(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
板面を有する板体と、前記板面から延びて突出して前記板体につながる少なくとも１つのバンプとを備える熱伝導板であって、前記バンプが頂面と、前記頂面の周縁を囲んでつなぐ側面とを有し、前記側面が前記頂面と前記板面との間をつなぐ熱伝導板と、
前記板面上に配置されるとともに、前記側面に接触して前記頂面を露出させる絶縁層と、
前記絶縁層上に配置されるとともに、前記バンプと電気的に絶縁されている回路層と
を備え、
前記回路層が、前記絶縁層上に配置された少なくとも１つの接続パッドを備え、前記接続パッドが前記バンプに接触しておらず、
前記絶縁層が、前記板面を局所的にカバーするとともに、前記側面に接触している少なくとも１つの第１絶縁材料と、
前記第１絶縁材料によってカバーされていない前記板面をカバーする第２絶縁材料と、を備え、
前記第１絶縁材料の熱伝導率が前記第２絶縁材料の熱伝導率より大きく、前記接続パッドが前記第１絶縁材料上に配置されている、
回路板。
【請求項２】
前記頂面上に配置された少なくとも１つの熱伝導部品をさらに備え、前記熱伝導部品が前記頂面に接触している、請求項１に記載の回路板。
【請求項３】
前記頂面から前記板面までの距離が前記絶縁層の厚みに等しいまたはそれより大きい、請求項１に記載の回路板。
【請求項４】
平面を有する熱伝導基板を提供すること、
前記平面に位置する前記熱伝導基板の一部を取り除いて、板面と、頂面および前記頂面と前記板面との間をつなぐ側面を有する少なくとも１つのバンプとを形成すること、
前記板面上に、前記頂面を露出させ、前記板面と前記側面に接触する、絶縁層を形成すること、および
前記絶縁層上に、前記バンプと電気的に絶縁されている回路層を形成することを含み、
前記絶縁層を形成するステップが、前記板面上に少なくとも第１絶縁材料および第２絶縁材料を形成することを含み、前記第１絶縁材料が、前記板面を局所的にカバーするとともに、前記側面に接触し、前記第２絶縁材料が前記第１絶縁材料によってカバーされていない前記板面をカバーし、
前記第１絶縁材料の熱伝導率が前記第２絶縁材料の熱伝導率より大きい、
回路板の製造方法。
【請求項５】
前記絶縁層がローフロープリプレグまたはノーフロープリプレグである、請求項４に記載の回路板の製造方法。
【請求項６】
前記頂面から前記板面までの距離が前記絶縁層の厚みに等しいまたはそれより大きい、請求項４に記載の回路板の製造方法。
【請求項７】
前記回路層を形成するステップが、
前記絶縁層上に金属箔をラミネートすること、
前記金属箔の一部を取り除いて前記絶縁層と前記頂面を露出させること、
前記金属箔の一部を取り除いた後、前記頂面を清浄化すること、
を含み、前記頂面を清浄化する方法が、デスミア、レーザ処理またはプラズマ処理を含む、請求項４に記載の回路板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路板およびその製造方法に関し、特に熱エネルギーの伝達速度を速めることができる回路板およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在の携帯電話やコンピュータ等の電子装置（ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ  ｄｅｖｉｃｅ）、およびテレビや冷蔵庫等の家電用品は、能動部品（ａｃｔｉｖｅ  ｃｏｍｐｏｎｅｎｔ）または受動部品（ｐａｓｓｉｖｅ  ｃｏｍｐｏｎｅｎｔ）など多数の電子部品（ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ  ｃｏｍｐｏｎｅｎｔ）を備えている。これらの電子部品は、多くが回路板上に実装され、回路板が有する回路によって電気信号を送受信している。したがって、電気信号はこれらの電子部品の間で伝達される。
【０００３】
しかし、電子部品は動作時に幾らかの熱エネルギーを発生し、しかも、ある電子部品、例えば、発光ダイオード（Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ，ＬＥＤ）や電源デバイス（ｐｏｗｅｒ ｄｅｖｉｃｅ）は、動作時により大量の熱エネルギーを発生する。したがって、電子部品の熱エネルギーの伝達速度をいかに速めるかは、現在研究するに値する課題である。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、電子部品の熱エネルギーの伝達速度を速めることができる回路板を提供する。
【０００５】
本発明は、上記回路板を製造することができる回路板の製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、回路層、熱伝導板、および絶縁層を備える回路板を提供する。熱伝導板は、板面を有する板体と、板面から延びて突出し板体につながる少なくとも１つのバンプとを備えている。バンプは、頂面、および頂面の周縁を囲んでつなぐ側面を有し、側面は頂面と板面との間をつないでいる。絶縁層は板面上に配置されるとともに、側面に接触し頂面を露出させる。回路層は絶縁層上に配置され、バンプと電気的に絶縁されている。
【０００７】
本発明の一実施形態において、上記回路層は、絶縁層上に配置されバンプに接触していない少なくとも１つの接続パッドを備えている。
【０００８】
本発明の一実施形態において、上記絶縁層は少なくとも第１絶縁材料と第２絶縁材料を含んでいる。第１絶縁材料は板面を局所的にカバーするとともに、側面に接触している。第２絶縁材料は、第１絶縁材料によってカバーされていない板面をカバーしている。第１絶縁材料の熱伝導率（ｔｈｅｒｍａｌ  ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｉｔｙ）は第２絶縁材料の熱伝導率より大きい。上記接続パッドは第１絶縁材料上に配置されている。
【０００９】
本発明の一実施形態において、上記回路板は、頂面上に配置され頂面に接触している少なくとも１つの熱伝導部品（ｔｈｅｒｍａｌ  ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  ｃｏｍｐｏｎｅｎｔ）をさらに備えている。
【００１０】
本発明の一実施形態において、上記頂面から板面までの距離は絶縁層の厚みに等しいまたはそれより大きい。
【００１１】
本発明はさらに、回路板の製造方法を提供する。まず、平面を有する熱伝導基板を提供すれる。次に、平面に位置する熱伝導基板の一部を取り除いて、板面および少なくとも１つのバンプを形成し、バンプは頂面および頂面と板面との間をつなぐ側面を有する。その後に、板面上に、頂面を露出させる絶縁層を形成し、絶縁層は板面と側面に接触している。次に、絶縁層上に回路層を形成し、回路層はバンプと電気的に絶縁されている。
【００１２】
本発明の一実施形態において、上記絶縁層を形成する方法は、板面上に少なくとも第１絶縁材料および第２絶縁材料を形成することを含む。第１絶縁材料は板面を局所的にカバーするとともに、側面に接触しており、第２絶縁材料は、第１絶縁材料によってカバーされていない板面をカバーしている。第１絶縁材料の熱伝導率は第２絶縁材料の熱伝導率より大きい。
【００１３】
本発明の一実施形態において、上記絶縁層はローフロープリプレグ（ｌｏｗ  ｆｌｏｗ  ｐｒｅｐｒｅｇ）またはノーフロープリプレグ（ｎｏｎ−ｆｌｏｗ  ｐｒｅｐｒｅｇ）である。
【００１４】
本発明の一実施形態において、上記頂面から板面までの距離は絶縁層の厚みに等しいまたはそれより大きい。
【００１５】
本発明の一実施形態において、上記回路層を形成する方法は、まず、絶縁層上に金属箔（ｍｅｔａｌ  ｆｏｉｌ）をラミネートすること、次に、金属箔の一部を取り除いて絶縁層と頂面を露出させることを含み、金属箔の一部を取り除いた後、頂面を清浄化（ｃｌｅａｎ）することをさらに含み、頂面を清浄化する方法には、デスミア（ｄｅｓｍｅａｒ）、レーザ処理（ｌａｓｅｒ  ｔｒｅａｔｍｅｎｔ）またはプラズマ処理（ｐｌａｓｍａ  ｔｒｅａｔｍｅｎｔ）が含まれる。
【発明の効果】
【００１６】
以上まとめると、バンプは板体に一体成形されるので、少なくとも１つの電子部品を回路板に実装した後、電子部品を熱伝導板に熱的に結合（ｔｈｅｒｍａｌｌｙ  ｃｏｕｐｌｉｎｇ  ｔｏ）することができ、したがって熱伝導板が電子部品の熱エネルギーの伝達速度を速めるようにすることができる。
【００１７】
本発明の上述の特徴および長所をより分かりやすくするために、以下に実施形態を挙げ、図面と併せて、詳細に説明する。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１Ａ】本発明の一実施形態の回路板に電子部品を実装した後の断面概略図である。
【図１Ｂ】図１Ａ中の回路板に他の方式で電子部品を実装した後の断面概略図である。
【図１Ｃ】図１Ａ中の回路板に他の方式で電子部品を実装した後の断面概略図である。
【図２Ａ】図１Ａ中の回路板の製造方法の流れ断面概略図である。
【図２Ｂ】図１Ａ中の回路板の製造方法の流れ断面概略図である。
【図２Ｃ】図１Ａ中の回路板の製造方法の流れ断面概略図である。
【図２Ｄ】図１Ａ中の回路板の製造方法の流れ断面概略図である。
【図２Ｅ】図１Ａ中の回路板の製造方法の流れ断面概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
図１Ａは、本発明の一実施形態の回路板に電子部品が実装された後の断面概略図である。図１Ａを参照すると、回路板１００は、回路層１１０、熱伝導板１２０、および絶縁層１３０を備えている。熱伝導板１２０は板体１２２と少なくとも１つのバンプ１２４を備え、バンプ１２４は板体１２２につながっている。図１Ａの実施形態においては、バンプ１２４が１個のみ図示されているが、他の実施形態においては、回路板１００が複数のバンプ１２４を備えてもよい。したがって、図１Ａに示されたバンプ１２４の数は例示に過ぎず、本発明を限定するものではない。
【００２０】
また、回路板１００を上から見た場合、バンプ１２４の形状は実質的に不規則な幾何形状または規則的な幾何形状でよい。不規則な幾何形状は三辺が平行でない三角形、四辺が平行でない四辺形または弧線を有する不対称図形（例えば雲状）などであってもよい。規則的な幾何形状は対称性を有する図形でよく、この対称性は点対称または線対称を含み、例えば、規則的な幾何形状は正三角形、二等辺三角形、二等辺台形、菱形、正方形、矩形、正五辺形、正六辺形、正七辺形、円形、楕円形、水滴形、扇形または星形などでよい。また、バンプ１２４の形状は蚊取線香のような渦巻状でもよい。これで分かるように、バンプ１２４の形状は様々に設計することができる。
【００２１】
板体１２２は板面１２２ａを有し、バンプ１２４は、頂面１２４ｔ、および頂面１２４ｔの周縁を囲んでつなぐ側面１２４ｓを有する。バンプ１２４は板面１２２ａから延びて突出し、側面１２４ｓは頂面１２４ｔと板面１２２ａとの間をつないでいる。したがって、バンプ１２４は板体１２２に一体成形されている。詳細に言えば、バンプ１２４と板体１２２は、両者の材料が同じであり、かつ両者が同一基板により製造されてなるので、バンプ１２４と板体１２２との間には実質的にいかなる界面（ｉｎｔｅｒｆａｃｅ）も存在しない。
【００２２】
熱伝導板１２０は高い熱伝導率を有し、例えば５０Ｗ／ＭＫより大きい。本発明の明細書および特許請求の範囲に記載された熱伝導率はすべて絶対温度３００Ｋ（約２７℃）のときの熱伝導率を指すことを説明しておくべきである。板体１２２を構成する材料は、例えば、炭素または金属であり、したがって板体１２２は金属板または炭素材料板（ｃａｒｂｏｎ−ｍａｔｅｒｉａｌ  ｂｏａｒｄ）でもよく、炭素材料板とは、一般的に主として炭素によって構成される板材を指し、例えば炭素繊維板（ｃａｒｂｏｎ  ｆｉｂｅｒ ｂｏａｒｄ）またはグラファイト板（ｇｒａｐｈｉｔｅ  ｂｏａｒｄ）である。また、バンプ１２４と板体１２２は一体成形であり、したがってバンプ１２４を構成する材料も板体１２２を構成する材料と同一であり、すなわち、バンプ１２４を構成する材料も炭素または金属でよい。
【００２３】
絶縁層１３０は回路層１１０と板面１２２ａとの間に配置され、かつ板面１２２ａ上に配置されている。絶縁層１３０は回路層１１０と板体１２２とを分離し、絶縁層１３０は板面１２２ａおよび側面１２４ｓに接触し、かつバンプ１２４の頂面１２４ｔを露出させる。回路層１１０は絶縁層１３０上に配置され、バンプ１２４と電気的に絶縁されており、バンプ１２４と板体１２２は一体成形であるため、回路層１１０も板体１２２と電気的に絶縁されている。また、頂面１２４ｔから板面１２２ａまでの距離Ｔ１は絶縁層１３０の厚みＴ２に等しいまたはそれより大きくてもよく、したがってバンプ１２４は絶縁層１３０からより突出してもよく、またはバンプ１２４の頂面１２４ｔは実質的に絶縁層１３０の表面と面一である。
【００２４】
絶縁層１３０は単一絶縁材料または複数の絶縁材料によって構成されてよい。絶縁層１３０が複数の絶縁材料によって構成される場合、絶縁層１３０は少なくとも第１絶縁材料１３２および第２絶縁材料１３４を含んでもよく、第１絶縁材料１３２と第２絶縁材料１３４は、両者の材料が異なる。
【００２５】
第１絶縁材料１３２の熱伝導率は第２絶縁材料１３４の熱伝導率より大きく、したがって第１絶縁材料１３２の熱エネルギーの伝達速度は第２絶縁材料１３４の熱エネルギーの伝達速度より大きい。例を挙げて言えば、第１絶縁材料１３２の熱伝導率は２．０Ｗ／ＭＫより高くてもよく、第２絶縁材料１３４の熱伝導率は１Ｗ／ＭＫより低くてもよく、例えば、第２絶縁材料１３４の熱伝導率は０．３Ｗ／ＭＫ〜０．５ Ｗ／ＭＫである。
【００２６】
第１絶縁材料１３２と第２絶縁材料１３４はともに板面１２２ａを局所的にカバーするとともに、第１絶縁材料１３２はバンプ１２４の側面１２４ｓに接触し、第２絶縁材料１３４は、第１絶縁材料１３２によってカバーされていない板面１２２ａをカバーしている。本実施形態において、第１絶縁材料１３２の形状は閉ループ（ｃｌｏｓｅｄ  ｌｏｏｐ）であってもよく、かつ第１絶縁材料１３２は、第２絶縁材料１３４がバンプ１２４に接触しないように、バンプ１２４を完全に囲んでいる。
【００２７】
しかし、他の実施形態においては、第１絶縁材料１３２の形状は切欠部を有するリング状またはリング状以外の他の形状であってもよく、例えば、第１絶縁材料１３２の形状はＣ形であってもよく、第２絶縁材料１３４は上記切欠部内に延び、さらにバンプ１２４に接触してもよい。したがって、本発明は第１絶縁材料１３２の形状を限定しないことをここで主張しておく。
【００２８】
回路層１１０は、絶縁層１３０上に配置された少なくとも１つの接続パッド１１２を含んでもよく、これらの接続パッド１１２は第１絶縁材料１３２上に配置されてもよい。回路層１１０はバンプ１２４と電気的に絶縁されており、したがって接続パッド１１２はバンプ１２４に接触しない。また、図１Ａに示された実施形態においては、接続パッド１１２の数は複数であるが、他の実施形態においては、接続パッド１１２の数は１個のみでもよく、したがって、図１Ａに示された接続パッド１１２の数は例示に過ぎず、本発明を限定するものではない。また、回路層１１０は、さらに１本または数本のトレース（ｔｒａｃｅ）１１４を含んでもよく、トレース１１４は接続パッド１１２と電気的に接続されてもよい。
【００２９】
回路板１００には１つまたは複数の電子部品１０を実装することができ、電子部品１０はフリップチップ（ｆｌｉｐ  ｃｈｉｐ）方式で回路板１００に実装されてもよく、電子部品１０は能動部品または受動部品であってもよく、例えば、電子部品１０は、ダイパッケージ、ダイ、発光ダイオード（ＬＥＤ）、電源デバイス、キャパシタ（ｃａｐａｃｉｔｏｒ）またはインダクタ（ｉｎｄｕｃｔｏｒ）であってもよい。
【００３０】
電子部品１０は、複数の接続パッド１２、１４を有し、接続パッド１２はワークパッド（ｗｏｒｋｉｎｇ  ｐａｄ）であり、接続パッド１４はダミーパッド（ｄｕｍｍｙ  ｐａｄ）またはグランドパッド（ｇｒｏｕｎｄ  ｐａｄ）であってもよい。回路板１００に電子部品１０を実装した後、各々の接続パッド１１２を１つの半田ブロック（ｓｏｌｄｅｒ）Ｓ１を介して１つの接続パッド１２と電気的に接続し、接続パッド１４をバンプ１２４に熱的に結合することができる。このようにして、電子部品１０を回路板１００に電気的に接続することができ、かつ電子部品１０が動作するときに発生した熱エネルギーをバンプ１２４、接続パッド１１２、および第１絶縁材料１３２から外部環境に伝達することができる。
【００３１】
接続パッド１４とバンプ１２４とを熱的に結合する方式は多数あり、本実施形態においては、バンプ１２４を熱伝導部品１４０により接続パッド１４に熱的に結合することができる。詳細に言えば、回路板１００は、さらに、２Ｗ／ＭＫより高い熱伝導率を有する少なくとも１つの熱伝導部品１４０を含んでもよい。熱伝導部品１４０は頂面１２４ｔ上に配置されるだけでなく、頂面１２４ｔに接触しており、したがって熱伝導部品１４０は熱エネルギーを迅速に電子部品１０からバンプ１２４に伝達することができる。
【００３２】
熱伝導部品１４０は導電性または電気絶縁性を有してもよく、熱伝導部品１４０は、例えば、半田ブロック、放熱接着剤（ｔｈｅｒｍａｌ  ａｄｈｅｓｉｖｅ）または放熱フィルム（ｔｈｅｒｍａｌ  ｆｉｌｍ）である。放熱接着剤とは、一般的に高い熱伝導率を有するコロイドを指し、液状、コロイド状、またはペースト状材料でもよく、放熱フィルムは、粘性を有するテープまたはソフトパッドでもよい。放熱接着剤と放熱フィルムは、ともに、金属顆粒、炭素粉体または炭化ケイ素（化学式：ＳｉＣ）粉体など、高い熱伝導能力を有する複数の顆粒を含んでもよい。また、熱伝導部品１４０の数はバンプ１２４の数と同じでもよい。熱伝導板１２０が複数のバンプ１２４を含む場合、熱伝導部品１４０の数は複数であってもよい。
【００３３】
図１Ａ中の回路板１００は熱伝導部品１４０を含んでいるが、他の実施形態においては、接続パッド１４がバンプ１２４に直接接触してバンプ１２４と熱的に結合してもよいことを説明しておくべきである。したがって、熱伝導部品１４０が回路板１００の選択性部品に過ぎず、必要な部品ではないので、図１Ａに示された熱伝導部品１４０は例示に過ぎず、本発明を限定するものではない。
【００３４】
以上により、熱伝導板１２０は高い熱伝導率を有し、かつバンプ１２４と板体１２２は一体成形され、両者の間に実質的いかなる界面も存在せず、したがって熱エネルギーは熱伝導（ｔｈｅｒｍａｌ  ｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎ）方式でバンプ１２４と板体１２２との間を迅速に伝達することができる。このようにして、動作時の電子部品１０が熱エネルギーを発生する場合、熱伝導板１２０は熱エネルギーの伝達速度を速めて電子部品１０が過熱（ｏｖｅｒｈｅａｔｉｎｇ）する確率を低減させることができる。
【００３５】
また、バンプ１２４の形状は様々に、例えば不規則な幾何形状または規則的な幾何形状に設計することができ、したがってバンプ１２４の形状を接続パッド１４の外形に合わせて設計することができる。このようにして、バンプ１２４は接続パッド１４と充分に熱的に結合することができ、それにより熱伝導板１２０が熱エネルギーの伝達速度を効果的に速めるようにすることができる。
【００３６】
図１Ａに示された電子部品２０はフリップチップ方式で回路板１００上に実装されているが、他の実施形態においては、電子部品を、図１Ｂに示したように、他の方式で回路板１００上に実装してもよいことを指摘しておきたい。
【００３７】
図１Ｂを参照すると、電子部品２０は、フリップチップの他に、ワイヤボンディング（ｗｉｒｅ  ｂｏｎｄｉｎｇ）方式で回路板１００に実装してもよく、電子部品２０は、能動部品または受動部品でよく、例えば、電子部品２０は、ダイパッケージ、ダイ、発光ダイオード、電源デバイス、キャパシタまたはインダクタでよい。電子部品２０は、複数の接続パッド２２および少なくとも１つの接続パッド２４を有し、接続パッド２２は接続パッド２４に対向しており、接続パッド２２はワークパッドであり、接続パッド２４はダミーパッドまたはグランドパッドでもよい。
【００３８】
回路板１００に電子部品２０を実装した後、回路板１００を電子部品２０と電気的に接続できるようにするために、各々の接続パッド１１２を１本のボンディングワイヤＷ１を介して１つの接続パッド２２と電気的に接続することができる。接続パッド２４はバンプ１２４に熱的に結合され、例えば、接続パッド２４は熱伝導部品１４０を介してバンプ１２４に熱的に結合され、またはバンプ１２４に直接接触することによってバンプ１２４に熱的に結合されている。このようにして、電子部品２０が動作するときに発生した熱エネルギーを熱伝導板１２０から外部環境に伝達することができる。熱伝導板１２０が熱エネルギーの伝達速度を速めることができるので、電子部品２０が過熱を発生する確率を低減させることができる。
【００３９】
図１Ｃを参照すると、電子部品がダイパッケージである場合の回路板１００へのこの電子部品の実装が図示されている。詳細に言えば、電子部品３０はダイパッケージであり、図１Ｃを例とすると、電子部品３０は例えば発光ダイオードであるが、他の図示されていない実施形態においては、電子部品３０は電源デバイスまたは大量の熱エネルギーを発生できる他の部品でもよい。
【００４０】
電子部品３０はチップ３１、基板３２、モールド３３、および複数本のボンディングワイヤＷ２を備えている。チップ３１は基板３２上に実装され、基板３２に電気的に接続されている。詳細に言えば、基板３２は複数の接続パッド３２１、３２２および３４を有し、接続パッド３２１、３２２はワークパッドであり、接続パッド３４はダミーパッドまたはグランドパッドである。各々のボンディングワイヤＷ２はチップ３１をそのうちの１つの接続パッド３２１と接続する。このようにして、チップ３１はこれらのボンディングワイヤＷ２および接続パッド３２１を介して基板３２に電気的に接続される。モールド３３はチップ３１をカバーするとともに、これらのボンディングワイヤＷ２を包んでおり、これによってチップ３１とボンディングワイヤＷ２とを保護する。
【００４１】
電子部品３０は回路板１００と実装され電気的に接続され、電子部品３０は複数の半田ブロックＳ１により回路板１００に電気的に接続される。詳細に言えば、これらの半田ブロックＳ１は回路板１００のこれらの接続パッド１１２と基板３２のこれらの接続パッド３２２との間を接続する。このようにして、電流は、接続パッド１１２、半田ブロックＳ１、接続パッド３２２、接続パッド３２１、およびボンディングワイヤＷ２の順にチップ３１に入力され、チップ３１は電流を受けた後に直ちに発光することができる。
【００４２】
また、電子部品３０がバンプ１２４に熱的に結合され、電子部品３０が動作時に発生する熱エネルギーをバンプ１２４、接続パッド１１２および第１絶縁材料１３２から外部環境へ伝達することができるように、熱伝導部品１４０がバンプ１２４と接続パッド３４との間を接続することができる。このようにして、動作時の電子部品３０が熱エネルギーを発生する場合に、熱伝導板１２０は熱エネルギーの伝達速度を速めて、電子部品３０が過熱を発生する確率を低減させることができる。
【００４３】
以上、回路板１００の構造および回路板１００への電子部品１０、２０または３０の実装のみを紹介した。次に、図２Ａ〜図２Ｅと併せて、回路板１００の製造方法を詳細に紹介する。
【００４４】
図２Ａ〜図２Ｅは図１Ａ中の回路板の製造方法の流れ断面概略図である。図２Ａを参照すると、回路板１００の製造方法において、まず、平面２２２を有する熱伝導基板２２０を提供し、熱伝導基板２２０は高い熱伝導率を有し、例えば５０Ｗ／ＭＫより大きい。熱伝導基板２２０を構成する材料は炭素または金属でよく、例えば、熱伝導基板２２０は金属板、または炭素繊維板またはグラファイト板などの炭素材料板でよい。
【００４５】
図２Ａと図２Ｂを参照すると、次に、板面１２２ａ、および頂面１２４ｔと側面１２４ｓを有する少なくとも１つのバンプ１２４を形成するために、平面２２２に位置する熱伝導基板２２０の一部を取り除いて熱伝導板１２０を形成する。熱伝導基板２２０の一部を取り除く方法は多数あるが、本実施形態においては、熱伝導基板２２０の一部を取り除く方法は、フォトリソグラフィーとエッチングを含んでいる。熱伝導基板２２０の一部がフォトリソグラフィーとエッチングによって取り除かれるとき、平面２２２の一部は保存され、これによってバンプ１２４の頂面１２４ｔを形成する。
【００４６】
図２Ｃを参照すると、次に、板面１２２ａ上に、頂面１２４ｔを露出させる絶縁層１３０を形成する。絶縁層１３０は板面１２２ａとバンプ１２４の側面１２４ｓに接触し、頂面１２４ｔから板面１２２ａまでの距離Ｔ１は絶縁層１３０の厚みＴ２に等しいまたはそれより大きく、すなわち、バンプ１２４は絶縁層１３０から突出してもよく、またはバンプ１２４の頂面１２４ｔは実質的に絶縁層１３０の表面と面一である。絶縁層１３０を形成する方法は多数あるが、本実施形態においては、絶縁層１３０を形成する方法は印刷またはラミネート（ｌａｍｉｎａｔｉｏｎ）を含んでもよい。
【００４７】
上記印刷は様々な実施方法を含み、例えば、絶縁層１３０を印刷する方法は、塗布（ａｐｐｌｙ）またはインクジェット（ｉｎｋｊｅｔ）を含んでもよい。絶縁層１３０が塗布方式で印刷されてなる場合、絶縁層１３０を少なくとも１種の液状、コロイド状、またはペースト状の塗料を塗布して形成してもよく、この塗料は粘性を有してもよく、例えば、樹脂（ｒｅｓｉｎ）または樹脂成分を含有する塗料である。
【００４８】
絶縁層１３０がインクジェット方式で印刷されてなる場合、ジェット材料をインクジェット装置（図示されていない）により板面１２２ａ上にスプレーコーティングすることによって絶縁層１３０を形成してもよい。ジェット材料は例えばインクジェット装置のノズルにより噴出され、ノズルは移動することができ、したがってスプレーコーティングを行う過程で、絶縁層１３０から板面１２２ａを局所的に露出させるために、ジェット材料をスプレーコーティングしようとする位置をノズルによって制御することができる。
【００４９】
また、絶縁層１３０を形成するための以上の塗料とジェット材料は、両者の材料が同じでもまたは異なってもよい。上記塗料とジェット材料が異なる場合、塗料の粘度（ｖｉｓｃｏｓｉｔｙ）はジェット材料の粘度より大きくてよく、例えば、塗料は、液状、コロイド状またはペースト状でよく、ジェット材料は液状またはコロイド状でよいが、ペースト状ではない。したがって、ジェット材料は塗料より流れやすく、そのためノズルがジェット材料を噴出しやすくなる。
【００５０】
しかし、インクジェット装置の規格、例えば出力またはノズルの口径に注目すると、ジェット材料も高めの粘度を有してもよく、例えば、ジェット材料もペースト状の材料であってもよい。したがって、ジェット材料および塗料の両者の粘度の相対的な差異に関しては、本発明では限定しない。
【００５１】
絶縁層１３０がラミネートで形成される場合、絶縁層１３０は少なくとも１種の半硬化プリプレグをラミネートして形成してもよく、この半硬化プリプレグはローフロープリプレグまたはノーフロープリプレグでもよい。
【００５２】
絶縁層１３０は単一絶縁材料または複数の絶縁材料によって構成することができる。絶縁層１３０が複数種の絶縁材料によって構成される場合、絶縁層１３０は以下の方法で形成することができる。板面１２２ａ上に少なくとも第１絶縁材料１３２と第２絶縁材料１３４を形成する。第１絶縁材料１３２は板面１２２ａを局所的にカバーするとともに、バンプ１２４の側面１２４ｓに接触し、第２絶縁材料１３４は、第１絶縁材料１３２によってカバーされていない板面１２２ａをカバーしている。また、第１絶縁材料１３２の熱伝導率は第２絶縁材料１３４の熱伝導率より大きい。
【００５３】
第１絶縁材料１３２と第２絶縁材料１３４はともに印刷またはラミネートによって形成してもよく、例えば、第１絶縁材料１３２と第２絶縁材料１３４は複数種類の液状、コロイド状またはペースト状の塗料を塗布して形成してもよく、または複数種類の半硬化プリプレグをラミネートして形成してもよく、これらの半硬化プリプレグはローフロープリプレグまたはノーフロープリプレグでもよい。
【００５４】
図２Ｄを参照すると、次に、絶縁層１３０上に１枚の金属箔２１０をラミネートし、金属箔２１０は絶縁層１３０とバンプ１２４の頂面１２４ｔを全面的にカバーしている。図２Ｄにおいて、バンプ１２４は絶縁層１３０から突出しているので、金属箔２１０がラミネートされた後にバンプ１２４の圧迫を受けて変形する。また、金属箔２１０は、例えば銅箔、アルミニウム箔、錫箔、銀箔、金箔または樹脂付き銅箔（Ｒｅｓｉｎ  Ｃｏａｔｅｄ Ｃｏｐｐｅｒ、ＲＣＣ）である。
【００５５】
図２Ｄと図２Ｅを参照すると、次に、金属箔２１０の一部を取り除いて絶縁層１３０およびバンプ１２４の頂面１２４ｔを露出させ、かつ絶縁層１３０上に回路層１１０を形成し、回路層１１０はバンプ１２４と電気的に絶縁されている。金属箔２１０の一部を取り除く方法は、フォトリソグラフィーとエッチングを含んでもよい。これで、回路板１００の製造はほぼ完成している。
【００５６】
金属箔２１０をラミネートする過程で、絶縁層１３０内のコロイドが流れることによって、コロイドが金属箔２１０と頂面１２４ｔとの間に滲入して（図２Ｄ参照）、金属箔２１０の一部を取り除いた後に頂面１２４ｔ上にスミアの残留をもたらす恐れがある。これに対して、金属箔２１０の一部を取り除いた後にバンプ１２４の頂面１２４ｔを清浄化してスミアを除去してもよい。頂面１２４ｔを清浄化する方法には、デスミア（ｄｅｓｍｅａｒ）、レーザ処理またはプラズマ処理が含まれ得る。このようにして、バンプ１２４と電子部品（例えば電子部品１０、２０または３０）との熱的結合の品質を高めることができる。
【００５７】
しかし、絶縁層１３０は少なくとも１種のローフロープリプレグまたはノーフロープリプレグをラミネートして形成してもよいので、絶縁層１３０がローフロープリプレグまたはノーフロープリプレグによって形成される場合、金属箔２１０をラミネートする過程で、絶縁層１３０内のコロイドが実質的に金属箔２１０と頂面１２４ｔとの間に滲入することがなく（図２Ｄ参照）、したがって金属箔２１０の一部を取り除いた後に頂面１２４ｔを清浄化する必要がない。このことから分かるように、本実施形態においては、回路層１１０を形成した後に必ずしも頂面１２４ｔを清浄化する必要はない。
【００５８】
以上の図２Ｄと図２Ｅに開示された回路板１００の製造方法によると、回路層１１０が金属箔２１０をラミネートすることによって形成されることを指摘しておくべきであるが、他の実施形態においては、回路層１１０を形成する方法は無電解めっき（ｅｌｅｃｔｒｏｌｅｓｓ  ｐｌａｔｉｎｇ）と電気めっき（ｅｌｅｃｔｒｏｐｌａｔｉｎｇ）でもよく、しかも回路層１１０は必ずしも金属箔２１０をラミネートして形成する必要はない。
【００５９】
詳細に言えば、回路層１１０はセミアディティブ法またはアディティブ法によって形成してもよい。回路層１１０がセミアディティブ法またはアディティブ法によって形成される場合、薄めの金属層を先に絶縁層１３０上に形成してもよく、この金属は例えば厚みが薄くなった金属箔２１０、またはスパッタリング（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）もしくは無電解めっきで形成された金属薄膜であり、金属箔２１０の厚みを薄くする方法にはエッチングまたは研磨（ｇｒｉｎｄｉｎｇ）が含まれる。
【００６０】
次に、上記金属層を局所的にカバーするマスクパターンを形成し、このマスクパターンは、例えばフォトリソグラフィー後のドライフィルム（ｄｒｙ  ｆｉｌｍ）またはフォトレジスト層である。その後に、無電解めっきまたは電気めっきを行う。無電解めっきまたは電気めっき後に、マイクロエッチング（ｍｉｃｒｏ−ｅｔｃｈｉｎｇ）を行う。このようにして、回路層１１０を形成する。このことから分かるように、図２Ｄと図２Ｅに示された金属箔２１０をラミネートして回路層１１０を形成する方法は例示に過ぎず、本発明を限定するものではない。
【００６１】
本発明は前述の実施形態を上記のとおり開示しているが、それは本発明を限定するものではなく、当業者が、本発明の精神を逸脱しない範囲内において行う変更および修正などの同等の置替えも、やはり本発明の権利保護範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００６２】
１０、２０、３０  電子部品
１２、１４、２２、２４、３４、１１２、３２１、３２２  接続パッド
３１  チップ
３２  基板
３３  モールド
１００  回路板
１１０  回路層
１１４  トレース
１２０  熱伝導板
１２２  板体
１２２ａ  板面
１２４  バンプ
１２４ｓ  側面
１２４ｔ  頂面
１３０  絶縁層
１３２  第１絶縁材料
１３４  第２絶縁材料
１４０  熱伝導部品
２１０  金属箔
２２０  熱伝導基板
２２２  平面
Ｓ１  半田ブロック
Ｔ１  距離
Ｔ２  厚み
Ｗ１、Ｗ２  ボンディングワイヤ
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図１Ｃ】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図２Ｃ】
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【図２Ｄ】
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【図２Ｅ】
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