(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン基板の表面に形成された光路用溝と、この光路用溝の先端部に形成された光路変換用のミラー部と、前記光路用溝の後端部付近に位置する外部導波路と、前記ミラー部と対向するように前記シリコン基板の表面に実装され、ミラー部を介して外部導波路に光信号を発光し、若しくはミラー部を介して外部導波路からの光信号を受光する光素子とを備えた光モジュールにおいて、
前記光素子の信号配線はメタル配線で構成され、
前記シリコン基板の表面に形成された下向き凹部と、前記下向き凹部の内面と前記基板の表面とに跨って形成されたグランド面と、前記下向き凹部内の前記グランド面を覆うように前記下向き凹部に充填された樹脂部と、前記グランド面の略真上に位置して、前記樹脂部の表面に形成された前記信号配線とでなり、
前記下向き凹部の深さを変えて、前記信号配線と前記グランド面との距離を調整することを特徴とする光モジュール。
【請求項２】
前記シリコン基板はグランドに接地され、前記下向き凹部のグランド面は前記シリコン基板を介してグランドに接地されていることを特徴とする請求項１に記載の光モジュール。
【請求項３】
前記凹部はエッチングにより形成されていることを特徴とする請求項１または２に記載の光モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光信号を送信あるいは受信する光モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
図１０に示す光モジュール５０は、発光（送信）側光モジュール５０Ａと受光（受信）側光モジュール５０Ｂの各第１基板５１の表面に形成された溝内に設けられた内部導波路５２と、この溝の先端部に形成された光路変換用のミラー部５３とが設けられている。また、各第１基板５１の表面に実装され、ミラー部５３を介して内部導波路５２のコア部に光信号を発光し、若しくはミラー部５３を介して内部導波路５２のコア部からの光信号を受光する発光素子（光素子）５４Ａと受光素子（光素子）５４Ｂとが設けられている。さらに、発光素子５４Ａと受光素子５４Ｂの各内部導波路５２のコア部と光学的に結合される外部導波路（光ファイバー）５５が設けられている（特許文献１参照）。なお、特許文献１では、外部導波路として、樹脂光導波路を薄型化したフレキシブルなフィルム状のものを用いている。
【０００３】
この特許文献１では、各第１基板５１の表面に、発光素子５４Ａの発光面と受光素子５４Ｂの受光面を実装面として、それぞれバンプでフリップチップ実装している。
【０００４】
また、各第１基板５１は、別の第２基板（インタポーザ基板）５６の表面にそれぞれ設置されている。この各第２基板５６の表面には、発光素子５４Ａに電気信号を送信するためのＩＣ回路が形成されたＩＣ基板５７Ａと、受光素子５４Ｂからの電気信号を受信するためのＩＣ回路が形成されたＩＣ基板５７Ｂがそれぞれ実装されている。なお、５９は、各ＩＣ基板５７Ａ，５７Ｂを他の回路装置に電気的に接続するためのコネクタである。
【０００５】
図１１に詳細に示すように、各第１基板５１の発光素子５４Ａと受光素子５４Ｂの各信号配線６０ｓとグランド配線６０ｇ，６０ｇはメタル配線（銅や金スパッタによるパターニング回路）で形成されている。また、メタル配線である各信号配線６０ｓとグランド配線６０ｇ，６０ｇは、各第２基板６のＩＣ基板５７Ａ，５７Ｂにワイヤーボンディング５８でそれぞれ電気的に接続されている。
【０００６】
なお、絶縁膜を介して信号線とシールド線とを設ける配線基板は提案されている（特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００９−２６０２２７号公報
【特許文献２】特開２００３−２７３１１５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ところで、特許文献１のような光モジュールにおいて、発光素子５４Ａ（受光素子５４Ｂ）と第１基板５１の表面（上面）に形成されたメタル配線６０ｓ，６０ｇとのインピーダンス整合がとれないため、高周波回路の伝送特性が劣化する。ここで、第１基板５１の誘電率および厚さが一定の場合、信号配線とグランド配線の幅および間隔を変えてインピーダンスを制御することができる。
【０００９】
しかしながら、第１基板５１としてシリコン基板（シリコンベンチ）を用いた場合、配線幅は、ワイヤーボンディング５８の間隔、発光素子５４Ａと受光素子５４Ｂのメタルパッドの間隔で制限される。したがって、最適なインピーダンスになるように、配線幅／間隔を設定することが難しいという問題があった。
【００１０】
本発明は、前記問題を解消するためになされたもので、信号メタル配線とグランド面との距離を調整することで、インピーダンスを最適にコントロールすることができる光モジュールを提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
前記課題を解決するために、本発明は、シリコン基板の表面に形成された光路用溝と、この光路用溝の先端部に形成された光路変換用のミラー部と、前記光路用溝の後端部付近に位置する外部導波路と、前記ミラー部と対向するように前記シリコン基板の表面に実装され、ミラー部を介して外部導波路に光信号を発光し、若しくはミラー部を介して外部導波路からの光信号を受光する光素子とを備えた光モジュールにおいて、前記光素子の信号配線はメタル配線で構成され、前記シリコン基板の表面に形成された下向き凹部と、前記下向き凹部の内面と前記基板の表面とに跨って形成されたグランド面と、前記下向き凹部内の前記グランド面を覆うように前記下向き凹部に充填された樹脂部と、前記グランド面の略真上に位置して、前記樹脂部の表面に形成された前記信号配線とでなり、前記下向き凹部の深さを変えて、前記信号配線と前記グランド面との距離を調整することを特徴とする光モジュールを提供するものである。
【００１３】
前記シリコン基板はグランドに接地され、前記下向き凹部のグランド面は前記シリコン基板を介してグランドに接地されている構成とすることができる。
【００１５】
前記各凹部はエッチングにより形成されている構成とすることができる。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、光素子の信号配線にグランド面が所定の距離を隔てるように配置したから、信号配線とグランド面との距離を調整することで、インピーダンスを最適にコントロールすることができる。
また、シリコン基板の下向き凹部の内面にグランド面を形成し、このグランド面を覆うように下向き凹部に充填した樹脂部の表面に光素子の信号配線を形成する。したがって、下向き凹部の深さを変えて、信号配線とグランド面との距離を調整することで、インピーダンスを最適にコントロールすることができる。また、シリコン基板に、エッチング工程で、光路用溝と同時に下向き凹部を形成することが可能であるから、最小限の工程でインピーダンスをコントロールすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明に係る光モジュールの概略側面図である。
【図２】図１の発光側の光モジュールの第１基板であり、（ａ）は側面断面図、（ｂ）は（ａ）のＩ−Ｉ線断面図、（ｃ）は（ａ）のＩＩ−ＩＩ線断面図である。
【図３】図２の第１基板であり、（ａ）は斜視図、（ｂ）は内部導波路を形成した斜視図である。
【図４】第１基板であり、（ａ）は発光素子を実装した斜視図、（ｂ）は光ファイバーを挿入した斜視図である。
【図５】（ａ）は第１基板に押さえブロックを固定した斜視図、（ｂ）は光ファイバーの斜視図である。
【図６】第１実施形態の発光側光モジュールであり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＩＩＩ−ＩＩＩ線断面図である。
【図７】第２実施形態の発光側光モジュールであり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＩＶ−ＩＶ線断面図である。
【図８】第３実施形態の従来の光モジュールであり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＶ−Ｖ線断面図である。
【図９】第４実施形態の発光側光モジュールであり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＶＩ−ＶＩ線断面図である。
【図１０】従来の光モジュールの側面断面図である。
【図１１】従来の発光側光モジュールであり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）の正面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、本発明を実施するための形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。図１は本発明に係る光モジュールの概略側面図である。図２は図１の発光側の光モジュールの第１基板１であり、（ａ）は側面断面図、（ｂ）は（ａ）のＩ−Ｉ線断面図、（ｃ）は（ａ）のＩＩ−ＩＩ線断面図である。図３は第１基板１であり、（ａ）は斜視図、（ｂ）は内部導波路１６を形成した斜視図である。図４は第１基板１であり、（ａ）は発光素子１２ａを実装した斜視図、（ｂ）は光ファイバー２を挿入した斜視図である。図５（ａ）は押さえブロック２４を固定した斜視図、図５（ｂ）は光ファイバー２の斜視図である。
【００２３】
図１において、光モジュールは、発光側光モジュール４０Ａと受光側光モジュール４０Ｂと、発光側と受光側の光モジュール４０Ａ，４０Ｂを光学的に結合する光ファイバー２とを備えている。
【００２４】
第１基板１は、実装時の熱の影響や使用環境による応力の影響を避けるために、剛性が必要である。また、光伝送の場合は、発光素子から受光素子までの光結合効率が必要になるので、光素子を高精度に実装することや使用中の位置変動を極力抑制する必要がある。このため、第１基板１として、本実施形態ではシリコン（Ｓｉ）基板が採用されている。
【００２５】
特にシリコン基板であれば、シリコンの結晶方位を利用して表面に高精度のエッチング溝加工が可能〔この溝を利用して高精度なミラー部１５（後述）、溝内に内部導波路１６（後述）を形成する。〕となる。また、シリコン基板は、平坦性も良好である。
【００２６】
第１基板１は、それよりもサイズが大きい第２基板（インタポーザ基板）６の表面（上面）にそれぞれ設置されている。各第２基板６の裏面（下面）には、他の回路装置に電気的に接続するためのコネクタ７がそれぞれ取付けられている。
【００２７】
第１基板１の表面（上面）には、電気信号を光信号に変換する発光素子１２ａが発光面を下向きとしてバンプ１２ｃ（図２参照）でフリップチップ実装されている。また、第２基板６の表面には、この発光素子１２ａに電気信号を送信するためのＩＣ回路が形成されたＩＣ基板（信号処理部）４ａが実装されている。
【００２８】
発光素子１２ａとして、本実施形態では、半導体レーザである面発光レーザ〔ＶＣＳＥＬ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ｃａｖｉｔｙ  Ｓｕｒｆａｃｅ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｌａｓｅｒ）〕が採用されている。この発光素子１２ａはＬＥＤ等でもよい。
【００２９】
ＩＣ基板４ａは、前記ＶＣＳＥＬを駆動させるドライバＩＣであり、発光素子１２ａの近傍に配設されている。そして、後で説明するが、図１１の場合と同様に（括弧内の符号を参照）、第１基板１（５１）の発光素子１２ａ（５４Ａ）の信号配線（６０ｓ）とグランド配線（６０ｇ，６０ｇ）はメタル配線（銅や金スパッタによるパターニング回路）で形成されている。また、メタル配線である信号配線（６０ｓ）とグランド配線（６０ｇ，６０ｇ）は、第２基板６（５６）のＩＣ基板４ａ（５７Ａ）にワイヤーボンディング（５８）で電気的に接続されている。
【００３０】
第１基板１の表面には、図３（ａ）に示すように、略台形状の第１溝（導波路形成用溝）１ａと、第１溝１ａよりも深い略Ｖ字形状の第２溝１ｂが前後方向に連なって形成されている。なお、第１溝１ａは、第２溝１ｂよりも浅い略Ｖ字形状の溝であってもよい。
【００３１】
第１溝１ａの先端部には、発光素子１２ａの真下となる位置に、光路を９０度屈曲させるための光路変換用のミラー部１５が形成されている。
【００３２】
第１基板１の第１溝１ａ内には、図３（ｂ）に示すように、第１基板１の発光素子１２ａと光学的に結合する内部導波路１６が設けられている。この内部導波路１６は、ミラー部１５から第２溝１ｂの方向に延在していて、第１溝１ａの後端部１ｄと面一となっている。
【００３３】
内部導波路１６は、光が伝播する屈折率の高い断面略正方形状のコア部１７と、それよりも屈折率の低いクラッド部１８とから構成されている。図２（ｃ）のように、コア部１７の左右の両面は、クラッド部１８で覆われている。なお、第１溝１ａが第２溝１ｂよりも浅い略Ｖ字形状の溝である場合には、コア部１７は、断面略正方形状でなく、略Ｖ字形状の溝に沿った断面略五角形状に形成する。また、第１溝１ａ内に、内部導波路１６を必ずしも設ける必要はなく、この場合には、第１溝１ａは光路用溝となる。
【００３４】
図４（ａ）のように、内部導波路１６が設けられた第１基板１の表面の所定位置には、発光素子１２ａが実装され、この発光素子１２ａとコア部１７との間の空間には、図２（ａ）のように、光学透明樹脂１３が充填されている。
【００３５】
図１に戻って、受光側光モジュール４０Ｂについて説明する。この受光側光モジュール４０Ｂの第１基板１の基本的な構成は、発光側光モジュール４０Ａの第１基板１と同様に構成されている。ただし、受光側光モジュール４０Ｂの第１基板１の表面（上面）に、光信号を電気信号に変換する受光素子１２ｂが受光面を下向きとしてバンプでフリップチップ実装されている。また、第２基板６の表面に、この受光素子１２ｂに電気信号を送信するためのＩＣ回路が形成されたＩＣ基板（信号処理部）４ｂが実装されている点で、発光側光モジュール４０Ａの第１基板１と異なる。この受光素子１２ｂとしては、ＰＤ（Ｐｈｏｔｏ  Ｄｉｏｄｅ）が採用されており、ＩＣ基板４ｂは、電流・電圧の変換を行うＴＩＡ（Ｔｒａｎｓ−ｉｍｐｅｄａｎｃｅ  Ａｍｐｌｉｆｉｅｒ）などの素子である。
【００３６】
次に、光ファイバー２を説明する。光ファイバー２は、図１および図５に示すように、発光側光モジュール４０Ａのコア部１７と、受光側光モジュール４０Ｂのコア部１７とを光学的に結合可能なファイバーコア部２１を内部に有している。そして、このファイバーコア部２１の外周を包囲するファイバークラッド部２２と、このファイバークラッド部２２の外周を被覆する被覆部２３とで構成されるコードタイプである。このファイバーコア部２１とファイバークラッド部２２と被覆部２３は円形状である。
【００３７】
光ファイバー２は、図１のように、第１基板１の第２溝１ｂの手前付近で被覆部２３が剥がされて、ファイバークラッド部２２が露出されている。
【００３８】
そして、図２（ａ）（ｃ）および図４（ｂ）のように、第１基板１の第２溝１ｂに光ファイバー２のファイバークラッド部２２を設置して、第１溝１ａとの境部分の立ち上がり傾斜部でファイバークラッド部２２の位置決めをする。このときに、第１基板１の内部導波路１６のコア部１７と光ファイバー２のファイバーコア部２１の光軸が一致した位置決め状態で光学的に結合されるようになる。
【００３９】
第１基板１の内部導波路１６のコア部１７の端面と光ファイバー２のファイバーコア部２１の端面との間の隙間は、２００μｍ以下となる。一般的には、光結合効率が１００％となる、隙間０が好ましいが、本構成においては、第１基板１の溝幅と光ファイバークラッド部２６の外径サイズの制約上、隙間は６０μｍから１００μｍとなる。
【００４０】
第１基板１の表面の位置において、図２（ａ）および図５のように、光ファイバー２のファイバークラッド部２２の上部には押えブロック２４が配置され、この押えブロック２４と第２溝１ｂとの間の空間には、接着剤１４が充填されている。
【００４１】
このように、光ファイバー２のファイバークラッド部２２の先端側は、押えブロック２４で第２溝１ｂに押え付けられた状態で、押えブロック２４とともに第１基板１に接着剤１４で接着固定されるようになる。
【００４２】
図６は、第１実施形態の発光側光モジュール４０Ａ−１（受光側光モジュール４０Ｂでも同様。）であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＩＩＩ−ＩＩＩ線断面図である。
【００４３】
第１基板１の表面には、発光素子１２ａの部分から第１基板１の端部１ｆに亘って下向き台形状の凹部１ｅが形成されている。そして、この下向き凹部１ｅの内面と第１基板１の表面に跨って、グランド面（前記グランド配線に相当）３０ｇが形成されている。
【００４４】
また、下向き凹部１ｅ内のグランド面３０ｇを覆うように、下向き凹部１ｅ内に絶縁性樹脂が充填された樹脂部３１が形成されている。そして、発光素子１２ａのメタル配線である信号配線３０ｓは、下向き凹部１ｅの底部に位置するグランド面３０ｇの略真上に位置するように、樹脂部３１の表面に形成されている。これにより、信号配線３０ｓにグランド面３０ｇが所定の距離Ｌを隔てるように配置されることになる。
【００４５】
第１実施形態の発光側光モジュール４０Ａ−１であれば、第１基板（シリコン基板）１の下向き凹部１ｅの内面にグランド面３０ｇを形成する。また、このグランド面３０ｇを覆うように下向き凹部１ｅに充填した樹脂部３１の表面に発光素子１２ａの信号配線３０ｓを形成する。
【００４６】
したがって、下向き凹部１ｅの深さを変えて、信号配線３０ｓとグランド面３０ｇとの距離Ｌを調整することで、インピーダンスを最適にコントロールすることができる。また、第１基板（シリコン基板）１に、エッチング工程で、第１溝（光路用溝）１ａと同時に下向き凹部１ｅを形成することが可能であるから、最小限の工程でインピーダンスをコントロールすることができる。
【００４７】
なお、図６（ｂ）に示したように、第１基板（シリコン基板）１をグランドに接地し、下向き凹部１ｅのグランド面３０ｇを第１基板１を介してグランドに接地することもできる。これによれば、シリコン基板に安価な低抵抗基板を使用できるので、低コスト化が図れるようになる。
【００４８】
図７は、第２実施形態の発光側光モジュール４０Ａ−２であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＩＶ−ＩＶ線断面図である。
【００４９】
第１基板１の裏面には、発光素子１２ａの部分から第１基板１の端部１ｆに亘って上向き台形状の凹部１ｇが形成されている。そして、この上向き凹部１ｇの底内面に、グランド面（前記グランド配線に相当）３０ｇが形成されている。
【００５０】
そして、発光素子１２ａのメタル配線である信号配線３０ｓは、上向き凹部１ｇの底部に位置するグランド面３０ｇの略真上に位置するように、第１基板１の表面に形成されている。これにより、信号配線３０ｓにグランド面３０ｇが所定の距離Ｌを隔てるように配置されることになる。
【００５１】
第２実施形態の発光側光モジュール４０Ａ−２であれば、第１基板１の上向き凹部１ｇの底内面にグランド面３０ｇを形成し、第１基板１板の表面に発光素子１２ａの信号配線３０ｓを形成する。したがって、上向き凹部１ｇの深さを変えて、信号配線３０ｓとグランド面３０ｇとの距離Ｌを調整することで、インピーダンスを最適にコントロールすることができる。
【００５２】
第１，２実施形態において、各凹部１ｅ，１ｇをエッチングにより形成すれば、各凹部１ｅ，１ｇの深さは、エッチングで容易に調整できるから、信号配線３０ｓとグランド面３０ｇとの距離Ｌを高精度に調整することができる。
【００５３】
図８は、第３実施形態の発光側光モジュール４０Ａ−３であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＶ−Ｖ線断面図である。
【００５４】
第１基板１の表面には信号配線３０ｓが形成されている。また、信号配線３０ｓの表面には絶縁体３２が配置されている。そして、信号配線３０ｓの略真上に位置して、絶縁体３２の表面全体にグランド面３０ｇが形成されている。
【００５５】
第３実施形態の発光側光モジュール４０Ａ−３であれば、第１基板１の表面に信号配線３０ｓを形成し、信号配線３０ｓの表面に配置した絶縁体３２の表面にグランド面３０ｇを形成する。したがって、絶縁体３２の厚みを変えて、信号配線３０ｓとグランド面３０ｇとの距離Ｌを調整することで、インピーダンスを最適にコントロールすることができる。
【００５６】
また、外部導波路が光ファイバー２である場合、この光ファイバー２を押さえる押さえ板２４として用いるガラス基板あるいは樹脂基板を延長すれば、絶縁体３２として利用（兼用）することができるから、低コスト化が図れるようになる。
【００５７】
図９は、第４実施形態の発光側光モジュール４０Ａ−４であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＩＶ−ＩＶ線断面図である。
【００５８】
第１基板１の表面には信号配線３０ｓが形成されている。また、グランドに接地されて、信号配線３０ｓの略真上に絶縁層３３を介して位置するシールドカバー３４が配置されている。このシールドカバー３４は、略逆Ｕ字状に形成されて、発光素子１２ａの部分から第１基板１の端部１ｆに亘って延在する。そして、両側部３４ｂが第１基板１の両側端部１ｈに嵌まり合うとともに、上端部３４ｂがグランド面３０ｇとして、信号配線３０ｓの略真上に位置するようになる。
【００５９】
第４実施形態の発光側光モジュール４０Ａ−４であれば、第１基板１の表面に信号配線３０ｓを形成し、グランドに接地したシールドカバー３４の上端部３４ａをグランド面３０ｇとして、信号配線３０ｓの略真上に絶縁層３３を介して位置させる。したがって、絶縁層３３の厚みを変えて（換言すれば、シールドカバー３４の高さを変えて）、信号配線３０ｓと、グランド面３０ｇであるシールドカバー３４の上端部３４ａとの距離Ｌを調整することで、インピーダンスを最適にコントロールすることができる。また、シールドカバー３４とインピーダンスコントロール用のグランド面３０ｇを兼用できるので、低コスト化が図れるようになる。
【００６０】
また、絶縁層３３は空気層であるから、絶縁用部材を用いることなく、距離Ｌの調整が簡単に行えるようになる。
【００６１】
以上のように、本発明に係る光モジュールは、シリコン基板の表面に形成された光路用溝と、この光路用溝の先端部に形成された光路変換用のミラー部と、前記光路用溝の後端部付近に位置する外部導波路のコア部と、前記ミラー部と対向するように前記シリコン基板の表面に実装され、ミラー部を介してコア部に光信号を発光し、若しくはミラー部を介してコア部からの光信号を受光する光素子とを備えた光モジュールにおいて、前記光素子の信号配線はメタル配線で構成され、前記信号配線にグランド面が所定の距離を隔てるように配置されていることを特徴とするものである。
【００６２】
これによれば、光素子の信号配線にグランド面が所定の距離を隔てるように配置したから、信号配線とグランド面との距離を調整することで、インピーダンスを最適にコントロールすることができる。
【００６３】
また、前記シリコン基板の表面に形成された下向き凹部と、前記下向き凹部の内面に形成されたグランド面と、前記グランド面を覆うように前記下向き凹部に充填された樹脂部と、前記グランド面の略真上に位置して、前記樹脂部の表面に形成された前記信号配線とでなる構成とすることができる。
【００６４】
これによれば、シリコン基板の下向き凹部の内面にグランド面を形成し、このグランド面を覆うように下向き凹部に充填した樹脂部の表面に光素子の信号配線を形成する。したがって、下向き凹部の深さを変えて、信号配線とグランド面との距離を調整することで、インピーダンスを最適にコントロールすることができる。また、シリコン基板に、エッチング工程で、光路用溝と同時に下向き凹部を形成することが可能であるから、最小限の工程でインピーダンスをコントロールすることができる。
【００６５】
また、前記シリコン基板はグランドに接地され、前記下向き凹部のグランド面は前記シリコン基板を介してグランドに接地されている構成とすることができる。
【００６６】
これによれば、シリコン基板に安価な低抵抗基板を使用できるので、低コスト化が図れるようになる。
【００６７】
また、前記シリコン基板の裏面に形成された上向き凹部と、前記上向き凹部の内面に形成されたグランド面と、前記グランド面の略真上に位置して、前記シリコン基板の表面に形成された前記信号配線とでなる構成とすることができる。
【００６８】
これによれば、シリコン基板の上向き凹部の内面にグランド面を形成し、シリコン基板の表面に光素子の信号配線を形成する。したがって、上向き凹部の深さを変えて、信号配線とグランド面との距離を調整することで、インピーダンスを最適にコントロールすることができる。
【００６９】
また、前記各凹部はエッチングにより形成されている構成とすることができる。
【００７０】
これによれば、各凹部の深さは、エッチングで容易に調整できるから、信号配線とグランド面との距離を高精度に調整することができる。
【００７１】
また、前記シリコン基板の表面に形成された前記信号配線と、前記信号配線の表面に配置された絶縁体と、前記信号配線の略真上に位置して、前記絶縁体の表面に形成されたグランド面とでなる構成とすることができる。
【００７２】
これによれば、シリコン基板の表面に信号配線を形成し、信号配線の表面に配置した絶縁体の表面にグランド面を形成する。したがって、絶縁体の厚みを変えて、信号配線とグランド面との距離を調整することで、インピーダンスを最適にコントロールすることができる。
【００７３】
また、前記絶縁体は、ガラス基板あるいは樹脂基板である構成とすることができる。
【００７４】
これによれば、外部導波路が光ファイバーである場合、この光ファイバーを押さえる押さえ板として用いるガラス基板あるいは樹脂基板を利用することができるから、低コスト化が図れるようになる。
【００７５】
また、前記シリコン基板の表面に形成された前記信号配線と、グランドに接地されて、前記信号配線の略真上に絶縁層を介して位置するシールドカバーとでなる構成とすることができる。
【００７６】
これによれば、シリコン基板の表面に信号配線を形成し、グランドに接地したシールドカバーを信号配線の略真上に絶縁層を介して位置させる。したがって、絶縁層の厚みを変えて、信号配線とグランド面であるシールドカバーとの距離を調整することで、インピーダンスを最適にコントロールすることができる。また、シールドカバーとインピーダンスコントロール用のグランド面を兼用できるので、低コスト化が図れるようになる。
【００７７】
また、前記絶縁層は、空気層である構成とすることができる。
【００７８】
これによれば、絶縁層が空気層であれば、絶縁用部材を用いることなく、距離の調整が簡単に行えるようになる。
【符号の説明】
【００７９】
１      第１基板（シリコン基板）
１ａ    第１溝（光路用溝）
１ｅ    下向き凹部
１ｇ    上向き凹部
２      光ファイバー
１２ａ  発光素子（光素子）
１５    ミラー部
１６    内部導波路
２１    ファイバーコア部
２４    押さえブロック（ガラス基板あるいは樹脂基板）
３０ａ  信号配線（メタル配線）
３０ｇ  グランド面（グランド配線）
３１    樹脂部
３２    絶縁体（ガラス基板あるいは樹脂基板）
３３    絶縁層
３４    シールドカバー
Ｌ      距離
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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