(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
リードフレームに実装されたＬＥＤチップを樹脂封止して得られるＬＥＤパッケージ用基板の製造方法であって、
第一の幅を有する複数の第一のランナを備えた一次成形用の金型を用いて、前記リードフレームをクランプすることにより隣接する前記第一のランナの間に第一の凹部を形成するとともに、前記リードフレームのＬＥＤチップ実装領域を取り囲むように該リードフレームの上に第一の樹脂を成形するステップと、
前記ＬＥＤチップ実装領域に前記ＬＥＤチップを実装するステップと、
前記第一の幅よりも広い第二の幅を有する複数の第二のランナを備えた二次成形用の金型を用いて、前記リードフレームをクランプすることにより隣接する前記第二のランナの間であって、かつ、前記第一の凹部が形成された領域の内部に第二の凹部を形成するとともに、前記ＬＥＤチップを封止するように第二の樹脂を成形するステップと、を有することを特徴とするＬＥＤパッケージ用基板の製造方法。
【請求項２】
前記第二のランナは、前記第一の幅よりも広くて前記第二の幅よりも狭い縮径部を備え、
前記第二の樹脂を成形するステップにおけるディゲート時に、前記縮径部を基点として前記第二のランナの部位に成形された前記第二の樹脂が切断されることを特徴とする請求項１に記載のＬＥＤパッケージ用基板の製造方法。
【請求項３】
前記第一の樹脂を成形するステップは、第三の幅を有する第一のエアベントを備えた前記一次成形用の金型を用いて前記第一の樹脂を成形し、
前記第二の樹脂を成形するステップは、前記第三の幅よりも広い第四の幅を有する第二のエアベントを備えた前記二次成形用の金型を用いて前記第二の樹脂を成形することを特徴とする請求項１又は２に記載のＬＥＤパッケージ用基板の製造方法。
【請求項４】
前記第二の樹脂を成形するステップは、前記第一の樹脂を成形するステップにおいて前記第一のランナが前記リードフレームの上に配置された領域を包含するように、前記第二のランナを配置して行われることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のＬＥＤパッケージ用基板の製造方法。
【請求項５】
前記第一の樹脂を成形するステップは、前記リードフレームに設けられたガイド孔に、前記一次成形用の金型に設けられた第一のガイドピンを挿入して行われ、
前記第二の樹脂を成形するステップは、前記リードフレームに設けられた前記ガイド孔の前記第一のガイドピンが挿入された位置と異なる位置に、前記二次成形用の金型に設けられた第二のガイドピンを挿入して行われることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載のＬＥＤパッケージ用基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、二次成形によりレンズを成形するＬＥＤパッケージ用基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、特許文献１に開示されているように、所定の波長の光を発するＬＥＤチップを備えたＬＥＤパッケージがある。このようなＬＥＤパッケージは、リードフレームの上に複数のＬＥＤチップを実装してＬＥＤパッケージ用基板を形成し、このＬＥＤパッケージ用基板を切断して個片化することにより製造される。
【０００３】
特許文献１には、リードフレームの上に複数のＬＥＤチップの各々を取り囲むように、トランスファ成形により一次成形樹脂（白樹脂）で一括成形されたリフレクタが設けられている。また、複数のＬＥＤチップは、レンズ部としての機能を備えた二次成形樹脂（透明樹脂）により封止されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１０−１８２７７０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１に開示されているＬＥＤパッケージにおいて、トランスファ成形によりリードフレームに一次成形樹脂及び二次成形樹脂を成形した場合、それぞれの樹脂を成形した直後に金型のランナ及びゲートの部分に成形された余分な樹脂を除去するディゲート工程が必要となる。
【０００６】
ところが、一次成形時のディゲート工程にてランナ及びゲートの部分に成形された余分な樹脂を除去しようとしても、この余分な樹脂を完全に除去することは困難であり、樹脂バリが生じてしまう。また、リードフレームは一次成形用の金型でクランプされることにより、ランナ及びゲートの当接部位にて僅かに変形する。このため、二次成形時の金型でリードフレームをクランプすると、樹脂バリやリードフレームの段差により、金型とリードフレームとの間に隙間が生じてしまい樹脂漏れが生じてしまう。この結果、二次成形時に成形不良を招くおそれがあった。
【０００７】
そこで本発明は、二次成形時の成形不良を低減させるＬＥＤパッケージ用基板の製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一側面としてのＬＥＤパッケージ用基板の製造方法は、リードフレームに実装されたＬＥＤチップを樹脂封止して得られるＬＥＤパッケージ用基板の製造方法であって、第一の幅を有する複数の第一のランナを備えた一次成形用の金型を用いて、前記リードフレームをクランプすることにより隣接する前記第一のランナの間に第一の凹部を形成するとともに、前記リードフレームのＬＥＤチップ実装領域を取り囲むように該リードフレームの上に第一の樹脂を成形するステップと、前記ＬＥＤチップ実装領域に前記ＬＥＤチップを実装するステップと、前記第一の幅よりも広い第二の幅を有する複数の第二のランナを備えた二次成形用の金型を用いて、前記リードフレームをクランプすることにより隣接する前記第二のランナの間であって、かつ、前記第一の凹部が形成された領域の内部に第二の凹部を形成するとともに、前記ＬＥＤチップを封止するように第二の樹脂を成形するステップと、を有する。
【０００９】
本発明の他の目的及び特徴は、以下の実施例において説明される。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、二次成形時の成形不良を低減させるＬＥＤパッケージ用基板の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本実施例におけるリードフレームの平面図であり、（ａ）一次成形前の状態、（ｂ）一次成形後の状態である。
【図２】本実施例における一次成形に用いられる金型の概略断面図であり、（ａ）樹脂封止前、（ｂ）樹脂封止後の状態である。
【図３】本実施例における二次成形に用いられる金型の概略断面図であり、（ａ）樹脂封止前、（ｂ）樹脂封止後の状態である。
【図４】本実施例におけるＬＥＤパッケージ用基板の平面図である。
【図５】本実施例における二次成形時のリードフレームの要部拡大図であり、（ａ）平面図、（ｂ）一次成形後の断面図、（ｃ）二次成形後の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明の実施例について、図面を参照しながら詳細に説明する。各図において、同一の部材については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。
【００１３】
まず、図１を参照して、本発明の実施例におけるリードフレーム及びＬＥＤパッケージ用基板について説明する。図１は、本実施例におけるリードフレーム１０の平面図であり、図１（ａ）は一次成形前の状態、図１（ｂ）は一次成形後の状態をそれぞれ示す。後述のように、リフレクタ用の樹脂封止後（一次成形後）のリードフレーム１０にＬＥＤチップを実装してレンズ用の樹脂封止（二次成形）を行うことにより、ＬＥＤパッケージ用基板が得られる。ＬＥＤパッケージ用基板は、所定のダイシング（個片化）工程を経ることにより、最終製品であるＬＥＤパッケージが製造される。
【００１４】
リードフレーム１０は、例えば、銅系フレーム材の表面に、ニッケル、パラジウム、銀、又は金などで構成されるメッキ層（例えばＮｉ−Ａｇメッキ）を形成して構成される。リードフレーム１０の板厚は、例えば０．５ｍｍであり、板厚０．２ｍｍや０．３ｍｍ程度のリードフレームを用いてもよい。
【００１５】
リードフレーム１０は、後述のＬＥＤチップの第１の電極（アノード電極）に電気的接続されるように構成されたダイパッド１２（ベース側リード）を備える。またリードフレーム１０は、ＬＥＤチップの第１の電極とは異なる第２の電極（カソード電極）に電気的接続されるように構成されたリード１３（端子側リード）を備える。ＬＥＤチップは、ダイパッド１２の上に実装される。ダイパッド１２及びリード１３の周囲（ダイパッド１２とリード１３との間）には抜き孔１６が設けられており、ダイパッド１２とリード１３は互いに分離されている。本実施例では、ダイパッド１２及びリード１３によりパッド部１４が構成される。なお、本実施例はこれに限定されるものではなく、上述の構成とは逆に、ＬＥＤチップのカソード電極をダイパッド１２に接続し、アノード電極をリード１３に接続するように構成してもよい。
【００１６】
またリードフレーム１０には、その四隅において長孔状のガイド孔２０が形成されており、また、対向する二辺において丸孔状のガイド孔２２、２３が形成されている。後述のように、ガイド孔２０、２２は、一次成形用の金型の位置合わせを行うために用いられ、ガイド孔２０、２３は、二次成形用の金型の位置合わせを行うために用いられる。このように、長孔状のガイド孔２０は、一次成形用の金型と二次成形用の金型と別の位置にガイドピンが挿入されることで共有されてランナの奥行き方向の位置を案内するガイド孔である。一方、丸孔状のガイド孔は、一次成形用の金型に用いられるガイド孔２２と二次成形用の金型に用いられるガイド孔２３のように別々に設けられている。図１（ａ）において、一次成形に用いられる金型のランナ５４及びその金型で成形されることになる樹脂７１を、それぞれ二点鎖線を示している。また、一次成形用の上金型５０に設けられたエアベント１６０も二点鎖線で示している。本実施例のリードフレーム１０は、複数のパッド部１４（単位要素）から構成されており、図１（ａ）に示されるリードフレーム１０の範囲において、縦５個及び横６個の合計３０個のＬＥＤパッケージが製造される。
【００１７】
図１（ｂ）に示されるように、リードフレーム１０に対して一次成形樹脂としての樹脂７１（第一の樹脂）をトランスファ成形することにより、パッド部１４を形成する抜き孔１６を一括して封止する矩形状のパッケージがリードフレーム１０上に形成される。樹脂７１は、ＬＥＤチップ実装領域１８の周囲を取り囲むようにリードフレーム１０の表面上にリフレクタ７２を形成する。このように本実施例によれば、リードフレーム１０における全てのＬＥＤチップ実装領域１８のリフレクタ７２を一体的に樹脂７１で形成したマップタイプのＬＥＤパッケージ用基板が製造される。ただし本発明はこれに限定されるものではなく、マトリックスタイプのＬＥＤパッケージ用基板にも適用可能である。
【００１８】
一次成形用の下金型には複数のガイドピン３０、３２が設けられている。一次成形時において、ガイドピン３０、３２はリードフレーム１０に形成されたガイド孔２０、２２にそれぞれ挿入されることにより、リードフレーム１０と下金型との位置合わせを行うことができる。なお本実施例において、ガイド孔はランナ５４側及びエアベント１６０側の両方に設けられているが、これに限定されるものではなく、いずれか一方に設けられていればよい。
【００１９】
次に、図２を参照して、本実施例におけるリードフレーム１０を一次成形樹脂で樹脂封止する際に用いられる金型について説明する。図２は、本実施例における一次成形に用いられる金型の概略断面図であり、金型でリードフレームをクランプした状態を示す。図２（ａ）は、樹脂封止前の状態であり、図１（ａ）の線Ａ−Ａで切断した断面を示す。また図２（ｂ）は、樹脂封止後の状態であり、図１（ｂ）の線Ｂ−Ｂで切断した断面を示す。なお、これらの図において、一点鎖線を挟んだ左側には同様の構成が配置されることにより、一度の成形で２枚のリードフレーム１０が樹脂封止される。
【００２０】
図２（ａ）、（ｂ）に示されるように、本実施例において、一次成形時に用いられる金型は、上金型５０と下金型６０を備えて構成されている。上金型５０は、上型インサート５１ａ、５１ｂ、及び、センターインサート５３を備えて構成されている。上型インサート５１ａには、パッド部１４と同じ間隔で設けられて突出する複数の凸部５２が設けられている。複数の凸部５２は、矩形状のキャビティ５７により囲まれている。このような構成により、上金型５０は、リードフレーム１０に充填する樹脂７１（一次成形樹脂）の形状を決定する。
【００２１】
上型インサート５１のキャビティ５７の内部には、リードフレーム１０に対してトランスファ成形により樹脂封止される際に樹脂が充填される。キャビティ５７の内部に充填された樹脂は、後述のＬＥＤチップからの光を反射させるリフレクタを形成する。また、複数の凸部５２は、リードフレーム１０のパッド部１４をクランプするクランプ面（ＬＥＤチップ実装領域１８）となる。
【００２２】
センターインサート５３にはカル５５とランナ５４の一部が形成されており、これらは上型インサート５１に形成されたランナ５４の他の一部とゲート５６に連通している。上金型５０は、樹脂封止時において、パッド部１４（ダイパッド１２及びリード１３）とキャビティ５７とが重なるようにリードフレーム１０を上面側から押さえ付ける。
【００２３】
下金型６０は下型インサート６１を備えて構成され、リードフレーム１０は平面状の下型インサート６１の上に配置される。下金型６０は、樹脂封止時において、リードフレーム１０を下面側から押さえ付ける。
【００２４】
このように本実施例の金型は、上金型５０と下金型６０とを主体として構成されている。樹脂封止時（樹脂モールド時）には、上金型５０と下金型６０とでリードフレーム１０をクランプし（挟み）、キャビティ５７及び抜き孔１６の内部に一次成形樹脂としての樹脂７１（リフレクタ用の樹脂）を充填する。
【００２５】
７０は、熱硬化性樹脂等をタブレット（円柱）状に成形した樹脂タブレットである。樹脂封止時には、図２（ａ）に示されるように、下金型６０のポットインサート６２に挿入されたポット６３を予熱し、その中に樹脂タブレット７０を投入して溶融させる。そして、トランスファ機構（不図示）によってポット６３に沿って上下に摺動可能に構成されたプランジャ６４を上動させて溶融した樹脂７１を圧送することにより、図２（ｂ）に示されるように、上金型５０と下金型６０との間が樹脂７１で充填される。なお、樹脂タブレット７０に代えて液状の熱硬化性樹脂をディスペンサ（不図示）で供給することもできる。また、粒状、顆粒状やゲル状の樹脂を用いることもできる。
【００２６】
プランジャ６４によって樹脂７１が圧送されることにより、溶融した樹脂７１は、カル５５、ランナ５４、及び、ゲート５６を介して、抜き孔１６、及び、キャビティ５７へ供給される。すなわち樹脂７１は、ゲート５６に近い抜き孔１６及びキャビティ５７から、ゲート５６から離れた（遠い）抜き孔１６及びキャビティ５７に向けて順次供給されていく。このようにして、樹脂タブレット７０が溶融して樹脂７１となり、上金型５０と下金型６０で形成された空間に注入される。この結果、図２（ｂ）に示されるように、上金型５０と下金型６０の間の空間（具体的には、キャビティ５７及び抜き孔１６）は、樹脂７１により充填された状態となる。
【００２７】
樹脂７１の充填後、樹脂７１を硬化させるために所定時間だけ待機し、上金型５０及び下金型６０の型閉状態を開放する。次いで、樹脂モールドされたＬＥＤパッケージ用基板が搬出された後に金型のパーティング面等をクリーニングし、１回の樹脂モールド工程が終了する。上記工程を経ると、図１（ｂ）に示されるように、リードフレーム１０上に一次成形樹脂としての樹脂７１が形成される。
【００２８】
樹脂７１（白樹脂）は、例えば酸化チタンやアルミナ等の白色粉末及びシリカなどを含有したシリコーン樹脂やエポキシ樹脂からなる熱硬化性樹脂である。前述のように、樹脂７１は、トランスファ成形により樹脂を流し込んで硬化させることにより、リードフレーム１０上に一体的に上パッケージが形成される。
【００２９】
また、樹脂７１は、後述のＬＥＤチップから発せられた光を上方に反射させるリフレクタ７２を形成する。また、樹脂７１は、ＬＥＤパッケージの強度を向上させるという機能も有する。ただし樹脂７１は、凸部５２によってクランプされることで複数の領域においてＬＥＤチップが搭載されることになるリードフレーム１０上の所定の領域（ＬＥＤチップ実装領域１８）には形成されない。ＬＥＤチップ実装領域１８は、一次成形後において、リードフレーム１０の表面が露出した領域である。最終的に、ランナ５４及びゲート５６に充填された余分な樹脂７１を切断（ツイスト）して、リードフレーム１０から除去する（ディゲート工程）。ただし、このディゲート工程では、樹脂７１を完全に除去することは困難である。すなわち、リードフレーム１０の表面の微細な凹凸に充填されて密着力の強い薄い樹脂７１の層が少なからず樹脂バリとして残留してしまう。また、リードフレーム１０は一次成形用の金型でクランプされているため、この際にはリードフレーム１０はランナ５４の当接部位にて僅かに変形している（段差を有する）。
【００３０】
次に、図３及び図４を参照して、本実施例におけるリードフレーム１０を二次成形樹脂で樹脂封止する際に用いられる金型、及び、ＬＥＤパッケージ用基板について説明する。図３は、本実施例における二次成形に用いられる金型の概略断面図であり、金型でＬＥＤパッケージ用基板をクランプした状態を示す。図３（ａ）は、樹脂封止前の状態であり、図３（ｂ）は、樹脂封止後の状態である。なお、これらの図において、一点鎖線を挟んだ左側には同様の構成が配置されることにより、一度の成形で２枚のＬＥＤパッケージ用基板が樹脂封止される。また図４は、二次成形後のＬＥＤパッケージ用基板の平面図である。図４の線Ｂ−Ｂで切断した断面は図３（ｂ）に相当する。
【００３１】
図３及び図４に示されるように、一次成形後のリードフレーム１０の上には、ＬＥＤチップ実装領域１８において、ＬＥＤチップ４０（半導体チップ）が実装される。本実施例における二次成形は、リードフレーム１０上にＬＥＤチップ４０を実装した後に行われる。
【００３２】
図３（ａ）、（ｂ）に示されるように、本実施例において、二次成形時に用いられる金型は、上金型８０と下金型９０を備えて構成されている。上金型８０は、上型インサート８１ａ、８１ｂ、及び、センターインサート８３を備えて構成されている。上型インサート８１ａ、８１ｂには、矩形状のキャビティ８７が設けられている。またキャビティ８７の内部には、半球状の複数の凹部８９がパッド部１４と同じ間隔で設けられている。このような構成により、上金型８０は、リードフレーム１０に充填する樹脂７６（二次成形樹脂）の形状を決定する。
【００３３】
上型インサート８１のキャビティ８７（凹部８９）の内部には、トランスファ成形により二次成形樹脂としての樹脂７６（第二の樹脂）が充填される。凹部８９の内部に樹脂７６が充填されることにより、ＬＥＤパッケージのレンズ部７９が形成される。
【００３４】
センターインサート８３には、一次成形時に用いられる上金型５０と同様に、カル８５とランナ８４の一部が形成されており、これらは上型インサート８１に形成されたランナ８４の他の一部とゲート８６に連通している。上金型８０は、樹脂封止時において、凹部８９とＬＥＤチップ４０（ＬＥＤチップ実装領域１８）とが重なるようにリードフレーム１０を上面側から押さえ付ける。図４において、一次成形用の金型のランナ５４を破線で示し、二次成形用の金型のランナ８４を実線で示している。また、一次成形用の金型に形成されたエアベント１６０を二点鎖線で示し、二次成形用の金型に形成されたエアベント１６２を破線で示している。
【００３５】
下金型９０は、一次成形時に用いられる下金型６０と同様に、下型インサート９１を備えて構成され、リードフレーム１０は平面状の下型インサート９１の上に配置される。下金型９０は、樹脂封止時において、リードフレーム１０を下面側から押さえ付ける。
【００３６】
このように本実施例の金型は、上金型８０と下金型９０とを主体として構成されている。樹脂封止時（樹脂モールド時）には、上金型８０と下金型９０とでリードフレーム１０をクランプし（挟み）、キャビティ８７及び複数の凹部８９の内部に二次成形樹脂としての樹脂７６（レンズ用の樹脂）をトランスファ成形により充填する。この結果、ＬＥＤチップ４０は樹脂７６で充填される。
【００３７】
二次成形用の下金型９０には、複数のガイドピン３４、３６が設けられている。二次成形時において、ガイドピン３４、３６はリードフレーム１０に形成されたガイド孔２０、２３にそれぞれ挿入されることにより、リードフレーム１０と下金型９０との位置合わせを行うことができる。ガイドピン３４は、一次成形と同様に長孔状のガイド孔２０に挿入されるが、一次成形用の金型に設けられたガイドピン３０の位置とは少しずれた位置に配置されている。このため、一次成形の際にガイドピン３０、３２が挿入された状態でクランプされることでガイド孔２０、２２が変形してしまったとしても、二次成形の際にはガイドピン３４、３６は変形していない部分で位置合わせすることができる。このように、変形していないガイド孔３０、３６でガイドすることができ、レンズ成形位置とリフレクタ成形位置とを精度よく位置合わせすることができる。また、一次成形用金型のランナ５４の位置に残る樹脂バリに対して二次成形用のランナ８４を精度よく位置合わせすることもできる。なお本実施例において、ガイド孔はランナ８４側及びエアベント１６２側のいずれか一方に設けられていればよい。ただし、残留する樹脂バリに対するランナ８４の位置合わせのためには、ランナ８４側に設けられているほうが好ましい。
【００３８】
図３（ａ）において、７５は熱硬化性樹脂等をタブレット（円柱）状に成形した樹脂タブレットである。上述の樹脂タブレット７０の場合と同様に、下金型９０のポットインサート９２に挿入されたポット９３を予熱し、その中に樹脂タブレット７５を投入して溶融させる。そして、トランスファ機構（不図示）によってポット９３に沿って上下に摺動可能に構成されたプランジャ９４を上動させて溶融した樹脂７６を圧送することにより、図３（ｂ）に示されるように、上金型８０と下金型９０との間が樹脂７６で充填される。
【００３９】
プランジャ９４によって樹脂７６が圧送されることにより、溶融した樹脂７６は、図３に示されるようにカル８５、ランナ８４、及び、ゲート８６を介して、キャビティ８７（凹部８９）へ供給される。この結果、図３（ｂ）に示されるように、上金型８０と下金型９０の間の空間は、樹脂７６により充填された状態となる。
【００４０】
二次成形樹脂としての樹脂７６は透明樹脂であり、例えば、透光性を有するシリコーン樹脂が用いられる。シリコーン樹脂は、ＬＥＤチップ４０の発光波長が青色光等の短波長である場合や、ＬＥＤチップが高輝度ＬＥＤであり多量の熱を発生する場合に、その光や熱による変色や劣化に対する耐久性に優れている。ただし、二次成形樹脂としての樹脂７６はシリコーン樹脂に限定されるものではなく、例えばエポキシ樹脂、ウレタン樹脂またはアクリル樹脂等の透光性を有する熱硬化性樹脂を採用してもよい。
【００４１】
二次成形樹脂（樹脂７６）に関しても、一次成形樹脂（樹脂７１）と同様に、最終的に、ランナ８４及びゲート８６に充填された余分な樹脂７６を切断（ツイスト）して、リードフレーム１０から除去する（ディゲート工程）。本実施例のランナ８４には、縮径部８４ａが設けられている。このため、ディゲート工程の際に、縮径部８４ａを基点としてランナ８４の部分に成形された樹脂が切断される。
【００４２】
続いて、図５を参照して、本実施例における一次成形用の金型のランナ５４と二次成形用の金型のランナ８４との関係について説明する。図５は、本実施例における二次成形時のリードフレームの要部拡大図であり、図５（ａ）はリードフレームの拡大平面図、図５（ｂ）は一次成形後のリードフレームの拡大断面図、図５（ｃ）は二次成形後のリードフレームの拡大断面図をそれぞれ示す。
【００４３】
図５（ａ）に示されるように、一次成形用の金型のランナ５４（第一のランナ）は幅Ｗ１（第一の幅）を有し、一次成形樹脂である樹脂７１をリードフレーム１０上に成形する。また図５（ｂ）に示されるように、一次成形の完了後、金型でクランプされたことにより、リードフレーム１０の表面は幅Ｗ１を有するランナ５４の押圧力によって変形する（凹む）。この凹みは、幅Ｗ１を有する隣接するランナ５４の間に周期的に形成される。
【００４４】
前述のように、一次成形におけるディゲート工程の際には、余分な樹脂７１をリードフレーム１０から完全に除去することは困難であり、少なからずの樹脂バリが生じている。また、リードフレーム１０は一次成形用の金型でクランプされているため、リードフレーム１０はランナ５４の当接部位において凹んでいる。
【００４５】
このため本実施例において、図５（ａ）に示されるように、二次成形用の金型のランナ８４（第二のランナ）は幅Ｗ１（第一の幅）よりも広い幅Ｗ２（第二の幅）を有し、このようなランナ８４を用いて二次成形樹脂である樹脂７６をリードフレーム１０上に成形する。このため、図５（ｃ）に示されるように、二次成形の完了後、金型でクランプされたことにより、リードフレーム１０の表面は幅Ｗ２を有するランナ８４の押圧力によって変形する（凹む）。この凹みは、幅Ｗ２を有する隣接するランナ５４の間に周期的に形成される。
【００４６】
このように、本実施例では、幅Ｗ１よりも広い幅Ｗ２を有するランナ８４を備えた二次成形用の金型を用いて、ＬＥＤチップを封止するように樹脂７６を成形する。すなわち二次成形は、一次成形用の金型のランナ５４がリードフレーム１０上に配置された領域を包含するように、二次成形用の金型のランナ８４を配置して行われる。
このため、二次成形時においてランナ８４とリードフレーム１０との間に、一次成形時に生じた樹脂バリやリードフレームの段差により隙間ができることを効果的に防ぐことができる。従って、本実施例の構成によれば、樹脂漏れを抑制した二次成形を行うことが可能であり、結果として二次成形時の成形不良を低減させるＬＥＤパッケージ用基板の製造方法を提供することができる。
【００４７】
また、本実施例のランナ８４には、幅Ｗ１よりも広くて幅Ｗ２よりも狭い縮径部８４ａが設けられている。このため、二次成形のディゲート時に、縮径部８４ａを基点としてランナ８４の部位に成形された樹脂７６を切断することができる。縮径部８４ａの幅は幅Ｗ１よりも広いため、二次成形時における樹脂漏れを抑制することが可能である。
【００４８】
また本実施例では、図４に示されるように、一次成形樹脂である樹脂７１は、所定幅（第三の幅）を有するエアベント１６０（第一のエアベント）を備えた一次成形用の金型を用いて成形され、二次成形樹脂である樹脂７６は、第三の幅よりも広い第四の幅を有するエアベント１６２（第二のエアベント）を備えた二次成形用の金型を用いて成形される。このような構成によれば、上述と同様に、樹脂漏れを抑制した二次成形を行うことが可能となり、二次成形時の成形不良を低減させることができる。
【００４９】
以上、本発明の実施例について具体的に説明した。ただし、本発明は上記実施例として記載された事項に限定されるものではなく、本発明の技術思想を逸脱しない範囲内で適宜変更が可能である。
【符号の説明】
【００５０】
１０、１０ａ  リードフレーム
１２  ダイパッド
１３  リード
１４  パッド部
１６  抜き孔
１８  ＬＥＤチップ実装領域
２０、２２、２３  ガイド孔
３０、３２、３４、３６  ガイドピン
４０  ＬＥＤチップ
５０、８０  上金型
５４、８４  ランナ
８４ａ  縮径部
５１、８１  上型インサート
６０、９０  下金型
６１、９１  下型インサート
７１、７６  樹脂
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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