(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属支持体と、前記金属支持体の上に形成されたベース絶縁層と、前記ベース絶縁層の上に形成された配線と、前記ベース絶縁層の上に形成され、前記配線と接続されている端子部と、を有するサスペンション用基板であって、
前記ベース絶縁層には、前記端子部の下側の位置において第１の開口を有し、
前記第１の開口には、層間熱伝導部を有し、
前記金属支持体には、前記端子部の下側の位置において第２の開口を有し、
前記第２の開口には、熱伝導体ランド部を有し、
前記端子部と前記熱伝導体ランド部とが前記層間熱伝導部を介して接続されていることを特徴とするサスペンション用基板。
【請求項２】
前記熱伝導体ランド部は、前記金属支持体と同一材料から形成されており、前記熱伝導体ランド部と前記金属支持体とは、互いに絶縁されていることを特徴とする請求項１に記載のサスペンション用基板。
【請求項３】
前記端子部の一部がカバー層で覆われていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のサスペンション用基板。
【請求項４】
前記熱伝導体ランド部の厚みが、前記金属支持体の厚みよりも小さいことを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載のサスペンション用基板。
【請求項５】
第１の端子部と、前記第１の端子部よりも平面サイズの小さい第２の端子部とを含む、複数の前記端子部と、
前記第１の端子部に接続された第１の層間熱伝導部と、前記第２の端子部に接続された第２の層間熱伝導部とを含む、複数の前記層間熱伝導部とを有し、
前記第２の層間熱伝導部の容積が、前記第１の層間熱伝導部の容積よりも大きいことを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載のサスペンション用基板。
【請求項６】
第１の端子部と、前記第１の端子部よりも平面サイズの小さい第２の端子部とを含む、複数の前記端子部と、
前記第１の端子部に接続された第１の層間熱伝導部と、前記第２の端子部に接続された第２の層間熱伝導部とを含む、複数の前記層間熱伝導部とを有し、
前記第２の層間熱伝導部の個数が、前記第１の層間熱伝導部の個数よりも多いことを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載のサスペンション用基板。
【請求項７】
第１の端子部と、前記第１の端子部よりも平面サイズの小さい第２の端子部とを含む、複数の前記端子部と、
前記第１の端子部に接続された第１の層間熱伝導部と、前記第２の端子部に接続された第２の層間熱伝導部とを含む、複数の前記層間熱伝導部と、
前記第１の層間熱伝導部に接続された第１の熱伝導体ランド部と、前記第２の層間熱伝導部に接続された第２の熱伝導体ランド部とを含む、複数の前記熱伝導体ランド部と、を有し、
前記第２の熱伝導体ランド部の容積が、前記第１の熱伝導体ランド部の容積よりも大きいことを特徴とする、請求項１乃至請求項６のいずれか一項に記載のサスペンション用基板。
【請求項８】
前記層間熱伝導部が、ニッケルを含む材料からなることを特徴とする請求項１乃至請求項７のいずれか一項に記載のサスペンション用基板。
【請求項９】
複数の前記端子部上に各々半田を有し、前記半田の高さは、複数の前記端子部間で互いに均一であることを特徴とする請求項１乃至請求項８のいずれか一項に記載のサスペンション用基板。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一項に記載のサスペンション用基板と、ロードビームとを含むことを特徴とするサスペンション。
【請求項１１】
請求項１０に記載のサスペンションと、前記サスペンションに実装された磁気ヘッドスライダとを有することを特徴とするヘッド付サスペンション。
【請求項１２】
請求項１１に記載のヘッド付サスペンションを含むことを特徴とするハードディスクドライブ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ハードディスクドライブ（ＨＤＤ）に用いられるサスペンション用基板（フレキシャ）に関し、より詳しくは、端子部近傍のカバー層の損傷を防止し、磁気ヘッドスライダや外部回路の端子部との電気的な接合信頼性を向上させることができるサスペンション用基板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般に、ハードディスクドライブ（ＨＤＤ）は、データが記憶されるディスクに対してデータの書き込み、および読み取りを行う磁気ヘッドスライダが実装されるサスペンション用基板を備えている。
このサスペンション用基板は、バネ性を有する金属支持体と、前記金属支持体の上に形成されたベース絶縁層と、前記ベース絶縁層の上に形成された配線と、前記ベース絶縁層の上に形成され、前記配線と接続されている端子部と、を有している。
前記端子部は、磁気ヘッドスライダや外部回路と電気的に接続するためのものである。
【０００３】
ここで、一般に、前記配線は銅（Ｃｕ）を含む材料からなり、外気との接触による腐食を防止するために、ポリイミド等からなるカバー層によって被覆保護されている。一方、前記端子部の大部分は、磁気ヘッドスライダや外部回路と電気的に接続するために、カバー層から露出しており、その表面には、金（Ａｕ）等を含む材料からなるめっき膜が形成されている。
なお、前記配線と前記端子部の境界においては、一般に、前記配線のみならず、前記端子部の一部もカバー層で覆われている形態になっている（特許文献１）。
【０００４】
このサスペンション用基板の端子部と、磁気ヘッドスライダや外部回路の端子部とを電気的に接続する方法としては、例えば、両者の端子部の間を、溶融した半田で接合する方法（ソルダージェット法）が知られている（特許文献２）。
【０００５】
また、球状の半田（半田ボール）を、配線の端子部の上に配置して、その後、レーザ照射で加熱して半田ボールを溶融させて接合する方法（半田ボールボンディング法）もある（特許文献３）。
【０００６】
ここで、磁気ヘッドスライダは、一般に、スライダ本体の一側面に設けられた磁気ヘッドと、この磁気ヘッドと同一側面に設けられ、磁気ヘッドに接続された複数のスライダ端子部とを有している。
そして、前記スライダ端子部は、サスペンション用基板の端子部に対して、所定の高さ位置に配するように設計されている。
それゆえ、前記スライダ端子部との接続に半田を用いる場合には、サスペンション用基板の端子部の上に配置される半田の高さが均一となることが求められる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００１−３５２１５５号公報
【特許文献１】特開２００２−５００１８号公報
【特許文献２】特開２００３−１２３２１７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
近年、ＨＤＤの大容量化に伴って磁気ヘッドの高機能化が進んでおり、磁気ヘッドスライダの端子部の数が増加する傾向にあり、それに伴って、サスペンション用基板の端子部の数も増加する傾向にある。
そして、サスペンション用基板の限られた領域に多くの端子部を配置するために、個々の端子部の平面サイズは縮小化され、さらには、各端子部の平面サイズが異なる場合も生じてきている。
【０００９】
しかしながら、前記端子部の平面サイズが縮小化される場合、端子部の上に形成される半田と、端子部の一部を被覆するカバー層とが、従来よりも近接することになり、溶融した半田が、端子部の上を濡れ広がってカバー層に接触し、半田の熱でカバー層が損傷してしまうという問題がある。そして、カバー層が損傷してしまうと、その損傷部近傍の端子部や配線が腐食されてしまい、磁気ヘッドスライダや外部回路との電気的接続の信頼性が低下してしまうという問題がある。
【００１０】
また、上述のように、複数の端子部において、各端子部の平面サイズが異なる場合には、溶融した半田が冷えるまでに濡れ広がる範囲も変わってしまうため、同一量の半田を各端子部に配したとしても、その高さは各端子部間で不均一となるため、サスペンション用基板の端子部と磁気ヘッドスライダや外部回路の端子部との電気的接続状態に差異が生じてしまい、磁気ヘッドスライダや外部回路との電気的接続の信頼性が低下してしまうという問題がある。
【００１１】
本発明は、上記実情に鑑みてなされたものであり、前記カバー層の損傷を防止し、磁気ヘッドスライダや外部回路との電気的な接合信頼性を確保できるサスペンション用基板、サスペンション、ヘッド付サスペンション、およびハードディスクドライブを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明者は、種々研究した結果、前記サスペンション用基板の端子部の下のベース絶縁層に開口を設けて、その開口内に層間熱伝導部を形成し、さらに、その下の金属支持体に開口を設けて、その開口内に熱伝導体ランド部を形成し、前記層間熱伝導部を通じて、前記端子部と、前記熱伝導体ランド部とを接続させることにより、上記課題を解決できることを見出して本発明を完成したものである。
【００１３】
すなわち、本発明の請求項１に係る発明は、金属支持体と、前記金属支持体の上に形成されたベース絶縁層と、前記ベース絶縁層の上に形成された配線と、前記ベース絶縁層の上に形成され、前記配線と接続されている端子部と、を有するサスペンション用基板であって、前記ベース絶縁層には、前記端子部の下側の位置において第１の開口を有し、前記第１の開口には、層間熱伝導部を有し、前記金属支持体には、前記端子部の下側の位置において第２の開口を有し、前記第２の開口には、熱伝導体ランド部を有し、前記端子部と前記熱伝導体ランド部とが前記層間熱伝導部を介して接続されていることを特徴とするサスペンション用基板である。
【００１４】
また、本発明の請求項２に係る発明は、前記熱伝導体ランド部は、前記金属支持体と同一材料から形成されており、前記熱伝導体ランド部と前記金属支持体とは、互いに絶縁されていることを特徴とする請求項１に記載のサスペンション用基板である。
【００１５】
また、本発明の請求項３に係る発明は、前記端子部の一部がカバー層で覆われていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のサスペンション用基板である。
【００１６】
また、本発明の請求項４に係る発明は、前記熱伝導体ランド部の厚みが、前記金属支持体の厚みよりも小さいことを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載のサスペンション用基板である。
【００１７】
また、本発明の請求項５に係る発明は、第１の端子部と、前記第１の端子部よりも平面サイズの小さい第２の端子部とを含む、複数の前記端子部と、前記第１の端子部に接続された第１の層間熱伝導部と、前記第２の端子部に接続された第２の層間熱伝導部とを含む、複数の前記層間熱伝導部とを有し、前記第２の層間熱伝導部の容積が、前記第１の層間熱伝導部の容積よりも大きいことを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載のサスペンション用基板である。
【００１８】
また、本発明の請求項６に係る発明は、第１の端子部と、前記第１の端子部よりも平面サイズの小さい第２の端子部とを含む、複数の前記端子部と、前記第１の端子部に接続された第１の層間熱伝導部と、前記第２の端子部に接続された第２の層間熱伝導部とを含む、複数の前記層間熱伝導部とを有し、前記第２の層間熱伝導部の個数が、前記第１の層間熱伝導部の個数よりも多いことを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載のサスペンション用基板である。
【００１９】
また、本発明の請求項７に係る発明は、第１の端子部と、前記第１の端子部よりも平面サイズの小さい第２の端子部とを含む、複数の前記端子部と、前記第１の端子部に接続された第１の層間熱伝導部と、前記第２の端子部に接続された第２の層間熱伝導部とを含む、複数の前記層間熱伝導部と、前記第１の層間熱伝導部に接続された第１の熱伝導体ランド部と、前記第２の層間熱伝導部に接続された第２の熱伝導体ランド部とを含む、複数の前記熱伝導体ランド部と、を有し、前記第２の熱伝導体ランド部の容積が、前記第１の熱伝導体ランド部の容積よりも大きいことを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれか一項に記載のサスペンション用基板である。
【００２０】
また、本発明の請求項８に係る発明は、前記層間熱伝導部が、ニッケルを含む材料からなることを特徴とする請求項１乃至請求項７のいずれか一項に記載のサスペンション用基板である。
【００２１】
また、本発明の請求項９に係る発明は、複数の前記端子部上に各々半田を有し、前記半田の高さは、複数の前記端子部間で互いに均一であることを特徴とする請求項１乃至請求項８のいずれか一項に記載のサスペンション用基板である。
【００２２】
また、本発明の請求項１０に係る発明は、請求項１乃至請求項９のいずれか一項に記載のサスペンション用基板と、ロードビームとを含むことを特徴とするサスペンションである。
【００２３】
また、本発明の請求項１１に係る発明は、請求項１０に記載のサスペンションと、前記サスペンションに実装された磁気ヘッドスライダとを有することを特徴とするヘッド付サスペンションである。
【００２４】
また、本発明の請求項１２に係る発明は、請求項１１に記載のヘッド付サスペンションを含むことを特徴とするハードディスクドライブである。
【発明の効果】
【００２５】
本発明によれば、サスペンション用基板の端子部の平面サイズが縮小化された場合であっても、半田の熱は、端子部から層間熱伝導部を経由して、熱伝導体ランド部に伝導するため、溶融した半田が端子部の上を濡れ広がってカバー層に接触し、半田の熱でカバー層が損傷してしまうという問題を解消することができる。
それゆえ、カバー層が損傷することによって端子部や配線が腐食されてしまい、磁気ヘッドスライダや外部回路との電気的接続の信頼性が低下してしまうという問題も解消することができる。
【００２６】
また、本発明によれば、複数の端子部において、各端子部の平面サイズが異なる場合においても、溶融した半田が冷えて固まるまでに濡れ広がる範囲を均一にすることができる。
それゆえ、同一量の半田を各端子部に配した場合には、その半田の高さおよび平面サイズを各端子部で均一にすることができ、結果、磁気ヘッドスライダや外部回路の端子部との電気的な接合信頼性を確保することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】本発明に係るサスペンション用基板の一例を示す概略平面図である。
【図２】本発明に係るサスペンション用基板の第１の実施形態における端子部の説明図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）からカバー層およびめっき膜を削除した図である。
【図３】図２（ａ）のＡ−Ａ断面図である。
【図４】本発明に係るサスペンション用基板の第１の実施形態における端子部と半田の関係を説明する図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ断面図である。
【図５】本発明に係るサスペンション用基板の第２の実施形態における端子部の平面図である。
【図６】本発明に係るサスペンション用基板の第２の実施形態における端子部の説明図であり、（ａ）は図５のＣ−Ｃ断面図、（ｂ）は図５のＤ−Ｄ断面図である。
【図７】本発明に係るサスペンション用基板の第３の実施形態における端子部の平面図である。
【図８】本発明に係るサスペンション用基板の第３の実施形態における端子部の説明図であり、（ａ）は図７のＥ−Ｅ断面図、（ｂ）は図７のＦ−Ｆ断面図である。
【図９】本発明に係るサスペンション用基板の製造方法の一例を示す模式的工程図である。
【図１０】図９に続く本発明に係るサスペンション用基板の製造方法の一例を示す模式的工程図である。
【図１１】本発明のサスペンションの一例を示す概略平面図である。
【図１２】本発明のヘッド付サスペンションの一例を示す概略平面図である。
【図１３】本発明のハードディスクドライブの一例を示す概略斜視図である。
【図１４】従来のサスペンション用基板の一例における端子部の説明図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）からカバー層およびめっき膜を削除した図である。
【図１５】図１１（ａ）のＧ−Ｇ断面図である。
【図１６】従来のサスペンション用基板の一例における端子部と半田の関係を説明する図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＨ−Ｈ断面図である。
【図１７】従来のサスペンション用基板の他の例における端子部の平面図である。
【図１８】従来のサスペンション用基板の他の例における端子部の説明図であり、（ａ）は図１７のＩ−Ｉ断面図、（ｂ）は図１７のＪ−Ｊ断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
以下、本発明のサスペンション用基板、サスペンション、ヘッド付サスペンション、およびハードディスクドライブについて詳細に説明する。
【００２９】
［サスペンション用基板］
まず、本発明に係るサスペンション用基板について説明する。
図１は、本発明に係るサスペンション用基板の一例を示す概略平面図である。
図１に示すように、本発明に係るサスペンション用基板１は、先端部分に、磁気ヘッドスライダを搭載するタング部２、および磁気ヘッドスライダのスライダ端子部と電気的に接続される端子部が配設された端子部領域３を有し、テール側端部に外部回路と電気的に接続される端子部が配設された端子部領域４を有し、端子部領域３と端子部領域４との間に、少なくとも、前記磁気ヘッドと外部回路とを電気的に接続するための配線群５、６を有している。
【００３０】
ここで、配線群５と配線群６は、相互の電気的な影響を極力避けるため、および、サスペンション用基板の力学的平衡を保つため、各々、サスペンション用基板１の長手方向の両外縁に沿うように配設されている。配線群５、６を構成する配線は、書込配線、読取配線、電源配線、グランド配線等である。
次に、本発明に係るサスペンション用基板の端子部の構成について説明する。
【００３１】
（第１の実施形態）
図２は、本発明に係るサスペンション用基板の第１の実施形態における端子部の説明図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）からカバー層およびめっき膜を削除した図である。なお、配線１３および端子部１４と、カバー層１５の位置関係を分かりやすくするために、図２（ａ）においては、カバー層１５に被覆された配線１３および端子部１４の一部を、破線で示している。
そして、図３は、図２（ａ）のＡ−Ａ断面図である。また、図４は、本発明に係るサスペンション用基板の第１の実施形態における端子部と半田の関係を説明する図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ断面図である。
【００３２】
一方、図１４は、従来のサスペンション用基板の一例における端子部の説明図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）からカバー層およびめっき膜を削除した図である。なお、配線１１３および端子部１１４と、カバー層１１５の位置関係を分かりやすくするために、図１４（ａ）においても、カバー層１１５に被覆された配線１１３および端子部１１４の一部を、破線で示している。
そして、図１５は、図１４（ａ）のＧ−Ｇ断面図である。また、図１６は、従来のサスペンション用基板の一例における端子部と半田の関係を説明する図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＨ−Ｈ断面図である。
【００３３】
まず、図１４および図１５に示すように、従来のサスペンション用基板１００は、金属支持体１１１と、前記金属支持体１１１の上に形成されたベース絶縁層１１２と、前記ベース絶縁層１１２の上に形成された配線１１３と、前記ベース絶縁層１１２の上に形成され、前記配線１１３と接続されている端子部１１４と、を有している。
配線１１３はカバー層１１５によって被覆されており、配線１１３と端子部１１４の境界近傍においては、端子部１１４の一部もカバー層で覆われているが、端子部１１４の中央部を含む大部分は、カバー層１１５から露出しており、前記カバー層１１５から露出する端子部１１４の表面には、めっき膜１１７が形成されている。
【００３４】
そして、従来のサスペンション用基板１００においては、図１５に示すように、端子部１１４は、ベース絶縁層１１２の介在により、金属支持体１１１とは電気的にも熱的にも絶縁されている。
【００３５】
このような構成において端子部１１４の平面サイズが小さい場合は、図１６に示すように、溶融した半田１１８は、冷えて固まる前に、端子部１１４のめっき膜１１７上を濡れ広がってカバー層１１５に接触し、半田１１８の熱でカバー層１１５の半田接触部１２０が損傷してしまう恐れがある。
そして、カバー層１１５が損傷してしまうと、半田接触部１２０近傍の端子部１１４や配線１１３が腐食されてしまい、磁気ヘッドスライダや外部回路との電気的接続の信頼性が低下してしまう。
【００３６】
一方、図２および図３に示すように、本発明に係るサスペンション用基板１においては、端子部１４の一部（配線１３と端子部１４の境界近傍）はカバー層で覆われており、カバー層１５から露出する端子部１４の上にはめっき膜１７が形成されている点については、従来の構成と同じであるが、端子部１４の下のベース絶縁層１２には開口（第１の開口）が形成されていて、この第１の開口には、層間熱伝導部１６が形成されており、さらに、端子部１４の下の金属支持体１１にも開口（第２の開口）が形成されていて、この第２の開口には、熱伝導体ランド部１８が形成されており、端子部１４の熱が、層間熱伝導部１６を通じて熱伝導体ランド部１８に伝導するように、端子部１４と層間熱伝導部１６が接続され、かつ、層間熱伝導部１６と熱伝導体ランド部１８が接続されている点で、従来の構成と異なる。
【００３７】
上述のような構成を有するため、本発明に係るサスペンション用基板１においては、端子部１４の平面サイズが縮小化された場合でも、図４に示すように、半田１９の熱の一部を、端子部１４から層間熱伝導部１６を経由して、熱伝導体ランド部１８に伝導させることができる。
そして、端子部１４と、めっき膜１７と、層間熱伝導部１６と、熱伝導体ランド部１８を合わせた熱容量を調整することにより、溶融した半田１９がカバー層１５に接触する前に、半田１９の熱を分散させ、半田１９を固まらせることができる。
【００３８】
それゆえ、本発明によれば、溶融した半田が、端子部の上を濡れ広がってカバー層に接触し、半田の熱でカバー層が損傷してしまうという問題を解消することができる。
そして、カバー層が損傷することによって配線が腐食されてしまい、磁気ヘッドスライダや外部回路との電気的接続の信頼性が低下してしまうという問題も解消することができる。
【００３９】
ここで、前記層間熱伝導部１６は、ベース絶縁層１２の上に形成される端子部１４と、ベース絶縁層１２の下に形成される熱伝導体ランド部１８とを、熱的に接続するものである。
本発明において、前記層間熱伝導部１６を構成する材料は、熱伝導性を有するものであれば用いることができるが、好ましくは金属であり、例えば、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、および、これらの金属の合金等を挙げることができる。中でも、ニッケル（Ｎｉ）、またはニッケル（Ｎｉ）を含む合金であることが好ましい。
層間熱伝導部１６は、例えば、上記のような金属を材料に用いて、電解めっき法により形成することができる。
【００４０】
また、前記熱伝導体ランド部１８は、熱伝導性を有する材料からなる島状の構造部であって、端子部１４の熱の一部を、層間熱伝導部１６を通じて吸収する効果を奏するものである。
本発明において、熱伝導体ランド部１８には、金属材料を用いることができ、例えば、熱伝導体ランド部１８は、金属支持体１１と同一材料から形成されていてもよい。
なお、金属は熱伝導性のみならず導電性も有しているため、熱伝導体ランド部１８を金属で形成する場合には、熱伝導体ランド部１８と金属支持体１１とを、互いに絶縁された構造に形成することが必要である。
【００４１】
また、本発明においては、熱伝導体ランド部１８の厚みは、金属支持体１１の厚みよりも小さいことが好ましい。磁気ヘッドの静電破壊を防止できるからである。
【００４２】
上記の理由について、説明する。
例えば、熱伝導体ランド部１８の厚みが、金属支持体１１の厚みよりも大きい場合には、その差分に応じて、熱伝導体ランド部１８の一部が、サスペンション基板１の裏面から突出する形態になる。
そして、上述のように、層間熱伝導部１６と熱伝導体ランド部１８が、金属材料のように導電性も有する材料から形成される場合、熱伝導体ランド部１８の前記突出部分が他の物質と接触することによって、他の物質に生じていた静電気が、熱伝導体ランド部１８から層間熱伝導部１６を経由して、端子部１４および配線１３に流れてしまい、その結果、磁気ヘッドが静電破壊してしまうという恐れがある。
【００４３】
一方、熱伝導体ランド部１８の厚みが、金属支持体１１の厚みよりも小さい場合には、熱伝導体ランド部１８がサスペンション基板１の裏面から突出することはなく、上述のような静電破壊を防止することができる。
それゆえ、本発明においては、熱伝導体ランド部１８の厚みは、金属支持体１１の厚みよりも小さいことが好ましい。
【００４４】
なお、図２〜図４おいては、１個の端子部１４に対し、１個の層間熱伝導部１６が形成されている例を示しているが、本発明においては、１個の端子部１４に対し、複数個の層間熱伝導部１６が形成されていても良い。
【００４５】
また、図２〜図４おいては、層間熱伝導部１６もめっき膜１７で被覆されている例を示しているが、本発明においては、めっき膜１７は端子部１４の表面に形成されていれば良く、層間熱伝導部１６の上にはめっき膜１７が形成されていない形態であっても良い。
【００４６】
（第２の実施形態）
次に、本発明に係るサスペンション用基板において、上述の構成を有する端子部が複数個あり、各端子部の平面サイズが異なる場合の形態（第２の実施形態）について説明する。
【００４７】
図５は、本発明に係るサスペンション用基板の第２の実施形態における端子部の平面図である。そして、図６（ａ）は、図５のＣ−Ｃ断面図であり、図６（ｂ）は図５のＤ−Ｄ断面図である。
【００４８】
一方、図１７は、従来のサスペンション用基板の他の例における端子部の平面図である。そして、図１８（ａ）は、図１７のＩ−Ｉ断面図であり、図１８（ｂ）は、図１７のＪ−Ｊ断面図である。
【００４９】
従来のサスペンション用基板１００においては、複数個の端子部の各々の平面サイズが異なる場合には、通常、各端子部の厚みが同一であることから、各端子部の容積は平面サイズにしたがって異なることになる。
そして、各端子部は同じ材料から形成されているため、各端子部の容積が異なる場合には、各端子部の有する熱容量も異なってしまうことになる。
【００５０】
それゆえ、各端子部の平面サイズが異なる場合には、その平面サイズにしたがって、溶融した半田が冷えて固まるまでの時間に差が生じる。それゆえ、濡れ広がる範囲が各端子部で異なってしまうため、同一量の半田を各端子部に配したとしても、その高さおよび平面サイズは各端子部で不均一となり、磁気ヘッドスライダや外部回路の各端子部との電気的接続も不均一となり、磁気ヘッドスライダや外部回路との電気的接続の信頼性が低下してしまうという問題がある。
【００５１】
例えば、図１７に示すように、従来のサスペンション用基板１００において、平面サイズが異なる端子部１１４ａと端子部１１４ｂがある場合、同一量の半田１１８ａ、１１８ｂを、端子部１１４ａと端子部１１４ｂに配したとしても、溶融した半田１１８ａ、１１８ｂが冷えて固まるまでに濡れ広がる範囲は異なり、平面サイズが小さい端子部１１４ｂに配された半田１１８ｂの方が、平面サイズが大きい端子部１１４ａに配された半田１１８ａよりも、濡れ広がる範囲は大きくなる。
【００５２】
そして、同一量の半田において、濡れ広がる範囲が異なる場合は、各半田の高さも異なることになることから、例えば、図１８（ａ）、（ｂ）に示すように、濡れ広がる範囲が大きい半田１１８ｂの高さＨ６は、濡れ広がる範囲が小さい半田１１８ａの高さＨ５よりも小さく（低く）なってしまう。
【００５３】
一方、本発明によれば、設計上の制約等により、平面サイズが異なる端子部を配置する必要がある場合でも、各端子部におけるめっき膜と、端子部と、層間熱伝導部と、熱伝導体ランド部とを合わせた熱容量が、各端子部において等しくなるように調整することで、各端子部において溶融した半田が冷えて固まるまでに濡れ広がる範囲を均一にすることができる。
それゆえ、同一量の半田を各端子部に配した場合には、その半田の高さおよび平面サイズを均一にすることができ、その結果、磁気ヘッドスライダや外部回路の端子部との電気的な接合信頼性を確保することができる。
【００５４】
例えば、図５に示すように、本発明に係るサスペンション用基板１において、平面サイズが異なる端子部１４ａ（第１の端子部）と端子部１４ｂ（第２の端子部）がある場合、図６（ａ）、（ｂ）に示すように、平面サイズが大きい端子部１４ａ（第１の端子部）においては、その分、熱伝導体ランド部１８ａの容積を小さくなるように形成し、平面サイズが小さい端子部１４ｂにおいては、その分、熱伝導体ランド部１８ｂの容積を大きくなるように形成する。すなわち、端子部１４ａにおけるめっき膜１７ａと、端子部１４ａと、層間熱伝導部１６ａと、熱伝導体ランド部１８ａを合わせた熱容量が、端子部１４ｂにおけるめっき膜１７ｂと、端子部１４ｂと、層間熱伝導部１６ｂと、熱伝導体ランド部１８ｂを合わせた熱容量に等しくなるように調整することで、端子部１４ａにおいて溶融した半田１９ａが冷えて固まるまでに濡れ広がる範囲と、端子部１４ｂにおいて溶融した半田１９ｂが冷えて固まるまでに濡れ広がる範囲を均一にすることができる。
【００５５】
それゆえ、同一量の半田１９ａ、１９ｂを、それぞれ端子部１４ａ、１４ｂに配した場合には、濡れ広がる範囲が均一なため、図６（ａ）、（ｂ）に示す各半田１９ａ、１９ｂの高さＨ１、Ｈ２を均一にすることができる。
【００５６】
なお、図６に示す例においては、前記熱容量の調整を、前記熱伝導体ランド部の容積を調整する方法で達成しているが、本発明においては、前記熱伝導体ランド部の容積を調整する方法に代えて、若しくは、前記熱伝導体ランド部の容積を調整する方法に加えて、前記層間熱伝導部の容積や個数を調整する方法で達成してもよい。
【００５７】
例えば、図示はしないが、上述のように、端子部１４ｂ（第２の端子部）の平面サイズが、端子部１４ａ（第１の端子部）の平面サイズよりも小さい場合には、端子部１４ｂ（第２の端子部）に接続された層間熱伝導部１６ｂ（第２の層間熱伝導部）の容積を、端子部１４ａ（第１の端子部）に接続された層間熱伝導部１６ｂ（第１の層間熱伝導部）の容積よりも大きくなるように形成して、端子部１４ａにおけるめっき膜１７ａと、端子部１４ａと、層間熱伝導部１６ａと、熱伝導体ランド部１８ａを合わせた熱容量が、端子部１４ｂにおけるめっき膜１７ｂと、端子部１４ｂと、層間熱伝導部１６ｂと、熱伝導体ランド部１８ｂを合わせた熱容量に等しくなるように調整しても良い。
【００５８】
また、図示はしないが、端子部１４ｂ（第２の端子部）に接続された層間熱伝導部１６ｂ（第２の層間熱伝導部）の個数を、端子部１４ａ（第１の端子部）に接続された層間熱伝導部１６ｂ（第１の層間熱伝導部）の個数よりも多くなるように形成して、端子部１４ａにおけるめっき膜１７ａと、端子部１４ａと、層間熱伝導部１６ａと、熱伝導体ランド部１８ａを合わせた熱容量が、端子部１４ｂにおけるめっき膜１７ｂと、端子部１４ｂと、層間熱伝導部１６ｂと、熱伝導体ランド部１８ｂを合わせた熱容量に等しくなるように調整しても良い。
【００５９】
なお、ここまでの説明において、熱容量が等しくなるように調整するということは、実際には、端子部や熱伝導体ランド部からの放熱等も考慮して調整するという意味であり、
必ずしも両者の熱容量が一致するとは限らない。
【００６０】
（第３の実施形態）
次に、本発明に係るサスペンション用基板において、上述のような本発明に係る構成を有する端子部（積層構造の端子部）と、従来の構成からなる端子部（平面構造の端子部）が形成されている場合の形態（第３の実施形態）について説明する。
本発明によれば、従来の構成からなる端子部（平面構造の端子部）に対しても熱容量が等しくなるように、上述の本発明に係る構成を有する端子部（積層構造の端子部）を調整することが可能である。
【００６１】
図７は、本発明に係るサスペンション用基板の第３の実施形態における端子部の平面図である。そして、図８（ａ）は、図７のＥ−Ｅ断面図であり、図８（ｂ）は図７のＦ−Ｆ断面図である。
【００６２】
例えば、図７および図８に示すように、本発明に係るサスペンション用基板１に、ベース絶縁層１２によって、金属支持体１１とは熱的に絶縁されている端子部１４ｃ（平面構造の端子部）と、熱伝導体ランド部１８ｄに層間熱伝導部１６ｄを通じて接続されている端子部１４ｄ（積層構造の端子部）がある場合、端子部１４ｄ（積層構造の端子部）におけるめっき膜１７ｄと、端子部１４ｄと、層間熱伝導部１６ｄと、熱伝導体ランド部１８ｄを合わせた熱容量が、端子部１４ｃ（平面構造の端子部）と、その表面に形成されためっき膜１７ｃを合わせた熱容量に等しくなるように調整することで、各端子部１４ｃ、１４ｄにおいて溶融した半田１９ｃ、１９ｄが冷えて固まるまでに濡れ広がる範囲を均一にすることができる。
【００６３】
なお、上述の説明において、熱容量が等しくなるように調整するということは、実際には、端子部や熱伝導体ランド部からの放熱等も考慮して調整するという意味であり、必ずしも両者の熱容量が一致するとは限らない。
【００６４】
それゆえ、同一量の半田１９ｃ、１９ｄを各端子部１４ｃ、１４ｄに配した場合には、図８（ａ）、（ｂ）に示す各半田１９ｃ、１９ｄの高さＨ３、Ｈ４を均一にすることができ、結果、磁気ヘッドスライダや外部回路との電気的な接合信頼性を確保することができる。
【００６５】
続いて、以下、本発明のサスペンション用基板を構成する部材について説明する。
【００６６】
［金属支持体］
金属支持体の材料としては、サスペンション用基板の支持体として機能し、所望のばね性を有するものであれば特に限定されるものではないが、例えばステンレス鋼を挙げることができる。
金属支持体の厚さは、例えば１０μｍ〜３０μｍの範囲内、中でも１５μｍ〜２５μｍの範囲内であることが好ましい。
【００６７】
［ベース絶縁層］
次に、本発明におけるベース絶縁層について説明する。ベース絶縁層は、金属支持体の表面上に形成されるものであり、ベース絶縁層の上に形成される配線や端子部と、金属支持体とを電気的に絶縁するものである。
ベース絶縁層の材料としては、所望の絶縁性を有するものであれば特に限定されるものではないが、例えばポリイミド等を挙げることができる。また、ベース絶縁層の材料は、感光性材料であっても良く、非感光性材料であっても良い。ベース絶縁層の厚さは、例えば５μｍ〜３０μｍの範囲内であることが好ましく、５μｍ〜１５μｍの範囲内であることがより好ましい。
【００６８】
［配線および端子部］
次に、本発明における配線および端子部の材料について説明する。
配線および端子部の材料としては、例えば、金属を挙げることができ、具体的には、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、および、これらの金属の合金等を挙げることができ、中でも銅（Ｃｕ）が好ましい。導電性が高く、安価だからである。
配線および端子部の厚さは、例えば、１μｍ〜１８μｍの範囲内であることが好ましく、５μｍ〜１２μｍの範囲内であることがより好ましい。
【００６９】
［カバー層］
次に、本発明に用いられるカバー層について説明する。腐食等による劣化を防止するため、配線はカバー層で覆われていることが好ましい。カバー層の材料としては、例えば、ポリイミドを挙げることができる。また、カバー層の材料は、感光性材料であっても良く、非感光性材料であっても良い。カバー層の厚さは、例えば３μｍ〜３０μｍの範囲内であることが好ましい。
【００７０】
［層間熱伝導部］
次に、本発明に用いられる層間熱伝導部について説明する。層間熱伝導部は、端子部の下のベース絶縁層に設けられた第１の開口内に形成され、前記端子部と前記熱伝導体ランド部とを、熱的に接続するものである。
層間熱伝導部の材料としては、熱伝導性を有するものであれば用いることができるが、好ましくは金属であり、例えば、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、および、これらの金属の合金等を挙げることができる。中でも、ニッケル（Ｎｉ）、またはニッケル（Ｎｉ）を含む合金であることが好ましい。
層間熱伝導部は、例えば、電解めっき法により形成することができる。
【００７１】
［熱伝導体ランド部］
次に、本発明に用いられる熱伝導体ランド部について説明する。熱伝導体ランド部は、熱伝導性を有する材料からなる島状の構造部であって、前記端子部の熱の一部を、前記層間熱伝導部を通じて吸収する効果を奏するものである。
本発明において、熱伝導体ランド部には、金属材料を用いることができ、例えば、熱伝導体ランド部は、前記金属支持体と同一材料から形成されていてもよい。
なお、金属は熱伝導性のみならず導電性も有しているため、熱伝導体ランド部を金属で形成する場合には、熱伝導体ランド部と前記金属支持体とを、互いに絶縁された構造に形成することが必要である。
また、本発明においては、熱伝導体ランド部の厚みは、前記金属支持体の厚みよりも小さいことが好ましい。上述のように、磁気ヘッドの静電破壊を防止できるからである。
【００７２】
［めっき膜］
次に、本発明に用いられるめっき膜について説明する。めっき膜は、端子部の表面に形成され、半田との接合強度の向上や、露出する端子部の腐食からの保護を目的とするものである。
めっき膜は、電解めっき法により形成され、その材料としては、サスペンション用基板の端子部に用いることができるものであれば、特に制限されず、例えば、Ｎｉ（ニッケル）、Ａｕ（金）、パラジウム（Ｐｄ）などが用いられる。
めっき膜は、多層膜として形成してもよく、例えば、電解Ｎｉめっきと電解Ａｕめっきとを順次実施して、下層にＮｉ、上層にＡｕの多層膜構造とすることができる。この場合、Ｎｉ層の厚さは、例えば、０．１〜３μｍ程度であり、Ａｕ層の厚さは、例えば、１〜５μｍ程度である。
【００７３】
［サスペンション用基板の製造方法］
次に、本発明のサスペンション用基板の製造方法について説明する。なお、本発明のサスペンション用基板の製造方法は、上述した構成を有するサスペンション用基板を得ることができる方法であれば特に限定されるものではない。
【００７４】
図９は、本発明に係るサスペンション用基板の製造方法の一例を示す模式的工程図であり、図１０は、図９に続く本発明に係るサスペンション用基板の製造方法の一例を示す模式的工程図である。
【００７５】
まず、図９（ａ）に示すように、金属支持部材１１Ａ（例えばステンレス鋼）、ベース絶縁材料層１２Ａ（例えばポリイミド）、および導体層１３Ａ（例えば銅）が、順次積層された積層体を用意する。
【００７６】
次に、ドライフィルムレジストを用いたフォト製版、およびハーフエッチングにより、金属支持部材１１Ａを加工して、凹部１１Ｂを形成する（図９（ｂ））。
【００７７】
次に、ドライフィルムレジストを用いたフォト製版、およびエッチングにより、導体層１３Ａを加工して、配線１３（図示せず）および端子部１４を形成する（図９（ｃ））。
【００７８】
次に、カバー層１５（例えばポリイミド）を、ベース絶縁層１２、配線１３（図示せず）、および端子部１４の端部の上に形成する。（図９（ｄ））。
【００７９】
次に、ドライフィルムレジストを用いたフォト製版、およびアルカリ系のエッチング液を用いたエッチングにより、端子部１４の中央部に露出するベース絶縁材料層１２Ａをエッチングして、開口１２Ｂを有するベース絶縁層１２を形成する（図１０（ｅ））。
【００８０】
次に、金属支持部材１１Ａに通電して、電解めっき法により、前記開口１２Ｂに露出する金属支持部材１１Ａの上に層間熱伝導部１６（例えばニッケル）を形成し、層間熱伝導部１６を経由して端子部１４と金属支持部材１１Ａを接続する（図１０（ｆ））。
【００８１】
次に、金属支持部材１１Ａに通電して、電解めっき法により、端子部１４および層間熱伝導部１６の上にめっき膜１７（例えば金）を形成する（図１０（ｇ））。
【００８２】
最後に、ドライフィルムレジストを用いたフォト製版、およびエッチングにより、凹部１１Ｂの周囲に開口１１Ｃを形成して、熱伝導体ランド部１８と金属支持体１１を形成し、本発明に係るサスペンション用基板１を得る（図１０（ｈ））。
【００８３】
［サスペンション］
次に、本発明のサスペンションについて説明する。本発明のサスペンションは、上述したサスペンション用基板と、ロードビームとを含むことを特徴とするものである。
【００８４】
図１１は、本発明のサスペンションの一例を示す概略平面図である。図１１に示されるサスペンション３０は、上述したサスペンション用基板１と、サスペンション用基板１の裏面側（金属支持体１１側）に備え付けられたロードビーム３１、及びベースプレート（図示せず）とを有するものである。ロードビーム、及びベースプレートは、一般的なサスペンションに用いられるロードビーム、ベースプレートと同様のものを用いることができる。
【００８５】
本発明によれば、上述したサスペンション用基板を用いることで、磁気ヘッドスライダや外部回路との電気的な接続信頼性が良好なサスペンションとすることができる。
【００８６】
［ヘッド付サスペンション］
次に、本発明のヘッド付サスペンションについて説明する。本発明のヘッド付サスペンションは、上述したサスペンションと、該サスペンションに実装された磁気ヘッドスライダとを有するものである。
【００８７】
図１２は、本発明のヘッド付サスペンションの一例を示す概略平面図である。図１２に示されるヘッド付サスペンション４０は、上述したサスペンション３０と、サスペンション３０のタング部２に実装された磁気ヘッドスライダ４１とを有するものである。
【００８８】
なお、サスペンション３０については、上述した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。また、磁気ヘッドスライダ４１は、一般的なヘッド付サスペンションに用いられる磁気ヘッドスライダと同様のものを用いることができる。
【００８９】
本発明によれば、上述したサスペンション用基板を用いることで、磁気ヘッドスライダや外部回路との電気的な接続信頼性が良好なヘッド付サスペンションとすることができる。
【００９０】
［ハードディスクドライブ］
次に、本発明のハードディスクドライブについて説明する。本発明のハードディスクドライブは、上述したヘッド付サスペンションを含むことを特徴とするものである。
【００９１】
図１３は、本発明のハードディスクドライブの一例を示す概略斜視図である。
図１３に示されるハードディスクドライブ５０は、ケース５１と、このケース５１に回転自在に取り付けられ、データが記憶されるディスク５２と、このディスク５２を回転させるスピンドルモータ５３と、ディスク５２に所望のフライングハイトを保って近接するように設けられ、ディスク５２に対してデータの書き込みおよび読み込みを行うスライダを含むヘッド付サスペンション４０とを有している。このうちヘッド付サスペンション４０は、ケース５１に対して移動自在に取り付けられ、ケース５１にはヘッド付サスペンション４０のスライダをディスク５２上に沿って移動させるボイスコイルモータ５４が取り付けられている。また、ヘッド付サスペンション４０は、ボイスコイルモータ５４にアーム５５を介して取り付けられている。
【００９２】
なお、ヘッド付サスペンションについては、上述した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。また、その他の部材についても、一般的なハードディスクドライブに用いられる部材と同様のものを用いることができる。
【００９３】
本発明によれば、上述したヘッド付サスペンションを用いることで、より高機能化されたハードディスクドライブとすることができる。
【００９４】
以上、本発明に係るサスペンション用基板、サスペンション、ヘッド付サスペンション、およびハードディスクドライブについて説明してきたが、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と、実質的に同一の構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなる場合であっても本発明の技術的範囲に包含される。
【符号の説明】
【００９５】
１・・・サスペンション用基板
２・・・タング部
３、４・・・端子部領域
５、６・・・配線群
１０・・・端子部領域
１１・・・金属支持体
１１Ａ・・・金属支持部材
１１Ｂ・・・凹部
１１Ｃ・・・開口
１２・・・ベース絶縁層
１２Ａ・・・ベース絶縁材料層
１２Ｂ・・・開口
１３・・・配線
１３Ａ・・・導体層
１４、１４ａ、１４ｂ、１４ｃ、１４ｄ・・・端子部
１５・・・カバー層
１６、１６ａ、１６ｂ、１６ｃ、１６ｄ・・・層間熱伝導部
１７、１７ａ、１７ｂ、１７ｃ、１７ｄ・・・めっき膜
１８、１８ａ、１８ｂ、１８ｃ、１８ｄ・・・熱伝導体ランド部
１９、１９ａ、１９ｂ、１９ｃ、１９ｄ・・・半田
３０・・・サスペンション
３１・・・ロードビーム
４０・・・ヘッド付サスペンション
４１・・・磁気ヘッドスライダ
５０・・・ハードディスクドライブ
５１・・・ケース
５２・・・ディスク
５３・・・スピンドルモータ
５４・・・ボイスコイルモータ
５５・・・アーム
１００・・・サスペンション用基板
１１０・・・端子部領域
１１１・・・金属支持体
１１２・・・ベース絶縁層
１１３・・・配線
１１４、１１４ａ、１１４ｂ・・・端子部
１１５・・・カバー層
１１７、１１７ａ、１１７ｂ・・・めっき膜
１１８、１１８ａ、１１８ｂ・・・半田
１２０・・・半田接触部
【図１】
0005747764.tif 000002
【図２】
0005747764.tif 000003
【図３】
0005747764.tif 000004
【図４】
0005747764.tif 000005
【図５】
0005747764.tif 000006
【図６】
0005747764.tif 000007
【図７】
0005747764.tif 000008
【図８】
0005747764.tif 000009
【図９】
0005747764.tif 000010
【図１０】
0005747764.tif 000011
【図１１】
0005747764.tif 000012
【図１２】
0005747764.tif 000013
【図１３】
0005747764.tif 000014
【図１４】
0005747764.tif 000015
【図１５】
0005747764.tif 000016
【図１６】
0005747764.tif 000017
【図１７】
0005747764.tif 000018
【図１８】
0005747764.tif 000019