(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体からなる半導体層と、
前記半導体層上に形成される酸素原子密度が１×１０２１ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下の第１の窒化珪素膜と、
前記第１の窒化珪素膜上に形成されるゲート電極と、
前記半導体層上に前記ゲート電極を挟んで形成されるソース電極およびドレイン電極と、
前記ソース電極とゲート電極との間、前記ドレイン電極と前記ゲート電極との間に形成され、前記第１の窒化珪素膜よりも酸素原子密度の低い第２の窒化珪素膜と、
を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記第２の窒化珪素膜が前記半導体層に接して形成されることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第２の窒化珪素膜の酸素原子密度が、前記第１の窒化珪素膜の酸素原子密度より１桁以上低いことを特徴とする請求項１または請求項２記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第１の窒化珪素膜の水素原子密度が、前記第２の窒化珪素膜の水素原子密度より１桁以上低いことを特徴とする請求項１ないし請求項３いずれか一項記載の半導体装置。
【請求項５】
前記半導体層はＧａＮからなる動作層と、前記動作層上に形成されたＡｌＧａＮ、ＧａＮ、ＩｎＡｌＮのいずれか、または、その組み合わせにより構成される障壁層との積層構造を有することを特徴とする請求項１ないし請求項４いずれか一項記載の半導体装置。  
【請求項６】
ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体からなる半導体層上に酸素原子密度が１×１０２１ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下の第１の窒化珪素膜を形成し、
前記第１の窒化珪素膜上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極の両側の前記半導体層上に前記第１の窒化珪素膜よりも酸素原子密度の低い第２の窒化珪素膜を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記第２の窒化珪素膜の酸素原子密度が、前記第１の窒化珪素膜の酸素原子密度より１桁以上低いことを特徴とする請求項６記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記第１の窒化珪素膜の水素原子密度が、前記第２の窒化珪素膜の水素原子密度より１桁以上低いことを特徴とする請求項６または請求項７記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
高い電界強度を有する窒化物系半導体材料は、パワーエレクトロニクス用半導体装置、もしくは、高周波パワー半導体装置などへの応用が期待されている。しかしながら、高電圧などのストレスを印加した時に、ドレイン電流が大幅に減少する電流コラプスという現象が生じ、半導体装置の特性に影響を及ぼすことが分かっている。また、半導体装置の耐圧向上のためにはゲートリーク電流を低減することが不可欠であり、ゲート絶縁膜を用いることが有用であることが分かっている。
【０００３】
高性能な窒化物系半導体装置を実現するために、電流コラプスの抑制と、ゲートリーク電流の低減を両立させる構造の実現が望まれている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１０−２２５９７９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、上記事情を考慮してなされたものであり、その目的とするところは、電流コラプスの抑制と、ゲートリーク電流の低減を両立させる構造を備えた窒化物系半導体装置およびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一態様の半導体装置は、ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体からなる半導体層と、前記半導体層上に形成される酸素原子密度が１×１０２１ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下の第１の窒化珪素膜と、前記第１の窒化珪素膜上に形成されるゲート電極と、前記半導体層上に前記ゲート電極を挟んで形成されるソース電極およびドレイン電極と、前記ソース電極とゲート電極との間、前記ドレイン電極と前記ゲート電極との間に形成され、前記第１の窒化珪素膜よりも酸素原子密度の低い第２の窒化珪素膜と、を有することを特徴とする。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】第１の実施の形態の半導体装置の構成を示す断面図である。
【図２】第１の実施の形態の半導体装置の製造方法を示す工程断面図である。
【図３】第１の実施の形態の半導体装置の製造方法を示す工程断面図である。
【図４】第１の実施の形態の半導体装置の製造方法を示す工程断面図である。
【図５】第１の実施の形態の半導体装置の製造方法を示す工程断面図である。
【図６】第１の実施の形態の半導体装置の製造方法を示す工程断面図である。
【図７】ＥＣＲプラズマ成膜法とＰＥ−ＣＶＤ法で成膜した窒化珪素膜の酸素・水素原子密度を示す図である。
【図８】電流コラプス抑制効果を示す図である。
【図９】第２の実施の形態の半導体装置の構成を示す断面図である。
【図１０】第３の実施の形態の半導体装置の構成を示す断面図である。
【図１１】第４の実施の形態の半導体装置の構成を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
（第１の実施の形態）
本実施の形態の半導体装置は、ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体からなる半導体層と、半導体層上に形成される第１の窒化珪素膜と、第１の窒化珪素膜上に形成されるゲート電極と、半導体層上にゲート電極を挟んで形成されるソース電極およびドレイン電極と、ソース電極とゲート電極との間、ドレイン電極とゲート電極との間に形成され、第１の窒化珪素膜よりも酸素原子密度の低い第２の窒化珪素膜と、を備えている。
【０００９】
図１は、本実施の形態の半導体装置の構成を示す断面図である。この半導体装置は、ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体からなる半導体層１０上に形成されている。そして、半導体層１０は、例えば、窒化ガリウム（ＧａＮ）からなる動作層１０ａの上に、例えば、窒化ガリウム（ＧａＮ）、窒化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＮ）、窒化インジウムアルミニウム（ＩｎＡｌＮ）のいずれか、または、その組み合わせにより構成される障壁層１０ｂが積層されている。動作層１０ａと障壁層１０ｂの間に、ヘテロ接合界面が形成されている。例えば、動作層１０ａの膜厚は１μｍであり、障壁層１０ｂの膜厚は３０ｎｍである。
【００１０】
本実施の形態では、２層の半導体層のヘテロ接合を用いた電界効果トランジスタであるＨＥＭＴ(高電子移動度トランジスタ)の例を示している。しかし、２層に限らず、種々の層構造を有する半導体層に対しても本実施の形態の構造を適用することが可能である。本実施の形態のように、ヘテロ接合を用いたＨＥＭＴは、チャネル移動度が高いため、オン抵抗を小さくすることが可能であり、パワーエレクトロニクス用半導体装置に有効である。また、高いチャネル移動度は高周波動作にも適している。
【００１１】
半導体層１０上には第１の窒化珪素膜１２が形成される。第１の窒化珪素膜１２はゲート絶縁膜として機能する。そして、第１の窒化珪素膜１２上にゲート電極１４が形成される。ゲート電極１４は、例えば、金属電極である。金属電極は、例えば、ニッケル（Ｎｉ）電極やチタン（Ｔｉ）電極である。
【００１２】
また、半導体層１０上には、ゲート電極１４を間に挟んで、ソース電極１６とドレイン電極１８が設けられる。ソース電極１６とドレイン電極１８はそれぞれゲート電極１４と離間している。ソース電極１６とドレイン電極１８は、例えば、金属電極であり、金属電極は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）を主成分とする電極である。
【００１３】
ソース電極１６とドレイン電極１８との間の半導体層１０上には、第１の窒化珪素膜１２よりも酸素原子密度の低い第２の窒化珪素膜２０が形成されている。第２の窒化珪素膜２０は半導体層１０に接して形成されている。第２の窒化珪素膜２０は、ゲート電極１４とソース電極１６、ゲート電極１４とドレイン電極１８との間の半導体層１０の表面を保護する表面保護膜（またはパッシベーション膜）として機能する。
【００１４】
上述のように、窒化物系半導体を用いた半導体装置においては、高電圧などのストレス印加時にドレイン電流が大幅に減少する電流コラプス現象が大きな課題となっている。この電流コラプス現象の抑制には、窒化物系半導体表面に窒化珪素膜を形成することが有効である。これは、半導体と絶縁膜の界面に存在する界面準位密度を低減することが可能だからである。界面準位密度低減によって電流コラプス低減だけでなく、高周波動作にも有利となる。
【００１５】
また、上述のように、高耐圧を実現するためには、ゲートリーク電流を抑制する必要がある。このリーク電流は絶縁破壊電界が高い絶縁膜を用いることで抑制することが可能である。しかし、ゲート絶縁膜と窒化物系半導体の界面の界面準位密度が多いと、素子特性にヒステリシスが生じたりしきい値が変動するなど、不安定な半導体装置となる。
【００１６】
また、ゲートリーク電流低減にはゲート絶縁膜の厚膜化も有効な手段であるが、ゲート絶縁膜を厚くするほど、チャネル層とゲート電極との距離が大きくなってしまう。これにより、トランジスタのしきい値が負側に大きくシフトしてしまい、スイッチング素子には不利となる。
【００１７】
本実施の形態は、ゲート絶縁膜と表面保護膜の双方に窒化珪素膜を適用する。ゲート絶縁膜には、酸素原子密度の高い第１の窒化珪素膜１２を適用する。これにより、界面準位密度を大きくすることなくゲートリーク電流を抑制することが可能となる。
【００１８】
そして、表面保護膜として、第１の窒化珪素膜１２よりも酸素原子密度の低い第２の窒化珪素膜２０を適用する。これにより、表面保護膜中あるいは表面保護膜と半導体層１０との界面にトラップされる電子が減少し、電流コラプスの抑制を実現することが可能となる。
【００１９】
したがって、本実施の形態の半導体装置によれば、電流コラプスの抑制と、ゲートリーク電流の低減を両立させる構造が実現される。
【００２０】
ここで、第１の窒化珪素膜の酸素原子密度が１×１０２１ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であることが望ましい。１×１０２１ａｔｏｍｓ／ｃｍ３より大きいと、界面準位密度が大きくなり、ゲート絶縁膜中あるいはゲート絶縁膜と半導体層１０との界面にトラップされる電子が増大することによる特性変動が懸念されるからである。
【００２１】
また、第２の窒化珪素膜２０の酸素原子密度が、第１の窒化珪素膜１２の酸素原子密度より１桁以上低いことが望ましい。これにより、十分な電流コラプスの抑制が実現されるからである。
【００２２】
さらに、第１の窒化珪素膜１２の水素原子密度が、第２の窒化珪素膜２０の水素原子密度より１桁以上低いことが望ましく、２桁以上低いことがより望ましい。第１の窒化珪素膜１２の水素原子密度を低くすることにより、ゲートリーク電流を低減することが可能となるからである。絶対値としては、水素原子密度が、１×１０２１ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であることが望ましい。
【００２３】
ゲート絶縁膜として機能する第１の窒化珪素膜１２は、リーク電流低減のためには厚い方が良いが、上述のように、厚いほどしきい値が負に大きくなってしまう。このため、パワーエレクトロニクス用のスイッチング素子として考えると、膜厚は５０ｎｍ以下であることが望ましい。
【００２４】
また、パワーエレクトロニクス用半導体として素子に高電界が印加されると、横型素子においては表面保護膜にも高電界が印加される。このことから、表面保護膜である第２の窒化珪素膜２０には所定の厚さが必要であり、膜厚は１００ｎｍ以上であることが望ましい。
【００２５】
図２〜図６は、本実施の形態の半導体装置の製造方法を示す工程断面図である。
【００２６】
まず、図２に示すように、動作層１０ａに障壁層１０ｂが積層された窒化物半導体の半導体層１０を準備する。
【００２７】
次に、図３に示すように、半導体層１０上に第２の窒化珪素膜２０を形成する。第２の窒化珪素膜２０の形成は、比較的、酸素原子密度が低い窒化珪素膜を成膜可能であることから、ＰＥ−ＣＶＤ（Ｐｌａｓｍａ−Ｅｎｈａｎｃｅｄ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法を用いることが望ましい。
【００２８】
その後、一部を、リソグラフィー技術を用いて、マスク形成した後、ＲＩＥ（反応性イオンエッチング）技術等により、ゲート絶縁膜およびゲート電極を形成する部分の第２の窒化珪素膜２０を除去する。
【００２９】
次に、図４に示すように、第２の窒化珪素膜２０が除去された半導体層１０上、および、第２の窒化珪素膜２０上に、ゲート絶縁膜となる第１の窒化珪素膜１２を形成する。
【００３０】
第１の窒化珪素膜１２の成膜方法としては、ＰＥ−ＣＶＤ法、Ｃａｔ−ＣＶＤ法、ＥＣＲスパッタリング法など、様々な方法を利用することができる。中でも、比較的、酸素原子密度が高く、水素原子密度が低い窒化珪素膜を成膜可能であることから、ＥＣＲスパッタリング法の一種であるＥＣＲプラズマ成膜法を用いることが望ましい。
【００３１】
ＥＣＲプラズマ成膜法では、シリコンなどの固体ソースと酸素や窒素のＥＣＲ（電子サイクロトロン共鳴）プラズマ流を直接反応させるため、ＣＶＤのように中間生成物を作ることなく窒化珪素膜を成膜することが可能である。また、ＥＣＲプラズマ成膜法では水素含有量が少ない窒化珪素膜を成膜可能である。さらに、段差被覆性が良い窒化珪素膜を成膜可能である。
【００３２】
ＥＣＲプラズマ成膜法で酸素を添加する方法としては、窒素ガスに微量の酸素ガスを添加したガスを適用したり、装置内の石英部品からの酸素を利用したりすることができる。
【００３３】
その後、第１の窒化珪素膜１２上に、例えば、スパッタ法によりゲート電極１４となる金属膜を形成する。
【００３４】
次に、図５に示すように、リソグラフィー技術を用いて、マスク形成した後、ＲＩＥ技術等により、金属膜および第１の窒化珪素膜１２をパターニングしゲート絶縁膜およびゲート電極１４を形成する。
【００３５】
次に、図６に示すように、リソグラフィー技術を用いて、レジスト３０によるマスク形成した後、ＲＩＥ技術等により、ソース電極およびドレイン電極を形成する部分の第２の窒化珪素膜２０を除去する。その後、レジスト３０上に、金属膜、例えば、アルミニウム膜を形成し、リストオフ法により、ソース電極およびドレイン電極となる部分以外を除去する。
【００３６】
以上の製造方法により、図１に示す半導体装置が製造される。結果的に、ゲート電極１４の両側の半導体層１０上に第１の窒化珪素膜１２よりも酸素原子密度の低い第２の窒化珪素膜２０が形成される。
【００３７】
図７は、ＥＣＲプラズマ成膜法とＰＥ−ＣＶＤ法で成膜した窒化珪素膜の酸素・水素原子密度の一例を示す図である。縦軸は、ＳＩＭＳ（Ｓｃａｎｎｎｉｎｇ  Ｉｏｎ  Ｍａｓｓ  Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）で評価した膜中の原子密度である。
【００３８】
図７に示すように、ＥＣＲプラズマ成膜法では、比較的、酸素原子密度が高く、水素原子密度が低い窒化珪素膜を成膜可能である。また、プラズマＣＶＤ法では、比較的、酸素原子密度が低い窒化珪素膜を成膜可能である。
【００３９】
図８は、電流コラプス抑制効果を示す図である。ゲート電極が半導体層にショットキー接合する評価用トランジスタで電流コラプスを評価した。ソース電極とゲート電極間、ドレイン電極とゲート電極間の表面保護膜に、ＥＣＲプラズマ成膜法で成膜した窒化珪素膜と、ＰＥ−ＣＶＤ法で成膜した窒化珪素膜を適用した。
【００４０】
ソース電極−ドレイン電極間に１０Ｖの一定電圧を印加した状態で、ゲート電圧を変化させ、パルス測定での電流値（Ｉ（ｐｕｌｓｅ））とＤＣ測定での電流（Ｉ（ＤＣ））との比を算出することで電流コラプスを評価した。測定は時間をおいて複数回行い経時変化を評価した。図では、縦軸が１．０の時、電流コラプスが発生しないことになる。
【００４１】
図８から明らかなように、ＰＥ−ＣＶＤ法で成膜した窒化珪素膜を表面保護膜に適用することで、電流コラプス現象が抑制される。
【００４２】
以上、本実施の形態の半導体装置およびその製造方法によれば、電流コラプスの抑制と、ゲートリーク電流の低減を両立させる構造が実現される。
【００４３】
（第２の実施の形態）
図９は、本実施の形態の半導体装置の構成を示す断面図である。ゲート電極１４と表面保護膜である第２の窒化珪素膜２０との間に、第１の窒化珪素膜１２が介在しないこと以外は第１の実施の形態と同様である。したがって、第１の実施の形態と重複する内容については、記載を省略する。
【００４４】
本実施の形態によっても、第１の実施の形態と同様の効果を得ることが可能である。
【００４５】
（第３の実施の形態）
図１０は、本実施の形態の半導体装置の構成を示す断面図である。ゲート絶縁膜である第１の窒化珪素膜１２とゲート電極１４が、半導体層１０の障壁層１０ｂに設けられた溝内に形成されること以外は第１の実施の形態と同様である。したがって、第１の実施の形態と重複する内容については、記載を省略する。
【００４６】
本実施の形態によっても、第１の実施の形態と同様の効果を得ることが可能である。さらに、ゲート電極１４と動作層１０ａとの距離を短くすることにより、ノーマリオフ型の電界効果トランジスタの形成が容易となる。
【００４７】
（第４の実施の形態）
図１１は、本実施の形態の半導体装置の構成を示す断面図である。ゲート絶縁膜である第１の窒化珪素膜１２が、半導体層１０と表面保護膜である第２の窒化珪素膜２０との間に介在すること以外は第１の実施の形態と同様である。したがって、第１の実施の形態と重複する内容については、記載を省略する。
【００４８】
以上、具体例を参照しつつ本発明の実施の形態について説明した。上記、実施の形態はあくまで、例として挙げられているだけであり、本発明を限定するものではない。また、実施の形態の説明においては、半導体装置、半導体装置の製造方法等で、本発明の説明に直接必要としない部分等については記載を省略したが、必要とされる半導体装置、半導体装置の製造方法等に関わる要素を適宜選択して用いることができる。
【００４９】
実施の形態では、ヘテロ接合を用いた電界効果トランジスタを例に説明したが、この形態に限らず、ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体を用いたその他のトランジスタに、本発明を適用することが可能である。
【００５０】
その他、本発明の要素を具備し、当業者が適宜設計変更しうる全ての半導体装置、半導体装置の製造方法が、本発明の範囲に包含される。本発明の範囲は、特許請求の範囲およびその均等物の範囲によって定義されるものである。
【符号の説明】
【００５１】
１０      半導体層
１２      第１の窒化珪素膜
１４      ゲート電極
１６      ソース電極
１８      ドレイン電極
２０      第２の窒化珪素膜
【図１】
0005717677.tif 000002
【図２】
0005717677.tif 000003
【図３】
0005717677.tif 000004
【図４】
0005717677.tif 000005
【図５】
0005717677.tif 000006
【図６】
0005717677.tif 000007
【図７】
0005717677.tif 000008
【図８】
0005717677.tif 000009
【図９】
0005717677.tif 000010
【図１０】
0005717677.tif 000011
【図１１】
0005717677.tif 000012