(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属支持基板と、前記金属支持基板上に形成された絶縁層と、前記絶縁層上に形成され、第一配線層および第二配線層から構成される配線対と、前記配線対を覆うように形成されたカバー層と、を有するサスペンション用基板であって、
前記カバー層上であり、かつ、平面視上、前記配線対と重なる位置に、導体層が形成され、
前記配線対を挟むように配置され、前記絶縁層および前記カバー層を貫通し、前記金属支持基板および前記導体層を電気的に接続するビア部が形成され、
前記ビア部が、ビア部用配線層を貫通するように形成され、
前記ビア部用配線層の開口径が、前記ビア部が貫通する位置の前記絶縁層の開口径よりも小さいことを特徴とするサスペンション用基板。
【請求項２】
前記ビア部が浮島状に形成されていることを特徴とする請求項１に記載のサスペンション用基板。
【請求項３】
前記ビア部が線状に形成されていることを特徴とする請求項１に記載のサスペンション用基板。
【請求項４】
金属支持基板と、前記金属支持基板上に形成された絶縁層と、前記絶縁層上に形成され、第一配線層および第二配線層から構成される配線対と、前記配線対を覆うように形成されたカバー層と、前記配線対を挟むように配置され、前記絶縁層および前記カバー層を貫通し、前記金属支持基板と接触するビア部とを有し、前記ビア部が、ビア部用配線層を貫通するように形成され、前記ビア部用配線層の開口径が、前記ビア部が貫通する位置の前記絶縁層の開口径よりも小さい積層体を準備する積層体準備工程と、
前記カバー層上であり、かつ、平面視上、前記配線対と重なる位置に、前記ビア部と接触する導体層を形成する導体層形成工程と、
を有することを特徴とするサスペンション用基板の製造方法。
【請求項５】
前記積層体準備工程において、前記ビア部を、前記金属支持基板からの給電による電解めっき法により形成することを特徴とする請求項４に記載のサスペンション用基板の製造方法。
【請求項６】
前記導体層形成工程において、前記導体層を、スパッタリング法により形成することを特徴とする請求項４または請求項５に記載のサスペンション用基板の製造方法。
【請求項７】
請求項１から請求項３までのいずれかの請求項に記載のサスペンション用基板を含むことを特徴とするサスペンション。
【請求項８】
請求項７に記載のサスペンションと、前記サスペンションの素子実装領域に実装された素子と、を有することを特徴とする素子付サスペンション。
【請求項９】
請求項８に記載の素子付サスペンションを含むことを特徴とするハードディスクドライブ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電磁波シールドとして機能する導体層を有するサスペンション用基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、インターネットの普及等によりパーソナルコンピュータの情報処理量の増大や情報処理速度の高速化が要求されてきており、それに伴って、パーソナルコンピュータに組み込まれているハードディスクドライブ（ＨＤＤ）も大容量化や情報伝達速度の高速化が必要となってきている。そのため、ＨＤＤに用いられるサスペンション用基板（フレキシャー）にも高機能化が求められている。
【０００３】
特に、近年高速化が進んできたサスペンション用基板においては、配線から外部へ放射される電磁波ノイズの遮断（電磁波シールド）、外部から配線へ放射される電磁波ノイズの遮断（電磁波シールド）、および、配線間での電磁波ノイズの遮断（クロストーク防止）を図ることが求められている。このような電磁波ノイズの影響を抑制するために、電気信号の伝送路である配線の近傍に、グランド線を設けたり、配線間隔を広げたり、配線を被覆するカバー層に導体層（導電性のシールド層）を形成したりする構造が知られている。また、電磁波ノイズの影響を抑制するための従来の技術は、大きく２つに分類することができる。
【０００４】
一つ目の従来技術は、配線を絶縁層を介して上下に積層することで、クロストークの抑制を図る技術である。例えば、特許文献１には、配線を絶縁層を介して上下に積層し、その間にグランド層を配置した構造が開示されている（特許文献１の図２）。また、特許文献２には、配線を絶縁層を介して上下に積層した構造が開示されている（特許文献２の図２）。さらに、特許文献３には、配線を絶縁層を介して上下に積層し、上部の配線脇にグランド層を配置した構造が開示されている（特許文献３の図２（ａ））。なお、特許文献４には、配線自体は絶縁層の同一表面に配置しているものの、その配線上に、絶縁層を介してグランド層を配置した構造が開示されている（特許文献４の図１）。このように、配線を絶縁層を介して上下に積層することにより、クロストークを抑制することは可能である。しかしながら、このような積層構造を形成するためには、従来よりも大幅に工程数を増やす必要があり、製造コストが上昇するという欠点がある。
【０００５】
二つ目の従来技術は、配線を覆うカバー層の表面上に導体層を設ける技術である。例えば、特許文献５には、カバー層および金属支持基板を導通させるシールド層を、真空成膜法またはめっき法により形成することが記載されている（特許文献５の図１）。また、特許文献６には、配線を絶縁層を介してグランド層で取り囲む構造が開示されている（特許文献６の図２）。なお、特許文献７には、カバー層およびシールド層の間に異方導電性フィルムを設け、その異方導電性フィルムをカバー層に開口部から露出するグランド層に接続させた構造が開示されている（特許文献７の図１）。
【０００６】
また、電磁波ノイズの抑制を目的としたものではないが、静電気による影響を抑制する技術として以下のようなものがある。例えば、特許文献８には、絶縁層およびカバー層の少なくとも一方に、導電性粒子を含む半導電性層を用い、帯電防止を図ることが開示されている（特許文献８の図２）。また、特許文献９には、イミド系樹脂に導電性ポリマーを含有させ、端子部を含め絶縁層に塗布を行い、帯電防止を図ることが開示されている（特許文献９の図２）。
【０００７】
また、特許文献１０においては、記録アシスト素子への信号を伝送する伝送線路を有するヘッド・ジンバル・アセンブリであって、導体線が、上部シールドと、下部シールドと、上部シールドおよび下部シールドを接続する複数の柱とによって囲まれたものが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００９−１８８０８０号公報
【特許文献２】特開２００９−２６９０９号公報
【特許文献３】特開２００９−２０６３７９号公報
【特許文献４】特開平８−２６４９１１号公報
【特許文献５】特開２００４−３６３２８１号公報
【特許文献６】特開２００９−２４６０９２号公報
【特許文献７】特開２００９−２００１１３号公報
【特許文献８】特開２００９−３３２５４８号公報
【特許文献９】特開２００７−２１３４号公報
【特許文献１０】特開２０１０−７３２９７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
サスペンション用基板の高機能化に伴い、電磁波シールド性の向上が求められている。本発明は、上記実情に鑑みてなされたものであり、電磁波シールド性の高いサスペンション用基板を提供することを主目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するために、本発明においては、金属支持基板と、上記金属支持基板上に形成された絶縁層と、上記絶縁層上に形成され、第一配線層および第二配線層から構成される配線対と、上記配線対を覆うように形成されたカバー層と、を有するサスペンション用基板であって、上記カバー層上であり、かつ、平面視上、上記配線対と重なる位置に、導体層が形成され、上記配線対を挟むように配置され、上記絶縁層および上記カバー層を貫通し、上記金属支持基板および上記導体層を電気的に接続するビア部が形成されていることを特徴とするサスペンション用基板を提供する。
【００１１】
本発明によれば、配線対を金属支持基板、導体層およびビア部で囲むことにより、同軸ケーブルに類似した構造とすることができ、電磁波シールド性の高いサスペンション用基板とすることができる。さらに、本発明のサスペンション用基板は、例えば、カバー層の上に導体層を形成するという簡便な方法で、製造することができる。そのため、大幅な工程数の増加を引き起こすことがないという利点を有する。
【００１２】
上記発明においては、上記ビア部が、ビア部用配線層を貫通するように形成され、上記ビア部用配線層の開口径が、上記ビア部が貫通する位置の上記絶縁層の開口径よりも小さいことが好ましい。厚さ方向における密着性を向上させることができるからである。
【００１３】
上記発明においては、上記ビア部が浮島状に形成されていることが好ましい。ビア部の配置の自由度がより高いからである。
【００１４】
上記発明においては、上記ビア部が線状に形成されていることが好ましい。電磁波シールド性をさらに高くすることができるからである。
【００１５】
また、本発明においては、金属支持基板と、上記金属支持基板上に形成された絶縁層と、上記絶縁層上に形成され、第一配線層および第二配線層から構成される配線対と、上記配線対を覆うように形成されたカバー層と、上記配線対を挟むように配置され、上記絶縁層および上記カバー層を貫通し、上記金属支持基板と接触するビア部とを有する積層体を準備する積層体準備工程と、上記カバー層上であり、かつ、平面視上、上記配線対と重なる位置に、上記ビア部と接触する導体層を形成する導体層形成工程と、を有することを特徴とするサスペンション用基板の製造方法を提供する。
【００１６】
本発明によれば、配線対を金属支持基板、導体層およびビア部で囲むことにより、同軸ケーブルに類似した構造とすることができ、電磁波シールド性の高いサスペンション用基板を得ることができる。さらに、本発明によれば、上記積層体のカバー層の上に上記導体層を形成するという簡便な方法で、電磁波シールド性の高いサスペンション用基板を得ることができる。
【００１７】
上記発明においては、上記ビア部が、ビア部用配線層を貫通するように形成され、上記ビア部用配線層の開口径が、上記ビア部が貫通する位置の上記絶縁層の開口径よりも小さいことが好ましい。厚さ方向における密着性を向上させることができるからである。
【００１８】
上記発明においては、上記積層体準備工程において、上記ビア部を、上記金属支持基板からの給電による電解めっき法により形成することが好ましい。絶縁層およびカバー層を貫通するビア部を密着性良く形成することができるからである。
【００１９】
上記発明においては、上記導体層形成工程において、上記導体層を、スパッタリング法により形成することが好ましい。
【００２０】
また、本発明においては、上述したサスペンション用基板を含むことを特徴とするサスペンションを提供する。
【００２１】
本発明によれば、上述したサスペンション用基板を用いることで、電磁波シールド性の高いサスペンションとすることができる。
【００２２】
また、本発明においては、上述したサスペンションと、上記サスペンションの素子実装領域に実装された素子と、を有することを特徴とする素子付サスペンションを提供する。
【００２３】
本発明によれば、上述したサスペンションを用いることで、電磁波シールド性の高い素子付サスペンションとすることができる。
【００２４】
また、本発明においては、上述した素子付サスペンションを含むことを特徴とするハードディスクドライブを提供する。
【００２５】
本発明によれば、上述した素子付サスペンションを用いることで、より高機能化されたハードディスクドライブとすることができる。
【発明の効果】
【００２６】
本発明においては、電磁波シールド性の高いサスペンション用基板を提供できるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】一般的なサスペンション用基板の一例を示す模式図である。
【図２】本発明のサスペンション用基板の一例を示す模式図である。
【図３】本発明におけるビア部を例示する概略断面図である。
【図４】本発明のサスペンション用基板の他の例を示す模式図である。
【図５】本発明のサスペンション用基板の他の例を示す模式図である。
【図６】本発明における導体層を説明する概略平面図である。
【図７】本発明のサスペンション用基板の製造方法の一例を示す概略断面図である。
【図８】本発明における積層体の形成方法の一例を示す概略断面図である。
【図９】本発明のサスペンションの一例を示す概略平面図である。
【図１０】本発明の素子付サスペンションの一例を示す概略平面図である。
【図１１】本発明のハードディスクドライブの一例を示す概略平面図である。
【図１２】実施例２および比較例１で得られたサスペンション用基板に対する差動インピーダンスの測定結果である。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
以下、本発明のサスペンション用基板、サスペンション用基板の製造方法、サスペンション、素子付サスペンションおよびハードディスクドライブについて詳細に説明する。
【００２９】
Ａ．サスペンション用基板
まず、本発明のサスペンション用基板について説明する。本発明のサスペンション用基板は、金属支持基板と、上記金属支持基板上に形成された絶縁層と、上記絶縁層上に形成され、第一配線層および第二配線層から構成される配線対と、上記配線対を覆うように形成されたカバー層と、を有するサスペンション用基板であって、上記カバー層上であり、かつ、平面視上、上記配線対と重なる位置に、導体層が形成され、上記配線対を挟むように配置され、上記絶縁層および上記カバー層を貫通し、上記金属支持基板および上記導体層を電気的に接続するビア部が形成されていることを特徴とするものである。
【００３０】
図１は、一般的なサスペンション用基板の一例を示す模式図である。図１（ａ）はサスペンション用基板の概略平面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ断面図である。なお、図１（ａ）では、便宜上、カバー層の記載は省略している。図１（ａ）に示されるサスペンション用基板２０は、一方の先端部分に形成された素子実装領域１１と、他方の先端部分に形成された外部回路基板接続領域１２と、素子実装領域１１および外部回路基板接続領域１２を電気的に接続する複数の配線層１３ａ〜１３ｄとを有するものである。配線層１３ａおよび配線層１３ｂは配線対であり、同様に、配線層１３ｃおよび配線層１３ｄも配線対である。これらの配線対は、一方がライト用配線対であり、他方がリード用配線対である。また、これらの配線対は、それぞれ、分布定数回路の概念において定義される特性インピーダンス（差動インピーダンス）を有する差動配線であることが好ましい。一方、図１（ｂ）に示されるように、サスペンション用基板は、金属支持基板１と、金属支持基板１上に形成された絶縁層２と、絶縁層２上に形成された配線層３と、配線層３を覆うカバー層４とを有するものである。
【００３１】
図２は、本発明のサスペンション用基板の一例を示す模式図である。図２（ａ）はサスペンション用基板を導体層側から観察した概略平面図であり、図２（ｂ）はサスペンション用基板を金属支持基板側から観察した概略平面図であり、図２（ｃ）は図２（ａ）のＡ−Ａ断面図である。図２（ｃ）に示すサスペンション用基板は、金属支持基板１と、金属支持基板１上に形成された絶縁層２と、絶縁層２上に形成され、第一配線層３ａおよび第二配線層３ｂから構成される配線対３Ａと、配線対３Ａを覆うように形成されたカバー層４とを有するものである。また、カバー層４上であり、かつ、平面視上、配線対３Ａと重なる位置には、導体層５が形成されている。さらに、配線対３Ａを挟むように配置され、絶縁層２およびカバー層４を貫通し、金属支持基板１および導体層５を電気的に接続するビア部６が形成されている。これにより、配線対３Ａを、金属支持基板１、導体層５およびビア部６で囲む構造とすることができ、同軸ケーブルに類似した構造とすることができる。
【００３２】
なお、図２（ｃ）では、ビア部６が、ビア部用配線層３ｅを貫通するように形成されている態様を示している。また、図２（ｂ）において、金属支持基板１は橋掛け部１ａおよび開口部を有し、マイクロウィンドウを形成している。マイクロウィンドウを形成することで、電気信号（特に高周波信号）の伝送ロスを小さくすることができる。また、金属支持基板１は、例えば、グランド層として機能するものである。
【００３３】
このように、本発明によれば、配線対を金属支持基板、導体層およびビア部で囲むことにより、同軸ケーブルに類似した構造とすることができ、電磁波シールド性の高いサスペンション用基板とすることができる。特に、本発明のサスペンション用基板は、形状的に小さいビア部を用いて配線対を囲むことが可能であるため、微細化に適しているという利点もある。さらに、ビア部の配置の自由度が高いという点でも、微細化に適しているといえる。
【００３４】
また、配線を覆うカバー層の表面上に導体層を設ける技術では、製造工程が複雑になる傾向にある。例えば特許文献５の図１に記載された製造方法では、シールド層６を部分的にエッチングする必要がある。また、特許文献６の図３〜図５に記載された製造方法では、グランド層の形成に、多くの工程が必要となる。これに対して、本発明のサスペンション用基板は、例えば、カバー層の上に導体層を形成するという簡便な方法で、製造することができる。そのため、大幅な工程数の増加を引き起こすことがないという利点を有する。
【００３５】
さらに、本発明によれば、配線対と導体層との間に容量性結合を形成することができるため、低インピーダンス化を図ることができる。また、本発明によれば、導体層が金属支持基板に電気的に接続されているため、静電気による不具合（例えば静電気による素子の破壊）を防止できるという利点もある。さらに、本発明によれば、熱アシスト記録で使用されるマイクロ波信号転送時のノイズ低減を図ることも可能である。すなわち、本発明における配線対は、記録アシスト素子への信号を伝送するための配線対であっても良い。
【００３６】
また、上述した特許文献７には、カバー層およびシールド層の間に異方導電性フィルムを設けた構造が開示されている。しかしながら、カバー層およびシールド層の間に全面的に異方導電性フィルムを設けると、カバー層（例えば樹脂）と、異方導電性フィルム（例えば樹脂）との間の密着性が低くなる可能性がある。これに対して、本発明においては、異方導電性フィルムを全面的に設けることがないので、密着性の低下を防止できる。
以下、本発明のサスペンション用基板について、サスペンション用基板の部材と、サスペンション用基板の構成とに分けて説明する。
【００３７】
１．サスペンション用基板の部材
まず、本発明のサスペンション用基板の部材について説明する。本発明のサスペンション用基板は、金属支持基板、絶縁層、第一配線、第二配線、カバー層、導体層およびビア部を有するものである。
【００３８】
本発明における金属支持基板は、サスペンション用基板の支持体として機能するものである。金属支持基板の材料は、ばね性を有する金属であることが好ましく、具体的にはＳＵＳ等を挙げることができる。金属支持基板の厚さは、その材料の種類により異なるものであるが、例えば５μｍ〜３０μｍの範囲内であることが好ましく、１０μｍ〜２０μｍの範囲内であることがより好ましい。なお、ＳＵＳについては、現行圧延可能なものの厚さは最小で１５μｍ程度である。今後の薄型化の要請を考慮すると、上記範囲であることが好ましい。
【００３９】
本発明における絶縁層は、金属支持基板上に形成されるものである。絶縁層の材料は、絶縁性を有するものであれば特に限定されるものではないが、例えば樹脂を挙げることができる。上記樹脂としては、例えばポリイミド樹脂、ポリベンゾオキサゾール樹脂、ポリベンゾイミダゾール樹脂、アクリル樹脂、ポリエーテルニトリル樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂およびポリ塩化ビニル樹脂を挙げることができ、中でもポリイミド樹脂が好ましい。絶縁性、耐熱性および耐薬品性に優れているからである。また、絶縁層の材料は、感光性材料であっても良く、非感光性材料であっても良い。絶縁層の厚さは、例えば５μｍ〜３０μｍの範囲内であることが好ましく、５μｍ〜１８μｍの範囲内であることがより好ましく、５μｍ〜１５μｍの範囲内であることがさらに好ましい。上記範囲内であれば、十分な低インピーダンス化を図れ、かつ、良好な絶縁性能（高周波損失の低減）を得ることができるからである。
【００４０】
本発明における第一配線層および第二配線層は、絶縁層上に形成されるものである。第一配線層および第二配線層は、配線対を構成する。配線対は差動配線であることが好ましい。さらに、配線対は、ライト用配線対であっても良く、リード用配線対であっても良い。また、上述したように、配線対は、記録アシスト素子への信号を伝送するための配線対であっても良い。一方、本発明においては、絶縁層上に、第三配線層および第四配線層から構成される配線対が形成されていることが好ましい。さらに、この配線対が、ライト用配線対またはリード用配線対である場合には、この配線対も差動配線であることが好ましい。また、第三配線層および第四配線層から構成される配線対が、異なる機能を有する配線対である場合（例えばシングル配線層およびグランド配線層の組み合わせである場合）には、差動配線である必要はない。配線層の材料としては、例えば金属を挙げることができ、中でも銅（Ｃｕ）が好ましい。導電性が高いからである。また、配線層の材料は、電解銅であっても良く、圧延銅であっても良い。配線層の厚さは、例えば５μｍ〜１８μｍの範囲内であることが好ましく、５μｍ〜１２μｍの範囲内であることがより好ましい。配線層の厚さが薄ければ、ファインピッチ化した配線層を得やすい。
【００４１】
本発明におけるカバー層は、配線対を覆うように形成されたものである。カバー層を設けることにより、配線対の劣化（例えば腐食）を防止することができる。カバー層の材料としては、例えば、上述した絶縁層の材料として記載した樹脂を挙げることができ、中でもポリイミド樹脂が好ましい。また、カバー層の材料は、感光性材料であっても良く、非感光性材料であっても良い。カバー層の厚さは、例えば２μｍ〜３０μｍの範囲内であることが好ましく、２μｍ〜１０μｍの範囲内であることがより好ましい。
【００４２】
本発明における導体層は、カバー層上であり、かつ、平面視上、配線対と重なる位置に形成されたものである。導体層の材料としては、導電性を有するものであれば特に限定されるものではないが、例えば金属を挙げることができ、具体的には、Ｐｔ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｔａ、および、これらの金属を一または二以上含有する合金等を挙げることができ、中でもＴｉ、Ｎｉ、Ｃｒが好ましく、特にＮｉ、Ｃｒが好ましい。耐食性が良好な導体層とすることができるからである。導体層の厚さは、所望の電磁波シールド効果を得ることができれば特に限定されるものではないが、例えば３０ｎｍ以上であることが好ましく、１００ｎｍ以上であることがより好ましく、３００ｎｍ以上であることがさらに好ましい。配線層の低インピーダンス化に効果的だからである。また、導体層の厚さが薄すぎると、耐スクラッチ性が低くなる可能性がある。同様に、導体層の厚さは、例えば１０μｍ以下であることが好ましく、６μｍ以下であることがより好ましく、４μｍ以下であることがさらに好ましい。導体層の厚さが厚すぎると、剛性が高くなり過ぎる可能性があるからである。
【００４３】
本発明におけるビア部は、配線対を挟むように配置され、絶縁層およびカバー層を貫通し、金属支持基板および導体層を電気的に接続するものである。ビア部の材料は、導電性を有するものであれば特に限定されるものではないが、例えば金属を挙げることができ、具体的には、ニッケル（Ｎｉ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、および、これらの金属を一または二以上含有する合金等を挙げることができ、中でもＮｉが好ましい。導電性および耐腐食性に優れているからである。また、本発明におけるビア部は、めっき法により形成されたものであることが好ましい。密着性が良好なビア部とすることができるからである。
【００４４】
２．サスペンション用基板の構成
次に、本発明のサスペンション用基板の構成について説明する。本発明のサスペンション用基板は、配線対を挟むように配置され、絶縁層およびカバー層を貫通し、金属支持基板および導体層を電気的に接続するビア部を有することを一つの特徴とする。
【００４５】
本発明においては、図３（ａ）に示すように、ビア部６が、ビア部用配線層３ｅを貫通するように形成されていることが好ましい。ビア部用配線層３ｅを設けることで、ビア部の密着性を向上させることができるからである。さらに、本発明においては、ビア部用配線層３ｅの開口径Ｗ１が、ビア部６が貫通する位置の絶縁層２の開口径Ｗ２よりも小さいことが好ましい。このように開口径を調整することで、厚さ方向における密着性を向上させることができるからである。
【００４６】
ここで、ビア部用配線層３ｅの開口径Ｗ１の値は、例えば３０μｍ〜１５０μｍの範囲内、中でも４０μｍ〜１００μｍの範囲内であることが好ましい。開口径Ｗ１の値が小さすぎると、ビア部の機械的強度が低くなる可能性があり、開口径Ｗ１の値が大きすぎると、微細化が困難になる可能性があるからである。また、絶縁層２の開口径Ｗ２の値は、例えば３０μｍ〜１５０μｍの範囲内、中でも５０μｍ〜１００μｍの範囲内であることが好ましい。開口径Ｗ２の値が小さすぎると、金属支持基板と十分に接触できない可能性があり、開口径Ｗ２の値が大きすぎると、微細化が困難になる可能性があるからである。また、両者の開口径の差（Ｗ２−Ｗ１）は、例えば５μｍ以上であることが好ましく、５μｍ〜４０μｍの範囲内であることがより好ましい。
【００４７】
また、ビア部６の頂部の幅をＷ３とした場合、Ｗ３の値は、例えば４５μｍ〜１２５μｍの範囲内であることが好ましく、６５μｍ〜１００μｍの範囲内であることがより好ましい。なお、ビア部６の頂部は、カバー層４の開口により規定されたものであることが好ましい。また、Ｗ３−Ｗ１は、例えば１５μｍ〜２０μｍの範囲内であることが好ましい。また、ビア部の端部と、配線層の端部との距離をＷ４とした場合、Ｗ４の値は、例えば１５μｍ〜２００μｍの範囲内であることが好ましく、３０μｍ〜１００μｍの範囲内であることがより好ましい。Ｗ４の値が小さすぎると、金属支持基板、導体層およびビア部からなるシールド構造と、配線層との容量性結合が高まり、電磁波シールド性が低下する可能性がある。一方、Ｗ４の値が大きすぎると、デザイン自由度が低下する可能性がある。
【００４８】
一方、本発明においては、図３（ｂ）に示すように、ビア部６が、絶縁層２およびカバー層４のみを貫通するものであっても良い。これにより、ビア部用配線層３ｅを形成する場合に比べて、ビア部６の小型化を図ることができ、微細化に適したサスペンション用基板とすることができる。
【００４９】
また、本発明におけるビア部の頂部の位置は、金属支持基板および導体層を電気的に接続可能な位置であれば特に限定されるものではない。ビア部の頂部の位置は、カバー層の頂部の位置に対して、低くても良く、同一であっても良く、高くても良いが、中でも、同一であるか高いことが好ましい。導体層に対する電気的な接続を取りやすいからである。さらに、ビア部の頂部の位置は、導体層の頂部の位置に対して、低くても良く、同一であっても良く、高くても良い。
【００５０】
また、図２に示したように、本発明におけるビア部６は、浮島状（ドット状）に形成されていることが好ましい。ビア部の配置の自由度がより高いからである。浮島状のビア部の平面視形状は、特に限定されるものではなく、任意の形状を採用することができる。具体的には、円状、楕円状、多角形状、十字状、櫛状等を挙げることができる。また、本発明におけるビア部６は、配線対３Ａの両端に、少なくとも一つずつ配置されていれば良いが、電磁波シールド性をより高くするという観点からは、図２に示したように、配線対３Ａの両端に、複数のビア部が配置されていることが好ましい。また、均等にビア部を配置することでシールド効果を安定させることができる。
【００５１】
また、図４は、本発明のサスペンション用基板の他の例を示す模式図であり、図４（ａ）はサスペンション用基板を導体層側から観察した概略平面図であり、図４（ｂ）は図４（ａ）のＡ−Ａ断面図である。なお、図４（ａ）では、便宜上、導体層の記載は省略している。図４に示すように、本発明におけるビア部６は、線状に形成されていることが好ましい。電磁波シールド性をさらに高くすることができるからである。特に、本発明おいては、図４（ａ）に示すように、配線対３Ａに沿って、線状のビア部６が形成されていることが好ましい。なお、本発明における線状には、直線状、曲線状、およびこれらの組み合わせが含まれる。
【００５２】
また、図５は、本発明のサスペンション用基板の他の例を示す模式図であり、図５（ａ）はサスペンション用基板を導体層側から観察した概略平面図であり、図５（ｂ）は図５（ａ）のＡ−Ａ断面図である。図５に示すように、本発明においては、第一配線層３ａおよび第二配線層３ｂから構成される第一配線対３Ａに対してだけでなく、第三配線層３ｃおよび第四配線層３ｄから構成される第二配線対３Ｂにも、同様のビア部６および導体層５が形成されていても良い。これにより、例えばリード用配線層およびライト用配線層の両方に対して、電磁波シールド性を高くすることができる。
【００５３】
なお、図５では、第一配線対３Ａおよび第二配線対３Ｂの間に、ビア部６が形成されているが、例えば第一配線対３Ａおよび第二配線対３Ｂが近接するような領域では、中央のビア部６を形成しなくても良い。また、図５では、導体層５がカバー層４の表面全体に形成されているが、本発明においては、平面視上、配線対と重なる位置に少なくとも導体層５が形成されていれば良い。このように導体層が形成されていれば、配線対に対して電磁波シールド性を付与することができるからである。
【００５４】
また、図６に示すように、配線対３Ａの長さ方向に対応する導体層５の総長をＬとする。このＬは、導体層５が連続的に形成されている場合にはその長さを意味し、導体層５が断続的に形成されている場合には、各断片における導体層５の合計の長さを意味する。Ｌの値は、特に限定されるものではないが、例えば５ｍｍ以上であることが好ましく、１０ｍｍ以上であることがより好ましい。また、配線対３Ａの全長に対するＬの割合は、例えば５０％以上であることが好ましく、７０％以上であることがより好ましく、９５％以上であることがさらに好ましい。Ｌの割合が大きいほど、電磁波シールド性が高くなるからである。また、インピーダンスの設計においては、配線対が同じ太さで直線的に形成された領域で、インピーダンスの調整を行うことが好ましい。インピーダンスの設計を行いやすいからである。本発明においては、そのような領域（インピーダンス調整領域）において、導体層が形成されていることが好ましい。
【００５５】
Ｂ．サスペンション用基板の製造方法
次に、本発明のサスペンション用基板の製造方法について説明する。本発明のサスペンション用基板の製造方法は、金属支持基板と、上記金属支持基板上に形成された絶縁層と、上記絶縁層上に形成され、第一配線層および第二配線層から構成される配線対と、上記配線対を覆うように形成されたカバー層と、上記配線対を挟むように配置され、上記絶縁層および上記カバー層を貫通し、上記金属支持基板と接触するビア部とを有する積層体を準備する積層体準備工程と、上記カバー層上であり、かつ、平面視上、上記配線対と重なる位置に、上記ビア部と接触する導体層を形成する導体層形成工程と、を有することを特徴とするものである。
【００５６】
図７は、本発明のサスペンション用基板の製造方法の一例を示す概略断面図である。図７は、上述した図５（ｂ）と同様に、図５（ａ）のＡ−Ａ断面図に相当するものである。図７においては、まず、積層体２１を準備する（図７（ａ））。この積層体２１は、金属支持基板１と、金属支持基板１上に形成された絶縁層２と、絶縁層２上に形成された、第一配線層３ａおよび第二配線層３ｂから構成される第一配線対３Ａ、および、第三配線層３ｃおよび第四配線層３ｄから構成される第二配線対３Ｂと、第一配線対３Ａおよび第二配線対３Ｂを覆うように形成されたカバー層４と、第一配線対３Ａおよび第二配線対３Ｂを挟むように配置され、絶縁層２およびカバー層４を貫通し、金属支持基板１と接触するビア部６とを有するものである。次に、この積層体に対して、カバー層４上であり、かつ、平面視上、第一配線対３Ａおよび第二配線対３Ｂと重なる位置に、ビア部６と接触する導体層５を形成する（図７（ｂ））。これにより、サスペンション用基板２０を得ることができる。
【００５７】
本発明によれば、配線対を金属支持基板、導体層およびビア部で囲むことにより、同軸ケーブルに類似した構造とすることができ、電磁波シールド性の高いサスペンション用基板を得ることができる。さらに、本発明によれば、上記積層体のカバー層の上に上記導体層を形成するという簡便な方法で、電磁波シールド性の高いサスペンション用基板を得ることができる。
以下、本発明のサスペンション用基板の製造方法について、工程ごとに説明する。
【００５８】
１．積層体準備工程
本発明における積層体準備工程は、上述した積層体を準備する工程である。本発明における積層体は、導体層を形成する前の部材であり、その形成方法は、特に限定されるものではなく、任意の方法が可能である。後述するように三層材を用いて積層体を形成しても良く、いわゆるアディティブ法により積層体を形成しても良い。
【００５９】
図８は、本発明における積層体の形成方法の一例を示す概略断面図である。図８においては、まず、金属支持基板１Ｘと、金属支持基板１Ｘ上に形成された絶縁層２Ｘと、絶縁層２Ｘ上に形成された配線層３Ｘとを有する積層部材（三層材）を準備する（図８（ａ））。次に、金属支持基板１Ｘおよび配線層３Ｘの両面に、ＤＦＲを用いてレジストパターンを作製し、そのレジストパターンから露出する金属支持層１Ｘおよび配線層３Ｘをウェットエッチングする。これにより、第一配線層３ａ、第二配線層３ｂ、第三配線層３ｃ、第四配線層３ｄ、ビア部用配線層３ｅを形成する（図８（ｂ））。また、この工程で、第一配線層３ａ、第二配線層３ｂ、第三配線層３ｃおよび第四配線層３ｄの下に位置する金属支持基板１Ｘを除去しておく。
【００６０】
その後、配線層３ａ〜３ｅを覆うカバー層４を形成する（図８（ｃ））。この際、ビア部を形成する位置には、カバー層４の開口を設ける。次に、絶縁層２Ｘをウェットエッチングし、絶縁層２を形成する（図８（ｄ））。この際、ビア部を形成する位置では、絶縁層２の開口を設ける。次に、金属支持基板１Ｘからの給電による電解めっき法により、絶縁層２、ビア部用配線層３ｅおよびカバー層４を貫通するビア部６を形成する（図８（ｄ））。また、この際、金属支持基板１Ｘの外形加工を行い、金属支持基板１を形成することが好ましい。これにより、積層体２１を得ることができる。なお、図８（ｄ）に示される積層体２１は、外形加工後の金属支持基板を示しているが、本発明においては、後述する導体層形成工程の後に、金属支持基板の外形加工を行っても良い。
【００６１】
また、図８においては、種々のウェットエッチングを行っているが、ウェットエッチングに用いられるエッチング液は、各材料の特性を考慮して、適宜選択することが好ましい。例えば、金属支持基板にＳＵＳを用いている場合、ならびに、配線層に銅を用いている場合には、エッチング液として、例えば塩化鉄系エッチング液を用いることができる。また、絶縁層およびカバー層にポリイミド樹脂を用いている場合は、エッチング液として、例えばアルカリ系エッチング液を用いることができる。また、上述した各工程においては、必要に応じて、適宜レジストパターンを形成することが好ましい。
【００６２】
また、特に本発明においては、金属支持基板からの給電による電解めっき法によりビア部を形成することが好ましい（例えば、上述した図８（ｄ））。絶縁層およびカバー層を貫通するビア部を密着性良く形成することができるからである。
【００６３】
２．導体層形成工程
次に、本発明における導体層形成工程について説明する。本発明における導体層形成工程は、上記カバー層上であり、かつ、平面視上、上記配線対と重なる位置に、上記ビア部と接触する導体層を形成する工程である。
【００６４】
導体層の形成方法は、所望の導体層を得ることができる方法であれば特に限定されるものではない。導体層の形成方法の一例としては、蒸着法を挙げることができ、ＰＶＤ（物理蒸着）法であっても良く、ＣＶＤ（化学蒸着）法であっても良いが、ＰＶＤ法が好ましい。さらに、ＰＶＤ法としては、スパッタリング法、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、イオンプレーティング法等を挙げることができ、中でも、スパッタリング法が好ましい。本発明においては、蒸着法のみで導体層を形成しても良く、蒸着法と電解めっき法とを組み合わせて導体層を形成しても良い。後者の場合は、通常、蒸着法によりシード層を形成し、そのシード層からの給電により、電解めっき法を行う。また、本発明においては、無電解めっき法のみで導体層を形成しても良く、無電解めっき法と電解めっき法とを組み合わせて導体層を形成しても良い。
【００６５】
Ｃ．サスペンション
次に、本発明のサスペンションについて説明する。本発明のサスペンションは、上述したサスペンション用基板を含むことを特徴とするものである。
【００６６】
本発明によれば、上述したサスペンション用基板を用いることで、電磁波シールド性の高いサスペンションとすることができる。
【００６７】
図９は、本発明のサスペンションの一例を示す概略平面図である。図９に示されるサスペンション４０は、上述したサスペンション用基板２０と、素子実装領域１１が形成されている表面とは反対側のサスペンション用基板２０の表面に備え付けられたロードビーム３０とを有するものである。
【００６８】
本発明のサスペンションは、少なくともサスペンション用基板を有し、通常は、さらにロードビームを有する。サスペンション用基板については、上記「Ｂ．サスペンション用基板」に記載した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。また、ロードビームは、一般的なサスペンションに用いられるロードビームと同様のものを用いることができる。
【００６９】
Ｄ．素子付サスペンション
次に、本発明の素子付サスペンションについて説明する。本発明の素子付サスペンションは、上述したサスペンションと、上記サスペンションの素子実装領域に実装された素子と、を有することを特徴とするものである。
【００７０】
本発明によれば、上述したサスペンションを用いることで、電磁波シールド性の高い素子付サスペンションとすることができる。
【００７１】
図１０は、本発明の素子付サスペンションの一例を示す概略平面図である。図１０に示される素子付サスペンション５０は、上述したサスペンション４０と、サスペンション４０の素子実装領域１１に実装された素子４１とを有するものである。
【００７２】
本発明の素子付サスペンションは、少なくともサスペンションおよび素子を有するものである。サスペンションについては、上記「Ｃ．サスペンション」に記載した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。また、素子実装領域に実装される素子としては、例えば、磁気ヘッドスライダ、アクチュエータ、半導体等を挙げることができる。また、上記アクチュエータは、磁気ヘッドを有するものであっても良く、磁気ヘッドを有しないものであっても良い。
【００７３】
Ｅ．ハードディスクドライブ
次に、本発明のハードディスクドライブについて説明する。本発明のハードディスクドライブは、上述した素子付サスペンションを含むことを特徴とするものである。
【００７４】
本発明によれば、上述した素子付サスペンションを用いることで、より高機能化されたハードディスクドライブとすることができる。
【００７５】
図１１は、本発明のハードディスクドライブの一例を示す概略平面図である。図１１に示されるハードディスクドライブ６０は、上述した素子付サスペンション５０と、素子付サスペンション５０がデータの書き込みおよび読み込みを行うディスク５１と、ディスク５１を回転させるスピンドルモータ５２と、素子付サスペンション５０の素子を移動させるアーム５３およびボイスコイルモータ５４と、上記の部材を密閉するケース５５とを有するものである。
【００７６】
本発明のハードディスクドライブは、少なくとも素子付サスペンションを有し、通常は、さらにディスク、スピンドルモータ、アームおよびボイスコイルモータを有する。素子付サスペンションについては、上記「Ｄ．素子付サスペンション」に記載した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。また、その他の部材についても、一般的なハードディスクドライブに用いられる部材と同様のものを用いることができる。
【００７７】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と、実質的に同一の構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなる場合であっても本発明の技術的範囲に包含される。
【実施例】
【００７８】
以下、実施例を用いて、本発明をさらに具体的に説明する。
【００７９】
［実施例１］
まず、厚さ１８μｍのＳＵＳ３０４（金属支持基板）、厚さ１０μｍのポリイミド樹脂層（絶縁層）、厚さ５μｍの電解銅層（配線層）を有する積層部材（三層材）を準備した（図８（ａ））。次に、ＳＵＳ側で位置精度が重要な治具孔と、電解銅側で配線層（第一配線層〜第四配線層、ビア部用配線層）とを形成できるように、ドライフィルムを用いて同時にパターニングし、パターン状のレジストを形成した。その後、塩化第二鉄液を用いてエッチングし、エッチング後レジスト剥膜を行った（図８（ｂ））。
【００８０】
次に、パターニングされた配線層上に、ポリイミド前駆体溶液をダイコーターでコーティングし、乾燥後、レジスト製版し現像と同時にポリイミド前駆体膜をエッチングし、その後、窒素雰囲気下、加熱することにより硬化（イミド化）させ、カバー層を形成した（図８（ｃ））。カバー層は配線層を覆うように形成され、配線層上に形成されたカバー層の厚さは１０μｍであった。次に、絶縁層のウェットエッチングを行った（図８（ｄ））。次に、金属支持基板からの給電による電解めっき法により、ビア部を形成した。次に、金属支持基板のウェットエッチングを行い、積層体を得た（図８（ｄ））。
【００８１】
その後、積層体のカバー層上に、スパッタリング法により、Ｎｉ、Ｃｒからなる２層混合の導体層（厚さ０．３μｍ）を形成した（図７（ｂ））。これにより、本発明のサスペンション用基板を得た。
【００８２】
［実施例２］
導体層の種類をＰｔに変更したこと以外は、実施例１と同様にしてサスペンション用基板を得た。
【００８３】
［比較例１］
導体層を形成しなかったこと以外は、実施例２と同様にしてサスペンション用基板を得た。
【００８４】
［評価］
実施例２および比較例１で得られたサスペンション用基板の差動インピーダンスを測定した。その結果を図１２に示す。図１２に示されるように、導体層を形成することにより、差動インピーダンスが９０Ωから６０Ωに低減した。これは、配線対と導体層との間に容量性結合を形成することができたためである。
【符号の説明】
【００８５】
１…金属支持基板、  ２…絶縁層、  ３…配線層、  ３ａ…第一配線層、  ３ｂ…第二配線層、３ｃ…第三配線層、３ｄ…第四配線層、３ｅ…ビア部用配線層、  ４…カバー層、  ５…導体層、  ６…ビア部、  １１…素子実装領域、  １２…外部回路基板接続領域、  １３…配線層、  ２０…サスペンション用基板、  ２１…積層体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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