(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の上に、ＥＵＶ光を反射する反射層を形成する工程と、前記反射層の上に、少なくともＥＵＶ光の一部を吸収する吸収層を形成する工程と、前記吸収層を部分的に除去して、所望の部位で前記反射層が露出するように吸収体パターンを形成する工程とを、少なくとも備えたＥＵＶ露光用の反射型マスクの製造方法であって、
前記吸収層をパターン状にエッチング加工して吸収体パターンを形成する工程の後に、前記吸収体パターンの膜厚を測定する工程と、
前記測定で得られる膜厚と所望の膜厚との差分に基づいて、さらに前記吸収体パターンを全面エッチングして、前記吸収体パターンの膜厚を所望の膜厚範囲に調整する工程と、
を有し、
前記吸収体パターンを全面エッチングして、前記吸収体パターンの膜厚を所望の膜厚範囲に調整する工程が、分圧５％のＣＨＦ3ガスと分圧９５％のＨｅガスからなる混合ガスを用いたＩＣＰ（誘導結合プラズマ）エッチング工程であり、
前記吸収体パターンが、前記ＥＵＶ光の一部を、前記吸収体パターンから露出する反射層で反射される第１の反射光とは位相が反転した第２の反射光として放射することを特徴とする反射型マスクの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、極端紫外光（Ｅｘｔｒｅｍｅ  Ｕｌｔｒａ  Ｖｉｏｌｅｔ：以後、ＥＵＶと記す）を用いてマスクパターンをウェハ上に転写するためのＥＵＶ露光用の反射型マスクに関し、より詳しくは、ＥＵＶ光を吸収する吸収体の膜厚を所望の膜厚範囲に調整する反射型マスクの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの微細化に伴い、現在、ＡｒＦエキシマレーザを用いた光学式の投影露光装置により、フォトマスクを用いてウェハ上にパターン転写する露光方法が行なわれている。これらの光学式の投影露光装置による露光方法では、いずれ解像限界に達するため、電子線描画装置による直描やインプリントリソグラフィやＥＵＶリソグラフィのような新しいパターン形成方法が提案されている。
【０００３】
これらの新しいリソグラフィ技術の中でも、紫外線露光の短波長化の極限と見なされているＥＵＶ露光は、エキシマレーザよりもさらに短波長である波長１３．５ｎｍ程度のＥＵＶ光を用いて通常１／４程度に縮小して露光する技術であり、半導体デバイス用の次世代リソグラフィ技術として注目されている。ＥＵＶ露光においては、短波長のために屈折光学系が使用できないため、反射光学系が用いられ、マスクとしては反射型マスクが提案されている（特許文献１）。
このＥＵＶ露光用反射型マスク（以降、反射型マスクと記す）は、ＥＵＶ光を反射する多層膜構造の反射層と、この反射層上にＥＵＶ光を吸収する吸収体パターンとを、少なくとも備えたマスクである。
【０００４】
上述の反射型マスクの基板には、パターン位置精度を高精度に保持するために、低熱膨張係数を有し、さらに、高反射率や転写精度を得るために、平滑性、平坦度が高く、マスク製造工程の洗浄などに用いる洗浄液への耐性に優れた基板が求められ、例えば、石英ガラス、ＳｉＯ2−ＴｉＯ2系の低熱膨張ガラス、β石英固溶体を析出した結晶化ガラスなどのガラス基板などが用いられている。
【０００５】
そして、上述のような基板の主面に、上記の反射層や吸収層などを形成したものを反射型マスクブランクスと呼ぶ。
なお、反射層の上には、反射層を保護するキャッピング層や、マスクパターン形成時の反射層へのエッチングダメージを防止するためのバッファ層が設けられていてもよい。ここで、キャッピング層の材料にＲｕ（ルテニウム）を用いる場合には、Ｒｕは上述のようなエッチングダメージを受けないため、バッファ層を設ける必要はない。
反射型マスクは、上述の反射型マスクブランクスの吸収層を、部分的に除去してマスクパターンとなる吸収体パターンを形成したものである。
【０００６】
このような反射型マスクの製造においては、例えば、図５に示すように、吸収層の上に形成したレジスト層を電子線描画等により所望のレジストパターンに加工し、このレジストパターンをマスクに吸収層をエッチングして、所望の吸収体パターンを得ていた。この場合、得られる吸収体パターンの膜厚は、成膜時の吸収層の膜厚と同じである。
【０００７】
上述のような反射型マスクにおいても、従来のフォトマスクと同様に、位相シフト法を用いることでさらに解像度を向上させることができる。例えば、吸収体パターンを構成する材料の膜厚を最適化することで、所望の反射率と位相差を両立させたハーフトーン型の位相シフト反射型マスクが提案されている（特許文献２）。
【０００８】
ハーフトーン型の位相シフト反射型マスクにおいては、吸収体パターンに入射したＥＵＶ光は、その一部は吸収されるが、他の一部は吸収体パターンを透過して反射層で反射し、再び吸収体パターンを透過して、吸収体パターンから露出する反射層で反射された反射光とは位相が反転した反射光としてマスクから放射され、フォトマスクと同様な位相シフト効果により、ウェハ上に形成されるパターンの解像性を向上させる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開昭６３−２０１６５６号公報
【特許文献２】特開２００４−２０７５９３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
ここで、従来の反射型マスクの製造方法においては、例えば、図６に示すように、反射型マスクブランクス２００の吸収層１１４の上にレジスト層を形成し、このレジスト層を電子線描画等により所望のレジストパターン１１５Ａに加工し（図６（ｂ））、次に、このレジストパターン１１５Ａをマスクに吸収層１１４をエッチングして吸収体パターン１１４Ａを形成し（図６（ｃ））、レジストパターン１１５Ａを除去した後に欠陥検査および欠陥修正を行って、反射型マスク１００を得ていた（図６（ｄ））。
なお、バッファ層を設けている場合には、上述の欠陥検査および欠陥修正を行った後に、吸収体パターン１１４Ａから露出するバッファ層をエッチングして、反射型マスクを得ることになる。
【００１１】
しかしながら、上述のようなハーフトーン型の位相シフト反射型マスクを製造する場合には、従来のＡｒＦエキシマレーザ（波長１９３ｎｍ）を用いたフォトマスクではハーフトーンマスクの位相精度は１８０度±３度とされており、波長１３．５ｎｍのＥＵＶ光を用いる反射型マスクにおいては、吸収体パターンの膜厚は６０〜６５ｎｍ程度となり、また上述の位相精度を実現するためにはその膜厚精度は±１ｎｍ程度と換算されるため、反射型マスクブランクスの吸収層成膜工程において、目標の膜厚精度を満たすことが、困難になっていた。
【００１２】
本発明は上記問題点に鑑みてなされたものであり、本発明の目的は、ハーフトーン型の位相シフト反射型マスクを製造する場合のような、吸収体パターンの膜厚に対する厳しい精度の要求を満たすことのできる反射型マスクの製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明者は、種々研究した結果、反射型マスクの製造方法において、吸収層をパターン状にエッチング加工して吸収体パターンを形成する工程の後に、形成された吸収体パターンの膜厚を測定し、この測定で得られる膜厚と所望の膜厚との差分に基づいて、さらに前記吸収体パターンを全面エッチングして、前記吸収体パターンの膜厚を所望の膜厚範囲に調整することで、上記課題を解決できることを見出して本発明を完成したものである。
【００１４】
すなわち、本発明の請求項１に係る発明は、基板の上に、ＥＵＶ光を反射する反射層を形成する工程と、前記反射層の上に、少なくともＥＵＶ光の一部を吸収する吸収層を形成する工程と、前記吸収層を部分的に除去して、所望の部位で前記反射層が露出するように吸収体パターンを形成する工程とを、少なくとも備えたＥＵＶ露光用の反射型マスクの製造方法であって、前記吸収層をパターン状にエッチング加工して吸収体パターンを形成する工程の後に、前記吸収体パターンの膜厚を測定する工程と、前記測定で得られる膜厚と所望の膜厚との差分に基づいて、さらに前記吸収体パターンを全面エッチングして、前記吸収体パターンの膜厚を所望の膜厚範囲に調整する工程と、を有し、前記吸収体パターンを全面エッチングして、前記吸収体パターンの膜厚を所望の膜厚範囲に調整する工程が、分圧５％のＣＨＦ3ガスと分圧９５％のＨｅガスからなる混合ガスを用いたＩＣＰ（誘導結合プラズマ）エッチング工程であり、前記吸収体パターンが、前記ＥＵＶ光の一部を、前記吸収体パターンから露出する反射層で反射される第１の反射光とは位相が反転した第２の反射光として放射することを特徴とする反射型マスクの製造方法である。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、例え、反射型マスクブランクスの吸収層成膜工程において、目標の膜厚精度を満たすことが困難であっても、反射型マスクの製造工程において、吸収層をパターン状にエッチング加工して吸収体パターンを形成する工程の後に、形成された吸収体パターンの膜厚を測定し、この測定で得られる膜厚と所望の膜厚との差分に基づいて、さらに前記吸収体パターンを全面エッチングして、前記吸収体パターンの膜厚を所望の膜厚範囲に調整することで、最終的な吸収体パターンを目標の膜厚精度範囲で形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明に係る反射型マスクの例を示す概略断面図である。
【図２】本発明に係る反射型マスクの製造方法の一例を示す工程フロー図である。
【図３】本発明に係る反射型マスクの製造方法の例を示す模式的工程図である。
【図４】図３に続く本発明に係る反射型マスクの製造方法の例を示す模式的工程図である。
【図５】従来の反射型マスクの製造方法の一例を示す工程フロー図である。
【図６】従来の反射型マスクの製造方法の例を示す模式的工程図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
＜反射型マスク＞
まず、本発明に係る反射型マスクについて説明する。
【００２０】
図１は、本発明に係る反射型マスクの例を示す概略断面図である。
図１に示すように、本発明に係る反射型マスク１においては、基板１１の主面の上には、ＥＵＶ光を反射する反射層１２が形成されており、反射層１２の上には、キャッピング層１３が形成されており、キャッピング層１３の上には、吸収体パターン１４Ｂが形成されている。
【００２１】
ここで、本発明に係る反射型マスクの製造方法は、吸収体パターンがＥＵＶ光を完全に吸収する通常の反射型マスクにも好適に適用できるものであるが、より吸収体パターンの膜厚調整が困難なハーフトーン型の位相シフト反射型マスクにおいて、特に効果を奏するものである。
【００２２】
反射型マスク１が、ハーフトーン型の位相シフト反射型マスクである場合には、吸収体パターン１４Ｂから露出する反射層１２に入射したＥＵＶ光は、第１の反射光として反射型マスクから放射され、一方、吸収体パターン１４Ｂに入射したＥＵＶ光は、その一部は吸収体パターン１４Ｂに吸収されるが、他の一部は吸収体パターン１４Ｂを透過して反射層１２で反射し、再び吸収体パターン１４Ｂを透過して、前記第１の反射光とは位相が反転した第２の反射光として反射型マスク１から放射され、フォトマスクと同様な位相シフト効果により、ウェハ上に形成されるレジストパターンの解像性を向上させる。
【００２３】
上述の吸収体パターン１４Ｂは、主にラインアンドスペースパターン、若しくはホールアレイパターンであり、例えば、ラインアンドスペースパターンのライン幅は、６４ｎｍ〜１２８ｎｍである。
【００２４】
次に、本発明に係る反射型マスクを構成するその他の要素について説明する。
【００２５】
（基板）
本発明の反射型マスクを構成する基板１１としては、パターン位置精度を高精度に保持するために低熱膨張係数を有し、高反射率および転写精度を得るために平滑性、平坦度が高く、マスク製造工程の洗浄などに用いる洗浄液への耐性に優れたものが好ましく、石英ガラス、ＳｉＯ2−ＴｉＯ2系の低熱膨張ガラス、β石英固溶体を析出した結晶化ガラスなどのガラス基板、さらにはシリコンを用いることもできる。
基板１１は、０．２ｎｍＲｍｓ以下の平滑な表面と１００ｎｍ以下の平坦度を有していることが高反射率および転写精度を得るために好ましい。マスクブランクスの平坦度としては、例えば、パターン領域において５０ｎｍ以下が求められている。
【００２６】
（反射層）
反射層１２は、ＥＵＶ露光に用いられるＥＵＶ光を高い反射率で反射する材料が用いられ、Ｍｏ（モリブデン）層とＳｉ（シリコン）層からなる多層膜が多用されており、例えば、２．８ｎｍ厚のＭｏ層と４．２ｎｍ厚のＳｉ層を各４０層積層した多層膜よりなる反射層が挙げられる。それ以外には、特定の波長域で高い反射率が得られる材料として、Ｒｕ／Ｓｉ、Ｍｏ／Ｂｅ、Ｍｏ化合物／Ｓｉ化合物、Ｓｉ／Ｎｂ周期多層膜、Ｓｉ／Ｍｏ／Ｒｕ周期多層膜、Ｓｉ／Ｍｏ／Ｒｕ／Ｍｏ周期多層膜およびＳｉ／Ｒｕ／Ｍｏ／Ｒｕ周期多層膜なども用いることができる。ただし、材料によって最適な膜厚は異なる。
Ｍｏ層とＳｉ層からなる多層膜の場合、イオンビームスパッタ法により、まずＳｉターゲットを用いてＳｉ層を成膜し、その後、Ｍｏターゲットを用いてＭｏ層を成膜し、これを１周期として、３０〜６０周期、好ましくは４０周期積層されて、多層膜の反射層が得られる。上記のように、ＥＵＶ光を高い反射率で反射させるために、１３．５ｎｍのＥＵＶ光を入射角６．０度で入射したときの反射層１２の反射率は、通常、６０％以上を示すように設定されている。
【００２７】
（キャッピング層）
反射層１２の上には、反射層を保護するキャッピング層が設けられていても良い。
反射層１２の反射率を高めるには屈折率の大きいＭｏ層を最上層とするのが好ましいが、Ｍｏは大気で酸化され易く、反射率が低下するので、酸化防止やマスク洗浄時における保護のための保護層として、スパッタリング法などによりＳｉやＲｕ（ルテニウム）を成膜し、キャッピング層を設けることが行われている。
例えば、キャッピング層としてＳｉを用いる場合は、反射層１２の最上層に１１ｎｍの厚さで設けられる。また、キャッピング層としてＲｕを用いる場合は、反射層１２の最上層に２．５ｎｍの厚さで設けられる。
【００２８】
（バッファ層）
ＥＵＶ露光に用いられるＥＵＶ光を吸収する吸収層１４をドライエッチングなどの方法でパターンエッチングするときに、下層のキャッピング層がエッチングによるダメージを受ける材質の場合には、エッチングによる損傷を与えるのを防止するために、キャッピング層１３と吸収層１４との間にバッファ層を設けてもよい。
バッファ層の材料としてはＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｃｒ、ＣｒＮなどが用いられる。ＣｒＮを用いる場合は、ＲＦマグネトロンスパッタ法によりＣｒターゲットを用いてＮ2ガス雰囲気下で、上記の反射層の上にＣｒＮ膜を５ｎｍ〜１５ｎｍ程度の膜厚で成膜するのが好ましい。
【００２９】
（吸収層）
マスクパターンを形成し、ＥＵＶ光を吸収する吸収層１４の材料としては、Ｔａ、ＴａＮ、ＴａＢ、ＴａＢＮなどのＴａを主成分とする材料、Ｃｒ、Ｃｒを主成分としＮ、Ｏ、Ｃから選ばれる少なくとも１つの成分を含有する材料などが、膜厚２０ｎｍ〜１００ｎｍ程度の範囲で用いられる。
【００３０】
（ハードマスク層）
吸収層１４の上には、吸収層のエッチングマスクとしてハードマスク層を設けても良い。ハードマスク層の材料としては、吸収層１４のエッチングに耐性をもつものであって、反射型マスクの転写パターンに応じた微細加工に適したものを用いる必要がある。例えば、クロム（Ｃｒ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニュウム（Ｈｆ）およびその窒化物、酸化物などである。
また、ハードマスク層の材料は、バッファ層と同一の材料であることが好ましい。この場合、吸収層１４のエッチングの後に、ハードマスク層の除去とバッファ層の除去とを同一工程で除去できる。
ハードマスク層の厚さは、その材料のエッチング耐性や転写パターンのサイズに応じた加工精度にもよるが、例えば５ｎｍ〜１５ｎｍである。
ハードマスク層は、例えば、Ａｒと窒素の混合ガス雰囲気下で、Ｃｒをスパッタ成膜することで、ＣｒＮからなるハードマスク層を設けることができる。
【００３１】
（導電層）
基板１１の主面上に設けられた反射層１２と相対する他方の面（裏面側）の上には、導電層が形成されていてもよい。この導電層は、反射型マスクの裏面を静電吸着するために、設けられるものである。この導電層は、導電性を示す金属や金属窒化物などの薄膜であって、例えば、クロム（Ｃｒ）や窒化クロム（ＣｒＮ）などを厚さ２０ｎｍ〜１５０ｎｍ程度に成膜して用いられる。
【００３２】
＜反射型マスクの製造方法＞
次に、本発明に係る反射型マスクの製造方法について説明する。
【００３３】
図２は、本発明に係る反射型マスクの製造方法の一例を示す工程フロー図である。
図２に示すように、本発明においては、まず、基板を準備し、その主面の上に、反射層を形成し、次いで、前記反射層の上にキャッピング層、続いて吸収層を形成して、本発明に係る反射型マスクブランクスを得る。
なお、バッファ層を設ける場合には、上述のキャッピング層を形成した後に、バッファ層を形成し、続いて吸収層を形成する。
【００３４】
さらに、得られた反射型マスクブランクスの吸収層の上にレジストパターンを形成し、前記吸収層を部分的に除去して、所望の部位で前記反射層が露出するように吸収体パターンを形成し、前記レジストパターンを除去する。
【００３５】
その後、得られた吸収体パターンの膜厚を測定し、前記測定で得られた膜厚と所望の膜厚との差分に基づいて、さらに前記吸収体パターンを全面エッチングして、前記吸収体パターンの膜厚を所望の膜厚範囲に調整する。
【００３６】
その後、欠陥検査および欠陥修正を行って、本発明に係る反射型マスクを得る。欠陥検査および欠陥修正については、特に制限は無く、従来と同様な方法を用いることができる。
なお、バッファ層を設けた場合には、上述の欠陥検査および欠陥修正を行った後に、吸収体パターンから露出するバッファ層をエッチングして、本発明に係る反射型マスクを得ることになる。
【００３７】
上述の工程フローにおける各製造工程について、以下、詳しく説明する。
図３および図４は、本発明に係る反射型マスクの製造方法の一例を示す模式的工程図である。
【００３８】
まず、図３（ａ）に示すように、表面研磨された基板１１の主面の上に、反射層１２、キャッピング層１３、続いて吸収層１４が形成された反射型マスクブランクス２０を用意する。ここで、反射型マスクブランクス２０は、従前公知の方法により形成することができ、製造方法に特に制限は無い。
なお、図示はしないが、バッファ層を設ける場合には、上述のキャッピング層１３を形成した後に、バッファ層を形成し、続いて吸収層１４を形成することになる。
【００３９】
次に、図３（ｂ）に示すように、吸収層１４の上に電子線レジストを形成し、電子線描画により、レジストパターン１５Ａを形成し、次いで、レジストパターン１５Ａの開口に露出する吸収層１４をエッチングして吸収体パターン１４Ａを形成し（図３（ｃ））、その後、レジストパターン１５Ａを除去して、得られた吸収体パターン１４Ａの膜厚をＡＦＭ（原子間力顕微鏡）で測定する（図４（ｄ））。
【００４０】
次に、図４（ｅ）に示すように、前記測定で得られた膜厚と所望の膜厚との差分（Ｄ）に基づいて、さらに前記吸収体パターンを全面エッチングして、前記吸収体パターンの膜厚を所望の膜厚範囲に調整する。
【００４１】
この全面エッチング工程では、１ｎｍレベルの膜厚調整が求められるため、吸収体パターンのエッチングレートが小さい条件を用いることになる。
具体的には、ＣＨＦ3ガス（分圧５％）とＨｅガス（分圧９５％）の混合ガスを用いたＩＣＰ（誘導結合プラズマ）エッチングにより、上述の膜厚調整を達成する。なお、キャッピング層１３あるいはバッファ層が存在しているため、この吸収体パターンの膜厚調整のためのエッチングを追加したとしても、反射層１２に損傷を与えることは無い。
【００４２】
また、ＣＨＦ3ガスによるエッチングは、側壁保護効果を有するため、レジストなしで全面エッチングする場合であっても、吸収体パターンの膜厚を数ｎｍ程度エッチングする条件であれば、吸収体パターンの水平方向の寸法に与える影響は無視できる範囲である。
【００４３】
なお、上述の、レジストパターン１５Ａの開口に露出する吸収層１４をエッチングして吸収体パターン１４Ａを形成する工程（図３（ｃ））におけるエッチング条件と、この吸収体パターンを全面エッチングして、前記吸収体パターンの膜厚を所望の膜厚範囲に調整する工程（図４（ｅ））におけるエッチング条件とは、異なる条件を用いることが好ましい。例えば、上述の図３（ｃ）の工程においては、図４（ｅ）の工程よりも吸収体パターンのエッチングレートが大きい条件を用いる方が、短い時間で吸収体パターン加工ができるため製造時間短縮等の効果が得られるからである。
【００４４】
この場合、図３（ｃ）の工程における反応ガスには、例えば、ＣＦ4ガスとＨｅガスの混合ガスを用いることができる。上述のＩＣＰ（誘導結合プラズマ）エッチングにおいて、他の条件は同一にして、反応ガスにＣＦ4ガス（分圧５０％）とＨｅガス（分圧５０％）の混合ガスを用いた場合、上述のＣＨＦ3ガス（分圧５％）とＨｅガス（分圧９５％）の混合ガスを用いた場合に比べて、エッチングレートは３倍になる。
【００４５】
また、本発明においては、ＩＣＰ（誘導結合プラズマ）エッチングにおけるバイアスパワーを小さく設定することも、吸収体パターンのエッチングレートを小さくすることに効果的である。例えば、上述のＣＨＦ3ガス（分圧５％）とＨｅガス（分圧９５％）の混合ガスを反応ガスに用いる場合に使用するバイアスパワーの値を、上述のＣＦ4ガス（分圧５０％）とＨｅガス（分圧５０％）の混合ガスを反応ガスに用いる場合に使用するバイアスパワーの値の半分に設定することで、ＣＨＦ3ガス（分圧５％）とＨｅガス（分圧９５％）の混合ガスを反応ガスに用いる場合のエッチングレートを、ＣＦ4ガス（分圧５０％）とＨｅガス（分圧５０％）の混合ガスを用いた場合に比べて、１／５倍にまで小さく抑制することができる。
【００４６】
上述のようにして、吸収体パターンの膜厚を所望の膜厚範囲に調整した後に、欠陥検査および欠陥修正を行って、本発明に係る反射型マスク１を得る（図４（ｆ））。
なお、図示はしないが、キャッピング層１３の上にバッファ層を設けた場合には、上述の欠陥検査および欠陥修正を行った後に、吸収体パターン１４Ｂから露出するバッファ層をエッチングして、本発明に係る反射型マスクを得ることになる。
【００４７】
なお、図３および図４においては省略しているが、吸収層１４の上にはハードマスク層を設け、このハードマスク層をマスクパターン状に加工して、吸収層１４のエッチングマスクとしても良い。
【００４８】
以上、本発明に係る反射型マスクの製造方法について説明したが、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と、実質的に同一の構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなる場合であっても本発明の技術的範囲に包含される。
【実施例】
【００４９】
以下、実施例を用いて、本発明をさらに具体的に説明する。
【００５０】
（実施例１）
基板として、光学研磨された大きさ６インチ角（厚さ０．２５インチ）の合成石英基板を用い、その主面の上に、イオンビームスパッタ法により、Ｓｉターゲットを用いてＳｉ膜を４．２ｎｍ成膜し、続いてＭｏターゲットを用いてＭｏ膜を２．８ｎｍ成膜し、これを１周期として４０周期積層してＭｏとＳｉの多層膜よりなる反射層１２を形成した後、最表面のＭｏ膜の上にＲｕ膜を２．５ｎｍ成膜してキャッピング層１３を形成した。
【００５１】
次に、上記のＲｕ膜の上に、ＤＣマグネトロンスパッタ法により、Ｔａターゲットを用いて、Ａｒと窒素の混合ガス雰囲気下で、ＴａＮ膜を吸収層１４として形成し、本発明に係る反射型マスクブランクス２０を得た。
【００５２】
次に、上記の反射型マスクブランクス２０のＴａＮ膜の上に、ポジ型の化学増幅型電子線レジスト（富士フィルムエレクトロニクスマテリアルズ製、ＦＥＰ１７１）を塗布し、電子線描画装置を用いて、吸収体パターン用のレジストパターン１５Ａを形成した。
【００５３】
次に、前記レジストパターン１５Ａの開口から露出するＴａＮ膜の吸収層１４を、ＣＦ4ガス（分圧５０％）とＨｅガス（分圧５０％）の混合ガスを用いたＩＣＰ（誘導結合プラズマ）エッチングによりバイアスパワー６０Ｗでドライエッチングして、吸収体パターン１４Ａを形成した。
【００５４】
次に、前記レジストパターンを除去し、ＡＦＭ（Ｖｅｅｃｏ社、ＤｉｍｅｎｓｉｏｎＸ３Ｄ）を用いて吸収体パターン１４Ａの膜厚を測定したところ、７０ｎｍであった。一方、目的とする膜厚範囲は、６５ｎｍ±１ｎｍである。
そこで、測定で得られた膜厚（７０ｎｍ）と所望の膜厚（６５ｎｍ±１ｎｍ）との差分（Ｄ＝４〜６ｎｍ）に基づいて、さらに前記吸収体パターン１４Ａを全面エッチングした。
【００５５】
上記のエッチングには、ＣＨＦ3ガス（分圧５％）とＨｅガス（分圧９５％）の混合ガスを用い、バイアスパワー３０ＷのＩＣＰ（誘導結合プラズマ）エッチングにより、レジストなしで、吸収体パターン１４Ａの全面をドライエッチングした。
得られた吸収体パターン１４Ｂの膜厚をＡＦＭ（Ｖｅｅｃｏ社、ＤｉｍｅｎｓｉｏｎＸ３Ｄ）を用いて測定したところ、６４ｎｍであり、目的とする膜厚範囲（６５ｎｍ±１ｎｍ）を満たすことができた。
最後に、欠陥検査および欠陥修正を行って、本発明に係る反射型マスク１を得た。
【００５６】
上述のように、本発明によれば、反射型マスクブランクスの吸収層成膜工程において、目標の膜厚精度を満たすことが困難であっても、反射型マスクの製造工程において、前記吸収体パターンの膜厚を所望の膜厚範囲に調整することで、最終的な吸収体パターンを目標の膜厚精度の範囲で形成することができる。
【符号の説明】
【００５７】
１、１００  反射型マスク
１１、１１１  基板
１２、１１２  反射層
１３、１１３  キャッピング層
１４、１１４  吸収層
１４Ａ、１４Ｂ、１１４Ａ  吸収体パターン
１５Ａ、１１５Ａ  レジストパターン
２０、２００  反射型マスクブランクス
【図１】
0005703704.tif 000002
【図２】
0005703704.tif 000003
【図３】
0005703704.tif 000004
【図４】
0005703704.tif 000005
【図５】
0005703704.tif 000006
【図６】
0005703704.tif 000007