(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
シンジオタクチック構造のスチレン系重合体を主たる構成成分とする二軸延伸フィルムであって、平均粒径が０．２μｍ以上３．０μｍ以下、粒径の相対標準偏差が０．５以下の不活性微粒子Ａを０．０１質量％以上１．５質量％以下と、フェノール系もしくはアミン系の酸化防止剤を０．５質量％以上５質量％以下とを含有し、含有する不活性粒子の粒度分布をみたときに不活性微粒子Ａの１つのピークを有し、酸化防止剤の熱分解温度が２８０℃以上で、厚み方向の屈折率が１．６０５０以上１．６５５０以下である高絶縁性フィルム。
【請求項２】
不活性微粒子Ａが、粒径比が１．０以上１．３以下の球状粒子である請求項１に記載の高絶縁性フィルム。
【請求項３】
不活性微粒子Ａが球状高分子樹脂粒子である請求項２に記載の高絶縁性フィルム。
【請求項４】
不活性微粒子Ａが球状シリカ粒子である請求項２に記載の高絶縁性フィルム。
【請求項５】
フィルム厚みが０．４μｍ以上６．５μｍ未満である請求項１〜４のいずれか１項に記載の高絶縁性フィルム。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項に記載の高絶縁性フィルムを用いたコンデンサー。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高絶縁性フィルムに関する。さらに詳しくは、電気的特性および耐熱性が良好で、特に高い絶縁破壊電圧を有する高絶縁性フィルムに関する。
【背景技術】
【０００２】
シンジオタクチックポリスチレン系樹脂組成物からなる延伸フィルムは、耐熱性、耐薬品性、耐熱水性、誘電特性、電気絶縁性等に優れたフィルムであり、様々な用途への適用が期待されている。特に、誘電特性に優れ、高い電気絶縁性と耐熱性を有するためにコンデンサーの絶縁体として用いられている。例えば特許文献１〜４には、コンデンサー用シンジオタクチックポリスチレン系二軸延伸フィルムが提唱されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平３−１２４７５０号公報
【特許文献２】特開平６−８０７９３号公報
【特許文献３】特開平７−１５６２６３号公報
【特許文献４】特開平８−２８３４９６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１〜４に開示されているシンジオタクチックポリスチレン系フィルムは、コンデンサーの絶縁体として使用され得るものであるが、例えば、近年のハイブリッドカーに搭載されるコンデンサーのようなより高性能なコンデンサーにおいては、絶縁破壊電圧等の電気的特性高および耐熱性により優れたフィルムが要求されている。
【０００５】
また、コンデンサーの静電容量を向上する、あるいはコンデンサーを小型化する目的において、絶縁体となるフィルムとしてはさらなる薄膜化が要求されているが、一般的には薄膜化に伴い取り扱い性が低下してしまう。そこで、薄膜化したとしても、フィルム製造工程における生産性を低下させず、また近年要求されているコンデンサーの製造速度に適応できるように、取り扱い性により優れたフィルムが要求されている。
【０００６】
本発明は、上記問題を解決するためになされたものであり、その目的は、電気的特性、耐熱性、巻取り性および加工性等の取り扱い性に優れた高絶縁性フィルムを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意検討した結果、特定の不活性微粒子および酸化防止剤を配合したシンジオタクチックポリスチレン系二軸延伸フィルムにおいて、特定の配向構造とすることによって、高い絶縁破壊電圧を有し、耐熱性および取り扱い性に優れた高絶縁性フィルムが得られることを見出し、本発明に到達した。
【０００８】
すなわち本発明は、シンジオタクチック構造のスチレン系重合体を主たる構成成分とする二軸延伸フィルムであって、平均粒径が０．２μｍ以上３．０μｍ以下、粒径の相対標準偏差が０．５以下の不活性微粒子Ａを０．０１質量％以上１．５質量％以下と、フェノール系もしくはアミン系の酸化防止剤を０．５質量％以上５質量％以下とを含有し、含有する不活性粒子の粒度分布をみたときに不活性微粒子Ａの１つのピークを有し、酸化防止剤の熱分解温度が２８０℃以上で、厚み方向の屈折率が１．６０５０以上１．６５５０以下である高絶縁性フィルムである。
【０００９】
さらに本発明は、不活性微粒子Ａが、粒径比が１．０以上１．３以下の球状粒子であること、不活性微粒子Ａが球状高分子樹脂粒子であること、不活性微粒子Ａが球状シリカ粒子であること、フィルム厚みが０．４μｍ以上６．５μｍ未満であることのうち、少なくとも１つの態様を具備することによって、さらに優れた高絶縁性フィルムを得ることができる。                                                                                     
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、電気的特性、耐熱性、取り扱い性に優れた高絶縁性フィルムを得ることができる。特に、高い絶縁破壊電圧を有する高絶縁性フィルムを得ることができる。従って、本発明によって得られた高絶縁性フィルムはコンデンサーの絶縁体として好適に用いることができる。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
本発明の高絶縁性フィルムは、後述するスチレン系重合体を主たる構成成分とする二軸延伸フィルムである。また、本発明の高絶縁性フィルムは、後述する微粒子、および酸化防止剤を含有する。以下、本発明の高絶縁性フィルムを構成する各構成成分について説明する。
【００１２】
＜スチレン系重合体＞
本発明におけるスチレン系重合体は、シンジオタクチック構造のスチレン系重合体であり、すなわち炭素−炭素結合から形成される主鎖に対して、側鎖であるフェニル基や置換フェニル基が交互に反対方向に位置する立体構造を有するものである。一般にタクティシティーは、同位体炭素による核磁気共鳴法（１３Ｃ−ＮＭＲ法）により定量され、連続する複数個の構成単位の存在割合、例えば２個の場合はダイアッド、３個の場合はトリアッド、５個の場合はペンタッド等によって示すことができる。本発明においては、シンジオタクチック構造のスチレン系重合体とは、ラセミダイアッド（ｒ）で７５％以上、好ましくは８５％以上、あるいはラセミペンタッド（ｒｒｒｒ）で３０％以上、好ましくは５０％以上のシンジオタクティシティーを有するポリスチレン、ポリ（アルキルスチレン）、ポリ（ハロゲン化スチレン）、ポリ（アルコキシスチレン）、ポリ（ビニル安息香酸エステル）、あるいはこれらのベンゼン環の一部が水素化された重合体やこれらの混合物、またはこれらの構造単位を含む共重合体を指称する。なお、ここでポリ（アルキルスチレン）としては、ポリ（メチルスチレン）、ポリ（エチルスチレン）、ポリ（プロピルスチレン）、ポリ（ブチルスチレン）、ポリ（フェニルスチレン）、ポリ（ビニルナフタレン）、ポリ（ビニルスチレン）、ポリ（アセナフチレン）等があり、ポリ（ハロゲン化スチレン）としては、ポリ（クロロスチレン）、ポリ（ブロモスチレン）、ポリ（フロオロスチレン）等がある。また、ポリ（アルコキシスチレン）としては、ポリ（メトキシスチレン）、ポリ（エトキシスチレン）等がある。これらのうち、特に好ましいスチレン系重合体としては、ポリスチレン、ポリ（ｐ−メチルスチレン）、ポリ（ｍ−メチルスチレン）、ポリ（ｐ−ターシャリーブチルスチレン）、ポリ（ｐ−クロロスチレン）、ポリ（ｍ−クロロスチレン）、ポリ（ｐ−フルオロスチレン）、またスチレンとｐ−メチルスチレンとの共重合体が挙げられる。
【００１３】
さらに、本発明におけるスチレン系重合体に共重合成分を含有させて共重合体として使用する場合においては、そのコモノマーとしては、上述の如きスチレン系重合体のモノマーのほか、エチレン、プロピレン、ブテン、ヘキセン、オクテン等のオレフィンモノマー、ブタジエン、イソプレン等のジエンモノマー、環状ジエンモノマーやメタクリル酸メチル、無水マレイン酸、アクリロニトリル等の極性ビニルモノマー等が挙げられる。
【００１４】
スチレン系重合体の重量平均分子量は、好ましくは１．０×１０４以上３．０×１０６以下であり、さらに好ましくは５．０×１０４以上１．５×１０６以下であり、特に好ましは１．１×１０５以上８．０×１０５以下である。重量平均分子量を１．０×１０４以上とすることで、強伸度特性に優れ、耐熱性がより向上したフィルムを得ることができる。また、重量平均分子量が３．０×１０６以下だと、延伸張力が好適な範囲となり、製膜時等において破断等が発生しにくくなる。
【００１５】
このようなシンジオタクチック構造のスチレン系重合体の製造方法は、例えば特開昭６２−１８７７０８号公報に開示されている。すなわち、不活性炭化水素溶媒中または溶媒の不存在下において、チタン化合物および水と有機アルミニウム化合物、特にトリアルキルアルミニウムとの縮合生成物を触媒として、スチレン系単量体（上記スチレン系重合体に対応する単量体）を重合することにより製造することができる。また、ポリ（ハロゲン化アルキルスチレン）については、特開平１−１４６９１２号公報に、水素化重合体は特開平１−１７８５０５号公報にそれぞれ開示されている。
【００１６】
本発明におけるシンジオタクチック構造のスチレン系重合体には、必要に応じて公知の帯電防止剤等の添加剤を適量配合することができる。これらの配合量は、スチレン系重合体１００質量部に対して１０質量部以下が好ましい。１０質量部を越えると、延伸時に破断を起こしやすくなり、生産安定性が不良となるので好ましくない。
このようなシンジオタクチック構造のスチレン系重合体は、従来のアタクチック構造のスチレン系重合体に比べて耐熱性が格段に優れている。
【００１７】
＜酸化防止剤＞
本発明においては、前記スチレン系重合体を主たる構成成分とする二軸延伸フィルムが特定の量の酸化防止剤を含有することによって、電気的特性を高いものとすることができる。
かかる酸化防止剤としては、生成したラジカルを捕捉して酸化を防止する一次酸化防止剤、あるいは生成したパーオキサイドを分解して酸化を防止する二次酸化防止剤のいずれであってもよく、一次酸化防止剤としてはフェノール系酸化防止剤、アミン系酸化防止剤があげられ、二次酸化防止剤としてはリン系酸化防止剤、硫黄系酸化防止剤があげられる。
【００１８】
フェノール系酸化防止剤の具体例としては、２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−メチルフェノール、２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−エチルフェノール、２−ｔ−ブチル−４−メトキシフェノール、３−ｔ−ブチル−４−メトキシフェノール、２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−〔４，６−ビス（オクチルチオ）−１，３，５−トリアジン−２−イルアミノ〕フェノール、ｎ−オクタデシル−３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート等のモノフェノール系酸化防止剤、２，２’−メチレンビス（４−メチル−６−ｔ−ブチルフェノール）、２，２’−メチレンビス（４−エチル−６−ｔ−ブチルフェノール）、４，４’−チオビス（３−メチル−６−ｔ−ブチルフェノール）、４，４’−ブチリデンビス（３−メチル−６−ｔ−ブチルフェノール）、Ｎ，Ｎ’−ビス〔３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオニル〕ヒドラジン、Ｎ、Ｎ’−ヘキサン−１，６−ジイルビス［３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオンアミド］、３，９−ビス〔１，１−ジメチル−２−〔β−（３−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）プロピオニルオキシ〕エチル〕２，４，８，１０−テトラオキサスピロ〔５．５〕ウンデカン等のビスフェノール系酸化防止剤、１，１，３−トリス（２−メチル−４−ヒドロキシ−５−ｔ−ブチルフェニル）ブタン、１，３，５−トリメチル−２，４，６−トリス（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル）ベンゼン、ペンタエリスリトールテトラキス〔３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート〕、ビス〔３，３’−ビス−（４’−ヒドロキシ−３’−ｔ−ブチルフェニル）ブチリックアシッド〕グリコールエステル、１，３，５−トリス（３’，５’−ジ−ｔ−ブチル−４’−ヒドロキシベンジル）−ｓｅｃ−トリアジン−２，４，６−（１Ｈ，３Ｈ，５Ｈ）トリオン、ｄ−α−トコフェノール等の高分子型フェノール系酸化防止剤を挙げることができる。
【００１９】
アミン系酸化防止剤の具体例としては、アルキル置換ジフェニルアミン等を挙げることができる。
【００２０】
リン系酸化防止剤の具体例としては、トリフェニルホスファイト、ジフェニルイソデシルホスファイト、フェニルジイソデシルホスファイト、４，４’−ブチリデン−ビス（３−メチル−６−ｔ−ブチルフェニルジトリデシル）ホスファイト、オクタデシルホスファイト、トリス（ノニルフェニル）ホスファイト、ジイソデシルペンタエリスリトールジホスファイト、９，１０−ジヒドロ−９−オキサ−１０−ホスファフェナントレン−１０−オキサイド、１０−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル）−９，１０−ジヒドロ−９−オキサ−１０−ホスファフェナントレン−１０−オキサイド、１０−デシロキシ−９，１０−ジヒドロ−９−オキサ−１０−ホスファフェナントレン、トリス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）ホスファイト、サイクリックネオペンタンテトライルビス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）ホスファイト、サイクリックネオペンタンテトライルビス（２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−メチルフェニル）ホスファイト、２，２’−メチレンビス（４，６−ジ−ｔ−ブチルフェニル）オクチルホスファイト等を挙げることができる。
【００２１】
硫黄系酸化防止剤の具体例としては、ジラウリル−３，３’−チオジプロピオネート、ジミリスチル−３，３’−チオジプロピオネート、ジステアリル−３，３’−チオジプロピオネート、ペンタエリスリトールテトラキス（３−ラウリルチオプロピオネート）、２−メルカプトベンズイミダゾール等を挙げることができる。
本発明における酸化防止剤は、特に耐腐食性により優れ、絶縁破壊電圧の向上効果をより高めることができるという観点から、一次酸化防止剤が好ましく、フェノール系酸化防止剤が特に好ましい。
【００２２】
本発明における酸化防止剤は、その熱分解温度が２５０℃以上であることが好ましい。熱分解温度が低すぎる場合は、溶融押出時に酸化防止剤自体が熱分解してしまい、工程を汚染してしまう、ポリマーが黄色く着色してしまう等の問題が生じやすくなる傾向にあり好ましくない。このような観点から、酸化防止剤の熱分解温度は、より好ましくは２８０℃以上、さらに好ましくは３００℃以上、特に好ましくは３２０℃以上である。本発明における酸化防止剤は、熱分解しにくい方が好ましく、熱分解温度は高い方が好ましいが、現実的には、その上限は５００℃以下程度である。
【００２３】
また、本発明における酸化防止剤の融点は、９０℃以上であることが好ましい。融点が低すぎる場合は、溶融押出時に酸化防止剤がポリマーより早く融解してしまい、押出機のスクリュー供給部分においてポリマーがスリップしてしまう傾向にある。それによって、ポリマーの供給が不安定となり、フィルムの厚み斑が悪くなる等の問題が生じる。このような観点から、酸化防止剤の融点の下限は、より好ましくは１２０℃以上、さらに好ましくは１５０℃以上、特に好ましくは２００℃以上である。他方、酸化防止剤の融点が高すぎる場合は、溶融押出時に酸化防止剤が融解しにくくなり、ポリマー内での分散が悪くなってしまう傾向にある。それにより、酸化防止剤の添加効果が局所的にしか発現しない等の問題が生じる。このような観点から、酸化防止剤の融点の上限は、好ましくは３００℃以下、より好ましくは２５０℃以下、さらに好ましくは２２０℃以下、特に好ましくは１７０℃以下である。
【００２４】
以上のような酸化防止剤としては、市販品をそのまま用いることもできる。市販品としては、例えば、ペンタエリスリトールテトラキス〔３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート〕（チバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製：商品名ＩＲＧＡＮＯＸ１０１０）、Ｎ，Ｎ’−ビス〔３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオニル〕ヒドラジン（チバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製：商品名ＩＲＧＡＮＯＸ１０２４）、Ｎ，Ｎ’−ヘキサン−１，６−ジイルビス〔３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオンアミド〕（チバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製：商品名ＩＲＧＡＮＯＸ１０９８）等が好ましく例示される。
【００２５】
本発明の高絶縁性フィルムは、上記酸化防止剤を、高絶縁性フィルムの質量を基準として０．１質量％以上８質量％以下含有する。酸化防止剤の含有量を上記数値範囲とすることによって、絶縁破壊電圧に優れる。酸化防止剤の含有量が少なすぎる場合は、酸化防止剤の添加効果が十分でなく、絶縁破壊電圧が低下する傾向にあり、電気的特性に劣るものとなる。このような観点から、酸化防止剤の含有量の下限は、０．２質量％以上が好ましく、０．５質量％以上がさらに好ましく、１質量％以上が特に好ましい。他方、含有量が多すぎる場合は、フィルム中において酸化防止剤が凝集しやすくなる傾向にあり、酸化防止剤に起因する欠点が増加する傾向にあり、絶縁破壊電圧が低くなる。このような観点から、酸化防止剤の含有量の上限は、７質量％以下が好ましく、５質量％以下がさらに好ましく、３質量％以下が特に好ましい。
【００２６】
上記のような酸化防止剤は、１種類を単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。２種類以上を併用する場合は、２種類以上の一次酸化防止剤を用いる態様でもよいし、２種類以上の二次酸化防止剤を用いる態様でもよいし、１種類以上の一次酸化防止剤と１種類以上の二次酸化防止剤を併用してもよい。例えば、一次酸化防止剤と二次酸化防止剤との２種類の酸化防止剤を併用することによって、一次酸化および二次酸化の両方の酸化を防止することが期待できる。本発明においては、中でも一次酸化防止剤を単独で用いる態様、あるいは２種類以上の一次酸化防止剤を用いる態様が、絶縁破壊電圧の向上効果をより高くすることができるという観点から好ましく、特にフェノール系酸化防止剤を単独で用いる態様、あるいは２種類以上のフェノール系酸化防止剤を用いる態様が好ましい。
【００２７】
＜不活性微粒子Ａ＞
本発明の高絶縁性フィルムは、平均粒径および粒径の相対標準偏差が特定の数値範囲にある不活性微粒子Ａを含有する。
本発明における不活性微粒子Ａの平均粒径は、０．２μｍ以上３．０μｍ以下である。不活性微粒子Ａの平均粒径を上記数値範囲とすることによって、高い絶縁破壊電圧を保ったまま、フィルムのエアー抜け性を良好なものとすることができ、巻取り性に優れた高絶縁性フィルムを得ることができる。不活性微粒子Ａの平均粒径が小さすぎる場合は、十分なエアー抜け性が得られなくなる傾向にあり、巻取り性に劣るものとなる。他方、大きすぎる場合は、フィルム中のボイドの大きさが増大する傾向にあり、絶縁破壊電圧が低くなる。このような観点から、不活性微粒子Ａの平均粒径は、好ましくは０．２５μｍ以上２．０μｍ以下、さら好ましくは０．４μｍ以上１．６μｍ以下、特に好ましくは１．０μｍ以上１．２μｍ以下である。
【００２８】
また、本発明における不活性微粒子Ａは、その粒径の相対標準偏差が０．５以下である。粒径の相対標準偏差を上記数値範囲とすることによって、フィルム表面の突起の高さが均一となり、巻取り性に優れた高絶縁性フィルムを得ることができる。また、粗大粒子や粗大突起が少なくなり、絶縁破壊電圧に優れた高絶縁性フィルムを得ることができる。このような観点から、不活性微粒子Ａの粒径の相対標準偏差は、好ましくは０．４以下、さらに好ましくは０．３以下、特に好ましくは０．２以下である。
【００２９】
さらに、本発明における不活性微粒子Ａは、粒径比が１．０以上１．３以下の球状粒子であることが好ましい。粒径比は、さらに好ましくは１．０以上１．２以下、特に好ましくは１．０以上１．１以下である。粒径比が上記数値範囲にあると、巻取り性の向上効果および絶縁破壊電圧の向上効果をより高くすることができる。
【００３０】
本発明の高絶縁性フィルムは、上記のような不活性微粒子Ａを、高絶縁性フィルム１００質量％中に、０．０１質量％以上１．５質量％以下含有する。不活性微粒子Ａを上記数値範囲の量含有することによって、高い絶縁破壊電圧を保ったまま、フィルムの取り扱い性を良好なものとすることができる。不活性微粒子Ａの含有量が少なすぎる場合は、エアー抜け性に劣る傾向にあり、巻取り性に劣るものとなる。他方、多すぎる場合は、フィルム表面が粗くなりすぎる傾向にあり、それによってフィルム表面の耐削れ性が悪化する傾向にあり、絶縁破壊電圧に劣るものとなる。また、特にコンデンサー用途においては、スペースファクターが増大する傾向にある。このような観点から、不活性微粒子Ａの含有量は、好ましくは０．０５質量％以上１．０質量％以下、さらに好ましくは０．１質量％以上０．５質量％以下、特に好ましくは０．２質量％以上０．４質量％以下である。
【００３１】
以上のような不活性微粒子Ａは、有機系微粒子であってもよいし、無機系微粒子であってもよい。有機系微粒子としては、例えばポリスチレン樹脂粒子、シリコーン樹脂粒子、アクリル樹脂粒子、スチレン−アクリル樹脂粒子、ジビニルベンゼン−アクリル樹脂粒子、ポリエステル樹脂粒子、ポリイミド樹脂粒子、メラミン樹脂粒子等の高分子樹脂粒子が挙げられる。中でも、滑り性および耐削れ性に優れるという観点から、シリコーン樹脂粒子、ポリスチレン樹脂粒子が特に好ましい。このような高分子樹脂粒子は、前述の通り球状であることが好ましく、すなわち球状高分子樹脂粒子が好ましい。このうち、滑り性および耐削れ性により優れるという観点から、球状シリコーン樹脂粒子、球状ポリスチレン樹脂粒子が特に好ましい。また、無機系微粒子としては、（１）二酸化ケイ素（水和物、ケイ砂、石英等を含む）；（２）各種結晶形態のアルミナ；（３）ＳｉＯ２成分を３０質量％以上含有するケイ酸塩（例えば非晶質もしくは結晶質の粘土鉱物、アルミノシリケート（焼成物や水和物を含む）、温石綿、ジルコン、フライアッシュ等）；（４）Ｍｇ、Ｚｎ、Ｚｒ、およびＴｉの酸化物；（５）Ｃａ、およびＢａの硫酸塩；（６）Ｌｉ、Ｂａ、およびＣａのリン酸塩（１水素塩や２水素塩を含む）；（７）Ｌｉ、Ｎａ、およびＫの安息香酸塩；（８）Ｃａ、Ｂａ、Ｚｎ、およびＭｎのテレフタル酸塩；（９）Ｍｇ、Ｃａ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｐｂ、Ｓｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、およびＮｉのチタン酸塩；（１０）Ｂａ、およびＰｂのクロム酸塩；（１１）炭素（例えばカーボンブラック、グラファイト等）；（１２）ガラス（例えばガラス粉、ガラスビーズ等）；（１３）Ｃａ、およびＭｇの炭酸塩；（１４）ホタル石；（１５）スピネル型酸化物等が挙げられる。このうち、滑り性および耐削れ性に優れるという観点から、炭酸カルシウム粒子、シリカ粒子が好ましく、シリカ粒子が特に好ましい。このような無機系微粒子は、前述の通り球状であることが好ましく、滑り性および耐削れ性により優れるという観点から、球状シリカ粒子が特に好ましい。
【００３２】
＜不活性微粒子Ｂ＞
本発明の高絶縁性フィルムは、上記不活性微粒子Ａの他に、平均粒径および粒径の相対標準偏差が特定の数値範囲にある不活性微粒子Ｂを含有する態様が好ましい。
本発明における不活性微粒子Ｂの平均粒径は、０．０１μｍ以上０．５μｍ以下である。不活性微粒子Ｂの平均粒径を上記数値範囲とすることによって、適度な滑り性を得ることができ、巻取り性の向上効果を高くすることができる。不活性微粒子Ｂの平均粒径が小さすぎる場合は、滑り性が低くなる傾向にあり、巻取り性の向上効果が低くなる。他方、大きすぎる場合は、フィルム表面における低突起の高さが高くなりすぎる傾向にあり、それにより滑り性が高くなりすぎ、巻取り時に端面ズレを起こしやすくなる等巻取り性の向上効果が低くなる。さらに、耐削れ性が悪化する傾向にあり、絶縁破壊電圧の向上効果が低くなる。このような観点から、不活性微粒子Ｂの平均粒径は、好ましくは０．０５μｍ以上０．５μｍ以下、さらに好ましくは０．０８μｍ以上０．４μｍ以下、特に好ましくは０．１μｍ以上０．３μｍ以下である。
【００３３】
かかる不活性微粒子Ｂの平均粒径は、不活性微粒子Ａの平均粒径よりも０．２μｍ以上小さい態様が好ましい。不活性微粒子Ａの平均粒径と不活性微粒子Ｂの平均粒径との差を上記のような態様とすることによって、フィルム表面において不活性微粒子Ａによる高突起が散在する態様となり、これによってフィルム間のエアー抜け性が良好となる。同時に、不活性微粒子Ｂによる低突起が存在する態様となり、フィルム同士の滑り性が良好となる。これらによって、フィルムをロール状に巻取る際には、エアー抜け性と滑り性とのバランスが良く、高速で巻き上げても巻き姿の良好なフィルムロールを得ることができる等、巻取り性の向上効果を高くすることができる。このような観点から、不活性微粒子Ｂの平均粒径は、不活性微粒子Ａの平均粒径よりも０．４μｍ以上小さい態様がより好ましく、０．６μｍ以上小さい態様がさらに好ましく、０．８μｍ以上小さい態様が特に好ましい。
【００３４】
また、本発明における不活性微粒子Ｂは、前述の不活性微粒子Ａと同様の観点から、その粒径の相対標準偏差が０．５以下である。不活性微粒子Ｂの粒径の相対標準偏差は、好ましくは０．４以下、さらに好ましくは０．３以下、特に好ましくは０．２以下である。
さらに、本発明における不活性微粒子Ｂは、前述の不活性微粒子Ａと同様の観点から、粒径比が１．０以上１．３以下の球状粒子であることが好ましく、さらに好ましくは１．０以上１．２以下、特に好ましくは１．０以上１．１以下である。
【００３５】
本発明の高絶縁性フィルムは、上記のような不活性微粒子Ｂを、高絶縁性フィルム１００質量％中に、０．０５質量％以上２．０質量％以下含有する態様が好ましい。不活性微粒子Ｂを上記数値範囲の量含有することによって、高い絶縁破壊電圧を保ったまま、フィルムの取り扱い性の向上効果を高くすることができる。不活性微粒子Ｂの含有量が少なすぎる場合は、滑り性が低くなる傾向にあり、巻取り性の向上効果が低くなる。他方、多すぎる場合は、フィルム中のボイドの頻度が増加する傾向にあり、絶縁破壊電圧の向上効果が低くなる。また、滑り性が高くなりすぎる傾向にあり、巻取り時に端面ズレを起こしやすくなる等巻取り性の向上効果が低くなる。このような観点から、不活性微粒子Ｂの含有量は、より好ましくは０．１質量％以上１．０質量％以下、さらに好ましくは０．１質量％以上０．５質量％以下、特に好ましくは０．１質量％以上０．３質量％以下である。
【００３６】
以上のような不活性微粒子Ｂとしては、前述の不活性微粒子Ａと同様の有機系微粒子および無機系微粒子を用いることができる。このうち、無機系微粒子が好ましく、滑り性および耐削れ性に優れるという観点から、炭酸カルシウム粒子、シリカ粒子が好ましく、シリカ粒子が特に好ましい。このような無機系微粒子は、前述の通り球状であることが好ましく、滑り性および耐削れ性により優れるという観点から、球状シリカ粒子が特に好ましい。
【００３７】
本発明で用いられる不活性微粒子Ａおよび不活性微粒子Ｂは、最終的なフィルムに含有されていれば含有させる方法に限定はない。例えば、スチレン系単量体の重合中の任意の過程で添加あるいは析出させる方法、溶融押出する任意の過程で添加する方法が挙げられる。またこれらの微粒子を効果的に分散させるため、分散剤、界面活性剤等を用いることができる。
【００３８】
本発明においては、不活性微粒子Ａおよび不活性微粒子Ｂの特に好ましい態様として、それぞれに球状シリカ粒子を用いた態様を例示することができるが、そのような場合においても、各々の粒子における平均粒径がそれぞれ重なりのない特定の数値範囲にあり、かつ各々の粒子における粒径の相対標準偏差が小さいため、粒径分布曲線においては、上記２種類の粒子は明瞭に区別することができる２つの粒径ピークを示し、すなわち不活性微粒子Ａと不活性微粒子Ｂとを明瞭に区別することができる。なお、２つの粒径ピークがそれぞれ裾野の部分で重なって、谷部分を形成する場合は、谷部分において極小値を示す点を境界として、２つの粒径ピークに分解することとする。
【００３９】
＜その他の添加剤＞
本発明の高絶縁性フィルムは、基本的には前述のシンジオタクチック構造のスチレン系重合体、酸化防止剤、不活性微粒子Ａおよび不活性微粒子Ｂからなるものであるが、さらに成形性、力学物性、表面性等を改良するために他の樹脂成分を含有することができる。
【００４０】
含有することができる他の樹脂成分としては、例えばアタクチック構造のスチレン系重合体、アイソタクチック構造のスチレン系重合体、ポリフェニレンエーテル、スチレン−無水マレイン酸共重合体等が、前記シンジオタクチック構造のスチレン系重合体と相溶しやすく、延伸用予備成形体を作成するときの結晶化の制御に有効で、その後の延伸性が向上し、延伸条件の制御が容易で、かつ力学物性に優れたフィルムを得ることができるため好ましく挙げられる。このうち、アタクチック構造および／またはアイソタクチック構造のスチレン系重合体を含有させる場合は、シンジオタクチック構造のスチレン系重合体と同様のモノマーからなるものが好ましい。また、これら相溶性樹脂成分の含有割合は、シンジオタクチック構造のスチレン系重合体１００質量部に対して、好ましくは４０質量部以下、さらに好ましくは２０質量部以下、特に好ましくは１０質量部以下とすれば良い。相溶性樹脂成分の含有割合が４０質量部を超えると、シンジオタクチック構造のスチレン系重合体の長所である耐熱性の向上効果が低くなってしまう。
【００４１】
また、含有する事ができる他の樹脂成分のうち、シンジオタクチック構造のスチレン系重合体に非相溶な樹脂としては、例えばポリエチレン、ポリプロピレン、ポリブテン、ポリペンテン等のポリオレフィン、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ナイロン６やナイロン６，６等のポリアミド、ポリフェニレンスルフィド等のポリチオエーテル、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリスルホン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルスルホン、ポリイミド、テフロン（登録商標）等のハロゲン化ビニル系重合体、ポリメタクリル酸メチル等のアクリル系重合体、ポリビニルアルコール等、前記相溶性の樹脂以外の樹脂が相当し、さらに前記相溶性の樹脂を含む架橋樹脂が挙げられる。これらの樹脂は、本発明のシンジオタクチック構造のスチレン系重合体と非相溶であるため、少量含有する場合は、シンジオタクチック構造のスチレン系重合体中に島状に分散させることができ、延伸後に程良い光沢を与えたり、表面の滑り性を改良するのに有効である。非相溶性樹脂成分の含有割合は、シンジオタクチック構造のスチレン系重合体１００質量部に対して、好ましくは３０質量部以下、さらに好ましくは２０質量部以下、特に好ましくは１０質量部以下である。また、製品として使用する温度が高い場合は、比較的耐熱性のある非相溶性樹脂成分を含有することが好ましい。
さらに、本発明の目的を阻害しない範囲で、帯電防止剤、着色剤、耐候剤等の添加剤を加えることができる。
【００４２】
＜フィルム特性＞
本発明の高絶縁性フィルムは、厚み方向の屈折率が１．６０５０以上１．６５５０以下である。厚み方向の屈折率は、好ましくは１．６１００以上１．６４００以下、さらに好ましくは１．６１３０以上１．６３８０以下、特に好ましくは１．６１５０以上１．６３６０以下である。厚み方向の屈折率を上記数値範囲とすることによって、絶縁破壊電圧を高くすることができる。また、フィルム製造工程におけるフィルム破断の頻度が低下し、生産性を向上することができる。厚み方向の屈折率が高すぎる場合は、フィルム製造工程におけるフィルム破断の頻度が増加する傾向にあり、フィルムの生産性が低下する。他方、低すぎる場合は、絶縁破壊電圧が低くなる傾向にあり、電気的特性に劣るものとなる。また、コンデンサーの製造工程におけるフィルム破断の頻度が増加し、コンデンサーの生産性が低下する。さらに、フィルムの厚み斑が悪くなる傾向にあり、品質の安定したコンデンサーを得にくくなる。
【００４３】
厚み方向の屈折率を上記範囲とするには、後述するような製造方法を採用することによって達成される。すなわち、本発明において好ましい厚み方向の屈折率は、フィルムの延伸倍率を後述する特定の数値範囲とし、かつ、該延伸工程において、一軸方向の延伸に次いで実施される該一軸方向と垂直な方向の延伸において、延伸の温度を複数段階に分け、この第１段階の温度と最終段階の温度とで特定の温度差をつけることで達成される。
【００４４】
本発明の高絶縁性フィルムは、フィルム厚みが０．４μｍ以上６．５μｍ未満であることが好ましい。さらに好ましくは０．４μｍ以上６．０μｍ未満であり、特に好ましくは０．５μｍ以上３．５μｍ未満である。フィルム厚みを上記数値範囲とすることによって、静電容量の高いコンデンサーを得ることができる。
【００４５】
コンデンサーの絶縁体として用いられるフィルムは、フィルム厚みが薄い方がコンデンサーの静電容量が高くなり好ましいことは一般的によく知られている。しかしながら、実際にフィルム厚みを薄く（薄膜化）してゆくと、フィルムにしわが入りやすくなる、フィルムが破断しやすくなる等取り扱い性が低下する、添加した粒子が脱落しやすくなる、さらにそれにより絶縁破壊電圧が低くなる、フィルム厚みが薄くなることにより絶縁破壊電圧の絶対値が低くなる等の問題が生じるため、それらをバランスさせることが不可欠となる。本発明は、フィルム厚みを薄くしても上記の問題が生じることが無いように、酸化防止剤および特定の粒子を有する新規の構成の高絶縁性フィルムを、後述する製造方法により得るものである。
【００４６】
本発明の高絶縁性フィルムは、その少なくとも片面の中心線平均表面粗さＲａが７ｎｍ以上８９ｎｍ以下であることが好ましい。中心線平均表面粗さＲａを上記数値範囲とすることによって、巻取り性の向上効果を高くすることができる。また、耐ブロッキング性が向上し、ロールの外観を良好なものとすることができる。中心線平均表面粗さＲａが低すぎる場合は、滑り性が低くなりすぎる傾向にあり、巻取り性の向上効果が低くなる。他方、高すぎる場合は、滑り性が高くなりすぎる傾向にあり、巻取り時に端面ズレを起こしやすくなる等巻取り性の向上効果が低くなる。このような観点から、中心線平均表面粗さＲａの下限は、好ましくは１１ｎｍ以上、さらに好ましくは２１ｎｍ以上、特に好ましくは３１ｎｍ以上である。また、中心線平均表面粗さＲａの上限は、より好ましくは７９ｎｍ以下、さらに好ましくは６９ｎｍ以下、特に好ましくは５９ｎｍ以下である。
【００４７】
また、本発明の高絶縁性フィルムは、その少なくとも片面の１０点平均粗さＲｚが２００ｎｍ以上以上３０００ｎｍ以下であることが好ましい。１０点平均粗さＲｚを上記数値範囲とすることによって、巻取り性の向上効果を高くすることができる。１０点平均粗さＲｚが低すぎる場合は、ロールとして巻き上げる際にエアー抜け性が低くなる傾向にあり、フィルムが横滑りしやすくなる等巻取り性の向上効果が低くなる。特に、フィルム厚みが薄い場合は、フィルムの腰が無くなるため、エアー抜け性がさらに低くなる傾向にあり、巻取り性の向上効果がさらに低くなる。他方、１０点平均粗さＲｚが高すぎる場合は、粗大突起が多くなる傾向にあり、絶縁破壊電圧の向上効果が低くなる。このような観点から、１０点平均粗さＲｚの下限は、より好ましくは６００ｎｍ以上、さらに好ましくは１０００ｎｍ以上、特に好ましくは１２５０ｎｍ以上である。また、１０点平均粗さＲｚの上限は、より好ましくは２６００ｎｍ以下、さらに好ましくは２２５０ｎｍ以下、特に好ましくは１９５０ｎｍ以下である。
【００４８】
＜フィルムの製造方法＞
本発明の高絶縁性フィルムは、一部の特別な製造方法を除けば、基本的には従来から知られている、あるいは当業界に蓄積されている方法で得ることができる。以下、本発明の高絶縁性フィルムを得るための製造方法について詳記する。
【００４９】
先ず、シンジオタクチック構造のスチレン系重合体に酸化防止剤を所定量配合した樹脂組成物を加熱溶融し、未延伸シートを作成する。具体的には樹脂組成物の融点（Ｔｍ、単位：℃）以上（Ｔｍ＋７０℃）以下の温度で加熱溶融し、シート状に押し出して、冷却固化して未延伸シートを得る。得られた未延伸シートの固有粘度は、０．３５〜０．９ｄｌ／ｇの範囲であることが好ましい。次いで、この未延伸シートを二軸に延伸する。延伸は、縦方向（機械軸方向）および横方向（機械軸方向と垂直な方向）を同時延伸してもよいし、任意の順序で逐次延伸してもよい。例えば逐次延伸の場合は、先ず一軸方向に（樹脂組成物のガラス転移点温度（Ｔｇ、単位：℃）−１０℃）以上（Ｔｇ＋７０℃）以下の温度で２．７倍以上４．８倍以下、好ましくは２．９倍以上４．４倍以下、さらに好ましくは３．１倍以上４．０倍以下の倍率で延伸し、次いで該一軸方向と垂直な方向にＴｇ以上（Ｔｇ＋８０℃）以下の温度で２．８倍以上４．９倍以下、好ましくは３．０倍以上４．５倍以下、さらに好ましくは３．２倍以上４．１倍以下の倍率で延伸する。
【００５０】
なお、上記一軸方向と垂直な方向の延伸の際には、前段階の延伸で結晶化が進んでいるためか、延伸が難しくなり、製膜中に破断が起こりやすくなる。特にフィルム厚みが３μｍ程度の薄いフィルムを製膜する場合において、また特に延伸倍率が３．２倍以上の領域において破断が起こりやすくなる。
【００５１】
この対策を検討したところ、上記一軸方向と垂直な方向の延伸において、その延伸速度を特定の数値範囲とすることが有効であることが判明した。すなわち、延伸速度が速すぎる場合は、延伸による分子の高次構造変化が、延伸によるフィルムの形状変化の速さに追随できなくなり、該高次構造に歪が生じやすくなるためか、フィルム破断が生じやすくなる。他方、遅すぎる場合は、延伸途中においてフィルムの結晶化が先行してしまい、延伸応力にバラツキが生じるためか、延伸斑や厚み斑が生じやすくなり、それにより破断が生じやすくなる。このような観点から、延伸速度の下限は、好ましくは５００％／分以上、より好ましくは１０００％／分以上、さらに好ましくは２０００％／分以上、特に好ましくは４０００％／分以上である。また、延伸速度の上限は、好ましくは３００００％／分以下、より好ましくは１５０００％／分以下、さらに好ましくは９０００％／分以下、特に好ましくは６０００％／分以下である。
【００５２】
また、他の有効な手段として、上記一軸方向と垂直な方向の延伸において、その延伸温度を一定とするのではなく、複数段階に分け、この第１段階の温度と最終段階の温度とで温度差をつけることが有効であることが判明した。温度差の下限は、最終段階の温度が第１段階の温度より４℃以上高いことが好ましく、７℃以上高いことがより好ましく、１２℃以上高いことがさらに好ましく、１５℃以上高いことが特に好ましい。また、温度差の上限は、４９℃以下が好ましく、３９℃以下がより好ましく、２９℃以下がさらに好ましく、２０℃以下が特に好ましい。温度差が大きすぎる場合は、フィルム破断が生じやすくなる。また、延伸後のフィルムの厚み斑が悪くなる傾向にある。このように、第１段階と最終段階の温度差を上記数値範囲とすることで、フィルム厚みの薄いフィルムの製膜において従来困難であった高い延伸倍率を達成することができ、これによって厚み斑が良好なフィルムを得ることができる。
【００５３】
一軸方向と垂直な方向の延伸を実施する工程において、第１段階と最終段階との温度差をつけるには、１の延伸ゾーンの中でゾーンの入口（第１段階）と出口（最終段階）とで温度差をつけてもよいし、温度の異なる２以上の連続した延伸ゾーンを設けて最初の延伸ゾーン（第１段階）と最後の延伸ゾーン（最終段階）とで温度差をつけてもよい。ここでゾーンとは、テンター等においてシャッター等で区切られた１の領域を示す。いずれの場合も、第１段階と最終段階の間をさらに分割し、第１段階から最終段階に向かって温度を傾斜的に上昇させるのが好ましく、特に直線的に上昇させると良い。例えば、温度の異なる２以上の連続した延伸ゾーンによる場合は、最初の延伸ゾーンと最後の延伸ゾーンの間に、さらに１以上の延伸ゾーンを設けることが好ましく、１以上１０以下の延伸ゾーンを設けることがさらに好ましい。延伸ゾーンの合計を１３以上とすることは、設備コストの面から不利である。延伸は、例えばフィルムを幅方向に延伸する場合は、最終段階を出た直後のフィルム幅を、第１段階に入る直前のフィルム幅で除した値が目標の延伸倍率となるようにすればよく、傾斜的にフィルム幅を増加させることが好ましく、特に直線的に増加させると良い。縦方向と横方向を同時に延伸する場合においても、同様に延伸の温度を複数段階に分け、この第１段階の温度と最終段階の温度とで温度差をつけるようにする。
【００５４】
本発明においては、本発明における好ましい厚み方向の屈折率を達成するための手段として、これらの手段を好ましく例示することができる。さらに、これらの手段によると、フィルム厚みを薄くしても破断が生じにくいため、本発明における好ましいフィルム厚みを達成するための手段として、これらの手段を好ましく例示することができる。また、本発明においては、上記の延伸速度の態様および延伸温度の態様のうち、少なくともいずれか１つの態様を採用することが好ましいが、両方の態様を採用することがより好ましく、延伸工程が安定化し、本発明における好ましい屈折率および好ましいフィルム厚みを達成しやすくなる。
【００５５】
次いで、（Ｔｇ＋７０℃）〜Ｔｍの温度で熱固定する。熱固定の温度は２００℃以上２６０℃以下であり、好ましくは２２０℃以上２５０℃以下であり、さらに好ましくは２３０℃以上２４０℃以下である。熱固定温度が高すぎる場合は、特にフィルム厚みの薄いフィルムを製造する際に、フィルム破断が生じやすくなり、また厚み斑が悪化してしまう。熱固定の後に必要に応じて熱固定温度より２０℃〜９０℃低い温度下で弛緩処理をすると、寸法安定性が良くなる。
【実施例】
【００５６】
次に本発明を実施例および比較例によりさらに詳しく説明する。また、例中の各種特性値は下記の方法で測定、評価した。
【００５７】
（１）粒子の平均粒径および粒径比
（１−１）粉体の平均粒径および粒径比
試料台上に、粉体を個々の粒子ができるだけ重ならないように散在させ、金スパッター装置によりこの表面に金薄膜蒸着層を厚み２００〜３００Åで形成し、走査型電子顕微鏡を用いて１万〜３万倍で観察し、日本レギュレーター（株）製ルーゼックス５００にて、少なくとも１０００個の粒子についてその面積相当粒径（Ｄｉ）、長径（Ｄｌｉ）および短径（Ｄｓｉ）を求めた。
【００５８】
（１−２）フィルム中の粒子の平均粒径および粒径比
試料フィルム小片を走査型電子顕微鏡用試料台に固定し、日本電子（株）製スパッタリング装置（ＪＩＳ−１１００型イオンスパッタリング装置）を用いてフィルム表面に、０．１３Ｐａの真空下で０．２５ｋＶ、１．２５ｍＡの条件でイオンエッチング処理を１０分間施した。さらに、同じ装置で金スパッターを施し、走査型電子顕微鏡を用いて１万〜３万倍で観測し、日本レギュレーター（株）製ルーゼックス５００にて、少なくとも１０００個の粒子についてその面積相当粒径（Ｄｉ）、長径（Ｄｌｉ）および短径（Ｄｓｉ）を求めた。
粉体の平均粒径および粒径比については上記（１−１）項、フィルム中の粒子の平均粒径および粒径比については上記（１−２）項から得られた値を下記式に用いて、粒子の個数ｎとし、面積相当粒径（Ｄｉ）の数平均値を平均粒径（Ｄ）とした。
【００５９】
【数１】
0005684873.tif 000002
【００６０】
また、下記式から得られた長径の平均値（Ｄｌ）と短径の平均値（Ｄｓ）から、粒径比はＤｌ／Ｄｓとして算出した。
【００６１】
【数２】
0005684873.tif 000003
【数３】
0005684873.tif 000004
【００６２】
（２）粒子の粒径の相対標準偏差
粉体の相対標準偏差については前記（１−１）項、フィルム中の粒子の相対標準偏差については前記（１−２）項で求められた各々の粒子の面積相当粒径（Ｄｉ）および平均粒径（Ｄ）から、下記式により求めた。
【００６３】
【数４】
0005684873.tif 000005
【００６４】
（３）フィルムの表面粗さ
（３−１）中心線平均表面粗さ（Ｒａ）
非接触式三次元粗さ計（小坂研究所製、ＥＴ−３０ＨＫ）を用いて波長７８０ｎｍの半導体レーザー、ビーム径１．６μｍの光触針で測定長（Ｌｘ）１ｍｍ、サンプリングピッチ２μｍ、カットオフ０．２５ｍｍ、厚み方向拡大倍率１万倍、横方向拡大倍率２００倍、走査線数１００本（従って、Ｙ方向の測定長Ｌｙ＝０．２ｍｍ）の条件にてフィルム表面の突起プロファイルを測定する。その粗さ曲面をＺ＝ｆ（ｘ，ｙ）で表わしたとき、次の式で得られる値をフィルムの中心線平均表面粗さ（Ｒａ、単位：ｎｍ）とした。
【００６５】
【数５】
0005684873.tif 000006
【００６６】
（３−２）１０点平均粗さ（Ｒｚ）
上記（３−１）項により得られたフィルム表面の突起プロファイルにおいて、ピーク（Ｈｐ）の高い方から５点と谷（Ｈｖ）の低い方から５点をとり、次の式により１０点平均粗さ（Ｒｚ、単位：ｎｍ）を求めた。
【００６７】
【数６】
0005684873.tif 000007
【００６８】
（４）熱収縮率
無張力の状態で１５０℃の雰囲気中３０分におけるフィルムの熱収縮率（単位：％）を求めた。
【００６９】
（５）屈折率
ナトリウムＤ線（５８９ｎｍ）を光源としたアッベ屈折計を用いて２３℃６５％ＲＨにて測定し、厚み方向の屈折率（ｎＺ）とした。
【００７０】
（６）絶縁破壊電圧（ＢＤＶ）
ＪＩＳ  Ｃ  ２１５１に示される方法に従って測定した。２３℃相対湿度５０％の雰囲気にて、直流耐電圧試験機を用い、上部電極は直径２５ｍｍの真鍮製円柱、下部電極は直径７５ｍｍのアルミ製円柱を使用し、１００Ｖ／秒の昇圧速度で昇圧し、フィルムが破壊し短絡した時の電圧（単位：Ｖ）を読み取った。得られた電圧をフィルム厚み（単位：μｍ）で除して、絶縁破壊電圧（単位：Ｖ／μｍ）とした。
測定は４１回実施し、大きい方の１０個、小さい方の１０個を除き、２１個の中央値を絶縁破壊電圧の測定値とした。
１００℃、１２０℃での測定は熱風オーブンに電極、サンプルをセットし、耐熱コードで電源に接続し、オーブン投入後１分で昇圧を開始して測定した。
【００７１】
（７）延伸性
二軸延伸フィルムを１００万ｍ製膜する間に破断の発生する回数により、以下の如く判断した。
延伸性◎  ：１０万ｍの製膜当り、破断が１回未満
延伸性○  ：１０万ｍの製膜当り、破断が１回〜２回未満
延伸性△  ：１０万ｍの製膜当り、破断が２回〜４回未満
延伸性×  ：１０万ｍの製膜当り、破断が４回〜８回未満
延伸性××：１０万ｍの製膜当り、破断が８回以上
【００７２】
（８）巻取り性
フィルムの製造工程において、フィルムを５００ｍｍ幅で９０００ｍのロール状に１４０ｍ／分の速度で巻き上げ、得られたロールの巻き姿、およびロール端面における端面ズレを次のように格付けした。
［巻き姿］
Ａ  ：ロールの表面にピンプルがなく、巻き姿が良好。
Ｂ  ：ロールの表面に１個以上４個未満のピンプル（突起状盛り上がり）があり、巻き姿はほぼ良好。
Ｃ  ：ロールの表面に４個以上１０個未満のピンプル（突起状盛り上がり）があり、巻き姿はやや不良であるが、製品として使用できる。
Ｄ  ：ロールの表面に１０個以上のピンプル（突起状盛り上がり）があり、巻き姿が悪く、製品として使用できない。
［端面ズレ］
◎  ：ロール端面における端面ズレが０．５ｍｍ未満であり、良好。
○  ：ロール端面における端面ズレが０．５ｍｍ以上１ｍｍ未満であり、ほぼ良好。
△  ：ロール端面における端面ズレが１ｍｍ以上２ｍｍ未満であり、やや劣るものであるが製品として使用できる。
×  ：ロール端面における端面ズレが２ｍｍ以上であり、劣るものであり製品として使用できない。
××：ロール巻き上げ中に端面ズレが大きくなり、９０００ｍのロールが作成できない。
【００７３】
（９）熱分解温度
示差熱熱重量同時測定装置（セイコー電子工業社製：商品名ＴＧ／ＤＴＡ２２０）を使用して、空気雰囲気下にて１０℃／分の昇温速度で測定し、その温度／重量変化曲線より重量変化し始める温度を接線法により求め、熱分解温度（単位：℃）とした。
【００７４】
（１０）ガラス転移点温度および融点
サンプル約１０ｍｇを測定用のアルミニウム製パンに封入して示差熱量計（ＴＡ  Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ社製：商品名ＤＳＣ２９２０  Ｍｏｄｕｌａｔｅｄ）に装着し、２５℃から２０℃／分の速度で３００℃まで昇温させてガラス転移温度（単位：℃）と融点（単位：℃）を測定した。
【００７５】
［参考例１］
重量平均分子量３．０×１０５であり、１３Ｃ−ＮＭＲ測定でほぼ完全なシンジオタクチック構造であることが観察されるポリスチレン９９．０質量部に、酸化防止剤として、ペンタエリスリトールテトラキス〔３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート〕（チバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製：商品名ＩＲＧＡＮＯＸ１０１０）（融点１２０℃、熱分解温度３３５℃）０．５質量部（得られる高絶縁性フィルムの質量を基準として０．５質量％となる）と、不活性微粒子Ａとして、平均粒径１．１μｍ、相対標準偏差０．１５、粒径比１．０８の球状シリカ粒子（（株）日本触媒製：商品名シーホスターＫＥ）を０．３質量部（得られる高絶縁性フィルムの質量を基準として０．３質量％となる）と、不活性微粒子Ｂとして、平均粒径０．３μｍ、相対標準偏差０．１６、粒径比１．０８の球状シリカ粒子（（株）日本触媒製：商品名シーホスターＫＥ）を０．２質量部（得られる高絶縁性フィルムの質量を基準として０．２質量％となる）とを配合し、樹脂混合物を得た。
【００７６】
得られた樹脂混合物を１３０℃で７時間乾燥し、次いで押出機に供給し、２９０℃で溶融し、ダイスリットから押出し後２０℃に冷却されたキャスティングドラム上で冷却固化し、未延伸シートを作成した。
この未延伸シートを１１４℃で縦方向（機械軸方向）に３．２倍延伸し、続いてテンターに導いた後、横方向（機械軸方向と垂直な方向）に３．３倍延伸した。その際横方向の延伸速度は５０００％／分とした。また、横方向の延伸の温度は、第１段階の温度を１０２℃、最終段階の温度を１１９℃とした。その後２３５℃で９秒間熱固定をし、さらに１８０℃まで冷却する間に横方向に４％弛緩処理をして、厚み３．０μｍの高絶縁性フィルムを得てロール状に巻取った。得られた高絶縁性フィルムの特性を表１に示す。
【００７７】
［参考例２〜４、比較例１、２］
酸化防止剤の含有量を表１に示すとおりとする以外は、参考例１と同様にして厚み３．０μｍの高絶縁性フィルムを得てロール状に巻取った。得られた高絶縁性フィルムの特性を表１に示す。なお、ポリスチレンの量を調整し、全体が１００質量部となるようにした。
【００７８】
［参考例５］
酸化防止剤として、Ｎ，Ｎ’−ビス〔３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオニル〕ヒドラジン（チバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製：商品名ＩＲＧＡＮＯＸ１０２４）（融点２１０℃、熱分解温度２７５℃）を用いる以外は、参考例２と同様にして厚み３．０μｍの高絶縁性フィルムを得てロール状に巻取った。得られた高絶縁性フィルムの特性を表１に示す。
【００７９】
参考例１〜５、および比較例１、２により、酸化防止剤の種類、およびその含有量に係る知見を得ることができる。
酸化防止剤の含有量が適正な参考例１〜４で得られた高絶縁性フィルムは、延伸性および巻取り性が良好で、絶縁破壊電圧が高く、コンデンサーの絶縁体として好適なものであった。
また、上記参考例１〜４とは異なる酸化防止剤を用いた参考例５で得られた高絶縁性フィルムも、延伸性および巻取り性が良好で、絶縁破壊電圧が高く、コンデンサーの絶縁体として好適なものであった。
【００８０】
他方、酸化防止剤を含有しない比較例１で得られた高絶縁性フィルムは、延伸性および巻取り性は良好であったが、絶縁破壊電圧が低く、コンデンサーの絶縁体として性能の低いものであり、ハイブリッド自動車用コンデンサーの絶縁体として不満足なものであった。
また、比較例２から分かるように、酸化防止剤の含有量が多すぎる場合は、酸化防止剤が凝集してボイドを形成する等の欠陥が生じやすくなるためか、絶縁破壊電圧が低くなる傾向が見られた。結果として、比較例２で得られた高絶縁性フィルムは、コンデンサーの絶縁体として使用に耐え得ないものであった。
【００８１】
【表１】
0005684873.tif 000008
【００８２】
［実施例１］
ポリスチレンを９８．６質量部として、不活性微粒子Ａとして、平均粒径０．２７μｍ、相対標準偏差０．１６、粒径比１．０８の球状シリカ粒子（（株）日本触媒製：商品名シーホスターＫＥ）を０．４質量部（得られる高絶縁性フィルムの質量を基準として０．４質量％となる）として、不活性微粒子Ｂを添加しなかった以外は、参考例２と同様にして厚み３．０μｍの高絶縁性フィルムを得てロール状に巻取った。得られた高絶縁性フィルムの特性を表２に示す。
【００８３】
［実施例２〜４］
不活性粒子Ａとしての球状シリカ粒子の平均粒径、相対標準偏差、粒径比、および含有量を表２に示すとおりとする以外は、実施例１と同様にして厚み３．０μｍの高絶縁性フィルムを得てロール状に巻取った。得られた高絶縁性フィルムの特性を表２に示す。なお、ポリスチレンの量を調整し、全体が１００質量部となるようにした。
【００８４】
［参考例１０］
ポリスチレンを９８．４質量部として、不活性微粒子Ａとして、平均粒径０．５μｍ、相対標準偏差０．１５、粒径比１．０８の球状シリカ粒子（（株）日本触媒製：商品名シーホスターＫＥ）を０．１質量部（得られる高絶縁性フィルムの質量を基準として０．１質量％となる）と、不活性微粒子Ｂとして、平均粒径０．１μｍ、相対標準偏差０．１７、粒径比１．０７の球状シリカ粒子（（株）日本触媒製：商品名シーホスターＫＥ）を０．５質量部（得られる高絶縁性フィルムの質量を基準として０．５質量％となる）とを配合した以外は、参考例２と同様にして厚み３．０μｍの高絶縁性フィルムを得てロール状に巻取った。得られた高絶縁性フィルムの特性を表２に示す。
【００８５】
［参考例１１、１２］
不活性粒子Ａとしての球状シリカ粒子の平均粒径、相対標準偏差、粒径比、含有量、および不活性粒子Ｂとしての球状シリカ粒子の平均粒径、相対標準偏差、粒径比、含有量を表２に示すとおりとする以外は、参考例１０と同様にして厚み３．０μｍの高絶縁性フィルムを得てロール状に巻取った。得られた高絶縁性フィルムの特性を表２に示す。なお、ポリスチレンの量を調整し、全体が１００質量部となるようにした。
【００８６】
［参考例１３］
不活性微粒子Ａとして、平均粒径１．３μｍ、相対標準偏差０．１４、粒径比１．１０の球状シリコーン樹脂粒子を０．３質量部（得られる高絶縁性フィルムの質量を基準として０．３質量％となる）を用いる以外は、参考例２と同様にして厚み３．０μｍの高絶縁性フィルムを得てロール状に巻取った。得られた高絶縁性フィルムの特性を表２に示す。
【００８７】
参考例２、および実施例６〜９、参考例１０〜１３により、不活性粒子Ａの態様、および不活性粒子Ｂの態様に係る知見を得ることができる。
含有する不活性粒子の態様が適正な参考例２、実施例６〜９、参考例１０〜１３で得られた高絶縁性フィルムは、いずれも延伸性および巻取り性が良好で、絶縁破壊電圧が高く、コンデンサーの絶縁体として好適なものであった。
【００８８】
【表２】
0005684873.tif 000009
【００８９】
［比較例３、参考例１４］
製膜条件を表３に示す通りとする以外は、参考例２と同様にして厚み３．０μｍの高絶縁性フィルムを得てロール状に巻取った。得られた高絶縁性フィルムの特性を表３に示す。
［比較例４］
厚み方向の屈折率がおおよそ１．６５８０であるようなフィルムを得るべく、縦方向および横方向の延伸倍率等の製膜条件を表３に示す通りとした以外は、参考例２同様にしてフィルムを製造しようとしたところ、フィルム破断が多発し、二軸延伸フィルムを得ることができなかった。
【００９０】
参考例２、１４、および比較例３、４により、フィルムの厚み方向の屈折率に係る知見を得ることができる。
参考例２、１４で得られた高絶縁性フィルムは、厚み方向の屈折率が適正であるため、延伸性および巻取り性が良好で、絶縁破壊電圧が高く、コンデンサーの絶縁体として好適なものであった。
他方、比較例３で得られた高絶縁性フィルムは、延伸倍率が低く、フィルムの厚み方向の屈折率が低すぎるため、巻取り性および絶縁破壊電圧に劣るものであった。
また、比較例４では、目的とした厚み方向の屈折率が高すぎ、高絶縁性フィルムを得ることができなかった。
【００９１】
【表３】
0005684873.tif 000010
【００９２】
得られた高絶縁性フィルムを用いて、以下のようにコンデンサーを作成した。
まず、フィルムの片面にアルミニウムを５００Åの厚みとなるように真空蒸着した。その際、８ｍｍ幅の蒸着部分と１ｍｍ幅の非蒸着部分との繰り返しからなる、縦方向のストライプ状に蒸着した。得られた蒸着フィルムを、蒸着部分と非蒸着部分のそれぞれ幅方向の中央部でスリットし、４ｍｍ幅の蒸着部分と０．５ｍｍ幅の非蒸着部分とからなる、４．５ｍｍ幅のテープ状に巻取りリールにした。次いで、２本のリールを、非蒸着部分がそれぞれ反対側の端面となるように重ね合わせ巻回し、巻回体を得た後、１５０℃、１ＭＰａで５分間プレスした。プレス後の巻回体の両端面にメタリコンを溶射して外部電極とし、メタリコンにリード線を溶接して巻回型フィルムコンデンサーを作成した。
【００９３】
参考例１〜５、実施例１〜４、参考例１０〜１４で得られた高絶縁性フィルムを用いたフィルムコンデンサーは、耐熱性、耐電圧特性に優れ、コンデンサーとして優れる性能を示すものであった。またコンデンサー作成時の加工性に優れるものであった。
特に、参考例２、３、実施例６、８、９、参考例１０、１３、１４で得られた高絶縁性フィルムを用いたフィルムコンデンサーは、特に耐電圧特性に優れ、コンデンサーとしてより優れる性能を示すものであった。