(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機電子デバイス用の有機層の形成方法において：
−  溶媒調製物中に混合された小分子有機半導体材料を含む液体組成物を得るステップであって、前記溶媒調製物が溶媒と前記溶媒よりも高い沸点を有する０．１ｗｔ％以下の不純物とを含み、前記溶媒が１ａｔｍ（１０１．３ｋＰａ）で２００℃以上の沸点を有しているステップと；
−  前記液体組成物を表面上に被着させるステップと；
を含み、前記溶媒が、１−テトラロン、２−テトラロン、２−（フェニルエポキシ）テトラロン、及び６−（メトキシ）テトラロンからなる群から選択される方法。
【請求項２】
前記溶媒調製物が精製済み溶媒調製物であり、前記液体組成物を提供するステップが、
−  前記溶媒と前記溶媒よりも高い沸点を有する０．１ｗｔ％超の不純物とを含む粗製溶媒調製物を得るステップと；
−  前記溶媒よりも高い沸点を有する前記不純物の少なくとも一部分を除去することによって前記粗製溶媒調製物を精製して、前記精製済み溶媒調製物を得るステップと；
−  前記溶媒調製物と前記小分子有機半導体材料を混合するステップと、
を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記粗製溶媒調製物を精製するステップが、前記粗製溶媒調製物を蒸留するステップを含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記溶媒が１ａｔｍ（１０１．３ｋＰａ）で２５０℃以上の沸点を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記溶媒が１−テトラロンである、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記有機半導体材料の濃度が０．０１〜２ｗｔ％の範囲内にある、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記有機半導体材料が遷移金属の有機金属錯体である、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
アノード、カソードおよび前記アノードと前記カソードの間に配置された有機層を有する有機発光デバイスの製造方法において、前記有機層が請求項１に記載の方法によって形成される、方法。
【請求項９】
前記被着ステップがインクジェット印刷により実施される、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
−  １ａｔｍ（１０１．３ｋＰａ）で２００℃以上の沸点を有する、１−テトラロン、２−テトラロン、２−（フェニルエポキシ）テトラロン、及び６−（メトキシ）テトラロンからなる群から選択される溶媒と；
−  ０．０１〜１０ｗｔ％の範囲内の濃度で前記溶媒中に混合された小分子有機半導体材料と；
を含み、前記溶媒に比べて高い沸点を有する０．１ｗｔ％以下の不純物を有している液体組成物。
【請求項１１】
前記有機半導体材料の濃度が０．０１〜２ｗｔ％の範囲内にある、請求項１０に記載の液体組成物。
【請求項１２】
前記有機半導体材料がリン光発光性化合物である、請求項１０に記載の液体組成物。
【請求項１３】
前記リン光発光性化合物が遷移金属の有機金属錯体である、請求項１２に記載の液体組成物。
【請求項１４】
前記液体組成物が前記リン光化合物のためのホスト化合物をさらに含む、請求項１２に記載の液体組成物。
【請求項１５】
前記ホスト化合物がカルバゾール含有化合物である、請求項１４に記載の液体組成物。
【請求項１６】
前記溶媒が１ａｔｍ（１０１．３ｋＰａ）で２５０℃以上の沸点を有する、請求項１０に記載の液体組成物。
【請求項１７】
前記溶媒が１−テトラロンである、請求項１０に記載の液体組成物。
【請求項１８】
請求項１〜９のいずれか一項に記載された有機層の形成方法を用いて有機層を形成させるステップを含む、有機電子デバイスの製造方法。
【請求項１９】
請求項１８に記載の製造方法を用いて製造された有機電子デバイス。
【請求項２０】
請求項１０〜１７のいずれか一項に記載の液体組成物を表面上に被着させて有機層を形成させるステップを含む、有機電子デバイスの製造方法。
【請求項２１】
請求項２０に記載の製造方法を用いて製造された有機電子デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
関連出願の相互参照
本出願は、２００９年６月１７日出願の米国仮特許出願第６１／１８７，８６２号明細書に対する優先権の利益を主張するものである。
【０００２】
本発明は、有機発光デバイスなどの有機電子デバイス内に有機層を作製するための方法に関する。
【背景技術】
【０００３】
従来、有機発光デバイス（ＯＬＥＤ）は、小分子材料については真空蒸着によって、そしてポリマー材料についてはスピンコーティングまたはディップコーティングによって製造されてきた。より近年では、ＯＬＥＤの製造において有機薄膜層を直接被着するために、インクジェット印刷が使用されてきた。ポリマー材料のインクジェット印刷のためには、トルエンまたはキシレンなどのさまざまな従来の溶媒を使用することができる。しかしながら、従来ポリマー材料のインクジェット印刷用に使用されたこれらの溶媒は多くの場合、小分子材料の被着のためにも同じようにうまく機能するわけではない。したがって、有機層を形成するための小分子材料のインクジェット印刷に適した改良型インクジェット液調合物に対するニーズが存在する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】米国特許第６，９０２，８３０号明細書
【特許文献２】米国特許出願公開第２００６／０２５１９２３号明細書
【特許文献３】米国特許出願公開第２００７／００８８１６７号明細書
【特許文献４】米国特許出願公開第２００６／０００８６７３号明細書
【特許文献５】米国特許出願公開第２００７／０００３７８９号明細書
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、比較的高沸点の不純物の含有量が削減されている溶媒調製物を用いて溶液処理（例えばインクジェット印刷）することにより有機層を形成する改良された方法を提供する。この方法により被着された有機層を用いるＯＬＥＤなどの有機電子デバイスは、改良されたデバイス性能を有し得る。
【０００６】
一実施形態において、本発明は、有機電子デバイス用の有機層の形成方法において：溶媒調製物中に混合された小分子有機半導体材料を含む液体組成物を提供するステップであって、溶媒調製物が、溶媒と溶媒よりも高い沸点を有する０．１ｗｔ％以下の不純物とを含み、溶媒が１ａｔｍで２００℃以上の沸点を有しているステップと；液体組成物を表面上に被着させるステップと、を含む方法を提供している。被着は、インクジェット印刷または他の溶液処理技術により実施されてよい。溶媒調製物は、市販の溶媒調製物の再蒸留によって製造されてよい。
【０００７】
別の実施形態において、本発明は、１ａｔｍで２００℃以上の沸点を有する溶媒と；０．０１〜１０ｗｔ％の範囲内の濃度で溶媒中に混合された小分子有機半導体材料とを含み、溶媒に比べて高い沸点を有する０．１ｗｔ％以下の不純物を有している液体組成物を提供している。３−フェノキシトルエンや１−テトラロンを含め、さまざまな溶媒を使用し得る。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】濡れ接触角θが測定されている状態の、インジウムスズ酸化物で作られた平面である処理表面上に適用された本発明のケトン溶媒の液滴を示している。
【図２】本発明の一実施形態に係るＯＬＥＤの構造を示す。
【図３Ａ】インクジェット印刷が適用されるかもしれない基板の概略図を示す上面図である。
【図３Ｂ】インクジェット印刷が適用されるかもしれない基板の概略図を示す垂直断面図である。
【図４Ａ】さまざまな有機溶媒を用いた小分子有機半導体材料のインクジェット印刷に由来する結果を示す。
【図４Ｂ】さまざまな有機溶媒を用いた小分子有機半導体材料のインクジェット印刷に由来する結果を示す。
【図４Ｃ】さまざまな有機溶媒を用いた小分子有機半導体材料のインクジェット印刷に由来する結果を示す。
【図５】本発明の一実施形態にしたがって製造されたＯＬＥＤの（輝度と時間の関係としてプロットした）寿命を示す。
【図６Ａ】再蒸留前の市販の３−フェノキシトルエン溶媒調製物のガスクロマトグラムを示す。
【図６Ｂ】再蒸留前の市販の３−フェノキシトルエン溶媒調製物のＵＶ−ＨＰＬＣ出力を示す。
【図７Ａ】再蒸留後の３−フェノキシトルエン溶媒調製物のガスクロマトグラムを示す。
【図７Ｂ】再蒸留後の３−フェノキシトルエン溶媒調製物のＵＶ−ＨＰＬＣ出力を示す。
【図８】経時的な光度のプロットとして描かれたＯＬＥＤ例の動作寿命を示す。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
本明細書中で使用すべく意図されている以下の用語の意味は、次の通りである。
【００１０】
「脂肪族」という用語は、線状、分岐または非芳香族環内の飽和または不飽和ヒドロカルビルを意味する。炭素は、単結合（アルキル）、２重結合（アルケニル）、または３重結合（アルキニル）により結合され得る。水素以外に、酸素、窒素、硫黄またはハロゲンなどの他の元素を置換として炭素に結合させることが可能である。「脂肪族」という用語は同様に、炭素原子の代わりに酸素、窒素、硫黄、リンおよびケイ素などのヘテロ原子を含むヒドロカルビル類をも包含する。
【００１１】
「アルキル」という用語は、アルキル部分を意味し、線状および分岐アルキル鎖の両方を包含する。さらにアルキル部分自体は１つ以上の置換基で置換されてもよい。「ヘテロアルキル」という用語は、ヘテロ原子を含むアルキル部分を意味する。
【００１２】
「低級」という用語は、脂肪族化合物または上述のタイプの脂肪族化合物のいずれかに言及する場合、脂肪族基が１〜１５個の炭素原子を含むことを意味している。例えば低級アルキル基は、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、ｔｅｒｔ−ブチルなどを含む。
【００１３】
「アリール」という用語は、単環基および多環式環系を含む少なくとも１つの芳香族環を含むヒドロカルビルを意味する。「ヘテロアリール」という用語は、単環基および多環式環系を含む、少なくとも１つの複素環式芳香族環を含む（すなわちヘテロ原子を含む）ヒドロカルビルを意味する。多環式環は、２つの隣接する環によって２つの炭素原子が共有されている（すなわちこれらの環は「融合され」ている）２つ以上の環を有していてよく、ここで環の少なくとも１つは芳香族環または複素環式芳香族環である。「低級アリール」または「低級ヘテロアリール」という用語は、それぞれ、３〜１５個の炭素原子を含むアリールまたはヘテロアリールを意味する。
【００１４】
アリール基の例としては、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン、ペリレン、テトラセン、ピレン、ベンズピレン、クリセン、トリフェニレン、アセナフテン、フルオレンおよびこれらから誘導されたものが含まれる。ヘテロアリール基の例としては、フラン、ベンゾフラン、チオフェン、ベンゾチオフェン、ピロール、ピラゾール、トリアゾール、イミダゾール、オキサジアゾール、オキサゾール、チアゾール、テトラゾール、インドール、カルバゾール、ピロロイミダゾール、ピロロピラゾール、ピロロピロール、チエノピロール、チエノチオフェン、フロピロール、フロフラン、チエノフラン、ベンゾイソキサゾール、ベンゾイソチアゾール、ベンゾイミダゾール、ピリジン、ピラジン、ピリダジン、ピリミジン、トリアジン、キノリン、イソキノリン、シンノリン、キノキサリン、フェナントリジン、ベンゾイミダゾール、ペリミジン、キナゾリン、キナゾリノン、アズレンおよびこれらから誘導されたものが含まれる。
【００１５】
本発明は、溶液処理技術による有機層の形成に関する。一態様において、本発明は、有機層を形成する方法を提供する。この方法には、ケトン溶媒中に混合された小分子有機半導体材料を含む液体組成物を提供するステップが含まれる。液体組成物は次に、表面上に被着され、乾燥させられて有機層を形成する。
【００１６】
「ケトン溶媒」とは、溶媒化合物が分子構造中に１つ以上のケトン官能基を有することを意味している。一部の実施形態では、ケトン溶媒は芳香族ケトン溶媒である。「芳香族ケトン溶媒」とは、溶媒分子が１つ以上のアリールまたはヘテロアリール基と１つ以上のケトン官能基とを含むことを意味している。
【００１７】
一部の実施形態において、芳香族ケトン溶媒はテトラロン溶媒である。「テトラロン溶媒」とは、溶媒化合物が、フェニル環がシクロヘキサノンと縮合されている２環式ケトンであるかまたはそれを含んでいることを意味している。本発明で使用可能なテトラロンの例としては、以下に示す１−テトラロンおよび２−テトラロンが含まれる。１−テトラロンと２−テトラロンの化学的および／または物理的特性は、当技術分野において公知であるかまたは、従来の技術によって容易に決定可能である。例えば、１−テトラロンは、（１ａｔｍで）２５６℃の沸点、（２０℃で）１．１ｇ／ｃｍ３の密度、（１ａｔｍで）５〜６℃の融点そして１４６の分子量を有するものとして公知である。
【化１】
0005684250.tif 000002
【００１８】
「テトラロン溶媒」という用語も同様に、環（すなわちフェニル環とシクロヘキサン環）のいずれかまたは両方の上に１つ以上の置換が存在する１−テトラロンと２−テトラロンの誘導体を包含するように意図されている。このような置換には、低級脂肪族化合物、低級アリール、低級ヘテロアリールまたはハロゲンが含まれる。したがって、本発明で使用可能なテトラロン溶媒の他の例としては、２−（フェニルエポキシ）テトラロンおよび６−（メトキシ）テトラロンが含まれる。
【００１９】
本発明において使用可能な芳香族ケトン溶媒の他の例としては、アセトフェノン（メチルフェニルケトン）、プロピオフェノン（エチルフェニルケトン）、ベンゾフェノン（ジフェニルケトン）、およびそれらの誘導体、例えば４−メチルプロピオフェノンが含まれる。
【００２０】
【表１】
0005684250.tif 000003
【００２１】
本発明において使用してよい他のケトン溶媒は、アリールまたはヘテロアリール基を有していない。ケトン溶媒のこのような１つの例は、以下に示す通りのイソフォロンであり、これは、（１ａｔｍで）２１５℃の沸点、（２０℃で）０．９２ｇ／ｃｍ３の密度、（１ａｔｍで）−８℃の融点そして１３８の分子量を有する。
【化２】
0005684250.tif 000004
【００２２】
一部の場合において、ケトン溶媒は、２種以上のケトン溶媒の混合物（ブレンド物）であってよい。混合ケトン溶媒のこのような１つの例として、ＥＡＳＴＭＡＮ  Ｃ−１１  ＫＥＴＯＮＥ（商標）（Ｅａｓｔｍａｎ）があり、これは、１ａｔｍで２００℃の沸点、−１２℃の融点、０．８４ｍｇ／ｃｍ３の密度を有する。一部の場合において、液体組成物自体は、本発明のケトン溶媒でない溶媒を含む溶媒配合物を使用してよい。このような場合において、１つまたは複数のケトン溶媒は、液体組成物中の溶媒体積の少なくとも５０％（体積％）を構成する。
【００２３】
本発明で使用されるケトン溶媒は、それをインクジェット印刷などの溶液処理技術により有機層を形成するために有用なものにしているさまざまな化学的／物理的特性を有していてよい。例えば、ケトン溶媒は、２５℃以下の融点を有していてよい。一部の場合においては、ケトン溶媒は、１００〜２５０の範囲内の分子量を有する。一部の場合において、ケトン溶媒は１５０℃以上または２００℃以上の沸点を有し；一部の場合には、１５０℃〜３５０℃または２００℃〜３５０℃の範囲内の沸点を有する。この範囲内の沸点は、インクジェットプリントヘッドのノズルの目詰まりを防止する上で有用であるかもしれない。
【００２４】
有機半導体材料は、半導体特性を示すことのできる、すなわち伝導帯と価電子帯の間のエネルギーギャップが０．１〜４ｅＶの範囲内にある小分子有機化合物（有機金属化合物を含む）である。小分子有機半導体材料は、有機発光デバイスなどの有機電子デバイスの製造において使用されるものとして公知のまたは提案されているもののいずれかであってよい。例えば、有機半導体材料は、電荷輸送化合物（ホールまたは電子輸送）またはリン光発光性化合物である。
【００２５】
「小分子」という用語は、ポリマーでないあらゆる化合物を意味し、「小分子」は実際には、かなり大きいものであってよい。小分子は、一部の状況において反復単位を含んでいてよい。例えば、置換基として長鎖アルキル基を用いることによって、その分子が「小分子」であることから排除されることはない。一般に、小分子は、単一分子量を伴う明確な化学式を有し、一方ポリマーは、分子毎に変動するかもしれない化学式および分子量を有する。小分子有機半導体材料の分子量は典型的には３０００以下である。
【００２６】
一部の実施形態において、有機半導体材料は、電荷輸送化合物である。当技術分野においては、トリアリールアミン類、フタロシアニン類、金属フタロシアニン類、ポルフリン類、金属ポルフィリン類、インドロカルバゾール類、金属錯体、イミノスチルベン含有化合物、およびカルバゾール含有化合物を含めたさまざまなタイプの電荷輸送化合物が公知である。
【００２７】
一部の実施形態において、有機半導体材料は、１つ以上の架橋結合官能基を有し、このため、（架橋結合官能基を有する別の有機半導体材料などの）別の分子上の反応基との共有結合の形成が可能になる。例えば、当技術分野においては架橋結合官能基を有するさまざまなタイプの電荷輸送化合物が公知である。一部の場合において、電荷輸送化合物は、その全体を参照により本明細書に援用するＸｉａらに対する米国特許出願公開第２００８／０２２０２６５号明細書（２００８年９月１１日）中に記載されている架橋性イリジウム−リガンド錯体などの架橋結合官能基を有する有機金属錯体であってよい。このような架橋性イリジウム錯体には、以下の一般構造を有するものが含まれる：
【化３】
0005684250.tif 000005
【００２８】
各Ｌは、非局在化π−電子を含むかまたは、イリジウムの錯体の溶解度（水性または有機性）、メソゲン特性または電荷輸送能力を改善するのに役立つさまざまな二座リガンドのいずれかを含む、イリジウムと配位結合するリガンドを表わしている。例えば、リガンドＬはフェニルピリジンまたはアセチルアセトンであってよい。
【００２９】
各Ｋは、同様に、構造Ｒ１−Ａ−Ｂ−Ｒ２、スペーサ基Ｓおよび１つ以上の架橋結合官能基Ｐを含むリガンドも表わす。変数「ｎ」は１から３までの範囲の整数値を有する。ｎ＝１である場合、リガンドＬは互いに同じまたは異なるものであってよい。ｎ＝２またはｎ＝３である場合、リガンドＫの各々は互いに同じまたは異なるものであってよい。架橋性官能基Ｐの例としてはビニル、アクリレート、エポキシド、オキセタン、トリフルオロエチレン、ベンゾシクロブテン、シロキサン、マレイミド、シアネートエステル、エチニル、ナジミド、フェニルエチニル、ビフェニレン、フタロニトリル、またはホウ酸が含まれる。
【００３０】
構造Ａ−Ｂは、互いに結合されている一対の芳香族環を表わす。環ＡおよびＢは、各々５または６員の環である。環Ａ上の原子Ｘは、窒素または炭素とし得るヘテロ原子を表わす。構造Ａ−Ｂは、環Ａ上の窒素原子および環Ｂ上のｓｐ２混成炭素を介してイリジウムに対し配位結合される。
【００３１】
環ＡまたはＢの各々は、任意選択で置換基Ｒ１およびＲ２により置換され、ここでＲ１およびＲ２の各々は、それらのそれぞれの環上の任意の位置にある１つ以上の独立して選択された置換を表わす。Ｒ１またはＲ２は、それらのそれぞれの環に連結または融合されてよい。Ｒ１およびＲ２置換基は、低級脂肪族化合物、低級アリールまたは低級ヘテロアリール基を含むことができる。
【００３２】
架橋性反応性官能基を有する電荷輸送化合物のさらなる例としては、参照により本明細書に援用するＴｉｅｒｎｅｙらに対する米国特許出願公開第２００４／０１７５６３８号明細書（２００４年９月９日公開）中に開示されているものが含まれる。他の例としては、Ｘ．Ｊｉａｎｇら、Ａｄｖａｎｃｅｄ  Ｆｕｎｃｔｉｏｎａｌ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ、ｖｏｌ．１２：１１−１２、ｐｐ．７４５−７５１（Ｄｅｃｅｍｂｅｒ  ２００２）に開示されている重合性トリアリールアミン含有ペルフルオロシクロブタン類（ＰＦＣＢ）が含まれる。他の例としては、Ｅ．Ｂｅｌｌｍａｎら、Ｃｈｅｍ．Ｍａｔｅｒ．、ｖｏｌ．１０：１６６８−１６７６（１９９８）中に記載されているペンダントトリアリールアミン（ＴＰＡ）基を伴うポリノルボルネン類が含まれる。他の例としては、Ｂ．Ｄｏｍｅｒｃｑら、Ｃｈｅｍ．Ｍａｔｅｒ．、ｖｏｌ．１５：１４９１−１４９６（２００３）中に記載されている架橋性Ｎ，Ｎ’−ビス−（ｍ−トリル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン（ＴＰＤ）ベースのホール輸送ポリマーが含まれる。他の例としては、Ｏ．Ｎｕｙｋｅｎら、Ｄｅｓｉｇｎｅｄ  Ｍｏｎｏｍｅｒｓ  ＆  Ｐｏｌｙｍｅｒｓ、ｖｏｌ．５：２−３、ｐｐ．１９５−２１０（２００２）中に記載されているペンダントオキセタン基を伴うトリアリールアミンベースのホール輸送分子およびポリマーが含まれる。他の例としては、その全体を参照により本明細書に援用するＷｏｏらに対する米国特許第５，９２９，１９４号明細書（１９９９年７月２７日発行）中に記載されている架橋性または鎖延長可能なポリアリールポリアミン類が含まれる。
【００３３】
他の例としては、Ａ．Ｂａｃｈｅｒら、Ｍａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌｅｓ、ｖｏｌ．３２：４５５１−４５５７（１９９９）中に記載されているアクリレート基を有するヘキサアルコキシトリフェニレン類が含まれる。他の例としては、Ｅ．Ｂａｃｈｅｒら、Ｍａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌｅｓ、ｖｏｌ．３８：１６４０−１６４７（２００５）中に記載されている架橋性ホール伝導ポリマーが含まれる。他の例としては、その全体を参照により本明細書に援用するＦａｒｒａｎｄらに対する米国特許第６，９１３，７１０号明細書（２００５年７月５日発行）中に記載されている反応性ベンゾジチオフェン類が含まれる。架橋結合基を有する電荷輸送化合物の他の例は、参照により本明細書に援用するＭｕｌｌｅｒら、Ｓｙｎｔｈｅｔｉｃ  Ｍｅｔａｌｓ  １１１／１１２：３１−３４（２０００）および米国特許出願公開第２００５／０１５８５２３号明細書（Ｇｕｐｔａら）中に記載されている。架橋性反応基を有する電荷輸送化合物の他の例としては、Ｎ４，Ｎ４’−ジ（ナフタレン−１−イル）−Ｎ４，Ｎ４’−ビス（４−ビニルフェニル）ビフェニル−４，４’−ジアミンなどのスチリル基を有するアリールアミン誘導体が含まれる。
【化４】
0005684250.tif 000006
【００３４】
液体組成物中の有機半導体材料の濃度は、特定の利用分野に応じて変動する。一部の実施形態において、有機半導体材料は、インクジェット印刷に適した濃度で提供される。一部の場合、有機半導体材料の濃度は０．０１〜１０ｗｔ％の範囲内であり、一部の場合０．０１〜２ｗｔ％の範囲内、そして一部の場合０．１〜１ｗｔ％の範囲内である。液体組成物の粘度は、特定の利用分野に応じて変動する。インクジェット印刷での使用のためには、適切な粘度は１〜２５ｍＰａｓまたは５〜２５ｍＰａｓの範囲内であり得る。有機半導体材料とケトン溶媒の相互作用は、液体組成物の粘度に影響を及ぼすかもしれない。したがって、液体組成物の粘度は、ケトン溶媒および／または有機半導体材料の選択を変えることによって、または各々の相対的量を変動させることによって調整してよい。液体組成物は同様に、ＯＬＥＤなどの有機電子デバイスの製造において使用されるさまざまな他のタイプの有機材料のいずれを含んでいてもよい。
【００３５】
液体組成物は、当技術分野において公知のいずれかの適切な溶液処理技術を用いて、表面上に被着される。例えば、液体組成物は、インクジェット印刷、ノズル印刷、オフセット印刷、転写印刷またはスクリーン印刷などの印刷プロセスを用いてか、または例えばスプレーコーティング、スピンコーティングまたはディップコーティングなどのコーティングプロセスを用いて被着させることができる。液体組成物の被着後、ケトン溶媒が除去されるが、これは真空乾燥または加熱などの任意の従来の方法を用いて実施されてよい。
【００３６】
有機半導体材料が架橋性官能基を有する実施形態において、この方法はさらに、有機層を形成するための有機半導体材料の架橋結合を含んでいてよい。架橋結合は、ＵＶ光、ガンマ線またはＸ線を含めた熱および／または化学線に有機半導体材料を曝露することによって実施されてよい。架橋結合は、架橋結合反応を開始するフリーラジカルまたはイオンを生成するように熱または照射の下で分解する開始剤の存在下で実施されてよい。架橋結合は、デバイスの製造中にその場で実施されてよい。
【００３７】
架橋結合した有機層を得ることは、溶液処理技術による多層有機電子デバイスの製造において有用であるかもしれない。詳細には、架橋結合した有機層は、その上に被着した溶媒により溶解させられたり、形態学的に影響を受けたりまたは劣化させられることを回避できる。架橋結合した有機層は、トルエン、キシレン、アニソールおよび他の置換芳香族および脂肪族溶媒を含めた有機電子デバイスの製造において使用されるさまざまな溶媒に対する耐性を有するかもしれない。こうして、下にある有機層が架橋結合され溶媒耐性を有するものとなった状態で、溶液堆積と架橋結合のプロセスとを反復して複数の層を作り出すことができる。
【００３８】
こうして、一部の場合において、この方法はさらに、架橋結合した（第１の）有機層全体にわたり溶液処理により追加の（第２の）有機層を形成するステップを含む。この追加の（第２の）有機層は、電荷輸送層（例えばホール輸送層）または発光層であってよい。
【００３９】
液体組成物は、ＯＬＥＤなどの有機電子デバイスの製造に関与する表面を含めた、さまざまな異なるタイプの表面上に被着されてよい。一部の実施形態において、表面は、液体組成物中で使用されるケトン溶媒との関係において親水性である。この特徴は、表面を濡らす液体組成物の能力を改善するために有用であるかもしれない。以下の実施例の節で記述する通り、液体組成物により表面を十分に濡らすと、形成される有機層の質を改善することができる。表面を十分に濡らす溶媒の能力は、表面上（または実際の表面と同じ材料で作られる匹敵する被験表面上）に塗布されるケトン溶媒の小滴の濡れ接触角により実証可能である。
【００４０】
例えば、図１は、インジウムスズ酸化物で作られた未処理の平面表面２０上に適用されたケトン溶媒の液滴１０を示している。液滴１０の濡れ接触角は、表面２０との境界面における液滴１０に対する接線と表面２０自体の平面の間の角度θである。一般に、液滴１０は表面２０上を半径方向に拡散し、半径方向拡散の範囲は、溶媒による表面２０の濡れが増大するにつれて大きくなる。接触角θは、液滴１０が半径方向に拡散するにつれて減少することから、接触角がより小さくなれば、それは溶媒による表面２０の濡れがより大きいことを表わす。したがって、ケトン溶媒および／または表面は、表面（または実際の表面と同じ材料で作られた被験表面）上に適用されたケトン溶媒の液滴が、２０°以下；そして一部の場合では１０°以下；そして一部の場合では５°以下の接触角を有するような形で選択されてよい。
【００４１】
本発明の別の態様においては、液体組成物は、芳香族エーテル溶媒中に混合された小分子有機半導体材料を含む。液体組成物はその後、表面上に被着され、乾燥させられて有機層を形成する。「芳香族エーテル溶媒」とは、溶媒分子が一般構造式Ｒ−Ｏ−Ｒ’を有するエーテルであり、ここでＲまたはＲ’の少なくとも１つがアリールを含み、ＲおよびＲ’が同じであるかまたは異なるものであることを意味している。一部の場合においてＲおよびＲ’の両方がアリールを含む。一部の場合において、溶媒分子は（アリール）−Ｏ−（アリール）という式を有し、アリール基は各々独立して選択される（すなわちこれらは同じものであっても異なるものであってもよい）。
【００４２】
本発明で使用される芳香族エーテル溶媒は、それをインクジェット印刷などの溶液処理技術によって有機層を形成するために有用なものにするさまざまな化学的／物理的特性を有していてよい。例えば、芳香族エーテル溶媒は、２５℃以下の融点を有するかもしれない。一部の場合において、芳香族エーテル溶媒は１００〜２５０の範囲内の分子量を有する。一部の場合において、芳香族エーテル溶媒は１５０℃以上または２００℃以上の沸点を有し、一部の場合には、１５０℃〜３５０℃または２００℃〜３５０℃の範囲内の沸点を有する。この範囲内の沸点は、インクジェットプリントヘッドのノズルの目詰まりを防ぐ上で有用であるかもしれない。
【００４３】
本発明において使用するのに適したものであるかもしれない芳香族エーテル溶媒の例を、下表２に記す。
【００４４】
【表２】
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【表３】
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【表４】
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【表５】
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【表６】
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【００４５】
一部の場合において、芳香族エーテル溶媒は、２つ以上の芳香族エーテル溶媒の配合物であってよい。一部の場合において、液体組成物自体は、本発明の芳香族エーテル溶媒以外の溶媒を含む溶媒配合物を使用してよい。このような場合、１つまたは複数の芳香族エーテル溶媒は、液体組成物中の溶媒体積の少なくとも５０％（体積％）を構成する。
【００４６】
有機半導体材料は、上述のもののいずれかであってよい。一部の場合において、有機半導体材料は、リン光発光性化合物である。全て参照により本明細書に援用する米国特許第６，９０２，８３０号明細書（Ｔｈｏｍｐｓｏｎら）および米国特許出願公開第２００６／０２５１９２３号明細書（Ｌｉｎら）、米国特許出願公開第２００７／００８８１６７号明細書（Ｌｉｎら）、米国特許出願公開第２００６／０００８６７３号明細書（Ｋｗｏｎｇら）および米国特許出願公開第２００７／０００３７８９号明細書（Ｋｗｏｎｇら）中に記載されている遷移金属の有機金属錯体を含めた、さまざまなタイプのリン光発光性化合物のいずれかが適切であるかもしれない。
【００４７】
液体組成物中の有機半導体材料の濃度は、特定の利用分野によって変動するものである。一部の実施形態において、有機半導体材料は、インクジェット印刷に適した濃度で提供される。一部の場合では、有機半導体材料の濃度は、０．０１〜１０ｗｔ％の範囲内であり、一部の場合では０．０１〜２ｗｔ％の範囲内であり、一部の場合では０．１〜１ｗｔ％の範囲内である。
【００４８】
液体組成物の粘度は、特定の利用分野によって変動するものである。インクジェット印刷において使用するためには、適切な粘度は１〜２５ｍＰａｓまたは５〜２５ｍＰａｓの範囲内にあり得る。有機半導体材料と芳香族エーテル溶媒との相互作用は、液体組成物の粘度に影響を及ぼすかもしれない。したがって、芳香族エーテル溶媒および／または有機半導体材料の選択を変動させることによってかまたは各々の相対的量を変動させることにより、液体組成物の粘度を調整してもよい。液体組成物は、ＯＬＥＤなどの有機電子デバイスの製造において使用されるさまざまな他のタイプの有機材料のいずれかを含んでいてもよい。例えば、液体組成物がＯＬＥＤの発光層を作製するために使用される場合、この液体組成物はさらにホスト材料を含んでいてよい。有機層は、上述のもののいずれであってもよい（例えばＯＬＥＤ内のホール注入層、ホール輸送層または発光層）。液体組成物を伴う有機層を作製するために、上述のプロセスのいずれを使用してもよい。
【００４９】
参照により本明細書に援用する米国特許出願公開第２００５／００７２０２１号明細書（Ｓｔｅｉｇｅｒら）中に開示されているものなどの、有機発光デバイス、有機電界効果トランジスタ（ＯＦＥＴ）、有機薄膜トランジスタ（ＯＴＦＴ）、有機光起電デバイスおよび有機太陽電池を含めたさまざまな有機電子デバイスの製造において、本発明を使用することが可能である。例えば、図２は、本発明を用いて製造してよいＯＬＥＤ１００を示す。ＯＬＥＤ１００は、当技術分野において周知であるアーキテクチャを有する（例えば、参照により本明細書に援用するＸｉａらに対する米国特許出願公開第２００８／０２２０２６５号明細書を参照されたい）。図２を見ればわかるように、ＯＬＥＤ１００は、基板１１０、アノード１１５、ホール注入層１２０、ホール輸送層１２５、電子ブロッキング層１３０、発光層１３５、ホールブロッキング層１４０、電子輸送層１４５、電子注入層１５０、保護層１５５およびカソード１６０を有する。カソード１６０は、第1の導電層１６２および第２の導電層１６４を有する複合カソードである。第１層が、第２層の「上」にあるとして記述されている場合、第１層は基板からさらに離れて配置されている。第１層が第２層と「物理的に接触状態にある」と規定されているのでないかぎり、第１層と第２層との間に他の層が存在してもよい。例えば、間にさまざまな有機層が存在するとしても、カソードをアノードの「上」に配置されているものとして記述できる。
【００５０】
本発明は、ＯＬＥＤ中のさまざまな有機層の任意の層を作製するために適しているかもしれない。例えば、図２を再び参照すると、ホール注入層１２０を作製する上で本発明を使用してもよい。この場合、液体組成物が上に被着される表面はアノード１１５である。アノード１１５は、ホールを有機層まで輸送するのに十分な導電性をもついずれかの適切なアノードであってよい。アノード１１５を作製するために使用される材料は、好ましくは、約４ｅＶより高い仕事関数を有する（「高仕事関数材料」）。好ましいアノード材料には、導電性金属酸化物、例えばインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）およびアルミニウム亜鉛酸化物（ＡｌＺｎＯ）が含まれる。別の実施例においては、ホール輸送層１２５を作製するために、本発明を使用してもよい。別の実施例では、発光層１３５を作製するために本発明を使用してもよい。
【実施例】
【００５１】
本発明の具体的で代表的な実施形態について、このような実施形態の実施方法を含めて、次に記述する。具体的な方法、材料、条件、プロセスパラメータ、装置類などが、必ずしも本発明の範囲を限定するものではないということを理解すべきである。
【００５２】
有機層は、さまざまな溶媒を用いてインクジェット印刷により作製された。４つの異なる溶媒中に以下で示す化合物１（架橋性イリジウム錯体）を０．１ｗｔ％の濃度で溶解させることによってインクジェット液を調製した。
【化５】
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【００５３】
使用した溶媒はＮ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）、安息香酸エチル、酢酸ベンジル、および１−テトラロンであり、その沸点および密度は、下表３に示されている。この表を見ればわかるように、これら４つの溶媒は、類似の沸点と密度を有する。
【００５４】
【表７】
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【００５５】
インクジェット液を濾過し、使い捨てのインクカートリッジ内に充填した。次にインクジェット液を、図３Ａおよび３Ｂに示された基板上にインクジェット印刷した。これらの図は、ＯＬＥＤ製造において使用される従来の基板の概略図である。ガラス基板３０をインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）層３８とＳｉＯ２緩衝層３２とでコーティングした。画素マトリクスを形成するために、ＩＴＯ表面３８上にポリイミド層をパターン化して、画素を画定する区画３６を形成した。図３Ｂの垂直断面図に見られるように、区画３６は、持ち上ったポリイミド隔壁３４により画定されている。ポリイミド隔壁３４は、ＩＴＯ層３８およびＳｉＯ２緩衝層３２の表面に比べて相対的に疎水性であるか、または反対に、ＩＴＯ層３８およびＳｉＯ２緩衝層３２の表面は、ポリイミド隔壁３４に比べて相対的に親水性である。
【００５６】
したがって、本発明においては、液体組成物を被着させるために用いられる表面は、隔壁により画定される区画を有していてよく、区画は隔壁よりも親水性である。この設計により、区画は、液体組成物中のケトン溶媒との関係において親水性であり、隔壁は、ケトン溶媒との関係において疎水性であり、こうして隔壁は液体組成物をはじくことができるようになる。その結果、隔壁上全体にわたるおよび隣接する画素区画内への被着した液体組成物の望ましくないオーバーフローを回避でき、画素区画の平担化された充填を改善することが可能となる。必要な場合、表面の親水性を調整するために、周知の表面処理技術（例えば酸素またはＣＦ４プラズマ処理）によって表面を修飾することができる。
【００５７】
インクジェット液の多数の滴を基板上の各画素区画内に噴射し、その結果は、図４Ａ−４Ｃの左欄に示されている。インクジェット印刷の後、溶媒を室温で１０分間真空乾燥させ、結果は図４Ａ−４Ｃの右欄に示されている。溶媒としてＮＭＰを用いたインクジェット液は急速に乾燥しすぎて印刷できなかった（したがって図４には示されていない）。
【００５８】
図４Ａの左図版を参照すると、溶媒として安息香酸エチルを使用するインクジェット液については、基板上にインクジェット液の滴の不均等分布が存在した。図４Ａの第２の図版に見られるように、乾燥後に形成された有機層は、不均一であり、画素は一部が過度に厚く、他は過度に薄いものであった。
【００５９】
図４Ｂの左図版を参照すると、溶媒として酢酸ベンジルを用いるインクジェット液について、隣接する画素区画内へのインクジェット液のオーバーフローが存在した。これは、溶媒がＩＴＯ表面を十分に濡らすことができないことの結果と考えられる。
【００６０】
図４Ｃの左図版を参照すると、溶媒として１−テトラロンを用いるインクジェット液について、インクジェット印刷は、画素の非常に均等な充填を結果としてもたらした。図４Ｃの第２の図版に見られるように、有機層を乾燥させた後、結果として得られた画素は、平担で均一であった。これは、なかでも、１−テトラロン溶媒がインクジェット印刷のために十分な粘度とＩＴＯ表面を十分に濡らす能力をインクジェット液にもたらすことを表わすと考えられる。
【００６１】
他の溶媒と比べ１−テトラロンを用いてこのような優れた結果が得られることは、他の溶媒も１−テトラロンと類似の沸点および密度を有する１−テトラロンと同様の極性溶媒であったことから、意外で予期せぬことである。理論により束縛されることは意図していないものの、テトラロン上の芳香族環、テトラロン上のケトン官能基、またはその両方が組合わされて、有機半導体材料と相互作用して、これらの注目すべき能力を有する液体組成物を提供するものと考えられる。
【００６２】
これらの注目すべき結果を得て、本発明の液体組成物を用いて機能的ＯＬＥＤが製造された。以下で示す導電率ドーパントと共に０．１ｗｔ％の濃度で１−テトラロン中に以下に示す架橋性ＨＩＬ材料（架橋性イリジウム錯体）を溶解させることによって、ホール注入層を作製するためのインクジェット液を調製した。本明細書中で使用する「導電率ドーパント」とは、添加剤として有機層に適用された場合に有機電子デバイスの有機層の導電率を増大させる有機小分子を意味する。ＨＩＬ材料と導電率ドーパントとの間の重量比は９７：３であった。その後インクジェット液を濾過し、使い捨てのインクカートリッジの中に充填した。
【化６】
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【００６３】
０．２ｗｔ％の濃度で以下に示す架橋性ＨＴＬ材料を１−テトラロン中に溶解させることによって、ホール輸送層を作製するためのインクジェット液を調製した。インクジェット液を次に濾過し、使い捨てインクカートリッジ内に充填した。
【化７】
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【００６４】
８８：１２のホスト：ドーパント重量比で、以下に示すリン光発光緑色ドーパント材料と共に以下に示すＥＭＬホスト材料を１．０ｗｔ％の濃度で３−フェノキシトルエン中に溶解させることによって、発光層を作製するためのインクジェット液を調製した。インクジェット液を次に濾過し、使い捨てインクカートリッジ内に充填した。
【化８】
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【００６５】
図３に示されているものと類似の基板上にＨＩＬインクジェット液をインクジェット印刷し、その後室温で１０分間真空乾燥することにより、ホール注入層を作製した。その後、結果として得た有機層を２５０℃で３０分間のホットプレート焼成に付して、より多くの溶媒を除去し、ＨＩＬ材料を架橋結合させた。架橋結合させたホール注入層上にＨＴＬインクジェット液をインクジェット印刷し、その後室温で１０分間真空乾燥することにより、ホール輸送層を作製した。結果として得た有機層を次に２００℃で３０分間ホットプレート焼成に付して、より多くの溶媒を除去し、ＨＴＬ材料を架橋結合させた。架橋結合したホール輸送層上にＥＭＬインクジェット液をインクジェット印刷し、その後１０分間室温で真空乾燥し、次に１００℃で６０分間焼成することにより、発光層を作製した。
【００６６】
複合ＨＰＴ（以下に示す）を含むホールブロッキング層、Ａｌｑ３［アルミニウム（ＩＩＩ）トリス（８−ヒドロキシキノリン）］を含む電子輸送層、ＬｉＦを含む電子注入層およびアルミニウム電極（カソード）を順次従来の手法で真空蒸着させた。
【化９】
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【００６７】
結果として得た緑色発光ＯＬＥＤを室温で２０ｍＡ／ｃｍ２のＤＣ定電流下で動作させて、その性能をテストした。図５は、経時的光度プロットとして描かれたデバイスの動作寿命を示す。図５に見られるように、デバイスは、（２０００ｃｄ／ｍ２の初期レベルの８０％に至るまでの明度減衰にかかった時間によって測定した場合）１００時間の寿命を有していた。デバイス性能結果は、下表４にまとめられている。
【００６８】
【表８】
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【００６９】
比較的高沸点の溶媒を用いた有機層のインクジェット印刷の結果、被着された有機層内に溶媒残渣が残ることになる可能性がある。有機層内のこの溶媒残渣は、電子デバイスの性能と干渉し得ると考えられる。したがって、高沸点溶媒の使用に伴う問題の１つは、被着させた有機層から溶媒を除去するのが困難であるという点にある。高温での焼成は、溶媒の除去を迅速化し得るが、これは、デバイスの熱崩壊をひき起こす可能性がある。同様に、高温で焼成しても、被着させた有機層から溶媒残渣が完全に除去されないかもしれない。
【００７０】
インクジェット被着させた有機層中の溶媒残渣は、溶媒自体または溶媒調製物中の不純物であるかもしれない。しかし、高沸点溶媒の場合は、何らかの不純物ではなくむしろ溶媒そのものが有機層内の支配的な残渣となるものと考えられている。例えば、市販の３−フェノキシトルエン溶媒調製物は、典型的に９５〜９９％の純度を有する（すなわち１〜５ｗｔ％の不純物含有量を有する）。上述の緑色発光ＯＬＥＤを製造する上で使用される３−フェノキシトルエン溶媒調製物は、ＴＣＩ  Ａｍｅｒｉｃａ（Ｐｏｒｔｌａｎｄ，ＯＲ）から得たものであった。ＴＣＩ  Ａｍｅｒｉｃａ（Ｐｏｒｔｌａｎｄ，ＯＲ）から得たこの３−フェノキシトルエン溶媒調製物の不純物含有量を調査するために、高性能液体クロマトグラフィ（ＨＰＬＣ）およびガスクロマトグラフィ質量分析法（ＧＣ−ＭＳ）により溶媒調製物を分析した。図６Ａは、３−フェノキシトルエン溶媒調製物の試料について実施されたガスクロマトグラフィ出力を示しており、ここで、化合物は沸点の逓増順で溶出している、換言すると、より高い沸点を有する化合物がより長く保持されている。主ピークは、３−フェノキシトルエン（すなわち溶媒自体）を表わしている。約７．２９の保持時間にある左側のより小さいピークは、主不純物を表わし、これはジフェニルエーテルであるものとして同定されている。主ピークの右側のさらに一層小さい多数のピークは、３−フェノキシトルエンよりも高い沸点を有する（すなわちより長い保持時間を有する）不純物を表わしている。同様にして、３−フェノキシトルエン溶媒調製物の試料について実施されたＵＶ−ＨＰＬＣ（２５０ｎｍおよび２２７ｎｍ）出力は、それぞれ３−フェノキシトルエン、ジフェニルエーテルそして微量の他の不純物をそれぞれに表わす、主ピーク、副ピークそして多数のより小さいピークを示している。
【００７１】
次に、この市販の３−フェノキシトルエン溶媒調製物（これは比較的高純度のものであり大部分の商業的用途に適したものであるにせよ以下ではこれを「粗製」３−フェノキシトルエン溶媒調製物と呼ぶものとする）を、以下の通りに分別蒸留によって精製した。全てのガラス製品を脱イオン水で清浄し、４時間オーブン乾燥した。粗製３−フェノキシトルエン溶媒調製物を、分別蒸留装置が取付けられた丸底フラスコ内に入れ、これを真空ポンプに接続した。冷水（約１８℃）で蒸留液収集経路を冷却した。蒸留液留分を収集し、ＨＰＬＣおよび／またはＧＣ−ＭＳにより分析した。５５℃の温度で３０ｍｂａｒの圧力下で、収集した留分はかなりの量の不純物を含んでいたため、廃棄した。５８〜６０℃で収集した留分は、きわめて少量の不純物しか含まないことがわかった。図７Ａはこの留分のガスクロマトグラフィを示している。ここでわかるように、比較的沸点が高い不純物（すなわち主ピークの右側）はほぼ完全に除去されているが、ジフェニルエーテル不純物の一部はなおも存在している。図７Ｂは、この留分のＵＶ−ＨＰＬＣ出力を示しており、比較的高い沸点の不純物が除去されたことを確認している。
【００７２】
この精製された３−フェノキシトルエン溶媒調製物を使用して、以下のようにＯＬＥＤを製造した。上述のデバイスと同じ材料を用いて、上述のものと類似のプロセスにより溶媒として１−テトラロンを用いてインクジェット印刷によって、デバイス用のＨＩＬ層およびＨＴＬ層を作製した。上述のものと同じ要領で、粗製３−フェノキシトルエン溶媒調製物（対照デバイス用）または精製済み３−フェノキシトルエン溶媒調製物（被験デバイス用）の各々を用いて、ＥＭＬのためのインクジェット液を作製した。架橋結合したＨＴＬ上にＥＭＬインクジェット液をインクジェット印刷し、その後室温で１０分間真空乾燥し、次に１００℃で６０分間焼成することにより、発光層を作製した。焼成温度は３−フェノキシトルエンの沸点（２７２℃）よりもはるかに低いことから、このプロセスによってＥＭＬから３−フェノキシトルエンが完全に除去されることは期待されていない。複合ＨＰＴ（以下で示す）を含むホールブロッキング層、Ａｌｑ３［アルミニウム（ＩＩＩ）トリス（８ヒドロキシキノリン）］を含む電子輸送層、ＬｉＦを含む電子注入層およびアルミニウム電極（カソード）を順次従来の手法で真空蒸着させた。
【００７３】
図８は、経時的光度プロットとして２つのデバイスの動作寿命を示す。精製済み溶媒調製物を用いて製造された被験デバイスが、２００時間の寿命（ＤＣ定駆動下で、室温で２０００ｃｄ／ｍ２の初期レベルの８０％までの輝度の減衰にかかった時間により測定したもの）を有していたのに対して、粗製溶媒調製物を用いて製造された対照デバイスの場合は１００時間であった。
【００７４】
デバイス性能のこの差異は、粗製溶媒調製物対精製済み（再蒸留済み）溶媒調製物を使用したインクジェット印刷により形成されたＥＭＬ内に残っている残渣の違いの結果であると考えられている。しかしながら、以上で説明した通り、溶媒調製物中のいずれの不純物よりも溶媒自体が残渣中の支配的種であると考えられていることから、デバイス性能のこの有意な改善は予想外の結果である。粗製溶媒調製物について以上で示した通り、不純物は、溶媒調製物のわずかな留分を構成しているにすぎず、したがって残渣材料のわずかな留分しか構成しないと考えられる。これらの少量の不純物を除去することで、溶媒残渣の組成が有意に変更されることは予期されておらず、したがって、不純物の除去によりデバイスの性能に対する有意な効果がもたらされるとは予期されないと思われる。
【００７５】
さらに、主不純物であるジフェニルエーテルは、再蒸留済み溶媒調製物中になおも存在している。粗製溶媒調製物と再蒸留済み溶媒調製物との間の最も有意な差異は、再蒸留済み溶媒調製物中に比較的高い沸点の不純物が存在しないという点にある。粗製溶媒調製物について以上で示した通り、これらの比較的高い沸点の不純物は、それ自体溶媒調製物のわずかな留分しか構成していない全不純物のわずかな留分（おそらくは約１０％以下）しか構成しない。したがって、これらの微量の比較的高沸点の不純物を除去することで、デバイス性能のこのような劇的な改善が結果としてもたらされるということは、さらに意外である。
【００７６】
したがって、これらの意外な結果に基づいて、本発明では、比較的高沸点の不純物の含有量が削減された溶媒調製物を用いて有機層を作製することにより、デバイス性能の改善が可能であると考えられる。一部の実施形態において、溶媒調製物は、高沸点溶媒、および溶媒自体よりもさらに高い沸点をもつ０．１ｗｔ％以下の不純物を含んでいる。本明細書中で使用する「高沸点溶媒」とは、１ａｔｍで２００℃以上の沸点を有する溶媒を意味する。したがって、３−フェノキシトルエン（ＢＰ＝２７２℃）および１−テトラロン（ＢＰ＝２５６℃）は、高沸点溶媒とみなされると考えられる。一部の場合において、高沸点溶媒は、（１ａｔｍで）２５０℃以上の沸点を有する溶媒である。高沸点溶媒は、（１ａｔｍ）で３５０℃という高い沸点を有していてよいが、他の沸点範囲も同様に可能である。溶媒は、インクジェット印刷におけるその使用を容易にするため、２５℃以下の融点を有していてよい。市販の溶媒調製物を再蒸留することによって溶媒調製物を製造してよい。
【００７７】
上述の要領で小分子有機半導体材料と溶媒調製物を混合して、有機層を作製するための液体組成物を形成する。その後、溶液処理技術（例えばインクジェット印刷）により表面上に液体組成物を被着させて、有機層を形成する。一部の場合、有機半導体材料の濃度は０．０１〜１０ｗｔ％の範囲内であり、一部の場合、０．０１〜２ｗｔ％の範囲内、そして一部の場合、０．１〜１ｗｔ％の範囲内である。
【００７８】
したがって、一部の実施形態において、本発明の液体組成物は、高沸点溶媒と、その中に混合された小分子有機半導体材料とを含む。溶媒調製物および小分子有機半導体材料により導入されるあらゆる溶解した不純物（ただし固体不純物は除く）を考慮すると、液体組成物は、溶媒より高い沸点を有する不純物を０．１ｗｔ％以下有していてよい。
【００７９】
本発明は、ＨＩＬ、ＨＴＬまたはＥＭＬを含めたＯＬＥＤ中のさまざまな有機層のいずれを作製するためにも適しているかもしれない。本発明を用いて製造されたＯＬＥＤは、対応する有機層（例えば発光層）が粗製溶媒調製物を用いて作製されるという点を除いて同じ要領で製造されている匹敵するデバイスに比べて、著しく改善されたＴ８０寿命（ＤＣ定駆動下で、室温で初期レベルの８０％までの明度減衰にかかった時間）を有しているかもしれない。例えば、デバイスの寿命（Ｔ８０）は、粗製溶媒調製物を用いて製造された匹敵するデバイスに比べて、少なくとも１．５倍長くなり、一部の場合、少なくとも２倍長くなり得る。
【００８０】
上述の記述および実施例は、単に本発明を例示するためのみに示されており、限定的であることを意図されたものではない。本発明の開示された態様および実施形態の各々は、個別に、または本発明の他の態様、実施形態および変形形態と組合せた形で考慮されてよい。さらに、別段の規定のないかぎり、本発明の方法のステップはいずれも、いずれかの特定の実施順序に限定されない。当業者であれば、本発明の趣旨および本質を取込んでいる開示された実施形態の修正を認識するかもしれず、このような修正は、本発明の範囲内に入るものである。
【図１】
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【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図４】
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【図５】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図８】
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