(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の窒化物半導体層を有機金属気相成長法により形成する工程と、
前記第１の窒化物半導体層上に窒化珪素層を形成する工程と、
前記第１の窒化物半導体層および前記窒化珪素層を覆うように、斜めファセットを有する第２の窒化物半導体層を有機金属気相成長法により形成する工程と、
前記第２の窒化物半導体層の前記斜めファセットを埋め込むように、平坦な上面を有する第３の窒化物半導体層を有機金属気相成長法により形成する工程と、を含み、
前記第２の窒化物半導体層を有機金属気相成長法により形成する工程において、有機金属気相成長装置の成長室に供給されるＩＩＩ族元素ガスに対するＶ族元素ガスのモル流量比は２４０以下であって、
前記第２の窒化物半導体層の形成条件と前記第３の窒化物半導体層の形成条件とは異なっており、
前記第３の窒化物半導体層の形成時に供給されるＩＩＩ族元素ガスに対するＶ族元素ガスのモル流量比は、前記第２の窒化物半導体層の形成時の前記モル流量比よりも大きい、窒化物半導体素子の製造方法。
【請求項２】
基板は、サファイアであって、
前記第１の窒化物半導体層を有機金属気相成長法により形成する工程の前に、前記基板の表面上にバッファ層を形成する工程を含み、
前記第１の窒化物半導体層を有機金属気相成長法により形成する工程は、前記第１の窒化物半導体層を前記バッファ層上に形成する工程を含む、請求項１に記載の窒化物半導体素子の製造方法。
【請求項３】
前記バッファ層は、窒化アルミニウムである、請求項２に記載の窒化物半導体素子の製造方法。
【請求項４】
前記基板の前記表面は、凹凸を有する、請求項２または３に記載の窒化物半導体素子の製造方法。
【請求項５】
前記第１の窒化物半導体層は、斜めファセット層と、平坦層とを含む、請求項１から４のいずれかに記載の窒化物半導体素子の製造方法。
【請求項６】
前記第２の窒化物半導体層の前記斜めファセットは、前記第２の窒化物半導体層の成長面に対して４５°以上の傾斜を有している、請求項１から５のいずれかに記載の窒化物半導体素子の製造方法。
【請求項７】
前記第２の窒化物半導体層の厚さは、２μｍ以上である、請求項１から６のいずれかに記載の窒化物半導体素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、窒化物半導体素子の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
窒化物半導体発光ダイオード素子、窒化物半導体レーザ素子および窒化物半導体トランジスタ素子などの窒化物半導体素子の製造に用いられる基板としては、窒化ガリウム基板、炭化珪素基板、またはサファイア基板などが挙げられるが、コストおよび量産性などの点で優位性を有するサファイア基板が広く用いられている。
【０００３】
しかしながら、サファイア基板とその上に形成される窒化ガリウムなどの窒化物半導体層との格子不整合率が高いため、窒化物半導体層に多くの貫通転位が生じるといった問題が生じる。貫通転位は、窒化物半導体発光ダイオード素子における発光効率の低下、窒化物半導体レーザ素子における短寿命化、および窒化物半導体トランジスタ素子における低電子移動度化などの様々な特性悪化の原因となる。
【０００４】
そこで、たとえば特許文献１（特開２００２−４３２３３号公報）には、ＧａＮ層の間にＳｉＮ層を挿入することによって、最表面に配置されるＧａＮ層の転位密度を低減する方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００２−４３２３３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ＧａＮ層上にＳｉＮ層を部分的に形成することによって窒化物半導体素子を製造する場合には、ＳｉＮ層が存在する箇所にはＧａＮ層が成長しないため、ＳｉＮ層の形成部分で転位が終端する。
【０００７】
しかしながら、ＳｉＮ層が存在しない箇所においては、転位がそのまま貫通していくため、転位が上方に伝播する場合には、ＧａＮ層における転位密度の効果的な低減を期待することができない。
【０００８】
また、たとえばＧａＮ層が斜めファセットを有する場合にＳｉＮ層の形成面積を大きくしたときには、ＧａＮ層の埋め込みが困難となり、ＧａＮ層の表面モフォロジーの悪化を招くという問題が生じる。
【０００９】
上記の事情に鑑みて、本発明の目的は、窒化珪素層を形成した場合でも、窒化物半導体層の転移密度を低減することができるとともに、窒化物半導体層の表面モフォロジーを優れたものとすることができる窒化物半導体素子の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、第１の窒化物半導体層を有機金属気相成長法により形成する工程と、第１の窒化物半導体層上に窒化珪素層を形成する工程と、第１の窒化物半導体層および窒化珪素層を覆うように、斜めファセットを有する第２の窒化物半導体層を有機金属気相成長法により形成する工程と、第２の窒化物半導体層の斜めファセットを埋め込むように、平坦な上面を有する第３の窒化物半導体層を有機金属気相成長法により形成する工程と、を含み、第２の窒化物半導体層を有機金属気相成長法により形成する工程において、有機金属気相成長装置の成長室に供給されるＩＩＩ族元素ガスに対するＶ族元素ガスのモル流量比が２４０以下であって、第２の窒化物半導体層の形成条件と第３の窒化物半導体層の形成条件とは異なっており、第３の窒化物半導体層の形成時に供給されるＩＩＩ族元素ガスに対するＶ族元素ガスのモル流量比は、第２の窒化物半導体層の形成時のモル流量比よりも大きい窒化物半導体素子の製造方法である。
【００１１】
ここで、本発明の窒化物半導体素子の製造方法において、基板はサファイア基板であって、第１の窒化物半導体層を有機金属気相成長法により形成する工程の前に基板の表面上にバッファ層を形成する工程が含まれ、第１の窒化物半導体層を有機金属気相成長法により形成する工程は、第１の窒化物半導体層をバッファ層上に形成する工程を含むことが好ましい。
【００１２】
また、本発明の窒化物半導体素子の製造方法において、バッファ層は、窒化アルミニウムであることが好ましい。
【００１３】
また、本発明の窒化物半導体素子の製造方法において、基板の表面は、凹凸を有することが好ましい。
【００１４】
また、本発明の窒化物半導体素子の製造方法において、第１の窒化物半導体層は、斜めファセット層と、平坦層とを含むことが好ましい。
【００１５】
また、本発明の窒化物半導体素子の製造方法において、第２の窒化物半導体層の斜めファセットは、第２の窒化物半導体層の成長面に対して４５°以上の傾斜を有していることが好ましい。
【００１６】
また、本発明の窒化物半導体素子の製造方法において、第２の窒化物半導体層の厚さは２μｍ以上であることが好ましい。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、窒化珪素層を形成した場合でも、窒化物半導体層の転位密度を低減することができるとともに、窒化物半導体層の表面モフォロジーを優れたものとすることができる窒化物半導体素子の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】実施の形態１の窒化物半導体発光ダイオード素子の製造方法の製造工程の一部を図解する模式的な断面図である。
【図２】実施の形態１の窒化物半導体発光ダイオード素子の製造方法の製造工程の他の一部を図解する模式的な断面図である。
【図３】実施の形態１の窒化物半導体発光ダイオード素子の製造方法の製造工程の他の一部を図解する模式的な断面図である。
【図４】実施の形態１の窒化物半導体発光ダイオード素子の製造方法の製造工程の他の一部を図解する模式的な断面図である。
【図５】実施の形態１の窒化物半導体発光ダイオード素子の製造方法の製造工程の他の一部を図解する模式的な断面図である。
【図６】実施の形態１の窒化物半導体発光ダイオード素子の製造方法の製造工程の他の一部を図解する模式的な断面図である。
【図７】実施の形態１の窒化物半導体発光ダイオード素子の製造方法の製造工程の他の一部を図解する模式的な断面図である。
【図８】実施の形態１の窒化物半導体発光ダイオード素子の製造方法の製造工程の他の一部を図解する模式的な断面図である。
【図９】実施の形態１の窒化物半導体発光ダイオード素子の製造方法の製造工程の他の一部を図解する模式的な断面図である。
【図１０】実施の形態１の窒化物半導体発光ダイオード素子の製造方法の製造工程の他の一部を図解する模式的な断面図である。
【図１１】実施の形態２の窒化物半導体レーザ素子の製造方法の一例の製造工程の一部を図解する模式的な断面図である。
【図１２】実施の形態２の窒化物半導体レーザ素子の製造方法の一例の製造工程の他の一部を図解する模式的な断面図である。
【図１３】実施の形態２の窒化物半導体レーザ素子の製造方法の一例の製造工程の他の一部を図解する模式的な断面図である。
【図１４】実施の形態３の窒化物半導体トランジスタ素子の製造方法の一例の製造工程の一部を図解する模式的な断面図である。
【図１５】実施の形態３の窒化物半導体トランジスタ素子の製造方法の一例の製造工程の他の一部を図解する模式的な断面図である。
【図１６】実施例の試験サンプルの模式的な断面図である。
【図１７】実施例１の試験サンプルのＳＴＥＭ像である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明の実施の形態について説明する。なお、本発明の図面において、同一の参照符号は、同一部分または相当部分を表わすものとする。
【００２０】
＜実施の形態１＞
まず、図１の模式的断面図に示すように、表面に凹凸を有する基板１を準備する工程を行なう。ここで、表面に凹凸を有する基板１を準備する工程は、たとえば、サファイア基板、炭化珪素基板、窒化ガリウム基板または酸化亜鉛基板などの基板１の表面上にレジストをパターニングし、ＩＣＰ（Inductively  coupled  plasma）などのエッチング方法によって、基板１の表面の一部をエッチングすることなどにより行なうことができる。
【００２１】
次に、図２の模式的断面図に示すように、基板１の表面上にバッファ層２を形成する工程を行なう。ここで、バッファ層２を形成する工程は、たとえば、基板１の表面上に、Ａｌx1Ｇａ1-x1Ｎ（０≦ｘ１≦１）の式で表わされる窒化物半導体からなる窒化物半導体層をスパッタ法により積層することにより行なうことができ、バッファ層２としては窒化アルミニウム層を形成することが好ましい。バッファ層２としては窒化アルミニウム層を形成した場合には、バッファ層２上に形成される窒化物半導体層の転位密度を低減することができる傾向にある。
【００２２】
次に、基板１の表面上に第１の窒化物半導体層を有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）により形成する工程を行なう。ここで、第１の窒化物半導体層をＭＯＣＶＤ法により形成する工程は、たとえば以下のようにして行なうことができる。まず、図３の模式的断面図に示すように、バッファ層２の表面上に斜めファセット３ｂを有する斜めファセット層３をＭＯＣＶＤ法により形成する工程を行なう。
【００２３】
斜めファセット層３をＭＯＣＶＤ法により形成する工程は、たとえば、バッファ層２の表面上に、Ａｌx2Ｇａy2Ｉｎz2Ｎ（０≦ｘ２≦１、０≦ｙ２≦１、０≦ｚ２≦１、ｘ２＋ｙ２＋ｚ２≠０）の式で表わされる窒化物半導体からなる窒化物半導体層をＭＯＣＶＤ法により積層することにより行なうことができる。
【００２４】
ここで、斜めファセット層３は、斜めファセット層３の斜めファセット３ｂが、斜めファセット層３の成長面３ａに対して、４５°以上の角度αの傾斜を有していることが好ましい。この場合には、基板１上に成長初期に生じた転位を効果的に横方向に曲げることができるため、斜めファセット層３上に形成される窒化物半導体層の転位密度を低減することができる。
【００２５】
次に、図４の模式的断面図に示すように、斜めファセット層３の斜めファセット３ｂの間から露出しているバッファ層２の表面を埋め込む平坦層としての埋め込み層４をＭＯＣＶＤ法により形成する工程を行なう。
【００２６】
埋め込み層４をＭＯＣＶＤ法により形成する工程は、たとえば、斜めファセット層３の斜めファセット３ｂの間から露出しているバッファ層２の表面上に、Ａｌx3Ｇａy3Ｉｎz3Ｎ（０≦ｘ３≦１、０≦ｙ３≦１、０≦ｚ３≦１、ｘ３＋ｙ３＋ｚ３≠０）の式で表わされる窒化物半導体からなる窒化物半導体層をＭＯＣＶＤ法により積層することにより行なうことができる。ここで、埋め込み層４は、たとえば図４に示すように、斜めファセット層３の全体を埋め込むのではなく、斜めファセット層３の厚さ方向の途中まで斜めファセット３ｂの間の空間を埋め込むことが好ましい。
【００２７】
以上により、基板１の表面上に、斜めファセット層３と埋め込み層４とからなる第１の窒化物半導体層５をＭＯＣＶＤ法により形成することができる。
【００２８】
次に、図５の模式的断面図に示すように、第１の窒化物半導体層５の表面上に窒化珪素層６を形成する工程を行なう。
【００２９】
窒化珪素層６を形成する工程は、たとえば、第１の窒化物半導体層５の埋め込み層４の表面上にＣＶＤ法により窒化珪素層６を形成することにより行なうことができる。
【００３０】
次に、図６の模式的断面図に示すように、第１の窒化物半導体層５および窒化珪素層６を覆うように、斜めファセット７ｂを有する第２の窒化物半導体層７をＭＯＣＶＤ法により形成する工程を行なう。
【００３１】
第２の窒化物半導体層７をＭＯＣＶＤ法により形成する工程は、たとえば、第１の窒化物半導体層５および窒化珪素層６を覆うように、Ａｌx4Ｇａy4Ｉｎz4Ｎ（０≦ｘ４≦１、０≦ｙ４≦１、０≦ｚ４≦１、ｘ４＋ｙ４＋ｚ４≠０）の式で表わされる窒化物半導体からなる窒化物半導体層をＭＯＣＶＤ法により積層することにより行なうことができる。
【００３２】
ここで、第２の窒化物半導体層７は、第２の窒化物半導体層７の斜めファセット７ｂが、第２の窒化物半導体層７の成長面７ａに対して、４５°以上の角度βの傾斜を有していることが好ましい。この場合には、第１の窒化物半導体層５の厚さ方向に伝播してきた転位を第２の窒化物半導体層７の斜めファセット７ｂで横方向に曲げることができるため、転位の伝播を有効に防止して、第２の窒化物半導体層７上に形成される窒化物半導体層の上面の転位密度を大きく低減することができる傾向にある。
【００３３】
また、第２の窒化物半導体層７の厚さＴは、２μｍ以上であることが好ましい。第２の窒化物半導体層７の厚さＴが２μｍ以上である場合には、第２の窒化物半導体層７上に形成される窒化物半導体層の表面の転位密度を大きく低減することができる傾向にある。
【００３４】
次に、図７の模式的断面図に示すように、第２の窒化物半導体層７の斜めファセット７ｂを埋め込むように、平坦な上面８ａを有する第３の窒化物半導体層８をＭＯＣＶＤ法により形成する工程を行なう。
【００３５】
第３の窒化物半導体層８をＭＯＣＶＤ法により形成する工程は、たとえば、第２の窒化物半導体層７の斜めファセット７ｂの間の空間を埋め込むようにＡｌx5Ｇａy5Ｉｎz5Ｎ（０≦ｘ５≦１、０≦ｙ５≦１、０≦ｚ５≦１、ｘ５＋ｙ５＋ｚ５≠０）の式で表わされる窒化物半導体からなる窒化物半導体層をＭＯＣＶＤ法により積層することにより行なうことができる。
【００３６】
本実施の形態においては、第２の窒化物半導体層７をＭＯＣＶＤ法により形成する工程において、ＭＯＣＶＤ成長装置の成長室に供給されるＩＩＩ族元素ガスに対するＶ族元素ガスのモル流量比（（ＭＯＣＶＤ成長装置の成長室に供給されるＩＩＩ族元素ガスのモル流量）／（ＭＯＣＶＤ成長装置の成長室に供給されるＶ族元素ガスのモル流量））が２４０以下とされる。これは、本発明者が鋭意検討した結果、第２の窒化物半導体層７をＭＯＣＶＤ法により形成する際に、ＭＯＣＶＤ成長装置の成長室に供給されるＩＩＩ族元素ガスに対するＶ族元素ガスのモル流量比を２４０以下とすることによって、窒化珪素層６を形成した場合でも、斜めファセット７ｂを有する第２の窒化物半導体層７上に形成される第３の窒化物半導体層８の上面８ａの転位密度を低減することができるとともに、第３の窒化物半導体層８の上面８ａの表面モフォロジーを優れたものとすることができることを見出したことによるものである。
【００３７】
また、第２の窒化物半導体層７をＭＯＣＶＤ法により形成する工程において、ＭＯＣＶＤ成長装置の成長室に供給されるＩＩＩ族元素ガスに対するＶ族元素ガスのモル流量比が１２０以下とされることが好ましい。この場合には、第３の窒化物半導体層８の上面８ａの転位密度をさらに低減することができる傾向にある。
【００３８】
また、第２の窒化物半導体層７をＭＯＣＶＤ法により形成する工程において、ＭＯＣＶＤ成長装置の成長室に供給されるＩＩＩ族元素ガスに対するＶ族元素ガスのモル流量比が９０以上とされることが好ましい。この場合には、第３の窒化物半導体層８の上面８ａの転位密度をさらに低減することができる傾向にある。
【００３９】
次に、図８の模式的断面図に示すように、ＭＯＣＶＤ法によって、第３の窒化物半導体層８の上面８ａ上に、ｎ型窒化物半導体層９、窒化物半導体超格子構造層１０、窒化物半導体活性層１１、第１のｐ型窒化物半導体層１２および第２のｐ型窒化物半導体層１３をこの順序で積層した後に、ＥＢ（Electron  Beam）蒸着法などによって第２のｐ型窒化物半導体層１３の表面上に透光性電極層１４を積層することによって積層体を形成する。
【００４０】
ここで、ｎ型窒化物半導体層９としては、たとえば、Ａｌx6Ｇａy6Ｉｎz6Ｎ（０≦ｘ６≦１、０≦ｙ６≦１、０≦ｚ６≦１、ｘ６＋ｙ６＋ｚ６≠０）の式で表わされる窒化物半導体からなる窒化物半導体層にｎ型ドーパントをドーピングした層などを積層することができる。
【００４１】
また、窒化物半導体超格子構造層１０としては、たとえば、互いに組成の異なる、Ａｌx7Ｇａy7Ｉｎz7Ｎ（０≦ｘ７≦１、０≦ｙ７≦１、０≦ｚ７≦１、ｘ７＋ｙ７＋ｚ７≠０）の式で表わされる窒化物半導体からなる窒化物半導体層と、Ａｌx8Ｇａy8Ｉｎz8Ｎ（０≦ｘ８≦１、０≦ｙ８≦１、０≦ｚ８≦１、ｘ８＋ｙ８＋ｚ８≠０）の式で表わされる窒化物半導体からなる窒化物半導体層とを１層ずつ交互に積層した層などを積層することができる。
【００４２】
また、窒化物半導体活性層１１としては、たとえば、互いに組成の異なる、Ａｌx9Ｇａy9Ｉｎz9Ｎ（０≦ｘ９≦１、０≦ｙ９≦１、０≦ｚ９≦１、ｘ９＋ｙ９＋ｚ９≠０）の式で表わされる窒化物半導体からなる窒化物半導体井戸層と、窒化物半導体井戸層よりもバンドギャップの大きいＡｌx10Ｇａy10Ｉｎz10Ｎ０≦ｘ１０≦１、０≦ｙ１０≦１、０≦ｚ１０≦１、ｘ１０＋ｙ１０＋ｚ１０≠０）の式で表わされる窒化物半導体からなる窒化物半導体障壁層（とを１層ずつ交互に積層した層などを積層することができる。窒化物半導体活性層１１における窒化物半導体井戸層の数は、たとえば６層とすることができるがこれに限定されるものではない。
【００４３】
また、第１のｐ型窒化物半導体層１２としては、たとえばＡｌx11Ｇａy11Ｉｎz11Ｎ（０≦ｘ１１≦１、０≦ｙ１１≦１、０≦ｚ１１≦１、ｘ１１＋ｙ１１＋ｚ１１≠０）の式で表わされる窒化物半導体からなる窒化物半導体層にｐ型ドーパントをドーピングした層などを積層することができる。
【００４４】
また、第２のｐ型窒化物半導体層１３としては、たとえばＡｌx12Ｇａy12Ｉｎz12Ｎ（０≦ｘ１２≦１、０≦ｙ１２≦１、０≦ｚ１２≦１、ｘ１２＋ｙ１２＋ｚ１２≠０）の式で表わされる窒化物半導体からなる窒化物半導体層にｐ型ドーパントをドーピングした層などを積層することができる。
【００４５】
また、透光性電極層１４としては、たとえばＩＴＯ（Indium  Tin  Oxide）からなる層などを積層することができる。
【００４６】
次に、図９の模式的断面図に示すように、図８に示す積層体の一部をエッチングなどにより除去することによってｎ型窒化物半導体層９の表面の一部を露出させる。
【００４７】
そして、図１０の模式的断面図に示すように、ｎ型窒化物半導体層９の露出した表面上にｎ側電極１６を形成するとともに、透光性電極層１４の表面上にｐ側電極１５を形成することによって、実施の形態１の窒化物半導体発光ダイオード素子を作製することができる。
【００４８】
以上のようにして作製された実施の形態１の窒化物半導体発光ダイオード素子においては、上述のように、第２の窒化物半導体層７をＭＯＣＶＤ法により形成する際に、ＭＯＣＶＤ成長装置の成長室に供給されるＩＩＩ族元素ガスに対するＶ族元素ガスのモル流量比が２４０以下とされているため、第３の窒化物半導体層８の上面８ａの転位密度を低減することができるとともに、第３の窒化物半導体層８の上面８ａの表面モフォロジーを優れたものとすることができる。
【００４９】
そのため、実施の形態１の窒化物半導体発光ダイオード素子においては、そのような転位密度が低く、表面モフォロジーの優れた第３の窒化物半導体層８の上面８ａ上に、ｎ型窒化物半導体層９、窒化物半導体超格子構造層１０、窒化物半導体活性層１１、第１のｐ型窒化物半導体層１２および第２のｐ型窒化物半導体層１３のそれぞれの転位密度を低くして結晶性を向上させることができるため、発光効率などの特性を向上させることができる。
【００５０】
＜実施の形態２＞
本実施の形態においては、窒化物半導体発光ダイオード素子ではなく、窒化物半導体レーザ素子を作製した点に特徴がある。
【００５１】
以下、実施の形態２の窒化物半導体レーザ素子の製造方法の一例について説明する。まず、実施の形態１と同様にして、基板１の表面上に、バッファ層２、斜めファセット層３、第１の埋め込み層４、窒化珪素層６、第２の窒化物半導体層７および第３の窒化物半導体層８をこの順序で積層する。
【００５２】
次に、図１１の模式的断面図に示すように、ＭＯＣＶＤ法によって、第３の窒化物半導体層８の上面８ａ上に、ｎ型窒化物半導体クラッド層２１、ｎ型窒化物半導体光ガイド層２２、窒化物半導体活性層２３、窒化物半導体保護層２４、ｐ型窒化物半導体光ガイド層２５、ｐ型窒化物半導体クラッド層２６およびｐ型窒化物半導体コンタクト層２７をこの順序で積層して積層体を形成する。
【００５３】
ここで、ｎ型窒化物半導体クラッド層２１としては、たとえばＡｌx13Ｇａy13Ｉｎz13Ｎの式で表わされる窒化物半導体からなる窒化物半導体層（０≦ｘ１３≦１、０≦ｙ１３≦１、０≦ｚ１３≦１、ｘ１３＋ｙ１３＋ｚ１３≠０）にｎ型ドーパントをドーピングした層などを積層することができる。
【００５４】
また、ｎ型窒化物半導体光ガイド層２２としては、たとえばＡｌx14Ｇａy14Ｉｎz14Ｎの式で表わされる窒化物半導体からなる窒化物半導体層（０≦ｘ１４≦１、０≦ｙ１４≦１、０≦ｚ１４≦１、ｘ１４＋ｙ１４＋ｚ１４≠０）にｎ型ドーパントをドーピングした層などを積層することができる。
【００５５】
また、窒化物半導体活性層２３としては、たとえば、互いに組成の異なる、Ａｌx15Ｇａy15Ｉｎz15Ｎの式で表わされる窒化物半導体からなる窒化物半導体層（０≦ｘ１５≦１、０≦ｙ１５≦１、０≦ｚ１５≦１、ｘ１５＋ｙ１５＋ｚ１５≠０）と、Ａｌx16Ｇａy16Ｉｎz16Ｎの式で表わされる窒化物半導体からなる窒化物半導体層（０≦ｘ１６≦１、０≦ｙ１６≦１、０≦ｚ１６≦１、ｘ１６＋ｙ１６＋ｚ１６≠０）とを１層ずつ交互に積層した層などを積層することができる。
【００５６】
また、窒化物半導体保護層２４としては、たとえばＡｌx17Ｇａy17Ｉｎz17Ｎの式で表わされる窒化物半導体からなる窒化物半導体層（０≦ｘ１７≦１、０≦ｙ１７≦１、０≦ｚ１７≦１、ｘ１７＋ｙ１７＋ｚ１７≠０）などを積層することができる。
【００５７】
また、ｐ型窒化物半導体光ガイド層２５としては、たとえばＡｌx18Ｇａy18Ｉｎz18Ｎの式で表わされる窒化物半導体からなる窒化物半導体層（０≦ｘ１８≦１、０≦ｙ１８≦１、０≦ｚ１８≦１、ｘ１８＋ｙ１８＋ｚ１８≠０）にｐ型ドーパントをドーピングした層などを積層することができる。
【００５８】
また、ｐ型窒化物半導体クラッド層２６としては、たとえばＡｌx19Ｇａy19Ｉｎz19Ｎの式で表わされる窒化物半導体からなる窒化物半導体層（０≦ｘ１９≦１、０≦ｙ１９≦１、０≦ｚ１９≦１、ｘ１９＋ｙ１９＋ｚ１９≠０）にｐ型ドーパントをドーピングした層などを積層することができる。
【００５９】
また、ｐ型窒化物半導体コンタクト層２７としては、たとえばＡｌx20Ｇａy20Ｉｎz20Ｎの式で表わされる窒化物半導体からなる窒化物半導体層（０≦ｘ２０≦１、０≦ｙ２０≦１、０≦ｚ２０≦１、ｘ２０＋ｙ２０＋ｚ２０≠０）にｐ型ドーパントをドーピングした層などを積層することができる。
【００６０】
次に、図１２の模式的断面図に示すように、図１１に示す積層体のｐ型窒化物半導体クラッド層２６およびｐ型窒化物半導体コンタクト層２７のそれぞれの一部をエッチングなどにより除去することによってｐ型窒化物半導体クラッド層２６の表面の一部を露出させるとともに、図１１に示す積層体の一部をエッチングなどにより除去することによってｎ型窒化物半導体クラッド層２１の表面の一部を露出させる。
【００６１】
その後、図１３の模式的断面図に示すように、ｐ型窒化物半導体コンタクト層２７の表面を露出させる一方でｐ型窒化物半導体クラッド層２６の露出表面を覆うようにたとえば酸化ケイ素などからなる絶縁膜２８を形成する。そして、ｎ型窒化物半導体クラッド層２１の露出した表面上にｎ側電極１６を形成するとともに、ｐ型窒化物半導体コンタクト層２７と接するｐ側電極１５を絶縁膜２８上に形成することによって、実施の形態２の窒化物半導体レーザ素子を作製することができる。
【００６２】
以上のようにして作製された実施の形態２の窒化物半導体レーザ素子においても、上述のように、第２の窒化物半導体層７をＭＯＣＶＤ法により形成する際に、ＭＯＣＶＤ成長装置の成長室に供給されるＩＩＩ族元素ガスに対するＶ族元素ガスのモル流量比が２４０以下とされるため、第３の窒化物半導体層８の上面８ａの転位密度を低減することができるとともに、第３の窒化物半導体層８の上面８ａの表面モフォロジーを優れたものとすることができる。
【００６３】
そのため、実施の形態２の窒化物半導体レーザ素子においても、そのような転位密度が低く、表面モフォロジーの優れた第３の窒化物半導体層８の上面８ａ上に、ｎ型窒化物半導体クラッド層２１、ｎ型窒化物半導体光ガイド層２２、窒化物半導体活性層２３、窒化物半導体保護層２４、ｐ型窒化物半導体光ガイド層２５、ｐ型窒化物半導体クラッド層２６およびｐ型窒化物半導体コンタクト層２７のそれぞれの転位密度を低くして結晶性を向上させることができるため、レーザ光の発振特性などの特性を向上させることができる。
【００６４】
本実施の形態における上記以外の説明は、実施の形態１と同様であるため、ここではその説明については省略する。
【００６５】
＜実施の形態３＞
本実施の形態においては、窒化物半導体発光ダイオード素子や窒化物半導体レーザ素子などの発光デバイスではなく、電子デバイスの一例である窒化物半導体トランジスタ素子を作製した点に特徴がある。
【００６６】
以下、実施の形態３の窒化物半導体トランジスタ素子の製造方法の一例について説明する。まず、実施の形態１および２と同様にして、基板１の表面上に、バッファ層２、斜めファセット層３、第１の埋め込み層４、窒化珪素層６、第２の窒化物半導体層７および第３の窒化物半導体層８をこの順序で積層する。
【００６７】
次に、図１４の模式的断面図に示すように、ＭＯＣＶＤ法によって、第３の窒化物半導体層８の上面８ａ上にアンドープＧａＮなどからなる窒化物半導体電子走行層３１を積層し、窒化物半導体電子走行層３１の表面上にｎ型ＡｌＧａＮなどからなるｎ型窒化物半導体電子供給層３２を積層する。
【００６８】
その後、図１５の模式的断面図に示すように、ｎ型窒化物半導体電子供給層３２の表面上に、ソース電極３３、ドレイン電極３４およびゲート電極３５をそれぞれ形成することによって、実施の形態３の窒化物半導体トランジスタ素子を作製することができる。
【００６９】
以上のようにして作製された実施の形態３の窒化物半導体トランジスタ素子においても、上述のように、第２の窒化物半導体層７をＭＯＣＶＤ法により形成する際に、ＭＯＣＶＤ成長装置の成長室に供給されるＩＩＩ族元素ガスに対するＶ族元素ガスのモル流量比が２４０以下とされるため、第３の窒化物半導体層８の上面８ａの転位密度を低減することができるとともに、第３の窒化物半導体層８の上面８ａの表面モフォロジーを優れたものとすることができる。
【００７０】
そのため、実施の形態３の窒化物半導体トランジスタ素子においても、そのような転位密度が低く、表面モフォロジーの優れた第３の窒化物半導体層８の上面８ａ上に、窒化物半導体電子走行層３１およびｎ型窒化物半導体電子供給層３２のそれぞれの転位密度を低くして結晶性を向上させることができるため、電子移動度などの特性を向上させることができる。
【００７１】
本実施の形態における上記以外の説明は、実施の形態１および２と同様であるため、ここではその説明については省略する。
【実施例】
【００７２】
＜実施例１＞
以下のようにして図１６の模式的断面図に示す試験サンプルを作製し、ｎ型ＧａＮからなる導電層４９の表面の転位密度および表面モフォロジーの評価を行なった。
【００７３】
具体的には、まず、サファイア基板４１をステッパーによりレジストをパターニングし、ＩＣＰ（Inductively  coupled  plasma）によって、サファイア基板４１の表面をエッチングすることによって、サファイア基板４１の表面に凹凸を形成した。
【００７４】
次に、上記の凹凸の形成後のサファイア基板４１をスパッタ製膜装置の製膜室内に設置し、スパッタ製膜装置の製膜室内に窒素ガスを流すことによって、サファイア基板４１の表面を窒化した。その後、サファイア基板４１の温度を５００℃とし、スパッタ製膜装置の製膜室内の圧力を０．５Ｐａに保持し、スパッタ製膜装置の製膜室内に５ｓｃｃｍの流量の窒素ガスを流し、高周波バイアスを金属Ａｌターゲット側に印加することによって、厚さ２５ｎｍのＡｌＮバッファ層４２を形成した。
【００７５】
次に、上記のＡｌＮバッファ層４２の形成後のサファイア基板４１を冷却し、ＭＯＣＶＤ装置の成長室内に設置した。その後、サファイア基板４１の温度を９９０℃として、ＭＯＣＶＤ装置の成長室内に、Ｖ族源としてＮＨ3（アンモニア）ガスを供給し、ＩＩＩ族源としてＴＭＧ（トリメチルガリウム）ガスを供給することによって、高さ１．７μｍの斜めファセット４３ｂを有するＧａＮからなる斜めファセット層４３を成長させた。このとき、斜めファセット層４３の斜めファセット４３ｂの斜めファセット層４３の成長面４３ａに対する角度αは約６０°であった。また、斜めファセット層４３は、サファイア基板４１の凹凸の表面の凹部の上面にのみ成長した。
【００７６】
次に、サファイア基板４１の温度を１２００℃としたこと以外は、斜めファセット層４３と同様の条件で、斜めファセット層４３の斜めファセット４３ｂの間の窪みをＧａＮからなる第１の埋め込み層４４で埋め込んだ。このとき、第１の埋め込み層４４の厚さは、０．５μｍであって、斜めファセット層４３の斜めファセット４３ｂの途中の高さまで埋め込んだ。
【００７７】
次に、サファイア基板４１の温度を１２５５℃とし、ＩＶ族源としてＳｉＨ4（シラン）ガスを供給し、Ｖ族源としてＮＨ3ガスをそれぞれ１９．５分間供給し、第１の埋め込み層４４の表面上に窒化珪素層４６を成長させた。窒化珪素層４６の成長時においては、ＴＭＧを供給しなかった。
【００７８】
次に、サファイア基板４１の温度を１２５５℃に維持した状態で、ＳｉＨ4ガスの供給を停止し、ＴＭＧガスに対するＮＨ3ガスのモル流量比が１２０となるように、ＴＭＧガスとＮＨ3ガスとを供給することによって、厚さ３μｍのＧａＮからなり、斜めファセット４７ｂを有するファセットコントロール層４７を形成した。ここで、斜めファセット４７ｂのファセットコントロール層４７の成長面４７ａに対する角度βは４５°以上であった。
【００７９】
次に、サファイア基板４１の温度を１２５５℃に維持した状態で、ＴＭＧガスに対するＮＨ3ガスのモル流量比が４４０となるように、ＴＭＧガスとＮＨ3ガスとを供給することによって、厚さ２μｍのＧａＮからなる第２の埋め込み層４８を成長させた。
【００８０】
次に、ＣＬ（カソードルミネッセンス）による転位密度の測定のため、ＴＭＧガスおよびＮＨ3ガスの供給量をそれぞれ第２の埋め込み層４８の成長時と同様にして、さらに、ＳｉＨ4ガスを５×１０18／ｃｍ3の濃度で供給することによって、厚さ０．５μｍのｎ型ＧａＮからなる導電層４９を成長させた。
【００８１】
なお、上述したサファイア基板４１の温度は、カーボンサセプタに接触している熱電対の温度を示している。
【００８２】
上記のようにして作製した実施例１の試験サンプルの導電層４９の表面の転位密度をＣＬによって測定した。その結果を表１に示す。表１に示すように、実施例１の試験サンプルの導電層４９の表面の転位密度は５．４×１０7個／ｃｍ2であった。
【００８３】
また、実施例１の試験サンプルの導電層４９の表面を確認した。その結果を表１に示す。表１に示すように、実施例１の試験サンプルの導電層４９の表面においては、表面の荒れを示す白濁は見られず、表面モフォロジーが良好であることが確認された。
【００８４】
また、図１７に、実施例１の試験サンプルのＳＴＥＭ（Scanning  Transmission  Electron  Microscope）像を示す。図１７の右に示したＦＡＣ層の部分がファセットコントロール層に該当し、実線で取り囲んだ部分においては転位が横方向に伸びていることが観測される。これにより、ファセットコントロール層４７の斜めファセット４７ｂによって、ファセットコントロール層４７の下方から伝播してきた転位を効果的に横方向に曲げることができることが確認された。
【００８５】
＜実施例２＞
ファセットコントロール層４７の形成時のＴＭＧガスに対するＮＨ3ガスのモル流量比を２４０としたこと以外は実施例１と同様にして実施例２の試験サンプルを作製し、ｎ型ＧａＮからなる導電層４９の表面の転位密度および表面モフォロジーの評価を行なった。その結果を表１に示す。
【００８６】
表１に示すように、実施例２の試験サンプルの導電層４９の表面の転位密度は１×１０8個／ｃｍ2であった。また、実施例２の試験サンプルの導電層４９の表面においても表面の荒れを示す白濁は見られず、表面モフォロジーが良好であることが確認された。
【００８７】
＜実施例３＞
ファセットコントロール層４７の形成時のサファイア基板４１の温度を１２０５℃にするとともに、ＴＭＧガスに対するＮＨ3ガスのモル流量比を９０としたこと以外は実施例１と同様にして実施例３の試験サンプルを作製し、ｎ型ＧａＮからなる導電層４９の表面の転位密度および表面モフォロジーの評価を行なった。その結果を表１に示す。
【００８８】
表１に示すように、実施例３の試験サンプルの導電層４９の表面の転位密度は３．５×１０7個／ｃｍ2であった。また、実施例３の試験サンプルの導電層４９の表面においても表面の荒れを示す白濁は見られず、表面モフォロジーが良好であることが確認された。
【００８９】
＜実施例４＞
ファセットコントロール層４７の形成時のサファイア基板４１の温度を１２０５℃にするとともに、ＴＭＧガスに対するＮＨ3ガスのモル流量比を１２０としたこと以外は実施例１と同様にして実施例４の試験サンプルを作製し、ｎ型ＧａＮからなる導電層４９の表面の転位密度および表面モフォロジーの評価を行なった。その結果を表１に示す。
【００９０】
表１に示すように、実施例４の試験サンプルの導電層４９の表面の転位密度は４．８×１０7個／ｃｍ2であった。また、実施例４の試験サンプルの導電層４９の表面においても表面の荒れを示す白濁は見られず、表面モフォロジーが良好であることが確認された。
【００９１】
＜実施例５＞
ファセットコントロール層４７の形成時の厚さを２μｍとしたこと以外は実施例１と同様にして実施例５の試験サンプルを作製し、ｎ型ＧａＮからなる導電層４９の表面の転位密度および表面モフォロジーの評価を行なった。その結果を表１に示す。
【００９２】
表１に示すように、実施例５の試験サンプルの導電層４９の表面の転位密度は６．８×１０7個／ｃｍ2であった。また、実施例５の試験サンプルの導電層４９の表面においても表面の荒れを示す白濁は見られず、表面モフォロジーが良好であることが確認された。
【００９３】
【表１】
0005813448.tif 000002
【００９４】
表１に示すように、ファセットコントロール層４７の形成時のＴＭＧガスに対するＮＨ3ガスのモル流量比が１２０である実施例１においては、当該モル流量比が２４０である実施例２と比較して、導電層４９の表面の転位密度が低減していた。
【００９５】
また、表１の実施例３に示すように、ファセットコントロール層４７の形成時のサファイア基板４１の温度を１２０５℃まで低減し、ＴＭＧガスに対するＮＨ3ガスのモル流量比を９０とした場合には、導電層４９の表面の転位密度をさらに低減できることが確認された。
【００９６】
また、表１の実施例４に示すように、ファセットコントロール層４７の形成時のサファイア基板４１の温度が１２０５℃である場合に、当該モル流量比を１２０とした実施例４においては、実施例３よりも導電層４９の表面の転位密度が上昇していた。実施例３と実施例４との比較からも、ＴＭＧガスに対するＮＨ3ガスのモル流量比の低減による導電層４９の表面の転位密度の低下の効果が確認された。
【００９７】
このように、ＴＭＧガスに対するＮＨ3ガスのモル流量比を低下させることにより、導電層４９の表面の転位密度が低下する理由としては、核密度が大きくなり、転位と転位との間の会合の頻度が少なくなり、より効果的に転位密度を低減できるためと考えられる。
【００９８】
また、ファセットコントロール層４７の成長面４７ａに対する斜めファセット４７ｂの角度は４５°以上であったため、ファセットコントロール層４７に伝播してきた転位の曲がり角度が大きくなり、転位をより効果的に横方向に曲げることができた。
【００９９】
さらに、表１に示すように、ファセットコントロール層４７の厚さが２μｍである実施例５の導電層４９の表面の転位密度は、ファセットコントロール層４７の厚さが３μｍである実施例１の導電層４９の表面の転位密度よりも大きくなっていることから、ファセットコントロール層４７の厚さは２μｍ以上であることが好ましいことが確認された。
【０１００】
今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【産業上の利用可能性】
【０１０１】
本発明は、窒化物半導体素子の製造方法に利用することができ、特に、窒化物半導体発光ダイオード素子（ＬＥＤ）、窒化物半導体レーザ素子（ＬＤ）および窒化物半導体トランジスタ素子等の窒化物半導体素子の製造に好適に利用することができる可能性がある。
【符号の説明】
【０１０２】
１  基板、２  バッファ層、３  斜めファセット層、３ａ  成長面、３ｂ  斜めファセット、４  埋め込み層、５  第１の窒化物半導体層、６  窒化珪素層、７  第２の窒化物半導体層、７ａ  成長面、７ｂ  斜めファセット、８  第３の窒化物半導体層、８ａ  上面、９  ｎ型窒化物半導体層、１０  窒化物半導体超格子構造層、１１  窒化物半導体活性層、１２  第１のｐ型窒化物半導体層、１３  第２のｐ型窒化物半導体層、１４  透光性電極層、１５  ｐ側電極、１６  ｎ側電極、２１  ｎ型窒化物半導体クラッド層、２２  ｎ型窒化物半導体光ガイド層、２３  窒化物半導体活性層、２４  窒化物半導体保護層、２５  ｐ型窒化物半導体光ガイド層、２６  ｐ型窒化物半導体クラッド層、２７  ｐ型窒化物半導体コンタクト層、３１  窒化物半導体電子走行層、３２  ｎ型窒化物半導体電子供給層、３３  ソース電極、３４  ドレイン電極、３５  ゲート電極、４１  サファイア基板、４２  ＡｌＮバッファ層、４３  斜めファセット層、４３ａ  成長面、４３ｂ  斜めファセット、４４  第１の埋め込み層、４６  窒化珪素層、４７  ファセットコントロール層、４７ａ  成長面、４７ｂ  斜めファセット、４８  第２の埋め込み層、４９  導電層。
【図１】
0005813448.tif 000003
【図２】
0005813448.tif 000004
【図３】
0005813448.tif 000005
【図４】
0005813448.tif 000006
【図５】
0005813448.tif 000007
【図６】
0005813448.tif 000008
【図７】
0005813448.tif 000009
【図８】
0005813448.tif 000010
【図９】
0005813448.tif 000011
【図１０】
0005813448.tif 000012
【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
0005813448.tif 000015
【図１４】
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【図１５】
0005813448.tif 000017
【図１６】
0005813448.tif 000018
【図１７】
0005813448.tif 000019