(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリカーボネート製の樹脂成形品からなる樹脂基材と、ＵＶ硬化型アクリル樹脂層を含んで、該樹脂基材の表面上に積層形成されたアンダーコート層と、該アンダーコート層上に積層形成された、珪素化合物のプラズマＣＶＤ層からなるトップコート層とを含んで構成された樹脂製品において、
前記アンダーコート層が、前記樹脂基材の表面上に積層形成された、前記ＵＶ硬化型アクリル樹脂層からなる基層部と、該基層部上に更に積層形成された、フッ素樹脂層からなる表層部とにて構成されており、且つ
前記トップコート層が、前記アンダーコート層上に積層形成されたＳｉＯ2 のプラズマＣＶＤ層からなる基層部と、該基層部上に積層形成されたＳｉＯＮのプラズマＣＶＤ層からなる表層部と、それら基層部と表層部との間に介装された、ＳｉＯ2 とＳｉＯＮとが混在するプラズマＣＶＤ層からなる中間層とにて構成されていると共に、該中間層内でのＳｉＯ2 の含有率が、該基層部側から該表層部側に向かって漸減する一方、該中間層内でのＳｉＯＮの含有率が、該基層部側から該表層部側に向かって漸増していることを特徴とする樹脂製品。
【請求項２】
ポリカーボネート製の樹脂成形品からなる樹脂基材と、ＵＶ硬化型アクリル樹脂層を含んで、該樹脂基材の表面上に積層形成されたアンダーコート層と、該アンダーコート層上に積層形成された、珪素化合物のプラズマＣＶＤ層からなるトップコート層とを含んで構成された樹脂製品において、
前記アンダーコート層が、前記樹脂基材の表面上に積層形成された、前記ＵＶ硬化型アクリル樹脂層からなる基層部と、該基層部上に更に積層形成された、フッ素樹脂層からなる表層部とにて構成されており、且つ
前記トップコート層が、前記アンダーコート層上に積層形成されたＳｉＯ2 のプラズマＣＶＤ層からなる基層部と、該基層部上に積層形成されたＳｉ3 Ｎ4 のプラズマＣＶＤ層からなる表層部と、それら基層部と表層部との間に介装された、ＳｉＯ2 とＳｉ3 Ｎ4 とが混在するプラズマＣＶＤ層からなる中間層とにて構成されていると共に、該中間層内でのＳｉＯ2 の含有率が、該基層部側から該表層部側に向かって漸減する一方、該中間層内でのＳｉ3 Ｎ4 の含有率が、該基層部側から該表層部側に向かって漸増していることを特徴とする樹脂製品。
【請求項３】
ポリカーボネート製の樹脂成形品からなる樹脂基材と、ＵＶ硬化型アクリル樹脂層を含んで、該樹脂基材の表面上に積層形成されたアンダーコート層と、該アンダーコート層上に積層形成された、珪素化合物のプラズマＣＶＤ層からなるトップコート層とを含んで構成された樹脂製品の製造方法であって、
前記樹脂基材を準備する工程と、
ＵＶ硬化型アクリル樹脂塗料を用いて、前記樹脂基材の表面上に塗膜層を形成した後、該塗膜層に紫外線を照射して、該塗膜層を硬化させることにより、該樹脂基材の表面上に、前記ＵＶ硬化型アクリル樹脂層を形成し、その後、該ＵＶ硬化型アクリル樹脂層上に、フッ素樹脂層を形成することにより、該ＵＶ硬化型アクリル樹脂層からなる基層部と、該基層部上に積層形成された該フッ素樹脂層からなる表層部とにて構成された前記アンダーコート層を、該樹脂基材の表面に積層形成する工程と、
前記アンダーコート層上に、前記珪素化合物のプラズマＣＶＤ層からなるトップコート層を、プラズマＣＶＤ法により積層形成する工程と、を含み、且つ
かかるトップコート層の形成工程が、（ａ）前記アンダーコート層が形成された樹脂基材を反応室内に収容すると共に、該反応室内を真空状態とする工程と、（ｂ）該真空状態とされた反応室内に、珪素化合物ガスと酸素ガスとを導入し、それら珪素化合物ガスと酸素ガスとをプラズマＣＶＤ法により反応させて、該アンダーコート層上に、ＳｉＯ2 のプラズマＣＶＤ層からなる基層部を積層形成する工程と、（ｃ）該基層部が積層形成された樹脂基材を収容する前記反応室内に、該基層部の形成後も、珪素化合物ガスと酸素ガスとを継続的に導入しながら、窒素ガス又は窒素化合物ガスを導入することにより、珪素化合物ガスと酸素ガスのプラズマＣＶＤ法による反応と、珪素化合物ガス及び酸素ガスと窒素ガス又は窒素化合物ガスのプラズマＣＶＤ法による反応とを同時に実施して、該基層部上に、ＳｉＯ2 とＳｉＯＮとが混在するプラズマＣＶＤ層からなる中間層を積層形成する工程と、（ｄ）該中間層が積層形成された樹脂基材を収容する前記反応室内に、該中間層の形成後も、珪素化合物ガス及び酸素ガスと窒素ガス又は窒素化合物ガスをプラズマＣＶＤ法により反応させて、該中間層上に、ＳｉＯＮのプラズマＣＶＤ層からなる表層部を形成する工程と、を含んでいることを特徴とする樹脂製品の製造方法。
【請求項４】
ポリカーボネート製の樹脂成形品からなる樹脂基材と、ＵＶ硬化型アクリル樹脂層を含んで、該樹脂基材の表面上に積層形成されたアンダーコート層と、該アンダーコート層上に積層形成された、珪素化合物のプラズマＣＶＤ層からなるトップコート層とを含んで構成された樹脂製品の製造方法であって、
前記樹脂基材を準備する工程と、
ＵＶ硬化型アクリル樹脂塗料を用いて、前記樹脂基材の表面上に塗膜層を形成した後、該塗膜層に紫外線を照射して、該塗膜層を硬化させることにより、該樹脂基材の表面上に、前記ＵＶ硬化型アクリル樹脂層を形成し、その後、該ＵＶ硬化型アクリル樹脂層上に、フッ素樹脂層を形成することにより、該ＵＶ硬化型アクリル樹脂層からなる基層部と、該基層部上に積層形成された該フッ素樹脂層からなる表層部とにて構成された前記アンダーコート層を、該樹脂基材の表面に積層形成する工程と、
前記アンダーコート層上に、前記珪素化合物のプラズマＣＶＤ層からなるトップコート層を、プラズマＣＶＤ法により積層形成する工程と、を含み、且つ
かかるトップコート層の形成工程が、（ａ）前記アンダーコート層が形成された樹脂基材を反応室内に収容すると共に、該反応室内を真空状態とする工程と、（ｂ）該真空状態とされた反応室内に、珪素化合物ガスと酸素ガスとを導入し、それら珪素化合物ガスと酸素ガスとをプラズマＣＶＤ法により反応させて、該アンダーコート層上に、ＳｉＯ2 のプラズマＣＶＤ層からなる基層部を積層形成する工程と、（ｃ）該基層部が積層形成された樹脂基材を収容する前記反応室内に、該基層部の形成後も、前記珪素化合物ガスを一定の導入量で継続的に導入しつつ、該反応室内に、窒素ガスを導入することにより、かかる窒素ガスと珪素化合物ガスをプラズマＣＶＤ法により反応させて、該基層部に対して、Ｓｉ3 Ｎ4 からなる表層部を積層形成する工程と、（ｄ）前記反応室内に導入される前記酸素ガスの導入量を、前記反応室内への前記窒素ガスの導入開始から漸減させて、ゼロとすることにより、該反応室内への該窒素ガスの導入開始から、該反応室内における該酸素ガスの量がゼロとなるまでの間、該酸素ガスと珪素化合物ガスのプラズマＣＶＤ法による反応と、該窒素ガスと珪素化合物ガスのプラズマＣＶＤ法による反応とを同時に実施して、前記基層部上に前記表層部を積層形成する前に、該基層部上に、ＳｉＯ2 とＳｉ3 Ｎ4 とが混在する中間層を形成する工程と、を含んでいることを特徴とする樹脂製品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、樹脂製品とその製造方法とに係り、特に、樹脂ガラス（有機ガラス）として好適に使用可能な樹脂製品と、そのような樹脂製品の有利な製造方法とに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、優れた成形性と軽量性とを兼ね備えた樹脂製品が、例えば、自動車等の車両の内外装部品や、電気、電子部品、或いは建築用部品等として、広く利用されてきている。そして、それらの樹脂製品のうち、例えば、ポリカーボネート製の成形品からなる透明性の高い樹脂製品は、無機ガラスに比して、軽量性や耐衝撃性、加工性に優れているところから、無機ガラスを代替する樹脂ガラスとして、例えば、自動車等の車両のウインドウガラスや各種のディスプレイ、或いは様々な計器類のカバー等に使用されている。
【０００３】
そのようなポリカーボネート製の樹脂製品は、一般に知られているように、紫外線に曝されると、変色や強度低下を引き起こす等、耐候性において問題があり、しかも、無機ガラスと比べて耐摩傷性（耐摩耗性と耐擦傷性）に劣るといった欠点をも有している。そのため、ポリカーボネート製の樹脂製品を、例えば、自動車のウインドウガラス等のように、屋外で使用されるものであって、表面の傷付きが重大な欠陥となるものに適用する場合には、かかる樹脂製品に対して、耐候性と耐摩傷性を高めるための対策を講じる必要があった。
【０００４】
かかる状況下、例えば、特開２０１０−２５３６８３号公報（特許文献１）には、自動車のウインドウガラス等に適用される樹脂製品（上記公報では、プラスチック積層体と称されている）として、ポリカーボネート等の樹脂成形体からなる樹脂基材の表面に、耐候性に富んだアクリル樹脂からなるアンダーコート層を積層形成すると共に、このアンダーコート層上に、耐摩傷性に優れた珪素化合物のプラズマＣＶＤ層からなるトップコート層を、更に積層形成してなる構造のものが、明らかにされている。このような樹脂製品では、十分な耐候性と耐摩傷性とが有利に確保され得るのである。
【０００５】
ところで、アクリル樹脂の硬化層（硬化膜）を形成する際には、一般に、熱硬化型のアクリル樹脂塗料とＵＶ硬化型のアクリル樹脂塗料の何れかが使用されている。そして、よく知られているように、ＵＶ硬化型アクリル樹脂塗料の塗膜層と、熱硬化型アクリル樹脂塗料の塗膜層とでは、硬化時間に大きな差があり、例えば、前者では数分程度で硬化が完了する厚さのものが、後者では硬化が完了するまでに数時間もの時間が掛かる。それ故、ポリカーボネート製の樹脂基材の表面に、ＵＶ硬化型アクリル樹脂層からなるアンダーコート層とトップコート層とが積層形成されてなる樹脂製品を製造する場合、アンダーコート層の形成材料として、熱硬化型アクリル樹脂塗料を用いるよりも、ＵＶ硬化型アクリル樹脂塗料を用いた方が、目的とする樹脂製品を効率的に製造できる。つまり、熱硬化型アクリル樹脂層からなるアンダーコート層を有する樹脂製品よりも、ＵＶ硬化型アクリル樹脂層からなるアンダーコート層を有する樹脂製品の方が、生産性に優れているのである。
【０００６】
ところが、本発明者が、ポリカーボネート製の樹脂基材の表面上に、ＵＶ硬化型アクリル樹脂層からなるアンダーコート層とトップコート層とが積層形成された樹脂製品と、ポリカーボネート製の樹脂基材の表面上に、熱硬化型アクリル樹脂層からなるアンダーコート層とトップコート層とが積層形成された樹脂製品とを用いて、それらに対する紫外線照射による耐候性試験を様々な条件で行ったところ、アンダーコート層が熱硬化型アクリル樹脂層からなる樹脂製品では、アンダーコート層からのトップコート層の剥離や、トップコート層でのクラック等の不具合が何等認められなかった条件下において、アンダーコート層がＵＶ硬化型アクリル樹脂層からなる樹脂製品では、トップコート層の剥離やクラックが認められた。
【０００７】
このことから、ポリカーボネート製の樹脂基材の表面にアンダーコート層とトップコート層とが積層形成されてなる樹脂製品においては、アンダーコート層がＵＶ硬化型アクリル樹脂にて構成されている場合、生産性の向上が図られ得る反面、紫外線照射によって、アンダーコート層とトップコート層との密着性が低下したり、トップコート層にクラックが発生したりする傾向があることが、本発明者の研究で明らかとなったのである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２０１０−２５３６８３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
ここにおいて、本発明は、上述せる如き事情を背景にして為されたものであって、その解決課題とするところは、ポリカーボネート製の樹脂基材の表面に、ＵＶ硬化型アクリル樹脂層を含むアンダーコート層と、トップコート層とが積層形成されてなる樹脂製品において、紫外線照射によるアンダーコート層とトップコート層との密着性の低下とトップコート層でのクラックの発生とが、共に有利に防止され得るように改良された構造を提供することにある。また、本発明は、そのような樹脂製品を有利に製造し得る方法を提供することも、その解決課題とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
そして、本発明者は、上記の課題を解決するために鋭意研究を重ねた結果、ＵＶ硬化型アクリル樹脂層と珪素化合物からなるトップコート層との間にフッ素樹脂層を介装することによって、紫外線照射に起因した、珪素化合物からなるトップコート層のＵＶ硬化型アクリル樹脂層に対する密着性の低下とトップコート層でのクラックが発生の問題が、有利に解消され得ることを見出したのである。
【００１１】
すなわち、本発明は、かかる知見に基づいて、完成されたものであって、その要旨とするところは、ポリカーボネート製の樹脂成形品からなる樹脂基材と、ＵＶ硬化型アクリル樹脂層を含んで、該樹脂基材の表面上に積層形成されたアンダーコート層と、該アンダーコート層上に積層形成された、珪素化合物のプラズマＣＶＤ層からなるトップコート層とを含んで構成された樹脂製品において、前記アンダーコート層が、前記樹脂基材の表面上に積層形成された、前記ＵＶ硬化型アクリル樹脂層からなる基層部と、該基層部上に更に積層形成された、フッ素樹脂層からなる表層部とにて構成されていることを特徴とする樹脂製品にある。
【００１２】
なお、本発明の有利な態様の一つによれば、前記トップコート層が、前記アンダーコート層上に積層形成された基層部と、該基層部上に更に積層形成された表層部とにて構成され、該表層部を構成する珪素化合物が、該基層部を構成する珪素化合物よりも高い硬度を有するように構成される。
【００１３】
また、本発明の好ましい態様の一つによれば、前記トップコート層の前記基層部と前記表層部との間に、該基層部を構成する珪素化合物と該表層部と構成する珪素化合物とが混在する中間層が形成され、更に、該基層部を構成する珪素化合物の該中間層内での含有率が、該基層部側から該表層部側に向かって漸減する一方、該表層部を構成する珪素化合物の該中間層内での含有率が、該基層部側から該表層部側に向かって漸増するように構成されることとなる。
【００１４】
さらに、本発明の有利な態様の一つによれば、前記トップコート層が、前記アンダーコート層上に積層形成されたＳiＯ2のプラズマＣＶＤ層からなる基層部と、該基層部上に積層形成されたＳiＯＮ のプラズマＣＶＤ層からなる表層部と、それら基層部と表層部との間に介装された、ＳiＯ2とＳiＯＮ とが混在するプラズマＣＶＤ層からなる中間層とにて構成されると共に、該中間層内でのＳiＯ2の含有率が、該基層部側から該表層部側に向かって漸減する一方、該中間層内でのＳiＯＮ の含有率が、該基層部側から該表層部側に向かって漸増するように構成されることとなる。
【００１５】
そして、本発明は、ポリカーボネート製の樹脂成形品からなる樹脂基材と、ＵＶ硬化型アクリル樹脂層を含んで、該樹脂基材の表面上に積層形成されたアンダーコート層と、該アンダーコート層上に積層形成された、珪素化合物のプラズマＣＶＤ層からなるトップコート層とを含んで構成された樹脂製品の製造方法であって、（ａ）前記樹脂基材を準備する工程と、（ｂ）ＵＶ硬化型アクリル樹脂塗料を用いて、前記樹脂基材の表面上に塗膜層を形成した後、該塗膜層に紫外線を照射して、該塗膜層を硬化させることにより、該樹脂基材の表面上に、前記ＵＶ硬化型アクリル樹脂層を形成し、その後、該ＵＶ硬化型アクリル樹脂層上に、フッ素樹脂層を形成することにより、該ＵＶ硬化型アクリル樹脂層からなる基層部と、該基層部上に積層形成された該フッ素樹脂層からなる表層部とにて構成された前記アンダーコート層を、該樹脂基材の表面に積層形成する工程と、（ｃ）前記アンダーコート層上に、前記珪素化合物のプラズマＣＶＤ層からなるトップコート層を、プラズマＣＶＤ法により積層形成する工程とを含むことを特徴とする樹脂製品の製造方法をも、また、その要旨とするものである。
【００１６】
なお、本発明の望ましい態様の一つによれば、前記アンダーコート層における前記アルゴンプラズマ処理が施された表層部上に、硬度が互いに異なる二種類の珪素化合物のうちの硬度の低い珪素化合物からなるプラズマＣＶＤ層をプラズマＣＶＤ法によって積層形成した後、該硬度の低いプラズマＣＶＤ層上に、該二種類の珪素化合物のうちの硬度の高い珪素化合物のプラズマＣＶＤ層をプラズマＣＶＤ法によって更に積層形成することにより、前記トップコート層が、該アンダーコート層上に、硬度の低い珪素化合物のプラズマＣＶＤ層からなる基層部と、硬度の高い珪素化合物のプラズマＣＶＤ層からなる表層部の複層構造を有して積層形成されることとなる。
【００１７】
また、本発明の有利な態様の一つによれば、前記硬度の低い珪素化合物のプラズマＣＶＤ層からなる基層部と、前記硬度の高い珪素化合物のプラズマＣＶＤ層からなる表層部の複層構造とされた前記トップコート層が、前記アンダーコート層上に、以下のようにして積層形成される。即ち、（ａ）前記樹脂基材を反応室内に収容すると共に、該反応室内を真空状態とする工程を行った後、（ｂ）該真空状態とされた反応室内に、第一の珪素化合物ガスを含む第一の成膜用ガスを導入し、該第一の成膜用ガスをプラズマＣＶＤ法により反応させて、該反応室内に収容された前記基材の前記アンダーコート層上に、珪素化合物のプラズマＣＶＤ層からなる基層部を積層形成する工程を実施し、次いで、（ｃ）該基層部が積層形成された前記樹脂基材を収容している前記反応室内に、第二の珪素化合物ガスを含む、前記基層部よりも硬度の高い珪素化合物層を形成可能な第二の成膜用ガスを導入し、該第二の成膜用ガスをプラズマＣＶＤ法により反応させて、該基層部に対して、それよりも硬度の高い珪素化合物のプラズマＣＶＤ層からなる表層部を積層形成する工程を実施する一方、（ｄ）前記反応室内に導入される前記第一の成膜用ガス中の少なくとも一部のガス成分の導入量を、前記反応室内への前記第二の成膜用ガスの導入開始から漸減させて、ゼロとすることにより、該反応室内への該第二の成膜用ガスの導入開始から、該反応室内における該少なくとも一部のガス成分の量がゼロとなるまでの間、該第一の成膜用ガスのプラズマＣＶＤ法による反応と、該第二の成膜用ガスのプラズマＣＶＤ法による反応とを同時に実施して、前記基層部に前記表層部を積層形成する前に、該基層部上に、該基層部を構成する珪素化合物と該表層部を形成する珪素化合物とが混在する中間層を形成する工程を実施することにより、前記樹脂基材の表面上に、該基層部と該表層部の複層構造を有する前記トップコート層を積層形成するのである。
【００１８】
さらに、前記硬度の低い珪素化合物のプラズマＣＶＤ層からなる基層部と、前記硬度の高い珪素化合物のプラズマＣＶＤ層からなる表層部の複層構造とされた前記トップコート層は、前記アンダーコート層上に、以下のようにしても積層形成される。即ち、（ａ）前記樹脂基材を反応室内に収容すると共に、該反応室内を真空状態とする工程を行った後、（ｂ）該真空状態とされた反応室内に、第一の珪素化合物ガスを含む第一の成膜用ガスを導入し、該第一の成膜用ガスをプラズマＣＶＤ法により反応させて、該反応室内に収容された前記基材の前記アンダーコート層上に、珪素化合物のプラズマＣＶＤ層からなる基層部を積層形成する工程を実施し、次いで、（ｃ）該基層部が積層形成された前記樹脂基材を収容している前記反応室内に、該基層部の形成後も、前記第一の成膜用ガスを継続的に導入しながら、該第一の成膜用ガスには含まれていないガス成分を更に導入することにより、該第一の成膜用ガスに含まれるガス成分と該第一の成膜用ガスに含まれていないガス成分とからなる、該基層部よりも硬度の高い珪素化合物層を形成するための第二の成膜用ガスを該反応室内に導入し、該第二の成膜用ガスをプラズマＣＶＤ法により反応させて、該基層部に対して、それよりも硬度の高い珪素化合物のプラズマＣＶＤ層からなる表層部を積層形成する工程を実施することにより、前記樹脂基材の表面上に、該基層部と該表層部の複層構造を有する前記トップコート層を積層形成するのである。
【００１９】
また、本発明の好ましい態様の一つによれば、前記トップコート層が、前記樹脂基材の前記アンダーコート層上に積層形成されたＳiＯ2のプラズマＣＶＤ層からなる基層部と、該基層部上に積層形成されたＳiＯＮ のプラズマＣＶＤ層からなる表層部と、それら基層部と表層部との間に介装された、ＳiＯ2とＳiＯＮ とが混在するプラズマＣＶＤ層からなる中間層とにて構成され、かかるトップコート層の形成工程が、（ａ）前記アンダーコート層が形成された前記樹脂基材を反応室内に収容すると共に、該反応室内を真空状態とする工程と、（ｂ）該真空状態とされた反応室内に、珪素化合物ガスと酸素ガスとを導入し、それら珪素化合物ガスと酸素ガスとをプラズマＣＶＤ法により反応させて、該反応室内に収容された前記樹脂基材のアンダーコート層上に、前記ＳiＯ2 のプラズマＣＶＤ層からなる基層部を積層形成する工程と、（ｃ）該アンダーコート層上に該基層部が積層形成された該樹脂基材を収容している該反応室内に、該アンダーコート層上への該基層部の形成後も、珪素化合物ガスと酸素ガスとを継続的に導入しながら、窒素ガス又は窒素化合物ガスを導入することにより、珪素化合物ガスと酸素ガスのプラズマＣＶＤ法による反応と、珪素化合物ガス及び酸素ガスと窒素ガス又は窒素化合物ガスのプラズマＣＶＤ法による反応とを同時に実施して、該アンダーコート層上に積層形成された前記基層部に対して、前記ＳiＯ2とＳiＯＮ とが混在するプラズマＣＶＤ層からなる中間層を積層形成する工程と、（ｄ）前記アンダーコート層上に前記基層部と前記中間層が積層形成された該樹脂基材を収容している前記反応室内に、該中間層の形成後も、珪素化合物ガス及び酸素ガスと窒素ガス又は窒素化合物ガスをプラズマＣＶＤ法により反応させて、該アンダーコート層上に該基層部を介して積層形成された該中間層に対して、前記ＳiＯＮ のプラズマＣＶＤ層からなる表層部を形成する工程とを含んで構成される。
【発明の効果】
【００２０】
本発明に従う樹脂製品にあっては、アンダーコート層が、ＵＶ硬化型アクリル樹脂層からなる基層部を有していることによって、優れた生産性を達成しつつ、十分な耐候性が安定的に確保され得る。しかも、アンダーコート層が、かかるＵＶ硬化型アクリル樹脂層からなる基層部と、フッ素樹脂層からなる表層部との複層構造とされていることにより、ＵＶ硬化型アクリル樹脂層と珪素化合物からなるトップコート層との間に、フッ素樹脂層が介装されている。そのため、紫外線照射によるＵＶ硬化型アクリル樹脂層とトップコート層との間の密着性の低下とトップコート層でのクラックの発生とが、共に有利に防止され得る。
【００２１】
従って、かくの如き本発明に従う樹脂製品にあっては、高い生産性を実現しつつ、優れた耐候性と耐摩傷性とが、より長期に亘って安定的に発揮され得ると共に、長期使用による外観や品質の低下が、極めて効果的に防止され得るのである。
【００２２】
そして、本発明に従う樹脂製品の製造方法によれば、本発明に従う構造を備えた樹脂製品において奏される優れた作用・効果と実質的に同一の作用・効果が有効に享受され得ると共に、上記の如き優れた特徴を発揮する樹脂製品が、工業的に有利に製造され得る。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明に従う構造を有する樹脂製品の一実施形態を示す部分断面説明図である。
【図２】図１に示された樹脂製品を得る際に実施される工程の一例を示す説明図であって、樹脂基材表面に積層形成されたアンダーコート層上に、トップコート層を更に積層形成している状態を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、本発明を更に具体的に明らかにするために、本発明の実施の形態について、図面を参照しつつ、詳細に説明することとする。
【００２５】
先ず、図１には、本発明に従う構造を有する樹脂製品の一実施形態として、自動車のリヤウインドウ用の樹脂ガラス１０が、その部分断面形態において示されている。かかる図１から明らかなように、樹脂ガラス１０は、樹脂基材１２を有し、この樹脂基材１２の表面と裏面（図１での上面と下面）には、アンダーコート層１４が、それぞれ積層形成されている。また、それら各アンダーコート層１４，１４の樹脂基材１２側とは反対側の面上には、トップコート層１６が、それぞれ、更に積層形成されている。なお、以下からは、便宜上、図１での上面を表面と言い、図１での下面を裏面と言うこととする。
【００２６】
より詳細には、樹脂基材１２は、透明な平板形態を呈し、ポリカーボネートを用いて射出成形された樹脂成形品にて構成されている。なお、樹脂基材１２は、ポリカーボネート製の樹脂成形品であれば、射出成形以外の手法で成形されたものであっても良い。また、樹脂基材１２の厚さは、何等限定されるものではなく、樹脂ガラス１０の用途や要求特性等に応じて適宜に決定されるものであって、ここでは２〜７ｍｍ程度の厚さとされる。
【００２７】
そして、本実施形態では、アンダーコート層１４が、基層部１８と表層部２０とを有する複層構造（二層構造）とされている。かかるアンダーコート層１４の基層部１８は、樹脂ガラス１０に対して、紫外線耐性等に基づいた耐候性を付与すること等を目的として、樹脂基材１２の表面と裏面の両面に対して、それらの全面を被覆するように、それぞれ直接に積層形成されるもので、薄膜形態を呈している。このような基層部１８は、ＵＶ硬化型アクリル樹脂層にて構成されている。即ち、基層部１８は、ＵＶ硬化型アクリル樹脂塗料を用いて、樹脂基材１２の両面に形成された塗膜層が、紫外線照射により硬化させられて、形成されている。
【００２８】
この基層部１８の厚さは、特に限定されるものではないものの、一般には１〜２０μｍ程度とされる。何故なら、基層部１８の厚さが１μｍよりも薄いと、余りに薄いために、樹脂ガラス１０に対して十分な耐候性を付与することが困難となる恐れがあるからであり、また、基層部１８の厚さを２０μｍよりも厚くしても、樹脂ガラス１０の耐候性を更に向上させることは難しく、却って、材料費が無駄となったり、基層部１８の形成時間が長くなってしまう可能性があるからである。
【００２９】
一方、アンダーコート層１４の表層部２０は、フッ素樹脂層、ここではポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）層からなり、基層部１８よりも厚さの薄い薄膜形態を呈している。そして、この表層部２０は、後述するように、アンダーコート層１４に施されるアルゴンプラズマ処理中に、ＵＶ硬化型アクリル樹脂層からなる基層部１８を保護するために、各基層部１８，１８の樹脂基材１２側とは反対側の面上に積層形成されるものである。
【００３０】
なお、表層部２０を構成するフッ素樹脂の種類は、特に限定されるものではなく、ＰＴＦＥの他に、テトラフルオロエチレン・エチレン共重合体（ＥＴＦＥ）、ポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）、ポリフッ化ビニル（ＰＶＦ）、ペルフルオロアルコキシフッ素樹脂（ＰＦＡ）等が例示され得る。そして、それら各種のフッ素樹脂が、それぞれ単独で、或いは複数種類のものが適宜に組み合わされて、表層部２０の形成材料として使用されるのである。
【００３１】
かかる表層部２０の厚さも、何等限定されるものではないものの、一般には１〜２０μｍ程度とされる。何故なら、表層部２０の厚さが１μｍよりも薄いと、余りに薄いために、基層部１８の保護機能が十分に発揮されなくなる恐れがあるからであり、また、表層部２０の厚さを２０μｍよりも厚くしても、基層部１８の保護機能を更に高めることは困難で、却って、材料費が無駄となったり、表層部２０の形成時間が長くなってしまう可能性があるからである。
【００３２】
また、そのようなフッ素樹脂からなる表層部２０は、一般に、上記の如き各種のフッ素樹脂のうちの１種又は２種以上を含むフッ素樹脂塗料を、基層部１８上に塗布したり、吹き付けたりして、或いはディッピング等により、基層部１８上に塗膜層を形成した後、かかる塗膜層に対して加熱や紫外線照射等を行って、塗膜層を硬化させることにより形成される。なお、フッ素樹脂からなる表層部２０は、形成工程の簡略化や形成に要する設備コストの低減等を図る上において、紫外線硬化層にて構成されていることが、望ましい。
【００３３】
さらに、表層部２０の形成方法としては、上記の塗装による形成方法以外に、例えば、スパッタリング法や真空蒸着法、分子線蒸着法、イオンプレーディング法、イオンビーム蒸着法等の公知の物理蒸着法（ＰＶＤ法）等も採用することができる。
【００３４】
トップコート層１６は、アンダーコート層１４側に位置する基層部２２と、この基層部２２上に積層された表層部２４とを有している。そして、ここでは、基層部２２が、プラズマＣＶＤ法によって形成された、ＳiＯ2からなるプラズマＣＶＤ層にて構成されており、また、表層部２４が、プラズマＣＶＤ法によって形成された、ＳiＯＮ からなるプラズマＣＶＤ層にて構成されている。
【００３５】
すなわち、本実施形態においては、トップコート層１６の表面の全面を含む表層部分を形成する表層部２４が、非常に硬質であるＳiＯＮ にて構成されている。これにより、トップコート層１６の表面の硬度が十分に高められて、樹脂ガラス１０に対して、より一層優れた耐摩傷性が付与されている。
【００３６】
また、トップコート層１６のアンダーコート層１４との界面の全面を含むアンダーコート層１４側部分を形成する基層部２２が、硬度はＳiＯＮ に劣るものの、ＳiＯＮ よりは、アンダーコート層１４の基層部１８を構成するアクリル樹脂の熱膨張係数に近似した熱膨張係数を有し、しかも、アンダーコート層１４の表層部２０を構成するフッ素樹脂との密着性も、ＳiＯＮ より優れた特性を発揮するＳiＯ2にて構成されている。これによって、トップコート層１６の硬度の低下を招くことなく、アンダーコート層１４との熱膨張差応力等に起因したトップコート層１６の割れやアンダーコート層１４からの剥離の発生が可及的に防止されて、トップコート層１６のアンダーコート層１４に対する密着性の向上有利にが図られている。
【００３７】
なお、トップコート層１６の全体の厚さは、何等、限定されるものではないものの、好ましくは、１〜２０μｍ程度とされる。これによって、トップコート層１６の全体の厚さを無駄に厚くすることなく、樹脂ガラス１０に対して、耐摩傷性を十分に付与することができる。
【００３８】
そして、そのような厚さを有するトップコート層１６のうち、基層部２２の厚さは０．５〜１０μｍ程度とされていることが望ましい。何故なら、ＳiＯ2からなる基層部２２の厚さが０．５μｍよりも薄いと、余りに薄いために、アンダーコート層１４に対する密着性が不充分となる可能性があるからである。また、基層部２２の厚さが１０μｍよりも厚いと、トップコート層１６のうちで、ＳiＯ2からなる基層部２２の占める割合が大きくなり、換言すれば、トップコート層１６のうちで、極めて高硬度のＳiＯＮ からなる表層部２４の占める割合が小さくなり、そのために、トップコート層１６の表層部２４を ＳiＯＮにて構成することによって得られる、樹脂ガラス１０の耐摩傷性の向上効果が不充分なものとなる恐れがあるからである。
【００３９】
そして、本実施形態においては、そのような基層部２２と表層部２４との間に、プラズマＣＶＤ層からなる中間層２６が設けられている。即ち、トップコート層１６が、基層部２２と中間層２６と表層部２４とを有する複層構造とされている。
【００４０】
中間層２６には、基層部２２を構成するＳiＯ2と表層部２４を構成するＳiＯＮ とが混在している。つまり、中間層２６は、プラズマＣＶＤ法によって形成された、ＳiＯ2からなる部分とＳiＯＮ からなる部分とを有するプラズマＣＶＤ層にて構成されているのである。そして、かかる中間層２６にあっては、ＳiＯ2の含有率が、基層部２２側から表層部２４側に向かって徐々に小さくなっている一方、ＳiＯＮ の含有率が、基層部２２側から表層部２４側に向かって徐々に大きくなっている。つまり、中間層２６におけるＳiＯ2の含有率とＳiＯＮ の含有率が、基層部２２側から表層部２４側に向かって傾斜的に変化しているのである。
【００４１】
このように、本実施形態では、上記の如き構造を有する中間層２６が、ＳiＯ2からなる基層部２２とＳiＯＮ からなる表層部２４との間に設けられていることによって、それら基層部２２と表層部２４との間に、明確な界面が無くされ得るようになっている。そして、その結果として、例えば、周囲の熱環境の変化等によって、基層部２２と表層部２４との界面での剥離等の発生が可及的に防止されて、それら基層部２２と表層部２４との密着性が効果的に高められているのである。
【００４２】
なお、そのような中間層２６の厚さも、何等限定されるものではないものの、好適には０．１〜１０μｍ程度とされる。何故なら、中間層２６の厚さが０．１μｍよりも薄いと、余りに薄いために、基層部２２と表層部２４との間の密着性の向上効果が十分に望めなくなる恐れがあるからであり、また、中間層２６の厚さが１０μｍよりも厚いと、トップコート層１６全体の形成時間が冗長化し、そのために、樹脂ガラス１０の生産性の低下や生産コストの高騰が生ずる可能性があるからである。
【００４３】
ところで、上記の如き構造を有する樹脂ガラス１０は、例えば、以下の手順に従って製造される。
【００４４】
すなわち、先ず、ポリカーボネート製の樹脂基材１２を射出成形等により成形する。その後、この樹脂基材１２の表面と裏面の両面に、ＵＶ硬化型アクリル樹脂層からなる、アンダーコート層１４の基層部１８を、それぞれ積層形成する。この基層部１８は、ＵＶ硬化型アクリル樹脂塗料を、樹脂基材１２の両面に対して、例えば、ローラや刷毛等を用いて塗布したり、又はスプレーガン等を用いて吹き付けたりして、或いはディッピング操作等により、ＵＶ硬化型アクリル樹脂の塗膜層をそれぞれ形成した後、それらの塗膜層に対して紫外線を照射することによって形成される。
【００４５】
次に、樹脂基材１２の両面に積層形成されたアンダーコート層１４の基層部１８，１８上に、フッ素樹脂層（ここでは、ＰＴＦＥ層）からなる、アンダーコート層１４の表層部２２を、各基層部１８，１８の全面が、各表層部２０にて被覆されるように、それぞれ、更に積層形成する。この表層部２０は、フッ素樹脂塗料（ここでは、ＰＴＦＥ樹脂塗料）を、各基層部１８上に、例えば、ローラや刷毛等を用いて塗布したり、又はスプレーガン等を用いて吹き付けたりして、或いはディッピング操作等により、フッ素樹脂の塗膜層をそれぞれ形成した後、それらの塗膜層に対して紫外線を照射することによって形成される。
【００４６】
かくして、樹脂基材１２の表面と裏面の両面に対して、ＵＶ硬化型アクリル樹脂層からなる基層部１８とフッ素樹脂層からなる表層部２０との複層構造（二層構造）を有するアンダーコート層１４を、それぞれ積層形成して、中間積層体２８（図２参照）を得る。
【００４７】
次に、図２に示される如き構造を有するプラズマＣＶＤ装置３０を用いて、中間積層体２８のアンダーコート層１４，１４、具体的にはアンダーコート層１４，１４のうちのフッ素樹脂からなる表層部２０，２０に対するアルゴンプラズマ処理を、必要に応じて実施した後、それらのアンダーコート層１４，１４の表層部２０，２０上に、トップコート層１６を、それぞれ更に積層形成する。
【００４８】
図２に示されるように、ここで用いられるプラズマＣＶＤ装置３０は、平行平板方式を採用した従来のプラズマＣＶＤ装置と同様な基本構造を備えている。より具体的には、プラズマＣＶＤ装置３０は、反応室としての真空チャンバ３２を有している。この真空チャンバ３２は、チャンバ本体３４と蓋体３６とを更に含んで構成されている。チャンバ本体３４は、筒状の側壁部３８と、かかる側壁部３８の下側開口部を閉塞する下側底壁部４０とを備えた有底筒状乃至は筐体状を呈している。蓋体３６は、チャンバ本体３４の上側開口部４２の全体を覆蓋可能な大きさを有する平板にて構成されている。そして、かかる蓋体３６が、チャンバ本体３４の上側開口部４２を覆蓋した状態で、図示しないロック機構にてロックされることによって、チャンバ本体３４内が気密に密閉されるようになっている。
【００４９】
また、蓋体３６の下面には、上側ホルダ４４，４４が、一体的に立設されている。それら上側ホルダ４４，４４には、支持突起４６，４６が一体的に突設されている。そして、チャンバ本体３４内に収容されたカソード電極４８が、かかる支持突起４６，４６にて支持されて、上側ホルダ４４，４４に保持されている。また、カソード電極４８には、給電線５０の一端が接続され、この給電線５０の他端は、真空チャンバ３２外に設置された高周波電源５２に接続されている。
【００５０】
チャンバ本体３４の下側底壁部４０上には、下側ホルダ５４，５４が、一体的に立設されている。それら下側ホルダ５４，５４には、上側支持突起５６，５６と下側支持突起５８，５８とが、上下に離間して、それぞれ一体的に突設されている。そして、チャンバ本体３４内に収容されたアノード電極６０が、上側ホルダ４４，４４にて保持されたカソード電極４８と上下方向に所定距離を隔てて対向した状態で、下側支持突起５８，５８にて支持されて、下側ホルダ５４，５４に保持されている。このアノード電極６０は、アース接地されている。また、下側ホルダ５４，５４の上側支持突起５６，５６は、中間積層体２８を支持可能とされている。
【００５１】
チャンバ本体３４の側壁部３８の下端部における周上の一箇所には、排気パイプ６２が、チャンバ本体３４の内外を連通するように側壁部３８を貫通して、設置されている。また、かかる排気パイプ６２上には、真空ポンプ６４が設けられている。そして、この真空ポンプ６４の作動によって、チャンバ本体３４内の気体が排気パイプ６２を通じて外部に排出されて、チャンバ本体３４が減圧されるようになっている。
【００５２】
また、側壁部３８の上端側部位には、第一、第二、第三、及び第四の４個の導入パイプ６６ａ，６６ｂ，６６ｃ，６６ｄが、側壁部３８を貫通して、設置されている。そして、それら第一、第二、第三、及び第四導入パイプ６６ａ，６６ｂ，６６ｃ，６６ｄにおいては、チャンバ本体３４内に突入して開口する一端側開口部が、それぞれ、第一、第二、第三、及び第四ガス導入口６８ａ，６８ｂ，６８ｃ，６８ｄとされている。また、第一導入パイプ６６ａのチャンバ本体３４外への延出側の他端部には、珪素化合物ガスを収容する第一ボンベ７０ａが接続されている。第二導入パイプ６６ｂのチャンバ本体３４外への延出側の他端部には、酸素ガスを収容する第二ボンベ７０ｂが接続されている。第三導入パイプ６６ｃのチャンバ本体３４外への延出側の他端部には、窒素ガスを収容する第三ボンベ７０ｃが接続されている。第四導入パイプ６６ｄのチャンバ本体３４外への延出側の他端部には、アルゴンガスを収容する第四ボンベ７０ｄが接続されている。更に、第一、第二、第三、及び第四ボンベ７０ａ，７０ｂ，７０ｃ，７０ｄの第一、第二、第三、及び四導入パイプ６６ａ，６６ｂ，６６ｃ，６６ｄとの接続部には、第一、第二、第三、及び第四開閉バルブ７２ａ，７２ｂ，７２ｃ，７２ｄが、それぞれ設けられている。
【００５３】
なお、後述するように、第一ボンベ７０ａ内に収容される珪素化合物ガスは、トップコート層１６の基層部２２を形成するための第一の成膜用ガスの原料ガスとして利用されると共に、トップコート層１６の表層部２４を形成するための第二の成膜用ガスの原料ガスとしても利用されるものである。第二ボンベ７０ｂ内に収容される酸素ガスは、第一の成膜用ガスの反応ガスとして利用されると共に、第二の成膜用ガスを構成する反応ガスとしても利用されるものである。第三ボンベ７０ｃ内に収容される窒素ガスは、第二ボンベ７０ｂ内に収容される酸素ガスと共に、第二の成膜用ガスの反応ガスとして利用されるものである。第四ボンベ７０ｄ内に収容されるアルゴンガスは、アンダーコート層１４，１４のアルゴンプラズマ処理に利用されるものである。そして、それら珪素化合物ガスと酸素ガスと窒素ガスとアルゴンガスは、何れも、第一乃至第四ボンベ７０ａ，７０ｂ，７０ｃ，７０ｄ内に、大気圧を超える圧力で収容されている。
【００５４】
第一ボンベ７０ａ内に収容されて、第一の成膜用ガスのうちの原料ガスに利用される珪素化合物ガスを構成する珪素化合物は、特に限定されるものではなく、一般には、モノシラン（ＳiＨ4）やジシラン（Ｓi2Ｈ6 ）等の無機珪素化合物が、それぞれ単独で、或いはそれらが組み合わされて使用される。また、かかる珪素化合物として、有機珪素化合物を使用するこも可能である。そして、この有機珪素化合物としては、テトラメチルジシロキサン、ヘキサメチルジシロキサン、ヘキサメチルシクロトリシロキサン等のシロキサン類や、メトキシトリメチルシラン、エトキシトリメチルシラン、ジメトキシジメチルシラン、ジメトキシジエチルシラン、ジメトキシジフェニルシラン、トリメトキシシラン、トリメトキシメチルシラン、トリメトキシエチルシラン、トリメトキシプロピルシラン、トリエトキシメチルシラン、トリエトキシジメチルシラン、トリエトキシエチルシラン、トリエトキシフェニルシラン、テトラメチルシラン、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン等のシラン類、ヘキサメチルジシラザン、テトラメチルジシラザン等のシラザン類等が、例示される。そして、それらのうちの１種のものが単独で、或いは２種類以上が組み合わされて用いられる。なお、２種類以上の珪素化合物ガスを用いる場合には、それら複数種類の珪素化合物ガスを混合した状態で、一つの第一ボンベ７０ａ内に収容しても良く、或いは２種類以上の珪素化合物ガスを、複数の第一ボンベ７０ａ内に、それぞれ別個に収容しても良い。
【００５５】
そして、かくの如き構造とされたプラズマＣＶＤ装置３０を用いて、樹脂基材１２の両面に積層されたアンダーコート層１４，１４上に、トップコート層１６をそれぞれ積層形成する際には、それに先立って、各アンダーコート層１４，１４の表層部２０，２０に対するアルゴンプラズマ処理を、必要に応じて実施する。
【００５６】
それには、先ず、図２に示されるように、樹脂基材１２の両面にアンダーコート層１４がそれぞれ積層形成されてなる中間積層体２８を、チャンバ本体３４内に設けられた下側ホルダ５４，５４の上側支持突起５６，５６に支持させて、下側ホルダ５４，５４に保持させる。
【００５７】
次いで、上側開口部４２を蓋体３６にて覆蓋した後、図示しないロック機構にて、蓋体３６をチャンバ本体３４にロックする。これにより、真空チャンバ３２内を気密に密閉する。そして、その後、真空ポンプ６４を作動させて、真空チャンバ３２内を減圧する。この減圧操作により、真空チャンバ３２内の圧力を、例えば１０-5〜１０-3Ｐａ程度とする。
【００５８】
そして、真空チャンバ３２内の圧力が所定の値となったら、真空ポンプ６４を作動させたままで、第四導入パイプ６６ｄに接続された第四ボンベ７０ｄの第四開閉バルブ７２ｄを開作動する。これにより、第四ボンベ７０ｄ内のアルゴンガスを、第四導入パイプ６６ｄ内に流通させて、第四ガス導入口６８ｄから真空チャンバ３２内に導入する。
【００５９】
その後、真空チャンバ３２内へのアルゴンガスの導入により、真空チャンバ３２の内圧が所定の値となったら、高周波電源５２をＯＮ作動して、真空チャンバ３２内に配置されたカソード電極４８に対して、高周波電流を給電線５０を介して供給する。これにより、カソード電極４８とアノード電極６０との間で放電現象を惹起させて、真空チャンバ３２内に充満したアルゴンガスをプラズマ化し、アルゴンガスのプラズマを真空チャンバ３２内に、比較的に低温の状態で発生させる。
【００６０】
かくして、真空チャンバ３２内にアルゴンのプラズマガスを発生させると共に、かかるアルゴンのプラズマガスを、中間積層体２８の表面と裏面を形成するアンダーコート層１４の、フッ素樹脂からなる表層部２０に接触させる。これにより、アンダーコート層１４の表層部２０に対するアルゴンプラズマ処理を実施し、以て、アンダーコート層１４に対するトップコート層１６の密着性の向上を図る。
【００６１】
そして、真空チャンバ３２内へのアルゴンガスの導入開始から、予め設定された時間が経過したら、第四ボンベ７０ｄの第四開閉バルブ７２ｄを閉作動して、アルゴンガスの真空チャンバ３２内への導入を停止すると共に、高周波電源５２をＯＦＦ作動する。これによって、真空チャンバ３２内でのアンダーコート層１４に対するアルゴンプラズマ処理を終了する。
【００６２】
その後、真空ポンプ６４により、真空チャンバ３２内のアルゴンガスやアルゴンのプラズマガスを外部に排出させる。そして、真空チャンバ３２の内圧が、アルゴンガスの導入前の圧力となったら、アルゴンプラズマ処理されたアンダーコート層１４の表層部２０上へのトップコート層１６の積層形成工程を開始する。
【００６３】
それには、先ず、第一導入パイプ６６ａと第二導入パイプ６６ｂとにそれぞれ接続された第一ボンベ７０ａの第一開閉バルブ７２ａと第二ボンベ７０ｂの第二開閉バルブ７２ｂとを各々開作動する。これにより、第一ボンベ７０ａ内の珪素化合物ガスを、第一導入パイプ６６ａ内に流通させて、第一ガス導入口６８ａから真空チャンバ３２内に導入する。また、それと共に、第二ボンベ７０ｂ内の酸素ガスを、第二導入パイプ６６ｂ内に流通させて、第二ガス導入口７２ｂから真空チャンバ３２内に導入する。かくして、珪素化合物ガスと酸素ガスとからなる、基層部２２を形成するための第一の成膜用ガスを真空チャンバ３２内に導入して、充満させる。
【００６４】
真空チャンバ３２内に珪素化合物ガスと酸素ガスが充満して、真空チャンバ３２の内圧が所定の値となったら、高周波電源５２をＯＮ作動して、真空チャンバ３２内に配置されたカソード電極４８に対して、高周波電流を給電線５０を介して供給する。これにより、カソード電極４８とアノード電極６０との間で放電現象を惹起させて、真空チャンバ３２内に充満した珪素化合物ガスと酸素ガスとをそれぞれプラズマ化し、珪素化合物ガスのプラズマと酸素ガスのプラズマとを、真空チャンバ３２内に、比較的に低温の状態で発生させる。
【００６５】
そして、真空チャンバ３２内の空間や中間積層体２８の表面上において、珪素化合物ガスのプラズマと酸素ガスのプラズマとの反応（珪素化合物ガスと酸素ガスのプラズマＣＶＤ法による反応）を生じさせて、ＳiＯ2を生成すると共に、それを中間積層体２８の全表面に堆積させる。以て、中間積層体２８のアンダーコート層１４，１４の各表層部２０，２０上に、ＳiＯ2からなる基層部２２を、比較的に低い温度下で、しかも十分に速いスピードで、それぞれ積層形成する。
【００６６】
なお、かかる本工程では、第一ボンベ７０ａの第一開閉バルブ７２ａと第二ボンベ７０ｂの第二開閉バルブ７２ｂの開作動が、その開放量を何等変化させることなく、一定の量において、予め設定された一定の時間だけ実施される。これによって、珪素化合物ガスと酸素ガスの真空チャンバ３２内への単位時間当たりの導入量がそれぞれ一定の量とされて、真空チャンバ３２内の珪素化合物ガス量と酸素ガス量の比率が一定の割合に維持されると共に、真空チャンバ３２の内圧も、一定の値に維持される。
【００６７】
アンダーコート層１４，１４上に積層形成されるトップコート層１６の基層部２２の厚さは、珪素化合物ガスと酸素ガスとが、真空チャンバ３２内に一定の導入量で導入される時間、つまり、珪素化合物ガスと酸素ガスとをプラズマＣＶＤ法によって反応させる時間に応じて、適宜に調節される。換言すれば、第一ボンベ７０ａの第一開閉バルブ７２ａと第二ボンベ７０ｂの第二開閉バルブ７２ｂの一定量での開作動時間は、予め設定された、基層部２２の厚さの設定値等に応じて、適宜に決定されるのである。
【００６８】
そして、第一及び第二ボンベ７０ａ，７０ｂの第一及び第二開閉バルブ７２ａ，７２ｂの作動開始、即ち、珪素化合物ガスと酸素ガスの真空チャンバ３２内への導入開始から、予め設定された時間（基層部２２の膜厚に応じて設定された時間）が経過した時点で、第三ボンベ７０ｃ内の窒素ガスの真空チャンバ３２内への導入を開始する。これによって、表層部２４を形成するための成膜用ガスを構成する珪素化合物ガスと酸素ガスと窒素ガスの真空チャンバ３２内への導入を開始するのである。このとき、カソード電極４８への高周波電流の供給が継続されているため、真空チャンバ３２内に導入された窒素ガスも、珪素化合物ガスや酸素ガスと同様に、随時、プラズマ化される。
【００６９】
なお、珪素化合物ガスと酸素ガスと、新たに導入される窒素ガスのそれぞれの真空チャンバ３２内への単位時間当たりの導入量を、それぞれ、一定の値としても良いが、望ましくは、珪素化合物ガスの単位時間当たりの導入量を一定に維持する一方で、酸素ガスの単位時間当たりの導入量を徐々に減らしつつ、窒素ガスの単位時間当たりの導入量を徐々に増加させて、所定の時間の経過後に、酸素ガスの単位時間当たりの導入量と窒素ガスの単位時間当たりの導入量とが１：１の比率となるように調節される。また、珪素化合物ガスと酸素ガスと窒素ガスとが真空チャンバ３２内に導入されているときには、酸素ガスと窒素ガスのそれぞれの単位時間当たりの導入量の合計と、珪素化合物ガスの単位時間当たりの導入量との比率が、珪素化合物ガスと酸素ガスだけが真空チャンバ３２内に導入されているときの酸素ガスの単位時間当たりの導入量と珪素化合物ガスの単位時間当たりの導入量との比率と同じ比率とされていることが、より望ましい。これらにより、真空チャンバ３２内への窒素ガスの新たな導入によって真空チャンバ３２内の圧力が高められることが可及的に防止されることとなる。なお、表層部２４を形成するために、真空チャンバ３２内に新たに導入されるガス成分の導入量と、基層部２２の形成時に真空チャンバ３２内に導入される成膜用ガスの各ガス成分の導入量の比率は、基層部２２を構成する珪素化合物と表層部２４を構成する珪素化合物のそれぞれの種類によって、適宜に変更されるものであることは、勿論である。
【００７０】
そして、珪素化合物ガスと酸素ガスに加えて、窒素ガスの真空チャンバ３２内に導入が開始されると、かかる窒素ガスの導入開始当初は、真空チャンバ３２内に存在する全てのガスのうちで窒素ガスが占める割合が少ないため、珪素化合物ガスと酸素ガスとのプラズマＣＶＤ法による反応（珪素化合物ガスのプラズマと酸素ガスのプラズマとの反応）が優先的に生じ、それによって、ＳiＯ2が多く生成される。また、真空チャンバ３２内への窒素ガスの導入開始からある程度の時間が経過してくると、真空チャンバ３２内に存在する全てのガスのうちで窒素ガスが占める割合が徐々に増大し、それに伴って、珪素化合物ガスと酸素ガスとのプラズマＣＶＤ法による反応と並行して、珪素化合物ガスと酸素ガスと窒素ガスとのプラズマＣＶＤ法による反応（珪素化合物ガスのプラズマと酸素ガスのプラズマと窒素ガスのプラズマとの反応）が生ずるようになる。それにより、ＳiＯ2と ＳiＯＮとが同時に生成されるようになる。そして、更に時間が経過して、真空チャンバ３２内での窒素ガス量が増大すると、珪素化合物ガスと酸素ガスとのプラズマＣＶＤ法による反応よりも、珪素化合物ガスと酸素ガスと窒素ガスとのプラズマＣＶＤ法による反応が優先的に進行するようになり、以て、ＳiＯＮ の生成量が、ＳiＯ2の生成量を上回るようになる。
【００７１】
このように、珪素化合物ガスと酸素ガスに加えて、窒素ガスの真空チャンバ３２内に導入が開始されることによって、基層部２２上に、ＳiＯ2とＳiＯＮ とが混在する中間層２６が形成されることとなる。また、かかる中間層２６は、基層部２２側からそれとは反対側に向かって、ＳiＯ2の含有率が徐々に減少する一方、ＳiＯＮ の含有率が徐々に増加するものとなる。つまり、中間層２６内でのＳiＯ2の含有率とＳiＯＮ の含有率とが、基層部２２側から表層部２４側に向かって傾斜的に変化するようになる。
【００７２】
その後、更に時間が経過して、真空チャンバ３２内の窒素ガス量が十分な量に達すると、珪素化合物ガスと酸素ガスと窒素ガスとのプラズマＣＶＤ法による反応のみが進行するようになり、ＳiＯＮ のみが生成されるようになる。そして、窒素ガスの真空チャンバ３２内への導入開始からの経過時間が、予め設定された時間に達した時点で、第一、第二、及び第三開閉バルブ７２ａ，７２ｂ，７２ｃを全て閉作動して、珪素化合物ガスと酸素ガスと窒素ガスの真空チャンバ３２内への導入を停止する。これによって、中間層２６上に、ＳiＯＮ からなる表層部２４を、所定の厚さで形成する。かくして、図１に示される如き構造を備えた、目的とする樹脂ガラス１０を得るのである。
【００７３】
なお、ＳiＯＮ からなる表層部２４の厚さは、第一、第二及び第三開閉バルブ７２ａ，７２ｂ，７２ｃの上記の如き開閉作動によって、酸素ガスと窒素ガスの真空チャンバ３２内への単位時間当たりの導入量が一定となったときから、珪素化合物ガスと酸素ガスと窒素ガスの真空チャンバ３２内への導入が停止されるまでの時間を目安として、適宜に調節されることとなる。
【００７４】
このように、本実施形態では、樹脂基材１２の表面にアンダーコート層１４が積層形成されてなる中間積層体２８を一つの真空チャンバ３２内に収容配置したままで、ＳiＯ2からなる基層部２２とＳiＯＮ からなる表層部２４とを有する複層構造のトップコート層１６を、プラズマＣＶＤ法を利用した一連の操作によって、アンダーコート層１４上に、形成することができる。
【００７５】
また、基層部２２の形成操作から表層部２４の形成操作に切り換える際に、基層部２２を形成するための成膜用ガス（第一の成膜用ガス）が、真空チャンバ３２内から排出されることがなく、それ故、かかる成膜用ガスを真空チャンバ３２内から排出するための面倒で時間のかかる作業から開放され得る。
【００７６】
しかも、基層部２２を形成するための成膜用ガスに原料ガスとして含まれる珪素化合物ガスが、表層部２４の形成操作において、表層部２４を形成するための成膜用ガス（第二の成膜用ガス）に含まれる原料ガスとして、そのまま利用される。また、基層部２２を形成するための成膜用ガスに反応ガスとして含まれる酸素ガスが、表層部２４の形成操作において、表層部２４を形成するための成膜用ガス（第二の成膜用ガス）に含まれる反応ガスの一種として、そのまま利用される。
【００７７】
従って、本実施形態によれば、樹脂基材１２のアンダーコート層１４上に、アンダーコート層１４に対する密着性に優れた基層部２２と、より優れた耐摩傷性を発揮する表層部２４とを含むトップコート層１６を、簡便な作業により、効率的に、しかも低コストに形成することができる。
【００７８】
また、本実施形態では、基層部２２と表層部２４との間に、それらを構成するＳiＯ2とＳiＯＮ とが混在する中間層２６を形成して、トップコート層１６が構成されている。そのため、基層部２２と表層部２４との間に明確な界面が形成されず、それによって、基層部２２と表層部２４との界面での剥離等の発生が可及的に防止され、以て、それら基層部２２と表層部２４との密着性が効果的に高められ得るのである。
【００７９】
さらに、本実施形態の樹脂ガラス１０では、アンダーコート層１４の基層部１８がＵＶ硬化型アクリル樹脂層にて構成されると共に、表層部２０が、ＵＶ硬化型のフッ素樹脂層にて構成されている。それ故、それらアンダーコート層１４の基層部１８と表層部２０とが、例えば、熱硬化型のアクリル樹脂やフッ素樹脂からなる場合とは異なって、アンダーコート層１４の形成に際しての基層部１８や表層部２０の硬化時間が十分に短縮化され得、それによって、アンダーコート層１４の形成工程の効率化、ひいては樹脂ガラス１０の生産性の向上が、有利に図られ得る。
【００８０】
従って、かくの如き本実施形態に係る樹脂ガラス１０にあっては、高い生産性を実現しつつ、アンダーコート層１４とトップコート層１６とによって得られる優れた耐候性と耐摩傷性とが、より長期に亘って安定的に確保され得る。また、それと同時に、長期使用による外観や品質の低下が、極めて効果的に防止され得るのである。
【００８１】
ところで、上記した第一の実施形態では、ＳiＯ2からなる、トップコート層１６の基層部２２の形成操作から、ＳiＯＮ からなる、トップコート層１６の表層部２４の形成操作に切り換える際に、基層部２２の成膜用ガスの真空チャンバ３２内への導入を維持しつつ、それに加えて、表層部２４の成膜用ガスに反応ガスとして含まれる窒素ガスの真空チャンバ３２内への導入が開始されるようになっていた。しかしながら、例えば、基層部２２がＳiＯ2からなる一方、表層部２４がＳi3Ｎ4 等の珪素化合物からなる場合等のように、基層部２２を形成するための成膜用ガスに含まれるガス成分と、表層部２４を形成するための成膜用ガスに含まれるガス成分とが、それらのうちの一部のガス成分（例えば、反応ガス）のみが異なるものである場合には、前記第一の実施形態に係る樹脂ガラス１０の製造に際して実施される操作とは、一部が異なる操作が実施されて、トップコート層１６の基層部２２及び表層部２４と中間層２６とが、それぞれ形成されることとなる。
【００８２】
すなわち、前記第一の実施形態と同様に、プラズマＣＶＤ装置３０の真空チャンバ３２内に中間積層体２８を収容した状態下で、アンダーコート層１４に対するアルゴンプラズマ処理を、必要に応じて実施する。
【００８３】
その後、真空チャンバ３２内のアルゴンガスとアルゴンのプラズマガスとを外部に排出した後、珪素化合物ガスと酸素ガスとを導入して、それら珪素化合物ガスと酸素ガスとをプラズマＣＶＤ法により反応させることによって、ＳiＯ2のプラズマＣＶＤ層からなる基層部２２を中間積層体２８のアンダーコート層１４の表層部２０上に形成する。
【００８４】
そして、珪素化合物ガスと酸素ガスの真空チャンバ３２内への導入開始から所定時間が経過したら、予め真空チャンバ３２内への酸素ガスの導入量を漸減させつつ、窒素ガスを、真空チャンバ３２内に、その導入量が漸増していくように導入する。そして、酸素ガスの導入量が、やがてゼロとなった時点で、窒素ガスの真空チャンバ３２内への単位時間当たりの導入量を一定の値とする。このとき、酸素ガスや窒素ガスの導入量の変動に拘わらず、珪素化合物ガスを真空チャンバ３２内に一定の導入量で導入する。
【００８５】
そうして、酸素ガスの真空チャンバ３２内への導入量が漸減して、ゼロとなるまでの間、真空チャンバ３２内で、珪素化合物ガスと酸素ガスのプラズマＣＶＤ法による反応を行いつつ、それと並行して、珪素化合物ガスと窒素ガスのプラズマＣＶＤ法による反応を実施する。これにより、基層部２２上に、ＳiＯ2とＳi3Ｎ4 とが混在する中間層２６を積層形成する。この中間層２６は、トップコート層１６の基層部２２側（アンダーコート層１４側）からそれとは反対側に向かって、ＳiＯ2の含有率が徐々に減少する一方、Ｓi3Ｎ4 の含有率が徐々に増加するものとなる。つまり、中間層２６内でのＳiＯ2の含有率とＳi3Ｎ4 の含有率とが、基層部２２側から表層部２４側に向かって傾斜的に変化するようになる。
【００８６】
そして、真空チャンバ３２内への酸素ガスの導入が停止されると共に、窒素ガスの真空チャンバ３２内への単位時間当たりの導入量が一定の値にされると、真空チャンバ３２内で、珪素化合物ガスと窒素ガスのプラズマＣＶＤ法による反応のみが進行する。これにより、中間層２６上に、Ｓi3Ｎ4 のプラズマＣＶＤ層からなる表層部２４を積層形成する。その後、真空チャンバ３２内への酸素ガスの導入が停止されてから所定時間が経過した時点で、珪素化合物ガスと窒素ガスの真空チャンバ３２内への導入を停止する。
【００８７】
かくして、中間積層体２８のアンダーコート層１４の表層部２０上に、基層部２２と中間層２６と表層部２４とが、その順番で積層されてなる複層構造を有するトップコート層１６を積層形成する。そうして、図１に示される如き構造を備えた、目的とする樹脂ガラス１０を得るのである。
【００８８】
かくの如き本実施形態にあっても、前記第一の実施形態において奏される作用・効果と同様な作用・効果が有効に享受され得るのである。
【実施例】
【００８９】
以下に、本発明の代表的な実施例を示し、本発明を更に具体的に明らかにすることとするが、本発明が、そのような実施例の記載によって、何等の制約をも受けるものでないことは、言うまでもないところである。また、本発明には、以下の実施例の他にも、更には上記した具体的記述以外にも、本発明の趣旨を逸脱しない限りにおいて、当業者の知識に基づいて、種々なる変更、修正、改良等を加え得るものであることが、理解されるべきである。
【００９０】
先ず、市販のポリカーボネート樹脂を用いて、公知の射出成形を行って、縦×横×厚さが１００×１００×５ｍｍの矩形平板からなる２個の透明な樹脂基材を得た。
【００９１】
次いで、それら２個の樹脂基材のそれぞれの表面の全面に、市販のＵＶ硬化型アクリル樹脂塗料を塗布し、これに紫外線を照射して硬化させた。これにより、２個の樹脂基材のそれぞれの表面の全面に、ＵＶ硬化型アクリル樹脂層をそれぞれ形成した。それら２個の樹脂基材表面上のＵＶ硬化型アクリル樹脂層の厚さを、何れも２０μｍとした。
【００９２】
引き続いて、表面にＵＶ硬化型アクリル樹脂層がそれぞれ形成された２個の樹脂基材のうちの１個を用い、かかる１個の樹脂基材のＵＶ硬化型アクリル樹脂層上に、市販のＵＶ硬化型ＰＴＦＥ樹脂塗料を、ＵＶ硬化型アクリル樹脂層の全面を被覆されるように塗布し、これに紫外線を照射して硬化させた。これにより、樹脂基材のＵＶ硬化型アクリル樹脂層上に、ＵＶ硬化型ＰＴＦＥ樹脂層を積層形成した。この樹脂基材のＵＶ硬化型アクリル樹脂層上のＵＶ硬化型ＰＴＦＥ樹脂層の厚さを２０μｍとした。
【００９３】
かくして、樹脂基材の表面上に、ＵＶ硬化型アクリル樹脂層からなる基層部とＵＶ硬化型ＰＴＦＥ樹脂層からなる表層部との複層構造を有するアンダーコート層が積層形成されてなる中間積層体Ａを得た。また、樹脂基材のＵＶ硬化型アクリル樹脂層上に、ＵＶ硬化型ＰＴＦＥ樹脂層を何等形成することなく、樹脂基材の表面上に、ＵＶ硬化型アクリル樹脂層のみからなる単層構造のアンダーコート層が積層形成されてなるものを、中間積層体Ｂとした。
【００９４】
そして、中間積層体Ａを、図２に示される如き構造を有するプラズマＣＶＤ装置の真空チャンバ内に収容した後、真空チャンバ内を真空状態とした。このときの真空チャンバの内圧を１０-4Ｐａとした。
【００９５】
その後、真空チャンバ内に、アルゴンガスを導入して、充満させた後、高周波電源からカソード電極に高周波電流を供給し、アルゴンガスのプラズマを発生させた。そして、かかるアルゴンのプラズマガスを、真空チャンバ内の中間積層体Ａにおけるアンダーコート層の表層部に接触させることにより、アンダーコート層の表層部に対するアルゴンプラズマ処理を実施した。なお、かかるアルゴンプラズマ処理時間を１０分とした。
【００９６】
次に、真空チャンバ内にアルゴンガスとアルゴンのプラズマガスとを外部に排出した後、真空チャンバ内に、珪素化合物ガスたるモノシランガスと酸素ガスとを、単位時間当たりの導入量が一定となるように導入して、充満させた。その後、高周波電源からカソード電極に高周波電流を供給し、酸素ガスのプラズマとモノシランガスのプラズマを発生させて、それらのプラズマガスを反応させることにより、アンダーコート層の表層部上に、ＳiＯ2からなる、トップコート層の基層部を形成した。なお、この基層部の形成操作を１２００秒間継続して実施した。また、真空チャンバ内へのモノシランガスの導入量は５０ｍｌ／ｓｅｃ、真空チャンバ内への酸素ガスの導入量は５０ｍｌ／ｓｅｃとした。更に、高周波電源の出力値を３０００Ｗとした。かくして形成された基層部の厚さは１μｍであった。
【００９７】
そして、酸素ガスとモノシランガスの真空チャンバ内への導入の開始（基層部の形成操作の開始）から１〜５分経過した後、窒素ガスを、真空チャンバ内に、単位時間当たりの導入量が徐々に増加するように、２０分かけて導入した。モノシランガスと酸素ガスは、基層部の形成時と同じ単位時間当たりの導入量で、継続的に導入した。
【００９８】
そして、モノシランガスと酸素ガスと窒素ガスとを真空チャンバ内に導入している間、高周波電源の出力値を３０００Ｗとしたままで、カソード電極に高周波電流を継続に供給することにより、モノシランガスと酸素ガスと窒素ガスをそれぞれプラズマ化して、モノシランガスのプラズマと酸素ガスのプラズマとを反応させる一方、それと並行して、モノシランガスのプラズマと酸素ガスのプラズマと窒素ガスのプラズマとを反応させた。これにより、基層部上に、ＳiＯ2とＳiＯＮ とが混在する中間層を形成した。なお、真空チャンバ内への窒素ガスの導入量は５００ｍｌ／ｓｅｃだけ増加するようにした。真空チャンバ内へのモノシランガスと酸素ガスの導入量は、それぞれ、５０ｍｌ／ｓｅｃとした。かくして形成された中間層の厚さは０．１〜１０μｍであった。
【００９９】
そして、更に高周波電源の出力値を３０００Ｗとしたままで、カソード電極に高周波電流を継続に供給して、モノシランガスのプラズマと窒素ガスのプラズマと酸素ガスのプラズマとを発生させて、それらのプラズマガスを反応させることにより、中間層上に、 ＳiＯＮからなる、トップコート層の表層部を形成した。この表層部の厚さは、１μｍであった。
【０１００】
かくして、図１に示されるように、ポリカーボネート製の樹脂基材の表面に、ＵＶ硬化型アクリル樹脂層からなる基層部とＵＶ硬化型ＰＴＦＥ樹脂層からなる表層部の二層構造を有するアンダーコート層が形成されると共に、ＳiＯ2からなる基層部と、ＳiＯ2と ＳiＯＮが混在する中間層と、ＳiＯＮ からなる表層部の三層構造を有するトップコート層が、アンダーコート層上に積層形成されてなる透明な樹脂ガラスを得た。そして、この樹脂ガラスを試験例１とした。
【０１０１】
一方、比較のために、前記中間積層体Ｂを、試験例１の樹脂ガラスの製造の際に用いられたプラズマＣＶＤ装置の真空チャンバ内に収容した後、真空チャンバ内を真空状態とした。このときの真空チャンバの内圧を１０-4Ｐａとした。
【０１０２】
そして、中間積層体Ｂに形成されたＵＶ硬化型アクリル樹脂層の単層構造を有するアンダーコート層上に、ＳiＯ2からなる基層部と、ＳiＯ2とＳiＯＮ が混在する中間層と、ＳiＯＮ からなる表層部の三層構造を有するトップコート層を、試験例１の樹脂ガラスの製造時と同様にして、積層形成した。これにより、ポリカーボネート製の樹脂基材の表面に、ＵＶ硬化型アクリル樹脂層のみからなる単層構造のアンダーコート層が形成されると共に、ＳiＯ2からなる基層部と、ＳiＯ2とＳiＯＮ が混在する中間層と、ＳiＯＮ からなる表層部の三層構造を有するトップコート層が、アンダーコート層上に積層形成されてなる透明な樹脂ガラスを得た。そして、この樹脂ガラスを試験例２とした。なお、トップコート層の基層部と中間層と表層部のそれぞれの厚さを、試験例１の樹脂ガラスと同一の厚さとした。
【０１０３】
そして、上記のようにして得られた試験例１及び試験例２の２種類の透明な樹脂ガラスを用いて、各樹脂ガラスの耐摩耗性と、トップコート層とアンダーコート層との間の密着性とに関する評価試験を以下のようにして実施した。その結果を、下記表１に示す。
【０１０４】
＜耐摩耗性＞
ＪＩＳ  Ｒ３２１１に準拠したテーバー摩耗試験の実施前後におけるヘイズ値の差：ΔＨを、ＪＩＳ  Ｒ３２１２に基づいて測定した。そして、その測定値：ΔＨが２．０％以下のものを、耐摩耗性に優れたものとして、評価結果を○で示し、ΔＨが２．０％を超えるものを、耐摩耗性に劣るものとして、評価結果を×で示した。なお、テーバー摩耗試験の実施に際しては、型番：ＣＳ−１０Ｆ（テーバー社製）の摩耗輪を使用した。また、ヘイズ値の測定には、ヘイズ値測定機［型番：ＨＺ−２Ｐ（スガ試験機株式会社製）］を使用した。ここで、ΔＨの値が２．０％以下のものの評価結果を○としたのは、以下の理由による。即ち、自動車用のフロントガラスに使用される樹脂ガラスには、ＪＩＳ  Ｒ３２１１に準拠したテーバー摩耗試験の実施前後におけるヘイズ値の差：ΔＨが２．０％以下であることが要求される。それ故、ここでは、ΔＨの値が２．０％以下のものの耐摩耗性に関する評価結果を○としたのである。
【０１０５】
＜密着性試験＞
ＪＩＳ  Ｋ５６００−５−６に準拠して実施した。そして、密着性試験の結果、剥離がなかったものを、密着性に優れたものとして、評価結果を○で示し、剥離が軽微であったものを、密着性に僅かに劣るものとして、評価結果を△で示した。
【０１０６】
【表１】
0005833494.tif 000002
【０１０７】
かかる表１の結果から明らかなように、ＵＶ硬化型アクリル樹脂層からなる基層部とＵＶ硬化型ＰＴＦＥ樹脂層からなる表層部の二層構造を有するアンダーコート層上にトップコート層が積層形成された試験例１の樹脂ガラスと、ＵＶ硬化型アクリル樹脂層のみからなる単層構造のアンダーコート層上にトップコート層が積層形成された試験例２の樹脂ガラスとを比較した場合、試験例１の樹脂ガラスは、耐摩耗性試験と密着性試験の評価結果が、何れも○となっている。しかしながら、試験例２の樹脂ガラスは、耐摩耗性試験の評価結果が×で、密着性試験の評価結果が△となっている。これは、本発明に従う構造を有する樹脂ガラスが、耐摩耗性と密着性の両方において優れた特性を発揮するものであることを、如実に示している。
【０１０８】
以上、本発明の具体的な構成について詳述してきたが、これはあくまでも例示に過ぎないのであって、本発明は、上記の記載によって、何等の制約をも受けるものではない。
【０１０９】
例えば、前記第一の実施形態では、トップコート層１６の基層部２２と表層部２４とが、それぞれ、ＳiＯ2のプラズマＣＶＤ層とＳiＯＮ のプラズマＣＶＤ層にて構成され、また、前記第二の実施形態では、トップコート層１６の基層部２２と表層部２４とが、それぞれ、ＳiＯ2のプラズマＣＶＤ層とＳi3Ｎ4 のプラズマＣＶＤ層にて構成されていた。しかしながら、トップコート層１６は、珪素化合物のプラズマＣＶＤ層にて構成されておれば、単層構造を有していても、何等差し支えない。
【０１１０】
また、トップコート層１６を、複数の珪素化合物のプラズマＣＶＤ層を有する複層構造とする場合にも、それら複数の珪素化合物のプラズマＣＶＤ層をそれぞれ構成する珪素化合物の種類は、例示のものに、何等限定されるものではない。しかしながら、トップコート層１６を複層構造とする場合には、表層部が、基層部よりも高い硬度を有する珪素化合部のプラズマＣＶＤ層にて構成されていることが、望ましい。
【０１１１】
さらに、複層構造のトップコート層１６を形成する方法も、プラズマＣＶＤ法を利用するものであれば、例示した方法に、特に限定されるものではない。そして、真空チャンバ３２内に導入される、トップコート層１６の基層部２２や表層部２４を形成するための成膜用ガスに含まれるガス成分、特に反応ガスの種類も、何等限定されるものではなく、それら基層部２２や表層部２４を構成する珪素化合物の種類に応じて、適宜に変更され得るものである。例えば、ＳiＯＮ やＳi3Ｎ4 のプラズマＣＶＤ層からなるトップコート層１６の表層部２４を形成するための成膜用ガスに含まれるガス成分として、窒素ガスに代えて、アンモニアガス等の窒素化合物ガスを用いることもできる。
【０１１２】
また、トップコート層１６の形成に際して用いられるプラズマＣＶＤ装置は、例示された構造を有するもの以外にも、公知の構造を有するものが、適宜に採用可能である。例えば、誘導結合方式やアークを発生するプラズマガンを用いた方式の構造を採用することもできる。
【０１１３】
さらに、樹脂基材１２の一方の面のみに、アンダーコート層１４とトップコート層１６とを設けるようにしても良い。
【０１１４】
加えて、前記実施形態では、本発明を、自動車のリヤウインドウ用の樹脂ガラスと、その製造方法に適用したものの具体例を示したが、本発明は、ポリカーボネート製の樹脂成形品からなる樹脂基材の表面に、アンダーコート層と、基層部を含むトップコート層とが、その順番に積層形成されてなる樹脂製品と、そのような樹脂製品の製造方法の何れに対しても、有利に適用され得るものであることは、勿論である。
【０１１５】
その他、一々列挙はしないが、本発明は、当業者の知識に基づいて種々なる変更、修正、改良等を加えた態様において実施され得るものであり、また、そのような実施態様が、本発明の趣旨を逸脱しない限り、何れも、本発明の範囲内に含まれるものであることは、言うまでもないところである。
【符号の説明】
【０１１６】
１０  樹脂ガラス                      １２  樹脂基材
１４  アンダーコート層                １６  トップコート層
１８，２２  基層部                    ２０，２４  表層部
２６  中間層                          ２８  中間積層体
３０  プラズマＣＶＤ装置
【図１】
0005833494.tif 000003
【図２】
0005833494.tif 000004