(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
入射した光を光電変換する光電変換層を有する半導体基板を準備する準備工程と、
前記半導体基板の主面上に、酸素を含む雰囲気中でアルミニウム膜を成膜する成膜工程と、
該成膜工程よりも高い濃度の酸素を含む雰囲気中で前記アルミニウム膜を加熱して該アルミニウム膜の表面に酸化膜を形成する加熱工程と
を有する光電変換素子の製造方法。
【請求項２】
前記成膜工程において、前記アルミニウム膜を前記主面に成膜するにつれて雰囲気中の酸素の濃度を低くしていく請求項１に記載の光電変換素子の製造方法。
【請求項３】
前記加熱工程において、加熱時間が経つにつれて雰囲気中の酸素の濃度を低くしていく請求項１または２に記載の光電変換素子の製造方法。
【請求項４】
前記成膜工程を、希ガスを主として含む雰囲気中で行なう請求項１〜３のいずれかに記載の光電変換素子の製造方法。
【請求項５】
前記成膜工程を、水素を含む雰囲気中で行なう請求項１〜４のいずれかに記載の光電変換素子の製造方法。
【請求項６】
前記準備工程において、前記光電変換層がｎ型半導体層およびｐ型半導体層から構成されており、該ｐ型半導体層が前記主面側に位置する前記半導体基板を準備する請求項１〜５のいずれかに記載の光電変換素子の製造方法。
【請求項７】
前記加熱工程の前に、前記アルミニウム膜上に銀を主成分として含む導電ペーストを所定のパターンに塗布する工程を有し、前記加熱工程において、前記アルミニウム膜および塗布した前記導電ペーストを加熱して、前記導電ペースト中の銀を前記アルミニウム膜内に拡散させることによって、前記半導体基板に銀を含む前記酸化膜からなる電極を形成する請求項１〜６のいずれかに記載の光電変換素子の製造方法。
【請求項８】
入射した光を光電変換する光電変換層を有する半導体基板と、
該半導体基板の主面上に設けられた、該主面から離れるにつれて酸素の濃度が高くなっている酸化アルミニウムからなる酸化膜と
を有する光電変換素子。
【請求項９】
前記半導体基板は、前記酸化膜と接する表面付近に、水素を含んでいる請求項８に記載の光電変換素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光電変換素子の製造方法および光電変換素子に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
現在、光を電気に変換する光電変換素子の研究開発において、例えば、光電変換層を有する基板に光が入射した際に、光電変換層で発生したキャリアが基板の表面で再結合されることを抑制する目的で基板の表面に酸化膜を形成することがある（例えば、特許文献１を参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開2010−34499号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１に記載された光電変換素子によれば、酸化膜を形成する際に、原子層堆積（ＡＬＤ：Atomic Layer Deposition）法が用いられていることから、当該
酸化膜を成膜する速度が遅く、生産性を向上させることが困難だった。
【０００５】
本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、基板の表面に酸化膜を高速に形成して、生産性を向上することが可能な光電変換素子の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の光電変換素子の製造方法は、入射した光を光電変換する光電変換層を有する半導体基板を準備する準備工程と、前記半導体基板の主面上に、酸素を含む雰囲気中でアルミニウム膜を成膜する成膜工程と、該成膜工程よりも高い濃度の酸素を含む雰囲気中で前記アルミニウム膜を加熱して該アルミニウム膜の表面に酸化膜を形成する加熱工程とを有する。
【０００７】
また本発明の光電変換素子は、入射した光を光電変換する光電変換層を有する半導体基板と、該半導体基板の主面上に設けられた、該主面から離れるにつれて酸素の濃度が高くなっている酸化アルミニウムからなる酸化膜とを有する。
【発明の効果】
【０００８】
本発明の光電変換素子の製造方法によれば、成膜工程と加熱工程を経て酸化膜を形成することから、酸化膜を高速に形成することができ、生産性を向上させることができる。
【０００９】
また本発明の光電変換素子によれば、取り出すことが可能な電力量を向上するとともに、酸化膜の表面から水分などの侵入を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の一実施形態に係る光電変換素子の製造方法を用いて作製した光電変換素子の断面図である。
【図２】図１に示す光電変換素子における酸化膜の深さ方向の酸素の濃度分布を示す図である。
【図３】本発明の光電変換素子の製造方法の一工程を示す断面図である。
【図４】本発明の光電変換素子の製造方法の一工程を示す断面図である。
【図５】本発明の光電変換素子の製造方法の一工程を示す断面図である。
【図６】本発明の光電変換素子の製造方法の変形例における雰囲気内の酸素の濃度の変化を示す図である。
【図７】本発明の光電変換素子の製造方法の変形例における雰囲気内の酸素の濃度の変化を示す図である。
【図８】本発明の光電変換素子の製造方法の変形例における一工程を示す断面図である。
【図９】本発明の光電変換素子の製造方法の変形例における一工程を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明の実施形態の一例について図を参照しながら説明する。
【００１２】
＜光電変換素子＞
図１は、本発明の一実施形態に係る光電変換素子の製造方法を用いて製造された光電変換素子１を示す図である。図１に示すように、光電変換素子１は、具体的に、半導体基板（以下、単に基板という）２と、基板２の主面から離れるにつれて酸素の濃度が高くなっている酸化アルミニウムからなる酸化膜３とを有する。
【００１３】
基板２は、例えば半導体基板などを用いることができる。基板２は、板状のものを用いることができる。基板２は、光が入射する受光面（図１における上面であり、以下では第１面という）２Ａと、この第１面２Ａに対して裏側に位置する裏面（図１における下面であり、以下では第２面という）２Ｂとを有する。
【００１４】
基板２は、第１面２Ａと第２面２Ｂとの間に、光を電気に変換する光電変換層２ａを有している。光電変換層２ａは、例えば一導電型半導体と逆導電型半導体との界面付近に形成することができる。そのため、基板２は、例えば、一導電型を持つ半導体基板を用いることができ、この基板２の第１面２Ａ側に逆導電型層２’を形成することによって、一導電型と逆導電型との間に光電変換層２ａを形成することができる。
【００１５】
基板２としては、一導電型（例えば、ｐ型）を有する板状の半導体を用いることができる。基板２を構成する半導体としては、単結晶シリコンまたは多結晶シリコン等のシリコン結晶を用いることができる。基板２の厚みは、例えば、250μｍ以下に設定することが
できる。基板２の形状は、特に限定されるものではないが、製法上の観点から平面視で四角形状としてもよい。
【００１６】
本実施形態においては、基板２としてｐ型の導電型を持つシリコン基板を用いた例について説明する。シリコン基板からなる基板２がｐ型を持つようにする場合、ドーパント元素としては、例えば、ボロンあるいはガリウムなどを用いることができる。
【００１７】
逆導電型層２’は、基板２とｐｎ接合を形成する半導体層である。逆導電型層２’は、基板２と逆の導電型を持つ層であり、基板２における第１面２Ａ側に設けられている。基板２がｐ型の導電型を持つ場合であれば、逆導電型層２’はｎ型の導電型を持つように形成される。一方、基板２がｎ型の導電型を持つ場合であれば、逆導電型層２’はｐ型の導電型を持つように形成される。
【００１８】
逆導電型層２’は、基板２の第１面２Ａ上に形成または接合されていてもよいし、基板２内にイオンを注入および拡散させることによって基板２内に形成してもよい。具体的に、基板２がｐ型の導電型を持つシリコン基板において、逆導電型層２’がシリコン基板内
に形成されている場合には、例えば逆導電型層２’はシリコン基板における第１面２Ａ側にリン等の不純物を拡散させることによって形成できる。
【００１９】
基板２の第１面２Ａ（主面）上に、酸化膜３が設けられている。酸化膜３は、受光面である第１面２Ａに設けられていることから、透光性材料によって設けられている。ここで、透光性材料としては、透過率が、例えば50％以上のものを用いることができる。具体的には、例えば、酸化アルミニウム、酸化シリコンなどの酸化物を用いることができる。本実施形態では、酸化アルミニウムを用いる場合について説明する。なお、酸化膜３は、第２面２Ｂに設けられていてもよく、その場合は透光性を有していない材料を用いることができ、材料の選択性を広げることができる。
【００２０】
酸化膜３は、基板２の第１面２Ａの一部だけに設けられていてもよく、例えば第１面２Ａの面積の50％以上に設けられている。本実施形態では、第１面２Ａ全体を覆うように設けられている。酸化膜３は、厚みＤｈが、例えば200ｎｍ以上３μｍ以下となるように設
定されている。
【００２１】
酸化膜３は、酸化アルミニウムを主として含んでいればよい。酸化膜３に含まれる酸化アルミニウムとしては、例えば、Ａｌ２Ｏ３、ＡｌＯ、ＡｌＯ２、Ａｌ２ＯまたはＡｌ２Ｏ２などによって構成されている。
【００２２】
酸化膜３は、図２に示すように、酸素の濃度が基板２の第１面２Ａから離れるにつれて高くなっている。具体的には、酸化膜３は、第１面２Ａ付近の酸素の濃度が、第１面２Ａから離れるにつれて、例えば徐々に高くなっていてもよいし、階段状に高くなっていてもよい。このように酸化膜３内で酸素の濃度が変化していることから、酸化膜３内において第１面２Ａから離れるにつれて、酸素の濃度が化学量論比に近い酸化アルミニウムが存在しやすくなっている。
【００２３】
本実施形態では、第１面２Ａから離れるにつれて、酸化膜３の酸素の濃度が高くなるように設定されている。そのことから、酸化膜３は第１面２Ａ付近の酸素が化学量論比よりも低くなりやすくなっており、酸素の濃度が化学量論比よりも小さい酸化アルミニウムが存在しやすくなっているため、固定電荷が発生しやすくなっている。そのため、酸化膜３において基板２との界面付近が負の電荷を帯びやすくなっており、例えば、基板２で発生した電子が基板２と酸化膜３との界面で他方主面（第２主面２Ｂ）へ反射されやすくすることができ、光電変換素子において取り出すことが可能な電力量を向上させることができる。さらに、酸化膜３は、第１面２Ａから離れるにつれて酸素の濃度が高くなっていることから、隙間の少ない緻密な膜とすることができ、例えば空気中の水分の侵入を抑制することができる。
【００２４】
（光電変換素子の変形例１）
基板２は、酸化膜３と接する第１面２Ａ（表面）付近に、水素を含んでいてもよい。このように基板２の表面付近に水素が含まれていることから、基板２の表面が終端化されることとなり、不規則な準位が形成されることを抑制することができる。
【００２５】
＜光電変換素子の製造方法＞
本発明の光電変換素子１の製造方法は、基板２を準備する準備工程、アルミニウム膜４を成膜する成膜工程、および酸化膜３を形成する加熱工程を有している。各工程について、詳細に以下説明する。
【００２６】
（準備工程）
光電変換層２ａを有する基板２を準備する工程について説明する。本実施形態において
基板２は、ｐ型半導体基板を用いて、ｎ型の逆導電型層２’が形成されることによって、光電変換層２ａであるｐｎ接合が形成されている。基板２が単結晶シリコン基板の場合は、例えば引き上げ法などによって形成される。また基板２が、多結晶シリコン基板の場合は、例えば鋳造法などによって形成される。なお、以下の説明において、基板２がｐ型の多結晶シリコン基板を用いた例について説明する。
【００２７】
最初に、例えば、鋳造法により多結晶シリコンのインゴットを作製する。次いで、そのインゴットを、例えば、250μｍ以下の厚みにスライスする。このとき、初めから砥粒を
ワイヤーに固着させた砥粒固着ワイヤーでスライスする固着砥粒タイプのワイヤーソー装置を用いて、インゴットをスライスする。その後、スライス工程で汚染された基板２は洗浄液を用いて清浄化される。このとき、基板２の切断面には機械的ダメージ層が存在する。走査型電子顕微鏡で基板２の切断面を観察すると、遊離砥粒タイプを用いた場合に比べて、マイクロクラックの数は少なく、その深さも約１μｍ以下と小さくすることができる。
【００２８】
また、顕微ラマン分光法を用いて基板２の表面の残留応力を評価すると、固着砥粒タイプの場合には、200ＭＰａ以上500ＭＰａ以下の圧縮応力が存在するのに対して、遊離砥粒タイプの場合には、200ＭＰａ以下の圧縮応力となる。すなわち、固着砥粒タイプを用い
ることにより、機械的ダメージ層が少なく且つマイクロクラック等の発生による残留応力の開放が少ない基板２が得られると推察することができる。
【００２９】
逆導電型層２’は、基板２の第１面２Ａ側から形成される。逆導電型層２’は、ペースト状態にしたＰ２Ｏ５を半導体基板１の表面に塗布して熱拡散させる塗布熱拡散法、ガス状態にしたＰＯＣｌ３（オキシ塩化リン）を拡散源とした気相熱拡散法などによって形成される。逆導電型層２’は、例えば0.2μｍ以上２μｍ以下の深さ、例えば40Ω／□以上200以下Ω／□以下のシート抵抗を有するように形成される。
【００３０】
気相熱拡散法では、ＰＯＣｌ３等からなる拡散ガスを有する雰囲気中で、例えば600℃
以上800℃以下の温度において、基板２を５分以上30分以下熱処理して燐ガラスを基板２
の表面に形成する。その後、アルゴンや窒素等の不活性ガス雰囲気中で、例えば800℃以
上900℃以下の高い温度において基板２を例えば10分以上40分以下の間、熱処理すること
により燐ガラスから基板２にリンが拡散して逆導電型層２’が形成される。
【００３１】
このようにして、基板２に逆導電型層２’が形成されることによって、基板２と逆導電型層２’との界面付近がｐｎ接合となり、この界面付近が光電変換層２ａとなる。このようにして、図３に示すような、光電変換層２ａを有する基板２を準備することができる。
【００３２】
（成膜工程）
次に、図４に示すように、基板２に、酸素を含む雰囲気中でアルミニウム膜４を成膜する。アルミニウム膜４は、基板２の第１面２Ａに成膜してもよいし、第２面２Ｂに成膜してもよいし、第１面２Ａおよび第２面２Ｂの両面に成膜してもよい。本実施形態では、第２面２Ｂにアルミニウム膜４を成膜する場合について説明する。
【００３３】
アルミニウム膜４は、例えば、スパッタリング法、ＣＶＤ法または蒸着法などを用いて成膜を行なうことができる。本実施形態では、スパッタリング法を用いて成膜を行なう場合について説明する。スパッタリング法を用いて成膜を行なった場合は、成膜速度を例えば５ｎｍ／ｍｉｎ以上で行なうことができる。スパッタリング法を用いることから、成膜速度を速めてもアルミニウム膜４の膜質の劣化を招きにくいため、10ｎｍ／ｍｉｎ以上に設定してもよい。このように成膜速度を速めることができるため、本工程の生産性を向上させることができる。
【００３４】
アルミニウム膜４の成膜は、酸素を含む雰囲気中で行なわれる。雰囲気内における酸素の濃度は、全体に対して、例えば１％以上35％以下となるように設定することができる。雰囲気内の各元素の濃度は、本工程が閉鎖された雰囲気中（系）において行なわれるため、それぞれの元素を含むガスの流量によって定めることができる。例えば、酸素を含むガスの流量が、全体のガスの流量に対して、10％であれば、酸素の濃度を10％とすることができる。すなわち、雰囲気中では、酸素以外の元素が主として含まれるように設定されている。なお、ここでいう「閉鎖された雰囲気」とは、雰囲気中にガスを流入するとともに、ガスを排気して構成された雰囲気も含むものである。
【００３５】
雰囲気内に流がされるガスは、スパッタリング法によってアルミニウム原料を成膜する時間の一部に行なわれればよい。雰囲気内へのガスの流入は、例えば、スパッタリングの時間全てにおいて行なってもよいし、ある一定時間のみ行なってもよい。スパッタリング時間に対してガスの流入時間を調節することによって、成膜される膜の膜質を調整することができる。
【００３６】
このように酸素の濃度が低い雰囲気中において、スパッタリング法でアルミニウム膜４を成膜することによって、アルミニウム膜４は酸素の濃度が化学量論比よりも小さい酸化アルミニウムによって構成されることとなる。アルミニウム膜４は、例えば、ＡｌＯ、ＡｌＯ２、Ａｌ２ＯまたはＡｌ２Ｏ２などによって構成されている。なお、アルミニウム膜４は、膜全体として化学量論比よりも小さくなっていればよい。
【００３７】
（加熱工程）
成膜工程よりも高い濃度の酸素を含む雰囲気中で、アルミニウム膜４を加熱する。雰囲気中の酸素の濃度は、成膜工程の酸素の濃度よりも高くなるように設定されていればよい。酸素の濃度は、成膜工程と同様に、ガスの流量によって定めることができる。そのため、加熱工程では、成膜工程の酸素のガスの流量よりも高い流量に設定して、酸素のガスを雰囲気内に流入させる。
【００３８】
酸素の流入は、例えば、アルミニウム膜４の加熱時間中ずっと行なってもよいし、アルミニウム膜の加熱時間の一部のみ行なってもよい。このように、酸素の流入を、加熱時間によって変化させることによって、酸化膜３の膜質を変化させることができる。具体的に、加熱時間は、例えば１秒以上５分以下となるように設定することができる。加熱温度は、例えば200℃以上900℃以下となるように設定することができる。
【００３９】
アルミニウム膜４を加熱することによって、図５に示すように、アルミニウム膜４の表面に酸化膜３を形成することができる。具体的には、雰囲気中に存在する酸素がアルミニウム膜４の表面からさらに酸化していくことによって、酸化膜３が形成されることとなる。これにより、アルミニウム膜４を構成していた、酸素の濃度が化学量論比よりも小さい酸化アルミニウムがさらに酸化されて、酸素の濃度が化学量論比に近い酸化アルミニウムとすることができる。
【００４０】
本実施形態では、加熱工程よりも酸素の濃度が低い状態で成膜工程を行ない、その後、成膜工程よりも酸素の濃度が高い状態で加熱工程を行なうことから、速い成膜速度で成膜工程を行ない、加熱工程を行なうことによって、酸化膜３を形成することができる。これによって、酸化膜３の形成時間を短縮することができることから、光電変換素子を製造する時間を短縮することができ、生産性を向上させることができる。
【００４１】
従来は、ＡＬＤ法を用いて、アルミニウム層と酸素層を順次積層して酸化膜を形成していたため、酸化膜を形成する工程に時間がかかっていた。その結果、光電変換素子を製造
する時間の長時間化を招いており、生産性を向上させることは困難だった。一方、生産性を向上させるために、酸化膜をスパッタリング法で形成しようとした場合、ターゲットとして酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）を用いると、スパッタ粒子の速度が速くなると基板２の表面にダメージを与えやすくなるため、成膜速度を速めることが困難だった。また、ターゲットをアルミニウムとしてスパッタリング法を用いてＡｌ２Ｏ３からなる酸化膜を形成しようとした場合には、成膜工程の雰囲気中の酸素濃度を高くする必要があり、成長速度を速めることができなかった。
【００４２】
本実施形態では、酸化膜３（アルミニウム膜４）をｐ型半導体層側である第２主面２Ｂに形成している。そのため、基板２のｐ型半導体層内で発生した電子が、基板２と酸化膜３との界面でｎ型半導体層側へ反射されやすくすることができる。その結果、光電変換素子１から取り出される電力量を向上させることができる。
【００４３】
（光電変換素子の製造方法の変形例１）
成膜工程において、図６に示すように、アルミニウム膜３を基板２の第２面２Ｂに成膜するにつれて雰囲気中の酸素の濃度を低くしていってもよい。具体的には、酸素の流量を、アルミニウム膜３の成膜時間が経つにつれて、小さくしていけばよい。
【００４４】
これにより、雰囲気内の酸素の濃度が、アルミニウム膜３の成膜とともに低くなることから、アルミニウム膜３の酸素の濃度が、基板２の第１面２Ａから離れるにつれて低くなる。その後、加熱工程で、アルミニウム膜４が表面から酸化されることから、酸化膜３の深さ方向における酸素の濃度のばらつきを小さくすることができ、酸素の濃度が化学量論比に近い酸化アルミニウムからなる酸化膜３をアルミニウム膜３全体に形成することができる。すなわち、酸素の濃度が化学量論比に近い酸化アルミニウムを、酸化膜３の深さ方向に均一に形成することができる。これによって、酸化膜３全体にわたって酸化アルミニウムが緻密に積層され、水分などが酸化膜３の表面から侵入することをさらに抑制することができる。
【００４５】
（光電変換素子の製造方法の変形例２）
加熱工程において、図７に示すように、加熱時間が経つにつれて雰囲気中の酸素の濃度を低くしていってもよい。具体的に、酸素の流量を、加熱時間が経つにつれて、ガスの流量を小さくしていくことによって、雰囲気中に含まれる酸素の濃度を低くしてもよい。
【００４６】
アルミニウム膜４が表面から酸化されることから、加熱時間の経過とともに、雰囲気中の酸素の濃度を低くすることによって、酸化膜３の深さ方向に含まれる酸素の濃度のばらつきを小さくすることができる。その結果、酸素の濃度が化学量論比に近い酸化アルミニウムを酸化膜３の深さ方向に均一にすることができ、水分などの侵入をさらに抑制することができる。
【００４７】
（光電変換素子の製造方法の変形例３）
成膜工程を、希ガスを主として含む雰囲気中で行なってもよい。希ガスとしては、例えばヘリウム、アルゴンまたはキセノンなどを用いることができる。希ガスは、主として雰囲気中に含まれるように設定され、例えば、雰囲気中に含まれる他の元素の濃度よりも高くなるように設定される。具体的には、希ガスは、例えば、全体に対して90％以上となるように設定することができる。
【００４８】
成膜工程において、雰囲気中に存在する酸素の濃度よりも高く希ガスの濃度を設定することによって、アルミニウムが酸化されにくくすることができる。このように成膜工程において、雰囲気中でアルミニウムが酸化されにくくなることによって、アルミニウム膜４の成膜速度を速くした場合でも、基板２が損傷を受けにくくすることができる。その結果
、成膜工程にかかる時間をさらに短縮することができ、光電変換素子の生産性を向上させることができる。
【００４９】
（光電変換素子の製造方法の変形例４）
成膜工程を、水素を含む雰囲気中で行なってもよい。成膜工程の際に水素を含む雰囲気中で行なうことによって、基板２にダングリングボンドが存在していた場合、終端化することができる。このように基板２を終端化することによって、基板２の表面に不規則な準位が形成されることを抑制することができる。その結果、光電変換素子の光電変換効率の低下を抑制することができる。
【００５０】
（光電変換素子の製造方法の変形例５）
加熱工程の前に、図８に示すように、アルミニウム膜４上に導電ペースト５を所定パターンに塗布する工程を有していてもよい。導電ペースト５としては、例えば銀を主成分とする材料を用いることができる。
【００５１】
導電ペースト５が塗布される所定のパターンは、適宜設定すればよい。基板１の第１面２Ａ（受光面）側に電極を形成する場合は、例えばバスバー電極および櫛歯電極となるように設けることができる。一方、第２面２Ｂ側に電極を形成する場合は、例えば、電極が基板２とポイント接触されるように、平面形状が円形状または多角形状などになるように設けることができる。
【００５２】
アルミニウム膜４上に導電ペースト５を塗布した後、アルミニウム膜４および塗布した導電ペースト５を加熱する。ここで、アルミニウム膜４および導電ペースト５の加熱は、前述した加熱工程と同時に行なうことができる。加熱工程の加熱温度および加熱時間は、導電ペーストの拡散・硬化時間および酸化膜３の形成時間によって適宜調整すればよい。なお、アルミニウム膜４の加熱と導電ペースト５の加熱は別の工程で行なってもよい。
【００５３】
このようにアルミニウム膜４および導電ペースト５を加熱することによって、図９に示すように、導電ペースト５中の銀を、アルミニウム膜４内に拡散（ファイヤースルー）させるとともに、アルミニウム膜４に酸化膜３を形成することができる。導電ペースト５の拡散は、所定のパターンに近い状態でアルミニウム膜４内に転写されて、酸化膜３に電極５’が形成されることとなる。
【００５４】
このように電極を形成することにより、加熱工程を経た後に電極を改めて形成する必要がなくなるため、光電変換素子１の製造工程が増えることを抑制することができる。その結果、光電変換素子１の生産性を向上させることができる。
【００５５】
本発明は以下の実施形態の一例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の変更を施すことができる。
【００５６】
成膜工程および加熱工程における酸素の濃度は、装置の大きさ、形状、加熱機構または構造などの条件によって適宜設定すればよく、両工程の酸素の濃度は相対的に決めればよい。
【符号の説明】
【００５７】
１  光電変換素子
２  基板（半導体基板）
２Ａ  第１面（受光面）
２Ｂ  第２面
２’  逆導電型層
２ａ  光電変換層
３  酸化膜
４  アルミニウム膜
５  導電ペースト
５’  電極
【図１】
0005780934.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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