(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子を回路基板にフリップチップ実装した半導体装置の検査方法において、
前記半導体素子はＬＥＤ素子であり、
前記ＬＥＤ素子の一の電極が他の電極より接続面積が小さく、
前記一の電極と接続する前記回路基板の電極をヒータから得た熱でプローブを介して加熱し、前記一の電極の温度を上昇させ、
前記一の電極に接続する前記回路基板の電極と、前記他の電極に接続する前記回路基板の電極との間の導通状態を示す電気量について、加熱直後から前記プローブを介してその変化を観察し、
予め準備しておいた良否判定基準と前記観察の結果とを比較し良否判定することを特徴とする半導体装置の検査方法。
【請求項２】
前記電気量が前記ＬＥＤ素子の順方向電圧であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の検査方法。
【請求項３】
前記電気量とともに前記ＬＥＤ素子の温度上昇を観察することを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置の検査方法。
【請求項４】
多数の前記回路基板が接続して連結した集合基板に前記ＬＥＤ素子がフリップチップ実装され、前記一の電極と接続する前記回路基板の電極が互いに共通配線で連結しているとき、前記共通配線を一括して加熱することを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の半導体装置の検査方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は回路基板に半導体素子をフリップチップ実装した半導体装置の検査方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子を回路基板にフリップチップ実装しパッケージ化した半導体装置が知られている。フリップチップ実装方式は、実装面積が小さくて済むことなどのメリットがある反面、半導体素子と回路基板の接合部が目視できないため直接的な接合の良否判断がつかないという課題がある。そこで端子間の電気的測定や熱伝導状況の観察、Ｘ線透視といった様々な手法が提案されている。なお接合品質の管理自体は、目視できるかどうかに関わらず一般的な課題である。電気的測定によるものとしては、半導体装置の温度を変化させ端子間の導通状態を示す電気量を測定することにより半導体装置の端子と基板電極との接合状態を判断する方法がある（例えば特許文献１）。
【０００３】
特許文献１の図１を図９に示す。図９は半導体装置の温度と寄生ダイオードの電流特性から接合状態を判定する検査システムの配線関係を示す斜視図である。図に示したようにヒータープローブ３６がＳＯＰ型パッケージＩＣのパッケージ部３０に接触し、パケージ部３０を加熱する。加熱前後でピン３２ａとグランドピン３２ｇ間の寄生ダイオード（特許文献１の図２に５８ａとして示されている）に流れる電流を測定用プローブ３８ａ，３８ｇにより測定する。この検査システムは、加熱前後の電流値の差から部品実装基板上のパターン３４ａ，３４ｇ（基板電極）と各ピン３２ａ，３２ｇ（端子）との接合状態を判定している。
【０００４】
半導体装置のなかで発光ダイオード素子（以下とくに断らない限りＬＥＤ素子と呼ぶ）を回路基板にフリップチップ実装してパッケージ化した半導体発光装置（以下とくに断らない限りＬＥＤ装置と呼ぶ）は、発光にともなって発熱するという特徴がある。そこで順方向に大電流を流しＰＮジャンクションを加熱し、加熱前後の順方向電圧Ｖｆの差ΔＶｆにもとづいてＬＥＤ装置の良否判定を行うことがある。この検査からは様々なモードの不良が検出され、このなかに回路基板上の電極とＬＥＤ素子の電極との接合不良も含まれることがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平１０−１９９５８号公報  （図１，図２）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１の方法は、ヒータープローブ３６によりパッケージ部３０を充分に加熱し、各ピン３２ａ，３２ｇの温度が上昇した状態で寄生ダイオード５８ａに流れる電流を測定している。この方法では半導体装置がパッケージ部３０で使われる樹脂を介して加熱されるので、各部の温度制御が困難になり接合不良の検出精度が高いとは言えない。このためフリップチップ実装した半導体素子の微細な接合状態を判定するのには適さない。
【０００７】
前述のＬＥＤ装置に適用される検査方法のように半導体素子自体の発熱を利用する方法は、加熱装置が不要で手軽であるが、投入した電力と温度上昇がＬＥＤ素子ごとに異なるので、やはりフリップチップ実装した半導体素子の微細な接合状態を判定するのには適さない。またＬＥＤ素子の場合、アノード電極のサイズがカソード電極より大きいため、Ｐ
Ｎシャンクションで発生した熱が伝導する主な経路はアノード電極側となる。このため接合に係わる電気量の測定値はアノード電極の接合状態を大きく反映する。一方、接合不良は接続面積の小さいカソード電極側で発生しやすいので、ＬＥＤ素子を通電により加熱する手法は不具合を検出するに的確でない。
【０００８】
そこで本発明は、上記の課題に鑑みてなされたものであり、半導体素子を回路基板にフリップチップ実装した半導体装置において、半導体素子の電極と回路基板の電極との接続不良を的確に判別できる検査方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するため本発明の半導体装置の検査方法は、半導体素子を回路基板にフリップチップ実装した半導体装置の検査方法において、
前記半導体素子はＬＥＤ素子であり、
前記ＬＥＤ素子の一の電極が他の電極より接続面積が小さく、
前記一の電極と接続する前記回路基板の電極をヒータから得た熱でプローブを介して加熱し、前記一の電極の温度を上昇させ、
前記一の電極に接続する前記回路基板の電極と、前記他の電極に接続する前記回路基板の電極との間の導通状態を示す電気量について、加熱直後から前記プローブを介してその変化を観察し、
予め準備しておいた良否判定基準と前記観察の結果とを比較し良否判定することを特徴とする。
【００１６】
前記電気量が前記ＬＥＤ素子の順方向電圧であっても良い。
【００１７】
前記電気量とともに前記ＬＥＤ素子の温度上昇を観察しても良い。
【００１９】
多数の前記回路基板が接続して連結した集合基板に前記ＬＥＤ素子がフリップチップ実装され、前記一の電極と接続する前記回路基板の電極が互いに共通配線で連結しているとき、前記共通配線を一括して加熱しても良い。
【発明の効果】
【００２２】
本発明の半導体素子の検査方法は、回路基板の一つの電極のみを加熱して電極間接続の
良否判定の精度や効率を向上させるものである。すなわち回路基板の一つの電極が含まれる熱伝導経路を加熱し、半導体素子の状態変化を観察すれば、この熱伝導経路内に含まれる接続不良が観察結果に強く反映される。以上、本発明の半導体装置の検査方法は、半導体素子を回路基板にフリップチップ実装した半導体装置において、半導体素子の電極と回路基板の電極との接続不良を的確に判別できる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明の第１実施形態で検査するＬＥＤ装置の断面図。
【図２】図１のＬＥＤ素子における電極面の平面図。
【図３】図１のＬＥＤ装置を検査するための説明図。
【図４】図３の検査系で測定した順方向電圧の変化を示すグラフ。
【図５】本発明の第２実施形態における検査系の斜視図。
【図６】図５の検査系に含まれる集合基板の説明図。
【図７】本発明の第３実施形態における検査系の説明図。
【図８】本発明の第４実施形態における検査系の説明図。
【図９】従来の半導体装置に対する検査システムの配線関係を示す斜視図。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、添付図１〜８を参照しながら本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお図面において、同一または相当要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。また説明のため部材の縮尺は適宜変更している。さらに、特許請求の範囲に記載された発明特定事項との関係をカッコ内に記載している。
（第１実施形態）
【００２５】
図１〜４により本発明の第１実施形態を説明する。図１は本実施形態の検査方法で検査するＬＥＤ装置１０（半導体装置）の断面図である。なお、以下の説明において検査対象となる半導体素子及び半導体装置はＬＥＤ素子２０及びＬＥＤ装置１０を使う。ＬＥＤ装置１０は、回路基板１９上にＬＥＤ素子２０をフリップチップ実装している。回路基板１９において＋電極１６は板材１８の上下面に金属パターンを有し、その金属パターンはスルーホール１６ａで接続している。同様に−電極１７も上下の金属パターンがスルーホール１７ａで接続している。ＬＥＤ素子２０はサファイア基板１２（透明基板）の下面に半導体層１３を備えている。半導体層１３は、青色発光ダイオードであり、Ｎ側バンプ１４（半導体素子の電極）とＰ側バンプ１５（半導体素子の電極）が付着している。Ｎ側及びＰ側バンプ１４，１５はそれぞれカソードとアノードに相当し、−及び＋電極１７，１６と金属共晶接合により接続している。回路基板１９上面及びＬＥＤ素子２０は蛍光体を含有した蛍光樹脂１１で封止されている。
【００２６】
板材１８は、厚さが数百μｍで、熱伝導性を考慮して樹脂、セラミック、金属から選ぶ。＋及び−電極１６，１７は、例えば２０μｍ程度の銅箔上にニッケル層と金層を積層したものである。板材１８が樹脂の場合、スルーホール１６ａ，１７ａは熱伝導性をよくするため内部を金属ペーストで埋めておくと良い。サファイア基板１２は厚さが８０〜１２０μｍである。半導体層１３は厚さが７μｍ程度であり、Ｎ側及びＰ側バンプ１４，１５は電解金メッキ法で形成すれば厚さが１０〜３０μｍ程度になる。蛍光樹脂１１はシリコーン樹脂を主成分とし厚さが数１００μｍである。
【００２７】
図２によりＬＥＤ素子２０の電極面を説明する。図２はＬＥＤ素子２０を電極面側から眺めた平面図である。Ｎ型半導体層２１は、上層にあるＰ型半導体層２２から一部分が露出している。半導体層１３はＮ型半導体層２１とＰ型半導体層２２を含んでいる。Ｎ側バンプ１４はＮ型半導体層２１に接続し、Ｐ側バンプ１５はＰ型半導体層２２に接続している。発光層（図示せず）は、Ｎ型半導体層２１とＰ型半導体層２２の境界部にあり、平面
的には概ねＰ型半導体層２２に等しい。広い面積を占めている発光層は発熱源であるため、放熱を考慮しＰ側バンプ１５はＮ側バンプ１４よりも平面的なサイズが大きくなっている。なお図１に示した断面はＡ−Ａ線を含むようにして描いたものである。
【００２８】
図１と図２から、＋電極１６とＰ側バンプ１５の接続面積に比べ、−電極１７とＮ側バンプ１４の接続面積は小さい。よって本実施形態の場合、接続面積が小さい方の電極はＮ側バンプ１４である。そして加熱経路は、回路基板１９及びＬＥＤ素子２０において−電極１７（回路基板の一つの電極）及びＮ側バンプ１４を含むものである。
【００２９】
図３は図１のＬＥＤ装置１０を検査するためのシステムを示す説明図である。ＬＥＤ装置１０の＋電極１６及び−電極１７にはそれぞれ＋側プローブ２３及び−側プローブ２４が接触している。さらに−側プローブ２４には−電極１７を加熱するヒーター２５が接触している。印加手段３１は電源２９と定電流源２７を備え、＋側プローブ２３から−側プローブ２４に向かう電流を印加する。＋側プローブ２３と−側プローブ２４の間には電圧計２６が接続している。また定電流源２７や電圧計２６を制御したり、電圧計２６からデータを取り込んだりする制御判定手段３３を備えている。なお定電流源は、定電流回路と電源を含むものとして図示されることが多いが、図３では定電流回路に相当する定電流源２７と電源２９を分けて描いた。
【００３０】
この測定システムは、印加手段３１が＋電極１６からＬＥＤ素子２０の半導体層１３を経て−電極１７に至る経路に一定電流を印加し、電圧計２６で＋電極１６と−電極１７の間の電圧を測定する。この測定電圧値は、ＬＥＤ素子２０の順方向電圧Ｖｆを示す。まず常温で初期値となる電圧を測定してから、−電極１７をヒーター２５で加熱し、再度電圧を測定する。この電圧データに基づき制御判定手段３３が−電極１７から半導体層１３に至る経路の接合状況を判定する。
【００３１】
図４によりさらに詳しく検査フローを説明する。図４は加熱により上昇するＰＮジャンクションの温度Ｔと、データの測定タイミングと、順方向電圧Ｖｆ（電気量）の変化とを示すグラフである。ＬＥＤ素子２０の＋電極１６及び−電極１７に＋側プローブ２３及び−側プローブ２４を接触させる。同時に制御判定手段３３は定電流源２７に所定の電流を出力させる。続いて制御判定手段３３は電圧計２６に＋側プローブ２３と−側プローブ２４の間の電圧を測定させる。この電圧が順方向電圧の初期値となり、制御判定手段３３はこの値を記憶する。
【００３２】
次にヒーター２５を−側プローブ２４に接触させ−側プローブ２４の温度を上昇させる。なお比較的大きめの熱容量をもつ−側プローブ２４を瞬時に温度上昇させられるわけではないので、いったん−側プローブ２４を−電極１７から離し、ヒーター２５で温度を上昇させてから再び−電極１７に接触させる。
【００３３】
再接触後も＋側プローブ２３から−側プローブ２４の間には定電流が印加され続け、電圧計２６は図中のパルスで示した測定タイミングで順方向電圧Ｖｆを測定する。なお高速で複数回の電圧測定が行われるので測定値はいったん電圧計２６のメモリに格納される。制御判定手段３３は所定の時間が経過したら定電流源２７の電流印加と電圧計２６の電圧測定を停止し、電圧計２６の測定値を取り込み記憶する。最後に制御判定手段３３は記憶しておいた加熱前後の測定値（順方向電圧Ｖｆ）の傾向に基づいて接続の良否判定を行う。
【００３４】
半導体層１３のＰＮジャンクションの温度Ｔは加熱された−側プローブ２４が−電極１７に接触すると直ぐに上昇し始める。このとき−電極１７からＮ側バンプ１４を経て半導体層１３に至る経路において接続が良好な良品であれば温度は急速に上昇する。これに対
し接続に不具合がある不良品の場合は温度上昇が遅くなることがある。しかしながら接続不良が軽微な場合は熱平衡に達すると良品と同じ温度になってしまうことがある。ＬＥＤ装置１０の構造にもよるが概ね数ｍｓ以内には熱平衡になる。
【００３５】
ＰＮジャンクションの温度Ｔが変化すると順方向電圧Ｖｆも変化する。このとき温度Ｔが上昇すると順方向電圧Ｖｆは低下する。順方向電圧Ｖｆのサンプリングは１００〜２００μｓ程度の間隔で複数回行う。図中測定点を黒点で示した。温度Ｔと同様に良品の順方向電圧Ｖｆに対し、不良品の順方向電圧Ｖｆは下降速度が遅くなる。ここで複数のタイミングで順方向電圧Ｖｆを測定したのは、精度向上とともに、−側プローブ２４が−電極１７に接触したタイミングを推定するためである。つまり−側プローブ２４の接触が機械的に行われるため接触タイミングを高精度で知ることが困難になっているなかで、測定を数ｍｓ以内に完了させることが要請されているからである。
【００３６】
以上のように本実施形態では、軽微な接続不良も判別できるように、温度Ｔが上昇する期間（過渡状態）で測定の主要部が完了する。なお定電流源２７からは電圧測定の前後、一定電流が流れ続けているがＰＮジャンクション温度Ｔに大きな影響を与えないよう小さな値（例えば数１００μＡ）にしている。また良否判定は順方向電圧の絶対値よりも、測定値と初期値との差ΔＶｆを使った方が良い場合がある。−電極１７から半導体層１３に至る経路は熱抵抗が高いので過渡的な測定で接続状態を的確に判定しやすい。
【００３７】
本実施形態では接続状態と相関する電気量としてダイオードの順方向電圧Ｖｆを選んだ。順方向電圧Ｖｆは温度変化に対し顕著に変わるので都合が良い。しかしながら接続状態と相関する電気量は順方向電圧に限られず、例えば抵抗値であっても良い。また加熱後の電気量測定は一回であっても良いが、前述のように複数回測定することで測定精度及び良否判断に係わる精度を向上できる。また半導体素子を通過する熱流が大きい場合、熱平衡後の電気量測定でも接続状態の良否判断ができるが、微小な接続不良を発見するには前述のように過渡的な状況でデータ収集することが好ましい。
【００３８】
本実施形態では順方向電圧Ｖｆの初期値を測ってから、いったん測定プローブ２４をＬＥＤ装置１０から離し、測定プローブ２４を加熱してから再びＬＥＤ装置１０に接触させ順方向電圧Ｖｆの変化状況を観察していた。この方法は精度の良い初期値が得られるという特徴があるが、測定プローブ２４の温度制御に時間が掛かるという課題がある。そこで量産時には、常時測定プローブ２４を加熱しておき、測定プローブ２４が接触して最初に得られる順方向電圧を常温における初期値とみなし、その後の温度上昇にともなう順方向電圧Ｖｆの変化を観察しても良い。この方法は測定プローブ２４が常時高温であるためＬＥＤ素子一個当たりにかける検査時間を短縮できる。
（第２実施形態）
【００３９】
第１実施形態の検査系では接続不良を順方向電圧Ｖｆの異常に基づいて判定していた。前述したように接続不良があると温度上昇が遅くなる。なお、接続面積が小さいほどその傾向が大きくなり、さらに接続不良も起き易い。つまり接続不良を判断するのに、接続面積の小さい方の電極を加熱し、過渡的な温度上昇を直接的に計測することが好ましい。
【００４０】
また図３で示した第１実施形態の検査系では一個のＬＥＤ装置１０を検査対象としていた。このＬＥＤ装置１０は、回路基板１９が連結して配列した集合基板にＬＥＤ素子２０を配置し、蛍光樹脂１１を集合基板にモールドしてから、集合基板を切断し個片化して製造することが多い。製造途中で接続状態を確認するため、集合基板状態で個別のＬＥＤ装置１０（切断前）の−電極１７を加熱し順方向電圧Ｖｆの測定や温度上昇パターンの観察を行っても良い。このとき集合基板において、隣接する回路基板１９に含まれる−電極１７同士が共通配線を備える場合、ＬＥＤ素子２０のＮ側バンプ１４と接続する−電極１７
への加熱を簡便化できる。
【００４１】
そこで第２及び第３実施形態により、多数のＬＥＤ素子２０を実装した集合基板であって、ＬＥＤ素子２０の一方の電極同士が集合基板上の共通配線で接続し、共通配線を通して各ＬＥＤ素子２０の一方の電極を加熱し、ＬＥＤ素子２０の温度上昇を観察して接続の良否判断を行う検査方法を説明する。
【００４２】
先ず図５及び図６で本発明の第２実施形態を説明する。図５は本発明の第２実施形態における検査系の斜視図である。図５において集合基板６１上にはＬＥＤ素子２０がマトリクス状に配列している。ここでＬＥＤ素子２０に蛍光樹脂１１をモールドしていない。集合基板６１上には赤外線カメラ５１が配置されている。集合基板６１の左側ではヒータープローブ６２の先端が接触している。
【００４３】
赤外線カメラ５１は、ＬＥＤ素子２０が発する赤外線強度からＬＥＤ素子２０の温度を測定する。この赤外線カメラ５１は時間分解能が２５μｓ程度ものを入手可能できる。ヒータープローブ６２は図示していない共通配線を加熱し、共通配線を熱伝導経路としてＬＥＤ素子２０のＮ側バンプ１４（図１等参照）を加熱する。この検査系では、ヒータープローブ６２による共通配線の加熱直後から赤外線カメラ５１で同時に複数のＬＥＤ素子２０の温度上昇を観察する。集合基板６１の板材は、樹脂など共通配線に比べ熱抵抗の大きいものが検査しやすい。
【００４４】
図６によりさらに具体的に検査系を説明する。図６は図５の検査系に含まれる集合基板６１の説明図である。（ａ）は集合基板６１の平面図とともにヒータープローブ６２の加熱箇所を示している。集合基板６１上にはＬＥＤ素子２０がマトリクス状に配列し、横一列に並んだＬＥＤ素子２０のＮ側バンプ１４（図示せず）が−電極１７（図示せず）を介して共通配線６３により接続している。ヒータープローブ６２は共通配線６３の一端を加熱する。なお共通配線６３は、−及び＋電極１７，１６を電解メッキするためのメッキ用共通電極の左右両端部を検査前に切断したものである。図示していないが、共通配線６３の左側にヒータープローブ６２の接触領域、右側に温度測定用のモニター領域を設けておくと良い。このようにすると共通配線６３の熱抵抗のバラツキを補正できるようになり、より良否判断が的確になる。
【００４５】
図６（ｂ）は集合基板６１の正面図とともに、ヒータープローブ６２及び赤外線カメラ５１を示している。図６では共通配線６３が上面にある場合を想定しているが、共通配線は集合基板６１の下面にあっても良い。この場合、ヒータープローブ６２は集合基板６１の下面から接触する。
（第３実施形態）
【００４６】
第２実施形態では共通配線６３をヒータープローブ６２で加熱していた。加熱方法はヒータープローブ６２に限られず、例えば通電であっても良い。そこで通電を利用した加熱法を採用した第３実施形態を図７で説明する。図７は本発明の第３実施形態における検査系の説明図である。（ａ）は集合基板６１の平面図とともに通電用の電流印加端子６４と電源６５を示している。図６で示した第２実施形態の検査系との主な違いは、共通配線６３の両端に電流印加端子６４が接触していることである。この電流印加端子６４へは電源６５から電流が供給される。（ｂ）は集合基板６１の正面図とともに、電流印加端子６４、電源６５及び赤外線カメラ５１を示している。図７では共通配線６３が上面にある場合を想定しているが、共通配線は集合基板６１の下面にあっても良い。
【００４７】
１０ｃｍ角程度の集合基板６１の場合、共通配線６３は数ｍΩ程度にしておく。電流印加は急峻なパルス状にでき、共通配線６３を短時間で一様に加熱できるため、セラミック
や金属等の熱抵抗の低い板材であっても検査できるようになる。また共通配線６３の抵抗値を予め計測し、電流値を調整しても良い。
（第４実施形態）
【００４８】
第１実施形態では一方の電極を加熱し順方向電圧Ｖｆの過渡的な変化を観察することにより接続不良を判断していた。第２，３実施形態では一方の電極を加熱しＬＥＤ素子２０の温度の過渡的な変化を観察することにより接続不良を判断していた。一方の電極を加熱し順方向電圧Ｖｆと温度の過渡的変化を同時に測定すれば、接続不良に係わる判断が的確になる。そこで図８により順方向電圧Ｖｆと温度の過渡的変化を同時に測定する本発明の第４実施形態を説明する。
【００４９】
図８は、図１に示したＬＥＤ装置１０の順方向電圧Ｖｆの測定とともに温度上昇を観察し、ＬＥＤ装置１０の接続状態を検査するシステムを示す説明図である。図８は図３で示した検査システムに赤外線カメラ５１を追加したものである。赤外線カメラ５１は、ＬＥＤ装置１０の上方に配置され、ＬＥＤ装置１０が発する赤外線強度からＬＥＤ装置１０の上面の温度分布を測定する。赤外線カメラ５１の時間分解能として２５μｓ程度のものが入手可能である。赤外線カメラ５１は制御判定手段５２との間で制御信号及びデータをやり取りする。制御判定手段５２の他の機能は図３の制御判定手段３３と等しい。すなわち制御判定手段５２は、第１実施形態と同じ手順で測定した順方向電圧Ｖｆとともに、赤外線カメラ５１から送られて来るＬＥＤ装置１０の温度上昇パターンを記憶し、この記憶したパターンデータと、予め良品として記憶しておいた順方向電圧ＶＦの変化パターン及び温度上昇パターンとを比較し良否判断する。
【００５０】
なお本実施形態ではＬＥＤ素子２０が発光しているため、発光による赤外線が存在していること、及び蛍光樹脂１１でモールドしているため、赤外線測定においてノイズの増加や空間的分解能の低下が起きる。しかしながら単個のＬＥＤ装置１０を検査する場合は、赤外線カメラ５１の空間的分解能を高くできるので、発熱パターン（温度分布）を詳細に確認することで接続不良の判定の的確性を維持できる。
【００５１】
第１〜４実施形態では突起電極を半導体素子側に設けていた。回路基板側に突起電極を設け、その突起電極に半導体素子をフリップチップ実装しても良い。しかしながら半導体素子側に突起電極を設けた方が、素子が密集したウェハー状態で突起電極を形成できるため生産効率が高くなり好ましい。
【００５２】
第１〜４実施形態において、加熱する経路に含まれる素子側電極と回路基板との接続部の面積は、加熱しない経路中の素子側電極と回路基板との接続部の面積より小さかった。加熱する経路中の接続部の面積が加熱しない経路中の接続部の面積と等しいか、大きくても、一方の経路だけ加熱し、加熱後の順方向電圧Ｖｆを測定したり、温度上昇を観察したりして接続の良否判断を行うことは可能である。なお一方の経路の接続部の面積が他方の経路の接続部の面積が異なっていれば、それぞれの経路を別々に加熱することで違った結果が得られることから不良原因の解析も容易になる。また前述したように多くの場合、接続面積の小さい方の接続部に接続不良が集中するので、接続面積の小さい方の経路だけを加熱し検査すれば不良検出率が高い状態で検査工程を短くすることができる。なおバンプサイズ（素子側の電極）が異なるという特徴はＬＥＤ素子が半導体素子のなかで代表的なものである。
【００５３】
第１〜４実施形態では半導体素子としてＬＥＤ素子で説明してきたが、半導体素子は、電極間に多くの場合寄生ダイオード、寄生抵抗が存在するので、本発明の検査方法はＬＥＤ素子以外の半導体素子を実装した半導体装置にも適用できる。特に端子間がダイオード特性を示す半導体素子の場合、順方向電圧Ｖｆを測定対象とできるので好ましい。また第
１の電極を加熱する手法は、測定用のプローブを経由した加熱や接触式のヒータープローブに限らず、レーザー、光、赤外線等を放射する非接触式ヒータープローブを用いても良い。この場合、直接的に接続面積の小さい方の電極を加熱しても良い。
【符号の説明】
【００５４】
１０…ＬＥＤ装置（半導体装置）、
１１…蛍光樹脂、
１２…サファイア基板、
１３…半導体層、
１４…Ｎ側バンプ、
１５…Ｐ側バンプ、
１６…＋電極、
１６ａ，１７ａ…スルーホール、
１７…−電極、
１８…板材、
１９…回路基板、
２０…ＬＥＤ素子、
２１…Ｎ型半導体層、
２２…Ｐ側半導体層、
２３…＋側プローブ、
２４…−側プローブ、
２５…ヒーター、
２６…電圧計
２７…定電流源、
２９，６５…電源、
３１…印加手段、
３３，５２…制御判定手段、
５１…赤外線カメラ、
６１…集合基板、
６２…ヒータープローブ、
６３…共通配線、
６４…電流印加端子。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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