(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミックス層と、該セラミックス層の表面に形成され格子状に区画された複数個の電極を有する電極層とを交互に積層し、最上位層にセラミックス層を積層して矩形状に構成した積層セラミックスコンデンサー基板を、格子状に区画された個々のチップコンデンサーに分割する分割方法であって、
積層セラミックスコンデンサー基板にＩＤマークを設定するＩＤマーク設定工程と、
第１の加工装置を用い、積層セラミックスコンデンサー基板の向かい合う一対の辺に隣接して一対の傾斜溝を形成し該電極を表出する電極表出工程と、
該電極表出工程によって表出された該電極を撮像する撮像手段によって撮像し、各電極間の中間位置に関する切断座標値を検出し、ＩＤマークが設定された積層セラミックスコンデンサー基板の切断位置情報を作成する切断位置情報作成工程と、
第２の加工装置を用い、該切断位置情報作成工程が実施された積層セラミックスコンデンサー基板に設定されたＩＤマークを読み取ることにより該切断位置情報を取得し、該切断位置情報に基づいて積層セラミックスコンデンサー基板を切断する切断工程と、を含み、
該第２の加工装置は、積層セラミックスコンデンサー基板に形成された互いに交差する２本の傾斜溝の角度を検出する角度検出工程と、該角度検出工程において検出された２本の傾斜溝の角度が９０度でない角度（α）の場合には該切断位置情報を修正する切断位置情報修正工程を該切断工程の前に実施する、
ことを特徴とする積層セラミックスコンデンサー基板の分割方法。
【請求項２】
該切断位置情報修正工程は、各切断位置の間隔を該間隔にｓｉｎαを乗算した値に修正する、請求項１記載の積層セラミックスコンデンサー基板の分割方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、積層セラミックスコンデンサー基板を個々のチップコンデンサーに分割する積層セラミックスコンデンサー基板の分割方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
積層セラミックスコンデンサー基板は、セラミックス層と、該セラミックス層の表面に形成され格子状に区画された複数個の電極を有する電極層とを交互に積層し、最上位層にセラミック層を積層して矩形状に構成されている。この積層セラミックスコンデンサー基板の構造について、図１および図２を参照して説明する。図１および図２に示す積層セラミックスコンデンサー基板１０は、ガラス基板１１の表面に分離層となるテープ１２を介して形成される。即ち、図２に示すようにガラス基板１１の表面に貼着されたテープ１２上に生セラミックスが塗布され厚さ５μｍ程度の生セラミックス層１１０を形成し、この生セラミックス層１１０の表面に例えばバラジウムなどの電極金属をスクリーン印刷して厚さ１μｍ程度の電極層１２０を形成する。この電極層１２０は、図１に示すように格子状に区画された複数個の電極１２１が形成されている。このように形成された生セラミックス層１１０と電極層１２０を交互に２００層程度積層し、図２に示すように最上位層に生セラミック層１１０が形成されている。
【０００３】
上記のようにして構成された積層セラミックスコンデンサー基板１０は最上位層にセラミック層１１０が形成されており、表面から電極の位置を確認することができないので、個々のチップコンデンサーに分割するに際しては、電極１２１の位置を確認することができない。そこで、積層セラミックスコンデンサー基板１０の向かい合う一対の辺に隣接した領域に外周の断面形状がＶ字状の切削ブレードを用いてＶ溝を形成することにより、該Ｖ溝の壁面に表出された電極を認識するようにしている。このように構成された焼結前の生の積層セラミックスコンデンサー基板１０を個々のチップコンデンサーに分割するに際しては、積層セラミックスコンデンサー基板１０が積層されたテープ１２をガラス基板１１から剥離し、テープ１２を積層セラミックスコンデンサー基板１０が積層された状態で図３に示すように環状のフレームFに装着する。
【０００４】
上述した積層セラミックスコンデンサー基板１０を個々のチップコンデンサーに分割する方法が下記特許文献１に開示されている。
下記特許文献１に開示された積層セラミックスコンデンサー基板の分割方法は、以下に述べる工程を経て個々のチップコンデンサーに分割する。
（１）積層セラミックスコンデンサー基板１０の向かい合う一対の辺に隣接した領域に外周の断面形状がＶ字状の切削ブレードを用いて切削し幅が１〜２ｍｍのＶ溝を形成して、電極を表出する電極表出工程。
（２）電極表出工程によって表出された電極を撮像手段によって撮像して検出するとともに、撮像手段と積層セラミックスコンデンサー基板１０を相対的に割り出し送りしつつ切削領域を設定するアライメント工程。
（３）アライメント工程によって設定された切削領域に切断用切削ブレードを位置付け、切削ブレードと積層セラミックスコンデンサー基板１０を相対的に切削送りすることにより個々のセラミックスコンデンサーに分割する分割工程。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特許第４５０９２４３号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上記特許文献１に開示された積層セラミックスコンデンサー基板の分割方法は、Ｖ字状の切削ブレードを備えた切削手段と切断用切削ブレードを備えた切削手段とを装備した１台の切削装置によって実施するため、Ｖ字状の切削ブレードを備えた切削手段によってＶ溝を形成して切削領域を設定するアライメント工程を実施している間は切断用切削ブレードを備えた切削手段は休止しており、逆に切断用切削ブレードを備えた切削手段によって分割工程を実施している間はＶ字状の切削ブレードを備えた切削手段は休止しているため、生産性が悪いという問題がある。
また、Ｖ字状の切削ブレードを備えた切削手段によってＶ溝を形成する電極表出工程に要する時間は、切断用切削ブレードを備えた切削手段によって切断する分割工程に要する時間の二分の一以下であるため、Ｖ字状の切削ブレードを備えた切削手段は稼働時間の２倍以上が休止しているため特に生産性が悪い。
【０００７】
本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術的課題は、積層セラミックスコンデンサー基板を効率よく個々のチップコンデンサーに分割することができる積層セラミックスコンデンサー基板の分割方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、セラミックス層と、該セラミックス層の表面に形成され格子状に区画された複数個の電極を有する電極層とを交互に積層し、最上位層にセラミックス層を積層して矩形状に構成した積層セラミックスコンデンサー基板を、格子状に区画された個々のチップコンデンサーに分割する分割方法であって、
積層セラミックスコンデンサー基板にＩＤマークを設定するＩＤマーク設定工程と、
第１の加工装置を用い、積層セラミックスコンデンサー基板の向かい合う一対の辺に隣接して一対の傾斜溝を形成し該電極を表出する電極表出工程と、
該電極表出工程によって表出された該電極を撮像する撮像手段によって撮像し、各電極間の中間位置に関する切断座標値を検出し、ＩＤマークが設定された積層セラミックスコンデンサー基板の切断位置情報を作成する切断位置情報作成工程と、
第２の加工装置を用い、該切断位置情報作成工程が実施された積層セラミックスコンデンサー基板に設定されたＩＤマークを読み取ることにより該切断位置情報を取得し、該切断位置情報に基づいて積層セラミックスコンデンサー基板を切断する切断工程と、を含み、
該第２の加工装置は、積層セラミックスコンデンサー基板に形成された互いに交差する２本の傾斜溝の角度を検出する角度検出工程と、該角度検出工程において検出された２本の傾斜溝の角度が９０度でない角度（α）の場合には該切断位置情報を修正する切断位置情報修正工程を該切断工程の前に実施する、
ことを特徴とする積層セラミックスコンデンサー基板の分割方法が提供される。
【０００９】
上記切断位置情報修正工程は、各切断位置の間隔を該間隔にsinαを乗算した値に修正する。
【発明の効果】
【００１０】
本発明による積層セラミックスコンデンサー基板の分割方法は、第１の加工装置と第２の加工装置を用い、第１の加工装置によって少なくとも電極表出工程を実施し、第２の加工装置によって作業時間を要する切断工程を実施するので、作業時間を勘案して第１の加工装置と第２の加工装置の台数を設定することにより、生産効率のよい生産ラインを構築することができる。
また、ＩＤマーク設定工程および切断位置情報作成工程をそれぞれ専用のＩＤマーク設定装置および切断位置情報作成装置を用いて実施し、第１の加工装置による電極表出工程および第２の加工装置による切断工程の所要時間を勘案して第１の加工装置１とＩＤマーク設定装置と切断位置情報作成装置および第２の加工装置の台数を設定することにより、生産効率のよい生産ラインを構築することができる。
更に、第１の加工装置によってＩＤマーク設定工程、電極表出工程および切断位置情報作成工程を実施し、第２の加工装置によって多くの作業時間を要する切断工程を実施することにより、両加工装置による作業時間を平均化することができ、生産性を向上することができる。
また、第２の加工装置は、積層セラミックスコンデンサー基板に形成された互いに交差する２本の傾斜溝の角度を検出する角度検出工程と、該角度検出工程において検出された２本の傾斜溝の角度が９０度でない角度（α）の場合には該切断位置情報を修正する切断位置情報修正工程を該切断工程の前に実施するので、生の積層セラミックスコンデンサー基板を搬送する際に歪が生じても、所定の切断位置で切断することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明による積層セラミックスコンデンサー基板の分割方法によって個々のチップコンデンサーに分割される積層セラミックスコンデンサー基板の一部を破断して示す斜視図。
【図２】図１に示す積層セラミックスコンデンサー基板のＡ−Ａ断面拡大図。
【図３】図１に示す積層セラミックスコンデンサー基板が積層されたテープを環状のフレームに装着した状態を示す斜視図。
【図４】本発明による積層セラミックスコンデンサー基板の分割方法を実施するための第１の加工装置を示す斜視図。
【図５】図４に示す第１の加工装置に装備される制御手段のブロック図。
【図６】本発明による積層セラミックスコンデンサー基板の分割方法におけるIDマーク設定工程が実施された積層セラミックスコンデンサー基板の平面図。
【図７】本発明による積層セラミックスコンデンサー基板の分割方法における電極表出工程が実施された積層セラミックスコンデンサー基板の平面図。
【図８】本発明による積層セラミックスコンデンサー基板の分割方法を実施するための第２の加工装置を示す斜視図。
【図９】図８に示す第２の加工装置に装備される制御手段のブロック図。
【図１０】本発明による積層セラミックスコンデンサー基板の分割方法における角度検出工程の説明図。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明による積層セラミックスコンデンサー基板の分割方法の好適な実施形態について、添付図面を参照して更に詳細に説明する。
【００１３】
図４には、本発明による積層セラミックスコンデンサー基板の分割方法に用いる第１の加工装置の斜視図が示されている。
図４に示された第１の加工装置１は、静止基台２と、該静止基台２に矢印Ｘで示す加工送り方向（X軸方向）に移動可能に配設され被加工物を保持するチャックテーブル機構３と、静止基台２に加工送り方向（X軸方向）と直交する矢印Ｙで示す割り出し送り方向（Y軸方向）に移動可能に配設されたスピンドル支持機構４と、該スピンドル支持機構４に後述するチャックテーブルの保持面に対して垂直な矢印Ｚで示す切り込み送り方向（Z軸方向）に移動可能に配設された切削手段としてのスピンドルユニット５およびレーザー光線照射手段６を具備している。
【００１４】
上記チャックテーブル機構３は、静止基台２上に矢印Ｘで示す加工送り方向（X軸方向）に沿って平行に配設された一対の案内レール３１、３１と、該案内レール３１、３１上に加工送り方向（X軸方向）に移動可能に配設された第一の滑動ブロック３２と、該第１の滑動ブロック３２上に割り出し送り方向（Y軸方向）に移動可能に配設された第２の滑動ブロック３３と、該第２の滑動ブロック３３上に円筒部材３４によって支持されたカバーテーブル３５と、被加工物保持手段としてのチャックテーブル３６を具備している。このチャックテーブル３６は多孔性材料から形成された吸着チャック３６１を具備しており、吸着チャック３６１の上面である保持面上に被加工物である例えば円盤状の半導体ウエーハを図示しない吸引手段によって保持するようになっている。このように構成されたチャックテーブル３６は、円筒部材３４内に配設されたパルスモータ３４０(M1)によって回転せしめられる。なお、チャックテーブル３６には、上記環状のフレームFを固定するためのクランプ３６２が配設されている。
【００１５】
上記第１の滑動ブロック３２は、その下面に上記一対の案内レール３１、３１と嵌合する一対の被案内溝３２１、３２１が設けられているとともに、その上面に割り出し送り方向（Y軸方向）に沿って平行に形成された一対の案内レール３２２、３２２が設けられている。このように構成された第１の滑動ブロック３２は、被案内溝３２１、３２１が一対の案内レール３１、３１に嵌合することにより、一対の案内レール３１、３１に沿って加工送り方向（X軸方向）に移動可能に構成される。図示の実施形態におけるチャックテーブル機構３は、第１の滑動ブロック３２を一対の案内レール３１、３１に沿って加工送り方向（X軸方向）に移動させるための加工送り手段３７を具備している。加工送り手段３７は、上記一対の案内レール３１と３１の間に平行に配設された雄ネジロッド３７１と、該雄ネジロッド３７１を回転駆動するためのパルスモータ３７２(M2)等の駆動源を含んでいる。雄ネジロッド３７１は、その一端が上記静止基台２に固定された軸受ブロック３７３に回転自在に支持されており、その他端が上記パルスモータ３７２(M2)の出力軸に伝動連結されている。なお、雄ネジロッド３７１は、第１の滑動ブロック３２の中央部下面に突出して設けられた図示しない雌ネジブロックに形成された貫通雌ネジ穴に螺合されている。従って、パルスモータ３７２(M2)によって雄ネジロッド３７１を正転および逆転駆動することにより、第一の滑動ブロック３２は案内レール３１、３１に沿って加工送り方向（X軸方向）に移動せしめられる。
【００１６】
図示の実施形態におけるチャックテーブル機構３は、チャックテーブル３６のX軸方向位置を検出するためのX軸方向位置検出手段３７４を具備している。X軸方向位置検出手段３７４は、上記案内レール３１に沿って配設されたリニアスケール３７４aと、第１の滑動ブロック３２に配設され第１の滑動ブロック３２とともにリニアスケール３７４aに沿って移動する読み取りヘッド３７４b(LS1)とからなっている。このX軸方向位置検出手段３７４の読み取りヘッド３７４b(LS1)は、図示の実施形態においては1μm毎に１パルスのパルス信号を後述する制御手段に送る。
【００１７】
上記第２の滑動ブロック３３は、その下面に上記第１の滑動ブロック３２の上面に設けられた一対の案内レール３２２、３２２と嵌合する一対の被案内溝３３１、３３１が設けられており、この被案内溝３３１、３３１を一対の案内レール３２２、３２２に嵌合することにより、割り出し送り方向（Y軸方向）に移動可能に構成される。図示の実施形態におけるチャックテーブル機構３は、第２の滑動ブロック３３を第１の滑動ブロック３２の上面に設けられた一対の案内レール３２２、３２２に沿って割り出し送り方向（Y軸方向）に移動させるための第１の割り出し送り手段３８を具備している。第１の割り出し送り手段３８は、上記一対の案内レール３２２と３２２の間に平行に配設された雄ネジロッド３8１と、該雄ネジロッド３8１を回転駆動するためのパルスモータ３8２(M3)等の駆動源を含んでいる。雄ネジロッド３8１は、その一端が上記第１の滑動ブロック３２の上面に固定された軸受ブロック３８３に回転自在に支持されており、その他端が上記パルスモータ３8２(M3)の出力軸に伝動連結されている。なお、雄ネジロッド３8１は、第２の滑動ブロック３３の中央部下面に突出して設けられた図示しない雌ネジブロックに形成された貫通雌ネジ穴に螺合されている。従って、パルスモータ３8２(M3)によって雄ネジロッド３8１を正転および逆転駆動することにより、第２の滑動ブロック３３は案内レール３２２、３２２に沿って割り出し送り方向（Y軸方向）に移動せしめられる。
【００１８】
図示の実施形態におけるチャックテーブル機構３は、上記第２の滑動ブロック３３(チャックテーブル３６)のY軸方向位置を検出するためのY軸方向位置検出手段３８４を備えている。Y軸方向位置検出手段３８４は、案内レール３２２に沿って配設されたリニアスケール３８４aと、第２の滑動ブロック３３に配設され第２の滑動ブロック３３とともにリニアスケール３８４aに沿って移動する読み取りヘッド３８４b(LS2)とからなっている。このY軸方向位置検出手段３８４の読み取りヘッド３８４b(LS2)は、図示の実施形態においては1μm毎に１パルスのパルス信号を後述する制御手段に送る。
【００１９】
上記スピンドル支持機構４は、静止基台２上に矢印Ｙで示す割り出し送り方向（Y軸方向）に沿って平行に配設された一対の案内レール４１、４１と、該案内レール４１、４１上に割り出し送り方向（Y軸方向）に移動可能に配設された可動支持基台４２を具備している。この可動支持基台４２は、案内レール４１、４１上に移動可能に配設された移動支持部４２１と、該移動支持部４２１に取り付けられた装着部４２２とからなっている。装着部４２２は、一側面にチャックテーブル３６の被加工物保持面に対して垂直な矢印Ｚで示す切り込み送り方向（Z軸方向）に延びる一対の案内レール４２３、４２３が平行に設けられている。図示の実施形態におけるスピンドル支持機構４は、可動支持基台４２を一対の案内レール４１、４１に沿って割り出し送り方向（Y軸方向）に移動させるための第２の割り出し送り手段４３を具備している。第２の割り出し送り手段４３は、上記一対の案内レール４１、４１の間に平行に配設された雄ネジロッド４３１と、該雄ネジロッド４３１を回転駆動するためのパルスモータ４３２(M4)等の駆動源を含んでいる。雄ネジロッド４３１は、その一端が上記静止基台２に固定された図示しない軸受ブロックに回転自在に支持されており、その他端が上記パルスモータ４３２(M4)の出力軸に伝動連結されている。なお、雄ネジロッド４３１は、可動支持基台４２を構成する移動支持部４２１の中央部下面に突出して設けられた図示しない雌ネジブロックに形成された雌ネジ穴に螺合されている。このため、パルスモータ４３２(M4)によって雄ネジロッド４３１を正転および逆転駆動することにより、可動支持基台４２は案内レール４１、４１に沿って割り出し送り方向（Y軸方向）に移動せしめられる。
【００２０】
図示の実施形態のおけるスピンドルユニット５は、ユニットホルダ５１と、該ユニットホルダ５１に取り付けられたスピンドルハウジング５２と、該スピンドルハウジング５２に回転可能に支持された回転スピンドル５３を具備している。ユニットホルダ５１は、上記装着部４２２に設けられた一対の案内レール４２３、４２３に摺動可能に嵌合する一対の被案内溝５１１、５１１が設けられており、この被案内溝５１１、５１１を上記案内レール４２３、４２３に嵌合することにより、チャックテーブル３６の保持面に対して垂直な切り込み送り方向（Z軸方向）に移動可能に支持される。上記回転スピンドル５３はスピンドルハウジング５２の先端から突出して配設されており、この回転スピンドル５３の先端部に傾斜溝を形成するためのＶ溝形成用切削ブレード５４が装着されている。このＶ溝形成用切削ブレード５４は、外周部の断面形状がＶ状に形成されたＶ溝形成用切れ刃を備えている。なお、Ｖ溝形成用切削ブレード５４を装着した回転スピンドル５３は、サーボモータ５５（Ｍ５）等の駆動源によって回転駆動せしめられる。
【００２１】
図示の実施形態におけるスピンドルユニット５は、ユニットホルダ５１を２本の案内レール４２３、４２３に沿って切り込み送り方向（Z軸方向）に移動させるための切り込み送り手段５６を具備している。切り込み送り手段５６は、上記加工送り手段３７や第１の割り出し送り手段３８および第２の割り出し送り手段４３と同様に案内レール４２３、４２３の間に配設された雄ネジロッド（図示せず）と、該雄ネジロッドを回転駆動するためのパルスモータ５６２（Ｍ６）等の駆動源を含んでおり、パルスモータ５６２（Ｍ６）によって図示しない雄ネジロッドを正転および逆転駆動することにより、ユニットホルダ５１とスピンドルハウジング５２および回転スピンドル５３を案内レール４２３、４２３に沿ってZ軸方向に移動せしめる。
【００２２】
図示の実施形態におけるスピンドルユニット５は、Ｖ溝形成用切削ブレード５４のZ軸方向位置（切り込み送り位置）を検出するためのZ軸方向位置検出手段５７を具備している。Z軸方向位置検出手段５７は、上記案内レール４２３、４２３と平行に配設されたリニアスケール５７aと、上記ユニットホルダ５１に取り付けられユニットホルダ５１とともにリニアスケール５７aに沿って移動する読み取りヘッド５７b（ＬＳ３）とからなっている。このZ軸方向位置検出手段５７の読み取りヘッド５７b（ＬＳ３）は、図示の実施形態においては1μm毎に１パルスのパルス信号を後述する制御手段に送る。
【００２３】
以上のように構成されたスピンドルユニット５のユニットホルダ５１には、レーザー光線照射手段６が取り付けられている。このレーザー光線照射手段６は、実質上水平に配置された円筒形状のケーシング６１を含んでいる。ケーシング６１内には図示しないＹＡＧレーザー発振器或いはＹＶＯ４レーザー発振器からなるパルスレーザー光線発振器や繰り返し周波数設定手段を備えたパルスレーザー光線発振手段が配設されている。上記ケーシング６１の先端部には、パルスレーザー光線発振手段から発振されたパルスレーザー光線を集光するための集光器６２が装着されている。
【００２４】
図示の実施形態における第１の加工装置１は、上記スピンドルハウジング５２の前端部に配設された撮像手段７（ＳＤ）を備えている。この撮像手段７（ＳＤ）は、複数個の画素からなる撮像素子（ＣＣＤ）および顕微鏡等の光学系等を備えており、撮像した画像信号を後述する制御手段に送る。このように構成された撮像手段７（ＳＤ）は、撮像領域の中心が上記Ｖ溝形成用切削ブレード５４および集光器６２とＸ軸方向の同一線上に配設されている。
【００２５】
図示の実施形態における第１の加工装置１は、図５に示すように制御手段２０を具備している。制御手段２０はコンピュータによって構成されており、制御プログラムに従って演算処理する中央処理装置（ＣＰＵ）２０１と、制御プログラム等を格納するリードオンリメモリ（ＲＯＭ）２０２と、演算結果等を格納する読み書き可能なランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）２０３と、入力インターフェース２０４および出力インターフェース２０５とを備えている。このように構成された制御手段２０の入力インターフェース２０４には、図４に示すX軸方向位置検出手段３７４の読み取りヘッド３７４b(LS1)、Y軸方向位置検出手段３８４の読み取りヘッド３８４b(LS2)、Z軸方向位置検出手段５７の読み取りヘッド５７b(LS3)、撮像手段７（ＳＤ）、入力手段(IM)等からの検出信号が入力される。また、出力インターフェース２０５からは上記パルスモータ３４０（Ｍ１）、パルスモータ３７２（Ｍ２）、パルスモータ３８２（Ｍ３）、パルスモータ４３２（Ｍ４）、サーボモータ５５（Ｍ５）、パルスモータ５６２（Ｍ６）、レーザー光線照射手段６および表示手段（ＤＰ）に制御信号を出力するとともに、後述する第２の切削装置に送信する送信手段(SM) に制御信号を出力する。
【００２６】
図示の実施形態における第１の加工装置１は以上のように構成されており、該第１の加工装置１を用いて実施する本発明による積層セラミックスコンデンサー基板の分割方法における、積層セラミックスコンデンサー基板１０にIDマークを設定するIDマーク設定工程について説明する。
図４に示す第１の加工装置１のチャックテーブル３６上に図３に示すように環状のフレームFに装着されたセラミックスコンデンサー基板１０が積層されているテープ１２側を載置する。そして、図示しない吸引手段を作動することにより、テープ１２を介してセラミックスコンデンサー基板１０をチャックテーブル３６上に吸引保持する（ウエーハ保持工程）。そして、セラミックスコンデンサー基板１０をテープ１２を介して支持している環状のフレームFはクランプ３６２によって固定される。このようにしてセラミックスコンデンサー基板１０を吸引保持したチャックテーブル３６は、撮像手段７（ＳＤ）の直下まで移動せしめられる。
【００２７】
チャックテーブル３６が撮像手段７（ＳＤ）の直下に位置付けられたならば、撮像手段７（ＳＤ）によってチャックテーブル３６に保持されたセラミックスコンデンサー基板１０を撮像してIDマークを加工する領域を確認し、このIDマーク加工領域をレーザー光線照射手段６の集光器６２の直下に位置付ける。そして、レーザー光線照射手段６を作動するとともに、加工送り手段３７と第１の割り出し送り手段３８を交互に作動してチャックテーブル３６に保持されたセラミックスコンデンサー基板１０のIDマーク加工領域に、図６に示すようにバーコードからなるIDマーク１００を形成する（IDマーク設定工程）。このIDマーク１００は、例えばオペレータが入力手段(IM)から入力したコード番号が制御手段２０からレーザー光線照射手段６に出力される制御信号に基づいて形成される。
【００２８】
上述したIDマーク設定工程を実施したならば、再度セラミックスコンデンサー基板１０を吸引保持したチャックテーブル３６を撮像手段７（ＳＤ）の直下まで移動し、撮像手段７（ＳＤ）によって、セラミックスコンデンサー基板１０の一辺を検出し、この一辺を図４において矢印Ｘで示す加工送り方向に一致させるようにチャックテーブル３６を回動調整する。そして、Ｖ溝形成用切削ブレード５４とセラミックスコンデンサー基板１０の一辺から所定距離内側の切削領域との位置合わせ作業が行われる。その後、Ｖ溝形成用切削ブレード５４を所定の方向に回転させつつ、セラミックスコンデンサー基板１０を吸引保持したチャックテーブル３６を矢印Ｘで示す加工送り方向（Ｖ溝形成用切削ブレード５４の回転軸と直交する方向）に移動することにより、図７に示すようにセラミックスコンデンサー基板１０の表面に幅が１〜２ｍｍのＶ溝１３０を形成する。このＶ溝形成作業を図７に示すように向かい合う一対の辺に隣接した切削領域に実施することにより、各Ｖ溝１３０に電極１２１が表出する（電極表出工程）。
【００２９】
次に、チャックテーブル３６を撮像手段７（ＳＤ）の直下に位置付ける。そして、上述した電極表出工程によってＶ溝１３０に表出された電極１２１に基づいて、各電極１２１間の中間位置に関する切断座標値を検出し、IDマーク１００が設定された積層セラミックスコンデンサー基板１０の切断位置情報を作成する切断位置情報作成工程を実行する。即ち、撮像手段７（ＳＤ）の直下に予め設定された第１番目の電極１２１が形成された個所を位置付け、撮像手段７（ＳＤ）によって撮像して確認し、その座標値を制御手段２０のランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）２０３に一時格納する。このようにして第１番目の電極１２１の座標値をランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）２０３に格納したならば、撮像手段７（ＳＤ）を予め設定された切削すべき領域の間隔に対応させて図４において矢印Ｙで示す方向に割り出し送りし、次の電極１２１を撮像してその座標値を検出する。そして、この電極１２１の座標値検出作業をＶ溝１３０に表出された全ての電極１２１について実行する。そして、制御手段２０は、各電極１２１の中間位置を求め、この中間位置座標値を切断座標値としてランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）２０３に一時格納する。また、制御手段２０は、対向する電極１２１と電極１２１を結ぶ直線がX軸方向に対して傾斜しているかを検出し、その傾斜角（θ）をランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）２０３に一時格納する。
【００３０】
以上のようにして、切断位置情報作成工程を実行したならば、制御手段２０はセラミックスコンデンサー基板１０の切断座標値とともに設定されたIDマーク１００を後述する第２の加工装置に送信する（切断位置情報送信工程）。
なお、上述した実施形態においてはIDマーク設定工程を電極表出工程の前に実施した例を示したが、IDマーク設定工程は切断位置情報作成工程の前または後でもよい。
【００３１】
次に、本発明による積層セラミックスコンデンサー基板の分割方法における切断工程を実施するための第２の加工装置について、図８を参照して説明する。
図８に示す第２の加工装置１aは、上記第１の加工装置１におけるレーザー光線照射手段６を具備していないとともに、後述するバーコードリーダーを備えている以外は第１の加工装置１と実質的に同一であるため、同一部材には同一符号を付してその説明は省略する。なお、図８に示す第２の加工装置１aにおける回転スピンドル５３の先端部に装着される切断用切削ブレード５４aは、厚みが例えば３０μm程度に形成されている。
【００３２】
図８に示す第２の加工装置１aは、上述したようにセラミックスコンデンサー基板１０に設定されたバーコードからなるIDマーク１００を読み取るためのバーコードリーダー８を具備している。このバーコードリーダー８は、撮像手段７（ＳＤ）とＸ軸方向に隣接して配設されている。
【００３３】
図８に示す第２の加工装置１aは、図９に示すように制御手段２０aを具備している。制御手段２０aも上記図５に示す制御手段２０と同様にコンピュータによって構成されており、制御プログラムに従って演算処理する中央処理装置（ＣＰＵ）２０１と、制御プログラム等を格納するリードオンリメモリ（ＲＯＭ）２０２と、演算結果等を格納する読み書き可能なランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）２０３と、入力インターフェース２０４および出力インターフェース２０５とを備えている。このように構成された制御手段２０ａの入力インターフェース２０４には、図８に示すX軸方向位置検出手段３７４の読み取りヘッド３７４b(LS1)、Y軸方向位置検出手段３８４の読み取りヘッド３８４b(LS2)、Z軸方向位置検出手段５７の読み取りヘッド５７b(LS3)、撮像手段７（ＳＤ）、バーコードリーダー８(BR)、上記制御手段２０から送信されるデータを受信する受信手段(RM)等からの検出信号が入力される。また、出力インターフェース２０５からは上記パルスモータ３４０（Ｍ１）、パルスモータ３７２（Ｍ２）、パルスモータ３８２（Ｍ３）、パルスモータ４３２（Ｍ４）、サーボモータ５５（Ｍ５）、パルスモータ５６２（Ｍ６）および表示手段（ＤＰ）に制御信号を出力する。
【００３４】
図８に示す第２の加工装置１aは以上のように構成されており、以下この第２の加工装置１aを用いて実施する本発明による積層セラミックスコンデンサー基板の分割方法における切断工程について説明する。
上述したように第１の加工装置１によってIDマーク設定工程、電極表出工程および切断位置情報作成工程が実施された積層セラミックスコンデンサー基板１０は、第１の加工装置１のチャックテーブル３６から取り外され、図８に示す第２の加工装置１aのチャックテーブル３６上にテープ１２側を載置する。そして、図示しない吸引手段を作動することにより、テープ１２を介して積層セラミックスコンデンサー基板１０をチャックテーブル３６上に吸引保持する（ウエーハ保持工程）。そして、積層セラミックスコンデンサー基板１０をテープ１２を介して支持している環状のフレームFは、クランプ３６２によって固定される。このようにして積層セラミックスコンデンサー基板１０を吸引保持したチャックテーブル３６は、バーコードリーダー8(BR)の直下まで移動せしめられる。
【００３５】
積層セラミックスコンデンサー基板１０を吸引保持したチャックテーブル３６をバーコードリーダー8(BR)の直下まで移動させたならば、バーコードリーダー8(BR)を作動してセラミックスコンデンサー基板１０に設定されたバーコードからなるIDマーク１００を読み取り、読み取ったIDマーク情報を制御手段２０aに送る（IDマーク読み取り工程）。このようにチャックテーブル３６に保持された積層セラミックスコンデンサー基板１０に設定されたバーコードからなるIDマーク情報を入力した制御手段２０aは、該IDマーク１００と上記第１の加工装置１の制御手段２０から送信されたIDマーク１００に対応する積層セラミックスコンデンサー基板１０の切断位置情報を照合して、この切断位置情報に基づいて以下の通り切断工程を実施する。
【００３６】
上記IDマーク読み取り工程を実施したならば、積層セラミックスコンデンサー基板１０を吸引保持したチャックテーブル３６を撮像手段７（ＳＤ）の直下に移動する。そして、撮像手段７（ＳＤ）および制御手段２０aは、電極表出工程で形成されたＶ溝１３０を撮像して図１０に示すように積層セラミックスコンデンサー基板１０に形成された互いに交差する２本のＶ溝１３０の角度（α）、即ちX軸ストリートに沿って形成されたＶ溝１３０とY軸ストリートに沿って形成されたＶ溝１３０とのなす角度（α）を検出し、検出した角度（α）をランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）２０３に一時格納する。なお、積層セラミックスコンデンサー基板１０にX軸ストリートに沿って形成されたＶ溝１３０とY軸ストリートに沿って形成されたＶ溝１３０とのなす角度（α）は、上記電極表出工程を実施した状態においては直角（９０度）であるが、生の積層セラミックスコンデンサー基板１０であるため搬送する際に歪が生ずる。従って、この歪を後述するように補正するために、上記角度（α）を検出する（角度検出工程）。この角度検出工程において上記角度（α）が直角（９０度）でない場合には、制御手段２０aは上記切断位置情報における各切断位置の間隔を該間隔にsinαを乗算した値に修正する（切断位置情報修正工程）。
【００３７】
上述したように角度検出工程および切断位置情報修正工程を実施したならば、X軸ストリートに沿って形成されたＶ溝１３０を図８において矢印Ｘで示す加工送り方向に一致させるようにチャックテーブル３６を回動調整する。次に、加工送り手段３７および第１の割り出し送り手段３８を作動して、チャックテーブル３６に保持された積層セラミックスコンデンサー基板１０におけるIDマーク１００を読み取ることによって得られた切断位置情報に基づいて切断位置を切断用切削ブレード５４aの直下に位置付ける。そして、切断用切削ブレード５４aを所定の方向に回転させつつ切り込み送りし、積層セラミックスコンデンサー基板１０を吸引保持したチャックテーブル３６を加工送り方向に所定の加工送り速度で加工送りする。この結果、チャックテーブル３６に保持された積層セラミックスコンデンサー基板１０は、Ｘ軸ストリートに沿って切断される（切断工程）。
【００３８】
上記のようにして、積層セラミックスコンデンサー基板１０のＸ軸ストリートの全てに沿って切断工程を実施したならば、チャックテーブル３６を上記角度検出工程によって検出された積層セラミックスコンデンサー基板１０にX軸ストリートに沿って形成されたＶ溝１３０とY軸ストリートに沿って形成されたＶ溝１３０とのなす角度（α）だけ回動し、Ｙ軸ストリートに沿って形成されたＶ溝１３０を図８において矢印Ｘで示す加工送り方向に位置付ける（補正工程）。そして、上述した積層セラミックスコンデンサー基板１０の切断位置情報に基づいて、Ｙ軸ストリートに沿って上記切断工程を実施する。
【００３９】
以上のように図示の実施形態における積層セラミックスコンデンサー基板の分割方法は、第１の加工装置１と第２の加工装置１aを用い、第１の加工装置１によってIDマーク設定工程、電極表出工程および切断位置情報作成工程を実施し、第２の加工装置１aによって多くの作業時間を要する切断工程を実施するので、両加工装置による作業時間を平均化することができ、生産性を向上することができる。
なお、上述した実施形態においては第１の加工装置１によってIDマーク設定工程、電極表出工程および切断位置情報作成工程を実施する例を示したが、IDマーク設定工程および切断位置情報作成工程をそれぞれ専用のIDマーク設定装置および切断位置情報作成装置を用いて実施してもよい。そして、各工程の所要時間を勘案して第１の加工装置１とIDマーク設定装置と切断位置情報作成装置および第２の加工装置１aの台数を設定することにより、生産効率のよい生産ラインを構築することができる。
【符号の説明】
【００４０】
１：第１の加工装置
１ａ：第２の加工装置
２：静止基台
３：チャックテーブル機構
３６：チャックテーブル
３７：加工送り手段
３７４：X軸方向位置検出手段
３８：第１の割り出し送り手段
３８４：Y軸方向位置検出手段
４：スピンドル支持機構
４３：第２の割り出し送り手段
５：スピンドルユニット
５１：ユニットホルダ
５２：スピンドルハウジング
５３：回転スピンドル
５４：Ｖ溝形成用切削ブレード
５４ａ：切断用切削ブレード
５６：切り込み送り手段
５７：Z軸方向位置検出手段
６：レーザー光線照射手段
７：撮像手段（ＳＤ）
１０：積層セラミックスコンデンサー基板
１００：IDマーク
１１０：生セラミックス層
１２０：電極層
１２１：電極
１３０：Ｖ溝
２０：制御手段
２０ａ：制御手段
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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