(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
順に基板／陽極層／正孔注入層／正孔伝送層／発光層／電子伝送層／電子注入層／陰極層である層状構造を有するフレキシブル有機エレクトロルミネッセンスデバイスであって、
前記基板と前記陽極層との間にＵＶグル―からなる緩衝層が形成されており、前記陽極層は多層複合構造であり、当該多層複合構造は順にＺｎＳ／Ａｇ／ＭｏＯ３の多層構造であり、
前記多層複合構造において、ＺｎＳ層の厚さが３５ｎｍ〜８０ｎｍ、Ａｇ層の厚さが１８ｎｍ〜３０ｎｍ、ＭｏＯ３層の厚さが３ｎｍ〜１０ｎｍである、
ことを特徴とするフレキシブル有機エレクトロルミネッセンスデバイス。
【請求項２】
請求項１に記載のフレキシブル有機エレクトロルミネッセンスデバイスにおいて、
前記基板の材料は、テレフタル酸ポリエチレン、ポリエーテルスルホン、ポリエチレンナフタレート、透明性ポリイミドシクロオレフィンコポリマー、ポリカーボネート、及びポリエチレンのうちのいずれか１つを含み、当該基板の厚さは０.１ｍｍ〜０.５ｍｍである、
ことを特徴するフレキシブル有機エレクトロルミネッセンスデバイス。
【請求項３】
請求項１に記載のフレキシブル有機エレクトロルミネッセンスデバイスにおいて、
前記緩衝層の厚さは０.５μｍ〜１０μｍである、
ことを特徴するフレキシブル有機エレクトロルミネッセンスデバイス。
【請求項４】
請求項１に記載のフレキシブル有機エレクトロルミネッセンスデバイスにおいて、
前記正孔注入層の材料は、銅フタロシアニン、又は４，４’，４’−トリス（Ｎ−３−メチルフェニル−Ｎ−フェニル−アミノ）−トリフェニルアミンであり、当該正孔注入層の厚さは３０ｎｍ〜４０ｎｍであり、
前記正孔伝送層の材料は、フェニルモルホリン、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−４，４’−ベンジジン（ＴＰＤ）、又は１，３，５−トリフェニルベンゼンであり、当該正孔伝送層の厚さは３０ｎｍ〜８０ｎｍであり、
前記発光層の材料は、トリス（２−フェニルピリジン）イリジウム錯体がドープされた４，４’−ビス（９−カルバゾリル）ビフェニルであり、当該発光層の厚さは１５ｎｍ〜４０ｎｍであり、
前記電子伝送層の材料は、４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン、トリス（８−ヒドロキシキノリナト）アルミニウム、２−（４−ビフェニル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチル）フェニル−１，３，４−オキサジアゾール、１，２，４−トリアゾール誘導体、又はＮ−アリール−ベンゾイミダゾールであり、当該電子伝送層の厚さは２０ｎｍ〜６０ｎｍであり、
前記電子注入層の材料は、ＬｉＦ、ＣｓＦ、又は８−ヒドロキシキノリンリチウムであり、当該電子注入層の厚さは１ｎｍであり、
前記陰極層の材料は、Ａｌ、Ａｇ、又はＭｇ−Ａｇ合金層であり、当該陰極層の厚さは１００ｎｍ〜２００ｎｍである、
ことを特徴するフレキシブル有機エレクトロルミネッセンスデバイス。
【請求項５】
フレキシブル有機エレクトロルミネッセンスデバイスの製造方法において、
まず、基板を洗浄、乾燥させるステップと、
次に、前記基板の表面でＵＶグル―からなる緩衝層を製造するステップと、
続いて、前記緩衝層の表面で順に、ＺｎＳ層、Ａｇ層、ＭｏＯ３層を蒸着し、陽極層を形成するステップと、
最後、前記陽極層で順に、正孔注入層、正孔伝送層、発光層、電子伝送層、電子注入層、陰極層を蒸着し、フレキシブル有機エレクトロルミネッセンスデバイスを得るステップと、
を含み、
前記陽極層を形成するステップにおいて、ＺｎＳ層の厚さが３５ｎｍ〜８０ｎｍ、Ａｇ層の厚さが１８ｎｍ〜３０ｎｍ、ＭｏＯ３層の厚さが３ｎｍ〜１０ｎｍとなるようにそれぞれの層を形成する、
ことを特徴とするフレキシブル有機エレクトロルミネッセンスデバイスの製造方法。
【請求項６】
請求項５に記載のフレキシブル有機エレクトロルミネッセンスデバイスの製造方法において、
前記基板の材料は、テレフタル酸ポリエチレン、ポリエーテルスルホン、ポリエチレンナフタレート、透明性ポリイミドシクロオレフィンコポリマー、ポリカーボネート、及びポリエチレンのうちのいずれか１つを含み、当該基板の厚さは０.１ｍｍ〜０.５ｍｍである、
ことを特徴とするフレキシブル有機エレクトロルミネッセンスデバイスの製造方法。
【請求項７】
請求項５に記載のフレキシブル有機エレクトロルミネッセンスデバイスの製造方法において、
前記ＵＶグルーの製造プロセスは、前記基板をスピンコーターに置き、厚さが０.５μｍ〜１０μｍであるＵＶグルーを前記基板の表面にスピンコーティングし、その後、ＵＶランプによって硬化させる、
ことを特徴とするフレキシブル有機エレクトロルミネッセンスデバイスの製造方法。
【請求項８】
請求項５に記載のフレキシブル有機エレクトロルミネッセンスデバイスの製造方法において、
前記正孔注入層の材料は、銅フタロシアニン、又は４，４’，４’−トリス（Ｎ−３−メチルフェニル−Ｎ−フェニル−アミノ）−トリフェニルアミンであり、当該正孔注入層の厚さは３０ｎｍ〜４０ｎｍであり、
前記正孔伝送層の材料は、フェニルモルホリン、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−４，４’−ベンジジン（ＴＰＤ）、又は１，３，５−トリフェニルベンゼンであり、当該正孔伝送層の厚さは３０ｎｍ〜８０ｎｍであり、
前記発光層の材料は、トリス（２−フェニルピリジン）イリジウム錯体がドープされた４，４’−ビス（９−カルバゾリル）ビフェニルであり、当該発光層の厚さは１５ｎｍ〜４０ｎｍであり、
前記電子伝送層の材料は、４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン、トリス（８−ヒドロキシキノリナト）アルミニウム、２−（４−ビフェニル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチル）フェニル−１，３，４−オキサジアゾール、１，２，４−トリアゾール誘導体、又はＮ−アリール−ベンゾイミダゾールであり、当該電子伝送層の厚さは２０ｎｍ〜６０ｎｍであり、
前記電子注入層の材料は、ＬｉＦ、ＣｓＦ、又は８−ヒドロキシキノリンリチウムであり、当該電子注入層の厚さは１ｎｍであり、
前記陰極層の材料は、Ａｌ、Ａｇ、又はＭｇ−Ａｇ合金層であり、当該陰極層の厚さは１００ｎｍ〜２００ｎｍである、
ことを特徴とするフレキシブル有機エレクトロルミネッセンスデバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光電子デバイス分野に関し、特にフレキシブル有機エレクトロルミネッセンスデバイスに関し、さらにそのフレキシブル有機エレクトロルミネッセンスデバイスの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機エレクトロルミネッセンス（Ｏｒｇａｎｉｃ ＬｉｇｈｔＥｍｉｓｓｉｏｎ Ｄｉｏｄｅ、以下、ＯＬＥＤとも呼ばれる）は、高輝度、材料の選択範囲の広さ、低駆動電圧、全固体自己発光などの特性を有しており、同時に、高解像度、広視野角、及び高速応答などの優位性を持っており、情報時代の移動通信及び情報表示の開発動向、並びに環境に優しい照明技術の要求に対応しているので、現在、国内外の多くの研究者の興味深い点になってきた。
【０００３】
従来技術のＯＬＥＤデバイスにおいて、ガラス基板によって製造されたＯＬＥＤデバイスは、曲げ特性を有しておらず、さらにガラスがもろいので、発光デバイスへの適用に影響を及ぼす。基板として可撓性材料が使用されるＯＬＥＤデバイスは、ガラス基板によるＯＬＥＤと比べて、より薄くて軽く、かつより強い耐衝撃性のあるという利点を有している。また、フレキシブルＯＬＥＤの製造は、ロールツーロール法によって製造できるので、製造コストを大幅に低減できる。現在、フレキシブルディスプレイ用基板は、主に、極薄ガラス、ポリマーフィルム、及び金属の薄片などを含んでいる。
【０００４】
通常、ポリマーフィルムを基板とする陽極は、スパッタリング技術によってその表面にＩＴＯ、ＩＺＯ等の材料からなる透明導電膜を被覆することで製造されるが、これらの導電膜は、フレキシブルＯＬＥＤに適用されるときに解決し難い様々な問題が存在している。例えば、ＩＴＯフィルムの製造中に、インジウム（Ｉｎ）、スズ（Ｓｎ）などの各元素のドーピング比率、組成をコントロールしにくいので、ＩＴＯフィルムの形態、キャリア及び伝送性能を制御できないようになり、さらに発光デバイスの性能が不安定になることを引き起こす。次に、フレキシブル基板でＩＴＯなどの導電膜を製造する場合、ポリマーフィルムの耐熱性が良くないので、導電膜の製造には、通常、低温スパッタリング技術を使用している。このように製造された導電膜は、表面抵抗が高く、フィルムと基板との結合力が低いので、フレキシブルＯＬＥＤは、繰り返される湾曲の過程で導電膜が基板から剥離される状況が発生し易いようになり、ＯＬＥＤ発光装置の発光安定性に影響を与える。
【発明の概要】
【０００５】
本発明の目的は、優れた曲げ特性、安定した発光性能、高い発光効率を有するフレキシブル有機エレクトロルミネッセンスデバイスを提供することにある。
【０００６】
本発明の技術的態様は、以下の通りである。
【０００７】
層状構造を有するフレキシブル有機エレクトロルミネッセンスデバイスであって、その層状構造は順に、基板／陽極層／正孔注入層／正孔伝送層／発光層／電子伝送層／電子注入層／陰極層であり、ここで、上記基板と陽極層との間に緩衝層が形成されており、上記陽極層は多層複合構造であり、当該多層複合構造はＺｎＳ／Ａｇ／ＭｏＯ３の多層構造である。
【０００８】
本発明にかかるフレキシブル有機エレクトロルミネッセンスデバイスにおいて、使用される基板材料には、テレフタル酸ポリエチレン（ＰＥＴ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、透明性ポリイミド（ＰＩ）、シクロオレフィンコポリマー（ＣＯＣ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリエチレン（ＰＥ）などの材料を含み、選ばれる材料は、可視光線透過率が８０％よりも多く（＞８０％）、厚さが０.１ｍｍ〜０.５ｍｍの範囲にある。
【０００９】
基板に位置する緩衝層は、ＵＶグルーによって形成されており、緩衝層の厚さが０.５μｍ〜１０μｍであってもよい。
【００１０】
本発明にかかるフレキシブル有機エレクトロルミネッセンスデバイスにおいて、陽極の多層構造はすべて、蒸着技術によって製造される。具体的には、ＺｎＳ層の厚さは３５ｎｍ〜８０ｎｍの範囲から選ばれ、Ａｇ層の厚さが１８ｎｍ〜３０ｎｍの範囲から選ばれ、ＭｏＯ３層の厚さが３ｎｍ〜１０ｎｍの範囲から選ばれる。当該多層陽極構造はヒートミラーにおける反射防止原理を利用するので、製造された陽極層は、可視光透過率が高いとともに、表面抵抗が比較的低い。陽極層の正孔注入性能を向上させるために、正孔注入能力があるＭｏＯ３は、多層陽極の一部として、正孔注入バリアを低下させるために用いられる。
【００１１】
本発明にかかるフレキシブル有機エレクトロルミネッセンスデバイスにおいて、正孔注入層の材料は、銅フタロシアニン（ＣｕＰＣ）、４，４’，４’−トリス（Ｎ−３−メチルフェニル−Ｎ−フェニル−アミノ）−トリフェニルアミン（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）であり、当該正孔注入層の厚さは３０ｎｍ〜４０ｎｍである。
【００１２】
上記正孔伝送層の材料は、フェニルモルホリン（ＮＰＢ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−４，４’−ベンジジン（ＴＰＤ）、１，３，５−トリフェニルベンゼン（ＴＤＡＰＢ）であり、当該正孔伝送層の厚さは３０ｎｍ〜８０ｎｍである。
【００１３】
上記発光層の材料は、トリス（２−フェニルピリジン）イリジウム錯体がドープされた４，４’−ビス（９−カルバゾリル）ビフェニル（すなわち、Ｉｒ（ｐｐｙ）３：ＣＢＰ）、ＤＣＪＴＢ：Ａｌｑ３、又はα−ＮＰＤ：Ｉｒ（ＭＤＱ）２（ａｃａｃ）であり、当該発光層の厚さは１５ｎｍ〜４０ｎｍである。
【００１４】
上記電子伝送層の材料は、４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（Ｂｐｈｅｎ）、トリス（８−ヒドロキシキノリナト）アルミニウム（Ａｌｑ３）、２−（４−ビフェニル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチル）フェニル−１，３，４−オキサジアゾール（ＰＢＤ）、１，２，４−トリアゾール誘導体（例えば、ＴＡＺなど）、又はＮ−アリール−ベンゾイミダゾール（ＴＰＢｉ）であり、当該電子伝送層の厚さは２０ｎｍ〜６０ｎｍである。
【００１５】
上記電子注入層の材料は、好ましくは、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、又は８−ヒドロキシキノリンリチウム（Ｌｉｑ）であり、当該電子注入層の厚さは０.５ｎｍ〜２ｎｍである。
【００１６】
上記陰極層の材料は、好ましくは、Ａｌ、Ａｇ、又はＭｇ−Ａｇ合金層であり、当該陰極層の厚さは１００ｎｍ〜２００ｎｍである。
【００１７】
また、本発明は、フレキシブル有機エレクトロルミネッセンスデバイスの製造方法を提供しており、
基板（すなわち、ポリマーフィルム）を洗剤含有の脱イオン水に浸して超音波洗浄を行い、脱イオン水で洗浄した後、順にイソプロパノール、アセトンを用いて超音波処理し、その後、窒素ガスで乾燥させたものを用意するステップ（１）と、
洗浄したポリマーフィルムをスピンコーターに置き、スピンコーターの回転速度が１０００ｒ／ｍｉｎ〜５０００ｒ／ｍｉｎ、スピンコーティング時間が３０秒〜１２０秒である条件で、ＵＶグルーをポリマーフィルムの表面にスピンコーティングし、その後、ＵＶランプ又は紫外線ランプによって硬化させて緩衝層を形成しているステップ（２）と、
真空蒸着法によって、緩衝層の表面で順に、ＺｎＳ層、Ａｇ層、ＭｏＯ３層を蒸着し、ＺｎＳ／Ａｇ／ＭｏＯ３の多層複合構造陽極層を得るステップ（３）と、
真空蒸着法によって、陽極層で順に、正孔注入層、正孔伝送層、発光層、電子伝送層、電子注入層、陰極層を蒸着し、フレキシブル有機エレクトロルミネッセンスデバイスを得るステップ（４）と、
を含む。
【００１８】
本発明は、真空蒸着技術を用いて、製造されるＺｎＳ／Ａｇ／ＭｏＯ３多層複合構造を陽極層とし、その製造は、プロセスが簡単で、基板に対する破壊が小さい一方、その陽極層は、光透過性が良く、表面抵抗が低いとともに、緩衝層を挿入することによって、陽極と基板との間の結合力を強化させ、製造されるフレキシブル有機エレクトロルミネッセンスデバイスに優れた曲げ特性、安定した発光性能、高い発光効率を与える。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】図１は、本発明にかかるフレキシブル有機エレクトロルミネッセンスデバイスの構造概略図である。
【図２】図２は、本発明にかかるフレキシブル有機エレクトロルミネッセンスデバイスの製造プロセスフローチャートである。
【図３】図３は、実施例２で製造されるＺｎＳ／Ａｇ／ＭｏＯ３陽極層、及び比較例１で製造されるＩＴＯ陽極層の透過率曲線図である。
【図４】図４は、実施例２及び比較例１で製造される発光装置が繰り返して湾曲した後の発光輝度と初期輝度との比較図である。
【図５】図５は、実施例２及び比較例１で製造される発光装置の電流−電圧曲線図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
本発明にかかるフレキシブル有機エレクトロルミネッセンスデバイスは、図１に示されている。当該フレキシブル有機エレクトロルミネッセンスデバイスは、層状構造であり、その層状構造は順に、基板１０１／緩衝層１０２／陽極層１０３／正孔注入層１０４／正孔伝送層１０５／発光層１０６／電子伝送層１０７／電子注入層１０８／陰極層１０９であり、ここで、陽極層は多層複合構造であり、当該多層複合構造はＺｎＳ１０３ａ／Ａｇ１０３ｂ／ＭｏＯ３１０３ｃの多層構造である。
【００２１】
本発明にかかる有機エレクトロルミネッセンスデバイスにおいて、使用される基板材料には、テレフタル酸ポリエチレン（ＰＥＴ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、透明性ポリイミド（ＰＩ）シクロオレフィンコポリマー（ＣＯＣ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリエチレン（ＰＥ）などの材料を含み、選ばれる材料は、可視光線透過率が８０％よりも大きく（＞８０％）、厚さが０.１ｍｍ〜０.５ｍｍの範囲にある。
【００２２】
基板に位置する緩衝層は、ＵＶグルーによって形成されており、緩衝層の厚さが０.５μｍ〜１０μｍであってもよい。
【００２３】
本発明にかかるフレキシブル有機エレクトロルミネッセンスデバイスにおいて、陽極の多層構造はすべて蒸着技術によって製造される。具体的には、ＺｎＳ層の厚さは３５ｎｍ〜８０ｎｍの範囲から選ばれ、Ａｇ層の厚さが１８ｎｍ〜３０ｎｍの範囲から選ばれ、ＭｏＯ３層の厚さが３ｎｍ〜１０ｎｍの範囲から選ばれる。当該多層陽極構造はヒートミラーにおける反射防止原理を利用するので、製造された陽極層は可視光透過率が高いとともに、表面抵抗が比較的低い。陽極層の正孔注入性能を向上させるために、正孔注入能力があるＭｏＯ３は、多層陽極の一部として、正孔注入バリアを低下させるために用いられる。
【００２４】
本発明にかかるフレキシブル有機エレクトロルミネッセンスデバイスにおいて、その各機能層の材料は、次の通りである。
【００２５】
本発明にかかるフレキシブル有機エレクトロルミネッセンスデバイスにおいて、正孔注入層の材料は、銅フタロシアニン（ＣｕＰＣ）、４，４’，４’−トリス（Ｎ−３−メチルフェニル−Ｎ−フェニル−アミノ）−トリフェニルアミン（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）で、当該正孔注入層の厚さは３０ｎｍ〜４０ｎｍである。
【００２６】
上記正孔伝送層の材料は、フェニルモルホリン（ＮＰＢ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−４，４’−ベンジジン（ＴＰＤ）、１，３，５−トリフェニルベンゼン（ＴＤＡＰＢ）で、当該正孔伝送層の厚さは３０ｎｍ〜８０ｎｍである。
【００２７】
上記発光層の材料は、トリス（２−フェニルピリジン）イリジウム錯体がドープされた４，４’−ビス（９−カルバゾリル）ビフェニル（すなわち、Ｉｒ（ｐｐｙ）３：ＣＢＰ）、ＤＣＪＴＢ：Ａｌｑ３、又はα−ＮＰＤ：Ｉｒ（ＭＤＱ）２（ａｃａｃ）で、当該発光層の厚さは１５ｎｍ〜４０ｎｍである。
【００２８】
上記電子伝送層の材料は、４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（Ｂｐｈｅｎ）、トリス（８−ヒドロキシキノリナト）アルミニウム（Ａｌｑ３）、２−（４−ビフェニル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチル）フェニル−１，３，４−オキサジアゾール（ＰＢＤ）、１，２，４−トリアゾール誘導体（例えば、ＴＡＺなど）、又はＮ−アリール−ベンゾイミダゾール（ＴＰＢｉ）で、当該電子伝送層の厚さは２０ｎｍ〜６０ｎｍである。
【００２９】
上記電子注入層の材料は、好ましくは、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、又は８−ヒドロキシキノリンリチウム（Ｌｉｑ）で、当該電子注入層の厚さは０.５ｎｍ〜２ｎｍである。
【００３０】
上記陰極層の材料は、好ましくは、Ａｌ、Ａｇ、又はＭｇ−Ａｇ合金層で、当該陰極層の厚さは１００ｎｍ〜２００ｎｍである。
【００３１】
また、本発明は、次のステップが含まれるフレキシブル有機エレクトロルミネッセンスデバイスの製造方法を提供する。
【００３２】
＜ステップＳ１＞
基板（すなわち、ポリマーフィルム）を洗剤含有の脱イオン水に浸して超音波洗浄を行い、脱イオン水で洗浄した後、順にイソプロパノール、アセトンを用いて超音波処理し、その後、窒素ガスで乾燥させたものを用意する。
【００３３】
＜ステップＳ２＞
洗浄したポリマーフィルムをスピンコーターに置き、スピンコーターの回転速度が１０００ｒ／ｍｉｎ〜５０００ｒ／ｍｉｎ、スピンコーティング時間が３０秒〜１２０秒である条件で、ＵＶグルーをポリマーフィルムの表面にスピンコーティングし、その後、ＵＶランプ又は紫外線ランプによって硬化させて緩衝層を形成する。
【００３４】
＜ステップＳ３＞
真空蒸着法によって、緩衝層の表面で順に、ＺｎＳ層、Ａｇ層、ＭｏＯ３層を蒸着し、ＺｎＳ／Ａｇ／ＭｏＯ３の多層複合構造陽極層を得る
＜ステップＳ４＞
陽極層において、真空蒸着法によって順に、正孔注入層、正孔伝送層、発光層、電子伝送層、電子注入層、陰極層を蒸着し、フレキシブル有機エレクトロルミネッセンスデバイスを得る。
【００３５】
本発明は、真空蒸着技術を用いて製造されるＺｎＳ／Ａｇ／ＭｏＯ３多層複合構造を陽極層とし、その製造は、プロセスが簡単で、基板に対する破壊が小さい一方、その陽極層は、光透過性が良く、表面抵抗が低いとともに、緩衝層を挿入することによって陽極と基板との間の結合力を強化させ、製造されるフレキシブル有機エレクトロルミネッセンスデバイスに優れた曲げ特性、安定した発光性能、高い発光効率を与える。
【００３６】
以下、図面を参照して本発明の好適な実施例をさらに詳しく説明する。
【００３７】
（実施例１）
層状構造を有するフレキシブル有機エレクトロルミネッセンスデバイスであって、その層状構造は順に、ＰＥＴ／ＵＶグルー／ＺｎＳ／Ａｇ／ＭｏＯ３／ｍ−ＭＴＤＡＴＡ／ＮＰＢ／Ｉｒ（ｐｐｙ）３：ＣＢＰ／ＴＰＢｉ／ＬｉＦ／Ｍｇ−Ａｇである。
【００３８】
当該フレキシブル有機エレクトロルミネッセンスデバイスの製造プロセスは、次のとおりである。
【００３９】
まず、厚さが０.１ｍｍであるＰＥＮフィルムを洗剤含有の脱イオン水に浸して超音波洗浄を行い、脱イオン水で洗浄した後、順にイソプロパノール、アセトンを用いて超音波処理し、その後、窒素ガスで乾燥させた。
【００４０】
次に、ＰＥＮフィルムをスピンコーターに置き、スピンコーターを起動させ、スピンコーターの回転速度を１０００ｒ／ｍｉｎにし、厚さが０.５μｍであるＵＶグルーをフラット層としてＰＥＮフィルムの表面にスピンコーティングし、１２０秒スピンコーティングした後、ＵＶランプによって硬化させ、緩衝層を形成した。
【００４１】
続いて、真空度が５×１０−４Ｐａであるコーティングシステムにおいて、緩衝層の表面で順に、厚さが３５ｎｍであるＺｎＳ層、厚さが１８ｎｍであるＡｇ層、厚さが１０ｎｍであるＭｏＯ３層を蒸着し、陽極層を形成した。
【００４２】
最後、ＭｏＯ３層で順に、厚さが３５ｎｍである正孔注入層、厚さが３０ｎｍである正孔伝送層、厚さが４０ｎｍである発光層、厚さが２０ｎｍである電子伝送層、厚さが０.５ｎｍである電子注入層、厚さが１５０ｎｍである陰極層を蒸着した。
【００４３】
（実施例２）
層状構造を有するフレキシブル有機エレクトロルミネッセンスデバイスであって、その層状構造は順に、ＰＥＴ／ＵＶグルー／ＺｎＳ／Ａｇ／ＭｏＯ３／ＣｕＰＣ／ＴＰＤ／ＤＣＪＴＢ：Ａｌｑ３／Ｂｐｈｅｎ／ＣｓＦ／Ａｇである。
【００４４】
当該フレキシブル有機エレクトロルミネッセンスデバイスの製造プロセスは、次のとおりである。
【００４５】
まず、厚さが０.１７５ｍｍであるＰＥＮフィルムを洗剤含有の脱イオン水に浸して超音波洗浄を行い、脱イオン水で洗浄した後、順にイソプロパノール、アセトンを用いて超音波処理し、その後、窒素ガスで乾燥させた。
【００４６】
次に、ＰＥＮフィルムをスピンコーターに置き、スピンコーターを起動させ、スピンコーターの回転速度を５０００ｒ／ｍｉｎにし、厚さが５μｍであるＵＶグルーをフラット層としてＰＥＮフィルムの表面にスピンコーティングし、３０秒スピンコーティングした後、ＵＶランプによって硬化させ、緩衝層を形成した。
【００４７】
続いて、真空度が５×１０−４Ｐａであるコーティングシステムにおいて、緩衝層の表面で順に、厚さが４５ｎｍであるＺｎＳ層、厚さが２０ｎｍであるＡｇ層、厚さが５ｎｍであるＭｏＯ３層を蒸着し、陽極層を形成した。
【００４８】
最後、ＭｏＯ３層で順に、厚さが３０ｎｍである正孔注入層（ＣｕＰＣ）、厚さが８０ｎｍである正孔伝送層（ＴＰＤ）、厚さが１５ｎｍである発光層（ＤＣＪＴＢ：Ａｌｑ３）、厚さが６０ｎｍである電子伝送層（Ｂｐｈｅｎ）、厚さが１ｎｍである電子注入層（ＣｓＦ）、厚さが１００ｎｍである陰極層（Ａｇ）を蒸着した。
【００４９】
（実施例３）
層状構造を有するフレキシブル有機エレクトロルミネッセンスデバイスで、その層状構造は順に、ＰＥＳ／ＵＶグルー／ＺｎＳ／Ａｇ／ＭｏＯ３／ｍ−ＭＴＤＡＴＡ／ＴＤＡＰＢ／α−ＮＰＤ：Ｉｒ（ＭＤＱ）２（ａｃａｃ）／Ａｌｑ３／ＬｉＦ／Ａｌである。
【００５０】
当該フレキシブル有機エレクトロルミネッセンスデバイスの製造プロセスは、次のとおりである。
【００５１】
まず、厚さが０.２ｍｍであるＰＥＮフィルムを洗剤含有の脱イオン水に浸して超音波洗浄を行い、脱イオン水で洗浄した後、順にイソプロパノール、アセトンを用いて超音波処理し、その後、窒素ガスで乾燥させた。
【００５２】
次に、ＰＥＮフィルムをスピンコーターに置き、スピンコーターを起動させ、スピンコーターの回転速度を４０００ｒ／ｍｉｎにし、厚さが１μｍであるＵＶグルーをフラット層としてＰＥＮフィルムの表面にスピンコーティングし、７０秒スピンコーティングした後、ＵＶランプによって硬化させ、緩衝層を形成した。
【００５３】
続いて、真空度が５×１０−４Ｐａであるコーティングシステムにおいて、緩衝層の表面で順に、厚さが８０ｎｍであるＺｎＳ層、厚さが３０ｎｍであるＡｇ層、厚さが３ｎｍであるＭｏＯ３層を蒸着し、陽極層を形成した。
【００５４】
最後、ＭｏＯ３層で順に、厚さが４０ｎｍである正孔注入層（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）、厚さが６０ｎｍである正孔伝送層（ＴＤＡＰＢ）、厚さが４０ｎｍである発光層（α−ＮＰＤ：Ｉｒ（ＭＤＱ）２（ａｃａｃ））、厚さが４０ｎｍである電子伝送層（Ａｌｑ３）、厚さが２ｎｍである電子注入層（ＬｉＦ）、厚さが２００ｎｍである陰極層（Ａｌ）を蒸着した。
【００５５】
（実施例４）
層状構造を有するフレキシブル有機エレクトロルミネッセンスデバイスであって、その層状構造は順に、ＣＯＣ／ＵＶグルー／ＺｎＳ／Ａｇ／ＭｏＯ３／ｍ−ＭＴＤＡＴＡ／ＮＰＢ／Ｉｒ（ｐｐｙ）３：ＣＢＰ／ＰＢＤ／ＬｉＦ／Ｍｇ−Ａｇである。
【００５６】
当該フレキシブル有機エレクトロルミネッセンスデバイスの製造プロセスは、次のとおりである。
【００５７】
まず、厚さが０.５ｍｍであるＣＯＣフィルムを洗剤含有の脱イオン水に浸して超音波洗浄を行い、脱イオン水で洗浄した後、順にイソプロパノール、アセトンを用いて超音波処理し、その後、窒素ガスで乾燥させた。
【００５８】
次に、ＣＯＣフィルムをスピンコーターに置き、スピンコーターを起動させ、スピンコーターの回転速度を３０００ｒ／ｍｉｎにし、厚さが１０μｍであるＵＶグルーをフラット層としてＰＥＮフィルムの表面にスピンコーティングし、８０秒スピンコーティングした後、ＵＶランプによって硬化させ、緩衝層を形成した。
【００５９】
続いて、真空度が５×１０−４Ｐａであるコーティングシステムにおいて、緩衝層の表面で順に、厚さが６０ｎｍであるＺｎＳ層、厚さが２５ｎｍであるＡｇ層、厚さが６ｎｍであるＭｏＯ３を蒸着し、陽極層を形成した。
【００６０】
最後、ＭｏＯ３層で順に、厚さが３８ｎｍである正孔注入層（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）、厚さが７０ｎｍである正孔伝送層（ＮＰＢ）、厚さが２５ｎｍである発光層（Ｉｒ（ｐｐｙ）３：ＣＢＰ）、厚さが５０ｎｍである電子伝送層（ＰＢＤ）、厚さが１.５ｎｍである電子注入層（ＬｉＦ）、厚さが１２０ｎｍである陰極層（Ａｌ）を蒸着した。
【００６１】
（実施例５）
層状構造を有するフレキシブル有機エレクトロルミネッセンスデバイスであって、その層状構造は順に、ＰＣ／ＵＶグルー／ＺｎＳ／Ａｇ／ＭｏＯ３／ｍ−ＭＴＤＡＴＡ／ＮＰＢ／Ｉｒ（ｐｐｙ）３：ＣＢＰ／ＴＡＺ／ＬｉＦ／Ｍｇ−Ａｇである。
【００６２】
当該フレキシブル有機エレクトロルミネッセンスデバイスの製造プロセスは、次のとおりである。
【００６３】
まず、厚さが０.４ｍｍであるＰＣフィルムを洗剤含有の脱イオン水に浸して超音波洗浄を行い、脱イオン水で洗浄した後、順にイソプロパノール、アセトンを用いて超音波処理し、その後、窒素ガスで乾燥させた。
【００６４】
次に、ＰＣフィルムをスピンコーターに置き、スピンコーターを起動させ、スピンコーターの回転速度を２０００ｒ／ｍｉｎにし、厚さが７μｍであるＵＶグルーをフラット層としてＰＥＮフィルムの表面にスピンコーティングし、５０秒スピンコーティングした後、ＵＶランプによって硬化させ、緩衝層を形成した。
【００６５】
続いて、真空度が５×１０−４Ｐａであるコーティングシステムにおいて、緩衝層の表面で順に、厚さが７０ｎｍであるＺｎＳ層、厚さが２０ｎｍであるＡｇ層、厚さが８ｎｍであるＭｏＯ３層を蒸着した。
【００６６】
最後、ＭｏＯ３層で順に、厚さが３０ｎｍである正孔注入層（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）、厚さが５０ｎｍである正孔伝送層（ＮＰＢ）、厚さが２５ｎｍである発光層（Ｉｒ（ｐｐｙ）３：ＣＢＰ）、厚さが３０ｎｍである電子伝送層（ＴＡＺ）、厚さが１.５ｎｍである電子注入層（ＬｉＦ）、厚さが１８０ｎｍである陰極層（Ａｌ）を蒸着した。
【００６７】
（実施例６）
層状構造を有するフレキシブル有機エレクトロルミネッセンスデバイスであって、その層状構造は順に、ＰＥ／ＵＶグルー／ＺｎＳ／Ａｇ／ＭｏＯ３／ｍ−ＭＴＤＡＴＡ／ＮＰＢ／α−ＮＰＤ：Ｉｒ（ＭＤＱ）２（ａｃａｃ）／ＴＰＢｉ／ＬｉＦ／Ｍｇ−Ａｇである。
【００６８】
当該フレキシブル有機エレクトロルミネッセンスデバイスの製造プロセスは、次のとおりである。
【００６９】
まず、厚さが０.３ｍｍであるＰＥフィルムを洗剤含有の脱イオン水に浸して超音波洗浄を行い、脱イオン水で洗浄した後、順にイソプロパノール、アセトンを用いて超音波処理し、その後、窒素ガスで乾燥させた。
【００７０】
次に、ＰＥフィルムをスピンコーターに置き、スピンコーターを起動させ、スピンコーターの回転速度を４０００ｒ／ｍｉｎにし、厚さが３μｍであるＵＶグルーをフラット層としてＰＥＮフィルムの表面にスピンコーティングし、１００秒スピンコーティングした後、ＵＶランプによって硬化させ、緩衝層を形成した。
【００７１】
続いて、真空度が５×１０−４Ｐａであるコーティングシステムにおいて、緩衝層の表面で順に、厚さが４５ｎｍであるＺｎＳ層、厚さが２２ｎｍであるＡｇ層、厚さが４ｎｍであるＭｏＯ３層を蒸着した。
【００７２】
最後、ＭｏＯ３層で順に、厚さが３０ｎｍである正孔注入層（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）、厚さが５０ｎｍである正孔伝送層（ＮＰＢ）、厚さが２５ｎｍである発光層（α−ＮＰＤ：Ｉｒ（ＭＤＱ）２（ａｃａｃ））、厚さが３０ｎｍである電子伝送層（ＴＡＺ）、厚さが１.５ｎｍである電子注入層（ＬｉＦ）、厚さが１８０ｎｍである陰極層（Ａｌ）を蒸着した。
【００７３】
（比較例１）
層状構造を有するフレキシブル有機エレクトロルミネッセンスデバイスであって、その層状構造は順に、ＰＥＴ／ＩＴＯ／ｍ−ＭＴＤＡＴＡ／ＮＰＢ／Ｉｒ（ｐｐｙ）３：ＣＢＰ／ＴＰＢｉ／ＬｉＦ／Ｍｇ−Ａｇである。ここで、そのスデバイスには緩衝層を有しないこと、及び陽極層がＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）導電層であること以外、他の各機能層は実施例２と同様である。
【００７４】
当該フレキシブル有機エレクトロルミネッセンスデバイスの製造プロセスは、次のとおりである。
【００７５】
厚さが０.１７５ｍｍであるＰＥＴフィルムを洗剤含有の脱イオン水に浸して超音波洗浄を行い、脱イオン水で洗浄した後、順にイソプロパノール、アセトンを用いて超音波処理し、その後、窒素ガスで乾燥させた。マグネトロンスパッタリングシステムを用いて、厚さが１２０ｎｍであるＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）導電膜をＰＥＴフィルムの表面にスパッタリングし、真空度が５×１０−４Ｐａであるコーティングシステムにおいて、その表面で順に、正孔注入層（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）、正孔伝送層（ＮＰＢ）、発光層（Ｉｒ（ｐｐｙ）３：ＣＢＰ）、電子伝送層（ＴＰＢｉ）、電子注入層（ＬｉＦ）和陰極層（Ｍｇ−Ａｇ）を蒸着した。
【００７６】
図３から、実施例２で製造されたＺｎＳ／Ａｇ／ＭｏＯ３陽極は、優れた透過率を有しており、そのうち、実施例２で製造された陽極は可視光線透過率が８３.８％で、比較例１で製造されたＩＴＯ陽極の透過率８４.２％とほぼ同じであることが分かる。
【００７７】
図４から、実施例２で製造されたＺｎＳ／Ａｇ／ＭｏＯ３陽極は、基板と優れた結合力を有しており、繰り返して湾曲した後、発光性能が比較的安定であることに対して、ＩＴＯ陽極は繰り返して湾曲した後、基板から剥離され易く、発光性能の低下を引き起こすことが分かる。
【００７８】
図５から、実施例２で製造されたＺｎＳ／Ａｇ／ＭｏＯ３陽極は、優れた正孔注入性能を有しており、この陽極によって製造されるスデバイスのキャリア注入性能は、ＩＴＯを陽極として製造されるスデバイスと似ているので、良い電致発光効果が得られることが分かる。
【００７９】
以上、本発明の好適な実施例について詳しく説明するが、本発明の特許請求の範囲を制限するものではなく、本発明の特許請求の範囲は添付される請求項に準ずると理解されるべきである。
【符号の説明】
【００８０】
１０１          基板
１０２          緩衝層
１０３          陽極
１０４          正孔注入層
１０５          正孔伝送層
１０６          発光層
１０７          電子伝送層
１０８          電子注入層
１０９          陰極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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