(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
分子内に炭素-炭素不飽和結合又はケイ素‐水素結合又はオキセタニル基を有するポリオルガノシロキサン、及び、無機充填剤を含有する樹脂層（Ａ）と、該樹脂層（Ａ）の少なくとも片面に積層された金属箔（Ｂ）と、を有する金属箔積層体であって、
該樹脂層（Ａ）と該金属箔（Ｂ）との９０度剥離強度が０．９５ｋＮ／ｍ以上であり、該金属箔（Ｂ）を剥離除去して樹脂層（Ａ）を露出させたときの露出面における、波長４００ｎｍ〜８００ｎｍの平均反射率が８０％ 以上であって、かつ
金属箔積層体を２６０℃で１０分間熱処理した前後の、前記露出面における波長４７０ｎｍでの反射率の低下率が５％以下であって、
前記樹脂層（Ａ）は、無機充填剤として炭酸カルシウム、硫酸バリウム、酸化亜鉛、酸化チタン及びチタン酸塩のいずれかを含有し、かつ、γ線により架橋硬化されたものであり、
前記金属箔（Ｂ）は、樹脂層（Ａ）に積層される側の表面が、シランカップリング剤により処理されたものであることを特徴とする金属箔積層体。
【請求項２】
樹脂層（Ａ）は、ポリオルガノシロキサンに対して５〜３０重量％のシリカを含有したものであることを特徴とする請求項１に記載の金属箔積層体。
【請求項３】
樹脂層（Ａ）は、樹脂層（Ａ）の全成分中０〜５質量％の架橋剤を含有することを特徴とする請求項１又は２に記載の金属箔積層体。
【請求項４】
樹脂層（Ａ）は、無機充填材として酸化チタンを含有することを特徴とする請求項１〜３の何れかに記載の金属箔積層体。
【請求項５】
樹脂層（Ａ）は、その厚みが３μｍ以上５００μｍ以下であることを特徴とする請求項１〜４の何れかに記載の金属箔積層体。
【請求項６】
請求項１〜５の何れか記載の金属箔積層体を有するＬＥＤ搭載用基板。
【請求項７】
請求項６記載のＬＥＤ搭載用基板と、該基板上に形成された導体回路と、該基板上に搭載されたＬＥＤとを備え、該基板に搭載されたＬＥＤは樹脂封止され、該基板と該ＬＥＤとは導通されてなる構成を備えた光源装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、耐熱性に優れ、かつ高い反射率特性を備えた金属箔積層体に関する。例えばＬＥＤ搭載用基板などとして好適に利用することができる金属箔積層体及びこれを用いたＬＥＤ搭載用基板並びに光源装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
プリント配線基板のパターン上に素子を直接実装し、樹脂封止されたチップタイプＬＥＤは、小型化、薄型化に有利なことから、携帯電話のテンキー照明や、小型液晶ディスプレーのバックライトなど電子機器に幅広く使用されている。
【０００３】
近年、ＬＥＤの高輝度化技術の向上が著しく、ＬＥＤはより一層高輝度化している。これに伴いＬＥＤ素子自体の発熱量が増大し、プリント配線基板にかかる熱負荷が増大しており、ＬＥＤ素子周辺の温度は１００℃超に達する場合もある。また、ＬＥＤ搭載基板の製造工程において、封止樹脂の熱硬化処理や、鉛（Ｐｂ）フリー半田の採用が進み、リフロー工程において２６０〜３００℃程度の温度が基板にかかる場合があるなど、ＬＥＤ搭載用基板は高温の熱環境下に益々晒されるようになっている。
【０００４】
従来使用されてきた熱硬化系樹脂組成物からなるプリント配線基板は、このような熱負荷の環境下では、黄変するなど白色度が低下し、反射効率が劣る傾向が見られ、今後の次世代高輝度ＬＥＤ搭載向け基板としては改良の余地があった。
【０００５】
他方、セラミック基板については、耐熱性の点では優れているものの、硬く脆い性質であるため、樹脂基板のように大面積化、薄型化を図るには限界があり、今後の一般照明用途や、ディスプレー用途用の基板としては対応が困難になる可能性があった。
【０００６】
このような問題に対し、例えば特許文献１記載の発明などは、シリコーン樹脂またはシリコーンゴムと無機充填材からなり、正反射率８８％以上であり、耐熱性、耐光性に優れた光反射体を提案している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】ＷＯ２００８−２３６０５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
上記特許文献１などが提案している基板では、エッチング、メッキ加工時や、部品を再実装する際に、銅箔が剥れる可能性があり、改善の余地があった。
【０００９】
そこで、本発明の課題は、大面積化及び薄型化に対応可能であり、可視光領域において反射率が高く、且つ、高温熱負荷環境下における反射率の低下が少なく、しかも、エッチング、メッキ加工時や、部品を再実装する際に剥れが生じない、ＬＥＤ実装用プリント配線基板として好適に使用可能な新たな金属箔積層体を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、ポリオルガノシロキサン及び無機充填剤を含有する樹脂層（Ａ）と、該樹脂層（Ａ）の少なくとも片面に積層された金属箔（Ｂ）と、を有する金属箔積層体であって、該樹脂層（Ａ）と該金属箔（Ｂ）との９０度剥離強度が０．９５ｋＮ／ｍ以上であり、該金属箔（Ｂ）を剥離除去して樹脂層（Ａ）を露出させたときの露出面における、波長４００ｎｍ〜８００ｎｍの平均反射率が８０％以上であって、かつ金属箔積層体を２６０℃で１０分間熱処理した前後の、前記露出面における波長４７０ｎｍでの反射率の低下率が５％以下であることを特徴とする金属箔積層体を提案するものである。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の金属箔積層体は、ポリオルガノシロキサン及び無機充填剤を含有する樹脂層（Ａ）及び金属箔（Ｂ）を有する金属箔積層体であるから、セラミック基板などと異なり、大面積化及び薄型化に対応可能である。
前記特許文献１に記載の金属箔積層体は、シリコーンゴム接着剤層と金属（銅箔）との剥離強度は０．４５〜０．８８ｋＮ／ｍであり、エッチング、メッキ加工時や、部品を再実装する際に、銅箔が剥れる可能性があったのに対し、本発明では樹脂層（Ａ）と金属箔（Ｂ）との９０度剥離強度を０．９５ｋＮ／ｍ以上としたことにより、金属箔（Ｂ）の剥がれを効果的に防止することができる。
さらに、波長４００ｎｍ〜８００ｎｍの平均反射率が８０％以上であって、かつ熱処理後の反射率の低下率を抑えることができるから、可視光領域において反射率が高く、高温熱負荷環境下における反射率の低下が少ないという特徴も有している。
よって、本発明の金属箔積層体は、例えば発光ダイオード（Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  ｄｉｏｄｅ、ＬＥＤ）等を実装するプリント配線基板などとして好適に使用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明のＬＥＤ用搭載用基板の一例及びそれを用いた光源装置の一例及びその製造工程の一例を示した図であり、（Ａ）は該基板の一例としての両面銅箔張り基板の一例、（Ｂ）はそれをエッチング及び金メッキした状態の一例、（Ｃ）はそれにＬＥＤを実装した状態の一例、（Ｄ）はそれを用いてなる光源装置の一例を示した図である。
【図２】本発明のＬＥＤ用搭載用基板の他の一例及びそれを用いた光源装置の一例及びその製造工程の一例を示した図であり、（Ａ）は該基板の一例としてのアルミ複合基板の一例、（Ｂ）はそれをエッチング及び金メッキした状態の一例、（Ｃ）はそれにＬＥＤを実装した状態の一例、（Ｄ）はそれを用いてなる光源装置の一例を示した図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明の実施形態について説明するが、本発明の範囲が以下の実施形態に限定されるものではない。
【００１４】
＜金属箔積層体＞
本発明の実施形態の一例に係る金属箔積層体(以下「本積層体」と称する)は、ポリオルガノシロキサン及び無機充填剤を含有する樹脂層（Ａ）と、該樹脂層（Ａ）の少なくとも片面に積層された金属箔（Ｂ）と、を有する白色金属箔積層体である。
【００１５】
樹脂層（Ａ）と金属箔（Ｂ）とを有していればよいから、これら樹脂層（Ａ）及び金属箔（Ｂ）の機能を無くさない限りにおいて、他の層を有してもよい。例えば、他の樹脂層や金属箔との接着層などを備えることができる。
【００１６】
（樹脂層（Ａ））
樹脂層（Ａ）は、ポリオルガノシロキサン及び無機充填材を含有する層である。
【００１７】
[ポリオルガノシロキサン]
樹脂層（Ａ）に用いるポリオルガノシロキサンとしては、次の式（１）に記載のシロキサン骨格を有する物質であって、架橋反応を起こさせることができるものを挙げることができ、特に放射線によって架橋できるものが好ましい。その中でも、分子内に炭素-炭素不飽和結合（特にビニル基）、ケイ素‐水素結合及びオキセタニル基を有するポリオルガノシロキサンが好ましい。
【００１８】
【化１】
0005684511.tif 000002
【００１９】
ここで、式（１）中「Ｒ」は、メチル基やエチル基等のアルキル基、ビニル基、フェニル基などの炭化水素基、又はフルオロアルキル基などのハロゲン置換炭化水素基を挙げることができる。具体的には、式（１）中「Ｒ」が全てメチル基であるポリジメチルシロキサンや、ポリジメチルシロキサンのメチル基の一部が上記炭化水素基又は上記ハロゲン置換炭化水素基の一種又は複数種によって置換された各種のポリオルガノシロキサンが挙げられる。
本積層体に用いるポリオルガノシロキサンとしては、それらのポリジメチルシロキサンや各種のポリアルキルシロキサンを単独、又は二種類以上混合して用いることができる。
【００２０】
また、上記ポリオルガノシロキサンに対して、シリカを５〜３０重量％含有させることが好ましく、１０〜２０重量％含有させることがより好ましい。このような範囲でシリカを含有するポリオルガノシロキサンを用いることによって、機械的物性のみならず、銅箔との密着性をより向上させることができるようになる。
【００２１】
[無機充填材]
樹脂層（Ａ）に用いる無機充填材としては、例えばタルク、マイカ、雲母、ガラスフレーク、窒化ホウ素（ＢＮ）、炭酸カルシウム、水酸化アルミニウム、シリカ、チタン酸塩（チタン酸カリウム等）、硫酸バリウム、アルミナ、カオリン、クレー、酸化チタン、酸化亜鉛、硫化亜鉛、チタン酸鉛、酸化ジルコン、酸化アンチモン、酸化マグネシウム等が挙げられる。これらは１種類を単独で添加してもよく、２種類以上を組み合わせて添加してもよい。
【００２２】
無機充填材は、ポリオルガノシロキサンからなる層への分散性を向上させるために、無機充填材の表面を、シリコーン系化合物、多価アルコール系化合物、アミン系化合物、脂肪酸、脂肪酸エステル等で表面処理されたものを使用することができる。その中でもシリコーン系化合物（シロキサンやシランカップリング剤など）で処理されたものを好適に使用することができる。
【００２３】
光反射性を考慮すると、ポリオルガノシロキサンとの屈折率差が大きい無機充填材を用いるのが好ましい。具体的には、屈折率が１．６以上である炭酸カルシウム、硫酸バリウム、酸化亜鉛、酸化チタン、チタン酸塩等を用いることが好ましく、特に酸化チタンを用いることが好ましい。酸化チタンは、他の無機充填材に比べて、顕著に屈折率が高く、ベース樹脂との屈折率差を大きくすることができるため、他の充填材を使用した場合よりも、少ない配合量で優れた反射性を得ることができる。
【００２４】
樹脂層（Ａ）に配合する酸化チタンは、アナターゼ型やルチル型のような結晶型の酸化チタンが好ましく、その中でもベース樹脂との屈折率差が大きくなる観点から、ルチル型の酸化チタンが好ましい。
【００２５】
酸化チタンの製造方法は、塩素法と硫酸法があるが、白色度の点からは、塩素法で製造された酸化チタンを使用することが好ましい。
【００２６】
酸化チタンは、その表面が不活性無機酸化物で被覆処理されたものが好ましい。酸化チタンの表面を不活性無機酸化物で被覆処理することにより、酸化チタンの光触媒活性を抑制することができ、フィルムが劣化することを防ぐことができる。不活性無機酸化物としては、シリカ、アルミナ、及びジルコニアからなる群から選ばれる少なくとも１種類を用いることが好ましい。これらの不活性無機酸化物を用いれば、高い反射性を損なうことなく、高温溶融時に、熱可塑性樹脂の分子量低下や、黄変を抑制することができる。
【００２７】
酸化チタンは、樹脂組成物への分散性を高めるために、その表面がシロキサン化合物、シランカップリング剤等からなる群から選ばれる少なくとも１種類の無機化合物や、ポリオール、ポリエチレングリコール等からなる群から選ばれる少なくとも１種類の有機化合物で表面されたものが好ましい。特に耐熱性の点からは、シランカップリング剤で処理されたものが好ましく、分散性の点からは、シロキサン化合物で処理されたものが好ましい。
【００２８】
無機充填材の粒径は、０．０５μｍ以上、１５μｍ以下であることが好ましく、より好ましくは粒径が０．１μｍ以上、１０μｍ以下である。微粉状充填剤の粒径が０．０５μｍ以上であれば、樹脂への分散性を維持することができ、均質な樹脂層（Ａ）を得ることができ、また粒径が１５μｍ以下であれば、形成される空隙が粗くなることはなく、高い反射率が得られる。
中でも、酸化チタンの粒径は、０．１μｍ〜１．０μｍであることが好ましく、より好ましくは０．２μｍ〜０．５μｍである。酸化チタンの粒径が上記範囲であれば、樹脂組成物への分散性が良好で、それとの界面が緻密に形成され、高い反射性を付与することができる。
【００２９】
無機充填材の含有量は、ポリオルガノシロキサン１００質量部に対し、１０質量部〜４００質量部であることが好ましく、２０〜３００質量部であることがより好ましく、さらには２５質量部以上或いは２００質量部以下であるのがより好ましい。上記範囲内とすることで、良好な反射特性を得られ、またフィルムの厚みが薄くなっても良好な反射特性を得ることが可能である。
【００３０】
[添加剤等]
上記樹脂層（Ａ）の構成成分には、その性質を損なわない程度に、他の樹脂や無機充填材以外の各種添加剤、例えば、熱安定剤、紫外線吸収剤、光安定剤、核剤、着色剤、滑剤、難燃剤等を適宜配合してもよい。
なお、樹脂層（Ａ）を放射線架橋する場合には、架橋剤を含む必要はない。しかし、架橋剤を含んでいると、放射線架橋する場合であってもさらに接着強度が高まることがあるため、５質量％以下、すなわち０〜５質量％の範囲で架橋剤を含有する方が好ましい場合が想定される。
架橋剤としては、過酸化物（例えば過酸化ベンゾイル等）やハイドロジェンオルガノシロキサン（白金化合物を触媒）等が挙げられる。
【００３１】
[樹脂層（Ａ）の厚み]
樹脂層（Ａ）の厚みは、３μｍ〜５００μｍであることが好ましい。より好ましくは１０μｍ以上或いは３００μｍ以下であり、さらに好ましくは２０μｍ以上或いは１００μｍ以下である。かかる範囲であれば、薄型が要求される携帯電話用バックライトや、液晶ディスプレー用バックライト用の面光源として使用されるＬＥＤ搭載用基板として好適に使用することができる。
【００３２】
（金属箔（Ｂ））
金属箔（Ｂ）としては、例えば銅、金、銀、アルミニウム、ニッケル、錫、或いはこれらの合金からなる金属箔を挙げることができる。
金属箔（Ｂ）の厚さは、５μｍ〜７０μｍ、特に１０μｍ以上或いは４０μｍ以下であるのが好ましい。
【００３３】
金属箔（Ｂ）は、接着効果を高めるために、フィルムとの接触面（重ねる面）を予め化学的又は機械的に粗化したものを用いることが好ましい。表面粗化処理された導体箔の具体例としては、電解銅箔を製造する際に電気化学的に処理された粗化銅箔などが挙げられる。
なお、銅箔を用いる場合において、樹脂層（Ａ）を放射線架橋する場合には、樹脂層（Ａ）と接合する側の金属箔（Ｂ）の表面は、シランカップリング剤により化学処理されているのが好ましい。シランカップリング剤により化学処理された銅箔を用いて、且つ、樹脂層（Ａ）を放射線架橋すると、樹脂層（Ａ）と金属箔（Ｂ）との接着強度を格別に高めることができる。この理由は、γ線架橋により樹脂層（Ａ）がラジカルを生成し架橋する際に、シランカップリング剤処理された金属箔と樹脂層との接着面が、シランカップリング剤と強い相互作用が働いて、強固に接着するのではないかと想定される。また、樹脂層（Ａ）が金属箔（Ｂ）のアンカー層に入り込み、金属箔（Ｂ）との接着性が向上することも想定される。  
シランカップリング剤としては、ビニル基、スチリル基、メタクリロキシ基、アクリロキシ基、アミノ基、ウレイド基、クロロピル基、メルカプト基、スルフィド基、イソシアネート基等を官能基にもつものが挙げられる。具体的には、ビニルトリクロルシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、Ｐ−スチリルトリメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、３−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−ウレイドプロピルトリエトキシシラン、３−クロロプロピルトリメトキシシラン、３−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、ビス（トリエトキシシリツプロピル）テトラスルフィド、３−イソシアネートプロピルトリエトキシシラン等が挙げられる。特に限定されるものではなく、ポリオルガノシロキサンに合わせて適宜選定し、１種類以上のシランカップリング剤を使用することができる。
【００３４】
（９０°剥離強度）
本積層体の特徴の一つとして、樹脂層（Ａ）と金属箔（Ｂ）との９０度剥離強度が０．９５ｋＮ／ｍ以上であることを挙げることができる。かかる範囲の９０度剥離強度を有していれば、金属箔（Ｂ）を一部除去するエッチング加工や、金メッキ、銀メッキ加工時や、部品を再実装する際に、金属箔が樹脂層から剥れる可能性が少なくなり、金属箔（Ｂ）との接着信頼性が高いＬＥＤ実装用プリント配線板として好適に用いることが出来る。
このような観点から、樹脂層（Ａ）と金属箔（Ｂ）との９０度剥離強度は１．０ｋＮ／ｍ以上であるのがより好ましく、中でも１．２ｋＮ／ｍ以上であるのが特に好ましい。
【００３５】
本積層体において、樹脂層（Ａ）と金属箔（Ｂ）との９０度剥離強度を高めるためには、金属箔（Ｂ）の表面をシランカップリング剤により処理しておく一方、樹脂層（Ａ）を、放射線、特にγ線により架橋させて硬化させることが特に効果的である。但し、このような方法に限定するものではない。
【００３６】
（反射率）
本積層体の他の特徴の一つとして、金属箔（Ｂ）を剥離除去して樹脂層（Ａ）を露出させたときの露出面、より具体的には金属箔（Ｂ）の一部又は全部をエッチング等により剥離除去して樹脂層（Ａ）を露出させたときの露出面における、波長４００〜８００ｎｍの平均反射率が８０％以上であることを挙げることができる。
波長４００〜８００ｎｍの領域、すなわち可視光領域の反射率が高いほど、搭載するＬＥＤの輝度が高くなる傾向があり、平均反射率が８０％以上であれば、ＬＥＤ実装用プリント配線板として好適に利用することができる。
このような観点から、当該平均反射率は９０％以上であることがより好ましく、中でも９５％以上であることがさらに好ましい。
【００３７】
また、青色ＬＥＤの平均波長（４７０ｎｍ）に対応した４７０ｎｍ付近の反射率が高いほど輝度が高くなる傾向があるため、４７０ｎｍにおける反射率が８０％以上であることが好ましく、９０％以上であることが更に好ましく、９５％以上であることが特に好ましい。
【００３８】
本積層体において、このように反射率を高めるためには、高透明のポリオルガノシロキサン樹脂に、高屈折率の無機充填材（例えば酸化チタン）を使用すればよい。但し、このような方法に限定するものではない。
【００３９】
（反射率の低下率）
本積層体のさらなる特徴の一つとして、金属箔積層体を２６０℃で１０分間熱処理した前後の波長４７０ｎｍでの前記露出面（上記の反射率測定時の露出面）における反射率の低下率が５％以下であることを挙げることができる。
ＬＥＤ搭載基板を製造する際に、導電接着剤やエポキシ、シリコーン樹脂等の封止剤の熱硬化工程（１００〜２００℃、数時間）、半田付け工程（Ｐｂフリー半田リフロー、ピーク温度２６０℃、数分間）やワイヤボンディング工程等、高熱負荷がかかる状況にある。また、実際の使用環境下においても、高輝度ＬＥＤの開発が進み、基板への熱負荷は高まる傾向にあり、ＬＥＤ素子周辺温度は１００℃超になる場合もある。
そこで、高熱負荷環境下においても変色することなく、高い反射率を維持することができる指標として、金属箔積層体を２６０℃で１０分間熱処理した前後において、青色ＬＥＤの平均波長（４７０ｎｍ）における反射率の低下率を規定したものである。
したがって、上記条件下（２６０℃、１０分間後）での波長４７０ｎｍにおける反射率の低下率が５％以下であれば、製造工程での反射率の低下を抑制することが可能であり、また、実際の使用時の反射率の低下を抑制することが可能であるため、ＬＥＤ搭載基板に好適に使用できる。
このような観点から、当該反射率の低下率は、さらに好ましくは２％以下であり、特に好ましくは１％以下である。
【００４０】
本積層体において、このように高熱負荷環境下における反射率の低下を抑制するためには、上記温度域での加熱劣化の少ないポリオルガノシロキサンを選択すればよい。但し、このような方法に限定するものではない。
【００４１】
（本積層体の作製方法）
本積層体は、樹脂層（Ａ）を形成する未硬化状態の樹脂組成物を調製し、この樹脂組成物を金属箔（Ｂ）に積層すると共に前記樹脂組成物を硬化させることで作製することができる。この際、樹脂組成物を硬化させるタイミングは、樹脂組成物を金属箔（Ｂ）に積層する前であっても、積層した後であってもよいが、積層する前であることが好ましい。
【００４２】
樹脂層（Ａ）を形成する樹脂組成物の調製方法としては、特に制限されるものではなく、公知の方法を用いることができる。例えば、ポリオルガノシロキサンを高濃度含有するマスターバッチを別途作製しておき、これを使用する樹脂に濃度を調整して混合し、ニーダーや押出機等を用いて機械的にブレンドする方法や、ポリオルガノシロキサン、無機充填剤及びその他の添加材を混合し、ニーダーや押出機等を用いて機械的にブレンドする方法などが挙げられる。
【００４３】
樹脂層（Ａ）と金属箔（Ｂ）とを積層一体化する方法として、接着層を介することのない公知の熱融着方法、例えば加熱、加圧による方法、より具体的には、例えば熱プレス法や熱ラミネートロール法、押出した樹脂にキャストロールで積層する押出ラミネート法、カレンダー法、又はこれらを組み合わせた方法を好適に採用することができる。
また、樹脂層（Ａ）を形成する未硬化状態の樹脂組成物を調製し、この未硬化状態の樹脂組成物を金属箔（Ｂ）に積層し、その後、前記樹脂組成物を硬化させることで、樹脂層（Ａ）と金属箔（Ｂ）とを結合させて一体化することもできる。
【００４４】
樹脂層（Ａ）を形成する未硬化状態の樹脂組成物を硬化させる方法としては、放射線により架橋するのが好ましい。
放射線による架橋は、熱が加わらない方法であるため本用途に好適である。通常行われている熱架橋による硬化は、例えば１００〜２００℃で数十分加熱し一次硬化させ、その後２００〜３００℃で数時間加熱し二次硬化が必要であるため、金属箔積層体を作製する際、金属と積層した場合には線膨張係数差により、金属とポリオルガノシロキサンからなる層が剥れたり、接着強度が得られなかったり、金属層にシワが入るなどして、ＬＥＤ実装用プリント配線板として用いる際に不具合が生じる可能性がある。これに対し、放射線による架橋は、熱が加わらない方法であるため、このような不具合が生じる可能性がない。
また、放射線による架橋の場合には、放射線の照射で架橋反応を進行させることができるので、加熱架橋のように架橋剤を使わないで架橋反応を起こすことができるため、架橋剤を用いて架橋した際に見られる架橋剤による色変化を避けることができる。また、架橋剤の反応による副生成物の残留も防ぐことができるので、耐熱性、耐光性に優れた樹脂層（Ａ）を得ることが可能である。
【００４５】
放射線架橋に用いる放射線としては、電子線、Ｘ線、γ線などを利用することができる。これらの放射線は工業的にも広く利用されているものであり、容易に利用可能であり、エネルギー効率の良い方法である。中でも、γ線は、金属箔の透過性が高く、吸収損失がほとんどない点で特に好ましい。
γ線により金属箔を積層した樹脂層（Ａ）を架橋することにより、樹脂層（Ａ）と金属箔（Ｂ）との接着性を大幅に向上させることができる。中でも、上述のように、金属箔（Ｂ）特に銅箔の表面を、シランカップリング剤により化学処理しておくことにより、樹脂層（Ａ）と金属箔（Ｂ）との接着強度をさらに格別に高めることができる。
【００４６】
γ線の照射線量としては、線源の種類にもよるが、一般に１０ｋＧｙから１５０ｋＧｙであることが好ましい。更に好ましくは、２０ｋＧｙから１００ｋＧｙであり、特に好ましくは３０ｋＧｙから６０ｋＧｙである。
この照射線量の選定には、ポリオルガノシロキサンの架橋密度の他、基材として使用するプラスチックフィルムの耐放射線性も考慮に入れることが好ましい。
【００４７】
＜ＬＥＤ搭載用基板＞  
本積層体は、例えばＬＥＤ搭載用基板として使用することができる。例えば、本積層体を用いた両面基板（図１（Ａ）参照）や、本積層体にアルミ板のような金属放熱部を設けた複合基板（図２（Ａ）参照）などの形態が挙げられる。
従来の熱硬化系樹脂からなる白色基板は、ガラスクロスを含有しているため、製造工程において、ボイド（気泡）が残りやすい等の問題が生じたり、薄型化は難しく、またセラミック基板においても、硬く脆い性質から薄型化は困難であるが、本積層体を使用して基板を作製すれば、より一層の薄型化が可能であり、薄型化の要求が激しい携帯電話のバックライト用基板として好適に使用可能である。また、樹脂層（Ａ）を積層させたことにより、高い反射特性を得ることもできる。
【００４８】
本積層体を用いてＬＥＤ搭載用両面基板を製造する方法としては、例えば樹脂層（Ａ）の表裏面にそれぞれ銅箔（Ｂ）を真空プレスやラミネータ、カレンダー法により積層した後、放射線を照射するなどして樹脂層（Ａ）を硬化させて金属箔積層体を製造する。次に、銅箔（Ｂ）をエッチング又はメッキによって配線パターンを形成することにより、ＬＥＤ搭載用両面基板を製造することができる（図１（Ｂ）参照）。但し、本積層体を用いたＬＥＤ搭載用両面基板の製造方法を、この方法に限定するものではない。
そして、このようにして作製した基板に、ＬＥＤを実装し、ボンディングワイヤにより配線パターンと接続することにより、ＬＥＤ搭載基板とすることができる（図１（Ｃ）参照）。
【００４９】
他方、ＬＥＤの高輝度化に伴い、より放熱性が要求される場合には、アルミ板（金属放熱部）と複合化することにより放熱性を向上させることができる（図２（Ａ）参照）。
【００５０】
アルミ板との複合基板の構成としては、アルミ板全面に本積層体を積層する場合が挙げられる。
使用するアルミについては、金属箔積層体との密着性を考慮すると、粗化されているか、アルマイト処理がされていることが望ましい。
【００５１】
本積層体を用いてアルミ複合基板を製造するには、例えば、本積層体の金属箔（Ｂ）をエッチングして配線パターンを形成し金メッキ加工を施し、積層体と配線パターンが形成された面とは反対面に、アルミ板を真空プレスにより積層することで、ＬＥＤ搭載用アルミ複合基板を作製することができる。但し、ＬＥＤ搭載用アルミ複合基板の作製方法をこの方法に限定するものではない。
そして、このようにして作製した基板に、ＬＥＤを実装し、ボンディングワイヤにより配線パターンと接続することにより、ＬＥＤ搭載基板とすることができる（図２（Ｃ）参照）。
【００５２】
＜光源装置＞
本積層体を用いた上記の如きＬＥＤ搭載用基板を使用して、次のような光源装置（以下、「本光源装置」と称する）を構成することができる。
【００５３】
本光源装置の一例として、上記のような本積層体を用いたＬＥＤ搭載用基板と、該基板上に形成された導体回路と、該基板上に搭載されたＬＥＤとを備え、該基板に搭載されたＬＥＤは樹脂封止され、該基板と該ＬＥＤとは導通されてなる構成を備えた光源装置を挙げることができる（図１（Ｄ）及び図２（Ｄ）参照）参照）。
このような構成を備えた光源装置であれば、耐熱性が高く、可視光領域において反射率が高く、及び高温熱負荷環境下における反射率の低下が少ない、本発明のＬＥＤ用搭載基板を使用したことで、ＬＥＤが実装された基板表面が高温に曝されても、反射率の低下が抑えられた光源装置とすることができる。
【００５４】
本光源装置の製造方法としては、例えば、ＬＥＤ搭載用基板を作製し、ＬＥＤを実装させ、ボンディングワイヤにより導体パターンと接続し、該ＬＥＤを封止樹脂により封止することで、本光源装置を形成することができる（図１（Ｄ）及び図２（Ｄ）参照）参照）。
【００５５】
＜用語の説明＞
一般的に「シート」とは、ＪＩＳにおける定義上、薄く、一般にその厚さが長さと幅のわりには小さく平らな製品をいい、一般的に「フィルム」とは、長さ及び幅に比べて厚さが極めて小さく、最大厚さが任意に限定されている薄い平らな製品で、通常、ロールの形で供給されるものをいう（日本工業規格ＪＩＳＫ６９００）。例えば厚さに関して言えば、狭義では１００μｍ以上のものをシートと称し、１００μｍ未満のものをフィルムと称すことがある。しかし、シートとフィルムの境界は定かでなく、本発明において文言上両者を区別する必要がないので、本発明においては、「フィルム」と称する場合でも「シート」を含むものとし、「シート」と称する場合でも「フィルム」を含むものとする。
【００５６】
本発明において、「Ｘ〜Ｙ」（Ｘ，Ｙは任意の数字）と表現した場合、特にことわらない限り「Ｘ以上Ｙ以下」の意と共に、「好ましくはＸより大きい」及び「好ましくはＹより小さい」の意を包含する。
また、本発明において、「Ｘ以上」（Ｘは任意の数字）と表現した場合、特にことわらない限り「好ましくはＸより大きい」の意を包含し、「Ｙ以下」（Ｙは任意の数字）と表現した場合、特にことわらない限り「好ましくはＹより小さい」の意を包含する。
【実施例】
【００５７】
以下、実施例及び比較例によりさらに詳しく説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、本明細書中に示されるフィルム等についての種々の測定値及び評価は以下のようにして求めた。
【００５８】
＜平均反射率＞
分光光度計（「Ｕ−４０００」、株式会社日立製作所製）に積分球を取りつけ、アルミナ白板の反射率が１００％としたときの反射率を、波長４００ｎｍ〜８００ｎｍにわたって、０．５ｎｍ間隔で測定した。得られた測定値の平均値を計算し、この値を平均反射率とした。
この際、実施例・比較例で得られた金属箔積層体（サンプル）の金属箔（Ｂ）の一部（具体的には銅箔）をエッチングにより剥離除去して樹脂層（Ａ）を露出させ、この露出面における反射率を測定し、次の基準で評価した。
○：平均反射率８０％以上。
×：平均反射率８０％未満。
【００５９】
＜加熱処理後の反射率＞
実施例・比較例で得られた金属箔積層体（サンプル）を、熱風循環式オーブンに入れて、２６０℃で１０分間熱処理すると共に、熱処理前後の波長４７０ｎｍにおける反射率をそれぞれ測定し、熱処理前の反射率に対する熱処理後の反射率の低下率（％）を算出し、次の基準で評価した。
○：平均反射率の低下率５％以下。
×：平均反射率の低下率５％より大きい。
なお、反射率の測定は、上記平均反射率と同様に行った。
【００６０】
＜９０度剥離強度＞
実施例・比較例で得られた金属箔積層体（サンプル）を、ＪＩＳ  Ｃ  ６４８１に準拠して、金属箔（銅箔）の９０度剥離強度（ピール強度）を測定した。
【００６１】
＜金属箔積層体の外観＞
実施例・比較例で得られた金属箔積層体（サンプル）の外観を、次の基準で目視にて評価した。
○：金属の剥れ、シワ入りなく良好。
×：金属の剥れ、シワ入りあり。
【００６２】
＜実施例１＞
γ線架橋可能なビニル基含有ポリシロキサン樹脂（モメンティブ製「ＴＳＥ２９１３Ｕ」、シリカ１０〜２０％含有）６０質量部と、酸化チタン（粒径０．３μｍ、ルチル型、シロキサン化合物による表面処理済）４０質量部と、をプラネタリミキサーで混合して樹脂組成物（架橋剤の含有量０質量％）を得た。得られた樹脂組成物を、押出機を用いて、ＰＥＴフィルム上に厚さ１００μｍの樹脂シート状に押出すと共に、厚さ１８μｍの銅箔（シランカップリング剤で表面処理済）を、該樹脂シート上にラミネートして片面銅張り積層体を得た。
次に、得られた片面銅張り積層体のＰＥＴフィルムを剥がし、そこに厚さ１８μｍの銅箔（シランカップリング剤で表面処理済）をラミネートし、その後、γ線により５０ｋＧｙの照射線量にてポリシロキサン樹脂を硬化させて両面銅箔張り積層体（サンプル）を得た。
【００６３】
＜実施例２＞
実施例１において、γ線架橋可能なビニル基含有ポリシロキサン樹脂（モメンティブ製「ＴＳＥ２５７１−５Ｕ」、シリカ２０〜３０％含有）を使用した以外は同様の方法にて両面銅張りフィルム（金属箔積層体（サンプル））を作製した。
【００６４】
＜実施例３＞
実施例１の材料を使用し、片面銅張りフィルムを作成し、予め接着用プライマー（モメンティブ製「ＸＰ８１−Ａ６３６１Ａ，Ｂ」）を塗布したアルミ板に、片面銅張りをラミネートし、その後γ線により５０ｋＧｙの照射線量にてポリシロキサン樹脂を硬化させ、アルミ基板（金属箔積層体（サンプル））を作製した。
【００６５】
＜比較例１＞
ポリシロキサン樹脂（モメンティブ製「ＴＳＥ２９１３Ｕ」）６０質量部と、酸化チタン（粒径０．３μｍ、ルチル型、シロキサン化合物による表面処理済）４０質量部とをプラネタリミキサーで混合して樹脂組成物を得た。この樹脂組成物１００質量部に対して、熱架橋剤（ＴＣ−８、モメンティブ製）を０．３質量部混合して得られた樹脂組成物を、押出機を用いて設定温度１００℃で、離型ＰＥＴフィルム上に厚さ１００μｍの樹脂シート状に押出すと共に、厚さ１８μｍの銅箔（シランカップリング剤で表面処理済）をラミネートして片面銅張り積層体を得た。
次に、前記離型ＰＥＴフィルムを剥がし、そこに厚さ１８μｍの銅箔（シランカップリング剤で表面処理済）をラミネートし、その後、真空プレス器にて、１７０℃１５分、２００℃４時間、３ＭＰａの条件下でポリシロキサン樹脂を熱硬化させて両面銅箔張り積層体（サンプル）を得た。
【００６６】
＜比較例２＞
ポリシロキサン樹脂（モメンティブ製「ＴＳＥ２５７１−５Ｕ」）６０質量部と、酸化チタン（粒径０．３μｍ、表面処理シロキサン化合物）４０質量部とをプラネタリミキサーで混合して樹脂組成物を得た。この樹脂組成物１００質量部に対して、熱架橋剤（ＴＣ−１２、モメンティブ製）を１．５質量部混合して得られた樹脂組成物を、押出機を用いて設定温度１００℃で、離型ＰＥＴフィルム上に厚さ１００μｍの樹脂シート状に押出すと共に、厚さ１８μｍの銅箔（シランカップリング剤で表面処理済）をラミネートして片面銅張り積層体を得た。
次に、前記離型ＰＥＴフィルムを剥がし、そこに厚さ１８μｍの銅箔（シランカップリング剤で表面処理済）をラミネートし、その後、真空プレス器にて、１２５℃１５分、２００℃４時間、３ＭＰａの条件下でポリシロキサン樹脂を熱硬化させて両面銅箔張り積層体（サンプル）を得た。
【００６７】
【表１】
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【００６８】
（考察）
上記の実施例では、樹脂層（Ａ）と該金属箔（Ｂ）との９０度剥離強度が１．４ｋＮ／ｍ以上の金属箔積層体を得ることができた。これと、本実施例以外の試験及び評価とをともに参酌すると、樹脂層（Ａ）と金属箔（Ｂ）との９０度剥離強度が０．９５ｋＮ／ｍ以上であれば、金属箔を一部除去するエッチング加工や、金メッキ、銀メッキ加工時や、部品を再実装する際に、金属箔が樹脂層から剥れる可能性が少なくなり、金属箔との接着信頼性が高いＬＥＤ実装用プリント配線板として好適に用いることができると考えられた。
【００６９】
また、上記の実施例では、波長４００ｎｍ〜８００ｎｍの平均反射率が９８％の金属箔積層体を得ることができた。これと、本実施例以外の試験及び評価とをともに参酌すると、当該平均反射率が８０％以上であれば、ＬＥＤ実装用プリント配線板として使用した際に、搭載するＬＥＤの輝度を十分に高くすることができると考えられる。
【００７０】
さらにまた、２６０℃で１０分間熱処理した後の反射率の低下率に関しては、上記の実施例では低下率０％であったが、本実施例以外の試験及び評価を参酌すると、反射率の低下率が５％以下であれば、ＬＥＤ実装用プリント配線板として使用した際に、高熱負荷環境下においても変色することなく、高い反射率を維持することができるものと考えることができる。
【図１】
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【図２】
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