(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の主面以上の大きさの第１基板接触面を有し且つ処理液を吸収可能で弾性変形可能な全面処理スポンジと、基板の主面よりも小さい第２基板接触面を有し且つ処理液を吸収可能で弾性変形可能な部分処理スポンジと、を含むスポンジと、
前記スポンジに処理液を供給する処理液供給手段と、
基板を保持する基板保持手段と、
前記スポンジと前記基板保持手段に保持されている基板の主面とを相対移動させて両者を接触させることにより、前記スポンジに吸収されている処理液を前記基板の主面に供給させる接触手段と、
前記接触手段を制御することにより、前記全面処理スポンジおよび部分処理スポンジのうちのいずれか一方のスポンジと前記基板保持手段に保持されている基板の主面とを接触させる接触制御手段とを含む、基板処理装置。
【請求項２】
前記基板処理装置は、
基板の汚染状態を測定する汚染状態測定手段と、
前記汚染状態測定手段の測定結果に基づいて前記全面処理スポンジおよび部分処理スポンジのうちのいずれか一方のスポンジを選択するスポンジ選択手段と、
前記スポンジ選択手段によって前記部分処理スポンジが選択されたときに、基板の主面において前記部分処理スポンジが接触する部分を、前記汚染状態測定手段の測定結果に基づいて基板ごとに設定する接触位置設定手段とをさらに含み、
前記接触制御手段は、前記接触手段を制御することにより、前記接触位置設定手段により設定された部分と前記部分処理スポンジとが接触するように、前記部分処理スポンジと前記基板保持手段に保持されている基板の主面とを相対移動させる、請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記スポンジを洗浄するスポンジ洗浄手段をさらに含む、請求項１または２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記スポンジ洗浄手段は、
前記スポンジが浸漬される処理液を貯留する洗浄槽と、
前記洗浄槽に貯留されている処理液に前記スポンジが浸漬されている状態で前記スポンジを保持するスポンジ保持手段と、
前記スポンジ保持手段に保持されている前記スポンジを圧縮させる圧縮手段とを含む、請求項３記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記スポンジ洗浄手段は、前記洗浄槽に貯留されている処理液を循環させる循環配管と、前記循環配管を流れる処理液から異物を除去するフィルタとをさらに含む、請求項４記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記スポンジと前記基板保持手段に保持されている基板の主面とが接触している状態で前記スポンジと前記基板とを相対移動させて、前記スポンジと前記基板とを摺動させる摺動手段をさらに含む、請求項１〜５のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項７】
基板の汚染状態を測定する汚染状態測定手段と、
前記摺動手段を制御することにより、前記汚染状態測定手段の測定結果に基づいて前記スポンジと前記基板との摺動を制御する摺動制御手段とをさらに含む、請求項６記載の基板処理装置。
【請求項８】
基板の汚染状態を測定する汚染状態測定手段と、
前記基板保持手段に保持されている基板の主面に対する前記スポンジの押し付け量を変更する押し付け量変更手段と、
前記押し付け量変更手段を制御することにより、前記汚染状態測定手段の測定結果に基づいて前記押し付け量を変更する押し付け量制御手段とをさらに含む、請求項１〜７のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項９】
基板の温度を変化させる温度変更手段をさらに含む、請求項１〜８のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項１０】
前記温度変更手段は、基板を加熱する加熱手段と、基板を冷却する冷却手段と、前記加熱手段および冷却手段によって基板の加熱および冷却を交互に実行させる温度制御手段とを含む、請求項９記載の基板処理装置。
【請求項１１】
基板にリンス液を供給するリンス液供給手段と、
基板を乾燥させる乾燥手段と、
前記スポンジから基板への処理液の供給が行われる供給ステーションと、
前記リンス液供給手段から基板へのリンス液の供給および前記乾燥手段による基板の乾燥が行われるリンス・乾燥ステーションと、
基板の搬入および搬出が行われる搬入・搬出ステーションとをさらに含み、
基板が、前記搬入・搬出ステーションから前記供給ステーションに移動し、その後、前記供給ステーションから前記リンス・乾燥ステーションを通って前記搬入・搬出ステーションに移動するように、前記基板を搬送する搬送手段とをさらに含む、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項１２】
前記基板処理装置は、基板が搬送される搬送路をさらに含み、
前記搬入・搬出ステーション、前記リンス・乾燥ステーション、および前記供給ステーションは、この順番で前記搬送路に沿って配置されており、
前記搬送手段は、前記搬送路に沿って基板を搬送する、請求項１１記載の基板処理装置。
【請求項１３】
基板の主面以上の大きさの第１基板接触面を有し且つ処理液を吸収可能で弾性変形可能な全面処理スポンジと、基板の主面よりも小さい第２基板接触面を有し且つ処理液を吸収可能で弾性変形可能な部分処理スポンジと、の一方のスポンジに処理液供給手段によって処理液を供給し、前記一方のスポンジに処理液を吸収させるステップと、
処理液を吸収した前記一方のスポンジと基板保持手段に保持されている基板の主面とを接触手段によって相対移動させて接触させ、前記一方のスポンジに吸収されている処理液を前記基板の主面に供給させるステップとを含む、基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、基板を処理する基板処理装置および基板処理方法に関する。処理対象となる基板には、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、ＦＥＤ（Field Emission Display）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、太陽電池用基板などが含まれる。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置や液晶表示装置などの製造工程では、半導体ウエハや液晶表示装置用ガラス基板などの基板を処理する基板処理装置が用いられる。
複数枚の基板を一括して処理するバッチ式の基板処理装置は、たとえば、薬液が貯留された薬液処理槽と、リンス液が貯留されたリンス処理槽と、これらの処理槽の間で複数枚の基板を一括して搬送する搬送ロボットとを備えている（例えば特許文献１参照）。基板が処理されるときには、複数枚の基板が搬送ロボットによって薬液処理槽およびリンス処理槽に順次搬送される。
【０００３】
一方、基板を一枚ずつ処理する枚葉式の基板処理装置は、たとえば、一枚の基板を水平に保持して回転させるスピンチャックと、スピンチャックに保持された基板の上面に向けて処理液を吐出する処理液ノズルとを備えている（例えば特許文献２参照）。基板が処理されるときには、回転状態の基板に向けて処理液ノズルから薬液およびリンス液が順次吐出される。処理液ノズルから吐出された薬液およびリンス液は、基板に供給された後、基板の周囲に飛散する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平５−１９０５２９号公報
【特許文献２】特開２０１０−１７７３７１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
バッチ式の基板処理装置では、処理される基板の枚数に拘わらず処理槽内に一定量の処理液を貯留する必要がある。したがって、処理液の消費量を低減することが困難である。一方、枚葉式の基板処理装置では、基板に供給された処理液が基板から排出されるから、基板に処理液を供給し続ける必要がある。そのため、処理液の消費量を低減することが困難である。
【０００６】
そこで、この発明の目的は、処理液の消費量を低減することができる基板処理装置および基板処理方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
前記目的を達成するための請求項１記載の発明は、基板の主面以上の大きさの第１基板接触面（４１ａ，４１ｂ）を有し且つ処理液を吸収可能で弾性変形可能な全面処理スポンジ（４１）と、基板の主面よりも小さい第２基板接触面（４９ａ、４９ｂ）を有し且つ処理液を吸収可能で弾性変形可能な部分処理スポンジ（４９）と、を含むスポンジ（４１、４９）と、前記スポンジに処理液を供給する処理液供給手段（４０、４８）と、基板（Ｗ）を保持する基板保持手段（２１、２６０）と、前記スポンジと前記基板保持手段に保持されている基板の主面とを相対移動させて両者を接触させることにより、前記スポンジに吸収されている処理液を前記基板の主面に供給させる接触手段（２１、２２１）と、前記接触手段を制御することにより、前記全面処理スポンジおよび部分処理スポンジのうちのいずれか一方のスポンジと前記基板保持手段に保持されている基板の主面とを接触させる接触制御手段（４）とを含む、基板処理装置（１、２０１）である。基板の主面は、デバイス形成面である表面であってもよいし、表面とは反対側の裏面であってもよい。なお、この項において、括弧内の英数字は、後述の実施形態における対応構成要素の参照符号を表すものであるが、これらの参照符号により特許請求の範囲を限定する趣旨ではない。
【０００８】
この構成によれば、接触手段が、処理液供給手段によって処理液が供給されたスポンジと基板保持手段に保持されている基板とを相対移動させて、スポンジと基板の主面とを接触させる。これにより、スポンジが弾性変形して、スポンジに吸収されている処理液が染み出る。そのため、薄い液膜（処理液の液膜）が形成され、この液膜によって基板の主面（主面の一部であってもよいし、全部であってもよい）が覆われる。したがって、基板においてスポンジが接触した部分に処理液を確実に供給することできる。さらに、スポンジと基板との接触により処理液が基板に一瞬で供給されるから、処理液の供給に要する時間を短縮することができる。しかも、基板の主面に供給された処理液は、基板の主面におけるスポンジとの接触部分を覆う必要最低限の量であるから、処理液の消費量を低減することができる。
【００１０】
さらに、接触手段が接触制御手段によって制御されることにより、全面処理スポンジおよび部分処理スポンジのうちのいずれか一方のスポンジと基板とが接触する。全面処理スポンジは、基板の主面以上の大きさの第１基板接触面を有しているから、接触制御手段が全面処理スポンジと基板とを接触させることにより、基板の主面の全域に処理液を一瞬で供給することができる。一方、部分処理スポンジは、基板の主面よりも小さい第２基板接触面を有しているから、接触制御手段が部分処理スポンジと基板とを接触させることにより、基板の主面の一部に処理液を供給することができる。したがって、処理液の供給が必要でない部分に処理液が供給されることを抑制または防止することができる。
【００１１】
基板の主面において部分処理スポンジが接触する部分は、予め定められた部分であってもよいし、基板ごとに設定される部分であってもよい。
基板の主面において部分処理スポンジが接触する部分が基板ごとに設定される場合、請求項２記載の発明のように、前記基板処理装置は、基板の汚染状態を測定する汚染状態測定手段（８）と、前記汚染状態測定手段の測定結果に基づいて前記全面処理スポンジおよび部分処理スポンジのうちのいずれか一方のスポンジを選択するスポンジ選択手段（４）と、前記スポンジ選択手段によって前記部分処理スポンジが選択されたときに、基板の主面において前記部分処理スポンジが接触する部分を、前記汚染状態測定手段の測定結果に基づいて基板ごとに設定する接触位置設定手段（４）とをさらに含み、前記接触制御手段は、前記接触手段を制御することにより、前記接触位置設定手段により設定された部分と前記部分処理スポンジとが接触するように、前記部分処理スポンジと前記基板保持手段に保持されている基板の主面とを相対移動させてもよい。
【００１２】
この構成によれば、汚染状態測定手段によって基板の汚染状態が測定される。スポンジ選択手段は、汚染状態測定手段の測定結果に基づいて全面処理スポンジおよび部分処理スポンジのうちのいずれか一方のスポンジを選択する。接触位置設定手段は、スポンジ選択手段が部分処理スポンジを選択したときに、基板の主面において部分処理スポンジが接触する部分を汚染状態測定手段の測定結果に基づいて基板ごとに設定する。そして、接触制御手段は、接触手段を制御することにより、接触位置設定手段により設定された部分と部分処理スポンジとを接触させる。したがって、基板の汚染されている部分に部分処理スポンジを確実に接触させて、この部分に処理液を確実に供給することができる。これにより、基板の清浄度を向上させることができる。
【００１３】
請求項３記載の発明は、前記スポンジを洗浄するスポンジ洗浄手段（５６）をさらに含む、請求項１または２に記載の基板処理装置である。
本発明の他の実施形態は、処理液を吸収可能で弾性変形可能なスポンジ（４１、４９）と、前記スポンジに処理液を供給する処理液供給手段（４０、４８）と、基板（Ｗ）を保持する基板保持手段（２１、２６０）と、前記スポンジと前記基板保持手段に保持されている基板の主面とを相対移動させて両者を接触させることにより、前記スポンジに吸収されている処理液を前記基板の主面に供給させる接触手段（２１、２２１）と、を含む、基板処理装置（１、２０１）を提供する。本発明の他の実施形態に係る基板処理装置は、前記スポンジ洗浄手段（５６）をさらに含んでいてもよい。
これら構成によれば、スポンジ洗浄手段によってスポンジが洗浄される。これにより、スポンジから異物が除去される。そのため、スポンジと基板とが接触したときに、スポンジから基板に異物が移動して、基板が汚染されることを抑制または防止することができる。
【００１４】
請求項４記載の発明は、前記スポンジ洗浄手段は、前記スポンジが浸漬される処理液を貯留する洗浄槽（４０、４８）と、前記洗浄槽に貯留されている処理液に前記スポンジが浸漬されている状態で前記スポンジを保持するスポンジ保持手段（４２、５０、２２５）と、前記スポンジ保持手段に保持されている前記スポンジを圧縮させる圧縮手段（２１、４３）とを含む、請求項３記載の基板処理装置である。
【００１５】
この構成によれば、圧縮手段は、スポンジ保持手段に保持されているスポンジを圧縮させることができる。したがって、スポンジは、洗浄槽に貯留されている処理液に浸漬されている状態で圧縮される。圧縮手段が、その後にスポンジの圧縮を解除すると、スポンジはその弾性によって元の形状に膨張して復元する。これにより、スポンジは、その吸収力によって処理液を吸収する。スポンジが圧縮されると、スポンジの表面に付着している異物や、スポンジの内部に保持されている異物が、スポンジに吸収されている処理液と共にスポンジから排出される。これにより、スポンジから異物が除去される。
【００１６】
基板処理装置は、圧縮手段を繰り返し作動させてスポンジの圧縮／膨張を繰り返してもよい。すなわち、圧縮手段の作動が繰り返し行われることにより、スポンジの圧縮／膨張が繰り返し行われてもよい。この場合、スポンジによる処理液の吸収および排出が繰り返し行われ、スポンジから異物が確実に除去される。したがって、スポンジと基板とが接触したときに、スポンジから基板に異物が移動して、基板が汚染されることを抑制または防止することができる。
【００１７】
請求項５記載の発明は、前記スポンジ洗浄手段は、前記洗浄槽に貯留されている処理液を循環させる循環配管（４４）と、前記循環配管を流れる処理液から異物を除去するフィルタ（４６）とをさらに含む、請求項４記載の基板処理装置である。
この構成によれば、洗浄槽に貯留されている処理液が、循環配管に排出され、循環配管を通って再び洗浄槽に戻る。これにより、洗浄槽に貯留されている処理液が循環する。循環配管を流れる処理液に含まれる異物は、フィルタによって除去される。したがって、洗浄槽に貯留されている処理液に含まれる異物が、スポンジに付着することを抑制または防止することができる。これにより、スポンジと基板とが接触したときに、スポンジから基板に異物が移動して、基板が汚染されることを抑制または防止することができる。
【００１８】
請求項６記載の発明は、前記スポンジと前記基板保持手段に保持されている基板の主面とが接触している状態で前記スポンジと前記基板とを相対移動させて、前記スポンジと前記基板とを摺動させる摺動手段（２１、２２１）をさらに含む、請求項１〜５のいずれか一項に記載の基板処理装置である。
この構成によれば、摺動手段が、スポンジと基板とを摺動させる。これにより、基板の主面に付着している異物がスポンジによって擦り取られる。これにより、基板の清浄度を向上させることができる。
【００１９】
スポンジと基板との摺動は、スポンジと基板とが接触するときに毎回行われてもよいし、基板の汚染状態に応じて行われてもよい。具体的には、請求項７記載の発明のように、前記基板処理装置は、基板の汚染状態を測定する汚染状態測定手段（８）と、前記摺動手段を制御することにより、前記汚染状態測定手段の測定結果に基づいて前記スポンジと前記基板との摺動を制御する摺動制御手段（４）とをさらに含んでいてもよい。
【００２０】
この構成によれば、摺動制御手段が、汚染状態測定手段の測定結果に基づいてスポンジと基板との摺動を制御する。すなわち、たとえば基板の汚染度が高い場合、摺動制御手段は、摺動手段によってスポンジと基板とを摺動させる。一方、たとえば基板の汚染度が低い場合、摺動制御手段は、スポンジと基板とを摺動させない。このように、基板の汚染状態に応じてスポンジと基板との摺動が制御されるから、基板の清浄度を安定させることができる。
【００２１】
請求項８記載の発明は、基板の汚染状態を測定する汚染状態測定手段（８）と、前記基板保持手段に保持されている基板の主面に対する前記スポンジの押し付け量を変更する押し付け量変更手段（２１、２２１）と、前記押し付け量変更手段を制御することにより、前記汚染状態測定手段の測定結果に基づいて前記押し付け量を変更する押し付け量制御手段（４）とをさらに含む、請求項１〜７のいずれか一項に記載の基板処理装置である。
【００２２】
この構成によれば、押し付け量制御手段が、汚染状態測定手段の測定結果に基づいて基板の主面に対するスポンジの押し付け量を制御する。すなわち、たとえば基板の汚染度が高い場合、押し付け量制御手段は、押し付け量変更手段を制御し、基板の汚染度が低い場合に比べて押し付け量を増加させる。これにより、スポンジから染み出る処理液の量が増加し、基板に供給される処理液の量が増加する。このように、基板の汚染状態に応じて基板の主面に対する処理液の供給量が制御されるから、基板の清浄度を安定させることができる。
【００２３】
請求項９記載の発明は、基板の温度を変化させる温度変更手段（４７ａ、４７ｂ、２４７）をさらに含む、請求項１〜８のいずれか一項に記載の基板処理装置である。
この構成によれば、温度変更手段が、基板を加熱および／または冷却することにより、基板の温度を変化させる。これにより、基板が膨張および／または収縮する。また、基板の温度が変化することにより、基板に付着している異物の温度も変化し、この異物が膨張および／または収縮する。したがって、基板および異物の両方が膨張および／または収縮する。基板の膨張率と異物の膨張率が異なる場合、基板および異物が膨張および／または収縮することにより、基板と異物との接触状態が変化し、異物が基板から取れ易くなる。したがって、異物の除去率を向上させることができる。
【００２４】
請求項１０記載の発明は、前記温度変更手段は、基板を加熱する加熱手段（４７ａ）と、基板を冷却する冷却手段（４７ｂ）と、前記加熱手段および冷却手段によって基板の加熱および冷却を交互に実行させる温度制御手段（４）とを含む、請求項９記載の基板処理装置である。
この構成によれば、温度制御手段が加熱手段および冷却手段を制御することにより、基板の加熱および冷却が交互に実行される。したがって、基板の膨張率と異物の膨張率が異なる場合には、基板と異物との接触状態が変化し、異物が基板から取れ易くなる。特に、基板の加熱および冷却が交互に実行されるから、加熱だけまたは冷却だけが実行される場合に比べて、基板の温度差が大きくなる。そのため、異物が基板から一層取れ易くなる。これにより、異物の除去率を向上させることができる。
【００２５】
請求項１１記載の発明は、基板にリンス液を供給するリンス液供給手段（５１）と、基板を乾燥させる乾燥手段（２１）と、前記スポンジから基板への処理液の供給が行われる供給ステーション（１３、１５）と、前記リンス液供給手段から基板へのリンス液の供給および前記乾燥手段による基板の乾燥が行われるリンス・乾燥ステーション（１２）と、基板の搬入および搬出が行われる搬入・搬出ステーション（１１）とをさらに含み、基板が、前記搬入・搬出ステーションから前記供給ステーションに移動し、その後、前記供給ステーションから前記リンス・乾燥ステーションを通って前記搬入・搬出ステーションに移動するように、前記基板を搬送する搬送手段（２１）とをさらに含む、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の基板処理装置である。
【００２６】
この構成によれば、搬送手段が基板を搬送する。搬送手段によって搬送される基板は、搬入・搬出ステーションから供給ステーションに移動する。その後、この基板は、供給ステーションからリンス・乾燥ステーションを通って搬入・搬出ステーションに移動する。搬送手段によって搬送される基板は、供給ステーションでスポンジから供給される処理液によって処理される。また、搬送手段によって搬送される基板は、リンス・乾燥ステーションでリンス液供給手段から供給されるリンス液によって処理される。すなわち、基板に付着している処理液がリンス液によって洗い流される。その後、基板に付着しているリンス液が、リンス・乾燥ステーションで乾燥手段によって除去され、基板が乾燥する。このように、搬送手段が基板を搬送することにより、一連の処理が基板に施される。
【００２７】
請求項１２記載の発明は、前記基板処理装置は、基板が搬送される搬送路（２０）をさらに含み、前記搬入・搬出ステーション、前記リンス・乾燥ステーション、および前記供給ステーションは、この順番で前記搬送路に沿って配置されており、前記搬送手段は、前記搬送路に沿って基板を搬送する、請求項１１記載の基板処理装置である。
この構成によれば、搬入・搬出ステーション、リンス・乾燥ステーション、および供給ステーションが、この順番で搬送路に沿って配置されている。搬送手段は、搬送路に沿って基板を搬送する。したがって、搬送手段によって搬送される基板は、搬入・搬出ステーションからリンス・乾燥ステーションを通って供給ステーションに移動する。その後、この基板は、供給ステーションからリンス・乾燥ステーションを通って搬入・搬出ステーションに移動する。すなわち、リンス・乾燥ステーションでリンス処理および乾燥処理が行われた基板は、供給ステーションを通過せずに、リンス・乾燥ステーションから搬入・搬出ステーションに移動する。したがって、供給ステーションに漂う処理液の雰囲気などが基板に付着することを抑制または防止することができる。これにより、基板の清浄度を向上させることができる。
【００２８】
請求項１３記載の発明は、基板の主面以上の大きさの第１基板接触面（４１ａ，４１ｂ）を有し且つ処理液を吸収可能で弾性変形可能な全面処理スポンジ（４１）と、基板の主面よりも小さい第２基板接触面（４９ａ、４９ｂ）を有し且つ処理液を吸収可能で弾性変形可能な部分処理スポンジ（４９）と、の一方のスポンジ（４１、４９）に処理液供給手段（４０、４８）によって処理液を供給し、前記一方のスポンジに処理液を吸収させるステップと、処理液を吸収した前記一方のスポンジと基板保持手段（２１、２６０）に保持されている基板の主面とを接触手段（２１、２２１）によって相対移動させて接触させ、前記一方のスポンジに吸収されている処理液を前記基板の主面に供給させるステップとを含む、基板処理方法である。この構成によれば、請求項１の発明に関して述べた効果と同様な効果を奏することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】本発明の第１実施形態に係る基板処理装置のレイアウトを示す模式図である。
【図２】本発明の第１実施形態に係る全面処理ラインの概略構成を示す模式図である。
【図３】本発明の第１実施形態に係る全面処理ラインの概略構成を示す模式図である。
【図４】本発明の第１実施形態に係る基板搬送ロボットの概略構成を示す模式図である。
【図５】本発明の第１実施形態に係る搬入・搬出ステーションの概略構成を示す平面図である。
【図６】本発明の第１実施形態に係る搬入・搬出ステーションの概略構成を示す側面図である。
【図７】本発明の第１実施形態に係る第１薬液供給ステーションの概略構成を示す模式図である。
【図８】本発明の第１実施形態に係る第２薬液供給ステーションの概略構成を示す模式図である。
【図９】本発明の第１実施形態に係るリンス・乾燥ステーションの概略構成を示す模式図である。
【図１０】本発明の第１実施形態に係るスポンジ洗浄装置の概略構成を示す模式図である。
【図１１】全面処理スポンジが薬液中で圧縮されている状態を示す模式図である。
【図１２】全面処理スポンジが空気中で圧縮されている状態を示す模式図である。
【図１３】基板の処理の一例について説明するためのフローチャートである。
【図１４】本発明の第２実施形態に係る基板処理装置のレイアウトを示す模式図である。
【図１５】本発明の第２実施形態に係る全面処理ラインの概略構成を説明するための模式図である。
【図１６】本発明の第２実施形態に係る部分処理ラインの概略構成を説明するための模式図である。
【図１７】全面処理スポンジが薬液中で圧縮されている状態を示す模式図である。
【図１８】全面処理スポンジが空気中で圧縮されている状態を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、本発明の第１実施形態に係る基板処理装置１のレイアウトを示す模式図である。
基板処理装置１は、薬液やリンス液などの処理液によって半導体ウエハ等の円板状の基板Ｗを一枚ずつ処理する枚葉式の基板処理装置である。基板処理装置１は、基板Ｗが搬入されるインデクサブロック２と、インデクサブロック２に搬入された基板Ｗを処理する処理ブロック３と、基板処理装置１に備えられた装置や機器を制御する制御装置４（接触制御手段、スポンジ選択手段、接触位置設定手段、摺動制御手段、押し付け量制御手段、温度制御手段）とを備えている。
【００３１】
インデクサブロック２は、複数のキャリアＣを保持するキャリア保持部５と、基板Ｗを搬送するインデクサロボット６と、インデクサロボット６を移動させるＩＲ移動機構７と、基板Ｗの汚染状態を測定する測定ユニット８（汚染状態測定手段）とを含む。複数のキャリアＣは、水平なキャリア配列方向Ｄ１に沿って配列された状態でキャリア保持部５に保持されている。各キャリアＣ内には、デバイス形成面である基板Ｗの表面が上に向けられた状態で、複数枚の基板Ｗが水平な姿勢で上下に間隔を空けて保持されている。ＩＲ移動機構７は、キャリア配列方向Ｄ１にインデクサロボット６を移動させる。インデクサロボット６は、キャリア保持部５に保持されたキャリアＣに基板Ｗを搬入する搬入動作、および基板ＷをキャリアＣから搬出する搬出動作を行う。さらに、インデクサロボット６は、インデクサブロック２内で基板Ｗを搬送すると共に、インデクサブロック２と処理ブロック２０３との間で基板Ｗを搬送する。
【００３２】
測定ユニット８は、基板Ｗに付着しているパーティクルなどの異物の数および基板Ｗに対する各異物の位置を測定するユニットである。測定ユニット８は、たとえば、パーティクルカウンタ、全反射蛍光Ｘ線分析装置（ＴＲＸＲＦ）、エネルギー分散型Ｘ線分析装置（ＥＤＸ：Ｅｎｅｒｇｙ Ｄｉｓｐｅｒｓｉｖｅ Ｘ−ｒａｙ ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｅｒ）、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ：Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）、および画像認識異物検査装置の少なくとも一つを含む。制御装置４は、測定ユニット８の測定結果を取得し、この測定結果に基づいて基板Ｗを処理ブロック３に処理させる。
【００３３】
処理ブロック３は、基板Ｗを一枚ずつ処理する複数（たとえば、４つ）の処理ライン９、１０を含む。各処理ライン９、１０は、キャリア配列方向Ｄ１に直交する水平なライン延伸方向Ｄ２に延びている。４つの処理ライン９、１０は、基板Ｗの下面の全域に薬液を供給する２つの全面処理ライン９と、基板Ｗの下面の一部に薬液を供給する２つの部分処理ライン１０とを含む。２つの全面処理ライン９は、上下に重ねられており、２つの部分処理ライン１０は、上下に重ねられている。上段の全面処理ライン９と上段の部分処理ライン１０とは、同じ高さに配置されており、水平方向に対向している。同様に、下段の全面処理ライン９と下段の部分処理ライン１０とは、同じ高さに配置されており、水平方向に対向している。
【００３４】
全面処理ライン９は、基板Ｗの搬入および搬出が行われる搬入・搬出ステーション１１と、リンス処理および乾燥処理を行うリンス・乾燥ステーション１２と、基板Ｗの下面の全域に薬液を供給する第１薬液供給ステーション１３（供給ステーション）と、後述するスポンジ洗浄ロボット５７が待機しているスポンジ洗浄ロボット待機ステーション１４とを含む。これらのステーション１１、１２、１３、１４は、インデクサブロック２側から搬入・搬出ステーション１１、リンス・乾燥ステーション１２、第１薬液供給ステーション１３、スポンジ洗浄ロボット待機ステーション１４の順番でライン延伸方向Ｄ２に配列されている。
【００３５】
同様に、部分処理ライン１０は、搬入・搬出ステーション１１と、リンス・乾燥ステーション１２と、基板Ｗの下面の一部に薬液を供給する第２薬液供給ステーション１５（供給ステーション）と、スポンジ洗浄ロボット待機ステーション１４とを含む。すなわち、部分処理ライン１０は、第１薬液供給ステーション１３を除き、全面処理ライン９と同様の構成を有している。これらのステーション１１、１２、１５、１４は、インデクサブロック２側から搬入・搬出ステーション１１、リンス・乾燥ステーション１２、第２薬液供給ステーション１５、スポンジ洗浄ロボット待機ステーション１４の順番でライン延伸方向Ｄ２に配列されている。
【００３６】
第１薬液供給ステーション１３は、基板Ｗの下面の全域に薬液を供給すると共に、基板Ｗを加熱する第１加熱ステーション１６と、基板Ｗの下面の全域に薬液を供給すると共に、基板Ｗを冷却する第１冷却ステーション１７とを含む。第１加熱ステーション１６および第１冷却ステーション１７は、ライン延伸方向Ｄ２に配列されている。第１加熱ステーション１６は、第１冷却ステーション１７よりもリンス・乾燥ステーション１２側に配置されている。第１加熱ステーション１６と第１冷却ステーション１７との順番は逆であってもよい。すなわち、第１冷却ステーション１７が、第１加熱ステーション１６よりもリンス・乾燥ステーション１２側に配置されていてもよい。
【００３７】
同様に、第２薬液供給ステーション１５は、基板Ｗの下面の一部に薬液を供給すると共に、基板Ｗを加熱する第２加熱ステーション１８と、基板Ｗの下面の一部に薬液を供給すると共に、基板Ｗを冷却する第２冷却ステーション１９とを含む。第２加熱ステーション１８および第２冷却ステーション１９は、ライン延伸方向Ｄ２に配列されている。第２加熱ステーション１８は、第２冷却ステーション１９よりもリンス・乾燥ステーション１２側に配置されている。第２加熱ステーション１８と第２冷却ステーション１９との順番は逆であってもよい。すなわち、第２冷却ステーション１９が、第２加熱ステーション１８よりもリンス・乾燥ステーション１２側に配置されていてもよい。
【００３８】
制御装置４は、インデクサロボット６によって各処理ライン９、１０の搬入・搬出ステーション１１に未処理の基板Ｗを搬入させる。そして、搬入・搬出ステーション１１に搬入された基板Ｗは、同じ処理ライン９、１０内で搬送され、処理される。その後、制御装置４は、各処理ライン９、１０で処理された基板Ｗをインデクサロボット６によって搬入・搬出ステーション１１から搬出させる。
【００３９】
図２および図３は、本発明の第１実施形態に係る全面処理ライン９の概略構成を示す模式図である。また、図４は、本発明の第１実施形態に係る基板搬送ロボット２１の概略構成を示す模式図である。以下では、全面処理ライン９の構成について説明する。部分処理ライン１０は、全面処理ライン９と同様の構成を備えているので、その説明を省略する。
図２に示すように、全面処理ライン９は、基板Ｗが搬送される搬送路２０と、搬送路２０に沿って基板Ｗを搬送する基板搬送ロボット２１（基板保持手段、接触手段、圧縮手段、摺動手段、押し付け量変更手段、乾燥手段、搬送手段）と、基板搬送ロボット２１を収容する密閉された処理ケース２２とを含む。搬送路２０は、ライン延伸方向Ｄ２に延びている。搬入・搬出ステーション１１、リンス・乾燥ステーション１２、第１薬液供給ステーション１３、およびスポンジ洗浄ロボット待機ステーション１４は、搬送路２０に沿って配置されている。搬入・搬出ステーション１１は、処理ケース２２の外に設けられており、リンス・乾燥ステーション１２、第１薬液供給ステーション１３、およびスポンジ洗浄ロボット待機ステーション１４は、処理ケース２２内に設けられている。処理ケース２２は、開口部２３ａを有する箱形の本体２３と、開口部２３ａを開閉するシャッター２４と、開口部２３ａが開かれる開位置と開口部２３ａが閉じられる閉位置との間でシャッター２４を移動させるシャッター移動機構(図示せず)とを含む。
【００４０】
図２および図３に示すように、基板搬送ロボット２１は、基板Ｗを保持する基板保持部２５と、鉛直方向に伸縮可能な鉛直伸縮部２６と、ライン延伸方向Ｄ２に伸縮可能な水平伸縮部２７と、鉛直伸縮部２６をライン延伸方向Ｄ２に移動させる水平移動部２８とを含む。基板保持部２５は、鉛直伸縮部２６の下方で鉛直伸縮部２６に支持されており、鉛直伸縮部２６は、水平伸縮部２７の下方で水平伸縮部２７に支持されている。水平伸縮部２７は、水平移動部２８の下方で水平移動部２８に支持されている。水平移動部２８は、処理ケース２２内でライン延伸方向Ｄ２に延びている。水平移動部２８は、基板保持部２５、鉛直伸縮部２６、および水平伸縮部２７を処理ケース２２内で一体的に移動させる。
【００４１】
さらに、図４に示すように、基板搬送ロボット２１は、吸引力を発生する吸引機構２９と、鉛直伸縮部２６を鉛直方向に伸縮させる昇降機構３０と、基板保持部２５に保持されている基板Ｗの中心を通り鉛直方向に延びる基板回転軸線Ｌ１まわりに基板保持部２５を回転させる回転機構３１とを含む。吸引機構２９の吸引力は、基板保持部２５に伝達される。基板保持部２５は、吸引機構２９からの吸引力によって基板Ｗの上面（裏面）を吸引することにより、基板保持部２５の下方で基板Ｗを水平に保持する。基板保持部２５が基板Ｗを保持している状態で昇降機構３０が鉛直伸縮部２６を伸縮させると、基板Ｗが水平な姿勢で昇降する。さらに、基板保持部２５が基板Ｗを保持している状態で回転機構３１が基板保持部２５を回転させると、基板回転軸線Ｌ１まわりに基板Ｗが回転する。
【００４２】
基板保持部２５に保持されている基板Ｗは、水平移動部２８が、基板保持部２５、鉛直伸縮部２６、および水平伸縮部２７を移動させることにより処理ケース２２内でライン延伸方向Ｄ２に搬送される。すなわち、基板保持部２５に保持されている基板Ｗは、リンス・乾燥ステーション１２と薬液供給ステーション１３、１５との間で搬送される。また、基板保持部２５に保持されている基板Ｗは、水平伸縮部２７の伸縮によって処理ケース２２の中と処理ケース２２の外との間で搬送される。
【００４３】
具体的には、図２に示すように、搬入・搬出ステーション１１は、基板Ｗを支持する基板支持部材３２を含む。基板支持部材３２は、搬送路２０よりも下方で基板Ｗを支持する。インデクサロボット６は、基板支持部材３２に基板Ｗを搬入し、基板支持部材３２から基板Ｗを搬出する。図３に示すように、処理ケース２２の外から中に基板Ｗが搬送される場合には、基板保持部２５、鉛直伸縮部２６、および水平伸縮部２７が処理ケース２２内において開口部２３ａの近傍に配置されており、開口部２３ａが開かれている状態で、水平伸縮部２７がライン延伸方向Ｄ２に伸長する。これにより、基板保持部２５および鉛直伸縮部２６が、開口部２３ａを通って処理ケース２２の外に移動する。そして、基板支持部材３２に支持されている基板Ｗの上方に基板保持部２５が位置するように、基板保持部２５および鉛直伸縮部２６が処理ケース２２の外に配置される。この状態で、基板保持部２５が基板Ｗの上面に接する位置まで鉛直伸縮部２６が伸長する。これにより、基板支持部材３２に支持されている基板Ｗが基板保持部２５に保持される。基板Ｗが基板保持部２５に保持された後は、鉛直伸縮部２６が収縮することにより、搬送路２０に対応する高さまで基板Ｗが上昇する。その後、水平収縮部が収縮することにより、基板保持部２５に保持されている基板Ｗが開口部２３ａを通じて処理ケース２２内に搬送される。そして、開口部がシャッター２４によって密閉される。このようにして、処理ケース２２の外から中に基板Ｗが搬送される。
【００４４】
一方、処理ケース２２の中から外に基板Ｗが搬送されるときは、前述の一連の動作と同様の動作が行われる。すなわち、基板保持部２５、鉛直伸縮部２６、および水平伸縮部２７が処理ケース２２内において開口部２３ａの近傍に配置されており、開口部２３ａが開かれている状態で、水平伸縮部２７がライン延伸方向Ｄ２に伸長する。これにより、基板保持部２５に保持されている基板Ｗが、開口部２３ａを通って処理ケース２２の外に搬送される。そして、基板保持部２５に保持されている基板Ｗが基板支持部材３２の上方に位置するように、基板保持部２５および鉛直伸縮部２６が処理ケース２２の外に配置される。この状態で、基板保持部２５に保持されている基板Ｗの下面（表面）の周縁部が基板支持部材３２に接する位置まで、鉛直伸縮部２６が伸長する。これにより、基板保持部２５に保持されている基板Ｗが基板支持部材３２に支持される。その後、鉛直伸縮部２６および水平伸縮部２７が順に収縮することにより、基板保持部２５および鉛直伸縮部２６が処理ケース２２内に退避する。そして、開口部２３ａがシャッター２４によって密閉される。このようにして、処理ケース２２の中から外に基板Ｗが搬送される。
【００４５】
図５は、本発明の第１実施形態に係る搬入・搬出ステーション１１の概略構成を示す平面図である。図６は、本発明の第１実施形態に係る搬入・搬出ステーション１１の概略構成を示す側面図である。
搬入・搬出ステーション１１は、基板Ｗを支持する基板支持部材３２と、基板Ｗの表裏を反転させる反転機構３３とを含む。反転機構３３は、一対の挟持部材３４と、開閉機構３５と、昇降機構３６と、回転機構３７とを含む。一対の挟持部材３４は、水平方向に対向している。挟持部材３４は、一対の挟持部３８を含む。一方の挟持部材３４に設けられた一対の挟持部３８は、他方の挟持部材３４側に開いた溝３９を有している。一対の挟持部３８は、一対の挟持部材３４が対向する方向に直交する水平な方向に間隔を空けて配置されている。挟持部材３４は、水平方向および鉛直方向に移動可能であり、一対の挟持部材３４が対向する方向に延びる水平な反転軸線Ｌ２まわりに回転可能である。
【００４６】
開閉機構３５は、開位置と、開位置に位置しているときよりも一対の挟持部材３４の間隔が小さい閉位置との間で一対の挟持部材３４を水平方向に移動させる。昇降機構３６は、基板支持部材３２と一対の挟持部材３４との間での基板Ｗの受け渡しが行われる受け渡し高さと、一対の挟持部材３４によって保持された基板Ｗが反転される反転高さ（図５に示す位置）との間で、一対の挟持部材３４を同期させながら鉛直方向に移動させる。回転機構３７は、一対の挟持部材３４を同期させながら、一対の挟持部材３４を反転軸線Ｌ２まわりに１８０度回転させる。
【００４７】
基板Ｗの表裏が反転される場合には、基板支持部材３２に基板Ｗが支持されており、一対の挟持部材３４が受け渡し高さに配置されている状態で、開閉機構３５が、一対の挟持部材３４を開位置から閉位置に移動させる。これにより、基板Ｗの周縁部が各挟持部３８の溝３９に入り込み、基板Ｗが一対の挟持部材３４によって挟持される。そして、一対の挟持部材３４によって基板Ｗが保持されている状態で、昇降機構３６が、一対の挟持部材３４を受け渡し高さから反転高さに移動させる。その後、回転機構３７が一対の挟持部材３４を反転軸線Ｌ２まわりに１８０度回転させる。これにより、基板Ｗの表裏が反転される。
【００４８】
基板Ｗの表裏が反転された後は、一対の挟持部材３４に保持されている基板Ｗの下面の周縁部が基板支持部材３２に接する高さ（受け渡し高さ）まで、昇降機構３６が一対の挟持部材３４を下降させる。その後、開閉機構３５が、一対の挟持部材３４を閉位置から開位置に移動させる。これにより、各挟持部３８が基板Ｗから離れて、一対の挟持部材３４による基板Ｗの保持が解除される。すなわち、一対の挟持部材３４から基板支持部材３２に基板Ｗが渡され、基板支持部材３２だけで基板Ｗが支持される。その後、昇降機構３６が一対の挟持部材３４を上昇させて基板支持部材３２から退避させる。
【００４９】
図７は、本発明の第１実施形態に係る第１薬液供給ステーション１３の概略構成を示す模式図である。図８は、本発明の第１実施形態に係る第２薬液供給ステーション１５の概略構成を示す模式図である。
図７に示すように、第１薬液供給ステーション１３の第１加熱ステーション１６は、薬液を貯留している第１貯留槽４０（処理液供給手段、洗浄槽）と、第１貯留槽４０に貯留されている薬液に浸漬されている全面処理スポンジ４１（スポンジ）と、全面処理スポンジ４１を保持する第１保持部材４２（スポンジ保持手段）と、第１保持部材４２を鉛直方向に昇降させる昇降機構４３と、第１貯留槽４０に貯留されている薬液を循環させる循環配管４４と、循環配管４４に介装されたポンプ４５およびフィルタ４６と、循環配管４４を流れる薬液を加熱するヒータ４７ａ（温度変更手段、加熱手段）とを含む。また、第１薬液供給ステーション１３の第１冷却ステーション１７は、第１貯留槽４０と、全面処理スポンジ４１と、第１保持部材４２と、昇降機構４３と、循環配管４４と、ポンプ４５と、フィルタ４６と、循環配管４４を流れる薬液を冷却するクーラ４７ｂ（温度変更手段、冷却手段）とを含む。すなわち、第１冷却ステーション１７は、ヒータ４７ａの代わりにクーラ４７ｂを備えており、ヒータ４７ａ以外は第１加熱ステーション１６と同様の構成を備えている。
【００５０】
また、図８に示すように、第２薬液供給ステーション１５の第２加熱ステーション１８は、第２貯留槽４８（処理液供給手段、洗浄槽）と、部分処理スポンジ４９（スポンジ）と、第２保持部材５０（スポンジ保持手段）と、昇降機構４３と、循環配管４４と、ポンプ４５と、フィルタ４６と、ヒータ４７ａとを含む。また、第２薬液供給ステーション１５の第２冷却ステーション１９は、第２貯留槽４８と、部分処理スポンジ４９と、第２保持部材５０と、昇降機構４３と、循環配管４４と、ポンプ４５と、フィルタ４６と、クーラ４７ｂとを含む。すなわち、第２冷却ステーション１９は、ヒータ４７ａの代わりにクーラ４７ｂを備えており、ヒータ４７ａ以外は第２加熱ステーション１８と同様の構成を備えている。また、第１薬液供給ステーション１３に設けられた第１貯留槽４０と第２薬液供給ステーション１５に設けられた第２貯留槽４８の相違点は、大きさであり、第２貯留槽４８の方が第１貯留槽４０よりも大きい。同様に、第１保持部材４２と第２保持部材５０の相違点は、大きさであり、第２保持部材５０の方が第１保持部材４２よりも大きい。また、全面処理スポンジ４１と部分処理スポンジ４９との相違点は、大きさであり、部分処理スポンジ４９の方が、全面処理スポンジ４１よりも小さい。
【００５１】
このように、第２薬液供給ステーション１５は、第１薬液供給ステーション１３と同様の構成を備えているから、以下では、第１薬液供給ステーション１３について主として説明する。第２薬液供給ステーション１５については、第１薬液供給ステーション１３と異なる点についてのみ説明する。
図７に示すように、第１貯留槽４０は、基板Ｗよりも大きい上向きに開いた開口部を有している。第１保持部材４２は、薬液中に配置されている。図７と図８とを比較すると分かるように、第２貯留槽４８の開口部は、第１貯留槽４０の開口部よりも大きい。また、第２保持部材５０は、第２貯留槽４８の開口部に対応する大きさを有しており、薬液中に配置されている。図７に示すように、第１保持部材４２は、流体が第１保持部材４２を通って上下に移動できるように構成された網状の部材である。第１保持部材４２は、薬液の液面の下方に配置されている。第１保持部材４２は、第１貯留槽４０に対して鉛直方向に移動可能である。後述するように全面処理スポンジ４１が洗浄されるときには、昇降機構４３が第１保持部材４２を昇降させる。
【００５２】
図７に示すように、全面処理スポンジ４１は、その一部が薬液に浸かっている処理位置で第１保持部材４２によって下から支持されている。処理位置では、全面処理スポンジ４１の上面４１ａ（第１基板接触面）は、薬液の液面よりも上方に配置されており、全面処理スポンジ４１の下面４１ｂは、薬液中に配置されている。全面処理スポンジ４１は、液体を吸収可能で弾性変形可能な多孔質材料によって形成されている。多孔質材料は、たとえば、ＰＶＡ（ポリビニルアルコール）、ＰＰ（ポリプロピレン）、およびＰＥ（ポリエチレン）の少なくとも一つを含む。全面処理スポンジ４１の上面４１ａおよび下面４１ｂは、たとえば、基板Ｗの直径以上の直径を有する円形の水平面である。第１実施形態では、全面処理スポンジ４１の上面４１ａが第１基板接触面として機能する。すなわち、基板Ｗが全面処理スポンジ４１の上方に位置している状態で、鉛直伸縮部２６が伸長すると、基板搬送ロボット２１に保持されている基板Ｗの下面の全域が、全面処理スポンジ４１の上面４１ａに押し付けられる。これにより、全面処理スポンジ４１に吸収されている薬液が染み出て、基板Ｗの下面の全域に薬液が供給される。
【００５３】
また、図８に示すように、部分処理スポンジ４９は、その一部が薬液に浸かっている処理位置で第２保持部材５０によって下から支持されている。処理位置では、部分処理スポンジ４９の上面４９ａ（第２基板接触面）は、薬液の液面よりも上方に配置されており、部分処理スポンジ４９の下面４９ｂは、薬液中に配置されている。部分処理スポンジ４９は、液体を吸収可能で弾性変形可能な多孔質材料によって形成されている。部分処理スポンジ４９の上面４９ａおよび下面４９ｂは、たとえば、基板Ｗの上面および下面よりも小さい水平面である。第１実施形態では、部分処理スポンジ４９の上面４９ａが第２基板接触面として機能する。すなわち、基板Ｗが部分処理スポンジ４９の上方に位置している状態で、鉛直伸縮部２６が伸長すると、基板搬送ロボット２１に保持されている基板Ｗの下面の一部が、部分処理スポンジ４９の上面４９ａに押し付けられる。これにより、部分処理スポンジ４９に吸収されている薬液が染み出て、基板Ｗの下面の一部に薬液が供給される。制御装置４は、水平移動部２８および回転機構３１（図３および図４参照）を制御して、ライン延伸方向Ｄ２への基板Ｗの位置および基板回転軸線Ｌ１まわりの基板Ｗの回転角度を変更することにより、基板Ｗの下面内の任意の部分と部分処理スポンジ４９とを接触させる。
【００５４】
また、図７に示すように、循環配管４４は、第１保持部材４２よりも下方で第１貯留槽４０に接続されている上流端４４ａおよび下流端４４ｂを含む。第１貯留槽４０に貯留されている薬液は、ポンプ４５の吸引力によって上流端４４ａから循環配管４４内に流れ込む。そして、循環配管４４内に流れ込んだ薬液は、フィルタ４６を通過した後、下流端４４ｂから第１貯留槽４０に戻る。このようにして、第１貯留槽４０に貯留されている薬液が循環する。薬液がフィルタ４６を通過することにより、薬液に含まれるパーティクルなどの異物が除去される。また、第１加熱ステーション１６では、ヒータ４７ａが循環配管４４に取り付けられており、第１冷却ステーション１７では、クーラ４７ｂが循環配管４４に取り付けられている。したがって、薬液が循環配管４４を流れることにより、この薬液が加熱または冷却される。ヒータ４７ａおよびクーラ４７ｂの温度は、制御装置４によって制御される。
【００５５】
循環配管４４を流れる薬液が加熱されることにより、第１貯留槽４０に貯留されている薬液の温度が上がる。したがって、全面処理スポンジ４１自体や全面処理スポンジ４１に吸収されている薬液の温度も上がる。そのため、基板Ｗが第１加熱ステーション１６で全面処理スポンジ４１に押し付けられることにより、基板Ｗが加熱される。一方、循環配管４４を流れる薬液が冷却されることにより、第１貯留槽４０に貯留されている薬液の温度が下がる。したがって、全面処理スポンジ４１自体や全面処理スポンジ４１に吸収されている薬液の温度も下がる。そのため、基板Ｗが第１冷却ステーション１７で全面処理スポンジ４１に押し付けられることにより、基板Ｗが冷却される。このように、基板Ｗが全面処理スポンジ４１に押し付けられることにより、基板Ｗが加熱または冷却され、基板Ｗの温度が変化する。
【００５６】
図９は、本発明の第１実施形態に係るリンス・乾燥ステーション１２の概略構成を示す模式図である。
リンス・乾燥ステーション１２は、基板搬送ロボット２１に保持されている基板Ｗの下面に向けてリンス液の一例である純水（脱イオン水）を吐出するリンス液ノズル５１（リンス液供給手段）と、リンス液ノズル５１に純水を供給するリンス液配管５２と、リンス液配管５２に介装されたリンス液バルブ５３と、リンス液ノズル５１を水平方向に移動させるノズル移動機構５４と、基板Ｗから排出された液体を受け止めるカップ５５と、カップ５５内に溜まった液体をカップ５５の外に排出する排出配管（図示せず）とを含む。カップ５５は、有底筒状である。カップ５５は、基板Ｗよりも大きい上向きに開いた開口部を有している。リンス液ノズル５１およびノズル移動機構５４は、カップ５５内に配置されている。基板搬送ロボット２１に保持されている基板Ｗは、基板Ｗがカップ５５の上方に位置している状態で鉛直伸縮部２６が伸長することにより、カップ５５内に搬送される。また、基板Ｗがカップ５５内に位置している状態で、鉛直伸縮部２６が収縮することにより、基板Ｗがカップ５５の外に搬送される。
【００５７】
基板Ｗに純水が供給されるときには、基板Ｗがカップ５５内に位置している状態で、制御装置４が、回転機構３１（図４参照）を制御することにより、基板回転軸線Ｌ１まわりに基板Ｗを回転させる。そして、制御装置４は、リンス液バルブ５３を開くことにより、基板Ｗを回転させながら、リンス液ノズル５１から基板Ｗの下面に向けて純水を吐出させる。さらに、この状態で、制御装置４は、ノズル移動機構５４を制御することにより、リンス液ノズル５１を水平方向に移動させる。これにより、基板Ｗに対する純水の供給位置が、基板Ｗの下面中央部と基板Ｗの下面周縁部との間で移動する。したがって、基板Ｗの下面が純水によって走査され、基板Ｗの下面の全域に純水が供給される。
【００５８】
純水が基板Ｗに供給された後は、制御装置４が基板Ｗを乾燥させる。具体的には、制御装置４が、ノズル移動機構５４を制御することにより、リンス液ノズル５１の移動を停止させる。さらに、制御装置４は、リンス液バルブ５３を閉じることにより、リンス液ノズル５１からの純水の吐出を停止させる。そして、基板Ｗがカップ５５内に位置している状態で、制御装置４が、回転機構３１を制御することにより、基板回転軸線Ｌ１まわりに高回転速度（たとえば、数千ｒｐｍ）で基板Ｗを回転させる。これにより、基板Ｗに付着している純水に大きな遠心力が加わり、基板Ｗに付着している純水が基板Ｗの周囲に振り切られる。このようにして、基板Ｗから純水が除去され、基板Ｗが乾燥する。また、基板Ｗの周囲に飛散した純水や、基板Ｗから落下した純水は、カップ５５によって受け止められ、排出配管を通ってカップ５５の外に排出される。
【００５９】
図１０は、本発明の第１実施形態に係るスポンジ洗浄装置５６の概略構成を示す模式図である。図１１は、全面処理スポンジ４１が薬液中で圧縮されている状態を示す模式図である。図１２は、全面処理スポンジ４１が空気中で圧縮されている状態を示す模式図である。
図１０に示すように、全面処理ライン９は、全面処理スポンジ４１を洗浄するスポンジ洗浄装置５６（スポンジ洗浄手段）をさらに備えている。スポンジ洗浄装置５６は、洗浄槽としての第１貯留槽４０と、第１保持部材４２と、昇降機構４３と、循環配管４４と、フィルタ４６と、全面処理スポンジ４１を圧縮するスポンジ洗浄ロボット５７とを含む。昇降機構４３は、処理位置（実線で示す位置）の下方に設けられた洗浄位置（一点鎖線で示す位置）と、処理位置の上方に設けられた絞り位置（二点鎖線で示す位置）との間で第１保持部材４２を移動させる。洗浄位置は、全面処理スポンジ４１の全体が薬液に浸かっている位置であり、絞り位置は、全面処理スポンジ４１の全体が薬液に浸かっていない位置である。図示はしないが、部分処理ライン１０も、全面処理ライン９と同様に、部分処理スポンジ４９を洗浄するスポンジ洗浄装置５６を備えている。部分処理ライン１０に設けられたスポンジ洗浄装置５６の構成は、全面処理ライン９に設けられたスポンジ洗浄装置５６の構成と同様であるので、以下では、全面処理ライン９に設けられたスポンジ洗浄装置５６の構成について説明する。
【００６０】
図１０に示すように、スポンジ洗浄ロボット５７は、基板搬送ロボット２１と同様の構成を有している。すなわち、スポンジ洗浄ロボット５７は、プレート５８と、プレート保持部５９と、鉛直伸縮部２６と、水平移動部２８とを含む。さらに、図示はしないが、スポンジ洗浄ロボット５７は、昇降機構３０および回転機構３１（図４参照）を含む。プレート５８は、プレート保持部５９の下方でプレート保持部５９によって水平に保持されている。プレート保持部５９は、鉛直伸縮部２６の下方で鉛直伸縮部２６によって保持されている。鉛直伸縮部２６は、水平移動部２８の下方で水平移動部２８によって支持されている。水平移動部２８は、第１薬液供給ステーション１３とスポンジ洗浄ロボット待機ステーション１４との間で、スポンジ洗浄ロボット５７をライン延伸方向Ｄ２に移動させる。これにより、スポンジ洗浄ロボット５７が、全面処理スポンジ４１の上方に配置される。
【００６１】
全面処理スポンジ４１が洗浄されるときには、制御装置４が、昇降機構４３によって第１保持部材４２を洗浄位置に移動させる。そして、制御装置４は、スポンジ洗浄ロボット５７が全面処理スポンジ４１の上方に位置しており、全面処理スポンジ４１の全体が薬液に浸かっている状態で、スポンジ洗浄ロボット５７の鉛直伸縮部２６を伸長させて、スポンジ洗浄ロボット５７のプレート５８を水平な姿勢で下降させる。これにより、図１１に示すように、全面処理スポンジ４１が、プレート５８と第１保持部材４２とによって上下に挟まれて、全面処理スポンジ４１が薬液中で圧縮される。そのため、全面処理スポンジ４１の内部に保持されている異物が、薬液と共に全面処理スポンジ４１から押し出される。そして、この異物は、薬液と共に循環配管４４を流れることにより、フィルタ４６によって捕獲される。全面処理スポンジ４１が圧縮された後は、制御装置４は、スポンジ洗浄ロボット５７の鉛直伸縮部２６を収縮させて、スポンジ洗浄ロボット５７のプレート５８を水平な姿勢で上昇させる。これにより、プレート５８が全面処理スポンジ４１から離れ、全面処理スポンジ４１が元の形状に復元する。そのため、全面処理スポンジ４１が薬液を吸収する。
【００６２】
次に、制御装置４は、昇降機構４３によって第１保持部材４２を絞り位置に移動させる。これにより、全面処理スポンジ４１が、薬液の液面よりも上方に移動し、第１貯留槽４０に貯留されている薬液から離れる。そして、制御装置４は、全面処理スポンジ４１の全体が薬液に浸かっていない状態で、スポンジ洗浄ロボット５７の鉛直伸縮部２６を伸長させて、スポンジ洗浄ロボット５７のプレート５８を水平な姿勢で下降させる。これにより、図１２に示すように、全面処理スポンジ４１が、プレート５８と第１保持部材４２とによって上下に挟まれて、全面処理スポンジ４１が空気中で圧縮される。すなわち、全面処理スポンジ４１が絞られ、全面処理スポンジ４１の内部に保持されている異物が、薬液と共に全面処理スポンジ４１から押し出される。そして、全面処理スポンジ４１から押し出された異物および薬液は、第１貯留槽４０に落下し、循環配管４４を流れる。
【００６３】
制御装置４は、スポンジ洗浄ロボット５７等にこのような動作を繰り返し実行させることにより全面処理スポンジ４１を洗浄させる。すなわち、制御装置４は、薬液中で全面処理スポンジ４１を圧縮および復元させると共に、空気中で全面処理スポンジ４１を圧縮および復元させる。このように、薬液中での全面処理スポンジ４１の圧縮および復元と、空気中での全面処理スポンジ４１の圧縮および復元とが繰り返し実行されることにより、全面処理スポンジ４１の内部に保持されている異物が確実に除去され、全面処理スポンジ４１の清浄度が高められる。したがって、基板Ｗと全面処理スポンジ４１とが接触したときに、全面処理スポンジ４１から基板Ｗに異物が移動して、基板Ｗが汚染されることを抑制または防止できる。
【００６４】
図１３は、本発明の第１実施形態に係る基板Ｗの処理の一例について説明するためのフローチャートである。
基板処理装置１で基板Ｗが処理されるときには、制御装置４が、一枚の基板Ｗをインデクサロボット６によってキャリアＣから搬出させる（Ｓ１）。そして、制御装置４は、この基板Ｗをインデクサロボット６によって測定ユニット８に搬送させる。これにより、表面が上に向けられた水平な姿勢で基板Ｗが測定ユニット８に搬入され、基板Ｗの表面の汚染状態が測定ユニット８によって測定される（Ｓ２）。制御装置４は、測定ユニット８の測定結果を取得し、この測定結果に基づいて全面処理スポンジ４１および部分処理スポンジ４９のうちのいずれか一方のスポンジを選択する（Ｓ３）。すなわち、たとえば汚染されている部分が広い場合には、制御装置４は、全面処理ライン９を選択し、インデクサロボット６によって測定ユニット８から全面処理ライン９に基板Ｗを搬入させる。一方、汚染されている部分が狭い場合には、制御装置４は、部分処理ライン１０を選択し、インデクサロボット６によって測定ユニット８から部分処理ライン１０に基板Ｗを搬送させる。
【００６５】
制御装置４が全面処理ライン９を選択した場合には、制御装置４は、インデクサロボット６によって全面処理ライン９の搬入・搬出ステーション１１に基板Ｗを搬入させる。すなわち、表面が上に向けられた水平な姿勢で基板Ｗが基板支持部材３２上に載置される。搬入・搬出ステーション１１に基板Ｗが搬入された後は、制御装置４は、反転機構３３によって基板Ｗの表裏を反転させる。これにより、裏面が上に向けられた水平な姿勢で基板Ｗが基板支持部材３２上に載置される。その後、制御装置４は、基板支持部材３２に支持されている基板Ｗを基板搬送ロボット２１によって保持させ、基板搬送ロボット２１によって搬入・搬出ステーション１１から第１薬液供給ステーション１３に基板Ｗを移動させる。そして、制御装置４は、基板搬送ロボット２１に保持されている基板Ｗの下面（表面）を全面処理スポンジ４１に押し付けさせる。
【００６６】
具体的には、制御装置４は、基板搬送ロボット２１によって基板Ｗを第１加熱ステーション１６に移動させる。そして、制御装置４は、基板搬送ロボット２１によって基板Ｗの下面を第１加熱ステーション１６の全面処理スポンジ４１に押し付けさせる。これにより、基板Ｗの下面の全域に薬液が供給されると共に、基板Ｗが加熱される。基板Ｗの下面が第１加熱ステーション１６の全面処理スポンジ４１に押し付けられた後は、制御装置４は、基板搬送ロボット２１によって基板Ｗを第１冷却ステーション１７に移動させる。そして、制御装置４は、基板搬送ロボット２１によって基板Ｗの下面を第１冷却ステーション１７の全面処理スポンジ４１に押し付けさせる。これにより、基板Ｗの下面の全域に薬液が供給されると共に、基板Ｗが冷却される。
【００６７】
制御装置４は、第１薬液供給ステーション１３でこのような動作を基板搬送ロボット２１に繰り返し実行させる。これにより、基板Ｗの下面の全域に薬液が供給されると共に、基板Ｗの加熱および冷却が交互に複数回実行される（Ｓ４）。
第１加熱ステーション１６および第１冷却ステーション１７のいずれのステーションにおいても、制御装置４は、全面処理スポンジ４１と基板Ｗの下面とが接触している状態で全面処理スポンジ４１と基板Ｗとが相対移動するように基板搬送ロボット２１を制御して、基板Ｗの汚染状態に応じて全面処理スポンジ４１と基板Ｗとを摺動させてもよい。
【００６８】
具体的には、制御装置４は、全面処理スポンジ４１と基板Ｗとが接触している状態で、基板搬送ロボット２１をライン延伸方向Ｄ２に往復させることにより、全面処理スポンジ４１と基板Ｗとを摺動させてもよい。また、制御装置４は、全面処理スポンジ４１と基板Ｗとが接触している状態で、基板搬送ロボット２１によって基板Ｗを回転させることにより、全面処理スポンジ４１と基板Ｗとを摺動させてもよい。
【００６９】
また、第１加熱ステーション１６および第１冷却ステーション１７のいずれのステーションにおいても、制御装置４は、測定ユニット８の測定結果に基づいて基板Ｗの下面に対する全面処理スポンジ４１の押し付け量を変更してもよい。すなわち、基板Ｗの下面に対する全面処理スポンジ４１の押し付け量が増加すると、全面処理スポンジ４１から染み出る薬液の量も増加する。したがって、たとえば基板Ｗの汚染度が高い場合には、制御装置４は、基板Ｗの汚染度が低い場合に比べて押し付け量が増加するように基板搬送ロボット２１を制御して、基板Ｗに対する薬液の供給量を増加させてもよい。
【００７０】
第１薬液供給ステーション１３で基板Ｗに薬液が供給された後は、制御装置４は、基板搬送ロボット２１によって第１薬液供給ステーション１３からリンス・乾燥ステーション１２に基板Ｗを移動させる。そして、制御装置４は、基板Ｗの下面の全域に純水を供給させることにより、基板Ｗの下面に付着している薬液を洗い流す（Ｓ５）。その後、制御装置４は、基板搬送ロボット２１によって基板Ｗを高回転速度で回転させることにより、基板Ｗに付着している純水を除去させる。これにより、基板Ｗが乾燥する（Ｓ６）。基板Ｗが乾燥した後は、制御装置４は、基板搬送ロボット２１によってリンス・乾燥ステーション１２から搬入・搬出ステーション１１に基板Ｗを移動させる。その後、制御装置４は、反転機構３３によって基板Ｗの表裏を反転させる。これにより、表面が上に向けられた水平な姿勢で基板Ｗが基板支持部材３２上に載置される。そして、制御装置４は、インデクサロボット６によって基板支持部材３２上に載置されている基板Ｗを搬出させる。
【００７１】
一方、制御装置４が部分処理ライン１０を選択した場合には、制御装置４は、インデクサロボット６によって部分処理ライン１０の搬入・搬出ステーション１１に基板Ｗを搬入させる。すなわち、表面が上に向けられた水平な姿勢で基板Ｗが基板支持部材３２上に載置される。搬入・搬出ステーション１１に基板Ｗが搬入された後は、制御装置４は、反転機構３３によって基板Ｗの表裏を反転させる。これにより、裏面が上に向けられた水平な姿勢で基板Ｗが基板支持部材３２上に載置される。その後、制御装置４は、基板支持部材３２に支持されている基板Ｗを基板搬送ロボット２１によって保持させ、基板搬送ロボット２１によって搬入・搬出ステーション１１から第２薬液供給ステーション１５に基板Ｗを移動させる。そして、制御装置４は、基板搬送ロボット２１に保持されている基板Ｗの下面（表面）を部分処理スポンジ４９に押し付けさせる。
【００７２】
具体的には、制御装置４は、基板搬送ロボット２１によって基板Ｗを第２加熱ステーション１８に移動させる。そして、制御装置４は、基板搬送ロボット２１によって基板Ｗの下面を第２加熱ステーション１８の部分処理スポンジ４９に押し付けさせる。これにより、基板Ｗの下面の一部に薬液が供給されると共に、基板Ｗが加熱される。基板Ｗの下面が第２加熱ステーション１８の部分処理スポンジ４９に押し付けられた後は、制御装置４は、基板搬送ロボット２１によって基板Ｗを第２冷却ステーション１９に移動させる。そして、制御装置４は、基板搬送ロボット２１によって基板Ｗの下面を第２冷却ステーション１９の部分処理スポンジ４９に押し付けさせる。これにより、基板Ｗの下面の一部に薬液が供給されると共に、基板Ｗが冷却される。制御装置４は、このような動作を基板搬送ロボット２１に繰り返し実行させる。
【００７３】
第２加熱ステーション１８および第２冷却ステーション１９のいずれのステーションにおいても、制御装置４は、基板Ｗの下面の汚染されている部分と部分処理スポンジ４９とが接触するように、測定ユニット８の測定結果に基づいてライン延伸方向Ｄ２への基板Ｗの位置および基板回転軸線Ｌ１まわりの基板Ｗの回転角度を制御する。すなわち、制御装置４は、基板Ｗの下面において部分処理スポンジ４９が接触する部分を測定ユニット８の測定結果に基づいて基板Ｗごとに設定する。そして、制御装置４は、設定した部分と部分処理スポンジ４９とが接触するように基板搬送ロボット２１を制御する。これにより、制御装置４によって設定された部分に薬液が供給される。すなわち、基板Ｗの下面において汚染されている部分に薬液が確実に供給される。
【００７４】
制御装置４は、第２薬液供給ステーション１５でこのような動作を基板搬送ロボット２１に繰り返し実行させる。これにより、基板Ｗの下面の一部に薬液が供給されると共に、基板Ｗの加熱および冷却が交互に複数回実行される（Ｓ４）。
第２加熱ステーション１８および第２冷却ステーション１９のいずれのステーションにおいても、制御装置４は、部分処理スポンジ４９と基板Ｗとが接触している状態で、基板搬送ロボット２１をライン延伸方向Ｄ２に往復させることにより、部分処理スポンジ４９と基板Ｗとを摺動させてもよい。また、制御装置４は、部分処理スポンジ４９と基板Ｗとが接触している状態で、基板搬送ロボット２１によって基板Ｗを回転させることにより、部分処理スポンジ４９と基板Ｗとを摺動させてもよい。さらに、制御装置４は、基板Ｗの汚染状態に応じて基板Ｗの下面に対する部分処理スポンジ４９の押し付け量を制御してもよい。
【００７５】
第２薬液供給ステーション１５で基板Ｗに薬液が供給された後は、制御装置４は、基板搬送ロボット２１によって第１薬液供給ステーション１３からリンス・乾燥ステーション１２に基板Ｗを移動させる。そして、制御装置４は、基板Ｗの下面の全域に純水を供給させることにより、基板Ｗの下面に付着している薬液を洗い流す（Ｓ５）。その後、制御装置４は、基板搬送ロボット２１によって基板Ｗを高回転速度で回転させることにより、基板Ｗに付着している純水を除去させる。これにより、基板Ｗが乾燥する（Ｓ６）。基板Ｗが乾燥した後は、制御装置４は、基板搬送ロボット２１によってリンス・乾燥ステーション１２から搬入・搬出ステーション１１に基板Ｗを移動させる。その後、制御装置４は、反転機構３３によって基板Ｗの表裏を反転させる。これにより、表面が上に向けられた水平な姿勢で基板Ｗが基板支持部材３２上に載置される。そして、制御装置４は、インデクサロボット６によって基板支持部材３２上に載置されている基板Ｗを搬出させる。
【００７６】
制御装置４は、全面処理ライン９および部分処理ライン１０から搬出された基板Ｗをインデクサロボット６によって再び測定ユニット８に搬送させる。これにより、表面が上に向けられた水平な姿勢で基板Ｗが測定ユニット８に搬入され、基板Ｗの表面の汚染状態が測定ユニット８によって測定される（Ｓ７）。制御装置４は、測定ユニット８の測定結果を取得し、この測定結果に基づいて基板Ｗに対する薬液の供給を再び行うか否かを判定する（Ｓ８）。
【００７７】
具体的には、基板Ｗが汚染されていない場合（Ｓ８でＹＥＳの場合）には、制御装置４は、インデクサロボット６によって測定ユニット８からキャリアＣに基板Ｗを搬送させ、この基板Ｗへの薬液の供給を終了させる（Ｓ９）。一方、基板Ｗが汚染されている場合（Ｓ８でＮＯの場合）には、制御装置４は、全面処理スポンジ４１および部分処理スポンジ４９のうちのいずれか一方のスポンジを選択する（Ｓ３に戻る）。そして、全面処理ライン２０９または部分処理ライン２１０で、薬液処理、リンス処理、および乾燥処理が実行される（２回目のＳ４〜６）。その後、制御装置４は、基板Ｗの汚染状態を測定ユニット８によって測定させる（２回目のＳ８）。制御装置４は、基板Ｗの汚染がなくなるまで、このような動作を繰り返し実行させる。
【００７８】
以上のように第１実施形態では、基板搬送ロボット２１が、貯留槽４０、４８によって薬液が供給されたスポンジ４１、４９と基板搬送ロボット２１に保持されている基板Ｗとを相対移動させて、スポンジ４１、４９と基板Ｗの下面とを接触させる。これにより、スポンジ４１、４９が弾性変形して、スポンジ４１、４９に吸収されている薬液が染み出る。そのため、薄い液膜（薬液の液膜）が形成され、この液膜によって基板Ｗの下面が覆われる。したがって、基板Ｗにおいてスポンジ４１、４９が接触した部分に薬液を確実に供給することできる。さらに、スポンジ４１、４９と基板Ｗとの接触により薬液が基板Ｗに一瞬で供給されるから、薬液の供給に要する時間を短縮することができる。しかも、この基板Ｗの下面に供給された薬液は、基板Ｗの下面におけるスポンジ４１、４９との接触部分を覆う必要最低限の量であるから、薬液の消費量を低減することができる。
【００７９】
さらに、スポンジ４１、４９と基板Ｗとが接触すると、基板Ｗの下面におけるスポンジ４１、４９との接触部分に薬液が均一に供給される。したがって、処理の均一性が向上する。しかも、基板Ｗに供給された薬液が少量であるから、基板Ｗに供給された薬液が基板Ｗに沿って流れることを抑制または防止することができる。すなわち、基板Ｗに供給された薬液は基板Ｗに留まる。たとえば、薬液が基板Ｗに沿って流動すると、薬液が流動している部分と流動していない部分とで処理に差が生じる場合がある。したがって、薬液の流動を抑制または防止することにより、処理の均一性をさらに向上させることができる。さらに、薬液が基板Ｗに留まるから、薬液の処理能力が十分に発揮される。すなわち、たとえば基板Ｗに供給された薬液が基板Ｗからすぐに排出されると、基板Ｗを処理する能力を有している状態で薬液が基板Ｗから離れる。したがって、薬液の流動を抑制または防止することにより、薬液を効率的に使用することができる。
【００８０】
また第１実施形態では、基板搬送ロボット２１が制御装置４によって制御されることにより、全面処理スポンジ４１および部分処理スポンジ４９のうちのいずれか一方のスポンジと基板Ｗとが接触する。全面処理スポンジ４１は、基板Ｗの下面以上の大きさの第１基板接触面（全面処理スポンジ４１の上面４１ａ）を有しているから、制御装置４が全面処理スポンジ４１と基板Ｗとを接触させることにより、基板Ｗの下面の全域に薬液を一瞬で供給することができる。一方、部分処理スポンジ４９は、基板Ｗの下面よりも小さい第２基板接触面（部分処理スポンジ４９の上面４９ａ）を有しているから、制御装置４が部分処理スポンジ４９と基板Ｗとを接触させることにより、基板Ｗの下面の一部に薬液を供給することができる。したがって、薬液の供給が必要でない部分に薬液が供給されることを抑制または防止することができる。
【００８１】
また第１実施形態では、測定ユニット８によって基板Ｗの汚染状態が測定される。制御装置４は、測定ユニット８の測定結果に基づいて全面処理スポンジ４１および部分処理スポンジ４９のうちのいずれか一方のスポンジを選択する。制御装置４は、部分処理スポンジ４９を選択したときに、基板Ｗの下面において部分処理スポンジ４９が接触する部分を測定ユニット８の測定結果に基づいて基板Ｗごとに設定する。そして、制御装置４は、設定した部分と部分処理スポンジ４９とが接触するように基板搬送ロボット２１を制御する。したがって、基板Ｗの汚染されている部分に部分処理スポンジ４９を確実に接触させて、この部分に薬液を確実に供給することができる。これにより、基板Ｗの清浄度を向上させることができる。
【００８２】
また第１実施形態では、基板搬送ロボット２１が、貯留槽４０、４８に貯留されている薬液にスポンジ４１、４９が浸漬されている状態でスポンジ４１、４９を圧縮する。その後、基板搬送ロボット２１によるスポンジ４１、４９の圧縮が解除され、スポンジ４１、４９がその弾性によって元の形状に膨張して復元する。このようなスポンジ４１、４９の圧縮／膨張が繰り返し行われる。スポンジ４１、４９が圧縮されると、スポンジ４１、４９の表面に付着している異物や、スポンジ４１、４９の内部に保持されている異物が、薬液と共にスポンジ４１、４９から排出される。これにより、スポンジ４１、４９から異物が除去される。また、スポンジ４１、４９が膨張すると、スポンジ４１、４９は、その吸収力によって薬液を吸収する。したがって、スポンジ４１、４９の圧縮／膨張が繰り返し行われることにより、スポンジ４１、４９による薬液の吸収および排出が繰り返し行われ、スポンジ４１、４９から異物が確実に除去される。これにより、スポンジ４１、４９と基板Ｗとが接触したときに、スポンジ４１、４９から基板Ｗに異物が移動して、基板Ｗが汚染されることを抑制または防止することができる。
【００８３】
また第１実施形態では、スポンジ洗浄装置５６が、貯留槽４０、４８に接続された循環配管４４と、循環配管４４に介装されたフィルタ４６とを含む。貯留槽４０、４８に貯留されている薬液は、循環配管４４に排出され、循環配管４４を通って再び貯留槽４０、４８に戻る。これにより、貯留槽４０、４８に貯留されている薬液が循環する。循環配管４４を流れる薬液に含まれる異物は、フィルタ４６によって除去される。したがって、貯留槽４０、４８に貯留されている薬液に含まれる異物が、スポンジ４１、４９に付着することを抑制または防止することができる。これにより、スポンジ４１、４９と基板Ｗとが接触したときに、スポンジ４１、４９から基板Ｗに異物が移動して、基板Ｗが汚染されることを抑制または防止することができる。
【００８４】
また第１実施形態では、基板搬送ロボット２１が、スポンジ４１、４９と基板Ｗとを摺動させる。具体的には、スポンジ４１、４９と基板Ｗとが接触している状態で、基板搬送ロボット２１の水平移動部２８が、スポンジ４１、４９をライン延伸方向Ｄ２に往復させることにより、スポンジ４１、４９と基板Ｗとを摺動させる。また、スポンジ４１、４９と基板Ｗとが接触している状態で、基板搬送ロボット２１が、基板Ｗを回転させることにより、スポンジ４１、４９と基板Ｗとを摺動させる。これにより、基板Ｗの下面に付着している異物がスポンジ４１、４９によって擦り取られる。これにより、基板Ｗの清浄度を向上させることができる。
【００８５】
また第１実施形態では、制御装置４が、測定ユニット８の測定結果に基づいてスポンジ４１、４９と基板Ｗとの摺動を制御する。すなわち、たとえば基板Ｗの汚染度が高い場合、制御装置４は、基板搬送ロボット２１によってスポンジ４１、４９と基板Ｗとを摺動させる。一方、たとえば基板Ｗの汚染度が低い場合、制御装置４は、スポンジ４１、４９と基板Ｗとを摺動させない。このように、基板Ｗの汚染状態に応じてスポンジ４１、４９と基板Ｗとの摺動が制御されるから、基板Ｗの清浄度を安定させることができる。
【００８６】
また第１実施形態では、制御装置４が、測定ユニット８の測定結果に基づいて基板Ｗの下面に対するスポンジ４１、４９の押し付け量を制御する。すなわち、たとえば基板Ｗの汚染度が高い場合、制御装置４は、基板搬送ロボット２１を制御し、基板Ｗの汚染度が低い場合に比べて押し付け量を増加させる。これにより、スポンジ４１、４９から染み出る薬液の量が増加し、基板Ｗに供給される薬液の量が増加する。このように、基板Ｗの汚染状態に応じて基板Ｗの下面に対する薬液の供給量が制御されるから、基板Ｗの清浄度を安定させることができる。
【００８７】
また第１実施形態では、ヒータ４７ａおよびクーラ４７ｂによって基板Ｗが加熱および冷却される。これにより、基板Ｗの温度が変化し、基板Ｗが膨張および収縮する。また、基板Ｗが加熱および冷却されることにより、基板Ｗに付着している異物の温度が変化し、この異物が膨張および収縮する。したがって、基板Ｗおよび異物の両方が膨張および収縮する。基板Ｗの膨張率と異物の膨張率が異なる場合、基板Ｗおよび異物が膨張および収縮することにより、基板Ｗと異物との接触状態が変化し、異物が基板Ｗから取れ易くなる。特に、基板Ｗの加熱および冷却が交互に実行されるから、加熱だけまたは冷却だけが実行される場合に比べて、基板Ｗの温度差が大きくなる。そのため、異物が基板Ｗから一層取れ易くなる。これにより、異物の除去率を向上させることができる。
【００８８】
また第１実施形態では、基板搬送ロボット２１が基板Ｗを搬送する。基板搬送ロボット２１によって搬送される基板Ｗは、搬入・搬出ステーション１１から供給ステーション１３、１５に移動する。その後、この基板Ｗは、供給ステーション１３、１５リンス・乾燥ステーション１２を通ってから搬入・搬出ステーション１１に移動する。基板搬送ロボット２１によって搬送される基板Ｗは、供給ステーション１３、１５でスポンジ４１、４９から供給される薬液によって処理される。また、基板搬送ロボット２１によって搬送される基板Ｗは、リンス・乾燥ステーション１２でリンス液ノズル５１から供給される純水によって処理される。すなわち、基板Ｗに付着している薬液が純水によって洗い流される。その後、基板搬送ロボット２１がリンス・乾燥ステーション１２で基板Ｗを回転させることにより、基板Ｗに付着している純水が除去される。これにより、基板Ｗが乾燥する。このように、基板搬送ロボット２１が基板Ｗを搬送することにより、一連の処理が基板Ｗに施される。
【００８９】
また第１実施形態では、搬入・搬出ステーション１１、リンス・乾燥ステーション１２、および供給ステーション１３、１５は、この順番で搬送路２０に沿って配置されている。基板搬送ロボット２１は、搬送路２０に沿って基板Ｗを搬送する。したがって、基板搬送ロボット２１によって搬送される基板Ｗは、搬入・搬出ステーション１１からリンス・乾燥ステーション１２を通って供給ステーション１３、１５に移動する。その後、この基板Ｗは、供給ステーション１３、１５からリンス・乾燥ステーション１２を通って搬入・搬出ステーション１１に移動する。すなわち、リンス・乾燥ステーション１２でリンス処理および乾燥処理が行われた基板Ｗは、供給ステーション１３、１５を通過せずに、リンス・乾燥ステーション１２から搬入・搬出ステーション１１に移動する。したがって、供給ステーション１３、１５に漂う薬液の雰囲気などが基板Ｗに付着することを抑制または防止することができる。これにより、基板Ｗの清浄度を向上させることができる。
【００９０】
次に、この発明の第２実施形態について説明する。この第２実施形態と前述の第１実施形態との主要な相違点は、搬送される対象が異なることである。すなわち、第１実施形態では、基板Ｗが搬送されることにより、スポンジ４１、４９と基板Ｗとが接触するのに対し、第２実施形態では、スポンジ４１、４９が搬送されることにより、スポンジ４１、４９と基板Ｗとが接触する。以下の図１４〜図１８において、前述の図１〜図１３に示された各部と同等の構成部分については、図１等と同一の参照符号を付してその説明を省略する。
【００９１】
図１４は、本発明の第２実施形態に係る基板処理装置２０１のレイアウトを示す模式図である。
基板処理装置２０１は、枚葉式の基板処理装置である。基板処理装置２０１は、インデクサブロック２と、インデクサブロック２に搬入された基板Ｗを処理する処理ブロック２０３と、基板処理装置２０１に備えられた装置や機器を制御する制御装置４とを備えている。
【００９２】
インデクサブロック２は、キャリア保持部５と、インデクサロボット６と、ＩＲ移動機構７と、測定ユニット８とを含む。インデクサロボット６は、インデクサブロック２内で基板Ｗを搬送すると共に、インデクサブロック２と処理ブロック２０３との間で基板Ｗを搬送する。
処理ブロック２０３は、基板Ｗを一枚ずつ処理する複数（たとえば、４つ）の処理ライン２０９、２１０を含む。各処理ライン２０９、２１０は、ライン延伸方向Ｄ２に延びている。４つの処理ライン２０９、２１０は、基板Ｗの上面の全域に薬液を供給する２つの全面処理ライン２０９と、基板Ｗの上面の一部に薬液を供給する２つの部分処理ライン２１０とを含む。２つの全面処理ライン２０９は、上下に重ねられており、２つの部分処理ライン２１０は、上下に重ねられている。上段の全面処理ライン２０９と上段の部分処理ライン２１０とは、同じ高さに配置されており、水平方向に対向している。同様に、下段の全面処理ライン２０９と下段の部分処理ライン２１０とは、同じ高さに配置されており、水平方向に対向している。
【００９３】
全面処理ライン２０９は、基板Ｗの上面の全域に薬液を供給する第１薬液供給ステーション２１３と、後述するスポンジ搬送ロボット２２１（接触手段、押し付け量変更手段）が待機しているスポンジ搬送ロボット待機ステーション２１４とを含む。これらのステーション２１３、２１４は、インデクサブロック２側から第１薬液供給ステーション２１３、スポンジ搬送ロボット待機ステーション２１４の順番でライン延伸方向Ｄ２に配列されている。同様に、部分処理ライン２１０は、基板Ｗの上面の一部に薬液を供給する第２薬液供給ステーション２１５と、スポンジ搬送ロボット待機ステーション２１４とを含む。これらのステーション２１５、２１４は、インデクサブロック２側から第２薬液供給ステーション２１５、スポンジ搬送ロボット待機ステーション２１４の順番でライン延伸方向Ｄ２に配列されている。部分処理ライン２１０は、スポンジを除き、全面処理ライン２０９と同様の構成を有している。すなわち、全面処理ライン２０９は、基板Ｗの上面の全域に薬液を供給する全面処理スポンジ４１を備えており、部分処理ライン２１０は、基板Ｗの上面の一部に薬液を供給する部分処理スポンジ４９を備えている。
【００９４】
図１５は、本発明の第２実施形態に係る全面処理ライン２０９の概略構成を説明するための模式図である。図１６は、本発明の第２実施形態に係る部分処理ライン２１０の概略構成を説明するための模式図である。
前述のように、部分処理ライン２１０は、全面処理ライン２０９と同様の構成を備えている。したがって、以下では、全面処理ライン２０９について主として説明する。部分処理ライン２１０については、全面処理ライン２０９と異なる点についてのみ説明する。
【００９５】
図１５に示すように、全面処理ライン２０９は、密閉された処理ケース２２２を含む。第１薬液供給ステーション２１３およびスポンジ搬送ロボット待機ステーション２１４は、処理ケース２２２内に設けられている。第１薬液供給ステーション２１３は、インデクサブロック２側に配置されている。処理ケース２２２は、開口部２２３ａを有する箱形の本体２２３と、開口部２２３ａを開閉するシャッター２２４と、開口部２２３ａが開かれる開位置と開口部２２３ａが閉じられる閉位置との間でシャッター２２４を移動させるシャッター移動機構(図示せず)とを含む。開口部２２３ａは、インデクサブロック２に面しており、インデクサロボット６がアクセス可能な位置に配置されている。
【００９６】
図１５に示すように、第１薬液供給ステーション２１３は、基板Ｗを水平に保持するスピンチャック２６０（基板保持手段）と、スピンチャック２６０に保持されている基板Ｗの上面に向けてリンス液の一例である純水を吐出するリンス液ノズル２５１と、リンス液ノズル２５１に純水を供給するリンス液配管２５２と、リンス液配管２５２に介装されたリンス液バルブ２５３と、リンス液ノズル２５１を水平方向に移動させるノズル移動機構２５４と、基板Ｗから排出された液体を受け止めるカップ２５５と、カップ２５５を昇降させるカップ昇降機構２６１と、カップ２５５内に溜まった液体をカップ２５５の外に排出する排出配管（図示せず）とを含む。
【００９７】
スピンチャック２６０は、基板Ｗを水平に保持して当該基板Ｗの中心を通る鉛直な基板回転軸線Ｌ２０１まわりに回転可能な円盤状のスピンベース２６２と、スピンベース２６２を基板回転軸線Ｌ２０１まわりに回転させるスピンモータ２６３とを含む。スピンチャック２６０は、基板Ｗを水平方向に挟んで当該基板Ｗを水平に保持する挟持式のチャックであってもよいし、非デバイス形成面である基板Ｗの裏面（下面）を吸着することにより当該基板Ｗを水平に保持するバキューム式のチャックであってもよい。第２実施形態では、スピンチャック２６０は、たとえばバキューム式のチャックである。
【００９８】
スピンチャック２６０は、有底円筒状のカップ２５５内に収容されている。カップ昇降機構２６１は、カップ２５５の上端がスピンチャック２６０による基板Ｗの保持位置よりも下方に位置する搬入・搬出位置（実線で示す位置）と、カップ２５５の上端がスピンチャック２６０による基板Ｗの保持位置よりも上方に位置する処理位置（二点鎖線で示す位置）との間でカップ２５５を昇降させる。処理ケース２２２の外から中に基板Ｗが搬送されるときには、開口部２２３ａが開かれており、カップ２５５が搬入・搬出位置に配置されている状態で、インデクサロボット６が、ハンドＨを処理ケース２２２内に移動させ、基板Ｗをスピンチャック２６０上に載置させる。処理ケース２２２の中から外に基板Ｗが搬送されるときも同様に、開口部２２３ａが開かれており、カップ２５５が搬入・搬出位置に配置されている状態で、インデクサロボット６が、スピンチャック２６０上に載置されている基板ＷをハンドＨによって保持し、この基板Ｗを処理ケース２２２の外に移動させる。
【００９９】
図１５に示すように、全面処理ライン２０９のスポンジ搬送ロボット待機ステーション２１４は、第１貯留槽４０と、全面処理スポンジ４１と、第１保持部材４２と、昇降機構４３と、循環配管４４と、ポンプ４５と、フィルタ４６と、温度調整装置２４７（温度変更手段）とを含む。さらに、スポンジ搬送ロボット待機ステーション２１４は、第１薬液供給ステーション２１３とスポンジ搬送ロボット待機ステーション２１４との間で全面処理スポンジ４１を搬送するスポンジ搬送ロボット２２１を含む。温度調整装置２４７は、ヒータであってもよいし、クーラであってもよい。
【０１００】
同様に、図１６に示すように、部分処理ライン２１０のスポンジ搬送ロボット待機ステーション２１４は、第１貯留槽４０と、部分処理スポンジ４９と、第１保持部材４２と、昇降機構４３と、循環配管４４と、ポンプ４５と、フィルタ４６と、温度調整装置２４７とを含む。さらに、スポンジ搬送ロボット待機ステーション２１４は、第２薬液供給ステーション２１５とスポンジ搬送ロボット待機ステーション２１４との間で部分処理スポンジ４９を搬送するスポンジ搬送ロボット２２１を含む。
【０１０１】
図１５に示すように、スポンジ搬送ロボット２２１は、スポンジ保持部２２５（スポンジ保持手段）と、鉛直伸縮部２６と、水平移動部２８とを含む。図示はしないが、スポンジ搬送ロボット２２１は、鉛直伸縮部２６を鉛直方向に伸縮させる昇降機構３０と、スポンジ保持部２２５を鉛直軸線まわりに回転させる回転機構３１とをさらに含む（図４参照）。スポンジ保持部２２５は、鉛直伸縮部２６の下方で鉛直伸縮部２６に支持されている。鉛直伸縮部２６は、水平移動部２８の下方で水平移動部２８に支持されている。全面処理スポンジ４１は、スポンジ保持部２２５の下方でスポンジ保持部２２５に保持されている。また、図１６に示すように、部分処理スポンジ４９は、スポンジ保持部２２５の下方でスポンジ保持部２２５に保持されている。
【０１０２】
図１５に示すように、全面処理スポンジ４１は、第１貯留槽４０に貯留されている薬液に浸漬されており、基板Ｗに薬液が供給されるときに、スポンジ搬送ロボット２２１によって第１薬液供給ステーション２１３に搬送される。同様に、図１６に示すように、部分処理スポンジ４９は、第１貯留槽４０に貯留されている薬液に浸漬されており、基板Ｗに薬液が供給されるときに、スポンジ搬送ロボット２２１によって第２薬液供給ステーション２１５に搬送される。第２実施形態では、全面処理スポンジ４１の下面４１ｂが第１基板接触面として機能し、部分処理スポンジ４９の下面４９ｂが第２基板接触面として機能する。
【０１０３】
図１７は、全面処理スポンジ４１が薬液中で圧縮されている状態を示す模式図である。図１８は、全面処理スポンジ４１が空気中で圧縮されている状態を示す模式図である。以下では、全面処理スポンジ４１が洗浄されるときの動作の一例について説明する。部分処理スポンジ４９が洗浄されるときの動作については、全面処理スポンジ４１が洗浄されるときと同様であるので、その説明を省略する。以下では、図１５、図１７、および図１８を参照する。
【０１０４】
全面処理スポンジ４１が洗浄されるときには、制御装置４が、昇降機構４３によって第１保持部材４２を洗浄位置（図１７に示す位置）に移動させる。そして、制御装置４は、第１保持部材４２が洗浄位置に位置しており、スポンジ搬送ロボット２２１が第１貯留槽４０の上方に位置している状態で、スポンジ搬送ロボット２２１の鉛直伸縮部２６を伸長させて、全面処理スポンジ４１を水平な姿勢で下降させる。これにより、全面処理スポンジ４１の全体が薬液に浸かると共に、全面処理スポンジ４１が、スポンジ搬送ロボット２２１と第１保持部材４２とによって上下に挟まれて、全面処理スポンジ４１が薬液中で圧縮される。そのため、全面処理スポンジ４１の内部に保持されている異物が、薬液と共に全面処理スポンジ４１から押し出される。そして、この異物は、薬液と共に循環配管４４を流れることにより、フィルタ４６によって捕獲される。全面処理スポンジ４１が圧縮された後は、制御装置４は、スポンジ搬送ロボット２２１の鉛直伸縮部２６を収縮させて、全面処理スポンジ４１を水平な姿勢で上昇させる。これにより、全面処理スポンジ４１が、薬液の液面よりも上方に移動し、第１貯留槽４０に貯留されている薬液から離れる。また、全面処理スポンジ４１は、上昇している間に元の形状に復元し、第１貯留槽４０に貯留されている薬液を吸収する。
【０１０５】
次に、制御装置４は、昇降機構４３によって第１保持部材４２を絞り位置（図１８に示す位置）に移動させる。これにより、第１保持部材４２が、薬液の液面よりも上方に移動し、第１貯留槽４０に貯留されている薬液から離れる。また、第１保持部材４２が絞り位置に移動することにより、第１保持部材４２が全面処理スポンジ４１に近づき、全面処理スポンジ４１が、スポンジ搬送ロボット２２１と第１保持部材４２とによって上下に挟まれて空気中で圧縮される。これにより、全面処理スポンジ４１が絞られ、全面処理スポンジ４１の内部に保持されている異物が、薬液と共に全面処理スポンジ４１から押し出される。そして、全面処理スポンジ４１から押し出された異物および薬液は、第１貯留槽４０に落下し、循環配管４４を流れる。第１保持部材４２が絞り位置に移動した後は、制御装置４は、第１保持部材４２を再び洗浄位置に移動させる。第１保持部材４２が洗浄位置に移動することにより、第１保持部材４２が全面処理スポンジ４１から離れ、全面処理スポンジ４１が元の形状に復元する。
【０１０６】
このように、第２実施形態では、昇降機構４３が第１保持部材４２を移動させることにより、全面処理スポンジ４１が圧縮される。すなわち、第２実施形態では、昇降機構４３が圧縮手段として機能する。制御装置４は、スポンジ搬送ロボット２２１等に前述の動作を繰り返し実行させる。これにより、薬液中での全面処理スポンジ４１の圧縮および復元と、空気中での全面処理スポンジ４１の圧縮および復元とが繰り返し実行される。したがって、全面処理スポンジ４１の内部に保持されている異物が確実に除去され、全面処理スポンジ４１の清浄度が高められる。そのため、全面処理スポンジ４１と基板Ｗとが接触したときに、全面処理スポンジ４１から基板Ｗに異物が移動して、基板Ｗが汚染されることを抑制または防止できる。
【０１０７】
次に、本発明の第２実施形態に係る基板Ｗの処理の一例について説明する。以下では、図１３を参照する。
基板処理装置２０１で基板Ｗが処理されるときには、制御装置４が、一枚の基板Ｗをインデクサロボット６によってキャリアＣから搬出させる（Ｓ１）。そして、制御装置４は、この基板Ｗをインデクサロボット６によって測定ユニット８に搬送させる。これにより、表面が上に向けられた水平な姿勢で基板Ｗが測定ユニット８に搬入され、基板Ｗの表面の汚染状態が測定ユニット８によって測定される（Ｓ２）。制御装置４は、測定ユニット８の測定結果を取得し、この測定結果に基づいて全面処理スポンジ４１および部分処理スポンジ４９のうちのいずれか一方のスポンジを選択する（Ｓ３）。すなわち、たとえば汚染されている部分が広い場合には、制御装置４は、全面処理ライン２０９を選択し、インデクサロボット６によって測定ユニット８から全面処理ライン２０９に基板Ｗを搬入させる。一方、汚染されている部分が狭い場合には、制御装置４は、部分処理ライン２１０を選択し、インデクサロボット６によって測定ユニット８から部分処理ライン２１０に基板Ｗを搬送させる。
【０１０８】
制御装置４が全面処理ライン２０９を選択した場合には、制御装置４は、インデクサロボット６によって第１薬液供給ステーション２１３に基板Ｗを搬入させる。これにより、表面が上に向けられた水平な姿勢で基板Ｗがスピンチャック２６０上に載置される。その後、制御装置４は、リンス液ノズル２５１がスピンチャック２６０の上方から退避している状態で、スポンジ搬送ロボット２２１によって全面処理スポンジ４１をスポンジ搬送ロボット待機ステーション２１４から第１薬液供給ステーション２１３に移動させる。これにより、全面処理スポンジ４１が、基板Ｗの上方に配置される。
【０１０９】
次に、制御装置４は、全面処理スポンジ４１が基板Ｗの上方に位置している状態で、鉛直伸縮部２６を伸長させて、全面処理スポンジ４１を水平な姿勢で下降させる。これにより、全面処理スポンジ４１の下面４１ｂが、静止状態の基板Ｗの上面の全域に押し付けられる。そのため、全面処理スポンジ４１に吸収されている薬液が染み出て、この薬液が基板Ｗの上面の全域に供給される（Ｓ４）。また、全面処理スポンジ４１自体や全面処理スポンジ４１に吸収されている薬液が温度調整装置２４７によって加熱または冷却されているので、全面処理スポンジ４１と基板Ｗとが接触することにより、基板Ｗが加熱または冷却される。
【０１１０】
全面処理スポンジ４１が基板Ｗに押し付けられている間、制御装置４は、スポンジ搬送ロボット２２１をライン延伸方向Ｄ２に往復させることにより、全面処理スポンジ４１と基板Ｗとを摺動させてもよい。また、全面処理スポンジ４１が基板Ｗに押し付けられている間、制御装置４は、スポンジ搬送ロボット２２１によって全面処理スポンジ４１を鉛直軸線まわりに回転させることにより、全面処理スポンジ４１と基板Ｗとを摺動させてもよい。さらに、制御装置４は、基板Ｗの上面に対する全面処理スポンジ４１の押し付け量をスポンジ搬送ロボット２２１によって増減させてもよい。すなわち、制御装置４は、基板Ｗの汚染状態に応じて押し付け量を制御してもよい。
【０１１１】
第１薬液供給ステーション２１３で基板Ｗに薬液が供給された後は、制御装置４は、スポンジ搬送ロボット２２１によって全面処理スポンジ４１をスポンジ搬送ロボット待機ステーション２１４に退避させる。これにより、第１貯留槽４０に貯留されている薬液に全面処理スポンジ４１が浸漬され、全面処理スポンジ４１に薬液が補充される。そして、スポンジ搬送ロボット２２１が退避した後は、制御装置４は、スピンチャック２６０によって基板回転軸線Ｌ２０１まわりに基板Ｗを回転させる。さらに、制御装置４は、リンス液ノズル２５１がスピンチャック２６０の上方に位置しており、カップ２５５が処理位置に位置している状態で、リンス液バルブ２５３を開いて、リンス液ノズル２５１から純水を吐出させる。これにより、基板Ｗの上面の全域に純水が供給され、基板Ｗに付着している薬液が純水によって洗い流される（Ｓ５）。その後、制御装置４は、リンス液バルブ２５３を閉じてリンス液ノズル２５１からの純水の吐出を停止させる。
【０１１２】
次に、制御装置４は、カップ２５５を処理位置に位置させている状態で、スピンチャック２６０によって基板Ｗを高回転速度で回転させる。基板Ｗに付着している純水は、基板Ｗの回転による遠心力によって基板Ｗの周囲に振り切られる。そして、基板Ｗの周囲に飛散した純水や、基板Ｗから落下した純水は、カップ２５５によって受け止められ、排出配管を通ってカップ２５５の外に排出される。したがって、基板Ｗに供給された純水が第１貯留槽４０内に進入して、薬液中に純水が混ざることが抑制または防止される。また、基板Ｗに付着している純水が基板Ｗの周囲に振り切られることにより、基板Ｗから純水が除去され、基板Ｗが乾燥する（Ｓ６）。基板Ｗの乾燥が行われた後は、制御装置４は、カップ昇降機構２６１によってカップ２５５を搬入・搬出位置に移動させる。その一方で、制御装置４は、シャッター２２４を移動させて、開口部２２３ａを開く。そして、制御装置４は、スピンチャック２６０に保持されている基板Ｗをインデクサロボット６によって搬出させる。
【０１１３】
一方、制御装置４が部分処理ライン２１０を選択した場合には、制御装置４は、インデクサロボット６によって第２薬液供給ステーション２１５に基板Ｗを搬入させる。これにより、表面が上に向けられた水平な姿勢で基板Ｗがスピンチャック２６０上に載置される。その後、制御装置４は、リンス液ノズル２５１がスピンチャック２６０の上方から退避している状態で、スポンジ搬送ロボット２２１によって部分処理スポンジ４９をスポンジ搬送ロボット待機ステーション２１４から第２薬液供給ステーション２１５に移動させる。これにより、部分処理スポンジ４９が、基板Ｗの上方に配置される。
【０１１４】
次に、制御装置４は、部分処理スポンジ４９が基板Ｗの上方に位置している状態で、鉛直伸縮部２６を伸長させて、部分処理スポンジ４９を水平な姿勢で下降させる。これにより、部分処理スポンジ４９の下面４９ｂが、静止状態の基板Ｗの上面の一部に押し付けられる。そのため、部分処理スポンジ４９に吸収されている薬液が染み出て、この薬液が基板Ｗの上面の一部に供給される（Ｓ４）。また、部分処理スポンジ４９自体や部分処理スポンジ４９に吸収されている薬液が温度調整装置２４７によって加熱または冷却されているので、部分処理スポンジ４９と基板Ｗとが接触することにより、基板Ｗが加熱または冷却される。
【０１１５】
部分処理スポンジ４９が基板Ｗの上面に押し付けられるとき、制御装置４は、基板Ｗの上面の汚染されている部分と部分処理スポンジ４９とが接触するように、測定ユニット８の測定結果に基づいてライン延伸方向Ｄ２への部分処理スポンジ４９の位置および基板回転軸線Ｌ２０１まわりの基板Ｗの回転角度を制御する。すなわち、制御装置４は、基板Ｗの上面において部分処理スポンジ４９が接触する部分を測定ユニット８の測定結果に基づいて基板Ｗごとに設定する。そして、制御装置４は、設定した部分に部分処理スポンジ４９が押し付けられるようにスポンジ搬送ロボット２２１およびスピンチャック２６０を制御する。これにより、制御装置４によって設定された部分に薬液が供給される。すなわち、基板Ｗの上面において汚染されている部分に薬液が確実に供給される。
【０１１６】
部分処理スポンジ４９が基板Ｗに押し付けられている間、制御装置４は、スポンジ搬送ロボット２２１をライン延伸方向Ｄ２に往復させることにより、部分処理スポンジ４９と基板Ｗとを摺動させてもよい。また、部分処理スポンジ４９が基板Ｗに押し付けられている間、制御装置４は、スポンジ搬送ロボット２２１によって部分処理スポンジ４９を回転させることにより、部分処理スポンジ４９と基板Ｗとを摺動させてもよい。さらに、制御装置４は、基板Ｗの上面に対する部分処理スポンジ４９の押し付け量をスポンジ搬送ロボット２２１によって増減させてもよい。すなわち、制御装置４は、基板Ｗの汚染状態に応じて押し付け量を制御してもよい。
【０１１７】
第２薬液供給ステーション２１５で基板Ｗに薬液が供給された後は、制御装置４は、スポンジ搬送ロボット２２１によって部分処理スポンジ４９を第２薬液供給ステーション２１５から退避させる。これにより、第１貯留槽４０に貯留されている薬液に部分処理スポンジ４９が浸漬され、部分処理スポンジ４９に薬液が補充される。そして、スポンジ搬送ロボット２２１が退避した後は、制御装置４は、スピンチャック２６０によって基板回転軸線Ｌ２０１まわりに基板Ｗを回転させる。さらに、制御装置４は、リンス液ノズル２５１がスピンチャック２６０の上方に位置しており、カップ２５５が処理位置に位置している状態で、リンス液バルブ２５３を開いて、リンス液ノズル２５１から純水を吐出させる。これにより、基板Ｗの上面の全域に純水が供給され、基板Ｗに付着している薬液が純水によって洗い流される（Ｓ５）。その後、制御装置４は、リンス液バルブ２５３を閉じて、リンス液ノズル２５１からの純水の吐出を停止させる。
【０１１８】
次に、制御装置４は、カップ２５５を処理位置に位置させている状態で、スピンチャック２６０によって基板Ｗを高回転速度で回転させる。基板Ｗに付着している純水は、基板Ｗの回転による遠心力によって基板Ｗの周囲に振り切られる。そして、基板Ｗの周囲に飛散した純水や、基板Ｗから落下した純水は、カップ２５５によって受け止められ、排出配管を通ってカップ２５５の外に排出される。したがって、基板Ｗに供給された純水が第１貯留槽４０内に進入して、薬液中に純水が混ざることが抑制または防止される。また、基板Ｗに付着している純水が基板Ｗの周囲に振り切られることにより、基板Ｗから純水が除去され、基板Ｗが乾燥する（Ｓ６）。基板Ｗの乾燥が行われた後は、制御装置４は、カップ昇降機構２６１によってカップ２５５を搬入・搬出位置に移動させる。その一方で、制御装置４は、シャッター２２４を移動させて、開口部２２３ａを開く。そして、制御装置４は、スピンチャック２６０に保持されている基板Ｗをインデクサロボット６によって搬出させる。
【０１１９】
制御装置４は、全面処理ライン２０９および部分処理ライン２１０から搬出された基板Ｗをインデクサロボット６によって再び測定ユニット８に搬送させる。これにより、表面が上に向けられた水平な姿勢で基板Ｗが測定ユニット８に搬入され、基板Ｗの表面の汚染状態が測定ユニット８によって測定される（Ｓ７）。制御装置４は、測定ユニット８の測定結果を取得し、この測定結果に基づいて基板Ｗに対する薬液の供給を再び行うか否かを判定する（Ｓ８）。
【０１２０】
具体的には、基板Ｗが汚染されていない場合（Ｓ８でＹＥＳの場合）には、制御装置４は、インデクサロボット６によって測定ユニット８からキャリアＣに基板Ｗを搬送させ、この基板Ｗへの薬液の供給を終了させる（Ｓ９）。一方、基板Ｗが汚染されている場合（Ｓ８でＮＯの場合）には、制御装置４は、全面処理スポンジ４１および部分処理スポンジ４９のうちのいずれか一方のスポンジを選択する（Ｓ３に戻る）。そして、全面処理ライン２０９または部分処理ライン２１０で、薬液処理、リンス処理、および乾燥処理が実行される（２回目のＳ４〜６）。その後、制御装置４は、基板Ｗの汚染状態を測定ユニット８によって測定させる（２回目のＳ７）。制御装置４は、基板Ｗの汚染がなくなるまで、このような動作を繰り返し実行させる。
【０１２１】
この発明の実施の形態の説明は以上であるが、この発明は、前述の第１および第２実施形態の内容に限定されるものではなく、請求項記載の範囲内において種々の変更が可能である。
たとえば、前述の第１および第２実施形態では、循環配管を流れる薬液を加熱および冷却することにより、基板を加熱および冷却する場合について説明した。しかし、貯留槽に貯留されている薬液を加熱および冷却することにより、基板を加熱および冷却してもよい。また、スポンジを直接加熱および冷却してもよいし、基板を直接加熱および冷却してもよい。
【０１２２】
また、前述の第１および第２実施形態では、基板に付着している液体を遠心力によって振り切って、基板を乾燥させる場合について説明した。しかし、基板に気体を吹き付けることにより、基板に付着している液体を除去して、基板を乾燥させてもよい。
また、前述の第１および第２実施形態では、基板処理装置が、円板状の基板を処理する装置である場合について説明した。しかし、基板処理装置は、液晶表示装置用基板などの多角形の基板を処理する装置であってもよい。
【０１２３】
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
【符号の説明】
【０１２４】
１        基板処理装置
４        制御装置（接触制御手段、スポンジ選択手段、接触位置設定手段、摺動制御手段、押し付け量制御手段、温度制御手段）
８        測定ユニット（汚染状態測定手段）
１１      搬入・搬出ステーション
１２      リンス・乾燥ステーション
１３      第１薬液供給ステーション（供給ステーション）
１５      第２薬液供給ステーション（供給ステーション）
２０      搬送路
２１      基板搬送ロボット（基板保持手段、接触手段、圧縮手段、摺動手段、押し付け量変更手段、乾燥手段、搬送手段）
４０      第１貯留槽（処理液供給手段、洗浄槽）
４１      全面処理スポンジ（スポンジ）
４１ａ    全面処理スポンジの上面（第１基板接触面）
４１ｂ    全面処理スポンジの下面（第１基板接触面）
４２      第１保持部材（スポンジ保持手段）
４３      昇降機構（圧縮手段）
４４      循環配管
４６      フィルタ
４７ａ    ヒータ（温度変更手段、加熱手段）
４７ｂ    クーラ（温度変更手段、冷却手段）
４８      第２貯留槽（処理液供給手段、洗浄槽）
４９      部分処理スポンジ（スポンジ）
４９ａ    部分処理スポンジの上面（第２基板接触面）
４９ｂ    部分処理スポンジの下面（第２基板接触面）
５０      第２保持部材（スポンジ保持手段）
５１      リンス液ノズル（リンス液供給手段）
５６      スポンジ洗浄装置（スポンジ洗浄手段）
２０１    基板処理装置
２２１    スポンジ搬送ロボット（接触手段、摺動手段、押し付け量変更手段）
２２５    スポンジ保持部（スポンジ保持手段）
２４７    温度調整装置（温度変更手段）
２６０    スピンチャック（基板保持手段）
【図１】
0005731866.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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