(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
矩形状の主面を有する基材と、
前記基材の前記主面に対する積層方向に配設されるデータライン引き回し電極及びスキャンライン引き回し電極と、
前記データライン引き回し電極と電気接続されるデータライン導通部と、
前記スキャンライン引き回し電極と電気接続されるスキャンライン導通部と、
前記データライン導通部と前記スキャンライン導通部からの信号で駆動されるトランジスタを含む回路により所定電圧が保持される画素電極を複数含む表示エリアと、を有し、
前記積層方向からみて、少なくとも前記データライン引き回し電極又は前記スキャンライン引き回し電極のいずれか一方が、前記表示エリアと重畳し、
前記データライン引き回し電極及び前記スキャンライン引き回し電極が、前記基材の一辺側に延在するように配され、
前記データライン引き回し電極及び前記スキャンライン引き回し電極が延在する前記基材の一辺と隣り合う２つの辺の間を導通するタイリング用電極が前記基材上に設けられるトランジスタアレイを２つ以上連結すると共に、連結した前記トランジスタアレイ同士の前記タイリング用電極を導通させる工程と、
前記タイリング用電極の一部を切断する工程と、からなることを特徴とするトランジスタアレイの連結方法。
【請求項２】
前記データライン引き回し電極とデータライン導通部とが電気接続する接続部と、前記スキャンライン引き回し電極とスキャンライン導通部とが電気接続する接続部が、前記基材の周縁に配されることを特徴とする請求項１に記載のトランジスタアレイの連結方法。
【請求項３】
前記積層方向からみて、前記データライン引き回し電極とデータライン導通部とが電気接続する接続部と、前記スキャンライン引き回し電極とスキャンライン導通部とが電気接続する接続部が、前記画素電極に覆われていることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のトランジスタアレイの連結方法。
【請求項４】
前記基材の一辺側に延在された前記データライン引き回し電極及び前記スキャンライン引き回し電極の周囲にはＥＳＤリングが配されることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載のトランジスタアレイの連結方法。
【請求項５】
前記基板には、前記データライン引き回し電極及び前記スキャンライン引き回し電極に信号を供給するドライバーＩＣが配されることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載のトランジスタアレイの連結方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、大型の表示装置を製造する際に用いられる単位表示装置の各画素を駆動する
トランジスタアレイとこのようなトランジスタアレイの連結方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
これまで、大型の表示装置を製造する方法のひとつとして、単位表示装置を複数タイリングする方法が提案されている。タイリングによって大型表示装置を製造する技術については、例えば、特許文献１（特開平１０−９６９１１号公報）に、内部の遮光部と縁の遮光部を有している第
１及び第２基板を含む液晶表示装置の製造方法において、前記縁の遮光部を第１領域と、第２領域で区分する段階と、前記第１基板上に前記縁の遮光部の第１領域を区分する段階と、前記縁の遮光部の第１領域を除去し、前記縁の遮光部の第２領域を残す段階と、前記第１基板及び第２基板の縁の遮光部の第２領域を相互連結する段階とを有することを特徴とする液晶表示装置の製造方法が開示されている。
【特許文献１】特開平１０−９６９１１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
ところで、単位表示パネルの各画素を駆動するための信号が入力される電極（引き回し電極）は、表示パネルの矩形状の表示エリアの２辺から引き出された構成となるが、このような構成の単位表示パネルを用いてタイリングにより大型表示装置を製造する場合、引き回し電極部と、表示エリアが重ならないようにレイアウトしようとすると、最大で４つの単位表示パネルを用いた表示装置（特許文献１の図９などに記載の表示装置）しか製造することができず、大型の表示装置を製造する上でのネックとなっていた。すなわち、従来の単位表示パネルにおける引き回し電極部が表示エリアの２辺から引き出された構成は表示装置の大型化を阻害する要因となっており、問題であった。
【０００４】
なお、従来の単位表示パネルの中には、引き回し電極部を単位表示パネルの裏側に引き出すようにした構造も知られているが、このような構造のものを製造するためには非常にコストがかかり、大型の表示装置を製造する上での課題となっていた。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は以上のような課題を解決するためのものであり、請求項１に係る発明は、矩形状の主面を有する基材と、前記基材の前記主面に対する積層方向に配設されるデータライン引き回し電極及びスキャンライン引き回し電極と、前記データライン引き回し電極と電気接続されるデータライン導通部と、前記スキャンライン引き回し電極と電気接続されるスキャンライン導通部と、前記データライン導通部と前記スキャンライン導通部からの信号で駆動されるトランジスタを含む回路により所定電圧が保持される画素電極を複数含む表示エリアと、を有し、前記積層方向からみて、少なくとも前記データライン引き回し電極又は前記スキャンライン引き回し電極のいずれか一方が、前記表示エリアと重畳し、前記データライン引き回し電極及び前記スキャンライン引き回し電極が、前記基材の一辺側に延在するように配され、前記データライン引き回し電極及び前記スキャンライン引き回し電極が延在する前記基材の一辺と隣り合う２つの辺の間を導通するタイリング用電極が前記基材上に設けられるトランジスタアレイを２つ以上連結すると共に、連結した前記トランジスタアレイ同士の前記タイリング用電極を導通させる工程と、前記タイリング用電極の一部を切断する工程と、からなることを特徴とするトランジスタアレイの連結方法である。
【０００６】
また、請求項２に係る発明は、請求項１に記載のトランジスタアレイの連結方法において、前記データライン引き回し電極とデータライン導通部とが電気接続する接続部と、前記スキャンライン引き回し電極とスキャンライン導通部とが電気接続する接続部が、前記基材の周縁に配されることを特徴とする。
【０００７】
また、請求項３に係る発明は、請求項１又は請求項２に記載のトランジスタアレイの連結方法において、前記積層方向からみて、前記データライン引き回し電極とデータライン導通部とが電気接続する接続部と、前記スキャンライン引き回し電極とスキャンライン導通部とが電気接続する接続部が、前記画素電極に覆われていることを特徴とする。
【０００８】
また、請求項４に係る発明は、請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載のトランジスタアレイの連結方法において、前記基材の一辺側に延在された前記データライン引き回し電極及び前記スキャンライン引き回し電極の周囲にはＥＳＤリングが配されることを特徴とする。
【０００９】
また、請求項５に係る発明は、請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載のトランジスタアレイの連結方法において、前記基板には、前記データライン引き回し電極及び前記スキャンライン引き回し電極に信号を供給するドライバーＩＣが配されることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
本発明のトランジスタアレイによれば、矩形状表示エリアの１辺のみから引き回し電極が引き出された単位表示パネルを製造することができるようになるので、タイリングを行う単位表示パネルの数に制限がなくなり、より大型の表示装置を簡単に製造することが可能となる。
【００１４】
また、本発明のトランジスタアレイによれば、単位表示パネルを安価に製造することが可能となるので、これをタイリングして製造する大型の表示装置を安価に製造することができるようになる。
【００１５】
また、本発明のトランジスタアレイの連結方法によれば、単位表示パネルを簡便に連結することが可能となるので、より大型の表示装置をコストアップすることなく製造することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の実施形態に係るトランジスタアレイ１を構成するために用いられる基材１０の斜視図である。
【図２】本発明の実施形態に係るトランジスタアレイ１の斜視図である。
【図３】本発明の実施形態に係るトランジスタアレイ１の１つの画素３１０の構造を説明する図である。
【図４】本発明の実施形態に係るトランジスタアレイ１の等価回路を示す図である。
【図５】本発明の実施形態に係るトランジスタアレイ１により構成される単位表示パネル５００の分解斜視図である。
【図６】本発明の実施形態に係るトランジスタアレイ１により構成される単位表示パネル５００の斜視図である。
【図７】本発明の他の実施形態に係るトランジスタアレイ１の積層構造概略の分解斜視図である。
【図８】本発明の他の実施形態に係るトランジスタアレイ１を構成するために用いられる基材１０の斜視図である。
【図９】本発明の他の実施形態に係るトランジスタアレイ１の連結方法を説明する図である。
【図１０】タイリングディスプレイを製造する際の表示パネル５００のレイアウト例を示す模式図である。
【図１１】タイリングディスプレイを製造する際の表示パネル５００のレイアウト例を示す模式図である。
【図１２】表示パネル５００の構成例を模式的に示す図である。
【図１３】本発明の他の実施形態に係るトランジスタアレイ１の斜視図である。
【図１４】ＥＳＤリング６００のダイオードＤ１、Ｄ２をトランジスタＴｒ１、Ｔｒ２によって構成し得ることを説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明の実施の形態を図面を参照しつつ説明する。図１は本発明の実施形態に係るトランジスタアレイ１を構成するために用いられる基材１０の斜視図であり、図２は本発明の実施形態に係るトランジスタアレイ１の斜視図である。図２は図１に示す基材１０に、所定の材料を積層することでトランジスタアレイ１を作り込んだものである。トランジスタアレイ１は、８×８のマトリクス状に配置された画素３１０を有する表示エリア３００の表示制御を行うためのものである。表示エリア３００を構成する画素３１０の数については８×８に限定されるものではなく、任意とすることができる。また、表示エリア３００を構成する画素３１０の数については図示化の都合上、現実のものより少なくなっている。
【００１８】
また、図５は本発明の実施形態に係るトランジスタアレイ１により構成される単位表示パネル５００の分解斜視図であり、基材１０上に作り込まれたトランジスタアレイ１に表示層４００と透明電極層４５０とを順次積層する様子が示されているものである。また、図６は本発明の実施形態に係るトランジスタアレイ１により構成される単位表示パネル５００の斜視図である。
【００１９】
本実施形態においては、大型の表示装置をタイリングによって構成するための単位となる表示パネルの駆動を行うトランジスタアレイ１を例にとり説明する。前記のような単位表示パネルとしては、例えば、電子ペーパーを想定しており、基材１０としては可撓性を有するものが用いられる場合に基づいて説明するが、本発明のトランジスタアレイ１が適用可能な表示パネルは電子ペーパーに限らず、その他の表示素子にも適用可能である。
【００２０】
基材１０に用いる材料としては、例えば、ポリイミドを主成分とする、可撓性、絶縁性、耐熱性に優れたものなどを用いることができる。また、これに限らず基材１０としては、ポリエチレンナフタレート、ポリエチレンテレフタラート、ポリエーテルスルホン、ポリカーボネート、ポリエーテルイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルケトン、ポリフェニレンスルフィド、液晶ポリマー、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、フィノール樹脂等を用いることができる。本発明においてはこれらのいずれの絶縁性材料であっても好適に用いることができる。なお、基材１０に用いられる絶縁性材料は１種類のみであってもよく、あるいは２種類以上であってもよい。
【００２１】
図１に示すように、基板１０の主面は矩形状になるように成形されており、アクティブ
マトリックス方式のトランジスタアレイ１のデータラインに信号を供給するデータライン引き回し電極１００、及び、トランジスタアレイ１のスキャンラインに信号を供給するスキャンライン引き回し電極２００が当該主面上に設けられている。また、データライン引き回し電極１００及びスキャンライン引き回し電極２００に供給する信号を生成するドライバーＩＣ５０に対する駆動信号を供給するために用いられるドライバーＩＣ導通電極３０も前記主面上に形成されるようになっている。
【００２２】
本実施形態においては、データライン用のドライバーＩＣ５０、スキャンライン用のドライバーＩＣ５０はいずれも基板１０の矩形ＡＢＣＤにおける辺ＤＡ側に配されるようになっている。また、これらドライバーＩＣ５０と接続されるデータライン引き回し電極１００及びスキャンライン引き回し電極２００についても辺ＤＡ側に集約されるようになっている。
【００２３】
辺ＤＡ側で集約されているデータライン引き回し電極１００は、辺ＡＢの際まで引き回されて、辺ＡＢから主面の垂直方向（積層方向）に形成される回路にスルーホールを介して電気接続するように構成される。
【００２４】
また、辺ＤＡ側で集約されているスキャンライン引き回し電極２００は、辺ＢＣの際まで引き回されて、辺ＢＣから主面の垂直方向（積層方向）に形成される回路にスルーホールを介して電気接続するように構成される。
【００２５】
なお、図１に示す実施形態では、データライン引き回し電極１００は基材１０の辺ＡＢの周縁まで引き回され、スキャンライン引き回し電極２００は基材１０の辺ＢＣの周縁まで引き回される構造となっているが、製造の初期の段階から、これら各電極を基材１０の周縁（すなわち、基材１０の際のぎりぎりのところ）に形成する必要はない。例えば、マージンをもった基材を用意しておき、本実施形態と同様にトランジスタアレイ１を構成し、製造の最終段階で、前記マージンをレーザーやカッティングマシーンで切断して除去することもできる。
【００２６】
本実施形態においては、データライン引き回し電極１００、スキャンライン引き回し電極２００やドライバーＩＣ導通電極３０などの電極、或いはスルーホールなどにおける電気接続部に用いる導電性材料としては、所望の導電性を有する連結用電極を形成できるものであれば特に限定されるものではない。このような導電性材料としては、例えば、金、銅、銀、アルミニウム、クロム、ニッケル、スズ等の金属材料とポリアニリン、ポリエチレンジオキシチオフェン等の導電性高分子材料とＩＴＯ、ＩＺＯ等の酸化物を挙げることができる。
【００２７】
図２に示すように、データライン引き回し電極１００は辺ＡＢにおいて、辺ＡＢに並んでいる８つの画素３１０を構成する回路と電気接続され、同様に、スキャンライン引き回し電極２００は辺ＢＣにおいて、辺ＢＣに並んでいる８つの画素３１０を構成する回路と電気接続されるようになっている。
【００２８】
図２のＰで示される画素３１０については、データライン引き回し電極１００及びスキャンライン引き回し電極２００の双方と直接的に電気接続される構造となっている。そこで、次に、Ｐで示される画素３１０を例にとり積層方向において、データライン引き回し電極１００及びスキャンライン引き回し電極２００が画素３１０を構成する回路とどのように接続されているかについて説明する。
【００２９】
なお、本実施形態においては、データライン引き回し電極１００は、辺ＡＢに並んでいる８つの画素３１０を構成する回路と電気接続され、さらにスキャンライン引き回し電極
２００は辺ＢＣに並んでいる８つの画素３１０と直接的に電気接続される構成であり、データライン引き回し電極１００とデータライン導通部１１０とが電気接続する接続部と、前記スキャンライン引き回し電極２００とスキャンライン導通部２１０とが電気接続する接続部が、基材１０の周縁に配されるレイアウトとなっているが、このようなレイアウトは必須の構成ではない。
【００３０】
例えば、図２において、Ｐで示される画素３１０と直接的に導通するデータライン引き回し電極１００は、辺ＢＣ側に並んでいる８つの画素３１０のいずれと導通させるように構成することも可能である。このため、上記のように、前記各接続部が基材１０の周縁に配されるレイアウトは必須の構成要件ではない。
【００３１】
図３は本発明の実施形態に係るトランジスタアレイ１の１つの画素３１０の構造を説明する図である。図３（Ａ）Ｐで示される画素３１０を構成する導体部及び半導体部を積層方向からみた図であり、図３（Ｂ）は図３（Ａ）の線Ｘ−Ｘ’における断面を示しており、図３（Ｃ）は図３（Ａ）の線Ｙ−Ｙ’における断面を示しており、図３（Ｄ）は図３（Ａ）の線Ｚ−Ｚ’における断面を示している。
【００３２】
また、図４は本発明の実施形態に係るトランジスタアレイ１の等価回路を示す図である。図３に示すように、トランジスタアレイ１のひとつの画素３１０を構成する回路は、データラインとスキャンラインの格子点に対応するように設けられており、ひとつの画素３１０の回路は電界効果トランジスタＴｒと、並列接続された２つのコンデンサＣｓ、Ｃｐとの直列接続とから構成される。当該回路において、トランジスタＴｒのソース電極はデータラインに、またゲート電極はスキャンラインに接続されるようになっている。また、トランジスタＴｒのドレイン電極は、コンデンサＣｓを構成する上部電極３３１側、及びコンデンサＣｐを構成する画素電極３３０側に接続されるようになっている。ここで、コンデンサＣｓは、画素３１０に供給された信号を比較的に長い時間にわたって蓄積させるためのものであり、また、コンデンサＣｐは表示層４００を介して画素電極３３０と対向する透明電極層４５０との間に生じる容量である。図４におけるＶｃｏｍは、透明電極層４５０の電位を示しており、全ての画素３１０に共通するものである。Ｖｃｏｍは、前記の回路において、コンデンサＣｓの下部電極３３２、及びコンデンサＣｐの透明電極層４５０側と電気的に接続される。
【００３３】
図３（Ｂ）に示すように、基材１０上に配されているデータライン引き回し電極１００は、データライン導通部１１０と電気接続部Ｔｈを介して接続されている。データライン導通部１１０は、図４の等価回路におけるデータラインに相当する導通部である。図３（Ａ）に示すように、各画素３１０において、このデータライン導通部１１０からはソース電極３２２が引き出されるようになっている。データライン導通部１１０は図３（Ａ）でみて垂直方向に配される隣接する画素３１０の回路に導通する。
【００３４】
また、図３（Ｃ）に示すように、基材１０上に配されているスキャンライン引き回し電極２００は、スキャンライン導通部２１０と電気接続部Ｔｈを介して接続されている。スキャンライン導通部２１０は、図４の等価回路におけるスキャンラインに相当する導通部である。図３（Ａ）に示すように、各画素３１０において、このスキャンライン導通部２１０からはゲート電極３２３が引き出されるようになっている。スキャンライン導通部２１０は図３（Ａ）でみて水平方向に配される隣接する画素３１０の回路に導通する。
【００３５】
図３（Ｄ）に示すように、データライン導通部１１０から引き出されたソース電極３２２と、スキャンライン導通部２１０から引き出されたゲート電極３２３と、前記ソース電極３２２と同レベルの層に設けられるドレイン電極３２１と、半導体層３２４とゲート絶縁層３４２とによってトランジスタＴｒが構成されるようになっている。
【００３６】
また、上記のようなトランジスタＴｒを構成するソース電極３２２の一端には、コンデンサＣｓの上部電極３３１が接続されている。図３（Ｄ）に示すように、この上部電極３３１はさらに電気接続部Ｔｈを介して画素電極３３０と接続される。この画素電極３３０は積層方向からみて、画素３１０全体を覆うように設けられている。
【００３７】
本実施形態においては、画素電極３３０が積層方向からみて、図３（Ｂ）に示すデータライン引き回し電極１００とデータライン導通部１１０の電気接続部Ｔｈ、及び、図３（Ｃ）に示すスキャンライン引き回し電極２００とスキャンライン導通部２１０の電気接続部Ｔｈと重畳していることがひとつの特徴となっている。上記の２つの電気接続部には、単位表示パネル５００における表示のための信号がのっており、この信号による電圧変動のために周辺構成に干渉を起こしやすいが、２つの電気接続部が前記画素電極３３０に覆われるようになっているために、画素電極３３０がシールド的に機能することで前記のような干渉を抑制する効果を期待できる。
【００３８】
なお、本明細書及び特許請求の範囲において、積層方向からみて第１構成が第２構成に覆われているとは、積層方向に向けて投影を行ったとき、第１構成による投影が、第２構成による投影に含まれることを示している。
【００３９】
ゲート電極３２３が形成されている層と同レベルの層においては、前記上部電極３３１と対向するように下部電極３３２が設けられ、これら対向する電極によってコンデンサＣｓが形成されるようになっている。また、下部電極３３２には、水平方向に隣り合う画素３１０を構成する下部電極３３２と電気的に連結するように連結電極３３５が設けられている。この連結電極３３５を介して水平方向に隣り合う一連の下部電極３３２は接続され、さらにトランスファーゲート（不図示）を介して、表示パネル５００の最上面部を構成する透明電極層４５０と電気的に接続されるようになっている。また、画素電極３３０と、これに対向している透明電極層４５０とによって、コンデンサＣｐが形成される。
【００４０】
上記のようなトランジスタアレイ１においては、層間絶縁層３４１、ゲート絶縁層３４２、封止層３４３が各層レベルにおける絶縁層として設けられている。ここで、半導体層３２４に用いられる半導体材料、及び層間絶縁層３４１、ゲート絶縁層３４２、封止層３４３などに用いられる絶縁材料について説明する。
【００４１】
本発明に用いられる半導体層３２４としては、トランジスタアレイ１の用途等に応じて、所望のトランジスタ特性を示すものであれば特に限定されるものではない。このような半導体層３２４としては、たとえば、有機半導体材料が用いられた有機トランジスタ、シリコン材料が用いられたアモルファスシリコントランジスタ、ポリシリコントランジスタ、酸化物半導体材料が用いられたＩｎＧａＺｎＯトランジスタ、ＺｎＯトランジスタ等を挙げることができる。本発明においてはこれらのいずれの半導体層３２４であっても好適に用いることができるが、中でも本発明においては有機トランジスタが用いられることが好ましい。上記半導体層３２４として有機トランジスタが用いられることにより、本発明のトランジスタアレイ１を、より簡易的に製造することができるからである。
【００４２】
本発明に用いられる有機トランジスタとしては、有機半導体材料からなる有機半導体層が用いられ、トランジスタとして機能するものであれば特に限定されるものではない。このような有機トランジスタに用いる有機半導体材料としては、例えば、π電子共役系の芳香族化合物、鎖式化合物、有機顔料、有機ケイ素化合物等を挙げることができる。より具体的には、ペンタセン等の低分子系有機半導体材料、および、ポリピロール、ポリ（Ｎ−置換ピロール）、ポリ（３−置換ピロール）、ポリ（３，４−二置換ピロール）等のポリピロール類、ポリチオフェン、ポリ（３−置換チオフェン）、ポリ（３，４−二置換チオ
フェン）、ポリベンゾチオフェン等のポリチオフェン類、ポリイソチアナフテン等のポリイソチアナフテン類、ポリチェニレンビニレン等のポリチェニレンビニレン類、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）等のポリ（ｐ−フェニレンビニレン）類、ポリアニリン、ポリ（Ｎ−置換アニリン）等のポリアニリン類、ポリアセチレン等のポリアセチレン類、ポリジアセチレン、ポリアズレン等のポリアズレン類等の高分子系有機半導体材料を挙げることができる。なかでも本発明においては、ペンタセンまたはポリチオフェン類を好適に用いることができる。
【００４３】
また、層間絶縁層３４１、ゲート絶縁層３４２、封止層３４３などに用いられる絶縁材料としては、例えば、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化タンタル、チタン酸バリウムストロンチウム（ＢＳＴ）、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）等の絶縁性無機材料、および、アクリル系樹脂、フェノール系樹脂、フッ素系樹脂、エポキシ系樹脂、カルド系樹脂、ビニル系樹脂、イミド系樹脂、ノボラック系樹脂等の絶縁性有機材料等の絶縁性有機材料を用いることができる。
【００４４】
以上のように構成されるトランジスタアレイ１の上面部に、図５に示すように、表示層４００と透明電極層４５０とが順次積層される。ここで、表示層４００としては、電子ペーパーの表示方式に応じて適宜選択することができる。電子ペーパーの表示方式としては、公知のものを適用することができ、例えば、電気泳動方式、ツイストボール方式、粉体移動方式（電子粉流体方式、帯電トナー型方式）、液晶表示方式、サーマル方式（発色方式、光散乱方式）、エレクトロデポジション方式、可動フィルム方式、エレクトロクロミック方式、エレクトロウェッティング方式、磁気泳動方式などが挙げられる。
【００４５】
また、透明電極層４５０の材料としては、透明電極を形成可能な導電性材料であれば特に限定されるものではなく、例えば、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化アルミニウム亜鉛（ＡＺＯ）等の導電性酸化物を用いることができる。
【００４６】
トランジスタアレイ１に表示層４００と透明電極層４５０とが積層されると、各トランスファーゲート（不図示）と透明電極層４５０との間が不図示の導通部によって電気接続されると共に、２つのドライバーＩＣ５０が載置される。このうち、データライン用のドライバーＩＣ５０がデータライン引き回し電極１００とドライバーＩＣ導通電極３０と電気接続され、また、スキャンライン用のドライバーＩＣ５０がスキャンライン引き回し電極２００とドライバーＩＣ導通電極３０と電気接続されて、表示パネル５００が完成する。このような表示パネル５００は、表示エリア３００の１辺のみから引き回し電極が引き出された構成となっており、複数タイリングすることによって大型の表示装置を製造する上での単位表示パネル５００として利用される。
【００４７】
ここで、あらためて、本実施形態に係るトランジスタアレイ１に特有な構成について整理する。本発明のトランジスタアレイ１によって表示パネル５００を構成したとき、表示エリア３００の１辺のみから引き回し電極が引き出された構成となるのは、データライン引き回し電極１００やスキャンライン引き回し電極２００が、積層方向からみて表示エリア３００と重畳していることに起因している。
【００４８】
ここで、図１乃至図６で説明した実施形態においては、データライン引き回し電極１００やスキャンライン引き回し電極２００の双方が、積層方向からみて表示エリア３００と重畳した構成により、引き回し電極を１辺のみから引き出すようにしているが、本発明はこのような場合に限らず、データライン引き回し電極１００又はスキャンライン引き回し電極２００のいずれか一方が、表示エリア３００と重畳することでも実現可能である。このような場合を図７を参照して説明する。図７は本発明の他の実施形態に係るトランジス
タアレイ１の積層構造概略の分解斜視図である。
【００４９】
図７において、一点鎖線に対応する領域は基材１０にトランジスタアレイ１が作り込まれた後に、表示エリア３００となる領域を示している。この表示エリア３００が形成する矩形ＡＢＣＤを基準に考えると、他の実施形態に係るトランジスタアレイ１に用いられる基材１０上では、スキャンライン引き回し電極２００が辺ＡＢ側に集約されるようになっている。
【００５０】
層間絶縁層３４１上における点線で囲まれた範囲は、ゲート電極３２３などスキャンラインと導通する構成Ｓが配されており、各構成Ｓは、スキャンライン引き回し電極２００は辺ＡＢ側においてスルーホール導通部（不図示）を介して導通される。
【００５１】
また、ゲート絶縁層３４２上における点線で囲まれた範囲は、ソース電極３２２などデータラインと導通する構成Ｄが配されており、各構成Ｄはデータライン引き回し電極１００と導通するようになっている。
【００５２】
概略、以上のような積層構造を有するトランジスタアレイ１についても作製することが可能であるが、このようなトランジスタアレイ１の場合、表示エリア３００と積層方向からみて重畳するのは、スキャンライン引き回し電極２００のみである。このように本発明に係るトランジスタアレイ１は、データライン引き回し電極１００又はスキャンライン引き回し電極２００のいずれか一方が、表示エリア３００と重畳するように構成することで実現することができる。
【００５３】
なお、本明細書及び特許請求の範囲において、積層方向からみて第１構成と第２構成とが重畳しているとは、積層方向に向けて投影を行ったとき、第１構成による投影と、第２構成による投影とが重なっていることを示いている。
【００５４】
以上のような本発明のトランジスタアレイ１によれば、矩形状表示エリア３００の１辺のみからデータライン引き回し電極１００及びスキャンライン引き回し電極２００が引き出された単位表示パネル５００を製造することができるようになるので、タイリングを行う単位表示パネル５００の数に制限がなくなり、より大型の表示装置を簡単に製造することが可能となる。
【００５５】
また、本発明のトランジスタアレイ１においては、データライン引き回し電極１００又はスキャンライン引き回し電極２００のいずれか一方を、表示エリア３００と重畳するように構成するのみの簡単な構造であるので、単位表示パネル５００を安価に製造することが可能となり、これをタイリングして製造する大型の表示装置を安価に製造することができるようになる。
【００５６】
再び、図１乃至図６に示す実施形態に戻って説明する。本実施形態においては、データライン引き回し電極１００及びスキャンライン引き回し電極２００が、基材１０の一辺側（図１の辺ＤＡ側）に延在するように配されることとなり、これにより、タイリングを行う単位表示パネル５００の数に制限がなくなり、より大型の表示装置を簡単に製造することが可能となるという効果を享受することができる。
【００５７】
また、本実施形態においては、データライン引き回し電極１００とデータライン導通部１１０とが電気接続する接続部と、スキャンライン引き回し電極２００スキャンライン導通部２１０とが電気接続する接続部が、基材１０の周縁（図１の辺ＡＢ及び辺ＢＣ近傍）に配されることを特徴としており、このような特徴点によっても、前記と同様の効果を享受しているということができる。
【００５８】
次に、本発明の他の実施形態について説明する。図８は本発明の他の実施形態に係るトランジスタアレイ１を構成するために用いられる基材１０の斜視図であり、先の実施形態で言えば、図１に相当するものである。本実施形態においては、データライン引き回し電極１００及びスキャンライン引き回し電極２００が延在する基材１０の一辺（ＤＡ）と隣り合う２つの辺（辺ＡＢ及び辺ＣＤ）の間を導通するタイリング用電極７０が前記基材１０上に設けられる点において、先の実施形態と異なる。
【００５９】
タイリング用電極７０は、辺ＡＢから辺ＣＤまでを導通する複数の線条電極である。タイリング用電極７０として設ける線条電極の数は、特に限定されるものではない。また、このようなタイリング用電極７０を構成する線条電極の全ては、ドライバーＩＣ導通電極３０と導通するようになっている。以上のように構成される基材１０に基づいてトランジスタアレイ１や表示パネル５００を作製する方法については、先の実施形態と同様であるので、説明を割愛する。
【００６０】
次に、本実施形態に係るトランジスタアレイ１（或いは表示パネル５００）を連結することによって大型の表示装置を作製する方法につき説明する。図９は本発明の他の実施形態に係るトランジスタアレイ１の連結方法を説明する図である。図９においては、図８に示す基材１０に基づいて作製された表示パネル５００、表示パネル５００’の２つを連結する場合を例にとり説明する。
【００６１】
２つの表示パネル、或いはトランジスタアレイ同士を連結する上では、図９に示すように、２つの基材上に設けられたタイリング用電極７０の線条電極同士が一致するように、表示パネル５００、表示パネル５００’を配置する。次に、タイリング用電極７０における線条電極と、同じ配列の線条電極が設けられている連結用フレキシブルプリント基板５５０（図中の点線部が導通部）によって、表示パネル５００上のタイリング用電極７０の線条電極と、表示パネル５００’ 上のタイリング用電極７０の線条電極とを導通させる
。次に、タイリング用電極７０、ドライバーＩＣ導通電極３０上の図９×（バツ印）によって示される箇所をレーザーなどによって切断する。これによって、タイリング用電極７０の線条電極が適当なドライバーＩＣ５０と導通するので、タイリング用電極７０をドライバーＩＣ５０駆動用の導電部として利用することが可能となる。
【００６２】
以上のような本発明によるトランジスタアレイ１の連結方法によれば、タイリング用電極７０が設けられた共通規格のトランジスタアレイ１を１種類設けておき、これらを連結して、不要なタイリング用電極７０を切断するだけで、大型の表示装置を構成することができるので、タイリングディスプレイ（表示装置）の製造コストを削減することができる。
【００６３】
また、本発明のトランジスタアレイ１の連結方法によれば、単位表示パネル５００を簡便に連結することが可能となるので、より大型の表示装置をコストアップすることなく製造することが可能となる。
【００６４】
ここで、本発明に基づいて作製された単位表示パネル５００を用いて、大型の表示装置（タイリングディスプレイ）を構成する際のレイアウト例について説明する。表示パネル５００はその積層方向からみると、表示エリア３００を含む表示部５１０と、ドライバーＩＣや引き回し電極１００などが配された配線部５２０とから概略構成されてなるものである。このような単位表示パネル５００を用いて、タイリングディスプレイを作製する際には図１０に示すようなレイアウトをとることで、単位表示パネル５００同士の重なり部を一切設けることなく、ディスプレイを構成することが可能となる。図１０に示すレイアウト例によれば、表示パネル５００同士を重ね合わせることなく、無制限に設けることが
可能となる。
【００６５】
図１０の例では、タイリングディスプレイを製造するにあたり、単位表示パネル５００同士の重なり部がないようにレイアウトしたが、これに限らず、単位表示パネル５００同士が重なりあるようにレイアウトすることも可能である。図１１（Ａ）は重なり部が有するレイアウトを積層方向からみた模式図であり、図１１（Ｂ）はこれを断面方向からみた模式図である。本実施形態においては、単位表示パネル５００を薄く製造することが可能であるので、図１１に示すような重なり部を有するようにレイアウトしたとしても、つなぎ目が目立たないタイリングディスプレイを作製することができる。
【００６６】
図１０及び図１１では、複数の単位表示パネル５００をレイアウトすることによって、ディスプレイを作製する方法について説明したが、単位表示パネル５００は一枚だけでディスプレイを構成することもできる。単位表示パネル５００だけでディスプレイを構成した場合、ドライバーＩＣなどが設けられる配線部５２０以外の、可撓性を有する表示部５１０は、例えば、丸めることができるようなディスプレイとすることができる。
【００６７】
次に、本発明の他の実施形態について説明する。図１２は表示パネル５００の構成例を模式的に示す図であり、表示パネル５００の断面構造を示す図である。これまで説明した実施形態においては、図１２（Ａ）に示すように、１つのトランジスタアレイ１上に１つの表示層４００を、さらにその上に１つの透明電極４５０を積層させて表示パネル５００を構成するようにしていた。これに対して、他の実施形態としては、図１２（Ｂ）に示すような表示パネル５００も構成することが可能である。すなわち、表示パネル５００を構成する上では、タイリングした２つのトランジスタアレイ１、１’上に１つの表示層４００を、さらにその上に１つの透明電極４５０を積層させて構成するようにしてもよい。さらに図１２（Ｂ）の例に限らず、任意の数タイリングしたトランジスタアレイに対して、任意の数の表示層、透明電極を組み合わせて積層するようにして、表示パネル５００を構成することもできる。
【００６８】
次に、本発明の他の実施形態について説明する。図１３は本発明の他の実施形態に係るトランジスタアレイ１の斜視図である。本実施形態が、これまでに説明した実施形態と異なる点は、基材１０の一辺側に延在されたデータライン引き回し電極１００及びスキャンライン引き回し電極２００の周囲にはＥＳＤリング６００が配されることを特徴としている。
【００６９】
図１３の吹き出し内に示されるように、ＥＳＤリング６００は、データライン引き回し電極１００及びスキャンライン引き回し電極２００及びトランスファーゲートの周囲を電気的に囲むと共に、データライン引き回し電極１００（又はスキャンライン引き回し電極２００、又はトランスファーゲート）との間に、ダイオードＤ１、Ｄ２とが接続された構成となっている。
【００７０】
ダイオードＤ１、Ｄ２は、図１４に示すように、先の実施形態で説明したトランジスタと同様のトランジスタＴｒ１、Ｔｒ２のゲート電極をソース・ドレイン電極のどちらか一方を短絡させて構成することができる。このための積層構造は、図３で説明したものを応用することで実現することができる。
【００７１】
ＥＳＤはＥｌｅｃｔｒｏ  Ｓｔａｔｉｃ  Ｄｉｓｃｈａｒｇｅの略であり、上記のようなＥＳＤリング６００が、データライン引き回し電極１００及びスキャンライン引き回し電極２００及びトランスファーゲートの周囲に設けられることにより、データライン引き回し電極１００、スキャンライン引き回し電極２００、トランスファーゲートや基材１０に発生した静電気を、ダイオードＤ１、Ｄ２を介してＥＳＤリング６００側に逃がすこと
ができるようになる。以上のようなＥＳＤリング６００が設けられた実施形態によれば、ＥＳＤリング６００についても、データライン引き回し電極１００及びスキャンライン引き回し電極２００と同様、基材１０の一辺側に配されることとなり、残りの３辺を利用したシームレスのタイリングを行い、大型の表示装置を構成することが可能となる。
【００７２】
以上、本発明のトランジスタアレイによれば、矩形状表示エリアの１辺のみから引き回し電極が引き出された単位表示パネルを製造することができるようになるので、タイリングを行う単位表示パネルの数に制限がなくなり、より大型の表示装置を簡単に製造することが可能となる。
【００７３】
また、本発明のトランジスタアレイによれば、単位表示パネルを安価に製造することが可能となるので、これをタイリングして製造する大型の表示装置を安価に製造することができるようになる。
【００７４】
また、本発明のトランジスタアレイの連結方法によれば、単位表示パネルを簡便に連結することが可能となるので、より大型の表示装置をコストアップすることなく製造することが可能となる。
（実施例）
基材１０として、ＰＥＮフィルム基材を用い、この上にＡｌ（膜厚１５０ｎｍ）続いてＣｒ（膜厚２０ｎｍ）をスパッタ蒸着して基材全面に積層させた。次いでフォトリソグラフィー工程およびエッチング工程にてＡｌ／Ｃｒ積層薄膜をパターニングしてデータライン引き回し電極１００及びスキャンライン引回し電極２００を形成した。
【００７５】
次に、引回し電極上に紫外線感光性アクリル系樹脂をスピンコートし、フォトマスクを介した露光及びアルカリ現像工程を行い、スルーホールのパターニングを行った。次いで１５０℃のオーブンにて加熱硬化させ、層間絶縁層３４１（膜厚３μｍ）を形成した。
【００７６】
続いて、層間絶縁層３４１上にＡｌ（膜厚１５０ｎｍ）をスパッタ蒸着し、次いでフォトリソグラフィー工程およびエッチング工程にてＡｌ薄膜をパターニングしてスキャンライン導通部２１０、ゲート電極３２３、Ｃｓ下部電極３３２を形成した。この工程にて、スキャンライン引回し電極２００とスキャンライン導通部２１０を導通させた。
【００７７】
次に、ゲート電極３２３を形成した表面に紫外線感光性アクリル系樹脂をスピンコートし、フォトマスクを介した露光及びアルカリ現像工程を行い、データライン導通部１１０のスルーホールのパターニングを行った。次いで１５０℃のオーブンにて加熱硬化させ、ゲート絶縁層３４２（膜厚１μｍ）を形成した。
【００７８】
次に、ゲート絶縁層３４２上にポジ型フォトレジストをスピンコートにて塗布し、フォ
トマスクを用いた露光および現像工程を経てデータライン導通部１１０、ソース電極３２２およびドレイン電極３２１、Ｃｓ上部電極３３１形成領域のフォトレジストを除去した。次いで、Ａｕ（膜厚５０ｎｍ）をスパッタ蒸着してフォトレジスト上全面にＡｕ薄膜を形成した。次いで、アセトンに浸漬させた状態で超音波浴槽にてフォトレジスト及びフォトレジスト上のＡｕ薄膜を除去し、データライン導通部１１０、ソース電極３２２およびドレイン電極３２１、Ｃｓ上部電極３３１を形成した。この工程にて、データライン引回し電極１００とデータライン導通部１１０を導通させた。
【００７９】
次に、チオフェン系ポリマーをモノクロロベンゼン溶液に固形分濃度１ｗｔ％にて溶解させた有機半導体溶液を準備し、ソース・ドレイン電極を形成した表面にスピンコートにて膜厚５０ｎｍの有機半導体層を全面に形成した。次いで、紫外線感光性アクリル系樹脂を有機半導体層上にスピンコートし、フォトマスクを介した露光及びアルカリ現像工程を
行い、トランジスタチャネル領域上にアクリル系樹脂をパターニングした。次いで１５０℃のオーブンにて加熱硬化させ、トランジスタチャネル領域上にアクリル系樹脂を形成した。
【００８０】
次に、大気下で真空紫外線（波長１７２ｎｍ、照度３ｍＷ／ｃｍ２）を６０秒間照射し、アクリル系樹脂で覆われている以外の領域の有機半導体をアッシング除去し、半導体のパターニングを行った。これにより、半導体層３２４を得た。
【００８１】
次に、紫外線感光性アクリル系樹脂をスピンコートし、フォトマスクを介した露光及びアルカリ現像工程を行い、画素電極３３０導通部（電気接続部Ｔｈ）のスルーホールのパターニングを行った。次いで１５０℃のオーブンにて加熱硬化させ、封止層（膜厚１０μｍ）を形成した。
【００８２】
次に、カーボンペーストをスクリーン印刷にてデータライン導通部１１０及びスキャンライン導通部２１０を覆うようにパターン印刷し、画素電極（膜厚５μｍ）を形成した。この工程にて、画素電極３３０とＣｓ上部電極３３１を導通させた。
【００８３】
次に、データライン引き回し電極１００及びスキャンライン引き回し電極２００が、表示エリア以外に延在している１辺を除く３辺をカッティングマシーンにて裁断し、３辺が峡額縁のトランジスタアレイ１を形成した。裁断の結果、３辺の額縁は約１００μｍ幅であった。
【００８４】
続いて、２００ｍｍ×２００ｍｍの大きさのツイストボール方式の電子ペーパーシートに、上記工程にて作製した表示エリア１００ｍｍ×１００ｍｍのトランジスタアレイ１を粘着材にて４枚張り合わせた。このとき別体であるトランジスタアレイ１の基材間を約５０μｍにて貼り合わせて固定し、表示パネル５００（タイリングディスプレイ）を作製した。
【００８５】
作製した表示パネル５００データライン引き回し電極１００及びスキャンライン引き回し電極２００から所定の信号を送り、電子ペーパーシートに絵柄を表示させた。結果、別体であるトランジスタアレイ１隙間における電子ペーパーシートの応答不可領域は約２００μｍ幅であり、トランジスタアレイ１間の繋ぎ目を軽減したタイリングディスプレイを作製することができた。また、上記したトランジスタ作製工程と同工程にて、データライン引き回し電極１００及びスキャンライン引き回し電極２００が表示エリア以外に延在している１辺にダイオードを配置してＥＳＤリングを形成することで、３辺の峡額縁化に寄与することができた。
【符号の説明】
【００８６】
１・・・トランジスタアレイ
１０・・・基材
３０・・・ドライバーＩＣ導通電極
５０・・・ドライバーＩＣ
７０・・・タイリング用電極
１００・・・データライン引き回し電極
１１０・・・データライン導通部
２００・・・スキャンライン引き回し電極
２１０・・・スキャンライン導通部
３００・・・表示エリア
３１０・・・画素
３２１・・・ドレイン電極
３２２・・・ソース電極
３２３・・・ゲート電極
３２４・・・半導体層
３３０・・・画素電極
３３１・・・上部電極
３３２・・・下部電極
３４１・・・層間絶縁層
３４２・・・ゲート絶縁層
３４３・・・封止層
４００・・・表示層
４５０・・・透明電極層
５００・・・表示パネル
５１０・・・表示部
５２０・・・配線部
５５０・・・連結用フレキシブルプリント基板
６００・・・ＥＳＤリング
Ｔｈ・・・電気接続部
【図１】
0005685923.tif 000002
【図２】
0005685923.tif 000003
【図３】
0005685923.tif 000004
【図４】
0005685923.tif 000005
【図５】
0005685923.tif 000006
【図６】
0005685923.tif 000007
【図７】
0005685923.tif 000008
【図８】
0005685923.tif 000009
【図９】
0005685923.tif 000010
【図１０】
0005685923.tif 000011
【図１１】
0005685923.tif 000012
【図１２】
0005685923.tif 000013
【図１３】
0005685923.tif 000014
【図１４】
0005685923.tif 000015