(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
環状フレームに装着された粘着シート上に貼着された板状物を吸引保持する吸引保持面を有する回転可能なスピンナテーブルと、該スピンナテーブルの外周に互いに所定の間隔を有して複数配設され該スピンナテーブルの回転によって生じる遠心力によって該環状フレームを押さえる環状フレーム押さえ手段と、該スピンナテーブルによって板状物が吸引保持され、且つ、該スピンナテーブルが所定速度よりも速い速度で回転して該環状フレーム押さえ手段によって該環状フレームが押さえられているときに板状物に保護膜を塗布する保護膜塗布手段と、該環状フレーム上に飛散した保護膜を除去する除去液を回転する該環状フレームへ供給して該環状フレームを洗浄する環状フレーム洗浄手段と、を備えた保護膜塗布装置であって、
該環状フレーム押さえ手段は、少なくとも一部に強磁性体を含む錘部と、該錘部に連結され該環状フレームを抑える爪部とを含む振り子体と、
該スピンナテーブルの外周部に配設されて該振り子体を回動可能に支持する支持部と、
該爪部が該環状フレームを押さえる押さえ位置と該爪部が該環状フレームを解放する解放位置との間で回動可能なように、該振り子体を該支持部に回動可能に取り付ける振り子軸と、
該錘部に対面して配設され、該爪部が該解放位置に位置付けられた状態で該錘部を所定の磁力で固定する永久磁石からなる錘固定部とを有し、
該スピンナテーブルの回転速度が該所定速度以下の時には、該永久磁石の磁力が該振り子体の遠心力に打ち勝って該錘固定部が該錘部を固定することにより該爪部が該解放位置に位置付けられ、該スピンナテーブルの回転速度が該所定速度より速い時には、該振り子体の遠心力が該錘固定部の磁力に打ち勝って該錘部が該錘固定部から外れて該爪部が該押さえ位置に位置付けられるように該永久磁石の磁力、該強磁性体の種類及び該振り子体の質量が設定され、
該環状フレーム洗浄手段で該環状フレームが洗浄されるときの該スピンナテーブルの回転速度は該所定速度以下に設定されることを特徴とする保護膜塗布装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウエーハや光デバイスウエーハ等のウエーハの表面に水溶性樹脂の保護膜を塗布する保護膜塗布装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＩＣ、ＬＳＩ、ＬＥＤ等の複数のデバイスが分割予定ライン（ストリート）によって区画され表面に形成されたシリコンウエーハ、サファイヤウエーハ等のウエーハは、加工装置によって個々のデバイスに分割され、分割されたデバイスは携帯電話、パソコン等の各種電気機器に広く利用されている。
【０００３】
ウエーハの分割には、ダイサーと呼ばれる切削装置を用いたダイシング方法が広く採用されている。ダイシング方法では、ダイアモンド等の砥粒を金属や樹脂で固めて厚さ３０μｍ程度とした切削ブレードを、３００００ｒｐｍ程度の高速で回転させつつウエーハへ切り込ませることでウエーハを切削し、個々のデバイスへと分割する。
【０００４】
一方、近年では、ウエーハに対して吸収性を有する波長のパルスレーザビームをウエーハに照射することでレーザ加工溝を形成し、ブレーキング装置でウエーハに外力を付与してレーザ加工溝に沿ってウエーハを割断して個々のデバイスへと分割する方法が提案されている（例えば、特開平１０−３０５４２０号公報参照）。
【０００５】
レーザ加工装置によるレーザ加工溝の形成は、ダイサーによるダイシング方法に比べて加工速度を早くすることができるとともに、サファイアやＳｉＣ等の硬度の高い素材からなるウエーハであっても比較的容易に加工することができる。また、加工溝を例えば１０μｍ以下等の狭い幅とすることができるので、ダイシング方法で加工する場合に対してウエーハ１枚当たりのデバイス取り量を増やすことができる。
【０００６】
ところが、ウエーハにパルスレーザビームを照射すると、パルスレーザビームが照射された領域に熱エネルギーが集中してデブリが発生する。このデブリがデバイス表面に付着するとデバイスの品質を低下させるという問題が生じる。
【０００７】
そこで、例えば特開２００４−３２２１６８号公報には、このようなデブリによる問題を解消するために、ウエーハの加工面にＰＶＡ（ポリ・ビニール・アルコール）、ＰＥＧ（ポリ・エチレン・グリコール）等の水溶性樹脂を塗布して保護膜を被覆し、この保護膜を通してウエーハにパルスレーザビームを照射するようにしたレーザ加工装置が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開平１０−３０５４２０号公報
【特許文献２】特開２００４−３２２１６８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
ウエーハは外周部が環状フレームに装着された粘着テープに貼着された状態でレーザ加工装置に供給される。レーザ加工装置に搭載された従来の保護膜塗布装置では、振り子式のクランプが環状フレームを抑えた状態でウエーハ上に保護膜の塗布が行われる装置がよく使用されている。
【００１０】
ところが、振り子式のクランプが環状フレームを抑えた状態で環状フレームに付着した保護膜の洗浄を行うと、洗浄液がクランプに当たってウエーハ上面に飛散し、飛散した洗浄液がウエーハに塗布された保護膜を局所的に溶解するという問題がある。このような保護膜を有するウエーハをレーザ加工すると、レーザ加工で発生したデブリが局所的に保護膜が形成されなかった部分に付着してデバイス不良等を引き起こす。
【００１１】
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、フレーム洗浄時に洗浄液が振り子式のクランプに当たってウエーハ上面に飛散することのない保護膜塗布装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明によると、環状フレームに装着された粘着シート上に貼着された板状物を吸引保持する吸引保持面を有する回転可能なスピンナテーブルと、該スピンナテーブルの外周に互いに所定の間隔を有して複数配設され該スピンナテーブルの回転によって生じる遠心力によって該環状フレームを押さえる環状フレーム押さえ手段と、該スピンナテーブルによって板状物が吸引保持され、且つ、該スピンナテーブルが所定速度よりも速い速度で回転して該環状フレーム押さえ手段によって該環状フレームが押さえられているときに板状物に保護膜を回転塗布する保護膜塗布手段と、該環状フレーム上に飛散した保護膜を除去する除去液を回転する該環状フレームへ供給して該環状フレームを洗浄する環状フレーム洗浄手段と、を備えた保護膜塗布装置であって、該環状フレーム押さえ手段は、少なくとも一部に強磁性体を含む錘部と、該錘部に連結され該環状フレームを抑える爪部とを含む振り子体と、該スピンナテーブルの外周部に配設されて該振り子体を回動可能に支持する支持部と、該爪部が該環状フレームを押さえる押さえ位置と該爪部が該環状フレームを解放する解放位置との間で回動可能なように、該振り子体を該支持部に回動可能に取り付ける振り子軸と、該錘部に対面して配設され、該爪部が該解放位置に位置付けられた状態で該錘部を所定の磁力で固定する永久磁石からなる錘固定部とを有し、該スピンナテーブルの回転速度が該所定速度以下の時には、該永久磁石の磁力が該振り子体の遠心力に打ち勝って該錘固定部が該錘部を固定することにより該爪部が該解放位置に位置付けられ、該スピンナテーブルの回転速度が該所定速度より速い時には、該振り子体の遠心力が該錘固定部の磁力に打ち勝って該錘部が該錘固定部から外れて該爪部が該押さえ位置に位置付けられるように該永久磁石の磁力、該強磁性体の種類及び該振り子体の質量が設定され、該環状フレーム洗浄手段で該環状フレームが洗浄されるときの該スピンナテーブルの回転速度は該所定速度以下に設定されることを特徴とする保護膜塗布装置が提供される。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の保護膜塗布装置によると、スピンナテーブルの回転速度が所定速度以下の時には振り子式のクランプが解放位置に位置付けされて環状フレームがクランプされないため、スピンナテーブルの回転速度が所定速度以下でフレーム洗浄を実施することで、洗浄液がクランプに当たってウエーハ上面に飛散することが防止される。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】レーザ加工装置の外観斜視図である。
【図２】ダイシングテープを介して環状フレームに支持されたウエーハの斜視図である。
【図３】レーザビーム照射ユニットのブロック図である。
【図４】保護膜塗布装置の一部破断斜視図である。
【図５】環状フレーム押さえ手段の側面図である。
【図６】スピンナテーブルが上昇された状態の保護膜被覆装置の縦断面図である。
【図７】スピンナテーブルが下降されて液状樹脂を吐出後ウエーハ全面に液状樹脂をスピンコーティングして保護膜を塗布している状態の縦断面図である。
【図８】フレーム洗浄時の縦断面図である。
【図９】ウエーハをレーザ加工後、ウエーハを洗浄して保護膜を除去している状態の縦断面図である。
【図１０】保護膜除去後ウエーハを乾燥している状態の縦断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。図１は本発明の保護膜被覆装置を具備し、ウエーハにレーザー加工を施すことのできるレーザー加工装置２の外観を示している。
【００１６】
レーザー加工装置２の前面側には、オペレータが加工条件等の装置に対する指示を入力するための操作手段４が設けられている。装置上部には、オペレータに対する案内画面や後述する撮像手段によって撮像された画像が表示されるＣＲＴ等の表示手段６が設けられている。
【００１７】
図２に示すように、加工対象の半導体ウエーハＷの表面においては、第１のストリートＳ１と第２のストリートＳ２とが直交して形成されており、第１のストリートＳ１と第２のストリートＳ２とによって区画された領域に多数のデバイスＤが形成されている。
【００１８】
ウエーハＷは粘着テープであるダイシングテープＴに貼着され、ダイシングテープＴの外周縁部は環状フレームＦに貼着されている。これにより、ウエーハＷはダイシングテープＴを介して環状フレームＦに支持された状態となり、図１に示したウエーハカセット８中にウエーハが複数枚（例えば２５枚）収容される。ウエーハカセット８は上下動可能なカセットエレベータ９上に載置される。
【００１９】
ウエーハカセット８の後方には、ウエーハカセット８からレーザー加工前のウエーハＷを搬出するとともに、加工後のウエーハをウエーハカセット８に搬入する搬出入手段１０が配設されている。
【００２０】
ウエーハカセット８と搬出入手段１０との間には、搬出入対象のウエーハが一時的に載置される領域である仮置き領域１２が設けられており、仮置き領域１２にはウエーハＷを一定の位置に位置合わせする位置合わせ手段１４が配設されている。
【００２１】
３０は本発明実施形態に係る保護膜被覆装置であり、この保護膜被覆装置３０は加工後のウエーハを洗浄する洗浄装置を兼用する。仮置き領域１２の近傍には、ウエーハＷと一体となったフレームＦを吸着して搬送する旋回アームを有する搬送手段１６が配設されている。
【００２２】
仮置き領域１２に搬出されたウエーハＷは、搬送手段１６により吸着されて保護膜被覆装置３０に搬送される。保護膜被覆装置３０では、後で詳細に説明するようにウエーハＷの加工面に保護膜が被覆される。
【００２３】
加工面に保護膜が被覆されたウエーハＷは、搬送手段１６により吸着されてチャックテーブル１８上に搬送され、チャックテーブル１８に吸引されるとともに、複数の固定手段（クランプ）１９によりフレームＦが固定されることでチャックテーブル１８上に保持される。
【００２４】
チャックテーブル１８は、回転可能且つＸ軸方向に往復動可能に構成されており、チャックテーブル１８のＸ軸方向の移動経路の上方には、ウエーハＷのレーザー加工すべきストリートを検出するアライメント手段２０が配設されている。
【００２５】
アライメント手段２０は、ウエーハＷの表面を撮像する撮像手段２２を備えており、撮像により取得した画像に基づき、パターンマッチング等の画像処理によってレーザー加工すべきストリートを検出することができる。撮像手段２２によって取得された画像は、表示手段６に表示される。
【００２６】
アライメント手段２０の左側には、チャックテーブル１８に保持されたウエーハＷに対してレーザビームを照射するレーザビーム照射ユニット２４が配設されている。レーザビーム照射ユニット２４のケーシング２６中には後で詳細に説明するレーザビーム発振手段等が収容されており、ケーシング２６の先端にはレーザビームを加工すべきウエーハ上に集光する集光器２８が装着されている。
【００２７】
レーザビーム照射ユニット２４のケーシング２６内には、図３のブロック図に示すように、レーザビーム発振手段３４と、レーザビーム変調手段３６が配設されている。
【００２８】
レーザビーム発振手段３４としては、ＹＡＧレーザー発振器或いはＹＶＯ４レーザー発振器を用いることができる。レーザビーム変調手段３６は、繰り返し周波数設定手段３８と、レーザビームパルス幅設定手段４０と、レーザビーム波長設定手段４２を含んでいる。
【００２９】
レーザビーム変調手段３６を構成する繰り返し周波数設定手段３８、レーザビームパルス幅設定手段４０及びレーザビーム波長設定手段４２は周知の形態のものであり、本明細書においてはその詳細な説明を省略する。
【００３０】
レーザビーム照射ユニット２４によりレーザー加工が終了したウエーハＷは、チャックテーブル１８をＸ軸方向に移動してから、Ｙ軸方向に移動可能な搬送手段３２により保持されて洗浄装置を兼用する保護膜被覆装置３０まで搬送される。保護膜被覆装置３０では、洗浄ノズルから水を噴射しながらウエーハＷを低速回転（例えば８００〜１０００ｒｐｍ）させることによりウエーハを洗浄する。
【００３１】
洗浄後、ウエーハＷを高速回転（例えば１５００〜２０００ｒｐｍ）させながらエアノズルからエアを噴出させてウエーハＷを乾燥させた後、搬送手段１６によりウエーハＷを吸着して仮置き領域１２に戻し、更に搬出入手段１０によりウエーハカセット８の元の収納場所にウエーハＷは戻される。
【００３２】
次に、本発明実施形態に係る保護膜被覆装置３０について図４乃至図１０を参照して詳細に説明する。まず図４を参照すると、保護膜被覆装置３０の一部破断斜視図が示されている。
【００３３】
保護膜被覆装置３０は、スピンナテーブル機構４４と、スピンナテーブル機構４４を包囲して配設された洗浄水受け機構４６を具備している。スピンナテーブル機構４４は、スピンナテーブル４８と、スピンナテーブル４８を回転駆動する電動モータ５０と、電動モータ５０を上下方向に移動可能に支持する支持機構５２とから構成される。
【００３４】
スピンナテーブル４８は多孔性材料から形成された吸着チャック４８ａを具備しており、吸着チャック４８ａが図示しない吸引手段に連通されている。従って、スピンナテーブル４８は、吸着チャック４８ａにウエーハを載置し図示しない吸引手段により負圧を作用させることにより、吸着チャック４８ａ上にウエーハを吸引保持する。
【００３５】
スピンナテーブル４８は、電動モータ５０の出力軸５０ａに連結されている。支持機構５２は、複数の（本実施形態においては３本）の支持脚５４と、支持脚５４にそれぞれ連結され電動モータ５０に取り付けられた複数（本実施形態においては３本）のエアシリンダ５６とから構成される。
【００３６】
このように構成された支持機構５２は、エアシリンダ５６を作動することにより、電動モータ５０及びスピンナテーブル４８を図６に示す上昇位置であるウエーハ搬入・搬出位置と、図７に示す下降位置である作業位置に位置付け可能である。
【００３７】
洗浄水受け機構４６は、洗浄水受け容器５８と、洗浄水受け容器５８を支持する３本（図４には２本のみ図示）の支持脚６０と、電動モータ５０の出力軸５０ａに装着されたカバー部材６２とから構成される。
【００３８】
洗浄水受け容器５８は、図６に示すように、円筒状の外側壁５８ａと、底壁５８ｂと、内側壁５８ｃとから構成される。底壁５８ｂの中央部には、電動モータ５０の出力軸５０ａが挿入される穴５１が設けられており、内側壁５８ｃはこの穴５１の周辺から上方に突出するように形成されている。
【００３９】
また、図４に示すように、底壁５８ｂには廃液口５９が設けられており、この廃液口５９にドレンホース６４が接続されている。カバー部材６２は円盤状に形成されており、その外周縁から下方に突出するカバー部６２ａを備えている。
【００４０】
このように構成されたカバー部材６２は、電動モータ５０及びスピンナテーブル４８が図７に示す作業位置に位置付けられると、カバー部６２ａが洗浄水受け容器５８を構成する内側壁５８ｃの外側に隙間を持って重合するように位置付けられる。
【００４１】
保護膜塗布装置３０は、スピンナテーブル４８に保持された加工前の半導体ウエーハに液状樹脂を塗布する塗布手段６６を具備している。塗布手段６６は、スピンナテーブル４８に保持された加工前のウエーハの加工面に向けて液状樹脂を吐出する吐出ノズル６８と、吐出ノズル６８を支持する概略Ｌ形状のアーム７０とを含んでいる。
【００４２】
塗布手段６６は更に、アーム７０に支持された吐出ノズル６８をスピンナテーブル４８に支持されたウエーハＷの中心部に対応する液状樹脂吐出位置と、スピンナテーブル４８から外れた図４に示す退避位置との間で揺動する正転・逆転可能な電動モータ７２とを含んでいる。吐出ノズル６８はアーム７０を介して図示しない液状樹脂供給源に接続されている。
【００４３】
保護膜塗布装置３０はレーザー加工後のウエーハを洗浄する洗浄装置を兼用する。よって、保護膜塗布装置３０は、スピンナテーブル４８に保持された加工後のウエーハを洗浄するための洗浄水供給手段７４及びエア供給手段７６を具備している。
【００４４】
洗浄水供給手段７４は、スピンナテーブル４８に保持された加工後のウエーハに向けて洗浄水を噴出する洗浄水ノズル７８と、洗浄水ノズル７８を支持するアーム８０と、アーム８０に支持された洗浄水ノズル７８を揺動する正転・逆転可能な電動モータ８２とから構成される。洗浄水噴射ノズル７８はアーム８０を介して図示しない洗浄水供給源に接続されている。
【００４５】
エア供給手段７６は、スピンナテーブル４８に保持された洗浄後のウエーハに向けてエアを噴出するエアノズル８４と、エアノズル８４を支持するアーム８６と、アーム８６に支持されたエアノズル８４を揺動する正転・逆転可能な電動モータ（図示せず）を備えている。エアノズル８４はアーム８６を介して図示しないエア供給源に接続されている。
【００４６】
スピンナテーブル４８には、環状フレームＦを押さえる４個の振り子式の環状フレーム押さえ手段４９が配設されている。環状フレーム押さえ手段４９は、スピンナテーブル４８に固定された支持部８８と、支持部８８に回動可能に取り付けられた振り子体（クランプ）９０を含んでいる。振り子体９０は振り子軸９５を介して支持部８８に回動可能に取り付けられている。９８は振り子軸９８の抜けを防止するスナップリングである。
【００４７】
振り子体９０は例えば鉄等の強磁性体から形成されており、錘部９２と、錘部９２と一体的に形成された環状フレームＦを押さえる爪部９４とから構成される。支持部８８には永久磁石から構成された錘固定部９６が取り付けられている。
【００４８】
振り子体９０は、スピンナテーブル４８の回転速度が所定速度以下の時には、錘固定部９６の磁力が振り子体９０の遠心力に打ち勝って錘部９２が錘固定部９６に吸着されて固定され、爪部９４は図５に示す解放位置に位置付けられ、スピンナテーブル４８の回転速度が所定速度より速い時には、振り子体９０の遠心力が錘固定部９６の磁力に打ち勝って錘部９０が錘固定部９６から外れて爪部９４が環状フレームＦを押さえる押さえ位置に位置付けられるように、錘固定部９６の磁力と振り子体９０の強磁性体の種類及びその質量が設定されている。
【００４９】
振り子体９０は、その全体が強磁性体から形成される必要はなく、錘固定部９６の磁力により吸着される錘部９２の一部が強磁性体から形成されていればよい。本実施形態では前記所定速度を１０００ｒｐｍに設定した。
【００５０】
以下、このように構成された保護膜塗布装置３０の作用について説明する。ウエーハ搬送手段１６の旋回動作によって加工前の半導体ウエーハＷは保護膜塗布装置３０のスピンナテーブル４８に搬送され、吸着チャック４８ａにより吸引保持される。
【００５１】
この時、スピンナテーブル４８は図６に示すウエーハ搬入・搬出位置に位置付けられており、吐出ノズル６８、洗浄ノズル７８及びエアノズル８４は図４及び図６に示すように、スピンナテーブル４８の上方から隔離した待機位置に位置付けられている。
【００５２】
加工前のウエーハＷが保護膜塗布装置３０のスピンナテーブル４８上に保持されたならば、ウエーハＷの加工面である表面に液状樹脂を吐出して保護膜を塗布する保護膜塗布工程を実行する。
【００５３】
保護膜塗布工程を実施するには、エアシリンダ５６を駆動してスピンナテーブル４８を図７で矢印Ａ方向に移動して作業位置に位置付ける。更に、塗布手段６６の吐出ノズル６８を図７に示す位置に位置付けて液状樹脂をウエーハＷ上に吐出してから、電動モータ５０を駆動してスピンナテーブル４８をＲ１方向に２０００ｒｐｍで回転させて吐出された液状樹脂をウエーハＷの全面にスピンコーティングする。
【００５４】
スピンナテーブル４８は２０００ｒｐｍという比較的高速で回転されるので、振り子体９０の遠心力が錘固定部９６の磁力に打ち勝って錘部９２が錘固定部９６から外れて振り子体９０の爪部９４が環状フレームＦをクランプする（押さえる）。
【００５５】
このように環状フレームＦが振り子体９０の爪部９４でクランプされた状態でスピンナテーブル４８が２０００ｒｐｍの回転速度で回転されるため、液状樹脂のウエーハＷ上へのスピンコーティング時に環状フレームＦがスピンナテーブル４８に対して固定され、液状樹脂をウエーハＷ表面に満遍なくスピンコーティングして保護膜を形成することができる。
【００５６】
保護膜を形成する液状樹脂としては、ＰＶＡ（ポリ・ビニール・アルコール）、ＰＥＧ（ポリ・エチレン・グリコール）、ＰＥＯ（酸化ポリエチレン）等の水溶性のレジストが望ましい。
【００５７】
保護膜塗布後、図８に示すように、純水源とエア源に接続された洗浄水ノズル７８から純水とエアとからなる洗浄水７９を環状フレームＦに供給しながらスピンナテーブル４８を１００〜２００ｒｐｍの低速で回転させて環状フレームＦを洗浄する。
【００５８】
この洗浄工程ではスピンナテーブル４８が低速で回転されるため、錘固定部９６の磁力が振り子体９０の遠心力に打ち勝って錘部９２が錘固定部９６に吸着されて固定され、振り子体９０の爪部９４は解放位置に位置付けられる。
【００５９】
よって、環状フレームＦの洗浄時に、従来のように洗浄水が振り子体９０の爪部９４に当たってウエーハ上面に飛散することが防止され、飛散した洗浄水がウエーハＷに塗布された保護膜を局所的に溶解することが防止される。
【００６０】
保護膜塗布工程によって半導体ウエーハＷの表面に保護膜が塗布されたならば、スピンナテーブル４８を図６に示すウエーハ搬入・搬出位置に位置付けるとともに、スピンナテーブル４８に保持されているウエーハＷの吸引保持を解除する。
【００６１】
そして、スピンナテーブル４８上のウエーハＷは、ウエーハ搬送手段１６によってチャックテーブル１８に搬送され、チャックテーブル１８により吸引保持される。更に、チャックテーブル１８がＸ軸方向に移動してウエーハＷは撮像手段２２の直下に位置付けられる。
【００６２】
撮像手段２２でウエーハＷの加工領域を撮像して、レーザビームを照射するレーザビーム照射ユニット２４の集光器２８と第１のストリートＳ１との位置合わせを行うためのパターンマッチング等の画像処理が実行され、第１のストリートＳ１についてレーザビーム照射位置のアライメントが実施される。チャックテーブル１８を９０度回転して、第２のストリートＳ２についても同様なアライメントを実施する。
【００６３】
このようにして、チャックテーブル１８上に保持されているウエーハＷの第１及び第２のストリートＳ１，Ｓ２を検出し、レーザビーム照射位置のアライメントが実施されたならば、チャックテーブル１８をレーザビームを照射する集光器２８が位置するレーザビーム照射領域に移動し、ウエーハＷの第１のストリートＳ１又は第２のストリートＳ２に沿って集光器２８からウエーハＷに対して吸収性を有する波長（例えば３５５ｎｍ）のレーザビームを保護膜を通してウエーハＷに照射して、レーザ加工溝を形成する。
【００６４】
この時、レーザビームの照射によりデブリが発生しても、このデブリは保護膜によって遮断され、デバイスＤの電子回路及びボンディングパッド等に付着することはない。
【００６５】
このようにして、半導体ウエーハＷの第１のストリートＳ１及び第２のストリートＳ２に沿ってレーザ加工溝を形成したら、チャックテーブル１８は最初にウエーハＷを吸引保持した位置に戻され、ここでウエーハＷの吸引保持を解除する。
【００６６】
そして、ウエーハＷは搬送手段３２によって保護膜塗布装置３０のスピンナテーブル４８に搬送され、吸着チャック４８ａにより吸引保持される。この時、吐出ノズル６８、洗浄水ノズル７８及びエアノズル８４は、図４及び図６に示すように、スピンナテーブル４８の上方から隔離した待機位置に位置付けられている。
【００６７】
そして、図９に示すように、純水源とエア源に接続された洗浄水ノズル７８から純水とエアとからなる洗浄水７９を噴射しながらスピンナテーブル４８を矢印Ｒ１方向に例えば８００ｒｐｍで回転させることによりウエーハＷを洗浄して保護膜を除去する。スピンナテーブル４８が所定速度以下の低速で回転されるため、振り子体９０の爪部９４は解放位置に位置付けられてウエーハＷの洗浄が遂行される。
【００６８】
洗浄工程が終了したら、乾燥工程を実行する。即ち、洗浄水ノズル７８を待機位置に位置付けるとともに、エアノズル８４の噴出口をスピンナテーブル４８上に保持されたウエーハＷの上方に位置付ける。
【００６９】
そして、図１０に示すように、スピンナテーブル４８を所定速度より早い１５００〜２０００ｒｐｍで回転しつつエアノズル８４からスピンナテーブル４８に保持されているウエーハＷに向けてエアを噴出し、ウエーハＷの表面を乾燥する。
【００７０】
この乾燥工程では、スピンナテーブル４８が所定速度より速い１５００〜２０００ｒｐｍで回転されるため、振り子体９０の爪部９４は図１０に示すように環状フレームＦをクランプしながら乾燥工程が実施される。
【００７１】
ウエーハＷを乾燥させた後、搬送手段１６によりウエーハＷを吸着して仮置き領域１２に戻し、更に搬出入手段１０によりウエーハカセット８の元の収納場所にウエーハＷは戻される。
【符号の説明】
【００７２】
２    レーザ加工装置
１８    チャックテーブル
２４    レーザビーム照射ユニット
２８    集光器
３０    保護膜塗布装置
４８    スピンナテーブル
４９    環状フレーム押さえ手段
６６    液状樹脂塗布手段
６８    吐出ノズル
７４    洗浄手段
７８    洗浄水ノズル
７６    乾燥手段
８４    エアノズル
９０    振り子体
９２    錘部
９４    爪部
９６    錘固定部
噴射口
【図１】
0005713749.tif 000002
【図２】
0005713749.tif 000003
【図３】
0005713749.tif 000004
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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