(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の半導体チップを、互いに離間して整列した状態で、電極面を上にして支持体上の凹部に搭載し、
前記半導体チップを前記支持体上で絶縁樹脂により封止して封止樹脂部を形成し、
前記封止樹脂部の上面に再配線パターンを形成し、
前記再配線パターン上に外部接続端子を形成し、
前記支持体の補強部材を残して、前記支持体の前記凹部の底面を前記封止樹脂部からバックグラインドにより除去し、
前記半導体チップの背面が露出し、前記支持体の前記凹部の内側面を形成していた前記支持体の一部が前記半導体チップの周囲に枠状に残っている状態で前記バックグラインドを止め、
前記補強部材の外側に沿って前記封止樹脂部を切断し個片化する
ことを特徴とする半導体パッケージの製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の半導体パッケージの製造方法であって、
シリコンウェハの表面に、前記複数の半導体チップを個別に収容する前記凹部を形成することで前記支持体を形成することを特徴とする半導体パッケージの製造方法。
【請求項３】
請求項２記載の半導体パッケージの製造方法であって、
前記シリコンウェハにマスクを施してからウェットブラスト処理することにより前記凹部を形成することを特徴とする半導体パッケージの製造方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のうちいずれか一項記載の半導体パッケージの製造方法であって、
前記複数の半導体チップを前記支持体の前記凹部に搭載してから、前記半導体チップの電極上にメタルバンプを形成することを特徴とする半導体パッケージの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体パッケージの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体チップの外部接続端子数の増大に伴い、外部接続端子を半導体チップの平面領域内に収めた、いわゆるファンイン型のチップサイズ半導体パッケージ（ＣＳＰ）では必要な数の外部接続端子を設けることが難しくなっている。そこで、外部接続端子を半導体チップの平面領域の外側まで設けた、いわゆるファンアウト型のチップサイズ半導体パッケージ（ＣＳＰ）を用いることで、外部接続端子数を増加することができる。
【０００３】
ファンアウト型のチップサイズ半導体パッケージ（ＣＳＰ）は、封止樹脂部が半導体チップより外側に張り出した部分を有しており、その部分に外部接続端子が設けられる。そのため、半導体チップより外側に張り出した部分を有する封止樹脂部を形成する必要がある。そのような封止樹脂部を形成するために、ウェハ上で形成した半導体チップを個片化してから、板状又はシート状の支持体に複数の半導体チップを所定の距離離して配列し、再度樹脂モールドしてから半導体チップを個片化する半導体パッケージの製造方法が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特許第４４２０９６５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上述の半導体パッケージの製造方法では、ウェハ上で半導体チップを樹脂封止し、その後個片化してから支持体に再配置し、再度樹脂封止する、というように樹脂封止工程を２回行なう。樹脂封止工程は樹脂の充填及び硬化工程を含んでおり、長い時間を費やす工程である。したがって、半導体パッケージの製造工程時間を短縮するためには、樹脂封止工程を１回とすることが望ましい。
【０００６】
また、一旦個片化した半導体チップを再配置するために支持体を用いているが、この支持体は樹脂封止後に除去される消耗部品であり、その分のコストが半導体チップの製造コストに含まれてしまう。また、封止樹脂厚が薄い場合、支持体が除去された後の半導体チップは、運搬時やハンドリング時に割れたり一部が欠けたりするといった問題が発生するおそれがある。さらに、樹脂封止を２回行なうと、１回目の封止樹脂と２回目の封止樹脂との間の密着が弱かったり、その部分に応力が集中したりして、封止樹脂部に割れが発生するおそれもある。
【０００７】
そこで、上述の問題を解決できる半導体パッケージの製造方法の開発が望まれている。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の他の実施態様によれば、複数の半導体チップを、互いに離間して整列した状態で、電極面を上にして支持体上の凹部に搭載し、前記半導体チップを前記支持体上で絶縁樹脂により封止して封止樹脂部を形成し、前記封止樹脂部の上面に再配線パターンを形成し、前記再配線パターン上に外部接続端子を形成し、前記支持体の補強部材を残して、前記支持体の前記凹部の底面を前記封止樹脂部からバックグラインドにより除去し、前記半導体チップの背面が露出し、前記支持体の前記凹部の内側面を形成していた前記支持体の一部が前記半導体チップの周囲に枠状に残っている状態で前記バックグラインドを止め、前記補強部材の外側に沿って前記封止樹脂部を切断し個片化することを特徴とする半導体パッケージの製造方法が提供される。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の実施形態によれば、半導体チップを封止する封止樹脂を形成する工程と、半導体チップの外側に延在する封止樹脂部を形成する工程を一つの工程とすることができる。したがって、封止樹脂を形成する工程を２回行なわなくても、半導体チップより外側に封止樹脂部を形成することができ、その部分に外部接続端子を配置して、ファンアウト型の半導体パッケージを低コストで製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】ファンアウト型のチップサイズ半導体パッケージの断面図である。
【図２】個片化された半導体チップを準備する工程を示す図である。
【図３】支持体を形成する工程を示す図である。
【図４】半導体チップが収容される凹部を有する支持体の平面図である。
【図５】半導体チップが凹部に収容された状態の支持体の断面図である。
【図６】封止樹脂部を形成した状態を示す断面図である。
【図７】封止樹脂部の上に配線パターンを形成した状態を示す断面図である。
【図８】配線パターン上にソルダレジストを形成した状態を示す断面図である。
【図９】配線パターン上にはんだバンプを形成した状態を示す断面図である。
【図１０】はんだバンプが形成された封止樹脂部の平面図である。
【図１１】個片化された半導体パッケージの断面図である。
【図１２】半導体パッケージの裏面の平面図である。
【図１３】メタルバンプを有しない半導体チップを準備する工程を示す図である。
【図１４】支持体に搭載された半導体チップにメタルバンプを形成する工程を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
次に、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。
【００１３】
まず、本発明による製造方法が適用可能なファンアウト型のチップサイズ半導体パッケージの構成について簡単に説明する。図１はファンアウト型のチップサイズ半導体パッケージの断面図である。シリコンよりなる半導体チップ１の回路形成面及び側面は封止樹脂２により覆われている。半導体チップ１の電極１ａは、封止樹脂２上に形成された再配線パターン３に接続され、再配線パターン３上に外部接続端子としてはんだバンプ４が形成されている。はんだバンプ４が接合された部分以外の再配線パターン３はソルダレジスト５により覆われている。封止樹脂２は半導体チップ１の周囲に延在し、その部分まで再配線パターン３が形成されることで、はんだバンプ４を半導体チップ１より外側の領域に配置することができる。
【００１４】
次に、本発明の一実施形態による半導体パッケージの製造方法について説明する。
【００１５】
まず、個片化された半導体チップを準備する工程について、図２を参照しながら説明する。図２（ａ）に示すように、半導体基板としてシリコンウェハ１０を準備し、シリコンウェハ１０上に複数の半導体チップ１２を形成する。半導体チップ１２上には電極１２ａが形成される。図２においては、シリコンウェハ１０の一部（２つの半導体チップ１２を含む部分）が示されているが、シリコンウェハ１０は円形であり、多数の半導体チップ１２がマトリクス状に整列した状態で形成される。
【００１６】
次に、図２（ｂ）に示すように、半導体チップ１２の電極１２ａ上にメタルバンプ１４を形成する。本実施形態では、メタルバンプ１４として金バンプを電極上に形成する。続いて、図２（ｃ）に示すように、シリコンウェハ１０をバックグラインドしてからダイアタッチフィルム１６をシリコンウェハ１０の裏面に貼り付け、その後ダイシングにより切断して半導体チップ１２を個片化する。
【００１７】
次に、本実施形態において用いられる支持体２０の製造工程について、図３を参照しながら説明する。まず、図３（ａ）に示すようにダミーウェハ２０を準備する。本実施形態では、ダミーウェハ２０として、半導体チップ１２を形成するためのウェハと同様のシリコンウェハを用いることとする。図３においては、ダミーウェハ２０の一部が示されているが、ダミーウェハ２０は円形であり、図４に示すように半導体チップ１２が収容される凹部２０ａがマトリクス状に整列した状態で形成される。
【００１８】
ダミーウェハ２０上にドライフィルムジストを形成してからパターニングすることで、図３（ｂ）に示すようにマスク２２を形成する。続いて、ダミーウェハ２０の表面（マスク２２が設けられた側）にウェットブラスト処理を施す。マスク２２が形成された部分以外の部分がウェットブラストにより除去され、図３（ｃ）に示すようにダミーウェハ２０の表面に凹部２０ａが形成される。続いて、ドライレフィルムジストによるマスク２２をダミーウェハ２０から剥離し、図３（ｄ）に示すようにシリコンよりなる支持体２４が完成する。支持体２４の凹部２０ａの各々は、図２に示す個片化された半導体チップ１２を収容することができる形状及び大きさである。
【００１９】
上述の半導体チップ１２と支持体２４とを用いて、ファンアウト型半導体パッケージを製造する。
【００２０】
まず、図５に示すように、支持体２４に半導体チップ１２を搭載する。半導体チップ１２は、メタルバンプ１４を上にした状態で支持体２４の各凹部２０ａ内に配置され、ダイアタッチフィルム１６により凹部２０ａの底面に貼り付けられる。凹部２０ａの平面形状は半導体チップ１２の輪郭より僅かに大きく、半導体チップ１２の側面と凹部２０ａの内面との間に僅かに間隙が形成される。
【００２１】
次に、図６に示すように、支持体２４の表面で半導体チップ１２を覆うように絶縁樹脂を配置し、絶縁樹脂の上面を平坦化して封止樹脂部３０を形成する。このとき、メタルバンプ１４の上端も押圧して平坦化し、メタルバンプ１４が封止樹脂部３０の上面に露出した状態とする。封止樹脂部３０は、半導体チップ１２を包囲するだけでなく、支持体２４の凹部２０ａの周囲の部分も封止しており、上部から見ると半導体チップ１２の外周より外側に延在している。
【００２２】
続いて、図７に示すように、封止樹脂部３０の上面に再配線層として例えば銅よりなる再配線パターン３２を、既知のセミアディティブ法を用いて形成する。再配線パターン３２は、半導体チップ１２の外側まで延在した封止樹脂部３０まで延在している。そして、図８に示すように、再配線パターン３２上にソルダレジスト３４を形成する。ソルダレジスト３４は、外部接続用パッドとなる部分には設けられず、その部分では再配線パターン３２が露出して外部接続用パッドとなっている。そこで、図９に示すように、再配線パターン３２がソルダレジスト３４から露出した外部接続用パッド上に、外部接続用端子としてはんだバンプ３６を形成する。
【００２３】
はんだバンプ３６を形成した後、バックグラインドにより支持体２４を削除する。このとき、支持体２４の凹部２０ａの底面に達するまで削除し、半導体チップ１２の背面が露出したところで、バックグラインドを終了する。これにより、支持体の凹部２０ａの側面を形成していた部分２４ａが、封止樹脂部３０の中に残った状態となる。
【００２４】
図１０ははんだバンプ３６を形成した後の封止樹脂部３０全体を示す平面図である。封止樹脂部３０は支持体２４と同じ円形であり、その中に半導体チップ１２がマトリクス状に整列して埋め込まれている。そして、各半導体チップ１２を覆う封止樹脂部３０の部分にはんだバンプ３６が形成されている。
【００２５】
その後、図１０において点線で示すラインに沿って封止樹脂部３０をダイシング等で切断し、図１１に示すように、封止樹脂部３０の内部に半導体チップ１２が封止された半導体パッケージ４０を個片化する。図１２は半導体パッケージ４０の裏面を示す平面図である。半導体パッケージ４０の裏面には、中央部分に半導体チップ１２の背面が露出している。封止樹脂部３０は半導体チップ１２の外側まで延在し、その部分で図１１に示すように封止樹脂部３０の表面側にはんだバンプ３６が形成され、はんだバンプ３６以外の部分はソルダレジスト３４により覆われている。これにより、半導体パッケージ４０はファンアウト型の半導体パッケージとして形成されている。
【００２６】
ここで、支持体２４をバックグラインドにより除去する工程において、半導体チップ１２の背面が露出した時点でバックグラインドを止めると、半導体チップ１２の外側で凹部２０ａを形成していた支持体２４の一部は封止樹脂部３０内に残った状態となる。すなわち、完成した半導体パッケージ４０の封止樹脂部３０の外周部分には、図１２に示すように、支持体２４の枠状部２４ａが埋め込まれた状態で残される。枠状部２４ａは支持体２４の一部であり、シリコンにより形成されている。したがって、枠状部２４ａは封止樹脂部３０より高い剛性を有しており、半導体チップ１２より外側に延在した封止樹脂部３０を補強する補強部材にできるという効果がある。特に、薄型の半導体パッケージで封止樹脂部３０の厚みが小さい場合には、枠状部２４ａによる補強効果は有効であり、支持体２４を除去した後の半導体パッケージ４０の運搬やハンドリングが容易となる。また、枠状部２４ａの熱膨張率は半導体チップ１２の熱膨張率と同じであるため、封止樹脂部３０内で熱膨張率の差に起因した応力が発生することを抑制することができる。
【００２７】
以上説明した半導体パッケージ４０の製造方法によれば、絶縁樹脂で半導体チップ１２を封止して封止樹脂部３０を形成する樹脂封止工程は、図６に示す工程の１回であり、樹脂封止工程を２回行なう必要はない。したがって、その分製造工程数を減らすことができ、半導体パッケージの製造コストを低減することができる。
【００２８】
また、従来は樹脂封止工程を２回行なうことにより１回目の封止樹脂と２回目の封止樹脂とが接する界面が形成されるが、本実施形態による方法であると、樹脂封止工程は１回だけとなり、上述の界面は無くなるためそれに起因する問題は生じない。
【００２９】
さらに、支持体２４は半導体チップ１２と同様のシリコンで形成され、その一部が完成した半導体パッケージ４０内に残される。残された支持体２４の枠状部２４ａは補強部材として機能するため、支持体２４を一回、一回、使い捨てにするわけではなく、効率的に支持体を使用することができる。
【００３０】
上述の実施形態による半導体パッケージの製造方法では、個片化した半導体チップ１２を準備する際に、ウェハ上でメタルバンプ１４を形成してからウェハを切断して個々の半導体チップに分離（個片化）しているが、メタルバンプ１４をこの段階で形成しなくてもよい。例えば、メタルバンプ１４の形成は、支持体２４に半導体チップ１２を搭載した後で行なうこともできる。
【００３１】
この場合、図１３に示すように、個片化した半導体チップ１２の準備工程ではメタルバンプ１４を形成する工程が不要となる。すなわち、図１３（ａ）に示すように、半導体基板としてシリコンウェハ１０を準備し、シリコンウェハ１０上に複数の半導体チップ１２を形成する。半導体チップ１２上には電極１２ａが形成される。次に、図１３（ｂ）に示すように、シリコンウェハ１０をバックグラインドしてからダイアタッチフィルム１６をシリコンウェハ１０の裏面に貼り付け、その後ダイシングにより切断して半導体チップ１２を個片化する。
【００３２】
そして、個片化した半導体チップ１２を図３に示す工程により形成した支持体２４の凹部２０ａに収容した後、図１４に示すように、半導体チップ１２の電極１２ａ上にメタルバンプ１４を形成する。これにより、図５に示す状態と同じ状態、すなわち、メタルバンプ１４が形成された半導体チップ１２が支持体２４の凹部２０ａに収容された状態となる。
【００３３】
その後は、図６、図７、図８，図９、図１１に示す工程を順に経て、半導体パッケージ４０を形成することができる。
【符号の説明】
【００３４】
１，１２  半導体
１ａ  電極
２，３０  封止樹脂部
３  再配線パターン
４  はんだバンプ
５  ソルダレジスト
１０  シリコンウェハ
１２  半導体チップ
１２ａ  電極
１４  メタルバンプ
１６  ダイアタッチフィルム
２０  ダミーウェハ
２０ａ  凹部
２２  マスク
２４  支持体
３０  封止樹脂部
３２  再配線パターン
３４  ソルダレジスト
３６  はんだバンプ
４０  半導体パッケージ
【図１】
0005685012.tif 000002
【図２】
0005685012.tif 000003
【図３】
0005685012.tif 000004
【図４】
0005685012.tif 000005
【図５】
0005685012.tif 000006
【図６】
0005685012.tif 000007
【図７】
0005685012.tif 000008
【図８】
0005685012.tif 000009
【図９】
0005685012.tif 000010
【図１０】
0005685012.tif 000011
【図１１】
0005685012.tif 000012
【図１２】
0005685012.tif 000013
【図１３】
0005685012.tif 000014
【図１４】
0005685012.tif 000015