(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
パッケージ基板と、
バネを介して前記パッケージ基板と電気的に接続されているコネクタとを有し、
前記コネクタは、複数の貫通孔が形成されたフレームと、複数の前記貫通孔の各々に挿入された複数の柱状端子とを有し、前記柱状端子の一方の端部が前記バネに接続され、複数の前記柱状端子のうち、前記フレームの外周縁部寄りの一部の前記柱状端子に接続する前記バネの巻き数を、他の前記柱状端子に接続する前記バネの巻き数よりも少なくしたことを特徴とする電子部品。
【請求項２】
パッケージ基板と、
バネを介して前記パッケージ基板と電気的に接続されているコネクタとを有し、
前記コネクタは、複数の貫通孔が形成されたフレームと、複数の前記貫通孔の各々に挿入された複数の柱状端子とを有し、前記柱状端子の一方の端部が前記バネに接続され、複数の前記柱状端子のうち、前記フレームの周辺領域における前記柱状端子の突起部の長さを前記フレームの中心領域における前記柱状端子の突起部の長さよりも短くしたことを特徴とする電子部品。
【請求項３】
複数の貫通孔が形成されたフレームと、
複数の前記貫通孔の各々に挿入され、接続対象に電気的に接続される複数の端子と、
前記接続対象と複数の前記端子の各々との間に配置された複数のバネとを有し、
複数の前記端子のうち、前記フレームの外周縁部寄りの一部の前記端子に接続する前記バネの巻き数を、他の前記端子に接続する前記バネの巻き数よりも少なくしたことを特徴とするコネクタ。
【請求項４】
複数の貫通孔が形成されたフレームと、
複数の前記貫通孔の各々に挿入され、接続対象に電気的に接続される複数の端子と、
前記接続対象と複数の前記端子の各々との間に配置された複数のバネとを有し、
複数の前記端子のうち、前記フレームの周辺領域における前記端子の突起部の長さを前記フレームの中心領域における他の前記端子の突起部の長さよりも短くしたことを特徴とするコネクタ。
【請求項５】
複数の貫通孔が形成されたフレームと、
複数の前記貫通孔の各々に挿入され、接続対象に電気的に接続される複数の柱状電極と、
前記接続対象と複数の前記柱状電極の各々との間に配置された複数のバネとを有し、
複数の前記柱状電極のうち、前記フレームの外周縁部寄りの一部の前記柱状電極に接続する前記バネの巻き数を、他の前記柱状電極に接続する前記バネの巻き数よりも少なくしたコネクタを用い、
パッケージ基板と前記コネクタの柱状電極とを、前記バネを介して電気的に接続する工程を有することを特徴とする電子部品の製造方法。
【請求項６】
複数の貫通孔が形成されたフレームと、
複数の前記貫通孔の各々に挿入され、接続対象に電気的に接続される複数の柱状電極と、
前記接続対象と複数の前記柱状電極の各々との間に配置された複数のバネとを有し、
複数の前記柱状電極のうち、前記フレームの周辺領域における前記柱状電極の突起部の長さを前記フレームの中心領域における他の前記柱状電極の突起部の長さよりも短くしたコネクタを用い、
パッケージ基板と前記コネクタの柱状電極とを、前記バネを介して電気的に接続する工程を有することを特徴とする電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品とその製造方法、及びコネクタに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体チップを搭載した半導体パッケージと配線基板との電気的な接続方法の一つに、LGA(Land Grid Array)コネクタを用いるLGA方式がある。LGAコネクタは、シート状のフレームと、当該フレームを貫通してその両面から突出する複数のコラムと呼ばれる柱状端子とを有する。
【０００３】
このようなLGAコネクタが半導体パッケージと配線基板との間に挟まれ、上記のコラムの一端と他端とがそれぞれ半導体パッケージと配線基板とに当接する。そして、バネ等の付勢力を利用して半導体パッケージを配線基板に向けて押圧することにより、コラムを介して半導体パッケージと配線基板とが電気的に接続される。
【０００４】
ここで、コラムは上記の半導体パッケージの電極パッド数に応じて複数設けられるが、電極パッドと非接触のコラムが存在すると、半導体パッケージと配線基板との電気的な接続が不良となってしまう。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平７−１５３５１４号公報
【特許文献２】特開２００８−５９８３１号公報
【特許文献３】特開２００７−１６５１４９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
電子部品とその製造方法、及びコネクタにおいて、パッケージ基板とコネクタとを電気的に良好に接続することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
以下の開示の一観点によれば、パッケージ基板と、バネを介して前記パッケージ基板と電気的に接続されているコネクタとを有し、前記コネクタは、複数の貫通孔が形成されたフレームと、複数の前記貫通孔の各々に挿入された複数の柱状端子とを有し、前記柱状端子の一方の端部が前記バネに接続され、複数の前記柱状端子のうち、前記フレームの外周縁部寄りの一部の前記柱状端子に接続する前記バネの巻き数を、他の前記柱状端子に接続する前記バネの巻き数よりも少なくした電子部品が提供される。
【０００８】
また、その開示の他の観点によれば、複数の貫通孔が形成されたフレームと、複数の前記貫通孔の各々に挿入され、接続対象に電気的に接続される複数の端子と、前記接続対象と複数の前記端子の各々との間に配置された複数のバネとを有し、複数の前記端子のうち、前記フレームの外周縁部寄りの一部の前記端子に接続する前記バネの巻き数を、他の前記端子に接続する前記バネの巻き数よりも少なくしたコネクタが提供される。
【０００９】
更に、その開示の別の観点によれば、複数の貫通孔が形成されたフレームと、複数の前記貫通孔の各々に挿入され、接続対象に電気的に接続される複数の柱状電極と、前記接続対象と複数の前記柱状電極の各々との間に配置された複数のバネとを有し、複数の前記柱状電極のうち、前記フレームの外周縁部寄りの一部の前記柱状電極に接続する前記バネの巻き数を、他の前記柱状電極に接続する前記バネの巻き数よりも少なくしたコネクタを用い、パッケージ基板と前記コネクタの柱状電極とを、前記バネを介して電気的に接続する工程を有する電子部品の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【００１０】
以下の開示によれば、パッケージ基板の反りにバネが追従するため、その反り量の如何を問わずにパッケージ基板とコネクタとを電気的に良好に接続することができ、これらの接続信頼性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】図１は、電子部品の断面図である。
【図２】図２（ａ）、（ｂ）は、半導体パッケージの製造途中の断面図である。
【図３】図３は、反りが生じたパッケージ基板とLGAコネクタの拡大断面図である。
【図４】図４は、第１実施形態に係る電子部品の断面図である。
【図５】図５は、第１実施形態に係るLGAコネクタとその周囲の拡大断面図である。
【図６】図６（ａ）、（ｂ）は、第１実施形態に係る電子部品の製造途中の拡大断面図（その１）である。
【図７】図７（ａ）、（ｂ）は、第１実施形態に係る電子部品の製造途中の拡大断面図（その２）である。
【図８】図８（ａ）、（ｂ）は、第１実施形態に係る電子部品の製造途中の拡大断面図（その３）である。
【図９】図９（ａ）、（ｂ）は、第１実施形態に係る電子部品の製造途中の拡大断面図（その４）である。
【図１０】図１０は、第１実施形態に係る電子部品の製造途中の拡大断面図（その５）である。
【図１１】図１１は、第２実施形態に係る電子部品の拡大断面図である。
【図１２】図１２は、第２実施形態の他の例に係る電子部品の拡大断面図である。
【図１３】図１３は、第２実施形態においてバネの巻き数の調節方法の一例を示す模式図である。
【図１４】図１４は、第２実施形態の別の例に係る電子部品の拡大断面図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
本実施形態の説明に先立ち、本実施形態の基礎となる予備的事項について説明する。
【００１３】
図１は、電子部品の断面図である。
【００１４】
この電子部品１０は、配線基板１、ボルスタープレート２、LGAコネクタ５、半導体パッケージ１１、ヒートスプレッダ１５、及びヒートシンクベース１６を有する。
【００１５】
このうち、配線基板１は、サーバ等の電子機器においてシステムボードとして供せられるものであって、一方の主面には銅膜をパターニングしてなる第１の電極パッド６が形成され、他方の主面にはボルスタープレート２が固着される。
【００１６】
そのボルスタープレート２にはネジ孔２ａが形成されており、そのネジ孔２ａに連通する貫通孔１ａが配線基板１に設けられる。
【００１７】
ボルスタープレート２の材料は特に限定されない。半導体パッケージ１１で発生した熱を速やかに外部に逃がすべく、ステンレス等の熱伝導率の高い金属をボルスタープレート２の材料として使用するのが好ましい。
【００１８】
一方、LGAコネクタ５は、フレーム３と柱状端子４とを有する。このうち、フレーム３は、樹脂を材料とするものであって、複数の貫通孔３ａを備える。そして、その貫通孔３ａの各々に上記の柱状端子４が挿入される。
【００１９】
柱状端子４は、ゴムに銀等の導電性フィラーを分散させてなる導電性ゴムや導電性エストラマを材料とし、第１の電極パッド６と対向する位置に設けられる。
【００２０】
半導体パッケージ１１は、LGAコネクタ５の接続対象となるものであって、パッケージ基板８と半導体チップ９とを有する。
【００２１】
このうち、パッケージ基板８は、セラミック製又はプラスチック製のコア基材上に配線層を形成してなる配線基板であって、その表面に銅膜をパターニングしてなる第２の電極パッド７を備える。
【００２２】
一方、半導体チップ９は、例えばCPU等の能動素子であって、はんだバンプ１２を介してパッケージ基板８と電気的かつ機械的に接続される。そして、パッケージ基板８と半導体チップ９との間には、これらの接続強度を高めるためにアンダーフィル樹脂１３が充填される。
【００２３】
半導体チップ９で発生した熱は、ヒートスプレッダ１５を介して外部に逃がされる。そのヒートスプレッダ１５による放熱効率を高めるため、ヒートスプレッダの材料としては熱伝導性に優れた銅を使用するのが好ましい。
【００２４】
ヒートシンクベース１６は、ヒートスプレッダ１５を支持すべく設けられ、例えばアルミニウム板を加工してなる。
【００２５】
そして、これらヒートスプレッダ１５とヒートシンクベース１６とには貫通孔１５ａ、１６ａが形成され、これらの貫通孔１５ａ、１６ａとバネ１８とにネジ１７が挿通される。
【００２６】
実使用下においては、ボルスタープレート２のネジ孔２ａにネジ１７を螺入し、バネ１８の付勢力によってヒートシンクベース１６を配線基板１側に押し付ける。これにより、第１の電極パッド６と第２の電極パッド７とが柱状端子４を介して電気的に接続されることになる。
【００２７】
ところで、上記のように配線基板１と半導体パッケージ１１とはLGAコネクタ５により電気的に接続されるが、実使用下においてはこれらの間に接続不良が発生することがある。
【００２８】
このように接続不良が発生する一因として半導体パッケージ１１の反りがある。その反りについて図２（ａ）、（ｂ）を参照して説明する。
【００２９】
図２（ａ）、（ｂ）は、半導体パッケージ１１の製造途中の断面図である。
【００３０】
半導体パッケージ１１の製造に際しては、図２（ａ）に示すように、はんだバンプ１２を加熱してリフローすることにより、はんだバンプ１２によりパッケージ基板８と半導体チップ９とを接続する。
【００３１】
パッケージ基板８は樹脂を主にしてなるのに対し、半導体チップ９はシリコンを主にしてなるため、材料の相違に起因して半導体パッケージ８と半導体チップ９とは異なる熱膨張率を示す。
【００３２】
但し、このようにリフローをしている時は、パッケージ基板８と半導体チップ９との熱膨張の差が溶融したはんだバンプ１２で吸収されるため、熱膨張率差が原因の反りは半導体パッケージ１１に生じない。
【００３３】
一方、図２（ｂ）は、はんだバンプ１２が冷えて固化した状態における半導体パッケージ１１の断面図である。
【００３４】
リフローが終了して半導体パッケージ１１が冷えると、パッケージ基板８と半導体チップ９とが異なる熱収縮量で収縮することになる。しかし、固化したはんだバンプ１２は、パッケージ基板８と半導体チップ９との熱収縮量の差を吸収できないため、半導体パッケージ１１が半導体チップ９を上にして凸状に反ってしまう。
【００３５】
パッケージ基板８の反りの量ΔDは、パッケージ基板８と半導体チップ９との材料や大きさによって変わるが、典型的には、１００μm〜２００μm程度である。
【００３６】
図３は、このように反りが生じたパッケージ基板８とLGAコネクタ５との拡大断面図である。
【００３７】
図３に示すように、柱状端子４は、円錐の頂点を平坦化した形状の突出部４ｘを有し、本来ならその突出部４ｘの平坦な端部４ａが電極パッド７に当接する。
【００３８】
しかし、上記のようにパッケージ基板８に反りが生じたことでその端部４ａが第２の電極パッド７から離れてしまい、柱状端子４によって第１の電極パッド６と第２の電極パッド７とを電気的に接続することができなくなってしまう。
【００３９】
特に、パッケージ基板８は上側に凸状に反るため、パッケージ基板８の中央付近においてこのような接続不良が発生し易い。
【００４０】
以下、本実施形態について説明する。
【００４１】
（第１実施形態）
図４は、第１実施形態に係る電子部品の断面図である。なお、図４において、図１で説明したのと同じ要素には図１におけるのと同じ符号を付し、以下ではその説明を省略する。
【００４２】
この電子部品２０においては、つるまき型の複数の導電性のバネ２１を介してLGAコネクタ５とパッケージ基板８とが電気的に接続される。
【００４３】
図５は、LGAコネクタ５とその周囲の拡大断面図である。
【００４４】
LGAコネクタ５のフレーム３の材料は特に限定されない。本実施形態では、ポリイミドやガラスクロスを含有する樹脂等の絶縁性材料をフレーム３の材料として使用する。
【００４５】
また、フレーム３の大きさも特に限定されないが、フレーム３の厚みは約１．９５mm程度とし得る。また、貫通孔３ａは、ドリル加工やレーザ加工によって形成され、その直径は約０．７５mmである。なお、隣接する貫通孔３ａの中心間距離は、例えば１．２７mm程度である。
【００４６】
更に、その貫通孔３ａの内面と開口端縁とには導電膜３１として銅膜が形成され、開口端縁の導電膜３１上には貴金属膜３４として金膜が形成される。
【００４７】
そのような貫通孔３ａに柱状端子４が挿入される。柱状端子４の材料は、純金属と比較して導電性が劣る導電性ゴムや導電性エストラマであるが、貫通孔３ａ内の導電膜３１によってその柱状端子４の導電性を補うことができる。
【００４８】
更に、貫通孔３ａの内面と比較して大気に触れ易い貫通孔３ａの開口端縁に貴金属膜３４を形成したことで、当該開口端縁における導電膜３１が大気との接触で腐食するのを防止できる。
【００４９】
上記の柱状端子４は一方の端部４ａと他方の端部４ｂとを備えており、当該他方の端部４ｂが第１の電極パッド６に当接する。なお、一方の端部４ａから他方の端部４ｂまでの柱状端子４の長さは約２．４mm程度である。
【００５０】
そして、第２の電極パッド７の表面には第１の導電性接着剤２２が塗布されており、その第１の導電性接着剤２２によってバネ２１と第２の電極パッド７とが接続される。更に、柱状端子４の一方の端部４ａには、第２の導電性接着剤２３によってバネ２１が接続される。
【００５１】
これら第１の導電性接着剤２２と第２の導電性接着剤２３とは、導電性を有するため、バネ２１と第２の電極パッド７とを電気的に接続したり、バネ２１と柱状端子４とを電気的に接続するのに供される。
【００５２】
更に、第１の導電性接着剤２２と第２の導電性接着剤２３とは緩衝材としても供され、バネ２１との接触によって第２のパッド７や柱状端子４の端部４ａの表面に傷がつくのを防止できる。
【００５３】
特に、点線円内に示すように、銅膜をパターニングしてなる第２の電極パッド７の上に銅の腐食防止のために金めっき膜７ｘを形成する場合、その金めっき膜７ｘに傷がつくと第２の電極パッド７とバネ２１との接触抵抗が上昇してしまう。上記した第１の導電性接着剤２２は、その金めっき膜７ｘに傷が付くのを防止してこのような接触抵抗の上昇を防止するのにも資することになる。
【００５４】
また、バネ２１によって柱状電極４と第２の電極パッド７との接触圧力が緩和されるため、柱状電極４と第２の電極パッド７とが直接接触してこれらの表面が損傷するのも防止できる。
【００５５】
第１の導電性接着剤２２及び第２の導電性接着剤２３としては、例えば銀ペースト使用し得る。この場合、バネ２１と第２の電極パッド７との接続、及びバネ２１と柱状端子４の一方の端部４ａとの接続では、銀ペーストによる接続後に加熱等をして、銀ペーストを固化させたうえで、第１の導電性接着剤２２及び第２の導電性接着剤２３として機能させても良い。
【００５６】
また、第１の導電性接着剤２２及び第２の導電性接着剤２３は、導電フィラーを含む接着剤であっても良い。導電フィラーとしては、金粉、銀粉、銅粉、ニッケル粉、アルミ粉、メッキ粉、カーボン粉、及びグラファイト粉のいずれかを使用し得る。この場合においても、第１の導電性接着剤２２と第２の導電性接着剤２３で接着後に加熱等を行い、第１の導電性接着剤２２と第２の導電性接着剤２３を固化させても良い。
【００５７】
バネ２１のサイズは特に限定されないが、本実施形態ではバネ２１の直径を約３０μm〜７０μmとし、その長さを約３００μmとする。更に、バネ２１の螺旋のピッチを約５０μmとする。
【００５８】
バネ２１の材料も限定されない。本実施形態では、超弾性合金をバネ２１の材料として使用する。そのような超弾性合金としてはNiTi合金やCu-Zn合金がある。
【００５９】
なお、柱状端子４とバネ２１との接触抵抗は５０mΩ以下であって実用上は問題ない。更に、パッケージ基板８の反りが原因で各バネ２１に印加される荷重にはばらつきが生じるが、それが原因で発生する柱状端子４とバネ２１との接触抵抗のばらつきはパッケージ基板８の面内で数mΩ以下であり、これも実用上は問題ない値である。
【００６０】
以上説明した本実施形態によれば、バネ２１により柱状端子４とパッケージ基板８とを電気的に接続する。
【００６１】
既述のように、製造時の熱によってパッケージ基板８には反りが発生するが、その反りの量は実使用下におけるパッケージ基板８の温度によって変化する。このように反り量が変化しても、本実施形態ではバネ２１が伸縮することによって柱状端子４とパッケージ基板８との電気的な接続状態を維持することができ、LGAコネクタ５とパッケージ基板８とが接続不良を起こすのを防止できる。
【００６２】
更に、パッケージ基板８は半導体チップ９を上にして凸状に反るため、その反りが生じたときの柱状端子４と第２の電極パッド７との間隔D（図５参照）は、パッケージ基板８の周縁領域で小さく、パッケージ基板８の中心領域で大きくなる傾向がある。このように間隔Dがパッケージ基板８の面内で異なる場合でも、間隔Dの変化に各バネ２１が追従するため、パッケージ基板８の全面においてLGAコネクタ５とパッケージ基板８との電気的な接続を良好に維持することができる。
【００６３】
また、半導体チップ９で発生した熱をバネ２１を介してLGAコネクタ５に逃がすこともできるので、半導体チップ９の冷却不足もある程度解消することができる。
【００６４】
特に、バネ２１の材料である超弾性合金の変態温度を室温（２０℃〜３０℃）よりも低くすると、実使用下で半導体パッケージ１１の温度が室温以上となった場合でも、バネ２１を常に弾性領域で変形させることができる。
【００６５】
塑性領域中で伸縮を繰り返すとバネ２１は歪の蓄積によって切断してしまうが、このように弾性領域で変形させることでバネ２１が切断する危険性を低減でき、実使用下において常に安定してLGAコネクタ５とパッケージ基板８とを電気的に接続することができる。
【００６６】
なお、バネ２１の材料として形状記憶合金を使用することも考えられる。但し、この場合は、高温時に弾性領域で変形したときのバネ２１の歪が、バネ２１が冷えて塑性領域に入ったときにも残ってしまうので、歪が原因でバネ２１が切断してしまう危険性がある。
【００６７】
次に、本実施形態に係る電子部品の製造方法について説明する。
【００６８】
図６〜図１０は、本実施形態に係る電子部品の製造途中の拡大断面図である。
【００６９】
まず、図６（ａ）に示すように、厚さが約１．９５mmの樹脂製のフレーム３に対してドリル加工又はレーザ加工を行うことにより直径が約０．７５mmの貫通孔３ａを複数形成する。
【００７０】
続いて、図６（ｂ）に示すように、フレーム３の露出面の全面に導電膜３１として無電解銅めっき膜を１μm程度の厚さに形成する。
【００７１】
次に、図７（ａ）に示す断面構造を得るまでの工程について説明する。
【００７２】
まず、フレーム３の両主面側にフォトレジストを塗布し、それを露光、現像して、貫通孔３ａに重なる窓３２ａを備えた第１のレジストパターン３２を形成する。
【００７３】
そして、導電膜３１を給電層にしながら貫通孔３ａ内に露出する導電膜３１の上に電解銅めっき膜を形成することにより、貫通孔３ａ内の導電膜３１を２０μm程度の厚さにまで厚膜化する。
【００７４】
その後に、第１のレジストパターン３２は除去される。
【００７５】
次いで、図７（ｂ）に示すように、フレーム３の両主面側において、貫通孔３ａの周囲を除く領域に第２のレジストパターン３３を形成する。なお、第２のレジストパターン３３は、貫通孔３ａ内にも充填される。
【００７６】
そして、導電膜３１を給電層にしながら、第２のレジストパターン３３で覆われていない部分の導電膜３１上に、貴金属膜３４として電解金めっき膜を２μm程度の厚さに形成する。
【００７７】
その後に、第２のレジストパターン３３は除去される。
【００７８】
次に、図８（ａ）に示すように、貴金属膜３４をマスクにして導電膜３１をウエットエッチングすることにより、貴金属膜３４で覆われていない部分のフレーム３の両主面を露出させる。
【００７９】
なお、貫通孔３ａ内においては、図７（ａ）の工程において導電膜３１を予め厚膜化してあるので、本工程のウエットエッチングで貫通孔３ａ内の導電膜３１が除去されることはない。
【００８０】
続いて、図８（ｂ）に示すように、複数の貫通孔３ａの各々に柱状端子４を挿入する。柱状端子４は、直径が貫通孔３ａのそれよりも大きい突出部４ｘを有するが、柱状端子４の材料である導電性ゴムが弾力性を有するので、その突出部４ｘを潰すことにより貫通孔３ａに簡単に柱状端子４を挿入することができる。
【００８１】
ここまでの工程により、フレーム３と柱状端子４とを備えたLGAコネクタ５の基本構造が完成したことになる。
【００８２】
この後は、そのLGAコネクタ５を半導体パッケージ１１に接続する工程に移る。
【００８３】
まず、図９（ａ）に示すように、半導体パッケージ１１が備えるパッケージ基板８を用意し、そのパッケージ基板８の各々の第２の電極パッド７の上に第１の導電性接着剤２２を塗布する。
【００８４】
第１の導電性接着剤２２の種類は特に限定されない。但し、熱硬化工程を省くという観点からすると、熱硬化が不要な室温で接着性を有する樹脂に銀フィラーを分散させてなるペーストを第１の導電性接着剤２２として使用するのが好ましい。
【００８５】
次に、図９（ｂ）に示すように、柱状端子４の一方の端部４ａに、第１の導電性接着剤２２と同一種類の第２の導電性接着剤２３とを塗布する。
【００８６】
続いて、図１０に示すように、パッケージ基板８の第２の電極パッド７を柱状端子４に対向させる。そして、第１の導電性接着剤２２により第２の電極パッド７とバネ２１とを接続すると共に、第２の導電性接着剤２３により柱状端子４とバネ２１とを接続する。
【００８７】
この状態を所定時間維持することにより第１の導電性接着剤２２と第２の導電性接着剤２３とが固化し、柱状端子４とパッケージ基板８とが電気的かつ機械的に接続されることになる。
【００８８】
なお、第１の導電性接着剤２２及び第２の導電性接着剤２３としては銀ペーストを使用し得る。この場合、バネ２１と第２の電極パッド７との接続、及びバネ２１と端部４ａとの接続では、銀ペーストによる接続後に加熱等をして、銀ペーストを固化させたうえで、その銀ペーストを第１の導電性接着剤２２及び第２の導電性接着剤２３として機能させても良い。
【００８９】
また、第１の導電性接着剤２２及び第２の導電性接着剤２３は、導電フィラーを含む接着剤であっても良い。導電フィラーとしては、金粉、銀粉、銅粉、ニッケル粉、アルミ粉、メッキ粉、カーボン粉、グラファイト粉のいずれかを使用し得る。この場合においても、第１の導電性接着剤２２と第２の導電性接着剤２３による接着後に加熱等を行い、第１の導電性接着剤２２及び第２の導電性接着剤２３を固化させても良い。
【００９０】
この後は、図４に示したように、バネ１８の付勢力によってLGAコネクタ５を配線基板１に押し当て、本実施形態に係る電子部品２０の基本構造を完成させる。
【００９１】
（第２実施形態）
図１１は、本実施形態に係る電子部品２０の拡大断面図である。なお、図１１において、第１実施形態で説明したのと同じ要素には第１実施形態におけるのと同じ符号を付し、以下ではその説明を省略する。
【００９２】
図１１では、フレーム３の外周縁部３ｘ寄りの周縁領域Iと、フレーム３の中心付近の中心領域IIとを併記してある。
【００９３】
既述のように、実使用下ではパッケージ基板８は上向きに凸に反るため、周縁領域Iでは中心領域IIと比較してパッケージ基板８が柱状端子４に近接する。更に、周縁領域Iの第２の電極パッド７は、ネジ１７とバネ１８（図４参照）とに近いため当該バネ１８の付勢力を強く受け、それにより柱状端子４と十分な押圧力で接触する。
【００９４】
これらにより、周縁領域Iにおいては、バネ２１を介して柱状端子４とパッケージ基板８とを接続する実益に乏しい場合がある。
【００９５】
そこで、本実施形態では、複数の柱状端子４のうち、フレーム３の外周縁部３ｘ寄りの一部の柱状端子４にバネ２１を接続せず、バネ１８（図４参照）の弾性力でその柱状端子４をパッケージ基板８の第２の電極パッド７に直接接続する。このように第２の電極パッド７と直接接続する柱状端子４の数は、例えば、外周縁部３ｘから数えて内側に４個程度とする。
【００９６】
これにより、第１実施形態と比較してバネ２１の個数を低減でき、部品点数の削減による電子部品２０のコストダウンを実現できる。
【００９７】
なお、本実施形態はこれに限定されない。図１２は、本実施形態の他の例に係る電子部品２０の拡大断面図である。
【００９８】
なお、図１２において、図１１と同じ要素には図１１におけるのと同じ符号を付し、以下ではその説明を省略する。
【００９９】
本例では、複数の柱状端子４のうち、フレーム３の外周縁部３ｘ寄りの一部の柱状端子４に接続するバネ２１の巻き数を、中心領域IIにおける他のバネ２１の巻き数よりも少なくする。バネ２１の巻き数は特に限定されないが、中心領域IIにおける巻き数を６とする場合、外周縁部３ｘ寄りのバネ２１の巻き数を３程度とする。
【０１００】
また、巻き数を少なくしたバネ２１と接続される柱状端子４の数は、例えば、外周縁部３ｘから数えて内側に４個程度とする。
【０１０１】
このように巻き数を少なくすることで、周辺領域Iにおいてパッケージ基板８と近接している柱状端子４にバネ２１から強い弾性力が印加されるのを防止することができる。
【０１０２】
バネ２１の巻き数の調節方法は特に限定されない。図１３は、バネ２１の巻き数の調節方法の一例を示す模式図である。
【０１０３】
この方法では、バネ２１を引き伸ばした状態で切断する。切断後は、バネ２１は自身の弾性力によって縮む。これにより、バネ２１は切断前と比較してΔLだけ短くなるが、その長さΔLがパッケージ基板８の反り量ΔD（図２（ｂ）参照）である１００μm〜２００μm程度の値に等しくなるようにバネ２１の切断長Xを設定する。
【０１０４】
このように切断する際にバネ２１を引き伸ばすと、バネ２１の螺旋ピッチが広くなるため、バネ２１の隣接する螺旋間に切断用の工具を挿入し易くなり、バネ２１の巻き数の調節が容易になる。
【０１０５】
更に、バネ２１の材料として超弾性合金を利用するため、切断時にバネ２１を延ばしてもバネ２１が塑性変形することがなく、切断後のバネ２１の螺旋ピッチを切断前と同一にすることができる。
【０１０６】
なお、このように周縁領域Iのバネ２１の巻き数を調節するのに代えて、図１４に示されるような柱状電極４を採用してもよい。
【０１０７】
図１４は、本実施形態の別の例に係る電子部品２０の拡大断面図である。
【０１０８】
なお、図１４において、図１１と同じ要素には図１１におけるのと同じ符号を付し、以下ではその説明を省略する。
【０１０９】
図１４の例では、周辺領域Iにおける柱状電極４の突起部４ｘの長さL1を、中心領域IIにおける他の柱状電極４の突起部４ｘの長さL2よりも短くする。このように長さを短くする柱状端子４の数は、例えば、外周縁部３ｘから数えて内側に４個程度とする。
【０１１０】
長さL1、L2の差（L2−L1）は特に限定されないが、当該差がパッケージ基板８の反り量ΔD（図２（ｂ）参照）に等しくなるようにするのが好ましい。
【０１１１】
また、周縁領域Iのバネ２１の長さと巻き数とは、中心領域IIのバネ２１におけるのと同じである。
【０１１２】
このように長さL1を長さL2よりも短くすることにより、パッケージ基板８が反った場合であっても、周辺領域Iと中心領域IIとの各々のバネ２１の長さを略同一にすることができる。そのため、バネ２１から柱状電極４に印加される押圧力をパッケージ基板８の面内において略一定にすることができると共に、周辺領域Iの柱状電極４にバネ２１から不必要に強い弾性力が印加されるのを防止できる。
【０１１３】
以上説明した各実施形態に関し、更に以下の付記を開示する。
【０１１４】
（付記１）  パッケージ基板と、
バネを介して前記パッケージ基板と電気的に接続されているコネクタと、
を有することを特徴とする電子部品。
【０１１５】
（付記２）  前記バネと前記パッケージ基板とを接続する第１の導電性接着剤と、
前記バネと前記コネクタとを接続する第２の導電性接着剤とを更に有することを特徴とする付記１に記載の電子部品。
【０１１６】
（付記３）  前記コネクタは、
複数の貫通孔が形成されたフレームと、
複数の前記貫通孔の各々に挿入された複数の柱状端子とを有し、
前記柱状端子の一方の端部が前記バネに接続されたことを特徴とする付記１又は付記２に記載の電子部品。
【０１１７】
（付記４）  複数の前記柱状端子のうち、前記フレームの外周縁部寄りの一部の柱状端子に前記バネを接続せず、前記一部の柱状端子を前記パッケージ基板に直接接続したことを特徴とする付記３に記載の電子部品。
【０１１８】
（付記５）  複数の前記柱状端子のうち、前記フレームの外周縁部寄りの一部の柱状端子に接続する前記バネの巻き数を、他の前記柱状端子に接続する前記バネの巻き数よりも少なくすることを特徴とする付記３に記載の電子部品。
【０１１９】
（付記６）  前記貫通孔の内面に導電膜が形成されたことを特徴とする付記３乃至付記５のいずれかに記載の電子部品。
【０１２０】
（付記７）  接続対象に電気的に接続される端子と、
前記接続対象と前記端子との間に配置されたバネと、
を有することを特徴とするコネクタ。
【０１２１】
（付記８）  前記端子は柱状端子であり、前記柱状端子の一方の端部に導電性接着剤を介して前記バネが接続されたことを特徴とする付記７に記載のコネクタ。
【０１２２】
（付記９）  貫通孔が形成されたフレームを更に有し、
前記貫通孔に前記柱状端子が挿入されたことを特徴とする付記８に記載のコネクタ。
【０１２３】
（付記１０）  パッケージ基板とコネクタの柱状電極とを、バネを介して電気的に接続する工程を有することを特徴とする電子部品の製造方法。
【符号の説明】
【０１２４】
１…配線基板、２…ボルスタープレート、２ａ…ネジ孔、３…フレーム、３ａ、１５ａ、１６ａ…貫通孔、３ｘ…外周縁部、４…柱状端子、４ａ、４ｂ…端部、４ｘ…突出部、５…LGAコネクタ、６…第１の電極パッド、７…第２の電極パッド、７ｘ…金めっき膜、８…パッケージ基板、９…半導体チップ、１０、２０…電子部品、１１…半導体パッケージ、１２…はんだバンプ、１３…アンダーフィル樹脂、１５…ヒートスプレッダ、１６…ヒートシンクベース、１７…ネジ、１８、２１…バネ、２２…第１の導電性接着剤、２３…第２の導電性接着剤、３１…導電膜、３２…第１のレジストパターン、３２ａ…窓、３３…第２のレジストパターン、３４…貴金属膜。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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