(57)【要約】自己較正集積光回路、および同じものを制御する方法が提供される。一実施形態では、回路は（１）基板と、（２）基板上に位置し、出力周波数で光源光を生成するように構成されたレーザと、（３）基板上に位置するレーザ整合センサであって、（３ａ）光源光を受信して、あらかじめ定められた中心周波数の近接にｎｕｌｌを有し、出力周波数と中心周波数との間の関係に応じて出力光を提供するように構成された参照光共振器、および（３ｂ）出力光に基づくマグニチュードの電気信号を提供するように構成された光検出器を含むレーザ整合センサと、（４）基板上に位置し、光検出器に結合され、マグニチュードに基づいて出力周波数を調整するように構成された較正コントローラとを含む。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に位置し、出力周波数で光源光を生成するように構成されたレーザと、
前記基板上に位置するレーザ整合センサであって、
前記光源光を受信し、あらかじめ定められた中心周波数の近接にｎｕｌｌを有し、前記出力周波数と中心周波数との間の関係に応じて出力光を提供するように構成された参照光共振器、および
前記出力光に基づくマグニチュードの電気信号を提供するように構成された光検出器を含むレーザ整合センサと、
前記基板上に位置し、前記光検出器に結合され、前記マグニチュードに基づいて前記出力周波数を調整するように構成された較正コントローラとを備える、自己較正集積光回路。
【請求項２】
前記参照光共振器が、
リング共振器と、
ディスク共振器からなるグループから選択される、請求項１に記載の回路。
【請求項３】
前記光検出器がフォトダイオードであり、前記マグニチュードが現在のレベルである、請求項１に記載の回路。
【請求項４】
前記較正コントローラが、
前記レーザの温度と、
前記レーザの駆動電流と、
前記レーザの圧電チューナーとのうちの選択された１つを調整することによって前記出力周波数を調整するように構成されている、請求項１に記載の回路。
【請求項５】
前記基板が前記参照光共振器を少なくとも部分的に囲っている熱的分離トレンチを有する、請求項１に記載の回路。
【請求項６】
前記基板の主要な面と少なくとも実質的に同延である大型熱電冷却機をさらに備える、請求項１に記載の回路。
【請求項７】
前記基板上に位置し、周波数掃引光源光を提供するために前記光源光を受信して変調するように構成された光変調器と、
前記基板上に位置し、前記周波数掃引光源光を受信するように構成された導波管と、
前記基板上に位置し、加熱器を有し、前記導波管から前記周波数掃引光源光を受信して、それに基づいて出力光を提供するように構成された光装置と、
前記基板上に位置し、前記出力光に基づくマグニチュードの電気信号を提供するように構成されたさらなる光検出器とをさらに備え、前記較正コントローラが前記さらなる光検出器にさらに結合され、前記光装置を整合させるために前記マグニチュードに基づいて前記加熱器を制御するように構成された、請求項１に記載の回路。
【請求項８】
前記光装置が、
ノッチフィルタと、
帯域フィルタとのうちの選択された１つの一部である、請求項７に記載の回路。
【請求項９】
前記基板上に位置し、周波数掃引光源光を提供するために前記光源光を受信して変調するように構成された光変調器と、
前記基板上に位置し、第１および第２の出力ならびに加熱器を有し、前記光変調器から前記光源光を受信して、前記第１および第２の出力で出力光を提供するように構成されたカプラと、
前記基板上に位置し、前記出力光に基づくマグニチュードの第１および第２電気信号を提供するように構成された第１および第２のさらなる光検出器とをさらに備え、前記較正コントローラが前記第１および第２のさらなる光検出器にさらに結合されて、前記カプラの結合比を調整するために前記マグニチュードに基づいて前記加熱器を制御するように構成された、請求項１に記載の回路。
【請求項１０】
前記カプラが帯域フィルタの一部である、請求項９に記載の回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は一般に集積光通信学を対象とし、より詳細には自己較正集積光回路およびこのような回路を制御する方法を対象とする。
【背景技術】
【０００２】
この節では、本発明のよりよい理解の促進に役立つであろう諸態様を紹介する。したがってこの節の説明はこの観点から読まれるべきであり、従来技術が何であるか、または何でないかについての承認として理解されるべきではない。
【０００３】
集積光回路を使用しているシステムは超広帯域信号処理に強力なプラットフォームを提供できる。シリコンベースの集積光回路は光回路の高レベル集積について特に将来有望である。残念ながらこのような光回路は、温度変更によって生じる周波数ドリフトおよび光装置不適合の影響を受けやすい。「不整合」と呼ばれるドリフトおよび不適合は光回路の性能を低下させる。この問題に対抗するために、集積光回路へのコンパニオンチップとして精巧な較正回路が開発された。これらの較正回路は一般に不整合全体を減らす際に効果的であるが、より大きな不整合の補償をするにはまだ問題がある。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００４】
上述した従来技術の不備に対処するために、本発明の一態様は自己較正集積光回路を提供する。一実施形態では、回路は（１）基板と、（２）基板上に位置し、出力周波数で光源光を生成するように構成されたレーザと、（３）基板上に位置するレーザ整合センサであって、（３ａ）光源光を受信し、あらかじめ定められた中心周波数の近接にｎｕｌｌを有し、出力周波数と中心周波数との間の関係に応じて出力光を提供するように構成された参照光共振器、および（３ｂ）出力光に基づくマグニチュードの電気信号を提供するように構成された光検出器を含むレーザ整合センサと、（４）基板上に位置し、光検出器に結合され、マグニチュードに基づいて出力周波数を調整するように構成された較正コントローラとを含む。
【０００５】
本発明の他の態様は自己較正集積光回路を制御する方法を提供する。一実施形態では、本方法は（１）回路の基板上に位置するレーザによって、出力周波数で光源光を生成するステップと、（２）基板上に位置する参照光共振器の出力周波数と中心周波数との間の関係に応じて出力光を提供するステップと、（３）基板上に位置する光検出器によって出力光に基づくマグニチュードの電気信号を提供するステップと、（４）基板上に位置する較正コントローラによってマグニチュードに基づいて出力周波数を調整するステップとを含む。
【０００６】
本発明をより完全に理解するために、次に以下の説明を添付の図面と併せて参照する。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】自己較正集積光回路の一実施形態の図である。
【図２】光源光の出力周波数に応じた参照光共振器反応の単調な性質を特に示す、参照光共振器光源光周波数に応じた光検出器出力電流のグラフである。
【図３】図１の較正コントローラ内で実行されうるレーザ整合処理の一実施形態の流れ図である。
【図４】図１の較正コントローラ内で実行されうる光装置整合処理の一実施形態の流れ図である。
【図５】図１の較正コントローラ内で実行されうる結合比調整処理の一実施形態の流れ図である。
【図６Ａ】例示的な極零四次帯域フィルタの反応のグラフである。
【図６Ｂ】参照光共振器に関連してオフセットで共振する図６Ａの帯域フィルタ内の光共振器のグラフである。
【図７Ａ】分散レーザ整合センサを有する自己較正集積光回路の一実施形態の平面図である。
【図７Ｂ】図７Ａの光回路の立面図である。
【図８】自己較正集積光回路を制御する方法の一実施形態の流れ図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
上述のように、集積光回路から離れたチップ上に位置する（「オフチップ」）現在の精巧な較正回路は、より大きな不整合の補償をするには問題がある。現代のレーザでさえ重大なドリフトを起こしやすく、温度変化は光回路内の他の光装置の整合に著しく影響するおそれがある。所望より効果が低いことに加えて、今日のオフチップ較正回路は比較的複雑で高価でもあり、全体のチップ数および組立てコストも増大させる。集積光回路を較正するためのよりよい方法が必要である。性能が強化され、オフチップ較正がもはや必要ではなくなるような集積光回路自己較正を作成する方法が必要である。
【０００９】
図１は自己較正集積光回路の一実施形態の図である。光回路の全ての光装置は単一の基板１００上に（または内部に、ここでは表現が区別なく使用される）位置する。図１は、光回路の上面と考えられうる基板の主要な面を示す。基板１００は大型熱電冷却機、すなわちＴＥＣ（図１には図示しないが、図４Ｂに図示する）と関連付けられる。図示された実施形態では、大型ＴＥＣは少なくとも実質的に基板１００の主要な面と同延であり（たとえば下面であり、したがって図１では隠されている）、光回路全体に比較的粗い温度制御を提供する。
【００１０】
レーザ１０５は温度、駆動電流、またはレーザ１０５が圧電チューナーを装備している場合は圧電チューナー設定のうちの１つまたは複数の関数である出力周波数で光源光を提供する。上述のように、通常温度における変化の結果、出力周波数はドリフトする。
【００１１】
マッハツェンダー・カプラでよいカプラＫ１は、第１および第２の入力および出力、ならびに加熱器を有し、光源光を受信して２つのパスに分割するように構成されている。光導波管（参照せず）はこれらの２つのパスに沿ってさらなる光装置へ光源光を搬送する。簡単にするために、図１にはカプラＫ１または他の光装置に関連付けられる加熱器を示していない。当業者はこのような加熱器がどのように作成され使用されるかも含めて、このような加熱器に精通している。
【００１２】
これらのさらなる光装置のうちの１つは参照光共振器１１０である。参照光共振器１１０はリング共振器でもよく、ディスク共振器でもよく、他の何らかの従来型または最近開発された共振器でもよい。参照光共振器１１０の図示された実施形態はリング共振器である。参照光共振器１１０は、関連する加熱器、入力、および出力を有する２つのカプラＫ１、Ｋ２を有する。参照光共振器１１０は、光源光の目標周波数として適切に認識されうるあらかじめ定められた中心周波数の少なくとも近接にｎｕｌｌを有するように構成されている。当業者はｎｕｌｌを所望の中心周波数またはその近接に有する参照光共振器の作り方を理解できる。参照光共振器１１０は、参照していない導波管から光源光を受信して、出力周波数と中心周波数との間の関係に応じて出力光を提供するように構成されている。その関係は図２でより詳細に考察する。
【００１３】
フォトダイオードでよい光検出器１１５は、出力光に基づくマグニチュードの電気信号を提供するように構成されている。図示された実施形態では光検出器１１５はフォトダイオードであり、光検出器１１５が提供する電気信号のマグニチュードはその電流によって異なる。しかし、光検出器１１５は他の何らかの従来型または最近開発されたタイプの光検出器でもよい。参照光共振器１１０および光検出器１１５は、本明細書でレーザ整合センサと呼ばれることになるものを形成するために協働する。図示されるように、レーザ整合センサは光源光を受信して、少なくとも光源光の出力周波数があらかじめ定められた中心周波数に対して整合しているかどうかを示し、またおそらく出力周波数がどの程度不整合であるかを示す電気信号を提供する。レーザ整合センサの図示された実施形態は後者を提供している。
【００１４】
較正コントローラ１２０は光検出器１１５に結合されている。較正コントローラ１２０は、光検出器１１５によって提供されたマグニチュード（たとえば電流）に基づいてレーザ１０５の出力周波数を調整するように構成されている。図示された実施形態では、較正コントローラは、残りの光回路と同じシリコン基板上に設置されうることを当業者なら知っている相補型金属酸化膜半導体（ＣＭＯＳ）回路内に実装されている。温度、駆動電流、または装備されている場合は圧電チューナーのうちの１つまたは複数を調整することによって光回路が動作中になると、較正コントローラ１２０はレーザ１０５の出力周波数を制御する。較正コントローラ１２０が正しく動作していると仮定すると、出力周波数はあらかじめ定められた中心周波数に実質的に整合し、そのままになる。
【００１５】
光導波管（参照せず）がカプラＫ１から２つのパスに沿って光源光を搬送することを思い出すと、もう一方のパスは入力および出力を有する光変調器１２５につながる。光変調器１２５は関連付けられる加熱器を有してよい。光変調器１２５は発振器１３０によって提供された信号を使用して光源光を変調するように構成されている。変調された光源光である光変調器１３０の出力は、マッハツェンダー・カプラであってよく、第１および第２の入力および出力ならびに加熱器を有するカプラＫ２に提供される。カプラ１４０は変調された光源光を受信して２つのパスに分割するように構成されている。光導波管（参照せず）がそれらの２つのパスに沿って、集積光回路内に実装されうる光プロセッサの典型的な諸要素であるノッチフィルタ、および帯域フィルタの２つのフィルタに光源光を搬送する。
【００１６】
ノッチフィルタは、カプラＫ３、Ｋ４、移相器Ｋ５、Ｋ６、ならびに関連する加熱器を有する第１および第２の光共振器１３５、１４０を含む。光検出器１４５はノッチフィルタの出力から光を受信するために結合されている。
【００１７】
帯域フィルタは第１および第２の入力、第１および第２の出力、ならびに加熱器を有する第１カプラＫ３を含む。図示された通り、第１カプラＫ３は変調された光源光を上側および下側パスに分割する。上側パスはカプラＫ７、Ｋ８、移相器Ｋ１１、Ｋ１２、ならびに関連する加熱器を有する第１および第３光共振器１５０、１６０を有する。下側パスはカプラＫ９、Ｋ１０、移相器Ｋ１３、Ｋ１４、ならびに関連する加熱器を有する第２および第４光共振器１５５、１６５を有する。第１および第２の入力、第１および第２の出力、ならびに加熱器を有するカプラＫ４は、上側および下側パスを結合して２つの出力を生み出す。第１および第２の光検出器１７０は帯域フィルタの出力から光を受信するために結合されている。
【００１８】
より詳細に説明するように、一旦較正コントローラ１２０がレーザ１０５の出力周波数を整合させると、その後較正コントローラ１２０はノッチおよび帯域フィルタ内の光装置の例を含む光回路内の他の様々な光装置を整合できる。それぞれの場合、較正コントローラ１２０は様々な光検出器から電気信号を受信して、それらの信号のマグニチュードに基づいて基板１００上に位置する様々な加熱器を制御する。
【００１９】
図示された実施形態では、光共振器１３５、１４０、１５０、１５５、１６０、１６５が光回路内でそれらの機能に適切な周波数で共振するが、それにもかかわらずそれらの設計は参照光共振器１１０に基づく。言い換えれば、光共振器１３５、１４０、１５０、１５５、１６０、１６５は参照光共振器１１０に関連して様々なオフセットで共振するので、それらの光共振器の参照周波数は計算または予期されうる。その結果、レーザ１０５の出力周波数はｆｃの近接またはｆｃに固定されたままであり、全体の温度偏差が発生するとき光回路は全体として安定したままである。参照光共振器に関連してオフセットで共振する光共振器の例は以下で説明する。
【００２０】
図２は、光源光の出力周波数に応じた参照光共振器反応の単調な性質を特に示す、参照光共振器光源光周波数に応じた光検出器出力電流のグラフである。光検出器によって提供されたマグニチュード（たとえば電流Ｉ）は、光源光の出力周波数ｆに応じて異なることが分かる。マグニチュードがｆｃで極小値を表すことも分かる。しかし、出力周波数はｆＬまたはｆＨのどちらかに向かってドリフトする場合がある。したがって、マグニチュードは増加し、較正コントローラ１２０は図２内の矢印が示すように出力周波数がｆｃおよび極小値に戻るよう調整するために動作する。図３はこの整合処理が実行されうる１つの方法を説明する。
【００２１】
図３は図１の較正コントローラ内で実行されうるレーザ整合処理の一実施形態の流れ図である。一実施形態では、図３のレーザ整合処理は、所望の温度に向けて光回路の基板を粗く調整するために光回路に関連付けられる大型ＴＥＣがまず制御され、次いで参照光共振器に関連付けられる加熱器を使用して中心周波数ｆｃに所望のｎｕｌｌを生成するために整合センサの参照光共振器が正しく調整された後に実行される。一実施形態では、大型ＴＥＣは参照光共振器の温度を０．０１℃以内（ｎｕｌｌについての１００ＭＨｚ精度以内と同じ）で制御でき、参照光共振器に関連付けられる加熱器は温度を０．００２５℃以内（２５ＭＨｚ精度以内と同じ）に制御できる。他の実施形態では、より精度の高い温度コントローラは、参照光共振器温度をより厳重に制御するために大型ＴＥＣおよび加熱器のどちらかまたは両方を制御できる。
【００２２】
ステップ３１０で、整合センサによって提供された電気信号のマグニチュードが監視される。マグニチュードが高い場合（決定ステップ３２０）、出力周波数が低すぎるか高すぎるかまだ分からない。出力周波数が低すぎると恣意的に仮定すると、ステップ３３０で、おそらくレーザの温度または駆動電流を変更すること、あるいはレーザの圧電チューナーを設定することによってレーザ出力周波数が増分される。マグニチュードが増加しない場合（決定ステップ３４０）、実際に出力周波数が低すぎたということである。まだマグニチュードが高い場合（決定ステップ３５０）、マグニチュードがもはや高くなくなるまで（決定ステップ３５０）、ステップ３３０で出力周波数が再び増分される。次いでステップ３１０で、さらなる不整合のためにマグニチュードが監視され続ける。
【００２３】
反対に、ステップ２３０の最初の増分の結果マグニチュードが増加する場合、出力周波数が実際に高すぎたので、ステップ３６０でおそらく再びレーザの温度または駆動電流を変更すること、あるいはレーザの圧電チューナーを設定することによって出力周波数が減分される。マグニチュードがまだ高い場合（決定ステップ３７０）、マグニチュードがもはや高くなくなるまで（決定ステップ３７０）、ステップ３６０で出力周波数は再び減分される。次いでステップ３１０で、さらなるレーザ不整合のためにマグニチュードが監視され続ける。
【００２４】
図４は図１の較正コントローラ内で実行されうる光装置整合処理の一実施形態の流れ図である。一実施形態では、図４の光装置整合処理は図３のレーザ整合処理が実行された後に実行される。図示された実施形態では、図１の光共振器１４０をその入力に結合された参照しない導波管と整合させるために、図１の光共振器１４０に対して図４の光装置整合処理が実行される。
【００２５】
ステップ４２０で、適切な光検出器（すなわち光検出器１４５）によって提供された電気信号のマグニチュードが監視されて参照と比較される。エラーがある場合（決定ステップ４３０）、その不整合が光共振器の温度が低すぎるまたは高すぎるせいかどうかまだ分からない。温度が低すぎると恣意的に仮定すると、ステップ４４０で温度は増分される。エラーが増加しない場合（決定ステップ４５０）、実際に温度が低すぎたということである。まだエラーがある場合（決定ステップ４６０）、エラーがもうなくなるまで（決定ステップ４６０）、ステップ４４０で再び温度が増分される。次いで、ステップ４２０でさらなる不整合のためにマグニチュードが監視され続ける。
【００２６】
反対に、ステップ４４０の最初の増分の結果エラーが増加する場合、実際に温度が高すぎたので、ステップ４７０で温度が減分される。まだエラーがある場合（決定ステップ４８０）、エラーがもうなくなるまで（決定ステップ４８０）、ステップ４７０で再び温度が減分される。次いで、ステップ４２０でさらなるエラーのために電気信号のマグニチュードが監視されて参照と比較され続ける。
【００２７】
図４の方法の代替実施形態は、不整合を検出して調整するためのプローブ信号として使用される周波数掃引光信号を生成するために図１の光変調器１２５を使用する。代替実施形態では、周波数掃引光信号が生成されるステップ４１０は監視および比較するステップ４２０に先行する。
【００２８】
図５は図１の較正コントローラ内で実行されうる結合比調整処理の一実施形態の流れ図である。一実施形態では、図５の結合比調整プロセスは図３のレーザ整合処理が実行された後に実行される。図示された実施形態では、図１の帯域フィルタの上側および下側パスのバランスを取るために、図５の結合比調整処理が図１のカプラＫ３に関して実行される。
【００２９】
ステップ５２０で、適切な光検出器（すなわち第１および第２光検出器１７０）によって提供された電気信号の関連するマグニチュードが監視される。比率エラーがある場合（決定ステップ５３０）、カプラの１つのアームの温度を増加または減少することによってその比率エラーを減少または削除しうるかどうかまだ分からない。温度が増加されるべきであると恣意的に仮定すると、ステップ５４０で温度が増分される。比率エラーが増加しない場合（決定ステップ５５０）、実際に温度が低すぎた。まだ比率エラーがある場合（決定ステップ５６０）、比率エラーがもうなくなるまで（決定ステップ５６０）、ステップ５４０で再び温度が増分される。次いでステップ５２０で、さらなる比率エラーのために関連がある電気信号のマグニチュードが監視され続ける。
【００３０】
反対に、ステップ５４０の最初の増分の結果比率エラーが増加する場合、実際に温度が高すぎたので、ステップ５７０で温度が減分される。まだ比率エラーがある場合（決定ステップ５８０）、比率エラーがもうなくなるまで（決定ステップ５８０）、ステップ５７０で再び温度が減分される。次いでステップ５２０で、さらなる比率エラーのために関連がある電気信号のマグニチュードが監視され続ける。
【００３１】
図５の方法の代替実施形態は、比率エラーを検出して調整するためのプローブ信号として使用される周波数掃引光信号を生成するために図１の光変調器１２５を使用する。代替実施形態では、周波数掃引光信号が生成されるステップ５１０は監視するステップ５２０に先行する。
【００３２】
実際のアプリケーションでは、レーザ整合に続いて実行される整合および結合比調整が光共振器１１０の温度をより制御困難にすることがあり、最終的に集積光回路の性能を低下させてしまうことがある。したがって、図１に戻ると、ある実施形態は、光共振器１１０にある程度の熱的分離を提供するために基板１００内にトレンチ１７５が形成されることを要求する。
【００３３】
次に、参照光共振器に関連してオフセットで共振する光共振器の例を説明する。図６Ａは例示的な極零四次帯域フィルタ、たとえば図１の帯域フィルタの反応のグラフである。図６Ａに示すように、帯域フィルタはおよそｆｃを中心とする帯域を有するように設計されている。図６Ｂは参照光共振器に関連してオフセットで共振する、図６Ａの帯域フィルタ内の光共振器のグラフである。図６Ａおよび６Ｂの具体例では、オフセットはゼロであり、ｆｃ＝１９３．４１４ＴＨｚ、ｆ１＝１．６７ＧＨｚ、およびｆ２＝０．８５ＧＨｚである。
【００３４】
実際のアプリケーションでは、集積光回路の温度はその基板の主要な面にわたって異なる場合がある。図７Ａは、分散レーザ整合センサを有する自己較正集積光回路の一実施形態の平面図である。基板７００は較正コントローラ７１０（図１の較正コントローラ１２０と同じでもよく、異なってもよい）だけでなく、集積光回路７２０の他の部分をともに構成する他の光装置もサポートする。
【００３５】
複数のレーザ整合センサ７３０、７４０、７５０、７６０は基板７００上に位置して、較正コントローラ７１０に電気信号を提供する。複数のレーザ整合センサ７３０、７４０、７５０、７６０は、較正コントローラ７１０が基板７００の領域を介して整合の複数の表示を受信するように相互に離れているものとして図示されている。したがって較正コントローラ７１０は、たとえば複数のレーザ整合センサ７３０、７４０、７５０、７６０によって表示されたどのような不整合も平均することによって不整合を調整する際に、これらの複数の表示を考慮できる。
【００３６】
図７Ｂは図７Ａの光回路の立面図である。図７Ｂは主に、大型熱電装置７７０が基板７００の底面（すなわち主要な面）をつなぐ光回路の一実施形態を示す目的で提示される。上述のように、大型熱電装置７７０は全体的な粗い温度制御を基板７００に提供する働きをする。
【００３７】
図８は自己較正集積光回路を制御する方法の一実施形態の流れ図である。方法は開始ステップ８１０で始まる。ステップ８２０で、光回路の基板を所望の温度に向けて粗く調整するために光回路に関連付けられる大型ＴＥＣが制御される。ここで光回路は全体としてほとんど温度較正される。ステップ８３０で、参照光共振器に関連付けられる加熱器を使用して所望のｎｕｌｌを生成するために基板上に位置する参照光共振器が細かく調整される。ここで参照光共振器が構成される。ステップ８４０で、回路の基板上に位置するレーザによって、出力周波数で光源光が生成される。ステップ８５０で、基板上に位置する参照光共振器の出力周波数と中心周波数との間の関係に応じて出力光が提供される。ステップ８６０で、基板上に位置する光検出器に出力光に基づくマグニチュードの電気信号が提供される。ステップ８７０で、基板上に位置する較正コントローラによってマグニチュードに基づいて出力周波数が調整される。ここでレーザが参照光共振器と整合される。ステップ８８０で、基板上に位置する他の光検出器から受信された他の電気信号のマグニチュードに基づいて、基板上に位置する加熱器が制御される。ここで光回路の他の光装置のうちの少なくともいくつかが整合される。方法は終了ステップ８９０で終了する。
【００３８】
本発明に関する当業者は、本発明の範囲から逸脱することなく上述の実施形態に他のおよびさらなる追加、削除、置換、および修正が行われうることを理解するであろう。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図８】
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【国際調査報告】
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2011515853.tif 000014
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