(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
折り曲げて用いられる高周波信号伝送線路であって、
複数の誘電体層が積層されて構成されている素体と、
前記素体内に設けられている信号線路と、
前記信号線路に対して積層方向の一方側に設けられ、前記誘電体層を介して該信号線路と対向している第１のグランド導体と、
前記信号線路に対して積層方向の他方側に設けられ、前記誘電体層を介して該信号線路と対向している第２のグランド導体と、
前記誘電体層を貫通する複数の層間接続導体及び前記誘電体層に設けられた複数の接続導体が接続されることにより構成され、前記第１のグランド導体と前記第２のグランド導体とを接続する接続部と、
を備えており、
前記接続部の積層方向の両端を構成する前記層間接続導体は、該接続部の残余の前記層間接続導体よりも、前記素体が折り曲げられる区間の中央から離れた位置に設けられており、
前記残余の層間接続導体よりも積層方向の一方側及び他方側に設けられている前記誘電体層において、該残余の層間接続導体と重なる部分には、開口が設けられていること、
を特徴とする高周波信号伝送線路。
【請求項２】
折り曲げて用いられる高周波信号伝送線路であって、
複数の誘電体層が積層されて構成されている素体と、
前記素体内に設けられている信号線路と、
前記信号線路に対して積層方向の一方側に設けられ、前記誘電体層を介して該信号線路と対向している第１のグランド導体と、
前記信号線路に対して積層方向の他方側に設けられ、前記誘電体層を介して該信号線路と対向している第２のグランド導体と、
前記誘電体層を貫通する複数の層間接続導体及び前記誘電体層に設けられた複数の接続導体が接続されることにより構成され、前記第１のグランド導体と前記第２のグランド導体とを接続する接続部と、
を備えており、
前記接続部の積層方向の両端を構成する前記層間接続導体は、該接続部において前記素体が曲げられる区間の中立面を通過する前記層間接続導体よりも、該素体が折り曲げられる区間の中央から離れた位置に設けられていること、
を特徴とする高周波信号伝送線路。
【請求項３】
前記接続部は、前記素体が折り曲げられる区間に設けられていること、
を特徴とする請求項１又は請求項２のいずれかに記載の高周波信号伝送線路。
【請求項４】
前記第２のグランド導体には、前記信号線路に沿って並ぶ複数の開口が設けられており、
前記接続部は、隣り合う前記開口に挟まれた領域において前記第２のグランド導体に接続されていること、
を特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の高周波信号伝送線路。
【請求項５】
前記中立面を通過する前記層間接続導体よりも積層方向の一方側及び他方側に設けられている前記誘電体層において、該中立面を通過する該層間接続導体と重なる部分には、開口が設けられていること、
を特徴とする請求項２に記載の高周波信号伝送線路。
【請求項６】
物品と、
折り曲げて用いられている高周波信号伝送線路と、
を備えており、
前記高周波信号伝送線路は、
複数の誘電体層が積層されて構成されている素体と、
前記素体内に設けられている信号線路と、
前記信号線路に対して積層方向の一方側に設けられ、前記誘電体層を介して該信号線路と対向している第１のグランド導体と、
前記信号線路に対して積層方向の他方側に設けられ、前記誘電体層を介して該信号線路と対向している第２のグランド導体と、
前記誘電体層を貫通する複数の層間接続導体及び前記誘電体層に設けられた複数の接続導体が接続されることにより構成され、前記第１のグランド導体と前記第２のグランド導体とを接続する接続部と、
を備えており、
前記接続部の積層方向の両端を構成する前記層間接続導体は、該接続部において前記素体が曲げられる区間の中立面を通過する前記層間接続導体よりも、該素体が折り曲げられる区間の中央から離れた位置に設けられており、
前記信号線路に対して前記第１のグランド導体側の前記素体の主面が前記物品に接触していること、
を特徴とする電子機器。
【請求項７】
前記第２のグランド導体には、前記信号線路に沿って並ぶ複数の開口が設けられていること、
を特徴とする請求項６に記載の電子機器。
【請求項８】
前記物品及び前記高周波信号伝送線路を収容する筐体を、
更に備えており、
前記信号線路に対して前記第２のグランド導体側の前記素体の主面が前記筐体の内周面と所定の間隔をあけて対向していること、
を特徴とする請求項７に記載の電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高周波信号伝送線路及び電子機器に関し、より特定的には、高周波信号が伝送される高周波信号伝送線路及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の高周波信号伝送線路としては、例えば、特許文献１に記載の信号線路が知られている。特許文献１に記載の信号線路は、積層体、信号線、第１のグランド導体、第２のグランド導体及びビアホール導体を備えている。積層体は、複数の絶縁体層が積層されて構成されている。信号線は、積層体内に設けられている線状の導体である。第１のグランド導体及び第２のグランド導体は、絶縁体層と共に積層され、信号線を挟んで互いに対向している。信号線、第１のグランド導体及び第２のグランド導体は、ストリップライン構造をなしている。ビアホール導体は、絶縁体層を貫通しており、第１のグランド導体と第２のグランド導体とを接続している。【０００３】
以上のように構成された特許文献１に記載の信号線路では、積層体を折り曲げることが困難であるという問題がある。より詳細には、特許文献１に記載の信号線路では、複数のビアホール導体が積層方向に一直線に並ぶように接続されることにより円柱状をなしている。このような一直線に並んで円柱状をなした複数のビアホール導体は変形しにくい。よって、積層体を折り曲げることをビアホール導体が妨げてしまう。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】国際公開第２０１１／００７６６０号パンフレット
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
そこで、本発明の目的は、容易に折り曲げることができる高周波信号伝送線路及び電子機器を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の第１の形態に係る高周波信号線路は、折り曲げて用いられる高周波信号伝送線路であって、複数の誘電体層が積層されて構成されている素体と、前記素体内に設けられている信号線路と、前記信号線路に対して積層方向の一方側に設けられ、前記誘電体層を介して該信号線路と対向している第１のグランド導体と、前記信号線路に対して積層方向の他方側に設けられ、前記誘電体層を介して該信号線路と対向している第２のグランド導体と、前記誘電体層を貫通する複数の層間接続導体及び前記誘電体層に設けられた複数の接続導体が接続されることにより構成され、前記第１のグランド導体と前記第２のグランド導体とを接続する接続部と、を備えており、前記接続部の積層方向の両端を構成する前記層間接続導体は、該接続部の残余の前記層間接続導体よりも、前記素体が折り曲げられる区間の中央から離れた位置に設けられており、前記残余の層間接続導体よりも積層方向の一方側及び他方側に設けられている前記誘電体層において、該残余の層間接続導体と重なる部分には、開口が設けられていること、を特徴とする。
【０００７】
本発明の第２の形態に係る高周波信号伝送線路は、折り曲げて用いられる高周波信号伝送線路であって、複数の誘電体層が積層されて構成されている素体と、前記素体内に設けられている信号線路と、前記信号線路に対して積層方向の一方側に設けられ、前記誘電体層を介して該信号線路と対向している第１のグランド導体と、前記信号線路に対して積層方向の他方側に設けられ、前記誘電体層を介して該信号線路と対向している第２のグランド導体と、前記誘電体層を貫通する複数の層間接続導体及び前記誘電体層に設けられた複数の接続導体が接続されることにより構成され、前記第１のグランド導体と前記第２のグランド導体とを接続する接続部と、を備えており、前記接続部の積層方向の両端を構成する前記層間接続導体は、該接続部において前記素体が曲げられる区間の中立面を通過する前記層間接続導体よりも、該素体が折り曲げられる区間の中央から離れた位置に設けられていること、を特徴とする。【０００９】
本発明の第一の形態に係る電子機器は、物品と、折り曲げて用いられている高周波信号伝送線路と、を備えており、前記高周波信号伝送線路は、複数の誘電体層が積層されて構成されている素体と、前記素体内に設けられている信号線路と、前記信号線路に対して積層方向の一方側に設けられ、前記誘電体層を介して該信号線路と対向している第１のグランド導体と、前記信号線路に対して積層方向の他方側に設けられ、前記誘電体層を介して該信号線路と対向している第２のグランド導体と、前記誘電体層を貫通する複数の層間接続導体及び前記誘電体層に設けられた複数の接続導体が接続されることにより構成され、前記第１のグランド導体と前記第２のグランド導体とを接続する接続部と、を備えており、前記接続部の積層方向の両端を構成する前記層間接続導体は、該接続部において前記素体が曲げられる区間の中立面を通過する前記層間接続導体よりも、該素体が折り曲げられる区間の中央から離れた位置に設けられており、前記信号線路に対して前記第１のグランド導体側の前記素体の主面が前記物品に接触していること、を特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、誘電体素体を容易に折り曲げることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１Ａ】一実施形態に係る高周波信号伝送線路の外観斜視図である。
【図１Ｂ】一実施形態に係る高周波信号伝送線路の外観斜視図である。
【図２】一実施形態に係る高周波信号伝送線路の誘電体素体の分解図である。
【図３Ａ】一実施形態に係る高周波信号伝送線路の断面構造図である。
【図３Ｂ】中立面の算出に用いた積層体の断面構造図である。
【図４Ａ】高周波信号伝送線路のコネクタの外観斜視図である。
【図４Ｂ】高周波信号伝送線路のコネクタの断面構造図である。
【図５Ａ】高周波信号伝送線路が用いられた電子機器をｙ軸方向から平面視した図である。
【図５Ｂ】高周波信号伝送線路が用いられた電子機器をｚ軸方向から平面視した図である。
【図５Ｃ】圧着前の誘電体シートの断面構造図である。
【図６】比較例に係る高周波信号伝送線路の接続部の断面構造図である。
【図７】高周波信号伝送線路の接続部の断面構造図である。
【図８Ａ】高周波信号伝送線路の誘電体素体の分解図である。
【図８Ｂ】高周波信号伝送線路の接続部の断面構造図である。
【図８Ｃ】圧着前の誘電体シートの断面構造図である。
【図９】変形例に係る回路基板の外観斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下に、本発明の実施形態に係る高周波信号伝送線路及び電子機器について図面を参照しながら説明する。
【００１３】
（高周波信号伝送線路の構成）
以下に、本発明の一実施形態に係る高周波信号伝送線路の構成について図面を参照しながら説明する。図１Ａ及び図１Ｂは、一実施形態に係る高周波信号伝送線路１０の外観斜視図である。図２は、一実施形態に係る高周波信号伝送線路１０の誘電体素体１２の分解図である。図３Ａは、一実施形態に係る高周波信号伝送線路１０の断面構造図である。図３Ａでは、ビアホール導体Ｂ１〜Ｂ８，Ｂ１１〜Ｂ１８及び接続導体２５ａ，２５ｂ，２６ａ，２６ｂ，２７ａ，２７ｂ，４５ａ，４５ｂ，４６ａ，４６ｂ，４７ａ，４７ｂを重ねて図示した。図１ないし図３Ａにおいて、高周波信号伝送線路１０の積層方向をｚ軸方向と定義する。また、高周波信号伝送線路１０の長手方向をｘ軸方向と定義し、ｘ軸方向及びｚ軸方向に直交する方向をｙ軸方向と定義する。
【００１４】
高周波信号伝送線路１０は、可撓性を有しており、折り曲げて用いられる。高周波信号伝送線路１０は、図１Ａないし図３Ａに示すように、誘電体素体１２、外部端子１６ａ，１６ｂ、信号線路２０、グランド導体２２，２４、接続部Ｃ１〜Ｃ４（図３Ａ参照）及びコネクタ１００ａ，１００ｂを備えている。
【００１５】
誘電体素体１２は、ｚ軸方向から平面視したときに、ｘ軸方向に延在しており、線路部１２ａ、接続部１２ｂ，１２ｃを含んでいる。誘電体素体１２は、図２に示すように、保護層１４及び誘電体シート（絶縁体層）１８ａ〜１８ｅがｚ軸方向の正方向側から負方向側へとこの順に積層されて構成されている可撓性の積層体である。以下では、誘電体素体１２のｚ軸方向の正方向側の主面を表面と称し、誘電体素体１２のｚ軸方向の負方向側の主面を裏面と称す。
【００１６】
線路部１２ａは、ｘ軸方向に延在している。接続部１２ｂ，１２ｃはそれぞれ、線路部１２ａのｘ軸方向の負方向側の端部及びｘ軸方向の正方向側の端部に接続されており、矩形状をなしている。接続部１２ｂ，１２ｃのｙ軸方向の幅は、線路部１２ａのｙ軸方向の幅よりも広い。
【００１７】
誘電体シート１８ａ〜１８ｅは、ｚ軸方向から平面視したときに、ｘ軸方向に延在しており、誘電体素体１２と同じ形状をなしている。誘電体シート１８ａ〜１８ｅは、ポリイミドや液晶ポリマー等の可撓性を有する熱可塑性樹脂により構成されている。誘電体シート１８ａ〜１８ｅの積層後のそれぞれの厚さは、例えば、１０μｍ〜１５０μｍである。以下では、誘電体シート１８ａ〜１８ｅのｚ軸方向の正方向側の主面を表面と称し、誘電体シート１８ａ〜１８ｅのｚ軸方向の負方向側の主面を裏面と称す。
【００１８】
また、誘電体シート１８ａは、線路部１８ａ−ａ及び接続部１８ａ−ｂ，１８ａ−ｃにより構成されている。誘電体シート１８ｂは、線路部１８ｂ−ａ及び接続部１８ｂ−ｂ，１８ｂ−ｃにより構成されている。誘電体シート１８ｃは、線路部１８ｃ−ａ及び接続部１８ｃ−ｂ，１８ｃ−ｃにより構成されている。誘電体シート１８ｄは、線路部１８ｄ−ａ及び接続部１８ｄ−ｂ，１８ｄ−ｃにより構成されている。誘電体シート１８ｅは、線路部１８ｅ−ａ及び接続部１８ｅ−ｂ，１８ｅ−ｃにより構成されている。線路部１８ａ−ａ，１８ｂ−ａ，１８ｃ−ａ，１８ｄ−ａ，１８ｅ−ａは、線路部１２ａを構成している。接続部１８ａ−ｂ，１８ｂ−ｂ，１８ｃ−ｂ，１８ｄ−ｂ，１８ｅ−ｂは、接続部１２ｂを構成している。接続部１８ａ−ｃ，１８ｂ−ｃ，１８ｃ−ｃ，１８ｄ−ｃ，１８ｅ−ｃは、接続部１２ｃを構成している。
【００１９】
外部端子１６ａは、図１Ａ及び図２に示すように、接続部１８ａ−ｂの表面の中央近傍に設けられている矩形状の導体である。外部端子１６ｂは、図１Ａないし図２に示すように、接続部１８ａ−ｃの表面の中央近傍に設けられている矩形状の導体である。外部端子１６ａ，１６ｂは、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。また、外部端子１６ａ，１６ｂの表面には、金めっきが施されている。
【００２０】
信号線路２０は、図２に示すように、誘電体素体１２内に設けられている線状導体であり、誘電体シート１８ｄの表面をｘ軸方向に延在している。信号線路２０の両端はそれぞれ、ｚ軸方向から平面視したときに、外部端子１６ａ，１６ｂと重なっている。信号線路２０は、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。
【００２１】
ビアホール導体ｂ１１，ｂ１３，ｂ１５はそれぞれ、誘電体シート１８ａ〜１８ｃの接続部１８ａ−ｂ〜１８ｃ−ｂをｚ軸方向に貫通しており、互いに接続されることにより１本のビアホール導体を構成している。そして、ビアホール導体ｂ１１，ｂ１３，ｂ１５は、外部端子１６ａと信号線路２０のｘ軸方向の負方向側の端部を接続している。
【００２２】
ビアホール導体ｂ１２，ｂ１４，ｂ１６はそれぞれ、誘電体シート１８ａ〜１８ｃの接続部１８ａ−ｃ〜１８ｃ−ｃをｚ軸方向に貫通しており、互いに接続されることにより１本のビアホール導体を構成している。そして、ビアホール導体ｂ１２，ｂ１４，ｂ１６は、外部端子１６ｂと信号線路２０のｘ軸方向の正方向側の端部を接続している。ビアホール導体ｂ１１〜ｂ１６は、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。
【００２３】
グランド導体２２（第１のグランド導体）は、図２及び図３Ａに示すように、誘電体素体１２内において信号線路２０に対してｚ軸方向の正方向側に設けられ、より詳細には、誘電体シート１８ａの表面に設けられている。グランド導体２２は、誘電体シート１８ａの表面において信号線路２０に沿ってｘ軸方向に延在しており、図２に示すように、誘電体シート１８ａ〜１８ｃを介して信号線路２０と対向している。
【００２４】
また、グランド導体２２は、線路部２２ａ、端子部２２ｂ，２２ｃにより構成されている。線路部２２ａは、線路部１８ａ−ａの表面に設けられ、ｘ軸方向に延在している。線路部２２ａには、実質的に開口が設けられていない。すなわち、線路部２２ａは、線路部１２ａにおける信号線路２０に沿ってｘ軸方向に連続的に延在する電極、所謂ベタ状の電極である。ただし、線路部２２ａは線路部１２ａを完全に覆っている必要はなく、例えば、誘電体シート１８の熱可塑性樹脂が熱圧着される際に発生するガスを逃がすために線路部２２ａの所定の位置に微小な孔などが設けられるものであってもよい。線路部２２ａは、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。
【００２５】
端子部２２ｂは、接続部１８ａ−ｂの表面に設けられ、外部端子１６ａの周囲を囲む矩形状の環をなしている。端子部２２ｂは、線路部２２ａのｘ軸方向の負方向側の端部に接続されている。端子部２２ｃは、接続部１８ａ−ｃの表面に設けられ、外部端子１６ｂの周囲を囲む環状の矩形状をなしている。端子部２２ｃは、線路部２２ａのｘ軸方向の正方向側の端部に接続されている。
【００２６】
グランド導体２４（第２のグランド導体）は、図２及び図３Ａに示すように、信号線路２０に沿ってｘ軸方向に延在している。より詳細には、グランド導体２４は、誘電体素体１２内において信号線路２０に対してｚ軸方向の負方向側に設けられ、具体的には、誘電体シート１８ｅの表面に設けられている。グランド導体２４は、誘電体シート１８ｅの表面において信号線路２０に沿ってｘ軸方向に延在しており、図２に示すように、誘電体シート１８ｄを介して信号線路２０と対向している。グランド導体２４は、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。
【００２７】
また、グランド導体２４は、線路部２４ａ及び端子部２４ｂ，２４ｃにより構成されている。線路部２４ａは、線路部１８ｅ−ａの表面に設けられ、ｘ軸方向に延在している。そして、線路部２４ａは、導体層が形成されていない複数の開口３０と導体層が形成されている部分である複数のブリッジ部６０とが交互に信号線路２０に沿って等間隔に並ぶように設けられることにより、はしご状をなしている。開口３０は、図２に示すように、ｚ軸方向から平面視したときに、信号線路２０と重なっている。これにより、信号線路２０は、ｚ軸方向から平面視したときに、開口３０とブリッジ部６０と交互に重なっている。
【００２８】
ここで、開口３０の形状について説明する。開口３０は、開口部３０ａ〜３０ｃにより構成されている。開口部３０ｂは、ｘ軸方向に延在する長方形状の開口である。開口部３０ａは、開口部３０ｂのｘ軸方向の負方向側に設けられている矩形状の開口である。開口部３０ｃは、開口部３０ｂのｘ軸方向の正方向側に設けられている矩形状の開口である。開口部３０ｂのｙ軸方向の幅Ｗ１は、開口部３０ａ，３０ｃのｙ軸方向の幅Ｗ２よりも大きい。これにより、開口３０は、十字型をなしている。また、信号線路２０は、ｚ軸方向から平面視したときに、開口３０のｙ軸方向の中央を横切っている。
【００２９】
以下では、高周波信号伝送線路１０において、開口部３０ｂが設けられている領域を領域Ａ１とし、ブリッジ部６０が設けられている領域を領域Ａ２とし、開口部３０ａが設けられている領域を領域Ａ３とし、開口部３０ｃが設けられている領域を領域Ａ４とする。
【００３０】
端子部２４ｂは、接続部１８ｅ−ｂの表面に設けられ、接続部１８ｅ−ｂの中央を囲む矩形状の環をなしている。端子部２４ｂは、線路部２４ａのｘ軸方向の負方向側の端部に接続されている。
【００３１】
端子部２４ｃは、接続部１８ｅ−ｃの表面に設けられ、接続部１８ｅ−ｃの中央を囲む矩形状の環をなしている。端子部２４ｃは、線路部２４ａのｘ軸方向の正方向側の端部に接続されている。
【００３２】
また、図２に示すように、領域Ａ１における信号線路２０の線幅Ｗａは、領域Ａ２，Ａ３，Ａ４における信号線路２０の線幅Ｗｂよりも大きい。領域Ａ１では、信号線路２０とグランド導体２４との距離が大きいので、線幅Ｗａを大きくして信号線路２０の高周波抵抗値（導体損）を小さくしている。一方、領域Ａ２，Ａ３，Ａ４では、信号線路２０とグランド導体２４との距離が小さいので、線幅Ｗｂを小さくして信号線のインピーダンスの低下を抑制している。
【００３３】
次に、接続部Ｃ１〜Ｃ４について説明する。高周波信号伝送線路１０は、前記の通り、折り曲げて用いられる。以下では、高周波信号伝送線路１０の誘電体素体１２において折り曲げられる区間を区間Ｄと定義する。誘電体素体１２は、区間Ｄにおいてｚ軸方向の負方向側に突出するように折り曲げられる。また、区間Ｄのｘ軸方向の長さの中央を曲げ中央と呼ぶ。
【００３４】
接続部Ｃ１は、グランド導体２２の線路部２２ａとグランド導体２４の線路部２４ａとを接続し、ビアホール導体（層間接続導体）Ｂ１〜Ｂ４及び接続導体２５ａ〜２７ａが接続されることにより構成されている。接続部Ｃ１は、図２に示すように、区間Ｄにおいて曲げ中央よりもｘ軸方向の負方向側に設けられている。更に、接続部Ｃ１は、信号線路２０よりもｙ軸方向の正方向側に設けられている。
【００３５】
ビアホール導体Ｂ１は、誘電体シート１８ａの線路部１８ａ−ａをｚ軸方向に貫通しており、信号線路２０よりもｙ軸方向の正方向側に設けられている。ビアホール導体Ｂ２は、誘電体シート１８ｂの線路部１８ｂ−ａをｚ軸方向に貫通しており、信号線路２０よりもｙ軸方向の正方向側に設けられている。ビアホール導体Ｂ２の中心軸は、ビアホール導体Ｂ１の中心軸よりもｘ軸方向の正方向側に位置している。ビアホール導体Ｂ３は、誘電体シート１８ｃの線路部１８ｃ−ａをｚ軸方向に貫通しており、信号線路２０よりもｙ軸方向の正方向側に設けられている。ビアホール導体Ｂ３の中心軸は、ビアホール導体Ｂ２の中心軸と一致しており、ビアホール導体Ｂ１の中心軸よりもｘ軸方向の正方向側に位置している。ビアホール導体Ｂ４は、誘電体シート１８ｄの線路部１８ｄ−ａをｚ軸方向に貫通しており、信号線路２０よりもｙ軸方向の正方向側に設けられている。ビアホール導体Ｂ４の中心軸は、ビアホール導体Ｂ２，Ｂ３の中心軸よりもｘ軸方向の負方向側に位置している。ビアホール導体Ｂ１〜Ｂ４は、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。
【００３６】
接続導体２５ａは、誘電体シート１８ｂの線路部１８ｂ−ａに設けられ、信号線路２０よりもｙ軸方向の正方向側に設けられている。接続導体２５ａは、ｘ軸方向に延在する長方形状をなし、ビアホール導体Ｂ１とビアホール導体Ｂ２とを接続している。接続導体２５ａのｘ軸方向の負方向側の端部には、ビアホール導体Ｂ１のｚ軸方向の負方向側の端部が接続されている。接続導体２５ａのｘ軸方向の正方向側の端部には、ビアホール導体Ｂ２のｚ軸方向の正方向側の端部が接続されている。
【００３７】
接続導体２６ａは、誘電体シート１８ｃの線路部１８ｃ−ａに設けられ、信号線路２０よりもｙ軸方向の正方向側に設けられている。接続導体２６ａは、ｘ軸方向に延在する長方形状をなし、ビアホール導体Ｂ２とビアホール導体Ｂ３とを接続している。接続導体２６ａのｘ軸方向の正方向側の端部には、ビアホール導体Ｂ２のｚ軸方向の負方向側の端部が接続されている。接続導体２６ａのｘ軸方向の正方向側の端部には、ビアホール導体Ｂ３のｚ軸方向の正方向側の端部が接続されている。
【００３８】
接続導体２７ａは、誘電体シート１８ｄの線路部１８ｄ−ａに設けられ、信号線路２０よりもｙ軸方向の正方向側に設けられている。接続導体２７ａは、Ｌ字型をなし、ビアホール導体Ｂ３とビアホール導体Ｂ４とを接続している。接続導体２７ａのｘ軸方向の正方向側の端部には、ビアホール導体Ｂ３のｚ軸方向の負方向側の端部が接続されている。接続導体２７ａのｘ軸方向の負方向側の端部には、ビアホール導体Ｂ４のｚ軸方向の正方向側の端部が接続されている。
【００３９】
以上のように構成された接続部Ｃ１では、図３Ａに示すように、接続部Ｃ１のｚ軸方向の両端を構成するビアホール導体Ｂ１，Ｂ４は、接続部Ｃ１の残余のビアホール導体Ｂ２，Ｂ３よりも、曲げ中央から離れた位置に設けられている。ここで、グランド導体２２は、誘電体素体１２の表面近傍に設けられ、グランド導体２４は、誘電体素体１２の裏面近傍に設けられている。そのため、中立面Ｓ０は、グランド導体２２とグランド導体２４との間に位置する。中立面Ｓ０とは、区間Ｄにおいて誘電体素体１２が折り曲げられた際に、圧縮応力及び引っ張り応力のいずれもが発生しない面である。ビアホール導体Ｂ１〜Ｂ４は、略等しい長さを有しているので、中立面Ｓ０は、図３Ａに示すように、ビアホール導体Ｂ２を横切っている。したがって、本実施形態では、接続部Ｃ１のｚ軸方向の両端を構成するビアホール導体Ｂ１，Ｂ４は、中立面Ｓ０を通過するビアホール導体Ｂ２よりも、曲げ中央から離れた位置に設けられている。
【００４０】
参考までに、誘電体素体１２のような複数種類の材料からなる絶縁体層が積層された積層体の中立面の位置の算出について図面を参照しながら説明する。図３Ｂは、中立面の算出に用いた積層体３００の断面構造図である。図３Ｂでは、積層方向をＹ軸方向と定義する。Ｙ軸方向の正方向側は、図３Ｂに示すように積層方向の下方向である。
【００４１】
積層体３００は、ｎ層の絶縁体層が積層されて構成されている。ここで、ｉ層目のヤング率をＥｉとし、ｉ層目の絶縁体層とｉ＋１層目の絶縁体層との境界のＹ座標をｌｉとすると、中立面のＹ座標Ｙ０は、以下の式（１）に表わされる。
【００４２】
【数１】
0005741781.tif 000002
【００４３】
以上の式（１）を用いることにより、誘電体素体１２の中立面Ｓ０の位置を算出することができる。
【００４４】
グランド導体２２の線路部２２ａとグランド導体２４の線路部２４ａとを接続し、ビアホール導体Ｂ５〜Ｂ８及び接続導体２５ｂ〜２７ｂが接続されることにより構成される接続部Ｃ２は、図２に示すように、信号線路２０に関して接続部Ｃ１と略線対称な構造を有しているので、詳細な説明を省略する。
【００４５】
接続部Ｃ３は、グランド導体２２の線路部２２ａとグランド導体２４の線路部２４ａとを接続し、ビアホール導体（層間接続導体）Ｂ１１〜Ｂ１４及び接続導体４５ａ〜４７ａが接続されることにより構成されている。接続部Ｃ３は、図２に示すように、折り曲げ区間において曲げ中央よりもｘ軸方向の正方向側に設けられている。更に、接続部Ｃ３は、信号線路２０よりもｙ軸方向の正方向側に設けられている。
【００４６】
ビアホール導体Ｂ１１は、誘電体シート１８ａの線路部１８ａ−ａをｚ軸方向に貫通しており、信号線路２０よりもｙ軸方向の正方向側に設けられている。ビアホール導体Ｂ１２は、誘電体シート１８ｂの線路部１８ｂ−ａをｚ軸方向に貫通しており、信号線路２０よりもｙ軸方向の正方向側に設けられている。ビアホール導体Ｂ１２の中心軸は、ビアホール導体Ｂ１１の中心軸よりもｘ軸方向の負方向側に位置している。ビアホール導体Ｂ１３は、誘電体シート１８ｃの線路部１８ｃ−ａをｚ軸方向に貫通しており、信号線路２０よりもｙ軸方向の正方向側に設けられている。ビアホール導体Ｂ１３の中心軸は、ビアホール導体Ｂ１２の中心軸と一致しており、ビアホール導体Ｂ１１の中心軸よりもｘ軸方向の負方向側に位置している。ビアホール導体Ｂ１４は、誘電体シート１８ｄの線路部１８ｄ−ａをｚ軸方向に貫通しており、信号線路２０よりもｙ軸方向の正方向側に設けられている。ビアホール導体Ｂ１４の中心軸は、ビアホール導体Ｂ１２，Ｂ１３の中心軸よりもｘ軸方向の正方向側に位置している。ビアホール導体Ｂ１１〜Ｂ１４は、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。
【００４７】
接続導体４５ａは、誘電体シート１８ｂの線路部１８ｂ−ａに設けられ、信号線路２０よりもｙ軸方向の正方向側に設けられている。接続導体４５ａは、ｘ軸方向に延在する長方形状をなし、ビアホール導体Ｂ１１とビアホール導体Ｂ１２とを接続している。接続導体４５ａのｘ軸方向の正方向側の端部には、ビアホール導体Ｂ１１のｚ軸方向の負方向側の端部が接続されている。接続導体４５ａのｘ軸方向の負方向側の端部には、ビアホール導体Ｂ１２のｚ軸方向の正方向側の端部が接続されている。
【００４８】
接続導体４６ａは、誘電体シート１８ｃの線路部１８ｃ−ａに設けられ、信号線路２０よりもｙ軸方向の正方向側に設けられている。接続導体４６ａは、ｘ軸方向に延在する長方形状をなし、ビアホール導体Ｂ１２とビアホール導体Ｂ１３とを接続している。接続導体４６ａのｘ軸方向の負方向側の端部には、ビアホール導体Ｂ１２のｚ軸方向の負方向側の端部が接続されている。接続導体４６ａのｘ軸方向の負方向側の端部には、ビアホール導体Ｂ１３のｚ軸方向の正方向側の端部が接続されている。
【００４９】
接続導体４７ａは、誘電体シート１８ｄの線路部１８ｄ−ａに設けられ、信号線路２０よりもｙ軸方向の正方向側に設けられている。接続導体４７ａは、Ｌ字型をなし、ビアホール導体Ｂ１３とビアホール導体Ｂ１４とを接続している。接続導体４７ａのｘ軸方向の負方向側の端部には、ビアホール導体Ｂ１３のｚ軸方向の負方向側の端部が接続されている。接続導体４７ａのｘ軸方向の正方向側の端部には、ビアホール導体Ｂ１４のｚ軸方向の正方向側の端部が接続されている。
【００５０】
以上のように構成された接続部Ｃ３では、図３Ａに示すように、接続部Ｃ３のｚ軸方向の両端を構成するビアホール導体Ｂ１１，Ｂ１４は、接続部Ｃ３の残余のビアホール導体Ｂ１２，Ｂ１３よりも、曲げ中央から離れた位置に設けられている。本実施形態では、接続部Ｃ３のｚ軸方向の両端を構成するビアホール導体Ｂ１１，Ｂ１４は、中立面Ｓ０を通過するビアホール導体Ｂ１２よりも、曲げ中央から離れた位置に設けられている。
【００５１】
グランド導体２２の線路部２２ａとグランド導体２４の線路部２４ａとを接続し、ビアホール導体Ｂ１５〜Ｂ１８及び接続導体４５ｂ〜４７ｂが接続されることにより構成される接続部Ｃ４は、図２に示すように、信号線路２０に関して接続部Ｃ３と略線対称な構造を有しているので、詳細な説明を省略する。
【００５２】
また、接続部Ｃ１〜Ｃ４はそれぞれ、隣り合う開口３０に挟まれた領域Ａ２においてグランド導体２４に接続されている。すなわち、ビアホール導体Ｂ４，Ｂ８，Ｂ１４，Ｂ１８のｚ軸方向の負方向側の端部は、ブリッジ部６０に接続されている。
【００５３】
以上のように、信号線路２０及びグランド導体２２，２４は、トリプレート型のストリップライン構造をなしている。そして、信号線路２０とグランド導体２２との間隔は、誘電体シート１８ａ〜１８ｃの合計の厚さと略等しく、例えば、５０μｍ〜３００μｍである。本実施形態では、信号線路２０とグランド導体２２との間隔は、１５０μｍである。一方、信号線路２０とグランド導体２４との間隔は、誘電体シート１８ｄの厚さと略等しく、例えば、１０μｍ〜１５０μｍである。本実施形態では、信号線路２０とグランド導体２４との間隔は、５０μｍである。すなわち、誘電体シート１８ａ〜１８ｃの合計の厚さは、誘電体シート１８ｄの厚さよりも大きくなるように設計されている。なお、グランド導体２２，２４のｙ軸方向の幅は例えば約８００μｍである。このように高周波信号伝送線路１０は厚みが薄く、幅が広い高周波信号伝送線路となっている。
【００５４】
保護層１４は、誘電体シート１８ａの表面の略全面を覆っている。これにより、保護層１４は、グランド導体２２を覆っている。保護層１４は、例えば、レジスト材等の可撓性樹脂からなる。
【００５５】
また、保護層１４は、図２に示すように、線路部１４ａ及び接続部１４ｂ，１４ｃにより構成されている。線路部１４ａは、線路部１８ａ−ａの表面の全面を覆うことにより、線路部２２ａを覆っている。
【００５６】
接続部１４ｂは、線路部１４ａのｘ軸方向の負方向側の端部に接続されており、接続部１８ａ−ｂの表面を覆っている。ただし、接続部１４ｂには、開口Ｈａ〜Ｈｄが設けられている。開口Ｈａは、接続部１４ｂの略中央に設けられている矩形状の開口である。外部端子１６ａは、開口Ｈａを介して外部に露出している。また、開口Ｈｂは、開口Ｈａのｙ軸方向の正方向側に設けられている矩形状の開口である。開口Ｈｃは、開口Ｈａのｘ軸方向の負方向側に設けられている矩形状の開口である。開口Ｈｄは、開口Ｈａのｙ軸方向の負方向側に設けられている矩形状の開口である。端子部２２ｂは、開口Ｈｂ〜Ｈｄを介して外部に露出することにより、外部端子として機能する。
【００５７】
接続部１４ｃは、線路部１４ａのｘ軸方向の正方向側の端部に接続されており、接続部１８ａ−ｃの表面を覆っている。ただし、接続部１４ｃには、開口Ｈｅ〜Ｈｈが設けられている。開口Ｈｅは、接続部１４ｃの略中央に設けられている矩形状の開口である。外部端子１６ｂは、開口Ｈｅを介して外部に露出している。また、開口Ｈｆは、開口Ｈｅのｙ軸方向の正方向側に設けられている矩形状の開口である。開口Ｈｇは、開口Ｈｅのｘ軸方向の正方向側に設けられている矩形状の開口である。開口Ｈｈは、開口Ｈｅのｙ軸方向の負方向側に設けられている矩形状の開口である。端子部２２ｃは、開口Ｈｆ〜Ｈｈを介して外部に露出することにより、外部端子として機能する。
【００５８】
コネクタ１００ａ，１００ｂはそれぞれ、接続部１２ｂ，１２ｃの表面上に実装され、信号線路２０及びグランド導体２２，２４と電気的に接続される。コネクタ１００ａ，１００ｂの構成は同じであるので、以下にコネクタ１００ｂの構成を例に挙げて説明する。図４Ａは、高周波信号伝送線路１０のコネクタ１００ｂの外観斜視図である。図４Ｂは、高周波信号伝送線路１０のコネクタ１００ｂの断面構造図である。
【００５９】
コネクタ１００ｂは、図１、図４Ａ及び図４Ｂに示すように、コネクタ本体１０２、外部端子１０４，１０６及び中心導体１０８及び外部導体１１０により構成されている。コネクタ本体１０２は、矩形状の板に円筒が連結された形状をなしており、樹脂等の絶縁材料により作製されている。
【００６０】
外部端子１０４は、コネクタ本体１０２の板のｚ軸方向の負方向側の面において、外部端子１６ｂと対向する位置に設けられている。外部端子１０６は、コネクタ本体１０２の板のｚ軸方向の負方向側の面において、開口Ｈｆ〜Ｈｈを介して露出している端子部２２ｃに対応する位置に設けられている。
【００６１】
中心導体１０８は、コネクタ本体１０２の円筒の中心に設けられており、外部端子１０４と接続されている。中心導体１０８は、高周波信号が入力又は出力する信号端子である。外部導体１１０は、コネクタ本体１０２の円筒の内周面に設けられており、外部端子１０６と接続されている。外部導体１１０は、接地電位に保たれるグランド端子である。
【００６２】
以上のように構成されたコネクタ１００ｂは、外部端子１０４が外部端子１６ｂと接続され、外部端子１０６が端子部２２ｃと接続されるように、接続部１２ｃの表面上に実装される。これにより、信号線路２０は、中心導体１０８に電気的に接続されている。また、グランド導体２２，２４は、外部導体１１０に電気的に接続されている。
【００６３】
高周波信号伝送線路１０は、以下に説明するように用いられる。図５Ａは、高周波信号伝送線路１０が用いられた電子機器２００をｙ軸方向から平面視した図である。図５Ｂは、高周波信号伝送線路１０が用いられた電子機器２００をｚ軸方向から平面視した図である。
【００６４】
電子機器２００は、高周波信号伝送線路１０、回路基板２０２ａ，２０２ｂ、レセプタクル２０４ａ，２０４ｂ、バッテリーパック（物品）２０６及び筐体２１０を備えている。
【００６５】
回路基板２０２ａには、例えば、アンテナを含む送信回路又は受信回路が設けられている。回路基板２０２ｂには、例えば、給電回路が設けられている。バッテリーパック２０６は、例えば、リチウムイオン２次電池であり、その表面が金属カバーにより覆われた構造を有している。回路基板２０２ａ、バッテリーパック２０６及び回路基板２０２ｂは、ｘ軸方向の負方向側から正方向側へとこの順に並んでいる。
【００６６】
誘電体素体１２の表面（信号線路２０に対してグランド導体２２側の主面）は、バッテリーパック２０６に対して接触している。そして、誘電体素体１２の表面とバッテリーパック２０６とは、接着剤等により固定されている。また、誘電体素体１２の裏面は、所定の隙間を空けて筐体２１０の内周面と対向している。
【００６７】
レセプタクル２０４ａ，２０４ｂはそれぞれ、回路基板２０２ａ，２０２ｂのｚ軸方向の負方向側の主面上に設けられている。レセプタクル２０４ａ，２０４ｂにはそれぞれ、コネクタ１００ａ，１００ｂが接続される。これにより、コネクタ１００ａ，１００ｂの中心導体１０８には、回路基板２０２ａ，２０２ｂ間を伝送される例えば２ＧＨｚの周波数を有する高周波信号がレセプタクル２０４ａ，２０４ｂを介して印加される。また、コネクタ１００ａ，１００ｂの外部導体１１０には、回路基板２０２ａ，２０２ｂ及びレセプタクル２０４ａ，２０４ｂを介して、グランド電位に保たれる。これにより、高周波信号伝送線路１０は、回路基板２０２ａ，２０２ｂ間を接続している。
【００６８】
ここで、バッテリーパック２０６のｚ軸方向の負方向側の主面とレセプタクル２０４ａ，２０４ｂとの間には段差が存在する。よって、誘電体素体１２の線路部１２ａの両端近傍が折り曲げられることによって、コネクタ１００ａ，１００ｂはそれぞれ、レセプタクル２０４ａ，２０４ｂに接続されている。よって、本実施形態に係る電子機器２００では、区間Ｄが２箇所存在している。そのため、図２に示す区間Ｄが誘電体素体１２の両端近傍のそれぞれに設けられている。また、図５Ａに示すように、接続部Ｃ１〜Ｃ４は、区間Ｄ内に設けられている。
【００６９】
（高周波信号伝送線路の製造方法）
以下に、高周波信号伝送線路１０の製造方法について図２、図３Ａ及び図５Ｃを参照しながら説明する。図５Ｃは、圧着前の誘電体シート１８ａ〜１８ｅの断面構造図である。以下では、一つの高周波信号伝送線路１０が作製される場合を例にとって説明するが、実際には、大判の誘電体シートが積層及びカットされることにより、同時に複数の高周波信号伝送線路１０が作製される。
【００７０】
まず、表面の全面に銅箔が形成された熱可塑性樹脂からなる誘電体シート１８ａ〜１８ｅを準備する。誘電体シート１８ａ〜１８ｅの銅箔の表面は、例えば、防錆のための亜鉛鍍金が施されることにより、平滑化されている。銅箔の厚さは、１０μｍ〜５０μｍである。
【００７１】
次に、フォトリソグラフィ工程により、図２に示すグランド導体２２及び外部端子１６ａ，１６ｂを誘電体シート１８ａの表面に形成する。具体的には、誘電体シート１８ａの銅箔上に、図２に示すグランド導体２２及び外部端子１６ａ，１６ｂと同じ形状のレジストを印刷する。そして、銅箔に対してエッチング処理を施すことにより、レジストにより覆われていない部分の銅箔を除去する。その後、レジストを除去する。これにより、図２に示すような、グランド導体２２及び外部端子１６ａ，１６ｂが誘電体シート１８ａの表面に形成される。
【００７２】
次に、フォトリソグラフィ工程により、図２に示す接続導体２５ａ，２５ｂ，４５ａ，４５ｂを誘電体シート１８ｂの表面に形成する。フォトリソグラフィ工程により、図２に示す接続導体２６ａ，２６ｂ，４６ａ，４６ｂを誘電体シート１８ｃの表面に形成する。フォトリソグラフィ工程により、図２に示す信号線路２０及び接続導体２７ａ，２７ｂ，４７ａ，４７ｂを誘電体シート１８ｄの表面に形成する。フォトリソグラフィ工程により、図２に示すグランド導体２４を誘電体シート１８ｅの表面に形成する。ここでのフォトリソグラフィ工程は、グランド導体２２及び外部端子１６ａ，１６ｂを形成する際のフォトリソグラフィ工程と同様であるので、説明を省略する。
【００７３】
次に、誘電体シート１８ａ〜１８ｄのビアホール導体Ｂ１〜Ｂ８，Ｂ１１〜Ｂ１８，ｂ１１〜ｂ１６が形成される位置に対して、裏面側からレーザービームを照射して、貫通孔を形成する。その後、誘電体シート１８ａ〜１８ｄに形成した貫通孔に対して、導電性ペーストを充填する。
【００７４】
次に、図５Ｃに示すように、誘電体シート１８ａ〜１８ｅをｚ軸方向の正方向側から負方向側へとこの順に積み重ねる。そして、誘電体シート１８ａ〜１８ｅに対してｚ軸方向の正方向側及び負方向側から熱及び圧力を加えることにより、誘電体シート１８ａ〜１８ｅを軟化させて圧着・一体化するとともに、貫通孔に充填された導電性ペーストを固化（金属化）して、図２に示すビアホール導体Ｂ１〜Ｂ８，Ｂ１１〜Ｂ１８，ｂ１１〜ｂ１６を形成する。この際、図３Ａに示すように、ビアホール導体Ｂ１〜Ｂ８，Ｂ１１〜Ｂ１８に押されて、接続導体２５ａ，２７ａ，２５ｂ，２７ｂ，４５ａ，４７ａ，４５ｂ，４７ｂが波打つような形状に変形する。なお、各誘電体シート１８ａ〜１８ｅは、熱圧着に代えてエポキシ系樹脂等の接着剤を用いて一体化されてもよい。なお、ビアホール導体Ｂ１〜Ｂ８，Ｂ１１〜Ｂ１８，ｂ１１〜ｂ１６は必ずしも貫通孔が導体で完全に埋められている必要はなく、例えば貫通孔の内周面のみに沿って導体を形成することによって形成されてもよい。
【００７５】
最後に、樹脂（レジスト）ペーストを塗布することにより、誘電体シート１８ａ上に保護層１４を形成する。
【００７６】
（効果）
以上のように構成された高周波信号伝送線路１０によれば、誘電体素体１２を容易に折り曲げることができる。より詳細には、特許文献１に記載の信号線路では、複数のビアホール導体が積層方向に一直線に並ぶように接続されることにより円柱状をなしている。このように一直線に接続されることにより円柱状をなした複数のビアホール導体は変形しにくい。よって、積層体を折り曲げることをビアホール導体が妨げてしまう。
【００７７】
一方、高周波信号伝送線路１０では、接続部Ｃ１〜Ｃ４が誘電体素体１２を折り曲げることを妨げにくい構造を有している。より詳細には、接続部Ｃ１では、ビアホール導体Ｂ１〜Ｂ４は、ｚ軸方向に一直線に並ぶように接続されていない。すなわち、ビアホール導体Ｂ１，Ｂ４の中心軸とビアホール導体Ｂ２，Ｂ３の中心軸とは、ｘ軸方向においてずれている。そして、ビアホール導体Ｂ１のｚ軸方向の負方向側の端部とビアホール導体Ｂ２のｚ軸方向の正方向側の端部とは、接続導体２５ａを介して接続されている。また、ビアホール導体Ｂ３のｚ軸方向の負方向側の端部とビアホール導体Ｂ４のｚ軸方向の正方向側の端部とは、接続導体２７ａを介して接続されている。接続導体２５ａ，２７ｂは、ビアホール導体Ｂ１〜Ｂ４と異なり、薄い導体層により作製されている。そのため、接続導体２５ａ，２７ａは、ビアホール導体Ｂ１〜Ｂ４に比べて容易に変形できる。よって、誘電体素体１２を折り曲げた際には、接続導体２５ａ，２７ａが変形する。以上より、接続部Ｃ１は、誘電体素体１２を折り曲げることを妨げにくい構造を有している。その結果、誘電体素体１２を容易に折り曲げることができる。なお、接続部Ｃ２〜Ｃ４についても接続部Ｃ１と同じことが言える。
【００７８】
また、高周波信号伝送線路１０によれば、以下の理由によっても、誘電体素体１２を容易に折り曲げることができる。より詳細には、誘電体素体１２が折り曲げられると、中立面Ｓ０では引っ張り応力も圧縮応力も発生しない。一方、中立面Ｓ０から外周側にいくにしたがって引っ張り応力が大きくなっていき、中立面Ｓ０から内周側にいくにしたがってでは圧縮応力が大きくなっていく。また、誘電体素体１２が折り曲げられる区間Ｄにおいて、区間Ｄの両端から曲げ中央に近づくにしたがって、応力が大きくなる。したがって、誘電体素体１２において、曲げ中央の近くであって、誘電体素体１２の表面及び裏面近傍には、変形しにくいビアホール導体を配置することは好ましくない。
【００７９】
そこで、高周波信号伝送線路１０では、接続部Ｃ１のｚ軸方向の両端を構成するビアホール導体Ｂ１，Ｂ４は、接続部Ｃ１の残余のビアホール導体Ｂ２，Ｂ３よりも、曲げ中央から離れた位置に設けられている。すなわち、ビアホール導体Ｂ１，Ｂ４は、中立面Ｓ０を通過するビアホール導体Ｂ２よりも、曲げ中央から離れた位置に設けられている。これにより、ビアホール導体Ｂ１，Ｂ４が大きな応力が発生する部分に配置されなくなるので、誘電体素体１２が折れ曲がることをビアホール導体Ｂ１，Ｂ４が阻害することが抑制されるようになる。以上より、高周波信号伝送線路１０によれば、誘電体素体１２をより容易に折り曲げることが可能となる。なお、接続部Ｃ２〜Ｃ４についても接続部Ｃ１と同じことが言える。
【００８０】
また、高周波信号伝送線路１０では、誘電体素体１２の表面及び裏面において、接続部Ｃ１，Ｃ２が設けられている部分が突出することが抑制される。図６は、比較例に係る高周波信号伝送線路６１０の接続部Ｃ６００の断面構造図である。
【００８１】
図６に示す高周波信号伝送線路６１０では、接続部Ｃ６００は、ビアホール導体Ｂ６０１〜Ｂ６０４が接続されることにより直線状をなしている。ビアホール導体Ｂ６０１〜Ｂ６０４は誘電体シート６１８ａ〜６１８ｅよりも硬いので、誘電体シート６１８ａ〜６１８ｅの熱圧着時にビアホール導体Ｂ６０１〜Ｂ６０４が高周波信号伝送線路６１０の表面及び裏面において突出してしまう。
【００８２】
一方、高周波信号伝送線路１０では、接続部Ｃ１は、ビアホール導体Ｂ１，Ｂ４の中心軸とビアホール導体Ｂ２，Ｂ３の中心軸とが重なっていない。すなわち、高周波信号伝送線路１０では、ビアホール導体Ｂ１〜Ｂ４が直線状に並んでいない。これにより、誘電体素体１２の表面及び裏面において、接続部Ｃ１が設けられている部分が突出することが抑制される。なお、接続部Ｃ２〜Ｃ４においても、接続部Ｃ１と同じことが言える。
【００８３】
また、高周波信号伝送線路１０では、誘電体素体１２が折り曲げられた際に、接続導体２５ａ〜２７ａ，２５ｂ〜２７ｂ，４５ａ〜４７ａ，４５ｂ〜４７ｂが変形するので、ビアホール導体Ｂ１〜Ｂ８，Ｂ１１〜Ｂ１８に大きな力が加わることが抑制される。そのため、変形させられようとするビアホール導体Ｂ１〜Ｂ８，Ｂ１１〜Ｂ１８の復元力がビアホール導体Ｂ１〜Ｂ８，Ｂ１１〜Ｂ１８の周囲の誘電体シート１８ａ〜１８ｄやグランド導体２２，２４に伝わることが抑制される。その結果、ビアホール導体Ｂ１〜Ｂ８，Ｂ１１〜Ｂ１８の付近で破損が発生することが抑制される。具体的には、ビアホール導体Ｂ１〜Ｂ８，Ｂ１１〜Ｂ１８と接続導体２５ａ〜２７ａ，２５ｂ〜２７ｂ，４５ａ〜４７ａ，４５ｂ〜４７ｂとの接続が切断されることが抑制される。よって、高周波信号伝送線路１０の挿入損失が低減される。
【００８４】
また、高周波信号伝送線路１０では、不要輻射が発生することが抑制される。より詳細には、特許文献１に記載の信号線路では、信号線の側方には、直線状に接続されたビアホール導体が設けられているのみである。そのため、ビアホール導体の間から不要輻射が発生しやすい。
【００８５】
一方、高周波信号伝送線路１０では、接続部Ｃ１〜Ｃ４は、ｙ軸方向から平面視したときに、ジグザグ状をなしている。そのため、接続部Ｃ１〜Ｃ４のｘ軸方向の幅は、特許文献１のビアホール導体のｘ軸方向の幅よりも広くなる。これにより、信号線路２０が放射したノイズは、接続部Ｃ１〜Ｃ４に吸収されやすくなる。よって、高周波信号伝送線路１０では、ｙ軸方向の負方向側および正方向側の側面からの不要輻射が抑制される。
【００８６】
また、高周波信号伝送線路１０では、接続部Ｃ１〜Ｃ４は、隣り合う開口３０に挟まれたブリッジ部６０においてグランド導体２４に接続されている。これにより、ブリッジ部６０の電位がグランドに近づくようになり、ブリッジ部６０に不要なインダクタ成分が発生することが抑制される。
【００８７】
また、高周波信号伝送線路１０では、領域Ａ１における信号線路２０の特性インピーダンスは、領域Ａ３，Ａ４における信号線路２０の特性インピーダンスよりも高い。また、領域Ａ３，Ａ４における信号線路２０の特性インピーダンスは、領域Ａ２における信号線路２０の特性インピーダンスよりも高い。より詳細には、信号線路２０の特性インピーダンスは、以下に説明するように、隣り合う２つのブリッジ部６０間において、一方のブリッジ部６０から他方のブリッジ部６０に近づくにしたがって、最小値Ｚ２、中間値Ｚ３、最大値Ｚ１と増加した後に、最大値Ｚ１、中間値Ｚ３、最小値Ｚ２へと減少するように変動する。
【００８８】
開口部３０ｂのｙ軸方向の幅Ｗ１は、開口部３０ａ，３０ｃのｙ軸方向の幅Ｗ２よりも大きい。そのため、領域Ａ１における信号線路２０とグランド導体２４との距離は、領域Ａ３，Ａ４における信号線路２０とグランド導体２４との距離よりも大きい。これにより、領域Ａ１における信号線路２０に発生する磁界の強度が、領域Ａ３，Ａ４における信号線路２０に発生する磁界の強度よりも大きくなる。すなわち、領域Ａ１における信号線路２０のインダクタンス成分が大きくなる。つまり、領域Ａ１における信号線路２０ではＬ性が支配的になる。
【００８９】
一方、領域Ａ２における信号線路２０とグランド導体２４との距離は、領域Ａ３，Ａ４における信号線路２０とグランド導体２４との距離よりも小さい。これにより、領域Ａ２における信号線路２０に発生する容量が、領域Ａ３，Ａ４における信号線路２０に発生する容量よりも大きくなる。更に、領域Ａ２における磁界強度が領域Ａ３，Ａ４における磁界強度より小さくなる。つまり、領域Ａ２における信号線路２０ではＣ性が支配的になる。
【００９０】
以上より、領域Ａ１では、信号線路２０とグランド導体２４との間に殆ど容量が発生しないので、主に、信号線路２０のインダクタンスによって最大値Ｚ１が発生する。また、領域Ａ２では、信号線路２０とグランド導体２４との間に大きな容量が発生しているので、主に、容量によって最小値Ｚ２が発生する。また、領域Ａ３，Ａ４では、インダクタンス及び容量によって中間値Ｚ３が発生する。その結果、信号線路２０の特性インピーダンスは、最大値Ｚ１、中間値Ｚ３、最小値Ｚ２と減少した後に最小値Ｚ２、中間値Ｚ３、最大値Ｚ１と増加する周期的変動を繰り返す。最大値Ｚ１は、例えば、７０Ωである。最小値Ｚ２は、例えば、３０Ωである。中間値Ｚ３は、例えば、５０Ωである。ただし、信号線路２０全体の特性インピーダンスが所定の特性インピーダンス（例えば、５０Ω）となるように、最大値Ｚ１、最小値Ｚ２及び中間値Ｚ３が設計される。
【００９１】
また、高周波信号伝送線路１０によれば、グランド導体２４におけるグランド電位の安定化にともなう伝送ロスの低減、さらにはシールド特性の向上ができる。より詳細には、高周波信号伝送線路１０では、開口部３０ｂのｙ軸方向の幅Ｗ１は、開口部３０ａ，３０ｃのｙ軸方向の幅Ｗ２よりも大きい。これにより、高周波信号伝送線路１０では、領域Ａ１における信号線路２０の磁界エネルギーは、領域Ａ３，Ａ４における信号線路２０の磁界エネルギーよりも高くなる。また、領域Ａ２における信号線路２０の磁界エネルギーは、領域Ａ３，Ａ４における信号線路２０の磁界エネルギーよりも低くなる。よって、信号線路２０の特性インピーダンスが、Ｚ２、Ｚ３、Ｚ１、Ｚ３、Ｚ２・・・の順に繰り返し変動するようになる。よって、信号線路２０において、ｘ軸方向に隣り合う部分における磁界エネルギーの変動が緩やかになる。その結果、開口３０とブリッジ部６０との境界において磁界エネルギーが小さくなり、グランド導体２４のグランド電位の変動が抑制され、不要輻射の発生および高周波信号の伝送損失が抑制される。
【００９２】
（第１の変形例）
以下に、第１の変形例に係る高周波信号伝送線路１０ａについて図面を参照しながら説明する。図７は、高周波信号伝送線路１０ａの接続部Ｃ１の断面構造図である。
【００９３】
高周波信号伝送線路１０ａと高周波信号伝送線路１０との相違点は、接続部Ｃ１の構造である。より詳細には、高周波信号伝送線路１０ａでは、接続部Ｃ１は、ビアホール導体Ｂ１〜Ｂ５が接続されて構成されている。また、接続部Ｃ１のｚ軸方向の両端を構成するビアホール導体Ｂ１，Ｂ５は、中立面Ｓ０を通過するビアホール導体Ｂ３よりも曲げの中央から離れた位置に設けられている。ただし、ビアホール導体Ｂ１，Ｂ５は、ビアホール導体Ｂ４よりも、曲げの中央に近い位置に設けられている。このような高周波信号伝送線路１０ａにおいても、ビアホール導体Ｂ１，Ｂ５が大きな応力が発生する部分に配置されなくなるので、誘電体素体１２が折れ曲がることをビアホール導体Ｂ１，Ｂ５が阻害することが抑制されるようになる。以上より、高周波信号伝送線路１０ａによれば、誘電体素体１２をより容易に折り曲げることが可能となる。
【００９４】
(第２の変形例)
以下に、第２の変形例に係る高周波信号伝送線路１０ｂについて図面を参照しながら説明する。図８Ａは、高周波信号伝送線路１０ｂの誘電体素体１２の分解図である。図８Ｂは、高周波信号伝送線路１０ｂの接続部Ｃ１の断面構造図である。図８Ｃは、圧着前の誘電体シート１８ａ〜１８ｅの断面構造図である。
【００９５】
高周波信号伝送線路１０ｂは、誘電体シート１８ａに開口Ｏｐ１，Ｏｐ３，Ｏｐ５，Ｏｐ７が設けられ、誘電体シート１８ｅに開口Ｏｐ２，Ｏｐ４，Ｏｐ６，Ｏｐ８が設けられている点において高周波信号伝送線路１０と相違する。
【００９６】
より詳細には、図８Ａ及び図８Ｂに示すように、開口Ｏｐ１，Ｏｐ２はそれぞれ、ビアホール導体Ｂ２，Ｂ３よりもｚ軸方向の正方向側及び負方向側に設けられている誘電体シート１８ａ，１８ｅにおいて、ビアホール導体Ｂ２，Ｂ３とｚ軸方向において重なる位置に設けられている。同様に、開口Ｏｐ３，Ｏｐ４はそれぞれ、ビアホール導体Ｂ２，Ｂ３よりもｚ軸方向の正方向側及び負方向側に設けられている誘電体シート１８ａ，１８ｅにおいて、ビアホール導体Ｂ６，Ｂ７とｚ軸方向において重なる位置に設けられている。
【００９７】
また、図８Ａに示すように、開口Ｏｐ５，Ｏｐ６はそれぞれ、ビアホール導体Ｂ１２，Ｂ１３よりもｚ軸方向の正方向側及び負方向側に設けられている誘電体シート１８ａ，１８ｅにおいて、ビアホール導体Ｂ１２，Ｂ１３とｚ軸方向において重なる位置に設けられている。同様に、開口Ｏｐ７，Ｏｐ８はそれぞれ、ビアホール導体Ｂ１２，Ｂ１３よりもｚ軸方向の正方向側及び負方向側に設けられている誘電体シート１８ａ，１８ｅにおいて、ビアホール導体Ｂ１６，Ｂ１７とｚ軸方向において重なる位置に設けられている。
【００９８】
高周波信号伝送線路１０ｂでは、図８Ｃに示すように、開口Ｏｐ１〜Ｏｐ８を形成した後に、誘電体シート１８ａ〜１８ｅを積層及び圧着する。なお、保護層１４の形成時には、保護層１４を構成する樹脂が開口Ｏｐ１，Ｏｐ３，Ｏｐ５，Ｏｐ７を塞がないように、保護層１４にも開口Ｏｐ９〜Ｏｐ１２を形成する。
【００９９】
以上のように構成された高周波信号伝送線路１０ｂによれば、開口Ｏｐ１〜Ｏｐ８が設けられることにより、接続部Ｃ１の近傍において応力が大きくなる部分の誘電体シートが除去されている。これにより、誘電体素体１２をより容易に折り曲げることが可能となる。なお、誘電体シート１８ａ，１８ｅのいずれかに開口Ｏｐ１〜Ｏｐ８を設けてもよい。また、開口Ｏｐ１〜Ｏｐ８と重なる位置のグランド導体２２，２４にも開口（導体非形成部）を設けてもよい。
【０１００】
(第３の変形例)
以下に、第３の変形例に係る回路基板１０ｃについて図面を参照しながら説明する。図９は、回路基板１０ｃの外観斜視図である。
【０１０１】
回路基板１０ｃは、例えば、電子機器内においてメイン基板とは別に設けられるサブ基板として用いられる薄型で可撓性のある回路基板である。回路基板１０ｃは、複数の誘電体層が積層されて構成されている素体の内部に高周波信号伝送線路１０の誘電体素体１２と同様の構成を有する高周波信号伝送線路（図９では信号線路２０のみ図示し、グランド導体２２，２４や接続部Ｃ１〜Ｃ４などの他の構成を省略している）を有している。また、回路基板１０ｃには、表面に必要に応じて実装部品６２が実装されている。高周波信号伝送線路１０は、帯状をなしていたのに対して、回路基板１０ｃは、矩形状をなしている。このように、折り曲げて用いられる高周波信号伝送線路を含む回路基板１０ｃが、接続部Ｃ１〜Ｃ４を備えていてもよい。
【０１０２】
（その他の実施形態）
本発明に係る高周波信号伝送線路は、前記実施形態に係る高周波信号伝送線路１０，１０ａ，１０ｂ及び回路基板１０ｃに限らず、その要旨の範囲内において変更可能である。
【０１０３】
なお、高周波信号伝送線路１０において、ビアホール導体Ｂ１が中立面Ｓ０を通過していてもよい。この場合であっても、接続部Ｃ１において、ビアホール導体Ｂ１，Ｂ４は、ビアホール導体Ｂ２，Ｂ３よりも曲げの中央から離れた位置に設けられている。これにより、ビアホール導体Ｂ１，Ｂ４が大きな応力が発生する部分に配置されなくなるので、誘電体素体１２が折れ曲がることをビアホール導体Ｂ１，Ｂ４が阻害することが抑制されるようになる。
【０１０４】
接続部Ｃ１〜Ｃ４は、区間Ｄ外に設けられていてもよい。
【０１０５】
なお、誘電体素体１２が折り曲げられる区間Ｄが複数設けられる場合には、接続部のｚ軸方向の両端を構成するビアホール導体は、接続部の残余のビアホール導体よりも、接続部から近い方の区間Ｄの曲げの中央から離れた位置に設けられていればよい。同様に、接続部のｚ軸方向の両端を構成するビアホール導体は、接続部において中立面Ｓ０を通過するビアホール導体よりも、接続部から近い方の区間Ｄの曲げの中央から離れた位置に設けられていればよい。
【０１０６】
なお、高周波信号伝送線路１０において、ビアホール導体Ｂ１の中心軸とビアホール導体Ｂ４の中心軸とは、ｘ軸方向において僅かにずれているが、これらは、ｘ軸方向において一致していてもよい。同様に、ビアホール導体Ｂ１の中心軸とビアホール導体Ｂ４の中心軸とは、ｙ軸方向において僅かにずれているが、これらは、ｙ軸方向において一致していてもよい。
【０１０７】
なお、高周波信号伝送線路１０において、グランド導体２４（第２のグランド導体）に複数の開口３０を設けたが、この開口３０は必ずしも設けられなくてもよく、グランド導体２４はいわゆるベタ状に形成してもよい。
【０１０８】
また、逆に、グランド導体２４に加え、グランド導体２２にも複数の開口を設けるようにしてもよい。
【０１０９】
なお、例えば、高周波信号伝送線路１０において、ビアホール導体Ｂ１，Ｂ４とビアホール導体Ｂ２，Ｂ３とは、ｚ軸方向から平面視したときに、完全に重ならないようにずれている。しかしながらビアホール導体Ｂ１，Ｂ４の一部とビアホール導体Ｂ２，Ｂ３の一部とは、ｚ軸方向から平面視したときに、重なっていてもよい。ただし、折り曲げ性やビアホール導体付近の破損を抑制するために、ビアホール導体Ｂ１，Ｂ４とビアホール導体Ｂ２，Ｂ３とは、ｚ軸方向から平面視したときに、完全に重ならないように設けられることが特に好ましい。
【産業上の利用可能性】
【０１１０】
以上のように、本発明は、高周波信号伝送線路及び電子機器に有用であり、特に、容易に折り曲げることができる点において優れている。
【符号の説明】
【０１１１】
Ｂ１〜Ｂ８，Ｂ１１〜Ｂ１８  ビアホール導体
Ｃ１〜Ｃ４  接続部
１０，１０ａ，１０ｂ  高周波信号伝送線路
１０ｃ  回路基板
１２  誘電体素体
１４  保護層
１８ａ〜１８ｅ  誘電体シート
２０  信号線路
２２，２４  グランド導体
２５ａ，２５ｂ，２６ａ，２６ｂ，２７ａ，２７ｂ，４５ａ，４５ｂ，４６ａ，４６ｂ，４７ａ，４７ｂ  接続導体
２００  電子機器
２０６  バッテリーパック
２１０  筐体
【要約】
容易に折り曲げることができる高周波信号伝送線路及び電子機器を提供することである。
誘電体素体１２内に設けられている信号線路２０と、信号線路２０に対して積層方向の一方側に設けられているグランド導体２２と、信号線路２０に対して積層方向の他方側に設けられているグランド導体２４と、誘電体シート１８を貫通する複数のビアホール導体及び誘電体シート１８に設けられた複数の接続導体２５〜２７が接続されることにより構成され、グランド導体２２とグランド導体２４とを接続する接続部Ｃ１と、を備えており、ビアホール導体Ｂ１，Ｂ４は、ビアホール導体Ｂ２，Ｂ３よりも、誘電体素体１２が折り曲げられる区間の中央から離れた位置に設けられていること、を特徴とする高周波信号伝送線路１０。【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図５Ｃ】
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【図６】
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【図７】
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【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
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【図８Ｃ】
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【図９】
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