(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板処理装置に使用される噴射部材において、
円板形状の上部プレートと、
前記上部プレートの底面に放射状に設置される仕切りによって区画される少なくとも４つのバッフルと、
前記少なくとも４つのバッフルの各々にガスを噴射するために前記仕切りに横方向に設置されるサイドノズル部と、を含み、
前記噴射部材は、
前記上部プレートの中央部に設置され、外部から供給される少なくとも１つ以上の反応ガス及びパージガスを前記少なくとも４つのバッフルの各々に独立噴射する少なくとも４つの噴射口を有する中央ノズル部をさらに含むことを特徴とする基板処理装置に使用される噴射部材。
【請求項２】
前記サイドノズル部は、
ガスが流れる内部通路と、前記内部通路に流れるガスが噴射される噴射口を有する棒形状のインジェクタであることを特徴とする基板処理装置に使用される請求項１に記載の噴射部材。
【請求項３】
前記噴射口は、
前記上部プレートの中央から縁に行くほど、その大きさが大きいことを特徴とする基板処理装置に使用される請求項２に記載の噴射部材。
【請求項４】
前記噴射口は、
基板の処理面と水平な方向にガスを噴射するように水平な噴射角度を有することを特徴とする基板処理装置に使用される請求項２に記載の噴射部材。
【請求項５】
前記噴射口は、
基板の処理面に向かって斜めにガスを噴射するように下向きに傾いた噴射角度を有することを特徴とする基板処理装置に使用される請求項２に記載の噴射部材。
【請求項６】
前記サイドノズル部は前記中央ノズル部を通じてガスが供給されることを特徴とする基板処理装置に使用される請求項１〜５のいずれか一項に記載の噴射部材。
【請求項７】
基板処理装置において、
複数の基板が収容されて基板処理工程が遂行される工程チャンバーと、
前記工程チャンバーに設置され、同一平面上に複数の基板が置かれる支持部材と、
前記支持部材と対向されるように設置され、少なくとも１つ以上の反応ガス及びパージガスを前記支持部材に置かれた複数の基板の各々に対応する位置で独立的に噴射できるように独立された複数個のバッフルを有する噴射部材と、
前記噴射部材のバッフルが前記支持部材に置かれた複数の基板が各々に順次旋回するように前記支持部材又は前記噴射部材を回転させる駆動部と、を含み、
前記噴射部材は、
上部プレートと、
前記複数個のバッフルが区画されるように前記上部プレートの底面に設置される仕切りと、
前記仕切りに設置され、少なくとも１つ以上の反応ガス及びパージガスを各々の該当される前記バッフルへ噴射させるサイドノズル部と、を含み、
前記噴射部材は、
前記上部プレートの中央に設置され、外部から供給される少なくとも１つ以上の反応ガス及びパージガスを各々の該当される前記バッフルへ噴射させる中央ノズル部をさらに含むことを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体素子製造に使用される薄膜処理装置に関し、特にガスフローを改善した噴射部材及びそれを有する基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子を製造するための工程には乾式蝕刻、物理的又は化学的気相蒸着及びその他の表面処理等の単位工程がある。このような単位工程はプラズマを利用する装置が広く使用される。
【０００３】
既存のセミバッチ式基板処理装置は同一平面上に複数の基板を処理する。セミバッチ式基板処理装置はガス噴射用ノズルが工程ガスを基板支持部材の中心部から縁に向かって噴射するので、基板上でガス噴出速度及び密度差異が著しく発生し、渦流現象も発生することによって、薄膜品質を低下させる問題点がある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の目的は基板に薄膜蒸着する際、薄膜の均一性を向上させることができる半導体製造に使用される噴射部材及びそれを有する基板処理装置を提供することにある。
【０００５】
本発明の目的はここに制限されず、言及されなかったその他の目的は下の記載から当業者に明確に理解され得る。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記した課題を達成するための本発明の基板処理装置に使用される噴射部材は、円板形状の上部プレートと、前記上部プレートの底面に放射状に設置される仕切りによって区画される少なくとも４つのバッフルと、前記少なくとも４つのバッフルの各々にガスを噴射するために前記仕切りに横方向に設置されるサイド噴射部と、を含む。
【０００７】
本発明の一実施形態によれば、前記サイド噴射部は、ガスが流れる内部通路と、前記内部通路に流れるガスが噴射される噴射口を有する棒形状のインジェクタである。
本発明の一実施形態によれば、前記噴射口は前記上部プレートの中央から縁に行くほど、その大きさが大きい。
【０００８】
本発明の一実施形態によれば、前記噴射口は基板の処理面と水平な方向にガスを噴射するように水平な噴射角度を有する。
【０００９】
本発明の一実施形態によれば、前記噴射口は基板の処理面に向かって斜めにガスを噴射するように下向きに傾いた噴射角度を有する。
【００１０】
本発明の一実施形態によれば、前記噴射部材は前記上部プレートの中央部に設置され、外部から供給される少なくとも１つ以上の反応ガス及びパージガスを前記少なくとも４つのバッフルの各々に独立噴射する少なくとも４つの噴射口を有する中央ノズル部をさらに含む。
【００１１】
本発明の一実施形態によれば、前記サイドノズル部は前記中央ノズル部を通じてガスが供給される。
【００１２】
上記した課題を達成するための基板処理装置は、複数の基板が収容されて基板処理工程が遂行される工程チャンバーと、前記工程チャンバーに設置され、同一平面上に複数の基板が置かれる支持部材と、前記支持部材と対向されるように設置され、少なくとも１つ以上の反応ガス及びパージガスを前記支持部材に置かれた複数の基板の各々に対応する位置で独立的に噴射できるように独立された複数個のバッフルを有する噴射部材と、前記噴射部材のバッフルが前記支持部材に置かれた複数の基板が各々に順次的に旋回するように前記支持部材又は前記噴射部材を回転させる駆動部と、を含み、前記噴射部材は、上部プレートと、前記複数個のバッフルが区画されるように前記上部プレートの底面に設置される仕切りと、前記仕切りに設置され、少なくとも１つ以上の反応ガス及びパージガスを各々の該当される前記バッフルへ噴射させるサイドノズル部と、を含む。
【００１３】
本発明の一実施形態によれば、前記噴射部材は前記上部プレートの中央に設置され、外部から供給される少なくとも１つ以上の反応ガス及びパージガスを各々の該当される前記バッフルへ噴射させる中央ノズル部をさらに含む。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によると、中央ノズル部とサイドノズル部とを通じて３方向でガスを噴射するので、バッフル上に均一なガス密度を提供することによって、薄膜の蒸着速度及び膜質向上が可能である格別な効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明による薄膜蒸着装置を説明するための図面である。
【図２Ａ】図１に図示された噴射部材の斜視図である。
【図２Ｂ】図１に図示された噴射部材のび断面図である。
【図３】図１に図示された支持部材の平面図である。
【図４】図２Ｂに表記されたＡ−Ａ線に沿って切断した断面図である。
【図５Ａ】プラズマ発生器を示す噴射部材の要部拡大断面図である。
【図５Ｂ】図５Ａでプラズマ発生器が高低調節器によって下降した状態を示す図面である。
【図６】噴射部材の変形形態を示す図面である。
【図７】多様な噴射角度を有する噴射口を示すサイド噴射部の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、添付された図面を参照して本発明の望ましい実施形態による基板処理装置及び方法を詳細に説明する。先ず、各図面の構成要素に参照符号を付加することにおいて、同一の構成要素に対しては、たとえ他の図面の上に示す場合においてもできる限り同一な符号を有するようにしている。
【００１７】
また、本発明を説明するに際し、関連する公知構成又は機能に対する具体的な説明が本発明の要旨を曇り得ることと判断される場合にはその詳細な説明は省略する。
（実施形態）
図１は本発明による薄膜蒸着装置を説明するための図面である。図２Ａ及び図２Ｂは図１に図示された噴射部材の斜視図及び断面図である。図３は図１に図示された支持部材の平面図である。図４は図２Ｂに表記されたＡ−Ａ線に沿って切断した断面図である。
【００１８】
図１乃至図４を参照すれば、本発明の実施形態による薄膜蒸着装置１０は工程チャンバー（ｐｒｏｃｅｓｓ  ｃｈａｍｂｅｒ）１００、支持部材（ｓｕｐｐｏｒｔ  ｍｅｍｂｅｒ）２００、噴射部材３００、供給部材５００を含む。
【００１９】
工程チャンバー１００は一側に出入口１１２が提供される。出入口１１２は工程進行の時、基板Ｗの出入が行われる。また、工程チャンバー１００は上部縁に工程チャンバーへ供給された反応ガスとパージガス及び薄膜蒸着工程の中で発生された反応分散物を排気するための排気ダクト１２０と排気管１１４とを含む。排気ダクト１２０は噴射部材３００の外側に位置するリングタイプになされる。図示しないが、排気管１１４は真空ポンプと連結され、排気管には圧力制御バルブ、流量制御バルブ等が設置されることは当業者に自明な事実である。
【００２０】
図１及び図３のように、支持部材２００は工程チャンバー１００の内部空間に設置される。
【００２１】
支持部材２００は４枚の基板が置かれるバッチタイプになされる。支持部材２００は上部面に基板が置かれる第１乃至第４ステージ２１２ａ−２１２ｄが形成された円板形状のテーブル２１０と、テーブル２１０を支持する支持柱２２０とを含む。第１乃至第４ステージ２１２ａ−２１２ｄは基板の形状と類似する円形に形成され得る。第１乃至第４ステージ２１２ａ−２１２ｄは支持部材２００の中央を中心に同心円状に９０°間隔に配置される。
【００２２】
支持部材２００は駆動部２９０によって回転される。支持部材２００を回転させる駆動部２９０は駆動モーターの回転数と回転速度を制御できるエンコーダーが設置されたステッピングモーターを使用することが望ましく、エンコーダーによって噴射部材３００の１サイクル工程（第１反応ガス−パージガス−第２反応ガス−パージガス）時間を制御するようになる。
【００２３】
図示しないが、支持部材２００は各々のステージで基板Ｗを昇降及び下降させる複数のリフトピン（図示せず）が具備され得る。リフトピンは基板Ｗを昇下降することによって、基板Ｗを支持部材２００のステージから離隔させるか、或いはステージに安着させる。また、支持部材２００の各ステージ２１２ａ−２１２ｄには安着された基板Ｗを加熱するヒーター（図示せず）が具備され得る。ヒーターは基板Ｗの温度を既設定された温度（工程温度）に上昇させるために基板を加熱する。
【００２４】
図１及び図２Ｂを参照すれば、供給部材５００は第１ガス供給部材５１０ａ、第２ガス供給部材５１０ｂ、及びパージガス供給部材５２０を含む。第１ガス供給部材５１０ａは基板ｗ上に所定の薄膜を形成するための第１反応ガスをノズル部の第１チャンバー３２０ａへ供給し、第２ガス供給部材５１０ｂは第２反応ガスを第３チャンバー３２０ｃへ供給し、パージガス供給部材５２０はパージガスを第２及び第４チャンバー３２０ｂ、３２０ｄへ供給する。例えば、第１反応ガスと第２反応ガスとは基板Ｗ上に形成しようとする薄膜の造成原料物質を含むガスである。薄膜蒸着工程は互いに異なる複数の反応ガスを提供し、基板表面で反応ガスを化学的に反応させることによって、基板上に所定の薄膜を形成するようになる。そして、薄膜蒸着洗浄工程では、反応ガスが提供される間に基板上部に残留する未反応ガスをパージさせるためのパージガスが提供される。
【００２５】
本実施形態では２つの互いに異なる反応ガスを供給するために２つのガス供給部材が使用されたが、工程特性によって３つ以上の互いに異なる反応ガスを供給できるように複数個のガス供給部材が適用され得ることは当然である。
【００２６】
図１、図２Ａ、図２Ｂ、及び図４を参照すれば、噴射部材３００は支持部材２００に置かれた４枚の基板の各々にガスを噴射する。
【００２７】
噴射部材３００は第１、２反応ガス、及びパージガスが供給部材５００から供給される。噴射部材３００は円板形状の上部プレート３０２と、中央ノズル部３１０、サイドノズル部３６０、第１乃至第４バッフル３２０ａ−３２０ｄ、プラズマ発生器３４０、及び高低調節器３５０を含む。
【００２８】
中央ノズル部３１０は上部プレート３０２の中央部に設置される。中央ノズル部３１０は供給部材５００から供給された第１、２反応ガス、及びパージガスを第１乃至第４バッフル３２０ａ−３２０ｄの各々に独立に噴射する。中央ノズル部３１０は４つのチャンバー３１１、３１２、３１３、３１４を有する。第１チャンバー３１１には第１反応ガスが提供され、第１バッフル３２０ａへ第１反応ガスを供給するための噴射口３１１ａが側面に形成される。第３チャンバー３１３には第２反応ガスが提供され、第３バッフル３２０ｃへ第２反応ガスを供給するための噴射口３１３ａが側面に形成される。第１チャンバー３１１と第３チャンバー３１３との間に位置する第２チャンバー３１２と第４チャンバー３１４とにはパージガスが提供され、第２バッフル３２０ｂと第４バッフル３２０ｄとへパージガスを供給するための噴射口３１２ａ、３１４ａが側面に形成される。中央ノズル部３１０の噴射口３１１ａは横スリム形又は多孔形等に多様に構成することができる。また、中央ノズル部３１０の噴射口３１１ａは単層又は複層で構成することができる。また中央ノズル部３１０の噴射口３１１ａは放射形にガスが噴射されるように傾いた噴射角度を有することができる。
【００２９】
サイドノズル部３６０は第１乃至第４バッフル３２０ａ−３２０ｄを区画する仕切りの各々に設置される。サイドノズル部３６０は１つのバッフルに２個が一対をなすように中央ノズル部を中心にＶ字形態に配置される。４つのバッフルを有している噴射部材３００には合計８つのサイドノズル部３６０が提供される。サイドノズル部３６０は基板の処理面へ提供されるガスの流れ（密度、速度）を改善して薄膜の品質を向上するためのものである。１つのバッフルに設置される２つのサイドノズル部３６０は基板の中心（バッフル空間）を基準に互いに対称に配置される。
【００３０】
サイドノズル部３６０は棒形状に内部通路３６２と一面に複数の噴射口３６４とを有する。サイドノズル部３６０は中央ノズル部３１０の各チャンバー３１１、３１２、３１３、３１４を通じてガスが供給される。このために、サイドノズル部３６０は内部通路３６２が中央ノズル部３１０の各チャンバーと連通される。サイドノズル部３６０の噴射口３６４は位置にしたがってその大きさが異なり得る。図２Ａ及び図４で示すように、噴射口３６４の大きさは中央ノズル部３１０に近いほど、小さく、中央ノズル部３１０から遠くなるほど、大きい。このように噴射口３６４の大きさを異ならせたたことは、中央ノズル部３１０と近い中央側領域では、中央ノズル部３１０およびサイドノズル部３６０間の距離が小さいので、少ないガス量でも充分なガス供給及び密度維持が可能であるためである。そして、中央ノズル部３１０と相対的に遠い縁側領域では、中央ノズル部３１０およびサイドノズル部３６０間の距離が大きいので、充分なガス供給（密度維持）のためにより多いガス量を噴射するためである。
【００３１】
サイドノズル部３６０の噴射口３６４は基板と水平な噴射角度を有することができるが、必要によっては基板に向かって（又は縁に向かって）傾いた噴射角度を有することができる。
【００３２】
図７には基板の処理面と水平な方向にガスを噴射するように水平な噴射角度を有する噴射口３６４を示すサイドノズル部３６０と、基板の処理面に向かって斜めにガスを噴射するように下向きに傾いた噴射角度を有する噴射口３６４を示すサイドノズル部３６０とが図示されている。
【００３３】
一方、サイドノズル部３６０は中央ノズル部３１０ではない別の供給ラインを通じて直接ガスが供給されることができる。この場合、供給ライン（サイドノズル部へガスが引き込まれる位置）はサイドノズル部３６０の中央付近に連結されることが望ましい。サイドノズル部３６０は供給ラインを通じて直接ガスが供給される場合、噴射口３６４の大きさはガス供給地点に近いほど、小さく、遠くなるほど、大きい。
【００３４】
上記のように、本発明の噴射部材３００は中央ノズル部３１０と一対のサイドノズル部３６０を通じて３方向でガスが噴射されることによって基板の処理面の全体に均一なガス供給が可能である。また、ガスが基板に向かって３方向で噴射されることによって渦流現象を最少化して薄膜形成の時、薄膜品質を高くすることができる。
【００３５】
第１乃至第４バッフル３２０ａ−３２０ｄは中央ノズル部３１０及びサイドノズル部３６０から提供されたガスを基板が各々に対応する位置で基板の処理面の全体に提供するための独立された空間を有する。第１乃至第４バッフル３２０ａ−３２０ｄは上部プレートの底面に設置される仕切り３０９によって区画される。
【００３６】
第１乃至第４バッフル３２０ａ−３２０ｄは中央ノズル部３１０を中心に９０°間隔に区画された扇形模様に上部プレート３０２下に放射状に配置される。第１乃至第４バッフル３２０ａ−３２０ｄは中央ノズル部３１０の噴射口３１１ａ、３１２ａ、３１３ａ、３１４ａ及びサイドノズル部３６０の噴射口と各々連通される。第１乃至第４バッフル３２０ａ−３２０ｄは支持部材２００と対向される底面が開放されたタイプに形成される。
【００３７】
第１乃至第４バッフル３２０ａ−３２０ｄの各々の独立空間には中央ノズル部３１０及び一対のサイドノズル部３６０から提供されるガスが供給され、これらは開放された底面を通じて基板に自然に提供される。第１バッフル３２０ａには第１反応ガスが提供され、第３バッフル３２０ｃには第２反応ガスが提供され、第１バッフル３２０ａと第３バッフル３２０ｃとの間に位置する第２バッフル３２０ｂと第４バッフル３２０ｄには第１反応ガスと第２反応ガスの混合を防ぎ、未反応ガスをパージするためのパージガスが提供される。
【００３８】
例えば、噴射部材３００は第１乃至第４バッフル３２０ａ−３２０ｄを９０°間隔にして扇形に形成したが、本発明はこれに制限されることではなく、工程目的や特性によって４５°間隔又は１８０°間隔に構成することもでき、各々のバッフル大きさを異ならせて構成することもあり得る。
【００３９】
本発明によると、基板は支持部材２００の回転にしたがって第１乃至第４バッフル３２０ａ−３２０ｄ下に順次的に通過するようにし、基板が第１乃至第４バッフル３２０ａ−３２０ｄを全て通過すれば、基板Ｗ上に一層の薄膜が蒸着される。そして、このように基板を持続的に回転させることによって基板上に所定厚さを有する薄膜を蒸着させることができる。
【００４０】
図６は中央ノズル部が省略された噴射部材３００を示す図面である。
【００４１】
図６のように、噴射部材３００は中央ノズル部が省略されているので、サイドノズル部３６０へのガス供給は別の供給ライン（図示せず）を通じて行われる。このように別の供給ラインを通じてガス供給が成される噴射部材３００のサイドノズル部３６０は工程特性によってその高さを可変させ得る。
【００４２】
図５Ａはプラズマ発生器を示す噴射部材の要部拡大断面図であり、図５Ｂは図５Ａでプラズマ発生器が高低調節器によって下降した状態を示す図面である。
【００４３】
プラズマ発生器３４０は噴射部材３００の少なくとも１つのバッフル上に上下方向に移動できるように設置され得る。本実施形態ではプラズマ発生器３４０が第３バッフル３２０ｃ上に上下に移動できるように設置されたことを、例を挙げて説明しているが、必要によっては他のバッフル上にも設置されることができるのは当然である。
【００４４】
図２Ａ、図２Ｂ、図５Ａ、及び図５Ｂを参照すれば、プラズマ発生器３４０は第３バッフル３２０ｃ区域に該当する上部プレート３０２に形成された開口３０４に設置される。プラズマ発生器３４０は第３バッフル３２０ｃとは相関なく、独立的に昇降移動が可能であるように設置される。プラズマ発生器３４０は気密維持のためにベローズ３８０によって囲まれる。図示しないが、噴射部材３００が工程チャンバー内部空間に設置される場合、プラズマ発生器３４０は工程チャンバーの上部カバーを貫通して設置される別の昇降軸に連結され、工程チャンバーの外に位置される昇降軸は高低調節器によって昇降されるように構成されることができる。この場合、ベローズは工程チャンバーの上部カバーを貫通する昇降軸を囲むように設置される。本実施形態では噴射部材の上部プレートが工程チャンバーの上部カバーの一部として構成されているので、ベローズ３８０はプラズマ発生器３４０を囲むように開口３０４上に設置される。
【００４５】
プラズマ発生器３４０は第３バッフル３２０ｃ上に具備されて第２反応ガスをプラズマ化させることによって、第２反応ガスの反応性を向上させ、第３バッフル３２０ｃ内のプラズマ密度を増加させることによって、薄膜の蒸着速度を増加させ、膜質を向上させる。
【００４６】
プラズマ発生器３４０はガスをプラズマ状態に形成するための高周波電源が印加される複数の第１電極３４３と、第１電極３４３間に配置されバイアス電源が印加される第２電極３４４とを含む。第１電極３４３と第２電極３４４とはプラズマ発生器３４０の本体３４１の底面３４２の内側に同一平面上に設置される。第１、２電極３４３、３４４は棒形状で互いに交差しないように、同一間隔に配置される。第１、２電極３４３、３４４の設置方向は回転方向と直交する方向（回転中心を向かう方向にコーム（ｃｏｍｂ）タイプ（又は放射状）に設置される。ここで、第２電極にはその他の高周波電源が印加されることもあり得る。
【００４７】
プラズマ発生器３４０の本体底面３４２は支持部材２００と対向するように形成される。第１電極３４３と第２電極３４４とによる影響が工程チャンバー内に及ぶことを防止できるようにプラズマ発生器３４０の本体３４１は石英又はセラミックの絶縁及び耐熱、耐化学性の材質でなされる。
【００４８】
本発明で基板ｗはプラズマ発生器３４０が設置された第３バッフル３２０ｃ下を通りながら、プラズマ化された第２反応ガスによる表面処理が行われる。即ち、ＲＦパワーとバイアスパワーとがプラズマ発生器３４０の第１、２電極３４３、３４４へ印加され、第２反応ガスが中央ノズル部３１０及び一対のサイドノズル部３６０を通じて第３バッフル３２０ｃへ供給されれば、第２反応ガスは第３バッフル３２０ｃ上に設置されたプラズマ発生器３４０で発生した誘導磁気場によってプラズマ状態に励起された後、基板上へ提供される。
【００４９】
高低調節器３５０は工程チャンバー外部に設置され、プラズマ発生器３４０と基板との間隔調節のためにプラズマ発生器３４０を昇降させる。
【００５０】
即ち、本発明はプラズマ発生器３４０の上下移動のための高低調節器３５０を具備して基板状態、使用ガス、使用環境にしたがって基板とプラズマ発生領域（第３バッフル空間）との距離（間隔）を調節して薄膜を形成することができる。
【００５１】
ここで、プラズマ発生器３４０の昇降の高さはサイドノズル部の噴射口を塞がない範囲内で行われる。
【００５２】
本発明の薄膜蒸着装置はセミリモートプラズマ形態にプラズマ発生器を噴射部材に装着して一般的なリモートプラズマ発生器より基板との離隔距離を数ｍｍ乃至数十ｍｍ距離を維持した状態で反応ガスの直接的な分解を通じるラジカル化して基板に薄膜を形成することができる。特に、本発明に適用されたプラズマ発生器は第１電極と第２電極とを同時に配置してプラズマを発生させることによってチャンバー及び本体等に別の追加装備を付着しなくとも良い。
【００５３】
一般的なシングル設備の場合、サセプタを上下移動してプラズマ発生領域と基板との間隔を調節するが、本発明ではプラズマ発生器のみを別に独立昇降構造を採択して基板の状態、使用ガス、環境等にしたがってプラズマ発生器と基板の間隔を調節して薄膜を形成することができる。
【００５４】
本発明は少なくとも異なる２つの気体（ガス）を基板上に順次的に噴射して基板表面を処理する設備に適用できる。そのような実施形態の中で望ましい実施形態に薄膜蒸着工程で使用されるバッチ式薄膜蒸着装置を例として説明したことであり、本発明は高密度プラズマ（ＨＤＰ）を利用する薄膜蒸着装置、原子層蒸着装置にも適用することができ、プラズマを使用した蒸着、蝕刻装置にも適用することができる。
【００５５】
以上の説明は本発明の技術思想を例示的に説明したことに過ぎないので、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者であれば、本発明の本質的な特性から逸脱しない範囲で多様な修正及び変形が可能である。したがって、本発明に開示された実施形態は本発明の技術思想を限定することではなく、単なる説明するためのことであり、このような実施形態によって本発明の技術思想の範囲が限定されない。本発明の保護範囲は下の請求の範囲によって解釈しなければならないし、それと同等な範囲内にある全ての技術思想は本発明の権利範囲に含まれることとして解釈するべきである。
【符号の説明】
【００５６】
１０  薄膜蒸着装置、
１００  工程チャンバー、
２００  支持部材、
２１２ａ〜ｄ  第１〜第４ステージ、
３００  噴射部材、
３０２  上部プレート、
３０９  仕切り、
３１０  中央ノズル部、
３１１、３１２、３１３、３１４  チャンバー、
３２０ａ〜ｄ  第１〜第４バッフル、
３６０  サイドノズル部、
５００  供給部材。
【図１】
0005818288.tif 000002
【図２Ａ】
0005818288.tif 000003
【図２Ｂ】
0005818288.tif 000004
【図３】
0005818288.tif 000005
【図４】
0005818288.tif 000006
【図５Ａ】
0005818288.tif 000007
【図５Ｂ】
0005818288.tif 000008
【図６】
0005818288.tif 000009
【図７】
0005818288.tif 000010