(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
放射ビームを基板に投影するよう構成されている投影系モジュールと、
前記投影系モジュールによって平面図において覆われていないときの基板上面にガス流れを提供するよう構成され、前記投影系モジュールの光軸に平行な第１方向に移動可能に配設されているガスシャワーモジュールと、
前記投影系モジュールから前記ガスシャワーモジュールに向かう方向に又はその反対に方向付けられているシールガス流れを提供するシールガス出口と、を備え、
前記シールガス出口が設けられていない前記投影系モジュールまたは前記ガスシャワーモジュールは、前記シールガス流れが方向付けられた突起を含み、
前記第１方向における前記突起の長さは、前記第１方向における前記ガスシャワーモジュールの移動量と少なくとも同等の長さである露光装置。
【請求項２】
前記シールガス流れは、上向きに方向付けられている、請求項１に記載の露光装置。
【請求項３】
前記ガスシャワーモジュールは、基板を支持する基板テーブルに基板を搬入するよう構成されている基板ハンドラを含む、請求項１または２に記載の露光装置。
【請求項４】
前記基板ハンドラは、前記投影系モジュールの光軸に実質的に平行な方向に移動するよう構成され、前記シールガス出口は、前記基板ハンドラに取り付けられている、請求項３に記載の露光装置。
【請求項５】
前記シールガス出口の前記シールガス流れは、前記シールガス流れが前記突起の表面に垂直に当たるように方向付けられる、請求項１から４のいずれかに記載の露光装置。
【請求項６】
負圧源に接続されている排気開口が前記突起の上面に設けられている、請求項１から５のいずれかに記載の露光装置。
【請求項７】
前記シールガス出口が設けられている前記投影系モジュールまたは前記ガスシャワーモジュールは、前記シールガス出口が設けられていない前記投影系モジュールまたは前記ガスシャワーモジュールに向けて延在しかつ前記ガス出口の上方に取り付けられている偏向器を含む、請求項１から６のいずれかに記載の露光装置。
【請求項８】
前記ガス流れを前記基板上面に形成するとともに、前記シールガス流れを形成するガス源をさらに備える、請求項１から７のいずれかに記載の露光装置。
【請求項９】
前記シールガス流れが汚染物質粒子を前記投影系モジュールと前記ガスシャワーモジュールとの隙間の外へと及び／または基板から離れるほうへと輸送するのに有効であるように、前記シールガス出口からのガスの流量を制御するよう構成されているコントローラをさらに備える、請求項１から８のいずれかに記載の露光装置。
【請求項１０】
前記シールガス出口は、前記投影系モジュール及び前記ガスシャワーモジュールの対向する表面の長さに沿って平面図において実質的に延在する１つ又は複数の出口を備える、請求項１から９のいずれかに記載の露光装置。
【請求項１１】
前記投影系モジュールにおいて前記シールガス出口より下方の高さに位置し、転向ガス流れを前記ガスシャワーモジュールに向かう成分をもつ方向に提供するよう構成されている転向ガス出口をさらに備える、請求項１から１０のいずれかに記載の露光装置。
【請求項１２】
放射ビームを基板に投影するよう構成されている投影系モジュールと、
前記投影系モジュールによって平面図において覆われていないときの基板上面にガス流れを提供するよう構成されているガスシャワーモジュールと、
前記投影系モジュールから前記ガスシャワーモジュールに向かう方向に又はその反対に方向付けられているシールガス流れを提供するシールガス出口と、
前記投影系モジュールにおいて前記シールガス出口より下方の高さに位置し、転向ガス流れを前記ガスシャワーモジュールに向かう成分をもつ方向に提供するよう構成されている転向ガス出口と、を備える露光装置。
【請求項１３】
前記ガスシャワーモジュールと前記投影系モジュールとの隙間の下方に基板がないときに生じるよう前記転向ガス出口からのガス流れを制御するよう構成されているコントローラをさらに備える、請求項１２に記載の露光装置。
【請求項１４】
前記転向ガス流れは、前記ガスシャワーモジュールの底部より下方の高さに位置する、請求項１２または１３に記載の露光装置。
【請求項１５】
前記ガスシャワーモジュールは、基板を支持する基板テーブルに基板を搬入するよう構成されている基板ハンドラを含む、請求項１２から１４のいずれかに記載の露光装置。
【請求項１６】
負圧源に接続されている排気開口をさらに備え、前記排気開口は、前記投影系モジュールと前記ガスシャワーモジュールとの隙間において形成されている、請求項１２から１５のいずれかに記載の露光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
関連出願の相互参照
本出願は、２０１１年１１月２２日に出願された米国仮出願第６１／５６２，８３５号の利益を主張し、その全体が本明細書に援用される。
【０００２】
本発明は、露光装置、リソグラフィ装置、及び、デバイスを製造するための方法に関する。
【背景技術】
【０００３】
リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板に、または基板の部分に与える機械である。リソグラフィ装置は例えば、集積回路（ＩＣ）、フラットパネルディスプレイ、微細形状を有するその他のデバイス又は構造の製造に用いられる。従来のリソグラフィ装置においては、マスクまたはレチクルとも称されるパターニングデバイスが、ＩＣやフラットパネルディスプレイ、その他のデバイスの個々の層に対応する回路パターンを生成するために使用されることがある。このパターンは例えば、（例えばシリコンウェーハまたはガラスプレート等の）基板上に設けられた放射感応性材料（レジスト）層への結像により、基板（の部分）へと転写される。同様に、露光装置は、所望のパターンを基板（又はその部分）上に又は基板内に形成する際に放射ビームを使用する機械である。
【０００４】
パターニングデバイスを使用して、回路パターンではなく例えばカラーフィルタのパターンやドットのマトリックス状配列などの他のパターンを生成する場合もある。従来のマスクに代えて、パターニングデバイスは、回路パターンまたはその他の適用可能なパターンを生成する個別に制御可能な素子の配列を備えるパターニングアレイを備えてもよい。このような「マスクレス」方式ではマスクを使用する従来の方式に比べて迅速かつ低コストにパターンを準備したり変更したりできるという利点がある。
【０００５】
故に、マスクレスシステムはプログラマブルパターニングデバイス（例えば、空間光変調器、コントラストデバイスなど）を含む。プログラマブルパターニングデバイスは、個別制御可能素子のアレイを使用して所望のパターンが与えられたビームを形成するよう（例えば電子的に、または光学的に）プログラムされる。プログラマブルパターニングデバイスの種類には、マイクロミラーアレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）アレイ、グレーティングライトバルブアレイ、自己放射可能なコントラストデバイスなどがある。プログラマブルパターニングデバイスは電気光学偏光器からも形成され得るものであり、これは例えば、基板上に投影される放射のスポットを移動させるように、または、間欠的に放射ビームを基板から例えば放射ビーム吸収体へと方向付けるように、構成される。このような構成においては、放射ビームは連続的であり得る。
【発明の概要】
【０００６】
リソグラフィ又は露光のプロセスにおいては、複数の放射ビームが生成されパターンを与えられて基板に投影されうる。一例においては、それら放射ビームを生成するために、自己放射コントラストデバイスの１つ又は複数のアレイが上述のように使用されてもよい。
【０００７】
一般に基板のサイズは、平面図において、基板に複数の放射ビームを投影するために使用される投影系モジュールのサイズよりも大きくなる。このことは、基板（の部分）が投影系モジュールの下方にはないとき塵粒子等の汚染物質粒子が基板の上面に到達しうるという点で、望ましくないものとなりうる。これによりパターン形成誤差（例えば結像誤差）がもたらされうるが、それは明白に望ましくない。
【０００８】
投影系モジュールの下方にはない基板（の部分）に到達する汚染物質粒子のリスクを緩和するために、１つ又は複数のガスシャワーモジュールが、投影系モジュールの下方にはない基板の部分にフィルター処理されたガスの流れを提供するよう投影系モジュールに隣接して配置されていてもよい。
【０００９】
ある実施の形態においては、投影系モジュールは、ガスシャワーモジュールから機械的に絶縁されている。したがって、投影系モジュールとガスシャワーモジュールとの間に直接の接続はない（例えば、それら２つのモジュールが堅牢な土台に別々に接続されていてもよいし、または、２つのモジュールがダンパまたはその他の絶縁構造を介して接続されていてもよい）。隙間が２つのモジュール間に存在しうる。汚染物質粒子は、投影系モジュールとガスシャワーモジュールとの間の当該隙間へと落下し及び／またはガス流れによって引き寄せられて、基板上に到達しうる。これは、望ましくない。
【００１０】
したがって、望まれることは、例えば、投影系モジュールとガスシャワーモジュールとの隙間を例えば通じて基板の上面に落下する汚染物質粒子の可能性を低減するよう１つ又は複数の対策がとられた装置を提供することである。
【００１１】
本発明のある実施の形態によると、放射ビームを基板に投影するよう構成されている投影系モジュールと、前記投影系モジュールによって平面図において覆われていないときの基板上面にガス流れを提供するよう構成されているガスシャワーモジュールと、前記投影系モジュールから前記ガスシャワーモジュールに向かう方向に又はその反対に方向付けられているシールガス流れを提供するシールガス出口と、を備える露光装置が提供される。
【００１２】
本発明のある実施の形態によると、放射ビームを基板に投影する投影系モジュールを使用することと、前記投影系モジュールによって平面図において覆われていないときの基板上面にガス流れを提供するガスシャワーモジュールを使用することと、前記投影系モジュールから前記ガスシャワーモジュールに向かう方向に又はその反対に方向付けられているシールガス流れを提供することと、を備えるデバイス製造方法が提供される。
【００１３】
本発明のいくつかの実施の形態が付属の概略的な図面を参照して以下に説明されるがこれらは例示に過ぎない。対応する参照符号は各図面において対応する部分を指し示す。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明のある実施の形態に係るリソグラフィ装置又は露光装置の部分を示す。
【００１５】
【図２】本発明のある実施の形態に係る図１のリソグラフィ装置又は露光装置の部分の上面図を示す。
【００１６】
【図３】本発明のある実施の形態に係るリソグラフィ装置又は露光装置の部分の高度に概略的な斜視図を示す。
【００１７】
【図４】本発明のある実施の形態に係り、図３に係るリソグラフィ装置又は露光装置による基板上への投影の概略上面図を示す。
【００１８】
【図５】本発明のある実施の形態に係る部分の断面を示す。
【００１９】
【図６】リソグラフィ装置又は露光装置の部分の断面を示す。
【００２０】
【図７】リソグラフィ装置又は露光装置の部分の平面図を示す。
【００２１】
【図８】本発明のある実施の形態により対処される課題を示す投影系モジュールとガスシャワーモジュールとの隙間の詳細の断面を示す。
【００２２】
【図９】本発明のある実施の形態に係るリソグラフィ装置又は露光装置の詳細の断面を示す。
【００２３】
【図１０】本発明のある実施の形態に係るリソグラフィ装置又は露光装置の詳細の断面を示す。
【００２４】
【図１１】本発明のある実施の形態に係るリソグラフィ装置又は露光装置の詳細の断面を示す。
【００２５】
【図１２】本発明のある実施の形態に係るリソグラフィ装置又は露光装置の詳細の断面を示す。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
本発明のある実施の形態は、プログラマブルパターニングデバイスを含みうる装置に関連し、当該デバイスは例えば自己放射コントラストデバイスの１つ又は複数のアレイからなることがある。こうした装置に関する更なる情報は国際公開第２０１０／０３２２２４号、米国特許出願公開第２０１１／０１８８０１６号明細書、米国特許出願第６１／４７３６３６号、及び米国特許出願第６１／５２４１９０号にあり、これらの全体が本明細書に援用される。しかし、本発明のある実施の形態は、いかなる形式のプログラマブルパターニングデバイスを使用してもよく、当該デバイスには例えば既に説明したものが含まれる。
【００２７】
図１は、リソグラフィ装置又は露光装置の部分の概略側断面図である。この実施形態においては、本装置は、後述するようにＸＹ面で実質的に静止した個別制御可能素子を有する（が、そうである必要はない）。装置１は、基板を保持する基板テーブル２と、基板テーブル２を最大６自由度で移動させる位置決め装置３と、を備える。基板は、レジストで被覆された基板であってもよい。ある実施の形態においては、基板はウェーハである。ある実施の形態においては、基板は多角形（例えば矩形）の基板である。ある実施の形態においては、基板はガラスプレートである。ある実施の形態においては、基板はプラスチック基板である。ある実施の形態においては、基板は箔である。ある実施の形態においては、本装置は、ロールトゥロール製造に適する。
【００２８】
装置１は、複数のビームを発するよう構成されている複数の個別に制御可能な自己放射可能なコントラストデバイス４を備える。ある実施の形態においては、自己放射コントラストデバイス４は、放射発光ダイオード（例えば、発光ダイオード（ＬＥＤ）、有機ＬＥＤ（ＯＬＥＤ）、高分子ＬＥＤ（ＰＬＥＤ））、または、レーザダイオード（例えば、固体レーザダイオード）である。ある実施の形態においては、個別制御可能素子４の各々は青紫レーザダイオード（例えば、三洋の型式番号DL-3146-151）である。こうしたダイオードは、三洋、日亜、オスラム、ナイトライド等の企業により供給される。ある実施の形態においては、ダイオードは、例えば約３６５ｎｍまたは約４０５ｎｍまたは約４３６ｎｍの波長を有するＵＶ放射を発する。ある実施の形態においては、ダイオードは、０．５ｍＷないし２００ｍＷの範囲から選択される出力パワーを提供することができる。ある実施の形態においては、レーザダイオードの（むき出しのダイの）サイズは、１００μｍないし８００μｍの範囲から選択される。ある実施の形態においては、レーザダイオードは、０．５μｍ２ないし５μｍ２の範囲から選択される発光領域を有する。ある実施の形態においては、レーザダイオードは、５度ないし４４度の範囲から選択される発散角を有する。ある実施の形態においては、それらのダイオードは、合計の明るさを約６．４×１０８Ｗ／（ｍ２・ｓｒ）以上にするための構成（例えば、発光領域、発散角、出力パワーなど）を有する。
【００２９】
自己放射コントラストデバイス４は、フレーム５に配設されており、Ｙ方向に沿って及び／またはＸ方向に沿って延在してもよい。図１には１つのフレーム５が図示されているが、本装置は複数のフレーム５を有してもよい。フレーム５には更に、複数のレンズ１２が配設されている。フレーム５、従って、自己放射コントラストデバイス４及びレンズ１２はＸＹ面内で実質的に静止している。フレーム５、自己放射コントラストデバイス４、及びレンズ１２は、アクチュエータ７によってＺ方向に移動されてもよい。それに代えて又はそれとともに、レンズ１２はこの特定のレンズに関連するアクチュエータによってＺ方向に移動されてもよい。任意選択として、各レンズ１２にアクチュエータが設けられていてもよい。
【００３０】
自己放射コントラストデバイス４はビームを発するよう構成されていてもよく、投影系１２、１４、１８はそのビームを基板の目標部分に投影するよう構成されていてもよい。自己放射コントラストデバイス４及び投影系が光学コラムを形成する。装置１は、光学コラム又はその一部を基板に対して移動させるためのアクチュエータ（例えばモータ１１）を備えてもよい。フレーム８には視野レンズ１４及び結像レンズ１８が配設されており、そのアクチュエータを用いてフレーム８は回転可能であってもよい。視野レンズ１４と結像レンズ１８との結合が可動光学系９を形成する。使用時においては、フレーム８は自身の軸１０まわりを、例えば図２に矢印で示す方向に、回転する。フレーム８は、アクチュエータ（例えばモータ）１１を使用して軸１０まわりに回転させられる。また、フレーム８はモータ７によってＺ方向に移動されてもよく、それによって可動光学系９が基板テーブル２に対し変位させられてもよい。
【００３１】
内側にアパーチャを有するアパーチャ構造１３がレンズ１２の上方でレンズ１２と自己放射コントラストデバイス４との間に配置されてもよい。アパーチャ構造１３は、レンズ１２、関連する自己放射コントラストデバイス４、及び／または、隣接するレンズ１２／自己放射コントラストデバイス４の回折効果を限定することができる。
【００３２】
図示される装置は、フレーム８を回転させると同時に光学コラム下方の基板テーブル２上の基板を移動させることによって、使用されてもよい。自己放射コントラストデバイス４は、レンズ１２、１４、１８が互いに実質的に整列されたときこれらのレンズを通じてビームを放つことができる。レンズ１４、１８を移動させることによって、基板上でのビームの像が基板の一部分を走査する。同時に光学コラム下方の基板テーブル２上の基板を移動させることによって、自己放射コントラストデバイス４の像にさらされる基板の当該部分も移動する。光学コラム又はその一部の回転を制御し、自己放射コントラストデバイス４の強度を制御し、且つ基板速度を制御するコントローラにより自己放射コントラストデバイス４の「オン」と「オフ」とを高速に切り換える制御をすることによって（例えば、「オフ」であるとき出力がないか、しきい値を下回る出力を有し、「オン」であるときしきい値を上回る出力を有する）、所望のパターンを基板上のレジスト層に結像することができる。
【００３３】
図２は、自己放射コントラストデバイス４を有する図１の装置の概略上面図である。図１に示す装置１と同様に、図２に示される装置１は、基板１７を保持する基板テーブル２と、基板テーブル２を最大６自由度で移動させる位置決め装置３と、自己放射コントラストデバイス４と基板１７とのアライメントを決定し、自己放射コントラストデバイス４の投影に対して基板１７が水平か否かを決定するためのアライメント／レベルセンサ１９と、を備える。図示されるように基板１７は矩形形状を有するが、追加的に又は代替的に円形の基板が処理されてもよい。
【００３４】
自己放射コントラストデバイス４はフレーム１５に配設されている。自己放射コントラストデバイス４は、放射発光ダイオード、例えばレーザダイオード、例えば青紫レーザダイオードであってもよい。図２に示されるように、自己放射コントラストデバイス４はＸＹ面内に延在するアレイ２１に配列されていてもよい。
【００３５】
アレイ２１は細長い線であってもよい。ある実施の形態においては、アレイ２１は、自己放射コントラストデバイス４の一次元配列であってもよい。ある実施の形態においては、アレイ２１は、自己放射コントラストデバイス４の二次元配列であってもよい。
【００３６】
回転フレーム８が設けられていてもよく、これは、矢印で図示される方向に回転してもよい。回転フレームには、各自己放射コントラストデバイス４の像を与えるためのレンズ１４、１８（図１参照）が設けられていてもよい。本装置には、フレーム８及びレンズ１４、１８を備える光学コラムを基板に対して回転させるためのアクチュエータが設けられていてもよい。
【００３７】
図３は、周辺部にレンズ１４、１８が設けられている回転フレーム８を高度に概略的に示す斜視図である。複数のビーム、本実施例では１０本のビームが、それらレンズの一方へと入射し、基板テーブル２により保持された基板１７のある目標部分に投影されている。ある実施の形態においては、複数のビームは直線に配列されている。回転可能フレームは、アクチュエータ（図示せず）によって軸１０まわりに回転可能である。回転可能フレーム８の回転の結果として、ビームセットが一連のレンズ１４、１８（視野レンズ１４及び結像レンズ１８）に入射する。一連のレンズの各々に入射してビームは偏向され、それによりビームは基板１７の表面の一部分に沿って動く。詳しくは図４を参照して後述する。ある実施の形態においては、各ビームは、対応する源によって、すなわち自己放射コントラストデバイス、例えばレーザダイオードによって、生成される（図３には図示せず）。図３に示される構成においては、ビームどうしの距離を小さくするために、それらビームはともに、あるセグメントミラー３０によって偏向されかつ運ばれる。それによって、後述するように、より多数のビームを同一のレンズを通じて投影し、要求解像度を実現することができる。
【００３８】
回転可能フレームが回転すると、ビームセットが連続する複数のレンズへと入射する。このときあるレンズがビームに照射されるたびに、レンズ表面上でビームが入射する場所が移動する。レンズ上のビーム入射場所に依存してビームが異なって（例えば、異なる偏向をもって）基板に投影されるので、（基板に到達する）ビームはレンズが通過するたびに走査移動をすることになる。この原理について図４を参照して更に説明する。図４は、回転可能フレーム８の一部を高度に概略的に示す上面図である。第１ビームセットをＢ１と表記し、第２ビームセットをＢ２と表記し、第３ビームセットをＢ３と表記する。ビームセットのそれぞれが、回転可能フレーム８の対応するレンズセット１４、１８を通じて投影される。回転可能フレーム８が回転すると、複数ビームＢ１が基板１７に投影され、走査移動によって領域Ａ１４を走査する。同様に、複数ビームＢ２は領域Ａ２４を走査し、複数ビームＢ３は領域Ａ３４を走査する。回転可能フレーム８の回転と同時に、対応するアクチュエータによって基板１７及び基板テーブルが（図２に示すＸ軸に沿う方向であってもよい）方向Ｄに移動され、そうして領域Ａ１４、Ａ２４、Ａ３４におけるビームの走査方向に実質的に垂直に移動される。方向Ｄの第２のアクチュエータによる移動（例えば、対応する基板テーブルモータによる基板テーブルの移動）の結果、回転可能フレーム８の一連のレンズによって投影されるとき連続する複数回のビーム走査が互いに実質的に隣接するよう投影されて、実質的に隣接する領域Ａ１１、Ａ１２、Ａ１３、Ａ１４がビームＢ１の走査のたびに生じ（図４に示すように、領域Ａ１１、Ａ１２、Ａ１３は以前に走査され、領域Ａ１４は今回走査されている）、ビームＢ２については領域Ａ２１、Ａ２２、Ａ２３、Ａ２４が生じ（図４に示すように、領域Ａ２１、Ａ２２、Ａ２３は以前に走査され、領域Ａ２４は今回走査されている）、ビームＢ３については領域Ａ３１、Ａ３２、Ａ３３、Ａ３４が生じる（図４に示すように、領域Ａ３１、Ａ３２、Ａ３３は以前に走査され、領域Ａ３４は今回走査されている）。このようにして、基板表面の領域Ａ１、Ａ２、Ａ３が、回転可能フレーム８を回転させる間に基板を方向Ｄに移動させることにより、覆われてもよい。多数のビームを同一のレンズを通じて投影することにより、（回転可能フレーム８をある同一の回転速度とすると）より短い時間で基板全体を処理することができる。レンズ通過のたびに各レンズにより基板を複数のビームが走査するので、連続する複数回の走査に際して方向Ｄの変位量を大きくすることができるからである。見方を変えると、多数のビームを同一のレンズを通じて基板に投影するとき、ある所与の処理時間における回転可能フレームの回転速度を小さくしてもよいということである。こうして、回転可能フレームの変形、摩耗、振動、乱流などといった高回転速度による影響を軽減してもよい。ある実施の形態においては、図４に示すように、複数のビームは、レンズ１４、１８の回転の接線に対してある角度をなして配列されている。ある実施の形態においては、複数のビームは、各ビームが重なるか、又は各ビームが隣接ビームの走査経路に隣接するように配列されている。
【００３９】
多数のビームを一度に同一レンズにより投影する態様の更なる効果は、公差の緩和に見ることができる。レンズの公差（位置決め、光学投影など）があるために、連続する領域Ａ１１、Ａ１２、Ａ１３、Ａ１４（及び／または領域Ａ２１、Ａ２２、Ａ２３、Ａ２４及び／またはＡ３１、Ａ３２、Ａ３３、Ａ３４）の位置には、互いの位置決めにいくらかの不正確さが現れ得る。したがって、連続する領域Ａ１１、Ａ１２、Ａ１３、Ａ１４間にいくらかの重なりが必要とされるかもしれない。１本のビームの例えば１０％を重なりとする場合、同一レンズに一度にビームが一つであると、同様に１０％の係数で処理速度が遅くなるであろう。一方、同一レンズを通じて一度に５本又はそれより多数のビームが投影される状況においては、（上記同様１本のビームについて）同じ１０％の重なりが５本又はそれより多数の投影線ごとにあるとすると、重なりの総計は概ね５（又はそれより多数）分の１である２％（又はそれ未満）へと小さくなるであろう。これは、全体的な処理速度を顕著に小さくする効果をもつ。同様に、少なくとも１０本のビームを投影することにより、重なりの総計をおよそ１０分の１に小さくしうる。したがって、多数のビームを同時に同一レンズにより投影するという特徴によって、基板の処理時間に生じる公差の影響を小さくしうる。それに加えて又はそれに代えて、より大きな重なり（従って、より大きな公差幅）が許容されてもよい。一度に同一レンズにより多数のビームを投影するのであれば、重なりが処理に与える影響が小さいからである。
【００４０】
多数のビームを同一レンズを通じて同時に投影することに代えて又はそれとともに、インタレース技術を使用することができるかもしれない。しかしながらそのためには、より厳格にレンズどうしを整合させることが必要になるかもしれない。従って、それらレンズのうち同一レンズを通じて一度に基板に投影される少なくとも２つのビームは相互間隔を有し、本装置は、その間隔の中に後続のビーム投影が投影されるように光学コラムに対して基板を移動させるよう第２アクチュエータを動作させるよう構成されていてもよい。
【００４１】
１つのグループにおいて連続するビームどうしの方向Ｄにおける距離を小さくするために（それによって、例えば方向Ｄに解像度を高くするために）、それらビームは方向Ｄに対して、互いに斜めに配列されていてもよい。そうした間隔は、各セグメントが複数ビームのうち対応する１つのビームを反射するセグメントミラー３０を光路に設けることによって更に縮小されてもよい。それらセグメントは、それらミラーに入射するビームどうしの間隔よりもミラーで反射されたビームどうしの間隔を狭くするよう配設されている。そうした効果は、複数の光ファイバによっても実現しうる。この場合、ビームのそれぞれが複数ファイバのうち対応する１つのファイバに入射し、それらファイバが、光路に沿って光ファイバ上流側でのビームどうしの間隔よりも光ファイバ下流側でのビームどうしの間隔を狭くするよう配設されている。
【００４２】
また、そうした効果は、複数ビームのうち対応する１つのビームを各々が受光する複数の入力を有する集積光学導波路回路を使用して実現されてもよい。この集積光学導波路回路は、光路に沿って集積光学導波路回路の上流側でのビームどうしの間隔よりも集積光学導波路回路の下流側でのビームどうしの間隔を狭くするよう構成されている。
【００４３】
基板に投影される像のフォーカスを制御するためのシステムが設けられていてもよい。上述のある構成において、ある光学コラムの部分又は全体により投影される像のフォーカスを調整するための構成が設けられていてもよい。
【００４４】
ある実施の形態においては、投影系は、少なくとも１つの放射ビームを、デバイスが形成されるべき基板１７の上方にある材料層で形成された基板へと、レーザ誘起材料移動により材料（例えば金属）の滴の局所的な堆積を生じさせるように、投影する。
【００４５】
図５を参照するに、レーザ誘起材料移動の物理的なメカニズムが示されている。ある実施の形態においては、放射ビーム２００は、実質的に透明な材料２０２（例えばガラス）を通じて材料２０２のプラズマ着火に満たない強度で集束されている。表面熱吸収が、材料２０２を覆う供与材料層２０４（例えば金属フィルム）から形成される基板に生じる。この熱吸収によって供与材料２０４が溶ける。また、加熱によって、誘起圧力勾配が前進方向に生じ、これは供与材料層２０４からの、従って供与構造体（例えばプレート）２０８からの供与材料滴２０６の前進加速をもたらす。故に、供与材料滴２０６は供与材料層２０４から解放され、デバイスが形成されるべき基板１７に向けて当該基板上に（重力の支援の有無によらず）移動される。ビーム２００を供与プレート２０８上の適切な位置に当てることにより、供与材料パターンを基板１７上に成膜することができる。ある実施の形態においては、ビームは供与材料層２０４に集束される。
【００４６】
ある実施の形態においては、１つ又は複数の短いパルスを使用して供与材料の輸送が行われる。ある実施の形態においては、これらのパルスは、準一次元の前進加熱及び溶融材料の質量移動を得るための数ピコ秒又は数フェムト秒の長さであってもよい。このような短パルスは材料層２０４における横方向の熱流れをほとんど又はまったく促進しないので、供与構造体２０８にほとんど又はまったく熱負荷は生じない。この短パルスは、材料の急速溶融及び前進加速を可能とする（例えば、金属のような材料が気化された場合、スパッタ成膜をもたらす前進方向性は失われるであろう）。短パルスは、その融解温度より僅かに高く気化温度より低い材料加熱を可能とする。例えばアルミニウムの場合、およそ摂氏９００ないし１０００度の温度が望ましい。
【００４７】
ある実施の形態においては、レーザパルスの使用によって、ある量の材料（例えば金属）が供与構造体２０８から基板１７へと１００ｎｍないし１０００ｎｍの滴状に転写される。ある実施の形態においては、供与材料は、金属を備え、または実質的に金属からなる。ある実施の形態においては、金属は、アルミニウムである。ある実施の形態においては、材料層２０４はフィルム状である。ある実施の形態においては、フィルムは他の本体または層に付着されている。上述のように、本体または層はガラスであってもよい。
【００４８】
図６は、リソグラフィ装置または露光装置の部分を断面により示す。投影系モジュール３１０が図示されており、これは図１に示されるフレーム１５によって支持される構成要素のすべてを含む。すなわち、投影系モジュール３１０は、いわゆるメトロフレーム１５に支持される光学構成要素を備える。投影系モジュール３１０についての別の称呼は、エンジンメトロフレームである。
【００４９】
基板テーブル２が図６にも示されている。ある実施の形態においては、基板テーブル２は、投影系モジュール３１０から動的に絶縁されている。図１のような複数の放射ビームを使用するシステムにおいては、基板Ｗはたいていかなり大型である。平面図において、基板Ｗのフットプリントは投影系モジュール３１０のフットプリントよりも顕著に大きくなりうる。したがって、基板Ｗのある部分は、図６及び図７に示されるように、投影系モジュール３１０によって覆われないことがありうる。
【００５０】
基板テーブル２上に位置し投影系モジュール３１０によって（少なくとも、基板のあるいくつかの部分への像形成の間において）覆われていない基板Ｗの一部分による困難には、汚染物質がある。すなわち、汚染物質粒子３４０が基板Ｗの上面へと、投影系モジュール３１０によって覆われていないときに落下しうる。汚染物質粒子３４０が基板Ｗに落下すると、パターンの形成（例えば、投影ビームの結像）を妨げて、基板Ｗ上のパターンにおける欠陥の原因となりうる。したがって、この状況は望ましくないので、基板Ｗに到達する汚染物質粒子の可能性を低減し又は最小化する処置が講じられる。
【００５１】
図６はこれがいかになされうるかを示す。第１ガスシャワーモジュール３２０及び第２ガスシャワーモジュール３３０が、投影系モジュール３１０によって覆われていない基板Ｗの上面にガス流れ３２２、３３２（例えばガスシャワー）を提供するよう投影系モジュール３１０の一方側及び他方側に設けられていてもよい。基板上面へのガス流れ３２２は、第１ガスシャワーモジュール３２０の下方に存在する基板Ｗの領域にわたって広がる二次元アレイ状の一連の開口３２２２を通じて提供される。第２ガスシャワーモジュール３３０は同様に動作する。第１ガスシャワーモジュール３２０及び第２ガスシャワーモジュール３３０は、図６に示されるように、投影系モジュール３１０の左側及び右側に示されている。これは、（図７に示されるように）基板ＷがＹ方向には投影系モジュール３１０と同じ幅を有するが、Ｘ方向には投影系モジュール３１０より長いからである。したがって、第１ガスシャワーモジュール３２０及び第２ガスシャワーモジュール３３０は、Ｘ方向において投影系モジュール３１０の前側及び後側に配置される。ある実施の形態においては、第１ガスシャワーモジュール３２０及び第２ガスシャワーモジュール３３０は、投影系モジュール３１０のまわりに延在する単一のガスシャワーモジュールであってもよい。
【００５２】
第１ガスシャワーモジュール３２０及び／または第２ガスシャワーモジュール３３０を使用して、基板Ｗへの汚染物質粒子の到着及び／または沈着の防止を助けるために、ガスシャワーが（フィルタ処理されたガスを使用して）基板上面に与えられる。ガス流れ３２２、３３２は、基板Ｗの温度を制御するのに有用であるように、加湿されたガス及び／または温調されたガスであってもよい。ガス流れ３２２、３３２は、基板テーブル２にも提供されることができる。基板テーブル２上または基板テーブル２内の粒子が基板Ｗに到着することが抑制されるだろう。
【００５３】
第１ガスシャワーモジュール３２０及び第２ガスシャワーモジュール３３０は、その全体が本明細書に援用される米国特許第７５２２２５８号に記述されるものと同一または類似であってもよい。
【００５４】
第１ガスシャワーモジュール３２０及び第２ガスシャワーモジュール３３０は、投影系モジュール３１０に進入してパターン形成（例えば結像）に有害に作用する振動を避けるように、投影系モジュール３１０から動的に分離されている。その結果、投影系モジュール３１０と第１ガスシャワーモジュール３２０との間で一方側に、及び、投影系モジュール３１０と第２ガスシャワーモジュール３３０との間で他方側に、隙間３０５が存在する。
【００５５】
汚染物質粒子は、より詳しくは図８を参照して説明する汚染物質搬送ガス流れ３０２において隙間３０５を通じて落下しうる。本発明のある実施の形態は、基板に到達する汚染物質粒子のこのような潜在的な源に対処する。
【００５６】
投影系モジュール３１０の両側にある汚染物質搬送ガス流れ３０２は、ガスシャワーモジュール３２０、３３０のガス流れ３２２，３３２の存在によって、及び／または、基板テーブル２の動きによって（その後流において負圧を生成して隙間３０５を通じてガスを引き込むことによって）、生成されうる。潜在的に汚染物質搬送ガス流れ３０２を発生させるその他のものには、点検行為、装置のカバーまたはドアの開放、排気粒子抽出点（例えば負圧源）、（投影系モジュール３１０の構成要素に任意選択として適用されるような）熱的調整ガス流れ、及び、装置の構成要素間の温度差がある。
【００５７】
それ以外の潜在的にはより深刻な汚染物質搬送ガス流れ３０２の源は、基板ハンドラの動きである。ある実施の形態においては、第１ガスシャワーモジュール３２０は基板ハンドラでもある。基板ハンドラは、基板Ｗが装置１へと配送される搬路から基板を搬出及び搬入するために使用される。次に基板Ｗは基板ハンドラによって基板テーブル２に移送され載置され（その後には搬出され）る。基板ハンドラはこれらの作業を遂行するためにＺ方向に移動する。基板Ｗの走査中においては基板ハンドラは、ガス流れ３２２がガスシャワーモジュール３２０を出る出口３２２２が第２ガスシャワーモジュール３３０の出口３２２２と同じ高さに位置するように、位置する。よって、走査中の上記ハンドラは、図６の左側に実線で示されるように位置決めされる。搬路及び基板テーブル２からの基板Ｗの搬送中には上記ハンドラ３２０は、図６の左側に破線で示されるように位置決めされうる。したがって、第１ガスシャワーモジュール３２０は、図６の左側に矢印で指し示すように、Ｚ方向（装置の光軸に平行な方向）に移動してもよい。こうした垂直移動によって、特に図６に示す破線位置から実線位置への移動（すなわち基板Ｗから離れる上方への移動）の間において、負圧が第１ガスシャワーモジュール３２０の下方に生成され、それにより汚染物質搬送ガス流れ３０２（破線で示す）が隙間３０５を通じて引き込まれうる。
【００５８】
図７は、投影系モジュール３１０、第１ガスシャワーモジュール３２０、第２ガスシャワーモジュール３３０、及び基板Ｗ（クロスハッチングで示す）を平面図で示す。
【００５９】
ガス流れ３２２、３３２により定義されるガスシャワーは、基板Ｗの上方に正圧を生成するとともに、ある流出速度を（モジュール３１０、３２０、３３０によって）覆われた基板Ｗの側部に生成する。図７において矢印３２２１及び３３２１により図示されるこれらの流出速度は、基板Ｗの上方の空間への粒子の進入を防止することを助ける。図７に示されるように、隙間３０５における流速は中心から端部に向けて増加する。外側の場所では流れに対する抵抗が小さい。このように外側の場所で流速が大きいことにより、こうした場所では負圧が低くなり、隙間３０５の上方のガスに作用する吸引力が大きくなる。よって、中心においてよりも（平面図で）隙間３０５の側部にてより大きい汚染物質搬送ガス流れ３０２が予想される。基板が隙間３０５の下方にない場合には、隙間３０５の下方の流れは、隙間の長さに沿ってより均一となりやすい。
【００６０】
ある実施の形態においては、投影系モジュール３１０の下方にある基板Ｗは、第１ガスシャワーモジュール３２０または第２ガスシャワーモジュール３３０の下方にあるのと同一の基板Ｗでは必ずしも無い。
【００６１】
図８は、隙間３０５と、基板テーブル２に支持される基板Ｗの上面の汚染物質粒子３４０の起源とを詳細に示す。図示される隙間３０５は投影系モジュール３１０と第１ガスシャワーモジュール３２０との隙間であるが、投影系モジュール３１０の他方側にある隙間３０５が同様に取り扱われてもよい。汚染物質搬送ガス流れ３０２は、隙間３０５を通じて汚染物質粒子３４０を運ぶ。これは、投影系モジュール３１０に設置される突起３０７を用いることにより隙間３０５が狭められている場合であっても生じうる。
【００６２】
汚染物質搬送ガス流れ３０２は、ある程度は投影系モジュール３１０の下方で移動しその後流において負圧を残す基板テーブル２の動きによって生成されうる。
【００６３】
基板Ｗが隙間３０５の下方にある場合には、例えば汚染物質搬送ガス流れ３０２により運ばれて、隙間３０５を通じる進路を見出した汚染物質粒子３４０は、基板Ｗの上面に行き着くことができる。これはパターン形成誤差（例えば結像誤差）をもたらしうる。
【００６４】
一つの解決策は第１ガスシャワーモジュール３２０と投影系モジュール３１０との間にカバー機構または柔軟シール機構を設けることであるかもしれない。しかし、こうしたカバーは望ましくないことに、２つのモジュール間で外乱力を伝達するかもしれず、また、（例えば基板ハンドラの動きに適応するための）移動の必要がある場合には特に、それ自体が粒子発生源となるだろう。他の選択肢はラビリンスシールであるかもしれないが、複雑さが高まるとともにより微細な公差を要するという代償を伴う。更に、こうしたシステムにおいては基板は３メートルもの幅を有しうるが、このような長い隙間において、十分に正確で公差による隙間のないシールを設計することは簡単ではない。
【００６５】
図９は、上記に言及され又はその他の困難の１つ又は複数に対処する本発明のある実施の形態を示す。少なくとも１つのガスシール出口３２５がガスシャワーモジュール３２０の側壁に設けられている。シールガス出口３２５は、第１ガスシャワーモジュール３２０の幅に沿って、例えばＹ方向に沿って全体に、延在する。ガス流れ３２５５（点線で示す）は、シールガス出口３２５から提供される。シールガス流れ３２５５は、投影系モジュール３１０へ向けて方向付けられている。一つの点線で示されるように、シールガス流れ３２５５のある成分は、基板Ｗから離れるように（例えば隙間３０５において上向きに）方向付けられている。ある実施の形態においては、シールガス流れ３２５５は、上向き成分をもつよう（例えば基板Ｗから離れるよう）シールガス出口３２５によって直接方向付けられる。それとともに又はそれに代えて、ある実施の形態においては、シールガス流れ３２５５は、例えばシールガス出口３２５を出るガスに対向しガスを上向きに方向付けるハードウェアによって、上向き成分をもつよう間接的に方向付けられる。それによりシールガス流れ３２５５は、汚染物質搬送ガス流れ３０２１が隙間３０５から離れるよう方向付けられるように当該ガス流れを曲げる。汚染物質粒子３４０は、隙間３０５から離れかつ基板Ｗから離れるよう汚染物質搬送ガス流れ３０２１において輸送される。シールガス流れ３２５５は、隙間３０５において汚染物質粒子３４０に対する障壁を提供する。シールガス流れ３２５５は、汚染物質粒子３４０を、例えば隙間３０５の外へ、とりわけ隙間３０５の頂部の外へと輸送することを助けることができる。
【００６６】
シールガス出口３２５は、シールガス流れ３２５５が基板Ｗから離れる成分をもつよう方向付けられるように、構築されかつ配設され（例えば方向付けられ）ていてもよい。図９に示されるように、これは必須ではない。ある実施の形態においては、シールガス出口３２５のシールガス流れ３２５５は、シールガス流れ３２５５が突起３０７の表面に垂直に当たるように方向付けられる。それとともに、シールガス流れ３２５５は、シールガス出口３２５に対し上下に流れる領域を有してもよい。
【００６７】
シールガス出口３２５は、一つのスリットまたは一連の個別出口であってもよい。許容範囲内で隙間を小さくするのに有効である突起３０７の長さは、Ｚ方向における第１ガスシャワーモジュール３２０の移動量と少なくとも同等の長さ（Ｚ方向において）である。ある実施の形態においては、第１ガスシャワーモジュール３２０の位置にかかわらず、シールガス流れ３２５５が突起３０７に当たる。
【００６８】
ある実施の形態においては、突起３０７が存在せず、シールガス流れ３２５５が投影系モジュール３１０の表面に直接当たる。ある実施の形態においては、シールガス出口が投影系モジュール３１０に形成され、突起３０７が存在するとしたら第１ガスシャワーモジュール３２０に形成される。
【００６９】
排気開口３４２が隙間３０５において設けられていてもよい。ある実施の形態においては、排気開口３４２は突起３０７の上面にある。それとともに又はそれに代えて、排気開口は、投影系モジュール３１０及び／またはガスシャワーモジュール３２０の側壁に存在してもよい。排気開口３４２は、負圧源に取り付けられている。それにより排気開口３４２に近づく汚染物質粒子３４０を除去することができる。例えば、投影系モジュール３１０またはガスシャワーモジュール３２０の側壁に近接するある距離においてガス流れ３２５５の速度は小さくなり得る。その結果、汚染物質粒子３４０は、下向き流れ３０２が無かったとしても、下向きに落ちうる。
【００７０】
突起３０７の上面は粒子捕集器として働くことができる。排気開口３４２が接続される負圧源は、連続的にオンであってもよいし、または定期的に作動してもよい。
【００７１】
１つ又は複数の排気開口３４２は、シールガス出口３２５とともに設けられていてもよいし、または、シールガス出口３２５なしで設けられていてもよい。
【００７２】
汚染物質粒子３４０が投影系モジュール３１０と第２ガスシャワーモジュール３３０との隙間３０５に落下するリスクは（第２ガスシャワーモジュール３３０はＺ方向に実質的に移動しないので）小さいが、図９を参照して説明したものと類似の構成が第２ガスシャワーモジュール３３０と投影系モジュール３１０との間に追加的に又は代替的に設けられてもよい。
【００７３】
シールガス出口３２５から提供されるガスは、望ましくはフィルタ処理されたガスであり、それとともに加湿され及び／または温調されていてもよい。シールガス出口３２５から供給されるガスは、ガスシャワー出口３２２２から供給されるガスと同じであってもよい。ガス源は図９においてガス源３２５１として示されている。
【００７４】
第１ガスシャワーモジュール３２０と突起３０７との（又は突起３０７と投影系モジュール３１０との、又は突起３０７と第２ガスシャワーモジュール３３０との）隙間は、できるだけ小さくてもよいが、５〜２０ｍｍ程度、典型的には１０ｍｍ程度であってもよい。
【００７５】
コントローラ３２５２が、シールガス出口３２５から流出し及び／または排気開口３４２へと流入するガスの流量を制御するために設けられている。ガス流れは、基板Ｗから離れ投影系モジュール３１０とガスシャワーモジュール３２０との隙間３０５の外へと汚染物質粒子３４０を阻止し又は輸送するために有効であるようになっている。
【００７６】
図１０は、後述の点を除き図９の実施の形態と同様である実施の形態を示す。図１０においては偏向器３５０が突起３０７の上方で第１ガスシャワーモジュール３２０に取り付けられている。これにより、汚染物質粒子３４０が基板Ｗの上面に落下するよう輸送されるのに必要とされるであろう屈曲した経路が形成される。また、偏向器３５０と突起３０７との組み合わせは、投影系モジュール３１０と第１ガスシャワーモジュール３２０との隙間３０５の狭部を狭くし又は長くするのに有効である。これは、基板Ｗから離れるシールガス流れ３２５５を加速するのに有効であるとともに、汚染物質粒子３４０をそれがあったとしても重要ではない装置内の場所へと輸送するよう汚染物質搬送ガス流れ３０２１を曲げるのに有効である。ある実施の形態においては、負圧源に接続される排気管３４１が粒子３４０を収集するために設けられている。排気管３４１はコントローラ３２５２によって制御される。偏向器３５０は、第１ガスシャワーモジュール３２０の上面の延長部分であってもよいし、または、ガスシャワーモジュール３２０の側壁から突き出していてもよい。ある実施の形態においては、偏向器３５０は、投影系モジュール３１０またはガスシャワーモジュール３２０のうち突起３０７が形成されていないほうに設けられている。
【００７７】
図１１は、後述の点を除き図９の実施の形態と同様である本発明の更なる実施の形態を示す。
【００７８】
図１１の実施の形態においては、転向ガス出口３１２が投影系モジュール３１０に設けられている。転向ガス出口３１２は、突起３０７の下方及び／またはシールガス出口３２５の下方に設けられている。転向ガス流れ３１２１が転向ガス出口３１２から提供される。出口３１２を出るガスは、例えばコントローラ３２５２の制御のもとで、フィルタ処理されたガスである。ある実施の形態においては、転向ガス出口３１２を出るガスは、加湿され及び／または温調されたガスである。
【００７９】
転向ガス流れ３１２１は、ガスシャワーモジュール３２０に向かう成分をもつ方向に与えられる。望ましくは転向ガス流れ３１２１は、ガスシャワーモジュール３２０の底部より下方の高さに位置する。隙間３０５を通じる進路を見出した汚染物質粒子３４０を転向ガス流れ３１２１によって基板Ｗの上面から離れるよう偏向することができる。すなわち、汚染物質粒子３４０は、転向ガス流れ３１２１によって投影系モジュール３１０から離れてガスシャワーモジュール３２０のガス流れ３２２へと運ばれる。汚染物質粒子３４０は、汚染物質粒子３４０の存在が重要ではない装置の部分へと運ばれる。
【００８０】
ある実施の形態においては、コントローラ３２５２は、基板Ｗがガスシャワーモジュール３２０と投影系モジュール３１０との隙間３０５の下方にないとき転向ガス出口３１２からのガス流れを生成する。すなわち、転向ガス流れ３１２１は、図１１に示されるように基板テーブル２が隙間３０５の下方から外れるよう移動しているとき又は隙間３０５の下方にないときに存在するだけである。
【００８１】
更なる実施の形態が図１２に示される。図１２の実施の形態は、図１０及び図１１の実施の形態の組み合わせに基づく。すなわち、図１２の実施の形態は、偏向器３５０と転向ガス出口３１２の両方を備える。両方の構成要素の動作はそれぞれ図１０及び図１１を参照して説明したのと同様である。
【００８２】
投影系モジュール３１０と第１ガスシャワーモジュール３２０との隙間３０５に関して上記に説明した概念はいずれも単独で又は任意の組み合わせによって投影系モジュール３１０と第２ガスシャワーモジュール３３０との隙間３０５に適用されてもよい。
【００８３】
上記から明白であるように、本発明のある実施の形態は、とりわけシールガス出口及び関連するガス流れは、汚染物質粒子の通過が望ましくないかもしれない装置の任意の２つの構成要素間に設けられてもよい。
【００８４】
上記に説明した実施の形態のある変形例においては、仕切壁、例えば静止仕切壁が、隙間３０５に設けられていてもよい。シールガス出口（及び任意選択として、転向ガス出口、突起、及び偏向器の少なくとも１つ）は、ガスシャワーモジュール３２０、３３０と仕切壁との間、及び、仕切壁と投影系モジュール３１０との間に設けられていてもよい。
【００８５】
本発明のある実施の形態に係る装置においては、複数の放射ビームがいくつかの別個のグループに分割され、各グループに放射波長の特定の範囲が関連付けられている。それら異なる波長に対する分散素子の異なる応答がこれら複数の放射ビームを近づけるために使用される。しかし、各グループに関連付けられた放射ビームは、投影系内部の他の光学素子を通過するときに、異なる応答を互いに示してもよい。よって、ある実施の形態においては、投影系は、少なくとも１つの色補正素子を含んでもよく、これは、放射ビームグループ間の波長の違いによる投影系の分散素子以外の上記他の光学素子の応答における相違を少なくとも部分的に補償するよう構成されている。
【００８６】
例えば、色補正がない場合には、各放射ビームグループの放射ビーム間にはフォーカス誤差があり得る。色補正素子は従って、この誤差を補償するために、使用される放射波長の各々について屈折率に変化を有するよう適切に選択された材料片であってもよい。
【００８７】
代替的に又は追加的に、こうしたフォーカス誤差は上記放射ビームグループの放射波長間での変動により生じるが、フォーカス誤差は、各放射ビームグループの放射源と分散素子との間の光路長を調整することによって、最小化されてもよい。
【００８８】
分散素子、及び使用される場合には任意の色補正素子は、本装置の内部で任意の数の異なる場所に配設されてもよい。
【００８９】
少なくとも静止部分と移動部分とをもつ投影系を有するある実施の形態においては、分散素子が静止部分に装着されていてもよい。
【００９０】
ある実施の形態においては、分散素子は、投影系内の最初の光学素子、または投影系内の最初のいくつかの素子の１つであるよう配設されていてもよい。分散素子をこのように配設することにより、投影系内の後続の光学素子の構築にあたり、複数の放射ビームの間隔が小さくなっているという点で有利であり得る。
【００９１】
本発明の実施の形態は、投影系の部分としての分散素子に言及して上記に説明されているが、これは単なる例示的な構成であり、分散素子は本装置内で他の場所に設けられていてもよい。ある実施の形態においては、分散素子は、複数の放射ビームを提供するよう構成されている複数の放射源と、それら複数の放射ビームにパターンを与えるよう構成されている１つ又は複数のパターニングデバイスとの間に設けられていてもよい。
【００９２】
ある実施の形態においては、使用される場合には色補正素子は、投影系内の最終光学素子、または最終素子の１つであってもよい。
【００９３】
あるデバイス製造方法によると、パターンが投影された基板から、ディスプレイ、集積回路、又はその他の任意の品目等のデバイスが製造されうる。
【００９４】
本書ではＩＣの製造におけるリソグラフィ装置又は露光装置の使用を例として説明しているが、本明細書に説明したリソグラフィ装置は他の用途にも適用することが可能であるものと理解されたい。他の用途としては、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用案内パターンおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどがある。当業者であればこれらの他の適用に際して、本明細書における「ウェーハ」あるいは「ダイ」という用語がそれぞれ「基板」あるいは「目標部分」という、より一般的な用語と同義であるとみなされると理解することができるであろう。本書に言及された基板は露光前または露光後において、例えばトラック（典型的にはレジスト層を基板に塗布し、露光後のレジストを現像する装置）、メトロロジツール、及び／またはインスペクションツールにより処理されてもよい。適用可能であれば、本明細書の開示はこれらのまたは他の基板処理装置にも適用され得る。また、基板は例えば多層ＩＣを製造するために複数回処理されてもよく、その場合には本明細書における基板という用語は、処理された一つ又は多数の層を既に含む基板をも意味し得る。
【００９５】
「レンズ」という用語は、文脈が許す限り、屈折光学部品、回折光学部品、反射光学部品、磁気的光学部品、電磁気的光学部品、静電的光学部品を含む各種の光学部品のうちいずれか１つ、またはこれらの組み合わせを指し示してもよい。
【００９６】
上述の説明は例示であり、限定を意図しない。よって、以下に述べる請求項の範囲から逸脱することなく既述の本発明に変更を加えることができるということは、当業者には明らかなことである。
【図１】
0005809364.tif 000002
【図２】
0005809364.tif 000003
【図３】
0005809364.tif 000004
【図４】
0005809364.tif 000005
【図５】
0005809364.tif 000006
【図６】
0005809364.tif 000007
【図７】
0005809364.tif 000008
【図８】
0005809364.tif 000009
【図９】
0005809364.tif 000010
【図１０】
0005809364.tif 000011
【図１１】
0005809364.tif 000012
【図１２】
0005809364.tif 000013