(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
下部電極、複数の強誘電体層の積層体である圧電体、及び上部電極がこの順に積層された圧電素子を製造する圧電素子の製造装置であって、
導電層の形成されたシリコンウェハ上に強誘電体前駆体膜を成膜する成膜手段と、
前記強誘電体前駆体膜を加熱して脱脂および焼成の少なくとも一方を行う加熱手段と、
脱脂された前記強誘電体前駆体膜、または焼成によって形成された前記強誘電体層を冷却する冷却手段と、
前記シリコンウェハを１枚ずつ搬送する搬送手段と、
前記成膜手段による前記強誘電体前駆体膜の成膜、前記加熱手段による前記強誘電体前駆体膜の加熱による脱脂、及び前記冷却手段による脱脂された前記強誘電体前駆体膜の冷却、の一連の処理を、１枚の前記シリコンウェハ毎に、予め定められた回数繰り返すように、前記成膜手段、前記加熱手段、前記冷却手段、及び前記搬送手段を制御した後に、前記強誘電体前駆体膜を加熱して焼成することによって前記強誘電体層を形成するように前記加熱手段を制御した後に、更に、前記強誘電体層を冷却するように前記冷却手段を制御する制御手段と、
を備えた圧電素子の製造装置。
【請求項２】
前記シリコンウェハ上に形成された該シリコンウェハを識別するための管理番号を読み取る読取手段と、
前記管理番号と、該管理番号に対応する前記シリコンウェハにおける前記強誘電体前駆体膜の成膜回数情報と、を対応づけて記憶すると共に、前記成膜回数情報に対応する加熱条件を予め記憶した記憶手段と、
を更に備え、
前記制御手段は、前記一連の処理を実行する度に、該一連の処理が実行された前記シリコンウェハの前記管理番号に対応する前記成膜回数情報をカウントアップし、該成膜回数情報に対応する加熱条件で前記強誘電体前駆体膜を加熱するように前記加熱手段を更に制御する請求項１に記載の圧電素子の製造装置。
【請求項３】
前記加熱手段は、前記強誘電体前駆体膜を予め定められた第１の温度で加熱する第１加熱手段と、該第１の温度で加熱された前記強誘電体前駆体膜を該第１の温度より高い第２の温度で加熱する第２加熱手段と、を有する、請求項１または請求項２に記載の圧電素子の製造装置。
【請求項４】
導電層の形成されたシリコンウェハを複数枚収納した収納手段を更に備え、
前記成膜手段は、該成膜手段で成膜中のシリコンウェハが無い事を検知する検知手段を有し、
前記制御手段は、前記検知手段によってシリコンウェハが無いことが検知されたときに、１枚のシリコンウェハを前記収納手段から前記成膜手段に搬送するように前記搬送手段を制御する請求項１〜請求項３の何れか１項に記載の圧電素子の製造装置。
【請求項５】
前記収納手段は、製造装置本体において所定時間内に上記一連の処理を実行可能な枚数のシリコンウェハを収納する請求項４に記載の圧電素子の製造装置。
【請求項６】
前記冷却手段は、複数のシリコンウェハを保持する保持手段を更に備え、
前記制御手段は、前記シリコンウェハを前記冷却手段に搬送した時間を冷却開始時間として該シリコンウェハの管理番号に対応づけて前記記憶手段に記憶し、該冷却開始時間から予め定めた所定時間経過した管理番号に対応するシリコンウェハに再度前記一連の処理を実行するように、前記成膜手段、前記加熱手段、前記冷却手段、及び前記搬送手段を制御する、請求項２〜請求項５の何れか１項に記載の圧電素子の製造装置。
【請求項７】
下部電極、複数の強誘電体層の積層体である圧電体、及び上部電極がこの順に積層された圧電素子を製造する圧電素子の製造方法であって、
導電層の形成されたシリコンウェハ上に強誘電体前駆体膜を成膜する成膜工程と、
前記強誘電体前駆体膜を加熱して脱脂および焼成の少なくとも一方を行う加熱工程と、
脱脂された前記強誘電体前駆体膜、または焼成によって形成された前記強誘電体層を冷却する冷却工程と、
前記成膜工程による前記強誘電体前駆体膜の成膜、前記加熱工程による前記強誘電体前駆体膜の加熱による脱脂、及び前記冷却工程による脱脂された前記強誘電体前駆体膜の冷却、の一連の処理をこの順で、１枚の前記シリコンウェハ毎に、予め定められた回数繰り返した後に、前記強誘電体前駆体膜を加熱して焼成することによって前記強誘電体層を形成す、更に、前記強誘電体層を冷却する繰返工程と、
を備えた圧電素子の製造方法。
【請求項８】
請求項１〜請求項６の何れか１項に記載の圧電素子の製造装置によって製造された圧電素子。
【請求項９】
請求項８に記載の圧電素子を備えた液滴吐出装置。
【請求項１０】
請求項９に記載の液滴吐出装置を備えた印刷装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、圧電素子の製造装置、圧電素子の製造方法、圧電素子、液滴吐出装置、及び印刷装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
プリンタ、ファクシミリ、複写装置等の画像記録装置或いは画像形成装置として使用されるインクジェット記録装置等の液滴吐出装置の液滴吐出ヘッドは、インク滴を吐出するノズルと、このノズルが連通する加圧室（インク流路、加圧液室、圧力室、吐出室、液室等とも称される）と、加圧室内のインクを加圧する圧電素子と、を備え、圧電素子に電圧を印加することによって発生したエネルギーを用いて振動板を変位させ、加圧室内のインクを加圧することによってノズルからインク滴を吐出させている。
【０００３】
圧電素子としては、ｄ３３方向の変位を利用した縦振動型、ｄ３１方向の変位を利用した横振動型（たわみモードと称する場合がある）が知られている。これらの中でも、画像の高精細化を狙いとして、半導体プロセスやＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍｓ）技術を利用することにより、Ｓｉ基板上に圧力室、圧力室の一部を構成する振動板、および横振動型の圧電体を振動板の表面に直接作り込んだ薄膜の圧電素子が知られている。
【０００４】
このような圧電素子は、シリコンウェハ表面に形成した下部電極上に、各種の真空成膜法やゾルゲル法、水熱合成法、ＡＤ（エアロゾルデポジション）法、塗布・熱分解法などの周知の成膜技術を用いて、強誘電体層の構成材料を堆積させて所望の厚みの強誘電体層を形成した後に、上部電極層を形成する。そして、リソグラフィー法等を用いて所望の形状に切り分けることで、圧力室毎に独立した圧電素子を形成することが行われている。そして、複数の圧電素子の形成されたシリコンウェハを、ダイシングラインに沿って切断して複数のシリコンチップに分離し、さらに各シリコンチップに各種加工処理等を施すことで、複数の液滴吐出ヘッドを作製することが行われている。
【０００５】
このような強誘電体層は、例えば、ゾル−ゲル法等によって強誘電体前駆体（強誘電体層の構成材料を含む液体）による塗膜である強誘電体前駆体膜を形成した後に、加熱処理（焼成し結晶化）することによって形成される（例えば、特許文献１）。
【０００６】
特許文献１には、強誘電体前駆体膜の形成された複数枚のシリコンウェハを固定治具に固定することが記載されている。そして、特許文献１では、この固定治具を、所定速度で拡散炉に挿入することで、固定治具に固定された複数枚のシリコンウェハに加熱・焼成処理を施して強誘電体層を形成し、その後、固定治具を拡散炉から排出することが開示されている。
【０００７】
しかし、特許文献１等に開示されている製法を用いると、加熱・焼成処理時において、各シリコンウェハにかかる熱（熱履歴）にばらつきが生じる。このため、結果的に、各シリコンウェハ間における圧電素子の強誘電体層の熱履歴にばらつきが生じ、圧電素子の変位による振動板の変位にばらつきが生じる場合があった。また、このような振動板の変位のばらつきのよって、液滴吐出ヘッドの吐出特性にもばらつきが生じる場合があった。
【０００８】
そこで、シリコンウェハ間における強誘電体層の熱履歴のばらつきを抑制する技術が開示されている(例えば、特許文献２参照)。
【０００９】
特許文献２には、一列に並べられた複数のステージの各々に、強誘電体前駆体膜の形成された複数のシリコンウェハを固定することが記載されている。そして、特許文献２では、この一列に並べられたステージを該ステージの一端側から加熱炉内に挿入した後に、後退させて該加熱炉から排出している。そして、特許文献２には、所定回数ごとに、ステージの順序を入れ替えることが開示されている。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかし、特許文献２では、一列に配列された複数のステージを該ステージの一端側から加熱炉内に挿入した後に、後退させて該加熱炉から排出している。このため、複数のステージの内の最初に加熱炉内に挿入されるステージに保持されたシリコンウェハと、最後に加熱炉内に挿入されるステージに保持されたシリコンウェハと、では、加熱炉内での滞在時間に差がある。このため、ステージの順序を入れ替えても、シリコンウェハ間の強誘電体膜の熱履歴のばらつきを抑制することは出来ないという問題があった。また、各シリコンウェハに積層された強誘電体層間における熱履歴にもばらつきが生じていた。
【００１１】
このため、液滴吐出ヘッド間における、強誘電体層の熱履歴のばらつきに起因する吐出特性のばらつきを抑制することは困難であった。
【００１２】
本発明は、上記の点に鑑みてなされたものであり、圧電素子を備えた液滴吐出ヘッド間における吐出特性のばらつきを抑制することができる、圧電素子の製造装置、圧電素子の製造方法、圧電素子、液滴吐出装置、及び印刷装置を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明は、下部電極、複数の強誘電体層の積層体である圧電体、及び上部電極がこの順に積層された圧電素子を製造する圧電素子の製造装置であって、導電層の形成されたシリコンウェハ上に強誘電体前駆体膜を成膜する成膜手段と、前記強誘電体前駆体膜を加熱して脱脂および焼成の少なくとも一方を行う加熱手段と、脱脂された前記強誘電体前駆体膜、または焼成によって形成された前記強誘電体層を冷却する冷却手段と、前記シリコンウェハを１枚ずつ搬送する搬送手段と、前記成膜手段による前記強誘電体前駆体膜の成膜、前記加熱手段による前記強誘電体前駆体膜の加熱による脱脂、及び前記冷却手段による脱脂された前記強誘電体前駆体膜の冷却、の一連の処理を、１枚の前記シリコンウェハ毎に、予め定められた回数繰り返すように、前記成膜手段、前記加熱手段、前記冷却手段、及び前記搬送手段を制御した後に、前記強誘電体前駆体膜を加熱して焼成することによって前記強誘電体層を形成するように前記加熱手段を制御した後に、更に、前記強誘電体層を冷却するように前記冷却手段を制御する制御手段と、を備えた圧電素子の製造装置である。
【００１４】
また、本発明は、下部電極、複数の強誘電体層の積層体である圧電体、及び上部電極がこの順に積層された圧電素子を製造する圧電素子の製造方法であって、導電層の形成されたシリコンウェハ上に強誘電体前駆体膜を成膜する成膜工程と、前記強誘電体前駆体膜を加熱して脱脂および焼成の少なくとも一方を行う加熱工程と、脱脂された前記強誘電体前駆体膜、または焼成によって形成された前記強誘電体層を冷却する冷却工程と、前記成膜工程による前記強誘電体前駆体膜の成膜、前記加熱工程による前記強誘電体前駆体膜の加熱による脱脂、及び前記冷却工程による脱脂された前記強誘電体前駆体膜の冷却、の一連の処理をこの順で、１枚の前記シリコンウェハ毎に、予め定められた回数繰り返した後に、前記強誘電体前駆体膜を加熱して焼成することによって前記強誘電体層を形成す、更に、前記強誘電体層を冷却する繰返工程と、を備えた圧電素子の製造方法である。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、圧電素子を備えた液滴吐出ヘッド間おける、強誘電体層の熱履歴のばらつきに起因する吐出特性のばらつきを抑制することが出来る、圧電素子の製造装置、圧電素子の製造方法、圧電素子、液滴吐出装置、及び印刷装置を提供することができる、という効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】図１は、本実施の形態の液滴吐出ヘッドの製造装置の一の形態を模式的に示した平面図である。
【図２】図２は、シリコンウェハの一例を示す平面図である。
【図３】図３は、液滴吐出ヘッドを分解して模式的に示した斜視図である。
【図４】図４は、液滴吐出ヘッドを模式的に示した断面図である。
【図５】図５は、液滴吐出ヘッドの製造装置で形成する強誘電体の積層状態を示す模式図である。
【図６】図６は、第２加熱部の構成の一例を示す模式図であり、（Ａ）は第２加熱部にシリコンウェハが搬送されてきた状態を示し、（Ｂ）は第２加熱部内にシリコンウェハが保持され加熱されている状態を示し、（Ｃ）は第２加熱部内に保持されたシリコンウェハを冷却している状態を示し、（Ｄ）は第２加熱部からシリコンウェハを排出する状態を示す図である。
【図７】図７は、冷却部の構成の一例を示す斜視図である。
【図８】図８は、液滴吐出ヘッドの製造装置における各工程の流れを示した図である。
【図９】図９は、本実施の形態の製造装置の制御部で実行される製造処理を示すフローチャートである。
【図１０】図１０は、本実施の形態の製造装置の制御部で実行される、図９に示す製造処理への割り込み処理を示すフローチャートである。
【図１１】図１１は、本実施の形態の製造装置で実行される工程を示す模式図であり、（Ａ）はパターンＡの工程の流れを示す模式図であり、（Ｂ）はパターンＢの工程の流れを示す模式図であり、（Ｃ）は、強誘電体層の成膜工程の流れを示す模式図である。
【図１２】図１２は、本実施の形態の液滴吐出ヘッドを搭載した液滴吐出装置の一の形態を模式的に示した斜視図である。
【図１３】図１３は、本実施の形態の液滴吐出ヘッドを搭載した液滴吐出装置の一の形態を模式的に示した断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下に添付図面を参照して、この発明にかかる圧電素子の製造装置、及び圧電素子の製造方法の一の実施の形態を詳細に説明する。
【００１８】
（第１の実施の形態）
図１には、本実施の形態の圧電素子の製造装置（以下、単に「製造装置」と称する）１０の構成を模式的に示した。本実施の形態の製造装置１０は、液滴吐出ヘッドに設けられる圧電素子の圧電体を形成する装置である。
【００１９】
具体的には、本実施の形態の製造装置１０は、図２に示すように、複数のシリコンチップ５２に分割されるシリコンウェハ５０を１枚ずつ搬送し、シリコンウェハ５０に圧電体となる強誘電体層（詳細後述）の積層体を形成する装置である。
【００２０】
まず、圧電素子を備えた液滴吐出ヘッド６２の構成の一例を説明する。
【００２１】
図３には、液滴吐出ヘッド６２を分解した斜視図を示した。また、図４には、液滴吐出ヘッド６２の断面図を示した。本実施の形態では、液滴吐出ヘッド６２は、ノズル基板５８と、液室基板５６と、保護基板５４と、の３枚の基板の積層体である場合を説明する。なお、液室基板５６と保護基板５４との積層体が、上記図２に示すシリコンウェハ５０を分離することによって得られるシリコンチップ５２である。
【００２２】
なお、本実施の形態では、液滴吐出ヘッド６２は、液滴としてインク滴を吐出する場合を説明する。
【００２３】
ノズル基板５８は、インク滴を吐出する複数のノズル孔５８Ａを有する。このノズル孔５８Ａは、ノズル基板５８の厚み方向に貫通した貫通孔であり、ノズル基板５８の面方向に沿って複数配列されている。
【００２４】
液室基板５６には、ノズル孔５８Ａの各々に連通した複数の加圧液室５６Ａ、共通液室５６Ｅ、及び流体抵抗部５６Ｂが設けられている。流体抵抗部５６Ｂは、複数の加圧液室５６Ａと共通液室５６Ｅとを連通すると共に流体抵抗部として機能する。共通液室５６Ｅにインクが供給されると、該共通液室５６Ｅに供給されたインクは、流体抵抗部５６Ｂを介して複数の加圧液室５６Ａの各々に供給され、ノズル孔５８Ａを介して吐出可能な状態となる。
【００２５】
この液室基板５６には、加圧液室５６Ａを構成する振動板５６及び圧電素子６０が設けられている。すなわち、液室基板５６には、振動板５６及び圧電素子６０が直接形成されている。
【００２６】
圧電素子６０は、振動板５６Ｃを介して各加圧液室５６Ａの各々に対応して配置されている。圧電素子６０は、下部電極６０Ｃ、圧電体６０Ａ、及び上部電極６０Ｂを順に積層することによって構成されている。圧電素子６０は、振動板５６における対向面に対して平行な方向（ｄ３１方向）への変位を該振動板１６に与える、横振動型（所謂、ベンドモード型）とされている。
【００２７】
圧電体６０Ａの構成材料は、圧電特性を示す層を構成しうる圧電材料であればいかなる材料であってもよい。圧電材料としては、例えば、ペロブスカイト構造を有し且つ金属としてＰｂ、Ｚｒ、及びＴｉを含む、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）等の強誘電体材料や、これに酸化ニオブ、酸化ニッケル又は酸化マグネシウム等の金属酸化物を添加したもの等が挙げられる。具体的には、圧電材料としては、チタン酸鉛（ＰｂＴｉＯ3）、チタン酸ジルコン酸鉛（Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ3）、ジルコニウム酸鉛（ＰｂＺｒＯ3）、チタン酸鉛ランタン（（Ｐｂ，Ｌａ），ＴｉＯ3）、ジルコン酸チタン酸鉛ランタン（（Ｐｂ，Ｌａ）（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ3）又は、マグネシウムニオブ酸ジルコニウムチタン酸鉛（Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）（Ｍｇ，Ｎｂ）Ｏ3）等を用いることができる。
【００２８】
下部電極６０Ｃ及び上部電極６０Ｂは、導電性を有する層であり、電極として機能する。保護基板５４は、圧電素子６０の各々を保護する基板である。
【００２９】
上述のように構成された液滴吐出ヘッド６２では、共通液室５６Ｅ及び流体抵抗部５６Ｂを介して、複数の加圧液室５６Ａの各々に液体が供給される。そして、各液室が液体によって満たされた状態で、下部電極６０Ｃと上部電極６０Ｂに電圧を印加する。これにより、電圧を印加された各圧電素子６０の圧電体６０Ａが、振動板５６Ｃの面方向に沿って縮む。なお、この下部電極６０Ｃ及び上部電極６０Ｂへの電圧印加による圧電体６０Ａの変形を、以下では、圧電素子６０の駆動、と称して説明する場合がある。
【００３０】
この圧電素子６０の駆動による圧電体６０Ａの変形によって、振動板５６Ｃにおける、該圧電素子６０に対応する領域が、加圧液室５６Ａ側に向かって突出した凸状に変形する。この振動板５６Ｃの変形によって、加圧液室５６Ａ内の体積が減少して圧力が上昇し、該加圧液室５６Ａに連通するノズル孔５８Ａから液滴が吐出する。
【００３１】
上記構成の液滴吐出ヘッド６２は、下記工程を経由することによって製造する。
【００３２】
図５に示すように、まず、流路基板５６となるシリコンウェハ５０上に、圧電素子６０の下部電極６０Ｃとなる下部導電層６１Ｃを形成した後に、強誘電体層６１Ａ（強誘電体層６１Ａ１〜強誘電体層６１Ａｎ）を複数積層させて所望の厚みの圧電体層６１Ａを形成する。そして、更に、上部電極６０Ｂ（図５では図示省略）となる上部電極層（図示省略）を形成する。その後、これらの層をパターニングする。これによって、図３及び図４に示すような圧電素子６０を、シリコンウェハ５０上に形成する。そして、さらに、図３に示す保護部材５４の設置を行う。
【００３３】
そして、圧電素子６０の設けられた流路基板５６と保護部材５４との積層体であるシリコンウェハ５０を、ダイシングソー等によって切断して複数のシリコンチップ５２に分離する（図２参照）。そして、各シリコンチップ５２に、図３に示すノズル基板５８の接合や駆動部等の各種部材の搭載や加工等を行うことによって、複数の液滴吐出ヘッド６２を製造する。
【００３４】
本実施の形態の製造装置１０は、上記構成の液滴吐出ヘッド６２の、特に、特に圧電体６０Ａを形成する装置各部を備えた装置である。
【００３５】
図１に戻り、製造装置１０の詳細を説明する。
【００３６】
図１に示すように、本実施の形態の製造装置１０は、供給排出ステージ１２、収納部材１４、排出部材１５、位置調整部１６、洗浄部１８、成膜部２０、加熱部２５、冷却部２６、搬送部４０、入力部３２、及び主制御部３４を含んで構成されている。
【００３７】
収納部材１４は、下部電極６０Ｃとなる導電層６１Ｃの形成されたシリコンウェハ５０を収納する（図６も参照）。
【００３８】
排出部材１５は、製造装置１０によって、複数の強誘電体層６１Ａが積層された後のシリコンウェハ５０を収納する部材である。供給排出ステージ１２は、これらの収納部材１４及び排出部材１５を支持する。
【００３９】
位置調整部１６は、シリコンウェハ５０の中心位置やオリフラ（オリエーションフラット）５０Ｂ（図２参照）を、予め定めた方向及び予め定めた位置に位置合わせして位置調整する。この位置調整されたシリコンウェハ５０の予め定められた領域を、後述する搬送部４０で保持して搬送し、洗浄部１８、成膜部２０、第１加熱部２２、第２加熱部２４、冷却部２６等の各部へ搬送する。これによって、洗浄部１８、成膜部２０、第１加熱部２２、第２加熱部２４、及び冷却部２６等の各部には、位置調整されたシリコンウェハ５０が搬送される。
【００４０】
なお、位置調整部１６において、同時に位置調整可能なシリコンウェハ５０の数は、１枚である。位置調整部１６には、位置制御部１６Ａが設けられている。位置制御部１６Ａは、主制御部３４に電気的に接続されている。位置制御部１６Ａは、位置調整部１６の装置各部を駆動する駆動部（図示省略）に電気的に接続されており、該駆動部を制御することによって、シリコンウェハ５０の位置合わせを行う。
【００４１】
洗浄部１８は、シリコンウェハ５０を洗浄する。洗浄部１８は、一度に１枚のシリコンウェハ５０を洗浄する装置である。洗浄部１８は、公知のウェット式やドライ式等の洗浄方法を用いてシリコンウェハ５０を洗浄する。洗浄部１８には、主制御部３４に電気的に接続された洗浄制御部１８Ａが設けられている。洗浄制御部１８Ａは、洗浄部１８におけるシリコンウェハ５０の洗浄タイミングや洗浄時間等を制御する。
【００４２】
成膜部２０は、シリコンウェハ５０上に、強誘電体前駆体膜を成膜する。この強誘電体前駆体膜は、強誘電体前駆体溶液（ゾル）による塗膜である。強誘電体前駆体溶液（ゾル）とは、圧電体６０Ａの構成材料として挙げた上記圧電材料を溶媒に溶解した溶液である。
【００４３】
この強誘電体前駆体溶液としては、ゾルゲル法により成膜される圧電体材料、具体的には酢酸鉛、イソプロポキシドジルコニウム、イソプロポキシドチタンを出発材料にし、これらの出発材料を、共通溶媒としてのメトキシエタノールに溶解させたチタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）系の材料が挙げられる。
【００４４】
成膜部２０による強誘電体前駆体膜の成膜方法は、限定されないが、例えば、スピンコード法が用いられる。
【００４５】
成膜部２０には、この成膜条件を調整するための成膜制御部２０Ａが設けられている。成膜制御部２０Ａは、主制御部３４に電気的に接続されており、主制御部３４の制御によって、シリコンウェハ５０上に強誘電体前駆体膜を成膜する。なお、成膜部２０では、同時に成膜可能なシリコンウェハ５０の数は１枚とされている。
【００４６】
また、成膜部２０には、検知部２０Ｂが設けられている。検知部２０Ｂは、成膜部２０内にシリコンウェハ５０が位置されているか否かを検知する。検知部２０Ｂは、主制御部３４に電気的に接続されている。検知部２０Ｂとしては、公知の赤外線センサ等が挙げられる。
【００４７】
なお、詳細は後述するが、成膜部２０には、洗浄部１８で洗浄されたシリコンウェハ５０が搬入されるため、強誘電体前駆体膜の膜間にゴミ等の付着物が混入することを抑制することができ、膜欠陥を防止することができる。なお、成膜部２０内にも、洗浄部１８を設けた構成としてもよい。
【００４８】
加熱部２５は、シリコンウェハ５０上に形成された強誘電体前駆体膜に熱を加える装置である。加熱部２５は、第１加熱部２２と、第２加熱部２４を含んでいる。
【００４９】
第１加熱部２２は、成膜部２０によって成膜された強誘電体前駆体膜を第１の温度に加熱することによって、該強誘電体前駆体膜を乾燥する。第１加熱部２２には、主制御部３４に電気的に接続された加熱制御部２２Ａが設けられている。主制御部３４は、加熱制御部２２Ａを制御することによって、第１加熱部２２内を所定の乾燥温度に保持する。第１加熱部２２の構成は、第１加熱部２２内に搬送されてきたシリコンウェハ５０の強誘電体前駆体膜に熱を加えることが出来る構成であればよく、限定されない。例えば、第１加熱部２２としては、ホットプレート等の加熱部材を直接シリコンウェハ５０に接触させる接触方式の装置が挙げられる。
【００５０】
第２加熱部２４は、第１加熱部２２より高い第２の温度で強誘電体前駆体膜を加熱する装置である。具体的には、第２加熱部２４は、強誘電体前駆体膜を所定温度に加熱して一定時間保持することによって脱脂する脱脂処理、及び脱脂された強誘電体前駆体膜を結晶化させる焼成処理を行う。なお、脱脂とは、強誘電体前駆体膜に含まれる有機成分を、例えば、ＮＯ２、ＣＯ２、Ｈ２Ｏ等として離脱させることである。
【００５１】
第２加熱部２４には、加熱制御部２４Ａが設けられており、第２加熱部２４内の温度条件を調整する。具体的には、加熱制御部２４Ａは、第２加熱部２４内の温度を、上記脱脂処理可能な温度に一定時間保持したり、上記焼成処理可能な温度に一定時間保持する等の、第２加熱部２４内の温度条件を調整する。第２加熱部２４は、主制御部３４に電気的に接続されており、主制御部３４の制御によって、第２加熱部２４内の温度制御を行う。
【００５２】
第２加熱部２４としては、第２加熱部２４内に搬送されてきたシリコンウェハ５０の強誘電体前駆体膜に、上記脱脂処理や焼成処理可能な温度（第２の温度）の熱を加えることが出来る構成であればよく、その構成は限定されない。第２加熱部２４としては、例えば、ホットプレートや、赤外線ランプの照射により加熱するＲＴＰ（Ｒａｐｉｄ  Ｔｈｅｒｍａｌ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ）装置などを用いることができる。
【００５３】
図６には、第２加熱部２４の具体的な構成の一例を示した。
【００５４】
第２加熱部２４は、一対のフレーム６３Ａ及びフレーム６３Ｂを備えている。フレーム６３Ａ及びフレーム６３Ｂは、一面が開口した箱状となっており、この開口面が互いに対向するように配置されている。また、これらのフレーム６３Ａ及びフレーム６３Ｂは、図示を省略する支持部材によって支持されており、図６（Ａ）に示すように、フレーム６３Ａとフレーム６３Ｂとが離間した状態（以下、離間状態と称する）、または図６（Ｂ）に示すようにフレーム６３Ａとフレーム６３Ｂとが互いの開口面を覆うように接触した状態（以下、接触状態と称する）、の何れかの状態となるように駆動可能に支持されている。なお、これらのフレーム６３Ａ及びフレーム６３Ｂを駆動する駆動部（図示省略）は、加熱制御部２４Ａに電気的に接続されており、加熱制御部２４Ａの制御によって、上記離間状態または上記接触状態の何れかの状態となるように制御される。
【００５５】
フレーム６３Ａ及びフレーム６３Ｂの内部の空間６４Ａ内には、図示を省略する支持部材によって支持されたホルダー７０が設けられている。ホルダー７０は、空間６４Ａ内に搬送されてきたシリコンウェハ５０を空間６４Ａ内で支持する。このホルダー７０は、加熱制御部２４Ａに電気的に接続されており、主制御部３４の制御によってシリコンウェハ５０を保持した保持状態、またはシリコンウェハ５０の保持を解除した解放状態の何れかの状態に制御される。
【００５６】
また、フレーム６３Ａ及びフレーム６３Ｂ内の空間６４Ａには、加熱部６８Ａ及び加熱６８Ｂが設けられている。これらの加熱部６８Ａ及び加熱部６８Ｂとしては、加熱機構を有するものであれば限定されないが、例えば、赤外線ランプが挙げられる。これらの加熱部６８Ａ及び加熱部６８Ｂは、加熱制御部２４Ａに電気的に接続されており、加熱制御部２４Ａの制御によって加熱条件が制御される。
【００５７】
各フレーム６３Ａ及びフレーム６３Ｂ内には、冷却部６６Ａ及び冷却部６６Ｂが設けられている。これらの冷却部６６Ａ及び冷却部６６Ｂは、加熱制御部２４Ａに電気的に接続されており、加熱制御部２４Ａの制御によってフレーム６６Ａ及びフレームＢ内を冷却する。
【００５８】
図１に戻り、冷却部２６は、第２加熱部２４によって加熱されたシリコンウェハ５０を冷却する装置である。冷却部２６には、温度制御部２６Ａ、が設けられている。温度制御部２６Ａは、主制御部３４に電気的に接続されており、冷却部２６内の温湿度条件を制御する。
【００５９】
冷却部２６は、複数のシリコンウェハ５０を保持可能な構成となっており、保持したシリコンウェハ５０を室温にまで冷却する。
【００６０】
図７には、本実施の形態における冷却部２６の構成の一例を示した。
【００６１】
冷却部２６は、図７に示すように、円盤状のインデックステーブル２７Ａが複数設けられている。これらの複数のインデックステーブル２７Ａは、間隔を空けて複数配列されており、円盤の周方向（図７中、矢印Ｃ方向）に回転可能に設けられている。なお、冷却部２６には、回転制御部２６Ｂが設けられており（図１参照）、この回転制御部２６Ｂの駆動によって、各インデックステーブル２７Ａが周方向に回転可能に設けられている。なお、この回転制御部２６Ｂは、温度制御部２６Ａ（図１参照）に電気的に接続されている。
【００６２】
各インデックステーブル２７Ａには、シリコンウェハ５０を１枚ずつ保持するステージ２７Ｂが設けられている。
【００６３】
また、冷却部２６には、検知部２６Ｃが設けられている。検知部２６Ｃは、各インデックステーブル２７Ａ上のシリコンウェハ５０の有無を検知する。検知部２６Ｃは、主制御部３４に電気的に接続されており、検知結果を主制御部３４に送信する。
【００６４】
図１に戻り、搬送部４０は、支持部４１、レール４６、搬送アーム４２、駆動部４４、及び読取部４８を備えている。
【００６５】
レール４６は、上記供給排出ステージ１２、位置調整部１６、洗浄部１８、成膜部２０、第１加熱部２２、第２加熱部２４、及び冷却部２６の配列方向に長い長尺状のレール部材である。なお、本実施の形態では、図１に示すように、位置調整部１６、洗浄部１８、成膜部２０、及び第１加熱部２２と、供給排出ステージ１２、第２加熱部２４、及び冷却部２６と、が各々一列に配列された、合計２列の配列となっている。そして、レール４６は、これらの２列に配列された各部の間に、該各部の配列方向に沿って長い長尺状とされている。このため、本実施の形態では、搬送部４０は、供給排出ステージ１２、位置調整部１６、洗浄部１８、成膜部２０、第１加熱部２２、第２加熱部２４、及び冷却部２６の間で、短時間にシリコンウェハ５０を搬送可能な構成となっている。
【００６６】
駆動部４４は、主制御部３４に電気的に接続されている。駆動部４４としては、モータ等が挙げられる。支持部４１は、搬送アーム４２を支持する部材である。支持部４１は、レール４６の長尺方向に移動可能に支持されたリニアガイド（図示省略）に支持されている。
【００６７】
搬送アーム４２には、腕部４２Ａ及び保持部４２Ｂが設けられている。保持部４２Ｂは、シリコンウェハ５０を１枚ずつ保持した保持状態、またはシリコンウェハ５０の該保持状態を解除した解除状態の何れかの状態を維持する部材である。また、腕部４２Ａは、位置調整部１６、洗浄部１８、成膜部２０、第１加熱部２２、第２加熱部２４、冷却部２６、排出部材１５の各々の方向に図示を省略する折り曲げ部で折り曲げられることで伸縮するアーム状の部材である。これらの腕部４２Ａ及び保持部４２Ｂは、駆動部４４に電気的に接続されている。
【００６８】
このため、主制御部３４の制御によって駆動部４４が駆動することで、支持部４１がレール４６の長尺方向に沿って移動する。また、主制御部３４の制御によって駆動部４４が駆動することで、腕部４２Ａ及び保持部４２Ｂが駆動し、収納部材１４から１枚のシリコンウェハ５０を取り出し、位置調整部１６へ搬送する。また同様に、主制御部３４の制御による支持部４１の移動や腕部４２Ａ及び保持部４２Ｂの駆動によって、位置調整部１６、洗浄部１８、成膜部２０、第１加熱部２２、第２加熱部２４、冷却部２６、供給排出ステージ１２、及び排出部材１５の間を、シリコンウェハ５０が１枚ずつ搬送される。
【００６９】
なお、本実施の形態では、搬送部４０は、レール４６を設けた構成とし、支持部４１及び搬送アーム４２がレール４６に沿って移動可能に構成されている場合を説明するが、レール４６を設けない構成であってもよい。この場合には、支持部４１を固定し、搬送アーム４２が各部（供給排出ステージ１２、位置調整部１６、洗浄部１８、成膜部２０、第１加熱部２２、第２加熱部２４、及び冷却部２６）の各々に届く構成とすればよい。
【００７０】
また、搬送部４０には、読取部４８が設けられている。読取部４８は、シリコンウェハ５０に設けられた管理ＩＤ（管理番号）を読み取る。読取部４８としては、公知のスキャナ等を用いる。図２に示すように、シリコンウェハ５０の、予め定められた領域５０Ａには、各シリコンウェハ５０を一意に識別するための管理ＩＤが刻印されている。そして、読取部４８は、このシリコンウェハ５０上の該領域５０Ａに刻印された管理ＩＤを読み取る装置である。読取部４８は、主制御部３４に電気的に接続されており、読み取った管理ＩＤを主制御部３４に送信する。
【００７１】
なお、本実施の形態では、上述のように、搬送部４０に読取部４８が設けられているため、搬送部４０で搬送する対象のまたは搬送中のシリコンウェハ５０の管理ＩＤを読み取ることの可能な構成となっている。
【００７２】
図１に戻り、入力部３２は、各種情報を入出力する。入力部３２は、主制御部３４に電気的に接続されている。入力部３２としては、例えば、キーボード、タッチパネル付のディスプレイ等が挙げられる。本実施の形態では、例えば、入力部３２のユーザによる操作によって、該入力部３２から、位置調整部１６、洗浄部１８、成膜部２０、第１加熱部２２、加熱部２５、及び冷却部２６における、加熱温度や冷却温度等の各種処理条件が入力される。
【００７３】
主制御部３４は、制御部３６と、記憶部３８を含んで構成されている。制御部３６は、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  Ｕｎｉｔ）、後述する製造処理を実行するプログラム等を記憶したＲＯＭ（Ｒｅａｄ  Ｏｎｌｙ  Ｍｅｍｏｒｙ）、データ等を記憶するＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）、及びこれらを接続するバスを含んで構成されている。制御部３６は、製造装置１０に設けられた装置各部に電気的に接続されている。具体的には、制御部３６は、駆動部４４、読取部４８、位置制御部１６Ａ、洗浄制御部１８Ａ、成膜制御部２０Ａ、検知部２０Ｂ、加熱制御部２２Ａ、加熱制御部２４Ａ、温度制御部２６Ａ、回転制御部２６Ｂ、検知部２６Ｃ、入力部３２、及び記憶部３８等に電気的に接続されている。
【００７４】
記憶部３８は、ハードディスクドライブ装置（ＨＤＤ）等の記憶媒体である。
【００７５】
ここで、本実施の形態の製造装置１０における、液滴吐出ヘッド６２の強誘電体層６１Ａの形成工程の概要を、図８を用いて説明する。
【００７６】
強誘電体層６１Ａは、製造装置１０において、下記の工程を経ることによって形成される。
【００７７】
まず、複数のシリコンウェハ５０を収納した収納部材１４から、１枚のシリコンウェハ５０を搬送部４０によって取り出し、位置調整部１６へ搬送する。そして、位置調整部１６において、シリコンウェハ５０の中心位置及びオリフラ５０Ｂの位置調整を行う（ウェハ位置調整工程：ステップＳ４０２）。
【００７８】
次に、位置調整されたシリコンウェハ５０を、搬送部４０によって洗浄部１８へ搬送する。そして、洗浄部１８において、シリコンウェハ５０の洗浄を行う（ウェハ洗浄工程：ステップＳ４０４）。
【００７９】
そして、位置調整及び洗浄のなされた該１枚のシリコンウェハ５０を、搬送部４０によって成膜部２０へ搬送する。成膜部２０では、シリコンウェハ５０上に、強誘電体前駆体膜を成膜する（塗布工程：ステップＳ４０６）。
【００８０】
次に、この強誘電体前駆体膜の成膜されたシリコンウェハ５０を、搬送部４０によって第１加熱部２２に搬送する。第１加熱部２２では、強誘電体前駆体膜を乾燥する（第１の加熱工程：ステップＳ４０８）。
【００８１】
次に、シリコンウェハ５０を、第１加熱部２２から第２加熱部２４へ搬送部４０によって搬送する。第２加熱部２４では、第１加熱部２２によって乾燥した強誘電体前駆体膜を加熱して、脱脂または脱脂及び焼成を行う（第２の加熱工程：ステップ４１０）。
【００８２】
そして、上記第２の加熱工程を経たシリコンウェハ５０を、搬送部４０によって冷却部２６に搬送し、室温にまで冷却する（冷却工程：ステップＳ４１２）。
【００８３】
上記ウェハ位置調整工程、ウェハ洗浄工程、成膜工程、第１の加熱工程、第２の加熱工程、及び冷却工程（ステップＳ４０２〜ステップＳ４１２）の一連の工程が行われることによって、シリコンウェハ５０には、１層の強誘電体層６１Ａが形成される。
【００８４】
なお、該一連によって形成される強誘電体層６１Ａの厚みは、目的とする厚みの圧電体６０Ａに比べて非常に薄い。このため、製造装置１０では、ウェハ位置調整工程、ウェハ洗浄工程、成膜工程、第１の加熱工程、第２の加熱工程、及び冷却工程（ステップＳ４０２〜ステップＳ４１２）の一連の工程を、この順に繰り返し実行する。これによって、複数の強誘電体層６１Ａ１〜強誘電体層６１Ａｎが（ｎは２以上の整数）積層されて、所望の厚みの強誘電体層６１Ａが形成される（上記図５も参照）。
【００８５】
なお、第２の加熱工程における焼成処理は、上記一連の工程を１回行う度に行ってもよいし、上記一連の工程を複数回繰り返して最上層となるＭ層目の強誘電体層６１ＡＭの形成時に、まとめて焼成処理を行うようにしてもよい。
【００８６】
次に、本実施の形態に係る製造装置１０における製造処理の詳細を説明する。
【００８７】
図９は、本実施の形態に係る製造装置１０における、液滴吐出ヘッド６２の強誘電体層６１Ａの製造処理の全体の流れを示すフローチャートである。
【００８８】
制御部３６では、液滴吐出ヘッド６２の製造処理プログラムをＲＯＭ（図示省略）から読み取り、所定時間毎に、図９に示す製造処理ルーチンを実行する。
【００８９】
なお、図９に示す製造処理ルーチンの実行前に、収納部材１４には、例えば、所定時間内に処理可能な枚数のシリコンウェハ５０として、２４時間以内に製造装置１０で処理可能な枚数のシリコンウェハ５０が収納されているものとして説明する。
【００９０】
なお、収納部材１４に収納されるシリコンウェハ５０は、上述のように、下部電極６０Ｃとなる導電層６１Ｃが既に成膜されたシリコンウェハ５０である。
【００９１】
制御部３６は、収納部材１４にシリコンウェハ５０が有るか否かを判別する（ステップＳ１００）。制御部３６は、検知部１４Ａからの検知信号を読み取ることによって、収納部材１４におけるシリコンウェハ５０の有無を判別する。
【００９２】
制御部３６は、収納部材１４にシリコンウェハ５０が収納されていると判断すると（ステップＳ１００：Ｙｅｓ）、成膜部２０にシリコンウェハ５０が無いか否かを判別する（ステップＳ１０２）。制御部３６では、検知部２０Ｂからの検知信号を読み取ることによって、成膜部２０におけるシリコンウェハ５０の有無を判別する。
【００９３】
そして、制御部３６は、成膜部２０にシリコンウェハ５０の無い事を判断するまで否定判断を繰り返す（ステップＳ１０２：Ｎｏ）。そして、制御部３６は、成膜部２０に成膜中のシリコンウェハ５０が無いと判断したときに（ステップＳ１０２：Ｙｅｓ）、収納部材１４に収納されているシリコンウェハ５０の内の１枚のシリコンウェハ５０の管理ＩＤを読み取る（ステップＳ１０４）。制御部３６は、読取部４８によって読み取られた管理ＩＤを示す信号を読み取ることによって、シリコンウェハ５０の管理ＩＤを読み取る。
【００９４】
そして、制御部３６は、該読み取った管理ＩＤに対応する強誘電体層６１Ａの成膜回数を示す成膜回数Ｎとして、１回目の成膜を示す「１」をセットする（ステップＳ１０６）。
【００９５】
次に、制御部３６は、上記ステップＳ１０４で読み取った管理ＩＤと、ステップＳ１０６でセットした成膜回数Ｎを示す情報である「１」と、を対応づけて記憶部３８に記憶する（ステップＳ１０８）。
【００９６】
次に、制御部３６は、ステップＳ１０４で管理ＩＤを読みとったシリコンウェハ５０を、収納部材１４から位置調整部１６へ搬送することを示す搬送指示信号を、搬送部４０へ出力する（ステップＳ１１０）。
【００９７】
搬送部４０は、該搬送指示信号を駆動部４４で受け付ける。そして、該搬送指示信号を受け付けた駆動部４４は、搬送アーム４２が収納部材１４と位置調整部１６との間でシリコンウェハ５０を搬送することの出来る位置に支持部４１をレール４６の長尺方向に沿って移動させる。そして、駆動部４４は、腕部４２Ａを収納部材１４方向に伸ばして保持部４２Ｂによって上記ステップＳ１０４で読み取った管理ＩＤのシリコンウェハ５０を保持し、腕部４２Ａの伸縮及び方向転換によって位置調整部１６へシリコンウェハ５０を搬送した後に、保持部４２Ｂによるシリコンウェハ５０の保持を解除する。
【００９８】
なお、保持部４２ＢによるステップＳ１０４で読み取った管理ＩＤのシリコンウェハ５０の保持は、例えば、以下のようにして行えばよい。具体的には、保持部４２Ｂの先端部に読取部４８を設けた構成とする。そして、読取部４８による読取りは、保持部４２Ｂがシリコンウェハ５０を保持可能な位置に移動したときに行えるようにする。そして、ステップＳ１０４の処理では、駆動部４４が、１枚のシリコンウェハ５０を保持可能な位置に腕部４２Ａ及び保持部４２Ｂ移動させた後に、管理ＩＤの読取りを行い、管理ＩＤを読み取った後に該シリコンウェハ５０を保持部４２Ｂで保持した状態とすればよい。そして、制御部３６から位置調整部への搬送指示を受け付けたときに、駆動部４４は、該保持している５０を収納部材１４から位置調整部１６へ搬送すればよい。
【００９９】
制御部３６が上記ステップ１００〜ステップＳ１１０の処理を実行することによって、１枚のシリコンウェハ５０が収納部材１４から位置調整部１６へ搬送される。また、該搬送された１枚のシリコンウェハ５０の管理ＩＤ及び成膜回数Ｎを示す情報が対応づけて記憶部３８に記憶される。
【０１００】
次に制御部３６は、位置制御部１６Ａへ位置調整の実行を指示する位置調整実行指示信号を出力する（ステップＳ１１２）。位置調整実行指示信号を受け付けた位置制御部１６Ａは、位置調整部１６に設けられた装置各部を制御することによって、シリコンウェハ５０の中心位置及びオリフラ５０Ｂの位置を、予め定めた位置となるように位置調整を行う。そして、位置調整が終了すると、位置制御部１６Ａは、位置調整終了を示す信号を制御部３６に出力する。
【０１０１】
制御部３６は、位置制御部１６Ａから位置調整終了を示す信号を受け付けるまで否定判断を繰り返し（ステップＳ１１４：Ｎｏ）。そして制御部３６は、位置調整終了を示す信号を受け付けたと判断すると（ステップＳ１１４：Ｙｅｓ）、位置調整部１６から洗浄部１８へシリコンウェハ５０の搬送を指示する信号を搬送部４０の駆動部４４へ出力する（ステップＳ１１６）。
【０１０２】
位置調整部１６から洗浄部１８へのシリコンウェハ５０の搬送を指示する信号を受け付けた駆動部４４は、搬送アーム４２が位置調整部１６と洗浄部１８との間でシリコンウェハ５０を搬送することの出来る位置に支持部４１をレール４６の長尺方向に沿って移動させる。そして、駆動部４４は、腕部４２Ａを位置調整部１６方向に伸ばして保持部４２Ｂによってシリコンウェハ５０を保持し、腕部４２Ａの伸縮等によって洗浄部１８へシリコンウェハ５０を搬送した後に、保持部４２Ｂによるシリコンウェハ５０の保持を解除する。
【０１０３】
ステップＳ１１６の処理によって、位置調整部１６によって位置調整された１枚のシリコンウェハ５０が、位置調整部１６から洗浄部１８へ搬送される。
【０１０４】
次に制御部３６は、洗浄制御部１８Ａに、洗浄開始指示を示す洗浄開始指示信号を出力する（ステップＳ１１８）。洗浄開始指示信号を受け付けた洗浄制御部１８Ａは、洗浄部１８に配置されたシリコンウェハ５０の洗浄を開始し、洗浄終了時に、洗浄終了を示す信号を制御部３６へ出力する。
【０１０５】
次に、制御部３６は、洗浄部１８からから洗浄終了を示す信号を受け付けるまで否定判断を繰り返し（ステップＳ１２０：Ｎｏ）。そして制御部３６は、洗浄終了を示す信号を受け付けたと判断すると（ステップＳ１２０：Ｙｅｓ）、洗浄部１８から成膜部２０へシリコンウェハ５０の搬送を指示する信号を搬送部４０の駆動部４４へ出力する（ステップＳ１２２）。
【０１０６】
洗浄部１８から成膜部２０へのシリコンウェハ５０の搬送を指示する信号を受け付けた駆動部４４は、搬送アーム４２が洗浄部１８と成膜部２０との間でシリコンウェハ５０を搬送することの出来る位置に支持部４１をレール４６の長尺方向に沿って移動させる。そして、駆動部４４は、腕部４２Ａを洗浄部１８方向に伸ばして保持部４２Ｂによってシリコンウェハ５０を保持し、腕部４２Ａの伸縮及び方向転換によって成膜部２０へシリコンウェハ５０を搬送した後に、保持部４２Ｂによるシリコンウェハ５０の保持を解除する。
【０１０７】
これによって、１枚のシリコンウェハ５０が、洗浄部１８から成膜部２０へ搬送される。
【０１０８】
次に、制御部３６は、成膜制御部２０Ａに成膜開始を示す成膜開始指示信号を出力する（ステップＳ１２４）。成膜開始指示信号を受け付けた成膜制御部２０Ａは、成膜部２０に搬送されてきたシリコンウェハ５０上に、圧電体前駆体溶液による塗膜を塗布することによって、１層の圧電体前駆体層を成膜する（ステップ１２４）。そして、成膜処理が終了すると、成膜制御部２０Ａは、成膜終了を示す信号を制御部３６へ出力する。
【０１０９】
制御部３６は、成膜制御部２０Ａから成膜終了を示す信号を受け付けるまで否定判断を繰り返し（ステップＳ１２６：Ｎｏ）、成膜終了を示す信号を受け付けると成膜終了と肯判断する（ステップＳ１２６：Ｙｅｓ）。
【０１１０】
そして制御部３６は、成膜終了を示す信号を受け付けたと判断すると（ステップＳ１２６：Ｙｅｓ）、成膜部２０から第１加熱部２２へシリコンウェハ５０の搬送を指示する信号を搬送部４０の駆動部４４へ出力する（ステップＳ１２８）。
【０１１１】
成膜部２０から第１加熱部２２へのシリコンウェハ５０の搬送を指示する信号を受け付けた駆動部４４は、搬送アーム４２が成膜部２０と第１加熱部２２との間でシリコンウェハ５０を搬送することの出来る位置に支持部４１をレール４６の長尺方向に沿って移動させる。そして、駆動部４４は、腕部４２Ａを成膜部２０方向に伸ばして保持部４２Ｂによってシリコンウェハ５０を保持し、腕部４２Ａの伸縮及び方向転換によって第１加熱部２２へシリコンウェハ５０を搬送した後に、保持部４２Ｂによるシリコンウェハ５０の保持を解除する。
【０１１２】
これによって、１枚のシリコンウェハ５０が、成膜部２０から第１加熱部２２へ搬送される。
【０１１３】
制御部３６は、加熱制御部２２Ａに、第１の加熱（乾燥）の開始を示す信号を出力する（ステップＳ１３０）。該第１の加熱の開始を示す信号を受け付けた加熱制御部２２Ａは、第１加熱部２２内を、強誘電体層６１Ａを乾燥する温度に加熱し、乾燥処理を行う。なお、本実施の形態では、第１加熱部２２内にシリコンウェハ５０が搬送された後に、第１加熱部２２内を加熱する場合を説明するが、第１加熱部２２は、予め第１の加熱のための温度に維持されているものとしてもよい。
【０１１４】
そして、加熱制御部２２Ａでは、乾燥開始またはシリコンウェハ５０が第１加熱部２２内に搬送されてきてから、乾燥のために必要な予め設定された乾燥時間を経過したときに、加熱制御部２２Ａは、第１加熱終了を示す信号を制御部３６に出力する。
【０１１５】
そして制御部３６は、第１加熱終了を示す信号を受け付けたと判断すると（ステップＳ１３２：Ｙｅｓ）、第１加熱部２２から第２加熱部２４へシリコンウェハ５０の搬送を指示する信号を搬送部４０の駆動部４４へ出力する（ステップＳ１３４）。
【０１１６】
第１加熱部２２から第２加熱部２４へのシリコンウェハ５０の搬送を指示する信号を受け付けた駆動部４４は、搬送アーム４２が第１加熱部２２と第２加熱部２４との間でシリコンウェハ５０を搬送することの出来る位置に支持部４１をレール４６の長尺方向に沿って移動させる。そして、駆動部４４は、腕部４２Ａを第１加熱部２２の方向に伸ばして保持部４２Ｂによってシリコンウェハ５０を保持し、腕部４２Ａの伸縮等によって第２加熱部２４へシリコンウェハ５０を搬送する。
【０１１７】
次に、制御部３６は、搬送部４０の保持部４２Ｂが保持しているシリコンウェハ５０の管理ＩＤを読取部４８から読み取る（ステップＳ１３６）。そして、シリコンウェハ５０の保持を解除する信号を搬送部４０に出力した後に、そして、読み取った管理ＩＤに対応する成膜回数Ｎを示す情報を、記憶部３８から読み取る（ステップＳ１３８）。そして、更に、制御部３６は、該読み取った成膜回数Ｎに対応する第２加熱条件と、記憶部３８から読み取る（ステップＳ１４０）。
【０１１８】
例えば、最上層の強誘電体層６１Ａを成膜するときの成膜回数をＭとする。そして、記憶部３８は、最上層の成膜回数を示すＭを予め記憶している。また、記憶部３８は、最上層の強誘電体層ＡＭ以外の強誘電体層６１Ａ１〜強誘電体層６１ＡＭ−１の加熱条件として、成膜回数１〜成膜回数Ｍ−１の各々に対応づけて、脱脂処理を示す加熱条件を記憶部３８に記憶している。また、記憶部３８は、最上層となる強誘電体層６１ＡＭの成膜回数を示すＭに対応づけて、脱脂処理を行った後に焼成処理を行うことを示す２種類の加熱条件を記憶しているものとする。
【０１１９】
次に、制御部３６は、上記ステップ１４０で読み取った第２加熱条件で第２加熱を行うことを示す第２加熱開始信号を加熱制御部２４Ａに出力する（ステップＳ１４２）。
【０１２０】
第２加熱開始信号を受け付けた加熱制御部２４Ａは、受け付けた第２加熱信号に含まれる加熱条件で、シリコンウェハ５０を加熱する。そして、第２加熱処理が終了すると、第２加熱終了を示す信号を制御部３６へ出力する。
【０１２１】
詳細には、第２加熱部２４が図６に示す構成である場合には、第２加熱部２４は以下の処理を行う。
【０１２２】
第２加熱部２４では、後述する搬送部４０によって１枚のシリコンウェハ５０が搬送されてくると、加熱制御部２４Ａの制御によって、フレーム６３Ａ及びフレーム６３Ｂが離間した状態となる（図６（Ａ）参照）。そして、シリコンウェハ５０が空間６４Ａ内に位置されると、加熱制御部２４Ａの制御によって、該シリコンウェハ５０をホルダー７０によって保持し、フレーム６３Ａ及びフレーム６３Ｂを接触状態とする（図６（Ｂ）参照）。
【０１２３】
そして、加熱制御部２４Ａの制御によって、加熱部６８Ａ及び加熱部６８Ｂを、第２加熱開始信号に応じた加熱条件に応じた温度にまで昇温させる。なお、このとき加熱部６８Ａ及び加熱部６８Ｂの何れか一方のみで加熱してもよいし、双方で加熱してもよい。そして、更に、第２加熱開始信号が脱脂の後に焼成を示す加熱条件を含む場合には、脱脂処理の温度に保持した後に、更に連続して加熱部６８Ａ及び加熱部６８Ｂを焼成温度にまで昇温させる。
【０１２４】
そして、加熱制御部２４Ａは、予め定めた脱脂時間または脱脂時間と焼成時間との合計時間を経過した後に、冷却部６６Ａ及び冷却部６６Ｂに冷却媒体を供給するように制御する。これによって、フレーム６３Ａ及びフレーム６３Ｂを冷却し、空間６４Ａ内のシリコンウェハ５０を冷却する。そして、加熱制御部２４Ａは、該冷却媒体を供給するように制御してから予め定めた温度までの冷却に要する時間を経過したときに、フレーム６３Ａ及びフレーム６３Ｂを離間状態に制御する。そして、加熱制御部２４Ａは、第２加熱終了を示す信号を、制御部３６に出力すると共に、ホルダー７０を解放状態とする。
【０１２５】
制御部３６は、ステップＳ１３６〜ステップＳ１４２の処理を実行することによって、各シリコンウェハ５０の成膜回数に応じた加熱条件で、第２加熱を行うことができる。
【０１２６】
制御部３６は、加熱制御部２４Ａから第２加熱終了を示す信号を受け付けるまで否定判断を繰り返し（ステップＳ１４４：Ｎｏ）、第２加熱終了を示す信号を受け付けると第２加熱終了と肯判断する（ステップＳ１４４：Ｙｅｓ）。
【０１２７】
そして制御部３６は、第２加熱終了を示す信号を受け付けたと判断すると（ステップＳ１４４：Ｙｅｓ）、第２加熱部２４から冷却部２６へシリコンウェハ５０の搬送を指示する信号を搬送部４０の駆動部４４へ出力する（ステップＳ１４６）。
【０１２８】
第２加熱部２４から冷却部２６へのシリコンウェハ５０の搬送を指示する信号を受け付けた駆動部４４は、搬送アーム４２が第２加熱部２４と冷却部２６との間でシリコンウェハ５０を搬送することの出来る位置に支持部４１をレール４６の長尺方向に沿って移動させる。そして、駆動部４４は、腕部４２Ａを第２加熱部２４方向に伸ばして保持部４２Ｂによってシリコンウェハ５０を保持し、腕部４２Ａの伸縮等によって冷却部２６へシリコンウェハ５０を搬送する。
【０１２９】
これによって、１枚のシリコンウェハ５０が、第２加熱部２４から冷却部２６へ搬送される。
【０１３０】
次に、制御部３６は、搬送部４０の保持部４２Ｂが保持しているシリコンウェハ５０の管理ＩＤを読取部４８から読み取る（ステップＳ１４８）。そして、制御部３６は、シリコンウェハ５０の保持を解除する信号を搬送部４０に出力する（図示省略）。そして、制御部３６は、内部タイマから現在時刻を読取り、読み取った時間を冷却開始時間として、ステップＳ１４８で読み取った管理ＩＤに対応づけて記憶部３８に記憶する（ステップＳ１５０）。なお、このシリコンウェハ５０の保持を解除する信号を受け付けた搬送部４０は、保持していたシリコンチップ５２を冷却部２６のホルダー２７Ｂに載置する。
【０１３１】
次に、制御部３６は、冷却部２６に冷却終了のシリコンウェハ５０が有るか否かを判断する（ステップＳ１５４）。制御部３６は、記憶部３８に記憶されている冷却開始時間からの経過時間が、予め定めた冷却時間以上となっている管理ＩＤが有るか否かを判別することによって、冷却終了のシリコンウェハ５０が有るか否かを判断する。なお、この予め定めた冷却時間とは、第２加熱部２４によって加熱されたシリコンウェハ５０が冷却部２６に搬送されて冷却を開始してから室温となるまでの時間を示している。この時間は、予め計測して記憶部３８に記憶しておけばよい。
【０１３２】
制御部３６は、冷却部２６に冷却終了のシリコンウェハ５０無しと判断した場合には（ステップＳ１５４：Ｎｏ）、上記ステップＳ１００へ戻る。
【０１３３】
一方、制御部３６は、冷却部２６に冷却終了のシリコンウェハ５０有りを判断した場合には（ステップＳ１５４：Ｙｅｓ）、最も先に冷却終了したシリコンウェハ５０の管理ＩＤを記憶部３８から読み取る（ステップＳ１５６）。詳細には、制御部３６は、記憶部３８に記憶されている冷却開始時間からの経過時間が、予め定めた冷却時間以上となっている管理ＩＤの内の、最も冷却開始時間の早い管理ＩＤを読み取る。
【０１３４】
そして、制御部３６は、ステップＳ１５６で読み取った管理ＩＤに対応する成膜回数Ｎが、最上層を示すＭであるか否かを判断する（ステップＳ１５８）。そして、該成膜回数Ｎが、最上層を示すＭであると判断した場合には（ステップＳ１５８：Ｙｅｓ）、成膜対象の全ての強誘電体層６１Ａの成膜が終了していることから、制御部３６は、該管理ＩＤのシリコンウェハ５０の排出指示を搬送部４０の駆動部４４へ出力する（ステップＳ１８０）。
【０１３５】
シリコンウェハ５０の排出指示を受け付けた駆動部４４は、搬送アーム４２が冷却部２６に届く位置に支持部４１をレール４６の長尺方向に沿って移動させる。そして、駆動部４４は、腕部４２Ａを冷却部２６に伸ばして、該受け付けた排出指示信号に含まれる管理ＩＤに対応する管理ＩＤが読取部４８によって読み取られるまで、腕部４２Ａを動かす。そして、該管理ＩＤが読取部４８によって読み取られたときに、保持部４２Ｂを駆動して該管理ＩＤのシリコンウェハ５０を保持し、冷却部２６から排出部材１５へと搬送する。
【０１３６】
これによって、目的とする数の（Ｍの）複数の強誘電体層６１Ａの積層されたシリコンウェハ５０が、排出部材１５に排出される。
【０１３７】
そして、制御部３６は、ステップＳ１２４と同様に、成膜開始指示信号を駆動部４４へ出力した後に（ステップＳ１７８）、上記ステップＳ１２６へ戻る。
【０１３８】
一方、上記ステップＳ１５８で否定判断すると（ステップＳ１５８：Ｎｏ）、制御部３６は、ステップＳ１５６で読み取った管理ＩＤに対応する成膜回数Ｎを１カウントアップし、該管理ＩＤに対応づけて記憶部３８に上書き保存する（ステップＳ１６０、ステップＳ１６２）。
【０１３９】
そして、上記ステップＳ１５６で読み取った管理ＩＤのシリコンウェハ５０を、冷却部２６から位置調整部１６へ搬送することを示す搬送指示を駆動部４４へ出力する（ステップＳ１６４）。
【０１４０】
冷却部２６から第２加熱部２４へのシリコンウェハ５０の搬送を指示する信号を受け付けた駆動部４４は、搬送アーム４２が冷却部２６に届く位置に支持部４１をレール４６の長尺方向に沿って移動させる。そして、駆動部４４は、腕部４２Ａを冷却部２６に伸ばして、該受け付けた排出指示信号に含まれる管理ＩＤに対応する管理ＩＤが読取部４８によって読み取られるまで、腕部４２Ａを動かす。そして、該管理ＩＤが読取部４８によって読み取られたときに、保持部４２Ｂを駆動して該管理ＩＤのシリコンウェハ５０を保持し、冷却部２６から位置調整部１６へと搬送する。
【０１４１】
次に制御部３６は、位置制御部１６Ａへ位置調整の実行を指示する位置調整実行指示信号を出力する（ステップＳ１６６）。位置調整実行指示信号を受け付けた位置制御部１６Ａは、位置調整部１６に設けられた装置各部を制御することによって、シリコンウェハ５０の中心位置及びオリフラ５０Ｂの位置を、予め定めた位置となるように位置調整を行う。そして、位置調整が終了すると、位置制御部１６Ａは、位置調整終了を示す信号を制御部３６に出力する。
【０１４２】
制御部３６は、位置制御部１６Ａから位置調整終了を示す信号を受け付けるまで否定判断を繰り返し（ステップＳ１６８：Ｎｏ）。そして制御部３６は、位置調整終了を示す信号を受け付けたと判断すると（ステップＳ１６８：Ｙｅｓ）、位置調整部１６から洗浄部１８へシリコンウェハ５０の搬送を指示する信号を搬送部４０の駆動部４４へ出力する（ステップＳ１７０）。
【０１４３】
位置調整部１６から洗浄部１８へのシリコンウェハ５０の搬送を指示する信号を受け付けた駆動部４４は、搬送アーム４２が位置調整部１６と洗浄部１８との間でシリコンウェハ５０を搬送することの出来る位置に支持部４１をレール４６の長尺方向に沿って移動させる。そして、駆動部４４は、腕部４２Ａを位置調整部１６方向に伸ばして保持部４２Ｂによってシリコンウェハ５０を保持し、腕部４２Ａの伸縮等によって洗浄部１８へシリコンウェハ５０を搬送した後に、保持部４２Ｂによるシリコンウェハ５０の保持を解除する。
【０１４４】
ステップＳ１７０の処理によって、位置調整部１６によって位置調整された１枚のシリコンウェハ５０が、位置調整部１６から洗浄部１８へ搬送される。
【０１４５】
次に制御部３６は、洗浄制御部１８Ａに、洗浄開始指示を示す洗浄開始指示信号を出力する（ステップＳ１７２）。洗浄開始指示信号を受け付けた洗浄制御部１８Ａは、洗浄部１８に配置されたシリコンウェハ５０の洗浄を開始し、洗浄終了時に、洗浄終了を示す信号を制御部３６へ出力する。
【０１４６】
次に、制御部３６は、洗浄部１８からから洗浄終了を示す信号を受け付けるまで否定判断を繰り返し（ステップＳ１７４：Ｎｏ）。そして制御部３６は、洗浄終了を示す信号を受け付けたと判断すると（ステップＳ１７４：Ｙｅｓ）、洗浄部１８から成膜部２０へシリコンウェハ５０の搬送を指示する信号を搬送部４０の駆動部４４へ出力する（ステップＳ１７６）。
【０１４７】
洗浄部１８から成膜部２０へのシリコンウェハ５０の搬送を指示する信号を受け付けた駆動部４４は、搬送アーム４２が洗浄部１８と成膜部２０との間でシリコンウェハ５０を搬送することの出来る位置に支持部４１をレール４６の長尺方向に沿って移動させる。そして、駆動部４４は、腕部４２Ａを洗浄部１８方向に伸ばして保持部４２Ｂによってシリコンウェハ５０を保持し、腕部４２Ａの伸縮等によって成膜部２０へシリコンウェハ５０を搬送した後に、保持部４２Ｂによるシリコンウェハ５０の保持を解除する。
【０１４８】
次に、制御部３６は、成膜制御部２０Ａに成膜開始を示す成膜開始指示信号を出力する（ステップＳ１７８）。成膜開始指示信号を受け付けた成膜制御部２０Ａは、成膜部２０に搬送されてきたシリコンウェハ５０上に、圧電体前駆体溶液による塗膜を塗布することによって、１層の圧電体前駆体層を成膜する。そして、成膜処理が終了すると、成膜制御部２０Ａは、成膜終了を示す信号を制御部３６へ出力する。
【０１４９】
次に、ステップＳ１７８の処理終了後、制御部３６は、上記ステップＳ１２６へ戻る。
【０１５０】
一方、上記ステップＳ１５２において、冷却部２６にシリコンウェハ５０が無いことを判断した場合には（ステップＳ１５２：Ｎｏ）、全てのシリコンウェハ５０について処理が終了したため、本ルーチンを終了する。
【０１５１】
また、制御部３６では、図９に示す製造処理ルーチンにおいて、所定時間毎に、上記ステップＳ１０２〜ステップ１２４と同様の割り込み処理を実行する（図１０参照）。
【０１５２】
具体的には、制御部３６では、所定時間毎に、図１０に示す割り込み処理を実行する。
【０１５３】
制御部３６は、成膜部２０にシリコンウェハ５０が無いか否かを判断する（ステップＳ２１０）。そして、制御部３６は、成膜部２０にシリコンウェハ５０が有ると判断した場合には（ステップＳ２１０：Ｎｏ）、本ルーチンを終了する。
【０１５４】
一方、制御部３６は、成膜部２０にシリコンウェハ５０が無いと判断した場合には（ステップＳ２１０：Ｙｅｓ）、収納部材１４に収納されているシリコンウェハ５０の内の１枚のシリコンウェハ５０の管理ＩＤを読み取る（ステップＳ２１２）。
【０１５５】
そして、制御部３６は、該読み取った管理ＩＤに対応する強誘電体層６１Ａの成膜回数を示す成膜回数Ｎとして、１回目の成膜を示す「１」をセットする（ステップＳ２１４）。
【０１５６】
次に、制御部３６は、上記ステップＳ２１２で読み取った管理ＩＤと、ステップＳ２１４でセットした成膜回数Ｎを示す情報である「１」と、を対応づけて記憶部３８に記憶する（ステップＳ２１６）。
【０１５７】
次に、制御部３６は、ステップＳ２１２で管理ＩＤを読みとったシリコンウェハ５０を、収納部材１４から位置調整部１６へ搬送することを示す搬送指示信号を、搬送部４０へ出力する（ステップＳ２１８）。
【０１５８】
次に制御部３６は、位置制御部１６Ａへ位置調整の実行を指示する位置調整実行指示信号を出力する（ステップＳ２２０）。そして次に、制御部３６は、位置制御部１６Ａから位置調整終了を示す信号を受け付けるまで否定判断を繰り返し（ステップＳ２２２：Ｎｏ）、位置調整終了を示す信号を受け付けたと判断すると（ステップＳ２２２：Ｙｅｓ）、位置調整部１６から洗浄部１８へシリコンウェハ５０の搬送を指示する信号を搬送部４０の駆動部４４へ出力する（ステップＳ２２４）。
【０１５９】
次に制御部３６は、洗浄制御部１８Ａに、洗浄開始指示を示す洗浄開始指示信号を出力する（ステップＳ２２６）。次に、制御部３６は、洗浄部１８からから洗浄終了を示す信号を受け付けるまで否定判断を繰り返し（ステップＳ２２８：Ｎｏ）。そして制御部３６は、洗浄終了を示す信号を受け付けたと判断すると（ステップＳ２２８：Ｙｅｓ）、洗浄部１８から成膜部２０へシリコンウェハ５０の搬送を指示する信号を搬送部４０の駆動部４４へ出力する（ステップＳ２３０）。
【０１６０】
次に、制御部３６は、成膜制御部２０Ａに成膜開始を示す成膜開始指示信号を出力した後に（ステップＳ２３２）、本ルーチンを終了する。
【０１６１】
上記ステップＳ２１０〜ステップＳ２３２に示す割り込み処理が実行されることによって、成膜部２０にシリコンウェハ５０が存在しない場合には、収納部材１４から順次シリコンウェハ５０が搬送されて、位置調整部１６及び洗浄部１８を経た後に、成膜部２０へ搬送される。
【０１６２】
以上説明したように、本実施の形態の製造装置１０では、シリコンウェハ５０を一枚ずつ搬送し、各シリコンウェハ５０について、位置調整部１６による位置調整工程、洗浄部１８による洗浄工程、成膜部２０による成膜工程、第１加熱部２２による第１の加熱工程、第２加熱部２４による第２の加熱工程、及び冷却部２６による冷却工程を、この順に繰り返し実行する。
【０１６３】
このため、各シリコンウェハ５０に形成される強誘電体層６１Ａ間における熱履歴のばらつきを抑制することができる。また、シリコンウェハ５０間における強誘電体層６１Ａの熱履歴のばらつきも抑制することができる。
【０１６４】
従って、液滴吐出ヘッド６２間における吐出特性のばらつきを抑制することができる。
【０１６５】
また、本実施の形態の製造装置１０では、第２の加熱工程における加熱条件を、成膜回数に応じて調整することができる。このため、シリコンウェハ５０の管理ＩＤに対応する成膜回数に応じた加熱条件で、第２の加熱を行うことができる。
【０１６６】
なお、上記実施の形態では、最上層となる強誘電体層６１ＡＭと、この層以外の強誘電体層６１Ａ１〜強誘電体層６１ＡＭ−１の加熱条件と、を定めたが、このような設定方法に限られない。例えば、所定の成膜回数毎に、脱脂処理の後に焼成処理を行う、といった第２の加熱工程における加熱条件を、成膜回数に対応づけて記憶部３８に記憶してもよい。
【０１６７】
例えば、所定の成膜回数として、３の倍数を示す値（例えば３Ｎ）を定め、この成膜回数３Ｎに対応づけて、第２の加熱工程における加熱条件として脱脂処理の後に焼成処理を行うことを示す加熱条件を記憶部３８に記憶する。そして、成膜回数が３の倍数以外である場合には、第２の加熱工程における加熱条件として脱脂処理を行うことを示す加熱条件を記憶部３８に記憶する。
【０１６８】
この場合には、成膜回数が３の倍数以外である場合には、製造装置１０では、図１１（Ａ）に示すパターンＡの一連の処理を実行することができる。そして、成膜回数が３の倍数である場合には、図１１（Ｂ）に示すパターンＢの一連の処理を実行することができる。
【０１６９】
すなわち、成膜回数が３の倍数以外の強誘電体層６１Ａの成膜時には、図１１（Ａ）に示すように、ウェハ位置調整工程（ステップＳ３０２）、ウェハ洗浄工程（ステップＳ３０４）、成膜工程（ステップＳ３０６）、第１の加熱工程としての乾燥工程（ステップＳ３０８）、第２の加熱工程としての脱脂工程（ステップＳ３１０）、及び冷却工程（ステップ３１２）の一連の工程を実行する。そして、成膜回数が３の倍数の強誘電体層６１Ａの成膜時には、図１１（Ｂ）に示すように、ウェハ位置調整工程（ステップＳ３０２）、ウェハ洗浄工程（ステップＳ３０４）、成膜工程（ステップＳ３０６）、第１の加熱工程としての乾燥工程（ステップＳ３０８）、第２の加熱工程としての脱脂工程の後の焼成工程（ステップＳ３１１）、及び冷却工程（ステップ３１２）の一連の工程を実行する。
【０１７０】
そして、１枚のシリコンウェハ５０について、図１１（Ｃ）に示すように、パターンＡの一連の処理を２回繰り返した後にパターンＢの一連の処理を１回行うといった処理を、最上層の強誘電体層６１Ａを形成するまで繰り返し行うことができる。
【０１７１】
また、本実施の形態の製造装置１０では、上述のように、１枚のシリコンウェハ５０ごとに、位置調整部１６による位置調整、洗浄部１８による洗浄を行った後に、成膜部２０へ搬送する。このため、成膜部２０では、安定した成膜を行うことができる。
【０１７２】
すなわち、位置調整のなされた状態のシリコンウェハ５０が成膜部２０に搬送されるため、成膜時に強誘電体前駆体溶液（ゾル）を吐出するノズルとシリコンウェハ５０との位置ずれを抑制することができる。このため、該ノズルから吐出された強誘電体前駆体溶液がシリコンウェハ５０上で不均一に広がることが抑制され、厚みの不均一な強誘電体前駆体膜が成膜されることを抑制することができる。また、このように位置調整のなされたシリコンウェハ５０が成膜部２０に搬送されることで、成膜時におけるミストの発生も抑制することができ、該ミストによるシリコンウェハ５０表面の汚染を抑制することができる。
【０１７３】
また、本実施の形態の製造装置１０では、上述のように、図１０に示す割り込み処理を所定時間毎に実行する。このため、製造装置１０では、成膜部２０で成膜中のシリコンウェハ５０が無いときには、収納部材１４から新たなシリコンウェハ５０を一枚取り出して、位置調整部１６による位置調整、洗浄部１８による洗浄を行った後に、成膜部２０に供給することができる。このため、製造装置１０における休止時間を短縮することができ、効率良く強誘電体層６１Ａを順次形成することができる。
【０１７４】
なお、収納部材１４は、製造装置１０において所定時間内に上記一連の処理を実行可能な枚数のシリコンウェハ５０を収納する構成であることが好ましい。この所定時間とは、例えば、２４時間等が挙げられる。このように、収納部材１４が、製造装置１０で所定時間内に上記一連の処理を実行可能な枚数のシリコンウェハ５０を収納することによって、製造装置１０で処理するシリコンウェハ５０の処理状況を時間単位で容易に管理することができる。
【０１７５】
また、本実施の形態の製造装置１０は、上記構成に加えて更に、各種画像を表示する表示部（図示省略）を設けた構成としてもよい。この場合には、該表示部を主制御部３４に電気的に接続した構成とすればよい。そして、主制御部３４は、該表示部に、記憶部３８に記憶されている管理番号と、該管理番号に対応する情報（例えば、成膜回数、冷却開始時間等）を表示してもよい。このようにすれば、製造装置１０で処理するシリコンウェハ５０の処理状況をユーザに視認可能に提示することができる。
【０１７６】
（第２の実施の形態）
次に、上述した液滴吐出ヘッド６２を搭載した液滴吐出装置の一例について図１２及び図１３を参照して説明する。
【０１７７】
図１２、及び図１３に示すように、液滴吐出装置８０は、装置本体８１の内部に主走査方向に移動可能なキャリッジ９３、キャリッジ９３に搭載し、上述した液滴吐出ヘッド６２からなる記録ヘッド９４、記録ヘッド９４へインクを供給するインクカートリッジ９５等で構成される印字機構部８９等を収納する。装置本体８１の下方部には前方側から多数枚の用紙８３を積載可能な給紙カセット８５（或いは給紙トレイでもよい）を抜き差し自在に装着することができ、また、用紙８３を手差しで給紙するための手差しトレイ（図示省略）を開倒することができ、給紙カセット８５或いは手差しトレイ（図示省略）から給送される用紙８３を取り込み、印字機構部８９によって所要の画像を記録した後、後面側に装着された排紙トレイ８７に排紙する。
【０１７８】
印字機構部８９は、図示しない左右の側板に横架したガイド部材である主ガイドロッド９１と従ガイドロッド９２とでキャリッジ９３を主走査方向に摺動自在に保持し、このキャリッジ９３にはイエロー（Ｙ）、シアン（Ｃ）、マゼンタ（Ｍ）、ブラック（Ｂｋ）の各色のインク滴を吐出する、上述した薄膜形成で形成された液滴吐出ヘッドからなる記録ヘッド９４を複数のインク吐出口（ノズル）を主走査方向と交差する方向に配列し、インク滴吐出方向を下方に向けて装着している。また、キャリッジ９３には記録ヘッド９４に各色のインクを供給するための各インクカートリッジ９５を交換可能に装着している。
【０１７９】
インクカートリッジ９５は上方に大気と連通する大気口、下方にはインクジェットヘッドへインクを供給する供給口を、内部にはインクが充填された多孔質体を有しており、多孔質体の毛管力により記録ヘッド９４へ供給されるインクをわずかな負圧に維持している。また、記録ヘッド９４としてここでは各色のヘッドを用いているが、各色のインク滴を吐出するノズルを有する１個のヘッドでもよい。
【０１８０】
ここで、キャリッジ９３は後方側（用紙搬送方向下流側）を主ガイドロッド９１に摺動自在に嵌装し、前方側（用紙搬送方向上流側）を従ガイドロッド９２に摺動自在に載置している。そして、このキャリッジ９３を主走査方向に移動走査するため、主走査モータ９７で回転駆動される駆動プーリ９８と従動プーリ９９との間にタイミングベルト１００を張装し、このタイミングベルト１００をキャリッジ９３に固定しており、主走査モータ９７の正逆回転によりキャリッジ９３が往復駆動される。
【０１８１】
一方、給紙カセット８５にセットした用紙８３を記録ヘッド９４の下方側に搬送するために、給紙カセット８５から用紙８３を分離給装する給紙ローラ１０１及びフリクションパッド１０２と、用紙８３を案内するガイド部材１０３と、給紙された用紙８３を反転させて搬送する搬送ローラ１０４と、この搬送ローラ１０４の周面に押し付けられる搬送コロ１０５及び搬送ローラ１０４からの用紙８３の送り出し角度を規定する先端コロ１０６とを設けている。搬送ローラ１０４は副走査モータ１０７によってギヤ列を介して回転駆動される。
【０１８２】
そして、キャリッジ９３の主走査方向の移動範囲に対応して搬送ローラ１０４から送り出された用紙８３を記録ヘッド９４の下方側で案内する用紙ガイド部材である印写受け部材１０９を設けている。この印写受け部材１０９の用紙搬送方向下流側には、用紙８３を排紙方向へ送り出すために回転駆動される搬送コロ１１１、拍車１１２を設け、さらに用紙８３を排紙トレイ８７に送り出す排紙ローラ１１３及び１１４と、排紙経路を形成するガイド部材１１５とを配設している。
【０１８３】
記録時には、キャリッジ９３を移動させながら画像信号に応じて記録ヘッド９４を駆動することにより、停止している用紙８３にインク滴を吐出して１行分を記録し、用紙８３を所定量搬送後次の行の記録を行う。記録終了信号または、用紙８３の後端が記録領域に到達した信号を受けることにより、記録動作を終了させ用紙８３を排紙する。
【０１８４】
また、キャリッジ９３の移動方向右端側の記録領域を外れた位置には、記録ヘッド９４の吐出不良を回復するための回復装置１１７を配置している。回復装置１１７はキャップ手段と吸引手段とクリーニング手段を有している。キャリッジ９３は印字待機中にはこの回復装置１１７側に移動されてキャッピング手段で記録ヘッド９４をキャッピングされ、吐出口部を湿潤状態に保つことによりインク乾燥による吐出不良を防止する。また、記録途中などに記録と関係しないインクを吐出することにより、全ての吐出口のインク粘度を一定にし、安定した吐出性能を維持する。
【０１８５】
吐出不良が発生した場合等には、キャッピング手段で記録ヘッド９４の吐出口（ノズル）を密封し、チューブを通して吸引手段で吐出口からインクとともに気泡等を吸い出し、吐出口面に付着したインクやゴミ等はクリーニング手段により除去され吐出不良が回復される。また、吸引されたインクは、本体下部に設置された廃インク溜（図示しない）に排出され、廃インク溜内部のインク吸収体に吸収保持される。
【０１８６】
上述のように、本実施の形態の液滴吐出装置８０は、製造装置１０によって製造された液滴吐出ヘッド６２を備えている。このため本実施の形態の液滴吐出装置５１は、安定した吐出特性が得られ、画像品質も向上する。
【０１８７】
また、液滴吐出装置８０を、各種印刷装置に搭載することができる。この液滴吐出装置８０を、各種印刷装置に搭載することによって、画像品質の向上した印刷装置を提供することができる。
【符号の説明】
【０１８８】
１０  製造装置
１４  収納部材
１６  位置調整部
１８  洗浄部
２０  成膜部
２２  第１加熱部
２４  第２加熱部
２６  冷却部
３６  制御部
３８  記憶部
【先行技術文献】
【特許文献】
【０１８９】
【特許文献１】特許第３３８７３８０号公報
【特許文献２】特開２００５−３２７９２０号公報
【図１】
0005772100.tif 000002
【図２】
0005772100.tif 000003
【図３】
0005772100.tif 000004
【図４】
0005772100.tif 000005
【図５】
0005772100.tif 000006
【図６】
0005772100.tif 000007
【図７】
0005772100.tif 000008
【図８】
0005772100.tif 000009
【図９】
0005772100.tif 000010
【図１０】
0005772100.tif 000011
【図１１】
0005772100.tif 000012
【図１２】
0005772100.tif 000013
【図１３】
0005772100.tif 000014