(57)【要約】リソグラフィ装置において、ダンパ（６３，６４，６５）が提供される。ダンパは、光学要素が取り付けられる構成要素に対する光学要素の動作を制振するために光学要素（６０）のためのマウント内で使用することができる。
2011503887.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
サポートフレームと、
光学要素と、
前記光学要素を前記サポートフレームに取り付けるマウントとを含み、
前記マウントは、前記サポートフレームに対する前記光学要素の動作に制振を提供する少なくとも１つのダンパを含む、投影システム。
【請求項２】
前記ダンパは、前記光学要素と前記サポートフレームとの間に制振力を提供する、請求項１に記載の投影システム。
【請求項３】
前記マウントは、前記光学要素の周りに配置された少なくとも３つのダンパを含む、請求項１または２に記載の投影システム。
【請求項４】
前記ダンパの各々は、一次制振方向において動作に最大制振を提供し、
前記ダンパは、各々の前記一次制振方向が他のダンパの一次制振方向と異なる、請求項３に記載の投影システム。
【請求項５】
前記投影システムは、
複数の光学要素をさらに含み、その各々は、前記サポートフレームに対する前記光学要素の動作に制振を提供する前記少なくとも１つのダンパを有する対応のマウントによって前記サポートフレームに取り付けられる、光学要素請求項１〜４のいずれかに記載の投影システム。
【請求項６】
前記ダンパは、
第１表面および第２表面によって境界される空間によって接続された第１チャンバおよび第２チャンバと、
前記サポートフレームに対する前記光学要素の動きが、前記第１チャンバから前記第２チャンバへと流体を流れさせて前記動作に制振を提供するように制約された流体とを含む、請求項１〜５のいずれかに記載の投影システム。
【請求項７】
前記マウントは、前記サポートフレームに対する前記光学要素の位置を調整するアクチュエータシステムをさらに含む、請求項１〜６のいずれかに記載の投影システム。
【請求項８】
前記マウントは、
前記光学要素に接続された内側サポートと、
前記サポートフレームに接続された外側サポートと、を含んでおり、
前記少なくとも１つのダンパは前記内側サポートと前記外側サポートとの間に接続されている、請求項１〜７のいずれかに記載の投影システム。
【請求項９】
前記アクチュエータシステムは、前記外側サポートに対する前記内側サポートの位置を調整する、請求項８に記載の投影システム。
【請求項１０】
前記サポートフレームに対する前記光学要素の前記動作は、臨界制振の約１０％から約３０％の間に制振される、請求項１〜９のいずれかに記載の投影システム。
【請求項１１】
投影システムであって、
サポートフレームと、
光学要素と、
前記光学要素を前記サポートフレームに取り付けるマウントと、を含み、
前記マウントは、前記サポートフレームに対する前記光学要素の動作に制振を提供する少なくとも１つのダンパを含む投影システムと、
基板を支持するように構成された基板サポートと、
前記基板サポートの位置を制御するように構成された基板アクチュエータシステムと、を含み、
前記基板アクチュエータシステムは、前記投影システムの前記サポートフレームの位置に対する前記基板サポートの位置を制御するように構成されている、リソグラフィ装置。
【請求項１２】
前記投影システムの前記サポートフレームに対する前記基板サポートの位置および変位のうちの少なくとも１つを測定する測定システムと、
前記測定システムの測定に応じて前記基板アクチュエータシステムを制御するコントローラとをさらに含む、請求項１１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１３】
前記リソグラフィ装置の構成要素が結合されたベースフレームと、
前記ベースフレームから実質上動的に離間されるように前記ベースフレームに結合されたメトロロジフレームと、をさらに含み、
前記投影システムの前記サポートフレームは、前記メトロロジフレームに結合されており、
前記基板アクチュエータシステムは、前記基板サポートと前記ベースフレームとの間の力の供給により前記基板サポートの位置を制御する、請求項１１または１２に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１４】
第１円筒面を含む第１部分と、
第２円筒面を含む第２部分であって、前記第２円筒面の少なくとも一部が前記第１円筒面の少なくとも一部を囲む第２部分と、
前記第１円筒面と前記第２円筒面との間に供給される流体であって、前記流体が前記第２部分に対する前記第１部分の動作に制振を提供する流体と
を含む、ダンパ。
【請求項１５】
前記流体は、前記第１部分が前記第２部分に対して動いた場合、前記流体が前記第１円筒面の少なくとも一部および前記第２円筒面の少なくとも一部によって境界される空間を通って流れるように制約されている、請求項１４に記載のダンパ。
【請求項１６】
前記第２部分は第３円筒面をさらに含み、
前記第１部分は第４円筒面をさらに含み、前記第４円筒面は前記第４円筒面の少なくとも一部が前記第３円筒面の少なくとも一部を囲うように構成されており、
前記流体は、前記流体が前記第２部分に対する前記第１部分の前記動作に制振を提供するように前記第３円筒面と前記第４円筒面との間にも提供される、請求項１４または１５に記載のダンパ。
【請求項１７】
前記流体は、前記第１部分が前記第２部分に対して動いた場合、前記流体が前記第１円筒面の少なくとも一部および前記第２円筒面の少なくとも一部によって境界される空間を通り、かつ前記第３円筒面の少なくとも一部および前記第４円筒面の少なくとも一部によって境界される空間を通って流れるように制約されている、請求項１６に記載のダンパ。
【請求項１８】
前記第２円筒面および前記第３円筒面は、同軸に構成されており、それぞれ前記第２部分の一部の内側面および外側面を形成する、請求項１６または１７に記載のダンパ。
【請求項１９】
前記第１部分によって部分的に画定され、かつ前記第２部分によって部分的に画定されたチャンバであって、前記第１部分が前記第２部分に対して動いた場合、前記チャンバのサイズおよび形のうちの少なくとも１つは変化し、それによって前記流体が前記第１円筒面の少なくとも一部および前記第２円筒面の少なくとも一部によって境界される前記空間を通って押し出されるチャンバをさらに含む、請求項１５から１７のいずれかに記載のダンパ。
【請求項２０】
第２チャンバであって、（ａ）前記流体が前記第１チャンバから前記空間を通って押し出された場合、前記流体が前記第２チャンバへと入るように、かつ（ｂ）前記流体が前記空間を通って前記第１チャンバへと押し入れられた場合、前記流体が前記第２チャンバから入る第２チャンバをさらに含む、請求項１９に記載のダンパ。
【請求項２１】
前記第２チャンバは、変形可能バリアによって少なくとも部分的に画定され、前記第２チャンバの体積は前記バリアを変形させることによって変更される、請求項２０に記載のダンパ。
【請求項２２】
前記流体は液体であり、
前記第２チャンバは、ガスを含んでおり、前記ガスの体積は、前記液体が前記第２チャンバの中に入りまた外に出るにつれて変化する、請求項２０または２１に記載のダンパ。
【請求項２３】
前記第２チャンバ内の前記液体および前記ガスはダイアフラムによって分けられている、請求項２２に記載のダンパ。
【請求項２４】
サポートフレームおよび前記サポートフレームに取り付けられた少なくとも１つの光学要素を含む投影システムを用いてパターン付き放射ビームを基板上に投影することと、
アクチュエータシステムを用いて、前記投影システムの前記サポートフレームの位置に対する前記基板を支持する基板サポートの位置を制御することと、
少なくとも１つのダンパを用いて前記投影システムの前記サポートフレームに対する前記少なくとも１つの光学要素の動作を制振することと、
を含む、デバイス製造プロセス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
[0001]  本発明は、リソグラフィ装置、リソグラフィ装置における使用のための投影システムおよびダンパ、ならびにデバイスを製造する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
[0002]  リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板上または基板の一部上に付与する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、フラットパネルディスプレイ、集積回路（ＩＣ）および微細構造を含む他のデバイスの製造に用いることができる。従来の装置では、フラットパネルディスプレイ（または他のデバイス）の個々の層に対応する回路パターンを生成するために、マスクまたはレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを用いることができる。このパターンは、基板上に設けられた放射感応性材料（例えば、レジスト）の層上に結像することによって、基板（例えば、ガラスプレート）上の全部または一部に転写することができる。
【０００３】
[0003]  パターニングデバイスは、回路パターンの代わりに、例えばカラーフィルタパターンまたはドットのマトリックスなどの他のパターンを生成するためにも使用することができる。パターニングデバイスは、マスクの代わりに、個別制御可能素子アレイを含むパターニングアレイであってもよい。マスクベースのシステムと比較して、このようなシステムでは、より迅速に、かつ、より低い費用でパターンを交換することができる。
【０００４】
[0004]  フラットパネルディスプレイの基板は、形状が典型的に矩形である。このタイプの基板を露光するように設計されたリソグラフィ装置は、矩形基板の幅全体を網羅するか、または幅の一部（例えば、幅の半分）を網羅する露光領域を提供することができる。基板は露光領域下でスキャンすることができる一方、マスクまたはレチクルはビームを介して同期的にスキャンすることができる。このようにして、パターンは基板に転写される。露光領域が基板の幅全体を網羅している場合、露光は単一のスキャンで完了することができる。露光領域が、例えば基板の幅の半分を網羅している場合、基板は、最初のスキャンの後に横方向に移動することができ、基板の残部を露光するために、さらなるスキャンが典型的に行われる。
【０００５】
[0005]  一般には、産業では、さらに小さいパターンフィーチャを作り出すことができるリソグラフィ装置を提供するという継続的な流れがある。結果的に、リソグラフィプロセスの制御を向上させるために対応する継続的な流れがある。さらに、上述したように、プログラマブルパターニングデバイスを有するリソグラフィ装置を使用することが提案されている。そのようなリソグラフィデバイスは、改善された柔軟性を有しており、なぜなら基板に形成されるパターンを変更または調整することがより簡単であるからである。しかしながら、プログラマブルパターニングデバイスの使用は、リソグラフィプロセスの制御に対してより厳しい条件を課し得る。例えば、少なくとも部分的に、形成され得るプログラマブルパターニングデバイスのサイズの制約のため、プログラマブルパターニングデバイスを用いてリソグラフィ装置によって所定の瞬間で露光され得る基板上のエリアは、従来のリソグラフィ装置内の対応するエリアよりかなり小さい。結果的に、十分なスループットを有するリソグラフィ装置を提供するために、基板の各部分は、従来のリソグラフィ装置のものと比較してパルス放射源の比較的少数のパルスによって露光され得る。例えば、従来のリソグラフィ装置では、基板の各部はパルス放射源の約５０〜１００のパルスからなる露光によって露光され得るが、プログラマブルパターニングデバイスを用いたリソグラフィ装置では、基板の各部を露光させるためにパルス放射源の数パルスのみ、あるいは単一パルスだけ必要であり得る。これは、投影システム内の光学要素のより大きな位置制御の要求という結果となる。特に、投影システム内の光学要素の位置におけるエラーは、基板に投影されるパターンの位置のエラーとなる。パターンを露光するために多数の放射パルスが使用されるところでは、例えば振動によって生じる光学要素の位置のエラーは平均される。したがって、光学要素の振動は基板上に形成されるイメージのシフトを引き起こさないが、単にイメージの微妙なぼけをもたらす。反対に、パターンを基板上に形成するために単一のパルスまたは少数のパルスのみが使用された場合、例えばプログラマブルパターニングデバイスを用いたリソグラフィ装置などにおいての場合、微妙な位置エラーを平均化する十分な数のパルスがない。したがって、投影システム内の光学要素の位置におけるエラーは、基板上に形成されるイメージの変位、例えばオーバーレイエラーとなる。したがって、投影システム内の光学要素の位置決めの正確性を改善することが必要である。
【０００６】
[0006]  従来、投影システム内の光学要素の位置決めの正確性は、投影システムの囲いが妨害されても、例えば振動が投影システムに送られた場合でも、光学要素が実質的に静止状態のままであることを保証する調整質量ダンパ(tuned-mass damper)または加速度計／ジオホンフィードバックを有するサーボの供給によって改善されていた。しかしながら、そのような構成は比較的大規模であり、および／または光学要素の周りに多くの空間を要求しすぎる場合がある。さらに、そのような構成は、基板に投影されるパターン付き放射ビームの制御の十分な正確性を提供することができない場合がある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
[0007]  したがって、基板上に投影される放射ビームの制御を改善することができるシステムおよび方法が必要である。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
[0008]  一実施形態では、サポートフレームと、光学要素と、光学要素をサポートフレームに取り付けるように構成されたマウントとを含むリソグラフィ装置における使用に適した投影システムが提供される。マウントは、サポートフレームに対する光学要素の動作に制振を提供するように構成された少なくとも１つのダンパを含む。
【０００９】
[0009]  付加的にまたは代替的に、上述したような投影システムを含み、さらに基板を支持するように構成された基板サポートと、基板サポートの位置を制御するように構成された基板アクチュエータシステムとを含むリソグラフィ装置が提供される。基板アクチュエータシステムは、投影システムのサポートフレームの位置に対する基板サポートの位置を制御するように構成されている。
【００１０】
[0010]  別の実施形態では、リソグラフィ装置における使用に適したダンパが提供される。ダンパは、第１円筒面を有する第１部分および第２円筒面を有する第２部分を含む。第１部分および第２部分は、第２円筒面の少なくとも一部が第１円筒面の少なくとも一部を囲うように構成されている。ダンパは、第１円筒面と第２円筒面との間に供給され、かつ第２部分に対する第１部分の動作に制振を提供するように構成された流体さらに含む。
【００１１】
[0011]  さらなる実施形態では、以下のステップを含むデバイス製造プロセスが提供される。当該プロセスは、サポートフレームおよびサポートフレームに取り付けられた少なくとも１つの光学要素を含む投影システムを用いてパターン付き放射ビームを基板上に投影することと、アクチュエータシステムを用いて投影システムのサポートフレームの位置に対する、基板を支持するように構成された基板サポートの位置を制御することと、少なくとも１つのダンパを用いて投影システムのサポートフレームに対する少なくとも１つの光学要素の動作を制振することとを含む。
【００１２】
[0012]  本発明のさらなる実施形態、特徴および利点、ならびに本発明の様々な実施形態の構造および動作を、添付の図面を参照しながら以下で詳細に説明する。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
[0013]  本明細書に組み込まれ、本明細書の一部を形成する添付の図面は、本発明の１つ以上の実施形態を図示し、さらに、記述とともに本発明の原理を説明し、当業者が本発明を作成して使用できるように働く。
【００１４】
【図１】[0014]  図１は、リソグラフィ装置を示す。
【図２】[0015]  図２は、リソグラフィ装置を示す。
【図３】[0016]  図３は、図２の装置を用いてパターンを基板に転写するモードを示す。
【図４】[0017]  図４は、光学エンジンの構成を示す。
【図５】[0018]  図５は、リソグラフィ装置内の投影システムの構成を示す。
【図６ａ】[0019]  図６ａは、光学要素の構成を示す。
【図６ｂ】[0019]  図６ｂは、光学要素の構成を示す。
【図７】[0020]  図７は、光学要素の別の構成を示す。
【図８】[0021]  図８は、ダンパの一実施形態を示す。
【図９】[0021]  図９は、ダンパの一実施形態を示す。
【図１０】[0021]  図１０は、ダンパの一実施形態を示す。
【図１１】[0021]  図１１は、ダンパの一実施形態を示す。
【図１２】[0021]  図１２は、ダンパの一実施形態を示す。
【図１３】[0021]  図１３は、ダンパの一実施形態を示す。
【図１４】[0021]  図１４は、ダンパの一実施形態を示す。
【図１５】[0021]  図１５は、ダンパの一実施形態を示す。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
[0022]  本発明の１つ以上の実施形態を添付の図を参照して以下に説明する。図面においては、同様の参照番号は同一または機能的に類似する要素を示す。さらに、参照番号の最も左側の（１つ以上の）桁は、参照番号が最初に現れる図面を識別できる。
【００１６】
[0023]  本明細書は、本発明の特徴を組み込んだ１つ以上の実施形態を開示する。開示される(１つ以上の)実施形態は、本発明を例示するにすぎない。本発明の範囲は開示される（１つ以上の）実施形態に限定されない。本発明は添付の特許請求の範囲によって規定される。
【００１７】
[0024]  記載される（１つ以上の）実施形態、および「一実施形態」、「実施形態」、「例示的実施形態」などへの本明細書における言及は、記載される（１つ以上の）実施形態が特定の特徴、構造または特性を含むことができるが、それぞれの実施形態が必ずしも特定の特徴、構造または特性を含まないことを示す。さらに、このようなフレーズは、必ずしも同じ実施形態に言及するものではない。さらに、一実施形態に関連して特定の特徴、構造または特性について記載している場合、明示的に記載されているか、記載されていないかにかかわらず、このような特徴、構造、または特性を他の実施形態との関連で実行することが当業者の知識にあることが理解される。
【００１８】
[0025]  本発明の実施形態はハードウェア、ファームウェア、ソフトウェアまたはそれらのあらゆる組合せで実施することができる。本発明の実施形態は、１つ以上のプロセッサで読み取り、実行することができる機械読取可能媒体に記憶した命令としても実施することができる。機械読取可能媒体は、機械（例えば計算デバイス）で読取可能な形態で情報を記憶または伝送するあらゆる機構を含むことができる。例えば、機械読取可能媒体はリードオンリーメモリ（ＲＯＭ）、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、磁気ディスク記憶媒体、光記憶媒体、フラッシュメモリデバイス、電気信号、光信号、音響信号または他の形態の伝搬信号（例えば、搬送波、赤外線信号、デジタル信号等）および他のものを含むことができる。さらに、ファームウェア、ソフトウェア、ルーチン、命令を、本明細書では特定の行為を実行するものとして記述することができる。しかしながら、このような記述は便宜的なものにすぎず、このような行為は実際には計算デバイス、プロセッサ、コントローラ、またはファームウェア、ソフトウェア、ルーチン、命令などを実行する他のデバイスの結果であることを認識されたい。
【００１９】
[0026]  図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置１を概略的に示す。この装置は、照明システムＩＬ、パターニングデバイスＰＤ、基板テーブルＷＴ、および投影システムＰＳを備える。照明システム（イルミネータ）ＩＬは、放射ビームＢ（例えば、ＵＶ放射）を調整するよう構成されている。
【００２０】
[0027]  本明細書はリソグラフィに関連しているが、本発明の範囲から逸脱することなくパターン付きデバイスＰＤはディスプレイシステム（例えば、ＬＣＤテレビジョンまたはプロジェクタ）において形成されてもよいことが理解されたい。したがって、投影されるパターン付きビームを、例えば基板やディスプレイデバイス等の多数の異なるタイプの対象物に投影することができる。 
【００２１】
[0028]  基板テーブルＷＴは、基板（例えば、レジストコート基板）Ｗを支持するように構成され、かつ特定のパラメータに従って基板を正確に位置決めるように構成されたポジショナＰＷに連結されている。
【００２２】
[0029]  投影システム（例えば、屈折投影レンズシステム）ＰＳは、個別制御可能素子アレイにより変調された放射ビームを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば、１つ以上のダイを含む）上に投影するように構成されている。本明細書において使用される「投影システム」という用語は、使われている露光放射にとって、あるいは液浸液の使用または真空の使用といった他の要因にとって適切な、屈折型、反射型、反射屈折型、磁気型、電磁型、および静電型光学系、またはそれらのあらゆる組合せを含むあらゆる型の投影システムを包含していると広く解釈されるべきである。本明細書において使用される「投影レンズ」という用語はすべて、より一般的な「投影システム」という用語と同義であると考えるとよい。
【００２３】
[0030]  照明システムとしては、放射を誘導し、整形し、かつ／または制御するために、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、またはその他のタイプの光コンポーネント、あるいはそれらのあらゆる組合せなどのさまざまなタイプの光コンポーネントを含むことができる。
【００２４】
[0031]  パターニングデバイスＰＤ（例えば、レチクル、マスク、または個別制御可能素子アレイ）は、ビームを変調する。一般には、個別制御可能素子アレイの位置は投影システムＰＳに対して固定されるが、特定のパラメータに従って個別制御可能素子アレイを正確に位置決めするように構成されたポジショナに接続されていてもよい。
【００２５】
[0032]  本明細書において使用される「パターニングデバイス」または「コントラストデバイス」という用語は、基板のターゲット部分内にパターンを作り出すように、放射ビームの断面を調整するために使用できるあらゆるデバイスを指していると、広く解釈されるべきである。デバイスは、静的パターニングデバイス（例えば、マスクまたはレチクル）であってもよいし、動的パターニングデバイス（例えば、プログラマブル素子アレイ）であってもよい。簡潔さのために、説明の大部分は動的パターニングデバイスに関するが、本発明の範囲から逸脱することなく静的パターニングデバイスを使用することも可能であることが理解されたい。
【００２６】
[0033]   なお、留意すべき点として、放射ビームに付与されたパターンは、例えば、そのパターンが位相シフトフィーチャまたはいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板のターゲット部分内の所望のパターンに正確に一致することができない。同様に、基板上に最終的に生成されるパターンは、個別制御可能素子アレイ上にあらゆる瞬間に形成されるパターンに一致することができない。これは、基板の各部分上に形成された最終的なパターンが所与の期間または所与の回数の露光にわたって蓄積される構成の場合である可能性があり、その間に個別制御可能素子アレイ上のパターンおよび／または基板の相対位置が変化する。
【００２７】
[0034]  通常、基板のターゲット部分上に作り出されるパターンは、集積回路またはフラットパネルディスプレイなどのターゲット部分内に作り出されるデバイス内の特定の機能層（例えば、フラットパネルディスプレイ内のカラーフィルタ層、またはフラットパネルディスプレイ内の薄膜トランジスタ層）に対応することになる。このようなパターニングデバイスの例としては、レチクル、プログラマブルミラーアレイ、レーザダイオードアレイ、発光ダイオードアレイ、グレーティングライトバルブ、およびＬＣＤアレイが挙げられる。
【００２８】
[0035]  電子的手段（例えばコンピュータ）を用いてパターンをプログラム可能であるパターニングデバイス、例えば、複数のプログラマブル素子を含むパターニングデバイス（例えば、先行する文章で述べられたレチクル以外の全てのデバイス）は、本明細書中に「コントラストデバイス」と総称する。パターニングデバイスは、少なくとも１０個、少なくとも１００個、少なくとも１，０００個、少なくとも１０，０００個、少なくとも１００，０００個、少なくとも１，０００，０００個、または少なくとも１０，０００，０００個のプログラマブル素子を備える。
【００２９】
[0036]  プログラマブルミラーアレイは、粘弾性制御層および反射面を有するマトリックス−アドレス可能表面を含んでもよい。そのような装置にある基本原理は、反射面のアドレス指定されたエリアは入射光を回折光として反射する一方、アドレス指定されていないエリアは入射光を非回折光として反射するというものである。適当な空間フィルタを用いることにより、反射ビームから非回折光をフィルタして回折光だけを基板に到達させることができる。このようにして、ビームはマトリックス−アドレス可能表面のアドレス指定パターンに従ってパターン付けされる。
【００３０】
[0037]  代替例として、フィルタは、回折光をフィルタして非回折光だけを基板に到達させてもよいことが理解されたい。
【００３１】
[0038]  回折光学ＭＥＭＳデバイス（微小電気機械システムデバイス）アレイを同様に用いることもできる。一例では、回折光学ＭＥＭＳデバイスは、入射光を回折光として反射する格子を形成するようにお互いに対して変形し得る複数の反射リボンからなる。
【００３２】
[0039]  プログラマブルミラーアレイのさらなる代替例では、小型ミラーのマトリックス配列が用いられており、各小型ミラーは、適切な局部的電界を付与することにより、または圧電駆動手段を採用することにより、個別に傾斜させることができる。繰り返しになるが、ミラーは、アドレス指定されたミラーがアドレス指定されていないミラーとは異なる方向に入射放射ビームを反射するようにマトリックス−アドレス可能である。このようにして、反射ビームは、マトリックス−アドレス可能ミラーのアドレス指定パターンに従ってパターン付けされてもよい。必要とされるマトリックスアドレス指定は、適切な電子的手段を用いて実行することができる。
【００３３】
[0040]  ＰＤの別の例は、プログラマブルＬＣＤアレイである。
【００３４】
[0041]  リソグラフィ装置は１つ以上のコントラストデバイスを含んでもよい。例えば、リソグラフィ装置は、複数の個別制御可能素子アレイを有し、各々が互いに独立して制御される。そのような構成では、個別制御可能素子アレイの一部または全てが、共通の照明システム（または照明システムの一部）、個別制御可能素子アレイに対する共通のサポート構造、および／または共通の投影システム（または投影システムの一部）のうちの少なくとも１つを有していてもよい。
【００３５】
[0042]  図１に示される実施形態などの一例では、基板Ｗはほぼ円形状であり、その周縁部の一部に沿ってノッチおよび／または平坦エッジを任意に有していてもよい。別の例では、基板は、例えば長方形などの多角形である。
【００３６】
[0043]  基板がほぼ円形状である例としては、基板の直径が少なくとも２５ｍｍ、少なくとも５０ｍｍ、少なくとも７５ｍｍ、少なくとも１００ｍｍ、少なくとも１２５ｍｍ、少なくとも１５０ｍｍ、少なくとも１７５ｍｍ、少なくとも２００ｍｍ、少なくとも２５０ｍｍ、または少なくとも３００ｍｍのものが挙げられる。あるいは、基板の直径は長くても５００ｍｍ、長くても４００ｍｍ、長くても３５０ｍｍ、長くても３００ｍｍ、長くても２５０ｍｍ、長くても２００ｍｍ、長くても１５０ｍｍ、長くても１００ｍｍ、または長くても７５ｍｍである。
【００３７】
[0044]  基板が例えば長方形などの多角形である例としては、基板の少なくとも１辺の長さ、少なくとも２辺の長さまたは少なくとも３辺の長さが、少なくとも５ｃｍ、少なくとも２５ｃｍ、少なくとも５０ｃｍ、少なくとも１００ｃｍ、少なくとも１５０ｃｍ、少なくとも２００ｃｍ、または少なくとも２５０ｃｍであるものが挙げられる。
【００３８】
[0045]  基板の少なくとも１辺の長さは、長くても１０００ｃｍ、長くても７５０ｃｍ、長くても５００ｃｍ、長くても３５０ｃｍ、長くても２５０ｃｍ、長くても１５０ｃｍ、または長くても７５ｃｍである。
【００３９】
[0046]  一例では、基板Ｗはウェーハであり、例えば半導体ウェーハである。ウェーハ材料は、Ｓｉ、ＳｉＧｅ、ＳｉＧｅＣ、ＳｉＣ、Ｇｅ、ＧａＡｓ、ＩｎＰおよびＩｎＡｓからなる群から選択されてもよい。ウェーハは、ＩＩＩ／Ｖ化合物半導体ウェーハ、シリコンウェーハ、セラミック基板、ガラス基板、またはプラスチック基板であってもよい。基板は透明であってもよいし（人間の裸眼に対して）、有色であってもよいし、無色であってもよい。
【００４０】
[0047]  基板の厚さは様々であってもよく、基板材料および／または基板寸法にある程度依存してもよい。厚さは、少なくとも５０μｍ、少なくとも１００μｍ、少なくとも２００μｍ、少なくとも３００μｍ、少なくとも４００μｍ、少なくとも５００μｍ、または少なくとも６００μｍであってもよい。また、基板の厚さは、厚くても５０００μｍ、厚くても３５００μｍ、厚くても２５００μｍ、厚くても１７５０μｍ、厚くても１２５０μｍ、厚くても１０００μｍ、厚くても８００μｍ、厚くても６００μｍ、厚くても５００μｍ、厚くても４００μｍ、または厚くても３００μｍであってもよい。
【００４１】
[0048]  本明細書に記載した基板は、露光の前後を問わず、例えば、トラック（通常、基板にレジスト層を塗布し、かつ露光されたレジストを現像するツール）、メトロロジーツール、および／またはインスペクションツールで処理されてもよい。一例では、基板上にレジスト層が設けられる。
【００４２】
[0049]  投影システムは、個別制御可能素子アレイにおけるパターンが基板上にコヒーレントに形成されるように当該パターンを結像できる。あるいは、投影システムは、個別制御可能素子アレイの素子がシャッタとして働く二次光源を結像できる。この点において、投影システムは、二次光源を形成して基板上にスポットを結像するために、例えばマイクロレンズアレイ（ＭＬＡとして知られている）またはフレネルレンズアレイなどのフォーカス素子アレイを含んでもよい。フォーカス素子アレイ（例えばＭＬＡ）は少なくとも１０個、少なくとも１００個、少なくとも１，０００個、少なくとも１０，０００個、少なくとも１００，０００個、または少なくとも１，０００，０００個のフォーカス素子を含む。
【００４３】
[0050]  パターニングデバイスにおける個別制御可能素子の数は、フォーカス素子アレイにおけるフォーカス素子の数と等しいか、またはそれより多い。フォーカス素子アレイにおける１つ以上（例えば、１０００個以上、大部分または各々の）のフォーカス素子は、個別制御可能素子アレイにおける１つ以上の個別制御可能素子、または個別制御可能素子アレイにおける２個以上、３個以上、５個以上、１０個以上、２０個以上、２５個以上、３５個以上、または５０個以上の個別制御可能素子に光学的に関連していてもよい。
【００４４】
[0051]  ＭＬＡは、少なくとも基板に向かう方向および遠ざかる方向に（例えば１つ以上のアクチュエータを用いて）移動可能であってもよい。基板に向かう方向および遠ざかる方向にＭＬＡを移動させることができることは、例えば基板を動かすことなく焦点合わせをすることを可能にする。
【００４５】
[0052]  本明細書中図１および図２に示されているとおり、リソグラフィ装置は、反射型のもの（例えば、個別制御可能素子の反射アレイを採用しているもの）である。また、リソグラフィ装置は、透過型のもの（例えば、個別制御可能素子の透過アレイを採用しているもの）であってもよい。
【００４６】
[0053]  リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）以上の基板テーブルを有する型のものであってもよい。そのような「マルチステージ」機械においては、追加のテーブルは並行して使うことができ、または予備工程を１つ以上のテーブル上で実行しつつ、別の１つ以上のテーブルを露光用に使うこともできる。
【００４７】
[0054]  また、リソグラフィ装置は、投影システムと基板との間の空間を満たすように、比較的高屈折率を有する「液浸液」（例えば水）によって基板の少なくとも一部を覆うことができるタイプのものであってもよい。また、リソグラフィ装置内の別の空間（例えば、パターニングデバイスと投影システムとの間）に液浸液を加えてもよい。浸漬技術は、投影システムの開口数を増加させることで当技術分野において周知である。本明細書において使用される「液浸」という用語は、基板のような構造物を液体内に沈めなければならないという意味ではなく、単に、露光中、投影システムと基板との間に液体があるということを意味するものである。
【００４８】
[0055]  図１を再び参照すると、イルミネータＩＬは、放射源ＳＯから放射ビームを受ける。放射源は、少なくとも５ｎｍ、少なくとも１０ｎｍ、少なくとも１１〜１３ｎｍ、少なくとも５０ｎｍ、少なくとも１００ｎｍ、少なくとも１５０ｎｍ、少なくとも１７５ｎｍ、少なくとも２００ｎｍ、少なくとも２５０ｎｍ、少なくとも２７５ｎｍ、少なくとも３００ｎｍ、少なくとも３２５ｎｍ、少なくとも３５０ｎｍまたは少なくとも３６０ｎｍの波長を有する放射を提供する。また、放射源ＳＯによって提供される放射は、長くても４５０ｎｍ、長くても４２５ｎｍ、長くても３７５ｎｍ、長くても３６０ｎｍ、長くても３２５ｎｍ、長くても２７５ｎｍ、長くても２５０ｎｍ、長くても２２５ｎｍ、長くても２００ｎｍまたは長くても１７５ｎｍの波長を有する。放射は、４３６ｎｍ、４０５ｎｍ、３６５ｎｍ、３５５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍおよび／または１２６ｎｍを含む波長を有してもよい。
【００４９】
[0056]  例えば、放射源がエキシマレーザである場合、放射源とリソグラフィ装置は、別個の構成要素であってもよい。そのような場合には、放射源は、リソグラフィ装置の一部を形成しているとはみなされず、また放射ビームは、放射源ＳＯからイルミネータＩＬへ、例えば、適切な誘導ミラーおよび／またはビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムＢＤを使って送られる。その他の場合においては、例えば、放射源が水銀ランプである場合、放射源は、リソグラフィ装置の一体部分とすることもできる。放射源ＳＯおよびイルミネータＩＬは、必要ならばビームデリバリシステムＢＤとともに、放射システムと呼んでもよい。
【００５０】
[0057]  イルミネータＩＬは、放射ビームの角強度分布を調節するアジャスタＡＤを含むことができる。一般に、イルミネータの瞳面内の強度分布の少なくとも外側および／または内側半径範囲（通常、それぞれσ-outerおよびσ-innerと呼ばれる）を調節することができる。さらに、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮおよびコンデンサＣＯといったさまざまな他のコンポーネントを含むことができる。イルミネータを使って放射ビームを調整すれば、放射ビームの断面に所望の均一性および強度分布をもたせることができる。イルミネータＩＬまたはそれに関連する付加的な構成要素は、放射ビームを複数のサブビームに分けるように構成されてもよく、例えば、各サブビームは、個別制御可能素子アレイのうちの１つまたは複数の個別制御可能素子と関連してもよい。二次元回折格子は、例えば放射ビームをサブビームに分けるために使用される。本記載では、「放射のビーム」および「放射ビーム」という用語は、ビームが複数のそのような放射サブビームからなる状態を含むが、それに限定されない。
【００５１】
[0058]  放射ビームＢは、パターニングデバイスＰＤ（例えば、個別制御可能素子アレイ）上に入射して、パターニングデバイスによって調整される。パターニングデバイスＰＤによって反射された後、放射ビームＢは投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上にビームの焦点をあわせる。ポジショナＰＷおよび位置センサＩＦ２（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、または静電容量センサなど）を使って、例えば、さまざまなターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路内に位置決めるように、基板テーブルＷＴを正確に動かすことができる。使用されるところでは、個別制御可能素子アレイのための位置決め手段を使い、例えば、スキャン中に、パターニングデバイスＰＤを放射ビームＢの経路に対して正確に位置決めることもできる。
【００５２】
[0059]  一例では、基板テーブルＷＴの移動は、図１には明示的に示されていないロングストロークモジュール（粗動位置決め）およびショートストロークモジュール（微動位置決め）を使って達成することができる。別の例では、ショートストロークステージがない場合もある。同様のシステムが個別制御可能素子アレイを位置決めするために使用されてもよい。ビームＢが代替的／付加的に移動可能である一方、オブジェクトテーブルおよび／または個別制御可能素子アレイは所要の相対運動を提供するために固定された位置にあってもよいことが理解されたい。そのような構成は、装置のサイズを限定することに役立つことができる。例えばフラットパネルディスプレイの製造に適用可能である更なる代替例としては、基板テーブルＷＴおよび投影システムＰＳの位置は固定されてもよく、基板Ｗは基板テーブルＷＴに対して移動されるように構成されてもよい。例えば、基板テーブルＷＴには、実質的に一定の速度で基板テーブルＷＴにわたって基板Ｗをスキャンするためのシステムが設けられてもよい。
【００５３】
[0060]  図１に示すように、放射ビームＢは、放射がビームスプリッタによって最初に反射され、パターニングデバイスＰＤに誘導されるように構成されたビームスプリッタＢＳによりパターニングデバイスＰＤに誘導することができる。放射ビームＢはまた、ビームスプリッタを使用することなく、パターニングデバイスに誘導することができることを理解すべきである。放射ビームは、０から９０°、５から８５°、１５から７５°、２５から６５°、または３５から５５°の間の角度（図１に示す実施形態では、９０°の角度である）でパターニングデバイスに誘導することができる。パターニングデバイスＰＤは、放射ビームＢを変調し、投影システムＰＳに変調したビームを伝達するビームスプリッタＢＳまで反射させて戻す。しかしながら、代替配置を使用して、放射ビームＢをパターニングデバイスＰＤまで誘導し、その後、投影システムＰＳまで誘導することができることが理解されるであろう。特に、図１に示すような配置は、透過パターニングデバイスが使用される場合には必要ない。
【００５４】
[0061]  例示の装置は、いくつかのモードで使用できる。
【００５５】
[0062]  １．ステップモードにおいては、個別制御可能素子アレイおよび基板を基本的に静止状態に保ちつつ、放射ビームに付けられたパターン全体を一度にターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一静的露光）。その後、基板テーブルＷＴは、Ｘおよび／またはＹ方向に移動され、それによって別のターゲット部分Ｃを露光することができる。ステップモードにおいては、露光フィールドの最大サイズによって、単一静的露光時に結像されるターゲット部分Ｃのサイズが限定される。
【００５６】
[0063]  ２．スキャンモードにおいては、個別制御可能素子アレイおよび基板を同期的にスキャンする一方で、放射ビームに付けられたパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一動的露光）。個別制御可能素子アレイに対する基板の速度および方向は、投影システムＰＳの（縮小）拡大率および像反転特性によって決めることができる。スキャンモードにおいては、露光フィールドの最大サイズによって、単一動的露光時のターゲット部分の幅（非スキャン方向）が限定される一方、スキャン動作の長さによって、ターゲット部分の高さ（スキャン方向）が決まる。
【００５７】
[0064]  ３．パルスモードにおいては、個別制御可能素子アレイを基本的に静止状態に保ち、パターン全体がパルス放射源を使用して基板Ｗのターゲット部分Ｃの上に投影される。基板テーブルＷＴは、ビームＢが基板Ｗにわたる線をスキャンするように基本的に一定の速度で移動する。個別制御可能素子アレイ上のパターンは必要に応じて、放射システムのパルス間で更新され、パルスは連続ターゲット部分Ｃが基板Ｗ上の所要の位置で露光されるようにタイミング調整される。したがって、ビームＢは、基板のストリップに対して完全なパターンを露光するように、基板Ｗにわたってスキャンすることができる。このプロセスは、完全な基板Ｗが線ごとに露光されるまで繰り返される。
【００５８】
[0065]  ４．連続スキャンモードは、基板Ｗがほぼ一定の速度で変調した放射ビームＢに対してスキャンされ、かつ個別制御可能素子アレイ上のパターンがビームＢが基板Ｗにわたってスキャンして基板Ｗを露光させるときに更新されることを除いて、パルスモードと基本的に同じである。個別制御可能素子アレイ上のパターンの更新に同期された、ほぼ一定の放射源またはパルス放射源を使用することができる。
【００５９】
[0066]  ５．図２のリソグラフィ装置を使用して行うことができるピクセルグリッドイメージングモードでは、基板Ｗ上に形成されるパターンは、パターニングデバイスＰＤ上に誘導されるスポット発生器によって形成されるスポットのその後の露光によって実現される。露光したスポットは、ほぼ同じ形状を有する。基板Ｗ上に、スポットは実質的にグリッド状にプリントされる。一例では、スポットのサイズはプリントしたピクセルグリッドのピッチより大きいが、露光スポットグリッドよりはるかに小さい。プリントされたスポットの強度を変えることによって、パターンが実現される。露光フラッシュの間に、スポット間の強度分布が変更される。
【００６０】
[0067]  上述の使用モードの組合せおよび／またはバリエーション、あるいは完全に異なる使用モードもまた採用可能である。
【００６１】
[0068]  リソグラフィでは、パターンが基板上のレジスト層上に露光される。次いでレジストは現像される。その後、追加の処理ステップが基板上で行われる。基板の各部分へのこれらの後続の処理ステップの効果は、レジストの露光による。特に、プロセスは、所与の閾値線量以上の放射線量を受ける基板の部分が閾値線量以下の放射線量を受ける基板の部分と異なって反応するように調整される。例えば、エッチングプロセスでは、閾値以上の放射線量を受ける基板のエリアは、現像レジスト層によってエッチングから保護されている。しかしながら、ポスト露光現像では、閾値以下の放射線量を受けるレジストの部分が取り除かれ、それによってそのエリアはエッチングから保護されない。したがって、所望のパターンをエッチングすることができる。特に、パターニングデバイス内の個別制御可能素子は、パターンフィーチャ内の基板上のエリアに伝達される放射が、エリアが露光中に閾値線量以上の放射線量を受けるのに十分高い強度であるように設定される。基板上の残りのエリアは、ゼロまたはかなり低い放射強度を与えるように、対応する個別制御可能素子を設定することによって、閾値線量以下の放射線量を受ける。 
【００６２】
[0069]  実際、個別制御可能素子が、フィーチャ境界の一方側で最大放射強度を、もう一方側で最小放射強度を与えるように設定された場合でさえも、パターンフィーチャの縁部での放射線量は、所与の最大線量からゼロ線量まで急に変化しない。代わりに、回折効果により、放射線量のレベルは遷移区域にわたって低下する。現像レジストによって最終的に形成されるパターンフィーチャの境界の位置は、受けた線量が放射の閾値線量以下に低下する位置によって決まる。遷移区域にわたる放射線量の低下のプロファイル、したがってパターンフィーチャ境界の正確な位置は、放射を提供する個別制御可能素子をパターンフィーチャ境界に、またはその近くにある基板上の点に設定することによって、より正確に制御することができる。これらは、最大または最小強度レベルに対するだけでなく、最大強度レベルと最小強度レベルの間の強度レベルにも対するものである。これを一般には、「グレイスケーリング」と呼ぶ。
【００６３】
[0070]  グレイスケーリングは、所与の個別制御可能素子によって基板に与えられる放射強度を２つの値（例えば、最大値および最小値だけ）に設定することしかできない、リソグラフィシステムで可能であるのより、パターンフィーチャ境界の位置のより大きな制御を提供する。少なくとも３つ、少なくとも４つの放射強度値、少なくとも８つの放射強度値、少なくとも１６の放射強度値、少なくとも３２の放射強度値、少なくとも６４の放射強度値、少なくとも１２８の放射強度値、または少なくとも２５６の放射強度値を基板上に投影することができる。
【００６４】
[0071]  グレイスケーリングは、上記で記載したものに対する追加または代替の目的で使用することができることが理解されたい。例えば、露光後の基板の処理は、受けた放射線量レベルによって、基板の領域の２つより多い潜在的な反応があるように調整することができる。例えば、第１の閾値より低い放射線量を受ける基板の部分は、第１の方法で反応し、第１の閾値より上であるが第２の閾値より低い放射線量を受ける基板の部分は第２の方法で反応し、第２の閾値より高い放射線量を受ける基板の部分は第３の方法で反応する。したがって、グレイスケーリングを使用して、２つより多い所望の線量レベルを有する基板にわたる放射線量プロファイルを提供することができる。放射線量プロファイルは、少なくとも２つの所望の線量レベル、少なくとも３つの所望の放射線量レベル、少なくとも４つの所望の放射線量レベル、少なくとも６つの所望の放射線量レベル、または少なくとも８つの所望の放射線量レベルを有することができる。
【００６５】
[0072]  放射線量プロファイルは、上記で記載したように、基板上の各点で受けられる放射の強度を単に制御すること以外の方法によって制御することができるということが、さらに理解されたい。例えば、基板上の各点によって受けられる放射線量は、代替的にまたは付加的に、点の露光の持続時間を制御することによって制御することができる。更なる例として、基板上の各点は潜在的に、複数の連続露光において放射を受けることができる。各点によって受けられる放射線量はしたがって、代替的にまたは付加的に、複数の連続露光の選択したサブセットを使用して点を露光することによって制御することができる。
【００６６】
[0073]  図２は、例えばフラットパネルディスプレイの製造において使用することができる、本発明による装置の構成を示す。図１に示すものに対応する構成要素は、同じ参照番号で示されている。また、様々な実施形態の上記説明、例えば基板、コントラストデバイス、ＭＬＡ、放射ビームなどの様々な構成も適用可能のままである。
【００６７】
[0074]  図２に示すように、投影システムＰＳは、２つのレンズＬ１およびＬ２を備えるビームエキスパンダを含む。第１レンズＬ１は、変調放射ビームＢを受け、これを開口絞りＡＳ内の開口を通して合焦させるように構成されている。更なるレンズＡＬは、開口内に配置することができる。放射ビームＢは次いで、発散し、第２レンズＬ２（例えば、フィールドレンズ）によって合焦される。
【００６８】
[0075]  投影システムＰＳはさらに、拡張した変調放射Ｂを受けるように構成されたレンズアレイＭＬＡを含む。パターニングデバイスＰＤ内の個別制御可能素子の１つ以上に対応する変調放射ビームＢの異なる部分が、レンズアレイＭＬＡ内のそれぞれ異なるレンズＭＬを通過する。各レンズは、変調放射ビームＢのそれぞれの部分を、基板Ｗ上にある点に合焦させる。このようにして、放射スポットＳのアレイは基板Ｗ上に露光される。図示したレンズアレイ１４のうち８つのレンズだけが示されているが、レンズアレイは数千ものレンズを含むことができることが理解されるであろう（パターニングデバイスＰＤとして使用される個別制御可能素子アレイも同様である）。
【００６９】
[0076]  図３は、本発明の一実施形態による、図２のシステムを用いて基板Ｗ上にどのようにパターンが生成されるのかを概略的に示す。図中の黒丸は、投影システムＰＳのレンズアレイＭＬＡによって基板Ｗに投影されるスポットＳのアレイを表す。基板Ｗは、一連の露光が基板Ｗ上で露光されるにつれて投影システムＰＳに対してＹ方向に移動される。白丸は、基板Ｗ上で既に露光されているスポット露光ＳＥを表す。図示のように、投影システムＰＳ内のレンズアレイによって基板に投影される各スポットは基板Ｗ上にスポット露光の列Ｒを露光する。各々のスポットＳにより露光されるスポット露光ＳＥの全ての列Ｒの合計により、基板にパターンが完全に生成される。上記のようにこのような構成は一般に「ピクセルグリッドイメージング」と呼ぶ。
【００７０】
[0077]  放射スポットＳのアレイが基板Ｗに対して角度θで配置されていることが分かる（基板の端部はＸ方向およびＹ方向に平行である）。これは、基板がスキャン方向（Ｙ方向）に移動されるときに、各放射スポットが基板の異なる領域を通過するようにするためである。これにより、放射スポット１５のアレイにより基板全体がカバーされることになる。角度θは、最大で２０°、最大で１０°、最大で５°、最大で３°、最大で１°、最大で０．５°、最大で０．２５°、最大で０．１０°、最大で０．０５°、または最大で０．０１°である。あるいは、角度θは最小で０．００１°である
【００７１】
[0078]  図４は、本発明の一実施形態により、どのようにしてフラットパネルディスプレイの基板Ｗ全体を複数の光学エンジンを用いて単一のスキャンで露光することができるのかを概略的に示す。この例では、放射スポットＳの８つのアレイＳＡが８つの光学エンジン（図示せず）により形成される。この光学エンジンは「チェス盤」の構成で２つの列Ｒ１およびＲ２に配置されている。放射スポット（例えば図３のスポットＳ）のアレイの端部が隣接の放射スポットアレイの端部に（スキャン方向Ｙにおいて）少し重なるように形成される。一例において、光学エンジンは少なくとも３列、例えば４列または５列で構成される。このようにして、放射帯域が基板Ｗの幅にわたって延び、単一のスキャンで基板全体の露光が可能となる。任意の数の光学エンジンを用いることができることが理解されるであろう。一例では、光学エンジンの数は少なくとも１個、少なくとも２個、少なくとも４個、少なくとも８個、少なくとも１０個、少なくとも１２個、少なくとも１４個、または少なくとも１７個である。あるいは、光学エンジンの数は４０個未満、３０個未満または２０個未満である。
【００７２】
[0079]  各光学エンジンは、上記のような、別個の照明システムＩＬ、パターニングデバイスＰＤ、および投影システムＰＳを備えることができる。しかしながら、２個以上の光学エンジンが照明システム、パターニングデバイス、および投影システムのうちの１つ以上の少なくとも一部を共有することもできる。
【００７３】
実施形態１
[0080]  図５は、パターン付き放射ビーム１１を基板１２上へと投影するように構成された投影システム１０の構成を示す。基板１２は、基板サポート１３上に取り付けられており、この基板サポート１３を、基板１２の位置を調整するために基板アクチュエータシステム１４によって動かすことができる。示されるように、リソグラフィ装置は、リソグラフィ装置の構成要素を支持するベースフレーム１５を含んでもよく、基板アクチュエータシステム１４は、特に、基板アクチュエータシステム１４によって生成される反力がリソグラフィ装置内の他の構成要素に影響を与える妨害を作り出さないように、ベースフレーム１５と基板サポート１３との間に力を与えるように構成されてもよい。
【００７４】
[0081]  リソグラフィ装置の位置感応性の構成要素が、リソグラフィ装置の外の振動または、例えば基板アクチュエータシステム１４によってベースフレーム１５に加えられる反力によって作り出される振動によって妨害されないことを確実にするために、リソグラフィ装置は動的絶縁体１７によってベースフレーム１５に取り付けられる基準フレーム１６を含んでもよい。例えば、動的絶縁体は、ベースフレーム１５から基準フレーム１６へのあらゆる振動の移動を最小にする、エアマウントなどの非常に低い剛性(stiffness)サポートであってもよい。したがって、位置感応性の構成要素は、基準フレーム１６に直接的または間接的に取り付けられてもよい。例えば、図５に示すように、投影システム１０は、サポート１８によって基準フレーム１６に取り付けられてもよい。必要であれば、投影システム１０へのあらゆる振動の移動をさらに最小にするためにサポート１８は低剛性サポートであってもよく、および／または、サポート１８は、投影システム１０の位置を調整するために使用することができるアクチュエータシステムを含んでもよい。
【００７５】
[0082]  リソグラフィ装置は、投影システム１０に対する基板サポート１３の位置を測定することができる測定システム２０をさらに含む。測定システム２０が相対位置を直接測定できることが理解されたい。あるいは、測定システム２０は、投影システム１０に対する基板サポート１３の変位を測定し、既知の初期相対位置およびその後の変位から投影システム１０に対する基板サポート１３の位置を決定することできる。
【００７６】
[0083]  示されるように、測定システム２０は、マウント２１を用いて基準フレーム１６に取り付けられてもよい。しかしながら、測定システムの一部または全ては、投影システム１０および基板サポート１３のうちの１つまたはその両方に取り付けられてもよい。
【００７７】
[0084]  基板アクチュエータシステム１４は、測定システム２０によって決定された投影システム１０に対する基板サポート１３の位置に応じて基板サポート１３の位置を制御するように構成されたコントローラ２２を含んでもよい。したがって、基板サポート１３の移動は投影システム１０に対して所望の方法で制御することができる。
【００７８】
[0085]  基板１２は、基板サポート１３に対する基板１２の位置が分かるように基板サポート１３上に位置決めされてもよい。代替的または付加的に、基板１２が一度基板サポート１３に取り付けられると、基板サポート１３に対する基板１２の位置をより正確に決定するために当該基板１２を検査し得る。したがって、基板サポート１３に対する基板１２の位置が一度分かると、投影システム１０に対する基板サポート１３の移動は、投影システム１０に対する基板の正確な制御を提供する。これは、アクチュエータシステム１４および測定システム２０が十分に反応性があるとすると、リソグラフィ装置の残部に対する投影システム１０の位置エラー（例えば妨害によって生じ得るエラー）を補償することが可能であり、基板１２上に投影されるパターン付き放射ビームの制御の正確性の向上を可能にするため、有益である。例えば、これは、投影システムの光軸と平行方向である基板１２に対する投影システム１０の動きによって生じるオーバーレイエラーまたはフォーカスエラーの減少という結果となる。
【００７９】
[0086]  第１実施形態による構成によって、以前に考慮された投影システムのように慣性基準フレームに対する投影システムの光学要素の動きを最小にする必要性がなくなる。したがって、調整質量ダンパまたは加速度計／ジオホンフィードバックを有するサーボの使用はもはや必要ではない。前者の除去は投影システムの質量の減少という結果となり、後者の除去は投影システムを簡略化し得る。さらに、後者に必要であるアクティブ構成要素を除去することによって、熱を放散させる要求は減少される。
【００８０】
[0087]  しかしながら、第１実施形態による構成においては、投影システム１０の光学要素３０，３２，３４，３６および３８の各々が投影システムの残部に対して固定位置にあることを確実にすることが必要である。したがって、投影システム１０には、非常に高い剛性を有するように構成されたサポートフレーム２５が設けられる。投影システム１０は、サポートフレーム２５を用いて基準フレーム１６に取り付けられる。さらに、測定システム２０は、サポートフレーム２５の一部に対する基板サポート１３の位置を決定する。投影システム１０の光学要素３０，３２，３４，３６および３８は、それぞれマウント３１，３３，３５，３７および３９を用いて順にサポートフレーム２５に取り付けられる。
【００８１】
[0088]  一例では、基板１２へのパターン付き放射ビーム１１の投影の最適制御を確実にするために、光学要素３０，３２，３４,３６および３８は、サポートフレーム２５に対するそれぞれの動きを最小にするような方法で取り付けられなければならない。しかしながら、そのような動きを防ぐために、単に光学要素３０，３２，３４，３６および３８を十分な剛性を有する固定マウントを用いてサポートフレーム２５に取り付けることは可能でない場合がある。これは、所要の剛性を有するマウントを設けるために投影システム１０内の光学要素３０，３２，３４，３６および３８の周りの体積が不十分であり得るからである。さらに、投影システム１０内の光学要素３０，３２，３４，３６および３８の位置がリソグラフィ装置内のエラーを補償するために調整可能であることが必要であり得る。
【００８２】
[0089]  したがって、マウント３１，３３，３５，３７および３９のうちの１つ以上は、サポートフレーム２５に対する光学要素の動作の制振を提供する少なくとも１つのダンパを含む。光学要素とサポートフレーム２５との間に、例えば振動によって生じる速い相対運動を抵抗する動的剛性を足すことにより、相対運動の振幅は減少される。したがって、サポートフレーム２５に対する光学要素３０，３２，３４，３６および３８の位置の制御は改善され、結果的に、基板１２に対するパターン付き放射ビーム１１の制御は改善される。
【００８３】
[0090]  光学要素の非常に正確な相対位置決めに対して構成される構造は、多くの場合非常に小さな振動制振を示す。臨界制振の約１％未満、すなわち自由振動が生じることを防ぐためにちょうど十分である所要の制振レベルは、多くの場合臨界振動モード、例えばシステムに対して最大の影響を有する振動モードにおいて達成される。サポートフレーム２５に対する光学要素３０，３２，３４,３６および３８の動作のより高い制振は、フレームの動作に対する光学要素の動作の一致を改善し得る。特に、臨界制振の約１０％より上では、光学要素３０，３２，３４，３６および３８の動作と投影システム１０のサポートフレーム２５の動作との一致に対して良い成果が達成されることが動的分析から分かる。しかしながら、臨界制振の約３０％より上の制振は、動力をさらに大幅に改善しない。したがって、制振は臨界制振の約１０％と約３０％との間であることが望ましくあり得る。
【００８４】
[0091]  投影システムでは、１つまたはいくつかの光学要素だけ、例えばより感度の高い構成要素だけに制振を提供することが十分であり得ることが理解されたい。投影システム１０内の他の光学要素に対しては、単に高剛性マウントを使用することが十分であり得る。さらに、性能が最も敏感である動作の方向において感度の高い構成要素の制振を提供することが十分であり得ることも理解されたい。光学要素の動作を制振するために単一のダンパが設けられてもよいことも理解されたい。あるいは、２つ以上のダンパからなるシステムが各光学要素に設けられてもよい。
【００８５】
実施形態２
[0092]  図６ａおよび図６ｂは、それぞれ光学要素のためのマウントの断面図および平面図を示す。このようなマウントは、上記の第１実施形態とともに用いられてもよい。
【００８６】
[0093]  示されるように、光学要素５０は、光学要素５０を支持する内側マウント５１によって保持され、かつ内側マウント５１に固定される。内側マウント５１は、第１制振リング５２および第２制振リング５３を含む外側マウントに接続される。外側マウントは、例えば、第２制振リング５２を用いて投影システムのサポートフレームに接続されてもよい。
【００８７】
[0094]  第１制振リング５２は、第２制振リング５３から環状突起５５を収容するように構成された環状スロット５４を含む。第２制振リング５３の環状突起５５と第１制振リングの環状スロット５４との間に小さなギャップ５６が設けられる。ギャップ５６は粘性液などの流体によって満たされてもよい。第２制振リング５３が第１制振リング５２に対して移動する場合、粘性液はギャップ５６を通って流れ、これに対する抵抗力が第１制振リング５２に対する第２制振リング５３の動きに制振を提供する。このような制振は、スクイーズフィルム制振(squeeze-film damping)としてよく知られている。第１制振リング５２に対する第２制振リング５３の動きを制振することによって、光学要素５０が取り付けられる構成要素、例えば投影システムのサポートフレームに対する光学要素５０の動きも制振される。
【００８８】
[0095]  マウントから制振流体が出ることを防ぐために、第２制振リング５３から第１制振リング５２の離隔距離は、第１制振リング５２の環状スロット５４と第２制振リング５３の環状突起５３との間のギャップ５６を除いて、最小限にされてよい。さらに、受け穴５７は、環状スロット５４の両側に第１制振リング５２上に設けられてもよく、漏れ出るあらゆる制振流体を集める。
【００８９】
[0096]  図６ａおよび図６ｂに図示されていないが、第２制振リング５３に対する、例えば光学要素５０が取り付けられる構成要素に対する光学要素５０の位置を調整するためにアクチュエータシステムが設けられてもよい。
【００９０】
[0097]  第１制振リング５２の環状スロット５４と第２制振リング５３の環状突起５５との間の制振ギャップ５６のサイズは光学要素５０の動きの到達可能範囲を決定することが理解されるであろう。さらに、制振ギャップ５６が増大するにつれて、制振は減少する。しかしながら、制振は、より高い粘度を有する流体を用いて増大することができる。したがって、光学要素の動きの範囲を増大するが十分な制振を提供するために、より高い粘度を有する流体を使用することができる。例えば、第１制振リング５２の環状スロット５４と第２制振リング５３の環状突起５５との間の約１００μｍのギャップ５６および約０．５と約３Ｎｓ／ｍ２との間のギャップ５６内の流体の動的粘度では、約１０ｋｇまでの質量を有するレンズに対して臨界の約１０％から３０％の間の制振を提供することが可能である。
【００９１】
[0098]  使用される制振流体を選択するとき、流体はリソグラフィ装置内で使用され得るものであることが望ましい。特に、リソグラフィ装置内で汚染物質が放出されないことを確実にするために、超低蒸気圧および超高表面張力を有する脱気された液体が使用されてもよい。適切な材料としては、ＳａｎｔｏｖａｃＯＳ−１３８、Ｋｒｙｔｏｘ１００およびＫｒｙｔｏｘ１０１などの市販の材料を含むが、それらに限定されない。一般には、ポリフェニルエーテル流体などの他の流体が使用されてもよい。一般には、０．５Ｎｓ／ｍ２から３Ｎｓ／ｍ２の間の動的粘度を有する流体が望ましくあり得る。
【００９２】
実施形態３
[0099]  図７は、第３実施形態による光学要素のためのマウントの構成を示す。第３実施形態による構成は、第１実施形態に関して上述したように、例えば投影システム内の光学要素を取り付けるために使用されてもよい。
【００９３】
[0100]  示されるように、光学要素６０は、内側マウント部材６１に取り付けられ、内側マウント部材６１に支持されてもよい。外側マウント部材６２は、内側マウント部材６１の周りに配置され、かつ光学要素６０が取り付けられる構成要素、例えば投影システムのサポートフレームに接続されるように構成されてもよい。図７に示すように、３つのダンパ６３、６４および６５が、外側マウント部材６２に対する内側マウント部材６１の動きの制振を提供するために内側マウント部材６１の周りに設けられる。さらに、明瞭性のために図７に示していないが、内側マウント部材６１を外側マウント部材６２に接続するために一組の屈曲部、例えば調整された方向コンプライアンスを有する弾性要素も設けられてもよい。
【００９４】
[0101]  図７に示すように、３つのダンパ６３、６４および６５は光学要素６０の周りに均等に配置され得るが、このようである必要はないことが理解されたい。また、さらに少ないまたは多い数のダンパが設けられてもよい。しかしながら、各々のダンパは主に所定の方向の動作に制振を提供するように構成することができるため、図７に示す構成は有益であり得る。したがって、３つのダンパを光学要素６０の周りに均等に分配し、それらの一次制振方向が異なる向きになるように、好ましくは約１２０°お互いから離れて構成することによって、光学要素６０の動作範囲の効率的および一様な制振を提供することができる。
【００９５】
[0102]  示されるように、内側マウント６１の位置、よって外側マウント６２に対する光学要素６０の位置、よって光学要素６０が取り付けられる構成要素の位置の制御を可能にするアクチュエータシステム６６を提供することができる。アクチュエータシステム６６は複数のアクチュエータからなってもよいことが理解されるであろう。図７では単一ユニットとして示されているが、アクチュエータシステムは光学要素６０の周りに分配されてもよいことが理解されたい。アクチュエータシステム内のアクチュエータは、あらゆる便利な形態のアクチュエータ、例えば圧電アクチュエータまたは音声コイルアクチュエータであってもよい。
【００９６】
[0103]  図８は、第３実施形態によるダンパ６３、６４および６５の一例の断面図を示す。ダンパ６３、６４および６５は、第２円筒面７２によって囲われた第１円筒面７１を有しており、その間に環状ギャップ７３を有する。第１円筒面７１をピストン７４によって与え、かつ第２円筒面７２を円筒７５によって与えることができる。例えば第２実施形態に関して上述したような粘性液のような流体がギャップ７３内に提供され、したがって、第２円筒面７２（例えば円筒７５）に対する第１円筒面７１（例えばピストン７４）の動きに対する抵抗力が提供される。
【００９７】
[0104]  ダンパの性能は、円筒７５の一端を端面７５ａで囲うことによって向上することができる。これは、ピストン７４の端面７４ａとともにチャンバ７６を生成する。ピストン７４が移動するにつれてチャンバ７６の体積は変化し、流体が第１円筒面７１と第２円筒面７２との間の環状ギャップ７３を通って押し出される。例えば、図８の矢印で示すように、ピストン７４がチャンバ７６へと移動するにつれて、流体は、第１円筒面７１と第２円筒面７２との間で第１チャンバ７６とはピストン７４の反対側にある第２チャンバ７７へと押し出される。流体が第１円筒面７１および第２円筒面７２の相対運動を単に抵抗するよりむしろ、流体が環状ギャップ７３を通って押し出される要件は、ダンパの制振を強める。反対運動は環状ギャップ７３を通り抜ける制振の流れを逆流させ、かつ動作に対する抵抗力を提供することが理解されるであろう。
【００９８】
[0105]  示されるように、流体を第２チャンバ７７内に収容するためにダイアフラム(diaphragm)７８が設けられてもよい。図８に示すように、ダイアフラム７８は波形状であってもよいが、平面であってもよい。ダイアフラム７８は、ピストン７４に接続されたロッド７９と第２円筒面７２との間に設けられている。ダイアフラム７８はさらに、ロッド７９の動きを大きな軸方向、例えば第１円筒面７１および第２円筒面７２の中心軸と平行に制限する機能を提供する。この動きの制限は、比較的小さい環状ギャップ７３の使用を可能にし、所定サイズのダンパに対して達成可能である制振レベルを上げる。図８に示すダンパの制振の一次方向は軸方向であることも理解されるであろう。しかしながら、他の方向における多少の動きは許容され、ダンパはそれらの方向における動きにも制振を提供することが理解されたい。
【００９９】
[0106]  第１円筒面７１と第２円筒面７２との間のギャップ７３の環状形状の特徴は、円筒に対するピストンの所定の範囲の動きに対して、ダンパによって提供される制振が円筒７５に対するピストン７４の位置によって大きく影響されないことである。したがって、ダンパは、調節可能な位置を有するように構成された光学要素とともに用いることができる。
【０１００】
[0107]  ピストン７４に接続されたロッド７９は、ロッド７９の自由端がピストン７４に対して曲がることを可能とする屈曲部材７９Ａを含んでもよい。これは、制振レベルをあまり影響することなく、円筒７５に対するロッド７９の自由端のより大きな動作範囲を可能にし得る。さらに、これは、例えば円筒面７１および７２の中心軸と垂直方向であるダンパによって接続された２つの構成要素の横動作を可能とするように構成されてもよい。外側マウント部材６２（よって光学要素６０が取り付けられる構成要素）に対する内側マウント部材６１（よって光学要素６０）の動きに対して制振力を提供するために、円筒７５は外側マウント部材６２に接続されてもよく、ロッド７９の自由端は内側マウント部材６１に接続されてもよいことが理解されるであろう。しかしながら、これらの接続が反対であってもよいことも理解されたい。
【０１０１】
[0108]  一例においては、上記のダンパは、環状ギャップ７３が約５０μｍと３５０μｍとの間の厚さを有するように構成されてもよく、かつ第２実施形態に関して上述したような制振液を含んでもよい。そのようなダンパは、約５，０００Ｎｓ／ｍから約１０，０００Ｎｓ／ｍまでの制振係数を提供し得る。図７に示すような構成で使用されるそのようなダンパは、上述したような約１０ｋｇの質量を有する光学要素の臨界制振の所望の１０％から３０％、またはそれ以上を提供することができ、潜在的には臨界制振の１００％に達する。
【０１０２】
[0109]  チャンバ７６を画定する表面７４ａと表面７５ａとの間の距離は円筒７５に対するピストン７４の軸動作に適応するために十分でなければならないことが理解されたい。しかしながら、この距離は比較的小さくてもよく、特に図８に示す概略図（明確性のために距離が比較的大きい）よりかなり小さくてもよい。したがって、距離は、表面７４ａおよび７５ａに対する流体の動作により粘性消散が生じるほど小さくてもよい。したがって、ギャップ７３内の粘性消散によって生じる制振を超える更なる制振を提供することができる。
【０１０３】
実施形態４
[0110]  第４実施形態は第３実施形態に対応するが、異なる構成のダンパを使用する。第４実施形態によるダンパの断面を図９に示す。第４実施形態では、図９に示すようなダンパは、第３実施形態に関して上述した図８に示すダンパの代わりに用いられてもよい。第３実施形態に関して上述したダンパの変形が第４実施形態のダンパにも適用される。
【０１０４】
[0111]  第３実施形態と同様に、第４実施形態のダンパ８０は、ピストン８４上に形成された第１円筒面８１、円筒８５上に形成された第２円筒面８２、および第１円筒面８１と第２円筒面８２との間の環状ギャップ８３を含む。
【０１０５】
[0112]  しかしながら、円筒８５は、ピストン８４に形成された第４円筒面８７に囲われた第３円筒面８６をさらに含む。第３表面８６と第４表面８７との間に第２環状ギャップ８８が設けられる。
【０１０６】
[0113]  第３実施形態と同様に、ピストン８４および円筒８５は、ピストン８４が円筒８５に対して動くにつれて体積が変化する第１チャンバ８９を画定する。例えば、図９の矢印で示すように、ピストン８４が円筒８５へと進入するにつれて第１チャンバ８９は小さくなり、チャンバ８９から第３円筒面８６と第４円筒面８７との間の環状ギャップ８８および第１円筒面８１と第２円筒面８２との間の環状ギャップ８３を通ってダンパ８０内に供給された制振流体を押し出す。第３実施形態のダンパと同様に、第４実施形態のダンパ８０は、制振流体が押し込まれるダイアフラム９１によって境界された第２チャンバ９０を含む。動きが反対にされた場合、例えばピストン８４が円筒８５から引き抜かれた場合、制振流体は、第１円筒面８１と第２円筒面８２との間の環状ギャップ８３および第３円筒面８６と第４円筒面８７との間の環状ギャップ８８を通って第１チャンバ８９へと押し込まれる。
【０１０７】
[0114]  したがって、第４実施形態のダンパ８０は、制振流体が中を通って押し出される２つの環状ギャップ８３および８８を提供し、せん断膜エリアを約二倍にすることができる。よって、所定サイズのダンパおよび所定サイズの環状ギャップ全体（よって、動作範囲）に対して、第３実施形態の構成よりも多くの制振を提供する。これは、リソグラフィ装置内の、特にリソグラフィ装置内の投影システム内の利用可能な体積が制限されているため、有益である。
【０１０８】
実施形態５
[0115]  図１０の断面図に示すように、第５実施形態は、第３実施形態の図８に示すダンパの代わりに使用することができるさらに別のダンパ１００を提供する。第３実施形態に関して上述したダンパの変形が、第５実施形態のダンパ１００にも適用される。
【０１０９】
[0116]  第３実施形態と同様に、第５実施形態のダンパ１００は、ダンパ１００の第１部分１０４上の第１円筒面１０１およびダンパ１００の第２部分１０５上に形成された第２円筒面１０２を含み、第１円筒面１０１と第２円筒面１０２との間に環状ギャップ１０３を提供する。
【０１１０】
[0117]  第１部分１０４および第２部分１０５によって画定され、かつその部分がお互いに対して動くにつれて体積が変化するチャンバ１０６が提供される。例えば、図１０の矢印で示すように、第１部分１０４および第２部分１０５がお互いに向かって動くにつれて第１チャンバ１０６の体積は減少し、ダンパ１００内に提供された制振流体が環状ギャップ１０３を通って押し出され、よって動きに対して制振抵抗を与える。環状ギャップ１０３を通って押し出される制振流体は、弾性バリア１０８によって境界された外側チャンバ１０７へと押し込まれる。弾性バリア１０８は、図１０に示すように、例えばベローズから形成されてもよい。しかしながら、制振流体を第２チャンバ１０７内に保持し、かつダンパ１００の第１部分１０４および第２部分１０５のお互いに対する移動を可能とすることを条件として、他の弾性バリアが使用されてもよい。
【０１１１】
[0118]  第３実施形態および第４実施形態のダンパと比較して第５実施形態のダンパ１００は、第１部分および第２部分のお互いに対するより大きな動きを可能にする。これは、上述したように投影システムのサポートフレームに対する光学要素の位置を調整することが望ましい、投影システム内の光学要素のためのマウント内にダンパを用いる場合において有益であり得る。ダンパの全体的サイズは、第３実施形態のものと同様であってもよく、環状ギャップも約５μｍから３５０μｍの間であってもよい。
【０１１２】
実施形態６
[0119]  図１１は、本発明の第６実施形態によるダンパ１１０の断面図を示す。ダンパ１１０は、第５実施形態のダンパ１００に大きく対応し、簡潔さのために、それらの違いを説明する。
【０１１３】
[0120]  特に、示されるように、弾性バリア１１２によって境界された第２チャンバ１１１は、ダイアフラム１１３によって第１部分１１１ａおよび第２部分１１１ｂに分けられる。第２チャンバ１１１の第１部分１１１ａは、第５実施形態のダンパ１００の第２チャンバ１０７と同じ機能を行い、例えば、粘性液などの制振流体を含む。第２チャンバ１１１の第２部分１１１ｂは、圧縮性ガスを含む。したがって、ダンパ流体が環状ギャップを通って第２チャンバ１１１へと押し込まれるにつれて、第２チャンバ１１１の第２部分１１１ｂ内のガスは圧縮され、弾性バリア１１２に起こり得るあらゆる膨張を回避または減少させる。
【０１１４】
[0121]  第６実施形態の変形では、ダイアフラム１１３を省いてもよいが、圧縮性ガスを第２チャンバ１１１の一部内に保持し、かつ同じ機能を行うことができる。
【０１１５】
[0122]  図１１では第２チャンバの第２部分１１１ｂは第２チャンバの一端に配置されるように示されているが、このようである必要はない。第２チャンバのあらゆる便利な部分に構成されてもよいことが理解されるであろう。
【０１１６】
実施形態７
[0123]  図１２は、第３実施形態のダンパの代わりに使用することができる第７実施形態によるダンパ１２０の断面図を示す。第３実施形態に関して上述したダンパの変形が、第７実施形態のダンパ１２０にも適用される。
【０１１７】
[0124]  示されるように、第７実施形態のダンパは、第１部分１２４上に設けられた第１円筒面１２１および第２部分１２５上に設けられた第２円筒面１２２を含む。環状ギャップ１２３は、第１円筒面１２１と第２円筒面１２２との間で画定される。さらに、第１部分は第３円筒面１２６を含み、第２部分は第４円筒面１２７を有する。また、第２環状ギャップ１２８は、第３円筒面１２６と第４円筒面１２７との間で画定される。
【０１１８】
[0125]  第３実施形態と同様に、第１部分１２４および第２部分１２５が、制振流体を含む第１チャンバ１２９を画定する。ダンパ１２０の第１部分１２４および第２部分１２５がお互いに対して動くにつれて、チャンバ１２９の体積が変化する。例えば、図１２の矢印で示すように、ダンパ１２０の第１部分１２４および第２部分１２５がお互いに向かって動くにつれて、チャンバ１２９の体積は減少し、第３円筒面１２６と第４円筒面１２７との間の環状ギャップ１２８および第１円筒面１２１と第２円筒面１２２との間の環状ギャップ１２３を通って制振流体を押し出す。同様に、ダンパ１２０の第１部分１２４および第２部分１２５が離れた場合、制振流体は、第１円筒面と第２円筒面との間の環状ギャップ１２３および第３円筒面１２６と第４円筒面１２７との間の環状ギャップ１２８を通って第１チャンバ１２９へと押し込まれる。環状ギャップ１２８および１２１を通って第１チャンバ１２９から押し出される制振流体は、第５実施形態に対応する方法で弾性バリア１３１によって境界される第２チャンバ１３０へと押し込まれる。
【０１１９】
[0126]  明らかになるように、第７実施形態と第５実施形態との違いは、制振流体が通過する必要がある第２環状空間の供給である。したがって、せん断膜エリアは増大し、所定サイズのダンパおよび所定サイズの環状ギャップ（よって、動作範囲）に対して、より大きい制振が第７実施形態および第５実施形態によって提供される。
【０１２０】
実施形態８
[0127]  図１３は、第８実施形態によるダンパ１３５の断面図を示す。第８実施形態のダンパ１３５は第７実施形態のダンパ１２０に対応するが、第６実施形態のダンパ１１０に対応する方法で、第２チャンバ１３６は、ダイアフラム１３７によって制振流体を含む第１部分１３６ａと圧縮性ガスを含む第２部分１３６ｂとに分けられる。圧縮性ガスの供給は、第２チャンバ１３６を境界する弾性バリア１３８の膨張なしに第２チャンバ１３６の中および外への制振流体の流れを可能にする。第６実施形態と同様に、ダイアフラム１３７を省いてもよい。
【０１２１】
実施形態９
[0128]  図１４は、第３実施形態で上述したダンパの代わりに使用することができる第９実施形態によるダンパ１４０の断面図を示す。第３実施形態に関して上述した変形が、第９実施形態にも適用される。
【０１２２】
[0129]  示されるように、第９実施形態のダンパ１４０は、ダンパ１４０の第１部分１４４上に形成された第１円筒面１４１およびダンパ１４０の第２部分１４５上に形成された第２円筒面１４２を含んでおり、第１円筒面１４１と第２円筒面１４２との間に環状ギャップ１４３を画定する。
【０１２３】
[0130]  第１チャンバ１４６は、ダンパ１４０の第１部分１４４および第２部分１４５によって画定される。前の実施形態と同様に、ダンパ１４０の第１部分１４４および第２部分１４５がお互いに対して動くにつれて、第１チャンバ１４６の体積は変化する。したがって、例えば図１４の矢印で示すように、ダンパ１４０の第１部分１４４および第２部分１４５がお互いに近づくにつれて、第１チャンバ１４６の体積は減少し、第１チャンバ１４６内に含まれる制振流体は、第１円筒面１４１と第２円筒面１４２との間の環状ギャップ１４３を通って押し出される。よって、制振流体は、上述した第５実施形態に対応する方法で弾性バリア１４８によって境界される第２チャンバ１４７へと押し込まれる。
【０１２４】
[0131]
第９実施形態のダンパ１４０は、１つ以上の流体通路１５０を用いて第２チャンバ１４７と流体接続された第３チャンバ１４９をさらに含む。第３チャンバ１４９は第２弾性バリア１５１によって画定され、かつ第３チャンバ１４９へと押し込まれる制振流体の量によって第３チャンバ１４９の体積が変化できるように構成されている。例えば、制振流体が、第１チャンバ１４６から環状ギャップ１４３を通って第２チャンバ１４７へ、さらにその後に第３チャンバ１４９へと押し込まれるにつれて、第２弾性バリア１５１は、第３チャンバ１４９の体積が増大するように変形することができる。したがって、第２チャンバ１４７を画定する弾性バリア１４８は、ダンパ１４０の第１部分１４４および第２部分１４５の相対運動を可能にするように構成されてもよいが、弾性バリア１４８の膨張は防がれるか、または少なくとも最小限にされる。
【０１２５】
[0132]  ダンパの全体的サイズは、第３実施形態のものと同様であってもよく、環状ギャップも約５０μｍから３５０μｍの間であってもよい。
【０１２６】
[0133]  図１４および第９実施形態によるダンパ１４０の上記説明は、１つ以上の流体通路１５０によって分けられる別個の第２チャンバ１４７および第３チャンバ１４９を要求するが、このようである必要はないことが理解されたい。特に、第２チャンバ１４７は、単に環状ギャップ１４３を第３チャンバ１４９に接続する流体経路を形成するように構成され得る。
【０１２７】
実施形態１０
[0134]  図１５は、第１０実施形態によるダンパ１６０を断面図で示す。第１０実施形態のダンパ１６０は第９実施形態のダンパ１４０に対応しており、簡潔さのために、同じ部分の説明は繰り返さない。
【０１２８】
[0135]  第１０実施形態のダンパ１６０と第９実施形態のダンパ１４０との主な違いは、２つの環状ギャップの供給である。したがって、ダンパ１６０の第１部分１６４および第２部分１６５は、それぞれ、環状ギャップ１６３を画定する第１円筒面１６１および第２円筒面１６２を有する。さらに、ダンパ１６０の第１部分１６４および第２部分１６５は、それぞれ、第２環状ギャップ１６８を画定する第３円筒面１６６および第４円筒面１６７を有する。
【０１２９】
[0136]  他の実施形態と同様に、第１チャンバ１６９は、ダンパ１６０の第１部分１６４および第２部分１６５がお互いに対して動くにつれて第１チャンバ１６９の体積が変化するように、第１部分１６４および第２部分１６５によって画定される。例えば、図１５に示される矢印で示すように、ダンパ１６０の第１部分１６４および第２部分１６５がお互いに向かって動くにつれて、第１チャンバ１６９の体積は減少し、第１チャンバ１６９内の制振流体は、第１環状ギャップ１６３および第２環状ギャップ１６８を通って弾性バリア１７１によって境界される第２チャンバ１７０へと押し込まれる。制振流体は、第２チャンバ１７０から、１つ以上の流体導管１７２を通って弾性バリア１７４によって形成される第３チャンバ１７３へと押し込まれる。この弾性バリア１７４は、ダンパ１６０の第１部分１６４および第２部分１６５がお互いに対して動くにつれて第３チャンバ１７３の中および外に流れる制振流体を適応させるために第３チャンバ１７３の体積が変化することを可能にする。前の実施形態と同様に、第１０実施形態のダンパ１６０はより大きいせん断膜エリアを有しており、したがって、所定サイズのダンパおよび所定サイズの環状ギャップ（よって、動作範囲）に対して、第９実施形態のダンパ１４０より大きい制振力を提供することが理解されるであろう。
【０１３０】
[0137]  ダンパによって制振される動きは非常に小さくなることが理解されるであろう。しかしながら、上述した実施形態によるダンパの制振効果は、サブナノメータの変位振幅を持続することが分かった。
【０１３１】
[0138]  望ましい場合、光学要素のためのマウントは、第３から第１０実施形態のうちの２つ以上によるダンパを含んでもよいことが理解されるであろう。
【０１３２】
[0139]  有意に、上述したように構成されたダンパは、光学要素のためのマウントの本構成のために利用可能である空間内にはまるように十分にコンパクトであってもよい。したがって、そのようなダンパの使用を可能にするために投影システムの大幅な再設計を必要としなくてもよい。
【０１３３】
[0140]  上記説明は、リソグラフィ装置における投影システム内の光学要素を取り付けるために用いられるマウントにおける使用のためのダンパを説明したが、ダンパはリソグラフィ装置内の他の光学要素のマウント内で使用されてもよいことがさらに理解されるであろう。さらに、光学要素は、例えば屈折型および反射型光学要素を含むリソグラフィ装置内に使用されるあらゆる種類であってもよいことも理解されるであろう。
【０１３４】
[0141]  必要な場合、ダンパは漏れ封じ込めシールドによって囲われてもよい。そのような構成は、例えばダンパが漏れる場合、あらゆる制振流体が投影システムの残部内へと漏れるリスクを縮小するために有益であり得る。
【０１３５】
[0142]  本明細書において、特定のデバイス（例えば、集積回路またはフラットパネルディスプレイ）の製造におけるリソグラフィ装置の使用について具体的な言及がなされているが、本明細書記載のリソグラフィ装置が、他の用途を有し得ることが理解されるべきである。用途は、集積回路、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイダンスパターンおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド、マイクロエレクトロメカニカルデバイス（ＭＥＭＳ）等の製造を含むが、これらに限定されない。同様に、例えばフラットパネルディスプレイにおいて、本装置は様々な層、例えば、薄膜トランジスタ層および／またはカラーフィルタ層の生成において役立てるために使用することができる。
【０１３６】
[0143]  本発明の特定の実施形態が上記に説明された一方、本発明が記載されたものとは別の方法で行われてもよいことが理解されるであろう。例えば、本発明は、上記で開示されたような方法を説明する機械読取可能命令の１つ以上のシーケンスを含むコンピュータプログラム、またはそのようなコンピュータプログラムが中に記憶されるデータ記憶媒体（例えば、半導体メモリ、磁気または光ディスク）の形態であってもよい。
【０１３７】
[0144]  本発明の特定の実施形態が説明されたが、その多数の変形が当業者によって容易に発生または示唆され得ることが理解されるであろう。したがって、本発明が以下の特許請求の範囲の精神および範囲のみによって限定されることを意図している。
【０１３８】
結論
[0145]  本発明の様々な実施形態が上記に説明された一方、それらの実施形態が一例としてのみ提示されており、限定ではないことが理解されたい。当業者には、本発明の精神および範囲から逸脱せずに、形態および詳細における様々な変更をそれらの実施形態において行うことができることが明らかであろう。したがって、本発明の広さおよび範囲は、上述の例示的実施形態のいずれによっても限定されないが、以下の特許請求の範囲およびその均等物によってのみ規定される。
【０１３９】
[0146]  本発明の概要および要約の項目は、発明者が想定するような本発明の１つ以上の例示的実施形態について述べることができるが、全ての例示的実施形態を述べることはできず、したがって、本発明および添付の請求の範囲をいかなる意味でも制限しないものとする。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６ａ】
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【図６ｂ】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【国際調査報告】
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