(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
補強材に樹脂を含浸させた半硬化状態の支持体上に、第１のキャリア板の一面側全体に剥離層を介して前記第１のキャリア板より薄い第１の極薄金属箔が設けられ前記支持体の大きさより小さな第１のキャリア付金属箔を前記第１のキャリア板を前記支持体と対向して配置し、前記第１のキャリア付金属箔上に、前記第１のキャリア付金属箔の大きさより大きく半硬化状態の樹脂からなる第１の絶縁層を前記第１の極薄金属箔と対向して配置し、前記第１の絶縁層の上面全体に、前記第１のキャリア付金属箔の大きさより大きな金属箔を配置し、前記支持体と前記第１のキャリア付金属箔と前記第１の絶縁層と前記金属箔を加熱及び加圧して前記支持体と前記第１の絶縁層の樹脂を硬化させ、前記支持体と前記第１のキャリア付金属箔と前記第１の絶縁層と前記金属箔とを直接積層し、前記支持体の周縁部と前記第１の絶縁層の周縁部とを直接接着し、前記第１のキャリア付金属箔の上下面及び側面を前記支持体及び前記第１の絶縁層により被覆する工程と、
前記金属箔により配線層を形成する工程と、
前記第１の絶縁層の上に、前記配線層を覆う第２の絶縁層を配置し、第２のキャリア板の一面側に剥離層を介して前記第２のキャリア板より薄い第２の極薄金属箔が設けられた第２のキャリア付金属箔を前記第２の極薄金属箔を前記第２の絶縁層と対向するように配置し、前記第２の絶縁層と前記第２のキャリア付金属箔を前記第１の絶縁層の表面に直接積層して構造体を生成する工程と、
前記第１のキャリア付金属箔の周縁に対応する位置にて前記構造体を切断する工程と、
前記第１の極薄金属箔と前記第１のキャリア板を互いに分離し、前記第２の極薄金属箔と前記第２のキャリア板を互いに分離する工程と、
前記第１の極薄金属箔と前記第２の極薄金属箔により配線層を形成する工程と、
を有することを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項２】
補強材に樹脂を含浸させた半硬化状態の支持体上に、第１のキャリア板の一面側全体に剥離層を介して前記第１のキャリア板より薄い第１の極薄金属箔が設けられ前記支持体の大きさより小さな第１のキャリア付金属箔を前記第１のキャリア板を前記支持体と対向して配置し、前記第１のキャリア付金属箔上に、前記第１のキャリア付金属箔の大きさより大きく半硬化状態の樹脂からなる第１の絶縁層を前記第１の極薄金属箔と対向して配置し、前記第１の絶縁層の上面全体に、第３のキャリア板の一面側全体に剥離層を介して前記第３のキャリア板より薄い第３の極薄金属箔が設けられ前記第１のキャリア付金属箔の大きさより大きな第３のキャリア付金属箔を前記第３の極薄金属箔を前記第１の絶縁層の上面と対向して配置し、前記支持体と前記第１のキャリア付金属箔と前記第１の絶縁層と前記第３のキャリア付金属箔を加熱及び加圧して前記支持体と前記第１の絶縁層の樹脂を硬化させ、前記支持体と前記第１のキャリア付金属箔と前記第１の絶縁層と前記第３のキャリア付金属箔とを直接積層し、前記支持体の周縁部と前記第１の絶縁層の周縁部とを直接接着し、前記第１のキャリア付金属箔の上下面及び側面を前記支持体及び前記第１の絶縁層により被覆する工程と、
前記第３のキャリア板を剥離し、前記第３の極薄金属箔を除去し、前記第１の絶縁層の表面に金属膜を形成し、前記金属膜の上に開口部を有するレジストを形成し、前記金属膜を利用する電解めっきにより前記レジストの開口部に金属めっき層を形成し、前記レジストを除去し、前記金属めっき層をマスクとして前記金属膜をエッチングすることにより配線層を形成する工程と
前記第１の絶縁層の上に、前記配線層を覆う第２の絶縁層を配置し、第２のキャリア板の一面側に剥離層を介して前記第２のキャリア板より薄い第２の極薄金属箔が設けられた第２のキャリア付金属箔を前記第２の極薄金属箔を前記第２の絶縁層と対向するように配置し、前記第２の絶縁層と前記第２のキャリア付金属箔を前記第１の絶縁層の表面に直接積層して構造体を生成する工程と、
前記第１のキャリア付金属箔の周縁に対応する位置にて前記構造体を切断する工程と、
前記第１の極薄金属箔と前記第１のキャリア板を互いに分離し、前記第２の極薄金属箔と前記第２のキャリア板を互いに分離する工程と、
前記第１の極薄金属箔と前記第２の極薄金属箔により配線層を形成する工程と、
を有することを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項３】
補強材に樹脂を含浸させた半硬化状態の支持体上に、第１のキャリア板の一面側全体に剥離層を介して前記第１のキャリア板より薄い第１の極薄金属箔が設けられ前記支持体の大きさより小さな第１のキャリア付金属箔を前記第１のキャリア板を前記支持体と対向して配置し、前記第１のキャリア付金属箔上に、前記第１のキャリア付金属箔の大きさより大きく半硬化状態の樹脂からなる第１の絶縁層を前記第１の極薄金属箔と対向して配置し、前記第１の絶縁層の上面全体に、第３のキャリア板の一面側全体に剥離層を介して前記第３のキャリア板より薄い第３の極薄金属箔が設けられ前記第１のキャリア付金属箔の大きさより大きな第３のキャリア付金属箔を前記第３の極薄金属箔を前記第１の絶縁層の上面と対向して配置し、前記支持体と前記第１のキャリア付金属箔と前記第１の絶縁層と前記第３のキャリア付金属箔を加熱及び加圧して前記支持体と前記第１の絶縁層の樹脂を硬化させ、前記支持体と前記第１のキャリア付金属箔と前記第１の絶縁層と前記第３のキャリア付金属箔とを直接積層し、前記支持体の周縁部と前記第１の絶縁層の周縁部とを直接接着し、前記第１のキャリア付金属箔の上下面及び側面を前記支持体及び前記第１の絶縁層により被覆する工程と、
前記第３のキャリア板を剥離し、前記第３の極薄金属箔の表面に金属膜を形成し、前記金属膜の上に開口部を有するレジストを形成し、前記金属膜を利用する電解めっきにより前記レジストの開口部に金属めっき層を形成し、前記レジストを除去し、前記金属めっき層をマスクとして前記金属膜と前記第３の極薄金属箔をエッチングすることにより配線層を形成する工程と
前記第１の絶縁層の上に、前記配線層を覆う第２の絶縁層を配置し、第２のキャリア板の一面側に剥離層を介して前記第２のキャリア板より薄い第２の極薄金属箔が設けられた第２のキャリア付金属箔を前記第２の極薄金属箔を前記第２の絶縁層と対向するように配置し、前記第２の絶縁層と前記第２のキャリア付金属箔を前記第１の絶縁層の表面に直接積層して構造体を生成する工程と、
前記第１のキャリア付金属箔の周縁に対応する位置にて前記構造体を切断する工程と、
前記第１の極薄金属箔と前記第１のキャリア板を互いに分離し、前記第２の極薄金属箔と前記第２のキャリア板を互いに分離する工程と、
前記第１の極薄金属箔と前記第２の極薄金属箔により配線層を形成する工程と、
を有することを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項４】
前記金属膜と前記第１の絶縁層を貫通し前記第１の極薄金属箔と接続されるビアを形成した後に前記レジストを形成すること、
を特徴とする請求項２又は３に記載の配線基板の製造方法。
【請求項５】
前記第１の極薄金属箔と前記第２の極薄金属箔の前記剥離層が形成されている面と反対側の面にはプライマー層が形成されたことを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の配線基板の製造方法。
【請求項６】
前記第３の極薄金属箔の前記剥離層が形成されている面と反対側の面にはプライマー層が形成され、
前記第３の極薄金属箔を除去した後に、前記第１の絶縁層上にはプライマー層が形成された状態であること、
を特徴とする請求項２に記載の配線基板の製造方法。
【請求項７】
前記支持体の両面に前記第１のキャリア付金属箔、前記第１の絶縁層、前記配線層、前記第２の絶縁層、及び前記第２のキャリア付金属箔をそれぞれ有する前記構造体を生成し、
前記第１のキャリア付金属箔の周縁に対応する位置にて前記構造体を切断し、
前記第１の極薄金属箔と前記第１のキャリア板を互いに分離し、前記第２の極薄金属箔と前記第２のキャリア板を互いに分離し、前記第１の極薄金属箔、前記第１の絶縁層、前記配線層、前記第２の絶縁層、及び前記第２の極薄金属箔をそれぞれ有する２枚の基板を得ること、
を特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載の配線基板の製造方法。
【請求項８】
補強材に樹脂を含浸させてなる支持体と、
前記支持体上に直接積層された、前記支持体の大きさより小さな第１のキャリア付金属箔と、
前記第１のキャリア付金属箔上に直接積層された、前記第１のキャリア付金属箔の大きさより大きな樹脂からなる第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層の上面全体に直接積層された、前記第１のキャリア付金属箔の大きさより大きな金属箔と、
を含み、
前記第１の絶縁層の周縁部と前記支持体の周縁部とが直接接しており、
前記第１のキャリア付金属箔は、第１のキャリア板と、前記第１のキャリア板の一面側全体に剥離層を介して設けられ、前記第１のキャリア板より薄い第１の極薄金属箔とを有し、
前記第１のキャリア付金属箔は、前記第１のキャリア板を前記支持体に向けて積層され、上下面及び側面が前記支持体及び前記第１の絶縁層に被覆されていること、
を特徴とする配線基板製造用の構造体。
【請求項９】
前記支持体の両面に、前記第１のキャリア付金属箔と前記第１の絶縁層と前記金属箔とをそれぞれ有すること、を特徴とする請求項８に記載の配線基板製造用の構造体。
【請求項１０】
補強材に樹脂を含浸させてなる支持体と、
前記支持体上に直接積層された、前記支持体の大きさより小さな第１のキャリア付金属箔と、
前記第１のキャリア付金属箔上に直接積層された、前記第１のキャリア付金属箔の大きさより大きな樹脂からなる第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層の上面全体に直接積層された、前記第１のキャリア付金属箔の大きさより大きな第２のキャリア付金属箔と、
を含み、
前記第１の絶縁層の周縁部と前記支持体の周縁部とが直接接しており、
前記第１のキャリア付金属箔は、第１のキャリア板と、前記第１のキャリア板の一面側全体に剥離層を介して設けられ、前記第１のキャリア板より薄い第１の極薄金属箔とを有し、
前記第１のキャリア付金属箔は、前記第１のキャリア板を前記支持体に向けて積層され、上下面及び側面が前記支持体及び前記第１の絶縁層に被覆されており、
前記第２のキャリア付金属箔は、第２のキャリア板と、前記第２のキャリア板の一面側全体に剥離層を介して設けられ、前記第２のキャリア板より薄い第２の極薄金属箔とを有し、
前記第２のキャリア付金属箔は、前記第２の極薄金属箔を前記第１の絶縁層に向けて積層されたこと、
を特徴とする配線基板製造用の構造体。
【請求項１１】
前記支持体の両面に、前記第１のキャリア付金属箔と前記第１の絶縁層と前記第２のキャリア付金属箔とをそれぞれ有すること、を特徴とする請求項１０に記載の配線基板製造用の構造体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
配線基板の製造方法、配線基板製造用の構造体に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、電子部品を実装する配線基板は、電子部品の薄化に伴い、薄化が望まれている。このような配線基板は、板状の支持体にキャリア付金属箔のキャリア板を張り付け、金属箔を利用して配線層を形成し、金属箔をキャリア板から剥離して配線層を支持体から分離することで得られる（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１０−９８０８６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記のキャリア付金属箔において、金属箔とキャリア板は、製造プロセス等において、金属箔がキャリア板から剥離しないように互いに接着される。このため、薄化に対応する配線層に含まれる金属箔をキャリア板から容易に剥離することが求められる。しかし、キャリア板と金属箔との間の接着力を弱くすると、製造工程において、キャリア板と金属箔とが互いに分離してしまう。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の一観点によれば、補強材に樹脂を含浸させた半硬化状態の支持体上に、第１のキャリア板の一面側全体に剥離層を介して前記第１のキャリア板より薄い第１の極薄金属箔が設けられ前記支持体の大きさより小さな第１のキャリア付金属箔を前記第１のキャリア板を前記支持体と対向して配置し、前記第１のキャリア付金属箔上に、前記第１のキャリア付金属箔の大きさより大きく半硬化状態の樹脂からなる第１の絶縁層を前記第１の極薄金属箔と対向して配置し、前記第１の絶縁層の上面全体に、前記第１のキャリア付金属箔の大きさより大きな金属箔を配置し、前記支持体と前記第１のキャリア付金属箔と前記第１の絶縁層と前記金属箔を加熱及び加圧して前記支持体と前記第１の絶縁層の樹脂を硬化させ、前記支持体と前記第１のキャリア付金属箔と前記第１の絶縁層と前記金属箔とを直接積層し、前記支持体の周縁部と前記第１の絶縁層の周縁部とを直接接着し、前記第１のキャリア付金属箔の上下面及び側面を前記支持体及び前記第１の絶縁層により被覆する工程と、前記金属箔により配線層を形成する工程と、前記第１の絶縁層の上に、前記配線層を覆う第２の絶縁層を配置し、第２のキャリア板の一面側に剥離層を介して前記第２のキャリア板より薄い第２の極薄金属箔が設けられた第２のキャリア付金属箔を前記第２の極薄金属箔を前記第２の絶縁層と対向するように配置し、前記第２の絶縁層と前記第２のキャリア付金属箔を前記第１の絶縁層の表面に直接積層して構造体を生成する工程と、前記第１のキャリア付金属箔の周縁に対応する位置にて前記構造体を切断する工程と、前記第１の極薄金属箔と前記第１のキャリア板を互いに分離し、前記第２の極薄金属箔と前記第２のキャリア板を互いに分離する工程と、前記第１の極薄金属箔と前記第２の極薄金属箔により配線層を形成する工程とを有する。
【発明の効果】
【０００６】
本発明の一観点によれば、配線基板を形成するために用いるキャリア付金属箔において、キャリア板から極薄金属箔の剥離を抑制することが可能な配線基板の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】（ａ）〜（ｄ）は、配線基板の製造方法を示す概略断面図。
【図２】（ａ）〜（ｃ）は、配線基板の製造方法を示す概略断面図。
【図３】（ａ）（ｂ）は、配線基板の製造方法を示す概略断面図。
【図４】（ａ）〜（ｅ）は、配線基板の製造方法を示す概略断面図。
【図５】キャリア付金属箔の概略断面図。
【図６】配線基板の概略平面図。
【図７】配線基板の概略平面図。
【図８】（ａ）〜（ｄ）は、配線基板の製造方法を示す概略断面図。
【図９】（ａ）〜（ｃ）は、配線基板の製造方法を示す概略断面図。
【図１０】（ａ）〜（ｄ）は、配線基板の製造方法を示す概略断面図。
【図１１】（ａ）〜（ｃ）は、配線基板の製造方法を示す概略断面図。
【図１２】（ａ）〜（ｄ）は、配線基板の製造方法を示す概略断面図。
【図１３】（ａ）〜（ｄ）は、配線基板の製造方法を示す概略断面図。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、各実施形態を添付図面を参照して説明する。
なお、添付図面は、特徴を分かりやすくするために便宜上特徴となる部分を拡大して示している場合があり、寸法，比率などは実際と異なる場合がある。また、断面図では、各部材の断面構造を分かりやすくするために、一部のハッチングを省略している。
【０００９】
（一実施形態）
配線基板の製造方法の一例を図１〜図４に示す。
図１（ａ）に示すように、支持体１０、キャリア付金属箔１１，２１、絶縁層１２，２２、金属箔１３，２３を用意する。そして、支持体１０の両面側に、支持体１０から順にキャリア付金属箔１１，２１、絶縁層１２，２２、金属箔１３，２３をそれぞれ配置する。
【００１０】
支持体１０は、ガラスクロス（織布）、ガラス不織布又はアラミド繊維などにエポキシ樹脂、ポリイミド系樹脂等の熱硬化性樹脂を含侵させた半硬化状態（Ｂ−ステージ）のプリプレグ（prepreg）である。支持体１０は［接着シート］の一例である。
【００１１】
支持体１０の主面（キャリア付金属箔１１，２１が貼付される面であり、図において上面及び下面）は、対向するキャリア付金属箔１１，２１の主面よりも大きく形成されている。キャリア付金属箔１１，２１は、例えば、支持体１０の中央に配置される。従って、支持体１０の周縁部１０ａは、キャリア付金属箔１１，２１の各辺よりも主面と平行な方向に沿って突出する。
【００１２】
図５に示すように、キャリア付金属箔１１は、担持体としてのキャリア板１１ａと、キャリア板１１ａの一面側に剥離層１１ｃを介して積層された極薄の極薄金属箔１１ｂを有している。極薄金属箔１１ｂは、例えば厚さ０．５〜５μｍ（マイクロメートル）の銅箔である。キャリア板１１ａは、例えば厚さ１５〜７０μｍの金属板（例えば銅板）である。剥離層１１ｃは、例えば有機被膜である。なお、図５以外の図面では、剥離層１１ｃを省略している。図１（ａ）に示すキャリア付金属箔２１は、キャリア付金属箔１１と同様に、キャリア板２１ａと、キャリア板２１ａの一面側に剥離層（図示略）を介して積層された極薄の極薄金属箔２１ｂを有している。
【００１３】
絶縁層１２，２２は、支持体１０と同等の大きさに設定される。従って、絶縁層１２，２２の周縁部１２ａ，２２ａは、支持体１０の周縁部１０ａと同様に、キャリア付金属箔１１，２１の各辺よりも主面（キャリア付金属箔１１，２１が貼付される面）と平行な方向に沿って突出し、支持体１０の周縁部１０ａと対向する。
【００１４】
絶縁層１２，２２は、ガラスクロス（織布）、ガラス不織布又はアラミド繊維などにエポキシ樹脂、ポリイミド系樹脂等の熱硬化性樹脂を含侵させた半硬化状態（Ｂ−ステージ）のプリプレグである。なお、絶縁層１２，２２として、ガラスクロス等の補強材を含まない樹脂、フィラーのみを含有した樹脂を用いてもよい。なお、絶縁層１２において支持体１０及びキャリア付金属箔１１と対向配置される面（図において下面）には再配線のための下地層（プライマー層）１２ｂが形成されている。同様に、絶縁層２２において支持体１０及びキャリア付金属箔２１と対向配置される面（図において上面）には下地層（プライマー層）２２ｂが形成されている。下地層１２ｂ，２２ｂが形成される面は、配線を形成するプロセスに対応する。なお、以下の説明にかかる図面において、下地層１２ｂ，２２ｂを省略する。
【００１５】
金属箔１３，２３の主面（図において上面及び下面）は、絶縁層１２，２２の主面よりも大きく形成されている。金属箔１３，２３は、例えば厚さ１０〜２０μｍの銅箔である。なお、金属箔１３，２３を絶縁層１２，２２と同等の大きさとしてもよい。
【００１６】
上記のように配置された支持体１０、キャリア付金属箔１１，２１、絶縁層１２，２２、金属箔１３，２３は、減圧下（例えば、真空雰囲気）において、所定の温度（例えば、１９０〜２００℃）に加熱され、主面と直交する方向に加圧される。これにより、図１（ｂ）に示す構造体２０１が得られる。
【００１７】
この構造体２０１において、支持体１０、絶縁層１２，２２が硬化する。また、支持体１０と絶縁層１２は、それらの周縁部１０ａ．１２ａにおいて、硬化する際の接着機能によって互いに接着される。従って、キャリア付金属箔１１は、周縁部１０ａ，１２ａが互いに接着された支持体１０及び絶縁層１２により覆われている。キャリア付金属箔１１は、キャリア板１１ａと極薄金属箔１１ｂの間の接着力が弱く、単体での搬送等に注意を要する。例えば、キャリア板１１ａと極薄金属箔１１ｂの間におけるピール強度は１０ｇ／ｃｍである。なお、従来のキャリア付金属箔におけるピール強度は例えば５０ｇ／ｃｍである。
【００１８】
本実施形態において、キャリア付金属箔１１を覆う支持体１０及び絶縁層１２は、周縁部１０ａ，１２ａにおいて互いに接着されている。同様に、キャリア付金属箔２１は、硬化する際の接着機能によって周縁部１０ａ，２２ａが互いに接着された支持体１０と絶縁層２２により覆われている。従って、構造体２０１またはこの構造体２０１を含むワークにおいて、キャリア板１１ａ，２１ａと極薄金属箔１１ｂ，２１ｂとが互いに剥離することなく、搬送や各種の処理を行うことができる。
【００１９】
なお、図１（ｂ）において、支持体１０と絶縁層１２，２２を互いに区別するために、キャリア付金属箔１１，２１の内側面と一致するように境界線を示した。しかし、この境界線の位置は、図１（ｂ）に示す位置に限らず、支持体１０と絶縁層１２，２２の組成（例えば、粘度）等に応じて変化する。
【００２０】
次いで、図１（ｂ）に示すように、構造体２０１が破線で示す位置で切断され、突出する金属箔１３，２３の端部が除去される。構造体２０１の切断には、例えばルータが用いられる。
【００２１】
次いで、図１（ｃ）に示すように、金属箔１３，２３において露出する主面に、開口部１４ａ，２４ａを有するレジスト１４，２４がそれぞれ形成される。レジスト１４，２４は、ドライフィルム又は液状レジストを金属箔１３，２３の表面に形成した後、露光・現像を行うことによって得られる。
【００２２】
次いで、レジスト１４，２４の開口部１４ａ，２４ａから金属箔１３，２３の露出する部分が除去され、レジスト１４，２４を除去することにより、図１（ｄ）に示すように、絶縁層１２，２２の表面に形成された導体層１５，２５を有する構造体２０２が得られる。図１（ｃ）に示す金属箔１３，２３の部分的な除去は、銅箔（Ｃｕ）の場合、塩化第二鉄水溶液、塩化第二銅水溶液又は過硫酸アンモニウム水溶液等を用いたウエットエッチングにより行うことができる。
【００２３】
次いで、図２（ａ）に示すように、構造体２０２の両面に、それぞれ絶縁層１６，２６とキャリア付金属箔１７，２７を配置する。
絶縁層１６，２６は、ガラスクロス（織布）、ガラス不織布又はアラミド繊維などにエポキシ樹脂、ポリイミド系樹脂等の熱硬化性樹脂を含侵させた半硬化状態（Ｂ−ステージ）のプリプレグである。なお、絶縁層１６，２６として、ガラスクロス等の補強材を含まない樹脂、フィラーのみを含有した樹脂を用いてもよい。なお、絶縁層１６，２６においてキャリア付金属箔１７，２７と対向配置される面にはそれぞれ下地層（プライマー層）（図示略）が形成されている。
【００２４】
キャリア付金属箔１７，２７は、キャリア付金属箔１１，２１と同様に、キャリア板１７ａ，２７ａと、キャリア板１７ａ，２７ａの一面側に剥離層を介して積層された極薄金属箔１７ｂ，２７ｂを有している。キャリア付金属箔１７，２７は、極薄金属箔１７ｂ，２７ｂを絶縁層１６，２６と対向するように配置される。
【００２５】
次いで、上記のように配置された構造体２０２、絶縁層１６，２６、キャリア付金属箔１７，２７は、減圧下（例えば、真空雰囲気）において、所定の温度（例えば、１９０〜２００℃）に加熱され、主面と直交する方向（図において上下方向）に加圧される。これにより、図２（ｂ）に示す構造体２０３が得られる。
【００２６】
次いで、図２（ｃ）に示すように、キャリア付金属箔１１，２１の周縁に対応する位置（破線で示す位置）で構造体２０３を切断する。これにより、図３（ａ）に示す構造体２０４が得られる。図２（ｃ）に示す切断位置は、支持体１０と絶縁層１２，２２が互いに接続された周縁部１０ａ，１２ａ，２２ａを除去するように、キャリア付金属箔１１，２１の周縁部よりやや内側に設定されている。これは、例えば構造体２０３の切断に用いるルータの位置精度により、周縁部１０ａ，１２ａ，２２ａが残存しないように設定される。なお、周縁部１０ａ，１２ａ，２２ａが残存しないように切断できればよく、例えば、ルータビットの大きさ（太さ）に応じてルータをキャリア付金属箔１１，２１の周縁に沿って移動させて構造体２０３を切断するようにしてもよい。
【００２７】
図３（ａ）に示す構造体２０４は、４枚のキャリア付金属箔１７，１１，２１，２７を有している。そして、これらキャリア付金属箔１１〜２７の端部は露出している。上記したように、キャリア付金属箔１１，１７，２１，２７において、キャリア板１１ａ，１７ａ，２１ａ，２７ａと極薄金属箔１１ｂ，１７ｂ，２１ｂ，２７ｂの間の接着力は弱い。従って、図３（ｂ）に示すように、キャリア板１７ａ，２７ａが極薄金属箔１７ｂ，２７ｂから容易に剥離される。同様に、極薄金属箔１１ｂ，２１ｂがキャリア板１１ａ，２１ａから容易に剥離される。このとき、極薄金属箔１１ｂ，１７ｂ，２１ｂ，２７ｂにおいて、剥離による損傷等は発生しない。
【００２８】
キャリア板１１ａ〜２７ａと極薄金属箔１１ｂ〜２７ｂを互いに分離することにより２枚の基板２０５，２０６が得られる。基板２０５は、厚み方向の中央部に配置された導体層１５と、導体層１５に対して厚み方向両側に、極薄金属箔１１ｂ，１７ｂに覆われた絶縁層１２，１６を有している。同様に、基板２０６は、厚み方向の中央部に配置された導体層２５と、導体層２５に対して厚み方向両側に、極薄金属箔２１ｂ，２７ｂに覆われた絶縁層２２，２６を有している。
【００２９】
基板２０５を用いて得られる配線基板は、例えば図４に示す手順によって形成されたビア（Ｖｉａ）と配線層を含む。尚、図示しないが、図３（ｂ）に示す基板２０６を用いて同様の配線基板が得られる。
【００３０】
図４（ａ）に示すように、基板３０５には、極薄金属箔１１ｂ，１７ｂ各々の所定位置に、導体層１５を露出するビア穴３１，４１を形成する。ビア穴３１，４１は、例えばレーザを用いて形成される。レーザによりビア穴３１，４１を形成した場合、デスミア処理により樹脂スミア等が除去される。
【００３１】
次いで、図４（ｂ）に示すように、ビア穴３１，４１の内壁面を含む基板３０５の表面に、無電解めっき又は蒸着により金属膜３２，４２が形成される。金属膜３２．４２は例えば銅である。
【００３２】
次いで、図４（ｃ）に示すように、開口部３３ａ，４３ａを有するレジスト膜３３，４３が形成され、極薄金属箔１１ｂ，１７ｂ及び金属膜３２，４２を電極とする電解めっきによって、開口部３３ａ，４３ａから露出する金属膜３２，４２に金属めっき層３４，４４が形成される。
【００３３】
次いで、図４（ｄ）に示すように、レジスト膜３３，４３が除去され、エッチング処理によって露出する金属膜３２，４２及び極薄金属箔１１ｂ，１７ｂが除去され、ビア３５，４５及び配線層３６，４６が形成される。
【００３４】
図４（ｅ）に示すように、開口部３７ａ，４７ａを有するソルダレジスト３７，４７が形成される。ソルダレジスト３７，４７は、液状のソルダレジスト、又はフィルム状のレジストにより形成される。
【００３５】
例えば、配線層３６において、ソルダレジスト３７の開口部３７ａにより露出されたパッド３８は、電子部品と接続される。また、配線層４６において、ソルダレジスト４７の開口部４７ａにより露出されたパッド４８には、基板と接続するためのはんだバンプ等が形成される。
【００３６】
なお、電子部品を搭載する配線基板は、例えば、図６に示す配線基板５１を用いて形成される。この配線基板５１の大きさは、例えば５００ｍｍ×４００ｍｍである。上記の製造方法において、例えば図１（ａ）に示すキャリア付金属箔１１，２１の大きさは、この配線基板５１に対応する大きさである。これに対し、図１（ａ）に示す支持体１０及び絶縁層１２，２２は、配線基板５１よりも大きく設定される。例えば、配線基板５１に対し、支持体１０及び絶縁層１２，２２は、５１５ｍｍ×４１５ｍｍである。このような配線基板５１を形成するために用いられる支持体１０及び絶縁層１２，２２において、互いに接続される矩形枠状の周縁部１０ａ，１２ａ，２２ａ（図１（ｂ）参照）により、キャリア板１１ａ，２１ａと極薄金属箔１１ｂ，２１ｂの剥離を防止することができる。
【００３７】
なお、図６に示す配線基板５１は、複数枚（図６において６枚）の配線基板５２を形成するための基板、所謂多数個取りのワーク基板である。更に、図７に示すように、配線基板５２は、複数個（図７において４×４×２個）の基板を形成するための領域５３が設定された基板、所謂多数個取りのワーク基板である。図６に示す配線基板５１又は図７に示す配線基板５２は、例えば電子部品を搭載する工程に供給され、各領域５３に電子部品が実装される。各領域５３を個片化することで、電子部品を搭載したパッケージが得られる。
【００３８】
以上記述したように、本実施形態によれば、以下の効果を奏する。
（１）支持体１０の両面側に、支持体１０から順にキャリア付金属箔１１，２１、絶縁層１２，２２、金属箔１３，２３をそれぞれ配置する。支持体１０は、熱硬化性樹脂を含む半硬化状態のプリプレグである。キャリア付金属箔１１，２１は、キャリア板１１ａと、キャリア板１１ａの一面側に剥離層１１ｃを介して積層された極薄の極薄金属箔１１ｂを有する。キャリア付金属箔１１，２１は、キャリア板１１ａ，２１ａを支持体１０と対向して配置される。絶縁層１２，２２は、熱硬化性樹脂を含む半硬化状態のプリプレグである。
【００３９】
支持体１０の大きさはキャリア付金属箔１１，２１より大きく形成されている。絶縁層１２，２２の大きさはキャリア付金属箔１１，２１より大きく形成されている。従って、加熱及び加圧して積層された支持体１０の周縁部１０ａは、絶縁層１２，２２の周縁部１２ａ，２２ａと対向する。それら周縁部１０ａ，１２ａ，２２ａは、支持体１０，キャリア付金属箔１１，２１，絶縁層１２，２２を加熱及び加圧して積層する際に、互いに接着される。このため、支持体１０と絶縁層１２，２２により覆われたキャリア付金属箔１１，２１において、キャリア板１１ａ，２１ａと極薄金属箔１１ｂ，２１ｂとの間の接着力が弱いキャリア付金属箔１１，２１を用いても、製造工程の途中で、キャリア板１１ａ，２１ａと極薄金属箔１１ｂ，２１ｂとが互いに剥離することを防止することができる。
【００４０】
（２）支持体１０と絶縁層１２，２２により覆われたキャリア付金属箔１１，２１を含む構造体２０３を、キャリア付金属箔１１，２１の周縁に対応する位置にて切断して構造体２０４が得られる。切断により、構造体２０４に含まれるキャリア付金属箔１７，１１，２１，２７の端部が露出される。従って、キャリア付金属箔１７，１１，２１，２７のそれぞれにおいて、容易にキャリア板１７ａ，１１ａ，２１ａ，２７ａと極薄金属箔１７ｂ，１１ｂ，２１ｂ，２７ｂを互いに分離することができる。そして、このとき、極薄金属箔１１ｂ，１７ｂ，２１ｂ，２７ｂにおいて、剥離による損傷等の発生を抑制することができる。
【００４１】
（変形例１）
配線基板の製造方法の別の例を図８〜図９に示す。なお、この例において、図１〜図４に示す部材と同じ部材については同じ符号を付し、その部材にかかる説明の全て又は一部を省略する。
【００４２】
図８（ａ）に示すように、支持体１０、キャリア付金属箔１１，２１、絶縁層１２，２２、キャリア付金属箔６１，７１を用意する。
キャリア付金属箔６１，７１は、キャリア付金属箔１１，２１と同様に、キャリア板６１ａ，７１ａと、キャリア板６１ａ，７１ａの一面側に積層された極薄金属箔６１ｂ，７１ｂを有している。キャリア付金属箔６１，７１は、極薄金属箔６１ｂ，７１ｂを絶縁層１２，２２と対向するように配置される。
【００４３】
次いで、上記のように配置された支持体１０、キャリア付金属箔１１，２１、絶縁層１２，２２、キャリア付金属箔６１，７１は、減圧下（例えば、真空雰囲気）において、所定の温度（例えば、１９０〜２００℃）に加熱され、主面と直交する方向に加圧される。これにより、図８（ｂ）に示す構造体２１１が得られる。
【００４４】
次いで、図８（ｃ）に示すように、キャリア板６１ａ，７１ａが剥離され、全面に金属膜８１が形成される。金属膜８１は、例えば、無電解めっきにより形成される銅である。
次いで、図８（ｄ）に示すように金属膜８１の両主面（図８（ｄ）において上面及び下面）に、開口部６２ａ，７２ａを有するレジスト６２，７２がそれぞれ形成される。
【００４５】
次いで、極薄金属箔１１ｂ，２１ｂ及び金属膜８１を電極とする電解めっきによって、開口部６２ａ，７２ａから露出する金属膜８１に金属めっき層８２（図９（ａ）参照）が形成される。次いで、レジスト６２，７２が除去され、エッチング処理によって露出する金属膜８１及び極薄金属箔６１ｂ、７１ｂが除去される。これにより、図９（ａ）に示すように、絶縁層１２，２２の表面に導体層６４，７４を有する構造体２１２が得られる。
【００４６】
次いで、構造体２１２の両面に、それぞれ絶縁層１６，２６とキャリア付金属箔１７，２７を積層し、図９（ｂ）に示す構造体２１３が得られる。絶縁層１６，２６及びキャリア付金属箔１７，２７は、図８（ｂ）に示す構造体２１１を形成するときと同様に、減圧下（例えば、真空雰囲気）において、所定の温度（例えば、１９０〜２００℃）に加熱され、主面と直交する方向（図において上下方向）に加圧される。
【００４７】
次いで、キャリア付金属箔１１，２１の周縁に対応する位置（破線で示す位置）で構造体２１３を切断する。これにより、図９（ｃ）に示す構造体２１４が得られる。切断位置は、上記実施形態（図２（ｃ）参照）と同様に設定される。
【００４８】
図９（ｃ）に示す構造体２１４は、４枚のキャリア付金属箔１７，１１，２１，２７を有している。そして、これらキャリア付金属箔１７，１１，２１，２７の端部は露出している。従って、図３（ｂ）と同様に、容易にキャリア板１７ａ，１１ａ，２１ａ，２７ａと極薄金属箔１７ｂ，１１ｂ，２１ｂ，２７ｂを互いに分離（剥離）することができる。
【００４９】
このように形成される２枚の基板２１５，２１６に対する後工程は、上記実施形態と同様であるため、図面及び説明を省略する。
（変形例２）
配線基板の製造方法の別の例を図１０〜図１１に示す。なお、この例において、上記各形態に示す部材と同じ部材については同じ符号を付し、その部材にかかる説明の全て又は一部を省略する。
【００５０】
図１０（ａ）に示すように、支持体１０、キャリア付金属箔１１，２１、絶縁層１２，２２、キャリア付金属箔６１，７１を用意し、これらを積層して図１０（ｂ）に示す構造体２２１が得られる。
【００５１】
次いで、キャリア板６１ａ，７１ａが剥離され、極薄金属箔６１ｂ，７１ｂが例えばエッチングにより除去される。このように、キャリア付金属箔６１，７１が除去された絶縁層１２，２２の表面には、プライマー層（図示略）が残存している。
【００５２】
次いで、図１０（ｃ）に示すように、全面に金属膜８１が形成される。金属膜８１は、例えば、無電解銅めっきにより形成される銅である。
次いで、図１０（ｄ）に示すように金属膜８１の両主面（図１０（ｄ）において上面及び下面）に、開口部６２ａ，７２ａを有するレジスト６２，７２がそれぞれ形成される。
【００５３】
次いで、金属膜８１を電極とする電解めっきによって、開口部６２ａ，７２ａから露出する金属膜８１に金属めっき層８２（図１１（ａ）参照）が形成される。次いで、レジスト６２，７２が除去され、エッチング処理によって露出する金属膜８１が除去される。これにより、図１１（ａ）に示すように、絶縁層１２，２２の表面に導体層１０４，１１４を有する構造体２２２が得られる。
【００５４】
次いで、構造体２２２の両面に、それぞれ絶縁層１６，２６とキャリア付金属箔１７，２７が積層され、図１１（ｂ）に示す構造体２２３が得られる。絶縁層１６，２６及びキャリア付金属箔１７，２７は、図１０（ｂ）に示す構造体２１３を形成するときと同様に、減圧下（例えば、真空雰囲気）において、所定の温度（例えば、１９０〜２００℃）に加熱され、主面と直交する方向（図において上下方向）に加圧される。
【００５５】
次いで、キャリア付金属箔１１，２１の周縁に対応する位置（破線で示す位置）で構造体２２３を切断する。これにより、図１１（ｃ）に示す構造体２２４が得られる。切断位置は、上記実施形態（図２（ｃ）参照）と同様に設定される。
【００５６】
図１１（ｃ）に示す構造体２２４は、４枚のキャリア付金属箔１７，１１，２１，２７を有している。そして、これらキャリア付金属箔１７，１１，２１，２７の端部は露出している。従って、図３（ｂ）と同様に、容易にキャリア板１７ａ，１１ａ，２１ａ，２７ａと極薄金属箔１７ｂ，１１ｂ，２１ｂ，２７ｂを互いに分離（剥離）することができる。
【００５７】
このように形成される２枚の基板２２５，２２６に対する後工程は、上記実施形態と同様であるため、図面及び説明を省略する。
（変形例３）
配線基板の製造方法の別の例を図１２に示す。なお、この例において、上記各形態に示す部材と同じ部材については同じ符号を付し、その部材にかかる説明の全て又は一部を省略する。
【００５８】
図１２（ａ）に示すように、支持体１０、キャリア付金属箔１１，２１、絶縁層１２，２２、キャリア付金属箔６１，７１を用意し、これらを積層して図１２（ｂ）に示す構造体２３１が得られる。
【００５９】
次いで、キャリア板６１ａ，７１ａを剥離する。
次いで、図１２（ｃ）に示すように、極薄金属箔６１ｂ，７１ｂ各々の所定位置に、極薄金属箔１１ｂ，２１ｂを露出するように絶縁層１２，２２を貫通するビア穴１２１，１３１が形成される。ビア穴１２１，１３１は、例えばレーザを用いて形成される。レーザによりビア穴１２１，１３１を形成した場合、デスミア処理により樹脂スミア等が除去される。次いで、全面に金属膜１４１を形成する。金属膜１４１は、例えば、無電解銅めっきにより形成される銅である。
【００６０】
次いで、図８（ｄ）と同様に、開口部を有するレジストが形成され、金属膜１４１を電極とする電解めっきによって、レジストの開口から露出する金属膜１４１に金属めっき層が形成される。次いで、レジストが除去され、エッチング処理によって、露出する金属膜１４１及び極薄金属箔６１ｂ、７１ｂが除去される。これにより、図１２（ｄ）に示すように、ビア１２２，１３２及び配線層１２３，１３３を有する構造体２３２が得られる。
【００６１】
この構造体２３２は、図９（ａ）に示す構造体２１２に対し、ビア１２２，１３２を有している点が異なる。従って、この構造体２３２に対して以後に行われる工程は、図９（ａ）に示す構造体２１２に対して行われる工程と同様である。
【００６２】
すなわち、図９（ｂ）を参照して説明すると、図１２（ｄ）に示す構造体２３２に対し、構造体２３２の両面から順に、絶縁層１６，２６とキャリア付金属箔１７，２７が積層され、キャリア付金属箔１１，２１の周縁に対応する位置で切断される。切断後、キャリア板１１ａ，１７ａ，２１ａ，２７ａと極薄金属箔１１ｂ，１７ｂ，２１ｂ，２７ｂを互いに分離することにより得られる２枚の基板についても、上記実施形態と同様に処理され、配線基板が形成される。
【００６３】
（変形例４）
配線基板の製造方法の別の例を図１３に示す。なお、この例において、上記各形態に示す部材と同じ部材については同じ符号を付し、その部材にかかる説明の全て又は一部を省略する。
【００６４】
図１３（ａ）に示すように、支持体１０、キャリア付金属箔１１，２１、絶縁層１２，２２、キャリア付金属箔６１，７１を用意し、これらを積層して図１３（ｂ）に示す構造体２４１が得られる。
【００６５】
次いで、キャリア板６１ａ，７１ａが剥離され、極薄金属箔６１ｂ，７１ｂが例えばエッチングにより除去される。このように、キャリア付金属箔６１，７１が除去された絶縁層１２，２２の表面には、プライマー層（図示略）が残存している。
【００６６】
次いで、図１３（ｃ）に示すように、絶縁層１２，２２各々の所定位置に、極薄金属箔１１ｂ、２１ｂを露出するように絶縁層１２，２２を貫通するビア穴１５１，１６１が形成される。ビア穴１５１，１６１は、例えばレーザを用いて形成される。レーザによりビア穴１５１，１６１を形成した場合、デスミア処理により樹脂スミア等が除去される。次いで、全面に金属膜１７１を形成する。金属膜１７１は、例えば、無電解銅めっきにより形成される銅である。
【００６７】
次いで、図１０（ｄ）と同様に、開口部を有するレジストが形成され、金属膜１７１を電極とする電解めっきによって、レジストの開口部から露出する金属膜１７１に金属めっき層が形成される。次いで、レジストが除去され、エッチング処理によって、露出する金属膜１７１が除去される。これにより、図１３（ｄ）に示すように、ビア１５２，１６２及び配線層１５３，１６３を有する構造体２４２が得られる。
【００６８】
この構造体２４２は、図１１（ａ）に示す構造体２２２に対し、ビア１５２，１６２を有している点が異なる。従って、この構造体２４２に対して以後に行われる工程は、図１１（ａ）に示す構造体２２２に対して行われる工程と同様である。
【００６９】
すなわち、図１１（ｂ）を参照して説明すると、図１３（ｄ）に示す構造体２４２に対し、構造体２４２の両面から順に、絶縁層１６，２６とキャリア付金属箔１７，２７が積層され、キャリア付金属箔１１，２１の周縁に対応する位置で切断される。切断後、キャリア板１１ａ，１７ａ，２１ａ，２７ａと極薄金属箔１１ｂ，１７ｂ，２１ｂ，２７ｂを互いに分離することにより得られる２枚の基板についても、上記実施形態と同様に処理され、配線基板が形成される。
【００７０】
尚、上記実施形態と各変形例は、以下の態様で実施してもよい。
・上記各形態において、貫通するーホールを形成してもよい。例えば、図４（ａ）において、上側と下側にそれぞれ開口する貫通孔を形成し、その貫通孔にスルーホールを形成する。
【００７１】
・上記各形態に対し、２つ又は４つ以上の配線層を有する配線基板を形成するようにしてもよい。
【符号の説明】
【００７２】
１０  支持体
１１，２１  キャリア付金属箔
１１ａ，２１ａ  キャリア板
１１ｂ，２１ｂ  極薄金属箔
１１ｃ  剥離層
１２，２２  絶縁層
１３，２３  金属箔
２０３  構造体
【図１】
0005750400.tif 000002
【図２】
0005750400.tif 000003
【図３】
0005750400.tif 000004
【図４】
0005750400.tif 000005
【図５】
0005750400.tif 000006
【図６】
0005750400.tif 000007
【図７】
0005750400.tif 000008
【図８】
0005750400.tif 000009
【図９】
0005750400.tif 000010
【図１０】
0005750400.tif 000011
【図１１】
0005750400.tif 000012
【図１２】
0005750400.tif 000013
【図１３】
0005750400.tif 000014