(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
高周波トランジスタ及び前記高周波トランジスタにバイアス電力を供給するバイアス端子を実装する高周波基板と、
金属によって形成されたケースの側壁と、
前記側壁と接する側の面全体に設けられた、前記高周波トランジスタを覆うグランド層と、前記側壁と接する側と反対側の面から供給される前記バイアス電力を前記バイアス端子に供給するための挿通孔とを有する電源基板と、
を備える高周波増幅器。
【請求項２】
前記電源基板は、前記側壁と接する側と反対側の面において、前記側壁と接する位置に対応する位置に設けられたグランドパターンと、前記バイアス電力を供給するバイアス線と前記グランドパターンとを接続するコンデンサとをさらに備える請求項１記載の高周波増幅器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は高周波増幅器に関する。
【背景技術】
【０００２】
高周波増幅器においては発振及び高周波電力の損失を防止するため、高周波信号が漏れ出さないように遮蔽する必要がある。
【０００３】
従来の高周波増幅器においては、高周波トランジスタを実装する高周波基板を金属のカバーによって覆い、このカバーの上に高周波トランジスタにバイアス電力を供給するバイアス線を有する電源基板を設置していた。
【０００４】
この場合、高周波トランジスタ及び高周波トランジスタと接続する線路からの高周波の漏れはカバーによって遮蔽される。
【０００５】
バイアス電力を高周波トランジスタに供給するために、電源基板とカバーに貫通孔が設けられ、この貫通孔にバイアス線が挿通される。バイアス線は高周波基板のバイアス端子に接続され、バイアス電力が高周波トランジスタに供給される。
【０００６】
従って、このバイアス線路及びバイアス端子から漏れ出す高周波は、貫通孔を通して外部に漏れ出す。
【０００７】
また、電源基板はカバーの上に載置され、ビスによってケースに固定される。従って、ビスのインダクタンスにより電源基板上のグランドが高周波回路のグランド電位と異なる場合がある。
【０００８】
この点に関し、ケースの側壁に挿通孔を設け、バイアス線をこの挿通孔に挿通する技術が提案されている。
【０００９】
しかし、この技術によっても電源基板はビスによってケースに固定されるため、ビスにインダクタンスが表れ、電源基板上のグランド電位を高周波回路のグランド電位と同じにすることはできない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開２００９−２６９７９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
従って、バイアス線からの高周波の漏れをより効率的に抑えることが可能な高周波増幅器が求められている。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記の課題を解決するために、本発明の一実施形態は、高周波トランジスタ及び高周波トランジスタにバイアス電力を供給するバイアス端子を実装する高周波基板と、金属によって形成されたケースの側壁と、側壁と接する側の面全体に設けられた、高周波トランジスタを覆うグランド層と、側壁と接する側と反対側の面から供給されるバイアス電力をバイアス端子に供給するための挿通孔とを有する電源基板と、を備える高周波増幅器を提供する。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】高周波増幅器の構成を示す図である。
【図２】応用例に係る高周波増幅器を示す図である。
【図３】高周波増幅器の側面断面図である。
【図４】応用例に係る高周波増幅器の側面断面図である。
【図５】他の応用例に係る高周波増幅器の側面断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、高周波増幅器の一実施形態について、図面を用いて詳細に説明する。
【００１５】
本実施形態の高周波増幅器は、高周波トランジスタ及び高周波トランジスタにバイアス電力を供給するバイアス端子を実装する高周波基板と、高周波トランジスタが増幅する高周波の波長の１／２以下の間隔のビス穴を有し、金属によって形成されるケースの側壁と、電源基板の第１の面に設置され、バイアス電力を供給するバイアス線、電源基板の第１の面に設置されるグランドパターン、グランドパターンに接続し、高周波トランジスタが増幅する高周波の波長の１／２以下の間隔のスルーホールを有し、側壁と接する第２の面にグランド層、及びバイアス線を挿通する挿通孔を備え、ビスにより側壁に係止される電源基板と、を備える。
【００１６】
図１は、本実施形態の高周波増幅器の構成を示す図である。図１に示すように、高周波増幅器は、高周波トランジスタ１２及び高周波トランジスタ１２にバイアス電力を供給するバイアス端子１３を実装する高周波基板１１と、高周波トランジスタ１２が増幅する高周波の波長の１／２以下の間隔のビス穴１４Ａを有し、金属によって形成される側壁１４と、第１の面に設置され、バイアス電力を供給するバイアス線１７、電源基板１５の第１の面に設置されるグランドパターン１９、グランドパターン１９に接続し、高周波トランジスタ１２が増幅する高周波の波長の１／２以下の間隔のスルーホール２０Ａを有し、側壁１４と接する第２の面にグランド層１６、及びバイアス線を挿通する挿通孔２２を備え、ビス２１により側壁１４に係止される電源基板１５と、を備える。
【００１７】
電源基板１５は、さらに高周波トランジスタ１２が増幅する高周波の波長の１／２以下の間隔のビス穴２０を有していてもよい。
【００１８】
スルーホール２０Ａは、内部にメッキ層を有し、このメッキ層はグランドパターン１９と、グランド層１６と、を接続する。
【００１９】
全てのスルーホール２０Ａ及びビス穴２０の直近のスルーホール２０Ａ又はビス穴２０との間隔Ｗ１は高周波トランジスタ１２が増幅する高周波の波長の１／２以下の距離を有する。従って、スルーホール２０Ａ及びビス穴２０を備えるグランド層１６はシールドとして動作し、高周波の漏れ出しを抑えることが可能となる。
【００２０】
グランド層１６は、金属メッキにより少なくとも側壁と接する範囲に形成される。グランド層１６は側壁と面接触する。従って、ビス２１によるインダクタンスの発生を抑えて接地することが可能となる。
【００２１】
高周波増幅器は、さらに電源基板１５の第１の面にバイアス線１７とグランドパターン１９とを接続するコンデンサ１８を設けることができる。コンデンサ１８は挿通孔２２の近傍に設けられる。コンデンサ１８と挿通孔２２との距離は短いほどよい。
【００２２】
このコンデンサ１８はデカップリングコンデンサとして動作する。バイアス端子１３から漏れ出した高周波に対してグランドパターン１９に接続するコンデンサ１８は短絡となり、高周波は反射して漏れを抑制することが可能となる。
【００２３】
図２は、応用例に係る高周波増幅器を示す図である。図２に示すように、高周波増幅器は上述の構成に加えてカバー３０を設けることができる。
【００２４】
カバー３０は、金属によって形成され、高周波トランジスタ１２が増幅する高周波の波長の１／２以下の間隔のビス穴とバイアス線１７を挿通する挿通孔２２Ａとを備え、高周波トランジスタ１２が設置される高周波基板１１を覆う。
【００２５】
カバー３０は側壁１４と電源基板１５との間に設置され、ビス２１により側壁１４に電源基板１５とともに係止される。
【００２６】
グランドパターン１９は、スルーホール２０Ａ、カバー３０及び側壁１４により接地される。
【００２７】
従って、高周波の漏れをさらに効率よく遮蔽することが可能となる。
【００２８】
図３は、高周波増幅器の側面断面図である。図３においては、高周波トランジスタ１２、バイアス線１７等の実装部品は省略してある。図３に示すように、グランドパターン１９はスルーホール２０Ａのメッキ層１５Ａとグランド層１６により側壁１４に接続され、接地される。
【００２９】
グランド層１６は、電源基板１５の第２の面の全面に設けられる。
【００３０】
図４は、応用例に係る高周波増幅器の側面断面図である。図４においては、高周波トランジスタ１２、バイアス線１７等の実装部品は省略してある。図４に示すように、電源基板１５は、側壁１４と接触する部分のみにグランド層１６Ａを設けてもよい。
【００３１】
この場合も、グランドパターン１９はスルーホール２０Ａのメッキ層１５Ａとグランド層１６Ａにより側壁１４に接続され、接地される。
【００３２】
図５は、他の応用例に係る高周波増幅器の側面断面図である。図５においては、高周波トランジスタ１２、バイアス線１７等の実装部品は省略してある。図５に示すように、高周波増幅器がカバー３０を備える場合には、グランド層１６は電源基板１５の第２の面全面に設けられる。
【００３３】
この場合、グランドパターン１９はスルーホール２０Ａのメッキ層１５Ａとグランド層１６と、カバー３０により側壁１４に接続され、接地される。
【００３４】
以上述べたように、本実施形態の高周波増幅器は、高周波トランジスタ１２及び高周波トランジスタ１２にバイアス電力を供給するバイアス端子１３を実装する高周波基板１１と、高周波トランジスタ１２が増幅する高周波の波長の１／２以下の間隔のビス穴１４Ａを有し、金属によって形成される側壁１４と、第１の面に設置され、バイアス電力を供給するバイアス線１７、電源基板１５の第１の面に設置されるグランドパターン１９、グランドパターン１９に接続し、高周波トランジスタ１２が増幅する高周波の波長の１／２以下の間隔のスルーホール２０Ａを有し、側壁１４と接する第２の面にグランド層１６、バイアス線１７とグランドパターン１９とを接続するコンデンサ１８、及びバイアス線を挿通する挿通孔２２を備え、ビス２１により側壁１４に係止される電源基板１５と、を備える。
【００３５】
従って、高周波トランジスタ１２が増幅する高周波の波長の１／２以下の間隔のビス穴１４Ａ及びスルーホール２０Ａを有するグランド層１６により高周波の漏れを効率よく遮断できるという効果がある。
【００３６】
いくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。
【符号の説明】
【００３７】
１２：高周波トランジスタ
１４：側壁
１５：電源基板
１６：グランド層
１８：コンデンサ
１９：グランドパターン
２０：ビス穴
２０Ａ：スルーホール
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
0005818624.tif 000005
【図５】
0005818624.tif 000006