(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ハイブリッド基板の製造方法であって、前記ハイブリッド基板が、支持体基板（４０、１４０）と、埋込み誘電体からなる連続層（４２、１４２）と、この層上の、前記支持体基板の水平方向に交互に配置されている第１の半導体材料（２６、１２０）の領域および少なくとも１種類の第２の半導体材料（３２、１２６、１２８、１２２０、１２２１、１２２２）の領域を含むハイブリッド層（２６’、１３２）とを備えており、前記第１の半導体材料および前記少なくとも１種類の第２の半導体材料が、その性質および／またはその結晶特性によって異なる、方法において、
ａ）均質な基板（２２、１２０）上、または前記均質な基板（２２、１２０）中に前記均質な基板の水平方向に交互に配置されている第１の半導体材料の領域および少なくとも１種類の第２の半導体材料の領域を含み、前記第１の半導体材料の領域と前記少なくとも１種類の第２の半導体材料の間にいかなる絶縁材料もない、ハイブリッド層（２６’、３８、３８’、１３２）を形成するステップと、
ｂ）前記ハイブリッド層と緩衝基板（７０）とを、前記ハイブリッド層と前記緩衝基板の間に誘電体層の介入がある状態かまたはない状態で、組み立てる中間ステップと、
ｃ）前記均質な基板（２２、１２０）の少なくとも一部を除去するステップと、
ｄ）次いで、このハイブリッド層、前記埋込み誘電体からなる連続層（４２、１４２）、および前記支持体基板（４０、１４０）を、前記支持体基板と前記ハイブリッド層の間に前記埋込み誘電体からなる連続層が配置されるように組み立てるステップと、
を含む方法。
【請求項２】
前記ステップｄ）の前または後に前記ハイブリッド層の第１の一部を除去するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
ステップｄ）の前に前記ハイブリッド層の第１の一部を除去し、それにより前記ハイブリッド層の第２の一部が残ったままになる、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記緩衝基板と組み立てられた前記ハイブリッド層の前記第２の一部を薄化するステップをさらに含む、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記薄化するステップが、イオン注入または原子注入（３４’）によって生成される第２の破断面に沿った破断によって行なわれる、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記均質な基板の少なくとも一部を除去するステップが、前記均質な基板の破断によって、あるいは、前記基板を機械的に薄化することによって達成される、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記均質な基板の少なくとも一部を除去するステップおよび前記ハイブリッド層の一部を除去するステップの両方が、前記ハイブリッド層の破断によって、あるいは、前記均質な基板と前記ハイブリッド層を機械的に薄化することによって達成される、請求項２に記載の方法。
【請求項８】
前記破断が、前記均質な基板または前記ハイブリッド層において、イオン注入または原子注入によって生成される第１の破断面（３６、３６’、１３０）に沿って行われる、請求項６または７に記載の方法。
【請求項９】
前記少なくとも１種類の第２の半導体材料が、前記均質な基板上の層中に形成されるか、または前記均質な基板中に形成されるキャビティ（２８、３０、１２２、１２４）中でエピタキシアル成長させることによって得られる、請求項１から８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
前記少なくとも１種類の第２の半導体材料が、局部非晶質化、次いで再結晶化によって得られるか、あるいは非晶質形成における堆積、次いで熱処理による再結晶化によって得られる、請求項１から８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
前記第１の半導体材料および前記少なくとも１種類の第２の半導体材料が両方とも結晶質であり、方向の異なる結晶方位を有する、請求項１から１０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１２】
前記第１の半導体材料がゲルマニウムであり、前記少なくとも１種類の第２の半導体材料がＩＩＩ−ＶまたはＩＩＩ−ＶＩ型半導体材料である、請求項１から１０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１３】
前記第１の半導体材料がシリコンであり、前記少なくとも１種類の第２の半導体材料がＩＩＩ−Ｖ型半導体材料である、請求項１から１０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１４】
前記第１の半導体材料がゲルマニウムであり、前記少なくとも１種類の第２の半導体材料がシリコンである、請求項１から１０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１５】
前記第１の半導体材料の方位が方位（１１０）をなしており、前記少なくとも１種類の第２の半導体材料の方位が方位（１００）をなしている、請求項１１に記載の方法。
【請求項１６】
前記少なくとも１種類の第２の半導体材料の領域が、少なくとも１つの前記第２の半導体材料の層及び１つの非半導体材料の層を含んだ複数のスタック層を含む、請求項１から１５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１７】
各材料からなる複数のスタック層の少なくとも１つが、エピタキシによって得られる請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
ハイブリッド層を形成するステップａ）の間に、第２の半導体材料での前記領域が、第１の半導体材料での前記領域によって規定される遊離面まで形成され、または第１の半導体材料での前記領域によって規定される前記遊離面の下に、またはこの遊離面の上に位置するレベルまで形成され、次いで絶縁材料が、前記第２の半導体材料のレベルと、第１の半導体材料での前記領域によって規定される前記遊離面との違いを補うようにできる限り構成される、請求項１から１７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１９】
支持体基板（４０、１４０）と、埋込み絶縁体からなる連続層（４２、１４２）と、この層上の、前記支持体基板の水平方向に交互に配置されている第１の半導体材料（２６、１２０）の領域および少なくとも１種類の第２の半導体材料（３２、１２６、１２８、１２２０、１２２１、１２２２）の領域を含むハイブリッド層（２６’、１３２）とを備え、前記第１の半導体材料の領域と前記少なくとも１種類の第２の半導体材料の間にいかなる絶縁材料もない、デバイスであって、前記第１の半導体材料及び前記少なくとも１種類の第２の半導体材料が、その性質および／またはその結晶特性によって異なり、前記第２の半導体材料のうちの少なくとも１種類の材料からなる少なくとも２つの領域の深さが異なるか、または高さが異なる、デバイス。
【請求項２０】
前記第１の半導体材料および第２の半導体材料が両方ともシリコンであり、方向が異なる結晶方位を有しているか、
あるいは、前記第１の半導体材料がゲルマニウムであり、前記第２の半導体材料がＩＩ−ＶまたはＩＩ−ＶＩまたはＩＩＩ−Ｖ型半導体材料であるか、
あるいは、前記第１の半導体材料がゲルマニウムであり、前記第２の半導体材料がシリコンであるか、
少なくとも１種類の第２の半導体材料（１２２０、１２２１、１２２２）の少なくとも１つの領域が、少なくとも１つの第２の半導体材料の層及び１つの非半導体材料の層からなるスタック層を含む請求項１９に記載のデバイス。
【請求項２１】
前記第１の半導体材料が、（１１０）の方位をなしており、前記少なくとも１種類の第２の半導体材料が、（１００）の方位をなしている、請求項２０に記載のデバイス。
【請求項２２】
第２の半導体材料での前記領域が、
・前記デバイスの表面と同一平面まで形成されるか、
・または前記デバイスの表面の下に位置するレベルまで形成される、
請求項２０または２１に記載のデバイス。
【請求項２３】
ハイブリッド基板の製造方法であって、前記ハイブリッド基板が、支持体基板（４０、１４０）と、埋込み誘電体からなる連続層（４２、１４２）と、この層上の、前記支持体基板の水平方向に交互に配置されている第１の半導体材料（２６、１２０）の領域および少なくとも１種類の第２の半導体材料（３２、１２６、１２８、１２２０、１２２１、１２２２）の領域を含むハイブリッド層（２６’、１３２）とを備えており、前記第１の半導体材料および前記少なくとも１種類の第２の半導体材料が、その性質および／またはその結晶特性によって異なる、方法において、
ａ）均質な基板（２２、１２０）上、または前記均質な基板（２２、１２０）中に前記均質な基板の水平方向に交互に配置されている第１の半導体材料の領域および少なくとも１種類の第２の半導体材料の領域を含み、前記第１の半導体材料の領域と前記少なくとも１種類の第２の半導体材料の間にいかなる絶縁材料もない、ハイブリッド層（２６’、３８、３８’、１３２）を形成するステップと、
ｂ）このハイブリッド層、前記埋込み誘電体からなる連続層（４２、１４２）、および前記支持体基板（４０、１４０）を、前記支持体基板と前記ハイブリッド層の間に前記埋込み誘電体からなる連続層が配置されるように組み立てるステップと、
ｃ）前記均質な基板（２２、１２０）の少なくとも一部を除去するステップと、
を含む方法。
【請求項２４】
前記ステップｂ）の後に前記ハイブリッド層の一部を除去するステップをさらに含む、請求項２３に記載の方法。
【請求項２５】
前記均質な基板の一部を除去するステップが、前記均質な基板の破断によって、あるいは、前記基板を機械的に薄化することによって達成される、請求項２３に記載の方法。
【請求項２６】
前記均質な基板の一部を除去するステップおよび前記ハイブリッド層の一部を除去するステップが、前記ハイブリッド層の破断によって、あるいは、前記均質な基板と前記ハイブリッド層を機械的に薄化することによって達成される、請求項２４に記載の方法。
【請求項２７】
前記破断が、前記均質な基板または前記ハイブリッド層において、イオン注入または原子注入によって生成される破断面（３６、３６’、１３０）に沿って行われる、請求項２５または２６に記載の方法。
【請求項２８】
前記少なくとも１種類の第２の半導体材料が、前記均質な基板上の層中に形成されるか、または前記均質な基板中に形成されるキャビティ（２８、３０、１２２、１２４）中でエピタキシアル成長させることによって得られる、請求項２３から２７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２９】
前記少なくとも１種類の第２の半導体材料が、局部非晶質化、次いで再結晶化によって得られるか、あるいは非晶質形成における堆積、次いで熱処理による再結晶化によって得られる、請求項２３から２８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項３０】
前記第１の半導体材料および前記少なくとも１種類の第２の半導体材料が両方とも結晶質であり、方向の異なる結晶方位を有する、請求項２３から２９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項３１】
前記第１の半導体材料がゲルマニウムであり、前記少なくとも１種類の第２の半導体材料がＩＩＩ−ＶまたはＩＩＩ−ＶＩ型半導体材料である、請求項２３から２９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項３２】
前記第１の半導体材料がシリコンであり、前記少なくとも１種類の第２の半導体材料がＩＩＩ−Ｖ型半導体材料である、請求項２３から２９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項３３】
前記第１の半導体材料がゲルマニウムであり、前記少なくとも１種類の第２の半導体材料がシリコンである、請求項２３から２９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項３４】
前記第１の半導体材料の方位が方位（１１０）をなしており、前記少なくとも１種類の第２の半導体材料の方位が方位（１００）をなしている、請求項３０に記載の方法。
【請求項３５】
前記少なくとも１種類の第２の半導体材料の領域が、少なくとも１つの前記第２の半導体材料の層及び１つの非半導体材料の層を含んだ複数のスタック層を含む、請求項２３から３４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項３６】
各材料からなる複数の層の少なくとも１つが、エピタキシによって得られる請求項３５に記載の方法。
【請求項３７】
ハイブリッド層を形成するステップａ）の間に、第２の半導体材料での前記領域が、第１の半導体材料での前記領域によって規定される遊離面まで形成され、または第１の半導体材料での前記領域によって規定される前記遊離面の下に、またはこの遊離面の上に位置するレベルまで形成され、次いで絶縁材料が、前記第２の半導体材料のレベルと、第１の半導体材料での前記領域によって規定される前記遊離面との違いを補うようにできる限り構成される、請求項２３から３６のいずれか１項に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、「ハイブリッド」構造体と呼ばれる、例えば半導体型の構造体に関する。
【背景技術】
【０００２】
結晶方位の異なるシリコン層の場合、非特許文献１に、このような型の構造体が記載されている。
【０００３】
非特許文献２に記載されている方法により、結晶方位の異なる混合領域を生成するように働くエピタキシ領域を横方向に延出することが可能になる。
【０００４】
しかし、この技術では、ハイブリッド領域の下に連続的な埋込み電気絶縁体または連続層を得ることができない。このような層またはこのような電気絶縁体を用いると、ハイブリッド被膜と支持体基板の間の寄生伝導の影響を最小限に抑えることが可能になり、さらに、これらのデバイスは、電子デバイスの場合、全空乏領域を得ることが可能になる。
【０００５】
したがって、このことはある問題を生じるが、この問題は、埋込み電気絶縁体を連続的に存在させた状態でハイブリッド被膜を生成することにある。
【０００６】
別の問題が、今度はゲルマニウムの具体例において生じ、それは、ハイブリッドＧｅ／ＧａＡｓ被膜またはより一般的にＧｅ／へテロ型材料（ＡｌＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓ、ＩｎＰなど）をその表面上に有し、連続的な埋込み電気絶縁体層をも有する基板が生成される可能性があることにある。
【０００７】
実際、ゲルマニウムは、特にトランジスタの伝導チャネル内のキャリア移動度を高めるために、マイクロエレクトロニクスシステム用にシリコンに取って代わることが想定されている。したがって、ゲルマニウムでは、Ｓｉでの正孔および電子の移動度よりも非常にかなり高い正孔および電子の移動度を示すことが可能になるが、ＧａＡｓなどの他の材料を用いると、電子の移動度をさらに一層改善することが可能になる。また、Ｇｅ／ＧａＡｓの同時集積化の問題は、光子−電子変換を確実にするために、ハイブリッド電子デバイス（Ｇｅ上にｐ−ＭＯＳ、およびＧａＡｓ上にｎ−ＭＯＳ）を製造すること、ならびにＧｅ上に電子デバイスを、ＧａＡｓ上に発光体／受光体を製造することのどちらに対しても高電位を有することである。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００８】
【非特許文献１】M. Yangらの論文、「Hybrid-Orientation Technology (HOT): Opportunities and Challenges」、IEEE Transactions on Electron devices, Vol. 53、2006年5月5日
【非特許文献２】M. Yangらの「Silicon on Insulator MOSFETs with hybrid crystal orientations」、2006 Symposium on VLSI Technology Digest of Technical Papers
【非特許文献３】International Journal of High Speed Electronics and Systems, Vol. 10, No.1 (2000), p. 131-146に所載の、A. J. Auberton-Herveらの論文、「Why can Smart-Cut change the future of microelectronics?」
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、第一に、埋込み誘電体を連続的に存在させた状態でハイブリッド基板を製造する方法に関する。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明によれば、第１の初期の均質な基板上または均質な基板中にハイブリッド被膜が最初に形成され、このようなハイブリッド被膜を第２の基板上に移転させることによって、連続的な埋込み絶縁体上にハイブリッド被膜が形成される。
【００１１】
最終的なハイブリッド被膜は、緩衝基板またはハンドル基板または中間グリップを用いて、または用いることなく、様々な手法に従って得ることができるが、この中間グリップにより、第一に「深い」界面の性質、言い換えれば、ハイブリッド被膜の表面の性質を、また第二にこのハイブリッド被膜の遊離面の性質を判定することが可能になり、このハイブリッド被膜は第２の基板と接触するかまたは誘電体中間層と接触することになり、誘電体中間層は第２の基板を備え、または第２の基板上に形成されることになる。
【００１２】
本発明は第一に、ハイブリッド基板の製造方法に関するものであり、このハイブリッド基板は、支持体基板と、埋込み誘電体からなる連続層と、この層上の、第１の材料および少なくとも１種類の第２の材料からなる交互の領域を含むハイブリッド被膜とを備えており、これらの２つの材料は、例えばその性質、その組成、さらにはその結晶特性においても異なり、前記方法は、
均質な基板上、または均質な基板中に第１の材料および少なくとも１種類の第２の材料からなる交互の領域を含むハイブリッド層を形成するステップと、
このハイブリッド層、誘電体からなる連続層、および支持体基板を組み立てるステップと、
この組立てステップの前または後に均質な基板の少なくとも一部を除去するステップと
を含む。
【００１３】
エピタキシャル成長が実行されようと、非晶質化が実行されて次に（例えば熱処理によって）再結晶化が実行されようと、この均質な基板は、第２の材料を受容するのに適している材料を、その表面の下（したがってその体積内）に含む。
【００１４】
最終的な基板を備えるハイブリッド層の組立ては、例えば分子付着による接合技術によって確実になされる。したがって、このハイブリッド層またはその表面は、このような接合の特異性に適応し適合するようにするために処理することができる。
【００１５】
ハイブリッド層の一部を除去することができる。初期の基板のすべてまたは一部、および適切な場合ハイブリッド層の一部を除去するステップは、破断だけによって達成することができ、あるいは、例えば機械的薄化（ポリッシングおよび／またはグラインディングなど）および／または湿式ルートもしくは乾式ルートなどによる化学的侵蝕など他の処理と関連付けることができる。
【００１６】
この破断は、イオンまたは原子を注入することによって生成される破断面に沿って行うことができる。
【００１７】
一代替形態によれば、基板の一部、および必要ならハイブリッド層の一部を除去するステップは、それぞれ基板および／またはハイブリッド領域をグラインディングすることによって達成することができる。化学的作用、またはその代わりに熱的作用、さらにはプラズマ式薄化処理により、基板の一部を除去することが可能になる場合もある。
【００１８】
ハイブリッド層中の第２の材料の少なくとも１種類の材料は、第１の材料の下に位置する第３の材料まで及んで形成されるキャビティのため、この第３の材料からエピタキシャル成長によって得ることができる。この第３の材料は、その性質および／またはその組成および／またはその結晶特性において第１の材料とは異なる。第３の材料は、例えば、第２の材料とは異なるか、または異ならない場合があり、例えばエピタキシによって前記第２の材料を受容することができるか、またはできない場合がある。本発明の一実施形態によれば、まず、エピタキシによって（例えば、トレンチまたはキャビティまたはケーソンの）１回または数回のエッチングが実行され、次いでその全体が、例えば「Ｓｍａｒｔ  Ｃｕｔ（商標）」式技術または基板破断によって処理される。キャビティ内に非晶質材料を堆積させること、次いで、やはり熱処理によって再結晶化させることを使用することもできる。
【００１９】
他の手法によれば、第２の材料は、例えば局部非晶質化技術、次いで熱処理による再結晶化技術を用いて形成することができる。この場合、第１の材料中にキャビティを形成する必要はない。
【００２０】
最終的な支持体基板を備えるハイブリッド層の組立ては、例えば緩衝基板上にハイブリッド層を移転する１回または数回の中間ステップを含む場合がある。
【００２１】
緩衝基板を組み合わせて使用することにより、また基板および／またはハイブリッド層のすべてまたは一部を除去するための様々な可能な形態により、目標とする用途に応じて変わる表面特性を有するハイブリッド層を製造することが可能になる。使用できる薄化技術のうちには、Ｓｍａｒｔ  Ｃｕｔ（商標）技術、および／または機械的薄化技術（ラッピング、ポリッシング、グラインディングなど）および／またはさらに「リフトオフ」技術および／または熱処理技術および／または化学的処理技術および／またはプラズマ処理技術がある。
【００２２】
次いで、初期の基板の少なくとも一部、および必要ならハイブリッド層の一部を除去するステップは、ハイブリッド層の一部が緩衝基板と組み立てられたときに行われる。この場合、緩衝基板との組立ては、任意の層接合技術、例えば分子付着による接合技術によって実行することができる。
【００２３】
さらに具体的な一実施形態によれば、均質な基板、およびハイブリッド層の第１の一部は、均質な基板が緩衝基板と組み立てられたときに除去され、それによりハイブリッド層の第２の一部が残ったままになる。
【００２４】
このような方法はさらに、緩衝基板と組み立てられたハイブリッド層の第２の一部を薄化する第２のステップを含む。具体的な一実施形態によれば、したがってハイブリッド層のわずかな第２の一部は、この第２の一部が緩衝基板と組み立てられたときに除去される。
【００２５】
ハイブリッド層の前記部分の薄化ステップは、第２のイオン注入または原子注入により生成される第２の破断面に沿って破断を行うことによって実行することができる。
【００２６】
一実施形態によれば、第１および第２の材料は、方向の異なる結晶方位を有する。それらは両方とも半導体であり、例えば両方ともシリコンでよい。
【００２７】
他の例によれば、（例えば、トレンチまたはキャビティまたはケーソンの）エッチングした領域に含まれる材料がすべて同一とは限らない。性質の異なる材料を含むこのような領域が少なくとも２つある可能性がある。
【００２８】
他の例によれば、第１の材料はゲルマニウムであり、第２の材料はガリウムヒ素である。
【００２９】
他の例によれば、ハイブリッド層は、第１の半導体材料および複数の第２の半導体材料からなる交互の領域を含む。この複数の第２の半導体材料はさらに、半導体材料からなる複数の層を構成することができる。
【００３０】
各半導体材料からなる複数の層のそれぞれの層は、エピタキシによって得ることができる。
【００３１】
第２の半導体材料での領域は、初期の基板の表面と同一平面上で形成することができる。
【００３２】
それらはまた、基板の表面の上または下に位置するレベルまで形成することができる。このレベル差を縮小するために、平坦化方法を使用することができる。第２の半導体のレベルと基板の表面との間の差を埋めるための追加の材料を堆積させるか、または堆積させない場合がある。
【００３３】
本発明はまた、ハイブリッド層デバイス（例えば、半導体）に関するものであり、このデバイスは、支持体基板と、埋込み誘電体からなる連続層と、この層上の、第１の材料および少なくとも１種類の第２の材料からなる交互の領域を含むハイブリッド層とを備えており、これらの２つの材料は、その性質および／またはその組成および／またはその結晶特性において異なる。
【００３４】
本発明による方法またはデバイスで使用することができる半導体材料の例としては、次の通り、
方向の異なる結晶方位を有する、両方ともシリコンでの第１および第２の半導体材料、
ゲルマニウムでの第１の半導体材料、およびシリコンさらにはガリウムヒ素での第２の半導体材料であり、したがって、本発明はこの場合、電気的観点からだけでなく光学的電気的観点からの同時集積化に関するものとすることができる。
【００３５】
ハイブリッド層は、例えば半導体の第１の材料、および例えば半導体の複数の第２の材料からなる交互の領域を含むことができ、例えば半導体の複数の第２の材料は、例えば半導体の材料からなる複数の層を構成することができる。
【００３６】
第２の半導体材料での領域は、半導体基板の表面と同一平面上で形成し、さらには半導体基板の表面の上または下に位置するレベルまで形成することができる。この第２の例において、例えば半導体の第２の材料のレベルと初期の基板の表面との間の差を埋めるための、例えば電気絶縁体の材料を堆積させるか、または堆積させない場合がある。
【００３７】
既知の技術とは異なり、本発明により、ハイブリッド被膜を連続的な誘電体上に製造することが可能になる。さらに、本発明により、使用する（緩衝基板を使用するか、または使用しない）技術に応じて表面特性を制御することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１Ａ】本発明によるハイブリッド構造体を形成することを目的として構成要素を製造する方法の一ステップを表す図である。
【図１Ｂ】本発明によるハイブリッド構造体を形成することを目的として構成要素を製造する方法の一ステップを表す図である。
【図１Ｃ】本発明によるハイブリッド構造体を形成することを目的として構成要素を製造する方法の一ステップを表す図である。
【図１Ｄ】本発明によるハイブリッド構造体を形成することを目的として構成要素を製造する方法の一ステップを表す図である。
【図１Ｅ】本発明によるハイブリッド構造体を形成することを目的として構成要素を製造する方法の一ステップを表す図である。
【図１Ｆ】本発明によるハイブリッド構造体を製造する第１の方法の一ステップを表す図である。
【図１Ｇ】本発明によるハイブリッド構造体を製造する第１の方法の一ステップを表す図である。
【図１Ｈ】本発明によるハイブリッド構造体を製造する第１の方法の一ステップを表す図である。
【図１Ｉ】本発明によるハイブリッド構造体を形成することを目的として構成要素を製造する方法の一ステップを表す図である。
【図１Ｊ】本発明によるハイブリッド構造体を形成することを目的として構成要素を製造する方法の一ステップを表す図である。
【図１Ｋ】本発明によるハイブリッド構造体を形成することを目的として構成要素を製造する方法の一ステップを表す図である。
【図１Ｌ】本発明によるハイブリッド構造体を製造する第１の方法の一ステップを表す図である。
【図２Ａ】本発明によるハイブリッド構造体を製造する第２の方法の一ステップを表す図である。
【図２Ｂ】本発明によるハイブリッド構造体を製造する第２の方法の一ステップを表す図である。
【図２Ｃ】本発明によるハイブリッド構造体を製造する第２の方法の一ステップを表す図である。
【図２Ｄ】本発明によるハイブリッド構造体を製造する第２の方法の一ステップを表す図である。
【図３Ａ】本発明によるハイブリッド構造体を製造する第３の方法の一ステップを表す図である。
【図３Ｂ】本発明によるハイブリッド構造体を製造する第３の方法の一ステップを表す図である。
【図３Ｃ】本発明によるハイブリッド構造体を製造する第３の方法の一ステップを表す図である。
【図４Ａ】本発明によるハイブリッド構造体を製造する第４の方法の一ステップを表す図である。
【図４Ｂ】本発明によるハイブリッド構造体を製造する第４の方法の一ステップを表す図である。
【図５Ａ】ハイブリッドＧｅ／ＧａＡｓ構造体を形成することを目的とした、本発明による第５の方法の一ステップを表す図である。
【図５Ｂ】ハイブリッドＧｅ／ＧａＡｓ構造体を形成することを目的とした、本発明による第５の方法の一ステップを表す図である。
【図５Ｃ】ハイブリッドＧｅ／ＧａＡｓ構造体を形成することを目的とした、本発明による第５の方法の一ステップを表す図である。
【図５Ｄ】ハイブリッドＧｅ／ＧａＡｓ構造体を形成することを目的とした、本発明による第５の方法の一ステップを表す図である。
【図５Ｅ】ハイブリッドＧｅ／ＧａＡｓ構造体を形成することを目的とした、本発明による第５の方法の一ステップを表す図である。
【図５Ｆ】ハイブリッドＧｅ／ＧａＡｓ構造体を形成することを目的とした、本発明による第５の方法の一ステップを表す図である。
【図５Ｇ】ハイブリッドＧｅ／ＧａＡｓ構造体を形成することを目的とした、本発明による第５の方法の一ステップを表す図である。
【図６Ａ】半導体材料からなる層を備えるハイブリッド構造体を形成することを目的とした、本発明による第６の方法の一ステップを表す図である。
【図６Ｂ】半導体材料からなる層を備えるハイブリッド構造体を形成することを目的とした、本発明による第６の方法の一ステップを表す図である。
【図６Ｃ】半導体材料からなる層を備えるハイブリッド構造体を形成することを目的とした、本発明による第６の方法の一ステップを表す図である。
【図６Ｄ】半導体材料からなる層を備えるハイブリッド構造体を形成することを目的とした、本発明による第６の方法の一ステップを表す図である。
【図７Ａ】本発明による第６の方法の具体例の一ステップを表す図である。
【図７Ｂ】本発明による第６の方法の具体例の一ステップを表す図である。
【図８Ａ】基板が中間層（図８Ａ）を備える場合の一組立てステップを表す図である。
【図８Ｂ】図８Ａの一組立てステップに次いで、基板が中間層（図８Ｂ）を備える場合の一薄化ステップを表す図である。
【図９Ａ】基板が中間層を備えていない場合の一組立てステップを表す図である。
【図９Ｂ】図９Ａの一組立てステップに次いで、基板が中間層を備えていない場合の一薄化ステップを表す図である。
【図１０】本発明によるハイブリッド構造体を形成することを目的として構成要素を製造する方法の一ステップを表す図である。
【発明を実施するための形態】
【００３９】
図１Ａ〜図１Ｈおよび図１Ｉ〜図１Ｌと連係して、第１の詳細な実施形態を説明する。
【００４０】
この実施形態は、埋込み電気絶縁体からなる連続層を存在させた状態で、さらにはそれ自体が基板４０（図１Ｈおよび図１Ｌ）上にある、埋込み電気絶縁体からなる連続層４２上にハイブリッド層２６’を存在させた状態でハイブリッド基板を製造する方法を含む。以下で説明するように、この連続的な埋込み絶縁体層は２つの層４２、４２’から構成することができる。
【００４１】
理解しやすくするために、第１の結晶方位「Ａ」、例えば（１１０）と、第２の結晶方位「Ｂ」、例えば（１００）とを有する同じ材料からなるハイブリッド層の例を詳述する。
【００４２】
しかし、材料の他の組合せ、より一般的には第１の材料からなる領域と、例えばその性質および／またはその結晶特性などその物理的性質において第１の材料とは異なる第２の材料からなる領域との組合せを有するハイブリッド層をも形成することができる。
【００４３】
これらの材料が半導体材料である場合、Ｓｉ（第１の半導体材料）およびＳｉｘＧｅ１−ｘ（第２の半導体材料）、あるいはＳｉｘＧｅ１−ｘ（第１の半導体材料）およびＳｉｙＧｅ１−ｙ（第２の半導体材料）などを選択することができる。以下、ほとんどの例は半導体材料に関する。しかし、本発明は、半導体材料の用途に一意的に限られているものではない。
【００４４】
さらに、ハイブリッド層２６’は３種類以上の様々な材料を含むことができる。
【００４５】
第１のステップ（図１Ａ）で、方位Ａの（第１の材料からなる）少なくとも１つの層２６と方位Ｂの均質な基板または層２２を重ね合わせたものから構成された基板２０を選択しており、層２２と２６を分離する層２４が存在する、または存在しない。以下で、第２の材料は、材料３２（図１Ｄを参照）を表しており、この材料は、第１の材料とともにハイブリッド層を構成し、例えばトレンチ中で成長させることによって得られ、あるいは堆積してから熱処理することによって、または非晶質化してから熱処理することによって得られる。基板または層２２は、それを形成するために使用される方法に従って第２の材料を受容するのに適している第３の材料から構成される。
【００４６】
中間層２４は、任意選択であり、誘電体または他の任意のタイプの半導体もしくは半導体でない材料から構成することができる。
【００４７】
さらに、図１Ａ〜図１Ｈと連係して示す実施形態において、かつ他の諸実施形態において、示す例が、３つの層（図１Ａの層２２、２４、２６など）を備える初期の基板に関するとはいえ、本発明は、任意のｎ個の数の層に適用することができる。ただし、ｎは３より大きい。例えば、図１Ｉは、ｎ＝５の層２２０、２４０、２６０、２８０、３００を備える初期の基板２０の例を表す。例えば、層２２０は図１Ａの層２２と同一または類似の層であり、層２４０は図１Ａの層２４と同一または類似の層であり、層２６０は図１Ａの層２６と同一または類似の層であり、層２８０は層２６０とは異なり、層３００は層２８０とは異なる。例えば、層２８０はその性質および／またはその結晶特性において層２６０と異なり、層３００はその性質および／またはその結晶特性において層２８０とは異なる。
【００４８】
より一般的に、本発明の初期の基板は、ｎ層を含む層のスタックを備えており、それぞれの層はその性質および／またはその結晶特性において、すぐ下にある層とは異なる。
【００４９】
第２のステップ中、初期の基板２０を処理する。すなわち、トレンチ（またはケーソンまたはキャビティ）２８、３０を、基板まで下方に、または均質な層２２まで下方に、または任意のｎ個、例えばｎ＞３の数の層（例えば、図１Ｊを参照）の場合は他の任意の層までエッチングする。
【００５０】
このステップで、まず均質な基板２２まで下方の、または対象となる層までの狭いトレンチ２８’、３０’を生成することができ、次いで層の総数が３より大きいより一般的な場合、トレンチ２８、３０の所望の幅が得られるように、層２６（第１の材料）または他の任意の層のより重要な横方向のエッチングを実行することができる。
【００５１】
次いで、層２４の重要性は、狭い「シードポイント」２８’〜３０’を有するこれらの広いエッチング領域２８〜３０が生成されることを可能にし、それにより層２４が例えばバリア層の役割を果たすことにある。したがって、図１Ｂでは、被膜２６で見られるこうした領域２８〜３０の幅は、中間層２４においてその一部として見られるにすぎないエッチング領域２８’〜３０’の幅より大きい。
【００５２】
第３のステップ（図１Ｃ）で、ハイブリッド層を形成する。
【００５３】
このステップでは、それまでに形成されたキャビティ２８、３０を、例では層または基板２２の材料（ここでは方位Ｂの材料）と同じと考えられる結晶方位の第２の材料３２（例えばＳｉ）で埋める。
【００５４】
図１０に示す状況にある初期の基板２０をエッチングしていない場合（その場合、トレンチ２８、３０は形成されない）、局部非晶質化技術、次いで再結晶化技術を使用することができる。ここで、
ａ）いくつかの領域、実際は注入によって図１０の領域３２を非晶質化する。
ｂ）次いで、温度の上昇が制御されていると、特に層２４が存在しない場合、層２２の材料の方位と同一の優先方位で層を再結晶化することが可能になり、この場合、粒界を制御すると、再結晶化中の結晶方位が層２２の材料によって与えられ、またそれによって生成される第２の材料３２が、具体的には後に移転されることになるハイブリッド領域が層２６中に形成されるレベルにおいて効果的に結晶質になることを保証することが可能になる。層２４からの再結晶化はまた、例えばこの層がＬａＴｉＯ３中またはＳｒＴｉＯ３中にある場合に起こり得る。
【００５５】
（層２４を用いるか、または用いない）別の手法によれば、トレンチまたはケーソンまたはキャビティを画定した後で非晶質シリコンを堆積し、その後に適切な熱処理が続き、その役割は上記のこれまでの例（ステップｂを参照）と類似する。有利なことに、第２の材料３２が過剰な厚さで成長するのを回避するための第１の材料２６を保護することができる。
【００５６】
より一般的な他の手法によれば、構造体２０が中間層２４を有するものであろうとなかろうと、標準的なエピタキシ技術によって、例えばシリコンの第２の材料３２を成長させるステップを使用することができる。有利なことに、第２の材料３２が過剰な厚さで成長するのを回避するための第１の材料２６を保護することができる。層２６のレベルにおいて成長が開始されるのを回避するために、また最終的なハイブリッド領域の結晶方位が実際に、層２６によってではなく、層２２の材料によって与えられる結晶方位を有することを保証するために、エピタキシは、トレンチ（またはケーソンまたはキャビティ）２８’、３０’および／または２８、３０のレベルにおいて両側のパッシベーションによって先行することができる。
【００５７】
図１Ｅは、本発明によって得られる構成要素の別の例を表す。すなわち、初期の構成要素２０は、中間層２４を備えていないが、例えばゲルマニウムでの基板２２と、基板２２上に形成されるかまたは堆積させる、例えばシリコンの第１の材料での層２６とを備えている。この図では、初期の層２６中でエッチングした単一のキャビティまたはトレンチ２８を表す。このキャビティでは、エピタキシさせているのは単一の材料ではなく、様々な材料からなる複数の層１１２０、１１２１、１２２２である。複数の層をこのようにエピタキシャル成長させることは、初期の基板２０の１つまたは複数のエッチング領域において実行することができる。得られた構成要素１００では、したがって、第１の材料からなる領域２６と、層の形態にある、材料がいくつか積み重ねられた領域を交互にすることによってハイブリッド層２６’を形成する。
【００５８】
図１Ｊおよび図１Ｋは、図１Ｉのようないくつかの層を有する初期の基板を処理する諸ステップを表す。少なくとも１つのトレンチ、ここでは５つのトレンチ（またはキャビティまたはケーソン）１４、１６、１８、２８、３０を、所望の層まで下方にエッチングする。次いで、各トレンチまたはキャビティまたはケーソンを材料１３、１５、１７、３２で埋める。これらの材料のいくつかは同一とすることができる。例えば、同じ材料３２で、トレンチまたはキャビティまたはケーソン２８および３０を埋め、互いに異なり、材料３２とも異なる材料で、他の４つのトレンチまたはキャビティまたはケーソンを埋める。これは、トレンチの底部をそこで位置づけた層の材料が異なることに起因する場合があり、上述のように、トレンチを埋める材料は、トレンチの底部を位置づけたところの層の材料と同じ結晶方位を有することができ、または結晶方位と同様の性質が前記層の材料によって与えられ得る。
【００５９】
トレンチは、上記で説明した技術のうちの１つまたは複数の技術を用いて埋められ、その技術としては、
例えばトレンチの底部が達した層と同じ結晶方位を有する材料で埋める技術、
または、非晶質半導体材料、例えばＳｉを堆積させ、続いて熱処理を行う技術、
または、エピタキシによって材料を成長させる技術
が挙げられる。
【００６０】
トレンチを実現させないで、局部非晶質化技術、次いで再結晶化技術（上記を参照）を使用することも可能である。
【００６１】
図１Ｋに示すデバイスでは（または本発明による他の任意のデバイスでは）、トレンチまたはキャビティまたはケーソンの底部は、表面３８１の下で、同じデバイスの別のトレンチまたはキャビティまたはケーソンの底部がそこで位置づけられる深さとは異なる深さをなすことができる。したがって、異なる（少なくとも２つの）トレンチ（またはキャビティまたはケーソン）を異なる深さまたは層まで下方にエッチングしたデバイスを実現することが可能になる。すなわち、例えば、トレンチ３０（図１Ｊを参照）の底部をトレンチ２８の底部がそこで位置づけられる深さとは異なる深さで位置づけ、トレンチ２８の底部をトレンチ１６の底部がそこで位置づけられる深さとは異なる深さで位置づけるなどである。
【００６２】
本発明は、詳しくは例えば図１Ｋで示す複数の層を備える構造体に関するものであり、この構造体では、複数のトレンチまたはキャビティまたはケーソンをエッチングし、次いで材料で埋め、前記トレンチまたはキャビティまたはケーソンのうち少なくとも１つの底部は、その構造体の表面の下で、前記トレンチまたはキャビティまたはケーソンのうち別の１つの底部がそこでまたはその中で位置づけられる層とは異なる層にまたは層中にある。前記少なくとも２つのトレンチをそれぞれ、材料、例えば半導体材料で埋めるが、この半導体材料は、例えば上記で説明した様々な物理的性質または様々な結晶方位を有することによって、他のトレンチが埋められる材料とは異なる。
【００６３】
実施形態がどのようなものであっても、表面処理による（表面パッシベーションならびに／または酸化、ならびに／またはＳｉ３Ｎ４および／もしくはＳｉＯ２および／もしくは他の任意のタイプの材料などバリア層の堆積、ならびに／またはプリズマでのアクティブ化による）処理ステップは、後続の接合ステップの前に実行することができる。
【００６４】
エピタキシ材料（複数可）１３、１５、１７、３２の最終的な高さは、例えば第２の材料からなる領域３２（ここでも以下でも唯一基準となる３２が使用されているが、以下の記述全体にも、図１Ｋで示す複数の材料が適用される）が第１の材料からなる領域３１に比べて過剰な厚さとなるので、表面１２１、３８０、３８１の粗い縁部をすべて消去できるようにするために、（バリア層の高さのように）調整することができる。表面状態の問題はまた、厳密に同じ条件におけるものではないが、図１０の領域３２の性質が変わるとその表面が修正され、その表面はもはや層２６の表面と「類似」しないという意味において、図１０の技術が使用されたときに生じる。それによって、構造体１００または２０（図１Ｄまたは図１Ｅまたは図１Ｋまたは図１０）を得ることが可能になるが、構造体１００の表面３８０、１２１、３８１は、マイクロエレクトロニクスの特異性（平面度、粗度など）と適合し、ハイブリッド型の表面的な層２６’と同様になり、言い換えれば、それは第１の材料からなる領域３１と第２の材料からなる領域３２を交互にしたものである。このために、例えば、化学的機械的研磨（ＣＭＰ）、または化学的処理および／または１回もしくは数回の熱処理、および／または１回もしくは数回のプラズマ処理を使用することが可能になるが、このプラズマ処理では、選択される例において２つの材料間の選択性を有利に活用することができる。
【００６５】
以下で、これまでの諸ステップに続くことができる諸ステップを実行する例を示す。
【００６６】
以下で記載するこうした様々な例では、ハイブリッド層２６’の移転を実行する。この移転では、具体的には、図１Ｄまたは図１Ｅまたは図１Ｋの基板１００を薄化するステップを使用しており、前記薄化ステップは、様々な技術によって、また具体的には、この基板において破断面を形成し、次いで前記破断面に沿って破断を行うためにイオンまたは原子を注入することによって実行することができる。
【００６７】
この破断領域を形成する注入ステップは、
図１Ｆに示すように、破断領域３６をそこで画定するために、ハイブリッド被膜２６’において、
あるいは次いで、層または均質な基板２２において（具体的には下記の実施例２、図２Ａ〜図２Ｄを参照）、
実行することができる。
【００６８】
こうした可能な形態相互間での選択は、エピタキシで形成されるトレンチ２８’、３０’の寸法により、適切な薄化ならびにトレンチまたはキャビティまたはケーソン２８’、３０’と遊離面の水平化が可能になるか否かに応じて、これらの寸法の関数として行うことができる。
【００６９】
以下で、数回にわたって「Ｓｍａｒｔ  Ｃｕｔ（商標）」技術を参照されたい。この技術の一例が、非特許文献３に記載されている。
【００７０】
［実施例１］
目的は、図１Ｄまたは図１Ｅまたは図１Ｋと連係した上記のタイプの構造体１００、例えばエピタキシ、次いで表面処理によって、または前述した他の任意の処理技術によって得られる構造体１００の表面状態を適合させることにある。その重要性のために、例えば、Ｓｍａｒｔ  Ｃｕｔ（商標）技術を使用する際、表面形態（平面度、粗度など）および物理的／化学的性質（汚染性、親水性など）に関してこの表面状態を制御することを目的とする。このために、化学反応による、および／またはＣＭＰによる、および／または酸化による、および／またはプラズマ注入などによる処理を実施する。したがって、この表面は処理され、層の移転技術の特異性を満たすようになされ得る。
【００７１】
以下のこのタイプの諸処理ステップは、構造体１００の注入ステップ、次いで移転ステップとすることができる。
【００７２】
図１Ｆに示すように、被膜またはハイブリッド層２６’において、イオンまたは原子の注入３４によって破断面３６を形成する。この注入は、交差される材料に関わらず、面内で脆化することを確実にするために、局部的なマスキングなどの技術によって実行することができるが、この材料は、互いに非常に異なる場合があり、注入の深さが異なる場合がある。
【００７３】
構造体１００および／または組立基板４０（図１Ｇ）上で堆積させるか、または成長させることによって、誘電体層４２’、４２、例えば酸化物層を形成し、注入の前または後に、適切な場合構造１００上の堆積物４２’を実行することができる。これらの層４２、４２’はそれぞれ、誘電体またはその他、例えば、酸化物または窒化物または酸化物／窒化物またはその他の層である（図１Ｇ）。
【００７４】
次いで、適切な場合、誘電体層４２を備えた受容基板４０上に、適切な場合、層４２’を備えた注入済み基板を組み立てる。
【００７５】
注入済み基板の組立面は、面３８０、１２１（例えば、材料３２の成長がエピタキシによって得られた場合のエピタキシ後の面であり、非晶質化が行われた場合と同じ組立面）であるが、これにはビーム３４が交差しており（図１Ｆ）、この面は（それが存在する場合）層４２と接触することになる。層４２’が構造体１００上で形成された場合、注入済み基板の組立面は、この層４２’の表面４２０となる（図１Ｇ）。
【００７６】
別の実施形態によれば、（図１Ｇ、適切な場合、層４２によって覆われた）基板４０と組み立てた後、例えばグラインディング、またはラッピング、またはポリッシングなどによって、基板１００の層２２から層２６’内まで、したがって事前にイオンまたは原子を注入すること３４なく、または破断することなく、機械的薄化が実行される。このステップはまた、薄化を容易にする湿式ルートまたは乾式ルートの化学的処理および／または熱処理および／またはプラズマ処理と組み合わせることができる。
【００７７】
したがって、薄化によって、または面３６に沿って破断することによって、基板１００のすべての部分を構成する層２２、あれば層２４（これは第２の材料３２でトレンチのために局部的に修正されている）、および層２６’の一部を除去する。移転および薄化の後に得られた最終的な構造体（図１Ｈ）は、層（複数可）４２および／４２’上に、ハイブリッド層（例では方位Ｂ／方位Ａが考えられるが、より一般的に、第２の材料３２／第１の材料２６、さらにはより一般的に複数の第２の材料１３、１５、１７、３２／第１の材料２６）を備える。このハイブリッド層は層２６’から生じる。次いで、表面３８１は、面３６に沿って破断することから生じ、かつ／または層２６’内まで薄化することから生じており、平面度、粗度、結晶度などに関してマイクロエレクトロニクスの現在の標準を満たすように処理することができる。
【００７８】
図１Ｌは、ハイブリッド層において、第１の材料が、図１Ｅの基板と同様の初期の基板から層中（ここでは２つだけの層）に形成される複数の第２の材料１２２２、１２２１と交互になっている例を表す。この層のスタック順序は、図１Ｅの順序とは逆である（ここでは、基板４０に向かって層１２２２、基板３８１に向かって層１２２１）。
【００７９】
［実施例２］
すでに上述したように、構造体１００のトポグラフィは、例えばＳｍａｒｔ  Ｃｕｔ（商標）技術との適合性のために、いくつかの最終的な構造体において重要となる場合がある。
【００８０】
表面３８０、１２１の状態がその巨視的性質（粗度、均一性など）のため、いくつかの用途、具体的には向かい合った層を移転する方法に対して制限がある場合（具体的には「Ｓｍａｒｔ  Ｃｕｔ（商標）」技術において実行されるような破断ステップの後の分子付着による接合が使用された場合）、本実施例２によれば、この表面３８０、１２１から遊離されるようにするために、別のタイプの移転をもたらすことが可能である。次いで、図１Ｄの層２６’と層２４の間の表面を、中間緩衝基板を通すことによって接合界面として使用する。図１Ｅおよび図１Ｋの場合、注入の深さは、破断面用の最も適切な位置を決めるように調整することができる。
【００８１】
構造体１００は、（ハイブリッド層２６’の遊離面でもある）その表面３８０、１２１において、層７３（図２Ａ）、例えば、酸化物層などの誘電体層の堆積を実行することによって処理され、適切な場合この誘電体層の堆積は、注入の後に実行することができ、ハイブリッド層２６’の表面的な酸化を実行することも可能である。この方法中に遊離された、ハイブリッド層２６’の他の面は、最終的な基板４０と、またはこの最終的な基板上に形成された絶縁体層４２と組み立てられるためのものである（図２Ｄを参照）。
【００８２】
この堆積またはこの酸化は、少なくとも表面３８０、１２１上で行われ、次いで、この表面は平坦化ステップにかけられ、それにより緩衝基板７０との後続の接合が可能になるが、この緩衝基板７０は誘電体層７２で覆われるか、または覆われない（図２Ｂを参照）。
【００８３】
この例では、注入ステップは、破断面３６’がそれによって画定される支持体基板２２（図２Ａ）中で実行される。それにより、前記面はこの支持体基板２２の一部５２を分離することが可能になる。
【００８４】
このステップは、構造体２０（図１Ａ）が最初に使用していた中間層２４を備えていない場合にしばしば容易になり、次いで破断面３６’は、実際に混合領域２４においてではなく、均質な材料において画定され、混合領域２４により移転、特に被膜の最終的な処理が容易になる（図１Ｄの混合領域２４は水平化する必要はない）。
【００８５】
次いで、緩衝基板７０を用いて構成要素１００を接合するステップを実行する（図２Ｂ）が、このステップでは前記緩衝基板に誘電体層７２を備えているか、または備えていない。構成要素１００は、層７３の表面３７３によって、または層７３が存在しない場合、表面３８０によって組み立てる。構成要素１００のこうした組立面を、緩衝基板７０の表面３７０上、または層７２の表面３７２上での接合に適するように処理する（図２Ｂ）。注入することで破断ステップを実行できるのはこの接合後であり、したがって支持体基板２２の一部５２を除去することが可能になる。
【００８６】
実施例１の範囲内ですでに示したように、別の実施形態によれば、図２Ｂのスタック構造体の機械的薄化が、緩衝基板７０との接合後、今回は初期の支持体基板２２の一部５２を除去するまでに実行され、この場合も、この代替形態は、注入３４も注入面３６’に沿った破断も必要としない。このステップはまた、薄化を容易にする化学的処理と組み合わせることができる。
【００８７】
次いで、組立体全体が、支持体基板２２および適切な場合、層２４の残余部分を除去することによって薄化され、この場合、ハブリッド層２６’（図２Ｃ）の面３２６’が遊離され、それによって適切な場合、絶縁体層７２〜７３上に、また「緩衝」またはハンドル基板７０上に図２Ｃのハブリッド層２６’を備える構造体２００が得られる。
【００８８】
次いで、誘電体層４３を備えるか、または備えていないこの後の構造体２００、というよりハイブリッド層を、その層４２を備えるか、または備えていない最終的な基板４０上に接合し、次いで緩衝基板７０および適切な場合、層７２〜７３を除去する（図２Ｄ）。
【００８９】
これまでの手法（実施例１）とは異なり、本手法による最終的な遊離面は、エピタキシの後、または非晶質化の後に得られた表面３８０、１２１によって構成されるが、この表面は、適切な場合、例えば以下のＣＭＯＳ技術によって安定した特異性を満たすことができる。この例では、スタック４２〜４３と接触するのは界面３２６’であるが、これまでの例では、接合していたのは初期の遊離面３８０、１２１（図１Ｆ、図１Ｇ、図１Ｈを参照）であった。
【００９０】
図２Ｄはまた、第１の材料が、図１Ｅの基板と同様の初期の基板から層中に形成される複数の第２の材料１２２０、１２２１、１２２２と交互になっている例を表す。今回は、図１Ｌとは異なり、基板４０から表面３８０に向けた層の順序は、図１Ｅの順序と同じである（ここでは、基板４０に向かって層１２２０、表面３８０に向かって中間層１２２１および層１２２２）。
【００９１】
双方の例（実施例１および実施例２）では、基板４０、連続絶縁体層、およびハイブリッド層を備える組立体が得られる。
【００９２】
［実施例３］
本例は、層２２と層２４の間の（または層２４が存在しない場合、層２２と層２６の間の）「後方」界面が、図１Ｂまたは図１Ｅまたは図１Ｊまたは図１Ｋと連係した上記の方法の諸ステップによって劣化するので、その界面を適用しない場合には特に有用である。表面３８０、１２１は最終的な想定される用途（マイクロエレクトロニクス、オプトエレクトロニクスなど）に適用されると考えられる。
【００９３】
これまで示したように、エピタキシ後の表面３８０、１２１は、例えばＳｍａｒｔ  Ｃｕｔ（商標）技術に使用したような分子付着によって接合するという観点から問題を生じる可能性があるが、後続の方法に適合することができる。
【００９４】
第２の問題が、「後方」界面と呼ばれる、エピタキシ後のハイブリッド被膜２６’の界面３２６’に存在する。実際、この界面は、例えばケーソン（これまでの例では方位「Ｂ」（１００）のケーソン）を生成するために横方向のエッチングが働くようになるという理由で、変わりやすい性質を有する可能性がある。エッチングを実行しない場合、この界面は、粒界またはその他の理由で適合しない可能性もある。
【００９５】
こうした問題を解決するために、本実施例３によれば、これまでの例と同様に、中間緩衝基板７０が使用される。また、ハイブリッド層２６’自体において注入３４を実行する（図３Ａ）。
【００９６】
適切な場合、（ハイブリッド層２６’の遊離面でもある）その表面３８０、１２１上で、層、例えば誘電体層７３、例えばさらに酸化物層の堆積を実行することによって構造体１００を処理することが可能であり、この層の堆積は注入３４の前または後に実行することができ、ハイブリッド層２６’の表面３８０の表面的な酸化を実行することも可能である。
【００９７】
注入ビーム３４は、今回はハイブリッド層２６’において破断面３６が画定されることを可能にする。前記面は、それまでに形成されたハイブリッド層の一部３８が分離されることを可能にする。この注入は、緩衝基板と接合する後続のステップ中に保護されるか、または保護されない被膜７３を通して実行するか、または実行しないことになる。
【００９８】
層７２、例えば緩衝基板７０（図３Ｂ）と一体の好ましくは厚い誘電体層と接合した後、または緩衝基板７０上に直接接合した後、第１の破断（「Ｓｍａｒｔ  Ｃｕｔ（商標）」技術による分離ステップ）をこの面３６に沿って行う。
【００９９】
次いで、絶縁体層４２を備えるか、または備えない基板４０上に接合される表面は、この破断動作から生じる表面３６０である。この表面３６０上に、層４３、例えば誘電体層を堆積させるか、または堆積させない場合がある。これらの２つの層４２および／または４３のうちの一方は誘電体の性質を有する。この表面は、従来の（化学的および／またはＣＭＰおよび／またはプラズマおよび／または酸化などの）方法に従って処理され、第２の接合に適合することができる。「Ｓｍａｒｔ  Ｃｕｔ（商標）技術に次ぐ」タイプの表面３６０を使用するという事実は、この表面の性質を制御できるので有利である。この制御は、初期の後方界面を制限できる場合に特に重要である。例えば、（被膜２４中のキャビティまたは材料２２より大きい被膜２６中のキャビティの場合に対応する）例としてのＥＯＬ堆積によって第２の材料３２が得られた場合、材料２２または２４での界面は極めて欠陥性の高いものとなる場合がある。
【０１００】
次いで、絶縁体層４２（例えば、図３Ｃの酸化物層４２を参照）を備えるか、または備えていない基板４０上でこの表面３６０の接合を実行する。次いで、緩衝基板７０（図３Ｃ）を除去し、あれば層７２〜７３を除去することができる。この除去は、以下の技術、つまり機械的または化学的技術のうちの１つまたはいくつかによって、あるいは除去またはリフトオフによって実行することができる。
【０１０１】
代替方法として、基板７０における、または（この注入された層が誘電体でない場合の）層７２もしくは層７３の一方における接合ステップ、および破断面の形成ステップの前に、注入で「Ｓｍａｒｔ  Ｃｕｔ（商標）」技術を使用することも可能である。
【０１０２】
したがって、実施例２と実施例３との違いは、主に基板４０上の（適切な場合、層４２〜４３を介する）端部において接合されることになる表面の性質にある。すなわち、実施例２の場合、その表面は、ハイブリッド層２６’と、中間層２４または基板２２との間の界面を含み、実施例３の範囲内では、その表面は、ハイブリッド層２６’の厚さで破断が行われることから生じる表面を含む。
【０１０３】
実施例１とは異なり、本実施例３による最終的な遊離面は、実施例２の場合と同様に、（エピタキシまたは非晶質化および熱処理の後に得られる）表面３８０によって構成されるが、この表面は、構造体の最終的な用途（マイクロエレクトロニクス、オプトエレクトロニクスなど）によって安定した特異性を満たすことができる。
【０１０４】
図３Ｃはまた、第１の材料が、図１Ｅの基板と同様の初期の基板から層中に形成される複数の第２の材料１２２２、１２２１と交互になっている例を表す。この場合も、図１Ｌとは異なり、基板４０から表面３８０に向けた層の順序は、図１Ｅの順序と同じである（ここでは、基板４０に向かって層１２２２、表面３８０に向かって層１２２１）。
【０１０５】
［実施例４］
この例では、層２２と層２４の間（または層２２と層２６の間）の界面でも表面３８０、１２１でも、最終的な用途（マイクロエレクトロニクスなど）に必要な特異性と適合しないと仮定する。
【０１０６】
これまでの実施例３では、（例えば、Ｓｍａｒｔ  Ｃｕｔ（商標）技術による）破断ステップから生じる表面３６０をハイブリッド層中で接合した。本実施例４でも、（この場合も好ましくは「Ｓｍａｒｔ  Ｃｕｔ（商標）」技術による）破断ステップから基板の最終的な表面が生じる。
【０１０７】
この実施例４は、層の最終的移転時を除いて、これまでの例と共通な諸ステップを使用する。実際、それは、移転されることになるハイブリッド層２６’を破断することによって得られる部分３８の一部３８’にすぎない。実際に、この実施例４によれば、ハイブリッド層２６’の部分３８はまた、このハイブリッド層において第２の破断を可能にするために注入される。
【０１０８】
したがって、第１の２つのステップは図３Ａおよび図３Ｂと連係した上記のものと類似する。
【０１０９】
基板１００の一部（面３６に沿った第１の破断のために層２２、２４および層２６’の第１の部分）を除去した後、あれば層７２〜７３を備えるその緩衝基板７０上に接合されたか、あるいは緩衝基板７０と組み立てられた被膜３８中に第２の脆化面を形成する。したがって、図４Ａでは、第２の注入ビーム３４’を表す。このビームは、今回、ハイブリッド層（図３Ｂ）の部分３８において、第２の破断面３６’’が画定されることを可能にする。
【０１１０】
次いで、ハイブリッド層３８’（図４Ｂ）を接合し、この第２の面３６’’に沿って破断によって移転する。この破断により、ハイブリッド層２６’から最初に分離された部分３８の層または一部３８’を、面３６’’に沿って分離することが可能になる。この面３６’’に沿って破断した後、このハイブリッド層３８の別の副層または一部３８’’が緩衝基板７０に連結されたままとなる。
【０１１１】
端部において、接合界面は、破断動作から生じる表面３６０（この表面は「Ｓｍａｒｔ  Ｃｕｔ（商標）の後の」技術のタイプをなす）となる。上の表面３８０もまた表面３６０と同じタイプをなすと認められた場合、この手法により、例えばエピタキシ後に確認された不均質性の問題を解決することが可能になることが理解されよう。
【０１１２】
言い換えれば、この実施形態は、破断動作からそれぞれ生じる２つの表面を有するハイブリッド層が得られることを可能にする。
【０１１３】
図４Ｂはまた、第１の材料が、図１Ｅの基板と同様の初期の基板から層中に形成される複数の第２の材料１２２１、１２２２と交互になっている例を表す。この場合も、図１Ｌとは異なり、基板４０から表面３８０に向けた層の順序は、図１Ｅの順序と同じである（ここでは、基板４０に向かって層１２２１、表面３８０に向かって層１２２２）。しかし、面３６’’に沿った破断動作により、これらの層を互いに分離する可能性があり、したがって、図４Ｂでは、（緩衝基板７０によってもたらされる）層１２２２が層１２２１から分離される例を表しており、前記層１２２１だけが基板４０上または酸化物層４２〜４３上に残っている。
【０１１４】
次に、本発明の別の実施形態を説明する。
【０１１５】
この場合も、この実施形態は、局部的に構造化された被膜の移転方法を含み、さらにハイブリッド被膜の下にある連続的な埋込み電気絶縁体層を形成することを可能にする。
【０１１６】
しかし、初期の基板が、第１の材料からなる初期の層から構成されているので異なっており、前記層は自己支持とすることができるか、あるいは支持体基板によって支持することができる。次いでトレンチを形成し、その後で第１の材料からなるこの均質な層中で直接エピタキシを実行する。
【０１１７】
第１の材料１２０（図５Ａ）、例えばゲルマニウム（支持体基板上で薄い連続的なエピタキシから生じる固体またはバルク）での第１の初期の基板を選択する。この第１の材料は、ＩＩＩ−Ｖ、ＩＩ−ＶＩ族合金などの化合物をエピタキシさせることに有利であることが好ましい。この基板において局部的なエッチングによってキャビティ１２２、１２４を形成する（図５Ｂ）が、そのエッチングの深さは、後で緩衝基板（７０）または最終的な基板（１４０）上に移転されることになるハイブリッド被膜の最終的な厚さが表されるように制御するか、または制御しない場合がある。
【０１１８】
次いで、各トレンチ１２２、１２４の深さ全体を覆って（図５Ｃ）、例えばＧａＡｓからなる（または、より一般的にＩＩＩ−Ｖ、またはＩＩ−ＶＩ族半導体合金からなる）第２の材料１２６、１２８のエピタキシを実行する。適切な場合、材料１２６、１２８は互いに異なる。他の代替形態によれば、トレンチ１２２、１２４において、複合材料のスタックを生成することを目的として複数のエピタキシを実行することも可能である。例えば、ゲルマニウムでの基板１２０の場合、トレンチ中にＧａＡｓだけでなく合金も成長させることが可能である。すなわち、一例によれば、次いで例えばＡｌＧａＡｓの上でＧａＡｓの薄膜をエピタキシさせ、その後例えばさらにＡｌＧａＡｓの上でＡｌＧａＮをエピタキシさせる。したがって、トレンチ１２２、１２４は一意の単一材料では埋められない。したがって、第２の材料１２６、１２８は、複数の層において、トレンチ内に有することが望まれる最終的な材料に応じて複合材料とすることができる。
【０１１９】
ポリッシングおよび／または熱処理および／または化学的処理および／またはプラズマ処理のステップにより、ＧａＡｓ１２６、１２８のエピタキシさせたレベルを基板１２０の表面１２１のレベルまで戻すことが可能になる（図５Ｄ）。これまでの例と同様に、後続の接合ステップを目的として表面の処理の助長するために、ＳｉＯ２またはＳｉ３Ｎ４などのタイプの絶縁体を堆積させることを実行することができる。
【０１２０】
すでに示したように、本発明によるこれまでのハイブリッド集積化の諸実施形態と連係して、有利なことにエピタキシの前に、
それらの成長が乱されるのを防ぐための、トレンチ１２２、１２４の両側のパッシベーション、
および／または適切な場合、これらの両側の表面のエンジニアリング（層／複数の誘電体層の堆積など）を実行することも可能である。
【０１２１】
このステップにより、基板１２０において、第１の材料、例えばＧｅでの領域１２７とエピタキシさせた領域１２６、１２８を交互にしたものを備えるハイブリッド層１３２の生成物が生じる。
【０１２２】
次いで、その後の破断による薄化ステップを容易にするために、基板１２０において前面１２１によって、移転を目的として注入を実行することができる。それによって得られた脆化面１３０により、初期の基板１２０の材料での層１３１およびハイブリッド層１３２を備える基板の領域が区切られる。この場合も、注入の前に絶縁体層を配置することができる。
【０１２３】
次いで、支持体基板１４０（図５Ｅ）を用いて、適切な場合、誘電体層１４２を介して構造体の接合ステップを実行する。この場合も、この接合ステップは、誘電体層を接合させるか、または接合させないで実行することができ、接合層が存在する場合、それを基板１４０（図５Ｅの場合と同様の層１４２）上および／または表面１２１上に形成することができる。
【０１２４】
注入面での破断により、層１３１およびハイブリッド１３２を移転することが可能になる。次いで、程度の差こそあれ重要な薄化によって達成することが可能である。すなわち、
混合遊離面１３４（図５Ｆの例）、例えばＧｅ／ＧａＡｓでのハイブリッド層１３２が取り外され、このために、例えばポリッシングおよび／または化学的処理および／またはプラズマ処理および／または熱処理などによって、ハイブリッド層１３２と破断面１３０の間に位置する、基板１２０の一部１３１を除去することができる。
あるいは、例えばＧａＡｓ（図５Ｇの例）でのケーソン１２６、１２８が埋め込まれ、この場合、ハイブリッド層１３２と破断面１３０の間に位置する、基板１２０の一部１３１は完全に除去されてはいない。この層は移転の後、除去されないが、例えば表面デバイスを形成した後、その表面またはその厚さのすべてまたは一部を後で除去することができる。
【０１２５】
注入の後、破断の技術を使用する代わりに、機械的および／または化学的薄化などを、初期の基板１２０の一部を除去するための技術として使用することが可能である。
【０１２６】
この実施形態の様々な代替形態を実行することができる。すなわち、例えばこれまでの諸実施形態（上記の実施例３および実施例４を参照）と同様に、ハイブリッド層１３２において注入面１３０を位置づけることが可能である。それによって、トレンチ１２２、１２４の底部によって画定される表面である、図５Ｆの表面１３４など最終的な遊離面、またはその代わりに破断面１３０から生じる表面を有することが可能である。さらに、端部において得られることが望まれる遊離面に応じて、中間緩衝基板を使用するか、または使用しないことが可能である。中間基板を使用すると、最終的な遊離面として、（図５Ｄにおいて基準１２１によって完全に示される）ハイブリッド表面を有することが可能になる。
【０１２７】
最後に、上記の実施例４の場合と同様に、また同じ利点で、言い換えれば２つの表面（最終的な基板１４０またはその誘電体層１４２と接触する遊離面および表面）が破断面であるハイブリッド層を有することが可能な形態で、ハイブリッド層１３２におけるいくつかの注入ステップ、およびそれによって構成される異なる注入面に沿ったいくつかの破断ステップを実行することが可能である。適切な場合、緩衝基板を使用すると、組み立てられた表面および遊離面を選択することが可能になる。
【０１２８】
図６Ａは、図５Ｂの基板１２０のトレンチ１２２において実行されるエピタキシの例に関するが、このトレンチは、材料、例えばＧａＡｓからなる層１２２０、ＩｎＧａＡｓからなる層１２２１、およびＩｎＧａｓＰからなる層１２２２のスタックから生じる。
【０１２９】
したがって、複数の材料１２２０、１２２１、１２２２を有するトレンチを得ることができる。これらの層のうちの１つまたはいくつかは、１つまたはいくつかのアダプテーション層でよい。基板１２０の層１３２は、第１の材料での（基板１２０の）領域とスタック１２２０／１２２１／１２２２から形成された第２の複合材料での領域を交互にしたものを備えたハイブリッド層である。
【０１３０】
次いで、その後の破断による薄化ステップを容易にするために、基板１２０において前面１２１によって、移転を目的として注入を実行することができる。それによって得られた脆化面１３０（図６Ｂ）により、例えば初期の基板１２０の材料での層１３１とハイブリッド層１３２とを備える基板の領域が区切られる。したがって、注入、続いて破断によって移転を実行し、あるいは機械的および／または化学的な薄化も実行するが、この場合、事前の注入ステップは必要としない。
【０１３１】
次いで、ハイブリッド層１３２は、例えば酸化物層などの誘電体層１４２で覆われた基板１４０と組み立てることができる（図６Ｂの例）。トレンチ１２２の開口部を形成する面１２１によって、このハイブリッド層１３２を組み立てる。すなわち、エピタキシ層１２２２が表面１２１と同一平面上にある場合、このエピタキシ層を、直接基板１４０と組み立てるか、または基板１４０および／またはハイブリッド層１３２上にそれ自体形成した絶縁体層１４２を介して基板１４０と組み立てる。
【０１３２】
これらのステップにより、図６Ｃに示す構造体を得ることが可能になる。この図では、例えばポリッシングによって基板１２０のハイブリッド層１３２以外の部分１３１を除去している。しかし、この部分１３１を残すことは可能である。
【０１３３】
この場合も、（図３Ｂまたは図４Ａと同様に）中間基板７０または緩衝基板７２を使用することができ、それによって基板１４０またはその絶縁体層１４２、基板１２０の表面１２１以外の表面と組み立てることが可能になる。
【０１３４】
この実施形態の様々な代替形態を実施することができる。すなわち、例えば、ハイブリッド層１３２において注入面１３０を位置づけることが可能である。最後に、上記の実施例４と同様に、また同じ利点で、ハイブリッド層においていくつかの注入ステップを実行することができる。
【０１３５】
この例において、図６Ｂの構造体から始まって、エピタキシによって堆積したいくつかの材料層、層１２２１および層１２２０を除去することが可能である。
【０１３６】
この代替形態により、第２の材料１２２２をエピタキシさせることを目的として、非半導体のアダプテーション層１２２０〜１２２１の技術によって適合する、例えばゲルマニウムＧｅからなる第１の材料１２０を与えることが可能になる。アダプテーション層１２２０〜１２２１は、キャビティ１２２の上に位置する層１３１の一部を除去することによって、後期ステップにおいて選択的に除去することができる。この適合性がない場合、この構造において、基板１２０の材料上で直接、第２の材料１２２２をエピタキシさせることはできない。このフェーズ（エピタキシ、移転、除去）は、ハイブリッド層において第２の材料１２２２のエピタキシシードを生成するための予備ステップと考えることができる。この除去は、例えば選択的化学反応を経て、および／またはポリッシングによって、および／またはプラズマ侵蝕によって、および／または熱処理によって行われる。
【０１３７】
それは、ＧａＡｓからなる層１２２０、次いでＩｎＧａＡｓからなる層１２２１を図６Ｃの構造体からエッチングしており、それによりトレンチ１２２中で取り外した、ＩｎＧａＡｓＰからなる層１２２２が残る、図６Ｄの例である。したがって、このエッチングはハイブリッド層を移転した後で行われる。
【０１３８】
これらの代替形態は、端部まで保護する多層エピタキシによって量子井戸を生成し、さらには、例えばＧｅ／ＩｎＧａＡｓＰなどの混合ハイブリッド被膜を生成して、後期ステップにおいて適切な場合（または適切でない場合）ＩｎＧａＡｓＰのエピタキシを再開することを対象とすることができる。
【０１３９】
別の手法では、キャビティ１２２、１２４における材料１２２０のエピタキシを、基板１２０の表面１２１に達しないうちに止めることができる（図７Ａ）。（例えば厚い酸化物層１５０の）堆積、および１回もしくは数回の薄化によって、トポグラフィの違いを補うことができ、それにより平面度をリカバリーすることが可能になる。被膜１５０を薄化は、この場合も第１の材料１２０内の領域に直接沿って被膜１５０が存在するか、または存在しないようにされる。この場合も、基板の材料での領域とスタック領域１２２０、１５０を交互にしたものを備えたハイブリッド層が得られる。このハイブリッド層は、図７Ｂに示す構造体を得るために、（図６Ｂと同様に）例えば酸化物の層１４２を介して基板１４０と組み立てることができる。この図では、基板１２０のハイブリッド層１３２以外の一部１３１を除去している。スタック領域では、またこの例では、過剰な厚さの酸化物層１４２、１５０が生成されている。
【０１４０】
別の代替形態によれば、第２の材料をエピタキシさせた後、表面をより高くすることができ、余分な厚さ１５０が第１の材料に直接沿っている。
【０１４１】
本発明の具体的な一実施形態によれば、目的はＳｉでハイブリッド層を生成することにある。このことをするために、この方法は、図１Ａおよび以下の図の方法と同一であるが、Ｇｅでの層２２／Ｓｉでの層２６、またはＧｅでの層２２／ＳｉＯ２での層２４／Ｓｉでの層２６を備える構造体を最初に使用する。次いで、トレンチ２８、３０においてＧｅまたはＩＩＩ−Ｖ族半導体材料をエピタキシさせると、基板２２から混合ケーソンを、したがってハイブリッド層２６’を生成することが可能になる。
【０１４２】
一代替形態によれば、図６の場合と同様に、図１Ａの構造体のトレンチ２８、３０において層のスタックが形成される。この場合も、それによって図１Ｃのような構造体が得られるが、今回それは、トレンチ２８、３０において形成される層のスタックである。この実施形態を図１Ｅに示す。
【０１４３】
このハイブリッド層は、後期ステップにおいて、例えば上記の実施例１〜実施例４の範囲内の技術のうちの１つまたはその他を適用することによって、別の基板上に移転される。
【０１４４】
この実施形態では、したがって初期の構造体は、図１Ａの場合と同じであり、層２２はＧｅでできており、層２６はＳｉでできており、層２４は用いるか、または用いない。
【０１４５】
さらに、この特定の実施形態の範囲内で、図１Ａ〜図４Ｂに記載する移転の諸代替形態のすべてを用いて、図６Ａ〜図７Ｂと連係した上記の方法の諸ステップを使用することができる。具体的に言うと、基板１４０などの基板上での移転の後、エピタキシによって得られるいくつかの層を除去して、図６Ｄ〜図７Ｂのような構造体を生成することが可能である。言い換えれば、これらの図６Ａ〜図７Ｂと連係した上記の諸ステップを初期の基板１２０に適用することができ、この基板１２０は単一の材料層ではないが、図１のスタック２０などの構造体である。
【０１４６】
想定される実施形態がどのようなものであっても、基板１２０は「６°ｏｆｆ」の結晶方位の離れたＳｉでの基板としてもよく、この基板ではＧｅおよび／またはＩＩＩ−Ｖ族半導体材料のエピタキシを実行することができる。
【０１４７】
図８Ａ〜図９Ｂにより、層２４などの中間層を備える基板２２において注入が実行されたとき、またそのような層を備えていない基板において注入が実行されたとき、ハイブリッド構造体を製造する際の相違を示すことが可能になる。
【０１４８】
第１の例（図８Ａ）では、層２４は保持されている。図８Ａは図１Ｆと類似の状況を表すが、この状況では基板２２中に脆化領域が形成されている。基板４０を備えるか、または層４２を備える組立体を前記基板上に形成した後（図８Ｂ）、また面３６に沿った破断の後、層２４と層２６’の界面（矢印によっても特定される界面２７）まで薄化を実行することは、混合層２４を構成する材料の性質の相違により困難であるとわかることができる。しかし、ハイブリッド層２６’を明らかに見えるようにすることを可能にするのは、この薄化である。
【０１４９】
この場合も、図１Ｆと類似の初期の状況を表す図９Ａの場合と同様に、層２４が最初に存在しない場合にこの困難さを解決するには、面３６に沿った破断の後、薄化すべき領域が均質な材料２２になっていることである（図９Ｂ）。次いで、この場合もやはり層２６’を明らかに見えるようにする、界面２７までの薄化ははるかに簡単である。
【０１５０】
本発明によるデバイスおよび／または方法では、均質な基板上の層中に形成されるか、または均質な基板中に形成されるキャビティ中でエピタキシャル成長を行うことによって、第２の材料、または第２の材料のうちの少なくとも１種類の材料を得ることができる。
【０１５１】
本発明による方法は、緩衝基板と組み立てられるハイブリッド層の第２の一部を薄化するステップを含むことができる。ハイブリッド層の前記一部を前記薄化するステップは、第２のイオン注入または原子注入により生成される第２の破断面に沿った破断によって達成することができる。
【０１５２】
本発明によるデバイスおよび／または方法では、第１の材料は半導体とすることができ、第２の材料、または第２の材料のうちの少なくとも１種類は半導体とすることができ、前記半導体材料は例えば両方とも結晶質であり、方向の異なる結晶方位を有する。例えば、半導体材料は両方ともシリコンである。例えばさらに、第１の半導体材料の方位は（１１０）であり、第２の半導体材料の方位は（１００）である。
【０１５３】
本発明による方法では、ハイブリッド層は、第１の半導体材料ならびに半導体および／または非半導体の複数の第２の材料からなる交互の領域を含むことができ、複数の第２の材料は、半導体および／または非半導体の材料からなる複数の層を構成することができる。各材料からなる複数の層のそれぞれの層は、エピタキシによって得ることができる。
【０１５４】
本発明によるデバイスおよび／または方法では、第２の材料での領域は、第１の材料での領域によって画定される遊離面と同一平面上にあるように形成することができ、ならびに／あるいはそれらは第１の材料での領域によって画定される遊離面の下にまたはこの遊離面の上に位置するレベルまで形成することができ、次いで、おそらくは第２の材料のレベルと第１の材料での領域によって画定される遊離面との差を補うように絶縁材料を構成することができる。
【符号の説明】
【０１５５】
１３  第２の材料、エピタキシ材料
１４  トレンチまたはキャビティまたはケーソン
１５  第２の材料、エピタキシ材料
１６  トレンチまたはキャビティまたはケーソン
１７  第２の材料、エピタキシ材料
１８  トレンチまたはキャビティまたはケーソン
２０  構造体
２２  均質な基板、支持体基板、方位Ｂの層
２４  中間層、混合層
２６  第１の材料からなる層、方位Ａの層、
２６’  ハイブリッド層
２７  界面
２８  トレンチまたはキャビティまたはケーソン
２８’  トレンチ
３０  トレンチまたはキャビティまたはケーソン
３０’  トレンチ
３２  第２の材料からなる領域、第２の材料、エピタキシ材料
３４  注入、ビーム
３４’  第２の注入ビーム、第２のイオン注入または原子注入
３６  破断領域、第１の破断面
３６’  注入面、第１の破断面
３６’’  第２の破断面
３８  被膜、ハイブリッド層
３８’  ハイブリッド層、またはその一部
３８’’  ハイブリッド層、またはその一部
４０  受容基板
４２  埋込み電気絶縁体からなる連続層、誘電体層、酸化物層、絶縁体層
４２’  埋込み電気絶縁体からなる連続層、誘電体層、酸化物層、絶縁体層、堆積物
４３  連続層、誘電体層、酸化物層、絶縁体層
５２  支持体基板の一部
７０  緩衝基板、ハンドル基板
７２  誘電体層、絶縁体層
７３  層、誘電体層、酸化物層、絶縁体層
１００  構造体、構成要素
（１００）  第２の結晶方位「Ｂ」
（１１０）  第１の結晶方位「Ａ」
１２０  均質な基板、初期の基板
１２１  表面、基準
１２２  トレンチまたはキャビティまたはケーソン
１２４  トレンチまたはキャビティまたはケーソン
１２６  第２の材料
１２８  第２の材料
１３０  注入面、第１の破断面
１３２  ハイブリッド層
１４０  最終的な基板、支持体基板
１４２  誘電体層、連続層
１５０  酸化物層
２００  構造体
２２０  均質な基板、支持体基板、方位Ｂ（１００）の層
２４０  中間層、混合層
２６０  第１の材料からなる層、方位Ａ（１１０）の層
２８０  層
３００  層
３６０  表面
３７０  表面
３８０  表面
３８１  表面
４２０  表面
１１２０  層
１１２１  層
１２２０  第２の材料、アダプテーション層
１２２１  第２の材料、アダプテーション層
１２２２  第２の材料、エピタキシ層
【図１Ａ】
0005801053.tif 000002
【図１Ｂ】
0005801053.tif 000003
【図１Ｃ】
0005801053.tif 000004
【図１Ｄ】
0005801053.tif 000005
【図１Ｅ】
0005801053.tif 000006
【図１Ｆ】
0005801053.tif 000007
【図１Ｇ】
0005801053.tif 000008
【図１Ｈ】
0005801053.tif 000009
【図１Ｉ】
0005801053.tif 000010
【図１Ｊ】
0005801053.tif 000011
【図１Ｋ】
0005801053.tif 000012
【図１Ｌ】
0005801053.tif 000013
【図２Ａ】
0005801053.tif 000014
【図２Ｂ】
0005801053.tif 000015
【図２Ｃ】
0005801053.tif 000016
【図２Ｄ】
0005801053.tif 000017
【図３Ａ】
0005801053.tif 000018
【図３Ｂ】
0005801053.tif 000019
【図３Ｃ】
0005801053.tif 000020
【図４Ａ】
0005801053.tif 000021
【図４Ｂ】
0005801053.tif 000022
【図５Ａ】
0005801053.tif 000023
【図５Ｂ】
0005801053.tif 000024
【図５Ｃ】
0005801053.tif 000025
【図５Ｄ】
0005801053.tif 000026
【図５Ｅ】
0005801053.tif 000027
【図５Ｆ】
0005801053.tif 000028
【図５Ｇ】
0005801053.tif 000029
【図６Ａ】
0005801053.tif 000030
【図６Ｂ】
0005801053.tif 000031
【図６Ｃ】
0005801053.tif 000032
【図６Ｄ】
0005801053.tif 000033
【図７Ａ】
0005801053.tif 000034
【図７Ｂ】
0005801053.tif 000035
【図８Ａ】
0005801053.tif 000036
【図８Ｂ】
0005801053.tif 000037
【図９Ａ】
0005801053.tif 000038
【図９Ｂ】
0005801053.tif 000039
【図１０】
0005801053.tif 000040