(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
二以上の被処理体を、プラズマを用いて同時に処理するプラズマ処理装置であって、
処理チャンバと、
前記処理チャンバの内部に設けられ、前記被処理体を載置する載置面を有する二以上の下部電極と、
前記処理チャンバの内部に設けられ、前記載置面に対向する対向面を有し、対向する前記下部電極と電極対を成す前記下部電極と同数の上部電極と、
前記下部電極各々の前記載置面とは反対側の面の中央部、又は前記上部電極各々の前記対向面とは反対側の面の中央部のいずれか一方に接続された接地線と、
前記下部電極各々の前記載置面とは反対側の面の中央部、又は前記上部電極各々の前記対向面とは反対側の面の中央部のうち、前記接地線が接続されていない他方に接続された高周波供給線と、
前記処理チャンバの内部に設けられ、この処理チャンバの内部において前記接地線、及び前記高周波供給線を収容するシールド部材と、
前記接地線各々に設けられ、前記電極対各々に対して個別にインピーダンス調整を行うインピーダンス調整機構と
を具備し、
前記シールド部材は互いに隣接する前記電極対の間に形成される電極対間の各々に配置され、前記電極対間に設けられた前記接地線及び前記高周波供給線を、前記電極対間の各々において一体の前記シールド部材に収容することを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２】
前記シールド部材は、前記処理チャンバの内部を貫く棒状の中空部材であることを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項３】
前記シールド部材は、前記処理チャンバの内部において、前記上部電極の中央部上方、及び前記下部電極の中央部下方を通り、
前記シールド部材の前記上部電極の中央部上方、及び前記下部電極の中央部下方に対応する部分各々に開口が設けられ、
前記接地線、及び前記高周波供給線各々が、前記開口各々を介して前記上部電極の中央部、又は前記下部電極の中央部に接続されていることを特徴とする請求項２に記載のプラズマ処理装置。
【請求項４】
前記上部電極は、この上部電極の中央部分と、この上部電極の中央部上方に対応する前記開口との間に設けられた、内部を前記接地線、又は前記高周波供給線が通る中空状の第１の絶縁部材を介して前記シールド部材に固定されていることを特徴とする請求項３に記載のプラズマ処理装置。
【請求項５】
前記下部電極は、この下部電極の中央部分と、この下部電極の中央部下方に対応する前記開口との間に設けられた、内部を前記接地線、又は前記高周波供給線が通る中空状の第２の絶縁部材と、内部を前記接地線、又は前記高周波供給線が通る中空状の伸縮部材とを介して前記シールド部材に伸縮可能に取り付けられていることを特徴とする請求項３又は請求項４に記載のプラズマ処理装置。
【請求項６】
前記シールド部材は前記処理チャンバの内部から気密に遮蔽され、前記シールド部材の内部が大気雰囲気であることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
【請求項７】
二以上の被処理体に対し、少なくとも一回のプラズマ処理を含んで処理を施す処理システムであって、
各々処理チャンバを備えた二以上の処理装置と、
前記処理チャンバ各々に接続され、内部に、前記二以上の被処理体を同時に搬送する搬送機構が設置された共通搬送チャンバを備えた共通搬送装置と、を備え、
前記二以上の処理装置の少なくとも一つの処理装置に、請求項１から請求項６のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置が用いられていることを特徴とする処理システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、プラズマ処理装置及び処理システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
平行平板型プラズマ処理装置では、通常、基板を一枚ずつ処理する枚葉処理が行われる。
【０００３】
このような平行平板型プラズマ処理装置の生産性を上げるために、処理チャンバを積層させた多段バッチ方式が採用される場合がある。多段バッチ方式の平行平板型プラズマ処理装置は、例えば、特許文献１に記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】登録実用新案第３０１０４４３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
多段バッチ方式では処理チャンバを積層するため、給電部を電極中央部に設置することが難しい。このため、特許文献１に記載されているように、給電部は電極側面に設置される。しかし、この給電方式では、処理される基板が大型となり、かつ、１３．５６ＭＨｚ以上の周波数が印加された場合、電極上の電位差が大きくなり、均一なプラズマ処理が困難になる、という事情がある。
【０００６】
この発明は、上記事情に鑑みて為されたもので、被処理体が大型であっても、この被処理体の複数に対して均一なプラズマ処理を同時に施すことが可能となる多段バッチ方式のプラズマ処理装置、及びこのプラズマ処理装置を備えた処理システムを提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
この発明の第１の態様に係るプラズマ処理装置は、二以上の被処理体を、プラズマを用いて同時に処理するプラズマ処理装置であって、処理チャンバと、前記処理チャンバの内部に設けられ、前記被処理体を載置する載置面を有する二以上の下部電極と、前記処理チャンバの内部に設けられ、前記載置面に対向する対向面を有し、対向する前記下部電極と電極対を成す前記下部電極と同数の上部電極と、前記下部電極各々の前記載置面とは反対側の面の中央部、又は前記上部電極各々の前記対向面とは反対側の面の中央部のいずれか一方に接続された接地線と、前記下部電極各々の前記載置面とは反対側の面の中央部、又は前記上部電極各々の前記対向面とは反対側の面の中央部のうち、前記接地線が接続されていない他方に接続された高周波供給線と、前記処理チャンバの内部に設けられ、この処理チャンバの内部において前記接地線、及び前記高周波供給線を収容するシールド部材と、前記接地線各々に設けられ、前記電極対各々に対して個別にインピーダンス調整を行うインピーダンス調整機構とを具備し、前記シールド部材は互いに隣接する前記電極対の間に形成される電極対間の各々に配置され、前記電極対間に設けられた前記接地線及び前記高周波供給線を、前記電極対間の各々において一体の前記シールド部材に収容する。
【０００８】
この発明の第２の態様に係る処理システムは、二以上の被処理体に対し、少なくとも一回のプラズマ処理を含んで処理を施す処理システムであって、各々処理チャンバを備えた二以上の処理装置と、前記処理チャンバ各々に接続され、内部に、前記二以上の被処理体を同時に搬送する搬送機構が設置された共通搬送チャンバを備えた共通搬送装置と、を備え、前記二以上の処理装置の少なくとも一つの処理装置に、上記第１の態様に係るプラズマ処理装置が用いられている。
【発明の効果】
【０００９】
この発明によれば、被処理体が大型であっても、この被処理体の複数に対して均一なプラズマ処理を同時に施すことが可能となる多段バッチ方式のプラズマ処理装置、及びこのプラズマ処理装置を備えた処理システムを提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】この発明の一実施形態に係る処理システムの一例を概略的に示す平面図
【図２】図１に示す処理装置３ａを概略的に示す斜視図
【図３】図２に示す３−３線に沿う縦断面図
【図４Ａ】上部電極の一部を拡大して示す拡大断面図
【図４Ｂ】図３に示す４Ａ−４Ａ線に沿う水平断面図
【図４Ｃ】図３に示す４Ｂ−４Ｂ線に沿う水平断面図
【図５】被処理体面内の電位差分布を示す図
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、添付図面を参照して、この発明の一実施形態について説明する。この説明において、参照する図面全てにわたり、同一の部分については同一の参照符号を付す。
【００１２】
図１はこの発明の一実施形態に係るプラズマ処理装置を備えた処理システムの一例を示す水平断面図である。図１に示す処理システムは、被処理体Ｇとして太陽電池モジュールやＦＰＤの製造に用いられるガラス基板を用い、このガラス基板の二枚以上に対し、エッチングや成膜等の少なくとも一回のプラズマ処理を含んで処理を施す処理システムである。
【００１３】
図１に示すように、処理システム１は、ロードロック装置２、処理装置３ａ及び３ｂ、並びに共通搬送装置４を含んで構成される。ロードロック装置２では、大気側と減圧側との間で圧力変換が行われる。処理装置３ａ及び３ｂでは、被処理体Ｇ、例えば、ガラス基板に対して加熱、エッチング、成膜、及びアッシング等の処理が施される。
【００１４】
ロードロック装置２、処理装置３ａ及び３ｂ、並びに共通搬送装置４は真空装置であり、それぞれ被処理体Ｇを所定の減圧状態下におくことが可能な、気密に構成されたロードロックチャンバ２１、処理チャンバ３１ａ及び３１ｂ、並びに共通搬送チャンバ４１を備えている。これらのチャンバ２１、３１ａ、３１ｂ、及び４１には、内部を減圧状態とするために、図示せぬ排気口を介して真空ポンプなどの排気装置が接続される。また、これらのチャンバ２１、３１ａ、３１ｂ、及び４１には、開口部２３ａ、２３ｂ、３３ａ、３３ｂ、４３ａ、４３ｂ、及び４３ｃが設けられている。被処理体Ｇは、これらの開口部を介して搬入出される。
【００１５】
ロードロックチャンバ２１は、開口部２３ａ、及びこの開口部２３ａを開閉するゲートバルブが収容されたゲートバルブ室６ａを介して処理システム１の外部に連通される。また、ロードロックチャンバ２１は、開口部２３ｂ、この開口部２３ｂを開閉するゲートバルブが収容されたゲートバルブ室６ｂ、及び開口部４３ａを介して共通搬送チャンバ４１に連通される。
【００１６】
処理チャンバ３１ａは、開口部３３ａ、この開口部３３ａを開閉するゲートバルブが収容されたゲートバルブ室６ｃ、及び開口部４３ｂを介して共通搬送チャンバ４１に連通される。同様に、処理チャンバ３１ｂは、開口部３３ｂ、この開口部３３ｂを開閉するゲートバルブが収容されたゲートバルブ室６ｄ、及び開口部４３ｃを介して共通搬送チャンバ４１に連通される。
【００１７】
共通搬送チャンバ４１の平面形状は、本例では矩形状である。上記開口部４３ａ〜４３ｃは、矩形状の四辺のうちの三辺に設けられている。共通搬送チャンバ４１の内部には、搬送機構７が設置されている。搬送機構７は、二以上の被処理体Ｇを、ロードロックチャンバ２１から処理チャンバ３１ａ又は３１ｂへ、処理チャンバ３１ａ又は３１ｂから処理チャンバ３１ｂ又は３１ａへ、処理チャンバ３１ａ又は３１ｂからロードロックチャンバ２１へと搬送する。このため、搬送機構７は、二以上の被処理体Ｇを同時に保持可能に構成されるとともに、二以上の被処理体Ｇを同時に昇降させる昇降動作、及び二以上の被処理体Ｇを同時に旋回させる旋回動作、並びにロードロックチャンバ２１、処理チャンバ３１ａ及び３１ｂ内部への進出退避動作が可能に構成されている。
【００１８】
このような処理システム１の各部の制御、及び搬送機構７の制御は、制御部１００により行われる。制御部１００は、例えば、マイクロプロセッサ（コンピュータ）からなるプロセスコントローラ１０１を有する。プロセスコントローラ１０１には、オペレータが処理システム１を管理するために、コマンドの入力操作等を行うキーボードや、処理システム１の稼働状況を可視化して表示するディスプレイ等からなるユーザーインターフェース１０２が接続されている。
【００１９】
プロセスコントローラ１０１には記憶部１０３が接続されている。記憶部１０３は、処理システム１で実行される各種処理を、プロセスコントローラ１０１の制御にて実現するための制御プログラムや、処理条件に応じて処理システム１の各部に処理を実行させるためのレシピが格納される。レシピは、例えば、記憶部１０３の中の記憶媒体に記憶される。記憶媒体は、ハードディスクや半導体メモリであってもよいし、ＣＤ-ＲＯＭ、ＤＶＤ、フラッシュメモリ等の可搬性のものであってもよい。また、他の装置から、例えば専用回線を介してレシピを適宜伝送させるようにしてもよい。レシピは、必要に応じて、ユーザーインターフェース１０２からの指示等にて記憶部１０３から読み出され、読み出されたレシピに従った処理をプロセスコントローラ１０１が実行することで、処理システム１、及び搬送装置７が、プロセスコントローラ１０１の制御のもと、所望の処理、制御が実施される。
【００２０】
図２は図１に示す処理装置３ａを概略的に示す斜視図、図３は図２に示す３−３線に沿う縦断面図である。
【００２１】
図２及び図３に示すように、本例では処理装置３ａがプラズマ処理装置である。処理装置３ａでは、被処理体Ｇにプラズマを用いたエッチング、又は成膜、又はアッシング等の処理が施される。本例の処理装置３ａは、多段バッチ方式の平行平板型プラズマ処理装置であり、二枚以上の被処理体Ｇを同時に処理することが可能である。本例では、五枚の被処理体Ｇを同時に処理することが可能である。このため、処理チャンバ３１ａには、被処理体Ｇを出し入れする開口部３３ａが参照符号３３ａ１〜３３ａ５に示すように、五つ設けられている。これらの開口部３３ａ１〜３３ａ５は、それぞれゲートバルブＧＶ１〜ＧＶ５を用いて開閉される。
【００２２】
処理チャンバ３１ａの内部には、本例では五つの下部電極１０ａ〜１０ｅ、及びこれら下部電極１０ａ〜１０ｅのそれぞれと電極対を成す五つの上部電極１１ａ〜１１ｅが設けられている。下部電極１０ａ〜１０ｅは被処理体Ｇを載置する載置面を有しており、上部電極１１ａ〜１１ｅは上記載置面に対向する対向面を有している。図４Ａに上部電極の一部を拡大した拡大断面図を示す。図４Ａには、特に、上部電極１１ａの一部を拡大して示すが、他の上部電極１１ｂ〜１１ｅも同様の構成である。
【００２３】
図４Ａに示すように、上部電極１１ａは、例えば、シャワーヘッドである。シャワーヘッドは、内部にガス拡散空間８２を備え、上記対向面にガス拡散空間８２内のガスを被処理体Ｇに向けて吐出する複数の吐出孔８３が設けられている。上部電極１１ａの、例えば対向面と反対側の面にはガス導入口８４が設けられている。ガス導入口８４にはガス供給管８１ａが接続されている。ガス供給管８１ａはガス供給源であるガスボックス８に接続され、ガスボックス８からの処理ガスやパージガスなどのガス８５は、ガス供給管８１ａを介してガス拡散空間８２に供給される。本例では図２に示したように、五本のガス供給管８１ａ〜８１ｅを有し、それぞれ上部電極１１ａ〜１１ｅ内部のガス拡散空間８２に、ガスボックス８からの処理ガスやパージガスなどのガス８５を供給する。ガス８５の供給・停止、並びに供給量の調節は、例えば、ガス供給管８１ａ〜８１ｅの経路中にそれぞれ設けられたバルブＶ１〜Ｖ５にて行われる。また、処理チャンバ３１ａには、処理チャンバ３１ａ内を排気する排気機構９が接続されており、上記電極対のそれぞれにおける下部電極１０ａ〜１０ｅと上部電極１１ａ〜１１ｅの間の空間は共通して上記排気機構によって排気される。
【００２４】
さらに、処理チャンバ３１ａの内部には、例えば、処理チャンバ３１ａの内部を貫く棒状の中空部材を用いて構成されたシールド部材１２ａ〜１２ｆが設けられている。これらシールド部材１２ａ〜１２ｆのうち、最上層及び最下層を除いた第２層シールド部材１２ｂ〜第５層シールド部材１２ｅは、互いに隣接する電極対間の各々に配置される。また、最上層の第１層シールド部材１２ａは処理チャンバ３１ａの天壁と最上層の上部電極１１ａとの間に配置され、最下層の第６層シールド部材１２ｆは最下層の下部電極１０ｅと処理チャンバ３１ａの底壁との間に配置される。シールド部材１２ａ〜１２ｆの各々の内部には、接地線１３ａ〜１３ｅ、及び高周波供給線１４ａ〜１４ｅが各々の電極対間において共に収容される。なお、シールド部材は、必ずしも棒状である必要は無く、後述の下部電極を支持するための安定性を増すために厚み方向に対し幅の広い板状の部材としてもよい。更には、この板状部材の強度を増すためにライナーなどの補強部材を設けてもよい。
【００２５】
接地線１３ａ〜１３ｅは、下部電極１０ａ〜１０ｅ、及び上部電極１１ａ〜１１ｅの一方に接続され、一方の電極群を、インピーダンス調整機構１５ａ〜１５ｅを介して接地電位ＧＮＤに接地する。また、高周波供給線１４ａ〜１４ｅは、上記接地線に接続されていない他方の電極群に接続され、上記高周波供給線を介して上記他方の電極群に接続された高周波電源ＲＦは、上記他方の電極群に高周波電力を供給する。本例では、接地線１３ａ〜１３ｅが、第２層シールド部材１２ｂ〜第６層シールド部材１２ｆに収容されて下部電極１０ａ〜１０ｅからなる下部電極群をインピーダンス調整機構１５ａ〜１５ｅを介して接地電位ＧＮＤに接地し、高周波供給線１４ａ〜１４ｅが、第１層シールド部材１２ａ〜第５層シールド部材１２ｅに接地線１３ａ〜１３ｅと共に収容されて上部電極１１ａ〜１１ｅからなる上部電極群を高周波電源ＲＦに接続して上部電極群に高周波を供給する場合について説明するが、上部電極に接地線、下部電極に高周波供給線を接続した場合についても、接地線１３ａ〜１３ｅが第１層シールド部材１２ａ〜第５層シールド部材１２ｅに収容され、高周波供給線１４ａ〜１４ｅが第２層シールド部材１２ｂ〜第６層シールド部材１２ｆに収容される他は同様である。
【００２６】
なお、本例において最上層の第１層シールド部材１２ａ内に収容された接地線１３ｘは、処理チャンバ３１ａを接地する接地線であるが、必ずしもシールド部材を通して処理チャンバの接地線を設ける必要はなく、別途異なる経路にて接地線を設けてもよい。
【００２７】
高周波電源ＲＦの周波数は、１３．５６ＭＨｚ以上である。具体的な周波数の例としては、例えば、２７．１２ＭＨｚである。さらに、高い生産性を得るためには高密度プラズマの生成が望ましく、平行平板型プラズマ処理装置では、より高い周波数を印加することで高密度プラズマを生成できる。周波数の例としては、２７．１２ＭＨｚを超えた周波数、例えば、４０．６８ＭＨｚ、６０ＭＨｚ、１００ＭＨｚの他、１００ＭＨｚを超えたＶＨＦ帯及びＵＨＦ帯を挙げることができる。周波数の上限は限られることはないが、実用上の観点から言えば９５０ＭＨｚであろう。
【００２８】
本例のシールド部材１２ａ〜１２ｆは、処理チャンバ３１ａの内部において、上部電極１１ａ〜１１ｅの中央部上方、及び下部電極１０ａ〜１０ｅの中央部下方を通るように配置される。
【００２９】
図４Ｂは図３に示す４Ａ−４Ａ線に沿う水平断面図、図４Ｃは図３に示す４Ｂ−４Ｂ線に沿う水平断面図である。図４Ｂには第２段上部電極１１ｂの上面が示され、図４Ｃには第１段下部電極１０ａの裏面が示されている。
【００３０】
図４Ｂ及び図４Ｃに示すように、シールド部材１２ｂは、処理チャンバ３１内における下部電極１０ａと上部電極１１ｂとの間において、下部電極１０ａの中央部下方、及び上部電極１１ｂの中央部上方を通る。シールド部材１２ｂの、上部電極１１ｂの中央部上方に対応する部分には開口１６Ｌが設けられ、下部電極１０ａの中央部下方に対応する部分には開口１６Ｕが設けられている。接地線１３ａは開口１６Ｕを介して下部電極１０ａの中央部に接続され、高周波供給線１４ｂは開口１６Ｌを介して上部電極１１ｂの中央部に接続される。
【００３１】
また、接地線１３ａの上方への折り曲げ位置と高周波供給線１４ｂの下方への折り曲げ位置とは、例えば、開口１６Ｌ、１６Ｕの部分において互いにずらされている。折り曲げ位置をずらすことで、接地線１３ａと高周波供給線１４ｂとを、シールド部材１２ｂ内において互いに干渉しないように配置することができる（特に、図３参照）。
【００３２】
本例においては、上部電極１１ｂは、この上部電極１１ｂの中央部分と開口１６Ｌとの間に設けられた、高周波供給線１４ｂが通る中空状の第１の絶縁部材１７Ｕを介してシールド部材１２ｂに固定されている。
【００３３】
また、下部電極１０ａは、この下部電極１０ａの中央部分と開口１６Ｕとの間に設けられた、接地線１３ａが通る中空状の第２の絶縁部材１７Ｌと、同じく内部を接地線１３ａが通る中空状の伸縮部材１８、例えばベローズとを介してシールド部材１２ｂに伸縮可能に取り付けられている。下部電極１０ａを、下方に存在するシールド部材１２ｂに伸縮可能に取り付ける理由は、被処理体Ｇの出し入れの際における搬送機構７の進出空間の確保、並びにプラズマ処理の際における下部電極１０ａと上部電極１１ａとのギャップ調整のためである。即ち、下部電極１０ａは、シールド部材１２ｂに昇降可能に取り付けられる。このため、シールド部材１２ｂの下部電極１０ａの裏面に対向する面上は第３の絶縁部材１９で覆われ、この第３の絶縁部材１９上に、図示せぬ下部電極１０ａを昇降させる昇降装置が取り付け可能に構成されている。本例では絶縁部材１９を、シールド部材１２ｂの下部電極１０ａの裏面に対向する面上のみに形成する例を示しているが、シールド部材１２ｂの全周を覆うように形成されていても良い。
【００３４】
また、下部電極１０ａが昇降ので、下部電極１０ａに接地線１３ａが接続される本例においては、接地線１３ａが下部電極１０ａの上昇により切れてしまうことを防ぐため、接地線１３ａと下部電極１０ａ中央部の接続点とを、曲げ可能な導電部材２０、例えば同軸ケーブルで接続するようにしている。接地線１３ａと下部電極１０ａ中央部の接続点とを、曲げ可能な導電部材２０を用いて接続することで、下部電極１０ａが上昇した際に、接地線１３ａが切れてしまう事情を解消できる。また、接地線１３ａの代わりに、高周波供給線１４ｂを下部電極１０ａに接続する場合には、高周波供給線１４ｂと下部電極１０ａ中央部の接続点とを、曲げ可能な導電部材２０を用いて接続すれば良い。
【００３５】
本例においては、下部電極１０ａに接地線１３ａ、上部電極１１ｂに高周波供給線１４ｂを接続した場合について説明したが、下部電極１０ａに高周波供給線１４ｂを接続した場合には当然のことながら高周波供給線１４ｂが曲げ可能な導電部材２０で接続され絶縁部材１７Ｌと中空状の伸縮部材１８の内部を通ることは言うまでもない。
【００３６】
また、シールド部材１２ｂの内部は処理チャンバ３１ａの内部から気密に遮蔽されている。このため、シールド部材１２ｂの内部は、処理チャンバ３１ａの雰囲気とは異なる雰囲気、例えば、大気雰囲気のままとしておくことが可能である。
【００３７】
なお、シールド部材１２ａ、１２ｃ〜１２ｆの構成、接地線１３ｂ〜１３ｅ、高周波供給線１４ａ、１４ｃ〜１４ｅについても、図４Ｂ及び図４Ｃに示したシールド部材１２ｂ、接地線１３ａ、高周波供給線１４ｂと同様の構成である。
【００３８】
このようにこの発明の一実施形態に係るプラズマ処理装置３ａ、及びこのプラズマ処理装置３ａを備えた処理システム１によれば、処理チャンバ３１の電極対間に、例えば、棒状の中空部材から構成されたシールド部材１２ａ〜１２ｆを通す（ただし、最上層は上部電極上方を、最下層は下部電極下方を通す）。この構成を備えることで、シールド部材１２ａ〜１２ｆ内に、接地線１３ａ〜１３ｅ、及び高周波供給線１４ａ〜１４ｅを収容することができる。このため、接地線１３ａ〜１３ｅ、及び高周波供給線１４ａ〜１４ｅを、上部電極１１ａ〜１１ｅの中央部上方、及び下部電極１０ａ〜１０ｅの中央部下方まで収容して引き込むことができる。特に電極対間に存在するシールド部材１２ｂ〜１２ｅについては、各シールド部材の上下に存在するそれぞれの電極に接続されている高周波供給線及び接地線を共通の一体のシールド部材で処理チャンバ外から引き込むことができるので、電極対間の距離を短くすることができ、これによって処理チャンバが巨大化するのを防ぐことができる。引き込まれた接地線１３ａ〜１３ｅを下部電極１０ａ〜１０ｅの中央部に、同じく引き込まれた高周波供給線１４ａ〜１４ｅを上部電極１１ａ〜１１ｅの中央部に接続する。あるいは反対に引き込まれた接地線１３ａ〜１３ｅを上部電極１１ａ〜１１ｅの中央部に、同じく引き込まれた高周波供給線１４ａ〜１４ｅを下部電極１０ａ〜１０ｅの中央部に接続する。ここでいう中央部とは、電極の中心点を含む領域である。
【００３９】
このように、電極の中心点を含む領域に、接地線１３ａ〜１３ｅ、又は高周波供給線１４ａ〜１４ｅを接続し、接地点、及び給電点をそれぞれ電極中央とすることで、給電点、及び接地点が電極端にある場合に比較して電極面内に生じる電位差を小さくすることができる。図５に、給電点が電極中央にある場合と、給電点が電極端にある場合との電極面内に生じる電位差の一例を示す。図５に示すように、給電点が電極中央にある場合の電位差Ａは、給電点が電極端にある場合の電位差Ｂに比較して小さくなる。
【００４０】
このため、一実施形態に係るプラズマ処理装置によれば、均一なプラズマ処理が可能となる多段バッチ方式のプラズマ処理装置を得ることができる。
【００４１】
さらに、上記一実施形態では、接地線１３ａ〜１３ｅ各々に、インピーダンス調整機構１５ａ〜１５ｅを設けている。これらインピーダンス調整機構１５ａ〜１５ｅは、各電極対（下部電極１０ａと上部電極１１ａ〜下部電極１０ｅと上部電極１１ｅ）の各々に対して個別にインピーダンス調整を行う。このため、電極面内に生じる電位差を小さくできるとともに、電極対各々で個別にインピーダンス調整をすることで、例えば、電極どうしの個体差、あるいは汚れの進み方の相違等に起因したインピーダンスの微妙な差をも、調整することができる。このため、上記均一なプラズマ処理が可能となる、という利点をさらに、より良く得ることができる。
【００４２】
そして、上記一実施形態に係るプラズマ処理装置によれば、上記の利点を、処理チャンバ３１内における処理チャンバ３１の電極対間に、例えば、棒状の中空部材から構成されたシールド部材１２ａ〜１２ｆを通す、という簡易な構成にて実現することができる。
【００４３】
また、シールド部材１２ａ〜１２ｆには、例えば、下部電極１０ａ〜１０ｅを昇降させる昇降装置を取り付けることも可能である。このため、処理チャンバ３１内における処理チャンバ３１の電極対間にシールド部材１２ａ〜１２ｆを設けることは、処理チャンバ３１の限られたスペースを有効に活用できる、という利点をも得ることができる。
【００４４】
以上、この発明を一実施形態に従って説明したが、この発明は、上記一実施形態に限定されることは無く、種々変形可能である。また、この発明の実施形態は、上記一実施形態が唯一の実施形態でもない。
【００４５】
例えば、上記一実施形態においては、一度に処理する被処理体の枚数を五枚としたが、五枚に限られるものではなく、二枚以上であれば良い。
また、上記一実施形態においては、処理装置３ａに、上記一実施形態に係るプラズマ処理装置を適用した例を示したが、処理装置３ａ、３ｂの双方に、上記一実施形態に係るプラズマ処理装置を適用しても良い。また、処理システムにおける処理装置の数もまた、二つに限られることはない。
その他、この発明はその要旨を逸脱しない範囲で様々に変形することができる。
【符号の説明】
【００４６】
３１ａ…処理チャンバ、１０ａ〜１０ｅ…下部電極、１１ａ〜１１ｅ…上部電極、１２ａ〜１２ｆ…シールド部材、１３ａ〜１３ｅ…接地線、１４ａ〜１４ｅ…高周波供給線、１５ａ〜１５ｅ…インピーダンス調整機構、１６Ｕ、１６Ｌ…開口、１７Ｕ…第１の絶縁部材、１７Ｌ…第２の絶縁部材、１８…伸縮部材、１９…第３の絶縁部材、２０…伸縮可能な導電部材
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図４Ｃ】
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【図５】
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