(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
可撓性を有しており、互いに積層されている複数の樹脂層と、
前記複数の樹脂層のいずれかに積層されているライン導体と、
前記ライン導体とは異なる積層方向の位置で、前記複数の樹脂層のいずれかに積層されているグランド導体と、
を備える樹脂多層基板、および、
前記樹脂多層基板に対向して配置される他の回路要素、
を備える電子機器であって、
前記樹脂多層基板は、
前記ライン導体の両面に前記グランド導体が対向して構成されているトリプレート線路と、
前記トリプレート線路に接続されており前記ライン導体の片面のみに前記グランド導体が対向して構成され、前記ライン導体の幅が前記トリプレート線路における前記ライン導体の幅よりも広いマイクロストリップ線路と、
を備えており、
前記他の回路要素は、高周波回路を含み、
当該高周波回路は、前記樹脂多層基板の両主面のうちの、前記マイクロストリップ線路における前記ライン導体よりも前記グランド導体が近い位置に配置されている側の主面に対向して配置されている、
電子機器。
【請求項２】
可撓性を有しており、互いに積層されている複数の樹脂層と、
前記複数の樹脂層のいずれかに積層されているライン導体と、
前記ライン導体とは異なる積層方向の位置で、前記複数の樹脂層のいずれかに積層されているグランド導体と、
を備える樹脂多層基板、および、
前記樹脂多層基板に対向して配置される他の回路要素、
を備える電子機器であって、
前記樹脂多層基板は、
前記ライン導体の両面に前記グランド導体が対向して構成されているトリプレート線路と、
前記トリプレート線路に接続されており前記ライン導体の片面のみに前記グランド導体が対向して構成され、前記ライン導体の幅が前記トリプレート線路における前記ライン導体の幅よりも広いマイクロストリップ線路と、
を備えており、
前記他の回路要素は、グランドとして機能する金属体を含み、
当該金属体は、前記樹脂多層基板の両主面のうちの、前記マイクロストリップ線路における前記グランド導体よりも前記ライン導体が近い位置に配置されている側の主面に対向して配置されている、
電子機器。
【請求項３】
前記樹脂多層基板は、前記マイクロストリップ線路における前記ライン導体よりも前記グランド導体が近い位置に配置されている側の主面が、谷折りに折り曲げられている領域を有している、
請求項１または請求項２に記載の電子機器。
【請求項４】
前記樹脂多層基板は、前記マイクロストリップ線路における前記ライン導体よりも前記グランド導体が近い位置に配置されている側の主面が、山折りに折り曲げられている領域を有している、
請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の電子機器。
【請求項５】
可撓性を有しており、互いに積層されている複数の樹脂層と、
前記複数の樹脂層のいずれかに積層されているライン導体と、
前記ライン導体とは異なる積層方向の位置で、前記複数の樹脂層のいずれかに積層されているグランド導体と、
を備える樹脂多層基板、および、
樹脂多層基板に対向して配置される他の回路要素、
を備える電子機器であって、
前記樹脂多層基板は、
前記ライン導体の両面に前記グランド導体が対向して構成されているトリプレート線路と、
前記トリプレート線路に接続されており前記ライン導体の片面のみに前記グランド導体が対向して構成され、前記ライン導体の幅が前記トリプレート線路における前記ライン導体の幅よりも広いマイクロストリップ線路と、
を備えており、
前記樹脂多層基板は、マイクロストリップ線路が設けられている位置に、前記マイクロストリップ線路における前記ライン導体よりも前記グランド導体が近い位置に配置されている側の主面が谷折りに折り曲げられている領域と、前記マイクロストリップ線路における前記グランド導体よりも前記ライン導体が近い位置に配置されている側の主面が谷折りに折り曲げられている領域とを有しており、
前記ライン導体よりも前記グランド導体が近い位置に配置されている側の主面が谷折りに折り曲げられている領域は、前記グランド導体よりも前記ライン導体が近い位置に配置されている側の主面が谷折りに折り曲げられている領域よりも大きな曲率半径を有している、
電子機器。
【請求項６】
前記マイクロストリップ線路は、
前記トリプレート線路を構成するグランド導体の一方と前記ライン導体とが対向する第１のマイクロストリップ線路と、
前記トリプレート線路を構成するグランド導体の他方と前記ライン導体とが対向する第２のマイクロストリップ線路と、を備える、
請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の電子機器。
【請求項７】
前記マイクロストリップ線路が設けられている位置に薄肉部が設けられている、
請求項１乃至請求項６のいずれかに記載の電子機器。
【請求項８】
前記トリプレート線路は、
前記グランド導体の一方が、前記ライン導体に沿って複数の開口が周期的に設けられており、
前記グランド導体の他方が、前記ライン導体の全面に対向して設けられており、
前記ライン導体が、前記開口に対向する位置で周期的に幅が広く成形されており、
前記開口が設けられている前記グランド導体の一方と前記ライン導体との間隔が、前記グランド導体の他方と前記ライン導体との間隔よりも狭いことを特徴とする、
請求項１乃至請求項７のいずれかに記載の電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、信号線路が設けられており、折り曲げて用いられる樹脂多層基板と、樹脂多層基板を備える電子機器とに関する。
【背景技術】
【０００２】
電子機器等で部品を高密度実装するフレキシブル基板や、機器内部で狭隘な隙間などを通して配線を行うフラットケーブルなどの熱可塑性樹脂からなる樹脂多層基板において、高周波信号を伝送する信号線路としてトリプレート線路が設けられることがある。トリプレート線路は、樹脂多層基板にライン導体とグランド導体とを設け、ライン導体よりも幅広なグランド導体を、ライン導体の両面に対向させた信号線路である（例えば、特許文献１参照。）。トリプレート線路は、両側にグランド導体が設けられているため、外部からのノイズに強く、また、不要放射（不要輻射）が生じにくいといった特徴がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１１−７１４０３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
携帯機器等の電子機器では、小型化や薄型化の要求が強く、機器内部の空間を有効利用する必要がある。そこで、携帯機器等では、機器内部の空間形状に沿うように、樹脂多層基板を折り曲げて用いることがある。しかしながら、樹脂多層基板にトリプレート線路が設けられている場合には、トリプレート線路の２つのグランド導体が重なって変形し難くなっているため、樹脂多層基板を折り曲げることが難しい。その上、トリプレート線路が設けられている樹脂多層基板を無理に折り曲げると、２つのグランド導体の一方が他方よりも伸びようとして、グランド導体やその周囲に過度な応力と変形とが加わり、グランド導体の破損や周囲の変形が生じてトリプレート線路の伝送特性が劣化してしまう。【０００５】
本発明の目的は、トリプレート線路が設けられていても折り曲げが容易であり、また、折り曲げても伝送特性の劣化が生じ難い樹脂多層基板、および、電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係る樹脂多層基板は、可撓性を有しており互いに積層されている複数の樹脂層と、前記複数の樹脂層のいずれかに積層されているライン導体と、前記ライン導体とは異なる積層方向の位置で、前記複数の樹脂層のいずれかに積層されているグランド導体と、を備えており、前記ライン導体の両面に前記グランド導体が対向して構成されているトリプレート線路と、前記トリプレート線路に接続されており前記ライン導体の片面のみに前記グランド導体が対向して構成されているマイクロストリップ線路と、を備え、前記マイクロストリップ線路における前記ライン導体の幅は、前記トリプレート線路における前記ライン導体の幅よりも広く、前記マイクロストリップ線路が設けられている位置で折り曲げられることを特徴とする。【０００７】
この構成では、樹脂多層基板が、マイクロストリップ線路が設けられている位置で折り曲げられるので、ライン導体に対向するグランド導体の数が少なく、樹脂多層基板の折り曲げが容易である。さらには、マイクロストリップ線路が設けられている位置で樹脂多層基板が折り曲げられても、グランド導体やその周囲に加わる応力や変形が小さい。その上、マイクロストリップ線路でライン導体の片面側にグランド導体が設けられていなくても、マイクロストリップ線路におけるライン導体の幅が、トリプレート線路におけるライン導体の幅よりも広いので、ライン導体とグランド導体との間の容量がマイクロストリップ線路部分で減少しすぎることを防ぐことができる。【０００８】
上述の樹脂多層基板は、トリプレート線路を構成するグランド導体の一方と前記ライン導体とが対向する第１のマイクロストリップ線路と、トリプレート線路を構成するグランド導体の他方と前記ライン導体とが対向する第２のマイクロストリップ線路と、を備えていてもよい。【０００９】
上述の樹脂多層基板は、前記マイクロストリップ線路が設けられている位置に薄肉部が設けられていてもよい。このように積層体の厚みが薄い薄肉部が設けられていると、樹脂多層基板の折り曲げがさらに容易になり、また、グランド導体の伸びを更に抑えられる。【００１０】
上述のトリプレート線路では、前記グランド導体の一方は、前記ライン導体に沿って複数の開口が周期的に設けられており、前記グランド導体の他方は前記ライン導体の全面に対向して設けられており、前記ライン導体は、前記開口に対向する位置で周期的に幅が広く成形されており、前記開口が設けられている前記グランド導体の一方と前記ライン導体との間隔は、前記グランド導体の他方と前記ライン導体との間隔よりも狭いと好適である。この場合、開口が設けられているグランド導体とライン導体との間隔を狭めて樹脂多層基板を薄型化しても、開口が設けられているグランド導体とライン導体との対向面積が小さいので、特性インピーダンスが低くなりすぎることを抑制できる。さらに、開口と重なる位置のライン導体の幅を広くすることができるので、良好な伝送特性を得ることができる。【００１１】
本発明の電子機器は、上述の樹脂多層基板と、樹脂多層基板の主面に対向する他の回路要素とを備えると好適である。【００１２】
上述の電子機器において、樹脂多層基板は、一方主面が谷折りに折り曲げられている領域を有しており、マイクロストリップ線路は、谷折りに折り曲げられている領域において一方主面の近くにグランド導体が配置されており、他の回路要素は、高周波回路を含み、樹脂多層基板の一方主面側に配置されていてもよい。【００１３】
上述の電子機器において、樹脂多層基板は、一方主面が山折りに折り曲げられている領域を有しており、マイクロストリップ線路は、山折りに折り曲げられている領域において一方主面の近くにグランド導体が配置されており、他の回路要素は、金属体を含み、樹脂多層基板の他方主面側に配置されていてもよい。【００１４】
上述の電子機器において、樹脂多層基板は、一方主面が谷折りに折り曲げられている領域と、一方主面が山折りに折り曲げられている領域と、を有しており、マイクロストリップ線路は、山折りに折り曲げられている領域および谷折りに折り曲げられている領域において他方主面の近くにライン導体が配置されており、山折りに折り曲げられている領域は、谷折りに折り曲げられている領域よりも大きな曲率半径を有していてもよい。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、樹脂多層基板の折り曲げが容易である。また、樹脂多層基板が折り曲げられても、グランド導体やその周囲に応力や変形が加わって伝送特性が劣化する危険性を抑えられる。その上、ライン導体とグランド導体との間の容量がマイクロストリップ線路部分で減少してインピーダンスの不整合が生じ、伝送特性が劣化する危険性を抑えられる。したがって、樹脂多層基板での伝送特性が劣化することを抑制し、厳格な特性設定が要求される用途で樹脂多層基板を用いることが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る樹脂多層基板の斜視図および分解斜視図である。
【図２】本発明の第１の実施形態に係る樹脂多層基板の要部断面図である。
【図３】本発明の第１の実施形態に係る電子機器の側面断面図および平面断面図である。
【図４】本発明の第１の実施形態に係る樹脂多層基板の実装状態を示す要部断面図である。
【図５】本発明の第２の実施形態に係る樹脂多層基板の斜視図および実装状態を示す要部断面図である。
【図６】本発明の第３の実施形態に係る樹脂多層基板の斜視図および実装状態を示す要部断面図である。
【図７】本発明の第４の実施形態に係る樹脂多層基板の要部断面図である。
【図８】樹脂多層基板の他の構成例に係る斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
まず、本発明の第１の実施形態に係る樹脂多層基板について、フラットケーブルを構成する場合を例に説明する。
【００１８】
図１（Ａ）は、本発明の第１の実施形態に係るフラットケーブル１０１の斜視図である。
【００１９】
フラットケーブル１０１は、熱可塑性積層体（以下、単に積層体と称する。）１０２と、レジスト部１０９と、を備えている。積層体１０２は、厚みが１０μｍ〜１００μｍ程度の熱可塑性樹脂層（以下、単に樹脂層と称する。）を厚み方向に多層にわたって積層してなる。熱可塑性樹脂としては、例えばポリイミドや液晶ポリマなどの可撓性と熱可塑性とを有する材料が用いられる。
【００２０】
積層体１０２は、端子部１０３，１０４と線路部１０５とを備えている。端子部１０３および端子部１０４は、厚み方向から平面視して四角形の平板状である。端子部１０３は、線路部１０５の長手方向の一端に接続されている。端子部１０４は、線路部１０５の長手方向の他端に接続されている。線路部１０５は、厚み方向から平面視して端子部１０３と端子部１０４との間を結ぶ方向を長手方向とする帯状であり、端子部１０３，１０４よりも幅が狭く、端子部１０３，１０４と同じ厚みである。レジスト部１０９は、絶縁性を有するレジスト材からなり、端子部１０３，１０４を露出させた状態で、線路部１０５の厚み方向の一方主面を覆っている。
【００２１】
線路部１０５の内部および一方主面には、ここでは図示していないが、トリプレート線路１０６Ａとマイクロストリップ線路１０６Ｂとトリプレート線路１０６Ｃとが設けられている。トリプレート線路１０６Ａは、端子部１０３から線路部１０５に延びている。トリプレート線路１０６Ｃは、端子部１０４から線路部１０５に延びている。マイクロストリップ線路１０６Ｂは、トリプレート線路１０６Ａとトリプレート線路１０６Ｃとの間を接続している。なお、線路部１０５には、トリプレート線路１０６Ａ，１０６Ｃやマイクロストリップ線路１０６Ｂの他に、インダクタやキャパシタを構成する電極などが設けられていてもよい。また、線路部１０５には、何らかの内蔵部品が設けられていてもよい。
【００２２】
図１（Ｂ）は、フラットケーブル１０１の分解斜視図である。
【００２３】
積層体１０２は、樹脂層１１〜１５を備えている。樹脂層１１〜１５は、積層体１０２の一方主面側から順番に並んで積層されている。樹脂層１１〜１４にはビアホールが設けられており、ビアホールの内部にビアホール導体３１，３２，３３，３４が設けられている。
【００２４】
また、樹脂層１１〜１５それぞれの一方主面には、回路パターンが設けられている。各回路パターンは、厚みが１０μｍ〜２０μｍ程度で導電性と延性とが高い銅などの材料からなる。この銅材料としては例えば銅箔が用いられる。
【００２５】
具体的には、樹脂層１５の一方主面には、グランド導体２５Ａ，２５Ｂが設けられている。グランド導体２５Ａは、樹脂層１５でトリプレート線路１０６Ａと端子部１０３とのほぼ全面に設けられている。グランド導体２５Ｂは、樹脂層１５でトリプレート線路１０６Ｃと端子部１０４とのほぼ全面に設けられている。樹脂層１５でマイクロストリップ線路１０６Ｂは、グランド導体２５Ａ，２５Ｂが設けられていない。
【００２６】
樹脂層１４の一方主面には、パッド導体２４が設けられている。パッド導体２４は、樹脂層１４においてトリプレート線路１０６Ａ，１０６Ｃそれぞれで、２列にわたって３つずつ設けられている。各パッド導体２４は、ビアホール導体３４を覆っており、ビアホール導体３４を介して樹脂層１５のグランド導体２５Ａまたはグランド導体２５Ｂに電気的に接続されている。なお、パッド導体２４およびビアホール導体３４の数は任意である。また、パッド導体２４は省略されていてもよい。
【００２７】
樹脂層１３の一方主面には、ライン導体２３Ａとパッド導体２３Ｃとが設けられている。ライン導体２３Ａは、帯状であり、樹脂層１３で端子部１０３から線路部１０５を経由して端子部１０４まで延びている。このライン導体２３Ａは、樹脂層１３でマイクロストリップ線路１０６Ｂに拡幅部２３Ｂを備えている。拡幅部２３Ｂは、フラットケーブル１０１の幅方向の寸法が、ライン導体２３Ａにおける他の領域よりも大きい領域である。
【００２８】
パッド導体２３Ｃは、樹脂層１３においてトリプレート線路１０６Ａ，１０６Ｃそれぞれで、ライン導体２３Ａの両脇それぞれに３つずつ設けられている。各パッド導体２３Ｃは、ビアホール導体３３を覆っており、ビアホール導体３３を介して樹脂層１４のパッド導体２４に電気的に接続されている。なお、パッド導体２３Ｃおよびビアホール導体３３の数は任意である。また、パッド導体２３Ｃは省略されていてもよい。
【００２９】
樹脂層１２の一方主面には、パッド導体２２Ａ，２２Ｂが設けられている。パッド導体２２Ａは、樹脂層１２で端子部１０３，１０４それぞれに１つずつ設けられている。各パッド導体２２Ａは、ビアホール導体３２を覆っており、ビアホール導体３２を介して樹脂層１３のライン導体２３Ａに電気的に接続されている。
【００３０】
パッド導体２２Ｂは、樹脂層１２でトリプレート線路１０６Ａ，１０６Ｃそれぞれで、２列にわたって３つずつ設けられている。各パッド導体２２Ｂは、ビアホール導体３２を覆っており、ビアホール導体３２を介して樹脂層１３のパッド導体２３Ｃに電気的に接続されている。なお、パッド導体２２Ｂおよびビアホール導体３２の数は任意である。また、パッド導体２２Ｂは省略されていてもよい。
【００３１】
樹脂層１１の一方主面には、グランド導体２１Ａとランド導体２１Ｂとが設けられている。グランド導体２１Ａは、樹脂層１１でトリプレート線路１０６Ａ，１０６Ｃとマイクロストリップ線路１０６Ｂとのほぼ全面に設けられている。また、グランド導体２１Ａは、端子部１０３，１０４ではランド導体２１Ｂの周りを、間隔を空けて囲むように設けられている。グランド導体２１Ａは、ビアホール導体３１を介して樹脂層１２のパッド導体２２Ｂに電気的に接続されている。
【００３２】
ランド導体２１Ｂは、樹脂層１１で端子部１０３，１０４それぞれに１つずつ設けられている。各ランド導体２１Ｂは、ビアホール導体３１を覆っており、ビアホール導体３１を介して樹脂層１２のパッド導体２２Ａに電気的に接続されている。
【００３３】
以上の樹脂層１１〜１５が積層された積層体１０２において、端子部１０３，１０４では、グランド導体２１Ａとランド導体２１Ｂとがレジスト部１０９から露出しており、これらが外部接続端子として用いられる。そして、端子部１０３から露出するランド導体２１Ｂと、端子部１０４から露出するランド導体２１Ｂとは、パッド導体２２Ａとライン導体２３Ａとを介して互いに接続されている。また、端子部１０３，１０４から露出するグランド導体２１Ａは、パッド導体２２Ｂとパッド導体２３Ｃとパッド導体２４とを介してグランド導体２５Ａ，２５Ｂに接続されている。なお、端子部１０３，１０４において、グランド導体２１Ａとランド導体２１Ｂと電気的に接続するコネクタが積層体１０２上に実装されていてもよい。
【００３４】
図２は、フラットケーブル１０１における線路部１０５の模式断面図である。
【００３５】
線路部１０５においてトリプレート線路１０６Ａは、ライン導体２３Ａの両面にグランド導体２１Ａ，２５Ａが対向して構成されている。トリプレート線路１０６Ｃは、ライン導体２３Ａの両面にグランド導体２１Ａ，２５Ｂが対向して構成されている。ライン導体２３Ａとグランド導体２１Ａおよびライン導体２３Ａとグランド導体２５Ｂとの距離はほぼ等しい。これらのトリプレート線路１０６Ａ，１０６Ｃは、グランド導体２１Ａとグランド導体２５Ａ，２５Ｂとによって両側が挟まれているために、外部からのノイズに強く、また、不要放射（不要輻射）が生じにくいといった特徴を持っている。
【００３６】
マイクロストリップ線路１０６Ｂは、ライン導体２３Ａの片面のみにグランド導体２１Ａが対向して構成されている。マイクロストリップ線路１０６Ｂでは、ライン導体２３Ａの片面がグランド導体２５Ａ，２５Ｂに対向していないために、ライン導体２３Ａとグランド導体２１Ａとの間にのみ容量が生じる。したがって、この容量が、トリプレート線路１０６Ａやトリプレート線路１０６Ｃでの容量と大きく異なっていれば、トリプレート線路１０６Ａやトリプレート線路１０６Ｃの特性インピーダンス（例えば５０Ω）から、マイクロストリップ線路１０６Ｂの特性インピーダンスが大きくずれてしまう。そして、線路部１０５においてインピーダンスの不整合が生じて、反射や損失が増大し、伝送特性が劣化してしまう。そのため、このマイクロストリップ線路１０６Ｂにおいては、ライン導体２３Ａを拡幅部２３Ｂとして構成し、トリプレート線路１０６Ａ，１０６Ｃよりも線路幅を広くしている。これにより、ライン導体２３Ａとグランド導体との間の容量が、マイクロストリップ線路１０６Ｂで大きく減少して特性インピーダンスが大きく変化することを防ぎ、線路部１０５において伝送特性が劣化することを防いでいる。
【００３７】
ここで、フラットケーブル１０１を電子機器の内部に設ける場合の構成例について説明する。
【００３８】
図３（Ａ）は、フラットケーブル１０１を内設する電子機器１１１を示す側面断面図である。また、図３（Ｂ）は、電子機器１１１を示す平面断面図である。電子機器１１１は、フラットケーブル１０１と、筐体１１２と、他の回路要素である回路基板１１３，１１４と、他の回路要素であるバッテリーモジュール１１５と、を備えている。電子機器１１１は、例えば携帯電話やタブレット型端末である。フラットケーブル１０１と回路基板１１３，１１４とバッテリーモジュール１１５とは、筐体１１２の内部に配置されている。回路基板１１３と回路基板１１４とは、筐体１１２の内部で、それぞれの主面が段違いになるように配置されている。また、バッテリーモジュール１１５は、回路基板１１４の主面に対向して配置されている。
【００３９】
フラットケーブル１０１は、はんだなどの接合部材を用いて端子部１０３を介して回路基板１１３に接続されている。また、フラットケーブル１０１は、はんだなどの接合部材を用いて端子部１０４を介して回路基板１１４に接続されている。これにより、回路基板１１３と回路基板１１４との間を、フラットケーブル１０１によって電気的に接続することができる。
【００４０】
このフラットケーブル１０１は、可撓性を有しており折り曲げて用いることができる。そこで、フラットケーブル１０１の長手方向の中央付近には、曲げ部１０１Ａが設けられている。このように曲げ部１０１Ａが設けられていると、回路基板１１３の主面と回路基板１１４の主面とが段違いに配置されていても、フラットケーブル１０１を配設することが容易である。また、フラットケーブル１０１は、厚みが薄いため、回路基板１１３と筐体１１２との間の隙間や、回路基板１１４とバッテリーモジュール１１５との間の隙間が、同軸ケーブルを配置することができないほど狭くても配置することが容易である。
【００４１】
ここで、電子機器におけるフラットケーブル１０１の実装態様のバリエーションについて説明する。
【００４２】
図４（Ａ）は、フラットケーブル１０１の第１の実装態様を示す拡大断面図である。
【００４３】
ここでは、フラットケーブル１０１は、トリプレート線路１０６Ａおよびトリプレート線路１０６Ｃが平坦な形状を維持し、マイクロストリップ線路１０６Ｂが折り曲がって曲げ部１０１Ａが形成されるように利用されている。曲げ部１０１Ａは、グランド導体２１Ａが設けられている一方主面を谷折りに折り曲がっている。また、フラットケーブル１０１のグランド導体２１Ａが設けられている一方主面側には、前述したような回路基板１１３が配置されている。
【００４４】
マイクロストリップ線路１０６Ｂは、ライン導体２３Ａにグランド導体２１Ａのみが対向しており、グランド導体２５Ａ，２５Ｂがいずれも対向していない構成である。したがって、マイクロストリップ線路１０６Ｂでは対向する導体の数が少なく、フラットケーブル１０１の折り曲げが容易である。
【００４５】
また、この実装態様では、マイクロストリップ線路１０６Ｂの曲げ部１０６Ｂにおいて、ライン導体２３Ａに引張方向の応力が作用し、グランド導体２１Ａに圧縮方向の応力が作用する。これらの応力は対向する導体の間隔が広いほど大きなものになるが、フラットケーブル１０１の折り曲げられる外周側にグランド導体２５Ａ，２５Ｂが配置されていないので、グランド導体２１Ａに生じる応力は、トリプレート線路１０６Ａ，１０６Ｃでフラットケーブル１０１が折り曲げられる場合よりも、小さくなっている。したがって、グランド導体２１Ａや、それらの周囲の樹脂層などに生じる変形も小さく、変形に伴って伝送特性が変動する危険性が少なくなっている。
【００４６】
また、この実装態様では、回路基板１１３がグランド導体２１Ａに対向している。したがって、回路基板１１３から放射される電磁波はグランド導体２１Ａにシールドされ、フラットケーブル１０１におけるノイズとなって伝送特性が劣化する危険性を小さくすることができる。また、マイクロストリップ線路１０６Ｂからは不要放射（不要輻射）が生じるが、回路基板１１３はグランド導体２１Ａを介してマイクロストリップ線路１０６Ｂに対向しているため、マイクロストリップ線路１０６Ｂからの不要放射（不要輻射）の影響を受け難い。したがって、電子機器１１１においては、フラットケーブル１０１を、上述のような実装態様で用いることにより、機器全体としての高周波特性を良好なものにすることができる。
【００４７】
図４（Ｂ）は、フラットケーブル１０１の第２の実装態様を示す拡大断面図である。
【００４８】
ここでは、フラットケーブル１０１は、トリプレート線路１０６Ａおよびトリプレート線路１０６Ｃが平坦な形状を維持し、マイクロストリップ線路１０６Ｂが折り曲がって曲げ部１０１Ｂが形成されるように利用されている。曲げ部１０１Ｂは、グランド導体２１Ａが設けられている一方主面を山折りに折り曲がっている。また、フラットケーブル１０１のグランド導体２１Ａが設けられている一方主面とは反対側の他方主面側には、前述したようなバッテリーモジュール１１５が配置されている。フラットケーブル１０１は、この曲げ部１０１Ｂを設けるように折り曲げることも容易である。
【００４９】
また、この実装態様では、マイクロストリップ線路１０６Ｂの曲げ部１０１Ｂにおいて、ライン導体２３Ａに圧縮方向の応力が作用し、グランド導体２１Ａに引張方向の応力が作用する。この場合にも、グランド導体２１Ａに生じる応力は、トリプレート線路１０６Ａ，１０６Ｃでフラットケーブル１０１が折り曲げられる場合よりも小さく、やはり、グランド導体２１Ａや、その周囲の樹脂層などでの変形に伴って伝送特性が変動する危険性が少なくなっている。その上、線路幅が狭いライン導体２３Ａは、引張方向の応力が作用することで断線する危険性があるが、この実装態様では、ライン導体２３Ａに引張方向の応力が作用し難くなっており、ライン導体２３Ａの断線が生じにくくなっている。
【００５０】
また、この実装態様では、バッテリーモジュール１１５が、マイクロストリップ線路１０６Ｂにおいてグランド導体２５Ａ，２５Ｂの間から覗くライン導体２３Ａに対向している。通常、バッテリーモジュール１１５の外装はグランド導体として機能する金属体からなるので、バッテリーモジュール１１５からの不要放射（不要輻射）や、外部からの電磁波がシールドされる。したがって、この実装態様でも、ノイズや不要放射をシールドし、電子機器１１１において、機器全体としての高周波特性を良好なものにすることができる。
【００５１】
図４（Ｃ）は、フラットケーブル１０１の第３の実装態様を示す拡大断面図である。
【００５２】
ここでは、フラットケーブル１０１は、トリプレート線路１０６Ａおよびトリプレート線路１０６Ｃが平坦な形状を維持し、マイクロストリップ線路１０６Ｂが両方向に折り曲がって曲げ部１０１Ａおよび曲げ部１０１Ｂが形成されるように利用されている。曲げ部１０１Ａはグランド導体２１Ａが設けられている一方主面を谷折りに折り曲がっている。曲げ部１０１Ｂは一方主面を山折りに折り曲がっている。曲げ部１０１Ａにおいて、フラットケーブル１０１のグランド導体２１Ａが設けられている一方主面側には、前述したような回路基板１１３が配置されている。曲げ部１０１Ｂにおいて、フラットケーブル１０１の他方主面側には、前述したようなバッテリーモジュール１１５が配置されている。フラットケーブル１０１は、これらの曲げ部１０１Ａおよび曲げ部１０１Ｂを連続して設けるように折り曲げることも容易である。
【００５３】
この実装態様では、フラットケーブル１０１は、トリプレート線路１０６Ａおよびトリプレート線路１０６Ｃが平坦な形状を維持しており、マイクロストリップ線路１０６Ｂに曲げ部１０１Ａと曲げ部１０１Ｂとが形成されている。このようにマイクロストリップ線路１０６Ｂには、複数の曲げ部１０１Ａ，１０１Ｂを設けることも容易である。また、やはり、グランド導体２１Ａや、その周囲の樹脂層などでの変形に伴って伝送特性が変動する危険性が少なくなっている。また、マイクロストリップ線路１０６Ｂと相互干渉する危険性が比較的少ないバッテリーモジュール１１５を、フラットケーブル１０１のライン導体２３Ａが設けられている一方主面側に対向させ、マイクロストリップ線路１０６Ｂと相互干渉する危険性が大きい回路基板１１３を、フラットケーブル１０１の他方主面側に対向させることで、ノイズや不要放射をシールドし、電子機器１１１において、機器全体としての高周波特性を良好なものにすることができる。
【００５４】
以上の第１〜第３の実装態様で説明したように、本実施形態に係るフラットケーブル１０１は、様々な態様で折り曲げて電子機器に実装することができる。どのような実施態様であっても、トリプレート線路１０６Ａ，１０６Ｃに挿入されているマイクロストリップ線路１０６Ｂでフラットケーブル１０１を折り曲げることが容易になる。そして、マイクロストリップ線路１０６Ｂでフラットケーブル１０１が折り曲げられても、グランド導体やライン導体に過度な応力や変形が生じることが無く、高い信頼性と安定した伝送特性とを実現することができる。その上、マイクロストリップ線路１０６Ｂにおいてライン導体を幅広に構成しているので、マイクロストリップ線路１０６Ｂにおける特性インピーダンスが、トリプレート線路１０６Ａ，１０６Ｃと大きくずれることを防ぎ、良好な伝送特性を実現することができる。
【００５５】
次に、本発明の第２の実施形態に係る樹脂多層基板について、フラットケーブルを構成する場合を例に説明する。
【００５６】
図５（Ａ）は、本発明の第２の実施形態に係るフラットケーブル１５１の斜視図である。以下、第１の実施形態と同様な構成には同じ符号を付している。
【００５７】
このフラットケーブル１５１は、第１の実施形態よりも層数が１層分だけ少ない樹脂層１１，１２，１３，１５を備えており、内部および一方主面には、トリプレート線路１５６Ａとマイクロストリップ線路１０６Ｂとトリプレート線路１５６Ｃとが設けられている。
【００５８】
樹脂層１１の一方主面には、第１の実施形態と同様のグランド導体２１Ａとランド導体２１Ｂとが設けられている。樹脂層１２の一方主面には、第１の実施形態と同様のパッド導体２２Ａ，２２Ｂが設けられている。樹脂層１３の一方主面には、第１の実施形態と形状が異なるライン導体１７３Ａと、第１の実施形態と同様のパッド導体２３Ｃとが設けられている。樹脂層１５の一方主面には、第１の実施形態と形状が異なるグランド導体１７５Ａ，１７５Ｂが設けられている。
【００５９】
グランド導体１７５Ａは、樹脂層１５でトリプレート線路１５６Ａに設けられている。グランド導体１７５Ｂは、樹脂層１５でトリプレート線路１５６Ｃに設けられている。グランド導体１７５Ａ，１７５Ｂには、高周波信号の伝送方向に沿って並ぶように複数の開口部１７５Ｃが形成されている。このため、グランド導体１７５Ａ，１７５Ｂのそれぞれは、平面視してはしご状に成形されている。
【００６０】
なお、開口が設けられていないグランド導体２１Ａは、フラットケーブル１５１の特性インピーダンスの主要部を決定する基準グランド導体として機能する。そして、開口部１７５Ｃが形成されているグランド導体１７５Ａ，１７５Ｂは、フラットケーブル１５１の特性インピーダンスを微調整して、所定の特性インピーダンス（例えば５０Ω）に最終調整する補助グランド導体としての機能を有する。
【００６１】
ライン導体１７３Ａは、樹脂層１３でマイクロストリップ線路１０６Ｂに拡幅部２３Ｂを備えるだけでなく、トリプレート線路１５６Ａ，１５６Ｃに拡幅部１７３Ｃを備えている。拡幅部１７３Ｃは、フラットケーブル１５１の幅方向の寸法が、拡幅部２３Ｂよりも小さく、ライン導体１７３Ａにおける他の領域よりも大きい領域である。
【００６２】
このフラットケーブル１５１では、樹脂層の数が１層分すくなく、全体として薄型に構成されている。具体的には、ライン導体１７３Ａとグランド導体１７５Ａ，１７５Ｂとの間に介在する樹脂層が省かれている。このため、ライン導体１７３Ａとグランド導体１７５Ａ，１７５Ｂとの間の間隔は、ライン導体１７３Ａとグランド導体２１Ａとの間の間隔よりも狭くなっている。したがって、ライン導体１７３Ａとグランド導体１７５Ａ，１７５Ｂとの間に生じる対向面積当たりの容量は、ライン導体１７３Ａとグランド導体２１Ａとの間に生じる対向面積当たりの容量よりも大きくなっている。
【００６３】
そのため、ここではグランド導体１７５Ａ，１７５Ｂに開口部１７５Ｃを設け、ライン導体１７３Ａに拡幅部１７３Ｃを設けている。これにより、ライン導体１７３Ａとグランド導体１７５Ａ，１７５Ｂとの間に生じる容量が、ライン導体１７３Ａとグランド導体２１Ａとの間に生じる容量よりも大きくなることを防いでいる。
【００６４】
このフラットケーブル１５１は、全体として薄型に構成されているために、マイクロストリップ線路１０６Ｂで折曲げることが第１の実施形態よりも更に容易である。そして、マイクロストリップ線路１０６Ｂで折り曲げられる際にグランド導体の近傍に作用する応力や変形も、第１の実施形態よりも更に抑制される。また、ライン導体を適宜幅広に構成することにより、特性インピーダンスが大きくずれることを防ぎ、良好な伝送特性を実現することができる。
【００６５】
ここで、フラットケーブル１５１の電子機器における実装態様の一例について説明する。
【００６６】
図５（Ｂ）は、フラットケーブル１５１の実装態様を示す拡大断面図である。
【００６７】
ここでは、フラットケーブル１５１は、トリプレート線路１０６Ａおよびトリプレート線路１０６Ｃが平坦な形状を維持し、マイクロストリップ線路１０６Ｂが両方向に折り曲がって曲げ部１０１Ａおよび曲げ部１０１Ｂが形成されるように利用されている。曲げ部１０１Ａはグランド導体２１Ａが設けられている一方主面を谷折りに折り曲がっている。曲げ部１０１Ｂは一方主面を山折りに折り曲がっている。曲げ部１０１Ａにおいて、フラットケーブル１５１のグランド導体２１Ａが設けられている一方主面側には、前述したような回路基板１１３が配置されている。曲げ部１０１Ｂにおいて、フラットケーブル１５１の他方主面側には、前述したようなバッテリーモジュール１１５が配置されている。
【００６８】
この実装態様では、曲げ部１０１Ｂにおいて、ライン導体１７３Ａには圧縮方向の応力が作用し易く、グランド導体２１Ａには、引張方向の応力が作用し易い。逆に、曲げ部１０１Ａにおいては、ライン導体１７３Ａには引張方向の応力が作用し易く、グランド導体２１Ａには、圧縮方向の応力が作用し易い。したがってライン導体１７３Ａに引張方向の応力が作用する曲げ部１０１Ａでは、曲げ部１０１Ｂよりもライン導体２３Ａに断線が生じる危険性がより高くなってしまう。このため、ここでは、曲げ部１０１Ａの曲率半径を曲げ部１０１Ｂの曲率半径よりも大きくしている。曲率半径を大きくすることにより、変形量が抑制されてライン導体１７３Ａに作用する応力が低減するため、曲げ部１０１Ａの曲率半径を曲げ部１０１Ｂの曲率半径よりも大きくすることにより、ライン導体２３Ａを断線が生じ難くすることができる。
【００６９】
次に、本発明の第３の実施形態に係る樹脂多層基板について、フラットケーブルを構成する場合を例に説明する。
【００７０】
図６（Ａ）は、本発明の第３の実施形態に係るフラットケーブル２０１の斜視図である。以下、第１の実施形態と同様な構成には同じ符号を付している。
【００７１】
このフラットケーブル２０１は、トリプレート線路１０６Ａとトリプレート線路１０６Ｃとの間に、マイクロストリップ線路２０６Ａ，２０６Ｂが設けられている。
【００７２】
樹脂層１１の一方主面には、第１の実施形態と異なる形状のグランド導体２２１Ａ，２２１Ｂと、第１の実施形態と同様のランド導体２１Ｂとが設けられている。樹脂層１２の一方主面には、第１の実施形態と同様のパッド導体２２Ａ，２２Ｂが設けられている。樹脂層１３の一方主面には、第１の実施形態と形状が異なるライン導体２２３Ａと、第１の実施形態と同様のパッド導体２３Ｃとが設けられている。樹脂層１４の一方主面には、第１の実施形態と同様のパッド導体２４が設けられている。樹脂層１５の一方主面には、第１の実施形態と同様のグランド導体２５Ａと、第１の実施形態と形状が異なるグランド導体２２５Ｂが設けられている。
【００７３】
樹脂層１５において、グランド導体２２５Ｂは、長手方向の寸法が第１の実施形態よりも長く、マイクロストリップ線路２０６Ｂとマイクロストリップ線路２０６Ａとの境界まで延びている。また、樹脂層１１において、グランド導体２２１Ａ，２２１Ｂは、マイクロストリップ線路２０６Ｂとマイクロストリップ線路２０６Ａとの境界で分断されている。グランド導体２２１Ａは、端子部１０３からマイクロストリップ線路２０６Ｂとマイクロストリップ線路２０６Ａとの境界まで延びている。グランド導体２２１Ｂは、端子部１０４からトリプレート線路１０６Ｃとマイクロストリップ線路２０６Ｂとの境界まで延びている。そして、グランド導体２２５Ｂとグランド導体２２１Ａとは、マイクロストリップ線路２０６Ｂとマイクロストリップ線路２０６Ａとの境界において、ビアホール導体を介して接続されている。ライン導体２２３Ａは、マイクロストリップ線路２０６Ｂとマイクロストリップ線路２０６Ａとの境界において、拡幅部２２３Ｂの中頃で一端狭まって成形されており、その両脇にビアホール導体およびパッド電極が形成されている。
【００７４】
このフラットケーブル２０１では、マイクロストリップ線路２０６Ａとマイクロストリップ線路２０６Ｂとで、ライン導体２２３Ａに対向するグランド導体が切り替わっている。このため、フラットケーブル２０１に両方向に折り曲げる場合に、２つの曲げ部の山折り側の面にシールド性が高い面を向けたり、それぞれの曲げ部の谷折り側の面にシールド性が高い面を向けたりすることができる。このように、マイクロストリップ線路において、グランド導体を配置する面を適宜切り替えることにより、電子機器において、曲げ部におけるシールド性を適切に選択してフラットケーブルを実装することが可能になる。
【００７５】
次に、本発明の第４の実施形態に係る樹脂多層基板について、フラットケーブルを構成する場合を例に説明する。
【００７６】
図７は、本発明の第４の実施形態に係るフラットケーブル２５１の要部断面図である。以下、第１の実施形態と同様な構成には同じ符号を付している。
【００７７】
このフラットケーブル２５１は、マイクロストリップ線路１０６Ｂにおいて、グランド導体２１Ａとは反対側の面に、積層体の厚みが薄くされた薄肉部２５２が設けられている。このような薄肉部２５２が設けられていると、フラットケーブル２５１を、マイクロストリップ線路１０６Ｂで折り曲げる場合に、フラットケーブル２５１の折り曲げがさらに容易になる。また、グランド導体２１Ａに作用する圧縮方向または引張方向の応力が更に小さくなる。したがって、更に良好な伝送特性を実現することが可能になる。
【００７８】
以上の各実施形態に示したように、本発明の樹脂多層基板は構成することができる。なお、上述の各実施形態では、樹脂多層基板としてフラットケーブルを構成する例を用いたが、本発明の樹脂多層基板は、フレキシブル基板を構成することもできる。
【００７９】
図８は、樹脂多層基板としてフレキシブル基板を構成する例に係る斜視図である。
【００８０】
フレキシブル基板３０１は、多数の部品を高密度実装するとともに、機器内部の空間を有効に利用するための基板（いわゆるサブ基板）として用いられる。そのため、フレキシブル基板３０１は、積層体３０２と、表面実装部品３０３とを備えている。積層体３０２にはさらに内蔵部品が配置されていてもよい。積層体３０２は、厚みが１０μｍ〜１００μｍ程度の樹脂層を厚み方向に多層にわたって積層し、レジスト膜を表面に適宜設けてなる。表面実装部品３０３は、積層体３０２の主面に搭載されている。
【００８１】
また、積層体３０２は、加熱プレス等の工法で予め曲げ部３０１Ａが形成されている。そのため積層体３０２は、複数の開口部３０９を備えている。複数の開口部３０９は、曲げ部３０１Ａの端から、積層体３０２の奥行き方向に沿って延びている。曲げ部３０１Ａは、平坦部分から屈曲して積層体３０２の厚み方向に延びている。
【００８２】
このようなフレキシブル基板３０１であっても、内部にトリプレート線路とマイクロストリップ線路とを構成し、曲げ部３０１Ａはマイクロストリップ線路のみが通過するように構成することにより、フレキシブル基板３０１を曲げることが容易となり、伝送特性の劣化を防ぐこともできる。
【００８３】
なお、前述したフラットケーブルの場合にも、加熱プレス等の工法で予め曲げ部を成形しておいてもよい。
【符号の説明】
【００８４】
１０１，１５１，２０１，２５１…フラットケーブル
１０１Ａ，１０１Ａ，３０５Ｂ…曲げ部
１１，１２，１３，１４，１５…樹脂層
２１Ａ，２５Ａ，２５Ｂ，１７５Ａ，１７５Ｂ，２２１Ａ，２２１Ｂ，２２５Ｂ…グランド導体
２１Ｂ…ランド導体
２２Ａ，２２Ｂ，２３Ｃ，２４…パッド導体
２３Ａ，１７３Ａ，２２３Ａ…ライン導体
２３Ｂ，１７３Ｃ，２２３Ｂ…拡幅部
３１，３２，３３，３４…ビアホール導体
１０２，３０２…積層体
１０３，１０４…端子部
１０５…線路部
１０６Ａ，１０６Ｃ，１５６Ａ，１５６Ｃ…トリプレート線路
１０６Ｂ，２０６Ａ，２０６Ｂ…マイクロストリップ線路
１０９…レジスト部
１１１…電子機器
１１２…筐体
１１３，１１４…回路基板
１１５…バッテリーモジュール
１７５Ｃ，３０９…開口部
２５２…薄肉部
３０１…フレキシブル基板
３０３…表面実装部品
【図１】
0005743037.tif 000002
【図２】
0005743037.tif 000003
【図３】
0005743037.tif 000004
【図４】
0005743037.tif 000005
【図５】
0005743037.tif 000006
【図６】
0005743037.tif 000007
【図７】
0005743037.tif 000008
【図８】
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