(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板処理装置の洗浄能力を評価するための評価用サンプルを製造する評価用サンプル製造装置であって、
基板を保持する基板保持手段と、
汚染物質を含む汚染液を保持可能で基板よりも柔らかい塗布部材と、
前記塗布部材を移動させることにより、前記基板保持手段に保持されている基板内の任意の位置に前記塗布部材を接触させる移動手段とを含む、評価用サンプル製造装置。
【請求項２】
前記基板保持手段に保持されている基板に対する前記塗布部材の押付圧を変更する押付圧変更手段をさらに含む、請求項１に記載の評価用サンプル製造装置。
【請求項３】
前記塗布部材は、汚染液を保持可能で基板よりも柔らかいブラシを含む、請求項１または２に記載の評価用サンプル製造装置。
【請求項４】
前記塗布部材は、汚染液を保持可能で基板よりも柔らかいスポンジを含む、請求項１または２に記載の評価用サンプル製造装置。
【請求項５】
前記塗布部材は、前記基板保持手段に保持されている基板に押し付けられる平坦な先端部を含む、請求項３または４に記載の評価用サンプル製造装置。
【請求項６】
前記塗布部材は、前記基板保持手段に保持されている基板に押し付けられる先細りの先端部を含む、請求項３または４に記載の評価用サンプル製造装置。
【請求項７】
基板処理装置の洗浄能力を評価するための評価用サンプルを製造する評価用サンプル製造方法であって、
基板保持手段によって基板を保持する基板保持工程と、
前記基板保持工程と並行して、汚染物質を含む汚染液を保持可能で基板よりも柔らかい塗布部材を移動手段によって移動させることにより、前記基板保持手段に保持されている基板内の任意の位置に前記塗布部材を接触させる接触工程とを含む、評価用サンプル製造方法。
【請求項８】
請求項１〜６のいずれか一項に記載の評価用サンプル製造装置と、
前記評価用サンプル製造装置によって製造された評価用サンプルとしての基板を洗浄する洗浄ユニットとを含む、基板処理装置。
【請求項９】
前記洗浄ユニットによって基板が洗浄される前および洗浄された後の少なくとも一方で前記基板の汚染状態を測定する汚染状態測定手段をさらに含む、請求項８に記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板処理装置の洗浄能力を評価するための評価用サンプルを製造する評価用サンプル製造装置、評価用サンプルを製造する評価用サンプル製造方法、および評価用サンプル製造装置を備えた基板処理装置に関する。対象となる基板には、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、ＦＥＤ（Field Emission Display）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、太陽電池用基板などが含まれる。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置や液晶表示装置などの製造工程では、半導体ウエハや液晶表示装置用ガラス基板などの基板からパーティクルなどの異物を除去する洗浄工程が基板処理装置によって行われる。基板処理装置の洗浄能力は、たとえば、予め汚染された評価用サンプルを洗浄することにより評価される。特許文献１には、微粒子が分散した液体をピペットから基板に滴下して、洗浄能力を評価するための評価用サンプルを製造することが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平９−２６６１８９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
基板を一枚ずつ処理する枚葉式の基板処理装置では、基板の周縁部（ベベル部）にリング状の汚染パターンが形成される場合があり、複数枚の基板を一括して処理するバッチ式の基板処理装置では、基板の表面または裏面を横切る複数の線によって構成された汚染パターンが形成される場合がある。基板処理装置の洗浄能力は、実際の処理基板に形成される汚染パターンに近い汚染パターンが形成されたサンプルで評価されることが好ましい。しかしながら、特許文献１に係る製造方法は、微粒子が分散した液体をピペットから基板に滴下するので、任意の汚染パターンを基板上に形成することができない。
【０００５】
そこで、本発明の目的は、任意の汚染パターンを基板上に形成できる評価用サンプル製造装置、評価用サンプル製造方法、および基板処理装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
前記目的を達成するための請求項１記載の発明は、基板処理装置の洗浄能力を評価するための評価用サンプルを製造する評価用サンプル製造装置であって、基板（Ｗ）を保持する基板保持手段（６）と、汚染物質を含む汚染液を保持可能で基板よりも柔らかい塗布部材（７）と、前記塗布部材を移動させることにより、前記基板保持手段に保持されている基板内の任意の位置に前記塗布部材を接触させる移動手段（９）とを含む、評価用サンプル製造装置（１）である。
【０００７】
この構成によれば、汚染液を保持している塗布部材が、移動手段によって、基板保持手段に保持されている基板に押し付けられる。塗布部材が基板よりも柔らかいので、塗布部材が基板に押し付けられると、塗布部材が基板に密着し、塗布部材に保持されている汚染液が基板の一部に塗布される。移動手段は、基板内の任意の位置に塗布部材を接触させることができる。したがって、評価用サンプル製造装置は、基板ごとに汚染位置を変更できる。さらに、移動手段は、塗布部材を基板に接触させた状態で塗布部材を基板に沿って移動させることができる。したがって、評価用サンプル製造装置は、任意の汚染パターンを基板上に形成できる。
【０００８】
請求項２に記載の発明は、前記基板保持手段に保持されている基板に対する前記塗布部材の押付圧を変更する押付圧変更手段（１０）をさらに含む、請求項１に記載の評価用サンプル製造装置である。この構成によれば、基板に対する塗布部材の押付圧が、押付圧変更手段によって変更される。塗布部材に保持されている汚染液は、塗布部材と基板とに挟まれて、基板に押し付けられる。押付圧が強いと、基板に対する汚染液の付着力が強くなり、押付圧が弱いと、基板に対する汚染液の付着力が弱くなる。したがって、押付圧変更手段は、押付圧を変更することにより、基板に対する汚染液の付着力を変更できる。
【０００９】
前記塗布部材は、請求項３に記載の発明のように、汚染液を保持可能で基板よりも柔らかいブラシ（１６）を含んでいてもよいし、請求項４に記載の発明のように、汚染液を保持可能で基板よりも柔らかいスポンジ（１７）を含んでいてもよい。いずれの場合においても、前記塗布部材は、請求項５に記載の発明のように、前記基板保持手段に保持されている基板に押し付けられる平坦な先端部（１４Ａ、１４Ｃ）を含んでいてもよいし、請求項６に記載の発明のように、前記基板保持手段に保持されている基板に押し付けられる先細りの先端部（１４Ｂ）を含んでいてもよい。
【００１０】
塗布部材と基板との接触面積は、基板に対する塗布部材の押付圧に伴って変化する。ブラシは、スポンジよりも広がり易いので、塗布部材がブラシを含む場合には、塗布部材と基板との接触面積、すなわち、塗布面積を容易に変化させることができる。また、スポンジは、ブラシよりも吸水性が高いので、塗布部材がスポンジを含む場合には、より多くの汚染液を保持できる。また、塗布部材の先端部が平坦である場合には、塗布部材の先端部が先細りである場合よりも広い面積に汚染液を一度で塗布できる。一方、塗布部材の先端部が先細りである場合には、塗布部材の先端部が平坦である場合よりも精密に汚染液を基板に塗布できる。
【００１１】
請求項７に記載の発明は、基板処理装置の洗浄能力を評価するための評価用サンプルを製造する評価用サンプル製造方法であって、基板保持手段によって基板を保持する基板保持工程と、前記基板保持工程と並行して、汚染物質を含む汚染液を保持可能で基板よりも柔らかい塗布部材を移動手段によって移動させることにより、前記基板保持手段に保持されている基板内の任意の位置に前記塗布部材を接触させる接触工程とを含む、評価用サンプル製造方法である。この方法によれば、請求項１の発明に関して述べた効果と同様な効果を奏することができる。
【００１２】
請求項８に記載の発明は、請求項１〜６のいずれか一項に記載の評価用サンプル製造装置と、前記評価用サンプル製造装置によって製造された評価用サンプルとしての基板を洗浄する洗浄ユニット（２０８）とを含む、基板処理装置（２０３）である。この構成によれば、評価用サンプル製造装置によって製造された評価用サンプルとしての基板が、洗浄ユニットによって洗浄される。したがって、評価用サンプルの製造と評価用サンプルの洗浄とを同一の装置内で実行できる。
【００１３】
請求項９に記載の発明は、前記洗浄ユニットによって基板が洗浄される前および洗浄された後の少なくとも一方で前記基板の汚染状態を測定する汚染状態測定手段（２）をさらに含む、請求項８に記載の基板処理装置である。この構成によれば、洗浄ユニットによって基板が洗浄される前および洗浄された後の少なくとも一方で、基板の汚染状態が汚染状態測定手段によって測定される。したがって、評価用サンプルの製造と評価用サンプルの洗浄と基板の汚染状態の測定とを同一の装置内で実行できる。そのため、評価サンプルの製造と基板処理装置の洗浄能力の評価とを同一の装置内で実行できる。
【００１４】
なお、この項において、括弧内の英数字は、後述の実施形態における対応構成要素の参照符号を表すものであるが、これらの参照符号により特許請求の範囲を限定する趣旨ではない。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の第１実施形態に係る評価用サンプル製造装置、汚染状態測定装置、および基板処理装置の模式図である。
【図２Ａ】塗布部材の模式的な側面図である。
【図２Ｂ】塗布部材の模式的な側面図である。
【図２Ｃ】塗布部材の模式的な側面図である。
【図３Ａ】汚染液によって基板に描かれた汚染パターンの一例を示す模式図である。
【図３Ｂ】汚染液によって基板に描かれた汚染パターンの一例を示す模式図である。
【図３Ｃ】汚染液によって基板に描かれた汚染パターンの一例を示す模式図である。
【図４】評価用サンプルを製造し、基板処理装置の洗浄能力を評価するときのフローの一例を示す工程図である。
【図５】本発明の第２実施形態に係る基板処理装置の模式的な平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下では、本発明の実施形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、本発明の第１実施形態に係る評価用サンプル製造装置１、汚染状態測定装置２、および基板処理装置３の模式図である。図２Ａ、図２Ｂ、および図２Ｃは、塗布部材７の模式的な側面図である。図３Ａ、図３Ｂ、および図３Ｃは、汚染液によって基板Ｗに描かれた汚染パターンの一例を示す模式図である。図４は、評価用サンプルを製造し、基板処理装置３の洗浄能力を評価するときのフローの一例を示す工程図である。以下の説明における塗布部材７の形状および大きさは、特に断りがない限り、自由状態での形状および大きさである。
【００１７】
図１に示すように、評価用サンプル製造装置１は、半導体ウエハなどの円板状の基板Ｗに汚染物質を含む汚染液を塗布して、基板処理装置３の洗浄能力を評価するための評価サンプルを一枚ずつ製造する枚葉式の装置である。基板処理装置３は、枚葉式の装置であってもよいし、バッチ式の装置であってもよい。
図１に示すように、評価用サンプル製造装置１は、装置の動作やバルブの開閉を制御する制御装置４と、箱形の隔壁を含むチャンバー５と、チャンバー５内で基板Ｗを水平に保持して基板Ｗの中心を通る鉛直な回転軸線Ａ１まわりに回転させるスピンチャック６とを含む。評価用サンプル製造装置１は、さらに、基板Ｗを汚染させる汚染液を保持可能で基板Ｗよりも柔らかい塗布部材７と、塗布部材７に汚染液を供給する供給装置８と、塗布部材７を移動させることにより、基板Ｗ内の任意の位置に塗布部材７を接触させる移動装置９と、基板Ｗに対する塗布部材７の押付圧を変更する押付圧変更装置１０と、基板Ｗを乾燥させる乾燥装置１１とを含む。
【００１８】
図１に示すように、スピンチャック６は、基板Ｗを水平に保持している状態で回転軸線Ａ１まわりに回転可能な円盤状のスピンベース１２と、スピンベース１２を回転軸線Ａ１まわりに回転させるスピンモータ１３とを含む。スピンチャック６は、基板Ｗの周縁部を挟んで当該基板Ｗを水平に保持する挟持式のチャックであってもよいし、非デバイス形成面である基板Ｗの裏面（下面）を吸着することにより当該基板Ｗを水平に保持するバキューム式のチャックであってもよい。図１では、スピンチャック６がバキューム式のチャックである場合が示されている。制御装置４は、スピンモータ１３を制御することにより、基板Ｗを回転軸線Ａ１まわりに回転させる。
【００１９】
図１に示すように、塗布部材７は、先端部１４が下に向けられた状態でホルダ１５に支持されている。ホルダ１５は、移動装置９および押付圧変更装置１０に支持されている。塗布部材７の先端部１４は、移動装置９および押付圧変更装置１０によって基板Ｗの上面に押し付けられる。移動装置９は、基板Ｗ内の任意の位置に塗布部材７を接触させることができると共に、塗布部材７を基板Ｗに接触させた状態で塗布部材７を基板Ｗに沿って移動させることができる。移動装置９は、モータやシリンダなどのアクチュエータを含む装置である。基板Ｗに対する塗布部材７の押付圧は、押付圧変更装置１０によって変更される。押付圧変更装置１０は、基板Ｗに対する塗布部材７の押付圧を所定の範囲内で連続的にまたは段階的に変更可能であると共に、基板Ｗに対する塗布部材７の押付圧を一定に維持可能である。押付圧変更装置１０は、たとえば、塗布部材７を付勢するバネなどの弾性体と、弾性体の弾性変形量を変更するアクチュエータとを含む装置である。
【００２０】
塗布部材７は、基板Ｗよりも小さい。すなわち、基板Ｗの主面に垂直な方向から見たときの塗布部材７の先端部１４の面積は、基板Ｗの主面の面積よりも小さい。塗布部材７が基板Ｗに押し付けられると、塗布部材７が撓んで基板Ｗに密着し、塗布部材７が基板Ｗから離れると、塗布部材７が元の形状に復元する。塗布部材７は、図１、図２Ａ、および図２Ｂに示すような筆や刷毛などの合成樹脂製の複数の繊維によって構成されたブラシ１６であってもよいし、図２Ｃに示すような合成樹脂製のスポンジ１７であってもよい。塗布部材７がブラシ１６である場合、塗布部材７は、図１に示すような先端が平坦な先端部１４Ａを有していてもよいし、図２Ａに示すような先細りの先端部１４Ｂを有していてもよい。また、塗布部材７がブラシ１６である場合、図２Ｂに示すように、塗布部材７は、先端部１４が平坦で、塗布部材７の幅Ｗ１（基板Ｗの上面と平行な方向への長さ）が塗布部材７の高さＨ１（基板Ｗの上面に垂直な方向への長さ）よりも長い先端部１４Ｃを有していてもよい。塗布部材７がスポンジ１７である場合も同様に、塗布部材７は、先端が平坦な先端部１４を有していてもよいし、先細りの先端部１４を有していてもよい。
【００２１】
図１に示すように、供給装置８は、汚染物質と溶媒とを含む汚染液を溜める上向きに開いたタンク１８を含む。タンク１８は、チャンバー５内に配置されている。タンク１８内の汚染液は、タンク１８に供給される前に調合されたものであってもよいし、タンク１８内で調合されたものであってもよい。図１では、汚染液がタンク１８内で調合される場合が示されている。この場合、供給装置８は、汚染物質を溶解させる溶媒をタンク１８内に供給する溶媒供給配管１９と、溶媒供給配管１９に介装された溶媒バルブ２０と、タンク１８内の液体を撹拌する撹拌装置２１とを含む。汚染物質は、タンク１８内に供給され、溶媒は、溶媒供給配管１９を介してタンク１８内に供給される。汚染物質は、パーティクル（たとえば、ＳｉＯ２の粉末）であってもよいし、金属汚染物質の一例である硫酸銅であってもよいし、有機汚染物質であってもよい。また、溶媒は、純水（脱イオン水：Ｄeionzied Ｗater）であってもよいし、アルコールであってもよいし、これら以外の液体であってもよい。汚染物質および溶媒は、タンク１８内で撹拌装置２１によって撹拌される。これにより、汚染物質および溶媒が所定の比率で混合された汚染液が調合される。
【００２２】
図１に示すように、制御装置４は、移動装置９を制御することにより、塗布部材７の先端部１４をタンク１８内の汚染液に浸漬させる（図４のステップＳ１参照）。これにより、汚染液が、塗布部材７の内部に染み込んで、塗布部材７の内部と塗布部材７の外表面とに保持される。制御装置４は、塗布部材７の先端部１４を汚染液に浸漬させた後、移動装置９および押付圧変更装置１０を制御することにより、基板Ｗに対する塗布部材７の押付圧を押付圧変更装置１０によって調整しながら、塗布部材７の先端部１４を基板Ｗの上面に接触させる。これにより、汚染液が基板Ｗの上面に塗布される（図４のステップＳ２参照）。塗布部材７が基板Ｗよりも柔らかいので、塗布部材７が基板Ｗに押し付けられると、塗布部材７が撓んで、塗布部材７内の汚染液が外に染み出る。そのため、押付圧に応じた量の汚染液が基板Ｗに塗布される。さらに、塗布部材７が撓むので、塗布部材７は、押付圧に応じた接触面積で基板Ｗに接触する。そのため、汚染液が塗布される基板Ｗ内の領域（塗布領域）の面積は、押付圧に応じて変化する。
【００２３】
制御装置４は、たとえば、塗布部材７の先端部１４を基板Ｗの上面に接触させた状態で、塗布部材７を基板Ｗに沿って移動させる。このとき、制御装置４は、移動装置９によって塗布部材７の高さを調整することにより、塗布部材７と基板Ｗとの接触面積を変更してもよいし、押付圧変更装置１０によって押付圧を変更してもよい。制御装置４は、このようにして汚染液を保持した状態の塗布部材７を基板Ｗに接触させて、任意の汚染パターンを基板Ｗに描く。汚染液が塗布される基板Ｗ内の領域（塗布領域）は、図３Ａに示すように、基板Ｗの上面周縁部の全域であってもよいし、図３Ｂに示すように、基板Ｗの上面内の複数の領域であってもよいし、図３Ｃに示すように、基板Ｗの上面内の帯状の領域であってもよい。当然、これら以外の汚染パターンが汚染液によって基板Ｗに描かれてもよい。たとえば、回転軸線Ａ１上に中心を有する複数の同心円が、汚染液によって基板Ｗに描かれてもよいし、基板Ｗの上面を横切る複数の線が、汚染液によって基板Ｗに描かれてもよい。
【００２４】
塗布領域が、基板Ｗの上面周縁部の全域である場合、制御装置４は、基板Ｗの回転を停止させた状態で基板Ｗの上面周縁部に沿って塗布部材７を移動させてもよいし、塗布部材７を基板Ｗの上面周縁部に接触させると共に、スピンチャック６によって基板Ｗを回転させてもよい。さらにこの場合、先端部１４が平坦で、その幅が塗布領域の幅（任意の円周上での径方向への長さ）と等しい塗布部材７（たとえば、図３Ａに示す塗布部材７）が用いられてもよい。
【００２５】
また、塗布領域が、基板Ｗの上面内の複数の領域である場合、制御装置４は、基板Ｗの回転を停止させた状態で塗布部材７を複数の領域に接触させてもよいし、塗布部材７が基板Ｗから離れているときに基板Ｗを回転させることにより、塗布部材７の移動距離を短縮してもよい。さらに、塗布領域が、基板Ｗの上面内の複数の領域であり、各領域の面積が狭い場合には、先端部１４が先細りの塗布部材７（たとえば、図３Ｂに示す塗布部材７）が用いられることが好ましい。
【００２６】
また、塗布領域が、基板Ｗの上面内の帯状の領域である場合、制御装置４は、基板Ｗの回転を停止させた状態で基板Ｗの上面に沿って塗布部材７を移動させてもよい。さらに、塗布領域が、基板Ｗの上面内の帯状の領域であり、塗布領域の面積が広い場合、先端部１４が平坦な塗布部材７（たとえば、図１、図２Ｂ、および図２Ｃに示す塗布部材７）が用いられることが好ましい。特に、先端部１４が平坦で、かつ塗布部材７の幅が塗布部材７の高さより長い塗布部材７（たとえば、図３Ｃに示す塗布部材７）が用いられることが好ましい。
【００２７】
制御装置４は、汚染液を基板Ｗに塗布した後、基板Ｗを乾燥させる（図４のステップＳ３参照）。制御装置４は、基板Ｗに付着している汚染液を基板Ｗの周囲に振り切るために、スピンチャック６によって基板Ｗを高速回転させることにより基板Ｗを乾燥させてもよい。また、制御装置４は、赤外線ランプやヒータなどの乾燥装置１１を用いることにより、基板Ｗを静止させた状態で基板Ｗを乾燥させてもよい。また、制御装置４は、基板Ｗを自然乾燥させてもよい。いずれの場合でも、評価用サンプルとしての基板Ｗは、乾燥後にチャンバー５から搬出される。その後、基板Ｗの汚染状態がパーティクルカウンターなどの汚染状態測定装置２によって測定される（図４のステップＳ４参照）。次に、基板Ｗが、基板処理装置３によって洗浄され（図４のステップＳ５参照）、その後、基板Ｗの汚染状態が、汚染状態測定装置２によって測定される（図４のステップＳ６参照）。これにより、基板処理装置３の洗浄能力が評価される。
【００２８】
以上のように第１実施形態では、汚染液を保持している塗布部材７が、移動装置９によって、スピンチャック６に保持されている基板Ｗに押し付けられる。塗布部材７が基板Ｗよりも柔らかいので、塗布部材７が基板Ｗに押し付けられると、塗布部材７が基板Ｗに密着し、塗布部材７に保持されている汚染液が基板Ｗの一部に塗布される。移動装置９は、基板Ｗ内の任意の位置に塗布部材７を接触させることができる。したがって、評価用サンプル製造装置１は、基板Ｗごとに汚染位置を変更できる。さらに、移動装置９は、塗布部材７を基板Ｗに接触させた状態で基板Ｗに沿って移動させることができる。したがって、評価用サンプル製造装置１は、任意の汚染パターンを基板Ｗ上に形成できる。
【００２９】
さらに第１実施形態では、基板Ｗに対する塗布部材７の押付圧が、押付圧変更装置１０によって変更される。塗布部材７に保持されている汚染液は、塗布部材７と基板Ｗとに挟まれて、基板Ｗに押し付けられる。押付圧が強いと、基板Ｗに対する汚染液の付着力が強くなり、押付圧が弱いと、基板Ｗに対する汚染液の付着力が弱くなる。したがって、押付圧変更装置１０は、押付圧を変更することにより、基板Ｗに対する汚染液の付着力を変更できる。さらに、押付圧が強いと、塗布部材７から染み出る液量が増加し、押付圧が弱いと、塗布部材７から染み出る液量が減少する。したがって、押付圧変更装置１０は、押付圧を変更することにより、基板Ｗに対する汚染液の塗布量を変更できる。
【００３０】
図５は、本発明の第２実施形態に係る基板処理装置２０３の模式的な平面図である。この図５において、前述の図１〜図４に示された各部と同等の構成部分については、図１等と同一の参照符号を付してその説明を省略する。
第２実施形態に係る基板処理装置２０３は、基板Ｗを一枚ずつ処理する枚葉式の装置である。基板処理装置２０３は、基板Ｗが搬入されるインデクサブロックと、インデクサブロックに搬入された基板Ｗを処理する処理ブロックと、装置の動作やバルブの開閉を制御する制御装置４とを備えている。
【００３１】
インデクサブロックは、キャリア保持部２０５と、インデクサロボットＩＲと、ＩＲ移動機構２０６とを備えている。キャリア保持部２０５は、複数枚の基板Ｗを収容できるキャリアＣを保持する。複数のキャリアＣは、水平なキャリア配列方向Ｕに配列された状態でキャリア保持部２０５に保持される。ＩＲ移動機構２０６は、キャリア配列方向ＵにインデクサロボットＩＲを移動させる。インデクサロボットＩＲは、キャリア保持部２０５に保持されたキャリアＣに基板Ｗを搬入する搬入動作、および基板ＷをキャリアＣから搬出する搬出動作を行う。基板Ｗは、インデクサロボットＩＲによって水平な姿勢で搬送される。
【００３２】
一方、処理ブロックは、基板Ｗを処理する複数（たとえば、４つ以上）の処理ユニット２０７と、センターロボットＣＲとを備えている。複数の処理ユニット２０７は、平面視において、センターロボットＣＲを取り囲むように配置されている。複数の処理ユニット２０７は、評価サンプルを製造する評価用サンプル製造装置１と、基板Ｗの汚染状態を測定する汚染状態測定装置２と、基板Ｗの洗浄処理を行う洗浄ユニット２０８とを含む。洗浄ユニット２０８は、基板Ｗを一枚ずつ洗浄する枚葉式のユニットである。洗浄ユニット２０８は、スピンチャック６（図１参照）と、スピンチャック６に保持されている基板Ｗに向けて洗浄液を吐出する洗浄液ノズル（図示せず）とを含み、洗浄液ノズルから洗浄液が基板Ｗに吐出されることにより、基板Ｗの洗浄処理が行われる。なお、洗浄ユニット２０８における処理は、洗浄液による洗浄に限らず、ブラシによる洗浄、ガスによる洗浄であってもよい。センターロボットＣＲは、処理ユニット２０７に基板Ｗを搬入する搬入動作、および基板Ｗを処理ユニット２０７から搬出する搬出動作を行う。さらに、センターロボットＣＲは、複数の処理ユニット２０７間で基板Ｗを搬送する。基板Ｗは、センターロボットＣＲによって水平な姿勢で搬送される。センターロボットＣＲは、インデクサロボットＩＲから基板Ｗを受け取ると共に、インデクサロボットＩＲに基板Ｗを渡す。
【００３３】
制御装置４は、インデクサロボットＩＲおよびセンターロボットＣＲによって、キャリアＣ内の基板Ｗを評価用サンプル製造装置１内に搬入させる。その後、制御装置４は、評価用サンプル製造装置１によって、汚染液を基板Ｗに塗布させることにより、評価用サンプルを製造させる。次に、制御装置４は、センターロボットＣＲによって、評価用サンプル製造装置１内の基板Ｗを汚染状態測定装置２内に搬入させる。その後、制御装置４は、汚染状態測定装置２によって、洗浄ユニット２０８によって洗浄される前の基板Ｗの汚染状態を測定させる。次に、制御装置４は、センターロボットＣＲによって、汚染状態測定装置２内の基板Ｗを洗浄ユニット２０８内に搬入させる。その後、制御装置４は、洗浄ユニット２０８によって基板Ｗを洗浄させる。次に、制御装置４は、センターロボットＣＲによって、洗浄ユニット２０８内の基板Ｗを汚染状態測定装置２内に搬入させる。その後、制御装置４は、汚染状態測定装置２によって、洗浄ユニット２０８によって洗浄された後の基板Ｗの汚染状態を測定させる。次に、制御装置４は、インデクサロボットＩＲおよびセンターロボットＣＲによって、汚染状態測定装置２内の基板ＷをキャリアＣ内に搬入させる。制御装置４は、この一連の動作を繰り返し実行することにより、複数枚の基板Ｗを一枚ずつ処理する。このように、第２実施形態では、洗浄ユニット２０８によって基板Ｗが洗浄される前および洗浄された後に、基板Ｗの汚染状態が汚染状態測定装置２によって測定される。したがって、評価用サンプルの製造と洗浄ユニット２０８の洗浄能力の評価とを同一の装置２０３内で実行できる。
【００３４】
本発明の第１および第２実施形態の説明は以上であるが、本発明は、第１および第２実施形態の内容に限定されるものではなく、請求項記載の範囲内において種々の変更が可能である。
たとえば、第１および第２実施形態では、汚染液が、基板の上面に塗布される場合について説明したが、汚染液は、基板の下面および周端面に塗布されてもよい。すなわち、汚染液が塗布される領域は、基板の上面、下面、および周端面内のいずれの領域であってもよい。
【００３５】
また、第１および第２実施形態では、評価用サンプル製造装置が、押付圧変更装置を備える場合について説明したが、評価用サンプル製造装置は、押付圧変更装置を備えていなくてもよい。
また、第２実施形態では、基板処理装置が汚染状態測定装置を備えている場合について説明したが、基板処理装置は、汚染状態測定装置を備えていなくてもよい。
【００３６】
また、第１および第２実施形態では、基板がスピンチャックによって保持される場合について説明したが、基板は、スピンチャック以外の基板保持装置によって非回転状態で保持されてもよい。
また、第１および第２実施形態では、基板処理装置が、円板状の基板を処理する装置である場合について説明したが、基板処理装置は、液晶表示装置用基板などの多角形の基板を処理する装置であってもよい。
【００３７】
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
【符号の説明】
【００３８】
１        ：評価用サンプル製造装置
２        ：汚染状態測定装置（汚染状態測定手段）
６        ：スピンチャック（基板保持手段）
７        ：塗布部材
９        ：移動装置（移動手段）
１０      ：押付圧変更装置（押付圧変更手段）
１４      ：先端部
１４Ａ    ：先端部
１４Ｂ    ：先端部
１４Ｃ    ：先端部
１６      ：ブラシ
１７      ：スポンジ
２０３    ：基板処理装置
２０８    ：洗浄ユニット
Ｗ        ：基板
【図１】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図２Ｃ】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図３Ｃ】
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【図４】
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【図５】
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