(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
一端に第１の接続部が形成され、他端に被接続物により押圧された際に前記被接続物のパッドと接触する第２の接続部が形成された接続端子を備え、前記接続端子を介して前記被接続物を着脱可能な状態で基板に接続するソケットであって、
前記接続端子を固定する支持体と、
前記支持体に形成された貫通孔と、を有し、
前記接続端子は、金属板を湾曲して形成されてなり、
前記第１の接続部と、
前記第１の接続部に対して対向配置された前記第２の接続部と、
湾曲した形状とされ、ばね性を有するばね部と、
一方の端部が前記ばね部と一体的に構成され、他方の端部が前記第１の接続部の端部と一体的に構成された板状の第１の支持部と、
一方の端部が前記ばね部と一体的に構成され、他方の端部が前記第２の接続部の端部と一体的に構成された板状の第２の支持部と、を有し、
前記第１の支持部は前記基板の表面に対して鋭角になるように傾斜し、
前記第２の接続部は、前記第２の支持部から前記被接続物のパッドに向かう方向に突出すると共に、前記第２の支持部と一体的に構成された突出部と、前記突出部の端部に設けられ、前記被接続物のパッドと接触する接触部と、を有し、前記被接続物のパッドと接触する部分の前記接触部はラウンド形状であり、
前記接続端子は前記貫通孔に挿入され、前記第１の接続部が前記支持体の一方の面に固着され、前記第２の接続部が前記支持体の他方の面から突出していることを特徴とするソケット。
【請求項２】
前記第１の接続部の、前記支持体の一方の面に固着された面の反対面が前記基板との接続部に形成されていることを特徴とする請求項１記載のソケット。
【請求項３】
前記反対面にはバンプが形成されており、
前記バンプは、前記基板のパッドと接合することにより、前記第１の接続部と前記基板のパッドとを電気的に接続することを特徴とする請求項２記載のソケット。
【請求項４】
前記反対面にはバンプが形成されており、
前記バンプは、前記基板のパッドと接触することにより、前記第１の接続部と前記基板のパッドとを電気的に接続することを特徴とする請求項２記載のソケット。
【請求項５】
前記反対面にはバンプが形成されており、
前記バンプは、前記反対面に形成された突起部と、
前記反対面に前記突起部を被覆するように形成された接合部と、を有し、
前記接合部は、前記基板のパッドと接合することにより、前記第１の接続部と前記基板のパッドとを電気的に接続することを特徴とする請求項２記載のソケット。
【請求項６】
前記接続端子は、前記貫通孔の内壁面と接触しないように、前記貫通孔に挿入されていることを特徴とする請求項１乃至５の何れか一項記載のソケット。
【請求項７】
前記支持体の他方の面の外縁部には、前記第２の接続部と前記被接続物のパッドとを位置決め可能に構成された位置決め部が設けられていることを特徴とする請求項１乃至６の何れか一項記載のソケット。
【請求項８】
一端に第１の接続部が形成され他端に第２の接続部が形成された接続端子を備え、前記接続端子を介して被接続物を着脱可能な状態で基板に接続するソケットの製造方法であって、
前記接続端子を形成する第１工程と、
前記接続端子を固定する支持体を準備し、前記支持体に貫通孔を形成する第２工程と、
前記貫通孔に対応する位置に前記接続端子を収容する開口部が設けられた治具を準備し、前記貫通孔と前記開口部とが対応する位置にくるように、前記治具上に前記支持体を載置する第３工程と、
前記接続端子を、前記第２の接続部が前記開口部に挿入されると共に、前記第１の接続部が前記支持体の一方の面に接するように配置する第４工程と、
前記第１の接続部を前記支持体の一方の面に固着する第５工程と、
前記治具を取り外す第６工程と、を有することを特徴とするソケットの製造方法。
【請求項９】
前記第１の接続部の、前記支持体の一方の面に固着される面の反対面にバンプを形成する第７工程を有することを特徴とする請求項８記載のソケットの製造方法。
【請求項１０】
前記第６工程よりも後に、前記支持体の他方の面の外縁部に、前記第２の接続部と前記被接続物のパッドとを位置決め可能に構成された位置決め部を設ける第８工程を有することを特徴とする請求項８又は９記載のソケットの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体パッケージ等の被接続物を実装基板等と電気的に接続するソケット及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、被接続物を実装基板等と電気的に接続するソケットが知られている。図１は、従来のソケットを例示する断面図（その１）である。図１を参照するに、従来のソケット１００は、支持体１０１と、ばね性を有する導電性の接続端子１０２及び１０３とを有する。支持体１０１には複数の貫通孔１０１ｘが所定のピッチで配設されている。支持体１０１の一方の面１０１ａには配線１０４が形成され、配線１０４は一方の面１０１ａから貫通孔１０１ｘを介して他方の面１０１ｂに延在している。
【０００３】
接続端子１０２の一端は、支持体１０１の一方の面１０１ａに形成された配線１０４上に固定されている。接続端子１０２の他端は、被接続物４００のパッド４０１と接触可能に構成されている。接続端子１０３の一端は、支持体１０１の他方の面１０１ｂに形成された配線１０４上に固定されている。接続端子１０３の他端は、マザーボード等の実装基板５００と電気的に接続されている。なお、接続端子１０２と接続端子１０３とは同一部品としても構わない。
【０００４】
パッド４０１を有する被接続物４００（例えば、配線基板や半導体パッケージ等）がソケット１００の方向に押圧されると、接続端子１０２の他端はパッド４０１と接触する。これにより、ソケット１００と被接続物４００とは電気的に接続される。すなわち、被接続物４００は、ソケット１００を介してマザーボード等の実装基板５００と電気的に接続される（例えば、特許文献１参照）。
【０００５】
図２は、従来のソケットを例示する断面図（その２）である。図２を参照するに、従来のソケット２００は、ソケット１００（図１参照）とは異なり、接続端子１０２に代えて接続端子２０２を有する。接続端子２０２はばね性を有する導電性の接続端子であり、その一端は支持体１０１の一方の面１０１ａに形成された配線１０４上に固定されている。接続端子２０２の他端は、被接続物４００のパッド４０１と接触可能に構成されている。又、従来のソケット２００は、ソケット１００（図１参照）とは異なり、接続端子１０３に代えてバンプ２０３を有する。支持体１０１の他方の面１０１ｂに形成された配線１０４は、バンプ２０３を介して、マザーボード等の実装基板５００と電気的に接続されている。
【０００６】
パッド４０１を有する被接続物４００（例えば、配線基板や半導体パッケージ等）がソケット２００の方向に押圧されると、接続端子２０２の他端はパッド４０１と接触する。これにより、ソケット２００と被接続物４００とは電気的に接続される。すなわち、被接続物４００は、ソケット２００を介してマザーボード等の実装基板５００と電気的に接続される（例えば、特許文献２参照）。
【０００７】
図３は、従来のソケットを例示する断面図（その３）である。図３を参照するに、従来のソケット３００は、樹脂を成形したハウジング３０１と、ばね性を有する導電性の接続端子３０２とを有する。
【０００８】
ハウジング３０１には、複数の貫通孔３０１ｘが所定のピッチで配設されている。接続端子３０２は、一体的に構成された接続部３１５及び３１６とばね部３１７とを有し、ハウジング３０１の貫通孔３０１ｘ内に固定（嵌合）されている。接続部３１５はハウジング３０１の一方の面３０１ａから突出しており、接続部３１６はハウジング３０１の他方の面３０１ｂから露出している。
【０００９】
接続部３１６は、バンプ３０３を介して、マザーボード等の実装基板５００と電気的に接続されている。パッド４０１を有する被接続物４００（例えば、配線基板や半導体パッケージ等）がソケット３００の方向に押圧されると、接続部３１５はパッド４０１と接触する。これにより、ソケット３００と被接続物４００とは電気的に接続される。すなわち、被接続物４００は、ソケット３００を介してマザーボード等の実装基板５００と電気的に接続される（例えば、特許文献３参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】米国特許第７３７１０７３号明細書
【特許文献２】特許第３１５７１３４号
【特許文献３】米国特許第７２６４４８６号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
ところで、図１に示すソケット１００では、支持体１０１の両面（一方の面１０１ａ及び他方の面１０１ｂ）に接続端子１０２及び１０３が形成されており、接続端子１０２、配線１０４（貫通孔１０１ｘ内に形成されたものも含む）、及び接続端子１０３が被接続物４００と実装基板５００との間の信号の伝送経路となる。そのため、ソケット１００の高さが高くなると共に、被接続物４００と実装基板５００との接続距離（信号の伝送経路）が長くなる。つまり、このような構造は、ソケット１００の低背化を阻害する要因となると共に、高速信号伝搬を阻害する要因ともなる。
【００１２】
又、図２に示すソケット２００では、支持体１０１の片面（一方の面１０１ａ）に接続端子２０２が形成されており、接続端子２０２、配線１０４（貫通孔１０１ｘ内に形成されたものも含む）、及びバンプ２０３が被接続物４００と実装基板５００との間の信号の伝送経路となる。接続端子１０３がバンプ２０３に置き換わった分だけソケット１００よりは低背化が可能であり、又、被接続物４００と実装基板５００との接続距離（信号の伝送経路）の短縮も可能である。しかしながら、接続端子２０２に支持体１０１の厚みが加わるため、十分な低背化を実現できるとは言い難い。又、被接続物４００から実装基板５００に至る信号は、支持体１０１の貫通孔１０１ｘ内に形成された配線１０４を経由するため、被接続物４００と実装基板５００との接続距離（信号の伝送経路）を十分に短縮できるとは言い難い。
【００１３】
更に、図３に示すソケット３００では、ハウジング３０１の貫通孔３０１ｘ内には配線が形成されてなく、貫通孔３０１ｘ内に一部が固定された接続端子３０２とバンプ３０３のみが被接続物４００と実装基板５００とを接続している。従って、一見すると、十分な低背化が実現できると共に、被接続物４００から実装基板５００までの接続距離（信号の伝送経路）を十分に短縮できるとも思える。
【００１４】
しかしながら、接続端子３０２において貫通孔３０１ｘ内に固定（嵌合）された部分は、ばねとして機能できず、ばねとして機能できるのは主にハウジング３０１の一方の面３０１ａから突出している部分のみである。そのため、接続端子３０２がばねとして十分に機能するためには、一方の面３０１ａからの突出部分をある程度延ばさざるを得ない。又、貫通孔３０１ｘ内に接続端子３０２の一部を固定（嵌合）するためには、ハウジング３０１の厚さをある程度確保する必要がある。結果として、ソケット３００の十分な低背化を実現できず、被接続物４００から実装基板５００までの接続距離（信号の伝送経路）も十分に短縮できない。
【００１５】
本発明は、上記の点に鑑みてなされたものであり、低背化を実現できると共に、被接続物と実装基板等との接続距離を短縮可能なソケット及びその製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本ソケットは、一端に第１の接続部が形成され、他端に被接続物により押圧された際に前記被接続物のパッドと接触する第２の接続部が形成された接続端子を備え、前記接続端子を介して前記被接続物を着脱可能な状態で基板に接続するソケットであって、前記接続端子を固定する支持体と、前記支持体に形成された貫通孔と、を有し、前記接続端子は、金属板を湾曲して形成されてなり、前記第１の接続部と、前記第１の接続部に対して対向配置された前記第２の接続部と、湾曲した形状とされ、ばね性を有するばね部と、一方の端部が前記ばね部と一体的に構成され、他方の端部が前記第１の接続部の端部と一体的に構成された板状の第１の支持部と、一方の端部が前記ばね部と一体的に構成され、他方の端部が前記第２の接続部の端部と一体的に構成された板状の第２の支持部と、を有し、前記第１の支持部は前記基板の表面に対して鋭角になるように傾斜し、前記第２の接続部は、前記第２の支持部から前記被接続物のパッドに向かう方向に突出すると共に、前記第２の支持部と一体的に構成された突出部と、前記突出部の端部に設けられ、前記被接続物のパッドと接触する接触部と、を有し、前記被接続物のパッドと接触する部分の前記接触部はラウンド形状であり、前記接続端子は前記貫通孔に挿入され、前記第１の接続部が前記支持体の一方の面に固着され、前記第２の接続部が前記支持体の他方の面から突出していることを要件とする。
【００１７】
本ソケットの製造方法は、一端に第１の接続部が形成され他端に第２の接続部が形成された接続端子を備え、前記接続端子を介して被接続物を着脱可能な状態で基板に接続するソケットの製造方法であって、前記接続端子を形成する第１工程と、前記接続端子を固定する支持体を準備し、前記支持体に貫通孔を形成する第２工程と、前記貫通孔に対応する位置に前記接続端子を収容する開口部が設けられた治具を準備し、前記貫通孔と前記開口部とが対応する位置にくるように、前記治具上に前記支持体を載置する第３工程と、前記接続端子を、前記第２の接続部が前記開口部に挿入されると共に、前記第１の接続部が前記支持体の一方の面に接するように配置する第４工程と、前記第１の接続部を前記支持体の一方の面に固着する第５工程と、前記治具を取り外す第６工程と、を有することを要件とする。
【発明の効果】
【００１８】
開示の技術によれば、低背化を実現できると共に、被接続物と実装基板等との接続距離を短縮可能なソケット及びその製造方法を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】従来のソケットを例示する断面図（その１）である。
【図２】従来のソケットを例示する断面図（その２）である。
【図３】従来のソケットを例示する断面図（その３）である。
【図４】第１の実施の形態に係るソケットを例示する断面図である。
【図５】図４の一部を拡大して例示する断面図である。
【図６】第１の実施の形態に係る接続端子を例示する断面図である。
【図７】第１の実施の形態に係るソケットの製造方法を例示する図（その１）である。
【図８】第１の実施の形態に係るソケットの製造方法を例示する図（その２）である。
【図９】第１の実施の形態に係るソケットの製造方法を例示する図（その３）である。
【図１０】第１の実施の形態に係るソケットの製造方法を例示する図（その４）である。
【図１１】第１の実施の形態に係るソケットの製造方法を例示する図（その５）である。
【図１２】第１の実施の形態に係るソケットの製造方法を例示する図（その６）である。
【図１３】第１の実施の形態に係るソケットの製造方法を例示する図（その７）である。
【図１４】第１の実施の形態に係るソケットの製造方法を例示する図（その８）である。
【図１５】第１の実施の形態に係るソケットを用いた接続方法を例示する図（その１）である。
【図１６】第１の実施の形態に係るソケットを用いた接続方法を例示する図（その２）である。
【図１７】第１の実施の形態に係るソケットを用いた接続方法を例示する図（その３）である。
【図１８】第１の実施の形態の変形例１に係る接続端子の配列を例示する図である。
【図１９】第１の実施の形態の変形例２に係るソケットを例示する断面図である。
【図２０】図１９の一部を拡大して例示する断面図である。
【図２１Ａ】第１の実施の形態の変形例２に係る接続端子を例示する断面図である。
【図２１Ｂ】第１の実施の形態の変形例２に係る接続端子を例示する斜視図である。
【図２２】第１の実施の形態の変形例３に係るソケットを例示する断面図である。
【図２３】図２２の一部を拡大して例示する断面図である。
【図２４】第１の実施の形態の変形例４に係るソケットを例示する断面図である。
【図２５Ａ】第１の実施の形態の変形例４に係る筐体の枠部を例示する平面図である。
【図２５Ｂ】第１の実施の形態の変形例４に係る筐体の枠部を例示する底面図である。
【図２５Ｃ】第１の実施の形態の変形例４に係る筐体の枠部を例示する斜視図である。
【図２６】第１の実施の形態の変形例５に係るソケットを例示する断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、図面を参照して発明を実施するための形態について説明する。なお、各図面において、同一構成部分には同一符号を付し、重複した説明を省略する場合がある。
【００２１】
なお、以下の実施の形態及びその変形例では、一例として、半導体パッケージ及び支持体の平面形状が矩形状である場合を示すが、半導体パッケージ及び支持体の平面形状は矩形状には限定されず、任意の形状として構わない。
【００２２】
〈第１の実施の形態〉
［第１の実施の形態に係るソケットの構造］
図４は、第１の実施の形態に係るソケットを例示する断面図である。図５は、図４の一部を拡大して例示する断面図である。図４及び図５を参照するに、ソケット１０は、支持体２０と、接続端子３０と、位置決め部４０と、バンプ５０とを有する。但し、後述のように、位置決め部４０及びバンプ５０は、ソケット１０の必須の構成要素ではなく、支持体２０及び接続端子３０のみがソケット１０の必須の構成要素である。
【００２３】
６０は被接続物である半導体パッケージを、７０はマザーボード等の実装基板を、８０は筐体を示している。半導体パッケージ６０は、ソケット１０を介して、実装基板７０と電気的に接続されている。なお、第１の実施の形態では、被接続物として半導体パッケージ６０を例示して説明するが、被接続物は半導体チップを有さない配線基板等であっても構わない。
【００２４】
支持体２０は、貫通孔２１ｘが設けられた本体２１と、本体２１の一方の面２１ａに設けられた接着層２２とを有する。本体２１は、接続端子３０を固定するための基体となるものであり、例えば、ポリイミド樹脂や液晶ポリマ等を用いたフレキシブルなフィルム状基板を用いることができる。本体２１として、ガラスクロスにエポキシ系樹脂等の絶縁性樹脂を含浸したリジッドな基板（例えば、ＦＲ４材）等を用いても構わない。本体２１の厚さは、例えば５０〜４００μｍ程度とすることができるが、１００μｍ程度にすると好適である。
【００２５】
貫通孔２１ｘは、接続端子３０を挿入するための孔であり、被接続物である後述する半導体パッケージ６０の貴金属層６５（パッド）に対応する個数設けられている。貫通孔２１ｘの平面形状は、接続端子３０の平面形状に合わせて適宜決定できるが、例えば平面形状が矩形状等の孔とすることができる。なお、貫通孔２１ｘ内も含めた本体２１には、配線パターンやビア配線等の導体は設けられていない。
【００２６】
接着層２２は、接続端子３０を本体２１に固定するための層であり、本体２１の一方の面２１ａに設けられている。接着層２２としては、エポキシ系やシリコーン系等の熱硬化性の接着剤、或いは液晶ポリマ材等の熱可塑性の接着剤等を用いることができる。
【００２７】
接着層２２は、ソケット１０の製造工程においてはんだリフロー等により加熱された場合や、半導体パッケージ６０の発熱やソケット１０の使用される環境温度等により高温になった場合等に溶融しない材料を選定することが好ましい。なお、接着層２２は、本体２１の一方の面２１ａの全面に設けても良いが、本体２１の一方の面２１ａの接続端子３０を固定する部分近傍のみに設けても良い。
【００２８】
接続端子３０は、ばね性を有する導電性の部材である。接続端子３０は、本体２１に設けられた貫通孔２１ｘに挿入され、その一端（後述する第１の接続部３１の一方の面３１ａ側）は、接着層２２を介して本体２１の一方の面２１ａに固着されている。又、接続端子３０の他端（後述する第２の接続部３２）は、本体２１の他方の面２１ｂから突出している。なお、接続端子３０は、ばねとして機能できる状態で貫通孔２１ｘに挿入されている。つまり、接続端子３０の貫通孔２１ｘに挿入された部分は、貫通孔２１ｘの内壁面には固定されてなく弾性変形可能である。そのため、接続端子３０は、貫通孔２１ｘに挿入された部分も含めてほぼ全体（後述する第１の接続部３１を除く部分）がばねとして機能できる。
【００２９】
接続端子３０の一端（後述する第１の接続部３１の他方の面３１ｂ側）は、バンプ５０を介して、後述する実装基板７０の導体層７２（パッド）と接合され、導体層７２と電気的に接続されている。つまり、接続端子３０において、後述する第１の接続部３１の他方の面３１ｂは、外部（実装基板７０等）との接続部である。接続端子３０の他端（後述する第２の接続部３２）は、後述する半導体パッケージ６０の貴金属層６５に離間可能な状態（固定されていない状態）で接触し、貴金属層６５と電気的に接続されている。接続端子３０の詳細な構造については、後述する。
【００３０】
なお、領域Ａ（図４参照）に配置された接続端子３０と、領域Ｂ（図４参照）に配置された接続端子３０とは、対向するように（対称に）配置されている。このような配置により、接続端子３０がＺ方向に押圧されたときに、横方向（Ｚ方向以外の方向）に生じる反力を低減できる。特に、接続端子３０の数が多いときに有効である。但し、例えば接続端子３０の数が比較的少ない場合のように、横方向（Ｚ方向以外の方向）に生じる反力が問題にならない場合には、領域Ａの接続端子３０と領域Ｂの接続端子３０とが同一方向を向くように配置しても構わない。
【００３１】
位置決め部４０は、例えばエポキシ系樹脂等を主成分とする平面形状が額縁状の部材である。位置決め部４０の底面は、支持体２０を構成する本体２１の他方の面２１ｂの外縁部に接着剤等により固着されている。位置決め部４０は、ねじ等を用いて支持体２０と機械的に固着しても構わない。位置決め部４０の内側面の形成する空間の平面形状は、後述の半導体パッケージ６０の基板６１の平面形状と略同一であり、半導体パッケージ６０を挿入可能に構成されている。
【００３２】
位置決め部４０の内側面は、挿入された半導体パッケージ６０の基板６１の側面と接し、半導体パッケージ６０とソケット１０とを位置決めする。これにより、半導体パッケージ６０の各貴金属層６５と、ソケット１０を構成する各接続端子３０の後述する第２の接続部３２とが接触する。位置決め部４０は、半導体パッケージ６０とソケット１０とを位置決めする機能に加えて、支持体２０の強度を補強する機能も有する。
【００３３】
なお、位置決め部４０はソケット１０の必須の構成要素ではなく、例えば位置決め部４０を設けずに、後述の筐体８０の枠部８１により半導体パッケージ６０を位置決めする構造にしても構わない。
【００３４】
バンプ５０は、接続端子３０の一端（後述する第１の接続部３１の他方の面３１ｂ側）に形成されている。バンプ５０は、接続端子３０の一端（後述する第１の接続部３１）を、後述する実装基板７０の導体層７２と電気的に接続している。バンプ５０としては、例えば、はんだを用いることができる。はんだの材料としては、例えば、Ｐｂを含む合金、ＳｎとＣｕの合金、ＳｎとＡｇの合金、ＳｎとＡｇとＣｕの合金等の鉛フリーはんだを用いることが好ましい。バンプ５０として、はんだの代わりに、例えば導電性樹脂接着剤（例えば、Ａｇペースト）等を用いても構わない。なお、バンプ５０はソケット１０の必須の構成要素ではなく、例えばソケット１０にバンプ５０を設けずに、後述の実装基板７０の導体層７２上にはんだや導電性樹脂接着剤等からなるバンプを設けても構わない。
【００３５】
被接続物である半導体パッケージ６０は、基板６１と、半導体チップ６２と、封止樹脂６３と、導体層６４と、貴金属層６５とを有する。基板６１は、例えば絶縁性樹脂を含む基板本体に絶縁層、配線パターン、ビア配線等（図示せず）が形成されたものである。基板６１の一方の面にはシリコン等を含む半導体チップ６２が実装され、他方の面には例えば銅（Ｃｕ）からなる配線パターンの一部である導体層６４が形成されている。
【００３６】
導体層６４の材料は、例えば、銅（Ｃｕ）等である。導体層６４の厚さは、例えば、５〜１０μｍ程度である。半導体チップ６２は、例えばフリップチップ接続により基板６１に搭載され、絶縁性樹脂からなる封止樹脂６３により封止されている。なお、半導体チップ６２の背面を露出するように封止樹脂６３を設け、半導体チップ６２の背面に例えば銅（Ｃｕ）等からなる放熱板を配置しても構わない。
【００３７】
貴金属層６５は、導体層６４の上面に積層形成されている。導体層６４及び貴金属層６５は、基板６１の他方の面に、例えば格子状に配置されたパッドである。すなわち、半導体パッケージ６０は所謂ＬＧＡ（Land  grid  array）であり、ソケット１０は所謂ＬＧＡ用のソケットである。
【００３８】
貴金属層６５としては、例えば、金（Ａｕ）層やパラジウム（Ｐｄ）層等の貴金属を含む層を用いることができる。貴金属層６５は、例えば、無電解めっき法等により形成できる。なお、金（Ａｕ）層の下層として、ニッケル（Ｎｉ）層やＮｉ／Ｐｄ層（Ｎｉ層とＰｄ層をこの順番で積層した金属層）等を形成しても構わない。
【００３９】
貴金属層６５は、接続端子３０との接続信頼性を向上するために設けられている。貴金属層６５は、接続端子３０との接触抵抗を安定させるため、通常の金めっき層等に比べて大幅に厚く形成されている。はんだボール等との接続信頼性を向上するために通常設けられる金めっき層等の厚さは、０．０５μｍ以下程度である。これに対して、貴金属層６５の厚さは、例えば、０．４μｍ程度であり、通常設けられる金めっき層等の８倍以上の厚さとされている。
【００４０】
実装基板７０（マザーボード等）は、基板本体７１と、導体層７２（パッド）とを有する。導体層７２は、基板本体７１の一方の面に形成されている。基板本体７１は、例えば、ガラスクロスにエポキシ樹脂等の絶縁性樹脂を含浸したもの等である。導体層７２の材料は、例えば、銅（Ｃｕ）等である。
【００４１】
筐体８０は、枠部８１と、蓋部８２とを有する。枠部８１は、位置決め部４０の外側面の更に外側に設けられた平面形状が額縁状の部材である。枠部８１の材料としては、剛性のある金属や樹脂等を用いることが好ましい。枠部８１は、実装基板７０を貫通するボルト等（図示せず）により、実装基板７０の上面に固着されている。
【００４２】
蓋部８２は、例えば金属や樹脂等で構成される平面形状が略矩形状や略額縁状の部材である。蓋部８２は、例えば枠部８１の上面の一端側に回動可能に取り付けられており、他端側にロック機構を有する。蓋部８２の外縁部を枠部８１の上面と接するように固定する（ロックする）ことにより（図４及び図５の状態）、蓋部８２が半導体パッケージ６０を実装基板７０側に押し込み、半導体パッケージ６０は実装基板７０側に移動する。
【００４３】
これにより、ソケット１０の接続端子３０は押圧されＺ方向に縮んで所定のばね圧が生じ、半導体パッケージ６０の貴金属層６５は接続端子３０の他端（後述する第２の接続部３２）と接触する。つまり、半導体パッケージ６０はソケット１０を介して実装基板７０と電気的に接続される。但し、蓋部８２のロックを解除することにより、半導体パッケージ６０は、ソケット１０から着脱可能である。
【００４４】
なお、蓋部８２は、枠部８１とは別体でも構わない。この場合には、例えば、半導体パッケージ６０を蓋部８２により上側から押圧した状態で、蓋部８２が枠部８１に固定可能な構造であれば良い。
【００４５】
このように、ソケット１０は、従来のソケット１００（図１参照）のように、接続端子１０２及び１０３が支持体１０１の両面から突出する構造ではなく、支持体２０の片面から接続端子３０が突出する構造である。そのため、接続端子３０の一端から他端までの距離を短くできる。その結果、ソケット１０を従来のソケット１００より低背化できると共に、被接続物である半導体パッケージ６０とマザーボード等の実装基板７０との接続距離（信号の伝送経路）を短縮できる。  又、ソケット１０は、従来のソケット２００（図２参照）のように、被接続物から実装基板に至る信号が、接続端子２０２及び支持体１０１の貫通孔１０１ｘ内に形成された配線１０４を経由する構造ではなく、配線が設けられていない貫通孔２１ｘ内に挿入された接続端子３０の一端に設けられたバンプ５０を介して直接実装基板７０に接続された構造である。その結果、支持体２０の厚さが低背化を阻害する要因ではなくなるため、ソケット１０を従来のソケット２００より低背化できると共に、被接続物である半導体パッケージ６０とマザーボード等の実装基板７０との接続距離（信号の伝送経路）を短縮できる。
【００４６】
又、ソケット１０は、従来のソケット３００（図３参照）のように、貫通孔３０１ｘ内に接続端子３０２の一部が固定（嵌合）された構造ではなく、接続端子３０がばねとして機能できる状態で貫通孔２１ｘに挿入された構造である。つまり、接続端子３０の貫通孔２１ｘに挿入された部分は、貫通孔２１ｘの内壁面には固定されてなく弾性変形可能である。そのため、接続端子３０は、貫通孔２１ｘに挿入された部分も含めてほぼ全体（後述する第１の接続部３１を除く部分）がばねとして機能でき、接続端子３０自体を従来のソケット３００の接続端子３０２より低背化することが可能となる。
【００４７】
その結果、ソケット１０を従来のソケット３００より低背化できると共に、被接続物である半導体パッケージ６０とマザーボード等の実装基板７０との接続距離（信号の伝送経路）を短縮できる。なお、接続距離（信号の伝送経路）を短縮することにより、寄生インダクタ、寄生容量、寄生抵抗等を低減できるため、高速信号伝送に対応可能となる。又、ソケット１０では、貫通孔２１ｘ内に配線が設けられていないため、余計な絶縁層を設ける必要がない。この点も寄生容量の低減に寄与し、高速信号伝送に有利となる。
【００４８】
又、ソケット１０は、支持体２０に、ばね性を有する接続端子３０を直接固定し、従来のソケット３００（図３参照）のような反りの原因となるハウジングが存在しない構造としているため、反りの発生し難いソケットを実現できる。反りの発生を抑制することにより、半導体パッケージ６０と実装基板７０との接続信頼性を向上可能となる。
【００４９】
ここで、図６を参照しながら、接続端子３０の詳細な構造について説明する。接続端子３０は、ばね性を有する導電性の部材であり、第１の接続部３１と、第２の接続部３２と、ばね部３３と、第１の支持部３４と、第２の支持部３５とを有する。
【００５０】
第１の接続部３１は、接続端子３０の一端に形成されている。第１の接続部３１は、板状とされている。第１の接続部３１の厚さ（Ｚ方向）は、例えば０．０８ｍｍ程度とすることができる。第１の接続部３１の横幅（Ｙ方向）は、例えば０．４ｍｍ程度とすることができる。第１の接続部３１の縦幅（Ｘ方向）は、例えば０．４ｍｍ程度とすることができる。
【００５１】
第１の接続部３１の一方の面３１ａは、例えば、接着層２２を介して本体２１の一方の面２１ａに固着される面である。第１の接続部３１の他方の面３１ｂは、外部（実装基板７０等）との接続部となる面である。第１の接続部３１の他方の面３１ｂは、一例として、他方の面３１ｂに設けられたバンプ５０を介して実装基板７０と接合され電気的に接続される。第１の接続部３１の他方の面３１ｂは、他の例として、実装基板７０側に設けられたバンプと離間可能な状態（固定されていない状態）で接触し電気的に接続される。
【００５２】
第２の接続部３２は、接続端子３０の他端に形成され、第１の接続部３１と対向するように配置されている。第２の接続部３２は、ばね部３３、第１の支持部３４、及び第２の支持部３５を介して、第１の接続部３１と電気的に接続されている。第２の接続部３２は、接触部３８と、突出部３９とを有する。第２の接続部３２の厚さは、例えば０．０８ｍｍ程度とすることができる。第２の接続部５２の横幅（Ｙ方向）は、例えば、０．２ｍｍ程度とすることができる。
【００５３】
接触部３８は、被接続物のパッド（例えば半導体パッケージ６０の貴金属層６５等）と接触する部分である。接触部３８はラウンド形状とされており、接続端子３０が押圧された際、主にＺ方向に移動する。このように、接触部３８をラウンド形状とすることにより、接触部３８が押圧され貴金属層６５等と接触する際、接触部３８により貴金属層６５等が破損することを防止できる。
【００５４】
又、接触部３８は、例えば半導体パッケージ６０が第２の接続部３２を押圧した際、ばね部３３の変形により、第２の接続部３２が第１の接続部３１に近づく方向（Ｚ方向）に移動した状態で、貴金属層６５等と接触する。これにより、貴金属層６５等と第２の接続部３２とが接触した際、第２の接続部３２が、貴金属層６５等が形成された面と平行な方向に大きく移動することがなくなるため、貴金属層６５等を狭ピッチに配置できる。貴金属層６５等のピッチ（接触部３８のピッチ）としては、例えば、０．４〜１．５ｍｍ程度とすることができる。
【００５５】
突出部３９は、一方の端部が第２の支持部３５と一体的に構成されており、他方の端部が接触部３８と一体的に構成されている。突出部３９は、第２の支持部３５から貴金属層６５等に向かう方向（第１の接続部３１から離間する方向）に突出している。
【００５６】
このように、接触部３８と第２の支持部３５との間に、接触部３８及び第２の支持部３５と一体的に構成され、第２の支持部３５から貴金属層６５等に向かう方向（第１の接続部３１から離間する方向）に突出する突出部３９を設けることにより、以下の効果を奏する。すなわち、半導体パッケージ６０等が接触部３８を押圧した際の、ばね部３３の変形による貴金属層６５等と第２の支持部３５との接触を防止することが可能となり、接続端子３０及び貴金属層６５等の破損を防止できる。
【００５７】
貴金属層６５等と第２の接続部３２とが接触していない状態における第２の接続部３２の突出量Ｃ（第２の支持部３５と突出部３９との接続部分を基準としたときの突出量）は、例えば、０．３ｍｍとすることができる。
【００５８】
ばね部３３は、第１の支持部３４と第２の支持部３５との間に配置されており、第１の支持部３４及び第２の支持部３５と一体的に構成されている。ばね部３３は、湾曲した形状（例えば、Ｃ字型）とされており、ばね性を有する。
【００５９】
ばね部３３は、半導体パッケージ６０等により第２の接続部３２が押圧された際、第２の接続部３２を貴金属層６５等に向かう方向に反発させることで、第２の接続部３２と貴金属層６５等とを固定することなく接触させるためのものである。ばね部３３の横幅（Ｙ方向）及び厚さは、例えば、第２の接続部３２の横幅（Ｙ方向）及び厚さと同じにすることができる。
【００６０】
なお、本実施の形態の接続端子３０では、実際には、第１の支持部３４、ばね部３３、第２の支持部３５、及び第２の接続部３２が一体的にばねとして機能する。第１の支持部３４、ばね部３３、第２の支持部３５、及び第２の接続部３２に対応する部分の接続端子３０のばね定数は、例えば、０．６〜０．８Ｎ／ｍｍとすることができる。
【００６１】
第１の支持部３４は、ばね部３３と第１の接続部３１との間に配置されている。第１の支持部３４の一方の端部は、ばね部３３の一方の端部と一体的に構成されており、第１の支持部３４の他方の端部は、第１の接続部３１と一体的に構成されている。第１の支持部３４は、板状とされている。
【００６２】
第１の支持部３４は、実装基板７０等と対向する側の第１の接続部３１の面３１ｂを含む平面Ｄと、実装基板７０等と対向する側の第１の支持部３４の面３４ａとが成す角度θ１が鋭角となるように構成されている。角度θ１は、例えば、５〜１５度とすることができる。
【００６３】
このように、角度θ１を鋭角にすることで、半導体パッケージ６０等が接触部３８を押圧した際のばね部３３の変形による実装基板７０等と第１の支持部３４との接触を防止することが可能となるため、接続端子３０及び実装基板７０等の破損を防止できる。第１の支持部３４の横幅（Ｙ方向）及び厚さは、例えば、第２の接続部３２の横幅（Ｙ方向）及び厚さと同じにすることができる。
【００６４】
第２の支持部３５は、ばね部３３と第２の接続部３２との間に配置されている。第２の支持部３５の一方の端部は、ばね部３３の一方の端部と一体的に構成されており、第２の支持部３５の他方の端部は、第２の接続部３２の突出部３９と一体的に構成されている。第２の支持部３５は、板状とされている。第２の支持部３５の横幅（Ｙ方向）及び厚さは、例えば、第２の接続部３２の横幅（Ｙ方向）及び厚さと同じにすることができる。
【００６５】
図６に示す状態（接続端子３０の第２の接続部３２が押圧されていない状態）における接続端子３０の高さＨは、例えば、１〜２ｍｍ程度とすることができるが、１．６ｍｍ程度とすると好適である。
【００６６】
［第１の実施の形態に係るソケットの製造方法］
次に、図７〜図１４を参照しながら、ソケット１０の製造方法について説明する。なお、図７及び図９〜図１１において、支持体２０等は図４及び図５とは上下が反転した状態で描かれている。
【００６７】
始めに、図７（断面図）及び図８（平面図）に示す工程では、本体２１の一方の面２１ａに接着層２２が設けられた支持体２０を準備し、本体２１に貫通孔２１ｘを形成する。貫通孔２１ｘは、例えば本体２１を接着層２２ごとプレス加工（打ち抜き加工）により型抜きすることで形成できる。貫通孔２１ｘは、半導体パッケージ６０の貴金属層６５（パッド）に対応する個数形成する。貫通孔２１ｘは、例えば平面形状が矩形状の孔とすることができる。
【００６８】
ここでは一例として、支持体２０の本体２１としてポリイミドフィルムを用い、接着層２２としてシリコーン系の熱硬化性接着剤を用いる。本体２１や接着層２２として、第１の実施の形態に係るソケット１０の構造の説明に記載した他の材料を用いても構わない。接着層２２は、後述の図１１に示す工程においてリフロー等により加熱された場合や、半導体パッケージ６０の発熱やソケット１０の使用される環境温度等により高温になった場合等に溶融しない材料を選定することが好ましい。なお、図７では支持体２０の本体２１の一方の面２１ａの全面に接着層２２を設けているが、本体２１の一方の面２１ａの接続端子３０を固定する部分近傍のみに接着層２２を設けても良い。
【００６９】
次いで、図９に示す工程では、支持体２０を治具２５上に載置する。治具２５は、接続端子３０の高さＨ（図６参照）よりも厚く作製されており、支持体２０の貫通孔２１ｘに対応する位置に貫通孔２５ｘを有する。支持体２０は、本体２１の他方の面２１ｂが治具２５の上面と接すると共に、貫通孔２１ｘと貫通孔２５ｘとが平面視において重なるように治具２５上に載置する。なお、治具２５において、貫通孔２５ｘに代えて、接続端子３０の高さＨ以上の深さを有する凹部を設けても構わない。
【００７０】
次いで、図１０に示す工程では、接続端子３０を作製する。そして、作製した接続端子３０を第２の接続部３２側から貫通孔２１ｘ及び２５ｘに挿入し、第１の接続部３１の一方の面３１ａが接着層２２に接するように仮固定する。更に、各接続端子３０を接着層２２側に加圧した状態で、接着層２２を硬化温度以上に加熱し、第１の接続部３１を接着層２２を介して支持体２０の本体２１に固着する。
【００７１】
接続端子３０は、例えば、図示していない金属板（例えば、Ｃｕ系合金）を所定の形状に打ち抜き加工した後、打ち抜かれた金属板の表面全体にＮｉめっき膜（例えば、厚さ１〜３μｍ）を形成し、次いで、第１の接続部３１及び接触部３８に対応する部分に形成されたＮｉめっき膜に、Ａｕめっき膜（例えば、厚さ０．３〜０．５μｍ）を積層形成（Ａｕめっき膜を部分的に形成）し、その後、Ｎｉめっき膜及びＡｕめっき膜が形成され、打ち抜かれた金属板を曲げ加工することで作製できる。
【００７２】
上記金属板の材料となるＣｕ系合金としては、例えば、リン青銅やベリリウム銅、コルソン系の銅合金等を用いることができる。なお、接続端子３０は、図示していない金属板（例えば、Ｃｕ系合金）を所定の形状にエッチング加工した後、エッチング加工された金属板を曲げ加工することで形成してもよい。
【００７３】
次いで、図１１に示す工程では、第１の接続部３１の他方の面３１ｂに、はんだを載置（はんだペーストの塗布やはんだボールの搭載等）してリフローし、バンプ５０を形成する。はんだの材料としては、例えば、Ｐｂを含む合金、ＳｎとＣｕの合金、ＳｎとＡｇの合金、ＳｎとＡｇとＣｕの合金等の鉛フリーはんだを用いることができる。はんだの代わりに、例えば、導電性樹脂接着剤（例えば、Ａｇペースト）等を用いても構わない。
【００７４】
なお、前述のように、接続端子３０の表面にはＮｉめっき膜が形成され、第１の接続部３１にはＮｉめっき膜上に更にＡｕめっき膜が積層形成されている。そのため、はんだは第１の接続部３１のみに形成され易くなり、Ａｕめっき膜が積層形成されていない部分（Ｎｉめっき膜が露出する部分）に、はんだが濡れ上がる虞を低減できる。
【００７５】
なお、例えばソケット１０にバンプ５０を設けずに、実装基板７０の導体層７２上にはんだや導電性樹脂接着剤等からなるバンプを設けても構わない。その場合には、この工程は不要となる。
【００７６】
次いで、図１２に示す工程では、支持体２０から治具２５を取り外し上下を反転させる。次いで、図１３（断面図）及び図１４（平面図）に示す工程では、支持体２０を構成する本体２１の他方の面２１ｂの外縁部に接着剤等により位置決め部４０を固着する。位置決め部４０は、ねじ等を用いて支持体２０と機械的に固着しても構わない。位置決め部４０としては、例えばエポキシ系樹脂等を主成分とする平面形状が額縁状の部材を用いることができる。なお、筐体８０により半導体パッケージ６０を位置決め保持する構造等の場合には、位置決め部４０は設けなくても構わない。その場合には、この工程は不要となる。以上の図７〜図１４に示す工程により、ソケット１０が完成する。
【００７７】
［第１の実施の形態に係るソケットの使用方法］
次に、図１５〜図１７を参照しながら、ソケット１０を用いた半導体パッケージ６０と実装基板７０との接続方法について説明する。
【００７８】
始めに、図１５に示すように、実装基板７０及びソケット１０を準備する。そして、実装基板７０とソケット１０とを、バンプ５０を介して接合し電気的に接続する。具体的には、実装基板７０の導体層７２とソケット１０のバンプ５０とを接触させる。そして、バンプ５０を例えば２３０℃に加熱して溶融させ、その後硬化させて、実装基板７０とソケット１０とを接合する。これにより、ソケット１０は、バンプ５０を介して実装基板７０と電気的に接続される。
【００７９】
次いで、図１６に示すように、筐体８０を準備し、筐体８０を構成する枠部８１を実装基板７０を貫通するボルト等（図示せず）により、実装基板７０の上面に固着する。そして、筐体８０を構成する蓋部８２を矢印方向に回動させて、半導体パッケージ６０を配置可能な状態とする。
【００８０】
次いで、図１７に示すように、半導体パッケージ６０を準備する。そして、半導体パッケージ６０を位置決め部４０に挿入し、基板６１の側面が位置決め部４０の内側面に接するように配置する。但し、この時点では、接続端子３０は押圧されていない。半導体パッケージ６０は、位置決め部４０によりソケット１０と位置合わせされ、半導体パッケージ６０の各貴金属層６５は各接続端子３０の第２の接続部３２と接触する。
【００８１】
更に、蓋部８２を矢印方向に回動させて、半導体パッケージ６０を実装基板７０側に押し込み、蓋部８２の外縁部が枠部８１の上面と接するように固定（ロック）する。これにより、接続端子３０は押圧されＺ方向に縮んで所定のばね圧が生じ、半導体パッケージ６０の各貴金属層６５は各接続端子３０の第２の接続部３２と電気的に接続される。つまり、半導体パッケージ６０はソケット１０を介して実装基板７０と電気的に接続される（図４及び図５の状態）。
【００８２】
このように、第１の実施の形態に係るソケットは、ばね性を有する接続端子と貫通孔が設けられた支持体とを有し、接続端子はばねとして機能できる状態（貫通孔の内壁面に固定されていない状態）で支持体の貫通孔に挿入されている。そして、接続端子の一端は支持体の一方の面に固着され、接続端子の他端は支持体の他方の面から突出している。
【００８３】
つまり、支持体の厚さは、接続端子の高さの範囲内に収まっているため、支持体の厚さがソケットの低背化を阻害する要因ではなくなる。又、接続端子は、貫通孔に挿入された部分も含めてほぼ全体がばねとして機能できるので、貫通孔に固定するための部位を設けていた従来の接続端子よりも、接続端子自体を低背化できる。これらにより、従来よりもソケットを低背化することが可能となる。
【００８４】
又、支持体の貫通孔に配線は設けられてなく、被接続物である半導体パッケージとマザーボード等の実装基板とは、接続端子と接続端子の一端に形成されたバンプのみを介して接続される。そのため、被接続物である半導体パッケージとマザーボード等の実装基板との接続距離（信号の伝送経路）を短縮できる。接続距離（信号の伝送経路）を短縮することで、寄生インダクタ、寄生容量、寄生抵抗等を低減でき、高速信号伝送に対応可能となる。
【００８５】
又、貫通孔内に配線が設けられていないため、余計な絶縁層を設ける必要がない。この点も寄生容量の低減に寄与し、高速信号伝送に有利となる。
【００８６】
又、支持体に、ばね性を有する接続端子を直接固定し、反りの原因となるハウジングが存在しない構造としているため、反りの発生し難いソケットを実現できる。反りの発生を抑制することにより、被接続物である半導体パッケージとマザーボード等の実装基板との接続信頼性を向上可能となる。
【００８７】
〈第１の実施の形態の変形例１〉
第１の実施の形態では、複数の接続端子３０を、接続端子３０の配設方向に対して平行となるように配列する例を示した（図１４参照）。第１の実施の形態の変形例１では、複数の接続端子３０を、接続端子３０の配設方向に対して傾斜するように配列する例を示す。以下、第１の実施の形態と共通する部分の説明は極力省略し、第１の実施の形態と相違する部分を中心に説明する。
【００８８】
図１８は、第１の実施の形態の変形例１に係る接続端子の配列を例示する図である。図１８を参照するに、複数の接続端子３０は、接続端子３０の配設方向Ｅに対して所定の角度θ２をなすように配列されている。言い換えれば、複数の接続端子３０は、接続端子３０の配設方向Ｅに対して傾斜するように配列されている。所定の角度θ２は、例えば、２５〜３５度程度とすることができる。
【００８９】
このように、複数の接続端子３０を、接続端子３０の配設方向Ｅに対して傾斜するように配列することにより、配設方向Ｅに対して平行となるように配列した場合と比較して、単位面積当たりに多くの接続端子３０を配置することが可能となる。これにより、例えば０．４ｍｍ程度の狭ピッチでパッド（例えば、貴金属層６５等）が配列された被接続物（半導体パッケージ６０等）にも対応可能となる。
【００９０】
このように、第１の実施の形態の変形例１によれば、第１の実施の形態と同様の効果を奏するが、更に、以下の効果を奏する。すなわち、複数の接続端子を、接続端子の配設方向に対して傾斜するように配列することにより、配設方向に対して平行となるように配列した場合と比較して、より狭ピッチのＬＧＡ（Land  grid  array）に対応可能となる。
【００９１】
〈第１の実施の形態の変形例２〉
第１の実施の形態では、バンプ５０を設け、バンプ５０を介して接続端子３０の一端（第１の接続部３１の他方の面３１ｂ側）を実装基板７０の導体層７２と接合し電気的に接続する例を示した。第１の実施の形態の変形例２では、実装基板７０の導体層７２と接触及び離間可能に構成されているバンプ５０Ａを設け、バンプ５０Ａを介して接続端子３０の一端（第１の接続部３１の他方の面３１ｂ側）を実装基板７０の導体層７２と離間可能な状態（固定されていない状態）で接触させることにより電気的に接続する例を示す。
【００９２】
図１９は、第１の実施の形態の変形例２に係るソケットを例示する断面図である。図２０は、図１９の一部を拡大して例示する断面図である。図２１Ａ及び図２１Ｂは、第１の実施の形態の変形例２に係る接続端子を例示する図である。図２１Ａが断面図、図２１Ｂが斜視図である。図１９〜図２１Ｂを参照するに、ソケット１０Ａにおいて、バンプ５０がバンプ５０Ａに置換されている点が、第１の実施の形態のソケット１０（図４及び図５参照）と相違する。以下、第１の実施の形態と共通する部分の説明は極力省略し、第１の実施の形態と相違する部分を中心に説明する。
【００９３】
バンプ５０Ａは、第１の接続部３１の他方の面３１ｂに形成された突起部である。バンプ５０Ａは、実装基板７０の導体層７２と接触して導通しているが、導体層７２に固定はされていない。つまり、バンプ５０Ａは、実装基板７０の導体層７２と離間可能な状態（固定されていない状態）で接触している。すなわち、蓋部８２のロックを解除することにより、半導体パッケージ６０のみならず、ソケット１０Ａも着脱可能である。そのため、接続端子３０が破損したような場合であっても、容易にソケット１０Ａを良品と交換できる。
【００９４】
バンプ５０Ａは、第１の接続部３１の他方の面３１ｂに一体的に形成されたものでも、別体が接合されたものでも良い。バンプ５０Ａは、例えば他方の面３１ｂ側の面の径が先端部の径よりも大きい円錐台形状とすることができる。なお、円錐台とは、円錐を底面に平行な平面で切り、頂点を含む部分を除去した立体である。但し、バンプ５０Ａは、円錐台形状には限定されず、例えば半球状や円柱状、楕円柱状等としても構わない。バンプ５０Ａの他方の面３１ｂからの突起量は、例えば０．３〜０．４ｍｍ程度とすることができる。
【００９５】
バンプ５０Ａは、前述の第１の実施の形態に係る接続端子３０を作製する工程で、金属板（例えば、Ｃｕ系合金）を所定の形状に打ち抜き加工する際に同時にプレスにより形成することができる。又、バンプ５０Ａは、前述の第１の実施の形態に係る接続端子３０を作製する工程で、金属板（例えば、Ｃｕ系合金）を所定の形状に打ち抜き加工した後、第１の接続部３１の他方の面３１ｂにめっき法やワイヤボンディングを用いて形成してもよい。この場合には、バンプ５０Ａの材料としては、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）等を用いることができる。
【００９６】
このように、第１の実施の形態の変形例２によれば、第１の実施の形態と同様の効果を奏するが、更に、以下の効果を奏する。すなわち、第１の接続部の他方の面に実装基板のパッドと接触及び離間可能に構成されているバンプを形成し、形成したバンプを実装基板の導体層と離間可能な状態（固定されていない状態）で接触させ電気的に接続する。その結果、ソケットは実装基板から着脱可能となるため、接続端子が破損したような場合であっても、容易に良品と交換できる。
【００９７】
なお、バンプ５０Ａは、実装基板７０側に設けても良い。バンプ５０Ａを実装基板７０の導体層７２上に設け、導体層７２上に設けたバンプ５０Ａを第１の接続部３１の他方の面３１ｂと離間可能な状態（固定されていない状態）で接触させ電気的に接続することにより、同様の効果が得られる。バンプ５０Ａは、例えば、めっきやワイヤボンディング等により形成することができる。
【００９８】
〈第１の実施の形態の変形例３〉
第１の実施の形態では、バンプ５０を、接続端子３０の第１の接続部３１の他方の面３１ｂに形成する例を示した（図４及び図５参照）。第１の実施の形態の変形例３では、接続端子３０の第１の接続部３１の他方の面３１ｂに突起部５１を設け、突起部５１を含む第１の接続部３１の他方の面３１ｂに接合部５２を形成し、バンプ５０Ｂとする例を示す。
【００９９】
図２２は、第１の実施の形態の変形例３に係るソケットを例示する断面図である。図２３は、図２２の一部を拡大して例示する断面図である。図２２及び図２３を参照するに、ソケット１０Ｂにおいて、バンプ５０がバンプ５０Ｂに置換されている点が、第１の実施の形態のソケット１０（図４及び図５参照）と相違する。以下、第１の実施の形態と共通する部分の説明は極力省略し、第１の実施の形態と相違する部分を中心に説明する。
【０１００】
バンプ５０Ｂは、突起部５１と接合部５２とを有する。突起部５１は、第１の接続部３１の他方の面３１ｂに形成されている。突起部５１は、便宜上別符号を用いているが、第１の実施の形態の変形例２で説明したバンプ５０Ａと同一である。そのため、突起部５１についての詳しい説明は省略する。
【０１０１】
接合部５２は、第１の接続部３１の他方の面３１ｂに突起部５１を被覆するように形成されている。接合部５２は、突起部５１を含む第１の接続部３１の他方の面３１ｂを実装基板７０の導体層７２と接合し電気的に接続している。接合部５２としては、例えば、はんだを用いることができる。はんだの材料としては、例えば、Ｐｂを含む合金、ＳｎとＣｕの合金、ＳｎとＡｇの合金、ＳｎとＡｇとＣｕの合金等の鉛フリーはんだを用いることが好ましい。接合部５２として、はんだの代わりに、例えば導電性樹脂接着剤（例えば、Ａｇペースト）等を用いても構わない。
【０１０２】
このように、第１の実施の形態の変形例３によれば、第１の実施の形態と同様の効果を奏するが、更に、以下の効果を奏する。すなわち、第１の接続部の他方の面に形成された突起部と、この突起部を被覆するように形成された接合部とを有するバンプを設ける。これにより、突起部が形成されていない他方の面に接合部（バンプ）を設ける場合に比べて、接合部が突起部を含む他方の面と接触する面積が大きくなるため、接続端子とバンプとの密着性を向上することができる。又、接続端子とバンプとの間の抵抗値を低減することができる。
【０１０３】
〈第１の実施の形態の変形例４〉
第１の実施の形態では、支持体２０上に位置決め部４０を設け、位置決め部４０により半導体パッケージ６０を位置決めする例を示した。第１の実施の形態の変形例４では、支持体２０上に位置決め部４０を設けず、筐体の枠部に位置決め部の機能を持たせ、半導体パッケージ６０を位置決めする例を示す。
【０１０４】
図２４は、第１の実施の形態の変形例４に係るソケットを例示する断面図である。図２４を参照するに、ソケット１０Ｃにおいて、支持体２０上に位置決め部４０が設けられていない点、及び筐体８０Ａの枠部８３が半導体パッケージ６０を位置決めしている点が、第１の実施の形態のソケット１０（図４及び図５参照）と相違する。以下、第１の実施の形態と共通する部分の説明は極力省略し、第１の実施の形態と相違する部分を中心に説明する。
【０１０５】
図２５Ａ〜図２５Ｃは、第１の実施の形態の変形例４に係る筐体の枠部を例示する図である。図２５Ａが平面図、図２５Ｂが底面図、図２５Ｃが斜視図である。図２５Ａ〜図２５Ｃを参照するに、枠部８３は、中央に矩形状の開口部８３ｘを有する額縁状の部材に第１の位置決め保持部８４と、第２の位置決め保持部８５とを設けたものであり、樹脂や金属等から構成されている。枠部８３は、半導体パッケージ６０及び支持体２０の位置決め及び保持をし、それぞれを位置合わせする機能を有する。又、枠部８３は、半導体パッケージ６０と支持体２０との間隔が所定値以下になることを防止する機能を有する。
【０１０６】
第１の位置決め保持部８４は、面８４ａと面８４ｂとを有する。面８４ａは、枠部８３の上面８３ａよりも内側の、上面８３ａよりも一段下がった位置に、上面８３ａと略平行に額縁状に設けられた面である。面８４ｂは、面８４ａと上面８３ａとの間に上面８３ａと略垂直に設けられた面であり、枠部８３の内側面の一部を構成している。
【０１０７】
面８４ａは、半導体パッケージ６０を構成する基板６１の下面の外縁部と接している。面８４ｂの形成する開口部の形状は、半導体パッケージ６０の平面形状に合わせて矩形状とされている。又、面８４ｂの形成する開口部の形状は、半導体パッケージ６０の着脱を可能とするため、基板６１の外形形状よりも若干大きくされている。面８４ｂと基板６１の側面とは、接していても構わないし、ソケット１０Ｃの接続端子３０の他端と半導体パッケージ６０の貴金属層６５との間に位置ずれが生じない程度の隙間があっても構わない。
【０１０８】
半導体パッケージ６０は、第１の位置決め保持部８４により保持されるため、第１の位置決め保持部８４の面８４ａよりも実装基板７０側に押し込まれることはない。その結果、半導体パッケージ６０が必要以上に実装基板７０側に押し込まれ、接続端子３０が必要以上に変形して破損することを防止できる。
【０１０９】
第２の位置決め保持部８５は、枠部８３の下面８３ｂの外縁部に複数個設けられた、下面８３ｂから突起する突起部である。第２の位置決め保持部８５は、内側面８５ａと底面８５ｂとを有する。複数の第２の位置決め保持部８５にはソケット１０Ｃの支持体２０が圧入され、下面８３ｂ及び複数の第２の位置決め保持部８５の内側面８５ａは、それぞれ支持体２０の上面の外縁部及び側面と接している。
【０１１０】
内側面８５ａの形成する開口部の形状は、支持体２０の平面形状に合わせて矩形状とされている。又、内側面８５ａの形成する開口部の形状は、支持体２０の圧入を可能とするため、支持体２０の外形形状と略同一とされている。各第２の位置決め保持部８５の底面８５ｂから枠部８３の下面８３ｂまでのそれぞれの高さは、実装基板７０の上面から支持体２０の上面までの高さと略同一であり、各第２の位置決め保持部８５の底面８５ｂは実装基板７０の上面と接している。
【０１１１】
なお、枠部８３は実装基板７０には固定されていないが、ソケット１０Ｃが、バンプ５０により実装基板７０に固定されているため、支持体２０が圧入されている枠部８３も、間接的に実装基板７０に固定されていることになる。但し、支持体２０を枠部８３に圧入することにより、枠部８３を間接的に実装基板７０に固定する構造に代えて、枠部８３を実装基板７０を貫通するボルト等により、実装基板７０の上面に固着する構造としても構わない。
【０１１２】
このように、第１の実施の形態の変形例４によれば、第１の実施の形態と同様の効果を奏するが、更に、以下の効果を奏する。すなわち、筐体の枠部に位置決め部の機能を持たせることにより、支持体上に位置決め部を設けなくても被接続物である半導体パッケージ等を位置決めすることができる。
【０１１３】
又、被接続物である半導体パッケージ等と支持体との間隔が所定値以下にならないため、被接続物である半導体パッケージ等が必要以上に実装基板側に押し込まれ、接続端子が必要以上に変形して破損することを防止できる。
【０１１４】
〈第１の実施の形態の変形例５〉
第１の実施の形態の変形例５では、第１の実施の形態とは異なる形状の接続端子を用いる例を示す。
【０１１５】
図２６は、第１の実施の形態の変形例５に係るソケットを例示する断面図である。図２６を参照するに、ソケット１０Ｄにおいて、接続端子３０が接続端子９０に置換されている点が、第１の実施の形態のソケット１０（図４及び図５参照）と相違する。以下、第１の実施の形態と共通する部分の説明は極力省略し、第１の実施の形態と相違する部分を中心に説明する。
【０１１６】
接続端子９０は、ばね性を有する導電性の部材である。接続端子９０は、本体２１に設けられた貫通孔２１ｘに挿入され、接続端子９０の一端である第１の接続部９１は、接着層２２を介して本体２１の一方の面２１ａに固着されている。又、接続端子９０の他端である第２の接続部９２は、本体２１の他方の面２１ｂから突出している。
【０１１７】
第１の接続部９１は、第１の接続部３１と同様に板状とされている。第２の接続部９２は、第２の接続部３２の接触部３８と同様にラウンド形状とされている。ばね部９３は、第１の接続部９１と第２の接続部９２との間に配置されており、第１の接続部９１及び第２の接続部９２と一体的に構成されている。第１の接続部９１及び第２の接続部９２の厚さや接続端子９０全体の高さ等は、接続端子３０の場合と同程度とすることができる。
【０１１８】
なお、接続端子９０は、ばねとして機能できる状態で貫通孔２１ｘに挿入されている。つまり、接続端子９０の貫通孔２１ｘに挿入された部分は、貫通孔２１ｘの内壁面には固定されてなく弾性変形可能である。そのため、接続端子９０は、貫通孔２１ｘに挿入された部分も含めてほぼ全体（第１の接続部９１を除く部分）がばねとして機能できる。
【０１１９】
接続端子９０の一端（第１の接続部９１の実装基板７０と対向する面）は、バンプ５０を介して、実装基板７０の導体層７２と接合され、導体層７２と電気的に接続されている。接続端子９０の他端（第２の接続部９２）は、半導体パッケージ６０の貴金属層６５に離間可能な状態（固定されていない状態）で接触し、貴金属層６５と電気的に接続されている。
【０１２０】
なお、第１の実施の形態と同様の理由により、領域Ａに配置された接続端子９０と、領域Ｂに配置された接続端子９０とは、対向するように（対称に）配置されている。但し、領域Ａの接続端子９０と領域Ｂの接続端子９０とが同一方向を向くように配置しても構わない。
【０１２１】
蓋部８２の外縁部を枠部８１の上面と接するように固定する（ロックする）ことにより、蓋部８２が半導体パッケージ６０を実装基板７０側に押し込み、半導体パッケージ６０は実装基板７０側に移動する。これにより、ソケット１０Ｄの接続端子９０は押圧されＺ方向に縮んで所定のばね圧が生じ、半導体パッケージ６０の貴金属層６５は接続端子９０の他端（第２の接続部９２）と接触する。つまり、半導体パッケージ６０はソケット１０Ｄを介して実装基板７０と電気的に接続される。但し、蓋部８２のロックを解除することにより、半導体パッケージ６０は、ソケット１０Ｄから着脱可能である。第１の実施の形態の変形例５によれば、第１の実施の形態と同様の効果を奏する。
【０１２２】
このように、接続端子は、第１の実施の形態に係る接続端子３０のような形状には限定されず、第１の実施の形態の変形例５に係る接続端子９０のような形状でも構わないし、その他の形状でも構わない。つまり、接続端子は、ばねとして機能できる状態（貫通孔の内壁面に固定されていない状態）で支持体の貫通孔に挿入されており、その一端が支持体の一方の面に固着され、その他端が支持体の他方の面から突出する構造であれば、どのような形状であっても構わない。
【０１２３】
以上、好ましい実施の形態及びその変形例について詳説したが、上述した実施の形態及びその変形例に制限されることはなく、特許請求の範囲に記載された範囲を逸脱することなく、上述した実施の形態及びその変形例に種々の変形及び置換を加えることができる。
【０１２４】
例えば、各実施の形態及びその変形例において、１つの接続端子を１つの貫通孔に挿入する例を示したが、この形態に限定されることはない。すなわち、１つの貫通孔に複数個の接続端子を挿入し、各接続端子の第１の接続部を支持体の一方の面に固着するようにしても良い。
【０１２５】
又、第１の実施の形態の変形例５に対して、更に、第１の実施の形態の変形例２〜４と同様な変形を加えても構わない。
【０１２６】
又、各実施の形態及びその変形例において、本発明に係るソケットをマザーボード等の実装基板に適用する例を示した。しかしながら、本発明に係るソケットは半導体パッケージテスト用基板等にも適用可能である。例えば、半導体パッケージテスト用基板に本発明に係るソケットを適用すれば、半導体パッケージの電気特性等のテストを繰り返し実施することが可能となる。
【符号の説明】
【０１２７】
１０、１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃ、１０Ｄ  ソケット
２０  支持体
２１  本体
２１ａ  本体の一方の面
２１ｂ  本体の他方の面
２１ｘ、２５ｘ  貫通孔
２２  接着層
２５  治具
３０、９０  接続端子
３１、９１  第１の接続部
３１ａ  第１の接続部の一方の面
３１ｂ  第１の接続部の他方の面
３２、９２  第２の接続部
３３、９３  ばね部
３４  第１の支持部
３４ａ、８４ａ、８４ｂ  面
３５  第２の支持部
３８  接触部
３９  突出部
４０  位置決め部
５０、５０Ａ、５０Ｂ  バンプ
５１  突起部
５２  接合部
６０  半導体パッケージ
６１  基板
６２  半導体チップ
６３  封止樹脂
６４、７２  導体層
６５  貴金属層
７０  実装基板
８０、８０Ａ  筐体
８１、８３  枠部
８２  蓋部
８３ａ  上面
８３ｂ  下面
８３ｘ  開口部
８４  第１の位置決め保持部
８５  第２の位置決め保持部
８５ａ  内側面
８５ｂ  底面
Ａ、Ｂ  領域
Ｃ  突出量
Ｄ  平面
Ｅ  配設方向
Ｈ  高さ
θ１、θ２  角度
【図１】
0005713598.tif 000002
【図２】
0005713598.tif 000003
【図３】
0005713598.tif 000004
【図４】
0005713598.tif 000005
【図５】
0005713598.tif 000006
【図６】
0005713598.tif 000007
【図７】
0005713598.tif 000008
【図８】
0005713598.tif 000009
【図９】
0005713598.tif 000010
【図１０】
0005713598.tif 000011
【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
0005713598.tif 000014
【図１４】
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【図１５】
0005713598.tif 000016
【図１６】
0005713598.tif 000017
【図１７】
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【図１８】
0005713598.tif 000019
【図１９】
0005713598.tif 000020
【図２０】
0005713598.tif 000021
【図２１Ａ】
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【図２１Ｂ】
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【図２２】
0005713598.tif 000024
【図２３】
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【図２４】
0005713598.tif 000026
【図２５Ａ】
0005713598.tif 000027
【図２５Ｂ】
0005713598.tif 000028
【図２５Ｃ】
0005713598.tif 000029
【図２６】
0005713598.tif 000030