(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層と、
前記絶縁層上に形成された第１配線と、
前記絶縁層上に前記第１配線と第１の間隙で分離して形成された第２配線と、
前記第１配線上の第１の側に形成された第１電解めっき膜と、
前記第１配線上において、前記第１の側の反対側の第２の側に、前記第１電解めっき膜と第２の間隙で分離して形成された第２電解めっき膜と、
前記第２配線上の第１の側に形成された第３電解めっき膜と、
前記第２配線上において、前記第１の側の反対側の第２の側に、前記第３電解めっき膜と第３の間隙で分離して形成された第４電解めっき膜と、
前記第２電解めっき膜及び前記第３電解めっき膜により構成された発光素子搭載領域と、
前記絶縁層上に形成された、開口部を備えた反射膜と、を有し、
前記反射膜は、
前記第２の間隙と前記第３の間隙とを覆うと共に、
前記開口部内に前記発光素子搭載領域を露出するように形成されており、
前記反射膜は、前記第１電解めっき膜、前記第２電解めっき膜、前記第３電解めっき膜及び前記第４電解めっき膜のうち少なくとも１つの電解めっき膜の周辺部を被覆するように形成されている発光素子搭載用パッケージ。
【請求項２】
前記第１電解めっき膜及び前記第４電解めっき膜は、外部と接続される電極又は他の発光素子搭載領域に属している請求項１記載の発光素子搭載用パッケージ。
【請求項３】
前記第１電解めっき膜、前記第２電解めっき膜、前記第３電解めっき膜及び前記第４電解めっき膜は、
Ａｇ膜、
Ａｇ合金膜、
Ｎｉ又はＮｉ合金上にＡｕ又はＡｕ合金を積層した膜、
Ｎｉ又はＮｉ合金上にＰｄ又はＰｄ合金を積層し、更に前記Ｐｄ又はＰｄ合金上にＡｕ又はＡｕ合金を積層した膜、
Ｎｉ又はＮｉ合金上にＰｄ又はＰｄ合金を積層し、更に前記Ｐｄ又はＰｄ合金上にＡｇ又はＡｇ合金を積層し、更に前記Ａｇ又はＡｇ合金上にＡｕ又はＡｕ合金を積層した膜、
Ｎｉ又はＮｉ合金上にＡｇ又はＡｇ合金を積層した膜、
Ｎｉ又はＮｉ合金上にＰｄ又はＰｄ合金を積層し、更に前記Ｐｄ又はＰｄ合金上にＡｇ又はＡｇ合金を積層した膜、
の何れかからなる請求項１又は２記載の発光素子搭載用パッケージ。
【請求項４】
前記第１配線及び前記第２配線を含む複数の配線は、平面形状が長尺状又は長方形状であり、各配線の長辺同士が対向するように所定の間隔を隔てて配置されている請求項１乃至３の何れか一項記載の発光素子搭載用パッケージ。
【請求項５】
請求項１乃至４の何れか一項記載の発光素子搭載用パッケージの前記発光素子搭載領域に発光素子を搭載した発光素子パッケージ。
【請求項６】
絶縁層上に金属層を形成する工程と、
前記金属層を給電層に利用する電解めっき法により、前記金属層の表面に、前記金属層の表面に沿って互いに分離された第１電解めっき膜、第２電解めっき膜、第３電解めっき膜及び第４電解めっき膜を形成し、前記第２電解めっき膜及び前記第３電解めっき膜により発光素子搭載領域を構成する工程と、
前記金属層の所定部分を除去して、前記第１電解めっき膜及び前記第２電解めっき膜が属す第１配線と、前記第１配線と第１の間隙で分離された、前記第３電解めっき膜及び前記第４電解めっき膜が属す第２配線と、を形成する工程と、
前記絶縁層上に開口部を備えた反射膜を形成する工程と、を有し、
前記反射膜を形成する工程では、
前記第１電解めっき膜と前記第２電解めっき膜とを前記第１配線の表面に沿って分離する第２の間隙と、前記第３電解めっき膜と前記第４電解めっき膜とを前記第２配線の表面に沿って分離する第３の間隙と、を覆うと共に、
前記開口部内に前記発光素子搭載領域を露出するように、前記反射膜を形成する発光素子搭載用パッケージの製造方法。
【請求項７】
絶縁層上に金属層を形成する工程と、
前記金属層の所定部分を除去して、第１配線と、前記第１配線と第１の間隙で分離された第２配線と、を形成する工程と、
前記第１配線及び前記第２配線と電気的に接続されたバスラインを形成する工程と、
前記バスラインを利用して電解めっきを施し、前記第１配線上に第１電解めっき膜及び第２電解めっき膜を第２の間隙で分離して形成し、前記第２配線上に第３電解めっき膜及び第４電解めっき膜を第３の間隙で分離して形成し、前記第２電解めっき膜及び前記第３電解めっき膜により発光素子搭載領域を構成する工程と、
前記発光素子搭載領域を構成後、前記バスラインを除去する工程と、
前記絶縁層上に開口部を備えた反射膜を形成する工程と、を有し、
前記反射膜を形成する工程では、
前記第２の間隙と前記第３の間隙とを覆うと共に、
前記開口部内に前記発光素子搭載領域を露出するように、前記反射膜を形成する発光素子搭載用パッケージの製造方法。
【請求項８】
前記バスラインを形成する工程では、前記第１配線及び前記第２配線を含む複数の配線が、それぞれ連結部により、平面視において前記複数の配線の外側に配される枠部に接続されるように前記バスラインを形成する請求項７記載の発光素子搭載用パッケージの製造方法。
【請求項９】
前記第１電解めっき膜、前記第２電解めっき膜、前記第３電解めっき膜及び前記第４電解めっき膜は、
Ａｇ膜、
Ａｇ合金膜、
Ｎｉ又はＮｉ合金上にＡｕ又はＡｕ合金を積層した膜、
Ｎｉ又はＮｉ合金上にＰｄ又はＰｄ合金を積層し、更に前記Ｐｄ又はＰｄ合金上にＡｕ又はＡｕ合金を積層した膜、
Ｎｉ又はＮｉ合金上にＰｄ又はＰｄ合金を積層し、更に前記Ｐｄ又はＰｄ合金上にＡｇ又はＡｇ合金を積層し、更に前記Ａｇ又はＡｇ合金上にＡｕ又はＡｕ合金を積層した膜、
Ｎｉ又はＮｉ合金上にＡｇ又はＡｇ合金を積層した膜、
Ｎｉ又はＮｉ合金上にＰｄ又はＰｄ合金を積層し、更に前記Ｐｄ又はＰｄ合金上にＡｇ又はＡｇ合金を積層した膜、
の何れかからなる請求項６乃至８の何れか一項記載の発光素子搭載用パッケージの製造方法。
【請求項１０】
前記第１配線及び前記第２配線を形成する工程では、
前記第１配線及び前記第２配線を含む平面形状が長尺状又は長方形状の複数の配線が、各配線の長辺同士が対向するように所定の間隔を隔てて配置される請求項６乃至９の何れか一項記載の発光素子搭載用パッケージの製造方法。
【請求項１１】
前記金属層の表面を粗化する工程を有する請求項６乃至１０の何れか一項記載の発光素子搭載用パッケージの製造方法。
【請求項１２】
前記第１配線及び前記第２配線の表面を粗化する工程を有する請求項６乃至１０の何れか一項記載の発光素子搭載用パッケージの製造方法。
【請求項１３】
前記反射膜を形成する工程では、前記第１電解めっき膜、前記第２電解めっき膜、前記第３電解めっき膜及び前記第４電解めっき膜の周辺部を被覆して反射膜を形成する請求項６乃至１２の何れか一項記載の発光素子搭載用パッケージの製造方法。
【請求項１４】
請求項６乃至１３の何れか一項記載の発光素子搭載用パッケージの製造方法により製造された発光素子搭載用パッケージの前記発光素子搭載領域に発光素子を搭載する工程を有する発光素子パッケージの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光素子を搭載可能な発光素子搭載用パッケージ、及び前記発光素子搭載用パッケージに発光素子を搭載した発光素子パッケージ、並びにそれらの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、光源として低消費電力で長寿命である発光ダイオード（以降、ＬＥＤとする）が注目されており、例えば、複数のＬＥＤを搭載したＬＥＤモジュールが提案されている。このようなＬＥＤモジュールにおいて、最表層には、搭載されるＬＥＤの出射光を反射する反射膜（絶縁層）が形成されており、この反射膜から露出するように、ＬＥＤが搭載される発光素子搭載領域（ランド）が形成されている。又、発光素子搭載領域には、搭載されるＬＥＤとの接続信頼性を向上させるため、めっき膜が形成されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００３−０９２０１１号公報
【特許文献２】特開２００６−３１９０７４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、めっき膜は、反射膜から露出する発光素子搭載領域に無電解めっき法により形成されるため、無電解めっきを行う際に反射膜も無電解めっき槽のめっき液中に浸漬される。そのため、反射膜にめっき液がしみ込み、反射膜が特性劣化する問題、より具体的には、反射膜の反射率が低下する問題があった。
【０００５】
本発明は、上記の点に鑑みてなされたものであり、反射膜の特性劣化を低減可能な発光部品搭載用パッケージ及び前記発光部品搭載用パッケージに複数の発光部品を搭載した発光部品パッケージ、並びにそれらの製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発光素子搭載用パッケージは、絶縁層と、前記絶縁層上に形成された第１配線と、前記絶縁層上に前記第１配線と第１の間隙で分離して形成された第２配線と、前記第１配線上の第１の側に形成された第１電解めっき膜と、前記第１配線上において、前記第１の側の反対側の第２の側に、前記第１電解めっき膜と第２の間隙で分離して形成された第２電解めっき膜と、前記第２配線上の第１の側に形成された第３電解めっき膜と、前記第２配線上において、前記第１の側の反対側の第２の側に、前記第３電解めっき膜と第３の間隙で分離して形成された第４電解めっき膜と、前記第２電解めっき膜及び前記第３電解めっき膜により構成された発光素子搭載領域と、前記絶縁層上に形成された、開口部を備えた反射膜と、を有し、前記反射膜は、前記第２の間隙と前記第３の間隙とを覆うと共に、前記開口部内に前記発光素子搭載領域を露出するように形成されており、前記反射膜は、前記第１電解めっき膜、前記第２電解めっき膜、前記第３電解めっき膜及び前記第４電解めっき膜のうち少なくとも１つの電解めっき膜の周辺部を被覆するように形成されていることを要件とする。
【発明の効果】
【０００９】
開示の技術によれば、反射膜の特性劣化を低減可能な発光部品搭載用パッケージ及び前記発光部品搭載用パッケージに複数の発光部品を搭載した発光部品パッケージ、並びにそれらの製造方法を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】第１の実施の形態に係る発光素子搭載用パッケージを例示する平面図（その１）である。
【図２】第１の実施の形態に係る発光素子搭載用パッケージを例示する平面図（その２）である。
【図３】図１のＡ−Ａ線に沿う断面図である。
【図４】第１の実施の形態に係る発光素子パッケージを例示する断面図である。
【図５】第１の実施の形態に係る発光素子搭載用パッケージの製造工程を例示する図（その１）である。
【図６】第１の実施の形態に係る発光素子搭載用パッケージの製造工程を例示する図（その２）である。
【図７】第１の実施の形態に係る発光素子搭載用パッケージの製造工程を例示する図（その３）である。
【図８】第１の実施の形態に係る発光素子搭載用パッケージの製造工程を例示する図（その４）である。
【図９】第１の実施の形態に係る発光素子搭載用パッケージの製造工程を例示する図（その５）である。
【図１０】第１の実施の形態に係る発光素子搭載用パッケージの製造工程を例示する図（その６）である。
【図１１】第１の実施の形態に係る発光素子搭載用パッケージの製造工程を例示する図（その７）である。
【図１２】第１の実施の形態に係る発光素子搭載用パッケージの製造工程を例示する図（その８）である。
【図１３】第１の実施の形態に係る発光素子搭載用パッケージの製造工程を例示する図（その９）である。
【図１４】第１の実施の形態に係る発光素子搭載用パッケージの製造工程を例示する図（その１０）である。
【図１５】第１の実施の形態に係る発光素子搭載用パッケージの製造工程を例示する図（その１１）である。
【図１６】第１の実施の形態に係る発光素子パッケージの製造工程を例示する図（その１）である。
【図１７】第１の実施の形態に係る発光素子パッケージの製造工程を例示する図（その２）である。
【図１８】第１の実施の形態に係る発光素子パッケージの製造工程を例示する図（その３）である。
【図１９】第１の実施の形態に係る発光素子パッケージの製造工程を例示する図（その４）である。
【図２０】第１の実施の形態に係る発光素子パッケージの製造工程を例示する図（その５）である。
【図２１】第２の実施の形態に係る発光素子搭載用パッケージの製造工程を例示する図（その１）である。
【図２２】第２の実施の形態に係る発光素子搭載用パッケージの製造工程を例示する図（その２）である。
【図２３】第２の実施の形態に係る発光素子搭載用パッケージの製造工程を例示する図（その３）である。
【図２４】第２の実施の形態に係る発光素子搭載用パッケージの製造工程を例示する図（その４）である。
【図２５】第２の実施の形態に係る発光素子搭載用パッケージの製造工程を例示する図（その５）である。
【図２６】第２の実施の形態に係る発光素子搭載用パッケージの製造工程を例示する図（その６）である。
【図２７】第２の実施の形態に係る発光素子搭載用パッケージの製造工程を例示する図（その７）である。
【図２８】第２の実施の形態に係る発光素子搭載用パッケージの製造工程を例示する図（その８）である。
【図２９】第２の実施の形態に係る発光素子搭載用パッケージの製造工程を例示する図（その９）である。
【図３０】第３の実施の形態に係る発光素子搭載用パッケージの製造工程を例示する図（その１）である。
【図３１】第３の実施の形態に係る発光素子搭載用パッケージの製造工程を例示する図（その２）である。
【図３２】第３の実施の形態に係る発光素子搭載用パッケージの製造工程を例示する図（その３）である。
【図３３】第３の実施の形態に係る発光素子搭載用パッケージの製造工程を例示する図（その４）である。
【図３４】第３の実施の形態に係る発光素子搭載用パッケージの製造工程を例示する図（その５）である。
【図３５】第３の実施の形態に係る発光素子搭載用パッケージの製造工程を例示する図（その６）である。
【図３６】第３の実施の形態に係る発光素子搭載用パッケージの製造工程を例示する図（その７）である。
【図３７】第３の実施の形態に係る発光素子搭載用パッケージの製造工程を例示する図（その８）である。
【図３８】第４の実施の形態に係る発光素子搭載用パッケージを例示する平面図（その１）である。
【図３９】第４の実施の形態に係る発光素子搭載用パッケージを例示する平面図（その２）である。
【図４０】第５の実施の形態に係る発光素子パッケージを例示する断面図（その１）である。
【図４１】第５の実施の形態に係る発光素子パッケージを例示する断面図（その２）である。
【図４２】第５の実施の形態に係る発光素子パッケージを例示する断面図（その３）である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、図面を参照して発明を実施するための形態について説明する。なお、各図面において、同一構成部分には同一符号を付し、重複した説明を省略する場合がある。
【００１２】
〈第１の実施の形態〉
［第１の実施の形態に係る発光素子搭載用パッケージの構造］
まず、第１の実施の形態に係る発光素子搭載用パッケージの構造について説明する。図１は、第１の実施の形態に係る発光素子搭載用パッケージを例示する平面図（その１）である。図２は、第１の実施の形態に係る発光素子搭載用パッケージを例示する平面図（その２）であり、図１において反射膜６０を省略した図である。図３は、図１のＡ−Ａ線に沿う断面図である。なお、便宜上、図１及び図２において、発光素子搭載部４０及び電解めっき膜５０を梨地模様で示している（他の図においても同様の場合がある）。
【００１３】
図１〜図３を参照するに、発光素子搭載用パッケージ１０は、大略すると、金属板２０と、絶縁層３０と、発光素子搭載部４０と、電解めっき膜５０と、反射膜６０とを有する。
【００１４】
金属板２０は、発光素子搭載用パッケージ１０に搭載される発光素子の発する熱を発光素子搭載用パッケージ１０の外部に放出する放熱板としての機能を有するとともに、絶縁層３０や発光素子搭載部４０を形成するための基体となる部分である。金属板２０の材料としては、例えば、銅（Ｃｕ）や銅合金、アルミニウム（Ａｌ）やアルミニウム合金等の熱伝導率のよい材料を用いることができる。金属板２０の厚さは、例えば、１００〜２０００μｍ程度とすることができる。
【００１５】
絶縁層３０は、金属板２０上に形成されており、金属板２０と発光素子搭載部４０とを絶縁している。絶縁層３０の材料としては、例えば、ポリイミド系の絶縁性樹脂等を用いることができる。絶縁層３０の厚さは、例えば、１５〜２００μｍ程度とすることができる。
【００１６】
発光素子搭載部４０は、互いに電気的に独立した配線４１〜４５を有する。発光素子搭載部４０は、絶縁層３０上に形成されている。発光素子搭載部４０の材料としては、例えば、銅（Ｃｕ）等の金属を用いることができる。発光素子搭載部４０の厚さは、例えば、２０〜１００μｍ程度とすることができる。
【００１７】
配線４１〜４５は、例えば、平面視して長尺状又は長方形状に形成され、各配線の長辺同士が対向するように、所定の間隔を隔てて配置されている。配線４１〜４５の各長辺及び各短辺の長さ並びに隣接する配線の間隔の一例を挙げると、長辺が５〜１０ｍｍ程度、短辺が１〜５ｍｍ程度、間隔が５０〜５００μｍ程度である。
【００１８】
配線４１〜４５の所定の領域には、電解めっき膜５０が形成されている。電解めっき膜５０を形成する目的は、それぞれの部分に接続される部材等との接続信頼性を向上させるためである。配線４１〜４５の電解めっき膜５０が形成される側の面には、粗化処理がなされている。粗化処理を行う目的は、アンカー効果により、配線４１〜４５と反射膜６０との密着性を向上させるためである。
【００１９】
電解めっき膜５０としては、例えば、Ｎｉ又はＮｉ合金／Ａｕ又はＡｕ合金膜、Ｎｉ又はＮｉ合金／Ｐｄ又はＰｄ合金／Ａｕ又はＡｕ合金膜、Ｎｉ又はＮｉ合金／Ｐｄ又はＰｄ合金／Ａｇ又はＡｇ合金／Ａｕ又はＡｕ合金膜、Ａｇ又はＡｇ合金膜、Ｎｉ又はＮｉ合金／Ａｇ又はＡｇ合金膜、Ｎｉ又はＮｉ合金／Ｐｄ又はＰｄ合金／Ａｇ又はＡｇ合金膜等を用いることができる。なお、『ＡＡ／ＢＢ膜』は、ＡＡ膜とＢＢ膜とが対象部分にこの順番で積層形成されていることを意味している（３層以上の場合も同様）。
【００２０】
電解めっき膜５０のうち、Ａｕ又はＡｕ合金膜、Ａｇ又はＡｇ合金膜の膜厚は、０．１μｍ以上とすることが好ましい。電解めっき膜５０のうち、Ｐｄ又はＰｄ合金膜の膜厚は、０．００５μｍ以上とすることが好ましい。電解めっき膜５０のうち、Ｎｉ又はＮｉ合金膜の膜厚は、０．５μｍ以上とすることが好ましい。
【００２１】
なお、Ａｇ膜又はＡｇ合金膜は反射率が高いため、電解めっき膜５０の最表層をＡｇ膜又はＡｇ合金膜とすると、発光素子の照射する光の反射率を上げることができ好適である。
【００２２】
電解めっき膜５０において、隣接する配線に対向するように形成された部分は、発光素子搭載領域５１を構成している。発光素子搭載領域５１は、例えば、平面形状が半円状の電解めっき膜が隣接する配線に対向するように形成された部分であり、１つの発光素子搭載領域５１に２端子（４端子等でもよい）の１つの発光素子を搭載可能とされている。
【００２３】
より詳しくは、配線４１〜４５において、隣接する配線の一方の面には、所定の間隔を隔てて形成された一対の電解めっき膜からなる発光素子搭載領域５１が複数形成されている。各発光素子搭載領域５１を構成する一対の電解めっき膜５０の一方が隣接する配線の一方に属し、他方が隣接する配線の他方に属している。つまり、配線４１〜４５において、隣接する配線間に複数の発光素子を並列に搭載可能とされている。例えば、隣接する配線４１と４２との間に配線の長手方向に沿って複数の発光素子（本実施の形態では４個）を並列に搭載可能とされている。隣接する配線４２と４３との間、隣接する配線４３と４４との間、及び隣接する配線４４と４５との間についても同様である。
【００２４】
又、配線の配列方向（Ｘ方向）に沿って隣接する配線間に複数の発光素子を直列に搭載可能とされている。例えば、隣接する配線４１と４２との間、隣接する配線４２と４３との間、隣接する配線４３と４４との間、及び隣接する配線４４と４５との間に、発光素子（本実施の形態では４個）を直列に搭載可能とされている。
【００２５】
なお、例えば、平面形状が矩形状の電解めっき膜を隣接する配線に対向するように形成して、発光素子搭載領域５１としてもよい。又、本実施の形態では、発光素子搭載領域５１を１６箇所形成し、１６個の発光素子を搭載可能としているが、発光素子搭載領域５１の個数は任意に決定してよい。
【００２６】
配線４１には、電解めっき膜５０により、第１電極部５２が形成されている。第１電極部５２は、発光素子搭載領域５１の配線４１に形成された部分と電気的に接続されている。又、配線４５には、電解めっき膜５０により、第２電極部５３が形成されている。第２電極部５３は、発光素子搭載領域５１の配線４５に形成された部分と電気的に接続されている。第１電極部５２及び第２電極部５３は、例えば、発光素子搭載用パッケージ１０の外部に配置される電源や駆動回路等に接続される部分である。
【００２７】
反射膜６０は、発光素子搭載部４０及び電解めっき膜５０を覆うように、絶縁層３０上に形成されている絶縁膜である。反射膜６０は開口部６０ｘを有し、各開口部６０ｘ内には各発光素子搭載領域５１の一部が露出している。なお、各開口部６０ｘ内に、各発光素子搭載領域５１の全部が露出してもよい。
【００２８】
反射膜６０の材料としては、例えば、エポキシ系やシリコーン系の絶縁性樹脂等を用いることができる。反射膜６０は、発光素子の照射する光の反射率を上げるため、酸化チタン等のフィラーを含有させて白色にすると好適である。酸化チタンに代えて、ＢａＳＯ４等の顔料を使用して反射膜６０を白色にしてもよい。反射膜６０の厚さは、例えば、１０〜５０μｍ程度とすることができる。
【００２９】
なお、本実施の形態では、隣接する配線間に露出する絶縁層３０上には反射膜６０を形成していないが、隣接する配線間に露出する絶縁層３０上及びその近傍の発光素子搭載部４０及び電解めっき膜５０を覆うように反射膜６０を形成してもよい。
【００３０】
図４は、第１の実施の形態に係る発光素子パッケージを例示する断面図である。図４を参照するに、発光素子パッケージ１００は、発光素子搭載用パッケージ１０の各発光素子搭載領域５１に複数の発光素子１１０を縦横に搭載し、封止樹脂１２０により封止したものである。但し、封止樹脂１２０は、第１電極部５２及び第２電極部５３のそれぞれの一部又は全部を露出するように形成されている。
【００３１】
発光素子１１０としては、例えば、一端側にアノード端子、他端側にカソード端子が形成されたＬＥＤを用いることができる。但し、発光素子１１０はＬＥＤには限定されず、例えば、面発光型レーザ等を用いてもよい。封止樹脂１２０としては、例えば、シリコーン系等の絶縁性樹脂に蛍光体を含有させた樹脂を用いることができる。
【００３２】
以降、発光素子１１０がＬＥＤであり発光素子パッケージ１００がＬＥＤモジュールである場合を例にして説明を行う（発光素子１１０をＬＥＤ１１０、発光素子パッケージ１００をＬＥＤモジュール１００と称する場合がある）。
【００３３】
発光素子搭載領域５１に搭載されるＬＥＤ１１０の寸法の一例を挙げると、平面視において、縦０．３ｍｍ（Ｙ方向）×横０．３ｍｍ（Ｘ方向）、縦１．０ｍｍ（Ｙ方向）×横１．０ｍｍ（Ｘ方向）、縦１．５ｍｍ（Ｙ方向）×横１．５ｍｍ（Ｘ方向）等である。
【００３４】
各ＬＥＤ１１０には、一方の電極端子となるバンプ１１０ａと、他方の電極端子となるバンプ１１０ｂが形成されている。各ＬＥＤ１１０のバンプ１１０ａ又は１１０ｂの何れか一方がアノード端子であり、他方がカソード端子である。バンプ１１０ａ及び１１０ｂは、例えば、隣接する配線にフリップチップ接合されている。各ＬＥＤ１１０は、同一方向（例えば、アノード端子が紙面左側にくるように）に搭載されている。
【００３５】
なお、バンプ１１０ａ及び１１０ｂは、それぞれ複数設けると好適である。バンプ１１０ａ及び１１０ｂが1つずつであると各配線上での接続箇所が一箇所ずつとなるため、実装されたＬＥＤ１１０に傾きが生じる虞がある。バンプ１１０ａ及び１１０ｂをそれぞれ複数設けることにより、各配線上での接続箇所が複数箇所となるため、安定した実装を行うことができる。
【００３６】
隣接する配線の間隔は、搭載されるＬＥＤ１１０のバンプ１１０ａと１１０ｂとの間隔（例えば、６０μｍ）と略同一とされている。これにより、配線４１と配線４２との間、配線４２と配線４３との間、配線４３と配線４４との間、配線４４と配線４５との間にそれぞれＬＥＤ１１０を直列に搭載できる（Ｘ方向）。
【００３７】
又、配線４１〜４５のそれぞれの長手方向（Ｙ方向）の長さは、ＬＥＤ１１０のＹ方向の長さの数倍〜数１０倍程度とされている。これにより、配線４１と配線４２との間に複数のＬＥＤ１１０を並列に搭載できる（Ｙ方向）。配線４２と配線４３との間、配線４３と配線４４との間、配線４４と配線４５との間についても同様である。
【００３８】
［第１の実施の形態に係る発光素子搭載用パッケージ、及び発光素子パッケージの製造方法］
次に、第１の実施の形態に係る発光素子搭載用パッケージ、及び発光素子パッケージの製造方法について説明する。図５〜図１５は、第１の実施の形態に係る発光素子搭載用パッケージの製造工程を例示する図である。図１６〜図２０は、第１の実施の形態に係る発光素子パッケージの製造工程を例示する図である。なお、各工程は、原則として断面図を示して説明するが、必要に応じ、（ａ）として平面図、（ｂ）として断面図を示して説明する場合がある。
【００３９】
まず、図５及び図６に示す工程では、基材２００を準備する。図５は平面図であり、Ｃは切断線を示している。図７以降の所定の工程を経た基材２００等を、切断線Ｃで切断することにより、複数の発光素子搭載用パッケージ１０（この場合には、２７個）を得ることができる。つまり、図５において切断線Ｃで囲まれた各領域が、それぞれ発光素子搭載用パッケージ１０となる。なお、図６は、図１のＡ−Ａ線に相当する断面図であり、図５において切断線Ｃで囲まれた１つの領域を示している。
【００４０】
基材２００としては、例えば、金属板２０上に、絶縁層３０、及び最終的に発光素子搭載部４０となる金属層４０Ａが順次積層形成された所謂クラッド材等を用いることができる。基材２００の平面形状は、例えば、矩形状であり、その大きさは、例えば、縦６５０ｍｍ（Ｙ方向）程度×横５１０ｍｍ（Ｘ方向）程度とすることができる。
【００４１】
基材２００において、金属板２０としては、例えば、銅（Ｃｕ）や銅合金、アルミニウム（Ａｌ）やアルミニウム合金等の熱伝導率のよい材料を用いることができる。金属板２０の厚さは、例えば、１００〜２０００μｍ程度とすることができる。絶縁層３０の材料としては、例えば、ポリイミド系の絶縁性樹脂等を用いることができる。絶縁層３０の厚さは、例えば、１５〜２００μｍ程度とすることができる。金属層４０Ａの材料としては、例えば、銅箔等の金属箔を用いることができる。金属層４０Ａの厚さは、例えば、２０〜１００μｍ程度とすることができる。以降、原則として、切断線Ｃで囲まれた１つの領域を示して各工程の説明を行う。
【００４２】
次に、図７に示す工程では、金属層４０Ａの一方の面（絶縁層３０に接する面の反対面）を粗化する。金属層４０Ａの一方の面は、例えば、メック社のＣＺ処理により金属層４０Ａの一方の面に化学的研磨（マイクロエッチング）を施すことにより粗化できる。ＣＺ処理に代えて、黒色酸化処理（ブラックオキサイド）等の他の手段により金属層４０Ａの一方の面を粗化してもよい。
【００４３】
次に、図８に示す工程では、粗化処理された金属層４０Ａの一方の面に、電解めっき膜５０に対応する開口部３００ｘを有するレジスト層３００を形成する。つまり、図５において切断線Ｃで囲まれた各領域において、図２に示した電解めっき膜５０を形成する部分を露出する開口部３００ｘを有するレジスト層３００を形成する。
【００４４】
レジスト層３００を形成するには、金属層４０Ａの一方の面に、例えばエポキシ系樹脂やアクリル系樹脂等を含む感光性樹脂組成物からなる液状又はペースト状のレジストを塗布する。或いは、金属層４０Ａの一方の面に、例えばエポキシ系樹脂やアクリル系樹脂等を含む感光性樹脂組成物からなるフィルム状のレジスト（例えば、ドライフィルムレジスト等）をラミネートする。
【００４５】
そして、塗布又はラミネートしたレジストを露光及び現像することで開口部３００ｘを形成する。これにより、金属層４０Ａの一方の面に開口部３００ｘを有するレジスト層３００が形成される。なお、予め開口部３００ｘを形成したフィルム状のレジストを金属層４０Ａの一方の面にラミネートしても構わない。
【００４６】
次に、図９に示す工程では、金属層４０Ａをめっき給電層に利用する電解めっき法により、金属層４０Ａの一方の面の開口部３００ｘ内に、発光素子搭載領域５１、第１電極部５２、及び第２電極部５３を含む電解めっき膜５０を形成する。この工程により、所定の間隔を隔てて形成された一対の電解めっき膜からなる発光素子搭載領域５１が形成される。電解めっき膜５０の種類や厚さ等は前述の通りである。なお、Ａｇ膜又はＡｇ合金膜は反射率が高いため、最表層がＡｇ膜又はＡｇ合金膜となるように電解めっき膜５０を形成すると、発光素子の照射する光の反射率を上げることができ好適である。
【００４７】
次に、図１０に示す工程では、図９に示すレジスト層３００を除去する。なお、図１０（ａ）は平面図、図１０（ｂ）は図１０（ａ）のＡ−Ａ線に沿う断面図である。
【００４８】
次に、図１１に示す工程では、金属層４０Ａの一方の面に、発光素子搭載部４０の配線４１〜４５に対応するレジスト層３１０を形成する。つまり、図５において切断線Ｃで囲まれた各領域において、図２に示した発光素子搭載部４０の配線４１〜４５を形成する部分を覆うレジスト層３１０を形成する。レジスト層３１０は、例えば、図８に示す工程のレジスト層３００と同様な方法により形成できる。
【００４９】
次に、図１２に示す工程では、開口部３１０ｘ内に露出する金属層４０Ａを除去し、複数の配線（配線４１〜４５）が所定の間隔を隔てて配置された発光素子搭載部４０を形成する。一対の電解めっき膜からなる発光素子搭載領域５１の一方が隣接する配線の一方に属し、他方が隣接する配線の他方に属するように金属層４０Ａが除去される。金属層４０Ａが銅箔である場合には、例えば、塩化第二鉄水溶液や塩化第二銅水溶液、過硫酸アンモニウム水溶液等を用いたウェットエッチングにより除去できる。
【００５０】
次に、図１３に示す工程では、図１２に示すレジスト層３１０を除去する。これにより、絶縁層３０上に配線４１〜４５を含む発光素子搭載部４０、並びに、発光素子搭載領域５１、第１電極部５２、及び第２電極部５３を含む電解めっき膜５０が形成される。なお、図１３（ａ）は平面図、図１３（ｂ）は図１３（ａ）のＡ−Ａ線に沿う断面図である。
【００５１】
次に、図１４に示す工程では、発光素子搭載部４０及び電解めっき膜５０を覆うように、絶縁層３０上に開口部６０ｘを有する反射膜６０を形成する。発光素子搭載部４０の配線４１〜４５の表面は粗化されているため、アンカー効果により、反射膜６０との密着性を向上できる。各開口部６０ｘ内には各発光素子搭載領域５１の一部が露出する。なお、各開口部６０ｘ内に、各発光素子搭載領域５１の全部を露出してもよい。
【００５２】
反射膜６０の材料としては、例えば、エポキシ系やシリコーン系の絶縁性樹脂等を用いることができる。反射膜６０は、発光素子の照射する光の反射率を上げるため、酸化チタン等のフィラーを含有させて白色にすると好適である。酸化チタンに代えて、ＢａＳＯ４等の顔料を使用して反射膜６０を白色にしてもよい。反射膜６０の厚さは、例えば、１０〜５０μｍ程度とすることができる。
【００５３】
反射膜６０を形成するには、例えば液状又はペースト状の感光性のエポキシ系やシリコーン系の絶縁性樹脂等を絶縁層３０上に塗布する。又は、例えばフィルム状の感光性のエポキシ系やシリコーン系の絶縁性樹脂等を絶縁層３０上にラミネートする。そして、塗布又はラミネートした絶縁性樹脂等を露光及び現像することで開口部６０ｘを形成する。これにより、開口部６０ｘを有する反射膜６０が形成される。なお、予め開口部６０ｘを形成したフィルム状のエポキシ系やシリコーン系の絶縁性樹脂等を絶縁層３０上にラミネートしても構わない。又、非感光性のエポキシ系やシリコーン系の絶縁性樹脂のスクリーン印刷により、開口部６０ｘを有する反射膜６０を形成してもよい。
【００５４】
次に、図１５に示す工程では、図１４に示す構造体を図１４に示す切断線Ｃに沿って切断することにより、複数の発光素子搭載用パッケージ１０が完成する。図１４に示す構造体は、例えば、ダイシングブレード等により切断できる。
【００５５】
発光素子搭載用パッケージ１０は、図１に示す構造体（発光素子搭載用パッケージ１０の単体）を１つの製品として出荷してもよいし、図１４に示す構造体（発光素子搭載用パッケージ１０の集合体）を１つの製品として出荷してもよい。
【００５６】
ＬＥＤモジュール１００を製造する場合には、図１６に示す工程のように、発光素子搭載用パッケージ１０の各発光素子搭載領域５１にそれぞれＬＥＤ１１０を搭載する。各ＬＥＤ１１０には、一方の電極端子となるバンプ１１０ａと、他方の電極端子となるバンプ１１０ｂが形成されている。各ＬＥＤ１１０は、例えば、各発光素子搭載領域５１にフリップチップ接続することができる。
【００５７】
次に、図１７に示す工程では、ＬＥＤ１１０を封止樹脂１２０により封止する。封止樹脂１２０としては、例えば、エポキシ系やシリコーン系等の絶縁性樹脂に蛍光体を含有させた樹脂を用いることができる。封止樹脂１２０は、例えば、トランスファーモールドやポッティングにより形成できる。これにより、ＬＥＤモジュール１００が完成する。なお、複数のＬＥＤ１１０をまとめて封止する代わりに、個々のＬＥＤ１１０を個別に封止してもよい。
【００５８】
なお、ＬＥＤモジュール１００を製造する場合には、以下のようにしてもよい。すなわち、図１４に示す工程の後（図１４に示す構造体を切断線Ｃで切断する前）、図１８に示す工程のように、図１４に示す構造体の各発光素子搭載用パッケージ１０となる部分に複数のＬＥＤ１１０を搭載する。そして、図１９に示す工程のように、各発光素子搭載用パッケージ１０となる部分において、ＬＥＤ１１０を封止樹脂１２０により封止する。その後、図２０に示すように、図１９に示す構造体を図１９に示す切断線Ｃに沿って切断することにより、複数のＬＥＤモジュール１００が完成する。
【００５９】
このように、本実施の形態に係る発光素子搭載用パッケージでは、配線上に電解めっき法により電解めっき膜を形成した後、反射膜を形成する。つまり、従来の発光素子搭載用パッケージのように、反射膜を形成した後、反射膜から露出する配線上に無電解めっき法によりめっき膜を形成する工程を有さない。その結果、従来の発光素子搭載用パッケージのように反射膜がめっき液中に浸漬されることがないため、反射膜の特性劣化、より具体的には、反射膜の反射率の低下を抑制できる。
【００６０】
又、従来の発光素子搭載用パッケージのように反射膜がめっき液中に浸漬されると、反射膜を構成する成分がめっき液中に溶出してめっき液の品質を劣化させる虞がある。本実施の形態に係る発光素子搭載用パッケージでは、反射膜がめっき液中に浸漬されることがないため、めっき液の品質劣化を回避できる。
【００６１】
又、発光素子搭載領域は電解めっき膜で構成されているため、発光素子搭載領域を無電解めっき膜で構成した場合に比べて、安定した品質のめっき膜を形成でき、発光素子搭載領域に搭載される発光素子との接続信頼性を向上できる。
【００６２】
〈第２の実施の形態〉
第２の実施の形態では、第１の実施の形態とは異なる発光素子搭載用パッケージの製造方法の例を示す。なお、第２の実施の形態において、既に説明した実施の形態と同一構成部品についての説明は省略する。
【００６３】
図２１〜図２９は、第２の実施の形態に係る発光素子搭載用パッケージの製造工程を例示する図である。まず、第１の実施の形態の図５及び図６に示す工程を実行し、その後、図２１に示す工程では、表面が粗化処理されていない金属層４０Ａの一方の面に、電解めっき膜５０に対応する開口部３００ｘを有するレジスト層３００を形成する。レジスト層３００の形成方法は、図８に示す工程と同様とすることができる。
【００６４】
次に、図２２に示す工程では、図９に示す工程と同様にして、金属層４０Ａをめっき給電層に利用する電解めっき法により、金属層４０Ａの一方の面の開口部３００ｘ内に、電解めっき膜５０を形成する。電解めっき膜５０の種類や厚さ等は前述の通りである。なお、Ａｇ膜又はＡｇ合金膜は反射率が高いため、最表層がＡｇ膜又はＡｇ合金膜となるように電解めっき膜５０を形成すると、発光素子の照射する光の反射率を上げることができ好適である。
【００６５】
次に、図２３に示す工程では、図１０に示す工程と同様にして、図２２に示すレジスト層３００を除去する。これにより、金属層４０Ａの一方の面に、発光素子搭載領域５１、第１電極部５２、及び第２電極部５３を含む電解めっき膜５０が形成される。なお、図２３に対応する平面図は図１０（ａ）と同様である。
【００６６】
次に、図２４に示す工程では、図１１に示す工程と同様にして、金属層４０Ａの一方の面に、発光素子搭載部４０の配線４１〜４５に対応するレジスト層３１０を形成する。次に、図２５に示す工程では、図１２に示す工程と同様にして、開口部３１０ｘ内に露出する金属層４０Ａを除去し、配線４１〜４５を含む発光素子搭載部４０を形成する。
【００６７】
次に、図２６に示す工程では、図１３に示す工程と同様にして、図１２に示すレジスト層３１０を除去する。これにより、絶縁層３０上に配線４１〜４５を含む発光素子搭載部４０、並びに、発光素子搭載領域５１、第１電極部５２、及び第２電極部５３を含む電解めっき膜５０が形成される。なお、図２６に対応する平面図は図１３（ａ）と同様である。
【００６８】
次に、図２７に示す工程では、発光素子搭載部４０の配線４１〜４５の一方の面（絶縁層３０に接する面の反対面）において、電解めっき膜５０が形成されていない部分を粗化する。粗化の方法は、図７と同様とすることができる。なお、ＣＺ処理では、銅に対して選択的に化学的研磨（マイクロエッチング）を施すことができるため、配線４１〜４５の一方の面において、電解めっき膜５０が形成されていない部分を好適に粗化できる。
【００６９】
次に、図２８に示す工程では、図１４に示す工程と同様にして、発光素子搭載部４０及び電解めっき膜５０を覆うように、絶縁層３０上に開口部６０ｘを有する反射膜６０を形成する。発光素子搭載部４０の配線４１〜４５の一方の面において、電解めっき膜５０が形成されていない部分の表面は粗化されているため、アンカー効果により、反射膜６０との密着性を向上できる。各開口部６０ｘ内には各発光素子搭載領域５１の一部が露出する。なお、各開口部６０ｘ内に、各発光素子搭載領域５１の全部を露出してもよい。
【００７０】
次に、図２９に示す工程では、図２８に示す構造体を図２８に示す切断線Ｃに沿って切断することにより、複数の発光素子搭載用パッケージ１０が完成する。図２８に示す構造体は、例えば、ダイシングブレード等により切断できる。
【００７１】
このように、金属層４０Ａの状態で粗化処理を施してもよいし、金属層４０Ａから配線４１〜４５を形成し、その後、配線４１〜４５の表面の一部に粗化処理を施してもよい。
【００７２】
〈第３の実施の形態〉
第３の実施の形態では、第１の実施の形態とは異なる発光素子搭載用パッケージの製造方法の他の例を示す。なお、第３の実施の形態において、既に説明した実施の形態と同一構成部品についての説明は省略する。
【００７３】
図３０〜図３７は、第３の実施の形態に係る発光素子搭載用パッケージの製造工程を例示する図である。まず、第１の実施の形態の図５及び図６に示す工程を実行し、その後、図３０に示す工程では、表面が粗化処理されていない金属層４０Ａの一方の面にレジスト層３２０を形成する。レジスト層３２０は、発光素子搭載部４０の配線４１〜４５に対応する領域上と、後述する枠部２１０及び連結部２２０に対応する領域上に形成する。レジスト層３２０の形成方法は、図８に示す工程のレジスト層３００と同様とすることができる。
【００７４】
なお、図３０に示す工程の前に、図７に示す工程と同様にして、金属層４０Ａの一方の面に粗化処理を施してもよい。この場合には、後述する図３２に示す工程は不要となる。
【００７５】
次に、図３１に示す工程では、開口部３２０ｘ内に露出する金属層４０Ａを除去し、更にレジスト層３２０を除去する。金属層４０Ａが銅箔である場合には、例えば、塩化第二鉄水溶液や塩化第二銅水溶液、過硫酸アンモニウム水溶液等を用いたウェットエッチングにより除去できる。これにより、発光素子搭載部４０の配線４１〜４５がそれぞれ連結部２２０を介して枠部２１０と連結された構造が形成される。つまり、この工程により、複数の配線（配線４１〜４５）が所定の間隔を隔てて配置された発光素子搭載部４０、及び、配線４１〜４５に電解めっきを行う際のバスラインとなる枠部２１０及び連結部２２０が形成される。
【００７６】
次に、図３２に示す工程では、発光素子搭載部４０の配線４１〜４５の一方の面（絶縁層３０に接する面の反対面）を粗化する。粗化の方法は、図７と同様とすることができる。次に、図３３に示す工程では、電解めっき膜５０に対応する開口部３３０ｘを有するレジスト層３３０を形成する。レジスト層３３０の形成方法は、図８に示す工程のレジスト層３００と同様とすることができる。
【００７７】
次に、図３４に示す工程では、枠部２１０及び連結部２２０（バスライン）を利用する電解めっき法により、発光素子搭載部４０の配線４１〜４５の一方の面の開口部３３０ｘ内に、電解めっき膜５０を形成する。その後、レジスト層３３０を除去する。この工程により、所定の間隔を隔てて形成された一対の電解めっき膜からなる発光素子搭載領域５１が形成される。又、第１電極部５２及び第２電極部５３が形成される。電解めっき膜５０の種類や厚さ等は前述の通りである。なお、Ａｇ膜又はＡｇ合金膜は反射率が高いため、最表層がＡｇ膜又はＡｇ合金膜となるように電解めっき膜５０を形成すると、発光素子の照射する光の反射率を上げることができ好適である。
【００７８】
次に、図３５に示す工程では、発光素子搭載部４０の配線４１〜４５上及び隣接する配線の間の絶縁層３０上にレジスト層３４０を形成する。レジスト層３４０の形成方法は、図８に示す工程のレジスト層３００と同様とすることができる。次に、図３６に示す工程では、枠部２１０及び連結部２２０（バスライン）を除去する。枠部２１０及び連結部２２０が銅である場合には、例えば、塩化第二鉄水溶液や塩化第二銅水溶液、過硫酸アンモニウム水溶液等を用いたウェットエッチングにより除去できる。
【００７９】
次に、図３７に示す工程では、レジスト層３４０を除去する。次に、図３７に示す工程の後、図１４に示す工程と同様にして、発光素子搭載部４０及び電解めっき膜５０を覆うように、絶縁層３０上に開口部６０ｘを有する反射膜６０を形成し、切断線Ｃに沿って切断することにより、複数の発光素子搭載用パッケージ１０が完成する。
【００８０】
このように、金属層４０Ａをめっき給電層に利用して金属層４０Ａの表面に電解めっきを施してもよいし、金属層４０Ａから配線４１〜４５及びバスライン（枠部２１０及び連結部２２０）を形成し、バスラインを利用して配線４１〜４５の表面に電解めっきを施してもよい。
【００８１】
なお、本実施の形態に係る発光素子搭載用パッケージは、電解めっき後にバスラインを除去する工程を有するため、最終的には（出荷形態としては）バスラインを有しない構造となる。そのため、個片化する際の切断により、バスラインの端面が発光素子搭載用パッケージの側面から露出することがない。バスラインの端面が発光素子搭載用パッケージの側面から露出すると、バスラインの端面と金属板の側面との距離が近い場合には、バリ等によりバスラインの端面と金属板の側面とが短絡する虞がある。本実施の形態に係る発光素子搭載用パッケージでは、このような問題を回避できる。
【００８２】
〈第４の実施の形態〉
第４の実施の形態では、第１の実施の形態とは異なるパターン形状の配線の例を示す。なお、第４の実施の形態において、既に説明した実施の形態と同一構成部品についての説明は省略する。
【００８３】
図３８は、第４の実施の形態に係る発光素子搭載用パッケージを例示する平面図（その１）である。図３９は、第４の実施の形態に係る発光素子搭載用パッケージを例示する平面図（その２）であり、図３８において反射膜６０を省略した図である。
【００８４】
図３８及び図３９を参照するに、発光素子搭載用パッケージ１０Ａにおいて、発光素子搭載部７０は、互いに電気的に独立した配線７１〜８７を有する。なお、図示はしないが、発光素子搭載部７０は、発光素子搭載部４０と同様に、絶縁層３０上に形成されている。
【００８５】
配線７１〜８７は、例えば、平面視して矩形状に形成され、各配線のＹ方向に平行な辺同士が対向するように、所定の間隔を隔てて配置されている。但し、配線７５、７９、及び８３のＹ方向の長さは、他の配線のＹ方向の長さよりも大きく、例えば、他の配線のＹ方向の長さの２倍程度に形成されている。
【００８６】
配線７１〜７４及び配線７５の一部は、Ｘ−方向に向って所定間隔でこの順に並設されている。又、配線７５の残部、配線７６〜７８、及び配線７９一部は、Ｘ＋方向に向って所定間隔でこの順に並設されている。又、配線７９の残部、配線８０〜８２、及び配線８３一部は、Ｘ−方向に向って所定間隔でこの順に並設されている。又、配線８３の残部、配線８４〜８７は、Ｘ＋方向に向って所定間隔でこの順に並設されている。つまり、配線７１〜８７は、平面視において、配線７５、７９、及び８３の部分で屈曲する矩形波状に配置されている。
【００８７】
配線７５、７９、及び８３を除く配線７１〜８７において、Ｘ方向に平行な辺の長さは例えば１〜５ｍｍ程度、Ｙ方向に平行な辺の長さは例えば１〜５ｍｍ程度とすることができる。又、配線７５、７９、及び８３において、Ｘ方向に平行な辺の長さは例えば１〜５ｍｍ程度、Ｙ方向に平行な辺の長さは例えば２〜１０ｍｍ程度とすることができる。配線７１〜８７において、隣接する配線の間隔（Ｘ方向）は例えば５０〜１００μｍ程度とすることができる。
【００８８】
配線７１〜８７の所定の領域には、電解めっき膜９０が形成されている。電解めっき膜９０を形成する目的は、それぞれの部分に接続される部材等との接続信頼性を向上させるためである。電解めっき膜９０の材料や厚さは、電解めっき膜５０と同様とすることができる。
【００８９】
電解めっき膜９０において、隣接する配線に対向するように形成された部分は、発光素子搭載領域９１を構成している。発光素子搭載領域９１は、例えば、平面形状が半円状の電解めっき膜が隣接する配線に対向するように形成された部分であり、１つの発光素子搭載領域９１に２端子（４端子等でもよい）の１つの発光素子を搭載可能とされている。
【００９０】
配線７１には、電解めっき膜９０により、第１電極部９２が形成されている。第１電極部９２は、発光素子搭載領域９１の配線７１に形成された部分と電気的に接続されている。又、配線８７には、電解めっき膜９０により、第２電極部９３が形成されている。第２電極部９３は、発光素子搭載領域９１の配線８７に形成された部分と電気的に接続されている。第１電極部９２及び第２電極部９３は、例えば、発光素子搭載用パッケージ１０Ａの外部に配置される電源や駆動回路等に接続される部分である。
【００９１】
このように、発光素子搭載部７０の配線７１〜８７は、平面視において、配線７５、７９、及び８３の部分で屈曲する矩形波状に配置されており、隣接する配線には発光素子搭載領域９１が形成されている。又、矩形波状に配置された配線の両端部となる配線７１及び８７には、それぞれ第１電極部９２及び第２電極部９３が形成されている。これにより、発光素子は、第１電極部９２と第２電極部９３との間に配置された各発光素子搭載領域９１に直列に搭載される。
【００９２】
なお、発光素子搭載用パッケージ１０Ａは、第１〜第３の実施の形態と同様の工程により製造できる。
【００９３】
このように、発光素子搭載用パッケージにおいて、発光素子搭載部は、第１の実施の形態のように発光素子を直列及び並列に搭載可能に形成されてもよいし、本実施の形態のように発光素子を直列のみに搭載可能に形成されてもよい。
【００９４】
〈第５の実施の形態〉
第５の実施の形態では、第１の実施の形態とは異なる発光素子パッケージの例を示す。なお、第５の実施の形態において、既に説明した実施の形態と同一構成部品についての説明は省略する。
【００９５】
図４０は、第５の実施の形態に係る発光素子パッケージを例示する断面図（その１）である。図４１は、第５の実施の形態に係る発光素子パッケージを例示する断面図（その２）である。図４２は、第５の実施の形態に係る発光素子パッケージを例示する断面図（その３）である。
【００９６】
図４に示す発光素子パッケージ１００では、発光素子１１０が、隣接する配線にフリップチップ接合されていた。一方、図４０を参照するに、発光素子パッケージ１００Ａでは、発光素子１１０が絶縁層１１１を介して各配線上に固定され、隣接する配線に金属細線１１２によりワイヤボンディング接合されている。
【００９７】
又、図４１を参照するに、発光素子パッケージ１００Ｂでは、セラミック等からなるサブマウント基板１４１上に搭載された発光素子チップ１４２が、隣接する配線にバンプ１４５を介してフリップチップ接合されている。なお、サブマウント基板１４１上に搭載された発光素子チップ１４２の周囲には反射板１４３が配置され、発光素子チップ１４２は封止樹脂１４４で封止されている。
【００９８】
又、図４２を参照するに、発光素子パッケージ１００Ｃでは、サブマウント基板１４１上に搭載された発光素子チップ１４２が、隣接する配線に金属細線１４６によりワイヤボンディング接合されている。なお、図４１と同様に、サブマウント基板１４１上に搭載された発光素子チップ１４２の周囲には反射板１４３が配置され、発光素子チップ１４２は封止樹脂１４４で封止されている。
【００９９】
このように、発光素子搭載用パッケージに発光素子（例えば、ＬＥＤ）をワイヤボンディング接合して発光素子パッケージとしてもよい。又、発光素子搭載用パッケージに発光素子サブマウント（例えば、ＬＥＤサブマウント）をフリップチップ接合やワイヤボンディング接合して発光素子パッケージとしてもよい。
【０１００】
以上、好ましい実施の形態について詳説したが、上述した実施の形態に制限されることはなく、特許請求の範囲に記載された範囲を逸脱することなく、上述した実施の形態に種々の変形及び置換を加えることができる。
【０１０１】
例えば、第２〜第４の実施の形態に係る発光素子搭載用パッケージに発光素子を搭載し、発光素子パッケージを実現できる。
【０１０２】
又、第２、第３の実施の形態において、第１の実施の形態の図１８〜図２０に相当する工程を採用してもよい。
【０１０３】
又、発光素子搭載用パッケージは、１つの発光素子のみを搭載可能な構造であってもよい。
【０１０４】
又、搭載される発光素子は、プリモールドやセラミックサブマウント基板に実装されたものでも良い。
【符号の説明】
【０１０５】
１０、１０Ａ  発光素子搭載用パッケージ
２０  放熱板
３０  絶縁層
４０、７０  発光素子搭載部
４０Ａ  金属層
４１〜４５、７１〜８７  配線
５０、９０  電解めっき膜
５１、９１  発光素子搭載領域
５２、９２  第１電極部
５３、９３  第２電極部
６０  反射膜
６０ｘ、３００ｘ、３１０ｘ、３２０ｘ、３３０ｘ  開口部
１００、１００Ａ、１００Ｂ、１００Ｃ  発光素子パッケージ
１１０  発光素子
１１０ａ、１１０ｂ、１４５  バンプ
１１１  絶縁層
１１２、１４６  金属細線
１２０  封止樹脂
１４１  サブマウント基板
１４２  発光素子チップ
１４３  反射板
１４４  封止樹脂
２００  基材
２１０  枠部
２２０  連結部
３００、３１０、３２０、３３０、３４０  レジスト層
Ｃ  切断線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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【図４１】
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【図４２】
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