(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ソルダーレジストパターンにて被覆された回路パターンを有する回路基板の製造方法において、
前記回路パターン上に未露光のソルダーレジストを形成する工程と、
前記未露光のソルダーレジストに対して、接触式パターン露光及び非接触式パターン露光を行って、パターン露光されたソルダーレジストを形成する工程と、
前記パターン露光されたソルダーレジストを現像することによって、目的とするソルダーレジストパターンを形成する工程と、を有し、
前記パターン露光されたソルダーレジストを形成する工程では、接触式パターン露光を行った後、前記接触式パターン露光を行った個所と重複させて非接触式によるパターン露光を行う回路基板の製造方法。
【請求項２】
請求項１において、パターン露光されたソルダーレジストを形成する工程では、非接触式パターン露光を行う際に、最終的に目的とするソルダーレジストパターンの端部を含む領域に対して露光を行う回路基板の製造方法。
【請求項３】
請求項１または２において、パターン露光されたソルダーレジストを形成する工程では、非接触式パターン露光を行う際、接触式パターン露光を行った個所と部分的に露光箇所を重複させる回路基板の製造方法。
【請求項４】
請求項１から３の何れかにおいて、パターン露光されたソルダーレジストを形成する工程で、接触式パターン露光及び非接触式パターン露光を行う際、前記パターン露光の面積を、露光回数を増やす毎に小さくする回路基板の製造方法。
【請求項５】
請求項１から４の何れかにおいて、回路パターン上に未露光のソルダーレジストを形成する工程では、前記回路パターン上に、液状のソルダーレジストインクを塗布しプレキュアすることまたはドライフィルム状のソルダーレジストフィルムをラミネートすることによって、未露光のソルダーレジストを形成する回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ソルダーレジストパターンにて被覆された回路パターンを有する回路基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
回路基板にソルダーレジストパターンを形成する際は、まず、液状のソルダーレジストインクを塗布しプレキュアするか、またはドライフィルム状のソルダーレジストフィルムをラミネートすることによって、回路基板上に未露光のソルダーレジストを形成する。次に、この未露光のソルダーレジストにパターン露光を行う。
【０００３】
未露光のソルダーレジストにパターン露光を行う方法として、従来より、フィルムのフォトマスクを未露光のソルダーレジスト上に接触させ、パターン露光を行う方法（以下、「接触式パターン露光」という。）が用いられているが、近年、ソルダーレジストパターンに対しても、高精度なパターンが要求されており、フォトマスクを未露光のソルダーレジストに接触させないで、パターン露光を行う方法（以下、「非接触式パターン露光」という。）が適用されてきている。非接触式パターン露光としては、フォトマスクとしてガラスマスクを用いた投影露光、あるいはフォトマスクを使用せずにレーザ等で直接未露光のソルダーレジストにパターンを描画して露光する直描法などが挙げられる。
【０００４】
また、従来、図３に示すように、回路基板１０の回路パターン３上にソルダーレジストインクを塗布して未露光のソルダーレジスト１２を形成し（図３（Ａ））、未露光のソルダーレジスト１２に対してパターン露光を施す際は、所定の露光条件を用い、接触式による一回のパターン露光を行うことによって、接触式によるパターン露光がなされたソルダーレジスト１１を形成し（図３（Ｂ））、現像することによって目的とするソルダーレジストパターンを形成する（図３（Ｃ））のが一般的である。なお、パターン露光のやり方としては、非接触式によるパターン露光も行われ、この場合も同様に、所定の露光条件を用い、非接触式による一回のパターン露光を行うことによって、非接触式によるパターン露光がなされたソルダーレジスト２を形成し（図示しない。）、現像することによって目的とするソルダーレジストパターン２０を形成する（図３（Ｃ））。しかし、露光量を増加させた場合、現像後のソルダーレジストパターン２０の密着性は向上するが、微細なソルダーレジストパターン２０の形成性（解像性）は悪化し、露光量を減少させた場合は、微細なソルダーレジストパターン２０の形成性（解像性）が向上する反面、密着性が低下する。
【０００５】
接触式パターン露光を用いる場合に、ソルダーレジストパターンの密着性と形成性（解像性）を改善する方法としては、未露光のソルダーレジストにパターン露光を行う際に、パターン露光を第１の露光と第２の露光の２回に分けて行い、第１の露光では、目的とする開口パターンよりも一回り大きく遮光する露光パターンを設けたフォトマスクを用い、第２の露光では、目的とする開口パターン通りの露光パターンを設けたフォトマスクを用いて、パターン露光を行うことにより、開口パターンの形成性（解像性）と開口以外の領域の密着性を確保する方法が開示されている（特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００５−１４２２５４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかし、より高精度なソルダーレジストパターンが要求される場合は、非接触式パターン露光を用いることになる。この非接触式パターン露光の場合、接触式パターン露光に比べて、露光装置のワークテーブルに回路基板を強固に吸着固定させる必要がある。パターン露光前の未露光のソルダーレジストは、ソルダーレジスト用インクを塗布した後に、インク中の溶剤を乾燥するプレキュアを行っただけで、硬化はしていない状態である。また、一般に、この未露光のソルダーレジストの形成は、工数を少なくする目的で、パターン露光の前に回路基板の表裏の両面に対して行われる。このため、非接触式パターン露光では、ワークテーブルへの吸着固定時に、回路基板の裏面側の未露光のソルダーレジストが、回路基板からワークテーブルに転写し易く、その結果、回路基板に形成した未露光のソルダーレジストが脱落する問題が生じる場合がある。
【０００８】
本発明は、上記問題点に鑑みなされたものであり、未露光のソルダーレジストに対して、非接触式のパターン露光を適用する場合でも、未露光のソルダーレジストの脱落を低減可能とし、高精度でしかも歩留まりや信頼性の向上を図ることが可能な回路基板の製造方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は以下を特徴とする。
（１）  ソルダーレジストパターンにて被覆された回路パターンを有する回路基板の製造方法において、前記回路パターン上に未露光のソルダーレジストを形成する工程と、前記未露光のソルダーレジストに対して、接触式パターン露光及び非接触式パターン露光を行って、パターン露光されたソルダーレジストを形成する工程と、前記パターン露光されたソルダーレジストを現像することによって、目的とするソルダーレジストパターンを形成する工程と、を有し、パターン露光されたソルダーレジストを形成する工程では、接触式パターン露光を行った後、前記接触式パターン露光を行った個所と重複させて非接触式パターン露光を行う回路基板の製造方法。
（２）上記（１）において、パターン露光されたソルダーレジストを形成する工程では、非接触式パターン露光を行う際に、最終的に目的とするソルダーレジストパターンの端部を含む領域に対して露光を行う回路基板の製造方法。
（３）  上記（１）または（２）において、パターン露光されたソルダーレジストを形成する工程では、非接触式パターン露光を行う際、接触式パターン露光を行った個所と部分的に露光箇所を重複させる回路基板の製造方法。
（４）  上記（１）から（３）の何れかにおいて、パターン露光されたソルダーレジストを形成する工程では、接触式パターン露光及び非接触式パターン露光を行う際、前記パターン露光の面積を、露光回数を増やす毎に小さくする回路基板の製造方法。
（５）  上記（１）から（４）の何れかにおいて、回路パターン上に未露光のソルダーレジストを形成する工程では、前記回路パターン上に、液状のソルダーレジストインクを塗布しプレキュアすることまたはドライフィルム状のソルダーレジストフィルムをラミネートすることによって、未露光のソルダーレジストを形成する回路基板の製造方法。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、未露光のソルダーレジストに対して、非接触式のパターン露光を適用する場合でも、未露光のソルダーレジストの脱落を低減可能とし、高精度でしかも歩留まりや信頼性の向上を図ることが可能な回路基板の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の配線基板の製造工程を示す断面図を用いたフロー図である。
【図２】本発明の配線基板の製造工程を示す断面図を用いたフロー図である。
【図３】従来の配線基板の製造工程を示す断面図を用いたフロー図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
本発明の回路基板の製造方法の一形態としては、図２に示すように、回路パターン３上に未露光のソルダーレジスト１２を形成する工程（図２（Ａ））と、未露光のソルダーレジスト１２に対して、接触式パターン露光（図２（Ｂ））及び非接触式パターン露光（図２（Ｃ））を行って、接触式パターン露光で露光されたソルダーレジスト１１及び非接触式パターン露光で形成されたソルダーレジスト２を形成する工程と、パターン露光されたソルダーレジスト１１、２を現像することによって、目的とするソルダーレジストパターン２０を形成する（図２（Ｄ））工程と、を有する回路基板１６の製造方法が挙げられる。
【００１３】
ソルダーレジストとは、回路基板の主に表面に設けられ、表面に設けられた回路パターンを被覆し、電子部品との接続に用いるはんだに対して回路パターンを保護したり、一部に開口を設けて回路パターンの一部を露出させ接続端子を形成したりするものである。ソルダーレジストとしては、ソルダーレジストパターンが、いわゆるフォトリソグラフィーで形成される現像型のものや、印刷によって形成される非現像型のものがあるが、本発明で用いるソルダーレジストは、前者の現像型のものである。このような現像型のソルダーレジストは大きく分けて、ドライフィルム状で回路基板上にラミネートするタイプと、液状で回路基板に塗布しプレキュアするタイプの二種類がある。また、現像型のソルダーレジストの材料は、感光性を有するエポキシアクリレート樹脂を主としたものと、感光性ポリイミドを主としたものがあり、いずれも、炭酸ナトリウム水溶液などのアルカリ水溶液で現像が可能な、ネガ型が主流である。
【００１４】
回路パターンとは、回路基板の絶縁樹脂層上に設けられ、回路基板に搭載される電子部品同士や、回路基板に搭載される電子部品と他の電子機器を電気的に接続して機能させるものである。本発明における回路パターンは、一般の配線基板と同様に、銅やアルミニウム等の金属により構成することができる。また、回路パターンの形成方法は、ドライフィルムを用いて、絶縁樹脂層上に形成した銅やアルミニウム等の金属箔の必要な箇所を保護し、不要な箇所をエッチング液で除去するサブトラクティブ法でも良いし、絶縁樹脂層上に形成したドライフィルムを銅めっきレジストとし、必要な箇所に銅めっきを析出させるアディティブ法でも良い。
【００１５】
回路基板とは、絶縁樹脂層と回路パターンとを備え、電子部品を搭載して回路を形成するものである。回路パターンが絶縁樹脂層の片面または両面に形成されたものや、回路パターンと絶縁樹脂層が交互に積層され多層となった回路基板も含まれる。本発明における回路基板に用いる絶縁樹脂層は、熱硬化性樹脂及び熱可塑性を用いることが好ましい。熱硬化性樹脂としては例えば、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、シアネート樹脂、マレイミド樹脂、イソシアネート樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂、ビニル樹脂、などが挙げられるが、これらに限定されるわけではない。熱硬化性樹脂は、１種類のものを単独で用いても良いし、２種類以上を混合して用いても良い。熱可塑性樹脂としては例えば、フッ素樹脂、ポリフェニレンエーテル、変性ポリフェニレンエーテル、ポリフェニレンスルフィド、ポリカーボネート、ポリエーテルイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリアリレート、ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリブタジエン、ポリイミドなどが挙げられるが、これらに限定されるわけではない。熱可塑性樹脂は、１種類のものを単独で用いても良いし、２種類以上を混合して用いても良い。また、無機充填剤を含んでいても良い。
【００１６】
本発明は、回路パターン上に未露光のソルダーレジストを形成する工程を有する。未露光のソルダーレジストとは、パターン露光されていない状態のソルダーレジストであり、パターン露光時の光（主に紫外光）による硬化は生じていない状態のものをいう。回路パターン上に未露光のソルダーレジストを形成する工程は、例えば、回路パターン上に、液状のソルダーレジストインクを塗布しプレキュアすることや、ドライフィルム状のソルダーレジストフィルムをラミネートすることで行うことができる。ソルダーレジストの塗布やラミネートは片面毎でも良いし、両面同時でも良い。ソルダーレジストインクを塗布する場合、塗布方式は、版を用いたスクリーン方式でも良いし、ロールで塗布するロールコート方式でも良いし、スプレーで吹き付けるカーテンコート方式でも良い。また、ソルダーレジストを塗布またはラミネートする前の回路基板の回路パターンは、粗化処理が施されていても良いし、施されていなくても良い。粗化処理を行う場合、粗化処理は化学的処理でも良いし、物理的処理でも良い。回路基板の回路パターン上には、金属めっきが施されていても良い。
【００１７】
本発明は、未露光のソルダーレジストに対して、接触式パターン露光及び非接触式パターン露光を行って、パターン露光されたソルダーレジストを形成する工程を有する。接触式パターン露光及び非接触式パターン露光を行うとは、接触式パターン露光及び非接触式パターン露光のそれぞれを少なくとも１回ずつ組み合わせて行なうということであり、それぞれを複数回行ってもよい。非接触式パターン露光では、ソルダーレジストが未露光である場合、回路基板のワークテーブルへの固定が強固なため、ソルダーレジストの脱落が生じ易い。しかし、高精度を要する箇所と高精度を要しない箇所に対して、接触式パターン露光及び非接触式パターン露光を使い分けることにより、非接触式パターン露光の前に未露光のソルダーレジストの領域を減らすことが可能となるため、ソルダーレジスとの脱落を抑制しつつ、高精度なソルダーレジストパターンを形成することが可能になる。
【００１８】
パターン露光とは、未露光のソルダーレジストにソルダーレジストパターンとなるパターンを露光することをいう。本発明における接触式パターン露光及び非接触式によるパターン露光は、回路基板のワークサイズを一括で行っても良いし、例えば、製品となるシートごとに分割で行っても良い。
【００１９】
本発明における未露光のソルダーレジストへのパターン露光の露光量は、ソルダーレジストの感度によるが、一般に、１回当たり１００ｍＪ／ｃｍ２以上が好ましく、３００〜６００ｍＪ／ｃｍ２がさらに好ましい。本発明における未露光のソルダーレジストへのパターン露光は、露光装置光源から光が拡散する散乱光方式でも良いし、露光装置光源から光が一定方向である平行光方式でも良い。比較的高精度が要求されない接触式パターン露光では散乱光方式を用い、比較的高精度が要求される非接触式パターン露光では平行光方式を用いるのが望ましい。
【００２０】
接触式パターン露光とは、フォトマスクを未露光のソルダーレジスト上に接触させ、パターン露光を行う方法をいう。接触式パターン露光は、回路基板上に形成した未露光のソルダーレジスト上にフォトマスクを重ね、比較的低い真空度で密着させ、フォトマスクの上方から紫外光を露光することにより行うことができる。フォトマスクとしては、フィルムマスクとガラスマスクを用いることができる。
【００２１】
非接触式パターン露光とは、フォトマスクを未露光のソルダーレジストに接触させないで、パターン露光を行う方法をいう。非接触式パターン露光は、未露光のソルダーレジストを形成した回路基板を、ワークテーブル上に比較的高い真空度で強固に密着させておき、回路基板上に形成した未露光のソルダーレジストの上方に、フォトマスクを位置させて、フォトマスクの上方から紫外線を投影露光することにより行うことができる。この場合のフォトマスクとしては、ガラスマスクが用いられる。また、レーザ等を用いて、未露光のソルダーレジストに対して、直接、ソルダーレジストパターンをパターン露光する直接描画を用いることもできる。
【００２２】
フォトマスクとは、ソルダーレジストパターンをパターン露光により形成するための原版（マスク）をいう。フォトマスクとしては、フィルムマスクやガラスマスクを用いることができる。フィルムマスクはベース材としてＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）等を用い、ガラスマスクはソーダライムガラス等を用い、パターン露光時の光（主に紫外光）を遮光する遮光膜を所望のパターンを設けることで形成できる。高精度を必要とする箇所に対してパターン露光する場合は、ガラスマスクを用いるのが望ましい。一方、高精度を必要としない箇所に対してパターン露光する場合は、フィルムのフォトマスクを用いても十分対応可能であり、また安価な点で望ましい。
【００２３】
高精度を要する箇所とは、例えば、回路パターン上に接続端子を設ける目的等で形成されるソルダーレジストの開口や、接続端子となる回路パターンの間隙に電子部品との接続に用いる半田がブリッジしないように設けられるソルダーレジストのダム等のソルダーレジストパターンにおいて、最終的に目的とするソルダーレジストパターンの端部を含む領域をいう。一方、高精度を要しない箇所とは、最終的に目的とするソルダーレジストパターンの端部から内側に１００μｍ以上離れた箇所をいう。このような箇所は、最終的に目的とするソルダーレジストパターンを決定する箇所ではないので、比較的大まかなパターン露光を行えばよい。このため、フィルムマスクを用いるのが適している。
【００２４】
本発明は、パターン露光されたソルダーレジストを現像することによって、目的とするソルダーレジストパターンを形成する工程を有する。現像とは、パターン露光されたソルダーの未露光箇所を現像液で除去し、最終的に目的とするソルダーレジストパターンを形成することである。現像液は、ソルダーレジストの種類によって選択されるが、一般的に用いられる、いわゆるアルカリ現像タイプのソルダーレジストでは、１質量％程度の炭酸ナトリウム水溶液が用いられる。目的とするソルダーレジストパターンとは、製品として出荷される際の回路基板に、要求されるソルダーレジストのパターンである。なお、現像後のソルダーレジストに対しては、一般的に、ソルダーレジストが実用レベルの機械的強度、耐薬品性、耐熱性等を有する硬化度に達するようにするための最終硬化が行われる。最終硬化のための処理は、ソルダーレジストの種類によって選択されるが、一般的に用いられる、いわゆるアルカリ現像タイプのソルダーレジストでは、１５０℃程度で、１時間程度の熱処理が行われる。
【００２５】
パターン露光されたソルダーレジストを形成する工程では、接触式パターン露光を行った後、非接触式パターン露光を行うのが望ましい。通常、ソルダーレジストが形成される領域全体の面積のうち、高精度を必要とする箇所は一部であり、高精度を必要としない箇所が大部分である。このため、回路基板の表裏両面に形成された未露光のソルダーレジストへのパターン露光を行う際は、まず、回路基板の表裏両面の高精度を必要としない箇所に対して、接触式パターン露光を行い、次いで、回路基板の表裏両面の高精度を必要とする箇所に対して、非接触式パターン露光を行う。これにより、非接触式パターン露光を行う際には、回路基板の大部分を占める高精度を必要としない箇所の未露光のソルダーレジストが硬化しているため、回路基板の裏面側からソルダーレジストが露光装置のワークテーブルに転写するのを低減させることができ、しかも高精度なソルダーレジストパターンを形成することが可能になる。
【００２６】
パターン露光されたソルダーレジストを形成する工程では、接触式パターン露光及び非接触式パターン露光を行う際、部分的に露光箇所を重複させるのが望ましい。通常、ソルダーレジストが形成される領域全体の面積のうち、高精度を必要とする箇所は一部であり、高精度を必要としない箇所が大部分である。このため、回路基板の表裏両面に形成された未露光のソルダーレジストへのパターン露光を行う際は、まず、回路基板の表裏両面の高精度を必要としない箇所に対して、接触式パターン露光を行い、次いで、回路基板の表裏両面の高精度を必要とする箇所及び既に接触式パターン露光を行った高精度を必要としない箇所の両者に対して、非接触式パターン露光を行う。この場合、回路基板の表裏両面の高精度を必要としない箇所は、全体を重複させる必要はなく、必要な部分のみを重複させてもよい。これにより、非接触式パターン露光を行う際には、回路基板の大部分を占める高精度を必要としない箇所の未露光のソルダーレジストが硬化しているため、回路基板の裏面側からソルダーレジストが露光装置のワークテーブルに転写するのを低減させることができ、しかも高精度なソルダーレジストパターンを形成することが可能になる。また、大部分を占める高精度を必要しない箇所については、パターン露光を２回行なうことになるため、現像後の密着性が確保できるとともに、ソルダーレジストの表面が現像液にアタックされて白化するのを防止できる。
【００２７】
パターン露光されたソルダーレジストを形成する工程では、接触式パターン露光及び非接触式パターン露光を行う際、前記パターン露光の面積を、露光回数を増やす毎に小さくすることが好ましい。すなわち、ｎ回目の露光面積をＳｎ、（ｎ＋１）回目の露光面積をＳ（ｎ＋１）とすると、Ｓｎ＞Ｓ（ｎ＋１）とすることが好ましい。通常、ソルダーレジストが形成される領域全体の面積のうち、高精度を必要とする箇所は一部であり、高精度を必要としない箇所が大部分である。このため、回路基板の表裏両面に形成された未露光のソルダーレジストへのパターン露光を行う際は、まず、回路基板の表裏両面の大部分を占める高精度を必要としない箇所に対して、接触式パターン露光を行い、次いで、回路基板の表裏両面の高精度を必要とする箇所に対して、非接触式パターン露光を行う。この場合、非接触式パターン露光では、回路基板の表裏両面の高精度を必要としない箇所を部分的に重複させてもよい。これにより、高精度を必要とする箇所に対して、非接触式パターン露光を行う際には、回路基板の大部分を占める高精度を必要としない箇所の未露光のソルダーレジストが硬化しているため、回路基板の裏面側からソルダーレジストが露光装置のワークテーブルに転写するのを低減させることができ、しかも高精度なソルダーレジストパターンを形成することが可能になる。また、レーザ等を用いた直接描画の場合は、描画時間を短縮することができる。
【実施例】
【００２８】
以下、本発明の実施例を説明するが、本発明は、本実施例に限定されない。
【００２９】
（実施例１）
図１に示すように、厚さ３μｍの銅箔２１を張り合わせた、絶縁樹脂層５の公称厚さ０．２ｍｍのガラス布基材エポキシ樹脂銅張積層板である、ＭＣＬ−Ｅ−６７９ＦＧ（日立化成工業株式会社製、商品名）に、ドリル加工にてΦ０．１５ｍｍの貫通穴２２を形成し、過マンガン酸カリウム処理によるスミア除去を施した。次いで約１μｍの無電解銅めっきを施し、エッチングレジスト用ドライフィルムＮＩＴ２２５（ニチゴー・モートン株式会社製、商品名）をラミネータで仮圧着し、フィルム状のフォトマスクマスクをはり合わせて露光量１４０ｍＪ／ｃｍ２の紫外線で両面に回路パターン３となるパターンを焼付け、０．９質量％炭酸ナトリウム水溶液で現像してめっきレジストを形成した。次いで、めっきレジストのない部分に電解銅めっき２３を析出させ、アミン系水溶液でめっきレジストを剥離除去し、硫酸−過酸化水素水混合水溶液でめっきレジストを形成していた箇所の下地銅をエッチング除去して回路パターン３を形成し、第１の回路基板４とした（図１（Ａ））。
【００３０】
第１の回路基板４の回路パターン３の表面を粗化処理し、第１の回路基板４の両面に対し、ガラス布にエポキシ樹脂を含浸させた公称厚さ０．０４ｍｍのプリプレグＧＥＡ−６７９ＦＧ（日立化成工業株式会社製、商品名）を介して、１８μｍのキャリア銅箔付３μｍ銅箔ＭＴ１８ＳＤＨ３（三井金属鉱業株式会社製、商品名）を真空プレスにて圧力２．５ＭＰａ、温度１７５℃、保持時間１．５時間の条件で積層後、キャリア銅箔を剥離し、銅箔２１と絶縁樹脂層５を有する第２の回路基板６とした（図１（Ｂ））。
【００３１】
第２の回路基板６の両面にドライフィルムＮＩＴ２２５（ニチゴー・モートン株式会社製、商品名）をラミネータで仮圧着し、フィルム状のフォトマスクをはり合わせて露光量９０ｍＪ／ｃｍ２の紫外線で両面に回路パターンを焼付け、１質量％炭酸ナトリウム水溶液で現像してエッチングレジストを形成した。次いで、エッチングレジストのない銅部分を塩化第二鉄水溶液で除去し、３質量％水酸化ナトリウム水溶液でエッチングレジストを剥離除去して、レーザー照射用マスクとなる直径０．１ｍｍのコンフォーマルマスク７及びレーザー位置認識用のパターン（図示しない。）を形成し、第３の回路基板８とした（図１（Ｃ））。
【００３２】
第３の回路基板８の両面に炭酸ガスレーザー加工機ＬＣ−１Ｃ／２１（日立ビアメカニクス株式会社製、商品名）により、ビーム照射径０．２ｍｍ、パルス幅１１μｓ、４ショットの条件でサイクル加工し、直径０．１ｍｍの非貫通穴２４を形成して第４の回路基板９とした（図１（Ｄ））。なお、サイクル加工とは、ある一定のエリアに対し、１穴／ショットずつ加工し、規定回数（本実施例の場合４回）を繰り返したら次のエリアに移り、同様に加工していく方法である。
【００３３】
第４の回路基板９に過マンガン酸カリウム処理によるスミア除去を施し、次いで約１μｍの無電解銅めっきを施し、エッチングレジスト用ドライフィルムＮＩＴ２２５（ニチゴー・モートン株式会社製、商品名）をラミネータで仮圧着し、フィルム状のフォトマスクをはり合わせて露光量１４０ｍＪ／ｃｍ２の紫外線で両面に回路パターン３となるパターンを焼付け、０．９質量％炭酸ナトリウム水溶液で現像してめっきレジストを形成した。次いで、めっきレジストのない部分に電解銅めっき２３を析出させ、アミン系水溶液でめっきレジストを剥離除去し、硫酸−過酸化水素水混合水溶液でめっきレジストを形成していた下地銅をエッチング除去して回路パターン３を形成し、第５の回路基板１０とした（図１（Ｅ））。
【００３４】
第５の回路基板１０の回路パターン３の表面を粗化処理し、現像型ソルダーレジストインクＰＳＲ−４０００ＡＵＳ３０８（太陽インキ製造株式会社製、商品名）を両面に塗布し、８０℃、２０分程度のプレキュアを行って第６の回路基板１３とした（図２（Ａ））。
【００３５】
第６の回路基板１３の両面に、フィルム状のフォトマスクをはり合わせて露光量５４０ｍＪ／ｃｍ２の紫外線でパターン露光すること（接触式によるパターン露光）により、未露光のソルダーレジスト１２の大部分（高精度を必要としない箇所）に、接触式によるパターン露光がなされたソルダーレジスト１を形成し、第７の回路基板１４とした（図２（Ｂ））。
【００３６】
第７の回路基板１４に、ガラスマスクによる投影露光を用いて露光量４５０ｍＪ／ｃｍ２の紫外線で、未露光のソルダーレジスト１２の一部（高精度を必要とする箇所）及び既に接触式によるパターン露光がなされたソルダーレジスト１（高精度を必要としない箇所）に、パターン露光を行った（非接触式によるパターン露光）。これにより、未露光のソルダーレジスト１２の一部（高精度を必要とする箇所）には、非接触式によるパターン露光がなされたソルダーレジスト２を、また既に接触式によるパターン露光がなされたソルダーレジスト１（高精度を必要としない箇所）には、接触式によるパターン露光後に非接触式によるパターン露光がなされたソルダーレジスト１を形成し、第８の回路基板１５とした（図２（Ｃ））。
【００３７】
第８の回路基板１５を１質量％炭酸ナトリウム水溶液で現像してソルダーレジストパターン２０を形成し、紫外線を２０００ｍＪ／ｃｍ２照射して硬化させ、１５０℃、１時間の乾燥をして熱硬化させて第９の回路基板１６とした（図２（Ｄ））。
【００３８】
（実施例２）
第５の回路基板１０の作製までは実施例１と同様に行った。第５の回路基板１０の回路パターン３の表面を粗化処理し、現像型ソルダーレジストフィルムＰＦＲ−８００ＡＵＳ４０２（太陽インキ製造株式会社製、商品名）を両面にラミネータで真空圧着し、第６の回路基板１３とした（図２（Ａ））。第７の回路基板１４、第８の回路基板１５及び第９の回路基板１６は、実施例１と同様に作製した。
【００３９】
（比較例）
以下、比較例として従来の製造方法を説明する。
実施例１と同様に、第５の回路基板１０を作製し、第５の回路基板１０の回路パターン３の表面を粗化処理し、現像型ソルダーレジストインクＰＳＲ−４０００ＡＵＳ３０８（太陽インキ製造株式会社製、商品名）を両面に塗布し、８０℃、２０分程度のプレキュアを行って、第６の回路基板１３とした（図３（Ａ））。
【００４０】
第６の回路基板１３の両面に、フィルム状のフォトマスクをはり合わせて露光量５４０ｍＪ／ｃｍ２の紫外線でパターン露光すること（接触式によるパターン露光）により、未露光のソルダーレジスト１２に目的とするソルダーレジストパターン２０となるパターンのパターン露光を行った。これにより、未露光のソルダーレジスト１２（高精度を必要とする箇所及び高精度を必要としない箇所の両方）に、接触式によるパターン露光がなされたソルダーレジスト１１を形成し、第１０の回路基板１７とした（図３（Ｂ））。
【００４１】
第１０の回路基板１７を１質量％炭酸ナトリウム水溶液で現像して、目的とするソルダーレジストパターン２０を形成し、紫外線を２０００ｍＪ／ｃｍ２照射して硬化させ、１５０℃、１時間の乾燥をして熱硬化させて第１１の回路基板とした（図３（Ｃ））。
【００４２】
上記実施例１、２及び比較例の結果、ソルダーレジストパターン２０の脱落による製品不良率を４．０％（比較例）から０．２％（実施例１、２）に低減することができた。
【符号の説明】
【００４３】
１：（接触式によるパターン露光後に非接触式によるパターン露光がなされた）ソルダーレジスト
２：（非接触式によるパターン露光がなされた）ソルダーレジスト
３：回路パターン
４：第１の回路基板
５：絶縁樹脂層
６：第２の回路基板
７：コンフォーマルマスク
８：第３の回路基板
９：第４の回路基板
１０：第５の回路基板
１１：（接触式によるパターン露光がなされた）ソルダーレジスト
１２：未露光のソルダーレジスト
１３：第６の回路基板または回路基板
１４：第７の回路基板
１５：第８の回路基板
１６：第９の回路基板
１７：第１０の回路基板
１８：第１１の回路基板
２０：ソルダーレジストパターン
２１：銅箔
２２：貫通孔
２３：電解銅めっき
２４：非貫通孔
【図１】
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【図２】
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【図３】
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