(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
薄膜トランジスタが形成されたＴＦＴ基板と、該ＴＦＴ基板に対向する対向基板との間に液晶層を挟持し、前記ＴＦＴ基板に画素電極と共通電極とが絶縁層を介して積層され、前記画素電極と前記共通電極のうち、前記液晶層から離れた電極は平面状に形成され、前記液晶層に近い電極は、複数のスリットを形成され、該複数のスリットの長手方向の端部が閉じている液晶表示パネルと、
該液晶表示パネルの光源となる照明手段と、
を有する液晶表示装置において、
前記液晶表示パネルは、平面視で前記スリットの長手方向の端部、及びその近傍や、該スリットの内側領域と一部が重なる前記照明手段側の面に形成された光を反射する反射手段を有してなり、
前記スリットの長手方向の端部は、該スリットの短手方向の幅を形成する一対の辺の一方の辺が他方の辺に向けて傾斜して先細りした形状であり、
前記反射手段は、平面状に形成された基部と、前記基部から突出して形成された複数の突出部とを有し、
前記複数の突出部の各突出部は、前記スリットの長手方向の端部からの距離が、０より大きく６．８μｍ以下の範囲で形成されると共に、
該複数の突出部の各突出部は、前記スリット端部を形成する辺のうち、傾斜した辺とは別の辺側から前記スリットの短手方向の幅のほぼ中心位置まで重なって形成されることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記突出部は、前記基部から矩形状に突出する形状であることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
薄膜トランジスタが形成されたＴＦＴ基板と、該ＴＦＴ基板に対向する対向基板との間に液晶層を挟持し、前記ＴＦＴ基板に画素電極と共通電極とが絶縁層を介して積層され、前記画素電極と前記共通電極のうち、前記液晶層から離れた電極は平面状に形成され、前記液晶層に近い電極は、複数のスリットを形成され、該複数のスリットの長手方向の端部が閉じている液晶表示パネルと、
該液晶表示パネルの光源となる照明手段と、
を有する液晶表示装置において、
前記液晶表示パネルは、平面視で前記スリットの長手方向の端部、及びその近傍や、該スリットの内側領域と一部が重なる前記照明手段側の面に形成された光を反射する反射手段を有してなり、
前記スリットは、長手方向の端部近傍で屈曲し、先細りした形状であり、
前記反射手段は、平面状に形成された基部と、前記基部から突出して形成された複数の突出部とを有し、
前記複数の突出部の各突出部は、前記スリットの長手方向の端部からの距離が、０より大きく６μｍ以下の範囲で形成されると共に、
該複数の突出部の各突出部は、前記スリットの短手方向の幅のほぼ中心に先端が位置する楔形に形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項４】
前記反射手段は金属層であり、
該反射手段を形成する前記金属層は、別の金属層と離れて形成されてなることを特徴とする請求項１、２または３に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記反射手段は、
前記スリットの長手方向の端部からの距離が、２μｍ以上４μｍ以下の範囲で形成されることを特徴とする請求項１、２、３または４に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記液晶表示パネルは、
前記液晶表示パネルの表示面側に配置される表面側偏光板と、
前記液晶表示パネルの前記照明手段側の面に配置される背面側偏光板と、
前記背面側偏光板の前記照明手段側の面に配置され、前記背面側偏光板の透過軸方向の直線偏光を透過し、前記背面側偏光板の吸収軸方向の直線偏光を反射する反射型偏光板と、
を有することを特徴とする請求項１、２、３、４または５に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記液晶表示パネルは、
これを構成する透明な絶縁基板と反射手段の間に屈折率の異なる層が積層された積層構造である下地層をさらに有してなることを特徴とする請求項１、２、３、４、５または６に記載の液晶表示装置。
【請求項８】
前記反射手段は、
前記液晶表示パネルの走査信号線が形成される層と同一の層に形成されることを特徴とする請求項１、２、３、４、５、６または７に記載の液晶表示装置。
【請求項９】
前記反射手段は、
前記液晶表示パネルのソース電極と同一の層に形成され、画素電極と電気的に接続していることを特徴とする請求項１、２、３、４、５、６、７または８に記載の液晶表示装置。
【請求項１０】
前記反射手段は、
前記別の金属層と異なる層に形成されてなることを特徴とする請求項４、５、６または７に記載の液晶表示装置。
【請求項１１】
前記反射手段は、
前記液晶表示パネルの映像信号線と重なる部分にさらに形成されてなることを特徴とする請求項１、２、３、４、５、６、７、８または１０に記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、テレビ等に用いられる液晶表示装置には、共通電極と画素電極との間に電界を形成し、これにより液晶を駆動するものがある。
このような液晶表示装置には、画素電極と共通電極とを絶縁層を介して積層し、一方の電極はスリットを形成し、他方の電極は隙間のない一様の平面状、いわゆるベタ状に形成した構成のものがある。
【０００３】
スリットが形成された電極としては、スリットの両端部のうち一端が閉じ、他端が開いている櫛歯状の電極、あるいはスリットの両端部が閉じている電極がある。また、マルチドメイン方式の液晶表示装置にあっては、このような電極のスリットを屈曲させたものがある。
ところで、液晶表示装置では共通電極と画素電極との間に電界を形成し、液晶を駆動したときに液晶分子の配向方向が所望の方向と異なって透過率が低くなる領域（以下、ドメインと称する）が発生する場合がある。
例えば、上述のスリットが形成された電極と、隙間のない一様な平面形状の電極とにより電界を発生させる構造の場合、スリットの長手方向の端部及びその近傍、あるいはスリットの屈曲部及びその近傍にドメインが発生する。このような液晶表示装置では、画素の開口部内のドメインにより透過率が低下して、輝度が低下してしまうという問題がある。この問題に対しては、照明装置（バックライト）の出力を上げることによって輝度を上げることが考えられるが、消費電力が増加してしまうという問題がある。
【０００４】
一方、液晶表示パネルの裏面で反射する光を再利用することによって、輝度を高めるようにした液晶表示装置が提案されている（例えば、特許文献１参照）。この特許文献１に記載された液晶表示装置は、薄膜トランジスタあるいはブラックマトリクス等、透過率に影響しない非開口部に光反射膜を設け、この光反射膜によって照明装置（バックライト）側に光を反射させ、この光を再び液晶表示パネルに向けて反射させることによって光を再利用するようにしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平６−１３８４５３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１に記載された液晶表示装置では、非開口部へ設ける光反射膜を偏光板の内側に配置する場合、照明装置（バックライト）に戻った光は照明装置（バックライト）で反射して再び液晶表示パネルに戻る際に偏光状態が変化するためその大部分が偏光板に吸収されて輝度向上効果が小さくなる。また、光反射膜を偏光板の外側に配置する場合には、視差により光反射膜と非開口部の位置関係がずれるため輝度向上効果が小さくなる。さらに、ドメインのような開口部内の透過率が低い領域については何ら考慮していない。
【０００７】
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、同じ輝度であればより低消費電力な、或いは、同じ消費電力であればより高輝度な液晶表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明にかかる液晶表示装置は、画素開口部において液晶分子の配向方向が所望の方向と異なり透過率が低くなる領域に光を反射する反射手段を有することを特徴とする。
本発明にかかる液晶表示装置は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が形成されたＴＦＴ基板と、該ＴＦＴ基板に対向する対向基板との間に液晶層を挟持し、前記ＴＦＴ基板に画素電極と共通電極とが絶縁層を介して積層され、前記画素電極と前記共通電極のうち、前記液晶層から離れた電極は平面状に形成され、前記液晶層に近い電極は、複数のスリットが形成されており、液晶表示パネルと、該液晶表示パネルの光源となる照明手段と、を有する液晶表示装置において、前記液晶表示パネルは、平面視で前記スリットの長手方向における端部及びその近傍、かつ該スリットの内側領域に重なる前記照明手段（バックライト）側の面に形成された光を反射する反射手段を有してなり、
前記スリットの長手方向の端部は、該スリットの短手方向の幅を形成する一対の辺の一方の辺が他方の辺に向けて傾斜して先細りした形状であり、
前記反射手段は、平面状に形成された基部と、前記基部から突出して形成された複数の突出部とを有し、
前記複数の突出部の各突出部は、前記スリットの長手方向の端部からの距離が、０より大きく６．８μｍ以下の範囲で形成されると共に、
該複数の突出部の各突出部は、前記スリット端部を形成する辺のうち、傾斜した辺とは別の辺側から前記スリットの短手方向の幅のほぼ中心位置まで重なって形成されることを特徴とする。
本発明にかかる液晶表示装置は、上記の発明において、前記突出部は、前記基部から矩形状に突出する形状であることを特徴とする。
本発明にかかる液晶表示装置は、薄膜トランジスタが形成されたＴＦＴ基板と、該ＴＦＴ基板に対向する対向基板との間に液晶層を挟持し、前記ＴＦＴ基板に画素電極と共通電極とが絶縁層を介して積層され、前記画素電極と前記共通電極のうち、前記液晶層から離れた電極は平面状に形成され、前記液晶層に近い電極は、複数のスリットを形成され、該複数のスリットの長手方向の端部が閉じている液晶表示パネルと、
該液晶表示パネルの光源となる照明手段と、
を有する液晶表示装置において、
前記液晶表示パネルは、平面視で前記スリットの長手方向の端部、及びその近傍や、該スリットの内側領域と一部が重なる前記照明手段側の面に形成された光を反射する反射手段を有してなり、
前記スリットは、長手方向の端部近傍で屈曲し、先細りした形状であり、
前記反射手段は、平面状に形成された基部と、前記基部から突出して形成された複数の突出部とを有し、
前記複数の突出部の各突出部は、前記スリットの長手方向の端部からの距離が、０より大きく６μｍ以下の範囲で形成されると共に、
該複数の突出部の各突出部は、前記スリットの短手方向の幅のほぼ中心に先端が位置する楔形に形成されていることを特徴とする。
【０００９】
本発明にかかる液晶表示装置は、上記の発明において、前記反射手段は金属層であり、
該反射手段を形成する前記金属層は、別の金属層と離れて形成されてなることを特徴とする。
【００１１】
本発明にかかる液晶表示装置は、上記の発明において、前記反射手段は、スリットの長手方向の端部からの距離が、透過率向上率の最大値を得ることができる２μｍ以上４μｍ以下の範囲で形成されることを特徴とする。
【００１６】
本発明にかかる液晶表示装置は、上記の発明において、前記液晶表示パネルは、前記液晶表示パネルの表示面側に配置される表面側偏光板と、前記液晶表示パネルの前記照明手段側の面に配置される背面側偏光板と、前記背面側偏光板の前記照明手段側の面に配置され、前記背面側偏光板の透過軸方向の直線偏光を透過し、前記背面側偏光板の吸収軸方向の直線偏光を反射する反射型偏光板と、を有することを特徴とする。
【００１７】
本発明にかかる液晶表示装置は、上記の発明において、前記液晶表示パネルは、前記照明手段側に屈折率の異なる層が積層された積層構造である下地層をさらに有してなることを特徴とする。
【００１８】
本発明にかかる液晶表示装置は、上記の発明において、前記反射手段は、前記液晶表示パネルの走査信号線が形成される層と同一の層に形成されることを特徴とする。
【００１９】
本発明にかかる液晶表示装置は、上記の発明において、前記反射手段は、前記液晶表示パネルの画素電極と一体的に形成されてなることを特徴とする。
【００２０】
本発明にかかる液晶表示装置は、上記の発明において、前記反射手段は、前記別の金属層と異なる層であって、なおかつ、照明装置（バックライト）側となる位置に形成されてなることを特徴とする。
【００２１】
本発明にかかる液晶表示装置は、上記の発明において、前記反射手段は、前記液晶表示パネルの映像信号線と重なる部分であって、なおかつ、照明装置（バックライト）側となる位置にさらに形成されてなることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２２】
本発明にかかる液晶表示装置は、これを構成する液晶表示パネルにおいて、液晶分子の配向方向が所望の方向と異なることに起因して透過率が低くなる領域（ドメイン）の照明装置（バックライト）側の面に光を反射する反射手段を有する。このため、従来、十分に利用できなかったドメイン領域に入射していた照明光を有効に利用することができるため、より高い輝度、もしくは、より低消費電力な液晶表示装置を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】図１は、本発明の実施の形態にかかる液晶表示装置の構成を示した模式図である。
【図２】図２は、図１に示した液晶表示パネルの表示領域の等価回路図である。
【図３】図３は、液晶表示パネルのＴＦＴ基板を画素電極が形成された面からみた平面図である。
【図４】図４は、図３に示したＴＦＴ基板のＡ−Ａ’線にそった液晶表示パネルの断面図である。
【図５】図５は、スリットの長手方向の寸法が３７．５μｍであるスリットの形状毎の透過率向上率と、スリットの長手方向の端部から反射手段の端部までの距離との関係を示したグラフである。
【図６】図６は、スリットの長手方向の寸法が７５μｍであるスリットの形状毎の透過率向上率と、スリットの長手方向の端部から反射手段の端部までの距離との関係を示したグラフである。
【図７】図７は、本発明の実施の形態２の液晶表示装置のＴＦＴ基板を画素電極が形成された面からみた平面図である。
【図８】図８は、スリット端部の形状と等透過率線図を併記した図である。
【図９】図９は、本発明の実施の形態３の液晶表示装置のＴＦＴ基板を画素電極が形成された面からみた平面図である。
【図１０】図１０は、スリット端部の形状と等透過率線図を併記した図である。
【図１１】図１１は、本発明の実施の形態４の液晶表示装置のＴＦＴ基板を画素電極が形成された平面からみた平面図である。
【図１２】図１２は、本発明の実施の形態５の液晶表示装置のＴＦＴ基板を画素電極が形成された平面からみた平面図である。
【図１３】図１３は、本発明の実施の形態６の液晶表示装置のＴＦＴ基板を画素電極が形成された平面からみた平面図である。
【図１４】図１４は、本発明の実施の形態７の液晶表示装置のＴＦＴ基板を画素電極が形成された平面からみた平面図である。
【図１５】図１５は、図１４に示したＴＦＴ基板のＢ−Ｂ’線にそった液晶表示パネルの断面図である。
【図１６】図１６は、本発明の実施の形態８の液晶表示装置の液晶表示パネルの要部断面図である。
【図１７】図１７は、本発明の実施の形態９の液晶表示装置の液晶表示パネルのＴＦＴ基板を画素電極が形成された平面からみた平面図である。
【図１８】図１８は、図１７に示したＴＦＴ基板のＣ−Ｃ’線にそった液晶表示パネルの断面図である。
【図１９】図１９は、本発明の実施の形態１０の液晶表示装置のＴＦＴ基板を画素電極が形成された平面からみた平面図である。
【図２０】図２０は、図１９に示したＴＦＴ基板のＤ−Ｄ’線にそった液晶表示パネルの断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、図面を参照して、本発明にかかる液晶表示装置の好適な実施の形態を詳細に説明する。
【００２５】
（実施の形態１）
図１は、本発明の実施の形態１にかかる液晶表示装置１の構成を示した模式図である。液晶表示装置１は、液晶表示パネル１０と、データ駆動回路１１と、走査駆動回路１２と、バックライト２０と、制御部３０とを有する。
【００２６】
液晶表示パネル１０は、図中Ｙ方向に延びる複数本の映像信号線ＤＬ（ＤＬ1，…，ＤＬｉ，…，ＤＬｎ：ただしｉ，ｎは自然数）と、図中Ｘ方向に延びる複数本の走査信号線ＧＬ（ＧＬ1，…，ＧＬｊ，…，ＧＬｍ：ただしｊ，ｍは自然数）とを有する。液晶表示パネル１０は、中央部を含む領域に表示領域ＡＲが設けられている。
データ駆動回路１１は、複数本の映像信号線ＤＬのそれぞれに入力する映像信号（階調電圧）を生成するものである。
走査駆動回路１２は、複数本の走査信号線ＧＬに走査信号を順次入力するものである。データ駆動回路１１および走査駆動回路１２は、例えば、液晶表示パネル１０上に設けられ、液晶表示パネル１０と電気的に接続されている。
【００２７】
バックライト２０は、発光ダイオード等によって実現され、照明手段として液晶表示パネル１０の背面側から光を照射するものである。また、バックライト２０は、図示しない反射シートを有する。この反射シートは、発光ダイオード等が発した光を効率よく液晶表示パネル１０に向けて反射するものである。
制御部３０は、半導体集積回路等によって実現され、データ駆動回路１１、走査駆動回路１２、およびバックライト２０を含む液晶表示装置１の各部と電気的に接続され、液晶表示装置１全体の動作を制御する。
【００２８】
次に、液晶表示パネル１０の画素ＰＩＸの構成を説明する。図２は、図１に示した液晶表示パネル１０の表示領域ＡＲの等価回路図である。
液晶表示パネル１０は、図２に示すように、隣接する一対の走査信号線ＧＬと隣接する一対の映像信号線ＤＬとで囲まれる領域に画素ＰＩＸがある。各画素ＰＩＸには、薄膜トランジスタＴＦＴが設けられている。また、各画素ＰＩＸは、画素電極ＭＩＴと、共通電極ＣＴ（ＣＴ1，…，ＣＴｊ，…，ＣＴｍ：ただしｊ，ｍは自然数）と、これら電極に挟まれた絶縁層により形成される蓄積容量である容量素子Ｃｓｔと、液晶層により形成される容量素子Ｃｌｃと、を有する。
【００２９】
ここで、図３および図４を用いて液晶表示パネル１０について詳細に説明する。図３は、液晶表示パネル１０のＴＦＴ基板４０を画素電極ＭＩＴが形成された面からみた平面図である。図４は、図３に示したＴＦＴ基板のＡ−Ａ’線にそった液晶表示パネル１０の断面図である。
液晶表示パネル１０は、図４に示すように、ＴＦＴ基板４０および対向基板５０と、ＴＦＴ基板４０および対向基板５０に挟持される液晶層６０と、一対の偏光板である表面側偏光板７０および背面側偏光板８０と、反射型偏光板９０とを有する。
【００３０】
ＴＦＴ基板４０は、ガラス基板等の絶縁基板ＳＵＢ１の液晶層６０側の面上に走査信号線ＧＬおよび反射手段１３，１００が形成されている。走査信号線ＧＬは、導電性の金属材料からなる。反射手段１３，１００は、走査信号線ＧＬと同層の金属材料からなり、バックライト２０から照射された光をバックライト２０側に向けて反射するものである。後述する輝度向上効果を高めるため、反射手段１３，１００は反射率が高い金属材料が好ましい。具体的には、反射手段としてアルミニウム、もしくはアルミニウムと銅、またはアルミニウムとネオジウムとの合金が適用できる。さらに反射率が高い反射手段を実現するため銀やその合金を用いることができる。
反射手段１３は、図３に示すように、映像信号線ＤＬに平面視で重なる部分に設けられている。
ここで図３に示すように、電極に形成されたスリットがその長手方向の端部において閉じている領域を便宜上、電極の連結部ＣＯＮと称する。反射手段１００は、平面視で連結部ＣＯＮ側、すなわちスリットＳＬの長手方向の端部及びその近傍や、該スリットＳＬの長手方向の端部近傍であって、なおかつ、該スリットＳＬの内側領域に重なるバックライト２０側の面に形成され、反射手段として光を反射する。この反射手段１００は、矩形状に形成された金属層であり、反射手段１００と別の金属層、例えば、同層に形成されている走査信号線ＧＬとは離れて配置されている。
また、反射手段１００は、必要に応じて遮光膜ＢＭ、図示しないスペーサ等が配置される非開口部に相当する位置に、平面視で重なる位置にも配置される。
このため、液晶表示パネルに入射する照明光のうち、反射手段１３，１００に入射する光はバックライト２０側に反射する。バックライト２０側に反射した光は、バックライト２０の図示しない反射シート等の構成部材によって、液晶表示パネル１０に向けて反射されて再利用される。
【００３１】
絶縁基板ＳＵＢ１の表面には、走査信号線ＧＬを被って絶縁膜ＧＩが形成され、この絶縁膜ＧＩは後述の薄膜トランジスタＴＦＴの形成領域においてゲート絶縁膜として機能するようになっている。
絶縁膜ＧＩの表面であって走査信号線ＧＬの一部に重畳する薄膜トランジスタＴＦＴの形成領域に、例えば、アモルファスＳｉからなる半導体層ＡＳが島状に形成されている。薄膜トランジスタＴＦＴは半導体層ＡＳの表面に、互いに対向配置されたドレイン電極ＤＴ、ソース電極ＳＴが形成されることにより、走査信号線ＧＬの一部をゲート電極とするトランジスタが構成されるようになっている。
【００３２】
絶縁基板ＳＵＢ１の表面には映像信号線ＤＬが形成され、この映像信号線ＤＬの一部を半導体層ＡＳの表面に延在させることにより、延在部を薄膜トランジスタＴＦＴのドレイン電極ＤＴとするようになっている。また、ドレイン電極ＤＬの形成の際に、薄膜トランジスタＴＦＴのソース電極ＳＴが形成され、このソース電極ＳＴは半導体層ＡＳの形成領域を超えて画素領域に延在するパッド部ＰＤを具備して構成されている。このパッド部ＰＤは、後述の画素電極ＭＩＴと電気的に接続される部分として構成される。
【００３３】
絶縁基板ＳＵＢ１の表面には映像信号線ＤＬ等を被って絶縁膜ＰＡＳが形成されている。この絶縁膜ＰＡＳは、例えば、無機絶縁膜からなる保護膜ＰＡＳ１および有機絶縁膜からなる保護膜ＰＡＳ２の積層構造である。
【００３４】
絶縁膜ＰＡＳの表面には、各共通電極ＣＴが形成される。この共通電極ＣＴは、例えば、ＩＴＯ（ＩｎｄＩｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）からなる透光性導電膜から構成されている。共通電極ＣＴは、隙間のない一様の平面状、いわゆるベタ状に形成される。
【００３５】
絶縁基板ＳＵＢ１の表面には、共通電極ＣＴをも被って、無機絶縁膜からなる絶縁膜ＬＩが形成され、この絶縁膜ＬＩの上面には各画素領域毎に画素電極ＭＩＴが形成されている。絶縁膜ＬＩは画素電極ＭＩＴと共通電極ＣＴとの層間絶縁を図る機能を有する。画素電極ＭＩＴの一部は、絶縁膜ＬＩおよび絶縁膜ＰＡＳに形成されたスルーホールＴＨを介してソース電極ＳＴのパッド部ＰＤに電気的に接続されるようになっている。
【００３６】
画素電極ＭＩＴは、例えばＩＴＯからなる透光性導電膜からなり、両端部が閉じたスリットＳＬが形成されている。この、画素電極ＭＩＴのスリットＳＬ形状は、透過率が低くなる領域（ドメイン）が小さくなること、及び、外力によってドメインが移動、発達しにくい構造にすることが望ましい。例えばスリットＳＬの長手方向の端部形状を、スリットＳＬの短手方向の幅を形成する一対の辺の一方の辺が他方の辺に向けて傾斜し、先細りする傾斜先細り形状とすることが有効である。なお、ドメインに対する有効なスリットＳＬの形状は、傾斜先細り形状に限定されず、例えば、スリットＳＬの長手方向の端部近傍で屈曲し、さらに先細りする形状（以下、クラブレッグ（ｃｒａｂ  ｌｅｇ）形状という。）がある。
【００３７】
また、画素電極ＭＩＴの表面、すなわちＴＦＴ基板４０の液晶層６０に接する面には、図示しない配向膜が形成されている。
【００３８】
対向基板５０は、ガラス基板等の絶縁基板ＳＵＢ２の表面にブラックマトリクスと呼ばれる遮光膜ＢＭおよびカラーフィルタＣＦが設けられる。遮光膜ＢＭは、例えば、光透過率がほぼゼロの導体膜または絶縁膜をフォトリソグラフィ技術などによって加工し、各画素ＰＩＸの間に選択的に形成する。また、カラーフィルタＣＦは、フォトリソグラフィ技術、或いは印刷技術などを用いて、Ｒ（赤色）の表示を担うフィルタ、Ｇ（緑色）の表示を担うフィルタ、Ｂ（青色）の表示を担うフィルタが周期配列するように形成する。遮光膜ＢＭおよびカラーフィルタＣＦの上には必要に応じてオーバーコート層ＯＣを形成し、さらにオーバーコート層ＯＣの上には図示しない配光膜が形成されている。
【００３９】
表面側偏光板７０は、絶縁基板ＳＵＢ２の液晶層６０とは反対側の面に配置されている。表面側偏光板７０は、所定方向の直線偏光を吸収し、これと振動面が直交する直線偏光を透過する。すなわち、表面側偏光板は、所定の直線偏光を吸収する吸収軸と、この吸収される直線偏光に対して振動面が直交する直線偏光を透過する透過軸とを有する。
【００４０】
背面側偏光板８０は、絶縁基板ＳＵＢ１の液晶層６０とは反対側の面、すなわち液晶表示パネル１０の背面側に配置されている。背面側偏光板８０は、所定方向の直線偏光を吸収し、これと振動面が直交する直線偏光を透過する。すなわち、背面側偏光板８０は、所定の直線偏光を吸収する吸収軸と、この吸収される直線偏光に対して振動面が直交する直線偏光を透過する透過軸とを有する。
【００４１】
反射型偏光板９０は、背面側偏光板８０の液晶層６０側の面とは反対側の面に貼り付けられている。反射型偏光板９０は、背面側偏光板８０の透過軸方向の直線偏光を透過し、背面側偏光板８０の吸収軸方向の直線偏光を反射するものである。
【００４２】
次に、反射手段１００について詳細に説明する。
反射手段１００は、スリットＳＬの長手方向の端部からの距離Ｌｅが、所定の範囲となるように形成されてなる。
【００４３】
ここで、図５および図６を用いて反射手段１００が、スリットＳＬの長手方向の端部からの距離Ｌｅが所定の範囲となるように形成する理由について説明する。
図５は、長手方向の寸法Ｓが３７．５μｍであるスリットＳＬの形状毎の透過率向上率と、スリットＳＬの長手方向の端部から反射手段１００端部までの距離Ｌｅとの関係を示したグラフである。
図６は、スリットＳＬの長手方向の寸法Ｓが７５μｍであるスリットＳＬの形状毎の透過率向上率と、スリットＳＬの長手方向の端部から反射手段１００端部までの距離Ｌｅとの関係を示したグラフである。
なお、図５および図６は、反射手段１００の反射率が８８％の場合の計算値である。
また、図５および図６において、縦軸が透過率向上率を示し、横軸がスリットＳＬの長手方向の端部から反射手段１００端部までの距離Ｌｅを示している。
また、図中のＬ１がスリットの形状が傾斜先細り形状のものを示し、Ｌ２がスリットの形状がクラブレッグ形状のものを示している。
なお、図中のＬ３は、後述する本発明の実施の形態２の反射手段１０１を用いた場合を示したものである。
【００４４】
図５および図６に示すように、スリットＳＬの長手方向の端部からの距離Ｌｅで規定すると、スリットＳＬが傾斜先細り形状の場合、スリットＳＬ端部に形成した反射手段１００による実効的な透過率向上効果が得られる距離Ｌｅの範囲Ｔ１は、０＜Ｌｅ≦４μｍとなる。
一方、スリットＳＬがクラブレッグ形状の場合、スリットＳＬ端部に形成した反射手段１００による実効的な透過率向上効果が得られる距離Ｌｅの範囲Ｔ２は、傾斜先細り形状の場合の範囲Ｔ１に比して広い範囲である。従って、距離Ｌｅが０＜Ｌｅ≦４μｍの範囲であれば、スリットＳＬ端部の形状によらず反射手段１００による実効的な透過率向上効果を得ることができる。
【００４５】
また、図５および図６に示すように、スリットＳＬ端部に配置した反射手段１００による透過率向上効果が高くなる範囲Ｔｂ（透過率向上効果が最大となる距離Ｌｅを含む範囲）は、２μｍ≦Ｌｅ≦３μｍであるので、この範囲にすることが望ましい。
また、図５と図６とを比較すると、スリットＳＬの長手方向の寸法が長いほど、すなわち画素ＰＩＸサイズが大きいほどその効果が得られる距離Ｌｅの範囲が広くなる。しかしながら、より広い範囲で効果が得られるクラブレッグ形状のものであっても、距離Ｌｅが６μｍより大きくなると効果が得られなくなる。このため、反射手段１００が複数のスリットＳＬ端部を一様に覆う場合には、距離Ｌｅを少なくとも６μｍ以下にすることが必要である。
また、スリットＳＬの長手方向の寸法が長いほど、透過率向上率自体は低くなるのでこれを考慮した最適設計を施すと良い。
【００４６】
本発明の実施の形態１の液晶表示装置１では、液晶表示パネル１０が、平面視でスリットＳＬの長手方向の端部及びその近傍や、スリットＳＬの内側領域に重なるバックライト２０側の面に反射手段１００を有する。つまり、液晶分子の配向方向が所望の方向と異なることに起因して透過率が低くなる領域（ドメイン）の照明装置（バックライト）側の面に光を反射する反射手段を有する。このため、従来、ドメイン領域に入射し、損失していた照明光をバックライト側へ反射し、再利用することで有効利用できるため、より高い輝度、もしくは、より低消費電力な液晶表示装置を実現できる。
【００４７】
また、本発明の実施の形態１の液晶表示装置１では、反射手段１００が、該反射手段１００を形成する金属層とは別の金属層と分離して形成される。つまり、反射手段１００は
他の電極を形成する金属層とは電気的に分離されているため、液晶の駆動などに悪影響を与えることがない。
【００４８】
また、本発明の実施の形態１の液晶表示装置１では、反射手段１００が、液晶表示パネルを構成する絶縁基板ＳＵＢ１上において最もバックライト２０に近い位置に形成される。つまり、バックライト２０から照射された光は液晶表示パネル１０のバックライト２０により近い位置でバックライト２０側に反射させることができる。このため、より減衰の少ない光をバックライト２０側に反射し、再利用することでより高い輝度を実現できる。
【００４９】
また、本発明の実施の形態１の液晶表示装置１では、反射手段１００が、走査信号線ＧＬを形成する層、すなわち既存の金属層によって形成できる。このため、走査信号線ＧＬと同一工程で、反射手段１００形成することができ、結果的に製造コストを増加させることなく反射手段１００を形成することができる。
【００５０】
（実施の形態２）
次に、本発明の実施の形態２について図７および図８を用いて説明する。図７は、本発明の実施の形態２の液晶表示装置２のＴＦＴ基板４１を画素電極ＭＩＴが形成された面からみた平面図である。図８は、スリットＳＬの長手方向の端部の形状と等透過率線図を併記した図である。
なお、図８における等透過率線図は、駆動時の液晶の配向状態で決まる表示の効率、すなわち、偏光板等の部材での吸収を一切考慮せず、液晶の配向状態のみで決まる透過率（液晶の配向状態が理想状態の場合を１００％とする）を示す。
【００５１】
この実施の形態２の液晶表示装置２のＴＦＴ基板４１は、反射手段１００に代わって、反射手段１０１が設けられている点で実施の形態１の液晶表示装置１と構成が異なる。この反射手段１０１は、傾斜先細り形状のスリットＳＬによって定まる透過率分布に対応させて形成されてなる。なお、上述した実施の形態と同一構成部分には同一符号を付している。
【００５２】
図８に示すように、スリットＳＬの長手方向の端部およびその周辺では液晶の配向状態が不均一であることを反映して透過率の分布が不均一である。このため、反射手段１０１の形状をスリットＳＬ端部の形状に応じて適切な形状にすることで、透過率の低い領域を効果的に被覆することが可能となる。
【００５３】
スリットＳＬの長手方向の端部形状は、図７に示すように、実施の形態１と同様の形状である。すなわち、スリットＳＬの長手方向の端部形状は、スリットＳＬの短手方向の幅Ｗ１を形成する一対の辺の一方の辺が他方の辺に向けて傾斜した先細りした形状である。
反射手段１０１は、図示のようにスリットの端部を形成する辺のうち、傾斜した辺とは別の辺側からスリットＳＬの短手方向の幅Ｗ１のほぼ中心位置まで形成されている。より具体的には、反射手段１０１は、平面状に形成された矩形状の基部１０１ａと、基部１０１ａから矩形状に突出して形成された矩形突出部１０１ｂと、を有する。
矩形突出部１０１ｂは、傾斜した辺とは別の辺側からスリットＳＬの短手方向の幅Ｗ１のほぼ中心位置まで形成されている。すなわち、矩形突出部１０１ｂは、スリット内においてスリット幅Ｗ１の半分程度と重なるように形成される。
【００５４】
この反射手段１０１は、図８に示した透過率の低い領域を効率良く被覆している。
具体的には、スリットＳＬの短手方向における矩形突出部１０１ｂの幅Ｗ２は、透過率が３０％以下となる領域を被覆する幅、すなわちスリットＳＬの幅Ｗ１と同程度、あるいはスリットＳＬの幅Ｗ１よりやや小さい幅にすると良い。
【００５５】
このような反射手段１０１を設けた場合、図５および図６のＬ３に示すように、スリットＳＬの長手方向の形状が同じ傾斜先細り形状であるＬ１と比較すると、透過率向上効果が得られる反射手段の大きさ、すなわち、反射手段のスリットＳＬ端部からの距離Ｌｅの範囲が２μｍ以上広がる。例えば、図５によると、０＜Ｌｅ≦６．８μｍの範囲Ｔ３であれば効果が得られる。換言すると本実施の形態では反射手段とスリットＳＬ端部の位置ずれに対する尤度が広がるという効果が得られる。
【００５６】
この実施の形態２の液晶表示装置２は、反射手段１０１が、図８に示した透過率分布に対応した形状に形成されてなるので、すなわちスリットＳＬの形状により変化する透過率分布に対応した形状に形成されてなるので、より高い透過率向上効果が得られる。
【００５７】
（実施の形態３）
次に、本発明の実施の形態３について図９および図１０を用いて説明する。図９は、本発明の実施の形態３の液晶表示装置３のＴＦＴ基板４２を画素電極ＭＩＴが形成された平面からみた平面図である。図１０は、スリットＳＬ端部の形状と等透過率線図を併記した図である。なお、図１０における等透過率線図は、駆動時の液晶の配向状態で決まる表示の効率、すなわち、偏光板等の部材での吸収を一切考慮せず、液晶の配向状態のみで決まる透過率（液晶の配向状態が理想状態の場合を１００％とする）を示すものである。
【００５８】
この実施の形態３の液晶表示装置３のＴＦＴ基板４２は、クラブレッグ形状のスリットＳＬを有してなり、反射手段１００に代わって、反射手段１０２が設けられている点で実施の形態１の液晶表示装置１と構成が異なる。この反射手段１０２は、クラブレッグ形状のスリットＳＬによって定まる透過率分布に対応させて形成されてなる。なお、上述した実施の形態と同一構成部分には同一符号を付している。
【００５９】
反射手段１０２は、図９に示すように、平面状に形成された矩形状の基部１０２ａと、基部１０２ａから楔形状に突出して形成された楔形突出部１０１ｂと、を有する。
楔形突出部１０１ｂは、スリットＳＬの短手方向の幅Ｗ１のほぼ中心に先端が位置する楔形に形成されている。
【００６０】
この実施の形態３の液晶表示装置３は、反射手段１０２が、図１０に示した透過率分布に対応した形状に形成されてなるので、すなわちスリットＳＬの形状により変化する透過率分布に対応した形状に形成されてなるので、より高い透過率向上効果が得られる。
【００６１】
（実施の形態４）
次に、本発明の実施の形態４について図１１を用いて説明する。図１１は、本発明の実施の形態４の液晶表示装置４のＴＦＴ基板４３を画素電極ＭＩＴが形成された平面からみた平面図である。
【００６２】
この実施の形態４の液晶表示装置４は、マルチドメイン方式を採用したものである。この液晶表示装置４は、画素電極ＭＩＴのスリットＳＬを画素電極ＭＩＴの中央部で分離させて異なる方向に向けることで、電界印加時の液晶の配向変化を変化させるものである。なお、この実施の形態４の液晶表示装置４は、スリットＳＬ端部の形状が半円形状である。
図１１に示すように、画素電極ＭＩＴのスリットＳＬは画素ＰＩＸの中央部で分離しており、画素ＰＩＸの中央部の線Ｓ１に対して線対称となるような方向にそれぞれ傾いている。スリットＳＬの傾き角度は、映像信号線ＤＬの延在方向に対し、それぞれ±５°〜１５°である。
この実施の形態４の液晶表示装置４のＴＦＴ基板４３では、画素ＰＩＸの中央部の線Ｓ１を覆う位置に反射手段１０３が設けられている。なお、上述した実施の形態と同一構成部分には同一符号を付している。
【００６３】
反射手段１０３は、スリットＳＬの分離部分である画素ＰＩＸの中央部で、線Ｓ１に略対称となるように形成されてなる。
この反射手段１０３は、平面視で画素ＰＩＸの中央部の線Ｓ１を覆い、なおかつ、隣接するスリットの長手方向の端部近傍、かつ該両スリットの内側領域の一部に重なる照明装置（バックライト）側の面に形成された金属層である。また、反射手段１０３は反射手段１０３とは別の金属層、例えば、同層に形成されている走査信号線ＧＬとは分離して配置されている。この反射手段１０３は、実施の形態１の反射手段１００と同様に矩形状に形成されている。
【００６４】
この実施の形態４の液晶表示装置４では、スリットＳＬの長手方向の端部や画素中央部のスリットＳＬが分離されている部分に液晶分子が所望の方向に配向せず、透過率が低くなる領域（ドメイン）が生じる。本実施の形態においても透過率が低くなってしまう領域（ドメイン）に反射手段を形成する。このため、従来、ドメイン領域に入射し、損失となっていた照明光を照明装置（バックライト）側へ反射し、再利用することで有効利用できるため、より高い輝度、もしくは、より低消費電力な液晶表示装置を実現できる。なお、この実施の形態４の液晶表示装置４は、スリットＳＬの端部の形状が半円形状であるものを例示したが、スリットＳＬの端部の形状が半円形状の場合、傾斜先細り形状のスリットＳＬによって定まる透過率分布と略等しい分布を示すため、反射手段１０３のスリットＳＬの端部からの距離Ｌｅは、反射手段１００と同様に設定すればよいだろう。
【００６５】
（実施の形態５）
次に、本発明の実施の形態５について図１２を用いて説明する。図１２は、本発明の実施の形態５の液晶表示装置５のＴＦＴ基板４４を画素電極ＭＩＴが形成された平面からみた平面図である。
【００６６】
この実施の形態５の液晶表示装置５は、実施の形態４の液晶表示装置４と同様に画素電極ＭＩＴのスリットを画素ＰＩＸの中央部で分離させたマルチドメイン方式を採用したものである。
実施の形態５の液晶表示装置５のＴＦＴ基板４４には、反射手段１０４が設けられている。なお、上述した実施の形態と同一構成部分には同一符号を付している。
【００６７】
反射手段１０４は、スリットＳＬの分離部分である画素ＰＩＸの中央部を覆う位置に形成されてなる。
この反射手段１０４は、平面視で画素ＰＩＸの中央部の線Ｓ１を覆い、なおかつ、隣接するスリットの長手方向の端部近傍、かつ該両スリットの内側領域の一部に重なる照明装置（バックライト）側の面に形成された金属層である。また、反射手段１０４は反射手段１０４とは別の金属層、例えば、同層に形成されている走査信号線ＧＬとは分離して配置されている。この反射手段１０４は、反射手段１０１と同様の形状が線Ｓ１に対し、略線対称に形成されてなる。このため、反射手段１０４のスリットＳＬの端部からの距離Ｌｅは、反射手段１０１と同様に設定される。
【００６８】
この実施の形態５の液晶表示装置５は、上記実施の形態４と同様にスリットＳＬの長手方向の端部や画素中央部のスリットＳＬが分離されている部分に液晶分子が所望の方向に配向せず、透過率が低くなる領域（ドメイン）を生じるが、反射手段１０４や反射手段１０１が透過率が低くなる領域（ドメイン）に形成される。このため、従来、ドメイン領域に入射し、損失となっていた照明光を照明装置（バックライト）側へ反射し、再利用することで有効利用できるため、より高い輝度、もしくは、より低消費電力な液晶表示装置を実現できる。
【００６９】
（実施の形態６）
次に、本発明の実施の形態６について図１３を用いて説明する。図１３は、本発明の実施の形態６の液晶表示装置６のＴＦＴ基板４５を画素電極ＭＩＴが形成された平面からみた平面図である。
【００７０】
この実施の形態６の液晶表示装置６は、マルチドメイン方式を採用したものである。すなわち、液晶表示装置６は、画素電極ＭＩＴのスリットＳＬが画素ＰＩＸ中央部で屈曲した形状である。このように、スリットＳＬが画素ＰＩＸ中央部で屈曲した形状の場合、スリットＳＬの端部だけでなく、スリットＳＬの屈曲部でもドメイン（透過率が低くなる領域）が生じる。
この実施の形態６の液晶表示装置６のＴＦＴ基板４５は、反射手段１０５が設けられている。なお、上述した実施の形態と同一構成部分には同一符号を付している。
【００７１】
反射手段１０５は、画素電極ＭＩＴのスリットＳＬが屈曲する位置（線Ｓ２上）を含む領域であって、なおかつ、照明装置（バックライト）側の面に形成された金属層である。反射手段１０５は反射手段１０５とは別の金属層、例えば、同層に形成されている走査信号線ＧＬと分離して配置されている。この反射手段１０５は、スリットＳＬの屈曲部分である画素ＰＩＸの中央部で、線Ｓ２に略対称に形成されてなる。
【００７２】
この実施の形態６の液晶表示装置６では、スリットＳＬが屈曲する位置及びその近傍において液晶分子が所望の方向に配向せず、透過率が低くなる領域（ドメイン）を生じる。
反射手段１０５は透過率が低くなる領域（ドメイン）に形成されるため、従来、ドメイン領域に入射し、損失となっていた照明光を照明装置（バックライト）側へ反射し、再利用することで有効利用できるため、より高い輝度、もしくは、より低消費電力な液晶表示装置を実現できる。
なお、反射手段１０５の大きさは、スリットＳＬの屈曲部、すなわち線Ｓ２からの距離Ｌｃで規定することができる。この距離Ｌｃは、例えば０＜Ｌｃ≦４μｍの範囲から選択することで輝度向上の効果が得られる。
【００７３】
（実施の形態７）
次に、本発明の実施の形態７について図１４および図１５を用いて説明する。図１４は、本発明の実施の形態７の液晶表示装置７のＴＦＴ基板４６を画素電極ＭＩＴが形成された平面からみた平面図である。図１５は、図１４に示したＴＦＴ基板４６のＢ−Ｂ’線にそった液晶表示パネル１６の断面図である。
【００７４】
この実施の形態７の液晶表示装置７の液晶表示パネル１６は、コモントップ構造と称される構造である。より具体的には、液晶表示パネル１６は、画素電極ＭＩＴとソース電極ＳＴとがスルーホールＴＨを介さず直接接続し、画素電極ＭＩＴよりも共通電極ＣＴが液晶層６０の近くに形成されてなる構造である。また、コモントップ構造では、画素電極ＭＩＴが平面状に形成され、共通電極ＣＴにはスリットが形成される。
この実施の形態７の液晶表示装置７のＴＦＴ基板４６は、反射手段１０６が設けられている。なお、上述した実施の形態と同一構成部分には同一符号を付している。
【００７５】
反射手段１０６は、平面視で共通電極のスリットＳＬの長手方向の端部及びその近傍や該スリットＳＬの内側領域に一部重なるバックライト２０側の面に形成された金属層である。反射手段１０６は反射手段１０６と別の金属層、例えば、同層に形成されている走査信号線ＧＬと離れて配置されている。
【００７６】
この実施の形態７の液晶表示装置７においても、液晶分子の配向方向が所望の方向と異なることに起因して透過率が低くなる領域（ドメイン）の照明装置（バックライト）側に光を反射する反射手段１０６を有する。このため、従来、ドメイン領域に入射し、損失となっていた照明光をバックライト側へ反射し、再利用することで有効利用できる。つまり本実施の形態の様なコモントップ構造においても、実施の形態１の液晶表示装置１と同様、より高い輝度、もしくは、より低消費電力な液晶表示装置を実現できる。
【００７７】
（実施の形態８）
次に、本発明の実施の形態８について図１６を用いて説明する。図１６は、本発明の実施の形態８の液晶表示装置８の液晶表示パネル１７の要部断面図である。
【００７８】
この実施の形態８の液晶表示装置８は、実施の形態１の液晶表示装置１にさらに下地層２００を有してなる。なお、上述した実施の形態と同一構成部分には同一符号を付している。
【００７９】
下地層２００は、絶縁基板ＳＵＢ１と反射手段１００との間、すなわち、液晶表示パネル１０のバックライト２０側の表面に形成されている。この下地層２００は、屈折率の異なる層が積層された積層構造である。
【００８０】
より具体的には、下地層２００は、バックライト２０側から液晶層６０に向けて高屈折率層２０１、低屈折率層２０２の順で積層された２層構造である。高屈折率層２０１は、絶縁基板ＳＵＢ１に比して高屈折率な層である。また、低屈折率層２０２は、高屈折率層２０１に比して屈折率が低い層である。
ここで、反射手段１００が、アルミニウム材からなり、例えば、高屈折率層２０１が厚さ１００ｎｍのＳｉＮｘ（窒化シリコン）であり、低屈折率層２０２が厚さ５０ｎｍのＳｉОｘ（酸化シリコン）である場合、反射手段１００の反射率は下地層２００がない場合と比較して約５％向上する。
より具体的には、反射手段１００が、アルミニウム材からなり、下地層２００が無い場合、反射手段１００の反射率が８８．５％であったものが、反射手段１００が、アルミニウム材からなり、下地層２００がある場合、反射手段１００の反射率が９２．７％に向上する。
【００８１】
この実施の形態８の液晶表示装置８は、下地層２００によって液晶表示パネル１７の裏面反射率が高くなり、より大きな輝度向上効果が得られる。
また、この下地層２００は、高屈折率層２０１としてＳｉＮｘを用いる場合、薄膜トランジスタＴＦＴがＬＴＰＳ（ポリシリコン）を半導体層とする場合に絶縁基板ＳＵＢ１からしみ出すイオンの抑制手段としている下地層と兼用することができるので、製造コストを増加させることなく、より大きな輝度向上効果を得ることができる。
なお、この実施の形態８では下地層２００がバックライト２０側から液晶層６０に向けて高屈折率層２０１、低屈折率層２０２の順で積層された２層構造であるものを例示したが、これに限らない。すなわち、下地層２００は、屈折率の異なる層が積層された積層構造であれば、その他の積層構造であってもよい。
【００８２】
（実施の形態９）
次に、この発明の実施の形態９について図１７および図１８を用いて説明する。図１７は、本発明の実施の形態９の液晶表示装置９の液晶表示パネル１８のＴＦＴ基板４７を画素電極ＭＩＴが形成された平面からみた平面図である。図１８は、図１７に示したＴＦＴ基板４７のＣ−Ｃ’線にそった液晶表示パネル１８の断面図である。
【００８３】
この実施の形態９の液晶表示パネル１８は、実施の形態７の液晶表示パネル１６と同様に、コモントップ構造と称される構造である。
この実施の形態９の液晶表示装置７のＴＦＴ基板４７は、反射手段１０７が設けられている。なお、上述した実施の形態と同一構成部分には同一符号を付している。
【００８４】
反射手段１０７は、ソース電極ＳＴと同層の金属層を利用して形成し、平面視で共通電極のスリットＳＬの長手方向の端部及びその近傍と該スリットＳＬの内側領域の一部に重なるように形成されてなる。すなわち、反射手段１０７は、画素電極ＭＩＴと電気的に接続されており、その一部（ＴＦＴ側の反射手段１０７）はソース電極ＳＴと一体的に形成されてなる。
【００８５】
この実施の形態９の液晶表示装置９も、液晶分子の配向方向が所望の方向と異なることに起因して透過率が低くなる領域（ドメイン）の照明装置（バックライト）側には光を反射する反射手段１０7を備える。このため、従来、ドメイン領域に入射し、損失となっていた照明光を照明装置（バックライト）側へ反射し、再利用することで有効利用できる。つまり本実施の形態の様なコモントップ構造においても、実施の形態１の液晶表示装置１と同様、より高い輝度、もしくは、より低消費電力な液晶表示装置を実現できる。しかも、ソース電極ＳＴと同一工程で、反射手段１０７を形成することができるので、製造コストを増加させることなく反射手段１０７を形成することができる。
さらに、本実施の形態では、反射手段の電位が画素電極と同電位となるため、液晶の駆動に悪影響を与えることがないという利点がある。
【００８６】
（実施の形態１０）
次に、本発明の実施の形態１０について図１９および図２０を用いて説明する。図１９は、本発明の実施の形態１０の液晶表示装置１４のＴＦＴ基板４８を画素電極ＭＩＴが形成された平面からみた平面図である。図２０は、図１９に示したＴＦＴ基板４８のＤ−Ｄ’線にそった液晶表示パネル１９の断面図である。
【００８７】
この実施の形態１０の液晶表示装置１４のＴＦＴ基板４８は、反射手段１０８が走査信号線ＧＬや映像信号線ＤＬなどの金属層とは異なる層に形成されてなる。すなわち、ＴＦＴ基板４８には、反射手段１０８のみを形成する層が設けられている。なお、上述した実施の形態と同一構成部分には同一符号を付している。
【００８８】
より具体的には、反射手段１０８は、図２０に示すように、平面視でスリットＳＬの長手方向の端部及びその近傍やスリットＳＬの内側領域に一部が重なるようにバックライト２０側の面に形成された層であり、反射手段１０８と別の金属層とは異なる層に形成されてなる。この実施の形態１０では、反射手段１０８は、絶縁膜ＰＡＳ３を介して、最も照明装置（バックライト）に近い位置に層に形成されてなる。
また、反射手段１０８は、遮光膜ＢＭや図示しないスペーサが配置される非開口部に相当する位置に、平面視で重なる位置にも形成される。
【００８９】
この実施の形態１０の液晶表示装置１４では、反射手段１０８として金属層を用いた場合、別の金属層とは電気的に分離されているため、液晶の駆動などに悪影響を与えることがない。また、上記実施の形態と同様、液晶分子の配向方向が所望の方向と異なることに起因して透過率が低くなる領域（ドメイン）の照明装置（バックライト）側に光を反射する反射手段を備えることになる。このため、従来、ドメイン領域に入射し、損失となっていた照明光を照明装置（バックライト）側へ反射し、再利用することで有効利用できる。つまり、実施の形態１の液晶表示装置１と同様、より高い輝度、もしくは、より低消費電力な液晶表示装置を実現できる。しかも、反射手段１０８として独立した層を備えるため反射手段１０８の形成領域の自由度が増してより効率よく透過率が低い領域に反射手段を配置することができる。このためより高い輝度向上効果を得ることができる。
【００９０】
尚、本発明の実施の形態１−１０の液晶表示装置１−１０では、スリットＳＬの長手方向の両端部が閉じている電極ＭＩＴ，ＣＴの場合を例示したが、本発明はこれに限定されない。すなわち、スリットＳＬの両端部のうち一端が閉じ、他端が開いている櫛歯状の電極ＭＩＴ，ＣＴを用いてもよい。さらに、共通電極と画素電極が同層に形成された横電界方式の液晶表示装置であってもよい。
【００９１】
また、本発明の実施の形態１−１０の液晶表示装置１−１０では、例示したように反射型偏光板９０を有するものが好ましい。これは、以下の理由による。反射手段で反射した光は照明装置（バックライト）へ戻り、再び液晶表示パネルへ向かう際、その偏光状態が変化する。このため、再び液晶表示パネルへ向かった光は反射型偏光板９０が無い場合にはその一部が背面側偏光板８０で吸収され損失となる。これに対し、反射型偏光板９０を設けると照明装置（バックライト）から再び液晶表示パネルへ向かう光はその偏光状態が変化していても、背面側偏光板８０で吸収される前に反射型偏光板９０で反射して再利用されるからである。ただし、これに限らず、反射型偏光板９０を有しないものであってもよい。
【００９２】
また、本発明の実施の形態１−１０の液晶表示装置１−１０では、平面視で映像信号線ＤＬに重なるバックライト２０側の面に反射手段１３を形成するものを例示した。しかし本発明は、平面視で、電極のスリットＳＬの長手方向の端部及びその近傍やスリットＳＬの内側領域に一部重なる位置に反射手段を形成すればよく、映像信号線ＤＬに重なる部分には必要に応じて反射手段１３を形成しなくてもよい。
【００９３】
また、本発明の実施の形態１−１０の液晶表示装置１−１０では、反射手段１００−１０８が、矩形状、矩形突出部１０１ｂを有する形状、あるいは楔形突出部１０２ｂを有する形状であるものを例示したが、これに限らず、透過率が低い領域に効果的に重なるような形状であれば、その他の形状であってもよい。
【００９４】
また、本発明の実施の形態１−１０の液晶表示装置１−１０では、反射手段１００−１０８が金属層であるものを例示したが、これに限らず、光を反射することが可能なものであればその他の材料からなる層を形成するようにしてもよい。例えば、反射手段１００−１０８が誘電体多層膜からなるものであってもよい。
【００９５】
以上、本発明者によってなされた発明を、上述した発明の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は、上述した発明の実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能である。
【符号の説明】
【００９６】
１、２、３、４、５、６、７、８、９、１４    液晶表示装置
１０、１６、１７、１８、１９  液晶表示パネル
１１  データ駆動回路
１２  走査駆動回路
１３  反射手段
２０  バックライト
３０  制御部
４０、４１、４２、４３、４４、４５、４６、４７、４８  ＴＦＴ基板
５０  対向基板
６０  液晶層
７０  表面側偏光板
８０  背面側偏光板
９０  反射型偏光板
１００、１０１、１０２，１０３、１０４、１０５、１０６、１０７、１０８  反射手段
１０１ａ、１０２ａ  基部
１０１ｂ  矩形突出部
１０２ｂ  楔形突出部
２００  下地層
２０１  高屈折率層
２０２  低屈折率層
ＧＬ    走査信号線
ＰＩＸ  画素
ＤＬ    映像信号線
ＴＦＴ  薄膜トランジスタ
ＭＩＴ  画素電極
ＳＬ    スリット
ＣＯＮ  連結部
ＣＴ    共通電極
Ｃｓｔ  容量素子
Ｃｌｃ  容量素子
ＳＵＢ１  絶縁基板
ＧＩ    絶縁膜
ＡＳ    半導体層
ＤＴ    ドレイン電極
ＳＴ    ソース電極
ＰＤ    パッド部
ＰＡＳ、ＰＡＳ３  絶縁膜
ＰＡＳ１  保護膜
ＰＡＳ２  保護膜
ＢＭ    遮光膜
ＣＦ    カラーフィルタ
ＴＨ    スルーホール
Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔｂ  範囲
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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