(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材と、
前記基材上に設けられ、酸化ケイ素を含有するバインダ及び平均短軸長が５ｎｍ以上５０ｎｍ以下の金属ナノワイヤを含み、６３３ｎｍにおける屈折率が１．２０以上１．４０以下であり、且つヘイズ値が１．５％以下である導電性層と
を有する導電性部材。
【請求項２】
前記金属ナノワイヤの平均短軸長が５ｎｍ以上２５ｎｍ以下である請求項１に記載の導電性部材。
【請求項３】
前記導電性層中の前記酸化ケイ素を含有するバインダ、及び前記金属ナノワイヤの総含有率が９５質量％以上である請求項１又は請求項２に記載の導電性部材。
【請求項４】
前記導電性層中の前記酸化ケイ素を含有するバインダ、及び前記金属ナノワイヤの総含有率が９９．５質量％以上である請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の導電性部材。
【請求項５】
前記基材が、高分子樹脂を含む請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載の導電性部材。
【請求項６】
前記金属ナノワイヤが、銀ナノワイヤ又は銀合金ナノワイヤを含む請求項１〜請求項５のいずれか１項に記載の導電性部材。
【請求項７】
前記バインダは、固形分中の含有率が９０質量％以上であるテトラアルコキシシランを含有する水性ゾル液を加水分解及び重縮合して得られるゾルゲル硬化物である請求項１〜請求項６のいずれか１項に記載の導電性部材。
【請求項８】
前記バインダは、固形分中の含有率が９０質量％以上であるテトラアルコキシシランと、前記テトラアルコキシシランに対する含有率が０．４質量％以上３．０質量％以下であるオルガノトリアルコキシシランとを含有する水性ゾル液を加水分解及び重縮合して得られるゾルゲル硬化物である請求項１〜請求項７のいずれか１項に記載の導電性部材。
【請求項９】
前記導電性層は、非導電性領域及び導電性領域を有し、少なくとも前記導電性領域が前記金属ナノワイヤを含み、前記非導電性領域が前記金属ナノワイヤを溶解するエッチング液の付与により形成される請求項１〜請求項８のいずれか１項に記載の導電性部材。
【請求項１０】
前記非導電性領域の表面抵抗率が１．０×１０７Ω／□以上である請求項９に記載の導電性部材。
【請求項１１】
高分子樹脂を含む基材上に、平均短軸長が５ｎｍ以上５０ｎｍ以下の金属ナノワイヤ、及び前記金属ナノワイヤを除いた固形分中の含有率が９０質量％以上であるテトラアルコキシシランを含む液状組成物を付与して液膜を形成することと、
前記液膜を１００℃以上１５０℃以下で加熱処理することと、
前記加熱処理された液膜に、波長が４００ｎｍ以下の紫外線を１００ｍＪ／ｃｍ２以上５００ｍＪ／ｃｍ２以下で照射して、６３３ｎｍにおける屈折率が１．２０以上１．４０以下であり、且つヘイズ値が１．５％以下である導電性層を形成することと、
を含む導電性部材の製造方法。
【請求項１２】
前記紫外線の波長が１１０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下である請求項１１に記載の導電性部材の製造方法。
【請求項１３】
高分子樹脂を含む基材上に、平均短軸長が５ｎｍ以上５０ｎｍ以下の金属ナノワイヤ、並びに前記金属ナノワイヤを除いた固形分中の含有率が９０質量％以上であるテトラアルコキシシラン、及び前記テトラアルコキシシランに対する含有率が０．４質量％以上３．０質量％以下であるオルガノトリアルコキシシランを含む液状組成物を付与して液膜を形成することと、
前記液膜を１３０℃以上１５０℃以下で加熱処理して、６３３ｎｍにおける屈折率が１．２０以上１．４０以下であり、且つヘイズ値が１．５％以下である導電性層を形成することと、
を含む導電性部材の製造方法。
【請求項１４】
前記導電性層上の部分領域に、前記金属ナノワイヤを溶解可能なエッチング液を付与して前記部分領域に非導電性領域を形成することで、前記導電性層に非導電性領域及び導電性領域を形成することを更に含む請求項１１〜請求項１３のいずれか１項に記載の導電性部材の製造方法。
【請求項１５】
前記金属ナノワイヤの平均短軸長が５ｎｍ以上２５ｎｍ以下である請求項１１〜請求項１４のいずれか１項に記載の導電性部材の製造方法。
【請求項１６】
前記金属ナノワイヤが、銀ナノワイヤ又は銀合金ナノワイヤを含む請求項１１〜請求項１５のいずれか１項に記載の導電性部材の製造方法。
【請求項１７】
請求項１〜請求項１０のいずれか１項に記載の導電性部材、又は請求項１１〜請求項１６のいずれか１項に記載の製造方法で製造された導電性部材を備えるタッチパネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、導電性部材及びその製造方法、並びにタッチパネルに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、従来のＩＴＯ等の金属酸化物からなる透明導電材の代替として、金属ナノワイヤを含む導電性層を有する導電性部材が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。金属ナノワイヤを含む導電性層を有する導電性部材は、透明性、低抵抗、屈曲耐性の面で優れていることからＩＴＯ透明導電材の代替材料として特に期待が高まっている。優れた屈曲耐性を生かす為に、通常上記の金属ナノワイヤを含む導電性層は、基板には高分子樹脂のフレキシブル基板が使用される。
この導電性部材は、従来のＩＴＯ等の金属酸化物からなる透明導電材と同様に、フォトリソ・エッチング法を使用することにより、所望の導電性領域と非導電性領域とを含む導電性層を有する導電性部材に加工することができる。この加工された導電性部材は、例えば、ＩＴＯ透明導電材が使用されているタッチパネルとして、又は太陽電池の電極としての用途に供することができる。
上記の導電性部材の導電性層は、主要な課題である物理的及び機械的な性質を向上させるため、マトリックス材中に分散又は埋め込まれたものとすることも記載されている。そして、このようなマトリックス材として、ゾルゲルマトリックスのような無機材料が例示されている（例えば、特許文献１の段落００４５〜００４６及び００５１参照。）。
更に、導電性層の屈折率を低下させ、表面反射を抑制して高い透明性を兼ね備えた導電性層として、マトリクス樹脂と、金属ナノワイヤのようなファイバー状の導電性物質と、低屈折率粒子とを含有する導電性層を基材上に設けた導電性部材が提案されている（例えば、特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特表２００９−５０５３５８号公報
【特許文献２】特開２０１１−２９０９８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記の導電性部材は、例えば鉛筆、タッチパネル操作具のような先端のとがった用具で導電性層の表面を擦る等のタッチパネルの操作を繰り返しているうちに、導電性層の表面が傷ついたり磨耗したりしてしまい、依然として導電性層の膜強度及び耐磨耗性に改善の余地があった。
上記導電性層の膜強度及び耐摩耗性を改善するには、導電性層上に保護膜を形成したり、又は上記のマトリクス材の膜強度を強くしたりする必要がある。このような導電性部材では、所望の導電性領域と非導電性領域とを含む導電性層を有する導電性部材に加工する際に、導電性層をエッチング液でエッチングした際に、十分なエッチングでできず、非導電性領域が形成できないという新たな課題が生じた。また特に基板に高分子樹脂のようなフレキシブル基板を用いた場合は、硬化の際の熱処理の温度に制限が生じる等の理由により、膜強度及び耐磨耗性が十分なマトリクス材を得ること自身が困難であった。
このように、金属ナノワイヤを含む導電性層を有する導電性部材において、導電性層の膜強度及び耐磨耗性とエッチング特性との両立は困難であった。特に、耐磨耗性とエッチング特性との両立は困難であり、それらを両立する金属ナノワイヤを含む導電性層を有する導電性部材は存在しなかった。
さらに、導電性層の屈折率を低下させる為の低屈折率粒子を含有する導電性層においては、実用に耐えうる膜強度及び耐磨耗性を得ることは特に困難であり、かつ導電性層のヘイズ値が高くなり視認性が低下するという問題もあった。
【０００５】
従って、本発明が解決しようとする課題は、高い導電性と高い透明性を有すると共に、膜強度が高く、耐磨耗性に優れ、かつ導電性層のエッチング特性に優れる導電性部材及びその製造方法、並びに当該導電性部材を用いたタッチパネルを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
前記課題を解決するための具体的手段は以下の通りである。
＜１＞  基材と、前記基材上に設けられ、酸化ケイ素を含有するバインダ及び平均短軸長が５ｎｍ以上５０ｎｍ以下の金属ナノワイヤを含み、６３３ｎｍにおける屈折率が１．２０以上１．４０以下であり、且つヘイズ値が１．５％以下である導電性層とを有する導電性部材である。
【０００７】
＜２＞  前記金属ナノワイヤの平均短軸長が５ｎｍ以上２５ｎｍ以下である前記＜１＞に記載の導電性部材である。
【０００８】
＜３＞  前記導電性層中の前記酸化ケイ素を含有するバインダ、及び前記金属ナノワイヤの総含有率が９５質量％以上である前記＜１＞又は＜２＞に記載の導電性部材である。
【０００９】
＜４＞  前記導電性層中の前記酸化ケイ素を含有するバインダ、及び前記金属ナノワイヤの総含有率が９９．５質量％以上である前記＜１＞〜＜３＞のいずれか１つに記載の導電性部材である。
【００１０】
＜５＞  前記基材が、高分子樹脂を含む前記＜１＞〜＜４＞のいずれか１つに記載の導電性部材である。
【００１１】
＜６＞  前記金属ナノワイヤが、銀ナノワイヤ又は銀合金ナノワイヤを含む前記＜１＞〜＜５＞のいずれか１つに記載の導電性部材である。
【００１２】
＜７＞  前記バインダは、固形分中の含有率が９０質量％以上であるテトラアルコキシシランを含有する水性ゾル液を加水分解及び重縮合して得られるゾルゲル硬化物である前記＜１＞〜＜６＞のいずれか１つに記載の導電性部材である。
【００１３】
＜８＞  前記バインダは、固形分中の含有率が９０質量％以上であるテトラアルコキシシランと、前記テトラアルコキシシランに対する含有率が０．４質量％以上３．０質量％以下であるオルガノトリアルコキシシランとを含有する水性ゾル液を加水分解及び重縮合して得られるゾルゲル硬化物である前記＜１＞〜＜７＞のいずれか１つに記載の導電性部材である。
【００１４】
＜９＞  前記導電性層は、非導電性領域及び導電性領域を有し、少なくとも前記導電性領域が前記金属ナノワイヤを含み、前記非導電性領域が前記金属ナノワイヤを溶解するエッチング液の付与により形成される＜１＞〜＜８＞のいずれか１つに記載の導電性部材である。
【００１５】
＜１０＞  前記非導電性領域の表面抵抗率が１．０×１０７Ω／□以上である前記＜９＞に記載の導電性部材である。
【００１６】
＜１１＞  高分子樹脂を含む基材上に、平均短軸長が５ｎｍ以上５０ｎｍ以下の金属ナノワイヤ、及び前記金属ナノワイヤ除いた固形分中の含有率が９０質量％以上であるテトラアルコキシシランを含有する液状組成物を付与して液膜を形成することと、前記液膜を１００℃以上１５０℃以下で加熱処理することと、前記加熱処理された液膜に、波長が４００ｎｍ以下の紫外線を１００ｍＪ／ｃｍ２以上５００ｍＪ／ｃｍ２以下で照射して、６３３ｎｍにおける屈折率が１．２０以上１．４０以下であり、且つヘイズ値が１．５％以下である導電性層を形成することと、を含む導電性部材の製造方法である。
【００１７】
＜１２＞  前記紫外線の波長が１１０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下である前記＜１１＞に記載の導電性部材の製造方法である。
【００１８】
＜１３＞  高分子樹脂を含む基材上に、平均短軸長が５ｎｍ以上５０ｎｍ以下の金属ナノワイヤ、並びに前記金属ナノワイヤ除いた固形分中の含有率が９０質量％以上であるテトラアルコキシシラン、及び前記テトラアルコキシシランに対する含有率が０．４質量％以上３．０質量％以下であるオルガノトリアルコキシシランを含有する液状組成物を付与して液膜を形成することと、前記液膜を１３０℃以上１５０℃以下で加熱処理して、６３３ｎｍにおける屈折率が１．２０以上１．４０以下であり、且つヘイズ値が１．５％以下である導電性層を形成することと、を含む導電性部材の製造方法である。
【００１９】
＜１４＞  前記導電性層の部分領域に、前記金属ナノワイヤを溶解可能なエッチング液を付与して前記部分領域に非導電性領域を形成することで、前記導電性層に非導電性領域及び導電性領域を形成することを更に含む前記＜１１＞〜＜１３＞のいずれか１つに記載の導電性部材の製造方法である。
【００２０】
＜１５＞  前記金属ナノワイヤの平均短軸長が５ｎｍ以上２５ｎｍ以下である前記＜１１＞〜＜１４＞のいずれか１つに記載の導電性部材の製造方法である。
【００２１】
＜１６＞  前記金属ナノワイヤが、銀ナノワイヤ又は銀合金ナノワイヤを含む前記＜１１＞〜＜１５＞のいずれか１つに記載の導電性部材の製造方法である。
【００２２】
＜１７＞  前記＜１＞〜＜１０＞のいずれか１つに記載の導電性部材、又は前記＜１１＞〜＜１６＞のいずれか１つに記載の製造方法で製造された導電性部材を備えるタッチパネルである。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によれば、高い導電性と高い透明性を有すると共に、膜強度が高く、耐磨耗性に優れ、かつ導電性層のエッチング特性に優れる導電性部材及びその製造方法、並びに当該導電性部材を用いたタッチパネルを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本発明の第一の実施形態に係る導電性部材の概略断面図である。
【図２】本発明の第二の実施形態に係る導電性部材の概略断面図である。
【図３】投影型静電容量方式タッチパネルの一例を示す概略断面図である。
【図４】投影型静電容量方式タッチパネルの一例を示す概略平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下、本発明の導電性部材について詳細に説明する。以下では、本発明の代表的な実施形態に基づいて記載されるが、本発明の主旨を超えない限りにおいて、本発明は記載された実施形態に限定されるものではない。
また本明細書において「〜」を用いて示された数値範囲は、「〜」の前後に記載される数値をそれぞれ最小値及び最大値として含む範囲を示す。更に本明細書において組成物中の各成分の量は、組成物中に各成分に該当する物質が複数存在する場合、特に断らない限り、組成物中に存在する当該複数の物質の合計量を意味する。
【００２６】
本明細書において「光」という語は、可視光線のみならず、紫外線、エックス線、ガンマ線などの高エネルギー線、電子線のような粒子線等を含む概念として用いる。
本明細書中、アクリル酸、メタクリル酸のいずれか或いは双方を示すため「（メタ）アクリル酸」と、アクリレート、メタクリレートのいずれか或いは双方を示すため「（メタ）アクリレート」と、それぞれ表記することがある。
また、含有量は特に断りのない限り、質量換算で示し、特に断りのない限り、質量％は、組成物の総量に対する割合を表し、「固形分」とは、組成物中の溶剤を除く成分を表す。
【００２７】
［導電性部材］
本発明の導電性部材は、基材と、前記基材上に設けられ、酸化ケイ素を含有するバインダ及び平均短軸長が５ｎｍ以上５０ｎｍ以下の金属ナノワイヤを含み、６３３ｎｍにおける屈折率が１．２０以上１．４０以下であり、且つヘイズ値が１．５％以下である導電性層とを有する。前記導電性部材は必要に応じてその他の層を更に有していてもよい。
導電性層の６３３ｎｍにおける屈折率が１．２０以上１．４０以下であることで、高い導電性と高い透明性を有すると共に、膜強度が高く、耐磨耗性に優れ、かつ導電性層のエッチング特性に優れる導電性部材を構成することができる。特に耐摩耗性とエッチング特性両方に優れる導電性部材を得ることができる。
【００２８】
（基材）
前記導電性部材を構成する基材としては、導電性層を担うことができるものである限り特に制限されず、目的に応じて種々のもの使用することができる。一般的には、板状又はシート状のものが使用される。
基材は、透明であっても、不透明であってもよい。基材を構成する素材としては、例えば、白板ガラス、青板ガラス、シリカコート青板ガラス等の透明ガラス；ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリエステル、アクリル樹脂、塩化ビニル樹脂、芳香族ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド、ポリイミド等の高分子樹脂；アルミニウム、銅、ニッケル、ステンレス等の金属；その他セラミック、半導体基板に使用されるシリコンウエハーなどを挙げることができる。
前記基材は、柔軟性、軽量化、低コスト化の観点から、高分子樹脂を含むものであることが好ましく、板状又はシート状の高分子樹脂であることがより好ましい。
【００２９】
これらの基材の導電性層が形成される表面は、所望により、アルカリ性水溶液による清浄化処理、シランカップリング剤などの薬品処理、プラズマ処理、イオンプレーティング、スパッタリング、気相反応法、真空蒸着などの前処理を行うことができる。
基材の厚さは、用途に応じて所望の範囲のものが使用される。一般的には、１μｍ〜５０００μｍの範囲から選択され、５μｍ〜４０００μｍがより好ましく、１０μｍ〜３０００μｍが更に好ましい。
前記基材は全可視光透過率が７０％以上であることが好ましく、８５％以上であることがより好ましく、９０％以上であることが更に好ましい。なお、基材の全光透過率は、ＪＩＳ  Ｋ７３６１に準拠して測定される。
【００３０】
（導電性層）
前記導電性層は、酸化ケイ素を含有するバインダ及び平均短軸長が５ｎｍ以上５０ｎｍ以下の金属ナノワイヤを含み、６３３ｎｍにおける屈折率が１．２０以上１．４０以下であり、且つヘイズ値が１．５％以下である。
導電性層の６３３ｎｍにおける屈折率が１．２０以上１．４０以下であり、ヘイズ値が１．５％以下であることで、耐摩耗性とエッチング特性の両方に優れ、さらに膜強度に優れた高い透明性と高い導電性を有する導電性層を構成することができる。
【００３１】
一般に、酸化ケイ素のみからなる膜、例えば石英の６３３ｎｍにおける屈折率は１．４５７である。しかし前記導電性層は、酸化ケイ素を含むバインダに加えて金属ナノワイヤを含むため、導電性層の屈折率は１．４５７よりも小さくなる。前記導電性層は、６３３ｎｍにおける屈折率が１．２０以上１．４０以下であり、屈折率が１．２２以上１．４０以下であることが好ましく、屈折率が１．２５以上１．３５以下であることがより好ましい。前記屈折率が１．２０未満であると、導電性層の膜強度が低下し、十分な耐摩耗性を得ることができない場合がある。また前記屈折率が１．４０を超えると、エッチング特性が低下する場合がある。これは例えば以下のように考えることができる。
【００３２】
酸化ケイ素を含むバインダと金属ナノワイヤとを含む導電性層の屈折率が１．２０未満であると、導電性層が例えば、相対的にポーラス（多孔質）な状態となっているため、十分な膜強度が得られずに耐摩耗性が低下すると考えられる。また前記屈折率が１．４０を超えると、導電性層が緻密になりすぎるため、エッチング処理におけるエッチング液の浸透が妨げられるため、エッチング特性が低下すると考えられる。
【００３３】
導電性層の屈折率は、分光エリプソメータ（例えば、Ｊ．Ａ．Ｗｏｏｌａｍ社製、分光エリプソメータ  Ｍ−２０００Ｕ）を用いて測定される。すなわち分光エリプソメータを用いて導電性層のエリプソメトリ分析を行うことで６３３ｎｍにおける屈折率を測定することができる。
なお、後述するように導電性層が導電性領域と非導電性領域を含む場合、導電性層の屈折率は導電性領域で測定するものとする。
【００３４】
導電性層の屈折率の調整方法は特に制限されず、通常用いられる手法から適宜選択することができる。具体的には例えば、酸化ケイ素を含むバインダの構成単位の種類及びそれらの含有率を適宜調整したり、酸化ケイ素を含むバインダの硬化状態を適宜調整したりすることで所望の範囲に調整することができる。また導電性層に含まれるバインダと金属ナノワイヤの比率を調整することで、導電性層の屈折率を所望の範囲に調整することもできる。
また、酸化ケイ素とは異なる屈折率を有する材料（例えば、屈折率調整剤）を導電性層に含むことで屈折率を調整することも可能である。しかし例えば、導電性層が低屈折率粒子を含有すると導電性層のヘイズ値が上昇する、また膜が脆くなり、膜強度および耐摩擦性が悪くなる等のデメリットがあるので、この方法は不適である。
導電性層は、低屈折率粒子（屈折率調整剤）を含まずに、酸化ケイ素を含むバインダ及び金属ナノワイヤの総含有率が、導電性層の質量中に９５質量％以上であることが好ましく、９９．５質量％以上であることがより好ましく、酸化ケイ素を含むバインダ及び金属ナノワイヤのみからなることが特に好ましい。
【００３５】
前記導電性層のヘイズ値は１．５％以下である。導電性部材の視認性の観点から、導電性層のヘイズ値は１．０％以下であることが好ましい。導電性層のヘイズ値が１．５％を超えると、耐磨耗性および膜強度が劣化したり、また導電性層と基板とのヘイズ差が大きくなり、導電性層をパターニングした時に導電性層のパターン見え（骨見え）が顕著になり、視認性が低下したりする。また導電性層のヘイズ値の下限値は特に制限されない。一般的には０．５％以上である。
【００３６】
導電性層のヘイズ値は、ヘイズメータ（例えば、ガードナー社製ヘイズガードプラス）を用いて、導電性部材及び基材のヘイズ値をそれぞれ測定し、導電性部材のヘイズ値から基材のヘイズ値を差し引くことで測定することができる。
なお、後述するように導電性層が導電性領域と非導電性領域を含む場合、導電性層のヘイズ値は導電性領域で測定するものとする。
導電性層のヘイズ値は、通常用いられる手法から適宜選択して調整することができる。例えば、導電性層を構成するバインダの種類、及び導電性層に含まれる金属ナノワイヤの平均短軸径および含有量等を適宜調整することで所望の範囲とすることができる。
【００３７】
［金属ナノワイヤ］
前記導電性層は、平均短軸長５ｎｍ以上５０ｎｍ以下の金属ナノワイヤの少なくとも１種を含有する。導電性層に含まれる金属ナノワイヤの平均短軸長が５０ｎｍを超えると、膜強度や耐摩耗性の低下、導電性の低下および光散乱等による光学特性、特にヘイズ値の悪化が生じるため、好ましくない。前記平均短軸長さが、５ｎｍ未満であると、耐酸化性が悪化し、耐久性が低下することがある。また金属ナノワイヤは、中実構造であることが好ましい。
【００３８】
より透明性の高く光学特性に優れる導電性層を形成しやすいという観点からは、例えば、平均短軸長が５ｎｍ〜５０ｎｍであって、平均長軸長が１μｍ〜１００μｍであることが好ましい。
前記金属ナノワイヤの平均短軸長（平均直径）は、２５ｎｍ以下であることがより好ましく、２０ｎｍ以下がさらに好ましい。２５ｎｍ以下であることがヘイズに関して一段と優れるものが得られるのでより好ましい。前記平均短軸長を５ｎｍ以上とすることにより、耐酸化性が良好で、耐候性に優れる導電性部材が容易に得られる。以上により、前記金属ナノワイヤの平均短軸長は、５ｎｍ〜２５ｎｍであることがより好ましく、前記金属ナノワイヤの平均短軸長は、５ｎｍ〜２０ｎｍであることがさらに好ましい。
【００３９】
前記金属ナノワイヤの平均長軸長は、１μｍ〜４０μｍであることが好ましく、３μｍ〜３５μｍがより好ましく、５μｍ〜３０μｍが更に好ましい。金属ナノワイヤの平均長軸長が４０μｍ以下であると、金属ナノワイヤを凝集物が生じることなく合成することが容易となる。また平均長軸長が１μｍ以上であると、十分な導電性を得ることが容易となる。
ここで、前記金属ナノワイヤの平均短軸長（平均直径）及び平均長軸長は、例えば、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）と光学顕微鏡を用い、ＴＥＭ像や光学顕微鏡像を観察することにより求めることができる。具体的に、金属ナノワイヤの平均短軸長（平均直径）及び平均長軸長は、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ；日本電子株式会社製、ＪＥＭ−２０００ＦＸ）を用い、ランダムに選択した３００個の金属ナノワイヤについて、各々短軸長と長軸長を測定し、その算術平均値から金属ナノワイヤの平均短軸長及び平均長軸長を求めることができる。なお、前記金属ナノワイヤの短軸方向断面が円形でない場合の短軸長は、短軸方向の測定で最も長い箇所の長さを短軸長とする。また金属ナノワイヤが曲がっている場合、それを弧とする円を考慮し、その半径、及び曲率から算出される値を長軸長とする。
【００４０】
前記導電性層に含まれる金属ナノワイヤの短軸長（直径）の変動係数は、４０％以下が好ましく、３５％以下がより好ましく、３０％以下が更に好ましい。
前記変動係数が４０％を超えると、耐久性が悪化することがある。これは例えば、短軸長（直径）の小さいワイヤが酸化されやすい為と考えることができる。
前記金属ナノワイヤの短軸長（直径）の変動係数は、例えば透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）像からランダムに選択した３００個のナノワイヤの短軸長（直径）を計測し、その標準偏差と算術平均値を算出し、標準偏差を算術平均値で除することにより求めることができる。
【００４１】
（金属ナノワイヤのアスペクト比）
前記金属ナノワイヤのアスペクト比としては、１０以上であることが好ましい。ここで、アスペクト比とは、平均短軸長に対する平均長軸長の比（平均長軸長／平均短軸長）を意味する。前述の方法により算出した平均長軸長と平均短軸長から、アスペクト比を算出することができる。
前記金属ナノワイヤのアスペクト比としては、１０以上であれば特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、１０〜１００，０００が好ましく、５０〜１００，０００がより好ましく、１００〜１００，０００が更に好ましい。
前記アスペクト比が１０以上であると、金属ナノワイヤ同士が接触したネットワークが容易に形成され、高い導電性を有する導電性層が容易に得られる。また、前記アスペクト比が１００，０００以下であると、例えば基材上に導電性層を塗布により設ける際の塗布液において、金属ナノワイヤ同士が絡まって凝集してしまうことが抑制される安定な塗布液が得られるので、製造が容易となる。
【００４２】
前記金属ナノワイヤを形成する金属としては、特に制限はなく、いかなる金属であってもよく、１種の金属以外にも２種以上の金属を組み合わせて用いてもよく、合金として用いることも可能である。これらの中でも、金属又は金属化合物から形成されるものが好ましく、金属から形成されるものがより好ましい。
前記金属としては、長周期律表（ＩＵＰＡＣ１９９１）の第４周期、第５周期、及び第６周期からなる群から選ばれる少なくとも１種の金属が好ましく、第２〜１４族から選ばれる少なくとも１種の金属がより好ましく、第２族、第８族、第９族、第１０族、第１１族、第１２族、第１３族、及び第１４族から選ばれる少なくとも１種の金属が更に好ましく、これらを主成分として含むことが特に好ましい。
【００４３】
前記金属としては、具体的には銅、銀、金、白金、パラジウム、ニッケル、錫、コバルト、ロジウム、イリジウム、鉄、ルテニウム、オスミウム、マンガン、モリブデン、タングステン、ニオブ、タンタル、チタン、ビスマス、アンチモン、鉛、及び、これらの合金などが挙げられる。これらの中でも、銅、銀、金、白金、パラジウム、ニッケル、錫、コバルト、ロジウム、イリジウム、又はこれらの合金が好ましく、パラジウム、銅、銀、金、白金、錫、又はこれらの合金がより好ましく、銀又は銀を含有する合金（銀合金）が特に好ましい。
【００４４】
前記導電性層に含まれる金属ナノワイヤは、抵抗値・透明度の観点から、銀ナノワイヤまたは銀合金ナノワイヤを含むことが好ましく、平均短軸長が５ｎｍ〜５０ｎｍであって、平均長軸長が１μｍ〜１００μｍの銀ナノワイヤを含むことがより好ましく、平均短軸長が５ｎｍ〜２５ｎｍであって、平均長軸長が５μｍ〜３０μｍの銀ナノワイヤまたは銀合金ナノワイヤを含むことが更に好ましい。金属ナノワイヤに含まれる銀ナノワイヤまたは銀合金ナノワイヤの含有率は、本発明の効果を妨げない限り特に制限されない。例えば、金属ナノワイヤ中の銀ナノワイヤまたは銀合金ナノワイヤの含有率は５０質量％以上であることが好ましく、９０質量％以上であることがより好ましく、金属ナノワイヤは実質的に銀ナノワイヤまたは銀合金ナノワイヤであることが更に好ましい。ここで「実質的に」とは、不可避的に混入する銀または銀合金を構成する金属原子以外の金属原子を許容することを意味する。
【００４５】
導電性層に含まれる金属ナノワイヤの含有量は、金属ナノワイヤの種類に応じて、導電性層の６３３ｎｍにおける屈折率、表面抵抗、及びヘイズが所望の値となるような量とされることが好ましい。例えば銀ナノワイヤまたは銀合金ナノワイヤの場合については、０．００１ｇ／ｍ２〜０．１００ｇ／ｍ２の範囲であり、好ましくは０．００２ｇ／ｍ２〜０．０５０ｇ／ｍ２の範囲であり、より好ましくは０．００３ｇ／ｍ２〜０．０４０ｇ／ｍ２の範囲である。
【００４６】
前記導電性層に含まれる金属ナノワイヤは、透過率・ヘイズ・抵抗値の観点から、平均短軸長が５ｎｍ〜５０ｎｍであって、平均長軸長が１μｍ〜１００μｍの銀ナノワイヤまたは銀合金ナノワイヤであり、導電層中の含有量が０．００１ｇ／ｍ２〜０．１００ｇ／ｍ２の範囲であることが好ましく、平均短軸長が５ｎｍ〜２５ｎｍであって、平均長軸長が５μｍ〜３０μｍの銀ナノワイヤまたは銀合金ナノワイヤであり、導電層中の含有量が０．００２ｇ／ｍ２〜０．０５０ｇ／ｍ２の範囲であることがより好ましい。
【００４７】
（金属ナノワイヤの製造方法）
前記金属ナノワイヤの製造方法は、特に制限はなく、いかなる方法で作製してもよい。中でも以下のようにハロゲン化合物と分散剤を溶解した溶媒中で金属イオンを還元することによって製造することが好ましい。また、金属ナノワイヤを形成した後は、常法により脱塩処理を行うことが、分散性、導電性層の経時安定性の観点から好ましい。
また、金属ナノワイヤの製造方法としては、特開２００９−２１５５９４号公報、特開２００９−２４２８８０号公報、特開２００９−２９９１６２号公報、特開２０１０−８４１７３号公報、特開２０１０−８６７１４号公報、特表２００９−５０５３５８号公報などに記載の方法を用いることができる。
【００４８】
金属ナノワイヤの製造に用いられる溶媒としては、親水性溶媒が好ましい。例えば、水、アルコール溶剤、エーテル溶剤、ケトン溶剤などが挙げられ、これらは１種単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。
アルコール溶剤としては、例えば、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、ブタノール、エチレングリコールなどが挙げられる。
エーテル溶剤としては、例えば、ジオキサン、テトラヒドロフランなどが挙げられる。
ケトン溶剤としては、例えば、アセトンなどが挙げられる。
【００４９】
金属ナノワイヤの製造において加熱する場合、その加熱温度は、２５０℃以下が好ましく、２０℃以上２００℃以下がより好ましく、３０℃以上１８０℃以下が更に好ましく、４０℃以上１７０℃以下が特に好ましい。上記温度を２０℃以上とすることで、形成される金属ナノワイヤの長さが分散安定性を確保しうる好ましい範囲となり、且つ、２５０℃以下とすることで、金属ナノワイヤの断面外周が鋭角を有しない、なめらかな形状となるため、透明性の観点から好適である。
なお、必要に応じて、粒子形成過程で温度を変更してもよい。途中での温度変更は核形成の制御や再核発生の抑制、選択成長の促進による単分散性向上の効果が得られることがある。
【００５０】
前記加熱の際には、還元剤を添加して行うことが好ましい。
前記還元剤としては、特に制限はなく、通常使用されるものの中から適宜選択することができ、例えば、水素化ホウ素金属塩、水素化アルミニウム塩、アルカノールアミン、脂肪族アミン、ヘテロ環式アミン、芳香族アミン、アラルキルアミン、アルコール、有機酸類、グルコース等の還元糖類、糖アルコール類、亜硫酸ナトリウム、ヒドラジン化合物、デキストリン、ハイドロキノン、ヒドロキシルアミン、エチレングリコール、グルタチオンなどが挙げられる。これらの中でも、還元糖類、その誘導体としての糖アルコール類、エチレングリコールが特に好ましい。
これらの中でも、還元糖類、その誘導体としての糖アルコール類、エチレングリコールが特に好ましい。
前記還元剤によっては、機能として分散剤や溶媒としても機能する化合物があり、同様に好ましく用いることができる。
【００５１】
前記金属ナノワイヤ製造の際には分散剤と、ハロゲン化合物又はハロゲン化金属粒子を添加して行うことが好ましい。
分散剤とハロゲン化合物の添加のタイミングは、還元剤の添加前でも添加後でもよく、金属イオンあるいはハロゲン化金属微粒子の添加前でも添加後でもよい。またハロゲン化合物の添加は２段階以上に分けることが好ましい。これにより単分散性により優れるナノワイヤを得ることができる。これは例えば、核形成と成長を制御できるためと考えることができる。
【００５２】
前記分散剤を添加する段階は、粒子調製する前に添加し、分散ポリマー存在下で添加してもよいし、粒子調整後に分散状態の制御のために添加しても構わない。分散剤の添加を２段階以上に分けるときには、その量は必要とする金属ナノワイヤの長さにより変更することが好ましい。これは核となる金属粒子量の制御による金属ナノワイヤの長さに起因しているためと考えられる。
前記分散剤としては、例えばアミノ基含有化合物、チオール基含有化合物、スルフィド基含有化合物、アミノ酸又はその誘導体、ペプチド化合物、多糖類、多糖類由来の天然高分子、合成高分子、又はこれらに由来するゲル等の高分子化合物類、などが挙げられる。これらのうち分散剤として用いられる各種高分子化合物類は、後述するポリマーに包含される化合物である。
【００５３】
分散剤として好適に用いられるポリマーとしては、例えば保護コロイド性のあるポリマーであるゼラチン、ポリビニルアルコール、メチルセルロース、ヒドロキシプルピルセルロース、ポリアルキレンアミン、ポリアクリル酸の部分アルキルエステル、ポリビニルピロリドン、ポリビニルピロリドン構造を含む共重合体、アミノ基やチオール基を有するポリアクリル酸誘導体等の親水性基を有するポリマーが好ましく挙げられる。
分散剤として用いるポリマーはＧＰＣ法により測定した重量平均分子量（Ｍｗ）が、３０００以上３０００００以下であることが好ましく、５０００以上１０００００以下であることがより好ましい。
前記分散剤として使用可能な化合物の構造については、例えば「顔料の事典」（伊藤征司郎編、株式会社朝倉書院発行、２０００年）の記載を参照できる。
使用する分散剤の種類によって得られる金属ナノワイヤの形状を変化させることができる。
【００５４】
前記ハロゲン化合物としては、臭素、塩素、ヨウ素を含有する化合物であれば特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。例えば、臭化ナトリウム、塩化ナトリウム、ヨウ化ナトリウム、ヨウ化カリウム、臭化カリウム、塩化カリウム、ヨウ化カリウム等のアルカリハライドや下記の分散剤と併用できる化合物が好ましい。
前記ハロゲン化合物によっては、分散剤として機能するものがありうるが、同様に好ましく用いることができる。
前記ハロゲン化合物の代替としてハロゲン化銀微粒子を使用してもよいし、ハロゲン化合物とハロゲン化銀微粒子を共に使用してもよい。
【００５５】
また、分散剤とハロゲン化合物とは双方の機能を有する単一の物質を用いてもよい。即ち、分散剤としての機能を有するハロゲン化合物を用いることで、１つの化合物で、分散剤とハロゲン化合物の双方の機能を発現する。
分散剤としての機能を有するハロゲン化合物としては、例えば、アミノ基と臭化物イオンを含むＨＴＡＢ（ヘキサデシル−トリメチルアンモニウムブロミド）、アミノ基と塩化物イオンを含むＨＴＡＣ（ヘキサデシル−トリメチルアンモニウムクロライド）、アミノ基と臭化物イオン又は塩化物イオンを含むドデシルトリメチルアンモニウムブロミド、ドデシルトリメチルアンモニウムクロリド、ステアリルトリメチルアンモニウムブロミド、ステアリルトリメチルアンモニウムクロリド、デシルトリメチルアンモニウムブロミド、デシルトリメチルアンモニウムクロリド、ジメチルジステアリルアンモニウムブロミド、ジメチルジステアリルアンモニウムクロリド、ジラウリルジメチルアンモニウムブロミド、ジラウリルジメチルアンモニウムクロリド、ジメチルジパルミチルアンモニウムブロミド、ジメチルジパルミチルアンモニウムクロリド、などが挙げられる。
なお、金属ナノワイヤ形成後の脱塩処理は、限外ろ過、透析、ゲルろ過、デカンテーション、遠心分離などの手法により行うことができる。
【００５６】
前記金属ナノワイヤは、アルカリ金属イオン、アルカリ土類金属イオン、ハロゲン化物イオン等の無機イオンをなるべく含まないことが好ましい。前記金属ナノワイヤを水性分散物させたときの電気伝導度は１ｍＳ／ｃｍ以下が好ましく、０．１ｍＳ／ｃｍ以下がより好ましく、０．０５ｍＳ／ｃｍ以下が更に好ましい。
前記金属ナノワイヤを水性分散物としたときの２０℃における粘度は、０．５ｍＰａ・ｓ〜１００ｍＰａ・ｓが好ましく、１ｍＰａ・ｓ〜５０ｍＰａ・ｓがより好ましい。
前記電気伝導度及び粘度は、金属ナノワイヤの濃度が０．４５質量％である分散液において測定される。
【００５７】
（バインダ）
前記導電性層は、酸化ケイ素を含有するバインダの少なくとも１種を含む。前記バインダは、膜強度、導電性の観点から、酸化ケイ素を含むゾルゲル硬化物であることが好ましい。酸化ケイ素を含むゾルゲル硬化物は、ケイ素を含むアルコキシド化合物を加水分解及び重縮合し、更に必要に応じて加熱等の硬化処理、乾燥処理等を行うことで得られるものである。ケイ素を含むアルコキシド化合物としては、下記一般式（Ｉ）で示される化合物が、入手容易性の点で好ましい。
Ｓｉ（ＯＲ１）ａＲ２（４−ａ）            （Ｉ）
一般式（Ｉ）中、Ｒ１及びＲ２はそれぞれ独立に水素原子又は炭化水素基を示し、ａは２〜４の整数を示す。
【００５８】
上記一般式（Ｉ）におけるＲ１及びＲ２で示される炭化水素基としては、好ましくはアルキル基又はアリール基が挙げられる。
アルキル基を示す場合の炭素数は、好ましくは１〜１８、より好ましくは１〜８であり、更に好ましくは１〜４である。また、アリール基を示す場合は、フェニル基が好ましい。
アルキル基又はアリール基は置換基を有していてもよく、導入可能な置換基としては、ハロゲン原子、アシルオキシ基、アルケニル基、アクリロイルオキシ基、メタクリロイルオキシ基、アミノ基、アルキルアミノ基、メルカプト基、エポキシ基などが挙げられる。なお、この化合物は低分子化合物であり、分子量１０００以下であることが好ましい。
【００５９】
以下に、一般式（Ｉ）で示される化合物の具体例を挙げるが、本発明はこれに限定されるものではない。
ａが２の場合、即ち２官能のオルガノアルコキシシランとしては、例えば、ジメチルジメトキシシラン、ジエチルジメトキシシラン、プロピルメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジエチルジエトキシシラン、ジプロピルジエトキシシラン、γ−クロロプロピルメチルジエトキシシラン、γ−クロロプロピルジメチルジメトキシシラン、クロロジメチルジエトキシシラン、（ｐ−クロロメチル）フェニルメチルジメトキシシラン、γ−ブロモプロピルメチルジメトキシシラン、アセトキシメチルメチルジエトキシシラン、アセトキシメチルメチルジメトキシシラン、アセトキシプロピルメチルジメトキシシラン、ベンゾイロキシプロピルメチルジメトキシシラン、２−（カルボメトキシ）エチルメチルジメトキシシラン、フェニルメチルジメトキシシラン、フェニルエチルジエトキシシラン、フェニルメチルジプロポキシシラン、ヒドロキシメチルメチルジエトキシシラン、Ｎ−（メチルジエトキシシリルプロピル）−Ｏ−ポリエチレンオキシドウレタン、Ｎ−（３−メチルジエトキシシリルプロピル）−４−ヒドロキシブチルアミド、Ｎ−（３−メチルジエトキシシリルプロピル）グルコンアミド、ビニルメチルジメトキシシラン、ビニルメチルジエトキシシラン、ビニルメチルジブトキシシラン、イソプロペニルメチルジメトキシシラン、イソプロペニルメチルジエトキシシラン、イソプロペニルメチルジブトキシシラン、ビニルメチルビス（２−メトキシエトキシ）シラン、アリルメチルジメトキシシラン、ビニルデシルメチルジメトキシシラン、ビニルオクチルメチルジメトキシシラン、ビニルフェニルメチルジメトキシシラン、イソプロペニルフェニルメチルジメトキシシラン、２−（メタ）アクリロキシエチルメチルジメトキシシラン、２−（メタ）アクリロキシエチルメチルジエトキシシラン、３−（メタ）アクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、３−（メタ）アクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、３−（メタ）−アクリロキシプロピルメチルジス（２−メトキシエトキシ）シラン、３−［２−（アリルオキシカルボニル）フェニルカルボニルオキシ］プロピルメチルジメトキシシラン、３−（ビニルフェニルアミノ）プロピルメチルジメトキシシラン、３−（ビニルフェニルアミノ）プロピルメチルジエトキシシラン、３−（ビニルベンジルアミノ）プロピルメチルジエトキシシラン、３−（ビニルベンジルアミノ）プロピルメチルジエトキシシラン、３−［２−（Ｎ−ビニルフェニルメチルアミノ）エチルアミノ］プロピルメチルジメトキシシラン、３−［２−（Ｎ−イソプロペニルフェニルメチルアミノ）エチルアミノ］プロピルメチルジメトキシシラン、２−（ビニルオキシ）エチルメチルジメトキシシラン、３−（ビニルオキシ）プロピルメチルジメトキシシラン、４−（ビニルオキシ）ブチルメチルジエトキシシラン、２−（イソプロペニルオキシ）エチルメチルジメトキシシラン、３−（アリルオキシ）プロピルメチルジメトキシシラン、１０−（アリルオキシカルボニル）デシルメチルジメトキシシラン、３−（イソプロペニルメチルオキシ）プロピルメチルジメトキシシラン、１０−（イソプロペニルメチルオキシカルボニル）デシルメチルジメトキシシラン、３−［（メタ）アクリロキプロピル］メチルジメトキシシラン、３−［（メタ）アクリロキシプロピル］メチルジエトキシシラン、３−［（メタ）アクリロキメチル］メチルジメトキシシラン、３−［（メタ）アクリロキシメチル］メチルジエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−［３−（メタ）アクリロキシ−２−ヒドロキシプロピル］−３−アミノプロピルメチルジエトキシシラン、Ｏ−「（メタ）アクリロキシエチル」−Ｎ−（メチルジエトキシシリルプロピル）ウレタン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルメチルジメトキシシラン、γ−アミノプロピルメチルジエトキシシラン、γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、４−アミノブチルメチルジエトキシシラン、１１−アミノウンデシルメチルジエトキシシラン、ｍ−アミノフェニルメチルジメトキシシラン、ｐ−アミノフェニルメチルジメトキシシラン、３−アミノプロピルメチルジス（メトキシエトキシエトキシ）シラン、２−（４−ピリジルエチル）メチルジエトキシシラン、２−（メチルジメトキシシリルエチル）ピリジン、Ｎ−（３−メチルジメトキシシリルプロピル）ピロール、３−（ｍ−アミノフェノキシ）プロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジエトキシシラン、Ｎ−（６−アミノヘキシル）アミノメチルメチルジエトキシシラン、Ｎ−（６−アミノヘキシル）アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−１１−アミノウンデシルメチルジメトキシシラン、（アミノエチルアミノメチル）フェネチルメチルジメトキシシラン、Ｎ−３−［（アミノ（ポリプロピレンオキシ））］アミノプロピルメチルジメトキシシラン、ｎ−ブチルアミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−エチルアミノイソブチルメチルジメトキシシラン、Ｎ−メチルアミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−フェニル−γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−フェニル−γ−アミノメチルメチルジエトキシシラン、（シクロヘキシルアミノメチル）メチルジエトキシシラン、Ｎ−シクロヘキシルアミノプロピルメチルジメトキシシラン、ビス（２−ヒドロキシエチル）−３−アミノプロピルメチルジエトキシシラン、ジエチルアミノメチルメチルジエトキシシラン、ジエチルアミノプロピルメチルジメトキシシラン、ジメチルアミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−３−メチルジメトキシシリルプロピル−ｍ−フェニレンジアミン、Ｎ，Ｎ−ビス［３−（メチルジメトキシシリル）プロピル］エチレンジアミン、ビス（メチルジエトキシシリルプロピル）アミン、ビス（メチルジメトキシシリルプロピル）アミン、ビス［（３−メチルジメトキシシリル）プロピル］−エチレンジアミン、ビス［３−（メチルジエトキシシリル）プロピル］ウレア、ビス（メチルジメトキシシリルプロピル）ウレア、Ｎ−（３−メチルジエトキシシリルプロピル）−４，５−ジヒドロイミダゾール、ウレイドプロピルメチルジエトキシシラン、ウレイドプロピルメチルジメトキシシラン、アセトアミドプロピルメチルジ���トキシシラン、２−（２−ピリジルエチル）チオプロピルメチルジメトキシシラン、２−（４−ピリジルエチル）チオプロピルメチルジメトキシシラン、ビス［３−（メチルジエトキシシリル）プロピル］ジスルフィド、３−（メチルジエトキシシリル）プロピルコハク酸無水物、γ−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルメチルジエトキシシラン、イソシアナトプロピルメチルジメトキシシラン、イソシアナトプロピルメチルジエトキシシラン、イソシアナトエチルメチルジエトキシシラン、イソシアナトメチルメチルジエトキシシラン、カルボキシエチルメチルシランジオールナトリウム塩、Ｎ−（メチルジメトキシシリルプロピル）エチレンジアミン三酢酸三ナトリウム塩、３−（メチルジヒドロキシシリル）−１−プロパンスルホン酸、ジエチルホスフェートエチルメチルジエトキシシラン、３−メチルジヒドロキシシリルプロピルメチルホスホネートナトリウム塩、ビス（メチルジエトキシシリル）エタン、ビス（メチルジメトキシシリル）エタン、ビス（メチルジエトキシシリル）メタン、１，６−ビス（メチルジエトキシシリル）ヘキサン、１，８−ビス（メチルジエトキシシリル）オクタン、ｐ−ビス（メチルジメトキシシリルエチル）ベンゼン、ｐ−ビス（メチルジメトキシシリルメチル）ベンゼン、３−メトキシプロピルメチルジメトキシシラン、２−［メトキシ（ポリエチレンオキシ）プロピル］メチルジメトキシシラン、メトキシトリエチレンオキシプロピルメチルジメトキシシラン、トリス（３−メチルジメトキシシリルプロピル）イソシアヌレート、［ヒドロキシ（ポリエチレンオキシ）プロピル］メチルジエトキシシラン、Ｎ，Ｎ'−ビス（ヒドロキシエチル）−Ｎ，Ｎ'−ビス（メチルジメトキシシリルプロピル）エチレンジアミン、ビス−［３−（メチルジエトキシシリルプロピル）−２−ヒドロキシプロポキシ］ポリエチレンオキシド、ビス［Ｎ，Ｎ'−（メチルジエトキシシリルプロピル）アミノカルボニル］ポリエチレンオキシド、ビス（メチルジエトキシシリルプロピル）ポリエチレンオキシドを挙げることができる。これらのうち特に好ましいものとしては、入手容易な観点と親水性層との密着性の観点から、ジメチルジメトキシシラン、ジエチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジエチルジエトキシシラン等を挙げることができる。
【００６０】
ａが３の場合、即ち３官能のオルガノアルコキシシランとしては、例えば、メチルトリメトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、プロピルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、プロピルトリエトキシシラン、γ−クロロプロピルトリエトキシシラン、γ−クロロプロピルトリメトキシシラン、クロロメチルトリエトキシシラン、（ｐ−クロロメチル）フェニルトリメトキシシラン、γ−ブロモプロピルトリメトキシシラン、アセトキシメチルトリエトキシシラン、アセトキシメチルトリメトキシシラン、アセトキシプロピルトリメトキシシラン、ベンゾイロキシプロピルトリメトキシシラン、２−（カルボメトキシ）エチルトリメトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、フェニルトリプロポキシシラン、ヒドロキシメチルトリエトキシシラン、Ｎ−（トリエトキシシリルプロピル）−Ｏ−ポリエチレンオキシドウレタン、Ｎ−（３−トリエチキシシリルプロピル）−４−ヒドロキシブチルアミド、Ｎ−（３−トリエトキシシリルプロピル）グルコンアミド、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリブトキシシラン、イソプロペニルトリメトキシシラン、イソプロペニルトリエトキシシラン、イソプロペニルトリブトキシシラン、ビニルトリス（２−メトキシエトキシ）シラン、アリルトリメトキシシラン、ビニルデシルトリメトキシシラン、ビニルオクチルトリメトキシシラン、ビニルフェニルトリメトキシシラン、イソプロペニルフェニルトリメトキシシラン、２−（メタ）アクリロキシエチルトリメトキシシラン、２−（メタ）アクリロキシエチルトリエトキシシラン、３−（メタ）アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３−（メタ）アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３−（メタ）−アクリロキシプロピルトリス（２−メトキシエトキシ）シラン、３−［２−（アリルオキシカルボニル）フェニルカルボニルオキシ］プロピルトリメトキシシラン、３−（ビニルフェニルアミノ）プロピルトリメトキシシラン、３−（ビニルフェニルアミノ）プロピルトリエトキシシラン、３−（ビニルベンジルアミノ）プロピルトリエトキシシラン、３−（ビニルベンジルアミノ）プロピルトリエトキシシラン、３−［２−（Ｎ−ビニルフェニルメチルアミノ）エチルアミノ］プロピルトリメトキシシラン、３−［２−（Ｎ−イソプロペニルフェニルメチルアミノ）エチルアミノ］プロピルトリメトキシシラン、２−（ビニルオキシ）エチルトリメトキシシラン、３−（ビニルオキシ）プロピルトリメトキシシラン、４−（ビニルオキシ）ブチルトリエトキシシラン、２−（イソプロペニルオキシ）エチルトリメトキシシラン、３−（アリルオキシ）プロピルトリメトキシシラン、１０−（アリルオキシカルボニル）デシルトリメトキシシラン、３−（イソプロペニルメチルオキシ）プロピルトリメトキシシラン、１０−（イソプロペニルメチルオキシカルボニル）デシルトリメトキシシラン、３−［（メタ）アクリロキプロピル］トリメトキシシラン、３−［（メタ）アクリロキシプロピル］トリエトキシシラン、３−［（メタ）アクリロキメチル］トリメトキシシラン、３−［（メタ）アクリロキシメチル］トリエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−［３−（メタ）アクリロキシ−２−ヒドロキシプロピル］−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｏ−「（メタ）アクリロキシエチル」−Ｎ−（トリエトキシシリルプロピル）ウレタン、γ−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、４−アミノブチルトリエトキシシラン、１１−アミノウンデシルトリエトキシシラン、ｍ−アミノフェニルトリメトキシシラン、ｐ−アミノフェニルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリス（メトキシエトキシエトキシ）シラン、２−（４−ピリジルエチル）トリエトキシシラン、２−（トリメトキシシリルエチル）ピリジン、Ｎ−（３−トリメトキシシリルプロピル）ピロール、３−（ｍ−アミノフェノキシ）プロピルトリメトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−（６−アミノヘキシル）アミノメチルトリエトキシシラン、Ｎ−（６−アミノヘキシル）アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−１１−アミノウンデシルトリメトキシシラン、（アミノエチルアミノメチル）フェネチルトリメトキシシラン、Ｎ−３−［（アミノ（ポリプロピレンオキシ））］アミノプロピルトリメトキシシラン、ｎ−ブチルアミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−エチルアミノイソブチルトリメトキシシラン、Ｎ−メチルアミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−フェニル−γ−アミノメチルトリエトキシシラン、（シクロヘキシルアミノメチル）トリエトキシシラン、Ｎ−シクロヘキシルアミノプロピルトリメトキシシラン、ビス（２−ヒドロキシエチル）−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、ジエチルアミノメチルトリエトキシシラン、ジエチルアミノプロピルトリメトキシシラン、ジメチルアミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−３−トリメトキシシリルプロピル−ｍ−フェニレンジアミン、Ｎ，Ｎ−ビス［３−（トリメトキシシリル）プロピル］エチレンジアミン、ビス（トリエトキシシリルプロピル）アミン、ビス（トリメトキシシリルプロピル）アミン、ビス［（３−トリメトキシシリル）プロピル］−エチレンジアミン、ビス［３−（トリエトキシシリル）プロピル］ウレア、ビス（トリメトキシシリルプロピル）ウレア、Ｎ−（３−トリエトキシシリルプロピル）−４，５−ジヒドロイミダゾール、ウレイドプロピルトリエトキシシラン、ウレイドプロピルトリメトキシシラン、アセトアミドプロピルトリメトキシシラン、２−（２−ピリジルエチル）チオプロピルトリメトキシシラン、２−（４−ピリジルエチル）チオプロピルトリメトキシシラン、ビス［３−（トリエトキシシリル）プロピル］ジスルフィド、３−（トリエトキシシリル）プロピルコハク酸無水物、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリエトキシシラン、イソシアナトプロピルトリメトキシシラン、イソシアナトプロピルトリエトキシシラン、イソシアナトエチルトリエトキシシラン、イソシアナトメチルトリエトキシシラン、カルボキシエチルシラントリオールナトリウム塩、Ｎ−（トリメトキシシリルプロピル）エチレンジアミン三酢酸三ナトリウム塩、３−（トリヒドロキシシリル）−１−プロパンスルホン酸、ジエチルホスフェートエチルトリエトキシシラン、３−トリヒドロキシシリルプロピルメチルホスホネートナトリウム塩、ビス（トリエトキシシリル）エタン、ビス（トリメトキシシリル）エタン、ビス（トリエトキシシリル）メタン、１，６−ビス（トリエトキシシリル）ヘキサン、１，８−ビス（トリエトキシシリル）オクタン、ｐ−ビス（トリメトキシシリルエチル）ベンゼン、ｐ−ビス（トリメトキシシリルメチル）ベンゼン、３−メトキシプロピルトリメトキシシラン、２−［メトキシ（ポリエチレンオキシ）プロピル］トリメトキシシラン、メトキシトリエチレンオキシプロピルトリメトキシシラン、トリス（３−トリメトキシシリルプロピル）イソシアヌレート、［ヒドロキシ（ポリエチレンオキシ）プロピル］トリエトキシシラン、Ｎ，Ｎ'−ビス（ヒドロキシエチル）−Ｎ，Ｎ'−ビス（トリメトキシシリルプロピル）エチレンジアミン、ビス−［３−（トリエトキシシリルプロピル）−２−ヒドロキシプロポキシ］ポリエチレンオキシド、ビス［Ｎ，Ｎ'−（トリエトキシシリルプロピル）アミノカルボニル］ポリエチレンオキシド、ビス（トリエトキシシリルプロピル）ポリエチレンオキシドを挙げることができる。これらのうち特に好ましいものとしては、入手容易な観点と親水性層との密着性の観点から、メチルトリメトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン等を挙げることができる。
【００６１】
ａが４である場合、即ち４官能のテトラアルコキシシランとしては、例えば、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラプロポキシシラン、テトラブトキシラン、メトキシトリエトキシシラン、エトキシトリメトキシシラン、メトキシトリプロポキシシラン、エトキシトリプロポキシシラン、プロポキシトリメトキシシラン、プロポキシトリエトキシシラン、ジメトキシジエトキシシラン等を挙げることができる。これらのうち特に好ましいものとしては、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン等を挙げることができる。
【００６２】
これらのアルコキシド化合物は市販品として容易に入手できる。また公知の合成方法、例えば、ケイ素塩化物とアルコールとの反応によっても得られる。
前記アルコキシド化合物は、それぞれ１種類の化合物を単独で用いても、２種類以上の化合物を組み合わせて使用してもよい。
【００６３】
前記酸化ケイ素を含むバインダは、前記一般式（Ｉ）で示される化合物を含む水性ゾル液を加水分解及び重縮合して得られるゾルゲル硬化物であることが好ましく、前記一般式（Ｉ）で示される化合物のうち、ａ＝４である化合物及びａ＝３である化合物からなる群より選ばれる少なくとも１種を含む水性ゾル液を加水分解及び重縮合して得られるゾルゲル硬化物であることがより好ましく、前記一般式（Ｉ）で示される化合物のうち、少なくともａ＝４である化合物を含み、ａ＝３である化合物の固形分中の含有率が１０．０質量％以下である水性ゾル液を加水分解及び重縮合して得られるゾルゲル硬化物であることが更に好ましい。
【００６４】
ゾルゲル硬化物を形成する水性ゾル液が、前記一般式（Ｉ）で示される化合物のうち、ａ＝４である化合物を含むことで、形成される導電性層の屈折率をより大きくすることができる傾向がある。また前記水性ゾル液が前記一般式（Ｉ）で示される化合物のうち、ａ＝４である化合物に加えて、ａ＝３である化合物をある濃度の範囲で含むことで、形成される導電性層の屈折率をよりより大きくすることができる傾向がある。すなわち、前記水性ゾル液に含まれる前記一般式（Ｉ）で表される化合物を適宜選択することで、導電性層を構成するゾルゲル硬化物の屈折率を所望の範囲に調整することができる。
【００６５】
前記酸化ケイ素を含むバインダは、１５０℃以下の低温処理でも高い屈折率を得やすく、径時での特性変化をしにくいという観点からは、固形分中の含有率が９０質量％以上であるテトラアルコキシシランを含有する水性ゾル液を加水分解及び重縮合して得られるゾルゲル硬化物であることが好ましく、固形分中の含有率が９５質量％以上であるテトラアルコキシシランを含有する水性ゾル液を加水分解及び重縮合して得られるゾルゲル硬化物であることがより好ましい。
更に好ましくは、固形分中の含有率が９０質量％以上であり、テトラメトキシシラン、及びテトラエトキシシランからなる群より選ばれるテトラアルコキシシランを含有する水性ゾル液を加水分解及び重縮合して得られるゾルゲル硬化物である。
【００６６】
更に前記酸化ケイ素を含むバインダは、１５０℃以下の低温処理のみで所望の屈折率が得られるという観点からは、固形分中の含有率が９０質量％以上であるテトラアルコキシシランと、前記テトラアルコキシシランに対する含有率が０．４質量％以上３．０質量％以下であるオルガノトリアルコキシシランとを含有する水性ゾル液を加水分解及び重縮合して得られるゾルゲル硬化物であることもまた好ましく、固形分中の含有率が９５質量％以上であるテトラアルコキシシランと、前記テトラアルコキシシランに対する含有率が１．０質量％以上２．０質量％以下であるオルガノトリアルコキシシランとを含有する水性ゾル液を加水分解及び重縮合して得られるゾルゲル硬化物であることがより好ましい。
また固形分中の含有率が９０質量％以上であり、テトラメトキシシラン、及びテトラエトキシシランからなる群より選ばれるテトラアルコキシシランと、前記テトラアルコキシシランに対する含有率が０．４質量％以上３．０質量％以下であり、メチルトリメトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、及び３−グリシドキシプロピルトリメトキシシランからなる群より選ばれるオルガノトリアルコキシシランとを含有する水性ゾル液を加水分解及び重縮合して得られるゾルゲル硬化物であることもまた好ましい。
【００６７】
前記導電性層は、例えば、基材上に、ケイ素を含むアルコキシド化合物と、平均短軸長が１５０ｎｍ以下の金属ナノワイヤと、水とを含む液状組成物を付与して、基材上に液膜を形成し、この液膜中でケイ素を含むアルコキシド化合物の加水分解及び重縮合の反応（以下、この加水分解及び重縮合の反応を「ゾルゲル反応」ともいう）を起こさせ、更に溶媒としての水を加熱処理して蒸発させて乾燥することにより形成することができる。前記液状組成物は、ケイ素を含むアルコキシド化合物、平均短軸長が５ｎｍ以上５０ｎｍ以下の金属ナノワイヤ、及び水に加えて必要に応じてその他の成分を含んでいてもよい。また前記液状組成物は、ケイ素を含むアルコキシド化合物の少なくとも一部が加水分解及び重縮合によりゾル状態となっていることが好ましい。
【００６８】
前記液状組成物は、ケイ素を含むアルコキシド化合物を含有する水溶液を調製した後、この水溶液を加熱してケイ素を含むアルコキシド化合物の少なくとも一部を加水分解及び重縮合させてゾル状態とし、このゾル状態にある水溶液と金属ナノワイヤの水分散液とを混合して調製することができる。また金属ナノワイヤの水分散液を別に調製しておき、これとケイ素を含むアルコキシド化合物とを混合したのち、加熱処理してケイ素を含むアルコキシド化合物の少なくとも一部を加水分解及び重縮合させてゾル状態として調製してもよい。
【００６９】
〔触媒〕
導電性層を形成する液状組成物は、ゾルゲル反応を促進させる触媒の少なくとも１種を含むことが好ましい。触媒としては、ケイ素を含むアルコキシド化合物の加水分解及び重縮合の反応を促進させるものであれば特に制限はなく、通常用いられる触媒から適宜選択して使用することができる。
このような触媒としては、酸性化合物及び塩基性化合物が挙げられる。これらはそのまま使用することもできるし、水又はアルコールなどの溶媒に溶解させた状態のもの（以下、これらを包括してそれぞれ酸性触媒、塩基性触媒とも称する）で使用してもよい。
酸性化合物又は塩基性化合物を溶媒に溶解させる際の濃度については特に限定はなく、用いる酸性化合物又は塩基性化合物の特性、触媒の所望の含有量などに応じて適宜選択すればよい。ここで、触媒を構成する酸或いは塩基性化合物の濃度が高い場合は、加水分解、重縮合速度が速くなる傾向がある。但し、濃度の高過ぎる塩基性触媒を用いると、沈殿物が生成して導電性層に欠陥となって現れる場合があるので、塩基性触媒を用いる場合、その濃度は液状組成物での濃度換算で１Ｎ以下であることが望ましい。
【００７０】
酸性触媒及び塩基性触媒の種類は特に限定されない。濃度の高い触媒を用いる必要がある場合には、導電性層中にほとんど残留しないような元素から構成される触媒を選択することが好ましい。具体的に、酸性触媒としては、塩酸などのハロゲン化水素、硝酸、硫酸、亜硫酸、硫化水素、過塩素酸、過酸化水素、炭酸、蟻酸や酢酸等のカルボン酸、ＲＣＯＯＨで示される構造式のＲを他元素または置換基によって置換した置換カルボン酸、ベンゼンスルホン酸などのスルホン酸などが挙げられる。また塩基性触媒としては、アンモニア水などのアンモニア性塩基、エチルアミンやアニリンなどの有機アミンなどが挙げられる。
【００７１】
前記触媒として、金属錯体からなるルイス酸触媒もまた好ましく使用できる。特に好ましい触媒は、金属錯体触媒であり、周期律表の２Ａ、３Ｂ、４Ａ及び５Ａ族から選ばれる金属元素と、β−ジケトン、ケトエステル、ヒドロキシカルボン酸及びそのエステル、アミノアルコール、並びにエノール性活性水素化合物からなる群より選ばれるオキソ又はヒドロキシ酸素含有化合物である配位子とから構成される金属錯体である。
構成金属元素の中では、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｔ、Ｂａなどの２Ａ族元素、Ａｌ、Ｇａなどの３Ｂ族元素、Ｔｉ、Ｚｒなどの４Ａ族元素及びＶ、Ｎｂ及びＴａなどの５Ａ族元素が好ましく、それぞれ触媒効果の優れた錯体を形成する。その中でもＺｒ、Ａｌ及びＴｉからなる群より選ばれる金属元素を含む錯体が優れており、好ましい。
【００７２】
上記金属錯体の配位子を構成するオキソ又はヒドロキシ酸素含有化合物の具体例としては、アセチルアセトン（２，４−ペンタンジオン）、２，４−ヘプタンジオンなどのβジケトン、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、アセト酢酸ブチルなどのケトエステル類、乳酸、乳酸メチル、サリチル酸、サリチル酸エチル、サリチル酸フェニル、リンゴ酸，酒石酸、酒石酸メチルなどのヒドロキシカルボン酸及びそのエステル、４−ヒドロキシ−４−メチル−２−ペンタノン、４−ヒドロキシ−２−ペンタノン、４−ヒドロキシ−４−メチル−２−ヘプタノン、４−ヒドロキシ−２−ヘプタノンなどのケトアルコール類、モノエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルエタノールアミン、Ｎ−メチル−モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミンなどのアミノアルコール類、メチロールメラミン、メチロール尿素、メチロールアクリルアミド、マロン酸ジエチルエステルなどのエノール性活性化合物、アセチルアセトン（２，４−ペンタンジオン）のメチル基、メチレン基又はカルボニル炭素に置換基を有するアセチルアセトン誘導体などが挙げられる。
【００７３】
好ましい配位子はアセチルアセトン誘導体である。ここでアセチルアセトン誘導体とは、アセチルアセトンのメチル基、メチレン基又はカルボニル炭素に置換基を有する化合物を指す。アセチルアセトンのメチル基に置換する置換基としては、いずれも炭素数が１〜３の直鎖又は分岐のアルキル基、アシル基、ヒドロキシアルキル基、カルボキシアルキル基、アルコキシ基、アルコキシアルキル基であり、アセチルアセトンのメチレン基に置換する置換基としてはカルボキシル基、いずれも炭素数が１〜３の直鎖又は分岐のカルボキシアルキル基及びヒドロキシアルキル基であり、アセチルアセトンのカルボニル炭素に置換する置換基としては炭素数が１〜３のアルキル基であってこの場合はカルボニル酸素には水素原子が付加して水酸基となる。
【００７４】
好ましいアセチルアセトン誘導体の具体例としては、エチルカルボニルアセトン、ｎ−プロピルカルボニルアセトン、ｉ−プロピルカルボニルアセトン、ジアセチルアセトン、１―アセチル−１−プロピオニル−アセチルアセトン、ヒドロキシエチルカルボニルアセトン、ヒドロキシプロピルカルボニルアセトン、アセト酢酸、アセトプロピオン酸、ジアセト酢酸、３，３−ジアセトプロピオン酸、４，４−ジアセト酪酸、カルボキシエチルカルボニルアセトン、カルボキシプロピルカルボニルアセトン、ジアセトンアルコールが挙げられる。中でも、アセチルアセトン及びジアセチルアセトンが特に好ましい。上記のアセチルアセトン誘導体と上記金属元素の錯体は、金属元素１個当たりにアセチルアセトン誘導体が１〜４分子配位する単核錯体であり、金属元素の配位可能な結合手がアセチルアセトン誘導体の配位可能な結合手の総和よりも多い場合には、水分子、ハロゲンイオン、ニトロ基、アンモニオ基など通常の錯体に汎用される配位子が配位してもよい。
【００７５】
好ましい金属錯体の例としては、トリス（アセチルアセトナト）アルミニウム錯塩、ジ（アセチルアセトナト）アルミニウム・アコ錯塩、モノ（アセチルアセトナト）アルミニウム・クロロ錯塩、ジ（ジアセチルアセトナト）アルミニウム錯塩、エチルアセトアセテートアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウムトリス（エチルアセトアセテート）、環状アルミニウムオキサイドイソプロピレート、トリス（アセチルアセトナト）バリウム錯塩、ジ（アセチルアセトナト）チタニウム錯塩、トリス（アセチルアセトナト）チタニウム錯塩、ジ−ｉ−プロポキシ・ビス（アセチルアセトナト）チタニウム錯塩、ジルコニウムトリス（エチルアセトアセテート）、ジルコニウムトリス（安息香酸）錯塩、等が挙げられる。これらは水系塗布液での安定性及び、加熱乾燥時のゾルゲル反応でのゲル化促進効果に優れているが、中でも、特にエチルアセトアセテートアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウムトリス（エチルアセトアセテート）、ジ（アセチルアセトナト）チタニウム錯塩、ジルコニウムトリス（エチルアセトアセテート）が好ましい。
【００７６】
上記した金属錯体の対塩の記載を本明細書においては省略しているが、対塩の種類は、錯体化合物としての電荷の中性を保つ水溶性塩である限り任意であり、例えば硝酸塩、ハロゲン酸塩、硫酸塩、燐酸塩などの化学量論的中性が確保される塩の形が用いられる。
金属錯体のゾルゲル反応での挙動については、Ｊ．Ｓｏｌ−Ｇｅｌ．Ｓｃｉ．ａｎｄ Ｔｅｃ．第１６巻、第２０９〜２２０頁（１９９９年）に詳細な記載がある。反応メカニズムとしては以下のスキームを推定している。すなわち、液状組成物中では、金属錯体は、配位構造を取って安定であり、基材に付与後の加熱乾燥過程に始まる脱水縮合反応では、酸触媒に似た機構で架橋を促進させるものと考えられる。いずれにしても、この金属錯体を用いたことにより液状組成物の経時安定性、並びに導電性層の皮膜面質及び高耐久性に優れるものを得られる。
上記の金属錯体触媒は、市販品として容易に入手でき、また公知の合成方法、例えば各金属塩化物とアルコールとの反応によっても得られる。
【００７７】
前記液状組成物が触媒を含む場合、前記触媒は、液状組成物の固形分に対して、好ましくは５０質量％以下、更に好ましくは５質量％〜２５質量％の範囲で使用される。触媒は、単独で用いても２種以上を組み合わせて使用してもよい。
【００７８】
〔溶剤〕
上記の液状組成物は、必要に応じて有機溶剤を含有してもよい。有機溶剤を含有することにより基材上に、より均一な液膜を形成することができる。
このような有機溶剤としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、ジエチルケトン等のケトン系溶剤、メタノール、エタノール、２−プロパノール、１−プロパノール、１−ブタノール、ｔｅｒｔ−ブタノール等のアルコール系溶剤、クロロホルム、塩化メチレン等の塩素系溶剤、ベンゼン、トルエン等の芳香族系溶剤、酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸イソプロピルなどのエステル系溶剤、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル系溶剤、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル等のグリコールエーテル系溶剤、などが挙げられる。
液状組成物が有機溶剤を含む場合、液状組成物の総質量中に５０質量％以下の範囲が好ましく、更に３０質量％以下の範囲がより好ましい。
【００７９】
前記液状組成物に含まれるケイ素を含むアルコキシド化合物の含有率は、基材への付与方法等に応じて適宜選択することができる。例えば、液状組成物の総質量中に１質量％以上２０質量％以下の範囲が好ましく、２質量％以上１０質量％以下の範囲がより好ましい。
【００８０】
また前記液状組成物は、必要に応じて、その他の成分を更に含んでいてもよい。その他の成分としては、分散剤、界面活性剤、酸化防止剤、硫化防止剤、金属腐食防止剤、粘土調整剤、防腐剤等を挙げることができる。
【００８１】
前記液状組成物を基材上に付与して液膜を形成する方法としては、液状組成物を基材上に塗布する方法を挙げることができる。塗布方法としては特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。塗布方法としては例えば、ロールコート法、バーコート法、ディップコーティング法、スピンコーティング法、キャスティング法、ダイコート法、ブレードコート法、グラビアコート法、カーテンコート法、スプレーコート法、ドクターコート法、などが挙げられる。
【００８２】
前記液状組成物の基材への付与量は、液状組成物の構成等に応じて適宜選択することができる。例えば、金属ナノワイヤの付与量が所望の値となるように選択する。好ましい金属ナノワイヤの付与量として、０．００１ｇ／ｍ２〜０．１００ｇ／ｍ２の範囲であり、より好ましくは０．００２ｇ／ｍ２〜０．０５０ｇ／ｍ２の範囲であり、０．００３ｇ／ｍ２〜０．０４０ｇ／ｍ２が特に好ましい範囲である。
【００８３】
基材上に形成された液状組成物の液膜中においては、特定アルコキシド化合物の加水分解及び縮合の反応が起こる。そのゾルゲル反応を促進させるために、上記液膜を加熱処理して、液膜中の溶媒を除去して乾燥することが好ましい。ゾルゲル反応を促進させるための加熱温度は、高分子樹脂を基板に用いた場合は、３０℃〜１５０℃の範囲が適しており、５０℃〜１５０℃の範囲がより好ましく、１００℃〜１５０℃であることが更に好ましく、１３０℃〜１５０℃であることが特に好ましい。加熱温度を高くすることでゾルゲル反応がより促進され、形成される導電性層の６３３ｎｍにおける屈折率がより大きくなる傾向があるが、高温での熱処理では高分子樹脂基板が変形する可能性があるので、１５０℃以下にすることが好ましい。
また加熱処理時間は１０秒間〜３００分間が好ましく、１分間〜１２０分間がより好ましい。
【００８４】
更に加熱処理後の液膜には紫外線を照射することが好ましい。紫外線を照射することでゾルゲル反応がより促進され、より緻密な導電性層を形成することができる。緻密な導電性層が形成されることで導電性層の６３３ｎｍにおける屈折率がより大きくなる傾向がある。
【００８５】
照射する紫外線の波長としては、４００ｎｍ以下であることが好ましく、１１０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下であることがより好ましい。また紫外線の照射量としては、１００ｍＪ／ｃｍ２以上５００ｍＪ／ｃｍ２以下であることが好ましく１５０ｍＪ／ｃｍ２以上４００ｍＪ／ｃｍ２以下であることがより好ましい。
加熱処理後の液膜に照射する紫外線の波長及び照射量を適宜選択することで、形成される導電性層の６３３ｎｍにおける屈折率を所望の範囲に調整することができる。具体的には照射する紫外線のエネルギー量を増やすことで前記屈折率が大きくなる傾向がある。
【００８６】
６３３ｎｍにおける屈折率が１．２０以上１．４０以下の導電性層は、高分子樹脂を含む基材上に、平均短軸長が５ｎｍ以上５０ｎｍ以下の金属ナノワイヤ、及び金属ナノワイヤを除いた固形分中の含有率が９０質量％以上であるテトラアルコキシシランを含む液状組成物を付与して液膜を形成することと、前記液膜を１００℃以上１５０℃以下で加熱処理することと、前記加熱処理された液膜に、波長が４００ｎｍ以下の紫外線を１００ｍＪ／ｃｍ２以上５００ｍＪ／ｃｍ２以下で照射して導電性層を形成することと、を含む製造方法で製造されることが好ましい。特に、紫外線の波長は１１０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下が好ましい。更に前記製造方法は、液状組成物に含まれるテトラアルコキシシランの含有率が９５質量％以上であり、加熱処理が１００℃以上１５０℃以下であり、波長が１１０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下である紫外線を１５０ｍＪ／ｃｍ２以上４００ｍＪ／ｃｍ２以下で照射することがより好ましい。
【００８７】
６３３ｎｍにおける屈折率が１．２０以上１．４０以下の導電性層は、高分子樹脂を含む基材上に、平均短軸長が５ｎｍ以上５０ｎｍ以下の金属ナノワイヤ、並びに金属ナノワイヤを除いた固形分中の含有率が９０質量％以上であるテトラアルコキシシラン、及び前記テトラアルコキシシランに対する含有率が０．４質量％以上３．０質量％以下であるオルガノトリアルコキシシランを含有する水性ゾル液を含む液状組成物を付与して液膜を形成することと、前記液膜を１３０℃以上１５０℃以下で加熱処理して導電性層を形成することとを含む製造方法で製造されることもまた好ましい。更に前記製造方法は、液状組成物に含まれる金属ナノワイヤを除いた固形分中の含有率が９８質量％以上であるテトラアルコキシシラン、前記テトラアルコキシシランに対する含有率が１．０質量％以上２．０質量％以下であるオルガノトリアルコキシシランを含有する水性ゾル液であり、加熱処理が１３０℃以上１５０℃以下であることがより好ましい。
【００８８】
前記バインダがケイ素を含むアルコキシド化合物のゾルゲル硬化物である場合、前記導電性層の形成に用いる金属ナノワイヤとアルコキシド化合物の比率は特に制限されない。例えば、前記金属ナノワイヤに対するアルコキシド化合物の質量比（アルコキシド化合物／金属ナノワイヤ）は、０．２５／１〜３０／１の範囲とすることができる。この範囲においては、透明性、耐摩耗性、膜強度、導電性、エッチング特性がバランスよく両立できる。前記質量比が０．２５／１以上であると、透明性、膜強度、耐摩耗性がより向上する傾向がある。また前記質量比が３０／１以下であると、導電性、エッチング特性がより向上する傾向がある。
前記質量比は、好ましくは０．５／１〜２５／１の範囲、より好ましくは１／１〜２０／１、更に好ましくは２／１〜１５／１の範囲が高い導電性と高い透明性（全光透過率及びヘイズ値）を有すると共に、耐摩耗性、エッチング特性及び膜強度に優れる導電性部材を安定的に得ることができる。
【００８９】
前記導電性層は、酸化ケイ素を含むバインダ（好ましくは、ケイ素を含むアルコキシド化合物に由来するゾルゲル硬化物）及び平均短軸長が５ｎｍ以上５０ｎｍ以下の金属ナノワイヤに加えて、添加剤を含んでも良い。添加剤の総含有量としては、前記導電性層１００質量部に対し、５質量部以下が好ましく、２質量部以下がより好ましく、１質量部以下が特に好ましい。５質量部を越えると、導電性層のヘイズ値が１．５％を超え、膜強度及び耐摩耗性が悪化する。
添加剤としては、例えば、分散剤、界面活性剤、酸化防止剤、硫化防止剤、金属腐食防止剤、粘度調整剤、防腐剤等の各種の添加剤などが挙げられる。
【００９０】
（分散剤）
分散剤は、光重合性組成物中における前述の金属ナノワイヤが凝集することを防止しつつ分散させるために用いられる。分散剤としては、前記金属ナノワイヤを分散させることができれば特に制限はなく、目的に応じて適否選択することができる。例えば、顔料分散剤として市販されている分散剤を利用でき、特に金属ナノワイヤに吸着する性質を持つ高分子分散剤が好ましい。このような高分子分散剤としては、例えばポリビニルピロリドン、ＢＹＫシリーズ（ビックケミー社製）、ソルスパースシリーズ（日本ルーブリゾール社製など）、アジスパーシリーズ（味の素株式会社製）などが挙げられる。
なお、分散剤として高分子分散剤を、前記金属ナノワイヤの製造に用いたもの以外をさらに別に添加する場合、当該高分子分散剤も、また、前記酸化ケイ素を含むバインダに包含される。
分散剤の含有量としては、前記導電性層１００質量部に対し、０．０１質量部〜５質量部が好ましく、０．１質量部〜２質量部がより好ましく、０．２質量部〜１質量部が特に好ましい。
分散剤の含有量を０．０１質量部以上とすることで、液状組成物中での金属ナノワイヤの凝集が効果的に抑制され、５質量部以下とすることで、導電性層のヘイズ値を１．５％以下にすることができ、耐摩耗性および膜強度に優れた導電性部材を提供できる。
【００９１】
（金属腐食防止剤）
導電性層中には、金属腐食防止剤を含有させておくことができる。このような金属腐食防止剤としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えばチオール類、アゾール類などが好適である。
金属腐食防止剤を含有させることで、防錆効果を発揮させることができ、導電性部材の経時による導電性及び透明性の低下を抑制することができる。金属腐食防止剤は液状組成物中に、粉末で添加するか、導電性層を作製後に、導電性層を金属腐食防止剤浴に浸すことで付与することができる。
金属腐食防止剤を添加する場合は、金属ナノワイヤに対して０．５質量％〜１０質量％含有させることが好ましい。
【００９２】
前記導電性層の厚さは目的に応じて適宜選択することができる。例えば導電性層の厚さは、０．００５μｍ〜０．５μｍが好ましく、０．００７μｍ〜０．４μｍが更に好ましく、０．００８μｍ〜０．３μｍがより好まく、０．０１μｍ〜０．２μｍが更により好ましい。膜厚を０．００５μｍ以上０．５μｍ以下とすることで、十分な耐久性、膜強度が得られ、更に導電性層を導電性領域と非導電性領域にパターニングする際に非導電性領域の金属ナノワイヤを残渣なく除去できる。特に、０．０１μｍ〜０．２μｍの範囲であると、製造上の許容範囲がより大きく確保されるので好ましい。
【００９３】
前記導電性層は、その表面抵抗率が１，０００Ω／□以下であることが好ましい。ここで導電性層の表面抵抗率は、導電性層が非導電性領域及び導電性領域を有する場合、導電性領域における表面抵抗率である。
表面抵抗率は、導電性部材における導電性層の基材側とは反対側の表面を四探針法により測定して得られる値である。四探針法による表面抵抗率の測定方法は、例えばＪＩＳ  Ｋ  ７１９４：１９９４（導電性プラスチックの４探針法による抵抗率試験方法）などに準拠して測定することができ、市販の表面抵抗率計を用いて、簡便に測定することができる。表面抵抗率を１，０００Ω／□以下とするには、導電性層に含まれる金属ナノワイヤの種類及び含有比率の少なくとも一つを調整すればよい。より具体的には、特定アルコキシド化合物と金属ナノワイヤの含有比率を０．２５／１〜３０／１の質量比の範囲内で調製することにより、所望の範囲の表面抵抗率を有する導電性層を形成することができる。
導電性層の表面抵抗率は、０．１Ω／□〜９００Ω／□の範囲であることがより好ましい。
【００９４】
（保護層）
導電性層上には、必要に応じて保護コート材からなる保護層を設けてもよい。
保護コート材は、架橋剤、重合開始剤、安定剤（例えば、酸化防止剤および製品寿命長期化のための紫外線安定剤、および保存期間改善のための重合防止剤）、界面活性剤、および同様な効果を有するものを含んでもよい。また、保護コート材は、金属ナノワイヤの腐食を防止する腐食防止剤をさらに含んでもよい。   
保護層を形成する方法としては公知のウェットコート方法であれば特に制限はない。具体的には、スプレーコート、バーコート、ロールコート、ダイコート、インクジェットコート、スクリーンコート、ディップコートなどが挙げられる。   
保護層用塗料によって導電性層を含浸しつつ保護層を形成するとき、塗布、乾燥後の保護層の膜厚は、塗布前の導電性層に対して薄すぎると耐擦過性、耐摩耗性、耐候性等の保護層としての機能が低下し、厚すぎると導体としての接触抵抗が増加する。   
保護層用塗料の塗布は導電性層の膜厚が５０ｎｍ〜１５０ｎｍの範囲で形成されているときは、塗布、乾燥後の膜厚が３０ｎｍ〜１５０ｎｍであることが好ましく、導電性層の膜厚を考慮して表面抵抗率、ヘイズ等が所定の値を実現出来るよう調整することができる。４０ｎｍ〜１７５ｎｍがより好ましく、５０ｎｍ〜１５０ｎｍが最も好ましい。保護層用塗料の乾燥後の膜厚は、導電性層の膜厚にもよるが、３０ｎｍ以上の膜厚であると保護層による保護機能がより良好に働く傾向にあり、１５０ｎｍ以下の膜厚であるとより良好な導電性能が確保できる傾向にある。  
【００９５】
（中間層）
前記導電性部材は基材、及び基材上に設けられた特定の構成を有する導電性層に加えて、前記基材と前記導電性層の間に、少なくとも１層の中間層を更に有することが好ましい。中間層が基材と導電性層との間に設けられることにより、基材と導電性層との密着性、導電性層の全光透過率、導電性層のヘイズ、及び導電性層の膜強度のうちの少なくとも一つの向上を図ることが可能となる。
中間層としては、基材と導電性層との接着力を向上させるための接着剤層、導電性層に含まれる成分との相互作用により機能性を向上させる機能性層などが挙げられ、目的に応じて適宜設けられる。
【００９６】
中間層を更に有する導電性部材の構成について、図面を参照しながら説明する。
図１は、本発明の第一の実施形態に係る導電性部材１を示す概略断面図である。図１に示す導電性部材１は、中間層を有する基材１０１上に導電性層２０が設けられている。導電性部材１は、基材１０と導電性層２０との間に、基材１０との親和性に優れる第１の接着層３１と、導電性層２０との親和性に優れる第２の接着層３２とを含む中間層３０とを備える。
図２は、本発明の第二の実施形態に係る導電性部材２を示す概略断面図である。図２に示す導電性部材２は、中間層を有する基材１０２上に導電性層２０が設けられている。導電性部材２は、基材１０と導電性層２０との間に、前記第一の実施形態と同様の第１の接着層３１及び第２の接着層３２に加え、導電性層２０に隣接して機能性層３３を備えて構成される中間層３０を有する。本明細書における中間層３０は、前記第１の接着層３１、第２の接着層３２、及び機能性層３３から選択される少なくとも１層を含んで構成される層をさす。
【００９７】
中間層３０に使用される素材は特に限定されず、上記の特性のいずれか少なくとも一つを向上させるものであればよい。
例えば、中間層として接着層を備える場合、接着層には、接着剤として使用されるポリマー、シランカップリング剤、チタンカップリング剤、Ｓｉのアルコキシド化合物を加水分解及び重縮合させて得られるゾルゲル膜などから選ばれる素材が含まれる。
また、導電性層と接する中間層（即ち、中間層３０が単層の場合には、当該中間層が、そして中間層３０が複数の層を含む場合には、そのうちの導電性層と接する中間層）が、当該導電性層２０に含まれる金属ナノワイヤと相互作用可能な官能基を有する化合物を含む機能性層３３であることが、全光透過率、ヘイズ、及び膜強度に優れた導電性層が得られることから好ましい。このような中間層を有する場合、導電性層２０が金属ナノワイヤ及び酸化ケイ素を含むバインダに加えて、有機高分子を含むものであっても、膜強度に優れた導電性層が得られる。
【００９８】
この作用は明確ではないが、導電性層２０に含まれる金属ナノワイヤと相互作用可能な官能基を有する化合物を含む中間層を設けることで、導電性層に含まれる金属ナノワイヤと中間層に含まれる上記の官能基を有する化合物との相互作用により、導電性層における金属ナノワイヤの凝集が抑制され、均一分散性が向上し、導電性層中における金属ナノワイヤの凝集に起因する透明性やヘイズの低下が抑制されるとともに、密着性に起因して膜強度の向上が達成されるものと考えられる。このような相互作用性を発現しうる中間層を、以下、機能性層と称することがある。機能性層は、金属ナノワイヤとの相互作用によりその効果を発揮することから、導電性層が金属ナノワイヤを含んでいれば、導電性層が含むマトリックスに依存せずにその効果を発現する。
【００９９】
上記の金属ナノワイヤと相互作用可能な官能基としては、例えば金属ナノワイヤが銀ナノワイヤの場合には、アミド基、アミノ基、メルカプト基、カルボン酸基、スルホン酸基、リン酸基、ホスホン酸基、及びそれらの塩からなる群より選ばれる少なくとも１つであることがより好ましい。更に好ましくは、アミノ基、メルカプト基、リン酸基、ホスホン酸基及びそれらの塩からなる群より選ばれる少なくとも１つである。最も好ましくはアミノ基である。
上記のような官能基を有する化合物としては、ウレイドプロピルトリエトキシシラン、ポリアクリルアミド、ポリメタクリルアミド等のアミド基を有する化合物；Ｎ−（β−アミノエチル）−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、ビス(ヘキサメチレン)トリアミン、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−アミノプロピル）−１，４−ブタンジアミン四塩酸塩、スペルミン、ジエチレントリアミン、ｍ−キシレンジアミン、メタフェニレンジアミン等のアミノ基を有する化合物；３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、２−メルカプトベンゾチアゾール、トルエン−３，４−ジチオール等のメルカプト基を有する化合物；ポリ（ｐ−スチレンスルホン酸ナトリウム）、ポリ（２−アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸）等のスルホン酸又はその塩の基を有する化合物；ポリアクリル酸、ポリメタクリル酸、ポリアスパラギン酸、テレフタル酸、ケイ皮酸、フマル酸、コハク酸等のカルボン酸基を有する化合物；ホスマーＰＥ、ホスマーＣＬ、ホスマーＭ、ホスマーＭＨ、及びそれらの重合体、ポリホスマーＭ−１０１、ポリホスマーＰＥ−２０１、ポリホスマーＭＨ−３０１等のリン酸基を有する化合物；フェニルホスホン酸、デシルホスホン酸、メチレンジホスホン酸、ビニルホスホン酸、アリルホスホン酸等のホスホン酸基を有する化合物などが挙げられる。
これらの官能基を選択すると、導電性層形成用の液状組成物を中間層上に付与後に、金属ナノワイヤと中間層に含まれる官能基とが相互作用を生じて、乾燥する際に金属ナノワイヤが凝集するのを抑制し、金属ナノワイヤが均一に分散された導電性層を形成することができる。
【０１００】
中間層は、中間層を構成する化合物が溶解、分散（懸濁又は乳化）した液を基材上に塗布し、乾燥することで形成することができ、塗布方法は一般的な方法を用いることができる。その方法としては特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。例えばロールコート法、バーコート法、ディップコーティング法、スピンコーティング法、キャスティング法、ダイコート法、ブレードコート法、グラビアコート法、カーテンコート法、スプレーコート法、ドクターコート法、などが挙げられる。
【０１０１】
前記導電性部材における、基材表面に垂直な方向から観察した場合の導電性層の形状は特に制限されず、目的に応じて適宜選択することができる。また導電性層は非導電性領域を含むものであってもよい。すなわち導電性層は、導電性層の全領域が導電性領域である（以下、この導電性層を「非パターン化導電性層」ともいう）第一の態様、及び導電性層が導電性領域と非導電性領域とを含む（以下、この導電性層を「パターン化導電性層」ともいう）第二の態様の何れであってもよい。第二の態様の場合には、非導電性領域に金属ナノワイヤが含まれていても含まれていなくてもよい。非導電性領域に金属ナノワイヤが含まれている場合、非導電性領域に含まれる金属ナノワイヤどうしは断線されている。
第一の態様に係る導電性部材は、例えば太陽電池の透明電極として使用することができる。また第二の態様に係る導電性部材は、例えばタッチパネルを構成する場合に使用される。この場合、所望の形状を有する導電性領域と非導電性領域が形成される。
【０１０２】
前記非導電性領域における表面抵抗率は特に制限されない。中でも１．０×１０７Ω／□以上であることが好ましく、１．０×１０１０Ω／□以上であることがより好ましい。また、前記導電性領域の表面抵抗率は、１．０×１０３Ω／□以下であることが好ましく、１．０×１０２Ω／□以下であることがより好ましい。
【０１０３】
パターン化導電性層は、例えば下記パターニング方法により製造される。
（１）予め非パターン化導電性層を形成しておき、この非パターン化導電性層の所望の領域に含まれる金属ナノワイヤに炭酸ガスレーザー、ＹＡＧレーザー等の高エネルギーのレーザー光線を照射して、金属ナノワイヤの一部を断線又は消失させて当該所望の領域を非導電性領域とするパターニング方法。この方法は、例えば、特開２０１０−４４９６号公報に記載されている。
（２）予め形成した非パターン化導電性層上にレジスト層を形成し得る感光性組成物（フォトレジスト）層を設け、この感光性組成物層に所望のパターン露光及び現像を行って、当該パターン状にレジスト層を形成したのちに、金属ナノワイヤを溶解可能なエッチング液で処理するウェットプロセスか、又は反応性イオンエッチングのようなドライプロセスにより、レジスト層で保護されていない領域の導電性層中の金属ナノワイヤをエッチング除去するパターニング方法。この方法は、例えば特表２０１０−５０７１９９号公報（特に、段落０２１２〜０２１７）に記載されている。
（３）予め形成した非パターン化導電性層上に、金属ナノワイヤを溶解可能なエッチング液を所望のパターン状に付与して、エッチング液が付与された領域の導電性層中の金属ナノワイヤをエッチング除去するパターニング方法。
【０１０４】
前記感光性組成物層のパターン露光に用いる光源は、前記感光性組成物の感光波長域との関連で選定されるが、一般的にはｇ線、ｈ線、ｉ線、ｊ線等の紫外線が好ましく用いられる。
パターン露光の方法にも特に制限はなく、フォトマスクを利用した面露光で行ってもよいし、レーザービーム等による走査露光で行ってもよい。この際、レンズを用いた屈折式露光でも反射鏡を用いた反射式露光でもよく、コンタクト露光、プロキシミティー露光、縮小投影露光、反射投影露光などの露光方式を用いることができる。
【０１０５】
前記金属ナノワイヤを溶解可能なエッチング液の付与方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。例えばスクリーン印刷、インクジェット法、コーター塗布、ローラー塗布、ディップ（浸漬）塗布、スプレー塗布する方法、などが挙げられる。これらの中でも、スクリーン印刷、インクジェット法、コーター塗布、ディップ塗布が特に好ましい。
また前記エッチング液を所望のパターン状に付与する方法としては特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。例えばスクリーン印刷、インクジェット法などが挙げられる。
前記インクジェット法としては、例えばピエゾ方式及びサーマル方式のいずれも使用可能である。
【０１０６】
前記パターンの種類としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、文字、記号、模様、図形、配線パターン、などが挙げられる。
前記パターンの大きさとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、ナノサイズからミリサイズのいずれの大きさであっても構わない。
【０１０７】
前記金属ナノワイヤを溶解可能なエッチング液は、金属ナノワイヤの種類に応じて適宜選択することができる。例えば金属ナノワイヤが銀ナノワイヤの場合には、所謂写真科学業界において、主にハロゲン化銀カラー感光材料の印画紙の漂白、定着工程に使用される漂白定着液、強酸、酸化剤、過酸化水素などが挙げられる。これらの中でも、は漂白定着液、希硝酸、過酸化水素が特に好ましい。なお、前記金属ナノワイヤを溶解する溶解液による金属ナノワイヤの溶解は、溶解液を付与した部分の金属ナノワイヤを完全に溶解しなくてもよく、導電性が消失していれば一部が残存していてもよい。
前記希硝酸の濃度は、１質量％〜２０質量％であることが好ましい。また前記過酸化水素の濃度は、３質量％〜３０質量％であることが好ましい。
【０１０８】
前記漂白定着液としては、例えば特開平２−２０７２５０号公報の第２６頁右下欄１行目〜３４頁右上欄９行目、及び特開平４−９７３５５号公報の第５頁左上欄１７行目〜１８頁右下欄２０行目に記載の処理素材や処理方法が好ましく適用できる。
漂白定着時間は、１８０秒間以下が好ましく、１２０秒間以下１秒間以上がより好ましく、９０秒間以下５秒間以上が更に好ましい。また、水洗又は安定化時間は、１８０秒間以下が好ましく、１２０秒間以下１秒間以上がより好ましい。
前記漂白定着液としては、写真用漂白定着液であれば特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、富士フイルム株式会社製ＣＰ−４８Ｓ、ＣＰ−４９Ｅ（カラーペーパー用漂白定着剤）、コダック社製エクタカラーＲＡ漂白定着液、大日本印刷株式会社製漂白定着液Ｄ−Ｊ２Ｐ−０２−Ｐ２、Ｄ−３０Ｐ２Ｒ−０１、Ｄ−２２Ｐ２Ｒ−０１などが挙げられる。これらの中でも、ＣＰ−４８Ｓ、ＣＰ−４９Ｅが特に好ましい。
【０１０９】
前記金属ナノワイヤを溶解可能なエッチング液の粘度は、２５℃で、５ｍＰａ・ｓ〜３００，０００ｍＰａ・ｓであることが好ましく、１０ｍＰａ・ｓ〜１５０，０００ｍＰａ・ｓであることがより好ましい。前記粘度を、５ｍＰａ・ｓとすることで、エッチング液の拡散を所望の範囲に制御することが容易となって、導電性領域と非導電性領域との境界が明瞭なパターニングが確保され、他方、３００，０００ｍＰａ・ｓ以下とすることで、エッチング液の印刷を負荷なく行うことが確保されると共に、金属ナノワイヤの溶解に要する処理時間を所望の時間内で完了させることができる。
【０１１０】
本発明の導電性部材における導電性層は６３３ｎｍにおける屈折率が所定の範囲であることで、エッチング特性に優れることから、導電性部材における導電性層は、非導電性領域及び導電性領域を有し、少なくとも前記導電性領域が前記金属ナノワイヤを含み、前記非導電性領域が前記金属ナノワイヤを溶解するエッチング液の付与により形成されることが好ましい。
エッチング液の付与により非導電性領域を形成する方法は、導電性層上にパターン状にエッチング液を付与する方法であればよく、レジスト層を用いてエッチング液をパターン状に付与する方法であっても、スクリーン印刷、インクジェット法等によりエッチング液をパターン状に付与する方法であってもよい。
【０１１１】
本発明の導電性部材は、導電性層が高い導電性と透明性、優れた耐屈曲性を有すると共に、膜強度が高く、耐摩耗性に優れ、かつエッチング特性（すなわちパターニング特性）に優れるので、例えばタッチパネル、ディスプレイ用電極、有機ＥＬディスプレイ用電極、無機ＥＬディスプレイ用電極、電子パーパー、フレキシブルディスプレイ用電極、集積型太陽電池、液晶表示装置、タッチパネル機能付表示装置、その他の各種デバイスなどに幅広く適用される。これらの中でも、タッチパネル及び太陽電池への適用が特に好ましい。
【０１１２】
＜＜タッチパネル＞＞
本発明の導電性部材は、例えば、表面型静電容量方式タッチパネル、投影型静電容量方式タッチパネル、抵抗膜式タッチパネルなどに適用される。ここで、タッチパネルとは、いわゆるタッチセンサ及びタッチパッドを含むものとする。
前記タッチパネルにおけるタッチパネルセンサー電極部の層構成が、２枚の透明電極を貼合する貼合方式、１枚の基材の両面に透明電極を具備する方式、片面ジャンパーあるいはスルーホール方式あるいは片面積層方式のいずれかであることが好ましい。
【０１１３】
前記表面型静電容量方式タッチパネルについては、例えば特表２００７−５３３０４４号公報に記載されている。
【０１１４】
前記投影型静電容量方式タッチパネルの他の一例について図３を用いて説明する。図３概略断面図を示すタッチパネル４０は、透明基板４１と、透明基板４１の表面を覆うように配された透明導電体４２（本発明の前記導電性部材に相当）と、透明導電体４３と、該透明導電体４２及び該透明導電体４３を絶縁する絶縁層４４と、指等の接触対象と透明導電体４２又は透明導電体４３の間に静電容量を生じる絶縁カバー層４５からなり、指等の接触対象４６に対して位置検知する。構成によっては、透明導電体４２及び透明導電体４３を一体として構成することもできる。また絶縁層４４又は絶縁カバー層４５を空気層として構成してもよい。
絶縁カバー層４５を指等の接触対象４６でタッチすると、接触対象４６と透明導電体４２又は透明導電体４３との間の静電容量の値に変化が生じる。この静電容量値の変化を、駆動回路４７を介して外部検知回路によって検知し、タッチした点の座標が特定される。
【０１１５】
また図４により、投影型静電容量方式タッチパネルとしてのタッチパネル４０を透明導電体４２と透明導電体４３とを、タッチパネル４０の平面に垂直な方向から視た概略平面図を通じて模式的に説明する。
タッチパネル４０は、Ｘ軸方向の位置を検出可能とする複数の透明導電体４２と、Ｙ軸方向の複数の透明導電体４３とが、外部端子（図示せず）に接続可能に配されている。透明導電体４２及び透明導電体４３は、指先等の接触対象に対し複数接触して、接触情報が多点で入力されることを可能とする。
このタッチパネル４０上の任意の点を指でタッチ等すると、Ｘ軸方向及びＹ軸方向の座標が位置精度よく特定される。
なお、透明基板、保護層等のその他の構成としては、前記表面型静電容量方式タッチパネルの構成から適宜選択して適用することができる。また、タッチパネル４０において、複数の透明導電体４２と、複数の透明導電体４３とによる透明導電体のパターンの一例を図４に示したが、その形状、配置等としては、これらに限られない。
【０１１６】
＜＜太陽電池＞＞
本発明の導電性部材は、集積型太陽電池（以下、太陽電池デバイスと称することもある）における透明電極として有用である。
集積型太陽電池としては、特に制限はなく、太陽電池デバイスとして一般的に用いられるものを使用することができる。例えば、単結晶シリコン系太陽電池デバイス、多結晶シリコン系太陽電池デバイス、シングル接合型、又はタンデム構造型等で構成されるアモルファスシリコン系太陽電池デバイス、ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）やインジウム燐（ＩｎＰ）等のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体太陽電池デバイス、カドミウムテルル（ＣｄＴｅ）等のＩＩ−ＶＩ族化合物半導体太陽電池デバイス、銅／インジウム／セレン系（いわゆる、ＣＩＳ系）、銅／インジウム／ガリウム／セレン系（いわゆる、ＣＩＧＳ系）、銅／インジウム／ガリウム／セレン／硫黄系（いわゆる、ＣＩＧＳＳ系）等のＩ−ＩＩＩ−ＶＩ族化合物半導体太陽電池デバイス、色素増感型太陽電池デバイス、有機太陽電池デバイスなどが挙げられる。これらの中でも、本発明においては、前記太陽電池デバイスが、タンデム構造型等で構成されるアモルファスシリコン系太陽電池デバイス、及び銅／インジウム／セレン系（いわゆる、ＣＩＳ系）、銅／インジウム／ガリウム／セレン系（いわゆる、ＣＩＧＳ系）、銅／インジウム／ガリウム／セレン／硫黄系（いわゆる、ＣＩＧＳＳ系）等のＩ−ＩＩＩ−ＶＩ族化合物半導体太陽電池デバイスであることが好ましい。
【０１１７】
タンデム構造型等で構成されるアモルファスシリコン系太陽電池デバイスの場合、アモルファスシリコン、微結晶シリコン薄膜層、また、これらにＧｅを含んだ薄膜、更に、これらの２層以上のタンデム構造が光電変換層として用いられる。成膜はプラズマＣＶＤ等を用いる。
【０１１８】
本発明に係る導電性部材は、前記全ての太陽電池デバイスに関して適用できる。導電性部材は、太陽電池デバイスのどの部分に含まれてもよいが、光電変換層に隣接して導電性層が配置されていることがいることが好ましい。光電変換層との位置関係に関しては下記の構成が好ましいが、これに限定されるものではない。また、下記に記した構成は太陽電池デバイスを構成する全ての部分を記載しておらず、前記透明導電層の位置関係が分かる範囲の記載としている。ここで、［  ］で括られた構成が、本発明に係る導電性部材に相当する。
（Ａ）［基材−導電性層］−光電変換層
（Ｂ）［基材−導電性層］−光電変換層−［導電性層−基材］
（Ｃ）基板−電極−光電変換層−［導電性層−基材］
（Ｄ）裏面電極−光電変換層−［導電性層−基材］
このような太陽電池の詳細については、例えば特開２０１０−８７１０５号公報に記載されている。
【実施例】
【０１１９】
以下、本発明の実施例を説明するが、本発明は、これらの実施例に何ら限定されるものではない。なお、実施例中の含有率としての「％」、及び、「部」は、いずれも質量基準に基づくものである。
以下の例において、金属ナノワイヤの平均短軸長（平均直径）及び平均長軸長、短軸長の変動係数、並びに、アスペクト比が１０以上の銀ナノワイヤの比率は、以下のようにして測定した。
【０１２０】
［金属ナノワイヤの平均短軸長（平均直径）及び平均長軸長］
透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ；日本電子株式会社製、ＪＥＭ−２０００ＦＸ）を用いて拡大観察される金属ナノワイヤから、ランダムに選択した３００個の金属ナノワイヤの短軸長（直径）と長軸長を測定し、その平均値から金属ナノワイヤの平均短軸長（平均直径）及び平均長軸長求めた。
［金属ナノワイヤの短軸長（直径）の変動係数］
上記電子顕微鏡（ＴＥＭ）像からランダムに選択した３００個のナノワイヤの短軸長（直径）を測定し、その３００個についての標準偏差と平均値を計算することにより、求めた。
［アスペクト比が１０以上の銀ナノワイヤの比率］
透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ；日本電子株式会社製、ＪＥＭ−２０００ＦＸ）を用い、銀ナノワイヤの短軸長を３００個観察し、ろ紙を透過した銀の量を各々測定し、短軸長が５０ｎｍ以下であり、かつ長軸長が５μｍ以上である銀ナノワイヤをアスペクト比が１０以上の銀ナノワイヤの比率（％）として求めた。
なお、銀ナノワイヤの比率を求める際の銀ナノワイヤの分離は、メンブレンフィルター（Ｍｉｌｌｉｐｏｒｅ社製、ＦＡＬＰ  ０２５００、孔径１．０μｍ）を用いて行った。
【０１２１】
（調製例１）
−銀ナノワイヤ分散液（１）の調製−
予め、下記の添加液Ａ、Ｂ、Ｃ、及び、Ｄを調製した。
〔添加液Ａ〕
ステアリルトリメチルアンモニウムクロリド６５ｍｇ、ステアリルトリメチルアンモニウムヒドロキシド１０％水溶液６．５ｇ、グルコース２．２ｇを蒸留水１３０．０ｇに溶解させ、反応溶液Ａ−１とした。さらに、硝酸銀粉末７５ｍｇを蒸留水２．２ｇに溶解させ、硝酸銀水溶液Ａ−１とした。反応溶液Ａ−１を２５℃に保ち、激しく攪拌しながら、硝酸銀水溶液Ａ−１を添加した。硝酸銀水溶液Ａ−１の添加後から１８０分間、激しい攪拌をし、添加液Ａとした。
〔添加液Ｂ〕
硝酸銀粉末４２．０ｇを蒸留水９５８ｇに溶解した。
〔添加液Ｃ〕
２５％アンモニア水７５ｇを蒸留水９２５ｇと混合した。
〔添加液Ｄ〕
ポリビニルピロリドン（Ｋ３０）４００ｇを蒸留水１．６ｋｇに溶解した。
【０１２２】
次に、以下のようにして、銀ナノワイヤ分散液（１）を調製した。ステアリルトリメチルアンモニウムブロミド粉末１．３０ｇと臭化ナトリウム粉末３３．１ｇとグルコース粉末１，０００ｇ、硝酸（１Ｎ）１１５．０ｇを８０℃の蒸留水１２．７ｋｇに溶解させた。この液を８０℃に保ち、５００ｒｐｍで攪拌しながら、添加液Ａを添加速度２５０ｃｃ／分、添加液Ｂを５００ｃｃ／分、添加液Ｃを５００ｃｃ／分で順次添加した。攪拌速度を２００ｒｐｍとし、８０℃で加熱をした。攪拌速度を２００ｒｐｍにしてから１００分間、加熱攪拌を続けた後に、２５℃に冷却した。攪拌速度を５００ｒｐｍに変更し、添加液Ｄを５００ｃｃ／分で添加した。この液を仕込液Ｅ１とした。次に、１−プロパノールを激しく攪拌しながら、そこへ仕込液Ｅ１を混合比率が体積比１対１となるように一気に添加した。攪拌を３分間行い、仕込液Ｅ２とした。
分画分子量１５万の限外濾過モジュールを用いて、限外濾過を次の通り実施した。仕込液Ｅ２を４倍に濃縮した後、蒸留水と１−プロパノールの混合溶液（体積比１対１）の添加と濃縮を、最終的にろ液の伝導度が５０μＳ／ｃｍ以下になるまで繰り返した。濃縮を行い、金属含有量が０．４５％の銀ナノワイヤ分散液（１）を得た。
得られた銀ナノワイヤ分散液（１）の銀ナノワイヤについて、前述のようにして平均短軸長、平均長軸長、銀ナノワイヤの短軸長の変動係数を測定した。
その結果、平均短軸長１７．２ｎｍ、平均長軸長９．２μｍ、変動係数が１３．８％であった。以後、「銀ナノワイヤ分散液（１）」と表記する場合は、上記方法で得られた銀ナノワイヤ分散液を示す。
【０１２３】
（調製例２）
―銀ナノワイヤ分散液（２）の調製―
調製例１において、添加液Ａの代わりに蒸留水１３０．０ｇを使用したこと以外は調製例１と同様にして、金属含有量が０．４５％の銀ナノワイヤ分散液（２）を得た。得られた銀ナノワイヤ分散液（２）の銀ナノワイヤについて、前述のようにして平均短軸長、平均長軸長、銀ナノワイヤの短軸長の変動係数を測定した。その結果、平均短軸長４９．２ｎｍ、平均長軸長１２．６μｍ、変動係数が２３．１％であった。以後、「銀ナノワイヤ分散液（２）」と表記する場合は、上記方法で得られた銀ナノワイヤ分散液を示す。
【０１２４】
（調製例３）
―銀ナノワイヤ分散液（３）の調製―
プロピレングリコール３７０ｇに硝酸銀粉末６０ｇを溶解させ、硝酸銀溶液３０１を調製した。プロピレングリコール４．４５ｋｇにポリビニルピロリドン（分子量５５，０００）７２．０ｇを添加し、窒素ガスを容器の気相部分に通気しながら、９０℃に昇温した。この液を反応溶液３０１とした。窒素ガスの通気を保持したまま、激しく攪拌している反応溶液３０１へ硝酸銀溶液３０１を４．４５ｇ添加して、加熱攪拌を１分間行った。さらに、この溶液へテトラブチルアンモニウムクロリド１１．８ｇをプロピレングリコール１００ｇに溶解させた溶液を添加し、反応溶液３０２とした。
９０℃に保ち、攪拌速度５００ｒｐｍで攪拌している反応溶液３０２へ、硝酸銀溶液３０１を添加速度５０ｃｃ／分で２００ｇ添加した。攪拌速度を１００ｒｐｍに落とし、窒素ガスの通気を止めて、加熱攪拌を１５時間行った。９０℃に保ち、攪拌速度１００ｒｐｍで攪拌しているこの液へ、硝酸銀溶液３０１を添加速度０．５ｃｃ／分にて２２０ｇ添加し、添加終了後から２時間、加熱攪拌を続けた。攪拌を５００ｒｐｍに変更し、蒸留水１．０ｋｇを添加した後に、２５℃まで冷却して仕込液３０１を作製した。
分画分子量１５万の限外濾過モジュールを用いて、限外濾過を次の通り実施した。蒸留水と１−プロパノールの混合溶液（体積比１対１）の添加と濃縮を、最終的にろ液の伝導度が５０μＳ／ｃｍ以下になるまで繰り返した。濃縮を行い、金属含有量０．４５％の銀ナノワイヤ分散液（３）を得た。
得られた銀ナノワイヤ分散液（３）の銀ナノワイヤについて、前述のようにして平均短軸長、平均長軸長、銀ナノワイヤの短軸長の変動係数、平均アスペクト比を測定した。
その結果、平均短軸長７９．５ｎｍ、平均長軸長８．５μｍ、変動係数が２６．１％であった。以後、「銀ナノワイヤ分散液（３）」と表記する場合は、上記方法で得られた銀ナノワイヤ分散液を示す。
【０１２５】
−図１に示す構成の中間層を有するＰＥＴ基材１０１の作製−
下記の配合で接着用溶液１を調製した。
［接着用溶液１］
・タケラックＷＳ−４０００                                            ５．０部
（コーティング用ポリウレタン、固形分濃度３０％、三井化学（株）製）
・界面活性剤                                                          ０．３部
（ナローアクティＨＮ−１００、三洋化成工業（株）製）
・界面活性剤                                                          ０．３部
（サンデットＢＬ、固形分濃度４３％、三洋化成工業（株）製）
・水                                                                ９４．４部
【０１２６】
厚さ１２５μｍのＰＥＴフィルム１０の一方の表面にコロナ放電処理を施し、このコロナ放電処理を施した表面に、上記の接着用溶液１を塗布し１２０℃で２分間乾燥させて、厚さが０．１１μｍの第１の接着層３１を形成した。
【０１２７】
以下の配合で、接着用溶液２を調製した。
［接着用溶液２］
・テトラエトキシシラン                                                ５．０部
（ＫＢＥ−０４、信越化学工業（株）製）
・３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン                          ３．２部
（ＫＢＭ−４０３、信越化学工業（株）製）
・２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン      １．８部
（ＫＢＭ−３０３、信越化学工業（株）製）
・酢酸水溶液（酢酸濃度＝０．０５％、ｐＨ＝５．２）                  １０．０部
・硬化剤                                                              ０．８部
（ホウ酸、和光純薬工業（株）製）
・コロイダルシリカ                                                  ６０．０部
（スノーテックスＯ、平均粒子径１０ｎｍ〜２０ｎｍ、固形分濃度２０％、ｐＨ＝２．６、日産化学工業（株）製）
・界面活性剤                                                          ０．２部
（ナローアクティＨＮ−１００、三洋化成工業（株）製）
・界面活性剤                                                          ０．２部
（サンデットＢＬ、固形分濃度４３％、三洋化成工業（株）製）
【０１２８】
接着用溶液２は、以下の方法で調製した。酢酸水溶液を激しく攪拌しながら、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシランを、この酢酸水溶液中に３分間かけて滴下した。次に、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシランを酢酸水溶液中に強く攪拌しながら３分間かけて添加した。次に、テトラエトキシシランを、酢酸水溶液中に強く攪拌しながら５分かけて添加し、その後２時間攪拌を続けた。次に、コロイダルシリカと、硬化剤と、界面活性剤とを順次添加し、接着用溶液２を調製した。
【０１２９】
前述の第１の接着層３１の表面をコロナ放電処理したのち、その表面に、上記の接着用溶液２をバーコート法により塗布し、１５０℃で１分間加熱して乾燥し、厚さ０．５μｍの第２の接着層３２を形成して、図１に示す構成の中間層を有するＰＥＴ基材１０１を得た。
【０１３０】
＜実施例１＞
［導電性部材１の作製］
下記組成のアルコキシド化合物の溶液を６０℃で１時間撹拌して均一になったことを確認した。得られた水性ゾル液２．２４部と前記調製例１で得られた銀ナノワイヤ分散液（１）１７．７６部を混合し、更に蒸留水で希釈して塗布液である液状組成物を得た。上記のＰＥＴ基材１０１の第２の接着層３２の表面にコロナ放電処理を施し、その表面にバーコート法で銀量が０．０１５ｇ／ｍ２、全固形分塗布量が０．１２０ｇ／ｍ２となるように前記塗布液を塗布して液膜を形成した。
ついで１５０℃で１分間加熱処理した後、Ｋｒ２エキシマランプ（波長１４６ｎｍ）を光源とし、照射量が３００ｍＪ／ｃｍ２となるように紫外線照射を行ってゾルゲル反応を起こさせて、導電性層２０を形成した。
かくして、図１の断面図で示される構成を有する非パターン化導電性部材１を得た。導電性層におけるテトラエトキシシラン（アルコキシド化合物）／銀ナノワイヤの質量比は７．０／１となった。また後述する方法で導電性層の屈折率及び膜厚を測定したところ、導電性層の６３３ｎｍにおける屈折率は１．３２、導電性層の膜厚は０．０７０μｍであった。
【０１３１】
（アルコキシド化合物の溶液）
・テトラエトキシシラン                                                ５．０部
（ＫＢＥ−０４、信越化学工業（株）製）
・１％酢酸水溶液                                                    １１．０部
・蒸留水                                                              ４．０部
【０１３２】
(パターニング)
上記で得られた非パターン化導電性部材１にフォトレジスト(ＴＭＳＭＲ−８９００ＬＢ：東京応化製)を塗布し、マスクを用いてパターン露光後、現像液(ＮＭＤ−Ｗ：東京応化製)にて現像し、透明導電膜１上にパターニングされたフォトレジストを形成後、エッチング液で、銀ナノワイヤをエッチングした。その後、中性剥離液(ＰＫ−ＳＦＲ８１２０：パーカーコーポーレーション製)を用いてフォトレジストを剥離し、ストライプパターン（ライン／スペース＝５０μｍ／５０μｍ）の導電性領域と非導電性領域をもつパターン化導電性部材１を作製した。
エッチング液はＣＰ−４８Ｓ−Ａ液と、ＣＰ−４８Ｓ−Ｂ液（いずれも、富士フイルム社製）と、純水とを１：１：１となるように混合したものを用いた。エッチング時には、フォトレジストが形成された導電性部材１を、エッチング液に１分間浸漬（液温３５℃）し、その後、水洗処理を行った。
【０１３３】
＜実施例２＞
実施例１において、紫外線の照射量を１００ｍＪ／ｃｍ２に代えた以外は、実施例１と同様にして導電性部材２を作製した。導電性層の６３３ｎｍにおける屈折率は１．２２であった。
【０１３４】
＜実施例３＞
実施例１において、紫外線の照射量を５００ｍＪ／ｃｍ２に代えた以外は、実施例１と同様にして導電性部材３を作製した。導電性層の６３３ｎｍにおける屈折率は１．４０であった。
【０１３５】
＜比較例１＞
実施例１において、紫外線を照射量しなかったこと以外は、実施例１と同様にして導電性部材Ｃ１を作製した。導電性層の６３３ｎｍにおける屈折率は１．１８であった。
【０１３６】
＜比較例２＞
実施例１において、紫外線の照射量を６００ｍＪ／ｃｍ２に代えた以外は、実施例１と同様にして導電性部材Ｃ２を作製した。導電性層の６３３ｎｍにおける屈折率は１．４２であった。
【０１３７】
［実施例４］
実施例１において、アルコキシド化合物の溶液の組成を以下のように変更したこと、及び紫外線照射を行わなかったこと以外は、実施例１と同様にして導電性部材４を作製した。導電性層の６３３ｎｍにおける屈折率は１．２２であった。
【０１３８】
（アルコキシド化合物の溶液）
・テトラエトキシシラン                                              ４．９８部
（ＫＢＥ−０４、信越化学工業（株）製）
・３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン                        ０．０２部
（ＫＢＭ−４０３、信越化学工業（株）製）
・１％酢酸水溶液                                                    １１．０部
・蒸留水                                                              ４．０部
【０１３９】
＜実施例５＞
実施例１において、アルコキシド化合物の溶液の組成を以下のように変更したこと、及び紫外線照射を行わなかったこと以外は、実施例１と同様にして導電性部材５を作製した。導電性層の６３３ｎｍにおける屈折率は１．２７であった。
【０１４０】
（アルコキシド化合物の溶液）
・テトラエトキシシラン                                              ４．９４部
（ＫＢＥ−０４、信越化学工業（株）製）
・３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン                        ０．０６部
（ＫＢＭ−４０３、信越化学工業（株）製）
・１％酢酸水溶液                                                    １１．０部
・蒸留水                                                              ４．０部
【０１４１】
＜実施例６＞
実施例１において、アルコキシド化合物の溶液の組成を以下のように変更したこと、及び紫外線照射を行わなかったこと以外は、実施例１と同様にして導電性部材６を作製した。導電性層の６３３ｎｍにおける屈折率は１．２３であった。
【０１４２】
（アルコキシド化合物の溶液）
・テトラエトキシシラン                                              ４．８６部
（ＫＢＥ−０４、信越化学工業（株）製）
・３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン                        ０．１４部
（ＫＢＭ−４０３、信越化学工業（株）製）
・１％酢酸水溶液                                                    １１．０部
・蒸留水                                                              ４．０部
【０１４３】
＜比較例３＞
実施例１において、アルコキシド化合物の溶液の組成を以下のように変更したこと、及び紫外線照射を行わなかったこと以外は、実施例１と同様にして導電性部材Ｃ３を作製した。導電性層の６３３ｎｍにおける屈折率は１．１６であった。
【０１４４】
（アルコキシド化合物の溶液）
・テトラエトキシシラン                                                ４．７０部
（ＫＢＥ−０４、信越化学工業（株）製）
・３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン                          ０．３０部
（ＫＢＭ−４０３、信越化学工業（株）製）  
・１％酢酸水溶液                                                    １１．０部
・蒸留水                                                              ４．０部
【０１４５】
＜実施例７＞
［導電性部材７の作製］
下記組成のアルコキシド化合物の溶液を６０℃で１時間撹拌して均一になったことを確認した。得られた水性ゾル液４．２５部と前記調製例１で得られた銀ナノワイヤ分散液（１）１５．７５部を混合し、更に蒸留水で希釈して塗布液である液状組成物を得た。上記のＰＥＴ基材１０１の第２の接着層３２の表面にコロナ放電処理を施し、その表面にバーコート法で銀量が０．０２０ｇ／ｍ２、全固形分塗布量が０．３２０ｇ／ｍ２となるように前記塗布液を塗布して液膜を形成した。
ついで１５０℃で１分間加熱処理した後、Ｋｒ２エキシマランプ（波長１４６ｎｍ）を光源とし、照射量が２００ｍＪ／ｃｍ２となるように紫外線照射を行ってゾルゲル反応を起こさせて、導電性層２０を形成した。
かくして、図１の断面図で示される構成を有する導電性部材７を得た。導電性層におけるテトラエトキシシラン（アルコキシド化合物）／銀ナノワイヤの質量比は１５／１となった。また、導電性層の６３３ｎｍにおける屈折率は１．２８、導電性層の膜厚は０．１７０μｍであった。
【０１４６】
（アルコキシド化合物の溶液）
・テトラエトキシシラン                                                ４．７２部
（ＫＢＥ−０４、信越化学工業（株）製）
・３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン                          ０．２８部
（ＫＢＭ−４０３、信越化学工業（株）製）
・１％酢酸水溶液                                                    １１．０部
・蒸留水                                                              ４．０部
【０１４７】
得られた導電性部材７に対して、実施例１と同様にしてパターニング処理を行い、導電性領域と非導電性領域とを有する導電性層を含む導電性部材７を得た。
【０１４８】
＜実施例８＞
実施例７において、紫外線の照射量を４００ｍＪ／ｃｍ２に代えた以外は、実施例７と同様にして導電性部材８を作製した。導電性層の６３３ｎｍにおける屈折率は１．３８であった。
【０１４９】
＜比較例４＞
実施例７において、紫外線を照射しなかった以外は、実施例７と同様にして導電性部材Ｃ４を作製した。導電性層の６３３ｎｍにおける屈折率は１．１８であった。
【０１５０】
＜比較例５＞
実施例７において、紫外線の照射量を６００ｍＪ／ｃｍ２に代えた以外は、実施例７と同様にして導電性部材Ｃ５を作製した。導電性層の６３３ｎｍにおける屈折率は１．４４であった。
【０１５１】
＜比較例６＞
実施例１において、液状組成物中に中空シリカ（日揮触媒化成工業社製：固形分２０質量％、屈折率１．３０)を２．２４部添加したこと以外は、実施例１と同様にして導電性部材Ｃ６を作製した。導電性層の６３３ｎｍにおける屈折率は１．３１であった。
【０１５２】
＜実施例９＞
実施例１において、銀ナノワイヤ分散液（１）を前記調製例２で得られた銀ナノワイヤ分散液（２）に代えた以外は、実施例１と同様にして導電性部材９を作製した。導電性層の６３３ｎｍにおける屈折率は１．３０であった。
【０１５３】
＜比較例７＞
実施例１において、銀ナノワイヤ分散液（１）を前記調製例３で得られた銀ナノワイヤ分散液（３）に代えた以外は、実施例１と同様にして導電性部材９を作製した。導電性層の６３３ｎｍにおける屈折率は１．２９であった。
【０１５４】
［評価］
上記で得られた導電性部材について、以下の評価を行った。評価結果を表１に示した。
（導電性層の膜厚）
導電性層の膜厚は以下の方法で測定した。導電性部材上にカーボン及びＰｔの保護層を形成したのち、日立社製ＦＢ−２１００型収束イオンビーム装置内で約１０μｍ幅、約１００ｎｍ厚の切片を作製し作製、導電性層の断面を日立製ＨＤ−２３００型ＳＴＥＭ（印加電圧２００ｋＶ）で観察し、導電性層の膜厚を測定した。
【０１５５】
（屈折率）
上記で得られた導電性部材について、Ｊ．Ａ．Ｗｏｏｌａｍ社製分光エリプソメータＭ−２０００Ｕを用いて、常法によりエリプソメトリ分析を行い、波長６３３ｎｍにおける屈折率を測定した。
【０１５６】
（表面抵抗率）
上記で得られた導電性部材について、三菱化学株式会社Ｌｏｒｅｓｔａ−ＧＰ  ＭＣＰ−Ｔ６００を用いて表面抵抗率を測定し、下記評価基準に従って評価した。
−評価基準−
・ランク５：１００Ω／□以下で、極めて優秀なレベル
・ランク４：１００Ω／□以上１５０Ω／□未満で、優秀なレベル
・ランク３：１５０Ω／□以上２００Ω／□未満で、許容レベル
・ランク２：２００Ω／□以上１０００Ω／□未満で、やや問題のあるレベル
・ランク１：１０００Ω／□以上で、問題のあるレベル
【０１５７】
（全光透過率）
上記で得られた導電性部材について、ガードナー社製のヘイズガードプラスを用い、ＪＩＳ  Ｋ７３６１に準拠して、全可視光透過率を測定し、下記評価基準に従って評価した。
−評価基準−
・ランクＡ：透過率９０％以上で、良好なレベル
・ランクＢ：透過率８５％以上９０％未満で、問題のないレベル
・ランクＣ：透過率８５未満で、問題のあるレベル
【０１５８】
（ヘイズ値）
上記で得られた導電性部材について、ガードナー社製のヘイズガードプラスを用い、ＪＩＳ  Ｋ７１３６に準拠して、ヘイズ値を測定し、下記評価基準に従って評価した
−評価基準−
・ランクＡ：ヘイズ値１．０％以下で、かなり優秀なレベル
・ランクＢ：ヘイズ値１．０％を超え、１．５％以下で、良好なレベル
・ランクＣ：ヘイズ値１．５％を超え、２．５％以下で、やや問題なレベル
・ランクＤ：ヘイズ値２．５％を超えており、問題のあるレベル
【０１５９】
（膜強度）
上記で得られた導電性部材について、日本塗料検査協会検定鉛筆引っかき用鉛筆（硬度ＨＢ及び２Ｈ）と鉛筆引掻塗膜硬さ試験機（株式会社東洋精機製作所製、型式ＮＰ）とを用い、ＪＩＳ  Ｋ５６００−５−４に準じて、荷重５００ｇの条件で長さ１０ｍｍにわたり引っ掻いた後、引っ掻いた箇所をデジタルマイクロスコープ（ＶＨＸ−６００、キーエンス株式会社製、倍率２，０００倍）で観察し、下記評価基準に従って評価した。
−評価基準−
・ランク５：硬度２Ｈの鉛筆引っ掻きで引っ掻き跡が認められず、極めて優秀なレベル
・ランク４：硬度２Ｈの鉛筆引っ掻きで引っ掻き跡が認められるものの、基材表面の露出が観察されない、優秀なレベル
・ランク３：硬度２Ｈの鉛筆引っ掻きで基材表面の露出が観察されるものの、硬度ＨＢの鉛筆引っ掻きでは、基材表面の露出が観察されない、良好なレベル
・ランク２：硬度ＨＢの鉛筆引っ掻きで、基材表面の露出が部分的に観察される、問題のあるレベル
・ランク１：硬度ＨＢの鉛筆引っ掻きで、基材表面の殆どが露出している、極めて問題のあるレベル
【０１６０】
（耐摩耗性）
上記で得られた導電性部材の表面を、ガーゼ（ＦＣガーゼ、白十字株式会社製）にて磨耗試験機（新東科学株式会社製連続加重引掻試験機Ｔｙｐｅ１８Ｓ）を用いて、ガーゼサイズ２０ｍｍ×２０ｍｍ、荷重５００ｇで１００往復擦り、その前後の導電性領域の表面抵抗率の変化（磨耗後表面抵抗率／磨耗前表面抵抗率）を算出し、下記評価基準に従って評価した。なお、表面抵抗率は三菱化学株式会社Ｌｏｒｅｓｔａ−ＧＰ  ＭＣＰ−Ｔ６００で測定した。
−評価基準−
・ランクＡ：表面抵抗率の変化が１．０以上１．２未満で、優秀なレベル
・ランクＢ：表面抵抗率の変化が１．２以上１．５未満で、良好なレベル
・ランクＣ：表面抵抗率の変化が１．５以上５．０未満で、やや問題なレベル
・ランクＤ：表面抵抗率の変化が５．０以上で、問題のあるレベル
【０１６１】
（エッチング特性）
上記で得られた導電性部材をエッチング液に１分間浸漬（液温３５℃）した後、水洗してエッチング処理を行った。乾燥後に、三菱化学株式会社ハイレスタ−ＵＰ  ＭＣＰ−ＨＴ４５０(ＵＲＳプローブを使用)を用いて表面抵抗率を５箇所測定し、その算術平均値から平均表面抵抗率を求め、下記評価基準に従って評価した。なお、エッチング液には、写真用漂白定着液ＣＰ−４８Ｓ−Ａ液とＣＰ−４８Ｓ−Ｂ液（共に富士フイルム社製）と、純水とを１：１：１となるように混合したものを用いた。
−評価基準−
・ランクＡ：エッチング部の平均表面抵抗率が１．０×１０１０Ω／□以上で、良好なレベル
・ランクＢ：エッチング部の平均表面抵抗率が１．０×１０７Ω／□以上１．０×１０１０Ω／□未満で、問題ないレベル
・ランクＣ：エッチング部の平均表面抵抗率が１．０×１０７Ω／□未満で、問題のあるレベル
【０１６２】
【表１】
0005669781.tif 000002
【０１６３】
以上から、導電性層の６３３ｎｍにおける屈折率が１．２０以上１．４０以下であり、かつ金属ナノワイヤの平均短軸長が５０ｎｍ以下でヘイズ値が１．５％以下である本発明の導電性部材は、耐摩耗性、エッチング特性に優れることが分かる。さらに膜強度、表面抵抗率にも優れている。特に、金属ナノワイヤの平均短軸長が２５ｎｍ以下では、ヘイズ値、耐摩耗性、エッチング特性、膜強度、表面抵抗率全てにおいて、良好な特性が得られた。
また導電性層の６３３ｎｍにおける屈折率が屈折率１．２０以上１．４０以下であっても、中空シリカのような屈折率調整剤を含有したり、金属ナノワイヤの平均短軸長が５０ｎｍを越えたりするもので構成されたヘイズ値が１．５％を超える導電性部材では、耐摩耗性、膜強度に良好な結果が得られなかった。
【符号の説明】
【０１６４】
１    導電性部材
１０  基材
２０  導電性層
３０  中間層
４０  タッチパネル
４１  透明基板
４２  透明導電体
４３  透明導電体
４４  絶縁層
４５  絶縁カバー層
【図１】
0005669781.tif 000003
【図２】
0005669781.tif 000004
【図３】
0005669781.tif 000005
【図４】
0005669781.tif 000006