(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
光を放出する材料の層を具備すると共にパターニングされた発光ダイオードデバイスの光放出の窓を通じて可視のものである光反射性の層を具備するパターニングされた発光ダイオードデバイスにおいて、
前記発光ダイオードデバイスの光を放出する材料は、アノードの層及びカソードの層の間に配置されたものであると共に、
前記アノードの層又はカソードの層は、前記光反射性の層に対して平行に前記光反射性の層の伝導性を実質的に維持する一方で、前記光反射性の層の局所的な変形物で構成されたパターンを具備する光反射性の層であると共に、
前記光反射性の層の伝導性は、電気伝導性であると共に、
前記パターンは、外部の光の散乱することにおける差異のおかげで又は前記パターニングされた発光ダイオードデバイスによって発生させられた光の散乱することにおける差異のおかげで恒久的に可視のものであると共に、
前記パターンは、前記光を放出する材料の層の光を放出する領域に設けられたものであると共に、
前記光を放出する材料の層及び前記パターンを具備する光反射性の層ではない前記アノードの層又は前記カソードの層は、局所的にアブレーションされたものではないものである、
パターニングされた発光ダイオードデバイス。
【請求項２】
請求項１に記載のパターニングされた発光ダイオードデバイスにおいて、
前記パターンは、異なるグレーレベル、前記異なるグレーレベルが前記光反射性の層の前記変形物の異なる密度を具備すること、及び、
前記光反射性の層の前記変形物の異なる高さ、前記高さが前記光反射性の層に対して実質的に垂直な寸法であること、
の少なくとも一つを具備する、
パターニングされた発光ダイオードデバイス。
【請求項３】
請求項１に記載のパターニングされた発光ダイオードデバイスにおいて、
前記アノードの層又は前記カソードの層の少なくとも一部分は、電磁放射に対して実質的に透明なものであるように構成されたものである、
パターニングされた発光ダイオードデバイス。
【請求項４】
請求項１又は３に記載のパターニングされた発光ダイオードデバイスにおいて、
前記パターニングされた発光ダイオードデバイスは、カプセル封入物にシールされたものであると共に、
前記カプセル封入物の少なくとも一部分は、電磁放射に対して実質的に透明なものであるように構成されたものである、
パターニングされた発光ダイオードデバイス。
【請求項５】
光を放出する材料の層を具備すると共にパターニングされた発光ダイオードデバイスの光放出の窓を通じて可視のものである光反射性の層を具備するパターニングされた発光ダイオードデバイスを製造するための方法であって、
前記製造するための方法は、
実質的に前記光反射性の層に対して平行な前記光反射性の層の伝導性を維持する一方で、前記パターンを構成する変形物を発生させるために前記光反射性の層を局所的に変形すること
のステップを具備すると共に、
前記局所的に変形することは、外部の光の散乱することにおける差異のおかげで又は前記パターニングされた発光ダイオードデバイスによって発生させられた光の散乱することにおける差異のおかげで恒久的に可視のものであるパターンを得るために行われる、製造するための方法において、
前記局所的に変形することのステップは、
前記パターンを発生させるために電磁放射で前記光反射性の層の部分を照明するための照明ステップ、前記電磁放射が前記発光ダイオードデバイスの層のいずれのもののアブレーションの閾値より下のパワーを有する一方で前記光反射性の層を変形するために前記光反射性の層の温度を局所的に変えること
を具備すると共に、
前記パターンは、前記光を放出する材料の層の光を放出する領域に設けられる、
製造するための方法。
【請求項６】
請求項５に記載の製造するための方法において、
前記パターンを発生させるための電磁放射の波長は、３２０ナノメートル及び２０００ナノメートルの間の範囲にあるものである、製造するための方法。
【請求項７】
請求項５に記載の製造するための方法において、
前記照明ステップは、集光された光ビームで前記光反射性の層を局所的に照明することを具備する、製造するための方法。
【請求項８】
請求項５及び７のいずれかに記載の製造するための方法において、
前記光反射性の層を局所的に変形することのステップは、前記発光ダイオードデバイスの生産工程の間に行われる、製造するための方法。
【請求項９】
請求項５、７、及び８のいずれかに記載の製造するための方法において、
前記パターニングされた発光ダイオードデバイスは、アノードの層及びカソードの層を具備すると共に、
前記発光ダイオードデバイスの前記アノードの層及び前記カソードの層の少なくとも一つの少なくとも一部分は、電磁放射に対して実質的に透明なものであるように構成されると共に、
前記光反射性の層を局所的に変形することのステップが前記アノードの層を通じて又は前記カソードの層を通じて集光された光ビームで前記反射性の層を照射することによって行われるものである、
製造するための方法。
【請求項１０】
請求項５、７、８、及び９のいずれかに記載の製造するための方法において、
前記発光ダイオードデバイスは、カプセル封入物にシールされると共に、
前記カプセル封入物の少なくとも一部分が前記電磁放射に対して実質的に透明なものであるように構成されると共に、
前記光反射性の層を局所的に変形することのステップは、前記カプセル封入物の少なくとも一部分を通じて集光された光ビームで前記光反射性の層を照射することを具備する、
製造するための方法。
【請求項１１】
請求項５、７、８、９、及び１０のいずれかに記載の製造するための方法において、
前記光反射性の層を局所的に変形することのステップは、
異なるグレーレベルを発生させるために前記局所的な変形物の密度を変動させること、及び、異なるグレーレベルを発生させるために前記変形物の高さを変動させること
のステップの少なくとも一つを具備すると共に、
前記異なるグレーレベルが各々前記変形物の密度の異なるレベル、又は前記光反射性の層における前記変形物の異なる高さ、又は、前記変形物の密度の異なるレベル及び前記光反射性の層における前記変形物の異なる高さを具備すると共に、
前記高さが前記光反射性の層に対して実質的に垂直な寸法である、
製造するための方法。
【請求項１２】
請求項１から４までのいずれかに従ったパターニングされた発光ダイオードデバイスを製造するための、又は請求項５から１１までのいずれかに従った製造するための方法を行うための、又は、請求項１から４までのいずれかに従ったパターニングされた発光ダイオードデバイスを製造するための及び請求項５から１１までのいずれかに従った製造するための方法を行うためのシステムにおいて、
前記システムは、
集光された光ビームを発生させるための放射手段、及び、前記パターニングされた発光ダイオードデバイスを製造するための発光ダイオードデバイスにわたって前記集光された光ビームを移動させるための走査する手段、
前記放射手段が前記発光ダイオードデバイスの層のいずれのもののアブレーションの閾値より下のパワーを有するものである一方で光反射性の層を変形するために局所的に前記発光ダイオードデバイスの光反射性の層の温度を変えるための前記光ビームを発生させることの可能なものであること、
前記光反射性の層に対して平行な前記光反射性の層の伝導性は実質的に維持されたものであること、
前記パターンを発生させるために発光ダイオードデバイスに適用されるための入力パターンを受け入れるための入力手段、及び、
前記パターンを発生させるために前記集光された光ビームの移動、前記集光された光ビームのスポットサイズ、前記集光された光ビームの強度の変動、及び、前記集光された光ビームの色の変動の少なくとも一つへと前記入力パターンを変換するための変換手段
を具備する、システム。
【請求項１３】
請求項１２に記載のシステムにおいて、
前記システムは、前記集光された光ビームの焦点の位置を制御するための集束させる手段を具備する、システム。
【請求項１４】
請求項１２及び１３のいずれかに記載のシステムにおいて、
前記システムは、前記集光された光ビームのエネルギーレベル、色、及び走査するスピードの少なくとも一つを制御するための手段を具備する、システム。
【請求項１５】
請求項１２から１４までのいずれかに記載のシステムにおいて、
前記システムは、さらに、前記集光された光ビームのスポットサイズを決定するための、又は前記パターンにおけるスポットサイズを決定するための、又は、前記集光された光ビームのスポットサイズを決定するための及び前記パターンにおけるスポットサイズを決定するための、較正手段を具備する、システム。
【請求項１６】
請求項１２から１５までのいずれかに記載のシステムにおいて、
前記システムは、前記パターニングされた発光ダイオードデバイスを製造するために前記システムのパターニングのスピードを制御するための走査制御手段を具備すると共に、
前記走査制御手段は、
群（ａ）：前記パターンを発生させる一方で前記集光された光ビームのスポットサイズを動的に制御すること、照明されたエリア当たりのパワーが実質的に一定のままであることを保証するために前記走査制御手段が前記集光された光ビームの出力パワーを適合させるためにさらに構成されたものであること、
群（ｂ）：前記放射手段の集光された光ビームに対して比較された異なるスポットサイズを有するさらなる集光された光ビームを発生させるさらなる放射手段を制御すること、前記システムが前記さらなる放射手段、及び、前記パターンを発生させる一方で、前記放射手段及び前記さらなる放射手段の少なくとも一つを動的に選択する前記走査制御手段を具備すること、
群（ｃ）：前記集光された光ビームのスポットサイズ、前記さらなる集光された光ビームのスポットサイズ、前記集光された光ビームによって放出された前記照明されたエリア当たりのパワー、前記さらなる集光された光ビームによって放出された前記照明されたエリア当たりのパワーの群の少なくとも一つに依存することで前記走査する手段を制御すること、及び、
群（ｄ）：パターニングのスピードを増加させるために前記発光ダイオードデバイスのイメージではないエリアにわたって前記集光された光ビーム及び前記さらなる集光された光ビームの少なくとも一つを走査することを省くこと、前記イメージではないエリアが前記パターンを発生させるために前記集光された光ビームの又は前記さらなる集光された光ビームの照射を要求するものではないこと
の群の少なくとも一つのために構成されたものである、システム。
【請求項１７】
請求項１２から１６までのいずれかに記載のシステムにおいて、
前記システムは、
前記発光ダイオードデバイスを損傷することを予防するために時間当たりの照明されたエリア当たりのパワーを制御するためのパワー制御手段、
前記パワー制御手段が
群（ｅ）：前記パターンを発生させるために時間当たりの照明されたエリア当たりのパワーを制御するために前記放射手段及びさらなる放射手段の少なくとも一つのパワーを変調する一方で走査エリアにわたって実質的に一定の走査するスピードで一方向性の走査する方向又は二方向性の走査する方向におけるライン毎に走査するモードにおいて前記集光された光ビーム及びさらなる集光された光ビームの少なくとも一つを走査すること、前記走査エリアが前記パターンを発生させるために走査されるものである前記発光ダイオードデバイスのエリアであること、
群（ｆ）：前記走査エリア内の前記走査スピードが要求された走査スピードに等しいものであることを保証するためにライン毎に走査するモードにおいて前記走査エリアの外側の走査方向を逆転させること、
群（ｇ）：先の走査ライン及び現行の走査ラインの間でライン毎に走査するモードにおいて予め定義された数の走査ラインを省くこと、及び
群（ｈ）：前記パターンを発生させるために時間当たりの照明されたエリア当たりのパワーを制御するために前記走査エリアにわたって次の走査を初期化する前に走査遅延を適用すること
の群の少なくとも一つのために構成されたものであること
を具備する、システム。
【請求項１８】
請求項１２から１７までのいずれかに記載のシステムを較正するための方法において、
前記較正するための方法は、
前記パターニングされた発光ダイオードデバイスを製造するために前記システムの前記集光された光ビームの初期のパラメーターを設定すること、
前記光反射性の層における変形物を具備するテストパターンを発生させる前記集光された光ビームで前記発光ダイオードデバイスを局所的に照射すること、
前記パターンを発生させるために前記集光された光ビームの強度及び走査するスピードの少なくとも一つを前記テストパターンから決定すること
のステップを具備する、較正するための方法。
【請求項１９】
請求項１８に記載の較正するための方法において、
前記方法は、
前記集光された光ビーム及びさらなる集光された光ビームの少なくとも一つの焦点の位置を適合させること
のステップをさらに具備する、較正するための方法。
【請求項２０】
請求項１８及び１９のいずれかに記載の較正するための方法において、
前記較正するための方法は、前記パターンを発生させる前に前記発光ダイオードデバイスの未使用のエッジで行われる、較正するための方法。
【請求項２１】
請求項１８、１９、及び２０のいずれかに記載の較正するための方法において、
前記テストパターンの寸法は、裸のヒトの目に対して実質的に不可視のものであるように構成される、較正するための方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
当該発明は、パターニングされた発光ダイオードデバイスに関係する。
【０００２】
当該発明は、また、発光ダイオードデバイスにおいてパターンを発生させるための方法に、パターニングされた発光ダイオードデバイスを発生させるためのシステム、及びシステムを較正するための方法に関係する。
【背景技術】
【０００３】
（さらにＯＬＥＤデバイスともまた称された）有機発光ダイオードデバイスは、典型的には、カソード、アノード、放出性の層、及び伝導性の層を具備する。これらの部分は、基体に位置決めされることができる。放出性の及び伝導性の層は、電流を伝導させることができるところの有機の材料で製造される。電圧が、カソード及びアノードを横切って印加されるとき、電子は、カソードからアノードへ向かって進行する。さらには、ホールは、アノード側における伝導性の層に作り出されると共にカソードに向かって伝播する。電子及びホールが再結合するとき、光子は、作り出されると共にＯＬＥＤデバイスから放出される。
【０００４】
ＯＬＥＤデバイスは、多数の方式で、様々なライティングの用途における未来形として考慮される。それらは、たとえば、周辺のライティングを作り出すために使用されることがある。最大限の２次元のグレーレベルのピクチャーは、たとえば、アピールするものである、及び、拡散エリア光源である、などの、ＯＬＥＤデバイスの全ての固有の利点を維持する一方で、単一のＯＬＥＤデバイスにおいてパターニングされることがある。
【０００５】
パターニングされたＯＬＥＤデバイスの例は、ＵＳ２００４／０１１９０２８の文書に与えられる。これらの知られたＯＬＥＤデバイスにおいては、カプセルに入れられた小さいモジュールのＯＬＥＤデバイスは、レーザーに対して露出させられたエリアにおけるエレクトロルミネッセンスを減少させる、赤外のスペクトルにおける波長を有するレーザービームで照射されてきたものである。
【０００６】
これらの知られたパターニングされたＯＬＥＤデバイスの不都合は、ＯＬＥＤデバイスのパターニングされた部分が、デバイスが動作中にないものであるとき、必ずしも明りょうに可視のものであるとは限らないということである。
文書ＷＯ２００８／１２２９２０Ａ２は、基本の層、第一の電極の層、及び第二の電極の層を備えた、基体の層のスタックを具備する、光を放出するデバイスを開示するが、それにおいては、有機の光を放出する層は、第一の電極の層及び第二の電極の層の間に挟まれると共に、有機の光を放出する層は、人工的な光を放出するものであると共に、基本の層は、第一のセクション及び第二のセクションにおいて構造化された、逆反射性の部材によってカバーされると共に、複数の逆反射性の素子は、第一のセクションに埋め込まれると共に、各々の逆反射性の素子は、周囲の光の起源の方向において逆反射性の部材の第一の側へと逆戻りに届く周囲の光を反射させると共に、第二のセクションは、逆反射性の部材の裏側へと届く、人工的な光に対して透明なものである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】米国特許出願公開第２００４／０１１９０２８号
【特許文献２】国際公開第２００８／１２２９２０号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
当該発明の目的は、パターンが明りょうに及び恒久的に可視のものであるところのパターニングされた発光ダイオードデバイスを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
当該発明の第一の態様に従って、目的は、付記（１）に記載されたようなパターニングされた発光ダイオードデバイスで達成される。当該発明の第二の態様に従って、目的は、付記（９）に記載されたようなパターニングされた発光ダイオードデバイスを発生させるための方法で達成される。当該発明の第三の態様に従って、目的は、付記（１６）に記載されたようなパターニングされた発光ダイオードデバイスを発生させるためのシステムで達成される。当該発明の第四の態様に従って、目的は、付記（２４）に記載されたようなパターニングされた発光ダイオードデバイスを発生させるためのシステムを較正させるための方法で達成される。
【００１０】
当該発明の第一の態様に従ったパターニングされた発光ダイオードデバイスは、光を放出する材料の層を具備すると共にパターニングされた発光ダイオードデバイスの光放出の窓を通じて可視のものである光反射性の層を具備するが、光反射性の層は、光反射性の層の局所的な変形物で構成されたパターンを具備する。
【００１１】
当該発明に従ったパターニングされた発光ダイオードデバイスの効果は、変形物で構成されたパターンが、パターニングされた発光ダイオードデバイスのオフの状態の間及びパターニングされた発光ダイオードデバイスのオンの状態の間の両方で恒久的に可視のものであるというものである。オフの状態の間では、パターニングされた発光ダイオードデバイスは、光を放出するものではないと共に、パターンは、変形物からの外部の光の散乱における差異のおかげでパターニングされた発光ダイオードデバイスにおいて可視のものであるが、魅力的な散乱の金属の外観を提供するものである。オンの状態の間では、パターニングされた発光ダイオードデバイスは、光を放出すると共に、パターンは、変形物のおかげでパターンの場所に突き当たる外部の光のみならずパターニングされた発光ダイオードデバイスによって発生させられた光の異なる散乱のおかげで可視のままである。知られたＯＬＥＤデバイスにおいて、パターニングは、光を放出する材料を直接的に適合させることによって行われる。これが、ポリマーＯＬＥＤデバイスに有益なものであることがある際に、（さらにまたｓｍＯＬＥＤとも指し示された）小さい分子のＯＬＥＤデバイスについてのこの原理の適用は、ｓｍＯＬＥＤデバイスにおける光を放出する材料が、はるかにより安定なものであると共にこのようにｓｍＯＬＥＤデバイスの残留する材料の層のいずれのものをも損傷させることなく局所的に適合させることがはるかにより困難なものである際に、限定される。そのようなものとして、ＵＳ２００４／０１１９０２８に開示されたような赤外のレーザー光の照射を介した知られたパターニングは、ｓｍＯＬＥＤデバイスにおいてパターンを全く発生させるものではないことがある。さらには、ＯＬＥＤデバイスの光を放出する材料の知られた適合は、典型的には、パターニングされた領域における光の放出を局所的に低減するが、ＯＬＥＤデバイスのオフの状態におけるパターンが、相対的に乏しく可視のものである一方で、このように光の全体的な放出を低減する。エリアは、単に、デバイスのパターニングされてないエリアに対して比較されたいくらかの退色を示す。当該発明に従った発光ダイオードデバイスにおいて、パターンは、パターニングされた発光ダイオードデバイスの光を放出する窓を通じて可視のものであるところの光反射性の層を変形することによって発生させられる。そのようなものとして、当該発明に従ったパターンの発生は、パターンが、光反射性の層で発生させられる際に、ポリマーＯＬＥＤデバイスについて又はｓｍＯＬＥＤデバイスについて異なるものではないと思われる。さらには、光を放出する窓を通じて可視のものである光反射性の層のおかげで、変形物は、外部の光の散乱を介した発光ダイオードデバイスのオフの状態において並びに発光ダイオードデバイスによって発生させられた光の散乱を介した及び外部の光の散乱を介した発光ダイオードデバイスのオンの状態の間で可視のものの両方である。
【００１２】
さらには、当該発明に従った発光ダイオードデバイスは、例えば、ポリマーＯＬＥＤデバイス又は小さい分子のＯＬＥＤデバイスのいずれかであることがある。パターンが、光を放出する材料において発生させられるものではないが、しかし、むしろ光反射性の層において発生させるものである際には、パターンは、ポリマーＯＬＥＤデバイス及び小さい分子のＯＬＥＤデバイスの両方において実質的に同じ努力で発生させられることがある。そのようなものとして、光を放出する材料におけるというよりもむしろ光反射性の層におけるパターンを適用することによって、パターンは、実質的に同じ方法及び／又はツールを介してポリマーＯＬＥＤデバイス及び小さい分子のＯＬＥＤデバイスのいずれかにおいて適用されることがある。
【００１３】
パターニングされた発光ダイオードデバイスの実施形態において、発光ダイオードデバイスの光を放出する材料は、アノードの層及びカソードの層の間に配置されたものであると共に、アノードの層又はカソードの層は、光反射性の層に対して平行に光反射性の層の伝導性を実質的に維持する一方で、変形物で構成されたパターンを具備する光反射性の層である。
【００１４】
光反射性の層の伝導性を実質的に維持することは、例えば、微細な穴及び／又はクラックが出現することがある一方で、光反射性の層にわたる全体的な伝導性が、維持されることを含む。パターニングされた発光ダイオードデバイスの好適な実施形態において、穴及び／又はクラックが、それらが光を乏しく反射させると思われる際に、光反射性の層に有ることがないものあるとはいえ、パターニングされた発光ダイオードデバイスは、有るものであるこれらの微細な穴及び／又はクラックと共になおも動作する。パターンの質は、パターンの魅力的な金属の外観を低減するこれらの微細な穴及び／又はクラックのせいで低減されることがある。微細な穴及び／又はクラックは、好ましくは、裸のヒトの目によって可視のものではないところの寸法を有する、及び／又は、例えば、１００μｍと比べてより小さい、及び、より好ましくは１０μｍと比べてより小さい、寸法を有することがある。
【００１５】
光を放出する材料は、例えば、有機の光を放出する材料であることがある。そのような有機の発光ダイオードデバイスは、照準的なＬＥＤと対比してエリアの光源である。そのようなエリアの光源は、例えば、装飾の用途において、よりポピュラーなものになるものである。視覚的に出現するパターニングは、さらに、そのようなエリアの光源の専用化／個人化を申し出る。有機の層は、有機の層が、可塑的に変形可能な（‘コンプライアント’）層を構成する際に、変形物の有ることを可能とする。
【００１６】
好ましくは、アノードの層又はカソードの層である光反射性の層における変形物は、光の放出に使用されるところの発光ダイオードデバイスの層のいずれのものをも損傷することなくなされる。光反射性の層の伝導性が、実質的に維持されるように、変形物が、アノードの層又はカソードの層において発生させられる際に、発光ダイオードデバイスの光を放出する表面の全部は、パターンが可視のままである一方で、光を照射することになる。
【００１７】
パターニングされた発光ダイオードデバイスの実施形態において、パターンは、複数のグレーレベルを具備すると共に、異なるグレーレベルが光反射性の層の変形物の異なる密度を具備する、及び／又は、光反射性の層の変形物の異なる高さを具備すると共に、高さが光反射性の層に対して実質的に垂直な寸法である。
【００１８】
光反射性の層に対して実質的に垂直なものは、変形物の高さが測定されるところの方向が、変形物の良好に定義されたものではない形状のせいで良好に定義されるものではないところの、変形物の場所で光反射性の層に対して垂直なものというよりもむしろ光反射性の層を通じた平均の平面に対して実質的に垂直なものであることを表現するために使用される。
【００１９】
パターンの散乱の外観は、変形物の密度と共に及び／又は変形物の高さにおける差異と共に変わる。この密度及び／又は高さの差異は、連続的に又はパターンを発生させるために使用されることがあるところのパターンにおけるグレーレベルの範囲を定義する不連続のステップで変えられることがある。これらの密度の変動は、表面の面積当たりより多い変形物を単純に発生させることによって発生させられることがある。特に変形物が、個々の変形物が裸のヒトの目によっては見られることができないほどに小さいものであるとき、密度の変動は、グレーレベルとして知覚されるところの、異なって知覚されたパターンを明りょうに発生させる。また、高さにおける差異は、異なるものとして知覚されると共に、グレーレベルにおける差異に寄与することがある。
【００２０】
パターニングされた発光ダイオードデバイスの実施形態において、光反射性の層は、光反射性の層を局所的に変形するために光反射性の層を局所的に加熱するための電磁放射で局所的に照射されるように構成されたものである。この実施形態の利益は、集光された電磁放射の強烈な源が、例えば、光源として集光された光を放出するダイオードを使用することで、又は、例えば、レーザー光源を使用することで、現行では容易に入手可能なものである際に、電磁放射での照射が、相対的に単純なものであることがあるというものである。
【００２１】
あるいは、局所的な変形物は、発光ダイオードデバイスの光反射性の層へパターン若しくはパターンのネガを具備する又はパターンの部分を具備するスタンプを適用することによって発生させられてきたものであることがある。これは、例えば、デバイスへ光反射性の層を設けてしまった直後の及び生産工程において次の層を設ける前の生産工程の間になされてきたものであることがある。一般には、追加的なコンプライアント層は、発光ダイオードデバイスの残りのものを短絡することなく光反射性の層が変形させられることを許容することが要求される。
【００２２】
パターニングされた発光ダイオードデバイスの実施形態において、光反射性の層は、パターニングされた発光ダイオードデバイスの層のいずれのもののアブレーションの閾値より下のパワーを有する電磁放射で照射されたとき局所的に変形されるように構成されたものである。パターニングされた発光ダイオードデバイスの層のいずれのもののアブレーションの閾値より下のパワーを維持することによって、パターニングされた発光ダイオードデバイスの層のいずれのものにも対するいずれの局所的な損傷も予防される。パワーが、電磁放射の強度を介して、電磁放射のビームが有機の発光ダイオードデバイスにわたって移動させられるところのスピードを介して、電磁放射の波長を介して、及び、発光ダイオードデバイスへ適用された電磁放射の焦点の寸法を介して、決定される。
【００２３】
パターニングされた発光ダイオードデバイスの実施形態において、変形物を発生させるための電磁放射の波長は、３２０ナノメートル及び２０００ナノメートルの間の範囲にあるものである。一般には、レーザー光源が一般的に入手可能なものであるところの波長を使用することは、発光ダイオードデバイスの光反射性のものへとパターンを発生させるための相対的な単純な及び安価なシステムを可能とする。そのような波長は、例えば、４０５ナノメートルを放出するレーザーダイオード又は５３２ナノメートルを放出するＹＡＧレーザーであることがある。スペクトルの赤外の部分に動作するレーザーシステムは、パターニングが、光反射性の層の局在化された加熱をすることに頼るので、同様に使用されることができる。
【００２４】
パターニングされた発光ダイオードデバイスの実施形態において、パターニングされた発光ダイオードデバイスは、アノードの層及びカソードの層を具備すると共に、アノードの層又はカソードの層の少なくとも一部分は、電磁放射に対して実質的に透明なものであるように構成されたものである。そのような実施形態は、パターニングが、発光ダイオードデバイスが、例えば、実質的に標準的な生産工程において、生産されてしまった後に行われることがあることを可能とする。アノードの層及び／又はカソードの層が、パターンを発生させるために使用された電磁放射に対して少なくとも部分的に透明なものである際に、パターンは、アノード及び／又はカソードの層が、パターニングされた発光ダイオードデバイスを発生させるために発光ダイオードデバイスに設けられてしまった後に適用されることがある。
【００２５】
有機の発光ダイオードデバイスの実施形態において、パターニングされた発光ダイオードデバイスは、カプセル封入物にシールされたものであると共に、それにおいてカプセル封入物の少なくとも一部分は、電磁放射に対して実質的に透明なものであるように構成されたものである。
【００２６】
そのようなわけで、パターニングは、発光ダイオードデバイスが、製造されてしまった及びカプセル封入物に完全にシールされてしまった後でさえも、行われることがある。そのようなものとして、発光ダイオードデバイスは、在庫品の生産物であることがあると共に、パターンを適用することによってカスタマイズされると共に発光ダイオードデバイスがカプセル封入物にシールされてしまった後でさえもパターニングされた発光ダイオードデバイスを発生させることがある。これは、特に発光ダイオードデバイスが、小さい分子の有機の発光ダイオードデバイスであるとき、これが、例えば、小さい分子の有機の発光ダイオードデバイスにおいてもまたパターンを発生させるために適当な波長及び強度のレーザーダイオードを使用することで単純な印刷するステップを、使用とすることを可能とする際に、非常に有益である。光を放出する材料がパターンを発生させるために影響されるところの知られたパターニングの方法において、これは、小さい分子の有機の発光ダイオードデバイスの高い安定性のせいで実質的に可能性のあることではなかった。光を放出する材料ではなく光反射性の層における変形物が、パターンを形成するために発生させられるところの現行のパターニングされた発光ダイオードデバイスにおいて、相対的に単純なレーザーパターニングシステムを使用するカスタマイズされたパターニングは、再度可能性のあるものである。小さい分子の有機の発光ダイオードデバイスを使用するときの利益は、小さい分子の有機の発光ダイオードデバイスの長い期間の安定性が、現行では、例えば、ポリマーの有機の発光ダイオードデバイスと比較された際にはるかにより良好なものであるというものである。小さい分子の有機の発光ダイオードデバイスのさらなる利益は、小さい分子の有機の発光ダイオードデバイスの効率が、はるかにより良好なもの、現行では匹敵するポリマーの有機の発光ダイオードデバイスと比較された際に約５から１０倍までより良好なもの、であるというものである。
【００２７】
当該発明の第二の態様に従ったパターニングされた発光ダイオードデバイスを発生させるための方法は、光を放出する材料の層を具備すると共にパターニングされた発光ダイオードデバイスの光放出の窓を通じて可視のものである光反射性の層を具備するパターニングされた発光ダイオードデバイスを具備すると共に、発生させるための方法は、パターンを構成する変形物を発生させるために光反射性の層を局所的に変形することのステップを具備する。当該発明は、光反射性の層における局所的な変形物の適用をすることが、発光ダイオードデバイスのオンの状態及びオフの状態の両方において可視のものであるところの発光ダイオードデバイスに恒久的に可視のパターンを発生させるために使用されることがあることを見出してきたものである。そのようなものとして、結果として生じるパターニングされた発光ダイオードデバイスは、発光ダイオードデバイスの光を放出する材料の少なくともパターニングされたものではない部分が、パターニングされた発光ダイオードデバイスのオンの状態で光を放出するもののままであるところの魅力的な金属の外観を具備する。
【００２８】
発生させるための方法の実施形態において、局所的に変形することのステップは、パターンを発生させるために電磁放射で光反射性の層の部分を照明するための照明ステップ、電磁放射が発光ダイオードデバイスの層のいずれのもののアブレーションの閾値より下のパワーを有する一方で光反射性の層を変形するために光反射性の層の温度を局所的に変えること、及び／又は、光反射性の層へパターン又はさらなるパターンを具備するスタンプをプレスすることによってパターンを発生させるためのスタンピングステップを具備する。
【００２９】
照明ステップは、マスク、例．パターンを発生させるためのリソグラフィーの技術において使用されたマスク、を使用することを介したもの、であることがある。そのようなステップにおいて、マスクは、投射のツールを介して光反射性の層に投射されることがある。あるいは、照明ステップは、例えば、レーザービームのような走査するコリメートされた光ビームを介して行われることがある。照明ステップは、変形物を発生させるために光反射性の層を変えることがある、又は、あるいは、照明ステップは、エッチングのステップが後に続けられることがあるが、それを介して変形物が光反射性の層において発生させられる。
【００３０】
発生させるための方法の実施形態において、照明ステップは、集光された光ビームで光反射性の層を局所的に照明することを具備する。この実施形態の利益は、集光された光ビーム、例えばレーザービーム、の使用が、パターンを発生させるための相対的に単純な方法を可能とするというものである。さらには、走査する集光された光ビームの使用が、適用された照明における局所的な強度の変動の適用をすることを可能とするが、それは、変形物の密度及び／又は高さを変えることを可能とするが、それは、異なるグレーレベルが発光ダイオードデバイスに適用されたパターンに適用されることを可能とする。
【００３１】
発生させるための方法の実施形態において、光反射性の層を局所的に変形することのステップは、発光ダイオードデバイスの生産工程の間に行われる。この実施形態の利益は、実質的に他の材料の層が、他の材料の層が例えば突き当たる光によってまた影響されてきたものであることがあるところの光反射性の層をパターニングするとき、有るものではないことがあるというものである。さらには、発光ダイオードデバイスの生産工程は、典型的には、良好に制御された生産工程である。生産工程の間にパターニングのステップを行うことは、一般には、デバイスの寿命が、パターニングのせいでわずかにのみ影響される又は全く影響されるものではないように、生産工程が適合させられることを可能とする。
【００３２】
欠点は、パターニングされた発光ダイオードデバイスの生産が、典型的には相対的に大きいスケールにあるものであるというものである。しばしば、発光ダイオードデバイスのパターニングは、発光ダイオードデバイスの典型的な生産のスケールと比較された際に、より小さいスケールで要求される。そのようなものとして、生産工程の外側での発光ダイオードデバイスにおけるパターンの生産は、小さい分量に好適なものであることがある。
【００３３】
発生させるための方法の実施形態において、パターニングされた発光ダイオードデバイスは、アノードの層及びカソードの層を具備すると共に、それにおいて、発光ダイオードデバイスのアノードの層及び／又はカソードの層の少なくとも一部分は、電磁放射に対して実質的に透明なものであるように構成されると共に、光反射性の層を局所的に変形することのステップが、アノードの層を通じて又はカソードの層を通じて集光された光ビームで反射性の層を照射することによって行われるものである。そのようなものとして、パターニングは、アノードの層及び／又はカソードの層が、有機の発光ダイオードデバイスに設けられてしまった後にもまた、行われることがある。このように、パターニングは、発光ダイオードデバイスが、生産されてしまった後に、行われることがあるが、発光ダイオードデバイスが、パターニングされることなく実質的に標準的な生産工程を介して発生させられることと及び要求されたときパターンを備えた発光ダイオードデバイスをパターニングすることのみを可能とする。このように、個々の発光ダイオードデバイスの全体的なコストを低減する。
【００３４】
あるいは、光反射性の層は、光放出の窓と比較された際に発光ダイオードデバイスの反対の側にあるものであることがあると共に、パターンは、光反射性の層において発光ダイオードデバイスの裏側を通じて発生させられることがある。そのような実施形態においては、発光ダイオードデバイスの残留する層は、集光された光ビームに対して透明なものであることを必要とするものではないと共に、発光ダイオードデバイスの層の残りの部分を通じた高いパワーの集光された光ビームの透過は、発光ダイオードデバイスの層のいずれのものをも損傷させるものではないと思われる。
【００３５】
発生させるための方法の実施形態において、発光ダイオードデバイスは、カプセル封入物にシールされると共に、カプセル封入物の少なくとも一部分が、電磁放射に対して実質的に透明なものであるように構成されると共に、それにおいて、光反射性の層を局所的に変形することのステップは、カプセル封入物を通じて集光された光ビームで光反射性の層を照射することを具備する。一般には、発光ダイオードデバイスは、環境、特に例えば有機の発光ダイオードデバイスに対して損傷させることがあるところの湿気、に対して発光ダイオードデバイスを保護するためにカプセル封入される。発光ダイオードデバイスのカプセル封入物の部分的な透明性のおかげで、パターニングは、カプセル封入を通じてなされることがあると共に、そのようなものとして、実質的に仕上げられた及びシールされた発光ダイオードデバイスにおいてなされることがある。発光ダイオードデバイスは、十分に標準化された生産工程において生産されると共に貯蔵のために十分にシールされることがある。その後、要求されたときには、パターンは、発光ダイオードデバイスのカプセル封入を通じて適用されることがある。
【００３６】
また、カプセル封入の少なくとも一部分を通じた集光された光ビームのこの照射は、光放出の窓を通じて又は発光ダイオードデバイスの裏側を通じて光反射性の層を照射することに帰着することがある。
【００３７】
発生させるための方法の実施形態において、光反射性の層を局所的に変形することのステップは、複数のグレーレベルを発生させるために局所的な変形物の密度を変動させることのステップを具備する、及び／又は、複数のグレーレベルを発生させるために変形物の高さを変動させることのステップを具備すると共に、異なるグレーレベルが各々変形物の密度の異なるレベル及び／又は光反射性の層における変形物の異なる高さを具備すると共に、高さが光反射性の層に対して実質的に垂直な寸法である。これらの局所的に異なる変形物の密度及び／又は高さの差異は、パターンに異なるグレーレベルを発生させるが、このように大きい範囲のグレーレベルを使用することでイメージを発生させることを可能とする。
【００３８】
当該発明の第三の態様は、付記（１）から（９）までのいずれかのものに従ったパターニングされた発光ダイオードデバイスを発生させるための及び／又は付記（１０）から（１５）までのいずれかのものに従った発生させるための方法を行うためのシステムを具備する。システムは、例えば、光放出の窓を介して又は光放出の窓に関して発光ダイオードデバイスの反対の側における発光ダイオードデバイスの裏側を介してのいずれかで変形物を発生させるために配置されることがある。発光ダイオードデバイスの裏側を介して変形物を発生させることができるもののそのようなシステムは、発光ダイオードデバイスの光を放出する層を通じて変形物を発生させることを回避するが、このように光を放出する層を損傷させることを回避する。
【００３９】
システムの実施形態において、システムは、集光された光ビームを発生させるための放射手段、及び、パターニングされた発光ダイオードデバイスを発生させるための発光ダイオードデバイスにわたって集光された光ビームを移動させるための走査する手段を具備する。集光された光ビームは、３２０ナノメートル及び６５０ナノメートルの間の範囲における波長を有する光を具備すると共に、好ましくはおおよそ２０００ナノメートルの波長を有する光を具備する。指し示された波長の範囲からの光は、この波長の範囲において多数のレーザー光源が入手可能なものである際には、相対的に簡単に得られることがある。特に４０５ナノメートルでは、相対的にパワフルな及び低いコストのレーザーダイオードは、これらがブルーレイ・ディスクのような光学的なディスクの再生及び記録をする設備においてもまた使用される際には、入手可能なものである。
【００４０】
放射手段は、例えば、パルス化された光源、例えば、パターンを構成する変形物を発生させるためのパルス化されたレーザー、であることがある。放射手段としてパルス化されたレーザーを使用することは、典型的により大きいエリアにわたって温度を増加させた一方で、連続的なレーザー源に対して比較された際に温度をより正確に局所的に増加させることを可能とするが、発光ダイオードデバイスの層のいずれのものをも損傷させることの可能性を増加させる。
【００４１】
システムの実施形態において、システムは、集光された光ビームの焦点の位置を制御するための集束させる手段を具備する。システムの利益は、そのような配置においては、集光された光ビームが、デバイスにおける異なる場所に集束させられると共に、そのようなものとして、例えば、発光ダイオードデバイスのカプセル封入を通じて集光された光ビームを適用することがあるというものである。そのようなシステムは、発光ダイオードデバイスの生産の間に、発光ダイオードデバイスが生産されてしまった後で、及び、発光ダイオードデバイスがカプセル封入されてしまった後でさえも、使用されることがある。集光された光ビームの焦点の可変な場所のおかげで、システムは、状況に適合することがあると共に、アノード及び／又はカソードの層を通じて集束するできるものであることがある、及び、例えば、発光ダイオードデバイスのカプセル封入を通じてもまた集束させられることがある、ことのいずれかである。後者は、発光ダイオードデバイスの生産を十分に仕上げると共にパターンを適合させる前に発光ダイオードデバイスをカプセル封入することを可能とする。
【００４２】
システムの実施形態において、システムは、集光された光ビームのエネルギーレベル、色、及び／又は走査するスピードを制御するための手段を具備する。前に指し示されたように、発明者は、変形物の密度及び／又は高さが、グレーレベルを発生させるために異なる程度まで変えられることがあることを見出してきたものである。しかしながら、時間当たりの照明されたエリア当たりの堆積させられた光のパワーが、予め定義されたパワーレベルを超過するものではないことを保証するために、システムは、集光された光ビームのエネルギーレベル、色、及び／又は走査するスピードを制御することがある。
【００４３】
システムの実施形態において、システムは、さらに、パターンを発生させるために発光ダイオードデバイスに適用されるための入力パターンを受け入れるための入力手段を具備すると共に、パターンを発生させるために集光された光ビームの移動へと及び／又は集光された光ビームのスポットサイズへと及び／又は集光された光ビームの強度の変動へと及び／又は集光された光ビームの色の変動へと入力パターンを変換するための変換手段を具備する。入力パターンを受け入れるための入力手段は、入力パターンがシステムへユーザーによって提供されるところの及びコンピューターが発光ダイオードデバイスにおいて変形物のパターンを発生させるためにシステムのためのコマンド及び／又は駆動する信号へと提供された入力パターンを変換するための変換手段を具備するところの特定の又は包括的なフォーマットを使用するところのコンピューターであることがある。そのようなシステムは、マークが要求されるものではないところのパターニングを可能とすると思われるが、それは、システムのコストを低減する。さらには、入力パターンを受け入れるための入力手段は、顧客の特定のパターンが顧客によって電気的に提供されることがあるところの及び電子的な手段を介してシステムへ単純に追加されることがあるところの小さい体積のパターニングされた発光ダイオードデバイスをもまた発生させるためにこのシステムを使用することを可能とする。入力手段は、また、ネットワークの環境、例えば、インターネット、へ接続されることがある。そのような実施形態においては、顧客は、単純にインターネットを介して彼のカスタマイズされたパターニングされた発光ダイオードデバイスを注文することがあると共に、製造業者のサーバーへ要求された入力パターンをアップロードすることがある。発光ダイオードデバイスが、変形物を局所的に適用することによってパターニングされた後で、パターニングされた発光ダイオードデバイスは、例えば、顧客へ直接的に船で輸送されることがある。
【００４４】
システムの実施形態において、入力パターンは、パターンのディジタルの表現を具備する。そのような実施形態の利益は、それが、簡単なユーザーインターフェースを許容するというものである。上に記載されたように、サーバーへ入力パターンのディジタルの表現をアップロードすることを介して、例えば、システムへ入力パターンのディジタルの表現を提供することによって、ユーザーは、インターネットの接続を介して個人化されたパターニングされた発光ダイオードデバイスを相対的に単純に要求することがある。ディジタルの表現は、システムが、例えば、追加的に、発光ダイオードデバイスの光反射性の層に変形物のパターンを発生させるためのシステムによって直接的に使用されることがあるところの表現へとパターンの提供されたディジタルの表現を変換するためのフォーマットを変換するソフトウェアを具備するところの異なるフォーマットにあるものであることがある。
【００４５】
システムの実施形態において、システムは、さらに、集光された光ビームのスポットサイズを決定するための及び／又はパターンにおける変形物のサイズを決定するための較正手段を具備する。集光された光ビームのスポットサイズ及び／又は結果として生じる変形物の変形物サイズの決定は、フィードバックシステムを使用することでなされることがある。好ましくは、そのようなフィードバックシステムは、ユーザーへフィードバックを提供するところのカメラを具備することがある。あるいは、フィードバックカメラは、イメージプロセッシングのソフトウェアへ接続されることがあるが、それを介してスポットのサイズ及び／又は変形物のサイズは、自動的に決定されることがある。パターンの変形物における変形物のサイズを決定するために、テストパターンは、適用されることがあるが、それは、変形物が発生させられてしまった後で、測定される。この測定された変形物のサイズは、要求されたパターンを発生させることができるものであるための集光された光ビームの正しい条件を決定するために使用される。そのようなフィードバックカメラの倍率は、テストパターンが、好ましくは、ユーザーに可視のものではないもの、過剰に小さいもの、であるか、又は、例えばパターンが適用されてしまった後に発光ダイオードデバイスが置かれるところの何らかの種類のフレームによってカバーされることになるところの発光ダイオードデバイスのエッジに配置されるかのいずれかの際に、好ましくは、相対的に小さいものであるためにテストパターンを可能とするために相対的に高いものである。
【００４６】
システムの実施形態において、システムは、パターニングされた有機の発光ダイオードデバイスを発生させるためにシステムのパターニングのスピードを制御するための走査制御手段を具備すると共に、走査制御手段は、パターンを発生させる一方で集光された光ビームのスポットサイズを動的に制御するように構成されたものであると共に、照明されたエリア当たりのパワーが実質的に一定のままであることを保証するために走査制御手段が集光された光ビームの出力パワーを適合させるためにさらに構成されたものである。集光された光ビームのスポットサイズは、例えば、パターンの経路でパターニングされたものでなければならないところの最小の特徴のサイズに、依存する。スポットサイズは、パターンの残りの部分が、照明されたエリア当たりの実質的に同じパワーを有するレーザーのスポットのサイズを使用することで発生させられる一方で、パターンのエッジの正確な配置を得るためにパターンのエッジの近くで相対的に小さいものであるようにまた選ばれることがある。照明されたエリア当たりのパワーが、実質的に同じもののままであることを保証することによって、集光された光ビームによって発生させられた変形物の高さ及び密度は、相対的に小さい特徴を発生させるときの小さいスポットのサイズについて及び相対的に大きいエリアをパターニングするときの相対的に大きいスポットのサイズについての両方で実質的に一定のもののままである。スポットのサイズを動的に適合させることは、相対的に大きい特徴の残りの部分を相対的に素早くパターニングする一方で、正しい場所に相対的に正確に相対的に大きい特徴のエッジを置くことを可能とするが、このように全体的なパターニングの時間を低減すると共にパターンの発生のスピードを増加させる。集光された光ビームの出力のパワーは、ビームの直径を増加させると共に二次式で増加するはずである。
【００４７】
システムの代替の実施形態において、走査制御手段は、放射手段に対して比較された際に異なるスポットサイズを有するさらなる集光された光ビームを発生させるさらなる放射手段を制御するように構成されたものであると共に、システムがさらなる放射手段を具備すると共に走査制御手段がパターンを発生させる一方で放射手段及び／又はさらなる放射手段を動的に選択する。さらなる集光された光ビームを放出するさらなる放射手段を使用することは、システムが一つの放射手段からさらなる放射手段へ素早く切り替えることを可能とするが、このように現行のパターニングの要件に対してパターニングに使用された集光された光ビームのスポットサイズを変化させる。この実施形態の利益は、機械的な素子がスポットのサイズを適合させるために移動させられるために実質的に要求されるものではないというものである。放射手段及び／又はさらなる放射手段は、集光された光ビーム及び／又はさらなる集光された光ビームのいずれかを選択するために走査制御手段によってオン及びオフに切り替えられることがある。さらには、放射手段及びさらなる放射手段は、パターニングがスタートさせられる前に、較正されてしまったものである。そのようなものとして、集光された光ビーム及びさらなる集光された光ビームのスポットのサイズは、良好に定義されると共にパターニングするために直接的に使用されることがある。これは、一つのスポットのサイズから別のものへの素早い切り替えを可能とする。再度、より小さいスポットのサイズは、相対的に小さい特徴について、及び、例えば、パターニングされるための相対的に大きい特徴のエッジの近くで、使用されることがある。相対的に大きい特徴について、又は、相対的に大きい特徴の残りの部分をパターニングするために、大きいスポットのサイズを有する集光された光ビームは、使用されることがある。照明されたエリア当たりのパワーは、好ましくは、集光された光ビーム及びさらなる集光された光ビームの間で一定のものに維持される。
【００４８】
システムの代替の実施形態において、走査制御手段は、集光された光ビーム及び／又はさらなる集光された光ビームのスポットサイズに依存することで及び／又は集光された光ビーム及び／又はさらなる集光された光ビームによって放出された照明されたエリア当たりのパワーに依存することで走査する手段を制御するように構成されたものである。スポットのサイズ又は集光された光ビーム及び／又はさらなる集光された光ビームによって放出された照明されたエリア当たりのパワーに依存して走査する手段を適合させることは、走査制御手段が実質的に一定なものに時間当たりの照明されたエリア当たりのパワーを実質的に維持することを可能とするが、このように光反射性の層を局所的に過熱することを予防すると共にこのように光反射性の層が損傷することを予防する。さらには、それは、放射手段及び／又はさらなる放射手段の出力のパワーが増加させられるときの走査するスピードを増加させることを可能とするが、このように当該発明に従ったシステムのパターニングのスピードを増加させることを可能とする。
【００４９】
システムの代替の実施形態において、走査制御手段は、パターニングのスピードを増加させるために発光ダイオードデバイスのイメージではないエリアにわたって集光された光ビーム及び／又はさらなる集光された光ビームを走査することを省くように構成されると共に、イメージではないエリアが、パターンを発生させるために集光された光ビームの又はさらなる集光された光ビームの照射を要求するものではない。システムは、例えば、パターニングをスタートする前にイメージでないエリアを識別すると共に、例えば、これらのイメージでないエリアが走査されるものではないように、パターニングの戦略を適合させる。そのようなパターニングの戦略は、パターンを発生させるために必要な走査の数を低減すると共に、このようにパターンを発生させることに要求された時間を低減する。
【００５０】
システムの実施形態において、システムは、発光ダイオードデバイスを損傷することを予防するために時間当たりの照明されたエリア当たりのパワーを制御するためのパワー制御手段を具備すると共に、パワー制御手段が、パターンを発生させるために時間当たりの照明されたエリア当たりのパワーを制御するために放射手段及び／又はさらなる放射手段のパワーを変調する一方で、走査エリアにわたって実質的に一定の走査するスピードで一方向性の走査する方向又は二方向性の走査する方向におけるライン毎に走査するモードにおいて集光された光ビームを走査するために構成されたものであると共に、走査エリアが、パターンを発生させるために走査されるところの発光ダイオードデバイスのエリアである。放射手段及び／又はさらなる放射手段によって放出されたパワーを制御する一方で実質的に一定の走査するスピードでライン毎に走査するモードを使用することで、単位時間当たりの照明されたエリア当たりのパワーは、相対的に良好に制御されると共に、このように局所的な過度の加熱をすること及びこのように発光ダイオードデバイスの局所的な損傷は、予防されることがある。放射手段及び／又はさらなる放射手段のパワーの変調は、放射手段及び／又はさらなる放射手段のオン／オフの制御を含むだけではなく、相対的に高い出力のパワー及び相対的に低い出力のパワーの変調をもまた含むが、そこでは、例えば、相対的に高い出力のパワーは、変形物を発生させると共に、相対的に低い出力のパワーは、変形物を発生させるものではなく発光ダイオードデバイスの温度の相対的に均一な増加をさせることを可能とする。
【００５１】
システムの代替の実施形態において、パワー制御手段は、走査エリア内の走査スピードが要求された走査スピードに等しいものであることを保証するためにライン毎に走査するモードにおいて走査エリアの外側の走査方向を逆転させるために構成されたものである。走査方向を変化させるとき、一般に初期の走査スピードは、要求された走査スピードから外れる。走査エリアの外側の走査方向を逆転させることによって、パワー制御手段は、走査エリアの内側の要求された走査スピードに実質的に等しいものであるように走査スピードを制御することが許容されるが、このように時間当たりの照明されたエリア当たりのパワーを再度より正確に制御する。
【００５２】
システムの代替の実施形態において、パワー制御手段は、先の走査ライン及び現行の走査ラインの間でライン毎に走査するモードにおいて予め定義された数の走査ラインを省くために構成されたものである。予め定義された数の走査ラインを一時的に省くことは、先の走査ラインに隣接する次の走査ラインの走査をすることが、先の走査ラインのおかげで現行の走査ラインのエッジになおも有るものであったところの残りの熱のおかげで走査ラインのエッジで過度のパワーを得ることを保証する。過度のパワーは、予防されるべきであるところの発光ダイオードデバイスの層に対する損傷を引き起こすことがある。そのようなものとして、予め定義された数の走査ラインを省くことによって、先の走査ラインは、より遅い時間に隣接する走査ラインを適用するとき、エッジで過度のパワーの無いものであると共に損傷が予防されるように、十分に冷却することが許容される。
【００５３】
システムの代替の実施形態において、パワー制御手段は、パターンを発生させるために時間当たりの照明されたエリア当たりのパワーを制御するために走査エリアにわたって次の走査を初期化する前に走査遅延を適用するために構成されたものである。走査遅延を再度適用することは、次の走査ラインが適用される前に、先の走査ラインのエッジが冷却することを許容するが、このように過度の加熱をすることを予防すると共にこのように発光ダイオードデバイスを局所的に損傷させることを予防する。
【００５４】
当該発明の第四の態様は、システムを較正するための方法を具備すると共に、それにおいて、較正するための方法は、
パターニングされた発光ダイオードデバイスを発生させるためにシステムの集光された光ビームの初期のパラメーターを設定すること、
光反射性の層における複数の異なる変形物を具備するテストパターンを発生させる集光された光ビームで有機の発光ダイオードデバイスを局所的に照射すること、
パターンを発生させるために集光された光ビームの強度及び／又は走査するスピードをテストパターンから決定すること
のステップを具備する。
【００５５】
好ましくは、光反射性の層は、アノード又はカソードの層である。そのような光反射性の層が、光反射性の層に対して平行な方向におけるそれの伝導性を維持することを保証するために、光反射性の層は、好ましくは、パターニングの間に損傷させられるものではない。さらには、発光ダイオードデバイスの残りの部分が、発光ダイオードデバイスの動作の間に光を放出することを保証するために、発光ダイオードデバイスを構成する層の残りの部分は、また損傷させられるものではないはずである。そのようなものとして、パターニングの前に及び場合によるとその間でさえも、システムを較正することは、集光された光ビームが発光ダイオードデバイスを構成する層のいずれのものをも損傷させることを予防することがあると共に、そのようなものとして、パターンが適用されてしまった後でもまた、発光ダイオードデバイスの適切な機能をすることを保証する。さらには、正確な損傷させる閾値は、発光ダイオードデバイスの異なるバッチについて変わることがあると共に、生産工程の間における小さい生産の変動のせいで変わることがある。損傷させる閾値は、それより上では発光ダイオードデバイスが損傷させられるところの閾値を定義する。さらには、生産の変動のせいで、変形物のコントラストは、異なる発光ダイオードデバイスについて時間当たりの照明されたエリア当たりの予め定義されたパワーについて異なるものであることがある。そのようなものとして、いずれの発光ダイオードデバイスをもパターニングする前に、システムを較正することは、典型的には要求されることである。テストパターンを発生させるために発光ダイオードデバイスを局所的に照射することのステップは、発光ダイオードデバイスが、オフの状態にあるものである一方で又は発光ダイオードデバイスがオンに切り替えられる一方で、なされることがある。
【００５６】
較正するための方法の実施形態において、方法は、集光された光ビーム及び／又はさらなる集光された光ビームの焦点の位置を適合させることのステップをさらに具備する。
【００５７】
集光された光ビーム及び／又はさらなる集光された光ビームは、光反射性の層における変形物を発生させるために十分な強度を有する実質的に平行なビームであることがある。そのような配置において、焦点は、パターンを発生させるために要求されるものではないことがあると共に、最も小さい寸法は、光の実質的に平行なビームの幅によって決定されることがある。あるいは、光の集束させられたビームが、変形物を発生させるために使用される又は要求されるとき、焦点の正確な場所は、それで変形物が生産されるところの集光された光ビームの強度が、損傷の閾値を超過するものではないことを保証するために適合させられるために必要とすることがある。さらには、正しい焦点の位置は、要求されたコントラストを達成するための十分な強度に局所的に到達するために要求される。
【００５８】
較正するための方法の実施形態において、較正するための方法は、パターンを発生させる前に有機の発光ダイオードデバイスの未使用のエッジで行われる。
【００５９】
較正するための方法の実施形態において、テストパターンの寸法は、裸のヒトの目に対して実質的に不可視のものであるように構成される。そのような好適な実施形態において、テストパターンは、発光ダイオードデバイスのエッジに適用されることを必ずしも必要とするものではないが、しかし、また発光ダイオードデバイスの中央に又は発光ダイオードデバイスにおける数個の場所に適用されることがある。発光ダイオードデバイスの中央にテストパターンを適用することは、これが、パターンが発生させられると思われるところの場所でシステムを較正すると思われる際に、較正するための方法の確度をさらに改善すると思われる。これは、それが、発光ダイオードデバイスにわたって複数のテストパターンの適用をすることを可能とする際に、また発光ダイオードデバイスにわたる変動についての修正を可能とすると思われる。これは、異なるグレーレベルの相対的に正確な発生を可能とすると共に、発光ダイオードデバイスの全部にわたって損傷を予防すると思われる。
【００６０】
そのような小さいテストパターンと共に作動することができるものであるために、パターンを生産するためのシステムに接続されたフィードバックシステムは、そのような小さいテストパターンと共に作動することができるものであるのでなければならない。例えば、相対的に強い倍率を有するカメラは、ヒトの裸の目で実質的に可視のものではないところのテストパターンから予め決定されたコントラストを決定することができるものであることが要求されると思われる。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１Ａ】図１Ａは、当該発明に従った発光ダイオードデバイスの概略的な断面の図を示す。
【図１Ｂ】図１Ｂは、当該発明に従った発光ダイオードデバイスの概略的な断面の図を示す。
【図２Ａ】図２Ａは、当該発明に従った有機の発光ダイオードデバイスの光反射性の層に発生させられた異なるパターンの図解を示す。
【図２Ｂ】図２Ｂは、当該発明に従った有機の発光ダイオードデバイスの光反射性の層に発生させられた異なるパターンの図解を示す。
【図２Ｃ】図２Ｃは、当該発明に従った有機の発光ダイオードデバイスの光反射性の層に発生させられた異なるパターンの図解を示す。
【図２Ｄ】図２Ｄは、当該発明に従った有機の発光ダイオードデバイスの光反射性の層に発生させられた異なるパターンの図解を示す。
【図３Ａ】図３Ａは、当該発明に従った光反射性の層をパターニングするための異なるパターニングの戦略を示す。
【図３Ｂ】図３Ｂは、当該発明に従った光反射性の層をパターニングするための異なるパターニングの戦略を示す。
【図３Ｃ】図３Ｃは、当該発明に従った光反射性の層をパターニングするための異なるパターニングの戦略を示す。
【図４Ａ】図４Ａは、パターニングされた発光ダイオードデバイスを発生させるためのシステムの異なる実施形態の概略的な表現を示す。
【図４Ｂ】図４Ｂは、パターニングされた発光ダイオードデバイスを発生させるためのシステムの異なる実施形態の概略的な表現を示す。
【図４Ｃ】図４Ｃは、パターニングされた発光ダイオードデバイスを発生させるためのシステムの異なる実施形態の概略的な表現を示す。
【図５】図５は、当該発明に従ったパターニングされた発光ダイオードデバイスを発生させるためのシステムの較正の方法を図解するフロー線図を示す。
【発明を実施するための形態】
【００６２】
当該発明のこれらの及び他の態様は、以後に記載された実施形態から明らかなものであると共に、それらを参照して解明されることになる。
【００６３】
図面において、
図１Ａ及び１Ｂは、当該発明に従った発光ダイオードデバイスの概略的な断面の図を示す、
図２Ａから２Ｄまでは、当該発明に従った有機の発光ダイオードデバイスの光反射性の層に発生させられた異なるパターンの図解を示す、
図３Ａから３Ｃまでは、当該発明に従った光反射性の層をパターニングするための異なるパターニングの戦略を示す、
図４Ａから４Ｃまでは、パターニングされた発光ダイオードデバイスを発生させるためのシステムの異なる実施形態の概略的な表現を示す、並びに、
図５は、当該発明に従ったパターニングされた発光ダイオードデバイスを発生させるためのシステムの較正の方法を図解するフロー線図を示す。
【００６４】
図は、純粋に概略のものであると共に、一定のスケールで描かれたものではない。特に明りょうさのために、いくつかの寸法は、強く誇張される。図における類似の構成要素は、でくるだけ多く同じ符号によって表記される。
【００６５】
図１Ａ及び１Ｂは、当該発明に従った発光ダイオードデバイス１０、１２の概略的な断面の図を示す。発光ダイオードデバイス１０、１２は、一般に、複数の層３０、２０、３２を具備すると共に光を放出する材料２０を具備する層を具備すると共にアノードの層３２及びカソードの層３０を具備する。典型的な発光ダイオードデバイス１０、１２が、数個より多い層を具備するとはいえ、図１Ａ及び１Ｂに示されたような発光ダイオード１０、１２の概略的な断面の図は、これらの層を示すのみである。例えば、発光ダイオードデバイス１０、１２が、有機の発光ダイオードデバイス１０、１２であるとき、光を放出する層２０は、例えば、有機の光を放出する材料２０及び光を放出する材料２０が光を放出することを引き起こすために光を放出する材料２０を通じて動作中に流れる電流を可能とする及び／又はアシストする及び／又は寸法をとるために使用されるところの（示されたものではない）複数の電流支持層を具備する。有機の光を放出する材料２０は、電流が有機の光を放出する材料２０を通じて走るとき、光を放出するように構成されたものである。典型的には、光の放出は、（示されたものではない）仮想の正に帯電させられた粒子の表現であるホールとの（示されたものではない）負に帯電させられた粒子である電子の局所的な再結合に基づいたものである。有機の光を放出する材料２０でのそのような電子−ホール対の再結合は、予め定義された色の光の放出と共に減衰することができるところの励起に帰着する。発光ダイオードデバイス１０、１２は、電子−ホール対が再結合するとき予め定義された色の光を放出するために配置されるところの光を放出する材料２０の単一の層を具備することがある。あるいは、発光ダイオードデバイス１０、１２は、各々が、例えば、異なる色を放出する（示されたものではない）光を放出する材料２０の複数の層を具備することがある、又は、光を放出する層２０は、異なる色を放出するところの及び
例えば予め定義された色温度の白色の光を一緒に放出するところの、光を放出する材料のミックスを具備することがある。そのようなものとして、発光ダイオードデバイス１０、１２によって放出された光の色は、複数の層を選ぶことによって及び／又は光を放出する層２０における光を放出する材料の特定の混合物を選ぶことによって決定されることがある。発光ダイオードデバイス１０、１２は、それらの間には光を放出する材料２０が挟まれるところのアノードの層３０及びカソードの層３２をさらに具備する。アノードの層３０は、例えば、特定の範囲の光について透明なものである金属であるＩＴＯのものを具備することがあるが、光を放出する材料２０において発生させられた光が有機の発光ダイオードデバイス１０、１２から光放出の窓６４を介して放出されることを許容する。カソードの層３２は、例えば、２ナノメートルのバリウムの層並びに良好な伝導の特性を有するところの及び半導体を製造する工程において良好に適用されることがあるところの１００ナノメートルのアルミニウムの層を具備することがある。図１Ａ及び１Ｂに示されたような発光ダイオードデバイス１０、１２の実施形態において、アルミニウムの層は、光放出の窓６４に向かって光を放出する層２０において発生させられた光を反射させるところの光反射性の層３２を構成した。もちろん、アノードの層３０及びカソードの層３２は、光が、発光ダイオードデバイス１０、１２からカソードの層３２を介して放出されることがあるように、交換されることがある。ＩＴＯの層は、しばしば、発光ダイオードデバイス１０、１２を支持するための基体５０に適用されると共に、それは、発光ダイオードデバイス１０、１２によって放出された光に対してまた実質的に透明なものである。
【００６６】
図１Ａ及び１Ｂに示されたような発光ダイオードデバイス１０、１２は、パターン４５を具備する（図２Ａを参照のこと）が、それは、発光ダイオードデバイス１０、１２のオンの状態において及び発光ダイオードデバイス１０、１２のオフの状態において両方で恒久的に可視のものである。パターンは、光反射性の層３２であるアルミニウムの層３２の変形物４０Ａ、４２Ａ、４０Ｂ、４２Ｂで構成されたものである。
【００６７】
発光ダイオードデバイス１０、１２は、典型的には、環境の影響から発光ダイオードデバイス１０、１２を保護するためにカプセル封入物６０にシールされたものである。カプセル封入物６０の部分６２は、実線の矢印で指し示された、集光された光ビーム７０、７２に対して実質的に透明なものであるように構成されることがあるものである。この集光された光ビーム７０、７２は、光反射性の層３２における変形物４０Ａ、４２Ａ、４０Ｂ、４２Ｂを発生させるために使用されることがある。
【００６８】
発光ダイオードデバイス１０、１２のオフの状態の間に、（示されたものではない）周囲の光は、光放出の窓６４を介して発光ダイオードデバイス１０、１２に入る。アノードの層３０及び光を放出する層２０が、両方とも少なくとも部分的に透明なものである際には、周囲の光の一部分は、アノードの層３０及び光を放出する層２０によって透過させられると共に光放出の窓６４へ逆戻りにこの光を反射させるところの光反射性のカソードの層３２に突き当たることになる。変形物４０Ａ、４０Ｂ、４２Ａ、４２Ｂに突き当たるところの周囲の光の一部分は、散乱されることになると共に、このように光反射性の層３２に変形物４０Ａ、４０Ｂ、４２Ａ、４２Ｂで構成されたパターンは、光放出の窓６４を介して明りょうに可視のものであることになる。
【００６９】
発光ダイオードデバイス１０、１２のオンの状態の間に、電流は、光を放出する層２０を通じて走ると共に、光を放出する層２０は、光を放出する。この光は、実質的に全ての方向に放出される。図１Ａ及び１Ｂに示されたような発光ダイオードデバイス１０、１２の実施形態において、光を放出する層２０において発生させられるところの及び少なくとも部分的に透明なアノードの層３０に向かって伝播するところの光は、アノードの層３０を通じて及び基体５０を通じて少なくとも部分的に透過させられると共にその後光放出の窓６４を介して放出される。光反射性のカソードの層３２に向かって伝播するところの光は、光放出の窓６４に向かってカソードの層３２によって反射させられると共にその後（点線の矢印によって図１Ａ及び１Ｂに指し示された）光放出の窓６４を介して放出される。再度、光反射性の層３２における局所的な変形物４０Ａ、４０Ｂ、４２Ａ、４２Ｂに突き当たる光は、これらの変形物によって散乱されることになるが、それは、光放出の窓６４を通じて明りょうに可視のものである。そのようなわけで、発光ダイオードデバイス１０、１２のオンの状態の間に、周囲の光の両方の部分は、変形物４０Ａ、４０Ｂ、４２Ａ、４２Ｂによって散乱されると共に、光を放出する材料２０において発生させられた光の一部分は、変形物４０Ａ、４０Ｂ、４２Ａ、４２Ｂによって散乱されると共に、このように変形物４０Ａ、４０Ｂ、４２Ａ、４２Ｂで構成されたパターン４５は、再度、光放出の窓６４を通じて明りょうに可視のものである。
【００７０】
上記の解明から、発光ダイオードデバイス１０、１２の光反射性の層３２において発生させられたパターン４５が、発光ダイオードデバイス１０、１２のオンの状態の間及びオフの状態の間の両方で明りょうに可視のものであることは、明りょうなことである。変形物４０Ａ、４０Ｂ、４２Ａ、４２Ｂは、図１Ａ及び１Ｂの両方において実線の矢印７０、７２で指し示されるように、集光された光ビーム７０、７２を使用することで生産されることがある。変形物の高さｈは、集光された光ビーム７０、７２のパワーに及び光反射性の層３２の厚さに依存する。高さｈは、変形物４０Ａ、４２Ａ、４０Ｂ、４２Ｂからの光の散乱のレベルを決定することに寄与すると共に、このように変形物４０Ａ、４２Ａ、４０Ｂ、４２Ｂによって得られた視覚の効果を決定する。
【００７１】
図１Ａ及び１Ｂに示されたような発光ダイオードデバイス１０、１２の実施形態において、光反射性の層３２は、カソードの層３２である。変形物４０Ａ、４２Ａ、４０Ｂ、４２Ｂは、好ましくは、カソードの層３２の伝導性を実質的に維持する一方で、カソードの層３２において発生させられる。これは、例えば、パターニングされた部分によって囲まれたパターニングされたものではない部分が有るものでなければならないところの、パターン４５、囲まれたパターニングされたものではない部分におけるカソードの層３２の伝導性が、発光ダイオードデバイス１０、１２が、パターニングされたエリアによって囲まれたパターニングされたものではない部分でなおも光を放出することを許容するためになおも十分なものであるという主要な利益を有する。パターニングのいくつかの知られた方法において、電極の層の一つは、パターニングのおかげで切断されるが、発光ダイオードデバイスがこの絶縁されたパターニングされたものではないエリアで光を放出することを引き起こすものではない絶縁されたパターニングされたものではないエリアへ流れる電流をブロックする。例えば、文字“Ｏ”をパターニングすることは、文字“Ｏ”の中央がカソードの層３２の伝導性が実質的に維持されるところの変形物４０Ａ、４２Ａ、４０Ｂ、４２Ｂを使用することでパターンが作り出されると思われるときになおも光を放出すると思われる一方で、パターンが電極を切断することによって作り出されるときに文字“Ｏ”の中央が光を放出することを引き起こすことがないと思われる。
【００７２】
そのようなわけで、好ましくは、アノードの層３０又はカソードの層３２である光反射性の層３２における変形物４０Ａ、４２Ａ、４０Ｂ、４２Ｂは、光の放出について使用されるところの発光ダイオードデバイス１０、１２の層のいずれのものをも損傷することなくなされる。光反射性の層３２の伝導性が、実質的に維持されるように、変形物が、光反射性の層３２において発生させられる際に、発光ダイオードデバイス１０、１２の光を放出する表面の全部は、パターン４５が可視のままである一方で、光を放射することになる。
【００７３】
光反射性の層３２の伝導性を実質的に維持することは、例えば、（示されたものではない）微細な穴及び／又はクラックが現れることがある一方で、光反射性の層３２にわたる全体的な伝導性が、維持されることを指し示す。前に指しされたように、パターニングされた発光ダイオードデバイス１０、１２の好適な実施形態において、穴及び／又はクラックが、それらが典型的には穴及び／又はクラックの場所で光反射性の層３２の反射率を低減すると思われる際に、光反射性の層３２に有るものではないとはいえ、パターニングされた発光ダイオードデバイス１０、１２は、有るものであるこれらの微細な穴及び／又はクラックと共になおも動作する。パターン４５の質は、パターン４５の魅力的な金属の外観を低減するこれらの微細な穴及び／又はクラックのせいで低減されることがある。微細な穴及び／又はクラックは、好ましくは、裸のヒトの目によっては可視のものではないところの寸法を有する、及び／又は、例えば、１００μｍと比べてより小さい、及びより好ましくは、１０μｍと比べてより小さい、寸法を有することがある。
【００７４】
パターン４５は、複数のグレーレベル４０Ａ、４０Ｂ、４２Ａ、４２Ｂを具備することがある。これらのグレーレベル４０Ａ、４０Ｂ、４２Ａ、４２Ｂは、例えば、変形物４０Ａ、４０Ｂ、４２Ａ、４２Ｂの密度によって発生させられることがある。図１Ａ及び１Ｂに示されたような発光ダイオードデバイス１０、１２の実施形態において、より低い密度で配置された変形物４０Ｂ、４２Ｂが、パターン４５のより明るいエリアを表す一方で、より高い密度で配置された変形物４０Ａ、４２Ａは、パターン４５のより暗いエリアを表す。変形物４０Ａ、４０Ｂ、４２Ａ、４２Ｂは、変形物４０Ａ、４０Ｂ、４２Ａ、４２Ｂのラインの間におけるスペーシングが、グレーレベルを決定するところのラインに配置されることがある、又は、変形物４０Ａ、４０Ｂ、４２Ａ、４２Ｂのドットの間におけるスペーシングが、グレーレベルを決定するところのドットに配置されることがある。そのような配置は、発光ダイオードデバイス１０、１２に複数のグレーレベルを具備する詳細なイメージを具備するパターンを発生させることを可能とする。
【００７５】
図１に示されたような発光ダイオードデバイス１０の実施形態において、カプセル封入物６０は、集光された光ビーム７０、７２が、変形物４０Ａ、４０Ｂを発生させるために光反射性の層３２の後方の壁３３に突き当たることがあるところの部分６２を具備する。光反射性の層３２の後方の壁３３は、光放出の窓６４から離れて面する光反射性の層３２の側である。この配置の利益は、集光された光ビーム７０、７２が、変形物を発生させるために光反射性の層３２に突き当たる前に、基体５０、アノードの層３０、及び光を放出する材料２０によって透過させられることが必要とするものではないというものである。これは、集光された光ビーム７０、７２が、変形物４０Ａ、４０Ｂを発生させるというよりもむしろ、発光ダイオードデバイス１０の層のいずれのものをも損傷させると思われるという可能性を低減すると思われる。さらには、光反射性の層３２の後方の壁３３は、反射性のものであることを必要とするものではない。光反射性の層３２の後方の壁３３が、反射性のものではないと思われるとすれば、後方の壁３３は、変形物４０Ａ、４０Ｂを発生させるために集光された光ビーム７０、７２からの光をより簡単に吸収すると思われると共に、このようにあまりパワフルではない集光された光ビーム７０、７２は、変形物４０Ａ、４０Ｂを発生させるために要求される。この実施形態の欠点は、パターン４５が、ミラーイメージにおいて作り出されるものでなければならないというもの、及び、カプセル封入物６０が、集光された光ビーム７０、７２がパターン４５を作り出すためにカプセル封入物６０を通じて透過させられることを許容するための追加的な部分６２を要求するものである。
【００７６】
図１Ｂにしめされたような発光ダイオードデバイス１２の実施形態において、カプセル封入物６０は、発光ダイオードデバイス１２を十分にシールすると共に、集光された光ビーム７０、７２が後方の壁３３に突き当たることを許容するものではない。そのようなものとして、集光された光ビーム７０、７２は、変形物４２Ａ、４２Ｂを発生するために基体５０、少なくとも部分的に透明なアノードの層３０、及び光を放出する材料２０を介して光反射性の層３２に突き当たる。
【００７７】
図２Ａから２Ｄまでは、当該発明に従った有機の発光ダイオードデバイス１０、１２の光反射性の層３２に発生させられた異なるパターン４５の図解を示す。図２Ａにおいて、文字“Ｐ”の詳細な部分は、示される。変形物４０Ｂ、４２Ｂは、対角に配置されたラインで発生させられる。図２Ａのパターン４５を構成する変形物のラインは、図２Ｂにおいてより詳細に示される。集光された光ビーム７０、７２の正しいパワーを選ぶことは、図２Ｂに図解されるような穴及び／又はクラックを発生させることなく変形物４０Ｂ、４２Ｂを発生させると思われる。図２Ａに示されたようなパターン４５におけるそのような変形物は、パターニングされたものではない部分４６である文字“Ｐ”の中央の部分４６が、またオンの状態の間に光を照明することになる一方で、発光ダイオードデバイス１０、１２のオンの状態の間及びオフの状態の間の両方で文字“Ｐ”が明りょうに可視のものであること引き起こすと思われる。
【００７８】
図２Ｃ及び２Ｄは、変形物４０Ａ、４０Ｂ、４２Ａ、４２Ｂのラインの密度が変えられてしまってあるところの異なるパターン４５の部分を示す。図２Ｃにおいて、変形物４０Ｂ、４２Ｂのラインの間における距離は、図２Ｄに示されたような変形物４０Ａ、４２Ａのラインの間における距離と比較された際により大きいものである。そのようなものとして、図２Ｄに示されたようなパターン４５の部分は、図２Ｃに示されたようなパターン４５の部分と比較された際により暗いグレーレベルとして解釈されるが、再度、変形物４０Ａ、４０Ｂ、４２Ａ、４２Ｂの密度を変動させることを介して異なるグレーレベルを発生させるための能力を図解する。
【００７９】
図３Ａから３Ｃまでは、当該発明に従った光反射性の層３２をパターニングするための異なるパターニングの戦略を示す。図３Ａから３Ｃまでは、パターン４５を発生させるために走査されるところの発光ダイオードデバイス１０、１２のエリアである走査エリア１００を示す。図３Ａから３Ｃまでに示されたパターニングの戦略は、走査エリア１００のライン毎のパターニングである。実線のライン１１０は、発光ダイオードデバイス１０、１２の光を反射させる層３２における変形物４０Ａ、４０Ｂ、４２Ａ、４２Ｂを発生させることによってパターン４５の発生を指し示す。集光された光ビーム７０、７２のライン毎の走査をすることは、集光された光ビーム７０、７２が、例えば、連続的なレーザービーム７０、７２であるとき、変形物４０Ａ、４０Ｂ、４２Ａ、４２Ｂのラインを発生させることがある。あるいは、図３Ａから３Ｃまでに示されたようなライン毎の走査をすることは、例えば、集光された光ビーム７０、７２が、周期的にオン及びオフに切り替えられるとき、又は、例えば、集光された光ビーム７０、７２が、パルス化されたレーザービーム７０、７２であるとき、変形物４０Ａ、４０Ｂ、４２Ａ、４２Ｂのドットに帰着することがある。図３Ａから３Ｃまでにおける点線のライン１２０は、変形物４０Ａ、４０Ｂ、４２Ａ、４２Ｂを発生させるためにオンに切り替えられた集光された光ビーム７０、７２無しに走査エリア１００にわたって走査することを指し示した。
【００８０】
図３Ａにおいて、走査エリア１００は、パターン４５を発生させるために十分に走査される。走査の方向は、走査エリア１００における走査するスピードが、要求された走査スピードに実質的に等しいものであることを保証するために走査エリア１００の外側に逆転される。
【００８１】
時間を節約するために、図３Ｂのような走査をすることは、パターニングの無い、このように、必要な変形物４０Ａ、４０Ｂ、４２Ａ、４２Ｂの発生の無い、ものであることが明りょうなことであるところのイメージでないエリア４６、４７を省く。そのようなものとして、より少ないライン１１０、１２０は、走査される必要があるが、このようにより少ない時間を使用することでイメージ４５をパターニングすることを許容する。
【００８２】
図３Ｃにおいて、変形物４０Ａ、４０Ｂ、４２Ａ、４２Ｂの発生は、両方の方向において走査するときになされる。先の例においては、走査することは、一方向性の走査をすることを表したが、変形物４０Ａ、４０Ｂ、４２Ａ、４２Ｂが、集光された光ビーム７０、７２が、予め定義された方向に走査するものであるときにのみ、発生させられることを意味するが、図３Ａ及び３Ｂにおいては、この予め定義された方向は、左から右へのものであった。右から左への移動は、次の走査のスタートへ集光された光ビーム７０、７２を再度位置決めするためにのみ使用される。そのような走査モードの利益は、光反射性の層３２を又はいずれの他の層をも損傷させる、パターン４５のある一定の場所の過熱をすることが、起こらないことがあるように、発光ダイオードデバイス１０、１２が、帰りの走査の間に冷却することがあるというものである。欠点は、パターン４５を発生させるために追加的な時間がかかるというものである。図３Ｃに示されたような走査をすることにおいて、パターン４５の発生は、両方の方向において走査する、いわゆる二方向性の走査をする、ときに、なされる。この二方向性の走査をすることは、時間を節約すると共に、このようにパターンがより素早く発生させられることを許容する。しかしながら、この二方向性の走査をすることは、過熱すると共にこのように集光された光ビーム７０、７２によって損傷させられるために光反射性の層３２を又は発光ダイオードデバイス１０、１２のいずれの他の層をも予防するために走査方向を逆転させるとき、走査の遅延を要求することがある。
【００８３】
集光された光ビーム７０、７２のパワーを変動させることで、走査エリア１００にわたって集光された光ビーム７０、７２の走査するスピードは、及び、集光された光ビーム７０、７２の焦点を変動させることによって、時間当たりの照明されたエリアへ適用されるところの正確なパワーは、決定されることがある。好適な走査するスピード、パワー、及び焦点は、パターニングシステムの較正を介して見出されることがある（図４Ａから４Ｃまでを参照のこと）。
【００８４】
図４Ａから４Ｃまでは、当該発明に従ったパターニングされた発光ダイオードデバイス１０、１２を発生させるためのシステム２００、２０２、２０４の異なる実施形態の概略的な表現を示す。システム２００、２０２、２０４は、照射手段２１０、２１２、例えば、集光された光７０、７２を発生させるための光源２１０、２１２、を具備すると共に、走査する手段２２０、例えば、三次元において移動可能な移動するミラー２００、を具備する。システム２００、２０２、２０４は、また、集束させる手段２３０、例えば、集光された光ビーム７０、７２の焦点の場所を変えるための集光された光ビーム７０、７２に対して平行な方向において移動可能なものであるところのｆ−θレンズ２３０、を具備することがある。システム２００、２０２、２０４は、例えば、光源２１０、２１２によって放出された集光された光ビーム７０、７２の強度及び／又は色を制御するための、光源２１０、２１２用のドライバー２４０、２４２をさらに具備する。システムは、また、走査する手段２３０を制御するための制御手段２４５を具備する。システムは、また、発光ダイオードデバイス１０、１２にわたる位置及びスピードの両方において、集光された光ビーム７０、７２の移動をすることを制御するために走査する手段２２０を制御するための制御手段２４５を具備する。制御手段２４５は、また、照射手段２１０、２１２、例えば、強度、パルス周波数、及びビームの寸法、を制御する。システム２００、２０２、２０４は、制御手段２４５及びドライバー２４０、２４５を駆動するプロセッサー２６５をさらに具備する。プロセッサー２６５は、また、例えば、集光された光ビーム７０、７２の移動へと及び／又は集光された光ビーム７０、７２の強度の変動及び／又はスピードの変動及び／又は集光された光ビーム７０、７２の色の変動へと、発光ダイオードデバイス１０、１２に生産されるためのパターン４５のディジタルの表現である、入力パターンを変換するための変換手段２６０を具備することがある。システム２００、２０２、２０４は、プロセッサー２６５へ入力パターンを提供するための入力手段２５０をさらに具備することがある。入力パターンは、システム２００、２０２、２０４へ、例えば、ユーザーによって、入力パターンが提供されるところの特定のフォーマット又は包括的なフォーマットにおけるものであることがある。入力手段２５０は、また、（示されたものではない）ネットワークの環境、例えば、インターネット、へ接続されることがある。そのとき、顧客は、（示されたものではない）サーバーを介してプロセッサー２６５へ入力パターンを単純にアップロードすることがある。
【００８５】
制御手段２４５は、例えば、システム２００、２０２、２０４のパターニングのスピードを制御するための走査制御手段であることがある。この走査制御手段２４５は、例えば、パターン４５を発生させる一方で、集光された光ビーム７０、７２のスポットのサイズを動的に制御する。走査制御手段２４５は、例えば、照明されたエリア当たりのパワーが実質的に一定のままであることを保証するために、集光された光ビーム７０、７２の出力のパワーを適合させるために構成されたものである。集光された光ビーム７０、７２の好適なスポットのサイズは、例えば、パターン４５の部分でパターニングされるものでなければならないところの最小の特徴のサイズに依存する。スポットのサイズは、例えば、パターン４５のエッジの正確な配置を得るためにパターン４５の相対的に小さい近いエッジであるように変えられることがある。あるいは、パターン４５の残りの部分についてのスポットのサイズは、例えば、パターニングの工程をスピードアップするために、より大きいものであることがある。なおも、集光された光ビーム７０、７２を介して堆積させられたパワーは、損傷の閾値を超過するべきではないと共に、スポットのサイズが変えられるときでさえも好ましくは実質的に一定のままであるべきである。これは、走査エリア１００にわたってより大きいスピードでより高いパワーの密度を有する集光された光ビーム７０、７２を移動させることによって、達成されることがある（図３を参照のこと）。そのようなものとして、実質的に同じパターン４５は、より少ないパターニングの時間を使用することで発生させられることがある。
【００８６】
システム２０２は、また、さらなる集光された光ビーム７２を発生させるところの及び走査制御手段２４５によって制御されるところのさらなる放射手段２１２を具備することがある。さらなる集光された光ビーム７２は、好ましくは、放射手段２１０の集光された光ビーム７０に対して比較された際に異なるスポットのサイズを有する。走査制御手段２４５は、例えば、パターン４５を発生させる一方で、放射手段２１０及び／又はさらなる放射手段２１２を動的に選択する。放射手段２１０及びさらなる放射手段２１２の両方は、集光された光ビーム７０及びさらなる集光された光ビーム７２の両方のスポットのサイズ及び照明されたエリア当たりのパワーのような特性が、良好に知られるように、較正されることがある。走査制御手段２４５は、このように、要求されたとすれば、放射手段２１０からさらなる放射手段２１２へ素早く、典型的にはシステム２００、２０２、２０４が、スポットのサイズ及びパワーがパターニングされるものでなければならないところの細部のレベルに依存することで適合させられるのでなければならないところの単一の放射手段２１０を具備するときと比べてはるかにより素早く、切り替えることができるものである。例えば、パターンの中央が、実質的に同じ単位面積当たりの光子の線量を有するより大きいスポットのサイズを有する放射手段２１０、２１２を使用することで発生させられることがある一方で、パターンのエッジは、より小さいスポットのサイズを有する放射手段２１０、２１２を使用することで、発生させられることがある。そのようなものとして、再度、走査するスピードは、改善されることができる。
【００８７】
制御手段２４５は、また、発光ダイオードデバイス１０、１２を損傷させることを予防するために時間当たりの照明されたエリア当たりのパワーを制御するためのパワー制御手段２４５であることがある。このパワー制御手段２４５は、例えば、図３Ａから３Ｃまでと一緒により早期に議論されてきたものであるところの異なる走査する戦略を適用するために放射手段２１０、２１２及び走査する手段２２０を制御する。
【００８８】
図４Ａは、当該発明に従ったシステム２００の概略的な表現を示す。図４Ｂは、さらなる放射手段２１２を具備する当該発明に従ったシステム２０２の概略的な表現を示す。図４Ｂに示されたようなシステム２０２は、集光された光ビーム７０及びさらなる集光された光ビーム７２を組み合わせるための組み合わせの光学部品２１４をさらに具備する。
【００８９】
図４Ｃは、較正手段２７０、２８０を具備するシステム２０４の概略的な表現を示す。ドライバー２４０を備えた照射手段２１０、ドライバー２４５を備えた走査する手段２２０、集束させる手段２３０、変換手段２６０を具備するプロセッサー２６５、及び入力手段２５０の次に、図４に示されたようなシステム３００は、発光ダイオードデバイス１０、１２の残留する層のいずれのものをも損傷させるために実質的に予防する一方で、さらに、要求されたパターン４５を発生させるためにシステム２０４を較正するための較正手段２７０、２８０を具備する。較正手段２７０、２８０は、例えば、集光された光ビーム７０のスポットのサイズを決定するために及び／又は結果として生じるパターン４５における変形物４０Ａ、４０Ｂ、４２Ａ、４２Ｂのスポットのサイズを決定するために使用されることがある。集光された光ビーム７０及び／又は結果として生じるパターン４５における変形物４０Ａ、４０Ｂ、４２Ａ、４２Ｂのもののいずれかのスポットのサイズの決定は、例えば、ユーザーへフィードバックを提供するところのカメラ２７０を具備する、フィードバックシステム２７０、２８０を使用することでなされることがある。あるいは、フィードバックカメラ２７０は、それを介してスポットのサイズが自動的に決定されることがあるところのイメージプロセシングソフトウェアを具備するイメージプロセシングモジュール２８０へ接続されることがある。結果として生じるパターン４５におけるスポットのサイズを決定するために、（示されたものではない）テストパターンは、適用されることがあるが、それは、パターニングされてしまった後で測定される。テストパターンにおける変形物４０Ａ、４０Ｂ、４２Ａ、４２Ｂの測定された寸法は、要求されたパターン４５を発生させることができるものであるために、集光された光ビーム７０の正しい条件を決定するために使用されることがある。そのようなフィードバックシステム２７０の倍率は、好ましくは、テストパターンが、好ましくは、テストパターンが見るためには過剰に小さいものであることがあるという理由で、ユーザーに可視のものではないものである際に、テストパターンが相対的に小さいものであることを可能とするために相対的に高いものである。あるいは、テストパターンは、発光ダイオードデバイス１０、１２のエッジで発生させられることがある。小さい実質的に不可視のテストパターンを使用することは、発光ダイオードデバイス１０、１２にわたって異なる場所でテストパターンの発生を可能とすると共に、そのようなものとして、要求されたパターン４５を発生させるための発光ダイオードデバイス１０、１２にわたる局所的な条件は、測定されることがあると共に、発光ダイオードデバイス１０、１２の較正は、発光ダイオードデバイス１０、１２の表面にわたってなされることがある。これは、また、較正の間に考慮されるように発光ダイオードデバイス１０、１２における局所的な生産の変動を保証すると思われるが、パターニングされた発光ダイオードデバイス１０、１２に発生させられたパターン４５の質をさらに改善する。
【００９０】
図４Ｃに示されたようなシステム２０４は、突き当たる集光された光ビーム７０に対して実質的に平行な方向において発光ダイオードデバイス１０、１２を移動させるためのステージ２９０をさらに具備する。図４Ｃに示されたようなシステム２０４において、イメージプロセシングユニット２８０は、集束させる手段２３０へ並びに集束させる手段２３０の並びにカメラ２７０によって取得された及びイメージプロセシングユニット２８０によって処理されたイメージに応答してステージ２９０の位置を制御するためのステージ２９０へ接続される。この点において、ここに開示されたようなイメージプロセシングユニット２８０は、典型的には、例えば、プロセッサーに記憶されたイメージプロセシングソフトウェアを具備することがあるところの（示されたものではない）プロセッサーを具備する。このプロセッサーは、また、ステージ２９０及び集束させる手段２３０を制御する及び／又は駆動するためにイメージプロセシングからの結果を使用することがある。しかしながら、これは、また、パターニングされた発光ダイオードデバイス１０、１２を発生させるためのすでに有るプロセッサー２６５に埋め込まれることがある。
【００９１】
図５は、当該発明に従ったパターニングされた発光ダイオードデバイス１０、１２を発生させるためのシステム２００、２０２、２０４の較正方法を図解するフロー線図を示す。図５のフロー線図は、集光された光ビーム７０及び／又はさらなる集光された光ビーム７２のパラメーターが、走査するスピード及び典型的なステージ２９０の位置及び焦点手段２３０の焦点の位置と一緒に、設定されるところの“初期のパラメーターを設定する”４００のステップを具備する。そのような初期のパラメーターは、例えば、ステージ２９０に置かれるところの発光ダイオードデバイス１０、１２の初期の特性に依存することがある。異なるタイプの発光ダイオードデバイス１０、１２について、異なる初期のパラメーターを設定することは、知られることがあると共に、パターニングされるものであるところの特定の発光ダイオードデバイス１０、１２を選択することによって、対応する初期のパラメーターは、それらが、選択された特定の発光ダイオードデバイス１０、１２に実質的に対応するように、選ばれる。好ましくは、初期のパラメーターは、実質的に、いずれの光で誘起された損傷させる閾値よりも下にあるものである。特定の発光ダイオードデバイス１０、１２の情報は、ユーザー、オペレーターを介して受容されることがある、又は、特定の発光ダイオードデバイス１０、１２についての情報を具備するところの及び読み取られる若しくはそうでなければプロセッサー２６５へ通信されることがあるところのバーコード若しくはＲＦＩＤチップを介するもののような、発光ダイオードデバイス１０、１２における識別タグから自動的に得られることがある（図４を参照のこと）。
【００９２】
フロー線図における次のステップは、“ＬＥＤデバイスを照射する”４１０を具備するが、それの間に、例えば、テストパターンの少なくとも一部分は、発光ダイオードデバイス１０、１２のエッジへ、又は、テストパターンが、それが裸のヒトの目で実質的に可視のものではないほど小さいものであるとき、発光ダイオードデバイス１０、１２のいずれの他の場所へも適用される。テストパターンは、光反射性の層３２へ適用されるところの変形物、例えば、特定のグレーレベルを得るために及び／又は特定の最小の特徴の寸法を得るために必要なパラメーターを決定するために異なる密度及び／又はサイズの範囲を有する変形物、を具備する。
【００９３】
テストパターンの発生の後に、ステップ“集光された光ビーム７０をブロックする／オフに切り替える”４２０は、カメラが発生させられたテストパターンを点検することを可能とするために光ビーム７０を中断するために使用される。光ビーム７０の中断は、それがオンに切り替えられたままであると共に集光された光ビーム７０の中断が放射手段２１０をオフに切り替えることによってというよりもむしろ集光された光ビーム７０をブロックすることによってなされるときにそれがレーザー光源２１０からの出力の光の安定性を改善する際に、レーザー光源２１０を使用するときに特に有益なものであることがあるところの放射手段２１０を単純にブロックすることによって得られることがある。あるいは、集光された光ビーム７０の中段は、光源２１０をオフに切り替えることによってなされることがある。
【００９４】
その後、カメラ２７０は、ステップ“カメラのイメージを取得する”４３０において発生させられたテストパターンのイメージを取得すると共に、取得されたイメージは、ステップ“取得されたイメージを分析する”４４０において分析させられる。このステップは、オペレーターを介して又はイメージプロセシングモジュール２８０におけるイメージプロセシングソフトウェアを介して自動的になされることがある。取得されたイメージから、イメージプロセシングモジュール２８０は、変形物４０Ａ、４０Ｂ、４２Ａ、４２Ｂが要求された寸法を有するかどうか及びこれらが集光された光ビーム７０のおかげで発光ダイオードデバイス１０、１２に対するいくらかの損傷であることがあるかどうかを決定する。
【００９５】
この点で、“イメージはＯＫか？”４５０のステップは、分析されたイメージが、現行では設定されたパラメーターがパターン４５を発生させるために正しいものであることを指し示すかどうかをチェックするために使用される。パラメーターが正しいものであるとすれば、パターニングは、次のステップの“パターニングをスタートする”４７０において始まることがある。あるいは、パラメーターは、ステップ“パラメーターを調節する”４６０において調節されることがある。ステップ“パラメーターを調節する”４６０においてパラメーターの調節の後で、パターニングは、調節されたパラメーターが、要求されたパターン４５を発生させるために正しいものであることになることが明りょうなことである際に、ステップ“パターニングをスタートする”４７０において始まることがある。あるいは、ステップ“パラメーターを調節する”４６０から、較正方法は、ステップ“ＯＬＥＤデバイスを照射する”４１０を介して次のテストパターンを発生させることがあるが、それの後でカメラは、その後に再度ステップ“取得されたイメージを分析する”４４０において分析されることになるところの新しいイメージを取得することになる。そのような様式で、パターン４５を発生させるために要求されたパラメーターは、反復して決定されることがある。
【００９６】
上述した実施形態が、当該発明を限定するというよりも図解するものであること、及び、当業者が、添付された請求項の範囲から逸脱することなく多数の代替の実施形態を設計することができるものであることになることは、留意されるべきことである。
【００９７】
請求項において、括弧の間に置かれたいずれの符号も、請求項を限定するものとして解されるものではないものとする。動詞“を具備する”及びそれの語形変化の使用は、請求項に述べられたもの以外の要素又はステップの有るものを排除するものではない。要素に先行する不定冠詞“ある”は、複数のそのような要素の有るものを排除するものではない。当該発明は、数個の明確な要素を具備するハードウェアの手段によって実施されることがある。数個の手段を列挙するデバイスの請求項において、これらの手段の数個は、ハードウェアの一つの及び同じアイテムによって具現されることがある。ある一定の措置が相互に異なる従属請求項に記載されるという単なる事実は、これらの措置の組み合わせが、有利に使用されることができないことを指し示すものではない。
［付記］
付記（１）：
光を放出する材料の層を具備すると共にパターニングされた発光ダイオードデバイスの光放出の窓を通じて可視のものである光反射性の層を具備するパターニングされた発光ダイオードデバイスであって、
前記光反射性の層が前記光反射性の層の局所的な変形物で構成されたパターンを具備する、パターニングされた発光ダイオードデバイス。
付記（２）：
付記（１）に記載のパターニングされた発光ダイオードデバイスにおいて、
前記発光ダイオードデバイスの光を放出する材料は、アノードの層及びカソードの層の間に配置されたものであると共に、
前記アノードの層又はカソードの層は、前記光反射性の層に対して平行に前記光反射性の層の伝導性を実質的に維持する一方で、変形物で構成されたパターンを具備する光反射性の層である、
パターニングされた発光ダイオードデバイス。
付記（３）：
付記（１）及び（２）のいずれかに記載のパターニングされた発光ダイオードデバイスにおいて、
前記パターンは、複数のグレーレベルを具備すると共に、
異なるグレーレベルが前記光反射性の層の前記変形物の異なる密度を具備する、及び／又は、前記光反射性の層の前記変形物の異なる高さを具備すると共に、
前記高さが前記光反射性の層に対して実質的に垂直な寸法である、
パターニングされた発光ダイオードデバイス。
付記（４）：
付記（１）、（２）、及び（３）のいずれかに記載のパターニングされた発光ダイオードデバイスにおいて、
前記光反射性の層は、前記光反射性の層を局所的に変形するために前記光反射性の層を局所的に加熱するための電磁放射で局所的に照射されるように構成されたものである、
パターニングされた発光ダイオードデバイス。
付記（５）：
付記（４）に記載のパターニングされた発光ダイオードデバイスにおいて、
前記光反射性の層は、前記パターニングされた発光ダイオードデバイスの層のいずれのもののアブレーションの閾値より下のパワーを有する電磁放射で照射されたとき局所的に変形されるように構成されたものである、パターニングされた発光ダイオードデバイス。
付記（６）：
付記（４）及び（５）のいずれかに記載のパターニングされた発光ダイオードデバイスにおいて、
前記変形物を発生させるための電磁放射の波長は、３２０ナノメートル及び２０００ナノメートルの間の範囲にあるものである、パターニングされた発光ダイオードデバイス。
付記（７）：
付記（４）、（５）、及び（６）のいずれかに記載のパターニングされた発光ダイオードデバイスにおいて、
前記パターニングされた発光ダイオードデバイスは、アノードの層及びカソードの層を具備すると共に、
前記アノードの層又は前記カソードの層の少なくとも一部分は、前記電磁放射に対して実質的に透明なものであるように構成されたものである、
パターニングされた発光ダイオードデバイス。
付記（８）：
付記（４）、（５）、（６）、及び（７）のいずれかに記載のパターニングされた発光ダイオードデバイスにおいて、
前記パターニングされた発光ダイオードデバイスは、カプセル封入物にシールされたものであると共に、
前記カプセル封入物の少なくとも一部分は、前記電磁放射に対して実質的に透明なものであるように構成されたものである、
パターニングされた発光ダイオードデバイス。
付記（９）：
光を放出する材料の層を具備すると共にパターニングされた発光ダイオードデバイスの光放出の窓を通じて可視のものである光反射性の層を具備するパターニングされた発光ダイオードデバイスを発生させるための方法であって、
前記発生させるための方法は、
前記パターンを構成する変形物を発生させるために前記光反射性の層を局所的に変形すること
のステップを具備する、発生させるための方法。
付記（１０）：
付記（９）に記載の発生させるための方法において、
前記局所的に変形することのステップは、
前記パターンを発生させるために電磁放射で前記光反射性の層の部分を照明するための照明ステップ、前記電磁放射が前記発光ダイオードデバイスの層のいずれのもののアブレーションの閾値より下のパワーを有する一方で前記光反射性の層を変形するために前記光反射性の層の温度を局所的に変えること、及び／又は、
前記光反射性の層へ前記パターン又はさらなるパターンを具備するスタンプをプレスすることによって前記パターンを発生させるためのスタンピングステップ
を具備する、発生させるための方法。
付記（１１）：
付記（１０）に記載の発生させるための方法において、
前記照明ステップは、集光された光ビームで前記光反射性の層を局所的に照明することを具備する、発生させるための方法。
付記（１２）：
付記（１０）及び（１１）のいずれかに記載の発生させるための方法において、
前記光反射性の層を局所的に変形することのステップは、前記発光ダイオードデバイスの生産工程の間に行われる、発生させるための方法。
付記（１３）：
付記（１０）、（１１）、及び（１２）のいずれかに記載の発生させるための方法において、
前記パターニングされた発光ダイオードデバイスは、アノードの層及びカソードの層を具備すると共に、
前記発光ダイオードデバイスの前記アノードの層及び／又は前記カソードの層の少なくとも一部分は、電磁放射に対して実質的に透明なものであるように構成されると共に、
前記光反射性の層を局所的に変形することのステップが前記アノードの層を通じて又は前記カソードの層を通じて集光された光ビームで前記反射性の層を照射することによって行われるものである、
発生させるための方法。
付記（１４）：
付記（１０）、（１１）、（１２）、及び（１３）のいずれかに記載の発生させるための方法において、
前記発光ダイオードデバイスは、カプセル封入物にシールされると共に、
前記カプセル封入物の少なくとも一部分が前記電磁放射に対して実質的に透明なものであるように構成されると共に、
前記光反射性の層を局所的に変形することのステップは、前記カプセル封入物の少なくとも一部分を通じて集光された光ビームで前記光反射性の層を照射することを具備する、
発生させるための方法。
付記（１５）：
付記（１０）、（１１）、（１２）、（１３）、及び（１４）のいずれかに記載の発生させるための方法において、
前記光反射性の層を局所的に変形することのステップは、複数のグレーレベルを発生させるために前記局所的な変形物の密度を変動させることのステップを具備する、及び／又は、複数のグレーレベルを発生させるために前記変形物の高さを変動させることのステップを具備すると共に、
前記異なるグレーレベルが各々前記変形物の密度の異なるレベル及び／又は前記光反射性の層における前記変形物の異なる高さを具備すると共に、
前記高さが前記光反射性の層に対して実質的に垂直な寸法である、
発生させるための方法。
付記（１６）：
付記（１）から（９）までのいずれかに従ったパターニングされた発光ダイオードデバイスを発生させるための及び／又は付記（１０）から（１５）までのいずれかに従った発生させるための方法を行うためのシステム。
付記（１７）：
付記（１６）に記載のシステムにおいて、
前記システムは、集光された光ビームを発生させるための放射手段、及び、
前記パターニングされた発光ダイオードデバイスを発生させるための発光ダイオードデバイスにわたって前記集光された光ビームを移動させるための走査する手段
を具備する、システム。
付記（１８）：
付記（１６）及び（１７）のいずれかに記載のシステムにおいて、
前記システムは、前記集光された光ビームの焦点の位置を制御するための集束させる手段を具備する、システム。
付記（１９）：
付記（１６）、（１７）、及び（１８）のいずれかに記載のシステムにおいて、
前記システムは、前記集光された光ビームのエネルギーレベル、色、及び／又は走査するスピードを制御するための手段を具備する、システム。
付記（２０）：
付記（１６）から（１９）までのいずれかに記載のシステムにおいて、
前記システムは、さらに、前記パターンを発生させるために発光ダイオードデバイスに適用されるための入力パターンを受け入れるための入力手段を具備すると共に前記パターンを発生させるために前記集光された光ビームの移動へと及び／又は前記集光された光ビームのスポットサイズへと及び／又は前記集光された光ビームの強度の変動へと及び／又は前記集光された光ビームの色の変動へと前記入力パターンを変換するための変換手段を具備する、システム。
付記（２１）：
付記（１６）から（２０）までのいずれかに記載のシステムにおいて、
前記システムは、さらに、前記集光された光ビームのスポットサイズを決定するための及び／又は前記パターンにおけるスポットサイズを決定するための較正手段を具備する、システム。
付記（２２）：
付記（１６）から（２１）までのいずれかに記載のシステムにおいて、
前記システムは、前記パターニングされた発光ダイオードデバイスを発生させるために前記システムのパターニングのスピードを制御するための走査制御手段を具備すると共に、
前記走査制御手段は、
前記パターンを発生させる一方で前記集光された光ビームのスポットサイズを動的に制御すること、照明されたエリア当たりのパワーが実質的に一定のままであることを保証するために前記走査制御手段が前記集光された光ビームの出力パワーを適合させるためにさらに構成されたものであること、及び／又は、
前記放射手段の集光された光ビームに対して比較された異なるスポットサイズを有するさらなる集光された光ビームを発生させるさらなる放射手段を制御すること、前記システムが前記パターンを発生させる一方で前記さらなる放射手段及び前記放射手段及び／又は前記さらなる放射手段を動的に選択する前記走査制御手段を具備すること、及び／又は、
前記集光された光ビーム及び／又は前記さらなる集光された光ビームのスポットサイズに依存することで及び／又は前記集光された光ビーム及び／又は前記さらなる集光された光ビームによって放出された前記照明されたエリア当たりのパワーに依存することで前記走査する手段を制御すること、及び／又は、
パターニングのスピードを増加させるために前記発光ダイオードデバイスのイメージではないエリアにわたって前記集光された光ビーム及び／又は前記さらなる集光された光ビームを走査することを省くこと、前記イメージではないエリアが前記パターンを発生させるために前記集光された光ビームの又は前記さらなる集光された光ビームの照射を要求するものではないこと
のために構成されたものである、システム。
付記（２３）：
付記（１６）から（２２）までのいずれかに記載のシステムにおいて、
前記システムは、
前記発光ダイオードデバイスを損傷することを予防するために時間当たりの照明されたエリア当たりのパワーを制御するためのパワー制御手段、
前記パワー制御手段が
前記パターンを発生させるために時間当たりの照明されたエリア当たりのパワーを制御するために前記放射手段及び／又はさらなる放射手段のパワーを変調する一方で走査エリアにわたって実質的に一定の走査するスピードで一方向性の走査する方向又は二方向性の走査する方向におけるライン毎に走査するモードにおいて前記集光された光ビーム及び／又はさらなる集光された光ビームを走査すること、前記走査エリアが前記パターンを発生させるために走査されるものである前記発光ダイオードデバイスのエリアであること、及び／又は、
前記走査エリア内の前記走査スピードが要求された走査スピードに等しいものであることを保証するためにライン毎に走査するモードにおいて前記走査エリアの外側の走査方向を逆転させること、及び／又は、
先の走査ライン及び現行の走査ラインの間でライン毎に走査するモードにおいて予め定義された数の走査ラインを省くこと、及び／又は、
前記パターンを発生させるために時間当たりの照明されたエリア当たりのパワーを制御するために前記走査エリアにわたって次の走査を初期化する前に走査遅延を適用すること
のために構成されたものであること
を具備する、システム。
付記（２４）：
付記（１６）から（２３）までのいずれかに記載のシステムを較正するための方法において、
前記較正するための方法は、
前記パターニングされた発光ダイオードデバイスを発生させるために前記システムの前記集光された光ビームの初期のパラメーターを設定すること、
前記光反射性の層における変形物を具備するテストパターンを発生させる前記集光された光ビームで前記発光ダイオードデバイスを局所的に照射すること、
前記パターンを発生させるために前記集光された光ビームの強度及び／又は走査するスピードを前記テストパターンから決定すること
のステップを具備する、較正するための方法。
付記（２５）：
付記（２４）に記載の較正するための方法において、
前記方法は、
前記集光された光ビーム及び／又はさらなる集光された光ビームの焦点の位置を適合させること
のステップをさらに具備する、較正するための方法。
付記（２６）：
付記（２４）及び（２５）のいずれかに記載の較正するための方法において、
前記較正するための方法は、前記パターンを発生させる前に前記発光ダイオードデバイスの未使用のエッジで行われる、較正するための方法。
付記（２７）：
付記（２４）、（２５）、及び（２６）のいずれかに記載の較正するための方法において、
前記テストパターンの寸法は、裸のヒトの目に対して実質的に不可視のものであるように構成される、較正するための方法。
【図１Ａ】
0005722786.tif 000002
【図１Ｂ】
0005722786.tif 000003
【図２Ａ】
0005722786.tif 000004
【図２Ｂ】
0005722786.tif 000005
【図２Ｃ】
0005722786.tif 000006
【図２Ｄ】
0005722786.tif 000007
【図３Ａ】
0005722786.tif 000008
【図３Ｂ】
0005722786.tif 000009
【図３Ｃ】
0005722786.tif 000010
【図４Ａ】
0005722786.tif 000011
【図４Ｂ】
0005722786.tif 000012
【図４Ｃ】
0005722786.tif 000013
【図５】
0005722786.tif 000014