(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
マスクを収容可能なマスク保護装置であって、
前記マスクを収容可能な第１収容容器と、
前記第１収容容器を収容可能な第２収容容器と、
前記マスクの導電性膜に接触可能な導電性の接触部を備え、前記マスクと前記第２収容容器の外部とを導通させる導通部材と、を有することを特徴とするマスク保護装置。
【請求項２】
前記接触部は、導電性の樹脂部を有することを特徴とする請求項１に記載のマスク保護装置。
【請求項３】
前記導電性膜は前記マスクのパターン面と該パターン面の裏面とに設けられ、前記接触部は、前記パターン面と接触可能な第１接触部と、前記裏面に接触可能な第２接触部と、を含むことを特徴とする請求項１または請求項２に記載のマスク保護装置。
【請求項４】
前記導通部材は、前記接触部と前記第１収容容器とを連結する導電性の連結部材を含み、
前記第２収容容器は、前記第１収容容器と前記第２収容容器の外面の少なくとも一部の領域とを導通する第２の導通部材を有する、ことを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか一項に記載のマスク保護装置。
【請求項５】
前記導通部材は、前記接触部と前記導電性膜との間に付勢力を作用させる付勢部を有することを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか一項に記載のマスク保護装置。
【請求項６】
前記導通部材は、前記接触部と前記第１収容容器とを連結する導電性の連結部材を含み、
前記連結部材は、前記付勢部を兼ねていることを特徴とする請求項５に記載のマスク保護装置。
【請求項７】
前記付勢力は、前記第２収容容器が前記第１収容容器を収容したときに発生することを特徴とする請求項５または請求項６に記載のマスク保護装置。
【請求項８】
前記第２収容容器に前記付勢部が設けられていることを特徴とする請求項５から請求項７のいずれか一項に記載のマスク保護装置。
【請求項９】
前記導通部材は、前記第１収容容器の周囲の気圧が所定値より高くなったときに、前記接触部を変位させて該接触部を前記導電性膜に接触させ、前記第１収容容器の周囲の気圧が前記所定値より低くなったときに、前記接触部を変位させて該接触部を前記導電性膜から離脱させる変位装置をさらに有することを特徴とする請求項１から請求項７のいずれか一項に記載のマスク保護装置。
【請求項１０】
前記第２収容容器は、前記第１収容容器が載置される第１部材と、該第１部材に載置された前記第１収容容器を覆うように前記第１部材に載置される第２部材とを備え、
前記導通部材は、前記マスクを収容した前記第１収容容器を前記第１部材に載置したときに前記接触部を変位させて該接触部を前記導電性膜に接触させ、前記第１部材と前記第２部材とを離したときに前記接触部を変位させて前記接触部を前記導電性膜から離間させる変位装置をさらに有することを特徴とする請求項１から請求項７のいずれか一項に記載のマスク保護装置。
【請求項１１】
前記変位装置は、前記第１部材と前記第２部材との相対位置が変化することにより、前記導電性膜から前記接触部を離間させることを特徴とする請求項１０に記載のマスク保護装置。
【請求項１２】
前記付勢部は、変位装置による変位を用いて前記接触部と前記導電性膜との間に付勢力を作用させることを特徴とする請求項９から請求項１１のいずれか一項に記載のマスク保護装置。
【請求項１３】
露光ビームでパターンを照明し、前記露光ビームで前記パターン及び投影光学系を介して物体を露光する露光装置において、
請求項１から請求項１２のいずれか一項に記載のマスク保護装置から取り出されたマスクを吸着して保持可能なマスクステージと、
を備えることを特徴とする露光装置。
【請求項１４】
露光ビームでパターンを照明し、前記露光ビームで前記パターン及び投影光学系を介して物体を露光する露光装置において、
請求項１から請求項１２のいずれか一項に記載のマスク保護装置から取り出されたマスクを吸着して保持可能なマスクステージと、
前記マスクの導電性膜に接触可能な導電性を有する部材と、
前記導電性を有する部材を接地する接地部材と、
を備えることを特徴とする露光装置。
【請求項１５】
前記露光ビームはＥＵＶ光であることを特徴とする請求項１３または請求項１４に記載の露光装置。
【請求項１６】
請求項１３から請求項１５のいずれか一項に記載の露光装置を用いて物体にパターンを形成することと、
前記パターンが形成された前記物体を処理することと、
を含むデバイス製造方法。
【請求項１７】
請求項１から請求項１２のいずれか一項に記載のマスク保護装置が載置される載置部と、
前記載置部を接地する接地部材と、を有するマスクの搬送装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、露光用のマスクを保護するマスク保護装置、マスク保護装置を備える露光装置、及び露光装置を用いるデバイス製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
露光光として波長が１００ｎｍ程度以下の極端紫外光（以下、ＥＵＶ（Extreme Ultraviolet)光と呼ぶ。）を使用する露光装置では、光学系は基本的に反射部材より構成され、原版パターンが形成されたレチクルも反射型である。また、ＥＵＶ光を使用する露光装置は真空環境下に設置されるため、レチクル及びレチクルのパターンが転写される半導体ウエハ（以下、単にウエハという。）を保持するためにそれぞれ静電チャックが使用される。真空中でレチクルを静電チャックに吸着するために、レチクルの裏面に通常は導電膜が形成されている。
【０００３】
また、レチクルに異物が付着するのを防止するとともに、大気環境と真空環境との間でレチクルを安全に搬送するために、レチクルはレチクルポッドと呼ばれる保護装置に収容されて搬送される。レチクルの搬送中にレチクルが帯電すると、パターンの静電破壊及びレチクルのパターン面に対する異物の静電付着が生じる恐れがある。これらを防止するため、レチクルの裏面に対向する位置に表面が平坦な導電部を設け、レチクルの搬送中にその導電部を介してレチクル裏面の導電膜、ひいてはレチクルの基板を接地可能としたレチクルポッドが提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】米国特許出願公開第２００６／００８７６３８号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
従来のように、レチクルポッドの一部に設けられた表面が平坦な導電部を介してレチクル裏面の導電膜を接地する方式では、平面同士の接触を利用しているため、振動等によってレチクル裏面の導電膜の安定な接地が困難となる恐れがある。
さらに、レチクルにおいて最も異物の付着を避けたい面はパターン面（表面）であるため、レチクルの搬送中に、レチクルのパターン面も直接、かつ安定に接地可能とすることが好ましい。
【０００６】
本発明の態様は、このような事情に鑑み、露光用のマスクを安定に接地可能とすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の第１の態様によれば、マスクを収容可能なマスク保護装置が提供される。このマスク保護装置は、前記マスクを収容可能な第１収容容器と、前記第１収容容器を収容可能な第２収容容器と、前記マスクの導電性膜に接触可能な導電性の接触部を備え、前記マスクと前記第２収容容器の外部とを導通させる導通部材と、を有するものである。
【０００８】
また、第２の態様によれば、露光ビームでパターンを照明し、前記露光ビームで前記パターン及び投影光学系を介して物体を露光する第１の露光装置が提供される。この第１の露光装置は、本発明のマスク保護装置と、前記マスク保護装置から取り出されたマスクを吸着して保持可能なマスクステージと、を備えるものである。
【０００９】
また、第３の態様によれば、露光ビームでパターンを照明し、前記露光ビームで前記パターン及び投影光学系を介して物体を露光する第２の露光装置が提供される。この第２の露光装置は、第１の態様のマスク保護装置から取り出されたマスクを吸着して保持可能なマスクステージと、前記マスクの導電性膜に接触可能な導電性を有する部材と、前記導電性を有する部材を接地する接地部材と、を備えるものである。
また、別の態様によれば、第１の態様のマスク保護装置が載置される載置部と、前記載置部を接地する接地部材と、を有するマスクの搬送装置が提供される。
【００１０】
また、第４の態様によれば、本発明の露光装置を用いて物体にパターンを形成することと、そのパターンが形成されたその物体を処理することと、を含むデバイス製造方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】第１の実施形態の露光装置及びレチクルの搬送系を示す平面図である。
【図２】（Ａ）は第１の実施形態のレチクルを示す図、（Ｂ）は図２（Ａ）の一部を示す拡大側面図、（Ｃ）はレチクルの接地領域に導通部材を接触させた状態を示す拡大側面図、（Ｄ）は変形例のレチクルの要部を示す拡大側面図である。
【図３】第１の実施形態のレチクルポッドを示す断面図である。
【図４】レチクル及びレチクルポッドの各部材を分離した状態を示す斜視図である。
【図５】第１の実施形態の露光装置を示す断面図である。
【図６】（Ａ）はアウターポッドオープナーを示す正面図、（Ｂ）はアウターポッドのアウタードームとアウタードアとを分離した状態を示す正面図である。
【図７】（Ａ）はインナーポッドオープナーを示す断面図、（Ｂ）はインナーポッドのカバー部材とベースプレートとを分離した状態を示す断面図、（Ｃ）はレチクルを静電チャックで吸着する状態を示す図である。
【図８】（Ａ）は第２の実施形態のレチクルポッドを示す断面図、（Ｂ）はインナーポッドからアウターポッドを取り外した状態を示す断面図である。
【図９】（Ａ）は変形例のレチクルポッドを示す断面図、（Ｂ）は真空環境下のインナーポッドを示す断面図である。
【図１０】電子デバイスの製造工程の一例を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
［第１の実施形態］
以下、第１の実施形態につき図１〜図７を参照して説明する。
図１は、本実施形態の露光装置ＥＸの一部、及び露光装置ＥＸにレチクルを搬送するレチクル搬送系を示す。露光装置ＥＸは、露光光として波長が１００ｎｍ程度以下のＥＵＶ（Extreme Ultraviolet)光を使用するＥＵＶ露光装置である。露光光としては、一例として、波長５〜２０ｎｍ、例えば波長６．７ｎｍ又は１３．５ｎｍ等の軟Ｘ線が用いられる。
【００１３】
図１において、レチクル搬送系は、露光装置ＥＸが収容される露光チャンバ１００に隣接して配置されている。レチクル搬送系は、露光チャンバ１００に隣接して配置され、真空ロボット１５が収容されたロボットチャンバ１７と、ロボットチャンバ１７の第１側面に配置された真空レチクルライブラリ１９と、ロボットチャンバ１７の第２側面に配置されたインナーポッドオープナー２１とを備えている。露光チャンバ１００及びロボットチャンバ１７の内部は真空環境であり、真空レチクルライブラリ１９及びインナーポッドオープナー２１は、ロボットチャンバ１７と一体化されたサブチャンバ内の真空環境に配置されている。
【００１４】
また、レチクル搬送系は、ロボットチャンバ１７の第３側面に配置されたロードロック室２３と、ロードロック室２３の外部の大気環境下に配置されたアウターポッドオープナー３１、及び大気レチクルライブラリ３５と、第１及び第２の大気ロボット３３，２９とを備えている。ロードロック室２３は、第１のゲートバルブ２７を介して大気中に連通し、第２のゲートバルブ２５を介してロボットチャンバ１７に連通している。オープナー２１，３１のステージ、及びロボット１５，２９，３３のインナーポッドと接触する部分は導電性を有する材料で作られており、接地ラインを介して接地されている。
【００１５】
レチクル搬送系において、大気レチクルライブラリ３５には、露光装置ＥＸで使用されるＥＵＶ光用の反射型のレチクルＲが、レチクルポッド２０に収容されて保護された状態で設置されている。レチクルポッド２０は、レチクルＲを収容するインナーポッド４１と、インナーポッド４１を収容するアウターポッド３９とから構成されるいわゆる二重ポッドである（詳細後述）。アウターポッド３９は、大気環境下でレチクルＲを保護し、インナーポッド４１は、主に真空環境下（減圧雰囲気中）でレチクルＲを保護する。
【００１６】
図２（Ａ）は、本実施形態のレチクルＲのパターン面を示し、図２（Ｂ）は、レチクルＲの一部の拡大側面図を示す。図２（Ｂ）において、レチクルＲは、例えば石英よりなるほぼ矩形又は正方形の平板状の基板９と、基板９の表面であるパターン面９ａに形成されたモリブデン（Ｍｏ）とケイ素（Ｓｉ）とからなる導電性の多層膜１０と、多層膜１０上に形成されたホウ化窒化タンタル（ＴａＢＮ）よりなる導電性の第１吸収膜１１と、第１吸収膜１１上に形成されたホウ化酸化タンタル（ＴａＢＯ）よりなる絶縁性の第２吸収膜１２と、を有する。また、基板９の裏面９ｂに金属よりなる導電膜１３が形成されている。レチクルＲは、導電膜１３を介して露光装置の静電チャック（不図示）に吸着される。
【００１７】
レチクルＲの多層膜１０は、ＥＵＶ光を反射する反射膜であり、吸収膜１１，１２は、ＥＵＶ光を吸収する吸収層（アブソーバ）である。図２（Ａ）において、多層膜１０及び吸収膜１１，１２が形成された領域（ほぼ基板９のパターン面９ａを覆う領域）のうち、中央部のほぼ矩形又は正方形のパターン領域ＰＡ内に、吸収膜１１，１２を部分的に除去することによって転写用の原版パターン（回路パターン）及びアライメントマーク（不図示）が形成されている。また、多層膜１０及び吸収膜１１，１２が形成された領域のうち、パターン領域ＰＡを囲む周辺の枠状の非パターン領域ＮＰＡ内の４箇所の角部の領域が、絶縁性の第２吸収膜１２を除去することによって接地領域８Ａ，８Ｂ，８Ｃ，８Ｄとされている。接地領域８Ａ〜８Ｄでは、導電性の第１吸収膜１１が露出しているため、接地領域８Ａ〜８Ｄを接地することによって、レチクルＲのパターン面９ａを安定に接地できる。本実施形態では、多層膜１０も導電性であるため、接地領域８Ａ〜８Ｄでは、第２吸収膜１２とともに第１吸収膜１１も除去しておいてもよい。
【００１８】
なお、多層膜１０は、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、ランタン（Ｌａ）等の物質と、Ｓｉ、ベリリウム（Ｂｅ）又は４ホウ化炭素（Ｂ4Ｃ）等の物質とを組み合わせた他の多層膜でもよい。また、第１吸収膜１１は、Ｔａ、ニッケル（Ｎｉ）又はクロム（Ｃｒ）等の他の導電性の材料より形成してもよい。さらに、第２吸収膜１２は、ＥＵＶ光以外の波長を用いるパターン検査機において、多層膜と吸収膜の検出コントラストを得るために形成されるものである。本実施形態では、ホウ化酸化タンタル（ＴａＢＯ）を用いているが、これ以外の材料を用いてもよい。また、裏面の導電膜１３は、例えば、窒化クロム（ＣｒＮ）やクロム（Ｃｒ）等が使われるが、これ以外の材料を用いても良い。
【００１９】
次に、図３は、図２（Ａ）のレチクルＲを図１のレチクルポッド２０に収容した状態を示す断面図、図４は、レチクルＲ及びレチクルポッド２０の各部材を分離した状態を示す斜視図である。図３において、レチクルポッド２０は、レチクルＲを収容するインナーポッド４１と、インナーポッド４１を収容するアウターポッド３９とから構成されている。アウターポッド３９は、インナーポッド４１が載置される矩形の平板状のアウタードア３８と、アウタードア３８上のインナーポッド４１を覆うようにアウタードア３８に載置される、底面が開いた矩形の箱状のアウタードーム３７とを有する。アウタードア３８の周縁部に低い段差部３８ａが形成され、アウタードア３８の上面の複数箇所（例えば３箇所）に凸の台座部３８ｂが形成されている。段差部３８ａにアウタードーム３７の下端のフランジ部が載置され、台座部３８ｂ上にインナーポッド４１が載置される。アウタードーム３７及びアウタードア３８は、一例としてポリアセチレン、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリアニリン、又はカーボン含有ポリカーボネート等の導電性の合成樹脂から形成されている。さらに、一例として、台座部３８ｂはアウタードア３８と一体的に形成されており、台座部３８ｂの上面とアウタードア３８の底面とは電気的に導通している。一例として、アウタードア３８は大気ロボット３３等の金属製の部材１４８の上面に載置され、部材１４８は接地ライン１５０を介して接地されている。
【００２０】
また、インナーポッド４１は、レチクルＲが載置される矩形の平板状のベースプレート５３と、ベースプレート５３上のレチクルＲを覆うようにベースプレート５３に載置される、底面が開いた矩形の箱状のカバー部材５１と、を有する。カバー部材５１及びベースプレート５３は、一例としてチタン（Ｔｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、又はステンレス等の金属から形成されている。従って、本実施形態では、カバー部材５１及びベースプレート５３は導電性である。また、ベースプレート５３の上面の複数箇所（例えば３箇所）に、金属よりも可撓性の高い例えば合成樹脂等の材料からなる柔構造の支持部材１５２が貼着されている。支持部材１５２上にレチクルＲのパターン面が載置される。
【００２１】
図４に示すように、ベースプレート５３には３つの長方形の開口よりなる窓部５３ａが形成され、カバー部材５１の一対の対向する側面には、カバー部材５１を支持するためのフランジ部５１ａが形成されている。窓部５３ａは、レチクルＲのプリアライメントマーク等を検出するために使用される。
図３において、ベースプレート５３の上面に凹部５３ｂが形成され、凹部５３ｂにボルトによって金属製の板ばね１５４が固定され、板ばね１５４の先端部に円柱状の金属製の導通部材１３０Ａが固定されている。導通部材１３０Ａの先端に、ポリアセチレン、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリアニリン、又はカーボン含有ポリイミド等の導電性の合成樹脂からなり、金属よりも可撓性の高い半球状の接触部１３２Ａが、例えば導電性の接着剤等を介して固定されている。接触部１３２Ａは、板ばね１５４によってベースプレート５３からレチクルＲに向かって付勢されている。本実施形態のレチクルＲのパターン面には、導電性の第１吸収膜１１が露出した接地領域８Ａ〜８Ｄが設けられており、接触部１３２Ａが接地領域８Ａに接触するように、凹部５３ｂ及び板ばね１５４の位置が設定されている。
【００２２】
また、カバー部材５１の内面に凹部５１ｂが形成され、凹部５１ｂにボルトによって金属製の板ばね１５６が固定され、板ばね１５６の先端部に導通部材１３０Ａと同様の導通部材１３０Ｂが固定され、導通部材１３０Ｂの先端に接触部１３２Ａと同様の金属よりも可撓性の高い導電性の接触部１３２Ｂが固定されている。接触部１３２Ｂは、板ばね１５６によってカバー部材５１からレチクルＲの裏面の導電膜１３に向かって付勢されている。接触部１３２Ｂは、導通部材１３０Ｂ、板ばね１５６及びカバー部材５１を介してベースプレート５３に導通している。同様に、接触部１３２Ａは、導通部材１３０Ａ及び板ばね１５４を介してベースプレート５３に導通し、ベースプレート５３は、台座部３８ｂ、アウタードア３８、及び部材１４８を介して接地されている。従って、本実施形態において、アウタードア３８が接地されている場合には、アウターポッド３９内のインナーポッド４１内に収容されたレチクルＲのパターン面（第１吸収膜１１）及び裏面（導電膜１３）は、それぞれ接触部１３２Ａ及び１３２Ｂを介して接地されており、パターンの静電破壊及び異物の静電付着が確実に防止されている。
【００２３】
また、接触部１３２Ａ，１３２Ｂは、金属よりも柔軟な導電性樹脂より形成されているため、接触部１３２Ａ，１３２Ｂがそれぞれ接地領域８Ａ及び導電膜１３に接触する際又はそれらから離れる際に、破壊によって第１吸収膜１１又は導電膜１３の微小な破片（粉末）が異物として発生することがない。従って、それらの異物がレチクルＲのパターン面に付着することによる回路不良、及びそれらの異物がレチクルＲの裏面に付着することによる静電チャック時の平面度不良を防止できる。
【００２４】
次に、本実施形態の露光光としてＥＵＶ光を使用する露光装置ＥＸの構成につき説明する。
図５は、露光装置ＥＸの全体構成を概略的に示す断面図である。図５において、露光装置ＥＸは、露光光ＥＬをパルス発生するレーザプラズマ光源１０６と、露光光ＥＬでレチクルＲ（マスク）のパターン面の照明領域を照明する照明光学系ＩＬＳと、レチクルＲを移動するレチクルステージＲＳＴと、レチクルＲの照明領域内のパターンの像をレジスト（感光材料）が塗布されたウエハ（半導体ウエハ）Ｗの表面に投影する投影光学系ＰＯとを備えている。さらに、露光装置ＥＸは、ウエハＷを移動するウエハステージＷＳＴと、装置全体の動作を統括的に制御する主制御系（不図示）等とを備えている。
【００２５】
ＥＵＶ光の気体による吸収を防止するため、露光装置ＥＸはほぼ全体として箱状の露光チャンバ１００内に収容され、露光チャンバ１００内の空間を真空排気するための大型の真空ポンプ１０４が備えられている。一例として、露光チャンバ１００内の気圧は１０-5Ｐａ程度、露光チャンバ１００内で投影光学系ＰＯを収容するサブチャンバ（不図示）内の気圧は１０-5〜１０-6Ｐａ程度である。
【００２６】
以下、図５において、ウエハステージＷＳＴが載置される面（露光チャンバ１００の底面）の法線方向にＺ軸を取り、Ｚ軸に垂直な平面（本実施形態ではほぼ水平面に平行な面）内で図５の紙面に垂直にＸ軸を、図５の紙面に平行にＹ軸を取って説明する。本実施形態では、露光時にレチクルＲ及びウエハＷは投影光学系ＰＯに対してＹ方向（走査方向）に同期して走査される。
【００２７】
先ず、レーザプラズマ光源１０６は、高出力のレーザ光源（不図示）と、このレーザ光源から露光チャンバ１００の窓部材１１４を介して供給されるレーザ光を集光する集光レンズ１０８と、キセノン等のターゲットガスを噴出するノズル１１２と、集光ミラー１１０とを備えた、ガスジェットクラスタ方式の光源である。レーザプラズマ光源１０６からパルス発光された露光光ＥＬは、照明光学系ＩＬＳに入射する。照明光学系ＩＬＳは、ミラー１１６，１１８，１２０，１２２，１２４、開口絞り（不図示）、及び視野絞り（不図示）を有し、露光光ＥＬでレチクルＲのパターン面の例えば円弧状の照明領域を下方から斜めに均一な照度分布で照明する。
【００２８】
次に、レチクルＲは、レチクルステージＲＳＴの底面に静電チャック１２６を介して吸着保持されている。レチクルステージＲＳＴは、レーザ干渉計（不図示）の計測値に基づいて、露光チャンバ１００の外面のＸＹ平面に平行なガイド面に沿って、例えば磁気浮上型２次元リニアアクチュエータよりなる駆動系（不図示）によって少なくともＹ方向に所定ストロークで駆動される。レチクルステージＲＳＴを露光チャンバ１００側に覆うようにパーティション１０２Ｒが設けられ、パーティション１０２Ｒ内は不図示の真空ポンプによって大気圧と露光チャンバ１００内の気圧との間の気圧に維持されている。
【００２９】
また、レチクルＲの裏面の導電膜１３（図２（Ｂ）参照）が静電チャック１２６に吸着されており、導電膜１３は、静電チャック１２６内の接地機構（不図示）を介して接地されている。さらに、露光装置ＥＸは、静電チャック１２６に吸着されたレチクルＲのパターン面（表面）を接地するための接地機構１２８を備えている。接地機構１２８は、レチクルステージＲＳＴに固定された支持部材１４２と、支持部材１４２に一端が固定された金属製の板ばね１４０と、板ばね１４０の他端に固定された導通部材１３０と、導通部材１３０の先端に固定されてレチクルＲのパターン面に接触可能な導電性の接触部１３２と、を有する。導通部材１３０及び接触部１３２は、それぞれ図３の導通部材１３０Ａ及び接触部１３２Ａと同じ材料から形成されている。接触部１３２は、導通部材１３０、板ばね１４０、及び接地ライン１４４を介して接地されている。板ばね１４０によって、接触部１３２はレチクルＲ側に付勢されており、接触部１３２をレチクルＲから離脱させるための駆動機構（不図示）も備えられている。
【００３０】
図２（Ｃ）に示すように、接地機構１２８の接触部１３２は、レチクルＲのパターン面の接地領域８Ａの導電性の第１吸収膜１１に接触している。レチクルＲのパターン面は、接触部１３２を介して接地されている。接触部１３２は、金属よりも柔軟な導電性樹脂より形成されているため、接触部１３２が接地領域８Ａに接触する際又はそれらから離れる際に、破壊によって第１吸収膜１１の微小な破片（粉末）が異物として発生することがない。なお、大気圧中でのそのような異物の飛散距離はほぼ１０ｍｍ程度以下であるのに対して、露光チャンバ１００内のように高真空の状態では、そのような異物の飛散距離は数１０ｍ以上であり、パターン領域ＰＡ内のパターンにも付着する恐れがある。例えば、露光チャンバ１００内で異物が漂うことによって、その異物がパターン領域ＰＡ内のパターンにも付着する恐れがある。
【００３１】
しかしながら、本実施形態では、金属よりも柔軟な接触部１３２を介してレチクルＲの接地領域８Ａを接地しているため、レチクルＲのパターン面を接地することによる異物の発生を大きく抑制することができ、パターン不良を大きく低減できる。
図５において、レチクルＲの照明領域で反射された露光光ＥＬが、投影光学系ＰＯに向かう。投影光学系ＰＯは、一例として、６枚のミラーＭ１〜Ｍ６を不図示の鏡筒で保持することによって構成され、物体面（レチクルＲのパターン面）側に非テレセントリックで、像面（ウエハＷの表面）側にほぼテレセントリックの反射光学系であり、投影倍率は１／４倍等の縮小倍率である。レチクルＲの照明領域で反射された露光光ＥＬが、投影光学系ＰＯを介してウエハＷの表面の露光領域に、レチクルＲのパターンの一部の縮小像を形成する。
【００３２】
また、ウエハＷは、静電チャック（不図示）を介してウエハステージＷＳＴの上部に吸着保持されている。ウエハステージＷＳＴは、ＸＹ平面に沿って配置されたガイド面上に配置されている。ウエハステージＷＳＴは、レーザ干渉計（不図示）の計測値に基づいて、例えば磁気浮上型２次元リニアアクチュエータよりなる駆動系（不図示）によって少なくともＸ方向及びＹ方向に所定ストロ−クで駆動される。露光の際にウエハＷのレジストから生じるガスが投影光学系ＰＯのミラーＭ１〜Ｍ６に悪影響を与えないように、ウエハＷはパーティション１０２Ｗの内部に配置される。パーティション１０２Ｗには露光光ＥＬを通過させる開口が形成され、パーティション１０２Ｗ内の空間は、別の真空ポンプ（不図示）により真空排気されている。この他に、レチクルＲ及びウエハＷのアライメント系（不図示）も設けられている。
【００３３】
ウエハＷの１つのダイ（ショット領域）を露光するときには、露光光ＥＬが照明光学系ＩＬＳによりレチクルＲの照明領域に照射され、レチクルＲとウエハＷとは投影光学系ＰＯに対して投影光学系ＰＯの縮小倍率に従った所定の速度比でＹ方向に同期して移動する（同期走査される）。その後、ウエハステージＷＳＴを駆動してウエハＷをＸ方向、Ｙ方向にステップ移動した後、ウエハＷの次のダイに対してレチクルＲのパターンが走査露光される。このようにステップ・アンド・スキャン方式でウエハＷの複数のダイに対して順次レチクルＲのパターンが露光される。
【００３４】
次に、図１のレチクル搬送系の動作の一例につき説明する。大気レチクルライブラリ３５に置かれたレチクルポッド２０（アウターポッド３９）は、第１の大気ロボット３３によりアウターポッドオープナー３１に搬送される。このアウターポッドオープナー３１において、アウターポッドＩＤリーダ４３によりアウターポッド３９のバーコードが読み取られ、アウターポッド３９が識別される。その後、アウターポッド３９が開かれてインナーポッド４１が取り出される。
【００３５】
図６（Ａ）に示すように、搬送されたアウターポッド３９は、アウターポッドオープナー３１の接地されたステージ１６４上に載置される。この状態から実線の矢印Ａ１で示すようにステージ１６４を下降させることにより、アウタードーム３７のフランジ部が支持部材１６０の上端の係止部材１６２に載置され、図６（Ｂ）に示すように、レチクルＲが収容されたインナーポッド４１が現れる。レチクルＲは、図３の接触部１３２Ａ，１３２Ｂ及び台座部３８ｂ等を介して接地されているため、パターンの静電破壊及び異物の静電付着は確実に防止される。
【００３６】
その後、ステージ１６４上のインナーポッド４１は、図１の第２の大気ロボット２９によって取り出される。なお、露光に使用されたレチクルＲが収容されたインナーポッド４１をアウターポッド３９内に収容する場合には、図６（Ｂ）に示すようにステージ１６４上にインナーポッド４１を載置する。その後、図６（Ａ）に点線の矢印Ａ２で示すように、ステージ１６４を上昇させればよい。
【００３７】
図１において、第２の大気ロボット２９によって取り出されたインナーポッド４１は、温度補償ランプ４５により２〜３℃程度昇温される。昇温されたインナーポッド４１は、第２の大気ロボット２９により、第１のゲートバルブ２７のみが開いた状態のロードロック室２３に搬送される。なお、アウターポッドオープナー３１からロードロック室２３に至る順路は大気圧の清浄雰囲気とされている。
【００３８】
ロードロック室２３では、ゲートバルブ２７及び２５を閉じた状態でインナーポッド４１ごと真空引きが行われる。ロードロック室２３内が所定の真空状態になると、第２のゲートバルブ２５のみが開かれ、インナーポッド４１が真空ロボット１５により真空レチクルライブラリ１９に搬送される。真空レチクルライブラリ１９には、例えば５枚程度のレチクルＲがそれぞれインナーポッド４１に収容された状態で保存される。レチクルＲは、温度調節機構（不図示）により所定の温度に維持される。インナーポッド４１に収容された状態のレチクルＲは、レチクルＩＤリーダ４７により識別される。露光装置ＥＸで使用されるレチクルＲは、真空ロボット１５によりインナーポッド４１に収容された状態でインナーポッドオープナー２１に搬送される。
【００３９】
インナーポッドオープナー２１において、インナーポッド４１が開かれレチクルＲが現れる。本実施形態では、図７（Ａ）に示すように、インナーポッドオープナー２１に搬送されたインナーポッド４１は、接地されたステージ４９上に載置される。実線の矢印Ａ３で示すように、ステージ４９を下降させることにより、図７（Ｂ）に示すように、カバー部材５１のフランジ部５１ａが支持部材５５の上端の係止部材５７に載置され、レチクルＲが現れる。
【００４０】
ステージ４９の下方には、レチクルＲのプリアライメントを行うための画像処理方式の１対のアライメント系５９が配置されている。アライメント系５９により、ステージ４９に形成された貫通穴４９ａ及びベースプレート５３に設けられた窓部５３ａを通して、レチクルＲのパターン面に設けられたプリアライメントマークＲＭ１，ＲＭ２を検出することで、レチクルＲの２次元的な位置を検出することができる。このとき、レチクルＲに設けられたバーコード等のレチクルＩＤを、窓部５３ａを通して検出することで、レチクルＩＤを識別できる。
【００４１】
プリアライメントの終了したレチクルＲは、図７（Ｃ）に示すように、インナーポッド４１のベースプレート５３に載置された状態で、真空ロボット１５の搬送アーム６１により露光装置ＥＸのレチクルステージＲＳＴに搬送される。レチクルステージＲＳＴには、静電チャック１２６が吸着面１２６ａを下向きにして取り付けられている。そして、搬送アーム６１によりベースプレート５３を介してレチクルＲの裏面を静電チャック１２６の吸着面１２６ａに押圧した状態で、静電チャック１２６をオンにすることにより、レチクルＲが静電チャック１２６に吸着される。その後、図５の接地機構１２８によりレチクルＲの接地領域８Ａが接地され、この状態で露光が行われる。
【００４２】
レチクルＲの吸着後、搬送アーム６１は、ベースプレート５３をインナーポッドオープナー２１まで搬送し、図７（Ｂ）に示すように、下降位置にあるステージ４９上にベースプレート５３を載置する（この状態では、レチクルＲは載置されていない。以下、同様。）。そして、図７（Ａ）の点線の矢印Ａ４で示すように、ステージ４９を上昇させることで、カバー部材５１とベースプレート５３とが密着する。閉じられたインナーポッド４１は、例えばそのままの状態で露光中、インナーポッドオープナー２１内に待機する。
【００４３】
露光が終了し、レチクルステージＲＳＴのレチクルＲの交換を行う際には、搬送アーム６１上にベースプレート５３を載置し、図７（Ｃ）に示すように、ベースプレート５３をレチクルＲの交換位置の近傍まで移動する。そして、静電チャック１２６に吸着されているレチクルＲから接地機構１２８の接触部１３２を離し、搬送アーム６１を介してレチクルＲにベースプレート５３を当接し、静電チャック１２６をオフにしてベースプレート５３上にレチクルＲを受け渡す。搬送アーム６１も接地されているため、レチクルＲのパターン面は再び接地される。この後、搬送アーム６１によりベースプレート５３及びレチクルＲをインナーポッドオープナー２１に搬送し、図７（Ｂ）に示すように、下降位置にあるステージ４９上にベースプレート５３を載置する。その後、ステージ４９を上昇させることで、ベースプレート５３上のレチクルＲを覆うように、ベースプレート５３上にカバー部材５１が密着し、インナーポッド４１内にレチクルＲを保持した状態でインナーポッド４１が閉じられる。また、レチクルＲの裏面の導電膜１３もカバー部材５１を介して接地される。
【００４４】
上述のように、本実施形態のレチクルポッド２０は、レチクルＲを収容可能なインナーポッド４１と、インナーポッド４１を収容可能なアウターポッド３９と、インナーポッド４１に設けられて、レチクルＲの接地領域８Ａ（導電性の第１吸収膜１１）に接触可能な導電性の可動な接触部１３２Ａと、インナーポッド４１のアウターポッド３９との接触部であるベースプレート５３（インナーポッド４１）と接触部１３２Ａとを導通する板ばね１５４とを備えている。
【００４５】
このレチクルポッド２０によれば、アウターポッド３９を接地しておき、レチクルＲを収容したインナーポッド４１をアウターポッド３９内に収容することによって、レチクルＲを安定に接地できる。
また、本実施形態の露光光としてＥＵＶ光を用いる露光装置ＥＸは、本実施形態のレチクルＲを吸着して保持可能なレチクルステージＲＳＴと、レチクルステージＲＳＴに設けられて、レチクルＲの接地領域８Ａに接触可能な導電性の可動の接触部１３２と、接触部１３２を接地する接地ライン１４４とを備えている。
【００４６】
露光装置ＥＸによれば、レチクルステージＲＳＴに保持されたレチクルＲの基板９を安定に接地できる。従って、レチクルＲのパターンの静電破壊を防止でき、パターン面等に対する異物の静電付着を防止できる。
なお、レチクルステージＲＳＴに可動の接触部１３２の代わりに、導電性で接地された簾状の部材を支持し、この簾状の部材をレチクルＲの接地領域８Ａに接触可能としてもよい。これによっても、レチクルＲを安定に接地できる。
【００４７】
また、本実施形態のレチクルポッド２０は、露光装置ＥＸの構成部材とみなすことも可能である。この場合、露光装置ＥＸは、レチクルポッド２０と、レチクルポッド２０で搬送されたレチクルＲを保持するレチクルステージＲＳＴとを備えている。この場合には、レチクルステージＲＳＴには、必ずしも可動の接触部１３２又はこれに代わる部材を設ける必要はない。
【００４８】
また、本実施形態のレチクルポッド２０においては、図３の接触部１３２Ａはインナーポッド４１に支持されているため、例えばインナーポッド４１を真空ロボット１５で搬送しているときにも、レチクルＲの基板９を安定に接地できる。なお、インナーポッド４１のベースプレート５３に開口を設け、接触部１３２Ａをアウターポッド３９のアウタードア３８で板ばね等を介して可動に支持し、接触部１３２Ａでその開口を通してレチクルＲの接地領域８Ａに接触してもよい。この場合にも、インナーポッド４１がアウターポッド３９に収容されている期間には、レチクルＲの基板９を安定に接地できる。また、例えばレチクルＲの接地領域８Ａ，８Ｂに接触可能な２つの接触部１３２Ａを備え、一つの接触部１３２Ａをベースプレート５３で可動に支持し、他方の接触部１３２Ａをアウタードア３８で可動に支持するようにしてもよい。
【００４９】
また、本実施形態では、インナーポッド４１のレチクルＲの基板９の裏面に対向するカバー部材５１にも、可動の接触部１３２Ｂが設けられているため、基板９の裏面の導電膜１３も安定に接地できる。なお、例えば基板９の側面に裏面の導電膜１３とパターン面の多層膜１０（導電膜）とを導通する導電膜を形成しておいてもよい。これによって、カバー部材５１側の接触部１３２Ｂ等を省略可能である。
【００５０】
また、本実施形態では、レチクルＲの接地領域８Ａ〜８Ｄは基板９の４つの角部の近傍に配置されているが、例えばレチクルＲの種類毎に接地領域の位置を変えてもよい。これに応じて、露光装置ＥＸ側の接地機構１２８には、図２（Ｄ）の変形例に示すように、接触部１３２の位置を調整する調整機構を設けることが好ましい。
ベースプレート５３に置かれた支持部材１５２にカーボン含有ポリイミド等の導電性樹脂を用い、対応するレチクルパターン面に導電性の膜が露出することにより、パターン面導通機構を成す凹部５３ｂ、板ばね１５４、導通部材１３０Ａを省略することが可能である。
【００５１】
図２（Ｄ）において、レチクルＲの基板９のパターン領域の外側の一つの辺部内に第１吸収膜１１が露出した接地領域８Ｅが設けられている。接地領域８Ｅの位置の情報は、例えばレチクルＲの照明条件等の情報とともに露光装置ＥＸの主制御系（不図示）に供給される。露光装置ＥＸ側では、レチクルステージＲＳＴに設けた支持部材１４２にガイド部材１４４が固定され、ガイド部材１４４に沿って駆動部（不図示）によって駆動可能にスライド部１４６が配置され、スライド部１４６に、板ばね１４０Ａを介して導通部材１３０及び接触部１３２が取り付けられている。接触部１３２は、図５の接地ライン１４４を介して接地されている。そして、スライド部１４６を移動して接地領域８Ｅに対向する位置に接触部１３２を移動し、解除機構（不図示）を用いて板ばね１４０Ａで接触部１３２をレチクルＲ側に付勢することで、接触部１３２が接地領域８Ｅに接触して、レチクルＲの基板９が安定に接地される。
【００５２】
［第２の実施形態］
次に、第２の実施形態につき図８（Ａ）、図８（Ｂ）を参照して説明する。本実施形態のレチクルポッドも図１の露光装置ＥＸで使用されるレチクルＲ１を収容しており、図１のレチクル搬送系で搬送される。ただし、本実施形態では、露光装置ＥＸの接地機構１２８は必ずしも設ける必要がない。なお、図８（Ａ）及び図８（Ｂ）において図２（Ｂ）及び図３に対応する部分には同一の符号を付してその詳細な説明を省略する。
【００５３】
図８（Ａ）は、本実施形態のレチクルＲ１を収容する二重ポッド方式のレチクルポッド２０Ａを示す断面図である。図８（Ａ）において、レチクルＲ１の基板９のパターン面には露光光を反射する導電性の多層膜１０と、露光光を吸収する導電性及び絶縁性の第１吸収膜１１及び第２吸収膜１２とが形成され、パターン領域内で吸収膜１１，１２を部分的に除去することで転写用のパターンが形成されている。ただし、本実施形態のレチクルＲ１には、第１吸収膜１１又は多層膜１０を露出させた接地領域は設けられていない。
【００５４】
また、レチクルポッド２０Ａは、レチクルＲ１を収容するインナーポッド４１Ａと、インナーポッド４１Ａを収容するアウターポッド３９Ａとから構成されている。アウターポッド３９Ａは、アウタードア３８と、アウタードア３８の台座部３８ｂ上のインナーポッド４１Ａを覆うようにアウタードア３８に載置されるアウタードーム３７とを有する。一例として、アウタードーム３７及びアウタードア３８は導電性樹脂から形成されている。図８（Ａ）では、アウタードア３８は金属製の部材１４８及び接地ライン１５０を介して接地されている。
【００５５】
インナーポッド４１Ａは、レチクルＲ１が支持部材１５２を介して載置されるベースプレート５３と、レチクルＲ１を覆うようにベースプレート５３に載置されるカバー部材５１とを有する。一例として、カバー部材５１及びベースプレート５３は金属製である。
本実施形態では、インナーポッド４１Ａのベースプレート５３の周辺付近において、レチクルＲ１の基板９に設けられた第２吸収膜１２に対向する位置に開口部５３ｃが形成され、開口部５３ｃの近傍でベースプレート５３にボルトによって固定された金属製の板ばね７１Ａの先端に、尖端をレチクルＲ１に向けた円錐状で導電性の導通ピン７２Ａが固定されている。導通ピン７２Ａは開口部５３ｃ内に上下方向に変位可能に支持されている。導通ピン７２Ａは、一例として、チタン等の金属から形成された本体部の先端に、導電性ダイヤモンド又は導電性ジルコニア等の導電性セラミックス等の金属よりも硬い導電性の材料から形成された微小な半球状の部材を固定したものである。導電性ダイヤモンドは、例えばダイヤモンドにホウ素をドープしたものである。導通ピン７２Ａ及び板ばね７１Ａから導通機構７０Ａが構成されている。
【００５６】
アウターポッド３９Ａのアウタードア３８において、ベースプレート５３の開口部５３ｃに対向する位置に凹部３８ｃが形成され、凹部３８ｃにボルトによって固定された板ばね７５の先端部に、導通ピン７２ＡをレチクルＲ１側に付勢するように付勢部材７６が固定されている。付勢部材７６及び板ばね７５から付勢機構７４が構成されている。付勢機構７４は、導通ピン７２ＡをレチクルＲ１の自重よりも僅かに小さい程度の力でレチクルＲ１側に付勢する。導通ピン７２ＡがレチクルＲに接触する位置は、レチクルの回路パターン領域（例えば、１０４ｍｍ×１３２ｍｍ）より外側とし、ＳＥＭＩ（Semiconductor Equipment and Materials International）規格で定義されているクオリティエリアＱＡ（例えば、１４２ｍｍ×１４２ｍｍ）の外側であることが望ましい。
【００５７】
付勢機構７４で導通ピン７２Ａの先端部をレチクルＲ１に付勢することによって、導通ピン７２Ａは容易にレチクルＲ１の基板９の第２吸収膜１２を通過して（破壊して）導電性の第１吸収膜１１、又はその下の導電性の多層膜１０に到達する。この状態で、レチクルＲ１のパターン面は、導通機構７０Ａ及びベースプレート５３を介してアウタードア３８に導通している。ただし、導通ピン７２Ａに外部から付勢力が作用していない状態では、板ばね７１Ａの復元力によって導通ピン７２ＡはレチクルＲ１に接触しない位置に退避している（図８（Ｂ）参照）。
【００５８】
また、インナーポッド４１Ａのカバー部材５１において、レチクルＲ１の裏面の導電膜１３に対向する位置に開口部５１ｂが形成され、開口部５１ｂの近傍のカバー部材５１にボルトによって固定された金属製の板ばね７１Ｂの中央部に、尖端をレチクルＲ１に向けた円錐状で導電性の導通ピン７２Ｂが固定されている。導通ピン７２Ｂは開口部５１ｂ内に上下方向に変位可能に支持されている。導通ピン７２Ｂは、導通ピン７２Ａと同様の材料から形成されている。導通ピン７２Ｂ及び板ばね７１Ｂから導通機構７０Ｂが構成されている。導通ピン７２ＢがレチクルＲに接触する位置は、ＳＥＭＩ規格で定義されているクオリティエリアＱＡ（例えば、１４２ｍｍ×１４２ｍｍ）の外側、かつ導電膜の最小コーティング領域（例えば、１４６ｍｍ×１４６ｍｍ）の内側であることが望ましい。
【００５９】
アウターポッド３９Ａのアウタードーム３７の内面において、カバー部材５１の開口部５１ｂにほぼ対向する位置に付勢部材７８が固定され、付勢部材７８は、導通機構７０Ｂの板ばね７１Ｂの自由端をレチクルＲ１側に付勢する。これによって、導通ピン７２ＢはレチクルＲ１の導電膜１３に接触するように付勢される。付勢部材７８で導通ピン７２Ｂの先端部をレチクルＲ１の導電膜１３側に付勢することによって、仮に導電膜１３の表面に酸化膜が形成されていても、導通ピン７２Ｂは容易にその酸化膜を通過して（破壊して）導電膜１３に到達する。この状態で、レチクルＲ１の裏面は導通機構７０Ｂ、カバー部材５１、及びベースプレート５３を介してアウタードア３８に導通している。ただし、導通ピン７２Ｂに外部から付勢力が作用していない状態では、板ばね７１Ｂの復元力によって導通ピン７２ＢはレチクルＲ１に接触しない位置に退避している（図８（Ｂ）参照）。
【００６０】
従って、本実施形態において、レチクルＲ１を収容するインナーポッド４１Ａがアウターポッド３９Ａ内に収容されており、かつアウタードア３８が接地されている状態では、インナーポッド４１Ａ内に収容されたレチクルＲ１のパターン面（第１吸収膜１１又は多層膜１０）及び裏面（導電膜１３）は、それぞれ導通機構７０Ａ及び７０Ｂを介して接地されており、パターンの静電破壊及び異物の静電付着が確実に防止される。
【００６１】
次に、図１のレチクル搬送系で本実施形態のレチクルポッド２０Ａ（レチクルＲ１）を搬送する動作の一例につき説明する。大気レチクルライブラリ３５に置かれたレチクルポッド２０Ａ（アウターポッド３９Ａ）は、第１の大気ロボット３３によりアウターポッドオープナー３１に搬送される。図６（Ａ）に示すように、搬送されたアウターポッド３９Ａは、接地されたステージ１６４上に載置される。この状態では、レチクルＲ１は、図８（Ａ）の導通機構７０Ａ，７０Ｂ及び台座部３８ｂ等を介して接地されている。
【００６２】
そして、矢印Ａ１で示すようにステージ１６４を下降させることにより、アウタードーム３７のフランジ部が支持部材１６０の上端の係止部材１６２に載置され、図６（Ｂ）に示すように、レチクルＲ１が収容されたインナーポッド４１Ａが現れる。このとき、図８（Ｂ）に示すように、付勢部材７８がカバー部材５１に設けられた板ばね７１Ｂから離れるため、板ばね７１Ｂの復元力で導通ピン７２Ｂは矢印Ａ６で示す上方に退避する。その結果、レチクルＲ１の基板９の裏面（導電膜１３）は電気的に浮いた状態になるが、新たに静電気が帯電することがないため、異物の静電付着等は実質的に生じない。
【００６３】
その後、ステージ１６４上のインナーポッド４１Ａは、図１の第２の大気ロボット２９によって取り出される。このとき、図８（Ｂ）に示すように、ベースプレート５３に設けられた導通ピン７２Ａから付勢機構７４が離れるため、板ばね７１Ａの復元力で導通ピン７２Ａが矢印Ａ５で示す下方に退避する。その結果、レチクルＲ１の基板９のパターン面（多層膜１０）も電気的に浮いた状態になるが、新たに静電気が帯電することがないため、パターンの静電破壊等は実質的に生じない。
【００６４】
図１の第２の大気ロボット２９によって取り出されたインナーポッド４１Ａは、ロードロック室２３及び真空ロボット１５を介して、真空環境下で例えばインナーポッドオープナー２１に搬送される。図７（Ａ）に示すように、インナーポッドオープナー２１に搬送されたインナーポッド４１Ａは、接地されたステージ４９上に載置される。矢印Ａ３で示すように、ステージ４９を下降させることにより、図７（Ｂ）に示すように、カバー部材５１のフランジ部５１ａが支持部材５５の上端の係止部材５７に載置され、レチクルＲ１が現れる。この際に、アライメント系５９を用いたレチクルＲ１のプリアライメント及びレチクルＩＤの識別が行われる。
【００６５】
プリアライメントの終了したレチクルＲ１は、図７（Ｃ）に示すように、ベースプレート５３に載置された状態で、真空ロボット１５の搬送アーム６１により露光装置ＥＸのレチクルステージＲＳＴに搬送される。そして、レチクルＲ１が静電チャック１２６に吸着されて、露光が行われる。露光終了後、レチクルＲ１を大気レチクルライブラリ３５に戻すときには、図７（Ａ）〜図７（Ｃ）の動作と逆の工程によって、レチクルＲ１はインナーポッド４１Ａ内に収容される。その後、インナーポッド４１Ａは、ロードロック室２３を経て第２の大気ロボット２９により、図６（Ｂ）に示すように、大気環境下でアウターポッドオープナー３１の接地されたステージ１６４上に載置される。このとき、図８（Ｂ）に矢印Ａ７で示すように、アウタードア３８の付勢部材７６がインナーポッド４１Ａのベースプレート５３側の導通ピン７２Ａを上方に付勢する。この結果、導通ピン７２ＡがレチクルＲ１のパターン面の第２吸収膜１２を通過して（破壊して）導電性の第１吸収膜１１（又は多層膜１０）に到達する。これにより、基板９のパターン面が導通機構７０Ａ、ベースプレート５３、及びアウタードア３８を介して接地される。
【００６６】
その後、図６（Ａ）の矢印Ａ２で示すように、ステージ１６４を上昇させることで、図８（Ｂ）に矢印Ａ８で示すように、アウタードーム３７の付勢部材７８がインナーポッド４１Ａのカバー部材５１側の板ばね７１Ｂを介して導通ピン７２Ｂを下方に付勢する。この結果、仮にレチクルＲ１の基板９の裏面の導電膜１３の表面に酸化膜が形成されていても、導通ピン７２Ｂが基板９の裏面の酸化膜を通過して（破壊して）導電膜１３に到達する。これにより、基板９の裏面が導通機構７０Ｂ、カバー部材５１、ベースプレート５３、及びアウタードア３８を介して接地される。従って、レチクルＲ１のパターンの静電破壊及び異物の静電付着が安定に防止される。
【００６７】
このように本実施形態では、導通ピン７２Ａ，７２ＢのレチクルＲ１の第１吸収膜１１（又は多層膜１０）及び導電膜１３に対する接触及び離脱は、大気環境下でのみ行われる。そして、真空環境下では、導通ピン７２Ａ，７２ＢはレチクルＲ１から離れた状態が維持される。この場合、導通ピン７２Ａ，７２Ｂの先端がレチクルＲ１の第１吸収膜１１（多層膜１０）又は導電膜１３に接触する際、又はそれらの先端がそれらの部材から離脱する際には、第１吸収膜１１又は酸化膜等の破壊によって微小な破片（粉末）が異物として発生する恐れがある。大気圧中でのそのような異物の飛散距離はほぼ１０ｍｍ程度以下であるのに対して、露光チャンバ１００内のように真空の状態では、そのような異物の飛散距離は数１０ｍ以上であり、レチクルＲ１のパターン領域内のパターンにも付着する恐れがある。また、レチクルＲ１がインナーポッド４１Ａに収容された状態でかつ真空の状態で、導通ピン７２Ａ，７２Ｂの接触又は離脱を行う場合、異物の飛散距離は数１０ｍｍ以上であり、レチクルＲ１のパターン領域内のパターンにも付着する恐れがある。
【００６８】
従って、本実施形態のように、導通ピン７２Ａ，７２ＢのレチクルＲ１に対する接触及び離脱を常に大気環境下でのみ行うことによって、仮に異物が発生してもその異物の飛散距離は短いため、その異物がパターン領域に達することはなく、転写されるパターンの不良を防止できる。
このように本実施形態のレチクルポッド２０Ａは、レチクルＲ１を収容可能なインナーポッド４１Ａと、インナーポッド４１Ａを収容可能なアウターポッド３９Ａと、インナーポッド４１Ａに設けられて、レチクルＲ１のパターン面の導電性の第１吸収膜１１（又は多層膜１０）及び裏面の導電膜１３にそれぞれ接触可能な１対の可動の導電性の導通ピン７２Ａ，７２Ｂと、導通ピン７２Ａ，７２Ｂとベースプレート５３（インナーポッド４１Ａ）とを導通する板ばね７１Ａ，７１Ｂと、を備えている。
【００６９】
さらに、レチクルポッド２０Ａにおいて、アウターポッド３９Ａのアウタードア３８は導電性であり、ベースプレート５３とアウタードア３８とを導通する導電性の台座部３８ｂが設けられている。本実施形態では、台座部３８ｂはアウタードア３８と一体化されている。
本実施形態によれば、インナーポッド４１Ａに設けられた導電性の可動の導通ピン７２Ａ，７２ＢをレチクルＲ１に接触させることによって、アウターポッド３９Ａのアウタードア３８を介してレチクルＲ１を安定に接地できる。
【００７０】
また、本実施形態のレチクルポッド２０Ａは、本実施形態の図１の露光装置ＥＸの構成部材とみなすことも可能である。この場合、露光装置ＥＸは、レチクルポッド２０Ａから取り出されたレチクルＲ１を吸着して保持可能なレチクルステージＲＳＴを備えている。露光装置ＥＸによれば、真空環境下では、レチクルＲ１に対する導通ピン７２Ａ，７２Ｂの接触及び離脱がないため、真空環境下では異物が発生することがなく、レチクルＲ１のパターンを高精度にウエハＷに露光できる。
【００７１】
なお、上述の実施形態では、レチクルＲ１のパターン面には絶縁性の第２吸収膜１２が形成されているが、第２吸収膜１２は形成されていなくてもよい。例えば、第１吸収膜として、回路パターン検査機において、多層膜に対して十分な検出コントラストを得るための性質を含む材料を用いればよい。
また、上述の実施形態では、レチクルＲ１に接触する導通ピン７２Ａ，７２Ｂはインナーポッド４１Ａに支持されている。なお、導通ピン７２Ａ，７２Ｂの少なくとも一方を例えば板ばね等を介してアウターポッド３９Ａ側のアウタードア３８及びアウタードーム３７に取り付けてもよい。
【００７２】
また、上述の実施形態では、インナーポッド４１Ａには、レチクルＲ１の両面に可動の導通ピン７２Ａ，７２Ｂが設けられているため、レチクルＲ１の両面を個別に安定に接地可能である。なお、例えばレチクルＲ１の基板９の側面にパターン面の多層膜１０と裏面の導電膜１３とを導通する導電膜を形成しておく場合には、基板９のパターン面側の導通機構７０Ａ（導通ピン７２Ａ）又は裏面側の導通機構７０Ｂ（導通ピン７２Ｂ）を省略することが可能である。
【００７３】
また、図８（Ａ）において、例えばアウターポッド３９Ａのアウタードア３８の板ばね７５に対向する位置に開口を設け、板ばね７５をアウタードア３８の外側から底面側に戻すことができる機構を設けてもよい。これによって、インナーポッド４１Ａがアウターポッド３９Ａ内に収容されている状態で、必要に応じて導通ピン７２ＡをレチクルＲ１から離脱させることができる。同様に、アウタードーム３７側にも付勢部材７８を外側に退避できる機構を設け、必要に応じて導通ピン７２ＢをレチクルＲ１から離脱させることができるようにしてもよい。
【００７４】
次に、本実施形態の変形例につき図９（Ａ）及び図９（Ｂ）を参照して説明する。なお、図９（Ａ）及び図９（Ｂ）において図８（Ａ）及び図８（Ｂ）に対応する部分には同一の符号を付してその詳細な説明を省略する。
図９（Ａ）はその変形例のレチクルポッド２０Ｂを示す断面図、図９（Ｂ）はその変形例のインナーポッド４１Ｂを示す断面図である。図９（Ａ）において、レチクルポッド２０Ｂは、レチクルＲ１を収容するインナーポッド４１Ｂと、インナーポッド４１Ｂを収容するアウターポッド３９Ｂとから構成される二重ポッドである。この変形例では、一例として、アウターポッド３９Ｂのアウタードーム３７及びアウタードア３８はそれぞれ導電性樹脂より形成され、インナーポッド４１Ｂのカバー部材５１及びベースプレート５３はそれぞれ金属より形成されている。
【００７５】
また、インナーポッド４１Ｂのベースプレート５３の周辺部において、レチクルＲ１の基板９のパターン面の第２吸収膜１２に対向する位置に開口部５３ｄが設けられ、開口部５３ｄを囲むように、ベースプレート５３に断面が輪帯状で厚さ方向に可撓性を持つ薄い金属製のベローズ８０Ａが固定され、ベローズ８０Ａの底面に固定された金属製の支持板８１Ａの上面に、開口部５３ｄを通してレチクルＲ１の基板９に接触可能に導通ピン７２Ａが固定されている。ベローズ８０Ａ、支持板８１Ａ、及び導通ピン７２Ａから導通機構７０Ｃが構成されている。ベローズ８０Ａは内部に空気が封入された状態で気密化されており、大気圧下では、ベローズ８０Ａが収縮するため、ベローズ８０Ａによって導通ピン７２Ａは基板９のパターン面の第２吸収膜１２を通過して（破壊して）第１吸収膜１１（又はさらに多層膜１０）に到達する。このため、基板９のパターン面は、導通機構７０Ｃを介してベースプレート５３に導通する。
【００７６】
また、インナーポッド４１Ｂのカバー部材５１において、複数箇所の支持部材１５２で囲まれた領域内でレチクルＲ１の基板９の裏面の導電膜１３に対向する位置に開口部５１ｃが設けられている。その開口部５１ｃを囲むように、カバー部材５１にベローズ８０Ａと同様の厚さ方向に可撓性を持つベローズ８０Ｂが固定され、ベローズ８０Ｂの上面に固定された金属製の支持板８１Ｂの底面に、開口部５１ｃを通してレチクルＲ１の基板９に接触可能に導通ピン７２Ｂが固定されている。ベローズ８０Ｂ、支持板８１Ｂ、及び導通ピン７２Ｂから導通機構７０Ｄが構成されている。ベローズ８０Ｂも内部に空気が封入された状態で気密化されており、大気圧下では、ベローズ８０Ｂが収縮するため、仮に基板９の裏面の導電膜１３の表面に酸化膜が形成されていても、ベローズ８０Ｂによって導通ピン７２Ｂはその酸化膜を通過して（破壊して）導電膜１３に到達する。このため、基板９の裏面は、導通機構７０Ｄ及びカバー部材５１を介してベースプレート５３に導通する。
【００７７】
この変形例では、大気圧環境下で、レチクルＲ１を収容するインナーポッド４１Ｂがアウターポッド３９Ｂ内に収容され、かつアウターポッド３９Ｂが接地ライン１５０を介して接地されているときには、レチクルＲ１の基板９のパターン面及び裏面は、それぞれ導通機構７０Ｃ，７０Ｄ、ベースプレート５３、及び台座部３８ｂを含むアウタードア３８を介して安定に接地される。従って、レチクルＲ１のパターンの静電破壊及び異物の静電付着が防止される。
【００７８】
そして、アウターポッド３９Ｂを図１のアウターポッドオープナー３１に搬送し、アウターポッド３９Ｂから取り出したインナーポッド４１Ｂを第２の大気ロボット２９の接地された搬送アームで受け取った状態でも、インナーポッド４１Ｂ内のレチクルＲ１の基板９のパターン面及び裏面はその搬送アームを介して安定に接地されている。さらに、そのインナーポッド４１Ｂを図１のロードロック室２３内に搬送し、ロードロック室２３内を真空にする過程で、ベローズ８０Ａの厚さが次第に大きくなり、図９（Ｂ）に矢印Ａ５で示すように、導通ピン７２Ａが下方に退避する。これと並行して、ベローズ８０Ｂの厚さも次第に大きくなり、図９（Ｂ）に矢印Ａ６で示すように、導通ピン７２Ｂが上方に退避する。従って、導通ピン７２Ａ，７２ＢがレチクルＲ１から離脱して、レチクルＲ１の基板９のパターン面及び裏面がそれぞれ電気的に浮いた状態になるが、新たに静電気が帯電することがないため、パターンの静電破壊及び異物の静電付着は実質的に生じない。
【００７９】
その後、飛散距離の大きい真空環境下ではレチクルＲ１に対する導通ピン７２Ａ，７２Ｂの接触及び離脱は行われないため、レチクルＲ１のパターン領域に対する異物の付着等も防止されている。その後、露光装置ＥＸでレチクルＲ１の使用が終わり、図１の真空ロボット１５でレチクルＲ１が収容されたインナーポッド４１Ｂをロードロック室２３内に搬送し、ロードロック室２３内を大気圧に戻す過程で、ベローズ８０Ａが次第に収縮し、導通ピン７２ＡがレチクルＲ１の第２吸収膜１２を通過して第１吸収膜１１又は多層膜１０に接触する。これと並行して、ベローズ８０Ｂも次第に収縮し、図９（Ａ）に示すように、導通ピン７２ＢがレチクルＲ１の導電膜１３に接触する。従って、レチクルＲ１の基板９のパターン面及び裏面が導通ピン７２Ａ，７２Ｂ、ベースプレート５３、及び接地されたテーブル（不図示）を介して接地される。また、導通ピン７２Ａ，７２ＢをレチクルＲ１に接触させるときに第１吸収膜１１の破壊等で異物が発生しても、真空環境下よりも異物の飛散距離が短いためその影響は少ない。
【００８０】
なお、この変形例において、ベローズ８０Ａ，８０Ｂの材料としては、金属の他に合成樹脂を使用することも可能である。
また、この変形例においても、例えばレチクルＲ１の側面に多層膜１０と導電膜１３とを導通させる導電膜を形成しておくことにより、導通機構７０Ｃ（導通ピン７２Ａ）又は導通機構７０Ｄ（７２Ｂ）を省略できる。
【００８１】
また、上記の第１、第２の実施形態の露光装置ＥＸ（又は露光方法）を用いて半導体デバイス等の電子デバイス（又はマイクロデバイス）を製造する場合、電子デバイスは、図１０に示すように、電子デバイスの機能・性能設計を行うステップ２２１、この設計ステップに基づいたマスク（レチクル）を製作するステップ２２２、デバイスの基材である基板（ウエハ）を製造してレジストを塗布するステップ２２３、前述した実施形態の露光装置ＥＸ（又は露光方法）によりマスクのパターンを基板（感応基板）に露光する工程、露光した基板を現像する工程、現像した基板の加熱（キュア）及びエッチング工程などを含む基板処理ステップ２２４、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程などの加工プロセスを含む）２２５、並びに検査ステップ２２６等を経て製造される。
【００８２】
言い換えると、このデバイスの製造方法は、上記の実施形態の露光装置（又は露光方法）を用いて基板（ウエハ）にパターンを形成することと、そのパターンが形成された基板を処理すること（ステップ２２４）とを含んでいる。上記の実施形態の露光装置によれば、レチクルＲ，Ｒ１のパターンの静電破壊及び異物の静電付着が有効に防止できるため、電子デバイスを高精度に製造できる。
【００８３】
また、上記の実施形態では露光装置として、ＥＵＶ露光装置が使用されているが、露光光として紫外光を使用する露光装置、又は露光光として電子線を用いる電子線露光装置等でも、上記の実施形態のレチクルＲ、及びレチクルポッド２０，２０Ａ，２０Ｂを使用してもよい。
このように、本発明は上述の実施の形態に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の構成を取り得る。
【符号の説明】
【００８４】
ＥＸ…露光装置、Ｒ，Ｒ１…レチクル、ＰＯ…投影光学系、Ｗ…ウエハ、ＲＳＴ…レチクルステージ、８Ａ〜８Ｄ…接地領域、９…基板、１０…多層膜、１１…第１吸収膜、１２…第２吸収膜、１３…導電膜、２０，２０Ａ，２０Ｂ…レチクルポッド、３９，３９Ａ，３９Ｂ…インナーポッド、４１，４１Ａ，４１Ｂ…アウターポッド、７２Ａ，７２Ｂ…導通ピン、１３０Ａ，１３０Ｂ…導通部材 
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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