(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
主電源およびこの主電源の装着時に当該主電源により充電される副電源と、
前記主電源からの電力供給または前記主電源の未装着時における前記副電源からの電力供給により記憶情報が保持される揮発性メモリと、
を備える携帯端末であって、
前記主電源からの電力供給または前記主電源の未装着時における前記副電源からの電力供給により、前記主電源の装着継続時間および未装着継続時間と前記主電源が取り外された取外時刻とを計時可能であって、前記揮発性メモリの記憶情報が保持可能となる保持可能電圧よりも低い電圧でも動作可能な計時手段と、
前記計時手段により計時される前記装着継続時間および前記未装着継続時間に基づいて前記副電源の電圧を推定する電圧推定手段と、
前記電圧推定手段により推定される前記取外時刻での前記副電源の電圧と前記保持可能電圧とに基づいて、前記揮発性メモリの記憶情報が保持される保持可能時間を推定する保持可能時間推定手段と、
前記未装着継続時間が前記保持可能時間よりも長くなる場合に前記揮発性メモリの前記記憶情報の異常を検出する異常検出手段と、
を備え、
前記保持可能時間推定手段は、前記保持可能時間を、前記副電源の充放電回数が増加するほど低くなるように推定することを特徴とする携帯端末。
【請求項２】
前記異常検出手段により前記揮発性メモリの異常が検出されると、その旨を報知する報知手段を備えることを特徴とする請求項１に記載の携帯端末。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、主電源の未装着時に副電源からの電力供給により揮発性メモリの記憶情報が保持される携帯端末に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、携帯端末は、主電源（メインバッテリ）およびこの主電源の装着時に当該主電源により充電される副電源（サブバッテリ）とを備えており、主電源の未装着時には副電源によりＲＡＭ等の揮発性メモリに電力供給することで、揮発性メモリに記憶される記憶情報を保持している。
【０００３】
しかしながら、主電源の未装着時に、副電源による揮発性メモリへの電力供給が継続すると、この継続時間に応じて副電源の電圧が徐々に低下する。そして、副電源の電圧が揮発性メモリの記憶情報が保持可能となる電圧（保持可能電圧）よりも低くなると、揮発性メモリがその記憶情報を保持できなくなり、記憶情報が徐々に壊れ始めてしまう。この場合、記憶情報はビット単位で徐々に不特定に壊れていくことから、どの領域の記憶情報が壊れているか分からないため、揮発性メモリの一部を比較しても記憶情報が異常であるか否かを判定することは困難である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−２８９２５４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記特許文献１に示す電源装置では、供給される中間電圧が最低動作電圧より低くなったことが中間電圧監視回路により検知されると、マイコンへリセット信号が出力される。これにより、電源電圧が低下する場合には、中間電圧がマイコンのコアの最低動作電圧を下回ってしまう前にマイコンが確実にリセットされて、コアの不定な動作が防止される。このため、揮発性メモリに関しても、マイコンへのリセット信号を検出することで、揮発性メモリの記憶情報が異常であると判定することができる。
しかしながら、上述した中間電圧監視回路のような専用の監視回路が必要となり、低コスト化や小型化等を図ることが困難になるという問題がある。
【０００６】
本発明は、上述した課題を解決するためになされたものであり、その目的とするところは、専用の回路を設けることなく揮発性メモリに記憶される記憶情報の異常を検出し得る携帯端末を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するため、特許請求の範囲に記載の請求項１の携帯端末では、主電源およびこの主電源の装着時に当該主電源により充電される副電源と、前記主電源からの電力供給または前記主電源の未装着時における前記副電源からの電力供給により記憶情報が保持される揮発性メモリと、を備える携帯端末であって、前記主電源からの電力供給または前記主電源の未装着時における前記副電源からの電力供給により、前記主電源の装着継続時間および未装着継続時間と前記主電源が取り外された取外時刻とを計時可能であって、前記揮発性メモリの記憶情報が保持可能となる保持可能電圧よりも低い電圧でも動作可能な計時手段と、前記計時手段により計時される前記装着継続時間および前記未装着継続時間に基づいて前記副電源の電圧を推定する電圧推定手段と、前記電圧推定手段により推定される前記取外時刻での前記副電源の電圧と前記保持可能電圧とに基づいて、前記揮発性メモリの記憶情報が保持される保持可能時間を推定する保持可能時間推定手段と、前記未装着継続時間が前記保持可能時間よりも長くなる場合に前記揮発性メモリの前記記憶情報の異常を検出する異常検出手段と、を備え、前記保持可能時間推定手段は、前記保持可能時間を、前記副電源の充放電回数が増加するほど低くなるように推定することを特徴とする。
【０００９】
請求項２の発明は、請求項１に記載の携帯端末において、前記異常検出手段により前記揮発性メモリの異常が検出されると、その旨を報知する報知手段を備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
請求項１の発明では、計時手段により計時される主電源の装着継続時間および未装着継続時間に基づいて、電圧推定手段により副電源の電圧が推定される。そして、電圧推定手段により推定される取外時刻での副電源の電圧と保持可能電圧とに基づいて、保持可能時間推定手段により、揮発性メモリの記憶情報が保持される保持可能時間が推定される。そして、未装着継続時間が保持可能時間よりも長くなる場合に、異常検出手段により、揮発性メモリの記憶情報の異常が検出される。
【００１１】
このように、主電源の装着継続時間および未装着継続時間から副電源に対する充電時間や使用時間が分かるため、副電源の電圧を計時手段により計時される各時間に基づいて推定することができる。特に、計時手段は、揮発性メモリの記憶情報が保持可能となる保持可能電圧よりも低い電圧でも動作可能であるため、副電源の電圧が保持可能電圧以上となる場合、すなわち、異常検出手段により揮発性メモリの記憶情報の異常が検出されない場合であれば、確実に装着継続時間、未装着継続時間および取外時刻を計時することができる。
したがって、副電源の電圧を計測するための専用の回路を設けることなく、揮発性メモリに記憶される記憶情報の異常を検出することができる。
【００１２】
特に、保持可能時間推定手段は、保持可能時間を、副電源の充放電回数が増加するほど低くなるように推定するため、充放電回数が増加することによる副電源の劣化度合いが考慮された保持可能時間が推定される。これにより、保持可能時間推定手段による保持可能時間の推定精度を向上させることができる。
【００１３】
請求項２の発明では、異常検出手段により揮発性メモリの異常が検出されると、報知手段によりその旨が報知される。これにより、この報知を受けた使用者は、主電源の未装着による副電源の電圧降下に起因して揮発性メモリの記憶情報の異常が想定されたことを認識するので、使用者に対して主電源を装着する等の揮発性メモリの記憶情報の異常を防止するための処置を促すことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】第１実施形態に係る携帯端末の電気的構成を概略的に示すブロック図である。
【図２】サブバッテリ電圧とＲＡＭ保持可能電圧およびＲＴＣ動作可能電圧との関係を示す図である。
【図３】第１実施形態におけるＲＡＭ異常検証処理の流れを例示するフローチャートの一部である。
【図４】第１実施形態におけるＲＡＭ異常検証処理の流れを例示するフローチャートの一部である。
【図５】メインバッテリ装着時におけるサブバッテリ電圧の時間変化の一例を示す図である。
【図６】充電開始時電圧ごとの充電時間と充電終了時電圧との関係を示す図表である。
【図７】メインバッテリ未装着時におけるサブバッテリ電圧の時間変化の一例を示す図である。
【図８】充電終了時電圧とその電圧でのＲＡＭ保持可能時間との関係を示す図表である。
【図９】充電終了時電圧ごとの使用時間と充電開始時電圧との関係を示す図表である。
【図１０】第２実施形態におけるＲＡＭ異常検証処理の流れを例示するフローチャートの一部である。
【図１１】充放電回数と放電深度との関係を示す図である。
【図１２】充放電回数と放電深度との関係を示す図表である。
【図１３】第３実施形態におけるＲＡＭ異常検証処理の流れを例示するフローチャートの一部である。
【図１４】第３実施形態におけるＲＡＭ異常検証処理の流れを例示するフローチャートの一部である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
［第１実施形態］
以下、本発明の携帯端末を具現化した第１実施形態について、図面を参照して説明する。図１は、第１実施形態に係る携帯端末１０の電気的構成を概略的に示すブロック図である。
図１に示すように、携帯端末１０は、当該携帯端末１０の全体的制御を司るＣＰＵ(Central Processing Unit)１１と、書換え可能な不揮発性メモリであるフラッシュメモリ２０と、書換え可能な揮発性メモリであるＲＡＭ(Random Access Memory)３０とを備えている。
【００１６】
フラッシュメモリ２０には、ＯＳ（オペレーティングシステム）などのシステムプログラムが格納された格納領域２２と、そのシステムプログラムを読出すためのコンピュータプログラムであるローダが格納された格納領域２１とが設けられている。本実施形態では、フラッシュメモリ２０として、例えばＥＥＰＲＯＭ (Erasable Programmable Rom) が採用されている。
【００１７】
ＲＡＭ３０には、ローダによりフラッシュメモリ２０から読出され、展開されたシステムプログラムを格納するためのワーク領域３１が設けられている。ＣＰＵ１１は、ＲＡＭ３０のワーク領域３１に格納されたシステムプログラムに従って、情報の読取りなど、種々のアプリケーションプログラムを実行する。このＲＡＭ３０は、揮発性メモリであるため、通常、その記憶情報が保持可能となる電圧（以下、ＲＡＭ保持可能電圧Ｖａという）よりも高い電圧が供給されている。なお、本実施形態では、ＲＡＭ保持可能電圧Ｖａが２．４ＶであるＲＡＭ３０が採用されている。
【００１８】
また、携帯端末１０は、リアルタイムクロック（以下、ＲＴＣと略す）１２と、メインバッテリ１５と、サブバッテリ１７と、電源回路１６と、電源キー１３と、液晶表示器１８とを備えている。メインバッテリ１５は、端末本体に対して着脱可能であって、装着時にＣＰＵ１１およびＲＴＣ１２等が動作するための動作電力、ＲＡＭ３０の格納データを保持するための保持電力などを供給するように構成されている。また、本実施形態では、メインバッテリ１５を充電する場合には、このメインバッテリ１５を端末本体から取り外して図略の充電器に装着することで、当該メインバッテリ１５に対する充電が開始されるように構成されている。
【００１９】
サブバッテリ１７は、メインバッテリ１５が端末本体に装着されているときに当該メインバッテリ１５によって充電され、メインバッテリ１５が端末本体から取り外される未装着状態であるときに、ＲＴＣ１２へ動作電力を供給し、ＲＡＭ３０へ保持電力を供給する。なお、メインバッテリ１５は、特許請求の範囲に記載の「主電源」の一例に相当し、サブバッテリ１７は、特許請求の範囲に記載の「副電源」の一例に相当し得る。
【００２０】
ＲＴＣ１２は、現在の日付時刻を計時する機能を有するもので、メインバッテリ１５の未装着状態であっても、サブバッテリ１７の電圧（以下、サブバッテリ電圧Ｖｓという）が動作可能な電圧（以下、ＲＴＣ動作可能電圧Ｖｂという）以上であれば、その計時動作が継続される。なお、本実施形態では、ＲＴＣ１２は、そのＲＴＣ動作可能電圧ＶｂがＲＡＭ保持可能電圧Ｖａよりも低くなるように設定されている。また、ＲＴＣ１２は、特許請求の範囲に記載の「計時手段」の一例に相当し得る。
【００２１】
メインバッテリ１５は、電源キー１３の電源オン操作に応じて立上がり、電源回路１６へ電力（ＤＣ）を供給する。電源回路１６は、メインバッテリ１５から供給された直流電圧を所定の電圧（例えば５Ｖ）に変換し、このように変換された電力を動作電力としてＣＰＵ１１、ＲＴＣ１２、液晶表示器１８、フラッシュメモリ２０およびＲＡＭ３０へ供給する。
【００２２】
液晶表示器１８は、ＣＰＵ１１等により表示制御されて、後述する報知情報などの所定の情報を表示可能に構成されている。なお、液晶表示器１８は、特許請求の範囲に記載の「報知手段」の一例に相当し得る。
【００２３】
ここで、本実施形態に係る携帯端末１０のＣＰＵ１１にて実施されるＲＡＭ異常検出処理について、図２を用いて説明する。図２は、サブバッテリ電圧ＶｓとＲＡＭ保持可能電圧ＶａおよびＲＴＣ動作可能電圧Ｖｂとの関係を示す図である。
図２に示すように、メインバッテリ１５が未装着であることからサブバッテリ１７によるＲＡＭ３０やＲＴＣ１２への電力供給が継続すると、この継続時間に応じてサブバッテリ１７のサブバッテリ電圧Ｖｓが徐々に低下する。そして、サブバッテリ電圧ＶｓがＲＡＭ保持可能電圧Ｖａよりも低くなる前にメインバッテリ１５が端末本体に装着されると（図２の時刻ｔ１参照）、メインバッテリ１５によるサブバッテリ１７の充電が開始され、サブバッテリ電圧Ｖｓが上昇する。
【００２４】
一方、メインバッテリ１５の未装着継続時間が長くなり、サブバッテリ電圧ＶｓがＲＡＭ保持可能電圧Ｖａよりも低くなると（図２の時刻ｔ２参照）、ＲＡＭ３０がその記憶情報を保持できなくなり、記憶情報がビット単位で徐々に不特定に壊れ始めてしまう。
【００２５】
そこで、本実施形態に係る携帯端末１０では、図２に示すように、ＲＴＣ１２のＲＴＣ動作可能電圧ＶｂがＲＡＭ保持可能電圧Ｖａよりも低いことから、ＲＴＣ１２を利用してサブバッテリ電圧Ｖｓを推定し、この推定されたサブバッテリ電圧ＶｓがＲＡＭ保持可能電圧Ｖａ未満であるか否かに応じて、ＲＡＭ３０の異常を検出するＲＡＭ異常検出処理を実施する。
【００２６】
以下、ＲＡＭ３０の異常を検出するＲＡＭ異常検出処理について、図３および図４を用いて説明する。図３および図４は、第１実施形態におけるＲＡＭ異常検証処理の流れを例示するフローチャートである。
まず、電源キー１３がオン操作されることで当該携帯端末１０が電源オン状態になると、図３のステップＳ１０１にて、フラグＦＬＧがＦＬＧ＝Ｔｒｕｅに設定されているか否かについて判定される。ここで、フラグＦＬＧは、電源オフ状態時にメインバッテリ１５が取り外されている否かを判断するためのフラグであり、ＦＬＧ＝Ｔｒｕｅは、電源オフ状態時にメインバッテリ１５が取り外されていたことを示し、ＦＬＧ＝Ｆａｌｓｅは、電源オフ状態時にメインバッテリ１５が取り外されていないことを示す。
【００２７】
ここで、後述するようにフラグＦＬＧがＦＬＧ＝Ｔｒｕｅに設定されていない場合には、ステップＳ１０１にてＮｏと判定されて、ステップＳ１０３にて、フラグＦＬＧがＦＬＧ＝Ｆａｌｓｅに設定される。この場合には、ＲＡＭ３０が正常であるとして、ステップＳ１０５にて、通常のメイン処理、例えば、上述した情報の読取りなどの処理が実施される。そして、電源キー１３がオフ操作されて電源オフ状態になるか、メインバッテリ１５が取り外されるまで、ステップＳ１０５にてメイン処理が継続されてステップＳ１０７およびステップＳ１０９にてＮｏとの判定が繰り返される。
【００２８】
このような繰り返し判定中に、電源キー１３がオフ操作されることで当該携帯端末１０が電源オフ状態になると、ステップＳ１０７にてＹｅｓと判定される。その後、メインバッテリ１５が取り外されるか、再び電源キー１３がオン操作されて電源オン状態になるまで、ステップＳ１１１およびステップＳ１１３にてＮｏとの判定が繰り返される。
【００２９】
そして、充電器を用いたメインバッテリ１５の充電を開始するために当該メインバッテリ１５が端末本体から取り外されたことが検出されると（Ｓ１１１でＹｅｓ）、ステップＳ１１５において、フラグＦＬＧがＦＬＧ＝Ｔｒｕｅに設定される。なお、メインバッテリ１５の取り外しの検出は、メインバッテリ１５から電源回路１６への電力供給の有無に応じて検出される。
【００３０】
次に、ステップＳ１１７において、取外時刻取得処理がなされる。この処理では、ＲＴＣ１２にて計時されている現在の日付時刻が、メインバッテリ１５を取り外した取外時刻Ｔ１として取得される。このように取得された取外時刻Ｔ１は、フラッシュメモリ２０に記憶される。
【００３１】
続いて、ステップＳ１１９において、充電時間算出処理がなされる。この処理では、フラッシュメモリ２０に記憶されたメインバッテリ１５を装着した装着時刻Ｔ２（後述する）からステップＳ１１７にて取得した取外時刻Ｔ１までの時間を充電時間ΔＴａ（＝Ｔ１−Ｔ２）として算出する。なお、充電時間ΔＴａは、特許請求の範囲に記載の「装着継続時間」の一例に相当し得る。
【００３２】
そして、ステップＳ１２１にて充電終了時電圧推定処理がなされる。この処理では、ステップＳ１１９にて算出した充電時間ΔＴａに基づいて、取外時刻Ｔ１でのサブバッテリ電圧Ｖｓが充電終了時電圧Ｖｓ１として推定される。ここで、充電終了時電圧Ｖｓ１の具体的な推定方法について、図５および図６を用いて説明する。図５は、メインバッテリ装着時におけるサブバッテリ電圧Ｖｓの時間変化の一例を示す図である。図６は、充電開始時電圧Ｖｓ２ごとの充電時間ΔＴａと充電終了時電圧Ｖｓ１との関係を示す図表であり、図６（Ａ）は充電開始時電圧Ｖｓ２が０Ｖの場合を示し、図６（Ｂ）は充電開始時電圧Ｖｓ２が２．５Ｖの場合を示し、図６（Ｃ）は充電開始時電圧Ｖｓ２が２．６Ｖの場合を示し、図６（Ｄ）は充電開始時電圧Ｖｓ２が２．７Ｖの場合を示す。
【００３３】
図５は実験結果をまとめたものであり、この図５からわかるように、メインバッテリ１５の装着時間に応じてサブバッテリ電圧Ｖｓが上昇するため、充電開始時のサブバッテリ電圧（以下、充電開始時電圧Ｖｓ２という）と充電時間ΔＴａとにより、充電終了時電圧Ｖｓ１を推定することができる。そこで、本実施形態では、図５に示すサブバッテリ電圧Ｖｓの時間変化を基準に、充電開始時電圧Ｖｓ２を０Ｖ、２．５Ｖ、２．６Ｖ、２．７Ｖとしたときの充電時間ΔＴａと充電終了時電圧Ｖｓ１との関係をそれぞれ図６（Ａ）〜（Ｄ）に示すように関連付けて、予めフラッシュメモリ２０に記憶している。そして、後述するようにフラッシュメモリ２０に記憶される充電開始時電圧Ｖｓ２と算出される充電時間ΔＴａとから、充電終了時電圧Ｖｓ１が推定されて、フラッシュメモリ２０に記憶される。
【００３４】
具体的には、例えば、充電開始時電圧Ｖｓ２が０Ｖであり、充電時間ΔＴａが０．５ｈであれば、図６（Ａ）に基づいて、充電終了時電圧Ｖｓ１は、２．５Ｖと推定される。また、例えば、充電開始時電圧Ｖｓ２が２．５Ｖであり、充電時間ΔＴａが０．５ｈであれば、図６（Ｂ）に基づいて、充電終了時電圧Ｖｓ１は、２．６Ｖと推定される。また、例えば、充電開始時電圧Ｖｓ２が２．６Ｖであり、充電時間ΔＴａが３．０ｈであれば、図６（Ｃ）に基づいて、充電終了時電圧Ｖｓ１は、２．７Ｖと推定される。また、例えば、充電開始時電圧Ｖｓ２が２．７Ｖであり、充電時間ΔＴａが５．０ｈであれば、図６（Ｄ）に基づいて、充電終了時電圧Ｖｓ１は、２．８Ｖと推定される。
なお、ステップＳ１２１および後述するステップＳ１３３を実行するＣＰＵ１１は、特許請求の範囲に記載の「電圧推定手段」の一例に相当し得る。
【００３５】
また、上述したステップＳ１０７およびステップＳ１０９でのＮｏとの繰り返し判定中に、電源キー１３がオフ操作されることなくメインバッテリ１５が取り外されると、ステップＳ１０９にてＹｅｓと判定されて、上述したステップＳ１１５以降の処理がなされる。また、上述したステップＳ１１１およびステップＳ１１３でのＮｏとの繰り返し判定中に、電源キー１３がオン操作されると、ステップＳ１１３にてＹｅｓと判定されて、上述したステップＳ１０５以降の処理がなされる。
【００３６】
上述したステップＳ１０１において、ステップＳ１１５にてＦＬＧ＝Ｔｒｕｅに設定されていることから、電源オン状態にフラグＦＬＧがＦＬＧ＝Ｔｒｕｅである場合には（Ｓ１０１でＹｅｓ）、図４のステップＳ１２３において、装着時刻取得処理がなされる。この処理では、取り外されていたメインバッテリ１５が装着された後に電源キー１３がオン操作されることで当該携帯端末１０が電源オン状態になったとして、ＲＴＣ１２にて計時されている現在の日付時刻がメインバッテリ１５を装着した装着時刻Ｔ２として取得される。このように取得された装着時刻Ｔ２は、フラッシュメモリ２０に記憶される。
【００３７】
続いて、ステップＳ１２５において、ＲＴＣ１２が停止状態であるか否かについて判定される。ここで、ＲＴＣ１２が停止していない場合には、サブバッテリ電圧ＶｓがＲＴＣ動作可能電圧Ｖｂ未満になっていないとして、ステップＳ１２５にてＮｏと判定される。
【００３８】
そして、ステップＳ１２７において、使用時間算出処理がなされる。この処理では、ステップＳ１１７にてフラッシュメモリ２０に記憶された取外時刻Ｔ１からステップＳ１２３にて取得した装着時刻Ｔ２までの時間、すなわち、メインバッテリ１５の未装着状態時にサブバッテリ１７によりＲＡＭ３０に保持電力が供給されていた時間を、使用時間ΔＴｂ（＝Ｔ２−Ｔ１）として算出する。なお、使用時間ΔＴｂは、特許請求の範囲に記載の「未装着継続時間」の一例に相当し得る。
【００３９】
次に、ステップＳ１２９において、取外時刻Ｔ１でのサブバッテリ電圧Ｖｓを基準に、ＲＡＭ３０の記憶情報が保持な時間である保持可能時間ΔＴｃを推定する保持可能時間推定処理がなされる。ここで、保持可能時間ΔＴｃの具体的な推定方法について、図７および図８を用いて説明する。図７は、メインバッテリ未装着時におけるサブバッテリ電圧Ｖｓの時間変化の一例を示す図である。図８は、充電終了時電圧Ｖｓ１とその電圧でのＲＡＭ保持可能時間ΔＴｃとの関係を示す図表である。
【００４０】
図７は実験結果をまとめたものであり、この図７からわかるように、メインバッテリ１５の未装着時間に応じてサブバッテリ電圧Ｖｓが低下するため、充電終了時電圧Ｖｓ１に基づいて、取外時刻Ｔ１からサブバッテリ電圧ＶｓがＲＡＭ保持可能電圧Ｖａ未満になるまでの時間、すなわち保持可能時間ΔＴｃを推定することができる。そこで、本実施形態では、図７に示すサブバッテリ電圧Ｖｓの時間変化を基準に、充電終了時電圧Ｖｓ１を２．５Ｖ未満、２．５Ｖ以上２．６Ｖ未満、２．６Ｖ以上２．７Ｖ未満、２．７Ｖ以上２．８Ｖ未満、２．８Ｖ以上と区分したときの保持可能時間ΔＴｃを図８に示すように関連付けて、予めフラッシュメモリ２０に記憶している。
【００４１】
そのため、例えば、充電終了時電圧Ｖｓ１が２．５Ｖ未満であれば、保持可能時間ΔＴｃは０ｈと推定される。また、充電終了時電圧Ｖｓ１が２．５Ｖであれば、保持可能時間ΔＴｃは６０ｈと推定される。また、充電終了時電圧Ｖｓ１が２．６Ｖであれば、保持可能時間ΔＴｃは１００ｈと推定される。また、充電終了時電圧Ｖｓ１が２．７Ｖであれば、保持可能時間ΔＴｃは１１０ｈと推定される。また、充電終了時電圧Ｖｓ１が２．８Ｖであれば、保持可能時間ΔＴｃは１２０ｈと推定される。
なお、ステップＳ１２９を実行するＣＰＵ１１は、特許請求の範囲に記載の「保持可能時間推定手段」の一例に相当し得る。
【００４２】
このように保持可能時間ΔＴｃが推定されると、ステップＳ１３１において、ＲＡＭ３０の記憶情報が正常に保持されているか否かを判断するために、使用時間ΔＴｂが保持可能時間ΔＴｃよりも長いか否かについて判定される。ここで、使用時間ΔＴｂ＞保持可能時間ΔＴｃでなければ、サブバッテリ電圧ＶｓがＲＡＭ保持可能電圧Ｖａ未満になっていないことから、ステップＳ１３１にてＮｏと判定される。なお、ステップＳ１３１を実行するＣＰＵ１１は、特許請求の範囲に記載の「異常検出手段」の一例に相当し得る。
【００４３】
続いて、ステップＳ１３３にて充電開始時電圧推定処理がなされる。この処理では、ステップＳ１２７にて算出した使用時間ΔＴｂに基づいて、充電開始時のサブバッテリ電圧Ｖｓとして充電開始時電圧Ｖｓ２が推定される。ここで、充電開始時電圧Ｖｓ２の具体的な推定方法について、図９を用いて説明する。図９は、充電終了時電圧Ｖｓ１ごとの使用時間ΔＴｂと充電開始時電圧Ｖｓ２との関係を示す図表であり、図９（Ａ）は充電終了時電圧Ｖｓ１が２．８Ｖの場合を示し、図９（Ｂ）は充電終了時電圧Ｖｓ１が２．７Ｖの場合を示し、図９（Ｃ）は充電終了時電圧Ｖｓ１が２．６Ｖの場合を示し、図９（Ｄ）は充電終了時電圧Ｖｓ１が２．５Ｖの場合を示す。
【００４４】
本実施形態では、図７に示すサブバッテリ電圧Ｖｓの時間変化を基準に、充電終了時電圧Ｖｓ１を２．８Ｖ、２．７Ｖ、２．６Ｖ、２．５Ｖとしたときの使用時間ΔＴｂと充電開始時電圧Ｖｓ２との関係をそれぞれ図９（Ａ）〜（Ｄ）に示すように関連付けて、予めフラッシュメモリ２０に記憶している。そして、上述したようにフラッシュメモリ２０に記憶される充電終了時電圧Ｖｓ１と算出される使用時間ΔＴｂとから、充電開始時電圧Ｖｓ２が推定されて、フラッシュメモリ２０に記憶される。
【００４５】
具体的には、例えば、充電終了時電圧Ｖｓ１が２．８Ｖであり、使用時間ΔＴｂが１０ｈ未満であれば、図９（Ａ）に基づいて、充電開始時電圧Ｖｓ２は、２．７Ｖと推定される。また、例えば、充電終了時電圧Ｖｓ１が２．７Ｖであり、使用時間ΔＴｂが１０ｈ未満であれば、図９（Ｂ）に基づいて、充電開始時電圧Ｖｓ２は、２．６Ｖと推定される。また、例えば、充電終了時電圧Ｖｓ１が２．６Ｖであり、使用時間ΔＴｂが４０ｈ未満であれば、図９（Ｃ）に基づいて、充電開始時電圧Ｖｓ２は、２．５Ｖと推定される。また、例えば、充電終了時電圧Ｖｓ１が２．５Ｖであれば、図９（Ｄ）に基づいて、使用時間ΔＴｂにかかわらず、充電開始時電圧Ｖｓ２は、０Ｖと推定される。
そして、このようにステップＳ１３３にて充電開始時電圧Ｖｓ２が推定されると、上述した図３のステップＳ１０５以降の処理がなされることとなる。
【００４６】
一方、メインバッテリ１５が装着されていない時間が長くなったために、サブバッテリ電圧ＶｓがＲＴＣ動作可能電圧Ｖｂ未満になり、ＲＴＣ１２が停止している場合には、ステップＳ１２５にてＹｅｓと判定される。また、ＲＴＣ１２が稼働しているものの、メインバッテリ１５が未装着でありサブバッテリ電圧Ｖｓが低下しているために、使用時間ΔＴｂが保持可能時間ΔＴｃよりも長くなる場合には、ステップＳ１３１にてＹｅｓと判定される。
【００４７】
上述のようにステップＳ１２５またはステップＳ１３１にてＹｅｓと判定されると、サブバッテリ電圧ＶｓがＲＡＭ保持可能電圧Ｖａ未満であり、ＲＡＭ３０がその記憶情報を正常に保持できない異常な状態であると判断できる。このため、ステップＳ１３５にてフラッシュメモリ２０に記憶される充電開始時電圧Ｖｓ２が０Ｖとして記憶される。
【００４８】
次に、ステップＳ１３７にてＲＡＭ初期化処理がなされ、ＲＡＭ３０の記憶情報が消去された後に、必要な情報、例えば上述した展開されたシステムプログラムがフラッシュメモリ２０から読み出されて当該ＲＡＭ３０に記憶される。続いて、ステップＳ１３９にて報知処理がなされ、電力不足に起因するＲＡＭ３０の異常を回避するための処理が実施された旨が、液晶表示器１８に報知情報として表示されて報知される。そして、このように報知情報が表示（報知）されると、上述した図３のステップＳ１０５以降の処理がなされることとなる。
【００４９】
以上説明したように、本実施形態に係る携帯端末１０では、ＲＴＣ１２により計時される充電時間ΔＴａおよび使用時間ΔＴｂに基づいて、サブバッテリ１７の充電終了時電圧Ｖｓ１および充電開始時電圧Ｖｓ２などのサブバッテリ電圧Ｖｓが推定される。そして、取外時刻Ｔ１での充電終了時電圧Ｖｓ１とＲＡＭ保持可能電圧Ｖａとに基づいて、ＲＡＭ３０の記憶情報が保持されるＲＡＭ保持可能時間ΔＴｃが推定される。そして、使用時間ΔＴｂがＲＡＭ保持可能時間ΔＴｃよりも長くなる場合に、ＲＡＭ３０の記憶情報の異常が検出される。
【００５０】
このように、メインバッテリ１５の装着継続時間および未装着継続時間、すなわち、副電源に対する充電時間ΔＴａや使用時間ΔＴｂが分かるため、サブバッテリ電圧ＶｓをＲＴＣ１２により計時される取外時刻Ｔ１および装着時刻Ｔ２等に基づいて推定することができる。特に、ＲＴＣ１２は、ＲＡＭ保持可能電圧Ｖａよりも低い電圧でも動作可能であるため、サブバッテリ電圧ＶｓがＲＡＭ保持可能電圧Ｖａ以上となる場合、すなわち、ＲＡＭ３０の記憶情報が異常であると判定されない場合であれば、確実に充電時間ΔＴａ、使用時間ΔＴｂおよび取外時刻Ｔ１を計時することができる。
したがって、サブバッテリ１７のサブバッテリ電圧Ｖｓを計測するための専用の回路を設けることなく、ＲＡＭ３０に記憶される記憶情報の異常を検出することができる。
【００５１】
また、ステップＳ１３１にてＲＡＭ３０が異常であることが判定（検出）されると、液晶表示器１８によりその旨（報知情報）が表示されることで報知される。これにより、この報知を受けた使用者は、メインバッテリ１５の未装着によるサブバッテリ１７の電圧降下に起因してＲＡＭ３０の記憶情報の異常が想定されたことを認識するので、使用者に対してメインバッテリ１５を装着する等のＲＡＭ３０の記憶情報の異常を防止するための処置を促すことができる。
【００５２】
［第２実施形態］
次に、本発明の携帯端末を具現化した第２実施形態について、図１０〜図１２を用いて説明する。図１０は、第２実施形態におけるＲＡＭ異常検証処理の流れを例示するフローチャートの一部である。図１１は、充放電回数と放電深度との関係を示す図である。図１２は、充放電回数と放電深度との関係を示す図表である。
【００５３】
本第２実施形態に係る携帯端末１０では、サブバッテリ１７の充放電回数が増加するほど保持可能時間ΔＴｃを短く推定する点が、上記第１実施形態に係る携帯端末と異なる。したがって、第１実施形態の携帯端末と実質的に同一の構成部分には、同一符号を付し、その説明を省略する。
【００５４】
以下、本第２実施形態におけるＣＰＵ１１によるＲＡＭ異常検証処理について、図３および図１０のフローチャートを用いて説明する。
上記第１実施形態と同様に、電源キー１３が電源オン操作されたときにフラグＦＬＧがＦＬＧ＝Ｔｒｕｅに設定されていることから図３のステップＳ１０１にてＹｅｓと判定されると、図１０のステップＳ１２３にて装着時刻取得処理がなされて装着時刻Ｔ２が取得される。
【００５５】
次に、ステップＳ１２５にてＲＴＣ１２が停止状態であるか否かについて判定され、サブバッテリ電圧ＶｓがＲＴＣ動作可能電圧Ｖｂ未満になり、ＲＴＣ１２が停止している場合には、ステップＳ１２５にてＹｅｓと判定される。続いて、ステップＳ２０１にて、充放電回数を示すＣ１がインクリメント（Ｃ１＝Ｃ１＋１）される。これにより、ＲＴＣ１２が停止状態となるごとに、すなわち、サブバッテリ電圧ＶｓがＲＴＣ動作可能電圧Ｖｂ未満になるようにサブバッテリ１７が放電してしまうと、充放電回数を示すＣ１がインクリメントされることとなる。そして、上述したステップＳ１３５以降の処理がなされる。
【００５６】
一方、サブバッテリ電圧ＶｓがＲＴＣ動作可能電圧Ｖｂ未満になっていないことから、ＲＴＣ１２が停止していない場合には、ステップＳ１２５にてＮｏと判定されて、ステップＳ１２７にて使用時間ΔＴｂが算出される。
【００５７】
次に、ステップＳ２０３において、放電深度推定処理がなされる。この処理では、上記ステップＳ２０１にてインクリメントされる充放電回数Ｃ１に応じて、サブバッテリ１７の放電深度が推定される。ここで、放電深度の具体的な推定方法について、図１１および図１２を用いて説明する。
【００５８】
図１１は実験結果をまとめたものであり、この図１１からわかるように、充放電回数Ｃ１が増加するほど放電深度が低下する。そこで、本実施形態では、図１１に示す放電深度の変化を基準に、充放電回数Ｃ１を０〜４９回、５０〜９９回、１００〜１６９回、１７０〜３９９回、４００〜１５９９回、１６００回以上と区分したときの放電深度を図１２に示すように関連付けて、予めフラッシュメモリ２０に記憶している。
【００５９】
そのため、例えば、充放電回数Ｃ１が５０回であれば、放電深度は７０％と推定される。また、充放電回数Ｃ１が１００回であれば、放電深度は５０％と推定される。また、充放電回数Ｃ１が１７０回であれば、放電深度は３０％と推定される。また、充放電回数Ｃ１が４００回であれば、放電深度は１０％と推定される。なお、充放電回数Ｃ１が１６００回以上になると、サブバッテリ１７が充放電不能に劣化しているとして、放電深度は０％と推定される。
【００６０】
このように放電深度が推定されると、ステップＳ２０５にて保持可能時間推定処理がなされる。この処理では、上述したステップＳ１２９における処理とは異なり、取外時刻Ｔ１でのサブバッテリ電圧Ｖｓを基準に仮の保持可能時間ΔＴｃを推定した後に、この仮の保持可能時間ΔＴｃに上記放電深度を乗算することで、充放電回数Ｃ１が増加するほど短くなるように保持可能時間ΔＴｃを推定する。
【００６１】
例えば、取外時刻Ｔ１でのサブバッテリ電圧Ｖｓが２．７Ｖと推定されることから、図８に基づいて、仮の保持可能時間ΔＴｃが１１０ｈと推定されるとき、充放電回数Ｃ１が８０回であることから放電深度が７０％と推定されると、保持可能時間ΔＴｃは７７ｈ（１１０ｈ×７０％）として推定される。これにより、充放電回数Ｃ１が反映されて、より正確な保持可能時間ΔＴｃを推定することができる。
【００６２】
そして、ステップＳ１３１において、ステップＳ１２７にて算出された使用時間ΔＴｂとステップＳ２０５にて推定された保持可能時間ΔＴｃとを比較して、ＲＡＭ３０の記憶情報が正常に保持されているか否かを判断する。
【００６３】
このように、本実施形態では、保持可能時間ΔＴｃを、サブバッテリ１７の充放電回数Ｃ１が増加するほど短くなるように推定するため、充放電回数Ｃ１が増加することによるサブバッテリ１７の劣化度合いが考慮された保持可能時間ΔＴｃが推定される。これにより、保持可能時間ΔＴｃの推定精度を向上させることができる。
【００６４】
なお、充放電回数Ｃ１のインクリメント（Ｃ１＝Ｃ１＋１）処理は、サブバッテリ電圧ＶｓがＲＴＣ動作可能電圧Ｖｂ未満になるようにサブバッテリ１７が放電する場合に実施することに限らず、保持可能時間ΔＴｃの推定精度をさらに向上させるため、例えば、使用時間ΔＴｂが所定時間を経過した場合（一部放電時）にもインクリメント処理を実施してもよい。
【００６５】
［第３実施形態］
次に、本発明の携帯端末を具現化した第３実施形態について、図１３および図１４を用いて説明する。図１３および図１４は、第３実施形態におけるＲＡＭ異常検証処理の流れを例示するフローチャートである。
本第３実施形態に係る携帯端末１０では、サブバッテリ電圧ＶｓがＲＡＭ保持可能電圧Ｖａに近くなるとＲＡＭ３０の記憶情報をバックアップする点が、上記第１実施形態に係る携帯端末と異なる。したがって、第１実施形態の携帯端末と実質的に同一の構成部分には、同一符号を付し、その説明を省略する。
【００６６】
以下、本第３実施形態におけるＣＰＵ１１によるＲＡＭ異常検証処理について、図１３および図１４のフローチャートを用いて説明する。
上記第１実施形態と同様に、電源キー１３が電源オン操作されたときにフラグＦＬＧがＦＬＧ＝Ｔｒｕｅに設定されていないことから、図１３のステップＳ１０１にてＮｏと判定されると、ステップＳ１０３以降の処理がなされる。
【００６７】
そして、ステップＳ１２１にて充電終了時電圧推定処理がなされて充電終了時電圧Ｖｓ１が推定されると、ステップＳ３０１において、充電終了時電圧Ｖｓ１が所定の電圧閾値Ｖｔ以下であるか否かについて判定される。なお、所定の電圧閾値Ｖｔは、ＲＡＭ保持可能電圧Ｖａも高い値であって、本実施形態では、例えば、２．５Ｖに設定されている。
【００６８】
ここで、充電終了時電圧Ｖｓ１が所定の電圧閾値Ｖｔ以下である場合、すなわち、さらにサブバッテリ電圧Ｖｓが低下することでＲＡＭ３０の記憶情報が異常となる可能性が生じる場合には、ステップＳ３０１にてＹｅｓと判定されて、ステップＳ３０３においてバックアップ処理がなされる。この処理では、ＲＡＭ３０に記憶された記憶情報がフラッシュメモリ２０にバックアップされる。なお、充電終了時電圧Ｖｓ１が所定の電圧閾値Ｖｔ以下でない場合には、上記バックアップ処理を実施することなく、ＲＡＭ異常検出処理を終了する。
【００６９】
一方、電源キー１３が電源オン操作されたときにフラグＦＬＧがＦＬＧ＝Ｔｒｕｅに設定されていることから図１３のステップＳ１０１にてＹｅｓと判定されると、図１４のステップＳ１２３以降の処理がなされる。そして、ステップＳ１３５にて充電開始時電圧Ｖｓ２が０Ｖに設定されると、ステップＳ３０５において、ＲＡＭ３０の記憶情報がバックアップされているか否かについて判定される。ここで、上記ステップＳ３０３にてＲＡＭ３０の記憶情報がバックアップされている場合には（Ｓ３０５でＹｅｓ）、ステップＳ３０７にて記憶情報書換処理がなされ、ＲＡＭ３０の記憶情報がフラッシュメモリ２０にバックアップされていた記憶情報に書き換えられる。なお、ＲＡＭ３０の記憶情報がバックアップされていない場合には（Ｓ３０５でＮｏ）、上記ステップＳ１３７以降の処理がなされる。
【００７０】
このように、本実施形態では、さらにサブバッテリ電圧Ｖｓが低下することでＲＡＭ３０の記憶情報が異常となる可能性が生じる場合（Ｓ１２５でＹｅｓまたはＳ１３１でＹｅｓ）には、ＲＡＭ３０に記憶された記憶情報がフラッシュメモリ２０にバックアップされるので、ＲＡＭ３０の記憶情報が異常となることを抑制することができる。
【００７１】
なお、本発明は上記各実施形態に限定されるものではなく、以下のように具体化してもよい。
（１）上記ステップＳ１３９における報知処理では、上述した報知情報が液晶表示器１８に表示されて視覚的に報知されることに限らず、例えば、ブザー等の鳴動により聴覚的に報知されてもよいし、ランプの点滅など、他の報知手段により上述した報知情報を報知してもよい。
【００７２】
（２）ステップＳ１２１における充電終了時電圧推定処理では、図６（Ａ）〜（Ｄ）のように充電終了時電圧Ｖｓ１を推定することに限らず、異なる区分で充電終了時電圧Ｖｓ１を推定してもよいし、例えば、図５から求められる充電時間ΔＴａと充電終了時電圧Ｖｓ１との関係式に基づいて、充電終了時電圧Ｖｓ１を推定してもよい。
また、ステップＳ１２９における保持可能時間推定処理では、図８のように保持可能時間ΔＴｃを推定することに限らず、異なる区分で保持可能時間ΔＴｃを推定してもよいし、例えば、図７から求められる充電終了時電圧Ｖｓ１と保持可能時間ΔＴｃとの関係式に基づいて、保持可能時間ΔＴｃを推定してもよい。
また、ステップＳ１３３における充電開始時電圧推定処理では、図９（Ａ）〜（Ｄ）のように充電開始時電圧Ｖｓ２を推定することに限らず、異なる区分で充電開始時電圧Ｖｓ２を推定してもよいし、例えば、図７から求められる使用時間ΔＴｂと充電開始時電圧Ｖｓ２との関係式に基づいて、充電開始時電圧Ｖｓ２を推定してもよい。
【符号の説明】
【００７３】
１０…携帯端末
１１…ＣＰＵ（電圧推定手段，保持可能時間推定手段，異常検出手段）
１２…ＲＴＣ（計時手段）
１５…メインバッテリ（主電源）
１６…電源回路
１７…サブバッテリ（副電源）
１８…液晶表示器（報知手段）
２０…フラッシュメモリ
３０…ＲＡＭ（揮発性メモリ）
Ｃ１…充放電回数
Ｔ１…取外時刻
Ｔ２…装着時刻
ΔＴａ…充電時間（装着継続時間）
ΔＴｂ…使用時間（未装着継続時間）
ΔＴｃ…ＲＡＭ保持可能時間
Ｖａ…ＲＡＭ保持可能電圧
Ｖｂ…ＲＴＣ動作可能電圧
Ｖｓ…サブバッテリの電圧
Ｖｓ１…充電終了時電圧
Ｖｓ２…充電開始時電圧
【図１】
0005790191.tif 000002
【図２】
0005790191.tif 000003
【図３】
0005790191.tif 000004
【図４】
0005790191.tif 000005
【図５】
0005790191.tif 000006
【図６】
0005790191.tif 000007
【図７】
0005790191.tif 000008
【図８】
0005790191.tif 000009
【図９】
0005790191.tif 000010
【図１０】
0005790191.tif 000011
【図１１】
0005790191.tif 000012
【図１２】
0005790191.tif 000013
【図１３】
0005790191.tif 000014
【図１４】
0005790191.tif 000015