(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
極紫外光チャンバであって、
照射領域内に焦点を有する集光ミラーと、
前記集光ミラーの裏側に結合され、該集光ミラーの反射面を約５０℃以下に維持するように動作する、冷却システムと、
スズを含むある量のターゲット材料を含むターゲット材料ディスペンサシステムと、
前記極紫外光チャンバに結合されたバッファ・ガス源と、
前記集光ミラーと前記極紫外光チャンバの出力との間に配置され、それぞれが前記極紫外光チャンバの内面と接触している複数のバッフルと、
を備え、
前記複数のバッフルのそれぞれの少なくとも第１の部分が前記照射領域と実質的に位置合わせされ、前記複数のバッフルの少なくとも１つの少なくとも第２の部分が、照射領域に対して実質的に位置合わせされていないことを特徴とする極紫外光チャンバ。
【請求項２】
前記極紫外光チャンバに結合されたターゲット材料凝縮器システムをさらに備えることを特徴とする、請求項１に記載のチャンバ。
【請求項３】
前記複数のバッフルの少なくとも一部に結合された熱源をさらに備え、前記熱源は、前記集光ミラーを加熱せずに、前記複数のバッフル少なくとも一部加熱することができることを特徴とする、請求項１に記載のチャンバ。
【請求項４】
前記熱源は、前記複数のバッフルの少なくとも一部を、前記集光ミラーを加熱せずに前記集光ミラーよりも高い温度まで加熱することができることを特徴とする、請求項３に記載のチャンバ。
【請求項５】
前記熱源は、前記複数のバッフルの少なくとも一部を、ターゲット材料の融点まで加熱することができることを特徴とする、請求項３に記載のチャンバ。
【請求項６】
前記複数のバッフルが伝達領域のエッジから始まり、該バッフルが前記極紫外光チャンバの前記内面まで延びることを特徴とする、請求項１に記載のチャンバ。
【請求項７】
前記複数のバッフルの各々は、隣接するバッフルから同じ距離だけ離間していることを特徴とする、請求項１に記載のチャンバ。
【請求項８】
前記複数のスペースの各々が、等しい幅を有することを特徴とする、請求項７に記載のチャンバ。
【請求項９】
前記複数のスペースの各々が、異なる幅を有することを特徴とする、請求項７に記載のチャンバ。
【請求項１０】
前記極紫外光チャンバに結合されたターゲット材料凝縮器システムをさらに備え、前記ターゲット材料凝縮器システムが、前記極紫外光チャンバに結合された真空源を含むことを特徴とする、請求項１に記載のチャンバ。
【請求項１１】
極紫外光チャンバであって、
集光ミラーと、
前記集光ミラーと前記極紫外光チャンバの出力との間に配置された複数のバッフルとを備え、前記複数のバッフルの各々の少なくとも第１の部分が、照射領域に対して実質的に位置合わせされ、前記複数のバッフルのうちの少なくとも１つの少なくとも第２の部分が、前記照射領域に対して実質的に位置合わせされていないことを特徴とする、極紫外光チャンバ。
【請求項１２】
極紫外光を生成する方法であって、
液滴生成器からスズを含むターゲット材料の複数の液滴を極紫外レーザ・チャンバ内に吐出し、
照射領域内で複数の液滴のうちの選択された１つに対してソース・レーザを合焦し、
照射領域内で前記複数の液滴の前記選択された１つを照射し、
前記照射された液滴から放出された極紫外光を、前記照射領域内に焦点を有する集光ミラー内で集光し、
前記集光ミラーの反射面を約５０℃以下に維持し、
前記照射された液滴から放出された前記ターゲット材料残渣の第１の量を前記集光ミラーの前記反射面上に堆積させ、
前記極紫外レーザ・チャンバ内に水素含有ガスを注入し、
前記集光ミラーの前記反射面上のターゲット材料残渣の前記第１の量の第１の部分を水素化物に変換し、
前記ターゲット材料残渣の前記第１の量の前記第１の部分の前記水素化物を、前記集光ミラーの前記反射面から蒸発させ、
前記ターゲット材料残渣の前記第１の量の前記第１の部分の前記蒸発させた水素化物を、前記極紫外レーザ・チャンバから除去し、
前記集光ミラーと前記極紫外レーザ・チャンバの出力との間に配置された複数のバッフル上のターゲット材料の第２の量を収集する
ステップを含み、
前記複数のバッフルの各々の少なくとも第１の部分は、照射領域に対して実質的に位置合わせされ、前記複数のバッフルのうちの少なくとも１つの少なくとも第２の部分は、前記照射領域に対して実質的に位置合わせされていないことを特徴とする方法。
【請求項１３】
前記複数のバッフルの少なくとも一部を、前記ターゲット材料残渣の前記第２の量の融点まで加熱するステップをさらに含むことを特徴とする、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
液化した前記ターゲット材料残渣の溶融した前記第２の量をターゲット材料凝縮器システム内で捕捉するステップをさらに含むことを特徴とする、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記極紫外レーザ・チャンバの複数の非クリティカル内面を、前記集光ミラーの前記反射面のおよその温度よりも高い温度まで加熱するステップをさらに含み、前記極紫外レーザ・チャンバの前記複数の非クリティカル内面が、前記集光ミラー以外の表面を含むことを特徴とする、請求項１２に記載の方法。
【請求項１６】
前記ターゲット材料残渣の第１の量の前記蒸発させた水素化物を、前記極紫外レーザ・チャンバから除去する前記ステップが、前記蒸発させた水素化物を前記極紫外レーザ・チャンバの加熱された前記複数の非クリティカル内面上で分解することを含むことを特徴とする、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記極紫外レーザ・チャンバの複数の非クリティカル内面を、前記ターゲット材料残渣の融点に等しいかそれより高い温度まで加熱するステップをさらに含み、前記極紫外レーザ・チャンバの前記複数の非クリティカル内面が、前記集光ミラー以外の表面を含むことを特徴とする、請求項１２に記載の方法。
【請求項１８】
液化した前記ターゲット材料残渣をターゲット材料凝縮器システム内で捕捉するステップをさらに含むことを特徴とする、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
極紫外光を生成する方法であって、
液滴生成器から、スズを含むターゲット材料の複数の液滴を極紫外レーザ・チャンバ内に吐出し、
照射領域内で複数の液滴のうちの選択された１つに対してソース・レーザを合焦し、
照射領域内で前記複数の液滴の前記選択された１つを照射し、
前記照射された液滴から放出された極紫外光を集光ミラー内で集光し、
前記集光ミラーを約５０℃以下に維持し、ここで前記集光ミラーは前記照射流域内に焦点を有し、
前記集光ミラーと前記極紫外レーザ・チャンバの出力との間に配置された複数のバッフル上の、ある量のターゲット材料残渣を収集する
ステップと、
を含み、
前記複数のバッフルのそれぞれは前記極紫外光チャンバの内面と接触しており、前記複数のバッフルの各々の少なくとも第１の部分は、照射領域に対して実質的に位置合わせされ、前記複数のバッフルのうちの少なくとも１つの少なくとも第２の部分は、前記照射領域に対して実質的に位置合わせされていないことを特徴とする方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一般に、レーザ生成プラズマ極紫外システム、方法及び装置に関し、より詳細には、レーザ生成プラズマ極紫外システムにおける液滴管理のためのシステム、方法及び装置に関する。
【０００２】
「関連出願の相互参照」
本出願は、２０１０年３月１６日に出願された「Ｓｙｓｔｅｍ，  Ｍｅｔｈｏｄ  ａｎｄ  Ａｐｐａｒａｔｕｓ  ｆｏｒ  Ｌａｓｅｒ  Ｐｒｏｄｕｃｅｄ  Ｐｌａｓｍａ  Ｅｘｔｒｅｍｅ  Ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ  Ｃｈａｍｂｅｒ  Ｗｉｔｈ  Ｈｏｔ  Ｗａｌｌｓ  ａｎｄ  Ｃｏｌｄ  Ｃｏｌｌｅｃｔｏｒ  Ｍｉｒｒｏｒ」と題する米国実用特許出願第１２／７２５，１６７号に基づく優先権を主張し、さらに、その全体が全ての目的について引用によりここに組み入れられる、２００９年４月９日に出願された「Ｅｘｔｒｅｍｅ  Ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ  Ｌｉｇｈｔ  Ｏｕｔｐｕｔ」と題する米国仮特許出願第６１／１６８，０３３号に基づく優先権を主張する。本出願はさらに、その全体が全ての目的について引用によりここに組み入れられる、２００９年４月９日に出願された「Ｓｙｓｔｅｍ，  Ｍｅｔｈｏｄ  ａｎｄ  Ａｐｐａｒａｔｕｓ  ｆｏｒ  Ｌａｓｅｒ  Ｐｒｏｄｕｃｅｄ  Ｐｌａｓｍａ  Ｅｘｔｒｅｍｅ  Ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ  Ｃｈａｍｂｅｒ  Ｗｉｔｈ  Ｈｏｔ  Ｗａｌｌｓ  ａｎｄ  Ｃｏｌｄ  Ｃｏｌｌｅｃｔｏｒ  Ｍｉｒｒｏｒ」と題する米国仮特許出願第６１／１６８，０１２号に基づく優先権も主張する。本出願はさらに、その全体が全ての目的について引用によりここに組み入れられる、２００９年４月９日に出願された「Ｓｙｓｔｅｍ，  Ｍｅｔｈｏｄ  ａｎｄ  Ａｐｐａｒａｔｕｓ  ｆｏｒ  Ｄｒｏｐｌｅｔ  Ｃａｔｃｈｅｒ  ｆｏｒ  Ｐｒｅｖｅｎｔｉｏｎ  ｏｆ  Ｂａｃｋｓｐｌａｓｈ  ｉｎ  ａ  ＥＵＶ  Ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ  Ｃｈａｍｂｅｒ」と題する米国仮特許出願第６１／１６８，０００号に基づく優先権も主張する。
【背景技術】
【０００３】
レーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）極紫外（ＥＵＶ）システムは、プラズマ・ターゲット材料の液滴をソース・レーザで照射することによってプラズマを生成する。得られたプラズマは、所望の波長、この場合にはＥＵＶ（例えば、約５０ｎｍ未満の波長であり、約１３．５ｎｍ又はそれ以下の波長の光を含む）の光を放出する。
【０００４】
不都合なことに、プラズマ・ターゲット材料の液滴を照射すると、液滴からデブリが生じることがある。デブリは、集光ミラー及びその他のＥＵＶチャンバの内面上に堆積することがある。集光ミラー上に堆積したデブリは、ＥＵＶ光出力の量を低減させることがある。
【０００５】
さらに、ターゲット材料の液滴のうちのいくつかは、ソース・レーザによって照射されず、その結果、ＬＰＰチャンバの内面上に堆積することになり得るスプラッシュ並びにその他の微粒子及びデブリを生じさせることがある。
【０００６】
上記のことを鑑みて、ＬＰＰ  ＥＵＶチャンバ内の動作プロセスの間に生成される微粒子及びデブリの、より優れた制御を提供することが必要とされる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】米国特許第７，４３９，５３０号明細書
【特許文献２】米国特許第７，４９１，９５４号明細書
【特許文献３】米国特許第６，６２５，１９１号明細書
【特許文献４】米国特許第６，５４９，５５１号明細書
【特許文献５】米国特許第６，５６７，４５０号明細書
【特許文献６】米国特許第７，４６５，９４６号明細書
【特許文献７】米国特許第７，４０５，４１６号明細書
【特許文献８】米国特許第７，３７２，０５６号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
大まかに言って、本発明は、ＬＰＰ  ＥＵＶシステム内に改良されたＥＵＶ光チャンバを設けることによってこれらの要求を満たす。本発明は、プロセス、装置、システム、コンピュータ可読媒体、又はデバイスを含む数多くの方式で実装することができることを理解されたい。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
１つの実施形態は、集光器と、集光器の裏側に結合され、集光器の反射面を冷却するように動作する冷却システムと、極紫外光チャンバに結合されたバッファ・ガス源とを備えた、極紫外光チャンバを提供する。
【００１０】
チャンバはまた、極紫外光チャンバに結合されたターゲット材料凝縮器システムを含むこともできる。チャンバはまた、集光器と極紫外光チャンバの出力との間に配置された多重バッフルを含むこともできる。チャンバはまた、バッフルの少なくとも一部に結合された熱源を含むこともできる。熱源は、バッフルの少なくとも一部を集光器の反射面よりも高い温度まで加熱することができるものとすることができる。熱源は、バッフルの少なくとも一部をターゲット材料の融点まで加熱することができるものとすることができる。
【００１１】
バッフルの各々の少なくとも第１の部分は、照射領域に対して実質的に位置合わせすることができる。バッフルのうちの少なくとも１つの少なくとも第２の部分は、照射領域に対して実質的に位置合わせされない。バッフルは、伝達領域のエッジから始まることができ、バッフルは、極紫外光チャンバの内面まで延びる。バッフルの各々は、隣接するバッフルから対応するスペースだけ離間している。隣接するバッフル間の対応するスペースの各々は、等しい幅又は異なる幅を有することができる。
【００１２】
チャンバはまた、極紫外光チャンバに結合されたターゲット材料凝縮器システムを含むこともできる。ターゲット材料凝縮器システムは、極紫外光チャンバに結合された真空源を含むことができる。
【００１３】
別の実施形態は、集光器と、集光器と極紫外光チャンバの出力との間に配置された多重のバッフルとを含む極紫外光チャンバを提供する。バッフルの各々の少なくとも第１の部分は、照射領域に対して実質的に位置合わせされ、複数のバッフルのうちの少なくとも１つの少なくとも第２の部分は、照射領域に対して実質的に位置合わせされない。
【００１４】
別の実施形態は、液滴生成器からターゲット材料の液滴を極紫外レーザ・チャンバ内に吐出し、照射領域内で液滴のうちの選択された１つに対してソース・レーザを合焦し、液滴のうちの選択された１つを照射し、照射された液滴から放出された極紫外光を集光器内で集光し、集光器の反射面が冷却され、照射された液滴から放出されたターゲット材料残渣が集光器の反射面上に堆積され、極紫外レーザ・チャンバ内に水素含有ガスが注入され、集光器の反射面上のターゲット材料残渣の第１の量が水素化物に変換され、ターゲット材料残渣の第１の量の水素化物を集光器の反射面から蒸発させ、蒸発させたターゲット材料残渣の第１の量の水素化物が極紫外レーザ・チャンバから除去されることを含む、極紫外光を生成する方法を提供する。
【００１５】
本方法はまた、集光器と極紫外レーザ・チャンバの出力との間に配置されたバッフルの組の上のターゲット材料残渣の第２の量を収集することを含むこともできる。本方法はまた、バッフルの少なくとも一部をターゲット材料残渣の融点まで加熱することを含むこともできる。液化したターゲット材料残渣は、ターゲット材料凝縮器システム内で捕捉することができる。
【００１６】
本方法は、極紫外レーザ・チャンバの非クリティカル内面を集光器の反射面の温度よりも高い温度まで加熱することを含むこともできる。極紫外レーザ・チャンバの非クリティカル内面は、集光器以外の表面を含む。ターゲット材料残渣の第１の量を極紫外レーザ・チャンバから除去することは、蒸発された水素化物を極紫外レーザ・チャンバの非クリティカル内面上で分解することを含むことができる。
【００１７】
本方法は、極紫外レーザ・チャンバの非クリティカル内面をターゲット材料残渣の融点と等しいかそれより高い温度まで加熱することを含むこともできる。液化したターゲット材料残渣は、ターゲット材料凝縮器・システム内で捕捉することができる。
【００１８】
さらなる別の実施形態は、液滴生成器からターゲット材料の液滴を極紫外レーザ・チャンバ内に吐出し、照射領域内で複数の液滴のうちの選択された１つにソース・レーザを合焦し、複数の液滴のうちの選択された１つを照射し、照射された液滴から放出された極紫外光を集光器内で集光し、集光器と極紫外レーザ・チャンバの出力との間に配置されたバッフルの組の上のある量のターゲット材料残渣を収集することを含む、極紫外光を生成する方法を提供する。
【００１９】
本発明のその他の態様及び利点は、以下の詳細な説明を、本発明の原理を例示的に示す添付の図面と組み合わせて考慮することで、明らかとなろう。
【００２０】
本発明は、添付の図面と組み合わされた以下の詳細な説明によって容易に理解されるだろう。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】開示された主題の実施形態による、レーザ生成プラズマＥＵＶ光源の概略図である。
【図２Ａ】開示された主題の実施形態による、ここに記載される実施形態のいくつか又は全てにおいて用いることができる、簡略化されたターゲット材料ディスペンサの構成要素の概略図である。
【図２Ｂ】開示された主題の実施形態による、ＥＵＶチャンバ内のいくつかの構成要素のより詳細な概略図である。
【図２Ｃ】開示された主題の実施形態による、ＥＵＶチャンバ内のいくつかの構成要素のより詳細な概略図である。
【図３】開示された主題の実施形態による、ＥＵＶを生成する際に行われる方法動作を示すフローチャート図である。
【図４】開示された主体の実施形態による、集光ミラー上の微粒子を除去する際に行われる方法動作を示すフローチャート図である。
【図５Ａ】開示された主題の実施形態による、ＥＵＶチャンバ内の容器中央部バッフル組立体を示す。
【図５Ｂ】開示された主題の実施形態による、ＥＵＶチャンバ内の容器中央部バッフル組立体を示す。
【図５Ｃ】開示された主題の実施形態による、ＥＵＶチャンバ内の容器中央部バッフル組立体を示す。
【図５Ｄ】開示された主題の実施形態による、ＥＵＶチャンバ内の容器中央部バッフル組立体を示す。
【図５Ｅ】開示された主題の実施形態による、ＥＵＶチャンバ内の容器中央部バッフル組立体を示す。
【図５Ｆ】開示された主題の実施形態による、ＥＵＶチャンバ内の容器中央部バッフル組立体を示す。
【図６】開示された主題の実施形態による、ＥＵＶチャンバ内の容器中央部バッフル組立体を示す。
【図７】開示された主題の実施形態による、バッフル組立体内で微粒子の第３の部分を捕捉し、除去する際に実施される方法動作を示すフローチャート図である。
【図８】開示された主題の実施形態による、ＥＵＶチャンバを含む統合システムのブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
ＬＰＰ  ＥＵＶシステムにおける、改良されたキャッチ・システム、及び未使用の液滴を捕捉する方法のいくつかの例示的な実施形態をここで説明する。ここで述べる特定の詳細のうちのいくつか又は全てがなくても本発明を実施することができることが、当業者には明らかである。
【００２３】
１つのＬＰＰ技術は、ターゲット材料の液滴の流れを生成し、液滴のうちのいくつか又は全てを、光パルス、例えば、ゼロ、１つ又はそれ以上のプレパルスとそれに続く主パルスで照射することを伴う。より理論的な用語で言えば、ＬＰＰ光源は、少なくとも１つのＥＵＶ放出元素（例えば、キセノン（Ｘｅ）、スズ（Ｓｎ）又はリチウム（Ｌｉ））を有するターゲット材料内に光又はレーザのエネルギーを与え、電子温度が数十ｅＶの、高度に電離したプラズマを作り出すことによって、ＥＵＶ放射を生成する。これらのイオンの脱励起及び再結合の際に生成される高エネルギー放射が、プラズマから全ての方向に放出される。
【００２４】
ほぼ垂直入射のミラー（「集光ミラー」）が、プラズマから比較的短い距離（例えば、１０−５０ｃｍ）に位置決めされて、ＥＵＶ光を、中間位置又は焦点に集光し、方向付け、合焦させる。集光されたＥＵＶ光は、次いで、中間位置からスキャナ光学素子の組へと中継され、最終的には、例えばフォトリソグラフィ・プロセスにおける半導体ウェファのような標的へと中継される。
【００２５】
集光ミラーは、ＥＵＶ光を効率的に反射させるために、デリケートで比較的高価な多層コーティングを含む。集光ミラーの表面を比較的清浄に保ち、プラズマによって生成される不必要なデブリから表面を保護することが、ＥＵＶ光源の開発者が直面する課題である。
【００２６】
現在開発されている例示的な配置では、目標は中間位置において約１００Ｗを生成することである。合焦されたパルス状の１０−１２ｋＷのＣＯ2駆動レーザ（又はエキシマ・レーザのようなその他の適切なレーザ）は、液滴生成器と同期され、１秒間あたり約１０，０００−２００，０００のスズの液滴を逐次的に照射する。この配置は、安定した液滴の流れを比較的高い反復速度（例えば、１０−２００ｋＨｚ又はそれ以上）で生成し、その液滴を、タイミング及び位置に関して高い精度及び良好な反復性で比較的長い期間にわたって供給することを必要とする。
【００２７】
図１は、開示された主題の実施形態による、レーザ生成プラズマＥＵＶ光源２０の概略図である。ＬＰＰ光源２０は、光パルスの列を生成し、光パルスをＥＵＶチャンバ２６内に供給するための光パルス生成システム２２を含む。各光パルス２３は、光パルス生成システム２２からビーム光路に沿ってＥＵＶチャンバ２６内へと進み、照射領域２８においてそれぞれのターゲット液滴を照明する。
【００２８】
図１に示される光パルス生成システム２２における使用に適したレーザは、例えば１０ｋＷ又はそれ以上という比較的高い電力で、例えば約５０ｋＨｚ又はそれ以上の高いパルス繰返し数で動作する、例えばＤＣ又はＲＦ励起による、例えば約９．３μｍ又は約１０．６μｍの放射を生成する、パルス気体放電ＣＯ2レーザ装置などのような、パルス・レーザ装置を含むことができる。１つの特定の実装において、光パルス生成システム２２内のレーザは、多重増幅段を備えたＭＯＰＡ構成を有し、例えば１００ｋＨｚの動作が可能な、低エネルギーで高繰返し率のＱスイッチ主発振器（ＭＯ）によって始動されるシード・パルスを有する、軸流ＲＦポンプＣＯ2レーザとすることができる。ＭＯから出たレーザパルスは、その後、照射領域２８に到達する前に、増幅され、成形され、合焦される。
【００２９】
光パルス生成システム２２のために、連続的にポンピングされるＣＯ2増幅器を用いることができる。例えば、その全体が引用によりここに組み入れられる、２００８年１０月２１日発行の「ＬＰＰ  ＥＵＶ  ＬＩＧＨＴ  ＳＯＵＲＣＥ  ＤＲＩＶＥ  ＬＡＳＥＲ  ＳＹＳＴＥＭ」と題する、同一出願人による特許文献１には、１つの発振器と３つの増幅器とを有する（Ｏ−ＰＡ１−ＰＡ２−ＰＡ３構成）適切なＣＯ2レーザ装置が開示されている。
【００３０】
あるいは、光パルス生成システム２２内のレーザは、液滴が光共振器の１つのミラーとして働く、いわゆる「自己ターゲッティング」レーザ・システムとして構成することができる。いくつかの「自己ターゲッティング」配置においては、主発振器は必ずしも必要ではない。自己ターゲッティング・レーザ・システムは、その全体の内容が引用によりここに組み入れられる、２００９年２月１７日発行の「ＤＲＩＶＥ  ＬＡＳＥＲ  ＤＥＬＩＶＥＲＹ  ＳＹＳＴＥＭＳ  ＦＯＲ  ＥＵＶ  ＬＩＧＨＴ  ＳＯＵＲＣＥ」と題する、同一出願人による特許文献２において開示され、特許請求されている。
【００３１】
用途に応じて、例えば、高電力及び高パルス繰返し率で動作する、エキシマ・レーザ又は分子フッ素レーザなどの他の種類のレーザも、光パルス生成システム２２における使用に適している。その他の例としては、例えばファイバ、ロッド又はディスク形状の活性媒質を有する固体レーザ、例えばその全体の内容が引用によりここに組み入れられる、特許文献３、特許文献４及び特許文献５に示されているようなＭＯＰＡ構成のエキシマ・レーザ・システム、１つ又はそれ以上のチャンバ、例えば１つの発振器チャンバ及び１つ又はそれ以上の増幅チャンバ（増幅チャンバは並列又は直列）を有するエキシマ・レーザ、主発振器／電力発振器（ＭＯＰＯ）配置、主発振器／電力リング増幅器（ＭＯＰＲＡ）配置、電力発振器／電力増幅器（ＰＯＰＡ）配置、又は、１つ又はそれ以上のエキシマ又は分子フッ素増幅器又は発振器チャンバをシードする（ｓｅｅｄ）固体レーザが挙げられ、適切であり得る。その他の設計も可能である。
【００３２】
図１を再び参照すると、ＥＵＶ光源２０はさらに、例えばターゲット材料をチャンバ２６の内部の照射領域２８に供給する、ターゲット材料供給システム２４を含むことができ、照射領域２８において、液滴１０２Ａ、１０２Ｂは、１つ又はそれ以上の光パルス２３、例えば、１つ又はそれ以上のプレパルス、及びその後の１つ又はそれ以上の主パルスと相互作用して、最終的にプラズマを生成し、ＥＵＶ放出３４を生じさせる。ＥＵＶチャンバ２６は、プラズマ形成のために、真空近傍（例えば、約５０ｍＴと１５００ｍＴとの間）に維持される。ターゲット材料は、スズ、リチウム、キセノンなど、又はそれらの組合せを含む材料を含むことができるが、それらに必ずしも限定されない。例えばスズ、リチウム、キセノンなどのＥＵＶ放出元素は、液体の小滴及び／又は液体の小滴１０２Ａ、１０２Ｂ内に含まれる固体粒子の形態をとることができる。
【００３３】
例として、元素スズは、純粋なスズとして、例えばＳｎＢｒ4、ＳｎＢｒ2、ＳｎＨ4などのスズ化合物として、例えばスズ−ガリウム合金、スズ−インジウム合金、スズ−インジウム−ガリウム合金などのスズ合金として、又はそれらの組合せとして用いることができる。用いられる材料に応じて、ターゲット材料は、室温又は室温近傍（例えば、スズ合金、ＳｎＢｒ4）、高温（例えば、純スズ）又は室温より低い温度（例えば、ＳｎＨ4）を含む種々の温度で照射領域２８に提供することができ、場合によっては、例えばＳｎＢｒ4のように比較的揮発性であってもよい。これらの材料のＬＰＰ  ＥＵＶ光源における使用に関するさらなる詳細は、その内容が引用によりここに組み入れられる、２００８年１２月１８日発行の、ＡＬＴＥＲＮＡＴＩＶＥ  ＦＵＥＬＳ  ＦＯＲ  ＥＵＶ  ＬＩＧＨＴ  ＳＯＵＲＣＥと題された、同一出願人による特許文献６で提示されている。
【００３４】
図１をさらに参照すると、ＥＵＶ光源２０は、集光ミラー３０を含む。集光ミラー３０は、長球（すなわち、その長軸の周りで回転された楕円）形状の反射面を有する、ほぼ垂直入射の集光ミラーである。実際の形状及び幾何学的配置は、当然、チャンバのサイズ及び焦点の位置に応じて変化し得る。１つ又はそれ以上の実施形態において、集光ミラー３０は、段階的多層コーティングを含むことができる。段階的多層コーティングは、モリブデンとケイ素の交互層を含むことができ、場合によっては、１つ又はそれ以上の、高温拡散障壁層、平滑層、キャッピング層及び／又はエッチング停止層を含むことができる。
【００３５】
集光ミラー３０は、開口部３２も含む。開口部３２は、光パルス生成システム２２によって生成された光パルス２３を照射領域２８まで通過させることを可能にする。集光ミラー３０は、第１の焦点が照射領域２８内又はその付近にあり、第２の焦点が中間領域４０にある、長球面ミラーとすることができる。ＥＵＶ光３４は、中間領域において、又はその付近でＥＵＶ光源２０から出力し、ＥＵＶ光３４を利用するデバイス４２へと入力する。例として、ＥＵＶ光３４を受けるデバイス４２は、集積回路リソグラフィ・ツールとすることができる。
【００３６】
ＥＵＶ光３４を集光し、中間位置へと方向付け、その後でＥＵＶ光を利用するデバイスに供給するために、長球面ミラー３０に代えてその他の光学素子を用いることができることを認識されたい。例として、集光ミラー３０は、その長軸の周りで回転された放物線とすることができる。あるいは、集光ミラー３０は、リング形状の断面を有するビームを中間位置４０に供給するように構成されることができる（例えば、その内容が引用によりここに組み入れられる、２００６年８月１６日に出願された、ＥＵＶ  ＯＰＴＩＣＳと題された、同時係属中の米国特許出願第１１／５０５，１７７号（代理人整理番号２００６−００２７−０１））。
【００３７】
ＥＵＶ光源２０はまた、ＥＵＶコントローラ６０を含むこともできる。ＥＵＶコントローラ６０は、光パルス生成システム２２内の１つ又はそれ以上のランプ及び／又はレーザ・デバイスをトリガして、それにより、チャンバ２６内に供給するための光パルス２３を生成する、発火制御システム６５を含むことができる。
【００３８】
ＥＵＶ光源２０はまた、１つ又はそれ以上の液滴イメージャ７０を含む液滴位置検出システムを含むこともできる。液滴イメージャ７０は、照射領域２８に対する１つ又はそれ以上の液滴１０２Ａ、１０２Ｂの位置及び／又はタイミングを示す出力を与えるＣＣＤ又はその他のイメージング技術及び／又はバックライト・ストロボ照明及び／又はライトカーテンを用いて、像をキャプチャすることができる。イメージャ７０は、液滴位置検出フィードバック・システム６２に結合され、これに液滴の位置及びタイミングのデータを出力する。液滴位置検出フィードバック・システム６２は、液滴の位置及び軌道を計算することができ、液滴の誤差をそこから計算することができる。液滴の誤差は、液滴ごとに算出することもでき、又は平均液滴データに基づいて算出することもできる。液滴位置誤差は、次いでＥＵＶコントローラ６０の入力として与えることができる。ＥＵＶコントローラ６０は、位置、方向及び／又はタイミング補正信号を光パルス生成システム２２に与えて、光源タイミング回路を制御し、及び／又は、ビーム位置及び成形システムを制御し、チャンバ２６内の照射領域２８に供給される光パルスの軌道及び／又は集光力若しくは焦点を変更させることができる。
【００３９】
ＥＵＶ光源２０はまた、光源２０により生成されるＥＵＶ光の種々の特性を測定するための１つ又はそれ以上のＥＵＶ計測計器を含むこともできる。これらの特性としては、例えば、強度（例えば総強度又は特定のスペクトル帯域における強度）、スペクトル帯域幅、偏光、ビーム位置、照準などが挙げられる。ＥＵＶ光源２０に対して、計器は、例えばフォトリソグラフィ・スキャナなどの下流ツールがオンラインのときに、例えば、ＥＵＶ出力の一部を例えばピックオフ・ミラーを用いてサンプリングすること、又は「集光されなかった」ＥＵＶ光をサンプリングすることによって動作し、及び／又は、例えばフォトリソグラフィ・スキャナなどの下流ツールがオフラインのときに、例えば、ＥＵＶ光源２０の全ＥＵＶ出力を測定することによって動作するように構成することができる。
【００４０】
ＥＵＶ光源２０はまた、ＥＵＶコントローラ６０からの信号（これは、いくつかの実装においては、上記の液滴誤差、又はそれから誘導されるある種の量を含むことができる）に応答して、例えば、ターゲット材料ディスペンサ９２からのターゲット材料の解放点を修正し、及び／又は液滴形成タイミングを修正して、所望の照射領域２８に到達する液滴１０２Ａ、１０２Ｂにおける誤差を補正し、及び／又は液滴１０２Ａ、１０２Ｂの生成を光パルス生成システム２２と同期させるように動作可能な、液滴制御システム９０を含むこともできる。
【００４１】
図２Ａは、開示された主題の実施形態による、ここに記載される実施形態のいくつか又は全てにおいて用いることができる、簡略化されたターゲット材料ディスペンサ９２の構成要素の概略図である。ターゲット材料ディスペンサ９２は、流体形態のターゲット材料９６を保持する導管又はリザーバ９４を含む。流体ターゲット材料９６は、圧力Ｐの下で溶融金属（例えば溶融スズ）のような液体とすることができる。リザーバ９４は、オリフィス９８を含み、加圧された流体ターゲット材料９６を、オリフィス９８を通して流して、連続流れ１００を確立することを可能にする。連続流れ１００は、その後分断されて、液滴１０２Ａ、１０２Ｂの流れとなる。ターゲット材料ディスペンサ９２はさらに、電気作動素子１０４を有する、流体内に擾乱を生じさせるサブシステムを含み、これは、流体ターゲット材料９６及び／又はオリフィス９８と、電気作動素子１０４を駆動させる信号生成器１０６と結合されて動作可能である。
【００４２】
種々の液滴ディスペンサの構成及びその相対的な利点に関するさらなる詳細は、その各々の内容が引用によりここに組み入れられる、２００８年６月１９日出願の、ＳＹＳＴＥＭＳ  ＡＮＤ  ＭＥＴＨＯＤＳ  ＦＯＲ  ＴＡＲＧＥＴ  ＭＡＴＥＲＩＡＬ  ＤＥＬＩＶＥＲＹ  ＩＮ  Ａ  ＬＡＳＥＲ  ＰＲＯＤＵＣＥＤ  ＰＬＡＳＭＡ  ＥＵＶ  ＬＩＧＨＴ  ＳＯＵＲＣＥと題された、同時係属中の米国特許出願第１２／２１４，７３６号（代理人整理番号２００６−００６７−０２）、２００７年７月１３日出願の、ＬＡＳＥＲ  ＰＲＯＤＵＣＥＤ  ＰＬＡＳＭＡ  ＥＵＶ  ＬＩＧＨＴ  ＳＯＵＲＣＥ  ＨＡＶＩＮＧ  Ａ  ＤＲＯＰＬＥＴ  ＳＴＲＥＡＭ  ＰＲＯＤＵＣＥＤ  ＵＳＩＮＧ  Ａ  ＭＯＤＵＬＡＴＥＤ  ＤＩＳＴＵＲＢＡＮＣＥ  ＷＡＶＥと題する米国特許出願第１１／８２７，８０３号（代理人整理番号２００７−００３０−０１）、２００６年２月２１日出願の、ＬＡＳＥＲ  ＰＲＯＤＵＣＥＤ  ＰＬＡＳＭＡ  ＥＵＶ  ＬＩＧＨＴ  ＳＯＵＲＣＥ  ＷＩＴＨ  ＰＲＥ−ＰＵＬＳＥと題する、同時係属中の米国特許出願第１１／３５８，９８８号（代理人整理番号２００５−００８５−０１）、２００８年７月２９日発行の、ＭＥＴＨＯＤ  ＡＮＤ  ＡＰＰＡＲＡＴＵＳ  ＦＯＲ  ＥＵＶ  ＰＬＡＳＭＡ  ＳＯＵＲＣＥ  ＴＡＲＧＥＴ  ＤＥＬＩＶＥＲＹと題する、同一出願人による特許文献７、及び、２００８年５月１３日発行の、ＬＰＰ  ＥＵＶ  ＰＬＡＳＭＡ  ＳＯＵＲＣＥ  ＭＡＴＥＲＩＡＬ  ＴＡＲＧＥＴ  ＤＥＬＩＶＥＲＹ  ＳＹＳＴＥＭと題する、同一出願人による特許文献８において見いだすことができる。
【００４３】
液滴１０２Ａ、１０２Ｂは、直径が約２０μｍから約１００μｍの間である。液滴１０２Ａ、１０２Ｂは、オリフィス９８を通してターゲット材料９６を加圧することによって生成される。例として、オリフィス９８は、１つの実施形態において約５０μｍ未満の直径を有することができる。液滴１０２Ａ、１０２Ｂは、約３０から７０ｍ／秒の速度で発射される。液滴１０２Ａ、１０２Ｂは高速なので、液滴流れが、水平、垂直又はその他の何らかの方向のいずれで生成された場合でも、液滴は、ほぼ直線の液滴経路２０９から離れず、集光ミラー３０に衝突することはない。１つの実施形態において、ターゲット材料ディスペンサ９２によって連続モードで生成された液滴１０２Ａ、１０２Ｂの全てがプラズマ生成に用いられるわけではない。ＥＵＶ光源が１００％未満のデューティー・サイクルで稼働する場合には、液滴１０２ｃの一部は、照射領域２８を通過して、その後で回収されることができる。未使用の液滴１０２ｃが、ＥＵＶ光源チャンバの反対側の壁に衝突してしまう場合には、これらは、高速で動くフラグメントを広い空間分布で大量に生じさせることになる。それらのフラグメント２３１のかなりの部分は、ＥＵＶ集光ミラー３０並びに診断ポート及びデバイス７０の上に堆積することになり、したがって、その性能に影響を与える。
【００４４】
別のデブリ源は、照射領域２８である。強い光パルスで照射されると、液滴１０２Ａ、１０２Ｂは、片側が加熱され、その結果、急速な非対称の材料膨張とＥＵＶ光放出２３０がもたらされる。上述のように、ＥＵＶ光放出２３０は、集光ミラー３０で集光される。膨張の結果、かなりの量の液滴材料が、ターゲット材料ディスペンサ９２から出力されたときの液滴１０２Ａ、１０２Ｂの速度に匹敵する速度で、光パルス２３から遠ざかる方向に加速される。この材料は、いずれかの表面に衝突するまで照射領域２８から遠ざかる方向に移動し、衝突した点において、様々な方向に跳ね返り、すなわちバックスプラッシュすることがある。バックスプラッシュしたターゲット材料２３１は、集光ミラー３０上に堆積することがある。
【００４５】
図２Ｂ及び図２Ｃは、開示された主題の実施形態による、ＥＵＶチャンバ内のいくつかの構成要素のより詳細な概略図である。上述のように、ターゲット材料ディスペンサ９２は、液滴１０２Ａ、１０２Ｂの流れを吐出するが、全ての液滴が照射されて（すなわち用いられて）ＥＵＶ３４を生成するわけではない。例として、未使用の液滴１０２Ｃは、入射光パルス２３によって照射されていない。
【００４６】
未使用の液滴１０２Ｃは、ＥＵＶチャンバ２６内の未使用の液滴のバックスプラッシュを最小化するように、第１のキャッチ部２１０内で捕捉される。バックスプラッシュ２３６は、微粒子又は液体の小滴の形態を取ることができる。未使用の液滴１０２Ｃは、第１のキャッチ部２１０の底部２１１に打ち当たる。微粒子２３６は、第１のキャッチ部２１０の底部及び壁から複数回、跳ね返り、図２Ｃに示されるように、微粒子の一部２２２は、脱出してＥＵＶチャンバ２６内に戻り、微粒子の一部２３１は、集光ミラー３０上のような種々の表面上に堆積することがある。微粒子２２０は想像線で示されており、キャッチ部２１０によって捕捉され又は妨げられる微粒子のバックスプラッシュのうちのいくつかを示す。
【００４７】
第１のキャッチ部２１０は、円形、長円形、卵形、長方形、正方形又は他の適切な形状とすることができる断面を有する、細長い管とすることができる。図２Ｃに示されるように、第１のキャッチ部２１０は、ターゲット材料ディスペンサ９２の方に向けられた開放端２２４を含む。開放端２２４は、液滴経路２０９に対して実質的に中心揃えされることができる。第１のキャッチ部２１０はまた、中心線２２３を含んでもよく、この中心線は、より詳細に後述するように、液滴経路２０９に対して位置合わせされることもあり、されないこともある。
【００４８】
バックスプラッシュは、例えば約３より大きい、好ましくは約８より大きい、比較的大きいアスペクト比Ｌ／Ｗを有する第１のキャッチ部２１０を用いることによって低減又は最小化することができ、ここでＬは第１のキャッチ部の長さであり、ＷはＬに対して垂直な第１のキャッチ部の最大内寸である。第１のキャッチ部２１０の内壁に打ち当たると、未使用の液滴１０２ｃはその速度を減じ、図示されるように、未使用の液滴を第１のキャッチ部内で捕捉することができる。
【００４９】
図２Ｂに示されるように、照射された液滴はまた、照射後に、微粒子２３２を生成することもできる。微粒子２３２は、ＥＵＶチャンバ２６のあちこちに分散することができる。微粒子の一部２３１は、集光ミラー３０上に堆積することができる。微粒子２３２の一部は、随意の第２のキャッチ部２４０内で捕捉することができる。第１のキャッチ部２１０及び第２のキャッチ部２４０は、加熱又は冷却することもできる。
【００５０】
第１及び第２のキャッチ部２１０、２４０の一部又は全体は、二重の壁を有することができる。二重の壁の間のスペースは、キャッチ部２１０、２４０の効率的な熱管理（すなわち、加熱又は冷却）のために、水、スズ、ガリウム、スズ−ガリウム合金などのような１つ又はそれ以上の熱交換流体で満たされるか、又はそれらを通すように設計されることができる。
【００５１】
図３は、開示された主題の実施形態による、ＥＵＶ３４を生成する際に行われる方法動作３００を示すフローチャート図である。ここで示される動作は例示であり、いくつかの動作は、下位の動作を有していてもよく、他の例において、ここで説明される特定の動作は、示された動作内に含まれていなくてもよいことを理解されたい。このことを念頭に置いた上で、方法及び動作３００をここで説明する。
【００５２】
動作３０５において、光パルス２３が、ＥＵＶチャンバ２６内の照射領域２８に向けられる。動作３１０において、液滴１０２Ａ、１０２Ｂの流れのうちの選択された１つが、光パルス２３が照射領域２８に到達するのと実質的に同時に該照射領域に供給され、動作３１５において、照射された液滴からＥＵＶ光３４が生成される。
【００５３】
動作３２０において、照射された液滴から、微粒子の第１の部分２３１、微粒子の第２の部分２３２、及び微粒子の第３の部分２３３が放出される。微粒子の第１の部分２３１は、照射領域２８から外に放出され、集光ミラー３０へと向かう。微粒子の第２の部分２３２は、照射領域２８から外に放出され、キャッチ部２１０、２４０に向かう。微粒子の第３の部分２３３は、照射領域２８から外に放出され、ＥＵＶチャンバ２６の二次領域２３５Ｂに向かう。ＥＵＶチャンバ２６は、一次領域２３５Ａと二次領域２３５Ｂとに分けられる。一次領域２３５Ａは、集光ミラー３０と照射領域２８とを含む。二次領域２３５Ａは、ＥＵＶチャンバ２６の出口４０Ａと照射領域２８との間の部分を含む。
【００５４】
動作３２５において、液滴１０２Ａ、１０２Ｂの流れの微粒子の第２の部分２３２及び未使用の液滴１０２Ｃは、上述のように、第１及び／又は第２のキャッチ部２１０、２４０内で捕捉される。微粒子の第２の部分２３２及び未使用の液滴１０２Ｃを捕捉することで、微粒子及び液滴のバックスプラッシュ２３６がいずれも、実質的に制限される。
【００５５】
動作３３０において、微粒子の第１の部分２３１が、集光ミラー３０上に集まる。動作３３５において、微粒子の第３の部分２３３が、ＥＵＶチャンバ２６の二次領域２３５Ｂ内のいずれかの表面に衝突する。
【００５６】
微粒子の第３の部分２３３は、第４の部分２３３Ａと第５の部分２３３Ｂとに分けられる。動作３４０において、微粒子の第４の部分２３３Ａが、ＥＵＶチャンバ２６の二次領域２３５Ｂ内の表面２３６Ａに衝突し、その上に集まる。微粒子の第５の部分２３３Ｂは、動作３４５において、ＥＵＶチャンバ２６の二次領域２３５Ｂ内の表面２３５Ａに衝突し、そこで跳ね返る。動作３５０において、微粒子の第５の部分２３３Ｂは、最終的に、出口４０Ａを通ってＥＵＶチャンバ２６から脱出する。
【００５７】
動作３５５において、照射領域２８からのＥＵＶは、集光ミラー３０によって集光される。集光ミラー３０は、動作３６０において、ＥＵＶ光３４を中間位置４０に合焦し、動作３６５において、ＥＵＶ光３４が、ＥＵＶチャンバから出口４０Ａを通って出力され、方法動作を終了することができる。
【００５８】
図４は、開示された主体の実施形態による、集光ミラー３０上の微粒子２３１を除去する際に行われる方法動作４００を示すフローチャート図である。ここで示される動作は例示であり、いくつかの動作は、下位の動作を有していてもよく、他の例において、ここで説明される特定の動作は、示された動作内に含まれていなくてもよいことを理解されたい。このことを念頭に置いた上で、方法及び動作４００をここで説明する。
【００５９】
動作４０５において、エッチャント及び／又はバッファ・ガスがＥＵＶチャンバ２６内に導入される。例として、アルゴン（Ａｒ）、ヘリウム（Ｈｅ）及び／又は水素（Ｈ）バッファ・ガスをＥＵＶチャンバ２６内に導入して、高速イオン及び微粒子２３１が集光ミラー３０に損傷を与えないように、プラズマによって放出された高速イオン又は微粒子２３１の速度を低下させ、又は停止させることができる。ＥＵＶチャンバ２６内の光学表面をクリーニング／エッチングするために、水素、より詳細にはＨラジカルを用いることができる。ＥＵＶチャンバ内の水素ガス圧は、約３００ｍＴと約８００ｍＴとの間とすることができ、ＥＵＶチャンバに流入し、及びそこから流出するガス流は、約５０標準リットル毎分（ＳＬＭ）と約１００ＳＬＭとの間である。
【００６０】
動作４１０において、光パルス２３が、ＥＵＶチャンバ２６内の照射領域２８に向けられる。動作４１５において、液滴１０２Ａ、１０２Ｂの流れのうちの選択された１つが、光パルス２３が照射領域２８に到達するのと実質的に同時に該照射領域に供給され、動作４２０において、照射された液滴からプラズマが生成される。液滴を照射することによって、照射領域２８から外向きに放出される、液滴フラグメント及び微粒子２３１、２３２、２３３を含むターゲット材料残渣、並びに高速移動イオンが生成される。
【００６１】
動作４２５において、バッファ・ガスが、プラズマ及び高速移動イオン及びＥＵＶ光３４光子と相互作用して、水素ラジカルを生成する。動作４３０において、幾らかの高速移動イオンを含む微粒子の第１の部分２３１が、照射領域２８内の照射された液滴から放出され、集光ミラー３０に向かう。動作４３５において、幾らかの高速移動イオンを含む微粒子の第１の部分２３１は、集光ミラー３０上に集まり、それにより、集光ミラーの反射率を低下させる。
【００６２】
動作４４０において、集光ミラー３０が、ＥＵＶチャンバの他の内面の温度よりも低い温度に冷却される。集光ミラー３０は、摂氏約５０度未満又はそれより低温まで冷却される。ＳｎＨ４の形成及び分解は、温度に関係する。より高い温度では、形成速度は低下し、分解速度が高くなる。言い換えると、より高温の表面上のスズは、水素と結合してＳｎＨ４ガスを形成しにくく、熱表面の近傍のＳｎＨ４はスズと水素ガスとに分かれ（すなわち分解し）易く、熱表面上にスズを堆積させ、水素を水素ガスとして放出し易い。したがって、集光ミラー３０の温度が高くなるにつれて、スズの除去速度は低下する。逆に、集光ミラー３０の温度が低くなるにつれて、堆積したスズの除去は加速される。さらに、残りの内面（例えば、容器の壁及びバッフル）の相対温度が高いほど、それらの表面からのスズの除去は低減する。より低温の集光ミラー３０と比較的高温の容器壁との間の温度差により、低温の集光ミラー３０から高温の容器壁へと、ＳｎＨ４によってスズが輸送されることになる。おそらくは、もっと重要なことに、この温度差は、ＳｎＨ４による容器壁から集光ミラー３０へのスズの輸送を実質的に妨げる。
【００６３】
例として、集光ミラー３０は、集光ミラー３０の裏側を冷却するための裏側冷却機構を含むことができる。集光ミラー３０の裏側は、集光ミラーのＥＵＶ光３４の集光及び反射のために用いられる側の反対側である。裏側冷却機構は、冷却ジャケット３０Ａと、それに連結された、冷却ミラー・ジャケット３０Ａを通して冷却流体を循環させるための冷却流体源３０Ｂとを含むことができる。代替的に又は付加的に、冷却ガス流３０Ｃを、冷却ガス源３０Ｄから集光ミラー３０の裏側に向けて方向付けることができる。その他の適切な冷却機構又はそれらの組合せを用いることもできる。
【００６４】
動作４４５において、水素ラジカルが、集光ミラー３０の表面上でターゲット材料堆積物２３１と反応し、ターゲット材料の水素化物を生成する。例として、ターゲット材料がスズの場合には、水素ラジカルは、四水素化スズ（ＳｎＨ4）のためのものである。動作４５０において、ターゲット材料の水素化物は、集光ミラーの表面に気体として存在する。水素化反応は、高くない温度（例えば、摂氏約５０度未満）においてより速く進行する。スズ・ターゲット材料についての反応は、
スズ（固体）＋水素ラジカル＞＞ＳｎＨ4（気体）
である。
【００６５】
再び、ＥＵＶチャンバ２６内のスズ含有ターゲット材料の例について述べると、四水素化スズ（ＳｎＨ4）は、ＥＵＶ光３４を吸収することができ、ＥＵＶチャンバ内の表面上で分解することができるので、したがって、スズが再堆積される。したがって、ＥＵＶチャンバ２６内のターゲット材料の水素化物の量を減らすことで、ＥＵＶ光３４の出力を高めることになる。動作４５５において、ＥＵＶチャンバ２６内の非クリティカル面は、ターゲット材料の水素化物の分解を促進するように集光ミラー３０の温度よりも高い温度に維持され、動作４６０においてターゲット材料を非クリティカル表面上で堆積させる。非クリティカル面は、チャンバ壁２６Ａ、２３５Ａ、及び光学系又は検出器を含まないその他の表面を含む。
【００６６】
例として、非クリティカル面２６Ａ、２３５Ａは、ターゲット材料の融点より高温（例えば、スズ・ターゲット材料の場合には摂氏約２３２度より高温）に維持することができる。非クリティカル面２６Ａ、２３５Ａをターゲット材料の融点より高温に維持することで、随意の動作４６５において、液体ターゲット材料を形成させることが可能になる。次いで、液体ターゲット材料は、動作４７０において、重力流、濡れ、等を用いて非クリティカル面２６Ａ、２３５Ａから除去され、ＥＵＶチャンバ２６からターゲット材料凝縮システム２３７の中へと排出されることができ、方法動作を終了することができる。
【００６７】
図３の動作３４５及び３５０において上述したように、微粒子の第５の部分２３３Ｂは、ＥＵＶチャンバ２６の二次領域２３５Ｂ内の表面２３５Ａに衝突し、そこで跳ね返り、最終的に出口４０Ａを通ってＥＵＶチャンバ２６から脱出する。微粒子の第５の部分２３３Ｂが出口４０Ａを通ってＥＵＶチャンバ２６から脱出した場合、微粒子の第５の部分２３３Ｂは、ＥＵＶ光３４を使用する次のプロセス・デバイス４２を汚染することがある。この汚染は、ＥＵＶ光路２４６が実質的に垂直方向である場合には悪化することがあり、ＥＵＶ光路２４６が実質的に垂直方向であって、その次のプロセス・デバイス４２がＥＵＶチャンバ２６の下方にあり、重力が微粒子の第５の部分２３３Ｂの移動及び脱出を補助するようになっている場合には、特に悪化することがある
【００６８】
図５Ａ−図５Ｆは、開示された主題の実施形態による、ＥＵＶチャンバ２６内の容器中央部バッフル組立体５００を示す。図５Ａは、容器中央部バッフル組立体５００の側面の概略図である。図５Ｂは、容器中央部バッフル組立体５００の側面のより詳細な概略図である。図５Ｃは、容器中央部バッフル組立体５００の斜視図である。図５Ｄは、容器中央部バッフル組立体５００の側面図である。図５Ｄは、容器中央部バッフル組立体５００の断面図である。図５Ｆは、容器中央部バッフル組立体５００のさらに詳細な側面の概略図である。
【００６９】
図５Ａを参照すると、バッフル組立体５００は、ＥＵＶチャンバ２６の容器中央領域２３５’に配置される。ＥＵＶチャンバ２６の二次領域２３５は、２つの部分、すなわち、容器中央領域２３５’と容器後部領域２３５”とに分けられる。容器中央領域２３５’は、照射領域２８から始まって、ＥＵＶチャンバ２６の出口４０Ａに向かって延びる。容器後部領域２３５”は、容器中央領域２３５'と、ＥＵＶチャンバ２６の出口４０Ａとの間に延びる。容器中央領域２３５'及び容器後部領域２３５"は、特定の長さを有さず、したがって、容器中央領域２３５'は、ＥＵＶチャンバ２６の二次領域２３５の実質的に全てを含むことができる。
【００７０】
バッフル組立体５００は、液滴が照射領域２８内で照射されたときに作り出される微粒子の第３の部分２３３の実質的に全てを受け入れ、その速度を低下させ、捕捉する、一連の通路及び構造体（以下でより詳細に説明する）を含む。バッフル組立体５００は、照射領域２８及び集光ミラー３０から、中間位置４０、又はＥＵＶチャンバ２６の二次領域２３５のいずれかの部分まで延びることができる。バッフル組立体５００は、照射領域２８及び集光ミラー３０から中間位置４０まで延びることができるが、バッフル組立体は、ＥＵＶ光３４が集光ミラー３０から三次元の円錐形の伝達領域５０２を通って中間位置４０まで通過することを、妨げたり、それ以外の方法で閉塞したりすることはない。
【００７１】
バッフル組立体５００内の通路は、伝達領域５０２のエッジ５０４Ａ、５０４Ｂから始まり、バッフル組立体５００内の通路は、ＥＵＶチャンバ２６の内面２３５Ｃまで延びる。バッフル組立体５００内の通路と、それを形成する構造体の例示的な実施形態が、以下でより詳細に説明される。図５Ｃを参照すると、バッフル組立体５００が、三次元的な絵画図法で示されている。バッフル組立体５００は、伝達領域５０２を囲むが、その中に突出しない、一連の同心バッフル５００Ａ−５００Ｈである。バッフル組立体５００は、実質的に、伝達領域５０２のエッジ５０４Ａ、５０４Ｂからチャンバの内面２３５Ｃまで延びる。
【００７２】
図５Ｂ及び図５Ｆを参照すると、バッフル組立体５００が、一連の同心バッフル５００Ａ−５００Ｈを示す側面図で示されている。バッフルの第１の部分５００Ａ、５００Ｈは、単一段バッフルであり、バッフルの第２の部分５００Ｂ−５００Ｇは、多段バッフルである。単一段バッフル５００Ａ、５００Ｈは、初期バッフル同位角(ｉｎｉｔｉａｌ  ｃｏｒｒｅｓｐｏｎｄｉｎｇ  ｂａｆｆｌｅ  ａｎｇｌｅ）αＡ、αＨを有し、これは、バッフル組立体５００の両端間、伝達領域５０２のエッジ５０４Ａ、５０４Ｂ、及びＥＵＶチャンバ２６の内面２３５Ｃの近傍において、同一である。初期バッフル同位角αＡ、αＨは、単一段バッフル５００Ａ、５００Ｈを照射領域２８に対して実質的に位置合わせさせることができる。
【００７３】
単一段バッフル５００Ａは、それがＥＵＶチャンバの壁２３５Ｃに付着する点が、隣接するバッフルの第１の区域によって形成される影に位置合わせされるような角度にされる。このような角度は、照射領域２８から直接飛んでくる液滴フラグメントに、壁が直接的なラインで曝露されることを実質的に防止する。したがって、液滴フラグメント（例えば、微粒子）は、壁２３５Ｃに達する前に、最初に必ずバッフルの第１の段に突き当たることになり、これによりエネルギーを失う。液滴がＥＵＶチャンバ壁２３５Ｃに衝突する前に、バッフルの少なくとも１つの面で液滴フラグメントを偏向させることによってエネルギーを減じることで、液滴フラグメントがＥＵＶチャンバ壁で偏向し、集光ミラー３０の方に向かって戻る可能性が少なくなる。さらに、偏向した液滴フラグメントはいずれも、集光ミラー３０に達する前にバッフルの表面で少なくとも１回は跳ね返らなければならないので、さらにエネルギーが減らされ、液滴フラグメントがバッフル５００Ａ−５００Ｇの表面に貼り付いて、集光ミラー３０に戻らない可能性が高められる。
【００７４】
多段バッフル５００Ｂ−５００Ｇは、多段バッフルの角度が、伝達領域５０２のエッジ５０４Ａ、５０４ＢとＥＵＶチャンバ２６の内面２３５Ａとの間で変化するように、多重のバッフル同位角αＢ−αＧ及びθＢ−θＧを有する。初期バッフル同位角αＢ−αＧは、照射領域からバッフル５００Ａ−５００Ｇの各々に向かって延びる想像線によって示されるように、バッフル５００Ａ−５００Ｈの対応する第１の部分５００Ｂ’−５００Ｇ’を照射領域２８に対して実質的に位置合わせすることができる。第２のバッフル同位角θＢ−θＧは、照射領域から放出された微粒子の反射及び捕捉を促進するように、バッフル５００Ａ−５００Ｇの対応する第２の部分５００Ｂ”−５００Ｇ”を照射領域２８から逸れるように角度付けする。
【００７５】
バッフル５００Ａ−５００Ｈは、直線、さらには多重の直線部分として示されているが、図５Ｂに示されるような湾曲したバッフル５０１Ｄ−５０１Ｈを用いることもできることを理解されたい。湾曲したバッフル５０１Ｄ−５０１Ｈの曲率は、伝達領域５０２のエッジ５０４Ａ、５０４ＢとＥＵＶチャンバ２６の内面２３５Ｃとの間で変化してもよい。湾曲したバッフル５０１Ａ−５０１Ｈの少なくとも最初の部分は、照射領域２８に対して実質的に位置合わせされることができる。バッフルの湾曲した部分と直線部分との組合せを用いることができ、又は直線及び／又は湾曲及び／又は多段バッフルの組合せをバッフル組立体５００内に含めることができる。バッフル５００Ａ−５００Ｈは、図５Ｃ及び図５Ｅに示されるように、実質的に均等に離間させることができ、又は図５Ｂ及び図５Ｆに示されるように、不均等に離間させることもできる。
【００７６】
照射領域２８から放出された微粒子２３３の捕捉を促進するために、所望に応じて、バッフル５００Ａ−５００Ｈのうちの１つ又はそれ以上の部分及び／又は１つ又はそれ以上を、加熱又は冷却することができる。製造性、性能及び耐久性又はその他の理由で、所望により、バッフル５００Ａ−５００Ｈの異なる部分を異なる材料で製造することができる。例として、バッフル５００Ａ−５００Ｈは、モリブデン、ステンレス鋼（例えば、ＳＳ−３０４、３１６、チタン、ニッケル、銅若しくはアルミニウム又は同様の材料）のうちの１つ又はそれ以上から製造することができる。
【００７７】
バッフル組立体５００はまた、穴若しくはスペース、又は選択されたバッフルが取り除かれた部分を含むことができ、診断検出器（例えばＥＵＶ検出器）、１つ又はそれ以上のピンホール・カメラ、真空ペリスコープ、液滴イメージング及検出のためのアクセス、並びに、ステアリング、ターゲット材料キャッチ部、真空ポート、窓、及び、ＥＵＶチャンバ２６のアクセス、設計、構築及び動作のために必要なその他のいずれかのアクセスを提供する。
【００７８】
図６は、開示された主題の実施形態による、ＥＵＶチャンバ２６内の容器中央部バッフル組立体５００を示す。図７は、開示された主題の実施形態による、バッフル組立体５００内で微粒子の第３の部分２３３Ｃを捕捉し、除去する際に実施される方法動作７００を示すフローチャート図である。ここで示される動作は例示であり、いくつかの動作は、下位の動作を有していてもよく、他の例において、ここで説明される特定の動作は、示された動作内に含まれていなくてもよいことを理解されたい。このことを念頭に置いた上で、方法及び動作７００をここで説明する。
【００７９】
動作７０５において、光パルス２３が、ＥＵＶチャンバ２６内の照射領域２８に向けられる。動作７１０において、液滴１０２Ａ、１０２Ｂの流れのうちの選択された１つが、光パルス２３が照射領域２８に到達するのと実質的に同時に該照射領域に供給され、動作７１５において、照射された液滴からプラズマが生成される。
【００８０】
動作７２０において、微粒子の第３の部分２３３は（上記の図２Ｂ及び図５Ａに記載されるように）、照射領域２８からバッフル組立体５００に向かって放出される。動作７２５において、微粒子の第３の部分２３３は、バッフル５００Ｄ”に衝突し、点６０２で跳ね返って、バッフル５００Ｅ”に向かう。動作７３０において、微粒子の第３の部分２３３は、点６０４で跳ね返って、バッフル５００Ｄ”とバッフル５００Ｅ”との間のスペース６０５で静止するに至り、バッフル組立体５００内で捕捉される。
【００８１】
随意の動作７３５において、バッフル組立体５００及び／又はＥＵＶチャンバの一部を加熱することができる。バッフル組立体５００及び／又はＥＵＶチャンバの一部は、ヒータ６２２などによって加熱することができる。ヒータ６２２は、いずれかの適切なヒータとすることができ、例として、ヒータ６２２は、抵抗ヒータ若しくは二重壁ジャケット型ヒータ又はそれらの組合せとすることができる。ヒータ６２２は、抵抗ヒータ６２２に電流を供給し、又は二重ジャケット型ヒータ６２２を通して循環させるための加熱媒体を供給することができる、ヒータ制御／源６２６に結合することができる。
【００８２】
動作７４０において、蓄積された微粒子６１０を、ターゲット材料凝縮器システム２３７へと除去することができる。蓄積された微粒子６１０の除去は、蓄積された微粒子６１０を融点まで加熱し、蓄積された微粒子６１０を液体形態で除去することを含むことができる。ターゲット材料凝縮器システム２３７はまた、固体又は液体形態の蓄積された微粒子６１０を引出しポート６２０を通してターゲット材料凝縮器システム２３７内へと吸引する、真空源を含むこともできる。
【００８３】
図８は、開示された主題の実施形態による、ＥＵＶチャンバ２６を含む統合システム８００のブロック図である。統合システム８００は、ＥＵＶチャンバ２６と、光パルス生成システム２２と、出力ＥＵＶ光３４を利用するデバイス４２と、ＥＵＶチャンバ、光パルス生成システム及び出力ＥＵＶ光を利用するデバイスに結合された、統合システム・コントローラ８１０とを含む。統合システム・コントローラ８１０は、ユーザ・インタフェース８１４を含み、又はユーザ・インタフェース８１４に（例えば、有線又は無線ネットワーク８１２を介して）結合される。ユーザ・インタフェース８１４は、ユーザが読み取り可能な出力及び指標を与え、ユーザ入力を受け取ることができ、統合システム・コントローラ８１０へのユーザ・アクセスを提供することができる。
【００８４】
統合システム・コントローラ８１０は、専用コンピュータ又は汎用コンピュータを含むことができる。統合システム・コントローラ８１０は、コンピュータ・プログラム８１６を実行して、ＥＵＶチャンバ２６、光パルス生成システム２２及びデバイス４２のために、データ８１８（例えば、性能履歴、性能又は欠陥の分析、オペレータ・ログ、及び履歴など）を監視し、制御し、収集することができる。例として、統合システム・コントローラ８１０は、収集されたデータがその動作の調整を要求した場合には、ＥＵＶチャンバ２６、光パルス生成システム２２及び／又はデバイス４２及び／又はそれらの中の構成要素（例えば、第１のキャッチ部２１０及び／又は第２のキャッチ部２４０、ターゲット材料ディスペンサ９２、バッフル組立体５００など）の動作を調整することができる。
【００８５】
上記の実施形態を念頭において、本発明は、コンピュータ・システム内に格納されたデータが関与する、種々のコンピュータ実装された動作を利用することができることを理解されたい。これらの動作は、物理量の物理的操作を必要とする動作である。必ずしも必須ではないが、通常は、これらの量は、格納され、転送され、合成され、比較され、及びその他の操作をされることが可能な、電気的又は磁気的な信号の形態を取る。さらに、実行される操作はしばしば、生成、同定、決定、又は比較といった用語で言及される。
【００８６】
本発明の一部を形成する、ここで説明された動作はいずれも、有用な機械動作である。本発明はまた、これらの動作を実施するためのデバイス又は装置に関する。装置は、専用コンピュータのように、要求される目的のために特別に構築することができる。専用コンピュータとして定義された場合に、そのコンピュータは、特別の目的のための動作を行うことが可能ではあるが、特別の目的の一部ではないその他の処理、プログラム実行又はルーチンも実施することができる。あるいは、動作は、コンピュータ・メモリ、キャッシュ内に格納され又はネットワーク上で得られる、１つ又はそれ以上のコンピュータ・プログラムによって選択的に起動又は構成された、汎用コンピュータによって処理することができる。データがネットワーク上で得られる場合には、データは、例えばコンピュータ資源のクラウドなどの、ネットワーク上の他のコンピュータによって処理されることができる。
【００８７】
本発明の実施形態はまた、データを１つ状態から別の状態に変換するマシンとして定義することもできる。変換されたデータは、ストレージに保存され、その後、プロセッサで操作することができる。プロセッサは、このようにして、データを１つのものから他のものへと変換する。さらにまた、本方法は、ネットワーク上で接続することができる１つ又はそれ以上のマシン又はプロセッサによって処理することができる。各マシンは、データを１つの状態又はものから別の状態又はものへと変換することができ、さらに、データを処理し、データをストレージに保存し、データをネットワーク上で伝送し、結果を表示し、又は結果を別のマシンに伝達することができる。
【００８８】
本発明は、手持ち式デバイス、マイクロプロセッサ・システム、マイクロプロセッサ・ベースの又はプログラム可能な家電製品、ミニコンピュータ、メインフレーム・コンピュータなどを含む他のコンピュータ・システム構成で実施することができる。本発明はまた、ネットワークを通じて連結された遠隔処理デバイスによって作業が実施される、分散型コンピュータ環境で実施することもできる。
【００８９】
本発明はまた、コンピュータ可読媒体上のコンピュータ可読コードとして具体化することもできる。コンピュータ可読媒体は、データを格納することができ、その後、コンピュータ・システムによって読み取ることができる、いずれかのデータ・ストレージ・デバイスである。コンピュータ可読媒体の例としては、ハードドライブ、ネットワーク接続ストレージ（ＮＡＳ）、読み出し専用メモリ、ランダム・アクセス・メモリ、ＣＤ−ＲＯＭ、ＣＤ−Ｒ、ＣＤ−ＲＷ、ＤＶＤ、フラッシュ、磁気テープ、並びにその他の光学式及び非光学式データ・ストレージ・デバイスが挙げられる。コンピュータ可読媒体を、ネットワーク結合されたコンピュータ・システム上に分散させ、コンピュータ可読コードが分散形式で格納され、実行されるようにすることもできる。
【００９０】
上記の図面内の動作によって表される命令は、必ずしも図示された順序で行われる必要はなく、該動作によって表されるすべての処理が、必ずしも本発明の実施にとって必須ではないことが、さらに認識されるであろう。
【００９１】
理解を明確にする目的で、上記の発明をある程度詳細に説明してきたが、添付の特許請求の範囲内で特定の変更及び修正を行うことができることが明らかである。したがって、本実施形態は、例示であって限定ではないものと考えるべきであり、本発明はここで提示された詳細に限定されるものではなく、添付の請求項の範囲内及び均等の範囲内で改変することができる。
【符号の説明】
【００９２】
２０：レーザ生成プラズマＥＵＶ光源
２２：光パルス生成システム
２３：光パルス
２４：ターゲット材料供給システム
２６：ＥＵＶチャンバ
２８：照射領域
３０：集光ミラー
３４：ＥＵＶ光
４０：中間領域
４０Ａ：出口
４２：ＥＵＶ光を利用するデバイス
６０：ＥＵＶコントローラ
７０：液滴イメージャ
９２：ターゲット材料ディスペンサ
１０２Ａ、１０２Ｂ：液滴
１０２Ｃ：未使用の液滴
２１０、２４０：キャッチ部
２３７：ターゲット材料凝縮システム
５００：容器中央部バッフル組立体
６２２：ヒータ
８００：統合システム
【図１】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図２Ｃ】
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【図３】
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【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図５Ｃ】
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【図５Ｄ】
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【図５Ｅ】
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【図５Ｆ】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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