(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）酸化物半導体が付着したガラス基板に対して還元処理を施し、前記酸化物半導体を還元する工程と、
（ｂ）前記還元された酸化物半導体を前記ガラス基板から剥離する工程と、
を備え、
前記工程（ａ）において、前記還元処理は、電解液内にて陽極と陰極との間に前記ガラス基板が配置された状態で、前記陽極および前記陰極の各々に電圧を印加することによって施され、
前記工程（ｂ）において、前記剥離は、バレル研磨によって行われ、
前記工程（ａ）と前記工程（ｂ）とは、同時に行われることを特徴とする、酸化物半導体中の金属成分の回収方法。
【請求項２】
前記酸化物半導体は、インジウムを含むことを特徴とする、請求項１に記載の酸化物半導体中の金属成分の回収方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、透明導電膜などの材料として用いられる酸化物半導体中の金属成分の回収方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶ディスプレイなどに使用されている透明導電膜の材料には、酸化物半導体であるＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ：酸化インジウム・酸化スズ）が用いられている。ＩＴＯに含まれるインジウム（以下、Ｉｎとも称する）は希少金属の１つであるため、液晶ディスプレイなどからＩｎを回収して再資源化することが課題となっている。ＩＴＯはガラス基板上に形成（成膜）されているが、パネル全体におけるＩｎ含有量は数百ｐｐｍ程度であるため、ガラス基板からＩｎを分離した上で回収する必要がある。
【０００３】
ガラス基板からＩｎを回収する方法として、従来では、破砕したガラス基板を酸に浸漬させてＩＴＯを溶解し、溶解後のＩｎ，スズ（以下、Ｓｎとも称する）、および液晶を含有する液から液晶を分離した後、ＩｎおよびＳｎを含有する液を陰イオン交換樹脂と接触させることによってＩｎおよびＳｎを陰イオン交換樹脂に吸着させる方法がある（例えば、特許文献１参照）。その後、ＩｎおよびＳｎを吸着させた陰イオン交換樹脂に純水を接触させることによって、ＩｎおよびＳｎを陰イオン交換樹脂から脱離させ、ＩｎおよびＳｎの濃縮液を作製する。その後、ＩｎおよびＳｎの濃縮液のｐＨを調整することによって、水酸化Ｓｎを沈殿除去し、さらにｐＨ調整することによって水酸化Ｉｎを得ている。なお、上記の酸としては、蟻酸、リン酸、シュウ酸、などの有機酸や、塩酸、硫酸、硝酸などの無機酸を用いている。
【０００４】
また、他の方法として、破砕した廃液晶ディスプレイのガラス基板と、薬剤と、水との混合物に、熱と圧力を加えて亜臨界水状態とし、ガラスを回収した後に、処理液の浮遊物としてＩＴＯを回収する方法がある（例えば、特許文献２参照）。回収されたＩＴＯは、精錬工場でインジウムに分離され再利用されている。なお、上記の薬剤としては、有機物の剥離性、分解性、および溶解性の少なくともいずれかを向上するものとし、アルカリまたはアルコールなどを用いている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００８−７３６１９号公報
【特許文献２】国際公開第２０１０／０９０２１８号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
従来のＩｎの回収方法では、ガラス基板からＩＴＯを溶解させるために酸やアルカリを使用しているため、耐酸性や耐アルカリ性の高い設備が必要となる。また、未使用の酸やアルカリの保管設備、使用済みの廃液の保管設備や破棄処理などが必要となる。さらに、酸やアルカリによる溶解処理後にＩｎを回収する際には、処理液を中和する必要があるため、多量の酸やアルカリが必要になるだけでなく、工程数が増加して作業が煩雑になりコストがかかるという問題があった。
【０００７】
本発明は、これらの問題を解決するためになされたものであり、酸やアルカリを使用することなくガラス基板上に形成された酸化物半導体中の金属成分を回収することが可能な酸化物半導体中の金属成分の回収方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記の課題を解決するために、本発明による酸化物半導体中の金属成分の回収方法は、（ａ）酸化物半導体が付着したガラス基板に対して還元処理を施し、酸化物半導体を還元する工程と、（ｂ）還元された酸化物半導体をガラス基板から剥離する工程とを備え、工程（ａ）において、還元処理は、電解液内にて陽極と陰極との間にガラス基板が配置された状態で、陽極および陰極の各々に電圧を印加することによって施され、工程（ｂ）において、剥離は、バレル研磨によって行われ、工程（ａ）と工程（ｂ）とは、同時に行われることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によると、（ａ）酸化物半導体が付着したガラス基板に対して還元処理を施し、酸化物半導体を還元する工程と、（ｂ）還元された酸化物半導体をガラス基板から剥離する工程とを備え、工程（ａ）において、還元処理は、電解液内にて陽極と陰極との間にガラス基板が配置された状態で、陽極および陰極の各々に電圧を印加することによって施され、工程（ｂ）において、剥離は、バレル研磨によって行われ、工程（ａ）と工程（ｂ）とは、同時に行われることを特徴とするため、酸やアルカリを使用することなくガラス基板上に形成された酸化物半導体中の金属成分を回収することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の実施の形態１による酸化物半導体中の金属成分の回収工程の一例を示すフローチャートである。
【図２】本発明の実施の形態１による液晶パネルの断面の一例を示す図である。
【図３】本発明の実施の形態１によるＩＴＯ電解還元装置の構成の一例を示す図である。
【図４】本発明の実施の形態１による超音波剥離装置の構成の一例を示す図である。
【図５】本発明の実施の形態２による振とう剥離装置の構成の一例を示す図である。
【図６】本発明の実施の形態３による撹拌剥離装置の構成の一例を示す図である。
【図７】本発明の実施の形態４によるバレル研磨装置の構成の一例を示す図である。
【図８】本発明の実施の形態５による酸化物半導体中の金属成分の回収工程の一例を示すフローチャートである。
【図９】本発明の実施の形態５による超音波印加電解還元装置の構成の一例を示す図である。
【図１０】本発明の実施の形態６による振とう機能付き電解還元装置の構成の一例を示す図である。
【図１１】本発明の実施の形態７による撹拌機能付き電解還元装置の構成の一例を示す図である。
【図１２】本発明の実施の形態８による電解バレル研磨装置の構成の一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
本発明の実施の形態について、図面に基づいて以下に説明する。
【００１２】
＜実施の形態１＞
図１は、本発明の実施の形態１による酸化物半導体中の金属成分の回収工程の一例を示すフローチャートである。図１に示すように、本実施の形態１による回収工程は、パネル分離工程、ＩＴＯ還元工程、還元物剥離工程、ガラス分離工程、剥離物回収工程を含んでいる。以下、図１を用いて各工程の詳細について順に説明する。
【００１３】
［１］パネル分離工程
パネル分離工程では、ＣＦ（Ｃｏｌｏｒ  Ｆｉｌｔｅｒ）基板とＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）基板とを分離する。
【００１４】
図２は、本実施の形態１による液晶パネルの断面の一例を示す図である。図２に示す液晶パネルでは、透明電極として酸化物半導体であるＩＴＯが用いられている。
【００１５】
図２に示すように、ＣＦ基板およびＴＦＴ基板には、それぞれ透明電極としてＩＴＯ膜１ａ、ＩＴＯ膜１ｂ（以下、総称してＩＴＯ膜１とも称する）が成膜されている。また、ＩＴＯ膜１ａ、ＩＴＯ膜１ｂのそれぞれを覆うように、配向膜２ａ、配向膜２ｂ（以下、総称して配向膜２とも称する）が成膜されている。また、液晶３は配向膜２ａと配向膜２ｂとの間に挟持され、ＣＦ基板とＴＦＴ基板とをシール剤４によってシール（封止）されている。また、ＣＦ基板、ＴＦＴ基板の表面には、それぞれ偏光板５ａ、偏光板５ｂが貼付されている。
【００１６】
ＣＦ基板とＴＦＴ基板とを分離する方法は特に規定しないが、例えば、液晶パネル全面の破砕、シール剤４が接合している箇所の部分破砕、あるいはシール剤４の研磨によるシール剤４の除去などを実施することによって分離する。
【００１７】
なお、ＣＦ基板とＴＦＴ基板とを分離した後、偏光板５ａおよび偏光板５ｂは各基板に貼付されたままの状態となっているが、除去した方がより好ましい。
【００１８】
［２］ＩＴＯ還元工程
図３は、本実施の形態１によるＩＴＯ電解還元装置の構成の一例を示す図である。図３に示すように、本実施の形態１によるＩＴＯ還元工程では、ＩＴＯ付きガラス基板１７に対して電解による還元処理を施し、ＩＴＯ付きガラス基板１７上に形成されたＩＴＯ膜（酸化物半導体）を還元している。ここで、ＩＴＯ付きガラス基板１７とは、上記のパネル分離工程にて分離された、ＩＴＯ膜１が付着しているＣＦ基板およびＴＦＴ基板のことをいう。なお、以下では、ＣＦ基板およびＴＦＴ基板のことをガラス基板とも称する。
【００１９】
電解還元槽１１は、絶縁物で形成され、例えば、樹脂、ガラス、セラミック、あるいは絶縁膜を塗布した金属容器などが用いられる。
【００２０】
電解還元槽１１内には、中性電解液１２が入っている。なお、中性電解液１２は、導電率１０００μＳ／ｃｍ以下の淡水または中性塩溶液であり、かつｐＨが３より大きいこと以外は特に規定しない。
【００２１】
電解還元槽１１内には、陽極１３および陰極１４が設置されている。陽極１３と陰極１４とは、電源１８を介して接続されている。陽極１３および陰極１４の材料としては、金属あるいはカーボンが用いられる。なお、陽極１３および陰極１４の材料として金属を用いる場合は、Ｐｔ（白金）などの耐食性金属か、あるいはＴｉＮ（窒化チタン）など導電性を有する薄膜を金属にコーティングしたものを用いる。
【００２２】
陽極１３と陰極１４との間には、保持台１５が設置されている。保持台１５は、絶縁物を用いて形成され、例えば、樹脂、ガラス、セラミック、あるいは絶縁膜を塗布した金属などが用いられる。また、保持台１５の台座部分はネット１６で形成されており、ネット１６上にＩＴＯ付きガラス基板１７が載置されている。ネット１６は、絶縁物を用いたメッシュ状のものであり、例えば、樹脂ネット、ガラス、セラミック、あるいは絶縁膜を塗布した金属などで形成されている。なお、ネット１６の穴の大きさは特に規定しないが、ＩＴＯ付きガラス基板１７が落下しない大きさであれば、できるだけ大きい方がより好ましい。
【００２３】
なお、図３では、陽極１３および陰極１４は、ネット１６に対して垂直方向に配置されているが、ＩＴＯ付きガラス基板１７が陽極１３と陰極１４との間に配置され、かつ陽極１３と陰極１４とが接触しなければどのような配置であってもよい。例えば、陽極１３と陰極１４とを、ＩＴＯ付きガラス基板１７を挟む位置であり、かつネット１６に対して平行方向に配置してもよい。
【００２４】
図３に示すＩＴＯ電解還元装置において、電源１８を用いて陽極１３および陰極１４のそれぞれに電圧を印加することによって、ＩＴＯ付きガラス基板１７上のＩＴＯ膜を還元する。印加電圧は、陽極１３と陰極１４との距離に依存するが、本実施の形態１では２Ｖ以上２００Ｖ以下とする。なお、印加電圧をパルス状にして、陽極１３および陰極１４の極性を一定間隔で切り替えるようにしてもよい。また、電源１８として交流電源を用いてもよい。
【００２５】
本実施の形態１によるＩＴＯ電解還元装置を用いた電解還元処理において、ＩＴＯ膜を構成する酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３）および酸化スズ（ＳｎＯ２）は、それぞれ以下の化学反応式（１），（２）によって金属Ｉｎおよび金属Ｓｎに還元される。
【００２６】
Ｉｎ２Ｏ３＋６Ｈ＋＋６ｅ  →  ２Ｉｎ＋３Ｈ２Ｏ  ・・・（１）
ＳｎＯ２＋４Ｈ＋＋６ｅ  →  Ｓｎ＋２Ｈ２Ｏ  ・・・（２）
化学反応式（１），（２）に示すように、還元時にＩＴＯ膜から酸素（Ｏ）が抜けるため、ＩＴＯ膜はＳｎを含む低密度で疎なＩｎ膜へと還元される。
【００２７】
［３］還元物剥離工程
図４は、本実施の形態１による超音波剥離装置の構成の一例を示す図である。図４に示すように、本実施の形態１による還元物剥離工程では、ＩＴＯ還元工程にて還元されたＩＴＯ膜（図２のＩＴＯ膜１に相当）を超音波洗浄によって還元ＩＴＯ付きガラス基板２２から剥離する。ここで、還元ＩＴＯ付きガラス基板２２とは、上記のＩＴＯ還元工程にて還元処理が施されたガラス基板のことをいう。
【００２８】
洗浄槽２１には、還元ＩＴＯ付きガラス基板２２および洗浄液２３が入っている。洗浄液２３は、ｐＨが３より大きければ特に規定しないが、例えば、水道水、イオン交換水、あるいは純水がより好ましい。
【００２９】
洗浄槽２１は、超音波振動子２４上に設置されている。超音波振動子２４の発振周波数は、洗浄槽２１に入れる還元ＩＴＯ付きガラス基板２２の量や、洗浄液２３の液量によって変わるため特に規定しないが、キャビテーション効果が効率的に発生する周波数として２０〜２００ｋＨｚがより好ましい。また、洗浄効果を高めるために、異なる周波数の超音波を交互に発生させるようにしてもよい。なお、本実施の形態１では、超音波振動子２４は洗浄槽２１の外側に設置されているが、洗浄槽２１内に設置してもよい。
【００３０】
図４に示すような超音波剥離装置において、超音波振動子２４を発振させて還元ＩＴＯ付きガラス基板２２を超音波洗浄することによって、ガラス基板上に形成されたＩＴＯ膜を構成するＩｎ２５、Ｓｎ２６がガラス基板から剥離される。また、このとき、ＩＴＯ膜上に成膜された配向膜２７（図２の配向膜２に相当）も剥離される。上記の通り、洗浄液２３のｐＨは３より大きいため、剥離したＩｎ２５、Ｓｎ２６、および配向膜２７は溶解せず浮遊物の状態でガラス基板から分離される。
【００３１】
上記より、先のＩＴＯ還元工程によって、ＩＴＯ膜中の酸素が抜けて低密度状態となり、ＩＴＯ膜とガラス基板との密着性が低くなっている。従って、還元物剥離工程では、超音波剥離装置の超音波洗浄によって容易かつ効率的にＩＴＯ膜をガラス基板から分離して回収することができる。
【００３２】
［４］ガラス分離工程
ガラス分離工程では、還元物剥離工程を経て残った洗浄液２３からガラスを分離して回収する。
【００３３】
回収方法としては、破砕されたガラスの粒径の１／２〜１／２０程度の篩などを用いて、１〜１０回程度篩いにかけることによって、ガラスを洗浄液２３から分離する。複数回篩いにかける場合は、最初は粗い目の篩を用い、回数を重ねるごとに篩の目を細かくしていく。
【００３４】
なお、ガラスを分離する方法は、ガラスとＩｎ２５およびＳｎ２６との粒径との差や密度の違いを利用する方法であればよく、例えば、遠心分離、振とう分離、沈降分離など、この限りではない。
【００３５】
［５］剥離物回収工程
剥離物回収工程では、ガラス分離工程を経て残った洗浄液２３からＩｎ２５などを分離して回収する。
【００３６】
回収方法としては、例えば、沈殿、ろ過、遠心分離などがある。また、凝集剤を用いて沈殿速度を加速してもよい。なお、回収時に用いるフィルタのメッシュサイズは、０．１μｍ〜５０μｍが好ましい。
【００３７】
上記の回収方法によって得られた回収物には、Ｉｎ２５、Ｓｎ２６、および配向膜２７が含まれている。回収物を精錬することによって高純度のＩｎを分離して回収して再資源化することができる。また、同様に、Ｓｎを回収することができる。
【００３８】
以上のことから、本実施の形態１によれば、酸化物半導体（ＩＴＯ膜）を還元することによって酸化物半導体をガラス基板から剥離しやすい状態とし、超音波洗浄によってガラス基板から酸化物半導体中の金属成分（特に、希少金属であるＩｎ）を容易に剥離させることができる。従って、酸やアルカリを使用しないで酸化物半導体中の金属成分を回収することができる。
【００３９】
＜実施の形態２＞
図５は、本発明の実施の形態２による振とう剥離装置の構成の一例を示す図である。本実施の形態２では、還元物剥離工程（図１参照）において振とう剥離装置を用いている。その他の構成および動作は、実施の形態１と同様であるため、ここでは説明を省略する。
【００４０】
図５に示すように、洗浄槽２１は、振とう器３１上に設置されている。
【００４１】
振とう器３１によって洗浄槽２１を振とうさせることによって、還元ＩＴＯ付きガラス基板２２同士がこすれ合い、Ｉｎ２５、Ｓｎ２６、配向膜２７がガラスで擦り取られることによって還元ＩＴＯ付きガラス基板２２から剥離される。
【００４２】
その後、剥離されたＩｎ２５、Ｓｎ２６、配向膜２７、およびガラスを含む洗浄液２３に対して実施の形態１と同様の工程（ガラス分離工程、剥離物回収工程）にて処理を行うことによって、還元ＩＴＯ付きガラス基板２２から酸化物半導体中の金属成分（特に、希少金属であるＩｎ）を分離して回収することができる。
【００４３】
以上のことから、本実施の形態２によれば、酸化物半導体（ＩＴＯ膜）を還元することによって酸化物半導体をガラス基板から剥離しやすい状態とし、振とうによってガラス基板から酸化物半導体中の金属成分（特に、希少金属であるＩｎ）を容易に剥離させることができる。従って、酸やアルカリを使用しないで酸化物半導体中の金属成分を回収することができる。
【００４４】
＜実施の形態３＞
図６は、本発明の実施の形態３による撹拌剥離装置の構成の一例を示す図である。本実施の形態３では、還元物剥離工程（図１参照）において撹拌剥離装置を用いている。その他の構成および動作は、実施の形態１と同様であるため、ここでは説明を省略する。
【００４５】
図６に示すように、洗浄槽２１内には撹拌子３２が設けられている。
【００４６】
撹拌子３２によって洗浄槽２１内の還元ＩＴＯ付きガラス基板２２を撹拌することによって、還元ＩＴＯ付きガラス基板２２同士がこすれ合い、Ｉｎ２５、Ｓｎ２６、配向膜２７がガラスで擦り取られることによって還元ＩＴＯ付きガラス基板２２から剥離される。
【００４７】
その後、剥離されたＩｎ２５、Ｓｎ２６、配向膜２７、およびガラスを含む洗浄液２３に対して実施の形態１と同様の工程（ガラス分離工程、剥離物回収工程）にて処理を行うことによって、ガラス基板から酸化物半導体中の金属成分（特に、希少金属であるＩｎ）を分離して回収することができる。
【００４８】
以上のことから、本実施の形態３によれば、酸化物半導体（ＩＴＯ膜）を還元することによって酸化物半導体をガラス基板から剥離しやすい状態とし、撹拌によってガラス基板から酸化物半導体中の金属成分（特に、希少金属であるＩｎ）を容易に剥離させることができる。従って、酸やアルカリを使用しないで酸化物半導体中の金属成分を回収することができる。
【００４９】
＜実施の形態４＞
図７は、本発明の実施の形態４によるバレル研磨装置の構成の一例を示す図である。本実施の形態４では、還元物剥離工程（図１参照）においてバレル研磨装置を用いている。その他の構成および動作は、実施の形態１と同様であるため、ここでは説明を省略する。
【００５０】
図７に示すように、回転バレル研磨機４０の試料投入口４１から還元ＩＴＯ付きガラス基板２２および洗浄液２３を投入する。そして、回転軸４２を中心として回転バレル研磨機４０を回転させてバレル研磨を行うことによって、還元ＩＴＯ付きガラス基板２２同士がこすれ合い、Ｉｎ２５、Ｓｎ２６、配向膜２７がガラスで擦り取られることによって還元ＩＴＯ付きガラス基板２２から剥離される。
【００５１】
その後、剥離されたＩｎ２５、Ｓｎ２６、配向膜２７、およびガラスを含む洗浄液２３に対して実施の形態１と同様の工程（ガラス分離工程、剥離物回収工程）にて処理を行うことによって、ガラス基板から酸化物半導体中の金属成分（特に、希少金属であるＩｎ）を分離して回収することができる。
【００５２】
以上のことから、本実施の形態４によれば、酸化物半導体（ＩＴＯ膜）を還元することによって酸化物半導体をガラス基板から剥離しやすい状態とし、バレル研磨によってガラス基板から酸化物半導体中の金属成分（特に、希少金属であるＩｎ）を容易に剥離させることができる。従って、酸やアルカリを使用しないで酸化物半導体中の金属成分を回収することができる。
【００５３】
＜実施の形態５＞
実施の形態１では、ＩＴＯ還元工程と還元物剥離工程とを別個の工程として実施したが、本実施の形態５では、実施の形態１におけるＩＴＯ還元工程と還元物剥離工程とを同時に実施することを特徴とする。
【００５４】
図８は、本発明の実施の形態５による酸化物半導体中の金属成分の回収工程の一例を示すフローチャートである。図８に示すように、ＩＴＯ還元と還元物剥離とは同一の工程で実施されている。その他の動作（工程）は、実施の形態１と同様であるため、ここでは説明を省略する。
【００５５】
図９は、本実施の形態５による超音波印加電解還元装置の構成の一例を示す図である。図９に示される超音波印加電解還元装置は、実施の形態１におけるＩＴＯ電解還元装置（図３参照）と、超音波剥離装置（図４参照）とを組み合わせた装置である。
【００５６】
図９に示すように、電解還元槽１１は、超音波振動子２４の上に設置されている。また、電解還元槽１１内には中性電解液１２が入っている。
【００５７】
電解還元槽１１内には、陽極１３および陰極１４が設置されている。陽極１３と陰極１４とは、電源１８を介して接続されている。
【００５８】
陽極１３と陰極１４との間には、保持台１５が設置されている。また、保持台１５の台座部分はネット１６で形成されており、ネット１６上にＩＴＯ付きガラス基板１７が載置されている。
【００５９】
図９に示す超音波印加電解還元装置において、電源１８を用いて陽極１３および陰極１４のそれぞれに電圧を印加するとともに、超音波振動子２４によって超音波を発振させる。すると、電解還元によるＩＴＯ還元工程と、超音波洗浄による還元物剥離工程とが同時に実施され、電解還元をしながら、Ｉｎ２５、Ｓｎ２６、および配向膜２７をＩＴＯ付きガラス基板１７から分離することができる。
【００６０】
その後、剥離されたＩｎ２５、Ｓｎ２６、配向膜２７、およびガラスを含む中性電解液１２に対して実施の形態１と同様の工程（ガラス分離工程、剥離物回収工程）にて処理を行うことによって、ＩＴＯ付きガラス基板１７から酸化物半導体中の金属成分（特に、希少金属であるＩｎ）を分離して回収することができる。
【００６１】
なお、電解還元槽１１、保持台１５、およびネット１６には、超音波を吸収する素材（材料）を用いず、硬質プラスティック、ガラス、あるいは絶縁処理を施した金属などを用いる。
【００６２】
また、超音波洗浄時において、ＩＴＯ付きガラス基板１７がキャビテーションによって動き、陽極１３および陰極１４とネット１６との隙間から落下すると電解還元ができなくなる可能性があるため、ネット１６を設置する際には、陽極１３と陰極１４との間に隙間ができないよう設置する必要がある。
【００６３】
以上のことから、本実施の形態５によれば、実施の形態１による効果に加えて、ＩＴＯ還元工程と還元物剥離工程とを同時に実施するため還元と剥離に要する時間を実施の形態１よりも短縮することができる。
【００６４】
＜実施の形態６＞
本実施の形態６では、実施の形態２におけるＩＴＯ還元工程と還元物剥離工程とを同時に実施することを特徴とする。その他の動作（工程）は、実施の形態２と同様であるため、ここでは説明を省略する。
【００６５】
図１０は、本実施の形態６による振とう機能付き電解還元装置の構成の一例を示す図である。図１０に示される振とう機能付き電解還元装置は、実施の形態２におけるＩＴＯ電解還元装置（図３参照）と、振とう剥離装置（図５参照）とを組み合わせた装置である。
【００６６】
図１０に示すように、電解還元槽１は、振とう器３１上に設置されている。
【００６７】
振とう器３１によって電解還元槽１１を振とうさせることによって、ＩＴＯ付きガラス基板１７同士がこすれ合い、Ｉｎ２５、Ｓｎ２６、配向膜２７がガラスで擦り取られることによってＩＴＯ付きガラス基板１７から剥離される。
【００６８】
その後、剥離されたＩｎ２５、Ｓｎ２６、配向膜２７、およびガラスを含む中性電解液１２に対して実施の形態２と同様の工程（ガラス分離工程、剥離物回収工程）にて処理を行うことによって、ＩＴＯ付きガラス基板１７から酸化物半導体中の金属成分（特に、希少金属であるＩｎ）を分離して回収することができる。
【００６９】
以上のことから、本実施の形態６によれば、実施の形態２による効果に加えて、ＩＴＯ還元工程と還元物剥離工程とを同時に実施するため還元と剥離に要する時間を実施の形態２よりも短縮することができる。
【００７０】
＜実施の形態７＞
本実施の形態７では、実施の形態３におけるＩＴＯ還元工程と還元物剥離工程とを同時に実施することを特徴とする。その他の動作（工程）は、実施の形態３と同様であるため、ここでは説明を省略する。
【００７１】
図１１は、本実施の形態７による攪拌機能付き電解還元装置の構成の一例を示す図である。図１１に示される攪拌機能付き電解還元装置は、実施の形態３におけるＩＴＯ電解還元装置（図３参照）と、攪拌剥離装置（図６参照）とを組み合わせた装置である。
【００７２】
図１１に示すように、電解還元槽１１内には撹拌子３２が設けられている。
【００７３】
撹拌子３２によって電解還元槽１１内のＩＴＯ付きガラス基板１７を撹拌することによって、ＩＴＯ付きガラス基板１７同士がこすれ合い、Ｉｎ２５、Ｓｎ２６、配向膜２７がガラスで擦り取られることによってＩＴＯ付きガラス基板１７から剥離される。
【００７４】
その後、剥離されたＩｎ２５、Ｓｎ２６、配向膜２７、およびガラスを含む中性電解液１２に対して実施の形態３と同様の工程（ガラス分離工程、剥離物回収工程）にて処理を行うことによって、ガラス基板から酸化物半導体中の金属成分（特に、希少金属であるＩｎ）を分離して回収することができる。
【００７５】
以上のことから、本実施の形態７によれば、実施の形態３による効果に加えて、ＩＴＯ還元工程と還元物剥離工程とを同時に実施するため還元と剥離に要する時間を実施の形態３よりも短縮することができる。
【００７６】
＜実施の形態８＞
本実施の形態８では、実施の形態４におけるＩＴＯ還元工程と還元物剥離工程とを同時に実施することを特徴とする。その他の動作（工程）は、実施の形態４と同様であるため、ここでは説明を省略する。
【００７７】
図１２は、本実施の形態８による電解バレル研磨装置の構成の一例を示す図である。図１２に示される電解バレル研磨装置は、実施の形態４におけるＩＴＯ電解還元装置（図３参照）と、バレル研磨装置（図７参照）とを組み合わせた装置である。
【００７８】
図１２に示すように、回転バレル研磨機４０の槽内において陽極１３と陰極１４とが互いに接触しないように設けられており、試料投入口４１からＩＴＯ付きガラス基板１７および中性電解液１２を投入する。そして、電源１８を用いて陽極１３および陰極１４のそれぞれに電圧を印加して電解還元を行いながら、回転軸４２を中心として回転バレル研磨機４０を回転させてバレル研磨を行うことによって、ＩＴＯ付きガラス基板１７同士がこすれ合い、Ｉｎ２５、Ｓｎ２６、配向膜２７がガラスで擦り取られることによってＩＴＯ付きガラス基板１７から剥離される。
【００７９】
その後、剥離されたＩｎ２５、Ｓｎ２６、配向膜２７、およびガラスを含む中性電解液１２に対して実施の形態４と同様の工程（ガラス分離工程、剥離物回収工程）にて処理を行うことによって、ガラス基板から酸化物半導体中の金属成分（特に、希少金属であるＩｎ）を分離して回収することができる。
【００８０】
以上のことから、本実施の形態８によれば、実施の形態４による効果に加えて、ＩＴＯ還元工程と還元物剥離工程とを同時に実施するため還元と剥離に要する時間を実施の形態４よりも短縮することができる。また、バレル研磨によってＩＴＯの電解還元の均一性が向上するといった機能を有することができる。
【００８１】
なお、本発明は、その発明の範囲内において、各実施の形態を自由に組み合わせたり、各実施の形態を適宜、変形、省略することが可能である。
【符号の説明】
【００８２】
１  ＩＴＯ膜、２  配向膜、３  液晶、４  シール剤、５  偏光板、１１  電解還元槽、１２  中性電解液、１３  陽極、１４  陰極、１５  保持台、１６  ネット、１７  ＩＴＯ付きガラス基板、１８  電源、２１  洗浄槽、２２  還元ＩＴＯ付きガラス基板、２３  洗浄液、２４  超音波振動子、２５  Ｉｎ、２６  Ｓｎ、２７  配向膜、３１  振とう器、３２  撹拌子、４０  回転バレル研磨機、４１  試料投入口、４２  回転軸。
【図１】
0005713946.tif 000002
【図２】
0005713946.tif 000003
【図３】
0005713946.tif 000004
【図４】
0005713946.tif 000005
【図５】
0005713946.tif 000006
【図６】
0005713946.tif 000007
【図７】
0005713946.tif 000008
【図８】
0005713946.tif 000009
【図９】
0005713946.tif 000010
【図１０】
0005713946.tif 000011
【図１１】
0005713946.tif 000012
【図１２】
0005713946.tif 000013