(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
熱可塑性樹脂からなる第１樹脂層と、
該第１樹脂層上に部分的に形成された導電層と、
該導電層の非形成領域において、前記第１樹脂層を厚み方向に貫通するネジ挿入用の貫通孔と、
該貫通孔と前記導電層との間の領域において、前記第１樹脂層を貫通するダミービア孔と、
前記第１樹脂層上および前記導電層上に形成された、熱硬化性樹脂から成る第２樹脂層と、
前記ダミービア孔の内部に配された、前記第２樹脂層の一部から成る樹脂部と
を備えたことを特徴とする配線基板。
【請求項２】
請求項１に記載の配線基板において、
前記ダミービア孔は、複数形成されており、
該複数のダミービア孔は、前記貫通孔を取り囲むように配列していることを特徴とする配線基板。
【請求項３】
請求項１に記載の配線基板において、
前記ダミービア孔は、前記貫通孔を取り囲むように環状に形成されていることを特徴とする配線基板。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれかに記載された配線基板と、
該配線基板の一主面側に接続し、プローブを有するプローブヘッドと、
前記配線基板の他主面側に接続し、ネジ穴が形成されたメイン基板と、
前記配線基板および前記メイン基板を接続するネジと
を備え、
前記配線基板の一主面に当接したネジ頭と、前記貫通孔および前記ネジ穴の双方に挿入されたネジ軸とを有することを特徴とするプローブカード。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウェハ検査装置等に使用される配線基板およびそれを用いたプローブカードに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体ウェハ検査装置には、半導体ウェハの電気的信頼性を検査するためのプローブカードが用いられている。
【０００３】
このプローブカードとして、例えば特許文献１には、測定器と接続する電極を備えたメイン基板と、被検査対象物の電極に接触するプローブを備えたスペーストランスフォーマーと、メイン基板とスペーストランスフォーマ間に設けられたサブ基板と、メイン基板を補強する補強板とからなる構成が記載されている。このプローブカードのサブ基板としては、絶縁層および導電層を有する配線基板が用いられる。
【０００４】
ところで、サブ基板をメイン基板に固定するためにネジ止めを行なうと、このネジ止めの際に絶縁層に応力が印加されることがある。その結果、この応力が絶縁層を介して導電層に印加され、導電層に断線が生じ、ひいてはメイン基板の電気的信頼性が低下しやすくなる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００６−１６２４２２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、電気的信頼性を向上させる要求に応える配線基板およびそれを用いたプローブカードを提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一形態にかかる配線基板は、熱可塑性樹脂からなる第１樹脂層と、該第１樹脂層上に部分的に形成された導電層と、該導電層の非形成領域において、前記第１樹脂層を厚み方向に貫通するネジ挿入用の貫通孔と、該貫通孔と前記導電層との間の領域において、前記第１樹脂層を貫通するダミービア孔と、前記第１樹脂層上および前記導電層上に形成された、熱硬化性樹脂から成る第２樹脂層と、前記ダミービア孔の内部に配された、前記第２樹脂層の一部から成る樹脂部とを備える。
【０００８】
また、本発明の一形態にかかるプローブカードは、上記配線基板と、該配線基板の一主面側に接続し、プローブを有するプローブヘッドと、前記配線基板の他主面側に接続し、ネジ穴が形成されたメイン基板と、前記配線基板および前記メイン基板とを接続するネジとを備え、前記配線基板の一主面に当接したネジ頭と、前記貫通孔および前記ネジ穴の双方に挿入されたネジ軸とを有する。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の一形態にかかる配線基板によれば、ネジ挿入用貫通孔と導電層との間の領域において、第１樹脂層を貫通するダミービア孔を備え、このビア孔内に第２樹脂層の一部から成る樹脂部が配されているため、ネジ挿入用貫通孔から第１樹脂層を介して導電層に伝わる応力を低減することができる。それ故、導電層の断線を低減し、ひいては電気的信頼性に優れた配線基板を得ることができる。
【００１０】
また、本発明の一形態にかかるプローブカードによれば、上記配線基板を用いることによって、電気的信頼性に優れた配線基板を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】図１（ａ）は、本発明の一実施形態にかかるプローブカードを厚み方向に切断した断面図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＲ１部分を拡大して示した断面図である。
【図２】図２（ａ）は、図１（ｂ）のＲ２部分を拡大して示した断面図であり、図２（ｂ）は、図１（ｂ）における第１ビルドアップ部の第１樹脂層の平面図である。
【図３】図３（ａ）ないし図３（ｃ）は、図１（ａ）に示すプローブカードの製造工程を説明する厚み方向に切断した断面図である。
【図４】図４（ａ）は、図３（ｃ）のＲ３部分を拡大して示した断面図であり、図４（ｂ）は、図１（ａ）に示すプローブカードの製造工程を説明する厚み方向に切断した断面図であり、図４（ｃ）は、図４（ｂ）のＲ４部分を拡大して示した断面図である。
【図５】図５（ａ）は、図１（ａ）に示すプローブカードの製造工程を説明する厚み方向に切断した断面図であり、図５（ｂ）は、図５（ａ）のＲ５部分を拡大して示した断面図であり、図５（ｃ）は、図１（ａ）に示すプローブカードの製造工程を説明する厚み方向に切断した断面図である。
【図６】図６（ａ）は、図５（ｃ）のＲ６部分を拡大して示した断面図であり、図６（ｂ）は、図１に示す実装構造体の製造工程を説明する厚み方向に切断した断面図である。
【図７】図７（ａ）は、本発明の他の一実施形態にかかるプローブカードにおける、図２（ａ）に相当する箇所の断面図であり、図７（ｂ）は、図７（ａ）に示すプローブカードにおける、図２（ｂ）に相当する箇所の断面図である。
【図８】図８は、本発明の他の一実施形態にかかるプローブカードにおける、図２（ｂ）に相当する箇所の平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下に、本発明の一実施形態に係る配線基板を用いたプローブカードを例に、図面に基づいて詳細に説明する。
【００１３】
図１（ａ）に示したプローブカード１は、半導体ウェハ検査装置において、テスタ等の測定器（図示せず）からの信号によって、半導体ウェハの電気的信頼性を検査するものである。このプローブカード１は、プローブヘッド２と、このプローブヘッド２が接続した配線基板３と、この配線基板３が接続したメイン基板４と、このメイン基板４が接続した補強板５と、配線基板３およびメイン基板４を接続するネジ６とを含んでいる。
【００１４】
プローブヘッド２は、半導体ウェハの検査を行なうものである。このプローブヘッド２は、プローブ７と、このプローブ７を保持する保持部材８とを含んでいる。プローブ７は、半導体ウェハに接触する端子として機能するものであり、配線基板３からの信号を半導体ウェハに伝えるとともに、半導体ウェハからの信号を配線基板３に伝える。このプローブ７は、検査対象である半導体ウェハの配線パターンに応じて配置されており、検査対象である半導体ウェハに対応するものが適宜使用される。また、プローブ７は、本実施形態においては、保持部材８を厚み方向に貫通して配線基板３に電気的に接続している。
【００１５】
配線基板３は、プローブヘッド２の保持部材として機能するとともに、プローブ７とメイン基板４とを電気的に接続するものである。この配線基板３は、プローブ７の配置とメイン基板４の配線パターンとに応じたパターンの配線が内部に形成されており、用いられるプローブヘッド２に対応するものが適宜使用される。さらに、配線基板３は、検査対象である半導体ウェハに応じて適宜交換可能となるように、メイン基板４にネジ止めされている。
【００１６】
この配線基板３は、本実施形態においては、図１（ｂ）に示すように、コア基板１０と、コア基板１０の両主面に形成された一対のビルドアップ部１１とを含んでいる。また、配線基板３には、厚み方向に貫通する貫通孔Ｐが形成されている。
【００１７】
ここで、便宜上、一対のビルドアップ部１１のうち、プローブヘッド２側に配されたビルドアップ部１１を第１ビルドアップ部１１ａとし、メイン基板４側に配されたビルドアップ部１１を第２ビルドアップ部１１ｂとする。
【００１８】
コア基板１０は、配線基板３の強度を高めるものであり、厚み方向に貫通する円柱状のスルーホールＴが形成された基体１２と、スルーホールＴの内壁に形成された筒状のスルーホール導体１３と、該スルーホール導体１３の内部に配された柱状の絶縁体１４とを含んでいる。
【００１９】
基体１２は、コア基板１０の主要部をなして剛性を高めるものである。この基体１２は、エポキシ樹脂等の樹脂と、該樹脂によって被覆されたガラスクロス等の基材と、該樹脂によって被覆された複数の粒子からなるシリカフィラー等の無機絶縁フィラーとを含んでいる。また、基体１２の厚みは、例えば０．１ｍｍ以上１ｍｍ以下に設定されている。基体１２の平面方向への熱膨張率は、例えば５ｐｐｍ／℃以上３０ｐｐｍ／℃以下に設定されている。基体１２の厚み方向への熱膨張率は、例えば１５ｐｐｍ／℃以上５０ｐｐｍ／℃以下に設定されている。基体１２のヤング率は、例えば５ＧＰａ以上３０ＧＰａ以下に設定されている。
【００２０】
なお、基体１２の熱膨張率は、市販のＴＭＡ装置を用いてＪＩＳＫ７１９７‐１９９１に準じた測定方法により測定される。また、基体１２のヤング率は、ＭＴＳシステムズ社製Ｎａｎｏ  Ｉｎｄｅｎｔｅｒ  ＸＰ／ＤＣＭを用いて測定される。以下、各部材の熱膨張率およびヤング率は、基体１２と同様に測定される。
【００２１】
スルーホール導体１３は、コア基板１０の両主面に形成されたビルドアップ部１１を電気的に接続するものである。このスルーホール導体１３は、例えば銅、チタン、モリブデン、クロムまたはニッケルクロム合金等の導電材料により形成することができる。
【００２２】
このスルーホール導体１３は、基体１２を厚み方向に貫通する円柱状のスルーホールＴの内壁に被着している。このスルーホールＴの径（直径）は、例えば５０μｍ以上２５０μｍ以下に設定されている。
【００２３】
絶縁体１４は、後述するビア導体１７の支持面を形成するものである。この絶縁体１４は、例えばエポキシ樹脂等の樹脂材料により形成することができる。
【００２４】
一方、コア基板１０の両主面には、上述した如く、一対のビルドアップ部１１が形成されている。このビルドアップ部１１は、図２（ａ）に示すように、厚み方向に貫通するビア孔Ｖおよびダミービア孔Ｄが形成された複数の絶縁層１５と、基体１２上および絶縁層１５上に部分的に形成された複数の導電層１６と、ビア孔Ｖ内に充填され、導電層１６に接続したビア導体１７とを含んでいる。
【００２５】
絶縁層１５は、導電層１６を支持する支持部材として機能するだけでなく、導電層１６同士の短絡を防ぐ絶縁部材として機能するものである。この絶縁層１５は、第１樹脂層１８ａと、該第１樹脂層１８ａよりもコア基板１０側に配された第２樹脂層１８ｂとを含んでいる。この絶縁層１５の厚みは、例えば５μｍ以上４０μｍ以下に設定されている。
【００２６】
第１樹脂層１８ａは、絶縁層１５の剛性を高めるとともに平面方向における熱膨張率を低減するものである。この第１樹脂層１８ａは、樹脂と該樹脂に被覆された複数の粒子からなるシリカフィラー等の無機絶縁フィラーとを含んでいる。また、第１樹脂層１８ａの平面方向への熱膨張率は、例えば０ｐｐｍ／℃以上３０ｐｐｍ／℃以下に設定されている。第１樹脂層１８ａの厚み方向への熱膨張率は、例えば２０ｐｐｍ／℃以上５０ｐｐｍ／℃以下に設定されている。第１樹脂層１８ａのヤング率は、例えば２．５ＧＰａ以上１０ＧＰａ以下に設定されている。また、第１樹脂層１８ａは、第２樹脂層１８ｂよりもヤング率が高いとともに平面方向の熱膨張率が小さい。
【００２７】
第１樹脂層１８ａの樹脂は、ポリイミド樹脂等の熱可塑性樹脂を用いることができる。また、この樹脂は、平面方向への熱膨張率低減の観点から、各樹脂分子鎖の長手方向が第１樹脂層１８ａの平面方向に平行である構造を有するフィルム状であることが望ましい。
【００２８】
第２樹脂層１８ｂは、厚み方向に隣接した該第１樹脂層１８ａ同士を接着するとともに、導電層１６の側面および一主面に接着して導電層１６を固定するものである。この第２樹脂層１８ｂは、樹脂を含んでいる。なお、第２樹脂層１８ｂは、接着性の観点から無機絶縁フィラーを含まない方が望ましいが、無機絶縁フィラーを含んでも構わない。また、第２樹脂層１８ｂの平面方向および厚み方向への熱膨張率は、例えば１０ｐｐｍ／℃以上１００ｐｐｍ／℃以下に設定されている。また、第２樹脂層１８ｂの平面方向への熱膨張率は、第１樹脂層１８ａの平面方向への熱膨張率の例えば２倍以上１００倍以下に設定されている。また、第２樹脂層１８のヤング率は、例えば０．０５ＧＰａ以上０．５ＧＰａ以下に設定され、第１樹脂層１８ａのヤング率の例えば０．０００５倍以上０．２倍以下に設定されている。また、第２樹脂層１８ｂは、第１樹脂層１８ａよりもヤング率が低い。
【００２９】
第２樹脂層１８ｂの樹脂は、例えばエポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、シアネート樹脂、またはアミド樹脂等を用いることができる。
【００３０】
導電層１６は、接地用配線、電力供給用配線または信号用配線として機能するものである。この導電層１６は、例えば銅、チタン、モリブデン、クロムまたはニッケルクロム合金等の導電材料により形成することができる。また、導電層１６は、ニッケルクロム合金からなる下地膜と、この下地膜上に設けられた銅からなる導体部とを含んでいることが望ましい。その結果、下地膜によって、導電層１６と第１樹脂層１０ａとの接着強度を高めつつ、導体部によって、導電層１６の導電率を高めることができる。また、導電層１６の厚みは、例えば３μｍ以上２０μｍ以下に設定されている。
【００３１】
ビア導体１７は、厚み方向に互いに離間した導電層１６同士を相互に接続するものである。このビア導体１７例えば銅、チタン、モリブデン、クロムまたはニッケルクロム合金等の金属材料により形成することができる。
【００３２】
また、ビア導体１７は、絶縁層１５を厚み方向に貫通するビア孔Ｖに充填されている。ビア孔Ｖは、コア基板１０に向って幅狭となるテーパー状である。このビア孔Ｖの最大径（直径）は、例えば２０μｍ以上５０μｍ以下に設定されている。また、ビア孔Ｖの最小径（直径）は、例えば１０μｍ以上４０μｍ以下に設定されている。
【００３３】
また、絶縁層１５には、厚み方向に貫通するダミービア孔Ｄが形成されている。本実施形態において、ダミービア孔Ｄは、貫通孔Ｐと導電層１６との間に形成されている。また、一対のビルドアップ部１１のうち、第１ビルドアップ部１１ａのみに形成されている。ダミービア孔Ｄは、コア基板１０に向って幅狭となるテーパー状である。このダミービア孔Ｄの最大径（直径）は、例えば２０μｍ以上５０μｍ以下に設定されている。また、ダミービア孔Ｄの最小径（直径）は、例えば１０μｍ以上４０μｍ以下に設定されている。また、ダミービア孔Ｄの最大径は、ビア孔Ｖの最大径と同じであることが望ましい。この場合、ダミービア孔Ｄの最大径は、ビア孔Ｖの最大径の例えば０．９倍以上１．１倍以下に設定されている。
【００３４】
ここで、便宜上、配線基板３の内部に位置する絶縁層１５に形成されたダミービア孔Ｄを第１ダミービア孔Ｄ１とし、配線基板３の最外層に位置する絶縁層１５に形成されたダミービア孔Ｄを第２ダミービア孔Ｄ２とする。
【００３５】
第１ダミービア孔Ｄ１には、この第１ダミービア孔Ｄ１が形成された絶縁層１５に隣接する絶縁層１５の第２樹脂層１８ｂの一部（樹脂部１９）が充填されている。また、第２ダミービア孔Ｄ２は、部材が配されておらず、内面が露出した空間となっており、配線基板３周囲の雰囲気に晒されている。
【００３６】
上述した配線基板３には、導電層１６の非形成領域において、厚み方向に貫通する貫通孔Ｐが形成されている。この貫通孔Ｐには、ネジ６の一部が挿入される。なお、貫通孔Ｐは、内面にネジ山およびネジ溝が形成されておらず、内面が曲面状であってネジ６から離れていることが望ましい。その結果、ネジ６による応力が貫通孔Ｐの内面に印加されることを低減し、該応力による導電層１６の断線を低減することができる。この貫通孔Ｐの径（直径）は、例えば３００μｍ以上３４００μｍ以下に設定されている。
【００３７】
一方、メイン基板４は、測定器からの信号を配線基板３へと伝送する機能を有するものである。このメイン基板４は、例えばプリント配線板等を用いることができる。また、メイン基板４は、内面にネジ山およびネジ溝が形成されたネジ穴Ｈを含んでいる。
【００３８】
補強板５は、メイン基板４を補強して、メイン基板４の反りを低減する機能を有するものである。この補強板５は、ステンレスまたはアルミニウム等の金属材料により形成することができる。
【００３９】
ネジ６は、配線基板３をメイン基板４に固定する機能を有する。具体的には、以下のように作用する。まず、ネジ６は、配線基板３の一主面に当接するネジ頭２０と、配線基板３の貫通孔Ｐおよびメイン基板４のネジ穴Ｈに挿入され、外面にネジ山およびネジ溝が形成されたネジ軸２１とを含んでいる。このネジ軸２１をおねじ、メイン基板４のネジ穴Ｈをめねじとして用いることによって、ネジ６をメイン基板４に締めることができる。そして、ネジ６をメイン基板４に締めることによって、ネジ頭２０を配線基板３に当接させ、さらには、ネジ頭２０で配線基板３を押圧させることによって、配線基板３がメイン基板４に固定される。なお、ネジ頭２０が当接する配線基板の一主面には、一対のビルドアップ部１１ａのうち、第１ビルドアップ部１１ａにおいて最外層の絶縁層１５の第１樹脂層１８ａが配置されている。
【００４０】
ところで、上述した配線基板３においては、ネジ頭２０が配線基板３の一主面に当接するため、ネジ６を締める際に、配線基板３がネジ頭２０に巻き込まれて、巻き込み方向への応力（巻き込み応力）が配線基板３に印加されることがある。この巻き込み応力は、第１樹脂層１８ａを伝播しやすい。この巻き込み応力が第１樹脂層１８ａを伝播して導電層１６に達すると、導電層１６に断線が生じやすくなる。特に、導電層１６が信号用配線である場合、線幅が狭く形成されるため、この配線に断線が生じやすい。なお、第１樹脂層１８ａが巻き込み応力を伝搬しやすいのは、第１樹脂層１８ａのヤング率が第２樹脂層１８ｂよりも大きいことに起因すると推測される。
【００４１】
一方、本実施形態の配線基板３においては、貫通孔Ｐと導電層１６との間の領域において、第１樹脂層１８ａを厚み方向に貫通するダミービア孔Ｄが形成されている。その結果、このダミービア孔Ｄにおいて、第１樹脂層１８ａにおける巻き込み応力の伝播を緩和することができる。したがって、導電層１６における断線を低減し、ひいては電気的信頼性に優れた配線基板３を得ることができる。
【００４２】
また、ダミービア孔Ｄは、ビルドアップ部１１のうち、第１ビルドアップ部１１ａに形成されている。その結果、ネジ頭２０が当接する第１ビルドアップ部１１ａにおいては、ダミービア孔Ｄによって、第１樹脂層１８ａにおける巻き込み応力の伝播を緩和することができる。一方、第２ビルドアップ部１１ｂにおいては、ネジ頭２０との間にコア基板１０が介在しているため、剛性の高いコア基板１０によって巻き込み応力が伝播しにくい。それ故、導電層１６の信頼性を担保しつつ、ダミービア孔Ｄを形成しないことによって、配線基板３の生産効率を高めることができる。
【００４３】
また、ダミービア孔Ｄのうち、配線基板３の内部に位置する第１樹脂層１８ａに形成された第１ダミービア孔Ｄ１は、樹脂部１９が充填されている。その結果、巻き込み応力を第１ダミービア孔Ｄ１と樹脂部１９との界面に集中させることによって、第１樹脂層１８ａにおける巻き込み応力の導電層１６への伝播を低減できる。また、樹脂部１９が配線基板３の内部の空間を低減するため、空間に侵入した水分が加熱によって気化することに起因した、配線基板３内部の膨れを低減し、ひいてはこの膨れによる導電層１６の断線を低減できる。
【００４４】
また、樹脂部１９は、第２樹脂層１８ｂの一部である。この第２樹脂層１８ｂは、第１樹脂層１８ａよりもヤング率が低いため、弾性変形しやすい。それ故、第１ダミービア孔Ｄ１に配された樹脂部１９が弾性変形することによって、第１樹脂層１８ａにおける巻き込み応力の導電層１６への伝播を低減できる。
【００４５】
また、ダミービア孔Ｄのうち、配線基板３の最外層に位置する第１樹脂層１８ａに形成された第２ダミービア孔Ｄ２は、内部が空間となっている。この内部が空間である第２ダミービア孔Ｄ２は、内部に部材が充填された第１ダミービア孔Ｄ１よりも、巻き込み応力の伝播を強く抑制することができる。それ故、巻き込み応力が最も強く印加される最外層の第１樹脂層１８ａに第２ダミービア孔Ｄ２を形成することによって、最外層の第１樹脂層１８ａ上に形成された導電層１６の断線を効果的に低減することができる。また、内部が空間である第２ダミービア孔Ｄ２を最外層の第１樹脂層１８ａに形成しており、第２ダミービア孔Ｄ２の内面が外部に露出しているため、配線基板３の膨れを抑制できる。
【００４６】
また、ダミービア孔Ｄは、第１ビルドアップ部１１ａを構成する絶縁層１５の各層に形成されている。このダミービア孔Ｄは、図２（ａ）に示すように、絶縁層１５の積層方向へ一列に配列している（スタック構造）。
【００４７】
ダミービア孔Ｄは、１層の絶縁層１５に複数形成されている。この複数のダミービア孔Ｄは、図２（ｂ）に示すように、平面視において、貫通孔Ｐを取り囲むように配列している。その結果、貫通孔Ｐの周囲に形成された導電層１６の断線を低減することができ、配線設計の自由度を高めることができる。
【００４８】
かくして、上述したプローブカード１は、メイン基板４、配線基板３およびプローブヘッド２と順次信号を伝送することによって、メイン基板４に接続した測定器の信号を、プローブヘッド２のプローブ７に接触した半導体ウェハへと伝送することができる。また、プローブカード１は、逆方向に信号を伝送することによって、半導体ウェハの信号を測定器へと伝送することができる。その結果、プローブカード１は、半導体ウェハの電気的信頼性の検査を可能とし、所望の機能を発揮する。
【００４９】
次に、上述したプローブカード１の製造方法を、図３から図６に基づいて説明する。まず、配線基板３の作製方法について詳細に説明する。
【００５０】
（配線基板の作製）
（１）図３（ａ）に示すように、両主面に導電層１６が形成されたコア基板１０を作製する。具体的には、例えば以下のように行う。
【００５１】
まず、例えば未硬化の樹脂シートを複数積層するとともに最外層に銅箔を積層し、該積層体を加熱加圧して硬化させることにより、基体１２を作製する。なお、未硬化は、ＩＳＯ４７２：１９９９に準ずるＡ‐ステージまたはＢ‐ステージの状態である。次に、例えばドリル加工やレーザー加工等により、基体１２を厚み方向に貫通したスルーホールを形成する。次に、例えば無電解めっき法および電気めっき法等により、スルーホールの内壁に導電材料を被着させて、スルーホール導体１３を形成する。次に、スルーホール導体１３の内部に、樹脂等を充填し、絶縁体１４を形成する。次に、導電材料を絶縁体１４の露出部に被着させた後、従来周知のフォトリソグラフィー法、エッチング法等により、銅箔をパターニングして導電層１６を形成する。
【００５２】
（２）図３（ｂ）に示すように、コア基板１０上に絶縁層１５を形成し、該絶縁層１５にビア孔Ｖおよびダミービア孔Ｄを形成する。具体的には、例えば以下のように行う。
【００５３】
まず、未硬化の第２樹脂層１８ｂを介して、フィルム状の第１樹脂層１８ａをコア基板１０上に配置した後、コア基板１０、第２樹脂層１８ｂおよび第１樹脂層１８ａを加熱加圧して第２樹脂層１８ｂを硬化させることにより、コア基板１０上に絶縁層１５を形成する。次に、例えばＹＡＧレーザー装置または炭酸ガスレーザー装置等によるレーザー加工を用いて、絶縁層１５にビア孔Ｖを形成し、ビア孔Ｖ内に導電層１６の少なくとも一部を露出させる。また、ビア孔Ｖと同様の方法で、ダミービア孔Ｄを形成する。
【００５４】
このようにレーザー加工でダミービア孔Ｄを形成することによって、ダミービア孔Ｄは、コア基板１０に向かって幅狭なテーパー状とすることができる。
【００５５】
（３）図３（ｃ）および図４（ａ）に示すように、絶縁層１５上に導電層１６を形成するとともに、ビア孔Ｖにビア導体１７を形成する。具体的には、例えば以下のように行う。
【００５６】
まず、スパッタリング法を用いて、絶縁層１５上およびビア孔Ｖ内面に下地膜を形成する。次に、フォトリソグラフィ法を用いて、下地膜上にパターニングしたレジストを形成する。次に、電気めっき法を用いて、この下地膜上に部分的に導体部を形成する。次に、レジストを下地膜から除去する。次に、エッチング法を用いて、下地膜における導体部の非形成領域を除去することによって、ことによって、導電層１６およびビア導体１７を形成する。
【００５７】
ここで、ダミービア孔Ｄ上にレジストを形成することによって、ダミービア孔Ｄ内にビア導体１７を形成せずに、ダミービア孔Ｄの内部の空間を維持することができる。
【００５８】
（４）図４（ｂ）ないし図６（ａ）に示すように、上述した（２）および（３）の工程を繰り返して一対のビルドアップ部１１を形成した後、図６（ｂ）に示すように、ドリル加工等を用いて貫通孔Ｐを形成することによって、配線基板３を作製することができる。
【００５９】
ここで、（３）の工程において、絶縁層１５にダミービア孔Ｄを形成するとともに導電層１６を形成した後、図４（ｃ）に示すように、（２）の工程と同様に、未硬化の第２樹脂層１８ｂを介して、フィルム状の第１樹脂層１８ａを絶縁層１５上に配置した後、第２樹脂層１８ｂおよび第１樹脂層１８ａを加熱加圧して第２樹脂層１８ｂを硬化させる際に、第２樹脂層１８ｂの一部がダミービア孔Ｄ内に入り込むことによって、樹脂部１９が形成される。
【００６０】
この際、ダミービア孔Ｄは、コア基板１０に向かって幅狭なテーパー状であるため、第２樹脂層１８ｂの一部がダミービア孔Ｄに充填されやすい。
【００６１】
以上のようにして、配線基板３を作製することができる。次に、この配線基板３を用いたプローブカード１の作製方法について説明する。
【００６２】
（プローブカードの作製）
（５）プローブヘッド２、配線基板３、メイン基板４および補強板５を順次接続することによって、図１に示すプローブカードを作製することができる。
【００６３】
ここで、配線基板３およびメイン基板４は、ネジ６のネジ軸２１を、配線基板３の貫通孔Ｐに挿入した後、さらにネジ軸２１の先端部をメイン基板４のネジ穴Ｈに挿入する。そして、ネジ６をネジ穴Ｈに締めつけ、ネジ頭２０で配線基板３を押圧することによって、配線基板３をメイン基板４に固定する。
【００６４】
本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良、組み合わせ等が可能である。
【００６５】
例えば、上述した実施形態において、配線基板をプローブカードに用いた構成を例に説明したが、配線基板は他の部材にネジ止めされるものであればよく、他の用途に用いても構わない。
【００６６】
また、上述した実施形態において、３層の絶縁層によりビルドアップ部を形成した構成を例に説明したが、絶縁層は１層以上であればよい。
【００６７】
また、上述した実施形態において、樹脂部を充填した第１ダミービア孔と内部が空間である第２ダミービア孔とを形成した構成を例に説明したが、どちら一方のみが形成されていても構わない。
【００６８】
また、上述した実施形態において、樹脂部として第２樹脂層の一部を用いたが、第２樹脂層とは異なる樹脂を樹脂部として用いても構わない。このような樹脂部は、上述した（２）の工程において、第１ダミービア孔を形成した後に、第２樹脂層とは異なる樹脂を充填することによって、形成することができる。
【００６９】
また、上述した実施形態において、ダミービア孔をスタック構造とした構成を例に説明したが、ダミービア孔は、１層の絶縁層のみに形成されていても構わないし、図７に示すように、各層で平面方向における位置がずれたスパイラル構造でも構わない。この場合、スタック構造と比較して、貫通孔Ｐの周囲に貫通孔Ｐの周囲をより分散させて配置することができるため、貫通孔Ｐの周囲で巻き込み応力の伝搬を均一に低減することができ、導電層１６の断線を低減できる。
【００７０】
なお、ダミービア孔をスパイラル構造とする場合、図７に示すように、隣接する１組の絶縁層１５において、一方の絶縁層１５のダミービア孔Ｄ´が、他方の絶縁層１５にて隣接するダミービア孔Ｄ同士の間に、配されていることが望ましい。また、ダミービア孔Ｄにおけるコア基板１０側の端部は、このダミービア孔Ｄよりもコア基板側１０側に配された第１樹脂層１０ａの凹部からなり、樹脂部１９の一部が凹部に充填されていることが望ましい。この凹部は、ダミービア孔を形成する際のレーザー条件を適宜調節することによって、形成できる。なお、この凹部は、上述したダミービア孔をスタック構造とする実施形態に適用しても構わない。
【００７１】
また、上述した実施形態において、複数のダミービア孔が貫通孔を取り囲むように配列した構成を例に説明したが、このように配列してなくても構わず、すくなくとも１つのダミービア孔が貫通孔と導電層との間に配置していればよい。また、ダミービア孔Ｄの他の例としては、図８に示すように、貫通孔Ｐを取り囲む環状、なかでも円環状に形成されていることが望ましい。この場合、第１樹脂層１８ａにおける応力の伝播をより効果的に低減できる。このようなダミービア孔Ｄは、例えば、上述した（２）の工程において、レーザーの照射位置を一部が重なるようにずらしていくことによって、形成することができる。
【符号の説明】
【００７２】
１                プローブカード
２                プローブヘッド
３                配線基板
４                メイン基板
５                補強板
６                ネジ
７                プローブ
８                保持部材
９                絶縁体
１０              コア基板
１１              ビルドアップ部
１２              基体
１３              スルーホール導体
１４              絶縁体
１５              絶縁層
１６              導電層
１７              ビア導体
１８ａ            第１樹脂層
１８ｂ            第２樹脂層
１９              樹脂部
２０              ネジ頭
２１              ネジ軸
Ｐ                貫通孔
Ｔ                スルーホール
Ｖ                ビア孔
Ｄ                ダミービア孔
Ｈ                ネジ穴
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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