(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
被露光基板を露光することにより回路パターンを描画する露光手段と、
露光描画装置内の微粒子の粒子数を計数する計数手段と、
前記露光手段による露光処理中に前記計数手段により計数された粒子数が、前記回路パターンのパターンに関するサイズに基づいて定められた閾値以上であるか否かを判定する判定手段と、
前記判定手段により閾値以上であると判定された場合に、前記被露光基板に対して予め定められた情報を付加する付加手段と、
を備えた露光描画装置。
【請求項２】
前記パターンに関するサイズは、前記回路パターンにおける隣接するパターン間のピッチ幅の最小値、パターン幅の最小値、及びランド径の最小値の少なくとも一つである
請求項１記載の露光描画装置。
【請求項３】
前記計数手段は、前記粒子数を前記微粒子の粒径範囲毎に計数し、
前記閾値が前記粒径範囲毎に定められ、
前記判定手段は、前記粒子数が予め定められた閾値以上であるか否かを前記粒径範囲毎に判定し、１つ以上の粒径範囲の粒子数が前記粒径範囲毎に定められた閾値以上であった場合に閾値以上であったと判定する
請求項１または２記載の露光描画装置。
【請求項４】
前記被露光基板の識別情報を取得する取得手段と、
前記計数手段により計数された粒子数を前記取得手段により取得された前記識別情報に対応付けて記憶する記憶手段と、
をさらに備えた請求項１乃至３の何れか１項記載の露光描画装置。
【請求項５】
前記判定手段は、前記計数手段により計数された粒子数が、予め定められた複数の区分のうちいずれの区分に属するかをさらに判定し、
前記付加手段は、前記被露光基板に対して、前記判定手段により判定された区分を示す情報を前記予め定められた情報として付加する
請求項１乃至４の何れか１項記載の露光描画装置。
【請求項６】
前記付加手段により前記区分を示す情報が付加された被露光基板を、当該区分毎に整列させる整列手段をさらに備えた
請求項５記載の露光描画装置。
【請求項７】
前記判定手段により前記閾値以上であると判定された場合、その時点に行われている露光処理が完了した時点で露光処理を停止し、当該停止した後に前記判定手段により前記閾値以上でないと判定された場合、露光処理を再開する露光制御手段をさらに備えた
請求項１乃至６の何れか１項記載の露光描画装置。
【請求項８】
許容できる塵埃による不良発生率の入力を受け付ける受付手段を備え、
前記閾値は、前記パターンに関するサイズ及び前記受付手段により受け付けられた不良発生率に基づいて定められる
請求項１乃至７の何れか１項記載の露光描画装置。
【請求項９】
浮遊している微粒子の粒子数に対する前記被露光基板に付着する微粒子の粒子数の割合の入力を受け付ける受付手段を備え、
前記閾値は、前記パターンに関するサイズ及び前記受付手段により受け付けられた割合に基づいて定められる
請求項１乃至８の何れか１項記載の露光描画装置。
【請求項１０】
コンピュータを、
被露光基板を露光することにより回路パターンを描画する露光手段を有する露光描画装置内の微粒子の粒子数を計数する計数手段と、
前記露光手段による露光処理中に、前記計数手段により計数された粒子数が、前記回路パターンのパターンに関するサイズに基づいて定められた閾値以上であるか否かを判定する判定手段と、
前記判定手段により閾値以上であると判定された場合、前記被露光基板に対して予め定められた情報を付加する付加手段と、
として機能させるためのプログラム。
【請求項１１】
被露光基板を露光することにより回路パターンを描画する露光手段を有する露光描画装置内の微粒子の粒子数を計数する計数ステップと、
前記露光手段による露光処理中に、前記計数ステップにより計数された粒子数が、前記回路パターンのパターンに関するサイズに基づいて定められた閾値以上であるか否かを判定する判定ステップと、
前記判定ステップにより閾値以上であると判定された場合、前記被露光基板に対して予め定められた情報を付加する付加ステップと、
を備えた露光描画方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、露光描画装置、プログラム及び露光描画方法に係り、特に、被露光基板に対して光ビームを露光することにより回路パターンを描画する露光描画装置、露光描画装置により実行されるプログラム、及び、被露光基板に対して光ビームを露光することにより回路パターンを描画する露光描画方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体装置の製造に際して、製造装置内で浮遊する塵埃がウエハに付着することが問題になっていた。そのため、特許文献１には、製造中にウエハに付着している塵埃数を予測する半導体装置の製造装置が提案されている。この製造装置は、真空の処理室に浮遊している塵埃数を計測する塵埃計測装置と、計測された塵埃数を処理室中に浮遊している塵埃数とこの処理室で処理されたウエハに付着した塵埃数との相関関係に照合することにより、処理室中で処理されるウエハに付着している塵埃数を予測するデータ処理装置とを備えている。この構成により、ユーザは、半導体装置の製造中にウエハに付着している塵埃数を予測し、予測した塵埃数が基準値以上である場合に処理室の処理を中止して点検清掃することができる。
【０００３】
一方、被露光基板に対して光ビームを露光することにより回路パターンを描画する露光描画装置においても同様に、従来の転写マスクを使用する方法で露光を行う場合には、製造中に転写マスクに付着していた塵埃が被露光基板に付着すると、被露光基板がロット単位（ジョブ単位）で不良品となってしまうため、製造現場において塵埃の付着の有無を確認できることが望まれていた。
【０００４】
これに対し、転写マスクを使用しない直接描画型の方法で露光を行う場合もあり、この場合には、原理的に、転写マスクが無いため、転写マスクに付着する塵埃によるロット単位での不良品発生は無い。しかしながら、製造現場において、露光処理時の被露光基板の不良発生率を、転写マスクを使用していた時代に培われた塵埃に対する捉え方、すなわち不良品の発生率を高く見積もった状態で、さらに、描画される画像パターンの高精細化に伴って不良品を発生させる塵埃の粒子サイズが小サイズ化していることへの不安感が加わり、ユーザが見えない塵埃に対して過敏になり、必要以上の塵埃対策を実施している現状がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平８−５５４２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
露光描画装置における塵埃対策として、上記特許文献１に開示されている半導体装置の製造装置における塵埃対策を、露光描画装置に適用することが考えられる。しかし、上記特許文献１の塵埃対策では、予測した塵埃数が規定値を超えている場合に処理を中止する構成であるため、各ウエハについて、製造中の塵埃数を製造後に確認することができない、という問題があった。
【０００７】
本発明は上記問題に鑑みてなされたものであり、各被露光基板に対する露光処理時における露光装置内の塵埃レベルを確認することができる露光描画装置、プログラム及び露光描画方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するために、請求項１記載の露光描画装置は、被露光基板を露光することにより回路パターンを描画する露光手段と、露光描画装置内の微粒子の粒子数を計数する計数手段と、前記露光手段による露光処理中に前記計数手段により計数された粒子数が、前記回路パターンのパターンに関するサイズに基づいて定められた閾値以上であるか否かを判定する判定手段と、前記判定手段により閾値以上であると判定された場合に、前記被露光基板に対して予め定められた情報を付加する付加手段と、を備えている。
【０００９】
請求項１に記載の露光描画装置によれば、露光手段により、被露光基板を露光することにより回路パターンが描画され、計数手段により、露光描画装置内の微粒子の粒子数が計数される。
【００１０】
ここで、本発明では、判定手段により、前記露光手段による露光処理中に前記計数手段により計数された粒子数が、前記回路パターンのパターンに関するサイズに基づいて定められた閾値以上であるか否かが判定され、付加手段により、前記判定手段により閾値以上であると判定された場合に、前記被露光基板に対して予め定められた情報が付加される。なお、「露光処理」とは、被露光基板を露光描画装置の内部に搬入して被露光面への露光を開始し当該被露光面に対する露光を完了させる一連の処理動作をいう。
【００１１】
このように、請求項１記載の露光描画装置によれば、露光処理中に装置内の微粒子の粒子数が閾値以上となった被露光基板に予め定められた情報が付加される結果、各被露光基板に対する露光処理時における露光装置内の塵埃レベルを確認することができる。
【００１２】
なお、本発明は、請求項２に記載の発明のように、前記パターンに関するサイズは、前記回路パターンにおける隣接するパターン間のピッチ幅の最小値、パターン幅の最小値、及びランド径の最小値の少なくとも一つであるようにしても良い。これらにより、被露光基板に描画される回路パターンに応じて適切な閾値を決定することができる。
【００１３】
また、本発明は、請求項３に記載の発明のように、前記計数手段は、前記粒子数を前記微粒子の粒径範囲毎に計数し、前記閾値が前記粒径範囲毎に定められ、前記判定手段は、前記粒子数が予め定められた閾値以上であるか否かを前記粒径範囲毎に判定し、１つ以上の粒径範囲の粒子数が前記粒径範囲毎に定められた閾値以上であった場合に閾値以上であったと判定するようにしても良い。これにより、微粒子の種類毎に微粒子の粒径が異なることを考慮して、微粒子の種類毎に粒子数が閾値以上であるか否かを判定することができる。
【００１４】
また、本発明は、請求項４に記載の発明のように、前記被露光基板の識別情報を取得する取得手段と、前記計数手段により計数された粒子数を前記取得手段により取得された前記識別情報に対応付けて記憶する記憶手段とをさらに備えるようにしても良い。これにより、被露光基板の識別情報に基づいて、露光処理中に装置内に存在していた微粒子の粒子数を確認することができる。
【００１５】
また、本発明は、請求項５に記載の発明のように、前記判定手段は、前記計数手段により計数された粒子数が、予め定められた複数の区分のうちいずれの区分に属するかをさらに判定し、前記付加手段は、前記被露光基板に対して、前記判定手段により判定された区分を示す情報を前記予め定められた情報として付加するようにしても良い。これにより、各被露光基板に対する露光処理時における露光装置内の塵埃レベルをより詳細に確認することができる。
【００１６】
また、本発明は、請求項６に記載の発明のように、前記付加手段により前記区分を示す情報が付加された被露光基板を、当該区分毎に整列させる整列手段をさらに備えるようにしても良い。これにより、各被露光基板に対する露光処理時における露光装置内の塵埃レベルをより簡易に確認することができる。
【００１７】
また、本発明は、請求項７に記載の発明のように、前記判定手段により前記閾値以上であると判定された場合、その時点に行われている露光処理が完了した時点で露光処理を停止し、当該停止した後に前記判定手段により前記閾値以上でないと判定された場合、露光処理を再開する露光制御手段をさらに備えるようにしても良い。これにより、露光に失敗することにより被露光基板の不良品が発生してしまうことを未然に防止することができる。
【００１８】
また、本発明は、請求項８に記載の発明のように、許容できる塵埃による不良発生率の入力を受け付ける受付手段を備え、前記閾値は、前記パターンに関するサイズ及び前記受付手段により受け付けられた不良発生率に基づいて定められるようにしても良い。また、本発明は、請求項９に記載の発明のように、浮遊している微粒子の粒子数に対する前記被露光基板に付着する微粒子の粒子数の割合の入力を受け付ける受付手段を備え、前記閾値は、前記パターンに関するサイズ及び前記受付手段により受け付けられた割合に基づいて定められるようにしても良い。これらにより、製造環境に応じて適切な閾値を決定することができる。
【００１９】
一方、上記目的を達成するために、請求項１０に記載のプログラムは、コンピュータを、被露光基板を露光することにより回路パターンを描画する露光手段を有する露光描画装置内の微粒子の粒子数を計数する計数手段と、前記露光手段による露光処理中に、前記計数手段により計数された粒子数が、前記回路パターンのパターンに関するサイズに基づいて定められた閾値以上であるか否かを判定する判定手段と、前記判定手段により閾値以上であると判定された場合、前記被露光基板に対して予め定められた情報を描画する描画手段と、として機能させる。
【００２０】
従って、請求項１０に記載のプログラムによれば、コンピュータを請求項１に記載の発明と同様に作用させることができるので、請求項１に記載の発明と同様に、各被露光基板に対する露光処理時における露光装置内の塵埃レベルを確認することができる。
【００２１】
一方、上記目的を達成するために、請求項１１に記載の露光描画方法は、被露光基板を露光することにより回路パターンを描画する露光手段を有する露光描画装置内の微粒子の粒子数を計数する計数ステップと、前記露光手段による露光処理中に、前記計数ステップにより計数された粒子数が、前記回路パターンのパターンに関するサイズに基づいて定められた閾値以上であるか否かを判定する判定ステップと、前記判定ステップにより閾値以上であると判定された場合、前記被露光基板に対して予め定められた情報を描画する描画ステップと、を備えている。
【００２２】
従って、請求項１１に記載の露光描画方法によれば、請求項１に記載の発明と同様に作用するので、請求項１に記載の発明と同様に、各被露光基板に対する露光処理時における露光装置内の塵埃レベルを確認することができる。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によれば、各被露光基板に対する露光処理時における露光装置内の塵埃レベルを確認することができる、という効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】実施形態に係る露光描画システムの全体の構成を示す構成図である。
【図２】実施形態に係る露光描画装置の内部構成を示す斜視図である。
【図３】実施形態に係る露光描画装置における塵埃計測装置による空気の吸入位置を示す図である。
【図４】実施形態に係る露光描画装置の塵埃計測装置の構成を示す概略上面図である。
【図５】実施形態に係る露光描画装置の電気系統の構成を示すブロック図である。
【図６】実施形態に係る露光描画システムの制御装置の電気系統の構成を示すブロック図である。
【図７】第１実施形態に係る露光処理プログラムの処理の流れを示すフローチャートである。
【図８】第１実施形態に係る露光描画装置において被露光基板に描画される画像の一例を示す部分拡大図である。
【図９】第１実施形態に係る露光描画装置によりマークが形成された被露光基板の一例を示す正面図である。
【図１０】第２実施形態に係る露光処理プログラムの処理の流れを示すフローチャートである。
【図１１】第２実施形態に係る露光描画装置によりマークが形成された被露光基板の一例を示す正面図である。
【図１２】第２実施形態に係る露光描画装置において作成される計測結果情報の一例を示す模式図である。
【図１３】第３実施形態に係る露光処理プログラムの処理の流れを示すフローチャートである。
【図１４】第３実施形態に係る露光描画装置によりマークが形成された被露光基板の一例を示す正面図である。
【図１５】第４実施形態に係る整列処理プログラムの処理の流れを示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
〔第１実施形態〕
以下、第１実施形態に係る露光描画システムについて添付図面を用いて詳細に説明する。なお、第１実施形態では、露光描画システム１として、プリント配線基板及びフラットパネルディスプレイ用ガラス基板等の平板基板を被露光基板として、被露光基板の片面または両面に露光描画を行うシステムを例として説明する。
【００２６】
図１は、第１実施形態に係る露光描画システム１の全体の構成を示す構成図である。図１に示すように、露光描画システム１は、被露光基板（後述する被露光基板Ｃ）に露光を行うとともに装置内の微粒子の粒子数を計測して当該粒子数が閾値以上であった場合に被露光基板Ｃにマーク（後述するマークＭ）を記録する露光描画装置２、及び、露光描画装置２による露光描画やマークＭの形成を制御する制御装置３を備えている。
【００２７】
図２は、第１実施形態に係る露光描画装置２の内部構成を示す斜視図である。なお、以下では、ステージ１０が移動する方向をＹ方向と定め、このＹ方向に対して水平面内で直交する方向をＸ方向と定め、Ｙ方向に鉛直面内で直交する方向をＺ方向と定め、さらにＺ軸を中心として時計回りの方向に回転する回転方向をθ方向と定める。
【００２８】
図２に示すように、露光描画装置２は、被露光基板Ｃを固定するための平板状のステージ１０を備えている。ステージ１０は、上面に被露光基板Ｃが載置された際に、被露光基板Ｃ及びステージ１０間の空気を吸入して、被露光基板Ｃを上面に真空吸着させる。また、ステージ１０は、移動可能に構成されていて、ステージ１０に固定された被露光基板Ｃは、ステージ１０の移動に伴って露光位置まで移動し、後述する露光部１６により光ビームが照射されて回路パターン等の画像が描画される。
【００２９】
ステージ１０は、卓状の基体１１の上面に移動可能に設けられた平板状の基台１２に支持されている。基体１１の上面には、１本または複数本（本実施形態では、２本）のガイドレール１４が設けられている。基台１２は、ガイドレール１４に沿ってＹ方向に自在に移動できるように支持されていて、モータ等により構成されたステージ駆動部（後述するステージ駆動部４１）により移動する。そして、ステージ１０は、この移動可能な基台１２の上面に支持されることにより、基台１２の移動に連動してガイドレール１４に沿って移動する。
【００３０】
基体１１の上面には、ガイドレール１４を跨ぐように門型のゲート１５が立設されており、このゲート１５には、ステージ１０に載置された被露光基板Ｃの表面に対して露光する露光部１６が取り付けられている。露光部１６は、複数個（本実施形態では、１６個）の露光ヘッド１６ａを含んで構成されていて、ステージ１０の移動経路上に固定配置されている。露光部１６には、後述する光源ユニット１７から引き出された光ファイバ１８と、後述する画像処理ユニット１９から引き出された信号ケーブル２０とがそれぞれ接続されている。
【００３１】
各露光ヘッド１６ａは、反射型の空間光変調素子としてのデジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）を有し、画像処理ユニット１９から入力される画像データに基づいてＤＭＤを制御して光源ユニット１７からの光ビームを変調する。露光描画装置２は、この変調した光ビームを被露光基板Ｃに照射することにより露光を行う。なお、空間光変調素子として、液晶等の透過型の空間光変調素子を用いても良い。
【００３２】
露光ヘッド１６の近辺には、被露光基板Ｃに対して紫外線ビームを照射する紫外線光源２１が設けられている。紫外線ビームの照射時間は、被露光基板Ｃに塗布されている感光材料に応じて各々最適な時間が設定される。なお、紫外線光源２１の設置位置は露光ヘッド１６ａの近辺に限定されず、被露光基板Ｃの一部に紫外線ビームを照射できる位置であれば良い。また、本実施形態では、紫外線光源２１は固定されているが、これに限定されず、モータ等により紫外線ビームの照射対象位置に応じて移動自在に構成されていても良い。さらに、紫外線光源２１は、被露光基板Ｃの裏側の面（ステージ１０に接する側の面）に紫外線ビームを照射できるように、ステージ１０の下方に設けられていても良い。この場合には、ステージ１０には紫外線ビームを厚さ方向に通過させるための貫通孔が設けられる。
【００３３】
基体１１の上面には、さらにガイドレール１４を跨ぐように、ゲート２２が設けられている。ゲート２２には、ステージ１０に載置された被露光基板Ｃに設けられた露光基準用のアライメントマークを撮影するための１個または複数個（本実施形態では、２個）の撮像部２３が取り付けられている。撮影部２３は、１回の発光時間が極めて短いストロボを内蔵したＣＣＤカメラ等である。各々の撮影部２３は、水平面内においてステージ１０の移動方向（Ｙ方向）に対して垂直な方向（Ｘ方向）に移動可能に設置されている。
【００３４】
露光描画装置２は、外部から第１搬送部５に搬入された被露光基板Ｃをステージ１０の上面に搬送するオートキャリアハンド（以下、ＡＣハンドという。）２４を備えている。ＡＣハンド２４は平板状に形成されるとともに、水平方向及び鉛直方向に移動可能に設けられている。また、ＡＣハンド２４の下面には、エアを吸引することにより被露光基板Ｃを真空吸着により吸着保持する吸着部２５を有する吸着機構と、被露光基板Ｃを下方に向けて押し付ける上下移動自在な押付部２６を有する押付機構とが設けられている。ＡＣハンド２４は、第１搬送部５に載置された未露光の被露光基板Ｃを吸着機構により吸着保持することにより上方に吊り上げ、吊り上げた被露光基板Ｃをステージ１０の上面の予め定められた位置に載置する。
【００３５】
ＡＣハンド２４は、被露光基板Ｃをステージ１０に載置させる際に、押付機構により被露光基板Ｃをステージ１０に押し付けながら吸着部２５による吸着を解除することにより、被露光基板Ｃをステージ１０に真空吸着させ、被露光基板Ｃをステージ１０に吸着固定させる。また、ＡＣハンド２４は、ステージ１０の上面に載置された露光済みの被露光基板Ｃを吸着機構により吸着保持することにより上方に吊り上げ、吊り上げた被露光基板Ｃを吸着保持した状態で第２搬送部６まで移動させた上で、吸着機構による吸着を解除することにより、被露光基板Ｃを第２搬送部６に移動させる。第２搬送部６に搬送された被露光基板Ｃは、露光描画装置２の外部に排出される。
【００３６】
ここで、露光描画装置２は、装置内の微粒子の粒子数を計測する複数（本実施形態では、３つ）の塵埃計測装置４を備えている。塵埃計測装置４は、周囲の空気を吸入し、吸入した空気に含まれる微粒子の粒子数を計測する、所謂パーティクルカウンタである。
【００３７】
図３は、第１実施形態に係る露光描画装置２における塵埃計測装置４による空気の吸入位置を示す図である。図３に示すように、露光描画装置２の装置内部において、ステージ移動方向（Ｙ方向）における、露光が行われる位置から被露光基板Ｃが載置される位置へ向かう方向に空気が流れていて、内部の空気が被露光基板Ｃが載置される位置において外部に排出される。
【００３８】
露光描画装置２では、装置内部の微粒子の粒子数をより正確に計測するために、空気の流れの下流側の所定位置（本実施形態では、第１搬送部５及びステージ１０の間の位置、ステージ１０の載置位置より空気の流れの下流側の位置、及び、ステージ１０及び第２搬送部６の間の位置）にそれぞれ塵埃計測装置４に空気を吸入するチューブ４ａが配置されている。また、チューブ４ａの空気の入口は、ステージ１０の上面とほぼ同じ高さ（Ｚ方向におけるほぼ同位置）に設置されている。このような構成により、塵埃計測装置４によって、ステージ１０の上面近傍（すなわち被露光基板Ｃの近傍）の微粒子の粒子数を計測することができる。
【００３９】
図４は、第１実施形態に係る露光描画装置２の塵埃計測装置４の構成を示す概略上面図ある。図４に示すように、塵埃計測装置４は、外部の空気（露光描画装置２の装置内部の空気）Ｋをチューブ４ａを介して装置内部に吸入する吸入窓３０と、吸入した空気Ｋを装置外部（露光描画装置２の装置内部）に排出する排出窓３１とを備えている。露光描画装置２の装置内部においてステージ移動方向に沿って流れている空気Ｋは、吸入窓３０を介して塵埃計測装置４の装置内部に流入した後に排出窓３１を介して塵埃計測装置４の装置外部に流出する。
【００４０】
また、塵埃計測装置４には、レーザ光Ｌを発生するレーザ発生装置３２、発生したレーザ光Ｌを流入した空気Ｋの経路を横切るように出射する出射窓３３、及び、出射したレーザ光Ｌが空気Ｋの経路上を通過した後に入射する入射窓３４が設けられている。レーザ光Ｌが空気Ｋの経路上を通過する際、空気Ｋの内部に微粒子が含まれていると、レーザ光Ｌのうちの微粒子Ｐに衝突した一部が散乱する。塵埃計測装置４には、この散乱したレーザ光Ｌを集光する集光レンズ３５、及び、集光レンズ３５により集光されたレーザ光Ｌを検出する検出装置３６が設けられている。塵埃計測装置４は、検出装置３６による検出値に基づいて微粒子を検出して各々の微粒子の粒径を測定することで、検出された微粒子の個数を粒径毎に計数する。塵埃計測装置４は、検出された微粒子の粒子数を示す信号を制御装置３に対して送信する。
【００４１】
図５は、第１実施形態に係る露光描画装置２の電気系統の構成を示すブロック図である。図５に示すように、露光描画装置２には、装置各部にそれぞれ電気的に接続されるシステム制御部４０が設けられており、このシステム制御部４０が各部を統括的に制御している。システム制御部４０は、ＡＣハンド２４を制御して被露光基板Ｃのステージ１０への搬入動作及びステージ１０からの排出動作を行わせる。また、システム制御部４０は、ステージ駆動部４１を制御してステージ１０の移動を行わせながら、後述する移動制御部４３を介して撮影部２３を移動させて被露光基板Ｃのアライメントマークの撮影を行って露光位置を調整するとともに、光源ユニット１７及び画像処理ユニット１９を制御して露光ヘッド１６ａに露光処理を行わせる。上述したように、「露光処理」とは、被露光基板Ｃを露光描画装置２の内部に搬入して被露光面への露光を開始し当該被露光面に対する露光を完了させる一連の処理動作をいう。システム制御部４０は、制御装置３から露光開始を指示するための信号を受信したタイミングで、被露光基板Ｃに対する露光処理を開始するとともに、露光停止を指示するための信号を受信したタイミングで、そのとき行われている被露光基板Ｃに対する露光処理を完了した時点で露光処理を停止する。
【００４２】
さらに、システム制御部４０は、予め定められたタイミングで塵埃計測装置４から粒径毎の微粒子の粒子数を取得する。当該タイミングは、被露光基板Ｃの露光開始直前、露光中及び露光完了直後のタイミングであっても良く、予め定められた時間の経過毎のタイミングであっても良い。
【００４３】
また、露光描画装置２は操作装置４２を備えている。操作装置４２は、システム制御部４０の制御により情報を表示する表示部とユーザ操作により情報を入力する入力部とを有する。当該入力部は、例えば、被露光基板Ｃの最小パターン幅等を入力するときにユーザにより操作される。
【００４４】
さらに、露光描画装置２は移動制御部４３を備えている。移動制御部４３は、システム制御部４０の指示に基づいて、被露光基板Ｃのアライメントマークが、ステージ１０の移動に際して複数の撮影部２３の何れかまたは各々の撮影領域の中央を通過するように、撮影部２３の移動駆動を制御している。
【００４５】
図６は、第１実施形態に係る露光描画システム１の制御装置３の電気系統の構成を示すブロック図である。図６に示すように、露光描画システム１は、露光描画システム１における露光処理を制御する制御部５０、制御部５０による露光処理に必要な露光処理プログラムや各種データを記憶するＲＯＭ及びＨＤＤ等を有する記憶部５１、制御部５０の制御に基づいてデータを表示するディスプレイ等の表示部５２、ユーザ操作によりデータを入力するキーボード等の入力部５３、及び、制御部５０の制御に基づいて露光描画装置２に対するデータの送受信を行う通信インタフェース５４を備えている。
【００４６】
ここで、本実施形態に係る露光描画装置２は、被露光基板Ｃの露光処理中に装置内の微粒子の粒子数を計測し、計測された粒子数が閾値以上であった場合に、露光中の被露光基板Ｃに対して粒子数に関する情報を記録する機能を備えている。
【００４７】
従来の露光描画装置では、塵埃対策として装置内の微粒子の粒子数を計測していないため、製造現場において、ユーザが被露光基板Ｃに塵埃が付着していることを知らないまま被露光基板Ｃに対して露光し、結果的に不良品を生産しているかもしれないというユーザの潜在的な不安があった。
【００４８】
そこで、本実施形態に係る露光描画装置２では、露光処理中に装置内の微粒子の粒子数を常時計測し、計測された粒子数が閾値以上であった場合にその旨を示す予め定められたマーク（例えば図９に示すマークＭ）を被露光基板Ｃに描画する。これにより、ユーザが露光済みの被露光基板Ｃについて、基板毎に露光処理時の塵埃レベル（計測された粒子数が閾値以上であるか否か等）を確認することができることで、ユーザ不安を解消することができる。
【００４９】
また、検査対象となる露光済みの被露光基板ＣにマークＭが形成されている場合に、検査担当者は、その被露光基板Ｃの露光処理時における塵埃レベルが高い（すなわち計測された粒子数が大きい）ことを認識して、検査に対する意識レベルを高めることができるため、結果的に検査不良を抑制することができる。さらに、視認することが困難な塵埃に対して、ユーザが塵埃レベルと被露光基板Ｃの不良発生率との相関関係を把握できることにより、塵埃対策を必要最小限の対策に抑えることができるため、生産工程作業の効率化につながる。
【００５０】
次に、第１実施形態に係る露光描画システム１による作用について説明する。
【００５１】
図７は、第１実施形態に係る露光処理プログラムの処理の流れを示すフローチャートであり、当該プログラムは制御装置３の記憶部５１に備えられた記録媒体であるＲＯＭの所定領域に予め記憶されている。
【００５２】
制御装置３の制御部５０は、予め定められたタイミング（本実施形態では、予め定められた複数の被露光基板Ｃに対して連続的に露光を行う処理が開始されるタイミング）で、当該露光処理プログラムを実行する。  
【００５３】
まず始めに、ステップＳ１０１において、制御部５０は、被露光基板Ｃに露光される画像（本実施形態では、回路パターン）の画像情報から最小パターンサイズを算出する。これは、被露光基板Ｃに露光される回路パターンが精細化するほど、被露光基板Ｃに付着することを許容できるか否かの閾値とする微粒子の粒径（以下、許容塵埃サイズともいう。）が小サイズ化することを考慮したものである。
【００５４】
図８は、第１実施形態に係る露光描画装置２において被露光基板Ｃに描画される画像の一例を示す部分拡大図である。図８に示すように、本実施形態に係るパターンサイズは、描画される各々のパターンの幅であるパターン幅、隣接するパターン間の距離または隣接するパターン及びランド間の距離であるピッチ幅、及び各々のパターンのランド径の３種類である。また、本実施形態に係る最小パターンサイズは、パターン幅の最小値、ピッチ幅の最小値、及びランド径の最小値の中での最小値である。あるいは、ピッチ幅の最小値を最小パターンサイズとしても良い。
【００５５】
次に、ステップＳ１０３において、制御部５０は、露光描画装置２の内部に存在する各々の粒径の微粒子について、存在することが許容できるか否かの閾値とする粒子数を粒径毎に示すテーブルを作成する。このテーブルは、後述するステップＳ１０９において閾値を定める際に使用される。
【００５６】
テーブルを作成する際には、制御部５０は、まず単位体積内に含まれる微粒子の粒子数である塵埃濃度を算出する。塵埃濃度は、JIS  B  9920により、下記の（１）式で定義されている。なお、（１）式における右辺第２項の０．１は定数（単位はμｍ）である。
【００５７】
【数１】
0005797582.tif 000002
【００５８】
ここで、クラス数はクリーンルームのクリーン度を示しており、従来、１ｃｆ（≒０．０２８３ｍ3；立体フィート）中の粒径０．５μｍ以上の粒子個数で１〜９にクラス分けされていて、現在もこの指標で管理されることが多い。なお、ＩＳＯ（国際標準化機構）では、１ｍ3中の粒径が直径φ０．１μｍ以上の粒子数でクラス分けされるが、本実施形態では、従来法の単位をベースにして説明する。
【００５９】
初期状態で設定されるテーブルは、上式を用いて作成する。例えば、粒径がφ０．５μｍ以上の粒径範囲の微粒子の粒子数の閾値が１００個であった場合の他の粒径以上の微粒子の粒子数は、下記の表１となる。下記の表１では、０．３μｍ以上の粒径範囲の微粒子の粒子数の閾値が２８９個、０．７μｍ以上の粒径範囲の微粒子の粒子数の閾値が５０個、１μｍ以上の粒径範囲の微粒子の粒子数の閾値が２４個、２μｍ以上の粒径範囲の微粒子の粒子数の閾値が６個、５μｍ以上の粒径範囲の微粒子の粒子数の閾値が１個となっている。
【００６０】
【表１】
0005797582.tif 000003
【００６１】
また、塵埃上限濃度をφ０．５μｍ以上の粒径を基準にして複数レベルにレベル分けした例を下記の表２に示す。下記の表２によると、φ０．５μｍ以上の粒径範囲の微粒子が０個以上１００個以下の場合がレベルＡ、φ０．５μｍ以上の粒径範囲の微粒子が１００個より多く２００個以下の場合がレベルＢ、φ０．５μｍ以上の粒径の微粒子が２００個より多く３００個以下の場合がレベルＣとなるように、レベル分けを行っている。
【００６２】
【表２】
0005797582.tif 000004
【００６３】
ここで、上記表２によると、例えば許容塵埃サイズをφ０．５μｍとし、露光処理時に計測されたφ０．５μｍ以上の粒径範囲の微粒子の粒子数が１５０個であった場合、粒子数が１００個より多く２００個以下であるため、その被露光基板ＣはＢレベルに位置づけられる。
【００６４】
また、ステップＳ１０１にて取得した最小パターンサイズが３０μｍであり、許容塵埃サイズを最小パターンサイズの所定割合（本実施形態では、１０％、表中では許容サイズ割合という。）以上の３μｍ以上とした場合には、上記表２で最も値の近い２μｍの条件を用いても良いし、下記の表３に示すように許容塵埃サイズに応じてテーブルに新たな粒径以上の粒子に関する情報を加えてもよい。
【００６５】
【表３】
0005797582.tif 000005
【００６６】
なお、上記最小パターンサイズの所定割合は、製造品の種類やユーザの事情によって異なるため、予め定められた割合幅（例えば、１０〜３０％の間）の中でユーザが自由に設定できるようになっている。ユーザは、制御装置３の入力部５３を介して、上記許容塵埃サイズの所定割合を入力し、制御部５０は、入力された値を、上記許容塵埃サイズの所定割合として設定する。
【００６７】
上記表１乃至表３を使用する場合、ユーザは、製造データを基に不良発生率との相関関係を把握することで、Ａレベル乃至Ｃレベルのうちのどのレベルまでを許容できるのかを、例えば製造経験を通じて把握することができる。ユーザは、制御装置３の入力部５３を介して、Ａレベル乃至Ｃレベルのうちのどのレベルまでを許容できるのかを許容できる不良発生率として入力し、制御部５０は、入力された値を許容できるレベルとして設定する。この設定されたレベルの粒子数がステップＳ１０９において閾値として使用される。
【００６８】
ところで、塵埃計測装置４で計測される粒子数は、露光描画装置２の内部の空間に浮遊している粒径が許容塵埃サイズ以上の微粒子の粒子数であり、実際に被露光基板Ｃに付着している微粒子の粒子数ではないため、付着率と許容される不良発生率とを考慮してテーブルを生成するのがより現実的である。例えば、付着率を所定値（本実施形態では、１／１０００）、不良発生率を所定値（本実施形態では、１％）未満で被露光基板Ｃの両面を露光する場合、片面を露光する際に許容される不良発生率を半分の０．５％未満とすると、許容塵埃サイズの微粒子の粒子数の許容数は、片面で許容される不良発生率×１／（付着率）＝０．００５×１０００＝５となる。この結果に基づいて、下記の表４に示すようなテーブルを生成しても良い。
【００６９】
【表４】
0005797582.tif 000006
【００７０】
上記表４では、Ｂレベルを基準とし、Ａレベルの許容数をＢレベルの許容数を許容数の半分、Ｃレベルの許容数をＢレベルの許容数の２倍とした。ここで、塵埃計測装置４で計測可能な微粒子が例えば０．５μｍ以上の粒径範囲に限定されている場合などは、上記表３のような対比データを用いても良い。なお、付着率は、ユーザが使用する被露光基板Ｃの基材やＤＦＲ（Dry Film Resist）素材および露光描画装置２の設置環境に浮遊する塵埃種類などによって異なるため、実際の生産データと相関を対比する等して求めた値に自由に設定できるようにしてある。ユーザは、制御装置３の入力部５３を介して、付着率を入力し、制御部５０は、入力された値を付着率として設定する。
【００７１】
他のクラス分けの方法として、最小パターンサイズに応じて許容塵埃サイズを複数に区分けしても良い。例えば、最小パターンサイズが１０μｍ、上記許容塵埃サイズの所定割合を１０％、２０％、３０％で区分けする場合、付着率を１／１０００、不良発生率を１％未満で被露光基板Ｃの両面を露光するとき、上記表４に相当する各割合でのテーブルは、下記に示す表５となる。
【００７２】
【表５】
0005797582.tif 000007
【００７３】
塵埃計測装置４が複数種類の粒径の微粒子について計測できる場合には、上記表５を用いてレベル分けをしても良いが、塵埃計測装置４が０．５μｍ以上の粒径範囲の微粒子を計測するような計測環境を使用するのであれば、表５に基づいて生成した下記の表６のテーブルでランク分けを行うと良い。下記の表６によると、上記許容塵埃サイズの所定割合が１０％の場合がＡランク、上記許容塵埃サイズの所定割合が２０％の場合がＢランク、上記許容塵埃サイズの所定割合が３０％の場合がＣランクとなる。
【００７４】
【表６】
0005797582.tif 000008
【００７５】
なお、これまで説明の前提とした塵埃濃度算出の上記（１）式と実際の微粒子の分布は、露光する被露光基板Ｃの基材や基材の状態およびＤＦＲや装置のメンテナンス状態により異なるため、実態（生産データと不良発生率）に合わせて、各数値を自由に変更すると良い。例えば、下記の表７では、上記表２を基に、０．３μｍ以上の粒径範囲の微粒子が通常より少なく、２μｍ以上の粒径範囲の微粒子が存在しない場合を想定して設定したテーブルである。このように設定して得られたテーブルを生成しても良い。
【００７６】
【表７】
0005797582.tif 000009
【００７７】
このようにして作成されたテーブルを用いることで、パターン精細度に応じて、許容できる微粒子の粒子数の基準が設定されるため、従来のような最も厳しい条件に合わせて基準を設定することが回避され、中精細パターンでは問題ない粒子数であるにも関わらず処理が中止されてしまうことが防止される。
【００７８】
ステップＳ１０５において、制御部５０は、露光描画装置２に対して露光開始を指示する。制御部５０は、露光描画装置２のシステム制御部４０に対して露光開始を指示するための信号を送付する。当該信号を受信したシステム制御部４０は、被露光基板Ｃの搬入を開始し、露光描画装置２の内部に搬入され、ステージ１０に載置された被露光基板Ｃに対して露光を開始し、被露光基板Ｃに回路パターンを描画する。
【００７９】
ステップＳ１０７において、制御部５０は、塵埃計測装置４により計測された微粒子の粒子数を取得し、当該粒子数を表示部５２に表示する。ユーザは、表示部５２を視認することで、露光描画装置２の内部の微粒子の粒子数を認識することができる。
【００８０】
そして、ステップＳ１０９において、制御部５０は、ステップＳ１０７において取得した粒子数が閾値以上であるか否かを判定する。当該閾値は、ステップＳ１０３において作成されたテーブルにより決定される。すなわち、制御部５０は、塵埃計測装置４により所定の粒径（例えば０．５μｍ）以上の微粒子の粒子数を計測し、上記表１乃至表７におけるユーザ所望のレベルの粒子数の値を閾値として用いる。また、塵埃計測装置４により複数種類の粒径の微粒子の粒子数を粒径毎に計測している場合には、各粒径以上の微粒子の粒子数の何れかが対応する閾値以上であった場合、粒子数が閾値以上であると判定する。
【００８１】
ステップＳ１０９において粒子数が閾値以上であると判定された場合は、ステップＳ１１１において、制御部５０は、紫外線光源２１により発生した紫外線ビームを、ステージ１０に載置された被露光基板Ｃに照射することにより、露光中の被露光基板Ｃの被露光面または被露光面と対向する面に予め定められたマークを形成して、被露光基板Ｃに粒子数が閾値以上であることを示す情報を付加する。
【００８２】
図９は、第１実施形態に係る露光描画装置２によりマークが形成された被露光基板Ｃの一例を示す正面図である。図９に示すように、被露光基板Ｃの端部に、円形状のマークＭを形成することによって粒子数が閾値以上であることを示す情報が付加される。なお、マークＭの形状は円形状に限らず、星型や十字型等の任意形状のマークであっても、文字や数字等であっても良い。また、マークＭの位置及び大きさは、露光される画像と重ならない位置及び大きさであれば良く、被露光基板Ｃのサイズや露光される画像に応じて任意に設定できる。
【００８３】
さらに、被露光基板Ｃに情報を付加する方法は、被露光基板Ｃに紫外線ビームを照射してマークを形成する方法に限定されず、例えば、インクを付着させることによりマークを描画する方法であっても良く、被露光基板Ｃの表面を物理的に削ることによりマークを描画する方法であっても良く、情報が付加されたシール等の媒体を被露光基板Ｃに貼付する方法であっても良い。
【００８４】
そして、第１実施形態に係る露光描画装置２では、被露光基板Ｃに粒子数が閾値以上である旨を示す情報を付加する際に、被露光基板Ｃの被露光面にマークＭを形成するが、情報を付加する面は被露光面に限定されず、被露光面の裏面であっても良い。
【００８５】
ステップ１１３において、制御部５０は、露光完了タイミングが到来したか否かを判定する。この際、制御部５０は、予め定められた複数の被露光基板Ｃの全てについて露光を完了した場合や、ユーザ操作により入力部４３または操作装置５３を介して完了タイミングを示す情報が入力された場合に、露光完了タイミングが到来したと判定する。
【００８６】
ステップＳ１１３において露光完了タイミングが到来していないと判定された場合は、ステップＳ１０７に移行して、制御部５０はステップＳ１０７乃至Ｓ１１３の処理を繰り返し、ステップＳ１１３において露光完了タイミングが到来したと判定された場合は、制御部５０は、露光処理プログラムの実行を終了する。この際、制御部５０は、露光停止を指示する信号を露光描画装置２に対して送付する。当該信号を受信した被露光描画装置２は、被露光基板Ｃに対する露光を停止する。
【００８７】
このようにして、第１実施形態に係る露光描画システム１では、各々の被露光基板Ｃの露光処理時に装置内の微粒子の粒子数を計測し、計測した粒子数が基準とする閾値以上であった場合に、当該被露光基板Ｃに予め定められたマークＭを形成することで閾値以上であることを示す情報を付加する。ユーザは、露光済みの被露光基板ＣにおいてマークＭの有無を確認することで、その被露光基板Ｃについて露光処理時の塵埃レベルを確認することができる。
【００８８】
なお、第１実施形態に係る露光描画装置２では、紫外線光源２１が露光部１６の近辺に固定されて設けられているが、これに限定されず、紫外線光源２１は、ステージ１０に設けられステージ１０の移動と連動して移動するように構成されていても良い。この場合には、紫外線光源２１は、制御装置３の制御に基づいて、ステージ１０の位置に依存せずに任意の位置で被露光基板ＣにマークＭを形成することができる。
【００８９】
また、第１実施形態に係る露光描画システム１において、ステップＳ１０９にて計測された粒子数が閾値以上であると判定された場合、ステップＳ１１１において被露光基板ＣにマークＭを描画しつつ、そのとき露光処理中の被露光基板Ｃに対する露光処理が完了した時点で露光処理を停止させ、露光処理を停止された状態で塵埃計測装置４による粒子数の計測を継続させ、計測された粒子数が閾値より小さくなった段階で、再び露光処理を開始するようにしても良い。これにより、露光描画装置２の装置内の微粒子の粒子数が閾値より小さい場合にのみ、被露光基板Ｃに対する露光を行うことができる。
【００９０】
〔第２実施形態〕
以下、第２実施形態に係る露光描画システム１について添付図面を参照して詳細に説明する。なお、第２実施形態に係る露光描画システム１は、第１実施形態に係る露光描画システム１と同様に、図１乃至図６に示す構成を有しているため、当該構成に関して重複する説明を省略する。
【００９１】
第２実施形態に係る露光描画システム１は、第１実施形態に係る露光描画システム１が有する機能に加えて、計測した微粒子の粒子数と被露光基板Ｃの識別情報とをそれぞれ対応付けて記憶する機能を備えている。
【００９２】
第２実施形態に係る露光描画システム１による作用について説明する。
【００９３】
図１０は、第２実施形態に係る露光処理プログラムの処理の流れを示すフローチャートであり、当該プログラムは制御装置３の記憶部５１に備えられた記録媒体であるＲＯＭの所定領域に予め記憶されている。
【００９４】
制御装置３の制御部５０は、予め定められたタイミング（本実施形態では、予め定められた複数の被露光基板Ｃに対して連続的に露光を行う処理が開始されるタイミング）で、当該露光処理プログラムを実行する。  
【００９５】
ステップＳ２０１乃至Ｓ２１３において、制御部５０は、上述したステップＳ１０１乃至Ｓ１１３と同様の処理をそれぞれ行う。なお、ステップＳ２０５においては、露光開始の指示を受けたシステム制御部５０が、被露光基板Ｃの被露光面に回路パターンを描画する際に、または描画する前後に、さらに、被露光面における回路パターンの描画対象領域の外部に、光ビームを露光することによって、個々の被露光基板を識別するための識別情報であるシリアル番号を描画する。
【００９６】
図１１は、第２実施形態に係る露光描画装置２によりマークが形成された被露光基板Ｃの一例を示す正面図である。図１１に示すように、被露光基板Ｃの表面にはシリアル番号Ｎが印字されているとともに、ステップＳ２１１において、当該シリアル番号Ｎと重ならない位置にマークＭが形成される。
【００９７】
そして、ステップＳ２１３において、制御部５０は、被露光基板Ｃのシリアル番号等の識別情報を取得する。この際、制御部５０は、露光描画装置２のシステム制御部４０に、識別情報の取得を指示する信号を送信する。当該信号を受信したシステム制御部４０は、上記ステップＳ２０５において被露光基板Ｃに描画したシリアル番号を識別情報として取得する。そして、システム制御部４０は、取得した識別情報を制御装置３の制御部５０に送信する。制御部５０は、送信された識別情報を受信することで、被露光基板Ｃの識別情報を取得する。
【００９８】
なお、識別情報を取得する方法は、上記方法に限定されず、ステージ１０を、ステップ２０５にて描画されたシリアル番号が撮影部２３の撮影対象領域に含まれる位置となるようにステージ１０を移動させ、被露光基板Ｃのシリアル番号が撮影されている撮影画像からシリアル番号を画像処理により文字認識して、当該識別情報を取得するようにしても良い。
【００９９】
ステップＳ２１５において、制御部５０は、ステップＳ２０７において計測された粒子数と、ステップＳ２１３において取得した識別情報とをそれぞれ対応付けて得られる計測結果情報５０を、記憶部５１に記憶する。
【０１００】
図１２は、第２実施形態に係る露光描画装置２において作成される計測結果情報６０の一例を示す模式図である。図１２に示すように、計測結果情報６０は、識別情報６０ａに対して微粒子の粒子数６０ｂがそれぞれ対応付けられた情報である。図１２に示す図１２に示す計測結果情報６０によると、識別情報「Ｘ００００００１」の被露光基板Ｃに対して露光を行っている際に装置内で３個の微粒子が計測されたことがわかる。
【０１０１】
ステップ２１７において、制御部５０は、露光完了タイミングが到来したか否かを判定する。この際、制御部５０は、１グループの被露光基板Ｃの全てについて露光を完了した場合や、ユーザ操作により入力部４３または操作装置５３を介して完了タイミングを示す情報が入力された場合に、露光完了タイミングが到来したと判定する。
【０１０２】
ステップＳ２１７において露光完了タイミングが到来していないと判定された場合は、ステップＳ２０７に移行して、制御部５０はステップＳ２０７乃至Ｓ２１７の処理を繰り返し、ステップＳ２１７において露光完了タイミングが到来したと判定された場合は、制御部５０は、露光処理プログラムの実行を終了する。
【０１０３】
このようにして、第２実施形態に係る露光描画システム１では、計測結果情報６０により示される被露光基板Ｃの識別情報と露光処理時の微粒子の粒子数との関係から、露光処理後に行われる検査工程で不良品であると判定された被露光基板Ｃと、露光処理時の微粒子の粒子数との相関を把握することができる。
【０１０４】
また、第２実施形態に係る露光描画システム１では、計測結果情報６０において各々の被露光基板Ｃが露光される時刻を対応付けて記憶しておくことで、装置内の微粒子の粒子数が予め定められた閾値より少ない被露光基板Ｃであり、装置内の微粒子の粒子数が予め定められた閾値以上であると判定される前後に露光され、その露光の時点において当該粒子数が予め定められた閾値を超えている可能性がある被露光基板Ｃを特定することができる。
【０１０５】
さらに、第２実施形態に係る露光描画システム１において、被露光基板Ｃに対して複数層の露光を行う場合には、計測結果情報６０において各々の被露光基板Ｃの層毎の露光処理時の微粒子の粒子数を対応付けて記憶しておくことで、多層基板となる被露光基板Ｃの何れの層で不良が発生する可能性があるかを判断することができる。
【０１０６】
〔第３実施形態〕
以下、第３実施形態に係る露光描画システム１について添付図面を参照して詳細に説明する。なお、第３実施形態に係る露光描画システム１は、第１実施形態及び第２実施形態に係る露光描画システム１と同様に、図１乃至図６に示す構成を有しているため、当該構成に関して重複する説明を省略する。
【０１０７】
第３実施形態に係る露光描画システム１は、第１実施形態に係る露光描画システム１が有する機能に加えて、計測した微粒子の粒子数をランク分けして、当該粒子数が属するランクを示すマークＭＲを被露光基板Ｃに形成する機能を備えている。
【０１０８】
第３実施形態に係る露光描画システム１による作用について説明する。
【０１０９】
図１３は、第３実施形態に係る露光処理プログラムの処理の流れを示すフローチャートであり、当該プログラムは制御装置３の記憶部５１に備えられた記録媒体であるＲＯＭの所定領域に予め記憶されている。
【０１１０】
制御装置３の制御部５０は、予め定められたタイミング（本実施形態では、予め定められた複数の被露光基板Ｃに対して連続的に露光を行う処理が開始されるタイミング）で、当該露光処理プログラムを実行する。  
【０１１１】
ステップＳ３０１乃至Ｓ３０９において、制御部５０は、上述したステップＳ１０１乃至Ｓ１０９と同様の処理をそれぞれ行う。
【０１１２】
そして、ステップＳ３１１において、制御部５０は、ステップＳ３０７において計測された微粒子の粒子数が、複数のランクのうちの何れに属するかを判定する。この際、制御部５０は、上記表６に基づいて、ステップＳ３０７において計測された粒径０．５μｍ以上の微粒子の粒子数が４３個以下であった場合にはＡランク、４３個より大きく１７９個未満であった場合はＢランク、１７９個より大きく４１０個未満であった場合はＣランクと判定する。
【０１１３】
ステップＳ３１３において、制御部５０は、紫外線光源２１により発生した紫外線ビームを、ステージ１０に載置された被露光基板Ｃの被露光面または被露光面と対向する面に照射することにより、露光中の被露光基板ＣにステップＳ３０７にて判定されたランクを示すマークＭＲを形成する。
【０１１４】
図１４は、第３実施形態に係る露光描画装置２によりマークＭＲが形成された被露光基板Ｃの一例を示す正面図である。図１４に示すように、被露光基板Ｃの端部に、ランク（図１５に示す例では、Ａランク）を示すマークＭＲが形成される。なお、被露光基板Ｃにマークを形成する方法は、紫外線ビームを照射する方法に限らず、インクを付着させることにより描画する方法であっても良く、被露光基板Ｃの表面を物理的に削ることにより描画する方法であっても良い。
【０１１５】
ステップ３１５において、制御部５０は、露光完了タイミングが到来したか否かを判定する。この際、制御部５０は、１グループの被露光基板Ｃの全てについて露光を完了した場合や、ユーザ操作により入力部４３または操作装置５３を介して完了タイミングを示す情報が入力された場合に、露光完了タイミングが到来したと判定する。
【０１１６】
ステップＳ３１５において露光完了タイミングが到来していないと判定された場合は、ステップＳ３０７に移行して、制御部５０はステップＳ３０７乃至Ｓ３１５の処理を繰り返し、ステップＳ３１５において露光完了タイミングが到来したと判定された場合は、制御部５０は、露光処理プログラムの実行を終了する。
【０１１７】
このようにして第３実施形態に係る露光描画システム１では、各々の被露光基板Ｃの露光処理時に装置内の微粒子の粒子数を計測し、計測した粒子数のランクを判定し、当該被露光基板Ｃにランクを示すマークＭＲを描画する。ユーザは、露光済みの被露光基板ＣにおいてマークＭＲを確認することで、その被露光基板Ｃについて露光処理時のダスト状態を確認することができる。
【０１１８】
〔第４実施形態〕
以下、第４実施形態に係る露光描画システム１について添付図面を参照して詳細に説明する。なお、第４実施形態に係る露光描画システム１は、第１実施形態乃至第３実施形態に係る露光描画システム１と同様に、図１乃至図６に示す構成を有しているため、当該構成に関して重複する説明を省略する。
【０１１９】
第４実施形態に係る露光描画システム１は、第３実施形態に係る露光描画システム１が有する機能に加えて、微粒子の粒子数のランクに応じて被露光基板Ｃを整列させる機能を備えている。
【０１２０】
第４実施形態に係る露光描画システム１による作用について説明する。
【０１２１】
図１５は、第４実施形態に係る整列処理プログラムの処理の流れを示すフローチャートであり、当該プログラムは制御装置３の記憶部５１に備えられた記録媒体であるＲＯＭの所定領域に予め記憶されている。
【０１２２】
制御装置３の制御部５０は、予め定められたタイミング（本実施形態では、露光処理プログラムを終了したタイミング）で、当該整列処理プログラムを実行する。
【０１２３】
ステップＳ４０１において、制御部５０は、露光済みの被露光基板Ｃがあるか否かを判定する。この際、制御部５０は、露光描画装置２により露光された被露光基板Ｃが搬送装置（図示省略）により搬送されてくる途中で、被露光基板Ｃが通過することがわかっている予め定められた箇所で、フォトセンサ（図示省略）により被露光基板Ｃの有無を判定し、被露光基板Ｃが有ると判定された場合に、露光済みの被露光基板Ｃがあると判定する。
【０１２４】
ステップＳ４０１において露光済みの被露光基板Ｃがあると判定された場合、ステップＳ４０３において、制御部５０は、露光済みの被露光基板Ｃのランク情報を取得する。この際、制御部５０は、ステップＳ３１１において、判定されたランクを示すランク情報をシステム制御部４０が有する記録媒体または記憶部５１に記憶させておき、ステップＳ４０３において、その記憶されたランク情報を取得する。なお、ランク情報を取得する方法はこれに限定されず、被露光基板Ｃに形成されたマークＭＲを撮影装置（図示省略）により撮影し、画像処理により文字認識することで、ランク情報を取得するようにしても良い。
【０１２５】
ステップＳ４０５において、制御部５０は、露光済みの被露光基板Ｃを、ステップＳ４０３にて取得したランク情報に応じて整列させる。この際、制御部５０は、搬送装置上における搬送方向に対して垂直な方向において、ランク毎に異なった予め決められた位置に被露光基板Ｃを配置した上で搬送させる。整列させる方法は、これに限定されず、ランク毎に搬送経路が異ならせる方法であっても良い。
【０１２６】
第４実施形態に係る露光描画システム１において、第３実施形態に係る露光描画システム１の処理により被露光基板Ｃにランクを示すマークＭＲが描画されていることを前提として説明したが、これに限定されない。例えば、第４実施形態に係る露光描画システム１は、第１実施形態に係る露光描画システム１が有する機能に加えて、微粒子の粒子数のランクに応じて被露光基板Ｃを整列させる機能を備えていても良い。この場合には、制御装置３は、ステップＳ４０３において、被露光基板ＣにマークＭが描画されているか否かを判定し、ステップＳ４０５において、マークＭの描画の有無に応じて露光済みの被露光基板Ｃを整列されると良い。
【符号の説明】
【０１２７】
１…露光描画システム，２…露光描画装置，３…制御装置，４…塵埃計測装置，５…第１搬送部，６…第２搬送部，１０…ステージ，１１…基体，１２…基台，１４…ガイドレール，１５…ゲート，１６…露光部，１６ａ…露光ヘッド，１７…光源ユニット，１８…光ファイバ，１９…画像処理ユニット，２０…信号ケーブル，２１…紫外線光源，２２…ゲート，２３…撮影部，２４…ＡＣハンド，２５…吸着部，２６…押付部，３０…吸入窓，３１…排出窓，３２…レーザ発生装置，３３…出射窓，３４…入射窓，３５…集光レンズ，３６…検出装置，４０…システム制御部，４１…ステージ駆動部，４２…操作装置，４３…移動駆動部，５０…制御部，５１…記憶部，５２…表示部，５３…入力部，５４…通信インタフェース，６０…計測結果情報，６１…対応情報，Ｃ…被露光基板，Ｌ…レーザ，Ｍ、ＭＲ…マーク，Ｎ…シリアル番号。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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