(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
チャンバー内で成膜材料をイオン化させて拡散し被処理物に付着させる成膜装置であって、
前記チャンバー内にプラズマを生成するプラズマ生成部と、
基準と前記チャンバーの壁部との間の電位差である壁面電位を検出する電位検出手段と、
前記壁面電位と前記チャンバー内の前記プラズマの分布とが関連付けられた情報を記憶する記憶部と、
前記電位検出手段によって検出された前記壁面電位、及び前記記憶部に記憶された前記情報に基づいて、前記チャンバー内の前記プラズマの分布を予測する予測手段と、を備える成膜装置。
【請求項２】
前記予測手段による予測結果に関する情報を表示する表示手段を備える請求項１に記載の成膜装置。
【請求項３】
前記予測手段による予測結果に基づいて、前記プラズマ生成部を制御する制御手段を備える請求項１又は２に記載の成膜装置。
【請求項４】
前記予測手段による予測結果に基づいて、前記プラズマ生成部の操作を促す情報を報知する報知手段を備える請求項１〜３の何れか１項に記載の成膜装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、成膜装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
被処理物の表面に成膜材料を成膜する方法としては、例えばイオンプレーティング法が知られている。イオンプレーティング法においては、真空容器（チャンバー）内において成膜材料をイオン化し、拡散して成膜材料粒子を被処理物の表面に付着させることにより成膜を行う（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００７−９３０９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
プラズマを用いた成膜装置において、成膜中のプラズマの状態を把握することが求められている。例えば、チャンバー内にプローブを設置して、プラズマの状態を直接検出すると、プラズマに外乱を与えてしまい成膜に影響を及ぼすおそれがある。また、レーザーによる励起や干渉を用いて、プラズマの状態を測定する方法や、プラズマ自身の発する光を分光計測しプラズマの状態を算出する方法は、装置が大がかりとなる。
【０００５】
本発明は、上記の課題を解決するために成されたものであり、成膜への悪影響を抑制しつつ、簡素な装置構成で、成膜時におけるチャンバー内のプラズマの状態を把握することが可能な成膜装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、チャンバー内で成膜材料をイオン化させて拡散し被処理物に付着させる成膜装置であって、チャンバー内にプラズマを生成するプラズマ生成部と、基準とチャンバーの壁部との間の電位差である壁面電位を検出する電位検出手段と、壁面電位とチャンバー内のプラズマの分布とが関連付けられた情報を記憶する記憶部と、電位検出手段によって検出された壁面電位、及び記憶部に記憶された情報に基づいて、チャンバー内のプラズマの分布を予測する予測手段と、を備える成膜装置を提供する。
【０００７】
このような成膜装置によれば、成膜時において、基準とチャンバーの壁部との電位差である壁面電位を検出し、検出された壁面電位及び記憶部に記憶された情報に基づいて、チャンバー内のプラズマの分布を予測することができる。記憶部には、壁面電位とチャンバー内のプラズマの分布とが関連付けられた情報が記憶されている。予測手段は、チャンバーの壁面電位と、記憶部に記憶された情報に基づいて、成膜時のプラズマの分布を予測する。この成膜装置では、チャンバーの壁面電位を検出しているため、チャンバー内のプラズマに外乱を与えず、成膜に影響を及ぼすことが回避される。この成膜装置では、プラズマの分布を把握するための大がかりな装置も不要であるため、簡素な装置構成で、成膜時のプラズマの状態を把握することができる。
【０００８】
成膜装置は、予測手段による予測結果に関する情報を表示する表示手段を備える構成でもよい。この構成の成膜装置によれば、予測手段によって予測されたプラズマの分布に関する情報を、表示手段に表示させることができる。成膜装置の使用者は、成膜時に表示手段に表示された情報を視認することで、プラズマの状態を直感的に認識することができる。成膜装置の使用者は、成膜時のチャンバー内の現象を的確に理解することができ、チャンバー内で不具合が生じている場合には、素早く対応することが可能である。
【０００９】
成膜装置は、予測手段による予測結果に基づいて、プラズマ生成部を制御する制御手段を備える構成でもよい。この構成の成膜装置によれば、予測手段によって予測されたプラズマの分布に関する情報に基づいて、プラズマ生成部を制御することができるので、チャンバー内のプラズマの状態を調整することができる。
【００１０】
成膜装置は、予測手段による予測結果に基づいて、プラズマ生成部の操作を促す情報を報知する報知手段を備える構成でもよい。この構成の成膜装置によれば、予測手段によって予測されたプラズマの分布に関する情報に基づいて、使用者に対してプラズマ生成部の操作を促すための情報を報知することができる。使用者は、報知手段による情報に基づいて、プラズマ生成部の操作を行うことができ、チャンバー内のプラズマの状態を調整することができる。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、成膜への悪影響を抑制しつつ、簡素な装置構成で、成膜時におけるチャンバー内のプラズマの状態を把握することが可能な成膜装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明による成膜装置の一実施形態の構成を示す側面断面図である。
【図２】表示部に表示されたプラズマ分布の一例を示す図である。
【図３】成膜装置で実行される処理を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、添付図面を参照しながら本発明による成膜装置の実施の形態を詳細に説明する。なお、図面の説明において同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
【００１４】
図１は、本発明による成膜装置の一実施形態の構成を示す側面断面図である。図１には、説明を容易にする為にＸＹＺ直交座標系も示されている。本実施形態の成膜装置１はいわゆるイオンプレーティング装置である。
【００１５】
本実施形態の成膜装置１は、主陽極２、搬送機構３、プラズマ源４（プラズマガン）、ユニットコントローラ５、補助陽極６、電位検出部７、表示部９、及び真空容器１０（チャンバー）を備える。
【００１６】
真空容器１０は、成膜対象である被処理物１１を、イオン化成膜材料粒子Ｍｂに曝しつつ搬送するための搬送室１０ａと、成膜材料Ｍａをイオン化して拡散させるための成膜室１０ｂと、プラズマ源４から照射されるプラズマＰを成膜室１０ｂ内へ受け入れるプラズマ口１０ｃと、酸素等の雰囲気ガスを成膜室１０ｂ内部へ導入するためのガス供給口１０ｄ、１０ｅと、成膜室１０ｂ内の残余ガスを排気する排気口１０ｆとを有する。搬送室１０ａは、本実施形態における所定方向である搬送方向（図中の矢印Ａ）に延びており、成膜室１０ｂ上に配置されている。本実施形態においては、搬送方向（矢印Ａ）はＸ軸の正方向に設定されている。また、真空容器１０は、導電性の材料からなり接地電位に接続されている。
【００１７】
成膜室１０ｂは、壁部１０ｗとして、搬送方向（矢印Ａ）に沿った一対の側壁と、搬送方向（矢印Ａ）と交差する方向（Ｙ軸方向）に沿った一対の側壁１０ｈ及び１０ｉと、Ｚ軸方向と交差して配置された底面壁１０ｊを有する。
【００１８】
搬送機構３は、成膜材料Ｍａと対向した状態で被処理物１１を保持する被処理物保持部材３２を搬送方向Ａに搬送する。搬送機構３は、搬送室１０ａ内に設置された複数の搬送ローラ３１によって構成されている。搬送ローラ３１は、搬送方向（矢印Ａ）に沿って等間隔で並んでおり、被処理物保持部材３２を支持しつつ搬送方向に搬送することができる。なお、被処理物１１としては、例えばガラス基板やプラスチック基板などの板状部材が例示される。
【００１９】
プラズマ源４（プラズマ生成部）は、圧力勾配型のプラズマ源であり、その本体部分が成膜室１０ｂの側壁（プラズマ口１０ｃ）に設けられている。プラズマ源４において生成されたプラズマビームＰは、プラズマ口１０ｃから成膜室１０ｂ内へ出射される。プラズマ源４は、陰極４１により一端が閉塞されたガラス管４２を備える。このガラス管４２の内部においては、ＬａＢ６製の円盤４３及びタンタル（Ｔａ）製のパイプ４４を内蔵するモリブデン（Ｍｏ）製の円筒４５が、陰極４１に固定されている。パイプ４４は、アルゴン（Ａｒ）等のキャリアガスＧをプラズマ源４内に導入するために設けられる。円盤４３、パイプ４４、円筒４５などプラズマ源４を構成する各部品は、その他の材質によって形成されていてもよい。
【００２０】
ガラス管４２の陰極４１とプラズマ口１０ｃとの間には、第１の中間電極（グリッド）４６と、第２の中間電極（グリッド）４７とが同心的に配置されている。第１の中間電極４６内にはプラズマビームを収束するための環状永久磁石４６ａが内蔵されている。第２の中間電極４７内にもプラズマビームを収束するための電磁石コイル４７ａが内蔵されている。
【００２１】
プラズマ源４が装着されたプラズマ口１０ｃの周囲には、プラズマビームＰを成膜室１０ｂ内に導くステアリングコイル４８が設けられている。このステアリングコイル４８はステアリングコイル用の電源により励磁される。プラズマビームＰの出射方向は、ステアリングコイル４８によって制御される。また、陰極４１と第１、第２の中間電極４６、４７との間には、それぞれ抵抗器を介して可変電源が接続される。
【００２２】
主陽極２は、成膜材料Ｍａを保持するための部分である。主陽極２は、真空容器１０の成膜室１０ｂ内に設けられ、搬送機構３に対し、Ｚ軸方向の負方向に配置されている。主陽極２は、プラズマ源４から出射されたプラズマＰを成膜材料Ｍａへ導く主ハース２１を有する。主ハース２１は、接地電位である真空容器１０に対して正電位に保たれており、プラズマＰ を吸引する。このプラズマＰが入射する主ハース２１の中央部には、成膜材料Ｍａを装填するための貫通孔が形成されている。そして、成膜材料Ｍａの先端部分が、この貫通孔から露出している。
【００２３】
成膜材料Ｍａとしては、ＺｎＯなどの透明導電材料や、ＳｉＯＮなどの絶縁封止材料が例示される。成膜材料Ｍａが絶縁性物質からなる場合、主ハース２１にプラズマＰが照射されると、プラズマＰからの電流によって主ハース２１が加熱され、成膜材料Ｍａの先端部分が蒸発する。また、成膜材料Ｍａが導電性物質からなる場合、主ハース２１にプラズマＰが照射されると、プラズマＰが成膜材料Ｍａに直接入射し、成膜材料Ｍａの先端部分が加熱されて蒸発する。蒸発した成膜材料Ｍａは、プラズマＰによってイオン化されてイオン化成膜材料粒子Ｍｂとなる。イオン化成膜材料粒子Ｍｂは、成膜室１０ｂ内に拡散しながら成膜室１０ｂの上方（Ｚ軸正方向）へ移動し、搬送室１０ａ内において被処理物１１の表面に付着する。なお、成膜材料Ｍａは、その先端部分が所定の位置を常に維持するように、主陽極２の下方から押し出される。なお、成膜材料Ｍａが絶縁性物質からなる場合、主ハース２１にプラズマＰが照射されると、プラズマＰからの電流によって主ハース２１が加熱され、成膜材料Ｍａの先端部分が蒸発し、プラズマＰによりイオン化された成膜材料粒子Ｍｂが成膜室１０ｂ内に拡散する。
【００２４】
補助陽極６は、プラズマＰを誘導するための電磁石である。補助陽極６は、成膜材料Ｍａを保持する主ハース２１の周囲に配置されており、環状の容器、並びに該容器内に収容されたコイル６ａ及び永久磁石６ｂを有する。コイル６ａ及び永久磁石６ｂは、コイル６ａに流れる電流量に応じて、主ハース２１に入射するプラズマＰの向きを制御する。
【００２５】
成膜装置１は、主陽極２（アノード）とプラズマ源４の陰極４１とを電気的に接続する第１の配線７１を備えている。第１の配線７１には、可変電源７２が直列に接続されている。可変電源７２は、接地電位にある真空容器１０を挟んで、負電圧をプラズマ源４に、正電圧を主陽極２に印加する。
【００２６】
ユニットコントローラ５は、演算処理を行うＣＰＵ、記憶部５１となるＲＯＭ及びＲＡＭ、入力信号回路、出力信号回路、電源回路などにより構成されている。ユニットコントローラ５では、記憶部５１に記憶されたプログラムを実行することで、予測部５２、制御部５３が構築されている。
【００２７】
成膜装置１は、基準と成膜室１０ｂの壁部１０ｗとの間の電位差である壁面電位を検出する電位検出部７を備えている。ユニットコントローラ５は、電位検出部７と電気的に接続されている。電位検出部７は、第２の配線７３と、抵抗７４とを有する。第２の配線７３の一端側は、第１の配線７１を介して、主陽極２（基準）と電気的に接続され、第２の配線７３の他端側は、成膜室１０ｂの壁部１０ｗと電気的に接続されている。第２の配線７３は、第１の配線７１を介さずに、主陽極２と成膜室１０ｂの壁部１０ｗとを接続するものでもよい。抵抗７４は、第２の配線７３に直列に接続されている。電位検出部７は、第２の配線７３及び抵抗７４を備えるものに限定されず、その他の構成でもよい。電位検出部は、基準の電位と、成膜室１０ｂの壁部１０ｗの電位との電位差である壁面電位を検出可能な構成であればよい。
【００２８】
本実施形態では、基準の電位を主陽極２の電位として、主陽極２と成膜室１０ｂの壁部１０ｗとの間の電位差である壁面電位を検出しているが、基準の電位は主陽極２の電位に限定されない。成膜室１０ｂ内のプラズマＰの影響を受けていない電位であればよい。電位検出部７は、成膜室１０ｂの壁面に流れこむ電子の流れとプラズマ中のイオンの流れとの釣り合いで決まる壁面電位を計測する。
【００２９】
なお、「基準」とは、プラズマＰにより電位が変化しない箇所をいう。また、基準となる他の例としては、成膜室１０ｂの外部に設けられた外部回路を挙げることができる。本実施形態では、主陽極２を基準としているため、基準としての外部回路を別途設ける必要がない。これにより、装置の簡素化を図り、コストの増加を抑制することができる。
【００３０】
記憶部５１には、プラズマＰの分布の予測に用いるプラズマ分布マップが記憶されている。成膜室１０ｂの側面電位と成膜室１０ｂ内のプラズマＰの分布とには、相関関係がある。プラズマ分布マップは、成膜室１０ｂの壁面電位と成膜室１０ｂ内のプラズマＰの分布とが関連付けられた情報である。プラズマ分布マップは、例えば、事前に実行されたシミュレーションの結果に基づくものでもよく、事前の実験結果に基づくものでもよい。プラズマ分布マップに適用可能な情報としては、成膜室１０ｂ内のプラズマＰの電位の分布に関する情報、成膜室１０ｂ内のプラズマＰ中の電子密度分布に関する情報が挙げられる。なお、「プラズマの分布」としては、プラズマＰの電子密度（電子密度分布）、及び温度分布を挙げることができる。
【００３１】
プラズマＰの分布は、例えば、ステアリングコイル４８の傾斜角の値、ステアリングコイル４８に流す電流値、主ハースのコイル６ａに流す電流に対応する磁場情報に関する値、成膜室圧力（酸素分圧、アルゴン分圧などの雰囲気ガスの分圧）などの操作条件の値と相関関係がある。これらの値をパラメータとして、それぞれの値が変化したときの値に対応するプラズマＰの分布に関する情報が記憶部５１に記憶されている。
【００３２】
なお、ステアリングコイル４８の傾斜角の値、ステアリングコイル４８に流す電流値、主ハースのコイル６ａに流す電流に対応する磁場情報に関する値、成膜室圧力（酸素分圧、アルゴン分圧などの雰囲気ガスの分圧）などの操作条件の値は、成膜中は基本的に一定であり、成膜室１０ｂの壁面電位は、成膜中でも変化することが多いため、成膜中のプラズマＰの分布をリアルタイムに把握するには、側面電位を測定する。
【００３３】
成膜室１０ｂ内に発生するプラズマＰは、電子温度（例えば２〜５ｅＶ）が低く定常状態であるため、壁面電位及び印加磁場分布に基づいて、プラズマＰの分布を予測することができる。成膜室１０ｂ内に印加される磁場の分布を予め測定し、壁面電位を計測することで、各壁面電位に対応するプラズマＰの分布を求めることができる。成膜室１０ｂ内に印加される磁場の分布は、例えばガウスメータ等を用いて測定することができる。測定に代えて、シミュレーションを実行して、プラズマＰの分布を算出してもよい。各壁面電位に対応したプラズマＰの分布に関する情報は、マップ化され、記憶部５１に記憶されている。なお、ユニットコントローラ５は、記憶部５１に記憶されているプラズマ分布マップを書き換え可能な変更手段を備える構成でもよい。
【００３４】
予測部５２は、電位検出部７によって検出された成膜室１０ｂの壁面電位、及び記憶部５１に記憶されたプラズマ分布マップに基づいて、成膜室１０ｂ内のプラズマＰの分布を予測する。予測部５２は、プラズマ分布マップを参照して、検出された壁面電位に応じたプラズマＰの分布を予測する。なお、「プラズマＰの分布を予測する」とは、検出した側面電位に基づき、側面電位ごとに予め測定又はシミュレーションしておいたプラズマＰの分布を算出（取得）することである。
【００３５】
制御部５３は、予測部５２による予測結果に基づいて、プラズマ源４を制御し成膜室１０ｂ内で発生するプラズマＰの状態を変化させる。制御部５３は、プラズマ源４のステアリングコイル４８の角度を制御することができる。ユニットコントローラ５は、予測部５２による予測結果に基づいて、成膜室１０ｂ内のプラズマの状態が、正常状態であるか否かを判定する。プラズマＰの状態が正常状態ではない場合に、制御部５３は、ステアリングコイル４８を駆動し、ステアリングコイル４８を傾斜させて、プラズマ源４から出射されるプラズマの出射方向を制御することができる。
【００３６】
制御部５３は、ステアリングコイル４７に流す電流量を制御してプラズマＰの状態を変化させてもよい。制御部５３は、主ハース２１のコイル６ａに流す電流量を制御し、主ハース２１近傍の磁場を変化させて、プラズマＰの状態を変化させてもよい。制御部５３は、成膜室１０ｂ内の酸素分圧、アルゴン分圧等の雰囲気ガスの分圧を操作して成膜室圧力を制御し、プラズマＰの状態を変化させてもよい。制御部５３は、記憶部５１を参照して、ステアリングコイル４７の電流量、主ハース２１のコイル６ａの電流量、成膜室圧力を制御することができる。制御部５３は、これらのうち少なくとも一つを制御するものでもよく、これらのうちの複数を制御することで、プラズマＰの状態を変化させてもよい。
【００３７】
表示部９は、予測部５２で予測された予測結果であるプラズマ分布に関する情報を表示する。表示部９は、予測部５２から出力された情報を取得して、成膜室１０ｂ内のプラズマＰの分布を示す画像情報を表示する。表示部９としては、例えば液晶表示装置を使用することができる。図２は、表示部９に表示されたプラズマ分布の一例を示す図である。表示部９に表示される情報としては、成膜室１０ｂ内のプラズマＰの分布の状態を示す画像情報、壁面電位の測定値を示す文字情報、ステアリングコイル４８の傾斜角を示す文字情報などが挙げられる。その他、成膜条件に関する情報などを表示してもよい。
【００３８】
成膜装置１は、予測部５２で予測された予測結果であるプラズマ分布に関する情報に基づいて、使用者によるプラズマ源４の操作を促す情報を報知する報知手段を備える構成でもよい。報知手段としては、画像を表示する表示手段、音声を出力する音声出力手段を用いることができる。例えば、表示部９に操作案内に関する情報を表示することで、使用者による操作を促す情報を報知してもよく、音声による案内情報を出力することで、使用者による操作を促す情報を報知してもよい。表示部９は、例えば「ステアリングコイルの角度を調節して下さい」などの文字情報を、ユニットコントローラ５の指示に従い表示する。入力操作可能な表示部（タッチパネル）を備える構成として、表示部に操作画面を表示することで、使用者の操作を促す情報を報知してもよい。
【００３９】
次に、成膜装置１を用いた成膜方法について説明する。まず、主陽極２に配置された主ハース２１へ成膜材料Ｍａを装着するとともに、被処理物１１を保持した被処理物保持部材３２を搬送機構３にセットする。そして、真空容器１０内を真空に保持する。
【００４０】
続いて、接地電位にある真空容器１０を挟んで、負電圧をプラズマ源４に、正電圧を主陽極２に印加して放電を生じさせ、プラズマＰを生成する。プラズマＰは、補助陽極６に案内されて主陽極２へ照射される。本方法では、被処理物保持部材３２をＸ軸方向に搬送しつつ、このようにプラズマＰを主陽極２へ照射する。プラズマＰに曝された主陽極２内の成膜材料Ｍａは、徐々に加熱される。成膜材料Ｍａが十分に加熱されると、成膜材料Ｍａが蒸発してイオン化され、イオン化成膜材料粒子Ｍｂとなって成膜室１０ｂ内に拡散する。成膜室１０ｂ内に拡散したイオン化成膜材料粒子Ｍｂは、成膜室１０ｂ内をＺ軸方向の正方向に上昇し、被処理物１１に向けて飛行する。
【００４１】
図３は、本実施形態の成膜装置１で実行される処理を示すフローチャートである。電位検出部７は、成膜室１０ｂの壁面電位を検出している。ユニットコントローラ５は、検出された成膜室１０ｂの壁面電位を取得する（ステップＳ１）。ユニットコントローラ５の予測部５２は、検出された壁面電位及び記憶部５１に記憶されているプラズマ分布マップに基づいて、成膜室１０ｂ内のプラズマ分布を予測する（ステップＳ２）。
【００４２】
ユニットコントローラ５は、予測部５２による予測結果を出力し、表示部９は、予測結果であるプラズマＰの分布を示す画像を表示する（ステップＳ３）。ユニットコントローラ５は、プラズマＰの分布が正常であるか否かを判定する（ステップＳ４）。プラズマＰの分布が正常である場合には、ここでの処理を終了し、ステップＳ１に戻る。
【００４３】
プラズマＰの分布が正常ではない場合には、ステップＳ５に進み、プラズマ源４を制御する。例えば、ユニットコントローラ５は、プラズマ源４のステアリングコイル４８の傾斜角を制御し、プラズマＰの出射方向を制御して、プラズマＰの分布を調整する。
【００４４】
このように本実施形態の成膜装置１では、成膜室１０ｂの壁面電位を検出し、検出された壁面電位及び記憶部に記憶されたプラズマ分布マップに基づいて、成膜室１０ｂ内のプラズマＰの分布を予測することができる。成膜装置１では、壁面電位を測定することで、プラズマＰの分布を予測することができるので、真空容器１０内のプラズマＰに影響を与えず成膜を行いながら、成膜時のプラズマの分布の状況を把握することができる。成膜装置１では、プラズマＰの分布を測定するための特別な装置が不要であり、簡素な構成で、プラズマＰの分布を予測することができる。
【００４５】
成膜装置１では、プラズマＰの分布に関する画像情報が、表示部９にリアルタイムで表示することができるので、使用者は、成膜室１０ｂの内部のプラズマの状況を視認することが可能である。成膜装置１の使用者は、成膜時の成膜室１０ｂ内の現象を的確に理解することができ、成膜室１０ｂ内で不具合が生じている場合には、素早く対応することが可能である。成膜室１０ｂ内のプラズマＰの分布を正常に維持することで、品質の高い成膜を実行することができる。
【００４６】
成膜装置１は、制御部５３を備え、予測部５２による予測結果に基づいて、プラズマＰの分布を制御することができるので、成膜室１０ｂ内のプラズマＰの分布を正常に維持することができる。
【００４７】
成膜装置１は、予測部５２による予測結果に基づいて、プラズマ源４を制御するための操作を促す情報を報知する報知手段を備える構成でもよい。使用者は、報知手段による情報に基づいて、プラズマ源４を制御する操作を行うことができ、成膜室１０ｂ内のプラズマの状態を調整することができる。
【００４８】
以上、本発明をその実施形態に基づき具体的に説明したが、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。
【００４９】
上記実施形態では、被処理物１１がハース部２０の上方を通過する構成としているが、位置関係はこれに限定されない。例えば、ハース部２０及び被処理物１１が水平方向に向かい合うように配置されている構成でもよい。
【００５０】
搬送機構３は、搬送ローラを備え被処理物１１を載置させて搬送するものに限定されない。専用の保持具によって被処理物を上方から支持しながら搬送する構成でもよい。搬送機構３を備えていない成膜装置でもよい。
【００５１】
上記実施形態では、成膜装置１をイオンプレーティング装置としているが、ＥＢ（イオンビーム）蒸着法などその他の蒸着法を用いた成膜装置でもよい。
【００５２】
上記実施形態の成膜装置１は、表示部９を備える構成としているが、表示部９を備えていない成膜装置でもよい。例えば、表示部９を備えず、制御部５３を備える構成でもよい。このような構成の成膜装置１においても、装置として、成膜室１０ｂ内のプラズマＰの状態を把握することができる。
【符号の説明】
【００５３】
１…成膜装置、２…主陽極、３…搬送機構、４…プラズマ源（プラズマ生成部）、５…ユニットコントローラ、６…補助陽極、６ａ…コイル、６ｂ…永久磁石、７…電位検出部、９…表示部、１０…真空容器（チャンバー）、１０ａ…搬送室、１０ｂ…成膜室、１１…被処理物、２１…主ハース、３１…搬送ローラ、４８…ステアリングコイル、５１…記憶部、５２…予測部、５３…制御部、Ｍａ…成膜材料、Ｍｂ…イオン化成膜材料粒子、Ｐ…プラズマ。
【図１】
0005801253.tif 000002
【図２】
0005801253.tif 000003
【図３】
0005801253.tif 000004