(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
対象物体に対し、超音波ビームを送受信するｎ個（前記ｎは自然数）のタイルと、
前記ｎ個のタイルを各々載置し、前記タイルをマルチアレイ状に整列するｎ個の載置部、及び、前記載置部の下部に位置するｎ個の接着部が形成された基板と、を含み、
前記基板には、接着物質を外部に放出するｎ個のアウトレットがさらに形成されている、ことを特徴とするマルチアレイ超音波プローブ装置。
【請求項２】
前記載置部の幅は前記接着部の幅より広い、ことを特徴とする請求項１に記載のマルチアレイ超音波プローブ装置。
【請求項３】
ｎ個の前記載置部及び前記接着部の高さは各々同一である、ことを特徴とする請求項１に記載のマルチアレイ超音波プローブ装置。
【請求項４】
ｎ個の前記載置部及び前記接着部は一定の間隔を置いてマトリックス状に前記基板に形成される、ことを特徴とする請求項１に記載のマルチアレイ超音波プローブ装置。
【請求項５】
前記載置部の幅は前記タイルの幅より所定の間隔だけ広い、ことを特徴とする請求項１に記載のマルチアレイ超音波プローブ装置。
【請求項６】
前記タイルは、ＡＳＩＣと、該ＡＳＩＣの上方に取付けられたＣＭＵＴとからなる、ことを特徴とする請求項１に記載のマルチアレイ超音波プローブ装置。
【請求項７】
前記基板はシリコン、ガラス、又は、ポリマー系物質で形成される、ことを特徴とする請求項１に記載のマルチアレイ超音波プローブ装置。
【請求項８】
ｎ個の載置部、及び、前記載置部の下部に位置するｎ個の接着部が形成された基板を提供するステップと、
超音波ビームを送受信するｎ個（前記ｎは自然数）のタイルを前記ｎ個の載置部に各々載置して前記ｎ個のタイルをマルチアレイ状に整列するステップと、
を含み、
前記基板を提供するステップは、接着物質を外部に放出するｎ個のアウトレットがさらに形成された前記基板を提供するステップを含む、ことを特徴とするマルチアレイ超音波プローブ装置の製造方法。
【請求項９】
前記基板を提供するステップは、
前記載置部の幅が前記接着部の幅より広く形成された前記基板を提供するステップを含むことを特徴とする請求項８に記載のマルチアレイ超音波プローブ装置の製造方法。
【請求項１０】
前記基板を提供するステップは、
ｎ個の前記載置部及び前記接着部の高さが各々同一に形成された前記基板を提供するステップを含むことを特徴とする請求項８に記載のマルチアレイ超音波プローブ装置の製造方法。
【請求項１１】
前記基板を提供するステップは、
ｎ個の前記載置部及び前記接着部が一定の間隔を置いてマトリックス状に形成された前記基板を提供するステップを含むことを特徴とする請求項８に記載のマルチアレイ超音波プローブ装置の製造方法。
【請求項１２】
前記基板を提供するステップは、
前記載置部の幅が前記タイルの幅より所定の間隔だけ広く形成された前記基板を提供するステップを含むことを特徴とする請求項８に記載のマルチアレイ超音波プローブ装置の製造方法。
【請求項１３】
前記ｎ個のタイルをマルチアレイ状に整列するステップは、
ＡＳＩＣの上方にＣＭＵＴを取付けて形成された前記ｎ個のタイルを前記ｎ個の載置部に各々載置するステップを含むことを特徴とする請求項８に記載のマルチアレイ超音波プローブ装置の製造方法。
【請求項１４】
前記基板を提供するステップは、
シリコン、ガラス、又は、ポリマー系物質で形成された前記基板を提供するステップを含むことを特徴とする請求項８に記載のマルチアレイ超音波プローブ装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体発光装置に関し、特に、複数の発光セルが配列された構造、即ちマルチセルアレイを有する半導体発光装置及びこれを製造する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
超音波診断装置は、対象物体の体表から体内の希望部位に向けて超音波ビームを照射し、反射された超音波ビームを用いて軟部組織の断層や血流に関する画像を取得する装置である。
【０００３】
このような超音波診断装置は、超音波ビームを対象物体に送信し、対象物体から反射された超音波ビームを受信して超音波データを取得するための超音波プローブ装置を含む。
【０００４】
ここで、超音波プローブ装置は、対象物体に接触した状態で移動しながら超音波ビームを送受信して、対象物体に関する超音波データを取得する。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、基板にタイルの方向及びタイル間のレベルを同一に整列して、タイルで送受信される超音波ビームの送受信方向及び時刻を正確に制御することによって、安定した超音波ビームを提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一実施形態によれば、対象物体に対し、超音波ビームを送受信するｎ個（前記ｎは自然数）のタイル（ｔｉｌｅ）と、前記ｎ個のタイルを各々載置し、前記タイルをマルチアレイ（ｍｕｌｔｉ  ａｒｒａｙ）状に整列するｎ個の載置部（ｇｕｉｄｅ  ｐｏｒｔｉｏｎ）が形成された基板を含むマルチアレイ超音波プローブ装置が提供される。
【０００７】
また、前記基板には、前記載置部の下部に位置するｎ個の接着部（ａｎ  ａｄｈｅｓｉｖｅ  ｐｏｒｔｉｏｎ）がさらに形成される。
【０００８】
また、前記基板には、接着物質を外部に放出するｎ個のアウトレット（ｏｕｔ  ｐｏｒｔ）がさらに形成されている。
【０００９】
また、前記載置部の幅は、前記接着部の幅より広くてもよい。
【００１０】
また、ｎ個の前記載置部及び前記接着部の高さは、各々同一であってもよい。
【００１１】
また、ｎ個の前記載置部及び前記接着部は、一定の間隔を置いてマトリックス（ｍａｔｒｉｘ）状に前記基板に形成してもよい。
【００１２】
また、前記載置部の幅は、前記タイルの幅より所定の間隔だけ広くてもよい。
【００１３】
また、前記タイルは、ＡＳＩＣ（Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ  Ｓｐｅｃｉｆｉｃ  Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔｓ）と、該ＡＳＩＣの上方部に取付けられたＣＭＵＴ（Ｃａｐａｃｉｔｉｖｅ  Ｍｉｃｒｏｍａｃｈｉｎｅｄ  Ｕｌｔｒａｓｏｎｉｃ  Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒｓ）とからなってもよい。
【００１４】
また、前記基板は、シリコン、ガラス、又は、ポリマー系物質で形成してもよい。
【００１５】
また、本発明の一実施形態によれば、ｎ個の載置部、及び、前記載置部の下部に位置するｎ個の接着部が形成された基板を提供するステップと、超音波ビームを送受信するｎ個（前記ｎは自然数）のタイルを前記ｎ個の載置部に各々載置して前記ｎ個のタイルをマルチアレイ状に整列するステップと、を含み、前記基板を提供するステップは、接着物質を外部に放出するｎ個のアウトレットがさらに形成された前記基板を提供するステップを含む、マルチアレイ超音波プローブ装置の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、マルチアレイ超音波プローブ装置は、基板にタイルを載置し、タイルの方向及びタイル間のレベルを同一に整列することによって、タイルで送受信される超音波ビームの送受信方向及び時刻を制御し、より正確な超音波データを取得できる。
【００１７】
また、本発明に係わるマルチアレイ超音波プローブ装置は、タイルを載置する載置部が一定の間隔を置いてマトリックス状に形成された基板を用いるので、タイルをマルチアレイ状に容易に整列できる。
【００１８】
また、本発明に係わるマルチアレイ超音波プローブ装置は、半導体工程技術によって載置部及び接着部が形成された基板を用いるので、載置部及び接着部の誤差を数μｍ以内に減少でき、接着部に接して載置部に載置されるタイルを均一に整列できる。
【００１９】
また、本発明に係わるマルチアレイ超音波プローブ装置は、予め形成された基板（例えば、シリコン基板）に基づいてインプリント（ｉｍｐｒｉｎｔｉｎｇ）技術によって、ポリマー（Ｐｏｌｙｍｅｒ）系物質で形成された基板を用いるので、相対的に安い単価（又は短い時間）で製作できる。
【００２０】
また、本発明に係わるマルチアレイ超音波プローブ装置は、基板内接着部の一側にアウトレットを形成してあるので、タイルを載置部に載置するときに、タイルが接する接着部に位置する接着物質を圧迫する場合、接着物質を外部に放出できる通路を提供し、接着物質がタイルに向かって噴出することを回避し、タイルの破損を防止できる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】（ａ）は、一実施形態に係るマルチアレイ超音波プローブ装置の構造を示す図であり、            （ｂ）は、（ａ）のＡ−Ａ’に沿って切断した断面図である。
【図２】（ａ）は、一実施形態に係るマルチアレイ超音波プローブ装置の一例を示す図であり、            （ｂ）は、（ａ）のＢ−Ｂ’に沿って切断した断面図である。
【図３】一実施形態に係るマルチアレイ超音波プローブ装置の製造方法を示すフローチャートである。
【図４】一実施形態に係るマルチアレイ超音波プローブ装置内基板の一例を示す図である。
【図５】一実施形態に係るマルチアレイ超音波プローブ装置内基板でのタイル挿入一例を示す図である。
【図６】一実施形態に係るマルチアレイ超音波プローブ装置の基板製造方法の一例を説明するための断面図である。
【図７】一実施形態に係るマルチアレイ超音波プローブ装置の基板製造方法の他の一例を説明するための断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、本発明の実施形態について添付の図面を参照しながら詳細に説明する。
【００２３】
以下の説明に用いる用語としては、本発明における諸機能を表現できると考慮され、且つ、現在広く用いられている一般的な用語を選択したが、これらは当該分野に従事する技術者の意図、習慣、又は新しい技術の出現などによって異なり得る。
【００２４】
図１は、マルチアレイ超音波プローブ装置の構造を示す図である。ここで、（ａ）はマルチアレイ超音波プローブ装置の斜視図であり、（ｂ）はＡ−Ａ’に沿って切断した断面図である。
【００２５】
図１（ａ）（ｂ）を参照すると、マルチアレイ超音波プローブ装置１００は、複数個のタイル１０１及び基板１０３を含む。
【００２６】
マルチアレイ９８は、ｎ個（ｎは自然数）のタイル１０１からなり、図１（ａ）には８個のタイル１０１を含んでいるが、タイルの数はそれよりも多くても少なくてもよい。
【００２７】
タイル１０１は、対象物体に対して超音波ビームを送受信し、超音波データを取得する。タイル１０１は、ＡＳＩＣ（Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ  Ｓｐｅｃｉｆｉｃ  Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔｓ、用途専用集積回路）及びＡＳＩＣの上部に位置するＣＭＵＴ（Ｃａｐａｃｉｔｉｖｅ  Ｍｉｃｒｏｍａｃｈｉｎｅｄ  Ｕｌｔｒａｓｏｎｉｃ  Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒｓ、マイクロマシン製容量性超音波トランスデューサ）を含む。
【００２８】
基板１０３は、ｎ個のタイル１０１に対応するｎ個の載置部１０５及び接着部１０７がマトリックス状に形成され、載置部１０５に載置されるｎ個のタイル１０１を複数の一次元アレイを含むマルチアレイ状に整列させる。即ち、基板１０３には、ｎ個の載置部１０５及び接着部１０７が一定の間隔を置いて、行及び列状に形成され、載置部１０５に載置されるｎ個のタイル１０１を、例えばＸ軸又はＹ軸に平行な同一線上に位置させて、ｎ個のタイル１０１の方向を均一に整列させる。
【００２９】
具体的に、基板１０３には、基板１０３の上部表面１５０にｎ個のタイル１０１を各々載置できるｎ個の載置部１０５を形成し、基板１０３の下部表面１５２にｎ個の載置部１０５の位置に対応して、接着部１０７を各々形成する。ここで、接着部１０７には、ｎ個のタイル１０１を基板１０３に接着する接着物質（例えば、エポキシ）を位置させる。
【００３０】
また、基板１０３には、ｎ個の接着部１０７の各々の一側に各々アウトレット１０９を形成することによって、タイル１０１を載置部１０５に載置するときに、タイル１０１が接する接着部１０７に位置する接着物質を圧迫する場合、接着物質を外部に放出し、接着物質がタイル１０１に向かって噴出することを回避し、タイル１０１の破損を防止できる。
【００３１】
図２は、マルチアレイ超音波プローブ装置の一例を示す図である。ここで、図２（ａ）は、マルチアレイ超音波プローブ装置の平面図であり、図２（ｂ）は、Ｂ−Ｂ’に沿って切断した断面図である。
【００３２】
図２を参照すると、マルチアレイ超音波プローブ装置２００は、タイル２０１及び基板２０３を含む。
【００３３】
マルチアレイ１９８は、ｎ個（ｎは自然数、図ではｎ＝４の場合を例示）のタイル２０１からなり、タイル２０１の各々は対象物体に対して超音波ビームを送受信する。
基板２０３は、上述の基板１０３の載置部１０５及び接着部１０７と同様に、載置部２０５及び接着部２０７を備える。
タイル２０１は、接着部２０７に対応して配置された下面２６０を有するＡＳＩＣ（２０１−１）、及びＡＳＩＣ（２０１−１）の上面２６２に位置するＣＭＵＴ（２０１−２）を含む。ＡＳＩＣ（２０１−１）及びＣＭＵＴ（２０１−２）は、例えば、フリップチップボンディング（ｆｌｉｐ  ｃｈｉｐ  ｂｏｎｄｉｎｇ）技術によって互いに取付けられる。
【００３４】
基板２０３は、例えば、シリコン（ｓｉｌｉｃｏｎ）、ガラス（ｇｌａｓｓ）、又は、ポリマー系物質で形成される。基板２０３は、ｎ個のタイル２０１に対応する載置部２０５及び接着部２０７を含み、接着部２０７の一側又は両側には（本実施例では一側にのみ）アウトレット２０９が配置される。
【００３５】
基板２０３は、半導体工程技術又はインプリント技術によって形成される。基板２０３に、半導体工程技術によって載置部２０５及び接着部２０７を形成することで、載置部２０５及び接着部２０７の誤差を数μｍ以内に抑制し、接着部２０７に接して各載置部２０５に載置されるタイル２０１を均一に整列してマルチアレイ１９８を形成する。また、基板２０３は、予め形成された基板（例えば、シリコン基板）を用いてインプリント技術によって、ポリマー系物質で形成することによって、相対的に安い単価（又は短い時間）で形成できる。
【００３６】
ｎ個の載置部２０５は、タイル２０１の数ｎに対応して形成し、ｎ個のタイル２０１を各々載置して、ｎ個のタイル２０１をマルチアレイ状に整列する。各載置部２０５は、タイル２０１が挿入されて容易に載置できるようにタイル２０１の外郭形状と同一の形状に形成する。例えば、個々の載置部２０５は、「凹」字状の断面を有する内面を備え、タイル２０１の下面段２６０の一部と側面の一部が共に載置部２０５の内面に接するようにタイル２０１が載置される。
【００３７】
また、載置部２０５の内面の幅Ｗ１は、タイル２０１の幅Ｗ２より所定の間隔（例えば、１０〜２０μｍ）だけ広く形成することによって、タイル２０１の挿入を容易にする。ここで、載置部２０５の中心部にタイル２０１を載置することによって、載置部２０５の内側面とタイル２０１の外側面とは一定の離隔間隔２５０を保持できる。例えば、図２（ｂ）に示すように、載置部２０５の幅Ｗ１がタイル２０１の幅Ｗ２より１０μｍだけ広い場合、載置部２０５の左側の内側面はタイル２０１の一側の外側面と５μｍの離隔間隔を保持して、右側の内側面はタイル２０１の他側の外側面と５μｍの離隔間隔を保持する。
【００３８】
接着部２０７は、ｎ個の載置部２０５の各々の下部に隣接して形成され、タイル２０１を基板２０３に接着させる接着物質（例えば、エポキシ）が位置する。
【００３９】
ｎ個の載置部２０５及び接着部２０７は、一定の間隔（例えば、２０μｍ）を置いてマトリックス状に基板２０３に形成される。このように、ｎ個の載置部２０５及び接着部２０７をマトリックス状に基板２０３に形成することによって、ｎ個の載置部２０５に各々載置されるｎ個のタイル２０１を、例えばＸ軸又はＹ軸に平行な同一線上に位置させ、ｎ個のタイル２０１の方向を均一に整列させてマルチアレイ１９８を形成する。従って、ｎ個の載置部２０５及び接着部２０７は、ｎ個のタイルの方向を整列して、マルチアレイ１９８における超音波ビーム送受信方向を精密に制御することによって、超音波ビームの正確度を向上できる。
【００４０】
ここで、載置部２０５の内面の幅Ｗ１は、接着部２０７の対応する幅より広く形成され、タイル２０１がその下方に位置する接着部２０７と接すると同時に、タイル２０１を安定して載置できる余地を確保できる。
【００４１】
図１（ｂ）を再び参照すると、ｎ個の載置部２０５の高さｈ１とｎ個の接着部２０７の高さｈ２は、各々同一であり得る。即ち、ｎ個の載置部２０５は、例えば、数十〜数百μｍの高さで同一に形成され、ｎ個の接着部２０７もまた、例えば、数十〜数百μｍの高さで同一に形成される。
【００４２】
ｎ個の載置部２０５及び接着部２０７が各々同一の高さに形成される場合、タイル２０１を同一の高さで基板２０３に載置し、タイル２０１のレベリング（ｌｅｖｅｌｉｎｇ、高さの均等化）をサポートしてもよい。従って、ｎ個の載置部２０５及び接着部２０７は、ｎ個のタイル２０１をレベリングすることによって、ｎ個のタイル２０１における超音波ビーム送受信時刻を制御（例えば、同一時刻に揃えるように）できる。
【００４３】
即ち、載置部２０５及び接着部２０７は、ｎ個のタイル２０１の高さを同一にすることによって、各々のタイル２０１で同一の時刻に超音波ビームを対象物体に送信し、対象物体からフィードバックされる反射された超音波ビームが同一時刻に到着する場合、反射された超音波ビームを同一の時刻に受信（又は検出）できる。ここで、各々のタイル２０１にフィードバックされる超音波ビームは、同一時刻に到着し得るが、それに限定されることなく互いに異なった時刻に到着し得る。
【００４４】
一方、ｎ個の載置部２０５の高さと、ｎ個の接着部２０７の高さは、各々同一であるが、互いに異なっている場合もある。
【００４５】
また、少なくとも１つの接着部２０７は、例えば柱状の第１突起部２０７−１を含み、第１突起部２０７−１を含むことによって、タイル２０１に対応して超音波ビーム送信時に発生する振動による接着部２０７の動きを緩和し、タイル２０１を基板２０３に対して安定に接着する。第１突起部２０７−１は、図２に示すように複数個形成されるが、第１突起部の数・形状はこれに限定されない。
【００４６】
アウトレット２０９は、ｎ個の接着部２０７の一側又は両側に各々形成され、タイル２０１を載置部２０５に載置するときに、タイル２０１が接する各接着部２０７に位置する接着物質を圧迫する場合、接着物質を外部に放出する。即ち、アウトレット２０９は、タイル２０１が各載置部２０５に挿入されるときに、各接着部２０７に位置する接着物質のうちの過剰分を外部に放出する通路を提供することによって、接着物質がタイル２０１に向かって噴出することを回避し、タイル２０１の破損誤動作を防止する。
【００４７】
一方、基板２０３は、隣接した載置部２０５の間に第２突起部２１１をさらに含み、隣接した載置部２０５の両内側面を各々形成すると同時に、隣接する載置部２０５を互いに分離する。第２突起部２１１は、例えば数十μｍの高さと幅で形成される。
【００４８】
図３は、マルチアレイ超音波プローブ装置の製造方法を示すフローチャートである。
【００４９】
図３を参照すると、ステップＳ３０１において、基板にｎ個のタイルを各々載置するためのｎ個の載置部を形成する。
【００５０】
基板としては、Ｓｉ、Ｇｅ、ＳｉＧｅ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＳｉＣ、ＳｉＧｅＣ、ＩｎＡｓ及びＩｎＰを含む少なくとも１つの半導体材料からなる基板、ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｏｎ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板、ポリマー基板などの何れかを用いるが、これは例示に過ぎない。
【００５１】
ｎ個の載置部は、一定の間隔（例えば、２０μｍ）を置いてマトリックス状に基板に形成される。即ち、ｎ個の載置部は、載置されるｎ個のタイルを例えば、Ｘ軸又はＹ軸に平行な同一線上に位置させ、ｎ個のタイルを均一に整列させることによって、タイルにおける超音波ビーム送受信方向を精密に制御して、超音波ビームの正確度を向上できる環境を提供する。
【００５２】
ｎ個の載置部は、例えば、数十〜数百μｍの高さで同一に形成することによって、ｎ個の載置部に載置されるｎ個のタイルに対するレベリングをサポートする。
【００５３】
載置部の幅は、上部に載置されるタイルの幅より所定の間隔（例えば、１０〜２０μｍ）だけ広く形成することによって、タイル２０１の挿入を容易にする。
【００５４】
また、ｎ個の載置部が形成される際に隣接する載置部を互いに分離する第２突起部（例えば、柱状）が基板に形成される。即ち、ｎ個の載置部が例えば、エッチング工程によって基板に形成される過程において、エッチングされずに、載置部の間に残存する部分として、第２突起部が形成される。第２突起部は、例えば、数十μｍの高さと幅で形成される。
【００５５】
ステップＳ３０３において、載置部の下部にｎ個のタイルを接着させる接着物質（例えば、エポキシ）を配設するためのｎ個の接着部を形成する。
【００５６】
ｎ個の接着部もまたｎ個の載置部に対応し、載置部の下方に形成されることによって、マトリックス状に基板に形成される。ここで、ｎ個の接着部は、例えば、数十〜数百μｍの高さで同一に形成される。
【００５７】
ここで、接着部の幅は、載置部の幅より所定の間隔を有するように狭く形成され、載置部に載置されるタイルが接着部と接すると同時に、タイルを安定して載置できる余地（ｃａｖｉｔｙ）を載置部に設ける。
【００５８】
また、ｎ個の接着部は、第１突起部が含まれるように形成される。ｎ個の接着部は、第１突起部（例えば、柱状）を含むことによって、接着部に接しながら載置部に載置されるタイルにおける超音波ビーム送信時に発生する振動による接着部の動きを緩和し、タイルを基板に対してより安定して接着する。
【００５９】
ステップＳ３０５において、ｎ個の接着部の一側に、接着部に位置する接着物質の余剰分を外部に放出するｎ個のアウトレットを形成し、図４に示すように、基板４００を形成する。ここで、アウトレットは、本実施例では接着部の一側に形成されているが、これに限定されることなく、互いに対向する両側に形成することによって、接着物質の余剰分をより容易に外部に放出できる。図４の基板４００には、ｎ個の載置部４０１、接着部４０３、アウトレット４０５が形成される。
【００６０】
ステップＳ３０７において、ｎ個の接着部に接着物質（例えば、エポキシ）を満たす。
【００６１】
ステップＳ３０９において、ｎ個の載置部にｎ個のタイルを挿入し、図５に示すように、基板にｎ個のタイルを載置する。ここで、タイルは、ＡＳＩＣ及びＣＭＵＴがこの順に積層されたチップ（ｃｈｉｐ）であり得る。
【００６２】
即ち、図５の基板５０１にｎ個のタイル５０３を順番に挿入して、マルチアレイ超音波プローブ装置を形成する。
【００６３】
ここで、ｎ個の接着部の一側に各々形成されるアウトレットは、タイルが載置部に載置されると同時に、載置部の下方の接着部に満たされた接着物質と接触することによって接着物質を圧迫する場合、接着物質の余剰分を外部に放出できる。即ち、アウトレットは、載置部に挿入されるときに、接着部に位置する接着物質を外部に放出する通路を提供することによって、接着物質がタイルに向かって噴出することを回避し、タイルの破損を防止できる。
【００６４】
図６は、マルチアレイ超音波プローブ装置の基板製造方法の一例を説明するための断面図である。
【００６５】
図６を参照すると、ステップＳ６０１において、原部材としての平坦な基板を提供する。基板は、例えば、シリコン又はガラスで形成してもよい。
【００６６】
ステップＳ６０３において、基板上にタイルが位置するべき第１穴６５２を定義する第１フォトレジストパターン（ＰＲ  Ｐａｔｔｅｒｎ）６５０を形成する。
【００６７】
ステップＳ６０５において、第１フォトレジストパターンをエッチングマスクとして基板をエッチングすることによって、タイルが位置するべき第１穴６５２（載置部に対応）を形成する。ここで、数十〜数百μｍの深さに基板をエッチングして、第１穴の深さを制御する。
【００６８】
ここで、複数の第１穴が一定の間隔を置いて行及び列状に形成される。即ち、例えば複数の第１穴６５２がＸ軸又はＹ軸に平行な同一線上に形成され、第１穴６５２に固定される複数のタイルを均一に整列させる。
【００６９】
第１穴６５２の幅は、第１穴６５２に挿入されるべきタイルの幅より所定の大きさ（例えば、１０〜２０μｍ）だけ広く形成することによって、タイルの挿入を容易にする。
【００７０】
また、第１穴６５２が形成されるとき、隣接した第１穴６５２を分離する第２突起部（例えば、柱状）が基板に形成される。即ち、第１穴がエッチング工程によって基板に形成される過程で、第１フォトレジストパターンによってエッチングされずに、該第１穴と隣接した第１穴６５２との間に残存する部分として、第２突起部が形成される。
【００７１】
ステップＳ６０７において、第１穴６５２が形成された基板上に接着物質を位置させるべき第２穴６６２を定義する第２フォトレジストパターン６６０を形成する。
【００７２】
ステップＳ６０９において、第２フォトレジストパターンをエッチングマスクとして第１穴６５２の一部をエッチングすることによって、接着物質が位置する第２穴６６２（接着部に対応）を形成する。ここで、数十〜数百μｍの深さに第１穴６５２をエッチングして、第２穴６６２の深さを制御する。
【００７３】
複数の第２穴６６２は、載置部（ｔｈｅ  ｇｕｉｄｅ  ｐｏｒｔｉｏｎ）の下部に対応する複数の第１穴６５２の底部の一部に形成され、第１穴６５２の底部の残部は棚６６４（ｌｅｄｇｅ）を形成する。棚６６４は、第２穴６６２の枠をなす内側面から連続的に延伸され、第１穴６５２の反対側の底部に連続的に形成される。しかし、棚の構成はこれらに限定されることはない。複数の第１穴６５２と同じように、複数の第２穴６６２は一定の間隔を置いて行及び列状に形成される。
【００７４】
ステップＳ６１１において、第１、２フォトレジストパターンを除去する。ここで、第１、２フォトレジストパターンの除去は、通常の方法によるか、又は、例えばＯ２、Ｎ２、Ｈ２などのガスのプラズマを用いたアッシング（Ａｓｈｉｎｇ）工程とストリップ工程などによってなされる。
【００７５】
上述のステップ６０１乃至６１１のような半導体工程技術を用いて、第１、２穴（即ち、載置部、接着部）の大きさ（例えば、高さ、幅）をμｍ単位で細かく制御して基板に形成し、複数の第１、２穴を、行及び列をなすマトリックス状に形成することによって、タイルをマルチアレイ状に整列できる基板を形成する。
【００７６】
図７は、マルチアレイ超音波プローブ装置の基板製造方法の他の一例を説明するための断面図である。
【００７７】
図７を参照すると、ステップＳ７０１において、載置部７５０及び接着部７５２が形成された第１基板７４８を提供する。第１基板は、例えば上述の図６の工程のステップによって形成された基板であり、例えば、シリコン又はガラスで形成される。
【００７８】
ステップＳ７０３において、第１基板の表面を酸化（ｏｘｉｄａｔｉｏｎ）して酸化膜層７５４を形成する。ステップＳ７０３は、選択的に省略される。
【００７９】
ステップＳ７０５において、第１基板上に電気メッキ（ｅｌｅｃｔｒｏｐｌａｔｉｎｇ）層を形成してスタンプフレーム７６０（ｓｔａｍｐ  ｆｒａｍｅ）を形成してもよい。
【００８０】
ステップＳ７０７において、スタンプフレームをインプリント治具（ｉｍｐｒｉｎｔｉｎｇ  ｊｉｇ）で用いて、ポリマー系物質からなる第２基板にインプリント技術を行うことによって、第１基板と同一の形態の第２基板７６２を形成してもよい。
【００８１】
ここで、インプリント技術を用いて基板を形成することにより、半導体工程技術による基板形成よりも相対的に安い単価（又は短い時間）で基板を形成できる。
【００８２】
上述したように本発明を限定された実施形態と図面によって説明したが、本発明は、上記の実施形態に限定されることなく、本発明が属する分野における通常の知識を有する者であれば、このような実施形態から多様な修正及び変形が可能である。
【００８３】
従って、本発明の範囲は、開示された実施形態に限定されて定められるものではなく、特許請求の範囲及び特許請求の範囲と均等なものなどによって定められるものである。
【符号の説明】
【００８４】
９８、１９８    マルチアレイ
１００、２００    マルチアレイ超音波プローブ装置
１０１、２０１、５０３    タイル
１０３、２０３、４００、５０１    基板
１０５、２０５、４０１、７５０    載置部
１０７、２０７、４０３、７５２    接着部
１０９、２０９、４０５    アウトレット
１５０    （基板の）上部表面
１５２    （基板の）下部表面
２０７−１    第１突起部
２１１    第２突起部
６５０    第１フォトレジストパターン
６５２    第１穴
６６０    第２フォトレジストパターン
６６２    第２穴
６６４    棚
７４８    第１基板
７５４    酸化膜層
７６０    スタンプフレーム
７６２    第２基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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