(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
振動板によって一壁面が構成され、液体を収容する圧力室と、前記圧力室の前記振動板と対向する面に連通し、前記圧力室から離れるにしたがって径が徐々に細くなるノズルテーパー部と、前記ノズルテーパー部に連通し、ノズル開口部を有するノズルストレート部とを有する液体吐出ヘッドの製造方法において、
基板に前記ノズルストレート部及びノズルテーパー部の領域を規定するための第１のマスクパターンと前記基板に前記圧力室に相当する空間部の外周部の領域を規定するための第２のマスクパターンとを前記基板の一方の面に同時に形成するパターニング工程と、
前記第１のマスクパターンに基づいて第１のエッチングを行い、前記基板にストレート状の貫通孔を形成する第１のエッチング工程と、
前記第２のマスクパターンに基づいて、前記基板に前記圧力室に相当する空間部を形成する第２のエッチング工程と、
前記第１のマスクパターンに基づいて、前記圧力室に相当する空間部の前記貫通孔が形成された面のうち、該貫通孔の周辺にテーパー形状を形成する第３のエッチング工程と、
を備え、
前記基板は、シリコンからなる支持体層と、酸化膜からなる中間層と、シリコンからなる活性層とが積層されたＳＯＩ基板であり、さらに前記活性層表面に形成されたドープ層を有し、
前記第１のエッチング工程は、
前記第１のマスクパターンと、前記ノズルストレート部の領域及び前記空間部の外周部の領域以外を保護するマスクパターンとをマスクとして前記支持体層をエッチングして除去する工程と、
前記第１のマスクパターンと前記ノズルストレート部の領域以外を保護するマスクパターンとをマスクとして前記中間層、前記活性層、及び前記ドープ層をエッチングして除去する工程と、
を有し、
前記第２のエッチング工程は、
前記第２のマスクパターン以外を保護するマスクパターンをマスクとして前記第２のマスクパターンをエッチングして除去する工程と、
前記第１のマスクパターン以外の前記基板の全面に形成した保護膜をマスクとして前記第１のマスクパターン及び該第１のマスクパターンの位置に対応する前記支持体層をエッチングして除去する工程と、
前記圧力室に相当する空間部の領域以外を保護するマスクパターンをマスクとして前記支持体層上の前記保護膜をエッチングして除去するとともに、前記ノズルテーパ―部の領域の前記中間層をエッチングして該中間層の厚さを薄くする工程と、
前記圧力室に相当する空間部の領域以外を保護するマスクパターンをマスクとして前記支持体層をエッチングして除去することで前記圧力室に相当する空間部を前記支持体層及び中間層に形成する工程と、
を有し、
前記第３のエッチング工程は、
前記圧力室に相当する空間部の領域以外を保護するマスクパターンをマスクとして前記中間層をエッチングして前記ノズルテーパー部の領域の前記活性層のみを露出させる工程と、
前記保護膜及び前記ノズルテーパー部の領域以外の前記中間層をマスクとして前記ノズルテーパー部をエッチングして前記活性層にテーパー形状を形成することで、前記ノズルテーパー部を前記活性層に形成し、前記ノズルストレート部を前記ドープ層に形成する工程と、
を有することを特徴とする液体吐出ヘッドの製造方法。
【請求項２】
前記パターニング工程は、前記ノズルストレート部及びノズルテーパー部の領域の中心と前記圧力室に相当する空間部の領域の中心とが一致するように前記第１のマスクパターン及び第２のマスクパターンを同時に形成することを特徴とする請求項１に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
【請求項３】
前記第１のエッチング工程、第２のエッチング工程、及び第３のエッチング工程は、前記第１のマスクパターン及び第２のマスクパターンが形成された面からのみエッチングを行うことを特徴とする請求項１又は２に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
【請求項４】
前記第３のエッチング工程は、ウエットエッチングにより前記貫通孔の周辺にテーパー形状を形成することを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
【請求項５】
前記第３のエッチング工程は、結晶異方性エッチングを行うことで、四角錐のテーパー形状を形成することを特徴とする請求項４に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
【請求項６】
前記第３のエッチング工程は、前記ドープ層をエッチングストップ層として用いることを特徴とする請求項４又は５に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液体吐出ヘッドの製造方法に係り、特に圧力室とノズルを高精度に形成する技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
インクジェットヘッドを製造する方法として、圧力室や流路が形成された基板とノズルが形成された基板とを貼り合わせる方法が知られている。これらの基板を接合する際にはアライメント接合が必要となり、アライメント精度によっては、圧力室の中心とノズル開口の中心位置とにずれが発生する可能性がある。その結果、インク吐出効率の低下やモジュール内での吐出ばらつき等の問題が発生する。
【０００３】
このような課題に対し、特許文献１には、流路板に圧力室及びノズルを一体形成したプリントヘッドが開示されている。このプリントヘッドによれば、その製造時において流路板及びノズル板の高精度な位置決め作業を省略することができる。
【０００４】
しかし、圧力室とノズルを形成する際に、それぞれのマスクを用いて露光を２回行っているため、マスクのアライメントが必要となり、位置ずれが発生する可能性がある。
【０００５】
これに対し、特許文献２には、インクが吐出するノズルと、このノズルに連通して形成され充填されたインクに圧力が与えられるインクチャンバと、このインクチャンバにインクを供給するインク供給路とが設けられたインクジェット記録ヘッドにおいて、ノズルとインクチャンバとが同一の結晶基板に形成され、ノズルとインクチャンバとが接続する箇所のインクチャンバ側の径がノズルの径より太いギャップ部を形成する技術が記載されている。
【０００６】
この技術によれば、ギャップを用いてインクチャンバとノズルとが連結する場合の軸心ずれを吸収することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２０００−９４６８７号公報
【特許文献２】特開２００２−３２１３５６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、特許文献２に記載されている技術は、あくまでも位置ずれを吸収しているだけであって、従来よりも位置ずれを緩和しているに過ぎない。根本的には、両面アライメントを行っているので、圧力室の開口部とノズルの中心位置では、位置ずれが発生する可能性がある。また、この技術では、圧力室の形状が四角錐に限定されてしまい、設計の自由度が狭いという欠点もあった。
【０００９】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、位置ずれを発生させずに圧力室とノズルを高精度に形成する液体吐出ヘッドの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
前記目的を達成するために請求項１に記載の液体吐出ヘッドの製造方法は、振動板によって一壁面が構成され、液体を収容する圧力室と、前記圧力室の前記振動板と対向する面に連通し、前記圧力室から離れるにしたがって径が徐々に細くなるノズルテーパー部と、前記ノズルテーパー部に連通し、ノズル開口部を有するノズルストレート部とを有する液体吐出ヘッドの製造方法において、基板に前記ノズルストレート部及びノズルテーパー部の外周部の領域を規定するための第１のマスクパターンと前記基板に前記圧力室に相当する空間部の領域を規定するための第２のマスクパターンとを前記基板の一方の面に同時に形成するパターニング工程と、前記第１のマスクパターンに基づいて第１のエッチングを行い、前記基板にストレート状の貫通孔を形成する第１のエッチング工程と、前記第２のマスクパターンに基づいて、前記基板に前記圧力室に相当する空間部を形成する第２のエッチング工程と、前記第１のマスクパターンに基づいて、前記圧力室に相当する空間部の前記貫通孔が形成された面のうち、該貫通孔の周辺にテーパー形状を形成する第３のエッチング工程と、を備え、前記基板は、シリコンからなる支持体層と、酸化膜からなる中間層と、シリコンからなる活性層とが積層されたＳＯＩ基板であり、さらに前記活性層表面に形成されたドープ層を有し、前記第１のエッチング工程は、前記第１のマスクパターンと、前記ノズルストレート部の領域及び前記空間部の外周部の領域以外を保護するマスクパターンとをマスクとして前記支持体層をエッチングして除去する工程と、前記第１のマスクパターンと前記ノズルストレート部の領域以外を保護するマスクパターンとをマスクとして前記中間層、前記活性層、及び前記ドープ層をエッチングして除去する工程とを有し、前記第２のエッチング工程は、前記第２のマスクパターン以外を保護するマスクパターンをマスクとして前記第２のマスクパターンをエッチングして除去する工程と、前記第１のマスクパターン以外の前記基板の全面に形成した保護膜をマスクとして前記第１のマスクパターン及び該第１のマスクパターンの位置に対応する前記支持体層をエッチングして除去する工程と、前記圧力室に相当する空間部の領域以外を保護するマスクパターンをマスクとして前記支持体層上の前記保護膜をエッチングして除去するとともに、前記ノズルテーパ―部の領域の前記中間層をエッチングして該中間層の厚さを薄くする工程と、前記圧力室に相当する空間部の領域以外を保護するマスクパターンをマスクとして前記支持体層をエッチングして除去することで前記圧力室に相当する空間部を前記支持体層及び中間層に形成する工程とを有し、前記第３のエッチング工程は、前記圧力室に相当する空間部の領域以外を保護するマスクパターンをマスクとして前記中間層をエッチングして前記ノズルテーパー部の領域の前記活性層のみを露出させる工程と、前記保護膜及び前記ノズルテーパー部の領域以外の前記中間層をマスクとして前記ノズルテーパー部をエッチングして前記活性層にテーパー形状を形成することで、前記ノズルテーパー部を前記活性層に形成し、前記ノズルストレート部を前記ドープ層に形成する工程とを有することを特徴とする。
【００１１】
請求項１に記載の発明によれば、ノズルストレート部及びノズルテーパー部の領域を規定するための第１のマスクパターンと圧力室に相当する空間部の領域を規定するための第２のマスクパターンとを基板に同時に形成し、第１のマスクパターン及び第２のマスクパターンに基づいてエッチングを行うようにしたので、位置ずれを発生させずに圧力室とノズルを形成することができる。
【００１２】
請求項２に示すように請求項１に記載の液体吐出ヘッドの製造方法において、前記パターニング工程は、前記ノズルストレート部及びノズルテーパー部の領域の中心と前記圧力室に相当する空間部の領域の中心とが一致するように前記第１のマスクパターン及び第２のマスクパターンを同時に形成することを特徴とする。
【００１３】
これにより、吐出性能の優れた液体吐出ヘッドを製造することができる。
【００１４】
請求項３に示すように請求項１又は２に記載の液体吐出ヘッドの製造方法において、前記第１のエッチング工程、第２のエッチング工程、及び第３のエッチング工程は、前記第１のマスクパターン及び第２のマスクパターンが形成された面からのみエッチングを行うことを特徴とする。
【００１５】
これにより、位置ずれを発生させずに圧力室とノズルを形成することができる。
【００１６】
請求項４に示すように請求項１から３のいずれかに記載の液体吐出ヘッドの製造方法において、前記基板は、シリコンからなる支持体層と、酸化膜からなる中間層と、シリコンからなる活性層とが積層されたＳＯＩ基板であり、さらに前記活性層表面に形成されたドープ層を有し、前記第２のエッチング工程は、前記圧力室に相当する空間部を前記支持体層及び中間層に形成し、前記第３のエッチング工程は、前記活性層に前記テーパー形状を形成することで、前記ノズルテーパー部を前記活性層に形成し、前記ノズルストレート部を前記ドープ層に形成することを特徴とする。
【００１７】
支持体層、中間層、活性層、及びドープ層の厚さにより、圧力室の深さ、ノズルテーパー部、ノズルストレート部の長さが規定されるので、一定の圧力室とノズルを形成することができる。
【００１８】
請求項５に示すように請求項４に記載の液体吐出ヘッドの製造方法において、前記第３のエッチング工程は、ウエットエッチングにより前記貫通孔の周辺にテーパー形状を形成することを特徴とする。
【００１９】
これにより、適切にノズルテーパー部を形成することができる。
【００２０】
請求項６に示すように請求項５に記載の液体吐出ヘッドの製造方法において、前記第３のエッチング工程は、結晶異方性エッチングを行うことで、四角錐のテーパー形状を形成することを特徴とする。
【００２１】
これにより、適切にノズルテーパー部を形成することができる。
【００２２】
請求項７に示すように請求項５又は６に記載の液体吐出ヘッドの製造方法において、前記第３のエッチング工程は、前記ドープ層をエッチングストップ層として用いることを特徴とする。
【００２３】
これにより、適切にノズルテーパー部を形成することができる。
【００２４】
請求項８に示すように請求項４から７のいずれかに記載の液体吐出ヘッドの製造方法において、前記第２のエッチング工程は、前記貫通孔の内側に保護膜を形成する工程と、前記ノズルテーパー部の領域の支持体層をエッチングする工程と、該ノズルテーパー部の領域の中間層を、該中間層の厚さが薄くなるようにエッチングする工程と、前記圧力室の領域の支持体層をエッチングする工程と、を含み、前記第３のエッチング工程は、前記圧力室の領域の中間層をエッチングすることで、前記ノズルテーパー部の領域の活性層のみを露出させる工程と、を含むことを特徴とする。
【００２５】
これにより、適切にノズルテーパー部を形成することができる。
【発明の効果】
【００２６】
本発明によれば、位置ずれを発生させずに圧力室とノズルを高精度に形成することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】本実施形態で製造されるインクジェットヘッドの断面図
【図２】インクジェットヘッドの製造方法を示した工程図
【図３】インクジェットヘッドの製造方法を示した工程図
【図４】インクジェットヘッドの製造方法を示した工程図
【図５】インクジェットヘッドの製造方法を示した工程図
【図６】インクジェットヘッドの製造方法を示した工程図
【発明を実施するための形態】
【００２８】
以下、添付図面に従って本発明の好ましい実施の形態について詳説する。
【００２９】
図１は、インクジェットヘッド１００の立体構造の一例を示す断面図であり、記録素子単位となる１チャンネル分の液滴噴射素子が図示されている。同図に示すように、インクジェットヘッド１００は、圧電素子１０２、振動板１０４、圧力室１０６、及びノズル１０８から構成されており、圧電素子１０２が形成された振動板１０４と、圧力室１０６及びノズル１０８が形成されたノズル基板１１０とが積層接合されて形成されている。
【００３０】
ノズル１０８は、ノズル開口部を有するノズルストレート部１０８ａと、ノズルストレート部１０８ａと圧力室１０６とを連通し、ノズルストレート部１０８ａから圧力室１０６へ向かって径が徐々に太くなるノズルテーパー部１０８ｂとから構成されている。
【００３１】
インクジェットヘッド１００は、圧力室１０６の天井面に設けられた圧電素子１０２を動作させて圧力室１０６内の液体を加圧して、圧力室１０６と連通するノズル１０８から液滴を噴射させる。ノズル１０８から液滴が噴射されると、圧力室１０６と連通される液体の供給源たるタンク（不図示）から圧力室１０６へ液体が充填される。
【００３２】
ここで、ノズル１０８は、その中心１０８ｃが、圧力室の中心１０６ｃと一致するように形成されている。このように、ノズル１０８と圧力室１０６の中心を一致させることで、吐出性能を向上させている。
【００３３】
図２〜図６は、本実施の形態に係るインクジェットヘッドの製造方法を示した工程図であり、図１に示すノズル基板１１０の形成方法を示している。
【００３４】
本実施形態のノズル基板１１０は、ＳＯＩ（Silicon On Insulator）基板１０を用いて製造する。ＳＯＩ基板１０は、支持体層１２、支持体層１２の一面側に設けられたＢＯＸ（Buried Oxide）層（埋め込み酸化膜層）１４、ＢＯＸ層１４の支持体層１２の反対側に設けられた活性層１６とから構成されている（図２（ａ））。
【００３５】
ここで、支持体層１２は圧力室になり、活性層１６はノズルになる。支持体層は５０〜２００μｍにすればよく、ここでは１００μｍとする。活性層１６は１０〜１００μｍにすればよく、ここでは５０μｍとする。また、ＢＯＸ層１４のシリコン酸化膜の膜厚は１μｍのものを用いた。
【００３６】
まず、活性層１６の表面に高濃度のボロンをドープし、ドープ層１８を形成する（図２（ｂ））。ドープ層１８は、ノズルのストレート部を構成するものであり、ドープ層１８の厚さを制御することにより、ストレート部の長さを調整することができる。
【００３７】
また、このドープ層１８は、ノズルのテーパー部を形成する際のシリコンのウエットエッチング時のエッチングストップ層としても機能する。ドープ層１８の厚さは０．５〜１０μｍ程度にすればよく、ここでは１μｍとする。
【００３８】
なお、ノズルのストレート部に相当する部分は、ボロンドープ層に限らず、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜などを用いることも可能である。
【００３９】
次に、支持体層１２の表面側にＳｉＮ膜２０を形成する（図２（ｃ））。このＳｉＮ膜２０は、支持体層１２のドライエッチング時のマスクとして使用されるものであり、ＬＰ−ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ、スパッタ、真空蒸着等で形成すればよい。ここではＬＰＣＶＤ（減圧化学気相成長）法を用いて、ＳｉＨ２Ｃｌ２（ジクロルシラン）とＮＨ３（アンモニア）等を使用し、反応圧力は２０〜２００Ｐａ、加熱温度は６５０〜８００℃で行い、１μｍの膜厚を形成する。 
【００４０】
なお、ここでは支持体層１２のドライエッチング時のマスクとしてＳｉＮ膜を用いているが、シリコン酸化膜以外の無機膜を用いてもよい。例えば、ＳｉＣ、Ａｌ２Ｏ３等を用いることが考えられる。
【００４１】
次に、ＳｉＮ膜２０上にレジスト２２を形成（塗布）し、プリベーク（ソフトベーク）、露光、現像、ポストベークの各プロセスを順に行い、レジスト２２を所定形状にパターニングする（図２（ｄ））。
【００４２】
ここで形成したレジスト２２のマスクパターンは、ノズルのストレート部（ノズル開口部）とノズルのテーパー部、そして圧力室の外周部を規定している。レジスト２２は、１枚のマスクで形成したものであるから、必然的にノズルの中心部と圧力室の中心部が一致することになる。
【００４３】
続いて、レジスト２２をマスクとしてＳｉＮ膜２０をウエットエッチングやドライエッチングによりパターニングする（図２（ｅ））。例えば、ウエットエッチングの場合であれば、１００〜１５０℃のリン酸を用いればよい。ドライエッチングの場合であれば、フッ素系のガスを用いることができる。
【００４４】
その後、レジスト２２を剥離する（図２（ｆ））。剥離方法としては、アッシングや専用のレジスト剥離液を用いることができる。
【００４５】
次に、支持体層１２のドライエッチング時のマスクパターンを形成する。ここでのレジストの役割は、ノズル開口部と圧力室の外周以外の支持体層１２を保護するためである。支持体層１２上のＳｉＮ膜２０がパターニングされた面に、レジスト２４をパターニングする（図３（ｇ））。
【００４６】
なお、レジスト２４のパターンは、ＳｉＮ膜２０の上にあればよく、アライメント精度は必要とされない。
【００４７】
このレジスト２４をマスクとして支持体層１２をドライエッチングにより加工し、ノズル開口部に相当する部分と圧力室の外周部を形成する（図３（ｈ））。ドライエッチングは、ＳＦ６（六フッ化硫黄）とＯ２（酸素）等を用いた反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）やボッシュプロセスを用いることで、異方性エッチングを行うことができる。
【００４８】
その後、レジスト２４を剥離する（図３（ｉ））。剥離方法としては、アッシングや専用のレジスト剥離液を用いることができる。
【００４９】
次に、ノズル開口部に相当する位置にあるＢＯＸ層１４をエッチングするため、それ以外の部分を保護するためのレジスト２６をパターニングする（図３（ｊ））。レジスト２６として、ドライフィルムレジストを用いてもよい。
【００５０】
ここでのパターニングは、支持体層１２のノズル開口部に相当する位置をエッチングする際に用いたマスクであるＳｉＮ膜２０の上に設けられればよく、精度は必要とならない。
【００５１】
このレジスト２６をマスクとして、ＢＯＸ層１４をエッチングする（図３（ｋ））。ここでのエッチングは、フッ素系ガスを用いたドライエッチングや、希釈したフッ酸、バッファードフッ酸等を用いたウエットエッチングにより行うことができる。
【００５２】
続いて、ノズル穴に相当する部分の活性層１６をドライエッチングにより加工する。また、活性層１６表面にあるボロンドープ層１８も同時にドライエッチングにより加工し、貫通穴を形成する（図３（ｌ））。ドライエッチングは、ＳＦ６（六フッ化硫黄）とＯ２（酸素）等を用いた反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）やボッシュプロセスを用いることで、異方性エッチングを行うことができる。
【００５３】
その後、レジスト２６を剥離する（図４（ｍ））。剥離方法としては、アッシングや専用のレジスト剥離液を用いることができる。
【００５４】
次に、圧力室の外周部を形成する際に用いたＳｉＮ膜２０を除去するために、レジスト２８をパターニングする（図４（ｎ））。
【００５５】
このレジスト２８をマスクとして、ＳｉＮ膜２０をウエットエッチングやドライエッチングにより除去する（図４（ｏ））。例えば、ウエットエッチングの場合であれば、１００〜１５０℃のリン酸を用いればよい。ドライエッチングの場合であれば、フッ素系のガスを用いることができる。
【００５６】
その後、レジスト２８を剥離する（図４（ｐ））。剥離方法としては、アッシングや専用のレジスト剥離液を用いることができる。さらに、シリコンのドライエッチング時に付着したポリマーを除去するための洗浄を行う。ここでは、専用の洗浄液を用いて行う。
【００５７】
次に、ＳＯＩ基板１０の全面に保護膜３０を形成する（図４（ｑ））。保護膜３０としては、ＣＶＤ法や熱処理法、プラズマ処理などを用いて無機膜を形成すればよい。特に、シリコン酸化膜が好ましく、熱酸化法で形成すればよい。
【００５８】
なお、保護膜３０として熱酸化法によるシリコン酸化膜をＳＯＩ基板１０の全面に形成した場合であっても、ＳｉＮ膜２０がある場所にはシリコン酸化膜は形成されない。即ち、選択的に熱酸化を行うことができる。
【００５９】
次に、保護膜３０をマスクとしてＳｉＮ膜２０を除去する（図４（ｒ））。例えば、高温のリン酸を用いたウエットエッチングや、フッ素ガスを用いたドライエッチングにより行えばよい。
【００６０】
続いて、ノズルのテーパー部を形成するため、保護膜３０をマスクとして支持体層１２をドライエッチングにより除去する（図５（ｓ））。ドライエッチングは、ＳＦ６（六フッ化硫黄）とＯ２（酸素）等を用いた反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）やボッシュプロセスを用いることで、異方性エッチングを行うことができる。
【００６１】
次に、圧力室に相当する部分を形成するためのレジスト３２をパターニングする（図５（ｔ））。レジスト３２として、ドライフィルムレジストを用いてもよい。
【００６２】
このレジスト３２をマスクとして支持体層１２上にある保護膜３０をドライエッチングにより除去する（図４（ｕ））。このとき、ノズルのテーパー部のＢＯＸ層１４も同時にエッチングされる。ここで、支持体層１２上の酸化膜の厚みが０．５μｍであるのに対し、ＢＯＸ層１４の厚みは１μｍであるので、ＢＯＸ層１４のシリコン酸化膜が０．５μｍ残ることになる。なお、ドライエッチングは、フッ素系のガスを用いれば容易にエッチングが可能である。
【００６３】
次に、保護膜３０とレジスト３２をマスクとして、支持体層１２のシリコンをドライエッチングにより加工し、圧力室に相当する部分を形成する（図５（ｖ））。ドライエッチングは、ＳＦ６（六フッ化硫黄）とＯ２（酸素）等を用いた反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）やボッシュプロセスを用いることで、異方性エッチングを行うことができる。
【００６４】
次に、ノズルのテーパー部に相当する部分のＢＯＸ層を除去し、ウエットエッチング時のためのマスクパターンを形成する（図５（ｗ））。ノズルのテーパー部の開口部のＢＯＸ層の厚さは０．５μｍであるのに対し、その他の部分のＢＯＸ層１４の厚さは１．０μｍである。したがって、シリコン酸化膜を０．５μｍエッチングすることで、ウエットエッチング時のマスクパターンが形成される。
【００６５】
その後、レジスト２２を剥離する（図５（ｘ））。剥離方法としては、アッシングや専用のレジスト剥離液を用いることができる。
【００６６】
次に、ノズルのテーパー部を形成する（図６（ｙ））。ここでは、結晶異方性エッチングを行うことで、四角錐のテーパー部を形成することができる。エッチング液は、６０〜１００℃程度に加熱したＫＯＨ（水酸化カリウム）、ＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム）等を用いればよい。 
【００６７】
ここで、ドープ層１８がエッチングストップ層となるので、テーパー部の長さが規定される。したがって、ノズルのテーパー部の長さとストレート部の長さが必然的に決まり、高精度のノズルを形成することができる。
【００６８】
次に、保護膜３０を除去する（図６（ｚ））。保護膜３０は、希釈したフッ酸やバッファードフッ酸等を用いたウエットエッチングにより除去することができる。
【００６９】
最後に、耐インク膜３４を形成する（図６（ａａ））。耐インク膜３４は、ＳｉＯ２、ＳｉＮ、ＳｉＯＮ、Ａｌ２Ｏ３、ＡｌＮ、ＳｉＣ、Ｔａ２Ｏ５などを成膜すればよい。成膜方法としては、ＣＶＤ、スパッタ、真空蒸着、熱処理等を用いることができる。ここでは、基板１０全面に熱酸化膜を形成する。
【００７０】
以上のようにＳＯＩ基板を加工することで、ノズルのストレート部（ノズル開口部）とノズルのテーパー部、圧力室の外周部が１枚のマスクで規定されるので、ノズルの中心部と圧力室の中心部とを一致させることができ、その結果、吐出ばらつきを低減させることができる。
【００７１】
また、ノズルのストレート部をドープ層１８に形成し、ノズルテーパー部を活性層１６に形成し、圧力室を支持体層１２に形成するようにしたので、ノズルのストレート部、テーパー部の長さ、及び圧力室の深さを一定に形成することができ、その結果、吐出ばらつきを低減させることができる。
【００７２】
なお、本発明は、本明細書において説明した例や図面に図示された例には限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、各種の設計変更や改良を行ってよいのはもちろんである。
【符号の説明】
【００７３】
１０…ＳＯＩ基板、１２…支持体層、１４…ＢＯＸ層、１６…活性層、１８…ドープ層、２０…ＳｉＮ膜、２２、２４、２６、２８、３２…レジスト、３０…保護膜、３４…耐インク膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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