(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
焼成された状態の磁性体基板を提供する段階と、
前記磁性体基板の上部面に第１絶縁層を形成する段階と、
前記第１絶縁層上に導体パターンを形成する段階と、
前記第１絶縁層及び導体パターンの上部面に絶縁物質を塗布する段階と、
塗布された前記絶縁物質を硬化する段階と、
を含み、
前記焼成された状態の磁性体基板を提供する段階は、
（Ａ）磁性物質で第１磁性層を形成する段階と、
（Ｂ）前記第１磁性層に導電物質を印刷して第１電極を形成する段階と、
（Ｃ）前記第１磁性層及び前記第１電極に静電保護物質からなる第１静電吸収層を積層する段階と、
（Ｄ）前記第１磁性層、前記第１電極、及び前記第１静電吸収層全てを同時に焼成する段階と、
を遂行して製作された磁性体基板を提供するコモンモードフィルタの製造方法。
【請求項２】
前記絶縁物質を硬化する段階以降に、
硬化された前記絶縁物質の上部面に磁性体基板を接合する段階
をさらに含む請求項１に記載のコモンモードフィルタの製造方法。
【請求項３】
前記（Ｃ）段階と（Ｄ）段階との間に、
（Ｘ１）前記第１静電吸収層に導電物質を印刷して第２電極を形成する段階
をさらに含む請求項１に記載のコモンモードフィルタの製造方法。
【請求項４】
前記（Ｘ１）段階と（Ｄ）段階との間に、
（Ｘ２）前記第１静電吸収層及び第２電極に磁性物質からなる第２磁性層を積層する段階
をさらに含む請求項３に記載のコモンモードフィルタの製造方法。
【請求項５】
前記静電吸収物質は、酸化亜鉛（ＺｎＯ）系のセラミックである請求項１に記載のコモンモードフィルタの製造方法。
【請求項６】
前記磁性物質は、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｃｕ及びＭｎ系から選択される何れか一つのフェライト（ｆｅｒｒｉｔｅ）である請求項１に記載のコモンモードフィルタの製造方法。
【請求項７】
前記導電物質は、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｄから選択される何れか一つの金属または何れか二つ以上の合金である請求項１に記載のコモンモードフィルタの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁性体基板、コモンモードフィルタ、磁性体基板の製造方法及びコモンモードフィルタの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子機器の高速化と多機能化に伴って、高速データ伝送のためのインタフェースの適用が増加している。特に、差動伝送方式による高速インタフェース（ＵＳＢ２．０、ＵＳＢ３．０、ＨＤＭＩ（Ｈｉｇｈ−Ｄｅｆｉｎｉｔｉｏｎ  Ｍｕｌｔｉｍｅｄｉａ  Ｉｎｔｅｒｆａｃｅ）など）のための回路ではコモンノードノイズを除去するためのフィルタが必要である。
【０００３】
最近、信号伝送に使用される周波数が徐々に高周波帯域に移動しており、各種ポータブル電子機器の小型化及び薄型化の傾向に伴って、コモンモードフィルタの小型化及び高性能化のための研究が続けられている。
【０００４】
通常、コモンモードフィルタは、磁性体層、非磁性絶縁体層、非磁性絶縁体層内部の導体コイル、リード端子線及び前記リード端子線に連結される外部電極を含んで構成されている。
【０００５】
一方、コモンモードフィルタの急激な電圧変化を防止するためにバリスタ（Ｖａｒｉｓｔｏｒ）などの静電気放電（Ｅｌｅｃｔｒｏｓｔａｔｉｃ  Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ；ＥＳＤ）保護素子がコモンモードフィルタの内部に適用されている。
【０００６】
特許文献１にはインダクタ素子と静電気放電保護素子とを結合して構成された複合電子部品が紹介された。
【０００７】
しかし、特許文献１に開示された複合電子部品は、磁性体、静電吸収層及び導体パターンが備えられた絶縁層が同時に焼成されて製作されるが、この場合、それぞれの層間収縮率の差によって印刷にじみ、積層歪みなどの問題が発生してコモンモードフィルタの特性が低下するという問題点があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】日本特許公開第２００６−１１４８０１号
【特許文献２】韓国公開特許第１０−２０１０−００３７０００号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
前記のような問題点を解決するために導き出された本発明は、静電吸収層と電極を備える磁性体基板を提供することを目的とする。
【００１０】
また、本発明は、静電吸収層と電極を備える磁性体基板とコイル部を含むコモンモードフィルタを提供することを他の目的とする。
【００１１】
また、本発明は、前記磁性体基板を製造するための磁性体基板の製造方法及び前記コモンモードフィルタを製造するためのコモンモードフィルタの製造方法を提供することをまた他の目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
前記のような問題点を解決するために導き出された本発明の一実施形態による磁性体基板は、静電吸収物質からなる静電吸収層と、前記静電吸収層の片面または両面に備えられ、磁性物質からなる磁性層と、前記磁性層と静電吸収層との間に備えられ、導電物質からなる電極と、を含むことができる。
【００１３】
この際、前記静電吸収物質は酸化亜鉛（ＺｎＯ）系のセラミックであってもよい。
【００１４】
また、前記磁性物質はＮｉ、Ｚｎ、Ｃｕ及びＭｎ系から選択される何れか一つのフェライト（ｆｅｒｒｉｔｅ）であってもよい。
【００１５】
また、前記導電物質は、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｄから選択される何れか一つの金属または何れか二つ以上の合金であってもよい。
【００１６】
本発明によるコモンモードフィルタは、絶縁層及び前記絶縁層内部に形成された導体パターンを含むコイル部と、前記コイル部の片面または両面に結合された磁性体基板と、を含み、前記磁性体基板は、静電吸収物質からなる静電吸収層と、前記静電吸収層の片面または両面に備えられ、磁性物質からなる磁性層と、前記磁性層と静電吸収層との間に備えられ、導電物質からなる電極と、を含むことができる。
【００１７】
本発明による磁性体基板の製造方法は、（Ａ）磁性物質で第１磁性層を形成する段階と、（Ｂ）前記第１磁性層に導電物質を印刷して第１電極を形成する段階と、（Ｃ）前記第１磁性層及び第１電極に静電保護物質からなる第１静電吸収層を積層する段階と、（Ｄ）前記第１磁性層、前記第１電極、及び前記第１静電吸収層全てを同時に焼成する段階と、を含むことができる。
【００１８】
この際、前記（Ｃ）段階と（Ｄ）段階との間に、（Ｘ１）前記第１静電吸収層に導電物質を印刷して第２電極を形成する段階をさらに含むことができる。
【００１９】
また、前記（Ｘ１）段階と（Ｄ）段階との間に、（Ｘ２）前記第１静電吸収層及び第２電極に磁性物質からなる第２磁性層を積層する段階をさらに含むことができる。
【００２０】
本発明によるコモンモードフィルタの製造方法は、磁性体基板を提供する段階と、前記磁性体基板の上部面に第１絶縁層を形成する段階と、前記第１絶縁層上に導体パターンを形成する段階と、前記第１絶縁層及び導体パターンの上部面に絶縁物質を塗布する段階と、塗布された前記絶縁物質を硬化する段階と、を含み、前記磁性体基板を提供する段階は、（Ａ）磁性物質で第１磁性層を形成する段階と、（Ｂ）前記第１磁性層に導電物質を印刷して第１電極を形成する段階と、（Ｃ）前記第１磁性層及び第１電極に静電保護物質からなる第１静電吸収層を積層する段階と、（Ｄ）前記第１磁性層、前記第１電極、及び前記第１静電吸収層全てを同時に焼成する段階と、を遂行して製作された磁性体基板を提供するものであってもよい。
【００２１】
この際、前記絶縁物質を硬化する段階以降、硬化された前記絶縁物質の上部面に磁性体基板を接合する段階をさらに含むことができる。
【００２２】
また、コモンモードフィルタの特性を具現する第１絶縁層及び導体パターンは薄膜及び厚膜工法を適用して形成されることができる。
【００２３】
この際、薄膜及び厚膜工法は、導体パターンを形成するためにフォトリソグラフィ工程を適用したものであってもよく、導体パターンの層間及び上、下部には絶縁性樹脂や絶縁性ガラスなどを備えて硬化させるものであってもよい。
【発明の効果】
【００２４】
前記のように構成された本発明による磁性体基板は、磁性体層と静電吸収層とを同時に焼成して製作されることができ、前記磁性体基板上に薄膜工法でコイル部を形成することにより、従来技術の問題点として指摘された層間収縮率の差による印刷にじみ、積層歪みなどによるコモンモードフィルタの特性低下を防止することができるという有用な効果を提供する。
【００２５】
また、本発明によるコモンモードフィルタは、静電気放電現象を防止することができるとともに、コモンモードフィルタの高効率特性を維持することができるという有用な効果を提供する。
【００２６】
また、本発明による磁性体基板の製造方法は、磁性体層と静電吸収層とを備える磁性体基板を効率的に製造することができるという有用な効果を提供する。
【００２７】
また、本発明によるコモンモードフィルタの製造方法は、高効率特性を維持するとともに、静電気放電現象を防止することができるコモンモードフィルタを効率的に製造することができるという有用な効果を提供する。
【００２８】
また、コイル部を形成する過程で焼成温度のような高温熱処理に対する制限がないため様々な材質で絶縁層を具現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】本発明の一実施形態による磁性体基板を概略的に例示した分解斜視図である。
【図２】本発明の他の実施形態による磁性体基板を概略的に例示した分解斜視図である。
【図３】本発明の一実施形態によるコモンモードフィルタを概略的に例示した断面図である。
【図４】本発明の他の実施形態によるコモンモードフィルタを概略的に例示した断面図である。
【図５】本発明の一実施形態による磁性体基板の製造方法を概略的に示すフローチャートである。
【図６】本発明の他の実施形態による磁性体基板の製造方法を概略的に示すフローチャートである。
【図７】本発明のまた他の一実施形態による磁性体基板の製造方法を概略的に示すフローチャートである。
【図８】本発明の一実施形態によるコモンモードフィルタの製造方法を概略的に示すフローチャートである。
【図９】本発明の他の実施形態によるコモンモードフィルタの製造方法を概略的に示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
本発明の利点及び特徴、そしてそれらを果たす技術は、添付図面とともに詳細に後述される実施形態を参照すると明確になるであろう。しかし、本発明は以下で開示される実施形態に限定されず、相異なる多様な形態で具現されることができる。本実施形態は、本発明の開示が完全になるようにするとともに、本発明が属する技術分野において通常の知識を有する者に発明の範疇を完全に伝達するために提供されることができる。明細書全体において、同一参照符号は同一構成要素を示す。
【００３１】
本明細書で用いられる用語は、実施形態を説明するためのものであり、本発明を限定しようとするものではない。本明細書で、単数型は文句で特別に言及しない限り複数型も含む。明細書で用いられる「含む（ｃｏｍｐｒｉｓｅ）」及び／または「含んでいる（ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ）」は言及された構成要素、段階、動作及び／または素子は一つ以上の他の構成要素、段階、動作及び／または素子の存在または追加を排除しない。
【００３２】
以下では添付された図面を参照して本発明の構成及び作用効果をより詳細に説明する。
【００３３】
図１は、本発明の一実施形態による磁性体基板１００を概略的に例示した分解斜視図である。
【００３４】
図１を参照すると、本発明の一実施形態による磁性体基板１００は、静電吸収層１１０、磁性層１２０及び電極１３０を含むことができる。
【００３５】
静電吸収層１１０は、静電吸収物質からなってもよく、この際、静電吸収物質としては酸化亜鉛（ＺｎＯ）系のセラミックを使用してもよい。前記静電吸収層１１０は、コモンモードフィルタにおける急激な電圧変化を緩衝する機能を遂行する。
【００３６】
磁性層１２０は、磁性物質からなってもよく、この際、磁性物質としてはＮｉ、Ｚｎ、Ｃｕ及びＭｎ系から選択される何れか一つのフェライト（ｆｅｒｒｉｔｅ）を使用してもよい。
【００３７】
電極１３０は、導電物質からなってもよく、導電物質としてはＡｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｄから選択される何れか一つの金属または何れか二つ以上の合金を使用してもよい。
【００３８】
前記電極１３０にはリード部１３１が備えられ、以降にコモンモードフィルタに具現された時に接地端子に連結された別途の外部端子６０に連結され、静電吸収層１１０から吸収された電荷を放出する機能を遂行することができる。
【００３９】
この際、本実施形態による磁性体基板１００には電極１３０一つのみが備えられるため、他の電極１３０はコモンモードフィルタの導体パターン５２に代替することができる。
【００４０】
図２は、本発明の他の実施形態による磁性体基板２００を概略的に例示した分解斜視図である。
【００４１】
図２を参照すると、図１に例示した場合と異なり、静電吸収層２１０の上部面にも電極２３０´が形成され、磁性層２２０´が積層されて磁性体基板２００が具現されることができるということが理解できる。
【００４２】
一方、本実施形態による磁性体基板２００は、静電吸収層２１０の両面に電極２３０、２３０´が備えられるため、キャパシタンスが発生する可能性があるが、電極２３０の形状を様々な形態で具現することにより前記キャパシタンスを調節することができる。
【００４３】
これにより、本発明の一実施形態による磁性体基板１００、２００それぞれは、静電吸収層１１０、２１０を含む完成された状態でコモンモードフィルタを製造する際に投入されることができる。
【００４４】
図３は、本発明の一実施形態によるコモンモードフィルタ３００を概略的に例示した断面図である。
【００４５】
図３を参照すると、本発明の一実施形態によるコモンモードフィルタ３００は、前記の磁性体基板１００に絶縁層５１と導体パターン５２からなるコイル部５０を形成し、外部端子６０を結合することにより具現されることができる。
【００４６】
図４は、本発明の他の実施形態によるコモンモードフィルタ４００を概略的に例示した断面図である。
【００４７】
図４を参照すると、本発明の他の実施形態によるコモンモードフィルタ４００は、図２に例示した磁性体基板１００にコイル部５０を形成し、外部端子６０を結合することにより具現されることができる。
【００４８】
従来のコモンモードフィルタと異なり、本発明の一実施形態によるコモンモードフィルタ３００、４００では、磁性体基板１００、２００が完成された状態で提供されることができるため、磁性体基板１００、２００にコイル部５０を形成することにより、コモンモードフィルタ３００、４００を製造する過程における導体パターン５２の印刷にじみ現象や層間収縮率の差による歪み現象などの問題を予め防止することができる。
【００４９】
また、コイル部５０を形成する過程で焼成温度のような高温熱処理に対する制限がないため様々な材質で絶縁層５１を具現することができる。
【００５０】
図５は、本発明の一実施形態による磁性体基板の製造方法を概略的に示すフローチャートである。
【００５１】
図５を参照すると、先ず、磁性物質で第１磁性層を形成する（Ｓ１１０）。
【００５２】
次に、第１磁性層に導電物質を印刷して第１電極を形成する（Ｓ１２０）。
【００５３】
その後、第１磁性層及び第１電極に静電保護物質からなる第１静電吸収層を積層する（Ｓ１３０）。
【００５４】
最後に、前記第１磁性層、前記第１電極、及び前記第１静電吸収層全てを同時に焼成する（Ｓ１６０）。
【００５５】
図６は本発明の他の実施形態による磁性体基板の製造方法を概略的に示すフローチャートである。
【００５６】
図６を参照すると、第１静電吸収層積層（Ｓ１３０）の後、第１静電吸収層に導電物質を印刷して第２電極を形成（Ｓ１４０）することができる。
【００５７】
これにより、前記第１電極及び第２電極により、第１静電吸収層に吸収された電荷が接地端子に移動することができる。
【００５８】
図７は、本発明のまた他の一実施形態による磁性体基板の製造方法を概略的に示すフローチャートである。
【００５９】
図７を参照すると、前記第２電極を形成（Ｓ１４０）した後、第１静電吸収層及び第２電極に磁性物質からなる第２磁性層を積層（Ｓ１５０）することもできる。
【００６０】
図８は、本発明の一実施形態によるコモンモードフィルタの製造方法を概略的に示すフローチャートである。
【００６１】
図８を参照して、本発明の一実施形態によるコモンモードフィルタの製造方法によると、先ず、前記のように予め完成された磁性体基板を提供する（Ｓ２１０）。
【００６２】
次に、磁性体基板の上部面に第１絶縁層を形成する（Ｓ２２０）。
【００６３】
次に、第１絶縁層上に導体パターンを形成する（Ｓ２３０）。
【００６４】
次に、第１絶縁層及び導体パターンの上部面に絶縁物質を塗布する（Ｓ２４０）。
【００６５】
次に、以前段階の絶縁物質を硬化させる（Ｓ２４５）。
【００６６】
一方、必要に応じて、導体パターン形成及び絶縁物質塗布過程を２回以上繰り返すことにより、２層以上の導体パターンが形成されたコイル部を具現することもできる。
【００６７】
図９は、本発明の他の実施形態によるコモンモードフィルタの製造方法を概略的に示すフローチャートである。
【００６８】
図９を参照すると、第１絶縁層及び導体パターンの上部面に絶縁物質を塗布し（Ｓ２４０）、絶縁物質を硬化（Ｓ２４５）した後、硬化された絶縁物質の上部面に磁性体基板をさらに接合することができる（Ｓ２５０）。
【００６９】
これにより、本発明の一実施形態による磁性体基板は、静電吸収層を含む完成された状態でコモンモードフィルタ製造する際に投入されることができる。
【００７０】
即ち、従来のコモンモードフィルタの製造方法と異なり、本発明の一実施形態によるコモンモードフィルタの製造方法では、磁性体基板が完成された状態で提供されることができるため、磁性体基板にコイル部を形成することにより、コモンモードフィルタを製造する過程における導体パターンの印刷にじみ、層間収縮率の差による歪み現象などの問題を予め防止することができる。
【００７１】
また、コイル部を形成する過程で焼成温度のような高温熱処理に対する制限がないため、様々な材質で絶縁層を具現することができる。
【００７２】
以上の詳細な説明は本発明を例示するものである。また、上述の内容は本発明の好ましい実施形態を示して説明するものに過ぎず、本発明は多様な他の組合、変更及び環境で用いることができる。即ち、本明細書に開示された発明の概念の範囲、述べた開示内容と均等な範囲及び／または当業界の技術または知識の範囲内で変更または修正が可能である。上述の実施例は本発明を実施するにおいて最善の状態を説明するためのものであり、本発明のような他の発明を用いるにおいて当業界に公知された他の状態での実施、そして発明の具体的な適用分野及び用途で要求される多様な変更も可能である。従って、以上の発明の詳細な説明は開示された実施状態で本発明を制限しようとする意図ではない。また、添付された請求範囲は他の実施状態も含むと解釈されるべきであろう。
【符号の説明】
【００７３】
１００、２００  磁性体基板
１１０、２１０  静電吸収層
１２０、２２０  磁性層
１３０、２３０  電極
１３１、２３１  リード部
５０  コイル部
５１  絶縁層
５２  導体パターン
６０  外部端子
３００、４００  コモンモードフィルタ
【図１】
0005743980.tif 000002
【図２】
0005743980.tif 000003
【図３】
0005743980.tif 000004
【図４】
0005743980.tif 000005
【図５】
0005743980.tif 000006
【図６】
0005743980.tif 000007
【図７】
0005743980.tif 000008
【図８】
0005743980.tif 000009
【図９】
0005743980.tif 000010