(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記式（１）
【化１】
0005797476.tif 000011
（式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6は水素原子を示し、Ｒ3はメトキシ基を示す）
で表される不飽和カルボン酸を、塩化チオニルにより塩素化して、下記式（２）
【化２】
0005797476.tif 000012
（式中、Ｒ1〜Ｒ6は前記に同じ）
で表される化合物を得る工程１、及び上記式（２）で表される化合物と下記式（３）
【化３】
0005797476.tif 000013
（式中、Ｒ7、Ｒ8は同一又は異なって、炭素数１〜１０のアルキル基である、又はＲ7、Ｒ8はヘテロ原子を介して又は介することなく互いに結合して、式中に示される窒素原子と共に芳香族性複素環を形成する）
で表されるアミンを反応させることにより、下記式（４）
【化４】
0005797476.tif 000014
（式中、Ｒ1〜Ｒ8は前記に同じ）
で表される不飽和カルボン酸アミドを主成分とする不飽和カルボン酸アミド組成物を得る工程２とを含む不飽和カルボン酸アミド組成物の製造方法において、工程１、２の反応をトルエンの存在下で行い、塩化チオニルの使用量を上記式（１）で表される不飽和カルボン酸の１．１〜１．５モル倍とすることを特徴とする不飽和カルボン酸アミド組成物の製造方法。
【請求項２】
不飽和カルボン酸アミド組成物中の塩素原子含有量が、上記式（４）で表される不飽和カルボン酸アミドに対して１０００ｐｐｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の不飽和カルボン酸アミド組成物の製造方法。
【請求項３】
不飽和カルボン酸アミド組成物中の、下記式（５）
【化５】
0005797476.tif 000015
（式中、Ｒ1〜Ｒ8は前記に同じ）
で表される含塩素化合物の含有量が、上記式（４）で表される不飽和カルボン酸アミドに対して０．１重量％以下であることを特徴とする請求項１又は２に記載の不飽和カルボン酸アミド組成物の製造方法。
【請求項４】
工程２終了後に吸着剤を用いて含塩素化合物を分離・除去する請求項１〜３の何れか１に記載の不飽和カルボン酸アミド組成物の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、医薬、農薬、高分子材料、機能材料やその中間体等のファインケミカルとして有用な不飽和カルボン酸アミド組成物、及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
不飽和カルボン酸アミドの製造方法としては、不飽和カルボン酸とアミンとを、脱水縮合反応させる方法が知られている。特許文献１には、カルボジイミドを脱水縮合剤として使用し、２−ヒドロキシ桂皮酸とアミン類とを脱水縮合反応させて２−ヒドロキシ桂皮酸アミドを得る方法が記載されている。また、非特許文献１には、Ｎ，Ｎ−カルボニルジイミダゾールを脱水縮合剤として使用し、４−メトキシ桂皮酸とアミン類とを脱水縮合反応させて４−メトキシ桂皮酸アミドを得る方法が記載されている。しかし前記方法で使用する脱水縮合剤は、高価で、且つ強いアレルギー反応を引き起こす場合があるため、工業的には必ずしも有利な方法とはいえない。また、不飽和カルボン酸ニトリルの水和により不飽和カルボン酸アミドを得る方法も知られているが、不飽和カルボン酸の種類によっては反応の選択性が低下する等、必ずしも一般的な方法とはいえない。
【０００３】
そのため、不飽和カルボン酸アミドの合成方法としては、不飽和カルボン酸クロリドとアミンとを反応させる方法が多用されている。また、不飽和カルボン酸クロリドの製造法としては、不飽和カルボン酸と塩化チオニルとを反応させる方法が、塩化チオニルの沸点が比較的低く、余剰の塩化チオニルの除去が容易である点等から、最も一般的である。非特許文献２には、不飽和カルボン酸と前記不飽和カルボン酸に対して８．６モル倍の塩化チオニルを冷却下混合し、反応が開始してから加熱還流状態にして不飽和カルボン酸クロリドを得る方法が記載されている。
【０００４】
すなわち、不飽和カルボン酸アミドの製造方法としては、不飽和カルボン酸と塩化チオニルとを反応させることにより不飽和カルボン酸クロリドを合成し、得られた不飽和カルボン酸クロリドとアミンとを反応させることにより不飽和カルボン酸アミドを合成する方法が一般的である。
【０００５】
一方、高機能材料、例えば、電気・電子部品の製造に利用される感光性高機能材料（レジスト材料）、とりわけ高信頼性が要求される半導体封止材料、半導体やＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）等のパッケージ材料、及び半導体、液晶ディスプレイやＭＥＭＳ用感光性材料等においては、その構成材料の高純度化が要求されている。なかでも含塩素化合物は、電気・電子部品の性能に大きな影響を与えることが知られている。特許文献２には、副生物に含有するハロゲン原子が露光時にハロゲンアニオンとなって酸発生剤の効果を低下させ、結果的に感度を低下させるという不具合が生じることが開示されている。また、特許文献３には、吸湿により塩素イオンを遊離する加水分解性塩素等多くの有機塩素化合物を不純物として含有している化合物を電気・電子部品の製造に使用すると、配線の腐食や断線、絶縁性の低下が起きやすくなり、電気・電子部品の信頼性が低下するという問題が生じることが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】ＷＯ２００９／１２３１２２
【特許文献２】特開２００２−１８７８６８号公報
【特許文献３】特開２００９−２６３５４３号公報
【非特許文献】
【０００７】
【非特許文献１】ジャーナル  オブ  オーガニックケミストリー６９巻４２１６頁（２００４年）
【非特許文献２】ジャーナル  オブ  アメリカンケミカルソサイエティー７２巻３８８５頁（１９５０年）
【非特許文献３】シンセシス  ５９８頁（１９８９年）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
従って、本発明の目的は、工業的に有利な方法で、医薬、農薬、高分子材料、機能材料やその中間体等のファインケミカルとして利用可能な不飽和カルボン酸アミド組成物を得る不飽和カルボン酸アミド組成物の製造方法を提供することにある。
本発明の他の目的は、医薬、農薬、高分子材料、機能材料やその中間体等のファインケミカルとして利用可能な不飽和カルボン酸アミド組成物を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明者等は、上記課題を解決するため鋭意検討した結果、不飽和カルボン酸を塩化チオニルで塩素化し、得られた不飽和カルボン酸クロリドとアミンとを反応させることにより得られる不飽和カルボン酸アミドには、副生物として特定の含塩素化合物を含有することが分かった。そして、不飽和カルボン酸と塩化チオニルの塩素化反応において塩化チオニルの使用量を特定の範囲に調整、若しくは反応後に吸着剤を用いて精製する工程を設けると、含塩素化合物含有量の極めて低い不飽和カルボン酸アミドを得ることができること、及び含塩素化合物含有量の極めて低い不飽和カルボン酸アミドは医薬、農薬、高分子材料やその中間体のみでなく、感光性高機能材料やその中間体として利用可能であることを見いだした。本発明はこれらの知見に基づいて完成させたものである。
【００１０】
すなわち、本発明は、下記式（１）
【化１】
0005797476.tif 000002
（式中、Ｒ1〜Ｒ5は同一又は異なって、水素原子、アルキル基、水酸基、アルコキシ基又はニトロ基を示す。Ｒ1〜Ｒ5のうち少なくとも２つが互いに結合して環を形成していてもよい。Ｒ6は水素原子、アルキル基、又はシクロアルキル基を示す）
で表される不飽和カルボン酸を、塩化チオニルにより塩素化して、下記式（２）
【化２】
0005797476.tif 000003
（式中、Ｒ1〜Ｒ6は前記に同じ）
で表される化合物を得る工程１、及び上記式（２）で表される化合物と下記式（３）
【化３】
0005797476.tif 000004
（式中、Ｒ7、Ｒ8は同一又は異なって、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基又は複素環式基を示す。Ｒ7、Ｒ8は、ヘテロ原子を介して又は介することなく互いに結合して、式中に示される窒素原子と共に環を形成していてもよい。但し、Ｒ7、Ｒ8が共に水素原子である場合は除く）
で表されるアミンを反応させることにより、下記式（４）
【化４】
0005797476.tif 000005
（式中、Ｒ1〜Ｒ8は前記に同じ）
で表される不飽和カルボン酸アミドを主成分とする不飽和カルボン酸アミド組成物を得る工程２とを含む不飽和カルボン酸アミド組成物の製造方法において、塩化チオニルの使用量を上記式（１）で表される不飽和カルボン酸の０．５〜３．０モル倍とする、及び／又は工程２終了後に吸着剤を用いて含塩素化合物を分離・除去することを特徴とする不飽和カルボン酸アミド組成物の製造方法を提供する。
【００１１】
不飽和カルボン酸アミド組成物中の塩素原子含有量は、上記式（４）で表される不飽和カルボン酸アミドに対して１０００ｐｐｍ以下であることが好ましく、不飽和カルボン酸アミド組成物中の、下記式（５）
【化５】
0005797476.tif 000006
（式中、Ｒ1〜Ｒ8は前記に同じ）
で表される含塩素化合物の含有量は、上記式（４）で表される不飽和カルボン酸アミドに対して０．１重量％以下であることが好ましい。
【００１２】
本発明は、また、上記不飽和カルボン酸アミド組成物の製造方法により得られる、下記式（４）
【化６】
0005797476.tif 000007
（式中、Ｒ1〜Ｒ5は同一又は異なって、水素原子、アルキル基、水酸基、アルコキシ基又はニトロ基を示す。Ｒ1〜Ｒ5のうち少なくとも２つが互いに結合して環を形成していてもよい。Ｒ6は水素原子、アルキル基、又はシクロアルキル基を示す。Ｒ7、Ｒ8は同一又は異なって、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基又は複素環式基を示す。Ｒ7、Ｒ8は、ヘテロ原子を介して又は介することなく互いに結合して、式中に示される窒素原子と共に環を形成していてもよい。但し、Ｒ7、Ｒ8が共に水素原子である場合は除く）
で表される不飽和カルボン酸アミドを主成分とし、塩素原子含有量が、上記式（４）で表される不飽和カルボン酸アミドに対して１０００ｐｐｍ以下、及び／又は下記式（５）
【化７】
0005797476.tif 000008
（式中、Ｒ1〜Ｒ8は前記に同じ）
で表される含塩素化合物の含有量が、上記式（４）で表される不飽和カルボン酸アミドに対して０．１重量％以下であることを特徴とする不飽和カルボン酸アミド組成物を提供する。
【００１３】
上記式（４）及び式（５）におけるＲ1、Ｒ2、Ｒ4、Ｒ5としては水素原子が好ましく、Ｒ3としてはメトキシ基が好ましい。
【発明の効果】
【００１４】
本発明に係る不飽和カルボン酸アミド組成物の製造方法によれば、効率よく、且つ優れた収率で、純度が高く、且つ、含塩素化合物の含有量が極めて低い不飽和カルボン酸アミド組成物を得ることができる。そのため、本発明に係る不飽和カルボン酸アミド組成物の製造方法によって得られる不飽和カルボン酸アミド組成物は、医薬、農薬、高分子材料やその中間体としてはもちろん、高機能材料、例えば、電気・電子部品の製造に利用される感光性高機能材料（レジスト材料）、とりわけ高信頼性が要求される半導体封止材料、半導体やＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）等のパッケージ材料、及び半導体、液晶ディスプレイやＭＥＭＳ用感光性材料等として好適に使用することができる。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
本発明の不飽和カルボン酸アミド組成物の製造方法は、上記式（１）で表される不飽和カルボン酸を、塩化チオニルにより塩素化して、上記式（２）で表される化合物を得る工程１、及び上記式（２）で表される化合物と上記式（３）で表されるアミンを反応させることにより、上記式（４）で表される不飽和カルボン酸アミドを主成分とする不飽和カルボン酸アミド組成物を得る工程２とを含む不飽和カルボン酸アミド組成物の製造方法において、塩化チオニルの使用量を上記式（１）で表される不飽和カルボン酸の０．５〜３．０モル倍とする、及び／又は工程２終了後に吸着剤を用いて含塩素化合物を分離・除去することを特徴とする。
【００１６】
式（１）中、Ｒ1〜Ｒ5は同一又は異なって、水素原子、アルキル基、水酸基、アルコキシ基又はニトロ基を示す。Ｒ1〜Ｒ5のうち少なくとも２つが互いに結合して環を形成していてもよい。Ｒ1〜Ｒ5におけるアルキル基としては、例えば、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル基等の炭素数１〜４程度のアルキル基等を挙げることができる。アルコキシ基としては、例えば、メトキシ、エトキシ、イソプロポキシ、ブトキシ、イソブトキシ、sec−ブトキシ、tert−ブトキシ、ペントキシ基等の炭素数１〜６程度のアルコキシ基等を挙げることができる。Ｒ1〜Ｒ5のうち少なくとも２つが互いに結合して形成していてもよい環としては、例えば、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン環等の芳香環；シクロブタン、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロヘキセン、シクロオクタン、シクロドデカン、アダマンタン、ノルボルナン、ノルボルネン環等の３〜２０員（好ましくは、３〜１５員、さらに好ましくは５〜１２員）程度の炭化水素環（シクロアルカン環、シクロアルケン環、又は橋かけ炭素環）等を挙げることができる。本発明においては、なかでも、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ4、Ｒ5が水素原子であり、Ｒ3がメトキシ基であることが、吸光感度に優れる化合物を得ることができる点、及び原料の入手が容易な点で好ましい。
【００１７】
Ｒ6は水素原子、アルキル基、又はシクロアルキル基を示す。Ｒ6におけるアルキル基としては、例えば、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル基等の炭素数１〜６程度のアルキル基等を挙げることができる。シクロアルキル基としては、例えば、シクロプロパン、シクロブタン、シクロペンタン、シクロヘキサン等の３〜６員程度のシクロアルキル基を挙げることができる。本発明のＲ6としては、水素原子、又は炭素数１〜３程度のアルキル基（特に、メチル基）が好ましい。
【００１８】
式（３）中、Ｒ7、Ｒ8は同一又は異なって、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基又は複素環式基を示す。Ｒ7、Ｒ8におけるアルキル基としては、例えば、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、ｓ−ブチル、ｔ−ブチル、ペンチル、ヘキシル、デシル、ドデシル基等の炭素数１〜２０（好ましくは１〜１０）程度のアルキル基等を挙げることができる。アルケニル基としては、例えば、ビニル、アリル、１−ブテニル基等の炭素数２〜２０（好ましくは２〜１０）程度のアルケニル基等を挙げることができる。アルキニル基としては、例えば、エチニル、プロピニル基等の炭素数２〜２０（好ましくは２〜１０）程度のアルキニル基等を挙げることができる。アリール基としては、例えば、フェニル、ナフチル基等の炭素数６〜２０（好ましくは６〜１４）程度のアリール基等を挙げることができる。複素環式基を構成する複素環としては、例えば、ピロール環等の芳香族性複素環；ピペリジン、ピロリジン、モルホリン、ピペラジン、ピラゾール、イミダゾール、チアゾール、チアジン環等の３〜２０員（好ましくは３〜１２員、さらに好ましくは３〜８員）程度の非芳香族性複素環やこれらの環が縮合した環、及びこれらの環と芳香環（例えば、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン環等）が縮合して得られる環（例えば、ベンゾイミダゾール、フェノチアジン環等）等を挙げることができる。
【００１９】
前記Ｒ7、Ｒ8は、ヘテロ原子を介して又は介することなく互いに結合して、式（３）中に示される窒素原子と共に環を形成していてもよい。前記ヘテロ原子としては、例えば、窒素原子、硫黄原子、酸素原子等を挙げることができる。前記Ｒ7、Ｒ8がヘテロ原子を介することなく互いに結合して、式（３）中に示される窒素原子と共に環としては、例えば、ピロール環等の芳香族性複素環；ピペリジン、ピロリジン環等の３〜２０員（好ましくは３〜１２員、さらに好ましくは３〜８員）程度の非芳香族性複素環やこれらの環が縮合した環、及びこれらの環と芳香環（例えば、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン環等）が縮合して得られる環等を挙げることができる。前記Ｒ7、Ｒ8がヘテロ原子を介して互いに結合して、式（３）中に示される窒素原子と共に環としては、例えば、ピラゾール、イミダゾール、チアゾール、チアジン、モルホリン、ピペラジン環等の３〜２０員（好ましくは３〜１２員、さらに好ましくは３〜８員）程度の非芳香族性複素環やこれらの環が縮合した環、及びこれらの環と芳香環（例えば、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン環等）が縮合して得られる環（例えば、ベンゾイミダゾール、フェノチアジン環等）等を挙げることができる。また、前記環は、置換基として、メチル、エチル、プロピル基等の炭素数１〜３程度のアルキル基や、フェニル、ナフチル基等の炭素数６〜２０（好ましくは６〜１４）程度のアリール基等を有していてもよい。
【００２０】
式（３）で表されるアミンの具体例としては、メチルアミン、エチルアミン、プロピルアミン、イソプロピルアミン、アリルアミン、ブチルアミン、ペンチルアミン、ヘキシルアミン、オクチルアミン、２−エチルヘキシルアミン、ベンジルアミン、シクロペンチルアミン、シクロヘキシルアミン、アニリン、トルイジン、キシリジン、ナフチルアミン、２−アミノチアゾール等の第１級アミン；ジメチルアミン、ジエチルアミン、ジプロピルアミン、ジイソプロピルアミン、ジアリルアミン、ジブチルアミン、ジペンチルアミン、ジオクチルアミン、ジ（２−エチルヘキシル）アミン、エチレンイミン、ピロリジン、ピペリジン、ピペラジン、モルホリン、イミダゾール、２−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、Ｎ−メチルアニリン、ジフェニルアミン、ベンゾイミダゾール、２−フェニルベンゾイミダゾール、フェノチアジン、ピラゾール等の第２級アミン等を挙げることができる。
【００２１】
式（４）中、Ｒ1〜Ｒ8は前記に同じ。式（４）で表される不飽和カルボン酸アミドの具体例としては、下記式（4a）〜（4h）で表される化合物等を挙げることができる。
【化８】
0005797476.tif 000009
【００２２】
式（５）中、Ｒ1〜Ｒ8は前記に同じ。式（５）で表される含塩素化合物における塩素原子の結合する炭素原子としては、カルボニル基に隣接する二重結合を形成する２つの炭素原子の少なくとも１つ、及び／又は、Ｒ6がアルキル基又はシクロアルキル基である場合はＲ6を構成する炭素原子の少なくとも１つであり、主に、カルボニル基に隣接する二重結合を形成する２つの炭素原子の少なくとも１つである。
【００２３】
［工程１］
工程１は、上記式（１）で表される不飽和カルボン酸を、塩化チオニルにより塩素化して、上記式（２）で表される化合物を得る工程である。
【００２４】
塩化チオニルの使用量としては、例えば、式（１）で表される不飽和カルボン酸の０．５〜３．０モル倍（好ましくは０．８〜２．５モル倍、さらに好ましくは０．９〜１．８モル倍、特に好ましくは１．０〜１．５モル倍、最も好ましくは１．１〜１．５モル倍）程度である。塩化チオニルの使用量が上記範囲を上回ると、副生物である含塩素化合物の生成量が増加して、感光性高機能材料として使用することが困難となる場合がある。一方、塩化チオニルの使用量が上記範囲を下回ると、目的化合物の収率が低下する傾向がある。
【００２５】
式（１）で表される不飽和カルボン酸の、塩化チオニルによる塩素化反応は、溶媒の存在下又は非存在下で行うことができる。前記溶媒としては、例えば、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、石油エーテル等の飽和または不飽和炭化水素系溶媒；ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒；塩化メチレン、クロロホルム、１，２−ジクロロエタン、クロロベンゼン、ブロモベンゼン等のハロゲン化炭化水素系溶媒；ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジブチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、１，２−ジメトキシエタン、シクロペンチルメチルエーテル等のエーテル系溶媒；アセトニトリル、ベンゾニトリル等のニトリル系溶媒；ジメチルスルホキシド等のスルホキシド系溶媒；スルホラン等のスルホラン系溶媒；ジメチルホルムアミド等のアミド系溶媒；シリコーンオイル等の高沸点溶媒等を挙げることができる。これらの中で、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒や、塩化メチレン、クロロホルム、１，２−ジクロロエタン、クロロベンゼン、ブロモベンゼン等のハロゲン化炭化水素系溶媒を特に好ましく使用できる。これらは単独でまたは２種以上混合して使用することができる。
【００２６】
溶媒の使用量は、反応基質を溶解または分散することが可能であり、且つ、経済性等を損なわない範囲内であれば特に制限されることがなく、例えば、式（１）で表される不飽和カルボン酸１重量部に対して、１〜１０００００重量部程度、好ましくは１〜１００００重量部程度の範囲から選択することができる。
【００２７】
上記塩素化反応は、例えば、式（１）で表される不飽和カルボン酸を仕込んだ系内に、塩化チオニルを滴下することにより行うことができる。反応時間は、例えば、０．５〜４８時間程度、好ましくは１〜３６時間程度、特に好ましくは２〜２４時間程度である。塩化チオニルの滴下時温度としては、例えば、４０℃以上、反応系内に存在する物質の沸点以下、好ましくは５５〜１２０℃、さらに好ましくは６０〜７５℃である。また、塩化チオニル滴下終了後の反応温度としては、例えば、５５℃以上、反応系内に存在する物質の沸点以下、好ましくは５５〜１２０℃、さらに好ましくは６０〜７５℃である。滴下時温度と滴下終了後の反応温度は、同一であっても異なっていてもよい。塩化チオニルの滴下時温度、及び滴下終了後の反応温度が上記範囲を下回ると、式（４）で表される不飽和カルボン酸アミドの収率が低下する傾向がある。一方、塩化チオニルの滴下時温度、及び滴下終了後の反応温度が上記範囲を上回ると、副生物である含塩素化合物の生成量が増加して、感光性高機能材料として使用することが困難となる場合がある。
【００２８】
上記塩素化反応は、加圧下、常圧下又は減圧下（例えば０．０００１〜０．１ＭＰａ程度、好ましくは０．００１〜０．１ＭＰａ程度）の何れであってもよいが、常圧下又は減圧下で行うことが多い。
【００２９】
本発明においては、工程１中若しくは工程１終了後に、過剰の塩化チオニルの除去操作を行うことが、不飽和カルボン酸アミド組成物中の含塩素化合物含有量、及び／又は、塩素原子含有量を一層低減することができる点で好ましい。過剰の塩化チオニル除去手段としては、慣用の方法、例えば、脱気、抽出、蒸留、精留、分子蒸留、吸着を用いた分離等を用いることができる。これらは、連続的に行ってもよく、非連続的（回分式）に行ってもよい。また、操作時圧力は、減圧又は常圧の何れであってもよい。
【００３０】
また、工程１では、更に、副生する酸性ガス（例えば、塩化水素、二酸化硫黄等）を、反応系から連続的に分離しつつ、反応を行うことが、不飽和カルボン酸アミド組成物中の含塩素化合物含有量、及び／又は、塩素原子含有量を一層低減することができる点で好ましい。副生する酸性ガスの分離手段としては、慣用の方法、例えば脱気、抽出、蒸留、精留、分子蒸留、吸着を用いた分離等を用いることができる。これらは、連続的に行ってもよく、非連続的（回分式）に行ってもよい。また、操作時圧力としては、減圧又は常圧の何れであってもよい。
【００３１】
［工程２］
工程２は、工程１で得られた式（２）で表される化合物と式（３）で表されるアミンと反応させて、式（４）で表される不飽和カルボン酸アミドを主成分とする不飽和カルボン酸アミド組成物を得る工程である。
【００３２】
式（３）で表されるアミンとしては、上記式（３）で表されるアミンの具体例で挙げられる第１級アミン及び第２級アミンを単独で、又は２種以上を混合して使用することができる。
【００３３】
式（３）で表されるアミンの使用量としては、例えば、式（２）で表される化合物の０．５〜２０．０モル倍程度、好ましくは０．８〜８．０モル倍程度、さらに好ましくは１．０〜３．０モル倍程度である。式（３）で表されるアミンの使用量が上記範囲を上回ると、反応の操作性及び経済性を損ねる傾向があり、一方、式（３）で表されるアミンの使用量が上記範囲を下回ると、式（４）で表される不飽和カルボン酸アミドの収率が低下する傾向がある。
【００３４】
工程２の反応は、溶媒の存在下又は非存在下で行うことができる。前記溶媒としては、上記工程１で使用することができる溶媒の例と同様の例を挙げることができる。溶媒の使用量は、反応基質を溶解または分散することが可能であり、且つ、経済性等を損なわない範囲内であれば特に制限されることがなく、例えば、式（２）で表される化合物１重量部に対して、１〜１０００００重量部程度、好ましくは１〜１００００重量部程度の範囲から選択することができる。工程２の溶媒は、工程１の溶媒を共通に使用することができ、工程１終了後、そのまま使用してもよく、工程１終了後、濃縮又は希釈することにより濃度を調整して使用してもよい。
【００３５】
工程２の反応温度としては、例えば、−５０〜１５０℃、好ましくは−１０〜８０℃、さらに好ましくは１０〜５０℃である。また、反応は、加圧下、常圧下又は減圧下（例えば０．０００１〜０．１ＭＰａ程度、好ましくは０．００１〜０．１ＭＰａ程度）の何れであってもよいが、常圧下又は減圧下で行うことが多い。更に、反応は、バッチ式、セミバッチ式、及び連続式のいずれの方法で行ってもよい。
【００３６】
工程２では、反応の進行により酸性ガス（塩化水素）及び／又はアミン塩酸塩のガスが副生する。本発明においては、これらを除去することが、反応の進行を促進することができ、且つ、含塩素化合物等の副生物生成を抑制することができる点で好ましい。除去方法としては、例えば、反応に不活性又は目的物の取得に影響を与えない塩基を添加してこれらを捕捉する方法や、例えば、脱気、抽出、蒸留、精留、分子蒸留、又は吸着等の分離手段により、これらを反応系から連続的に分離しつつ反応を行う方法等を挙げることができる。
【００３７】
前記反応に不活性又は目的物の取得に影響を与えない塩基としては、例えば、炭酸水素ナトリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸水素カリウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等の無機塩基、トリエチルアミン、トリブチルアミン等の第３級アミン、ピリジン等の芳香族アミン、及び上記式（３）で表させるアミンの具体例として挙げられる第１級アミン及び第２級アミン等を挙げることができる。これらは単独で使用してもよく、２種以上を混合して使用してもよい。反応に不活性又は目的物の取得に影響を与えない塩基の使用量としては、例えば、式（２）で表される化合物の０．５〜１０．０モル倍程度、好ましくは０．８〜３．０モル倍程度である。
【００３８】
前記脱気、抽出、蒸留、精留、分子蒸留、又は吸着等による分離は、連続的に行ってもよく、非連続的（回分式）に行ってもよい。また、前記分離操作時の圧力としては、減圧又は常圧の何れであってもよい。
【００３９】
工程２を経て得られた反応生成物は、例えば、濾過、濃縮、蒸留、抽出、晶析、吸着、再結晶、カラムクロマトグラフィー等の分離手段や、これらを組み合わせた分離手段により分離精製できる。本発明においては、なかでも、吸着剤を用いて反応生成物中に含有する含塩素化合物を分離・除去することが好ましい。吸着剤としては、例えば、シリカゲル、アルミナ、活性炭、マグネシア、ハイドロタルサイト等を挙げることができる。本発明においては、特に、分離及び／又は除去効率に優れる点で、シリカゲル（特に、シリカゲルカラムクロマトグラフィー）を使用して含塩素化合物を分離・除去することが好ましい。
【００４０】
本発明における含塩素化合物としては、本発明の不飽和カルボン酸アミド組成物の製造方法により副生する全ての塩素原子含有化合物を挙げることができる。主な含塩素化合物としては、例えば、上記式（５）で表される化合物、３−クロロ−３−アリールアクリル酸アミド及びその類縁体、２−クロロ−３−アリールアクリル酸アミド及びその類縁体、３−クロロ−３−アリールプロピオン酸アミド及びその類縁体、２−クロロ−３−アリールプロピオン酸アミド及びその類縁体等を挙げることができる。
【００４１】
本発明に係る不飽和カルボン酸アミド組成物の製造方法は反応の制御が容易であり、優れた収率（例えば、９０％以上、好ましくは９３％以上、特に好ましくは９５％以上）で、式（４）で表される不飽和カルボン酸アミドを主成分とし、塩素原子含有量及び／又は上記式（５）で表される含塩素化合物の含有量が極めて低い高純度の不飽和カルボン酸アミド組成物を得ることができる。
【００４２】
不飽和カルボン酸アミド組成物中の、式（４）で表される不飽和カルボン酸アミドの含有量（重量％）としては、例えば、９５重量％以上（好ましくは９８重量％以上、特に好ましくは９９重量％以上、最も好ましくは９９．５重量％以上）である。また、塩素原子含有量は、式（４）で表される不飽和カルボン酸アミドに対して、例えば１０００ｐｐｍ以下程度（好ましくは、８００ｐｐｍ以下、特に好ましくは５００ｐｐｍ以下）であることが好ましい。塩素原子含有量は、例えば、燃焼イオンクロマトグラフィー等により測定することができる。また、上記式（５）で表される含塩素化合物の含有量は、式（４）で表される不飽和カルボン酸アミドに対して、０．１重量％以下（好ましくは０．０５重量％以下、特に好ましくは０．０１重量％以下）であることが好ましい。上記式（５）で表される含塩素化合物の含有量は、例えば、ガスクロマトグラフィー等により測定することができる。式（４）で表される不飽和カルボン酸アミドに対する塩素原子含有量及び／又は上記式（５）で表される含塩素化合物の含有量が上記範囲を上回ると、高機能材料として使用することが困難となる傾向がある。
【００４３】
上記不飽和カルボン酸アミド組成物の製造方法により得られた不飽和カルボン酸アミド組成物は、塩素原子含有量及び／又は含塩素化合物含有量が極めて低く、高純度であるため、高機能材料、例えば、電気・電子部品の製造に利用される感光性高機能材料（レジスト材料）、とりわけ高信頼性が要求される半導体封止材料、半導体やＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）等のパッケージ材料、及び半導体、液晶ディスプレイやＭＥＭＳ用感光性材料に好適に使用することができる。
【実施例】
【００４４】
以下、実施例により本発明をより具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例により限定されるものではない。尚、定量、分析は、ガスクロマトグラフィー、及び燃焼イオンクロマトグラフィーにより行った。また、化合物の構造は、1Ｈ−ＮＭＲ及び／又はＧＣ−ＭＳにより同定した。
【００４５】
実施例１（Ｎ，Ｎ−ジエチル−３−（４−メトキシフェニル）アクリル酸アミドの合成：塩化チオニルを１．２モル倍使用）
容量５Ｌの４つ口フラスコに還流冷却管と滴下漏斗、温度計を装着した。ここへ４−メトキシ桂皮酸 ４５０ｇ、トルエン ２．３Ｌを加え、窒素雰囲気下、反応器内を撹拌して懸濁状態とした。
ここへ、塩化チオニル ３６０ｇ（４−メトキシ桂皮酸に対して１．２モル倍に相当）を、反応器内温度を６０℃に保持しつつ、１．５時間かけて滴下した。滴下終了後、４時間反応器内温度を６０℃に保持して反応させ、その後、反応を終了した。
反応終了後、反応器内を減圧にし、液温６０℃で、過剰の塩化チオニル及び約２割のトルエンを留去した。このようにして、４−メトキシ桂皮酸クロリドトルエン溶液を２０１２ｇ得た。
【００４６】
このようにして得られた４−メトキシ桂皮酸クロリドトルエン溶液に、トルエン ９７５ｍＬを追加し、ジエチルアミン ４６２ｇ（４−メトキシ桂皮酸クロリドに対して２．５モル倍に相当）を、反応器内温度を４０℃に保持しつつ滴下した。
滴下終了後、反応器内を１時間撹拌し、１０％塩酸水 ２０２４ｇを加え、洗浄、分液して有機層を得た。この有機層を引き続き８％炭酸水素ナトリウム水溶液 ２０２５ｇ、水 ２０２５ｇで洗浄し、トルエンを留去して４−メトキシ桂皮酸−Ｎ，Ｎ−ジエチルアミド（＝Ｎ，Ｎ−ジエチル−３−（４−メトキシフェニル）アクリル酸アミド）を主成分とする反応物（１）５７９ｇ（溶媒含有量：２重量％）を得た。
【００４７】
実施例２（参考例とする）（Ｎ，Ｎ−ジエチル−３−（４−メトキシフェニル）アクリル酸アミドの合成：塩化チオニルを２．０モル倍使用）
４−メトキシ桂皮酸 １００ｇ、塩化チオニル １３３ｇ（４−メトキシ桂皮酸に対して２．０モル倍に相当）を用い、その他の原料を、実施例１における４−メトキシ桂皮酸に対する割合と同じ割合で使用したこと、塩化チオニルの滴下を反応器内温度を４０℃に保持して実施したこと、過剰の塩化チオニルの除去を、反応器内を常圧にして行ったこと、及びジエチルアミンの滴下を、反応器内を室温（２５℃）にして行ったこと以外は、実施例１と同様にして、４−メトキシ桂皮酸−Ｎ，Ｎ−ジエチルアミド（＝Ｎ，Ｎ−ジエチル−３−（４−メトキシフェニル）アクリル酸アミド）を主成分とする反応物（２） １２５ｇ（溶媒含有量：１．４重量％）を得た。
【００４８】
実施例３（Ｎ，Ｎ−ジエチル−３−（４−メトキシフェニル）アクリル酸アミドの合成：塩化チオニルを１．２モル倍使用）
４−メトキシ桂皮酸 １．５ｋｇ、塩化チオニル １．２ｋｇ（４−メトキシ桂皮酸に対して１．２モル倍に相当）を用いたこと、その他の原料を、実施例１における４−メトキシ桂皮酸に対する割合と同じ割合で使用したこと以外は、実施例１と同様にして、４−メトキシ桂皮酸−Ｎ，Ｎ−ジエチルアミド（＝Ｎ，Ｎ−ジエチル−３−（４−メトキシフェニル）アクリル酸アミド）を主成分とする反応物（３） ２．０ｋｇ（溶媒含有量：３．４重量％）を得た。
【００４９】
実施例４（参考例とする）（Ｎ，Ｎ−ジエチル−３−（４−メトキシフェニル）アクリル酸アミドの合成：塩化チオニルを１．０５モル倍使用）
４−メトキシ桂皮酸 ４０ｇ、塩化チオニル ２８ｇ（４−メトキシ桂皮酸に対して１．０５モル倍に相当）を用い、その他の原料を、実施例１における４−メトキシ桂皮酸に対する割合と同じ割合で使用したこと、塩化チオニルの滴下及び滴下後の反応を、反応器内温度を７０℃に保持して行ったこと、過剰の塩化チオニルの除去を行わなかったこと以外は、実施例１と同様にして、４−メトキシ桂皮酸−Ｎ，Ｎ−ジエチルアミド（＝Ｎ，Ｎ−ジエチル−３−（４−メトキシフェニル）アクリル酸アミド）を主成分とする反応物（４）５０ｇ（溶媒含有量：０．９７重量％）を得た。
【００５０】
比較例１（Ｎ，Ｎ−ジエチル−３−（４−メトキシフェニル）アクリル酸アミドの合成：塩化チオニルを８．６モル倍使用）
４−メトキシ桂皮酸 ３０ｇ、塩化チオニル １７２ｇ（４−メトキシ桂皮酸に対して８．６モル倍に相当）を用い、その他の原料を、実施例１における４−メトキシ桂皮酸に対する割合と同じ割合で使用したこと、塩化チオニルの滴下を反応器内を室温（２５℃）にして行い、滴下後の反応を、反応器内温度を５０℃から還流温度に調整して行ったこと、過剰の塩化チオニルの除去を、反応器内を常圧にして行ったこと、及びジエチルアミンの滴下を、反応器内を室温（２５℃）にして行ったこと以外は、実施例１と同様にして、４−メトキシ桂皮酸−Ｎ，Ｎ−ジエチルアミド（＝Ｎ，Ｎ−ジエチル−３−（４−メトキシフェニル）アクリル酸アミド）を主成分とする反応物（５） ４０ｇ（溶媒含有量：５重量％）を得た。
【００５１】
実施例５（Ｎ，Ｎ−ジエチル−３−（４−メトキシフェニル）アクリル酸アミドの合成：シリカゲルで精製）
比較例１で得られた反応物（５） ６．５ｇをシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、精製された反応物（5-1） ５．３ｇを得た（回収率：８３％）。
【００５２】
比較例２（Ｎ，Ｎ−ジエチル−３−（４−メトキシフェニル）アクリル酸アミド合成：蒸留精製）
比較例１で得られた反応物（５） ２０ｇをクーゲルロールにより、減圧度１．５Ｔｏｒｒで蒸留精製し、精製された反応物（5-2） １８ｇを得た（回収率：９０％）。
【００５３】
実施例６（参考例とする）（４−メトキシ桂皮酸−Ｎ−フェニル−アミドの合成）
実施例１と同様の方法で、４−メトキシ桂皮酸 １１．５ｇ、トルエン ６０．５ｇ、塩化チオニル ７．７ｇ（４−メトキシ桂皮酸に対して１．２モル倍に相当）から４−メトキシ桂皮酸クロリドトルエン溶液を得た。ここへ、アニリン １５ｇ（４−メトキシ桂皮酸クロリドに対して２．５モル倍に相当）を、反応器内温度を４０℃に保持しつつ滴下した。
滴下終了後、反応器内を１時間撹拌し、１０％塩酸水 １１５ｇ、酢酸エチル ２３０ｇを加え、洗浄、分液して有機層を得た。この有機層を引き続き８％炭酸水素ナトリウム水溶液 １１５ｇ、水 １１５ｇで洗浄し、溶媒を留去して４−メトキシ桂皮酸−Ｎ−フェニル−アミドを主成分とする反応物（６） １５．７ｇを得た。
【００５４】
実施例７（参考例とする）（Ｎ−（３−（４−メトキシフェニル）アクリル酸）モルホリドの合成）
アニリンに代えてモルホリンを用いた以外は、実施例６と同様に反応をおこなった。
滴下終了後、反応器内を１時間撹拌し、１０％塩酸水 ５８ｇ、酢酸エチル ５８ｇを加え、洗浄、分液して有機層を得た。この有機層を引き続き８％炭酸水素ナトリウム水溶液 ５８ｇ、水 ５８ｇで洗浄し、溶媒を留去してＮ−（３−（４−メトキシフェニル）アクリル酸）モルホリドを主成分とする反応物（７） １４．５ｇを得た。
【００５５】
実施例８（Ｎ−（３−（４−メトキシフェニル）アクリル酸）−１Ｈ−イミダゾリドの合成）
実施例１と同様の方法で、４−メトキシ桂皮酸 １５ｇ、トルエン ８３ｇ、塩化チオニル １１ｇ（４−メトキシ桂皮酸に対して１．２モル倍に相当）から４−メトキシ桂皮酸クロリドトルエン溶液を得た。
ここへ、イミダゾール １４ｇ（４−メトキシ桂皮酸クロリドに対して２．５モル倍に相当）をテトラヒドロフラン ７２ｇに溶解させた液を、反応器内温度を４０℃に保持しつつ滴下した。
滴下終了後、反応器内を１時間撹拌し、水 ７５ｇ、０．５％塩酸水 ７５ｇ、８％炭酸水素ナトリウム水溶液 ５８ｇ、水 ５８ｇの順で洗浄し、溶媒を留去して（Ｎ−（３−（４−メトキシフェニル）アクリル酸）−１Ｈ−イミダゾリドを主成分とする反応物（８） ７．４ｇを得た。
【００５６】
上記実施例及び比較例で得られた反応物中の溶媒以外の成分について、定量、分析結果を下記表にまとめて示す。尚、各成分の含有量について、ガスクロマトグラフィーの検出限界以下の場合は０．００と示す。
【００５７】
また、塩素原子含有量は、下記条件で測定した。
分析手段              燃焼イオンクロマトグラフィー
燃焼条件
使用機器          商品名「ＡＱＦ−１００」、ダイアインスツルメンツ製
サンプル          約２０ｍｇ
燃焼プログラム    ＭＣＤＥＡ
吸収液            Ｈ2Ｏ2：３０ｐｐｍ
内標              酒石酸：５ｐｐｍ
吸収液量          ５ｍＬ
分析条件
使用機器          商品名「ＤＩＯＮＥＸ  ＩＣＳ−２０００」（低濃度分析モード）
本カラム          ＡＳ−１２  
プレカラム        ＡＧ−１２  
溶離液            ２．７ｍＭ Ｋ2ＣＯ3＋０．３ｍＭ 炭酸水素カリウム
サプレッサー      ＡＳＲＳ（リサイクルモード）
流速              １．２ｍＬ／ｍｉｎ
検出器            導電率検出器
カラム温          ３５℃
注入量            １００μＬ
【００５８】
【表１】
0005797476.tif 000010