(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板本体と前記基板本体の第１面に形成された配線パターンとを含む第１の基板と、前記第１の基板に電気的に接続された電子部品と、を含む第１の構造体と、
前記第１の構造体を封止するように形成された第１の封止樹脂と、
前記第１の封止樹脂によって封止された前記第１の構造体を、前記配線パターンの第１面を露出するように封止する第２の封止樹脂と、
前記配線パターンの第１面上及び前記第２の封止樹脂上に形成された絶縁層と、
前記絶縁層上に形成され、前記絶縁層を貫通するビアを介して前記電子部品と電気的に接続された再配線と、
を含み、
前記基板本体の第１面と前記絶縁層との間には、前記第２の封止樹脂が形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記第２の封止樹脂によって封止され、その一面側と他面側とが電気的に接続されている第２の基板を更に有し、
前記第２の封止樹脂の一面側と他面側とは前記第２の基板を介して電気的に接続されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第２の封止樹脂を貫通する貫通電極を介して、前記第２の封止樹脂の一面側と他面側とが電気的に接続されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第２の基板は、前記絶縁層上に積層されていることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記電子部品は、前記第１の基板とはんだを介して電気的に接続されていることを特徴とする請求項１〜４の何れか一項に記載の半導体装置。
【請求項６】
第１の基板と、前記第１の基板に電気的に接続された電子部品とを含む第１の構造体を封止するように第１の封止樹脂を形成する第１封止工程と、
前記第１の基板が支持体の粘着面に対向するように、前記第１の構造体を固定する固定
工程と、
前記第１の封止樹脂によって封止された前記第１の構造体を更に封止するように前記粘着面上に第２の封止樹脂を形成する第２封止工程と、
前記支持体を剥離する工程と、
前記第１の基板上及び前記第２の封止樹脂上に絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、
前記絶縁層上に、該絶縁層を貫通するビアを介して前記電子部品と電気的に接続される再配線を形成する工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記固定工程では、前記第１の構造体と共に、一面側と他面側とが基板内部を通して電気的に接続されている第２の基板を前記支持体に固定し、
前記第２封止工程では、前記第１の封止樹脂によって封止された前記第１の構造体と、前記第２の基板を封止するように前記第２の封止樹脂を形成し、
前記第２の基板を介して前記第２の封止樹脂の一面側と他面側とを電気的に接続する配線を形成する工程を更に含むことを特徴とする請求項６に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記第２の封止樹脂を貫通し、前記第２の封止樹脂の一面側と他面側とを電気的に接続する貫通電極を形成する工程を更に含むことを特徴とする請求項６に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体チップなどの電子部品が内蔵された電子部品内蔵基板が知られている（例えば、特許文献１，２参照）。電子部品内蔵基板の製造方法としては、例えば粘着シート上に固定した電子部品を封止樹脂で封止した後に、粘着シートを剥離し、封止樹脂の上下面に絶縁層を形成し、その絶縁層に孔あけして電子部品の接続端子を露出させ、その接続端子に配線パターン（再配線）を形成する方法が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】国際公開第２００２／０１５２６６号公報
【特許文献２】特開２００３−３０９２４３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところが、上述の電子部品内蔵基板では、粘着シート上に固定される電子部品の接続端子の材料が制約されるという問題がある。例えば接続端子がはんだコートされている場合には、再配線を形成する際のウェットプロセス時にはんだによるコンタミネーション等の問題が発生する。このため、接続端子がはんだコートされている電子部品は、上述した電子部品内蔵基板には適用することができない。
【０００５】
また、電子部品として半導体チップを内蔵する場合には、その半導体チップの接続端子表面がアルミニウムやアルミニウム合金であるため、その接続端子を露出させるための孔あけをレーザ加工によって行うことはできない。これは、ＣＯ２レーザ等によって孔あけを行うと、半導体チップの接続端子までエッチングされ、半導体チップの回路素子がダメージを受けてしまうためである。このため、この場合には、封止樹脂を覆うように形成される再配線用の絶縁層としては、感光性材料しか用いることができない。すなわち、この場合には、再配線用の絶縁層の材料が制約されるという問題がある。
【０００６】
本発明は上記問題点を解決するためになされたものであって、その目的は、材料選択の自由度の高い半導体装置及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一観点によれば、基板本体と前記基板本体の第１面に形成された配線パターンとを含む第１の基板と、前記第１の基板に電気的に接続された電子部品と、を含む第１の構造体と、前記第１の構造体を封止するように形成された第１の封止樹脂と、前記第１の封止樹脂によって封止された前記第１の構造体を、前記配線パターンの第１面を露出するように封止する第２の封止樹脂と、前記配線パターンの第１面上及び前記第２の封止樹脂上に形成された絶縁層と、前記絶縁層上に形成され、前記絶縁層を貫通するビアを介して前記電子部品と電気的に接続された再配線と、を含む。また、前記基板本体の第１面と前記絶縁層との間には、前記第２の封止樹脂が形成されている。
【０００８】
この構成によれば、電子部品の接続端子ではなく、その電子部品と電気的に接続される第１の基板の接続端子に対して再配線の形成が実行される。これにより、電子部品の接続端子に対して再配線の形成を実行する際に発生し得る問題の発生を未然に防止することができる。このため、電子部品の接続端子の表面仕様を問わずに電子部品を内蔵することができ、材料選択の自由度を向上させることができる。
【０００９】
本発明の一観点によれば、第１の基板と、前記第１の基板に電気的に接続された電子部品とを含む第１の構造体を封止するように第１の封止樹脂を形成する第１封止工程と、前記第１の基板が支持体の粘着面に対向するように、前記第１の構造体を固定する固定工程と、前記第１の封止樹脂によって封止された前記第１の構造体を更に封止するように前記粘着面上に第２の封止樹脂を形成する第２封止工程と、前記第１の基板上及び前記第２の封止樹脂上に絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、前記絶縁層上に、該絶縁層を貫通するビアを介して前記電子部品と電気的に接続される再配線を形成する工程と、を含む。
【００１０】
この構成によれば、電子部品の接続端子ではなく、その電子部品と電気的に接続される第１基板の接続端子に対して再配線の形成が実行される。これにより、電子部品の接続端子に対して再配線の形成を実行する際に発生し得る問題の発生を未然に防止することができる。このため、電子部品の接続端子の表面仕様を問わずに電子部品を内蔵することができ、材料選択の自由度を向上させることができる。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の一観点によれば、材料選択の自由度の高い半導体装置及びその製造方法を提供できるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】第１実施形態の電子部品内蔵基板を示す概略断面図。
【図２】（ａ）〜（ｃ）は、第１実施形態の電子部品内蔵基板の製造方法を示す概略断面図。
【図３】（ａ）〜（ｅ）は、第１実施形態の電子部品内蔵基板の製造方法を示す概略断面図。
【図４】第２実施形態の電子部品内蔵基板を示す概略断面図。
【図５】（ａ）、（ｂ）は、第２実施形態の電子部品内蔵基板の製造方法を示す概略断面図。
【図６】（ａ）〜（ｄ）は、第２実施形態の電子部品内蔵基板の製造方法を示す概略断面図。
【図７】第３実施形態の電子部品内蔵基板を示す概略断面図。
【図８】第３実施形態の電子部品内蔵基板を示す概略平面図。
【図９】（ａ）〜（ｄ）は、第３実施形態の電子部品内蔵基板の製造方法を示す概略断面図。
【図１０】（ａ）〜（ｄ）は、第３実施形態の電子部品内蔵基板の製造方法を示す概略断面図。
【図１１】第４実施形態の電子部品内蔵基板を示す概略断面図。
【図１２】第４実施形態の電子部品内蔵基板を示す概略平面図。
【図１３】（ａ）〜（ｃ）は、第４実施形態の電子部品内蔵基板の製造方法を示す概略断面図。
【図１４】（ａ）〜（ｃ）は、第４実施形態の電子部品内蔵基板の製造方法を示す概略断面図。
【図１５】（ａ）、（ｂ）は、変形例の電子部品内蔵基板を示す概略平面図。
【図１６】（ａ）〜（ｄ）は、変形例の電子部品内蔵基板の製造方法を示す概略断面図。
【図１７】（ａ）、（ｂ）は、変形例の電子部品内蔵基板の製造方法を示す概略断面図。
【図１８】変形例の電子部品内蔵基板を示す概略断面図。
【図１９】変形例の電子部品内蔵基板を示す概略断面図。
【図２０】変形例の電子部品内蔵基板を示す概略断面図。
【図２１】変形例の電子部品内蔵基板を示す概略断面図。
【図２２】変形例の電子部品内蔵基板を示す概略断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、添付図面を参照して各実施形態を説明する。尚、添付図面は、構造の概略を説明するためのものであり、実際の大きさを表していない。
（第１実施形態）
以下、第１実施形態を図１〜図３に従って説明する。
【００１４】
図１に示すように、電子部品内蔵基板１（半導体装置）は、第１の構造体１０と、封止樹脂１７（第１の封止樹脂）と、封止樹脂２０（第２の封止樹脂）と、絶縁層３０と、ビア３１と、配線パターン３２と、ソルダレジスト層３３とを有する。
【００１５】
第１の構造体１０は、基板１１と、その基板に搭載された電子部品１６とを有する。
基板１１は、基板本体１２と、貫通ビア１３と、配線パターン１４，１５とを有する。基板本体１２としては、例えばガラスエポキシ基板を用いることができる。この基板本体１２には、所要の箇所（図１では３箇所）に貫通孔１２Ｘが形成されている。この貫通孔１２Ｘは、基板本体１２の面１２ａから面１２ｂまでを貫通するように形成されている。
【００１６】
貫通ビア１３は、貫通孔１２Ｘに設けられている。貫通ビア１３は、その一方の端部が配線パターン１４に接続されるとともに、他方の端部が配線パターン１５に接続されている。
【００１７】
配線パターン１４は、基板本体１２の面１２ａ（電子部品１６が実装される実装面）に形成されている。また、配線パターン１５は、基板本体１２の面１２ｂ（実装面と反対側の面）に形成されている。これら配線パターン１４，１５は、上記貫通ビア１３を介して相互に電気的に接続されている。なお、貫通ビア１３及び配線パターン１４，１５の材料としては、例えば銅（Ｃｕ）を用いることができる。
【００１８】
電子部品１６は、その回路形成面１６ａ（図１において上面）にはんだ１６ｂが形成されている。この電子部品１６は、上記はんだ１６ｂを介して基板１１の配線パターン１４に電気的に接続されることにより、基板１１に搭載（実装）されている。このため、電子部品１６のはんだ１６ｂは、配線パターン１４及びビア１３を介して配線パターン１５と電気的に接続されている。換言すると、電子部品１６のはんだ１６ｂが基板１１を介して配線パターン１５（例えば、Ｃｕパッド）に変換されている。なお、電子部品１６としては、例えば半導体チップ、チップ抵抗、チップコンデンサ、水晶振動子等を用いることができる。
【００１９】
封止樹脂１７は、このように構成された第１の構造体１０（具体的には、電子部品１６、はんだ１６ｂ及び基板１１の配線パターン１４）を封止するように基板本体１２の面１２ａ側に設けられている。なお、この封止樹脂１７の材料としては、例えば無機フィラー入りのエポキシ樹脂などを用いることができる。また、その形態としては、液状の樹脂に限らず、タブレット状の樹脂や粉末状の樹脂でもよい。封止樹脂１７を充填する方法としては、トランスファーモールド、コンプレッションモールド、インジェクションモールドやポッティング等の方法を用いて実施することができる。あるいは、印刷法によりペースト状の樹脂を塗布する方法でも可能である。
【００２０】
封止樹脂２０は、上記封止樹脂１７によって封止された第１の構造体１０を更に封止するように設けられている。この封止樹脂２０の面２０ａ（図１において上面）と配線パターン１５の面１５ａ（図１において上面）とは面一とされている。このため、配線パターン１５の面１５ａは、封止樹脂２０から露出している。また、封止樹脂２０は、その面２０ｂ（樹脂封止面）が平滑な面となるように形成されている。この封止樹脂２０の材料としては、例えば無機フィラー入りのエポキシ樹脂などを用いることができる。また、その形態としては、液状の樹脂に限らず、タブレット状の樹脂や粉末状の樹脂でもよい。封止樹脂２０を充填する方法としては、トランスファーモールド、コンプレッションモールド、インジェクションモールドやポッティング等の方法を用いて実施することができる。あるいは、印刷法によりペースト状の樹脂を塗布する方法でも可能である。
【００２１】
絶縁層３０（再配線用の絶縁層）は、基板１１（配線パターン１５）上及び封止樹脂２０上に形成されている。具体的には、絶縁層３０は、封止樹脂２０の面２０ａ及び配線パターン１５の面１５ａを覆うように形成されている。この絶縁層３０には、所要の箇所に、上記配線パターン１５に達するビアホール３０Ｘが形成されている。このビアホール３０Ｘには、導体（ビア）３１が充填されている。なお、絶縁層３０の材料としては、感光性を有する材料、及び感光性を有しない材料のいずれも用いることができる。絶縁層３０としては、例えば粘着性や接着性を有するＢ−ステージ状態（半硬化状態）のシート状の絶縁樹脂、ペースト状の絶縁樹脂、ビルドアップ樹脂（フィラー入りのエポキシ樹脂やフィラーなしのエポキシ樹脂）や液晶ポリマー等を用いることができる。
【００２２】
配線パターン３２（再配線）は、絶縁層３０の上面に形成されている。この配線パターン３２は、上記ビア３１と電気的に接続されている。これにより、配線パターン３２は、ビア３１、配線パターン１５、貫通ビア１３、配線パターン１４及びはんだ１６ｂを介して電子部品１６と電気的に接続されている。なお、ビア３１及び配線パターン３２の材料としては、例えばＣｕを用いることができる。
【００２３】
ソルダレジスト層３３は、配線パターン３２を覆うように絶縁層３０の上面に設けられている。このソルダレジスト層３３には、配線パターン３２の一部を露出させるための開口部３３Ｘが形成されている。この開口部３３Ｘから露出する部分の配線パターン３２は、他の基板等と接続するための電極パッドとして機能する。上記ソルダレジスト層３３の材料としては、例えばエポキシ系やアクリル系の絶縁性樹脂を用いることができる。
【００２４】
なお、図示の例では説明の簡単化のため、配線パターン３２を最外層の配線層としているが、この電子部品内蔵基板１に要求される機能等に応じて封止樹脂２０の上面側に適宜形成され得るビルドアップ層のうちの１つの配線層であってもよい。すなわち、必要に応じて所定数のビルドアップ層を形成した後、最外層の配線層を形成してもよい。
【００２５】
次に、このように構成された電子部品内蔵基板１の製造方法について図２及び図３に従って説明する。
まず、第１の構造体１０（より具体的には、封止樹脂１７によって封止された第１の構造体１０）を用意する。第１の構造体１０は、例えば以下のようにして製造することができる。
【００２６】
はじめに、図２（ａ）に示す工程では、第１の構造体１０が形成される領域Ａを複数有した基板５７を準備する。複数の領域Ａ間は、切断領域Ｂにより分離されている。基板５７は、後述する図２（ｃ）に示す工程において、切断領域Ｂに対応する部分を切断することにより、複数の基板本体１２となる。この基板５７としては、例えばガラスエポキシ基板を用いることができる。そして、図２（ａ）に示すように、公知の技術を用いて、領域Ａに対応する部分の基板５７に、貫通孔１２Ｘ、貫通ビア１３、配線パターン１４，１５を形成する。
【００２７】
次に、図２（ｂ）に示すように、基板５７に電子部品１６を実装（搭載）する。具体的には、基板５７の配線パターン１４にはんだ１６ｂを介して電子部品１６を電気的に接続することにより、電子部品１６を基板５７に搭載する。続いて、電子部品１６、はんだ１６ｂ及び配線パターン１４を封止するように基板５７上に封止樹脂１７を形成する（第１封止工程）。この封止樹脂１７としては、例えばトランスファーモールド法により形成されたエポキシ系モールド樹脂を用いることができる。
【００２８】
その後、図２（ｃ）に示すように、切断領域Ｂに対応する部分の封止樹脂１７及び基板５７をダイシングブレード等によって切断する。これにより、封止樹脂１７によって封止された第１の構造体１０が複数製造される。
【００２９】
次に、図３（ａ）に示す工程（固定工程）では、支持体５８を準備する。この支持体５８の面５８ａと第１の構造体１０の配線パターン１５の面１５ａが対向するように、第１の構造体１０を支持体５８の面５８ａに配置する。ここで、支持体５８の面５８ａは、例えば粘着性を有しており、配置された第１の構造体１０が固定される。なお、支持体５８の面５８ａが粘着性を有していない場合には、例えば接着用テープ等により面５８ａを粘着面として、配置された第１の構造体１０を固定する。支持体５８としては、例えばＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルム、ＰＩ（ポリイミド）フィルム、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）フィルム、金属板、ガラス板等を用いることができる。
【００３０】
続いて、図３（ｂ）に示すように、封止樹脂１７によって封止された第１の構造体１０を、さらに封止するように支持体５８の面５８ａ上に封止樹脂２０を形成する（第２封止工程）。この封止樹脂２０は、例えばモールディング用の金型（上型と下型）を用いて熱とプレスによる圧縮形成を行うことによって形成することができる。なお、このとき、第１の構造体１０が支持体５８に固定された状態で封止樹脂２０が形成されるため、封止樹脂２０の面２０ａと配線パターン１５の面１５ａとは面一となる。
【００３１】
次いで、図３（ｃ）に示すように、支持体５８を除去する。次に、粗化処理を施した後、封止樹脂２０の面２０ａ上に、封止樹脂２０の面２０ａ及び配線パターン１５の面１５ａを覆うように絶縁層３０を形成する（絶縁層形成工程）。この絶縁層３０の形成方法の一例としては、封止樹脂２０の面２０ａ及び配線パターン１５の面１５ａを覆うようにエポキシ系樹脂等の樹脂フィルムをラミネートし、その後、例えば１９０℃程度の温度で熱処理して硬化させることにより絶縁層３０を形成することができる。また、封止樹脂２０の面２０ａ及び配線パターン１５の面１５ａを覆うようにエポキシ系樹脂等の液状の樹脂を塗布した後に、例えば１９０℃程度の温度で熱処理して硬化させることによっても絶縁層３０を形成することができる。
【００３２】
次に、図３（ｄ）に示すように、配線パターン１５が露出するように、レーザ加工法等を用いて絶縁層３０を貫通する貫通穴であるビアホール３０Ｘを形成する。レーザとしては、例えばＣＯ２レーザ、エキシマレーザやＹＡＧレーザ等を用いることができる。
【００３３】
このように、本実施形態では、電子部品１６のはんだ１６ｂと基板１１を介して電気的に接続された配線パターン１５を露出させるために上記ビアホール３０Ｘが形成される。このため、そのビアホール３０Ｘをレーザ加工法により形成したとしても、電子部品１６の回路形成面１６ａ等がそのレーザによって影響を受けることがない。これにより、絶縁層３０の材料としては、感光性を有する材料、及び感光性を有しない材料のいずれも用いることができる。なお、絶縁層３０として感光性を有する材料を用いる場合には、フォトリソグラフィによりパターニングして上記ビアホール３０Ｘを形成することもできる。
【００３４】
続いて、レーザ加工法によりビアホール３０Ｘを形成した場合には、そのビアホール３０Ｘ内をデスミア処理することにより、ビアホール３０Ｘ内に残留する樹脂スミアを除去してクリーニングする。なお、デスミア処理としては、例えば過マンガン酸カリウム法などを用いることができる。
【００３５】
次に、図３（ｅ）に示すように、例えばセミアディティブ法により、配線パターン３２及びビア３１を形成する。すなわち、絶縁層３０、配線パターン１５及びビアホール３０Ｘの内壁を覆うようにシード層を形成し、そのシード層上に配線パターン３２の形状に対応した開口パターンを有するレジストを形成し、上記シード層を給電層とする電解銅めっきによってビア３１及び配線パターン３２を形成する。これにより、配線パターン３２は、ビア３１、配線パターン１５、貫通ビア１３、配線パターン１４及びはんだ１６ｂを介して電子部品１６に電気的に接続される。
【００３６】
ここで、ビアホール３０Ｘによって露出されている配線パターン１５は、電子部品１６の接続端子（本例では、はんだ１６ｂ）ではなく、そのはんだ１６ｂと基板１１を介して電気的に接続された配線パターン１５である。このため、配線パターン３２（再配線）を形成する際のウェットプロセス時において、電子部品１６のはんだ１６ｂによるコンタミネーションが発生することはない。また、電子部品１６が実装される基板１１（配線パターン１５）の表面処理を適切に選択することにより、配線パターン１５によるコンタミネーションが発生することも抑制することができる。このため、電子部品１６の接続端子の表面仕様を問わずに電子部品１６を内蔵することができる。
【００３７】
続いて、図３（ｅ）に示すように、配線パターン３２及び絶縁層３０を覆うように、配線パターン３２の一部を露出する開口部３３Ｘを有するソルダレジスト層３３を形成する。例えば、配線パターン３２及び絶縁層３０を覆うようにソルダレジスト層３３を形成した後、フォトリソグラフィによりソルダレジスト層３３を露光・現像して図３（ｅ）に示す上記開口部３３Ｘ、つまり配線パターン３２の一部を露出する開口部３３Ｘを形成することで、開口部３３Ｘを有するソルダレジスト層３３を形成する。以上の製造工程により、本実施形態の電子部品内蔵基板１が製造される。
【００３８】
以上説明したように、本実施形態によれば、以下の効果を奏することができる。
（１）基板本体１２の両面に形成された配線パターン１４，１５が貫通ビア１３を介して電気的に接続された形態を有する基板１１の配線パターン１４に電子部品１６を実装し、配線パターン１５に対して配線パターン３２（再配線）を形成するようにした。これにより、再配線用の絶縁層３０のビアホール３０Ｘによって露出される導体を、電子部品１６の接続端子（本例では、はんだ１６ｂ）ではなく、そのはんだ１６ｂと基板１１を介して電気的に接続された配線パターン１５とすることができる。このため、配線パターン３２（再配線）を形成する際のウェットプロセス時において、電子部品１６のはんだ１６ｂによるコンタミネーションが発生することはない。また、電子部品１６が実装される基板１１（配線パターン１５）の表面処理を適切に選択することにより、配線パターン１５によるコンタミネーションが発生することも抑制することができる。このため、電子部品１６の接続端子の表面仕様を問わずに電子部品１６を内蔵することができ、材料選択の自由度を向上させることができる。
【００３９】
（２）さらに、電子部品１６のはんだ１６ｂと電気的に接続された配線パターン１５を露出させるために、再配線用の絶縁層３０にビアホール３０Ｘが形成されることになる。このため、そのビアホール３０Ｘをレーザ等により形成したとしても、電子部品１６の回路形成面１６ａ等がそのレーザによって影響を受けることがない。これにより、絶縁層３０の材料としては、感光性を有する材料、及び感光性を有しない材料のいずれも用いることができる。換言すると、絶縁層３０の材料選択の自由度を向上させることができる。
【００４０】
（第２実施形態）
以下、第２実施形態を図４〜図６に従って説明する。先の図１〜図３に示した部材と同一の部材にはそれぞれ同一の符号を付して示し、それら各要素についての詳細な説明は省略する。
【００４１】
図４に示すように、電子部品内蔵基板２は、第１の構造体１０と、封止樹脂１７と、封止樹脂２１と、絶縁層３０と、ビア３１と、配線パターン３２と、ソルダレジスト層３３と、上部配線３４と、貫通ビア４０と、絶縁層４１と、下部配線４２と、ソルダレジスト層４３とを有する。
【００４２】
封止樹脂２１は、封止樹脂１７によって封止された第１の構造体１０を更に封止するように設けられている。この封止樹脂２１の面２１ａと第１の構造体１０の配線パターン１５の面１５ａとは面一とされている。このため、配線パターン１５の面１５ａは、封止樹脂２１から露出している。
【００４３】
絶縁層３０は、基板１１（配線パターン１５）上及び封止樹脂２１上に形成されている。具体的には、絶縁層３０は、封止樹脂２１の面２１ａ及び配線パターン１５の面１５ａを覆うように形成されている。絶縁層４１は、封止樹脂２１の面２１ｂ（樹脂封止面）を覆うように形成されている。これら絶縁層３０，４１及び封止樹脂２１には、貫通孔２１Ｘが形成されている。
【００４４】
貫通ビア４０は、貫通孔２１Ｘ内に形成されている。貫通ビア４０は、その一方の端部が上部配線３４に接続されるとともに、他方の端部が下部配線４２に接続されている。なお、貫通ビア４０の材料としては、例えばＣｕを用いることができる。
【００４５】
上部配線３４は、配線パターン３２と同様に、絶縁層３０の上面に形成されている。この上部配線３４は、上記貫通ビア４０と電気的に接続されている。
下部配線４２は、絶縁層４１の下面に形成されている。この下部配線４２は、上記貫通ビア４０と電気的に接続されている。これら上部配線３４及び下部配線４２は、貫通ビア４０を介して相互に電気的に接続されている。このように、封止樹脂２１を貫通する貫通ビア４０を介して、封止樹脂２１の一面側（面２１ａ側）と他面側（面２１ｂ側）とが電気的に接続されている。なお、これら上部配線３４及び下部配線４２の材料としては、例えばＣｕを用いることができる。
【００４６】
ソルダレジスト層３３は、配線パターン３２及び上部配線３４を覆うように絶縁層３０の上面に設けられている。このソルダレジスト層３３には、配線パターン３２の一部を露出させるための開口部３３Ｘと、上部配線３４の一部を露出させるための開口部３３Ｙとが形成されている。これら開口部３３Ｘ，３３Ｙからそれぞれ露出する部分の配線パターン３２及び上部配線３４は、他の基板等と接続するための電極パッドとして機能する。
【００４７】
ソルダレジスト層４３は、下部配線４２を覆うように絶縁層４１の下面に設けられている。このソルダレジスト層４３には、下部配線４２の一部を露出させるための開口部４３Ｘが形成されている。この開口部４３Ｘから露出する部分の下部配線４２は、他の基板等と接続するための電極パッドとして機能する。上記ソルダレジスト層４３の材料としては、例えばエポキシ系やアクリル系の絶縁性樹脂を用いることができる。
【００４８】
なお、図示の例では説明の簡単化のため、配線パターン３２及び上部配線３４を最外層の配線層としているが、この電子部品内蔵基板２に要求される機能等に応じて封止樹脂２１の面２１ａ側に適宜形成され得るビルドアップ層のうちの１つの配線層であってもよい。すなわち、必要に応じて所定数のビルドアップ層を形成した後、最外層の配線層を形成してもよい。
【００４９】
また、下部配線４２を最外層の配線層としているが、この電子部品内蔵基板２に要求される機能等に応じて封止樹脂２１の面２１ｂ側に適宜形成され得るビルドアップ層のうちの１つの配線層であってもよい。すなわち、必要に応じて所定数のビルドアップ層を形成した後、最外層の配線層を形成してもよい。
【００５０】
次に、このように構成された電子部品内蔵基板２の製造方法について図５及び図６に従って説明する。
上記第１実施形態と同様の手法により、図５（ａ）に示すように、支持体５８の面５８ａと第１の構造体１０の配線パターン１５の面１５ａが対向するように、第１の構造体１０を支持体５８の面５３ａに固定し、その第１の構造体１０を封止するように支持体５８の面５８ａ上に封止樹脂２１を形成する。
【００５１】
次に、図５（ｂ）に示すように、支持体５８を除去する。続いて、粗化処理を施した後、封止樹脂２１の面２１ａ及び配線パターン１５の面１５ａを覆うように絶縁層３０を形成するとともに、封止樹脂２１の面２１ｂを覆うように絶縁層４１を形成する。なお、絶縁層４１の形成方法の一例としては、封止樹脂２１の面２１ｂを覆うようにエポキシ系樹脂等の樹脂フィルムをラミネートし、その後、例えば１９０℃程度の温度で熱処理して硬化させることにより絶縁層４１を形成することができる。また、封止樹脂２１の面２１ｂを覆うようにエポキシ系樹脂等の液状の樹脂を塗布した後に、例えば１９０℃程度の温度で熱処理して硬化させることによっても絶縁層４１を形成することができる。あるいは、フォトリソグラフィ法やスクリーン印刷法などにより絶縁層４１を形成することもできる。
【００５２】
次に、図６（ａ）に示すように、配線パターン１５の一部が露出するように、レーザ加工法等を用いて絶縁層３０を貫通するビアホール３０Ｘを形成する。さらに、絶縁層３０，４１及び封止樹脂２１を貫通する貫通孔２１Ｘを封止樹脂２１及び絶縁層３０，４１及びに形成する。この貫通孔２１Ｘは、例えばレーザ加工や機械ドリル加工、ルーター加工等により形成することができる。
【００５３】
続いて、デスミア処理後、図６（ｂ）に示すように、銅めっきやスクリーン印刷法等の方法により、ビアホール３０Ｘ内にビア３１を形成し、貫通孔２１Ｘ内に貫通ビア４０を形成する。次いで、図６（ｃ）に示すように、例えばセミアディティブ法により、絶縁層３０の上面に配線パターン３２及び上部配線３４を形成するとともに、絶縁層４１の下面に下部配線４２を形成する。
【００５４】
次に、図６（ｄ）に示すように、配線パターン３２、上部配線３４及び絶縁層３０を覆うように、配線パターン３２及び上部配線３４の一部をそれぞれ露出する開口部３３Ｘ，３３Ｙを有するソルダレジスト層３３を形成する。また、下部配線４２及び絶縁層４１を覆うように、下部配線４２の一部を露出する開口部４３Ｘを有するソルダレジスト層４３を形成する。例えば、下部配線４２及び絶縁層４１を覆うようにソルダレジスト層４３を形成後、フォトリソグラフィによりソルダレジスト層４３を露光・現像して図６（ｄ）に示す開口部４３Ｘ、つまり下部配線４２の一部を露出する開口部４３Ｘを形成する。以上の製造工程により、本実施形態の電子部品内蔵基板２が製造される。
【００５５】
以上説明した本実施形態によれば、上記第１実施形態と同様の効果を奏する。
（第３実施形態）
以下、第３実施形態を図７〜図１０に従って説明する。先の図１〜図６に示した部材と同一の部材にはそれぞれ同一の符号を付して示し、それら各要素についての詳細な説明は省略する。
【００５６】
図７に示すように、電子部品内蔵基板３は、第１の構造体１０と、封止樹脂１７と、基板５０と、封止樹脂２２と、絶縁層３０，４１と、ビア３１，３５と、配線パターン３２と、ソルダレジスト層３３，４３と、上部配線３６と、ビア４４と、下部配線４５と、を有する。
【００５７】
基板５０は、多層プリント配線板である。この基板５０は、基板本体５１と、貫通ビア５２と、基板本体５１の外面の配線５３，５４と内層の配線５５とを合わせた５層の配線パターンとを含む多層基板である。
【００５８】
基板本体５１には、所要の箇所に（図７では６箇所）貫通孔５１Ｘが形成されている。この貫通孔５１Ｘは、基板本体５１の上面から下面までを貫通するように形成されている。なお、基板本体５１としては、例えばガラス布基材エポキシ樹脂銅張積層板などを用いることができる。
【００５９】
貫通ビア５２は、貫通孔５１Ｘ内に設けられている。この貫通ビア５２は、その一方の端部が配線５３に接続されるとともに、他方の端部が配線５４に接続されている。すなわち、貫通ビア５２は、基板５０の一面側（上面側）と他面側（下面側）と電気的に接続されている。
【００６０】
配線５３は、基板本体５１の一方の面（図７において上面）に形成されている。また、配線５４は、基板本体５１の他方の面（図７において下面）に形成されている。これら配線５３，５４は、上記貫通ビア５２を介して相互に電気的に接続されている。これら配線５３，５４及び貫通ビア５２の材料としては、例えばＣｕを用いることができる。なお、上記内層の配線５５は、電源配線やグランド層を含む。
【００６１】
また、基板５０には、第１の構造体１０が搭載（内蔵）される搭載位置に対応する位置に開口部５０ａが形成されている。本実施形態の基板５０では、図８に示すように、中央部に四角形状の開口部５０ａが形成されている。この開口部５０ａは、第１の構造体１０の外形よりも大きく形成されている。そして、基板５０は、その開口部５０ａが第１の構造体１０と対向するように配置されている。
【００６２】
図７に示すように、封止樹脂２２は、封止樹脂１７によって封止された第１の構造体１０及び基板５０を封止するように設けられている。この封止樹脂２２の上面と配線パターン１５及び配線５３の上面とは面一とされている。このため、配線パターン１５及び配線５３は、封止樹脂２２から露出している。
【００６３】
絶縁層３０は、封止樹脂２２上、基板１１（配線パターン１５）上及び基板５０（配線５３）上に形成されている。具体的には、絶縁層３０は、封止樹脂２２の一方の面（図７において上面）、配線パターン１５及び配線５３を覆うように形成されている。この絶縁層３０には、所要の箇所に、上記配線パターン１５に達するビアホール３０Ｘが形成されるとともに、上記配線５３に達するビアホール３０Ｙが形成されている。これらビアホール３０Ｘ，３０Ｙには、ビア３１，３５がそれぞれ充填されている。
【００６４】
絶縁層４１は、封止樹脂２２の他方の面（図７において下面）を覆うように形成されている。この絶縁層４１及び封止樹脂２２には、所要の箇所に、上記配線５４に達するビアホール２２Ｘが形成されている。このビアホール２２Ｘには、ビア４４が充填されている。
【００６５】
上部配線３６は、配線パターン３２と同様に、絶縁層３０の上面に形成されている。この上部配線３６は、上記ビアホール３０Ｙに充填されたビア３５と電気的に接続されている。
【００６６】
下部配線４５は、絶縁層４１の下面に形成されている。この下部配線４５は、上記ビアホール２２Ｘに充填されたビア４４と電気的に接続されている。これにより、下部配線４５は、ビア４４、配線５４、貫通ビア５２、配線５３及びビア３５を介して上部配線３６と電気的に接続されている。すなわち、基板５０の貫通ビア５２を介して、封止樹脂２２の一面側（上面側）と他面側（下面側）とが電気的に接続されている。より具体的には、基板５０の貫通ビア５２を介して電気的に接続された配線５３，５４を利用して、上部配線３６と下部配線４５とが相互に電気的に接続されている。なお、これら上部配線３６及び下部配線４５の材料としては、例えばＣｕを用いることができる。
【００６７】
ソルダレジスト層３３は、配線パターン３２及び上部配線３６を覆うように絶縁層３０の上面に設けられている。このソルダレジスト層３３には、配線パターン１５の一部を露出させるための開口部３３Ｘと、上部配線３６の一部を露出させるための開口部３３Ｚとが形成されている。これら開口部３３Ｘ，３３Ｚからそれぞれ露出する部分の配線パターン３２及び上部配線３６は、他の基板等と接続するための電極パッドとして機能する。
【００６８】
ソルダレジスト層４３は、下部配線４５を覆うように絶縁層４１の下面に設けられている。このソルダレジスト層４３には、下部配線４５の一部を露出させるための開口部４３Ｙが形成されている。この開口部４３Ｙから露出する部分の下部配線４５は、他の基板等と接続するための電極パッドとして機能する。
【００６９】
次に、このように構成された電子部品内蔵基板３の製造方法について図９及び図１０に従って説明する。
まず、基板５０を準備する。基板５０は、例えば以下のようにして製造することができる。すなわち、図９（ａ）に示すように、公知の技術を用いて、基板本体５１の外面の配線５３，５４と、内層の配線５５と、貫通ビア５２とを有するプリント配線板を形成する。次に、図９（ｂ）に示すように、図９（ａ）に示したプリント配線板に、第１の構造体１０の搭載位置に対応する位置を開口する開口部５０ａを形成することにより、基板５０を製造する。なお、この開口部５０ａは、例えばレーザ加工や機械ドリル加工、ルーター加工等によって形成することができる。
【００７０】
続いて、図９（ｃ）に示す工程（固定工程）では、支持体５８を準備する。この支持体５８の面５８ａと第１の構造体１０の配線パターン１５の面１５ａが対向するように、第１の構造体１０を支持体５８の面５８ａ（粘着面）に固定する。さらに、支持体５８の面５８ａと基板５０の配線５３の面５３ａが対向するように、且つ開口部５０ａが第１の構造体１０と対向するように、基板５０を支持体５８の面５８ａに固定する。
【００７１】
次に、図９（ｄ）に示すように、支持体５８上に固定された第１の構造体１０及び基板５０を封止するように支持体５８の面５８ａ上に封止樹脂２２を形成する（第２封止工程）。この封止樹脂２２は、例えばモールディング用の金型（上型と下型）を用いて熱とプレスによる圧縮形成を行うことによって形成することができる。なお、このとき、第１の構造体１０及び基板５０が支持体５８に固定された状態で封止樹脂２２が形成されるため、封止樹脂２２の面２２ａと配線パターン１５の面１５ａと配線５３の面５３ａとは面一となる。
【００７２】
続いて、図１０（ａ）に示すように、支持体５８を除去し、封止樹脂２２の面２２ａ上に、封止樹脂２２の面２２ａ、配線パターン１５の面１５ａ及び配線５３の面５３ａを覆うように絶縁層３０を形成する（絶縁層形成工程）。また、封止樹脂２２の面２２ｂ上に、封止樹脂２２の面２２ｂを覆うように絶縁層４１を形成する。
【００７３】
次に、図１０（ｂ）に示すように、第１の構造体１０の配線パターン１５の一部が露出するように、絶縁層３０を貫通するビアホール３０Ｘを形成する。また、基板５０の配線５３の一部が露出するように、絶縁層３０を貫通するビアホール３０Ｙを形成する。さらに、基板５０の配線５４の一部が露出するようにビアホール２２Ｘを封止樹脂２２及び絶縁層４１に形成する。これらビアホール３０Ｘ，３０Ｙ，２２Ｘは、例えばレーザ加工等によって形成することができる。レーザとしては、例えばＣＯ２レーザ、エキシマレーザやＹＡＧレーザを用いることができる。
【００７４】
続いて、デスミア処理後、図１０（ｃ）に示すように、例えばセミアディティブ法により、絶縁層３０の上面側にビア３１，３５、配線パターン３２及び上部配線３６を形成する。また、例えばセミアディティブ法により、絶縁層４１の下面側にビア４４及び下部配線４５を形成する。これにより、配線パターン３２は、ビア３１、配線パターン１５、貫通ビア１３、配線パターン１４及びはんだ１６ｂを介して電子部品１６に電気的に接続される。また、上部配線３６は、ビア３５、配線５３、貫通ビア５２、配線５４及びビア４４を介して下部配線４５と電気的に接続される。
【００７５】
次に、図１０（ｄ）に示すように、配線パターン３２、上部配線３６及び絶縁層３０を覆うように、配線パターン３２及び上部配線３６の一部をそれぞれ露出する開口部３３Ｘ，３３Ｚを有するソルダレジスト層３３を形成する。また、下部配線４５及び絶縁層４１を覆うように、下部配線４５の一部を露出する開口部４３Ｙを有するソルダレジスト層４３を形成する。以上の製造工程により、本実施形態の電子部品内蔵基板３が製造される。
【００７６】
以上説明した実施形態によれば、第１実施形態の（１）及び（２）の効果に加えて以下の効果を奏する。
（３）基板本体５１の両面（上下面）に形成された配線５３，５４が基板本体５１の内部の貫通ビア５２を介して電気的に接続された形態を有する基板５０を内蔵するようにした。そして、その基板５０の貫通ビア５２及び配線５３，５４を利用して、電子部品内蔵基板３の両面に形成される上部配線３６と下部配線４５とを相互に電気的に接続するようにした。これにより、封止樹脂２２を貫通する貫通孔を形成することなく、上部配線３６と下部配線４５とを電気的に接続することができる。
【００７７】
ここで、例えば内蔵する電子部品１６の高さが高くなると、その電子部品１６を封止する封止樹脂２２の高さも高くなる。この場合には、封止樹脂２２の上下面の電気的接続を行うために（上部配線３６と下部配線４５とを電気的に接続するために）、封止樹脂２２に貫通孔を形成することが困難である。例えばレーザ加工で封止樹脂２２に貫通孔を形成する場合には、その貫通孔の内壁の品質の良いストレートな孔加工を行うことが困難である。また、機械ドリルで封止樹脂２２に貫通孔を形成する場合には、封止樹脂２２に含まれる無機フィラーによって機械ドリルが磨耗するため、貫通孔を形成するための加工コストが増加するという問題がある。さらには、仮に封止樹脂２２に貫通孔が形成できたとしても、その貫通孔の内壁への導通付与（例えばスルーホールめっき）や貫通孔内への樹脂の充填等のプロセスが必要となるため、製造コストが増加するという問題がある。
【００７８】
これに対し、本実施形態の電子部品内蔵基板３では、上述のように、封止樹脂２２を貫通する貫通孔を形成することなく、上部配線３６と下部配線４５とを電気的に接続することができる。このため、内蔵する電子部品１６の高さが高くなっても、すなわち封止樹脂２２の高さが高くなっても、上述した問題点の発生を未然に防止しつつ、上部配線３６と下部配線４５との電気的接続を確実に行うことができる。したがって、内蔵する電子部品１６の高さの制約を受けることなく、電子部品内蔵基板３に電子部品１６を内蔵することができる。
【００７９】
（第４実施形態）
以下、第４実施形態を図１１〜図１４に従って説明する。
図１１に示すように、電子部品内蔵基板４は、基板６０（第１の基板）と、電子部品６５と、基板７０（第２の基板）と、封止樹脂７８と、絶縁層８０，９０と、ビア８１と、配線パターン８３と、上部配線８４と、ビア９１と、下部配線９２と、ソルダレジスト層８５，９３とを有する。
【００８０】
基板６０は、基板本体６１と配線パターン６２とを有する。基板本体６１は、板状の部材である。配線パターン６２は、基板本体６１の面６１ａに形成されている。なお、基板本体６１としては、例えば銅張積層板などを用いることができる。また、配線パターン６２の材料としては、例えばＣｕを用いることができる。
【００８１】
電子部品６５は、回路形成面６５ａ（図１１において上面）にはんだ６５ｂが形成されている。この電子部品６５は、上記はんだ６５ｂを介して基板６０の配線パターン６２に電気的に接続されることにより、基板６０に搭載（実装）されている。これにより、電子部品６５のはんだ６５ｂが配線パターン６２（例えば、Ｃｕパッド）に変換されている。なお、電子部品６５としては、例えば半導体チップ、チップ抵抗、チップコンデンサ、水晶振動子等を用いることができる。本実施形態では、これら基板６０と電子部品６５とが第１の構造体に含まれる。
【００８２】
基板７０は、多層プリント配線板である。この基板７０は、基板本体７１と、貫通ビア７２と、基板本体７１の外面の配線７３，７４と内層の配線７５とを合わせた５層の配線パターンとを含む多層基板である。
【００８３】
基板本体７１には、所要の箇所に（図１１では６箇所）貫通孔７１Ｘが形成されている。この貫通孔７１Ｘは、基板本体７１の上面から下面までを貫通するように形成されている。
【００８４】
貫通ビア７２は、貫通孔７１Ｘ内に設けられている。この貫通ビア７２は、その一方の端部が配線７３に接続されるとともに、他方の端部が配線７４に接続されている。すなわち、貫通ビア７２は、基板７０の一面側（上面側）と他面側（下面側）と電気的に接続されている。
【００８５】
配線７３は、基板本体７１の一方の面（図１１において上面）に形成されている。この配線７３の上面には、はんだ７６が被着されている。また、配線７４は、基板本体７１の他方の面（図１１において下面）に形成されている。これら配線７３，７４は、上記貫通ビア７２を介して相互に電気的に接続されている。これら配線７３，７４及び貫通ビア７２の材料としては、例えばＣｕを用いることができる。なお、上記内層の配線７５は、電源配線やグランド層を含む。
【００８６】
また、基板７０には、電子部品６５が搭載（内蔵）される搭載位置に対応する位置に開口部７０ａが形成されている。本実施形態の基板７０では、図１２に示すように、中央部に四角形状の開口部７０ａが形成されている。この開口部７０ａは、電子部品６５の外形よりも大きく形成されている。
【００８７】
このように構成された基板７０は、その開口部７０ａが電子部品６５に対向するように配置されている。そして、基板７０は、配線７３上に形成されたはんだ７６を介して基板６０の配線パターン６２に電気的に接続されることにより、基板６０に搭載されている。
【００８８】
封止樹脂７８は、第１の構造体（具体的には、基板６０の配線パターン６２及び電子部品６５）及び基板７０を封止するように基板本体６１の面６１ａ上に設けられている。なお、この封止樹脂７８の材料としては、例えば無機フィラー入りのエポキシ樹脂などを用いることができる。また、その形態としては、液状の樹脂に限らず、タブレット状の樹脂や粉末状の樹脂でもよい。封止樹脂７８を充填する方法としては、トランスファーモールド、コンプレッションモールド、インジェクションモールドやポッティング等の方法を用いて実施することができる。あるいは、印刷法によりペースト状の樹脂を塗布する方法でも可能である。
【００８９】
絶縁層８０は、基板６０上に形成されている。具体的には、絶縁層８０は、基板本体６１の面６１ｂを覆うように形成されている。この絶縁層８０及び基板本体６１には、所要の箇所に、上記配線パターン６２に達するビアホール６１Ｘが形成されている。このビアホール６１Ｘには、導体（ビア）８１が充填されている。なお、絶縁層８０の材料としては、感光性を有する材料、及び感光性を有しない材料のいずれも用いることができる。絶縁層８０としては、例えば粘着性や接着性を有するＢ−ステージ状態（半硬化状態）のシート状の絶縁樹脂、ペースト状の絶縁樹脂、ビルドアップ樹脂（フィラー入りのエポキシ樹脂やフィラーなしのエポキシ樹脂）や液晶ポリマー等を用いることができる。
【００９０】
絶縁層９０は、封止樹脂７８の樹脂封止面（図１１において下面）を覆うように形成されている。この絶縁層９０及び封止樹脂７８には、所要の箇所に、上記配線７４に達するビアホール７８Ｘが形成されている。このビアホール７８Ｘには、ビア９１が充填されている。なお、絶縁層９０の材料としては、感光性を有する材料、及び感光性を有しない材料のいずれも用いることができる。絶縁層９０としては、例えば粘着性や接着性を有するＢ−ステージ状態（半硬化状態）のシート状の絶縁樹脂、ペースト状の絶縁樹脂、ビルドアップ樹脂（フィラー入りのエポキシ樹脂やフィラーなしのエポキシ樹脂）や液晶ポリマー等を用いることができる。
【００９１】
配線パターン８３（再配線）は、絶縁層８０の上面に形成されている。この配線パターン８３は、上記ビアホール６１Ｘ内に充填されたビア８１と電気的に接続されている。これにより、配線パターン８３は、ビア８１、配線パターン６２及びはんだ６５ｂを介して電子部品６５と電気的に接続されている。なお、配線パターン８３の材料としては、例えばＣｕを用いることができる。
【００９２】
上部配線８４は、配線パターン８３と同様に、絶縁層８０の上面に形成されている。この上部配線８４は、上記ビアホール６１Ｘ内に充填されたビア８１と電気的に接続されている。
【００９３】
下部配線９２は、絶縁層９０の下面に形成されている。この下部配線９２は、上記ビアホール７８Ｘに充填されたビア９１と電気的に接続されている。これにより、下部配線９２は、ビア９１、配線７４、貫通ビア７２、配線７３、はんだ７６、配線パターン６２及びビア８１を介して上部配線８４と電気的に接続されている。すなわち、基板７０の貫通ビア７２を介して、封止樹脂７８の一面側（上面側）と他面側（下面側）とが電気的に接続されている。より具体的には、基板７０の貫通ビア７２を介して電気的に接続された配線７３，７４を利用して、上部配線８４と下部配線９２とが相互に電気的に接続されている。なお、これら上部配線８４、下部配線９２及びビア８１，９１の材料としては、例えばＣｕを用いることができる。
【００９４】
ソルダレジスト層８５は、配線パターン８３及び上部配線８４を覆うように絶縁層８０の上面に設けられている。このソルダレジスト層８５には、配線パターン８３の一部を露出させるための開口部８５Ｘと、上部配線８４の一部を露出させるための開口部８５Ｙとが形成されている。これら開口部８５Ｘ，８５Ｙからそれぞれ露出する部分の配線パターン８３及び上部配線８４は、他の基板等と接続するための電極パッドとして機能する。上記ソルダレジスト層８５の材料としては、例えばエポキシ系やアクリル系の絶縁性樹脂を用いることができる。
【００９５】
ソルダレジスト層９３は、下部配線９２を覆うように絶縁層９０の下面に設けられている。このソルダレジスト層９３には、下部配線９２の一部を露出させるための開口部９３Ｘが形成されている。この開口部９３Ｘから露出する部分の下部配線９２は、他の基板等と接続するための電極パッドとして機能する。上記ソルダレジスト層９３の材料としては、例えばエポキシ系やアクリル系の絶縁性樹脂を用いることができる。
【００９６】
なお、図示の例では説明の簡単化のため、配線パターン８３及び上部配線８４を最外層の配線層としているが、この電子部品内蔵基板４に要求される機能等に応じて基板本体６１の面６１ｂ側に適宜形成され得るビルドアップ層のうちの１つの配線層であってもよい。すなわち、必要に応じて所定数のビルドアップ層を形成した後、最外層の配線層を形成してもよい。
【００９７】
また、下部配線９２を最外層の配線層としているが、この電子部品内蔵基板４に要求される機能等に応じて封止樹脂７８の下面側に適宜形成され得るビルドアップ層のうちの１つの配線層であってもよい。すなわち、必要に応じて所定数のビルドアップ層を形成した後、最外層の配線層を形成してもよい。
【００９８】
次に、このように構成された電子部品内蔵基板４の製造方法について図１３及び図１４に従って説明する。
まず、基板７０を準備する。基板７０は、例えば以下のようにして製造することができる。すなわち、公知の技術を用いて、基板本体７１の外面の配線７３，７４と、内層の配線７５と、貫通ビア７２とを有するプリント配線板を形成し、そのプリント配線板に電子部品６５の搭載位置に対応する位置に開口部７０ａを形成することにより、基板７０を製造する。なお、この開口部７０ａは、例えばレーザ加工や機械ドリル加工、ルーター加工等によって形成することができる。
【００９９】
次に、図１３（ａ）に示すように、配線パターン６２が形成された基板６０に、電子部品６５及び基板７０を実装する。具体的には、基板６０の配線パターン６２にはんだ６５ｂを介して電子部品６５を電気的に接続することにより、電子部品６５を基板６０に実装する。また、基板７０の配線７３上に形成されたはんだ７６を基板６０の配線パターン６２に電気的に接続することにより、基板７０を基板６０に実装する。このとき、基板７０の開口部７０ａが電子部品６５と対向するように、これら電子部品６５及び基板７０が基板６０に実装される。
【０１００】
次に、図１３（ｂ）に示すように、電子部品６５及び基板７０を封止するように基板本体６１の面６１ａ上に封止樹脂７８を形成する。この封止樹脂７８は、例えばモールディング用の金型（上型と下型）を用いて熱とプレスによる圧縮形成を行うことによって形成することができる。
【０１０１】
続いて、粗化処理を施した後、図１３（ｃ）に示すように、基板本体６１の面６１ｂを覆うように絶縁層８０を形成するとともに、封止樹脂７８の面７８ａを覆うように絶縁層９０を形成する。なお、絶縁層８０の形成方法の一例としては、基板本体６１の面６１ｂを覆うようにエポキシ系樹脂等の樹脂フィルムをラミネートし、その後、例えば１９０℃程度の温度で熱処理して硬化させることにより絶縁層８０を形成することができる。また、基板本体６１の面６１ｂを覆うようにエポキシ系樹脂等の液状の樹脂を塗布した後に、例えば１９０℃程度の温度で熱処理して硬化させることによっても絶縁層８０を形成することができる。あるいは、フォトリソグラフィ法やスクリーン印刷法などにより絶縁層８０を形成することもできる。なお、絶縁層９０は、絶縁層８０と同様に形成することができる。
【０１０２】
次に、図１４（ａ）に示すように、配線パターン６２の一部が露出するように基板本体６１及び絶縁層８０を貫通する貫通穴であるビアホール６１Ｘを形成する。さらに、配線７４の一部が露出するようにビアホール７８Ｘを封止樹脂７８及び絶縁層９０に形成する。これらビアホール６１Ｘ，７８Ｘは、例えばレーザ加工等によって形成することができる。レーザとしては、例えばＣＯ２レーザ、エキシマレーザやＹＡＧレーザを用いることができる。
【０１０３】
続いて、レーザ加工法によりビアホール６１Ｘ，７８Ｘを形成した場合には、それらビアホール６１Ｘ，７８Ｘ内をデスミア処理することにより、ビアホール６１Ｘ，７８Ｘ内に残留する樹脂スミアを除去してクリーニングする。なお、デスミア処理としては、例えば過マンガン酸カリウム法などを用いることができる。
【０１０４】
次に、図１４（ｂ）に示すように、例えばセミアディティブ法により、絶縁層８０の上面側に配線パターン８３、上部配線８４及びビア８１を形成する。すなわち、絶縁層８０、ビアホール６１Ｘの内壁及び配線パターン６２を覆うようにシード層を形成し、そのシード層上に配線パターン８３及び上部配線８４の形状に対応した開口パターンを有するレジストを形成し、上記シード層を給電層とする電解銅めっきによってビア８１、配線パターン８３及び上部配線８４を形成する。これにより、配線パターン８３は、ビア８１、配線パターン６２及びはんだ６５ｂを介して電子部品６５に電気的に接続される。
【０１０５】
また、例えばセミアディティブ法により、絶縁層９０の下面側に下部配線９２及びビア９１を形成する。これにより、下部配線９２は、ビア９１、配線７４、貫通ビア７２、配線７３、はんだ７６、配線パターン６２及びビア８１を介して上部配線８４と電気的に接続される。
【０１０６】
次に、図１４（ｃ）に示すように、配線パターン８３、上部配線８４及び絶縁層８０を覆うように、配線パターン８３及び上部配線８４の一部をそれぞれ露出する開口部８５Ｘ，８５Ｙを有するソルダレジスト層８５を形成する。例えば、配線パターン８３、上部配線８４及び絶縁層８０を覆うようにソルダレジスト層８５を形成後、フォトリソグラフィによりソルダレジスト層８５を露光・現像して図１４（ｃ）に示す開口部８５Ｘ，８５Ｙを形成する。また、下部配線９２及び絶縁層９０を覆うように、下部配線９２の一部を露出する開口部９３Ｘを有するソルダレジスト層９３を形成する。例えば、下部配線９２及び絶縁層９０を覆うようにソルダレジスト層９３を形成後、フォトリソグラフィによりソルダレジスト層９３を露光・現像して図１４（ｃ）に示す開口部９３Ｘを形成する。以上の製造工程により、本実施形態の電子部品内蔵基板４が製造される。
【０１０７】
以上記述した本実施形態によれば、以下の効果を奏する。
（１）基板６０の配線パターン６２に電子部品６５を実装し、配線パターン６２に対して配線パターン８３（再配線）を形成するようにした。これにより、再配線用の絶縁層８０のビアホール６１Ｘによって露出される導体を、電子部品６５の接続端子（本例では、はんだ６５ｂ）ではなく、そのはんだ６５ｂと電気的に接続された配線パターン６２とすることができる。このため、配線パターン８３（再配線）を形成する際のウェットプロセス時において、電子部品６５のはんだ６５ｂによるコンタミネーションが発生することはない。また、電子部品６５が実装される基板６０（配線パターン６２）の表面処理を適切に選択することにより、配線パターン６２によるコンタミネーションが発生することも抑制することができる。このため、電子部品６５の接続端子の表面仕様を問わずに電子部品６５を内蔵することができ、材料選択の自由度を向上させることができる。
【０１０８】
（２）さらに、電子部品６５のはんだ６５ｂと電気的に接続された配線パターン６２を露出させるために、再配線用の絶縁層８０及び基板本体６１にビアホール６１Ｘが形成されることになる。このため、そのビアホール６１Ｘをレーザ等により形成したとしても、電子部品６５の回路形成面６５ａ等がそのレーザによって影響を受けることがない。これにより、絶縁層８０の材料としては、感光性を有する材料、及び感光性を有しない材料のいずれも用いることができる。換言すると、絶縁層８０の材料選択の自由度を向上させることができる。
【０１０９】
（３）基板本体７１の両面（上下面）に形成された配線７３，７４が基板本体７１の内部の貫通ビア７２を介して電気的に接続された形態を有する基板７０を内蔵するようにした。そして、その基板７０の貫通ビア７２及び配線７３，７４を利用して、電子部品内蔵基板４の両面に形成される上部配線８４と下部配線９２とを相互に電気的に接続するようにした。これにより、電子部品６５を封止する封止樹脂７８を貫通する貫通孔を形成することなく、上部配線８４と下部配線９２とを電気的に接続することができる。
【０１１０】
ここで、例えば内蔵する電子部品６５の高さが高くなると、その電子部品６５を封止する封止樹脂７８の高さも高くなる。この場合には、封止樹脂７８の上下面の電気的接続を行うために（上部配線８４と下部配線９２とを電気的に接続するために）、封止樹脂７８に貫通孔を形成することが困難である。例えばレーザ加工で封止樹脂７８に貫通孔を形成する場合には、その貫通孔の内壁の品質の良いストレートな孔加工を行うことが困難である。
【０１１１】
これに対し、本実施形態の電子部品内蔵基板４では、上述のように、封止樹脂７８を貫通する貫通孔を形成することなく、上部配線８４と下部配線９２とを電気的に接続することができる。このため、内蔵する電子部品６５の高さが高くなっても、すなわち封止樹脂７８の高さが高くなっても、上述した問題点の発生を未然に防止しつつ、上部配線８４と下部配線９２との電気的接続を確実に行うことができる。したがって、内蔵する電子部品６５の高さの制約を受けることなく、電子部品内蔵基板４に電子部品６５を内蔵することができる。
【０１１２】
（他の実施形態）
なお、上記実施形態は、これを適宜変更した以下の態様にて実施することもできる。
・上記第３実施形態における基板５０（構造体）の構造は特に制限されない。すなわち、少なくとも基板５０の両面に形成された配線５３，５４が基板５０（基板本体５１）の内部を通して電気的に接続されている形態を有していれば、基板５０の構造は特に制限されない。例えば基板５０の一面側と他面側とを、複数のビアを介して電気的に接続するようにしてもよい。また、例えば基板５０を、両面プリント配線板を用いて構成するようにしてもよい。
【０１１３】
・上記第４実施形態における基板７０（構造体）の構造は特に制限されない。すなわち、少なくとも基板の両面に形成された配線７３，７４が基板７０（基板本体７１）の内部を通して電気的に接続されている形態を有していれば、基板７０の構造は特に制限されない。例えば基板７０の一面側と他面側とを、複数のビアを介して電気的に接続するようにしてもよい。また、例えば基板７０を、両面プリント配線板を用いて構成するようにしてもよい。
【０１１４】
・上記第３実施形態における第１の構造体１０と基板５０とは、図８に示した構成に特に制限されない。例えば図１５（ａ）及び図１５（ｂ）に示されるように、電子部品内蔵基板３に第１の構造体１０（電子部品１６）を複数内蔵するようにしてもよい。なお、これら複数の電子部品１６は、それぞれ異なる電子部品であってもよいし、同一の電子部品であってもよい。この場合には、例えば図１５（ｂ）に示されるように、基板５０に対して、複数の第１の構造体１０の搭載位置に対応する位置に複数の開口部５０ａを形成すればよい。なお、開口部５０ａは、対応する第１の構造体１０の外形よりも大きく形成されている。
【０１１５】
また、図１５（ａ）に示されるように、電子部品内蔵基板３に基板５０を複数内蔵するようにしてもよい。この場合であっても、第１の構造体１０と基板５０の基板本体５１部分とが異なる位置に配置されていれば、上記第３実施形態と同様の効果を奏することができる。なお、図１５（ａ）の例では、複数の第１の構造体１０よりも外側に配置された基板５０の開口部５０ａが複数の第１の構造体１０の外形よりも大きく形成されている。
【０１１６】
・上記第４実施形態における電子部品６５と基板７０とは、上述した第１の構造体１０と基板５０との関係と同様に、図１２に示した構成に特に制限されない。例えば電子部品内蔵基板４に電子部品６５を複数内蔵するようにしてもよい。なお、この複数の電子部品６５は、それぞれ異なる電子部品であってもよいし、同一の電子部品であってもよい。また、電子部品内蔵基板４に基板７０を複数内蔵するようにしてもよい。
【０１１７】
・上記第１〜第３実施形態において、第１の構造体１０を封止樹脂２０〜２２により封止した後に、その封止樹脂２０〜２２と第１の構造体１０内の封止樹脂１７とを同時に最終硬化させるようにしてもよい。この場合の電子部品内蔵基板１〜３の製造方法を以下に説明する。なお、ここでは、第３実施形態の製造方法を変形した例を説明する。
【０１１８】
まず、先の図２（ａ）で説明したように貫通孔１２Ｘ、貫通ビア１３、配線パターン１４，１５を形成した基板５７に、図１６（ａ）に示すように、電子部品１６を実装する。続いて、電子部品１６、はんだ１６ｂ及び配線パターン１４を封止するように基板５７上に封止樹脂１７Ａを形成する。ここで、このときの封止樹脂１７Ａは、ファイナルキュア（完全硬化）を行わずに半硬化状態とされたものである。
【０１１９】
その後、図１６（ｂ）に示すように、切断領域Ｂに対応する部分の封止樹脂１７Ａ及び基板５７をダイシングブレード等によって切断する。これにより、半硬化状態の封止樹脂１７Ａによって封止された第１の構造体１０Ａが複数製造される。
【０１２０】
一方、図１６（ｃ）に示すように、先の図９（ａ）、（ｂ）で説明したように基板５０を準備する。
続いて、図１６（ｄ）に示す工程では、支持体５８を準備する。この支持体５８の面５８ａと第１の構造体１０Ａの配線パターン１５の面１５ａが対向するように、第１の構造体１０Ａを支持体５８の面５８ａ（粘着面）に固定する。さらに、支持体５８の面５８ａと基板５０の配線５３の面５３ａが対向するように、且つ開口部５０ａが第１の構造体１０Ａと対向するように、基板５０を支持体５８の面５８ａに固定する。
【０１２１】
次に、図１７（ａ）に示すように、支持体５８上に固定された第１の構造体１０Ａ及び基板５０を封止するように支持体５８の面５８ａ上に封止樹脂２２Ａを形成する。ここで、このときの封止樹脂２２Ａは、ファイナルキュアを行わずに半硬化状態とされたものである。
【０１２２】
続いて、図１７（ｂ）に示すように、支持体５８を除去した後、封止樹脂１７Ａ，２２Ａを同時に熱処理することにより最終硬化（完全硬化）させる。これにより、封止樹脂１７，２２が形成され、封止樹脂１７によって封止された第１の構造体１０が形成され、さらにその第１の構造体１０及び基板５０が封止樹脂２２によって封止される。なお、上記熱処理は、例えば１７０度で２時間実施される。
【０１２３】
その後の製造工程は、図１０（ａ）〜図１０（ｄ）に示した工程と同様に実施することができるため、ここでは説明を省略する。
このような製造方法によれば、電子部品１６を実装した基板５７の片面を封止した封止樹脂１７Ａを、ダイシング前に完全硬化させないことで、封止された状態で第１の構造体１０Ａの反りが抑制される。これにより、ダイシングの作業性、加工精度を向上させることができるため、第１の構造体１０のサイズを小さくすることができ、低コスト化にも貢献することができる。
【０１２４】
なお、ここでは、第３実施形態の製造方法の変形例を説明したが、第１及び第２実施形態の製造方法についても同様に変更することができる。
・上記第３実施形態の図９（ｄ）に示す工程で形成される封止樹脂２２を、図１８に示されるように変更してもよい。すなわち、封止樹脂２２の面２２ａと基板５０の配線５４の面５４ａとが面一になるように、支持体５８の面５８ａ上に封止樹脂２２を形成するようにしてもよい。
【０１２５】
・上記第３実施形態の図９（ｄ）に示す工程で形成された封止樹脂２２を、研磨、エッチング、ブラスト等により除去することで、図１８に示すように配線５４の面５４ａを露出させるようにしても良い。
【０１２６】
・上記第１〜第３実施形態における封止樹脂１７を、図１８に示されるように変更してもよい。すなわち、封止樹脂１７の樹脂封止面（図１８において上面）と電子部品１６の回路形成面とは反対の面（図１８において上面）とが面一になるように、基板１１上に封止樹脂１７を形成するようにしてもよい。あるいは、封止樹脂１７を省略してもよい。
【０１２７】
・上記第４実施形態の図１３（ｂ）に示す工程で形成される封止樹脂７８を、図１９に示されるように変更してもよい。すなわち、封止樹脂７８の面７８ａと基板７０の配線７４の面７４ａとが面一になるように、基板本体６１の面６１ａ上に封止樹脂７８を形成するようにしてもよい。
【０１２８】
・上記第４実施形態の図１３（ｂ）に示す工程で形成された封止樹脂７８を、研磨、エッチング、ブラスト等により除去することで、図１９に示すように配線７４の面７４ａを露出させるようにしてもよい。
【０１２９】
・図２０に示されるように、基板６０上に形成される再配線用の絶縁層８０を省略してもよい。具体的には、基板６０の基板本体６１が配線パターン８３や上部配線８４等を形成するためのウェットプロセスを適用可能な材料で構成されている場合には、上記絶縁層８０を省略してもよい。
【０１３０】
・上記第４実施形態における電子部品内蔵基板４を、例えば図２１に示されるように変更してもよい。すなわち、電子部品内蔵基板４の基板７０に代えて、封止樹脂７８を貫通する貫通ビア７９を介して上部配線８４と下部配線９２とを電気的に接続するようにしてもよい。この貫通ビア７９は、封止樹脂７８、基板本体６１及び絶縁層８０，９０を貫通する貫通孔７９Ｘ内に形成されている。そして、貫通ビア７９は、その一方の端部が上部配線８４に接続されるとともに、他方の端部が下部配線９２に接続されている。すなわち、図２１に示す電子部品内蔵基板では、貫通ビア７９を介して、封止樹脂７８の一面側（上面側）と他面側（下面側）とが電気的に接続されている。なお、貫通孔７９Ｘ及び貫通ビア７９は、例えば上記第２実施形態の貫通孔２１Ｘ及び貫通ビア４０を形成する方法（図６（ａ）、（ｂ）に示す工程）と同様の方法により形成することができる。
【０１３１】
・上記第４実施形態における電子部品内蔵基板４を、例えば図２２に示されるように変更してもよい。すなわち、電子部品内蔵基板４の基板７０を省略してもよい。より具体的には、基板７０と、その基板７０の配線７３，７４と電気的に接続される配線パターン６２、ビア８１，９１、上部配線８４及び下部配線９２を省略するようにしてもよい。
【符号の説明】
【０１３２】
１，２，３，４  電子部品内蔵基板（半導体装置）
１０  第１の構造体
１１  基板（第１の基板）
１２  基板本体
１３  貫通ビア
１４，１５  配線パターン
１６，６５  電子部品
１７  封止樹脂（第１の封止樹脂）
２０，２１，２２  封止樹脂（第２の封止樹脂）
３１，８１  ビア
３２，８３  配線パターン（再配線）
３４，３６，８４  上部配線
４０  貫通ビア（貫通電極）
４２，４５，９２  下部配線
５０  基板（第２の基板）
５１  基板本体
５２  貫通ビア（貫通電極）
５３，５４  配線
６０  基板（第１の基板）
６２  配線パターン
７０  基板（第２の基板）
７１  基板本体
７２  貫通ビア
７３，７４  配線
７８  封止樹脂（第１の封止樹脂）
【図１】
0005826532.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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