(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウエハの外周部をウエハチャックで保持し、前記半導体ウエハおよび前記ウエハチャックを水平面内で回転させながら、前記半導体ウエハの上面に洗浄ノズルから薬液を供給することによって、前記半導体ウエハを枚葉方式で洗浄する工程を含む半導体装置の製造方法であって、
前記薬液を前記半導体ウエハの上面に供給する工程に先立って、前記薬液を前記ウエハチャックに接触させる工程を有し、
前記薬液を前記半導体ウエハの上面に供給する工程に先立って、前記薬液を前記ウエハチャックに接触させる工程は、
（ａ）前記洗浄ノズルを所定の速度（Ａ）で移動させることによって、前記洗浄ノズルの先端を前記ウエハチャックの回転軌道の上方に位置させる工程、
（ｂ）前記洗浄ノズルの先端が前記ウエハチャックの回転軌道の上方に位置している間、前記洗浄ノズルを前記速度（Ａ）よりも遅い速度（Ｂ）で移動させる工程、
（ｃ）前記（ｂ）工程の後、前記洗浄ノズルを前記速度（Ｂ）よりも速い速度（Ｃ）で前記半導体ウエハの上方に移動させる工程、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記薬液を前記ウエハチャックに接触させる工程、および前記薬液を前記半導体ウエハの上面に供給する工程は、前記薬液を前記洗浄ノズルから連続的に吐出しながら行うことを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記ウエハチャックは、前記半導体ウエハの外周部よりも外側に延在する張り出し部を有しており、前記薬液を前記ウエハチャックに接触させる工程では、前記薬液を前記張り出し部に接触させることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記ウエハチャックの表面に導電性被膜が形成されていることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記薬液は、酸またはアルカリを含む電解質溶液からなることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記酸は、硫酸であることを特徴とする請求項５記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記半導体ウエハの外周部を前記ウエハチャックで保持する工程では、前記半導体ウエハの外周部を、前記半導体ウエハの外周部に沿って等間隔に配置された３個の前記ウエハチャックで保持し、
前記半導体ウエハおよび前記ウエハチャックを水平面内で回転させながら、前記半導体ウエハの上面に前記洗浄ノズルから薬液を供給する工程では、前記半導体ウエハおよび前記３個のウエハチャックを水平面内で回転させながら、前記半導体ウエハの上面に前記洗浄ノズルから薬液を供給し、
前記薬液を前記ウエハチャックに接触させる工程では、前記薬液を前記３個のウエハチャックに接触させ、
前記（ａ）工程では、前記洗浄ノズルを所定の速度（Ａ）で移動させることによって、前記洗浄ノズルの先端を前記３個のウエハチャックの回転軌道の上方に位置させ、
前記（ｂ）工程では、前記洗浄ノズルの先端が前記３個のウエハチャックの回転軌道の上方に位置している間、前記洗浄ノズルを前記速度（Ａ）よりも遅い速度（Ｂ）で移動させることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記３個のウエハチャックの各々は、前記半導体ウエハの外周部よりも外側に延在する張り出し部を有しており、前記薬液を前記３個のウエハチャックに接触させる工程では、前記薬液を前記３個のウエハチャックの各々の前記張り出し部に接触させることを特徴とする請求項７記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法に関し、特に、半導体ウエハの表面に付着した汚染物質を除去するための洗浄方法に適用して有効な技術に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造工程では、半導体ウエハ（以下、単にウエハという）の表面にパーティクル（微粒子）、有機物、金属などの各種汚染物質が付着・残留するため、洗浄液（薬液、純水）を使ってこれらの汚染物質を除去する洗浄処理が不可欠である。ところが、ウエハの表面を洗浄液で処理する工程では、種々の原因によりウエハが帯電し、ウエハに形成された半導体素子が静電気によって損傷を受けたり、破壊されたりするといった問題が生じる。
【０００３】
特許文献１（特開２００７−２２１０２６号公報）には、ウエハに帯電した静電気が洗浄液を吐出した瞬間に洗浄液を伝わり、部分的に放電するのを防止するウエハ洗浄技術が開示されている。具体的には、ウエハに対して洗浄液供給用ノズルをスキャンさせながら洗浄を行う際、先ず、ウエハの素子形成領域以外のエリア（ウエハの外周部分）から洗浄液の吐出を開始し、その後、洗浄液供給用ノズルを素子形成領域に移動させて洗浄を行う。この方法によれば、ウエハの外周部分に洗浄液を吐出して静電気を放電させた後、素子形成領域に洗浄液を吐出するので、素子形成領域に形成された半導体素子が静電気の影響を受けることがない。
【０００４】
特許文献２（特開２００８−１５９７８９号公報）には、ウエハに帯電した静電気や、洗浄液の流動により発生した静電気を放電する目的で、ウエハを保持するチャックピンを低抵抗（１００ｋΩ以下）の導電性樹脂で構成すると共に、ウエハの表面および裏面に洗浄液を供給する配管を低抵抗（１００Ω以下）の導電性樹脂で構成した枚葉式洗浄装置が開示されている。
【０００５】
特許文献３（特開平０９−０９２６３５号公報）には、ウエハを保持するキャリアを体積抵抗率が１×１０１５Ω／ｃｍ以下の導電材料で構成すると共に、このキャリアを接地することによりキャリアの帯電を防止し、ひいてはキャリアと接触しているウエハの帯電を抑止する洗浄装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００７−２２１０２６号公報
【特許文献２】特開２００８−１５９７８９号公報
【特許文献３】特開平０９−０９２６３５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
半導体装置の製造工程の一つである化学的機械研磨（Chemical mechanical Polishing：ＣＭＰ）後のウエハ洗浄工程や、レジスト除去後のウエハ洗浄工程では、主としてＳＰＭおよびＡＰＭを使った洗浄処理が行われている。ＳＰＭ洗浄とは、硫酸に過酸化水素水を添加した薬液を用いて１２０℃程度の温度で洗浄を行うことにより、ウエハ表面の汚染物質（特に有機系の汚染物質）を除去する洗浄処理である。また、ＡＰＭ洗浄とは、アンモニアに過酸化水素水を添加した薬液を用いた洗浄処理であり、ＳＣ１洗浄とも呼ばれている。
【０００８】
本発明者は、レジスト除去後に行われる枚葉式ＳＰＭ洗浄工程において、ウエハに異常放電が発生し、ウエハが回復不能な損傷を受ける現象を見出した。そこで、枚葉式洗浄装置の薬液供給系統を調べたところ、薬液槽に貯留された薬液（ＳＰＭ）が配管を通って洗浄ノズルに送られる途中、配管の内壁と摩擦を起こして帯電する結果、洗浄ノズルから吐出された薬液がウエハ表面に接触する瞬間に、薬液からウエハに静電気が放電することが判明した。
【０００９】
また、上記のような薬液の帯電は、一般に酸やアルカリのような電解質を含む薬液において発生するが、とりわけ、ＳＰＭのような硫酸を含む薬液において生じ易いことも本発明者の検討によって明らかとなった。
【００１０】
さらに、上記のような薬液の帯電によるウエハの異常放電は、ウエハの裏面に基板（単結晶シリコン）が露出しているときよりも、絶縁膜や半導体膜のような薄膜が付着しているときに発生し易いことも、本発明者の検討によって明らかとなった。例えばＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）トランジスタの製造工程では、ウエハを熱酸化してゲート絶縁膜を形成した後、ＣＶＤ法を用いてゲート絶縁膜上にゲート電極用の多結晶シリコン膜を堆積する。このとき、ウエハの裏面も酸化されて酸化シリコン膜（ゲート絶縁膜）が形成され、続いてこの酸化シリコン膜の表面に多結晶シリコン膜が付着する。その結果、ウエハの裏面には、基板（単結晶シリコン）−酸化シリコン膜−多結晶シリコン膜からなる容量が形成されるが、このような状態のときに、帯電した薬液でウエハ洗浄を行うと異常放電が発生し易くなる。
【００１１】
そこで、本発明者は、上記した薬液の帯電防止対策として、薬液供給系統の配管を導電材料で構成したり、配管内を流れる薬液を導線で接地したりしたが、これらの対策では、薬液の帯電を有効に防ぐことができなかった。また、枚葉式洗浄装置に備わるウエハチャック（ウエハの外周部を保持する部品）を導電材料で構成し、洗浄ノズルからウエハ表面に吐出された薬液の静電気をウエハチャックを通じて外部に放電させようと試みたが、この方法では帯電した薬液によるウエハの異常放電を防ぐことができなかった。
【００１２】
本発明の目的は、枚葉式ウエハ洗浄工程で使用する薬液の帯電に起因するウエハの損傷を抑制することのできる技術を提供することにある。
【００１３】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの実施態様を簡単に説明すれば、次のとおりである。
【００１５】
本願の一実施態様である半導体装置の製造方法は、半導体ウエハの外周部をウエハチャックで保持し、前記半導体ウエハおよび前記ウエハチャックを水平面内で回転させながら、前記半導体ウエハの上面に洗浄ノズルから薬液を供給することによって、前記半導体ウエハを洗浄する工程を含み、前記薬液を前記半導体ウエハの上面に供給する工程に先立って、前記薬液を前記ウエハチャックに接触させるものである。
【発明の効果】
【００１６】
本願において開示される発明のうち、代表的な実施態様によって得られる効果を簡単に説明すれば以下の通りである。
【００１７】
薬液を半導体ウエハの上面に供給する工程に先立ってウエハチャックに接触させることにより、ウエハチャックを通じて薬液の静電気を放電させることができるので、薬液の帯電に起因する半導体ウエハの損傷を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の実施の形態１によるＣＭＯＳデバイスの製造方法を示す半導体ウエハの要部断面図である。
【図２】図１に続くＣＭＯＳデバイスの製造方法を示す半導体ウエハの要部断面図である。
【図３】図２に続くＣＭＯＳデバイスの製造方法を示す半導体ウエハの要部断面図である。
【図４】図３に続くＣＭＯＳデバイスの製造方法を示す半導体ウエハの要部断面図である。
【図５】図４に続くＣＭＯＳデバイスの製造方法を示す半導体ウエハの要部断面図である。
【図６】図５に続くＣＭＯＳデバイスの製造方法を示す半導体ウエハの要部断面図である。
【図７】本発明の実施の形態１で使用する枚葉式洗浄装置の概略構成図である。
【図８】図７に示す枚葉式洗浄装置の洗浄部を上方から見た概略平面図である。
【図９】本発明の実施の形態１による洗浄方法を示す枚葉式洗浄装置の概略構成図である。
【図１０】図９に続く洗浄方法を示す枚葉式洗浄装置の概略構成図である。
【図１１】図１０に続く洗浄方法を示す枚葉式洗浄装置の概略構成図である。
【図１２】洗浄方法の比較例を示す枚葉式洗浄装置の概略構成図である。
【図１３】図１１に続く洗浄方法を示す枚葉式洗浄装置の概略構成図である。
【図１４】図１３に続く洗浄方法を示す枚葉式洗浄装置の概略構成図である。
【図１５】本発明の実施の形態２による洗浄方法を示す枚葉式洗浄装置の概略構成図である。
【図１６】洗浄ノズルの移動速度の変化を示す枚葉式洗浄装置の概略平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の機能を有する部材には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。また、実施の形態では、特に必要なときを除き、同一または同様な部分の説明を原則として繰り返さない。さらに、実施の形態を説明する図面においては、構成を分かり易くするために、平面図であってもハッチングを付す場合や、断面図であってもハッチングを省略する場合がある。
【００２０】
（実施の形態１）
まず、図１〜図６を用いて本実施の形態１によるＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）トランジスタの製造方法を工程順に説明する。
【００２１】
図１に示すように、例えば直径が１２インチの単結晶シリコンからなるウエハ１の主面に素子分離溝２、ｎ型ウエル３およびｐ型ウエル４を形成した後、ｎ型ウエル３およびｐ型ウエル４のそれぞれの表面に酸化シリコンからなるゲート絶縁膜５を形成する。ここで、素子分離溝２は、ウエハ１の主面に形成した溝の内部に酸化シリコン膜を埋め込むＳＴＩ(Shallow Trench Isolation)法によって形成し、ｎ型ウエル３およびｐ型ウエル４は、フォトレジスト膜をマスクにした不純物のイオン注入によって形成する。また、ゲート絶縁膜５は、ｎ型ウエル３およびｐ型ウエル４のそれぞれの表面を熱酸化することによって形成する。
【００２２】
次に、図２に示すように、ウエハ１の主面上にＣＶＤ法を用いてノンドープの多結晶シリコン膜６ａを堆積する。なお、多結晶シリコン膜６ａに代えてアモルファスシリコン膜を使用してもよい。
【００２３】
次に、フォトレジスト膜（図示せず）をマスクにしてｎ型ウエル３の上部の多結晶シリコン膜６ａにホウ素（Ｂ）をイオン注入し、ｐ型ウエル４の上部の多結晶シリコン膜６ａにリン（Ｐ）をイオン注入した後、ウエハ１をアニールして不純物（ホウ素およびリン）を活性化させる。これにより、図３に示すように、ｎ型ウエル３の上部の多結晶シリコン膜６ａがｐ型多結晶シリコン膜６ｐとなり、ｐ型ウエル４の上部の多結晶シリコン膜６ａがｎ型多結晶シリコン膜６ｎとなる。
【００２４】
次に、図４に示すように、フォトレジスト膜７をマスクにしてｐ型多結晶シリコン膜６ｐおよびｎ型多結晶シリコン膜６ｎをそれぞれドライエッチングする。これにより、ｎ型ウエル３の上部にｐ型多結晶シリコン膜６ｐからなるゲート電極８ｐを形成し、ｐ型ウエル４の上部にｎ型多結晶シリコン膜６ｎからなるゲート電極８ｎを形成する。
【００２５】
次に、フォトレジスト膜７をアッシングにより除去した後、図５に示すように、ｎ型ウエル３の上部にフォトレジスト膜９を形成し、このフォトレジスト膜９をマスクにしてｐ型ウエル４にリン（Ｐ）をイオン注入することによって、ゲート電極８ｎの両側のｐ型ウエル４にｎ型半導体領域１１を形成する。
【００２６】
次に、フォトレジスト膜９をアッシングにより除去した後、図６に示すように、ｐ型ウエル４の上部にフォトレジスト膜１０を形成し、このフォトレジスト膜１０をマスクにしてｎ型ウエル３にホウ素（Ｂ）をイオン注入することによって、ゲート電極８ｐの両側のｎ型ウエル３にｐ型半導体領域１２を形成する。
【００２７】
次に、フォトレジスト膜１０をアッシングにより除去した後、ウエハ１の表面に付着・残留した汚染物質（主としてフォトレジスト膜のアッシング残渣）を除去するため、以下のような方法でウエハ１をＳＰＭ洗浄する。
【００２８】
図７は、本実施の形態１で使用する枚葉式洗浄装置の概略構成図、図８は、図７に示す枚葉式洗浄装置の洗浄部を上方から見た概略平面図である。
【００２９】
枚葉式洗浄装置２０は、ウエハ１を洗浄する洗浄部と、この洗浄部に薬液（ＳＰＭ）を供給する薬液供給部とで構成されている。洗浄部は、ウエハ１を水平面内で回転させる回転ステージ２１、回転ステージ２１の上部に配置されたウエハ１を水平に保持するウエハチャック２２、回転ステージ２１の周囲を囲む洗浄カップ２３などにより構成されている。
【００３０】
上記回転ステージ２１、ウエハチャック２２および洗浄カップ２３は、薬液（ＳＰＭ）に対する耐食性を備えた合成樹脂、例えば塩化ビニル樹脂やＡＢＳ樹脂などによって構成されている。また、回転ステージ２１を構成する合成樹脂の表面には、薬液（ＳＰＭ）に対する耐食性を備えたＰｔ（プラチナ）などの金属からなるメッキ膜（図示せず）が形成されており、さらに、このメッキ膜には放電用のアース２４が接続されている。
【００３１】
図８に示すように、ウエハ１を保持するウエハチャック２２は、ウエハ１の外周部に沿って等間隔に３個配置されている。また、３個のウエハチャック２２のそれぞれは、ウエハ１の外周部よりも外側に延在する張り出し部２２ａを有している。なお、ウエハチャック２２の数、形状および面積などは、図７、図８に示した例に限定されるものではなく、適宜設計変更が可能であるが、いずれの場合でもウエハチャック２２は、ウエハ１の外周部よりも外側に張り出した部分（張り出し部２２ａ）を有している。
【００３２】
枚葉式洗浄装置２０の薬液供給部は、薬液３０を貯留する薬液槽３１、薬液槽３１内の薬液３０を洗浄部に送るための配管３２、３３、３４、配管３２の途中に接続された薬液圧送用のポンプ３５、配管３３、３４の途中に接続された開閉バルブ３６、３７、配管３３の一端に設けられた可動式の洗浄ノズル３８などにより構成されている。薬液槽３１および配管３２、３３、３４は、薬液３０に対する耐食性を備えた合成樹脂、例えばフッ素樹脂によって構成されている。
【００３３】
上記配管３４の一端は、洗浄部の回転ステージ２１内に設けられた配管３９に連結されている。回転ステージ２１内の配管３９の上端部は、回転ステージ２１の上面に位置しており、配管３４を通じて配管３９に送られた薬液３０は、回転ステージ２１の上面から吐出されてウエハ１の裏面を洗浄する。
【００３４】
上記枚葉式洗浄装置２０を使用してウエハ１の洗浄を行うには、まず、図９に示すように、主面を上に向けた状態でウエハ１を回転ステージ２１の上に配置し、ウエハ１の外周部をウエハチャック２２で保持・固定する。このとき、ウエハ１の裏面と回転ステージ２１の上面との間には僅かな隙間が生じる。従って、ウエハ１は、ウエハチャック２２のみと接触しており、枚葉式洗浄装置２０の他の部材とは非接触状態となっている。また、このとき、洗浄ノズル３８は、洗浄カップ２３の外側で待機している。
【００３５】
次に、図１０に示すように、回転ステージ２１を所定の速度、例えば５００ｒｐｍで回転させる。これにより、ウエハチャック２２、およびウエハチャック２２に保持・固定されたウエハ１も、回転ステージ２１と同じ速度で回転する。
【００３６】
また、回転ステージ２１の回転と前後して洗浄ノズル３８を洗浄カップ２３の内側に移動させると共に、配管３３の開閉バルブ３６を開放し、洗浄ノズル３８の先端がウエハチャック２２の外側に位置しているときに、洗浄ノズル３８の先端から薬液３０を吐出させる。このとき、洗浄ノズル３８の先端から吐出される薬液３０は、配管３２、３３を流れる途中で配管３２、３３の内壁と摩擦を起すので、静電気を帯びている。
【００３７】
次に、図１１に示すように、洗浄ノズル３８の先端から薬液３０を吐出させながら、洗浄ノズル３８を洗浄カップ２３のさらに内側に移動させる。そして、洗浄ノズル３８の先端がウエハチャック２２の張り出し部２２ａの回転軌道の上方に位置したとき、洗浄ノズル３８の移動を一旦停止する。
【００３８】
これにより、洗浄ノズル３８の先端から吐出された薬液３０が回転しているウエハチャック２２の張り出し部２２ａに接触するので、薬液３０の静電気がウエハチャック２２の表面および回転ステージ２１の表面を伝って外部に放電される。なお、ウエハチャック２２の表面から回転ステージ２１の表面への放電を促進させるため、回転ステージ２１の表面と同じように、ウエハチャック２２の表面にＰｔなどからなるメッキ膜を施してもよい。
【００３９】
前述したように、ウエハチャック２２は、ウエハ１の外周部に沿って等間隔に３個配置されている（図８参照）。従って、例えば図１２に示すように、洗浄ノズル３８をウエハチャック２２の回転軌道の上方で一旦停止させることなく、洗浄ノズル３８の先端をウエハ１の上方まで移動させた場合、ウエハチャック２２の回転速度や洗浄ノズル３８の移動速度によっては、帯電した薬液３０がウエハチャック２２に接触することなく、ウエハ１の主面（上面）に吐出される恐れがある。
【００４０】
これに対し、洗浄ノズル３８の先端がウエハチャック２２の張り出し部２２ａの回転軌道の上方に位置したときに、洗浄ノズル３８の移動を一旦停止することにより、ウエハチャック２２の数や回転速度に関わりなく、洗浄ノズル３８の先端から吐出される薬液３０をウエハチャック２２の張り出し部２２ａに確実に接触させることができる。
【００４１】
また、薬液３０をウエハチャック２２に接触させる際は、洗浄ノズル３８の先端から吐出された薬液３０が途中で途切れないよう、連続的に吐出させる。これにより、配管３２、３３内を移動中の薬液３０の静電気もウエハチャック２２の表面を通じて放電させることができる。
【００４２】
次に、図１３に示すように、洗浄ノズル３８の先端から薬液３０を吐出させながら、洗浄ノズル３８をウエハ１の中心部の上方まで移動させる。また、配管３４の開閉バルブ３７を開放し、配管３４に連結された回転ステージ２１内の配管３９を通じてウエハ１の裏面（下面）にも薬液３０を供給する。そして、この状態で所定の時間、ウエハ１の主面（上面）と裏面（下面）とに薬液３０を供給し続けることによって、ウエハ１の両面を洗浄する。ウエハ１の主面（上面）および裏面（下面）に供給された薬液３０は、その後、洗浄カップ２３の底部の排液口４０を通じて外部に排出される。
【００４３】
なお、配管３３を流れる薬液３０と同様、配管３４を流れる薬液３０も配管３４の内壁と摩擦を起して静電気を帯びる。しかし、前述したように、回転ステージ２１を構成する合成樹脂の表面にはＰｔメッキ膜が形成されており、さらに、このＰｔメッキ膜には放電用のアース２４が接続されている。従って、配管３４を流れる薬液３０が回転ステージ２１内の配管３９に流入したとき、薬液３０の静電気はＰｔメッキ膜およびアース２４を通じて外部に放電されるので、ウエハ１の裏面に接触する薬液３０は静電気を帯びていない。
【００４４】
次に、図１４に示すように、開閉バルブ３６、３７を閉鎖することによって、ウエハ１の主面および裏面への薬液３０の供給を停止する。続いて、回転ステージ２１を１５００ｒｐｍの高速度で回転させ、ウエハ１の主面および裏面に付着した薬液３０を遠心力でウエハ１の外側に振り切ることにより、ウエハ１のＳＰＭ洗浄が完了する。その後、ウエハ１を図示しない枚葉式純水洗浄装置に搬送し、ウエハ１の主面および裏面に残留したＳＰＭ残渣を洗い落とす。
【００４５】
このように、本実施の形態１では、洗浄ノズル３８の先端からウエハ１の主面に薬液３０を供給する際、あらかじめウエハ１を保持・固定しているウエハチャック２２の張り出し部２２ａに薬液３０を接触させることによって、薬液３０の静電気を放電させる。これにより、ウエハ１の主面には除電された薬液３０が供給されるので、薬液３０の帯電に起因するウエハ１の異常放電（損傷）を確実に抑制することができる。
【００４６】
（実施の形態２）
前記実施の形態１では、回転するウエハチャック２２の張り出し部２２ａに薬液３０を確実に接触させるため、洗浄ノズル３８の先端が張り出し部２２ａの回転軌道の上方に位置したとき、洗浄ノズル３８の移動を一旦停止した。しかし、洗浄ノズル３８を張り出し部２２ａの回転軌道の上方で完全に停止させる必要はなく、ウエハチャック２２の回転速度に対して充分に遅い速度で洗浄ノズル３８を移動させてもよい。
【００４７】
すなわち、前記実施の形態１の図９および図１０に示した工程の後、図１５および図１６に示すように、洗浄カップ２３の外側で待機していた洗浄ノズル３８を所定の速度Ａで洗浄カップ２３の内側に移動させ、洗浄ノズル３８の先端をウエハチャック２２の張り出し部２２ａの回転軌道の上方に位置させる。上記した洗浄ノズル３８の移動は、洗浄ノズル３８の先端から薬液３０を吐出させながら行う。
【００４８】
そして、洗浄ノズル３８の先端が張り出し部２２ａの回転軌道の上方に位置している間、洗浄ノズル３８を上記速度Ａよりも遅い速度Ｂ（Ｂ＜Ａ）で移動させる。これにより、図１１に示すように、高速で回転するウエハチャック２２の張り出し部２２ａに薬液３０を確実に接触させることができるので、ウエハ１の主面に薬液３０を供給する工程に先立って、薬液３０の静電気を放電させることができる。
【００４９】
その後、図１３に示すように、洗浄ノズル３８の先端から薬液３０を吐出させながら、洗浄ノズル３８をウエハ１の中心部の上方まで移動させる。このとき、洗浄ノズル３８を移動させる速度Ｃは、洗浄ノズル３８の先端が張り出し部２２ａの回転軌道の上方に位置しているときの洗浄ノズル３８の移動速度Ｂと同等もしくはそれ以上（Ｃ≧Ｂ）とする。また、このとき、回転ステージ２１内の配管３９を通じてウエハ１の裏面（下面）にも薬液３０を供給し、所定の時間、ウエハ１の主面と裏面とに薬液３０を供給し続けることによって、ウエハ１の両面を洗浄する。
【００５０】
これにより、前記実施の形態１と同じように、ウエハ１の主面には除電された薬液３０が供給されるので、薬液３０の帯電に起因するウエハ１の異常放電（損傷）を確実に抑制することができる。
【００５１】
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【００５２】
前記実施の形態では、フォトレジスト膜をマスクにしたイオン注入でＣＭＯＳトランジスタの拡散層（ｎ型半導体領域１１、ｐ型半導体領域１２）を形成した後のＳＰＭ洗浄工程に適用したが、これに限定されるものではなく、化学的機械研磨後のＳＰＭ洗浄やレジスト除去後のＳＰＭ洗浄などに広く適用することができる。
【００５３】
また、前記実施の形態では、ＳＰＭ洗浄工程に適用した場合について説明したが、これに限定されるものではなく、他の薬液、特に酸やアルカリなどの電解質を含む薬液を使用した枚葉洗浄工程に広く適用することができる。
【００５４】
また、前記実施の形態では、半導体ウエハの洗浄工程に適用した場合について説明したが、これに限定されるものではなく、例えば液晶用ガラス基板などの洗浄工程にも適用することができる。
【産業上の利用可能性】
【００５５】
本発明は、薬液を用いた半導体ウエハなどの枚葉洗浄に利用することができる。
【符号の説明】
【００５６】
１  半導体ウエハ
２  素子分離溝
３  ｎ型ウエル
４  ｐ型ウエル
５  ゲート絶縁膜
６ａ  多結晶シリコン膜
６ｎ  ｎ型多結晶シリコン膜
６ｐ  ｐ型多結晶シリコン膜
７  フォトレジスト膜
８ｎ、８ｐ  ゲート電極
９、１０  フォトレジスト膜
１１  ｎ型半導体領域
１２  ｐ型半導体領域
１３  サイドウォールスペーサ
２０  枚葉式洗浄装置
２１  回転ステージ
２２  ウエハチャック
２２ａ  張り出し部
２３  洗浄カップ
２４  アース
３０  薬液
３１  薬液槽
３２、３３、３４  配管
３５  ポンプ
３６、３７  開閉バルブ
３８  洗浄ノズル
３９  配管
４０  排液口
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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