(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のサブ波長構造体が形成された表面を有する光学素子と、
上記光学素子を介して光を受光する撮像領域を有する撮像素子と
を備え、
上記光学素子の表面は、入射光を散乱し、散乱光を発生させる１または２以上の区画を有し、
上記複数のサブ波長構造体が、上記光学素子の表面において複数の列をなすように配列され、
上記区画では、上記列のピッチＰが基準ピッチＰと比して変化しており、
上記列の形状が、直線状または円弧状であり、
上記複数のサブ波長構造体が、格子パターンを形成し、
上記格子パターンが、六方格子パターン、準六方格子パターン、四方格子パターンおよび準四方格子パターンの少なくとも１種であり、
上記光学素子が反射の低減を目的とする光の波長帯域は、可視光の波長帯域であり、
上記列のピッチは、２５０ｎｍ以下であり、
上記列のピッチの変動量は、３２ｎｍより小さく、
上記散乱光のうち上記撮像領域に到達する成分の総和が、上記撮像領域外に到達する成分の総和より小さい光学系。
【請求項２】
上記散乱光の強度分布が、異方性を有する請求項１記載の光学系。
【請求項３】
上記散乱光の強度分布が、開口数ＮＡによって異なる請求項２記載の光学系。
【請求項４】
上記散乱光の強度分布の単位立体角当たりの強度が、開口数ＮＡ＞０．８の範囲よりも開口数ＮＡ≦０．８の範囲にて小さい請求項３記載の光学系。
【請求項５】
上記撮像領域における上記散乱光の強度分布の最大値が、上記撮像領域の外側の領域における上記散乱光の強度分布の最大値より小さい請求項１〜４のいずれか１項に記載の光学系。
【請求項６】
上記撮像領域が、対向する２組の辺を有する矩形状を有し、
上記列の方向と、上記２組の辺のうちの一方の組の辺の延在方向とが平行である請求項１〜５のいずれか１項に記載の光学系。
【請求項７】
上記２組の辺が、対向する１組の短辺と、対向する１組の長辺とからなり、
上記列の方向と、上記長辺の延在方向とが平行である請求項６記載の光学系。
【請求項８】
上記サブ波長構造体が、長軸と短軸とを持つ楕円形状の底面を有する錐体であり、
上記底面の長軸の方向が、上記列の方向と一致する請求項７記載の光学系。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか１項に記載された光学系を備える撮像装置。
【請求項１０】
請求項１〜８のいずれか１項に記載された光学系を備える光学機器。
【請求項１１】
複数のサブ波長構造体が形成された表面を備え、
上記表面は、入射光を散乱し、散乱光を発生させる１または２以上の区画を有し、
上記サブ波長構造体が上記表面において複数の列をなすように配置され、
上記区画では、上記列のピッチＰが基準ピッチＰと比して変化しており、
上記列の形状が、直線状または円弧状であり、
上記複数のサブ波長構造体が、格子パターンを形成し、
上記格子パターンが、六方格子パターン、準六方格子パターン、四方格子パターンおよび準四方格子パターンの少なくとも１種であり、
上記光学素子が反射の低減を目的とする光の波長帯域は、可視光の波長帯域であり、
上記列のピッチは、２５０ｎｍ以下であり、
上記列のピッチの変動量は、３２ｎｍより小さく、
上記散乱した光の強度の合計が、上記入射光の強度の合計に対して１／５００未満である光学素子。
【請求項１２】
請求項１１に記載された光学素子を作製するための原盤。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本技術は、光学素子、光学系、撮像装置、光学機器、および原盤に関する。詳しくは、サブ波長構造体が表面に設けられた光学素子を備える光学系に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、光学素子の技術分野においては、光の表面反射を抑えるための技術が種々用いられている。それらの技術の１つとして、光学素子表面にサブ波長構造体を形成するものがある（例えば非特許文献１参照）。
【０００３】
一般に、光学素子表面に周期的な凹凸形状を設けた場合、ここを光が透過するときには回折が発生し、透過光の直進成分が大幅に減少する。しかし、凹凸形状のピッチが透過する光の波長よりも短い場合には回折は発生せず、有効な反射防止効果を得ることができる。
【０００４】
上述の反射防止技術は、優れた反射防止特性を有するために様々な光学素子表面に適用することが検討されている。例えば、レンズ表面にサブ波長構造体を形成する技術が提案されている（例えば特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１１−００２８５３号公報
【非特許文献】
【０００６】
【非特許文献１】「光技術コンタクト」 Vol.43, No.11 (2005), 630-637参照
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、サブ波長構造体が表面に形成されたレンズなどの光学素子を撮像装置の光学系に用いた場合、この撮像装置を用いて輝点などを撮影すると、撮影した画像に線状の輝線ノイズが発生することがある。
【０００８】
したがって、本技術の目的は、輝点などを撮影した場合にも、線状の輝線ノイズの発生を抑制できる光学素子、光学系、撮像装置、光学機器、および原盤を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上述の課題を解決するために、第１の技術は、
複数のサブ波長構造体が形成された表面を有する光学素子と、
光学素子を介して光を受光する撮像領域を有する撮像素子と
を備え、
光学素子の表面は、入射光を散乱し、散乱光を発生させる１または２以上の区画を有し、
複数のサブ波長構造体が、光学素子の表面において複数の列をなすように配列され、
区画では、列のピッチＰが基準ピッチＰと比して変化しており、
列の形状が、直線状または円弧状であり、
複数のサブ波長構造体が、格子パターンを形成し、
格子パターンが、六方格子パターン、準六方格子パターン、四方格子パターンおよび準四方格子パターンの少なくとも１種であり、
光学素子が反射の低減を目的とする光の波長帯域は、可視光の波長帯域であり、
列のピッチは、２５０ｎｍ以下であり、
列のピッチの変動量は、３２ｎｍより小さく、
散乱光のうち撮像領域に到達する成分の総和が、撮像領域外に到達する成分の総和より小さい光学系である。
【００１０】
第１の技術では、散乱光のうち撮像領域に到達する成分の総和を、撮像領域外に到達する成分の総和より小さくしているので、撮像素子に入射する散乱光を低減することができる。したがって、散乱光に起因する線状の輝線ノイズの発生を抑制することができる。
【００１１】
第１の技術において、散乱光の強度分布が、異方性を有していることが好ましい。この場合、散乱光の強度分布が、開口数ＮＡによって異なることが好ましくい。具体的には、散乱光の強度分布の単位立体角当たりの強度が、開口数ＮＡ＞０．８の範囲よりも開口数ＮＡ≦０．８の範囲にて小さいことが好ましい。
【００１２】
第１の技術において、撮像領域における散乱光の強度分布の最大値が、撮像領域の外側の領域における散乱光の強度分布の最大値より小さいことが好ましい。
【００１３】
第１の技術において、複数のサブ波長構造体が、光学素子の表面において複数の列をなすように配列され、上述の区画では、列のピッチＰが基準ピッチＰと比して変化していることが好ましい。列の形状としては、直線状または円弧状であることが好ましい。このような列の形状を採用する場合、複数のサブ波長構造体が、格子パターンを形成していることが好ましい。その格子パターンとしては、六方格子パターン、準六方格子パターン、四方格子パターンおよび準四方格子パターンの少なくとも１種を用いることが好ましい。
【００１４】
第１の技術において、撮像領域が、対向する２組の辺を有する矩形状を有し、列の方向と、２組の辺のうちの一方の組の辺の延在方向とが平行であることが好ましい。この場合、２組の辺が、対向する１組の短辺と、対向する１組の長辺とからなり、列の方向と、長辺の延在方向とが平行であることが好ましい。そして、サブ波長構造体が、長軸と短軸とを持つ楕円形状の底面を有する錐体であり、底面の長軸の方向が、列の方向と一致することがより好ましい。
【００１５】
第２の技術は、
複数のサブ波長構造体が形成された表面を備え、
表面は、入射光を散乱し、散乱光を発生させる１または２以上の区画を有し、
サブ波長構造体が表面において複数の列をなすように配置され、
区画では、列のピッチＰが基準ピッチＰと比して変化しており、
列の形状が、直線状または円弧状であり、
複数のサブ波長構造体が、格子パターンを形成し、
格子パターンが、六方格子パターン、準六方格子パターン、四方格子パターンおよび準四方格子パターンの少なくとも１種であり、
光学素子が反射の低減を目的とする光の波長帯域は、可視光の波長帯域であり、
列のピッチは、２５０ｎｍ以下であり、
列のピッチの変動量は、３２ｎｍより小さく、
散乱した光の強度の合計が、入射光の強度の合計に対して１／５００未満である光学素子である。
【００１６】
第２の技術では、散乱した光の強度を、入射光の強度に対して１／５００未満としているので、散乱光の発生を抑制することができる。したがって、散乱光に起因する輝線ノイズの発生を抑制することができる。
【００１７】
第２の技術において、トラックのピッチＴｐが、トラック間で変動していることが好ましい。
【００１８】
第２の技術において、格子パターンが、六方格子パターン、準六方格子パターン、四方格子パターンおよび準四方格子パターンの少なくとも１種であることが好ましい。
【００１９】
本技術では、光学素子は、被写体からの光が入射する入射面と、この入射面から入射した光を出射する出射面とを有し、サブ波長構造体は、入射面および出射面の少なくとも一方に形成されることが好ましい。
【００２０】
本技術は、サブ波長構造体が表面に形成された光学素子、その光学素子を備える光学系、およびその光学素子または光学系を備える撮像装置や光学機器などに適用して好適なものである。光学素子としては、例えば、レンズ、フィルタ、半透過型ミラー、調光素子、プリズム、偏光素子などが挙げられるが、これに限定されるものではない。撮像装置としては、例えば、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラなどが挙げられるが、これに限定されるものではない。光学機器としては、例えば、望遠鏡、顕微鏡、露光装置、測定装置、検査装置、分析機器などが挙げられるが、これに限定されるものではない。
【発明の効果】
【００２１】
本技術によれば、輝点などの光源を撮影した場合にも、線状の輝線ノイズの発生を抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】図１Ａ、図１Ｂは、輝線ノイズの発生の原因について説明する概略図である。
【図２】図２は、本技術の第１の実施形態に係る撮像装置の構成の一例を示す概略図である。
【図３】図３Ａは、本技術の第１の実施形態に係る反射防止機能付光学素子の構成の一例を示す平面図である。図３Ｂは、図３Ａに示した反射防止機能付光学素子の一部を拡大して表す平面図である。図５Ｃは、図３ＢのトラックＴにおける断面図である。
【図４】図４Ａ〜図４Ｄは、反射防止機能付光学素子の構造体の形状例を示す斜視図である。
【図５】図５Ａは、図２に示した撮像光学系の一部を拡大して示す略線図である。図５Ｂは、図５Ａに示した撮像光学系の開口数ＮＡの定義を説明するための略線図である。
【図６】図６Ａは、図５Ａに示した撮像光学系を光線Ｌ0が入射する側から見た略線図である。図６Ｂは、図６Ａに示した撮像光学系が有する反射防止機能付光学素子の一部を拡大して表す拡大図である。
【図７】図７Ａは、ロール原盤の構成の一例を示す斜視図である。図７Ｂは、図７Ａに示したロール原盤の一部を拡大して表す平面図である。図７Ｃは、図７ＢのトラックＴにおける断面図である。
【図８】図８は、ロール原盤露光装置の構成の一例を示す概略図である。
【図９】図９Ａ〜図９Ｄは、本技術の第１の実施形態に係る反射防止機能付光学素子の製造方法の一例を説明するための工程図である。
【図１０】図１０Ａ〜図１０Ｃは、本技術の第１の実施形態に係る反射防止機能付光学素子の製造方法の一例を説明するための工程図である。
【図１１】図１１Ａは、本技術の第２の実施形態に係る反射防止機能付光学素子の構成の一例を示す平面図である。図１１Ｂは、図１１Ａに示した反射防止機能付光学素子の一部を拡大して表す平面図である。図１１Ｃは、図１１ＢのトラックＴにおける断面図である。
【図１２】図１２Ａは、本技術の第３の実施形態に係る反射防止機能付光学素子の構成の一例を示す平面図である。図１２Ｂは、図１１Ａに示した反射防止機能付光学素子の一部を拡大して表す平面図である。図１２Ｃは、図１２ＢのトラックＴにおける断面図である。
【図１３】図１３Ａは、本技術の第４の実施形態に係る反射防止機能付光学素子表面の一部を拡大して表す平面図である。図１３Ｂは、仮想トラックＴｉの定義を説明するための概略図である。
【図１４】図１４Ａは、構造体の中心位置の変動幅を説明するための概略図である。図１４Ｂは、構造体の変動割合を説明するための概略図である。
【図１５】図１５Ａおよび図１５Ｂは、構造体の配置形態の第１の例を示す模式図である。図１５Ｃは、構造体の配置形態の第２の例を示す模式図である。
【図１６】図１６Ａは、本技術の第５の実施形態に係る反射防止機能付光学素子表面の一部を拡大して表す平面図である。図１６Ｂは、構造体の配置ピッチの変動幅を説明するための概略図である。
【図１７】図１７は、本技術の第６の実施形態に係る撮像装置の構成の一例を示す概略図である。
【図１８】図１８Ａは、試験例１−１のシミュレーション結果を示す図である。図１８Ｂは、試験例１−２のシミュレーション結果を示す図である。
【図１９】図１９Ａは、試験例２−１のシミュレーション結果を示す図である。図１９Ｂは、試験例２−１のシミュレーション結果である強度分布を示すグラフである。
【図２０】図２０Ａは、試験例２−２のシミュレーション結果を示す図である。図２０Ｂは、試験例２−２のシミュレーション結果である強度分布を示すグラフである。
【図２１】図２１Ａは、試験例２−３のシミュレーション結果を示す図である。図２１Ｂは、試験例２−３のシミュレーション結果である強度分布を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
本技術の実施形態について図面を参照しながら以下に説明する。なお、以下の実施形態の全図においては、同一または対応する部分には同一の符号を付す。
１．第１の実施形態（撮像領域に到達する散乱光を低減させた光学系およびそれを備える撮像装置の例）
２．第２の実施形態（構造体を四方格子状または準四方格子状に配列した例）
３．第３の実施形態（構造体を凹状とした例）
４．第４の実施形態（構造体を列間方向に変動させた例）
５．第５の実施形態（構造体を列方向に変動させた例）
６．第６の実施形態（構造体をデジタルビデオカメラの光学系に適用した例）
【００２４】
＜１．第１の実施形態＞
（第１の実施形態の概要）
第１の実施形態は、以下の検討の結果により案出されたものである。
本技術者らは、図１Ａに示すように、サブ波長構造体が入射面に形成された半透過型ミラー（光学素子）３０１と、撮像素子３０２とを備える撮像光学系について、線状の輝線ノイズの発生を抑制すべく鋭意検討を行った。その結果、輝点などの光源からの光Ｌが半透過型ミラー３０１の入射面に入射すると、散乱光Ｌｓが発生し、発生した散乱光Ｌｓが撮像素子３０２の撮像領域（受光領域）に到達すると、撮像素子３０２により撮影した画像には白色的な散乱光Ｌｓが輝線ノイズとして現れることを見出すに行った。
【００２５】
そこで、本技術者らは、半透過型ミラー３０１による散乱光Ｌｓの発生の原因について鋭意検討を行った。その結果、サブ波長構造体の配置ピッチＴｐの変動が散乱光Ｌｓの発生の原因であることを見出すに至った。すなわち、フォトリソグラフィ技術を用いて原盤を作製した場合には、露光時の送りピッチの精度上の問題により、図１Ｂに示すように、サブ波長構造体３０３の配置ピッチＴｐが変動してしまう。このように配置ピッチＴｐが変動すると、配置ピッチＴｐが理想とする配置ピッチＴｐに比較して大きくなる区画が発生する。このような配置ピッチＴｐが大きくなった区画に、輝点などの光源からの光Ｌが照射されると、散乱光Ｌｓが発生する。
【００２６】
そこで、本技術者らは、上述した輝線ノイズ発生の原因を考慮して、輝線ノイズの発生を抑制すべく鋭意検討を行った。その結果、サブ波長構造体３０３の形状などを調整して、撮像領域に到達する散乱光Ｌｓの成分を、撮像領域外に到達する散乱光Ｌｓの成分より小さくすることにより、輝線ノイズの発生を抑制できることを見出すに至った。
【００２７】
（撮像装置の構成）
図２は、本技術の第１の実施形態に係る撮像装置の構成の一例を示す概略図である。図２に示すように、第１の実施形態に係る撮像装置１００は、いわゆるデジタルカメラ（デジタルスチルカメラ）であって、筐体１０１と、筐体１０１内に設けられた撮像光学系１０２とを備える。撮像光学系１０２は、レンズ１１１と、反射防止機能付光学素子１と、撮像素子１１２と、オートフォーカスセンサ１１３とを備える。
【００２８】
レンズ１１１は、被写体からの光Ｌを撮像素子１１２に向けて集光する。反射防止機能付光学素子１は、レンズ１１１により集光された光Ｌの一部をオートフォーカスセンサ１１３に向けて反射するのに対して、光Ｌの残りを撮像素子１１２に向けて透過する。撮像素子１１２は、反射防止機能付光学素子１を透過した光を受光する矩形状の撮像領域Ａ1を有し、この撮像領域Ａ1にて受光した光を電気信号に変換し、信号処理回路に出力する。オートフォーカスセンサ１１３は、反射防止機能付光学素子１により反射された光を受光し、受光した光を電気信号に変換し、制御回路に出力する。
【００２９】
（反射防止機能付光学素子）
以下、第１の実施形態に係る反射防止機能付光学素子１の構成について具体的に説明する。
図３Ａは、本技術の第１の実施形態に係る反射防止機能付光学素子の構成の一例を示す平面図である。図３Ｂは、図３Ａに示した反射防止機能付光学素子の一部を拡大して表す平面図である。図３Ｃは、図３ＢのトラックＴ１、Ｔ３、・・・における断面図である。
【００３０】
反射防止機能付光学素子１は、入射面および出射面を有する半透過型ミラー２と、この半透過型ミラー２の入射面に形成された複数の構造体３とを備える。構造体３と半透過型ミラー２とは、別成形または一体成形されている。構造体３と半透過型ミラー２とが別成形されている場合には、必要に応じて構造体３と半透過型ミラー２との間に基底層４をさらに備えるようにしてもよい。基底層４は、構造体３の底面側に構造体３と一体成形される層であり、構造体３と同様のエネルギー線硬化性樹脂組成物などを硬化してなる。
以下、反射防止機能付光学素子１に備えられる半透過型ミラー２、および構造体３について順次説明する。
【００３１】
（半透過型ミラー）
半透過型ミラー２は、入射する光の一部を透過し、残りを反射するミラーである。半透過型ミラー２の形状としては、例えば、シート状、プレート状を挙げることができるが、特にこれらの形状に限定されるものではない。ここで、シートにはフィルムが含まれるものと定義する。
【００３２】
（構造体）
構造体３は、いわゆるサブ波長構造体であり、例えば、半透過型ミラー２の入射面に対して凸状を有し、半透過型ミラー２の入射面に対して２次元配列されている。構造体３は、反射の低減を目的とする光の波長帯域以下の短い配置ピッチで周期的に２次元配列されていることが好ましい。
【００３３】
複数の構造体３は、半透過型ミラー２の表面において複数列のトラックＴをなすような配置形態を有する。原盤作成工程における露光時の問題から、トラックＴのトラックピッチＴｐが、図３Ｂに示すように、トラック間で変動している。本技術において、トラックとは、構造体３が列をなして連なった部分のことをいう。トラックＴの形状としては、直線状、円弧状などを用いることができ、これらの形状のトラックＴをウォブル（蛇行）させるようにしてもよい。このようにトラックＴをウォブルさせることで、外観上のムラの発生を抑制できる。
【００３４】
トラックＴをウォブルさせる場合には、半透過型ミラー２上における各トラックＴのウォブルは、同期していることが好ましい。すなわち、ウォブルは、シンクロナイズドウォブルであることが好ましい。このようにウォブルを同期させることで、六方格子または準六方格子の単位格子形状を保持し、充填率を高く保つことができる。ウォブルしたトラックＴの波形としては、例えば、サイン波、三角波などを挙げることができる。ウォブルしたトラックＴの波形は、周期的な波形に限定されるものではなく、非周期的な波形としてもよい。ウォブルしたトラックＴのウォブル振幅は、例えば±１０μｍ程度に選択される。
【００３５】
半透過型ミラー２の表面は、輝点などの光源からの入射光を散乱し、散乱光を発生させる１または２以上の区画を有している。この区画では、例えばトラックピッチＴｐが基準となるトラックピッチＴｐに対して変化し、大きくなっている。このような区画は、原盤作成工程における露光時の問題により発生するものであり、この区画の発生を輝線ノイズの発生が無くなる程度、または気にならない程度に抑えることは困難である。
【００３６】
構造体３は、例えば、隣接する２つのトラックＴ間において、半ピッチずれた位置に配置されている。具体的には、隣接する２つのトラックＴ間において、一方のトラック（例えばＴ１）に配列された構造体３の中間位置（半ピッチずれた位置）に、他方のトラック（例えばＴ２）の構造体３が配置されている。その結果、図３Ｂに示すように、隣接する３列のトラック（Ｔ１〜Ｔ３）間においてａ１〜ａ７の各点に構造体３の中心が位置する六方格子パターンまたは準六方格子パターンを形成するように構造体３が配置されている。以下では、構造体の列が延在される方向（トラックの延在方向）をトラック方向（列方向）ａ、半透過型ミラー２の面内においてトラック方向ａと垂直な方向をトラック間方向（列間方向）ｂという。
【００３７】
ここで、六方格子とは、正六角形状の格子のことをいう。準六方格子とは、正六角形状の格子とは異なり、歪んだ正六角形状の格子のことをいう。例えば、構造体３が直線状に配置されている場合には、準六方格子とは、正六角形状の格子を直線状の配列方向（トラック方向）に引き伸ばして歪ませた六方格子のことをいう。構造体３が蛇行して配列されている場合には、準六方格子とは、正六角形状の格子を構造体３の蛇行配列により歪ませた六方格子、または正六角形状の格子を直線状の配列方向（トラック方向）に引き伸ばして歪ませ、かつ、構造体３の蛇行配列により歪ませた六方格子のことをいう。
【００３８】
構造体３が準六方格子パターンを形成するように配置されている場合には、図３Ｂに示すように、同一トラック内における構造体３の配置ピッチＰ１（例えばａ１〜ａ２間距離）は、隣接する２つのトラック間における構造体３の配置ピッチ、すなわちトラックの延在方向に対して±θ方向における構造体３の配置ピッチＰ２（例えばａ１〜ａ７、ａ２〜ａ７間距離）よりも長くなっていることが好ましい。このように構造体３を配置することで、構造体３の充填密度の更なる向上を図れるようになる。
【００３９】
構造体３の具体的な形状としては、例えば、錐体状、柱状、針状、半球体状、半楕円体状、多角形状などが挙げられるが、これらの形状に限定されるものではなく、他の形状を採用するようにしてもよい。錐体状としては、例えば、頂部が尖った錐体形状、頂部が平坦な錐体形状、頂部に凸状または凹状の曲面を有する錐体形状が挙げられるが、これらの形状に限定されるものではない。頂部に凸状の曲面を有する錐体形状としては、放物面状などの２次曲面状などが挙げられる。また、錐体状の錐面を凹状または凸状に湾曲させるようにしてもよい。後述するロール原盤露光装置（図８参照）を用いてロール原盤を作製する場合には、構造体３の形状として、頂部に凸状の曲面を有する楕円錐形状、または頂部が平坦な楕円錐台形状を採用し、それらの底面を形成する楕円形の長軸方向をトラックＴの延在方向と一致させることが好ましい。
【００４０】
反射特性の向上の観点からすると、図４Ａに示すように、頂部の傾きが緩やかで中央部から底部に徐々に急峻な傾きの錐体形状が好ましい。また、反射特性および透過特性の向上の観点からすると、図４Ｂに示すように、中央部の傾きが底部および頂部より急峻な錐形形状、または、図４Ｃに示すように、頂部が平坦な錐体形状であることが好ましい。構造体３が楕円錐形状または楕円錐台形状を有する場合、その底面の長軸方向が、トラックの延在方向と平行となることが好ましい。
【００４１】
構造体３は、図４Ａおよび図４Ｃに示すように、その底部の周縁部に、頂部から下部の方向に向かってなだらかに高さが低下する曲面部３ａを有することが好ましい。反射防止機能付光学素子１の製造工程において反射防止機能付光学素子１を原盤などから容易に剥離することが可能になるからである。なお、曲面部３ａは、構造体３の周縁部の一部にのみ設けてもよいが、上記剥離特性の向上の観点からすると、構造体３の周縁部の全部に設けることが好ましい。
【００４２】
構造体３の周囲の一部または全部に突出部５を設けることが好ましい。このようにすると、構造体３の充填率が低い場合でも、反射率を低く抑えることができるからである。突出部５は、成形の容易さの観点からすると、図４Ａ〜図４Ｃに示すように、隣り合う構造体３の間に設けることが好ましい。また、図４Ｄに示すように、細長い突出部５が、構造体３の周囲の全体またはその一部に設けるようにしてもよい。この細長い突出部５は、例えば、構造体３の頂部から下部の方向に向かって延びるものとすることができるが、特にこれに限られるものではない。突出部５の形状としては、断面三角形状および断面四角形状などを挙げることができるが、特にこれらの形状に限定されるものではなく、成形の容易さなどを考慮して選択することができる。また、構造体３の周囲の一部または全部の表面を荒らし、微細の凹凸を形成するようにしてもよい。具体的には例えば、隣り合う構造体３の間の表面を荒らし、微細な凹凸を形成するようにしてもよい。また、構造体３の表面、例えば頂部に微小な穴を形成するようにしてもよい。
【００４３】
なお、図３Ａ〜図４Ｄでは、各構造体３がそれぞれ同一の大きさ、形状および高さを有しているが、構造体３の形状はこれに限定されるものではなく、基体表面に２種以上の大きさ、形状および高さを有する構造体３が形成されていてもよい。
【００４４】
構造体３は、例えば、反射の低減を目的とする光の波長帯域以下の短い配置ピッチで規則的（周期的）に２次元配置されている。このように複数の構造体３を２次元配列することで、２次元的な波面を半透過型ミラー２の表面に形成するようにしてもよい。ここで、配置ピッチとは、配置ピッチＰ１および配置ピッチＰ２を意味する。反射の低減を目的とする光の波長帯域は、例えば、紫外光の波長帯域、可視光の波長帯域または赤外光の波長帯域である。ここで、紫外光の波長帯域とは１０ｎｍ〜３６０ｎｍの波長帯域、可視光の波長帯域とは３６０ｎｍ〜８３０ｎｍの波長帯域、赤外光の波長帯域とは８３０ｎｍ〜１ｍｍの波長帯域をいう。具体的には、配置ピッチは、１７５ｎｍ以上３５０ｎｍ以下であることが好ましい。配置ピッチが１７５ｎｍ未満であると、構造体３の作製が困難となる傾向がある。一方、配置ピッチが３５０ｎｍを超えると、可視光の回折が生じる傾向がある。
【００４５】
トラックの延在方向における構造体３の高さＨ１は、列方向における構造体３の高さＨ２よりも小さいことが好ましい。すなわち、構造体３の高さＨ１、Ｈ２がＨ１＜Ｈ２の関係を満たすことが好ましい。Ｈ１≧Ｈ２の関係を満たすように構造体３を配列すると、トラックの延在方向の配置ピッチＰ１を長くする必要が生じるため、トラックの延在方向における構造体３の充填率が低下するためである。このように充填率が低下すると、反射特性の低下を招くことになる。
【００４６】
構造体３の高さは特に限定されず、透過させる光の波長領域に応じて適宜設定され、例えば２３６ｎｍ以上４５０ｎｍ以下、好ましくは４１５ｎｍ以上４２１ｎｍ以下の範囲内に設定される。
【００４７】
構造体３のアスペクト比（高さ／配置ピッチ）は、０．８１以上１．４６以下の範囲に設定することが好ましく、より好ましくは０．９４以上１．２８以下の範囲である。０．８１未満であると反射特性および透過特性が低下する傾向にあり、１．４６を超えると構造体３の形成時において剥離特性が低下し、レプリカの複製が綺麗に取れなくなる傾向があるからである。また、構造体３のアスペクト比は、反射特性をより向上させる観点からすると、０．９４以上１．４６以下の範囲に設定することが好ましい。また、構造体３のアスペクト比は、透過特性をより向上させる観点からすると、０．８１以上１．２８以下の範囲に設定することが好ましい。
【００４８】
ここで、高さ分布とは、２種以上の高さを有する構造体３が半透過型ミラー２の表面に設けられていることを意味する。例えば、基準となる高さを有する構造体３と、この構造体３とは異なる高さを有する構造体３とが半透過型ミラー２の表面に設けるようにしてもよい。この場合、基準とは異なる高さを有する構造体３は、例えば半透過型ミラー２の表面に周期的または非周期的（ランダム）に設けられる。その周期性の方向としては、例えばトラックの延在方向、列方向などが挙げられる。
【００４９】
なお、本技術においてアスペクト比は、以下の式（１）により定義される。
アスペクト比＝Ｈ／Ｐ・・・（１）
但し、Ｈ：構造体の高さ、Ｐ：平均配置ピッチ（平均周期）
ここで、平均配置ピッチＰは以下の式（２）により定義される。
平均配置ピッチＰ＝（Ｐ１＋Ｐ２＋Ｐ２）／３  ・・・（２）
但し、Ｐ１：トラックの延在方向の配置ピッチ（トラック延在方向周期）、Ｐ２：トラックの延在方向に対して±θ方向（但し、θ＝６０°−δ、ここで、δは、好ましくは０°＜δ≦１１°、より好ましくは３°≦δ≦６°）の配置ピッチ（θ方向周期）
【００５０】
また、構造体３の高さＨは、構造体３の列方向の高さとする。構造体３のトラック延在方向（Ｘ方向）の高さは、列方向（Ｙ方向）の高さよりも小さく、また、構造体３のトラック延在方向以外の部分における高さは列方向の高さとほぼ同一であるため、サブ波長構造体の高さを列方向の高さで代表する。但し、構造体３が凹部である場合、上記式（１）における構造体の高さＨは、構造体の深さＨとする。
【００５１】
同一トラック内における構造体３の配置ピッチをＰ１、隣接する２つのトラック間における構造体３の配置ピッチをＰ２としたとき、比率Ｐ１／Ｐ２が、１．００≦Ｐ１／Ｐ２≦１．１、または１．００＜Ｐ１／Ｐ２≦１．１の関係を満たすことが好ましい。このような数値範囲にすることで、楕円錐または楕円錐台形状を有する構造体３の充填率を向上することができるので、反射防止特性を向上することができる。
【００５２】
基体表面における構造体３の充填率は、１００％を上限として、６５％以上、好ましくは７３％以上、より好ましくは８６％以上の範囲内である。充填率をこのような範囲にすることで、反射防止特性を向上することができる。充填率を向上させるためには、隣接する構造体３の下部同士を接合もしくは重ね合わせる、または構造体底面の楕円率を調整などして構造体３に歪みを付与することが好ましい。
【００５３】
ここで、構造体３の充填率（平均充填率）は以下のようにして求めた値である。
まず、反射防止機能付光学素子１の表面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ：Scanning Electron Microscope）を用いてＴｏｐ  Ｖｉｅｗで撮影する。次に、撮影したＳＥＭ写真から無作為に単位格子Ｕｃを選び出し、その単位格子Ｕｃの配置ピッチＰ１、およびトラックピッチＴｐを測定する（図３Ｂ参照）。また、その単位格子Ｕｃの中央に位置する構造体３の底面の面積Ｓを画像処理により測定する。次に、測定した配置ピッチＰ１、トラックピッチＴｐ、および底面の面積Ｓを用いて、以下の式（３）より充填率を求める。
充填率＝（Ｓ（hex.）／Ｓ（unit））×１００  ・・・（３）
単位格子面積：Ｓ（unit）＝Ｐ１×２Ｔｐ
単位格子内に存在する構造体の底面の面積：Ｓ（hex.）＝２Ｓ
【００５４】
上述した充填率算出の処理を、撮影したＳＥＭ写真から無作為に選び出された１０箇所の単位格子について行う。そして、測定値を単純に平均（算術平均）して充填率の平均率を求め、これを基体表面における構造体３の充填率とする。
【００５５】
構造体３が重なっているときや、構造体３の間に突出部４などの副構造体があるときの充填率は、構造体３の高さに対して５％の高さに対応する部分を閾値として面積比を判定する方法で充填率を求めることができる。
【００５６】
構造体３が、その下部同士を重ね合うようにして繋がっていることが好ましい。具体的には、隣接関係にある構造体３の一部または全部の下部同士が重なり合っていることが好ましく、トラック方向、θ方向、またはそれら両方向において重なり合っていることが好ましい。このように構造体３の下部同士を重なり合わせることで、構造体３の充填率を向上することができる。構造体同士は、屈折率を考慮した光路長で使用環境下の光の波長帯域の最大値の１／４以下の部分で重なり合っていることが好ましい。これにより、優れた反射防止特性を得ることができるからである。
【００５７】
配置ピッチＰ１に対する径２ｒの比率（（２ｒ／Ｐ１）×１００）が、８５％以上、好ましくは９０％以上、より好ましくは９５％以上である。このような範囲にすることで、構造体３の充填率を向上し、反射防止特性を向上できるからである。比率（（２ｒ／Ｐ１）×１００）が大きくなり、構造体３の重なりが大きくなりすぎると反射防止特性が低減する傾向にある。したがって、屈折率を考慮した光路長で使用環境下の光の波長帯域の最大値の１／４以下の部分で構造体同士が接合されるように、比率（（２ｒ／Ｐ１）×１００）の上限値を設定することが好ましい。ここで、配置ピッチＰ１は、図３Ｂに示すように、構造体３のトラック方向の配置ピッチであり、径２ｒは、図３Ｂに示すように、構造体底面のトラック方向の径である。なお、構造体底面が円形である場合、径２ｒは直径となり、構造体底面が楕円形である場合、径２ｒは長径となる。
【００５８】
（撮像光学系）
図５Ａは、図２に示した撮像光学系の一部を拡大して示す略線図である。図６Ａは、図５Ａに示した撮像光学系を光線Ｌ0が入射する側から見た略線図である。図６Ｂは、図６Ａに示した撮像光学系が有する反射防止機能付光学素子の一部を拡大して表す拡大図である。図５Ａ中、光線Ｌ0は被写体からの主光線を表し、光線Ｌminは反射防止機能付光学素子１に対する入射角が最も小さい光線を表し、光線Ｌmaxは、反射防止機能付光学素子１に対する入射角が最も大きい光線を表している。また、矩形状の撮像領域Ａ1の長辺に平行な方向をＸ軸方向、短辺に平行な方向をＹ軸方向と定義する。また、撮像素子１１２の撮像面に垂直な方向にＺ軸方向と定義する。
【００５９】
反射防止機能付光学素子１の入射面は、入射光を散乱し、散乱光Ｌｓを発生させる１または２以上の区画を有する。散乱光Ｌｓのうち撮像領域Ａ1に到達する成分の総和が、撮像領域の外側の領域Ａ2に到達する成分の総和より小さいことが好ましい。これにより、撮像画像に対する輝線ノイズの発生を抑制することができる。
【００６０】
輝線ノイズの発生を抑制する観点からすると、撮像領域Ａ1における散乱光Ｌｓの強度分布の最大値が、撮像領域Ａ1の外側の領域Ａ2における散乱光Ｌｓの強度分布の最大値より小さいことが好ましい。
【００６１】
散乱光Ｌｓは、図５Ａに示すように、Ｘ軸方向にはほとんど広がらず、撮像素子１１２の撮像面を含む平面に到達する。したがって、散乱光Ｌｓの強度分布は、主としてＹ軸方向にのみ変化する。すなわち、散乱光Ｌｓの強度分布は、Ｘ軸方向とＹ軸方向で異なり、異方性を有している。本明細書において、強度分布とは、Ｙ軸方向の強度分布を意味するものとする。
【００６２】
反射防止機能付光学素子１の表面に入射する入射光の強度の合計Ｉａに対する、反射防止機能付光学素子１の表面により散乱される散乱光Ｌｓの強度Ｉｂの合計の割合（Ｉｂ／Ｉａ）が、好ましくは１／５００未満、より好ましくは１／５０００以下、さらに好ましくは１／１０5以下の範囲内である。割合（Ｉｂ／Ｉａ）を１／５００未満とすることで、線状の輝線ノイズの発生を抑制することができる。
【００６３】
図５Ｂは、図５Ａに示した撮像光学系の開口数ＮＡの定義を説明するための略線図である。ここでは、図５Ｂに示すように、反射防止機能付光学素子１および撮像素子１１２の光軸を光軸ｌ、反射防止機能付光学素子１の入射面にて散乱した散乱光Ｌｓの方向を散乱方向ｓ、光軸ｌの方向と散乱光Ｌｓの方向とがなす角を角度δ、開口数ＮＡをｎｓｉｎδ（ｎ：反射防止機能付光学素子１と撮像素子１１２との間の媒質（例えば空気）の屈折率）と定義する。
【００６４】
異方性を有する散乱光Ｌｓの強度分布は、開口数ＮＡによって異なっている。この場合、散乱光の強度分布の単位立体角当たりの強度が、開口数ＮＡ＞０．８の範囲よりも開口数ＮＡ≦０．８の範囲にて小さいことが好ましい。撮像素子１１２の撮像領域Ａ1に到達する散乱光Ｌｓの光量を低減することができるからである。
【００６５】
図６Ａに示すように、撮像領域Ａ1が、例えば、対向する二組の辺、すなわち一組の短辺と一組の長辺とを有する矩形状を有している。この場合、構造体３のトラック方向ａと、２組の辺のうちの一方の組の辺である長辺の延在方向（Ｘ軸方向）とが平行であることが好ましい。これにより、撮像領域Ａ1の幅の狭い短辺の延在方向（Ｙ軸方向）に向かって、光軸ｌから遠ざかるように散乱光Ｌｓを散乱することができるので、撮像素子１１２の撮像領域Ａ1に到達する散乱光Ｌｓの光量を低減することができる。
【００６６】
上述したように、構造体３のトラック方向ａと、撮像領域Ａ1の長辺の延在方向（Ｘ軸方向）とが平行の関係を有する場合、図６Ｂに示すように、（ａ）構造体３を長軸と短軸とを持つ楕円形状の底面を有する錐体とし、（ｂ）その底面の長軸の方向をトラック方向ａと一致させることが好ましい。（ａ）構造体３を長軸と短軸とを持つ楕円形状の底面を有する錐体とすることで、構造体３の底面を円形状などの底面とした場合に比して、トラックピッチＴｐを狭くすることができる。これにより、構造体３の底面を円形状などの底面とした場合に比して、輝点などの光源からの光線Ｌ0を光軸ｌから、より遠ざかるように散乱させることができる。（ｂ）構造体３の底面の長軸の方向をトラック方向ａと一致させることで、輝点などの光源からの光線Ｌ0を撮像領域Ａ1の幅の狭い短辺の延在方向（Ｙ軸方向）に向かって散乱させることができる。したがって、上述の構成（ａ）と構成（ｂ）との組合せにより、輝点などの光源からの光線Ｌ0を、光軸ｌからＹ軸方向に向かって、構造体３の底面を円形状などの底面とした場合に比して遠ざかるように散乱させることができる。したがって、撮像素子１１２の撮像領域Ａ1に到達する散乱光Ｌｓの光量をさらに低減することができる。
【００６７】
［ロールマスタの構成］
図７Ａは、ロール原盤の構成の一例を示す斜視図である。図７Ｂは、図７Ａに示したロール原盤の一部を拡大して表す平面図である。図７Ｃは、図４ＢのトラックＴにおける断面図である。ロール原盤１１は、上述した基体表面に複数の構造体３を成形するための原盤である。ロール原盤１１は、例えば、円柱状または円筒状の形状を有し、その円柱面または円筒面が基体表面に複数の構造体３を成形するための成形面とされる。この成形面には複数の構造体１２が２次元配列されている。構造体１２は、例えば、成形面に対して凹状を有している。ロール原盤１１の材料としては、例えばガラスを用いることができるが、この材料に特に限定されるものではない。
【００６８】
ロール原盤１１の成形面に配置された複数の構造体１２と、上述の半透過型ミラー２の表面に配置された複数の構造体３とは、反転した凹凸関係にある。すなわち、ロール原盤１１の構造体１２の形状、配列、配置ピッチなどは、半透過型ミラー２の構造体３と同様である。
【００６９】
［露光装置の構成］
図８は、ロール原盤を作製するためのロール原盤露光装置の構成の一例を示す概略図である。このロール原盤露光装置は、光学ディスク記録装置をベースとして構成されている。
【００７０】
レーザー光源２１は、記録媒体としてのロール原盤１１の表面に着膜されたレジストを露光するための光源であり、例えば波長λ＝２６６ｎｍの記録用のレーザー光１４を発振するものである。レーザー光源２１から出射されたレーザー光１４は、平行ビームのまま直進し、電気光学素子（ＥＯＭ：Electro Optical Modulator）２２へ入射する。電気光学素子２２を透過したレーザー光１４は、ミラー２３で反射され、変調光学系２５に導かれる。
【００７１】
ミラー２３は、偏光ビームスプリッタで構成されており、一方の偏光成分を反射し他方の偏光成分を透過する機能をもつ。ミラー２３を透過した偏光成分はフォトダイオード２４で受光され、その受光信号に基づいて電気光学素子２２を制御してレーザー光１４の位相変調を行う。
【００７２】
変調光学系２５において、レーザー光１４は、集光レンズ２６により、ガラス（ＳｉＯ2）などからなる音響光学素子（ＡＯＭ：Acousto-Optic Modulator）２７に集光される。レーザー光１４は、音響光学素子２７により強度変調され発散した後、レンズ２８によって平行ビーム化される。変調光学系２５から出射されたレーザー光１４は、ミラー３１によって反射され、移動光学テーブル３２上に水平かつ平行に導かれる。
【００７３】
移動光学テーブル３２は、ビームエキスパンダ３３、および対物レンズ３４を備えている。移動光学テーブル３２に導かれたレーザー光１４は、ビームエキスパンダ３３により所望のビーム形状に整形された後、対物レンズ３４を介して、ロール原盤１１上のレジスト層へ照射される。ロール原盤１１は、スピンドルモータ３５に接続されたターンテーブル３６の上に載置されている。そして、ロール原盤１１を回転させるとともに、レーザー光１４をロール原盤１１の高さ方向に移動させながら、レジスト層へレーザー光１４を間欠的に照射することにより、レジスト層の露光工程が行われる。形成された潜像は、円周方向に長軸を有する略楕円形になる。レーザー光１４の移動は、移動光学テーブル３２の矢印Ｒ方向への移動によって行われる。
【００７４】
露光装置は、図５Ｂに示した六方格子または準六方格子の２次元パターンに対応する潜像をレジスト層に形成するための制御機構３７を備えている。制御機構３７は、フォマッター２９とドライバ３０とを備える。フォマッター２９は、極性反転部を備え、この極性反転部が、レジスト層に対するレーザー光１４の照射タイミングを制御する。ドライバ３０は、極性反転部の出力を受けて、音響光学素子２７を制御する。
【００７５】
このロール原盤露光装置では、２次元パターンが空間的にリンクするように１トラック毎に極性反転フォマッター信号と回転コントロラーを同期させて信号を発生し、音響光学素子２７により強度変調している。角速度一定（ＣＡＶ）で適切な回転数と適切な変調周波数と適切な送りピッチでパターニングすることにより、六方格子または準六方格子パターンを記録することができる。
【００７６】
［反射防止機能付光学素子の製造方法］
次に、図９Ａ〜図１０Ｃを参照しながら、本技術の第１の実施形態に係る反射防止機能付光学素子１の製造方法について説明する。
【００７７】
（レジスト成膜工程）
まず、図９Ａに示すように、円柱状または円筒状のロール原盤１１を準備する。このロール原盤１１は、例えばガラス原盤である。次に、図９Ｂに示すように、ロール原盤１１の表面にレジスト層１３を形成する。レジスト層１３の材料としては、例えば有機系レジスト、および無機系レジストのいずれを用いてもよい。有機系レジストとしては、例えばノボラック系レジストや化学増幅型レジストを用いることができる。また、無機系レジストとしては、例えば、１種または２種以上含む金属化合物を用いることができる。
【００７８】
（露光工程）
次に、図９Ｃに示すように、ロール原盤１１の表面に形成されたレジスト層１３に、レーザー光（露光ビーム）１４を照射する。具体的には、図８に示したロール原盤露光装置のターンテーブル３６上に載置し、ロール原盤１１を回転させると共に、レーザー光（露光ビーム）１４をレジスト層１３に照射する。このとき、レーザー光１４をロール原盤１１の高さ方向ａ（円柱状または円筒状のロール原盤１１の中心軸に平行な方向）に移動させながら、レーザー光１４を間欠的に照射することで、レジスト層１３を全面にわたって露光する。これにより、レーザー光１４の軌跡に応じた潜像１５が、例えば可視光波長と同程度のピッチでレジスト層１３の全面にわたって形成される。この露光工程において、レーザー光１４の照射上の問題により、トラックピッチＴｐに変動が生じる。この変動を輝線ノイズの発生が無くなる程度、または気にならない程度に低減することは困難である。
【００７９】
潜像１５は、例えば、ロール原盤表面において複数列のトラックをなすように配置されるとともに、六方格子パターンまたは準六方格子パターンを形成する。潜像１５は、例えば、トラックの延在方向に長軸方向を有する楕円形状である。
【００８０】
（現像工程）
次に、例えば、ロール原盤１１を回転させながら、レジスト層１３上に現像液を滴下して、レジスト層１３を現像処理する。これにより、図９Ｄに示すように、レジスト層１３に複数の開口部が形成される。レジスト層１３をポジ型のレジストにより形成した場合には、レーザー光１４で露光した露光部は、非露光部と比較して現像液に対する溶解速度が増すので、図９Ｄに示すように、潜像（露光部）１６に応じたパターンがレジスト層１３に形成される。開口部のパターンは、例えば六方格子パターンまたは準六方格子パターンなどの所定の格子パターンである。
【００８１】
（エッチング工程）
次に、ロール原盤１１の上に形成されたレジスト層１３のパターン（レジストパターン）をマスクとして、ロール原盤１１の表面をエッチング処理する。これにより、図１０Ａに示すように、トラックの延在方向に長軸方向をもつ楕円錐形状または楕円錐台形状の凹部、すなわち構造体１２を得ることができる。エッチングとしては、例えばドライエッチング、ウエットエッチングを用いることができる。このとき、エッチング処理とアッシング処理とを交互に行うことにより、例えば、錐体状の構造体１２のパターンを形成することができる。
以上により、目的とするロール原盤１１が得られる。
【００８２】
（転写工程）
次に、図１０Ｂに示すように、ロール原盤１１と、半透過型ミラー２上に塗布された転写材料１６とを密着させた後、紫外線などのエネルギー線をエネルギー線源１７から転写材料１６に照射して転写材料１６を硬化させた後、硬化した転写材料１６と一体となった半透過型ミラー２を剥離する。これにより、図１０Ｃに示すように、複数の構造体３を基体表面に有する反射防止機能付光学素子１が作製される。次に、反射防止機能付光学素子１を所望とする大きさに切り出すようにしてもよい。
【００８３】
エネルギー線源１７としては、電子線、紫外線、赤外線、レーザー光線、可視光線、電離放射線（Ｘ線、α線、β線、γ線など）、マイクロ波、または高周波などエネルギー線を放出可能なものであればよく、特に限定されるものではない。
【００８４】
転写材料１６としては、エネルギー線硬化性樹脂組成物を用いることが好ましい。エネルギー線硬化性樹脂組成物としては、紫外線硬化性樹脂組成物を用いることが好ましい。エネルギー線硬化性樹脂組成物が、必要に応じてフィラーや機能性添加剤などを含んでいてもよい。
【００８５】
紫外線硬化性樹脂組成物は、例えばアクリレートおよび開始剤を含んでいる。紫外線硬化性樹脂組成物は、例えば、単官能モノマー、二官能モノマー、多官能モノマーなどを含み、具体的には、以下に示す材料を単独または、複数混合したものである。
【００８６】
単官能モノマーとしては、例えば、カルボン酸類（アクリル酸）、ヒドロキシ類（２−ヒドロキシエチルアクリレート、２−ヒドロキシプロピルアクリレート、４−ヒドロキシブチルアクリレート）、アルキル、脂環類（イソブチルアクリレート、ｔ−ブチルアクリレート、イソオクチルアクリレート、ラウリルアクリレート、ステアリルアクリレート、イソボニルアクリレート、シクロヘキシルアクリレート）、その他機能性モノマー（２−メトキシエチルアクリレート、メトキシエチレンクリコールアクリレート、２−エトキシエチルアクリレート、テトラヒドロフルフリルアクリレート、ベンジルアクリレート、エチルカルビトールアクリレート、フェノキシエチルアクリレート、Ｎ，Ｎ-ジメチルアミノエチルアクリレート、Ｎ，Ｎ-ジメチルアミノプロピルアクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアクリルアミド、アクリロイルモルホリン、Ｎ−イソプロピルアクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアクリルアミド、Ｎ−ビニルピロリドン、２−（パーフルオロオクチル）エチル  アクリレート、３−パーフルオロヘキシル−２−ヒドロキシプロピルアクリレート、３−パーフルオロオクチルー２−ヒドロキシプロピル  アクリレート、２−（パーフルオロデシル）エチル  アクリレート、２−（パーフルオロー３−メチルブチル）エチル  アクリレート）、２，４，６−トリブロモフェノールアクリレート、２，４，６−トリブロモフェノールメタクリレート、２−（２，４，６−トリブロモフェノキシ）エチルアクリレート）、２−エチルヘキシルアクリレートなどを挙げることができる。
【００８７】
二官能モノマーとしては、例えば、トリ（プロピレングリコール）ジアクリレート、トリメチロールプロパン  ジアリルエーテル、ウレタンアクリレートなどを挙げることができる。
【００８８】
多官能モノマーとしては、例えば、トリメチロールプロパントリアクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ及びヘキサアクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラアクリレートなどを挙げることができる。
【００８９】
開始剤としては、例えば、２，２−ジメトキシ−１，２−ジフェニルエタン−１−オン、１−ヒドロキシ−シクロヘキシルフェニルケトン、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニルプロパン−１−オンなどを挙げることができる。
【００９０】
フィラーとしては、例えば、無機微粒子および有機微粒子のいずれも用いることができる。無機微粒子としては、例えば、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、ＺｒＯ2、ＳｎＯ2、Ａｌ2Ｏ3などの金属酸化物微粒子を挙げることができる。
【００９１】
機能性添加剤としては、例えば、レベリング剤、表面調整剤、消泡剤などを挙げることができる。半透過型ミラー２の材料としては、例えば、メチルメタクリレート（共）重合体、ポリカーボネート、スチレン（共）重合体、メチルメタクリレート−スチレン共重合体、セルロースジアセテート、セルローストリアセテート、セルロースアセテートブチレート、ポリエステル、ポリアミド、ポリイミド、ポリエーテルスルフォン、ポリスルフォン、ポリプロピレン、ポリメチルペンテン、ポリ塩化ビニル、ポリビニルアセタール、ポリエーテルケトン、ポリウレタン、ガラスなどが挙げられる。
【００９２】
半透過型ミラー２の成形方法は特に限定されず、射出成形体でも押し出し成形体でも、キャスト成形体でもよい。必要に応じて、コロナ処理などの表面処理を基体表面に施すようにしてもよい。
以上により、目的とする反射防止機能付光学素子１が得られる。
【００９３】
＜２．第２の実施形態＞
［反射防止機能付光学素子の構成］
図１１Ａは、本技術の第２の実施形態に係る反射防止機能付光学素子の構成の一例を示す平面図である。図１１Ｂは、図１１Ａに示した反射防止機能付光学素子の一部を拡大して表す平面図である。図１１Ｃは、図１１ＢのトラックＴにおける断面図である。
【００９４】
第２の実施形態に係る反射防止機能付光学素子１は、複数の構造体３が、隣接する３列のトラックＴ間において四方格子パターンまたは準四方格子パターンをなしている点において、第１の実施形態のものとは異なっている。
【００９５】
ここで、四方格子とは、正四角形状の格子のことをいう。準四方格子とは、正四角形状の格子とは異なり、歪んだ正四角形状の格子のことをいう。例えば、構造体３が直線上に配置されている場合には、準四方格子とは、正四角形状の格子を直線状の配列方向（トラック方向）に引き伸ばして歪ませた四方格子のことをいう。構造体３が蛇行して配列されている場合には、準四方格子とは、正四角形状の格子を構造体３の蛇行配列により歪ませた四方格子をいう。または、正四角形状の格子を直線状の配列方向（トラック方向）に引き伸ばして歪ませ、かつ、構造体３の蛇行配列により歪ませた四方格子のことをいう。
【００９６】
同一トラック内における構造体３の配置ピッチＰ１は、隣接する２つのトラック間における構造体３の配置ピッチＰ２よりも長いことが好ましい。また、同一トラック内における構造体３の配置ピッチをＰ１、隣接する２つのトラック間における構造体３の配置ピッチをＰ２としたとき、Ｐ１／Ｐ２が１．４＜Ｐ１／Ｐ２≦１．５の関係を満たすことが好ましい。このような数値範囲にすることで、楕円錐または楕円錐台形状を有する構造体３の充填率を向上することができるので、反射防止特性を向上することができる。また、トラックに対して４５度方向または約４５度方向における構造体３の高さまたは深さは、トラックの延在方向における構造体３の高さまたは深さよりも小さいことが好ましい。
【００９７】
トラックの延在方向に対して斜となる構造体３の配列方向（θ方向）の高さＨ２は、トラックの延在方向における構造体３の高さＨ１よりも小さいことが好ましい。すなわち、構造体３の高さＨ１、Ｈ２がＨ１＞Ｈ２の関係を満たすことが好ましい。
【００９８】
構造体３が四方格子または準四方格子パターンを形成する場合には、構造体底面の楕円率ｅは、１４０％≦ｅ≦１８０％であることが好ましい。この範囲にすることで、構造体３の充填率を向上し、優れた反射防止特性を得ることができるからである。
【００９９】
基体表面における構造体３の充填率は、１００％を上限として、６５％以上、好ましくは７３％以上、より好ましくは８６％以上の範囲内である。充填率をこのような範囲にすることで、反射防止特性を向上することができる。
【０１００】
ここで、構造体３の充填率（平均充填率）は以下のようにして求めた値である。
まず、反射防止機能付光学素子１の表面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ：Scanning Electron Microscope）を用いてＴｏｐ  Ｖｉｅｗで撮影する。次に、撮影したＳＥＭ写真から無作為に単位格子Ｕｃを選び出し、その単位格子Ｕｃの配置ピッチＰ１、およびトラックピッチＴｐを測定する（図８Ｂ参照）。また、その単位格子Ｕｃに含まれる４つの構造体３のいずれかの底面の面積Ｓを画像処理により測定する。次に、測定した配置ピッチＰ１、トラックピッチＴｐ、および底面の面積Ｓを用いて、以下の式（４）より充填率を求める。
充填率＝（Ｓ（tetra）／Ｓ（unit））×１００  ・・・（４）
単位格子面積：Ｓ（unit）＝２×（（Ｐ１×Ｔｐ）×（１／２））＝Ｐ１×Ｔｐ
単位格子内に存在する構造体の底面の面積：Ｓ（tetra）＝Ｓ
【０１０１】
上述した充填率算出の処理を、撮影したＳＥＭ写真から無作為に選び出された１０箇所の単位格子について行う。そして、測定値を単純に平均（算術平均）して充填率の平均率を求め、これを基体表面における構造体３の充填率とする。
【０１０２】
配置ピッチＰ１に対する径２ｒの比率（（２ｒ／Ｐ１）×１００）が、６４％以上、好ましくは６９％以上、より好ましくは７３％以上である。このような範囲にすることで、構造体３の充填率を向上し、反射防止特性を向上できるからである。ここで、配置ピッチＰ１は、構造体３のトラック方向の配置ピッチ、径２ｒは、構造体底面のトラック方向の径である。なお、構造体底面が円形である場合、径２ｒは直径となり、構造体底面が楕円形である場合、径２ｒは長径となる。
この第２の実施形態において、上記以外のことは、第１の実施形態と同様である。
【０１０３】
＜３．第３の実施形態＞
図１２Ａは、本技術の第３の実施形態に係る反射防止機能付光学素子の構成の一例を示す平面図である。図１２Ｂは、図１２Ａに示した反射防止機能付光学素子の一部を拡大して表す平面図である。図１２Ｃは、図１２ＢのトラックＴにおける断面図である。
【０１０４】
第３の実施形態に係る反射防止機能付光学素子１は、凹部である構造体３が基体表面に多数配列されている点において、第１の実施形態のものとは異なっている。この構造体３の形状は、第１の実施形態における構造体３の凸形状を反転して凹状としたものである。なお、上述のように構造体３を凹状とした場合、凹状である構造体３の開口部（凹部の入り口部分）を下部、半透過型ミラー２の深さ方向の最下部（凹部の最も深い部分）を頂部と定義する。すなわち、非実体的な空間である構造体３により頂部、および下部を定義する。また、第４の実施形態では、構造体３が凹状であるため、式（１）などにおける構造体３の高さＨは、構造体３の深さＨとなる。
この第３の実施形態において、上記以外のことは、第１の実施形態と同様である。
【０１０５】
＜４．第４の実施形態＞
（第４の実施形態の概要）
第４の実施形態は、以下の検討の結果により案出されたものである。
第１の実施形態において説明したように、本技術者らは、鋭意検討の結果、撮像画像に対する輝線ノイズの発生は、サブ波長構造体の配置ピッチＴｐの変動に起因するものであることを見出すに至った。そこで、本技術者らは、上述の第１の実施形態とは異なる技術により、線状の輝線ノイズの発生を抑制することを検討した。その結果、サブ波長構造体の列に対して垂直な方向に、サブ波長構造体の配置位置を変動させて、輝点などの光源からの光を２次元的に広げて拡散することにより、輝線ノイズの発生を抑制できることを見出すに至った。
【０１０６】
（撮像装置の構成）
本技術の第４の実施形態に係る撮像装置は、反射防止機能付光学素子表面に形成された構造体３の配置形態以外の点では第１の実施形態と同様である。したがって、以下では、構造体３の配置形態について説明する。
【０１０７】
（構造体の配置形態）
図１３Ａは、本技術の第４の実施形態に係る反射防止機能付光学素子表面の一部を拡大して表す平面図である。図１３Ａに示すように、複数の構造体３の中心位置αは、仮想トラックＴｉを基準としてトラック間方向（列間方向）ｂに向けて変動している。このように構造体３の中心位置αを変動させることで、輝点などの光源からの光を２次元的に広げて拡散することができる。したがって、撮像画に対する輝線ノイズの発生を抑制することができる。構造体３の中心位置αの変動は、例えば、規則的または不規則的であり、撮像画に対する輝線ノイズの発生を低減する観点からすると、不規則的であることが好ましい。また、構造体３の充填率を向上させる観点からすると、図１３Ａに示した区画Ｄのように、各仮想トラックＴｉ間において変動の方向を同期させることが好ましい。
【０１０８】
（仮想トラック）
図１３Ｂは、仮想トラックＴｉの定義を説明するための概略図である。仮想トラックＴｉは、構造体３の中心位置αの平均位置から求められる仮想的なトラックであり、具体的には以下のようにして求めることができる。
まず、反射防止機能付光学素子の表面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ：Scanning Electron Microscope）を用いてＴｏｐ  Ｖｉｅｗで撮影する。次に、撮影したＳＥＭ写真から、仮想トラックＴｉを求める構造体３の列を１つ選び出す。次に、選び出した列から１０個の構造体３を無作為に選び出す。次に、構造体３の変動方向ｂに対して垂直な直線Ｌを設定し、この直線Ｌを基準として、選び出した各構造体３の中心位置（Ｃ1、Ｃ2、・・・、Ｃ10）を求める。次に、求めた１０個の構造体３の中心位置を単純に平均（算術平均）して、構造体３の平均中心位置Ｃｍ（＝（Ｃ1＋Ｃ2＋・・・・＋Ｃ10）／１０）を求める。次に、求めた平均中心位置Ｃｍを通り、かつ、直線Ｌと平行な直線を求め、この直線を仮想トラックＴｉとする。なお、原盤作成工程における露光時の問題から、仮想トラックＴｉのトラックピッチＴｐは、図１３Ａに示すように、トラック間で変動している。
【０１０９】
（変動幅）
図１４Ａは、構造体の中心位置の変動幅を説明するための概略図である。トラックピッチＴｐの変動幅ΔＴｐの最大値をΔＴｐmaxとした場合、構造体３の中心位置αの変動幅ΔＡは、ΔＴｐmaxよりも大きいことが好ましい。これにより、線状の輝線ノイズの発生を低減することができる。ここで、構造体３の中心位置αの変動幅ΔＡは、仮想トラックＴｉを基準とした変動幅である。
【０１１０】
（トラックピッチＴｐの最大変動幅ΔＴｐmax）
トラックピッチＴｐの最大変動幅ΔＴｐmaxは、以下のようにして求めることができる。
まず、反射防止機能付光学素子の表面をＳＥＭを用いてＴｏｐ  Ｖｉｅｗで撮影する。次に、撮影したＳＥＭ写真から隣接する構造体３の列を１組選び出す。次に、選び出した一組の構造体３の列それぞれについて仮想トラックＴｉを求める。次に、求めた仮想トラックＴｉ間のトラックピッチＴｐを求める。上述したトラックピッチＴｐを求める処理を、撮影したＳＥＭ写真から無作為に選び出された１０箇所で行う。そして、１０箇所で求めたトラックピッチＴｐを単純に平均（算術平均）して平均トラックピッチＴｐｍを求める。
【０１１１】
次に、上述のようにして求めた平均トラックピッチＴｐｍと、トラックピッチＴｐとの差の絶対値（｜Ｔｐ−Ｔｐｍ｜）を求め、トラックピッチＴｐの変動幅ΔＴｐとする。上述のようにした多数のトラックピッチＴｐの変動幅ΔＴｐを求め、そのうちから最大値を選び出し、最大変動幅ΔＴｐmaxとする。
【０１１２】
（変動割合）
図１４Ｂは、構造体の変動割合を説明するための概略図である。トラック方向ａにおける構造体３の配置ピッチを配置ピッチＰとした場合、構造体３の中心位置αは、線状の輝線ノイズの発生を抑制できるような頻度でトラック間方向ｂに変動していることが好ましい。具体的には、構造体３の中心位置αは、トラック方向ａに対して所定距離（所定周期）ｎＰ（ｎ：自然数、例えばｎ＝５）以下の距離でトラック間方向ｂに変動していることが好ましい。より具体的には、構造体３の中心位置αは、トラック方向ａに対して所定個数ｎ個（ｎ：自然数、例えばｎ＝５）に１個以上の割合でトラック間方向ｂに変動していることが好ましい。
【０１１３】
（構造体の配置形態の例）
図１５Ａは、構造体の配置形態の第１の例を示す模式図である。図１５Ａに示すように、第１の例では、構造体３の中心位置αを蛇行するように変動させている。具体的には、構造体３の中心位置αを、ウォブル（蛇行）したトラック（以下ウォブルトラックという。）Ｔｗ上に配置している。
【０１１４】
各ウォブルトラックＴｗは同期していることが好ましい。このようにウォブルトラックＴｗを同期させることで、（準）四方格子形状または（準）六方格子形状などの単位格子形状を保持し、充填率を高く保つことができる。ウォブルトラックＴｗの波形としては、例えば、サイン波、三角波などを挙げることができるが、これに限定されるものではない。
【０１１５】
ウォブルトラックＴｗの周期Ｔおよび振幅Ａは、規則的または不規則的とすることができ、線状の輝線ノイズの発生の低減の観点からすると、図１５Ｂに示すように、周期Ｔおよび振幅Ａの少なくとも一方を不規則とすることが好ましく、両者を不規則とすることがより好ましい。なお、ウォブルトラックＴｗの振幅Ａの変動は周期単位に限定されるものではなく、一周期内で振幅Ａが変動するようにしてもよい。
【０１１６】
図１５Ｃは、構造体の配置形態の第２の例を示す模式図である。図１５Ｃの区画Ｓ１に示すように、第２の例では、個々の構造体３の中心位置αを独立に、仮想トラックＴｉを基準としてトラック間方向ｂに向けて変動させている。また、図１５Ｃの区画Ｓ２に示すように、トラック方向ａに隣接する所定個数の構造体３によりブロック（構造体群）Ｂを構成し、このブロックＢを１つの変動単位として構造体３の中心位置αを変動させるようにしてもよい。ここで、構造体３の中心位置αの変動は、規則的または不規則的とすることができ、線状の輝線ノイズ発生の低減の観点からすると、不規則的とすることが好ましい。なお、図１５Ｃでは、１つの列内に区画Ｓ１および区画Ｓ２で示す２つの配置形態が混在するする例を示しているが、これらの配置形態は必ずしも混在して使用する必要はなく、いずれか一方の配置形態を用いて反射防止機能付光学素子表面を形成するようにしてもよい。
【０１１７】
（入射光の強度Ｉａに対する散乱光の強度Ｉｂの割合）
反射防止機能付光学素子の表面に入射する入射光の強度Ｉａの合計に対する、反射防止機能付光学素子の表面により散乱される散乱光Ｌｓの強度Ｉｂの合計の割合（Ｉｂ／Ｉａ）が、好ましくは１／５００未満、より好ましくは１／５０００以下、さらに好ましくは１／１０5以下の範囲内である。割合（Ｉｂ／Ｉａ）を１／５００未満とすることで、線状の輝線ノイズの発生を抑制することができる。
【０１１８】
＜５．第５の実施形態＞
（構造体の配置形態）
図１６Ａは、本技術の第５の実施形態に係る反射防止機能付光学素子表面の一部を拡大して表す平面図である。図１６Ａに示すように、第５の実施形態は、同一トラック内における構造体３の配置ピッチＰが、平均配置ピッチＰｍに対して変動している点において、第４の実施形態とは異なっている。
【０１１９】
（変動幅）
図１６Ｂは、構造体の配置ピッチＰの変動幅を説明するための概略図である。トラックピッチＴｐの変動幅ΔＴｐの最大値をΔＴｐmaxとした場合、配置ピッチＰの変動幅ΔＰは、ΔＴｐmaxよりも大きいことが好ましい。これにより、線状の輝線ノイズの発生を低減することができる。ここで、配置ピッチＰの変動幅ΔＰは、平均配置ピッチＰｍを基準とした変動幅である。
【０１２０】
（平均配置ピッチＰｍ）
平均配置ピッチＰｍは、以下のようにして求めることができる。
まず、反射防止機能付光学素子の表面をＳＥＭを用いてＴｏｐ  Ｖｉｅｗで撮影する。次に、撮影したＳＥＭ写真からトラックＴを無作為に１つ選び出す。次に、選び出したトラックＴ上に配置された複数の構造体３から隣接する２つの構造体３を無作為に１組選び出し、トラック方向ａの配置ピッチＰを求める。上述した配置ピッチＰを求める処理を、撮影したＳＥＭ写真から無作為に選び出された１０箇所で行う。そして、１０箇所で求めた配置ピッチＰを単純に平均（算術平均）して平均トラックピッチＰｍを求める。
【０１２１】
＜６．第６の実施形態＞
上述の第１の実施形態では、撮像装置としてデジタルカメラ（デジタルスチルカメラ）に本技術を適用する場合を例として説明したが、本技術の適用例はこれに限定されるものではない。本技術の第６の実施形態では、デジタルビデオカメラに本技術を適用した例について説明する。
【０１２２】
図１７は、本技術の第６の実施形態に係る撮像装置の構成の一例を示す概略図である。図１７に示すように、第６の実施形態に係る撮像装置２０１は、いわゆるデジタルビデオカメラであって、レンズ第１群Ｌ１、レンズ第２群Ｌ２、レンズ第３群Ｌ３、レンズ第４群Ｌ４、固体撮像素子２０２、ローパスフィルタ２０３、フィルタ２０４、モータ２０５、アイリス羽根２０６および電気調光素子２０７を備える。この撮像装置２０１では、レンズ第１群Ｌ１、レンズ第２群Ｌ２、レンズ第３群Ｌ３、レンズ第４群Ｌ４、固体撮像素子２０２、ローパスフィルタ２０３、フィルタ２０４、アイリス羽根２０６および電気調光素子２０７により撮像光学系が構成される。
【０１２３】
レンズ第１群Ｌ１およびレンズ第３群Ｌ３は、固定レンズである。レンズ第２群Ｌ２は、ズーム用レンズである。レンズ第４群は、フォーカス用レンズである。
【０１２４】
固体撮像素子２０２は、入射された光を電気信号に変換し、図示を省略した信号処理部に供給する。この固体撮像素子２０２は、例えば、ＣＣＤ（Charge Coupled Device：電荷結合素子）などである。
【０１２５】
ローパスフィルタ２０３は、例えば、固体撮像素子２０２の前面に設けられる。ローパスフィルタ２０３は、画素ピッチに近い縞模様の像などを撮影した場合に生じる偽信号（モワレ）を抑制するためのものであり、例えば、人工水晶から構成される。
【０１２６】
フィルタ２０４は、例えば、固体撮像素子２０２に入射する光の赤外域をカットするとともに、近赤外域（６３０ｎｍ〜７００ｎｍ）の分光の浮きを抑え、可視域帯（４００ｎｍ〜７００ｎｍ）の光強度を一様にするためのものである。このフィルタ２０４は、例えば、赤外光カットフィルタ（以下、ＩＲカットフィルタ）４ａと、このＩＲカットフィルタ２０４ａ上にＩＲカットコートを積層させて形成されたＩＲカットコート層２０４ｂとから構成される。ここで、ＩＲカットコート層２０４ｂは、例えば、ＩＲカットフィルタ２０４ａの被写体側の面およびＩＲカットフィルタ２０４ａの固体撮像素子２０２側の面の少なくとも一方に形成される。図１７では、ＩＲカットフィルタ２０４ａの被写体側の面にＩＲカットコート層２０４ｂが形成される例が示されている。
【０１２７】
モータ２０５は、図示を省略した制御部から供給された制御信号に基づき、レンズ第４群Ｌ４を移動する。アイリス羽根２０６は、固体撮像素子２０２に入射する光量を調整するためのものであり、図示を省略したモータにより駆動される。
【０１２８】
電気調光素子２０７は、固体撮像素子２０２に入射する光量を調整するためのものである。この電気調光素子２０７は、少なくとも染料系色素を含んだ液晶からなる電気調光素子であり、例えば、２色性ＧＨ液晶からなる電気調光素子である。
【０１２９】
撮像光学系を構成するレンズ第１群Ｌ１、レンズ第２群Ｌ２、レンズ第３群Ｌ３、レンズ第４群Ｌ４、ローパスフィルタ２０３、フィルタ２０４、および電気調光素子２０７のうちの少なくとも１つの光学素子または光学素子群（以下光学部という。）の表面には、複数の構造体が形成されている。それらの構造体の構成、形状および配置形態などは、例えば、上述の第１〜第５のいずれかのものと同様とすることができる。
【０１３０】
具体的には、撮像光学系を構成する光学部のうち、固体撮像素子２０２の手前側（被写体側）に離間して設けられたフィルタ２０４またはレンズ第３群Ｌ３の表面に複数の構造体を形成する場合には、それらの構造体の構成、形状および配置形態などは、上述の第１〜第５のいずれかのものと同様とすることが好ましい。固体撮像素子２０２の手前に離間して設けられたフィルタ２０４およびレンズ第３群Ｌ３以外の光学部の表面に複数の構造体を形成する場合には、それらの構造体の構成、形状および配置形態などは、上述の第４または第５のものと同様とすることが好ましい。特に固体撮像素子２０２の手前に隣接して設けられたローパスフィルタ２０３の表面に複数の構造体を形成する場合には、それらの構造体の構成、形状および配置形態などは、上述の第４または第５のものと同様とすることが好ましい。
【０１３１】
（本技術の構成）
なお、本技術は以下のような構成も取ることができる。
（１）表面を有する基体と、
前記基体の表面に形成された複数のサブ波長構造体と
を備え、
前記複数のサブ波長構造体は、前記表面において複数の例を形成し、
前記サブ波長構造体の中心位置が、列間方向に向けて変動している光学素子。
ここで、光学素子は、反射防止機能を有する光学素子である。基体は、サブ波長構造体により反射防止機能を付与する光学素子本体である。光学素子本体としては、例えば、レンズ、フィルタ、半透過型ミラー、調光素子、プリズム、偏光素子などが挙げられるが、これに限定されるものではない。
（２）前記変動が不規則的な変動である前記（１）記載の光学素子。
（３）列間ピッチの変動幅ΔＴｐの最大値をΔＴｐmaxとした場合、前記サブ波長構造体の中心位置が、列間方向に向けてΔＴｐmaxよりも大きな大きさで変動している前記（１）または（２）に記載の光学素子。
（４）前記列が蛇行している前記（１）または（２）に記載の光学素子。
（５）前記列の蛇行の周期および振幅の少なくとも一方が、不規則である前記（４）に記載の光学素子。
（６）前記サブ波長構造体の個々の中心位置が独立に、列間方向に向けて変動している前記（１）または（２）に記載の光学素子。
（７）前記列方向に隣接する前記サブ波長構造体がブロックを形成し、該ブロックを単位として前記サブ波長構造体の中心位置が列間方向に向けて変動している前記（１）または（２）に記載の光学素子。
【０１３２】
（８）表面を有する基体と、
前記基体の表面に形成された複数のサブ波長構造体と
を備え、
前記複数のサブ波長構造体は、前記表面において複数の例を形成し、
同一列内における前記サブ波長構造体の配置ピッチＰが、平均配置ピッチＰｍに対して変動している光学素子。
（９）前記変動が、不規則的な変動である前記（８）記載の光学素子。
（１０）前記列間ピッチの変動幅の最大値をΔＴｐmaxとした場合、前記平均配置ピッチＰｍに対する前記配置ピッチＰの変動幅ΔＰが、ΔＴｐmaxよりも大きな大きさで変動している前記（８）または（９）に記載の光学素子。
（１１）前記サブ波長構造体の個々の配置ピッチＰが独立に、列方向に向けて変動している前記（８）または（９）に記載の光学素子。
（１２）前記列方向に隣接する前記サブ波長構造体がブロックを形成し、該ブロックを単位として前記サブ波長構造体の配置ピッチＰが列方向に向けて変動している前記（８）または（９）に記載の光学素子。
【０１３３】
（１３）複数のサブ波長構造体が形成された表面を有する１または２以上の光学素子を備え、
前記光学素子は、
表面を有する基体と、
前記基体の表面に形成された複数のサブ波長構造体と
を備え、
前記複数のサブ波長構造体は、前記表面において複数の例を形成し、
前記サブ波長構造体の中心位置が、列間方向に向けて変動している光学系。
（１４）前記変動が不規則的な変動である（１３）記載の光学系。
（１５）前記列間ピッチの変動幅ΔＴｐの最大値をΔＴｐmaxとした場合、前記サブ波長構造体の中心位置が、列間方向に向けてΔＴｐmaxよりも大きな大きさで変動している前記（１３）または（１４）に記載の光学系。
（１６）前記列が蛇行している前記（１３）または（１４）に記載の光学系。
（１７）前記列の蛇行の周期および振幅の少なくとも一方が、不規則である前記（１６）に記載の光学系。
（１８）前記サブ波長構造体の個々の中心位置が独立に、列間方向に向けて変動している前記（１３）または（１４）に記載の光学系。
（１９）前記列方向に隣接する前記サブ波長構造体がブロックを形成し、該ブロックを単位として前記サブ波長構造体の中心位置が列間方向に向けて変動している前記（１３）または（１４）に記載の光学系。
（２０）前記光学素子を介して光を受光する撮像素子をさらに備える前記（１３）〜（１９）のいずれか１項に記載の光学系。
【０１３４】
（２１）複数のサブ波長構造体が形成された表面を有する１または２以上の光学素子を備え、
前記光学素子は、
表面を有する基体と、
前記基体の表面に形成された複数のサブ波長構造体と
を備え、
同一列内における前記サブ波長構造体の配置ピッチＰが、平均配置ピッチＰｍに対して変動している光学系。
（２２）前記変動が、不規則的な変動である前記（２１）記載の光学系。
（２３）前記列間ピッチの変動幅の最大値をΔＴｐmaxとした場合、前記平均配置ピッチＰｍに対する前記配置ピッチＰの変動幅ΔＰが、ΔＴｐmaxよりも大きな大きさで変動している前記（２１）または（２２）に記載の光学系。
（２４）前記サブ波長構造体の個々の配置ピッチＰが独立に、列方向に向けて変動している前記（２１）または（２２）に記載の光学系。
（２５）前記列方向に隣接する前記サブ波長構造体がブロックを形成し、該ブロックを単位として前記サブ波長構造体の配置ピッチＰが列方向に向けて変動している前記（２１）または（２２）に記載の光学系。
（２６）前記光学素子を介して光を受光する撮像素子をさらに備える前記（２１）〜（２５）のいずれか１項に記載の光学系。
【０１３５】
（２７）前記（１３）〜（２６）のいずれか１項に記載された光学系を備える撮像装置。
（２８）前記（１３）〜（２６）のいずれか１項に記載された光学系を備える光学機器。
【０１３６】
（２９）複数のサブ波長構造体が形成された表面を有し、
前記複数のサブ波長構造体は、前記表面において複数の例を形成し、
前記サブ波長構造体の中心位置が、列間方向に向けて変動している原盤。
（３０）前記変動が不規則的な変動である（２９）記載の原盤。
（３１）前記列間ピッチの変動幅ΔＴｐの最大値をΔＴｐmaxとした場合、前記サブ波長構造体の中心位置が、列間方向に向けてΔＴｐmaxよりも大きな大きさで変動している前記（２９）または（３０）に記載の原盤。
（３２）前記列が蛇行している前記（２９）または（３０）に記載の原盤。
（３３）前記列の蛇行の周期および振幅の少なくとも一方が、不規則である前記（３２）に記載の原盤。
（３４）前記サブ波長構造体の個々の中心位置が独立に、列間方向に向けて変動している前記（２９）または（３０）に記載の原盤。
（３５）前記列方向に隣接する前記サブ波長構造体がブロックを形成し、該ブロックを単位として前記サブ波長構造体の中心位置が列間方向に向けて変動している前記（２９）または（３０）に記載の原盤。
【０１３７】
（３６）複数のサブ波長構造体が形成された表面を有し、
前記複数のサブ波長構造体は、前記表面において複数の例を形成し、
同一列内における前記サブ波長構造体の配置ピッチＰが、平均配置ピッチＰｍに対して変動している原盤。
（３７）前記変動が、不規則的な変動である前記（３６）記載の原盤。
（３８）前記列間ピッチの変動幅の最大値をΔＴｐmaxとした場合、前記平均配置ピッチＰｍに対する前記配置ピッチＰの変動幅ΔＰが、ΔＴｐmaxよりも大きな大きさで変動している前記（３６）または（３７）に記載の原盤。
（３９）前記サブ波長構造体の個々の配置ピッチＰが独立に、列方向に向けて変動している前記（３６）または（３７）に記載の原盤。
（４０）前記列方向に隣接する前記サブ波長構造体がブロックを形成し、該ブロックを単位として前記サブ波長構造体の配置ピッチＰが列方向に向けて変動している前記（３６）または（３７）に記載の原盤。
【実施例】
【０１３８】
以下、実施例により本技術を具体的に説明するが、本技術はこれらの実施例のみに限定されるものではない。
【０１３９】
［トラックピッチと散乱光との関係］
ＲＣＷＡ（Rigorous Coupled Wave Analysis）シミュレーションにより、トラックピッチと散乱光との関係について検討を行った。
【０１４０】
（試験例１−１）
表面に複数のサブ波長構造体が形成された光学素子を想定し、この光学素子に対して点光源からの光が照射された場合における散乱光の強度分布をシミュレーションにより求めた。
以下に、シミュレーションの条件を示す。
サブ波長構造体の配列：四方格子
トラック方向の配置ピッチＰ１：２５０ｎｍ
トラックピッチＴｐ：２００ｎｍ
サブ波長構造体の底面形状：楕円形状
サブ波長構造体の高さ：２００ｎｍ
構造体形状：放物面形状（釣鐘型）
偏光：無偏光
屈折率：１．５
【０１４１】
（試験例１−２）
トラックピッチＴｐを２５０ｎｍとしたこと以外は、試験例１−１の場合と同様にして、散乱光の強度分布をシミュレーションにより求めた。
【０１４２】
図１８Ａは、試験例１−１のシミュレーション結果を示す図である。図１８Ｂは、試験例１−２のシミュレーション結果を示す図である。図１８Ａおよび図１８Ｂでは、縦横軸（ＸＹ軸）：ＮＡ＝±１．５の範囲内における散乱光の強度分布を示しており、強度が大きい位置ほど明るく（白く）表示されている。なお、図１８および図１８の中心（光軸部分）にそれぞれ現れている散乱光の強度が高い部分は、入射光（０次光）の強度を示している。
【０１４３】
上述のシミュレーションの結果から以下のことがわかった。
試験例１−１では、散乱光が光軸から遠ざかっており、試験例１−１で想定した光学素子では、試験例１−２で想定した光学素子と比較して、ＮＡ＜０．８の範囲内において散乱光の強度が小さくなる傾向がある。したがって、試験例１−１の光学素子では、撮像画に画像ノイズ（輝線ノイズ）を低減することができる。
【０１４４】
試験例１−２では、散乱光が光軸近傍に存在しており、ＮＡ＜０．８の範囲において散乱光の強度が大きくなる傾向がある。したがって、試験例１−２の光学素子では、撮像画に画像ノイズ（輝線ノイズ）が発生する。
【０１４５】
以上により、画像ノイズの発生を低減する観点からすると、トラックピッチ（トラック間方向の配置ピッチ）Ｔｐを狭くすることが好ましい。
【０１４６】
［トラックピッチの変動量と散乱光との関係］
ＲＣＷＡ（Rigorous Coupled Wave Analysis）シミュレーションにより、トラックピッチの変動量およびサブ波長構造体の配列形態と散乱光との関係について検討を行った。
【０１４７】
（試験例２−１）
表面に複数のサブ波長構造体が形成された光学素子を想定し、この光学素子に対して点光源からの光が照射された場合における散乱光の強度分布をシミュレーションにより求めた。
以下に、シミュレーションの条件を示す。
サブ波長構造体の配列：四方格子
トラック方向の配置ピッチＰ１：２５０ｎｍ
トラックピッチＴｐの中心値：２５０ｎｍ
トラックピッチＴｐの変動量の最大値：３２ｎｍ
サブ波長構造体の底面形状：楕円形状
サブ波長構造体の高さ：２００ｎｍ
構造体形状：放物面形状（釣鐘型）
偏光：無偏光
屈折率：１．５
【０１４８】
（試験例２−２）
トラックピッチＴｐの変動量の最大値を△Ｔｐ＝８ｎｍとしたこと以外は、試験例２−１の場合と同様にして、散乱光の強度分布をシミュレーションにより求めた。
【０１４９】
（試験例２−３）
トラックピッチＴｐの変動量の最大値を△Ｔｐ＝８ｎｍとするとともに、トラックをウォブルさせたこと以外は、試験例２−１の場合と同様にして、散乱光の強度分布をシミュレーションにより求めた。
【０１５０】
図１９Ａおよび図１９Ｂは、試験例２−１のシミュレーション結果を示す図である。図２０Ａおよび図２０Ｂは、試験例２−２のシミュレーション結果を示す図である。図２１Ａおよび図２１Ｂは、試験例２−３のシミュレーション結果を示す図である。図１９Ａ、図２０Ａおよび図２１Ａでは、縦横軸（ＸＹ軸）：ＮＡ＝±１．５の範囲内における散乱光の強度分布を示している。なお、図１９Ａ、図２０Ａおよび図２１Ａの中心（光軸部分）にそれぞれ現れている散乱光の強度が高い部分は、入射光（０次光）の強度を示している。なお、試験例２−１のヘイズ値は、実測により得られるヘイズ値（モスアイ分のヘイズ値）に近いため、試験例２−１〜試験例２−３のシミュレーションで想定したモデルは、妥当なものであると判断できる。
【０１５１】
試験例２−１〜２−３について、入射光の光量の合計ＩＬａに対する帯状散乱光の光量の合計ＩＬｂの比率（（ＩＬｂ／ＩＬａ）×１００［％］）を以下に示す。
試験例２−１：０．２％（入射光の強度の合計Ｉａに対する散乱光の強度の合計Ｉｂの割合（Ｉｂ／Ｉａ）：１／５００）
試験例２−２：０．０２％（入射光の強度の合計Ｉａに対する散乱光の強度の合計Ｉｂの割合（Ｉｂ／Ｉａ）：１／５０００）
試験例２−３：０．００１％（入射光の強度の合計Ｉａに対する散乱光の強度の合計Ｉｂの割合（Ｉｂ／Ｉａ）：１／１０5）
【０１５２】
上述のシミュレーションの結果から以下のことがわかった。
試験例２−１のシミュレーション結果から、トラックピッチＴｐの変動量ΔＴｐの最大値が大きいと、輝線ノイズが発生することがわかった。
【０１５３】
試験例２−２のシミュレーション結果から、トラックピッチＴｐの変動量ΔＴｐの最大値を小さくすることにより、輝線ノイズの発生を抑制することができ、トラックピッチの変動量を高精度化することによって、輝線ノイズの発生を抑制する効果があることがわかった。
【０１５４】
試験例２−３のシミュレーション結果から、トラックピッチＴｐの変動量ΔＴｐの最大値を小さくするとともに、トラックを非周期的周波数でウォブルさせて変動させることで、輝線ノイズの発生をさらに抑制できることがわかった。
【０１５５】
以上により、輝線ノイズの発生を抑制する観点からすると、入射光の強度に対する散乱光の強度の割合は、好ましくは１／５００未満、より好ましくは１／５０００以下、さらに好ましくは１／１０5以下の範囲内である。
【０１５６】
以上、本技術の実施形態について具体的に説明したが、本技術は、上述の実施形態に限定されるものではなく、本技術の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。
【０１５７】
例えば、本技術の実施形態に係る光学素子は、撮像装置だけではなく、顕微鏡や露光装置などにも適用が可能である。
【０１５８】
また、例えば、上述の実施形態において挙げた構成、方法、工程、形状、材料および数値などはあくまでも例に過ぎず、必要に応じてこれと異なる構成、方法、工程、形状、材料および数値などを用いてもよい。
【０１５９】
また、上述の各実施形態の構成、方法、工程、形状、材料および数値などは、本技術の主旨を逸脱しない限り、互いに組み合わせることが可能である。
【０１６０】
また、上述の実施形態では、撮像装置に本技術を適用する例について説明したが、本技術はこの例に限定されるものではなく、複数のサブ波長構造体が表面（入射面および出射面の少なくとも一方）に形成された光学素子を有する光学系またはそれを備えた光学装置に対して本技術は適用可能である。例えば、本技術は顕微鏡や露光装置などにも適用が可能である。
【０１６１】
また、上述の実施形態では、デジタル式の撮像装置に本技術を適用する場合を例として説明したが、アナログ式の撮像装置に対しても本技術は適用可能である。
【符号の説明】
【０１６２】
１    反射防止機能付光学素子
２    半透過型ミラー
３、１２    構造体
４    基底層
１１    ロール原盤
１３    レジスト層
１４    レーザー光
潜像    １６
１００    撮像装置
１０１    筐体
１０２    撮像光学系
１１１    レンズ
１１２    撮像素子
Ａ1    撮像領域
【図１】
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【図２】
0005760566.tif 000003
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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