(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理基板を保持するとともに、前記被処理基板を面内方向に移動させる基板保持部と、
テンプレートパターンが形成されたテンプレートを保持するとともに、前記テンプレートを面内方向に移動させ、且つ前記被処理基板上に転写材として滴下されたレジストに前記テンプレートパターンを所定時間押し当てるテンプレート保持部と、
前記テンプレートパターンに前記レジストが充填された後、前記レジストに硬化光を照射して前記レジストを硬化させる照射部と、
前記被処理基板と前記テンプレートとの間の位置ずれ量を検出する位置ずれ量検出部と、
前記被処理基板と前記テンプレートとの間の位置ずれを解消するよう、前記位置ずれ量に基づいて、前記基板保持部およびテンプレート保持部の少なくとも一方を制御する制御部と、
を備え、
前記制御部は、
各ショットに対して前記硬化光が間欠的に照射されるよう前記照射部を制御するとともに、前記硬化光の照射が停止している間に検出された位置ずれ量に基づいて、前記基板保持部およびテンプレート保持部の少なくとも一方を制御し、
かつ前記硬化光の照射と、前記位置ずれ量の検出と、が交互に行なわれるよう、前記照射部および前記位置ずれ量検出部を制御し、
かつ前記硬化光が照射されている間に前記位置ずれが解消されるよう、前記基板保持部およびテンプレート保持部の少なくとも一方を制御し、
かつ前記各ショットにおける前記硬化光の間欠的な照射が進むにつれて、前記硬化光の間欠的な照射時間が長くなるよう、前記照射部を制御することを特徴とするインプリント装置。
【請求項２】
被処理基板を保持するとともに、前記被処理基板を面内方向に移動させる基板保持部と、
テンプレートパターンが形成されたテンプレートを保持するとともに、前記テンプレートを面内方向に移動させ、且つ前記被処理基板上に転写材として滴下されたレジストに前記テンプレートパターンを所定時間押し当てるテンプレート保持部と、
前記テンプレートパターンに前記レジストが充填された後、前記レジストに硬化光を照射して前記レジストを硬化させる照射部と、
前記被処理基板と前記テンプレートとの間の位置ずれ量を検出する位置ずれ量検出部と、
前記被処理基板と前記テンプレートとの間の位置ずれを解消するよう、前記位置ずれ量に基づいて、前記基板保持部およびテンプレート保持部の少なくとも一方を制御する制御部と、
を備え、
前記制御部は、第１のショットに対して前記硬化光が間欠的に照射されるよう前記照射部を制御するとともに、前記硬化光の照射が停止している間に検出された前記第１のショットでの位置ずれ量に基づいて、前記第１のショットに対する前記位置ずれ量の検出が停止している間に前記第１のショットに対して前記基板保持部およびテンプレート保持部の少なくとも一方を制御することを特徴とするインプリント装置。
【請求項３】
前記制御部は、前記硬化光の照射と、前記位置ずれ量の検出と、が交互に行なわれるよう、前記照射部および前記位置ずれ量検出部を制御することを特徴とする請求項２に記載のインプリント装置。
【請求項４】
前記制御部は、前記硬化光が照射されている間に前記位置ずれが解消されるよう、前記基板保持部およびテンプレート保持部の少なくとも一方を制御することを特徴とする請求項２または３に記載のインプリント装置。
【請求項５】
前記制御部は、前記第１のショットにおける前記硬化光の間欠的な照射が進むにつれて、前記硬化光の間欠的な照射時間が長くなるよう、前記照射部を制御することを特徴とする請求項２〜４のいずれか１つに記載のインプリント装置。
【請求項６】
被処理基板上に転写材として滴下されたレジストに、テンプレートに形成されたテンプレートパターンを所定時間押し当てる押し当てステップと、
前記テンプレートパターンに前記レジストが充填された後、前記レジストに硬化光を照射して前記レジストを硬化させながら前記被処理基板と前記テンプレートとの間の位置ずれ量を検出する硬化ステップと、
前記被処理基板と前記テンプレートとの間の位置ずれを解消するよう、前記位置ずれ量に基づいて、前記被処理基板および前記テンプレートの少なくとも一方を面内方向に移動させる位置補正ステップと、
を含み、
前記硬化光は、第１のショットに対して間欠的に照射され、
かつ前記硬化光の照射が停止している間に検出された前記第１のショットでの位置ずれ量に基づいて、前記第１のショットに対する前記位置ずれ量の検出が停止している間に前記第１のショットに対して前記被処理基板および前記テンプレートの少なくとも一方が面内方向に移動させられることを特徴とするインプリント方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、インプリント装置およびインプリント方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイス製造におけるリソグラフィ工程で用いられる技術の１つにナノインプリントリソグラフィ（ＮＩＬ）がある。ＮＩＬは、電子ビーム（Electron  Beam：ＥＢ）描画等によって形成したテンプレートを、ウエハなどの被処理基板に押し当てることにより、被処理基板上にテンプレートパターンに応じたパターンを転写する技術である。
【０００３】
ＮＩＬを行う際には、ウエハ上に光硬化剤を滴下しておき、テンプレートを被処理基板側に近づけることにより、テンプレートを光硬化剤に接触させる。そして、光硬化剤を毛細管現象によりテンプレートパターン内に充填させ、この状態で光硬化剤にＵＶ光を照射する。これにより、光硬化剤を硬化させ、その後、テンプレートを被処理基板から離型する。
【０００４】
このようなＮＩＬでは、光硬化剤にＵＶ光を照射する際に、テンプレートと被処理基板との間に位置ずれを生じる場合がある。このため、ＮＩＬでは、テンプレートと被処理基板との間の重ね合わせ精度を向上させることが望まれる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１０−６７９６９号公報
【特許文献２】特許４５３３３５８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明が解決しようとする課題は、テンプレートと被処理基板との間の重ね合わせを精度良く行なうことができるインプリント装置およびインプリント方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
実施形態によれば、インプリント装置が提供される。前記インプリント装置は、基板保持部と、テンプレート保持部と、照射部と、位置ずれ量検出部と、制御部と、を備えている。前記基板保持部は、被処理基板を保持するとともに、前記被処理基板を面内方向に移動させる。前記テンプレート保持部は、テンプレートパターンが形成されたテンプレートを保持するとともに、前記テンプレートを面内方向に移動させ、且つ前記被処理基板上に転写材として滴下されたレジストに前記テンプレートパターンを所定時間押し当てる。前記照射部は、前記テンプレートパターンに前記レジストが充填された後、前記レジストに硬化光を照射して前記レジストを硬化させる。前記位置ずれ量検出部は、前記被処理基板と前記テンプレートとの間の位置ずれ量を検出する。前記制御部は、前記被処理基板と前記テンプレートとの間の位置ずれを解消するよう、前記位置ずれ量に基づいて、前記基板保持部およびテンプレート保持部の少なくとも一方を制御する。また、前記制御部は、第１のショットに対して前記硬化光が間欠的に照射されるよう前記照射部を制御する。さらに、前記制御部は、前記硬化光の照射が停止している間に検出された前記第１のショットでの位置ずれ量に基づいて、前記第１のショットに対する前記位置ずれ量の検出が停止している間に前記第１のショットに対して前記基板保持部およびテンプレート保持部の少なくとも一方を制御する。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】図１は、実施形態に係るインプリント装置の構成を示す図である。
【図２】図２は、実施形態に係る制御装置の構成を示すブロック図である。
【図３】図３は、インプリント工程の処理手順を説明するための図である。
【図４】図４は、テンプレートとウエハとの間の位置ずれ測定を説明するための図である。
【図５】図５は、インプリント装置によるインプリントシーケンスを示す図である。
【図６】図６は、露光、アライメント信号検出、位置ずれ補正の処理タイミング例を示す図である。
【図７】図７は、インプリントシーケンスと位置ずれ量との間の関係を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下に添付図面を参照して、実施形態に係るインプリント装置およびインプリント方法を詳細に説明する。なお、この実施形態により本発明が限定されるものではない。
【００１０】
（実施形態）
図１は、実施形態に係るインプリント装置の構成を示す図である。インプリント装置１０１は、ナノインプリントリソグラフィ（ＮＩＬ）などのインプリントを行なう装置である。インプリント装置１０１は、ウエハＷなどの被転写基板（被処理基板）に、モールド基板であるテンプレート（原版）Ｔのテンプレートパターン（回路パターンなど）を転写する。本実施形態のインプリント装置１０１は、テンプレートＴとウエハＷとの間のアライメントに用いるアライメント信号が、硬化光（レジスト露光光）の照射に起因する外乱ノイズの影響を受けないよう、各インプリントショットに対し、硬化光の照射とアライメント信号の検出とを交互に行なう。換言すると、アライメント信号の検出を行う際には、硬化光の照射を停止し、これにより、アライメント信号が、硬化光の照射に起因する外乱ノイズの影響を受けないようにする。
【００１１】
インプリント装置１０１は、原版ステージ２、基板チャック４、試料ステージ５、基準マーク６、液滴下装置８、ステージベース９、ＵＶ光源１０、ＣＣＤ（Charge  Coupled  Device）カメラ１１、を備えている。また、本実施形態のインプリント装置１０１は、制御装置２０を備えている。
【００１２】
試料ステージ５は、ウエハＷを載置するとともに、載置したウエハＷと平行な平面内（水平面内）を移動する。試料ステージ５は、ウエハＷに転写材としてのレジストを滴下する際にはウエハＷを液滴下装置８の下方側に移動させ、ウエハＷへの押印処理を行う際には、ウエハＷをテンプレートＴの下方側に移動させる。
【００１３】
また、試料ステージ５上には、基板チャック４が設けられている。基板チャック４は、ウエハＷを試料ステージ５上の所定位置に固定する。また、試料ステージ５上には、基準マーク６が設けられている。基準マーク６は、試料ステージ５の位置を検出するためのマークであり、ウエハＷを試料ステージ５上にロードする際の位置合わせに用いられる。
【００１４】
ステージベース９の底面側（ウエハＷ側）には、原版ステージ２が設けられている。原版ステージ２は、テンプレートＴの裏面側（テンプレートパターンの形成されていない側の面）からテンプレートＴを真空吸着などによって所定位置に固定する。
【００１５】
ステージベース９は、原版ステージ２によってテンプレートＴを支持するとともに、テンプレートＴのテンプレートパターンをウエハＷ上のレジストに押し当てる。ステージベース９は、上下方向（鉛直方向）に移動することにより、テンプレートＴのレジストへの押し当てと、テンプレートＴのレジストからの引き離し（離型）と、を行う。インプリントに用いるレジストは、例えば、光硬化性などの樹脂（光硬化剤）（薬液）である。
【００１６】
また、ステージベース９上には、ＣＣＤカメラ１１が設けられている。ＣＣＤカメラ１１は、テンプレートＴに設けられたアライメントマーク（後述のアライメントマークＭｔ）と、ウエハＷ上に設けられたアライメントマーク（後述のアライメントマークＭｗ）と、の間の位置関係を検出するカメラである。ＣＣＤカメラ１１は、ステージベース９の上方に設けられており、アライメントマークＭｔとアライメントマークＭｗを略透明のテンプレートＴおよびレジストを介して撮像する。ＣＣＤカメラ１１は、撮像した画像を制御装置２０に送る。
【００１７】
液滴下装置８は、インクジェット方式によってウエハＷ上にレジストを滴下する装置である。液滴下装置８が備えるインクジェットヘッド（図示せず）は、レジストの液滴を噴出する複数の微細孔を有している。
【００１８】
ＵＶ光源１０は、硬化光としてのＵＶ光を照射する光源であり、ステージベース９の上方に設けられている。ＵＶ光源１０は、テンプレートＴがレジストに押し当てられた状態で、テンプレートＴ上からＵＶ光を照射する。なお、レジストに照射する硬化光はＵＶ光に限らず何れの光であってもよい。
【００１９】
制御装置２０は、インプリント装置１０１の各構成要素に接続され、各構成要素を制御する。図１では、制御装置２０が、試料ステージ５、液滴下装置８、ステージベース９、ＵＶ光源１０、ＣＣＤカメラ１１に接続されているところを図示しており、他の構成要素との接続は図示省略している。制御装置２０は、レジストを硬化させる際に、ＵＶ光源１０、試料ステージ５、ステージベース９を制御する。
【００２０】
ウエハＷへのインプリントを行う際には、試料ステージ５に載せられたウエハＷが液滴下装置８の直下まで移動させられる。そして、ウエハＷの所定ショット位置にレジストが滴下される。
【００２１】
その後、試料ステージ５上のウエハＷがテンプレートＴの直下に移動させられる。そして、テンプレートＴがウエハＷ上のレジストに押し当てられる。このとき、制御装置２０は、レジストがテンプレートパターンに充填されるまでの間、ステージベース９に、テンプレートＴとレジストを接触させる。
【００２２】
制御装置２０は、テンプレートＴとレジストとを所定時間だけ接触させた後、さらに、この状態でＵＶ光源１０をレジストに照射させてレジストを硬化させる。これにより、テンプレートパターンに対応する転写パターンがウエハＷ上のレジストにパターニングされる。この後、次のショットへのインプリント処理が繰り返される。これにより、ウエハＷ上の全てのショットへのインプリント処理が行われる。
【００２３】
本実施形態では、テンプレートパターンに充填されたレジストを硬化させる際に、硬化光の照射を間欠的に行うとともに、硬化光の照射を停止している間にアライメント信号の検出を行なう。換言すると、アライメント信号の検出を間欠的に行うとともに、アライメント信号の検出を停止している間に硬化光の照射を行なう。これにより、硬化光の照射およびアライメント信号の検出を交互に行なう。
【００２４】
つぎに、制御装置２０の構成について説明する。図２は、実施形態に係る制御装置の構成を示すブロック図である。制御装置２０は、画像入力部２１、アライメント信号検出部２２、タイミング制御部２３、光源制御部２４、位置ずれ量検出部２５、ステージベース制御部２６、試料ステージ制御部２７を備えている。
【００２５】
画像入力部２１は、ＣＣＤカメラ１１から送られてくるアライメントマークＭｔ，Ｍｗの画像をアライメント信号検出部２２に送る。アライメント信号検出部２２は、アライメントマークＭｔ，Ｍｗの画像をアライメント信号に変換する。本実施形態のアライメント信号検出部２２は、タイミング制御部２３からの指示に基づいた間欠的なタイミングでアライメントマークＭｔ，Ｍｗの画像をアライメント信号に変換する。具体的には、アライメント信号検出部２２は、画像入力部２１から送られてくる画像のうち、タイミング制御部２３からアライメント信号検出の指示があったタイミングで撮像された画像をアライメント信号に変換する。アライメント信号検出部２２は、アライメント信号を位置ずれ量検出部２５に送る。
【００２６】
位置ずれ量検出部２５は、アライメント信号に基づいて、アライメントマークＭｔ，Ｍｗの位置関係（位置ずれ量）を検出する。アライメントマークＭｔ，Ｍｗの位置関係は、テンプレートＴとウエハＷの位置関係である。本実施形態の位置ずれ量検出部２５は、タイミング制御部２３からの指示に基づいてアライメント信号検出部２２で検出されたアライメント信号に基づいて、アライメントマークＭｔ，Ｍｗの位置ずれ量を検出する。位置ずれ量検出部２５は、検出した位置ずれ量に基づいて、ステージベース制御部２６、試料ステージ制御部２７に、位置ずれ補正量を送る。
【００２７】
位置ずれ量検出部２５は、例えば、ショット全体の位置を平行移動させる位置ずれ補正量やショット全体の位置を回転移動させる位置ずれ補正量などを試料ステージ制御部２７に送る。また、位置ずれ量検出部２５は、例えば、ショット全体の倍率を変える位置ずれ補正量などをステージベース制御部２６に送る。
【００２８】
タイミング制御部２３は、アライメント信号検出部２２にアライメント信号の検出指示および検出停止指示の何れか一方を送る。また、タイミング制御部２３は、光源制御部２４に硬化光Ｌ１の照射指示および照射停止指示の何れか一方を送る。
【００２９】
タイミング制御部２３は、光源制御部２４に硬化光Ｌ１の照射指示を送っている間は、アライメント信号検出部２２にアライメント信号の検出停止指示を送る。一方、タイミング制御部２３は、アライメント信号検出部２２にアライメント信号の検出指示を送っている間は、光源制御部２４に硬化光Ｌ１の照射停止指示を送る。これにより、インプリント装置１０１では、テンプレートパターンに充填されたレジストを硬化させる際に、硬化光Ｌ１の照射と、アライメント信号（位置ずれ量）の検出と、の何れか一方が行なわれる。
【００３０】
光源制御部２４は、ＵＶ光源１０を制御する。光源制御部２４は、タイミング制御部２３から硬化光Ｌ１の照射指示が送られてくると、ＵＶ光源１０に硬化光Ｌ１を照射させる。一方、光源制御部２４は、タイミング制御部２３から硬化光Ｌ１の照射停止指示が送られてくると、ＵＶ光源１０に硬化光Ｌ１の照射を停止させる。
【００３１】
ステージベース制御部２６は、位置ずれ量検出部２５から送られてくる位置ずれ補正量に基づいて、ステージベース９の位置を制御する。ステージベース制御部２６は、例えば、ショット全体の倍率が所望の倍率となるよう（倍率の位置ずれが解消されるよう）、ステージベース９の位置を補正する。
【００３２】
試料ステージ制御部２７は、位置ずれ量検出部２５から送られてくる位置ずれ補正量に基づいて、試料ステージ５の位置を制御する。試料ステージ制御部２７は、例えば、ショット全体の位置が所望の位置となるよう（平行移動や回転移動の位置ずれやが解消されるよう）、試料ステージ５の位置を補正する。
【００３３】
なお、タイミング制御部２３は、アライメント信号検出部２２の代わりに、ＣＣＤカメラ１１、画像入力部２１、位置ずれ量検出部２５の何れかに、所定のタイミングで処理の指示や停止の指示を送信してもよい。また、タイミング制御部２３は、ステージベース制御部２６および試料ステージ制御部２７に、所定のタイミングで処理の指示や停止の指示を送信してもよい。
【００３４】
硬化光Ｌ１の照射が停止しているタイミングでＣＣＤカメラ１１、画像入力部２１、アライメント信号検出部２２、位置ずれ量検出部２５、ステージベース制御部２６、試料ステージ制御部２７に処理の指示が送信されることにより、硬化光Ｌ１の照射が停止している間に検出された位置ずれ量に基づいて、位置ずれ補正が行なわれることとなる。
【００３５】
例えば、タイミング制御部２３が、位置ずれ量検出部２５に検出の指示と停止の指示を送る場合、硬化光Ｌ１の照射が停止している間に、位置ずれ量検出部２５に検出指示が送られる。
【００３６】
ここで、インプリント工程の処理手順について説明する。図３は、インプリント工程の処理手順を説明するための図である。図４では、インプリント工程におけるウエハＷやテンプレートＴなどの断面図を示している。
【００３７】
図３の（ａ）に示すように、ウエハＷの上面にはレジスト１２Ｘが滴下される。これにより、ウエハＷに滴下されたレジスト１２Ｘの各液滴はウエハＷ面内に広がる。そして、図３の（ｂ）に示すように、テンプレートＴがレジスト１２Ｘ側に移動させられ、図３の（ｃ）に示すように、テンプレートＴがレジスト１２Ｘに押し当てられる。このように、石英基板等を掘り込んで作ったテンプレートＴをレジスト１２Ｘに接触させると、毛細管現象によりテンプレートＴのテンプレートパターン内にレジスト１２Ｘが流入する。
【００３８】
予め設定しておいた時間だけ、レジスト１２ＸをテンプレートＴに充填させた後、硬化光が照射される。これにより、レジスト１２Ｘが硬化する。そして、図３の（ｄ）に示すように、硬化したレジストパターン１２ＹからテンプレートＴを離型することにより、テンプレートパターンを反転させたレジストパターンがウエハＷ上に形成される。
【００３９】
図４は、テンプレートとウエハとの間の位置ずれ測定を説明するための図である。図４では、テンプレートＴとウエハＷの断面図を示している。テンプレートＴのテンプレートパターンＰ内にレジスト１２Ｘを充填させた後、レジスト１２Ｘへの硬化光Ｌ１の照射が行なわれる。このとき、レジスト１２Ｘへの硬化光Ｌ１の照射は、間欠的に行なわれる。そして、硬化光Ｌ１の照射を停止している間に、テンプレートＴとウエハＷの位置ずれ検出が行なわれる。具体的には、アライメント光Ｌ２がアライメントマークＭｔ，Ｍｗに照射され、アライメントマークＭｔ，Ｍｗからの反射光Ｌ３がＣＣＤカメラ１１によって検出される。ＣＣＤカメラ１１によって検出された反射光Ｌ３は、アライメントマークＭｔ，Ｍｗの画像として制御装置２０に送られる。この後、アライメントマークＭｔ，Ｍｗの画像に基づいて、テンプレートＴとウエハＷの位置ずれ補正が行われる。
【００４０】
つぎに、インプリント装置１０１によるインプリントシーケンスについて説明する。図５は、インプリント装置によるインプリントシーケンスを示す図である。ステージベース９がテンプレートＴの降下処理（ウエハＷ側への移動）を開始すると（Ｓ１）、アライメント信号検出部２２がアライメント信号の検出を開始する（Ｓ２）。さらに、アライメント信号の検出が開始されると、位置ずれ量検出部２５は、位置ずれ量の検出処理、位置ずれ補正量の算出処理を開始する。そして、ステージベース制御部２６は、位置ずれ補正量に基づいたステージベース９の位置補正を開始する。また、試料ステージ制御部２７は、位置ずれ補正量に基づいた試料ステージ５の位置補正を開始する。これにより、テンプレートＴとウエハＷとの間の位置ずれ補正が開始される（Ｓ３）。
【００４１】
テンプレートＴがレジスト１２Ｘに押し当てられた後、レジスト１２Ｘの充填が行なわれる（Ｓ４）。このとき、アライメント信号検出部２２は、アライメント信号の検出を継続し、位置ずれ量検出部２５は、位置ずれ量の検出処理、位置ずれ補正量の算出処理を継続している。また、ステージベース制御部２６は、ステージベース９の位置補正を継続し、試料ステージ制御部２７は、試料ステージ５の位置補正を継続している。
【００４２】
レジスト１２Ｘの充填が完了すると、各ショットに対し、レジスト１２Ｘの間欠的な露光（硬化光Ｌ１の照射）が開始される（Ｓ５）。また、各ショットに対し、アライメント信号の間欠的な検出（Ｓ６）、テンプレートＴとウエハＷとの間の間欠的な位置ずれ補正が開始される（Ｓ７）。あるショットに対して、レジスト１２Ｘの間欠的な露光が終了してレジスト１２Ｘが硬化すると、前記あるショットに対するアライメント信号の間欠的な検出、テンプレートＴとウエハＷとの間の間欠的な位置ずれ補正も終了する。その後、ステージベース９がテンプレートＴの上昇処理（レジストパターン１２Ｙからの離型）が行なわれる（Ｓ８）。
【００４３】
ここで、間欠的な露光処理、アライメント信号の間欠的な検出処理、間欠的な位置ずれ補正処理の処理タイミング（オン／オフ）について説明する。図６は、露光、アライメント信号検出、位置ずれ補正の処理タイミング例を示す図である。なお、図６では、１ショット内における各処理のオン／オフのタイミングを示している。図６のうち、塗りつぶされているタイミングが処理オンのタイミングである。
【００４４】
図６に示す露光は、図５に示した露光（Ｓ５）に対応している。同様に、図６に示すアライメント信号検出は、図５に示したアライメント信号検出（Ｓ６）に対応し、図６に示す位置ずれ補正は、図５に示した位置ずれ補正（Ｓ７）に対応している。
【００４５】
図６の（ａ）〜（ｃ）に示すように、露光（硬化光Ｌ１の照射）は、所定のタイミングでオンとオフが繰り返される。そして、露光がオフ（硬化光Ｌ１の照射停止）の間にアライメント信号検出が行なわれる。このように、露光は、所定の周期でオンとオフが繰り返されるので、アライメント信号検出も所定の間隔でオンとオフが繰り返される。そして、アライメント信号検出がオフの間にテンプレートＴとウエハＷとの間の位置ずれ補正が行われる。具体的には、アライメント信号検出がオンの間は、露光および位置ずれ補正がオフになり、アライメント信号検出がオフの間に、露光および／または位置ずれ補正がオンになる。
【００４６】
図６の（ａ）では、露光がオンの間に位置ずれ補正がオンになり、露光がオフの間は位置ずれ補正がオフになっている。これにより、アライメント信号検出のオンと、露光および位置ずれ補正のオンと、が繰り返されている。
【００４７】
また、図６の（ｂ）では、露光がオンの間に位置ずれ補正がオフになり、露光がオフの間に位置ずれ補正がオンになっている。これにより、アライメント信号検出のオンと、露光のオンと、位置ずれ補正のオンと、が順番に繰り返されている。
【００４８】
また、図６の（ｃ）では、１ショット内での露光が進むにつれて、露光のオン時間を長くする場合の、露光、アライメント信号検出、位置ずれ補正の処理タイミングを示している。露光が進むにつれてレジスト１２Ｘは硬化が進むので、テンプレートＴとウエハＷとの間の位置ずれは発生しにくくなる。このため、露光が進むにつれて、アライメント信号検出や位置ずれ補正の回数を減らしてもよい。露光が進むにつれて、露光のオン時間を長くすることにより、アライメント信号検出の回数を減らすことができるので、露光処理全体に要する時間を短縮することが可能となる。
【００４９】
このように、インプリント装置１０１は、露光と露光の停止を１〜複数回に渡って繰り返す。そして、インプリント装置１０１は、露光が停止している間に、アライメント信号検出を行なっている。なお、アライメント信号検出および位置ずれ補正は、各ショットの露光停止の間に少なくとも１回行なえばよい。
【００５０】
図７は、インプリントシーケンスと位置ずれ量との間の関係を説明するための図である。図７の（ａ）は、露光とアライメント信号検出を交互に行なった場合の位置ずれ量の変化を示している。また、図７の（ｂ）は、露光とアライメント信号検出を同時に行なった場合の位置ずれ量の変化を示している。
【００５１】
図７の（ａ）に示すように、露光とアライメント信号検出を交互に行なうことにより、間欠的な露光（Ｓ５）と、間欠的なアライメント信号検出（Ｓ６）と、を行なっている。このため、アライメント信号検出の際には露光が停止する。これにより、硬化光Ｌ１の照射中に原版ステージ２や試料ステージ５の振動を抑制することが可能となり、間欠的な露光期間Ｔ１中の位置ずれを抑えることが可能となる。したがって、正確なアライメント信号の検出を行うことが可能となり、その結果、正確な位置ずれ補正を行うことが可能となる。
【００５２】
一方、図７の（ｂ）に示すように、露光とアライメント信号検出を同時に行なう場合、レジスト１２Ｘの充填（Ｓ４）が完了すると、連続的な露光（Ｓ１５）、連続的なアライメント信号検出（Ｓ１６）、連続的な位置ずれ補正（Ｓ１７）が行なわれる。このため、アライメント信号検出の際にも露光が行われる。これにより、硬化光Ｌ１の照射中に原版ステージ２や試料ステージ５の振動が発生する。したがって、露光とアライメント信号検出を同時に行なうと、露光とアライメント信号検出を交互に行なう場合よりも、露光期間Ｔ２中に大きな位置ずれが発生する。
【００５３】
露光とアライメント信号検出を交互に行なうインプリントは、例えばウエハプロセスのレイヤ毎に行われる。半導体装置（半導体集積回路）を製造する際には、ウエハＷへの成膜処理、露光とアライメント信号検出を交互に行なうインプリント処理、インプリント処理によって形成されたレジストパターン１２Ｙ上からのエッチング処理などがレイヤ毎に繰り返される。
【００５４】
このように実施形態によれば、アライメント信号検出の際に露光を停止しているので、正確にアライメント信号を検出することが可能となる。したがって、テンプレートＴとウエハＷとの間の位置ずれ補正を正確に行うことが可能となり、この結果、テンプレートＴとウエハＷとの間の重ね合わせを精度良く行なうことが可能となる。
【００５５】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００５６】
５…試料ステージ、９…ステージベース、１０…ＵＶ光源、１１…ＣＣＤカメラ、１２Ｘ…レジスト、１２Ｙ…レジストパターン、２０…制御装置、２２…アライメント信号検出部、２３…タイミング制御部、２４…光源制御部、２５…位置ずれ量検出部、２６…ステージベース制御部、２７…試料ステージ制御部、１０１…インプリント装置、Ｌ１…硬化光、Ｌ２…アライメント光、Ｌ３…反射光、Ｍｔ，Ｍｗ…アライメントマーク、Ｔ…テンプレート、Ｗ…ウエハ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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