(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持部材と、
前記支持部材上にバンプを介して実装された複数の電子部品と、
前記複数の電子部品を共に覆い、前記複数の電子部品と前記支持部材との間の空間を密閉する封止樹脂と、
を有し、
前記複数の電子部品は、隣り合う電子部品の下面間の距離が下面よりも上方側の所定位置間の距離よりも大きく、
前記封止樹脂は、前記隣り合う電子部品間の間隙の少なくとも上方側の一部に充填された介在部を有し、
前記介在部は、その下面が前記支持部材から空間を介して離間しているとともに凹状となっている
電子部品の実装構造体。
【請求項２】
前記隣り合う電子部品の少なくとも一方は、他方の電子部品側の側面が、上面側ほど他方の電子部品側に位置するように傾斜している
請求項１に記載の電子部品の実装構造体。
【請求項３】
支持部材と、
前記支持部材上にバンプを介して実装された複数の電子部品と、
前記複数の電子部品を共に覆い、前記複数の電子部品と前記支持部材との間の空間を密閉する封止樹脂と、
を有し、
前記複数の電子部品は、隣り合う電子部品の下面間の距離が下面よりも上方側の所定位置間の距離よりも大きく、
前記封止樹脂は、前記隣り合う電子部品間の間隙の少なくとも上方側の一部に充填された介在部を有し、
前記隣り合う電子部品の少なくとも一方は、他方の電子部品側の側面に、下面よりも上方において他方の電子部品側に突出する突部が設けられている
電子部品の実装構造体。
【請求項４】
前記介在部は、前記突部よりも下方の位置まで少なくとも充填されている
請求項３に記載の電子部品の実装構造体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、圧電素子等の電子部品が実装された実装構造体に関する。
【背景技術】
【０００２】
空間を封止している実装構造体が知られている。例えば、特許文献１の実装構造体では、弾性表面波（ＳＡＷ：Surface Acoustic Wave）デバイスが配線基板に実装されている。ＳＡＷデバイスは、圧電基板と、圧電基板の主面に形成されたＩＤＴ（InterDigital Transducer）と、ＩＤＴ上の空間を封止するカバーとを有し、カバー上面側を配線基板に対向させて表面実装されている。ＳＡＷデバイスは、他の電子部品と共に封止樹脂に覆われ、封止樹脂は、ＳＡＷデバイスと配線基板との間隙及びＳＡＷデバイスと他の電子部品との間隙にも充填されている。このように、圧電基板と配線基板との間には、カバー及び封止樹脂によって封止された空間が形成されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００２−２１７６７３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１の空間の封止方法では、種々の不都合が生じる。例えば、ＳＡＷデバイスの圧電基板と、ＳＡＷデバイスが実装される配線基板との間にはカバー及び封止樹脂が介在することになり、実装構造体が大型化する。
【０００５】
本発明の目的は、好適に空間を封止することが可能な電子部品の実装構造体を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一態様に係る電子部品の実装構造体は、支持部材と、前記支持部材上にバンプを介して実装された複数の電子部品と、前記複数の電子部品を共に覆い、前記複数の電子部品と前記支持部材との間の空間を密閉する封止樹脂と、を有し、前記複数の電子部品は、隣り合う電子部品の下面間の距離が下面よりも上方側の所定位置間の距離よりも大きく、前記封止樹脂は、前記隣り合う電子部品間の間隙の少なくとも上方側の一部に充填された介在部を有し、前記介在部は、その下面が前記支持部材から空間を介して離間しているとともに凹状となっている。
【０００８】
好適には、前記隣り合う電子部品の少なくとも一方は、他方の電子部品側の側面が、上面側ほど他方の電子部品側に位置するように傾斜している。
【０００９】
本発明の一態様に係る電子部品の実装構造体は、支持部材と、前記支持部材上にバンプを介して実装された複数の電子部品と、前記複数の電子部品を共に覆い、前記複数の電子部品と前記支持部材との間の空間を密閉する封止樹脂と、を有し、前記複数の電子部品は、隣り合う電子部品の下面間の距離が下面よりも上方側の所定位置間の距離よりも大きく、前記封止樹脂は、前記隣り合う電子部品間の間隙の少なくとも上方側の一部に充填された介在部を有し、前記隣り合う電子部品の少なくとも一方は、他方の電子部品側の側面に、下面よりも上方において他方の電子部品側に突出する突部が設けられている。
【００１０】
好適には、前記介在部は、前記突部よりも下方の位置まで少なくとも充填されている。
【発明の効果】
【００１１】
上記の構成によれば、空間を好適に封止できる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】図１（ａ）及び図１（ｂ）は本発明の第１の実施形態に係る実装構造体の外観を示す上面側及び下面側から見た斜視図。
【図２】図１の実装構造体の分解斜視図。
【図３】図３は図１（ａ）のIII−III線における断面図。
【図４】図４（ａ）〜図４（ｅ）は図１の実装構造体の製造方法を説明する断面図。
【図５】図５（ａ）及び図５（ｂ）は第１の実施形態の変形例に係る実装構造体を示す断面図。
【図６】図６は第２の実施形態に係る実装構造体を示す断面図。
【図７】図７（ａ）〜図７（ｃ）は図６の実装構造体の製造方法を説明する断面図。
【図８】図８（ａ）及び図８（ｂ）は第２の実施形態の変形例に係る実装構造体を示す断面図。
【図９】図９（ａ）及び図９（ｂ）は第２の実施形態の他の変形例に係る実装構造体を示す断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明の実施形態に係る電子部品の実装構造体について、図面を参照して説明する。なお、以下の説明で用いられる図は模式的なものであり、図面上の寸法比率等は現実のものとは必ずしも一致していない。
【００１４】
また、各実施形態等の説明において、既に説明した構成と同一若しくは類似する構成については、同一の符号を付して説明を省略することがある。
【００１５】
（第１の実施形態）
図１（ａ）は、本発明の第１の実施形態に係る実装構造体１の外観を示す上面側から見た斜視図であり、図１（ｂ）は、実装構造体１の外観を示す下面側から見た斜視図である。
【００１６】
なお、実装構造体１は、いずれの方向が上方若しくは下方とされてもよいものであるが、便宜的に、直交座標系ｘｙｚを定義するとともに、ｚ方向の正側を上方として、上面若しくは下面の語を用いるものとする。
【００１７】
実装構造体１は、例えば、概ね直方体状に形成されており、その下面には、複数の外部端子３が適宜な形状及び適宜な数で露出している。実装構造体１の大きさは適宜な大きさとされてよいが、例えば、１辺の長さが１ｍｍ〜十数ｍｍである。
【００１８】
実装構造体１は、不図示の実装基板に対して下面を対向させて配置され、実装基板に設けられたパッドと複数の外部端子３とがはんだバンプ等を介して接合されることにより実装基板に実装される。そして、実装構造体１は、例えば、複数の外部端子３のいずれかを介して信号が入力され、入力された信号に所定の処理を施して複数の外部端子３のいずれかから出力する。
【００１９】
図２は、実装構造体１の分解斜視図である。図３は、図１（ａ）のIII−III線における断面図である。なお、実際には、実装構造体１は、一部の部材の破断無しには図２のように分解することはできない。
【００２０】
実装構造体１は、支持部材５と、当該支持部材５上に実装された複数（本実施形態では２つ）の圧電素子７Ａ及び７Ｂ（以下、Ａ，Ｂを省略することがある。）と、支持部材５と圧電素子７との間に介在するバンプ８（図３）と、圧電素子７を封止する樹脂部９とを有している。
【００２１】
支持部材５は、例えば、リジッド式のプリント配線板によって構成されており、絶縁基体１１と、絶縁基体１１の上面１１ａに形成された上面導電層１３Ａ（図３）と、絶縁基体１１の内部に上面１１ａに平行に形成された内部導電層１３Ｂ（図３）と、絶縁基体１１の全部又は一部を上下方向に貫通するビア導体１５（図３）と、絶縁基体１１の下面１１ｂに形成された既述の外部端子３とを有している。なお、支持部材５は、内部導電層１３Ｂが設けられないものであってもよい。
【００２２】
絶縁基体１１は、例えば、概ね薄型の直方体状に形成されている。また、絶縁基体１１は、例えば、樹脂、セラミック及び／又はアモルファス状態の無機材料を含んで形成されている。絶縁基体１１は、単一の材料からなるものであってもよいし、基材に樹脂を含浸させた基板のように複合材料からなるものであってもよい。
【００２３】
上面導電層１３Ａは、圧電素子７を支持部材５に実装するための基板パッド１７（図３）を含んでいる。ビア導体１５及び内部導電層１３Ｂは、基板パッド１７と外部端子３とを接続する配線を含んでいる。なお、上面導電層１３Ａ、内部導電層１３Ｂ及びビア導体１５は、インダクタ、コンデンサ若しくは適宜な処理を実行する回路を含んでいてもよい。上面導電層１３Ａ、内部導電層１３Ｂ、ビア導体１５及び外部端子３は、例えば、Ｃｕ等の金属により構成されている。
【００２４】
圧電素子７Ａと圧電素子７Ｂとは、例えば、その概略構成は互いに同一である。圧電素子７は、例えば、ＳＡＷ素子であり、圧電基板１９と、圧電基板１９の下面１９ａに設けられた励振電極２１（図２）と、下面１９ａに設けられ、支持部材５に接続される素子パッド２５（図２）とを有している。なお、圧電素子７は、この他、励振電極２１を覆う保護層、圧電基板１９の上面１９ｂを覆う電極及び／又は保護層等の適宜な部材を有していてよい。
【００２５】
圧電基板１９の形状は、例えば、平面視においては概ね矩形であり、また、側面視においては概ね台形である。当該台形は、下面１９ａ及び上面１９ｂを互いに平行な対辺としており、上面１９ｂが下面１９ａよりも長い。そして、圧電基板１９の側面１９ｃは、上面１９ｂ側ほど外側（他の圧電素子７側）へ位置するように傾斜している。従って、隣り合う圧電素子７において、下面１９ａ間の距離ｄ１（図３）は、上面１９ｂ間の距離ｄ２（図３）よりも大きい。なお、隣り合う圧電素子７は、上面１９ｂ側において互いに当接していてもよい（距離ｄ２は０でもよい。）。圧電基板１９は、例えば、タンタル酸リチウム単結晶、ニオブ酸リチウム単結晶等の圧電性を有する単結晶の基板により構成されている。
【００２６】
励振電極２１は、いわゆるＩＤＴ（InterDigital transducer）であり、一対の櫛歯電極２３（図２）を含んでいる。各櫛歯電極２３は、バスバー２３ａ（図２）と、バスバー２３ａから延びる複数の電極指２３ｂとを有しており、一対の櫛歯電極２３は、互いに噛み合うように（複数の電極指２３ｂが互いに交差するように）配置されている。なお、図２は模式図であることから、複数本の電極指２３ｂを有する櫛歯電極２３が１対のみ図示されているが、実際には、これよりも多くの電極指２３ｂを有する複数対の櫛歯電極２３が設けられていてよい。励振電極２１は、例えば、ＳＡＷフィルタ、ＳＡＷ共振器及び／又はデュプレクサ等を構成している。
【００２７】
励振電極２１に信号が入力されると、当該信号はＳＡＷに変換されて下面１９ａを電極指２３ｂに直交する方向（ｙ方向）に伝搬し、再度信号に変換されて励振電極２１から出力される。その過程において、信号はフィルタリング等がなされる。なお、下面１９ａ及び励振電極２１は、電圧が印加されることにより所定の機能を発揮する機能部７ｗを構成している。
【００２８】
素子パッド２５は、下面１９ａに形成された不図示の配線を介して励振電極２１に接続されている。励振電極２１は、素子パッド２５を介して信号が入力され、素子パッド２５を介して信号を出力する。
【００２９】
なお、励振電極２１、素子パッド２５及びこれらを接続する不図示の配線は、例えば、Ａｌ−Ｃｕ合金等の適宜な金属により構成されている。これらは、同一材料により形成されていてもよいし、互いに異なる材料により形成されていてもよい。
【００３０】
２つの圧電素子７は、例えば、圧電基板１９の具体的な寸法、圧電基板１９の具体的な材料、励振電極２１の具体的構成、及び／又は、素子パッド２５の具体的な配位位置等が互いに相違する。ただし、２つの圧電素子７は、具体的な構成についても全く同様とされていてもよい。２つの圧電素子７は、支持部材５を介して互いに接続されていてもよいし、互いに接続されていなくてもよい。
【００３１】
バンプ８は、素子パッド２５と基板パッド１７との間に介在して、これらパッドを接合している。バンプ８は、はんだにより構成されている。はんだは、Ｐｂ−Ｓｎ合金はんだ等の鉛を用いたはんだであってもよいし、Ａｕ−Ｓｎ合金はんだ、Ａｕ−Ｇｅ合金はんだ、Ｓｎ−Ａｇ合金はんだ、Ｓｎ−Ｃｕ合金はんだ等の鉛フリーはんだであってもよい。なお、バンプ８は、導電性接着剤によって形成されていてもよい。
【００３２】
素子パッド２５と基板パッド１７との間にバンプ８が介在していることにより、絶縁基体１１の上面１１ａと、圧電基板１９の下面１９ａとの間には間隙（空間Ｓ）が形成されている。これにより、下面１９ａの振動（ＳＡＷの伝搬）が容易化されている。
【００３３】
樹脂部９は、例えば、支持部材５上において複数の圧電素子７を共に覆うように設けられている。また、樹脂部９は、隣り合う圧電素子７の間の間隙Ｗ（図３）にも充填されている（介在部９ｅを有している）。樹脂部９の、圧電素子７及び支持部材５に対する当接部分は、少なくとも一部、好ましくは、全部が接着されていることが好ましい。
【００３４】
樹脂部９は、絶縁基体１１の上面１１ａと圧電基板１９の下面１９ａとの間の間隙には充填されておらず、上面１１ａ及び下面１９ａと共に空間Ｓを構成している。なお、本実施形態においては、空間Ｓは、２つの圧電素子７下の２つの空間全体をいうものとする。空間Ｓには、空気等の気体が封入されている。空間Ｓ内の圧力は、その空間Ｓ内の温度が大気の温度と同等のときに、大気圧よりも高くてもよいし、同等でもよいし、大気圧よりも低くてもよい。なお、空間Ｓは略真空とされることも可能である。
【００３５】
樹脂部９は、空間Ｓの外周面を構成する内壁面９ａと、圧電素子７間において空間Ｓの天井を構成する下面９ｂとを有している。内壁面９ａ及び下面９ｂは、空間Ｓに対して凹状となっている。なお、内壁面９ａの上端は、圧電基板１９の下面１９ａと側面１９ｃとの角部、当該角部よりも内側、当該角部よりも外側（側面１９ｃ）のいずれに位置してもよい。内壁面９ａの下端は、平面視において、下面１９ａと側面１９ｃとの角部、当該角部よりも内側、当該角部よりも外側のいずれに位置してもよい。また、下面９ｂは、圧電基板１９の下面１９ａから上面１９ｂまでのいずれに位置してもよい。
【００３６】
樹脂部９の外形は、例えば、概ね直方体状になるように形成されている。その平面視における形状及び大きさは、例えば、支持部材５の平面形状と同様であり、樹脂部９の側面は支持部材５の側面と面一になっている。樹脂部９の厚みは、圧電素子７の保護の観点等の種々の観点から適宜な大きさとされてよい。
【００３７】
樹脂部９は、樹脂によって構成されている。樹脂は、例えば、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、シアノレジン樹脂である。樹脂は、好ましくは熱硬化性樹脂であり、熱硬化性樹脂は、例えば、エポキシ樹脂若しくはフェノール樹脂である。樹脂には、当該樹脂よりも熱膨張係数が低い材料により形成された絶縁性粒子からなるフィラーが混入されていてもよい。絶縁性粒子の材料は、例えば、シリカ、アルミナ、フェノール、ポリエチレン、グラスファイバー、グラファイトフィラーである。
【００３８】
なお、樹脂部９は、樹脂によって形成されていることから、一般には、圧電体からなる圧電基板１９に比較して、ヤング率が小さく、また、熱膨張率が大きい。また、樹脂部９は、絶縁基体１１に比較して、ヤング率又は熱膨張率が大きくてもよいし、同等でもよいし、小さくてもよい。好適には、樹脂部９の熱膨張率は絶縁基体１１と同等である。
【００３９】
図４（ａ）〜図４（ｅ）は、実装構造体１の製造方法を説明する断面図である。なお、図４以降の断面図において、導電層等の細部を省略することがある。
【００４０】
まず、図４（ａ）に示すように、圧電素子７Ａが多数個取りされる母基板３１を用意する。母基板３１は、圧電基板１９が多数個取りされる母基板に対して励振電極２１等をフォトリソグラフィー等により形成することにより作製される。そして、母基板３１の上面１９ｂ側の面にダイシングテープ３３を貼付する。
【００４１】
次に、図４（ｂ）に示すように、ダイシングブレード３５により母基板３１をカットして、個片化された複数の圧電素子７Ａを得る。ここで、ダイシングブレード３５は、先端ほど厚みが細くなるテーパ状に形成されている。従って、圧電素子７Ａ（圧電基板１９）は、側面視における形状が台形とされる。
【００４２】
また、特に図示しないが、複数の圧電素子７Ｂも複数の圧電素子７Ａと同様にして得られる。
【００４３】
次に、図４（ｃ）に示すように、支持部材５が多数個取りされる母基板３７にバンプ８を形成し、母基板３７に圧電素子７Ａ及び圧電素子７Ｂを実装する。母基板３７は、一般的な配線基板の母基板と同様に形成されてよい。バンプ８も、一般的なバンプと同様に形成されよく、例えば、蒸着法、めっき法若しくは印刷法により形成される。バンプ８を介した支持部材５と圧電素子７との接着も、一般的な実装と同様に、例えば、リフローによって行われてよい。
【００４４】
次に、図４（ｄ）に示すように、樹脂部９となる液状の材料３９（例えば未硬化状態の樹脂材料）を母基板３７及び圧電素子７上に供給する。材料３９の供給は、例えば、印刷法若しくはディスペンサー法により行われる。なお、材料３９の供給においては、材料３９が空間Ｓに流れ込んでしまわないように、材料３９として比較的粘性が高いものを用いたり、材料３９の圧力を調整（例えばスクリーン印刷におけるスキージの速度を調整）したりする。
【００４５】
材料３９の供給後、材料３９を加圧しつつ加熱し、材料３９を硬化させる。加圧及び加熱（熱膨張）によって空間Ｓの圧力は高くなる。その結果、材料３９の空間Ｓを構成する面は、空間Ｓの広がりに抗して空間Ｓを球形に近づけようとする材料３１の表面張力の作用によって空間Ｓに対して凹状となる。又は、加圧の有無に関わらず、材料３１の濡れ性等の調整により、材料３１の空間Ｓを構成する面は、圧電基板１９及び／又は支持部材５に対して傾斜して接し、空間Ｓに対して凹状となる。その結果、樹脂部９の内壁面９ａ及び下面９ｂは空間Ｓに対して凹状となる。
【００４６】
次に、ダイシングテープ３９が貼付された母基板３７及び硬化した材料３１をダイシングブレード４１によってカットし、個片化された複数の実装構造体１を得る。
【００４７】
以上のとおり、本実施形態では、実装構造体１は、支持部材５と、該支持部材５上にバンプ８を介して実装された複数の圧電素子７と、複数の圧電素子７を共に覆い、複数の圧電素子７と支持部材５との間の空間Ｓを密閉する封止樹脂（樹脂部９）と、を有する。また、複数の圧電素子７は、隣り合う圧電素子７の下面１９ａ間の距離ｄ１が下面１９ａよりも上方側の所定位置間（例えば上面１９ｂ間）の距離ｄ２よりも大きい。そして、樹脂部９は、隣り合う圧電素子７間の間隙Ｗの少なくとも上方側の一部に充填された介在部９ｅを有する。
【００４８】
従って、樹脂部９によって空間Ｓが密閉され、カバーが不要である。また、圧電素子７間の間隙Ｗは、下面よりも上方において狭くなるから、樹脂部９によって塞ぐべき開口面積が縮小され、且つ、間隙Ｗに樹脂部９の一部（介在部９ｅ）が充填されるから、空間Ｓの密閉性が向上する。また、介在部９ｅにより、樹脂部９と圧電素子７との接着面積が拡大し、樹脂部９の圧電素子７からの剥離も抑制される。さらに、介在部９ｅは、圧電素子７間のスペーサとして機能し、隣り合う圧電素子７同士の近接抑制に兼用される。その結果、例えば、圧電素子７同士のショートが抑制される。
【００４９】
また、介在部９ｅは、その下面９ｂが支持部材５から離間しているとともに凹状となっている。
【００５０】
従って、樹脂部９の下面９ｂは、凹状でない場合に比較して、圧電基板１９の側面１９ｃに沿うような角度（形）で側面１９ｃに接触する。その結果、空間Ｓの気圧が下面９ｂに作用しても、その下面９ｂに作用した力が樹脂部９を側面１９ｃから剥離させる力として作用することが抑制されるとともに、介在部９ｅが側面１９ｃに押さえ付けられることとなり、樹脂部９の圧電基板１９からの剥離が抑制される。また、樹脂部９の体積に対して樹脂部９と側面１９ｃとの接触面積を増大させ、接着力を大きくすることもできる。
【００５１】
隣り合う圧電素子７の少なくとも一方は、他方の圧電素子７側の側面１９ｃが、上面１９ｂ側ほど他方の圧電素子７側に位置するように傾斜している。
【００５２】
従って、側面１９ｃの上面１９ｂ側部分が引っ掛かりとなって、介在部９ｅの圧電素子７間からの抜けが抑制され、ひいては、樹脂部９の圧電素子７からの剥離が抑制される。その結果、樹脂部９による圧電素子７の近接抑制機能及び空間Ｓの密閉機能の低下が抑制される。また、例えば、後述する第２の実施形態に比較して、応力集中が生じるような角部の形成の抑制やダイシング工程の簡略化が図られる。
【００５３】
（第１の実施形態の変形例）
図５（ａ）及び図５（ｂ）は、第１の実施形態に係る第１及び第２の変形例を示す図３に相当する断面図である。
【００５４】
図５（ａ）に示す変形例では、間隙Ｗにて支持部材５に面する下面９ｂは、平坦とされている。平坦な下面９ｂは、例えば、材料３１を硬化させるときに加圧を行わずに加熱のみを行ったり、真空雰囲気下で材料３１を供給したり、樹脂シートを圧電素子７に被せてから材料３１を供給し、樹脂シート及び材料３１からなる樹脂部９を形成したりすることにより実現される。
【００５５】
図５（ｂ）に示す変形例では、互いに異なる大きさの圧電素子７Ａと７Ｃとが隣り合っている。このような場合であっても、下面１９ａ間の距離ｄ１が、下面１９ａよりも上方側の所定位置（例えば圧電素子７Ａの上面１９ｂの位置）間の距離ｄ２よりも大きければ、下面１９ａ同士の近接が抑制される。
【００５６】
（第２の実施形態）
図６は、第２の実施形態に係る実装構造体２０１を示す、図３に相当する断面図である。なお、実装構造体２０１の外観は、第１の実施形態（図１）と同様である。
【００５７】
実装構造体２０１は、圧電素子２０７Ａ及び２０７Ｂの圧電基板２１９の形状が第１の実施形態と相違する。なお、圧電基板２１９の形状の相違に伴って、樹脂部９の形状も第１の実施形態とは相違するが、便宜的に第１の実施形態と同一符号を用いる。
【００５８】
具体的には、圧電基板２１９は、側面視における形状がＴ字とされている。換言すれば、圧電基板２１９は、下面２１９ａよりも上方において、側面から突出する突部（フランジ）２１９ｆを有する形状である。突部２１９ｆは、例えば、圧電基板２１９の全周に亘って形成されている。
【００５９】
従って、実装構造体２０１においては、第１の実施形態と同様に、隣り合う圧電素子２０７の下面２１９ａ間の距離ｄ１は、下面２１９ａよりも上方側の所定位置（上面２１９ｂの位置）間における距離ｄ２よりも大きい。そして、圧電素子２０７間の隙間Ｗの少なくとも上方側には樹脂部９の一部（介在部９ｅ）が充填されている。その結果、第１の実施形態と同様の効果が奏される。
【００６０】
なお、介在部９ｅの下面９ｂは、第１の実施形態と同様に、凹状となっている。下面９ｂは、例えば、突部２１９ｆ間に位置している。
【００６１】
図７（ａ）〜図７（ｃ）は、実装構造体２０１（圧電素子２０７）の製造方法を説明する断面図である。
【００６２】
まず、図７（ａ）に示すように、圧電素子２０７Ａが多数個取りされる母基板３１を用意する。なお、母基板３１は、第１の実施形態の母基板３１と同様のものである。
【００６３】
次に、図７（ｂ）に示すように、ダイシングブレード２３５によってダイシングラインに沿って母基板３１の下面２１９ａ側の一部をカットする。
【００６４】
次に、図７（ｃ）に示すように、ダイシングブレード２３５よりも薄いダイシングブレード２３６によってダイシングラインに沿って母基板３１をカットし、個片化された複数の圧電素子７を得る。
【００６５】
このように、厚みの異なるダイシングブレード２３５及び２３６を用いることにより、突部２１９ｆを形成することができる。圧電素子２０７Ｂについても同様である。
【００６６】
その後の工程は、第１の実施形態と同様である。
【００６７】
（第２の実施形態の変形例）
図８（ａ）、図８（ｂ）、図９（ａ）及び図９（ｂ）は、第２の実施形態に係る変形例を示す断面図である。
【００６８】
第２の実施形態では、下面９ｂは、突部２１９ｆ間に位置したが、図８（ａ）及び図８（ｂ）では、下面９ｂは、突部２１９ｆよりも下方に位置している。より具体的には、図８（ａ）では、下面９ｂは、その両端部が突部２１９ｆの支持部材５側の面に位置しており、図８（ｂ）では、下面９ｂは、その両端部が突部２１９ｆよりも下方の側面に位置している。
【００６９】
下面９ｂは、例えば、材料３１の粘度を低くしたり、材料３１の供給時の圧力を高くしたりすることにより、図８（ａ）や図８（ｂ）に示すように、より下方に位置させることができる。
【００７０】
このように、介在部２１９ｅが、突部２１９ｆよりも下方の位置まで充填されていることから、突部２１９ｆが引っ掛かりとなって、介在部２１９ｅの圧電素子２０７間からの抜けが抑制され、ひいては、樹脂部９の圧電素子２０７からの剥離が抑制される。
【００７１】
なお、図８（ａ）では、材料３１の広がりに抗して材料３１を球形に近づけようとする材料３１の表面張力の作用によって、及び／又は、材料３１の濡れ性に起因して材料３１が突部２１９ｆの下面に傾斜して接することによって、下面９ｂは、支持部材５に対して凸状となっている。
【００７２】
また、図８（ｂ）では、実施形態と同様に、空間Ｓの広がりに抗して空間Ｓを球形に近づけようとする材料３１の表面張力の作用によって、及び／又は、材料３１の濡れ性に起因して材料３１が圧電基板２１９の側面に対して傾斜して接することによって、下面９ｂは、支持部材５に対して凹状となっている。
【００７３】
図９（ａ）及び図９（ｂ）は、図５（ａ）及び図５（ｂ）に相当する変形例である。すなわち、第２の実施形態においても、図９（ａ）に示すように、樹脂部９の下面９ｂは平坦とされてもよいし、図９（ｂ）に示すように、互いに大きさの異なる圧電素子２０７が設けられてもよい。
【００７４】
本発明は、以上の実施形態に限定されず、種々の態様で実施されてよい。
【００７５】
支持部材は、電子部品と実装基板とを仲介するものに限定されない。換言すれば、実装構造体は、実装基板に実装されるものに限定されない。例えば、支持部材は、携帯機器等の電子機器のマザーボード（メインボード、主基板）として機能するものであってもよい。
【００７６】
電子部品は、圧電素子に限定されない。例えば、電子部品は、半導体素子（ＩＣ等）、抵抗素子、インダクタ若しくはコンデンサであってもよい。圧電素子は、ＳＡＷ素子に限定されない。例えば、圧電素子は、圧電薄膜共振器（ＦＢＡＲ：Film Bulk Acoustic Resonator）であってもよいし、弾性境界波素子（ただし、広義のＳＡＷ素子に含まれる）であってもよい。ＳＡＷ素子若しくはＦＢＡＲは、励振電極上に空間を形成するカバーを有するものであってもよい。また、複数の電子部品は、互いに異なる種類の電子部品であってもよい。例えば、圧電素子と、半導体素子とが隣り合っていてもよい。ただし、樹脂部によって形成される空間の有効利用という観点においては、電子部品は、カバーを有さないＳＡＷ素子若しくはＦＢＡＲであることが好ましい。
【００７７】
支持部材に実装される全ての電子部品に関して、隣り合う電子部品の下面間の距離が下面よりも上方の所定位置間の距離よりも大きいという関係が成立する必要はない。少なくとも２つの電子部品に関して上記の関係が成立すればよい。また、隣り合う電子部品は、双方が台形若しくはＴ字等とされる必要は無い。一方が台形等とされるだけでもよい。
【００７８】
電子部品の断面形状は、台形若しくはＴ字状に限定されない。別の観点では、電子部品間の距離が下面間の距離よりも小さくなる所定位置は、上面の位置に限定されない。例えば、電子部品は、上面と下面との間に突部を有する形状であってもよいし、矩形の下面側部分と台形の上面側部分とを有する形状（ただしＴ字と捉えてもよい）であってもよい。また、側面の傾斜や突部は、隣り合う電子部品において、その互いに隣接する側にのみ設けられればよく、その反対側（外側）に設けられなくてもよい。
【００７９】
樹脂部の隣り合う電子部品間に充填された介在部は、支持部材に到達する位置まで充填されていてもよい。換言すれば、隣り合う電子部品間において、電子部品と支持部材との間の空間は連通されていなくてもよい。また、樹脂部は、空間の内壁面又は介在部と接続され、電子部品の支持部材に対向する面に形成された薄膜を有していてもよい。
【００８０】
ダイシングは、ダイシングブレードによって行われるものに限定されない。例えば、レーザーによって行われてもよい。この場合であっても、レーザの照射角度を変化させることによって傾斜した側面を形成したり、レーザの直径を変化させることによって突部を形成したりすることができる。
【符号の説明】
【００８１】
１…実装構造体、５…支持部材、７…圧電素子（電子部品）、８…バンプ、１９ａ…下面、１９ｂ…上面、２５…素子パッド。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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