(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ソース電極と、入力無線周波数（ＲＦ）信号を受信するゲート電極と、増幅されたＲＦ信号を出力するドレイン電極と、を含む単位セルと；
前記ソース電極に連結されたフィールドプレートと；
前記フィールドプレートと前記ソース電極間に連結された第１および第２の帰還抵抗と；
を含み、
前記第１および第２の帰還抵抗は、３〜４Ωの抵抗値を有することを特徴とする装置。
【請求項２】
前記ソース電極は、対地電圧と連結するように構成されることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記フィールドプレートは第１のフィールドプレートであり、前記装置はさらに前記ソース電極に連結される第２のフィールドプレートを含み、
前記第１のフィールドプレートは、前記ゲート電極の中心からドレインフィンガ側にはずれ、前記第２のフィールドプレートは、前記第１のフィールドプレートの中心から前記ドレインフィンガ側にはずれていることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記第１のフィールドプレートは電気的に浮いている請求項３に記載の装置。
【請求項５】
前記第２のフィールドプレートは電気的に浮いている請求項３に記載の装置。
【請求項６】
前記ソース電極、ゲート電極およびドレイン電極は、トランジスタであって、前記単位セルが、同様に構成され前記トランジスタに対して並列に接続された複数の他のトランジスタを含む前記トランジスタを構成することを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項７】
前記トランジスタは、電界効果トランジスター（ＦＥＴ）であることを特徴とする請求項６に記載の装置。
【請求項８】
前記トランジスタは、高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）、シュードモルフィック高電子移動度トランジスタ（ｐＨＥＭＴ）、横方向拡散金属酸化物半導体トランジスタ（ＬＤＭＯＳ）および金属エピタキシャル半導体電界効果トランジスタ（ＭＥＳＦＥＴ）から構成される群から選択されるＦＥＴであることを特徴とする請求項７に記載の装置。
【請求項９】
前記ゲート電極はＴ−ゲートであることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項１０】
入力無線周波数（ＲＦ）信号を受信する第１のトランジスタおよび前記第１のトランジスタとカスコード配置され増幅されたＲＦ信号を出力する第２のトランジスタを含む単位セルと、
前記第１のトランジスタのソースと前記第２のトランジスタのゲート間に連結された第１および第２の帰還抵抗と、
を含み、
前記第１および第２の帰還抵抗は、３〜４Ωの抵抗値を有することを特徴とする回路。
【請求項１１】
前記第１のトランジスタはソース接地トランジスタであり、前記第２のトランジスタはゲート接地トランジスタであることを特徴とする請求項１０に記載の回路。
【請求項１２】
前記第１のトランジスタのソースは、対地電圧に連結されるように構成されることを特徴とする請求項１０に記載の回路。
【請求項１３】
前記第１のトランジスタと前記第２のトランジスタ間に連結され、それらとカスコード配置される第３のトランジスタをさらに含むことを特徴とする請求項１０に記載の回路。
【請求項１４】
前記第１のトランジスタのソースと前記第３のトランジスタのゲート間に連結された第３の帰還抵抗をさらに含むことを特徴とする請求項１３に記載の回路。
【請求項１５】
前記第２のトランジスタに連結される第３のトランジスタであって、前記第２のトランジスタは前記第１のトランジスタと前記第３のトランジスタ間に連結される第３のトランジスタをさらに含むことを特徴とする請求項１０に記載の回路。
【請求項１６】
前記第１のトランジスタのソースと前記第３のトランジスタのゲート間に連結される第３の帰還抵抗をさらに含むことを特徴とする請求項１５に記載の回路。
【請求項１７】
無線周波数（ＲＦ）入力信号を提供するトランシーバと；
入力無線周波数（ＲＦ）信号を受信する第１のトランジスタおよび前記第１のトランジスタとカスコード配置され増幅されたＲＦ信号を出力する第２のトランジスタを含む単位セルと、
前記第１のトランジスタのソースと前記第２のトランジスタのゲート間に連結された第１および第２の帰還抵抗と、を含む、前記トランシーバに連結された無線周波数（ＲＦ）電力増幅器と；
を含み、
前記第１および第２の帰還抵抗は、３〜４Ωの抵抗値を有することを特徴とするシステム。
【請求項１８】
前記電力増幅器に連結され、前記増幅されたＲＦ信号の送信を促進するように構成されたアンテナ構造をさらに含むことを特徴とする請求項１７に記載のシステム。
【請求項１９】
前記システムは、レーダ装置、衛星通信装置、携帯電話、基地局、放送ラジオまたはテレビ増幅システムであることを特徴とする請求項１７に記載のシステム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、広くはマイクロ電子デバイスに関し、より具体的には、帰還抵抗を有するフィールドプレートトランジスタとそれを組み込んだ回路に関する。
【０００２】
(関連出願)
本出願は、２００９年４月１４日出願の「ＦＩＥＬＤ−ＰＬＡＴＥＤ  ＴＲＡＮＳＩＳＴＯＲ  ＩＮＣＬＵＤＩＮＧ  ＦＥＥＤＢＡＣＫ  ＲＥＳＩＳＴＯＲ」と題された米国特許非仮出願番号１２／４２３，７７２号の優先権を主張するものであり、その全体は参照により本明細書に援用される。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
種々のタイプの電界効果トランジスタの１つまたは複数を含む電力増幅器は、直流入力電力の無線周波（ＲＦ）電力への変換に使用され得る。該増幅器は高電圧において、その出力における負性抵抗帯のために、帯域外の高周波振動の傾向を有し得る。この高周波振動はＲＦ駆動下においては、搬送波周波数付近の帯域内周波数におけるスプリアス信号として現われ得る。高出力マイクロ波システム（例えばレーダや無線通信用途）では一般に、周波数スペクトルがすべての周波数においてこうしたスプリアス信号を含まないことが望ましい。
【図面の簡単な説明】
【０００４】
本発明の実施形態は、添付図面とともに以下の詳細な記述によって容易に理解されるであろう。この記述を容易にするために、同じ参照番号は同じ構成要素をさす。本発明の実施形態は例示として示されるものであり、添付図面の形態を制限するものではない。
【図１】種々の実施形態による帰還抵抗を有するトランジスタの断面図である。
【図２】図１のトランジスタの回路図である。
【図３】種々の実施形態による帰還抵抗を有する複数のトランジスタを含む単位セルの平面図である。
【図４】種々の実施形態による帰還抵抗を有する複数のトランジスタを含む別の単位セルの平面図である。
【図５】図４の単位セルのトランジスタの断面図である。
【図６】図５のトランジスタの回路図である。
【図７】種々の実施形態による帰還抵抗を有する別のトランジスタの断面図である。
【図８】図７のトランジスタの回路図である。
【図９】種々の実施形態による帰還抵抗を有する別のトランジスタの断面図である。
【図１０】図９のトランジスタの回路図である。
【図１１】種々の実施形態による帰還抵抗を有する別のトランジスタの断面図である。
【図１２】図１１のトランジスタの回路図である。
【図１３】種々の実施形態による帰還トランジスタを有する単位セルを組み込んだシステムのブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【０００５】
以下の詳細な説明では、その一部を構成する添付図面を参照する。以下の図面では、同じ参照番号は同じ部分を示し、また、本発明の実施形態は例示として示される。他の実施形態を利用して、本発明の範囲から逸脱することなく、構造または論理を変えられることは理解されるべきである。従って、以下の詳細な説明は限定的な意味で解釈されるべきではなく、本発明の実施形態の範囲は、添付の請求項とその等価物によって定義される。
【０００６】
種々の作用が、本発明の実施形態の理解に役立つ順番と方法で複数の別個の作用として記述され得るが、しかしながら、この説明の順序は、これらの作用が順序依存性であると示唆されるように解釈されるべきではない。また、一部の実施形態では、説明される作用より多くのまたはそれより少ない作用が含まれ得る。
【０００７】
本説明では、「ある実施形態では」、「実施形態では」、「一部の実施形態では」あるいは「種々の実施形態では」などの表現が用いられるが、各々同じかまたは異なる１つまたは複数の実施形態をさす。さらに、本発明の実施形態に関して使用される「備える」、「含む」および「有する」などの用語は、同意語である。
【０００８】
本明細書での「連結した」とその派生表現は、以下の１つまたは複数を意味し得る。「連結した」は、互いに連結したとされる要素間に、連結または接続した他の要素がない、物理的または電気的な直接連結または接続を意味し得る。また、「連結した」は、互いに連結したとされる要素間に、１つまたは複数の他の要素が連結または接続した、物理的または電気的な間接連結または接続も意味し得る。
【０００９】
「上に生成した」の表現とその派生表現も本明細書で使用され得る。別の層「上に生成した」層の文脈における「上に生成した」は、ある層が、必ずしも別の層に物理的または電気的に直接接することなく（例えば、該層間に介在する１つまたは複数の層が存在し得る）、その層「上に形成される」ことを意味する。しかしながら、一部の実施形態では、「上に生成した」は、ある層が、別の層表面の少なくとも一部に物理的に直接接していることを意味し得る。
【００１０】
本発明の目的から、「Ａ／Ｂ」の表記はＡまたはＢであることを意味する。「ＡおよびまたはＢ」は、「（Ａ）、（Ｂ）あるいは（ＡおよびＢ）」を意味する。「Ａ、ＢおよびＣの少なくとも１つ」は、「（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（ＡおよびＢ）、（ＡおよびＣ）、（ＢおよびＣ）あるいは（Ａ、ＢおよびＣ）」を意味する。「（Ａ）Ｂ」の表記は、「Ｂまたは（ＡＢ）」、すなわち、Ａは選択的な要素であることを意味する。また、本発明の実施形態は、特定の数の成分または要素を含むように示され説明されるが、該実施形態は、成分や要素のいかなる特定の数に限定されるものではない。
【００１１】
図１は、ソース電極１０２、ドレイン電極１０４およびゲート電極１０６を含むトランジスタ１００の横断面図である。トランジスタ１００は、さらにフィールドプレート１０８を含む。また、ゲート電極１０６も、図示のように、ゲート電極１０６と一体的に形成された（この構造はＴ−ゲートと呼ばれ得る）フィールドプレート１１０を含んでいてもよい。
【００１２】
ソース電極１０２は、グラウンドソースと連結するように構成され、フィールドプレート１０８は、ソース電極１０２と電気的に連結されてもよい。フィールドプレート１０８をアースするソースによって、ゲート電極１０６とドレイン電極１０４間に遮蔽効果を与え得る。こうした遮蔽によって、トランジスタ１００のゲート―ドレインキャパシタンスを好都合に低減させ得、トランジスタ１００で実現される電力ゲインも増大させ得る。
【００１３】
トランジスタ１００は、マイクロ波またはミリ波電力の増幅用途に好適な種々の電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）のうちの任意のものであってもよい。ＦＥＴの例としては、高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）（例えば窒化アルミニウムガリウム（ＡＩＧａＮ）／窒化ガリウム（ＧａＮ）ＨＥＭＴ）、シュードモルフィックＨＥＭＴ（ｐＨＥＭＴ）（例えばガリウムヒ素（ＧａＡｓ）ｐＨＥＭＴ）、メタモルフィックＨＥＭＴ（ｍＨＥＭＴ）（例えばＧａＡｓ  ｍＨＥＭＴ）、横方向拡散金属酸化物半導体トランジスタ（ＬＤＭＯＳ）あるいは金属エピタキシャル半導体電界効果トランジスタ（ＭＥＳＦＥＴ）などが挙げられる。
【００１４】
図示のように、前記トランジスタ１００は一般に、バリア層１１６と基板１１２上に形成されたチャネル層１１４を含むＦＥＴである。基板１１２は、用途に好適な任意の材料を含んでいてもよい。種々の実施形態では、基板１１２は、例えばＧａＡｓを含む。しかしながら、他の実施形態では、基板１１２はＧａＮを含んでいてもよい。別の材料あるいは材料の組み合わせも同様に好適であり得る。基板１１２は、例えば炭化ケイ素、シリコン、サファイア、窒化アルミニウム、あるいは、これらのいくつかの組み合わせまたは別の好適な材料とのいくつかの組み合わせを含んでいてもよい。
【００１５】
前記チャネル層１１４は、所望のバンドギャップを有する１つまたは複数の層を含んでいてもよい。種々の実施形態では、チャネル層１１４は、１つまたは複数のドープ化または未ドープ化ＧａＡｓ層またはインジウムガリウムヒ素（ＩｎＧａＡｓ）層を含んでいてもよい。例えばＧａＮなどの他の材料も同様に好適であり得る。種々の実施形態では、チャネル層１１４は、基板１１２と同じ材料を含んでいてもよい。しかしながら、他の実施形態では、チャネル層１１４は、基板１１２の材料とは異なる材料を含んでいてもよい。
【００１６】
前記バリア層１１６は、用途に好適な任意の材料を含んでいてもよい。種々の実施形態では、バリア層１１６は、アルミニウムガリウムヒ素（ＡＩＧａＡｓ）を含む。別の材料または複数の材料の組み合わせも同様に好適であり得る。例えば、バリア層１１６はＡＩＧａＮを含んでいてもよい。バリア層１１６は、用途に応じて、ドープ化されていても未ドープであってもよい。
【００１７】
図示のように、前記ゲート電極１０６は、その一部がバリア層１１６に埋め込めまれていてもよい。ゲート電極１０６の埋め込み深さは、トランジスタ１００の所望の作動周波数に依存してもよい。例えば、トランジスタ１００が概ね３．５ＧＨｚの周波数で操作される一部の実施形態では、ゲート電極１０６のゲート長さは約０．６〜０．７μｍであり、埋め込み深さは約２００Åであってもよい。種々の他の実施形態では、ゲート電極１０６は、バリア層１１６にさらに埋め込まれてもよく、あるいは全く埋め込まれなくてもよい。
【００１８】
前記トランジスタ１００は、トランジスタ１００の１つまたは複数の層上に形成された誘電体１１８を含んでいてもよい。例示の実施形態では、誘電体１１８は、ソース電極１０２、ドレイン電極１０４、フィールドプレート１０８上に、また、ゲート電極１０６およびバリア層１１６の部分上にも形成される。また、誘電体１１８は、図示のように、フィールドプレート１０８とゲート電極１０６間にも形成され得る。
【００１９】
前記誘電体１１８は、同じ材料から成る層または複数の異なる材料から成る層を含む複数の層として形成されてもよい。種々の実施形態では、誘電体１１８の１つまたは複数の層は窒化ケイ素または二酸化ケイ素を含む。他の誘電材料も同様に好適であり得る。
【００２０】
種々の実施形態では、帰還抵抗１２０をフィールドプレート１０８とソース電極１０２間に連結して、高周波振動安定化を得てもよい。種々の実施形態では、振動安定化は、抵抗が数Ω以上と低い帰還抵抗１２０を用いたトランジスタ１００の出力上で（すなわち、ドレイン電極１０４で）実現され得る。例えば、４×２５０μｍ（すなわち、それぞれのゲート電極のゲート幅が２５０μｍの４つのゲートフィンガ単位セル）の高電圧ｐＨＥＭＴを、抵抗が３〜４Ωの帰還抵抗１２０を用いて安定化し得る。種々の実施形態では、帰還抵抗１２０の抵抗は、所望の高周波振動安定化レベルの実現に好適な任意のものであってもよい。
【００２１】
図示のように、前記フィールドプレート１０８はゲート電極１０６に近接配置され、ゲート電極１０６の中心からはずれて、ゲート電極１０６からドレイン電極１０４側に突き出ている。この配置は事実上、ゲート電極１０６が共通のソーストランジスタのゲートとして作動し、フィールドプレート１０８が共通のゲートトランジスタのゲートとして作動する、カスケード化された共通のソースと共通のゲートトランジスタを含むカスコード配置と考えられる。この配置は、ゲート電極１０６、フィールドプレート１０８、およびフィールドプレート１０８とアースされたソース電極１０２間に連結された帰還抵抗１２０を示す図２のカスコード等価回路を参照してより明白に理解され得る。フィールドプレート１０８は本質的に、ゲート電極１０６から突き出たフィールドプレート１０８部分、誘電体１１８およびその下の半導体材料（すなわち、バリア層１１６およびチャネル層１１４）を含む金属−絶縁体−半導体トランジスタを形成する。
【００２２】
前記フィールドプレート１０８は、その目的に好適な任意の材料を含み得る。種々の実施形態では、フィールドプレート１０８は、金（Ａｕ）、ニッケル−金（Ｎｉ−Ａｕ）またはチタン−プラチナ−金（Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ）を含み得る。適用に応じて、他の金属も同様に好適であり得る。
【００２３】
前記トランジスタ１００は、ゲート電極１０６が入力無線周波数（ＲＦ）信号を受信し、ドレイン電極１０４が増幅されたＲＦ信号を出力する電力増幅回路の単位セルに含まれてもよい。種々の実施形態では、単位セルは、本明細書に記載のトランジスタを１つまたは複数含んでいてもよい。単位セルは実際には、電力増大のために並列に接続した複数のトランジスタを含んでいてもよい。
【００２４】
図３に示されるように、単位セル３００は例えば、バリア層上またはそれに埋め込まれた複数のゲート電極３０６（すなわち、ゲートフィンガ）を含むゲート構造３２２と、複数のドレイン電極３０４（すなわち、ドレインフィンガ）を含むドレイン構造３２４と、複数のソース電極３０２（すなわち、ソースフィンガ）と、を含む。ソース電極３０２は、ソース相互接続ブリッジ（図示せず）によって相互接続されてもよい。
【００２５】
個々のトランジスタの各々は、１つのソース電極３０２、１つのゲート電極３０６、および１つのドレイン電極３０４で形成されてもよい。また、本明細書で議論したように、フィールドプレート３０８は、ソース電極３０２／ゲート電極３０６／ドレイン電極３０４のセットで形成された共通のソーストランジスタを有するカスコード配置にカスケードされた共通のゲートトランジスタを形成してもよい。簡略化のために、図３では２つのフィールドプレート３０８だけが示されている。種々の実施形態では、単位セル３００は、１つまたは複数のフィールドプレート３０８がゲート電極３０６に近接配置された複数のフィールドプレート３０８を含んでいてもよい。
【００２６】
また、前記単位セル３００は、少なくとも１つの帰還抵抗３２０が１つまたは複数のフィールドプレート３０８と連結した複数の帰還抵抗３２０を含んでいてもよい。図示された帰還抵抗３２０の大きさ、形状、位置は例示目的だけのものであり、その大きさ、形状およびまたは位置は、記載された種々の実施形態の範囲から逸脱することなく変えられ得る。帰還抵抗３２０は、任意の好適な相互接続３２８を用いてフィールドプレート３０８に連結されてもよい。
【００２７】
種々の実施形態では、前記帰還抵抗３２０は、ソース電極３０２、ゲート電極３０６およびドレイン電極３０４を含む領域の外に配置してもよい。例えば、図４に示した単位セル４００を取り上げる。単位セル４００は、バリア層４１６上またはそれに埋め込まれた複数のゲート電極４０６（すなわち、ゲートフィンガ）を含むゲート構造４２２と、複数のドレイン電極４０４（すなわち、ドレインフィンガ）を含むドレイン構造４２４と、複数のソース電極４０２（すなわち、ソースフィンガ）と、を含む。帰還抵抗４２０は、ソース電極４０２、ゲート電極４０６およびドレイン電極４０４で占められた領域内に配置されずに、その領域の外に配置されて、好適な相互接続４２８によってフィールドプレート４０８に接続される。
【００２８】
図５は、単位セル４００のトランジスタ５００の横断面を示し、図６はカスコード等価回路を示す。図示のように、トランジスタ５００は、例えば、バリア層４１６と、基板４１２上に形成されたチャネル層４１４と、これらの上にある誘電体４１８を含むなど、本明細書に記載のトランジスタの特長の一部を含む。
【００２９】
前記単位セル４００は、線形化およびゲイン増大用の同調可能な帰還で構成されてもよい。そのために、単位セル４００は、同調電圧ＶＦＰ受電用のバイアスパッド４３０経由で電源に連結するように構成されてもよい。単位セル４００はさらに、その下にある４４２経由でアースされたバイパスコンデンサ４３２を含んでいてもよい。
【００３０】
種々の実施形態によるトランジスタは複数のフィールドプレートを含んでいてもよい。図７に示すように、トランジスタ７００は、例えば、ソース電極７０２、ドレイン電極７０４およびゲート電極７０６を含むなど、図１のトランジスタ１００の特長の一部を含む。トランジスタ７００は、バリア層７１６と、基板７１２上に形成されたチャネル層７１４と、これらの上にある誘電体７１８と、を含む。
【００３１】
また、前記トランジスタ７００は第１のフィールドプレート７０８を含む。トランジスタ７００は、唯一のフィールドプレート７０８（ゲート電極７０６の一体型フィールドプレート７１０に加えて）の代わりに、第２のフィールドプレート７２４を含む。第２のフィールドプレート７２４は、第１のフィールドプレート７０８に近接配置され、第１のフィールドプレート７０８とゲート電極７０６の中心からはずれて、それらからドレイン電極７０４側に突き出ている。図示のように、帰還抵抗７２０は、第１のフィールドプレート７０８とソース電極７０２間に連結されるが、第２のフィールドプレート７２４は浮いている。
【００３２】
前記第１のフィールドプレート７０８および第２のフィールドプレート７２４は、その目的に好適な任意の材料を含んでいてもよい。種々の実施形態では、第１のフィールドプレート７０８と第２のフィールドプレート７２４は、Ａｕ、Ｎｉ−ＡｕまたはＴｉ／Ｐｔ／Ａｕを含んでいてもよい。用途に応じて、他の金属も同様に好適であり得る。第１のフィールドプレート７０８および第２のフィールドプレート７２４は、同じ材料で構成される必要はない。
【００３３】
図７の構造のカスコード等価回路を図８に示す。第１のフィールドプレート７０８と同様に、第２のフィールドプレート７２４は本質的に、第１のフィールドプレート７０８とゲート電極７０６から突き出た第２のフィールドプレート７２４部分と、誘電体７１８と、その下の半導体材料（すなわち、バリア層７１６とチャネル層７１４）と、を含む金属−絶縁体−半導体トランジスタを形成する。
【００３４】
別の実施例のトランジスタを図９に示し、そのカスコード等価回路を図１０に示す。図示のように、トランジスタ９００は、例えば、ソース電極９０２、ドレイン電極９０４およびゲート電極９０６を含むなど、本明細書に記載のトランジスタの特長の一部を含む。トランジスタ９００は、バリア層９１６と、基板９１２上に形成されたチャネル層９１４と、これらの上にある誘電体９１８を含む。
【００３５】
また、前記トランジスタ９００は、第１のフィールドプレート９０８を含む。トランジスタ９００は、唯一のフィールドプレート９０８（ゲート電極９０６の一体型フィールドプレート９１０に加えて）の代わりに、第２のフィールドプレート９２４を含む。第２のフィールドプレート９２４は、第１のフィールドプレート９０８に近接配置され、第１のフィールドプレート９０８とゲート電極９０６の中心からはずれて、それらからドレイン電極９０４側に突き出ている。帰還抵抗９２６は、第１のフィールドプレート９０８とソース電極９０２間に連結される代わりに、第２のフィールドプレート９２４とソース電極９０２間に連結されるが、第１のフィールドプレート９０８は浮いている。
【００３６】
さらに別の実施例のトランジスタを図１１に示し、そのカスコード等価回路を図１２に示す。図示のように、トランジスタ１１００は、例えば、ソース電極１１０２、ドレイン電極１１０４およびゲート電極１１０６を含むなど、本明細書に記載のトランジスタの特長の一部を含む。トランジスタ１１００は、バリア層１１１６と、基板１１１２上に形成されたチャネル層１１１４と、これらの上にある誘電体１１１８と、を含む。
【００３７】
また、前記トランジスタ１１００は、ゲート電極１１０６の一体型フィールドプレート１１１０に加えて、第１のフィールドプレート１１０８と第２のフィールドプレート１１２４を含む。トランジスタ１１００は、フィールドプレート１１０８と１１２４の内の１つとソース電極１１０２間に帰還抵抗を含む代わりに、第１のフィールドプレート１１０８とソース電極１１０２間に連結された第１の帰還抵抗１１２０と、第２のフィールドプレート１１２４とソース電極１１０２間に連結された第２の帰還抵抗１１２６と、を含む。
【００３８】
本明細書に記載のパッケージの実施形態は、種々の装置およびシステムに組み込まれ得る。典型的なシステム１３００のブロックダイヤグラムを図１３に示す。図示のように、システム１３００は、帰還トランジスタを含む１つまたは複数のトランジスタを含むＲＦ電力増幅器１３３４を含む。システム１３００は、図示のように、ＲＦ電力増幅器１３３４に連結されたトランシーバ１３３６を含んでいてもよい。
【００３９】
前記ＲＦ電力増幅器１３３４は、トランシーバ１３３６からＲＦ入力信号（ＲＦｉｎ）を受信してもよい。ＲＦ電力増幅器１３３４は、ＲＦ入力信号（ＲＦｉｎ）を増幅してＲＦ出力信号（ＲＦｏｕｔ）を提供してもよい。ＲＦ入力信号（ＲＦｉｎ）およびＲＦ出力信号（ＲＦｏｕｔ）は共に、図１３においてそれぞれＴｘ−ＲＦｉｎおよびＴｘ−ＲＦｏｕｔで示した、送信チェーンの一部であってもよい。
【００４０】
前記増幅されたＲＦ出力信号（ＲＦｏｕｔ）は、アンテナ構造１３４０経由でＲＦ出力信号（ＲＦｏｕｔ）の空中伝送（ＯＴＭ）を実現するアンテナスイッチモジュール（ＡＳＭ）１３３８に提供されてもよい。また、ＡＳＭ１３３８は、アンテナ構造１３４０経由でＲＦ信号を受信し、受信したＲＦ信号（Ｒｘ）を受信チェーンに沿ってトランシーバ１３３６に連結してもよい。
【００４１】
種々の実施形態では、前記アンテナ構造１３４０は、例えば、ダイポールアンテナ、モノポールアンテナ、パッチアンテナ、ループアンテナ、マイクロストリップアンテナ、あるいはＲＦ信号のＯＴＡ送受信に好適な任意の他の形式のアンテナなどの指向性アンテナおよびまたは全方向性アンテナの１つまたは複数を含んでいてもよい。
【００４２】
前記システム１３００は、電力増幅を含む任意のシステムであってもよい。種々の実施形態では、システム１３００は、高無線周波数電力と周波数での電力増幅に特に有用であり得る。例えば、システム１３００は、任意の１つまたは複数の陸上通信と衛星通信、およびレーダシステムに対して、そして恐らく種々の産業および医療用途において好適であり得る。レーダ用途には、軍事用レーダ、航空交通管制、航海などが含まれ得る。
【００４３】
種々の実施形態では、前記システム１３００は、レーダ装置、衛星通信装置、携帯電話、携帯電話基地局、放送ラジオまたはテレビ増幅システムから選択された１つであり得る。システム１３００は、高周波送受信のための電力増幅が要求される用途などの他の用途において適用可能性を見出し得る。
【００４４】
上記の実施形態に関して本開示を説明したが、同じ目的を達成するように意図された広範な代替およびまたは等価な方法を用いて、本開示の範囲から逸脱することなく、提示・説明した実施形態を置き換えられることは当業者には理解されるであろう。当業者であれば、本開示による実施形態は広範な実施形態で実施され得ることは容易に理解するであろう。本記述は、例示のためのものであって限定するものではないと見なされるように意図される。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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