(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
サポート基板を介して保護テープが貼付された半導体基板を、粘着面を上側にした剥離テープが載置されたステージ上に、前記保護テープを下側にして載置する第１工程と、
前記半導体基板を、前記保護テープを下側にして前記剥離テープの粘着面上に載置した状態で減圧して前記剥離テープを前記保護テープに貼付ける第２工程と、
前記剥離テープを前記保護テープに貼付けた状態で、前記剥離テープを前記ステージの下側に向かって引き込み、前記保護テープを剥離する第３工程と、
前記引き込みにより前記保護テープから露出した前記サポート基板面を支持する第４工程と、
を有する半導体装置の製造方法。
【請求項２】
保護テープが貼付された半導体基板を、粘着面を上側にした剥離テープが載置されたステージ上に、前記保護テープを下側にして載置する第１工程と、
前記剥離テープを前記保護テープに貼付ける第２工程と、
前記剥離テープを前記保護テープに貼付けた状態で、前記剥離テープを前記ステージの下側に向かって引き込み、前記保護テープを剥離する第３工程と、
前記引き込みにより、前記ステージから突出した前記半導体基板を支持する第４工程と、
を有する半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記第３工程は、
前記剥離テープを、前記ステージに対し前記剥離テープの長手方向に移動させることにより、前記剥離テープを前記ステージの下側に向かって引込む請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記ステージは、
前記剥離テープの長手方向に対して前記剥離テープの粘着面に沿って略直交する向きに延在する固定部と、前記固定部を挟んで配置され、前記ステージの下側に向かって移動可能な第１，第２の可動部と、を備え、
前記第３工程は、
前記第１，第２の可動部を、前記保護テープに当接させた状態で、前記剥離テープを前記ステージの下側に向かって引込む工程と、
前記第１，第２の可動部を、前記ステージの下側に退避させた後、さらに前記剥離テープを前記ステージの下側に向かって引込む工程と、
を有する請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記第２工程は、
前記半導体基板を、前記保護テープを下側にして前記剥離テープの粘着面上に載置した状態で減圧し、前記前記剥離テープを前記保護テープに貼付ける請求項２乃至請求項４のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記保護テープは、サポート基板を介して前記半導体基板に貼付けされ、
前記第４工程は、
前記引き込みにより前記保護テープから露出した前記サポート基板面を支持する請求項２乃至請求項５のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
粘着面を上側にした剥離テープが載置されたステージと、
保護テープが貼付された半導体基板を、前記保護テープを下側にして、前記ステージ上に載置する載置部と、
前記剥離テープを前記保護テープに貼付けた状態で、前記剥離テープを前記ステージの下側に向かって引き込み、前記保護テープを剥離する剥離部と、
前記引き込みにより、前記ステージから突出した前記半導体基板を支持する支持部と、
を有する半導体製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、半導体装置の製造方法及び半導体製造装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体基板（以下、ウェハと記載する）に縦型半導体装置を形成する場合、ウェハ裏面の研削、研磨等を行い、ウェハを薄化する。その後、この薄化したウェハ裏面に対して種々のプロセス処理（例えば、裏面電極の形成）を行う。
【０００３】
ウェハ薄化のプロセスでは、ウェハ表面側に表面保護テープ（以下、ＢＳＧテープと記載する）を貼付けた後、ウェハ裏面の研削、研磨等を行い、ウェハを薄化している。このＢＳＧテープは、ウェハの薄化後に剥離する必要がある。
【０００４】
従来は、この剥離の際に、ウェハの裏面を下側にして吸着ステージ上に載置し、ウェハ表面に貼付けられているＢＳＧテープに剥離テープを圧着し、ＢＳＧテープと剥離テープとを一体に取り去ることで、ウェハ表面からＢＳＧテープを剥離している。
【０００５】
しかしながら、従来の剥離方法では、ウェハ裏面を下側にして吸着ステージ上に載置するため、ウェハ裏面にパーティクル（ダスト）や汚染物（例えば、有機物や金属）が付着したり、機械的な接触によりウェハにダメージを与える虞がある。
【０００６】
ウェハ裏面にパーティクルが付着した場合、スパッタリング法により形成した裏面電極が剥離したり、フォトリソグラフィ工程において、レジストの塗布異常や露光異常が発生する虞がある。さらに、インプラント工程においては、不純物イオンの注入時に、パーティクルが遮蔽物（ブロック材）となり、不純物イオンが注入されない領域が生じる虞がある。
【０００７】
また、汚染物が付着した場合、拡散工程（例えば、熱拡散やレーザアニール）において、半導体装置のチャネルの伝導型が反転したり、キャリアライフタイムが規格値（スペック）を外れる虞がある。さらに、機械的な接触によりウェハにダメージを与えた場合、ウェハに割れや欠けが生じ、ウェハ裏面に対してプロセス処理を行うことができなくなる虞がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２０１０−２１９４６７号公報
【特許文献２】特開２００９−２３９１０７号公報
【特許文献３】特開２００９−１４１３１４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本実施形態は、ウェハ裏面に接触することなく貼付けられた保護テープを剥離できる半導体装置の製造方法及び半導体製造装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
実施形態に係る半導体装置の製造方法は、サポート基板を介して保護テープが貼付された半導体基板を、粘着面を上側にした剥離テープが載置されたステージ上に、保護テープを下側にして載置する第１工程と、半導体基板を、保護テープを下側にして剥離テープの粘着面上に載置した状態で減圧して剥離テープを保護テープに貼付ける第２工程と、剥離テープを保護テープに貼付けた状態で、剥離テープをステージの下側に向かって引き込み、保護テープを剥離する第３工程と、引き込みにより保護テープから露出したサポート基板面を支持する第４工程と、を有する。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】第１の実施形態に係る半導体製造装置の平面図。
【図２】第１の実施形態に係る半導体製造装置の断面図。
【図３】第１の実施形態に係る半導体製造装置の動作説明図。
【図４】第１の実施形態に係る半導体製造装置の動作説明図。
【図５】第１の実施形態に係る半導体製造装置の動作説明図。
【図６】第１の実施形態に係る半導体製造装置の動作説明図。
【図７】第１の実施形態に係る半導体製造装置の動作説明図。
【図８】第１の実施形態に係る半導体製造装置の動作説明図。
【図９】第１の実施形態に係る半導体製造装置の動作説明図。
【図１０】第２の実施形態に係る半導体製造装置の平面図。
【図１１】第２の実施形態に係る半導体製造装置の断面図。
【図１２】第２の実施形態に係る半導体製造装置の動作説明図。
【図１３】第２の実施形態に係る半導体製造装置の動作説明図。
【図１４】第２の実施形態に係る半導体製造装置の動作説明図。
【図１５】第２の実施形態に係る半導体製造装置の動作説明図。
【図１６】第２の実施形態に係る半導体製造装置の動作説明図。
【図１７】第２の実施形態に係る半導体製造装置の動作説明図。
【図１８】第２の実施形態に係る半導体製造装置の動作説明図。
【図１９】第２の実施形態に係る半導体製造装置の動作説明図。
【図２０】第２の実施形態に係る半導体製造装置の動作説明図。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、図面を参照して、本発明の実施形態を詳細に説明する。
【００１３】
（第１の実施形態）
図１は、第１の実施形態に係る半導体製造装置１の平面図である。図２は、図１の線分Ｘ−Ｘにおける半導体製造装置１の断面図である。図１及び図２に示すように、半導体製造装置１は、チャンバ１０と、吸着ステージ２０と、リフト機構３０と、供給リール４０と、巻取りリール５０と、剥離機構６０と、真空引き機構７０と、エア供給系統８０と、ハンドラ９０とを備える。
【００１４】
チャンバ１０は、チャンバ本体１１と、リッド（蓋）１２とを備える。チャンバ本体１１は、リッド１２との間の密閉性を保つために、Ｏ−ｒｉｎｇ１１ａを備える。チャンバ本体１１内に収容された吸着ステージ２０への半導体基板Ｗ（以下、ウェハＷと記載する）の搬送は、リッド１２を開けた状態で行う。なお、図１では、リッド１２の図示を省略している。
【００１５】
吸着ステージ２０は、粒子状の金属又はセラミックを焼結成形したポーラス状（多孔質状）の吸着部２１と、この吸着部２１を固定するフレーム２２とを備える。吸着部２１の直径は、ウェハＷの直径と略同じ大きさとなっており、チャンバ１０外部の真空引き機構７０に接続されている。また、吸着ステージ２０には、リフト機構３０が備えるリフトピン３１を通す複数の貫通孔２０ａ（本実施形態では３つ）が形成されている。
【００１６】
リフト機構３０は、複数本のリフトピン３１（本実施形態では３本）と、この複数本のリフトピン３１が取り付けられたリング状の保持板３２と、保持板３２を昇降駆動させる駆動機構３３（例えば、アクチュエータ）とを備える。なお、チャンバ１０内の真空度を向上させるために、駆動機構３３をチャンバ１０の外部（例えば、チャンバ１０の底面）に設け、ベローズを介して保持板３２に連結するようにしてもよい。
【００１７】
ウェハＷに支持基板Ｚを介して貼付けされた表面保護テープＢ（以下、ＢＳＧテープＢと記載）を剥離するための剥離テープＳは、供給リール４０から供給され、剥離されたＢＳＧテープＢと共に巻取りリール５０により巻き取られる。なお、剥離テープＳは、粘着面が上側、つまり粘着面が吸着ステージ２０とは反対側となるようにして供給リール４０及び巻取りリール５０にセットされる。
【００１８】
剥離機構６０は、剥離テープＳを挟持して回転する２つのローラ６１ａ，６１ｂと、ローラ６１ａ，６１ｂを剥離テープＳの長手方向に対して垂直な方向に駆動させる駆動機構６２とを備える。
【００１９】
真空引き機構７０は、チャンバ本体１１に接続された真空配管７１ａ，７１ｂと、真空配管７１ａ，７１ｂの途中にそれぞれ設けられたバルブ７２ａ，７２ｂと、チャンバ本体１１及びリッド１２から構成されるチャンバ１０内の気体を排気する真空ポンプ７３とを備える。バルブ７２ａ，７２ｂは、外部から供給されるＣＤＡ（クリーンドライエア）もしくは窒素（Ｎ２）ガスにより開閉される。この実施形態で使用するバルブ７２ａ，７２ｂは、ＮＣ（Normal Close）であるが、ＮＯ（Normal Open）のバルブを使用しても構わない。
【００２０】
エア供給系統８０は、一端がチャンバ本体１１に接続され、他端が図示しないＣＤＡ供給源に接続された配管８１と、配管８１の途中に設けられたバルブ８２とを備える。バルブ８２は、外部から供給されるＣＤＡ（クリーンドライエア）もしくは窒素（Ｎ２）ガスにより開閉される。バルブ８２が開くと、ＣＤＡがチャンバ１０内に供給され、チャンバ１０内の圧力が大気圧程度まで上昇する。この実施形態で使用するバルブ８２は、ＮＣ（Normal Close）であるが、ＮＯ（Normal Open）のバルブを使用しても構わない。
【００２１】
ハンドラ９０は、支持基板Ｚ及びＢＳＧテープＢが貼付けされたウェハＷを、チャンバ１０内へ搬入し、ＢＳＧテープＢを下側、つまり吸着ステージ２０側となるようにして吸着ステージ２０の吸着部２１上に載置する。また、ハンドラ９０は、ＢＳＧテープＢが剥離されたウェハＷを吸着ステージ２０から取り出し、チャンバ１０外へ搬出する。なお、ハンドラ９０は、種々の形態のハンドラ（例えば、吸着によりウェハを保持するものやベルヌーイの原理を利用してウェハを保持するもの）を使用することができる。
【００２２】
（半導体製造装置１の動作）
図３〜図９は、半導体製造装置１の動作説明図である。以下、図３〜図９を参照して、半導体製造装置１のＢＳＧテープＢの剥離動作について説明する。なお、剥離テープＳは、既に供給リール４０及び巻取りリール５０にセットされているものとして説明する。
【００２３】
初めに、チャンバ１０のリッド１２を開く。次に、ハンドラ９０が、表面に支持基板Ｚ及びＢＳＧテープＢが貼付けされたウェハＷを、吸着ステージ２０上の所定の位置まで搬送する（図３参照）。
【００２４】
駆動機構３３により、リフトピン３１を上昇させて、ハンドラ９０からリフトピン３１にウェハＷを受け渡す。次に、ハンドラ９０をチャンバ１０外へ退避させた後、駆動機構３３により、リフトピン３１を下降させて、ＢＳＧテープＢが貼付けされた側を下側、つまり、ＢＳＧテープＢが貼付けされた側を吸着ステージ２０側にしてウェハＷを吸着ステージ２０の吸着部２１及び剥離テープＳ上に載置する（図４参照）。
【００２５】
真空引き機構７０のバルブ７２ａへＣＤＡ又は窒素（Ｎ２）ガスを供給してバルブ７２ａを開き、ウェハＷをポーラス状（多孔質状）の吸着部２１に吸着させ、ＢＳＧテープＢと剥離テープＳの粘着面とを密着させる。次に、バルブ７２ａへのＣＤＡ又は窒素（Ｎ２）ガスの供給を停止し、チャンバ１０のリッド１２を閉める（図５参照）。
【００２６】
その後、真空引き機構７０のバルブ７２ｂへＣＤＡ又は窒素（Ｎ２）ガスを供給してバルブ７２ｂを開き、チャンバ１０内を２００Ｐａ前後にまで減圧し、ＢＳＧテープＢと剥離テープＳとの脱気貼付けを行う。この脱気貼付けにより、ＢＳＧテープＢと剥離テープＳとの密着性を向上し、支持基板Ｚを介してウェハＷに貼付けされたＢＳＧテープＢを剥離する際に必要な密着力を担保する。
【００２７】
所定時間（例えば、数秒〜数十秒）経過後、バルブ７２ｂへのＣＤＡ又は窒素（Ｎ２）ガスの供給を停止し、エア供給系統８０のバルブ８２を開いて、チャンバ１０内にＣＤＡを供給し、チャンバ１０内の圧力を大気圧程度にまで上昇させる。その後、チャンバ１０のリッド１２を開ける（図６参照）。
【００２８】
次に、剥離機構６０の駆動機構６２により、ローラ６１ａ，６１ｂを駆動して、ローラ６１ａ，６１ｂにより剥離テープＳを挟持する。次に、ローラ６１ａ，６１ｂが回転して、剥離テープＳを吸着ステージ２０下側に引き込み、支持基板Ｚを介してウェハＷに貼付けされたＢＳＧテープＢを剥離する（図７参照）。
【００２９】
ＢＳＧテープＢを剥離する際、ＢＳＧテープＢの剥離とともに、ウェハＷが剥離テープＳの進行方向に沿って移動する（紙面右に向かってウェハＷが移動する）。このため、ＢＳＧテープＢがある程度（例えば、ウェハＷ面積の１／３）剥離されたら、ハンドラ９０により、ウェハＷに貼付けされた支持基板Ｚを吸着してウェハＷを支持する（図８参照）。
【００３０】
次に、ＢＳＧテープＢが完全に剥離されるまで、剥離テープＳの引込みを行い、剥離テープの引込み量に合わせてハンドラ９０を紙面右に向かって移動させる（図９参照）。なお、剥離されたＢＳＧテープＢは、剥離テープＳとともに巻取りリール５０により巻き取られる。
【００３１】
以上のように、第１の実施形態に係る半導体製造装置１は、支持基板Ｚを介してＢＳＧテープＢが貼付されたウェハＷを、粘着面を上側にした剥離テープＳが載置された吸着ステージ２０上に、ＢＳＧテープを下側にして載置し、剥離テープＳをＢＳＧテープＢに貼付けた状態で、剥離テープＳを吸着ステージ２０の下側に向かって引き込んでＢＳＧテープＢを剥離している。
【００３２】
このため、半導体製造装置１は、ウェハＷの裏面に触れることなくＢＳＧテープＢを剥離することができ、ウェハＷ裏面にパーティクル（ダスト）や汚染物（例えば、有機物や金属）が付着したり、機械的な接触によりウェハＷにダメージを与える虞がない。結果、ウェハＷ裏面にパーティクルや汚染物が付着することによる不具合、例えば、裏面電極の剥離、レジストの塗布異常や露光異常、不純物イオンの未注入領域の発生、半導体装置のチャネルの伝導型の反転、キャリアライフタイムの異常を効果的に防止することができる。また、ウェハＷへの機械的な接触がないため、ウェハＷに割れや欠けが生じることを効果的に防止することができる。
【００３３】
さらに、チャンバ１０内を減圧して脱気貼付けを行っているので、ＢＳＧテープＢと剥離テープＳとの密着性が向上し、支持基板Ｚを介してウェハＷに貼付けされたＢＳＧテープＢを剥離する際に必要な密着力を担保することが容易となる。
【００３４】
なお、第１の実施形態では、剥離機構６０を用いて、支持基板ＺからＢＳＧテープＢを剥離しているが、巻取りリール５０に剥離テープＳを巻き取ることで支持基板ＺからＢＳＧテープＢを剥離するようにしてもよい。この場合、剥離機構６０を省略することができる。
（第２の実施形態）
図１０は、第２の実施形態に係る半導体製造装置２の平面図である。図１１は、図１０の線分Ｘ−Ｘ及び線分Ｙ−Ｙにおける半導体製造装置２の断面図である。以下、図１０及び図１１を参照して、半導体製造装置２の構成について説明するが、図１及び図２を参照して説明した半導体製造装置１と同一の構成には、同一の符号を付して重複した説明を省略する。
【００３５】
図１０及び図１１に示すように、半導体製造装置２は、チャンバ１０と、吸着ステージ２０Ａと、リフト機構３０と、供給リール４０と、真空引き機構７０と、エア供給系統８０と、ハンドラ９０と、引き出し機構１００と、カッター１１０と、剥離機構１２０と、リフト機構１３０と、真空引き機構１４０とを備える。
【００３６】
引き出し機構１００は、供給リール４０から剥離テープＳを引き出して、粘着面を上側、つまり粘着面が吸着ステージ２０Ａとは反対側となるようにして吸着ステージ２０Ａ上に載置する。
【００３７】
カッター１１０は、吸着ステージ２０Ａ上に載置された剥離テープＳを裁断する。カッター１１０は、剥離機構１２０において掴み代を確保するため、剥離テープＳをウェハＷの直径よりも長く切断する。
【００３８】
吸着ステージ２０Ａは、剥離テープＳを切断する際に、吸着ステージ２０Ａとカッター１１０との接触を防止するための溝２１ｂ（以下、逃げ溝２１ｂと記載する）が形成されている。その他の構成は、図１及び図２を参照して説明した半導体製造装置１が備える吸着ステージ２０の構成と同じであるため重複した説明を省略する。
【００３９】
剥離機構１２０は、チャンバ１０外に設けられている。剥離機構１２０は、固定部１２１と、第１，第２の可動部１２２，１２３と、引込み手段１２４，１２５とを備える。固定部１２１は、剥離テープＳの長手方向に対して略直交する向きに延在する。第１，第２の可動部１２２，１２３は、固定部１２１を挟んで配置され、固定部１２１の下側に向かって移動可能に構成されている。また、可動部１２２，１２３には、それぞれ粒子状の金属又はセラミックを焼結成形したポーラス状（多孔質状）の吸着部１２２ａ，１２３ａを備える。可動部１２２，１２３の吸着部１２２ａ，１２３ａは、真空引き機構１４０に接続され、吸着部１２２ａ，１２３ａにおいてウェハＷのＢＳＧテープＢを吸着できるように構成されている。引込み手段１２４，１２５は、剥離テープＳの両端を把持し、第１，第２の可動部１２２，１２３の下側に向かって剥離テープＳを引き込み、ＢＳＧテープＢを剥離する。
【００４０】
リフト機構１３０は、複数本のリフトピン１３１（本実施形態では４本）と、この複数本のリフトピン１３１が取り付けられたリング状の保持板１３２と、保持板１３２を昇降駆動させる駆動機構１３３（例えば、アクチュエータ）とを備える。
【００４１】
真空引き機構１４０は、可動部１２２，１２３の吸着部１２２ａ，１２３ａに接続された真空配管１４１と、真空配管１４１の途中に設けられたバルブ１４２とを備える。真空配管１４１は、真空引き機構７０の真空ポンプ７３に接続されている。バルブ１４２は、外部から供給されるＣＤＡ（クリーンドライエア）もしくは窒素（Ｎ２）ガスにより開閉される。この実施形態で使用するバルブ１４２は、ＮＣ（Normal Close）であるが、ＮＯ（Normal Open）のバルブを使用しても構わない。
【００４２】
（半導体製造装置２の動作）
図１２〜図２０は、半導体製造装置２の動作説明図である。以下、図１２〜図２０を参照して、半導体製造装置２のＢＳＧテープＢの剥離動作について説明する。
【００４３】
初めに、チャンバ１０のリッド１２を開く。次に、引き出し機構１００が、供給リール４０から剥離テープＳを引き出して、粘着面を上側、つまり粘着面が吸着ステージ２０Ａとは反対側となるようにして吸着ステージ２０Ａ上に載置する。次に、吸着ステージ２０Ａの吸着部２１に剥離テープＳを吸着させた状態で、カッター１１０が、剥離テープＳを裁断する（図１２参照）。
【００４４】
次に、ハンドラ９０が、表面に支持基板Ｚ及びＢＳＧテープＢが貼付けされたウェハＷを、吸着ステージ２０Ａ上の所定の位置まで搬送する。
【００４５】
駆動機構３３により、リフトピン３１を上昇させて、ハンドラ９０からリフトピン３１にウェハＷを受け渡す。次に、ハンドラ９０をチャンバ１０外へ退避させた後、駆動機構３３により、リフトピン３１を下降させて、ＢＳＧテープＢが貼付けされた側を下側、つまり、ＢＳＧテープＢが貼付けされた側を吸着ステージ２０Ａ側にしてウェハＷを吸着ステージ２０Ａの吸着部２１及び吸着ステージ２０Ａに粘着面を上側にして配置された剥離テープＳ上に載置する（図１３参照）。
【００４６】
真空引き機構７０のバルブ７２ａへＣＤＡ又は窒素（Ｎ２）ガスを供給してバルブ７２ａを開き、ウェハＷをポーラス状（多孔質状）の吸着部２１に吸着させ、ＢＳＧテープＢと剥離テープＳの粘着面とを密着させる。
【００４７】
次に、バルブ７２ａへのＣＤＡ又は窒素（Ｎ２）ガスの供給を停止し、チャンバ１０のリッド１２を閉める（図１４参照）。その後、真空引き機構７０のバルブ７２ｂへＣＤＡ又は窒素（Ｎ２）ガスを供給してバルブ７２ｂを開き、チャンバ１０内を２００Ｐａ前後にまで減圧し、ＢＳＧテープＢと剥離テープＳとの脱気貼付けを行う。この脱気貼付けにより、ＢＳＧテープＢと剥離テープＳとの密着性が向上し、支持基板Ｚを介してウェハＷに貼付けされたＢＳＧテープＢを剥離する際に必要な密着力を担保する。
【００４８】
所定時間（例えば、数秒〜数十秒）経過後、バルブ７２ｂへのＣＤＡ又は窒素（Ｎ２）ガスの供給を停止し、エア供給系統８０のバルブ８２を開いて、チャンバ１０内にＣＤＡを供給し、チャンバ１０内の圧力を大気圧程度にまで上昇させる。その後、チャンバ１０のリッド１２を開ける（図１５参照）。
【００４９】
駆動機構３３により、リフトピン３１を上昇させて、剥離テープＳが貼付けられたウェハＷを持ち上げる。次に、ハンドラ９０により、支持基板Ｚを介してウェハＷの下側に貼付けられたＢＳＧテープＢを吸着してウェハＷを保持する。駆動機構３３により、リフトピン３１を下降させ、リフトピン３１からハンドラ９０にウェハＷを受け渡す。
【００５０】
次に、ハンドラ９０が、ウェハＷを剥離機構１２０上の所定位置まで搬送する（図１６参照）。この際、第１，第２の可動部１２２，１２３を、固定部１２１を挟み、固定部１２１及び第１，第２の可動部１２２，１２３の上端面の高さが揃うように配置しておく。次に、駆動機構１３３により、リフトピン１３１を上昇させて、ハンドラ９０からリフトピン１３１にウェハＷを受け渡す。
【００５１】
ハンドラ９０を退避させた後、駆動機構１３３により、リフトピン１３１を下降させて、ＢＳＧテープＢが貼付けされた側を下側、つまり、ＢＳＧテープＢが貼付けされた側を剥離機構１２０の固定部１２１及び第１，第２の可動部１２２，１２３側にしてウェハＷを載置する（図１７参照）。
【００５２】
次に、真空引き機構１４０のバルブ１４２へＣＤＡ又は窒素（Ｎ２）ガスを供給してバルブ１４２を開き、支持基板Ｚを介してウェハＷに貼付けされたＢＳＧテープＢを第１，第２の可動部１２２，１２３の吸着部１２２ａ，１２３ａに吸着させる。次に、引込み手段１２４，１２５により、剥離テープＳの両端を把持し、第１，第２の可動部１２２，１２３の下側に向かって剥離テープＳを引き込み、ＢＳＧテープＢを一部剥離する（図１８参照）。
【００５３】
次に、ハンドラ９０により、支持基板ＺのＢＳＧテープＢを剥離した領域を吸着して支持する。次に、真空引き機構１４０のバルブ１４２へのＣＤＡ又は窒素（Ｎ２）ガスの供給を停止してバルブ１４２を閉じ、固定部１２１の下側に第１，第２の可動部１２２，１２３を退避させる。次に、引込み手段１２４，１２５により、剥離テープＳを固定部１２１の下側に向かってさらに剥離する（図１９参照）。
【００５４】
次に、ハンドラ９０を上昇させて、ＢＳＧテープＢを完全に剥離する（図２０参照）。
【００５５】
以上のように、第２の実施形態に係る半導体製造装置２は、ウェハＷの裏面に触れることなくＢＳＧテープＢを剥離することができる。なお、効果については、第１の実施形態に係る半導体製造装置１と同じであるため重複した説明を省略する。
【００５６】
（その他の実施形態）
なお、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、上記実施形態は、例示であり、本発明を上記実施形態に限定することを意図するものではない。上記実施形態は、その他の様々な形態で実施することが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。
【符号の説明】
【００５７】
１，２…半導体製造装置、１０…チャンバ、１１…チャンバ本体、１２…リッド（蓋）、２０，２０Ａ…吸着ステージ、２０ａ…貫通孔、２１ｂ…溝、２１…吸着部、２２…フレーム、３０…リフト機構、３１…リフトピン、３２…保持板、３３…駆動機構、４０…供給リール、５０…巻取りリール、６０…剥離機構、６１ａ，６１ｂ…ローラ、６２…駆動機構、７０…真空引き機構、７１ａ，７１ｂ…真空配管、７２ａ，７２ｂ…バルブ、７３…真空ポンプ、８０…エア供給系統、８１…配管、８２…バルブ、９０…ハンドラ、１００…引き出し機構、１１０…カッター、１２０…剥離機構、１２１…固定部、１２２，１２３…可動部、１２２ａ，１２３ａ…吸着部、１２４，１２５…引込み手段、１３０…リフト機構、１３１…リフトピン、１３２…保持板、１３３…駆動機構、１４０…真空引き機構、１４１…真空配管、１４２…バルブ、Ｂ…表面保護テープ（ＢＳＧテープ）、Ｓ…剥離テープ、Ｗ…半導体基板（ウェハ）、Ｚ…支持基板。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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