(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明基板上に光学膜を有するフォトマスクブランクの洗浄耐性を評価する方法において、
予め、前記光学膜の洗浄前後の光学特性値の変化量と前記光学膜の洗浄前後のＣＤの変化量を測定し、該測定した光学特性値の変化量とＣＤの変化量の関係式を求め、
前記洗浄耐性の評価の際、前記評価する透明基板上に光学膜を成膜したフォトマスクブランクの該光学膜の洗浄前後の光学特性値の変化量を測定し、該測定値を、前記予め求めた関係式を用いて前記評価するフォトマスクブランクの光学膜の洗浄前後のＣＤの変化量に換算し、該換算したＣＤの変化量が所定の値以下であるものを良品とすることを特徴とするフォトマスクブランクの洗浄耐性評価方法。
【請求項２】
前記測定する光学特性値を、透過率、反射率、位相差の少なくとも一つとすることを特徴とする請求項１に記載のフォトマスクブランクの洗浄耐性評価方法。
【請求項３】
前記光学膜を、ハーフトーン位相シフト膜とすることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のフォトマスクブランクの洗浄耐性評価方法。
【請求項４】
連続で透明基板上に光学膜を成膜する成膜工程を有するフォトマスクブランクの製造方法であって、
前記成膜工程において、光学膜が成膜されたフォトマスクブランクを、請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載のフォトマスクブランクの洗浄耐性評価方法で所定枚数毎に評価し、該評価により良品と判定されたフォトマスクブランクの間に成膜されたフォトマスクブランクを良品とすることを特徴とするフォトマスクブランクの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光学膜を有するフォトマスクブランクの洗浄耐性評価方法、ならびにフォトマスクの洗浄時に生じるパターン形状の寸法変動が抑制されるフォトマスクブランクの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＩＣ、ＬＳＩ、及びＶＬＳＩ等の半導体集積回路の製造をはじめとして、広範囲な用途に用いられているフォトマスクとして、透明基板上に反射防止膜、遮光膜や位相シフト膜などの光学膜を有するフォトマスクブランクの上記光学膜に、紫外線や電子線等を用いたリソグラフィ法により、所定のパターンを形成したものが用いられている。
近年では半導体集積回路の高集積化等の市場要求に伴ってパターンの微細化が急速に進み、露光波長が短波長化してきている。
【０００３】
しかしながら、露光波長の短波長化は解像度を改善する反面、焦点深度の減少を招くという問題があった。
このような問題に対して有効なパターン転写法の一つとして位相シフト法があり、微細パターンを転写するためのマスクとして、位相シフトマスクが使用されている。
【０００４】
位相シフトマスクとして広く用いられているものとしてハーフトーン位相シフトマスクがある。これは、半透光部と透光部からなるフォトマスクであり、露光波長に対する透過率が例えば３−２０％の半透光部を通過した光と透光部を通過した光の位相差がほぼ１８０度となるものである。このようなハーフトーン位相シフトマスクの半透光部を形成するハーフトーン位相シフト膜としては、モリブデンシリサイド酸化物（ＭｏＳｉＯ）、モリブデンシリサイド窒化物（ＭｏＳｉＮ）、モリブデンシリサイド酸化窒化物（ＭｏＳｉＯＮ）などが用いられている。
【０００５】
ハーフトーン位相シフトマスクの製造方法としては、透明基板上にハーフトーン位相シフト膜からなる光学膜、クロム膜などからなる遮光性膜を順に形成したハーフトーン位相シフトマスクブランクに、リソグラフィ法によりパターン形成する方法が用いられる。これは、上記ハーフトーン位相シフトマスクブランク上にレジストを塗布し、電子線又は紫外線により、所望の部分のレジストを感光させ、これを現像して、レジストパターンを形成し、その後、パターニングされたレジスト膜をマスクとして、エッチングによってクロム膜などからなる遮光性膜のパターニングを行い、さらに位相シフト膜をエッチングしてパターニングを行った後に残存しているレジスト膜と少なくともパターン形成部の遮光膜を剥離するというものである。
【０００６】
一般的に、フォトマスクをウェーハなどのパターン露光に用いる際、ある期間用いた後に洗浄を行い、繰り返し用いられるが、上記洗浄によってフォトマスクのパターン寸法が変化することが、微細化に伴い問題となってきている。
このような観点から、フォトマスクに用いられる光学膜、遮光性膜などの機能性薄膜の洗浄耐久性の問題が重要な課題となっている。とくに、アルカリ洗浄によりハーフトーン位相シフトマスクの洗浄を行うとハーフトーン位相シフト膜の透過率や位相差が変化してしまうため、十分な転写効果を得ることができない。このため、洗浄耐久性を向上させた膜の開発が行われている（特許文献１、特許文献２）。
また、ウェーハ転写現像において製造歩留まりを向上するため、フォトマスクの管理方法も検討されている（特許文献３）。
【０００７】
光学膜を有するフォトマスクブランクの洗浄耐久性評価方法としては、フォトマスクブランクにテストパターンを施して洗浄し、ＳＥＭにより洗浄前後のＣＤ（Ｃｒｉｔｃａｌ  Ｄｉｍｅｎｔｉｏｎ）値の変化量を直接的に測定する方法がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２０１０−３９３００号公報
【特許文献２】ＷＯ２０１０／０９２８９９Ａ１
【特許文献３】特開２００８−２７６００２号公報
【特許文献４】特開平７−１４０６３５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、フォトマスクブランクの洗浄耐久性評価においてフォトマスクブランクにテストパターンを形成し、ＳＥＭにより洗浄前後のＣＤの変化量を測定するという手法は、実際にパターンを形成し、洗浄前後のＣＤの変化量を求めるために時間や手間がかかるという問題がある。
このため、フォトマスクブランクの製造における成膜工程において、上記の洗浄耐性を評価するときには、評価結果がでるまで長い時間工程を休止するか、製造後の評価として行うしかなく、後者の場合不良となった場合のフィードバックに時間を要するという問題がある。
また、ＳＥＭによる測定は帯電により像が歪み、ＣＤの値が不正確となる場合があるという問題もある。
【００１０】
このような点から、フォトマスクブランクの洗浄耐性評価方法において、フォトマスクブランクから得られるフォトマスクの洗浄前後のＣＤ変化量を、簡便に短時間で評価できる方法が望まれている。
【００１１】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであって、フォトマスクブランクの洗浄耐性評価において、洗浄前後のＣＤ変化量を、簡便に短時間で評価できる方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記目的を達成するために、本発明は、透明基板上に光学膜を有するフォトマスクブランクの洗浄耐性を評価する方法において、予め、光学膜の洗浄前後の光学特性値の変化量とＣＤの変化量を測定し、該測定した光学特性値の変化量とＣＤの変化量の関係式を求め、前記洗浄耐性の評価の際、前記評価する透明基板上に光学膜を成膜したフォトマスクブランクの該光学膜の洗浄前後の光学特性値の変化量を測定し、該測定値を、前記予め求めた関係式を用いて洗浄前後のＣＤの変化量に換算し、該換算したＣＤが所定の値以下であるものを良品とすることを特徴とするフォトマスクブランクの洗浄耐性評価方法を提供する。
【００１３】
このように、本発明の評価方法であれば、洗浄前後の光学特性値の変化量を測定することによって、ＣＤの変化量を簡便に短時間で求めることができる。このため、評価結果がでるまでの期間を短くでき、フォトマスクブランクの生産性を向上できる。
【００１４】
このとき、前記測定する光学特性値を、透過率、反射率、位相差の少なくとも一つとすることが好ましい。
このような光学特性値であれば、ＣＤとの相関関係が明確であるため、精度の良い評価を行うことができる。
【００１５】
このとき、前記光学膜を、位相シフト膜とすることができる。
本発明では、このような位相シフト膜を有するフォトマスクブランクの評価を行うことができる。
【００１６】
また、本発明は、連続で透明基板上に光学膜を成膜する成膜工程を有するフォトマスクブランクの製造方法であって、前記成膜工程において、光学膜が成膜されたフォトマスクブランクを、本発明のフォトマスクブランクの洗浄耐性評価方法で所定枚数毎に評価し、該評価により良品と判定されたフォトマスクブランクの間に成膜されたフォトマスクブランクを良品とすることを特徴とするフォトマスクブランクの製造方法を提供する。
【００１７】
このようなフォトマスクブランクの製造方法であれば、簡便に短時間で精度良くフォトマスクブランクの評価を行いながら、連続で光学膜を成膜できるため、評価のフィードバックの時間を短くでき、生産性を向上できる。
【発明の効果】
【００１８】
以上のように、本発明の洗浄耐性評価方法によれば、透明基板上の反射防止膜、遮光膜や位相シフト膜などの光学膜を洗浄し、光学特性値の変化量を測定することによってＣＤの変化量を、簡便で、短時間に求めることが出来る。
したがって、フォトマスクブランクの製造における成膜工程において、洗浄によるＣＤの変化量を評価するにあたり、評価結果がでるまでの期間が短くなるため製造工程の途中で評価を行っても工程の休止時間は短くなり、また、製造後の評価として行うにしても製造条件等にフィードバックする時間を短くすることができ、フォトマスクブランクの生産性を向上できるとともに、歩留まり及び品質の向上も図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明のフォトマスクブランクの洗浄耐性評価方法において、ハーフトーン位相シフト膜パターンを有する検査基板を作製する方法を示すフロー図である。
【図２】洗浄による位相シフト膜パターンの変動を示す概略図である。
【図３】本発明の洗浄耐性評価方法による、洗浄前後の位相シフト膜の透過率の変化量と洗浄前後のフォトマスクのＣＤの変化量の関係を示すグラフである。
【図４】本発明の洗浄耐性評価方法による、洗浄前後のハーフトーン位相シフト膜の位相差の変化量と洗浄前後のフォトマスクのＣＤの変化量の関係を示すグラフである。
【図５】本発明の洗浄耐性評価方法による、洗浄前後のハーフトーン位相シフト膜の反射率の変化量と洗浄前後のフォトマスクのＣＤの変化量の関係を示すグラフである。
【図６】本発明のフォトマスクブランクの製造方法のハーフトーン位相シフト膜の成膜工程における検査のフロー図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
本発明者は、透明基板上に反射防止膜、遮光膜や位相シフト膜などの光学膜を少なくとも一層有するフォトマスクブランクにおいて、上記光学膜のＣＤ変化量を簡易的に評価できる方法を検討した結果、洗浄における上記光学膜のＣＤの変化量と光学特性の変化量とに相関があることを見出し、以下のような本発明を完成させた。
【００２１】
以下、本発明について、実施態様の一例として、図を参照しながら詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
以下、光学膜として、ハーフトーン位相シフト膜を透明基板上に形成した場合の本発明の方法を説明する。
【００２２】
本発明では、予め、洗浄前後の位相シフト膜パターンのＣＤの変化量とハーフトーン位相シフト膜の光学特性値の変化量の関係式を求める。
図１は、本発明のフォトマスクブランクの洗浄耐性評価方法において、洗浄前後でのハーフトーン位相シフト膜の光学特性値の変化量と位相シフト膜パターンのＣＤの変化量との相関を求める際に、ハーフトーン位相シフト膜パターンが形成された検査基板を作製する方法の一例を示すフロー図である。
【００２３】
ここで用いられる洗浄としては、アンモニア水（ＮＨ４ＯＨ）と過酸化水素水（Ｈ２Ｏ２）と純水（Ｈ２Ｏ）を混合した洗浄液を用いるＳＣ１洗浄、塩酸（ＨＣｌ）と過酸化水素水（Ｈ２Ｏ２）と純水（Ｈ２Ｏ）を混合した洗浄液を用いるＳＣ２洗浄、硫酸（Ｈ２ＳＯ４）と過酸化水素水（Ｈ２Ｏ２）と純水（Ｈ２Ｏ）を混合した洗浄液を用いるＳＰＭ洗浄、あるいはその２種類以上を洗浄液として用いることが好ましい。この中で、洗浄効果の高いＳＣ１洗浄、ＳＣ２洗浄がさらに好ましく、ＳＣ１洗浄が最も好ましい。
【００２４】
図１（ａ）に示すように、透明基板２０上に位相シフト膜２１を成膜して、フォトマスクブランク３０を作製し、位相シフト膜２１上に電子線レジスト２２を塗布する。
次に図１（ｂ）に示すように、フォトマスクブランク３０上の電子線レジスト２２に、テストパターンを電子線描画機によって描画した後に、現像することによってレジストパターンを形成する。
続いて、上記レジストパターンをマスクにしてハーフトーン位相シフト膜２１をエッチングし（図１（ｃ））、その後レジスト２２を除去して、ハーフトーン位相シフト膜パターンを形成した検査基板（テスト用フォトマスク）を作製する（図１（ｄ））。
【００２５】
その後、洗浄前の前記形成した位相シフト膜２１の光学特性値を測定する。光学特性値としては透過率、位相差、反射率が挙げられ、このうちの少なくとも１つを測定することができる。光学特性の測定に用いる波長は特に制限はないが、例えば露光波長を用いればよい。これら光学特性値は、一般的な光学測定機器で測定できる。
また、洗浄前のＣＤを測定する。ＣＤの測定はライン幅でもスペース幅でもよい。ＣＤは、ＣＤ−ＳＥＭによって測定することができる。
【００２６】
測定終了後、検査基板をフォトマスク洗浄条件で洗浄し、洗浄前と同様に光学特性値の測定並びにＣＤの測定を繰り返し行う。これにより、光学特性値の変化量（洗浄前の光学特性値からの変化量）と、ＣＤの変化量（洗浄前のＣＤからの変化量）を求める。
【００２７】
このような洗浄によって、図２に示すようにＣＤが変化し、光学特性も変化する。そして、上記のような測定により、例えば図３、図４、図５に示すような、洗浄前後での各光学特性値の変化量とＣＤの変化量の関係式を求めることができる。
上記関係式は指数関数や、２次以上の多次多項式でもよいが、１次の式がより単純であるために好ましい。洗浄前後でのＣＤの変化量と光学特性値の変化量は、図３、図４、図５に示すように比例関係になるため、１次の式で表現することができ、複数回洗浄を行い、その都度、光学特性とＣＤを測定することによって、精度の良い関係式を求めることができる。
【００２８】
そして、洗浄耐性の評価の際、評価する透明基板上に光学膜を成膜したフォトマスクブランクの光学膜の洗浄前後の光学特性値の変化量を測定し、該測定値を、前記予め求めた関係式を用いて洗浄前後のＣＤの変化量に換算し、該換算したＣＤが所定の値以下であるものを良品とする。
【００２９】
本発明において評価の際には、光学特性の値を測定するため、必ずしも光学膜にテストパターンを形成する必要は無く、例えば、パターンを形成していないハーフトーン位相シフト膜の透過率を透過率測定器によって測定し、この透過率の洗浄前後での変化量を、ＣＤの洗浄前後での変化量に換算すればよい。
また、パターンを形成していないハーフトーン位相シフト膜の反射率を反射率測定器によって測定し、この反射率の変化量を、ＣＤの変化量に換算することも可能である。
【００３０】
また、位相差を測定する場合、位相差測定用の膜の形成されていない部分を作成するため、基板にマスキングテープを貼って、位相シフト膜を成膜し、その後マスキングテープを剥がし、位相差を位相差測定器によって測定しても良い。また他の方法としては、位相差測定用の膜の形成されていない部分を作成するため、基板にマジックを塗り、位相シフト膜を成膜し、その後アルコールなどでマジックを塗った部分の位相シフト膜を除去して、位相差を測定してもよい。この位相差の洗浄前後での変化量を、ＣＤの値の洗浄前後での変化量に換算できる。
【００３１】
上記のような透過率、反射率、位相差の測定は、関係式を求める際にも同様に行うことができ、例えば、ハーフトーン位相シフト膜にＣＤを測定するパターンを部分的に形成した基板で関係式を求めることもできる。
【００３２】
この様に、洗浄前後での光学特性値の変化量を求め、予め求めた関係式でＣＤの変化量に換算すれば、ＣＤの変化量に対する洗浄耐性評価を迅速に行うことが可能である。
【００３３】
例えば、上記のような本発明の洗浄耐性評価方法を用いて、評価しながらフォトマスクブランクの製造を実施することができる。
【００３４】
フォトマスクの位相シフト膜パターンのＣＤの変化量の許容値をＳとした場合、光学特性値の変化量から換算したＣＤの変化量の許容値Ｓに対応する光学特性値の変化量を許容値Ｔとすると、洗浄におけるＣＤの変化量を評価するためには、評価用検査基板を所定の洗浄回数で洗浄し、光学特性値の変化量が所定値Ｔを超えないように、成膜条件等を管理してもよい。すなわち、本発明において、評価の際に測定した光学特性値の洗浄前後での変化量が当該所定値Ｔ以下であれば良品と判定することができる。
ハーフトーン位相シフト膜パターンのＣＤの洗浄による変化量の許容値Ｓは、例えば、製造するフォトマスクブランクが４５ｎｍ対応フォトマスクの作製のためのものであれば１０ｎｍ、製造するフォトマスクブランクが２２ｎｍ対応のフォトマスクの作製のためのものであれば５ｎｍとすればよい。
【００３５】
所定値Ｔを超えないように製造工程を管理をするためには、以下のような手法がある。
連続で透明基板上にハーフトーン位相シフト膜を成膜し（図６（Ａ））、所定枚数の光学膜を成膜する毎に検査基板を投入し（図６（Ｂ））、検査基板に光学膜を成膜するか、所定の枚数ごとに光学膜が成膜された基板を検査用として抜き取る。この成膜された検査基板を所定の回数洗浄し、測定した光学特性値の変化量が所定値Ｔを超えないものとなることを確認しながら（図６（Ｃ））、製造を進めることが可能となる（図６（Ｄ））。また、所定値Ｔを超えない（良品と判定された）光学膜が成膜された検査基板の間に成膜されたフォトマスクブランクを良品とすることができる。
【００３６】
一方、測定した光学特性値の変化量が所定値Ｔを超えた場合には、成膜中止して条件を調整したり、前回の評価で良品と判定された基板から今回良品でないと判定された基板の間に成膜されたフォトマスクブランクを廃棄する（図６（Ｅ））。本発明の評価方法はフィードバックの時間が短いため、このような製造ロスも小さくできる。
また、図６に示すように、所定値Ｔよりも小さい閾値ｔを設定し（図６（Ｆ））、検査基板で求めた光学特性値の変化量が所定値Ｔ以下で、かつ閾値ｔを超えた場合には、成膜条件を調整して（図６（Ｇ））、閾値ｔ以下の値に下げることによってハーフトーン位相シフト膜を連続して安定的に製造することができる。
【００３７】
閾値ｔとしては、許容値Ｓの７０％に相当する光学特性値の変化量とするなど、測定間隔や、変化率を考慮して決めればよい。
【００３８】
光学膜の光学特性値を測定する際、測定の位置に特に制約はないが、成膜装置や成膜方法による光学膜の膜質に面内分布が生じる場合は、これを考慮し光学膜面内に複数の測定位置を設けてもよい。
【００３９】
ハーフトーン位相シフト膜の成膜工程の検査で良品となったものは、例えば次工程で、クロムを主成分とした遮光膜をスパッタリング法により成膜し、さらに必要に応じて反射防止膜、エッチングマスク膜などの、機能性膜等を積層してもよい。
【００４０】
なお、本発明の評価方法に用いる透明基板上に積層した反射防止膜、遮光膜や位相シフト膜など光学的機能をもつ光学膜には、単層、多層、又は傾斜した組成をもつ材料層からなるものがある。用いられる材料としては、Ｍｏ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｗ、Ｎｂのような遷移金属を含有してもよいケイ素に酸素や窒素のような軽元素を含有させたもの（例えば、特許文献４参照）を用い、また一部層として、更にＣｒのような遷移金属や該遷移金属に酸素や窒素のような軽元素を含有する層として用いる。
【００４１】
上記ハーフトーン位相シフト膜材料あるいは上記遮光膜材料として、遷移金属を含んでいてもよいケイ素材料を用いる場合には、具体的には遷移金属とケイ素との合金、遷移金属と、ケイ素と、酸素、窒素及び炭素から選ばれる１種以上とを含有する遷移金属ケイ素化合物、好ましくは遷移金属と、ケイ素と、酸素及び／又は窒素とを含有する遷移金属ケイ素化合物が挙げられる。この遷移金属ケイ素化合物としてより具体的には、遷移金属ケイ素酸化物、遷移金属ケイ素窒化物、遷移金属ケイ素酸窒化物、遷移金属ケイ素酸化炭化物、遷移金属ケイ素窒化炭化物、遷移金属ケイ素酸窒化炭化物などを挙げることができる。また、遷移金属としては、チタン、バナジウム、コバルト、ニッケル、ジルコニウム、ニオブ、モリブデン、ハフニウム、タンタル及びタングステンから選ばれる１種以上が好適な材料であるが、特に、ドライエッチング加工性の点からモリブデンであることが好ましい。
【００４２】
ハーフトーン位相シフト膜としては、露光波長に対し透過率が３％以上２０％以下であり、半透過部を通過した光と透過部を通過した光の位相差が、１８０±３度程度となるものである。
また遮光膜としては、フォトマスクブランクが、ハーフトーン位相シフト膜、遮光膜、反射防止膜から構成される場合は、その光学濃度の合計が２．５、より好ましくは３．０となるようなものである。さらに、本発明はハーフトーン位相シフト膜がないとき（フォトマスクのパターンが遮光部と透光部からなるバイナリマスク用フォトマスクブランクなど）にも用いることができるが、遮光膜、反射防止膜のみから構成される場合は、その光学濃度の合計が２．５、より好ましくは３．０となるものである。また、ハーフトーン位相シフト膜、エッチングストッパー膜、遮光膜、反射防止膜から構成される場合、あるいはエッチングストッパー膜、遮光膜、反射防止膜から構成される場合は、その光学濃度の合計が２．５、より好ましくは３．０となるものである。
【００４３】
以上のように本発明の洗浄評価方法、製造方法であれば、高い洗浄耐性を有するフォトマスクを製作することができるフォトマスクブランクを安定して製造することができる。
【実施例】
【００４４】
以下、実施例及び比較例を示して本発明をより具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
（実施例）
［洗浄耐性評価において、光学特性値の変化量とＣＤの変化量の相関を求める方法と、そのためのテストパターン作成方法］
合成石英基板上に、露光波長１９３ｎｍに対して、位相差１８０°、透過率６％となるモリブデンシリサイド酸化窒化物からなる位相シフト膜を成膜した。
【００４５】
次に、レジストを塗布し（図１（ａ））、電子線描画機によって、レジストにテストパターンを描画した（図１（ｂ））。次に、フッ素系ドライエッチングによって位相シフト膜を加工した（図１（ｃ））。
次にレジストを剥離して、位相シフト膜にテストパターンを施した基板を作製した（図１（ｄ））。
【００４６】
この基板の初期光学特性値（透過率、位相差、反射率）をレーザーテック社製ＭＰＭ１９３によって測定し、また、ＣＤ−ＳＥＭ（アドバンテスト社製Ｅ３６１０）によってＣＤを測定した。その後、所定の洗浄条件（ＡＰＭ溶液（ＮＨ４ＯＨ：Ｈ２Ｏ２：Ｈ２Ｏ＝１：１：１００）、３０分洗浄）で洗浄を４回行い、その都度、洗浄後の光学特性値、ＣＤを測定した。各洗浄における光学特性値である透過率、位相差、および反射率とＣＤの変化量をプロットしたグラフを、それぞれ図３、図４、図５に示す。
図３、図４、図５のいずれも比例関係となっており、その相関係数は、図３の透過率の場合は１．００、図４の位相差の場合は０．９９、反射率の場合は０．９９であった。
【００４７】
［検査基板の作製方法および洗浄耐性評価方法］
次に、石英基板上に位相差測定用の光学膜が形成されていない部分を付すため、基板の中心にマジックで幅１ｍｍ長さ２ｃｍのラインを記した。この基板上に上記と同様に位相シフト膜を形成し、メタノールでマジック部分を拭き取り、検査基板とした。
検査基板の洗浄前透過率の値を、レーザーテック社製ＭＰＭ１９３によって測定した。次に、この検査基板を上記と同じ洗浄条件により連続して３回洗浄した後、この検査基板の透過率の値を測定した。このとき洗浄前後の透過率の値の変化量は、０．４２％であった。
【００４８】
洗浄前後のハーフトーン位相シフト膜の透過率の変化量と洗浄前後のフォトマスクのＣＤの変化量の関係を示す図３より、この透過率の変化量を、ＣＤの変化量に換算すると、約５．２ｎｍであることがわかった。
【００４９】
［位相シフト膜の所定値と閾値の決定方法］
製造するフォトマスクブランクが４５ｎｍ対応のフォトマスク作製に使用するため、ＣＤの変化量の所定値を１０ｎｍとすると、それに相当する透過率変化量（所定値）は、図３から換算して、約０．８１％である。また所定値の７０％に相当するＣＤの変化量を閾値とすると、この閾値は７ｎｍであり、このときの透過率変化量を図３から換算すると、０．５７％であった。
【００５０】
［位相シフト膜の製造方法］
上記検査基板の作製方法により、製造１枚目の基板を検査基板とした。この検査基板の透過率を測定した後、洗浄耐性評価用洗浄条件で連続して３回洗浄した。洗浄後、再度この検査基板の透過率を測定し、透過率変化量を求めた結果０．４４％であり、ＣＤの変化量に換算すると、約５．４ｎｍであった。
次に、製造５０枚目の基板を検査基板とした。この透過率を測定した後、洗浄耐性評価用洗浄条件で連続して３回洗浄した。洗浄後、再度この検査基板の透過率を測定し、透過率変化量を求めた結果、０．４３％となり、閾値以下であった。
従って、１枚目と５０枚目に成膜されたハーフトーン位相シフト膜は、所定の値以下であり、良品とした。このため、１枚目〜５０枚目の間に成膜されたフォトマスクブランクは良品であると判定できる。
【００５１】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
【符号の説明】
【００５２】
２０…透明基板、  ２１…ハーフトーン位相シフト膜、  ２２…レジスト、
３０…フォトマスクブランク。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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