(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
単結晶引き上げ装置用黒鉛ルツボであって、
黒鉛ルツボ基材の特性が、嵩密度が１．６５Ｍｇ／ｍ３以上、曲げ強さが３０ＭＰａ以上、ショア硬さ４０以上の値を有するものを使用し、
黒鉛ルツボ基材の表面の全体又は一部に熱分解炭素の被膜が形成され、該被膜は前記表面に存在する開気孔の内面まで生成されていることを特徴とする単結晶引き上げ装置用黒鉛ルツボ。
【請求項２】
前記被膜の厚みの平均は１００μｍ以下である請求項１記載の単結晶引き上げ装置用黒鉛ルツボ。
【請求項３】
前記被膜はＣＶＩ法によって形成されたものである請求項１又は２記載の単結晶引き上げ装置用黒鉛ルツボ。
【請求項４】
単結晶引き上げ装置用黒鉛ルツボの製造方法であって、
黒鉛ルツボ基材の特性が、嵩密度が１．６５Ｍｇ／ｍ３以上、曲げ強さが３０ＭＰａ以上、ショア硬さ４０以上の値を有するものを使用し、
黒鉛ルツボ基材の表面の全体又は一部に熱分解炭素の被膜が形成され、且つ該被膜が黒鉛ルツボ基材の表面に存在した開気孔の内部表面にまで生成されるように、ＣＶＩ法によって熱分解炭素の被膜を形成する工程を含むことを特徴とする単結晶引き上げ装置用黒鉛ルツボの製造方法。
【請求項５】
前記熱分解炭素の被膜形成工程により熱分解炭素の被膜が形成された黒鉛ルツボ基材をハロゲンガス雰囲気下で熱処理して高純度化する工程を含む請求項４記載の単結晶引き上げ装置用黒鉛ルツボの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、チョクラルスキー法（以下、「ＣＺ法」という。）によるシリコンなどの単結晶引上げ装置に使用される石英ルツボを支持するために用いられる黒鉛ルツボ及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＩＣやＬＳＩなどの製造に用いられるシリコンなどの単結晶は、通常ＣＺ法により製造されている。ＣＺ法は、高純度の石英ルツボの中にシリコン多結晶を入れ、石英ルツボを所定速度で回転させながらヒーターによりシリコン多結晶を加熱溶融し、シリコン多結晶の溶融液の表面に種結晶（シリコン単結晶）を接触させて、所定速度で回転させながらゆっくりと引き上げることによりシリコン多結晶を溶融液凝固させて、シリコン単結晶に成長させるものである。
【０００３】
しかしながら、石英ルツボは高温においては軟化し、強度も充分でないので、通常、石英ルツボは黒鉛ルツボ内に嵌合され、黒鉛ルツボで石英ルツボを支持することにより補強して用いられている。
【０００４】
上記の石英ルツボと黒鉛ルツボとを有するルツボ装置では、高温加熱時には石英ルツボ（ＳｉＯ２）と黒鉛ルツボ（Ｃ）とは接触する嵌合面において反応してＳｉＯガスを発生し、発生したＳｉＯガスは黒鉛ルツボと反応し、特に黒鉛ルツボ表層部の開気孔内を浸透しながら黒鉛ルツボ（Ｃ）と反応して黒鉛ルツボの開気孔内を次第にＳｉＣ化していく。従って、このような加熱処理が繰り返し行われると、黒鉛ルツボが徐々にＳｉＣへと転化して黒鉛ルツボの寸法が変化してしまったり、材質的に脆弱化してミクロンクラックが発生し遂には黒鉛ルツボの割損を招くこととなる。
【０００５】
そこで、かかる問題点を解決するため、従来から石英ルツボと黒鉛ルツボとの間に膨張黒鉛材料からなる保護シートを介在させ、黒鉛ルツボの内面を覆うことにより黒鉛ルツボのＳｉＣ）化を抑制して寿命を長く保たせることが提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特許第２５２８２８５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、上記従来例のように保護シートを介在させても、現実には黒鉛ルツボのＳｉＣ化を十分に抑制することはできなかった。
そこで、従来から長寿命化を可能とした単結晶引き上げ装置用黒鉛ルツボが所望されていた。
【０００８】
本発明は、上記の実情を鑑みて考え出されたものである。その目的は、長寿命化を可能とした単結晶引き上げ装置用黒鉛ルツボ及びその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するため本発明は、単結晶引き上げ装置用黒鉛ルツボであって、黒鉛ルツボ基材の特性が、嵩密度が１．６５Ｍｇ／ｍ３以上、曲げ強さが３０ＭＰａ以上、ショア硬さ４０以上の値を有するものを使用し、黒鉛ルツボ基材の表面の全体又は一部に熱分解炭素の被膜が形成され、該被膜は前記表面に存在する開気孔の内面まで生成されていることを要旨とする。
【００１０】
ここで熱分解炭素（ＰｙＣ）とは、炭化水素類、例えば炭素数１〜８特に炭素数３の炭化水素ガスもしくは炭化水素化合物を熱分解させて基材の深層部まで浸透析出せしめる高純度で高結晶化度の黒鉛化物である。
上記構成によれば、黒鉛ルツボ基材の表面に存在する多数の開気孔の内面にまで熱分解炭素が析出、充填されることにより、黒鉛ルツボ基材の表面全体にわたってＣとＳｉＯガスとの反応が有効に抑制され、ＳｉＣ化の進行を抑制することができる。この結果、黒鉛ルツボの使用寿命の長期化を図ることができる。
なお、熱分解炭素の被膜形成は、黒鉛ルツボの表面の全体に限らず、ＳｉＣ化が進みやすい部分のみであってもよい。例えば、ルツボの内面だけ全体的に析出させるとか、内面のうち湾曲部（小Ｒ部）のみに、又は湾曲部と直胴部のみに析出させることも可能である。
【００１１】
本発明において、前記熱分解炭素被膜の厚みの平均は１００μｍ以下であるのが好ましい。１００μｍを超えると、コスト高となり、１００μｍ以上の熱分解炭素被膜を形成するには極めて長時間の処理が必要となり生産効率が低下する。
【００１２】
本発明において、前記被膜はＣＶＩ法によって形成されたものであるのが好ましい。
【００１３】
ここで、ＣＶＩ法（Chemical Vapor Infiltration ：化学的気相浸透法）とは前述した熱分解炭素（ＰｙＣ）を浸透析出させる方法であって、炭化水素類あるいは炭化水素化合物に対して濃度調整用として通常窒素ガスまたは水素ガスを用い、炭化水素濃度３〜３０％好ましくは５〜１５％とし、全圧を１００Ｔｏｒｒ好ましくは５０Ｔｏｒｒ以下にして反応操作をすればよい。このような操作を行った場合、炭化水素が基材表面付近で脱水素、熱分解、重合などによって巨大炭素化合物を形成し、これが黒鉛ルツボ基材上に沈積、析出し、更に脱水素反応が進み、最終的に緻密なＰｙＣ膜が黒鉛ルツボ基材の表面から内部にかけて形成される。
【００１４】
析出の温度範囲は一般に８００〜２５００℃までの広い範囲であるが、黒鉛ルツボ基材の深部まで析出させるためには１３００℃以下の比較的低温領域でＰｙＣを析出させることが望ましい。また析出時間は５０時間好ましくは１００時間以上の長時間にすることが、１００μｍ以下のように薄いＰｙＣを形成させるのに適している。また熱分解炭素の析出効率を高めるために、いわゆる等温法、温度勾配法、圧力勾配法、パルス法等を適宜使用することも可能である。なお、参考までに述べると、ＣＶＤ法（化学気相蒸着法）は分解生成する炭素を組織中に直接沈着させるものであって、ＣＶＩ法のように基材の内部までが含浸成膜させることはできず、短時間に厚い熱分解炭素を沈着させるにとどまる。
【００１５】
また、本発明は、単結晶引き上げ装置用黒鉛ルツボの製造方法であって、黒鉛ルツボ基材の特性が、嵩密度が１．６５Ｍｇ／ｍ３以上、曲げ強さが３０ＭＰａ以上、ショア硬さ４０以上の値を有するものを使用し、黒鉛ルツボ基材の表面の全体又は一部に熱分解炭素の被膜が形成され、且つ該被膜が黒鉛ルツボ基材の表面に存在した開気孔の内部表面にまで生成されるように、ＣＶＩ法によって熱分解炭素の被膜を形成する工程を含むことを要旨とする。
【００１６】
上記構成であれば、黒鉛ルツボ基材の表面に存在する多数の開気孔の内面にまで熱分解炭素が析出、充填された黒鉛ルツボを製造することができ、黒鉛ルツボの使用寿命の長期化を図ることができる。
【００１７】
本発明において、前記熱分解炭素の被膜形成工程により熱分解炭素の被膜が形成された黒鉛ルツボ基材をハロゲンガス雰囲気下で熱処理して高純度化する工程を含むのが好ましい。黒鉛ルツボから生じる不純物を少なくでき、高品質の金属単結晶が得られることになる。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、黒鉛ルツボ基材の表面に存在する多数の開気孔の内面にまで熱分解炭素が析出、充填されることにより、黒鉛ルツボ基材の表面全体にわたってＣとＳｉＯガスとの反応が有効に抑制され、ＳｉＣ化の進行を抑制することができる。この結果、黒鉛ルツボの使用寿命の長期化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】実施の形態に係る単結晶引き上げ装置用黒鉛ルツボの縦断面図。
【図２】実施の形態に係る黒鉛ルツボ基材の表面の一部拡大断面図。
【図３】合成石英製造用に用いられる黒鉛製の型の概略断面図。
【図４】試験用サンプルＣの採取位置を示す図。
【図５】ＳｉＣ化反応試験前後の細孔（開気孔）の分布状態を示すグラフ。
【図６】ＳｉＣ化反応試験後の試験用サンプルＡ（本発明処理品）の灰化後の状態を示す写真。
【図７】ＳｉＣ化反応試験後の試験用サンプルＢ（本発明処理品）の灰化後の状態を示す写真。
【図８】ＳｉＣ化反応試験後の試験用サンプルＡ（未処理品）の灰化後の状態を示す写真。
【図９】ＳｉＣ化反応試験後の試験用サンプルＢ（未処理品）の灰化後の状態を示す写真。
【図１０】ＳｉＣ化反応試験後の試験用サンプルＡ（本発明処理品）のＳＥＭ写真。
【図１１】ＳｉＣ化反応試験後の試験用サンプルＢ（本発明処理品）のＳＥＭ写真。
【図１２】ＳｉＣ化反応試験後の試験用サンプルＣ（本発明処理品）のＳＥＭ写真。
【図１３】ＳｉＣ化反応試験後の試験用サンプルＡ（未処理品）のＳＥＭ写真。
【図１４】ＳｉＣ化反応試験後の試験用サンプルＣ（未処理品）のＳＥＭ写真。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、本発明を実施の形態に基づいて詳述する。なお、本発明は、以下の実施の形態に限定されるものではない。
【００２１】
（実施の形態１）
図１は本発明に係る単結晶引き上げ装置用黒鉛ルツボの一例についての縦断面図である。石英ルツボ１を保持する黒鉛ルツボ２は、黒鉛ルツボ成形体としての黒鉛ルツボ基材３と、黒鉛ルツボ基材３の表面全体に形成された熱分解炭素被膜４とから構成されている。黒鉛ルツボ基材３は、ルツボに必要な機械的強度を確保すると共に熱分解炭素の析出のし易さを考慮して、その特性として、嵩密度が１．６５Ｍｇ／ｍ３以上、曲げ強さが３０ＭＰａ以上、ショア硬さ４０以上の値を有するものを使用する。
【００２２】
ここで、黒鉛ルツボ２の形状は、一般的にはカップ状であり、底部２ａと、底部２ａに連続して湾曲しながら上方へ立ち上がる湾曲部（小Ｒ部）２ｂと、湾曲部２ｂに連続して真っ直ぐ上方に伸び上がる直胴部２ｃとによって構成されている。黒鉛ルツボ基材３の形状も黒鉛ルツボ２の形状に対応しており、底部３ａと、湾曲部（小Ｒ部）３ｂと、直胴部３ｃとによって構成されている。このような構成の黒鉛ルツボ基材３において、熱分解炭素被膜の形成は、図１に示すように、黒鉛ルツボ基材３の表面の全体に形成してもよいし、ＳｉＣ化が進みやすい部分のみであってもよい。例えば、ルツボの内面だけ全体的に析出させるとか、内面のうち湾曲部（小Ｒ部）３ｂのみに、又は湾曲部３ｂと直胴部３ｃのみに析出させるようにしてもよい。
【００２３】
次いで、黒鉛ルツボ基材３の表面を熱分解炭素被膜４により被覆したものの状態を、図２を用いて説明する。図２は黒鉛ルツボ基材３の表面の一部拡大断面図であり、同図（ａ）は黒鉛ルツボ基材３の表面全体に熱分解炭素の被膜４が良好に形成されている状況を模式的に示しており、同図（ｂ）、（ｃ）はその形成が良好でない状況を模式的に示している。黒鉛ルツボ基材３には表面に微小な孔が存在し、これは同図に示すように、開気孔５とよばれるが、開気孔５は表面において窪みを形成する。そのため、黒鉛ルツボ基材３の表面積は見かけ以上に大きく、図示のような入口が狭く内部が広い窪みについて図２（ａ）に示すように窪みの内側まで熱分解炭素膜で十分に被覆する必要がある。
【００２４】
ＣＶＤ法のような短時間に被膜を形成した場合には、図２（ｂ）に示すように開気孔の開口部を覆うにとどまり、その内部にまで十分に被覆することができない。この場合には強度的に不安定な上記の開口部に亀裂を生じ、熱分解炭素膜で被覆されない内側部分をＳｉＯガス存在下の外部に晒す恐れがある。あるいは開気孔５の開口部を塞ぐことがないとしても、図２（ｃ）に示すように開気孔５の内部にまで十分に被覆することができなくなり、上記の場合と同様に熱分解炭素膜で被覆されない部分をＳｉＯガス存在下の外部に晒すことになる。従って、その表面に多くの開気孔が存在する黒鉛ルツボ基材３を十分に被覆するためには、熱分解炭素膜の析出速度を十分に遅くし、開気孔の内部まで成膜させる必要がある。このような観点からすると、熱分解炭素膜の析出速度は０．２μｍ／ｈ以下とするのが望ましい。このような析出速度が遅く薄い熱分解炭素膜を得るためには、前記ＣＶＩ法が適している。
【００２５】
本実施の形態においては、上記ＣＶＩ法を用いることにより基材の内部まで十分に含浸された熱分解炭素被膜で被覆された黒鉛ルツボを得ることができた。
このように黒鉛ルツボ基材の表面に存在する多数の開気孔の内面にまで熱分解炭素が析出、充填されることにより、黒鉛ルツボ基材の表面全体にわたってＣとＳｉＯガスとの反応が有効に抑制され、ＳｉＣ化の進行を抑制することができる。この結果、黒鉛ルツボの使用寿命の長期化を図ることができる。
【００２６】
なお、熱分解炭素被膜で被覆された黒鉛ルツボを、ハロゲンガス雰囲気下で熱処理して高純度化するのが好ましい。黒鉛ルツボから生じる不純物を少なくでき、高品質の金属単結晶が得られるからである。
【００２７】
（その他の事項）
上記実施の形態では、単結晶引上げ装置用黒鉛ルツボを表面処理の対象としたが、合成石英製造用に用いられる黒鉛部材、例えば、図３に示すように、合成石英製造用に用いられる黒鉛製の型１０や蓋１１等について、実施の形態と同様にＣＶＩ法によって表面に熱分解炭素被膜を形成するようにしてもよい。合成石英製造用に用いられる黒鉛部材型や蓋は、合成石英と接触した際、発生するＳｉＯ２ガスによりＳｉＣ化が進行し、寸法が変化してしまったり、材質的に脆弱化してミクロンクラックが発生し遂には割れを招くことが従来問題となっていたが、ＣＶＩ法によって表面に熱分解炭素被膜を形成することにより、ＳｉＣ化を抑制でき、長寿命化を図ることができる。なお、図３中において、１２は棒状体、１３はヒーター、１４は不活性ガス導入口、１５は排気口である。
【実施例】
【００２８】
以下、実施例により本発明をより具体的に説明する。本発明は以下の実施例によって何ら限定されるものではない。
【００２９】
［試験例１］
以下の試験用サンプルについて、寸法の変化を調べた。
（試験用サンプル）
黒鉛材を上記実施の形態と同様のＣＶＩ法で表面処理し、この表面処理された黒鉛材と、表面処理されていない未処理の黒鉛材の２種類について、試験用として以下の形状のサンプンを作製した。
３分割黒鉛ルツボの分割片  ：各１片
以下、表面処理された黒鉛材を用いた分割片を本発明処理品と称し、未処理の黒鉛材を用いた分割片を未処理品と称する。
【００３０】
（ＣＶＩ処理）
ＣＶＩ処理としては、以下の要領で行った。即ち、黒鉛材を真空炉内に配置し、１１００℃まで昇温した後、ＣＨ４ガスを１０（ｌ／ｍｉｎ）の流速で流しながら、圧力を１０Ｔｏｒｒにコントロールしつつ１００時間保持した。
【００３１】
（試験結果）
本発明処理品と未処理品とについて、高さ、ルツボ上端から５０ｍｍ及び１５０ｍｍのそれぞれの内径、及び小Ｒ部の半径の各寸法の変化を調べたので、その結果を表１に示す。
【００３２】
【表１】
0005723615.tif 000002
【００３３】
（試験結果の評価）
表１より明らかなように、本発明処理品の寸法変化は極めて小さく、実用上何ら問題がないことが確認された。
【００３４】
［試験例２］
以下の試験用サンプルについて、ＳｉＣ化反応試験を行い、ＳｉＣ反応前後の物理的特性（嵩密度、硬さ、電気抵抗率、曲げ強さ、細孔（開気孔）分布）の変化を調べた。
【００３５】
（試験用サンプル）
形状が異なる以外は、試験例１と同様の本発明処理品と、未処理品の２種類を、試験用サンプンとして作製した。
試験用サンプルとしては、以下の形状のものを用いた。
１０×１０×６０（ｍｍ）の棒状サンプル：以下、この棒状サンプルを試験用サンプルＡと称する。
１００×２００×２０（ｍｍ）の板状サンプル：以下、この板状サンプルを試験用サンプルＢと称する。
試験用サンプルＢから１００×２０×厚み２０（ｍｍ）の試験片を切り出した切断片：（図４に示すように６面中４面が被覆された面で、残り２面が被覆されていない面である。）以下、この切断片を試験用サンプルＣと称する。
但し、試験用サンプルＡ、Ｂは本試験例２の他に、後述する試験例３、４のそれぞれのサンプルとして使用され、試験用サンプルＣは後述する試験例４の走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）による観察の場合にのみサンプルとして使用される。
なお、試験用サンプルＡ〜Ｃのうち、ＣＶＩ法で表面処理されたものを本発明処理品と称し、表面処理されていない未処理のものを未処理品と称する。
【００３６】
（ＳｉＣ化反応試験）
試験用サンプルＡ〜Ｃを合成石英（高純度ＳｉＯ２）と高温熱処理し、ＳｉＣ化の反応性を比較した。この場合の具体的条件は、以下の通りである。
処理炉    ：真空炉
処理温度  ：１６００℃
炉内圧力  ：１０Ｔｏｒｒ
処理ガス  ：Ａｒ  １ｍｌ／ｍｉｎ
処理時間  ：８時間保持
処理方法  ：試験用サンプルを合成石英粉末に埋め込み、熱処理する。
【００３７】
（試験結果）
上記試験用サンプルＡ、Ｂについて、表面処理前後の物理的特性（嵩密度、硬さ、電気抵抗率、曲げ強さ）を調べたので、その測定結果を表２、表３に示す。また、細孔（開気孔）分布の測定結果を図５に示す。
【００３８】
【表２】
0005723615.tif 000003
【００３９】
【表３】
0005723615.tif 000004
【００４０】
（試験結果の評価）
表２、表３から明らかなように、未処理品に比べて本発明処理品は、嵩密度、硬さ、曲げ強さがいずれも向上しており、高密度化及び高強度化されたことが認められる。なお、表２と表３とでは、サンプルサイズが異なるため、嵩密度の値に差が確認された。
【００４１】
また、表面処理前後の物理的特性として、細孔（開気孔）分布について調べたので、その測定結果を図３に示す。なお、測定方法としては、本発明処理品の表層から約２．４ｍｍ厚さで測定用試験片を採取し、この測定用試験片について測定した。
図５において、Ｌ１は本発明処理品の分布を示し、Ｌ２は未処理品の分布を示す。図５から明らかなように、本発明処理品は大きい細孔の容積が小さくなった。ＣＶＩは細孔の大きさを小さくしていた。
【００４２】
［試験例３］
上記試験例２のＳｉＣ化反応試験を行った試験用サンプルＡ、Ｂについて、ＳｉＣ反応前後の質量変化及び体積変化を調べた。
（試験結果）
ＳｉＣ反応試験前後の質量変化及び体積変化の測定結果を表４に示す。
【００４３】
【表４】
0005723615.tif 000005
【００４４】
（試験結果の評価）
表４から明らかなように、質量変化率について、サンプルサイズによらず、本発明処理品に比べて未処理品が質量減少が少ないことが認められる。また、体積変化率については、本発明処理品が未処理品に比べ値が低くなった。試験前後では、反応による減肉とＳｉＣ化による質量の増加が起こるため、一概に質量変化率と体積変化率で反応性を評価できないが、結果からＣＶＩ処理によるＳｉＣ化抑制効果があると考えられる。特に、処理時間が８時間という短い時間であったので、顕著な差はでなかったが、処理時間を１００時間程度とすれば、顕著な差がでて明確な評価ができたものと考えられる。
【００４５】
［試験例４］
上記試験例４と同様のＳｉＣ反応試験を行った試験用サンプルＡ〜Ｃについて、反応試験後のＳｉＣ層の厚さを以下、（１）灰化後の観察、（２）走査型電子顕微鏡による観察、の２種類の方法で観察した。
【００４６】
（１）灰化後の観察の場合
ＳｉＣ反応試験後の試験用サンプルＡ、Ｂで残存した黒鉛材部位を、８００℃の大気雰囲気下で加熱灰化させ残ったＳｉＣ層の厚さついて調べたので、その結果を表５に示す。また、試験用サンプルＡ、Ｂについての灰化後の状態を図６〜図９に示す。なお、図６は試験用サンプルＡ（本発明処理品）の灰化後の状態を示す写真、図７は試験用サンプルＢ（本発明処理品）の灰化後の状態を示す写真、図８は試験用サンプルＡ（未処理品）の灰化後の状態を示す写真、図９は試験用サンプルＢ（未処理品）の灰化後の状態を示す写真である。
【００４７】
【表５】
0005723615.tif 000006
【００４８】
（試験結果の評価）
図６〜図９及び表５から明らかなように、未処理品と比較して、本発明処理品の方がＳｉＣ化抑制効果が認められる。サンプルサイズでＳｉＣ層の値に差があるものの、未処理品に比べて本発明処理品ではＳｉＣ層は約５０％薄くなった。
【００４９】
（２）走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）による観察の場合
ＳｉＣ反応試験後の試験用サンプルＡ〜Ｃの表面状態についてのＳＥＭ写真を、図１０〜図１４に示す。なお、図１０は試験用サンプルＡ（本発明処理品）のＳＥＭ写真、図１１は試験用サンプルＢ（本発明処理品）のＳＥＭ写真、図１２は試験用サンプルＣ（本発明処理品）のＳＥＭ写真、図１３は試験用サンプルＡ（未処理品）のＳＥＭ写真、図１４は試験用サンプルＣ（未処理品）のＳＥＭ写真である。図１１〜図１４において、「｝」はＳｉＣ層を示している。
（試験結果の評価）
ＳＥＭ写真から、ＳｉＣ層の厚さは灰化の結果と同じ傾向となった。未処理品に比べて本発明処理品による効果が確認できた。
【産業上の利用可能性】
【００５０】
本発明は、単結晶引き上げ装置用黒鉛ルツボ及びその製造方法に適用される。
【符号の説明】
【００５１】
１：石英ルツボ
２：黒鉛ルツボ
３：黒鉛ルツボ基材
４：熱分解炭素被膜
５：開気孔
【図１】
0005723615.tif 000007
【図２】
0005723615.tif 000008
【図３】
0005723615.tif 000009
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
0005723615.tif 000013
【図８】
0005723615.tif 000014
【図９】
0005723615.tif 000015
【図１０】
0005723615.tif 000016
【図１１】
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【図１２】
0005723615.tif 000018
【図１３】
0005723615.tif 000019
【図１４】
0005723615.tif 000020