥＵＶ放射線で基板を露光するための装置であって、
ターゲット材料と、
前記ターゲット材料を照射してＥＵＶ放射線を発生させ、かつ１次偏光方向を定める波長（λ）を有するレーザビームを発生させるレーザ源と、
前記基板への経路に沿って前記ＥＵＶ放射線を反射する少なくとも１つのミラーと、
前記波長λを有する光の少なくとも一部をフィルタリングする前記経路に沿って配置された偏光フィルタと、
を含むことを特徴とする装置。
【請求項２】
前記偏光フィルタは、ワイヤグリッド偏光子を含むことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記ワイヤグリッド偏光子は、独立型ワイヤグリッド偏光子であることを特徴とする請求項２に記載の装置。
【請求項４】
前記ワイヤグリッド偏光子は、各ワイヤが前記１次偏光方向と平行に整列した複数のワイヤを含むことを特徴とする請求項２に記載の装置。
【請求項５】
前記ワイヤグリッドは、ｐ＜０．６λであるワイヤ間隔周期ｐを有することを特徴とする請求項４に記載の装置。
【請求項６】
前記少なくとも１つのミラーは、回転惰円の一部である表面を有する近垂直入射ＥＵＶ反射器を含むことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項７】
前記レーザ源は、ＣＯ2ガスを含むレーザ利得媒体を有することを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項８】
ＥＵＶ放射線で基板を露光するための装置であって、
ターゲット材料と、
前記ターゲット材料を照射してＥＵＶ放射線を発生させるための波長λを有するレーザビームを発生させるレーザ源と、
反射時に前記ＥＵＶ放射線にパターンを与える表面を有するパターン化デバイスと、
を含み、
前記パターン化デバイスは、複数の離間した特徴部を更に含み、該特徴部は、該パターン化デバイス上に入射する波長λの光の少なくとも一部を回折するための回折格子を確立する、
ことを特徴とする装置。
【請求項９】
前記特徴部は、ゼロ以外の回折次数に波長λの前記光の少なくとも５０パーセントを回折することを特徴とする請求項８に記載の装置。
【請求項１０】
前記パターン化デバイスは、近垂直入射ＥＵＶ反射多層コーティングの上に重なる吸収層を含み、前記特徴部は、該吸収層の除去部分を構成することを特徴とする請求項８に記載の装置。
【請求項１１】
前記パターン化デバイスは、近垂直入射ＥＵＶ反射多層コーティングの上に重なる吸収層を含み、前記特徴部は、該吸収層の非除去部分を構成することを特徴とする請求項８に記載の装置。
【請求項１２】
前記特徴部は、ｄ＜λである距離ｄで離間していることを特徴とする請求項８に記載の装置。
【請求項１３】
前記レーザ源は、ＣＯ2ガスを含むレーザ利得媒体を有することを特徴とする請求項８に記載の装置。
【請求項１４】
ＥＵＶ放射線で基板を露光するための装置であって、
ターゲット材料と、
前記ターゲット材料を照射してＥＵＶ放射線を発生させるための波長λを有するレーザビームを発生させるレーザ源と、
を含み、
少なくとも１つのミラーが、基板への経路に沿って前記ＥＵＶ放射線を反射し、
前記波長λを有する光の少なくとも一部をフィルタリングする前記経路に沿って配置された独立型ワイヤグリッド、
を更に含むことを特徴とする装置。
【請求項１５】
前記レーザビームは、１次偏光方向を定め、前記独立型ワイヤグリッドは、ワイヤグリッド偏光子であることを特徴とする請求項１４に記載の装置。
【請求項１６】
前記ワイヤグリッドは、ｐ＜０．６λであるワイヤ間隔周期ｐを有することを特徴とする請求項１５に記載の装置。
【請求項１７】
前記レーザビームは、円偏光され、前記独立型ワイヤグリッドは、第１の偏光子透過軸を有する第１のワイヤグリッド偏光子であり、
前記第１の偏光子透過軸に直交して整列した第２の偏光子透過軸を有する第２のワイヤグリッド偏光子、
を更に含むことを特徴とする請求項１４に記載の装置。
【請求項１８】
前記独立型ワイヤグリッドは、ゼロ以外の回折次数に波長λの前記光の少なくとも２５パーセントを回折することを特徴とする請求項１４に記載の装置。
【請求項１９】
前記レーザ源は、ＣＯ2ガスを含むレーザ利得媒体を有することを特徴とする請求項１４に記載の装置。
【請求項２０】
前記少なくとも１つのミラーは、回転楕円の一部である表面を有する近垂直入射ＥＵＶ反射器を含むことを特徴とする請求項１４に記載の装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
関連出願への相互参照
本出願は、２００８年４月２日出願の「ＥＵＶ露光ツール内で帯域外放射線をフィルタリングするシステム及び方法」という名称の米国特許仮出願第６１／０７２，８５５号、及び２００９年３月３１日出願の「ＥＵＶ露光ツール内の帯域外放射線をフィルタリングするシステム及び方法」という名称の米国一般特許出願第１２／＿＿＿＿＿＿号に対する優先権を主張するものである。
本出願は、代理人整理番号第２００６−００６５−０１号である２００７年１２月２０日出願の「ＥＵＶ光源のための駆動レーザ」という名称の同時係属の米国特許出願出願番号第１２／００４，９０５号と、代理人整理番号第２００７−００３０−０１号である２００７年７月１３日出願の「変調妨害波を使用して生成した液滴流を有するレーザ生成プラズマＥＵＶ光源」という名称の同時係属の米国特許出願出願番号第１１／８２７，８０３号と、代理人整理番号第２００５−００８５−０１号である２００６年２月２１日出願の「プレパルスによるレーザ生成プラズマＥＵＶ光源」という名称の同時係属の米国特許出願出願番号第１１／３５８，９８８号と、代理人整理番号第２００４−０００８−０１号である２００５年２月２５日出願の「ＥＵＶプラズマ源ターゲット送出の方法及び装置」という名称の同時係属の米国特許出願出願番号第１１／０６７，１２４号と、代理人整理番号第２００５−０００３−０１号である２００５年６月２９日出願の「ＬＰＰ−ＥＵＶ光源材料ターゲット送出システム」という名称の同時係属の米国特許出願出願番号第１１／１７４，４４３号と、代理人整理番号第２００５−０１０２−０１号である「ＥＵＶ光源のための光源材料分注器」という名称の同時係属の米国特許と、代理人整理番号第２００５−００８１−０１号である２００６年２月２１日出願の「レーザ生成プラズマＥＵＶ光源」という名称の同時係属の米国特許出願出願番号第１１／３５８，９９２号と、代理人整理番号第２００５−００４４−０１号である２００５年６月２９日出願の「ＬＰＰ−ＥＵＶ光源駆動レーザシステム」という名称の同時係属の米国特許出願出願番号第１１／１７４，２９９号と、代理人整理番号第２００６−０００３−０１号である２００６年４月１７日出願の「ＥＵＶ光源のための代替燃料」という名称の同時係属の米国特許出願出願番号第１１／４０６，２１６号と、代理人整理番号第２００６−００２５−０１号である２００６年１０月１３日出願の「ＥＵＶ光源のための駆動レーザ送出システム」という名称の同時係属の米国特許出願出願番号第１１／５８０，４１４号と、代理人整理番号第２００６−００６−０１号である２００６年１２月２２日出願の「レーザ生成プラズマＥＵＶ光源」という名称の同時係属の米国特許出願出願番号第１１／６４４，１５３号と、代理人整理番号第２００６−００２７−０１号である２００６年８月１６日出願の「ＥＵＶ光学系」という名称の同時係属の米国特許出願出願番号第１１／５０５，１７７号と、代理人整理番号第２００６−０００１−０１号である２００６年６月１４日出願の「ＥＵＶ光源のための駆動レーザ」という名称の同時係属の米国特許出願出願番号第１１／４５２，５５８号と、２００５年８月９日にＷｅｂｂ他に付与された「長期遅延及び高ＴＩＳパルス伸長器」という名称の同時係属の米国特許第６，９２８，０９３号と、代理人整理番号第２００４−０１４４−０１号である２００６年３月３１日出願の「共焦点パルス伸長器」という名称の米国特許出願第１１／３９４，５１２号と、２００５年５月２６日出願の「線ビームとして成形されたレーザと基板上に堆積されたフィルムとの間の相互作用を実施するためのシステム及び方法」という名称の米国特許出願第１１／１３８，００１号（代理人整理番号第２００４−０１２８−０１号）と、現在は米国特許第６，６９３，９３９号である２００２年５月７日出願の「ビーム送出を備えたレーザリソグラフィ光源」という名称の米国特許出願第１０／１４１，２１６号と、２００３年９月２３日にＫｎｏｗｌｅｓ他に付与された「超狭帯域２チャンバ高繰返し数ガス放電レーザシステム」という名称の米国特許第６，６２５，１９１号と、代理人整理番号第２００１−００９０−０１号である米国特許出願第１０／０１２００２号と、２００３年４月１５日にＮｅｓｓ他に付与された「正確なタイミング制御を備えた注入シードレーザ」という名称の米国特許第６，５４９，５５１号と、代理人整理番号第２００１−００２０−０１号である米国出願第０９／８４８，０４３号と、２００３年５月２０日にＭｙｅｒｓ他に付与された「超狭帯域２チャンバ高繰返し数ガス放電レーザシステム」という名称の米国特許第６，５６７，４５０号と、代理人整理番号第２００１−００８４−０１号である米国特許出願第０９／９４３，３４３号と、代理人整理番号第２００５−００８６−０１号である２００６年８月２５日出願の「レーザ生成プラズマＥＵＶ光源のための光源材料収集ユニット」という名称の同時係属の米国特許出願出願番号第１１／５０９，９２５号とに関連し、これらの特許の各々の内容全体は、ここでの引用により本明細書に組み込まれる。
本出願は、基板、例えば、感光材料で被覆したシリコンウェーハ上にＥＵＶ光を生成、パターン化、及び誘導する極紫外線（ＥＵＶ）露光ツール、例えば、ステッパ、スキャナなどに関する。
【背景技術】
【０００２】
極紫外線（ＥＵＶ）光、例えば、約５０〜１００ｎｍ又はそれ未満の波長（軟Ｘ線ということもある）を有し、かつ約１３ｎｍの波長の光を含む電磁放射線は、基板、例えば、シリコンウェーハに極めて小さい特徴部を生成するために露光処理、例えば、リソグラフィにおいて使用することができる。
ＥＵＶ光を生成する方法は、以下に限定されるものではないが、輝線がＥＵＶ範囲にあって元素、例えば、キセノン、リチウム、又は錫などを有する材料をプラズマ状態に変換することを含む。レーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）ということが多い１つのこのような方法においては、所要のプラズマは、１つ又はそれよりも多くのレーザパルス、例えば、プレパルス及び比較的高電力「主」パルスにより、例えば、材料の液滴、流れ、又はクラスターの形態のターゲット材料を照射することによって生成することができる。この目的のために、例えば、赤外線の波長、例えば、９．３μｍ又は１０．６μｍで光を出力するＣＯ2レーザは、ＬＰＰ処理においてターゲット材料を照射するいわゆる「駆動レーザ」として使用される時に特定の利点をもたらすことができる。例えば、これは、特に、錫を含有するターゲット材料のようなある一定のターゲット材料に対して真とすることができる。例えば、１つの利点は、駆動レーザ入力電力と出力ＥＵＶ電力との間に比較的高い変換効率を生成する機能を含むことができる。ＣＯ2駆動レーザの別の利点は、比較的波長の長い光（例えば、１９３ｎｍの深紫外線と比較して）が錫デブリで被覆した反射光学系のような比較的粗い表面から反射する機能を含むことができる。１０．６μｍ放射線のこの特性は、プラズマの近くで及び一部の場合にはビームステアリング、集束、及び／又は駆動レーザビームの集束力の調節のためにプラズマと同じチャンバ内で反射ミラーを使用することを可能にすることができる。
【０００３】
１つの特定の構成においては、プラズマからのＥＵＶ光は、集光され、中間焦点に誘導され、次に、調整され、パターン化デバイスによりパターン化され、次に、基板、例えば、レジスト被覆ウェーハ上に投影することができる。この処理中、ＥＵＶ光は、典型的には、プラズマと基板の間で近垂直入射ミラー、斜入射ミラー、反射マスクなどのような複数の表面から反射され、各々の反射は、ＥＵＶ光の強度の実質的な損失をもたらす（１回の反射当たり典型的に約２５〜４０％）。
【０００４】
本明細書で使用する時の「パターン化デバイス」という用語は、基板のターゲット部分において作成されるパターンに対応するパターン化された断面を入射放射ビームに与えるために使用することができるあらゆる手段を指すと広義に解釈すべきである。一般的に、パターンは、集積回路又は他のデバイスのようなターゲット部分において作り出されるデバイス内の特定の機能層に対応することになる。機能的には、放射線ビームにこのようなマスクを配置することは、マスクのパターンに従ってマスクに衝突する放射線の選択反射（反射マスクの場合）を引き起こす。
【０００５】
残念ながら、光源によって発生される帯域外放射線、すなわち、望ましい帯域（例えば、１３．４ｎｍ±２％）外の波長を有する放射線も、上述の経路に沿って反射して基板に到達することがある。例えば、プラズマによって発生された光、例えば、深紫外線など、並びに駆動レーザからの光（すなわち、ＣＯ2駆動レーザが使用された時の赤外線）を含むことができるこの帯域外放射線は、光感応レジストの不要な露光を引き起こすことがあり、及び／又は露光システム内の反射面を望ましくないほどに加熱する場合がある。
【０００６】
これらの方向に沿って、２００２年１２月１２日公開のＵＳ２００２／０１８６８１１Ａ１では、スペクトル的に光源放射線をフィルタリングするために光源プラズマと中間焦点の間のビーム経路内に回折格子が位置決めされている回折格子要素及びダイヤフラム構成が開示されている。余分の要素の追加及びその付随するＥＵＶ強度損失に加えて、回折格子は、開示されているように位置決めされた時にデブリ、例えば、プラズマからのイオン、蒸気などに露出され、減少効率、休止時間などをもたらす場合がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】米国特許仮出願第６１／０７２，８５５号
【特許文献２】米国特許出願出願番号第１２／００４，９０５号
【特許文献３】米国特許出願出願番号第１１／８２７，８０３号
【特許文献４】米国特許出願出願番号第１１／３５８，９８８号
【特許文献５】米国特許出願出願番号第１１／０６７，１２４号
【特許文献６】米国特許出願出願番号第１１／１７４，４４３号
【特許文献７】米国特許出願出願番号第１１／３５８，９９２号
【特許文献８】米国特許出願出願番号第１１／１７４，２９９号
【特許文献９】米国特許出願出願番号第１１／４０６，２１６号
【特許文献１０】米国特許出願出願番号第１１／５８０，４１４号
【特許文献１１】米国特許出願出願番号第１１／６４４，１５３号
【特許文献１２】米国特許出願出願番号第１１／５０５，１７７号
【特許文献１３】米国特許出願出願番号第１１／４５２，５５８号
【特許文献１４】米国特許第６，９２８，０９３号
【特許文献１５】米国特許出願第１１／３９４，５１２号
【特許文献１６】米国特許出願第１１／１３８，００１号
【特許文献１７】米国特許第６，６９３，９３９号
【特許文献１８】米国特許出願第１０／１４１，２１６号
【特許文献１９】米国特許第６，６２５，１９１号
【特許文献２０】米国特許出願第１０／０１２００２号
【特許文献２１】米国特許第６，５４９，５５１号
【特許文献２２】米国出願第０９／８４８，０４３号
【特許文献２３】米国特許第６，５６７，４５０号
【特許文献２４】米国特許出願第０９／９４３，３４３号
【特許文献２５】米国特許出願出願番号第１１／５０９，９２５号
【特許文献２６】ＵＳ２００２／０１８６８１１Ａ１
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
上記を念頭に置いて、本出願人は、ＥＵＶリソグラフィツールにおいて帯域外放射線をフィルタリングするためのシステム及び方法を開示する。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
第１の態様では、ターゲット材料と、ターゲット材料を照射してＥＵＶ放射線を発生させ、１次偏光方向を定める波長λを有するレーザビームを発生させるレーザ源と、基板への経路に沿ってＥＵＶ放射線を反射する少なくとも１つのミラーと、波長λを有する光の少なくとも一部をフィルタリングする経路に沿って配置された偏光フィルタとを含むことができるＥＵＶ放射線で基板を露光するための装置を本明細書で説明する。
【００１０】
この態様の一実施例では、偏光フィルタは、ワイヤグリッド偏光子を含むことができ、特定的な実施例では、ワイヤグリッド偏光子は、独立型ワイヤグリッド偏光子とすることができる。
１つの構成においては、ワイヤグリッド偏光子は、各ワイヤが１次偏光方向と平行に整列した複数のワイヤを含むことができる。
この態様の特定的な実施形態では、ワイヤグリッドは、ワイヤ間隔周期ｐを有することができ、ｐ＜０．６λである。
１つの設定においては、少なくとも１つのミラーは、回転楕円の一部である表面を有する近垂直入射ＥＵＶ反射器を含むことができる。
この装置に対して、レーザ源は、ＣＯ2ガスを含むレーザ利得媒体を有することができる。
【００１１】
別の態様では、ターゲット材料と、ターゲット材料を照射してＥＵＶ放射線を発生させるための波長λを有するレーザビームを発生させるレーザ源と、反射時にＥＵＶ放射線にパターンを与える表面を有するパターン化デバイスとを含むことができ、パターン化デバイスが、複数の離間した特徴部を更に含み、特徴部が、パターン化デバイスに入射する波長λの光の少なくとも一部を回折する回折格子を確立するＥＵＶ放射線で基板を露光する装置を本明細書で説明する。
【００１２】
この態様の一構成においては、特徴部は、ゼロ以外の回折次数に波長λの光の少なくとも５０パーセントを回折するように確立することができる。
この態様の特定的な実施形態では、パターン化デバイスは、近垂直入射ＥＵＶ反射多層コーティングの上に重なる吸収層を含むことができ、特徴部は、吸収層の除去部分を構成することができ、別の実施形態では、パターン化デバイスは、近垂直入射ＥＵＶ反射多層コーティングの上に重なる吸収層を含むことができ、特徴部は、吸収層の非除去部分を構成することができる。
この態様の一設定においては、特徴部は、距離ｄで離間することができ、ｄ＜λである。
この装置に対して、レーザ源は、ＣＯ2ガスを含むレーザ利得媒体を有する。
【００１３】
別の態様では、ターゲット材料と、ターゲット材料を照射してＥＵＶ放射線を発生させる波長λを有するレーザビームを発生させるレーザ源と、基板への経路に沿ってＥＵＶ放射線を反射する少なくとも１つのミラーと、波長λを有する光の少なくとも一部をフィルタリングする経路に沿って配置された独立型ワイヤグリッドとを含むことができるＥＵＶ放射線で基板を露光する装置を本明細書で説明する。
【００１４】
この態様の一実施例では、レーザビームは、１次偏光方向を定めることができ、独立型ワイヤグリッドは、ワイヤグリッド偏光子とすることができる。
一構成においては、ワイヤグリッドは、ワイヤ間隔周期ｐを有することができ、ｐ＜０．６λである。
この態様の特定的な実施形態では、レーザビームは、円偏光させることができ、独立型ワイヤグリッドは、第１の偏光子透過軸を有する第１のワイヤグリッド偏光子とすることができ、装置は、第２の偏光子透過軸を有する第２のワイヤグリッド偏光子を更に含むことができ、第２の偏光子透過軸は、第１の偏光子透過軸に直交して整列する。
【００１５】
この態様の一設定においては、独立型ワイヤグリッドは、ゼロ以外の回折次数に波長λの光の少なくとも２５パーセントを回折するように構成することができる。
この装置に対して、レーザ源は、ＣＯ2ガスを含むレーザ利得媒体を有することができる。
一実施形態では、少なくとも１つのミラーは、回転楕円の一部である表面を有する近垂直入射ＥＵＶ反射器を含むことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の態様によるＥＵＶ光で基板を露光する装置の略示概略図である。
【図２】図１に示す装置１０において使用する４つのミラー投影システムの略示概略図である。
【図３】ＥＵＶ光源、例えば、図１に示す装置１０において使用するレーザ生成プラズマＥＵＶ光源の略示概略図である。
【図４】帯域外放射線をフィルタリングするシステムを有し、ＥＵＶ光のパターン化ビームで基板（レジスト被覆シリコンウェーハなど）を露光するリソグラフィ装置の実施形態の選択した部分を示す図である。
【図５】図４内の線５−５に沿って見た時の独立型ワイヤグリッド偏光子の断面図である。
【図６】帯域外放射線をフィルタリングするシステムを有し、ＥＵＶ光のパターン化ビームで基板（レジスト被覆シリコンウェーハなど）を露光するリソグラフィ装置の別の実施形態の選択した部分を示す図である。
【図７】図６内の線７−７に沿って見た時の独立型ワイヤグリッド偏光子の断面図である。
【図８】帯域外放射線をフィルタリングするシステムを有し、ＥＵＶ光のパターン化ビームで基板（レジスト被覆シリコンウェーハなど）を露光するリソグラフィ装置の別の実施形態の選択した部分を示す図である。
【図９】図８内の線９−９に沿って見た時の独立型ワイヤグリッドの断面図である。
【図１０】反射ＥＵＶマスクブランクを通した断面図である。
【図１１】反射ＥＵＶパターン化デバイスを通した断面図である。
【図１２】反射ＥＵＶパターン化デバイスの上面図である。
【図１３】反射ＥＵＶパターン化デバイスを通した断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
図１は、ＥＵＶ光のパターン化ビーム１４で基板１２（レジスト被覆シリコンウェーハなど）を露光するリソグラフィ装置（全体的に１０と指定）を概略的に示している。概要として、装置１０は、ＥＵＶ光源２０からの放射線ビーム１８を調整するように構成された照明系１６と、パターン化デバイス２４（例えば、その断面において入射放射ビームに選択したパターンを与えるためのマスク／レチクル）を支持するように製造されたパターン化デバイス支持体２２（例えば、マスクテーブル）とを含むことができる。更に示すように、パターン化デバイス支持体２２は、パターン化デバイス２４を正確に位置決めするように構成された第１の位置決めユニット２６と作動可能に結合することができ、装置１０はまた、基板１２を正確に位置決めするように構成された第２の位置決めユニット３０と作動可能に結合されている基板１２（例えば、レジスト被覆ウェーハ）を支持するように構成された基板テーブル２８を含むことができる。図１は、基板１２のターゲット部分３４（例えば、１つ又はそれよりも多くのダイスを含む）上へパターン化されたＥＵＶビームを投影するように構成されている投影システム３２（例えば、反射投影システム）も設けることができることを示している。
より詳細には、装置１０に対して、照明システム１６は、放射線を誘導し、放射線を成形し、放射線を制御し、及び／又は放射線ビームの強度プロフィールを変えるための反射型、回折型、磁気型、電磁型、静電型、又は他の形式の光学系又はそのあらゆる組合せのような様々な形式の光学構成要素を含むことができる。
【００１８】
図１に更に示すように、照明システム１６からの光は、放射線ビームの断面上へパターンを与えるパターン化デバイス２４に入射するようにすることができる。放射線ビームに与えられたパターンは、必ずしも基板１２のターゲット部分内の望ましいパターンに対応することができるわけではなく、例えば、パターンは、位相シフトの特徴、又はいわゆるアシスト特徴を含むことができることに注意すべきである。
【００１９】
パターン化デバイス２４から、ビームは、パターン画像を縮小して基板１２の一部上へビームを誘導する投影システム３２を通過することができる。図２は、ＥＵＶ光で基板１２’を照明する反射投影システム３２’を示している。上述の図で分るように、照明システム１６’からのＥＵＶ光は、パターン化デバイス２４’から反射し、次に、４つのミラーを有する投影システム３２’に入ると、順々に、ミラーＭ１、Ｍ２、Ｍ３、及びＭ４から反射し、次に、基板１２’を照明する。４つのミラーを有する投影システム３２が示されているが、４つを超えるか又は下回る数のミラーを使用することができ、例えば、開口数（ＮＡ）が増大した５つ及び６つのミラーによる設計が以前に提案されていたことは認められるものとする。
【００２０】
図１を再び参照すると、位置決めユニット３０は、正確に基板テーブル２８を移動させるために、例えば、放射線ビーム１４の経路内で異なるターゲット部分３４を位置決めする位置センサ３８（例えば、干渉計デバイス、線形符号化器、又は容量センサなど）と協働することができることを見ることができる。同様に、位置決めユニット２６は、照明システム１６からのビーム４２に対して正確にパターン化デバイス２４を移動させるために位置センサ４０と協働することができる。この構成を用いて、装置１０は、ステップモード、スキャンモード、ステップ及びスキャンモードなどのような１つ又はそれよりも多くのモードで作動させることができる。
【００２１】
図３は、ＥＵＶ光源、例えば、図１に示して上述した装置１０において使用するレーザ生成プラズマＥＵＶ光源２０’の略示概略図を示している。図３に示すように、ＬＰＰ光源２０’は、一連の光パルスを生成及び送出するシステム４２を含むことができる。図示のように、システム４２は、パルスを生成するデバイス４４（場合により、１つ又はそれよりも多くの主パルス及び１つ又はそれよりも多くのプレパルスを含むことができる）、デバイス４４を少なくとも一部下流側反射から分離するための任意的な断路器４６（任意的な構成要素を示すために破線で図示）、及びパルス断路器４６を出るパルスのパルス成形、パルス集束、パルスステアリング、及び／又はその集束力を調節し、チャンバ４８内のターゲット位置に光パルスを送出するための任意的なビーム送出システム４８（任意的な構成要素を示すために破線で図示）を含むことができる。ＥＵＶ光源２０’に対して、各光パルスは、照射領域で、例えば、反射面を有するミラー５２の焦点５０で又はその近くでそれぞれのターゲット液滴を照明するために、システム４２から及びチャンバ４８内にビーム経路に沿って進むことができ、その表面は、回転面、例えば、２つの焦点を通過する軸回りに回転される２つの焦点を定める惰円である。
【００２２】
デバイス４４は、１つ又はそれよりも多くの主パルス、及び一部の場合には１つ又はそれよりも多くのプレパルスを供給する１つ又はそれよりも多くのレーザ及び／又はランプを含むことができる。図１に示すデバイス１４において使用する適切なレーザは、パルスレーザデバイス、例えば、ＤＣ又はＲＦ励起で比較的高い電力、例えば、１０ｋＷ又はより高い電力、及び高いパルス繰返し数、例えば、２０ｋＨｚ又はよりそれ以上で作動する例えば９．３μｍ又は１０．６μｍの放射線を発生するパルスガス放電ＣＯ2レーザデバイスを含むことができる。１つの特定的な実施例では、レーザは、増幅の複合の段を有するＭＯＰＡ構成を有し、かつ比較的低いパルスエネルギ及び高い繰返し数、例えば、２０〜１００ｋＨｚでＱスイッチ式主発振器（ＭＯ）により開始されるシードパルスを有するＲＦポンプ式ＣＯ2レーザとすることができる。ＭＯから、次に、ＬＰＰチャンバ４８に入る前にレーザパルスを増幅し、成形し、誘導し、及び／又は集束させることができる。連続的にＲＦポンピングされた高速軸流ＣＯ2増幅器をシステム４２に使用することができる。代替的に、ＲＦポンプは、パルス式とすることができる。例えば、発振器及び３つの増幅器（Ｏ−ＰＡ１−ＰＡ２−ＰＡ３構成）を有する適切なＣＯ2レーザデバイスは、代理人整理番号第２００５−００４４−０１号である２００５年６月２９日出願の「ＬＰＰ−ＥＵＶ光源駆動レーザシステム」という名称の同時係属の米国特許出願出願番号第１１／１７４，２９９号に開示されており、この特許の内容全体は、引用により本明細書に先に組み込まれたものである。代替的に、レーザは、液滴がレーザの光キャビティの１つのミラーとして機能するいわゆる「自己ターゲット式」レーザシステムとして構成することができる。一部の「自己ターゲット式」構成においては、主発振器は、不要とすることができる。自己ターゲット式レーザシステムは、代理人整理番号第２００６−００２５−０１号である２００６年１０月１３日出願の「ＥＵＶ光源のための駆動レーザ送出システム」という名称の同時係属の米国特許出願出願番号第１１／５８０，４１４号に開示かつ特許請求されており、この特許の開示内容全体は、本明細書において引用により組み込まれている。
【００２３】
用途により、他の形式のレーザ、例えば、高電力で高いパルス繰返し数で作動するエキシマレーザ又は分子フッ素レーザも、ＥＵＶ光源２０’内の使用に適するとすることができる。他の例には、例えば、スラブ、ロッド、ファイバ、又は円盤型活性媒体を有するＮｄ：ＹＡＧのような固体レーザ、例えば、米国特許第６，６２５，１９１号、米国特許第６，５４９，５５１号、及び米国特許第６，５６７，４５０号に示すようなＭＯＰＡ構成エキシマレーザシステム、１つ又はそれよりも多くのチャンバ、例えば、発振器チャンバ及び１つ又はそれよりも多くの増幅チャンバ（並列に、又は直列にチャンバを増幅することで）、主発振器／電力発振器（ＭＯＰＯ）構成、電力発振器／電力増幅器（ＰＯＰＡ）構成、主発振器／電力リング増幅器（ＭＯＰＲＡ）を有するエキシマレーザがあり、又は１つ又はそれよりも多くのエキシマ又は分子フッ素増幅器又は発振器チャンバにシード光を供給する固体レーザを適切とすることができる。他の設計も可能である。
【００２４】
パルス成形、パルス集束、パルスステアリング、及び／又はパルスの集束力の調節のための適切なビーム送出システム４８は、代理人整理番号第２００５−００８１−０１号である２００６年２月２１日出願の「レーザ生成プラズマＥＵＶ光源」という名称の同時係属の米国特許出願出願番号第１１／３５８，９９２号に開示されており、この特許の内容全体は、本明細書において引用により組み込まれている。上述の特許公報で開示されているように、１つ又はそれよりも多くのビーム送出システム光学系は、チャンバ４８と流体連通とすることができる。パルス成形は、例えば、パルス伸長器及び／又はパルストリミングを使用してパルス持続時間を調節することを含むことができる。
【００２５】
図３に更に示すように、ＥＵＶ光源２０’は、例えば、放射線照射領域に至るチャンバ４８内部にターゲット材料の液滴を供給するターゲット材料送出システム５４を含むことができ、照射領域では、液滴は、１つ又はそれよりも多くの光パルス、例えば、ゼロ、１つ、又はそれよりも多くのプレパルス及びその後に１つ又はそれよりも多くの主パルスと相互作用して最終的にプラズマを生成してＥＵＶ光を生成する。ターゲット材料は、錫、リチウム、キセノン、又はその組合せを含む材料を含むことができるが必ずしもこれらに限定されない。ＥＵＶ放出元素、例えば、錫、リチウム、キセノンなどは、液滴内に含まれた液滴及び／又は固体粒子の形態とすることができる。例えば、元素錫は、純粋な錫として、錫化合物、例えば、ＳｎＢｒ4、ＳｎＢｒ2、ＳｎＨ4として、錫合金、例えば、錫ガリウム合金、錫インジウム合金、錫インジウムガリウム合金、又はその組合せとして使用することができる。使用する材料に基づいて、ターゲット材料は、室温を含む様々な温度で又は室温の近くで（例えば、錫合金、ＳｎＢｒ4）、高温で（例えば、純粋な錫）、又は室温よりも低い温度で（例えば、ＳｎＨ4）照射領域に呈示することができ、一部の場合には、比較的揮発性、例えば、ＳｎＢｒ4とすることができる。ＬＰＰＥＵＶ源におけるこれらの材料の使用に関する更なる詳細は、代理人整理番号第２００６−０００３−０１号である２００６年４月１７日出願の「ＥＵＶ光源のための代替燃料」という名称の同時係属の米国特許出願出願番号第１１／４０６，２１６号に示されており、この特許の内容全体は、引用により本明細書に先に組み込まれたものである。
【００２６】
引き続き図３に対して、ＥＵＶ光源２０’は、光学系５２、例えば、シリコン基板及びモリブデン及びシリコンの互層構造による漸変多層コーティングを有する回転楕円（上述など）の形をした例えば集光ミラーを含むことができる。図３は、光学系５２に、システム４２によって生成された光パルスが放射線照射領域を通過及び到達することを可能にする開口を形成することができることを示している。図示のように、光学系５２は、照射領域内の又はその近くの第１の焦点及びいわゆる中間領域５６での第２の焦点を有する回転楕円として成形された反射面を有することができ、照射領域では、ＥＵＶ光は、ＥＵＶ光源２０’から出力され、ＥＵＶ光を利用するデバイス、例えば、集積回路リソグラフイツール（図示せず）に入力することができる。ＥＵＶ光を利用するデバイスへのその後の送出に向けて、中間位置に光を集めて誘導するために回転楕円形ミラーの代わりに他の光学系を使用することができ、例えば、光学系は、回転パラボラアンテナ形ミラーとすることができ、又は中間位置に環状の断面を有するビームを送出するように形成することができることが認められ、例えば、代理人整理番号第２００６−００２７−０１号である２００６年８月１６日出願の「ＥＵＶ光学系」という名称の同時係属の米国特許出願出願番号第１１／５０５，１７７号を参照することができ、この特許の内容全体は、本明細書において引用により組み込まれている。
【００２７】
図３を引き続き参照すると、ＥＵＶ光源２０’は、ＥＵＶコントローラ６０を含むことができ、ＥＵＶコントローラ６０は、システム４２内の１つ又はそれよりも多くのランプ及び／又はレーザデバイスを起動させることによってチャンバ４８内への送出に向けて光パルスを生成する発射制御システム６５を含むことができる。ＥＵＶ光源２０’は、例えば、照射領域に対して１つ又はそれよりも多くの液滴の位置を示す出力を供給する１つ又はそれよりも多くの液滴撮像器７０を含むことができる液滴位置検出システムを含むことができる。撮像器７０は、液滴位置検出フィードバックシステム６２にこの出力を供給することができ、液滴位置検出フィードバックシステム６２は、例えば、液滴単位で又は平均して液滴誤差を計算することができ、例えば、液滴位置及び軌道を計算することができる。液滴誤差は、次に、コントローラ６０への入力として供給することができ、コントローラ６０は、光源タイミング回路を制御するために、及び／又は例えばチャンバ４８内の照射領域に送出されている光パルスの位置及び／又は集束力を変えるようにビーム位置及び成形システムを制御するために、例えば、位置、方向、及びタイミング補正信号をシステム４２に供給することができる。
【００２８】
ＥＵＶ光源２０’は、光源２０’によって生成されたＥＵＶ光の様々な特性を測定する１つ又はそれよりも多くのＥＵＶ測定計器を含むことができる。これらの特性には、例えば、強度（例えば、全体的強度又は特定のスペクトル帯域内での強度）、スペクトル帯域、偏光、ビーム位置、照準などを含むことができる。ＥＵＶ光源２０’に対して、計器は、下流側ツール、例えば、フォトリソグラフィスキャナがオンラインである間に例えばピックオフミラーを使用してＥＵＶ出力の一部をサンプリングするか、又は「未集光」ＥＵＶ光をサンプリングすることによって作動するように構成することができ、及び／又は下流側ツール、例えば、フォトリソグラフィスキャナが例えばオフラインである間に例えばＥＵＶ光源２０’のＥＵＶ出力全体を測定することによって作動させることができる。
【００２９】
図３に更に示すように、ＥＵＶ光源２０’は、例えば、望ましい放射線照射領域に到着する液滴内の誤差に対して補正し、及び／又は液滴の生成をパルスレーザシステム４２と同期化するために、液滴源９２からのターゲット材料の放出点を修正し、及び／又は液滴形成タイミングを修正するためにコントローラ６０からの信号（一部の実施例では上述の液滴誤差又はそこから導出された何らかの数量を含むことができる）に応答して作動可能な液滴制御システム９０を含むことができる。
【００３０】
様々な液滴分注器構成及び関連する利点に関する更なる詳細は、代理人整理番号第２００７−００３０−０１号である２００７年７月１３日出願の「変調妨害波を使用して生成した液滴流を有するレーザ生成プラズマＥＵＶ光源」という名称の同時係属の米国特許出願出願番号第１１／８２７，８０３号と、代理人整理番号第２００５−００８５−０１号である２００６年２月２１日出願の「プレパルスによるレーザ生成プラズマＥＵＶ光源」という名称の同時係属の米国特許出願出願番号第１１／３５８，９８８号と、代理人整理番号第２００４−０００８−０１号である２００５年２月２５日出願の「ＥＵＶプラズマ源ターゲット送出の方法及び装置」という名称の同時係属の米国特許出願出願番号第１１／０６７，１２４号と、代理人整理番号第２００５−０００３−０１号である２００５年６月２９日出願の「ＬＰＰ−ＥＵＶ光源材料ターゲット送出システム」という名称の同時係属の米国特許出願出願番号第１１／１７４，４４３号とに見ることができ、これらの各々の内容は、本明細書において引用により組み込まれている。
【００３１】
図４は、ＥＵＶ光のパターン化ビーム１４’で基板１２’（レジスト被覆シリコンウェーハなど）を露光するリソグラフィ装置（１０’と全体的に指定された）の実施形態の選択した部分を示している。図示のように、装置１０’は、ＥＵＶ出力を生成するようにチャンバ４８’内の位置５０’でのターゲット材料との相互作用に向けて一連の光パルスを生成するデバイス４４’、例えば、レーザ源を有するＥＵＶ光源、例えば、レーザ生成プラズマＥＵＶ光源を含むことができる。上述のように、デバイス４４’によって生成されたパルス列は、波長λを有する１つ又はそれよりも多くの主パルス及び主パルスと同じ波長λを有することができる（又はできない）１つ又はそれよりも多くのプレパルスを含むことができる。デバイス４４’に対して、光学系１００は、デバイス４４’を出る光が１次偏光方向を有して、例えば、大幅に直線偏光されるように使用することができる。例えば、光学系１００には、１つ又はそれよりも多くの偏光子、例えば、薄膜偏光子、ワイヤグリッド偏光子、ブリュースター角で又はその近くで傾斜した１つ又はそれよりも多くの透明光学系、例えば、いわゆるブルースターの窓などを含むことができる。装置１０’に対して、光学系１００は、レーザ光キャビティ内に及び／又はレーザキャビティとターゲット位置５０’の間のビーム経路に沿って位置することができる。更に、光学系１００は、１つ又はそれよりも多くのプレパルス、１つ又はそれよりも多くの主パルス、及び／又はプレパルス及び主パルスの両方を実質的に偏光させることができる。異なる光学系をプレパルス及び主パルスを偏光させるために使用することができ、又は共通光学系をプレパルス及び主パルスを偏光させるために使用することができる。
【００３２】
引き続き図４に対して、１次偏光方向を定めかつ波長λを有する直線偏光の光は、位置５０でターゲット材料に入射させることができ、次に、直ちにＥＵＶ光が出射されて、波長λを有する入射レーザビームが散乱されることを見ることができる。ＥＵＶ光及び波長λを有する散乱光を含むターゲット位置５０’からの光は、ミラー５２’からビーム経路１０２上へ反射され、ビーム経路１０２に沿って進む波長λを有する光の一部、殆ど、又は全ては、光学系１００により確立された１次偏光方向に直線偏光させることができる。図示のように、ビーム経路１０２上を進む光は、基板１２’に到達して露光される。図４は、更に、ビーム経路１０２が、ビーム経路１０２からの波長λを有する光の少なくとも一部をフィルタリングするワイヤグリッド１０４を通過することを示している。図１及び図４を相互参照すると、ミラー５２、５２’からの光は、ミラー５２からビーム経路１０２、基板１２に５２’、１２’に沿って照明システム１６（上述）、パターン化デバイス２４（上述）、及び／又は投影システム３２（上述）のような１つ又はそれよりも多くの光学モジュールを通過することができるということを見ることができる。図４に示す装置に対して、ワイヤグリッド１０４は、経路１０４に沿って様々な位置に位置決めすることができる。例えば、ワイヤグリッド１０４は、照明システム１６の上流側に、照明システム１６内に（例えば、照明システム１６内の２つの光学系の間に）、照明システム１６とパターン化デバイス２４の間に、パターン化デバイス２４と投影システム３２の間に、投影システム３２内に（例えば、投影システム３２内の２つのミラーの間に）、及び／又は投影システム３２と基板１２の間に位置決めすることができる。可能な位置でのこの変化は、図４に示している。
【００３３】
図５は、より詳細にワイヤグリッド１０４を示している。図示のように、ワイヤグリッド１０４は、離間した複数の導電ワイヤ１０６ａ、ｂを有する独立型ワイヤグリッド偏光子とすることができ、各ワイヤ１０６ａ、ｂは、各ワイヤ１０６ａ、ｂが他のワイヤとほぼ平行に及びワイヤグリッド透過軸１１０とほぼ平行に維持されるように、１対の離間した支持体１０８ａ、ｂに取り付けられ、かつその間に吊られる。図５は、更に、ワイヤ１０６ａ、ｂがワイヤグリッドに対してワイヤ間隔周期「ｐ」を確立するように離間していることを示しており、距離「ｐ」は、図示のように、２つの隣接ワイヤの間の第１の中間点から２つの隣接ワイヤの間の次の中間点まで測定され、すなわち、透過軸１１０と実質的に直交する方向に測定される。
【００３４】
波長λを有する直線偏光の光のフィルタリングに向けて、ｐ＜０．６でワイヤ間隔周期ｐを有するワイヤグリッドを使用することができる。デバイス４４’が、ＣＯ2を含んで９．３μｍ又は１０．６μｍの波長λを有する光を生成する利得媒体を含む場合に対して、それぞれ、約５．６μｍ未満又は約６．４μｍ未満のワイヤ間隔周期ｐを使用することができる。これらのグリッドに対して、約２μｍ又はより小さい直径を有するワイヤを使用することができる。より小さいワイヤ間隔周期ｐ及び／又はより薄いワイヤ、例えば、サブミクロンワイヤは、より大きいフィルタリングをもたらし、及び／又は０°から逸脱するワイヤグリッド上の入射角を有する光線をフィルタリングするために使用することができる。例えば、ｐ＜０．２λでのワイヤ間隔周期ｐを使用することができる。
【００３５】
使用面においては、ワイヤグリッド１０４は、例えば、回転マウントを使用して、ワイヤグリッド透過軸が実質的に波長λを有する光の１次偏光方向と平行であるようにビーム経路１０２内に位置決めかつ配向することができる。波長λを有する光のフィルタリングは、反射及び／又は吸収を通じたものとすることができる。一般的に、グリッドに入射するＥＵＶ光は、ワイヤフィル・ファクタに比例する低減された透過強度を有することができる。
【００３６】
図６は、ＥＵＶ光のパターン化ビーム１４’’で基板１２’’（レジスト被覆シリコンウェーハなど）を露光するリソグラフィ装置（１０’’と全体的に指定された）の別の実施形態の選択した部分を示している。図示のように、装置１０’’は、ＥＵＶ出力を生成するためにチャンバ４８’’内の位置５０’’でのターゲット材料との相互作用に向けて一連の光パルスを生成するデバイス４４’’、例えば、レーザ源を有するＥＵＶ光源、例えば、レーザ生成プラズマＥＵＶ光源を含むことができる。上述のように、デバイス４４’によって生成されたパルス列は、波長λを有する１つ又はそれよりも多くの主パルス及び主パルスと同じ波長λを有するか又は有することができない１つ又はそれよりも多くのプレパルスを含むことができる。
【００３７】
デバイス１０’’に対して、光アイソレータ１１２は、液滴が、デバイス４４’’の利得媒体を液滴から反射した光（いわゆる後方反射）から分離するためにビーム経路と交わることになるデバイス４４’’と放射線照射サイト５０’’の間のビーム経路に沿って位置決めすることができる。アイソレータ１１２は、例えば、偏光子及び／又はブルースターの窓を有し、かつ直線偏光の光を出力するデバイス４４’’と協働することができる。この場合に対して、光アイソレータ１１２は、例えば、光を反射した時に、円偏光した光に直線偏光の光を変換し、直線偏光の光に回転偏光の光を変換する位相遅延ミラーを含むことができる。従って、位相遅延ミラーから二回その後反射される１次偏光方向を最初に有する光は、１次偏光方向から９０°で回転され、すなわち、二回反射された光は、１次偏光方向と直交する方向に直線偏光される。位相遅延ミラーに加えて、アイソレータ１１２は、直線偏光フィルタ、例えば、１次偏光方向と直交する方向で直線偏光の光を吸収するアイソレータミラーを含むことができる。この構成では、ターゲット材料、例えば、液滴からビーム経路上で反射した光は、光アイソレータ１１２により吸収されるので、デバイス４４’’に再び入ることができない。例えば、ＣＯ2レーザと共に使用する適切な装置は、商品名Ｑｕｅｌｌｅｒ及び／又は「アイソレータボックス」で、ドイツ国Ｓａｌｅｍ、Ｈｅｉｌｉｇｅｎｂｅｒｇｅｒ通り１００、８８６８２所在の「Ｋｕｇｌｅｒ  ＧｍｂＨ」から入手可能である。一般的に、光アイソレータ１１２は、光が、後方反射光の約１パーセントのみが光アイソレータ１１２を通じて漏れることを許しながら実質的に妨げられずにデバイス４４’’から液滴まで流れ、かつデバイス４４’’に到達することを可能にするように機能する。
【００３８】
この構成を用いて、波長λを有する円偏光した光は、位置５０’’でターゲット材料に入射させられ、次に、直ちに、ＥＵＶ光が出射されて、波長λを有する入射レーザビームが散乱する。ＥＵＶ光及び波長λを有する散乱光を含むターゲット位置５０’’からの光は、ミラー５２’’からビーム経路１０２’上へ反射され、波長λを有するビーム経路１０２’に沿って進む光の一部、殆ど、又は全ては、円偏光させることができる。図示のように、ビーム経路１０２’上を進む光は、基板１２’’に到達して基板を露光する。図６は、更に、ビーム経路１０２’が、ビーム経路１０２’からの波長λを有する光の少なくとも一部をフィルタリングする直列のワイヤグリッド１０４及びワイヤグリッド１１４を通過することを示している。図１及び６を相互参照すると、ミラー５２、５２’’からの光は、ミラー５２、５２’’、１２’’から基板１２までのビーム経路１０２’に沿って例えば照明システム１６（上述）、パターン化デバイス２４（上述）、及び／又は投影システム３２（上述）のような１つ又はそれよりも多くの光学モジュールを通過することができることを見ることができる。図４に示す装置に対して、ワイヤグリッド１０４は、経路１０２’に沿って様々な位置に位置決めすることができ、ゼロ、１つ、又はそれよりも多くの光学構成要素／モジュールは、２つのワイヤグリッド１０４、１１４の間に位置決めされている。
【００３９】
ワイヤグリッド１０４は、図５に示すと共に図５を参照して先に詳細に説明した。図７に示すように、ワイヤグリッド１１４は、離間した複数の導電ワイヤ１１６ａ、ｂを有する独立型ワイヤグリッド偏光子とすることができ、各ワイヤ１１６ａ、ｂは、各ワイヤ１１６ａ、ｂが他のワイヤとほぼ平行に及びワイヤグリッド透過軸１２０とほぼ平行に維持されるように、１対の離間した支持体１１８ａ、ｂに取り付けられ、かつその間に吊られる。図７は、更に、ワイヤ１１６ａ、ｂがワイヤグリッド１１４に対してワイヤ間隔周期「ｐ2」を確立するように離間していることを示しており、距離「ｐ2」は、図示のように、２つの隣接ワイヤの間の第１の中間点から２つの隣接ワイヤの間の次の中間点まで測定され、すなわち、透過軸１２０と実質的に直交する方向に測定される。
【００４０】
波長λを有する光（非偏光及び／又は回転偏光）のフィルタリングのために、約０．６λよりも小さいワイヤ間隔周期ｐ、ｐ2を有するワイヤグリッド１０４、１１４を使用することができる。デバイス４４’がＣＯ2を含みかつ９．３μｍ又は１０．６μｍの波長λを有する光を生成する利得媒体を含む場合に対して、約５．６μｍよりも小さい（λ＝９．３μｍの場合）、又は約６．４μｍよりも小さい（λ＝１０．６μｍの場合）ワイヤ間隔周期ｐ及びｐ2を使用することができる。これらのグリッドに対して、約２μｍ又はそれ未満の直径を有するワイヤを使用することができる。より小さいワイヤ間隔周期ｐ、ｐ2及び／又はより薄いワイヤ、例えば、サブミクロンワイヤを使用することができる。より大きいフィルタリングをもたらすために、及び／又は０°から逸脱するワイヤグリッド上の入射角を有する光線をフィルタリングするために、例えば、約０．２λよりも小さいワイヤ間隔周期ｐ、ｐ2を使用することができる。
【００４１】
使用面においては、ワイヤグリッド１０４、１１４は、図６に示すように、グリッド１０４のワイヤグリッド透過軸１１０がグリッド１１４に対してワイヤグリッド透過軸１２０と実質的に直交するようにビーム経路１０２’内に位置決めし、かつ例えば回転マウントを使用して配向することができる。一般的に、ＥＵＶ光は、グリッド組合せのワイヤフィル・ファクタに比例した低減した透過強度を有するグリッドを通過することができる。また、第２のワイヤグリッド偏光子１１４は、更に、１次偏光方向と平行に直線偏光されていない波長λを有する光をフィルタリングするために図５に示す実施形態において使用することができることにも注意されたい。
【００４２】
図８は、ＥＵＶ光のパターン化ビーム１４’’’で基板１２’’’（レジスト被覆シリコンウェーハなど）を露光するリソグラフィ装置（１０’’’と全体的に指定された）の別の実施形態の選択した部分を示している。図示のように、装置１０’’’は、ＥＵＶ出力を生成するチャンバ４８’’’内の位置５０’’’でのターゲット材料に対する相互作用に向けて一連の光パルスを生成するデバイス４４’’’、例えば、レーザ源を有するＥＵＶ光源、例えば、レーザ生成プラズマＥＵＶ光源を含むことができる。上述のように、デバイス４４’’’によって生成されたパルス列は、波長λを有する１つ又はそれよりも多くの主パルス、及び主パルスと同じ波長λを有することができるか又は有することができない１つ又はそれよりも多くのプレパルスを含むことができる。
【００４３】
装置１０’’’に対して、任意的な光学系１００’’は、デバイス４４’’’を出る光が１次偏光方向を有して、例えば、大幅に線形に偏光される（上述）ように使用することができ、及び／又は任意的な光アイソレータ１１２’（上述）は、液滴がビーム経路と交わるデバイス４４’’と放射線照射サイト５０’’の間のビーム経路に沿って位置決めすることができる。従って、これらの任意的な構成要素のうちのどれが使用するかに基づいて、装置１０’’’に対して、位置５０’’’でターゲットを照明する光は、非偏光、直線偏光、又は回転偏光とすることができ、ターゲット材料により散乱して光学系５２’’’によりビーム経路１０２’’上へ反射される光は、非偏光、直線偏光、又は回転偏光とすることができる。
【００４４】
図８は、更に、ビーム経路１０２’’上を進む光が、ビーム経路１０２’’から波長λを有する光の少なくとも一部をフィルタリングするワイヤグリッド１２２を通過した後に基板１２’’に到達して基板１２’’を露光することを示している。以下でより詳細に説明するように、ワイヤグリッド１２２によるフィルタリングは、回折を通じて達成することができ、かつ偏光フィルタリング（上述のように反射及び／又は吸収を通じた）を含むことができる。
【００４５】
図１及び図８を相互参照すると、ミラー５２、５２’’’からの光は、ミラー５２、５２’’’から基板１２、１２’’’までビーム経路１０２’’に沿って、照明システム１６（上述）、パターン化デバイス２４（上述）、及び／又は投影システム３２（上述）のような１つ又はそれよりも多くの光学モジュールを通過することができることを見ることができる。図８に示す装置に対して、ワイヤグリッド１２２は、経路１０２に沿って様々な位置に位置決めすることができる。例えば、ワイヤグリッドは、照明システム１６内に（例えば、照明システム１６内の２つの光学系の間に）、パターン化デバイス２４と投影システム３２の間に、照明システム１６とパターン化デバイス２４の間に、投影システム３２内に（例えば、投影システム３２内の２つのミラーの間に）、及び／又は投影システム３２と基板１２の間で照明システム１６の上流側に位置決めすることができる。可能な位置内のこの変化を図８に示している。
【００４６】
図９は、より詳細にワイヤグリッド１２２を示している。図示のように、ワイヤグリッド１２２は、導電性か又は導電性ではなくかつ離間した複数のワイヤ１２４ａ、ｂを有する独立型ワイヤグリッドとすることができ、各ワイヤ１２４ａ、ｂは、各ワイヤ１２４ａ、ｂが実質的に他のワイヤと平行に及び実質的にワイヤグリッド軸１３０と平行に維持されるように、１対の離間した支持体１２６ａ、ｂに取り付けられ、かつその間に吊られている。
【００４７】
図９は、更に、ワイヤ１２４ａ、ｂがワイヤグリッドに対してワイヤ間隔周期「ｐg」を確立するように離間していることを示しており、距離「ｐg」は、図示のように、ワイヤグリッド軸１３０と実質的に直交する方向に２つの隣接ワイヤの間の第１の中間点から２つの隣接ワイヤの間の第２の中間点まで測定される。図８及び図９に示す実施形態に対して、ワイヤ間隔周期ｐgは、ワイヤグリッド１２２に入射する波長λを有する光の一部がゼロ以外の回折次数に回折されて、結果として、ビーム経路１０２’’からフィルタリングされるように波長λに対して設定することができる。例えば、ｓ偏光及びｐ偏光の両方の回折は、一般的に、ｐg＞０．５λが得られるように行われる（必ずしも等しい効率でというわけではないが）。更に、導電ワイヤを有するワイヤグリッド１２２に対して、遷移領域０．５λ＜ｐg＜２λが存在する場合があり、この領域では、ワイヤグリッド軸１３０と直交して偏光した光の回折及び反射／吸収がある。従って、装置１０’’’に対して、ワイヤ間隔周期ｐgは、ワイヤグリッドが遷移領域においてフィルタとして作動するように波長λに対して設定することができ、又はワイヤ間隔周期ｐgは、フィルタリングが主に回折効果だけによるようにより大きく、例えば、ｐg＞２λに設定することができる。
【００４８】
図１０は、図１に示す装置１０において使用するパターン化デバイス２４’（図１１に図示）を生成するようにパターン化することができるマスクブランク１３２の断面図を示している。図示のように、パターン化デバイス２４’は、その上に形成されたＥＵＶ反射コーティング１４２を有するシリコン又はガラスのような基板１４０を有する反射レチクル／マスクとすることができる。反射コーティング１４２は、一般的に２０−８０の２層を有する多層コーティングであり、各２層は、屈折率が比較的高い材料の層及び屈折率が比較的低い材料の層を有する。例えば、各２層は、モリブデン層及びシリコン層を含むことができる。一部の場合には、反射コーティング１４２は、２層を保護するキャップ層を含むことができる。図１０に更に示すように、バッファ層１４４（例えば、二酸化シリコン）は、反射コーティング１４２に接触してその上に重なるように堆積させることができ、ＥＵＶ吸収材料（例えば、銀、タングステン、金、タンタル、チタン、クロミウム、鉛、ポリイミドなど）で構成された吸収層１４６は、バッファ層１４４に接触してその上に重なるように堆積させることができる。
【００４９】
図１１及び図１２は、図１０に示すマスクブランク１３２が、波長λ（例えば、ｄ≦λ）を有する光を回折するための距離「ｄ」で互いから離間している細長特徴部１４８ａ−ｄと、パターン化デバイスがＥＵＶ光で基板１２を露光するのに使用される（図１を参照されたい）時に集積回路（ＩＣ）の層を確立するパターンを形成する代表的特徴部１５０ａ−ｄとを有するパターン化デバイス２４’を生成するようにパターン化することができることを示している（図１２内のＸは、特徴部１５０ａ−ｄを配置することができるパターン化デバイス上の区域を表すことに注意されたい）。図１２から、細長特徴部１４８ａ−ｃは、パターン化デバイス２４’の全長に必ずしも延びるわけではなく、代替的に、図示のように、細長特徴部１４８ａ−ｄの１つ又はそれよりも多くは、ＩＣ層パターンがセグメント化により確立される間隙を貫通することを可能にするようにセグメント化することができることに注意されたい。
【００５０】
特徴部１４８ａ−ｄ、１５０ａ−ｄは、例えば、フォトリソグラフィ処理を使用して、バッファ層１４４及び吸収層１４６内でパターン化することができる。１つの技術においては、図１０に示すマスクブランク１３２は、光感応層、例えば、レジスト層で被覆することができる。次に、レジスト層は、露光及び現像することができる。第１のエッチング処理は、次に、吸収層の各部を除去するのに使用することができ、この時点で、パターンの検査及び修復（必要であれば）を行うことができる。適切なパターンが吸収層１４６内にある状態で、第２のエッチング段階を行ってバッファ層１４４にパターンをエッチングすることができ、反射コーティング１４２が露出される。
【００５１】
図１３は、波長λを有する光を回折するための距離「ｄ」（例えば、ｄ≦λ）で互いから離間している細長特徴部１４８ａ’−ｄ’と、パターン化デバイスがＥＵＶ光で基板１２を露光するのに使用される（図１を参照されたい）時に集積回路（ＩＣ）の層を確立するパターンを形成する代表的特徴部１５０ａ’−ｄ’とを有するパターン化デバイス２４’’を製造する代替技術を示している。図示のように、パターン化デバイス２４’’は、その上に形成されたＥＵＶ反射コーティング１４２’を有するシリコン又はガラスのような基板１４０’を有する反射レチクル／マスクとすることができる。反射コーティング１４２０１は、一般的に２０−８０の２層を有する多層コーティングであり、各２層は、屈折率が比較的高い材料の層及び屈折率が比較的低い材料の層を有する。例えば、各２層は、モリブデン層及びシリコン層を含むことができる。一部の場合には、反射コーティング１４２０１は、２層を保護するキャップ層を含むことができる。更に示すように、特徴部１４８ａ’−ｄ’、１５０ａ’−ｄ’は、反射コーティング１４２’内でエッチングすることができ、例えば、フォトリソグラフィ処理を用いてコーティングの反射率が低減される。代替的に、反射コーティング１４２’の反射率は、反射コーティング１４２’（図示せず）の選択した部分を傷つけるイオンビームを使用して、特徴部を生成するために選択的に低減することができる。
【００５２】
本明細書で使用する時の用語「光学系」及びその派生語は、以下に限定されるものではないが、入射光を反射及び／又は透過し、及び／又は入射光で作動する構成要素が含まれ、かつ以下に限定されるものではないが、レンズ、窓、フィルタ、くさび、プリズム、グリズム、グレーディング、透過ファイバ、エタロン、拡散器、ホモジナイザー、検出器、及び他の計器構成要素、入力開口、アキシコン、及び多層ミラー、近垂直入射ミラー、斜入射ミラー、鏡面反射器、及び拡散反射器を含むミラーが含まれる。更に、本明細書で使用する時の「光学系」という用語及びその派生語は、本明細書に特に断らない限り、ＥＵＶ出力光波長、照射レーザ波長での測定に適する波長又は何らかの他の波長のような１つ又はそれよりも多くの特定の波長範囲で単独で又は有利に作動する構成要素に制限されることを意味するものではない。
【００５３】
「３５Ｕ．Ｓ．Ｃ．§１１２」を満足するために必要とされる詳細において本特許出願において説明しかつ例示した特定の実施形態は、上述の実施形態の１つ又はそれよりも多くの上述の目的を、及び上述の実施形態により又はその目的のあらゆる他の理由で又はその目的のために解決すべき問題を完全に達成することができるが、上述の実施形態は、本出願によって広く考察された内容を単に例示しかつ代表することは、当業者によって理解されるものとする。単数形での以下の請求項における要素への言及は、解釈において、明示的に説明していない限り、このような要素が「１つ及び１つのみ」であることを意味するように意図しておらず、かつ意味しないものとし、「１つ又はそれよりも多い」を意味する意図とし、かつ意味するものとする。当業者に公知か又は後で公知になる上述の実施形態の要素のいずれかに対する全ての構造的及び機能的均等物は、引用により本明細書に明示的に組み込まれると共に、特許請求の範囲によって包含されるように意図されている。本明細書及び／又は本出願の請求項に使用され、かつ本明細書及び／又は本出願の請求項に明示的に意味を与えられたあらゆる用語は、このような用語に関するあらゆる辞書上の意味又は他の一般的に使用される意味によらず、その意味を有するものとする。実施形態として本明細書で説明したデバイス又は方法は、それが特許請求の範囲によって包含されるように本出願において説明した各及び全て問題に対処又は解決することを意図しておらず、また必要でもない。本発明の開示内容におけるいかなる要素、構成要素、又は方法段階も、その要素、構成要素、又は方法段階が特許請求の範囲において明示的に詳細に説明されているか否かに関係なく、一般大衆に捧げられることを意図したものではない。特許請求の範囲におけるいかなる請求項の要素も、その要素が「〜のための手段」という語句を使用して明示的に列挙されるか又は方法の請求項の場合にはその要素が「行為」ではなく「段階」として列挙されていない限り、「３５Ｕ．Ｓ．Ｃ．§１１２」第６項の規定に基づいて解釈されないものとする。
【符号の説明】
【００５４】
１０’  リソグラフィ装置
１２’  基板
１４’  ＥＵＶ光のパターン化ビーム
４４’  光パルスを生成するデバイス
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【国際調査報告】
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