(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板のプラズマ処理中にプラズマ処理チャンバ内でプラズマを閉じ込めつつ圧力を少なくとも部分的に調整するよう構成された複合型圧力制御／プラズマ閉じ込めアセンブリであって、
複数の孔を有し、配備された時に前記プラズマを取り囲むよう構成された可動プラズマ閉じ込め構造であって、前記プラズマを取り囲むよう構成された可動プラズマ対向構造と、前記可動プラズマ対向構造の外側に配置され、前記プラズマ処理中に高周波（ＲＦ）接地される可動導電構造とを備える可動プラズマ閉じ込め構造と、
前記可動プラズマ閉じ込め構造の外側に配置された可動圧力制御構造と、
を備え、
前記可動プラズマ閉じ込め構造は、前記プラズマ処理中に前記プラズマと前記可動圧力制御構造との間に配置され、前記可動圧力制御構造は、前記基板の取り扱いを容易にするために、前記可動プラズマ閉じ込め構造と共に配置および待避可能であり、前記可動圧力制御構造は、前記複数の孔の少なくとも一部を遮ることによって前記圧力を調整するために、前記可動プラズマ閉じ込め構造に対して独立して移動可能である、複合型圧力制御／プラズマ閉じ込めアセンブリ。
【請求項２】
請求項１に記載の複合型圧力制御／プラズマ閉じ込めアセンブリであって、前記可動プラズマ閉じ込め構造は、全体的に円筒形の構造であり、前記複数の孔は、前記円筒形の構造の軸に沿って配置された複数のスロットである、複合型圧力制御／プラズマ閉じ込めアセンブリ。
【請求項３】
請求項１に記載の複合型圧力制御／プラズマ閉じ込めアセンブリであって、前記可動プラズマ閉じ込め構造および前記可動圧力制御構造は、１組の共通プランジャを共有する、複合型圧力制御／プラズマ閉じ込めアセンブリ。
【請求項４】
請求項１に記載の複合型圧力制御／プラズマ閉じ込めアセンブリであって、
前記可動導電構造は、前記基板の取り扱いを容易にするために前記可動プラズマ対向構造と共に単一のユニットとして配置および待避されるよう構成され、
前記可動プラズマ対向構造は、前記プラズマからのＲＦ電流が前記プラズマ処理中に前記可動プラズマ対向構造を通して前記可動導電構造に流れるように、前記プラズマ処理中に前記プラズマと前記可動導電構造との間に配置される、複合型圧力制御／プラズマ閉じ込めアセンブリ。
【請求項５】
請求項４に記載の複合型圧力制御／プラズマ閉じ込めアセンブリであって、前記可動プラズマ対向構造は、円筒形の構造であり、前記プラズマによるエッチングに耐性を持つ材料で形成される、複合型圧力制御／プラズマ閉じ込めアセンブリ。
【請求項６】
請求項４に記載の複合型圧力制御／プラズマ閉じ込めアセンブリであって、前記可動プラズマ対向構造は石英で形成される、複合型圧力制御／プラズマ閉じ込めアセンブリ。
【請求項７】
請求項４に記載の複合型圧力制御／プラズマ閉じ込めアセンブリであって、前記可動プラズマ対向構造はドープＳｉＣで形成される、複合型圧力制御／プラズマ閉じ込めアセンブリ。
【請求項８】
請求項４に記載の複合型圧力制御／プラズマ閉じ込めアセンブリであって、前記可動プラズマ対向構造は、前記プラズマ処理中に前記プラズマに対する暴露から前記可動導電構造を保護するよう構成される、複合型圧力制御／プラズマ閉じ込めアセンブリ。
【請求項９】
請求項４に記載の複合型圧力制御／プラズマ閉じ込めアセンブリであって、さらに、遮断可能なＲＦ接点を備え、前記遮断可能なＲＦ接点は、前記可動導電構造が配備された時に、接地への経路が前記遮断可能なＲＦ接点を通して形成されるように配置される、複合型圧力制御／プラズマ閉じ込めアセンブリ。
【請求項１０】
プラズマ処理チャンバを備えたプラズマ処理システムであって、
複数の孔を有し、配置された時に、前記プラズマ処理チャンバ内で基板のプラズマ処理中に生成されたプラズマを取り囲むよう構成された可動プラズマ閉じ込め構造であって、前記プラズマを取り囲むよう構成された可動プラズマ対向構造と、前記可動プラズマ対向構造の外側に配置され、前記プラズマ処理中に高周波（ＲＦ）接地される可動導電構造とを備える可動プラズマ閉じ込め構造と、
前記可動プラズマ閉じ込め構造の外側に配置された可動圧力制御構造であって、前記可動プラズマ閉じ込め構造は、前記プラズマ処理中に前記プラズマと前記可動圧力制御構造との間に配置され、前記可動圧力制御構造は、前記基板の取り扱いを容易にするために、前記可動プラズマ閉じ込め構造と共に配置および待避可能であり、前記可動圧力制御構造は、前記複数の孔の少なくとも一部を遮ることによって前記プラズマ処理中に前記プラズマ処理チャンバ内の圧力を少なくとも部分的に調整するために、前記可動プラズマ閉じ込め構造に対して独立して移動可能であり、
前記可動導電構造に接続され、前記可動導電構造が配置および待避される時に前記可動導電構造の動きに対応しつつ、接地への経路を前記ＲＦ電流に提供する１組の導電ストラップと、
を備える、プラズマ処理システム。
【請求項１１】
請求項１０に記載のプラズマ処理システムであって、前記可動プラズマ閉じ込め構造は、全体的に円筒形の構造であり、前記複数の孔は、前記円筒形の構造の軸に沿って配置された複数のスロットである、プラズマ処理システム。
【請求項１２】
請求項１０に記載のプラズマ処理システムであって、前記可動プラズマ閉じ込め構造および前記可動圧力制御構造は、１組の共通プランジャを共有する、プラズマ処理システム。
【請求項１３】
請求項１０に記載のプラズマ処理システムであって、
前記可動導電構造は、前記基板の取り扱いを容易にするために前記可動プラズマ対向構造と共に単一のユニットとして配置および待避されるよう構成され、
前記可動プラズマ対向構造は、前記プラズマからのＲＦ電流が前記プラズマ処理中に前記可動プラズマ対向構造を通して前記可動導電構造に流れるように、前記プラズマ処理中に前記プラズマと前記可動導電構造との間に配置される、プラズマ処理システム。
【請求項１４】
請求項１３に記載のプラズマ処理システムであって、さらに、切断可能なＲＦ接点を備え、前記切断可能なＲＦ接点は、前記可動導電構造が配備された時に、前記接地への経路が前記切断可能なＲＦ接点を通して形成されるように配置される、プラズマ処理システム。
【請求項１５】
請求項１０に記載のプラズマ処理システムであって、前記プラズマ処理チャンバは、拡大されたプラズマ周辺領域を備え、前記拡大されたプラズマ周辺領域は、前記可動プラズマ閉じ込め構造の内側に形成され、上側電極と下側電極との間のギャップ寸法よりも大きい垂直寸法を有し、前記拡大されたプラズマ周辺領域は、前記可動圧力制御構造が、前記プラズマ処理チャンバからの前記圧力の解放を、より大きい範囲で調整することを可能にする、プラズマ処理システム。
【請求項１６】
プラズマ処理チャンバを備えたプラズマ処理システムを製造するための方法であって、
複数の孔を有し、配備された時に、前記プラズマ処理チャンバ内で基板のプラズマ処理中に生成されたプラズマを取り囲むよう構成された可動プラズマ閉じ込め構造であって、前記プラズマを取り囲むよう構成された可動プラズマ対向構造と、前記可動プラズマ対向構造の外側に配置され、前記プラズマ処理中に高周波（ＲＦ）接地される可動導電構造とを備える可動プラズマ閉じ込め構造を準備し、
前記可動プラズマ閉じ込め構造の外側に可動圧力制御構造を配置し、前記可動プラズマ閉じ込め構造は、前記プラズマ処理中に前記プラズマと前記可動圧力制御構造との間に配置され、前記可動圧力制御構造は、前記基板の取り扱いを容易にするために、前記可動プラズマ閉じ込め構造と共に配置および待避可能であり、前記可動圧力制御構造は、前記複数の孔の少なくとも一部を遮ることによって前記プラズマ処理中に前記プラズマ処理チャンバ内の圧力を少なくとも部分的に調整するために、前記可動プラズマ閉じ込め構造に対して独立的に移動可能であり、
前記可動導電構造に１組の導電ストラップを接続し、前記１組の導電ストラップは、前記可動導電構造が配置および待避される時に前記可動導電構造の動きに対応しつつ、接地への経路を前記ＲＦ電流に提供する、
ことを備える、方法。
【請求項１７】
請求項１６に記載の方法であって、さらに、前記可動プラズマ閉じ込め構造および前記可動圧力制御構造によって共有される１組の共通プランジャを準備することを備え、前記１組の共通プランジャは、前記可動プラズマ閉じ込め構造および前記可動圧力制御構造の移動を容易にするよう構成される、方法。
【請求項１８】
請求項１６に記載の方法であって、
前記可動導電構造は、前記基板の取り扱いを容易にするために前記可動プラズマ対向構造と共に単一のユニットとして配置および待避されるよう構成され、
前記可動プラズマ対向構造は、前記プラズマからのＲＦ電流が前記プラズマ処理中に前記可動プラズマ対向構造を通して前記可動導電構造に流れるように、前記プラズマ処理中に前記プラズマと前記可動導電構造との間に配置される、方法。
【請求項１９】
請求項１８に記載の方法であって、さらに、前記可動導電構造と前記接地との間に切断可能なＲＦ接点を配置することにより、前記可動導電構造が配置された時に、前記切断可能なＲＦ接点を通して前記接地への経路を形成することを備える、方法。
【請求項２０】
請求項１６に記載の方法であって、前記可動プラズマ閉じ込め構造は、全体的に円筒形の構造であり、前記複数の孔は、前記円筒形の構造の軸に沿って配置された複数のスロットである、方法。
【発明の詳細な説明】
【背景技術】
【０００１】
プラズマ処理システム内で基板（例えば、ウエハ）を処理するために、プラズマ処理システムが長い間利用されてきた。典型的なプラズマ処理システムでは、プラズマは点火され、プラズマ閉じ込め領域内に閉じ込められる。プラズマ閉じ込め領域は、一般的に、チャンバの上側および下側構造と、プラズマ閉じ込め領域を環状に囲む構造とによって規定される。
【０００２】
基板の挿入および取り出しを容易にするため、並びに、プラズマ処理チャンバからの排出ガスの排気を容易にするために、多くのチャンバは、１組の移動可能な閉じ込めリングを用いて、プラズマを環状に閉じ込める。移動可能な閉じ込めリングは、例えば、基板の挿入および取り出しを容易にするために、持ち上げられ得る。一般的に、移動可能な閉じ込めリングにおける隣接するリング間の間隔は、間隔を通じた排気ガスの排気を可能にしつつ、プラズマ膨張に対するバリアを提供する（例えば、プラズマシースよりも小さい間隔にすることにより）寸法に規定される。このように、プラズマを物理的に拘束しつつ、１組の移動可能な閉じ込めリングを通して排出ガスの除去を行うことを可能にすることができる。
【０００３】
議論を容易にするために、図１は、従来の容量結合プラズマ処理チャンバ１００の一部を示す概略図である。処理中に基板（図示せず）を支持するための下側電極１０２が図示されている。下側電極１０２は、通常、プラズマ１０４を生成および維持するためにＲＦ電源（図示せず）によって電力供給される。プロセス制御のために、下側電極１０２および上側電極１０６（接地されてもよいし、もしくは、同じまたは別のＲＦ電源によって電力供給されてもよい）によって全体的に規定され、１組の閉じ込めリング１１０（リング１１０ａ〜ｄを含む）によって環状に規定されたプラズマ閉じ込め領域内にプラズマ１０４を閉じ込めることが好ましい。上述のように、閉じ込めリング１１０間のギャップは、排出ガスがチャンバからポンプ送出されることを可能にしつつ、上述のプラズマ閉じ込め領域内にプラズマを閉じ込めた状態に維持する。閉じ込めリング１１０は、石英などの適切な材料から形成されてよい。
【０００４】
図１の例では、下側電極１０２を囲む環状接地電極１１２も図示されている。環状接地電極１１２は、スロットを有しなくてもよいし、図１の例に示すように排出ガスをチャンバから排気するためのさらなる流路を提供するためにスロットを有していてもよい。一般に、環状接地電極１１２は、アルミニウムなどの導電材料から形成され、絶縁体（図示せず）によって下側電極１０２から電気的に絶縁される。接地電極１１２の接地は、接地電極１１２をＲＦ接地に接続すること、通常は、下側電極１１２の下方に配置された導電性の下側接地延長部に１または複数のストラップを介して接地電極１１２を固くボルト締結または接続することによって実現される。
【０００５】
環状接地電極１１２の金属材料が、腐食性プラズマに曝されてプラズマ処理を汚染することを防止するために、環状接地電極１１２の表面は、石英などの適切な材料で被覆されてよい。１組の閉じ込めリング１１０と同様に、環状接地電極１１２（および石英の上層）のスロットは、排出ガスの排気を可能にしつつ、プラズマ閉じ込め領域を超えるプラズマの膨張を防止するような寸法を有する。プラズマ処理チャンバ内で閉じ込めリング１１０および環状接地電極１１２の両方を用いることは周知であるため、本明細書ではこれ以上詳しく説明しない。
【０００６】
一般に、閉じ込めリング１１０は、電気的に浮遊している。すなわち、閉じ込めリング１１０はＤＣ接地またはＲＦ接地に対する直接的な結合を持たない。従来技術では、閉じ込めリング１１０はＲＦ接地から或る程度離れている傾向があるため、１組の閉じ込めリングには、実質的な量のＲＦ電流は流れない。
【０００７】
閉じ込めリング１１０は電気的に浮遊したままであり、閉じ込めリング１１０には実質的な量のＲＦ電流が流れないため、プラズマ処理中に閉じ込めリング１１０の表面で、低電圧の「浮遊」シースが発達する。プラズマから加速されたイオンのエネルギはシース電位の影響を受けるため、低いシース電位の結果として、閉じ込めリングの表面に対するイオン衝撃のエネルギレベルが低くなる。したがって、スパッタリングおよびイオン促進エッチングなどの薄膜除去処理（その場プラズマ洗浄処理中に行われるものなど）が、閉じ込めリングの表面では比較的非効率になる。さらに、イオン衝撃エネルギが低いことから、処理後の閉じ込めリングの表面上には、より多くの量の蒸着物が残される。比較すると、より高いイオン衝撃エネルギを受けたチャンバの他の領域は、薄膜除去処理の際にはより高い薄膜除去率を示し、基板処理の際にはより低いレベルの薄膜蒸着を示す。
【０００８】
最終的な結果として、閉じ込めリングは、基板処理中に（より高いイオン衝撃エネルギを受けるチャンバ領域に比べて）高い率で残留物を蓄積する傾向を有し、これらの残留物は、プラズマによるその場チャンバ洗浄処理の際に（より高いイオン衝撃エネルギを受けるチャンバ領域に比べて）ゆっくりと除去される傾向を有する。これらの要因により、閉じ込めリングを十分な状態に維持するために、より頻繁および／またはより長いその場チャンバ洗浄サイクル（ウエハレス自動洗浄、すなわちＷＡＣサイクル）が必要になり、さらには、一部の場合、閉じ込めリングを取り外して洗浄および／または交換するために、処理を完全に停止する必要が生じうる。この結果、基板のスループット率は、著しく低下し、生産性が低くなると共にプラズマ処理ツールの所有コストが高くなる。
【０００９】
特定のチャンバでは、排出ガスのコンダクタンス率（すなわち、排出ガスがチャンバから排気される速度）の制御が、ウエハ領域圧力（ＷＡＰ）、すなわち処理中の基板上方の圧力を制御するための重要な制御ノブになる。排出ガスのコンダクタンス率が高いと、ウエハ領域圧力が低くなる傾向があり、その逆も成り立つ。ウエハ領域圧力が多くの処理用途において制御すべき重要なプロセスパラメータであるとすると、ウエハ領域圧力を制御するための改良方法および装置が、プロセスエンジニアによって常に求められている。
【００１０】
本発明の実施形態は、従来のプラズマ閉じ込め機構に関連する未解決の課題、プラズマ非閉じ込めの問題、および、排出ガスのコンダクタンス率の制御を通じてウエハ領域圧力をより効率的に制御するニーズに対処しようとするものである。
【発明の概要】
【００１１】
本発明は、一実施形態において、基板のプラズマ処理中にプラズマ処理チャンバ内でプラズマを閉じ込めつつ圧力を少なくとも部分的に調整するよう構成された複合型圧力制御／プラズマ閉じ込めアセンブリに関する。アセンブリは、複数の孔を有し、配置された時にプラズマを取り囲むよう構成された可動プラズマ閉じ込め構造を備える。アセンブリは、さらに、可動プラズマ閉じ込め構造の外側に配置された可動圧力制御構造を備えており、可動プラズマ閉じ込め構造は、プラズマ処理中にプラズマと可動圧力制御構造との間に配置され、可動圧力制御構造は、基板の取り扱いを容易にするために、可動プラズマ閉じ込め構造と共に配置および待避（格納）後退可能であり、可動圧力制御構造は、複数の孔の少なくとも一部を遮ることによって圧力を調整するために、可動プラズマ閉じ込め構造に対して独立して移動可能である。
【００１２】
上述の発明の概要は、本明細書に開示された本発明の多くの実施形態の内の１つのみに関するものであり、特許請求の範囲に記載される本発明の範囲を限定する意図はない。添付の図面を参照しつつ行う本発明の詳細な説明において、本発明の上述の特徴およびその他の特徴を詳述する。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
添付の図面では、限定ではなく例示を目的として本発明を図示する。なお、これらの添付図面においては、同様の構成要素には同様の符号が付されている。
【００１４】
【図１】従来の容量結合プラズマ処理チャンバの一部を示す概略図。
【００１５】
【図２】本発明の一実施形態に従って、複合型ＷＡＰ制御／プラズマ閉じ込めアセンブリを備えるプラズマ処理チャンバを示す部分概略図。
【００１６】
【図３】接地へのＲＦ電流路を短縮するための底部ＲＦ接点を備える代替的または追加的な実施形態を示す図。
【００１７】
【図４】拡大されたチャンバ周辺部を備える代替的または追加的な実施形態を示す図。
【００１８】
【図５】本発明の一実施形態に従って、ＷＡＰ制御構造と、可動プラズマ閉じ込め構造と、複合型ＷＡＰ制御／プラズマ閉じ込めアセンブリを上昇／下降させるために用いられるプランジャと、を備える複合型ＷＡＰ制御／プラズマ閉じ込めアセンブリの詳細を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下では、添付図面に例示されたいくつかの実施形態を参照しつつ、本発明の詳細な説明を行う。以下の説明では、本発明の完全な理解を促すために、数多くの具体的な詳細事項が示されている。しかしながら、当業者にとって明らかなように、本発明は、これらの具体的な詳細事項の一部または全てがなくとも実施することが可能である。また、本発明が不必要に不明瞭となるのを避けるため、周知の処理工程および／または構造については、詳細な説明を省略した。
【００２０】
一般に、本発明の１または複数の実施形態は、プラズマ処理チャンバ内で基板を処理しつつ、閉じ込めリングおよび／またはプラズマに対向する構造上への残留物の蓄積を低減するための改良方法および構成に関する。１または複数の実施形態において、その改良は、さらに、プラズマをプラズマ閉じ込め領域内に閉じ込めた状態に維持する、すなわち、上述のプラズマ閉じ込め領域の外側に位置する環状の外側領域でプラズマ非閉じ込め事象が起きる可能性を低減する助けとなる。本発明の１または複数の実施形態では、その改良は、さらに、ウエハ領域圧力の制御に影響を与えるために、排出ガスのコンダクタンス率を効率的、簡単かつロバストな方法で制御するための機構を含む。
【００２１】
本発明の１または複数の実施形態では、複合型ＷＡＰ制御／プラズマ閉じ込めアセンブリが提供される。複合型ＷＡＰ制御／プラズマ閉じ込めアセンブリは、処理適合性であると共にＲＦ接地に対して良好に接続された少なくとも１つの可動プラズマ閉じ込め構造を備えている。一実施形態では、可動プラズマ閉じ込め構造は、可動プラズマ対向構造（石英、ドープＳｉＣ、または、別の同様に適切な材料で形成されてよい）と、接地までのＲＦ電流路を提供するために可動プラズマ対向構造の背面に結合された可動導電構造と、を備える。すなわち、可動プラズマ対向構造の片側はプラズマに対向し、他方の側は可動導電構造に結合されており、可動導電構造は、可動プラズマ対向構造によってプラズマから保護される。
【００２２】
実際には、熱膨張に対応するために、可動プラズマ対面構造と可動導電構造との間に、小さいギャップが設けられてよい（例えば、約０．０１インチ）。可動プラズマ対向構造と可動導電構造との結合を実現しつつ、上述の熱膨張ギャップを間に残すために、溝、ショルダ、ファスナ、スペーサ、および、その他の周知の機械的結合技術（これらの詳細については、本発明と密接な関係はない）が用いられてよい。
【００２３】
可動プラズマ対向構造と取り付け済みの導電構造とを備える可動プラズマ閉じ込め構造は、基板の挿入および取り出しの際に１つのユニットとして上下動する。１または複数の実施形態で後述するように、可動プラズマ閉じ込め構造は、孔またはスロットを開けられており、下方（配置）位置では、ハードストップ上に存在してそれに対してＲＦ接触をなす。一実施形態では、プラズマ対向構造は、円筒形の石英内側スリーブであり、導電構造は、円筒形の石英内側スリーブの外側に配置され、円筒形の石英内側スリーブに結合された円筒形の陽極酸化アルミニウム外側スリーブである。一実施形態において、プラズマ対向構造は、ドープＳｉＣシリンダであり、導電構造は、ドープＳｉＣシリンダの上方に配置されてそれに結合されているリング形の陽極酸化アルミニウムマウントである。
【００２４】
当業者であれば容易に理解できるように、可動プラズマ対向構造の機能は、主に、エッチング耐性またはプラズマ処理適合性の構造を提供することであり、可動導電構造の機能は、主に、ＲＦ接地への低インピーダンス経路を提供することである。１または複数の実施形態では、これらの機能は両方とも、可動導電支持構造上に配置または蒸着されたエッチング耐性および／または処理適合性の層または被覆を有する導電構造によって実現される。
【００２５】
プラズマ処理中、可動プラズマ閉じ込め構造は、プラズマからＲＦ接地までの低インピーダンス経路を提供する。複合型ＷＡＰ制御／プラズマ閉じ込めアセンブリは、さらに、上側電極または上側アセンブリからＲＦ接地までの低インピーダンス経路をＲＦ電流に提供するために可動導電構造に接続された１または複数の柔軟な導電ストラップを備えており、ＲＦ接地は、通常、ＲＦ接地に接続されたチャンバ壁または他の導電構造である。
【００２６】
一実施形態では、可動プラズマ閉じ込め構造が基板処理中に配置位置にある時に、接地までのＲＦ電流路を短縮するために、１または複数のさらなる底部ＲＦ接点が設けられてもよい。後述するように、プラズマが存在する時にＲＦ電流路を短縮することは、プラズマ閉じ込め領域の外側にある環状外側領域における容量結合および誘導結合を低減する助けとなり、それにより、この環状外側領域において非閉じ込めプラズマを意図せずに点火および／または維持する可能性が低減される。
【００２７】
１または複数の実施形態において、可動プラズマ閉じ込め構造は穿孔されており、それらの孔を通して排出ガスを排気することが可能であり、それらの孔は、プラズマ閉じ込め領域を越えてプラズマが広がることを物理的に防止するような寸法を有する。可動プラズマ閉じ込め構造は、配備位置ではハードストップの上部に載るように構成される。一実施形態では、ハードストップは、環状接地電極または接地延長部である。１または複数の実施形態では、可動プラズマ閉じ込め構造は、さらに、配置位置に置いて、環状接地電極または接地延長部とＲＦ接触する。
【００２８】
複合型ＷＡＰ制御／プラズマ閉じ込めアセンブリは、さらに、可動プラズマ閉じ込め構造の外側に（すなわち、基板の中心から遠い距離に）配置された可動ＷＡＰ制御構造を備える。可動ＷＡＰ制御構造（非導電性でエッチング耐性の材料から形成されてよく、穿孔されていない）は、可動プラズマ閉じ込め構造の孔を通じたチャンバからの排出ガスの排気速度を制御することによってウエハ領域圧力を制御するために、配置された可動プラズマ閉じ込め構造とは独立して相対的に上下動されうる。
【００２９】
本発明の実施形態の特長および利点は、図面と以下の説明を参照すれば、よりよく理解できる。
【００３０】
図２は、本発明の一実施形態に従って、複合型ＷＡＰ制御／プラズマ閉じ込めアセンブリ２００を備えるプラズマ処理チャンバを示す部分概略図である。説明のために、本発明に対する関連性の高い特徴を強調するために、ここに示す図面は正確な縮尺ではなく、一部の詳細部分が簡略化されていることに注意されたい。
【００３１】
複合型ＷＡＰ制御／プラズマ閉じ込めアセンブリ２００は、可動プラズマ対向構造２０４と可動導電構造２０６とを備えた可動プラズマ閉じ込め構造２０２を備える。一部の例では、可動プラズマ対向構造２０４および可動導電構造２０６の両方が、エッチング耐性を有しプラズマ処理に適合するプラズマ対向コーティングで被覆された導電性構成要素によって実現される。図２の例では、可動プラズマ対向構造２０４は、円筒形の石英スリーブ２０４ａおよび水平の石英リング２０４ｂによって実現されているが、プラズマ処理に適合した任意の他の適切な材料を用いてもよい。円筒形の石英スリーブ２０４ａは、処理中にプラズマに対向し、水平の石英リング２０４ｂはプラズマ処理および／または排出ガスの排気期間における可動導電構造２０６のプラズマに対する暴露から保護する。
【００３２】
可動導電構造２０６は、図２の例では、円筒形の石英リング２０４ａの背後に位置する円筒形の陽極酸化アルミニウムスリーブとして実現されている。陽極酸化アルミニウムが用いられているが、任意の適切な導電材料が用いられてよい。可動導電構造２０６は、円筒形の石英リング２０４ａの薄い材料を流れるＲＦ電流のための低インピーダンスの経路を提供する。１または複数の柔軟な導電ストラップ２１２が、接地されたチャンバ要素（図２の例に示すようにチャンバ上部プレート、または、その他の接地されたチャンバ要素）に可動導電構造２０６を結合する。一実施形態では、接地への複数の経路と円筒対称性とを、戻りＲＦ電流に提供するために、複数の導電ストラップが円筒形の陽極酸化アルミニウムスリーブの円周上に配置されてよい。上述のように、一部の例では、可動プラズマ対向構造２０４と可動導電構造２０６との間に熱膨張ギャップを設けることが望ましい。
【００３３】
チャンバに対する基板の挿入および取り出しを容易にするために、可動プラズマ閉じ込め構造２０２（可動プラズマ対向構造２０４および可動導電構造２０６の両方を含む）は、必要に応じて上下動されてよい。上下方向への直線移動を実現するために用いられる具体的な機構は、従来技術に記載されている任意の種類の変換器および／またはギア装置（電気機械的、空気作動装置など）であってよい。柔軟な導電ストラップ２１２は、柔軟に曲がることで、可動プラズマ閉じ込め構造２０２の移動に対応すると共に、接地への所望の低インピーダンス経路を維持する。柔軟な導電ストラップ２１２は、プラズマ閉じ込め領域の外側の環状外側領域２２０内に進出しうる残留イオンまたはラジカル種によって引き起こされる摩耗からの保護として、エッチング耐性のコーティングまたはスリーブで両側を被覆される。
【００３４】
プラズマ処理中に、可動プラズマ閉じ込め構造２０２は、図２に示すように配置位置に下げられる。配備位置では、可動プラズマ閉じ込め構造は、ハードストップ（環状接地電極２３２など）の上部に載っている。排出ガスは、可動プラズマ閉じ込め構造２０２に形成された孔（例えば、孔２３０）を通して排気されてよい。これらの孔は、任意の形状を取ってよく、排出ガスの排気を可能にしつつ、プラズマ閉じ込め領域２２２の外側の環状外側領域２２０におけるプラズマ非閉じ込め事象の発生を防止するためにプラズマ膨張に対するバリアを提供する寸法を有する。孔は、一実施形態ではスロットであってよく、垂直方向、水平方向、または、両方の方向に向けられてよい。図２の例では、スロットは水平であるが、可動プラズマ閉じ込め構造２０２を通して接地に至る短い直接的なＲＦ電流路を提供するために、垂直なスロットであってもよい。さらに、必ずしも必要でないが、従来技術に記載されているように、さらなる排出ガスコンダクタンスを提供しつつ、プラズマ閉じ込めを維持するために、環状接地電極２３２にスロットが配置されてもよい。
【００３５】
接地への低インピーダンスＲＦ電流路が存在するため、プラズマ対向構造２０４の表面で生じるプラズマシース電圧は、閉じ込めリングが電気的に浮遊している図１の場合よりも高くなる。プラズマシース電圧が高いとイオン衝撃エネルギが高くなり、処理中のプラズマ対向構造２０４への残留物の蓄積が低減され、プラズマ洗浄処理の際の残留物の除去率が増大する。さらに、より高いイオンエネルギ衝撃は、可動プラズマ閉じ込め構造２０２のプラズマ対向面を加熱することによっても、処理中の残留物蓄積の低減と、プラズマ洗浄処理中の残留物除去率の増大に寄与する。
【００３６】
導電構造２０６の存在は、環状外側領域２２０での望ましくない非閉じ込めプラズマ事象の発生を低減する助けにもなる。再び図１を参照すると、石英閉じ込めリング１１０が電気的に浮遊しているため、プラズマから始まり閉じ込めリング１１０の外側の接地チャンバ面１３８に終わる力線を持つ容量場が生じる。これらの力線は、例えば、力線１４０ａ〜ｄとして図示されている。プラズマ閉じ込め領域１４４の外側の環状外側領域１４２に容量場が存在すると、この環状外側領域１４２内でプラズマが意図せずに点火および／または維持される可能性、すなわち、非閉じ込めプラズマ事象が起きる可能性が増大する。
【００３７】
しかしながら、図２の実施形態では、プラズマから始まる容量場の力線のほとんどは、可動導電構造２０６を終端とする（力線２１４ａ〜ｃとして図示）。一部の力線が、可動プラズマ対向構造２０４、および、可動プラズマ閉じ込め構造２０２の下のギャップ２１４を横断して、別の接地要素に至る場合があるが、力線２１４ａ〜ｃが環状外側領域２２０をもはや横断しないという事実により、環状外側領域２２０における容量場の存在は、実質的に低減および／または防止される。環状外側領域２２０における容量場の存在を実質的に低減および／または防止することにより、非閉じ込めプラズマが環状外側領域２２０で形成および／または維持される可能性が低くなる。
【００３８】
また、図２には、可動プラズマ閉じ込め構造２０２が上述のハードストップに対して配置された時に、可動プラズマ閉じ込め構造２０２に対して独立して上昇および／または下降されうる穿孔されていない構造である可動ＷＡＰ制御構造２６０が示されている。ＷＡＰ制御構造２６０が下降されると、可動プラズマ閉じ込め構造２０２のより多くの孔（および／または、より大きい断面積の穿孔開口部）が遮へい、または、少なくとも部分的に遮へいされる。排出ガスの排気に利用可能な孔を少なくすることで、ＷＡＰ圧力が上げられる。逆に、ＷＡＰ制御構造２６０が上昇されると、可動プラズマ閉じ込め構造２０２のより少ない孔（および／または、より小さい断面積の穿孔開口部）が遮へい、または、少なくとも部分的に遮へいされる。排出ガスの排気に利用可能な孔を多くすることによって、ＷＡＰ圧力が下げられる。１または複数の実施形態では、ＷＡＰ制御構造２６０の位置は、ウエハ領域で検出または導出（適切なセンサによって検出／導出）された圧力を圧力設定値と比較する圧力フィードバック機構に応答してＷＡＰ制御構造２６０を移動させるアクチュエータによって制御されてもよい。
【００３９】
図３は、本発明の一実施形態に従って、接地へのＲＦ電流路を短縮するための任意の底部ＲＦ接点を備えることにより、環状外側領域２２０における接地電流誘導場を低減して、非閉じ込めプラズマ形成の可能性をさらに低減する代替的または追加的な実施形態を示す。図１を再び参照すると、プラズマからのＲＦ電流は、矢印１５０で示すように低インピーダンス経路をたどる。このＲＦ電流は、環状外側領域１４２に隣接するチャンバ壁に沿って流れ、環状外側領域１４２における非閉じ込めプラズマの形成を促す誘導場を引き起こす。
【００４０】
図３では、可動導電構造２０６の底部に、遮断可能なＲＦ接点３０２ａが設けられている。ＲＦ接地には、別の対応する遮断可能なＲＦ接点３０２ｂが結合されている。良好なＲＦ接点を確保するために、可動プラズマ閉じ込め構造が配置されてＲＦ接続が望まれる時に、バネまたはその他の弾性機構を用いて、２つのＲＦ接点３０２ａおよび３０２ｂが互いに対して付勢されてもよい。一実施形態では、ＲＦ接点３０２ａおよび３０２ｂの一方または各々は、少なくとも部分的に穴または凹部内に取り付けられてよく、かかる凹部または穴の底部でＲＦ接点の下側にバネなどの弾性機構を配置して、ＲＦ接点を対応するＲＦ接点に向かって付勢し、可動導電構造２０６を含む可動プラズマ閉じ込め構造が配置位置にある時に良好な接続を保証する。図を明確に示すために、可動プラズマ閉じ込め構造は、図３では、部分的に配置された位置にのみ示されており、ＲＦ接点は、まだ互いに物理的に接触していない。
【００４１】
図３の例では、対応する遮断可能なＲＦ接点３０２ｂは、環状接地電極３０４の導電材料に結合されている。一実施形態では、遮断可能なＲＦ接点にＳｉＣを用いているが、プラズマ処理に適合すると共に、接点の開閉の繰り返しに対して十分な耐久性を有する任意の他の導電材料が利用されてもよい。耐久性をさらに改善するために、ＲＦ接点３０２は、物理的に保護されることで、接点が閉じた時に３０２ａおよび３０２ｂ上の接点領域にイオンまたはラジカルが向かうことができないように、周りの電極内に埋め込まれるよう設計されてもよい。
【００４２】
プラズマ処理中、可動プラズマ閉じ込め構造は、下側位置すなわち配置位置に配置され、遮断可能なＲＦ接点３０２ａおよび３０２ｂが、互いに対して付勢されることで、プラズマ領域２２２に対向する表面においてＲＦ電流が矢印３２０の方向に流れることを可能にする。図３のＲＦ電流は、可動導電構造２０６およびＲＦ接点３０２ａ／３０２ｂを流れてＲＦ接地に至る。ＲＦ電流のほとんどは、図３において、薄いプラズマ適合性のコーティイング／構造２０４を通してプラズマから可動導電構造２０６に直接結合するが、プラズマからのＲＦ電流の一部は、上側電極／上側アセンブリに結合する場合があり、その後、ストラップ２１２、可動導電構造２０６、および、ＲＦ接点３０２ａ／３０２ｂを介して接地に戻る。いずれにしても、これは、ＲＦ電流が、外側環状領域１４２に隣接するチャンバ表面に沿って流れる図１の状況（図１の矢印１５０参照）と好対照である。図３のＲＦ電流は、外側環状領域２２０に隣接するチャンバ表面に沿って流れず、内部にある導電構造２０６のプラズマ対向面を流れるため、望ましくない非閉じ込めプラズマの形成または維持を促す誘導場は、この外側環状領域２２０では発生しない。
【００４３】
図３の例では、ＷＡＰ制御機構は、図２を参照して説明したのと実質的に同様に機能する。
【００４４】
１または複数の実施形態において、排出ガスコンダクタンスの改善、および／または、排出ガスコンダクタンスの制御範囲の拡大を可能にするために、プラズマの周辺部（可動プラズマ閉じ込め構造の内側で、基板のすぐ上の領域の外側に位置する環状の領域として規定される）が拡大されてもよい。図４を参照すると、チャンバ周辺部４０２は、上側電極と下側電極との間のギャップ寸法４０６よりも大きい垂直寸法４０４を有するよう拡大されてよい。この拡大に伴って、複合型ＷＡＰ制御／プラズマ閉じ込めアセンブリは、より大きい範囲および精度でＷＡＰ制御を実行することを可能にするために、より大きいＹ寸法を有し、および／または、より多くの孔および／またはより長いスロットを有するように構成されてよい。拡大されたチャンバ周辺部は、上側および下側電極の間に小さいギャップを有するプラズマチャンバのＷＡＰ制御を改善するのに特に有用である。
【００４５】
一実施形態において、ＷＡＰ制御構造は、可動プラズマ閉じ込め構造を上昇／下降させるために用いるのと同じプランジャに結合される。図５の実施形態は好ましい実施形態であるが、排出ガスの排気速度（および、ウエハ領域圧力すなわちＷＡＰ）を制御するために、可動プラズマ閉じ込め構造と独立して可動ＷＡＰ制御構造を下降／上昇させる他の方法を利用してもよい。
【００４６】
図５を参照すると、可動プラズマ閉じ込め構造５０２は、完全に配置された位置にあり、下端５０４が接地ハードストップ５０６上に載っている。拡大されたプラズマ周辺部５１０を介したプラズマ閉じ込め領域５０８内からの排出ガスの排気を容易にするために、スロット（任意の形状を有し、垂直を含め、任意の方向に配置されてよい）が、円筒形の可動プラズマ閉じ込め構造５０２に配置される。
【００４７】
可動プラズマ閉じ込め構造５０２の上端５２２には、貫通孔５２４が設けられており、可動プラズマ閉じ込め構造５０２を配置または待避（格納）させるためにプランジャ軸５２６が上下動する際に、プランジャ軸５２６が貫通孔５２４を通して自由に摺動または移動することを可能にしている。プランジャ軸５２６は、図に示すように、ストップ５３０に結合されている。ストップ５３０の直径は、貫通孔５２４よりも大きい必要があることに注意されたい。ただし、摺動を可能にするために、プランジャ軸５２６の直径は、貫通孔５２４よりも小さい必要がある。
【００４８】
可動ＷＡＰ制御構造５４０は、ストップ５３０に結合されるか、または、ストップ５３０からつり下がっている。プランジャ軸５２６およびストップ５３０が、現在の完全に配置された完全閉塞状態から上方に移動すると、可動ＷＡＰ制御構造５４０は、ストップ５３０の肩部５４２が可動プラズマ閉じ込め構造５０２の上端５２２の下面に接触するまで、プランジャ軸５２６／ストップ５３０によって可動プラズマ閉じ込め構造５０２とは独立的に上方に移動される。この時、（貫通孔５２４に比べて）ストップ５３０の直径が大きいことから、プランジャ軸５２６およびストップ５３０が上方に移動し続けると、肩部５４２は、可動プラズマ閉じ込め構造５０２の上端５２２の下面を上向きに付勢する。その時点から、可動ＷＡＰ制御構造５４０および可動プラズマ閉じ込め構造５０２の両方が待避し、基板の挿入および取り出しを可能にする。
【００４９】
可動プラズマ閉じ込め構造を配備するため、および、可動ＷＡＰ制御構造の位置を制御するために、プランジャ軸５２６およびストップ５３０は、完全待避位置（上側位置）から下方に移動する。プランジャ軸５２６およびストップ５３０が下方に移動すると、ストップ５３０に載った可動プラズマ閉じ込め構造５０２も、下端５０４がハードストップ５０６に接触するまで下方に移動する。この時点で、可動プラズマ閉じ込め構造５０２は、下方への移動を停止する。プランジャ軸５２６およびストップ５３０がさらに下方に移動すると、ＷＡＰ制御構造５４０は、可動プラズマ閉じ込め構造５０２の位置とは独立して下降され、上述のように排出ガスの排気速度を制御する。
【００５０】
上述からわかるように、本発明の実施形態は、処理中のプラズマ閉じ込め構造表面への残留物形成の低減に寄与し、さらに、その場プラズマ洗浄処理中の残留物除去の向上に寄与する。また、プラズマから始まる容量場の力線の終端となる可動導電構造の存在により、望ましくない非閉じ込めプラズマが外側環状領域で容量場によって点火および／または維持される可能性が低くなる。また、切断可能なＲＦ接点を用いることで、チャンバの外側環状領域に隣接するチャンバ壁表面を迂回することによって接地までのＲＦ電流路が短縮され、望ましくない非閉じ込めプラズマがチャンバの外側環状領域で誘導場によって点火および／または維持される可能性が実質的に低減および／または排除される。ＷＡＰ制御は、可動プラズマ閉じ込め構造の位置に対するＷＡＰ制御機構の位置に応じて、プラズマ閉じ込め構造において遮へいする孔の数を変化させるＷＡＰ制御機構を用いて効率的に実現される。上側および下側電極の間に小さいギャップを有するチャンバについては、拡大されたプラズマ周辺部が、ＷＡＰ制御の精度を向上させる助けとなり、ガスコンダクタンスを増大させる。これらの改善は、ウエハスループットおよびプロセス制御を向上させ、所有コストの削減と歩留まりの改善につながる。
【００５１】
以上、いくつかの実施形態を参照しつつ本発明について説明したが、本発明の範囲内で、代替物、置換物、および、等価物が存在する。また、本発明の方法および装置を実施する他の態様が数多く存在することにも注意されたい。例えば、環状接地電極は、例において、排出ガスの排気を改善するためのスロットまたはチャネルを有すると説明されているが、排出口もスロットも持たない接地電極（排出ガスコンダクタンスのためのスロットも孔も持たない単純な下側接地延長部など）を用いて、本発明を実施することも可能である。本明細書では様々な例を提供したが、これらの例は、例示を目的としたものであり、本発明を限定するものではない。
【００５２】
さらに、本発明の実施形態は、別の用途で利用されてもよい。また、発明の名称および発明の概要は、便宜上、本明細書で提供されているものであり、特許請求の範囲を解釈するために用いられるべきものではない。さらに、要約書は、非常に簡潔に書かれており、便宜上提供されているものであるため、特許請求の範囲に記載された発明全体を解釈または限定するために用いられるべきではない。また、本発明の方法および装置を実施する他の態様が数多く存在することにも注意されたい。「セット（組）」という用語が用いられている場合には、かかる用語は、一般的に理解される数学的な意味を持ち、０、１、または、２以上の要素を網羅するよう意図されている。したがって、以下に示す特許請求の範囲は、本発明の真の趣旨および範囲内に含まれる代替物、置換物、および、等価物の全てを網羅するものとして解釈される。
適用例１：基板のプラズマ処理中にプラズマ処理チャンバ内でプラズマを閉じ込めつつ圧力を少なくとも部分的に調整するよう構成された複合型圧力制御／プラズマ閉じ込めアセンブリであって、複数の孔を有し、配備された時に前記プラズマを取り囲むよう構成された可動プラズマ閉じ込め構造と、前記可動プラズマ閉じ込め構造の外側に配置された可動圧力制御構造と、を備え、
前記可動プラズマ閉じ込め構造は、前記プラズマ処理中に前記プラズマと前記可動圧力制御構造との間に配置され、前記可動圧力制御構造は、前記基板の取り扱いを容易にするために、前記可動プラズマ閉じ込め構造と共に配置および待避可能であり、前記可動圧力制御構造は、前記複数の孔の少なくとも一部を遮ることによって前記圧力を調整するために、前記可動プラズマ閉じ込め構造に対して独立して移動可能である、複合型圧力制御／プラズマ閉じ込めアセンブリ。
適用例２：適用例１に記載の複合型圧力制御／プラズマ閉じ込めアセンブリであって、前記可動プラズマ閉じ込め構造は、全体的に円筒形の構造であり、前記複数の孔は、前記円筒形の構造の軸に沿って配置された複数のスロットである、複合型圧力制御／プラズマ閉じ込めアセンブリ。
適用例３：適用例１に記載の複合型圧力制御／プラズマ閉じ込めアセンブリであって、前記可動プラズマ閉じ込め構造および前記可動圧力制御構造は、前記可動プラズマ閉じ込め構造および前記可動圧力制御構造の移動を容易にするために、１組の共通プランジャを共有する、複合型圧力制御／プラズマ閉じ込めアセンブリ。
適用例４：適用例１に記載の複合型圧力制御／プラズマ閉じ込めアセンブリであって、前記可動プラズマ閉じ込め構造は、前記プラズマを取り囲むよう構成された可動プラズマ対向構造と、前記可動プラズマ対向構造の外側に配置され、前記基板の取り扱いを容易にするために前記可動プラズマ対向構造と共に単一のユニットとして配置および待避されるよう構成され、前記プラズマ処理中に高周波（ＲＦ）接地される可動導電構造と、を備え、
前記可動プラズマ対向構造は、前記プラズマからのＲＦ電流が前記プラズマ処理中に前記可動プラズマ対向構造を通して前記可動導電構造に流れるように、前記プラズマ処理中に前記プラズマと前記可動導電構造との間に配置される、複合型圧力制御／プラズマ閉じ込めアセンブリ。
適用例５：適用例４に記載の複合型圧力制御／プラズマ閉じ込めアセンブリであって、前記可動プラズマ対向構造は、円筒形の構造であり、前記プラズマによるエッチングに耐性を持つ材料で形成される、複合型圧力制御／プラズマ閉じ込めアセンブリ。
適用例６：適用例４に記載の複合型圧力制御／プラズマ閉じ込めアセンブリであって、前記可動プラズマ対向構造は石英で形成される、複合型圧力制御／プラズマ閉じ込めアセンブリ。
適用例７：適用例４に記載の複合型圧力制御／プラズマ閉じ込めアセンブリであって、前記可動プラズマ対向構造はドープＳｉＣで形成される、複合型圧力制御／プラズマ閉じ込めアセンブリ。
適用例８：適用例４に記載の複合型圧力制御／プラズマ閉じ込めアセンブリであって、前記可動プラズマ対向構造は、前記プラズマ処理中に前記プラズマに対する暴露から前記可動導電構造を保護するよう構成される、複合型圧力制御／プラズマ閉じ込めアセンブリ。
適用例９：適用例４に記載の複合型圧力制御／プラズマ閉じ込めアセンブリであって、さらに、遮断可能なＲＦ接点を備え、前記遮断可能なＲＦ接点は、前記可動導電構造が配備された時に、接地への経路が前記遮断可能なＲＦ接点を通して形成されるように配置される、複合型圧力制御／プラズマ閉じ込めアセンブリ。
適用例１０：プラズマ処理チャンバを備えたプラズマ処理システムであって、複数の孔を有し、配置された時に、前記プラズマ処理チャンバ内で基板のプラズマ処理中に生成されたプラズマを取り囲むよう構成された可動プラズマ閉じ込め構造と、前記可動プラズマ閉じ込め構造の外側に配置された可動圧力制御構造であって、前記可動プラズマ閉じ込め構造は、前記プラズマ処理中に前記プラズマと前記可動圧力制御構造との間に配置され、前記可動圧力制御構造は、前記基板の取り扱いを容易にするために、前記可動プラズマ閉じ込め構造と共に配置および待避可能であり、前記可動圧力制御構造は、前記複数の孔の少なくとも一部を遮ることによって前記プラズマ処理中に前記プラズマ処理チャンバ内の圧力を少なくとも部分的に調整するために、前記可動プラズマ閉じ込め構造に対して独立して移動可能であり、前記可動導電構造に接続され、前記可動導電構造が配置および待避される時に前記可動導電構造の動きに対応しつつ、接地への低インピーダンス経路を前記ＲＦ電流に提供する１組の導電ストラップと、を備える、プラズマ処理システム。
適用例１１：適用例１０に記載のプラズマ処理システムであって、前記可動プラズマ閉じ込め構造は、全体的に円筒形の構造であり、前記複数の孔は、前記円筒形の構造の軸に沿って配置された複数のスロットである、プラズマ処理システム。
適用例１２：適用例１０に記載のプラズマ処理システムであって、前記可動プラズマ閉じ込め構造および前記可動圧力制御構造は、前記可動プラズマ閉じ込め構造および前記可動圧力制御構造の移動を容易にするために、１組の共通プランジャを共有する、プラズマ処理システム。
適用例１３：適用例１０に記載のプラズマ処理システムであって、前記可動プラズマ閉じ込め構造は、前記プラズマを取り囲むよう構成された可動プラズマ対向構造と、前記可動プラズマ対向構造の外側に配置され、前記基板の取り扱いを容易にするために前記可動プラズマ対向構造と共に単一のユニットとして配置および待避されるよう構成され、前記プラズマ処理中に高周波（ＲＦ）接地される可動導電構造と、を備え、
前記可動プラズマ対向構造は、前記プラズマからのＲＦ電流が前記プラズマ処理中に前記可動プラズマ対向構造を通して前記可動導電構造に流れるように、前記プラズマ処理中に前記プラズマと前記可動導電構造との間に配置される、プラズマ処理システム。
適用例１４：適用例１３に記載のプラズマ処理システムであって、さらに、切断可能なＲＦ接点を備え、前記切断可能なＲＦ接点は、前記可動導電構造が配備された時に、前記接地への前記低インピーダンス経路が前記切断可能なＲＦ接点を通して形成されるように配置される、プラズマ処理システム。
適用例１５：適用例１０に記載のプラズマ処理システムであって、前記プラズマ処理チャンバは、拡大されたプラズマ周辺領域を備え、前記拡大されたプラズマ周辺領域は、前記可動プラズマ閉じ込め構造の内側に形成され、上側電極と下側電極との間のギャップ寸法よりも大きい垂直寸法を有し、前記拡大されたプラズマ周辺領域は、前記可動圧力制御構造が、前記プラズマ処理チャンバからの前記圧力の解放を、より大きい範囲で調整することを可能にする、プラズマ処理システム。
適用例１６：  プラズマ処理チャンバを備えたプラズマ処理システムを製造するための方法であって、複数の孔を有し、配備された時に、前記プラズマ処理チャンバ内で基板のプラズマ処理中に生成されたプラズマを取り囲むよう構成された可動プラズマ閉じ込め構造を準備しと、前記可動プラズマ閉じ込め構造の外側に可動圧力制御構造を配置し、前記可動プラズマ閉じ込め構造は、前記プラズマ処理中に前記プラズマと前記可動圧力制御構造との間に配置され、前記可動圧力制御構造は、前記基板の取り扱いを容易にするために、前記可動プラズマ閉じ込め構造と共に配置および待避可能であり、前記可動圧力制御構造は、前記複数の孔の少なくとも一部を遮ることによって前記プラズマ処理中に前記プラズマ処理チャンバ内の圧力を少なくとも部分的に調整するために、前記可動プラズマ閉じ込め構造に対して独立的に移動可能であり、前記可動導電構造に１組の導電ストラップを接続し、前記１組の導電ストラップは、前記可動導電構造が配置および待避される時に前記可動導電構造の動きに対応しつつ、接地への低インピーダンス経路を前記ＲＦ電流に提供する、ことを備える、方法。
適用例１７：適用例１６に記載の方法であって、さらに、前記可動プラズマ閉じ込め構造および前記可動圧力制御構造によって共有される１組の共通プランジャを準備することを備え、前記１組の共通プランジャは、前記可動プラズマ閉じ込め構造および前記可動圧力制御構造の移動を容易にするよう構成される、方法。
適用例１８：適用例１６に記載の方法であって、前記可動プラズマ閉じ込め構造は、前記プラズマを取り囲むよう構成された可動プラズマ対向構造と、前記可動プラズマ対向構造の外側に配置され、前記基板の取り扱いを容易にするために前記可動プラズマ対向構造と共に単一のユニットとして配置および待避されるよう構成され、前記プラズマ処理中に高周波（ＲＦ）接地される可動導電構造と、を備え、
前記可動プラズマ対向構造は、前記プラズマからのＲＦ電流が前記プラズマ処理中に前記可動プラズマ対向構造を通して前記可動導電構造に流れるように、前記プラズマ処理中に前記プラズマと前記可動導電構造との間に配置される、方法。
適用例１９：適用例１８に記載の方法であって、さらに、前記可動導電構造と前記接地との間に切断可能なＲＦ接点を配置することにより、前記可動導電構造が配置された時に、前記切断可能なＲＦ接点を通して前記接地への前記低インピーダンス経路を形成することを備える、方法。
適用例２０：適用例１６に記載の方法であって、前記可動プラズマ閉じ込め構造は、全体的に円筒形の構造であり、前記複数の孔は、前記円筒形の構造の軸に沿って配置された複数のスロットである、方法。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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