(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
集積回路（ＩＣ）チップと基板との間の１つ以上のインターコネクト構造を構築することを有し、各インターコネクト構造は複数の材料を有し、
各インターコネクト構造を構築することが、
前記インターコネクト構造をｎ個のセクションに分割することと、
前記ｎ個のセクションの全てに第１の材料を与えることと、
該インターコネクト構造に対応する現在の応力レベルを記録することと、
選択された最低の応力レベルが、記録されている応力レベル以上になるまで：
ｍ≦ｎとして、前記第１の材料を現在有するｍ個のセクションの各々に対して、
そのセクションに第２の材料を割り当て、且つ
該インターコネクト構造に対応する現在の応力レベルを決定し、
決定されたｍ個の応力レベルから、最低の応力レベルを選択し、
選択された最低の応力レベルが、記録されている応力レベルより低い場合に、
前記ｍ個のセクションのうちの前記選択された最低の応力レベルに対応するセクションに前記第２の材料を与え、且つ
前記選択された最低の応力レベルを記録する、
ことを繰り返すことと、
を有する、
方法。
【請求項２】
ｎは１０以上である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
各インターコネクト構造を構築することが更に、前記ｎ個のセクションのうちの少なくとも１つが前記第２の材料を有する場合に：
隣接する前記第１の材料を有する第１のセクションと前記第２の材料を有する第２のセクションとの各対に対して、
前記第１のセクションに前記第２の材料を割り当て、
前記第２のセクションに前記第１の材料を割り当て、
該インターコネクト構造に対応する現在の応力レベルを決定し、且つ
決定された現在の応力レベルが、記録されている応力レベルより低い場合に、
前記第１のセクションに前記第２の材料を与え、
前記第２のセクションに前記第１の材料を与え、且つ
該決定された現在の応力レベルを記録する、
ことを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記１つ以上のインターコネクト構造は前記ＩＣチップ上に形成され、且つ
前記ＩＣチップが、各インターコネクト構造の一端を前記基板にはんだ付けすることによって、前記基板に接続される、
請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記１つ以上のインターコネクト構造は前記基板上に形成され、且つ
前記ＩＣチップが、各インターコネクト構造の一端を前記ＩＣチップにはんだ付けすることによって、前記基板に接続される、
請求項１に記載の方法。
【請求項６】
各インターコネクト構造は、銅の、１つ以上の第１のセクションと、錫−銀の、１つ以上の第２のセクションとを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
ソフトウェアを格納したコンピュータ読み取り可能記憶媒体であって、前記ソフトウェアは、１つ以上のコンピュータシステムによって実行されるときに、集積回路（ＩＣ）チップと基板との間の１つ以上のインターコネクト構造を構築するよう作用し、
各インターコネクト構造は複数の材料を有し、
各インターコネクト構造を構築することが、
前記インターコネクト構造をｎ個のセクションに分割することと、
前記ｎ個のセクションの全てに第１の材料を与えることと、
該インターコネクト構造に対応する現在の応力レベルを記録することと、
選択された最低の応力レベルが、記録されている応力レベル以上になるまで：
ｍ≦ｎとして、前記第１の材料を現在有するｍ個のセクションの各々に対して、
そのセクションに第２の材料を割り当て、且つ
該インターコネクト構造に対応する現在の応力レベルを決定し、
決定されたｍ個の応力レベルから、最低の応力レベルを選択し、
選択された最低の応力レベルが、記録されている応力レベルより低い場合に、
前記ｍ個のセクションのうちの前記選択された最低の応力レベルに対応するセクションに前記第２の材料を与え、且つ
前記選択された最低の応力レベルを記録する、
ことを繰り返すことと、
を有する、
記憶媒体。
【請求項８】
ｎは１０以上である、請求項７に記載の記憶媒体。
【請求項９】
各インターコネクト構造を構築することが更に、前記ｎ個のセクションのうちの少なくとも１つが前記第２の材料を有する場合に：
隣接する前記第１の材料を有する第１のセクションと前記第２の材料を有する第２のセクションとの各対に対して、
前記第１のセクションに前記第２の材料を割り当て、
前記第２のセクションに前記第１の材料を割り当て、
該インターコネクト構造に対応する現在の応力レベルを決定し、且つ
決定された現在の応力レベルが、記録されている応力レベルより低い場合に、
前記第１のセクションに前記第２の材料を与え、
前記第２のセクションに前記第１の材料を与え、且つ
該決定された現在の応力レベルを記録する、
ことを有する、請求項７に記載の記憶媒体。
【請求項１０】
前記１つ以上のインターコネクト構造は前記ＩＣチップ上に形成され、且つ
前記ＩＣチップが、各インターコネクト構造の一端を前記基板にはんだ付けすることによって、前記基板に接続される、
請求項７に記載の記憶媒体。
【請求項１１】
前記１つ以上のインターコネクト構造は前記基板上に形成され、且つ
前記ＩＣチップが、各インターコネクト構造の一端を前記ＩＣチップにはんだ付けすることによって、前記基板に接続される、
請求項７に記載の記憶媒体。
【請求項１２】
各インターコネクト構造は、銅の、１つ以上の第１のセクションと、錫−銀の、１つ以上の第２のセクションとを有する、請求項７に記載の記憶媒体。
【請求項１３】
集積回路（ＩＣ）チップと基板との間の１つ以上のインターコネクト構造を構築する手段を有するシステムであって、
各インターコネクト構造は複数の材料を有し、
前記構築する手段は、ソフトウェアを格納したコンピュータ読み取り可能記憶媒体を含み、前記ソフトウェアは、１つ以上のコンピュータシステムによって実行されるときに、前記集積回路（ＩＣ）チップと前記基板との間の前記１つ以上のインターコネクト構造を構築するよう作用し、
各インターコネクト構造を構築することが、
前記インターコネクト構造をｎ個のセクションに分割することと、
前記ｎ個のセクションの全てに第１の材料を与えることと、
該インターコネクト構造に対応する現在の応力レベルを記録することと、
選択された最低の応力レベルが、記録されている応力レベル以上になるまで：
ｍ≦ｎとして、前記第１の材料を現在有するｍ個のセクションの各々に対して、
そのセクションに第２の材料を割り当て、且つ
該インターコネクト構造に対応する現在の応力レベルを決定し、
決定されたｍ個の応力レベルから、最低の応力レベルを選択し、
選択された最低の応力レベルが、記録されている応力レベルより低い場合に、
前記ｍ個のセクションのうちの前記選択された最低の応力レベルに対応するセクションに前記第２の材料を与え、且つ
前記選択された最低の応力レベルを記録する、
ことを繰り返すことと、
を有する、
システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この開示は概して集積回路パッケージングに関する。
【背景技術】
【０００２】
集積回路（ＩＣ）パッケージングは、半導体装置の製造の最終段階であると考えることができる。製造プロセスのこの工程において、ＩＣチップが基板上にマウントされて、ＩＣパッケージが形成される。様々な種類のＩＣパッケージの例は、デュアルインラインパッケージ（ＤＩＰ）、ピングリッドアレイ（ＰＧＡ）パッケージ、リードレスチップキャリア（ＬＣＣ）パッケージ、表面実装パッケージ、スモールアウトライン集積回路（ＳＯＩＣ）パッケージ、プラスチックリード付きチップキャリア（ＰＬＣＣ）パッケージ、プラスチッククワッドフラットパック（ＰＱＦＰ）パッケージ、薄型スモールアウトラインパッケージ（ＴＳＯＰ）、及びボールグリッドアレイ（ＢＧＡ）パッケージを含む。フリップチップ型ボールグリッドアレイ（ＦＣＢＧＡ）パッケージでは、チップは上下逆にひっくり返されてＢＧＡ基板に接合される。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
開示の実施形態は、複合インターコネクト技術を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
一態様において、集積回路（ＩＣ）チップと基板との間のインターコネクト構造は複数の材料を有する。
【図面の簡単な説明】
【０００５】
【図１】接合温度にあるＩＣパッケージの一例を示す図である。
【図２】冷却後のＩＣパッケージの一例を示す図である。
【図３】ピラー式パッケージングの一例を示す図である。
【図４】インターコネクト構造の例を示す図である。
【図５】２つの異なる材料を有するインターコネクト構造を構築する方法の一例を示す図である。
【図６】２つの異なる材料を有するインターコネクト構造の例を示す図である。
【図７】２つの異なる材料を有するインターコネクト構造の例を示す図である。
【図８】コンピュータシステムの一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００６】
集積回路（ＩＣ）パッケージングの段階において、様々な好適な実装技術を用いて基板上にＩＣチップがマウントされて、ＩＣパッケージが形成される。図１は一例に係るＩＣパッケージ１００を示しており、ＩＣパッケージ１００は、基板１２０上にマウントされたＩＣチップ１１０を有している。ＩＣチップ１１０はシリコンで構築されることがあり、基板１２０はセラミック又はプラスチックで構築されることがある。特定の実施形態において、ＩＣチップ１１０は基板１２０上にはんだ付けされることができ、はんだ材料は錫−鉛、錫−銀、等々であり得る。
【０００７】
特定の材料は、熱膨張率及びヤング率を含む様々な特性を有する。熱膨張は、温度変化に応じて体積変化するという物の性質である。例えば、或る材料は、加熱されると膨張し、冷却されると収縮し得る。各材料の熱膨張量は、その熱膨張係数（ＣＴＥ）によって測られ得る。熱膨張係数は、材料の膨張度合いを温度変化で割ったものとして定義される。固体の物体に力が印可されるとき、その物体は応力を被り得る。応力は、印可される力と物体の断面積との比として測られ得る。応力による固体の変形が歪みである。固体の物体が被る応力及び歪みは、応力−歪み曲線を用いて表現され得る。固体力学において、任意の点における応力−歪み曲線の傾きは接線係数と呼ばれている。応力−歪み曲線の最初の直線部分の接線係数はヤング率と呼ばれる（この名は１９世紀の英国人科学者であるトマス・ヤングに由来する）。ヤング率は、引張係数としても知られており、フックの法則が成立する応力範囲での一軸性歪みに対する一軸応力の比として定義される。
【０００８】
異なる材料は異なるＣＴＥを有する。同様に、異なる材料からなる物体は、異なる接線係数、ひいては、異なる応力−歪み曲線を有する。例えば、図１において、シリコンは比較的低いＣＴＥを有するので、ＩＣチップ１１０は（例えば、はんだ付けプロセス中に）加熱されても僅かに膨張するのみである。一方、プラスチックは比較的高いＣＴＥを有し、故に、基板１２０は加熱されると更に大きく膨張する。従って、ＩＣチップ１１０及び基板が共に冷却されると、図２に示すように、ＩＣチップ１１０は基板１２０より少ししか収縮しない。これは、ＩＣパッケージ１００内に熱機械応力を生じさせる。熱機械応力は、ＩＣチップ１１０が（例えば、接合中の）結合温度から室温まで冷却されるにつれて次第に高くなる。
【０００９】
フリップチップ技術のＩＣパッケージングの１つの種類に、図３に例示するようなピラー式パッケージングがある。ピラー式パッケージングを用いると、特定の実施形態において、ピラーとも呼ばれる多数のインターコネクト（相互接続）構造１３０がＩＣチップ１１０上に形成され得る。各インターコネクト構造１３０の他方の端部は基板１２０にはんだ付けされている。それに代えて、特定の実施形態において、基板１２０上に多数のインターコネクト構造１３０が形成されて、ＩＣチップ１１０に各インターコネクト構造１３０の他方の端部がはんだ付けされてもよい。
【００１０】
特定の実施形態において、各インターコネクト構造１３０は、例えば銅などの単一の材料で構築される。銅は接合中に球形状につぶれないので、銅ピラーによるパッケージングは微細なピッチにおいて有利である。しかしながら、銅は、例えば錫−銀などの典型的なはんだ材料より遥かに高い接線係数を有しており、故に、銅ピラーによるパッケージングは、従来のはんだバンプによるパッケージングより高い熱機械応力を誘起する傾向にある。
【００１１】
特定の実施形態は、ＩＣチップと基板との間の各インターコネクト構造を、単一の材料に代えて複数の材料を用いて構築する。そのようなインターコネクト構造は、複合（ハイブリッド）インターコネクト構造と称され得る。如何なる数の異なる材料を用いてインターコネクト構造を構築してもよい。特定の実施形態は、複数の異なる材料を、例えばＣＴＥ及び接線係数など、それらの性質及び特性に関して互いに補完するように選択し得る。例えば、インターコネクト構造が２つの異なる材料で構築される場合、一方の材料が比較的高いＣＴＥを有しながら他方の材料は比較的低いＣＴＥを有するようにしてもよく、あるいは、一方の材料が比較的高い剛性を有しながら他方の材料は比較的低い剛性を有するようにしてもよい。複数の材料の組み合わせは、ＩＣチップの熱機械応力を低減する助けとなり得る。特定の実施形態は、使用される複数の材料の空間的な位置を最適化することによって、熱機械応力を低減し得る。
【００１２】
図４は、異なる材料で構築されたインターコネクト構造の例を示している。インターコネクト構造４１０は、例えば銅（例えば、電気めっきにより形成）など、単一材料で構築されている。インターコネクト構造４２０は、例えば第１の材料としての銅と第２の材料としての金、銅−錫合金、若しくは錫−銀合金（例えば、電気めっきにより形成）など、２つの異なる材料で構築されている。インターコネクト構造４３０は、３つの異なる材料で構築されている。インターコネクト構造４４０は、４つの異なる材料で構築されている。なお、単一のインターコネクト構造内に異なる量の異なる材料が存在していてもよい。
【００１３】
図５は、２つの異なる材料を用いてインターコネクト構造を構築する方法の一例を示している。図５は２つの材料を有する場合を例示するに過ぎず、このプロセスは３つ以上の材料を有するインターコネクト構造を構築する場合にも適用可能である。図６は、図５に示すステップの説明を助けるために使用するものであり、一例に係るインターコネクト構造６００を示している。
【００１４】
所与のインターコネクト構造に対し、特定の実施形態は、ステップ５０１に示すように、該インターコネクト構造をｎ個のセクション（部分）に分割し得る。ｎ個のセクションは相等しい厚さを有していてもよいし、有していなくてもよい。特定の実施形態において、ｎは１より大きい数であり、実験に基づいて選択され得る。ｎが過大（例えば、１００より大きい）である場合、このプロセスは長い計算時間を必要とし得る。ｎが過小（例えば、４以下）である場合、最終結果が満足のいかないものになることがある。特定の実施形態において、ｎは２で割り切れる数（例えば、６、８、１０、・・・）である。特定の実施形態において、インターコネクト構造を構築するために使用される材料の数が多いほど、大きいｎが好ましい。実験に基づき、２つの材料の場合、１０と２０との間の数（例えば、１２）が、ｎの良い選択となり得る。例示の目的で、図６Ａに示すように、インターコネクト構造６００を８個のセクションに分割する。
【００１５】
特定の実施形態は、ステップ５０３に示すように、インターコネクト構造のｎ個すべてのセクションに第１の材料（例えば、銅）を割り当て得る。インターコネクト構造６００の場合、８個すべてのセクションに同じ第１の材料が割り当てられる（図６Ａ）。そして、特定の実施形態は、ステップ５０３に示すように、このインターコネクト構造に対応する現在の応力レベル（すなわち、ｎ個すべてのセクションに同じ第１の材料を割り当てたインターコネクト構造に対応する応力レベル）を記録し得る。一部の例において、記録される応力レベルは、破砕が起こり得る位置（例えば、チップ上の集積回路、又はピラー自体）でのものである。
【００１６】
第１の材料を有するｎ個のセクションの各々に対し、特定の実施形態は、ステップ５０５に示すように、一度に一セクションずつ、そのセクションに第２の材料を割り当て、現在の構造を有するインターコネクト構造に対応する応力レベルを決定し得る。インターコネクト構造６００の場合、この時点（図６Ａ）で、８個すべてのセクションが第１の材料を有している。先ず一番目に、セクション１のみを第２の材料で置き換え、セクション２−８は依然として第１の材料を有するようにして、この構成のインターコネクト構造６００に対応する応力レベルが決定される。二番目に、セクション２のみを第２の材料で置き換え、セクション１及び３−８は依然として第１の材料を有するようにして、この構成のインターコネクト構造６００に対応する応力レベルが決定される。三番目に、セクション３のみを第２の材料で置き換え、セクション１−２及び４−８は依然として第１の材料を有するようにして、この構成のインターコネクト構造６００に対応する応力レベルが決定される。同様に続けて、最後に、セクション８のみを第２の材料で置き換え、セクション１−７は依然として第１の材料を有するようにして、この構成のインターコネクト構造６００に対応する応力レベルが決定される。８個の異なる構成が存在し、故に、８個の異なる応力レベルが決定される。
【００１７】
特定の実施形態は、ステップ５０７に示すように、第２の材料を割り当てられたときにステップ５の上述のケースの中で最低の応力レベルをインターコネクト構造に与えるセクションを決定し得る。換言すれば、ステップ５０５の上述のケースの中で最低の応力レベルを有する構成が決定される。例えば、インターコネクト構造６００について、上述の８個の構成の中で、セクション３が第２の材料を有し且つセクション１−２及び４−８が第１の材料を有する構成（図６Ｂ）が最低の応力レベルを与えると仮定する。
【００１８】
特定の実施形態は、ステップ５０９に示すように、この現時点で最低の応力レベルを、先に記録された応力レベルと比較して、この現時点で最低の応力レベルが先に記録された応力レベルより低いかを決定し得る。インターコネクト構造６００の場合、セクション３が第２の材料を有し且つセクション１−２及び４−８が第１の材料を有する構成に対応する応力レベル（すなわち、現時点で最低の応力レベル、図６Ｂ）が、８個すべてのセクションが第１の材料を有する構成に対応する応力レベル（すなわち、先に記録された応力レベル、図６Ａ）と比較される。
【００１９】
現時点で最低の応力レベルが、先に記録された応力レベルより低い場合（ステップ５０９で”ＹＥＳ”）、特定の実施形態は、ステップ５１１に示すように、現時点で最低の応力レベルに対応するセクションを第２の材料に変更し、且つ現時点で最低の応力レベルを記録し得る。インターコネクト構造６００について、セクション３が第２の材料を有し且つセクション１−２及び４−８が第１の材料を有する構成（図６Ｂ）に対応する応力レベルが、８個すべてのセクションが第１の材料を有する構成（図６Ａ）に対応する応力レベルより低いと仮定する。セクション３が第２の材料に変更され（図６Ｂ）、この構成に対応する応力レベルが記録される。
【００２０】
特定の実施形態は、別の繰り返しでステップ５０５、５０７、５０９及び５１１を反復し得る。インターコネクト構造６００の場合、第２の繰り返しの開始時、セクション３は既に第２の材料を有し且つセクション１−２及び４−８は依然として第１の材料を有しており（図６Ｂ）、この構成に対応する応力レベルが記録されている。この時点では、７個のセクションが依然として第１の材料を有している。依然として第１の材料を有する各セクションが、一度に一セクションずつ、第２の材料を割り当てられ、各構成に対応する応力レベルが決定される（ステップ５０５）。先ず一番目に、セクション１のみを第２の材料で置き換え、セクション２及び４−８は依然として第１の材料を有するようにして（セクション３は既に第２の材料を有している）、この構成のインターコネクト構造６００に対応する応力レベルが決定される。二番目に、セクション２のみを第２の材料で置き換え、セクション１及び４−８は依然として第１の材料を有するようにして（セクション３は既に第２の材料を有している）、この構成のインターコネクト構造６００に対応する応力レベルが決定される。三番目に、セクション４のみを第２の材料で置き換え、セクション１−２及び５−８は依然として第１の材料を有するようにして（セクション３は既に第２の材料を有している）、この構成のインターコネクト構造６００に対応する応力レベルが決定される。そして同様に続けられる。この第２の繰り返しでは、７個のセクション（すなわち、セクション１−２及び４−８）が第１の材料を有しており、故に、７個の異なる構成と７個の対応する応力レベルとが存在する。これら７個の構成の中から、現時点で最低の応力レベルを有する構成が決定される（ステップ５０７）。セクション３及び７が第２の材料を有し且つセクション１−２、４−６及び８が第１の材料を有する構成（図６Ｃ）が現時点で最低の応力レベルを与えると仮定する。この現時点で最低の応力レベルが、先に記録された応力レベル（すなわち、セクション３が第２の材料を有し且つセクション１−２及び４−８が第１の材料を有する構成（図６Ｂ）に対応する応力レベル）と比較される（ステップ５０９）。
【００２１】
インターコネクト構造６００について、セクション３及び７が第２の材料を有し且つセクション１−２、４−６及び８が第１の材料を有する構成（図６Ｃ）に対応する現時点で最低の応力レベルが、セクション３が第２の材料を有し且つセクション１−２及び４−８が第１の材料を有する構成（図６Ｂ）に対応する先に記録された応力レベルより低いと仮定する。ここで、セクション７が第２の材料に変更され（図６Ｃ）、この構成に対応する応力レベルが記録される（ステップ５１１）。
【００２２】
もう一度、ステップ５０５、５０７、５０９及び５１１が反復されてもよい。インターコネクト構造６００の場合、第３の繰り返しの開始時、セクション３及び７は既に第２の材料を有し且つセクション１−２、４−６及び８は依然として第１の材料を有しており（図６Ｃ）、この構成に対応する応力レベルが記録されている。この時点では、６個のセクションが依然として第１の材料を有している。依然として第１の材料を有する各セクションが、一度に一セクションずつ、第２の材料を割り当てられ、各構成に対応する応力レベルが決定される（ステップ５０５）。先ず一番目に、セクション１のみを第２の材料で置き換え、セクション２、４−６及び８は依然として第１の材料を有するようにして（セクション３及び７は既に第２の材料を有している）、この構成のインターコネクト構造６００に対応する応力レベルが決定される。二番目に、セクション２のみを第２の材料で置き換え、セクション１、４−６及び８は依然として第１の材料を有するようにして（セクション３及び７は既に第２の材料を有している）、この構成のインターコネクト構造６００に対応する応力レベルが決定される。三番目に、セクション４のみを第２の材料で置き換え、セクション１−２、５−６及び８は依然として第１の材料を有するようにして（セクション３及び７は既に第２の材料を有している）、この構成のインターコネクト構造６００に対応する応力レベルが決定される。そして同様に続けられる。この第３の繰り返しでは、６個のセクション（すなわち、セクション１−２、４−６及び８）が第１の材料を有しており、故に、６個の異なる構成と６個の対応する応力レベルとが存在する。これら６個の構成の中から、現時点で最低の応力レベルを有する構成が決定される（ステップ５０７）。セクション３及び７−８が第２の材料を有し且つセクション１−２及び４−６が第１の材料を有する構成（図６Ｄ）が現時点で最低の応力レベルを与えると仮定する。この現時点で最低の応力レベルが、先に記録された応力レベル（すなわち、セクション３及び７が第２の材料を有し且つセクション１−２、４−６及び８が第１の材料を有する構成（図６Ｃ）に対応する応力レベル）と比較される（ステップ５０９）。
【００２３】
インターコネクト構造６００について、セクション３及び７−８が第２の材料を有し且つセクション１−２及び４−６が第１の材料を有する構成（図６Ｄ）に対応する現時点で最低の応力レベルが、セクション３及び７が第２の材料を有し且つセクション１−２、４−６及び８が第１の材料を有する構成（図６Ｃ）に対応する先に記録された応力レベルより低いと仮定する。ここで、セクション８が第２の材料に変更され（図６Ｄ）、この構成に対応する応力レベルが記録される（ステップ５１１）。
【００２４】
もう一度、ステップ５０５、５０７、５０９及び５１１が反復されてもよい。インターコネクト構造６００の場合、第４の繰り返しの開始時、セクション３及び７−８は既に第２の材料を有し且つセクション１−２及び４−６は依然として第１の材料を有しており（図６Ｄ）、この構成に対応する応力レベルが記録されている。この時点では、５個のセクションが依然として第１の材料を有している。依然として第１の材料を有する各セクションが、一度に一セクションずつ、第２の材料を割り当てられ、各構成に対応する応力レベルが決定される（ステップ５０５）。先ず一番目に、セクション１のみを第２の材料で置き換え、セクション２及び４−６は依然として第１の材料を有するようにして（セクション３及び７−８は既に第２の材料を有している）、この構成のインターコネクト構造６００に対応する応力レベルが決定される。二番目に、セクション２のみを第２の材料で置き換え、セクション１及び４−６は依然として第１の材料を有するようにして（セクション３及び７−８は既に第２の材料を有している）、この構成のインターコネクト構造６００に対応する応力レベルが決定される。三番目に、セクション４のみを第２の材料で置き換え、セクション１−２及び５−６は依然として第１の材料を有するようにして（セクション３及び７−８は既に第２の材料を有している）、この構成のインターコネクト構造６００に対応する応力レベルが決定される。そして同様に続けられる。この第４の繰り返しでは、５個のセクション（すなわち、セクション１−２及び４−６）が第１の材料を有しており、故に、５個の異なる構成と５個の対応する応力レベルとが存在する。これら５個の構成の中から、現時点で最低の応力レベルを有する構成が決定される（ステップ５０７）。セクション３−４及び７−８が第２の材料を有し且つセクション１−２及び５−６が第１の材料を有する構成が現時点で最低の応力レベルを与えると仮定する。この現時点で最低の応力レベルが、先に記録された応力レベル（すなわち、セクション３及び７−８が第２の材料を有し且つセクション１−２及び４−６が第１の材料を有する構成（図６Ｄ）に対応する応力レベル）と比較される（ステップ５０９）。
【００２５】
インターコネクト構造６００について、セクション３−４及び７−８が第２の材料を有し且つセクション１−２及び５−６が第１の材料を有する構成に対応する現時点で最低の応力レベルが、セクション３及び７−８が第２の材料を有し且つセクション１−２及び４−６が第１の材料を有する構成（図６Ｄ）に対応する先に記録された応力レベルより高い、あるいは等しいと仮定する。特定の実施形態において、この反復プロセスは終了する（ステップ５０９で”ＮＯ”）。なお、セクション４は第２の材料に変更されない。何故なら、そうすることは、インターコネクト構造６００に対応する応力レベルを低下させることの助けとならないからである。
【００２６】
なお、各繰り返しにおいて、現時点で第１の材料を有するセクションの数は常にｎ以下である。すなわち、各繰り返し現在、ｍ個のセクションが第１の材料を有する場合、ｍ≦ｎである。
【００２７】
特定の実施形態は、反復プロセス（ステップ５０５、５０７、５０９、５１１）が終了した時点で、ステップ５１３に示すように、インターコネクト構造のｎ個のセクションの全てがなおも同じ第１の材料を有しているかを検証し得る。そうである場合（ステップ５１３で”ＹＥＳ”）、これが意味することは、第１の材料のみを有するインターコネクト構造（例えば、図６Ａ）が最低の応力レベルを与えるということである。その場合、特定の実施形態は、ステップ５１５に示すように、第１の材料のみで構築される（すなわち、複数の材料の組み合わせはない）ようにインターコネクト構造を最終決定し得る。逆の場合（ステップ５１３で”ＮＯ”）、特定の実施形態は、ステップ５１７に示すように、第２の材料を有するセクションに隣接した、第１の材料を有するセクションが存在するかを決定する。そうである場合（ステップ５１７で”ＹＥＳ”）、特定の実施形態は、ステップ５１９に示すように、そのような各セクションを更にテストし得る。
【００２８】
特定の実施形態において、より多数のセクションは、より良好な結果をもたらし得る。しかしながら、より多数のセクションはしばしば、より長い計算時間を必要とする。故に、特定の実施形態は更に、特にｎが比較的小さいとき、最終結果の品質を保証するために、第２の材料を有するセクションに隣接した依然として第１の材料を有するセクションをテストし得る。
【００２９】
インターコネクト構造６００の場合、反復プロセスの終了時、セクション３及び７−８は第２の材料を有し且つセクション１−２及び４−６は第１の材料を有しており（図６Ｄ）、この構成に対応する応力レベルが記録されている。この場合、８個すべてのセクションがなおも第１の材料を有するわけではない。さらに、第１の材料を有するものであるセクション２及び４が、第２の材料を有するものであるセクション３に隣接している。また、第１の材料を有するものであるセクション６が、第２の材料を有するものであるセクション７に隣接している。故に、セクション２、４及び６の各々がテストされる必要がある。
【００３０】
第１に、セクション３に隣接するセクション２及び４について検討する。セクション３に関してセクション２及び４を独立にテストするために、セクション３が第１の材料に戻される（図６Ｅ）。セクション２に第２の材料が割り当てられ（図６Ｆ）、この構成に対応する応力レベルが決定される。そして、セクション２が第１の材料に戻され、且つセクション４に第２の材料が割り当てられ（図６Ｇ）、この構成に対応する応力レベルが決定される。図６Ｄ、６Ｆ及び６Ｇそれぞれの３つの構成の３つの応力レベルが互いに比較され、これら３つの中で最低の応力レベルを有する構成が選択され、それに対応する応力レベルが記録される。
【００３１】
第２に、セクション７に隣接するセクション６について検討する。セクション７に関してセクション６を独立にテストするために、セクション７が第１の材料に戻される（図６Ｈ）。セクション６に第２の材料が割り当てられ（図６Ｉ）、この構成に対応する応力レベルが決定される。この応力レベルが、図６Ｄの構成に対応する応力レベルと比較され、低い方の応力レベルを有する構成が選択され、それに対応する応力レベルが記録される。
【００３２】
インターコネクト構造６００の場合、ステップ５１９の効果は、図６Ｄ、６Ｆ、６Ｇ及び６Ｉそれぞれに示される４つの構成の４つの応力レベルが互いに比較され、これら４つの中で最低の応力レベルを有する構成が選択されることである。この構成がインターコネクト構造６００の最終結果である。
【００３３】
異なるインターコネクト構造に対し、図５に示したプロセスは、２つの材料の異なる構成をもたらし得る。２つの材料を用いて構築されるインターコネクト構造の構成の幾つかの例を図７に示す。なお、１つのインターコネクト構造内で異なる量の２つの材料が存在してもよく、２つの材料はインターコネクト構造の複数のセクションの中で交互にされ得る。
【００３４】
特定の実施形態は、１つ以上のコンピュータシステム上で実現され得る。特定の実施形態において、図５に示したプロセスは、非一時的なコンピュータ読み取り可能媒体に格納されてコンピュータシステム上で実行されるコンピュータプログラムとして実現され得る。図８は、一例に係るコンピュータシステム８００を示している。特定の実施形態において、１つ以上のコンピュータシステム８００が、ここに記載あるいは図示した１つ以上の方法の１つ以上のステップを実行する。特定の実施形態において、１つ以上のコンピュータシステム８００が、ここに記載あるいは図示した機能を提供する。特定の実施形態において、１つ以上のコンピュータシステム８００上で起動されるソフトウェアが、ここに記載あるいは図示した１つ以上の方法の１つ以上のステップを実行し、あるいは、ここに記載あるいは図示した機能を提供する。特定の実施形態は、１つ以上のコンピュータシステム８００の１つ以上の部分を含む。
【００３５】
この開示は、如何なる好適な数のコンピュータシステム８００をも意図している。この開示は、如何なる物理形態を採るコンピュータシステム８００をも意図している。非限定的な一例として、コンピュータシステム８００は、組込型コンピュータシステム、システム・オン・チップ（ＳＯＣ）、シングルボード・コンピュータシステム（ＳＢＣ）（例えば、コンピュータ・オン・モジュール（ＣＯＭ）若しくはシステム・オン・モジュール（ＳＯＭ）など）、デスクトップ型コンピュータシステム、ラップトップ型又はノート型のコンピュータシステム、対話式キオスク端末、メインフレーム、メッシュ状コンピュータシステム、携帯電話、携帯情報端末（ＰＤＡ）、サーバ、又はこれらの２つ以上の組み合わせとし得る。必要に応じて、コンピュータシステム８００は、単一あるいは分散型の；複数の位置にまたがる；複数の機械にまたがる；あるいはクラウド（１つ以上のネットワーク内に１つ以上のクラウド要素を含み得る）内の；１つ以上のコンピュータシステム８００を含んでいてもよい。必要に応じて、１つ以上のコンピュータシステム８００は、ここに記載あるいは図示した１つ以上の方法の１つ以上のステップを、空間的あるいは時間的な実質的な制約なく実行し得る。非限定的な一例として、１つ以上のコンピュータシステム８００は、ここに記載あるいは図示した１つ以上の方法の１つ以上のステップを、リアルタイムあるいはバッチモードで実行し得る。必要に応じて、１つ以上のコンピュータシステム８００は、相異なる時点で、あるいは相異なる位置で、ここに記載あるいは図示した１つ以上の方法の１つ以上のステップを実行してもよい。
【００３６】
特定の実施形態において、コンピュータシステム８００は、プロセッサ８０２、メモリ８０４、ストレージ８０６、入力／出力（Ｉ／Ｏ）インタフェース８０８、通信インタフェース８１０、及びバス８１２を含んでいる。この開示は、特定の構成にされた特定数の特定の構成要素を有する特定のコンピュータシステムを図示して説明しているが、この開示は、如何なる好適配置にされた如何なる好適数の如何なる好適構成要素を有する如何なる好適なコンピュータシステムをも意図している。
【００３７】
特定の実施形態において、プロセッサ８０２は、例えばコンピュータプログラムを構築する命令などの命令を実行するハードウェアを含む。非限定的な一例として、命令を実行するために、プロセッサ８０２は、内部レジスタ、内部キャッシュ、メモリ８０４、又はストレージ８０６から命令を取り出し（すなわち、フェッチし）；それを復号化して実行し；その後、１つ以上の結果を内部レジスタ、内部キャッシュ、メモリ８０４、又はストレージ８０６に書き込み得る。特定の実施形態において、プロセッサ８０２は、データ、命令又はアドレス用の１つ以上の内部キャッシュを含み得る。この開示は、プロセッサ８０２が必要に応じて、如何なる好適数の如何なる好適な内部キャッシュを含むことも意図している。非限定的な一例として、プロセッサ８０２は、１つ以上の命令キャッシュと、１つ以上のデータキャッシュと、１つ以上のトランスレーション・ルックアサイド・バッファ（ＴＬＢ）とを含み得る。命令キャッシュ内の命令は、メモリ８０４又はストレージ８０６内の命令の複製としてもよく、命令キャッシュは、プロセッサ８０２によるこれら命令の取り出しを高速化し得る。データキャッシュ内のデータは、メモリ８０４又はストレージ８０６内の、プロセッサ８０２にて実行されている命令が処理すべきデータの複製；プロセッサ８０２にて実行される後続の命令によるアクセスのための、あるいはメモリ８０４又はストレージ８０６に書き込むための、プロセッサ８０２にて実行された以前の命令の結果；又はその他の好適データとし得る。データキャッシュは、プロセッサ８０２による読み出し処理又は書き込み処理を高速化し得る。ＴＬＢは、プロセッサ８０２のために仮想アドレス変換を高速化し得る。特定の実施形態において、プロセッサ８０２は、データ、命令又はアドレス用の１つ以上の内部レジスタを含み得る。この開示は、プロセッサ８０２が適宜、如何なる好適数の如何なる好適な内部レジスタを含むことをも意図している。必要に応じて、プロセッサ８０２は、１つ以上の演算論理ユニット（ＡＬＵ）を含んでいてもよく；マルチコアプロセッサであってもよく；あるいは１つ以上のプロセッサ８０２を含んでいてもよい。この開示は特定のプロセッサを図示して説明しているが、この開示は如何なる好適なプロセッサをも意図している。
【００３８】
特定の実施形態において、メモリ８０４は、プロセッサ８０２が実行する命令、又はプロセッサ８０２が処理するデータを格納するメインメモリを含む。非限定的な一例として、コンピュータシステム８００はストレージ８０６又は別のソース（例えば、別のコンピュータシステム８００など）からメモリ８０４に命令をロードし得る。その後、プロセッサ８０２は、メモリ８０４から内部レジスタ又は内部キャッシュに命令をロードし得る。命令を実行するため、プロセッサ８０２は、内部レジスタ又は内部キャッシュから命令を取り出し、取り出した命令を復号化する。命令の実行中又は実行後、プロセッサ８０２は、１つ以上の結果（中間結果又は最終結果とし得る）を内部レジスタ又は内部キャッシュに書き込み得る。そして、プロセッサ８０２は、それらの結果のうちの１つ以上をメモリ８０４に書き込み得る。特定の実施形態において、プロセッサ８０２は、１つ以上の内部レジスタ若しくは内部キャッシュ又はメモリ８０４内の命令のみを実行してもよく（ストレージ８０６又はその他の場所の命令を実行するのとは異なる）、また、１つ以上の内部レジスタ若しくは内部キャッシュ又はメモリ８０４内のデータのみを処理してもよい（ストレージ８０６又はその他の場所のデータを処理するのとは異なる）。１つ以上のメモリバス８１２（各々がアドレスバス及びデータバスを含み得る）が、プロセッサ８０２をメモリ８０４に結合してもよい。バス８１２は、後述のように、１つ以上のメモリバスを含み得る。特定の実施形態において、１つ以上のメモリ管理装置（ＭＭＵ）が、プロセッサ８０２とメモリ８０４との間に存在し、プロセッサ８０２により要求されるメモリ８０４へのアクセスを容易にし得る。特定の実施形態において、メモリ８０４は、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）を含む。このＲＡＭは、適当であれば、揮発性メモリであってもよい。必要に応じて、このＲＡＭはダイナミックＲＡＭ（ＤＲＡＭ）又はスタティックＲＡＭ（ＳＲＡＭ）にされ得る。また、必要に応じて、このＲＡＭは、シングルポート又はマルチポートのＲＡＭにされ得る。この開示は、如何なる好適なＲＡＭをも意図している。メモリ８０４は、必要に応じて、１つ以上のメモリ８０４を含んでいてもよい。この開示は特定のメモリを図示して説明しているが、この開示は如何なる好適なメモリをも意図している。
【００３９】
特定の実施形態において、ストレージ８０６は、データ又は命令用の大容量記憶装置を含む。非限定的な一例として、ストレージ８０６は、ＨＤＤ、フロッピー（登録商標）ディスクドライブ、フラッシュメモリ、光ディスク、磁気光ディスク、磁気テープ、若しくはユニバーサル・シリアル・バス（ＵＳＢ）ドライブ、又はこれらの２つ以上の組み合わせを含み得る。ストレージ８０６は、必要に応じて、リムーバブル（取り外し可能）あるいは非リムーバブル（すなわち、固定）のメディアを含み得る。ストレージ８０６は、必要に応じて、コンピュータシステム８００の内部にあってもよいし、外部にあってもよい。特定の実施形態において、ストレージ８０６は、不揮発性のソリッドステートメモリである。特定の実施形態において、ストレージ８０６は、読み出し専用メモリ（ＲＯＭ）を含む。必要に応じて、このＲＯＭは、マスクプログラムされたＲＯＭ、プログラマブルＲＯＭ（ＰＲＯＭ）、消去可能ＰＲＯＭ（ＥＰＲＯＭ）、電気的消去可能ＰＲＯＭ（ＥＥＰＲＯＭ）、電気的消去再書込可能ＲＯＭ（ＥＡＲＯＭ）、若しくはフラッシュメモリ、又はこれらの２つ以上の組み合わせとし得る。この開示は、如何なる好適な物理形態を有する大容量記憶装置８０６をも意図している。ストレージ８０６は、必要に応じて、プロセッサ８０２とストレージ８０６との間での通信を容易にする１つ以上のストレージ制御装置を含み得る。必要に応じて、ストレージ８０６は１つ以上のストレージ８０６を含んでいてもよい。この開示は特定のストレージを図示して説明しているが、この開示は如何なる好適なストレージをも意図している。
【００４０】
特定の実施形態において、Ｉ／Ｏインタフェース８０８は、コンピュータシステム８００と１つ以上のＩ／Ｏ装置との間での通信のための１つ以上のインタフェースを提供するハードウェア、ソフトウェア、又はこれら双方を含む。コンピュータシステム８００は、必要に応じて、これらＩ／Ｏ装置のうちの１つ以上を含んでいてもよい。これらＩ／Ｏ装置のうちの１つ以上は、個人とコンピュータシステム８００との間での通信を可能にし得る。非限定的な一例として、Ｉ／Ｏ装置は、キーボード、キーパッド、マイク、モニタ、マウス、プリンタ、スキャナ、スピーカ、スチルカメラ、スタイラスペン、タブレット、タッチスクリーン、トラックボール、ビデオカメラ、その他の好適なＩ／Ｏ装置、又はこれらの２つ以上の組み合わせを含み得る。Ｉ／Ｏ装置は、１つ以上のセンサを含んでいてもよい。この開示は、如何なる好適なＩ／Ｏ装置、及びそれ用の如何なる好適なＩ／Ｏインタフェース８０８をも意図している。必要に応じて、Ｉ／Ｏインタフェース８０８は、プロセッサ８０２がこれらのＩ／Ｏ装置のうちの１つ以上を駆動することを可能にする１つ以上の装置又はソフトウェアドライバを含んでいてもよい。Ｉ／Ｏインタフェース８０８は、必要に応じて、１つ以上のインタフェース８０８を含んでいてもよい。この開示は特定のＩ／Ｏインタフェースを図示して説明しているが、この開示は如何なる好適なＩ／Ｏインタフェースをも意図している。
【００４１】
特定の実施形態において、通信インタフェース８１０は、コンピュータシステム８００と、１つ以上のその他のコンピュータシステム若しくは１つ以上のネットワークとの間での通信（例えば、パケットベースの通信など）のための１つ以上のインタフェースを提供するハードウェア、ソフトウェア、又はこれら双方を含む。非限定的な一例として、通信インタフェース８１０は、イーサネット（登録商標）若しくはその他のワイヤベースのネットワークと通信するためのネットワークインタフェースコントローラ（ＮＩＣ）若しくはネットワークアダプタ、又は例えばＷｉ−Ｆｉネットワークなどの無線ネットワークと通信するための無線ＮＩＣ（ＷＮＩＣ）若しくは無線アダプタを含み得る。この開示は、如何なる好適なネットワーク及びそれ用の如何なる好適な通信インタフェース８１０をも意図している。非限定的な一例として、コンピュータシステム８００は、アドホックネットワーク、パーソナルエリアネットワーク（ＰＡＮ）、ローカルエリアネットワーク（ＬＡＮ）、ワイドエリアネットワーク（ＷＡＮ）、メトロポリタンエリアネットワーク（ＭＡＮ）、若しくはインターネットの１つ以上の部分、又はこれらの２つ以上の組み合わせと通信し得る。これらのネットワークのうちの１つ以上の１つ以上の部分は、有線であってもよいし、無線であってもよい。一例として、コンピュータシステム８００は、無線ＰＡＮ（ＷＰＡＮ）（例えば、ブルートゥース（登録商標）ＷＰＡＮなど）、Ｗｉ−Ｆｉネットワーク、Ｗｉ−ＭＡＸネットワーク、携帯電話ネットワーク（例えば、グローバル・システム・フォー・モバイル・コミュニケーションズ（ＧＳＭ(登録商標)）ネットワークなど）、若しくはその他の好適な無線ネットワーク、又はこれらの２つ以上の組み合わせと通信し得る。コンピュータシステム８００は、必要に応じて、これらのネットワークの何れかのための如何なる好適な通信インタフェース８１０を含んでいてもよい。この開示は特定の通信インタフェースを図示して説明しているが、この開示は如何なる好適な通信インタフェースをも意図している。
【００４２】
特定の実施形態において、バス８１２は、コンピュータシステム８００の構成要素を相互に結合するための、ハードウェア、ソフトウェア、又はこれら双方を含む。非限定的な一例として、バス８１２は、アクセラレーテッド・グラフィクス・ポート（ＡＧＰ）若しくはその他のグラフィック専用バス、ＥＩＳＡ（Extended  Industry  Standard  Architecture）バス、フロントサイドバス（ＦＳＢ）、ハイパートランスポート（ＨＴ）インターコネクト、業界標準アーキテクチャ（ＩＳＡ）バス、インフィニバンド・インターコネクト、ＬＰＣ（low-pin-count）バス、メモリバス、マイクロ・チャネル・アーキテクチャ（ＭＣＡ）バス、コンピュータ用拡張バスアーキテクチャ（ＰＣＩ）バス、ＰＣＩエクスプレス（ＰＣＩ−Ｘ）バス、シリアルＡＴＡ（ＳＡＴＡ）バス、ＶＬＢ（Video  Electronics  Standards  Association  local）バス、若しくはその他の好適なバス、又はこれらの２つ以上の組み合わせを含み得る。バス８１２は、必要に応じて、１つ以上のバス８１２を含んでいてもよい。この開示は特定のバスを図示して説明しているが、この開示は如何なる好適なバス又はインターコネクトをも意図している。
【００４３】
ここで、コンピュータ読み取り可能記憶媒体への言及は、１つ以上の一過性でない有形のコンピュータ読み取り可能記憶媒体保有構造をも包含するものである。非限定的な一例として、コンピュータ読み取り可能記憶媒体は、必要に応じて、半導体ベースあるいはその他の集積回路（ＩＣ）（例えば、フィールド・プログラマブル・ゲート・アレイ（ＦＰＧＡ）、又は特定用途向けＩＣ（ＡＳＩＣ）など）、ハードディスク、ＨＤＤ、ハイブリッド式ハードドライブ（ＨＨＤ）、光ディスク、光ディスクドライブ（ＯＤＤ）、磁気光ディスク、磁気光ドライブ、フロッピー（登録商標）ディスク、フロッピーディスクドライブ（ＦＤＤ）、磁気テープ、ホログラフィック記憶媒体、ソリッドステートドライブ（ＳＳＤ）、ＲＡＭドライブ、セキュアデジタル（ＳＤ）カード、セキュアデジタルドライブ、若しくはその他の好適なコンピュータ読み取り可能記憶媒体、又はこれらの２つ以上の組み合わせを含み得る。コンピュータ読み取り可能な一過性でない記憶媒体は、必要に応じて、揮発性、不揮発性、又は揮発性と不揮発性との組み合わせとし得る。
【００４４】
この開示は、何らかの好適なストレージを実現する１つ以上のコンピュータ読み取り可能記憶媒体を意図している。特定の実施形態において、コンピュータ読み取り可能記憶媒体は、必要に応じて、プロセッサ８０２の１つ以上の部分（例えば、１つ以上の内部レジスタ若しくはキャッシュなど）、メモリ８０４の１つ以上の部分、ストレージ８０６の１つ以上の部分、又はこれらの組み合わせを実現してもよい。特定の実施形態において、コンピュータ読み取り可能記憶媒体はＲＡＭ又はＲＯＭを実現する。特定の実施形態において、コンピュータ読み取り可能記憶媒体は揮発性あるいは永続的なメモリを実現する。特定の実施形態において、１つ以上のコンピュータ読み取り可能記憶媒体がソフトウェアを具現化する。ここで、ソフトウェアへの言及は適宜、１つ以上のアプリケーション、バイトコード、１つ以上のコンピュータプログラム、１つ以上の実行ファイル、１つ以上の命令、ロジック、機械語、１つ以上のスクリプト、又はソースコードを包含するものであり、この逆もまた然りである。特定の実施形態において、ソフトウェアは、１つ以上のアプリケーション・プログラミング・インタフェース（ＡＰＩ）を含む。この開示は、如何なる好適なプログラミング言語又は複数のプログラミング言語の組み合わせで書き込まれ、あるいはその他の方法で表現された、如何なる好適なソフトウェアをも意図している。特定の実施形態において、ソフトウェアはソースコード又はオブジェクトコードとして表現され得る。特定の実施形態において、ソフトウェアは、例えばＣ、Ｐｅｒｌ又はこれらの好適な拡張版など、より高級（高水準）なプログラミング言語で表現される。特定の実施形態において、ソフトウェアは、例えばアセンブリ言語（又は機械語）など、より低水準のプログラミング言語で表現される。特定の実施形態において、ソフトウェアはＪＡＶＡ（登録商標）、Ｃ又はＣ＋＋で表現される。特定の実施形態において、ソフトウェアはハイパーテキスト・マークアップ言語（ＨＴＭＬ）、拡張マークアップ言語（ＸＭＬ）、又はその他の好適なマークアップ言語で表現される。
【００４５】
ここでは、“又は”は、その他のことが明示的或いは文脈的に指し示されない限り、両立的なものであって排他的なものではない。故に、“Ａ又はＢ”は、その他のことが明示的或いは文脈的に指し示されない限り、“Ａ、Ｂ、又は双方”を意味する。また、“及び”は、その他のことが明示的或いは文脈的に指し示されない限り、結合及びそれぞれの双方である。故に、ここでは、“Ａ及びＢ”は、その他のことが明示的或いは文脈的に指し示されない限り、“結合的あるいは個別的にＡ及びＢ”を意味する。
【００４６】
この開示は、ここで例示した実施形態への、当業者に理解されるであろう全ての変更、代用、変形、改変及び改良を包含するものである。同様に、添付の請求項は適宜、ここで例示した実施形態への当業者に理解されるであろう全ての変更、代用、変形、改変及び改良を包含するものである。また、特定の機能を実行するように適応され、構成され、可能にされ、設定され、有効にされ、動作可能にされ、あるいは動作する装置若しくはシステム又はそれらの構成要素への、請求項中での参照は、装置、システム又は構成要素がそのように適応、構成、可能化、設定、有効化、動作可能化あるいは動作される限り、それ又はその特定機能が活性化され、オンにされ、あるいは解除されようとなかろうと、その装置、システム又は構成要素を包含するものである。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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