(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
素子搭載部材と、
前記素子搭載部材に搭載されている圧電素子と、
前記素子搭載部材の表面に設けられており、パッド領域および配線領域を含んでいる導体パターンと、
前記導体パターンの前記パッド領域に半田バンプによって電気的に接続されており、集積回路素子と前記集積回路素子の前記半田バンプによって接続されている面の縁部に設けられた金属パターンとを含む集積回路部品とを備えており、
前記導体パターンが、前記パッド領域と前記配線領域との間に設けられた半田流れ防止領域をさらに含んでおり、
前記半田流れ防止領域が、平面視において前記集積回路部品の前記金属パターンに重なる位置かまたは前記金属パターンよりも内側に設けられている
ことを特徴とする圧電装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子機器等に用いられる圧電装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、携帯電話機などの電子機器には、基準信号源またはクロック信号源などの信号源が搭載されており、かかる信号源として、圧電装置が知られている。
【０００３】
圧電装置は、素子搭載部材と、素子搭載部材に搭載された圧電素子および集積回路素子とを含んでいる。集積回路素子は、複数の集積回路素子の集合体（すなわち、ウエハ）から切り出される。例えば、ウエハのサイズの拡大に伴うウエハの撓みの低減のために、複数の集積回路素子の各々の縁部に金属パターンが設けられる場合がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１１−２３４２０３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、集積回路素子の縁部に金属パターンが設けられていることによって、集積回路素子が半田によって素子搭載部材に実装された際に、半田が金属パターンに接触して、集積回路素子の複数の電極が金属パターンを介して短絡する可能性がある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一つの態様による圧電装置は、素子搭載部材と、素子搭載部材に搭載されている圧電素子と、素子搭載部材の表面に設けられており、パッド領域および配線領域を含んでいる導体パターンと、導体パターンのパッド領域に半田バンプによって電気的に接続されており、集積回路素子と集積回路素子の半田バンプによって接続されている面の縁部に設けられた金属パターンとを含む集積回路部品とを含んでいる。導体パターンは、パッド領域と配線領域との間に設けられた半田流れ防止領域をさらに含んでいる。半田流れ防止領域は、平面視において集積回路部品の金属パターンに重なる位置かまたは金属パターンよりも内側に設けられている。
【発明の効果】
【０００７】
本発明の一つの態様による圧電装置において、半田流れ防止領域が平面視において集積回路部品の金属パターンに重なる位置かまたは、金属パターンよりも内側に設けられることによって、半田が金属パターンに接触する可能性が低減されており、集積回路素子の複数の電極が短絡する可能性が低減されている。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の実施形態における圧電装置を示す縦断面図である。
【図２】図１に示された圧電装置において集積回路素子を取り外した状態を示す平面図である。
【図３】図１に示された圧電装置における集積回路素子を示す平面図である。
【図４】図１に示された圧電装置における集積回路素子の電気的な接続の例を示す平面図である。
【図５】図１に示された圧電装置における接続部の接合状態を示す縦断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本発明の例示的な実施形態について図面を参照して説明する。
【００１０】
図１および図２に示されているように、本発明の実施形態における圧電装置１００は、素子搭載部材１１０と、素子搭載部材１１０に搭載された集積回路部品１２０と、素子搭載部材１１０に搭載されており集積回路部品１２０に電気的に接続された圧電素子１３０とを含んでいる。なお、図１は、図４に示されている圧電装置１００のＡ―Ａにおける縦断面図を示している。
【００１１】
素子搭載部材１１０は、基板部１１１ａと基板部１１１ａの上面に設けられた第１の枠部１１１ｂと基板部１１１ａの下面に設けられた第２の枠部１１１ｃとからなる絶縁基体１１１と、基板部１１１ａの上面に設けられた複数の導体パターン１１３および一対のモニター用端子１１４ａおよび１１４ｂと、第１の枠部１１１ｂの上面に設けられた複数の外部端子１１６とを含んでいる。ここで、素子搭載部材１１０の上面の凹部を第１の凹部Ｋ１、下面の凹部を第２の凹部Ｋ２とする。
【００１２】
なお、図２において、複数の導体パターン１１３は、符号１１３の後にアルファベットのａ〜ｆを付して１１３ａ〜１１３ｆとして示されている。複数の導体パターン１１３ａ〜１１３ｆは、例えば、出力パターン１１３ａ、接地パターン１１３ｂ、制御パターン１１３ｃ、電源パターン１１３ｄ、第１の入力パターン１１３ｅおよび第２の入力パターン１１３ｆである。また、図２において、例えば、出力パターン１１３ａは、出力パッド領域１１３ａ１と出力配線領域１１３ａ２と、出力パッド領域１１３ａ１および出力配線領域１１３ａ２の間に設けられた半田流れ防止領域１１３ａ３とを含んでいる。例えば、接地パターン１１３ｂは、接地パッド領域１１３ｂ１と接地配線領域１１３ｂ２と、接地パッド領域１１３ｂ１および接地配線領域１１３ｂ２の間に設けられた半田流れ防止領域１１３ｂ３とを含んでいる。例えば、制御パターン１１３ｃは、制御パッド領域１１３ｃ１と制御配線領域１１３ｃ２と、制御パッド領域１１３ｃ１および制御配線領域１１３ｃ２の間に設けられた半田流れ防止領域１１３ｃ３とを含んでいる。例えば、電源パターン１１３ｄは、電源パッド領域１１３ｄ１と電源配線領域１１３ｄ２と、電源パッド領域１１３ｄ１および電源配線領域１１３ｄ２の間に設けられた半田流れ防止領域１１３ｄ３とを含んでいる。例えば、第１の入力パターン１１３ｅは、第１の入力パッド領域１１３ｅ１と第１の入力配線領域１１３ｅ２と、第１の入力パッド領域１１３ｅ１および第１の入力配線領域１１３ｅ２の間に設けられた半田流れ防止領域１１３ｅ３とを含んでいる。例えば、第２の入力パターン１１３ｆは、第２の入力パッド領域１１３ｆ１と第２の入力配線領域１１３ｆ２と、第２の入力パッド領域１１３ｆ１および第２の入力配線領域１１３ｆ２の間に設けられた半田流れ防止領域１１３ｆ３とを含んでいる。
【００１３】
また、図２において、外部端子１１６は、符号１１６の後にアルファベットのａ〜ｄを付して１１６ａ〜１１６ｄとして示されている。複数の外部端子１１６ａ〜１１６ｄは、例えば、出力外部端子１１６ａ、接地外部端子１１６ｂ、制御外部端子１１６ｃおよび電源外部端子１１６ｄである。
【００１４】
基板部１１１ａと第１の枠部１１１ｂと第２の枠部１１１ｃとは、例えば、アルミナセラミックスまたはガラス−セラミックス等のセラミック材料からなる。また、基板部１１１ａは、例えば、図１および図２に示されているように、平面視において矩形状の平板状である。第１の枠部１１１ｂは、基板部１１１ａの上面の縁部に沿って設けられている。また、第２の枠部１１１ｃは、基板部１１１ａの下面の縁部に沿って設けられている。
【００１５】
複数の導体パターン１１３ａ〜１１３ｆのうち第１の入力パターン１１３ｅは、基板部１１１ａの内層配線（図示せず）を介してモニター用端子１１４ａに電気的に接続されている。第２の入力パターン１１３ｆは、基板部１１１ａの内層配線（図示せず）を介してモニター用端子１１４ｂに電気的に接続されている。
【００１６】
出力パターン１１３ａは、集積回路部品１２０から出力された信号が印加され、出力外部端子１１６ａに電気的に接続されている。接地パターン１１３ｂは、接地外部端子１１６ｂに電気的に接続されており、接地電圧が印加される。制御パターン１１３ｃは、制御外部端子１１６ｃに電気的に接続されており、集積回路部品１２０の出力状態を制御するための信号（すなわち、制御信号）が印加される。電源パターン１１３ｄは、電源外部端子１１６ｄに電気的に接続されており、電源電圧が印加される。第１の入力パターン１１３ｅおよび第２の入力パターン１１３ｆは、圧電素子１３０に電気的に接続されており、集積回路部品１２０に入力される圧電素子１３０の出力信号が印加される。
【００１７】
一対のモニター用端子１１４ａおよび１１４ｂは、図２に示されているように、第１の凹部Ｋ１の短辺と長辺に平行な四角形状である。一対のモニター用端子１１４ａおよび１１４ｂは、圧電素子１３０の出力信号を測定するための端子である。
【００１８】
集積回路部品１２０は、第１の凹部Ｋ１内に設けられており、半田バンプ１２５によって素子搭載部材１１０の複数の導体パターン１１３に電気的に接続されている。図３に示されているように、集積回路部品１２０は、集積回路素子１２１と集積回路素子１２１の半田バンプ１２５によって接続されている面の縁部に設けられた金属パターン１２４を有している。また、集積回路素子１２１は、複数の電極１２２を有している。図３において、複数の電極１２２と金属パターン１２４は、集積回路素子１２０の一部を透過した状態で破線によって示されている。図３において、複数の電極１２２は、符号１２２の後にアルファベットのａ〜ｆを付して１２２ａ〜１２２ｆとして示されている。
【００１９】
ここで、集積回路素子１２１の複数の電極１２２ａ〜１２２ｆの例について説明する。複数の電極１２２ａ〜１２２ｆは、例えば、出力電極１２２ａ、接地電極１２２ｂ、制御電極１２２ｃ、電源電極１２２ｄ、第１の入力電極１２２ｅおよび第２の入力電極１２２ｆである。
【００２０】
図４に示されているように、出力電極１２２ａは、半田バンプ１２５を介して出力パターン１１３ａに電気的に接続されており、出力信号が出力される。接地電極１２２ｂは、半田バンプ１２５を介して接地パターン１１３ｂに電気的に接続されており、接地電圧が印加される。制御電極１２２ｃは、制御パターン１１３ｃに電気的に接続されており、制御電極１２２ｃからの信号の出力状態を制御するための信号が入力される。電源電極１２２ｄは、電源パターン１１３ｄに電気的に接続されており、電源電圧が印加される。第１の入力電極１２２ｅおよび第２の入力電極１２２ｆは、第１の入力パターン１１３ｅおよび第２の入力パターン１１３ｆを介して圧電素子１３０に電気的に接続されている。
【００２１】
圧電素子１３０は、第２の凹部Ｋ２内に設けられており、第１および第２の入力パターン１１３ｅおよび１１３ｆを介して集積回路素子１２１の第１の入力電極１２２ｅおよび第２の入力電極１２２ｆに電気的に接続されている。圧電素子１３０は、所定の結晶軸でカットされた圧電素板と、圧電素板に形成された接続用電極および励振用電極とを含んでいる。圧電素子１３０は、接続用電極および励振用電極を介して外部からの変動電圧が圧電素板に印加されると、所定の周波数で厚みすべり振動を起こすようになっている。なお、圧電素板としては、例えばＡＴカットの水晶が用いられる。また、圧電素子１３０が収容されている素子搭載部材１１０の第２の凹部Ｋ２は、蓋部材１４０によって気密封止されている。
【００２２】
ここで、本実施形態の圧電装置１００における集積回路素子１２１の複数の電極１２２ａ〜１２２ｆと金属パターン１２４と、基板部１１１ａの上面に設けられた導体パターン１１３ａ〜１１３ｆの半田流れ防止領域１１３ａ３〜１１３ｆ３との位置関係について図４、図５を参照して説明する。
【００２３】
集積回路部品１２０は、図４に示されているように、第１の凹部Ｋ１に設けられている。また、集積回路素子１２１の複数の電極１２２ａ〜１２２ｆは、第１の凹部Ｋ１の長辺に近い領域に位置している。集積回路素子１２１の半田バンプ１２５によって接続されている面の縁部に設けられた金属パターン１２４は、複数の電極１２２ａ〜１２２ｆの外側に複数の電極１２２ａ〜１２２ｆを囲む
ように設けられている。
【００２４】
また、基板部１１１ａの上面に設けられた導体パターン１１３ａ〜１１３ｆは、パッド領域１１３ａ１〜１１３ｆ１と配線領域１１３ａ２〜１１３ｆ２との間に設けられた半田流れ防止領域１１３ａ３〜１１３ｆ３を備える構成となっている。導体パターン１１３ａ〜１１３ｆは３層構造になっており、例えば下層にモリブデン（Ｍｏ）が形成され、例えば中間層にニッケル（Ｎｉ）が形成され、例えば上層に金（Ａｕ）が形成されている。
【００２５】
半田流れ防止領域１１３ａ３〜１１３ｆ３とは、半田の流れを妨げるものであり、例えば、半田の流れを妨げる高低差を有する凸部、半田との濡れ性が比較的低い金属酸化物から成る部分または半田がたまりやすい凹部等である。凸部は、例えば、導体パターン１１３ａ〜１１３ｆにレーザを照射して形成される。また、金属酸化物から成る部分は、導体パターン１１３ａ〜１１３ｆの中間層の例えばニッケル（Ｎｉ）がレーザで削られ、また発熱することにより空気と反応して生成される。また凹部は、中間層の例えばニッケル（Ｎｉ）と上層の例えば金（Ａｕ）をカットすることで形成される。以上のように、凸部、金属酸化物および凹部は、導体パターン１１３ａ〜１１３ｆにレーザを照射することで一度に形成される。
【００２６】
このように、本実施形態における圧電装置１００の半田流れ防止領域１１３ａ３〜１１３ｆ３は、例えば、導体パターン１１３ａ〜１１３ｆにレーザを照射して、導体パターン１１３ａ〜１１３ｆの中間層の例えばニッケル（Ｎｉ）と上層の例えば金（Ａｕ）をカットすることで形成される。また、レーザとしては、例えば、炭酸ガスレーザ、ＹＡＧレーザ、ＹＶＯ４レーザ、半導体レーザ、またはエキシマレーザ等が用いられる。
【００２７】
ここで、基板部１１１ａの上面に設けられている導体パターン１１３ａ〜１１３ｆの半田流れ防止領域１１３ａ３〜１１３ｆ３と集積回路素子１２１の縁部に設けられた金属パターン１２４は、図４、図５に示されているように、半田流れ防止領域１１３ａ３〜１１３ｆ３が、集積回路素子１２１に形成された金属パターン１２４に重なる位置かまたは金属パターン１２４よりも内側に形成されている
【００２８】
本実施形態の圧電装置１００において、例えば、図５に示されているように、半田流れ防止領域１１３ｂ３の少なくとも素子搭載部材１１０の内側を向く縁が金属パターン１２４よりも内側に形成されている。よって、本実施形態の圧電装置１００は、集積回路素子１２１の金属パターン１２４よりも内側において、導体パターン１１３の半田流れ防止領域１１３ｂ３により、半田流れを止められるため、金属パターン１２４によって集積回路素子１２１の複数の電極１２２ａ〜１２２ｆが短絡する可能性が低減される。
【００２９】
また、半田流れ防止領域１１３ａ３〜１１３ｆ３は、導体パターン１１３ａ〜１１３ｆにレーザを照射して、表層部のめっき層を取り除くとともに、めっき層を取り除いた部分の近傍に取り除かれためっきの盛り上がりが形成される。めっきの盛り上がりの少なくとも表面部分が、例えばニッケル（Ｎｉ）などの半田濡れ性の低い金属酸化物から成っていることによって、パッド領域１１３ａ１〜１１３ｆ１の半田バンプ１２５の拡がりを止めることができる。
【００３０】
したがって、本実施形態の圧電装置１００は、基板部１１１ａの上面に設けられているパッド領域１１３ａ１〜１１３ｆ１と集積回路素子１２１の複数の電極１２２ａ〜１２２ｆを電気的に接続している半田バンプ１２５を、集積回路素子１２１の縁部に形成された金属パターン１２４まで拡がるのを抑えることができる。よって、本実施形態の圧電装置１００は、集積回路素子１２１の複数の電極１２２ａ〜１２２ｆが金属パターン１２４を介して短絡する可能性を低減することができる。
【００３１】
また、本実施形態の圧電装置１００の基板部１１１ａの上面に設けられている半田流れ防止領域１１３ａ３〜１１３ｆ３は、レーザ照射で形成される以外に、例えば、導体パターン１１３ａ〜１１３ｆ上に絶縁層または金属層を形成し、凸部を設けてもよい。
【００３２】
絶縁層としては、例えば、セラミックコート（例えばアルミナコート）または樹脂等など挙げられる。セラミックコートまたは樹脂は、導体パターン１１３ａ〜１１３ｆ上にスクリーン印刷で設けられる。セラミックコートまたは樹脂等は、複数個の絶縁層をスクリーン印刷により同時に形成され得るため、製造コストの低減を図ることが可能となる。尚、絶縁層は導体パターンに比べて半田との濡れ性が低いため、半田の流れだしをより低減させることができる。
【００３３】
また、金属層は、例えば、Ａｌ膜またはＣｒ膜等で、スパッタなどの真空印刷法で形成される。Ａｌ膜またはＣｒ膜等は、複数個の金属層をスパッタなどにより同時に形成され得るため、製造コストの低減を図ることが可能となる。
【００３４】
尚、レーザによる形成方法においては、導体パターン１１３ａ〜１１３ｆをレーザで削ることで凸部を形成できるので、凸部形成のための材料を別途準備する必要がなく、部材低減による生産性の向上が可能となる。また、レーザによる形成方法においては、導体パターン１１３が形成された素子搭載部材１１０に対して後加工で形成されるため、例えば集積回路部品１２０のサイズに対応させて半田流れ防止領域１１３ａ３〜１１３ｆ３の形成位置を決定することができるなど製造における自由度が高まる。
【００３５】
なお、上述の実施形態において、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能である。例えば、上述の実施形態において圧電装置１００の第２の凹部空間Ｋ２に搭載される圧電素板としてＡＴカットの圧電素子１３０を示したが、これに限定することなく、例えば音叉型振動素子または弾性表面波素子を用いても構わない。
【符号の説明】
【００３６】
１００・・・圧電装置
１１０・・・素子搭載部材
１１１・・・絶縁基体
１１１ａ・・・基板部
１１１ｂ・・・第１の枠部
１１１ｃ・・・第２の枠部
１１３・・・導体パターン
１１３ａ１〜１１３ｆ１・・・パッド領域
１１３ａ２〜１１３ｆ２・・・配線領域
１１３ａ３〜１１３ｆ３・・・半田流れ防止領域
１１４・・・モニター用端子
１１６・・・外部端子
１２０・・・集積回路部品
１２１・・・集積回路素子
１２２・・・電極
１２４・・・金属パターン
１２５・・・半田バンプ
１３０・・・圧電素子
１４０・・・蓋部材
Ｋ１・・・第１の凹部
Ｋ２・・・第２の凹部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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