(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子ビームが照射される試料が載置されるステージ装置であって、
前記電子ビームの光軸と直交する方向に移動可能なＸＹステージと、
前記ＸＹステージ上に固定された電子ビーム調整用の複数のマーク台と、
前記複数のマーク台が固定されている領域を回避して前記ＸＹステージ上に搭載され、前記光軸方向に移動可能であり、前記試料が載置されるＺステージと、
前記複数のマーク台の各々に１つずつ配置された基準チップとを有し、
前記基準チップの各々には表面の高さが異なる複数のマークが設けられ、前記複数のマークのうち、前記Ｚステージに載置された前記試料の高さに最も近い高さのマークを用いて、前記電子ビームの焦点又は偏光感度が調整されることを特徴とするステージ装置。
【請求項２】
高さの異なるマーク台を少なくとも２つ以上有し、
各マーク台に、表面の高さが異なる複数のマークが設けられた基準チップが配置されていることを特徴とする請求項１に記載のステージ装置。
【請求項３】
前記基準チップは、高さが等しいマークを少なくとも２つ以上有することを特徴とする請求項１または２に記載のステージ装置。
【請求項４】
前記マーク台は、少なくとも２つ以上の基準チップを有することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載のステージ装置。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載のステージ装置を有しており、
前記ステージ装置に載置される試料に電子ビームを照射して所望のパターンを描画することを特徴とする電子ビーム描画装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ステージ装置およびこれを用いた電子ビーム描画装置に関し、より詳しくは、電子ビーム調整用のマーク台が設けられたステージ装置と、このステージ装置を用いた電子ビーム描画装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体集積回路の高集積化に伴って、ＬＳＩ（Ｌａｒｇｅ  Ｓｃａｌｅ  Ｉｎｔｅｇｒａｔｉｏｎ）のパターンは、より微細化および複雑化している。このような状況下において、所望とされる半導体デバイスの回路パターンの形成には、高精度な原画パターン（レチクルまたはマスクともいう。）が必要とされている。高精度の原画パターンの生産には、電子線描画（電子ビームリソグラフィ）技術が広く使われている。これは電子ビームが本質的に優れた解像性を有していることと、複雑且つ任意に設計される回路パターンをデータ処理して描画することが可能なシステムを有しているためである。
【０００３】
最近では、パターニングの柔軟性により、電子ビームを用いて回路パターンをウェハ上に形成する、電子線直接描画を用いた製品の生産も行なわれ始めている。この技術は、主として、少量で多品種なＡＳＩＣやロジックデバイスなどの生産に用いられている。
【０００４】
特許文献１には、電子ビームリソグラフィ技術に使用される可変成形型電子ビーム描画装置が開示されている。こうした装置における描画データは、ＣＡＤシステムを用いて設計された半導体集積回路などの設計データ（ＣＡＤデータ）に、補正や図形パターンの分割などの処理を施すことによって作成される。例えば、図形パターンの分割処理は、電子ビームのサイズにより規定される最大ショットサイズ単位で行われ、併せて、分割された各ショットの座標位置、サイズおよび照射時間が設定される。そして、描画する図形パターンの形状や大きさに応じてショットが成形されるように、描画データが作成される。描画データは、短冊状のフレーム（主偏向領域）単位で区切られ、さらにその中は副偏向領域に分割されている。つまり、チップ全体の描画データは、主偏向領域のサイズにしたがった複数の帯状のフレームデータと、フレーム内で主偏向領域よりも小さい複数の副偏向領域単位とからなるデータ階層構造になっている。
【０００５】
副偏向領域は、副偏向器によって、主偏向領域よりも高速に電子ビームが走査されて描画される領域であり、一般に最小描画単位となる。副偏向領域内を描画する際には、パターン図形に応じて準備された寸法と形状のショットが成形偏向器により形成される。具体的には、電子銃から出射された電子ビームが、第１のアパーチャで矩形状に成形された後、成形偏向器で第２のアパーチャ上に投影されて、そのビーム形状と寸法を変化させる。その後、副偏向器と主偏向器により偏向されて、ステージ上に載置されたマスクに照射される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平９−２９３６７０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、さらなるＬＳＩパターンの微細化要求に応えるには、電子ビームの焦点や偏向感度を高精度に調整する必要がある。そのためには、マスク表面の高さ方向の位置を正確に調整することが重要となる。高さ方向の位置ずれが生じると、実際の描画の際に焦点ぼけや位置ずれを生じ、描画精度が低下するからである。
【０００８】
マスク表面の高さ方向の位置調整には、マーク台が用いられる。マーク台とマスクの高さが一致していれば、マーク台で予め調整した電子ビームで描画することができる。一方、マーク台よりもマスク面が高いために高さずれを生じている場合には、この高さずれの影響が補正される。マーク台よりもマスク面が低いために高さずれを生じている場合にも同様である。
【０００９】
電子ビーム描画装置では、通常、高さの異なるマーク台が複数用意される。これらのマーク台は、マスクが載置されるステージ上に設けられる。そして、要求される描画精度に応じて適当なマーク台が選択され、これを用いて電子ビームの焦点や偏向感度が調整される。
【００１０】
この場合、描画精度に対する要求が高くなると、より細かい範囲で高さを変えたマーク台が必要となる。しかしながら、ステージ上でマーク台が設けられるスペースには限りがあり、僅かに高さを変えたマーク台を数多く設置することは難しい。このため、従来は、粗い間隔で高さを変えたマーク台を複数設置して電子ビームの調整を行い、補間によって、電子ビームの焦点位置とマスク表面の高さとを調整するパラメータを求めていた。
【００１１】
また、マーク台は、製作時や設置時における物理的要因によって高さにばらつきを生じる。したがって、マスク表面の高さに合わせてマーク台を設置することも困難である。したがって、従来法では、実際に描画をする際の電子ビームの焦点位置で上記のパラメータを求めることができなかった。
【００１２】
本発明は、こうした点に鑑みてなされたものである。すなわち、本発明の目的は、マスクなどの試料面の高さと実質的に等しい高さのマークを用いて、電子ビームの焦点や偏向感度を調整することが可能なマーク台が設けられたステージ装置と、このステージ装置を用いた電子ビーム描画装置とを提供することにある。
【００１３】
本発明の他の目的および利点は、以下の記載から明らかとなるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明の第１の態様は、電子ビームが照射される試料が載置されるステージ装置であって、
電子ビームの光軸と直交する方向に移動可能なＸＹステージと、
ＸＹステージ上に固定された電子ビーム調整用のマーク台と、
マーク台が固定されている領域を回避してＸＹステージ上に搭載され、光軸方向に移動可能であり、試料が載置されるＺステージとを有し、
マーク台には、表面の高さが異なる複数のマークが設けられた基準チップが配置されていることを特徴とするものである。
【００１５】
本発明の第１の態様は、高さの異なるマーク台を少なくとも２つ以上有し、
各マーク台に、表面の高さが異なる複数のマークが設けられた基準チップが配置されていることが好ましい。
【００１６】
本発明の第１の態様において、基準チップは、高さが等しいマークを少なくとも２つ以上有することが好ましい。
【００１７】
本発明の第１の態様において、マーク台は、少なくとも２つ以上の基準チップを有することが好ましい。
【００１８】
本発明の第２の態様は、本発明の第１の態様のステージ装置を有しており、
このステージ装置に載置される試料に電子ビームを照射して所望のパターンを描画することを特徴とする電子ビーム描画装置に関する。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、マスクなどの試料面の高さと実質的に等しい高さのマークを用いて、電子ビームの焦点や偏向感度を調整することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本実施の形態の電子ビーム描画装置の構成を示す概念図である。
【図２】図１の電子ビーム描画装置のＸＹステージの部分の平面図である。
【図３】（ａ）は、Ｚステージによる高さ調整前の状態を示す側面図であり、（ｂ）は、Ｚステージによる高さ調整後の状態を示す側面図である。
【図４】（ａ）〜（ｅ）は、本実施の形態でマーク台に設けられるマークの形成方法を示す工程図である。
【図５】（ａ）〜（ｄ）は、本実施の形態でマーク台に設けられるマークの形成方法を示す工程図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
図１は、マスクＭの表面に電子ビームを照射して所望のパターンを描画する電子ビーム描画装置を示している。この電子ビーム描画装置は、描画室１と、描画室１の天井部に立設した電子ビーム照射手段たる電子光学鏡筒２とを備えている。描画室１には、ステージ装置が配置されている。ステージ装置は、図２に示すように、ＸＹステージ３と、マーク台４１、４２、４３、４４と、Ｚステージ５とを有する。
【００２２】
ＸＹステージ３は、電子ビームの光軸方向と直交するＸ方向およびＹ方向に移動可能である。
【００２３】
ＸＹステージ３上には、図２に示すように、高さの異なる複数のマーク台４１、４２、４３、４４が立設されている。尚、図２の例では、４つのマーク台を設けているが、これに限られるものではない。マーク台の数は、これを立設可能な領域の大きさなどに応じて適宜決定することができる。
【００２４】
ＸＹステージ３上であって、マーク台４１、４２、４３、４４が立設されている領域を回避した領域には、電子ビームの光軸方向、すなわち、Ｚ方向に移動可能なＺステージ５が搭載されている。
【００２５】
Ｚステージ５上には、図３に示すように、マスクＭをその裏面で保持する保持機構６が設置されている。保持機構６は、例えば、マスクＭの裏面を吸着する静電チャックで構成することができる。ＸＹステージ３の移動速度が高速である場合、加減速時にマスクＭに作用する慣性力が大きくなって、マスクＭの位置ずれを生じやすくなる。保持機構６が静電チャックで構成されていれば、マスクＭの位置ずれを防止するのに効果的である。
【００２６】
マーク台４１、４２、４３、４４には、それぞれ基準チップ４１、４２、４３、４４が設けられている。また、基準チップ４１、４２、４３、４４には、それぞれ複数のマーク４ａ１、４ａ２、４ａ３、４ｂ１、４ｂ２、４ｂ３が設けられている。マーク４ａ１、４ａ２、４ａ３は、それぞれマーク表面の高さが同じである。また、マーク４ｂ１、４ｂ２、４ｂ３も、それぞれマーク表面の高さが同じである。しかし、マーク４ａ１、４ａ２、４ａ３と、マーク４ｂ１、４ｂ２、４ｂ３とは、マーク表面の高さが異なっており、マーク４ｂ１、４ｂ２、４ｂ３の方が、マーク４ａ１、４ａ２、４ａ３より低くなっている。本実施の形態では、これらのマーク４ａ１、４ａ２、４ａ３、４ｂ１、４ｂ２、４ｂ３を用いて、描画を行う前に、電子ビームの焦点やビーム位置が調整される。
【００２７】
基準チップ４１、４２、４３、４４は、例えば、シリコンウェハから切り出されたチップで構成される。各基準チップには、上述の通り、電子ビーム描画装置がキャリブレーションを行う際に使用するマーク４１、４２、４３、４４が、パターンとして形成されている。これらのパターンは、例えば、タンタル（Ｔａ）またはタングステン（Ｗ）などの重金属で形成されることが好ましい。これにより、マーク４１、４２、４３、４４の少なくとも１つを電子ビームでスキャンすると、２次元プロファイルとして良好なコントラストを有する反射電子や２次電子の測定データが得られる。得られたマークパターンの２次元プロファイルを基に、電子ビームの位置座標をＸＹステージ３の位置の基準座標とすることができる。
【００２８】
尚、図２の例では、１つの基準チップに設けられた高さが等しいマークは、それぞれ３つである。しかし、本実施の形態はこれに限られるものではない。電子ビームの照射によりマークは次第に劣化するので、多数のマークを設け、劣化したら順次新たなマークを使用できるようにしておくことが好ましい。
【００２９】
また、図２の例では、高さの異なる２種類のマークを設けているが、本実施の形態はこれに限られるものではない。後述するように、１つのマーク台に高さの異なるマークを多く設けておけば、マスクＭの高さにより近い高さのマークを用意できるので、電子ビームの焦点や偏向感度を高い精度で調整することが可能となる。さらに、図２の例では、矩形のマークを用いているが、これに限られるものではなく、例えば、円形、三角形または十字形とすることもできる。
【００３０】
さらに、図２の例では、１つのマーク台に１つの基準チップを設けているが、本実施の形態はこれに限られるものではない。１つのマーク台に複数の基準チップを設けることも可能である。この場合、各基準チップに設けるマークの種類は同じであってもよく、異なっていてもよい。同じである場合には、劣化したマークに代えて新しいマークを順次使用することができる。一方、異なる場合には、マスクＭの高さにより近い高さのマークを用意できるので、電子ビームの焦点や偏向感度を高い精度で調整することが可能となる。
【００３１】
電子光学鏡筒２は、内蔵する電子銃から発せられた電子ビームを所要の断面形状に成形した後、偏向させてマスクＭに照射する公知のものであり、その詳細な説明は省略する。電子光学鏡筒２は照射制御部７により制御される。
【００３２】
電子光学鏡筒２は、図３（ａ）に示す対物レンズ２ａを備えており、対物レンズ２ａに印加する電圧を照射制御部７により変化させることで、電子ビームの焦点高さを所定の調整範囲内で可変できるようにしている。本実施の形態では、対物レンズ２ａおよび照射制御部７により、電子ビームの焦点高さを所定の調整範囲内で可変する焦点調整機構が構成される。
【００３３】
対物レンズ２ａの焦点位置は、電子光学系の他の構成要素、たとえば、対物レンズ２ａの上側に設けるもう一つの対物レンズなどによっても調整することができるようになっている。そして、電子ビームの焦点高さの調整範囲（上限Ｆｈ、下限Ｆｌ）に、マーク台４１、４２、４３、４４に設けられたマーク４ａ１、４ａ２、４ａ３およびマーク４ｂ１、４ｂ２、４ｂ３のいずれかの高さが納まるように、電子光学系の他の構成要素、例えば、もう一つの対物レンズなどを調整する。
【００３４】
例えば、マーク台４１に設けられたマーク４ａ１を用いて、電子ビームの焦点高さを調整する。尚、他のマーク４ａ２、４ａ３、４ｂ１、４ｂ２または４ｂ３を用いる場合や、他のマーク台４２、４３または４４を用いる場合も同様である。
【００３５】
電子ビームの焦点高さを、上記調整範囲内にある所定の値Ｆｍに維持した状態で、マーク台４１の上面に設けたマーク４ａ１を横断するように電子ビームを走査し、マーク４ａ１からの反射電子を図外の反射電子検出器により検出する。電子ビームの焦点高さがマーク４ａ１の上面の高さに一致している場合には、マーク４ａ１に電子ビームが照射された時点で反射電子の検出数が急峻に立ち上がるが、電子ビームの焦点高さがマーク４ａ１の上面の高さからずれている場合には、反射電子の検出数の立ち上がりが緩やかになる。そして、反射電子の検出数の立ち上がりが急峻になるように対物レンズ２ａの設置高さを調節し、上記値Ｆｍをマーク４ａ１の上面の高さに一致させる。
【００３６】
ＸＹステージ３は、ＸＹステージ制御部８によりＸ方向およびＹ方向に移動制御される。Ｚステージ５は、Ｚステージ制御部９によりＺ方向に移動制御される。そして、照射制御部７、ＸＹステージ制御部８およびＺステージ制御部９は全体制御部１０で統括制御される。全体制御部１０には、第１メモリ１１１と第２メモリ１１２とが接続されている。第１メモリ１１１にはパターンデータが記憶されている。全体制御部１０は、パターンデータに基づいて描画すべき図形の形状、位置を規定する描画データを作成し、これを第２メモリ１１２に記憶させる。
【００３７】
また、電子ビーム描画装置は、ＸＹステージ５のＸ方向およびＹ方向の位置を測定するステージ位置測定手段１２と、保持機構６に保持されるマスクＭの高さを測定する高さ測定手段１３とを備えている。ステージ位置測定手段１２は、ＸＹステージ３に固定したステージミラー３ａへのレーザ光の入反射でＸＹステージ３の位置を測定するレーザ測長計で構成されている。尚、図２および図３では、ステージミラー３ａが省略されている。
【００３８】
高さ測定手段１３は、レーザ光をマスクＭの表面に斜め上方から収束して照射する投光部１３ａと、マスクＭからの反射光を受光して反射光の位置を検出する受光部１３ｂと、反射光の位置からマスクＭの高さを算出する高さ算出部１３ｃとで構成されている。高さ測定手段１３で測定されたマスクＭの高さデータは全体制御部１０に入力される。
【００３９】
マスクＭへのパターンの描画に際しては、全体制御部１０からＸＹステージ制御部８に動作指令が出され、ＸＹステージ３が移動される。また、照射制御部７では、全体制御部１０から入力される描画データに基づき、ステージ位置測定手段１２で測定したＸＹステージ３の位置を確認しつつ、電子光学鏡筒２内の電子ビームの成形制御、偏向制御を行って、マスクＭの所要の位置に電子ビームを照射する。さらに、マスクＭの電子ビーム照射個所の高さを高さ測定手段１３によりリアルタイムで測定し、マスクＭの高さに合わせて電子ビームの焦点高さを調整し、高さずれによる影響を補正する。
【００４０】
また、本実施の形態では、Ｚステージ５の移動制御を行って、マスクＭの高さを電子ビームの調整を行ったマーク４ａ１の高さに一致させることもできる。図３は、Ｚステージ５による高さ調整の前後の状態を示したものである。図３（ａ）は、マーク４ａ１の高さに対して、マスクＭの高さが低い場合の調整前の状態を示している。図３（ｂ）は、マスクＭの高さをマーク４ａ１の高さに一致させるために、Ｚステージ５を上方向に移動させた調整後の状態を示している。尚、図示しないが、マスクＭがマーク４ａ１よりも高い場合には、Ｚステージ５を下方向に移動させて調整すればよい。
【００４１】
次に、図４および図５を用いて、マーク４ａ１、４ａ２、４ａ３およびマーク４ｂ１、４ｂ２、４ｂ３の形成方法を説明する。
【００４２】
まず、図４（ａ）に示すように、基板１０１の上に第１のレジスト膜１０２を形成し、第１のレジスト膜１０２の所定領域に電子ビームを照射する。基板１０１としては、例えば、シリコン（Ｓｉ）基板を用いることができる。また、本実施の形態では、第１のレジスト膜１０２としてポジ型レジスト膜を用いるが、ネガ型レジスト膜を用いてもよい。
【００４３】
次に、現像処理を行って、図４（ｂ）に示すように、第１のレジスト膜１０２を所定のパターンに加工する。
【００４４】
次に、第１のレジスト膜１０２から露出している基板１０１をエッチングする。その後、第１のレジスト膜１０２を剥離すると、図４（ｃ）に示す形状の基板、すなわち、表面に所定の凹部１０４が形成された基板１０３が得られる。
【００４５】
次に、図４（ｄ）に示すように、基板１０３の上にポジ型の第２のレジスト膜１０５を形成する。尚、第２のレジスト膜１０５はネガ型のレジスト膜としてもよい。次いで、第２のレジスト膜１０５に電子ビームを照射する。ここで、露光領域は、図４（ｂ）で電子ビームを照射した領域と、電子ビームを照射していない領域とからなるものとする。本実施の形態では、これらの領域が隣接しているが、隣接していなくてもよい。
【００４６】
次に、現像処理を行って、第２のレジスト膜１０５を所定のパターンに加工した後、第２のレジスト膜１０５から露出している基板１０３をエッチングする。このとき、基板１０３には、図４（ｃ）でエッチングした領域と、エッチングしていない領域とがある。したがって、所定時間のエッチング処理を行うことで、基板１０３の表面に高さの異なる２種類の凹部１０６、１０７を形成することができる。これらの高さの差は、例えば、数μｍ程度とすることができる。
【００４７】
エッチング処理後に第２のレジスト膜１０５を剥離すると、図４（ｅ）に示す形状の基板、すなわち、表面に高さの異なる２種類の凹部１０６、１０７が形成された基板１０８が得られる。
【００４８】
次に、図５（ａ）に示すように、基板１０８の上に、重金属の膜１０９を形成する。重金属の膜１０９としては、例えば、タンタル（Ｔａ）膜またはタングステン（Ｗ）膜などを用いることができ、これらは、例えば、スパッタリング法やＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法などによって形成することができる。
【００４９】
次いで、図５（ａ）に示すように、重金属の膜１０９の上に、ポジ型の第３のレジスト膜１１０を形成する。尚、第３のレジスト膜１１０はネガ型のレジスト膜としてもよい。
【００５０】
次に、図５（ｂ）に示すように、第３のレジスト膜１１０に電子ビームでマーク４ａ１、４ａ２、４ａ３およびマーク４ｂ１、４ｂ２、４ｂ３に対応する形状のパターンを描画する。ここで、露光領域は、基板１０８に設けられた２種類の凹部１０６、１０７に対応する領域とする。凹部１０６と凹部１０７とでは、第３のレジスト膜１１０の表面の高さが異なっているので、電子ビームで描画する際には、それぞれの高さに電子ビームの焦点が合うようにする。
【００５１】
次に、現像処理を行って、第３のレジスト膜１１０を所定のパターンに加工した後、第３のレジスト膜１１０から露出している重金属の膜１０９をエッチングする。このとき、重金属の膜１０９には、基板１０８に設けられた２種類の凹部１０６、１０７に対応して、高さの異なる２種類の領域がある。したがって、所定時間のエッチング処理を行うことで、重金属の膜１０９を表面の高さの異なる２種類のパターンに加工することができる。
【００５２】
エッチング処理後に第３のレジスト膜１１０を剥離すると、図５（ｃ）に示す形状の基板、すなわち、表面に高さの異なる２種類の重金属のパターン１１１、１１２が設けられた基板１１３が得られる。
【００５３】
次に、基板１１３を所定位置でダイシングすることにより、図５（ｄ）に示すように、複数の基準チップ１１４、１１５が得られる。各基準チップには、高さの異なる２種類のマーク４ａ１、４ａ２、４ａ３およびマーク４ｂ１、４ｂ２、４ｂ３が設けられている。この基準チップをマーク台の上に固定し、さらにこのマーク台をステージに固定することで、本実施の形態のＸＹステージとすることができ、本実施の形態における電子ビームの焦点高さの位置合わせに用いられる。
【００５４】
尚、図４および図５の例では、高さの異なる２種類のマークを形成する場合について述べたが、さらに高さの異なるマークを形成する場合には、図４（ｄ）および図４（ｅ）で説明した工程を繰り返せばよい。
【００５５】
本実施の形態では、１つのマーク台に複数の高さの異なるマークを設けるので、ステージ上に設けるマーク台の数を従来と変えずに、従来よりも細かい範囲で高さを変えることができる。したがって、本実施の形態のステージを用いれば、マスクの高さと実質的に等しい高さのマークを用いて、電子ビームの焦点や偏向感度を調整することが可能である。また、１つのマーク台に高さの異なるマークを多く設けておけば、マスクの高さにより近い高さのマークを用意できるので、電子ビームの焦点や偏向感度を高い精度で調整することができる。
【００５６】
また、本実施の形態によれば、次のような効果も得られる。
【００５７】
マスクに電子ビームが照射されると反射電子が発生する。発生した反射電子は、電子ビーム描画装置内の光学系や検出器などに衝突してチャージアップされ、これによって新たな電界が発生する。すると、マスクへ向けて偏向された電子ビームの軌道が変化し、描画位置が所望の位置からずれてしまうビームドリフトが起こる。ビームドリフトの原因はこれのみによるものではないが、いずれの場合であっても、描画途中でステージ上の基準マーク位置を検出してビームドリフト量を測定し、描画位置が所望の位置となるように校正する必要がある。本実施の形態のステージによれば、マスクの高さと実質的に等しい高さのマークを用いてビームドリフト量を検出できるので、描画位置を高い精度で校正することが可能である。
【００５８】
尚、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内において、種々変形して実施することができる。
【００５９】
例えば、上記実施の形態では電子ビームを用いたが、本発明はこれに限られるものではなく、イオンビームなどの他の荷電粒子ビームを用いた場合にも適用可能である。
【符号の説明】
【００６０】
２…電子光学鏡筒(電子ビーム照射手段)
２ａ…対物レンズ(焦点調整機構)
３…ＸＹステージ
４１、４２、４３、４４…マーク台
４ａ１、４ａ２、４ａ３、４ｂ１、４ｂ２、４ｂ３…マーク
４１、４２、４３、４４…基準チップ
５…Ｚステージ
６…保持機構
７…照射制御部(焦点調整機構)
９…Ｚステージ制御部(Ｚステージ制御手段)
１３…高さ測定手段
１０１、１０３、１０８、１１３…基板
１０２…第１のレジスト膜
１０４、１０６、１０７…凹部
１０５…第２のレジスト膜
１０９…重金属の膜
１１０…第３のレジスト膜
１１１、１１２…パターン
【図１】
0005662763.tif 000002
【図２】
0005662763.tif 000003
【図３】
0005662763.tif 000004
【図４】
0005662763.tif 000005
【図５】
0005662763.tif 000006