(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
サンプルの欠陥を検出する方法であって、前記サンプルがグラフェンを含み、
サンプルを受け取ることであって、前記サンプルが少なくともいくらかのグラフェンと前記グラフェン中の少なくともいくつかの欠陥とを含む、受け取ることと、
充分な反応条件の下で前記サンプルをガスに曝することでマーク付きサンプルを生成することであって、前記マーク付きサンプルが前記グラフェン中の前記欠陥のうちの少なくともいくつかに結合したマークを含む、生成することと、
前記マーク付きサンプルから前記ガスを少なくとも部分的に除去することと、
前記マーク付きサンプルを検出器システムに置くことと、
前記マーク付きサンプルの欠陥に結合した前記マークのうちの少なくともいくつかを前記検出器システムで検出することによって前記欠陥を検出することと
を含む、方法。
【請求項２】
前記サンプルを前記ガスに曝すことが、分子を含むガスに前記サンプルを曝すことをさらに含み、前記分子が、約４０よりも大きい原子量を有する少なくとも１つの原子を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
充分な反応条件の下で前記マーク付きサンプルを液体またはガスに曝して、前記マーク付きサンプルの前記欠陥から前記マークを少なくとも部分的に除去することをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
充分な反応条件の下で前記マーク付きサンプルを熱に曝して、前記マーク付きサンプルの前記欠陥から前記マークを少なくとも部分的に除去することをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記マーク付きサンプルを摂氏約１００度から摂氏約２００度の範囲の温度で約０．５ミリトルから約１０ミリトルの圧力に曝して、前記マーク付きサンプルの前記欠陥から前記マークを少なくとも部分的に除去することをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記サンプルを前記ガスに曝すことが、分子を含む前記ガスに前記サンプルを曝すことをさらに含み、前記分子がヨウ素原子を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記サンプルを前記ガスに曝すことが、分子を含む前記ガスに前記サンプルを曝すことをさらに含み、前記分子が、ヨウ素、ヨウ化チオニル、ヨウ化有機アミン、ヨウ化水素、またはジヨウドエタンのうちの少なくとも１つを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記サンプルを前記ガスに曝すことが、分子を含む前記ガスに前記サンプルを曝すことをさらに含み、前記分子が、セレン（Ｓｅ）、テルル（Ｔｅ）、またはスズ（Ｓｎ）のうちの少なくとも１つを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記サンプルを前記ガスに曝すことが、分子を含む前記ガスに前記サンプルを曝すことをさらに含み、前記分子が、三ヨウ化ホウ素（ＢＩ３）、三ヨウ化アルミニウム（ＡｌＩ３）、三臭化ホウ素（ＢＢｒ３）、テルル化水素（Ｈ２Ｔｅ）、セレン化水素（Ｈ２Ｓｅ）、塩化スズ（ＳｎＣｌ２）、ＳｎＢｒ２、ＳｎＢｒ４、テトラキス（エチルメチルアミノ）ハフニウム、テルトブチリミド・トリス（エチルメチルアミノ）タンタル（Ｖ）、またはテルトブチリミド・トリス（エチルメチルアミノ）タンタル（Ｖ）のうちの少なくとも１つを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記サンプルを前記ガスに曝すことが、分子を含む前記ガスに前記サンプルを曝すことをさらに含み、前記分子が、三ヨウ化ホウ素ＢＩ３とヨードアニリンとを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記サンプルを前記ガスに曝すことが、分子を含む前記ガスに前記サンプルを曝すことをさらに含み、前記分子が、ジヨウドエタンおよびヨウ化チオニル、ジヨウドエタンおよび三ヨウ化ホウ素、またはヨウ素および三ヨウ化ホウ素のうちの少なくとも１つを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記マーク付きサンプルに関連する前記マークのうちの少なくともいくつかを検出することが、前記マークのうちの少なくともいくつかを全Ｘ線蛍光システムで検出することをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記マーク付きサンプルに関連する前記マークのうちの少なくともいくつかを検出することが、前記マーク付きサンプルに関連する前記マークのうちの少なくともいくつかを後方散乱電子画像システムで検出することをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
前記マーク付きサンプルに関連する前記マークのうちの少なくともいくつかを検出することが、前記欠陥に結合したいくつかの原子を示す出力を生成するために、前記マーク付きサンプルに関連する前記マークのうちの少なくともいくつかを前記検出器システムで検出することをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
前記マーク付きサンプルに関連する前記マークのうちの少なくともいくつかを検出することが、前記マーク付きサンプルに関連する前記欠陥のマップに関連するデータを生成するために、前記マーク付きサンプルに関連する前記マークのうちの少なくともいくつかを前記検出器システムで検出することをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
前記サンプルを前記ガスに曝すことが、前記サンプルを前記ガスに曝す間、摂氏約１００度から摂氏約２００度の範囲の温度に前記サンプルを加熱することをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１７】
サンプルの欠陥を検出するのに有効なシステムであって、前記サンプルがグラフェンを含み、
サンプルを受け取るのに有効であるように構成されたチャンバであって、前記サンプルが少なくともいくらかのグラフェンと前記グラフェン中の少なくともいくつかの欠陥とを含み、前記チャンバが、マーク付きサンプルを生成するために充分な反応条件の下で前記サンプルをガスに曝するのに有効であり、前記マーク付きサンプルがグラフェンと、前記サンプルに関連する前記欠陥のうちの少なくともいくつかに結合したマークとを含む、チャンバであって、前記チャンバが前記マーク付きサンプルから前記ガスを少なくとも部分的に除去するのにさらに有効である、チャンバと、
前記チャンバと関係して動作するように構成される検出器システムであって、前記マーク付きサンプルを受け取るのに有効であり、かつ前記マーク付きサンプルの欠陥に結合した前記マークのうちの少なくともいくつかを検出するのに有効であるように構成される、検出器システムと
を含む、システム。
【請求項１８】
前記ガスが分子を含み、前記分子が、約４０よりも大きい原子量を有する少なくとも１つの原子を含む、請求項１７に記載のシステム。
【請求項１９】
前記チャンバが第１のチャンバであり、前記システムが、
前記検出器システムと関係して動作するように構成される第２のチャンバであって、前記マーク付きサンプルの前記欠陥から前記マークを少なくとも部分的に除去するために充分な反応条件の下で前記マーク付きサンプルを液体またはガスに曝するのに有効であるように構成される、第２のチャンバ
をさらに含む、請求項１７に記載のシステム。
【請求項２０】
前記チャンバが第１のチャンバであり、前記システムが、
前記検出器システムと関係して動作するように構成される第２のチャンバであって、前記マーク付きサンプルの前記欠陥から前記マークを少なくとも部分的に除去するために充分な反応条件の下で前記マーク付きサンプルを熱に曝するのに有効であるように構成される、第２のチャンバ
をさらに含む、請求項１７に記載のシステム。
【請求項２１】
前記ガスがヨウ素分子を含む、請求項１７に記載のシステム。
【請求項２２】
前記ガスが、ヨウ素、ヨウ化チオニル、ヨウ化有機アミン、ヨウ化水素、またはジヨウドエタン分子のうちの少なくとも１つを含む、請求項１７に記載のシステム。
【請求項２３】
前記ガスが、セレン（Ｓｅ）、テルル（Ｔｅ）、またはスズ（Ｓｎ）分子のうちの少なくとも１つを含む、請求項１７に記載のシステム。
【請求項２４】
前記ガスが、三ヨウ化ホウ素（ＢＩ３）、三ヨウ化アルミニウム（ＡｌＩ３）、三臭化ホウ素（ＢＢｒ３）、テルル化水素（Ｈ２Ｔｅ）、セレン化水素（Ｈ２Ｓｅ）、塩化スズ（ＳｎＣｌ２）、ＳｎＢｒ２、ＳｎＢｒ４、テトラキス（エチルメチルアミノ）ハフニウム、テルトブチリミド・トリス（エチルメチルアミノ）タンタル（Ｖ）、またはテルトブチリミド・トリス（エチルメチルアミノ）タンタル（Ｖ）分子のうちの少なくとも１つを含む、請求項１７に記載のシステム。
【請求項２５】
前記ガスが、三ヨウ化ホウ素ＢＩ３とヨードアニリンとを含む分子を含む、請求項１７に記載のシステム。
【請求項２６】
前記ガスが、ジヨウドエタンおよびヨウ化チオニル、ジヨウドエタンおよび三ヨウ化ホウ素、またはヨウ素および三ヨウ化ホウ素のうちの少なくとも１つを含む分子を含む、請求項１７に記載のシステム。
【請求項２７】
前記検出器システムが全Ｘ線蛍光システムを含む、請求項１７に記載のシステム。
【請求項２８】
前記検出器システムが後方散乱システムを含む、請求項１７に記載のシステム。
【請求項２９】
前記チャンバと関係して動作するように構成されるヒータをさらに含み、前記ヒータは、前記チャンバが前記サンプルを前記ガスに曝すのに有効であるように構成される場合、摂氏約１００度から摂氏約２００度の範囲の温度に前記サンプルを加熱するのに有効である、請求項１７に記載のシステム。
【請求項３０】
サンプルであって、
少なくともいくらかのグラフェンと、
前記グラフェン中の少なくとも１つの欠陥と、
前記欠陥のうちの少なくとも１つに結合した少なくとも１つマークであって、前記マークが分子を含み、前記分子が、約４０よりも大きい原子量を有する少なくとも１つの原子を含み、前記マークが前記欠陥の検出を容易にするのに有効である、少なくとも１つのマークと
を含む、サンプル。
【請求項３１】
前記分子がヨウ素原子を含む、請求項３０に記載のサンプル。
【請求項３２】
前記分子が、ヨウ素、ヨウ化チオニル、ヨウ化有機アミン、ヨウ化水素、またはジヨウドエタンのうちの少なくとも１つを含む、請求項３０に記載のサンプル。
【請求項３３】
前記分子が、セレン（Ｓｅ）、テルル（Ｔｅ）、またはスズ（Ｓｎ）のうちの少なくとも１つを含む、請求項３０に記載のサンプル。
【請求項３４】
前記分子が、三ヨウ化ホウ素（ＢＩ３）、三ヨウ化アルミニウム（ＡｌＩ３）、三臭化ホウ素（ＢＢｒ３）、テルル化水素（Ｈ２Ｔｅ）、セレン化水素（Ｈ２Ｓｅ）、塩化スズ（ＳｎＣｌ２）、ＳｎＢｒ２、ＳｎＢｒ４、テトラキス（エチルメチルアミノ）ハフニウム、テルトブチリミド・トリス（エチルメチルアミノ）タンタル（Ｖ）、またはテルトブチリミド・トリス（エチルメチルアミノ）タンタル（Ｖ）のうちの少なくとも１つを含む、請求項３０に記載のサンプル。
【請求項３５】
前記分子が、三ヨウ化ホウ素ＢＩ３とヨードアニリンとを含む、請求項３０に記載のサンプル。
【請求項３６】
前記分子が、ジヨウドエタンとヨウ化チオニルとを含む、請求項３０に記載のサンプル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
関連出願の相互参照
本出願は以下の列挙した出願、すなわち、現在同時継続中であり、年、月、日に出願され、Ｓｅｔｈ  Ｍｉｌｌｅｒを発明者として表示された「ＧＲＡＰＨＥＮＥ  ＤＥＦＥＣＴ  ＡＬＴＥＲＡＴＩＯＮ」という名称のＰＣＴ特許出願第ＰＣＴ／ＵＳ２０１１／ｘｘｘｘｘ号（代理人整理番号１５７４−００４０）、および現在同時継続中であり、年、月、日に出願され、Ｓｅｔｈ  ＭｉｌｌｅｒおよびＴｈｏｍａｓ  Ｙａｇｅｒを発明者として表示された「ＡＬＴＥＲＡＴＩＯＮ  ＯＦ  ＧＲＡＰＨＥＮＥ  ＤＥＦＥＣＴＳ」という名称のＰＣＴ特許出願第ＰＣＴ／ＵＳ２０１１／ｘｘｘｘｘ号（代理人整理番号１５７４−００４２）に関する。
【背景技術】
【０００２】
本明細書において特に明記しない限り、この節で説明する材料は本出願の特許請求の範囲に対する先行技術ではなく、この節に含まれることによって先行技術であるとは認められない。
【０００３】
グラフェンは、一般に、結合した炭素原子の１原子分の厚さの層を含むことができる材料である。グラフェンは、銅などの別の材料の上に炭素原子を成長させることによって形成することができる。銅を石英管に挿入し、加熱し、アニールすることができる。次に、ＣＨ４およびＨ２の混合ガスを管に流し込むことができ、次に、流れるＨ２で銅を冷却して、グラフェンを形成することができる。
【発明の概要】
【０００４】
いくつかの実施例では、サンプルの欠陥を検出する方法が一般的に説明される。この方法はサンプルを受け取ることを含むことができ、サンプルは少なくともいくらかのグラフェンとグラフェン中の少なくともいくつかの欠陥とを含むことができる。この方法は、マーク付きサンプルを生成するために充分な反応条件の下でサンプルをガスに曝することをさらに含むことができ、マーク付きサンプルは、欠陥のうちの少なくともいくつかに結合したマークを含むことができる。この方法は、マーク付きサンプルを検出器システムに置くことをさらに含むことができる。この方法は、マークのうちの少なくともいくつかを検出器システムで検出することをさらに含むことができる。
【０００５】
いくつかの実施例では、サンプルの欠陥を検出するのに有効なシステムが一般的に説明される。システムは、チャンバと、チャンバと関係して動作するように構成される検出器システムとを含むことができる。チャンバは、サンプルを受け取るのに有効であるように構成することができ、サンプルは少なくともいくらかのグラフェンとグラフェン中の少なくともいくつかの欠陥とを含むことができる。チャンバは、マーク付きサンプルを生成するために充分な反応条件の下でサンプルをガスに曝するのに有効であるように構成することができ、マーク付きサンプルは、欠陥のうちの少なくともいくつかに結合したマークを含むことができる。検出器システムは、マーク付きサンプルを受け取り、マークのうちの少なくともいくつかを検出するのに有効であるように構成することができる。
【０００６】
いくつかの実施例では、サンプルが一般的に説明され、サンプルは少なくともいくらかのグラフェンとグラフェン中の少なくとも１つの欠陥とを含むことができる。サンプルは、欠陥のうちの少なくとも１つに結合した少なくとも１つマークを含むことができる。マークは分子を含むことができ、分子は、約４０よりも大きい原子量を有する少なくとも１つの原子を含むことができる。
【０００７】
上記の概要は単なる例示であり、決して限定することを意図していない。前述の例示的な態様、実施形態、および特徴に加えて、さらなる態様、実施形態、および特徴が、図面および以下の詳細な説明を参照することによって明らかになるであろう。
【０００８】
本開示の上記および他の特徴は、添付図面を併せて用いた以下の説明および添付の特許請求の範囲からより完全に明らかになるであろう。これらの図面は本開示によるいくつかの実施形態のみを示し、それ故に、本発明の範囲を限定すると見なされるべきでないことを理解して、本開示は、添付図面の使用を通して追加の特定性および詳細とともに説明される。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本明細書で説明する少なくともいくつかの実施形態に従って構成される、グラフェン欠陥検出を実施するために利用することができる例示のシステムを示す図である。
【図２】本明細書で説明する少なくともいくつかの実施形態に従って構成される、グラフェン欠陥検出を実施するための例示のプロセスの流れ図である。
【図３】本明細書で説明する少なくともいくつかの実施形態に従って構成される、グラフェン欠陥検出を実施するために利用することができるコンピュータプログラム製品を示す図である。
【図４】本明細書で説明する少なくともいくつかの実施形態に従って構成される、グラフェン欠陥検出を実施するように構成された例示のコンピューティングデバイスを示すブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下の詳細な説明では、本明細書の一部を形成する添付図面が参照される。図面において、文脈がそうでないことを示さない限り、同様の記号は、一般に、同様の構成要素を特定する。詳細な説明、図面、および特許請求の範囲に記載された例示的な実施形態は限定することは意図されていない。本明細書で提示される主題の趣旨または範囲から逸脱することなく、他の実施形態を利用することができ、他の改変を行うことができる。本明細書で一般的に説明され、図に示される本開示の態様は、多種多様な異なる構成で、配置し、置換し、組み合わせ、分離し、設計することができ、これらのすべてが本明細書で明確に企図されることが容易に理解されよう。
【００１１】
本開示は、一般的に、とりわけ、グラフェン欠陥検出に関係するシステム、方法、材料、および装置に対して作成される。
【００１２】
簡単に言えば、グラフェンを含むサンプルの欠陥を検出するのに有効であるように構成された方法およびシステムのための技術が一般的に説明される。例示の方法はサンプルを受け取ることを含むことができ、サンプルは少なくともいくらかのグラフェンとグラフェン中の少なくともいくつかの欠陥とを含むことができる。この方法は、マーク付きサンプルを生成するために充分な反応条件の下でサンプルをガスに曝することをさらに含むことができ、マーク付きサンプルは、欠陥のうちの少なくともいくつかに結合したマークを含むことができる。この方法は、マーク付きサンプルを検出器システムに置くことをさらに含むことができる。この方法は、マークのうちの少なくともいくつかを検出器システムで検出することをさらに含むことができる。
【００１３】
構造的に、組成的に、および／または機能的に関連する化合物、材料、または基板の群に属するとして、明確にまたは暗黙に明細書で開示され、かつ／または請求項に記載される任意の化合物、材料、または基板は、群の個々の典型例およびそれらのすべての組合せを含むことがさらに理解されよう。
【００１４】
図１は、本明細書で説明する少なくともいくつかの実施形態に従ってグラフェン欠陥検出を実施するのに利用することができる例示のシステムを示す。例示のグラフェン欠陥検出システム１００は、チャンバ１１２、検出器システム１３１、および／またはチャンバ１４４を含むことができ、すべては互いに関係して動作するように構成される。欠陥検出システム１００の要素のうちの少なくともいくつかは、通信リンク１５６を通してプロセッサ１５４と通信するように構成することができる。いくつかの例では、プロセッサ１５４はメモリ１５８と通信するように構成することができ、メモリ１５８はその中に記憶された命令１６０を含むことができる。プロセッサ１５４は、命令１６０などによって、以下で説明する操作／動作／機能のうちの少なくともいくつかを制御するように構成することができる。
【００１５】
以下でより詳細に説明するように、１つまたは複数の欠陥１０４、１０６、１０８、および／または１１０を含むことがあるサンプル１０２を、手動または機械などによってチャンバ１１２に置くことができる。以下でより詳細に説明するように、チャンバ１１２は、マーク付きサンプル１０５生成するために、サンプル１０２をガス１２０に曝するのに有効であるように構成することができる。マーク付きサンプル１０５は、欠陥１０４、１０６、１０８、および／または１１０に結合したマーク１２２、１２４、１２６、および／または１２８を含むことができる。マーク１２２、１２４、１２６、および／または１２８をもつサンプル１０５は、手動または機械などによって、光源１３０および／または検出器１３２を含む検出器システム１３１に置くことができる。検出器システム１３１は、マーク１２２、１２４、１２６、および／または１２８を検出するのに有効であるように構成することができる。その後、サンプル１０５は、別のチャンバ１４４に送り込まれ、別のガス１３６、液体１３８、または熱に曝されて、マーク１２２、１２４、１２６、および／または１２８を少なくとも部分的に除去することができる。
【００１６】
一例では、サンプル１０２は、グラフェン１０３と、１つまたは複数の欠陥１０４、１０６、１０８、および／または１１０を含むことができる。例えば、グラフェン形成中の化学的不純物は欠陥１０４、１０６、１０８、および／または１１０を形成することがある。欠陥の他の例示の発生源は、炭素原子が気体で基板に堆積される化学気相堆積プロセス中のグラフェン形成の結果であることがある。いくつかの炭素核が基板の表面で解離して、グラフェン核の結晶間に間隙または境界を残すことがある。欠陥の他の例には、炭素原子が、６つの原子の代わりに５つの原子または７つの原子などの異なる数の原子の環の状態で結合される共有結合欠陥またはＳｔｏｎｅ−Ｗａｌｅｓタイプ欠陥が含まれる。そのような例では、構造は、そのような欠陥のないグラフェンとわずかに異なる電子特性を有することがある。グラフェンが成長される基板は、欠陥１０４、１０６、１０８、および／または１１０を形成することがあるトポロジー歪みを有することがある。欠陥のさらなる他の例には、エポキシド、ケトン、アルコール、および／またはカルボン酸などの炭素原子に結合した他のタイプの化学的形態が含まれる。
【００１７】
図示のように、グラフェン１０３と欠陥１０４、１０６、１０８、および／または１１０とを含むサンプル１０２をチャンバ１１２に置くことができる。チャンバ１１２は、ポート１１４、１１６、ポンプ１７０、および／またはヒータ１７４を含むことができる。コンテナ１１８は、チャンバ１１２と流体連通して構成することができる。コンテナ１１８はガス１２０を含むことができる。コンテナ１１８および／またはチャンバ１１２と流体連通するバルブ１８２をプロセッサ１５４によって選択的に作動させて、チャンバ１１２の環境をコンテナ１１８からのガス１２０で浸すことができる。ガス１２０は、少なくとも１つの比較的重い原子をもつ分子を含むことができる。例えば、ガス１２０の少なくとも１つの原子は約４０よりも大きい原子量を有することができる。いくつかの例では、ガス１２０の少なくとも１つの原子は金属とすることができる。一例では、ガス１２０は、少なくとも１つの原子がセレン（Ｓｅ）、テルル（Ｔｅ）、および／またはスズ（Ｓｎ）を含むことができる分子を含むことができる。
【００１８】
例えば、ガス１２０は、少なくとも１つの原子がヨウ素（Ｉ）を含む分子を含むことができる。例えば、ガス１２０は、ヨウ素、ヨウ化チオニル、４−ヨードアニリンなどのヨウ化有機アミン、３−ヨードプロピルトリメトキシシラン、ヨウ化水素、および／またはジヨウドエタンなどのヨウ素分子を含むことができる。これらの例では、ヨウ素原子がサンプル１０３の欠陥１０４、１０６、１０８、および／または１１０に化学的に結合してマーク付きサンプル１０５を生成することができるので、マーク１２２、１２４、１２６、および／または１２８がサンプル１０３に生成されうる。その後、マーク１２２、１２４、１２６、および／または１２８は、検出器システム１３１で検出することができる。
【００１９】
例えば、ガス１２０は三ヨウ化ホウ素（ＢＩ３）、三ヨウ化アルミニウム（ＡｌＩ３）、三臭化ホウ素（ＢＢｒ３）、テルル化水素（Ｈ２Ｔｅ）、セレン化水素（Ｈ２Ｓｅ）、塩化スズ（ＳｎＣｌ２）、ＳｎＢｒ２、ＳｎＢｒ４などを含むことができる。他の例には、テトラキス（エチルメチルアミノ）ハフニウム、テルトブチリミド・トリス（エチルメチルアミノ）タンタル（Ｖ）、テルトブチリミド・トリス（エチルメチルアミノ）タンタル（Ｖ）などのような重原子をもつ揮発性金属が含まれる。
【００２０】
マーク付きサンプル１０５は、手動または機械などによって検出器システム１３１に置くことができる。一例では、光源１３０は、Ｘ線源などの分光光源を含むことができる。光源１３０および検出器１３２は、組み合わせて、Ｘ線蛍光（ＸＲＦ）または全Ｘ線蛍光（ＴＸＲＦ）システムを形成することができる。ＴＸＲＦシステムでは、マーク付きサンプル１０５をＸ線ビームにさらすことができ、マーク１２２、１２４、１２６、および／または１２８の重原子は、Ｘ線を吸収し蛍光を発することができる。そのような蛍光は検出器１３２で検出することができる。検出器１３２の出力は、マーク付きサンプル１０５の表面の原子のタイプの濃度を示すことができる。例えば、マーク付きサンプル１０５の表面の原子の強度は、検出器１３２で検出することができる。いくつかの例では、製造プロセス中のサンプルのインラインモニタリングを検出器１３２で行うことができる。検出器システム１３１の出力は、マーク１２２、１２４、１２６、および／または１２８を生成する、ガス１２０からの原子の量など、サンプル１０２のグラフェン１０３の品質レベルを示すメトリックとなることができる。
【００２１】
いくつかの例では、検出器システム１３１は、後方散乱走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）システムまたは他のタイプの後方散乱電子画像（ＢＥＩ）システムを含むことができる。検出器システム１３１の出力は、マーク付きサンプル１０５に関連する欠陥のマップに関連するデータを含むことができる。例示のマップは、Ｘ、Ｙ座標と、サンプル１０２の指定のＸ−Ｙ座標での欠陥に関連する強度／濃度レベルを含むデータとで構成することができる。いくつかの例では、検出器システム１３１は、マーク付きサンプル１０５中のヨウ素などの重原子の量を定量化するのに有効であるように構成することができる。
【００２２】
いくつかの例では、ガス１２０は、サンプル１０２中の特定の欠陥に関係するマークを生成するのに有効であるように、サンプル１０２と反応するように選択し、マーク付きサンプル１０５をもたらすことができる。いくつかの例では、ガス１２０は多数の別個のタイプの欠陥にマークを付けるために使用することができる。例えば、塩化スズ原子をもつガスはサンプル１０２のフェノール欠陥にマークを付けるのに有効であり、ヨウ素原子をもつガスはサンプル１０２のアルコール欠陥にマークを付けるのに有効でありうる。
【００２３】
いくつかの例では、三ヨウ化ホウ素（ＢＩ３）分子をもつガスはサンプル１０２中のいくつかの特異な酸素欠陥にマークを付けるのに有効でありうる。ＢＩ３は、エーテル、ケトン、アルコール、酸、エポキシドなどを含む大部分の酸素基に強い親和性を有することができる。ＢＩ３は比較的強い電子受容体であるので、ＢＩ３はＳｔｏｎｅ−Ｗａｌｅｓ欠陥などの電子豊富欠陥に比較的高い親和性を有することができる。一例では、ガス１２０は、ＢＩ３をもつ分子とヨードアニリンをもつ分子とを含むことができる。この特定の例では、グラフェンを含むサンプルの普通の化学的、トポロジー的、および／またはトポグラフィー的欠陥の多くを検出することができる。
【００２４】
ジヨウドエタン分子をもつガスは、サンプル１０２中のフェノールタイプ欠陥にマークを付けるのに有効でありうる。ヨウ化チオニル分子を含むガスはカルボキシレート基と反応してアシルヨージドを形成することができ、サンプル１０２中のカルボキシレート基タイプ欠陥にマークを付けるのに有効でありうる。ガス１２０は、本明細書に列挙する１つを超える例示の原子を含むことができる。例えば、ガス１２０は、ジヨウドエタンを含む分子およびヨウ化チオニルを含む分子、ジヨウドエタンおよび三ヨウ化ホウ素を含む分子、またはヨウ素および三ヨウ化ホウ素を含む分子などを含むことができる。
【００２５】
ガス１２０が塩化スズ（Ｓｎ４Ｃｌ）分子を含む一例では、チャンバ１１２は、ヒータ１７４などによって摂氏約１００度から摂氏約２００度の範囲の温度に加熱することができる。チャンバ１１２の圧力は、ポンプ１７０などによって約０．５ミリトルから約１０ミリトルの範囲に調整することができる。ガス１２０は、約２分から約１０分の時間間隔の間コンテナ１１８からチャンバ１１２に適用することができる。気体の分子１２０はサンプル１０３上に堆積し、サンプル１０３に関連する欠陥場所でマーク１２２、１２４、１２６、および／または１２８を生成するのに有効であるように、サンプル１０２と反応し、マーク付きサンプル１０５がもたらされる。ガス１２０は、その後、ポンプ１７０の制御下で真空またはガス一掃などによってチャンバ１１２から除去することができる。チャンバ１１２に残っているガス１２０からの原子は、欠陥場所１０４、１０６、１０８、および／または１１０に結合してマーク１２２、１２４、１２６、および／または１２８を生成する原子である。マーク付きサンプル１０５のマーク１２２、１２４、１２６、および／または１２８は、本明細書で説明するような検出器システム１３１で検出することができる。
【００２６】
検出器システム１３１による検出の後、マーク付きサンプル１０５は、機械または手動などによってチャンバ１４４に置くことができる。チャンバ１４４は、ポート１４０、１４２、ポンプ１７２、および／またはヒータ１７６を含むことができる。コンテナ１３４は、チャンバ１４４と流体連通して構成することができる。コンテナ１３４は、ガス１３６、液体１３８、またはそれらの混合物を含むことができる。コンテナ１３４および／またはチャンバ１４４と流体連通するバルブ１８４をプロセッサ１５４によって選択的に作動させて、チャンバ１４４の環境をコンテナ１３４からのガス１３６および／または液体１３８で浸すことができる。コンテナ１３４は、水、水蒸気、水素ガス、ヒドラジン、アンモニアなどのガス１３６および／または液体１３８をマーク付きサンプル１０５に適用するのに有効であるように構成することができる。ヒータ１７６は、チャンバ１４４を摂氏約２５０度から摂氏約５００度の範囲の温度に加熱するのに有効でありうる。液体１３８、ガス１３６、および／または熱は、マーク付きサンプル１０５からガス１０２の原子を除去して、欠陥１０４、１０６およびマーク１２６、１２８をもち、マーク１２２、１２４のないサンプル１０２を示す図で示されているように、マーク１２２、１２４、１２６、１２８が実質的にないサンプル１０２を再生成することができる。ガス１２０がヨウ素原子を含む例では、ヨウ素炭素結合は、摂氏２５０度を超えるなどの比較的高い温度で熱力学的に不安定になる傾向がある。そのような結合は、本明細書で説明するように熱を印加する際に壊れうる。
【００２７】
他の可能性のある利点の中で、本開示により構成されたシステムは、サンプルを破壊することなく欠陥を検出するのに（すなわち、非破壊欠陥検出に）使用することができる。マークをサンプルに生成することができ、次に、マークを除去して、可逆プロセスをもたらすことができる。ウェハスケール検出システムのような高スループット、および／または高感度を備えるものなどの複数タイプの検出器システムを使用することができるので、比較的高いスループットおよび比較的高い感度システムを達成することができる。基板自体にマークを付けることができるので、システムは、グラフェンが基板上で不連続である区域を検出することが可能でありうる。
【００２８】
例えば、サンプルは、約１分から約５分などの比較的短い時間間隔にわたって３−ヨードプロピルトリメトキシシランに曝すことができる。ＸＲＦが測定法として使用される一例では、典型的なデータ収集時間は約１分とすることができる。サンプルが加熱される例では、加熱は、さらに、比較的短くする、例えば、約３０秒から約３分などとすることができる。その結果、全プロセスは数分で完了することができる。
【００２９】
図２は、本明細書で説明する少なくともいくつかの実施形態に従って構成されたグラフェン欠陥検出を実施するための例示のプロセス２００の流れ図である。図２のプロセスは、例えば上述で説明したシステム１００を使用して実施することができる。例示のプロセスは、ブロックＳ２、Ｓ４、Ｓ６、Ｓ８、および／またはＳ１０のうちの１つまたは複数によって示されるような１つまたは複数の操作、動作、または機能を含むことができる。別々のブロックとして示されているが、様々なブロックは、所望の実施態様に応じて追加のブロックに分割する、より少ないブロックに組み合わせる、または除去することができる。
【００３０】
プロセス２００は、ブロックＳ２の「グラフェンと少なくともいくつかの欠陥とを含むサンプルを受け取る」で始まることができる。ブロックＳ２において、チャンバは、グラフェンとグラフェン中の少なくともいくつかの欠陥とを含むサンプルを受け取るのに有効であるように構成することができる。
【００３１】
処理はブロックＳ２からブロックＳ４の「充分な反応条件の下でサンプルをガスに曝してマーク付きサンプルを生成する、ここで、マーク付きサンプルは、欠陥のうちの少なくともいくつかに結合したマークを含むことができる」に続くことができる。ブロックＳ４において、チャンバは、マーク付きサンプルを生成するために充分な反応条件の下でサンプルをガスに曝するのに有効であるように構成することができる。例えば、ガスは、約４０よりも大きい分子量をもつ少なくとも１つの原子をもつ分子を含むことができる。一例では、ガスはヨウ素分子を含むことができる。一例では、ガスは、セレン（Ｓｅ）、テルル（Ｔｅ）、スズ（Ｓｎ）、三ヨウ化ホウ素（ＢＩ３）、三ヨウ化アルミニウム（ＡｌＩ３）、三臭化ホウ素（ＢＢｒ３）、テルル化水素（Ｈ２Ｔｅ）、セレン化水素（Ｈ２Ｓｅ）、および／または塩化スズ（ＳｎＣｌ２）を含むことができる。曝すことにより、サンプルにマークを含むマーク付きサンプルを生成することができる。
【００３２】
処理は、ブロックＳ４からブロックＳ６の「マーク付きサンプルを検出器システムに置く」に続くことができる。ブロックＳ６において、マーク付きサンプルは検出器システムに置くことができる。例えば、検出器システムは、以前に説明したようなＴＸＲＦまたは後方散乱画像システムを含むことができる。
【００３３】
処理は、ブロックＳ６からブロックＳ８の「マークのうちの少なくともいくつかを検出器システムで検出する」に続くことができる。ブロックＳ８において、検出器システムは、マーク付きサンプルに関連するマークのうちの少なくともいくつかを検出するのに有効であるように構成することができる。例えば、ＴＸＲＦシステムは、マーク付きサンプルをＸ線に曝すのに使用することができ、マーク付きサンプルのマークはＸ線を吸収することができ、マークはそれに応じて蛍光を発することができる。マーク付きサンプルのマークに関連する蛍光は、検出器で検出することができる。
【００３４】
処理は、ブロックＳ８からブロックＳ１０の「マークのうちの少なくともいくつかを除去する」に続くことができる。ブロックＳ１０において、マークのうちの少なくともいくつかをマーク付きサンプルから除去することができる。例えば、マークを少なくとも部分的に除去するために、水をマーク付きサンプルに適用することができる。
【００３５】
図３は、本明細書で説明する少なくともいくつかの実施形態に従ってグラフェン欠陥検出を実施するのに利用することができるコンピュータプログラム製品を示す。プログラム製品３００は信号担持媒体３０２を含むことができる。信号担持媒体３０２は、例えばプロセッサで実行されるとき、図１〜２に関して上述した機能を行うことができる１つまたは複数の命令３０４を含むことができる。したがって、例えば、システム１００を参照すると、プロセッサ１５４は、媒体３０２によってシステム１００に伝えられる命令３０４に応答して図３に示したブロックの１つまたは複数を行うことができる。
【００３６】
いくつかの実施態様では、信号担持媒体３０２は、限定はしないが、ハードディスクドライブ、コンパクトディスク（ＣＤ）、デジタルビデオディスク（ＤＶＤ）、デジタルテープ、メモリなどのようなコンピュータ可読媒体３０６を包含することができる。いくつかの実施態様では、信号担持媒体３０２は、限定はしないが、メモリ、読取り／書込み（Ｒ／Ｗ）ＣＤ、Ｒ／Ｗ  ＤＶＤなどのような記録可能媒体３０８を包含することができる。いくつかの実施態様では、信号担持媒体３０２は、限定はしないが、デジタルおよび／またはアナログ通信媒体（例えば、光ファイバケーブル、導波管、有線通信リンク、無線通信リンクなど）などの通信媒体３１０を包含することができる。したがって、例えば、プログラム製品３００はＲＦ信号担持媒体３０２によってシステム１００の１つまたは複数のモジュールに伝えることができ、その場合、信号担持媒体３０２は無線通信媒体３１０（例えば、ＩＥＥＥ８０２．１１標準に準拠する無線通信媒質）によって伝えられる。
【００３７】
図４は、本明細書で説明する少なくともいくつかの実施形態によりグラフェン欠陥検出を実施するように構成された例示のコンピューティングデバイスを示すブロック図である。全くの基本構成４０２では、コンピューティングデバイス４００は、一般に、１つまたは複数のプロセッサ４０４と、システムメモリ４０６とを含む。メモリバス４０８は、プロセッサ４０４とシステムメモリ４０６との間で通信するために使用することができる。
【００３８】
所望の構成に応じて、プロセッサ４０４は、限定はしないが、マイクロプロセッサ（μＰ）、マイクロコントローラ（μＣ）、デジタルシグナルプロセッサ（ＤＳＰ）、またはそれらの任意の組合せを含む任意のタイプのものとすることができる。プロセッサ４０４は、レベル１キャッシュ４１０およびレベル２キャッシュ４１２などの１つまたは複数のレベルのキャッシングと、プロセッサコア４１４と、レジスタ４１６とを含むことができる。例示のプロセッサコア４１４は、演算論理ユニット（ＡＬＵ）、浮動小数点ユニット（ＦＰＵ）、デジタル信号処理コア（ＤＳＰコア）、またはそれらの任意の組合せを含むことができる。例示のメモリコントローラ４１８はプロセッサ４０４とともに使用することもでき、または、実施態様によっては、メモリコントローラ４１８はプロセッサ４０４の内部の一部とすることができる。
【００３９】
所望の構成に応じて、システムメモリ４０６は、限定はしないが、揮発性メモリ（ＲＡＭなど）、不揮発性メモリ（ＲＯＭ、フラッシュメモリ、その他など）、またはそれらの任意の組合せを含む任意のタイプのものとすることができる。システムメモリ４０６はオペレーティングシステム４２０、１つまたは複数のアプリケーション４２２、およびプログラムデータ４２４を含むことができる。アプリケーション４２２は、少なくとも図１〜３のシステム１００に関して説明したものを含む本明細書で説明するような様々な機能／動作／操作を行うように構成されたグラフェン欠陥検出アルゴリズム４２６を含むことができる。プログラムデータ４２４は、本明細書で説明するようにグラフェン欠陥検出を実施するのに有用でありうるグラフェン欠陥検出データ４２８を含むことができる。いくつかの実施形態では、アプリケーション４２２は、グラフェン形成を行うことができるように、オペレーティングシステム４２０上でプログラムデータ４２４により操作するように構成することができる。この説明した基本構成４０２は、図４において内側破線の内部の構成要素で示される。
【００４０】
コンピューティングデバイス４００は、基本構成４０２と任意の必要とされる装置およびインターフェースとの間の通信を容易にするために追加の特徴または機能、および追加のインターフェースを有することができる。例えば、バス／インターフェースコントローラ４３０を使用して、ストレージインターフェースバス４３４を介した、基本構成４０２と１つまたは複数のデータ記憶装置４３２との間の通信を容易にすることができる。データ記憶装置４３２は、取外し式記憶装置４３６、非取外し式記憶装置４３８、またはそれらの組合せとすることができる。取外し式記憶装置および非取外し式記憶装置の例には、２、３の例を挙げると、フレキシブルディスクドライバおよびハードディスクドライブ（ＨＤＤ）などの磁気ディスク装置と、コンパクトディスク（ＣＤ）ドライバまたはデジタル多用途ディスク（ＤＶＤ）ドライブなどの光ディスクドライブと、ソリッドステートドライブ（ＳＳＤ）と、テープドライブとが含まれる。例示のコンピュータ記憶媒体は、コンピュータ可読命令、データ構造、プログラムモジュール、または他のデータなどの情報の記憶のための任意の方法または技術で実施される揮発性および不揮発性の取外し式および非取外し式の媒体を含むことができる。
【００４１】
システムメモリ４０６、取外し式記憶装置４３６、および非取外し式記憶装置４３８はコンピュータ記憶媒体の例である。コンピュータ記憶媒体には、限定はしないが、ＲＡＭ、ＲＯＭ、ＥＥＰＲＯＭ、フラッシュメモリ、もしくは他のメモリ技術、ＣＤ−ＲＯＭ、デジタル多用途ディスク（ＤＶＤ）、もしくは他の光記憶装置、磁気カセット、磁気テープ、磁気ディスクストレージ、もしくは他の磁気記憶装置、または所望の情報を記憶するために使用することができ、コンピューティングデバイス４００によってアクセスされうる任意の他の媒体が含まれる。任意のそのようなコンピュータ記憶媒体はコンピューティングデバイス４００の一部とすることができる。
【００４２】
コンピューティングデバイス４００は、様々なインターフェース装置（例えば、出力装置４４２、周辺インターフェース４４４、および通信装置４４６）から、バス／インターフェースコントローラ４３０を介して、基本構成４０２への通信を容易にするためのインターフェースバス４４０をさらに含むことができる。例示の出力装置４４２は、１つまたは複数のＡ／Ｖポート４５２を介してディスプレイまたはスピーカなどの様々な外部装置と通信するように構成することができるグラフィック処理ユニット４４８およびオーディオ処理ユニット４５０を含む。例示の周辺インターフェース４４４は、１つまたは複数のＩ／Ｏポート４５８を介して入力装置（例えば、キーボード、マウス、ペン、音声入力装置、タッチ入力装置など）または他の周辺機器（例えば、プリンタ、スキャナなど）などの外部装置と通信するように構成することができるシリアルインターフェースコントローラ４５４またはパラレルインターフェースコントローラ４５６を含む。例示の通信装置４４６は、１つまたは複数の通信ポート４６４を介したネットワーク通信リンクによる１つまたは複数の他のコンピューティングデバイス４６２との通信を容易にするように構成することができるネットワークコントローラ４６０を含む。
【００４３】
ネットワーク通信リンクは通信媒体の１つの例とすることができる。通信媒体は、一般に、コンピュータ可読命令、データ構造、プログラムモジュール、または搬送波もしくは他の移送機構などの変調データ信号の他のデータで具現することができ、任意の情報配信媒体を含むことができる。「変調データ信号」は、情報を信号に符号化するように設定または変化された特性の１つまたは複数を有する信号とすることができる。限定ではなく例として、通信媒体は、有線ネットワークまたは直接有線接続などの有線媒体と、音響、高周波（ＲＦ）、マイクロ波、赤外（ＩＲ）、および他の無線媒体などの無線媒体とを含むことができる。本明細書で使用するコンピュータ可読媒体という用語は、記憶媒体および通信媒体の両方を含むことができる。
【００４４】
コンピューティングデバイス４００は、携帯電話、携帯情報端末（ＰＤＡ）、パーソナルメディアプレーヤデバイス、無線ウェブウォッチデバイス、パーソナルヘッドセットデバイス、特定用途向けデバイス、または上述の機能のいずれかを含むハイブリッドデバイスなどのスモールフォームファクタ携帯（または移動体）電子デバイスの一部として実施することができる。コンピューティングデバイス４００は、さらに、ラップトップコンピュータ構成および非ラップトップコンピュータ構成の両方を含むパーソナルコンピュータとして実施することができる。
【００４５】
本開示は、本明細書で説明される特定の実施形態によって限定されるべきではなく、特定の実施形態は様々な態様の例示として意図される。当業者には明らかであるように、本発明の趣旨および範囲から逸脱することなく多くの変形および変更を行うことができる。本明細書で列挙する方法および装置に加えて、本開示の範囲内の機能的に均等な方法および装置は、上記の説明から当業者には明らかであろう。そのような変形および変更は、添付の特許請求の範囲内にあることが意図される。本開示は、そのような特許請求の範囲が権利化される均等物の全範囲とともに、添付の特許請求の範囲の文言によってのみ限定されるべきである。本開示は、当然変更することができる特定の方法、試薬、化合物、組成物、または生物系に限定されないことが理解されるべきである。本明細書で使用される術語は、特定の実施形態のみを説明するためのものであり、限定することを意図していないことも理解されるべきである。
【００４６】
本明細書における実質的にすべての複数形および／または単数形の用語の使用に対して、当業者は、状況および／または用途に適切なように、複数形から単数形に、および／または単数形から複数形に変換することができる。様々な単数形／複数形の置き換えは、理解しやすいように、本明細書で明確に説明することができる。
【００４７】
通常、本明細書において、特に添付の特許請求の範囲（例えば、添付の特許請求の範囲の本体部）において使用される用語は、全体を通じて「オープンな（ｏｐｅｎ）」用語として意図されていることが、当業者には理解されよう（例えば、用語「含む（ｉｎｃｌｕｄｉｎｇ）」は、「含むがそれに限定されない（ｉｎｃｌｕｄｉｎｇ  ｂｕｔ  ｎｏｔ  ｌｉｍｉｔｅｄ  ｔｏ）」と解釈されるべきであり、用語「有する（ｈａｖｉｎｇ）」は、「少なくとも有する（ｈａｖｉｎｇ  ａｔ  ｌｅａｓｔ）」と解釈されるべきであり、用語「含む（ｉｎｃｌｕｄｅｓ）」は、「含むがそれに限定されない（ｉｎｃｌｕｄｅｓ  ｂｕｔ  ｉｓ  ｎｏｔ  ｌｉｍｉｔｅｄ  ｔｏ）」と解釈されるべきである、など）。導入される請求項で具体的な数の記載が意図される場合、そのような意図は、当該請求項において明示的に記載されることになり、そのような記載がない場合、そのような意図は存在しないことが、当業者にはさらに理解されよう。例えば、理解の一助として、添付の特許請求の範囲は、導入句「少なくとも１つの（ａｔ  ｌｅａｓｔ  ｏｎｅ）」および「１つまたは複数の（ｏｎｅ  ｏｒ  ｍｏｒｅ）」を使用して請求項の記載を導くことを含む場合がある。しかし、そのような句の使用は、同一の請求項が、導入句「１つまたは複数の」または「少なくとも１つの」および「ａ」または「ａｎ」などの不定冠詞を含む場合であっても、不定冠詞「ａ」または「ａｎ」による請求項の記載の導入が、そのように導入される請求項の記載を含む任意の特定の請求項を、単に１つのそのような記載を含む実施形態に限定する、ということを示唆していると解釈されるべきではない（例えば、「ａ」および／または「ａｎ」は、「少なくとも１つの」または「１つまたは複数の」を意味すると解釈されるべきである）。同じことが、請求項の記載を導入するのに使用される定冠詞の使用にも当てはまる。また、導入される請求項の記載で具体的な数が明示的に記載されている場合でも、そのような記載は、少なくとも記載された数を意味すると解釈されるべきであることが、当業者には理解されよう（例えば、他の修飾語なしでの「２つの記載（ｔｗｏ  ｒｅｃｉｔａｔｉｏｎｓ）」の単なる記載は、少なくとも２つの記載、または２つ以上の記載を意味する）。さらに、「Ａ、ＢおよびＣ、などの少なくとも１つ」に類似の慣例表現が使用されている事例では、通常、そのような構文は、当業者がその慣例表現を理解するであろう意味で意図されている（例えば、「Ａ、Ｂ、およびＣの少なくとも１つを有するシステム」は、Ａのみ、Ｂのみ、Ｃのみ、ＡおよびＢを共に、ＡおよびＣを共に、ＢおよびＣを共に、ならびに／またはＡ、Ｂ、およびＣを共に、などを有するシステムを含むが、それに限定されない）。「Ａ、Ｂ、またはＣ、などの少なくとも１つ」に類似の慣例表現が使用されている事例では、通常、そのような構文は、当業者がその慣例表現を理解するであろう意味で意図されている（例えば、「Ａ、Ｂ、またはＣの少なくとも１つを有するシステム」は、Ａのみ、Ｂのみ、Ｃのみ、ＡおよびＢを共に、ＡおよびＣを共に、ＢおよびＣを共に、ならびに／またはＡ、Ｂ、およびＣを共に、などを有するシステムを含むが、そ���に限定されない）。２つ以上の代替用語を提示する事実上いかなる離接する語および／または句も、明細書、特許請求の範囲、または図面のどこにあっても、当該用語の一方（ｏｎｅ  ｏｆ  ｔｈｅ  ｔｅｒｍｓ）、当該用語のいずれか（ｅｉｔｈｅｒ  ｏｆ  ｔｈｅ  ｔｅｒｍｓ）、または両方の用語（ｂｏｔｈ  ｔｅｒｍｓ）を含む可能性を企図すると理解されるべきであることが、当業者にはさらに理解されよう。例えば、句「ＡまたはＢ」は、「Ａ」または「Ｂ」あるいは「ＡおよびＢ」の可能性を含むことが理解されよう。
【００４８】
加えて、本開示の特徴または態様がマーカッシュグループの観点から説明される場合、本開示はそれによってマーカッシュグループの任意の個々のメンバまたはメンバのサブグループの観点からも説明されることが当業者には認識されよう。
【００４９】
当業者には理解されるように、例えば、書面による明細の提供に関するなどのあらゆる目的のために、本明細書で開示されるすべての範囲はあらゆる可能な部分範囲およびその部分範囲の組合せも包含する。列挙されたいかなる範囲も、同じ範囲が少なくとも等しい２分の１、３分の１、４分の１、５分の１、１０分の１などに分割されることを充分に説明し、それを可能にすると容易に認識することができる。非限定的な例として、本明細書で説明した各範囲は、下位３分の１、中位３分の１、および上位３分の１などに容易に分割することができる。さらに、当業者には理解されるように、「まで」、「少なくとも」、「よりも大きい」、「よりも小さい」などのすべての言語は列挙された数を含み、上述で説明したように部分範囲に後で分割することができる範囲を指す。最後に、当業者には理解されるように、範囲は各個々のメンバを含む。したがって、例えば、１〜３セルを有する群は、１つ、２つ、または３つのセルを有する群を指す。同様に、１〜５セルを有する群は、１つ、２つ、３つ、４つ、または５つのセルを有する群を指し、以下同様である。
【００５０】
様々な態様および実施形態が本明細書で開示されたが、他の態様および実施形態が当業者には明らかであろう。本明細書で開示された様々な態様および実施形態は例示のためのものであり、限定することを意図しておらず、真の範囲および趣旨は以下の特許請求の範囲によって示される。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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