(57)【要約】  基板処理システムのスループットを増加させるための方法および装置が提供される。基板を処理するためのクラスターツール（１００）への取り付けのために構成される処理チャンバー（２００）は、二重の、互い違いの処理領域（２１０、２１２）を有する。これらの処理領域は、基板が各領域内で同時に処理されてもよいように、お互いから分離される。
2011512020.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の処理容積部と、
前記第１の処理容積部の上に垂直に積み重ねられ、前記第１の処理容積部から中心がオフセットされる第２の処理容積部とを備え、
前記第１および第２の処理容積部は、交差汚染が同時処理中に生じないようにお互いから分離される、基板処理チャンバー。
【請求項２】
前記第１の処理容積部内に構成される基板支持ヒーターと、
前記第２の処理容積部内に構成される基板支持ヒーターとをさらに備え、
各基板支持ヒーターは、台座部分およびプラテン部分を備える、請求項１に記載の基板処理チャンバー。
【請求項３】
前記第２の処理容積部を覆うチャンバー蓋をさらに備え、前記チャンバー蓋は、取り外し可能である、請求項２に記載の基板処理チャンバー。
【請求項４】
前記第１の処理容積部の下にチャンバー底部をさらに備え、前記チャンバー底部は、前記第２の処理容積部へのアクセスを可能にするために旋回する、請求項２に記載の基板処理チャンバー。
【請求項５】
前記第１の処理容積部内に構成される基板リフト装置と、
前記第２の処理容積部内に構成される基板リフト装置とをさらに備え、
各基板リフト装置は、各基板支持ヒータープラテン部分内に構成される開口部を通って延びるように構成される複数のリフトピンを備える、請求項２に記載の基板処理チャンバー。
【請求項６】
上側処理領域および下側処理領域を形成するように構成される単一主チャンバー本体であって、前記上側処理領域は、前記下側処理領域と重なる、単一主チャンバー本体と、
前記上側処理領域の上で前記単一主チャンバー本体との気密接続のために構成される取り外し可能なチャンバー蓋と、
前記下側処理領域の下で前記単一主チャンバー本体との気密接続のために構成されるチャンバー底部部材とを備え、前記チャンバー底部部材は、前記単一主チャンバー本体と枢動可能に係合するように構成される、基板処理チャンバー。
【請求項７】
前記上側処理領域内への基板の移送を選択的に可能にするように構成される上側スリットバルブをさらに備える、請求項６に記載の基板処理チャンバー。
【請求項８】
前記上側および下側処理領域との流体連通を可能にするように構成されるポートブロックと、
前記下側処理領域内への基板の移送を選択的に可能にするように構成される下側スリットバルブとをさらに備える、請求項７に記載の基板処理チャンバー。
【請求項９】
前記基板処理チャンバーは、脱気チャンバーである、請求項８に記載の基板処理チャンバー。
【請求項１０】
前記上側および下側処理領域は、中心がオフセットされる、請求項６に記載の基板処理チャンバー。
【請求項１１】
前記上側処理領域内に配置される上側基板支持ヒーターであって、それを通って延びる複数の開口部を有する上側基板支持ヒーターと、
前記下側処理領域内に配置される下側基板支持ヒーターであって、それを通って延びる複数の開口部を有する下側基板支持ヒーターとをさらに備える、請求項１０に記載の基板処理チャンバー。
【請求項１２】
前記上側基板支持ヒーター内の前記複数の開口部の１つと整列されるリフトピンを有する上側基板リフト装置であって、垂直に移動可能である上側基板リフト装置と、
前記下側基板支持ヒーター内の前記複数の開口部の１つと整列されるリフトピンを有する下側基板リフト装置であって、垂直に移動可能である下側基板リフト装置とをさらに備える、請求項１１に記載の基板処理チャンバー。
【請求項１３】
前記上側処理領域内へガスの流れを選択的に印加するように構成される上側ディフューザーと、
前記下側処理領域内へガスの流れを選択的に印加するように構成される下側ディフューザーとをさらに備える、請求項６に記載の基板処理チャンバー。
【請求項１４】
前記上側処理領域は、前記下側処理領域から分離される、請求項１３に記載の基板処理チャンバー。
【請求項１５】
ロードロックチャンバーと、
移送モジュールと、
処理チャンバーとを備え、前記処理チャンバーは、
ポートブロックと、
主チャンバー本体とを備え、前記主チャンバー本体は、下側処理領域と重なる上側処理領域を形成し、前記上側および下側処理領域は、お互いから分離され、中心がオフセットされる、基板処理システム。
【請求項１６】
前記移送モジュールは、
正方形の水平プロファイルを有し、前記ロードロックチャンバーと前記処理チャンバーとの間で基板を移送するための移送ロボットがその中に含まれる移送チャンバーと、
真空システムと前記移送チャンバーとの間をインターフェースで接続するように構成される真空延長チャンバーとをさらに備える、請求項１５に記載の基板処理システム。
【請求項１７】
前記処理チャンバーは、
前記上側処理領域へのアクセスを選択的に可能にするように構成される上側スリットバルブと、
前記上側処理領域内に構成される上側基板支持ヒーターと、
前記下側処理領域内に構成される下側基板支持ヒーターと、
不活性ガス源から前記上側処理領域内へガス流を向けるように構成される上側ディフューザーと、
不活性ガス源から前記下側処理領域内へガス流を向けるように構成される下側ディフューザーとをさらに備える、請求項１６に記載の基板処理システム。
【請求項１８】
前記処理チャンバーは、
前記上側処理領域の上で前記主チャンバー本体と密閉して係合される上側蓋部材であって、前記上側処理領域へのアクセスを可能にするように取り外し可能である上側蓋部材と、
前記下側処理領域の下で前記主チャンバー本体と密閉して係合される下側底部部材であって、前記下側処理領域へのアクセスを可能にするように旋回する下側底部部材とをさらに備える、請求項１６に記載の基板処理システム。
【請求項１９】
移送ロボットを介してロードロックチャンバーから脱気チャンバーの上側処理領域へ第１の基板を移送するステップと、
前記脱気チャンバーの前記上側処理領域内で前記第１の基板を処理するステップと、
前記第１の基板が処理されている間に前記移送ロボットを介して前記ロードロックチャンバーから前記脱気チャンバーの下側処理領域へ第２の基板を移送するステップと、
前記第１の基板の処理を完了するより前に前記下側処理領域内で前記第２の基板の処理を開始するステップとを含み、
前記上側処理領域は、前記下側処理領域と重なり、前記下側処理領域から中心がオフセットされる、クラスターツール内で基板を脱気するための方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は一般に、基板を処理するように構成される統合された処理システムに関する。より詳細には、本発明は、クラスターツールの移送モジュールへの取り付けのために構成される互い違いの二重プロセスチャンバーに関する。
【背景技術】
【０００２】
基板は普通、制御環境内で基板を処理できる、マルチチャンバー処理システムまたはクラスターツール内で処理される。典型的なクラスターツールは、ロードロックチャンバーと多重真空処理チャンバーとの間で基板を輸送するように構成される基板移送ロボットを収納する移送モジュールを備えるシステムを含む。例えば、移送モジュールは、基板上に層を堆積させるために構成される１つまたは複数の物理気相堆積（ＰＶＤ）チャンバーおよび／または化学気相堆積チャンバー（ＣＶＤ）に接続されることもある。
【０００３】
しかしながら、基板およびその上に堆積される層は、水分および不純物を吸収し、それらは、さらなる処理より前に除去、または脱気されなければならない。脱気プロセスは、クラスターツールに取り付けられる付加プロセスすなわち脱気チャンバー内で行われる。それ故に、脱気プロセスは、移送モジュールの周囲に高価な空間を占めることによって処理システムのコストを著しく増加させる。
【０００４】
さらに、ＰＶＤ処理より前の脱気に必要とされる延長期間のために、特に、脱気ステップは、全体のプロセススループットを著しく低減する可能性がある。スループット問題を解決するために考えられた１つの従来技術の手法は、並列脱気チャンバーを提供することである。この手法は、各ＰＶＤ処理チャンバーに対して基板処理装置内に２つの脱気チャンバーを提供する。しかしながら、この解決策は、追加の移送モジュール取り付けポートを必要とし、クラスターツールに必要とされる空間を著しく増加させる。
【０００５】
この問題を解決するために試みられた別の従来技術の手法は、マルチスロットの、連続運転の脱気チャンバーである。しかしながら、この手法は、新たに送達される基板からのガス放出に起因して基板の交差汚染に関する問題をもたらす。
【０００６】
従って、その使用に必要とされる空間を最小化し、交差汚染の可能性を排除しながら、処理システムのスループットを増加させる脱気チャンバー構成の必要性が、存在する。
【発明の概要】
【０００７】
本発明の一実施形態では、基板処理チャンバーは、第１の処理容積部と、第１の処理容積部の上に垂直に積み重ねられ、第１の処理容積部から中心がオフセットされる第２の処理容積部とを備える。第１および第２の処理容積部は、交差汚染が同時処理中に生じないようにお互いから分離される。
【０００８】
別の実施形態では、基板処理チャンバーは、上側処理領域および下側処理領域を形成するように構成される単一主チャンバー本体を備え、そこでは上側処理領域は、下側処理領域と重なり、取り外し可能なチャンバー蓋は、上側処理領域の上で単一主チャンバー本体との気密接続のために構成され、チャンバー底部部材は、下側処理領域の下で単一主チャンバー本体との気密接続のために構成され、チャンバー底部部材は、単一主チャンバー本体と枢動可能に係合するように構成される。
【０００９】
別の実施形態では、基板処理システムは、ロードロックチャンバーと、移送モジュールと、処理チャンバーとを備え、処理チャンバーは、ポートブロックと主チャンバー本体とを備える。主チャンバー本体は、下側処理領域と重なる上側処理領域を形成し、上側および下側処理領域は、お互いから分離され、中心がオフセットされる。
【００１０】
本発明のさらに別の実施形態では、クラスターツール内で基板を脱気するための方法が、移送ロボットを介してロードロックチャンバーから脱気チャンバーの上側処理領域へ第１の基板を移送するステップと、脱気チャンバーの上側処理領域内で第１の基板を処理するステップと、第１の基板が処理されている間に移送ロボットを介してロードロックチャンバーから脱気チャンバーの下側処理領域へ第２の基板を移送するステップと、第１の基板の処理を完了するより前に下側処理領域内で第２の基板の処理を開始するステップとを含む。上側処理領域は、下側処理領域と重なり、下側処理領域から中心がオフセットされる。
【００１１】
本発明の上で列挙された特徴が、詳細に理解できるように、上で簡潔に要約された本発明のより詳細な説明が、実施形態の参照によりなされてもよく、そのいくつかは、添付の図面で例示される。しかしながら、本発明は、他の同等に有効な実施形態を認めてもよいから、添付の図面は、この発明の典型的な実施形態を例示するだけであり、従ってその範囲を限定すると考えられるべきでないことが留意されるべきである。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の一実施形態によるクラスターツールの概略平面図である。
【図２】本発明による脱気チャンバーの実施形態の概略横断面側面図である。
【図３】本発明による脱気チャンバーの実施形態の概略等角部分的分解図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
本発明は一般に、基板処理システムのスループットを増加させるための装置および方法を提供する。本発明の実施形態は、二つの基板を同時にまたは重複期間中に別々に脱気するように構成される二重の、互い違いの脱気チャンバーを含み、そこでは各基板は、もう一方のものから分離される処理容積部内で脱気される。
【００１４】
図１は、本発明の一実施形態によるクラスターツール１００の概略平面図である。一般に、クラスターツール１００は、単独移送モジュールに連結される多重処理チャンバーを備える。
【００１５】
クラスターツール１００は、ロードロックチャンバー１０４と選択的に連通する工場インターフェース１０２を備える。１つまたは複数のポッド１０１は、基板を保管し、輸送するように構成される。工場インターフェースロボット１０３は、工場インターフェース１０２内に配置される。工場インターフェースロボット１０３は、ポッド１０１とロードロックチャンバー１０４との間で基板を移送するように構成される。
【００１６】
ロードロックチャンバー１０４は、工場インターフェース１０２と移送モジュール１１０との間に真空インターフェースを提供する。移送モジュール１１０の内部領域は、典型的には真空条件に維持され、ロードロックチャンバー１０４と処理チャンバー１１１、１１２、１１３との間でならびに処理チャンバー１１１、１１２、１１３間で基板を往復させるために中間領域を提供する。
【００１７】
一実施形態では、移送モジュール１１０は、クラスターツール１００のフットプリントを最小限にするために２つの部分に分けられる。一実施形態では、移送モジュール１１０は、移送チャンバー１０８および真空延長チャンバー１０７を備える。移送チャンバー１０８および真空延長チャンバー１０７は、一緒に連結され、移送モジュール１１０内に内部容積部を形成するためにお互いと流体連通する。移送モジュール１１０の内部容積部は、処理中に低圧または真空条件に維持されてもよい。ロードロックチャンバー１０４は、スリットバルブ１０５および１０６を介して工場インターフェース１０２および真空延長チャンバー１０７にそれぞれ接続されてもよい。
【００１８】
移送チャンバー１０８は、移送ロボット１０９を収納し、複数の処理チャンバーへのインターフェースを提供するように構成される。加えて、移送チャンバー１０８は、クラスターツール１００を延長するために追加の移送モジュールに接続するための通過チャンバーにインターフェースを提供してもよい。一実施形態では、移送チャンバー１０８は、複数の側壁、底部、および蓋を有する多角形構造であってもよい。複数の側壁は、その中に形成される穴を有してもよく、処理チャンバー、真空延長チャンバー、または通過チャンバーと接続するように構成されてもよい。図１で示される移送チャンバー１０８は、正方形の水平プロファイルを有し、処理チャンバー１１１、１１２、１１３、および真空延長チャンバー１０７に連結される。一実施形態では、移送チャンバー１０８は、スリットバルブ１１６、１１７、および１１８を介して処理チャンバー１１１、１１２、および１１３とそれぞれ選択的に連通してもよい。さらなる実施形態では、移送ロボット１０９は、移送チャンバー１０８の底部に形成されるロボットポートに移送チャンバー１０８内で取り付けられてもよい。
【００１９】
移送ロボット１０９は、移送チャンバー１０８の内部容積部内に配置され、処理チャンバー１１１、１１２、１１３間でならびに真空延長チャンバー１０７を通じてロードロックチャンバー１０４へおよびロードロックチャンバー１０４から実質的に水平の向きで基板を往復させるように構成される。一実施形態では、移送ロボット１０９は、基板を保持するための２つのブレードを備えてもよく、各ブレードは、同じロボット基部に連結される独立に制御可能なロボットアームに取り付けられる。別の実施形態では、移送ロボット１０９は、ブレードの垂直上昇を制御するように構成される。
【００２０】
真空延長チャンバー１０７は、真空システムと移送チャンバー１０８との間のインターフェースを提供するように構成されてもよい。一実施形態では、真空延長チャンバー１０７は、底部、蓋、および側壁を備える。圧力変更ポート１１５は、真空延長チャンバー１０７の底部に形成されてもよく、移送チャンバー１０８内を高真空に維持するために必要とされることもあるクライオポンプなどの真空ポンプシステムに適合するように構成されてもよい。圧力変更ポート１１５は、より小さな真空ポンプだけが必要とされるときには封鎖されてもよい。より小さな真空ポンプは、移送チャンバー１０８内に形成される、より小さなポートを通じて移送チャンバー１０８に連結されてもよい。
【００２１】
穴は、移送チャンバー１０８と流体連結し、ロードロックチャンバー、通過チャンバー、および処理チャンバーなどの、それに接続されるチャンバーと選択的に連通するように、真空延長チャンバー１０７の側壁に形成されてもよい。
【００２２】
一実施形態では、クラスターツール１００は、物理気相堆積（ＰＶＤ）プロセスを使用して基板上に薄膜を堆積させるように構成されてもよい。
【００２３】
ＰＶＤは、その上に配置される基板を支持するための台座を有する密閉チャンバー内で行われてもよい。台座は典型的には、処理中に基板支持部に押しつけて基板を静電的に保持するためにその中に配置される電極を有する基板支持部を含む。一般に基板上に堆積されるべき材料から成るターゲットは、基板の上に支持され、典型的にはチャンバーの上部に固定される。アルゴンなどのガスから形成されるプラズマは、基板とターゲットとの間に供給される。ターゲットは、バイアスをかけられ、プラズマ内のイオンがターゲットの方へ加速される原因となる。ターゲットに衝突するイオンは、材料がターゲットから取り除かれるようになる原因となる。取り除かれた材料は、基板の方へ引きつけられ、材料の薄膜が、その上に堆積される。
【００２４】
一実施形態では、クラスターツール１００は、処理チャンバー１１１、１１２、および１１３のための位置で移送チャンバー１０８にそれぞれ接続される、脱気チャンバー、事前洗浄チャンバー、およびＰＶＤチャンバーを備えてもよい。そのようなシステムでは、基板を適切に脱気するために必要とされる時間は、事前洗浄するまたは基板上に薄膜を堆積させるために必要とされる時間をはるかに超える可能性がある。従って、本発明の一実施形態では、互い違いの、二重脱気チャンバーが、使用されてもよい。
【００２５】
図２は、本発明による脱気チャンバー２００の実施形態の概略横断面側面図であり、図３は、本発明による脱気チャンバー２００の実施形態の概略等角部分的分解図である。脱気チャンバー２００は、ポートブロック２０４に取り付けられる主チャンバー本体２０２を備えてもよい。ポートブロック２０４は、移送モジュールインターフェース２０６およびチャンバーインターフェース２０８を含んでもよい。移送モジュールインターフェース２０６は、基板が、ポートブロック２０４を通じて図１での移送ロボット１０９などの移送ロボットを介してチャンバー本体２０２へまたはチャンバー本体２０２から移送されてもよいように、図１での移送モジュール１１０などの移送モジュールに取り付けられてもよい。
【００２６】
主チャンバー本体２０２は、上側チャンバー容積部２１０および下側チャンバー容積部２１２を備えてもよく、それらは、図２で示されるように、お互いから分離され、重なるやり方で別々に含まれてもよい。主チャンバー本体２０２はさらに、上側チャンバー底部２１６、下側チャンバー上部２１８、上側チャンバー壁２２０、および下側チャンバー壁２２２として同時に機能するように構成されてもよい。一実施形態では、主チャンバー本体２０２は、アルミニウムまたは他の適切な材料の単独ブロックから形成されてもよい。
【００２７】
上側チャンバー容積部２１０は、上側チャンバー底部２１６、上側チャンバー壁２２０、および上側チャンバー蓋２２４によって囲まれてもよい。上側チャンバー蓋２２４は、ねじまたは他の適切な締め具などの締結部材２２６を介して取り外し可能に取り付けられてもよい。それ故に、上側チャンバー蓋２２４は、整備および修理のための上側チャンバー容積部２１０の内部へのアクセスのために取り外されてもよい。
【００２８】
下側チャンバー容積部２１２は、下側チャンバー上部２１８、下側チャンバー壁２２２、および下側チャンバー底部２２８によって囲まれてもよい。下側チャンバー底部２２８は、ピン部材２３０およびねじまたは他の適切な締め具などの締結部材２３２によって枢動可能に取り付けられてもよい。それ故に、下側チャンバー底部２２８は、整備および修理のための下側チャンバー容積部２１２の内部へのアクセスのために開放位置まで旋回されてもよい。
【００２９】
加えて、チャンバー２００は、上側チャンバー容積部２１０内に配置される基板支持ヒーター２３４および下側チャンバー容積部２１２内に配置される別の基板支持ヒーター２３４を備えてもよい。各基板支持ヒーター２３４は、プラテン部分２３６および台座部分２３８を備える。プラテン部分２３６は、金属またはセラミック材料から成ってもよい。台座部分２３８は、電気配線および同様のもののためにそれを通って配置される導管を含んでもよい。各台座部分２３８は、締結部材２４２を介してチャンバー本体２０２に取り外し可能に取り付けられるヒーター支持スリーブ２４０によって支持されてもよい。
【００３０】
チャンバー２００はまた、上側チャンバー容積部２１０内に配置される基板リフト装置２４４および下側チャンバー容積部２１２内に配置される別の基板リフト装置２４４を備えてもよい。各基板リフト装置２４４は、リフトリング２４６および複数のリフトピン２４８を含んでもよい。リフトピン２４８は、リフトピン２４８が基板との係合のためにそれを通って延長してもよいように、基板支持ヒーター２３４のプラテン部分２３６内の開口部と整列されてもよい。
【００３１】
一実施形態では、上側チャンバー壁２２０の少なくとも１つは、上側基板観察ポートとしての使用のために透明被覆部材２５２を有する、それを通って形成される開口部２５０を有してもよい。
【００３２】
さらに、チャンバー２００は、下側チャンバー上部２１８、上側チャンバー壁２２０、およびアクセス蓋２５６によって囲まれる、上側基板アクセス容積部２５４を含んでもよい。アクセス蓋２５６は、締結部材２５８を介して取り外し可能に取り付けられてもよい。加えて、アクセス蓋２５６は、上側スリットバルブ２６０の組み込みのためにそれを通って形成される開口部を有してもよい。それ故に、上側スリットバルブ２６０は、ポートブロック２０４およびアクセス容積部２５４を介して図１での移送モジュール１１０などの移送モジュールから上側チャンバー容積部２１０への基板の移送を選択的に可能にしてもよい。
【００３３】
ポートブロック２０４は、下側スロットバルブ２６２の組み込みのためにそれを通って形成される開口部を有してもよい。従って、下側スリットバルブ２６２は、ポートブロック２０４を介して図１での移送モジュール１１０などの移送モジュールから下側チャンバー容積部２１２への基板の移送を選択的に可能にしてもよい。
【００３４】
一実施形態では、チャンバー２００は、上側チャンバー容積部２１０と流体連通する上側ディフューザーポート２６４を含んでもよい。チャンバー２００はまた、下側チャンバー容積部２１２と流体連通する下側ディフューザーポート２６６を含んでもよい。上側ディフューザーポート２６４および下側ディフューザーポート２６６は両方とも、不活性ガス源などのガス源に接続されるバルブ２６８にそれぞれ個別に連結されてもよい。バルブ２６８は、要望通りに上側チャンバー容積部２１０および／または下側チャンバー容積部２１２へのガス流を選択的に可能にしてもよい。
【００３５】
加えて、チャンバー２００は、上側チャンバー容積部２１０と流体連通する上側真空ポート２７０を含んでもよい。チャンバー２００はまた、下側チャンバー容積部２１２と流体連通する下側真空ポート２７２を含んでもよい。上側真空ポート２７０および下側真空ポート２７２は両方とも、粗引きポンプ、ターボ分子ポンプ、またはクライオポンプなどの真空源に次に接続されるバルブ２６８にそれぞれ個別に連結されてもよい。
【００３６】
一実施形態では、チャンバー２００は、チャンバー冷却チャネル２７４を含んでもよく、それは、チャンバー本体２０２の選択的熱管理のために水冷源などの流体冷却源に接続されてもよい。
【００３７】
一実施形態では、チャンバー２００は、上側壁２２０の１つに上側ゲージポート２７６および下側壁２２２の１つに下側ゲージポート２７８を含んでもよい。上側および下側ゲージポート２７６および２７８は、残留ガス分析器などの、上側および下側チャンバー容積部２１０および２１２を監視するためのさまざまなゲージのいずれかと流体連通してもよい。
【００３８】
プロセスでは、脱気チャンバー２００の実施形態は、それ自体の隔離環境でそれぞれ、２つの基板を同時にかまたは重複期間の間選択的におよび個別に、動的に脱気するために、図１でのクラスターツール１００などのクラスターツールと共に使用されてもよい。
【００３９】
例えば、移送ロボット１０９は、処理のために基板を取り出してもよい。移送ロボット１０９は次いで、動的脱気のために上側チャンバー容積部２１０内のリフトピン２４８上に上側スリットバルブ２６０を通って基板を移送してもよい。基板がヒーター２３４を介して加熱されるとき、アルゴンなどのガスが、バルブ２６８を通り上側ディフューザーポート２６４を通って送達される。ガスは、基板の表面を横断して流れ、上側真空ポート２７０を通って水分または他の汚染物質と一緒に除去される。
【００４０】
従って、上側チャンバープロセス中の特定の時点で、移送ロボット１０９は、処理のために別の基板を取り出してもよい。移送ロボット１０９は次いで、動的脱気のために下側チャンバー容積部２１２内のリフトピン２４８上に下側スリットバルブ２６２を通って基板を移送してもよい。基板がヒーター２３４を介して加熱されるとき、アルゴンなどのガスが、バルブ２６８を介して下側ディフューザーポート２６６を通って送達される。ガスは、基板の表面を横断して流れ、下側真空ポート２７２を通って水分または他の汚染物質と一緒に除去される。
【００４１】
従って、２つの別個の基板はそれぞれ、基板処理システムのスループットを最大にするために、分離され、必要に応じて同時にまたは重複期間中に脱気されてもよい。さらに、各基板は、処理されている間分離されるので、交差汚染は、もう一方の基板の移送または処理中に生じない。さらに、チャンバー２００は、上側チャンバー容積部２１０および下側チャンバー容積部２１２を互い違いに配置することによって最小の全フットプリントの状態でこのタスクを遂行できる。それ故に、脱気チャンバー２００は、基板処理システムのための空間およびコスト要件を大幅に増加させることなくスループットを著しく改善できる。
【００４２】
前述のことは、本発明の実施形態を対象にするが、本発明の他のおよびさらなる実施形態は、本発明の基本的範囲から逸脱することなく考案されてもよく、本発明の範囲は、次に来る特許請求の範囲によって決定される。
【図１】
2011512020.tif 000003
【図２】
2011512020.tif 000004
【図３】
2011512020.tif 000005
【手続補正書】
【提出日】平成22年12月20日(2010.12.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の処理容積部と、
前記第１の処理容積部に垂直であり、前記第１の処理容積部から中心がオフセットされる第２の処理容積部とを備え、
前記第１および第２の処理容積部は、交差汚染が同時処理中に生じないようにお互いから分離される、基板処理チャンバー。
【請求項２】
前記第１の処理容積部内に配置される基板支持ヒーターと、
前記第２の処理容積部内に配置される基板支持ヒーターとをさらに備え、
各基板支持ヒーターは、台座部分およびプラテン部分を備える、請求項１に記載の基板処理チャンバー。
【請求項３】
前記第２の処理容積部を覆うチャンバー蓋をさらに備え、前記チャンバー蓋は、取り外し可能である、請求項２に記載の基板処理チャンバー。
【請求項４】
前記第１の処理容積部の下にチャンバー底部をさらに備え、前記チャンバー底部は、前記第２の処理容積部へのアクセスを可能にするために旋回する、請求項２に記載の基板処理チャンバー。
【請求項５】
前記第１の処理容積部内に配置される基板リフト装置と、
前記第２の処理容積部内に配置される基板リフト装置とをさらに備え、
各基板リフト装置は、各基板支持ヒータープラテン部分内に構成される開口部を通って延びるように配置される複数のリフトピンを備える、請求項２に記載の基板処理チャンバー。
【請求項６】
上側処理領域および下側処理領域を有するように構成される主チャンバー本体であって、前記上側処理領域は、前記下側処理領域と重なる、主チャンバー本体と、
前記上側処理領域の上で前記主チャンバー本体とのシール可能な接続のために構成される取り外し可能なチャンバー蓋と、
前記下側処理領域の下で前記主チャンバー本体とのシール可能な接続のために構成されるチャンバー底部部材とを備え、前記チャンバー底部部材は、前記主チャンバー本体と枢動可能に係合する、基板処理チャンバー。
【請求項７】
前記上側処理領域内への基板の移送を選択的に可能にするように構成される上側スリットバルブと、
前記上側および下側処理領域との流体連通を可能にするように構成されるポートブロックと、
前記下側処理領域内への基板の移送を選択的に可能にするように構成される下側スリットバルブとをさらに備える、請求項６に記載の基板処理チャンバー。
【請求項８】
前記上側および下側処理領域は、中心がオフセットされる、請求項６に記載の基板処理チャンバー。
【請求項９】
前記上側処理領域内に配置される上側基板支持ヒーターであって、それを通って延びる複数の開口部を有する上側基板支持ヒーターと、
前記下側処理領域内に配置される下側基板支持ヒーターであって、それを通って延びる複数の開口部を有する下側基板支持ヒーターとをさらに備える、請求項８に記載の基板処理チャンバー。
【請求項１０】
前記上側基板支持ヒーター内の前記複数の開口部の１つと整列されるリフトピンを有する上側基板リフト装置であって、垂直に移動可能である上側基板リフト装置と、
前記下側基板支持ヒーター内の前記複数の開口部の１つと整列されるリフトピンを有する下側基板リフト装置であって、垂直に移動可能である下側基板リフト装置とをさらに備える、請求項９に記載の基板処理チャンバー。
【請求項１１】
前記上側処理領域内へガスの流れを選択的に印加するように構成される上側ディフューザーと、
前記下側処理領域内へガスの流れを選択的に印加するように構成される下側ディフューザーとをさらに備え、
前記上側処理領域は、前記下側処理領域から分離される、請求項６に記載の基板処理チャンバー。
【請求項１２】
ロードロックチャンバーと、
移送モジュールと、
処理チャンバーとを備え、前記処理チャンバーは、
ポートブロックと、
主チャンバー本体とを備え、前記主チャンバー本体は、下側処理領域と重なる上側処理領域を形成し、前記上側および下側処理領域は、お互いから分離され、中心がオフセットされる、基板処理システム。
【請求項１３】
前記移送モジュールは、
正方形の水平プロファイルを有し、前記ロードロックチャンバーと前記処理チャンバーとの間で基板を移送するための移送ロボットがその中に含まれる移送チャンバーと、
真空システムと前記移送チャンバーとの間をインターフェースで接続するように構成される真空延長チャンバーとをさらに備える、請求項１２に記載の基板処理システム。
【請求項１４】
前記処理チャンバーは、
前記上側処理領域へのアクセスを選択的に可能にするように構成される上側スリットバルブと、
前記上側処理領域内に構成される上側基板支持ヒーターと、
前記下側処理領域内に構成される下側基板支持ヒーターと、
不活性ガス源から前記上側処理領域内へガス流を向けるように構成される上側ディフューザーと、
不活性ガス源から前記下側処理領域内へガス流を向けるように構成される下側ディフューザーとをさらに備える、請求項１３に記載の基板処理システム。
【請求項１５】
前記処理チャンバーは、
前記上側処理領域の上で前記主チャンバー本体と密閉して係合される上側蓋部材であって、前記上側処理領域へのアクセスを可能にするように取り外し可能である上側蓋部材と、
前記下側処理領域の下で前記主チャンバー本体と密閉して係合される下側底部部材であって、前記下側処理領域へのアクセスを可能にするように旋回する下側底部部材とをさらに備える、請求項１３に記載の基板処理システム。
【国際調査報告】
2011512020.tif 000006
2011512020.tif 000007