(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属基板上に絶縁層を介して配線パターンが設けられ前記配線パターンの一端側に読み取り・書き込み用のヘッド部が接続されると共に他端側に外部接続用の端子部を有するフレキシャであって、
前記絶縁層が、前記端子部裏側からその周辺を囲む部分にかけて連続し、
前記金属基板が、前記端子部裏側の部分を他の部分に対して切り離し電気的に独立した独立基板部を備えた、
ことを特徴とするフレキシャ。
【請求項２】
請求項１記載のフレキシャであって、
前記独立基板部は、少なくとも前記端子部裏側の全体を覆う平面形状である、
ことを特徴とするフレキシャ。
【請求項３】
請求項１又は２記載のフレキシャであって、
前記独立基板部は、前記端子部よりも大きい平面形状である、
ことを特徴とするフレキシャ。
【請求項４】
請求項１〜３の何れかに記載のフレキシャであって、
前記独立基板部は、平面形状が矩形形状、Ｘ字形状、又は円形形状の何れかである、
ことを特徴とするフレキシャ。
【請求項５】
請求項１〜４の何れかに記載のフレキシャであって、
前記独立基板部に貫通形成された孔部を備えた、
ことを特徴とするフレキシャ。
【請求項６】
請求項１〜５の何れかに記載のフレキシャであって、
前記独立基板部と前記他の部分との間は、少なくとも７０μｍの間隔を有して離反している、
ことを特徴とするフレキシャ。
【請求項７】
請求項１〜６の何れか１項に記載のフレキシャであって、
前記配線パターンは、複数本のパターン部を備え、
前記端子部は、各パターン部に対して設けられ、
前記独立基板部は、前記各パターン部の端子部に対応して設けられた、
ことを特徴とするフレキシャ。
【請求項８】
請求項１〜７の何れか１項に記載のフレキシャを備えたヘッドサスペンションであって、
ベースプレート及び該ベースプレートに支持されるロードビームを備え、
前記フレキシャが前記ロードビームに支持された、
ことを特徴とするヘッドサスペンション。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ハードディスクドライブ等の読み取り・書き込み用のヘッド部が取り付けられるフレキシャ及びこれを備えたヘッドサスペンションに関する。
【背景技術】
【０００２】
ハードディスクドライブ（ＨＤＤ）においては、高速で回転するディスク上をヘッドサスペンションに支持されたヘッド部が僅かに浮上してデータの記録・再生を行う。ヘッドサスペンションには、フレキシャが取り付けられてヘッド部を支持するようになっている。
【０００３】
フレキシャは、金属基板上に絶縁層を介して配線が設けられ、配線の一端側に読み取り・書き込み用のヘッド部が接続されると共に他端側に外部接続用の端子部を有している。このフレキシャは、端子部がハードディスクドライブの基板側の端子部に対して接続され、ヘッド部と基板との間の接続を確保する。
【０００４】
このようなフレキシャの端子部としては、例えば特許文献１のように、いわゆるフライングリード型のものがある。フライングリード型は、配線パターンの一部がフレキシャに形成された開口部上を通ることでの端子部が構成されている。
【０００５】
このフライングリード型では、開口部によって端子部裏側からその周辺を囲む部分にかけて絶縁層及び金属層が除去されるので、その部分で端子部が支持されずに強度が低下しやすいという問題がある。
【０００６】
これに対し、例えば特許文献２のように、非フライングリード型（以下、「パッド型」と称する）のものもある。パッド型では、絶縁層上にパッド状の端子部を設けて端子部裏側からその周辺を囲む部分にかけて絶縁層及び金属基板を位置させている。これにより、パッド型では、端子部の強度を向上することができる。
【０００７】
ところが、パッド型の端子部では、配線パターンに対して相対的に大型となるので、金属基板との間のキャパシタンス成分が大きくなって電気的特性の劣化を生じさせやすい。
【０００８】
このため、特許文献２に記載のものでは、端子部の裏側で金属基板に貫通孔を設けることで電気特性の劣化を抑制している。
【０００９】
しかしながら、この特許文献２に記載のものでも、信号伝送に対するインピーダンスの部分的な落ち込み等の乱れを抑制することはできず、電気特性の劣化を確実に抑制することはできなかった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開２００３−０３１９１５号公報
【特許文献２】特開２００７−２８７２８０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
解決しようとする問題点は、端子部の強度を向上すると電気特性の劣化を確実に抑制することができなかった点である。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明は、端子部の強度を向上しながら電気特性の劣化を確実に抑制するために、金属基板上に絶縁層を介して配線パターンが設けられ前記配線パターンの一端側に読み取り・書き込み用のヘッド部が接続されると共に他端側に外部接続用の端子部を有するフレキシャであって、前記絶縁層が、前記端子部裏側からその周辺を囲む部分にかけて連続し、前記金属基板が、前記端子部裏側の部分を他の部分に対して切り離して電気的に独立した独立基板部を備えたことを最も主な特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、端子部裏側からその周辺を囲む部分にかけて連続する絶縁層及び端子部裏側の独立基板部により、端子部の強度を向上しながら電気特性の劣化を確実に抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】ヘッドサスペンションの一例を示す平面図である（実施例１）。
【図２】図１のフレキシャの端子形成部を示す拡大平面図である（実施例１）。
【図３】図１のフレキシャの端子形成部を示す拡大背面図である（実施例１）。
【図４】図２のＩＶ−ＩＶ線矢視に係る断面図である（実施例１）。
【図５】（ａ）〜（ｃ）は、フレキシャの端子形成部を示す拡大背面図である（比較例）。
【図６】（ａ）〜（ｃ）は、フレキシャの配線パターンに対するインピーダンスの測定結果を比較例と共に示すグラフであり、（ａ）は、読み取り用、（ｂ）は、書き込み用、（ｃ）は、センサ用である（実施例１）。
【図７】図６の測定結果の端子部でのインピーダンスを示す図表である（実施例１）。
【図８】（ａ）〜（ｃ）は、実施例１に係るフレキシャの配線パターンに対するＳＤＤ２１の測定結果を比較例と共に示すグラフであり、（ａ）は、読み取り用、（ｂ）は、書き込み用、（ｃ）は、センサ用である（実施例１）。
【図９】図８の−３ｄＢでの周波数の測定結果を示す図表である（実施例１）。
【図１０】変形例１に係るフレキシャの端子形成部を示す拡大背面図である（実施例１）。
【図１１】変形例２に係るフレキシャの端子形成部を示す拡大背面図である（実施例１）。
【図１２】変形例３に係るフレキシャの端子形成部を示す拡大背面図である（実施例１）。
【図１３】変形例４に係るフレキシャの端子形成部を示す拡大背面図である（実施例１）。
【図１４】フレキシャの端子部周辺を示す断面図である（実施例２）。
【図１５】（ａ）〜（ｃ）は、図１４の端子部周辺の製造工程を示す断面図である（実施例２）。
【図１６】変形例に係るフレキシャの端子部周辺を示す断面図である（実施例２）。
【図１７】（ａ）〜（ｃ）は、図１６の端子部周辺の製造工程を示す断面図である（実施例２）。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
端子部の強度を向上しながら電気特性の劣化を確実に抑制するという目的を、絶縁層が、端子部裏側からその周辺を囲む部分にかけて連続し、金属基板が、端子部裏側の部分を他の部分に対して切り離されて電気的に独立した独立基板部を備えることによって実現した。
【００１６】
独立基板部は、少なくとも端子部裏側の全体を覆う平面形状とし、好ましくは端子部よりも大きい平面形状とする。
【００１７】
また、独立基板部と他の部分との間は、少なくとも７０μｍの間隔を有して離反させる。
【実施例１】
【００１８】
［ヘッドサスペンションの概略構成］
図１は、本発明実施例１のヘッドサスペンションの一例の概略構成を示す平面図である。
【００１９】
図１のように、ヘッドサスペンション１は、ロードビーム３と、ベースプレート５と、フレキシャ７とを備えている。
【００２０】
ロードビーム３は、読み取り書き込み用のヘッド部としてのスライダ９に負荷荷重を与えるもので、剛体部１１とばね部１３とを備えている。剛体部１１は、例えばステンレス鋼で形成され、その厚みは比較的厚く、例えば１００μｍ程度に設定されている。
【００２１】
ばね部１３は、剛体部１１とは別体に形成されたもので、例えばばね性のある薄いステンレス鋼圧延板からなり、剛体部１１よりもそのばね定数が低く、精度の高い低ばね定数を有している。ばね部１３の板厚は、例えば、ｔ＝４０μｍ程度に設定されている。このばね部１３は、その一端部が剛体部１１の後端部に、ベースプレート５の先端部にレーザ溶接等によって固着されている。
【００２２】
ベースプレート５は、ロードビーム３のばね部１３を介して剛体部１１を支持し、キャリッジのアームに取り付けられて軸回りに回転駆動される。
【００２３】
フレキシャ７は、ロードビーム３に沿って延設されてレーザ溶接等によって取り付けられている。フレキシャ７の先端側にはスライダ９が支持され、基端側はベースプレート５を超えて延設されたテール部１５となっている。
【００２４】
テール部１５の端部は、後述する端子部２７ａ〜２７ｇを備えた端子形成部１７となっている。この端子部２７ａ〜２７ｇがハードディスクドライブの基板側端子部（図示せず）に導電性接着剤やはんだ等によって接続され、スライダ９と基板との間の接続を確保する。
［フレキシャの具体構成］
図２は、図１のフレキシャの端子形成部を示す拡大平面図、図３は、図１のフレキシャの端子形成部を示す拡大背面図、図４は、図２のＩＶ−ＩＶ線矢視に係る断面図である。
【００２５】
フレキシャ７は、図２〜図４のように、金属基板１９上に絶縁層２１を介して配線パターン２３が形成されている。
【００２６】
金属基板１９は、例えば、ばね性を有する薄いステンレス鋼圧延板（ＳＳＴ）等の導電性薄板で形成されている。金属基板１９の積層方向での厚みは、１２〜２０μｍ程度に設定されている。
【００２７】
絶縁層２１は、例えば、可撓性絶縁樹脂であるポリイミドで形成されている。絶縁層２１の積層方向での厚みは、５〜１５μｍ程度に設定されているに形成されている。
【００２８】
配線パターン２３は、例えば、銅等の導電性金属からなり、積層方向での厚みが８〜１５μｍ程度に設定されている。なお、配線パターン２３は、図示しないポリイミド等の樹脂からなるカバー絶縁層によって被覆されている。
【００２９】
この配線パターン２３は、信号伝送用の読み取り用配線及び書き込み用配線並びにスライダ９の微少調整用のヒータ配線やセンサ配線等として機能するものであり、複数のパターン部２５ａ〜２５ｇからなっている。
【００３０】
各パターン部は、フレキシャ７の先端側から基端側にかけて延設されている。パターン部２５ａ〜２５ｇの先端側はスライダ９に接続され、基端側にはフレキシャ７の端子形成部１７上に位置するパッド型の外部接続用の端子部２７ａ〜２７ｇが各別に設けられている。
【００３１】
従って、配線パターン２３は、一端側に読み取り・書き込み用のスライダ９が接続されると共に他端側に外部接続用の端子部２７ａ〜２７ｇを有する構成となっている。
【００３２】
端子部２７ａ〜２７ｇは、配線パターン２３のパターン部２５ａ〜２５ｇに対して幅広の矩形板状に形成されている。これらの端子部２７ａ〜２７ｇは、フレキシャ７の延設方向に対する交差方向に沿って配置され、隣接間に所定の間隔を有して平行に配置されている。
【００３３】
端子部２７ａ〜２７ｇの表側は、カバー絶縁層が剥離されて外部に露出している。この端子部２７ａ〜２７ｇの表側には、ハードディスクドライブの基板側の端子部が導電性接着剤等の導電性部材を介して導通接続される。
【００３４】
端子部２７ａ〜２７ｇの裏側は、絶縁層２１及び独立基板部２９ａ〜２９ｇによって支持されている。裏側の絶縁層２１は、端子部２７ａ〜２７ｇの裏側からその周辺を囲む部分にかけて連続している。
【００３５】
従って、端子部２７ａ〜２７ｇを支持する絶縁層２１は、その支持強度に影響する範囲内にフライングリード型のような開口や孔を有しておらず、端子部２７ａ〜２７ｇを確実に支持することができる。なお、本実施例では、絶縁層２１がフレキシャ７の端子形成部１７の略全域にわたって開口や孔の無い連続した板状に形成されている。
【００３６】
独立基板部２９ａ〜２９ｇは、図３及び図４のように、金属基板１９の端子部２７ａ〜２７ｇの裏側に位置する部分からなる。従って、各独立基板部は、各端子部に対応して設けられている。
【００３７】
独立基板部２９ａ〜２９ｇは、他の部分である隣接間及び金属基板１９の本体部３１との間に溝部３３が設けられている。溝部３３は、金属基板１９がエッチング等によって部分的に除去されて形成され絶縁層２１を露出させている。溝部３３の幅は、少なくとも７０μｍ程度に設定されている。従って、独立基板部２９ａ〜２９ｇと他の部分との間は、少なくとも７０μｍの間隔を有して離反している。
【００３８】
これにより、独立基板部２９ａ〜２９ｇは、隣接間及び金属基板１９の本体部３１に対して切り離されて電気的に独立している。なお、独立基板部２９ａ〜２９ｇを隣接間及び金属基板１９の本体部３１対して電気的に独立するには、溝部３３が７０μｍ程度あればよい。また、溝部３３は、例えば絶縁部材によって埋めてもよい。
【００３９】
独立基板部２９ａ〜２９ｇは、それぞれ端子部２７ａ〜２７ｇよりも大きい平面矩形の板状に形成され、絶縁層２１を介して端子部２７ａ〜２７ｇの裏側及びその周辺を囲む部分を支持している。
【００４０】
従って、端子部２７ａ〜２７ｇは、その裏側及び周辺を囲む部分が絶縁層２１及び独立基板部２９ａ〜２９ｇに支持されており、強度を向上することができる。
【００４１】
加えて、独立基板部２９ａ〜２９ｇは、隣接間及び金属基板１９の本体部３１に対して電気的に独立しているため、対応する端子部２７ａ〜２７ｇとの間でのキャパシタンス成分の発生や増大が抑制される。
【００４２】
従って、フレキシャ７は、端子部２７ａ〜２７ｇでのインピーダンスの部分的な落ち込み等の乱れを抑制することができ、電気特性の劣化を確実に抑制することができる。
［実験結果］
本発明の実施例１及び比較例１〜３に係るフレキシャの配線パターンに対し、ＴＤＲ（時間領域反射率測定）によるインピーダンスの測定及びＳＤＤ２１（差動伝送特性）の測定を行った。
（比較例の構成）
図５（ａ）〜（ｃ）は、比較例に係るフレキシャの端子形成部を示す拡大背面図である。
【００４３】
比較例１〜３に係るフレキシャ７ａ〜７ｃは、図５（ａ）〜（ｃ）のように、端子形成部１７ａ〜１７ｃ上に実施例１と同様のパッド型の端子部２７ａ〜２７ｇ（図示せず）を有すると共に端子形成部１７ａ〜１７ｃの略全域で絶縁層２１及び金属基板１９ａ〜１９ｃがフライングリード型のような開口や孔の無い連続する板状となっている。
【００４４】
また、比較例２及び３のフレキシャ７ｂ及び７ｃは、端子部２７ａ〜２７ｇに対応して、金属基板１９ｂ及び１９ｃに貫通孔３５ｂａ〜３５ｂｇ及び３５ｃａ〜３５ｃｇを各別に備えている。
（インピーダンス）
図６（ａ）〜（ｃ）は、実施例１に係るフレキシャの配線パターンに対するインピーダンスの測定結果を比較例と共に示すグラフであり、（ａ）は、読み取り用、（ｂ）は、書き込み用、（ｃ）は、センサ用である。図７は、図６の端子部での測定結果のインピーダンスを示す図表である。
【００４５】
なお、図６の縦軸は、インピーダンス（Ω）であり、横軸は、時間（ｎｓｅｃ（ナノ秒））である。また、図６のインピーダンスは、左端領域Ｒ１が端子部を、中央領域Ｒ２がテール部からロードビームのばね部に対応する部分までを、右端領域Ｒ３がばね部に対応する部分からスライダまでをそれぞれ示している。図７のＲｅａｄは読み取り用、Ｗｒｉｔｅは書き込み用、Ｓｅｎｓｏｒはセンサ用の測定結果を示している。
【００４６】
図６（ａ）〜（ｃ）及び図７から明らかなように、比較例１〜３のフレキシャ７ａ〜７ｃでは、端子部２７ａ〜２７ｇにおいてインピーダンスの落ち込みが見られる。これに対し、実施例１のフレキシャ７では、そのようなインピーダンスの落ち込みが無くテール部１５側へ遷移している。
【００４７】
なお、図６（ｂ）及び図７のように、書き込み用では、比較例１及び２のフレキシャ７ａ及び７ｂにおいて端子部２７ａ〜２７ｇでのインピーダンスの部分的な落ち込みが少なく、比較例３のフレキシャ７ｃにおいて端子部２７ａ〜２７ｇでのインピーダンスが部分的に増加している。
【００４８】
これに対し、本実施例のフレキシャ７においては、そのような部分的な落ち込みや増加等のインピーダンスの乱れが全く見られず円滑に遷移している。
【００４９】
このように、本実施例では、独立基板部２９ａ〜２９ｇが隣接間及び金属基板１９の本体部３１に対して電気的に独立していることから、端子部２７ａ〜２７ｇでのインピーダンスの部分的な落ち込み等の乱れを抑制することができ、電気特性の劣化を確実に抑制することができることが確認できた。
（ＳＤＤ２１）
図８（ａ）〜（ｃ）は、実施例１に係るフレキシャの配線パターンに対するＳＤＤ２１の測定結果を比較例と共に示すグラフであり、（ａ）は、読み取り用、（ｂ）は、書き込み用、（ｃ）は、センサ用である。図９は、図８の−３ｄＢでの周波数の測定結果を示す図表である。
【００５０】
なお、図８の縦軸は、ＳＤＤ２１（ｄＢ）であり、横軸は、周波数（ＧＨｚ）である。また、図９のＲｅａｄは読み取り用、Ｗｒｉｔｅは書き込み用、Ｓｅｎｓｏｒはセンサ用の測定結果を示している。
【００５１】
図８（ａ）〜（ｃ）及び図９から明らかなように、実施例１のフレキシャ７では、ＳＤＤ２１が−３ｄＢでの周波数が、書き込み用、読み取り用、センサ用の何れにおいても比較例１〜３のフレキシャ７ａ〜７ｃに対する最大値をとり、帯域幅を拡大することができた。
【００５２】
このように、本実施例では、独立基板部２９ａ〜２９ｇが隣接間及び金属基板１９の本体部３１に対して電気的に独立していることで、インピーダンスの乱れ抑制に加えて、帯域幅を拡大できることも確認できた。
［実施例１の効果］
本実施例のフレキシャ７では、金属基板１９上に絶縁層２１を介して配線パターン２３が設けられ配線パターン２３の一端側に読み取り・書き込み用のスライダ９が接続されると共に他端側に外部接続用の端子部２７ａ〜２７ｇを有するフレキシャ７であって、絶縁層２１が、端子部２７ａ〜２７ｇ裏側からその周辺を囲む部分にかけて連続し、金属基板１９が、端子部２７ａ〜２７ｇ裏側の部分を他の部分に対して切り離し電気的に独立した独立基板部２９ａ〜２９ｇを備えている。
【００５３】
従って、本実施例のフレキシャ７では、端子部２７ａ〜２７ｇ裏側からその周辺を囲む部分にかけて連続する絶縁層２１及び端子部２７ａ〜２７ｇ裏側の独立基板部２９ａ〜２９ｇにより、端子部２７ａ〜２７ｇの強度を向上しながら電気特性の劣化を確実に抑制することができる。
【００５４】
すなわち、フレキシャ７は、端子部２７ａ〜２７ｇの裏側及び周辺を囲む部分が絶縁層２１に支持されると共に少なくとも端子部２７ａ〜２７ｇの裏側が絶縁層２１を介して独立基板部２９ａ〜２９ｇに支持されているので、端子部２７ａ〜２７ｇの裏側の強度を向上することができる。
【００５５】
この結果、本実施例では、端子部２７ａ〜２７ｇの裏側から治具による基板側の端子部に対する接合操作を行わせて確実に接合することができる。
【００５６】
加えて、本実施例の端子部２７ａ〜２７ｇは、裏側及び周辺を囲む部分が絶縁層２１に支持されており、フレキシャ７に対する支持強度を向上することができる。
【００５７】
このため、本実施例の端子部２７ａ〜２７ｇは、より確実に基板側の端子部に接合を行わせることができると共に接合後の信頼性をも向上することができる。
【００５８】
さらに、本実施例のフレキシャ７では、独立基板部２９ａ〜２９ｇが、他の部分である隣接間及び金属基板１９の本体部３１に対して電気的に独立しているため、対応する端子部２７ａ〜２７ｇとの間でのキャパシタンス成分の発生や増大を抑制することができる。
【００５９】
従って、本実施例のフレキシャ７では、端子部２７ａ〜２７ｇでのインピーダンスの部分的な落ち込み等の乱れを抑制することができ、電気特性の劣化を確実に抑制することができる。
【００６０】
独立基板部２９ａ〜２９ｇは、少なくとも端子部２７ａ〜２７ｇ裏側の全体を覆う平面形状、本実施例においては端子部２７ａ〜２７ｇよりも大きい平面矩形の板状である。
【００６１】
このため、本実施例のフレキシャ７では、端子部２７ａ〜２７ｇの裏側及び周辺を囲む部分を絶縁層２１及び独立基板部２９ａ〜２９ｇによって支持することができ、端子部２７ａ〜２７ｇの裏側の強度及びフレキシャ７に対する支持強度を確実に向上することができる。
【００６２】
本実施例では、配線パターン２３が、読み取り、書き込み、及びセンサ用の複数本のパターン部２５ａ〜２５ｇを備え、端子部２７ａ〜２７ｇが、各パターン部に対して設けられ、独立基板部２９ａ〜２９ｇが、各パターン部の端子部に対応して設けられている。
【００６３】
従って、本実施例では、読み取り、書き込み、及びセンサ用の全パターン部２５ａ〜２５ｇに対する端子部２７ａ〜２７ｇでのインピーダンスの乱れを抑制することができ、接続及び信号伝送の信頼性の高いフレキシャ７を実現することができる。
【００６４】
ただし、書き込み用に対しては、インピーダンスの乱れ自体が少ないので、独立基板部としなくてもよい。
【００６５】
上記フレキシャ７を有するヘッドサスペンション１は、ベースプレート５及び該ベースプレート５に支持されるロードビーム３を備え、フレキシャ７がロードビーム３に支持されている。
【００６６】
従って、本実施例では、フレキシャ７の端子部２７ａ〜２７ｇでのインピーダンスの乱れを抑制することが可能な信頼性の高いヘッドサスペンション１を実現することができる。
［変形例］
本実施例では、図１０〜図１３のように、独立基板部の形状を変更することも可能である。
【００６７】
図１０〜図１３は、変形例１〜４に係るフレキシャの端子形成部を示す拡大背面図である。なお、変形例においては、上記実施例１と基本構成が共通しているため、対応する部分に同符号或いは同符号にＡ〜Ｄを付して重複した説明を省略する。
【００６８】
図１０の変形例１は、独立基板部２９Ａａ〜２９Ａｇを端子部２７ａ〜２７ｇと同一の平面矩形の板状に形成したものである。これに応じて、独立基板部２９Ａａ〜２９Ａｇは、隣接間及び金属基板１９の本体部３１との間の溝３３Ａが実施例１に対して大きくなっている。
【００６９】
図１１の変形例２は、独立基板部２９Ｂａ〜２９Ｂｇの平面形状をＸ字状にしたものである。独立基板部２９Ｂａ〜２９Ｂｇは、その中央部が端子部２７ａ〜２７ｇの裏側を覆う平面形状になっており、端子部２７ａ〜２７ｇの四隅に対応する部分から脚部３７ａ〜３７ｄが放射方向に延びている。
【００７０】
かかる平面形状に応じて、独立基板部２９Ｂａ〜２９Ｂｇも、隣接間及び金属基板１９の本体部３１との間の溝３３Ｂが実施例１に対して大きくなっている。
【００７１】
図１２の変形例３は、独立基板部２９Ｃａ〜２９Ｃｇの平面形状を円形形状にしたものである。独立基板部２９Ｃａ〜２９Ｃｇは、端子部２７ａ〜２７ｇの幅方向両側に対して突出しながら中央部が端子部２７ａ〜２７ｇの裏側中央部を覆う平面形状となっている。なお、端子部２７ａ〜２７ｇの長手方向の両側は、独立基板部２９Ｃａ〜２９Ｃｇの外縁から突出する。
【００７２】
かかる平面形状に応じて、独立基板部２９Ｃａ〜２９Ｃｇも、隣接間及び金属基板１９の本体部３１との間の溝３３Ｃが実施例１に対して大きくなっている。
【００７３】
図１３の変形例４は、独立基板部２９Ｄａ〜２９Ｄｇの平面形状を実施例１と同一にすると共に独立基板部２９Ｄａ〜２９Ｄｇに貫通形成された複数の孔部３９を設けたものである。各孔部３９からは、絶縁層２１を外部に露出させている。
【００７４】
上記の変形例１〜４の何れにおいても、上記実施例１と同様の作用効果を奏することができる。加えて、変形例４では、複数の孔部３９によって絶縁層２１を外部に露出させ、放熱性を向上することができる。
【００７５】
なお、変形例１〜３のように、独立基板部の平面形状に応じて溝３３Ａ〜３３Ｃを大きく設定することができるが、その最大サイズ（独立基板部の最小サイズ）は基板側の端子部への接合用の設備や治具によって決まる。
【実施例２】
【００７６】
［端子部周辺の構造］
図１４は、本発明の実施例２に係るフレキシャの端子部周辺を示す断面図である。なお、本実施例では、上記実施例１と基本構成が共通しているため、対応する部分に同符号或いは同符号にＥを付して重複した説明を省略する。本実施例２は、参考例であり、特許請求の範囲には含まれない。
【００７７】
本実施例のフレキシャ７Ｅは、図１４のように、独立基板部２９Ｅを端子部２７Ｅと導通接続したものである。なお、独立基板部２９Ｅは、独立基板部２９Ｅａ〜２９Ｅｇの何れかであり、対応する端子部２７Ｅａ〜２７Ｅｇの何れかである端子部２７Ｅに導通接続される。従って、本実施例では、独立基板部２９Ｅａ〜２９Ｅｇの何れか及び端子部２７Ｅａ〜２７Ｅｇの何れかについて、独立基板部２９Ｅ及び端子部２７Ｅを用いて説明する。
【００７８】
独立基板部２９上では、絶縁層２１Ｅ及び端子部２７Ｅに貫通形成された貫通孔４１を備えている。貫通孔４１は、端子部２７Ｅ上で開口すると共に端子部２７Ｅの裏側において独立基板部２９Ｅに閉塞されている。この貫通孔４１内には、導電性接着剤や銀ペースト等の導電性部材が充填されてなる接続部４３が設けられている。
【００７９】
接続部４３は、独立基板部２９Ｅの表面に固着すると共に貫通孔４１内で端子部２７Ｅに固着している。この接続部４３は、貫通孔４１を介して端子部２７Ｅの表面上に突出している。端子部２７Ｅの表面に対しては、接続部４３がドーム形状となっており、その縁部が貫通孔４１の開口から放射方向に突出して固着している。
【００８０】
従って、独立基板部２９Ｅは、接続部４３により貫通孔４１を介して対応する端子部２７Ｅに導通接続されている。
【００８１】
なお、本実施例の独立基板部２９Ｅとしては、上記実施例１及び図１０〜図１３の変形例の何れかを用いればよい。
［端子部周辺の製造］
図１５（ａ）〜（ｃ）は、図１４の端子部周辺の製造工程を示す断面図である。
【００８２】
本実施例のフレキシャ７の端子部２７Ｅ周辺を製造する際は、図１５（ａ）のように、予め半製品金属基板４７上に半製品絶縁層４９及び半製品端子部５１を形成しておく。
【００８３】
なお、半製品絶縁層４９は、例えば熱硬化性や感光性ポリイミド樹脂を半製品金属基板４７の表面上に塗工しておき、これに加熱或いは紫外光の照射を行うことで形成することができる。半製品端子部５１は、例えば銅等の導電性材料のメッキ等によって半製品絶縁層４９上に形成することができる。
【００８４】
次いで、図１５（ｂ）のように、貫通孔４１及び溝部３３Ｅの形成を行う。貫通孔４１の形成は、エッチング等によって半製品端子部５１及び半製品絶縁層４９を部分的に除去することで行われる。同様に、溝部３３Ｅの形成も、エッチング等によって半製品金属基板４７を部分的に除去することで行われる。
【００８５】
これにより、貫通孔４１を備えた絶縁層２１Ｅ及び端子部２７Ｅと独立基板部２９Ｅとが形成されることになる。
【００８６】
次いで、図１５（ｃ）のように、貫通孔４１に対する導電性部材の充填を行う。充填の際は、導電性部材が貫通孔４１の開口から溢れて端子部２７Ｅの表面上に放射状に拡がる程度に行う。こうして充填された導電性部材が硬化すると、貫通孔４１Ｅを介して独立基板部２９Ｅと端子部２７Ｅとを導通接続する接続部４３が形成される。
［実施例２の効果］
本実施例では、上記実施例１と同様の作用効果を奏することができる。
【００８７】
加えて、本実施例では、独立基板部２９Ｅ上で絶縁層２１Ｅ及び端子部２７Ｅに貫通形成された貫通孔４１Ｅと、貫通孔４１Ｅを介して独立基板部２９Ｅと端子部２７Ｅとを導通接続する接続部４３とを備えている。従って、本実施例では、独立基板部２９Ｅに静電気が帯電することを抑制できる。
【００８８】
また、本実施例では、接続部４３が貫通孔４１内に充填された導電性部材からなるので、より確実に独立基板部２９Ｅと端子部２７Ｅとの導通接続を確保して独立基板部２９Ｅに静電気が帯電することを抑制できる。
【００８９】
また、本実施例では、フレキシャ７Ｅ単体で或いはフレキシャ７Ｅをヘッドサスペンション１に取り付けてから検査する際に、端子部２７Ｅ及び独立基板部２９Ｅの両側から電気特性測定用のプロービングを行わせることが可能となる。結果として、検査設備の自由度を向上させることができる。
【００９０】
しかも、独立基板部２９Ｅに対してプロービングを行わせることで、端子部２７Ｅに対するダメージ低減をも図ることができる。
［変形例］
実施例２では、図１６のように、接続部の構造を変更することも可能である。
【００９１】
図１６は、変形例に係るフレキシャの端子部周辺を示す断面図である。なお、変形例においては、上記実施例２と基本構成が共通しているため、対応する部分に同符号或いは同符号にＦを付して重複した説明を省略する。
【００９２】
本変形例は、接続部４３Ｆが端子部２７Ｆから貫通孔４１Ｆ内に一体に延設されたものである。
【００９３】
すなわち、絶縁層２１Ｆには、独立基板部２９Ｆ側に向けて漸次縮径する貫通孔４１Ｆが貫通形成されている。この貫通孔４１Ｆ内は、端子部２７Ｆに一体に設けられた接続部４３が位置している。
【００９４】
接続部４３Ｆは、端子部２７Ｆ中央が屈曲してなり、貫通孔４１Ｆ内周及び独立基板部２９Ｆの表面に倣って固着形成されている。これにより、端子部２７Ｆと独立基板部２９Ｆとは、接続部４３Ｆによって導通接続されている。なお、端子部２７Ｆは、接続部４３Ｆの屈曲形状によって、中央部に凹部４５が区画形成されている。
【００９５】
図１７（ａ）〜（ｃ）は、図１６の端子部周辺の製造工程を示す断面図である。
【００９６】
本実施例のフレキシャ７の端子部２７Ｆ周辺を製造する際は、図１７（ａ）のように、予め半製品金属基板４７Ｆ上に貫通孔４１Ｆを有する絶縁層２１Ｆを形成する。絶縁層２１Ｆは、例えば感光性ポリイミド樹脂を半製品金属基板４７Ｆの表面上に塗工しておき、これに諧調マスクを用いた露光・現像を行うことで貫通孔４１Ｆと共に形成することができる。
【００９７】
次いで、図１７（ｂ）のように、端子部２７Ｆを絶縁層２１Ｆ上に形成する。端子部２７Ｆは、例えば銅等の導電性材料のメッキ等によって形成することができる。このとき、端子部２７Ｆには、貫通孔４１内に倣って接続部４３Ｆが形成される。
【００９８】
次いで、図１７（ｃ）のように、溝部３３Ｆの形成を行う。溝部３３Ｆの形成は、上記実施例同様、エッチング等によって半製品金属基板４７を部分的に除去することで行われる。
【００９９】
これにより、独立基板部２９Ｆが形成され、結果として貫通孔４１Ｆを介して端子部２７Ｆと独立基板部２９Ｆとが接続部４３Ｆによって導通接続されたフレキシャ７Ｆが形成されることになる。
【０１００】
本変形例では、上記実施例２と同様の作用効果を奏することができるのに加え、配線パターン２３を電気メッキによって形成する場合、その形成を独立基板部２９Ｆから給電して行わせることができる。
【０１０１】
この結果、本実施例では、端子部２７Ｆ近傍にフレキシャ７の完成品としては不要となる電気メッキ用の配線を省略することができ、電気特性を向上することができる。
【符号の説明】
【０１０２】
１  ヘッドサスペンション
３  ロードビーム
５  ベースプレート
７  フレキシャ
９  スライダ（ヘッド部）
１９  金属基板
２１  絶縁層
２３  配線パターン
２５ａ〜２５ｇ  パターン部
２７ａ〜２７ｇ  端子部
２９ａ〜２９ｇ  独立基板部
４１  貫通孔
４３  接続部
【図１】
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【図２】
0005713718.tif 000003
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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