(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
鉛フリーめっき層及び鉛フリー半田の少なくとも一方を母材の表面に有する端子を備える電子部品であって、
前記鉛フリーのめっき層及び前記鉛フリー半田の少なくとも露出面がコーティング層によって覆われており、
前記コーティング層が、第１材料と、当該第１材料中に分散された第２材料と、を含んでなり、
前記第１材料が、防湿性材料であるアクリル系樹脂であり、
前記第２材料が、水分との接触によって硬化を開始する湿度硬化型樹脂であるシアノアクリレート系樹脂及び金属との接触によって硬化を開始する嫌気性封着剤である酢酸ビニル系樹脂の何れか一方又は両方である、
電子部品。
【請求項２】
請求項１に記載の電子部品であって、
前記第２材料の硬化後の硬さが、前記第１材料の硬化後の硬さよりも大きい、
電子部品。
【請求項３】
鉛フリーめっき層及び鉛フリー半田の少なくとも一方を母材の表面に有する端子を備える電子部品の製造方法であって、
前記鉛フリーのめっき層及び前記鉛フリー半田の少なくとも露出面をコーティング層によって被覆すること、
を含み、
前記コーティング層が、第１材料と、当該第１材料中に分散された第２材料と、を含んでなり、
前記第１材料が、防湿性材料であるアクリル系樹脂であり、
前記第２材料が、水分との接触によって硬化を開始する湿度硬化型樹脂であるシアノアクリレート系樹脂及び金属との接触によって硬化を開始する嫌気性封着剤である酢酸ビニル系樹脂の何れか一方又は両方である、
電子部品の製造方法。
【請求項４】
請求項３に記載の電子部品の製造方法であって、
前記第２材料の硬化後の硬さが、前記第１材料の硬化後の硬さよりも大きい、
電子部品の製造方法。
【請求項５】
請求項３又は４に記載の電子部品の製造方法であって、
スプレーコーティング法により、前記鉛フリーのめっき層及び前記鉛フリー半田の少なくとも露出面を前記コーティング層によって被覆する、
電子部品の製造方法。
【請求項６】
請求項３又は４に記載の電子部品の製造方法であって、
ディップコーティング法により、前記鉛フリーのめっき層及び前記鉛フリー半田の少なくとも露出面を前記コーティング層によって被覆する、
電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品及び電子部品の製造方法に関する。より詳しくは、本発明は、鉛フリーめっき層及び鉛フリー半田の少なくとも一方を母材の表面に有する端子を備える電子部品であって、鉛フリーめっき層及び鉛フリー半田からのウィスカの成長が抑制された電子部品及び当該電子部品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、例えばＩＣチップをリードフレームに搭載した半導体装置等の電子部品において一層の小型化が求められており、電子部品の端子間の間隔は数百μｍ程度まで狭くなってきている。かかる電子部品の端子の母材としては、黄銅、銅合金、「４２アロイ」と称される鉄ニッケル合金（Ｆｅ−Ｎｉ）等が用いられることが多いが、母剤の素地が露出したままの状態では端子の表面が酸化し、例えば半田付け不良等による導通不良を引き起こす虞があるため、端子の表面に保護膜としてめっき層を形成し、端子の表面の酸化を防止することが一般的に行われている。めっき層の材料としては、主に錫（Ｓｎ）や錫合金が使用される。
【０００３】
尚、めっき層の材料としては、鉛（Ｐｂ）を含む合金が従来使用されてきたが、近年、環境負荷を軽減する観点から鉛フリー化が求められるようになり、上記のような電子部品の端子のめっき層の材料としても、例えば、錫（Ｓｎ）、錫銅合金（Ｓｎ−Ｃｕ）、錫銀合金（Ｓｎ−Ａｇ）、錫ビスマス合金（Ｓｎ−Ｂｉ）等、鉛を含まない材料を使用することが求められている。しかしながら、鉛フリーの材料を使用して電子部品の端子の表面をめっき処理するとウィスカが発生することが知られており、上記のように端子間の間隔が数百μｍ程度と狭い場合、ウィスカの発生によって電子部品の端子間において短絡（ショート）が発生する虞がある。
【０００４】
上記問題を回避するための対策として、当該技術分野においては、例えば、錫又は錫系合金による電解めっき処理によって電子部品の端子の表面に鉛フリーめっき層を形成し、エポキシ樹脂等の皮膜層を当該表面に形成することにより、めっき層から発生したウィスカを当該皮膜層の内側に抑え込み、ウィスカが電子部品の端子間において短絡を発生するような大きさにまで外部に向けて成長するのを抑制することが提案されている（例えば、特許文献１を参照）。しかしながら、上記のように電子部品の端子の表面に形成された鉛フリーめっき層を樹脂製の皮膜層によって覆うだけでは、ウィスカの成長を完全に抑制することは困難であり、ウィスカが皮膜層の外部にまで到達して電子部品の端子間における短絡を引き起こす可能性を払拭することはできない。
【０００５】
そこで、当該技術分野においては、電子部品の端子の表面に形成された鉛フリーめっき層を形成し、当該めっき層の表面に、鉛フリーめっき層から発生するウィスカよりも高い機械的強度を持つ硬質薄膜（ＤＬＣ（ダイヤモンド・ライク・カーボン）薄膜、窒化シリコン薄膜、又は窒化炭素薄膜）を形成することが提案されている（例えば、特許文献２を参照）。しかしながら、上記硬質薄膜は、電子部品の端子の半田付けの前に、例えばスパッタ処理等の手法によって形成されるため、半田の濡れ性を阻害する虞がある。加えて、当該提案に係る技術においては、微小な端子（リードフレームの端部）にスパッタ処理を施す必要があるため精度保障が難しく、製造コストや製造期間の増大に繋がる虞がある。
【０００６】
また、当該技術分野においては、電子部品の端子の表面に形成された鉛フリーめっき層を形成し、当該めっき層の表面を、８０〜８５°のスプリング硬さを有する防湿用の樹脂コーティング層で被覆することが提案されている（例えば、特許文献３を参照）。しかしながら、当該提案に係る技術においては、樹脂コーティング層の硬化に時間を要することに起因する製造効率の低下、硬化中の液だれに起因する樹脂コーティング層の厚みのバラツキ等の製造上の問題に加え、樹脂コーティング層が硬いため、樹脂コーティング層と金属製の端子（リードフレーム）との熱膨張係数の差に起因する樹脂コーティングの端子からの剥離が起こる虞がある。
【０００７】
更に、当該技術分野においては、電子部品の端子の表面に形成された鉛フリーめっき層を形成し、当該めっき層の表面に、異なる熱膨張係数を有する複数種の樹脂材料からなる層状構造又は海島構造を有するコーティング層を形成することが提案されている。当該提案に係る技術によれば、電子部品に温度変化が生じた際に、上記コーティング層を形成する複数種の樹脂材料が、それぞれ異なる熱膨張係数に基づいて異なる大きさの膨張と収縮とを反復することにより、上記コーティング層の内部に成長したウィスカに対して剪断応力が作用し、当該剪断応力によりウィスカが分断されて導通性を失い、結果として、電子部品の端子間におけるウィスカに起因する短絡を回避することが提案されている。
【０００８】
しかしながら、上記提案に係る技術においては、上記コーティング層を形成する複数種の樹脂材料が互いに強固には結合していないことから、コーティング層の強度や堅牢性が不十分となる虞がある。また、上記コーティングを構成する樹脂材料に無機フィラー等を混入して当該樹脂材料の熱膨張係数を変更する場合、当該コーティング層の内部に成長したウィスカが当該フィラーに接触すると、当該フィラーを避けるように成長方向を変更する傾向があるため、結果としてウィスカが当該コーティングの外部にまで成長してくる虞がある。更に、層状構造を有するコーティング層を採用する場合は、コーティング層の塗布工程が多重となり、電子部品の製造工程の複雑化に繋がる虞がある。
【０００９】
以上のように、当該技術分野においては、樹脂系コーティング材料、無機系硬質薄膜、フィラー含有コーティング等によるウィスカの抑制が試みられているものの、電子部品の端子の表面に形成された鉛フリーめっき層及び鉛フリー半田からのウィスカの成長を効果的且つ実用的に抑制することができる方法は未だ確立されていない。従って、当該技術分野においては、電子部品の端子の表面に形成された鉛フリーめっき層及び鉛フリー半田からのウィスカの成長を効果的且つ実用的に抑制することができる技術に対する要求が存在する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開２００５−３０２５７５号公報
【特許文献２】特開２００８−１４７５８９号公報
【特許文献３】特開２００９−０３８０７５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
前述のように、当該技術分野においては、樹脂系コーティング材料、無機系硬質薄膜、フィラー含有コーティング等によるウィスカの抑制が試みられているものの、電子部品の端子の表面に形成された鉛フリーめっき層及び鉛フリー半田からのウィスカの成長を効果的且つ実用的に抑制することができる方法は未だ確立されていない。従って、当該技術分野においては、電子部品の端子の表面に形成された鉛フリーめっき層及び鉛フリー半田からのウィスカの成長を効果的且つ実用的に抑制することができる技術に対する要求が存在する。
【００１２】
本発明は、かかる要求に応えるために為されたものである。より具体的には、本発明は、電子部品の端子の表面に形成された鉛フリーめっき層及び鉛フリー半田からのウィスカの成長を効果的且つ実用的に抑制することを１つの目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明の上記１つの目的は、
鉛フリーめっき層及び鉛フリー半田の少なくとも一方を母材の表面に有する端子を備える電子部品であつて、
前記鉛フリーのめっき層及び前記鉛フリー半田の少なくとも露出面がコーティング層によって覆われており、
前記コーティング層が、第１材料と、当該第１材料中に分散された第２材料と、を含んでなり、
前記第２材料が、前記第１材料及び前記第２材料の何れとも異なる第３の物質との接触によって硬化を開始する材料である、
電子部品によって達成される。
【００１４】
また、本発明の上記１つの目的は、
鉛フリーめっき層及び鉛フリー半田の少なくとも一方を母材の表面に有する端子を備える電子部品の製造方法であつて、
前記鉛フリーのめっき層及び前記鉛フリー半田の少なくとも露出面をコーティング層によって被覆すること、
を含み、
前記コーティング層が、第１材料と、当該第１材料中に分散された第２材料と、を含んでなり、
前記第２材料が、前記第１材料及び前記第２材料の何れとも異なる第３の物質との接触によって硬化を開始する材料である、
電子部品の製造方法によっても達成される。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、電子部品の端子の表面に形成された鉛フリーめっき層及び鉛フリー半田からのウィスカの成長を効果的且つ実用的に抑制することができる。より具体的には、本発明によれば、鉛フリーめっき層及び鉛フリー半田の少なくとも一方を母材の表面に有する端子を備える電子部品において、前記鉛フリーのめっき層及び前記鉛フリー半田の少なくとも露出面を、第１材料と第１材料中に分散された第２材料とを含んでなるコーティング層であって、第２材料が第１材料及び第２材料の何れとも異なる第３の物質との接触によって硬化を開始する材料であるコーティング層によって覆うことにより、前記鉛フリーのめっき層及び前記鉛フリー半田から発生するウィスカの成長を第２材料によって抑制し、コーティング層の外部にまでウィスカが成長することを回避することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の１つの実施態様に係る電子部品が備える端子の表面におけるウィスカの発生状況を説明する模式図である。
【図２】本発明のもう１つの実施態様に係る電子部品が備える端子の表面におけるウィスカの発生状況を説明する模式図である。
【図３】本発明の１つの実施態様に係る電子部品の製造方法におけるコーティング層の塗布方法を説明する模式図である。
【図４】本発明の１つの実施態様に係る電子部品の製造方法によって電子部品に塗布されたコーティング層を示す模式図である。
【図５】本発明のもう１つの実施態様に係る電子部品の製造方法におけるコーティング層の塗布方法を説明する模式図である。
【図６】本発明の１つの実施態様に係るコーティング層における第２材料の配合率に対するウィスカの検出本数の関係を表すグラフである。
【図７】本発明のもう１つの実施態様に係るコーティング層における第２材料の配合率に対するウィスカの検出本数の関係を表すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
前述のように、本発明は、電子部品の端子の表面に形成された鉛フリーめっき層及び鉛フリー半田からのウィスカの成長を効果的且つ実用的に抑制することを１つの目的とする。本発明者は、かかる目的を達成すべく鋭意研究の結果、電子部品の端子の表面に形成された鉛フリーめっき層及び鉛フリー半田を、第３の物質との接触により徐々に硬化が進行する第２材料が分散された第１材料からなるコーティング層によって覆うことにより、当該鉛フリーめっき層及び鉛フリー半田から発生するウィスカが当該コーティング層を貫通して当該コーティング層の外部にまで成長することを抑制することができることを見出し、本発明を想到するに至ったものである。
【００１８】
即ち、本発明の第１の実施態様は、
鉛フリーめっき層及び鉛フリー半田の少なくとも一方を母材の表面に有する端子を備える電子部品であつて、
前記鉛フリーのめっき層及び前記鉛フリー半田の少なくとも露出面がコーティング層によって覆われており、
前記コーティング層が、第１材料と、当該第１材料中に分散された第２材料と、を含んでなり、
前記第２材料が、前記第１材料及び前記第２材料の何れとも異なる第３の物質との接触によって硬化を開始する材料である、
電子部品である。
【００１９】
上記のように、本実施態様に係る電子部品は、鉛フリーめっき層及び鉛フリー半田の少なくとも一方を母材の表面に有する端子を備える電子部品であって、前記鉛フリーのめっき層及び前記鉛フリー半田の少なくとも露出面が、第１材料と当該第１材料中に分散された第２材料からなる中空粒子とを含んでなるコーティング層によって覆われた電子部品である。
【００２０】
本実施態様に係る電子部品は、特定の種類の電子部品に限定されるものではなく、鉛フリーめっき層及び鉛フリー半田の少なくとも一方を母材の表面に有する端子を備える電子部品であれば、如何なる種類の電子部品であってもよい。かかる電子部品の例としては、例えば、各種電子制御装置（ＥＣＵ：Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ  Ｃｏｎｔｒｏｌ  Ｕｎｉｔ）を構成する半導体素子、抵抗チップ、コンデンサ等を含む電子部品等を挙げることができる。また、これらの電子部品が備える端子の例としては、例えば、半導体素子を支持固定し、外部配線との接続をする部品としてのリードフレームの端子部分等を挙げることができる。
【００２１】
また、本実施態様に係る電子部品は、鉛フリーめっき層及び鉛フリー半田の少なくとも一方を母材の表面に有する端子を備える電子部品である。尚、フリーめっき層は、例えば、例えば、前述のように、本実施態様に係る電子部品が備える端子の表面の酸化に起因する半田付け不良等による導通不良を防止するために、端子の母剤の表面に配設される。また、鉛フリー半田は、例えば、本実施態様に係る電子部品を構成する回路素子同士の間又は回路素子と回路基板との間の電気的接続を達成するために、これらの構成要素が備える端子上に配設される。
【００２２】
鉛フリーめっき層及び鉛フリー半田を構成する材料としては、例えば、鉛（Ｐｂ）を含有しない（鉛フリーの）錫（Ｓｎ）系合金又は亜鉛（Ｚｎ系）合金等を挙げることができる。尚、本明細書において、「鉛を含有しない（鉛フリー）」材料とは、理想的には鉛を全く含有しない材料を指すが、例えば環境保護の観点から定められた特定の含有率を超えない範囲で微量の鉛を含有する材料を排除するものではないことを、念のため申し添えておく。
【００２３】
鉛フリーめっき層を構成する材料は純錫又は純亜鉛であってもよく、鉛フリー半田を構成する材料は純錫であってもよい。好ましくは、鉛フリーめっき層及び鉛フリー半田を構成する材料は錫系合金であり、具体的には、錫銅合金（Ｓｎ−Ｃｕ）、錫銀合金（Ｓｎ−Ａｇ）、錫ビスマス合金（Ｓｎ−Ｂｉ）、錫亜鉛合金（Ｓｎ−Ｚｎ）、及び錫インジウム合金（Ｓｎ−Ｉｎ）等を挙げることができる。更に、本実施態様に係る電子部品が備える端子の母材としては、従来の電子部品において用いられてきた金属材料を用いることができ、例えば、黄銅、銅合金、「４２アロイ」と称される鉄ニッケル合金（Ｆｅ−Ｎｉ）等を挙げることができる。これらの材料は、電子部品の種類や設計仕様に応じて、適宜選択することができる。
【００２４】
上記のように、本実施態様に係る電子部品は、鉛フリーめっき層及び鉛フリー半田の少なくとも一方を母材の表面に有する端子を備える電子部品であって、前記鉛フリーのめっき層及び前記鉛フリー半田の少なくとも露出面が、第１材料と当該第１材料中に分散された第２材料からなる中空粒子とを含んでなるコーティング層によって覆われた電子部品である。即ち、本実施態様に係る電子部品は、電子部品の全体が上記コーティング層によって覆われていてもよく、又は電子部品が備える端子の母材の表面における上述のような鉛フリーめっき層及び鉛フリー半田の少なくとも一方が配設された領域のみが上記コーティング層によって覆われていてもよい。
【００２５】
本実施態様に係る電子部品が備える端子の母材の表面における少なくとも鉛フリーめっき層及び鉛フリー半田の少なくとも一方が配設された領域を覆うコーティング層の厚みは特に限定されるものではなく、ウィスカの成長を効果的に抑制することが可能である限りにおいて、例えば、電子部品及び電子部品の製造工程の設計仕様、製造コスト等に応じて、適宜定めることができる。具体的には、上記コーティング層の厚みは、従来技術に係る電子部品における防湿用樹脂コーティング層の厚みと同等であってもよく、例えば、１０μｍ乃至３００μｍの範囲とすることができる。
【００２６】
上述のように、本実施態様に係るコーティング層は、第１材料と第１材料中に分散された第２材料とを含んでなり、第２材料は、第１材料及び第２材料の何れとも異なる第３の物質との接触によって硬化を開始する材料である。これにより、本実施態様に係るコーティング層においては、本実施態様に係る電子部品が備える端子の母材の表面における少なくとも鉛フリーめっき層及び鉛フリー半田の少なくとも一方が配設された領域に塗布された際に、先ず第１材料が硬化し、その後、第３の物質との接触により、第２材料が徐々に硬化する。即ち、本実施態様に係るコーティング層においては、時間の経過に伴い、コーティング層の内部において、硬化した第２材料の比率が徐々に増加してゆく。
【００２７】
一方、ウィスカも、本実施態様に係る電子部品が製造された時点では発生しておらず、その後の時間の経過に伴い、当該電子部品が備える端子の母材の表面における少なくとも鉛フリーめっき層及び鉛フリー半田の少なくとも一方から発生し、徐々に成長してゆく。即ち、本実施態様に係るコーティング層における第２材料の硬化と、ウィスカの発生及び成長とが、並行して進行する。これにより、本実施態様に係るコーティング層によれば、ウィスカの発生及び成長に伴って第２材料が徐々に硬化し、硬化した第２材料にウィスカが接触することにより、ウィスカの成長をより効率的に抑制することができる。
【００２８】
尚、上記のように本実施態様に係るコーティング層における第２材料の硬化によりウィスカの成長を抑制するためには、硬化後の第２材料の硬さが、少なくともウィスカの成長方向を変更するのに十分な程度に大きいことが必要である。一方、本実施態様に係るコーティング層を構成するもう１つの成分である第１材料については、硬化後に第２材料と同様に大きな硬さを有すると、コーティング層全体の硬さが過大となり、例えば、電子部品の動作に伴う温度変化により、コーティング層と電子部品の端子（例えば、金属製リードフレーム等）との熱膨張係数の差に起因して、コーティング層が端子から剥離したり、コーティング層が割れたりする虞がある。
【００２９】
従って、本実施態様に係る電子部品においては、コーティング層を構成する第１材料の硬化後の硬さが第２材料の硬化後の硬さよりも小さいことが望ましい。逆に言うと、本実施態様に係る電子部品においては、コーティング層を構成する第２材料の硬化後の硬さが第１材料の硬化後の硬さよりも大きいことが望ましい。
【００３０】
従って、本発明の第２の実施態様は、
本発明の前記第１の実施態様に係る電子部品であって、
前記第２材料の硬化後の硬さが、前記第１材料の硬化後の硬さよりも大きい、
電子部品である。
【００３１】
上記のように、本実施態様に係る電子部品においては、前記第２材料の硬化後の硬さが前記第１材料の硬化後の硬さよりも大きい。従って、例えば、電子部品の動作に伴う温度変化が生じた際にも、コーティング層と電子部品の端子（例えば、金属製リードフレーム等）との熱膨張係数の差に起因して、コーティング層が端子から剥離したり、コーティング層が割れたりする問題を抑制することができる。これにより、本実施態様に係る電子部品においては、コーティング層による封止機能（防湿機能）を犠牲にすること無く、ウィスカの成長を効果的に抑制して、前述のような電子部品の端子間における短絡（ショート）等の問題を生ずることを効果的に抑制することができる。
【００３２】
尚、第１材料及び第２材料の硬化後の硬さは、種々の測定方法によって測定することができる。第１材料及び第２材料の硬化後の硬さを測定する方法の具体例としては、例えば、ＪＩＳ  Ｋ６２５３（ＩＳＯ４８）に準拠するスプリング硬さ（Ｈｓ）Ａ型のデュロメータを使用して測定する方法が挙げられる。
【００３３】
ところで、前述のように、本発明に係る電子部品が備える端子の母材の表面における少なくとも鉛フリーめっき層及び鉛フリー半田の少なくとも一方が配設された領域は、第１材料及び第２材料の何れとも異なる第３の物質との接触により徐々に硬化が進行する第２材料が分散された第１材料からなるコーティング層によって覆われる。当該第３の物質との接触により徐々に硬化が進行する第２材料としては、例えば、水分や金属（金属イオンを含む）との接触により重合反応や架橋反応が開始されて硬化する樹脂等の材料が挙げられる。かかる材料の具体例としては、例えば、水分との接触によって硬化を開始する湿度硬化型樹脂、及び金属との接触によって硬化を開始する嫌気性封着剤等を挙げることができる。
【００３４】
従って、本発明の第３の実施態様は、
本発明の前記第１又は前記第２の実施態様の何れか１つに係る電子部品であって、
前記第２材料が、前記第３の物質としての水分との接触によって硬化を開始する湿度硬化型樹脂である、
電子部品である。
【００３５】
上記のように、本実施態様に係る電子部品においては、前記第２材料が、前記第３の物質としての水分との接触によって硬化を開始する湿度硬化型樹脂である。従って、本実施態様に係る電子部品においては、当該電子部品が備える端子の母材の表面における少なくとも鉛フリーめっき層及び鉛フリー半田の少なくとも一方が配設された領域に上記コーティング層が塗布されると、先ず第１材料が硬化し、その後、例えば、空気中に含まれている水分との接触により、当該コーティング層の外表面（即ち、当該電子部品が備える端子とは反対側の表面）から、第２材料が徐々に硬化する。即ち、本実施態様に係るコーティング層においては、時間の経過に伴い、コーティング層の内部において、当該コーティング層の外表面側から、硬化した第２材料の比率が徐々に増加してゆく。
【００３６】
一方、ウィスカは、本実施態様に係る電子部品においても、当該電子部品が製造された時点では発生しておらず、その後の時間の経過に伴い、当該電子部品が備える端子の母材の表面における少なくとも鉛フリーめっき層及び鉛フリー半田の少なくとも一方から発生し、徐々に成長してゆく。即ち、本実施態様に係るコーティング層においても、前述のように、第２材料の硬化と、ウィスカの発生及び成長とが、並行して進行する。これにより、本実施態様に係るコーティング層によれば、ウィスカの発生及び成長に伴って、第２材料が、水分との接触によって徐々に硬化し、硬化した第２材料にウィスカが接触することにより、ウィスカの成長をより効率的に抑制することができる。
【００３７】
上記に加えて、本実施態様に係る電子部品においては、上述のように、第２材料が水分との接触によって徐々に硬化することから、上記コーティング層内に侵入した水分が第２材料の重合反応や架橋反応を開始させるのに消費される。これにより、上記コーティング層内に侵入した水分が、電子部品が備える端子の母材の表面に配設された鉛フリーめっき層や鉛フリー半田に到達して、これらの金属を腐食することを抑制することができる。また、電子部品が備える端子の母材の表面に配設された鉛フリーめっき層や鉛フリー半田からのウィスカの発生そのものをも抑制することができる。
【００３８】
上記第２材料として採用される湿度硬化型樹脂としては、当該技術分野において、種々のタイプのものが知られている。具体的には、湿度硬化型樹脂としては、例えば、シアノアクリレート系樹脂、フェノール系樹脂、シリコーン系樹脂、及びポリウレタン系樹脂等を挙げることができる。
【００３９】
即ち、本発明の第４の実施態様に係る電子部品は、
本発明の前記第３の実施態様に係る電子部品であって、
前記湿度硬化型樹脂が、シアノアクリレート系樹脂、フェノール系樹脂、シリコーン系樹脂、及びポリウレタン系樹脂の少なくとも１種を含んでなる、
電子部品である。
【００４０】
上記のように、本実施態様に係る電子部品においては、前記湿度硬化型樹脂が、シアノアクリレート系樹脂、フェノール系樹脂、シリコーン系樹脂、及びポリウレタン系樹脂の少なくとも１種を含んでなる。即ち、本実施態様に係るコーティングにおいては、第２材料が、シアノアクリレート系樹脂、フェノール系樹脂、シリコーン系樹脂、及びポリウレタン系樹脂の何れか１種のみを含んでいてもよく、あるいは、これらの材料のうち２種以上を含んでいてもよい。
【００４１】
一方、前述のように、本発明に係る電子部品が備える端子の母材の表面における少なくとも鉛フリーめっき層及び鉛フリー半田の少なくとも一方が配設された領域に塗布されるコーティング層においては、第１材料中に分散される第２材料として、金属（金属イオンを含む）との接触により重合反応や架橋反応が開始されて硬化する樹脂等の材料を使用することもできる。かかる材料の具体例としては、前述のように、例えば、金属との接触によって硬化を開始する嫌気性封着剤等を挙げることができる。
【００４２】
従って、本発明の第５の実施態様は、
本発明の前記第１又は前記第２の実施態様の何れか１つに係る電子部品であって、
前記第２材料が、前記第３の物質としての金属との接触によって硬化を開始する嫌気性封着剤である、
電子部品である。
【００４３】
上記のように、本実施態様に係る電子部品においては、前記第２材料が、前記第３の物質としての金属との接触によって硬化を開始する嫌気性封着剤である。従って、本実施態様に係る電子部品においては、当該電子部品が備える端子の母材の表面における少なくとも鉛フリーめっき層及び鉛フリー半田の少なくとも一方が配設された領域に上記コーティング層が塗布されると、先ず第１材料が硬化し、その後、例えば、当該電子部品が備える端子の母材の表面における少なくとも鉛フリーめっき層及び鉛フリー半田の少なくとも一方との接触により、当該コーティング層と当該電子部品が備える端子の母材の表面に配設された鉛フリーめっき層又は鉛フリー半田との界面から、第２材料が徐々に硬化する。即ち、本実施態様に係るコーティング層においては、時間の経過に伴い、コーティング層の内部において、当該コーティング層の上記界面側から、硬化した第２材料の比率が徐々に増加してゆく。
【００４４】
一方、ウィスカは、本実施態様に係る電子部品においても、当該電子部品が製造された時点では発生しておらず、その後の時間の経過に伴い、当該電子部品が備える端子の母材の表面における少なくとも鉛フリーめっき層及び鉛フリー半田の少なくとも一方から発生し、徐々に成長してゆく。即ち、本実施態様に係るコーティング層においても、前述のように、第２材料の硬化と、ウィスカの発生及び成長とが、並行して進行する。しかも、本実施態様に係る電子部品においては、上記のように、当該コーティング層と当該電子部品が備える端子の母材の表面に配設された鉛フリーめっき層又は鉛フリー半田との界面から第２材料の硬化が始まる。当該界面は、正にウィスカが発生する箇所である。従って、本実施態様に係る電子部品においては、ウィスカの発生箇所において重点的に第２材料が硬化し、且つウィスカの成長に伴って第２材料が徐々に硬化する。このように硬化した第２材料にウィスカが接触することにより、ウィスカの発生及び成長を、より効率的に抑制することができる。
【００４５】
上記に加えて、本実施態様に係る電子部品においては、第２材料が、上記のように鉛フリーめっき層又は鉛フリー半田との接触によって硬化を開始・進行するのみならず、ウィスカとの接触によっても硬化を開始・進行する。即ち、本実施態様に係る電子部品においては、ウィスカの発生箇所である上記界面近傍において硬化した第２材料を突き破って、本実施態様に係るコーティング層の内部にウィスカが更に進入した場合、当該ウィスカが未硬化の第２材料と接触すると、当該未硬化の第２材料が当該ウィスカとの接触により硬化を開始する。このように、本実施態様に係るコーティング層においては、ウィスカの成長によって、第２材料の硬化が更に促進される。結果として、本実施態様に係るコーティング層によれば、電子部品が備える端子の母材の表面に配設された鉛フリーめっき層や鉛フリー半田からのウィスカの発生及び成長を、より一層効果的に抑制することができる。
【００４６】
上記第２材料として採用される嫌気性封着剤としては、当該技術分野において、種々のタイプのものが知られている。具体的には、湿度硬化型樹脂としては、例えば、酢酸ビニル系樹脂、アクリル系樹脂、ポリアミド系樹脂（例えば、ナイロン等）、及びエポキシ系樹脂等を挙げることができる。
【００４７】
即ち、本発明の第６の実施態様は、
本発明の前記第５の実施態様に係る電子部品であって、
前記嫌気性封着剤が、酢酸ビニル系樹脂、アクリル系樹脂、ポリアミド系樹脂、及びエポキシ系樹脂の少なくとも１種を含んでなる、
電子部品である。
【００４８】
上記のように、本実施態様に係る電子部品においては、前記嫌気性封着剤が、酢酸ビニル系樹脂、アクリル系樹脂、ポリアミド系樹脂（例えば、ナイロン等）、及びエポキシ系樹脂の少なくとも１種を含んでなる。即ち、本実施態様に係るコーティングにおいては、第２材料が、酢酸ビニル系樹脂、アクリル系樹脂、ポリアミド系樹脂、及びエポキシ系樹脂の何れか１種のみを含んでいてもよく、あるいは、これらの材料のうち２種以上を含んでいてもよい。
【００４９】
尚、本発明に係る電子部品が備える端子の母材の表面における少なくとも鉛フリーめっき層及び鉛フリー半田の少なくとも一方が配設された領域は、前述のように、第１材料及び第２材料の何れとも異なる第３の物質との接触により徐々に硬化が進行する第２材料が分散された第１材料からなるコーティング層によって覆われる。当該第３の物質との接触により徐々に硬化が進行する第２材料は、必ずしも１種類の材料によって構成されるものでなくてもよく、第１材料及び第２材料の何れとも異なる第３の物質との接触により徐々に硬化が進行する複数種の材料によって構成されるものであってもよい。例えば、かかる第２材料は、水分との接触により重合反応や架橋反応が開始されて硬化する樹脂と、金属（金属イオンを含む）との接触により重合反応や架橋反応が開始されて硬化する樹脂との混合物であってもよい。かかる混合物の具体例としては、例えば、水分との接触によって硬化を開始する湿度硬化型樹脂と、金属との接触によって硬化を開始する嫌気性封着剤との混合物を挙げることができる。
【００５０】
従って、本発明の第７の実施態様は、
本発明の前記第１又は前記第２の実施態様の何れか１つに係る電子部品であって、
前記第２材料が、前記第３の物質としての水分との接触によって硬化を開始する湿度硬化型樹脂と前記第３の物質としての金属との接触によって硬化を開始する嫌気性封着剤との混合物である、
電子部品である。
【００５１】
上記のように、本実施態様に係る電子部品においては、前記第２材料が、前記第３の物質としての水分との接触によって硬化を開始する湿度硬化型樹脂と前記第３の物質としての金属との接触によって硬化を開始する嫌気性封着剤との混合物である。従って、本実施態様に係る電子部品においては、当該電子部品が備える端子の母材の表面における少なくとも鉛フリーめっき層及び鉛フリー半田の少なくとも一方が配設された領域に上記コーティング層が塗布されると、先ず第１材料が硬化する。その後、例えば、空気中に含まれている水分との接触により、当該コーティング層の外表面（即ち、当該電子部品が備える端子とは反対側の表面）から、第２材料を構成する一方の成分である湿度硬化型樹脂が徐々に硬化すると共に、例えば、当該電子部品が備える端子の母材の表面における少なくとも鉛フリーめっき層及び鉛フリー半田の少なくとも一方との接触により、当該コーティング層と当該電子部品が備える端子の母材の表面に配設された鉛フリーめっき層又は鉛フリー半田との界面から、第２材料を構成する他方の成分である嫌気性封着剤が徐々に硬化する。即ち、本実施態様に係るコーティング層においては、時間の経過に伴い、コーティング層の内部において、当該コーティング層の外表面側から、硬化した湿度硬化型樹脂の比率が徐々に増加し、且つ当該コーティング層の上記界面側から、硬化した嫌気性封着剤の比率が徐々に増加してゆく。
【００５２】
一方、ウィスカは、本実施態様に係る電子部品においても、当該電子部品が製造された時点では発生しておらず、その後の時間の経過に伴い、当該電子部品が備える端子の母材の表面における少なくとも鉛フリーめっき層及び鉛フリー半田の少なくとも一方から発生し、徐々に成長してゆく。即ち、本実施態様に係るコーティング層においても、前述のように、第２材料の硬化と、ウィスカの発生及び成長とが、並行して進行する。これにより、本実施態様に係るコーティング層によれば、ウィスカの発生及び成長に伴って、第２材料が、水分との接触によって徐々に硬化し、硬化した第２材料にウィスカが接触することにより、ウィスカの成長をより効率的に抑制することができる。
【００５３】
上記に加えて、本実施態様に係る電子部品においては、上述のように、湿度硬化型樹脂が水分との接触によって徐々に硬化することから、上記コーティング層内に侵入した水分が湿度硬化型樹脂の重合反応や架橋反応を開始させるのに消費される。これにより、上記コーティング層内に侵入した水分が、電子部品が備える端子の母材の表面に配設された鉛フリーめっき層や鉛フリー半田に到達して、これらの金属を腐食することを抑制することができる。また、電子部品が備える端子の母材の表面に配設された鉛フリーめっき層や鉛フリー半田からのウィスカの発生そのものをも抑制することができる。一方、本実施態様に係る電子部品においては、上述のように、ウィスカの発生箇所である上記界面近傍において硬化した嫌気性封着剤を突き破って、本実施態様に係るコーティング層の内部にウィスカが更に進入した場合、当該ウィスカが未硬化の嫌気性封着剤と接触すると、当該未硬化の嫌気性封着剤が当該ウィスカとの接触により硬化を開始する。このように、本実施態様に係るコーティング層においては、ウィスカの成長によって、嫌気性封着剤の硬化が更に促進される。結果として、本実施態様に係るコーティング層によれば、電子部品が備える端子の母材の表面に配設された鉛フリーめっき層や鉛フリー半田からのウィスカの発生及び成長を、更により一層効果的に抑制することができる。
【００５４】
尚、上述のように、上記第２材料を構成する一方の成分である湿度硬化型樹脂としては、当該技術分野において、種々のタイプのものが知られている。具体的には、湿度硬化型樹脂としては、例えば、シアノアクリレート系樹脂、フェノール系樹脂、シリコーン系樹脂、及びポリウレタン系樹脂等を挙げることができる。また、上記第２材料を構成する他方の成分である嫌気性封着剤としては、当該技術分野において、種々のタイプのものが知られている。具体的には、湿度硬化型樹脂としては、例えば、酢酸ビニル系樹脂、アクリル系樹脂、ポリアミド系樹脂（例えば、ナイロン等）、及びエポキシ系樹脂等を挙げることができる。
【００５５】
従って、本発明の第８の実施態様は、
本発明の前記第７の実施態様に係る電子部品であって、
前記湿度硬化型樹脂が、シアノアクリレート系樹脂、フェノール系樹脂、シリコーン系樹脂、及びポリウレタン系樹脂の少なくとも１種を含んでなり、
前記嫌気性封着剤が、酢酸ビニル系樹脂、アクリル系樹脂、ポリアミド系樹脂、及びエポキシ系樹脂の少なくとも１種を含んでなる、
電子部品である。
【００５６】
上記のように、本実施態様に係る電子部品においては、前記湿度硬化型樹脂が、シアノアクリレート系樹脂、フェノール系樹脂、シリコーン系樹脂、及びポリウレタン系樹脂の少なくとも１種を含んでなる。即ち、本実施態様に係るコーティングにおいては、第２材料を構成する一方の成分である湿度硬化型樹脂が、シアノアクリレート系樹脂、フェノール系樹脂、シリコーン系樹脂、及びポリウレタン系樹脂の何れか１種のみを含んでいてもよく、あるいは、これらの材料のうち２種以上を含んでいてもよい。また、上記のように、本実施態様に係る電子部品においては、前記嫌気性封着剤が、酢酸ビニル系樹脂、アクリル系樹脂、ポリアミド系樹脂（例えば、ナイロン等）、及びエポキシ系樹脂の少なくとも１種を含んでなる。即ち、本実施態様に係るコーティングにおいては、第２材料を構成する他方の成分である嫌気性封着剤が、酢酸ビニル系樹脂、アクリル系樹脂、ポリアミド系樹脂、及びエポキシ系樹脂の何れか１種のみを含んでいてもよく、あるいは、これらの材料のうち２種以上を含んでいてもよい。
【００５７】
ところで、当該技術分野においては、例えば、空気中の水分が電子部品の内部に侵入して、電子部品を構成する各種回路素子が備える端子の間での絶縁不良や端子等の金属部分の腐食に伴う導通不良等の問題を生ずることを回避することを目的として、例えば、電子部品の端子部分の近傍や電子部品の全体を防湿コーティング層によって封止することが広く行われている。従って、本発明に係る電子部品が備える端子の母材の表面における少なくとも鉛フリーめっき層及び鉛フリー半田の少なくとも一方が配設された領域を覆うコーティング層が、ウィスカの成長を抑制する中空粒子を分散させる役割のみならず、上記防湿コーティング層の役割をも果たすことができれば、当該電子部品の製造工程の複雑化を回避することができるので望ましい。
【００５８】
従って、本発明の第９の実施態様は、
本発明の前記第１乃至前記第８の実施態様の何れか１つに係る電子部品であって、
前記第１材料が防湿性材料である、
電子部品である。
【００５９】
上記のように、本実施態様に係る電子部品においては、前記第１材料が防湿性材料である。従って、本実施態様に係る電子部品においては、上述のように当該技術分野に係る電子部品の製造工程において広く行われている防湿コーティング層の塗布工程において、従来技術に係る防湿コーティング層に代えて、本発明に係るコーティング層を塗布することにより、電子部品の製造工程を複雑化すること無く、電子部品に防湿性を付与するのみならず、前述のようなウィスカの成長を抑制する効果をも得ることができる。
【００６０】
ところで、当該技術分野において、上述の防湿コーティング層を形成する材料としては、例えば、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂、ポリオレフィン系樹脂、アクリル系樹脂、ポリウレタン系樹脂、及びシリコーン系樹脂等を挙げることができる。これらの樹脂コーティング層の硬さは、例えば、これらの材料に添加される架橋剤の量を調整すること等によって調節することができる。しかしながら、上述のように、本発明に係るコーティング層を構成する第１材料及び第２材料において、第１材料の硬さは第２材料の硬さよりも小さいことがより望ましい。従って、本発明に係るコーティング層に含まれる第１材料としては、例えば、ポリオレフィン系樹脂、アクリル系樹脂、ポリウレタン系樹脂、及びシリコーン系樹脂等、比較的小さい硬さを容易に達成することができる材料を使用することが望ましい。
【００６１】
従って、本発明の第１０の実施態様は、
本発明の前記第９の実施態様に係る電子部品であって、
前記防湿性材料が、ポリオレフィン系樹脂、アクリル系樹脂、ポリウレタン系樹脂、及びシリコーン系樹脂の少なくとも１種を含んでなる、
電子部品である。
【００６２】
上記のように、本実施態様に係る電子部品においては、前記第１材料が、ポリオレフィン系樹脂、アクリル系樹脂、ポリウレタン系樹脂、及びシリコーン系樹脂の少なくとも１種を含んでなる。これらの材料は、当該技術分野において上述のような防湿コーティング層を形成する材料として広く使用されているものである。従って、本実施態様に係る電子部品が備える端子の母材の表面における少なくとも鉛フリーめっき層及び鉛フリー半田の少なくとも一方が配設された領域を覆うコーティング層は、ウィスカの成長を抑制する役割のみならず、上述のような防湿コーティング層の役割をも果たすことができる。更に、これらの材料は、上述のように、比較的小さい硬さを容易に達成することができる。従って、本発明に係るコーティング層に含まれる第１材料として、これらの材料を使用することがより望ましい。尚、これらの材料からなる第１材料の硬化後の硬さは、例えば、これらの材料に添加される架橋剤の量を調整すること等によって調節することができる。また、上記のように、本実施態様に係るコーティング層に含まれる第１材料は、ポリオレフィン系樹脂、アクリル系樹脂、ポリウレタン系樹脂、及びシリコーン系樹脂の何れか１種のみからなっていてもよく、あるいは、これらの材料のうち２種以上を含んでなっていてもよい。
【００６３】
以上、本発明に係る電子部品の幾つかの実施態様について説明してきたが、本発明の範囲は、これらの電子部品に留まるものではなく、これらの電子部品の製造方法もまた、本発明の範囲に含まれる。これらの電子部品の製造方法については、これまでに説明してきた各実施態様に係る電子部品についての説明から明らかである事項については、ここでは改めて説明せず、新たに説明を必要とする事項についてのみ説明する。本発明に係る電子部品の製造方法の幾つかの実施態様につき以下に列挙する。
【００６４】
先ず、本発明の第１１の実施態様は、
鉛フリーめっき層及び鉛フリー半田の少なくとも一方を母材の表面に有する端子を備える電子部品の製造方法であって、
前記鉛フリーのめっき層及び前記鉛フリー半田の少なくとも露出面をコーティング層によって被覆すること、
を含み、
前記コーティング層が、第１材料と、当該第１材料中に分散された第２材料と、を含んでなり、
前記第２材料が、前記第１材料及び前記第２材料の何れとも異なる第３の物質との接触によって硬化を開始する材料である、
電子部品の製造方法である。
【００６５】
次に、本発明の第１２の実施態様は、
本発明の前記第１１の実施態様に係る電子部品の製造方法であって、
前記第２材料の硬化後の硬さが、前記第１材料の硬化後の硬さよりも大きい、
電子部品の製造方法である。
【００６６】
また、本発明の第１３の実施態様は、
本発明の前記第１１又は前記第１２の実施態様の何れか１つに係る電子部品の製造方法であって、
前記第２材料が、前記第３の物質としての水分との接触によって硬化を開始する湿度硬化型樹脂である、
電子部品の製造方法である。
【００６７】
更に、本発明の第１４の実施態様は、
本発明の前記第１３の実施態様に係る電子部品の製造方法であって、
前記湿度硬化型樹脂が、シアノアクリレート系樹脂、フェノール系樹脂、シリコーン系樹脂、及びポリウレタン系樹脂の少なくとも１種を含んでなる、
電子部品の製造方法である。
【００６８】
また更に、本発明の第１５の実施態様は、
本発明の前記第１１又は前記第１２の実施態様の何れか１つに係る電子部品の製造方法であって、
前記第２材料が、前記第３の物質としての金属との接触によって硬化を開始する嫌気性封着剤である、
電子部品の製造方法である。
【００６９】
次いで、本発明の第１６の実施態様は、
本発明の前記第１５の実施態様に係る電子部品の製造方法であって、
前記嫌気性封着剤が、酢酸ビニル系樹脂、アクリル系樹脂、ポリアミド系樹脂、及びエポキシ系樹脂の少なくとも１種を含んでなる、
電子部品の製造方法である。
【００７０】
次に、本発明の第１７の実施態様は、
本発明の前記第１１又は前記第１２の実施態様の何れか１つに係る電子部品の製造方法であって、
前記第２材料が、前記第３の物質としての水分との接触によって硬化を開始する湿度硬化型樹脂と前記第３の物質としての金属との接触によって硬化を開始する嫌気性封着剤との混合物である、
電子部品の製造方法である。
【００７１】
また、本発明の第１８の実施態様は、
本発明の前記第１７の実施態様に係る電子部品の製造方法であって、
前記湿度硬化型樹脂が、シアノアクリレート系樹脂、フェノール系樹脂、シリコーン系樹脂、及びポリウレタン系樹脂の少なくとも１種を含んでなり、
前記嫌気性封着剤が、酢酸ビニル系樹脂、アクリル系樹脂、ポリアミド系樹脂、及びエポキシ系樹脂の少なくとも１種を含んでなる、
電子部品の製造方法である。
【００７２】
更に、本発明の第１９の実施態様は、
本発明の前記第１１乃至前記第１８の実施態様の何れか１つに係る電子部品の製造方法であって、
前記第１材料が防湿性材料である、
電子部品の製造方法である。
【００７３】
また更に、本発明の第２０の実施態様は、
本発明の前記第１９の実施態様に係る電子部品の製造方法であって、
前記防湿性材料が、ポリオレフィン系樹脂、アクリル系樹脂、ポリウレタン系樹脂、及びシリコーン系樹脂の少なくとも１種を含んでなる、
電子部品の製造方法である。
【００７４】
ところで、本発明に係るコーティング層を、電子部品が備える端子の母材の表面における、少なくとも鉛フリーめっき層及び鉛フリー半田の少なくとも一方が配設された領域に塗布する方法は、特定の塗布方法に限定されるものではなく、当該技術分野において広く使用されている種々の塗布方法から適宜選択することができる。かかる塗布方法としては、例えば、スプレーコーティング法、ディップコーティング法等を挙げることができる。
【００７５】
即ち、本発明の第２１の実施態様は、
本発明の前記第１１乃至前記第２０の実施態様の何れか１つに係る電子部品の製造方法であって、
スプレーコーティング法により、前記鉛フリーのめっき層及び前記鉛フリー半田の少なくとも露出面を前記コーティング層によって被覆する、
電子部品の製造方法である。
【００７６】
上記のように、本実施態様に係る電子部品の製造方法においては、前記鉛フリーのめっき層及び前記鉛フリー半田の少なくとも露出面を前記コーティング層によって被覆する際に、スプレーコーティング法を採用する。スプレーコーティング法とは、当業者には周知であるように、スプレー（噴霧器）を用いて、コーティング層を形成する液体を、圧縮空気や高圧ガス等によって霧や泡等の状態とし、塗布対象物に対して噴霧する方法である。上記圧縮空気や高圧ガス等は、例えば、圧縮空気や高圧ガス等が充填されたボンベによって供給することもでき、あるいは電動ポンプ等のコンプレッサによって供給することもできる。
【００７７】
尚、本実施態様に係る電子部品の製造方法においては、本発明に係るコーティング層を構成する第１材料及び第２材料を、上記塗布に先だって予め混合しておいてもよく、又は上記塗布の際若しくは上記塗布の直前に混合してもよい。
【００７８】
一方、本発明の第２２の実施態様は、
本発明の前記第１１乃至前記第２０の実施態様の何れか１つに係る電子部品の製造方法であって、
ディップコーティング法により、前記鉛フリーのめっき層及び前記鉛フリー半田の少なくとも露出面を前記コーティング層によって被覆する、
電子部品の製造方法である。
【００７９】
上記のように、本実施態様に係る電子部品の製造方法においては、前記鉛フリーのめっき層及び前記鉛フリー半田の少なくとも露出面を前記コーティング層によって被覆する際に、ディップコーティング法を採用する。ディップコーティング法とは、当業者には周知であるように、コーティング層を形成する液体中に塗布対象物を浸漬し、塗布対象物を液体から引き上げることにより、塗布対象物の表面に付着した液体の皮膜を形成させる方法である。当該塗布方法においては、例えば、コーティング層を形成する液体の粘度、表面張力、及び塗布対象物の表面に付着した液体の重力による流下を考慮して、塗布対象物を液体から引き上げる速度を調節することにより、塗布対象物の表面に付着した液体の皮膜の厚みを制御することができる。
【００８０】
尚、本実施態様に係る電子部品の製造方法においても、本発明に係るコーティング層を構成する第１材料及び第２材料を、上記塗布に先だって予め混合しておいてもよく、又は上記塗布の際若しくは上記塗布の直前に混合してもよい。
【００８１】
以上のように、本発明の種々の実施態様に係る電子部品及び当該電子部品の製造方法によれば、鉛フリーめっき層及び鉛フリー半田の少なくとも一方を母材の表面に有する端子を備える電子部品において、前記鉛フリーのめっき層及び前記鉛フリー半田の少なくとも露出面を、第１材料と第１材料中に分散された第２材料とを含んでなるコーティング層であって、第２材料が第１材料及び第２材料の何れとも異なる第３の物質との接触によって硬化を開始する材料であるコーティング層によって覆うことにより、前記鉛フリーのめっき層及び前記鉛フリー半田からのウィスカの発生及び成長に伴って、第２材料が徐々に硬化し、当該コーティング層内に進入したウィスカが硬化した第２材料に接触することにより、ウィスカの成長をより効率的に抑制することができる。
【００８２】
本発明の幾つかの実施態様に関して、添付図面等を参照しつつ以下に説明する。但し、以下に述べる説明はあくまでも例示を目的とするものであり、本発明の範囲が以下の説明に限定されるものと解釈されるべきではない。
【実施例】
【００８３】
１．本発明に係るコーティングによるウィスカの成長抑制（１）
図１は、前述のように、本発明の１つの実施態様に係る電子部品が備える端子の表面におけるウィスカの発生状況を説明する模式図である。図１において、（ａ）、（ｂ）、及び（ｃ）は、この順に時間が経過していることを表す。より具体的には、図１（ａ）は、本実施例に係るコーティング層１０が、電子部品の端子の母材の表面上に設けられた鉛フリーのめっき層又は鉛フリー半田４３の上に配設された直後の状態に該当する。図１（ａ）に示すように、コーティング層１０は、第１材料１１と、第１材料１１中に分散された第２材料１２と、を含んでなる。尚、本実施例においては、水分との接触によって硬化を開始する湿度硬化型樹脂を第２材料１２として採用した。また、本実施例においては、第２材料１２によって形成される円形（球形）のドメインが第１材料１１中に海島状に分散されているが、本発明に係るコーティング層における第１材料中での第２材料の分散形態は、かかる形態に限定されるものではない。
【００８４】
次に、図１（ｂ）は、図１（ａ）に示す状態から時間が経過し、空気中の水分１４が、本実施例に係るコーティング層１０の外表面側（図１における向かって上側）から、コーティング層１０の内部に侵入し、これに伴って、コーティング層１０の外表面近傍に存在する第２材料１２のドメインが硬化を開始した状態を表している。尚、図１において、黒塗りの円形によって示される部分は、水分１４との接触により硬化した第２材料１２のドメインを表す。また、黒塗りの円形同士を結ぶ直線は、第２材料１２を構成する物質（モノマー）が水分１４との接触により重合反応又は架橋反応を開始して、ネットワーク１３を形成したことを表す。また、図１（ｂ）に示すように、この時点で、鉛フリーのめっき層又は鉛フリー半田４３からウィスカ２１が発生している。
【００８５】
次に、図１（ｃ）は、図１（ｂ）に示す状態から更に時間が経過し、コーティング層１０の内部に侵入した水分１４との接触による第２材料１２の硬化が更に進むと共に、鉛フリーのめっき層又は鉛フリー半田４３から発生したウィスカ２１が更に成長し、コーティング層１０の内部に更に進入し、硬化した第２材料１２のドメインに接触しようとしている状態を表す。図１（ｃ）に示すように、この時点では、第２材料１２の硬化が更に進み、硬化した第２材料１２のドメインが更に増加しているため、ウィスカ２１は硬化した第２材料１２のドメインに接触して、更に成長することが困難となる。
【００８６】
上記のように、本実施例に係る電子部品においては、当該電子部品が備える端子の母材の表面に配設された鉛フリーめっき層又は鉛フリー半田４３から発生したウィスカ２１が成長して、コーティング層１０の内部に進入する際には、コーティング層１０の内部に侵入した水分１４との接触により、第１材料１１中に分散された第２材料１２のドメインの硬化が進行しており、ウィスカ２１が更に成長することを妨げる。これにより、本実施例に係る電子部品においては、当該電子部品が備える端子の表面に形成された鉛フリーめっき層又は鉛フリー半田４３から発生したウィスカ２１がコーティング層１０の外部にまで成長して、前述のような電子部品の端子間における短絡（ショート）等の問題を生ずることを効果的に抑制することができる。加えて、本実施例においては、上述のように、コーティング層１０の内部に侵入した水分１４が、第１材料１１中に分散された第２材料１２の重合反応や架橋反応を開始させるのに消費される。これにより、コーティング層１０の内部に侵入した水分１４が、鉛フリーめっき層や鉛フリー半田４３に到達して、これらの金属を腐食することを抑制することができる。また、鉛フリーめっき層や鉛フリー半田４３からのウィスカ２１の発生そのものをも抑制することができる。
【００８７】
２．本発明に係るコーティングによるウィスカの成長抑制（２）
図２は、前述のように、本発明のもう１つの実施態様に係る電子部品が備える端子の表面におけるウィスカの発生状況を説明する模式図である。図２において、（ａ）、（ｂ）、及び（ｃ）は、この順に時間が経過していることを表す。より具体的には、図２（ａ）は、本実施例に係るコーティング層１０が、電子部品の端子の母材の表面上に設けられた鉛フリーのめっき層又は鉛フリー半田４３の上に配設された直後の状態に該当する。図２（ａ）に示すように、コーティング層１０は、第１材料１１と、第１材料１１中に分散された第２材料１２と、を含んでなる。尚、本実施例においては、金属との接触によって硬化を開始する嫌気性封着剤を第２材料１２として採用した。また、本実施例においては、第２材料１２によって形成される円形（球形）のドメインが第１材料１１中に海島状に分散されているが、本発明に係るコーティング層における第１材料中での第２材料の分散形態は、かかる形態に限定されるものではない。
【００８８】
次に、図２（ｂ）は、図２（ａ）に示す状態から時間が経過し、コーティング層１０の鉛フリーのめっき層又は鉛フリー半田４３との界面近傍に存在する第２材料１２のドメインが硬化を開始した状態を表している。尚、図２において、黒塗りの円形によって示される部分は、鉛フリーのめっき層又は鉛フリー半田４３との接触により硬化した第２材料１２のドメインを表す。また、黒塗りの円形同士を結ぶ直線は、第２材料１２を構成する物質（モノマー）が鉛フリーのめっき層又は鉛フリー半田４３との接触により重合反応又は架橋反応を開始して、ネットワーク１３を形成したことを表す。このように、本実施例に係るコーティング層１０においては、鉛フリーのめっき層又は鉛フリー半田４３との接触により、コーティング層１０の鉛フリーのめっき層又は鉛フリー半田４３との界面近傍において重点的に第２材料１２の硬化が進行するので、鉛フリーのめっき層又は鉛フリー半田４３からのウィスカ２１の発生そのものが抑制される。但し、図２（ｂ）に示すように、硬化した第２材料１２のドメインが形成されていない領域においては、鉛フリーのめっき層又は鉛フリー半田４３からウィスカ２１が発生することができる。また、硬化した第２材料１２のドメインが形成されている領域においても、鉛フリーのめっき層又は鉛フリー半田４３からウィスカ２１が発生し、コーチング層１０の内部に進入する場合もある。
【００８９】
次に、図２（ｃ）は、図２（ｂ）に示す状態から更に時間が経過し、コーティング層１０の内部における第２材料１２の硬化が更に進むと共に、鉛フリーのめっき層又は鉛フリー半田４３から発生したウィスカ２１が更に成長し、コーティング層１０の内部に更に進入し、未硬化の第２材料１２のドメインに接触して、当該第２材料１２のドメインを硬化させた状態を表す。図２（ｃ）に示すように、この時点では、鉛フリーのめっき層又は鉛フリー半田４３との接触により第２材料１２の硬化が更に進むと共に、上記のようにコーティング層１０の内部に進入したウィスカ２１との接触によっても第２材料１２の硬化が更に進む。結果として、この時点では、硬化した第２材料１２のドメインが更に増加しているため、ウィスカ２１は硬化した第２材料１２のドメインに拘束されて、更に成長することが困難となる。
【００９０】
上記のように、本実施例に係る電子部品においては、当該電子部品が備える端子の母材の表面に配設された鉛フリーめっき層又は鉛フリー半田４３とのコーティング層１０との界面近傍における第２材料１２の硬化により、鉛フリーめっき層又は鉛フリー半田４３からのウィスカ２１の発生そのものが抑制される。これに加えて、本実施例に係る電子部品においては、鉛フリーめっき層又は鉛フリー半田４３から発生したウィスカ２１が成長して、コーティング層１０の内部に進入しても、第１材料１１中に分散された未硬化の第２材料１２のドメインと接触すると、当該第２材料１２の硬化が始まり、ウィスカ２１が更に成長することを妨げる。これにより、本実施例に係る電子部品においては、当該電子部品が備える端子の表面に形成された鉛フリーめっき層又は鉛フリー半田４３から発生したウィスカ２１がコーティング層１０の外部にまで成長して、前述のような電子部品の端子間における短絡（ショート）等の問題を生ずることを効果的に抑制することができる。
【００９１】
３．本発明に係るコーティングの塗布方法（１）
図３は、前述のように、本発明の１つの実施態様に係る電子部品の製造方法におけるコーティング層の塗布方法を説明する模式図である。より具体的には、図３は、スプレーコーティング法により、電子部品が備える端子の母材の表面に配設された鉛フリーのめっき層及び鉛フリー半田の少なくとも露出面を本発明の１つの実施態様に係るコーティング層によって被覆する手順を模式的に説明する。図３に示すように、本実施例に係る電子部品の製造方法においては、端子４２を備える回路素子４１が配設された基板４４を含んでなる電子部品４０を、スプレー（噴霧器）３３から噴出される霧状のコーティング材料３４によって被覆する。
【００９２】
本実施例に係る電子部品の製造方法においては、本実施例に係るコーティング層を構成する第１材料を含む液体３１と第２材料を含む液体３２とを混合し、スプレー（噴霧器）３５から噴出することにより、第１材料及び第２材料を含む霧状のコーティング材料３４による電子部品４０を被覆する。これにより、本実施例に係る電子部品の製造方法においては、第１材料を含む液体３１と第２材料を含む液体３２との混合と、第１材料及び第２材料を含む霧状のコーティング材料３４の電子部品４０への噴霧とを、同時に行う。
【００９３】
図４は、上記のようにして本実施例に係るコーティング層１０によって被覆された電子部品４０を示す模式図である。即ち、図４は、前述のように、本発明の１つの実施態様に係る電子部品の製造方法によって電子部品に塗布されたコーティング層を示す模式図である。図４に示すように、端子４２を備える回路素子４１が配設された基板４４を含んでなる電子部品４０において、端子４２を含む回路素子４１の全体が、本実施例に係るコーティング層１０によって覆われている。従って、電子部品４０においては、図１及び図２を参照しながら説明したように、コーティング層１０に含まれる第１材料中に分散された第２材料が徐々に硬化することによって、端子４２の表面に形成された鉛フリーめっき層又は鉛フリー半田からのウィスカの発生及び成長が抑制される。これにより、本実施例に係る製造方法によって製造される電子部品４０においても、ウィスカがコーティング層１０の外部にまで成長して、前述のような電子部品の端子間における短絡（ショート）等の問題を生ずることを効果的に抑制することができる。
【００９４】
４．本発明に係るコーティングの塗布方法（２）
図５は、前述のように、本発明のもう１つの実施態様に係る電子部品の製造方法におけるコーティング層の塗布方法を説明する模式図である。より具体的には、図５は、ディップコーティング法により、電子部品が備える端子の母材の表面に配設された鉛フリーのめっき層及び鉛フリー半田の少なくとも露出面を本発明の１つの実施態様に係るコーティング層によって被覆する手順を模式的に説明する。図５に示すように、本実施例に係る電子部品の製造方法においては、端子４２を備える回路素子４１が配設された基板４４を含んでなる電子部品４０を、塗布液浴槽５２内に収容された第１材料及び第２材料を含む液体５１に浸漬し、電子部品４０を第１材料及び第２材料を含む液体５１から引き上げることにより、電子部品４０の表面に付着した第１材料及び第２材料を含む液体５１の皮膜を形成させ、（例えば、第１材料及び第２材料を含む液体５１に含まれる溶剤の蒸発等により）当該皮膜を硬化させることにより、本発明に係るコーティング層を電子部品４０の表面に形成させる。前述のように、当該塗布方法においては、例えば、第１材料及び第２材料を含む液体５１の粘度、表面張力、及び電子部品４０の表面に付着した第１材料及び第２材料を含む液体５１の重力による流下を考慮して、電子部品４０を第１材料及び第２材料を含む液体５１から引き上げる速度を調節することにより、電子部品４０の表面に形成される皮膜の厚みを制御することができる。
【００９５】
尚、当該塗布方法によれば、上記のように、端子４２を備える回路素子４１が配設された基板４４を含んでなる電子部品４０の全体が、本実施例に係るコーティング層によって覆われる。従って、本実施例においても、図１及び図２を参照しながら説明したように、本発明に係るコーティング層に含まれる第１材料中に分散された第２材料が徐々に硬化することによって、端子４２の表面に形成された鉛フリーめっき層又は鉛フリー半田からのウィスカの発生及び成長が抑制される。これにより、本実施例に係る製造方法によって製造される電子部品４０においても、ウィスカが本発明に係るコーティング層の外部にまで成長して、前述のような電子部品の端子間における短絡（ショート）等の問題を生ずることを効果的に抑制することができる。
【００９６】
５．本発明に係るコーティングによるウィスカの成長抑制効果の評価（１）
（１）評価用サンプル用のコーティング材料
本発明に係る第１材料としては、前述のように、例えば、防湿性材料を使用することができ、防湿性材料としては、例えば、ポリオレフィン系樹脂、アクリル系樹脂、ポリウレタン系樹脂、及びシリコーン系樹脂等を使用することができる。本実施例においては、各種評価用サンプルとしてのコーティング層を構成する第１材料として、アクリル系樹脂を採用した。一方、本発明に係る第２材料としては、前述のように、例えば、湿度硬化型樹脂を使用することができ、湿度硬化型樹脂としては、例えば、シアノアクリレート系樹脂、フェノール系樹脂、シリコーン系樹脂、及びポリウレタン系樹脂等を使用することができる。本実施例においては、各種評価用サンプルとしてのコーティング層を構成する第２材料として、シアノアクリレート系樹脂を採用した。加えて、一般的な防湿コーティング層として使用されるアクリル系樹脂を第１材料として採用し、第２材料を全く配合しない、対照標準としての比較用サンプルも調製した。更に、第１材料を全く配合せず、第２材料としてのシアノアクリレート系樹脂のみを使用する、更なる比較用サンプルをも調製した。各種評価用サンプルの詳細については、表１を参照しつつ、以下に詳細に説明する。
【００９７】
（２）評価用サンプルの調製
表１に示すように、対照標準サンプルとしての比較例１に係る評価用サンプルにおいては、第１材料としてアクリル系樹脂を採用し、第２材料を全く配合しなかった。一方、実施例１乃至４並びに比較例２に係る評価用サンプルにおいては、第１材料としてアクリル系樹脂を採用し、第２材料としてシアノアクリレート系樹脂を採用した。尚、これらの評価用サンプルにおいて、コーティング材料全体（即ち、第１材料と第２材料との和）における第２材料の配合率［質量％］は、それぞれ、２０質量％、４０質量％、６０質量％、８０質量％、及び１００質量％とした。
【００９８】
上述の各材料を混合して各種コーティング材料を調製し、鉛フリーめっき層を母材の表面に有する端子を備える電子部品に塗布した。各種コーティング材料の塗布方法としては、前述のように、例えば、スプレーコーティング法、ディップコーティング法等を採用することができる。本実施例においては、スプレーコーティング法によって各種コーティング材料を上記電子部品に塗布し、その後、８０℃の温度において３０分間以上に亘って乾燥することによってコーティング層を硬化させた。
【００９９】
（３）評価用サンプルの加速劣化処理
上記のようにして調製した各種評価用サンプルを、８５℃の温度及び８５％の相対湿度において２００時間に亘って放置した後に２５℃の温度及び５０％の相対湿度において２４時間に亘って放置するという環境変化に対して、５サイクルに亘って暴露した。
【０１００】
（４）評価用サンプルの解析
上記加速劣化試験後の各種評価用サンプルにつき、それぞれの評価用サンプルにおけるコーティング層の表面を電子顕微鏡（ＳＥＭ：Ｓｃａｎｎｉｎｇ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ）によって観察し、コーティング層を突き抜けて表面に突き出たウィスカを観察し、一定の面積において観察されたウィスカの本数を数えた。また、目視により、それぞれの評価用サンプルにおけるコーティング層の表面における割れ（亀裂）の有無を調べた。各種評価用サンプルにおける材料構成と共に、これらの解析結果を以下の表１に列挙する。また、上記ＳＥＭ観察において検出されたウィスカの本数をコーティング層における第２材料の配合率に対してプロットした結果を図６に示す。即ち、図６は、前述のように、本発明の１つの実施態様に係るコーティング層における第２材料の配合率に対するウィスカの検出本数の関係を表すグラフである。
【０１０１】
【表１】
0005655770.tif 000002
【０１０２】
（５）まとめ
表１に示すように、第２材料として採用したシアノアクリレート系樹脂を、それぞれ、２０質量％、４０質量％、６０質量％、及び８０質量％含有するコーティング層を有する実施例１、２、３、及び４に係る評価用サンプルにおいては、コーティング層の表面へのウィスカの突き抜け及びコーティング層の表面における割れは、何れも認めらなかった。即ち、実施例１乃至４に係る評価用サンプルにおいては、防湿性を犠牲にすること無く、ウィスカの成長が効果的に抑制された。
【０１０３】
上記に加えて、実施例１、２、３、及び４に係る評価用サンプルにおいては、前述のように、第２材料として採用したシアノアクリレート系樹脂が水分との接触によって徐々に硬化することから、コーティング層内に侵入した水分が第２材料の重合反応や架橋反応を開始させるのに消費される。これにより、コーティング層内に侵入した水分が、電子部品が備える端子の母材の表面に配設された鉛フリーめっき層や鉛フリー半田に到達して、これらの金属を腐食することを抑制することができる。また、電子部品が備える端子の母材の表面に配設された鉛フリーめっき層や鉛フリー半田からのウィスカの発生そのものをも抑制することができる。
【０１０４】
一方、第１材料として採用したアクリル系樹脂のみからなるコーティング層を有する対照標準としての比較例１に係る評価用サンプルにおいては、コーティング層の表面における割れは認めらなかったものの、コーティング層の表面に突き出たウィスカが一定の面積当たり１０本認められた。これは、比較例１に係る評価用サンプルにおいては、第２材料が配合されていないため、コーティング層内に進入したウィスカの成長を抑制することができなかったものと考えられる。
【０１０５】
逆に、第２材料として採用したシアノアクリレート系樹脂のみからなるコーティング層を有する比較例２に係る評価用サンプルにおいては、コーティング層の表面に突き出たウィスカが一定の面積当たり３本認められ、しかも、コーティング層の表面における割れも認められた。これは、比較例５に係る評価用サンプルにおいては、第２材料のみによってコーティング層が構成されているため、コーティング層が硬く、柔軟性に乏しくなり、前述の加速劣化処理におけるコーティング層と電子部品の端子との熱膨張係数の差に起因して、コーティング層が割れ、結果としてウィスカの成長を抑制する機能も低下したものと考えられる。
【０１０６】
以上のように、鉛フリーめっき層及び鉛フリー半田の少なくとも一方を母材の表面に有する端子を備える電子部品において、前記鉛フリーのめっき層及び前記鉛フリー半田の少なくとも露出面を、第１材料と第１材料中に分散された第２材料とを含んでなるコーティング層であって、第２材料が第１材料及び第２材料の何れとも異なる第３の物質との接触によって硬化を開始する材料（本実施例においては、湿度硬化性樹脂）であるコーティング層によって覆うことにより、コーティング層の割れによって防湿性を犠牲にすること無く、前記鉛フリーのめっき層及び前記鉛フリー半田から発生するウィスカの成長を効果的に抑制することができることが確認された。
【０１０７】
尚、本実施例において採用した材料構成においては、上記評価結果から、上記コーティング層における第２材料の好適な配合率は、コーティング層を構成する第１材料と第２材料との和に対して２０質量％以上、８０質量％以下であると判断されたが、当該好適な配合率の範囲は普遍的なものではない。即ち、コーティング層における第２材料の好適な配合率は、例えば、コーティング層を構成する第１材料及び第２材料として採用する材料の種類や電子部品の使用環境等の種々の条件によって変動する。しかしながら、コーティング層における第２材料の好適な配合率は、例えば、コーティング層を構成する第１材料及び第２材料として採用する材料の種類や電子部品の使用環境等、本発明を適用する際の種々の条件に応じて適宜定めることができる。
【０１０８】
６．本発明に係るコーティングによるウィスカの成長抑制効果の評価（２）
（１）評価用サンプル用のコーティング材料
本発明に係る第１材料としては、前述のように、例えば、防湿性材料を使用することができ、防湿性材料としては、例えば、ポリオレフィン系樹脂、アクリル系樹脂、ポリウレタン系樹脂、及びシリコーン系樹脂等を使用することができる。本実施例においては、各種評価用サンプルとしてのコーティング層を構成する第１材料として、アクリル系樹脂を採用した。一方、本発明に係る第２材料としては、前述のように、例えば、嫌気性封着剤を使用することができ、嫌気性封着剤としては、例えば、酢酸ビニル系樹脂、アクリル系樹脂、ポリアミド系樹脂、及びエポキシ系樹脂等を使用することができる。本実施例においては、各種評価用サンプルとしてのコーティング層を構成する第２材料として、酢酸ビニル系樹脂を採用した。加えて、一般的な防湿コーティング層として使用されるアクリル系樹脂を第１材料として採用し、第２材料を全く配合しない、対照標準としての比較用サンプルも調製した。また、第１材料を全く配合せず、第２材料としての酢酸ビニル系樹脂のみを使用する、更なる比較用サンプルをも調製した。更に、酢酸ビニル系樹脂に代えて無機フィラーを第２材料として採用した各種評価用サンプルも調製した。また更に、硬質樹脂であるエポキシ系樹脂のみを使用する、更なる比較用サンプルをも調製した。各種評価用サンプルの詳細については、表１を参照しつつ、以下に詳細に説明する。
【０１０９】
（２）評価用サンプルの調製
表１に示すように、対照標準サンプルとしての比較例１に係る評価用サンプルにおいては、第１材料としてアクリル系樹脂を採用し、第２材料を全く配合しなかった。一方、実施例１乃至３並びに比較例２及び３に係る評価用サンプルにおいては、第１材料としてアクリル系樹脂を採用し、第２材料として酢酸ビニル系樹脂を採用した。尚、これらの評価用サンプルにおいて、コーティング材料全体（即ち、第１材料と第２材料との和）における第２材料の配合率［質量％］は、それぞれ、２０質量％、４０質量％、６０質量％、８０質量％、及び１００質量％とした。
【０１１０】
一方、比較例４に係る評価用サンプルにおいては、酢酸ビニル系樹脂に代えて、無機フィラーを第２材料として採用し、上記第１材料に配合したコーティング材料を用いた。尚、比較例３に係る評価用サンプルにおいては、コーティング材料全体（即ち、第１材料と第２材料としての無機フィラーとの和）に対する第２材料としての無機フィラーの配合率［質量％］は５０質量％とした。更に、比較例５に係る評価用サンプルにおいては、上述のように、硬質樹脂であるエポキシ系樹脂のみを使用した。
【０１１１】
上述の各材料を混合して各種コーティング材料を調製し、鉛フリーめっき層及び鉛フリー半田を母材の表面に有する端子を備える電子部品に塗布した。各種コーティング材料の塗布方法としては、前述のように、例えば、スプレーコーティング法、ディップコーティング法等を採用することができる。本実施例においては、スプレーコーティング法によって各種コーティング材料を上記電子部品に塗布し、その後、８０℃の温度において３０分間以上に亘って乾燥することによってコーティング層を硬化させた。
【０１１２】
（３）評価用サンプルの加速劣化処理
上記のようにして調製した各種評価用サンプルを、８５℃の温度及び８５％の相対湿度において２００時間に亘って放置した後に２５℃の温度及び５０％の相対湿度において２４時間に亘って放置するという環境変化に対して、５サイクルに亘って暴露した。
【０１１３】
（４）評価用サンプルの解析
上記加速劣化試験後の各種評価用サンプルにつき、それぞれの評価用サンプルにおけるコーティング層の表面を電子顕微鏡（ＳＥＭ：Ｓｃａｎｎｉｎｇ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ）によって観察し、コーティング層を突き抜けて表面に突き出たウィスカを観察し、一定の面積において観察されたウィスカの本数を数えた。また、目視により、それぞれの評価用サンプルにおけるコーティング層の硬化状態を観察した。更に、目視により、それぞれの評価用サンプルにおけるコーティング層の表面における割れ（亀裂）の有無を調べた。また更に、目視により、それぞれの評価用サンプルにおけるコーティング層の周辺部材への影響についても観察した。
【０１１４】
各種評価用サンプルにおける材料構成と共に、これらの解析結果を以下の表２に列挙する。また、比較例１及び２並びに実施例１乃至３に係る評価用サンプルについては、上記ＳＥＭ観察において検出されたウィスカの本数をコーティング層における第２材料の配合率に対してプロットした結果を図７に示す。即ち、図７は、前述のように、本発明のもう１つの実施態様に係るコーティング層における第２材料の配合率に対するウィスカの検出本数の関係を表すグラフである。
【０１１５】
【表２】
0005655770.tif 000003
【０１１６】
（５）まとめ
表２に示すように、第２材料として採用した酢酸ビニル系樹脂を、それぞれ、２０質量％、４０質量％、及び６０質量％含有するコーティング層を有する実施例１、２、及び３に係る評価用サンプルにおいては、コーティング層の表面へのウィスカの突き抜けは全く認められないか、あるいは許容可能な程度（２本未満）であった。また、これらの評価用サンプルにおいては、コーティング層の割れは、何れも認めらなかった。即ち、実施例１乃至３に係る評価用サンプルにおいては、防湿性を犠牲にすること無く、ウィスカの成長が効果的に抑制された。但し、これらの評価用サンプルの中で第２材料としての酢酸ビニル系樹脂の配合率が最も高い（即ち、６０質量％）実施例３に係る評価用サンプルにおいては、コーティング層の硬化がやや不十分であり、ゲル状のコーティング層が形成されたが、液だれによる汚染等の周辺部材への影響は認められなかった。
【０１１７】
尚、実施例１、２、及び３に係る評価用サンプルにおいては、前述のように、第２材料として採用した酢酸ビニル系樹脂が、コーティング層の塗布直後に電子部品が備える端子の母材の表面に配設された鉛フリーめっき層及び鉛フリー半田と接触して硬化を開始し、鉛フリーめっき層及び鉛フリー半田からのウィスカの発生そのものを抑制する。これに加えて、実施例１、２、及び３に係る評価用サンプルにおいては、前述のように、鉛フリーめっき層及び鉛フリー半田からウィスカが発生し、上記のように硬化した第２材料としての嫌気性封着剤を突き破ってコーティング層内に進入しても、コーティング層内に分散された未硬化の第２材料にウィスカが接触すると、当該ウィスカとの接触により当該未硬化の第２材料の硬化が始まる。このように、実施例１、２、及び３に係る評価用サンプルにおいては、前述のように、ウィスカの成長に伴って嫌気性封着剤の硬化が更に促進され、ウィスカ抑制効果が長期間に亘って維持される。結果として、実施例１、２、及び３に係る評価用サンプルにおいては、電子部品が備える端子の母材の表面に配設された鉛フリーめっき層や鉛フリー半田からのウィスカの発生及び成長を、更により一層効果的に抑制することができる。
【０１１８】
一方、第１材料として採用したアクリル系樹脂のみからなるコーティング層を有する対照標準としての比較例１に係る評価用サンプルにおいては、コーティング層の硬化状態は良好であり、コーティング層の割れや周辺部材への影響は認めらなかったものの、コーティング層の表面に突き出たウィスカが一定の面積当たり１２本認められた。これは、比較例１に係る評価用サンプルにおいては、第２材料が配合されていないため、電子部品が備える端子の母材の表面に配設された鉛フリーめっき層や鉛フリー半田からのウィスカの発生及び成長を抑制することができなかったものと考えられる。
【０１１９】
逆に、第２材料として採用した酢酸ビニル系樹脂が８０質量％配合されたコーティング層を有する比較例２に係る評価用サンプルにおいては、コーティング層の表面に突き出たウィスカは認められなかったものの、コーティング層が硬化が不十分であり、液だれによる周辺部材の汚染が認められた。これは、比較例２に係る評価用サンプルにおいては、空気との接触により硬化が困難となる嫌気性封着剤が第２材料として過剰に配合されているため、コーチング層が硬化することができなかったものと考えられる。
【０１２０】
更に、第２材料として採用した酢酸ビニル系樹脂が１００質量％配合された（即ち、第１材料として採用したアクリル系樹脂が全く配合されていない）コーティング層を有する比較例３に係る評価用サンプルにおいては、コーティング層が硬化が極めて不十分であり、コーティング層の表面に突き出たウィスカの観察を行うことができなかった。また、比較例２に係る評価用サンプルと同様に、液だれによる周辺部材の汚染が認められた。
【０１２１】
第２材料として採用した無機フィラーを５０質量％含有するコーティング層を有する比較例４に係る評価用サンプルにおいては、コーティング層の硬化状態は良好であり、コーティング層の表面に突き出たウィスカが一定の面積当たり１２本認められた。許容可能な範囲（２本未満）を超える２本のウィスカがコーティング層の表面に認められたものの、ある程度のウィスカ抑制効果を呈した。しかしながら、比較例４に係る評価用サンプルにおいては、コーティング層の割れの発生が認められた。即ち、第２材料として無機フィラーを採用した場合、ウィスカ抑制性能と防湿性能とを両立することは困難であることが示唆された。これは、比較例４に係る評価用サンプルにおいて大量に配合された無機フィラーが、コーティング層の割れの起点となる固形分として作用したためと考えられる。このようにコーティング層の割れが発生した比較例４に係る評価用サンプルにおいては、コーティング層の塗布直後と同等のウィスカ抑制交換を経時後においても維持することは困難であることが懸念される。
【０１２２】
また、硬質樹脂であるエポキシ系樹脂のみからなるコーティング層を有する比較例５に係る評価用サンプルにおいては、コーティング層の表面へのウィスカの突き抜けは全く認められず、コーティング層の硬化状態も良好であった。しかしながら、比較例５に係る評価用サンプルにおいては、コーティング層の割れが認められた。加えて、比較例５に係る評価用サンプルにおいては、電子部品が備える端子の母材の表面に配設された鉛フリー半田に亀裂が認められた。これは、比較例５に係る評価用サンプルにおいては、硬質樹脂であるエポキシ系樹脂のみによってコーティング層が構成されているため、コーティング層が硬く、柔軟性に乏しくなり、前述の加速劣化処理におけるコーティング層と電子部品の端子との熱膨張係数の差に起因してコーティング層と電子部品の端子との間に非常に大きい応力が発生し、コーティング層が割れると共に、鉛フリー半田に亀裂が発生したものと考えられる。結果として、比較例５に係る評価用サンプルにおいては、電子部品における導通不良や断線等の問題が懸念されると共に、コーティング層の割れが発生したことから、コーティング層の塗布直後と同等のウィスカ抑制交換を経時後においても維持することが困難であることが懸念される。
【０１２３】
以上のように、鉛フリーめっき層及び鉛フリー半田の少なくとも一方を母材の表面に有する端子を備える電子部品において、前記鉛フリーのめっき層及び前記鉛フリー半田の少なくとも露出面を、第１材料と第１材料中に分散された第２材料とを含んでなるコーティング層であって、第２材料が第１材料及び第２材料の何れとも異なる第３の物質との接触によって硬化を開始する材料（本実施例においては、湿度硬化性樹脂）であるコーティング層によって覆うことにより、コーティング層の割れによって防湿性を犠牲にすること無く、前記鉛フリーのめっき層及び前記鉛フリー半田から発生するウィスカの成長を効果的に抑制することができることが確認された。
【０１２４】
尚、本実施例において採用した材料構成においては、上記コーティング層における第２材料の好適な配合率は、上記評価結果から、コーティング層を構成する第１材料と第２材料との和に対して２０質量％以上、７０質量％以下であると判断されたが、当該好適な配合率の範囲は普遍的なものではない。即ち、コーティング層における第２材料の好適な配合率は、例えば、コーティング層を構成する第１材料及び第２材料として採用する材料の種類や電子部品の使用環境等の種々の条件によって変動する。しかしながら、コーティング層における第２材料の好適な配合率は、例えば、コーティング層を構成する第１材料及び第２材料として採用する材料の種類や電子部品の使用環境等、本発明を適用する際の種々の条件に応じて適宜定めることができる。
【０１２５】
以上、本発明を説明することを目的として、特定の構成を有する幾つかの実施態様について説明してきたが、本発明の範囲は、これらの例示的な実施態様に限定されるものではなく、特許請求の範囲及び明細書に記載された事項の範囲内で、適宜修正を加えることができることは言うまでも無い。
【符号の説明】
【０１２６】
１０…コーティング層、１１…第１材料、１２…第２材料、１３…ネットワーク、１４…水分、２１…ウィスカ、３１…第１材料を含む液体、３２…第２材料を含む液体、３３…スプレー（噴霧器）、３４…霧状のコーティング材料、４０…電子部品、４１…回路素子、４２…端子、４３…鉛フリーのめっき層又は鉛フリー半田、４４…基板、５１…第１材料及び第２材料を含む液体、並びに５２…塗布液浴槽。
【図１】
0005655770.tif 000004
【図２】
0005655770.tif 000005
【図３】
0005655770.tif 000006
【図４】
0005655770.tif 000007
【図５】
0005655770.tif 000008
【図６】
0005655770.tif 000009
【図７】
0005655770.tif 000010