(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素を有し、
前記画素は、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、第３のトランジスタと、液晶素子と、を有し、
前記第１のトランジスタのチャネル形成領域は、非晶質半導体または微結晶半導体を含み、
前記第２のトランジスタのチャネル形成領域は、非晶質半導体または微結晶半導体を含み、
前記第３のトランジスタのチャネル形成領域は、非晶質半導体または微結晶半導体を含む液晶表示装置の駆動方法であって、
第１の走査線から第ｎの走査線（ｎは、３以上の自然数）に対して順次選択信号を入力することで、第１行目の画素乃至第ｎ行目の画素に対応する前記第１のトランジスタをオン状態とし、前記第１のトランジスタを介して前記液晶素子に画像信号を入力し、
且つ、
第（ｎ＋１）の走査線から第２ｎの走査線に対して順次選択信号を入力することで、第（ｎ＋１）行目の画素乃至第２ｎ行目の画素に対応する前記第２のトランジスタをオン状態とし、前記第２のトランジスタを介して前記液晶素子に画像信号を入力し、
且つ、
第（２ｎ＋１）の走査線から第３ｎの走査線に対して順次選択信号を入力することで、第（２ｎ＋１）行目の画素乃至第３ｎ行目の画素に対応する前記第３のトランジスタをオン状態とし、前記第３のトランジスタを介して前記液晶素子に画像信号を入力する期間において、
第ｋの走査線（ｋは、２以上ｎ未満の自然数）と、第（ｎ＋ｋ）の走査線と、第（２ｎ＋ｋ）の走査線に対する選択信号の入力が終了した後に、第１行目の画素乃至第ｋ行目の画素に対応する光源と、第（ｎ＋１）行目の画素乃至第（ｎ＋ｋ）行目の画素に対応する光源と、第（２ｎ＋１）行目の画素乃至第（２ｎ＋ｋ）行目の画素に対応する光源とを発光させることを特徴とする液晶表示装置の駆動方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置及びその駆動方法に関する。特に、フィールドシーケンシャル方式によって表示を行う液晶表示装置及びその駆動方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置の表示方法として、カラーフィルター方式及びフィールドシーケンシャル方式が知られている。前者によって表示を行う液晶表示装置では、各画素に、特定色を呈する波長の光のみを透過するカラーフィルター（例えば、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青））を有する複数の副画素が設けられる。そして、副画素毎に白色光の透過を制御し、且つ画素毎に複数の色を混色することで所望の色を形成している。一方、後者によって表示を行う液晶表示装置では、それぞれが異なる色を呈する光を発光する複数の光源（例えば、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青））が設けられる。そして、当該複数の光源が順次発光し、且つ画素毎にそれぞれの色を呈する光の透過を制御することで所望の色を形成している。すなわち、前者は、特定色を呈する光毎に一画素の面積を分割することで所望の色を形成する方式であり、後者は、特定色を呈する光毎に表示期間を時間分割することで所望の色を形成する方式である。
【０００３】
フィールドシーケンシャル方式によって表示を行う液晶表示装置は、カラーフィルター方式によって表示を行う液晶表示装置と比較し、以下の利点を有する。まず、フィールドシーケンシャル方式によって表示を行う液晶表示装置では、各画素に副画素を設ける必要がない。そのため、開口率を向上させること又は画素数を増加させることが可能である。加えて、フィールドシーケンシャル方式によって表示を行う液晶表示装置では、カラーフィルターを設ける必要がない。つまり、カラーフィルターにおける光吸収による光の損失がない。そのため、透過率を向上させること及び消費電力を低減することが可能である。
【０００４】
特許文献１では、フィールドシーケンシャル方式によって表示を行う液晶表示装置が開示されている。具体的には、各画素に、画像信号の入力を制御するトランジスタと、該画像信号を保持する信号保持容量と、該信号保持容量から表示画素容量への電荷の移動を制御するトランジスタとが設けられた液晶表示装置が開示されている。当該構成を有する液晶表示装置は、信号保持容量に対する画像信号の書き込みと、表示画素容量が保持する電荷に応じた表示とを並行して行うことが可能である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００９−４２４０５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
フィールドシーケンシャル方式によって表示を行う液晶表示装置は、各画素に対する画像信号の入力頻度を増加させる必要がある。例えば、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３色を呈する光を発光する光源を備えたフィールドシーケンシャル方式によって表示を行う液晶表示装置は、カラーフィルター方式によって表示を行う液晶表示装置と比較し、各画素に対する画像信号の入力頻度を少なくとも３倍にする必要がある。具体的に述べると、フレーム周波数が６０Ｈｚである場合、カラーフィルター方式によって表示を行う液晶表示装置では各画素に対する画像信号の入力を１秒間に６０回行う必要があるのに対し、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３色を呈する光を発光する光源を備えたフィールドシーケンシャル方式によって表示を行う液晶表示装置では各画素に対する画像信号の入力を１秒間に１８０回行う必要がある。
【０００７】
ただし、画像信号の入力頻度の増加に付随して、各画素に設けられる素子の高速応答性が要求される。具体的には、各画素に設けられるトランジスタの移動度の向上などが要求される。しかしながら、トランジスタなどの特性を向上させることは容易ではない。
【０００８】
そこで、本発明の一態様は、設計の観点から画像信号の入力頻度の増加を図ることを課題の一とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上述した課題は、液晶表示装置の画素部において、マトリクス状に配設された画素のうち、複数行に配設された画素に対して同時に画像信号を供給することによって解決することができる。
【００１０】
すなわち、本発明の一態様は、第１の信号線及び第２の信号線と、第１の走査線、第２の走査線、第３の走査線、及び第４の走査線と、第１の画素及び第２の画素と、第１の走査線及び第３の走査線に選択信号を供給する機能を有する第１のシフトレジスタ、並びに第２の走査線及び第４の走査線に選択信号を供給する機能を有する第２のシフトレジスタと、を有し、第１の画素は、ゲートが第１の走査線に電気的に接続され、ソース及びドレインの一方が第１の信号線に電気的に接続された第１のトランジスタと、ゲートが第２の走査線に電気的に接続され、ソース及びドレインの一方が第２の信号線に電気的に接続された第２のトランジスタと、一方の電極が第１のトランジスタのソース及びドレインの他方並びに第２のトランジスタのソース及びドレインの他方に電気的に接続された第１の液晶素子と、を有し、第２の画素は、ゲートが第３の走査線に電気的に接続され、ソース及びドレインの一方が第１の信号線に電気的に接続された第３のトランジスタと、ゲートが第４の走査線に電気的に接続され、ソース及びドレインの一方が第２の信号線に電気的に接続された第４のトランジスタと、一方の電極が第３のトランジスタのソース及びドレインの他方並びに第４のトランジスタのソース及びドレインの他方に電気的に接続された第２の液晶素子と、を有し、第１のトランジスタ乃至第４のトランジスタのチャネル形成領域に非晶質半導体又は微結晶半導体が含まれる液晶表示装置である。さらに、第１の信号線には、第１のサンプリング期間に含まれる水平走査期間において第１の画像信号が供給され、第２のサンプリング期間に含まれる水平走査期間において第２の画像信号が供給されている。また、第２の信号線には、第１のサンプリング期間に含まれる水平走査期間において第３の画像信号が供給され、第２のサンプリング期間に含まれる水平走査期間において第４の画像信号が供給されている。さらに、第１のサンプリング期間に含まれる水平走査期間において、第１の走査線及び第４の走査線に選択信号が供給され、第２の走査線及び第３の走査線に非選択信号が供給されている。また、第２のサンプリング期間に含まれる水平走査期間において、第２の走査線及び第３の走査線に選択信号が供給され、第１の走査線及び第４の走査線に非選択信号が供給されている。
【００１１】
また、本発明の一態様は、第１の信号線、第２の信号線、及び第３の信号線と、第１の走査線、第２の走査線、第３の走査線、第４の走査線、第５の走査線、第６の走査線、第７の走査線、第８の走査線、及び第９の走査線と、第１の画素、第２の画素、及び第３の画素と、第１の走査線、第４の走査線、及び第７の走査線に選択信号を供給する機能を有する第１のシフトレジスタ、第２の走査線、第５の走査線、及び第８の走査線に選択信号を供給する機能を有する第２のシフトレジスタ、並びに、第３の走査線、第６の走査線、及び第９の走査線に選択信号を供給する機能を有する第３のシフトレジスタと、を有し、第１の画素は、ゲートが第１の走査線に電気的に接続され、ソース及びドレインの一方が第１の信号線に電気的に接続された第１のトランジスタと、ゲートが第２の走査線に電気的に接続され、ソース及びドレインの一方が第２の信号線に電気的に接続された第２のトランジスタと、ゲートが第３の走査線に電気的に接続され、ソース及びドレインの一方が第３の信号線に電気的に接続された第３のトランジスタと、一方の電極が第１のトランジスタのソース及びドレインの他方、第２のトランジスタのソース及びドレインの他方、並びに第３のトランジスタのソース及びドレインの他方に電気的に接続された第１の液晶素子と、を有し、第２の画素は、ゲートが第４の走査線に電気的に接続され、ソース及びドレインの一方が第１の信号線に電気的に接続された第４のトランジスタと、ゲートが第５の走査線に電気的に接続され、ソース及びドレインの一方が第２の信号線に電気的に接続された第５のトランジスタと、ゲートが第６の走査線に電気的に接続され、ソース及びドレインの一方が第３の信号線に電気的に接続された第６のトランジスタと、一方の電極が第４のトランジスタのソース及びドレインの他方、第５のトランジスタのソース及びドレインの他方、並びに第６のトランジスタのソース及びドレインの他方に電気的に接続された第２の液晶素子と、を有し、第３の画素は、ゲートが第７の走査線に電気的に接続され、ソース及びドレインの一方が第１の信号線に電気的に接続された第７のトランジスタと、ゲートが第８の走査線に電気的に接続され、ソース及びドレインの一方が第２の信号線に電気的に接続された第８のトランジスタと、ゲートが第９の走査線に電気的に接続され、ソース及びドレインの一方が第３の信号線に電気的に接続された第９のトランジスタと、一方の電極が第７のトランジスタのソース及びドレインの他方、第８のトランジスタのソース及びドレインの他方、並びに第９のトランジスタのソース及びドレインの他方に電気的に接続された第３の液晶素子と、を有し、第１のトランジスタ乃至第９のトランジスタのチャネル形成領域に非晶質半導体又は微結晶半導体が含まれる液晶表示装置である。さらに、第１の信号線には、第１のサンプリング期間に含まれる水平走査期間において第１の画像信号が供給され、第２のサンプリング期間に含まれる水平走査期間において第２の画像信号が供給され、第３のサンプリング期間に含まれる水平走査期間において第３の画像信号が供給されている。また、第２の信号線には、第１のサンプリング期間に含まれる水平走査期間において第４の画像信号が供給され、第２のサンプリング期間に含まれる水平走査期間において第５の画像信号が供給され、第３のサンプリング期間に含まれる水平走査期間において第６の画像信号が供給されている。また、第３の信号線には、第１のサンプリング期間に含まれる水平走査期間において第７の画像信号が供給され、第２のサンプリング期間に含まれる水平走査期間において第８の画像信号が供給され、第３のサンプリング期間に含まれる水平走査期間において第９の画像信号が供給されている。さらに、第１のサンプリング期間に含まれる水平走査期間において、第１の走査線、第５の走査線、及び第９の走査線に選択信号が供給され、第２の走査線、第３の走査線、第４の走査線、第６の走査線、第７の走査線、及び第８の走査線に非選択信号が供給されている。また、第２のサンプリング期間に含まれる水平走査期間において、第３の走査線、第４の走査線、及び第８の走査線に選択信号が供給され、第１の走査線、第２の走査線、第５の走査線、第６の走査線、第７の走査線、及び第９の走査線に非選択信号が供給されている。また、第３のサンプリング期間に含まれる水平走査期間において、第２の走査線、第６の走査線、及び第７の走査線に選択信号が供給され、第１の走査線、第３の走査線、第４の走査線、第５の走査線、第８の走査線、及び第９の走査線に非選択信号が供給されている。
【００１２】
また、本発明の一態様は、第１の信号線及び第２の信号線と、第１の走査線及び第２の走査線と、第１の画素及び第２の画素と、第１の走査線に選択信号を供給する機能を有する第１のシフトレジスタ、及び第２の走査線に選択信号を供給する機能を有する第２のシフトレジスタと、を有し、第１の画素は、ゲートが第１の走査線に電気的に接続され、ソース及びドレインの一方が第１の信号線に電気的に接続された第１のトランジスタと、一方の電極が第１のトランジスタのソース及びドレインの他方に電気的に接続された第１の液晶素子と、を有し、第２の画素は、ゲートが第２の走査線に電気的に接続され、ソース及びドレインの一方が第２の信号線に電気的に接続された第２のトランジスタと、一方の電極が第２のトランジスタのソース及びドレインの他方に電気的に接続された第２の液晶素子と、を有し、第１のトランジスタ及び第２のトランジスタのチャネル形成領域に非晶質半導体又は微結晶半導体が含まれる液晶表示装置である。さらに、第１の信号線には、第１のサンプリング期間に含まれる水平走査期間において第１の画像信号が供給され、第２のサンプリング期間に含まれる水平走査期間において第２の画像信号が供給されている。また、第２の信号線には、第１のサンプリング期間に含まれる水平走査期間において第３の画像信号が供給され、第２のサンプリング期間に含まれる水平走査期間において第４の画像信号が供給されている。さらに、第１のサンプリング期間に含まれる水平走査期間において、第１の走査線及び第２の走査線に選択信号が供給されている。また、第２のサンプリング期間に含まれる水平走査期間において、第１の走査線及び第２の走査線に選択信号が供給されている。
【００１３】
また、本発明の一態様に係る液晶表示装置では、シリコンまたはゲルマニウムなどの非晶質半導体または微結晶半導体をチャネル形成領域に含むトランジスタを用いる。非晶質半導体または微結晶半導体を用いたトランジスタを画素部に有する液晶表示装置は、第５世代（横１１００ｍｍ×縦１３００ｍｍ）以上のガラス基板に対応できるため、生産性が高く、コストが低いという利点を有する。
【００１４】
具体的に、本発明の一態様に係る液晶表示装置は、非晶質半導体または微結晶半導体をチャネル形成領域に含むトランジスタを画素部に用い、駆動回路は単結晶半導体をチャネル形成領域に含むトランジスタを用いることができる。
【００１５】
なお、微結晶半導体とは、非晶質と結晶構造（単結晶、多結晶を含む）の中間的な構造の半導体である。微結晶半導体は、自由エネルギー的に安定な第３の状態を有する半導体であって、短距離秩序を持ち格子歪みを有する結晶質な半導体であり、結晶粒径が２ｎｍ以上２００ｎｍ以下、好ましくは１０ｎｍ以上８０ｎｍ以下、より好ましくは、２０ｎｍ以上５０ｎｍ以下の柱状結晶または針状結晶が基板表面に対して法線方向に成長している。このため、柱状結晶または針状結晶の界面には、結晶粒界が形成される場合もある。
【００１６】
微結晶半導体をチャネル形成領域に含むトランジスタは、非晶質半導体をチャネル形成領域に含むトランジスタに比べて移動度が高く、液晶表示装置の画素部とその周辺の駆動回路の一部を同一基板上に一体形成できるという利点を有している。
【００１７】
したがって、本発明の一態様に係る液晶表示装置は、微結晶半導体をチャネル形成領域に含むトランジスタを用いて、画素部と共に駆動回路の一部を、一の基板に形成することもできる。
【００１８】
駆動回路の一部を画素部と同じ基板上に形成することで、外部に設ける駆動回路等の部品の数が減るので、液晶表示装置の小型化のみならず、組立工程や検査工程の削減によるコストダウンを図ることができる。また、駆動回路と画素部の間を接続する端子数を減らすことができるので、駆動回路と画素部の接続不良に起因する歩留まり低下を防ぎ、接続箇所における機械的強度の低さにより信頼性が低下するのを防ぐことができる。
【発明の効果】
【００１９】
本発明の一態様の液晶表示装置は、マトリクス状に配設された画素のうち、複数行に配設された画素に対して同時に画像信号を供給することが可能である。これにより、当該液晶表示装置が有するトランジスタなどの応答速度を変化させることなく、各画素に対する画像信号の入力頻度を増加させることが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】（Ａ）液晶表示装置の構成例を示す図、（Ｂ）画素の構成例を示す図。
【図２】走査線駆動回路の構成例を示す図。
【図３】シフトレジスタの出力信号を示す図。
【図４】（Ａ）信号線駆動回路の構成例を示す図、（Ｂ）バックライトの構成例を示す図。
【図５】液晶表示装置の動作例を説明する図。
【図６】（Ａ）液晶表示装置の構成例を示す図、（Ｂ）〜（Ｄ）画素の構成例を示す図。
【図７】（Ａ）走査線駆動回路の構成例を示す図、（Ｂ）シフトレジスタの出力信号を示す図。
【図８】信号線駆動回路の構成例を示す図。
【図９】画素の具体例を示す断面図。
【図１０】（Ａ）〜（Ｃ）端子間の接続の具体例を示す図。
【図１１】（Ａ）、（Ｂ）液晶表示装置の具体例を示す斜視図。
【図１２】液晶表示装置の具体例を示す（Ａ）上面図、及び（Ｂ）断面図。
【図１３】液晶表示装置の具体例を示す斜視図。
【図１４】（Ａ）、（Ｂ）タッチパネルの具体例を示す図。
【図１５】（Ａ）、（Ｂ）タッチパネルの具体例を示す図。
【図１６】（Ａ）フォトセンサを有する画素部の具体例を示す図、（Ｂ）フォトセンサの具体例を示す図。
【図１７】（Ａ）、（Ｂ）トランジスタの具体例を示す断面図、（Ｃ）、（Ｄ）半導体層の具体例を示す断面図。
【図１８】（Ａ）〜（Ｃ）トランジスタの具体例を示す上面図。
【図１９】（Ａ）、（Ｂ）トランジスタの具体例を示す断面図。
【図２０】（Ａ）〜（Ｃ）トランジスタの作製工程の具体例を示す断面図。
【図２１】（Ａ）〜（Ｄ）トランジスタの作製工程の具体例を示す断面図。
【図２２】（Ａ）〜（Ｆ）電子機器の一例を示す図。
【図２３】（Ａ）〜（Ｃ）液晶表示装置の具体例を示す斜視図。
【図２４】液晶表示装置の具体例を示す（Ａ）上面図、及び（Ｂ）断面図。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下では、本発明の実施の形態について図面を用いて詳細に説明する。ただし、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨およびその範囲から逸脱することなくその形態および詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。したがって、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
【００２２】
（実施の形態１）
本実施の形態では、フィールドシーケンシャル方式によって表示を行う液晶表示装置の一例について図１〜図５を参照して説明する。
【００２３】
＜液晶表示装置の構成例＞
図１（Ａ）は、液晶表示装置の構成例を示す図である。図１（Ａ）に示す液晶表示装置は、画素部１０と、走査線駆動回路１１と、信号線駆動回路１２と、各々が平行又は略平行に配設され、且つ走査線駆動回路１１によって電位が制御される、３ｎ本（ｎは、２以上の自然数）の走査線１３１、３ｎ本の走査線１３２、及び３ｎ本の走査線１３３と、各々が平行又は略平行に配設され、且つ信号線駆動回路１２によって電位が制御される、ｍ本（ｍは、２以上の自然数）の信号線１４１、ｍ本の信号線１４２、及びｍ本の信号線１４３と、を有する。
【００２４】
さらに、画素部１０は、マトリクス状（３ｎ行ｍ列）に配設された複数の画素１５を有する。なお、各走査線１３１、１３２、１３３は、マトリクス状（３ｎ行ｍ列）に配設された複数の画素１５のうち、いずれかの行に配設されたｍ個の画素１５に電気的に接続される。また、各信号線１４１、１４２、１４３は、マトリクス状（３ｎ行ｍ列）に配設された複数の画素１５のうち、いずれかの列に配設された３ｎ個の画素１５に電気的に接続される。
【００２５】
なお、走査線駆動回路１１には、外部から走査線駆動回路用スタート信号（ＧＳＰ１〜ＧＳＰ３）、走査線駆動回路用クロック信号（ＧＣＫ）、及び高電源電位（ＶＤＤ）、低電源電位（ＶＳＳ）などの駆動用電源が入力される。また、信号線駆動回路１２には、外部から信号線駆動回路用スタート信号（ＳＳＰ）、信号線駆動回路用クロック信号（ＳＣＫ）、画像信号（ＤＡＴＡ１〜ＤＡＴＡ３）などの信号、及び高電源電位、低電源電位などの駆動用電源が入力される。
【００２６】
図１（Ｂ）は、画素１５の回路構成例を示す図である。図１（Ｂ）に示す画素１５は、ゲートが走査線１３１に電気的に接続され、ソース及びドレインの一方が信号線１４１に電気的に接続されたトランジスタ１５１と、ゲートが走査線１３２に電気的に接続され、ソース及びドレインの一方が信号線１４２に電気的に接続されたトランジスタ１５２と、ゲートが走査線１３３に電気的に接続され、ソース及びドレインの一方が信号線１４３に電気的に接続されたトランジスタ１５３と、一方の電極がトランジスタ１５１〜１５３のソース及びドレインの他方に電気的に接続され、他方の電極が容量電位を供給する配線に電気的に接続された容量素子１５４と、一方の電極がトランジスタ１５１〜１５３のソース及びドレインの他方並びに容量素子１５４の一方の電極に電気的に接続され、他方の電極が対向電位を供給する配線に電気的に接続された液晶素子１５５と、を有する。
【００２７】
＜走査線駆動回路１１の構成例＞
図２は、図１（Ａ）に示す液晶表示装置が有する走査線駆動回路１１の構成例を示す図である。図２に示す走査線駆動回路１１は、３ｎ個の出力端子を有する３つのシフトレジスタ１１１〜１１３を有する。なお、シフトレジスタ１１１が有する出力端子のそれぞれは、画素部１０に配設された３ｎ本の走査線１３１のいずれかに電気的に接続され、シフトレジスタ１１２が有する出力端子のそれぞれは、画素部１０に配設された３ｎ本の走査線１３２のいずれかに電気的に接続され、シフトレジスタ１１３が有する出力端子のそれぞれは、画素部１０に配設された３ｎ本の走査線１３３のいずれかに電気的に接続される。すなわち、シフトレジスタ１１１は、走査線１３１を駆動するシフトレジスタであり、シフトレジスタ１１２は、走査線１３２を駆動するシフトレジスタであり、シフトレジスタ１１３は、走査線１３３を駆動するシフトレジスタである。具体的には、シフトレジスタ１１１は、外部から入力される第１の走査線駆動回路用スタート信号（ＧＳＰ１）をきっかけとして、１行目に配設された走査線１３１を起点として順次選択信号をシフト（走査線１３１を走査線駆動回路用クロック信号（ＧＣＫ）１／２周期毎に順次選択）する機能を有し、シフトレジスタ１１２は、外部から入力される第２の走査線駆動回路用スタート信号（ＧＳＰ２）をきっかけとして、１行目に配設された走査線１３２を起点として順次選択信号をシフトする機能を有し、シフトレジスタ１１３は、外部から入力される第３の走査線駆動回路用スタート信号（ＧＳＰ３）をきっかけとして、１行目に配設された走査線１３３を起点として順次選択信号をシフトする機能を有する。
【００２８】
＜走査線駆動回路１１の動作例＞
上述した走査線駆動回路１１の動作例について図３を参照して説明する。なお、図３には、走査線駆動回路用クロック信号（ＧＣＫ）、シフトレジスタ１１１が有する３ｎ個の出力端子から出力される信号（ＳＲ１１１ｏｕｔ）、シフトレジスタ１１２が有する３ｎ個の出力端子から出力される信号（ＳＲ１１２ｏｕｔ）、及びシフトレジスタ１１３が有する３ｎ個の出力端子から出力される信号（ＳＲ１１３ｏｕｔ）を示している。ここで、サンプリング期間とは、全ての行（１行目乃至３ｎ行目）に配設された全ての画素に対して何らかの画像信号が入力されるのに要する期間である。
【００２９】
サンプリング期間（ｔ１）において、シフトレジスタ１１１では、１行目に配設された走査線１３１を起点としてｎ行目に配設された走査線１３１までハイレベルの電位が１／２クロック周期（水平走査期間）毎に順次シフトし、シフトレジスタ１１２では、（ｎ＋１）行目に配設された走査線１３２を起点として２ｎ行目に配設された走査線１３２までハイレベルの電位が１／２クロック周期（水平走査期間）毎に順次シフトし、シフトレジスタ１１３では、（２ｎ＋１）行目に配設された走査線１３３を起点として３ｎ行目に配設された走査線１３３までハイレベルの電位が１／２クロック周期（水平走査期間）毎に順次シフトする。そのため、走査線駆動回路１１は、走査線１３１を介して１行目に配設されたｍ個の画素１５からｎ行目に配設されたｍ個の画素１５を順次選択するとともに、走査線１３２を介して（ｎ＋１）行目に配設されたｍ個の画素１５から２ｎ行目に配設されたｍ個の画素１５を順次選択し、走査線１３３を介して（２ｎ＋１）行目に配設されたｍ個の画素１５から３ｎ行目に配設されたｍ個の画素１５を順次選択することになる。すなわち、走査線駆動回路１１は、水平走査期間毎に異なる３行に配設された３ｍ個の画素１５に対して選択信号を供給することが可能である。
【００３０】
サンプリング期間（ｔ２）において、シフトレジスタ１１１〜１１３のそれぞれの出力信号はサンプリング期間（ｔ１）と異なるが、シフトレジスタ１１１〜１１３のいずれか一（サンプリング期間（ｔ２）においては、シフトレジスタ１１３）が１行目に配設されたｍ個の画素１５からｎ行目に配設されたｍ個の画素１５を順次選択し、前述のシフトレジスタ１１１〜１１３のいずれか一と異なるシフトレジスタ１１１〜１１３のいずれか一（サンプリング期間（ｔ２）においては、シフトレジスタ１１１）が（ｎ＋１）行目に配設されたｍ個の画素１５から２ｎ行目に配設されたｍ個の画素１５を順次選択し、シフトレジスタ１１１〜１１３のうち前述の２つと異なる一（サンプリング期間（ｔ２）においては、シフトレジスタ１１２）が（２ｎ＋１）行目に配設されたｍ個の画素１５から３ｎ行目に配設されたｍ個の画素１５を順次選択する点は、同じである。すなわち、走査線駆動回路１１は、サンプリング期間（ｔ１）と同様に、水平走査期間毎に特定の３行に配設された３ｍ個の画素１５に対して選択信号を供給することが可能である。
【００３１】
＜信号線駆動回路１２の構成例＞
図４（Ａ）は、図１（Ａ）に示す液晶表示装置が有する信号線駆動回路１２の構成例を示す図である。図４（Ａ）に示す信号線駆動回路１２は、ｍ個の出力端子を有するシフトレジスタ１２０と、ｍ個のトランジスタ１２１と、ｍ個のトランジスタ１２２と、ｍ個のトランジスタ１２３と、を有する。なお、トランジスタ１２１のゲートは、シフトレジスタ１２０が有するｊ番目（ｊは、１以上ｍ以下の自然数）の出力端子に電気的に接続され、ソース及びドレインの一方が第１の画像信号（ＤＡＴＡ１）を供給する配線に電気的に接続され、ソース及びドレインの他方が画素部１０においてｊ列目に配設された信号線１４１に電気的に接続される。また、トランジスタ１２２のゲートは、シフトレジスタ１２０が有するｊ番目の出力端子に電気的に接続され、ソース及びドレインの一方が第２の画像信号（ＤＡＴＡ２）を供給する配線に電気的に接続され、ソース及びドレインの他方が画素部１０においてｊ列目に配設された信号線１４２に電気的に接続される。また、トランジスタ１２３のゲートは、シフトレジスタ１２０が有するｊ番目の出力端子に電気的に接続され、ソース及びドレインの一方が第３の画像信号（ＤＡＴＡ３）を供給する配線に電気的に接続され、ソース及びドレインの他方が画素部１０においてｊ列目に配設された信号線１４３に電気的に接続される。
【００３２】
なお、ここでは、第１の画像信号（ＤＡＴＡ１）として、赤（Ｒ）の画像信号（赤（Ｒ）を呈する光の透過を制御するための画像信号）を信号線１４１に供給し、第２の画像信号（ＤＡＴＡ２）として、青（Ｂ）の画像信号（赤（Ｒ）を呈する光の透過を制御するための画像信号）を信号線１４２に供給し、第３の画像信号（ＤＡＴＡ３）として、緑（Ｇ）の画像信号（緑（Ｇ）を呈する光の透過を制御するための画像信号）を信号線１４３に供給することとする。
【００３３】
＜バックライトの構成例＞
図４（Ｂ）は、図１（Ａ）に示す液晶表示装置の画素部１０の後方に設けられるバックライトの構成例を示す図である。図４（Ｂ）に示すバックライトは、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３色を呈する光源を備えたバックライトユニット１６を複数有する。なお、複数のバックライトユニット１６は、マトリクス状に配設されており、且つ特定の領域毎に点灯を制御することが可能である。ここでは、３ｎ行ｍ列に配設された複数の画素１５に対するバックライトとして、少なくともｋ行ｍ列毎（ここでは、ｋは、ｎ／４とする）にバックライトユニット群が設けられ、それらのバックライトユニット群の点滅を独立に制御できることとする。すなわち、当該バックライトが、少なくとも１行目乃至ｋ行目用バックライトユニット群〜（３ｎ−ｋ＋１）行目乃至３ｎ行目用バックライトユニット群を有し、それぞれのバックライトユニット群の点滅を独立に制御できることとする。
【００３４】
＜液晶表示装置の動作例＞
図５は、上述した液晶表示装置において、バックライトが有する１行目乃至ｋ行目用バックライトユニット群〜（３ｎ−ｋ＋１）行目乃至３ｎ行目用バックライトユニット群において点灯される光のタイミング、及び画素部１０において１行目に配設されたｍ個の画素乃至３ｎ行目に配設されたｍ個の画素に対する画像信号の供給が行われるタイミングを示す図である。具体的には、図５において、１乃至３ｎは、行数を表し、実線は、該当する行において画像信号が入力されるタイミングを表している。当該液晶表示装置は、サンプリング期間（ｔ１）において、１行目に配設されたｍ個の画素１５からｎ行目に配設されたｍ個の画素１５を順次選択し、且つ（ｎ＋１）行目に配設されたｍ個の画素１５から２ｎ行目に配設されたｍ個の画素１５を順次選択し、且つ（２ｎ＋１）行目に配設されたｍ個の画素１５から３ｎ行目に配設されたｍ個の画素１５を順次選択することで、各画素に画像信号を入力することが可能である。具体的に述べると、当該液晶表示装置は、サンプリング期間（ｔ１）において、走査線１３１を介して１行目に配設されたｍ個の画素１５が有するトランジスタ１５１からｎ行目に配設されたｍ個の画素１５が有するトランジスタ１５１を順次オン状態とすることで、信号線１４１を介して赤（Ｒ）の画像信号を各画素に順次入力することが可能であり、走査線１３２を介して（ｎ＋１）行目に配設されたｍ個の画素１５が有するトランジスタ１５２から２ｎ行目に配設されたｍ個の画素１５が有するトランジスタ１５２を順次オン状態とすることで、信号線１４２を介して青（Ｂ）の画像信号を各画素に順次入力することが可能であり、走査線１３３を介して（２ｎ＋１）行目に配設されたｍ個の画素１５が有するトランジスタ１５３から３ｎ行目に配設されたｍ個の画素１５が有するトランジスタ１５３を順次オン状態とすることで、信号線１４３を介して緑（Ｇ）の画像信号を各画素に順次入力することが可能である。
【００３５】
さらに、当該液晶表示装置では、サンプリング期間（ｔ１）内において、１行目に配設されたｍ個の画素１５からｋ行目に配設されたｍ個の画素１５に対して赤（Ｒ）の画像信号の入力が終了した後に１行目乃至ｋ行目用バックライトユニット群において赤（Ｒ）を点灯させ、且つ（ｎ＋１）行目に配設されたｍ個の画素１５から（ｎ＋ｋ）行目に配設されたｍ個の画素１５に対して青（Ｂ）の画像信号の入力が終了した後に（ｎ＋１）行目乃至（ｎ＋ｋ）行目用バックライトユニット群において青（Ｂ）を点灯させ、且つ（２ｎ＋１）行目に配設されたｍ個の画素１５から（２ｎ＋ｋ）行目に配設されたｍ個の画素１５に対して緑（Ｇ）の画像信号の入力が終了した後に（２ｎ＋１）行目乃至（２ｎ＋ｋ）行目用バックライトユニット群において緑（Ｇ）を点灯させることが可能である。すなわち、当該液晶表示装置では、領域（１行目乃至ｎ行目、（ｎ＋１）行目乃至２ｎ行目、及び（２ｎ＋１）行目乃至３ｎ行目）毎に、選択信号の供給と、特定色を呈する光の供給とを並行して行うことが可能である。
【００３６】
＜本明細書で開示される液晶表示装置について＞
本明細書で開示される液晶表示装置は、マトリクス状に配設された画素のうち、複数行に配設された画素に対して同時に画像信号を供給することが可能である。これにより、当該液晶表示装置が有するトランジスタなどの応答速度を変化させることなく、各画素に対する画像信号の入力頻度を増加させることが可能になる。具体的に述べると、上述した液晶表示装置では、走査線駆動回路のクロック周波数などを変化させることなく、各画素に対する画像信号の入力頻度を３倍にすることが可能である。すなわち、当該液晶表示装置は、フィールドシーケンシャル方式によって表示を行う液晶表示装置、又は倍速駆動を行う液晶表示装置として好適である。
【００３７】
さらに、フィールドシーケンシャル方式によって表示を行う液晶表示装置として本明細書で開示される液晶表示装置を適用することは、以下の点で好ましい。上述したように、フィールドシーケンシャル方式によって表示を行う液晶表示装置では特定色を呈する光毎に表示期間が時間分割される。そのため、利用者の瞬きなど短時間の表示の遮りに起因して特定の表示情報が欠落することによって、当該利用者に視認される表示が本来の表示情報に基づく表示から変化（劣化）すること（カラーブレイク、色割れともいう）がある。ここで、カラーブレイクの抑制には、フレーム周波数を高くすることが効果的である。一方、フィールドシーケンシャル方式によって表示を行うためには、フレーム周波数よりも高い頻度で各画素に対して画像信号を入力する必要がある。そのため、従来の液晶表示装置においてフィールドシーケンシャル方式且つ高フレーム周波数駆動によって表示を行う場合、当該液晶表示装置を構成する素子の性能（高速応答性）に対する要求が非常に厳しくなる。これに対し、本明細書で開示される液晶表示装置は、素子の特性に制約されることなく各画素に対する画像信号の入力頻度を増加させることが可能である。そのため、フィールドシーケンシャル方式によって表示を行う液晶表示装置におけるカラーブレイクの抑制を容易に行うことが可能である。
【００３８】
加えて、フィールドシーケンシャル方式によって表示を行う場合、図５に示すように領域毎に異なる色を呈する光を供給することは、以下の点で好ましい。全画面共通で同一の光を供給する場合、特定の瞬間において画素部には特定の色に関する色情報のみが存在することになる。そのため、利用者の瞬きなどによる特定の期間の表示情報の欠落が特定の色情報の欠落とイコールになる。これに対し、領域毎に異なる色を呈する光を供給する場合、特定の瞬間において画素部にはそれぞれの色に関する色情報が存在することになる。そのため、利用者の瞬きなどによる特定の期間の表示情報の欠落が特定の色情報の欠落とイコールにはならない。つまり、領域毎に異なる色を呈する光を供給することで、カラーブレイクを軽減することが可能である。さらに、図５に示すようにバックライトユニット群を点灯する場合、隣接するバックライトユニット群が異なる色を呈することがない。具体的には、サンプリング期間（ｔ１）内において、（ｎ＋１）行目に配設されたｍ個の画素１５から（ｎ＋ｋ）行目に配設されたｍ個の画素１５に対して青（Ｂ）の画像信号の入力が終了した後に（ｎ＋１）行目乃至（ｎ＋ｋ）行目用バックライトユニット群において青（Ｂ）を点灯させる際に、（３ｋ＋１）行目乃至ｎ行目用バックライトユニット群及び（ｎ＋ｋ＋１）行目乃至（ｎ＋２ｋ）行目用バックライトユニット群においては、青（Ｂ）が点灯される又は点灯自体が行われない（赤（Ｒ）、緑（Ｇ）が点灯されることがない）。そのため、特定の色の画像情報が入力された画素を、当該特定の色と異なる色を呈する光が透過する確率を低減することが可能である。
【００３９】
＜変形例＞
上述した構成を有する液晶表示装置は、本発明の一態様であり、当該液晶表示装置と異なる点を有する液晶表示装置も本発明には含まれる。
【００４０】
例えば、上述した液晶表示装置においては、画素部１０の特定の３行に配設された３ｍ個の画素に対して同期間内に並行して画像信号を供給する構成について示したが、本発明の液晶表示装置は、当該構成に限定されない。すなわち、本発明の液晶表示装置では、画素部１０の特定の複数行に配設された複数の画素に対して同期間内に並行して画像信号を供給する構成とすることが可能である。なお、自明ではあるが、当該行数を変化させる場合、当該行数と同数のシフトレジスタなどを設ける必要があることを付記する。
【００４１】
また、上述した液晶表示装置においては、等間隔に配設された特定の３行に配設された画素に対して同期間内に並行して画像信号を供給する構成（画像信号が供給される行の間隔が、画素ｎ行分）について示したが、本発明の液晶表示装置は、当該構成に限定されない。すなわち、本発明の液晶表示装置は、非等間隔に配設された特定の３行に配設された画素に対して同期間内に並行して画像信号を供給する構成とすることが可能である。具体的には、１行目に配設されたｍ個の画素、（ａ＋１）行目（ａは、自然数）に配設されたｍ個の画素、及び（ａ＋ｂ＋１）行目（ｂは、ａと異なる自然数）に配設されたｍ個の画素に同期間内に並行して画像信号を供給する構成とすることが可能である。
【００４２】
また、上述した液晶表示装置においては、走査線駆動回路がシフトレジスタを用いて構成される液晶表示装置について示したが、当該シフトレジスタを同等の機能を有する回路に置換することが可能である。例えば、当該シフトレジスタをデコーダに置換することが可能である。
【００４３】
また、上述した液晶表示装置においては、複数の光源として赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３色を呈する光を発光する光源を用いる構成について示したが、本発明の液晶表示装置は、当該構成に限定されない。すなわち、本発明の液晶表示装置では、任意の色を呈する光を発光する光源を組み合わせて用いることが可能である。例えば、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）、白（Ｗ）の４種の光源を組み合わせて用いること、又はシアン、マゼンタ、イエローの３種の光源を組み合わせて用いることなどが可能である。さらに、淡色の赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、及び青（Ｂ）、並びに濃色の赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、及び青（Ｂ）の６種の光源を組み合わせて用いること、又は赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）、シアン、マゼンタ、イエローの６種の光源を組み合わせて用いることなども可能である。このように、より多種の色を呈する光を発光する光源を組み合わせることで、当該液晶表示装置において表現できる色域を拡大し、画質を向上させることが可能である。
【００４４】
また、上述した液晶表示装置においては、液晶素子に印加される電圧を保持するための容量素子が設けられる構成（図１（Ｂ）参照）について示したが、当該容量素子を設けない構成とすることも可能である。
【００４５】
また、上述した液晶表示装置においては、バックライトユニットとして赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３色を呈する光を発光する光源を横に直線的に並べる構成（図４（Ｂ）参照）について示したが、バックライトユニットの構成は、当該構成に限定されない。例えば、当該３色を呈する光を発光する光源を３角配置しても良いし、当該３色を呈する光を発光する光源を縦に直線的に並べてもよいし、赤（Ｒ）を呈する光を発光する光源、緑（Ｇ）を呈する光を発光する光源、及び青（Ｂ）を呈する光を発光する光源を別途設けても良い。また、上述した液晶表示装置においては、バックライトとして直下型方式のバックライトを適用する構成（図４（Ｂ）参照）について示したが、当該バックライトとしてエッジライト方式のバックライトを適用することも可能である。
【００４６】
（実施の形態２）
本実施の形態では、実施の形態１とは異なる構成を有する、フィールドシーケンシャル方式によって表示を行う液晶表示装置の一例について図６〜図８を参照して説明する。
【００４７】
＜液晶表示装置の構成例＞
図６（Ａ）は、液晶表示装置の構成例を示す図である。図６（Ａ）に示す液晶表示装置は、画素部３０と、走査線駆動回路３１と、信号線駆動回路３２と、各々が平行又は略平行に配設され、且つ走査線駆動回路３１によって電位が制御される３ｎ本（ｎは、２以上の自然数）の走査線３３と、各々が平行又は略平行に配設され、且つ信号線駆動回路３２によって電位が制御される、ｍ本（ｍは、２以上の自然数）の信号線３４１、ｍ本の信号線３４２、及びｍ本の信号線３４３と、を有する。
【００４８】
さらに、画素部３０は、３つの領域（領域３０１〜領域３０３）に分割され、領域毎にマトリクス状（３ｎ行ｍ列）に配設された複数の画素を有する。なお、各走査線３３は、画素部３０においてマトリクス状（３ｎ行ｍ列）に配設された複数の画素のうち、いずれかの行に配設されたｍ個の画素に電気的に接続される。また、各信号線３４１は、領域３０１においてマトリクス状（ｎ行ｍ列）に配設された複数の画素のうち、いずれかの列に配設されたｎ個の画素に電気的に接続される。また、各信号線３４２は、領域３０２においてマトリクス状（ｎ行ｍ列）に配設された複数の画素のうち、いずれかの列に配設されたｎ個の画素に電気的に接続される。また、各信号線３４３は、領域３０３においてマトリクス状（ｎ行ｍ列）に配設された複数の画素のうち、いずれかの列に配設されたｎ個の画素に電気的に接続される。
【００４９】
なお、走査線駆動回路３１には、外部から走査線駆動回路用スタート信号（ＧＳＰ）、走査線駆動回路用クロック信号（ＧＣＫ）、及び高電源電位、低電源電位などの駆動用電源が入力される。また、信号線駆動回路３２には、外部から信号線駆動回路用スタート信号（ＳＳＰ）、信号線駆動回路用クロック信号（ＳＣＫ）、画像信号（ｄａｔａ１〜ｄａｔａ３）などの信号、及び高電源電位、低電源電位などの駆動用電源が入力される。
【００５０】
図６（Ｂ）〜（Ｄ）は、画素の回路構成例を示す図である。具体的には、図６（Ｂ）は、領域３０１に配設された画素３５１の回路構成例を示す図であり、図６（Ｃ）は、領域３０２に配設された画素３５２の回路構成例を示す図であり、図６（Ｄ）は、領域３０３に配設された画素３５３の回路構成例を示す図である。図６（Ｂ）に示す画素３５１は、ゲートが走査線３３に電気的に接続され、ソース及びドレインの一方が信号線３４１に電気的に接続されたトランジスタ３５１１と、一方の電極がトランジスタ３５１１のソース及びドレインの他方に電気的に接続され、他方の電極が容量電位を供給する配線に電気的に接続された容量素子３５１２と、一方の電極がトランジスタ３５１１のソース及びドレインの他方並びに容量素子３５１２の一方の電極に電気的に接続され、他方の電極が対向電位を供給する配線に電気的に接続された液晶素子３５１４と、を有する。
【００５１】
図６（Ｃ）に示す画素３５２及び図６（Ｄ）に示す画素３５３も回路構成自体は、図６（Ｂ）に示す画素３５１と同一である。ただし、図６（Ｃ）に示す画素３５２では、トランジスタ３５２１のソース及びドレインの一方が信号線３４１ではなく信号線３４２に電気的に接続される点が図６（Ｂ）に示す画素３５１と異なり、図６（Ｄ）に示す画素３５３では、トランジスタ３５３１のソース及びドレインの一方が信号線３４１ではなく信号線３４３に電気的に接続される点が図６（Ｂ）に示す画素３５１と異なる。
【００５２】
＜走査線駆動回路３１の構成例＞
図７（Ａ）は、図６（Ａ）に示す液晶表示装置が有する走査線駆動回路３１の構成例を示す図である。図７（Ａ）に示す走査線駆動回路３１は、ｎ個の出力端子を有するシフトレジスタ３１１〜３１３を有する。なお、シフトレジスタ３１１が有する出力端子のそれぞれは、領域３０１に配設されたｎ本の走査線３３のいずれかに電気的に接続され、シフトレジスタ３１２が有する出力端子のそれぞれは、領域３０２に配設されたｎ本の走査線３３のいずれかに電気的に接続され、シフトレジスタ３１３が有する出力端子のそれぞれは、領域３０３に配設されたｎ本の走査線３３のいずれかに電気的に接続される。すなわち、シフトレジスタ３１１は、領域３０１において選択信号を供給するシフトレジスタであり、シフトレジスタ３１２は、領域３０２において選択信号を供給するシフトレジスタであり、シフトレジスタ３１３は、領域３０３において選択信号を供給するシフトレジスタである。具体的には、シフトレジスタ３１１は、外部から入力される走査線駆動回路用スタート信号（ＧＳＰ）をきっかけとして、１行目に配設された走査線３３を起点として順次選択信号をシフト（走査線３３を走査線駆動回路用クロック信号（ＧＣＫ）１／２周期毎に順次選択）する機能を有し、シフトレジスタ３１２は、外部から入力される走査線駆動回路用スタート信号（ＧＳＰ）をきっかけとして、（ｎ＋１）行目に配設された走査線３３を起点として順次選択信号をシフトする機能を有し、シフトレジスタ３１３は、外部から入力される走査線駆動回路用スタート信号（ＧＳＰ）をきっかけとして、（２ｎ＋１）行目に配設された走査線３３を起点として順次選択信号をシフトする機能を有する。
【００５３】
＜走査線駆動回路３１の動作例＞
上述した走査線駆動回路３１の動作例について図７（Ｂ）を参照して説明する。なお、図７（Ｂ）には、走査線駆動回路用クロック信号（ＧＣＫ）、シフトレジスタ３１１が有するｎ個の出力端子から出力される信号（ＳＲ３１１ｏｕｔ）、シフトレジスタ３１２が有するｎ個の出力端子から出力される信号（ＳＲ３１２ｏｕｔ）、及びシフトレジスタ３１３が有するｎ個の出力端子から出力される信号（ＳＲ３１３ｏｕｔ）を示している。
【００５４】
サンプリング期間（Ｔ１）において、シフトレジスタ３１１では、１行目に配設された走査線３３を起点としてｎ行目に配設された走査線３３までハイレベルの電位が１／２クロック周期（水平走査期間）毎に順次シフトし、シフトレジスタ３１２では、（ｎ＋１）行目に配設された走査線３３を起点として２ｎ行目に配設された走査線３３までハイレベルの電位が１／２クロック周期（水平走査期間）毎に順次シフトし、シフトレジスタ３１３では、（２ｎ＋１）行目に配設された走査線３３を起点として３ｎ行目に配設された走査線３３までハイレベルの電位が１／２クロック周期（水平走査期間）毎に順次シフトする。そのため、走査線駆動回路３１は、走査線３３を介して、１行目に配設されたｍ個の画素３５１からｎ行目に配設されたｍ個の画素３５１を順次選択するとともに、（ｎ＋１）行目に配設されたｍ個の画素３５２から２ｎ行目に配設されたｍ個の画素３５２を順次選択し、（２ｎ＋１）行目に配設されたｍ個の画素３５３から３ｎ行目に配設されたｍ個の画素３５３を順次選択することになる。すなわち、走査線駆動回路３１は、水平走査期間毎に異なる３行に配設された３ｍ個の画素に対して選択信号を供給することが可能である。
【００５５】
サンプリング期間（Ｔ２）及びサンプリング期間（Ｔ３）において、シフトレジスタ３１１〜３１３の動作は、サンプリング期間（Ｔ１）と同じである。すなわち、走査線駆動回路３１は、サンプリング期間（Ｔ１）と同様に、水平走査期間毎に特定の３行に配設された３ｍ個の画素に対して選択信号を供給することが可能である。
【００５６】
＜信号線駆動回路３２の構成例＞
図８は、図６（Ａ）に示す液晶表示装置が有する信号線駆動回路３２の構成例を示す図である。図８に示す信号線駆動回路３２は、ｍ個の出力端子を有するシフトレジスタ３２０と、ｍ個のトランジスタ３２１と、ｍ個のトランジスタ３２２と、ｍ個のトランジスタ３２３と、を有する。なお、トランジスタ３２１のゲートは、シフトレジスタ３２０が有するｊ番目（ｊは、１以上ｍ以下の自然数）の出力端子に電気的に接続され、ソース及びドレインの一方が第１の画像信号（ｄａｔａ１）を供給する配線に電気的に接続され、ソース及びドレインの他方が画素部３０においてｊ列目に配設された信号線３４１に電気的に接続される。また、トランジスタ３２２のゲートは、シフトレジスタ３２０が有するｊ番目の出力端子に電気的に接続され、ソース及びドレインの一方が第２の画像信号（ｄａｔａ２）を供給する配線に電気的に接続され、ソース及びドレインの他方が画素部３０においてｊ列目に配設された信号線３４２に電気的に接続される。また、トランジスタ３２３のゲートは、シフトレジスタ３２０が有するｊ番目の出力端子に電気的に接続され、ソース及びドレインの一方が第３の画像信号（ｄａｔａ３）を供給する配線に電気的に接続され、ソース及びドレインの他方が画素部３０においてｊ列目に配設された信号線３４３に電気的に接続される。
【００５７】
なお、ここでは、第１の画像信号（ｄａｔａ１）として、サンプリング期間（Ｔ１）において、赤（Ｒ）の画像信号（赤（Ｒ）を呈する光の透過を制御するための画像信号）を信号線３４１に供給し、サンプリング期間（Ｔ２）において、緑（Ｇ）の画像信号（緑（Ｇ）を呈する光の透過を制御するための画像信号）を信号線３４１に供給し、サンプリング期間（Ｔ３）において、青（Ｂ）の画像信号（青（Ｂ）を呈する光の透過を制御するための画像信号）を信号線３４１に供給することとする。また、第２の画像信号（ｄａｔａ２）として、サンプリング期間（Ｔ１）において、青（Ｂ）の画像信号を信号線３４２に供給し、サンプリング期間（Ｔ２）において、赤（Ｒ）の画像信号を信号線３４２に供給し、サンプリング期間（Ｔ３）において、緑（Ｇ）の画像信号を信号線３４２に供給することとする。また、第３の画像信号（ｄａｔａ３）として、サンプリング期間（Ｔ１）において、緑（Ｇ）の画像信号を信号線３４３に供給し、サンプリング期間（Ｔ２）において、青（Ｂ）の画像信号を信号線３４３に供給し、サンプリング期間（Ｔ３）において、赤（Ｒ）の画像信号を信号線３４３に供給することとする。
【００５８】
＜バックライトの構成例＞
本実施の形態の液晶表示装置のバックライトとして、実施の形態１に示したバックライトを適用することが可能である。そのため、ここでは前述の説明を援用することとする。
【００５９】
＜液晶表示装置の動作例＞
本実施の形態の液晶表示装置は、実施の形態１に示した液晶表示装置と同様の動作（図５参照）を行うことが可能である。すなわち、本実施の形態の液晶表示装置は、サンプリング期間（Ｔ１）において、１行目に配設されたｍ個の画素３５１からｎ行目に配設されたｍ個の画素３５１を順次選択し、且つ（ｎ＋１）行目に配設されたｍ個の画素３５２から２ｎ行目に配設されたｍ個の画素３５２を順次選択し、且つ（２ｎ＋１）行目に配設されたｍ個の画素３５３から３ｎ行目に配設されたｍ個の画素３５３を順次選択することで、各画素に画像信号を入力することが可能である。
【００６０】
また、本実施の形態の液晶表示装置では、実施の形態１に示した液晶表示装置と同様に、領域（１行目乃至ｎ行目、（ｎ＋１）行目乃至２ｎ行目、及び（２ｎ＋１）行目乃至３ｎ行目）毎に、選択信号の供給と、特定色を呈する光の供給とを並行して行うことが可能である。
【００６１】
＜本実施の形態の液晶表示装置について＞
本実施の形態の液晶表示装置は、実施の形態１に示した液晶表示装置と同様の作用を有する液晶表示装置である。さらに、本実施の形態の液晶表示装置は、実施の形態１に示した液晶表示装置と比較して、画素部に配設される走査線の本数及び各画素に設けられるトランジスタの数を低減することができ、開口率をさらに向上させることが可能である。また、画素部に配設される走査線の本数が低減されることで信号線と走査線とが重畳することによって生じる寄生容量を低減することができるため、信号線を高速駆動することが可能である。また、走査線駆動回路の回路面積を縮小すること、及び走査線駆動回路の動作に必要とされる信号を低減すること（複数のシフトレジスタに別々の走査線駆動回路用スタート信号を入力する必要がない）が可能である。
【００６２】
＜変形例＞
本実施の形態の液晶表示装置は、本発明の一態様であり、当該液晶表示装置と異なる点を有する液晶表示装置も本発明には含まれる。例えば、本実施の形態の液晶表示装置の構成を、実施の形態１の変形例に示した構成に変更することが可能である。具体的には、本実施の形態の液晶表示装置が有するシフトレジスタを同等の機能を有する回路（デコーダなど）に置換することなどが可能である。
【００６３】
また、本実施の形態の液晶表示装置においては、画素部３０を３つの領域に分割する構成について示したが、本実施の形態の液晶表示装置は、当該構成に限定されない。すなわち、本実施の形態の液晶表示装置では、画素部３０を任意の複数領域に分割する構成とすることが可能である。なお、自明ではあるが、当該領域数を変化させる場合、当該領域数と同数のシフトレジスタなどを設ける必要があることを付記する。
【００６４】
また、本実施の形態の液晶表示装置においては、３つの領域に含まれる画素数が同一である構成（全ての領域においてｎ行ｍ列の画素が含まれる構成）について示したが、本実施の形態の液晶表示装置では、領域毎に含まれる画素数を変化させることが可能である。具体的には、第１の領域にはｃ行ｍ列（ｃは、自然数）の画素が含まれ、第２の領域にはｄ行ｍ列（ｄは、ｃと異なる自然数）の画素が含まれる構成とすることが可能である。
【００６５】
（実施の形態３）
本実施の形態では、実施の形態１又は２に示した液晶表示装置の具体的な構成について、説明する。
【００６６】
＜画素の断面の具体例＞
図９に、本発明の一態様に係る液晶表示装置の、画素の断面図を一例として示す。ただし、図９では、微結晶半導体を用いたトランジスタを一例として挙げているが、非晶質半導体を用いたトランジスタであっても良い。
【００６７】
図９に示すトランジスタ１４０１は、絶縁表面上に形成されたゲート層１４０２と、ゲート層１４０２上のゲート絶縁層１４０３と、ゲート絶縁層１４０３上においてゲート層１４０２と重なっている、微結晶半導体を含む半導体層１４０４と、半導体層１４０４上に積層するように形成され、ソース層またはドレイン層として機能する導電膜１４０５及び導電膜１４０６とを有する。さらに、トランジスタ１４０１は、半導体層１４０４上に形成された絶縁層１４０７を、その構成要素に含めても良い。絶縁層１４０７は、ゲート層１４０２と、ゲート絶縁層１４０３と、半導体層１４０４と、導電膜１４０５及び導電膜１４０６とを覆うように形成されている。
【００６８】
絶縁層１４０７上には絶縁層１４０８が形成されている。絶縁層１４０７、絶縁層１４０８の一部には開口部が設けられており、該開口部において導電膜１４０６と接するように、画素電極１４１０が形成されている。
【００６９】
また、絶縁層１４０８上には、液晶素子のセルギャップを制御するためのスペーサ１４１７が形成されている。スペーサ１４１７は絶縁層を所望の形状にエッチングすることで形成することが可能であるが、球状スペーサを絶縁層１４０８上に散布することでセルギャップを制御するようにしても良い。
【００７０】
そして、画素電極１４１０上には、配向膜１４１１が形成されている。また、対向基板１４２０には、画素電極１４１０と対峙する対向電極１４１３が設けられており、対向電極１４１３の画素電極１４１０に近い側には配向膜１４１４が形成されている。配向膜１４１１、配向膜１４１４は、ポリイミド、ポリビニルアルコールなどの有機樹脂を用いて形成することができ、その表面には、液晶分子を一定方向に配列させるためのラビングなどの配向処理が施されている。ラビングは、配向膜に接して、ナイロンなどの布を巻いたローラーを回転させて、上記配向膜の表面を一定方向に擦ることで行うことができる。なお、酸化珪素などの無機材料を用い、配向処理を施すことなく蒸着法などの方法で配向特性を有する配向膜１４１１、配向膜１４１４を直接形成することも可能である。
【００７１】
そして、画素電極１４１０と、対向電極１４１３の間においてシール材１４１６に囲まれた領域には、液晶１４１５が設けられている。液晶１４１５の注入は、ディスペンサ式（滴下式）を用いても良いし、ディップ式（汲み上げ式）を用いていても良い。なお、シール材１４１６にはフィラーが混入されていても良い。
【００７２】
また、画素間における液晶１４１５の配向の乱れに起因するディスクリネーションが視認されるのを防ぐために、画素間に、光を遮蔽することができる遮蔽膜を形成しても良い。遮蔽膜には、カーボンブラック、低原子価酸化チタンなどの黒色顔料を含む有機樹脂を用いることができる。または、クロムを用いた膜で、遮蔽膜を形成することも可能である。
【００７３】
画素電極１４１０と対向電極１４１３は、例えば、酸化珪素を含む酸化インジウムスズ（ＩＴＳＯ）、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、ガリウムを添加した酸化亜鉛（ＧＺＯ）などの透明導電材料を用いることができる。
【００７４】
なお、ここでは、液晶表示装置として、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ  Ｎｅｍａｔｉｃ）型を示したが、ＶＡ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）型、ＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌｌｙ  Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄ  Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）型、ＩＰＳ（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）型、ＭＶＡ（Ｍｕｌｔｉ−ｄｏｍａｉｎ  Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）型等の、その他の液晶表示装置であっても良い。
【００７５】
また、配向膜を用いないブルー相を示す液晶を用いてもよい。ブルー相は液晶相の一つであり、コレステリック液晶を昇温していくと、コレステリック相から等方相へ転移する直前に発現する相である。ブルー相は狭い温度範囲でしか発現しないため、カイラル剤や紫外線硬化樹脂を添加して温度範囲を改善する。具体的には、５重量％以上のカイラル剤を混合させた液晶組成物を液晶１４１５に用いる。ブルー相を示す液晶とカイラル剤とを含む液晶組成物は、応答時間が１０μｓｅｃ．以上１００μｓｅｃ．以下と短く、これを用いた液晶表示装置では配向膜が不要であり、視野角依存性が小さい。このような特性を有する液晶は、上述した液晶表示装置（画像を形成するために複数回の画像信号を各画素に入力することが必要な液晶表示装置）が有する液晶として特に好ましい。
【００７６】
なお、図９では、画素電極１４１０と対向電極１４１３の間に液晶１４１５が挟まれている構造を有する液晶素子を例に挙げて説明したが、本発明の一態様に係る液晶表示装置はこの構成に限定されない。ＩＰＳ型の液晶素子やブルー相を示す液晶を用いた液晶素子のように、一対の電極が共に一の基板に形成されていても良い。
【００７７】
＜画素部と駆動回路間の接続の具体例＞
次いで、画素部の形成された基板に、駆動回路が形成された基板を直接実装する場合の、端子間の接続の仕方について説明する。
【００７８】
図１０（Ａ）に、ワイヤボンディング法を用いた場合の、駆動回路が形成された基板９００と、画素部が形成された基板９０１の接続部分の断面図を示す。基板９００は基板９０１上に、接着剤９０３により貼り付けられている。基板９００には、駆動回路を構成するトランジスタ９０６が設けられている。そして、トランジスタ９０６は、基板９００において表面に露出するように形成された、端子として機能するパッド９０７と電気的に接続されている。そして、図１０（Ａ）に示す基板９０１上には端子９０４が形成されており、ワイヤ９０５によってパッド９０７と端子９０４とが接続されている。
【００７９】
次に、図１０（Ｂ）に、フリップチップ法を用いた場合の、画素部の形成された基板９１１と、駆動回路が形成された基板９１０の、接続部分の断面図を示す。図１０（Ｂ）では、基板９１０において表面に露出するよう形成されたパッド９１２に、ソルダーボール９１３が接続されている。よって、基板９１０に形成された駆動回路を構成するトランジスタ９１４は、パッド９１２を介してソルダーボール９１３と電気的に接続されている。そして、ソルダーボール９１３は、基板９１１上に形成された端子９１６と接続されている。
【００８０】
なお、ソルダーボール９１３と、端子９１６との接続は、熱圧着や、超音波による振動を加えた熱圧着等様々な方法を用いることができる。なお、基板９１０と基板９１１との間にアンダーフィルを設け、圧着後のソルダーボール間の隙間を埋めるようにし、接続部分の機械的強度や、基板９１１において発生した熱の拡散などの効率を高めるようにしても良い。アンダーフィルは必ずしも用いる必要はないが、基板９１０と基板９１１の熱膨張係数のミスマッチから生ずる応力により、接続不良が起こるのを防ぐことができる。超音波を加えて圧着する場合、単に熱圧着する場合に比べて接続不良を抑えることができる。
【００８１】
フリップチップ法の場合、接続するべきパッドの数が増加しても、ワイヤボンディング法に比べて、比較的パッド間のピッチを広く確保することができるので、端子数の多い場合の接続に向いている。
【００８２】
なお、ソルダーボールの形成に、金属のナノ粒子が分散された分散液を吐出する液滴吐出法を用いていても良い。
【００８３】
次に、図１０（Ｃ）に、異方性の導電性樹脂を用いた場合の、画素部の形成された基板９２１と、駆動回路が形成された基板９２０の、接続部分の断面図を示す。図１０（Ｃ）では、基板９２０において表面に露出するよう形成されたパッド９２２が、基板９２０に形成された駆動回路を構成するトランジスタ９２４と電気的に接続されている。そして、パッド９２２は、基板９２１上に形成された端子９２６と、異方性の導電性樹脂９２７を介して接続されている。
【００８４】
なお、接続方法は図１０に示した方法に限定されない。ワイヤボンディング法とフリップチップ法を組み合わせて、接続を行うようにしても良い。
【００８５】
＜画素部を有する基板に実装される駆動回路の具体例１＞
次いで、駆動回路を有する基板（ＩＣチップともいう）の実装方法について説明する。
【００８６】
図１１（Ａ）に示す液晶表示装置は、基板６３０１に画素部６３０２が形成されている。対向基板６３０６は、画素部６３０２を覆うように、基板６３０１と重なっている。そして、走査線駆動回路が形成された基板６３０３と、信号線駆動回路が形成された基板６３０４とが、基板６３０１に直接実装されている。具体的には、基板６３０３に形成された走査線駆動回路と、基板６３０４に形成された信号線駆動回路とが、基板６３０１に貼り合わされ、画素部６３０２と電気的に接続されている。また、画素部６３０２と、基板６３０３に形成された走査線駆動回路と、基板６３０４に形成された信号線駆動回路とに、それぞれ電源電位、各種信号等が、ＦＰＣ６３０５またはＦＰＣ６３０７を介して供給される。
【００８７】
図１１（Ｂ）に示す液晶表示装置は、基板６４０１に画素部６４０２が形成されている。対向基板６４０６は、画素部６４０２を覆うように、基板６４０１と重なっている。そして、走査線駆動回路が形成された基板６４０３が、基板６４０１に接続されたＦＰＣ６４０７に実装されている。信号線駆動回路が形成された基板６４０４が、基板６４０１に接続されたＦＰＣ６４０５に実装されている。また、画素部６４０２と、基板６４０３に形成された走査線駆動回路と、基板６４０４に形成された信号線駆動回路とに、それぞれ電源電位、各種信号等が、ＦＰＣ６４０５またはＦＰＣ６４０７を介して供給される。
【００８８】
基板の実装方法は、特に限定されるものではなく、公知のＣＯＧ方法やワイヤボンディング方法、或いはＴＡＢ方法などを用いることができる。また、ＩＣチップを実装する位置は、電気的な接続が可能であるならば、図１１に示した位置に限定されない。また、コントローラ、ＣＰＵ、メモリ等をＩＣチップで形成し、画素部の形成された基板に実装するようにしても良い。
【００８９】
＜画素部を有する基板に実装される駆動回路の具体例２＞
次いで、図１１に示した駆動回路を有する基板の実装方法とは異なる駆動回路を有する基板の実装方法について図２３を参照して説明する。具体的には、画素部と、走査線駆動回路、又は走査線駆動回路及び信号線駆動回路の一部とが形成される基板上に、信号線駆動回路又はその一部が形成された基板を実装する方法について図２３を参照して説明する。端的に述べると、図２３に示す構成は、画素部が形成されている基板上に、走査線駆動回路、又は走査線駆動回路及び信号線駆動回路の一部が形成されている点が図１１に示す構成とは異なる。この場合、製造工程の観点から画素部に含まれるトランジスタと、走査線駆動回路、又は走査線駆動回路及び信号線駆動回路の一部に含まれるトランジスタとが同一構成を有するトランジスタであることが好ましい。また、走査線駆動回路、又は走査線駆動回路及び信号線駆動回路の一部に含まれるトランジスタとしては、高速応答性が要求される。したがって、図２３に示す構成においては、画素部に含まれるトランジスタ及び走査線駆動回路、又は走査線駆動回路及び信号線駆動回路の一部に含まれるトランジスタとして、微結晶半導体を用いたトランジスタを適用することが好ましい。
【００９０】
図２３（Ａ）に示す液晶表示装置は、基板６００１に、画素部６００２と、走査線駆動回路６００３とが形成されている。対向基板６００６は、画素部６００２と走査線駆動回路６００３を覆うように、基板６００１と重なっている。そして、信号線駆動回路が形成されている基板６００４が、基板６００１に直接実装されている。具体的には、基板６００４に形成された信号線駆動回路が、基板６００１に貼り合わされ、画素部６００２と電気的に接続されている。また、画素部６００２と、走査線駆動回路６００３と、基板６００４に形成された信号線駆動回路とには、それぞれ電源電位、各種信号等が、ＦＰＣ６００５を介して供給される。
【００９１】
図２３（Ｂ）に示す液晶表示装置は、基板６１０１に、画素部６１０２と、走査線駆動回路６１０３とが形成されている。対向基板６１０６は、画素部６１０２と走査線駆動回路６１０３を覆うように、基板６１０１と重なっている。そして、信号線駆動回路が形成された基板６１０４は、基板６１０１に接続されたＦＰＣ６１０５に実装されている。また、画素部６１０２と、走査線駆動回路６１０３と、基板６１０４に形成された信号線駆動回路とに、それぞれ電源電位、各種信号等が、ＦＰＣ６１０５を介して供給される。
【００９２】
図２３（Ｃ）に示す液晶表示装置は、基板６２０１に、画素部６２０２と、走査線駆動回路６２０３と、信号線駆動回路の一部６２０７が形成されている。対向基板６２０６は、画素部６２０２、走査線駆動回路６２０３、及び信号線駆動回路の一部６２０７を覆うように、基板６２０１と重なっている。そして、信号線駆動回路の別の一部が形成された基板６２０４は、基板６２０１に直接実装されている。具体的には、基板６２０４に形成された信号線駆動回路の別の一部が、基板６２０１に貼り合わされ、信号線駆動回路の一部６２０７と電気的に接続されている。また、画素部６２０２と、走査線駆動回路６２０３と、信号線駆動回路の一部６２０７と、基板６２０４に形成された信号線駆動回路の別の一部とに、それぞれ電源電位、各種信号等が、ＦＰＣ６２０５を介して供給される。
【００９３】
基板の実装方法は、特に限定されるものではなく、公知のＣＯＧ方法やワイヤボンディング方法、或いはＴＡＢ方法などを用いることができる。また、ＩＣチップを実装する位置は、電気的な接続が可能であるならば、図２３に示した位置に限定されない。また、コントローラ、ＣＰＵ、メモリ等をＩＣチップで形成し、画素部の形成された基板に実装するようにしても良い。
【００９４】
＜液晶表示装置の具体例＞
次いで、本発明の一態様に係る液晶表示装置のパネルの外観について、図１２を用いて説明する。図１２（Ａ）は、基板４００１と対向基板４００６とをシール材４００５によって接着させたパネルの上面図であり、図１２（Ｂ）は、図１２（Ａ）の破線Ａ−Ａ’における断面図に相当する。
【００９５】
基板４００１上に設けられた画素部４００２を囲むように、シール材４００５が設けられている。また、画素部４００２上に対向基板４００６が設けられている。よって、画素部４００２は、基板４００１とシール材４００５と対向基板４００６とによって、液晶４００７と共に封止されている。
【００９６】
また、基板４００１上のシール材４００５によって囲まれている領域とは異なる領域に、信号線駆動回路４００３が形成された基板４０２１と、走査線駆動回路が形成された基板４００４とが、実装されている。図１２（Ｂ）では、信号線駆動回路４００３に含まれるトランジスタ４００９を例示している。
【００９７】
また、基板４００１上に設けられた画素部４００２は、トランジスタを複数有している。図１２（Ｂ）では、画素部４００２に含まれるトランジスタ４０１０、トランジスタ４０２２を例示している。トランジスタ４０１０、トランジスタ４０２２は、非晶質半導体または微結晶半導体をチャネル形成領域に含んでいる。
【００９８】
また、液晶素子４０１１が有する画素電極４０３０は、トランジスタ４０１０と電気的に接続されている。そして、液晶素子４０１１の対向電極４０３１は、対向基板４００６に形成されている。画素電極４０３０と対向電極４０３１と液晶４００７とが重なっている部分が、液晶素子４０１１に相当する。
【００９９】
また、スペーサ４０３５が、画素電極４０３０と対向電極４０３１との間の距離（セルギャップ）を制御するために設けられている。なお、図１２（Ｂ）では、スペーサ４０３５が、絶縁膜をパターニングすることで形成されている場合を例示しているが、球状スペーサを用いていても良い。
【０１００】
また、信号線駆動回路４００３、走査線駆動回路、画素部４００２に与えられる各種信号及び電位は、引き回し配線４０１４及び４０１５を介して、接続端子４０１６から供給されている。接続端子４０１６は、ＦＰＣ４０１８が有する端子と、異方性導電膜４０１９を介して電気的に接続されている。
【０１０１】
なお、基板４００１、対向基板４００６、基板４０２１には、ガラス、セラミックス、プラスチックを用いることができる。プラスチックには、ＦＲＰ（Ｆｉｂｅｒｇｌａｓｓ−Ｒｅｉｎｆｏｒｃｅｄ  Ｐｌａｓｔｉｃｓ）板、ＰＶＦ（ポリビニルフルオライド）フィルム、ポリエステルフィルムまたはアクリル樹脂フィルムなどが含まれる。
【０１０２】
但し、液晶素子４０１１を透過した光の取り出し方向に位置する基板には、ガラス板、プラスチック、ポリエステルフィルムまたはアクリルフィルムのような透光性を有する材料を用いる。
【０１０３】
図２４は、図１２に示した液晶表示装置とは異なるパネルの外観を示す図である。なお、図２４（Ａ）は、基板５００１と対向基板５００６とをシール材５００５によって接着させたパネルの上面図であり、図２４（Ｂ）は、図２４（Ａ）の破線Ｂ−Ｂ’における断面図に相当する。図２４に示す液晶表示装置は、基板５００１上に画素部５００２のみならず走査線駆動回路５００４が形成されている点が図１２に示す液晶表示装置と異なる。
【０１０４】
図２４に示す液晶表示装置においては、基板５００１上に設けられた画素部５００２と、走査線駆動回路５００４とを囲むように、シール材５００５が設けられている。また、画素部５００２、走査線駆動回路５００４の上に対向基板５００６が設けられている。よって、画素部５００２と走査線駆動回路５００４は、基板５００１とシール材５００５と対向基板５００６とによって、液晶５００７と共に封止されている。
【０１０５】
また、基板５００１上のシール材５００５によって囲まれている領域とは異なる領域に、信号線駆動回路５００３が形成された基板５０２１が、実装されている。図２４（Ｂ）では、信号線駆動回路５００３に含まれるトランジスタ５００９を例示している。
【０１０６】
また、基板５００１上に設けられた画素部５００２、走査線駆動回路５００４は、トランジスタを複数有している。図２４（Ｂ）では、画素部５００２に含まれるトランジスタ５０１０、トランジスタ５０２２を例示している。トランジスタ５０１０、トランジスタ５０２２は、微結晶半導体をチャネル形成領域に含んでいる。
【０１０７】
また、液晶素子５０１１が有する画素電極５０３０は、トランジスタ５０１０と電気的に接続されている。そして、液晶素子５０１１の対向電極５０３１は、対向基板５００６に形成されている。画素電極５０３０と対向電極５０３１と液晶５００７とが重なっている部分が、液晶素子５０１１に相当する。
【０１０８】
また、スペーサ５０３５が、画素電極５０３０と対向電極５０３１との間の距離（セルギャップ）を制御するために設けられている。なお、図２４（Ｂ）では、スペーサ５０３５が、絶縁膜をパターニングすることで形成されている場合を例示しているが、球状スペーサを用いていても良い。
【０１０９】
また、信号線駆動回路５００３、走査線駆動回路５００４、画素部５００２に与えられる各種信号及び電位は、引き回し配線５０１４及び５０１５を介して、接続端子５０１６から供給されている。接続端子５０１６は、ＦＰＣ５０１８が有する端子と、異方性導電膜５０１９を介して電気的に接続されている。
【０１１０】
なお、基板５００１、対向基板５００６、基板５０２１には、ガラス、セラミックス、プラスチックを用いることができる。プラスチックには、ＦＲＰ（Ｆｉｂｅｒｇｌａｓｓ−Ｒｅｉｎｆｏｒｃｅｄ  Ｐｌａｓｔｉｃｓ）板、ＰＶＦ（ポリビニルフルオライド）フィルム、ポリエステルフィルムまたはアクリル樹脂フィルムなどが含まれる。
【０１１１】
但し、液晶素子５０１１を透過した光の取り出し方向に位置する基板には、ガラス板、プラスチック、ポリエステルフィルムまたはアクリルフィルムのような透光性を有する材料を用いる。
【０１１２】
図１３は、本発明の一態様に係る液晶表示装置の構造を示す、斜視図の一例である。図１３に示す液晶表示装置は、画素部を有するパネル１６０１と、第１の拡散板１６０２と、プリズムシート１６０３と、第２の拡散板１６０４と、導光板１６０５と、バックライトパネル１６０７と、回路基板１６０８と、信号線駆動回路の形成された基板１６１１とを有している。
【０１１３】
パネル１６０１と、第１の拡散板１６０２と、プリズムシート１６０３と、第２の拡散板１６０４と、導光板１６０５と、バックライトパネル１６０７とは、順に積層されている。バックライトパネル１６０７は、複数のバックライトユニットで構成されたバックライト１６１２を有している。導光板１６０５内部に拡散されたバックライト１６１２からの光は、第１の拡散板１６０２、プリズムシート１６０３及び第２の拡散板１６０４によって、パネル１６０１に照射される。
【０１１４】
なお、ここでは、第１の拡散板１６０２と第２の拡散板１６０４とを用いているが、拡散板の数はこれに限定されず、単数であっても３以上であっても良い。そして、拡散板は導光板１６０５とパネル１６０１の間に設けられていれば良い。よって、プリズムシート１６０３よりもパネル１６０１に近い側にのみ拡散板が設けられていても良いし、プリズムシート１６０３よりも導光板１６０５に近い側にのみ拡散板が設けられていても良い。
【０１１５】
また、プリズムシート１６０３は、図１３に示した断面が鋸歯状の形状に限定されず、導光板１６０５からの光をパネル１６０１側に集光できる形状を有していれば良い。
【０１１６】
回路基板１６０８には、パネル１６０１に入力される各種信号を生成する回路、またはこれら信号に処理を施す回路などが設けられている。そして、図１３では、回路基板１６０８とパネル１６０１とが、ＣＯＦテープ１６０９を介して接続されている。また、信号線駆動回路の形成された基板１６１１が、ＣＯＦ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｆｉｌｍ）法を用いてＣＯＦテープ１６０９に接続されている。
【０１１７】
図１３では、バックライト１６１２の駆動を制御する制御系の回路が回路基板１６０８に設けられており、該制御系の回路とバックライトパネル１６０７とがＦＰＣ１６１０を介して接続されている例を示している。ただし、上記制御系の回路はパネル１６０１に形成されていても良く、この場合はパネル１６０１とバックライトパネル１６０７とがＦＰＣなどにより接続されるようにする。
【０１１８】
＜タッチパネルを用いた液晶表示装置の具体例＞
本発明の一態様に係る液晶表示装置は、タッチパネルと呼ばれる位置入力装置を有していても良い。図１４（Ａ）に、タッチパネル１６２０と、パネル１６２１とを重ね合わせている様子を示す。
【０１１９】
タッチパネル１６２０は、透光性を有する位置検出部１６２２において、指またはスタイラスなどが触れた位置を検出し、その位置情報を含む信号を生成することができる。よって、位置検出部１６２２がパネル１６２１の画素部１６２３に重なるようにタッチパネル１６２０を設けることで、液晶表示装置のユーザーが画素部１６２３のどの位置を指し示したかを情報として得ることができる。
【０１２０】
位置検出部１６２２における位置の検出は、抵抗膜方式、静電容量方式など、様々な方式を用いて行うことができる。図１４（Ｂ）に、抵抗膜方式を用いた位置検出部１６２２の斜視図を示す。抵抗膜方式の位置検出部１６２２は、複数の第１電極１６３０と複数の第２電極１６３１とが、間隔をおいて対峙するように設けられている。指などで複数の第１電極１６３０のいずれかに押圧が加えられると、当該第１電極１６３０が複数の第２電極１６３１のいずれかに接触する。そして、複数の各第１電極１６３０の両端の電圧の値と、複数の各第２電極１６３１の両端の電圧の値とをモニターすると、いずれの第１電極１６３０と第２電極１６３１が接触したのかを特定することができるので、指が触れた位置を検出することができる。
【０１２１】
第１電極１６３０と第２電極１６３１は、透光性を有する導電材料、例えば、酸化珪素を含む酸化インジウムスズ（ＩＴＳＯ）、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、ガリウムを添加した酸化亜鉛（ＧＺＯ）などで、形成することができる。
【０１２２】
また、図１５（Ａ）に、静電容量方式のうち、投影静電容量方式を用いた位置検出部１６２２の斜視図を示す。投影静電容量方式の位置検出部１６２２は、複数の第１電極１６４０と複数の第２電極１６４１とが重なるように設けられている。各第１電極１６４０は、矩形状の導電膜１６４２が複数接続された構成を有しており、各第２電極１６４１は、矩形状の導電膜１６４３が複数接続された構成を有している。なお、第１電極１６４０と第２電極１６４１の形状はこの構成に限定されない。
【０１２３】
また、図１５（Ａ）では、複数の第１電極１６４０と複数の第２電極１６４１の上に、誘電体として機能する絶縁層１６４４が重なっている。図１５（Ｂ）に、図１５（Ａ）に示した複数の第１電極１６４０と、複数の第２電極１６４１と、絶縁層１６４４とが重なり合っている様子を示す。図１５（Ｂ）に示すように、複数の第１電極１６４０と複数の第２電極１６４１は、矩形状の導電膜１６４２と矩形状の導電膜１６４３の位置が互いにずれるように、重なり合っている。
【０１２４】
絶縁層１６４４に指などが接触すると、複数の第１電極１６４０のいずれかと、指との間に容量が形成される。また、複数の第２電極１６４１のいずれかと、指との間にも容量が形成される。よって、静電容量の変化をモニターすることで、いずれの第１電極１６４０と第２電極１６４１に指が最も近づいたのかを特定することができるので、指が触れた位置を検出することができる。
【０１２５】
＜フォトセンサを有する液晶表示装置の具体例＞
本発明の一態様に係る液晶表示装置は、フォトセンサを画素部に有していても良い。図１６（Ａ）に、フォトセンサを有する画素部の構造の一例を、模式的に示す。
【０１２６】
図１６（Ａ）に示す画素部１６５０は、画素１６５１と、該画素１６５１に対応したフォトセンサ１６５２とを有する。フォトセンサ１６５２は、フォトダイオードなど、受光することで電気信号を発する機能を有する受光素子と、トランジスタとを有する。なお、フォトセンサ１６５２が受光する光は、バックライトからの光が被検出物に照射された際の反射光を利用することができる。
【０１２７】
図１６（Ｂ）に、フォトセンサ１６５２の構成を一例として示す。図１６（Ｂ）に示すフォトセンサ１６５２は、フォトダイオード１６５３、トランジスタ１６５４及びトランジスタ１６５５を有する。フォトダイオード１６５３は、一方の電極がリセット信号線１６５６に、他方の電極がトランジスタ１６５４のゲートに接続されている。トランジスタ１６５４は、ソース及びドレインの一方が、基準信号線１６５７に、他方がトランジスタ１６５５のソース及びドレインの一方に接続されている。トランジスタ１６５５は、ゲートがゲート信号線１６５８に、ソース及びドレインの他方が出力信号線１６５９に接続されている。
【０１２８】
＜トランジスタの一例＞
次いで、トランジスタの構造について、図１７を参照して説明する。ここでは、微結晶半導体と非晶質半導体を共に半導体層に含んでいるｎ型のトランジスタを例に挙げて、その構成について説明する。
【０１２９】
図１７に、トランジスタの断面図の一例を示す。図１７（Ａ）に示すトランジスタは、基板６０１上に、ゲート層６０３と、半導体層６３３と、ゲート層６０３及び半導体層６３３の間に設けられるゲート絶縁層６０５と、半導体層６３３に接するソース領域及びドレイン領域として機能する不純物半導体層６３１ａ、６３１ｂと、不純物半導体層６３１ａ、６３１ｂに接する配線６２９ａ、６２９ｂとを有する。また、トランジスタの半導体層６３３、不純物半導体層６３１ａ、６３１ｂ、配線６２９ａ、６２９ｂを覆う絶縁層６３７が形成される。
【０１３０】
半導体層６３３は、微結晶半導体領域６３３ａ及び一対の非晶質半導体領域６３３ｂを有する。微結晶半導体領域６３３ａは、第１の面においてゲート絶縁層６０５に接し、第１の面と対向する第２の面において一対の非晶質半導体領域６３３ｂ及び絶縁層６３７に接する。非晶質半導体領域６３３ｂは絶縁層６３７で分離されており、第１の面において微結晶半導体領域６３３ａに接し、第１の面と対向する第２の面において、一対の不純物半導体層６３１ａ、６３１ｂに接する。即ち、半導体層６３３のゲート層６０３と重畳する領域において、微結晶半導体領域６３３ａがゲート層６０３に接するゲート絶縁層６０５、及び絶縁層６３７に接する。
【０１３１】
図１７（Ｂ）に示すトランジスタは、デュアルゲート型のトランジスタであり、図１７（Ａ）に示すトランジスタを覆う絶縁層６３７と、絶縁層６３７上において、半導体層６３３と重畳する電極とを有する。なお、ここでは、絶縁層６３７を介して半導体層６３３と対向する電極をバックゲート層６３９と示す。
【０１３２】
デュアルゲート型のトランジスタは、ゲート層６０３と、バックゲート層６３９との各々に印加する電位を変えることができる。このため、トランジスタのしきい値電圧を制御することができる。または、ゲート層６０３及びバックゲート層６３９に同じ電位を印加することができる。このため、微結晶半導体領域６３３ａの第１の面及び第２の面にチャネルが形成される。
【０１３３】
図１７（Ｂ）に示すデュアルゲート型のトランジスタは、チャネル形成領域が微結晶半導体領域６３３ａのゲート絶縁層６０５側の界面近傍と、絶縁層６３７側の界面近傍との２箇所となるため、キャリアの移動量が増加し、オン電流及び電界効果移動度を高めることができる。このため、トランジスタの面積を小さくすることが可能であり、駆動回路の高集積化が可能である。よって、液晶表示装置の駆動回路に図１７（Ｂ）に示すトランジスタを用いることで、駆動回路の面積を低減できるため、狭額縁化が可能である。
【０１３４】
次に、トランジスタの各構成について、以下に説明する。
【０１３５】
基板６０１としては、ガラス基板、セラミック基板の他、処理温度に耐えうる程度の耐熱性を有するプラスチック基板等を用いることができる。ガラス基板としては、例えば、バリウムホウケイ酸ガラス、アルミノホウケイ酸ガラス若しくはアルミノケイ酸ガラス等の無アルカリガラス基板を用いるとよい。また、基板６０１として、第３世代（例えば、５５０ｍｍ×６５０ｍｍ）、第３．５世代（例えば、６００ｍｍ×７２０ｍｍ、または６２０ｍｍ×７５０ｍｍ）、第４世代（例えば、６８０ｍｍ×８８０ｍｍ、または７３０ｍｍ×９２０ｍｍ）、第５世代（例えば、１１００ｍｍ×１３００ｍｍ）、第６世代（例えば、１５００ｍｍ×１８００ｍｍ）、第７世代（例えば、１９００ｍｍ×２２００ｍｍ）、第８世代（例えば、２１６０ｍｍ×２４６０ｍｍ）、第９世代（例えば、２４００ｍｍ×２８００ｍｍ）、第１０世代（例えば、２８５０ｍｍ×３０５０ｍｍ）等のガラス基板を用いることができる。
【０１３６】
ゲート層６０３は、モリブデン、チタン、クロム、タンタル、タングステン、アルミニウム、銅、ネオジム、スカンジウム、ニッケル等の金属材料またはこれらを主成分とする合金材料を用いて、単層でまたは積層して形成することができる。また、リン等の不純物元素をドーピングした多結晶シリコンに代表される半導体、ＡｇＰｄＣｕ合金、Ａｌ−Ｎｄ合金、Ａｌ−Ｎｉ合金などを用いてもよい。
【０１３７】
例えば、ゲート層６０３の二層の積層構造としては、アルミニウム層上にモリブデン層が積層した二層構造、または銅層上にモリブデン層を積層した二層構造、または銅層上に窒化チタン層若しくは窒化タンタル層を積層した二層構造、窒化チタン層とモリブデン層とを積層した二層構造、銅−マグネシウム−酸素合金層と銅層とを積層した二層構造、銅−マンガン−酸素合金層と銅層とを積層した二層構造、銅−マンガン合金層と銅層とを積層した二層構造などとすることが好ましい。三層の積層構造としては、タングステン層または窒化タングステン層と、アルミニウムとシリコンの合金層またはアルミニウムとチタンの合金層と、窒化チタン層またはチタン層とを積層した三層構造とすることが好ましい。電気的抵抗が低い層上にバリア層として機能する金属層が積層されることで、電気的抵抗を低く、且つ金属層から半導体層への金属元素の拡散を防止することができる。
【０１３８】
ゲート絶縁層６０５は、ＣＶＤ法またはスパッタリング法等を用いて、酸化シリコン層、窒化シリコン層、酸化窒化シリコン層または窒化酸化シリコン層を単層でまたは積層して形成することができる。また、ゲート絶縁層６０５を酸化シリコン層または酸化窒化シリコン層により形成することで、トランジスタの閾値電圧の変動を低減することができる。
【０１３９】
なお、ここでは、酸化窒化シリコンとは、その組成として、窒素よりも酸素の含有量が多いものであって、好ましくは、ラザフォード後方散乱法（ＲＢＳ：Ｒｕｔｈｅｒｆｏｒｄ  Ｂａｃｋｓｃａｔｔｅｒｉｎｇ  Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）及び水素前方散乱法（ＨＦＳ：Ｈｙｄｒｏｇｅｎ  Ｆｏｒｗａｒｄ  ｓｃａｔｔｅｒｉｎｇ  Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）を用いて測定した場合に、組成範囲として酸素が５０〜７０原子％、窒素が０．５〜１５原子％、シリコンが２５〜３５原子％、水素が０．１〜１０原子％の範囲で含まれるものをいう。また、窒化酸化シリコンとは、その組成として、酸素よりも窒素の含有量が多いものであって、好ましくは、ＲＢＳ及びＨＦＳを用いて測定した場合に、組成範囲として酸素が５〜３０原子％、窒素が２０〜５５原子％、シリコンが２５〜３５原子％、水素が１０〜３０原子％の範囲で含まれるものをいう。ただし、酸化窒化シリコンまたは窒化酸化シリコンを構成する原子の合計を１００原子％としたとき、窒素、酸素、シリコン及び水素の含有比率が上記の範囲内に含まれるものとする。
【０１４０】
半導体層６３３は、微結晶半導体領域６３３ａと、非晶質半導体領域６３３ｂとが積層されることを特徴とする。また、ここでは、微結晶半導体領域６３３ａが凹凸状であることを特徴とする。
【０１４１】
ここで、半導体層６３３の詳細な構造について説明する。ここでは、図１７（Ａ）に示すトランジスタのゲート絶縁層６０５と、ソース領域またはドレイン領域として機能する不純物半導体層６３１ａとの間の拡大図を、図１７（Ｃ）及び図１７（Ｄ）に示す。
【０１４２】
図１７（Ｃ）に示すように、微結晶半導体領域６３３ａは凹凸状であり、凸部はゲート絶縁層６０５から非晶質半導体領域６３３ｂに向かって、先端が狭まる（凸部の先端が鋭角である）凸状（錐形状）である。なお、ゲート絶縁層６０５から非晶質半導体領域６３３ｂに向かって幅が広がる凸状（逆錐形状）であってもよい。
【０１４３】
微結晶半導体領域６３３ａは、微結晶半導体で形成される。
【０１４４】
微結晶半導体の代表例である微結晶シリコンは、そのラマンスペクトルのピークが単結晶シリコンを示す５２０ｃｍ−１よりも低波数側に、シフトしている。即ち、単結晶シリコンを示す５２０ｃｍ−１と非晶質シリコンを示す４８０ｃｍ−１の間に微結晶シリコンのラマンスペクトルのピークがある。また、未結合手（ダングリングボンド）を終端するため水素またはハロゲンを少なくとも１原子％またはそれ以上含んでいる。さらに、ヘリウム、アルゴン、クリプトン、またはネオンなどの希ガス元素を含ませて格子歪みをさらに助長させることで、安定性が増し良好な微結晶半導体が得られる。
【０１４５】
微結晶半導体領域６３３ａの厚さ、即ち、ゲート絶縁層６０５との界面から、微結晶半導体領域６３３ａの突起（凸部）の先端までの距離を、３ｎｍ以上４１０ｎｍ以下、好ましくは２０ｎｍ以上１００ｎｍ以下とすることで、トランジスタのオフ電流を低減することができる。
【０１４６】
また、半導体層６３３に含まれる酸素及び窒素の二次イオン質量分析法によって計測される濃度を、１×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満とすることで、微結晶半導体領域６３３ａの結晶性を高めることができるため好ましい。
【０１４７】
非晶質半導体領域６３３ｂは、窒素を有する非晶質半導体で形成される。窒素を有する非晶質半導体に含まれる窒素は、例えばＮＨ基またはＮＨ２基として存在していてもよい。非晶質半導体としては、非晶質シリコンを用いて形成する。
【０１４８】
窒素を含む非晶質半導体は、従来の非晶質半導体と比較して、ＣＰＭ（Ｃｏｎｓｔａｎｔ  Ｐｈｏｔｏｃｕｒｒｅｎｔ  Ｍｅｔｈｏｄ）やフォトルミネッセンス分光測定で測定されるＵｒｂａｃｈ端のエネルギーが小さく、欠陥吸収スペクトル量が少ない半導体である。即ち、窒素を含む非晶質半導体は、従来の非晶質半導体と比較して、欠陥が少なく、価電子帯のバンド端における準位のテール（裾）の傾きが急峻である秩序性の高い半導体である。窒素を含む非晶質半導体は、価電子帯のバンド端における準位のテール（裾）の傾きが急峻であるため、バンドギャップが広くなり、トンネル電流が流れにくい。このため、窒素を含む非晶質半導体を不純物半導体層６３１ａ、６３１ｂ側に設けることで、トランジスタのオフ電流を低減することができる。また、窒素を含む非晶質半導体を設けることで、オン電流と電界効果移動度を高めることが可能である。
【０１４９】
さらに、窒素を含む非晶質半導体は、低温フォトルミネッセンス分光によるスペクトルのピーク領域が、１．３１ｅＶ以上１．３９ｅＶ以下である。なお、微結晶半導体、代表的には微結晶シリコンを低温フォトルミネッセンス分光により測定したスペクトルのピーク領域は、０．９８ｅＶ以上１．０２ｅＶ以下であり、窒素を含む非晶質半導体は、微結晶半導体とは異なるものである。
【０１５０】
また、非晶質半導体領域６３３ｂの他に、微結晶半導体領域６３３ａにも、ＮＨ基またはＮＨ２基を有してもよい。
【０１５１】
また、図１７（Ｄ）に示すように、非晶質半導体領域６３３ｂに、粒径が１ｎｍ以上１０ｎｍ以下、好ましくは１ｎｍ以上５ｎｍ以下の分散した半導体結晶粒６３３ｃを含ませることで、オン電流と電界効果移動度を高めることが可能である。
【０１５２】
ゲート絶縁層６０５から非晶質半導体領域６３３ｂに向かって、先端が狭まる凸状（錐形状）の微結晶半導体領域６３３ａ、または幅が広がる凸状の微結晶半導体領域６３３ａは、微結晶半導体が堆積する条件で微結晶半導体層を形成した後、結晶成長を低減する条件で当該微結晶半導体層を結晶成長させると共に、非晶質半導体を堆積することで、形成することができる。
【０１５３】
図１７に示すトランジスタの微結晶半導体領域６３３ａは、錐形状または逆錐形状であるため、オン状態でソース層及びドレイン層の間に電圧が印加されたときの縦方向（膜厚方向）における抵抗、即ち、半導体層６３３の抵抗を下げることが可能である。また、微結晶半導体領域６３３ａと不純物半導体層６３１ａ、６３１ｂとの間に、欠陥が少なく、価電子帯のバンド端における準位のテール（裾）の傾きが急峻である秩序性の高い、窒素を含む非晶質半導体を有するため、トンネル電流が流れにくくなる。以上のことから、図１７に示すトランジスタは、オン電流及び電界効果移動度を高めるとともに、オフ電流を低減することができる。
【０１５４】
不純物半導体層６３１ａ、６３１ｂは、リンが添加された非晶質シリコン、リンが添加された微結晶シリコン等で形成する。また、リンが添加された非晶質シリコン及びリンが添加された微結晶シリコンの積層構造とすることもできる。なお、トランジスタとして、ｐチャネル型トランジスタを形成する場合は、不純物半導体層６３１ａ、６３１ｂは、ボロンが添加された微結晶シリコン、ボロンが添加された非晶質シリコン等で形成する。なお、半導体層６３３と、配線６２９ａ、６２９ｂとがオーミックコンタクトをする場合は、不純物半導体層６３１ａ、６３１ｂを形成しなくともよい。
【０１５５】
また、不純物半導体層６３１ａ、６３１ｂを、リンが添加された微結晶シリコン、またはボロンが添加された微結晶シリコンで形成する場合は、半導体層６３３と、不純物半導体層６３１ａ、６３１ｂとの間に、微結晶半導体層、代表的には微結晶シリコン層を形成することで、界面の特性を向上させることができる。この結果、不純物半導体層６３１ａ、６３１ｂと、半導体層６３３との界面に生じる抵抗を低減することができる。この結果、トランジスタのソース領域、半導体層、及びドレイン領域を流れる電流量を増加させ、オン電流の増加及び電界効果移動度の向上が可能となる。
【０１５６】
配線６２９ａ、６２９ｂは、アルミニウム、銅、チタン、ネオジム、スカンジウム、モリブデン、クロム、タンタル若しくはタングステン等により単層で、または積層して形成することができる。または、ヒロック防止元素が添加されたアルミニウム合金（ゲート層６０３に用いることができるＡｌ−Ｎｄ合金等）により形成してもよい。ドナーとなる不純物元素を添加した結晶性シリコンを用いてもよい。ドナーとなる不純物元素が添加された結晶性シリコンと接する側の層を、チタン、タンタル、モリブデン、タングステンまたはこれらの元素の窒化物により形成し、その上にアルミニウムまたはアルミニウム合金を形成した積層構造としてもよい。更には、アルミニウムまたはアルミニウム合金の上面及び下面を、チタン、タンタル、モリブデン、タングステンまたはこれらの元素の窒化物で挟んだ積層構造としてもよい。
【０１５７】
絶縁層６３７は、ゲート絶縁層６０５と同様に形成することができる。また、絶縁層６３７は、有機樹脂層を用いて形成することができる。有機樹脂層としては、例えばアクリル、エポキシ、ポリイミド、ポリアミド、ポリビニルフェノール、ベンゾシクロブテンなどを用いることができる。また、シロキサンポリマーを用いることができる。
【０１５８】
図１７（Ｂ）に示すバックゲート層６３９は、配線６２９ａ、６２９ｂと同様に形成することができる。また、バックゲート層６３９は、酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、または酸化シリコンを添加したインジウム錫酸化物等を用いて形成することができる。
【０１５９】
また、バックゲート層６３９は、透光性を有する導電性高分子（導電性ポリマーともいう）を含む導電性組成物を用いて形成することができる。バックゲート層６３９は、シート抵抗が１００００Ω／□以下であって、且つ波長５５０ｎｍにおける透光率が７０％以上であることが好ましい。シート抵抗は、より低いことが好ましい。また、導電性組成物に含まれる導電性高分子の抵抗率が０．１Ω・ｃｍ以下であることが好ましい。
【０１６０】
導電性高分子としては、いわゆるπ電子共役系導電性高分子を用いることができる。例えば、ポリアニリン若しくはその誘導体、ポリピロール若しくはその誘導体、ポリチオフェン若しくはその誘導体、またはアニリン、ピロール及びチオフェンの２種以上の共重合体若しくはその誘導体等が挙げられる。
【０１６１】
なお、図１７では、半導体層６３３が、微結晶半導体領域６３３ａと非晶質半導体領域６３３ｂを含んでいるトランジスタの構成を示しているが、本発明の一態様に係る液晶表示装置が有するトランジスタは、上記構成に限定されない。半導体層が非晶質半導体で構成されていても良い。
【０１６２】
例えば、珪素を有する非晶質半導体は、珪素を含む気体をグロー放電分解することにより得ることができる。珪素を含む気体としては、ＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６が挙げられる。珪素を含む気体を、水素、水素及びヘリウムで希釈して用いても良い。具体的には、モノシラン、水素を、それぞれ２５ｓｃｃｍ、２５ｓｃｃｍの流量とし、反応圧力４０Ｐａ、基板温度２５０℃、高周波（６０ＭＨｚ）として、プラズマＣＶＤ法で、珪素を有する非晶質半導体を用いた半導体層を形成することができる。
【０１６３】
次に、トランジスタの平面図である図１８を用いて、バックゲート層の形状について説明する。
【０１６４】
図１８（Ａ）に示すように、バックゲート層６３９は、ゲート層６０３と平行に形成することができる。この場合、バックゲート層６３９に印加する電位と、ゲート層６０３に印加する電位とを、それぞれ任意に制御することが可能である。このため、トランジスタのしきい値電圧を制御することができる。
【０１６５】
また、図１８（Ｂ）に示すように、バックゲート層６３９は、ゲート層６０３に接続させることができる。即ち、ゲート絶縁層６０５及び絶縁層６３７に形成した開口部６５０において、ゲート層６０３及びバックゲート層６３９が接続する構造とすることができる。この場合、バックゲート層６３９に印加する電位と、ゲート層６０３に印加する電位とは、等しい。この結果、半導体層において、キャリアが流れる領域、即ちチャネルが、微結晶半導体領域のゲート絶縁層６０５側、及び絶縁層６３７側に形成されるため、トランジスタのオン電流を高めることができる。
【０１６６】
さらには、図１８（Ｃ）に示すように、バックゲート層６３９は、絶縁層６３７を介して配線６２９ａ、６２９ｂと重畳してもよい。ここでは、図１８（Ａ）に示す構造のバックゲート層６３９を用いて示したが、図１８（Ｂ）に示すバックゲート層６３９も同様に配線６２９ａ、６２９ｂと重畳してもよい。
【０１６７】
次に、図１７に示す半導体層と異なる構造の半導体層を有するトランジスタについて、図１９を用いて説明する。
【０１６８】
図１９（Ａ）に示すトランジスタは、基板６０１上に、ゲート層６０３と、半導体層６４３と、ゲート層６０３及び半導体層６４３の間に設けられるゲート絶縁層６０５と、半導体層６４３に接するソース領域及びドレイン領域として機能する不純物半導体層６３１ａ、６３１ｂと、不純物半導体層６３１ａ、６３１ｂに接する配線６２９ａ、６２９ｂとを有する。また、トランジスタの半導体層６４３、不純物半導体層６３１ａ、６３１ｂ、配線６２９ａ、６２９ｂを覆う絶縁層６３７が形成される。
【０１６９】
半導体層６４３は、微結晶半導体領域６４３ａ及び非晶質半導体領域６４３ｂを有する。微結晶半導体領域６４３ａは、第１の面においてゲート絶縁層６０５に接し、第１の面と対向する第２の面において非晶質半導体領域６４３ｂに接する。非晶質半導体領域６４３ｂは、第１の面において微結晶半導体領域６４３ａに接し、第１の面と対向する第２の面において、一対の不純物半導体層６３１ａ、６３１ｂ及び絶縁層６３７に接する。
【０１７０】
図１９（Ｂ）に示すトランジスタは、デュアルゲート型のトランジスタであり、図１９（Ａ）に示すトランジスタを覆う絶縁層６３７と、絶縁層６３７上において、半導体層６４３と重畳するバックゲート層６３９とを有する。即ち、半導体層６４３において、ゲート層６０３と重畳する領域において、微結晶半導体領域６４３ａがゲート層６０３に接するゲート絶縁層６０５に接し、非晶質半導体領域６４３ｂがバックゲート層６３９に接する絶縁層６３７に接する。
【０１７１】
微結晶半導体領域６４３ａは、図１７に示す微結晶半導体領域６３３ａと同様の材料で形成される。また、非晶質半導体領域６４３ｂは図１７に示す非晶質半導体領域６３３ｂと同様の材料で形成される。図１７に示すトランジスタと比較して、図１９に示すトランジスタでは、非晶質半導体領域６４３ｂが分離されておらず、微結晶半導体領域６４３ａの一方の面がゲート絶縁層６０５に接し、他方の面が非晶質半導体領域６４３ｂに接する点が異なる。
【０１７２】
図１９に示すトランジスタは、ゲート絶縁層６０５に接する微結晶半導体領域６４３ａと、欠陥が少なく、価電子帯のバンド端における準位のテール（裾）の傾きが急峻である秩序性の高い窒素を含む非晶質半導体領域６４３ｂとで構成され、絶縁層６３７側が非晶質半導体領域６４３ｂである半導体層６４３を有する。このため、図１７に示すトランジスタと比較してオフ電流が低く、オン電流及び電界効果移動度が高い。よって、液晶表示装置において当該トランジスタを画素に設けられるトランジスタとして適用することで、コントラストが高く、画質の良好な液晶表示装置を得ることができる。
【０１７３】
また、図１７及び図１９に示すトランジスタにおいて、半導体層６３３、６４３は、ゲート層６０３より面積が狭く、且つ全ての領域がゲート層６０３と重畳してもよい。更には、半導体層６３３、６４３の側壁、即ち、半導体層６３３、６４３と配線６２９ａ、６２９ｂの間に障壁領域である絶縁領域を有してもよい。障壁領域である絶縁領域は、半導体層６３３、６４３の一部を窒化または酸化して形成される領域であり、代表的には、半導体窒化物または半導体酸化物で形成される。半導体窒化物としては、窒化シリコン、窒化酸化シリコン等があり、半導体酸化物としては、酸化シリコン、酸化窒化シリコン等がある。なお、絶縁領域を構成する半導体窒化物及び半導体酸化物は、必ずしも化学量論比を満たす必要はない。
【０１７４】
半導体層６３３、６４３の側壁、即ち、半導体層６３３、６４３と配線６２９ａ、６２９ｂの間に障壁領域である絶縁領域を有することで、配線６２９ａ、６２９ｂから半導体層６３３、６４３へのホールの注入を抑制することが可能であり、トランジスタのオフ電流を低減することができる。以上のことから、光リーク電流が小さく、且つオフ電流が小さいトランジスタを得ることができる。
【０１７５】
＜トランジスタの作製方法の一例＞
次に、トランジスタの作製方法の一例について述べる。ここでは、図１７に示すトランジスタを例に挙げて、その作製方法について、図２０及び図２１を用いて示す。ここでは、ｎ型のトランジスタの作製方法について説明する。
【０１７６】
図２０（Ａ）に示すように、基板６０１上にゲート層６０３を形成する。次に、ゲート層６０３を覆うゲート絶縁層６０５、微結晶半導体層６０７を形成する。
【０１７７】
ゲート層６０３は、上述した材料を適宜用いて形成する。ゲート層６０３は、基板６０１上に、スパッタリング法または真空蒸着法を用いて上記した材料により導電層を形成し、該導電層上にフォトリソグラフィ法またはインクジェット法等によりマスクを形成し、該マスクを用いて導電層をエッチングして形成することができる。また、銀、金または銅等の導電性ナノペーストをインクジェット法により基板上に吐出し、焼成することで形成することもできる。なお、ゲート層６０３と、基板６０１との密着性向上を目的として、上記の金属材料の窒化物層を、基板６０１と、ゲート層６０３との間に設けてもよい。ここでは、基板６０１上に導電層を形成し、フォトマスクを用いて形成したレジストマスクを用いて導電層をエッチングしてゲート層６０３を形成する。
【０１７８】
なお、ゲート層６０３の側面は、テーパー形状とすることが好ましい。後の工程で、ゲート層６０３上には、絶縁層、半導体層及び配線層を形成するので、これらに段差箇所において断線を生じさせないためである。ゲート層６０３の側面をテーパー形状にするためには、レジストマスクを後退させつつエッチングを行えばよい。
【０１７９】
また、ゲート層６０３を形成する工程によりゲート配線（走査線）及び容量配線も同時に形成することができる。なお、走査線とは画素を選択する配線をいい、容量配線とは画素の保持容量の一方の電極に接続された配線をいう。ただし、これに限定されず、ゲート配線及び容量配線の一方または双方と、ゲート層６０３とは別に設けてもよい。
【０１８０】
ゲート絶縁層６０５は、ＣＶＤ法またはスパッタリング法等を用いて、上述した材料を用いて形成することができる。ゲート絶縁層６０５のＣＶＤ法による形成工程においてグロー放電プラズマの生成は、３ＭＨｚから３０ＭＨｚ、代表的には１３．５６ＭＨｚ、２７．１２ＭＨｚのＨＦ帯の高周波電力、または３０ＭＨｚより大きく３００ＭＨｚ程度までのＶＨＦ帯の高周波電力、代表的には６０ＭＨｚを印加することで行われる。また、１ＧＨｚ以上のマイクロ波の高周波電力を印加することで行われる。ＶＨＦ帯やマイクロ波の高周波電力を用いることで、成膜速度を高めることが可能である。なお、高周波電力がパルス状に印加されるパルス発振や、連続的に印加される連続発振とすることができる。また、ＨＦ帯の高周波電力と、ＶＨＦ帯の高周波電力を重畳させることで、大面積基板においてもプラズマのムラを低減し、均一性を高めることができると共に、堆積速度を高めることができる。また、周波数が１ＧＨｚ以上であるマイクロ波プラズマＣＶＤ装置を用いてゲート絶縁層６０５を形成すると、ゲート層と、ドレイン層及びソース層との間の耐圧を向上させることができるため、信頼性の高いトランジスタを得ることができる。
【０１８１】
また、ゲート絶縁層６０５として、有機シランガスを用いたＣＶＤ法により酸化シリコン層を形成することで、後に形成する半導体層の結晶性を高めることが可能であるため、トランジスタのオン電流及び電界効果移動度を高めることができる。有機シランガスとしては、珪酸エチル（ＴＥＯＳ：化学式Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）４）、テトラメチルシラン（ＴＭＳ：化学式Ｓｉ（ＣＨ３）４）、テトラメチルシクロテトラシロキサン（ＴＭＣＴＳ）、オクタメチルシクロテトラシロキサン（ＯＭＣＴＳ）、ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）、トリエトキシシラン（ＳｉＨ（ＯＣ２Ｈ５）３）、トリスジメチルアミノシラン（ＳｉＨ（Ｎ（ＣＨ３）２）３）等のシリコン含有化合物を用いることができる。
【０１８２】
微結晶半導体層６０７としては、微結晶半導体層、代表的には、微結晶シリコン層、微結晶シリコンゲルマニウム層、微結晶ゲルマニウム層等を用いて形成する。微結晶半導体層６０７の厚さは、３〜１００ｎｍとすることが好ましく、より好ましくは５〜５０ｎｍとする。これは、微結晶半導体層６０７の厚さが薄すぎると、トランジスタのオン電流が低減し、また、微結晶半導体層６０７の厚さが厚すぎると、トランジスタが高温で動作する際に、オフ電流が上昇してしまうためである。微結晶半導体層６０７の厚さを３〜１００ｎｍ、好ましくは５〜５０ｎｍとすることで、トランジスタのオン電流及びオフ電流を制御することができる。
【０１８３】
微結晶半導体層６０７は、プラズマＣＶＤ装置の反応室内において、シリコンまたはゲルマニウムを含む堆積性気体と、水素とを混合し、グロー放電プラズマにより形成する。または、シリコンまたはゲルマニウムを含む堆積性気体と、水素と、ヘリウム、ネオン、クリプトン等の希ガスとを混合し、グロー放電プラズマにより形成する。シリコンまたはゲルマニウムを含む堆積性気体の流量に対して、水素の流量を１０〜２０００倍、好ましくは１０〜２００倍にして堆積性気体を希釈して、微結晶シリコン、微結晶シリコンゲルマニウム、微結晶ゲルマニウム等を形成する。このときの堆積温度は、室温〜３００℃とすることが好ましく、より好ましくは２００〜２８０℃とする。
【０１８４】
シリコンまたはゲルマニウムを含む堆積性気体の代表例としては、ＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６、ＧｅＨ４、Ｇｅ２Ｈ６等がある。
【０１８５】
なお、ゲート絶縁層６０５を窒化シリコン層で形成すると、微結晶半導体層６０７の堆積初期において非晶質半導体領域が形成されやすく、微結晶半導体層６０７の結晶性が低く、トランジスタの電気特性が悪い。このため、ゲート絶縁層６０５を窒化シリコン層で形成する場合は、微結晶半導体層６０７を、シリコンまたはゲルマニウムを含む堆積性気体の希釈率の高い条件、または低温条件で堆積することが好ましい。代表的には、シリコンまたはゲルマニウムを含む堆積気体の流量に対して、水素の流量を２００〜２０００倍、好ましくは２５０〜４００倍とする高希釈率条件が好ましい。また、微結晶半導体層６０７の堆積温度を２００〜２５０℃とする低温条件が好ましい。高希釈率条件または低温条件により、初期核発生密度が高まり、ゲート絶縁層６０５上に形成される非晶質成分が低減し、微結晶半導体層６０７の結晶性が向上する。また、窒化シリコン層で形成したゲート絶縁層６０５の表面を酸化処理することで、微結晶半導体層６０７の密着性が向上する。酸化処理としては、酸化気体への暴露、酸化ガス雰囲気でのプラズマ処理等がある。
【０１８６】
微結晶半導体層６０７の原料ガスとして、ヘリウム、アルゴン、ネオン、クリプトン、キセノン等の希ガスを用いることで、微結晶半導体層６０７の成膜速度が高まる。また、成膜速度が高まることで、微結晶半導体層６０７に混入される不純物量が低減するため、微結晶半導体層６０７の結晶性を高めることができる。このため、トランジスタのオン電流及び電界効果移動度が高まると共に、スループットを高めることができる。
【０１８７】
微結晶半導体層６０７を形成する際の、グロー放電プラズマの生成は、３ＭＨｚから３０ＭＨｚ、代表的には１３．５６ＭＨｚ、２７．１２ＭＨｚのＨＦ帯の高周波電力、または３０ＭＨｚより大きく３００ＭＨｚ程度までのＶＨＦ帯の高周波電力、代表的には、６０ＭＨｚを印加することで行われる。また、１ＧＨｚ以上のマイクロ波の高周波電力を印加することで行われる。なお、高周波電力がパルス状に印加されるパルス発振や、連続的に印加される連続発振とすることができる。また、ＨＦ帯の高周波電力と、ＶＨＦ帯の高周波電力を重畳させることで、大面積基板においてもプラズマのムラを低減し、均一性を高めることができると共に、堆積速度を高めることができる。
【０１８８】
次に、図２０（Ｂ）に示すように、微結晶半導体層６０７上に半導体層６１１を形成する。半導体層６１１は、微結晶半導体領域６１１ａ及び非晶質半導体領域６１１ｂで構成される。次に、半導体層６１１上に、不純物半導体層６１３を形成する。次に、不純物半導体層６１３上にレジストマスク６１５を形成する。
【０１８９】
微結晶半導体層６０７を種結晶として、部分的に結晶成長させる条件（結晶成長を低減させる条件）で、微結晶半導体領域６１１ａ及び非晶質半導体領域６１１ｂを有する半導体層６１１を形成することができる。
【０１９０】
半導体層６１１は、プラズマＣＶＤ装置の処理室内において、シリコンまたはゲルマニウムを含む堆積性気体と、水素と、窒素を含む気体とを混合し、グロー放電プラズマにより形成する。窒素を含む気体としては、アンモニア、窒素、フッ化窒素、塩化窒素、クロロアミン、フルオロアミン等がある。グロー放電プラズマの生成は、微結晶半導体層６０７と同様にすることができる。
【０１９１】
このとき、シリコンまたはゲルマニウムを含む堆積性気体と、水素との流量比は、微結晶半導体層６０７と同様に微結晶半導体層を形成する流量比を用い、さらに原料ガスに窒素を含む気体を用いる条件とすることで、微結晶半導体層６０７の堆積条件よりも、結晶成長を低減することができる。具体的には、半導体層６１１の堆積初期においては、原料ガスに窒素を含む気体が含まれるため、部分的に、結晶成長が抑制され、錐形状の微結晶半導体領域が成長すると共に、非晶質半導体領域が形成される。さらに、堆積中期または後期では、錐形状の微結晶半導体領域の結晶成長が停止し、非晶質半導体領域のみが堆積される。この結果、半導体層６１１において、微結晶半導体領域６１１ａ、及び欠陥が少なく、価電子帯のバンド端における準位のテール（裾）の傾きが急峻である秩序性の高い半導体層で形成される非晶質半導体領域６１１ｂを形成することができる。
【０１９２】
ここでは、半導体層６１１を形成する条件の代表例は、シリコンまたはゲルマニウムを含む堆積性気体の流量に対する水素の流量が１０〜２０００倍、好ましくは１０〜２００倍である。なお、通常の非晶質半導体層を形成する条件の代表例は、シリコンまたはゲルマニウムを含む堆積性気体の流量に対する水素の流量は０〜５倍である。
【０１９３】
また、半導体層６１１の原料ガスに、ヘリウム、ネオン、アルゴン、キセノン、またはクリプトン等の希ガスを導入することで、成膜速度を高めることができる。
【０１９４】
半導体層６１１の厚さは、厚さ５０〜３５０ｎｍとすることが好ましく、さらに好ましくは１２０〜２５０ｎｍとする。
【０１９５】
ここでは、半導体層６１１の原料ガスに窒素を含む気体を含ませて、微結晶半導体領域６１１ａ及び非晶質半導体領域６１１ｂを有する半導体層６１１を形成したが、他の半導体層６１１の形成方法として、窒素を含む気体に微結晶半導体層６０７の表面を曝して、微結晶半導体層６０７の表面に窒素を吸着させた後、シリコンまたはゲルマニウムを含む堆積性気体及び水素を原料ガスとして半導体層６１１を形成することで、微結晶半導体領域６１１ａ及び非晶質半導体領域６１１ｂを有する半導体層６１１を形成することができる。
【０１９６】
不純物半導体層６１３は、プラズマＣＶＤ装置の反応室内において、シリコンを含む堆積性気体と、水素と、ホスフィン（水素希釈またはシラン希釈）とを混合し、グロー放電プラズマにより形成する。シリコンを含む堆積性気体を水素で希釈して、リンが添加された非晶質シリコン、またはリンが添加された微結晶シリコンを形成する。なお、ｐ型のトランジスタを作製する場合は、不純物半導体層６１３として、ホスフィンの代わりに、ジボランを用いて、グロー放電プラズマにより形成すればよい。
【０１９７】
レジストマスク６１５はフォトリソグラフィ工程により形成することができる。
【０１９８】
次に、レジストマスク６１５を用いて、微結晶半導体層６０７、半導体層６１１、及び不純物半導体層６１３をエッチングする。この工程により、微結晶半導体層６０７、半導体層６１１、及び不純物半導体層６１３を素子毎に分離し、半導体層６１７、不純物半導体層６２１を形成する。なお、半導体層６１７は、微結晶半導体層６０７及び半導体層６１１の一部であり、微結晶半導体領域６１７ａ、及び非晶質半導体領域６１７ｂを有する（図２０（Ｃ）参照）。
【０１９９】
この後、レジストマスク６１５を残存させたまま、酸化ガスまたは窒化ガス雰囲気でプラズマを発生させて、半導体層６１７をプラズマに曝してもよい。酸化ガスまたは窒化ガス雰囲気でプラズマを発生させることで、酸素ラジカルまたは窒素ラジカルが発生する。当該ラジカルは半導体層６１７と反応し、半導体層６１７の側面に障壁領域である絶縁領域を形成することができる。
【０２００】
次に、不純物半導体層６２１上に導電層６２７を形成する（図２１（Ａ）参照）。導電層６２７は、図１７、図１８、及び図１９に示す配線６２９ａ、６２９ｂと同様の材料を適宜用いることができる。導電層６２７は、ＣＶＤ法、スパッタリング法または真空蒸着法を用いて形成する。また、導電層６２７は、銀、金または銅等の導電性ナノペーストを用いてスクリーン印刷法またはインクジェット法等を用いて吐出し、焼成することで形成しても良い。
【０２０１】
次に、フォトリソグラフィ工程によりレジストマスクを形成し、当該レジストマスクを用いて導電層６２７をエッチングして、ソース層及びドレイン層として機能する配線６２９ａ、６２９ｂを形成する（図２１（Ｂ）参照）。導電層６２７のエッチングはドライエッチングまたはウエットエッチングを用いることができる。なお、配線６２９ａ、６２９ｂの一方は、ソース層またはドレイン層のみならず信号線としても機能する。ただし、これに限定されず、信号線とソース層及びドレイン層とは別に設けてもよい。
【０２０２】
次に、不純物半導体層６２１及び半導体層６１７の一部をエッチングして、ソース領域及びドレイン領域として機能する一対の不純物半導体層６３１ａ、６３１ｂを形成する。また、微結晶半導体領域６３３ａ及び一対の非晶質半導体領域６３３ｂを有する半導体層６３３を形成する。このとき、微結晶半導体領域６３３ａが露出されるように半導体層６１７をエッチングすることで、配線６２９ａ、６２９ｂで覆われる領域では微結晶半導体領域６３３ａ及び非晶質半導体領域６３３ｂが積層され、配線６２９ａ、６２９ｂで覆われず、かつゲート層６０３と重なる領域においては、微結晶半導体領域６３３ａが露出する半導体層６３３となる（図２１（Ｃ）参照）。
【０２０３】
ここでは、エッチングにおいてドライエッチングを用いているため、配線６２９ａ、６２９ｂの端部と、不純物半導体層６３１ａ、６３１ｂの端部とが揃っているが、導電層６２７をウエットエッチングし、不純物半導体層６２１をドライエッチングすると、配線６２９ａ、６２９ｂの端部と、不純物半導体層６３１ａ、６３１ｂの端部とがずれ、断面において、配線６２９ａ、６２９ｂの端部が、不純物半導体層６３１ａ、６３１ｂの端部より内側に位置する。
【０２０４】
次に、ドライエッチングを行ってもよい。ドライエッチングの条件は、露出している微結晶半導体領域６３３ａ及び非晶質半導体領域６３３ｂにダメージが入らず、且つ微結晶半導体領域６３３ａ及び非晶質半導体領域６３３ｂに対するエッチングレートが低い条件を用いる。つまり、露出している微結晶半導体領域６３３ａ及び非晶質半導体領域６３３ｂ表面にほとんどダメージを与えず、且つ露出している微結晶半導体領域６３３ａ及び非晶質半導体領域６３３ｂの厚さがほとんど減少しない条件を用いる。エッチングガスとしては、代表的にはＣｌ２、ＣＦ４、またはＮ２等を用いる。また、エッチング方法については特に限定はなく、誘導結合型プラズマ（ＩＣＰ：Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｐｌａｓｍａ）方式、容量結合型プラズマ（ＣＣＰ：Ｃａｐａｃｉｔｉｖｅｌｙ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｐｌａｓｍａ）方式、電子サイクロトン共鳴プラズマ（ＥＣＲ：Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｃｙｃｌｏｔｒｏｎ  Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ）方式、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ：Ｒｅａｃｔｉｖｅ  Ｉｏｎ  Ｅｔｃｈｉｎｇ）方式等を用いることができる。
【０２０５】
上記したように、微結晶半導体領域６３３ａ及び非晶質半導体領域６３３ｂを形成した後に、微結晶半導体領域６３３ａ及び非晶質半導体領域６３３ｂにダメージを与えない条件で更なるドライエッチングを行うことで、露出した微結晶半導体領域６３３ａ及び非晶質半導体領域６３３ｂ上に存在する残渣などの不純物を除去することができる。
【０２０６】
次に、微結晶半導体領域６３３ａ及び非晶質半導体領域６３３ｂの表面にプラズマ処理、代表的には水プラズマ処理、酸素プラズマ処理、アンモニアプラズマ処理、窒素プラズマ処理等を行ってもよい。
【０２０７】
水プラズマ処理は、水蒸気（Ｈ２Ｏ蒸気）に代表される、水を主成分とするガスを反応空間に導入し、プラズマを生成して、行うことができる。この後、レジストマスクを除去する。なお、当該レジストマスクの除去はドライエッチング前に行ってもよい。
【０２０８】
上記したように、ドライエッチングに続けて水プラズマ処理を行うことで、レジストマスクの残渣を除去することができる。また、プラズマ処理を行うことで、ソース領域とドレイン領域との間の絶縁を確実なものにすることができ、完成するトランジスタのオフ電流を低減し、電気的特性のばらつきを低減することができる。
【０２０９】
以上の工程により、図１７（Ａ）に示すような、チャネル形成領域が微結晶半導体層で形成されるトランジスタを作製することができる。また、オフ電流が低く、オン電流及び電界効果移動度が高いトランジスタを生産性高く作製することができる。
【０２１０】
次に、絶縁層６３７を形成する。絶縁層６３７は、ゲート絶縁層６０５と同様に形成することができる。
【０２１１】
次に、フォトリソグラフィ工程により形成したレジストマスクを用いて絶縁層６３７に開口部を形成した後、バックゲート層６３９を形成する（図２１（Ｄ）参照）。
【０２１２】
バックゲート層６３９は、スパッタリング法により、上述した材料を用いた薄膜を形成した後、フォトリソグラフィ工程によって形成したレジストマスクを用いて上記薄膜をエッチングすることで、形成できる。また、透光性を有する導電性高分子を含む導電性組成物を塗布または印刷した後、焼成して形成することができる。
【０２１３】
以上の工程により、図１７（Ｂ）に示すようなデュアルゲート型のトランジスタを作製することができる。
【０２１４】
なお、図２１（Ｃ）における半導体層６１７及び不純物半導体層６２１のエッチング量を制御することで、図１９（Ａ）及び図１９（Ｂ）に示すトランジスタを作製することができる。
【０２１５】
＜液晶表示装置を搭載した各種電子機器について＞
以下では、本明細書で開示される液晶表示装置を搭載した電子機器の例について図２２を参照して説明する。
【０２１６】
図２２（Ａ）は、ノート型のパーソナルコンピュータを示す図であり、本体２２０１、筐体２２０２、表示部２２０３、キーボード２２０４などによって構成されている。
【０２１７】
図２２（Ｂ）は、携帯情報端末（ＰＤＡ）を示す図であり、本体２２１１には表示部２２１３と、外部インターフェイス２２１５と、操作ボタン２２１４等が設けられている。また、操作用の付属品としてスタイラス２２１２がある。
【０２１８】
図２２（Ｃ）は、電子ペーパーの一例として、電子書籍２２２０を示す図である。電子書籍２２２０は、筐体２２２１および筐体２２２３の２つの筐体で構成されている。筐体２２２１および筐体２２２３は、軸部２２３７により一体とされており、該軸部２２３７を軸として開閉動作を行うことができる。このような構成により、電子書籍２２２０は、紙の書籍のように用いることが可能である。
【０２１９】
筐体２２２１には表示部２２２５が組み込まれ、筐体２２２３には表示部２２２７が組み込まれている。表示部２２２５および表示部２２２７は、続き画面を表示する構成としてもよいし、異なる画面を表示する構成としてもよい。異なる画面を表示する構成とすることで、例えば右側の表示部（図２２（Ｃ）では表示部２２２５）に文章を表示し、左側の表示部（図２２（Ｃ）では表示部２２２７）に画像を表示することができる。
【０２２０】
また、図２２（Ｃ）では、筐体２２２１に操作部などを備えた例を示している。例えば、筐体２２２１は、電源ボタン２２３１、操作キー２２３３、スピーカー２２３５などを備えている。操作キー２２３３により、頁を送ることができる。なお、筐体の表示部と同一面にキーボードやポインティングデバイスなどを備える構成としてもよい。また、筐体の裏面や側面に、外部接続用端子（イヤホン端子、ＵＳＢ端子、またはＡＣアダプタおよびＵＳＢケーブルなどの各種ケーブルと接続可能な端子など）、記録媒体挿入部などを備える構成としてもよい。さらに、電子書籍２２２０は、電子辞書としての機能を持たせた構成としてもよい。
【０２２１】
また、電子書籍２２２０は、無線で情報を送受信できる構成としてもよい。無線により、電子書籍サーバから、所望の書籍データなどを購入し、ダウンロードする構成とすることも可能である。
【０２２２】
なお、電子ペーパーは、情報を表示するものであればあらゆる分野に適用することが可能である。例えば、電子書籍以外にも、ポスター、電車などの乗り物の車内広告、クレジットカード等の各種カードにおける表示などに適用することができる。
【０２２３】
図２２（Ｄ）は、携帯電話機を示す図である。当該携帯電話機は、筐体２２４０および筐体２２４１の二つの筐体で構成されている。筐体２２４１は、表示パネル２２４２、スピーカー２２４３、マイクロフォン２２４４、ポインティングデバイス２２４６、カメラ用レンズ２２４７、外部接続端子２２４８などを備えている。また、筐体２２４０は、当該携帯電話機の充電を行う太陽電池セル２２４９、外部メモリスロット２２５０などを備えている。また、アンテナは筐体２２４１内部に内蔵されている。
【０２２４】
表示パネル２２４２はタッチパネル機能を備えており、図２２（Ｄ）には映像表示されている複数の操作キー２２４５を点線で示している。なお、当該携帯電話は、太陽電池セル２２４９から出力される電圧を各回路に必要な電圧に昇圧するための昇圧回路を実装している。また、上記構成に加えて、非接触ＩＣチップ、小型記録装置などを内蔵した構成とすることもできる。
【０２２５】
表示パネル２２４２は、使用形態に応じて表示の方向が適宜変化する。また、表示パネル２２４２と同一面上にカメラ用レンズ２２４７を備えているため、テレビ電話が可能である。スピーカー２２４３およびマイクロフォン２２４４は音声通話に限らず、テレビ電話、録音、再生などが可能である。さらに、筐体２２４０と筐体２２４１はスライドし、図２２（Ｄ）のように展開している状態から重なり合った状態とすることができ、携帯に適した小型化が可能である。
【０２２６】
外部接続端子２２４８はＡＣアダプタやＵＳＢケーブルなどの各種ケーブルと接続可能であり、充電やデータ通信が可能になっている。また、外部メモリスロット２２５０に記録媒体を挿入し、より大量のデータの保存および移動に対応できる。また、上記機能に加えて、赤外線通信機能、テレビ受信機能などを備えたものであってもよい。
【０２２７】
図２２（Ｅ）は、デジタルカメラを示す図である。当該デジタルカメラは、本体２２６１、第１の表示部２２６７、接眼部２２６３、操作スイッチ２２６４、第２の表示部２２６５、バッテリー２２６６などによって構成されている。
【０２２８】
図２２（Ｆ）は、テレビジョン装置を示す図である。テレビジョン装置２２７０では、筐体２２７１に表示部２２７３が組み込まれている。表示部２２７３により、映像を表示することが可能である。なお、ここでは、スタンド２２７５により筐体２２７１を支持した構成を示している。
【０２２９】
テレビジョン装置２２７０の操作は、筐体２２７１が備える操作スイッチや、別体のリモコン操作機２２８０により行うことができる。リモコン操作機２２８０が備える操作キー２２７９により、チャンネルや音量の操作を行うことができ、表示部２２７３に表示される映像を操作することができる。また、リモコン操作機２２８０に、当該リモコン操作機２２８０から出力する情報を表示する表示部２２７７を設ける構成としてもよい。
【０２３０】
なお、テレビジョン装置２２７０は、受信機やモデムなどを備えた構成とするのが好適である。受信機により、一般のテレビ放送の受信を行うことができる。また、モデムを介して有線または無線による通信ネットワークに接続することにより、一方向（送信者から受信者）または双方向（送信者と受信者間、あるいは受信者間同士など）の情報通信を行うことが可能である。
【符号の説明】
【０２３１】
１０        画素部
１１        走査線駆動回路
１２        信号線駆動回路
１５        画素
１６        バックライトユニット
３０        画素部
３１        走査線駆動回路
３２        信号線駆動回路
３３        走査線
１１１      シフトレジスタ
１１２      シフトレジスタ
１１３      シフトレジスタ
１２０      シフトレジスタ
１２１      トランジスタ
１２２      トランジスタ
１２３      トランジスタ
１３１      走査線
１３２      走査線
１３３      走査線
１４１      信号線
１４２      信号線
１４３      信号線
１５１      トランジスタ
１５２      トランジスタ
１５３      トランジスタ
１５４      容量素子
１５５      液晶素子
３０１      領域
３０２      領域
３０３      領域
３１１      シフトレジスタ
３１２      シフトレジスタ
３１３      シフトレジスタ
３２０      シフトレジスタ
３２１      トランジスタ
３２２      トランジスタ
３２３      トランジスタ
３４１      信号線
３４２      信号線
３４３      信号線
３５１      画素
３５２      画素
３５３      画素
６０１      基板
６０３      ゲート層
６０５      ゲート絶縁層
６０７      微結晶半導体層
６１１      半導体層
６１１ａ    微結晶半導体領域
６１１ｂ    非晶質半導体領域
６１３      不純物半導体層
６１５      レジストマスク
６１７      半導体層
６１７ａ    微結晶半導体領域
６１７ｂ    非晶質半導体領域
６２１      不純物半導体層
６２７      導電層
６２９ａ    配線
６２９ｂ    配線
６３１ａ    不純物半導体層
６３１ｂ    不純物半導体層
６３３      半導体層
６３３ａ    微結晶半導体領域
６３３ｂ    非晶質半導体領域
６３３ｃ    半導体結晶粒
６３７      絶縁層
６３９      バックゲート層
６４３      半導体層
６４３ａ    微結晶半導体領域
６４３ｂ    非晶質半導体領域
６５０      開口部
９００      基板
９０１      基板
９０３      接着剤
９０４      端子
９０５      ワイヤ
９０６      トランジスタ
９０７      パッド
９１０      基板
９１１      基板
９１２      パッド
９１３      ソルダーボール
９１４      トランジスタ
９１６      端子
９２０      基板
９２１      基板
９２２      パッド
９２４      トランジスタ
９２６      端子
９２７      導電性樹脂
１４０１    トランジスタ
１４０２    ゲート層
１４０３    ゲート絶縁層
１４０４    半導体層
１４０５    導電膜
１４０６    導電膜
１４０７    絶縁層
１４０８    絶縁層
１４１０    画素電極
１４１１    配向膜
１４１３    対向電極
１４１４    配向膜
１４１５    液晶
１４１６    シール材
１４１７    スペーサ
１４２０    対向基板
１６０１    パネル
１６０２    拡散板
１６０３    プリズムシート
１６０４    拡散板
１６０５    導光板
１６０７    バックライトパネル
１６０８    回路基板
１６０９    ＣＯＦテープ
１６１０    ＦＰＣ
１６１１    基板
１６１２    バックライト
１６２０    タッチパネル
１６２１    パネル
１６２２    位置検出部
１６２３    画素部
１６３０    第１電極
１６３１    第２電極
１６４０    第１電極
１６４１    第２電極
１６４２    導電膜
１６４３    導電膜
１６４４    絶縁層
１６５０    画素部
１６５１    画素
１６５２    フォトセンサ
１６５３    フォトダイオード
１６５４    トランジスタ
１６５５    トランジスタ
１６５６    リセット信号線
１６５７    基準信号線
１６５８    ゲート信号線
１６５９    出力信号線
２２０１    本体
２２０２    筐体
２２０３    表示部
２２０４    キーボード
２２１１    本体
２２１２    スタイラス
２２１３    表示部
２２１４    操作ボタン
２２１５    外部インターフェイス
２２２０    電子書籍
２２２１    筐体
２２２３    筐体
２２２５    表示部
２２２７    表示部
２２３１    電源ボタン
２２３３    操作キー
２２３５    スピーカー
２２３７    軸部
２２４０    筐体
２２４１    筐体
２２４２    表示パネル
２２４３    スピーカー
２２４４    マイクロフォン
２２４５    操作キー
２２４６    ポインティングデバイス
２２４７    カメラ用レンズ
２２４８    外部接続端子
２２４９    太陽電池セル
２２５０    外部メモリスロット
２２６１    本体
２２６３    接眼部
２２６４    操作スイッチ
２２６５    表示部
２２６６    バッテリー
２２６７    表示部
２２７０    テレビジョン装置
２２７１    筐体
２２７３    表示部
２２７５    スタンド
２２７７    表示部
２２７９    操作キー
２２８０    リモコン操作機
３５１１    トランジスタ
３５１２    容量素子
３５１４    液晶素子
３５２１    トランジスタ
３５３１    トランジスタ
４００１    基板
４００２    画素部
４００３    信号線駆動回路
４００４    基板
４００５    シール材
４００６    対向基板
４００７    液晶
４００９    トランジスタ
４０１０    トランジスタ
４０１１    液晶素子
４０１４    引き回し配線
４０１５    引き回し配線
４０１６    接続端子
４０１８    ＦＰＣ
４０１９    異方性導電膜
４０２１    基板
４０２２    トランジスタ
４０３０    画素電極
４０３１    対向電極
４０３５    スペーサ
５００１    基板
５００２    画素部
５００３    信号線駆動回路
５００４    走査線駆動回路
５００５    シール材
５００６    対向基板
５００７    液晶
５００９    トランジスタ
５０１０    トランジスタ
５０１１    液晶素子
５０１４    引き回し配線
５０１５    引き回し配線
５０１６    接続端子
５０１８    ＦＰＣ
５０１９    異方性導電膜
５０２１    基板
５０２２    トランジスタ
５０３０    画素電極
５０３１    対向電極
５０３５    スペーサ
６００１    基板
６００２    画素部
６００３    走査線駆動回路
６００４    基板
６００５    ＦＰＣ
６００６    対向基板
６１０１    基板
６１０２    画素部
６１０３    走査線駆動回路
６１０４    基板
６１０５    ＦＰＣ
６１０６    対向基板
６２０１    基板
６２０２    画素部
６２０３    走査線駆動回路
６２０４    基板
６２０５    ＦＰＣ
６２０６    対向基板
６２０７    信号線駆動回路の一部
６３０１    基板
６３０２    画素部
６３０３    基板
６３０４    基板
６３０５    ＦＰＣ
６３０６    対向基板
６３０７    ＦＰＣ
６４０１    基板
６４０２    画素部
６４０３    基板
６４０４    基板
６４０５    ＦＰＣ
６４０６    対向基板
６４０７    ＦＰＣ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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