(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板（ＴＲ）上にセンサ素子（ＳＥ）を配設するステップと、
前記センサ素子（ＳＥ）の上にカバー（ＡＦ）を配設し、前記センサ素子（ＳＥ）が当該カバー（ＡＦ）と前記基板（ＴＲ）との間に封止されるステップと、
前記カバー（ＡＦ）上に担体フィルム（ＴＦ）を接着するステップと、
前記担体フィルム（ＴＦ）および前記カバー（ＡＦ）に開口部（ＳＯ）を形成し、前記担体フィルム（ＴＦ）および前記カバー（ＡＦ）の開口部（複数）が、少なくとも部分的に重なっているようにするステップと、
を備えることを特徴とする、センサー（ＳＥＮ）の製造方法。
【請求項２】
前記担体フィルム（ＴＦ）および前記カバー（ＡＦ）の前記開口部（ＳＯ）は、前記担体フィルム（ＴＦ）の接着後に形成されることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記担体フィルム（ＴＦ）および前記カバー（ＡＦ）の開口部（ＳＯ）は、１つの共通の方法ステップで形成されることを特徴とする、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記担体フィルム（ＴＦ）および前記カバー（ＡＦ）の開口部（ＳＯ）は、一致していることを特徴とする、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
前記担体フィルム（ＴＦ）および前記カバー（ＡＦ）のそれぞれの開口部（ＳＯ）は、前記担体フィルム（ＴＦ）の接着前に形成され、
前記センサ素子（ＳＥ）は、接着される際に、前記担体フィルム（ＴＦ）および前記カバー（ＡＦ）の開口部（ＳＯ）が少なくとも部分的に重なるように位置決めされることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
複数のセンサ素子（ＳＥ）が、前記基板上に配設され、
各々の前記センサ素子（ＳＥ）が、前記基板と前記カバー（ＡＦ）との間に封止されるように、前記カバー（ＡＦ）が前記複数のセンサ素子（ＳＥ）の上に配設され、
前記担体フィルム（ＴＦ）が前記カバー（ＡＦ）上に接着され、
前記センサ（ＳＥＮ）は、前記接着の後に個々に分離されることを特徴とする、請求項１乃至５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
前記担体フィルム（ＴＦ）は、さらなるステップにおいて取り除かれることを特徴とする、請求項１乃至６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
前記担体フィルムが取り除かれる前に、試験装置（ＴＡ）を用いて、前記センサ（ＳＥＮ）の機能試験が行われ、この際前記センサ（ＳＥＮ）は、前記担体フィルム（ＴＦ）と前記試験装置（ＴＡ）との相対的な移動によってアライメントされることを特徴とする、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記担体フィルム（ＴＦ）は、前記機能試験の間は、前記センサ（ＳＥＮ）と前記試験装置（ＴＡ）との間の密封を形成することを特徴とする、請求項１乃至８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
前記担体フィルム（ＴＦ）および前記カバー（ＡＦ）の開口部（ＳＯ）は、ドリル加工によって形成されることを特徴とする、請求項１乃至９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
前記カバー（ＡＦ）は、前記開口部（ＳＯ）が形成される領域での厚さが、既に前記カバー（ＡＦ）を取り付ける際に、他の領域よりも薄くなっているか、あるいはこの領域で後発的に薄くされるようにすることを特徴とする、請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１２】
ベースメタライジング（ＧＭ）が、前記センサ（ＳＥＮ）の上に取り付けられ、
レジストパターン（ＲＳ）が、前記開口部（ＳＯ）が形成される領域に設けられ、
前記ベースメタライジング（ＧＭ）上に補強層（ＶＳ）が形成され、この際前記ベースメタライジング（ＧＭ）の前記レジストパターン（ＲＳ）によって覆われていない領域は前記補強層が付いていない、
ことを特徴とする、請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】
前記カバー（ＡＦ）の薄い領域は、検出ステップで確認され、開口部（ＳＯ）が形成される位置を決定するために利用されることを特徴とする、請求項１１または１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記センサ（ＳＥＮ）が、前記担体フィルム（ＴＦ）に対し反対側に、電気的コンタクト部（ＫＰ）を備えることを特徴とする、請求項１乃至１３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１５】
前記センサ（ＳＥＮ）が、前記担体フィルム（ＴＦ）の側に配設された電気的コンタクト部（ＫＰ）を備えることを特徴とする、請求項１乃至１３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１６】
前記担体フィルム（ＴＦ）は、前記電気的コンタクト部（ＫＰ）または前記試験装置（ＴＡ）によって刺し抜かれるか、または前記担体フィルム（ＴＦ）は、前記電気的コンタクト部（ＫＰ）の配設される領域が取り除かれることを特徴とする、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記センサ素子（ＳＥ）は、音響波を電気信号に変換する変換素子であることを特徴とする、請求項１乃至１６のいずれか１項に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、センサの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
本発明はとりわけ、その基板とカバーとの間に変換素子が封止されたＭＥＭＳマイクロフォンの製造方法に関する。この変換素子は、音声進入開口部を通って侵入する音響信号を電気信号に変換することができる。
【０００３】
センサの感度に対して、しばしば、このセンサの開口部を特定の場所に必要であるとする要求が提起される。たとえば、ＭＥＭＳマイクロフォンでは、特定の音響特性が要求される可能性があり、この音響特性を達成するために音声入口開口部が、特定の部位に配設されなければならない。このような要求は、高製造コストと複雑な機能試験をもたらす。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
したがって本発明の課題は、センサの開口部の形成を容易に行うことができる、センサの製造方法を提供することである。
【０００５】
上記の課題は請求項１に記載の方法によって解決される。有利な実施形態が他の請求項に示される。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、以下のステップを備える、センサの製造方法を提示する。
−基板上にセンサ素子（複数）を配設するステップ。
−このセンサ素子の上にカバーを配設するステップであって、このセンサ素子が当該カバーと上記基板との間に封止されるステップ。
−担体フィルムを上記カバー上に接着するステップ。
−この担体フィルムおよびカバーに開口部を形成するステップであって、この担体フィルムおよびカバーの開口部（複数）が、少なくとも部分的に重なっているステップ。
【０００７】
開口部としては、ここではハウジングまたはセンサのカバーにおける開口部が該当し、これがなければ封止されるセンサ素子がこれを通して周囲と通じている。基礎とするセンサタイプにより、適合した入口が形成され、たとえばマイクロフォンの場合には音響波用であり、圧力センサの場合には気圧用であり、あるいは湿度センサの場合には空気交換用であり、ガス組成決定用のセンサや生化学的パラメータの決定用のセンサ用である。
【０００８】
このセンサのカバーは複数の層から成っていてよい。さらに、このカバーはプラスチックから成るカバー膜によって形成されてよい。さらに、このカバーは金属層、たとえばベースメタライジング（Grundmetallisierung）と補強層とを備えてよい。
【０００９】
担体フィルム上でのセンサの接着は、この担体フィルムの開口部およびカバーの開口部を介してセンサ素子の駆動を行うことを可能とする。たとえばマイクロフォンの機能試験のために、これらの開口部を介して音声を送り込むことができる。さらにこの担体フィルムの動きによってセンサが動くことができる。
これに対応してこの担体フィルムは、このセンサを試験装置に導くことを可能とすることができる。
【００１０】
１つの実施形態例においては、この担体フィルムおよびカバーの開口部は、この担体フィルムの接着の後に形成される。この担体フィルムおよびカバーの開口部は、とりわけ１つの共通の方法ステップで形成されてよい。たとえばこの担体フィルムおよびカバーの開口部は、ドリル加工、特にレーザードリル加工によって形成されてよい。この開口部を形成した後では、このセンサは、他のフィルムに貼り付けられてはならないが、その代わりにこの担体フィルム全体が移動されてよい。
【００１１】
これにより、この方法は、狭い空間で僅かな補助材料を使用してこれらのセンサを容易に取り扱うことを特徴とする。
【００１２】
１つの実施形態例においては、これらの担体フィルムおよびカバーの開口部は一致している。一致した開口部は、とりわけこの担体フィルムおよびカバーの開口部が１つの共通な方法ステップで、たとえばレーザードリル加工で形成される場合にもたらされる。
【００１３】
１つの代替の方法においては、担体フィルムおよびカバーにおけるそれぞれの開口部は、この担体フィルムの接着前に形成される。この際さらに上記のセンサ素子は、接着される際は、担体フィルムおよびカバーのこれらの開口部が少なくとも部分的に重なるように位置決めされる。
【００１４】
このようにこれらのセンサは、事前に多孔化された担体フィルム上に既に存在する開口部を用いて取付けられる。これらのセンサが製造され、開口部が形成されることも可能であるが、しかしながらこの後これらのセンサは、長期間使用されないままストックされる可能性がある。後のある時点で、これらのセンサの機能は検査されるべきである。このときにこれらのセンサが、既に（複数の）開口部で多孔化された担体フィルムに接着される。このようにして、これらのセンサ素子を試験装置に導くために、この担体フィルムを利用することができる。
【００１５】
この方法では、好ましくは多数のセンサ素子が担体基板上に配設され、これらのセンサ素子はそれぞれ担体基板とカバーとの間に封止されるようにこのカバーがセンサ素子の上に配設される。さらにこのカバー上に担体フィルムが接着されてよく、上記のセンサ素子はこの担体フィルムが接着された後で個々に分離される。
【００１６】
本発明の方法は、手間のかかる個々のデバイスの取扱いを避けることを可能とする。共通な担体基板は、その代わりにたとえば数千個のデバイスを備えてよく、膨大な数の製造工程を直接的集合体（unmittelbaren Verbund）で取り扱うことができる。これらのセンサ素子の直接的集合体とは、これらのセンサ素子が、互いにしっかりと接続されていることを意味しているが、これはたとえば１つの共通な担体基板上に配設されることによっている。
【００１７】
この担体フィルムに接着され、個々に分離（Vereinzeln）された後でも、これらのセンサは、まだ間接的集合体（mittelbaren Verbund）で互いに保持されることが可能であり、したがって個々に分離した後でも、複数のセンサを同時に処理する方法ステップを実行することができる。とりわけセンサ開口部の形成およびこれらのセンサの機能試験は、この間接的集合体で行われてよく、この際担体フィルムへの接着によって、これらの個々のセンサは互いに相対的にアライメントされたままとなっている。
【００１８】
このセンサ素子の間接的集合体とは、これらのセンサ素子が１つの共通な担体フィルム上に配設されており、かつこれによって完全に自由には動くことができないことを意味している。いずれにせよこれらのセンサ素子は、上記の直接的集合体よりも互いにそれほど固定されてアライメントされていない。たとえば個々のセンサ素子の小さな変位は可能である。
【００１９】
「開口部形成」および「機能試験」の方法ステップにおいて、複数のセンサを一緒に間接的集合体で処理することにより、製造コストを大幅に低減することができる。これらのセンサが担体フィルム上に接着された状態での個々の分離の際には、これらのセンサは変位されることがあってもほんの僅かである。
しかしながらこの変位は、検出ステップで認識され、またこれににより補償することができる。検出ステップとしては、ここではとりわけ自動画像認識が適している。
【００２０】
好ましくは、さらなる１つの方法ステップにおいて、この担体フィルムが取り除かれる。ここでは担体フィルムのこれらのセンサは、ピックアンドプレース装置（Bestucker）を用いて取り外され、これらの目的地、たとえば回路基板またはパッケージに直接設置される。
【００２１】
これらの担体フィルムは、本製造方法においては、これらのセンサを間接的集合体において互いにアライメントされて維持するという重要な役割を担っている。さらに、この担体フィルムは、このセンサと試験装置との間の密封装置として機能することができる。しばしばセンサ用の試験装置は、このセンサへの緊密な接続を形成するカップリング部材を備えている。この試験装置は、たとえば環状隆起部（Ringwulst）または環状シース（Ringscheide）をカップリング部材として備えてよい。センサの損傷を避けるため、およびできる限り気密なカップリングを目的とするため、この担体フィルムがカップリング部材とセンサの開口部との間のガスケット（Dichtung）として使用されてよい。この際この試験装置のカップリング部材は、摩耗しない材料で製造することができ、摩耗は単に一時的な担体フィルムが担うことができる。この試験装置は、たとえば金属から成る環状隆起部または環状シースをカップリング部材として備えてよい。
【００２２】
１つの実施形態例においては、担体フィルムおよびカバーの開口部は、ドリル加工によって形成される。この開口部は、とりわけレーザードリル加工によって形成されてよい。レーザーとしては、とりわけＵＶ領域で動作するレーザー源、たとえば３６５ｎｍの波長のものが適している。ＵＶ透過型の一時的担体フィルムを使用する場合は、たとえば１０６４ｎｍの波長のＹＡＧレーザーを用いてもよく、また１０．６μｍの波長のＣＯ2レーザーを用いてもよい。
【００２３】
１つの実施形態例においては、カバーは、開口部が形成される領域での厚さが、このカバーを取り付ける際に、既に他の領域よりも薄くなっているか、あるいはこの領域で後発的に薄くされるようにする。開口部が形成される領域のカバーは、後でさらなる方法ステップで再度取り除かれる。このためこの領域でカバーを薄くしておくことは、この領域でカバーを除去することを容易にするために有利である。
【００２４】
金属層を含むカバーをこの領域で薄く形成することは、たとえばレジストパターンを利用して達成することができる。これに対応して、まずベースメタライジングが、センサ素子の上に取り付けられてよい。次に、開口部が形成される領域にレジストパターンが取り付けられ、金属補強層がベースメタライジングの上に形成され、この際このレジストパターンで覆われるベースメタライジングの領域は、この補強層が無い状態となっている。これに続いてこのレジストパターンは取り除かれてよい。代替として、このレジストパターンはベースメタライジング上に残ったままとなる。このレジストパターンは、たとえば印刷または吹き付けによって取り付けられてよい。好ましいプロセスにおいては、このレジストパターンは、フォトリソグラフィー、たとえば積層された光感受性フィルムのレーザー直描によって形成される。
【００２５】
１つの実施形態例においては、このカバーの薄い領域は、検出ステップで確認することができ、開口部が形成される位置を決定するために利用することができる。とりわけこのレジストパターンあるいは形成されたこの薄い部位の輪郭は、上記の検出方法に利用することができる。この検出方法では、たとえば自動画像認識が用いられてよい。この際、このレジストパターンあるいは薄い部位の輪郭は、位置合わせマークに利用され、この位置合わせマークを用いてセンサの位置を計算することができる。この画像認識において検出されたデータに基づいて、ドリル穴を形成するためのレーザーがアライメントされる。ここまでこのレジストパターンは取り除かれていないが、こうしてこのレジストパターンは、このドリル穴によって全部または部分的に取り除かれる。
【００２６】
ここでこの画像認識は、担体フィルムを通して行われる。このためセンサは、良好に認識できる位置合わせマークを備えることがますます重要になるが、これはこの担体フィルムが画像認識を困難にする可能性があるからである。
【００２７】
ここに記載する方法は、担体フィルムに対し反対側に電気的コンタクト部を備えるセンサに対しても、またこの電気的コンタクト部がこの担体フィルムと同じ側に配設されているセンサに対しても適合している。この後者の場合には、この担体フィルムは、この電気的コンタクト部によって、あるいは試験装置の接触探針によって、この電気的コンタクト部が配設されている領域で破断されるが、たとえば刺し抜かれるかあるいはこの領域で取り除かれる。たとえばこの電気的コンタクト部は、レーザーを利用して露出されてよい。これにより、多数の異なるセンサに対し統一された製造方法を用いることができるので、この方法は極めて有利である。
【００２８】
このセンサ素子はとりわけ、音響波を電気信号に変換する変換素子であってよい。これよりこのセンサはマイクロフォンであり、特にＭＥＭＳマイクロフォンである。
【００２９】
しかしながらこのセンサ素子は、圧力センサ素子、ガスセンサ素子、湿度センサ素子、あるいは生化学的センサ素子であってもよい。
【００３０】
センサ開口部は、複数の小さな単孔（Einzeloffnung）を備えてよい。これによってたとえば、これらの単孔の直径より大きな微粒子はセンサ内部に侵入できないので、効果的な防塵が達成される。複数の単孔は、さらにマイクロフォンでの指向特性や周波数帯域の調整を可能とする。差圧センサの場合には、異なる開口部によって分離された導入部が可能である。複数の単孔は、ガスセンサおよび湿度センサの場合には、媒体の流通を改善することが可能である。
【００３１】
上記の個々の分離（Vereinzeln）は、処理フローのどの段階で行われてもよい。しかしながら、好ましくは機能試験の前に行われることが有利であるが、これは切り離し処理、すなわち個々の分離の際の不具合がこの機能試験で確認できるからである。この個々の分離が開口部のドリル加工の前に行われると、切削液（Sageflussigkeit）や塵芥がセンサ内部に侵入することを防ぐことができる。
【００３２】
以下では、実施形態例とこれに付随する図を参照して、本発明を説明する。これらの図は、単に概略的に示したものであり、寸法は正確ではないので、これらの図は、絶対的また相対的な大きさを示すものではない。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１Ａ】センサの製造における異なる処理段階を示す図である。
【図１Ｂ】センサの製造における異なる処理段階を示す図である。
【図１Ｃ】センサの製造における異なる処理段階を示す図である。
【図１Ｄ】センサの製造における異なる処理段階を示す図である。
【図１Ｅ】センサの製造における異なる処理段階を示す図である。
【図１Ｆ】センサの製造における異なる処理段階を示す図である。
【図１Ｇ】センサの製造における異なる処理段階を示す図である。
【図２】多数のセンサの機能試験を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００３４】
図１Ａ〜１Ｇは、センサＳＥＮの製造における様々な処理段階を示す。図１Ａは、センサ素子ＳＥおよび任意の他のデバイス素子ＢＥを基板ＴＲ上に取り付けた後のセンサＳＥＮを示す。図１Ａ〜１Ｆに示す方法は、任意のセンサ形式のセンサＳＥＮの製造に適しており、たとえば圧力測定用センサ、湿度測定用センサ、ガス組成決定用センサまたは他の生化学的パラメータ決定用のセンサの製造に適している。
【００３５】
ここで示す例は、ＭＥＭＳマイクロフォンに関するセンサＳＥＮである。センサ素子ＳＥは、音響波を電気信号に変換する変換素子である。この変換素子は、メンブレンＭＥＭおよびバックキャビティ（Ruckvolumen）ＲＶを備える。このバックキャビティＲＶは、第１のカバーＡＤが境界となっており、この第１のカバーはウェーハレベルで取り付けられている。この第１のカバーＡＤはフィルムである。
【００３６】
カバーフィルムＡＦは、センサ素子ＳＥおよび他のデバイス素子ＢＥの上に取り付けられており、ここでこのカバーフィルムＡＦは基板ＴＲの側部の周りを封止して密封している。このカバーフィルムＡＦは、たとえばプラスチックから成ってよい。
【００３７】
センサ素子ＳＥは、バンプＢＵを介して基板ＴＲと電気的に接続されている。この基板ＴＲは、そのセンサ素子ＳＥに向いた側に接続面（複数）ＡＮＦを備える。この基板ＴＲは、そのセンサ素子ＳＥに向いていない側にコンタクトパッドＫＰ（複数）を備える。これらのコンタクトパッドＫＰおよび接続面ＡＮＦは、貫通接続部ＤＫを介して互いに接続されている。これらのコンタクトパッドＫＰは、このセンサＳＥＮの電気的接続に用いられる。電気的接続のためのこれらのコンタクトパッドＫＰが、基板ＴＲ上でセンサ素子ＳＥおよび他のデバイス素子ＢＥと同じ側に配設されるような実施形態も考えられる。
【００３８】
他のデバイス素子ＢＥもまた、バンプＢＵを用いたフリップチップ技術で基板ＴＲ上に搭載されている。この他のデバイス素子ＢＥは、たとえばこのセンサ素子ＳＥで取得されたデータをさらに処理して活用する回路素子であってよい。
【００３９】
図１Ｂは、さらなる方法ステップでのセンサＳＥＮを示す。カバーフィルム上には、ベースメタライジングＧＭが、たとえばプラズマ蒸着またはスパッタリングによって、全面に渡って取り付けられている。これにはＴｉのような金属、または金属の混合物または金属の層配列が用いられ、これらは一方ではカバーフィルムＡＦへの良好な付着性を保証し、他方では後で行われるベースメタライジングＧＭの電解めっき補強（galvanischen Verstarken）に適している。
【００４０】
図１Ｃは、次のステップでのセンサＳＥＮを示す。ベースメタライジングＧＭは、電解めっき補強される。好ましくは、この補強は、開口部ＳＯが予備成型されるように、たとえば開口部ＳＯが設けられる面が電界めっき補強から除外されるように、行われる。これには、レジストパターンＲＳが、ベースメタライジングＧＭ上の後の開口部ＳＯの領域に形成されてよく、たとえばフォトレジスト層のパターニングによって形成されてよい。この開口部ＳＯは、音響入口開口部である。このレジストパターンＲＳは、たとえば印刷または吹き付けによって設けられてよく、しかしながら１つの好ましい処理においては、フォトリソグラフィーによって、たとえば積層された光感受性フィルム上へのレーザー直描によって設けられてよい。
【００４１】
ベースメタライジングＧＭの補強は、たとえば導電層として銅を無電解メッキまたは電界めっきで堆積することによって行われ、また耐腐食層としてさらなる層が設けられ、これらの導電層およびさらなる層は共に補強層ＶＳを形成する。たとえば約５０μｍのＣｕおよび数μｍのニッケルが続いて電界めっきでベースメタライジングＧＭの上に形成される。図１Ｄは、補強層ＶＳを電界めっきし、レジストパターンＲＳを取り除いた後の構造を示す。補強層ＶＳにおける開口部は、このレジストパターンが取り除かれた後の、レジストパターンＲＳがベースメタライジングＧＭの電界めっきを妨たげた場所に位置している。
【００４２】
図１Ｅは、さらなる方法ステップでのセンサＳＥＮの構造を示す。ここでセンサＳＥＮは、担体フィルムＴＦに接着される。特に基板ＴＲに向いていないセンサＳＥＮの側が、この担体フィルムＴＦに接着される。
【００４３】
以上で記載した、センサＳＥＮの担体フィルムＴＦへの接着を含む製造ステップは、１つの共通な担体基板上の多数のセンサ素子の直接的集合体において行うことができる。この際、この共通な担体基板上に数百から数千個のセンサ素子ＳＥおよび他のデバイス素子ＢＥが備えられており、これらのセンサ素子ＳＥおよび他のデバイス素子ＢＥは、できる限り多くの製造ステップに渡って、この直接的集合体で処理される。担体フィルムＴＦに接着した後、センサ素子ＳＥおよび他のデバイス素子ＢＥの個々の分離が行われてよい。この個々の分離は、たとえばソーイング（Sagen）によって行われてよい。
【００４４】
張られた担体フィルムＴＦによって、個々に分離されたセンサ素子および他のデバイス素子ＢＥが互いに１つの間接的集合体に配列される。これによって複数のセンサ素子ＳＥおよび他のデバイス素子ＢＥは一緒に取り扱うことができる。
【００４５】
図１Ｆは担体フィルムＴＦ，ベースメタライジングＧＭ，およびカバーＡＦを貫通する開口部ＳＯの形成後のセンサＳＥＮを示す。この開口部ＳＯは、たとえばドリル加工によって、とりわけレーザードリル加工によって形成されてよい。この際比較的薄いベースメタライジングＧＭ，好ましくはプラスチックから成るカバーＡＦ，および担体フィルムＴＦのみが破断される。これは比較的小さなレーザー強度を用いて制御して行うことで達成でき、この開口部ＳＯの下側に配置されたこのセンサ素子の部品の損傷を充分防ぐことができる。開口部ＳＯの領域でのベースメタライジングＧＭの開口は、たとえばＣＯ2−，ＹＡＧ−，あるいはＵＶ−レーザーが適している。
【００４６】
事前に形成されている薄い部分の輪郭を、ドリル加工の位置を決定するために用いることができる。この検出方法では、たとえば自動画像認識が用いられてよい。１つの代替方法においては、このレジストパターンＲＳが、それが取り除かれる前に、上述のドリル加工の位置の決定のための検出方法に用いられる。
【００４７】
開口部ＳＯを形成した後で、センサＳＥＮの機能試験を行うことができる。これに続いて担体フィルムＴＦが取り除かれる。図１Ｇは、この担体フィルムＴＦを取り除いた後のセンサＳＥＮを示す。したがって図１Ｇは、製造工程が終了後のセンサＳＥＮを示す。
【００４８】
この方法は、センサＳＥＮの開口部ＳＯおよび基板ＴＲの電気的コンタクト部ＫＰのどちらでも、この基板ＴＲの担体フィルムＴＦによって覆われた側に配設することを可能とする。この場合、機能試験に必要な電気的コンタクト部ＫＰは、レーザーを用いて露出することができる。
【００４９】
個々の分離は、他の処理段階で行われてよい。しかしながらこの個々の分離が機能試験の前に行われると、この機能試験において、個々の分離で発生した不具合を確認することができる。この個々の分離が開口部ＳＯのドリル加工の前に行われると、個々の分離の際に発生する切削液や塵芥が開口部ＳＯを通ってセンサＳＥＮの内部空間に到達する可能性を排除することができる。
【００５０】
図２は、完成したセンサＳＥＮの機能が検査される試験方法を示す。ここに示す試験方法は、個々の分離の後で、かつ担体フィルムからセンサＳＥＮを取り外す前に行われる。この担体フィルムＴＦは、複数のセンサＳＥＮを１つの間接的集合体に結合している。機能試験のために、スピーカーＬＳ，音響出口開口部ＳＡＯ，および基準マイクロフォンＲＭを備える試験装置ＴＡが用いられる。
【００５１】
試験装置ＴＡは、試験されるセンサＳＥＮの開口部ＳＯを介して、この試験装置ＴＡの音響出口開口部ＳＡＯとセンサＳＥＮの開口部ＳＯとが重なり合うように調整する。この微調整には、カメラＣＡＭが用いられてよい。音響出口開口部ＳＡＯとセンサＳＥＮの開口部ＳＯとは、音響的に互いにカップリングされる。センサＳＥＮの試験装置ＴＡへのアライメント(Ausrichtung)は、担体フィルムＴＦと試験装置ＴＡとの間の相対的な移動によって行われる。
【００５２】
さらにこの試験装置ＴＡは、センサへの電気的コンタクトを可能とする電気的コンタクト装置ＥＫＶを備える。試験装置ＴＡと担体フィルムＴＦに配設されたセンサＳＥＮとが互いに相対的に動くことによって、複数のセンサＳＥＮを次々に試験することができる。
【００５３】
さらにこの試験装置ＴＡは、この試験装置ＴＡを用いてカップリング部材ＫＥのセンサＳＥＮへの音響的カップリングを形成する、密封構造を備える。この密封構造は、試験装置ＴＡの音響出口開口部ＳＯを包囲している。このカップリング部材ＫＥは、摩耗しない材料、たとえば金属から成っている。担体フィルムＴＦは、このカップリング部材ＫＥとセンサＳＥＮの開口部との間の移行部を密封する。この担体フィルムＴＦは、柔らかい材料で製造されているため、摩擦により摩耗減損を生じるが、このようにすることによって、センサＳＥＮおよびカップリング部材ＫＥは摩耗に対し保護されている。
【００５４】
代替として、この機能試験は、音響出口開口部ＳＡＯとセンサＳＯの開口部との間に間隙があるように、したがって試験装置ＴＡとセンサＳＯとが閉じたシステムを形成しないように行われてよい。
【符号の説明】
【００５５】
ＳＥＮ  ：  センサ
ＳＥ    ：  センサ素子
ＢＥ    ：  他のデバイス素子
ＴＲ    ：  基板
ＭＥＭ  ：  メンブレン
ＲＶ    ：  バックキャビティ
ＡＤ    ：  カバー
ＡＦ    ：  カバーフィルム
ＢＵ    ：  バンプ
ＡＮＦ  ：  接続面
ＫＰ    ：  コンタクトパッド
ＤＫ    ：  貫通接続部
ＧＭ    ：  ベースメタライジング
ＳＯ    ：  開口部
ＲＳ    ：  レジストパターン
ＶＳ    ：  補強層
ＴＳ    ：  担体フィルム
ＴＡ    ：  試験装置
ＬＳ    ：  スピーカー
ＳＡＯ  ：  音響出口開口部
ＲＭ    ：  基準マイクロフォン
ＣＡＭ  ：  カメラ
ＥＫＶ  ：  電気的コンタクト装置
ＫＥ    ：  カップリング部材
【図１Ａ】
0005828049.tif 000002
【図１Ｂ】
0005828049.tif 000003
【図１Ｃ】
0005828049.tif 000004
【図１Ｄ】
0005828049.tif 000005
【図１Ｅ】
0005828049.tif 000006
【図１Ｆ】
0005828049.tif 000007
【図１Ｇ】
0005828049.tif 000008
【図２】
0005828049.tif 000009