(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面に光半導体素子を実装するための実装領域を有する基体と、
前記実装領域を囲むように前記基体の上面に設けられた、内周面および外周面に開口する貫通孔を有する金属からなる枠体と、
前記貫通孔に固定された、光ファイバが固定される筒状の固定部材とを備え、
前記枠体は、前記固定部材の下方に位置する部分の厚みよりも厚みの大きい肉厚部を前記固定部材の上方に有することを特徴とする素子収納用パッケージ。
【請求項２】
前記枠体および前記固定部材を平面透視した場合に、前記固定部材の挿入方向に直交する方向における前記肉厚部の幅が、前記固定部材の挿入方向に直交する方向における前記固定部材の幅よりも大きいことを特徴とする請求項１に記載の素子収納用パッケージ。
【請求項３】
前記基体の上面に垂直かつ前記固定部材の挿入方向に平行で、前記固定部材の中心軸を含む断面において前記枠体および前記固定部材を断面視した場合に、前記固定部材の上面側における前記固定部材と前記枠体との接合長さが前記固定部材の下面側における前記固定部材と前記枠体との接合長さよりも大きいことを特徴とする請求項１に記載の素子収納用パッケージ。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１つに記載の素子収納用パッケージと、
前記実装領域に実装された光半導体素子と、
前記枠体に接合された、金属からなり前記光半導体素子を封止する蓋体とを備えたモジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子のような電子部品を収納する素子収納用パッケージおよびこれを備えたモジュールに関する。このような素子収納用パッケージは各種電子機器に用いられる。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子を収納する素子収納用パッケージとしては、例えば、特許文献１に記載された半導体素子収納用パッケージが知られている。特許文献１に記載されたパッケージは、基体と、側部に貫通孔が形成された金属からなる枠体と、貫通孔に取着された、光ファイバが固定される筒状の固定部材とを備えている。このようなパッケージは、基体上に光半導体素子を実装するとともに枠体の上面に金属からなる蓋体を取着することによって光半導体装置として用いられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００４−２００２４２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に記載のパッケージのように金属からなる枠体に金属からなる蓋体を取着する場合、シーム溶接のような抵抗溶接あるいはレーザ溶接によって蓋体が枠体に接合される。しかしながら、近年パッケージの小型化が進んでおり、固定部材の厚みも小さくなってきている。このように固定部材の厚みが小さい場合、蓋体を枠体に溶接する際に枠体に生じる熱応力によって、枠体が変形して固定部材が変形する可能性が高くなる。基体上に光半導体素子を実装している場合、固定部材が変形することによって光ファイバのような電気信号の入出力部材と光半導体素子との間での信号の入出力が精度の低いものとなる可能性がある。
【０００５】
本発明は、上記の課題に鑑みてなされたものであり、素子収納用パッケージを小型化した場合であっても固定部材が変形することを抑制できる素子収納用パッケージを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一態様にかかる素子収納用パッケージは、上面に光半導体素子を実装するための実装領域を有する基体と、前記実装領域を囲むように前記基体の上面に設けられた、金属部材からなり内周面および外周面に開口する貫通孔を有する枠体と、前記貫通孔に挿入されるとともに前記枠体に接合された、光ファイバが固定される筒状の固定部材とを備えている。また、前記枠体が、前記固定部材の上方に位置して前記固定部材の下方に位置す
る部分の厚みよりも厚みの大きい肉厚部を有することを特徴としている。
【発明の効果】
【０００７】
上記の態様にかかる素子収納用パッケージでは、枠体が、固定部材の上方に位置して固定部材の下方に位置する部分の厚みよりも厚みの大きい肉厚部を有している。そのため、本態様のパッケージに金属からなる蓋体を溶接した場合であっても、肉厚部においては枠体が変形しにくいので、肉厚部の下方に位置する固定部材に熱応力が伝わりにくく、固定部材が変形しにくくなる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の第１の実施形態にかかる素子収納用パッケージおよびモジュールを示す分解斜視図である。
【図２】図１に示す素子収納用パッケージの平面図である。
【図３】図１に示す素子収納用パッケージのＸ−Ｘ断面図である。
【図４】図３に示す素子収納用パッケージの領域Ａを示す拡大断面図である。
【図５】図３に示す素子収納用パッケージの第１の変形例を示す断面図である。
【図６】図３に示す素子収納用パッケージの第２の変形例を示す断面図である。
【図７】図２に示す素子収納用パッケージの第３の変形例を示す平面図である。
【図８】図３に示す素子収納用パッケージの第４の変形例を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本発明の一実施形態にかかる素子収納用パッケージならびにこれを備えたモジュールおよび半導体装置について、図面を用いて詳細に説明する。但し、以下で参照する各図は、説明の便宜上、本実施形態を説明するために必要な主要部材のみを簡略化して示したものである。したがって、本発明に係る素子収納用パッケージは、本明細書が参照する各図に示されていない任意の構成部材を備え得る。また、各図中の部材の寸法は、実際の構成部材の寸法および各部材の寸法比率等を忠実に表したものではない。
【００１０】
図１〜４に示すように、本実施形態にかかる素子収納用パッケージ１は、上面に半導体素子３を実装するための実装領域を有する基体５と、実装領域を囲むように基体５の上面に設けられた、金属部材からなり内周面および外周面に開口する貫通孔７ａを有する枠体７と、貫通孔７ａに挿入されるとともに枠体７に接合された、信号入出力部材が固定される筒状の固定部材９とを備えている。そして、枠体７が、固定部材９の上方に位置して固定部材９の下方に位置する部分の厚みよりも厚みの大きい肉厚部１１を有することを特徴としている。
【００１１】
このように本実施形態の素子収納用パッケージ１では、枠体７が、固定部材９の上方に位置して固定部材９の下方に位置する部分の厚みよりも厚みの大きい肉厚部１１を有している。そのため、本態様のパッケージ１を用いたモジュール１０１を作製する工程上で、金属からなる蓋体１０３を枠体７に溶接した場合であっても、肉厚部１１においては枠体７が変形しにくいので、肉厚部１１の下方に位置する固定部材９に熱応力が伝わりにくく、固定部材９が変形しにくくなる。
【００１２】
本実施形態のモジュール１０１は、上記の実施形態に代表される素子収納用パッケージ１と、素子収納用パッケージ１の実装領域に実装された半導体素子３と、枠体７と接合された、金属からなり半導体素子３を封止する蓋体１０３とを備えている。
【００１３】
また、本実施形態の半導体装置２０１は、上記の実施形態に代表されるモジュール１０１と、固定部材９に接合固定された、信号入出力部材として光ファイバが挿入固定される筒状のフェルール２０３と、を備えている。
【００１４】
本実施形態における基体５は、略四角板形状であって、主面上に半導体素子３が実装される実装領域を有している。具体的には、本実施形態における基体５は、四角板形状の部分と、この四角板形状の部分の四隅にそれぞれ側方に引き出されてネジ止め孔１３が形成された部分とを有する形状となっている。このネジ止め孔１３によってパッケージ１を搭載基板２０５にネジ止めすることにより、パッケージ１を搭載基板２０５に固定することができる。基体５が平板形状である場合、その大きさを、例えば一辺５ｍｍ以上５０ｍｍ以下に設定することができる。また、基体５の厚みとしては、例えば、０．２ｍｍ以上２ｍｍ以下に設定することができる。
【００１５】
本実施形態において実装領域とは、基体５を平面視した場合に半導体素子３と重なり合う領域を意味している。本実施形態のパッケージ１においては実装領域が主面の中央部に形成されているが、半導体素子３が実装される領域を実装領域としていることから、例えば、基体５の主面の端部に実装領域が形成されていても何ら問題ない。また、本実施形態の基体５は一つの実装領域を有しているが、基体５が複数の実装領域を有し、それぞれの実装領域に半導体素子３が実装されていてもよい。
【００１６】
本実施形態のモジュール１０１においては、基体５の主面における実装領域に半導体素子３が配設されている。入出力端子などを介して半導体素子３と外部電気回路（不図示）との間で信号の入出力を行うことができる。半導体素子３としては、例えば光半導体素子、具体的には、ＬＤ素子に代表される、光ファイバに対して光を出射する発光素子、ＰＤ素子に代表される、光ファイバに対して光を受光する受光素子が挙げられる。信号入出力部材として光ファイバを用いるとともに半導体素子３として光半導体素子を用いた場合には、モジュール１０１を光モジュールとして用いることができる。
【００１７】
基体５の主面に直接に半導体素子３が配設される場合には、基体５としては、少なくとも半導体素子３が配設される部分には高い絶縁性を有していることが求められる。本実施形態にかかる基体５は、高い絶縁性を有する絶縁性基板５ａを具備している。そして、この基体５の実装領域に半導体素子３が実装される。絶縁性基板５ａとしては、例えば、酸化アルミニウム質焼結体、ムライト質焼結体、炭化珪素質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体および窒化珪素質焼結体のようなセラミック材料、又はガラスセラミック材料を用いることができる。
【００１８】
これらのガラス粉末およびセラミック粉末を含有する原料粉末、有機溶剤並びにバインダを混ぜることにより混合部材を作製する。この混合部材をシート状に成形することにより複数のセラミックグリーンシートを作製する。作製された複数のセラミックグリーンシートを約１６００度の温度で一体焼成することにより絶縁性基板５ａが作製される。なお、絶縁性基板５ａとしては、一つの絶縁性の部材によって形成された構成に限られるものではない。複数の絶縁性部材が積層された構成であってもよい。
【００１９】
また、半導体素子３が直接に基体５の上面に実装されても良いが、本実施形態のパッケージ１のように、基体５の実装領域上に配設された、半導体素子３を実装するための実装基板１５を備えて、モジュール１０１として、この実装基板１５上に半導体素子３が搭載されていても良い。実装基板１５としては、絶縁性部材と同様に絶縁性の良好な部材を用いることが好ましく、例えば、酸化アルミニウム質焼結体、ムライト質焼結体、炭化珪素質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体および窒化珪素質焼結体のようなセラミック材料、又はガラスセラミック材料を用いることができる。
【００２０】
このような実装基板１５を備えている場合には、基体５として絶縁性部材ではなく、鉄、銅、ニッケル、クロム、コバルト及びタングステンのような金属部材、或いはこれらの金属からなる合金を用いることもできる。例えば、本実施形態のパッケージ１においては、基体５が金属部材からなる金属基板５ｂと、金属基板５ｂの上面に配設された絶縁性基板５ａとによって構成されている。また、本実施形態における金属基板５ｂは接地されており、アース電極として機能している。
【００２１】
本実施形態のパッケージ１は、実装領域を囲むように基体５の上面に設けられた枠体７を備えている。枠体７としては、例えば、鉄、銅、ニッケル、クロム、コバルトおよびタングステンのような金属部材、或いはこれらの金属からなる合金を用いることができる。このような金属部材のインゴットに圧延加工法、打ち抜き加工法のような金属加工法を施
すことによって枠体７を構成する金属部材を作製することができる。また、枠体７は、一つの部材からなっていてもよいが、複数の部材を接合してなる構造であってもよい。
【００２２】
本実施形態の素子収納用パッケージ１は、基体５および枠体７の間に位置して、基体５および枠体７を接合する接合部材（不図示）を備えている。接合部材としては、例えばロウ材を用いることができる。例示的なロウ材としては、ＡｕＳｎが挙げられる。また、基体５および枠体７が金属部材からなる場合、別体形成した後に接合しても良いが、一体形成されていてもよい。
【００２３】
また、枠体７は、その内周面および外周面に開口する貫通孔７ａを有している。貫通孔７ａは、例えばドリル孔あけ加工によって枠体７に形成することができる。貫通孔７ａには筒状の固定部材９が固定される。具体的には、貫通孔７ａに固定部材９の一方の端部を挿入するとともに貫通孔７ａの表面に固定部材９を接合することによって、筒状の固定部材９を貫通孔７ａに固定している。筒状の固定部材９は、光ファイバのような信号入出力部材もしくはフェルール２０３を固定して位置決めを図るための部材である。また、固定部材９が筒状であることによって、この筒形状の中空部分で半導体素子３と信号入出力部材（光ファイバ）との間での光の伝達を行うことができる。
【００２４】
なお、筒状の固定部材９を貫通孔７ａに固定する方法として、上述の通り、貫通孔７ａに固定部材９の一方の端部を挿入しても良いが、図５に示すように、枠体７の外側面における貫通孔７ａの開口部の周囲に固定部材９の一方の端部を固定することによって、筒状の固定部材９を貫通孔７ａに固定してもよい。また、貫通孔７ａに固定部材９の一方の端部を挿入することによって、筒状の固定部材９を貫通孔７ａに固定する場合、固定部材９の一方の端部は、図３，４に示すように枠体７の内側面と外側面の間に位置していてもよく、また、図６に示すように、枠体７の内側面よりも内側に突出していてもよい。
【００２５】
本実施形態のパッケージ１における枠体７は、固定部材９の下方に位置する部分の厚みよりも厚みの大きい肉厚部１１を固定部材９の上方に有している。本実施形態のパッケージ１においては、具体的には、図２〜４に示すように四角枠形状である枠体７において、貫通孔７ａが形成されている側の部分で、固定部材９よりも上方に位置する部分の厚みＤ１が、固定部材９よりも下方に位置する部分の厚みＤ２よりも厚く、厚みの大きい肉厚部１１となっている。なお、本実施形態における枠体７の「厚み」とは、図４に示すように、枠体７の内側面と外側面との間の距離を意味している。
【００２６】
このように、枠体７が相対的に厚みの大きい肉厚部１１を固定部材９の上方に有していることから、本態様のパッケージ１を用いたモジュール１０１を作製する工程上で、金属からなる蓋体１０３を枠体７に溶接した場合であっても、肉厚部１１の下方に位置する固定部材９に熱応力が伝わりにくく、固定部材９が変形しにくくなる。
【００２７】
肉厚部１１の厚みＤ１は、固定部材９よりも下方に位置する部分の厚みＤ２よりも厚ければ特に限定されるものではないが、特に、肉厚部１１の厚みＤ１が固定部材９よりも下方に位置する部分の厚みＤ２に対して１．１倍以上であることが好ましい。肉厚部１１の下方に位置する固定部材９に熱応力が伝わることを安定して抑制できるからである。また、肉厚部１１の厚みＤ１が固定部材９よりも下方に位置する部分の厚みＤ２に対して大きいほど固定部材９に熱応力が伝わることを抑制できるが、パッケージ１を小型化するとともに半導体素子３の基体５への実装を容易にするために、肉厚部１１の厚みＤ１が固定部材９よりも下方に位置する部分の厚みＤ２に対して３倍以下程度であることが好ましい。
【００２８】
本実施形態のパッケージ１における枠体７は、図２〜４に示すように、平面視した場合の内側面および外側面がそれぞれ四角形状である。そして、枠体７の、貫通孔７ａが形成
されている側の辺の領域において、固定部材９よりも上方に位置する部分の全体が固定部材９よりも下方に位置する部分の厚みよりも厚みの大きい肉厚部１１となっている。言い換えれば、枠体７の、貫通孔７ａが形成されている側の側面領域を間に挟む２つの側面領域の一方から他方に向かって肉厚部１１が形成されている。
【００２９】
そのため、枠体７および固定部材９を平面透視した場合に、固定部材９の挿入方向に直交する方向における肉厚部１１の幅Ｗ１が、固定部材９の挿入方向に直交する方向における固定部材９の幅Ｗ２よりも大きい構成となっている。肉厚部１１が上記のように形成されている場合、枠体７における固定部材９の直上に位置する部分全体が肉厚部１１となるので、蓋体１０３を枠体７に接合する際に枠体７に加わる応力が固定部材９に伝わることを安定して抑制できる。
【００３０】
なお、本実施形態のパッケージ１における枠体７は、上述の通り、枠体７の、貫通孔７ａが形成されている側の辺の領域において、固定部材９よりも上方に位置する部分の全体が固定部材９よりも下方に位置する部分の厚みよりも厚みの大きい肉厚部１１となっているが、これに限られるものではない。例えば、図７に示すように、枠体７の、貫通孔７ａが形成されている側の辺の領域の一部が、固定部材９よりも上方に位置する部分の全体が固定部材９よりも下方に位置する部分の厚みよりも厚みの大きい肉厚部１１となっている場合であっても、枠体７における固定部材９の直上に位置する部分全体が肉厚部１１であれば同様の効果が得られる。但し、肉厚部１１の下方に位置する固定部材９に熱応力が伝わることを安定して抑制するためには、幅Ｗ１が幅Ｗ２に対して１．２倍以上であることが好ましい。
【００３１】
また、基体５の上面に垂直かつ固定部材９の挿入方向に平行であって固定部材９の中心軸を含む断面において枠体７および固定部材９を断面視した場合に、図８に示すように、枠体７のうち固定部材９よりも上方に位置する部分であって上面を含む一部が肉厚部１１であっても良いが、図３，４に示すように、枠体７のうち固定部材９よりも上方に位置する部分であって固定部材９と接する部分が肉厚部１１であることが好ましい。言い換えれば、基体５の上面に垂直かつ固定部材９の挿入方向に平行であって固定部材９の中心軸を含む断面において枠体７および固定部材９を断面視した場合に、固定部材９の上面側における固定部材９と枠体７との接合長さ（図４におけるＤ３）が固定部材９の下面側における固定部材９と枠体７との接合長さ（図４におけるＤ２）よりも大きいことが好ましい。
【００３２】
蓋体１０３を枠体７に接合する際に枠体７に加わる応力は、上方から固定部材９に伝わる。そのため、上記の断面における、枠体７から固定部材９へと応力が伝わる面である固定部材９の上面側での固定部材９と枠体７との接合面における接合長さが、固定部材９の下面側における固定部材９と枠体７との接合長さよりも大きいことによって、枠体７全体の厚みを大きくすることなく、効率よく枠体７から固定部材９へと伝わる応力を固定部材９の広範囲に分散させることができるからである。
【００３３】
固定部材９と枠体７との接合長さＤ３は、固定部材９と枠体７との接合長さＤ２よりも長ければ特に限定されるものではないが、特に、接合長さＤ３が接合長さＤ２に対して１．１倍以上であることが好ましい。接合長さＤ３が接合長さＤ２に対して１．１倍以上である場合には、肉厚部１１の下方に位置する固定部材９に熱応力が伝わることを安定して抑制できるからである。また、接合長さＤ３が接合長さＤ２に対して大きいほど固定部材９に熱応力が伝わることを抑制できるが、枠体７全体の厚みを大きくすることなく、パッケージ１を小型化するために、接合長さＤ３が接合長さＤ２に対して３倍以下程度であることが好ましい。
【００３４】
固定部材９としては、少なくとも信号入出力部材を固定できる程度の強度を有している
ことが好ましい。具体的には、ステンレス、鉄、銅、ニッケル、クロム、コバルト及びタングステンのような金属部材、或いはこれらの金属からなる合金を用いることができる。このような金属部材のインゴットに圧延加工法、打ち抜き加工法のような金属加工法を施すことによって筒状の固定部材９を作製することができる。
【００３５】
特に、枠体７と固定部材９とが、同じ金属部材を用いて形成されていることが好ましい。枠体７及び固定部材９の熱膨張差を小さくすることができるので、枠体７と固定部材９との間に生じる応力を小さくすることができるからである。
【００３６】
固定部材９は枠体７にロウ材を用いて接合することによって枠体７に固定することができる。ロウ材としては、例えば、ＡｕＳｎを用いることができる。また、固定部材９を枠体７に溶接することによって、枠体７に固定部材９を固定してもよい。
【００３７】
信号入出力部材として光ファイバを用いる場合、固定部材９の筒内部には、固定部材９の穴を塞ぐように透光性部材（不図示）を配設してもよい。透光性部材は固定部材９の内側を塞ぎ、素子収納用パッケージ１の気密性を保持するとともに固定部材９の内部空間を伝達する半導体素子３の励起した光をそのまま固定部材９に取着接続される光ファイバに伝達させる作用をなす。透光性部材としては、例えば、酸化珪素、酸化鉛を主成分とした鉛系及びホウ酸、ケイ砂を主成分としたホウケイ酸系の非晶質ガラスを用いることができる。
【００３８】
本実施形態のモジュール１０１の使用時においては、固定部材９の他方の端部にフェルール２０３が固定される。フェルール２０３は、固定部材９の筒の内部に対して一方の端部が開口する貫通孔を有している。そして、この貫通孔に光ファイバが挿入固定される。このようにフェルール２０３が固定部材９に挿入固定されていることによって、光ファイバと半導体素子３との光学結合を行うことができる。
【００３９】
フェルール２０３としては、例えば、ジルコニア、アルミナ等のセラミック材料をもちいることができる。また、光ファイバとしては、石英ガラスのような透光性の材料を用いることができる。なお、本実施形態におけるフェルール２０３は筒状の固定部材９の内周面に固定されているが、これに限られるものではない。例えば、固定部材９の他方の端部の端面にフェルール２０３を接合することによって固定してもよい。
【００４０】
また、本実施形態のパッケージ１は、基体５の上面から下面にかけて設けられた複数の回路導体１７を備えている。複数の回路導体１７のそれぞれの一方の端部は基体５の上面に露出している。また、複数の回路導体１７のそれぞれの他方の端部は基体５の下面に露出している。回路導体１７は、半導体素子３が発した電気信号を基体５の上面から下面に伝送する機能を、もしくは外部から入力された電気信号を基体５の下面から上面に伝送する機能を有している。
【００４１】
本実施形態のモジュール１０１における回路導体１７は、ボンディングワイヤ１０５を介して半導体素子３に電気的に接続されている。しかしながら、回路導体１７と半導体素子３との電気的な接続は、ボンディングワイヤ１０５に限られるものではない。例えば、実装領域に基体５の上面における実装領域に回路導体１７を引き回して、ボンディングワイヤ１０５を用いることなく、いわゆるフリップチップ接合によって半導体素子３に直接接続されていても良い。
【００４２】
回路導体１７としては、導電性の良好な部材を用いることが好ましい。具体的には、タングステン、モリブデン、ニッケル、マンガン、銅、銀および金のような金属材料を回路導体１７として用いることができる。上記の金属材料を単一で用いてもよく、また、合金
として用いてもよい。
【００４３】
回路導体１７は、例えば次の様にして形成される。まず、基体５の上面および下面の間を貫通する貫通孔７ａを形成するとともに、この貫通孔７ａに金属ペーストを配設する。貫通孔７ａに金属ペーストを配設する方法としては、周知の吸引法等を用いればよい。回路導体１７は、金属材料が貫通孔７ａの内部全体に充填されるようにして形成されてもよい。また、貫通孔７ａの内壁を覆うように形成されて内周側に空洞が形成されるように配設されてもよい。また、回路導体１７のうち基体５の上面または下面に形成される部分は、周知の印刷法等を用いて基体５に印刷することによって形成される。
【００４４】
基体５の下面には接続導体１９が配設されている。接続導体１９は、一方の端部が回路導体１７に電気的に接続されるとともに、他方の端部が枠体７の側方に引き出されている。接続導体１９における、枠体７の側方に引き出された端部は、搭載基板２０５上に形成された配線導体２０７に接続される。
また、基体５における金属基板５ｂの一部が接続導体１９と平行となるように、枠体７の側方に引き出されており、金属基板５ｂにおける枠体７の側方に引き出された部分と、接続導体１９とによってコプレーナ線路が形成されている。
【００４５】
本実施形態のモジュール１０１は、枠体７と接合された蓋体１０３を備えている。蓋体１０３は、金属からなり、半導体素子３を封止するように設けられている。具体的には、蓋体１０３は、枠体７の上面に接合されている。そして、基体５、枠体７および蓋体１０３で囲まれた空間に半導体素子３を封止している。このように半導体素子３を封止することによって、長期間のパッケージ１の使用による半導体素子３の劣化を抑制することができる。蓋体１０３としては、例えば、鉄、銅、ニッケル、クロム、コバルト及びタングステンのような金属部材、或いはこれらの金属からなる合金を用いることができる。
【００４６】
金属からなる蓋体１０３は、シーム溶接のような抵抗溶接あるいはレーザ溶接によって金属からなる枠体７に接合されるが、本実施形態のモジュール１０１におけるパッケージ１では、枠体７が、固定部材９の上方に位置して固定部材９の下方に位置する部分の厚みよりも厚みの大きい肉厚部１１を有している。そのため、本態様のパッケージ１に金属からなる蓋体１０３を溶接した場合であっても、肉厚部１１においては枠体７が変形しにくいので、肉厚部１１の下方に位置する固定部材９に熱応力が伝わりにくく、固定部材９が変形しにくくなる。
【００４７】
枠体７と蓋体１０３を枠体７に溶接する場合だけでなく、枠体７と蓋体１０３とを、例えば、ＡｕＳｎロウを用いて接合する場合においても、ロウ材を溶融させることによって熱が生じるが、この熱に起因する熱応力が固定部材９に伝わることも抑制できる。
【００４８】
本実施形態のモジュール１０１は、パッケージ１が搭載される搭載基板２０５を備えている。搭載基板２０５の上面には、半導体素子３と電気的に接続される配線導体２０７が形成されている。配線導体２０７は、上述の通り、基体５の下面に配設された接続導体１９に接続されている。また、搭載基板２０５には、パッケージ１を搭載基板２０５上に搭載した場合に、ネジ止め孔１３に対応する位置に穴部２０５ａが形成されている。パッケージ１におけるネジ止め孔１３および搭載基板２０５における穴部２０５ａをネジ止めすることによって、パッケージ１を搭載基板２０５に強固に固定することができる。
【００４９】
また、搭載基板２０５の上面には、配線導体２０７を間に挟むように一対の接地導体２０９が形成されている。一対の接地導体２０９はそれぞれ、上述した金属基板５ｂにおける枠体７の側方に引き出された部分と電気的に接続されている。配線導体２０７と一対の接地導体２０９とによってコプレーナ線路が形成されている。なお、ここでいう「接地」
および「グランド」とは、いわゆるアース電位としての外部の基準電位（図示せず）に電気的に接続されていることを意味しており、基準電位としては必ずしも電位が０Ｖである必要はない。
【００５０】
以上、本発明の一実施形態にかかる素子収納用パッケージ１ならびにこれを備えたモジュール１０１および半導体装置２０１について説明してきたが、本発明は上述の実施形態に限定されるものではない。すなわち、本発明の要旨を逸脱しない範囲内であれば種々の変更や実施の形態の組み合わせを施すことは何等差し支えない。例えば、上記の実施形態においては信号入出力部材として光ファイバを用いているが、信号入出力部材として可視光より波長の長い高周波の電気信号を入出力するためのコネクタを用いても何ら問題ない。
【符号の説明】
【００５１】
１・・・素子収納用パッケージ（パッケージ）
３・・・半導体素子
５・・・基体
７・・・枠体
７ａ・・・貫通孔
９・・・固定部材
１１・・・肉厚部
１３・・・ネジ止め孔
１５・・・実装基板
１７・・・回路導体
１９・・・接続導体
１０１・・・モジュール
１０３・・・蓋体
１０５・・・ボンディングワイヤ
２０１・・・半導体装置
２０３・・・フェルール
２０５・・・搭載基板
２０５ａ・・・穴部
２０７・・・配線導体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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