(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
照明源及び投影光学系を備えるリソグラフィ投影装置を用いて設計レイアウトの一部を基板上に結像するリソグラフィプロセスを改良するコンピュータ実施方法であって、
前記リソグラフィプロセスの特性である複数の設計変数の多変数費用関数を計算するステップであって、前記設計変数の少なくとも幾つかが、前記照明源と前記設計レイアウトの特性であり、前記多変数費用関数の計算が、前記投影光学系を通して前記照明源で設計レイアウトの前記部分を結像することで誘発された前記投影光学系の光学特性への作用を説明する、ステップと、
所定の終了条件が満たされるまで前記設計変数を調整することで前記リソグラフィプロセスの特性を再構成するステップと、
を含む、方法。
【請求項２】
前記作用は、加熱作用を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記設計レイアウトと前記照明源の特性である前記設計変数の少なくとも幾つかを用いて前記作用を決定するステップをさらに含む、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
前記多変数費用関数の計算ステップは、前記作用の関数である投影光学系モデルを使用するステップを含む、請求項１〜３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
前記再構成ステップは、前記設計レイアウト及び／又は前記照明源の特性であり、調整された前記設計変数の少なくとも幾つかを用いて前記作用を再決定するステップを含む、請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
前記設計変数は、前記投影光学系の調整可能な光学特性を含む、請求項１〜５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
前記調整可能な光学特性は、
前記投影光学系の少なくとも一部の屈折率又は前記投影光学系の少なくとも一部の温度、又は
前記投影光学系のゼルニケ係数であるか、又は
前記投影光学系の光学要素を加熱するヒーターによって調整可能である、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記設計レイアウトの前記部分は、設計レイアウト全体、クリップ、１つ以上のクリティカルな特徴を有することが知られている設計レイアウトの断面、及び１つ以上のクリティカルな特徴はパターン選択方法によって識別された設計レイアウトの断面のうち１つ以上を含む、請求項１〜７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
前記所定の終了条件は、前記費用関数の最小化、前記費用関数の最大化、事前設定された反復回数への到達、事前設定されたしきい値に等しいか又はしきい値を超えた前記費用関数の値への到達、事前定義された計算時間への到達、及び、許容誤差限度内の前記費用関数の値への到達、のうち１つ以上を含む、請求項１〜８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
前記反復再構成は、制約条件なしに、又は制約条件が前記設計変数の前記少なくとも幾つかの範囲を指示して実行される、請求項１〜９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
前記設計変数の少なくとも幾つかは、前記リソグラフィ投影装置のハードウェア実施態様内の物理的制約条件を表す制約条件の下にあり、前記制約条件は、調整範囲、マスク製造性を支配する規則、及び前記設計変数間の独立性のうち１つ以上を含む、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１２】
前記費用関数は、以下のリソグラフィメトリックス、すなわち、エッジ配置誤差、クリティカルディメンション、レジスト輪郭距離、最悪欠陥サイズ、及び最良焦点シフトのうち１つ以上の関数である、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１３】
前記照明源と簡単化されたレチクルの特性である前記設計変数の少なくとも幾つかを用いて前記作用を決定するステップをさらに含む、請求項１〜１２のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１４】
前記簡単化されたレチクルは、推定レチクル透過率、物理的マスクの平均測定透過率、レチクルのクリップ、及び、レチクルの複数の離散的な部分からなる群から選択される、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
コンピュータによって実行されると、請求項１〜１４のいずれか１項に記載の方法を実施する命令を記録したコンピュータ可読媒体を備える、コンピュータプログラムプロダクト。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
[0001]  本発明は、リソグラフィ装置及びプロセスに関し、特に、リソグラフィ装置及びプロセスで使用する照明源及びマスクの設計レイアウトを最適化するツールに関する。
【背景技術】
【０００２】
[0002]  リソグラフィ投影装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造で使用できる。その場合、マスクは、ＩＣの個々の層に対応する回路パターン（「設計レイアウト」）を含んでもよく、この回路パターンは、マスク上で回路パターンを通してターゲット部分を照射するなどの方法によって放射感応性材料（「レジスト」）の層を塗布した基板（例えば、シリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば、１つ以上のダイを含む）上に転写することができる。一般に、１枚の基板は、回路パターンがリソグラフィ投影装置によって、一度に１つのターゲット部分ずつ連続的に転写される複数の隣接するターゲット部分を含む。あるタイプのリソグラフィ投影装置では、マスク全体上の回路パターンが１回で１つのターゲット部分上に転写される。そのような装置は一般にウェーハステッパと呼ばれる。ステップアンドスキャン装置と一般に呼ばれる代替の装置では、投影ビームが所与の基準方向（「スキャン」方向）にマスクをスキャンしながら、この基準方向に同期してこの方向に平行又は逆平行に基板を移動させる。マスク上の回路パターンの異なる部分は漸進的に１つのターゲット部分に転写される。一般に、リソグラフィ投影装置は、倍率係数Ｍ（一般に、Ｍ＜１）を有するので、基板が移動する速度Ｆは、係数Ｍに投影ビームがマスクをスキャンする速度を乗じた値になる。本明細書に記載するリソグラフィデバイスに関する詳細情報は、例えば、参照により本明細書に組み込むものとするＵＳ６，０４６，７９２号から入手できる。
【０００３】
[0003]  リソグラフィ投影装置の古典的な解像度の限界より小さい寸法のフィーチャが印刷されるリソグラフィプロセスは、一般に、解像度式、ＣＤ＝ｋ１×λ／ＮＡによる低ｋ１リソグラフィとして知られている。ここで、λは使用する放射の波長（現在、大半の場合、２４８ｎｍ又は１９３ｎｍ）、ＮＡはリソグラフィ投影装置内の投影光学系の開口数、ＣＤは「クリティカルディメンション」（一般に印刷される最小のフィーチャサイズ）、ｋ１は経験的な解像度係数である。一般に、ｋ１が小さいほど、特定の電気的機能及び性能を達成するために回路設計者が計画した形状及び寸法に類似したパターンをウェーハ上に再現することはより困難になる。これらの困難を克服するために、リソグラフィ投影装置及び設計レイアウトに高度な微調整ステップが適用される。これらは、例えば、ＮＡ及び光コヒーレンス設定の最適化、照明方法のカスタム化、位相シフトマスクの使用、設計レイアウト内の光学近接補正（ＯＰＣ、「光学及びプロセス補正」とも呼ばれる）、又は「解像度向上技術」（ＲＥＴ）として一般に定義される別の方法を含むが、これらに限定されない。
【０００４】
[0004]  一例として、ＯＰＣは、基板上に投影された設計レイアウトの像の最終サイズ及び配置がマスク上の設計レイアウトのサイズ及び配置と同一でないか又は単にそれによって決まるといった事実を扱う。「マスク」及び「レチクル」という用語は、本明細書では交換可能に使用されることに留意されたい。さらに、マスク及びレチクルは、広義に「パターニングデバイス」と呼んでもよい。また、特にリソグラフィシミュレーション／最適化の分野で、「マスク」及び「設計レイアウト」という用語は交換可能に使用でき、これは、リソグラフィシミュレーション／最適化においては、物理的なマスクを表すために物理的なマスクを使用する必要はなく設計レイアウトを使用してもよいからであるということは当業者には明らかであろう。ある種の設計レイアウト上に存在する微小なフィーチャサイズと高いフィーチャ密度を目的として、所与のフィーチャの特定のエッジの位置は他の隣接するフィーチャの存否にある程度影響される。これらの近接効果は、フィーチャ間を結合する微小な量の光及び／又は回折と干渉などの非幾何学的光学効果から発生する。同様に、近接効果は、露光後ベーク（ＰＥＢ）の間の拡散及びその他の化学的効果、レジストの現像、及び一般にリソグラフィ後に行うエッチングから発生することもある。
【０００５】
[0005]  設計レイアウトの投影像が所与のターゲット回路設計の要求を確実に満足するために、高度の数値モデルを用いて近接効果を予測し、設計レイアウトの補正又は予歪を補償する必要がある。「Full-Chip Lithography Simulation and Design Analysis - How OPC Is Changing IC Design」、C. Spence, Proc. SPIE, Vol. 5751, pp 1-14 (2005)という論文は、現在の「モデルベースの」光近接補正プロセスを概説する。典型的なハイエンド設計では、設計レイアウトのほとんどすべてのフィーチャをある程度変形を必要としてターゲット設計への投影像の十分な忠実度が達成される。これらの変形は、エッジの位置又は線幅のシフト又はバイアスと、他のフィーチャの投影を支援するための「アシスト」フィーチャの適用を含んでもよい。アシストフィーチャは、ＳＲＡＦ（サブ解像度アシストフィーチャ）又はＰＲＡＦ（印刷可能解像度アシストフィーチャ）を含んでもよい。
【０００６】
[0006]  ターゲット設計にモデルベースのＯＰＣを適用するには、チップ設計には通常数百万のフィーチャが存在するため、優れたプロセスモデルとかなりの演算資源とが必要である。しかし、ＯＰＣの適用は、一般に「精密科学」ではなく、すべての可能な近接効果を補償するわけではない経験的で反復的なプロセスである。したがって、ＯＰＣの効果、すなわち、ＯＰＣと他のあらゆるＲＥＴの適用後の設計レイアウトは、設計検査、すなわち、較正された数値プロセスモデルを用いた集中的なフルチップシミュレーションによって検証して、マスクの製造時に設計の欠点が堆積する可能性を最小限にしなければならない。これは、数百万ドルの範囲にわたるハイエンドマスクの製造という巨費と、また製造後に実際のマスクを再加工又は修理するための所要時間への影響と、が引き金になっている。
【０００７】
[0007]  ＯＰＣ及びフルチップＲＥＴ検証は、例えば、米国特許出願第１０／８１５，５７３号と、Y. Cao他による、「Optimized Hardware and Software For Fast, Full Chip Simulation」、Proc. SPIE, Vol. 5754, 405 (2005)と題された論文に記載する数値モデル化システム及び方法に基づくものであってもよい。
【０００８】
[0008]  設計レイアウト又はマスクに対する最適化（例えば、ＯＰＣ）に加えて、照明源も、リソグラフィの全体の忠実度を改善するために、マスク最適化と一緒に、又はそれとは別に最適化できる。１９９０年代から、環状照明源、四重極照明源、及び二重極照明源などの多くの軸外照明源が導入され、ＯＰＣ設計に対してより多くの自由を提供し、それによって結像結果を改善している。知られているように、軸外照明は、マスク内に含まれる微細構造（すなわちターゲットフィーチャ）を解像するための実績のある方法である。しかし、従来の照明源と比べて、軸外照明源は、普通、空間像（ＡＩ）に対する放射強度がより低い。したがって、より細かい解像度と光度の低減との間で最適なバランスを達成するために、照明源を最適化する試みが必要になる。本明細書では、「照明源」及び「光源」という用語は交換可能に使用される。
【０００９】
[0009]  多数の照明源最適化方法が知られている。例えば、「Optimum Mask and Source Patterns to Print A Given Shape」、Journal of Microlithography, Microfabrication, Microsystems 1(1), pp.13-20, (2002)と題されたRosenbluth他による論文に記載されている。照明源はその各々が瞳スペクトルの特定の領域に対応する幾つかの領域に分割される。次に、各照明源領域内で照明源分散は均等であると前提され、各領域の輝度はプロセスウィンドウ用に最適化されている。しかし、各照明源領域内で照明源分散は均等であるという上記前提は常に有効とは言えず、その結果、この方法の有効性は低下する。「Source Optimization for Image Fidelity and Throughput」、Journal of Microlithography, Microfabrication, Microsystems 3(4), pp.509-522, (2004)と題されたGranikによる論文に記載された別の例では、幾つかの既存の照明源最適化方法が概観され、照明源最適化の問題を一連の非負最小二乗最適化に変換するイルミネータピクセルに基づく方法が提案されている。これらの方法は幾つかの成功を示したが、それらは通常、複数の複雑な反復を集中させなければならない。さらに、ウェーハ像忠実度と照明源の滑らかさ要件との間のかねあいを要するGranikの方法で用いるγなどの幾つかの追加のパラメータの適当な／最適な値を決定することは場合によって困難である。
【００１０】
[0010]  露光中、投影システム内の素子が放射を吸収し、加熱して投影システム内に収差を導入して基板平面での画像品質の低下を招くことは周知である。これらの作用は、特に、例えば１９８ｎｍ、１５７ｎｍ又は１２６ｎｍの波長の二重極及び四重極照明及び／又は深紫外線放射（ＤＵＶ）などの照明モードを使用するときに著しい。これは、これらの波長で使用可能なレンズを製造する材料の選択が一般に限定され、最良の材料でさえ、上記波長で大きな吸収係数を有するからである。この問題は、特に屈折レンズ素子によって形成された投影システムに影響し、多くの場合、レンズ加熱と呼ばれる。投影システムを一定温度に維持する冷却システムを用いても、結像品質の顕著な損失を引き起こすのに十分な局所温度変化が発生することがある。
【００１１】
[0011]  したがって、リソグラフィ投影装置内の多数の投影システムは、形状、１つ以上の自由度の位置及び／又は配向を露光中又は露光間に調整してレンズ加熱作用を補償する１つ以上の作動された調整可能な素子を備える。コンピュータモデルは推定されるレンズ加熱作用を予測し、調整可能な素子が実行する好適な補正を計算する。従来技術のコンピュータモデルは、レンズ加熱作用を投影システムの瞳面内の収差を記述するゼルニケ多項式で計算し、１つ以上の調整可能な素子を調整して該当するゼルニケ多項式に対応する補正を実行する投影システム上のコントロール「ノブ」により補正を行う。しかし、従来のレンズ加熱補正方法は、常に完全に効果的であったわけではなく、残留収差が発生することも多い。
【００１２】
[0012]  例えば、図１を参照すると、この図は、特定のマスク設計レイアウトの照明形状（二重極及び四重極照明）が瞳フィールド全体にわたる奇数次ゼルニケ係数（−１２．７２〜１２．７２）に及ぼす作用を示す。図１から分かるように、レンズ加熱によって誘発され、ゼルニケ係数Ｚ１０で表される光学収差は、第１の３つの照明形状の瞳フィールドにわたって大幅に変化する。
【００１３】
[0013]  不均一なレンズ加熱の問題を扱うその他の試みは、投影システムの素子の「冷たい」部分、すなわち、投影ビームの強力な部分が横断しない部分を加熱する赤外線などの追加の光源の提供を含む（ＵＳ６，５０４，５９７号及びＪＰ−Ａ−０８−２２１２６１号を参照）。前者の文献はスリット形状の照明フィールドによって引き起こされる不均一な加熱を扱い、後者の文献はゾーン又は変形照明によって引き起こされる不均一な加熱を扱う。そのような追加の光源及びガイドを提供して正しい場所に追加の加熱放射を実行することは装置の複雑化を増し、投影システム内の増大した熱負荷は容量が大きい冷却システムの提供を必要とする。
【００１４】
[0014]  レンズ加熱作用を明らかにするために従来２つの方法が行われている。
【００１５】
[0015]  リソグラフィのユーザが生産環境内のレンズ加熱問題を制御するために一般に使用する第１の方法では、生産ロット中にレンズ加熱挙動が実験的に測定される。この経験的に生成されたレンズ加熱データを用いて、ロットの露光中に投影システムに適用される補正が計算される。一連のレンズアクチュエータがリソグラフィ装置内で利用でき、これを用いて、レンズが加熱するにつれて生産ロットによる収差シグネチャを低減する能動素子が移動される。
【００１６】
[0016]  しかし、第１の方法は完全に実験によって実行されるため、長い時間にわたってリソグラフィ装置を使用して検討中のプロセスに固有のレンズ加熱データを収集する必要がある。さらに、場合によっては、リソグラフィ装置は、生産中に観察される収差の全範囲にわたる補正をするための動的な範囲を有さない。したがって、この経験的に実行する方法については、リソグラフィ装置の限界も考慮しなければならない。
【００１７】
[0017]  第２の方法では、推定レンズ加熱シグネチャがシミュレーションプログラム（例えば、タキオンレンズ加熱モジュール）によってモデル化される。推定レンズ加熱シグネチャのシミュレーションによって、ユーザは提案されたマスクレイアウト又はパターンの予測挙動を検証し、レンズ加熱誘発の収差を最も受けやすい特徴を識別することができる。予測レンズ加熱作用に基づいて、設計を反復して変更して最も大きいレンズ加熱収差を軽減することができる。本質的に時間がかかり反復的であるが、この第２の方法は、レンズ加熱実験及びリソグラフィ装置の制御によって完全に実行される第１の方法よりも高速である。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１８】
[0018]  先進のユーザのための第２のシナリオは、長いリソグラフィ装置の実験が不要であるという点である。しかし、この第２の方法は、長くなり得る反復方法である。さらに、設計チームは、プロセスチームによって発見されたレンズ加熱問題に関して作業する主要な回路レイアウトを反復的に「微調整する」必要がある。設計チームとプロセスチームをこの程度まで連携させることが最良でも困難であろう。設計を変更してレンズ加熱を軽減するこの反復方法は、実際の開発環境で実施するのは困難であるとわかる可能性がある。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
[0019]  一態様では、照明源及び投影光学系を備えるリソグラフィ投影装置を用いて設計レイアウトの一部を基板上に結像するリソグラフィプロセスを改良するコンピュータ実施方法であって、リソグラフィプロセスの特性である複数の設計変数の多変数費用関数を計算するステップであって、設計変数の少なくとも幾つかが照明源と設計レイアウトの特性であり、多変数費用関数の計算がレンズ加熱作用を説明する、ステップと、所定の終了条件が満たされるまで設計変数を調整することでリソグラフィプロセスの特性を再構成するステップと、を含む方法が提供される。
【００２０】
[0020]  別の態様では、コンピュータによって実行されると、照明源及び投影光学系を備えるリソグラフィ投影装置を用いて設計レイアウトの一部を基板上に結像するリソグラフィプロセスを改良する方法を実施する命令を記録したコンピュータ可読媒体を備えるコンピュータプログラムプロダクトであって、上記方法が、リソグラフィプロセスの特性である複数の設計変数の多変数費用関数を計算するステップであって、設計変数の少なくとも幾つかが照明源と設計レイアウトの特性であり、多変数費用関数の計算がレンズ加熱作用を説明するステップと、所定の終了条件が満たされるまで設計変数を調整することでリソグラフィプロセスの特性を再構成するステップと、を含むコンピュータプログラムプロダクトが提供される。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
[0021]  上記の態様とその他の態様及び特徴は、添付図面を参照しながら特定の実施形態の以下の説明を読むことで当業者には明らかになろう。
【図１】[0022]マスク設計レイアウトの様々な照明形状（二重極及び四重極照明）が瞳フィールドにわたって奇数次ゼルニケ係数に及ぼす影響を示す。
【図２】[0023]ある実施形態によるリソグラフィシステムの様々なサブシステムのブロック図である。
【図３】[0024]図２のサブシステムに対応するシミュレーションモデルのブロック図である。
【図４Ａ】[0025]ある実施形態による最適化の例示的な方法論の態様を示す流れ図である。
【図４Ｂ】[0026]ある実施形態による最適化の例示的な方法の各態様を示す流れ図である。
【図４Ｃ】[0027]図４Ａ及び図４Ｂの投影光学系モデルの例示的な比較を示す。
【図５】[0028]ある実施形態によるＳＭＯ方法の実施形態を示す。
【図６Ａ】[0029]レジスト像に与えるレンズ加熱作用を示す４つの異なるマスクパターンの一つを示す。
【図６Ｂ】[0029]レジスト像に与えるレンズ加熱作用を示す４つの異なるマスクパターンの一つを示す。
【図６Ｃ】[0029]レジスト像に与えるレンズ加熱作用を示す４つの異なるマスクパターンの一つを示す。
【図６Ｄ】[0029]レジスト像に与えるレンズ加熱作用を示す４つの異なるマスクパターンの一つを示す。
【図７Ａ】[0030]図６Ａ〜図６Ｄの４つの異なるタイプのマスクパターンのレンズ加熱によって導入されるクリティカルディメンション（ＣＤ）誤差を表す。
【図７Ｂ】[0031]マスクパターン３のレンズ加熱作用に起因するマスクパターン像の変形を示す。
【図８Ａ】[0032]従来の最適化（「ホットレンズ加熱不感知ＯＰＣ）実行後に仕様の範囲内にあるパターンの数と、１つ以上の実施形態による最適化方法（「ホットレンズ加熱感知ＯＰＣ）実行後のパターンの数と、を示す。
【図８Ｂ】[0033]従来の方法による最適化パターンを示す。
【図８Ｃ】[0033]１つ以上の実施形態による最適化パターンを示す。
【図９Ａ】[0034]１つ以上の実施形態（「ホットレンズ加熱感知ＯＰＣ）による最適化パターンの分布と、従来の方法（「ホットレンズ加熱不感知ＯＰＣ）による最適化パターンの分布と、を示す。
【図９Ｂ】[0035]従来の方法で得たフィールド全体にわたるＣＤ結果を示す。
【図９Ｃ】[0036]１つ以上の実施形態の方法で得たフィールド全体にわたる結果を示す。
【図１０】[0037]実施形態を実施できる例示的コンピュータシステムのブロック図である。
【図１１】[0038]実施形態が適用可能なリソグラフィ投影装置の概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
[0039]  当業者が実施できるように例として提供された実施形態について、図面を参照しながら以下に詳述する。なお、以下の図と例はその範囲を一実施形態に限定する意図はなく、説明又は図示された要素の一部又は全部を差し替えることで他の実施形態も可能となる。便宜上、同じ又は同様の部分を参照するために図面を通して同じ参照番号が使用される。上記実施形態の特定の要素を既知のコンポーネントを用いて部分的に又は完全に実施できる場合、上記実施形態の理解に必要なそのような既知のコンポーネントの部分のみを記述し、そのような既知のコンポーネントのその他の部分の詳細な説明は省略し、上記実施形態の説明を分かりにくくしないようにする。本明細書では、単一のコンポーネントを示すある実施形態は限定的と考えるべきではなく、逆に、適用範囲は、本明細書又は請求項で特に断りのない限り、複数の同じコンポーネントを含む他の実施形態を包含することが意図され、その逆も同様である。さらに、出願人は、特に明示的に記載しない限り、本明細書内のいかなる用語にも一般的でないか又は特別の意味を持たせることを意図しない。さらに、適用範囲は、本明細書で例示的に言及するコンポーネントの現在及び将来の同等物を包含する。
【００２３】
[0040]  本明細書では、特にＩＣ製造での実施形態の使用について述べているが、実施形態はその他の多くの用途を有することをはっきりと理解されたい。例えば、本明細書の記述は光集積システム、磁気ドメインメモリ用誘導及び検出パターン、液晶ディスプレイパネル、薄膜磁気ヘッドなどに使用できる。そのような代替の用途の文脈では、本明細書で「レチクル」、「ウェーハ」又は「ダイ」という用語の使用は、それぞれより一般的な用語である「マスク」、「基板」及び「ターゲット部分」と交換可能であると見なすことができることが当業者には理解されよう。
【００２４】
[0041]  本明細書では、「放射」及び「ビーム」という用語は、紫外線（例えば、波長が３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ又は１２６ｎｍの）及びＥＵＶ（例えば、波長範囲が５ｎｍ〜２０ｎｍである極紫外線）を含むすべてのタイプの電磁放射を網羅するために使用される。
【００２５】
[0042]  本明細書で用いられる「最適化する」及び「最適化」という用語は、リソグラフィの結果及び／又はプロセスが、基板上の設計レイアウト投影のより高い精度、より大きなプロセスウィンドウなどのより望ましい特性を有するようにリソグラフィ投影装置を調整することを意味する。
【００２６】
[0043]  さらに、リソグラフィ投影装置は、２つ以上の基板テーブル（及び／又は２つ以上のマスクテーブル）を有するタイプのものであってもよい。そのような「マルチステージ」デバイスでは、追加のテーブルを並行して使用することができ、又は１つ以上のテーブルが露光に使用されている間、準備ステップを１つ以上の他のテーブル上で実行することができる。例えば、参照により本明細書に組み込むものとするＵＳ５，９６９，４４１号には、ツインステージリソグラフィ投影装置が記載されている。
【００２７】
[0044]  上記のマスクは設計レイアウトを含む。設計レイアウトはＣＡＤ（コンピュータ支援設計）プログラムを利用して生成することができ、このプロセスは、多くの場合、ＥＤＡ（電子設計自動化）と呼ばれる。ほとんどのＣＡＤプログラムは機能設計レイアウト／マスクを生成するために一組の所定の設計ルールに従う。これらのルールは、プロセス及び設計の制限によって設定されている。例えば、設計ルールは、回路デバイス又は線が望ましくない形で相互作用しないようにするするために、（ゲート、コンデンサなどの）回路デバイス間又は相互接続線間の空間許容範囲を定義している。設計ルールの制限は通常、「クリティカルディメンション」（ＣＤ）と呼ばれている。回路のクリティカルディメンションは、線又はホールの最小幅、又は、２つの線間又は２つのホール間の最小空間として定義できる。したがって、ＣＤは設計された回路の全体的なサイズ及び密度を決定する。集積回路製作の目標の１つは（マスクを介して）基板上に元の回路設計を忠実に再現することである。
【００２８】
[0045]  本明細書で用いる「マスク」という用語は、基板のターゲット部分に作成されるパターンに対応するパターン付断面を入射放射ビームに与えるのに用いることができる一般的なパターニング手段を指すものと広義に解釈されてよく、「光弁」という用語も、この文脈で用いることができる。従来のマスク（透過性又は反射性の、バイナリマスク、移相マスク、ハイブリッドマスクなど）に加えて、他のこのようなパターニング手段の例は以下を含む。
−プログラマブルミラーアレイ。このようなデバイスの一例は、粘弾性の制御層及び反射面を有するマトリクスアドレス指定可能な面である。このような装置の基本原理は、（例えば）反射面のアドレス指定された領域が入射光を回折光として反射するのに対して、アドレス指定されない領域は入射光を非回折光として反射することである。適切なフィルタを使用して、反射ビームから、回折光だけを残して、上記非回折光をフィルタリングして除去することができ、このように、ビームは、マトリクスアドレス指定可能な面のアドレス指定パターンに従ってパターン形成される。必要なマトリクスアドレス指定は、適切な電子的手段を用いて実施することができる。このようなミラーアレイについての詳細情報は、例えば、参照により本明細書に組み込むものとする、米国特許第５，２９６，８９１号及び第５，５２３，１９３号から収集することができる。
−プログラマブルＬＣＤアレイ。このような構造の一例が、参照により本明細書に組み込むものとする米国特許第５，２２９，８７２号に記載されている。
【００２９】
[0046]  簡単な紹介として、図２は、例示的なリソグラフィ投影装置１０を示す。主要なコンポーネントは、深紫外線エキシマレーザ照明源又は極紫外線（ＥＵＶ）照明源を含む他のタイプの照明源であってもよい放射源１２と、部分コヒーレンス（シグマとして示される）を定義し、放射源１２からの光を整形する光学系１４、１６ａ及び１６ｂを含んでもよい照明光学系と、マスク又はレチクル１８と、基板面２２上にレチクルパターンの像を投影する透過光学系１６ｃである。投影光学系の瞳面における調整可能なフィルタ又はアパーチャ２０は、基板面２２に入射するビーム角の範囲を制限してもよく、可能な最大角度が投影光学系の開口数ＮＡ＝ｓｉｎ（Θｍａｘ）を定義する。
【００３０】
[0047]  システムの最適化プロセスで、システムの性能指数は費用関数として表すことができる。最適化プロセスは、要するに、費用関数を最小限にするシステムの一組のパラメータ（設計変数）を発見するプロセスである。費用関数は、最適化の目標に応じたあらゆる好適な形態を有することができる。例えば、費用関数は、システムの特性の所期の値（例えば理想値）に対するシステムの特定の特性（評価ポイント）の偏差の重み付き二乗平均平方根（ＲＭＳ）であってもよく、費用関数はこれらの偏差の最大値であってもよい。本明細書の「評価ポイント」という用語は、システムのあらゆる特性を含むように広義に解釈すべきである。システムの設計変数は、有限範囲に限定でき、及び／又はシステムの実施態様の実用性により相互依存であってもよい。リソグラフィ投影装置の場合には、多くの場合、制約条件は調整可能な範囲などのハードウェアの物理的な性質及び特性、及び／又はマスクの製造可能性の設計ルールに関連づけられ、また、評価ポイントは、基板上のレジスト像の物理的ポイントと、線量及び焦点などの非物理的特性と、を含んでいてもよい。
【００３１】
[0048]  リソグラフィ投影装置では、照明源が照明（すなわち光）を提供し、投影光学系がマスクを通して照明を基板上に誘導し、整形する。「投影光学系」という用語は、本明細書で、放射ビームの波面を変形することができるあらゆる光学コンポーネントを含むように広義に定義される。例えば、投影光学系は、コンポーネント１４、１６ａ、１６ｂ及び１６ｃのうち少なくとも幾つかを含むことができる。空間像（ＡＩ）は基板上の放射強度分布である。基板上のレジスト層が露光され、空間像は、レジスト層の中へ潜在的「レジスト像」（ＲＩ）として転写される。レジスト像（ＲＩ）は、レジスト層内のレジストの可溶性の空間分布として定義できる。レジストモデルは、空間像からレジスト像を計算するのに用いることができ、その一例が、参照によりその全体を本明細書に組み込むものとする同一出願人による米国特許出願第１２／３１５，８４９号に記載されている。レジストモデルは、レジスト層の性質（例えば、露光、ＰＥＢ及び現像の間に生じる化学的プロセスの影響）にのみ関連づけられる。リソグラフィ投影装置の光学的性質（例えば照明源、マスク及び投影光学系の性質）が、空間像を規定する。リソグラフィ投影装置で使用されるマスクは変更されることがあるので、マスクの光学的性質を、少なくとも照明源及び投影光学系を含むリソグラフィ投影装置の残りの部分の光学的性質から分離するのが望ましい。
【００３２】
[0049]  リソグラフィ投影装置でのリソグラフィのシミュレーションの例示的なフローチャートを図３に示す。照明源モデル３１は、照明源の光学特性（光強度分布及び／又は位相分布を含む）を表す。投影光学系モデル３２は、投影光学系の光学特性（投影光学系によって引き起こされる光強度分布及び／又は位相分布の変化を含む）を表す。投影光学系モデル３２は、様々な要因、例えば、投影光学系のコンポーネントの加熱によって引き起こされる収差を含んでもよい。照明源モデル３１及び投影光学系モデル３２は、本明細書で後述するように、透過交差係数（ＴＣＣ）モデル３４に組み合わせることができる。
設計レイアウトモデル３５は、マスク上の、又はそれによって形成されるフィーチャの構成である設計レイアウトの光学特性（所与の設計レイアウト３３によって引き起こされる光強度分布及び／又は位相分布の変化を含む）を表す。空間像３６は、透過交差係数３４及び設計レイアウトモデル３５からシミュレートできる。レジスト像３８は、レジストモデル３７を用いて空間像３６からシミュレートできる。リソグラフィのシミュレーションは、例えば、レジスト像の輪郭とＣＤを予測できる。
【００３３】
[0050]  より詳細には、照明源モデル３１は、ＮＡシグマ（σ）設定と任意の特定の照明源の形状（例えば、環状、四重極、及び二重極などの軸外光源）を、これらに限定されないが含む照明源の光学特性を表すことができる。投影光学系モデル３２は、収差、歪み、屈折率、物理的サイズ、物理的寸法、吸収性などを含む投影光学系の光学特性を表すことができる。また、設計レイアウトモデル３５は、例えば、参照によりその全体を本明細書に組み込むものとする米国特許第７，５８７，７０４号に記載された物理マスクの物理特性を表すことができる。シミュレーションの目的は、例えば、意図した設計と比較するためのエッジ配置及びＣＤを正確に予測することである。意図した設計は、一般にＧＤＳＩＩ又はＯＡＳＩＳなどの標準のデジタルファイルフォーマット或いはその他のファイルフォーマットで提供できるＯＰＣ前設計レイアウトとして定義される。
【００３４】
[0051]  この設計レイアウトから、１つ以上の部分を識別することができ、それらは「クリップ」と呼ばれる。特定の実施形態では、一組のクリップが抽出され、これは、設計レイアウト内の複雑なパターン（任意のクリップ数を使用することができるが、通常約５０〜１０００個のクリップ）を表す。当業者には明らかなように、これらのパターン又はクリップは、設計の小部分（すなわち回路、セル又はパターン）を表し、特にクリップは、特定の注意及び／又は検証を必要とする小部分を表す。言い換えれば、クリップは、設計レイアウトの複数の部分でよく、又はクリティカルフィーチャが、経験（顧客によって与えられたクリップを含む）、試行錯誤、又はフルチップシミュレーションの実行によって識別される設計レイアウトの複数の部分に類似しているか、又は複数の部分に類似の挙動を有してもよい。クリップは、普通、１つ以上のテストパターン又はゲージパターンを含む。
【００３５】
[0052]  クリップの初期のより大きな組が、顧客によって、特定の結像最適化を必要とする設計レイアウトにおける既知のクリティカルフィーチャ領域に基づいてアプリオリに与えられることがある。あるいは、別の実施形態では、クリップの初期のより大きな組が、クリティカルフィーチャ領域を識別するある種の自動アルゴリズム（マシンビジョンなど）又はマニュアルアルゴリズムを用いて全体の設計レイアウトから抽出されることがある。
【００３６】
[0053]  投影システムに入射する放射は通常、設計された放射経路を通って部分的に透過される。ある実施形態では、光が放射として使用され、放射経路は光路と呼ばれる。入射光の一部は光路から外れて反射又は屈折し、入射光の別の部分はレンズ系によって吸収されることがある。入射光から変換された熱エネルギーは通常、一般に熱伝導率が低いレンズ内に保持され、レンズの加熱によってレンズが膨張し、レンズの光学特性に影響を与えることがある。レンズの一部にレンズの他の部分よりも多くの量の熱を発生及び保持させるレンズの断面積の変化のために、レンズ加熱作用は、多くの場合、不均一になる。したがって、レンズの部分の不均一な加熱は、レンズの屈折率を局所的に変化させて光路が変更され、その結果、フォトレジスト内に生成されるパターンの収差が検出できる。
【００３７】
[0054]  さらに、回折光学要素（例えば、瞳素子）を用いてレンズの各部分を選択的に照明するシステムは比較的強度が高い光を受光するレンズの領域を生成するが、他の領域は光をほとんど又は全く受光せず、その結果、加熱される（例えば、図１に示す四重極照明パターンを参照）。したがって、レンズ加熱の差は、レンズの局所温度及び構造と照明パターンに比例するレンズの光学特性に影響するレンズ内の大きい温度勾配を生成することがある。レンズ機能の変化は、レンズ加熱作用をオフセット又は打ち消すレンズの選択した領域及び／又はポイントに対して圧力を印加し、及び／又は緩めるように構成されたレンズマニピュレータを使用することで幾つかのスキャナでは低減又は実質的に解消することができる。これらのマニピュレータは収差を最小限にして、レンズ加熱によって引き起こされるＣＤなどのその他のユーザ指定のリソグラフィメトリックスを制御することができる。特定の実施形態は、ウェーハ上の印刷欠陥を低減するためにレンズ加熱誘発収差を改善するための補正システムの特徴化を含むモデルを提供する。したがって、１つ以上の実施形態を、レンズ加熱作用及びマニピュレータその他の補正システムの制御を特徴付けるモデル、シミュレーション及び用途を含む最適化及び補正システム並びに方法に含むことができる。
【００３８】
[0055]  様々な実施形態がレンズ加熱をソースマスク最適化（ＳＭＯ）計算に含む方法及びシステムを提供する。このプロセスを以後、レンズ加熱感知ＳＭＯと呼ぶ。ある実施形態では、レンズ加熱感知ＳＭＯのアルゴリズムは、ＳＭＯで実行される設計の回折パターンと空間像とを最適化するように構成されるが、レンズ加熱感度メトリック又はメトリックスのセットが計算されるという追加の機能を有する。一実施形態では、レンズ加熱感度メトリックが許容範囲外になると、ＲＥＴ／ＯＰＣ符号の新たに提案された開始ポイントでＳＭＯ計算を再度最適化することができる。ＳＭＯ手順を記述する方法の例は、例えば、参照によりその全体を本明細書に組み込むものとする２０１０年１０月２８日出願の米国特許出願第１２／９１４，９４６号に記載されている。
【００３９】
[0056]  図４Ａを参照すると、この図は、ある実施形態によるリソグラフィ投影装置内でリソグラフィをシミュレートする例示的な方法４００を示す。
【００４０】
[0057]  この方法は、調整範囲を含む照明源、設計レイアウト及び投影光学系の特性である設計変数が入手される手順４０５を含む。手順４１０で、投影光学系を通して照明源で設計レイアウト（又はその部分）を結像することで誘発された投影光学系の光学特性（例えば、光学収差）への作用が、照明源とマスク設計レイアウトの特性である設計変数の少なくとも幾つかを用いて決定及び／又は予測される。この作用は、投影光学系の加熱作用（以後、「レンズ加熱」と呼んでもよい）を含む。レンズ加熱は均一でなく、設計レイアウトと照明源とに固有の設計変数の幾つかに依存してもよい。この作用は、投影光学系の少なくとも一部での屈折率の変化、温度の変化、透明性の変化、物理的寸法の変化などのその他の作用を含んでもよい。一実施形態では、手順４１０は、投影光学系の様々な部分の温度又は温度変化の決定及び／又は推定ステップを含んでもよい。レンズ加熱などによって生成された効果の決定は、例えば、参照によりその全体を本明細書に組み込むものとする２００９年５月２９日出願の米国特許出願第１２／４７５，０７１号に記載されたレンズ加熱モデルなどの適切なモデルを用いて実行できる。
【００４１】
[0058]  １つ以上の実施形態では、レンズ加熱モデルはレンズの関数が変化する際に設計レイアウトのＣＤ（クリティカルディメンション）を計算することで作用（例えば、収差）を決定できる。
【００４２】
[0059]  特定の実施形態では、ＣＤはゼルニケ多項式の非線形関数で表現できる。ゼルニケ多項式は多項式の形式で波面データを表現する際に有用であり、ゼルニケ多項式は形態が光学システムに関連付けられた収差と同様の形態の複数の項を含む。一般に、ゼルニケ係数は、多項式の重みに対応する。特定の実施形態では、ゼルニケ係数は、ＣＤにおける摂動を表す数である。ゼルニケ係数が０の場合、摂動は存在しない（例えば、図１のゼルニケ係数Ｚ７を参照）。通常、２次多項式を使ってレンズの加熱に起因する収差を表すことができ、リソメトリック−ゼルニケ関係は、フォトリソグラフィ像のシミュレーション及び／又は測定を通して確立することができる。
【００４３】
[0060]  次に、手順４１０で決定される光学収差を用いて、手順４１５で、作用（例えば、レンズ加熱によって誘発される収差）の原因となる（例えば、その関数である）投影光学系モデルが定義される。手順４１５の投影光学系モデルが定義されると、この方法は、手順４２０へ進み、ここで、ソースマスク最適化（ＳＭＯ）が実行され、手順４２５でＳＭＯ手順の結果が出力される。
【００４４】
[0061]  当業者には明らかなように、作用（例えば、収差）の原因となる投影光学系モデルは設計変数に依存する。何故なら、これは設計変数の調整が作用の変化を誘発するからである。投影光学系モデルは、透過交差係数ＴＣＣのセットとして表すことができる。次に、設計レイアウトモデルと共に透過交差係数ＴＣＣの修正されたセットを用いて空間像モデルを構築できる。当技術分野で知られているように、透過交差係数はマスクを除くリソグラフィ投影装置の光学特性を含む。
【００４５】
[0062]  図４Ａの方法４００が反復方法であることは当業者には明らかであろう。すなわち、ソースマスク最適化は、終了条件が満たされるまで照明源と設計レイアウトの設計変数を同時に調整するステップを含む。各々の反復で、その一部が照明源と設計レイアウトとに固有の調整済み設計変数を用いて投影光学系の光学特性に対する作用を決定及び／又は調整することができる。次に、決定済み及び／又は調整済み作用を用いて、この反復で使用される調整済み投影光学系モデルと調整済み透過交差係数のセットとを決定して空間像を決定することができる。
【００４６】
[0063]  図４Ｂを参照すると、この図は、ある実施形態によるリソグラフィ投影装置内でリソグラフィをシミュレートする例示的な方法４００Ｂを示す。この方法は、調整範囲を含む照明源、設計レイアウト及び投影光学系の特性である設計変数が得られる手順４０５Ｂを含む。手順４１０Ｂで、投影光学系を通して照明源で設計レイアウト（又はその部分）を結像することで誘発された投影光学系の光学特性（例えば、光学収差）への作用が、照明源と簡単化されたレチクルの特性である設計変数のみを用いて決定及び／又は予測される。「簡単化されたレチクル」という用語の使用は、計算でレチクルの全詳細内容が使用されるわけではないという意味である。一例では、簡単化されたレチクルは、レチクルの領域に対するパターンによって覆われるレチクルの領域の比率に基づいて計算できる推定レチクル透過率であってもよい。あるいは、推定レチクル透過率は、物理的マスクの平均測定透過率であってもよい。別の例では、簡単化されたレチクルは、レチクルのクリップであってもよい。さらに別の例では、簡単化されたレチクルは、レチクルの幾つかの離散的な部分であってもよい。この作用は、レンズ加熱を含んでもよい。レンズ加熱は均一でないこともあり、設計レイアウトと照明源とに固有の設計変数の幾つかに依存することがある。この作用は、投影光学系の少なくとも一部での屈折率の変化、温度の変化、透明性の変化、物理的寸法の変化などのその他の作用を含んでもよい。一実施形態では、手順４１０Ｂは、投影光学系の様々な部分の温度又は温度変化の決定及び／又は推定ステップを含んでもよい。レンズ加熱などによって生成された効果の決定は、例えば、参照によりその全体を本明細書に組み込むものとする２００９年５月２９日出願の米国特許出願第１２／４７５，０７１号に記載されたレンズ加熱モデルなどの適切なモデルを用いて実行できる。
【００４７】
[0064]  次に、手順４１０Ｂで決定される光学収差を用いて、手順４１５Ｂで、作用（例えば、レンズ加熱によって誘発される収差）の原因となる（例えば、その関数である）投影光学系モデルが定義される。手順４１５Ｂの投影光学系モデルが定義されると、この方法は、手順４２０Ｂへ進み、ここで、ソースマスク最適化（ＳＭＯ）が実行され、手順４２５ＢでＳＭＯ手順の結果が出力される。手順４２５Ｂの前にオプションの妥当性検査手順４２３Ｂを実行してもよい。オプションの妥当性検査手順４２３Ｂでは、手順４２０Ｂの結果が、詳細（例えば、推定レチクル透過率に加えて設計レイアウトに固有の設計変数）を考慮に入れてＳＭＯの結果と比較される。両者が十分に近くない場合、この方法は、手順４１０Ｂへ戻る。
【００４８】
[0065]  当業者には明らかなように、作用（例えば、収差）の原因となる投影光学系モデルは設計変数に依存する。何故なら、これは設計変数の調整が作用に変化を誘発するからである。投影光学系モデルは、透過交差係数ＴＣＣのセットとして表すことができる。設計レイアウトモデルと共に透過交差係数ＴＣＣの修正されたセットを用いて空間像モデルを構築できる。当技術分野で知られているように、透過交差係数はマスクを除くリソグラフィ投影装置の光学特性を含む。
【００４９】
[0066]  図４Ｂの方法４００Ｂが反復方法であることは当業者には明らかであろう。すなわち、ソースマスク最適化は、終了条件が満たされるまで照明源と設計レイアウトの設計変数を同時に調整するステップを含む。各々の反復で、照明源と簡単化されたレチクルとに固有の調整済み設計変数を用いて投影光学系の光学特性に対する作用を決定及び／又は調整することができる。次に、決定済み及び／又は調整済み作用を用いて、この反復で使用される調整済み投影光学系モデルと調整済み透過交差係数のセットとを決定して空間像を決定することができる。方法４００と比較して、方法４００Ｂは演算費用が少ない。何故なら、これは、投影光学系の光学特性に対する作用を決定及び／又は調整するためにレチクルの全詳細内容が使用されるわけではないからである。
【００５０】
[0067]  図４Ｃは、方法４００と４００Ｂの投影光学系モデルの例示的な比較を示す。水平軸は、ゼルニケ多項式の項である。垂直軸は、これらの項の係数又は大きさである。
【００５１】
[0068]  １つ以上の実施形態では、ＳＭＯ手順は、以下のように表される費用関数を用いて実行できる。
【数１】
0005801831.tif 000002
ここで、（ｚ１，ｚ２，．．．，ｚＮ）はＮ個の設計変数又はその値、ｆｐ（ｚ１，ｚ２，．．．，ｚＮ）は（ｚ１，ｚ２，．．．，ｚＮ）の設計変数の値のセットのｐ番目の評価ポイントでの特性の実際の値と所期の値との差である。ｗｐはｐ番目の評価ポイントに割り当てられた重み定数である。他よりも重要な評価ポイント又はパターンにはより大きいｗｐの値を割り当てることができる。出現回数が多いパターン及び／又は評価ポイントにもより大きいｗｐの値を割り当てることができる。評価ポイントの例は、ウェーハ上の任意の物理的ポイント又はパターン、又は仮想設計レイアウト上の任意のポイント、又はレジスト像、又は空間像であってもよい。費用関数は、焦点、ＣＤ、画像シフト、画像歪、画像回転などのリソグラフィ投影装置又は基板の任意の適切な特性を表してもよい。例えば、費用関数は、以下のリソグラフィメトリックス、すなわち、エッジ配置誤差、クリティカルディメンション、レジスト輪郭距離、最悪欠陥サイズ、及び最良焦点シフトのうち１つ以上の関数であってもよい。レジスト像が基板上に回路パターンを指令することが多いため、費用関数は、多くの場合、レジスト像の幾つかの特性を表す関数を含む。例えば、そのような評価ポイントのｆｐ（ｚ１，ｚ２，．．．，ｚＮ）はレジスト像内のあるポイントからそのポイントの所期の位置への距離（すなわち、エッジ配置誤差ＥＰＥｐ（ｚ１，ｚ２，．．．，ｚＮ））に過ぎなくてもよい。設計変数は、光源、マスク、投影光学系、照射量、焦点などの調整可能なパラメータなどの任意の調整可能なパラメータであってもよい。ある実施形態では、設計変数の少なくとも幾つかが投影光学系の調整可能なパラメータである。投影光学系は、照射ビームの波面の形状と強度分布及び／又は位相シフトを調整するための、集合的に「波面マニピュレータ」と呼ばれるコンポーネントを含んでもよい。投影光学系は、マスクの前、瞳面付近、画像平面付近、焦点面付近などのリソグラフィ投影装置の光路に沿った任意の場所で波面及び強度分布を調整することができる。投影光学系を用いて、例えば、リソグラフィ投影装置内の光源、マスク、温度変化、リソグラフィ投影装置のコンポーネントの熱膨張によって引き起こされる波面及び強度分布の特定の歪を補正又は補償することができる。波面及び強度分布を調整することで、評価ポイントと費用関数の値を変更できる。そのような変化は、実際に測定されるモデルからシミュレートできる。
【００５２】
[0069]  ｆｐ（ｚ１，ｚ２，．．．，ｚＮ）の正規重み付き二乗平均平方根（ＲＭＳ）は
【数２】
0005801831.tif 000003
として定義され、したがって、ｆｐ（ｚ１，ｚ２，．．．，ｚＮ）の重み付きＲＭＳの最小化は式１で定義された費用関数
【数３】
0005801831.tif 000004
の最小化と等価である。したがって、ｆｐ（ｚ１，ｚ２，．．．，ｚＮ）の重み付きＲＭＳと式１を交換可能に使用して本明細書で表記を簡単にすることができる。
【００５３】
[0070]  さらに、ＰＷ（プロセスウィンドウ）が最大化されると、（式１）の費用関数内の異なる評価ポイントとしての異なるＰＷ条件からの同じ物理的な場所を考慮できる。例えば、Ｎ個のＰＷ条件を考慮する場合、評価ポイントはそのＰＷ条件に従って分類でき、費用関数は以下のように記述できる。
【数４】
0005801831.tif 000005
ここで、
【数５】
0005801831.tif 000006
は、ｕ番目のＰＷ条件ｕ＝１，．．．，Ｕの下での（ｚ１，ｚ２，．．．，ｚＮ）の設計変数の値のセットのｐｉ番目の評価ポイントの実際の値と所期の値との差である。この差がエッジ配置誤差（ＥＰＥ）のときには、上記の費用関数の最小化は様々なＰＷ条件下でのエッジシフトの最小化と等価であり、したがって、ＰＷの最大化となる。特に、ＰＷが異なるマスクバイアスからも構成される場合、上記費用関数の最小化は、ウェーハＥＰＥと誘導マスクエッジバイアスとの比率として定義されるＭＥＥＦ（Mask Error Enhancement Factor）の最小化も含む。
【００５４】
[0071]  設計変数は、（ｚ１，ｚ２，．．．，ｚＮ）∈Ｚ（ここでＺは設計変数の可能な値のセット）で表される制約条件を有していてもよい。制約条件は、リソグラフィ投影装置のハードウェア実施態様内の物理的制約条件を表してもよい。制約条件は、調整範囲、マスク製造性を支配する規則、及び設計変数間の独立性のうち１つ以上を含んでもよい。
【００５５】
[0072]  したがって、最適化プロセスは、制約条件（ｚ１，ｚ２，．．．，ｚＮ）∈Ｚの下で、費用関数を最小限にする設計変数のセットを見つけること、すなわち、
【数６】
0005801831.tif 000007
を見つけることである。
【００５６】
[0073]  ある実施形態によるリソグラフィ投影装置を最適化するＳＭＯ方法を図５に示す。この方法は、複数の設計変数の多変数費用関数を定義する手順５０５を含む。設計変数は、照明源及びマスク設計レイアウトの特性である。手順５１０で、費用関数は、選択された変数を用いて計算又は演算される。当業者には明らかなように、費用関数の計算の一部として、マスクパターン／レイアウトの像が計算される。これは、光学収差を含む投影光学系モデルを用いて実行される（手順４１５を参照）。選択された値について費用関数が計算されると、この方法は手順５１５へ進み、ここで特定又は所定の終了条件が満たされたか否かが決定される。所定の終了条件は様々な可能性を含んでもよい。すなわち、費用関数は使用する数値技術の必要に応じて最小化又は最大化される、費用関数の値がしきい値に等しいか又はしきい値を超えた、費用関数の値が事前設定された誤差限度内に達した、又は事前設定された反復回数に達したという可能性である。手順５１５の条件が満たされた場合、この方法は終了する。手順５１５の条件が満たされない場合、この方法は手順５２０へ進み、ここで照明源とマスク設計レイアウトの設計変数の値が修正され、次に手順５２５へ進み、ここで、照明源とマスク設計レイアウトの設計変数の修正された値を用いて、又は照明源の設計変数の修正された値と修正されたマスク設計レイアウトの簡単化されたレチクルとを用いて、新しい／修正された光学収差が計算及び／又は決定される。これらの新しい／修正された光学収差は、修正された照明源モデル（すなわち、修正された設計変数を含む照明源モデル）と共に、費用関数を計算するときに使用する修正された透過交差係数ＴＣＣを提供する修正された投影光学系モデルを定義する。特に、透過交差係数が既知になると、空間像、レジスト像、ｆｐ（ｚ１，ｚ２，．．．，ｚＮ）及び費用関数を計算できる。透過交差係数ＴＣＣを決定及び／又は計算するための方法の例は、参照によりその全体を本明細書に組み込むものとする２０１０年１１月１０日出願の米国特許出願第６１／４１２，３７２号に記載されている。
【００５７】
[0074]  手順５１０〜５２５は、終了条件が満たされるまで反復して実行される。
【００５８】
[0075]  図４及び図５の方法で、ソース及びマスクは、実施形態により同時に最適化できる（同時最適化と呼ばれる）。本明細書で使用する「同時の」、「同時に」、「共同の」、「共同に」という用語は、ソース、マスク、投影光学系の特性の設計変数及び／又はその他の任意の設計変数が同時に変化することができるということを意味する。
【００５９】
[0076]  別の実施形態では、投影光学系の光学特性の作用の計算及び／又は決定の代わりに、又はそれに加えて、投影光学系の調整可能な光学特性が設計変数に含まれることが想定される。例示的な調整可能な光学特性は、１つ以上のデバイス、例えば、投影システムの光学要素の温度を制御するために使用するヒーターの温度データに関連付けられたレンズマニピュレータ、温度データ又は信号として、ゼルニケ係数を含んでもよい。次に、ＳＭＯ手順を実行して、調整可能な光学特性を含む設計変数を同時に調整して費用関数を収束へ向かって移動させることができる。
【００６０】
[0077]  本明細書に記載する方法はレンズ加熱に限定されず、投影光学系を通して照明源で設計レイアウト（又はその一部）を結像することで誘発される投影光学系の光学特性に対する任意の作用を含むように適用可能である。
【００６１】
[0078]  一実施形態では、ゼルニケ係数は設計変数に入る。ゼルニケ係数の各々に重み要因を割り当てることができる。例えば、５次ゼルニケ係数よりも高い重み要因を１０次ゼルニケ係数に適用できる。
【００６２】
[0079]  一実施形態では、ＳＭＯは、投影光学系の光学特性に対する所定の作用の原因となる所定の投影光学系を使用できる。例えば、レンズ加熱が例えば経験的に所定である場合、ＳＭＯは所定のレンズ加熱の原因となる投影光学系を使用できる。
【００６３】
[0080]  図６Ａ〜図６Ｄを参照すると、これらの図は、レジスト像に対するレンズ加熱効果を示す「１」、「２」、「３」、及び「４」（図６Ａ、図６Ｂ、図６Ｃ、及び図６Ｄ）と呼ばれる４つの異なるマスクパターンを示す。図６Ａ〜図６Ｄから分かるように、レンズ加熱はパターンに依存する。
【００６４】
[0081]  図７Ａは、図６Ａ〜図６Ｄの４つの異なるタイプのマスクパターン（「１」、「２」、「３」、及び「４」）と、露光フィールド内の３つの異なる位置（スリットの中心、偏心位置、及び縁部）でのレンズ加熱によって導入されるクリティカルディメンション（ＣＤ）誤差を表す。図７Ｂは、マスクパターン２のレンズ加熱効果に起因するマスクパターンの像の変形を示す。図７Ａから分かるように、レンズ加熱によって誘発されるＣＤ誤差はマスクパターン間で大幅に変動することがあり、したがって、フィールド依存である。
【００６５】
[0082]  図８Ａ〜図８Ｃを参照すると、図８Ａは、従来の最適化（「ホットレンズ加熱不感知ＯＰＣと呼ぶ）実行後に仕様の範囲内にあるパターンの数（パターン「２」に対応する）と、１つ以上の実施形態による最適化方法（「レンズ加熱感知ＯＰＣと呼ぶ）実行後のパターンの数と、を示す。結果は、図８Ａの単一のスリット条件、すなわち、偏心位置について提供される。２つの隣接するパターンの間のクリティカルディメンション（ＣＤ）が４１ｎｍを超えるとき、パターンは仕様内にあると考えられる。図８Ｂは、従来の方法による最適化パターンを示し、図８Ｃは、１つ以上の実施形態による最適化パターンを示す。図８Ａのキャプションの「コールドＬＨ感知ＯＰＣ」及び「ホットＬＨ感知ＯＰＣ」は、単に、それぞれ冷たい状態と熱い状態の投影光学系に適用されたレンズ加熱感知ＯＰＣの結果を意味する。図８Ｂは、レンズ加熱不感知ＯＰＣが投影光学系が冷たい状態にあるときの像と投影光学系が熱い状態にあるときの像をほぼ同一にしないということを分かりやすく示す。図８Ｃは、レンズ加熱感知ＯＰＣが投影光学系が冷たい状態にあるときの像と投影光学系が熱い状態にあるときの像をほぼ同一にするということを分かりやすく示す。
【００６６】
[0083]  図８Ａ〜図８Ｃで分かるように、レンズ加熱の原因となる１つ以上の実施形態による最適化方法は、パターンのすべてを仕様内に結像する結像及びマスク設計条件を提供する。これとは対照的に、従来の最適化方法では、多くの数のパターンは４１ｎｍより小さいＣＤを有する。
【００６７】
[0084]  図９Ａ〜図９Ｃを参照すると、図９Ａは、１つ以上の実施形態（「ホットレンズ加熱感知ＯＰＣと呼ぶ）による最適化パターンの分布と従来の方法（「ホットレンズ加熱不感知ＯＰＣと呼ぶ）による最適化パターンの分布とを示す。図９Ｂは、従来の方法で得たフィールド全体にわたる（すなわち、スリットの中心、偏心位置、及び縁部という異なるスリット位置での）結果を示す。図９Ｃは、１つ以上の実施形態の方法で得たフィールド全体にわたる（すなわち、スリットの中心、偏心位置、及び縁部という異なるスリット位置での）結果を示す。
【００６８】
[0085]  図９Ａ及び図９Ｃで分かるように、レンズ加熱の原因となる１つ以上の実施形態による最適化方法は、フィールド全体にわたるパターンのすべてを仕様内に結像する結像及びマスク設計条件を提供する。これとは対照的に、従来の最適化方法では、多くの数のパターンは、フィールド位置のすべてについて４１ｎｍより小さいＣＤを有する。
【００６９】
[0086]  図１０は、本明細書に開示する最適化方法及びフローの実施を支援することができるコンピュータシステム１００を示すブロック図である。コンピュータシステム１００は、情報を通信するバス１０２又はその他の通信機構と、情報を処理するバス１０２に結合されたプロセッサ１０４（又は複数のプロセッサ１０４及び１０５）と、を含む。コンピュータシステム１００は、また、情報及びプロセッサ１０４によって実行される命令を格納するためのバス１０２に結合されたランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）又は他のダイナミックストレージデバイスなどのメインメモリ１０６を含む。メインメモリ１０６は、また、プロセッサ１０４によって実行される命令の実行中に、一時的変数又は他の中間情報を格納するために使用してもよい。コンピュータシステム１００は、さらに、プロセッサ１０４のために静的情報及び命令を格納するバス１０２に結合された読取り専用メモリ（ＲＯＭ）１０８又はその他のスタティックストレージデバイスを含む。磁気ディスク又は光ディスクなどのストレージデバイス１１０が提供され、バス１０２に結合され、情報及び命令を格納する。
【００７０】
[0087]  コンピュータシステム１００は、バス１０２を介して、コンピュータユーザに対して情報を表示する陰極管（ＣＲＴ）又はフラットパネル又はタッチパネルディスプレイなどのディスプレイ１１２に結合することができる。英数字キー及びその他のキーを含む入力デバイス１１４がバス１０２に結合され、プロセッサ１０４へ情報と選択したコマンドを送信する。別のタイプのユーザ入力デバイスがプロセッサ１０４へ方向情報と選択したコマンドを送信し、ディスプレイ１１２上でのカーソルの動きを制御するマウス、トラックボール、又はカーソル方向キーなどのカーソル制御装置１１６である。この入力デバイスは、通常、第１軸（例えば、ｘ）と第２軸（例えば、ｙ）の２軸で自由度２を有し、これによってデバイスは平面内の位置を指定することができる。入力デバイスとしてタッチパネル（画面）ディスプレイも使用することができる。
【００７１】
[0088]  一実施形態によれば、プロセッサ１０４によるメインメモリ１０６に含まれる１つ以上の命令の１つ以上のシーケンスの実行に応答してコンピュータシステム１００によって最適化プロセスの一部を実行することができる。このような命令は、ストレージデバイス１１０などの別のコンピュータ可読媒体からメインメモリ１０６に読み込むことができる。メインメモリ１０６内に含まれる命令シーケンスを実行すると、プロセッサ１０４は本明細書に記載する各プロセスステップを実行する。マルチ処理装置内の１つ以上のプロセッサを使用してメインメモリ１０６内に含まれる命令シーケンスを実行することができる。代替実施形態では、ソフトウェア命令の代わりに、又はそれと組み合わせてハードワイヤード回路を使用することができる。したがって、実施形態は、ハードウェア回路とソフトウェアとの特定の組合せに限定されない。
【００７２】
[0089]  本明細書で使用する「コンピュータ可読媒体」という用語は、実行のためにプロセッサ１０４に命令を提供するステップに加わる任意の媒体を指す。このような媒体は、不揮発性媒体、揮発性媒体、及び伝送媒体を含む多くの形態をとることができるが、これらに限定されない。不揮発性媒体は、例えば、ストレージデバイス１１０などの光又は磁気ディスクを含む。揮発性媒体は、メインメモリ１０６などのダイナミックメモリを含む。伝送媒体は、バス１０２を構成するワイヤを含む同軸ケーブル、銅線及び光ファイバを含む。また伝送媒体は、無線周波数（ＲＦ）及び赤外線（ＩＲ）データ通信中に生成される音波又は光波の形態をとることができる。コンピュータ可読媒体の一般形態は、例えば、フロッピー（登録商標）ディスク、フレキシブルディスク、ハードディスク、磁気テープ、その他の任意の磁気媒体、ＣＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ、その他の任意の光媒体、パンチカード、紙テープ、穴のパターンを有するその他の任意の物理媒体、ＲＡＭ、ＰＲＯＭ，及びＥＰＲＯＭ、フラッシュＥＰＲＯＭ，その他の任意のメモリチップ又はカートリッジ、以下に記載する搬送波、又はコンピュータが読み取り可能なその他の任意の媒体を含む。
【００７３】
[0090]  様々な形態のコンピュータ可読媒体がプロセッサ１０４へ１つ以上の命令の１つ以上のシーケンスを搬送して実行するステップに含まれる。例えば、命令は、最初リモートコンピュータの磁気ディスク上に記憶されていてもよい。リモートコンピュータは、命令をダイナミックメモリにロードし、モデムを用いて電話回線上で命令を送信することができる。コンピュータシステム１００側のモデムは電話回線上でデータを受信し、赤外線送信機を用いてデータを赤外線信号に変換する。バス１０２に結合された赤外線検出器が赤外線信号で搬送されたデータを受信し、データをバス１０２上に配置することができる。バス１０２はデータをメインメモリ１０６へ搬送し、そこからプロセッサ１０４が命令を取り出して実行する。オプションとして、メインメモリ１０６によって受信された命令は、プロセッサ１０４による実行前又は後にストレージデバイス１１０に記憶することができる。
【００７４】
[0091]  また、コンピュータシステム１００は、バス１０２に結合された通信インターフェイス１１８を含むことが好ましい。通信インターフェイス１１８は、ローカルネットワーク１２２に接続されたネットワークリンク１２０への双方向データ通信接続を提供する。例えば、通信インターフェイス１１８は、対応するタイプの電話回線にデータ通信接続を提供する総合デジタル通信サービス網（ＩＳＤＮ）カード又はモデムであってもよい。別の例として、通信インターフェイス１１８は、互換ＬＡＮにデータ通信接続を提供するローカルエリアネットワーク（ＬＡＮ）であってもよい。無線リンクも実施することができる。そのような任意の実施態様で、通信インターフェイス１１８は、様々なタイプの情報を表すデジタルデータストリームを搬送する電気信号、電磁信号又は光信号を送受信する。
【００７５】
[0092]  ネットワークリンク１２０は、通常、１つ以上のネットワークを通してデータ通信を他のデータデバイスに提供する。例えば、ネットワークリンク１２０は、ローカルネットワーク１２２を通してインターネットサービスプロバイダ（ＩＳＰ）１２６が運用するホストコンピュータ１２４又はデータ装置に接続を提供することができる。次に、ＩＳＰ１２６は、ワールドワイドパケットデータ通信ネットワーク、現在の通称は「インターネット」１２８を通してデータ通信サービスを提供する。ローカルネットワーク１２２とインターネット１２８は共に、デジタルデータストリームを搬送する電気信号、電磁信号又は光信号を使用する。デジタルデータをコンピュータシステム１００との間で送受信する様々なネットワークを介した信号及びネットワークリンク１２０上の信号及び通信インターフェイス１１８を介した信号は、情報を伝送する搬送波の例示的形態である。
【００７６】
[0093]  コンピュータシステム１００は、ネットワーク、ネットワークリンク１２０、及び通信インターフェイス１１８を通してメッセージを送信し、プログラムコードを含むデータを受信することができる。インターネットの例では、インターネット１２８、ＩＳＰ１２６、ローカルネットワーク１２２及び通信インターフェイス１１８を通してサーバ１３０がアプリケーションプログラムのために要求されたコードを送信することができる。１つ以上の実施形態によれば、そのような１つのダウンロードされたアプリケーションは、例えばこの実施形態の照明最適化に備えてもよい。受信されたコードは、それが受信されるとプロセッサ１０４によって実行することができ、及び／又はストレージデバイス１１０又はその他の不揮発性記憶装置に記憶して後で実行することができる。このようにして、コンピュータシステム１００は、搬送波の形式でアプリケーションコードを入手することができる。
【００７７】
[0094]  図１１は、本明細書に記載する方法を用いて照明源を最適化できる例示的なリソグラフィ投影装置を概略的に示す。該装置は、
−放射投影ビームＢを供給する照明システムＩＬ（この特定の例では、放射システムは放射源ＳＯも含む）と、
−パターニングデバイスＭＡ（例えば、マスク又はレチクル）を保持するマスクホルダを備え、アイテムＰＳに対してマスクを正確に位置決めする第１のポジショナに接続された第１のオブジェクトテーブル（例えば、マスクテーブル）ＭＴと、
−基板Ｗ（例えば、レジストコートシリコンウェーハ）を保持する基板ホルダを備え、アイテムＰＳに対して基板を正確に位置決めする第２のポジショナに接続された第２のオブジェクトテーブル（基板テーブル）ＷＴと、
−パターニングデバイスＭＡの照射部分を基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば、１つ以上のダイを含む）上に結像する投影システム（「レンズ」）ＰＳ（例えば、屈折、反射光学又は反射屈折光学システム）と、
を備える。
【００７８】
[0095]  本明細書に記載するように、装置は透過型である（すなわち、透過マスクを有する）。しかし、一般に、装置は例えば（反射マスクを備えた）反射型であってもよい。あるいは、装置は、マスクの使用に代えて別の種類のパターニング手段を使用してもよい。その例として、プログラマブルミラーアレイ又はＬＣＤマトリクスがある。
【００７９】
[0096]  放射源ＳＯ（例えば、水銀ランプ又はエキシマレーザ）は、放射ビームを生成する。このビームは、直接、又はビームエキスパンダＥｘなどのコンディショナを通った後で、照明システム（イルミネータ）ＩＬに供給される。イルミネータＩＬは、ビーム内の強度分散の外側及び／又は内側半径範囲（それぞれ一般にσ−ｏｕｔｅｒ、σ−ｉｎｎｅｒと呼ばれる）を設定するアジャスタＡＤを備えてもよい。さらに、イルミネータＩＬは、一般に、インテグレータＩＮ及び集光器ＣＯなどの様々な他のコンポーネントを備える。このようにして、マスクＭＡに当たるビームＢは、断面に所望の均一性と強度とを有する。
【００８０】
[0097]  図１１に関して、放射源ＳＯはリソグラフィ投影装置のハウジング内にあってもよい（例えば、多くの場合、放射源ＳＯが水銀ランプの場合にあてはまる）が、リソグラフィ投影装置から離れていてもよく、生成する放射ビームを装置内に（例えば、適切な誘導ミラーを用いて）誘導する構成であってもよいことに留意されたい。この後者のシナリオは、多くの場合、放射源ＳＯが（例えば、ＫｒＦ、ＡｒＦ又はＦ２レージングに基づく）エキシマレーザの時にあてはまる。本発明は、少なくともこれらの両方のシナリオを包含する。
【００８１】
[0098]  その後、ビームＰＢは、パターニングデバイステーブルＭＴ上に保持されたパターニングデバイスＭＡに達する。パターニングデバイスＭＡを横断したビームＢは、レンズＰＬを通過し、レンズＰＬは基板Ｗのターゲット部分Ｃ上にビームＢを合焦させる。第２のポジショナ（及び干渉測定デバイスＩＦ）により、基板テーブルＷＴを正確に移動させて様々なターゲット部分ＣをビームＢの経路内に位置決めすることができる。同様に、第１のポジショナを用いて、例えば、パターニングデバイスライブラリからパターニングデバイスＭＡを機械的に取り出した後で、又はスキャン中に、ビームＢの経路に対してパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めすることができる。一般に、オブジェクトテーブルＭＴ、ＷＴの移動は、図９には明示していないロングストロークモジュール（粗動位置決め）とショートストロークモジュール（微動位置決め）により実現する。しかし、（ステップアンドスキャンツールとは対照的に）ウェーハステッパの場合、パターニングデバイステーブルＭＴをショートストロークアクチュエータに接続するだけでよく、又は固定してもよい。
【００８２】
[0099]  図のツールは、下記の２つの異なるモードで使用することができる。
−ステップモードでは、パターニングデバイステーブルＭＴは、基本的に固定状態に維持され、全パターニングデバイス像は、１回で（すなわち、１回の「フラッシュ」で）ターゲット部分Ｃ上に投影される。次に、異なるターゲット部分ＣをビームＰＢで照射することができるように、基板テーブルＷＴがｘ及び／又はｙ方向にシフトされる。
−スキャンモードでは、所与のターゲット部分Ｃが１回の「フラッシュ」で露光されない点を除けば、基本的には同じシナリオが適用される。代わりに、パターニングデバイステーブルＭＴを、速度ｖで所与の方向（例えば、ｙ方向のような、いわゆる「スキャン方向」）に移動することができ、その結果、投影ビームＢはパターニングデバイス像上をスキャンする。同時に、基板テーブルＷＴは、速度Ｖ＝Ｍｖで同じ方向又は反対方向に同時に移動する。ここで、Ｍは、レンズＰＬの倍率（通常、Ｍ＝１／４又は１／５である）である。このようにして、解像度を犠牲にしないで比較的広いターゲット部分Ｃを露光することができる。
【００８３】
[00100]  本明細書に開示する概念は、サブ波長の特徴を結像する任意の汎用結像システムをシミュレートし、又は数学的にモデル化することができ、ますますサイズが小さくなる波長を生成できる新興の結像技術に特に有用である。すでに普及している新興技術は、ＡｒＦレーザを用いて１９３ｎｍの波長を生成し、さらに、フッ素レーザを用いて１５７ｎｍの波長を生成できるＥＵＶ（極紫外線）リソグラフィを含む。さらに、ＥＵＶリソグラフィは、シンクロトロンを用いて、又は２０ｎｍ〜５ｎｍの範囲内に光子を生成するために高エネルギー電子をある物質（固形又はプラズマ状態の）に当てることで２０ｎｍ〜５ｎｍの範囲内の波長を生成できる。
【００８４】
[00101]  本明細書に記載する概念はシリコンウェーハなどの基板上の結像に使用できるが、開示された概念は任意のタイプのリソグラフィ結像システム、例えば、シリコンウェーハ以外の基板上の結像に使用されるリソグラフィ結像システムと併用できる。
【００８５】
[00102]  本発明は以下の条項を用いてさらに記述できる。
１．照明源及び投影光学系を備えるリソグラフィ投影装置を用いて設計レイアウトの一部を基板上に結像するリソグラフィプロセスを改良するコンピュータ実施方法であって、
前記リソグラフィプロセスの特性である複数の設計変数の多変数費用関数を計算するステップであって、前記設計変数の少なくとも幾つかが、前記照明源と前記設計レイアウトの特性であり、前記多変数費用関数の計算が、前記投影光学系を通して前記照明源で設計レイアウトの前記部分を結像することで誘発された前記投影光学系の光学特性への作用を説明する、ステップと、
所定の終了条件が満たされるまで前記設計変数を調整することで前記リソグラフィプロセスの特性を再構成するステップと、
を含む、方法。
２．前記作用は、加熱作用を含む、条項１に記載の方法。
３．前記設計レイアウトと前記照明源の特性である前記設計変数の少なくとも幾つかを用いて前記作用を決定するステップをさらに含む、条項１又は２に記載の方法。
４．前記多変数費用関数の計算ステップは、前記作用の関数である投影光学系モデルを使用するステップを含む、条項１〜３のいずれか１項に記載の方法。
５．前記再構成ステップは、前記設計レイアウト及び／又は前記照明源の特性であり、調整された前記設計変数の少なくとも幾つかを用いて前記作用を再決定するステップを含む、条項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
６．前記再構成ステップは、前記投影光学系モデルを用いて前記多変数費用関数を計算するステップを含む、条項１〜５のいずれか１項に記載の方法。
７．前記設計変数は、前記投影光学系の調整可能な光学特性を含む、条項１〜６のいずれか１項に記載の方法。
８．前記調整可能な光学特性は、前記投影光学系の少なくとも一部の屈折率又は前記投影光学系の少なくとも一部の温度である、条項７に記載の方法。
９．前記調整可能な光学特性は、前記投影光学系の光学要素を加熱するように構成されたヒーターによって調整可能である、条項７に記載の方法。
１０．前記調整可能な光学特性は、前記投影光学系のゼルニケ係数である、条項７に記載の方法。
１１．前記設計レイアウトの前記部分は、設計レイアウト全体、クリップ、１つ以上のクリティカルな特徴を有することが知られている設計レイアウトの断面、及び１つ以上のクリティカルな特徴はパターン選択方法によって識別された設計レイアウトの断面のうち１つ以上を含む、条項１〜１０のいずれか１項に記載の方法。
１２．前記所定の終了条件は、前記費用関数の最小化、前記費用関数の最大化、事前設定された反復回数への到達、事前設定されたしきい値に等しいか又はしきい値を超えた前記費用関数の値への到達、事前定義された計算時間への到達、及び、許容誤差限度内の前記費用関数の値への到達、のうち１つ以上を含む、条項１〜１１のいずれか１項に記載の方法。
１３．前記反復再構成は、制約条件なしに、又は制約条件が前記設計変数の前記少なくとも幾つかの範囲を指示して実行される、条項１〜１２のいずれか１項に記載の方法。
１４．前記設計変数の少なくとも幾つかは、前記リソグラフィ投影装置のハードウェア実施態様内の物理的制約条件を表す制約条件の下にある、条項１〜１３のいずれか１項に記載の方法。
１５．前記制約条件は、調整範囲、マスク製造性を支配する規則、及び前記設計変数間の独立性のうち１つ以上を含む、条項１〜１４のいずれか１項に記載の方法。
１６．前記費用関数は、以下のリソグラフィメトリックス、すなわち、エッジ配置誤差、クリティカルディメンション、レジスト輪郭距離、最悪欠陥サイズ、及び最良焦点シフトのうち１つ以上の関数である、条項１〜１５のいずれか１項に記載の方法。
１７．前記費用関数は、前記設計変数の高次多項式を含む多項式を解くことで最小化される、条項１〜１６のいずれか１項に記載の方法。
１８．前記設計レイアウトは、少なくとも１つのアシストフィーチャを含む、条項１〜１７のいずれか１項に記載の方法。
１９．前記少なくとも１つのアシストフィーチャは、ＳＲＡＦ（サブ解像度アシストフィーチャ）及び／又はＰＲＡＦ（印刷可能解像度アシストフィーチャ）を含む、条項１８に記載の方法。
２０．前記照明源と簡単化されたレチクルの特性である前記設計変数の少なくとも幾つかを用いて前記作用を決定するステップをさらに含む、条項１又は２に記載の方法。
２１．前記簡単化されたレチクルは、推定レチクル透過率、物理的マスクの平均測定透過率、レチクルのクリップ、及びレチクルの複数の離散的な部分からなる群から選択される、条項２０に記載の方法。
２２．コンピュータによって実行されると、条項１〜２１のいずれか１項に記載の方法を実施する命令を記録したコンピュータ可読媒体を備える、コンピュータプログラムプロダクト。
【００８６】
[00103]  上記の説明は例示的であって限定的ではないように意図されている。したがって、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく、上記実施形態を修正できることは当業者には明らかであろう。
【図１】
0005801831.tif 000008
【図２】
0005801831.tif 000009
【図３】
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【図４Ａ】
0005801831.tif 000011
【図４Ｂ】
0005801831.tif 000012
【図４Ｃ】
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【図５】
0005801831.tif 000014
【図６Ａ】
0005801831.tif 000015
【図６Ｂ】
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【図６Ｃ】
0005801831.tif 000017
【図６Ｄ】
0005801831.tif 000018
【図７Ａ】
0005801831.tif 000019
【図７Ｂ】
0005801831.tif 000020
【図８Ａ】
0005801831.tif 000021
【図８Ｂ】
0005801831.tif 000022
【図８Ｃ】
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【図９Ａ】
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【図９Ｂ】
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【図９Ｃ】
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【図１０】
0005801831.tif 000027
【図１１】
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