(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
実装面に凹部を有する半導体パッケージを実装基板に実装する半導体パッケージの実装方法であって、
前記半導体パッケージを前記実装基板上に搭載し、該半導体パッケージの端子と該実装基板を電気的に接続し、半田付けにより該端子の位置を該実装基板上に固定する端子固定ステップと、
前記端子を固定された前記半導体パッケージの隅部に補強樹脂を供給する樹脂供給ステップと、
供給した前記補強樹脂を前記半導体パッケージと前記実装基板との間隙に侵入させることにより、該実装基板上に固定した前記端子を補強する樹脂補強ステップと
を有し、
前記樹脂補強ステップは、前記半導体パッケージの外形及び前記半導体パッケージの表面形状に対応した形状に前記補強樹脂の外形を形成する樹脂外形形成ステップと、前記端子を固定した前記実装基板上の位置を該補強樹脂で埋設する接合部埋設ステップと、該補強樹脂を硬化させる樹脂硬化ステップと、を含む、
ことを特徴とする半導体パッケージの実装方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体パッケージの実装方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体パッケージ（樹脂で封止された半導体チップ）を基板（実装基板）に電気的に接続する実装方法には、半導体パッケージの端子（リードフレームなど）と実装基板の端子（配線パターンなど）を接触させ、その接触部（接合部）を半田付けする方法がある。また、実装方法には、半導体パッケージと実装基板との接合部を補強するために、熱硬化性樹脂（エポキシ樹脂など）でその接合部を埋設する場合がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０００−２９９３５６号公報
【特許文献２】特開平８−１７８５６号公報
【特許文献３】特開２０１１−１１９６０９号公報
【特許文献４】特開２０００−３６５０４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
半導体パッケージ（リードフレーム）、実装基板及び半田は線膨張係数が夫々異なる。このため、使用時の半導体パッケージ等の温度変化によって、接合部に熱応力が発生することがある。このとき、発生した熱応力により、接合部に亀裂を生じる場合があった。
【０００５】
特許文献１では、半導体パッケージと実装基板とをバンプ接続部（接合部）で電気的に接続する場合において、半導体パッケージの四隅部分に補強樹脂を供給することによって、バンプ接続部の寿命を向上することができる半導体パッケージの実装方法に関する技術を開示している。しかし、特許文献１に開示されている技術では、すべてのバンプ接続部を補強していないため、発生した熱応力により、補強されていないバンプ接続部で亀裂が生じる場合があった。
【０００６】
特許文献２では、半導体チップを搭載したリードフレームを設置した金型に四隅を除く全てのリード間から樹脂を注入する半導体装置の樹脂モールド方法に関する技術を開示している。しかし、特許文献２に開示されている技術では、半導体装置の樹脂モールド方法であるため、半導体パッケージの実装方法に用いることができない場合があった。
【０００７】
特許文献３では、基板（実装基板）上にフリップチップ状態で搭載された半導体素子（半導体パッケージ）において、半導体素子の縁部に沿って配設された第１の導電パタ―ン及び第２の導電パタ―ンによって、基板と半導体素子との間に充填された樹脂の拡がりを防止する技術を開示している。しかし、特許文献３に開示されている技術では、半導体素子を囲む第１の導電パタ―ン及び第２の導電パタ―ンを用いるため、製造工数や部品点数が増加する。また、半導体デバイスの微細化、微小化に伴って、第1の導電パタ―ン等を配設するスペースを確保することができない場合があった。
【０００８】
特許文献４では、半導体チップのセンシティブエリアへの封止樹脂の浸入防止を計り得るフリップチップ封止構造の半導体デバイスに関する技術を開示している。しかし、特許文献４に開示されている技術では、フリップチップ封止構造の半導体デバイスであるため、リードフレームの半田付けを補強することができない場合があった。
【０００９】
本発明は、このような事情の下に為され、実装基板に実装された半導体パッケージの隅部に補強樹脂を供給することにより、半導体パッケージと実装基板との接合部を補強する半導体パッケージの実装方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の一の態様によれば、実装面に凹部を有する半導体パッケージを実装基板に実装する半導体パッケージの実装方法であって、前記半導体パッケージを前記実装基板上に搭載し、該半導体パッケージの端子と該実装基板を電気的に接続し、半田付けにより該端子の位置を該実装基板上に固定する端子固定ステップと、前記端子を固定された前記半導体パッケージの隅部に補強樹脂を供給する樹脂供給ステップと、供給した前記補強樹脂を前記半導体パッケージと前記実装基板との間隙に侵入させることにより、該実装基板上に固定した前記端子を補強する樹脂補強ステップとを有し、前記樹脂補強ステップは、前記半導体パッケージの外形及び前記半導体パッケージの表面形状に対応した形状に前記補強樹脂の外形を形成する樹脂外形形成ステップと、前記端子を固定した前記実装基板上の位置を該補強樹脂で埋設する接合部埋設ステップと、該補強樹脂を硬化させる樹脂硬化ステップと、を含む、ことを特徴とする半導体パッケージの実装方法が提供される。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、半導体パッケージの実装方法において、実装基板に実装された半導体パッケージの隅部に補強樹脂を供給することにより、半導体パッケージと実装基板との接合部を補強することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の実施形態に係る半導体パッケージの実装方法を説明する説明図である。
【図２】半導体パッケージの実装方法の他の例を説明する説明図である。
【図３】本発明の実施例１に係る半導体パッケージの実装方法を説明する説明図である。
【図４】本発明の実施例２に係る半導体パッケージの実装方法を説明する説明図である。
【図５】本発明の実施例３に係る半導体パッケージの実装方法を説明する説明図である。
【図６】本発明の実施例４に係る半導体パッケージの実装方法を説明する説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
添付の図面を参照しながら、本発明の限定的でない例示の実施形態について説明する。
【００１４】
本発明は、樹脂で封止された半導体チップ（以下、「半導体パッケージ」という。）を基板（以下、「実装基板」という。）上に搭載して、半導体パッケージと実装基板とを電気的に接続する（以下、「実装する」という。）半導体パッケージの実装方法に関するものである。また、本発明に係る半導体パッケージの実装方法は、半導体パッケージの種類及び実装基板の種類に限定されることなく、様々な半導体パッケージ等に用いることができる。この場合、下記に示した実施形態の構成に、その他の要素を組合せるなど、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で変更することが可能であり、その応用形態に応じて、適切に定めることができる。
【００１５】
（半導体パッケージ及び実装基板の構成）
本発明の実施形態に係る半導体パッケージ及び実装基板の概略構成を、図１（ａ）を用いて、説明する。図１（ａ）は、半導体パッケージと実装基板との接合部（接触部）を補強するための樹脂（以下、「補強樹脂Ｒｅｐ」という。）を供給する前の実装基板上の半導体パッケージの配置を説明する平面図である。
【００１６】
本発明の実施形態に用いる半導体パッケージＰｓは、半導体などで構成された電子回路（集積回路、ＩＣなど）を樹脂で封止した電子部品である。また、半導体パッケージＰｓは、半田付けにより、後述する実装基板Ｂｃ（配線パターンなど）に電気的に接続された状態で、実装基板Ｂｃ上に搭載（固定）される。更に、半導体パッケージＰｓは、補強樹脂Ｒｅｐにより、実装基板Ｂｃ上に搭載された状態を補強（固定）される。ここで、補強樹脂Ｒｅｐは、本実施形態では、所定の温度以上になると硬化する熱硬化樹脂（エポキシ樹脂など）を用いることができる。
【００１７】
図１（ａ）に示すように、本実施形態では、半導体パッケージＰｓは、半導体チップ（不図示）の端子とリードフレームＬｆとを図示しない細い金属の線（ボンディングワイヤ）で電気的に接続（ワイヤボンディング）した状態で、樹脂により封止されている。これにより、半導体パッケージＰｓは、外部からの衝撃、水分及び汚染物質などから半導体チップ等を保護することができる。また、半導体パッケージＰｓは、その端子であるリードフレームＬｆを介して、外部と電気的に接続することができる。
【００１８】
ここで、半導体チップを樹脂で封止する方法は、ボンディングワイヤを介して接続された半導体チップとリードフレームＬｆとを金型に配置し、モールド剤（熱硬化性樹脂など）を金型に注入して成形する方法を用いることができる。
【００１９】
本発明の実施形態に用いる実装基板Ｂｃは、半導体パッケージＰｓを搭載する基板である。実装基板Ｂｃは、プリント基板（ウエハ）の製造技術などを用いることにより、セラミック基板、エポキシ樹脂基板、シリコン基板又はその他基板上に配線パターンを形成して製造することができる。また、実装基板Ｂｃは、半導体パッケージＰｓ以外のトランジスタ、抵抗及びコンデンサなどを更に搭載することができる。
【００２０】
図１（ａ）に示すように、本実施形態では、実装基板Ｂｃは、半導体パッケージＰｓのリードフレームＬｆをその基板表面（配線パターン）に接触させて、リードフレームＬｆを半田付け（不図示）で実装基板Ｂｃ表面に固定する。これにより、実装基板Ｂｃ上に半導体パッケージＰｓを搭載（固定）する。また、実装基板Ｂｃは、リードフレームＬｆの半田付け後に、実装基板ＢｃとリードフレームＬｆとの接触部（接合部）を補強樹脂Ｒｅｐで補強（固定）する。補強樹脂Ｒｅｐで補強する動作の詳細は、後述する（半導体パッケージの実装方法）で説明する。
【００２１】
（半導体パッケージの実装方法）
本発明の実施形態に係る半導体パッケージＰｓを実装基板Ｂｃに実装する実装方法を、図１を用いて説明する。図１（ｂ）は、補強樹脂Ｒｅｐを供給したときの半導体パッケージＰｓの実装状態を説明する平面図である。図１（ｃ）は、補強樹脂Ｒｅｐを硬化させた後の半導体パッケージＰｓの実装状態（補強樹脂Ｒｅｐの形状）を説明する平面図である。
【００２２】
先ず、図１（ａ）に示すように、本実施形態に係る半導体パッケージＰｓの実装方法は、実装開始時に、端子固定ステップとして、リードフレームＬｆを実装基板Ｂｃの表面（配線パターン）と接触させ、実装基板Ｂｃと電気的に接続した状態とする。このとき、半導体パッケージＰｓは、半田付けにより、リードフレームＬｆと実装基板Ｂｃとの接触部（接合部）を固定される。
【００２３】
次に、図１（ｂ）に示すように、本実施形態に係る実装方法は、樹脂供給ステップとして、半導体パッケージＰｓの隅部に補強樹脂Ｒｅｐを供給する。半導体パッケージＰｓは、本実施形態では、半導体パッケージＰｓの四隅の隅部（図中のＳ１、Ｓ２、Ｓ３及びＳ４）に補強樹脂Ｒｅｐを供給する。このため、補強樹脂Ｒｅｐを半導体パッケージＰｓの任意の位置に供給する場合と比較して、本実施形態に係る実装方法は補強樹脂Ｒｅｐを供給する位置を容易に特定することができる。
【００２４】
次いで、図１（ｃ）に示すように、本実施形態に係る実装方法は、樹脂補強ステップとして、毛細管現象により、半導体パッケージＰｓの辺部（図中のＳ１２、Ｓ１３、Ｓ２４及びＳ３４）に隅部（Ｓ１等）に供給した補強樹脂Ｒｅｐを侵入させる（樹脂外形形成ステップ）。また、本実施形態に係る実装方法は、リードフレームＬｆと実装基板Ｂｃとの接合部（接触部）を補強樹脂Ｒｅｐで埋設させながら、半導体パッケージＰｓの外形に対応した形状に補強樹脂Ｒｅｐを濡れ拡がらせる（接合部埋設ステップ）。
【００２５】
その後、本実施形態に係る実装方法は、濡れ拡がった補強樹脂Ｒｅｐを所定の温度に加熱することにより、補強樹脂Ｒｅｐを硬化させる（樹脂硬化ステップ）。これにより、本実施形態に係る実装方法では、リードフレームＬｆと実装基板Ｂｃとの接合部を補強（固定）することができる。
【００２６】
一方、半導体パッケージの他の実装方法を、図２を用いて説明する。
【００２７】
図２（ａ）は、半導体パッケージＰｓの他の実装方法の例として、補強樹脂Ｒｅｐを供給する前の半導体パッケージＰｓの配置を説明する側面断面図である。図２（ｂ）は、補強樹脂Ｒｅｐを供給する経路（順序）を説明する平面図である。図２（ｃ）は、補強樹脂Ｒｅｐを供給したときの半導体パッケージＰｓの実装状態を説明する側面断面図である。図２（ｄ）は、補強樹脂Ｒｅｐを硬化させた後の半導体パッケージＰｓの実装状態（補強樹脂Ｒｅｐの形状Ｆ１及びＵ１）を説明する平面図である。
【００２８】
補強樹脂Ｒｅｐを半導体パッケージＰｓの上方（図２（ａ）のＭａ）から半導体パッケージＰｓの周囲に順次供給した場合（図２（ｂ）のＭｂ）について、図２（ａ）及び図２（ｂ）を用いて、具体的に説明する。
【００２９】
他の実装方法の場合、供給された補強樹脂Ｒｅｐは、毛細管現象により、リードフレームＬｆと実装基板Ｂｃとの間隙（図２（ａ）のＲｍ）及び半導体パッケージＰｓと実装基板Ｂｃとの間隙に侵入する。このとき、補強樹脂Ｒｅｐは、供給順序、並びに、リードフレームＬｆの配置及びその有無などに影響を受け、半導体パッケージＰｓの外形形状と非対称な形状（例えば図２（ｄ）の形状Ｆ１及びＵ１）に濡れ拡がる場合がある。また、断面形状がＳ字状（ガルウィング状）のリードフレームＬｆの上方から補強樹脂Ｒｅｐを供給するため（図２（ａ）のＭａ）、リードフレームＬｆと実装基板Ｂｃとの間隙Ｒｍ（図２（ａ））に確実にエポキシ樹脂を侵入させるために剰余量を含む量の補強樹脂Ｒｅｐを供給する必要がある。このため、本発明の実施形態に係る実装方法（図１）と比較して、補強樹脂Ｒｅｐの剰余量により、補強樹脂Ｒｅｐが半導体パッケージＰｓの外形形状と非対称な形状Ｆ１及びＵ１（図２（ｄ））に濡れ拡がり易くなる。
【００３０】
ここで、補強樹脂Ｒｅｐが半導体パッケージＰｓの外形形状と非対称な形状に濡れ拡がった場合では、半導体パッケージＰｓの使用時の発熱により発生する熱応力によって、非対称な形状Ｆ１及びＵ１に対応した応力集中が生じる場合がある。また、半導体パッケージＰｓの使用時の発熱により補強樹脂Ｒｅｐが膨張した場合では、半導体パッケージＰｓと実装基板Ｂｃとの間隙にある補強樹脂Ｒｅｐの膨張等により、リードフレームＬｆと実装基板Ｂｃとの接合部に不均一な力が作用する場合がある。
【００３１】
このため、本発明の実施形態に係る実装方法（図１）と比較して、リードフレームＬｆと実装基板Ｂｃとの接合部で補強樹脂Ｒｅｐの亀裂（又は剥離）を生じ易くなる。また、本実施形態に係る実装方法と比較して、補強樹脂Ｒｅｐの亀裂等により、リードフレームＬｆと実装基板Ｂｃとの接合部の強度が低下する。すなわち、本実施形態に係る実装方法と比較して、半田付けされた接合部の寿命が低下する。
【００３２】
以上により、本発明の実施形態に係る半導体パッケージＰｓを実装基板Ｂｃに実装する実装方法（図１）は、半導体パッケージＰｓの隅部（Ｓ１等）に補強樹脂Ｒｅｐを供給し、毛細管現象により、供給された補強樹脂Ｒｅｐを半導体パッケージＰｓの外形形状に対応した形状に濡れ拡がらせることができるので、補強樹脂Ｒｅｐを半導体パッケージＰｓと実装基板Ｂｃとの間隙に侵入させることができ、半導体パッケージＰｓと実装基板Ｂｃとの接合部（接触部）を補強することができる。
【００３３】
また、本実施形態に係る実装方法は、半導体パッケージＰｓの隅部（Ｓ１等）にのみ補強樹脂Ｒｅｐを供給するので、補強樹脂Ｒｅｐが半導体パッケージＰｓの外形形状に対応した形状に濡れ拡がり易くなるため、半導体パッケージＰｓの外形形状と非対称の形状に補強樹脂Ｒｅｐが濡れ拡がった場合（図２）と比較して、半導体パッケージＰｓの使用時に発生する熱応力の応力集中及び熱膨張による不均一な力がその接合部に生じ難くなる。すなわち、本実施形態に係る実装方法は、半導体パッケージＰｓ（リードフレームＬｆ）を実装基板Ｂｃに半田付けした接合部の寿命を向上させることができる。
【００３４】
更に、本実施形態に係る実装方法は、半導体パッケージＰｓの隅部にのみ補強樹脂Ｒｅｐを供給するため、補強樹脂Ｒｅｐを半導体パッケージＰｓの外形形状の任意の位置に供給する場合と比較して、補強樹脂Ｒｅｐを供給する位置を容易に特定することができる。
【実施例】
【００３５】
実施形態に係る半導体パッケージＰｓの実装方法を含む実施例を用いて、本発明を説明する。以後の説明において、実施形態と同一の部品又は部位には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
【００３６】
（実施例１）
（半導体パッケージ及び実装基板の構成）
本実施例に用いる半導体パッケージ及び実装基板の構成は、実施形態の実装方法に用いる構成と基本的に同様のため、異なる部分のみを以下に説明する。
【００３７】
本実施例に用いる半導体パッケージＰｓ及び実装基板Ｂｃの構成を図３（ａ）に示す。ここで、図３（ａ）は、補強樹脂Ｒｅｐを供給する前の半導体パッケージＰｓの配置を説明する平面図である。
【００３８】
図３（ａ）に示すように、本実施例に用いる実装基板Ｂｃは、半導体パッケージＰｓの周囲に所定の間隔で所定の数の素子（Ｅ１、Ｅ２、Ｅ３及びＥ４）を配置している。ここで、所定の間隔、所定の数及び素子（Ｅ１等）の種類は、半導体パッケージＰｓの形状、種類及び配置位置などに対応した値又は種類とすることができる。また、所定の間隔、所定の数及び素子の種類は、数値計算又は実験等により予め定められた値又は種類とすることができる。
【００３９】
（半導体パッケージの実装方法）
本実施例に係る半導体パッケージの実装方法は、実施形態の実装方法と基本的に同様のため、異なる部分のみを以下に説明する。
【００４０】
本実施例に係る実装方法を、図３を用いて説明する。ここで、図３（ｂ）は、補強樹脂Ｒｅｐを供給したときの半導体パッケージＰｓの実装状態を説明する平面図である。図３（ｃ）は、補強樹脂Ｒｅｐを硬化させた後の半導体パッケージＰｓの実装状態（補強樹脂Ｒｅｐの形状Ｆ２）を説明する平面図である。
【００４１】
先ず、図３（ａ）に示すように、本実施例に係る半導体パッケージＰｓの実装方法は、実装開始時に、端子固定ステップとして、リードフレームＬｆを実装基板Ｂｃの表面（配線パターン）と接触させ、半田付けによりリードフレームＬｆと実装基板Ｂｃとの接触部（接合部）を固定する。
【００４２】
次に、図３（ｂ）に示すように、本実施例に係る実装方法は、樹脂供給ステップとして、半導体パッケージＰｓの四隅の隅部（Ｓ１等）に補強樹脂Ｒｅｐを供給する。
【００４３】
次いで、図３（ｃ）に示すように、本実施例に係る実装方法は、樹脂補強ステップとして、毛細管現象により、半導体パッケージＰｓの辺部（Ｓ１２等）に隅部（Ｓ１等）に供給した補強樹脂Ｒｅｐを侵入させる（樹脂外形形成ステップ）。このとき、補強樹脂Ｒｅｐは、リードフレームＬｆと実装基板Ｂｃとの接合部を補強樹脂Ｒｅｐで埋設させながら、半導体パッケージＰｓの外形に対応した形状に濡れ拡がる（接合部埋設ステップ）。更に、本実施例に係る実装方法では半導体パッケージＰｓの周囲に所定の間隔で所定の数の素子（Ｅ１等）を配置しているため、補強樹脂Ｒｅｐは素子（Ｅ１等）の位置に対応した形状に濡れ拡がる。このため、本実施例に係る実装方法は、半導体パッケージＰｓの外形に対応した形状Ｆ２に補強樹脂Ｒｅｐを濡れ拡がらせることができる。
【００４４】
その後、本実施例に係る実装方法は、濡れ拡がった補強樹脂Ｒｅｐを所定の温度に加熱することにより、補強樹脂Ｒｅｐを硬化する（樹脂硬化ステップ）。これにより、本実施例に係る実装方法では、リードフレームＬｆと実装基板Ｂｃとの接合部を補強（固定）することができる。
【００４５】
以上により、本発明の実施例１に係る半導体パッケージＰｓを実装基板Ｂｃに実装する実装方法（図３）は、半導体パッケージＰｓの隅部（Ｓ１等）に補強樹脂Ｒｅｐを供給し、毛細管現象により、供給された補強樹脂Ｒｅｐを半導体パッケージＰｓの外形形状に対応した形状に濡れ拡がらせることができるので、補強樹脂Ｒｅｐを半導体パッケージＰｓと実装基板Ｂｃとの間隙に侵入させることができ、半導体パッケージＰｓと実装基板Ｂｃとの接合部を補強することができる。
【００４６】
また、本実施例に係る実装方法は、半導体パッケージＰｓの周囲に配置した素子（Ｅ１等）により、半導体パッケージＰｓの外形に対応した形状Ｆ２に補強樹脂Ｒｅｐを濡れ拡がらせることができるので、半導体パッケージＰｓの使用時に発生する熱応力の応力集中が生じ難くなるようにすることができる。すなわち、本実施例に係る実装方法は、半導体パッケージＰｓを実装基板Ｂｃに半田付けした接合部の寿命を向上させることができる。
【００４７】
（実施例２）
（半導体パッケージ及び実装基板の構成）
本実施例に用いる半導体パッケージ及び実装基板の構成は、実施形態の実装方法に用いる構成と基本的に同様のため、異なる部分のみを以下に説明する。
【００４８】
本実施例に用いる半導体パッケージＰｓ及び実装基板Ｂｃの構成を図４（ａ）及び図４（ｂ）に示す。ここで、図４（ａ）及び図４（ｂ）は、補強樹脂Ｒｅｐを供給する前の半導体パッケージＰｓの配置を説明する側面断面図及び平面図である。
【００４９】
図４（ａ）及び図４（ｂ）に示すように、本実施例に用いる半導体パッケージＰｓは、実装基板Ｂｃと対向する表面に凹部Ｃ１を有する。ここで、凹部Ｃ１の形状は、半導体パッケージＰｓの大きさ、種類及び配置位置などに対応した形状とすることができる。また、凹部Ｃ１の形状は、数値計算又は実験等により予め定められた形状とすることができる。
【００５０】
（半導体パッケージの実装方法）
本実施例に係る半導体パッケージの実装方法は、実施形態の実装方法と基本的に同様のため、異なる部分のみを以下に説明する。
【００５１】
本実施例に係る実装方法を、図４を用いて説明する。ここで、図４（ｃ）は、補強樹脂Ｒｅｐを供給したときの半導体パッケージＰｓの実装状態を説明する平面図である。図４（ｄ）及び図４（ｅ）は、補強樹脂Ｒｅｐを硬化させた後の半導体パッケージＰｓの実装状態（補強樹脂Ｒｅｐの形状Ｆ３及びＵ３）を説明する側面断面図及び平面図である。
【００５２】
先ず、図４（ａ）及び図４（ｂ）に示すように、本実施例に係る半導体パッケージＰｓの実装方法は、実装開始時に、端子固定ステップとして、半田付けによりリードフレームＬｆと実装基板Ｂｃとの接触部（接合部）を固定する。このとき、半導体パッケージＰｓは、凹部Ｃ１以外の表面で実装基板Ｂｃ表面と近接し、凹部Ｃ１の表面で実装基板Ｂｃ表面と離れている。
【００５３】
次に、図４（ｃ）に示すように、本実施例に係る実装方法は、樹脂供給ステップとして、半導体パッケージＰｓの四隅の隅部（Ｓ１等）に補強樹脂Ｒｅｐを供給する。
【００５４】
次いで、図４（ｄ）及び図４（ｅ）に示すように、本実施例に係る実装方法は、樹脂補強ステップとして、毛細管現象により、半導体パッケージＰｓの辺部（Ｓ１２等）に隅部（Ｓ１等）に供給した補強樹脂Ｒｅｐを侵入させる（樹脂外形形成ステップ）。このとき、補強樹脂Ｒｅｐは、リードフレームＬｆと実装基板Ｂｃとの接合部を補強樹脂Ｒｅｐで埋設させながら、半導体パッケージＰｓの外形に対応した形状Ｆ３に濡れ拡がる（接合部埋設ステップ）。更に、本実施例に係る実装方法では、半導体パッケージＰｓの凹部Ｃ１以外の表面と実装基板Ｂｃとの間隙に補強樹脂Ｒｅｐを濡れ拡がらせる。このため、本実施例に係る実装方法は、半導体パッケージＰｓと実装基板Ｂｃの間隙の補強樹脂Ｒｅｐの形状（以下、「アンダーフィル形状」という。）Ｕ３を半導体パッケージＰｓの表面形状に対応した形状にすることができる。
【００５５】
その後、本実施例に係る実装方法は、濡れ拡がった補強樹脂Ｒｅｐを所定の温度に加熱することにより、補強樹脂Ｒｅｐを硬化する（樹脂硬化ステップ）。これにより、本実施例に係る実装方法では、リードフレームＬｆと実装基板Ｂｃとの接合部を補強（固定）することができる。
【００５６】
以上により、本発明の実施例２に係る半導体パッケージＰｓを実装基板Ｂｃに実装する実装方法（図４）は、半導体パッケージＰｓの隅部（Ｓ１等）に補強樹脂Ｒｅｐを供給し、毛細管現象により、供給した補強樹脂Ｒｅｐを半導体パッケージＰｓの外形形状に対応した形状Ｆ３に濡れ拡がらせることができるので、半導体パッケージＰｓと実装基板Ｂｃとの接合部を補強することができる。
【００５７】
また、本実施例に係る実装方法は、半導体パッケージＰｓの凹部Ｃ１に対応した形状に補強樹脂Ｒｅｐを濡れ拡がらせることができるので、補強樹脂Ｒｅｐのアンダーフィル形状を半導体パッケージＰｓの表面形状に対応する形状Ｕ３にすることができる。
【００５８】
すなわち、半導体パッケージＰｓの外形形状と非対称の形状に補強樹脂Ｒｅｐが濡れ拡がった場合と比較して、本実施例に係る実装方法は、半導体パッケージＰｓの使用時に発生する熱応力の応力集中及び熱膨張による不均一な力がその接合部に生じ難くなるので、半田付けした接合部の寿命を向上させることができる。
【００５９】
（実施例３）
（半導体パッケージ及び実装基板の構成）
本実施例に用いる半導体パッケージ及び実装基板の構成は、実施形態の実装方法に用いる構成と基本的に同様のため、異なる部分のみを以下に説明する。
【００６０】
本実施例に用いる半導体パッケージＰｓ及び実装基板Ｂｃの構成を図５（ａ）及び図５（ｂ）に示す。ここで、図５（ａ）は、補強樹脂Ｒｅｐを供給する前の半導体パッケージＰｓの配置を説明する側面断面図である。図５（ｂ）は、半導体パッケージＰｓを実装する実装基板Ｂｃの表面形状を説明する平面図である。
【００６１】
図５（ａ）及び図５（ｂ）に示すように、本実施例に用いる実装基板Ｂｃは、半導体パッケージＰｓと対向する表面に凹部Ｃ２を有する。ここで、凹部Ｃ２の形状は、実装基板Ｂｃの形状及び種類並びに半導体パッケージＰｓの形状及び配置位置などに対応した形状とすることができる。また、凹部Ｃ２の形状は、数値計算又は実験等により予め定められた形状とすることができる。
【００６２】
（半導体パッケージの実装方法）
本実施例に係る半導体パッケージの実装方法は、実施形態の実装方法と基本的に同様のため、異なる部分のみを以下に説明する。
【００６３】
本実施例に係る実装方法を、図５を用いて説明する。ここで、図５（ｃ）は、補強樹脂Ｒｅｐを供給したときの半導体パッケージＰｓの実装状態を説明する平面図である。図５（ｄ）及び図５（ｅ）は、補強樹脂Ｒｅｐを硬化させた後の半導体パッケージの実装状態（補強樹脂Ｒｅｐの形状Ｆ４及びＵ４）を説明する側面断面図及び平面図である。
【００６４】
先ず、図５（ａ）及び図５（ｂ）に示すように、本実施例に係る半導体パッケージＰｓの実装方法は、実装開始時に、端子固定ステップとして、半田付けによりリードフレームＬｆと実装基板Ｂｃとの接触部（接合部）を固定する。このとき、実装基板Ｂｃは、凹部Ｃ２以外の表面で半導体パッケージＰｓの表面と近接し、凹部Ｃ１の表面で半導体パッケージＰｓ表面と離れている。
【００６５】
次に、図５（ｃ）に示すように、本実施例に係る実装方法は、樹脂供給ステップとして、半導体パッケージＰｓの四隅の隅部（Ｓ１等）に補強樹脂Ｒｅｐを供給する。
【００６６】
次いで、図５（ｄ）及び図５（ｅ）に示すように、本実施例に係る実装方法は、樹脂補強ステップとして、毛細管現象により、半導体パッケージＰｓの辺部（Ｓ１２等）に隅部（Ｓ１等）に供給した補強樹脂Ｒｅｐを侵入させる（樹脂外形形成ステップ）。このとき、補強樹脂Ｒｅｐは、リードフレームＬｆと実装基板Ｂｃとの接合部を補強樹脂Ｒｅｐで埋設させながら、半導体パッケージＰｓの外形に対応した形状Ｆ４に濡れ拡がる（接合部埋設ステップ）。更に、本実施例に係る実装方法では、実装基板Ｂｃの凹部Ｃ２以外の表面と半導体パッケージＰｓとの間隙に補強樹脂Ｒｅｐを濡れ拡がらせる。このため、本実施例に係る実装方法は、補強樹脂Ｒｅｐのアンダーフィル形状を実装基板Ｂｃの表面形状に対応した形状Ｕ４にすることができる。
【００６７】
その後、本実施例に係る実装方法は、濡れ拡がった補強樹脂Ｒｅｐを所定の温度に加熱することにより、補強樹脂Ｒｅｐを硬化する（樹脂硬化ステップ）。これにより、本実施例に係る実装方法では、リードフレームＬｆと実装基板Ｂｃとの接合部を補強（固定）することができる。
【００６８】
以上により、本発明の実施例３に係る半導体パッケージＰｓを実装基板Ｂｃに実装する実装方法（図５）は、半導体パッケージＰｓの隅部（Ｓ１等）に補強樹脂Ｒｅｐを供給し、毛細管現象により、供給した補強樹脂Ｒｅｐを半導体パッケージＰｓの外形形状に対応した形状Ｆ４に濡れ拡がらせることができるので、半導体パッケージＰｓと実装基板Ｂｃとの接合部を補強することができる。
【００６９】
また、本実施例に係る実装方法は、実装基板Ｂｃの凹部Ｃ２に対応した形状に補強樹脂Ｒｅｐを濡れ拡がらせることができるので、補強樹脂Ｒｅｐのアンダーフィル形状を半導体パッケージＰｓの表面形状に対応する形状Ｕ４にすることができる。
【００７０】
すなわち、半導体パッケージＰｓの外形形状と非対称の形状に補強樹脂Ｒｅｐが濡れ拡がった場合と比較して、本実施例に係る実装方法は、半導体パッケージＰｓの使用時に発生する熱応力の応力集中及び熱膨張による不均一な力がその接合部に生じ難くなるので、半田付けした接合部の寿命を向上させることができる。
【００７１】
（実施例４）
（半導体パッケージ及び実装基板の構成）
本実施例に用いる半導体パッケージ及び実装基板の構成は、実施形態の実装方法に用いる構成と基本的に同様のため、異なる部分のみを以下に説明する。
【００７２】
本実施例に用いる半導体パッケージＰｓ及び実装基板Ｂｃの構成を図６（ａ）及び図６（ｂ）に示す。ここで、図６（ａ）は、補強樹脂Ｒｅｐを供給する前の半導体パッケージＰｓの配置を説明する側面断面図である。図６（ｂ）は、半導体パッケージＰｓを実装する実装基板Ｂｃの表面形状を説明する平面図である。
【００７３】
図６（ａ）及び図６（ｂ）に示すように、本実施例に用いる実装基板Ｂｃは、半導体パッケージＰｓと対向する表面に凸部Ｒｓｔを有する。ここで、凸部Ｒｓｔとは、実装基板Ｂｃの基板製造時に用いるレジスト膜（ウエハ製造工程時に塗布するレジスト膜など）を利用することができる。また、凸部Ｒｓｔの形状は、実装基板Ｂｃの形状及び種類並びに半導体パッケージＰｓの形状及び配置位置などに対応した形状とすることができる。更に、凸部Ｒｓｔの形状は、数値計算又は実験等により予め定められた形状とすることができる。なお、実装基板Ｂｃは、基板製造時に用いるレジスト膜以外のレジストを塗布して、凸部Ｒｓｔを形成してもよい。
【００７４】
（半導体パッケージの実装方法）
本実施例に係る半導体パッケージの実装方法は、実施形態の実装方法と基本的に同様のため、異なる部分のみを以下に説明する。
【００７５】
本実施例に係る半導体パッケージＰｓの実装方法を、図６を用いて説明する。ここで、図６（ｃ）は、補強樹脂Ｒｅｐを供給したときの半導体パッケージＰｓの実装状態を説明する平面図である。図６（ｄ）及び図６（ｅ）は、補強樹脂Ｒｅｐを硬化させた後の半導体パッケージの実装状態（補強樹脂Ｒｅｐの形状Ｆ５及びＵ５）を説明する側面断面図及び平面図である。
【００７６】
先ず、図６（ａ）及び図６（ｂ）に示すように、本実施例に係る半導体パッケージＰｓの実装方法は、実装開始時に、端子固定ステップとして、半田付けによりリードフレームＬｆと実装基板Ｂｃとの接触部（接合部）を固定する。このとき、実装基板Ｂｃは、凸部Ｒｓｔの表面で半導体パッケージＰｓの表面と近接し、凸部Ｒｓｔ以外の表面で半導体パッケージＰｓの表面と離れている。
【００７７】
次に、図６（ｃ）に示すように、本実施例に係る実装方法は、樹脂供給ステップとして、半導体パッケージＰｓの四隅の隅部（Ｓ１等）に補強樹脂Ｒｅｐを供給する。
【００７８】
次いで、図６（ｄ）及び図６（ｅ）に示すように、本実施例に係る実装方法は、樹脂補強ステップとして、毛細管現象により、半導体パッケージＰｓの辺部（Ｓ１２等）に隅部（Ｓ１等）に供給した補強樹脂Ｒｅｐを侵入させる（樹脂外形形成ステップ）。このとき、補強樹脂Ｒｅｐは、リードフレームＬｆと実装基板Ｂｃとの接合部を補強樹脂Ｒｅｐで埋設させながら、半導体パッケージＰｓの外形に対応した形状Ｆ５に濡れ拡がる（接合部埋設ステップ）。更に、本実施例に係る実装方法では、実装基板Ｂｃの凸部Ｒｓｔの表面と半導体パッケージＰｓとの間隙に補強樹脂Ｒｅｐを濡れ拡がらせる。このため、本実施例に係る実装方法は、補強樹脂Ｒｅｐのアンダーフィル形状を実装基板Ｂｃ（凸部Ｒｓｔ）の表面形状に対応した形状Ｕ５にすることができる。
【００７９】
その後、本実施例に係る実装方法は、濡れ拡がった補強樹脂Ｒｅｐを所定の温度に加熱することにより、補強樹脂Ｒｅｐを硬化する（樹脂硬化ステップ）。これにより、本実施例に係る実装方法では、リードフレームＬｆと実装基板Ｂｃとの接合部を補強（固定）することができる。
【００８０】
以上により、本発明の実施例４に係る半導体パッケージＰｓを実装基板Ｂｃに実装する実装方法（図６）は、半導体パッケージＰｓの隅部（Ｓ１等）に補強樹脂Ｒｅｐを供給し、毛細管現象により、供給した補強樹脂Ｒｅｐを半導体パッケージＰｓの外形形状に対応した形状Ｆ５に濡れ拡がらせることができるので、半導体パッケージＰｓと実装基板Ｂｃとの接合部を補強することができる。
【００８１】
また、本実施例に係る実装方法は、実装基板Ｂｃの凸部Ｒｓｔに対応した形状に補強樹脂Ｒｅｐを濡れ拡がらせることができるので、補強樹脂Ｒｅｐのアンダーフィル形状を実装基板Ｂｃの表面形状に対応する形状Ｕ５にすることができる。
【００８２】
すなわち、半導体パッケージＰｓの外形形状と非対称の形状に補強樹脂Ｒｅｐが濡れ拡がった場合と比較して、本実施例に係る実装方法は、半導体パッケージＰｓの使用時に発生する熱応力の応力集中及び熱膨張による不均一な力がその接合部に生じ難くなるので、半田付けした接合部の寿命を向上させることができる。
【符号の説明】
【００８３】
Ｐｓ  ：  半導体パッケージ（樹脂で封止された半導体チップ）
Ｌｆ  ：  端子（リードフレーム、半導体パッケージの電極）
Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４：  半導体パッケージの隅部
Ｓ１２、Ｓ１３、Ｓ２４、Ｓ３４：  半導体パッケージの辺部
Ｂｃ  ：  実装基板（セラミック基板など）
Ｃ１、Ｃ２：  凹部
Ｅ１、Ｅ２、Ｅ３、Ｅ４：  素子（素子群）
Ｒｓｔ：  レジスト（レジスト膜）
Ｒｍ  ：  リードフレームと実装基板との間隙
Ｒｅｐ：  補強樹脂（エポキシ樹脂など）
Ｆ１、Ｆ２、Ｆ３、Ｆ４、Ｆ５  ：  補強樹脂の外形形状
Ｕ１、Ｕ２、Ｕ３、Ｕ４、Ｕ５  ：  補強樹脂のアンダーフィル形状
Ｍａ  ：  補強樹脂の供給方向、  Ｍｂ  ：  補強樹脂の供給経路
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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