(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、前記基板上に形成された下部ｎ型窒化物系半導体クラッド層と、窒化物系半導体コア層と、前記窒化物系半導体コア層の上下面の少なくとも一方に形成されたｉ型窒化物系半導体クラッド層と、前記下部ｎ型窒化物系半導体クラッド層とで前記ｉ型窒化物系半導体クラッド層及び前記窒化物系半導体コア層を挟み込むように形成された上部ｎ型窒化物系半導体クラッド層とを備え、各層がＣ軸方向に積層された導波路構造を有する光導波路と、
前記光導波路上に設けられた複数の電極と、
前記光導波路の前記上部ｎ型窒化物系半導体クラッド層を除去することにより前記複数の電極間に設けられた分離溝と
を備えたＭＺ型光変調器であって、
前記分離溝は、所定の波長に対して前記窒化物系半導体コア層の屈折率よりも低い屈折率を有する充填材料によって埋め込まれており、
前記充填材料は、ニオブ酸若しくは酸化チタンを含むか、又はスパッタ若しくはＥＢ蒸着で形成した酸化チタン膜であることを特徴とするＭＺ型光変調器。
【請求項２】
前記窒化物系半導体コア層はＧａＮで構成され、前記ｉ型窒化物系半導体クラッド層は、ＡｌxＧａ1-xＮで構成されることを特徴とする請求項１に記載のＭＺ型光変調器。
【請求項３】
ｘ＝０．０５であることを特徴とする請求項２に記載のＭＺ型光変調器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は光変調器に関し、より詳細には、窒化物系半導体光変調器に関する。
【背景技術】
【０００２】
高速光通信システムや光情報処理システムにおけるキーデバイスの１つとして、光変調器がある。光変調器としては、ＬｉＮｂＯ3材料やＩｎＰ系又はＧａＡｓ系半導体材料を用いたマッハツェンダ（ＭＺ）型光変調器等が用いられている。
【０００３】
ＩｎＰ系又はＧａＡｓ系ＭＺ型光変調器では、各電極間における光導波路クラッド層が電気伝導性を持つため、各電極間をそれぞれ電気的に分離する必要がある。ｐ−ｉ−ｎ構造のＩｎＰ系ＭＺ型光変調器では、上部ｐ型クラッド層の抵抗率が高いため、コンタクト層を除去し、電極間の距離を離すことにより電極間を電気的に分離している。
【０００４】
ｎ−ｉ−ｎ構造又はｎ−ｐ−ｉ−ｎ構造のような上部ｎ型クラッド層を有する従来のＩｎＰ系ＭＺ型光変調器では、上部ｎ型クラッド層の抵抗率が低いため、光導波路における上部ｎ型クラッド層を除去して分離溝を形成することにより光導波路上で電極間を電気的に分離している。図１は、電極間に分離溝を形成した従来のＩｎＰ系ＭＺ型光変調器１００を示す。図１に示されるように、従来のＩｎＰ系ＭＺ型光変調器１００では、ＲＦ電極１０１、１０２及びＤＣ電極１０３、１０４の間の光導波路１０５上に分離溝１０６を設けることによって各電極間をそれぞれ電気的に分離することができる。
【０００５】
上部ｎ型クラッド層を有する従来のＩｎＰ系ＭＺ型光変調器では、他にも、例えば、イオンインプラによって、フォトパターンで予め設定した上部ｎ型クラッド層部分にｐ型ドーパントを注入して抵抗率を大きくすることにより、各電極間の電気的な分離を行うこともできる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００５−１１６６４４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、上部ｎ型クラッド層を有する従来のＩｎＰ系ＭＺ型光変調器では、イオンインプラにより電極間を電気的に分離する場合、プロセスが煩雑であり、結晶が劣化し、絶縁性の確保が困難であるなどの問題があった。
【０００８】
また、上部ｎ型クラッド層を有する従来のＩｎＰ系ＭＺ型光変調器では、縦方向はコア層と上下クラッド層との屈折率差が小さく、コア層の厚さが薄くても光は上下クラッド層に一部分布するように閉じ込められ、横方向はコア層と空気の屈折率（ｎ＝１）との屈折率差が大きく、光はコア層のみに閉じ込められるため、導波路幅をコア層の厚さに対して広くすることによって、縦方向と横方向との光の拡がりがほぼ均等になるように光を閉じ込めている。上部ｎ型クラッド層を除去して空気層とすることにより分離溝を形成した場合、分離溝部分の屈折率が空気のもの（ｎ＝１）になるので、分離溝部分において光に対する屈折率が変化し、光の伝播モードが変化する。光の伝播モードが変化すると、光導波路と分離溝部分とで伝播モードの重ならない領域が生まれ、分離溝部分で光の反射・散乱が起こり、１．８ｄＢ程度の光損失が生じるという問題があった。
【０００９】
上部ｎ型クラッド層を有するＭＺ型光変調器において、上記のような分離溝部分の屈折率の変化を低減するために、分離溝を充填材料で埋め込むことができれば、光の反射・散乱に起因する損失を抑えた低損失な光導波路を形成することが可能である。しかしながら、充填材料を分離溝の埋め込みに適用するためには、屈折率がコア層の屈折率より低く、コア層の屈折率と近い充填材料を使用する必要があるが、ＩｎＰ系材料からなるコア層の光に対する屈折率は３．２程度と高い。そのため、充填材料として使用する有機材料やゾル・ゲルでは、屈折率がＩｎＰ材料の屈折率に近いものがなく、埋め込みに適用することができない。そのため、従来のＩｎＰ系ＭＺ型光変調器では、分離溝に充填材料を埋め込むことによる損失低減は困難であった。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の請求項１に記載のＭＺ型光変調器は、基板と、基板上に形成された下部ｎ型窒化物系半導体クラッド層と、窒化物系半導体コア層、窒化物系半導体コア層の上下面の少なくとも一方に形成されたｉ型窒化物系半導体クラッド層と、下部ｎ型窒化物系半導体クラッド層とでｉ型窒化物系半導体クラッド層及び窒化物系半導体コア層を挟み込むように形成された上部ｎ型窒化物系半導体クラッド層とを備え、各層がＣ軸方向に積層された導波路構造を有する光導波路と、前記光導波路上に設けられた複数の電極と、前記光導波路の前記上部ｎ型窒化物系半導体クラッド層を除去することにより前記複数の電極間に設けられた分離溝とを備えたＭＺ型光変調器であって、前記分離溝は、所定の波長に対して前記窒化物系半導体コア層の屈折率よりも低い屈折率を有する充填材料によって埋め込まれており、前記充填材料は、ニオブ酸若しくは酸化チタンを含むか、又はスパッタ若しくはＥＢ蒸着で形成した酸化チタン膜であることを特徴とする。
【００１４】
本発明の請求項２に記載のＭＺ型光変調器は、本発明の請求項１に記載のＭＺ型光変調器であって、前記窒化物系半導体コア層はＧａＮで構成され、前記ｉ型窒化物系半導体クラッド層は、ＡｌxＧａ1-xＮで構成されることを特徴とする。
【００１５】
本発明の請求項３に記載のＭＺ型光変調器は、本発明の請求項２に記載のＭＺ型光変調器であって、ｘ＝０．０５であることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１６】
本発明に係る窒化物系半導体を用いたＭＺ型光変調器によると、各電極間に分離溝を設けることによって光導波路上で各電極をそれぞれ電気的に分離するとともに、分離溝を充填材料で充填することにより分離溝部分における屈折率の変化を低減して、光の反射・散乱に起因する光損失を抑制することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】電極間に分離溝を形成した従来のＩｎＰ系ＭＺ型光変調器１００を示す図である。
【図２】本発明に係る窒化物系半導体を用いたＭＺ型光変調器２００を示す図である。
【図３】窒化物系半導体材料の波長に対する屈折率の関係を示す図である。
【図４】酸化チタン薄膜の光の波長に対する屈折率の関係を示す図である。
【図５】本発明に係る窒化物系半導体を用いたＭＺ型光変調器の導波路構造を示す図である。
【図６】充填材料の屈折率と分離溝部分の光損失との関係を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
本発明に係るＭＺ型光変調器は、窒化物系半導体を用いて構成される。以下、本発明に係る窒化物系半導体を用いたＭＺ型光変調器の構成を説明する。
【００１９】
図２は、本発明に係る窒化物系半導体を用いたＭＺ型光変調器２００を示す。図２に示されるように、本発明に係る窒化物系半導体を用いたＭＺ型光変調器２００は、窒化物系半導体光導波路２０５の２本のアーム導波路上にＲＦ電極２０１、２０２及びＤＣ電極２０３、２０４が設けられており、窒化物系半導体光導波路２０５上においてＲＦ電極２０１、２０２及びＤＣ電極２０３、２０４のそれぞれの間に分離溝２０６が設けられているとともに、分離溝２０６が充填材料２０７で充填されている。
【００２０】
本発明に係るＭＺ型光変調器２００においては、光導波路を構成するコア層及びクラッド層の材料として、窒化物系半導体材料を使用している。図３は、窒化物系半導体材料の波長に対する屈折率の関係を示す。図３には、窒化物系半導体コア層としてＧａＮを使用し、窒化物系半導体クラッド層としてＡｌxＧａ1-xＮ（ｘ＝０．０５）を使用し、ＧａＮコア層及びＡｌxＧａ1-xＮクラッド層それぞれのｚ軸方向（基板面（Ｃ面）に垂直なＣ軸方向）の屈折率（ｎｚ）が例示されており、ｘ軸方向（基板面内（Ｃ面）方向）の屈折率（ｎｘ）も参考として例示されている。図３（ａ）に示されるように、波長λ＝１．５５μｍの光に対するＧａＮコア層の屈折率はｎｚ＝２．３１７であり、ＡｌxＧａ1-xＮクラッド層の屈折率はｎｚ＝２．３である。ここで、図３においては窒化物系半導体材料としてＧａＮコア層及びＡｌxＧａ1-xＮを用いた例を示したが、窒化物系半導体であれば同程度の屈折率を有している。従って、光導波路を構成するコア層及びクラッド層の材料として、窒化物系半導体材料を使用することにより、波長１．５５μｍの光に対して屈折率ｎｚが２．３程度の充填材料２０７を分離溝２０６の埋め込みに適用することが可能となる。
【００２１】
ｎｚ＝２．３程度の屈折率を有する充填材料２０７として、例えばニオブ酸又は酸化チタン（ＴｉＯ2）を含有する材料を使用することができる。ニオブ酸膜の屈折率ｎｚは波長１．５５μｍの光に対して２．３程度であるため、窒化物系半導体で構成されるＭＺ型光変調器２００の分離溝２０６の埋め込みに適用可能である。
【００２２】
ここで、窒化物系半導体の成長は、一般に基板面であるＣ面（０００１）の法線方向であるＣ軸方向に進行し、ウルツ鉱型の結晶構造となる。ウルツ鉱型結晶は、基板面内方向の屈折率ｎｘ及びｎｙと、基板面に垂直なＣ軸方向の屈折率ｎｚとが異なる一軸性の異方性結晶である。光変調器で用いられる、電圧を印加した際の屈折率変化Δｎは、屈折率ｎ0、印加される電界Ｅ、及び電気光学定数γを用いて次の（式１）ように表される。
Δｎ＝１／２・ｎ03γＥ        （式１）
【００２３】
窒化物系半導体の電気光学定数γは、Ｃ面に平行方向のγ13よりもＣ面に垂直なＣ軸方向のγ33の方が大きいため、電界印加に対する屈折率変化ΔｎはＣ軸方向でより大きな値となる。このため、低い電圧でも屈折率を変化させることができ、高い光変調効率を得ることができるように、Ｃ軸方向に偏光した光を光導波路に入射し、Ｃ軸方向に電圧を印加する変調器構造とすることが望ましい。
【００２４】
図４は、酸化チタンの光の波長に対する屈折率の関係を示す。図４に示されるように、酸化チタンの屈折率ｎｚは、波長１．５５μｍの光に対して２．７程度となる。充填材料２０７として酸化チタンを含む材料を用いる場合、例えば二酸化ケイ素（ＳｉＯ2：屈折率１．４４程度）又はチタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ3：波長０．６μｍで屈折率ｎｚ＝２．４程度）との混合物又は積層膜にすることにより、波長１．５５μｍの光に対する屈折率ｎｚを２．３程度に調節することができる。従って、充填材料２０７として酸化チタンを含有する材料を用いる場合、充填材料２０７の屈折率を調節することにより、充填材料２０７の所定の波長に対する屈折率を、コア層の屈折率より低く、且つコア層の屈折率に近い屈折率に設定することができ、特にクラッド層の組成に応じた屈折率に設定することができる。従って、窒化物系半導体で構成されるＭＺ型光変調器２００の分離溝２０６の分離溝の埋め込みに適用可能であるとともに、光損失を最小化するように屈折率を設定することができる。
【００２５】
図５は、本発明に係る窒化物系半導体を用いたＭＺ型光変調器の導波路構造を示す。図５（ａ）は、本発明に係るＭＺ型光変調器において分離溝２０６が形成されていない部分の導波路構造を示す。図５（ａ）には、基板３００上に、下部ｎ型窒化物系半導体クラッド層３０１、下部ｉ型窒化物系半導体クラッド層３０２、窒化物系半導体コア層３０３、上部ｉ型窒化物系半導体クラッド層３０４及び上部ｎ型窒化物系半導体クラッド層３０５がＣ軸方向に順次積層された導波路構造３１０が示されている。
【００２６】
図５（ｂ）は、本発明に係るＭＺ型光変調器における分離溝２０６部分の導波路構造を示す。図５（ｂ）には、基板３００上に、下部ｎ型窒化物系半導体クラッド層３０１、下部ｉ型窒化物系半導体クラッド層３０２、窒化物系半導体コア層３０３及び上部ｉ型窒化物系半導体クラッド層３０４がＣ軸方向に順次積層された導波路構造３２０が示されている。導波路構造３２０は、導波路構造３１０から上部ｎ型窒化物系半導体クラッド層３０５を除去することにより分離溝２０６が形成されており、導波路構造３２０のハイメサ導波路部分が充填材料２０７で覆われることにより分離溝２０６が充填されるように構成されている。
【００２７】
ここで、図５においては、窒化物系半導体コア層３０３の上下面の両方に、下部ｉ型窒化物系半導体クラッド層３０２及び上部ｉ型窒化物系半導体クラッド層３０４が形成されている導波路構造を例示したが、下部ｉ型窒化物系半導体クラッド層３０２又は上部ｉ型窒化物系半導体クラッド層３０４が窒化物系半導体コア層３０３の上下面の少なくとも一方に形成されるように導波路を構成してもよい。すなわち、下部ｎ型窒化物系半導体クラッド層３０１と上部ｎ型窒化物系半導体クラッド層３０５とで下部ｉ型窒化物系半導体クラッド層３０２又は上部ｉ型窒化物系半導体クラッド層３０４と窒化物系半導体コア層３０３とを挟み込むように導波路構造を構成してもよい。
【００２８】
以下、充填材料２０７の屈折率について説明する。図６は、充填材料２０７の屈折率と分離溝２０６部分での光損失の関係を示す。図６では、例示として、導波路幅４μｍ、ＧａＮコア層の層厚を０．６μｍ、ｉ−ＡｌxＧａ1-xＮクラッド層（ｘ＝０．０５）の層厚を０．４μｍ、ハイメサ導波路のメサ高さ３．５μｍの導波路構造であって、層厚１．８μｍのｎ−ＡｌxＧａ1-xＮ（ｘ＝０．０５）上部クラッド層を除去して分離溝を形成した導波路構造を有する光導波路を使用した。分離溝を充填材料で充填せずに空気層（ｎ＝１）とする場合、分離溝のある導波路部分と分離溝のない導波路部分の光の伝播モードの重なりは６６％程度となり、図６に示されるように１．８ｄＢ程度が光の損失となる。
【００２９】
分離溝を充填する充填材料として屈折率ｎｚ＝２の材料を用いた場合、伝播モードの重なりは７３％であり、図６に示されるように光損失は１．３ｄＢと改善される。さらに、充填材料２０７の屈折率をｎｚ＝２．２８とすると、伝播モードの重なり８８％であり、図６に示されるように光損失は０．５５ｄＢと改善される。
【００３０】
しかし、充填材料の屈折率をｉ−ＡｌxＧａ1-xＮクラッド層（ｘ＝０．０５）の屈折率ｎｚ＝２．３に近づけすぎると、縦方向・横方向の閉じ込めが弱くなり、光のモードが大きくなるため、かえって損失が増加する。例えば、充填材料２０７の屈折率をｎｚ＝２．２９とすると、伝播モードの重なり８１％であり、図６に示されるように損失は０．９３ｄＢであり、充填材料２０７の屈折率をｉ−ＡｌxＧａ1-xＮクラッド層（ｘ＝０．０５）の屈折率と等しいｎｚ＝２．３とすると、伝播モードは縦方向・横方向の閉じ込めが不十分となり、光が放射してしまう。
【００３１】
このように、図６に示されるように、充填材料の屈折率が２．０以上で光損失低減の効果が大きく現れ、屈折率がｎｚ＝２．２８程度のとき最も損失が小さく、充填材料の屈折率がクラッド層の屈折率ｎｚ＝２．３に近づくと再び損失が大きくなっている。
【００３２】
ｉ−ＡｌxＧａ1-xＮクラッド層の組成がＡｌをｘ＝０．０５より多く含む場合、ｉ−ＡｌxＧａ1-xＮクラッド層とＧａＮコア層との屈折率差が大きくなり、光の閉じ込めが強くなる。このため、充填材料の屈折率がｉ−ＡｌxＧａ1-xＮクラッド層の屈折率と等しくなった場合も、伝播モードが維持できず放射してしまうという現象は起きにくくなり、ＧａＮコア層の屈折率以下であれば伝播モードは維持される。しかし、分離溝部分での光損失は、充填材料を加えることによって増加してしまうため、充填材料の屈折率はｉ−ＡｌxＧａ1-xＮクラッド層の屈折率より低いことが望ましく、ＧａＮコア層の屈折率より低いことが条件となる。
【００３３】
上記では、ｉ−ＡｌxＧａ1-xＮクラッド層及びＧａＮコア層を例に説明したが、窒化物系半導体で構成されたコア層及びクラッド層であれば同様のことがいえる。従って、光の伝播モードを維持するためには、充填材料２０７の屈折率が窒化物系半導体コア層３０３の屈折率より低いことが条件となり、損失低減の効果を顕著に出現させるためには、充填材料２０７の屈折率がｎｚ＝２．０以上であって、下部ｉ型窒化物系半導体クラッド層３０２及び上部ｉ型窒化物系半導体クラッド層３０４の屈折率より低いことが好ましい。
【００３４】
［実施例］
以下、本発明に係る窒化物系半導体を用いたＭＺ型光変調器の実施例を説明する。本実施例に係るＭＺ型光変調器２００は、図２で上述したように構成されており、窒化物系半導体光導波路２０５は、基板３００としてサファイア基板を使用し、下部ｎ型窒化物系半導体クラッド層３０１及び上部ｎ型窒化物系半導体クラッド層３０５としてｎ型ＡｌＧａＮを使用し、下部ｉ型窒化物系半導体クラッド層３０２及び上部ｉ型窒化物系半導体クラッド層３０４としてｉ型ＡｌxＧａ1-xＮ（ｘ＝０．０５）を使用し、窒化物系半導体コア層３０３としてＧａＮを使用した導波路構造を有している。
【００３５】
上記のように構成した窒化物系半導体光導波路２０５においてＲＦ電極２０１、２０２及びＤＣ電極２０３、２０４のそれぞれの間をドライエッチング又はダイシングすることによって上部ｎ型窒化物半導体クラッド層３０５を除去し、分離溝２０６を形成する。分離溝２０６は、ＧａＮからなる窒化物系半導体コア層３０３の波長１．５５μｍに対する結晶のＣ軸方向についての屈折率ｎｚ＝２．３１７よりも低く、屈折率ｎｚ＝２．３１７に近い屈折率を有する充填材料２０７によって埋め込む。例えば、分離溝２０６は、ニオブ酸又は酸化チタン微粒子を含有するナノコロイドゾル又は液体からなる充填材料２０７を注入して硬化することによって充填することができる。
【００３６】
好ましくは、充填材料２０７として酸化チタンを含む材料を用い、二酸化ケイ素又はチタン酸ストロンチウムとの混合比や積層膜厚を調整することにより、ＡｌxＧａ1-xＮからなる下部ｉ型窒化物系半導体クラッド層３０２及び上部ｉ型窒化物系半導体クラッド層３０４のＡｌ組成に応じた屈折率に設定するとよい。また、充填材料２０７は、酸化チタン膜などのスパッタ又はＥＢ蒸着等によっても、分離溝２０６を埋め込むことも可能である。この場合、真空度や膜の積層速度を制御して酸化チタン膜の密度を変化させることにより、屈折率を変化させることができる。
【００３７】
本実施例においては、下部ｉ型窒化物系半導体クラッド層３０２及び上部ｉ型窒化物系半導体クラッド層３０４としてｉ型ＡｌxＧａ1-xＮを使用している。ｉ型ＡｌxＧａ1-xＮのＡｌ組成ｘの下限は、Ａｌ組成ｘが０．００５より小さいと、屈折率差が小さいために光のモードが大きくなり、光ファイバやＰＬＣ（平面光波回路）との結合損失が増加するため、ｘ＞０．００５とする必要があり、Ａｌ組成ｘの上限は、ｉ型ＡｌxＧａ1-xＮクラッド層３０２上に成長させる窒化物系半導体コア層３０３の膜厚制限との関係で決定される。コア層上のクラッド層の結晶成長の容易さを考慮すると、ｘ＝０．０５とすることが好ましい。
【００３８】
本発明に係る窒化物系半導体を用いたＭＺ型光変調器２００では、各電極間に分離溝２０６を設けることによって各電極間をそれぞれ電気的に分離するとともに、分離溝２０６を充填材料２０７で充填することにより分離溝２０６部分の屈折率の変化を低減して、光の反射・散乱に起因する光損失を抑制することが可能である。
【００３９】
本発明の実施例においては、基板３００としてサファイア基板を使用したが、例えばシリコン基板等を使用することもできる。下部ｉ型窒化物系半導体クラッド層３０２及び上部ｉ型窒化物系半導体クラッド層３０４は、窒化物系半導体コア層３０３よりも屈折率が小さく、かつバンドギャップが大きい窒化物系半導体であればよく、例えば、ＧａＮ、ＡｌＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＮ、ＢＮ、ＩｎＧａＮ又はＩｎＡｌＮなど、公知の窒化物半導体の結晶成長で用いる材料を用いることができる。窒化物半導体クラッド層／窒化物半導体コア層の組み合わせとしては、例えば、ＡｌＧａＮ／ＧａＮ、ｈ−ＢＮ／ＧａＮ、ＧａＮ／ＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＮ／ＩｎＧａＮ、ＡｌxＧａ1-xＮ／ＡｌyＧａ1-yＮ（ｘ＞ｙ）、又はＩｎＡｌＮ／ＧａＮなどを用いることができ、どの材料も基本的には高抵抗なｉ層として用いればよい。結晶成長の容易さでは、ｉ−ＡｌＧａＮ／ｉ−ＧａＮの組み合わせが好適である。また、充填材料２０７の屈折率の設定は、窒化物系半導体クラッド層がＡｌxＧａ1-xＮではなく、上記のような別の窒化物系半導体クラッド層／窒化物半導体コア層の材料の組み合わせでも、ｉ型窒化物系半導体クラッド層の実効的な屈折率に応じた値に設定すればよい。ＧａＮ、ＡｌＮ、ＩｎＮ及びＢＮの屈折率は、波長１．５５μｍの光に対してそれぞれ、ｎｚ＝２．３１７、２．１９、１．９７、１．６５程度であり、またこれらの半導体の三元以上の混晶の屈折率は近似的には組成比で決定されるため、三元以上の混晶が取り得る屈折率は、ＧａＮ、ＡｌＮ、ＩｎＮ及びＢＮそれぞれの屈折率の範囲内に収まる。これらは、ニオブ酸や酸化チタン／二酸化ケイ素からなる充填剤で対応できる屈折率の範囲にある（二酸化ケイ素：ｎ＝１．４４、酸化チタン：ｎ＝２．７）。また、図５において、導波路構造としてハイメサ導波路構造を例示したが、リッジ導波路構造としてもよい。
【符号の説明】
【００４０】
１００、２００  ＭＺ型光変調器
１０１、１０２、２０１、２０２  ＲＦ電極
１０３、１０４、２０３、２０４  ＤＣ電極
１０５、２０５  光導波路
１０６、２０６  分離溝
２０７  充填材料
３００  基板
３０１  下部ｎ型窒化物系半導体クラッド層
３０２  下部ｉ型窒化物系半導体クラッド層
３０３  窒化物系半導体コア層
３０４  上部ｉ型窒化物系半導体クラッド層
３０５  上部ｎ型窒化物系半導体クラッド層
３１０、３２０  導波路構造
【図１】
0005681663.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
0005681663.tif 000005
【図５】
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【図６】
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