(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を上方から覆う天板と、
前記天板を回転させる天板回転機構と、
天板の回転中心部に設けられ、基板に向ってリンス液を供給する第１噴出口と、天板に向ってリンス液を供給する第２噴出口と、を有するノズルと、
前記ノズルを天板に対して上昇位置と下降位置に移動させる天板駆動部とを備え、
前記ノズルは、上昇位置にて第２噴出口より天板に向ってリンス液を供給し、下降位置にて第１噴出口より基板に向ってリンス液を供給することを特徴とする液処理装置。
【請求項２】
前記ノズルの第２噴出口は、天板に向って放射状にリンス液を供給することを特徴とする請求項１記載の液処理装置。
【請求項３】
前記ノズルは円柱体からなり、円柱体の底部に下方を向く第１噴出口が設けられ、円柱体の下方側面に側方を向く第２噴出口が設けられていることを特徴とする請求項２記載の液処理装置。
【請求項４】
前記天板は基板を回転可能に水平に支持する上方基板支持部からなり、
前記上方基板支持部により支持される前記基板の下面に対向するように設けられた貯留部材底部と、
前記貯留部材底部の外周側に、該貯留部材底部を囲むように設けられた貯留部材堰部と、
前記基板支持部と前記貯留部材底部との離間距離を調整する駆動部と、を更に備えたことを特徴とする請求項１記載の液処理装置。
【請求項５】
前記貯留部材堰部の外周側に、前記貯留部材堰部を囲むようにカップ部が設けられ、
前記カップ部は、環状の第１の液収容部と、前記第１の液収容部より外周側に設けられた環状の第２の液収容部と、を含むことを特徴とする請求項４に記載の液処理装置。
【請求項６】
基板を下方から回転自在に支持する下方基板支持部を更に備えたことを特徴とする請求項１記載の液処理装置。
【請求項７】
下方基板支持部の外周側に、下方基板支持部を囲むようにカップ部が設けられ、
カップ部は環状の第１の液収納部と、第１の液収納部より外周側に設けられた環状の第２の液収納部とを含むことを特徴とする請求項６記載の液処理装置。
【請求項８】
請求項１記載の基板処理装置の基板処理方法において、
天板を天板回転機構により回転させる工程と、
ノズルを天板に対して降下させ、降下したノズルの第１噴出口から基板に対してリンス液を供給する工程と、
ノズルを天板に対して上昇させ、上昇したノズルの第２噴出口から天板に対してリンス液を供給する工程と、を備えたことを特徴とする液処理方法。
【請求項９】
ノズルから基板に対してリンス液を供給する際、ノズルに設けられ下方を向く第１噴出口からリンス液を供給し、
ノズルから天板に対してリンス液を供給する際、ノズルに設けられ側方を向く第２噴出口からリンス液を供給することを特徴する請求項８記載の液処理方法。
【請求項１０】
前記ノズルは円柱体からなり、円柱体の底部に下方を向く第１噴出口が設けられ、円柱体の下方側面に側方を向く第２噴出口が設けられ、
ノズルから基板に対してリンス液を供給する際、円柱体のノズルの底部に設けられ下方を向く第１噴出口からリンス液を供給し、
ノズルから天板に対してリンス液を供給する際、円柱体のノズルの下方側面に設けられ側方を向く第２噴出口からリンス液を供給することを特徴とする請求項９記載の液処理方法。
【請求項１１】
ノズルを天板に対して降下させ、降下したノズルの第１噴出口および第２噴出口から不活性ガスを基板に噴出して、不活性ガスによりノズルを乾燥させる工程を更に備えたことを特徴とする請求項９記載の液処理方法。
【請求項１２】
コンピュータに液処理方法を実行させるためのコンピュータプログラムを格納した記憶媒体において、
この液処理方法は、
請求項１記載の基板処理装置の基板処理方法において、
天板を天板回転機構により回転させる工程と、
ノズルを天板に対して降下させ、降下したノズルの第１噴出口から基板に対してリンス液を供給する工程と、
ノズルを天板に対して上昇させ、上昇したノズルの第２噴出口から天板に対してリンス液を供給する工程と、を備えたことを特徴とする記憶媒体。
【請求項１３】
ノズルから基板に対してリンス液を供給する際、ノズルに設けられ下方を向く第１噴出口からリンス液を供給し、
ノズルから天板に対してリンス液を供給する際、ノズルに設けられ側方を向く第２噴出口からリンス液を供給することを特徴する請求項１２記載の記憶媒体。
【請求項１４】
前記ノズルは円柱体からなり、円柱体の底部に下方を向く第１噴出口が設けられ、円柱体の下方側面に側方を向く第２噴出口が設けられ、
ノズルから基板に対してリンス液を供給する際、円柱体のノズルの底部に設けられ下方を向く第１噴出口からリンス液を供給し、
ノズルから天板に対してリンス液を供給する際、円柱体のノズルの下方側面に設けられ側方を向く第２噴出口からリンス液を供給することを特徴とする請求項１３記載の記憶媒体。
【請求項１５】
ノズルを天板に対して降下させ、降下したノズルの第１噴出口および第２噴出口から不活性ガスを基板に噴出して、不活性ガスによりノズルを乾燥させる工程を更に備えたことを特徴とする請求項１３記載の記憶媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウエハなどの基板を水平方向に保持した状態で回転させながら基板に処理液を供給することにより基板に洗浄処理やエッチング処理等の所定の液処理を行なう液処理装置、液処理方法および記憶媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体ウエハやフラットパネルディスプレイ用ガラス基板などを製造する工程では、基板処理として、基板に対して液体を用いた液処理が行われる場合がある。
【０００３】
基板を基板支持部により支持するとともに、基板上に基板を覆って回転し、基板から振り切られた処理液のミストの飛散を防止するために天板が設けられることがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平１１−１７６７９５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
この場合基板の液処理工程において、天板にミストが付着するおそれがある。液処理工程後の工程において、天板に付着したミストが基板上に落下するとパーティクルの原因となる。
【０００６】
本発明は、このような点を考慮してなされたものであり、液処理工程中に基板を上方から支持する基板支持部あるいは基板とともに回転する天板を基板のリンス液を用いて洗浄することができる液処理装置、液処理方法および記憶媒体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、基板を上方から覆う天板と、前記天板を回転させる天板回転機構と、天板の回転中心部に設けられ、基板に向ってリンス液を供給する第１噴出口と、天板に向ってリンス液を供給する第２噴出口と、を有するノズルと、前記ノズルを天板に対して上昇位置と下降位置に移動させる天板駆動部とを備え、前記ノズルは、上昇位置にて第２噴出口より天板に向ってリンス液を供給し、下降位置にて第１噴出口より基板に向ってリンス液を供給することを特徴とする液処理装置である。
【０００８】
本発明は、上記記載の基板処理装置の基板処理方法において、天板を天板回転機構により回転させる工程と、ノズルを天板に対して降下させ、降下したノズルの第１噴出口から基板に対してリンス液を供給する工程と、ノズルを天板に対して上昇させ、上昇したノズルの第２噴出口から天板に対してリンス液を供給する工程と、を備えたことを特徴とする液処理方法である。
【０００９】
本発明は、コンピュータに液処理方法を実行させるためのコンピュータプログラムを格納した記憶媒体において、この液処理方法は、上記記載の基板処理装置の基板処理方法において、天板を天板回転機構により回転させる工程と、ノズルを天板に対して降下させ、降下したノズルの第１噴出口から基板に対してリンス液を供給する工程と、ノズルを天板に対して上昇させ、上昇したノズルの第２噴出口から天板に対してリンス液を供給する工程と、を備えたことを特徴とする記憶媒体である。
【発明の効果】
【００１０】
以上のように本発明によれば、液処理工程中天板を効果的に洗浄することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】図１は本発明の第１の実施形態による液処理装置を示す概略断面図である。
【図２】図２は本実施形態の液処理方法を説明するフローチャートである。
【図３】図３は本実施形態において実施されるウエハの搬入を説明する説明図である。
【図４】図４は本実施形態において実施されるＳＰＭの処理を説明する説明図である。
【図５】図５は本実施形態におけるベースプレート部材を示す平面図である。
【図６】図６は本実施形態において実施されるＨＤＩＷの処理を説明する説明図である。
【図７】図７は本実施形態において実施されるＳＣ１の処理を説明する説明図である。
【図８】図８は本実施形態において実施されるＣＤＩＷの処理を説明する説明図である。
【図９】図９は本実施形態において実施される乾燥処理を説明する説明図である。
【図１０】図１０（ａ）（ｂ）はトッププレート部材とトッププレートノズルを示す詳細図である。
【図１１】図１１はトッププレートノズルからのＣＤ１Ｗによりトッププレート部材を洗浄する状態を示す図である。
【図１２】図１２はトッププレートノズルからのＮ２によりウエハを乾燥させる状態を示す図である。
【図１３】図１３は本発明による第２の実施の形態による液処理装置を示す概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
第１の実施の形態
以下、添付の図面を参照しながら、本発明の第１の実施形態について説明する。添付の全図面中、同一又は対応する部材又は部品については、同一又は対応する参照符号を付し、重複する説明を省略する。
【００１３】
（基板処理装置の構成）
はじめに、図１を参照しながら、本発明の実施形態による液処理装置について説明する。本実施形態においては、処理する基板として、半導体ウエハ（以下、ウエハという。）を用いる。図１に示すとおり、液処理装置１００は、回路パターン形成面（パターン面）が下方に向いたウエハＷを上方から支持する基板支持部（上方基板支持部）１０と、支持されたウエハＷの下面（回路パターン形成面（パターン面））に対向するように設けられた貯留部材底部２０と、貯留部材底部２０の外周側に貯留部材底部２０を囲むように設けられた貯留部材堰部２１と、基板支持部１０と貯留部材底部２０との離間距離を調整するプレート駆動部３０ａとを備えている。また、貯留部材堰部２１の周囲に、ウエハＷに供給された液体を回収し、後述する第１の液収納部４０ａと第２の液収納部４０ｂへ液体を排出するカップ部４０が設けられている。
【００１４】
基板支持部１０は、ウエハＷを上方から支持する上方基板支持部として機能するとともに、ウエハＷを上方から覆う天板としても機能する。このような基板支持部１０は中央部にトッププレートノズル１０ｎを含む円環形状のトッププレート部材１０ａと、トッププレート部材１０ａの外周に位置する円筒形状の円周部（図示せず）と、ウエハＷを加熱する加熱部１０Ｌとを有する。
【００１５】
トッププレート部材１０ａは、ウエハＷのパターン面が下方に向いた姿勢で、ウエハＷを支持する。またトッププレートノズル１０ｎからは、ウエハＷの上面（パターン面の反対面）に液体が供給される。円周部１０ｂは、ウエハＷの外径よりもわずかに大きい内径を有し、円周部１０ｂから中心方向に延びる爪部１０ｓが所定の間隔で設けられている。この場合、円周部に、３個の爪部１０ｓを等間隔で設けることができる。爪部１０ｓは、ウエハＷがトッププレートノズル１０ｎの下方に位置した状態でウエハＷを挟持する。また加熱部１０Ｌは、トッププレート部材１０ａ上に設けられ、ウエハＷ表面上においてウエハＷ上の液体の温度を均一に保つため、ウエハＷを所定の温度に加熱する。加熱部１０Ｌは例えばＬＥＤを用いることができる。
【００１６】
貯留部材底部２０は、その中心部にベースプレートノズル２０ｎと中心部から周縁部に向けて配置された複数の吐出口２０ｍ（図４）とを含む円環形状のベースプレート部材２０ａを有する。また、ベースプレート部材２０ａは、後述する超音波振動板２０ｓ（図５）を有する。ベースプレートノズル２０ｎ及び吐出口２０ｍは、ウエハＷの下面に液体を供給する。
【００１７】
貯留部材堰部２１は、ベースプレート部材２０ａの外周側を囲むように設けられた円筒形状の部材である。貯留部材堰部２１は、ベースプレート部材２０ａと相対的な位置関係を変化させるように移動することができる。ベースプレート部材２０ａの上端より、貯留部材堰部２１の上端の位置を高くした場合に、ベースプレート部材２０ａと貯留部材堰部２１とによって、液体を貯留することができる貯留槽２０Ａを形成する。このとき、貯留槽２０Ａに貯留された液体がベースプレート部材２０ａと貯留部材堰部２１との間隙から漏洩するのを防止するため、ベースプレート部材２０ａと貯留部材堰部２１との摺動部に例えばＯリングなどのシール部材２３が設けられている。ここで、ベースプレート部材２０ａと貯留部材堰部２１との相対的な位置関係を変化させる方法は、ベースプレート部材２０ａ若しくは貯留部材堰部２１のいずれか一方を駆動機構２４により移動させる方法、または、ベースプレート部材２０ａ及び貯留部材堰部２１の両方を図示しない駆動機構により相対的に移動させる方法でもよい。
【００１８】
また基板支持部１０のトッププレート部材１０ａは、トッププレート部材１０ａを回転可能に支持するモータ３０Ｍを介して連結部材３１により支持され、この連結部材３１は上述したプレート駆動部３０ａに連結され、このプレート駆動部３０ａによって基板支持部１０を、後述する搬送機構６１によってウエハを受け渡す受け渡し位置とウエハを液処理する処理位置との間で移動させることができる。またモータ３０Ｍは、連結部材３１に対してトッププレート部材１０ａを回転させ、このことによりトッププレート部材１０ａに支持されたウエハＷも回転する。
【００１９】
また上述のようにプレート駆動部３０ａは、基板支持部１０と貯留部材底部２０との離間距離を減少させることができる。このとき、基板支持部１０のトッププレート部材１０ａに支持されたウエハＷは、貯留槽２０Ａに貯留された液体（洗浄液など）の液層に浸漬される。
【００２０】
カップ部４０は、環状の第１の液収容部４０ａと、第１の液収容部４０ａより外周側に設けられた環状の第２の液収容部４０ｂと、第１の液収容部４０ａと第２の液収容部４０ｂとを仕切る可動式の仕切りガイド４０ｇとを有する。仕切りガイド４０ｇはガイド駆動部４０ｓにより上下方向に駆動される。また、カップ部４０の第１の液収容部４０ａに流入した液体は、排液口４０ｃから排出され、第２の液収容部４０ｂに流入した液体は排液口４０ｄから排出される。また液処理装置１００内の雰囲気ガスはカップ部４０に設けられた排気口４１ｅにより排出される。ここで、仕切りガイド４０ｇは、上方のガイド位置Ｇｕｐ（図１で実線で示す位置）をとるとき、排液口４１ｃに液体を案内し、下方のガイド位置Ｇｄｗ（図１で破線で示す位置）をとるとき、排液口４１ｄに液体を案内することができる。
【００２１】
またベースプレートノズル２０ｎに液体供給源５０が接続される。液体供給源５０は、本実施形態では、４本の配管５１〜５４を有する。供給する液体（処理液）は、洗浄液として配管５２からＳＣ１が供給され、リンス液として配管５１から常温の脱イオン水（ＣＤＩＷ）及び配管５３から高温の脱イオン水（ＨＤＩＷ）が供給され、レジスト剥離の処理液として配管５４からの硫酸（Ｈ２ＳＯ４）が供給される。また、配管５１〜５４に対して、集合弁５６が設けられている。集合弁５６の入口は配管５１〜５４に接続され、集合弁５６の出口は供給管５７に接続される。また、集合弁５６には、配管５１〜５４に対応して三方弁が設けられている。
【００２２】
ここで、三方弁とは、択一的に弁を開閉することによって、所望の液体を供給管５７に択一的に供給するものである。具体的には、三方弁５１ａが開くと、配管５１を流れる脱イオン水（ＣＤＩＷ）が供給管５７に流入する。一方、閉まっている他の三方弁においては、対応する配管５２〜５４を流れる液体は、そのまま配管５２〜５４を流れ、供給管５７には流入しない。
【００２３】
なお、このような構成を有する集合弁５６の代わりに複数の個別の弁を配管５１〜５４に設けることにより、液体を択一的に供給管５７に供給する構成としても良い。
【００２４】
供給管５７は、図示しない流量制御器及び供給弁を介して、ベースプレートノズル２０ｎに接続されている。また、供給管５７は図示しないドレイン管に接続されている。ドレイン管は開閉弁を有する。さらに、供給管５７には、後述する乾燥工程（図９（ｂ））で使用する不活性ガスとして、窒素ガスを供給する配管が開閉弁を介して接続されている。
【００２５】
一方、ベースプレート部材２０ａには、中心部から周縁部に向けて複数の吐出口２０ｍが配置され、この複数の吐出口２０ｍ（図５）からは、開閉弁を介して後述するＳＰＭの処理（図４）で使用する処理液として、過酸化水素水が吐出される。
【００２６】
また基板支持部のトッププレートノズル１０ｎに液体供給源５０Ａが接続される。液体供給源５０Ａは、配管５１Ａ、５２Ａ、５３Ａを有する。そして洗浄液として配管５２ＡからＳＣ１が供給され、リンス液として配管５１Ａから常温の脱イオン水（ＣＤＩＷ）及び配管５３Ａから高温の脱イオン水（ＨＤＩＷ）が供給される。また、配管５１Ａ〜５３Ａに対して、集合弁５６Ａが設けられている。集合弁５６Ａの入口は配管５１Ａ〜５３Ａに接続され、集合弁５６Ａの出口は供給管５７Ａに接続される。また、集合弁５６Ａには、配管５１Ａ〜５３Ａに対応して三方弁が設けられている。
【００２７】
ここで、三方弁とは、択一的に弁を開閉することによって、所望の液体を供給管５７Ａに択一的に供給するものである。具体的には、三方弁５１ａが開くと、配管５１Ａを流れる脱イオン水（ＣＤＩＷ）が供給管５７Ａに流入する。一方、閉まっている他の三方弁においては、対応する配管５２Ａ〜５３Ａを流れる液体は、そのまま配管５２Ａ〜５３Ａを流れ、供給管５７Ａには流入しない。
【００２８】
なお、このような構成を有する集合弁５６Ａの代わりに複数の個別の弁を配管５１Ａ〜５３Ａに設けることにより、液体を択一的に供給管５７Ａに供給する構成としても良い。
【００２９】
供給管５７Ａは、図示しない流量制御器及び供給弁を介して、トッププレートノズル１０ｎに接続されている。また、供給管５７Ａは図示しないドレイン管に接続されている。ドレイン管は開閉弁を有する。さらに、供給管５７Ａには、後述する乾燥工程（図９）で使用する不活性ガスとして、窒素ガスを供給する配管が開閉弁を介して接続されている。
【００３０】
次に図１０（ａ）（ｂ）乃至図１２により、トッププレートノズル１０ｎについて更に説明する。図１０（ａ）（ｂ）乃至図１２に示すように、トッププレートノズル１０ｎは基板支持部１０のトッププレート部材１０ａに対して上下方向に移動自在に設けられている。具体的にはトッププレートノズル１０ｎは連結部材３１上方に設けられたノズル駆動部１０Ｍにより上下方向に駆動される。
【００３１】
またトッププレートノズル１０ｎは、円柱体の形状を有し、回転することはない。またトッププレートノズル１０ｎはその下端部（底部）１０Ｅに液体、例えばリンス液をウエハＷに向って下方へ供給する第１噴出口１１と、リンス液をトッププレート部材１０ａに沿って側方へ供給する第２噴出口１２とが設けられている。第１噴出口１１に連通する第１流路１１ａと、第２噴出口１２に連通する第２流路１２ａとがトッププレートノズル１０ｎ内に互いに独立して延びている。
【００３２】
なお、図１０（ａ）（ｂ）および図１２において、第１噴出口１１および第１流路１１ａのみが示され、第２噴出口１２および第２流路１２ａは便宜上示されておらず、図１１において、第２噴出口１２および第２流路１２ａのみが示され、第１噴出口１１および第１流路１１ａは便宜上示されていない。
【００３３】
また、図１に示すように、液処理装置１００は、その全体の動作を統括制御するコントローラ（制御部）２００を有している。コントローラ２００は、液処理装置１００の全ての機能部品（例えば、プレート駆動部３０ａ、モータ３０Ｍ、集合弁５６、５６Ａ、ガイド駆動部４０ｓ等）の動作を制御する。コントローラ２００は、ハードウエアとして例えば汎用コンピュータと、ソフトウエアとして当該コンピュータを動作させるためのプログラム（装置制御プログラムおよび処理レシピ等）とにより実現することができる。ソフトウエアは、コンピュータに固定的に設けられたハードディスクドライブ等の記憶媒体に格納されるか、あるいはＣＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ、フラッシュメモリ等の着脱可能にコンピュータにセットされる記憶媒体に格納される。このような記憶媒体が図１において参照符号２０１で示されている。プロセッサ２０２は必要に応じて図示しないユーザーインターフェースからの指示等に基づいて所定の処理レシピを記憶媒体２０１から呼び出して実行させ、これによってコントローラ２００の制御の下で液処理装置１００の各機能部品が動作して所定の処理が行われる。
【００３４】
（液処理方法）
次にこのような構成からなる本実施の形態の作用について説明する。
【００３５】
図２は、本実施形態の液処理方法を説明するフローチャートである。図３〜図９は、実施される液処理方法の各工程を説明する説明図である。図２を参照しながら、図３〜図９の各工程について説明する。
【００３６】
始めに、図２のステップＳ１０１（及び図３）において、搬送機構６１（図３）により、液処理装置１００内にパターン面を下方に向けた状態でウエハＷが搬入され、ウエハＷは基板支持部１０のトッププレート部材１０ａ下方に受渡される。すなわち、まず図示しない受け渡し機構により、搬送機構６１からトッププレート部材１０ａ下方に位置する円周部にウエハＷが受け渡され、円周部の爪部１０ｓ（スピンチャック）によってウエハＷを支持する。このとき、ウエハＷは、パターン面を下方に向けて支持される。その後、ステップＳ１０２に進む。
【００３７】
図２のステップＳ１０２（及び図４）において、ウエハＷの表面に形成されているレジストが剥離される。
【００３８】
具体的には、まず、図４において、プレート駆動部３０ａにより、トッププレート部材１０ａに支持されたウエハＷを、カップ部４０に向けて下方に移動する（Ｍ１）。また、モータ３０Ｍにより、ウエハＷを、所定の回転速度（例えば、５００ｒｐｍ）で回転させる。
【００３９】
次に、配管５４の三方弁を開き、ベースプレートノズル２０ｎからウエハＷに向けて硫酸（Ｈ２ＳＯ４）が吐出される。また、吐出口２０ｍからウエハＷに向けて過酸化水素水（Ｈ２Ｏ２）が吐出される。このとき、硫酸および過酸化水素水の混合液が生成され、混合液において硫酸と過酸化水素水との化学反応（Ｈ２ＳＯ４＋Ｈ２Ｏ２→Ｈ２ＳＯ５＋Ｈ２Ｏ）が生じ、強い酸化力を有するＨ２ＳＯ５を含むＳＰＭが生成される。
【００４０】
ウエハＷのパターン面に噴出された硫酸と過酸化水素水は、ウエハＷの回転による遠心力を受け、ウエハＷのパターン面中央から外周縁に向けて拡がり、その表面上にＳＰＭの液膜を形成する。このため、ウエハＷの表面に残存している不要なレジストを、ＳＰＭの酸化作用により、剥離することができる。また、ウエハＷ表面上のＳＰＭの温度は、ウエハＷの外周に向かって低下する。そのため、加熱部１０Ｌにより、ウエハＷの表面上の液温を均一に保つように制御する。さらに、ウエハＷの表面上のＳＰＭの液膜が遠心力によりウエハＷの外周縁から飛散し、この飛散したＳＰＭはカップ部４０の第１の液収容部４０ａにより収納されて、排液口４０ｃから排出される。
【００４１】
ここで、図５に過酸化水素水を吐出する吐出口２０ｍの位置を説明する平面図を示す。本実施形態では、５つの吐出口（２０ｍ１〜２０ｍ５）を有する。吐出口（２０ｍ１〜２０ｍ５）は、ベースプレート部材２０ａの円形表面の中心部から螺旋状に配置することができる。吐出口２０ｍから吐出する過酸化水素水は、図示しない開閉弁により、その流量が制御される。
【００４２】
以上より、ウエハＷのパターン面に形成されているレジストを剥離する基板処理をする完了すると、ステップＳ１０３に進む。
【００４３】
図２のステップＳ１０３（及び図６）において、ウエハＷをＨＤＩＷ（リンス液）に浸漬する浸漬処理が施される。
【００４４】
具体的には、まず、ベースプレート部材２０ａが降下して（Ｍ１）、貯留部材堰部２１の上端の位置をベースプレート部材２０ａの上端の位置より高くし、液体を貯留することができる貯留槽２０Ａを形成する。次に、配管５３の三方弁を開き、ベースプレートノズル２０ｎからＨＤＩＷを供給し、貯留槽にＨＤＩＷの液層を生成する。また、ガイド駆動部４０ｓにより仕切りガイドが駆動され、仕切りガイド４０ｇの位置が下方に移動（Ｍ２）し、排液口４０ｃに液体を排液するようにする。
【００４５】
次に、プレート駆動部３０ａにより、基板支持部１０のトッププレート部材１０ａ下方に移動し（Ｍ３）、貯留槽２０Ａに生成されたＨＤＩＷの液層にウエハＷを浸漬し、所定の時間、浸漬処理を行う。ここで、浸漬処理では、連続的にＨＤＩＷを供給し、排液口４０ｃに液体を排液しながら洗浄（オーバーフロー洗浄）する。このようなＤＩＰ処理により、ウエハＷの表面を均一に洗浄することができる。また、浸漬処理中にステップＳ１０２及びＳ１０３において使用した処理液（ＳＰＭ等）が付着したベースプレート部材２０ａを同時に洗浄することができる。なお、浸漬処理中に、モータ３０Ｍにより、ウエハＷおよびトッププレート部材１０ａを低回転の回転速度で回転してもよい。
【００４６】
以上より、浸漬処理が完了すると、ステップＳ１０４に進む。
【００４７】
図２のステップＳ１０４（及び図７）において、ウエハＷを回転しながら、ウエハＷをＳＣ１で洗浄（回転洗浄）する処理を施す。
【００４８】
具体的には、まず、プレート駆動部３０ａにより、基板支持部１０のトッププレート部材１０ａを上方に移動し（Ｍ１）、貯留槽２０ＡのＨＤＩＷの液層からウエハＷを離間する。また、ベースプレート部材２０ａが上昇して（Ｍ２）、貯留部材堰部２１の上端の位置をベースプレート部材２０ａの上端の位置より低くし、ステップＳ１０３において用いたＨＤＩＷを第１の液収容部４０ａの排液口４０ｃから排液する。このとき、ステップＳ１０３の浸漬処理において使用したＨＤＩＷの液層の排出と後述の回転洗浄を同時にすることができ、基板処理装置１００の浸漬処理に係る時間を削減することができる。
【００４９】
次に、モータ３０Ｍにより、ウエハＷおよびトッププレート部材１０ａが、所定の回転速度で回転し、回転しているウエハＷに対してトッププレートノズル１０ｎ及びベースプレートノズル２０ｎからＳＣ１を吐出する。このとき、ウエハＷの表裏面上に吐出されたＳＣ１は、ウエハＷの回転による遠心力を受け、ウエハＷの表面上に液膜を形成する。そのため、ウエハＷの表面に残存している不要な前処理の処理液を洗浄することができる。また、ウエハＷの表面上のＳＣ１の液膜が遠心力によりウエハＷの外周縁から飛散する。この飛散したＳＣ１はカップ部４０の第２の液収容部４０ｂにより収納され、飛散したＳＣ１は排液口４０ｄから排出される。
【００５０】
以上より、ウエハＷの回転洗浄をする完了すると、ステップＳ１０５に進む。
【００５１】
図２のステップＳ１０５（及び図８）において、ＳＣ１の回転洗浄の後処理として、ウエハＷをＣＤＩＷで洗浄する処理が施される。
【００５２】
ステップＳ１０５において、ウエハＷに対してＣＤＩＷ（リンス液）が供給されてリンス処理が施される。このＣＤＩＷによる処理工程について図１０（ａ）（ｂ）により説明する。
【００５３】
まず、モータ３０ＭによりウエハＷおよびトッププレート部材１０ａが所定の回転速度で回転し、回転しているウエハＷに対してトッププレートノズル１０ｎおよびベースプレートノズル２０ｎからＣＤＩＷが供給される。
【００５４】
この場合のトッププレートノズル１０ｎ側における処理工程について、以下説明する。
【００５５】
ステップＳ１０５を開始する際、トッププレートノズル１０ｎ側では、トッププレートノズル１０ｎが連結部材３１上方に配置されたノズル駆動部１０Ｍによりトッププレート部材１０ａに対して降下しており、トッププレートノズル１０ｎの下端部１０Ｅはトッププレート部材１０ａから離間し、ウエハＷの上面に近接している。
【００５６】
この状態でトッププレートノズル１０ｎの第１流路１１ａを経て第１噴出口１１からＣＤＩＷが下方に向けてウエハＷの中央部に供給される。
【００５７】
この間、ウエハＷのパターン面に対してはベースプレートノズル２０ｎからもウエハＷに対してＣＤＩＷが供給される。
【００５８】
次に図１１に示すようにトッププレートノズル１０ｎおよびベースプレートノズル２０ｎからのＣＤＩＷの供給が停止し、ノズル駆動部１０Ｍによってトッププレートノズル１０ｎがトッププレート部材１０ａに対して上昇し、トッププレートノズル１０ｎの下端部１０Ｅがトッププレート部材１０ａに接近する。
【００５９】
この状態でトッププレート部材１０ａおよびウエハＷを回転させながら、天板１０ｎの第２流路１２ａを経て第２噴出口１２からＣＤＩＷが側方に向ってトッププレート部材１０ａ下面に沿って供給される。このように第２噴出口１２からトッププレート部材１０ａの下面に沿ってＣＤＩＷが供給されることにより、トッププレート部材１０ａの下面をＣＤＩＷにより効果的に洗浄することができる。
【００６０】
すなわちトッププレート部材１０ａの下面には、ステップＳ１０１において使用したＳＰＭおよびステップ１０４において使用したＳＣ１が付着していることがあるが、トッププレート部材１０ａの下面にＣＤＩＷを供給することにより、これらＳＰＭおよびＳＣ１をトッププレート部材１０ａの下面から効果的に除去することができる。
【００６１】
以上より、リンス処理をする完了すると、ステップＳ１０６に進む。
【００６２】
図２のステップＳ１０６（及び図９）において、ウエハＷを回転しながら、ウエハＷを乾燥する処理が施される。
【００６３】
具体的には、まず、トッププレートノズル１０ｎ及びベースプレートノズル２０ｎからのＣＤＩＷの吐出を停止する。また、プレート駆動部３０ａにより基板支持部１０のトッププレート部材１０ａが更に上方に移動（Ｍ１）する。次に、トッププレートノズル１０ｎ及びベースプレートノズル２０ｎから開閉弁５８及び５８Ａを開くことにより、不活性ガス（Ｎ２ガス）が放出される。このとき、トッププレート部材１０ａおよびウエハＷは回転を続け、ウエハＷの表面上に残存したＣＤＩＷは乾燥し、ウエハＷの表面は乾燥する。
【００６４】
次にトッププレートノズル１０ｎ側における乾燥工程について、以下詳述する。
【００６５】
図１２に示すように、トッププレートノズル１０ｎからＮ２ガスを供給する場合、トッププレートノズル１０ｎは予めノズル駆動部１０Ｍによりトッププレート部材１０ａに対して下降し、トッププレートノズル１０ｎの下端部１０Ｅはトッププレート部材１０ａから離間している。
【００６６】
この状態でトッププレートノズル１０ｎの第１噴出口１１から下方に向けてウエハＷの中央部に対して開閉弁５８Ａを開くことによりＮ２ガスが供給され、第２噴出口１２からウエハＷの表面に沿ってＮ２ガスが供給される。
【００６７】
このようにトッププレートノズル１０ｎの第１噴出口１１からウエハＷの中央部に向ってＮ２ガスが供給され、第２噴出口１２からウエハＷの表面に沿ってＮ２ガスが供給され、このようにしてウエハＷ表面に残存するＣＤＩＷが除去される。
【００６８】
この場合、トッププレートノズル１０ｎはトッププレート部材１０ａに対して下降し、ウエハＷに対して接近しているため、トッププレートノズル１０ｎの第１噴出口１１および第２噴出口１２からウエハＷの表面にＮ２ガスを供給することにより、トッププレートノズル１０ｎ自体もＮ２ガスにより乾燥する。
【００６９】
以上より、乾燥する処理をする完了すると、ステップＳ１０７に進む。
【００７０】
図２のステップＳ１１０において、搬送機構６１（図３）により、処理済みのウエハＷを基板処理装置１００外に搬出する。搬出方法は、ステップＳ１０１の逆手順と同様のため、説明を省略する。搬出を完了すると、図中の「ＥＮＤ」に進み、基板処理の動作を終了する。
【００７１】
上述の実施形態においては、ウエハを基板処理する場合を例に説明したが、フラットパネルディスプレイ用ガラス基板などの基板を製造する工程で、基板に対して液処理する場合においても、本発明を用いることができる。
【００７２】
以上のように本実施の形態によれば、液処理工程中にトッププレート部材１０ａを効果的に洗浄することができる。
【００７３】
第２の実施の形態
次に図１３により本発明の第２の実施の形態について説明する。
【００７４】
図１３に示す第２の実施の形態は、トッププレート部材１０ａを有する上方基板支持部１０を設ける代わりに、トッププレート部材１０ａと同様の位置に、トッププレート（天板）７０を配置するとともに、ウエハＷを下方基板支持部６０により支持する点が異なるのみであり、他の構成は図１乃至図１２に示す第１の実施の形態と略同一である。
【００７５】
図１３に示す第２の実施の形態において、図１乃至図１２に示す第１の実施の形態と同一部分には同一符号を付して詳細な説明は省略する。
【００７６】
図１３に示すように、ウエハＷを支持する下方基板支持部６０は、回転自在に設けられたプレート部材６０ａと、ベースプレート部材６０ａ上に等間隔をおいて設けられ、ウエハＷを側方から支持するための複数の保持部材６５とを有している。
【００７７】
またベースプレート部材６０ａは、その中央部にベースプレートノズル６０ｎが設けられ、このベースプレートノズル６０ｎには液体供給源５０が接続されている。また下方基板支持部６０を構成するベースプレート部材６０ａおよび保持部材６５の外周にはカップ部４０が設けられている。
【００７８】
さらにウエハＷの上方に設けられたトッププレート７０は、液処理中にウエハＷから飛散した液体のミストが上方へ飛散することを防止するためのものである。このトッププレート７０はモータ３０Ｍを介して連結部材３１に連結され、連結部材３１はプレート駆動部３０ａに連結されている。このためプレート駆動部３０ａにより、連結部材３１およびトッププレート７０は上下方向に移動することができ、かつトッププレート７０はモータ３０Ｍによって回転駆動される。
【００７９】
さらにまたトッププレート７０の中央部には、ウエハＷに対してリンス液等の液体を供給するトッププレートノズル７０ｎが設けられており、このトッププレートノズル７０ｎには液体供給源５０Ａが接続されている。
【００８０】
またトッププレートノズル７０ｎは、トッププレート７０に対して上下方向に移動自在に設けられており、具体的にはトッププレートノズル７０ｎは連結部材３１上方に設けられたノズル駆動部１０Ｍにより上下方向に駆動される。
【００８１】
また図１０（ａ）（ｂ）乃至図１２に示すようにトッププレートノズル７０ｎは、その下端部７０Ｅに液体、例えばリンス液をウエハＷに向って下方へ供給する第１噴出口１１と、リンス液をトッププレート７０に沿って側方へ供給する第２噴出口１２とが設けられている。すなわち、トッププレートノズル７０ｎの下端部７０Ｅにはリンス液を下方へ向って供給する第１噴出口１１と、リンス液を側方へ向って供給する第２噴出口１２とが設けられ、第１噴出口１１に連通する第１流路１１ａと、第２噴出口１２に連通する第２流路１２ａとがトッププレートノズル７０ｎ内に互いに独立して延びている。
【００８２】
次にこのような構成からなる本実施の形態の作用について説明する。
【００８３】
始めに、図２のステップＳ１０１において、搬送機構により、液処理装置１００内にパターン面を下方に向けた状態でウエハＷが搬入され、ウエハＷは下方基板支持部６０に受渡される。
【００８４】
次にステップ１０２に進み、図２のステップＳ１０２において、ウエハＷの表面に形成されているレジストが剥離される。
【００８５】
具体的には、まず、図１３に示すように、プレート駆動部３０ａにより、連結部材３１およびトッププレート７０を下方に移動する。また、モータ３０Ｍにより、トッププレート７０を所定の回転速度（例えば、５００ｒｐｍ）で回転させる。
【００８６】
次に、ベースプレート部材６０ａが回転し、これに伴ないウエハＷも回転する。その後配管５４の三方弁を開き、ベースプレートノズル６０ｎからウエハＷに向けて硫酸（Ｈ２ＳＯ４）が吐出される。また、ベースプレートノズル６０ｎからウエハＷに向けて過酸化水素水（Ｈ２Ｏ２）が吐出される。このとき、硫酸および過酸化水素水の混合液が生成され、混合液において硫酸と過酸化水素水との化学反応（Ｈ２ＳＯ４＋Ｈ２Ｏ２→Ｈ２ＳＯ５＋Ｈ２Ｏ）が生じ、強い酸化力を有するＨ２ＳＯ５を含むＳＰＭが生成される。
【００８７】
ウエハＷのパターン面に噴出された硫酸と過酸化水素水は、ウエハＷの回転による遠心力を受け、ウエハＷのパターン面中央から外周縁に向けて拡がり、その表面上にＳＰＭの液膜を形成する。このため、ウエハＷの表面に残存している不要なレジストを、ＳＰＭの酸化作用により、剥離することができる。また、ウエハＷ表面上のＳＰＭの温度は、ウエハＷの外周に向かって低下する。そのため、トッププレート７０上方の加熱部１０Ｌにより、ウエハＷの表面上の液温を均一に保つように制御する。さらに、ウエハＷの表面上のＳＰＭの液膜が遠心力によりウエハＷの外周縁から飛散し、この飛散したＳＰＭはカップ部４０の第１の液収容部４０ａにより収納されて、排液口４０ｃから排出される。
【００８８】
以上より、ウエハＷのパターン面に形成されているレジストを剥離する基板処理をする完了すると、ステップＳ１０３に進む。
【００８９】
図２のステップＳ１０３において、ウエハＷにＨＤＩＷ（リンス液）を供給するリンス処理が施される。
【００９０】
具体的には、ベースプレート部材６０ａおよびウエハＷを回転させ、トッププレート７０を回転させながら、ベースプレートノズル６０ｎおよびトッププレートノズル７０ｎからＨＤＩＷがウエハＷの表面に供給される。
【００９１】
以上より、ＨＤＩＷによる処理が完了すると、ステップＳ１０４に進む。
【００９２】
図２のステップＳ１０４において、ベースプレート部材６０ａおよびウエハＷを回転させ、トッププレート７０を回転させながら、ウエハＷをＳＣ１で洗浄（回転洗浄）する処理を施す。
【００９３】
具体的には、モータ３０Ｍにより、トッププレート７０が回転し、ベースプレート部材６０ａおよびウエハＷが回転する。そして回転しているウエハＷに対してトッププレートノズル７０ｎおよびベースプレートノズル６０ｎからＳＣ１を吐出する。このとき、ウエハＷの表面上に吐出されたＳＣ１は、ウエハＷの回転による遠心力を受け、ウエハＷの表面上に液膜を形成する。そのため、ウエハＷの表裏面に残存している不要な前処理の処理液を洗浄することができる。また、ウエハＷの表面上のＳＣ１の液膜が遠心力によりウエハＷの外周縁から飛散する。この飛散したＳＣ１はカップ部４０の第２の液収容部４０ｂにより収納され、飛散したＳＣ１は排液口４０ｄから排出される。
【００９４】
以上より、ウエハＷの回転洗浄をする完了すると、ステップＳ１０５に進む。
【００９５】
図２のステップＳ１０５において、ＳＣ１の回転洗浄の後処理として、ウエハＷをＣＤＩＷで洗浄する処理が施される。
【００９６】
ステップＳ１０５において、ウエハＷに対してＣＤＩＷ（リンス液）が供給されてリンス処理が施される。このＣＤＩＷによる処理工程について図１０（ａ）（ｂ）により説明する。
【００９７】
まず、モータ３０Ｍによりトッププレート７０が所定の回転速度で回転し、ウエハＷがベースプレート部材６０ａにより回転する。そして回転しているウエハＷに対してトッププレートノズル７０ｎおよびベースプレートノズル６０ｎからＣＤＩＷが供給される。
【００９８】
この場合のトッププレートノズル７０ｎ側における処理工程について、以下説明する。
【００９９】
ステップＳ１０５を開始する際、トッププレートノズル７０ｎ側ではトッププレートノズル７０ｎが、連結部材３１上方に配置されたノズル駆動部１０Ｍにより予めトッププレート７０に対して降下しており、トッププレート７０の下端部７０Ｅは、トッププレート７０から離間し、ウエハＷ上面に近接している。
【０１００】
この状態でトッププレートノズル７０ｎの第１流路１１ａを経て第１噴出口１１からＣＤＩＷが下方に向けてウエハＷの中央部に供給される。
【０１０１】
この間、ウエハＷのパターン面に対してはベースプレートノズル６０ｎからもウエハＷに対してＣＤＩＷが供給される。
【０１０２】
次に図１１に示すようにトッププレートノズル７０ｎおよびベースプレートノズル６０ｎからのＣＤＩＷの供給が停止し、ノズル駆動部１０Ｍによってトッププレートノズル７０ｎがトッププレート部材１０ａに対して上昇し、トッププレートノズル７０ｎの下端部７０Ｅがトッププレート７０に接近する。
【０１０３】
この状態でトッププレート７０およびウエハＷを回転させながら、トッププレートノズル７０ｎの第２流路１２ａを経て第２噴出口１２からＣＤＩＷが側方に向ってトッププレート７０下面に沿って供給される。このように第２噴出口１２からトッププレート７０下面に沿ってＣＤＩＷが供給されることにより、トッププレート７０の下面をＣＤＩＷにより効果的に洗浄することができる。
【０１０４】
すなわちトッププレート７０の下面には、ステップ１０１において使用したＳＰＭおよびステップ１０４において使用したＳＣ１が付着していることがあるが、トッププレート７０の下面にＣＤＩＷを供給することにより、これらＳＰＭおよびＳＣ１をトッププレート７０の下面から効果的に除去することができる。
【０１０５】
以上より、リンス処理をする完了すると、ステップＳ１０６に進む。
【０１０６】
図２のステップＳ１０６において、ウエハＷを回転しながら、ウエハＷを乾燥する処理が施される。
【０１０７】
具体的には、まず、トッププレートノズル７０ｎ及びベースプレートノズル６０ｎからのＣＤＩＷの吐出を停止する。次に、トッププレートノズル７０ｎ及びベースプレートノズル６０ｎから開閉弁５８及び５８Ａを開くことにより不活性ガス（Ｎ２ガス）が放出される。このとき、トッププレート７０およびウエハＷは回転を続け、ウエハＷの表面上に残存したＣＤＩＷは乾燥し、ウエハＷの表面は乾燥する。
【０１０８】
次にトッププレートノズル７０ｎ側における乾燥工程について、以下詳述する。
【０１０９】
図１２に示すように、トッププレートノズル７０ｎからＮ２ガスを供給する場合、トッププレートノズル７０ｎは予めノズル駆動部１０Ｍによりトッププレート７０に対して下降し、トッププレートノズル７０ｎの下端部７０Ｅはトッププレート７０から離間している。
【０１１０】
この状態でトッププレートノズル７０ｎの第１噴出口１１から下方に向けてウエハＷの中央部に対して開閉弁５８Ａを開くことにより、Ｎ２ガスが供給され、第２噴出口１２からウエハＷの表面に沿ってＮ２ガスも供給される。
【０１１１】
このようにトッププレートノズル７０ｎの第１噴出口１１からウエハＷの中央部に向ってＮ２ガスが供給され、第２噴出口１２からウエハＷの表面に沿ってＮ２ガスが供給され、このようにしてウエハＷ表面に残存するＣＤＩＷが除去される。
【０１１２】
この場合、トッププレートノズル７０ｎはトッププレート７０に対して降下し、ウエハＷに対して接近しているため、トッププレートノズル７０ｎの第１噴出口１１および第２噴出口１２からウエハＷの表面にＮ２ガスを供給することにより、トッププレートノズル７０ｎ自体もＮ２ガスにより乾燥する。
【０１１３】
以上より、乾燥する処理をする完了すると、ステップＳ１０７に進む。
【０１１４】
図２のステップＳ１１０において、搬送機構により、処理済みのウエハＷを基板処理装置１００外に搬出する。搬出方法は、ステップＳ１０１の逆手順と同様のため、説明を省略する。搬出を完了すると、図中の「ＥＮＤ」に進み、基板処理の動作を終了する。
【０１１５】
以上のように本実施の形態によれば、液処理工程中にトッププレート７０を効果的に洗浄することができる。
【符号の説明】
【０１１６】
１００  液処理装置
１０  基板支持部
１０ａ  トッププレート部材
１０ｓ  爪部
１０ｎ  トッププレートノズル
１０Ｌ  加熱部
１０Ｍ  ノズル駆動部
１１  第１噴出口
１２  第２噴出口
２０  貯留部材底部（貯留槽）
２０ａ  ベースプレート部材
２０ｎ  ベースプレートノズル
２０ｍ  吐出口
２１  貯留部材堰部
３０Ｍ  モータ
３０ａ  プレート駆動部
４０  カップ部
４０ａ  第１の液収容部
４０ｂ  第２の液収容部
４０ｇ  仕切りガイド
４１ｃ  排液口
４１ｄ  排液口
４１ｅ  排気口
５０、５０Ａ  液体供給源
５１、５１Ａ  配管（ＣＤＩＷ）
５２、５２Ａ  配管（ＳＣ１）
５３、５３Ａ  配管（ＨＤＩＷ）
５１ａ  三方弁（ＣＤＩＷ）
５６、５６Ａ  集合弁
５７、５７Ａ  供給管
７０  トッププレート（天板）
７０ｎ  トッププレートノズル
Ｗ  ウエハ（基板）
【図１】
0005666414.tif 000002
【図２】
0005666414.tif 000003
【図３】
0005666414.tif 000004
【図４】
0005666414.tif 000005
【図５】
0005666414.tif 000006
【図７】
0005666414.tif 000007
【図８】
0005666414.tif 000008
【図９】
0005666414.tif 000009
【図１０】
0005666414.tif 000010
【図１１】
0005666414.tif 000011
【図１２】
0005666414.tif 000012
【図１３】
0005666414.tif 000013
【図６】
0005666414.tif 000014