(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子またはコンピューティング・システム内に組み込まれるマイクロ電子組立品であって、
基板と、
前記基板上に形成され、第１の巻線と第２の巻線とを含むバラン変換器であって、各巻線は別個の第１および第２の端部を有する、前記バラン変換器と、
前記基板上に形成され、前記第２の巻線の第１の端部と第２の端部との間において、前記第２の巻線に電気的に結合される反応回路部品と
を備え、
前記バラン変換器および前記反応回路部品は共同して、高調波の抑制されたバラン変換器を構成し、該高調波の抑制されたバラン変換器は、基本周波数を有し、
前記反応回路部品は、前記高調波の抑制されたバラン変換器が前記基本周波数の選択された高調波において共鳴し、前記選択された高調波の周波数において出力信号にノッチを発生させるように調整されており、
前記選択された高調波の周波数は前記基本周波数の第２高調波であり、
前記反応回路部品はキャパシタを含み、
前記反応回路部品は前記第２の巻線の中間点に電気的に結合され、
前記バラン変換器の第２の巻線は中央タップを含み、前記反応回路部品は、前記中央タップを通して前記第２の巻線に電気的に結合され、かつ前記第２の巻線の前記第１の端部と前記第２の端部の近傍に配置されている、マイクロ電子組立品。
【請求項２】
前記バラン変換器の第１の巻線の第１の端部に電気的に結合されるアンテナをさらに備える、請求項１に記載のマイクロ電子組立品。
【請求項３】
前記バラン変換器の第１の巻線の第２の端部に電気的に結合される接地端子をさらに備える、請求項２に記載のマイクロ電子組立品。
【請求項４】
電子またはコンピューティング・システム内に組み込まれるマイクロ電子組立品であって、
基板と、
前記基板上に形成され、第１の巻線と第２の巻線とを含むバラン変換器であって、前記第１および第２の巻線はそれぞれ別個の第１および第２の端部を有する、前記バラン変換器と、
前記バラン変換器の第１の巻線の第１の端部に電気的に結合される増幅器と、
前記基板上に形成され、前記バラン変換器の第１の巻線の第１の端部に、前記増幅器を介して電気的に結合されるアンテナと、
前記基板上の接地端子であって、前記バラン変換器の第１の巻線の第２の端部に電気的に結合される前記接地端子と、
前記基板上に形成され、前記第２の巻線の第１の端部と第２の端部との間において、前記第２の巻線に電気的に結合される反応回路部品と
を備え、
前記バラン変換器および前記反応回路部品は共同して、高調波の抑制されたバラン変換器を構成し、該高調波の抑制されたバラン変換器は、基本周波数を有し、前記反応回路部品は、前記高調波の抑制されたバラン変換器が前記基本周波数の選択された高調波において共鳴し、前記選択された高調波の周波数において出力信号にノッチを発生させるように調整されており、前記バラン変換器の第２の巻線は中央タップを含み、前記反応回路部品は、前記中央タップを通して前記第２の巻線に電気的に結合され、かつ前記第２の巻線の前記第１の端部と前記第２の端部の近傍に配置されている、マイクロ電子組立品。
【請求項５】
電子またはコンピューティング・システム内に組み込まれるマイクロ電子組立品を形成するための方法であって、
基板上に第１の巻線を形成することであって、前記第１の巻線は第１および第２の端部を有する、前記第１の巻線を形成すること、
前記基板上に第２の巻線を形成することであって、前記第２の巻線は第１および第２の端部を有し、前記第１および第２の巻線は共同してバラン変換器を構成し、前記第２の巻線は中央タップを含む、前記第２の巻線を形成すること、
前記第２の巻線の第１の端部と第２の端部との間において、前記中央タップを通して前記第２の巻線に電気的に結合される反応回路部品を前記基板上に形成すること、
前記バラン変換器および前記反応回路部品が共同して、高調波の抑制されたバラン変換器を構成し、該高調波の抑制されたバラン変換器は、基本周波数を有し、該高調波の抑制されたバラン変換器が、前記基本周波数の選択された高調波において共鳴し、前記選択された高調波の周波数において出力信号にノッチを発生させるように、前記反応回路部品を調整すること、
前記基板上にアンテナを形成することであって、前記アンテナは前記第１の巻線の第１の端部に電気的に結合されている、前記アンテナを形成すること
を含み、前記反応回路部品はキャパシタを含み、前記選択された高調波の周波数は前記基本周波数の第２高調波であり、前記反応回路部品は前記第２の巻線の前記第１の端部と前記第２の端部の近傍に配置されている、方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は一般的に、電子組立品と電子組立品を形成するための方法とに関し、より詳細には、改善された高調波抑制性能を有するバラン変換器に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、無線通信装置、たとえばセルラー電話では、ユーザに提供する機能の量が絶えず増加し続けているとともに、性能およびコンピューティング能力が向上し、その一方で装置の外径寸法は小さくなっている。このような装置において見られる重要な部品の１つは、「バラン（ｂａｌｕｎ）」と言われるタイプの変換器である。一般的に、バランは、アンテナによって通常は送受信されるシングル・エンドまたは「不平衡」信号を、通常は無線通信装置の処理電子装置において見られる差動または「平衡」信号に変換するものである。
【０００３】
バランのデザインにおいて重要な２つのパラメータは、挿入損失および同相信号除去（ｃｏｍｍｏｎ  ｍｏｄｅ  ｒｅｊｅｃｔｉｏｎ）である。なぜならば、それらによって変換器およびキャパシタの値選択およびレイアウトが決まるからである。その結果、バランは、他の性能因子（たとえば高調波除去）をほとんど無視してデザインされることが多い。それでもやはり、良好な高調波除去は、非常に有用であり、全体的な回路性能にとって重要である場合が多い。
【０００４】
高調波除去性能を向上させるために、特定の高調波フィルタをバラン回路に加えることが多い。しかし、このような高調波フィルタを用いると通常、システムの挿入損失とともに製造コストが増加し、バランに必要な外径寸法が大きくなる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
したがって、高調波性能が向上したバランを備える一方で、従来の高調波フィルタを用いることが回避された電子組立品を提供することが望ましい。さらに、本発明の他の望ましい特徴および特性が、以下の詳細な説明および添付の請求項を、添付図面ならびに前述の技術分野および背景とともに考慮することによって明らかになる。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】本発明の一実施形態による送信機システムの概略的なブロック図である。
【図２】図１の送信機システム内の変換器回路の概略図である。
【図３】図２の変換器回路が形成された基板の平面図である。
【図４】集積受動デバイス（ＩＰＤ）の断面側面図である。
【図５】図４のＩＰＤを用いても良い電力増幅器（ＰＡ）モジュールの概略図である。
【図６】図２の場合と同様の本発明の実施形態の動作周波数と挿入損失とを比較するグラフである。
【図７】本発明の別の実施形態による変換器回路の概略図である。
【図８】図７の場合と同様の本発明の実施形態の動作周波数と挿入損失とを比較するグラフである。
【図９】図７の場合と同様の本発明の実施形態の動作周波数と同相信号除去比とを比較するグラフである。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下、本発明を以下の図面とともに説明する。図面では、同様の数字は同様の要素を示している。
以下の詳細な説明は、事実上典型にすぎず、本発明または本発明の用途および使用方法を限定することは意図されていない。
【０００８】
さらに、前述した技術分野、背景、概要、または以下の詳細な説明に示すいかなる明示的または黙示的な理論にも拘束されることは意図されていない。また、図１〜９は単に例示的なものであり、一定の比率で描かれてはいない場合があることにも注意されたい。
【０００９】
図１〜図９に電子組立品を例示する。電子組立品は、基板と、基板上に形成されたバラン変換器（ｂａｌｕｎ  ｔｒａｎｓｆｏｒｍｅｒ）であって、第１の巻線（ｗｉｎｄｉｎｇ）と第２の巻線とを備え、第１および第２の巻線はそれぞれ別個の第１および第２の端部を有するバラン変換器と、基板上に形成された反応回路部品（ｒｅａｃｔｉｏｎ  ｃｉｒｃｕｉｔ  ｃｏｍｐｏｎｅｎｔ）であって、第２の巻線の第１および第２の端部間に電気的に結合される反応回路部品と、を備える。
【００１０】
一実施形態においては、バラン変換器の第２巻線の中間点は、前記回路をバランの基本周波数の第２高調波において共鳴させる反応部品（たとえば、インダクタ、キャパシタ、またはそれらの組み合わせ）を通して、グランドに接続（接地）されている。付加する反応部品の値は、既存のバランと組み合わせたときに、第２高調波周波数において出力信号中に共鳴（したがってノッチ）を発生させるようなものである。こうして第２高調波の抑制は著しく向上する。
【００１１】
図１に、本発明の一実施形態による送信機システム２０を例示する。システム２０は、送信機電子装置（または送信機）２２、変換器回路２４、電力増幅器２６、およびアンテナ２８を備える。一実施形態においては、送信機２２は、一般的に理解されているように半導体基板上に形成された集積回路の形態であり、第１および第２のポート（すなわち、入力および／または出力）３０および３２を備えている。これについては、より詳しく述べる。図１に示すように、変換器回路２４は、第１および第２の「不平衡」（またはシングル・エンド）ポート３４および３６と、第１および第２の「平衡」（または差動）ポート３８および４０とを備える。アンテナ２８は、変換器回路の第１の不平衡ポート３４に電力増幅器２６を通して接続され、変換器回路２４の第２の不平衡ポート３６は、接地（または基準電圧）に接続されている。変換器回路２４の第１および第２の平衡ポート３８および４０は、送信機２２の第１および第２のポート３０および３２に、それぞれ接続されている。
【００１２】
図２および３に、変換器回路２４をより詳しく例示する。図２を参照して、変換器回路はさらに、バラン４２と、第１および第２の同調キャパシタ４４および４６と、反応（または共鳴）回路４８とを備える。バラン４２は、第１および第２の巻線（またはコイル）５０および５２を、変換器回路２４の対応する第１および第２のサイド５４および５６上に備える。当業者であれば分かるように、変換器回路２４（またはバラン４２）の第１のサイド５４は「不平衡」であり、一方で第２のサイド５６は「平衡」である。第１の同調キャパシタ４４は、第１の巻線５０の対向する端部（具体的には示さず）に渡って、また第１および第２の不平衡ポート３４および３６の間に接続され、第２の同調キャパシタ４６は、第２の巻線５２の対向する端部に渡って、また第１および第２の平衡ポート３８および４０の間に接続されている。
【００１３】
反応回路４８は、共鳴キャパシタ５８および共鳴インダクタ６０（すなわち、２つの反応回路部品）を備え、これらはバラン４２の第２の巻線５２と基準端子（または基準電圧）６２との間に直列に接続されている。反応回路４８は、第２の巻線５２の端部間に接続され、より詳細には、第２の巻線５２の中間点（たとえば、中央タップ）６４に接続されている。共鳴キャパシタ５８および共鳴インダクタ６０の電気的値（すなわち、容量およびインダクタンス）は、バラン４２と、同調キャパシタ４４および４６と、反応回路４８とが共同して、高調波の抑制されたバラン変換器を構成するように選択的に選ばれる。これについては、後により詳しく説明する。高調波の抑制されたバラン変換器は、基本周波数がたとえば２．４５０ギガヘルツ（ＧＨｚ）である。
【００１４】
図３に示すように、変換器回路２４は基板６６上に形成されている。基板６６は、たとえばシリコン（Ｓｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）、またはそれらの組み合わせから主に作られる半導体基板である。基板６６は、直径がたとえば約１５０、２００、または３００ミリメートル（ｍｍ）の半導体ウェハを、複数のダイ、または「ダイス」に分割したものであっても良い。基板６６を、相補形金属酸化物半導体（ＣＭＯＳ）、集積受動デバイス・プロセス、または他の半導体プロセスとともに用いて、チップ上に回路２４を形成することを図っても良い。基板６６によって、エッチング、成膜、または他の技術を用いて変換器回路２４を１つまたは複数の層内に形成する回路平面が定められる。
【００１５】
第１および第２の巻線５０および５２は、たとえばアルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、またはそれらの任意の実用的な組み合わせ（たとえば、ＡｌＣｕ）から作られる導電性配線であり、その形成は、たとえば、熱もしくは電子ビーム蒸着、物理気相成長法（ＰＶＤ）、ＣＶＤ、原子層堆積（ＡＬＤ）、または電気メッキを用いて行なわれる。同調キャパシタ４４および４６とともに共鳴キャパシタ５８（図２）は、一般的に理解されるように金属−絶縁体−金属（ＭＩＭ）キャパシタであっても良く、絶縁体（たとえば、窒化ケイ素から作られる）の対向する側面上に２つの導電板を備える。
【００１６】
図４は基板６６の拡大図である。図示するように、種々の電子部品を基板６６上に形成しても良く、たとえば薄膜（ＴＦ）抵抗器６８、インダクタ７０、およびＭＩＭキャパシタ７２である。当業者であれば分かるように、ＴＦ抵抗器６８およびインダクタ７０は少なくとも部分的に、図１〜３に示す変換器回路２４を形成するために用いる処理工程と同じ工程の間に形成しても良い。具体的には示さないが、基板６６上に形成した複数の部品を結合して、高調波フィルタ、カプラ、スイッチ、および付加的な変換器が形成されるようにしても良い。図３に示す電子部品を図２の変換器回路２４と組み合わせることで、マイクロ電子（もしくは電子）組立品、または集積受動デバイス（ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  ｐａｓｓｉｖｅ  ｄｅｖｉｃｅ：ＩＰＤ）７４を形成しても良い。ＩＰＤ７４は、他の電子装置が基板６６上に形成されていない個別部品であっても良い。あるいは、送信機２２を基板６６上に、ＩＰＤ７４とともに形成しても良い。
【００１７】
最終的な処理工程（コンタクト形成（たとえば、ハンダ・ボール）と電子部品およびコンタクト形成を相互接続する導体（たとえば、ワイヤ・ボンド）との形成を含んでいても良い）の後に、基板６６を切断して、別個のマイクロ電子ダイス（またはＩＰＤもしくは半導体チップ）にしても良い。これらは、パッケージされて、種々の電子またはコンピューティング・システム内に組み込まれる。図５に、ＩＰＤ７４を用い得る典型的な電力増幅器（ＰＡ）モジュール７６を概略的に例示する。図示した実施形態においては、ＰＡモジュール７６は、電力増幅器（または電力集積回路）７８、デカップリング回路８０、マッチング／同調回路８２、高調波フィルタ８４、ダイプレクサ８６、および制御回路８８を備える。
【００１８】
詳細には例示していないが、電力増幅器は、一般的に理解されるように「スマート」電力集積回路であっても良く、電力を管理するように構成された電力回路部品と、電力回路の動作を制御するか、調整するか、モニタするか、動作に影響を及ぼすか、または反応するように構成された少なくとも１つの追加部品とを備えていても良い。実際には、電力回路部品はパワー・トランジスタを含んでいても良く、少なくとも１つの追加部品は、限定することなく以下のものを含んでいても良い。センサ（たとえば、環境状態センサ、電磁気センサ、電気機械センサ、電気特性センサ、トランスデューサなど）、電力制御部品、アナログ部品、デジタル・ロジック部品、またはそれらの任意の組み合わせである。
【００１９】
図１および２を参照して、動作中に、差動または「平衡」信号が、送信機電子装置２２によって生成され、回路２４に第１および第２の平衡ポート３８および４０を通して送られる。差動信号が回路２４の平衡サイド５６（特にバラン４２の第２の巻線５２）を通過すると、バラン４２の第１および第２の巻線５０および５２間で誘導結合が生じて、信号が回路２４の不平衡サイド５４上でシングル・エンドまたは「不平衡」信号に変換される。これは、一般的に理解されている通りである。シングル・エンド信号は、変換器回路２４の第１の不平衡ポート３４を通して送られ、アンテナ２８に送られる前に、増幅器２６によって増幅される。
【００２０】
図６に、１つのキャパシタと１つのインダクタとを反応回路内に有する１つの実験的な実施形態の挿入損失（ｉｎｓｅｒｔｉｏｎ  ｌｏｓｓ：ＩＬ）を図式的に例示する。図示したように、変換器回路（または高調波の抑制されたバラン変換器）は、基本周波数２．４５０ＧＨｚ（ピーク９０に示す）において動作し、基本周波数の第２高調波４．９００ＧＨｚにおいて挿入損失におけるノッチ９２が生じた。
【００２１】
挿入損失は、基本周波数において−０．５３７デシベル（ｄＢ）であり、第２高調波において−１９．４４１ｄＢであった。
図７に、本発明の別の実施形態による変換器回路９４を例示する。変換器回路９４は、図２に示す変換器回路２４の部品と同様の多くの部品を備えていても良い。しかし図７に示す変換器回路９４内の反応回路９６は、共鳴キャパシタ９８と２つの共鳴インダクタ１００とを備えている。
【００２２】
図８に、図７に示す場合と同様の実験的な実施形態の挿入損失を図式的に例示する。図６の実施形態と同様に、図７の変換器回路は、基本周波数２．４５０ＧＨｚ（ピーク１０２に示す）において動作し、基本周波数の第２高調波４．９００ＧＨｚにおいてノッチ１０４が生じた。挿入損失は、基本周波数において−０．５８５デシベル（ｄＢ）であり、第２高調波において−１８．４４７ｄＢであった。また、第２のノッチ１０６（すなわち、第２のインダクタによって生じる）が約３．１００ＧＨｚにおいて生じたが、基本周波数での回路の動作には影響しなかったことに注意されたい。図９に、図７および８の変換器回路に対する同相信号除去比（ｃｏｍｍｏｎ  ｍｏｄｅ  ｒｅｊｅｃｔｉｏｎ  ｒａｔｉｏ：ＣＭＲＲ）を例示する。ピーク１０８に示すように、変換器回路に対するＣＭＲＲは２７．７５４ｄＢであり、したがって反応回路による悪影響はなかった。
【００２３】
前述した電子組立品の優位性の１つは、反応回路内の反応部品によって、バラン変換器が、その基本周波数の第２高調波（または他の選択された高調波）において共鳴することである。その結果、第２高調波除去性能とともにデバイスの全体性能が、著しく向上する。別の優位性は、反応回路の反応部品を、従来の半導体処理工程を用いて形成しても良く、したがってデバイスの残りの部品と一体化しても良いことである。その結果、デバイスの外径寸法および製造コストに対する影響が最小限になる。
【００２４】
また反応回路は、受信機システム（だけでなく送受信機システム）とともに用いても良いことを理解されたい。このようなシステムは、図１に示す送信機システムと、送信機の代わりに受信機または送受信機を用いることを除いて、同様であっても良い。受信機を用いる実施形態においては、シングル・エンドまたは「不平衡」信号がアンテナによって受信され、変換器回路の不平衡ポートを通過する前に、増幅器によって増幅される。シングル・エンド信号が回路の不平衡サイドを通過すると、バランの第１および第２の巻線間で誘導結合が生じて、信号が回路の平衡サイド上で差動または「平衡」信号に変換される。これは、当該技術分野において一般的に理解されている通りである。差動信号は、変換器回路の平衡ポートを通って送信機に送られる。
【００２５】
他の実施形態では、反応回路内に反応部品を、高調波抑制が第２高調波以外の高調波（たとえば第３または第４高調波）において行なわれるように電気的値が選択された状態で備えていても良い。反応回路は、単一のキャパシタまたはインダクタのみを用いて形成しても良い。たとえば、単一のインダクタは、所望の電気的効果に対する好適なインダクタンスとなるように長さが十分なワイヤ・ボンドという形を取っても良い。理解されるように、他の製造プロセスを用いて、前述した種々の部品を形成しても良い。前述したように、能動的な電気部品（たとえばトランジスタおよび他の集積回路部品）をシリコン基板上に、受動的な電子部品とともに形成しても良い。
【００２６】
電子組立品が提供される。電子組立品は、基板と、基板上に形成され、第１の巻線と第２の巻線とを含むバラン変換器であって、各巻線は別個の第１および第２の端部を有するバラン変換器と、基板上に形成された反応回路部品であって、第２の巻線の第１および第２の端部間に電気的に結合される反応回路部品とを備える。バラン変換器および反応回路部品は共同して、基本周波数を有する高調波の抑制されたバラン変換器を構成しても良い。反応回路部品を、高調波の抑制されたバラン変換器が基本周波数の選択された高調波において共鳴するように調整しても良い。
【００２７】
選択された高調波周波数は、基本周波数の第２高調波であっても良い。反応回路部品はキャパシタを含んでいても良い。反応回路部品は第２の巻線の中間点に電気的に結合されていても良い。
【００２８】
電子組立品はまた、バラン変換器の第１の巻線の第１の端部に電気的に結合されるアンテナを備えていても良い。電子組立品はまた、バラン変換器の第１の巻線の第２の端部に電気的に結合される接地端子を備えていても良い。
【００２９】
バラン変換器の第２の巻線は中央タップを備えていても良く、反応回路部品は中央タップを通して第２の巻線に電気的に結合される。電子組立品はまた、バラン変換器の第１の巻線に電気的に結合される増幅器を備えていても良い。共鳴回路部品はまた、インダクタを含んでいても良い。基板は、シリコン、ゲルマニウム、ガリウムヒ素、またはそれらの組み合わせを含んでいても良い。
【００３０】
電子組立品が提供される。電子組立品は、基板と、基板上に形成され、第１の巻線と第２の巻線とを含むバラン変換器であって、第１および第２の巻線はそれぞれ別個の第１および第２の端部を有するバラン変換器と、基板上に形成されたアンテナであって、バラン変換器の第１の巻線の第１の端部に電気的に結合されるアンテナと、基板上の接地端子であって、バラン変換器の第１の巻線の第２の端部に電気的に結合される接地端子と、バラン変換器の第１の巻線の第１の端部に電気的に結合される増幅器と、基板上に形成された反応回路部品であって、第２の巻線の第１および第２の端部間に電気的に結合される反応回路部品とを備える。バラン変換器および反応回路部品は共同して、基本周波数を有する高調波の抑制されたバラン変換器を構成する。反応回路部品は、高調波の抑制されたバラン変換器が基本周波数の選択された高調波において共鳴するように調整される。
【００３１】
反応回路部品はキャパシタを含んでいても良い。選択された高調波は基本周波数の第２高調波であっても良い。
電子組立品はまた、基板上の送信機であって、バラン変換器の第２の巻線の第１および第２の端部に電気的に結合される送信機を備えていても良い。バラン変換器の第２の巻線は、中央タップを備えていても良く、反応回路部品は中央タップを通して第２の巻線に電気的に結合される。電子組立品はまた、反応回路部品に電気的に結合される第２の接地端子を備えていても良い。
【００３２】
電子組立品を形成するための方法が提供される。第１の巻線を基板上に形成する。第１の巻線は第１および第２の端部を有している。第２の巻線を基板上に形成する。第２の巻線は第１および第２の端部を有している。第１および第２の巻線は共同して、バラン変換器を構成する。反応回路部品を基板上に形成する。反応回路部品を、第２の巻線の第１および第２の端部間に電気的に結合する。反応回路部品を、バラン変換器および反応回路部品が共同して、基本周波数を有する高調波の抑制されたバラン変換器であって基本周波数の選択された高調波において共鳴するバラン変換器を構成するように、調整する。
【００３３】
反応回路部品はキャパシタを含んでいても良い。選択された高調波周波数は基本周波数の第２高調波であっても良い。本方法はまた、基板上にアンテナを形成することを含んでいても良い。アンテナを第１の巻線の第１の端部に電気的に結合しても良い。第２の巻線は中央タップを備えていても良く、反応回路部品を、中央タップを通して第２の巻線に電気的に結合しても良い。
【００３４】
前述した本発明の詳細な説明において少なくとも１つの典型的な実施形態を示してきたが、膨大な数の変形が存在することを理解されたい。また、典型的な実施形態は単に例にすぎず、本発明の範囲、適用性、または構成を限定することは決して意図されていないことを理解されたい。むしろ、前述の詳細な説明によって、当業者には、本発明の典型的な実施形態を実現するための便利なロード・マップが与えられ、添付の請求項およびそれらの合法的な均等物において述べられるような本発明の範囲から逸脱することなく、種々の変形を、典型的な実施形態において説明した要素の機能および配置において行なっても良いことが理解される。
【図１】
0005656289.tif 000002
【図２】
0005656289.tif 000003
【図３】
0005656289.tif 000004
【図４】
0005656289.tif 000005
【図５】
0005656289.tif 000006
【図６】
0005656289.tif 000007
【図７】
0005656289.tif 000008
【図８】
0005656289.tif 000009
【図９】
0005656289.tif 000010