(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
アクセプタ元素を含むガラス粉末と、分散媒と、を含有し、２５℃における粘度が２０Ｐａ・ｓ以上１０００Ｐａ・ｓ以下であるｐ型拡散層形成組成物であり、
前記ｐ型拡散層形成組成物を半導体基板上に塗布してｐ型拡散層形成組成物層を形成する工程と、前記ｐ型拡散層形成組成物層が形成された半導体基板を熱処理して前記半導体基板にｐ型拡散層を形成する工程と、前記ｐ型拡散層の表面に形成されるガラスを除去する工程と、を有するｐ型拡散層の製造方法に用いられるｐ型拡散層形成組成物。
【請求項２】
前記アクセプタ元素が、Ｂ（ホウ素）、Ａｌ（アルミニウム）およびＧａ（ガリウム）から選択される少なくとも１種である、請求項１に記載のｐ型拡散層形成組成物。
【請求項３】
前記ガラス粉末が、Ｂ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３及びＧａ２Ｏ３から選択される少なくとも１種のアクセプタ元素含有物質と、ＳｉＯ２、Ｋ２Ｏ、Ｎａ２Ｏ、Ｌｉ２Ｏ、ＢａＯ、ＳｒＯ、ＣａＯ、ＭｇＯ、ＢｅＯ、ＺｎＯ、ＰｂＯ、ＣｄＯ、Ｔｌ２Ｏ、ＳｎＯ、ＺｒＯ２、及びＭｏＯ３から選択される少なくとも１種のガラス成分物質と、を含有する請求項１または請求項２に記載のｐ型拡散層形成組成物。
【請求項４】
請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載のｐ型拡散層形成組成物を半導体基板上に塗布してｐ型拡散層形成組成物層を形成する工程と、
前記ｐ型拡散層形成組成物層が形成された半導体基板を熱処理して前記半導体基板にｐ型拡散層を形成する工程と、
前記ｐ型拡散層の表面に形成されるガラスを除去する工程と、
を有するｐ型拡散層の製造方法。
【請求項５】
半導体基板上に、請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載のｐ型拡散層形成組成を塗布してｐ型拡散層形成組成物層を形成する工程と、
前記ｐ型拡散層形成組成物層が形成された半導体基板を熱処理して前記半導体基板にｐ型拡散層を形成する工程と、
前記ｐ型拡散層の表面に形成されるガラスを除去する工程と、
を有する太陽電池セルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、太陽電池セルのｐ型拡散層形成組成物、ｐ型拡散層の製造方法、及び太陽電池セルの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の結晶シリコン太陽電池セルの製造工程について説明する。
まず、光閉じ込め効果を促して高効率化を図るよう、テクスチャー構造を形成したｐ型シリコン基板を準備し、続いてオキシ塩化リン（ＰＯＣｌ３）、窒素、酸素の混合ガス雰囲気において８００〜９００℃で数十分の処理を行って、基板に一様にｎ型拡散層を形成する。この従来の方法では、混合ガスを用いてリンの拡散を行うため、表面のみならず、側面、裏面にもｎ型拡散層が形成される。そのため、側面のｎ型拡散層を除去するためのサイドエッチングを行う。また、裏面のｎ型拡散層はｐ＋型拡散層へ変換する必要があり、裏面にアルミペーストを印刷し、これを焼成して、ｎ型層をｐ＋型層にするのと同時に、オーミックコンタクトを得ている。
【０００３】
しかしながら、アルミペーストは導電率が低く、シート抵抗を下げるためには、通常裏面全面に形成したアルミ層は焼成後において３０μｍ以上の厚みを有していなければならない。さらに、このよう厚いアルミ層を形成すると、シリコンとアルミニウムでは熱膨張率が大きく異なることから、焼成および冷却の過程で、シリコン基板中に大きな内部応力を発生させ、結晶粒界のダメージ、結晶欠陥増長及び反りの原因となる場合があった。
【０００４】
この問題を解決するために、ペースト組成物の塗布量を減らし、裏面電極層を薄くする方法がある。しかしながら、ペースト組成物の塗布量を減らすと、ｐ型シリコン半導体基板の表面から内部に拡散するアルミニウムの量が不十分となる。その結果、所望のＢＳＦ（Ｂａｃｋ  Ｓｕｒｆａｃｅ  Ｆｉｅｌｄ）効果（ｐ＋型層の存在により生成キャリアの収集効率が向上する効果）を達成することができないため、太陽電池の特性が低下するという問題が生じる。
【０００５】
そこで、例えば、アルミニウム粉末と、有機質ビヒクルと、熱膨張率がアルミニウムよりも小さく、かつ、溶融温度、軟化温度および分解温度のいずれかがアルミニウムの融点よりも高い無機化合物粉末とを含むペースト組成物が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００３−２２３８１３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、特許文献１に記載のペースト組成物を用いた場合でも、充分に反りを抑制することができない場合があった。
本発明は、以上の従来の問題点に鑑みなされたものであり、結晶シリコン基板を用いた太陽電池セルの製造工程において、シリコン基板中の内部応力、基板の反りの発生を抑制しつつ、所望の形状にｐ型拡散層を形成することが可能なｐ型拡散層形成組成物、ｐ型拡散層の製造方法、及び太陽電池セルの製造方法の提供を課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前記課題を解決する手段は以下の通りである。
＜１＞  アクセプタ元素を含むガラス粉末と、分散媒と、を含有し、２５℃における粘度が２０Ｐａ・ｓ以上１０００Ｐａ・ｓ以下であるｐ型拡散層形成組成物であり、
前記ｐ型拡散層形成組成物を半導体基板上に塗布してｐ型拡散層形成組成物層を形成する工程と、前記ｐ型拡散層形成組成物層が形成された半導体基板を熱処理して前記半導体基板にｐ型拡散層を形成する工程と、前記ｐ型拡散層の表面に形成されるガラスを除去する工程と、を有するｐ型拡散層の製造方法に用いられるｐ型拡散層形成組成物。
【０００９】
＜２＞  前記アクセプタ元素が、、Ｂ（ほう素）、Ａｌ（アルミニウム）及びＧａ（ガリウム）から選択される少なくとも１種である前記＜１＞に記載のｐ型拡散層形成組成物。
【００１０】
＜３＞  前記ガラス粉末が、Ｂ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３及びＧａ２Ｏ３から選択される少なくとも１種のアクセプタ元素含有物質と、ＳｉＯ２、Ｋ２Ｏ、Ｎａ２Ｏ、Ｌｉ２Ｏ、ＢａＯ、ＳｒＯ、ＣａＯ、ＭｇＯ、ＢｅＯ、ＺｎＯ、ＰｂＯ、ＣｄＯ、Ｔｌ２Ｏ、ＳｎＯ、ＺｒＯ２、及びＭｏＯ３から選択される少なくとも１種のガラス成分物質と、を含有する前記＜１＞または＜２＞に記載のｐ型拡散層形成組成物。
【００１１】
＜４＞  前記＜１＞〜＜３＞のいずれか１項に記載のｐ型拡散層形成組成物を半導体基板上に塗布してｐ型拡散層形成組成物層を形成する工程と、
前記ｐ型拡散層形成組成物層が形成された半導体基板を熱処理して前記半導体基板にｐ型拡散層を形成する工程と、
前記ｐ型拡散層の表面に形成されるガラスを除去する工程と、
を有するｐ型拡散層の製造方法。
【００１２】
＜５＞  半導体基板上に、前記＜１＞〜＜３＞のいずれか１項に記載のｐ型拡散層形成組成を塗布してｐ型拡散層形成組成物層を形成する工程と、
前記ｐ型拡散層形成組成物層が形成された半導体基板を熱処理して前記半導体基板にｐ型拡散層を形成する工程と、
前記ｐ型拡散層の表面に形成されるガラスを除去する工程と、
を有する太陽電池セルの製造方法。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、結晶シリコン基板を用いた太陽電池セルの製造工程において、シリコン基板中の内部応力、基板の反りの発生を抑制しつつ、所望の形状にｐ型拡散層を形成することが可能なｐ型拡散層形成組成物、ｐ型拡散層の製造方法、及び太陽電池セルの製造方法の提供することができる。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
まず、本発明のｐ型拡散層形成組成物について説明し、次にｐ型拡散層形成組成物を用いるｐ型拡散層及び太陽電池セルの製造方法について説明する。
尚、本明細書において「工程」との用語は、独立した工程だけではなく、他の工程と明確に区別できない場合であってもその工程の所期の作用が達成されれば、本用語に含まれる。
尚、本明細書において「〜」は、その前後に記載される数値をそれぞれ最小値および最大値として含む範囲を示すものとする。
【００１５】
本発明のｐ型拡散層形成組成物は、少なくともアクセプタ元素を含むガラス粉末（以下、単に「ガラス粉末」と称する場合がある）と、分散媒と、を含有し、２５℃における粘度が２０Ｐａ・ｓ以上１０００Ｐａ・ｓ以下である。また前記ｐ型拡散層形成組成物は、更に塗布性などを考慮してその他の添加剤を必要に応じて含有してもよい。
【００１６】
ここで、ｐ型拡散層形成組成物とはアクセプタ元素を含有し、例えば、シリコン基板に塗布した後に熱拡散処理（焼成）することでこのアクセプタ元素を熱拡散させてｐ型拡散層を形成することが可能な材料をいう。本発明のｐ型拡散層形成組成物を用いることで、ｐ＋型拡散層形成工程とオーミックコンタクト形成工程とを分離でき、オーミックコンタクト形成のための電極材の選択肢が広がるとともに、電極の構造の選択肢も広がる。
例えば銀等の低抵抗材を電極に用いれば薄い膜厚で低抵抗が達成できる。また、電極も全面に形成する必要はなく、櫛型等の形状のように部分的に形成してもよい。以上のように薄膜あるいは櫛型形状等の部分的形状にすることで、シリコン基板中の内部応力、基板の反りの発生をより効果的に抑えながらｐ型拡散層を形成することが可能となる。
【００１７】
したがって、本発明のｐ型拡散層形成組成物を適用すれば、従来広く採用されている方法、つまりアルミペーストを印刷し、これを焼成してｎ型層をｐ＋型層にするのと同時にオーミックコンタクトを得る方法では発生してしまう場合がある基板中の内部応力及び基板の反りの発生が抑制される。
【００１８】
本発明のｐ型拡散層形成組成物は、２５℃における粘度が２０Ｐａ・ｓ以上１０００Ｐａ・ｓ以下であるが、３０Ｐａ・ｓ以上５００Ｐａ・ｓ以下であることが好ましく、５０Ｐａ・ｓ以上３００Ｐａ・ｓ以下であることがより好ましい。
【００１９】
前記粘度が２０Ｐａ・ｓ未満では、ｐ型拡散層形成組成物をシリコン基板に塗布した後における塗布層の形状安定性が不十分で、だれ等が発生し、所望の部位及び形状にｐ型拡散層を形成できない場合がある。具体的には例えば、粘度が２０Ｐａ・ｓ以上であることで、線幅ａμｍの線状パターンとなるようにｐ型拡散層形成組成物を塗布した場合に、乾燥後の線状パターンの線幅ｂを、ｂ＜１．５ａの範囲に保持することができる。
一方、前記粘度が１０００Ｐａ・ｓを超えると、塗布性が不十分となり、均一なｐ型拡散層を形成できない場合がある。
【００２０】
本発明においてｐ型拡散層形成組成物の粘度は、後述するバインダーの重量平均分子量や配合量、溶剤の種類やその配合量等を適宜選択することで調整することができる。例えば、重量平均分子量の大きいバインダーを用いたり、バインダーの配合量を増やしたりすることで粘度を大きくして所望の粘度を達成することができる。また溶剤の配合量を増やすことで粘度を低下させて所望の粘度を達成することができる。
尚、本発明においてｎ型拡散層形成組成物の粘度は、２５℃において、Ｅ型粘度計（東京計器社製）を用いて５ｒｐｍの回転速度で測定される。
【００２１】
本発明に係るアクセプタ元素を含むガラス粉末について、詳細に説明する。
アクセプタ元素とは、シリコン基板中にドーピングさせることによってｐ型拡散層を形成することが可能な元素である。アクセプタ元素としては第１３族の元素が使用でき、例えばＢ（ほう素）、Ａｌ（アルミニウム）及びＧａ（ガリウム）等が挙げられる。
【００２２】
アクセプタ元素をガラス粉末に導入するために用いるアクセプタ元素含有物質としては、Ｂ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３、及びＧａ２Ｏ３が挙げられ、Ｂ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３及びＧａ２Ｏ３から選択される少なくとも１種を用いることが好ましい。
【００２３】
また、ガラス粉末は、必要に応じて成分比率を調整することによって、溶融温度、軟化点、ガラス転移点、化学的耐久性等を制御することが可能である。更に以下に記すガラス成分物質を含むことが好ましい。
ガラス成分物質としては、ＳｉＯ２、Ｋ２Ｏ、Ｎａ２Ｏ、Ｌｉ２Ｏ、ＢａＯ、ＳｒＯ、ＣａＯ、ＭｇＯ、ＢｅＯ、ＺｎＯ、ＰｂＯ、ＣｄＯ、Ｔｌ２Ｏ、ＳｎＯ、ＺｒＯ２、ＭｏＯ３、Ｌａ２Ｏ３、Ｎｂ２Ｏ５、Ｔａ２Ｏ５、Ｙ２Ｏ３、ＴｉＯ２、ＧｅＯ２、ＴｅＯ２及びＬｕ２Ｏ３等が挙げられ、ＳｉＯ２、Ｋ２Ｏ、Ｎａ２Ｏ、Ｌｉ２Ｏ、ＢａＯ、ＳｒＯ、ＣａＯ、ＭｇＯ、ＢｅＯ、ＺｎＯ、ＰｂＯ、ＣｄＯ、Ｔｌ２Ｏ、ＳｎＯ、ＺｒＯ２、及びＭｏＯ３から選択される少なくとも１種を用いることが好ましい。
【００２４】
アクセプタ元素を含むガラス粉末の具体例としては、Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２系、Ｂ２Ｏ３−ＺｎＯ系、Ｂ２Ｏ３−ＰｂＯ系、Ａｌ２Ｏ３−ＳｉＯ２系、Ｂ２Ｏ３−Ａｌ２Ｏ３系、Ｇａ２Ｏ３−ＳｉＯ２系、Ｇａ２Ｏ３−Ｂ２Ｏ３系、Ｂ２Ｏ３単独系などのガラスが挙げられる。
上記では１成分ガラスあるいは２成分を含む複合ガラスを例示したが、Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２−Ｎａ２Ｏ等必要に応じて３種類以上の複合ガラスでもよい。
【００２５】
ガラス粉末中のアクセプタ元素含有物質の含有比率は、アクセプタ元素のシリコン基板中へのドーピング濃度、ガラス粉末の溶融温度、軟化点、ガラス転移点、化学的耐久性を考慮して、１質量％以上９０質量％以下であることが好ましい。
【００２６】
ガラス粉末中のアクセプタ元素含有物質の含有比率を１質量％以上とすることで、アクセプタ元素のシリコン基板中へのドーピング濃度が充分に得られ、ｐ型拡散層が充分に形成される。またアクセプタ元素含有物質の含有比率が９０質量％以下であることで、アクセプタ元素含有物質が熱拡散処理中に揮散することが抑制され、アクセプタ元素の拡散が側面及び裏面にも及び、ｐ型拡散層形成組成物を塗布した面のみならず、所望の部位以外の側面、裏面にもｐ型拡散層が形成されることが抑制される。
【００２７】
また、ガラス粉末中のガラス成分物質の含有比率は、溶融温度、軟化点、ガラス転移点、化学的耐久性を考慮して適宜設定することが望ましく、一般には、０．１質量％以上９５質量％以下であることが好ましく、０．５質量％以上９０質量％以下であることがより好ましい。
【００２８】
ガラス粉末の軟化点は、拡散処理時の拡散性、液だれの観点から、２００℃〜１０００℃であることが好ましく、３００℃〜９００℃であることがより好ましい。
【００２９】
ガラス粉末の粒径は、５０μｍ以下であることが望ましい。５０μｍ以下の粒径を有するガラス粉末を用いた場合には、平滑な塗膜が得られやすい。更に、ガラス粉末の粒径は１０μｍ以下であることがより望ましい。
【００３０】
アクセプタ元素を含むガラス粉末は、以下の手順で作製される。
最初に原料を秤量し、るつぼに充填する。るつぼの材質としては白金、白金−ロジウム、イリジウム、アルミナ、石英、炭素等が挙げられるが、溶融温度、雰囲気、溶融物質との反応性等を考慮して適宜選ばれる。
次に、電気炉でガラス組成に応じた温度で加熱し均一な融液とする。このとき融液が均一となるよう攪拌することが望ましい。
続いて均一になった融液をジルコニア基板やカーボン基板等の上に流し出して融液をガラス化する。
最後にガラスを粉砕し粉末状とする。粉砕にはジェットミル、ビーズミル、ボールミル等公知の方法が適用できる。
【００３１】
ｐ型拡散層形成組成物中のアクセプタ元素を含むガラス粉末の含有比率は、塗布性、アクセプタ元素の拡散性等を考慮し決定される。一般には、ｐ型拡散層形成組成物中のガラス粉末の含有比率は、０．１質量％以上９５質量％以下であることが好ましく、１質量％以上９０質量％以下であることがより好ましい。
【００３２】
次に、分散媒について説明する。
分散媒とは、ｐ型拡散層形成組成物中において上記ガラス粉末を分散させる媒体である。具体的に分散媒としては、バインダーや溶剤などを含んで構成される。
本発明のｐ型拡散層形成組成物においては、分散媒の構成を適宜選択することで、ｐ型拡散層形成組成物の粘度を所望の範囲に調整することができる。
【００３３】
バインダーとしては、例えば、ジメチルアミノエチル（メタ）アクリレートポリマー、ポリビニルアルコール、ポリアクリルアミド類、ポリビニルアミド類、ポリビニルピロリドン、ポリ（メタ）アクリル酸類、ポリエチレンオキサイド類、ポリスルホン酸、アクリルアミドアルキルスルホン酸、セルロースエーテル類、セルロース誘導体、カルボキシメチルセルロース、ヒドロキシエチルセルロース、エチルセルロース、ゼラチン、澱粉及び澱粉誘導体、アルギン酸ナトリウム類、キサンタン、グア及びグア誘導体、スクレログルカン及びスクレログルカン誘導体、トラガカント及びトラガカント誘導体、デキストリン及びデキストリン誘導体、アクリル酸樹脂、アクリル酸エステル樹脂、ブタジエン樹脂、スチレン樹脂、及びこれらの共重合体、並びに二酸化珪素などを適宜選択しうる。これらは１種類を単独で又は２種類以上を組み合わせて使用される。
【００３４】
前記バインダーの重量平均分子量は特に制限されず、ｐ型拡散層形成組成物としての粘度が、２０Ｐａ・ｓ以上１０００Ｐａ・ｓ以下となるように適宜選択することができる。具体的には例えば、重量平均分子量を１０００００〜３０００００とすることができ、１４００００〜２０００００であることが好ましい。
【００３５】
またｐ型拡散層形成組成物におけるバインダーの含有率は特に制限されず、ｐ型拡散層形成組成物としての粘度が、２０Ｐａ・ｓ以上１０００Ｐａ・ｓ以下となるように適宜選択することができる。バインダーの種類によって、組成物全体に対する好ましい含有率は異なるが、具体的には例えば、エチルセルロース等をバインダーとして用いた場合に、ｐ型拡散層形成組成物中に２〜１７質量％とすることができ、３〜１１質量％であることが好ましい。
【００３６】
溶剤としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、メチル−ｎ−プロピルケトン、メチル−ｉｓｏ−プロピルケトン、メチル−ｎ−ブチルケトン、メチル−ｉｓｏ−ブチルケトン、メチル−ｎ−ペンチルケトン、メチル−ｎ−ヘキシルケトン、ジエチルケトン、ジプロピルケトン、ジ−ｉｓｏ−ブチルケトン、トリメチルノナノン、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、メチルシクロヘキサノン、２，４−ペンタンジオン、アセトニルアセトン、γ−ブチロラクトン、γ−バレロラクトン等のケトン系溶剤、ジエチルエーテル、メチルエチルエーテル、メチル−ｎ−ジ−ｎ−プロピルエーテル、ジ−ｉｓｏ−プロピルエーテル、テトラヒドロフラン、メチルテトラヒドロフラン、ジオキサン、ジメチルジオキサン、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールジ−ｎ−プロピルエーテル、エチレングリコールジブチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールメチル−ｎ−プロピルエーテル、ジエチレングリコールメチル−ｎ−ブチルエーテル、ジエチレングリコールジ−ｎ−プロピルエーテル、ジエチレングリコールジ−ｎ−ブチルエーテル、ジエチレングリコールメチル−ｎ−ヘキシルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、トリエチレングリコールジエチルエーテル、トリエチレングリコールメチルエチルエーテル、トリエチレングリコールメチル−ｎ−ブチルエーテル、トリエチレングリコールジ−ｎ−ブチルエーテル、トリエチレングリコールメチル−ｎ−ヘキシルエーテル、テトラエチレングリコールジメチルエーテル、テトラエチレングリコールジエチルエーテル、テトラジエチレングリコールメチルエチルエーテル、テトラエチレングリコールメチル−ｎ−ブチルエーテル、ジエチレングリコールジ−ｎ−ブチルエーテル、テトラエチレングリコールメチル−ｎ−ヘキシルエーテル、テトラエチレングリコールジ−ｎ−ブチルエーテル、プロピレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコールジ−ｎ−プロピルエーテル、プロピレングリコールジブチルエーテル、ジプロピレングリコールジメチルエーテル、ジプロピレングリコールジエチルエーテル、ジプロピレングリコールメチルエチルエーテル、ジプロピレングリコールメチル−ｎ−ブチルエーテル、ジプロピレングリコールジ−ｎ−プロピルエーテル、ジプロピレングリコールジ−ｎ−ブチルエーテル、ジプロピレングリコールメチル−ｎ−ヘキシルエーテル、トリプロピレングリコールジメチルエーテル、トリプロピレングリコールジエチルエーテル、トリプロピレングリコールメチルエチルエーテル、トリプロピレングリコールメチル−ｎ−ブチルエーテル、トリプロピレングリコールジ−ｎ−ブチルエーテル、トリプロピレングリコールメチル−ｎ−ヘキシルエーテル、テトラプロピレングリコールジメチルエーテル、テトラプロピレングリコールジエチルエーテル、テトラジプロピレングリコールメチルエチルエーテル、テトラプロピレングリコールメチル−ｎ−ブチルエーテル、ジプロピレング��コールジ−ｎ−ブチルエーテル、テトラプロピレングリコールメチル−ｎ−ヘキシルエーテル、テトラプロピレングリコールジ−ｎ−ブチルエーテル等のエーテル系溶剤、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ｎ−プロピル、酢酸ｉ−プロピル、酢酸ｎ−ブチル、酢酸ｉ−ブチル、酢酸ｓｅｃ−ブチル、酢酸ｎ−ペンチル、酢酸ｓｅｃ−ペンチル、酢酸３−メトキシブチル、酢酸メチルペンチル、酢酸２−エチルブチル、酢酸２−エチルヘキシル、酢酸２−（２−ブトキシエトキシ）エチル、酢酸ベンジル、酢酸シクロヘキシル、酢酸メチルシクロヘキシル、酢酸ノニル、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、酢酸ジエチレングリコールモノメチルエーテル、酢酸ジエチレングリコールモノエチルエーテル、酢酸ジエチレングリコールモノ−ｎ−ブチルエーテル、酢酸ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、酢酸ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジ酢酸グリコール、酢酸メトキシトリグリコール、プロピオン酸エチル、プロピオン酸ｎ−ブチル、プロピオン酸ｉ−アミル、シュウ酸ジエチル、シュウ酸ジ−ｎ−ブチル、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸ｎ−ブチル、乳酸ｎ−アミル等のエステル系溶媒、エチレングリコールメチルエーテルプロピオネート、エチレングリコールエチルエーテルプロピオネート、エチレングリコールメチルエーテルアセテート、エチレングリコールエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコール−ｎ−ブチルエーテルアセテート、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールプロピルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールメチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールエチルエーテルアセテート等のエーテルアセテート系溶剤、アセトニトリル、Ｎ−メチルピロリジノン、Ｎ−エチルピロリジノン、Ｎ−プロピルピロリジノン、Ｎ−ブチルピロリジノン、Ｎ−ヘキシルピロリジノン、Ｎ−シクロヘキシルピロリジノン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド等の非プロトン性極性溶剤、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、ｉ−プロパノール、ｎ−ブタノール、ｉ−ブタノール、ｓｅｃ−ブタノール、ｔ−ブタノール、ｎ−ペンタノール、ｉ−ペンタノール、２−メチルブタノール、ｓｅｃ−ペンタノール、ｔ−ペンタノール、３−メトキシブタノール、ｎ−ヘキサノール、２−メチルペンタノール、ｓｅｃ−ヘキサノール、２−エチルブタノール、ｓｅｃ−ヘプタノール、ｎ−オクタノール、２−エチルヘキサノール、ｓｅｃ−オクタノール、ｎ−ノニルアルコール、ｎ−デカノール、ｓｅｃ−ウンデシルアルコール、トリメチルノニルアルコール、ｓｅｃ−テトラデシルアルコール、ｓｅｃ−ヘプタデシルアルコール、フェノール、シクロヘキサノール、メチルシクロヘキサノール、ベンジルアルコール、テルピネオール、エチレングリコール、１，２−プロピレングリコール、１，３−ブチレングリコール、ジエチレングリコール、ジプロピレングリコール、トリエチレングリコール、トリプロピレングリコール等のア��コール系溶剤、エチレングリコールメチルエーテル、エチレングリコールエチルエーテル、エチレングリコールモノフェニルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノ−ｎ−ブチルエーテル、ジエチレングリコールモノ−ｎ−ヘキシルエーテル、エトキシトリグリコール、テトラエチレングリコールモノ−ｎ−ブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、トリプロピレングリコールモノメチルエーテル等のグリコールモノエーテル系溶剤、水等が挙げられる。これらは１種類を単独で又は２種類以上を組み合わせて使用される。
【００３７】
ｐ型拡散層形成組成物中の溶剤の含有比率は特に制限されず、ｐ型拡散層形成組成物としての粘度が、２０Ｐａ・ｓ以上１０００Ｐａ・ｓ以下となるように適宜選択することができる。溶剤の種類によって、組成物全体に対する好ましい含有率は異なるが、具体的には例えば、テルピネオール等を溶剤として用いた場合に、ｐ型拡散層形成組成物中に５３〜６８質量％とすることができ、５９〜６７質量％であることが好ましい。
【００３８】
次に、本発明のｐ型拡散層及び太陽電池セルの製造方法について説明する。
【００３９】
まず、ｐ型半導体基板である結晶シリコンにアルカリ溶液を付与してダメージ層を除去し、テクスチャー構造をエッチングにて得る。
詳細には、インゴットからスライスした際に発生するシリコン表面のダメージ層を２０質量％苛性ソーダで除去する。次いで１質量％苛性ソーダと１０質量％イソプロピルアルコールの混合液によりエッチングを行い、テクスチャー構造を形成する。太陽電池セルは、受光面（表面）側にテクスチャー構造を形成することにより、光閉じ込め効果が促され、高効率化が図られる。
【００４０】
次に、オキシ塩化リン（ＰＯＣｌ３）、窒素、酸素の混合ガス雰囲気において８００〜９００℃で数十分の処理を行って一様にｎ型拡散層を形成する。このとき、オキシ塩化リン雰囲気を用いた方法では、リンの拡散は側面及び裏面にも及び、ｎ型拡散層は表面のみならず、側面、裏面にも形成される。そのために、側面のｎ型拡散層を除去するために、サイドエッチングが施される。
【００４１】
そして、ｐ型半導体基板の裏面すなわち受光面ではない面のｎ型拡散層の上に、上記ｐ型拡散層形成組成物を塗布する。本発明では、塗布方法には制限がないが、例えば、印刷法、スピン法、刷毛塗り、スプレー法、ドクターブレード法、ロールコーター法、インクジェット法などがある。
上記ｎ型拡散層形成組成物の塗布量としては特に制限はないが、例えば、固形分塗布量として０．０５ｇ／ｍ２〜１．０５ｇ／ｍ２とすることができ、０．０６５ｇ／ｍ２〜０．０２ｇ／ｍ２であることが好ましい。
尚、ｐ型拡散層形成組成物の固形分とは、ｐ型拡散層形成組成物に含まれる揮発性の成分を除いた残分を意味する。
【００４２】
なお、ｐ型拡散層形成組成物の組成によっては、塗布後に、組成物中に含まれる溶剤を揮発させるための乾燥工程が必要な場合がある。この場合には、８０〜３００℃程度の温度で、ホットプレートを使用する場合は１〜１０分、乾燥機などを用いる場合は１０〜３０分程度で乾燥させる。この乾燥条件は、ｐ型拡散層形成組成物の溶剤組成に依存しており、本発明では特に上記条件に限定されない。
【００４３】
上記ｐ型拡散層形成組成物を塗布した半導体基板を、６００〜１２００℃で熱拡散処理する。この熱拡散処理により、半導体基板中へアクセプタ元素が拡散し、ｐ＋型拡散層が形成される。熱拡散処理には公知の連続炉、バッチ炉等が適用できる。また、熱拡散処理時の炉内雰囲気は、空気、酸素、窒素等に適宜調整することもできる。
熱拡散処理時間は、ｐ型拡散層形成組成物に含まれるアクセプタ元素の含有率などに応じて適宜選択することができる。例えば、１〜６０分間とすることができ、２〜３０分間であることがより好ましい。
【００４４】
形成されたｐ＋型拡散層の表面には、ガラス層が形成されているため、このガラス層をエッチングにより除去する。エッチングとしては、ふっ酸等の酸に浸漬する方法、苛性ソーダ等のアルカリに浸漬する方法など公知の方法が適用できる。
【００４５】
また、従来の製造方法では、裏面にアルミペーストを印刷し、これを焼成してｎ型拡散層をｐ＋型拡散層にするのと同時に、オーミックコンタクトを得ている。しかしながら、アルミペーストは導電率が低く、シート抵抗を下げるために、通常裏面全面に形成したアルミ層は焼成後において３０μｍ以上の厚みを有していなければならない。さらに、このように厚いアルミ層を形成すると、シリコンとアルミでは熱膨張率が大きく異なることから、焼成および冷却の過程で、シリコン基板中に大きな内部応力を発生させ、反りの原因となる。
この内部応力は、結晶の結晶粒界に損傷を与え、電力損失が大きくなるという課題があった。また、反りは、モジュール工程における太陽電池セルの搬送や、タブ線と呼ばれる銅線との接続において、セルを破損させ易くしていた。近年では、スライス加工技術の向上から、結晶シリコン基板の厚みが薄型化されつつあり、更にセルが割れ易い傾向にある。
【００４６】
しかし本発明の製造方法によれば、上記本発明のｐ型拡散層形成組成物によってｎ型拡散層をｐ＋型拡散層に変換した後、別途このｐ＋型拡散層の上に電極を設ける。そのため裏面の電極に用いる材料はアルミニウムに限定されず、例えばＡｇ（銀）やＣｕ（銅）などを適用することができ、裏面の電極の厚さも従来のものよりも薄く形成することが可能となり、さらに全面に形成する必要もなくなる。そのため焼成および冷却の過程で発生するシリコン基板中の内部応力及び反りを低減できる。
【００４７】
上記形成したｎ型拡散層の上に反射防止膜を形成する。反射防止膜は公知の技術を適用して形成される。例えば、反射防止膜がシリコン窒化膜の場合には、ＳｉＨ４とＮＨ３の混合ガスを原料とするプラズマＣＶＤ法により形成する。このとき、水素が結晶中に拡散し、シリコン原子の結合に寄与しない軌道、即ちダングリングボンドと水素が結合し、欠陥を不活性化（水素パッシベーション）する。
より具体的には、上記混合ガス流量比ＮＨ３／ＳｉＨ４が０．０５〜１．０、反応室の圧力が０．１〜２Ｔｏｒｒ、成膜時の温度が３００〜５５０℃、プラズマの放電のための周波数が１００ｋＨｚ以上の条件下で形成される。
【００４８】
表面（受光面）の反射防止膜上に、表面電極用金属ペーストをスクリーン印刷法で印刷塗布乾燥させ、表面電極を形成する。表面電極用金属ペーストは、金属粒子とガラス粒子とを必須成分とし、必要に応じて樹脂バインダー、その他の添加剤などを含む。
【００４９】
次いで、上記裏面のｐ＋型拡散層上にも裏面電極を形成する。前述のように、本発明では裏面電極の材質や形成方法は特に限定されない。例えば、アルミニウム、銀、又は銅などの金属を含む裏面電極用ペーストを塗布し、乾燥させて、裏面電極を形成してもよい。このとき、裏面にも、モジュール工程におけるセル間の接続のために、一部に銀電極形成用銀ペーストを設けてもよい。
【００５０】
上記電極を焼成して、太陽電池セルを完成させる。６００〜９００℃の範囲で数秒〜数分間焼成すると、表面側では電極用金属ペーストに含まれるガラス粒子によって絶縁膜である反射防止膜が溶融し、更にシリコン表面も一部溶融して、ペースト中の金属粒子（例えば銀粒子）がシリコン基板と接触部を形成し凝固する。これにより、形成した表面電極とシリコン基板とが導通される。これはファイアースルーと称されている。
【００５１】
表面電極の形状について説明する。表面電極は、バスバー電極、及び該バスバー電極と交差しているフィンガー電極で構成される。
このような表面電極は、例えば、上述の金属ペーストのスクリーン印刷、又は電極材料のメッキ、高真空中における電子ビーム加熱による電極材料の蒸着などの手段により形成することができる。バスバー電極とフィンガー電極とからなる表面電極は受光面側の電極として一般的に用いられていて周知であり、受光面側のバスバー電極及びフィンガー電極の公知の形成手段を適用することができる。
【００５２】
なお上述のｐ型拡散層及び太陽電池セルの製造方法では、ｐ型半導体基板である結晶シリコンにｎ型拡散層を形成するのに、オキシ塩化リン（ＰＯＣｌ３）、窒素および酸素の混合ガスを用いているが、ｎ型拡散層形成組成物を用いてｎ型拡散層を形成してもよい。ｎ型拡散層形成組成物にはＰ（リン）やＳｂ（アンチモン）などの第１５族の元素がドナー元素として含有される。
ｎ型拡散層の形成にｎ型拡散層形成組成物を用いる方法では、まず、ｐ型半導体基板の表面である受光面にｎ型拡散層形成組成物を塗布し、裏面に本発明のｐ型拡散層形成組成物を塗布し、６００〜１２００℃で熱拡散処理する。この熱拡散処理により、表面ではｐ型半導体基板中へドナー元素が拡散してｎ型拡散層が形成され、裏面ではアクセプタ元素が拡散してｐ＋型拡散層が形成される。この工程以外は上記方法と同様の工程により、太陽電池セルが作製される。
【実施例】
【００５３】
以下、本発明の実施例をさらに具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に制限するものではない。なお、特に記述が無い限り、薬品は全て試薬を使用した。また「％」は断りがない限り「質量％」を意味する。
またｎ型拡散層形成組成物の粘度は、２５℃において、Ｅ型粘度計（東京計器社製）を用いて５ｒｐｍの回転速度で測定した。
【００５４】
［実施例１］
Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２系ガラス粉末３ｇと、バインダーとしてエチルセルロース（重量平均分子量１４００００）０．３ｇ、溶剤としてテルピネオール６．７ｇを混合してペースト化し、ｐ型拡散層形成組成物１を調製した。
得られたｐ型拡散層形成組成物の粘度を測定したところ、２０Ｐａ・ｓであった。
【００５５】
上記で調製したｐ型拡散層形成組成物をスクリーン印刷によってｐ型シリコン基板表面に１００μｍ幅の線状パターンに固形分塗布量０．０６５ｇ／ｍ２で塗布し、１５０℃のホットプレート上で５分間乾燥させた。塗布・乾燥により形成された線状パターンの線幅は１４９μｍとなっていた。
【００５６】
続いて、１０００℃に設定した電気炉で１０分間熱拡散処理を行い、その後ガラス層を除去するため、ふっ酸に３０分間浸漬し、流水洗浄を行った。その後、乾燥を行った。
ｐ型拡散層形成組成物を塗布した線状パターン部分のシート抵抗は４７Ω／□であり、Ｂ（ホウ素）が拡散してｐ＋型拡散層が形成されていた。一方、ｐ型拡散層形成組成物を塗布しなかった非塗布面部分のシート抵抗は１００００００Ω／□以上で測定不能であり、ｐ＋型拡散層は形成されていなかった。
【００５７】
[実施例２]
実施例１において、ｐ型拡散層形成組成物の粘度が４０Ｐａ・ｓとなるように、バインダーの量を増加し、溶剤の量を減少して粘度を調整した以外は実施例１と同様に線状パターンを形成した。塗布・乾燥により形成された線状パターンの線幅は１２０μｍとなっていた。
次いで実施例１と同様にしてｐ＋型拡散層形成を行った。
ｐ型拡散層形成組成物を塗布した側の線状パターン部分のシート抵抗は４３Ω／□であり、Ｂ（ホウ素）が拡散してｐ＋型拡散層が形成されていた。一方、ｐ型拡散層形成組成物を塗布しなかった非塗布面部分のシート抵抗は１００００００Ω／□以上で測定不能であり、ｐ＋型拡散層は形成されていなかった。
【００５８】
［実施例３］
実施例１において、ｐ型拡散層形成組成物の粘度が７０Ｐａ・ｓとなるように、バインダーの量を増加し、溶剤の量を減少して粘度を調整した以外は実施例１と同様に線状パターンを形成した。塗布・乾燥により形成された線状パターンの線幅は１１０μｍとなっていた。
次いで実施例１と同様にしてｐ＋型拡散層形成を行った。
ｐ型拡散層形成組成物を塗布した側の線状パターン部分のシート抵抗は５０Ω／□であり、Ｂ（ホウ素）が拡散してｐ＋型拡散層が形成されていた。一方、ｐ型拡散層形成組成物を塗布しなかった非塗布面部分のシート抵抗は１００００００Ω／□以上で測定不能であり、ｐ＋型拡散層は形成されていなかった。
【００５９】
［実施例４］
実施例１において、ｐ型拡散層形成組成物の粘度が２００Ｐａ・ｓとなるように、バインダーの量を増加し、溶剤の量を減少して粘度を調整した以外は実施例１と同様に線状パターンを形成した。塗布・乾燥により形成された線状パターンの線幅は１０４μｍとなっていた。
次いで実施例１と同様にしてｐ＋型拡散層形成を行った。
ｐ型拡散層形成組成物を塗布した側の線状パターン部分のシート抵抗は５１Ω／□であり、Ｂ（ホウ素）が拡散しｐ＋型拡散層が形成されていた。一方、ｐ型拡散層形成組成物を塗布しなかった非塗布面部分のシート抵抗は１００００００Ω／□以上で測定不能であり、ｐ＋型拡散層は形成されていなかった。
【００６０】
［実施例５］
実施例１において、ｐ型拡散層形成組成物の粘度が９００Ｐａ・ｓとなるように、バインダーの量を増加し、溶剤の量を減少して粘度を調整した以外は実施例１と同様に線状パターンを形成した。塗布・乾燥により形成された線状パターンの線幅は１０２μｍとなっていた。
次いで実施例１と同様にしてｐ＋型拡散層形成を行った。
ｐ型拡散層形成組成物を塗布した側の線状パターン部分のシート抵抗は４９Ω／□であり、Ｂ（ホウ素）が拡散してｐ＋型拡散層が形成されていた。しかし、塗布した面でシート抵抗の値が僅かに不均一であった。一方、ｐ型拡散層形成組成物を塗布しなかった非塗布面部分のシート抵抗は１００００００Ω／□以上で測定不能であり、ｐ＋型拡散層は形成されていなかった。
【００６１】
［比較例１］
実施例１において、ｐ型拡散層形成組成物の粘度が５Ｐａ・ｓとなるように、バインダーの量を減少し、溶剤の量を増加して粘度を調整した以外は実施例１と同様に線状パターンを形成した。塗布・乾燥により形成された線状パターンの線幅は４１０μｍとなっていた。
次いで実施例１と同様にしてｐ＋型拡散層形成を行った。
ｐ型拡散層形成組成物を塗布した側の線状パターン部分のシート抵抗は５５Ω／□であり、Ｂ（ホウ素）が拡散しｐ＋型拡散層が形成されていた。一方、ｐ型拡散層形成組成物を塗布しなかった非塗布面部分にも形成した線状パターンが広がっており、特定の部分へｐ＋型拡散層を所望の形状に形成することはできなかった。
【００６２】
［比較例２］
実施例１において、ｐ型拡散層形成組成物の粘度が１２Ｐａ・ｓとなるように、バインダーの量を減少し、溶剤の量を増加して粘度を調整した以外は実施例１と同様に線状パターンを形成した。塗布・乾燥により形成された線状パターンの線幅は２２７μｍとなっていた。
次いで実施例１と同様にしてｐ＋型拡散層形成を行った。
ｐ型拡散層形成組成物を塗布した側の線状パターン部分のシート抵抗は５８Ω／□であり、Ｂ（ホウ素）が拡散しｐ＋型拡散層が形成されていた。一方、ｐ型拡散層形成組成物を塗布しなかった非塗布面部分にも形成した線状パターンが広がっており、特定の部分へｐ＋型拡散層を所望の形状に形成することはできなかった。
【００６３】
［比較例３］
実施例１において、ｐ型拡散層形成組成物の粘度が１０２０Ｐａ・ｓとなるように、バインダーの量を増加し、溶剤の量を減少して粘度を調整した以外は実施例１と同様に線状パターンを形成した。塗布・乾燥により形成された線状パターンの線幅は１０２μｍとなっていた。しかし、塗布性が不十分であり、不均一に塗布されていたため線状パターンが完全に形成できなかった。
次いで実施例１と同様にしてｐ＋型拡散層形成を行った。
ｐ型拡散層形成組成物を塗布した側の線状パターン部分のシート抵抗は４６Ω／□であり、Ｂ（ホウ素）が拡散しｐ＋型拡散層が形成されていた。しかし、塗布面内のシート抵抗値のばらつきは大きく、均一なｐ＋型拡散層は形成できていなかった。