(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミックを主体とし、平面視が矩形を呈する多数個取り基板であって、
複数の配線基板が平面方向において縦横に配置された配線基板領域と、
前記配線基板領域の平面方向における全周を囲む様に配置された枠部と、
前記枠部の平面方向における外周に沿って形成されたメタライズ層と、
を備え、
前記メタライズ層は、前記枠部の外周の全ての角部を覆うように形成されるとともに、前記角部と角部との間には、前記メタライズ層が形成されない不形成領域を備え、
前記多数個取り基板の所定の辺に凹部を備える場合には、当該凹部を備えた辺のメタライズ層の幅が凹部を備えない辺のメタライズ層の幅よりも大であることを特徴とする多数個取り基板。
【請求項２】
前記角部は、矩形の多数個取り基板の四隅であることを特徴とする請求項１に記載の多数個取り基板。
【請求項３】
前記多数個取り基板の所定の辺に凹部を備える場合には、前記角部は凹部の開口端であることを特徴とする請求項１又は２に記載の多数個取り基板。
【請求項４】
セラミックを主体とし、平面視が矩形を呈する多数個取り基板であって、
複数の配線基板が平面方向において縦横に配置された配線基板領域と、
前記配線基板領域の平面方向における全周を囲む様に配置された枠部と、
前記枠部の平面方向における外周に沿って形成されたメタライズ層と、
を備え、
前記メタライズ層は、前記枠部の外周の複数の角部を覆うように形成されるとともに、前記角部と角部との間には、前記メタライズ層が形成されない不形成領域を備え、  更に、前記多数個取り基板の所定の辺に凹部を備えるとともに、当該凹部を備えた辺のメタライズ層の幅が凹部を備えない辺のメタライズ層の幅よりも大であることを特徴とする多数個取り基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えばＳＡＷフィルター用パッケージやデュプレクサー用パッケージなどに用いられる配線基板を製造する際に使用される多数個取り基板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般に、配線基板を製造する場合には、１枚の大版の基板上に複数の配線基板を形成したいわゆる多数個取り基板が用いられる。この種の多数個取り基板は、ビア導体や配線層などを有する複数の配線基板が縦横に配置された中央の配線基板領域と、その配線基板領域の周囲を囲む様に形成されたセラミック層からなる枠部とから構成されている。
【０００３】
また、近年では、部品全体の小型化のために、多数個取り基板の薄型化が顕著であり、そのため多数個取り基板が反るという問題が生じている。この対策として、枠部の外周に沿って、配線基板領域の全周を囲む様に、複数のライン状のメタライズ層を形成する技術が提案されている（特許文献１参照）。
【０００４】
この従来技術によって多数個取り基板を製造する際には、大版のグリーンシートに、複数の多数個取り基板に対応した領域（多数個取り基板用領域）を形成し、次に、各多数個取り基板用領域の外周の縁部に沿ってメタライズ層を形成し、次に、メタライズ層に沿って各多数個取り基板用領域を切断して各多数個取り基板用領域のグリーンシートを分離し、その後、各多数個取り基板用領域のグリーンシートを焼成して多数個取り基板を製造していた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００６−２７８８０８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上述した従来技術では、多数個取り基板の反りについては解決が図られているが、多数個取り基板を薄型化するに伴って、多数個取り基板を搬送する際などに、その角部等に欠けやクラックが発生するという問題については、何等検討されていない。
【０００７】
また、上述した従来技術では、メタライズ層の形成箇所にて各多数個取り基板領域を切断するので、その切断の際に、メタライズ層の切断くずが多数個取り基板領域に付着することがある。そのため、多数個取り基板領域のグリーンシートを焼成後した場合に、多数個取り基板にメタライズ層の切断くずが残っていると、多数個取り基板や各配線基板にショート等の問題が生じる恐れがあった。
【０００８】
本発明は、上述した課題を解決するためになされたものであり、その目的は、欠けやクラックの発生を抑制できるとともに、多数個取り基板や配線基板にショートの原因となる物質が付着することを抑制できる多数個取り基板を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
（１）本発明は、第１態様として、セラミックを主体とし、平面視が矩形を呈する多数個取り基板であって、複数の配線基板が平面方向において縦横に配置された配線基板領域と、前記配線基板領域の平面方向における全周を囲む様に配置された枠部と、前記枠部の平面方向における外周に沿って形成されたメタライズ層と、を備え、前記メタライズ層は、前記枠部の外周の全ての角部を覆うように形成されるとともに、前記角部と角部との間には、前記メタライズ層が形成されない不形成領域を備え、前記多数個取り基板の所定の辺に凹部を備える場合には、当該凹部を備えた辺のメタライズ層の幅が凹部を備えない辺のメタライズ層の幅よりも大であることを特徴とする。
【００１０】
本発明では、枠部の外周に沿って形成されたメタライズ層は、枠部の外周の全ての角部を覆うように形成されるとともに、角部と角部との間には、メタライズ層が形成されない不形成領域を備えている。
【００１１】
従って、多数個取り基板を例えば０．１５〜０．３ｍｍの様に薄型化した場合でも、角部はメタライズ層で覆われているので、多数個取り基板を搬送する際などに、角部に欠けやクラックが発生し難いという効果がある。
【００１２】
しかも、本発明では、メタライズ層の形成範囲が少ないので、グリーンシートから多数個取り基板領域を切断する際に、メタライズ層の切断くずが多数個取り基板領域に付着し難く、そのため、多数個取り基板領域のグリーンシートを焼成後した場合に、多数個取り基板や配線基板にショートが発生し難いという効果がある。
凹部が形成してある辺は、メッキ時のラック掛け、はずし作業時のハンドリングミスによる欠けやクラックが発生し易いが、第１態様では、凹部が形成してある辺におけるメタライズ層の幅を（そうでない辺に比べて）広く設定しているので、凹部が形成してある辺における欠けやクラックの発生を好適に防止できる。
なお、上述した発明では、多数個取り基板の各辺においてメタライズ層が形成される長さは、各辺の４０〜８０％の範囲が好ましい。この範囲であれば、角部における欠けやクラックの防止と、製造段階におけるメタライズ層の切断くずの付着の防止とを、好適に両立することができる。
【００１３】
（２）本発明は、第２態様として、前記角部は、矩形の多数個取り基板の四隅であることを特徴とする。
ここでは、角部を例示している。矩形の基板の四隅の角部は破損し易いが、角部にメタライズ層を形成することにより、角部における欠けやクラックの発生を防止できる。
【００１４】
（３）本発明は、第３態様として、前記多数個取り基板の所定の辺に凹部を備える場合には、前記角部は凹部の開口端であることを特徴とする。
ここでは、角部を例示している。矩形の基板の辺に凹部がある場合には、凹部の（角となる）開口端は破損し易いが、この開口端にメタライズ層を形成することにより、開口端における欠けやクラックの発生を防止できる。この凹部はメッキを行う場合の接点端子となりうるが、接点端子を取り付ける際に発生する凹部の破損防止の効果もある。
【００１６】
（４）本発明は、第４態様として、セラミックを主体とし、平面視が矩形を呈する多数個取り基板であって、複数の配線基板が平面方向において縦横に配置された配線基板領域と、前記配線基板領域の平面方向における全周を囲む様に配置された枠部と、前記枠部の平面方向における外周に沿って形成されたメタライズ層と、を備え、前記メタライズ層は、前記枠部の外周の複数の角部を覆うように形成されるとともに、前記角部と角部との間には、前記メタライズ層が形成されない不形成領域を備え、更に、前記多数個取り基板の所定の辺に凹部を備えるとともに、当該凹部を備えた辺のメタライズ層の幅が凹部を備えない辺のメタライズ層の幅よりも大であることを特徴とする。
本発明では、枠部の外周に沿って形成されたメタライズ層は、枠部の外周の複数の角部を覆うように形成されるとともに、角部と角部との間には、メタライズ層が形成されない不形成領域を備えている。
従って、多数個取り基板を例えば０．１５〜０．３ｍｍの様に薄型化した場合でも、角部はメタライズ層で覆われているので、多数個取り基板を搬送する際などに、角部に欠けやクラックが発生し難いという効果がある。
しかも、本発明では、メタライズ層の形成範囲が少ないので、グリーンシートから多数個取り基板領域を切断する際に、メタライズ層の切断くずが多数個取り基板領域に付着し難く、そのため、多数個取り基板領域のグリーンシートを焼成後した場合に、多数個取り基板や配線基板にショートが発生し難いという効果がある。
また、凹部が形成してある辺は、メッキ時のラック掛け、はずし作業時のハンドリングミスによる欠けやクラックが発生し易いが、本第４態様では、凹部が形成してある辺におけるメタライズ層の幅を（そうでない辺に比べて）広く設定しているので、凹部が形成してある辺における欠けやクラックの発生を好適に防止できる。
なお、上述した発明では、多数個取り基板の各辺においてメタライズ層が形成される長さは、各辺の４０〜８０％の範囲が好ましい。この範囲であれば、角部における欠けやクラックの防止と、製造段階におけるメタライズ層の切断くずの付着の防止とを、好適に両立することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の前提となる参考形態の多数個取り基板の平面図である。
【図２】（ａ）は図１におけるＡ−Ａ断面図、（ｂ）は多数個取り基板の側面図である。
【図３】（ａ）は多数個取り基板の四隅の角部の一部を拡大して示す説明図、（ｂ）は多数個取り基板の凹部を拡大して示す説明図である。
【図４】多数個取り基板の製造方法を示す説明図である。
【図５】本発明の前提となる参考形態の多数個取り基板の平面図である。
【図６】第１実施形態の多数個取り基板の平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本発明の実施形態について説明する。
［第１参考形態］
ａ）まず、本実施形態の前提となる第１参考形態の多数個取り基板の構成を説明する。
【００１９】
図１に示す様に、本参考形態の多数個取り基板１は、平面視が長方形（矩形）であり、例えばアルミナからなる上下２層のセラミック層３、５（図２参照）を積層した薄膜（例えば厚み０．１５〜０．３ｍｍ）の多層基板である。なお、この多数個取り基板１の寸法としては、例えば縦８０ｍｍ×横６０ｍｍ×厚み１ｍｍを採用できる。
【００２０】
この多数個取り基板１は、複数の配線基板７が平面方向において格子状に配置された配線基板領域（図１の中央の灰色部分）９と、配線基板領域９の全周を囲む様に形成された四角形状の枠部１１とからなる。
【００２１】
このうち、配線基板領域９には、例えば縦２．５ｍｍ×横２．０ｍｍ×厚み１ｍｍの配線基板１３が、所定の個数だけ縦横方向に配置されている。
図２に示す様に、前記配線基板１３においては、これを構成している上層側のセラミック層３には、縦横に合計１２個のビア導体１５が格子状に貫通して形成され、それらの上端面には表面側パッド１７が形成されている。一方、配線基板１３における下層側のセラミック層５には、縦横に２個ずつ合計４個のビア導体１９が貫通して形成され、それらの下端面には裏面側パッド２１が形成されている。なお、両セラミック層３、５の間には、ビア導体１５同士や上下のビア導体１５、１９を電気的に接続する内部配線層２３が形成されている。
【００２２】
なお、前記ビア導体１５、１９、内部配線層２３、表面側パッド１７、裏面側パッド２１は、例えばＷ又はＭｏからなり、表面側パッド１７及び裏面側パッド２１の（露出する側の）外側表面には、Ｎｉメッキ膜及びＡｕメッキ膜（何れも図示せず）が被覆されている。
【００２３】
一方、図１に示す様に、前記枠部１１は、図１の上下方向の短辺側の短辺側枠部２５、２７と、図１の左右方向の長辺側の長辺側枠部２９、３１とから構成されている。
このうち、長辺側枠部２９、３１には、その外側（同図左右方向）に、メッキ用の電極として使用される平面形状が半円状（例えば半径１ｍｍ）の凹部４１が、長辺毎に２箇所づつ設けられている。
【００２４】
特に、本参考形態では、枠部１１の上下両面（図２の上下方向）において、枠部１１の外周に沿って、例えばＷ又はＭｏからなる外周メタライズ層４３が、一部隙間を空けて断続的に形成されている。
【００２５】
この外周メタライズ層４３は、帯状の層（例えば厚み１０〜２０μｍ×幅１ｍｍ）であり、多数個取り基板１の四隅の角部（隅の角部）４５と、長辺側の４箇所の凹部４１の近傍（特に内側に湾曲する部分と湾曲する端の部分（端の角部４２））を覆う様に形成されている。
【００２６】
詳しくは、外周メタライズ層４３は、短辺側においては、短辺の長さの３０％を覆う様に形成され、長辺側においては、長辺の長さの１０％を覆う様に形成されている。なお、長辺の長さは凹部４１が凹んでいないと仮定した長さとしている。
【００２７】
つまり、図３（ａ）に拡大して示す様に、外周メタライズ層４３は、多数個取り基板１の隅の角部４５においては、その角部４５の９０°に曲がる端部（曲がり点Ｘ）から短辺に沿って約２０ｍｍ伸びており、且つ、曲がり点Ｘから長辺に沿って約８ｍｍ伸びている。
【００２８】
同様に、図３（ｂ）に拡大して示す様に、外周メタライズ層４３は、多数個取り基板１の凹部４１においては、その凹部４１の端の角部４２の湾曲開始点（曲がり点Ｙ）から長辺に沿って両隅の角部４５側に約８ｍｍ伸びている。なお、凹部４１の内側（配線基板領域９側）の上下面においては、その湾曲に沿って他の箇所と同様な幅で、半円状に外周メタライズ層４３が形成されている。
【００２９】
なお、多数個取り基板１の各辺において、外周メタライズ層４３が形成されていない箇所が、（外周メタライズ層４３の）不形成領域４６である。
ｂ）次に、本参考形態の多数個取り基板１の製造方法について説明する。
【００３０】
・予め、アルミナ粉末の粒子、樹脂バインダ、可塑剤、および溶剤などからなる原料を混合して、セラミックスラリーを製作した。
・このセラミックスラリーを用い、ドクターブレード法によって、平面視が長方形（矩形）である２層のグリーンシートを形成した。尚、この２層のグリーンシートは、多数個取り基板１を複数個（例えば３個）とるための大版タイプであり、予め各多数個取り基板１の領域や各配線基板１３の領域が設定されている。
【００３１】
・次に、上層用と下層用との各グリーンシートにおける複数の配線基板１３の形成箇所に、所要数のビアホールを、打ち抜き加工により貫通させて形成した。
・次に、各ビアホール内に、スキージに押されたＷ又はＭｏ粉末を含む導電性ペーストを、反対側の吸引による負圧を利用して充填して、未焼成ビア導体を個別に形成した。
【００３２】
・次に、下層用のグリーンシートの表面に対し、前記と同様の導電性ペーストを、スクリーン印刷して未焼成内部配線層を形成した。
・次に、未焼成ビア導体が形成された上層用のグリーンシートと、未焼成ビア導体及び未焼成内部配線層が形成された下層用のグリーンシートとを、積層し且つ圧着して、図４に示す様な大版のグリーンシート積層体４７を形成した。
【００３３】
・次に、前記と同様の導電性ペーストを用いたスクリーン印刷によって、グリーンシート積層体４７の上下面に、未焼成表面側パッド及び未焼成裏面側パッドを形成するとともに、切断ラインＳに沿って部分的に未焼成外周メタライズ層５１を形成した。
【００３４】
つまり、この未焼成外側メタライズ層５１を形成する際には、図４に示す様に、グリーンシート積層体４７から（各多数個取り基板１に対応する）各未焼成多数個取り基板４９を切り分ける際の切断ラインＳに沿って、切断ラインＳを跨ぐ様に所定幅（例えば外周メタライズ層４３の幅の２倍の幅）で未焼成外周メタライズ層５１を形成する。例えば切断ラインＳの外側にも、外周メタライズ層４３と同様な幅で未焼成外周メタライズ層５１を形成する。なお、凹部４１の部分は、凹部４１の湾曲に沿って未焼成外周メタライズ層５１を形成する。
【００３５】
・次に、カッターを用いて、切断ラインＳに沿って、グリーンシート積層体４７から各未焼成多数個取り基板４９を切り分ける。その際に、未焼成外周メタライズ層５１も同時に切断する。
【００３６】
なお、前記凹部４１の部分は、各未焼成多数個取り基板４９を切り分ける前に、予めパンチング等により、半円形（又は円形）に切断ラインを入れておいてもよいが、未焼成多数個取り基板を切り分けた後に、パンチング等により切り分けてもよい。
【００３７】
なお、本参考形態においては、凹部４１の側面にメタライズを塗布する必要はないが、別途塗布してもよい。塗布する場合は、未焼成外側メタライズ層５１を形成する工程と同じ工程中に形成してもよい。
【００３８】
・次に、未焼成ビア導体、未焼成表面側パッド、未焼成裏面側パッド、未焼成内部配線層、未焼成外周メタライズ層５１が形成された未焼成多数個取り基板４９を、所定の温度帯に加熱して焼成し、焼成済み基板を作製した。
【００３９】
・その後、焼成済み基板の凹部４１の部分（即ちメッキ用の電極となる部分）に、電極棒（メッキラック）を接触させて、Ｎｉ電解メッキおよびＡｕ電解メッキを行って、表面側パッド１７及び裏面側パッド２１の表面に、Ｎｉメッキ膜およびＡｕメッキ膜を被覆した。
【００４０】
これにより、多数個取り基板１を完成した。
なお、その後、カッターにより、多数個取り基板１を配線基板１３の外周に沿って切り離すことにより、各配線基板１３を作製した。なお、焼成前に切断ラインが予め形成してある場合は、分割によって各配線基板１３を個片化してもよい。
【００４１】
ｃ）次に、本参考形態の効果を確認するために行った実験例について説明する。
上述した製造方法により、各多数個取り基板において、外周メタライズ層の各辺に沿
た長さの割合（％）を変えた試料を作製した。
【００４２】
具体的には、各辺において、外周メタライズ層の長さ（辺に沿った長さ）の割合を、０％（メタライズ無し）とした試料Ａと、１００％（全周メタライズ）とした試料Ｂと、一部メタライズ層有り（短辺側３０％、長辺側１０％）とした試料Ｃとを、それぞれ１０個ずつ作製した（他の寸法は前記第１参考形態と同様）。
【００４３】
そして、これらの試料を用いて、上述した製造方法の様に、カッターを用いて、切断ラインＳに沿って、グリーンシート積層体から各未焼成多数個取り基板を切り分けた（メタライズ層も同時に切断した）ところ、下記表１に示す様に、外周メタライズ層が一部形成されている試料Ｃの場合には、全周メタライズの試料Ｂと比べて、多数個取り基板にメタライズの切断くずが付着する割合が少なかった。
【００４４】
【表１】
0005723187.tif 000002
また、同様な各試料について、焼成後にＮｉ／Ａｕメッキをした後に、クラックや欠けの有無を、目視で確認した。
【００４５】
その結果を、下記表２に示すが、外周メタライズ層が一部形成されている試料Ｃの場合には、メタライズ層無しの試料Ａと比べて、隅の角部や凹部の端の角部における欠けやクラックの発生が少なかった。
【００４６】
【表２】
0005723187.tif 000003
これらの実験により、多数個取り基板の各辺において、一部に外周メタライズ層が形成されているものは、欠けやクラックの発生を好適に抑制できるとともに、切断くずの発生に伴うショートの発生も抑制できることが分かる。
【００４７】
ｄ）この様に、本参考形態の多数個取り基板１では、枠部１１の外周に沿って形成された外周メタライズ層４３は、枠部１１の外周の四隅の角部（隅の角部）４５や凹部４１の開口端の角部（端の角部４２）を覆うように形成されるとともに、各角部４５、４２の間には、外周メタライズ層４３が形成されない不形成領域４６が設けられている。
【００４８】
従って、多数個取り基板１を例えば０．１５〜０．３ｍｍの様に薄型化した場合でも、各角部４５、４２は外周メタライズ層４３で覆われているので、多数個取り基板１を搬送する際などに、各角部４５、４２に欠けやクラックが発生し難いという効果がある。特に、矩形の多数個取り基板１の隅の角部５や凹部４１の端の角部４２は、破損し易いが、その部分に外周メタライズ層４３を形成することにより、効果的に欠けやクラックの発生を防止できる。
【００４９】
しかも、本参考形態では、外周メタライズ層４３の形成範囲が少ないので、グリーンシート積層体４７から未焼成多数個取り基板４９を切断する際に、未焼成外周メタライズ層５１の切断くずが未焼成多数個取り基板４９に付着し難く、そのため、未焼成多数個取り基板４９を焼成後した場合に、多数個取り基板１や配線基板１３にショートが発生し難いという効果がある。
【００５０】
つまり、本参考形態では、多数個取り基板１の各辺において、一部に外周メタライズ層４３が形成されているので、上述した実験例から明らかな様に、各角部４５、４２における欠けやクラックの防止と、製造段階における未焼成外周メタライズ層５１の切断くずの付着の防止とを、好適に両立することができる。
［第２の参考形態］
次に、本発明の前提となる第２参考形態について説明するが、前記第１参考形態と同様な内容の説明は省略する。
【００５１】
図５に示す様に、本発明の前提となる第２参考形態の多数個取り基板５１は、前記第１参考形態と同様に、略長方形のセラミック基板であり、その中央部分に多数の配線基板５３が配置された長方形の配線基板領域５５を備えるとともに、その配線基板領域５５の外周の全てを囲む様に四角形状の枠部５７を備えている。
【００５２】
また、枠部５７の表面及び裏面において、枠部５７の外周の隅の角部５９や凹部６１には、枠部５７の外周に沿って、前記第１参考形態と同様な外周メタライズ層６３を備えている。なお、外周メタライズ層６３の形成範囲は、各辺の長さの２０〜８０％の範囲である。
【００５３】
特に、本参考形態では、枠部５７（従って多数個取り基板５１）の外周の四隅の１箇所の角部５９は斜めに切りかかれており、この切り欠き部６５の縁部にも、同様な外周メタライズ層６３が形成されている。
【００５４】
なお、外周メタライズ層６３の形成範囲の％（割合）の計算の際には、斜めに切りかかれていないとして計算した（即ち、縦横の辺を延長した交点を角部とし、この角部からの外周メタライズ層６３の端部までの距離を用いて算出した）。
【００５５】
本参考形態においても、前記第１参考形態と同様な効果を奏するとともに、多数個取り基板５１の１箇所の角部５９に切り欠き部６５が形成されているので、多数個取り基板５１の向きが容易に分かるという利点がある。
［第１実施形態］
次に、第１実施形態について説明するが、前記第２参考形態と同様な内容の説明は省略する。
【００５６】
図６に示す様に、本実施形態の多数個取り基板７１は、前記第１参考形態と同様に、略長方形のセラミック基板であり、その中央部分に多数の配線基板７３が配置された長方形の配線基板領域７５を備えるとともに、その配線基板領域７５の外周の全てを囲む様に四角形状の枠部７７を備えている。
【００５７】
また、枠部７７の表面及び裏面において、枠部７７の外周の隅の角部７９や凹部８１には、枠部７７の外周に沿って、前記第２実施形態と同様な外周メタライズ層８３を備えている。なお、外周メタライズ層８３の形成範囲は、各辺の長さの２０〜８０％の範囲である。
【００５８】
更に、本実施形態においても、枠部７７（従って多数個取り基板７１）の外周の１箇所の角部７９は斜めに切りかかれており、この切り欠き部８５の縁部にも、同様な外側メタライズ層８３が形成されている。
【００５９】
特に、本実施形態においては、長辺側（図の左右方向）の外側メタライズ層８３の幅は、短辺側（図の上下方向）の外周メタライズ層８３の幅よりも大きく（例えば２倍の幅）設定されている。
【００６０】
本実施形態においても、前記第２実施形態と同様な効果を奏するとともに、長辺側（即ち凹部８１のある側）の外周メタライズ層８３の幅は、短辺側よりも大きく設定されているので、メッキの際に凹部８１にメッキ用の部材（メッキラック）が当たっても、長辺側が破損し難いという利点がある。
【００６１】
尚、本発明は前記実施形態になんら限定されるものではなく、本発明を逸脱しない範囲において種々の態様で実施しうることはいうまでもない。
（１）例えば、多数個取り基板を形成するセラミックは、前記アルミナに限らず、窒化アルミニウムやムライトなど、あるいは低温焼成セラミックの一種であるガラス−セラミックとしても良い。
【００６２】
（２）また、多数個取り基板は、単層のセラミック層からなる形態としたり、３層以上のセラミック層を積層した多層セラミック基板としても良い。
（３）配線基板のビア導体の露出側の端面に、表面側パッドや裏面側パッドを形成せずに、ビア導体の端面にメッキを施してもよい。
【符号の説明】
【００６３】
１、５１、７１…多数個取り基板
３、５…セラミック層
９、５５、７５…配線基板領域
１１、５７、７７…枠部
１３、５３、７３…配線基板
１５、１９…ビア導体
１７…表面側パッド
２１…裏面側パッド
２３…内部配線層
４１、６１、８１…凹部
４２…端の角部
４３、６３、８３…外周メタライズ層
４５、５９、７９…隅の角部
４６…不形成領域
【図１】
0005723187.tif 000004
【図２】
0005723187.tif 000005
【図３】
0005723187.tif 000006
【図４】
0005723187.tif 000007
【図５】
0005723187.tif 000008
【図６】
0005723187.tif 000009