(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマが導入される導入口を有する真空槽と、
前記導入口と処理の対象物との間でプラズマに接する中間部材と、
を備えるプラズマ処理装置であって、
前記中間部材は、
前記真空槽内にて前記導入口の周囲に吊り下げられた金属製の支柱と、
前記支柱に連結されて前記導入口と互いに向かい合う金属製の対向板と、
を備え、
前記支柱及び前記対向板は、
陽極酸化被膜を表面とするアルミニウムの基材と、
前記基材を被覆するシリコン系絶縁膜とを有し、
前記シリコン系絶縁膜の表面粗さが、前記陽極酸化被膜の表面粗さよりも小さい
ことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２】
前記対向板は該対向板を貫通する複数の孔を有し、前記複数の孔の内側面の全面が前記シリコン系絶縁膜により被覆されている
請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項３】
前記シリコン系絶縁膜の表面粗さが、前記支柱及び前記対向板を構成する基材のうち金属表面の表面粗さよりも小さい
請求項１又は請求項２に記載のプラズマ処理装置。
【請求項４】
前記シリコン系絶縁膜の膜厚が、１０ｎｍ〜１００ｎｍである
請求項１〜３のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマ処理装置、特に真空槽に導入されるプラズマと処理の対象物との間にプラズマに接する部材を有するプラズマ処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、特許文献１に記載のように、マイクロ波を用いて生成された表面波プラズマを半導体基板に曝して半導体基板に対するドライエッチング、表面改質、アッシング等を行うプラズマ処理装置が知られている。プラズマ処理装置の一例として、半導体基板上に形成されたレジスト膜に対し、反応性ガスのプラズマを用いてアッシングを行う装置の概略構成を図３に示す。
【０００３】
図３に示されるように、２段筒状をなすチャンバ本体１０のうち、上側の筒部１１における上側端面には、左右方向に延びる矩形管状の導波管２０が連結されている。この導波管２０を構成する下側板のうち、筒部１１の貫通穴１１ａと互いに向い合う部位には、貫通穴１１ａよりも左右方向に広がる連結穴２０ａが貫通している。この導波管２０の連結穴２０ａには、ＡｌＮ(窒化アルミ)からなる誘電体透過窓であるマイクロ波透過窓２１が嵌め込まれ、これにより筒部１１の貫通穴１１ａが塞がれている。そして、マイクロ波発振器２２が導波管２０内にマイクロ波を出力すると、該マイクロ波が導波管２０を伝播し、その後、マイクロ波透過窓２１を透過して貫通穴１１ａ内に伝播するようになる。
【０００４】
一方、筒部１１の下側端面には、筒部１１における下側の開口の一部を塞ぐ円環状のフランジ部１２が連結されている。このフランジ部１２は、マイクロ波透過窓２１と互いに向かい合うように配置され、フランジ部１２の上面とマイクロ波透過窓２１の下面とに挟まれた空間であるプラズマ生成室１３をチャンバ本体１０内に区画している。そして、筒部１１の下側端面とフランジ部１２の上側端面との間に形成されたガス導入路１４からプラズマ生成室１３に反応性ガスが導入されると、マイクロ波透過窓２１を透過したマイクロ波によって反応性ガスからなるプラズマが生成される。
【０００５】
また、フランジ部１２の下側には、下方に延びる複数の支柱３０が連結され、また、複数の支柱３０の下端には、フランジ部１２の下側開口をその下方で覆う円板状の対向板３１が吊り下げられている。この対向板３１には、該対向板３１を上下方向に貫通する多数の孔が形成されている。そして、プラズマ生成室１３にてプラズマが生成されると、プラズマ生成室１３の直下における対向板３１の孔から、上記プラズマの一部が矢印で示されるように下方に供給され、残りのプラズマがこれもまた矢印で示されるように対向板３１の広がる方向に流動する。これにより、チャンバ本体１０内のステージ１５に載置された基板Ｓの表面に対し、プラズマが均一に曝されるようになる結果、基板Ｓ上に形成されたレジスト膜がプラズマによって均一にアッシングされることになる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００９−１１７３７３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、マイクロ波透過窓２１の表面で生成されたプラズマが基板Ｓの表面に至るまでの間にその流路上の対向板３１等に触れると、該プラズマ中に含まれるラジカルや励起元素である活性種が失活する。本発明者らは、こうした活性種の失活に関し、下記（ａ）（ｂ）の傾向が認められることを見出した。
（ａ）流路の表面における導電性が低い方が失活の程度が低い。
（ｂ）流路の表面における温度が低い方が失活の程度が低い。
【０００８】
ここで、上述した対向板３１が石英から形成される場合、上記傾向（ａ）に基づけば、確かに、対向板３１が金属から形成される場合と比べて、活性種の失活が抑えられることになる。しかしながら、上述した対向板３１とは、プラズマ生成室１３と互いに向い合うように配置されているために昇温しやすく、且つ、支柱３０により吊り下げられる態様でフランジ部１２に固定されているために、対向板３１の有する熱が放出され難い構造にもなっている。そのため、熱伝導率の低い石英製の対向板３１が採用されるとなると、熱伝導率の高い金属製の対向板と比べて、対向板３１の表面における温度が高くなり、結局のところ、上記傾向（ｂ）に基づく失活が避けられないこととなる。
【０００９】
これに対し、上述した対向板３１が金属から形成される場合、上記傾向（ｂ）に基づけば、確かに、対向板３１が石英から形成される場合と比べて、活性種の失活が抑えられることになる。しかしながら、こうした構成では、結局のところ、上記傾向（ａ）に基づく失活が避けられないこととなる。
【００１０】
それゆえに、上述したプラズマ処理装置は、活性種の失活を抑えるうえで、依然として改善の余地が残されたものとなっており、上記傾向（ａ）（ｂ）に即した対向板が強く望まれている。なお、上述のような対向板に対する要請は、マイクロ波を用いた表面波プラズマ処理装置に限られず、プラズマが導入される部位と処理の対象物との間に該プラズマと接する中間部材が配設されたプラズマ処理装置であれば、概ね共通する要請である。
【００１１】
本発明は、このような実情に鑑みてなされたものであり、その目的は、真空槽に導入されるプラズマと処理の対象物との間でプラズマに接する部材がプラズマ中の活性種を失活させることを抑えることのできるプラズマ処理装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
以下、上記課題を解決するための手段及びその作用効果について記載する。
本発明におけるプラズマ処理装置の一態様は、プラズマが導入される導入口を有する真空槽と、前記導入口と処理の対象物との間でプラズマに接する中間部材と、を備えるプラズマ処理装置であって、前記中間部材は、前記真空槽内にて前記導入口の周囲に吊り下げられた金属製の支柱と、前記支柱に連結されて前記導入口と互いに向かい合う金属製の対向板と、を備え、前記支柱及び前記対向板は、陽極酸化被膜を表面とするアルミニウムの基材と、前記基材を被覆するシリコン系絶縁膜とを有し、前記シリコン系絶縁膜の表面粗さが、前記陽極酸化被膜の表面粗さよりも小さいことを要旨とする。
【００１３】
本発明におけるプラズマ処理装置の一態様では、処理の対象物の前段でプラズマに接する中間部材が、プラズマの導入口の周囲に吊り下げられ、且つ導入口と向かい合うように配置されている。そのため、真空槽内の他の部位と比べて、中間部材が自ずと昇温しやすくなる。この点、上述した一態様であれば、中間部材における支柱及び対向板の双方が金属製であるから、こうした中間部材における熱が支柱を介して真空槽の全体に分散されることになる。それゆえに、中間部材の冷却効率が高められる結果、中間部材の表面温度に起因した活性種の失活を抑制することが可能となる。また同時に、支柱及び対向板がシリコン系絶縁膜によって被覆されることにより、その表面の導電性に起因して活性種が失活することを抑制することが可能にもなる。
【００１４】
本発明におけるプラズマ処理装置の一態様は、前記対向板は該対向板を貫通する複数の孔を有し、前記複数の孔の内側面の全面が前記シリコン系絶縁膜により被覆されていることを要旨とする。
【００１５】
本発明におけるプラズマ処理装置の一態様では、プラズマの流路のより多くの部分がシリコン系絶縁膜で被覆されることになるため、中間部材の表面の導電性に起因してプラズマ中の活性種が失活することをより適切に抑制することができるようになる。
【００１７】
本発明におけるプラズマ処理装置の一態様は、前記シリコン系絶縁膜の表面粗さが、前記支柱及び前記対向板を構成する基材のうち金属表面の表面粗さよりも小さいことを要旨とする。
【００１８】
真空槽内におけるプラズマの流動態様とは、通常、中間部材の位置により大きく左右されるものであって、中間部材の表面の粗さに対する依存とは、こうした配置に比べて非常に小さい。本発明におけるプラズマ処理装置の一態様では、中間部材を構成する基材の表面である陽極酸化被膜やその下地となる金属表面、あるいは基材の表面である金属表面よりも、それを被覆しているシリコン系絶縁膜の表面の方が滑らかで表面積が小さくなる。そのため、中間部材とプラズマとの接触を起こりにくくすることができるようになる。したがって、中間部材におけるプラズマの流動制御機能が失われることを抑え、且つプラズマ中の活性種が失活することをより適切に抑制することが可能となる。
【００１９】
本発明におけるプラズマ処理装置の一態様は、前記シリコン系絶縁膜の膜厚が、１０ｎｍ〜１００ｎｍであることを要旨とする。
本発明におけるプラズマ処理装置の一態様では、シリコン系絶縁膜が基材から剥離することを適切に抑えつつ、中間部材の表面の導電性に起因してプラズマ中の活性種が失活することを抑制することが可能となる。また、対向板の複数の孔の内側面の全面がシリコン系絶縁膜により被覆される場合には、被覆によって孔が塞がりプラズマの流動制御等が阻害されることを抑えることができるようになる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明におけるプラズマ処理装置を具体化した一実施形態について、その全体構成を示す断面図。
【図２】同実施の形態における支柱及び対向板の断面構造を示す断面図、及びその一部を拡大して示す部分拡大図。
【図３】従来のプラズマ処理装置における全体構成を示す断面図。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、本発明におけるプラズマ処理装置を具体化した一実施形態について、図１，図２を参照して説明する。まず、本実施形態のプラズマ処理装置の全体構成について説明する。なお、以下では、先に説明された図３の装置構成と同様の構成に対して同じ符号を付し、該構成に関する説明を割愛する。
【００２２】
図１に示されるように、チャンバ本体１０内の底部には、チャンバ本体１０内を排気する排気口１０ａが形成され、またチャンバ本体１０の上部外側には、チャンバ本体１０内の各部を冷却するための冷却ブロック１０ｂが連結されている。チャンバ本体１０の上端部である筒部１１の上側は、導波管２０の下側壁を構成する円板状のマイクロ波透過窓２１で閉塞され、また筒部１１の下側には、マイクロ波透過窓２１と互いに向かい合う環状のフランジ部１２が連結されている。このフランジ部１２の中央には、マイクロ波透過窓２１の直下で生成されたプラズマの導入口１２ａが形成され、またフランジ部１２の下側には、導入口１２ａの周囲に等配された複数の支柱３０が吊り下げられている。そして、複数の支柱３０の各々の下端には、導入口１２ａと互いに向かい合う円板状の対向板３１が連結されている。
【００２３】
フランジ部１２、支柱３０、及び対向板３１の各々は、基材がアルミニウムから構成される部材であって、これらフランジ部１２のうちプラズマ生成室１３を形成する上面部を除いた部分、支柱３０、及び対向板３１の各々の表面は、シリコン酸化膜３５によって被覆されている。また、これらフランジ部１２、支柱３０、及び対向板３１の各々は、チャンバ本体１０を介して上記冷却ブロック１０ｂにより冷却される。
【００２４】
対向板３１の下方に配設されたステージ１５内には、該ステージ１５に載置された基板Ｓを加熱する抵抗加熱ヒーターや上方及び下方に移動するリフトピン１６が配設されている。そして、リフトピン１６が上方及び下方に移動することにより、リフトピン１６に対して基板Ｓの受け渡しが行われる。
【００２５】
次に、上記シリコン酸化膜３５による支柱３０及び対向板３１の被覆の態様について、図２を参照して詳しく説明する。
図２に示されるように、支柱３０及び対向板３１の各々の外表面は、シリコン酸化膜３５によって被覆されている。また、対向板３１の略全体にわたり形成された複数の貫通孔３１ｈの内表面も、同じくシリコン酸化膜３５により被覆されている。シリコン酸化膜３５は、１０ｎｍ〜１００ｎｍの厚さを有し、支柱３０及び対向板３１の各々の表面が基材であるアルミニウムの表面よりも平坦になるように成膜されている。こうしたシリコン酸化膜３５は、例えばプラズマＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法によって形成されている。
【００２６】
対向板３１に形成される貫通孔３１ｈの直径とは、対向板３１の上方で生成されたプラズマが下方に流れる程度のサイズであり、通常、０．１ｍｍ〜５ｍｍの範囲の中からチャンバ本体１０内のプロセス圧力に応じて適宜選択される。そして、上述したシリコン酸化膜３５の厚さであれば、このようにして対向板３１に形成された複数の貫通孔３１ｈの各々が塞がれることはない。例えば、本実施形態では、対向板３１に形成された複数の貫通孔３１ｈの深さＴが約３ｍｍ、貫通孔３１ｈの内径Ｒが約１ｍｍであるから、上述したシリコン酸化膜３５の被覆によって貫通孔３１ｈが塞がれることはなく、中間部材におけるプラズマの流動制御機能を概ね維持することが可能である。
【００２７】
また、チャンバ本体１０内におけるプラズマの流動態様とは、通常、対向板３１の位置や形状により大きく左右されるものであって、対向板３１の表面の粗さに対する依存とは、こうした配置に比べて非常に小さい。上述したように、対向板３１を構成する基材の表面よりも、それを被覆しているシリコン酸化膜３５の表面の方が滑らかである構成であれば、プラズマと接触し得る対向板３１の表面積が小さくなるため、対向板３１とプラズマとの接触が起こり難くなる。そのため、対向板３１におけるプラズマの流動制御機能が失われることを抑え、且つプラズマ中の活性種と対向板３１とが接触する機会を抑えることが可能となる。そして、プラズマＣＶＤ法により形成されたシリコン酸化膜３５であれば、支柱３０及び対向板３１の各々の基材であるアルミニウムの表面粗さよりもシリコン酸化膜３５の表面粗さを小さくすることが容易となる。あるいは、プラズマＣＶＤ法により形成されたシリコン酸化膜３５であれば、支柱３０及び対向板３１の各々の基材であるアルミニウムの表面に形成された陽極酸化被膜であるアルマイト層の表面粗さや当該アルマイト層の下地となるアルミニウムの表面粗さよりもシリコン酸化膜３５の表面粗さを小さくすることが容易となる。
【００２８】
次に、上述した構成からなるプラズマ処理装置の作用について説明する。
支柱３０及び対向板３１の各々の基材がアルミニウムから形成されることにより、支柱３０及び対向板３１の熱伝導率が高くなる。そのため、対向板３１が支柱３０に吊り下げられてプラズマの導入口１２ａと互いに向い合うように配置されているという昇温しやすい構成であっても、冷却ブロック１０ｂによる冷却効率を高めることが可能となる。したがって、支柱３０及び対向板３１の表面温度が高温になることを抑制することができる。これにより、上述のプラズマ中の活性種の失活に関する傾向、
（ａ）流路の表面における導電性が低い方が失活の程度が低い
（ｂ）流路の表面における温度が低い方が失活の程度が低い
のうち、傾向（ｂ）に基づいて活性種の失活を抑制することができる。
【００２９】
一方で、支柱３０及び対向板３１がシリコン酸化膜３５で被覆されることにより、中間部材の表面における導電性が抑えられ、こうした中間部材と接触するプラズマ中の活性種が失活し難い状態になる。これにより、上記傾向（ａ）に基づいて活性種の失活を抑制することができる。すなわち、上記傾向（ａ）（ｂ）の両方に即して、支柱３０及び対向板３１によって活性種が失活することを抑制することが可能となる。しかも、中間部材を構成する基材の表面よりも、それを被覆しているシリコン酸化膜３５の表面の方が滑らかであるため、中間部材とプラズマとの接触が起こり難くなる結果、上述した効果がより顕著なものとなる。
【００３０】
また、対向板３１を貫通する複数の貫通孔３１ｈの内側面の全面がシリコン酸化膜３５によって被覆されることにより、プラズマの流路のより多くの部分がシリコン酸化膜３５で被覆されることとなる。したがって、上記傾向（ａ）に基づく活性種の失活の抑制がより適切になされるようになる。
【００３１】
次に、支柱３０及び対向板３１の基材、被覆材、被覆材の形成方法を各種変更した実施例及び比較例を参照して、上述の作用について検証する。
［実施例１］
支柱３０及び対向板３１の基材にアルミニウムを用い、その表面にシリコン酸化膜をプラズマＣＶＤ法によって形成して実施例１の中間部材を得た。そして、実施例１の中間部材を備えたプラズマ処理装置を用い、基板Ｓに形成されたポリイミド膜を下記条件の酸素プラズマに曝し、そのアッシング速度を計測した。
・酸素流量：５０００ｓｃｃｍ
・プロセス圧力：１５０Ｐａ
・基板温度：２５０℃
・マイクロ波出力：２０００Ｗ
［実施例２］
支柱３０及び対向板３１の基材にアルミニウムを用い、その表面にシリコン酸化膜を溶射によって形成して実施例２の中間部材を得た。そして、実施例２の中間部材を備えたプラズマ処理装置を用い、実施例１と同じアッシング条件でのアッシング速度を計測した。
【００３２】
［比較例１］
支柱３０及び対向板３１の基材にアルミニウムを用い、その表面には被覆材を形成しないものとして比較例１の中間部材を得た。そして、比較例１の中間部材を備えたプラズマ処理装置を用い、実施例１と同じアッシング条件でのアッシング速度を計測した。
【００３３】
［比較例２］
支柱３０及び対向板３１の基材にアルミニウムを用い、その表面に酸化アルミニウムからなる膜を陽極酸化処理によって形成して比較例２の中間部材を得た。そして、比較例２の中間部材を備えたプラズマ処理装置を用い、実施例１と同じアッシング条件でのアッシング速度を計測した。
【００３４】
［比較例３］
支柱３０及び対向板３１の基材にアルミニウムを用い、その表面に酸化アルミニウムからなる膜を溶射によって形成して比較例３の中間部材を得た。そして、比較例３の中間部材を備えたプラズマ処理装置を用い、実施例１と同じアッシング条件でのアッシング速度を計測した。
【００３５】
［比較例４］
支柱３０及び対向板３１の基材に石英を用い、その表面には被覆材を形成しないものとして比較例４の中間部材を得た。そして、比較例４の中間部材を備えたプラズマ処理装置を用い、実施例１と同じアッシング条件でのアッシング速度を計測した。
【００３６】
【表１】
0005780928.tif 000002
表１に示されるように、実施例１と比較例１を比較すると、被覆材を設けない比較例１に対し、被覆材としてプラズマＣＶＤ法によってシリコン酸化膜を形成した実施例１は、約３．５倍の優れたアッシング速度を示すことがわかる。これは、比較例１と比べて、実施例１においては、上記傾向（ａ）に基づいて活性種の失活が抑えられているためであると考えられる。
【００３７】
また、実施例１と実施例２を比較すると、同様に被覆材としてシリコン酸化膜を形成した場合でも、その形成方法として溶射を用いる実施例２に対し、プラズマＣＶＤ法を用いる実施例１の方が、優れたアッシング速度を示すことがわかる。溶射によって形成されるシリコン酸化膜は、基材の表面における凹部をシリコン酸化物で埋めることが可能ではあるが、基材の表面とは異なるピッチや大きさで新たな凹凸を形成してしまう。これに対し、プラズマＣＶＤ法によって形成されるシリコン酸化膜は、基材の表面と同程度のピッチで若干の凹凸を有するが、その凹凸における段差そのものを基材の表面よりも小さくする。それゆえに、溶射によって形成されるシリコン酸化膜は、その表面粗さがプラズマＣＶＤ法によって形成されるシリコン酸化膜よりも大きくなるため、プラズマ中の活性種が支柱３０や対向板３１と接触しやすくなり失活が起こりやすくなっていると考えられる。
【００３８】
また、実施例１，２と比較例２，３を比較すると、被覆材を形成した場合でも、被覆材として陽極酸化による酸化アルミニウム膜（アルマイト層）や溶射による酸化アルミニウム膜を形成した比較例２，３よりも、被覆材としてシリコン酸化膜を形成した実施例１，２の方が、優れたアッシング速度を示すことがわかる。
【００３９】
また、実施例１，２と比較例４を比較すると、基材として石英を用い、被覆材を設けない比較例４に対し、基材にアルミニウムを用い、被覆材としてシリコン酸化膜を形成した実施例１，２の方が、優れたアッシング速度を示すことがわかる。これは、比較例４においては、基材として石英を用いることによりその表面温度の高温化が避けられず、上記傾向（ｂ）に基づいて活性種の失活が起こりやすくなっているためであると考えられる。
【００４０】
以上説明したように、上記の実施形態におけるプラズマ処理装置によれば、以下に列挙する効果が得られるようになる。
（１）プラズマが導入される導入口１２ａの周囲に吊り下げられたアルミニウム製の支柱３０と、支柱３０に連結されて導入口１２ａと互いに向かい合う金属製の対向板３１を、シリコン酸化膜３５により被覆するようにした。これにより、支柱３０及び対向板３１をアルミニウム製とすることで中間部材の冷却効率を高め、その表面温度に起因したプラズマ中の活性種の失活を抑制することができるようになる。また同時に、支柱３０及び対向板３１をシリコン酸化膜３５によって被覆することにより、その表面の導電性に起因してプラズマ中の活性種が失活することも抑制することができるようになる。
【００４１】
（２）対向板３１を貫通する複数の貫通孔３１ｈの内側面の全面をシリコン酸化膜３５により被覆するようにした。これにより、プラズマの流路のより多くの部分をシリコン酸化膜３５で被覆することとなり、対向板３１の表面の導電性に起因してプラズマ中の活性種が失活することをより適切に抑制することができるようになる。
【００４２】
（３）プラズマＣＶＤ法を用いることによって、シリコン酸化膜３５の表面粗さが、支柱３０及び対向板３１を構成する基材（アルミニウム）の表面粗さよりも小さくなるようにした。これにより、支柱３０及び対向板３１を構成する基材の表面よりも、それらを被覆しているシリコン酸化膜３５の表面の方が滑らかで表面積が小さくなるため、支柱３０及び対向板３１とプラズマとの接触を起こりにくくすることができるようになる。したがって、プラズマ中の活性種が失活することをより適切に抑制することが可能となる。
【００４３】
（４）シリコン酸化膜３５の膜厚を、１０ｎｍ〜１００ｎｍにするようにした。これにより、対向板３１の貫通孔３１ｈの内側面の全面をシリコン酸化膜３５により被覆する場合であっても、被覆によって貫通孔３１ｈが塞がりプラズマの流動制御が阻害されることを抑えられる。また、上記の厚さにシリコン酸化膜３５を成膜することで、支柱３０及び対向板３１の基材からシリコン酸化膜３５が剥離することを抑制することが可能となる。
【００４４】
なお、上記各実施の形態は、以下のように適宜変更して実施することも可能である。
・上記の実施形態では、フランジ部１２についても、プラズマの流路を形成する部分をシリコン酸化膜３５で被覆するようにしたが、フランジ部１２についてはシリコン酸化膜による被覆を行わなくてもよい。フランジ部１２をシリコン酸化膜で被覆した場合、プラズマの流路のより多くの部分をシリコン酸化膜で被覆することとなり、プラズマ中の活性種が失活することをより適切に抑制することができる。一方で、フランジ部１２をシリコン酸化膜で被覆しない場合には、より簡易な構成でプラズマ中の活性種が失活することを抑制することができる。
【００４５】
・上記の実施形態では、支柱３０及び対向板３１をアルミニウム製としたが、他の金属から形成するようにしてもよい。
・上記の実施形態では、被覆材をシリコン酸化膜としたが、例えばシリコン酸窒化膜、シリコン酸化炭化膜、シリコン窒化膜など、シリコン系の絶縁膜であればよい。
【００４６】
・シリコン系絶縁膜の膜厚は、１０ｎｍ〜２μｍであればよく、基材に対する耐剥離性を高めるうえでは、上述した１０ｎｍ〜１００ｎｍがより好ましい。
・上記の実施形態では、本発明におけるプラズマ処理装置を、表面波プラズマを用いてアッシングを行うアッシング装置に適用したが、ドライエッチングや表面改質等の処理を行う装置に適用してもよい。また、表面波プラズマ以外の各種のプラズマを用いる装置に適用してもよい。
【符号の説明】
【００４７】
Ｓ…基板、１０…チャンバ本体、１０ｂ…冷却ブロック、１１ａ…貫通穴、１２…フランジ部、１２ａ…導入口、１３…プラズマ生成室、１４…ガス導入路、２０…導波管、２０ａ…連結穴、２１…マイクロ波透過窓、３０…支柱、３１…対向板、３１ｈ…貫通孔、３５…シリコン酸化膜。
【図１】
0005780928.tif 000003
【図２】
0005780928.tif 000004
【図３】
0005780928.tif 000005