(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｎｌ行（Ｌ１〜Ｌ３）×Ｎｃ列（Ｃｌ１〜Ｃｌ３）のマトリックス（２、２’、２’’）として編成された感光点（Ｐ１〜Ｐ９）を含む感光装置（１、１’、１’’）によって取得された画像を補正する方法であって、各感光点（Ｐ１〜Ｐ９）は、光放射にさらされている間に電荷を蓄積することが可能であり、
前記各感光点（Ｐ１〜Ｐ９）に蓄積された電荷を表す信号を、時点ｔ＝２ｎおよびｔ＝２ｎ＋１において行ごとに読み取る、第１のステップ（Ｅ２）であって、ｎは、０とＮ−１との間にある整数であり、Ｎは、２と、前記マトリックス（２、２’、２’’）の行（Ｌ１〜Ｌ３）の数Ｎｌとの間にある整数であり、１つの同じ行（Ｌ１〜Ｌ３）の前記信号は、一斉に読み取られ、連続する２つの読み取り時点の間隔が、決定された継続時間Ｔｓａｍｐｌｉｎｇであり、前記時点ｔ＝２ｎに読み取られた、有効信号とも呼ばれる前記信号は、前記感光点（Ｐ１〜Ｐ９）が有効光放射にさらされた後に前記各感光点（Ｐ１〜Ｐ９）に蓄積されている電荷を表し、前記時点ｔ＝２ｎ＋１に読み取られた、オフセット信号とも呼ばれる前記信号は、放射にさらされないときに前記各感光点（Ｐ１〜Ｐ９）に蓄積された電荷を表し、前記マトリックス（２、２’、２’’）の各列（Ｃｌ１〜Ｃｌ３）について、前記有効信号は、離散信号Ｘｒｅａｌ（ｎ）を形成し、前記オフセット信号は、離散信号ＯＦ（ｎ）を形成する、前記第１のステップ（Ｅ２）と、
−  前記マトリックス（２、２’、２’’）の列（Ｃｌ１〜Ｃｌ３）に対応する各信号ＯＦ（ｎ）について、前記オフセット信号が放射にさらされていない前記時点ｔ＝２ｎに読み取られる感光点で蓄積された電荷を表している信号ＯＦＸ（ｎ）を決定する、第２のステップ（Ｅ３）であって、前記信号ＯＦＸ（ｎ）は、前記信号ＯＦ（ｎ）を補正することによって決定される、前記第２のステップ（Ｅ３）と、
−  前記マトリックス（２、２’、２’’）の各列（Ｃｌ１〜Ｃｌ３）について、前記信号ＯＦＸ（ｎ）を前記対応する信号Ｘｒｅａｌ（ｎ）から減算する、第３のステップ（Ｅ４）と、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
行ごとの読み取りを行う前記ステップ（Ｅ２）は、読み取り対象の各行（Ｌ１〜Ｌ３）について連続的に繰り返される、連続する複数のサブステップを含み、前記連続する複数のサブステップは、
−  前記感光点（Ｐ１〜Ｐ９）が光放射にさらされた後に当該の行の各感光点（Ｐ１〜Ｐ９）に蓄積されている電荷を読み取るサブステップ（Ｅ２０１）と、
−  前記電荷を、前記電荷を表すアナログ信号に変換するサブステップ（Ｅ２０２）と、
−  前記電荷を表す前記アナログ信号をデジタル化するサブステップ（Ｅ２０３）と、
−  前記感光点（Ｐ１〜Ｐ９）をそれぞれの元の電気的状態にリセットした後に前記当該の行の各感光点（Ｐ１〜Ｐ９）に蓄積された電荷を読み取るサブステップ（Ｅ２０１）と、
−  前記電荷を、前記電荷を表すアナログ信号に変換するサブステップ（Ｅ２０２）と、
−  前記電荷を表す前記アナログ信号をデジタル化するサブステップ（Ｅ２０３）と、
を含むことを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第２のステップ（Ｅ３）は、前記マトリックス（２、２’、２’’）の各列（Ｃｌ１〜Ｃｌ３）について、
−  前記信号Ｘｒｅａｌ（ｎ）を信号
【数１】
0005688592.tif 000019
（ｋは、０からＮ−１まで変化する周波数成分インデックス）に離散フーリエ変換するサブステップ（Ｅ３１）と、
−  前記信号
【数２】
0005688592.tif 000020
の各非ゼロ周波数成分について、位相Ψｋを決定するサブステップ（Ｅ３２）と、
−  前記信号ＯＦ（ｎ）を信号
【数３】
0005688592.tif 000021
に離散フーリエ変換するサブステップ（Ｅ３３）と、
−  前記信号
【数４】
0005688592.tif 000022
の周波数成分と、前記信号
【数５】
0005688592.tif 000023
の周波数成分の位相Ψｋとに基づいて、関係式
【数６】
0005688592.tif 000024
により、信号
【数７】
0005688592.tif 000025
を決定するサブステップ（Ｅ３４）と、
−  前記信号
【数８】
0005688592.tif 000026
の逆離散フーリエ変換により、前記信号ＯＦＸ（ｎ）を決定するサブステップ（Ｅ３５）と、
を含むことを特徴とする、請求項１または２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項４】
前記マトリックス（２、２’、２’’）の各列（Ｃｌ１〜Ｃｌ３）について、関係式
【数９】
0005688592.tif 000027
で決定される周波数ＦＮの近傍で、前記信号Ｘｒｅａｌ（ｎ）およびＯＦ（ｎ）をフィルタリングすることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一項に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、（たとえば、半導体材料を堆積させる技術により生成される）感光点のマトリックスを含む感光装置によって取得された画像を補正する方法に関する。本方法は、基本的に（ただし、限定的にではなく）放射線画像の検出に用いられる感光装置に適用される。本発明は、特に、感光装置が電磁妨害を受けやすい場合に有用である。
【背景技術】
【０００２】
水素化アモルファスシリコン（ａＳｉＨ）のような半導体材料をガラス絶縁支持物上に薄膜堆積させる技術は、たとえば、可視または近可視の放射線に基づいて画像を生成することが可能な、感光点のマトリックスを構築することを可能にする。ただし、これらのマトリックスは、放射線画像の検出の枠組内で使用可能である。この目的のためには、Ｘ線放射とマトリックスとの間にシンチレータスクリーンを置くだけで十分である。シンチレータスクリーンは、Ｘ線放射を、感光点の感度が良い波長の帯域の光放射に変換する。
【０００３】
これらのマトリックスを形成する感光点は、大まかには、オン／オフスイッチ機能を果たす素子に関連付けられた感光素子で構成される。感光点は、行導体と列導体との間にマウントされる。そして、感光装置は、要件に応じて、マトリックスまたはストリップとしてレイアウトされた複数の感光点で構成される。
【０００４】
感光素子は、一般に、オン／オフスイッチ素子と直列にマウントされたダイオードで構成される。オン／オフスイッチ素子は、たとえば、いわゆるスイッチングダイオードであってよく、スイッチングダイオードの「閉」状態、すなわち、「導通」状態が、ダイオードを順方向モードでオンにするバイアスに対応し、スイッチングダイオードの「開」状態、すなわち、「遮断」状態が、ダイオードの逆方向バイアスに対応する。これら２つのダイオードは、いわゆる「ヘッドツーテール」構成で、導通方向が互いに逆になるようにマウントされる。このような構成は周知であり、特に、仏国特許出願第８６１４０５８号（公開第２６０５１６６号）明細書によって周知であり、同特許には、「ヘッドツーテール」構成の２つのダイオードによるタイプの感光点のマトリックス、感光点の読み出し方法、およびこのような感光装置の作成方法が記載されている。アモルファス半導体材料は、いくらかのメモリ効果を示す。これは、そのアモルファス構造が、結晶質材料の場合よりずっと多い、多数のトラップを含むことに関係する。これらのトラップは、禁制帯の全体に広がる構造的欠陥である。これらは、有効画像のキャプチャが行われている間、具体的には、感光点が光放射にさらされている間に生じた電荷を保持する。この材料は、与えられた光放射に対応する画像を記憶し、この画像に関連する電荷を、後続の画像、または、実際には複数の後続の画像の読み取り中に修復する。この効果は、画質に反映される。
【０００５】
さらに、感光点のマトリックスまたはストリップに使用される半導体部品は、すべて同一というわけではなく、そのため、このマトリックスまたはこのストリップが組み込まれた感光装置は、本質的に不均質性を有することとなり、これによって、時間とともに変化する、正常に機能しないゾーンができる。
【０００６】
最適品質の有効画像を取得すべく、いわゆるオフセット画像（対応するフランス語の用語では黒色画像と呼ばれる）に基づいて、有効画像の補正が行われる。オフセット画像は、たとえば、動作サイクルの開始時、または有効画像のキャプチャの後にキャプチャされる。このオフセット画像は、感光装置が輝度ゼロの信号にさらされている間に取得される画像であり、一種の背景画像に相当する。オフセット画像は、感光点の部品の電気的状態に応じて、かつ、それらの電気的特性のばらつきに応じて、変化する。有効画像は、感光装置が有効信号にさらされている間に読み取られた画像であり、有効信号は、たとえば、シンチレータをＸ線放射にさらすことに対応する。このことはオフセット画像にも当てはまる。そして、有効画像の補正とは、有効画像からオフセット画像を減算することである。この補正が信頼できるのは、オフセット画像をキャプチャした時点と、有効画像をキャプチャした時点との間で、オフセット画像が変化していない場合だけである。これは、オフセット画像をキャプチャする直前と、有効画像をキャプチャする直前とで、感光点の電気的状態が同じである場合を意味する。
【０００７】
しかしながら、感光点は、一般に、電磁妨害を受けやすい。感光装置の使用状態によっては、電磁妨害は避けられない。これは、たとえば、放射線介入治療の枠組内で、感光装置を電気メスと同時に使用する場合である。その結果、感光点の電気的状態は、有効画像キャプチャ時点とオフセット画像キャプチャ時点との間で変化する可能性がある。電磁妨害が永続的かつ周期的であるとすると、電磁妨害の周波数が画像キャプチャの周波数に比べて非常に遅いわけではない限り、感光装置の形成画像にストリップが現れる可能性がある。
【０００８】
感光装置の形成画像に対する電磁妨害の影響を減らすために、感光装置を、これらの妨害に対して鈍感にすることが可能であり、特に、シールドを設計することや、電流ループを除去することにより、可能である。しかしながら、これは、重い制約、たとえば、機械的制約（重量、サイズ）または電気的制約（絶縁）がある場合には、常に可能とは限らない。また、有効画像キャプチャの時点と同じ振幅の妨害を、オフセット画像を用いて減算すべく、画像キャプチャを妨害と同期させることも可能である。この同期が可能であるのは、単一の電磁妨害が存在する場合、または、場合によっては、複数の電磁妨害が存在していて、それらの周波数が互いに倍数の関係にある場合に限られる。さらに、妨害を特性評価し、この妨害に応じて感光装置の制御を精密に順序付けることが必要であるため、感光装置の設計に様々な制約を課すことになる。第３のソリューションは、フィルタリングによって得られた画像を、たとえば、画像補正ソフトウェアを用いて補正することである。しかしながら、フィルタリングは、医療情報の喪失や改変を引き起こすおそれがある。さらに、フィルタリングは、電磁妨害の広い周波数スペクトルへの適応が困難である。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の目的は、特に、感光装置の設計に何ら制約を加えることなく、感光装置によって取得された、あらゆるタイプの電磁妨害の影響の画像を補正することを可能にする方法を提案することにより、前述の弱点のすべて、または一部を軽減することである。この目的のために、本発明の主題は、Ｎｌ行×Ｎｃ列のマトリックスとして編成された感光点を含む感光装置によって取得された画像を補正する方法である。各感光点は、光放射にさらされている間に電荷を蓄積することが可能である。本発明によれば、本方法は以下のステップを含む。
−  各感光点に蓄積されている電荷を表す信号を、時点ｔ＝２ｎおよびｔ＝２ｎ＋１において行ごとに読み取る、第１のステップであって、ｎは、０とＮ−１との間にある整数であり、Ｎは、２と、マトリックスの行数Ｎｌとの間にある整数であり、１つの同じ行の信号は、一斉に読み取られ、連続する２つの読み取り時点の間隔が、決定された継続時間Ｔｓａｍｐｌｉｎｇであり、時点ｔ＝２ｎに読み取られた、有効信号とも呼ばれる信号は、感光点が有効光放射にさらされた後に各感光点に蓄積されている電荷を表し、時点ｔ＝２ｎ＋１に読み取られた、オフセット信号とも呼ばれる信号は、放射にさらされないときに前記各感光点に蓄積された電荷を表し、マトリックスの各列について、有効信号は、離散信号Ｘｒｅａｌ（ｎ）を形成し、オフセット信号は、離散信号ＯＦ（ｎ）を形成する、第１のステップ。
−  マトリックスの列に対応する各信号ＯＦ（ｎ）について、オフセット信号が時点ｔ＝２ｎに読み取られていればオフセット信号によって形成されていたであろう信号ＯＦＸ（ｎ）を決定する、第２のステップであって、信号ＯＦＸ（ｎ）は、信号ＯＦ（ｎ）を補正することによって決定される、第２のステップ。
−  マトリックスの各列について、信号ＯＦＸ（ｎ）を、対応する信号Ｘｒｅａｌ（ｎ）から減算する、第３のステップ。
【００１０】
本発明により、電磁妨害（特に永続的かつ周期的な電磁妨害）を受けやすい感光点のマトリックスによって取得された画像を効果的に補正することが可能になる。
【００１１】
添付図面と関連して提供される、例示的実施形態の詳細な説明を読むことにより、本発明がよりよく理解され、他の利点も明らかになるであろう。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明が適用可能な、第１の例示的な受動的感光装置を示す図である。
【図２】本発明が適用可能な、第２の例示的な受動的感光装置を示す図である。
【図３】本発明が適用可能な、例示的な能動的感光装置を示す図である。
【図４】本発明による補正方法の可能なステップを示す図である。
【図５】感光装置に蓄積された電荷を行ごとに読み取る、可能なサブステップを示す図である。
【図６】有効信号から減算するオフセット信号を決定する、可能なサブステップを示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
図１は、従来方式で編成されたマトリックス２を含む感光装置１を示す簡略図である。マトリックス２は、感光点Ｐ１〜Ｐ９を含んでおり、各感光点は、ヘッドツーテール構成に従って直列にマウントされた感光ダイオードＤｐおよびスイッチングダイオードＤｃによって形成されている。マトリックス２は、列導体Ｘ１〜Ｘ３に行導体Ｙ１〜Ｙ３が交差しており、各交差線において、行導体Ｙ１〜Ｙ３と列導体Ｘ１〜Ｘ３との間に感光点Ｐ１〜Ｐ９が接続されている。したがって、感光点Ｐ１〜Ｐ９は、行Ｌ１〜Ｌ３および列Ｃｌ１〜Ｃｌ３の配列になっている。これらの感光点は、画素とも呼ばれる。
【００１４】
図１の例では、９個の感光点Ｐ１〜Ｐ９を定義する３つの行および３つの列だけを示しているが、このようなマトリックスは、容量がずっと大きくてもよく、数百万点ほどであってもよい。たとえば、このようなマトリックスを、３０００行および３０００列の配列（約４０ｃｍ×４０ｃｍの面積）の感光点で構築することも、検出ストリップを構成するために１列および数行の配列の感光点で構築することも、よく行われる。
【００１５】
感光装置１は、行制御回路３を含んでおり、その出力ＳＹ１、ＳＹ２、およびＳＹ３は、それぞれ、行導体Ｙ１、Ｙ２、およびＹ３と連結されている。行制御回路３は、たとえば、クロック回路、スイッチング回路、シフトレジスタなど、図示されていない様々な要素を有しており、これらは、行導体Ｙ１〜Ｙ３の順次アドレス指定の実行を可能にしている。感光装置１はさらに、電圧源４を含んでおり、電圧源４は、行導体Ｙ１〜Ｙ３に印加される、いわゆる読み取りパルスの振幅を定義するように働く電圧Ｖｌを行制御回路３に与える。
【００１６】
各感光点Ｐ１〜Ｐ９では、２つのダイオードＤｐおよびＤｃの（図１に示したような）アノード同士、またはカソード同士が連結されている。フォトダイオードＤｐのカソードは、列導体Ｘ１〜Ｘ３に連結されており、スイッチングダイオードＤｃのカソードは、行導体Ｙ１〜Ｙ３に連結されている。なお、一般に、これら２つのダイオードＤｐおよびＤｃは、フォトダイオードＤｐの示すキャパシタンスが最大（たとえば、ほぼ５０倍程度）になるように設計されている。
【００１７】
マトリックス２がいわゆる「有効」光放射にさらされているフェーズの間は、各感光点Ｐ１〜Ｐ９の２つのダイオードＤｐおよびＤｃが逆バイアスされている。この状態では、各ダイオードはキャパシタを構成する。フォトダイオードＤｐの属する感光点Ｐ１〜Ｐ９が露光されることによって、フォトダイオードＤｐ内に電荷が発生する。これらの電荷は、露光強度に応じた電荷量で、２つのダイオードＤｐおよびＤｃの接合点に形成されたノード上のＡ点に蓄積される。感光点Ｐ１〜Ｐ９の読み取りは、行ごとに行われ、１つの同じ行導体Ｙ１〜Ｙ３に連結されたすべての感光点において一斉に行われる。この目的のために、行制御回路３は、所定の振幅の読み取りパルスを、アドレス指定された各行導体Ｙ１〜Ｙ３に印加する。アドレス指定されていない行導体は、基準電位Ｖｒまたは残留電位で維持される。この基準電位Ｖｒは、たとえば、接地電位である。基準電位Ｖｒは、列導体Ｘ１〜Ｘ３に適用される基準電位と同じ電位であってもよい。
【００１８】
感光点Ｐ１〜Ｐ９のＡ点に電荷の蓄積があると、この点の電圧が低下する。すなわち、フォトダイオードＤｐの逆バイアス電圧が低下する。行導体Ｙ１〜Ｙ３に読み取りパルスを印加すると、この行導体に連結されているすべての感光点のＡ点の電位が、有効光放射にさらされる前のバイアスレベルに復元される。この結果、列導体Ｘ１〜Ｘ３のそれぞれに、対応するＡ点に蓄積されていた電荷に比例する電流が流れる。
【００１９】
列導体Ｘ１〜Ｘ３は、読み取り回路ＣＬと連結されている。読み取り回路ＣＬは、図１の例では、積分回路５、多重化回路６、ビデオ増幅器７、およびアナログデジタル変換器８を含んでいる。積分回路５は、列導体Ｘ１〜Ｘ３と同じ数の増幅器を含む。すなわち、図１の例では、３つの増幅器Ｇ１〜Ｇ３を含んでいる。積分回路５はさらに、増幅器Ｇ１〜Ｇ３のそれぞれに対し、積分キャパシタＣ１〜Ｃ３およびオン／オフスイッチ素子Ｉ１〜Ｉ３を含んでいる。各列導体Ｘ１〜Ｘ３は、積分器としてマウントされた増幅器Ｇ１〜Ｇ３の逆相入力「−」に連結されている。各増幅器の逆相入力「−」と出力Ｓ１〜Ｓ３との間には、積分キャパシタＣ１〜Ｃ３がマウントされている。各増幅器Ｇ１〜Ｇ３の第２の入力「＋」は、ある電位に連結されており、この電位は、図１の例では、基準電位Ｖｒである。したがって、この電位は、すべての列導体Ｘ１〜Ｘ３にかかる。各積分キャパシタＣ１〜Ｃ３と並列に、いわゆるリセットツーゼロオン／オフスイッチ素子Ｉ１〜Ｉ３がマウントされている。オン／オフスイッチ素子Ｉ１〜Ｉ３は、たとえば、ＭＯＳ型トランジスタである。したがって、積分回路５は、列導体Ｘ１〜Ｘ３を流れる電荷を電圧に変換する。
【００２０】
増幅器Ｇ１〜Ｇ３の出力Ｓ１〜Ｓ３は、多重化回路６の入力Ｅｎｔ１〜Ｅｎｔ３に連結される。多重化回路６は、たとえば、並列入力および直列出力を有するシフトレジスタで形成されており、このシフトレジスタは、一般的にはＣＣＤ（「Ｃｈａｒｇｅｄ−Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｄｅｖｉｃｅ（電荷結合素子）」の略）と呼ばれる電荷結合型シフトレジスタであってもよい。この従来型の構成により、すべての感光点Ｐ１〜Ｐ９のＡ点に蓄積された電荷を表す電圧を、多重化回路６の出力において、「直列に」かつ１行ずつ順に（Ｌ１からＬ３の順に）出力することが可能になる。これらの電圧を、多重化信号ＳＭと呼ぶ。
【００２１】
多重化信号ＳＭは、その後、ビデオ増幅器７で増幅し、アナログデジタル変換器（ＡＤＣ）８でデジタル信号ＳＮに変換することが可能である。
【００２２】
なお、図１の例ではスイッチングダイオードＤｃによって行われるオン／オフスイッチ機能を達成するためにトランジスタを用いることも知られている。トランジスタは、ダイオードに比べて接続が非常に複雑になるが、「オン」状態の質の点では有利である。
【００２３】
図２は、感光装置１’を概略的に示す。図１の感光装置との主な違いとして、感光装置１’に含まれるマトリックス２’では、スイッチングダイオードＤｃの代わりにトランジスタＴが使用されており、トランジスタＴは、たとえば、薄膜を薄層状に堆積させる技術によって作成される。これらの技術は、文献では、「薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）」という用語で知られている。これらの技術を用いて、図１および２に示したマトリックス２および２’のセットを構築することが可能である。
【００２４】
例として図２に示した図では、各感光点Ｐ１〜Ｐ９において、トランジスタＴは、ソースＳが、フォトダイオードＤｐのカソード、すなわち、Ａ点に連結されており、ゲートＧが、当該の感光点Ｐ１〜Ｐ９の属する行導体Ｙ１〜Ｙ３に連結されており、ドレインＤが、当該の感光点Ｐ１〜Ｐ９の属する列導体Ｘ１〜Ｘ３に連結されている。すべてのフォトダイオードＤｐのアノードが、行制御回路３の出力ＳＹ４に連結されている。出力ＳＹ４は、いわゆるバイアス電圧Ｖｂｉａｓを与える。バイアス電圧Ｖｂｉａｓは、基準電位Ｖｒまたは接地電位に対して負であり、たとえば、−５ボルト程度である。このバイアス電圧Ｖｂｉａｓは、フォトダイオードＤｐの逆バイアスを構成するように働く。行制御回路３は、たとえば、このバイアス電圧を電力供給源１３から受ける。
【００２５】
図１および図２に示した装置の全体動作をよりよく理解するためには、仏国特許出願公開第２７６０５８５号および第２６０５１６６号明細書を参照されたい。
【００２６】
図１および図２は、感光装置１および１’の例示的実施形態を示しており、ここでは、感光点Ｐ１〜Ｐ９は受動的であると言える。しかしながら、本発明は、感光点が能動的であると言える感光装置に特によく当てはまる。すなわち、画像取得フェーズの間に蓄積された電荷が、マトリックスの外の積分回路においてではなく、画素のレベルで電圧に変換される感光点の場合によく当てはまる。
【００２７】
図３は、そのような感光装置１’’を示しており、感光装置１’’は、２行（Ｌ１およびＬ２）×２列（Ｃｌ１およびＣｌ２）の感光点Ｐ１〜Ｐ４からなるマトリックス２’’を含んでいる。行制御回路３は、２つの行導体Ｙ１およびＹ２にそれぞれ連結された２つの出力ＳＹ１およびＳＹ２を含んでいる。行制御回路３はさらに、２つの出力ＳＲＴＺ１およびＳＲＴＺ２を含んでおり、これらはそれぞれ、２つのリセットツーゼロ導体ＹＲＴＺ１およびＹＲＴＺ２に連結されている。各感光点Ｐ１〜Ｐ４は、フォトダイオードＤｐと、３つのトランジスタＴ１、Ｔ２、およびＴ３とを含んでいる。各感光点Ｐ１〜Ｐ４の第１のトランジスタＴ１においては、ゲートＧは、当該の感光点Ｐ１〜Ｐ４の属する行導体Ｌ１またはＬ２のリセットツーゼロ導体ＹＲＴＺ１またはＹＲＴＺ２に連結されており、ドレインＤは、電圧源３１に連結されてリセットツーゼロ電位ＶＲＴＺがかかっており、ソースＳは、当該の感光点Ｐ１〜Ｐ４に属するフォトダイオードＤｐのカソードに連結されている。すべてのフォトダイオードＤｐのアノードが、共通電位、たとえば、接地電位に連結されている。同じＡ点を、トランジスタＴ１のソースＳとフォトダイオードＤｐのカソードとの間に定義してもよい。このＡ点はさらに、同じ感光点Ｐ１〜Ｐ４の第２のトランジスタＴ２のゲートＧに連結されている。このトランジスタＴ２のソースＳは、同じ感光点Ｐ１〜Ｐ４の第３のトランジスタＴ３のソースＳに連結されており、すべてのトランジスタＴ２のドレインＤは、電圧源３２に連結されて、電源電位Ｖｄｄがかかっている。各感光点Ｐ１〜Ｐ４の第３のトランジスタＴ３においてはさらに、ゲートＧが、当該の感光点Ｐ１〜Ｐ４の属する行Ｌ１またはＬ２の行導体Ｙ１またはＹ２に連結されており、ドレインＤが、当該の感光点Ｐ１〜Ｐ４の属する列Ｃｌ１またはＣｌ２の列導体Ｘ１またはＸ２に連結されている。
【００２８】
トランジスタＴ１により、感光点Ｐ１〜Ｐ４を、それぞれの元の状態、すなわち、放射にさらされる前の状態にリセットすることが可能になる。より具体的には、行制御回路３からリセットツーゼロ導体ＹＲＴＺ１またはＹＲＴＺ２にリセットツーゼロパルスが送出されたときに、トランジスタＴ１により、当該の行Ｌ１またはＬ２のすべての感光点Ｐ１〜Ｐ４のＡ点の電位を、開始電位（この例では、リセットツーゼロ電位ＶＲＴＺ）に戻すことが可能になる。トランジスタＴ２によって、列導体Ｘ１およびＸ２のＡ点を隔離することが可能になる。トランジスタＴ３によって、各トランジスタＴ２のソースＳを、当該のトランジスタＴ３が連結されている列導体Ｘ１またはＸ２に連結することが可能になる。
【００２９】
感光点Ｐ１〜Ｐ４の読み取りも、行ごとに行われる。行制御回路３は、各行導体Ｙ１およびＹ２に読み取りパルスを連続的に印加する。すると、読み取り対象の行Ｌ１またはＬ２に属する感光点Ｐ１〜Ｐ４のＡ点の電圧が、トランジスタＴ２を介して、列導体Ｘ１およびＸ２にコピーされる。
【００３０】
図１および図２の感光装置１および１’と比較対照すると、感光装置１’’は、積分回路をまったく含まず、Ａ点に蓄積された電荷は、トランジスタＴ２のレベルで電圧積分される。列導体Ｘ１およびＸ２は、多重化回路６の入力Ｅｎｔ１およびＥｎｔ２に直接連結される。多重化回路６は、多重化信号ＳＭを出力する。多重化信号ＳＭを、ビデオ増幅器７で増幅し、アナログデジタル変換器８でデジタル化して、デジタル信号ＳＮを与えることも可能である。
【００３１】
図３で参照した感光装置１’’は、２行２列のみの感光点を含んでいる。もちろん、本発明は、ずっと大きな容量のマトリックスにも当てはまる。さらに、各感光点は、４つ以上のトランジスタを含んでよく、電源電圧Ｖｄｄおよびリセットツーゼロ電圧ＶＲＴＺは、感光点ごとに異なってよい。
【００３２】
図１−図３の感光装置１、１’、および１’’では、電荷の蓄積は、感光点Ｐ１〜Ｐ９の露光中にフォトダイオードＤｐによって行われるとした。しかしながら、これらの電荷の蓄積は、任意の感光素子、たとえば、フォトトランジスタで行われてもよい。
【００３３】
図４は、本発明による補正方法の可能なステップを示す。本補正方法は、たとえば、図１−図３を参照して説明した感光装置１、１’、および１’’のうちの１つによって取得された画像に適用される。本補正方法の第１のステップＥ１では、画像を取得する。この過程では、マトリックス２、２’、または２’’を有効光放射にさらすことによって、各感光点Ｐ１〜Ｐ９が電荷を蓄積することが可能である。この光放射は、たとえば、放射線画像の取得が必要な患者の身体の一部を通り抜けたＸ線を受けるシンチレータから発生する。本補正方法の第２のステップＥ２では、各感光点Ｐ１〜Ｐ９に蓄積された電荷を表す信号を行ごとに読み取る。言い換えると、マトリックス２、２’、または２’’のすべての列Ｃｌ１〜Ｃｌ３について、１つの同じ行の信号を同時に読み取る。信号の読み取りは、時点ｔ＝２ｎおよびｔ＝２ｎ＋１に行う。ｎは、０とＮ−１との間にある整数であり、Ｎは、２と、マトリックス２、２’、または２’’の行数Ｎｌとの間にある整数である。連続する２つの読み取り時点ｔとｔ＋１の間隔が、決定された継続時間Ｔｓａｍｐｌｉｎｇである。本発明によれば、時点ｔ＝２ｎに読み取られる信号は、ステップＥ１の間に各感光点Ｐ１〜Ｐ９に蓄積された電荷を表す。これらの信号を、有効信号と呼ぶ。時点ｔ＝２ｎ＋１に読み取られる信号は、放射にさらされていない時点ｔ＝２ｎと時点ｔ＝２ｎ＋１との間に蓄積された電荷を表す。これらの信号を、オフセット信号と呼ぶ。行ごとに有効信号およびオフセット信号を連続して取得する原理は、相関二重サンプリングという用語で知られている。有効信号およびオフセット信号は、たとえば、アナログデジタル変換器８で生成されたデジタル信号ＳＮに基づいて構築される。有効信号およびオフセット信号は、その後、列ごとに処理される。このように列ごとに処理を行うことにより、特に、マトリックス全体に対する電磁妨害の影響が必ずしも均一ではないという事実を考慮に入れることが可能になる。マトリックス２、２’、または２’’の各列Ｃｌ１〜Ｃｌ３について、有効信号は、離散信号Ｘｒｅａｌ（ｎ）を形成し、オフセット信号は、離散信号ＯＦ（ｎ）を形成する。第３のステップＥ３では、マトリックス２、２’、または２’’の列Ｃｌ１〜Ｃｌ３に対応する各信号ＯＦ（ｎ）について、オフセット信号が時点ｔ＝２ｎに読み取られていればオフセット信号によって形成されていたであろう信号ＯＦＸ（ｎ）が決定される。これらの信号ＯＦＸ（ｎ）は、ダミーオフセット信号と呼ばれ、信号ＯＦ（ｎ）を補正することにより、決定される。信号ＯＦＸ（ｎ）は、マトリックス２、２’、または２’’が有効光放射にさらされていないときの、有効信号の読み取り時点における、感光点に蓄積された電荷の量を表す。言い換えると、信号ＯＦＸ（ｎ）は、読み取り時点ｔ＝２ｎにおけるオフセット信号に相当する。感光点に蓄積された電荷の一部は、電磁妨害によって生成されたものである可能性がある。そうである場合には、各信号Ｘｒｅａｌ（ｎ）のうちの、電磁妨害に由来する電荷の量に対応する振幅比は、各信号ＯＦＸ（ｎ）のうちの、電磁妨害に由来する電荷の量に対応する振幅比と同じになる。第４のステップＥ４では、次の関係式に従って、列ごとに、信号Ｘｒｅａｌ（ｎ）から信号ＯＦＸ（ｎ）を減算する。
Ｓ（ｎ）＝Ｘｒｅａｌ（ｎ）−ＯＦＸ（ｎ）  （１）
ただし、Ｓ（ｎ）は、当該の列Ｃｌ１〜Ｃｌ３の、補正された有効信号を表す。この関係式（１）により、オフセット信号ＯＦ（ｎ）の信号Ｘｒｅａｌ（ｎ）だけでなく、電磁妨害によって生成された電荷の信号Ｘｒｅａｌ（ｎ）も補正することが可能になる。全体として、補正された有効信号Ｓ（ｎ）のセットにより、補正された画像の構築が可能になる。
【００３４】
図５は、ステップＥ２の行ごとの読み取りの一特定実施形態を示す。この特定実施形態によれば、ステップＥ２は、以下の連続するサブステップを含んでおり、これらのサブステップは、読み取り対象のマトリックス２、２’、または２’’の各行について連続的に繰り返される。サブステップＥ２０１では、当該の行の各感光点Ｐ１〜Ｐ９に蓄積された電荷を読み取る。サブステップＥ２０２では、これらの電荷を、これらの電荷を表すアナログ信号に変換する。サブステップＥ２０３では、これらの信号をデジタル化する。行の電荷を読み取るサブステップＥ２０１は、当該の行の行導体Ｙ１〜Ｙ３に読み取りパルスを送出することを含む。本発明によれば、サブステップＥ２０１〜Ｅ２０３は、各行について、後続の行の処理の前に、２回目が繰り返される。したがって、当該の行の感光点が、２回目の電荷読み取りに先だって、それぞれの元の電気的状態にリセットされている限り、時点ｔ＝２ｎにおける１回目の読み取りの間に読み取られた電荷は、ステップＥ１の間に感光点Ｐ１〜Ｐ９が有効光放射にさらされた後に蓄積されている電荷に相当し、時点ｔ＝２ｎ＋１における２回目の読み取りの間に読み取られた電荷は、露光がないときに蓄積された電荷に相当する。この、感光点をそれぞれの元の電気的状態にリセットすること（「ゼロにリセットする」と言う）は、たとえば、図１および図２に示したような受動的感光点を含む感光装置の場合には、電荷を読み取るサブステップＥ２０１において一斉に行われる。たとえば、図３に示したような、能動的感光点を含む感光装置の場合、ゼロにリセットすることは、当該の行のリセットツーゼロ導体ＹＲＴＺ１またはＹＲＴＺ２にリセットツーゼロパルスを送出することにより、可能である。
【００３５】
図５に示した一特定実施形態では、サブステップＥ２０１〜Ｅ２０３の繰り返しは、カウンタＣｐｔを用いて行われ、Ｃｐｔの値は、現在の読み取り繰り返し回数を示す。この例では、このカウンタＣｐｔがとる値は２つだけであり、たとえば、「１」は１回目の読み取りを表し、「２」は２回目の読み取りを表す。したがって、サブステップＥ２０１の前に、カウンタＣｐｔの値を（たとえば、値「１」に）初期化するサブステップＥ２０４を置くことが可能である。サブステップＥ２０３のデジタル化の完了後、サブステップＥ２０５において、カウンタＣｐｔの値が値「２」に等しいかどうかを判定する。カウンタＣｐｔの値が値「２」に等しくない場合は、サブステップＥ２０６でカウンタＣｐｔの値を１単位増加させてから、サブステップＥ２０１〜Ｅ２０５を繰り返す。カウンタＣｐｔの値が値「２」に等しい場合は、後続の行を、読み取り対象として処理する。
【００３６】
図５に示した一特定実施形態では、行ごとの読み取りは、第２のカウンタｎを用いて行われ、ｎの値は、現在の行の番号を示す。したがって、前に示したとおり、カウンタｎは、０とＮ−１との間にある整数値をとり、Ｎは、２と、マトリックス２、２’、または２’’の行数Ｎｌとの間にある整数である。この特定実施形態によれば、サブステップＥ２０１の前、または、必要であれば、サブステップＥ２０４の前に、カウンタｎの値を値ｎ０に初期化するサブステップＥ２０７を置くことが可能である（ｎ０は０とＮ−２との間にある整数）。整数ｎ０は、読み取り対象の第１の行の番号を示しており、この第１の行は、一般に、マトリックス２、２’、または２’’の第１の物理行に対応する。サブステップＥ２０３のデジタル化の完了後、または、必要であれば、サブステップＥ２０５の完了後、サブステップＥ２０８において、カウンタｎの値が値「Ｎ−１」に等しいかどうかを判定する。カウンタｎの値が値「Ｎ−１」に等しくない場合は、サブステップＥ２０９でカウンタｎの値を１単位増加させ、その後、サブステップＥ２０１、または、必要であれば、サブステップＥ２０４で、本方法を再開する。カウンタｎの値が値「Ｎ−１」に等しい場合は、ステップＥ２の行ごとの読み取りをサブステップＥ２１０で終了し、本方法をサブステップＥ３で再開する。
【００３７】
さらに一特定実施形態では、ステップＥ２は、図５に示したような、サブステップＥ２０２から発生するアナログ信号、または、サブステップＥ２０３から発生するデジタル信号を多重化するサブステップＥ２１１を含む。この多重化は、たとえば、図１−図３に示した多重化器６で実行する。ステップＥ２は、増幅するサブステップＥ２１２を含むことも可能である。この増幅は、特に、アナログ信号、多重化信号、および／またはデジタル化信号に関して行うことが可能である。
【００３８】
図６は、信号ＯＦＸ（ｎ）を決定するステップＥ３の一特定実施形態を示す。この特定実施形態によれば、離散信号から削除することが求められている妨害信号の「位相」を決定することが求められている。この妨害信号は明らかに未知であるため、離散信号Ｘｒｅａｌ（ｎ）の「位相」を決定することが求められている。しかしながら、信号の位相は、既知の周波数の周期的基準関数に対してのみ定義可能である。この目的のために、サブステップＥ３１で信号Ｘｒｅａｌ（ｎ）の離散フーリエ変換を実行して、マトリックスの列ごとに信号
【数１】
0005688592.tif 000002
を与える。信号
【数２】
0005688592.tif 000003
は、次の関係式にしたがって取得される。
【数３】
0005688592.tif 000004
ただし、ｋは、０からＮ−１まで変化する周波数成分インデックスである。サブステップＥ３２では、次の関係式に従って、各信号
【数４】
0005688592.tif 000005
の、マトリックスの列に関連付けられた各非ゼロ周波数成分について、位相Ψｋを決定する。
【数５】
0005688592.tif 000006
【００３９】
サブステップＥ３１と類似の様式で、次の関係式に従って、サブステップＥ３３において信号ＯＦ（ｎ）の離散フーリエ変換を実行して、マトリックスの列ごとに信号
【数６】
0005688592.tif 000007
を与える。
【数７】
0005688592.tif 000008
【００４０】
サブステップＥ３４で、次の関係式に従って、信号
【数８】
0005688592.tif 000009
の周波数成分および信号
【数９】
0005688592.tif 000010
の周波数成分の位相Ψｋに基づいて、各信号
【数１０】
0005688592.tif 000011
について信号
【数１１】
0005688592.tif 000012
を決定する。
【数１２】
0005688592.tif 000013
【００４１】
各信号
【数１３】
0005688592.tif 000014
は、オフセット信号が時点ｔ＝２ｎに読み取られていればオフセット信号によって形成されていたであろう、当該の列の信号ＯＦ（ｎ）の離散フーリエ変換に実質的に相当する。言い換えると、信号
【数１４】
0005688592.tif 000015
は、信号ＯＦＸ（ｎ）の離散フーリエ変換に相当する。したがって、各信号ＯＦＸ（ｎ）は、サブステップＥ３５において、次の関係式に従って、当該の列の信号
【数１５】
0005688592.tif 000016
の逆離散フーリエ変換によって決定することが可能である。
【数１６】
0005688592.tif 000017
【００４２】
一特定実施形態によれば、マトリックス２、２’、または２’’の各列Ｃｌ１〜Ｃｌ３について、次の関係式で決定される周波数ＦＮの近傍で、信号Ｘｒｅａｌ（ｎ）およびＯＦ（ｎ）をフィルタリングする。
【数１７】
0005688592.tif 000018
【００４３】
この周波数ＦＮは、サンプリングされた信号Ｘｒｅａｌ（ｎ）およびＯＦ（ｎ）のナイキスト周波数に相当する。関係式（７）における、第２の係数１／２の存在は、各行を２回読み取ることから、各信号のサンプル間隔が、継続時間Ｔｓａｍｐｌｉｎｇではなく継続時間２Ｔｓａｍｐｌｉｎｇであるという事実に由来する。
【図１】
0005688592.tif 000028
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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