(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
下層側から第１の絶縁膜と第１の金属膜と第２の絶縁膜と第２の金属膜とが表面に順に積層された基板を用いて、前記第２の金属膜上に複数の電極と複数のパッドとを形成する工程と、
前記第２の金属膜の一部をエッチングにより除去する工程と、
前記複数の電極と複数のパッドと前記第２の金属膜の残部とをマスクとして、前記第２の絶縁膜をエッチングにより除去する工程と、
それぞれが前記複数の電極のうち対となる電極同士間の位置で前記基板を貫通する複数の開口部を形成する工程と、
を備え、
前記第２の金属膜の一部をエッチングにより除去する際、それぞれ前記複数の電極の１つと前記複数のパッドの１つとを繋ぐ複数の領域に前記第２の金属膜の一部がそれぞれ残存するように前記第２の金属膜をエッチングし、
基板面上方から見て、前記複数の開口部の形成後における前記複数の開口部全体を含む領域が、前記複数の電極と複数のパッドと前記第１と第２の金属膜とによって絶縁膜が露出しないように形成されることを特徴とするマルチビームのブランキングアパーチャアレイ装置の製造方法。
【請求項２】
前記第１と第２の金属膜と前記複数の電極と複数のパッドとの材料として、金（Ａｕ）と白金（Ｐｔ）とのうち１つが用いられることを特徴とする請求項１記載のマルチビームのブランキングアパーチャアレイ装置の製造方法。
【請求項３】
複数の開口部が形成された基板と、
前記複数の開口部全体を含む前記基板上面の領域上に形成された第１の金属膜と、
前記第１の金属膜上であって、前記複数の開口部の近傍に配置された、金属材料で形成された複数の第１の電極と、
前記第１の金属膜上であって、前記複数の開口部の対応する開口部を挟んで前記複数の第１の電極と対向する位置に配置される、金属材料で形成された複数の第２の電極と、
前記複数の第１の電極と前記複数の第２の電極のいずれかに接続され、前記第１の金属膜上に形成された、金属材料で形成された複数の配線と、
を備え、
マルチ荷電粒子ビームの照射方向に向いた基板面のうち、前記複数の開口部全体を含む基板面の領域が、前記第１の金属膜と前記複数の第１の電極と前記複数の第２の電極と前記複数の配線とによって覆われていることを特徴とするマルチビームのブランキングアパーチャアレイ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マルチビームのブランキングアパーチャアレイ装置、及びマルチビームのブランキングアパーチャアレイ装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＬＳＩの高集積化に伴い、半導体デバイスに要求される回路線幅は年々微細化されてきている。かかる回路を形成するリソグラフィ技術に使用するマスク製造には、優れた解像性を有する電子線（電子ビーム）描画技術が用いられる。
【０００３】
電子ビーム描画を行う描画装置として、例えば、マルチビームを使った描画装置がある。１本の電子ビームで描画する場合に比べて、マルチビームを用いることで一度に多くのビームを照射できるのでスループットを大幅に向上させることができる。かかるマルチビーム方式の描画装置では、例えば、電子銃から放出された電子ビームを複数の穴を持ったマスクに通してマルチビームを形成し、各々、ブランキングアパーチャアレイ装置を通過させる。その際、ブランキングアパーチャアレイ装置によって各ビームは個別にブランキング制御され、偏向されたビームは遮蔽物に当り遮蔽され（ブランキング）、偏向されなかった各ビームが試料上に照射される。このときビームは試料上の所望位置に照射されるようブランキングアパーチャアレイ装置とは別の偏向手段により偏向制御される。
【０００４】
ここで、マルチビームをブランキング制御するブランキングアパーチャアレイ装置には、マルチビームの各通過穴が形成され、これらの通過穴の周囲にビームを偏向させるためのそれぞれ一対の電極対が形成される。ブランキングアパーチャアレイ装置は、その製造方法において、半導体製造技術を用いて、シリコン（Ｓｉ）基板上にかかる各通過穴及び各電極対等を形成していく方法が採られる。
【０００５】
ここで、製造されたブランキングアパーチャアレイ装置の表面に保護用の絶縁膜が露出していると、ブランキングアパーチャアレイ装置が搭載された描画装置によるビーム照射時にブランキングアパーチャアレイ装置上面に露出した絶縁物が帯電してしまう。かかる帯電により、ビームの歪みやぼけが生じてしまうといった問題があった。そのため、ブランキングアパーチャアレイ装置には帯電防止対策が必要となる。例えば、Ｓｉ基板に形成された通過穴を挟んで電極対を通過穴の側壁を含めて形成し、各電極からの金属配線を基板上に形成する。その際、配線の電位がビーム偏向に影響しないように金属配線上に絶縁膜を介して金属膜を配置するといった構成が開示されている（例えば、特許文献１参照）。その他、基板本体の電極領域の周囲上面は絶縁膜を露出させ、絶縁膜の外側の上面が金属膜で覆われる基板本体に、別基板として製造した電極をボンディングするといった構成のブランキングアパーチャアレイ装置が開示されている（例えば、特許文献２参照）。しかし、いずれの構成でも、ブランキングアパーチャアレイ装置上面に絶縁物が残ってしまい、ビーム照射時における絶縁物の帯電を抑制しきれない。また、電極および配線箇所等以外の領域にＳｉ（半導体）基板がそのまま露出する構成では帯電抑制効果が十分に発揮することが困難である。また、通過穴の側壁に電極形成する場合や、別基板として製造した電極をボンディングするとなるとブランキングアパーチャアレイ装置の製造が複雑化してしまう。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００５−１３６１１４号公報
【特許文献２】特開２０１０−２６７９６２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
そこで、本発明は、上述した問題点の少なくとも１つを克服し、マルチビーム照射による表面の帯電を抑制することが可能なブランキングアパーチャアレイ装置をより簡易なプロセスによって製造する方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一態様のマルチビームのブランキングアパーチャアレイ装置の製造方法は、
下層側から第１の絶縁膜と第１の金属膜と第２の絶縁膜と第２の金属膜とが表面に順に積層された基板を用いて、第２の金属膜上に複数の電極と複数のパッドとを形成する工程と、
第２の金属膜の一部をエッチングにより除去する工程と、
複数の電極と複数のパッドと第２の金属膜の残部とをマスクとして、第２の絶縁膜をエッチングにより除去する工程と、
それぞれが複数の電極のうち対となる電極同士間の位置で基板を貫通する複数の開口部を形成する工程と、
を備え、
第２の金属膜の一部をエッチングにより除去する際、それぞれ複数の電極の１つと複数のパッドの１つとを繋ぐ複数の領域に第２の金属膜の一部がそれぞれ残存するように第２の金属膜をエッチングし、
基板面上方から見て、複数の開口部の形成後における複数の開口部全体を含む領域が、複数の電極と複数のパッドと第１と第２の金属膜とによって絶縁膜が露出しないように形成される。
【０００９】
また、第１と第２の金属膜と前記複数の電極と複数のパッドとの材料として、金（Ａｕ）と白金（Ｐｔ）とのうち１つが用いられると好適である。
【００１０】
本発明の一態様のマルチビームのブランキングアパーチャアレイ装置は、
複数の開口部が形成された基板と、
複数の開口部全体を含む基板上面の領域上に形成された第１の金属膜と、
第１の金属膜上であって、複数の開口部の近傍に配置された、金属材料で形成された複数の第１の電極と、
第１の金属膜上であって、複数の開口部の対応する開口部を挟んで複数の第１の電極と対向する位置に配置される、金属材料で形成された複数の第２の電極と、
複数の第１の電極と複数の第２の電極のいずれかに接続され、第１の金属膜上に形成された、金属材料で形成された複数の配線と、
を備え、
マルチ荷電粒子ビームの照射方向に向いた基板面のうち、複数の開口部全体を含む基板面の領域が、第１の金属膜と複数の第１の電極と複数の第２の電極と前記複数の配線とによって覆われていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の一態様によれば、マルチビーム照射による表面の帯電を抑制することが可能なブランキングアパーチャアレイ装置をより簡易なプロセスによって製造できる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】実施の形態１におけるマルチビームのブランキングアパーチャアレイ装置の構成を示す上面図である。
【図２】実施の形態１におけるブランキングアパーチャアレイ装置のメンブレン領域上の一部の領域の構成を示す上面図である。
【図３】実施の形態１におけるブランキング制御を説明するためのアパーチャアレイ装置の一部の領域の構成を示す断面図である。
【図４】実施の形態１におけるブランキング制御を説明するためのブランキングアパーチャアレイ装置の一部の領域の構成を示す他の断面図である。
【図５】実施の形態１におけるブランキングアパーチャアレイ装置の製造方法の工程断面図である。
【図６】実施の形態１におけるブランキングアパーチャアレイ装置の製造方法の工程断面図である。
【図７】実施の形態１におけるブランキングアパーチャアレイ装置の製造方法の工程断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
実施の形態１．
図１は、実施の形態１におけるマルチビームのブランキングアパーチャアレイ装置の構成を示す上面図である。図１において、ブランキングアパーチャアレイ装置２０４は、例えば、シリコン（Ｓｉ）基板を用いた基板３００を、半導体製造技術を用いて加工することによって形成される。基板３００の中央部は、裏面側から薄く削られ、薄い膜厚ｈのメンブレン領域３０に加工されている。メンブレン領域３０を取り囲む周囲は、厚い膜厚Ｈの外周領域３２となる。メンブレン領域３０の上面と外周領域３２の上面とは、同じ高さ位置になるように形成される。
【００１４】
メンブレン領域３０には、マルチビームのそれぞれビームが通過するための通過孔２５（開口部）が開口される。言い換えれば、基板３００には、縦（ｙ方向）ｍ列×横（ｘ方向）ｎ列（ｍ，ｎ≧２）の２次元に、マルチビームのうちのそれぞれ対応電子ビームが通過する貫通した複数の通過孔２５が形成される。そして、メンブレン領域３０上には、各通過孔２５を挟んで対向する電極２４と電極２６とが配置される。図１の例では、５（縦：ｙ方向）×６（横：ｘ方向）箇所の通過孔２５が配列される。電極２４は、各通過孔２５について１つずつ配置され、電極２６は、横１列の通過孔２５に対して共通する１つが配置される。また、矩形のメンブレン領域３０を取り囲む周囲の外周領域３２上には、外部からの信号（偏向電位或いはグランド電位）を複数の電極２４，２６を伝達するための複数のパッド２９が配置される。そして、各パッド２９と、それに対応する電極（電極２４或いは電極２６）とを繋ぐ、表面に露出した配線２３，２７が基板３００上にパターン形成されている。電極２４は、配線２７によって対応するパッド２９に接続される。電極２６は、配線２３によって対応するパッド２９に接続される。電極２４と電極２４に対向する電極２６と、電極２４に対応するパッド２９と、電極２４と対応するパッド２９とを繋ぐ配線２７と、電極２６に対応するパッド２９と、電極２６と対応するパッド２９とを繋ぐ配線２３と、によってマルチビームのうちの１つのビームをブランキング偏向する個別ブランキング装置を構成する。図１の例では、矩形のメンブレン領域３０の４辺のうち、２辺に沿って各パッド２９が配列しているが、これに限るものではない。４辺に沿って配置されてもよい。
【００１５】
ここで、電極２４，２６と、パッド２９と、配線２３，２７は、いずれも金属材料を用いている。また、電極２４，２６と、パッド２９と、配線２３，２７と、通過孔２５以外のブランキングアパーチャアレイ装置２０４の上面は、金属膜３２０（第１の金属膜）で覆われている。よって、実施の形態１におけるブランキングアパーチャアレイ装置２０４は、基板面上方から見て、複数の通過孔２５（開口部）全体を含む領域が、複数の電極２４，２６と複数のパッド２９と配線２３，２７（第２の金属膜）と、金属膜３２０（第１の金属膜）とによって絶縁膜が露出しないように形成される。図１の例では、ブランキングアパーチャアレイ装置２０４上面全面が金属膜で覆われている例を示したが、これに限るものではない。メンブレン領域３０とその周囲の複数のパッド２９とを取り囲む領域が金属膜で覆われていればよい。以上のように、基板面上方から見て、絶縁物が露出していないので、描画装置に搭載された状態でのビーム照射時のブランキングアパーチャアレイ装置２０４の帯電（チャージアップ）を抑制できる。
【００１６】
図２は、実施の形態１におけるブランキングアパーチャアレイ装置のメンブレン領域上の一部の領域の構成を示す上面図である。図２では、例えば、左側から１列目の複数の通過孔２５のうちの１つと、当該通過孔２５の近傍に配置された電極２４，２６、配線２３，２７、及びパッド２９とを示している。電極２６は、電極２４と対向する通過孔２５の１辺に沿って延びると共に、延びる方向に直交する方向の通過孔２５の２辺に沿って、かかる２辺の途中まで突き出す凸部（２６ａ，２６ｂ）が形成されている。電極２６は、配線２３によって対応するパッド２９に接続される。電極２４は、配線２７によって図示しない対応するパッド２９に接続される。
【００１７】
図３は、実施の形態１におけるブランキング制御を説明するためのアパーチャアレイ装置の一部の領域の構成を示す断面図である。図３では、図２のＢ−Ｂ断面を示している。アパーチャアレイ装置２０４が図示しないマルチビーム描画装置に搭載され、描画処理を行う場合に、アパーチャアレイ装置２０４の上流側で形成されたマルチビームの各ビームがアパーチャアレイ装置２０４の複数の通過孔２５のうちの対応する通過孔２５を通過する。言い換えれば、各ビームが他とは異なるいずれかの通過孔２５を通過する。通過孔２５は、かかるマルチビームの対応ビームが通過する位置に形成されている。また、アパーチャアレイ装置２０４の下流側には、例えば中央部に単一の開口部が形成された制限アパーチャ部材２０６が配置される。
【００１８】
そして、例えば、電極２６には、常時（描画処理中かどうかにかかわらず）、図示しない配線２７で接続された図示しないパッド２９を介してグランド電位が印加される。一方、ビームＯＮ時において、電極２４には、配線２７で接続された図示しないパッド２９を介してグランド電位が印加される。他方、ビームＯＦＦ時において、電極２４には、配線２７で接続された図示しないパッド２９を介して図示しないパッド２９を介して、対応する通過孔２５を通過する電子ビームをブランキング偏向するための正の偏向電位が印加される。ビームＯＮ時には、電極２４，２６間に電位差が生じないため、ビームは偏向されずに通過し、制限アパーチャ２０６の開口部を通過する。ビームＯＦＦ時においては、電極２４の正の偏向電位と、電極２６のグランド電位との間の電位差によって、通過するビーム２０が偏向されて制限アパーチャ部材２０６の開口部から位置が外れて制限アパーチャ部材２０６によって遮蔽される。かかる動作をマルチビームの各ビームについてそれぞれ対応する個別ブランキング装置が実施することになる。
【００１９】
ここで、図３に示すように、基板３００上には、下層側から絶縁膜３１０（第１の絶縁膜）と金属膜３２０（第１の金属膜）とが順に積層されている。そして、金属膜３２０上に絶縁膜３３０（第２の絶縁膜）と金属膜３４０（第２の金属膜）と電極２６とが積層されている。そして、絶縁膜３３０と金属膜３４０と電極２６とにおける通過孔２５側端面の位置が一致するように形成される。同様に、絶縁膜３３０と金属膜３４０と電極２６とにおける通過孔２５とは反対側端面の位置が一致するように形成される。さらに、絶縁膜３３０と金属膜３４０と電極２４とにおける通過孔２５側端面の位置が一致するように形成される。また、電極２４における通過孔２５とは反対側には、金属膜３４０によって配線２７が形成されている。
【００２０】
図４は、実施の形態１におけるブランキング制御を説明するためのブランキングアパーチャアレイ装置の一部の領域の構成を示す他の断面図である。図４では、図２のＡ−Ａ断面を示している。図４に示すように、基板３００上には、下層側から絶縁膜３１０（第１の絶縁膜）と金属膜３２０（第１の金属膜）とが順に積層されている。そして、金属膜３２０上に絶縁膜３３０（第２の絶縁膜）と金属膜３４０（第２の金属膜）と電極２６（２６ａ，２６ｂ）とが積層されている。そして、絶縁膜３３０と金属膜３４０と電極２６ｂとにおける通過孔２５側端面の位置が一致するように形成される。同様に、絶縁膜３３０と金属膜３４０と電極２６ｂとにおける通過孔２５とは反対側端面の位置が一致するように形成される。さらに、絶縁膜３３０と金属膜３４０と電極２６ａとにおける通過孔２５側端面の位置が一致するように形成される。また、電極２６ａにおける通過孔２５とは反対側には、金属膜３４０によって配線２３が形成されている。
【００２１】
図３及び図４に示すように、基板面上方から見て、全面が、複数の電極２４及び２６とパッド２９と配線である金属膜２３及び２７と、前記以外の表面を覆う金属膜３２０とによる金属膜に覆われている。すなわち、Ｓｉ材の基板３００、及び絶縁膜３１０，３３０が、基板面上方から見て、露出している箇所が存在しない。かかる構成により、帯電を抑制できる。以下、図４に示したＡＡ断面を例にして、実施の形態１におけるブランキングアパーチャアレイ装置の製造方法を説明する。
【００２２】
図５は、実施の形態１におけるブランキングアパーチャアレイ装置の製造方法の工程断面図である。図５では、開口部形成工程から絶縁膜エッチング工程（１）までを示す。以降の工程は後述する。
【００２３】
図５（ａ）において、開口部形成工程として、基板３００に通過孔２５（開口部）を形成する。ここでは、１つの通過孔２５を示しているが、基板３００には、複数の通過孔２５が形成されることは言うまでもない。基板３００は、上述したように、Ｓｉ基板を用いるとよい。また、上述したように、基板３００の中央部は、裏面側から薄く削られ、薄い膜厚ｈのメンブレン領域３０に加工されている。複数の通過孔２５は、マルチビームのうちのそれぞれ対応電子ビームが通過する縦（ｙ方向）ｍ列×横（ｘ方向）ｎ列（ｍ，ｎ≧２）の２次元の位置に形成される。形成方法は、図示しないリソグラフィ技術を用いて、通過孔２５の領域が開口したレジストパターンをＳｉ基板３００上に形成する。そして、レジストパターンをマスクとして、例えば、プラズマを用いたＲＩＥ（反応性イオンエッチング）法にて貫通孔を形成すればよい。
【００２４】
図５（ｂ）において、開口部充填工程として、通過孔２５に充填材料膜３０１を充填して通過孔２５を埋め込む。充填材料膜３０１として、例えば、有機樹脂膜を用いると好適である。形成方法は、スピンオン法により形成すればよい。通過孔２５からはみ出た基板３００上の余分な充填材料膜３０１は除去する。
【００２５】
図５（ｃ）において、絶縁膜形成工程（１）として、充填材料膜３０１によって通過孔２５が埋め込まれた基板３００上に絶縁膜３１０（第１の絶縁膜）を形成する。例えば、プラズマＣＶＤ（化学気相成長）法により、膜厚０．５μｍのシリコン酸化膜（ＳｉＯ２膜）を形成する。成膜レートは例えば、８０μｍ／分で形成する。形成方法は、ＣＶＤ法に限るものではなく、その他の方法であってもよい。例えば、スパッタ法を用いても良い。
【００２６】
図５（ｄ）において、絶縁膜エッチング工程（１）として、通過孔２５上に形成された絶縁膜３１０をエッチングにより除去する。図示しないリソグラフィ技術を用いて、通過孔２５の領域が開口したレジストパターンを形成する。そして、レジストパターンをマスクとして、プラズマを用いたＲＩＥ法にて露出した絶縁膜３１０をエッチング除去すればよい。ＲＩＥ法によるドライエッチング法の代わりに、フッ化水素酸水溶液によるウエットエッチング法を用いても良い。エッチング後は、レジストパターンをアッシング等により除去する。
【００２７】
図６は、実施の形態１におけるブランキングアパーチャアレイ装置の製造方法の工程断面図である。図６では、金属膜形成工程から絶縁膜エッチング工程までを示す。以降の工程は後述する。
【００２８】
図６（ａ）において、金属膜形成工程（１）として、絶縁膜３１０上及び通過孔２５の充填材料膜３０１上に、金属膜３２０（第１の金属膜）を形成する。金属膜３２０として、例えば、チタン（Ｔｉ）膜を膜厚０．０２μｍ形成し、その後、金（Ａｕ）膜を膜厚０．０７μｍ形成する。金属膜３２０の形成には蒸着法を用い、その成膜レートはそれぞれ、Ｔｉ膜について４０ｎｍ／分、Ａｕ膜について３０ｎｍ／分で形成する。形成方法は、蒸着法に限るものではなく、その他の方法であってもよい。例えば、スパッタ法を用いても良い。なお、金属膜３２０として、Ｔｉ膜とＡｕ膜との積層膜を示したが、これに限るものではない。例えば、Ａｕ膜の単層膜であってもよい。或いは、白金（Ｐｔ）膜の単層膜であってもよい。また、積層膜にする場合、Ｔｉ膜の代わりに、クロム（Ｃｒ）膜等の金属を用いてもよい。
【００２９】
図６（ｂ）において、金属膜エッチング工程（１）として、通過孔２５上に形成された金属膜３２０をエッチングにより除去する。図示しないリソグラフィ技術を用いて、通過孔２５の領域が開口したレジストパターンを形成する。そして、レジストパターンをマスクとして、ウエットエッチング法にて露出した金属膜３２０をエッチング除去すればよい。例えば、Ｔｉ膜のエッチングにはフッ化水素酸水溶液を用いることができる。エッチングレートは例えば４００ｎｍ／分である。Ａｕ膜のエッチングには塩酸と硝酸を混合した水溶液を用いることができる。エッチングレートは例えば８５ｎｍ／分である。エッチング後は、レジストパターンをアッシング等により除去する。
【００３０】
図６（ｃ）において、絶縁膜形成工程（２）として、金属膜３２０上及び通過孔２５の充填材料膜３０１上に、絶縁膜３３０（第２の絶縁膜）を形成する。例えば、プラズマＣＶＤ（化学気相成長）法により、膜厚０．５μｍのシリコン酸化膜（ＳｉＯ２膜）を形成する。成膜レートは例えば、８０μｍ／分で形成する。形成方法は、ＣＶＤ法に限るものではなく、その他の方法であってもよい。例えば、スパッタ法を用いても良い。
【００３１】
図６（ｄ）において、絶縁膜エッチング工程（２）として、通過孔２５上に形成された絶縁膜３３０をエッチングにより除去する。図示しないリソグラフィ技術を用いて、通過孔２５の領域が開口したレジストパターンを形成する。そして、レジストパターンをマスクとして、プラズマを用いたＲＩＥ法にて露出した絶縁膜３３０をエッチング除去すればよい。ＲＩＥ法によるドライエッチング法の代わりに、フッ化水素酸水溶液によるウエットエッチング法を用いても良い。エッチング後は、レジストパターンをアッシング等により除去する。
【００３２】
図７は、実施の形態１におけるブランキングアパーチャアレイ装置の製造方法の工程断面図である。図７では、金属膜形成工程（２）から絶縁膜エッチング工程（３）までを示す。
【００３３】
図７（ａ）において、金属膜形成工程（２）として、絶縁膜３３０上及び通過孔２５の充填材料膜３０１上に、金属膜３４０（第２の金属膜）を形成する。金属膜３４０として、例えば、金（Ａｕ）膜を膜厚０．０７μｍ形成する。金属膜３４０の形成には蒸着法を用い、その成膜レートは３０ｎｍ／分で形成する。形成方法は、蒸着法に限るものではなく、その他の方法であってもよい。例えば、スパッタ法を用いても良い。なお、金属膜３４０として、Ａｕ膜を用いたが、その他、白金（Ｐｔ）膜であってもよい。以上のようにして、下層側から絶縁膜３１０（第１の絶縁膜）と金属膜３２０（第１の金属膜）と絶縁膜３３０（第２の絶縁膜）と金属膜３４０（第２の金属膜）とが表面に順に積層された基板３００が形成される。金属膜３４０は、上述した配線２３，２７として機能すると共に、後述する電解めっき法におけるシード層として機能する。
【００３４】
図７（ｂ）において、金属膜形成工程（３）として、図７（ａ）に示す基板３００を用いて、金属膜３４０（第２の金属膜）上に電極２６（２６ａ，２６ｂ）とパッド２９となる金属膜（第３の金属膜）を形成する。ここでは、１つの電極２６のそれぞれ一部分２６ａ，２６ｂと１つのパッド２９を示しているが、基板３００には、複数の電極２４，２６と複数のパッド２９が形成されることは言うまでもない。図示しないリソグラフィ技術を用いて、電極２４，２６とパッド２９の形成領域を開口したレジストパターンを形成する。そして、レジストパターンをマスクとして、また、金属膜３４０をシード層として用いて電解めっき法により複数の電極２４，２６と複数のパッド２９とを形成する。複数の電極２４，２６と複数のパッド２９として、例えば、膜厚１０μｍのＡｕ膜を形成する。なお、複数の電極２４，２６と複数のパッド２９として、Ａｕ膜を用いたが、その他、白金（Ｐｔ）膜であってもよい。或いは、電極となりうる金属であれば、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）等の他の金属であってもよい。成膜レートは、例えば６０ｎｍ／分である。
【００３５】
図７（ｃ）において、金属膜エッチング工程（２）として、金属膜３４０（第２の金属膜）の一部をエッチングにより除去する。金属膜３４０（第２の金属膜）の一部をエッチングにより除去する際、それぞれ複数の電極２６（２４）の１つと複数のパッド２９の１つとを繋ぐ複数の領域に金属膜３４０の一部がそれぞれ残存するように金属膜３４０をエッチングする。言い換えれば、配線２３，２７を形成する配線領域、および複数の電極２４，２６と複数のパッド２９との下層の領域以外の金属膜３４０（金属膜３４０の一部）をエッチングにより除去する。図示しないリソグラフィ技術を用いて、配線２３，２７を形成する配線領域、および複数の電極２４，２６と複数のパッド２９との領域以外の領域が開口したレジストパターン３５０を形成する。そして、レジストパターン３５０をマスクとして、ウエットエッチング法にて露出した金属膜３４０をエッチング除去すればよい。例えば、Ａｕ膜のエッチングには塩酸と硝酸を混合した水溶液を用いることができる。エッチングレートは例えば８５ｎｍ／分である。なお、金属膜３４０のエッチングにおいては、エッチングできる溶液であれば他の溶液でも構わない。例えば、ヨウ素水溶液等を用いることができる。或いは、ドライエッチング法でもよい。エッチング後は、レジストパターンをアッシング等により除去する。或いは残しても構わない。
【００３６】
図７（ｄ）において、絶縁膜エッチング工程（３）として、複数の電極２４，２６と複数のパッド２９と金属膜３４０の残部とをマスクとして、絶縁膜３３０をエッチングにより除去する。プラズマを用いたＲＩＥ法にて露出した絶縁膜３３０をエッチング除去すればよい。ＲＩＥ法によるドライエッチング法の代わりに、フッ化水素酸水溶液によるウエットエッチング法を用いても良い。ここでは、複数の電極２４，２６と複数のパッド２９と金属膜３４０の残部とをマスクとするので、基板面上方から見て、エッチング後に、絶縁膜３３０が表面に露出することを防止できる。レジストパターンを形成する場合に生じ得る位置ずれ等による絶縁膜３３０のエッチング残しを防止できる。さらに、実施の形態１では、絶縁膜３３０をエッチングにより除去する際、金属膜３２０をエッチングストッパとして用いる。これにより、エッチングの進行不足による絶縁膜３３０のエッチング残りを防止できる。
【００３７】
次に、充填材料膜エッチング工程として、それぞれが複数の電極２４，２６のうち対となる電極同士間の位置で基板３００を貫通する複数の通過孔２５（開口部）を形成する。具体的には、複数の通過孔２５に充填されていた充填材料膜３０１をエッチングにより除去する。例えば、プラズマを用いたＲＩＥ法を用いればよい。例えばエッチングレートは５００ｎｍ／分である。以上により、図４に示した断面構造を得ることができる。充填材料膜３０１を通過孔２５に埋め込んだ状態で上述した絶縁膜や金属膜の形成及びエッチングを行うことで、通過孔２５の側壁に、これら絶縁膜や金属膜が付着することを防止できる。
【００３８】
かかる製造方法により製造されたブランキングアパーチャアレイ装置２０４は、基板面上方から見て、複数の通過孔２５の形成後における複数の通過孔２５全体を含む領域が、複数の電極２４，２６と複数のパッド２９と金属膜３２０，３４０とによって絶縁膜および基板３００が露出しないように形成される。言い換えれば、マルチビームが通過する表面において、金属膜のみが露出するように構成できる。よって、マルチビーム描画装置（マルチビーム露光装置）に搭載された場合でも、ビーム照射中に発生するチャージアップの発生を抑えることが可能である。また、上述したように、従来技術に比べてより簡易なプロセスによってブランキングアパーチャアレイ装置２０４表面のチャージプップを抑制可能にできる。
【００３９】
以上、具体例を参照しつつ実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。
【００４０】
また、装置構成や制御手法等、本発明の説明に直接必要しない部分等については記載を省略したが、必要とされる装置構成や制御手法を適宜選択して用いることができる。例えば、描画装置については、記載を省略したが、必要とされる構成を適宜選択して用いることは言うまでもない。
【００４１】
その他、本発明の要素を具備し、当業者が適宜設計変更しうる全てのマルチビームのブランキングアパーチャアレイ装置及びその製造方法は、本発明の範囲に包含される。
【符号の説明】
【００４２】
２０  ビーム
２３，２７  配線
２４，２６  電極
２５  通過孔
２９  パッド
３０  メンブレン領域
３２  外周領域
３００  基板
３１０，３３０  絶縁膜
３２０，３４０  金属膜
３５０  レジストパターン
【要約】
【目的】マルチビーム照射による表面の帯電を抑制することが可能なブランキングアパーチャアレイ装置をより簡易なプロセスによって製造する方法を提供する。
【構成】本発明の一態様のマルチビームのブランキングアパーチャアレイ装置の製造方法は、下層側から絶縁膜３１０と金属膜３２０と絶縁膜３３０と金属膜３４０とが表面に順に積層された基板３００を用いて、金属膜３４０上に複数の電極２４，２６と複数のパッド２９とを形成する工程と、金属膜３４０の一部をエッチングにより除去する工程と、複数の電極と複数のパッドと金属膜３４０の残部とをマスクとして、絶縁膜３３０をエッチングにより除去する工程と、それぞれが複数の電極のうち対となる電極同士間の位置で基板を貫通する複数の通過孔２５を形成する工程と、を備えたことを特徴とする。
【選択図】図７【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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