(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
上記基板上に複数形成された電極と、
上記電極間の電流経路に接続され、加熱により溶断されることで該電流経路を遮断する低融点金属体と、
通電すると上記低融点金属体を溶融する熱を発する抵抗体とを備え、
上記各電極は、上記基板上に積層された銀又は白金を含む第１の導電層と、該第１の導電層が積層された基板上の面方向に互いに離間した位置に積層された銀又は白金を含む第２の導電層とから形成され、
上記低融点金属体は、上記電極との濡れ性が上記基板よりも高く、上記第１の導電層と上記第２の導電層とが積層された基板上に積層され、上記抵抗体が発する熱、及び、該電極と該低融点金属体とからなる積層部が発する熱の少なくとも一方により溶融することで、上記電極間に積層された第１の導電層を浸食しながら、該基板に比べて濡れ性が高い該電極側に引き寄せられて溶断されることを特徴とする保護素子。
【請求項２】
上記第１の導電層の層厚に対する上記電極の層厚の比率は、２以上であることを特徴とする請求項１記載の保護素子。
【請求項３】
上記基板上に形成された電極間に位置し、上記低融点金属体が溶融することで浸食される第１の導電層には、該第１の導電層を互いに離間するスリットが１以上形成されていることを特徴とする請求項１記載の保護素子。
【請求項４】
上記低融点金属体は、非鉛系の半田であることを特徴とする請求項１記載の保護素子。
【請求項５】
通電すると低融点金属体を溶融する熱を発する抵抗体が設けられた基板に銀又は白金を含む第１の導電層を積層する第１の積層工程と、
上記第１の積層工程により第１の導電層が積層された上記基板上の面方向に互いに離間した位置に、銀又は白金を含む複数の第２の導電層を積層することで、複数の電極を形成する第２の積層工程と、
上記第２の積層工程により形成された電極との濡れ性が上記基板よりも高く、加熱により溶断されることで該電極間の電流経路を遮断する低融点金属体を、上記抵抗体が発する熱、及び、該電極と該低融点金属体とからなる積層部が発する熱の少なくとも一方により溶融して、該電極間に積層された上記第１の導電層を浸食しながら、該基板に比べて濡れ性が高い該電極側に引き寄せられて溶断されるように、上記第１の導電層と上記第２の導電層とが積層された基板上に積層する第３の積層工程とを有することを特徴とする保護素子の製造方法。
【請求項６】
上記第２の積層工程により形成された各電極上に絶縁膜を成膜する成膜工程を更に有し、
上記第３の積層工程は、上記低融点金属体を、上記各電極上に成膜された絶縁膜によって離隔された状態で、上記第１の導電層と上記第２の導電層とが積層された基板上に積層することを特徴とする請求項５記載の保護素子の製造方法。
【請求項７】
上記第３の積層工程では、ペースト状の上記低融点金属体を印刷処理することによって、上記第１の導電層と上記第２の導電層とが積層された基板上に積層することを特徴とする請求項５又は６記載の保護素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気回路を過電流状態及び過電圧状態から保護する保護素子と、この保護素子の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、電気回路には、過電流状態及び過電圧状態の少なくとも一方から保護するための対策がなされている。
【０００３】
例えば、特許文献１には、プリント基板の一部の配線に半田を形成して、半田の銅喰われ現象などのような、半田の浸食作用を利用した過電流時の配線パターン溶断について記載されている。また、特許文献１には、溶断時間を短縮する上で溶断部のパターン幅を細くし、電流が流れる方向にスリットを入れることについて記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平０９−２２３８５４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上述した特許文献１に記載された保護機能は、あくまで過電流保護のヒューズ機能であるため、例えば、バッテリ用二次保護回路で求められているような、バッテリの電圧異常を検知する電圧検知用のＩＣからの異常信号に応じて電流経路を素早く且つ確実に遮断するような機能には対応できない。
【０００６】
また、保護素子では、代替材料による鉛フリー化の観点などから、鉛を主材料とする半田箔に比べて融点が低い金属を主材料とした半田ペーストを用いても、プリント基板へのリフロー実装が可能であることが望まれている。
【０００７】
そこで、本発明は、このような実情に鑑みて提案されたものであり、低融点金属体からなる半田を、過電圧などの異常に応じて通電することで抵抗体が発する熱や過電流による自己発熱のみによって溶融させ、溶融させた半田の浸食現象を利用して、電流経路を素早く且つ確実に遮断することが可能な保護素子、及び、保護素子の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上述した課題を解決するための手段として、本発明に係る保護回路は、基板と、基板上に複数形成された電極と、電極間の電流経路に接続され、加熱により溶断されることで電流経路を遮断する低融点金属体と、通電すると低融点金属体を溶融する熱を発する抵抗体とを備え、各電極は、基板上に積層された銀又は白金を含む第１の導電層と、第１の導電層が積層された基板上の面方向に互いに離間した位置に積層された銀又は白金を含む第２の導電層とから形成され、低融点金属体は、電極との濡れ性が基板よりも高く、第１の導電層と第２の導電層とが積層された基板上に積層され、抵抗体が発する熱、及び、電極と低融点金属体とからなる積層部が発する熱との少なくとも一方により溶融することで、電極間に積層された第１の導電層を浸食しながら、基板に比べて濡れ性が高い電極側に引き寄せられて溶断されることを特徴とする。
【０００９】
また、本発明に係る保護回路の製造方法は、通電すると低融点金属体を溶融する熱を発する抵抗体が設けられた基板に銀又は白金を含む第１の導電層を積層する第１の積層工程と、第１の積層工程により第１の導電層が積層された基板上の面方向に互いに離間した位置に、銀又は白金を含む複数の第２の導電層を積層することで、複数の電極を形成する第２の積層工程と、第２の積層工程により形成された電極との濡れ性が基板よりも高く、加熱により溶断されることで電極間の電流経路を遮断する低融点金属体を、抵抗体が発する熱、及び、電極と低融点金属体とからなる積層部が発する熱の少なくとも一方により溶融して、電極間に積層された第１の導電層を浸食しながら、基板に比べて濡れ性が高い電極側に引き寄せられて溶断されるように、第１の導電層と第２の導電層とが積層された基板上に積層する第３の積層工程とを有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明は、低融点金属体が、電極間において第１の導電層の上に積層されているので、抵抗体が発する熱や過電流による自己発熱以外では、第１の導電層による浸食作用を起こすことなく、電流経路を溶断させないようにすることができる。また、本発明は、基板に対して層厚差を設けた積層構造によって電極を形成しているので、低融点金属体が、溶融したときに第２の導電層のみを浸食しながら、表面張力により基板に比べて濡れ性が高い電極側に引き寄せることができる。
【００１１】
したがって、本発明は、低融点金属体からなる半田を、過電圧などの異常に応じて通電することで抵抗体が発する熱や過電流による自己発熱のみによって溶融させ、溶融させた半田の浸食現象を利用して、電流経路を素早く且つ確実に遮断することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明が適用されたバッテリパックの全体構成を示す図である。
【図２】本発明が適用された保護回路の回路構成を示す図である。
【図３】（Ａ）及び（Ｂ）は、ともに本発明が適用された保護素子１００の製造方法について説明するための図である。
【図４】図３（Ａ）の積層体を上部から見た平面図である。
【図５】図３（Ｂ）の積層体を上部から見た平面図である。
【図６】保護素子の半田ペースト１１６によって電流経路が溶断された状態について説明するための断面図である。
【図７】保護素子の半田ペースト１１６によって電流経路が溶断された状態について説明するための平面図である。
【図８】本発明が適用された変形例に係る保護素子の積層構造について説明するための図である。
【図９】本発明が適用された変形例に係る保護素子の積層構造について説明するための図である。
【図１０】図８の積層体を上部から見た平面図である。
【図１１】図９の積層体を上部から見た平面図である。
【図１２】変形例に係る保護素子の半田ペースト１１６によって電流経路が溶断された状態について説明するための断面図である。
【図１３】変形例に係る保護素子の半田ペースト１１６によって電流経路が溶断された状態について説明するための平面図である。
【図１４】（Ａ）は試験基板の断面構造を示す図であり、（Ｂ）は試験基板を上部から見た平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明を実施するための形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、本発明は、以下の実施形態のみに限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々の変更が可能であることは勿論である。
【００１４】
＜全体構成＞
本発明が適用された保護素子は、電気回路を過電流状態及び過電圧状態の少なくとも一方から保護する保護素子であって、例えば、図１に示すような合計４個の充放電可能なバッテリセル１１〜１４からなるバッテリ１０を有するバッテリパック１に組み込まれて使用される。
【００１５】
すなわち、バッテリパック１は、バッテリ１０と、バッテリ１０の充放電を制御する充放電制御回路２０と、バッテリ１０と充放電制御回路２０とを保護する保護素子１００と、各バッテリセル１１〜１４の電圧を検出する検出回路４０と、検出回路４０の検出結果に応じて保護素子１００の動作を制御する電流制御素子５０とを備える。
【００１６】
バッテリ１０は、上述したように、例えばリチウムイオン電池のような過充電及び過放電状態とならないような制御を要するバッテリセル１１〜１４が直列接続されたものであって、バッテリパック１の正極端子１ａ、負極端子１ｂを介して、着脱可能に充電装置２に接続され、充電装置２からの充電電圧が印加される。
【００１７】
充放電制御回路２０は、バッテリ１０から充電装置２に流れる電流経路に直列接続された２つの電流制御素子２１、２２と、これらの電流制御素子２１、２２の動作を制御する制御部２３とを備える。電流制御素子２１、２２は、例えば電界効果トランジスタ（以下、ＦＥＴと呼ぶ。）により構成され、制御部２３により制御されるゲート電圧によって、バッテリ１０の電流経路の導通と遮断とを制御する。制御部２３は、充電装置２から電力供給を受けて動作し、検出回路４０による検出結果に応じて、バッテリ１０が過放電又は過充電であるとき、電流経路を遮断するように、電流制御素子２１、２２の動作を制御する。
【００１８】
保護素子１００は、バッテリ１０と充放電制御回路２０との間の充放電電流経路上に接続され、その動作が電流制御素子５０によって制御される。
【００１９】
検出回路４０は、各バッテリセル１１〜１４と接続され、各バッテリセル１１〜１４の電圧値を検出して、各電圧値を充放電制御回路２０の制御部２３に供給する。また、検出回路４０は、いずれか１つのバッテリセル１１〜１４が過充電電圧又は過放電電圧になったときに電流制御素子５０を制御する制御信号を出力する。
【００２０】
電流制御素子５０は、検出回路４０から出力される検出信号によって、バッテリセル１１〜１４の電圧値が所定の範囲外となったとき、具体的には過放電又は過充電状態になったとき、保護素子１００を動作させて、バッテリ１０の充放電電流経路を遮断するように制御する。
【００２１】
以上のような構成からなるバッテリパック１において、以下では、保護素子１００の構成について具体的に説明する。
【００２２】
＜保護回路の構成＞
本発明が適用された保護素子１００は、上述したバッテリパック１内の電気回路を過電流状態及び過電圧状態から保護するため、図２に示すような回路構成となっている。
【００２３】
すなわち、保護素子１００は、図２に示すように、加熱により溶断される低融点金属体からなるヒューズ１０１、１０２と、通電するとヒューズ１０１、１０２を溶融する熱を発する抵抗体１０３とを備える。
【００２４】
ヒューズ１０１、１０２は、例えば、物理的に１つの低融点金属体を回路構成上で分離して、接続点Ｐ１を介して直列接続されるようにした素子であって、バッテリ１０と充放電制御回路２０との間の充放電電流経路上に直列接続される。例えば、ヒューズ１０１は、ヒューズ１０２と接続されていない接続点Ａ１を介してバッテリ１０と接続され、ヒューズ１０２は、ヒューズ１０１と接続されていない接続点Ａ２を介して充放電制御回路２０と接続される。
【００２５】
抵抗体１０３は、一方の端部が接続点Ｐ１を介して、ヒューズ１０１、１０２と接続され、もう一方の端部が接続点Ｐ２を介して電流制御素子５０と接続されている。
【００２６】
以上のような回路構成からなる保護素子１００は、電流制御素子５０の動作によって、抵抗体１０３が通電するとヒューズ１０１、１０２を溶融する熱を発し、ヒューズ１０１、１０２が溶断することで、バッテリパック１内の電気回路を保護する。
【００２７】
保護素子１００は、低融点金属体からなる半田を用いてヒューズ１０１、１０２として機能させ、半田の浸食現象を利用して、電流経路を素早く且つ確実に遮断するため、具体的には、次に示すような製造工程により製造されるものである。
【００２８】
本発明が適用された保護素子１００の製造方法について、図３を参照して説明する。
【００２９】
保護素子１００は、図３（Ａ）に示すような、セラミック基板１１１ａ上にガラス層１１１ｂを介して抵抗体１０３が形成され、更にその上にガラス層１１１ｃを介して第１の導電層１１２が積層されたものである。なお、本発明が適用された保護素子では、上述した積層構造に限定されず、ガラス以外の絶縁部材による積層構造を用いたり、また、セラミック基板１１１ａの表面に抵抗体１０３を直接積層して、ガラス層１１１ｂを形成しない構造を用いるようにしてもよい。セラミック基板１１ａとしては、たとえば、アルミナ基板、ガラスセラミックス基板等が用いられる。
【００３０】
まず、第１の積層工程において、基板１１１には、Ａｇ又はＰｔなどの良導体が、印刷処理などにより膜厚ｄ１の第１の導電層１１２が積層される。
【００３１】
次に、第２の積層工程において、第１の導電層１１２が形成された基板１１１上には、この基板１１１上の面方向に互いに離間した複数の位置に、Ａｇ又はＰｔなどの良導体が印刷処理などにより膜厚ｄ２の第２の導電層１１３がそれぞれ積層されることで、複数の電極１１４ａ、１１４ｂ、１１４ｃが形成される。ここで、電極１１４ａは、上述した図２に示す回路構成中の接続点Ａ１に相当する部位であり、電極１１４ｂは、上述した図２に示す回路構成中の接続点Ｐ１に相当する部位であり、電極１１４ｃは、上述した図２に示す回路構成中の接続点Ａ２に相当する部位である。便宜上、以下では電極１１４ａ、１１４ｂ、１１４ｃを総称した場合、電極１１４と呼ぶものとする。
【００３２】
なお、第１の導電層１１２及び第２の導電層１１３は、ともにＡｇ又はＰｔなどの良導体が用いられるが、後述するように半田による第１の導電層１１２の浸食作用を相対的に高めるため、第２の導電層１１３に対して第１の導電層１１２の材料を半田による浸食作用を起こしやすい物性に調整することが好ましい。
【００３３】
次に、第３の積層工程において、電極１１４が形成された基板１１１上には、低融点金属体として、例えばＳｎＡｇ系などの非鉛系の半田ペースト１１６を印刷処理することによって、図３（Ｂ）に示すように、第１の導電層１１２と第２の導電層１１３と接するようにして積層する。この工程により、電極１１４ａ、１１４ｂ間を橋渡しするように積層された半田ペースト１１６はヒューズ１０１として機能し、電極１１４ｂ、１１４ｃ間を橋渡しするように積層された半田ペースト１１６はヒューズ１０２として機能する。
【００３４】
なお、第３の積層工程において積層される金属材料は、当該金属材料が溶融したときの濡れ性が、基板１１１に比べて電極１１４の方が高い特性を有していればよく、ＳｎＡｇ系の金属材料に限定されない。
【００３５】
また、均一な層厚で半田ペースト１１６が容易に積層する観点から、第３の積層工程を行う前に、第２の積層工程により形成された各電極１１４上に絶縁膜１１７を成膜する成膜工程を行うことが好ましい。このようにして各電極１１４上に絶縁膜１１７を成膜することで、保護素子１００の製造方法においては、図３（Ａ）の積層体を上部から見た図４の平面図で示される絶縁膜１１７で仕切られた各配置位置１１６ａ、１１６ｂに、印刷処理後凝固するまでの間の液状の半田ペースト１１６を保持することができ、結果として均一な層厚となるように半田ペースト１１６を積層することができる。
【００３６】
なお、図４に示すように、電極１１４ｂは、接続点Ｐ１に相当する電極１１８ａと接続されている。また、基板１１１内部に配置された抵抗体１０３は、導電体１０３ａを介して電極１１８ａと接続され、導電体１０３ｂを介して電極１１８ｂと接続されている。
【００３７】
保護素子１００は、さらに図５に示すように、半田ペースト１１６の積層された部位に、半田ペースト１１６が溶融したときに流動性を活性化させるフラックス１１９が積層され、さらに当該保護素子１００全体を保護するキャップ１２０が設けられる。
【００３８】
以上のような構成からなる保護素子１００は、半田ペースト１１６が、抵抗体１０３が発する熱と、電極１１４と半田ペースト１１６とからなり、例えば図５に示すような部位に当たる積層部１２１が発する熱との少なくとも一方により溶融し始める。そして、保護素子１００は、図６及び図７に示すように、溶融した半田ペースト１１６が、電極１１４間に積層された第１の導電層１１２を浸食しながら、表面張力によって基板１１１よりも濡れ性が高い電極１１４側に引き寄せられる。
【００３９】
このようにして、保護素子１００は、図６に示すように、半田ペースト１１６と第１の導電層１１２とからなる溶融残り１３１が存在するが微量であるため、電極１１４間が溶断されることとなる。すなわち、保護素子１００では、第２の導電層１１３が積層されていない電極１１４間に位置する第１の導電層１１２が、溶断部１３２として機能し、電極１１４が形成された第２の導電層１１３が、浸食された半田を引き寄せる半田溜まり部１３３として機能する。
【００４０】
このようにして、保護素子１００は、第１の導電層１１２と第２の導電層１１３とを用いて、基板１１１に対して層厚差を設けた積層構造によって電極１１４を形成しているので、半田ペースト１１６が、第１の導電層１１２のみを浸食させながら電極１１４側に引き寄せられるようにすることができる。
【００４１】
また、保護素子１００では、半田ペースト１１６が、電極１１４間において第１の導電層１１２の上に積層されているので、例えば保護素子１００がバッテリ１内の回路基板上にリフロー実装されるときに加えられる熱によって溶断することを防止することができる。すなわち、保護素子１００では、抵抗体１０３が発する熱や過電流による自己発熱以外では、第１の導電層１１２による浸食作用を起こすことなく、電流経路を遮断させないようにすることができる。
【００４２】
したがって、本発明が適用された保護素子１００では、低融点金属体からなる半田ペースト１１６を、過電圧などの異常に応じて通電することで抵抗体１０３が発する熱や過電流による自己発熱のみによって溶融させ、溶融させた半田の浸食現象を利用して、電流経路を素早く且つ確実に遮断することができる。
【００４３】
また、本発明が適用された保護素子では、特に非鉛系のペースト状の半田を用いることで、半田素材の選択肢を広げつつ、印刷処理によって容易に上述した第３の積層処理を行うことができる点で好ましい。なお、本発明が適用された保護素子では、上記のような非鉛系のペースト状に限定されず、半田の材料として、Ｐｂを含んだものや、ペースト状でなく例えば半田箔などを用いてよい。
【００４４】
本発明が適用された保護素子の変形例として、保護素子１００は、図８及び図９に示すように、基板１１１上における電極１１４間に位置し、半田ペースト１１６が溶融することで浸食される第１の導電層１１２に、この第１の導電層１１２を互いに離間するスリット１１２ａが１以上形成されていることが、電流経路を素早く且つ確実に遮断する観点から好ましい。
【００４５】
すなわち、変形例に係る保護素子１００は、図８に示すように、基板１１１上における電極１１４間の第１の導電層１１２を互いに離間するスリット１１２ａを形成し、さらに、図９に示すように、第１の導電層１１２と第２の導電層１１３との両方に接するようにして、半田ペースト１１６を積層したものである。
【００４６】
ここで、変形例に係る保護素子１００の製造工程において、各電極１１４上に絶縁膜１１７を成膜することで、図９の積層体を上部から見た図１０の平面図で示される絶縁膜１１７で仕切られた各配置位置１１６ａ、１１６ｂに、均一な層厚となるように半田ペースト１１６を積層することができる。
【００４７】
さらに図１１に示すように、変形例に係る保護素子１００は、半田ペースト１１６の積層された部位に、半田ペースト１１６が溶融したときに流動性を活性化させるフラックス１１９が積層され、さらに当該保護素子１００全体を保護するキャップ１２０が設けられる。
【００４８】
以上のようにして製造される変形例に係る保護素子１００では、図１２の断面図に示すように、半田ペースト１１６の溶融時において、半田ペースト１１６がスリット１１２ａに入り込むことで、より効率よく第１の導電層１１２が浸食されるので、図１３の平面図に示すように、半田ペースト１１６と第１の導電層１１２とからなる溶融残り１３１が殆ど生じないようにすることができる。すなわち、変形例に係る保護素子１００では、電極１１４間のリーク電流をより小さくすることができ、電流経路を素早く且つ確実に遮断することができる。
【００４９】
また、本発明が適用された保護素子１００では、第１の導電層１１２と第２の導電層１１３とを用いて、基板１１１に対して層厚差を設けた導電層によって電極１１４を形成しているが、特に、第１の導電層１１２の膜厚に対する電極１１４の膜厚の比率は、２以上であることが、下記の試験から得られる導電層の層厚に応じた半田による浸食特性から好ましい。
【００５０】
導電層の層厚に応じた半田による浸食特性については、図１４に示すような試験基板２００を用いた試験により評価した。ここで、図１４（Ａ）は、試験基板２００の断面構造を示す図であり、図１４（Ｂ）は、試験基板２００を上部から見た平面図である。試験基板２００は、抵抗体２０１が内部に設けられた基板２０２上に、層厚ｄで規定される導電層２０３と、半田２０４とが順に積層されたものである。ここで、本試験では、導電層２０３の材料として、銀系厚膜焼成材料を用いた。また、この銀系厚膜焼成材料が抵抗体２０１により加熱される面積を、図１４（Ｂ）に示すように２．５［ｍｍ］×０．８［ｍｍ］とした。さらに、この導電層２０３は、その表面温度が、抵抗体２０１によって約６５０℃に加熱されることとした。また、導電層２０３の表面には、膜厚が約０．１ｍｍであって、融点が約３００℃の鉛系の半田２０４を積層した。
【００５１】
なお、本試験条件では、比較的、ＳｎＡｇ系の材料に比べて融点が高い鉛系の半田２０４を用いたが、ＳｎＡｇ系のような非鉛系の半田では、比較的融点が低いため、より半田による浸食作用が起きやすい傾向がある点で好ましい。
【００５２】
以上の試験条件の下、導電層２０３の層厚ｄを７［μｍ］、１４［μｍ］、［２２μｍ］の３種類を用いて加熱処理を施したときに、半田２０４により浸食される面積は、それぞれ下記の表１のようになった。
【００５３】
【表１】
0005656466.tif 000002
【００５４】
上記の表１から明らかなように、加熱条件が一定であったとき、層厚ｄが７［μｍ］程度の導電層２０３は、浸食作用が大きく、溶断部１３２として機能する第１の導電層１１２に適しており、層厚ｄが１４［μｍ］程度の導電層２０３では、浸食作用が少なく、半田溜まり部１３３として機能する電極部１１４に適している。さらに、層厚ｄが２２［μｍ］程度の導電層２０３では、浸食作用がなく、特に電極部１１４に適している。
【００５５】
以上の結果から明らかなように、保護素子１００では、第１の導電層１１２の膜厚に対する電極１１４の膜厚の比率が２以上、特に３以上であることが、電極１１４間を確実に溶断する観点から好ましい。ここで、電極１１４の膜厚とは、第１の導電層１１２と第２の導電層１１３との合計の膜厚である。また、保護素子１００では、第１の導電層１１２の膜厚に対する電極１１４の膜厚の比率を２乃至３の範囲とすることで、導電層の材料費低減を図りつつ、電極１１４が浸食作用が起きないようにする点で特に好ましい。
【００５６】
第１の導電層１１２の厚さは、その膜厚が、上記の試験から明らかなように、効率よく浸食作用を発揮させる観点から７［μｍ］以下が好ましく、さらにリフロー実装時にも浸食されない最低膜厚として１「μｍ」以上が特に好ましい。
【００５７】
電極１１４の膜厚、すなわち、第１の導電層１１２と第２の導電層１１３との合計の膜厚は、浸食作用が起きないようにする観点から、１４［μｍ］以上、特に２２［μｍ］以上であることが好ましい。
【００５８】
第１の導電層１１２が浸食される溶断部１３２は、その面積が幅０．５〜２［ｍｍ］×長さ０．２〜０．４［ｍｍ］程度が好ましく、更に変形例として示したようにスリットを形成する場合には、そのスリットサイズが電極１１４間の幅方向に０．５〜２［ｍｍ］とし、この幅方向に直交する長さ方向に０．１〜０．２［ｍｍ］程度であることが好ましい。
【００５９】
なお、本発明が適用された保護素子は、上述したようなバッテリパック１だけでなく、過電流状態及び過電圧状態の少なくとも一方から保護することを目的とするため、これ以外の電気回路に組み込んでも、半田の浸食現象を利用して、電流経路を素早く且つ確実に遮断可能であることは勿論である。
【符号の説明】
【００６０】
１  バッテリパック、１０  バッテリ、１１−１４  バッテリセル、１ａ  正極端子、１ｂ  負極端子、２  充電装置、２０  充放電制御回路、２１、２２  電流制御素子、２３  制御部、４０  検出回路、５０  電流制御素子、１００  保護素子、１０１、１０２                ヒューズ、１０３、２０１  抵抗体、１０３ａ、１０３ｂ  導電体、１１１、２０２  基板、１１１ａ  セラミック基板、１１１ｂ、１１１ｃ  ガラス層、１１２  第１の導電層、１１２ａ  スリット、１１３  第２の導電層、１１４、１１４ａ−１１４ｃ、１１８ａ、１１８ｂ  電極、１１６  半田ペースト、１１６ａ  配置位置、１１７  絶縁膜、１１９  フラックス、１２０  キャップ、１３１  溶解残り、１３２  溶断部、１３３  半田溜まり部、２００  試験基板、２０３  導電層、２０４  半田
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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