(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
超音波スキャンに基づいて、シリコン貫通配線（ＴＳＶ）におけるボイドの存在を推定する方法であって、
複数のＴＳＶが配列されているボードを用意するステップと、
これら複数のＴＳＶの中から、テスト要素グループ（ＴＥＧ）に属する単数または複数のＴＳＶを選び出すステップであって、ボード面にわたって超音波でスキャンするにあたってこのＴＥＧの周囲における物理的な遮蔽物は、このＴＥＧには属していない他のＴＳＶの周囲における物理的な遮蔽物よりも少なく存在している、この選び出すステップと、
ＴＥＧに属している少なくとも１つのＴＳＶを、ボード面にわたってスキャンするステップと、
スキャンするステップの結果に基づいて、ＴＥＧに属していない他のＴＳＶにボイドが存在するであろうと推定するステップと、を有する、
方法。
【請求項２】
ＴＥＧには属していない他のＴＳＶの周囲における物理的な遮蔽物は、はんだバンプである、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
さらに、はんだバンプの下側に、ボードを覆ってしまうアルミまたは銅のパッドが設けられている、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
テスト要素グループ（ＴＥＧ）に属しているＴＳＶが複数あって、その配列されているピッチが、ＴＥＧに属していない他のＴＳＶが配列されているピッチよりも狭い、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
テスト要素グループ（ＴＥＧ）に属している少なくとも１つのＴＳＶの径が、ＴＥＧに属していない他のＴＳＶの径よりも小さい、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
テスト要素グループ（ＴＥＧ）に属していない他のＴＳＶが、４０μｍ±２０μｍのピッチおよび２５μｍ±１０μｍの径をもって配列されている、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
テスト要素グループ（ＴＥＧ）に属している少なくとも１つのＴＳＶが、１５μｍ〜２０μｍ±１０μｍの径であり、超音波スキャンに用いる超音波の周波数の主成分が、２３０ＭＨｚ〜４００ＭＨｚである、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
面にわたっての超音波スキャンに基づいて、シリコン貫通配線（ＴＳＶ）におけるボイドの存在を推定するために、複数のＴＳＶが配列されているボードであって、
これら複数のＴＳＶの中から、テスト要素グループ（ＴＥＧ）に属する単数または複数のＴＳＶが選び出されており、ボード面にわたって超音波でスキャンするにあたってこのＴＥＧの周囲における物理的な遮蔽物は、このＴＥＧには属していない他のＴＳＶの周囲における物理的な遮蔽物よりも少なく存在している、
ボード。
【請求項９】
ＴＥＧには属していない他のＴＳＶの周囲における物理的な遮蔽物は、はんだバンプであり、
さらに、はんだバンプの下側に、ボードを覆ってしまうアルミまたは銅のパッドが設けられている、請求項８に記載のボード。
【請求項１０】
テスト要素グループ（ＴＥＧ）は、ボード上において、ボードに配列されている複数のＴＳＶからは独立して設けられている、請求項８に記載のボード。
【請求項１１】
超音波スキャンに基づいて、シリコン貫通配線（ＴＳＶ）におけるボイドの存在を推定する装置であって、
用意されるところの、複数のＴＳＶが配列されているボードについて、
これら複数のＴＳＶの中から、テスト要素グループ（ＴＥＧ）に属する単数または複数のＴＳＶを選び出すことであって、ボード面にわたって超音波でスキャンするにあたってこのＴＥＧの周囲における物理的な遮蔽物は、このＴＥＧには属していない他のＴＳＶの周囲における物理的な遮蔽物よりも少なく存在している、この選び出すことと、
ＴＥＧに属している少なくとも１つのＴＳＶを、ボード面にわたってスキャンすることと、
スキャンすることの結果に基づいて、ＴＥＧに属していない他のＴＳＶにボイドが存在するであろうと推定することとを、自動的に実行する、
装置。
【請求項１２】
用意されるところのボードには、ＴＥＧに属している少なくとも１つのＴＳＶを覆ってしまうアルミまたは銅のパッドが設けられている、請求項１１に記載の装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、３次元集積化構造中の不良を超音波スキャンによって検出する技術に関し、より具体的には、ボードに配列されているシリコン貫通配線（ＴＳＶ）においてプロセス中に発生してしまう可能性のあるボイドの存在を非破壊的に検出することに関する。
【背景技術】
【０００２】
シリコン貫通配線（ＴＳＶ：Ｔｈｒｏｕｇｈ  Ｓｉｌｉｃｏｎｅ  Ｖｉａ）を用いた３次元集積化技術において、ＴＳＶの不良をプロセスの早い段階において非破壊で検出する技術が必要である。
【０００３】
「ビアラスト法」がＴＳＶの作成方法の一つとして知られている。シリコン貫通配線（ＴＳＶ：Ｔｈｒｏｕｇｈ  Ｓｉｌｉｃｏｎｅ  Ｖｉａ）は、「ビア」または「バイア」とも呼ばれる。
【０００４】
図１は、ビアラスト法のプロセスの概要を説明する図である。
【０００５】
大雑把な分類として、ビアファースト法やビアミドル法は、素子や配線層が完成するよりも前にビアを形成してしまうものに属する。これに対して、ビアラスト法では、後のプロセスにおいてビアを形成することから、このような名称になっている。
【０００６】
プロセス１において、シリコンウエハなどの半導体のボードが用意される。ボードには素子面の側と非素子面の側とがある。素子面の側には、１μｍ程度の薄いアルミ（または、銅の場合もある、以下同じ。）の層が用意されており、その内部には素子や配線層等が既に形成されている。
【０００７】
図２は、アルミの層を部分的に拡大した図である。
【０００８】
この図２に示すように、アルミの層には例えば、メタル層Ｍ１〜Ｍ７としてアルミ配線層が含まれており、この中に、複数の半導体素子やそれらを結合する配線が用意されている。アルミニウムのパッドがＴＳＶの上またはその付近に用意され、また、アルミニウムのパッドの上に（図２では下の方向に）（典型的には、はんだ）バンプが用意されている。アルミの層は、後に点線のようにＴＳＶが形成されるにあたって、エッチング停止層としても機能する。
【０００９】
再び図１に戻ると、プロセス２において、ボードはガラスなどの支持基板に接着剤によって接着される。
【００１０】
プロセス３において、支持されているボードを、研削して薄化する。ボードは、その厚さがここでは誇張して描かれているが、実際はかなり薄く加工されてそれだけでは剛性が低いものであるため、支持基板で支持しておく必要がある。ビアラスト法のうちでも「バックビア（法）」と呼ばれている方法では、ＴＳＶを形成する前にこのプロセス３のように薄化しておく。
【００１１】
図３は、シリコン貫通配線（ＴＳＶ）を形成するプロセスを示す図である。
【００１２】
プロセス４では、例えばドライエッチングによって、アルミの層まで達する貫通孔をボードに形成する。アルミの層がエッチング停止層としても機能することは既に説明した通りである。ボードを貫通するため「貫通孔」と呼ぶが、片側の開口がアルミの層に塞がれているという状態を捉えると「くぼみ」または「穴」の状態にある。
【００１３】
プロセス５では、貫通孔の内側に、絶縁層（ボードとビアの間の電気的絶縁のため）を形成し、アルミの層に接する絶縁層（ビアの底部）を除去した後、バリア層（ボード材料であるシリコン等への拡散を防止するもの）や、シード層（電気を通すためのもの）等の薄膜層が形成される。
【００１４】
プロセス６では、めっき等のプロセスにより銅（Ｃｕ）等の導電性金属材料によって、開口（非素子面の側）から埋めていく。図の左側の成功例では、めっきがアルミの層にまで達している。一方、図の右側の失敗例では、めっき材料が十分に行き渡らないために、アルミの層まで達しておらず、ボイド（空隙）が生じてしまっている。
【００１５】
これは、めっきプロセスの浴液の不具合等によって発生してしまうものであるが、このような不良のモードは、エッチング停止層とＴＳＶの金属との間の導通を妨げて、ActiveなＴＳＶではなくなってしまう。また、厄介なことに、ボードの開口を覆ってしまっているので、内部に隠れたまま、表面検査では見えない不良として残ってしまう。
【００１６】
また、貫通孔の径（最小５ミクロン径くらい）に対して深さが深い（径：深さ＝１：２あるいはそれ以上の比）と、メッキ液やメッキ液中の銅イオンが貫通孔の奥の方（エッチング停止層）にまで届かない場合があり、こうしたところが空洞として残ってしまう。
【００１７】
また、電気メッキの為のシード層（メッキするときの電気の通り道）は、通常、スパッタ法（真空中で放電を行い、飛び散った金属原子やクラスタを蒸着する）で製膜するが、シード層の不完全性によって、奥の方に十分な電流が流れないことも、ボイドの原因となると考えられる。
【００１８】
再び図１に戻ると、プロセス７において、支持基板が剥離される。
【００１９】
プロセス８において、接着剤が除去される。
【００２０】
プロセス７やプロセス８といった、めっきプロセス直後の早いプロセスの段階で、ウエハ全面における高速・非接触・非破壊検査の内部不良の検出が実現できれば、製造コストの大幅な低減につながる。
【００２１】
しかし、これまで、微細な径をもってさらには微細なピッチで配列されているＴＳＶに対して、このような内部に隠れたままのボイドを検出する適切な方法が知られていなかった。
【００２２】
既存の方法として知られているＸ線検査では、その画像取得に非常に長い時間を要するため、ウエハ全面にわたって検査を行うことは、コストの観点から現実的ではなかった。また、Ｘ線検査では、投射方向の空隙が小さい場合には検出出来ない場合がある。
【００２３】
また、原理的には高い解像度を有する超音波顕微鏡（C-mode Scanning Acoustic Microscope (C-SAM) ）でボイドの存在を観察することは可能であるが、通常、このＴＳＶボイドの上下方向にはバンプ電極や配線層が存在するため、表層の配線やバンプ形状が、「物理的な遮蔽物」として、超音波を散乱させるので、超音波の反射波を利用する超音波顕微鏡では検出が困難であった。
【００２４】
特許文献１は、表面からは情報カード中のどこに埋設されたバーコードが有るか判らないものを、周波数の高い超音波を用いて検出・読み取りをおこなう、ことについて記載している。しかし、シリコン貫通配線（ＴＳＶ）におけるボイドの存在を推定するものではなく、さらには、物理的な遮蔽物が少ないテスト要素グループ（ＴＥＧ）についての考察についても見られない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００２５】
【特許文献１】特開２０００−８２１２１号公報  （日本国における特許出願の強制的な公開）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００２６】
本発明は、このような背景技術では解決できていない課題を解決することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００２７】
本発明では、隠れたＴＳＶボイドの有無を検出するために、チップ周辺など、この検出するＴＳＶの上下方向に分解能を低下させる構造物（バンプ電極や配線層）がない場所において、エッチング停止層およびＴＳＶのみのＴＥＧ（Test Element Group）領域を形成し、超音波顕微鏡を用いて隠れたＴＳＶボイドの有無を検出して推定する。
【００２８】
特に微細なＴＳＶ観測においては高解像度を要求されるため、高ＮＡの超音波プローブを用いて、欠陥との観測距離を近づけて観察を行う必要があり、半導体素子面側から観測を行うことが望ましい。また、このＴＥＧによる検査・推定方式では、このＴＥＧに配置されるＴＳＶとして、ActiveなＴＳＶと同じ直径のものの他に、例えば１０％、２０％または４０％程度細い径のものを同時に形成することで推定の精度を向上させる。
【００２９】
また、ＴＳＶの密度はActiveなＴＳＶの最小ピッチと同じピッチのものの他に、例えば１０％、２０％など、小さなピッチのものを同時に形成する。また、このＴＥＧを配置する場所としては、チップ面内の少なくとも１箇所に配置し、特に隣り合うチップが異なるＴＳＶパターンを持つウエハにおいては、ウエハ面内のチップ配置によるめっきレートの差異を考慮し、異なるチップ間の辺の近傍にそれぞれ１箇所以上配置する。
【発明の効果】
【００３０】
これらＴＥＧ内に配置されるＴＳＶの形状・ピッチおよびチップ内のＴＥＧの配置場所によってウエハの全面におけるボイド発生の推定の検出精度を向上させることもでき、実質的にチップ内のActiveなＴＳＶの不良の発生を高感度で推定することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】図１は、ビアラスト法のプロセスの概要を説明する図である。
【図２】図２は、アルミの層を部分的に拡大した図である。
【図３】図３は、シリコン貫通配線（ＴＳＶ）を形成するプロセスを示す図である。
【図４】図４は、本発明であるところの、超音波スキャンに基づいて、シリコン貫通配線（ＴＳＶ）におけるボイドの存在を推定する方法の基本原理を示す図である。
【図５】図５は、ボード面にわたってスキャンした結果の超音波画像の例を示す模式図である。
【図６】図６は、超音波を音響レンズを用いてボードに焦点をあわせる原理を説明する図である。
【図７】図７は、超音波リーダ２０を中心とした、超音波読取りシステム１０のブロック略図である。
【図８】図８は、単一のプローブによる走査を示す模式図である。
【図９】図９は、超音波の受信部をピエゾ素子のアレイによって実現することを示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００３２】
［用語の定義］
「超音波」とは、一般的に、人間の耳には聞こえない２０ｋＨｚ以上の周波数の音のことをいい、医学における超音波エコー、洗浄器、魚群探知機、バックソナーなど、様々な技術的な利用がなされている。本発明の実施例でも２０ｋＨｚ以上の周波数を用いることを想定している。複数の異なる周波数の波の成分が含まれたパルス波が用いられる場合もある。
【００３３】
「スキャン」という用語は、検出すべき場所や空間を移動させることをいう。本発明では、ＸＹ方向で示す２次元的範囲にわたって、または、ＸＹＺ方向で示す３次元的範囲にわたって、移動させる。
【００３４】
［超音波の特性］
超音波の第１の特性として、伝播速度が電波などに比べて著しく遅い。伝播速度が速い順に並べると、固体＞液体＞空気  の順となり、伝播媒体そのものの影響が大きい。空中では固体の約１５分の１の速度となる。超音波の伝播速度ｖは、音の周波数とは無関係であって、対象となる物質の密度と弾性率の比で決まり、以下の式（１）で決まる。
伝播速度ｖ（ｍ／秒）＝√弾性率（Ｐａ）／密度（ｋｇ／ｍ３）        （１）
【００３５】
超音波の第２の特性として、反射しやすく、例えばガラスなどを透過しない。この反射は、密度差による音響インピーダンスの変化によって生じており、音響インピーダンス（伝播媒体の密度ρ×伝播速度ｖ）の値が大きく異なってくる伝播媒体の境界では、超音波は伝播せずに反射するという性質に基いている。
【００３６】
超音波の第３の特性としては、周波数が高いほど「指向性」があり、減衰が大きいという性質がある。波長に対して振動面の面積が大きいほど、波長が短いほど鋭い指向性が得られる。
【００３７】
超音波の第４の特性としては、人体に対する害が報告されておらず、基本的に安全であるといわれている。実際、今日の産婦人科医療において超音波検査が必要不可欠の検査法になっており、レントゲン検査などとは違って、胎児への影響が全く心配のない安全な検査法であるといわれている。腹部や心臓の診断、小児科などでも広く使われている。
【００３８】
［本発明の説明］
図４は、本発明であるところの、超音波スキャンに基づいて、シリコン貫通配線（ＴＳＶ）におけるボイドの存在を推定する方法の基本原理を示す図である。
【００３９】
複数のＴＳＶが配列されているボードにおいてボイドの存在を推定しようとすると、ボード面にわたって超音波スキャンをすることになる。しかし、この例では、（はんだ）バンプが物理的な遮蔽物として超音波を散乱させてしまい、超音波スキャンによる測定を妨げてしまう。
【００４０】
そこで、これら複数のＴＳＶの中から、テスト要素グループ（ＴＥＧ）に属する単数または複数のＴＳＶを選び出すにあたって、ボード面にわたって超音波でスキャンするべく、このＴＥＧの周囲における物理的な遮蔽物は、このＴＥＧには属していない他のＴＳＶの周囲における物理的な遮蔽物よりも少なく存在している、ように選び出している。
【００４１】
このようにＴＥＧを選び出すことは、ボード上に予め設計して決めておいてよい。装置が自動的（ユーザからの指示を待ち、それをきっかけにしてもよい、以下同じ。）に選び出すという、機械的処理のステップまたはオペレーションとして、柔軟に選び出す対象を変更しながら実行するようにしてもよい。
【００４２】
そして、ＴＥＧに属している少なくとも１つのＴＳＶを、ボード面にわたってスキャンして、そのスキャンした結果に基づいて、ＴＥＧに属していない他のＴＳＶにボイドが存在するであろうと推定すればよい。装置が自動的に推定するという、機械的処理のステップまたはオペレーションとして、柔軟に変更しながら推定の実行をするようにしてもよい。
【００４３】
ちなみに、たとえ物理的な遮蔽物が少ないＴＥＧがボード上に予め設計されていても、後発的に柔軟に、あえて物理的な遮蔽物が多いＴＳＶを検査することもできるであろう。
【００４４】
図５は、ボード面にわたってスキャンした結果の超音波画像の例を示す模式図である。
【００４５】
テスト要素グループ（ＴＥＧ）は、ボード上において、実線または点線の○で囲まれている箇所において、ボードに配列されている複数のＴＳＶからは独立して設けられている。
【００４６】
ボイドのある（と推定される）サンプルでは、右下の４つのＴＳＶによって囲まれたテスト要素グループ（ＴＥＧ）にボイドがあることが検出されている。このような場合、ＴＥＧに属していない他のＴＳＶ（ここでは、４０μｍ±２０μｍのピッチをもって整然と配列されている複数のＴＳＶ）においてもボイドが存在するであろうと推定することができる。
【００４７】
ボイドがない（と推定される）サンプルでは、左上の４つのＴＳＶによって囲まれたテスト要素グループ（ＴＥＧ）にボイドがあることを示す画像が現れていない。
【００４８】
テスト要素グループ（ＴＥＧ）に属している少なくとも１つのＴＳＶの径が、ＴＥＧに属していない他のＴＳＶの径よりも小さい、ように設定すれば、より厳しい基準をＴＥＧに課すことができる。
【００４９】
例えば、このＴＥＧによる検査方式に従えば、ＴＳＶの全数検査をしないでも済むように、このＴＥＧに配置されるＴＳＶはActiveなＴＳＶと同じ直径のものの他に、例えば１０％、２０％または４０％程度細い径のものを同時に形成しておく。
【００５０】
テスト要素グループ（ＴＥＧ）に属しているＴＳＶが複数あって、その配列されているピッチが、ＴＥＧに属していない他のＴＳＶが配列されているピッチよりも狭い、ように設定すれば、より厳しい基準をＴＥＧに課すことができる。
【００５１】
例えば、ＴＳＶの密度はActiveなＴＳＶの最小ピッチと同じピッチのものの他に、例えば１０％、２０％など、小さなピッチのものを同時に形成しておく。
【００５２】
例えば、このＴＥＧを（独立して設けて）配置する場所としては、チップ面内の少なくとも１箇所に配置し、特に隣り合うチップが異なるＴＳＶパターンを持つウエハにおいては、ウエハ面内のチップ配置によるめっきレートの差異を考慮し、異なるチップ間の辺の近傍にそれぞれ１箇所以上配置しておく。
【００５３】
具体的な数値例としては、テスト要素グループ（ＴＥＧ）に属していない他のＴＳＶが、４０μｍ±２０μｍのピッチおよび２５μｍ±１０μｍの径をもって配列されている、ものを示すことができる。もっとも、ボード内では、所定のピッチおよび所定の径をもって配列されており、全てのＴＳＶが同じピッチであるとは限らず、全てのＴＳＶが同じ径であるとは限らない。同じものを均一に作成しようとした場合、ピッチの寸法に比較すると、径の寸法はエッチングのプロセス条件（露光条件など）に影響されやすい傾向があり、径の寸法にはバラツキが生じやすい。
【００５４】
具体的な数値例としては、テスト要素グループ（ＴＥＧ）に属している少なくとも１つのＴＳＶが、１５μｍ〜２０μｍ±１０μｍの径であり、超音波スキャンにはSonoscan製の高開口数（高いＮＡ）を有する高分解能の２３０ＭＨｚ〜４００ＭＨｚプローブを用いる、ものを示すことができる。
【００５５】
スキャンするステップの結果に基づいて、ＴＥＧに属していない他のＴＳＶにボイドが存在するであろうと推定することについては、所定の閾値を超える反射波の強度が検出された場合のみ、ＴＳＶにボイドが存在するであろうと推定するようにしてもよい。
【００５６】
図６は、超音波を音響レンズを用いてボードに焦点をあわせる原理を説明する図である。後述する図９のように、各アレイ状の検出素子の出力を電気的に適切なディレーラインを介して加算することによって、このような音響レンズと同様な集束効果を得ることが出来る。（フェイズド・アレイ）
【００５７】
図７は、超音波リーダ２０を中心とした、超音波読取りシステム１０のブロック略図である。
【００５８】
代表面２２を通して超音波が送信されるように送信部が設けられ、ボード１００において超音波が反射され、代表面２２を通して超音波が受信されるように受信部が設けられている。これら送信部と受信部とはＡＤ／ＤＡ変換回路２４に接続され、ＡＤ／ＤＡ変換回路２４は制御回路２６に接続され、制御回路２６は演算処理回路２８に接続され、演算処理回路２８は画像処理回路２９に接続され、画像処理回路２９はディスプレイ３０に接続される。
【００５９】
例えば、ボード１００の２次元的範囲（ボード面）にわたってスキャンする場合に、制御回路２６によって奥行き方向の情報を分離して取得することができる。また、演算処理回路２８では、ある奥行き寸法の２次元的範囲（ボード面）における超音波の受信の状態と、それとは異なる奥行き寸法の２次元的範囲における超音波の受信の状態とを比較することもできる。
【００６０】
これら比較の結果をＣＲＴ、ＬＣＤ、プラズマなどのディスプレイ３０において表示するにあたっては、例えば、反射される超音波の振幅に比例して濃淡を付けるなどして、超音波の反射が異なっている状態を可視化することが可能となる。図７に示した超音波リーダ２０として、ＡＤ／ＤＡ変換回路２４、制御回路２６、演算処理回路２８、画像処理回路２９のどの部分までを含めるかは、当業者にとって適宜設計可能である。
【００６１】
図８は、単一のプローブによるスキャンを示す模式図である。
【００６２】
単一のプローブの先端から矢印Ｔのように指向性のある超音波が送信されて、ボード１００において矢印Ｒのように反射される。
【００６３】
実証実験としても図８のような走査を採用した。走査型超音波顕微鏡（SAM: Scanning
Acoustic Microscope）を用いて、音響レンズ等によって細く絞った２３０ＭＨｚ〜４００ＭＨｚの超音波（を主成分とする）ビームを、試料に対してＹ方向をずらしながらＸ方向に１次元的にスキャンをして、超音波の送信と反射波の受信とを繰り返すことで、ボード１００の構造を深さ方向に高い分解能で解析することに成功している。
【００６４】
図９は、超音波の受信部をピエゾ素子のアレイによって実現することを示す模式図である。圧電振動子（水晶など）などの電歪振動子の代わりに、磁歪振動子などを使うこともできる。
【００６５】
ピエゾ素子をアレイとして配することで、反射された超音波を２次元的に受信することができる。アレイ状に配置した電気−音響変換素子を用い、各素子に印加する超音波駆動波の位相を制御する事によっても実現することが出来る。この方式は、フェイズド・アレイといわれる。通常、超音波はピエゾ素子のような振動−電圧変換を行う素子で検出する。各アレイ状の検出素子の出力を電気的に適切なディレーラインを介して加算することによって、音響レンズと同様な集束効果を得ることが出来る。
【００６６】
特定のピエゾ素子を、ＴＥＧに属しているＴＳＶに割振られるように選び出しておくこともできる。装置として自動的に選び出すという、機械的処理のステップまたはオペレーションとして、柔軟に変更しながら実行するようにできるであろう。
【００６７】
超音波の第２の特性に従い、超音波は（その箇所まで）送信されてきた液体や空気などの伝播媒体からボードへと移ることになる、このように、リーダ２００の側から超音波を送信し、反射波が帰ってくるまでの時間を、それぞれのＴＳＶの箇所について測定することにより、ボイドの存在、その奥行き寸法、その容積を知ることができる。この原理は、パルスエコー法の原理としても知られている。
【００６８】
また、ボード面にわたってスキャンする方法も、スキャンする方向、スキャンする回数、スキャンをリトライする回数など、予め設計して決めておいてもよい。
【００６９】
スキャンする深さおよびスキャンできる分解能については、スキャンする超音波の周波数と密接な関係がある。高い周波数の超音波を用いると高い分解能による高い解像度が得られるが、その一方で、深い部分まではスキャンすることができないことになる。ＴＥＧに属しているＴＳＶを覆っている部分のアルミ層（部分）をより薄くなるように設定しておけば、検出し易くなると予想される。
【００７０】
また、本発明は、シリコン貫通配線（ＴＳＶ：Ｔｈｒｏｕｇｈ  Ｓｉｌｉｃｏｎｅ  Ｖｉａ）として説明してきたが、シリコンに限らず、ガリウム砒素、ガリウム燐、ゲルマニウム単体、シリコンゲルマニウムなど、他の半導体に置き換えても広く適用することができる。この点、「シリコン貫通配線（ＴＳＶ）」という用語の意義は広く解釈されるべきである。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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