(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
円盤状支持材の表面に複数個の砥粒が単層に固着されたドレッサーであって、
円盤状支持材の半径をＲ（ｍｍ）とした場合、砥粒が、０．３Ｒ≦Ｂ＜Ａ≦０．９Ｒ、かつ、Ａ−Ｂ≧４（ｍｍ）を満たす半径Ｂ（ｍｍ）の同心円の外側、かつ、半径Ａ（ｍｍ）の同心円の内側のリング状領域に固着されている研磨布用ドレッサー。
【請求項２】
Ａ、Ｂ、およびＲの関係が、式：Ａ≦（１/３）Ｂ+（２/３）Ｒ  を満たす請求項１に記載の研磨布用ドレッサー。
【請求項３】
前記砥粒の粒径ｄが、３μｍ≦ｄ＜１００μｍ  であることを特徴とする請求項１または２記載の研磨布用ドレッサー。
【請求項４】
前記砥粒が、ダイヤモンド、立方晶窒化ホウ素、炭化ホウ素、炭化ケイ素、又は酸化アルミニウムの少なくとも１種である請求項１〜３のいずれか一項に記載の研磨布用ドレッサー。
【請求項５】
前記砥粒が前記円盤状支持材の表面に、ろう材を介して固着されている請求項１〜４のいずれか一項に記載の研磨布用ドレッサー。
【請求項６】
前記円盤状支持材がステンレス鋼製である請求項１〜５のいずれか一項に記載の研磨布用ドレッサー。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、化学的かつ機械的平面研磨（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｌａｎａｒｉｚａｔｉｏｎ、以下ＣＭＰと略す）の工程で、研磨布の平坦性を維持するため、および、目詰まりや異物除去を行うために使用されるドレッサーに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体ウェーハの表面を研磨する装置、集積回路を製造する途中の配線や絶縁層の表面を平坦化する装置、あるいは磁気ハードディスク基板に使用されるＡｌ板やガラス板の表面を平坦化する装置等では、ＣＭＰ研磨が用いられている。このＣＭＰ研磨とは、例えば、ウレタン製の研磨パッドが貼り付けられた回転基板に、微細な砥粒を含むスラリー液を供給しながら、被研磨面を押し当てて、被研磨面を平坦化する方法である。当然のことながら、この研磨パッドの研磨能力は使用時間と共に低下していく。この低下を抑制するために、一定時間毎に研磨パッド表層部を研削して研磨パッドの平坦性を維持しながら、常に新しい面が出るようにドレッシングしている。このドレッシングに使用する部品をドレッサーと呼ぶ。ドレッサーは、金属基板に砥粒を電着、あるいは、ろう付け等によって接合させて得られる。
【０００３】
最近では、集積回路のライン/スペ−スの極狭化によるパターン露光装置の低焦点深度化、あるいは磁気ハードディスクの記録容量増加などが進んでいる。これらに伴って、被研磨面に発生するスクラッチ傷を無くすという従来からの要求に加えて、被研磨面のうねりを低減させるなど、平坦性への要求が益々高くなってきている。これらの要求に応えていくためには、ドレッシングによってパッド表面を均一に研削してパッドの平坦性を維持することが必要とされる。さらには、ドレッシングには、パッドの目詰まりや異物を除去できる、パッド研削力も必要とされる。
【０００４】
均一なパッド研削を目的としたドレッサーとしては、以下のものが開示されている。特許文献１には、円盤状台金の表面に一片の長さが０．２ｍｍ〜１０ｍｍの正三角形のメッシュを想定し、メッシュの各交点に５μｍ〜１０００μｍの超砥粒を配列し固着させたドレッサーが開示されている。特許文献２には、砥粒を径の異なる複数の略同心円上に略等間隔で配置したドレッサーであって、例として、ダイヤモンド砥粒径が約１ｍｍで、砥粒中心間距離が３ｍｍに配置されたドレッサーが開示されている。特許文献３には、ろう材の溶融温度の変動バラツキを抑制することによって、ろう付け温度の低下が可能になり、その結果、金属製支持材の変形が低減されたドレッサーが開示されている。特許文献４には、ろう材を所定の組成にすることによって、ろう材の溶融温度の変動バラツキが抑制され、その結果、ろう付け温度の低下が可能になり、金属製支持材の変形が低減されたドレッサーが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００６−５５９４４号公報
【特許文献２】特開２０００−１４１２０４号公報
【特許文献３】特開２００６−３０５６５９号公報
【特許文献４】特開２００７−８３３５２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
前述したように、従来からパッド表面を均一に研削するドレッサーが開示されてはいる。しかしながら、例えば、特に高いパッド平坦性が要求されている高磁気記録密度用ハードディスク基板（ガラス基板、アルミ基板）、あるいは、高い集積度を有する集積回路基板に対しては、パット平坦性をさらに高めることが必要である。しかし、パッド平坦性を向上させようとすると、どうしてもパット研削力が低下するという問題があった。
【０００７】
本発明は、前述した課題を解決するために、優れたパッド平坦性と高いパット研削力とを同時に満たすドレッサーを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の要旨は、以下の通りである。
（１）円盤状支持材の表面に複数個の砥粒が単層に固着されたドレッサーであって、円盤状支持材の半径をＲ（ｍｍ）とした場合、砥粒が、０．３Ｒ≦Ｂ＜Ａ≦０．９Ｒ、かつ、Ａ−Ｂ≧４（ｍｍ）を満たす半径Ｂ（ｍｍ）の同心円の外側、かつ、半径Ａ（ｍｍ）の同心円の内側のリング状領域に固着されていることを特徴とする研磨布用ドレッサー。
（２）Ａ、Ｂ、および、Ｒの関係が、Ａ≦（１/３）Ｂ＋（２/３）Ｒ、を満たすことを特徴とする前項１記載の研磨布用ドレッサー。
（３）前記砥粒の粒径ｄが、３μｍ≦ｄ＜１００μｍ、であることを特徴とする前項１または２記載の研磨布用ドレッサー。
（４）前記砥粒が、ダイヤモンド、立方晶窒化ホウ素、炭化ホウ素、炭化ケイ素、又は酸化アルミニウムの少なくとも１種である前項１〜３のいずれかに記載の研磨布用ドレッサー。
（５）前記砥粒が前記円盤状支持材の表面にろう付けにより固着されている前項１〜４のいずれかに記載の研磨布用ドレッサー。
（６）前記円盤状支持材がステンレス鋼製である前項１〜５のいずれかに記載の研磨布用ドレッサー。
【発明の効果】
【０００９】
本発明のドレッサーを用いることによって、優れたパッド平坦性が維持され、かつ、十分なパッド研削力の確保も可能となる。このため、ガラスやアルミの磁気ハードディスク基板のＣＭＰ研磨のパッドコンディショナーに本発明のドレッサーを適用する場合、製品基板の平坦性が向上して優れた品質が達成されるとともに、高い生産性も維持できる効果を奏でる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の砥粒固着範囲を示す図
【発明を実施するための形態】
【００１１】
ガラスやアルミの磁気ハードディスク基板をＣＭＰ研磨する場合には、パッドの平坦性が特に重要となる。パッドの平坦性を向上させるために、ドレッサーに用いる砥粒の粒径をできるだけ小さくすることで解決が図られている。しかしながら、実際には砥粒径を小さくしてもパット平坦性の向上には限界がある。この限界は、パッド表面をドレッシングする際に、パッド面とドレッサーの砥粒固着面との面接触（当り方）が均一でない場合に、パット面に対して砥粒固着面の特定部位の当たり方が強くなり、研削後のパット平坦性が低下してしまうためであることを本発明者は見出した。この当たり方を如何に均一にするかを鋭意検討した結果、本発明を完成させるに至った。
【００１２】
本発明者は、円盤状支持材（以下、支持材という）の表面に複数個の砥粒が単層に固着されたドレッサーの支持材表面における砥粒固着領域に応じて、研削後のパット平坦性が大きく変わることを見出した。支持材表面の端部に砥粒を配置すると研削後のパット平坦性が劣化し、支持材表面端部に砥粒を配置しない場合は研削後のパッド平坦性が向上する。また、支持材表面の中心領域に砥粒を配置すると研削後のパット平坦性が劣化し、支持材表面中心領域に砥粒を配置しない場合は研削後のパット平坦性が向上することを見出した。
【００１３】
本発明者が鋭意検討した結果、半径Ｒの支持材表面における砥粒固着領域を、０．３Ｒ≦Ｂ＜Ａ≦０．９Ｒ、かつ、Ａ−Ｂ≧４（ｍｍ）を満たす半径Ｂと半径Ａの同心円で囲まれたリング状領域とすると、研削後のパット平坦性を向上させることが見出された。この範囲は、図１における点ａ、ｄおよびｇで囲まれた領域として表示される。
【００１４】
本発明のドレッサーの支持材の表面には、Ａ≦０．９Ｒを満たす半径Ａの同心円の外側、および、０．３Ｒ≦Ｂを満たす半径Ｂの同心円の内側に砥粒が固着されていない。そのため、支持材表面のこれらの領域は研削力がない。すなわち、このように砥粒を配置にすることによって、たとえドレッサー砥粒固着面とパッド面の片当たりが生じても、砥粒固着領域の内側と外側の支持材が、特定部位での強い当たり力(片当たりの力)を分散させる。その結果、研削後のパット平坦性が向上する。
【００１５】
支持材表面の外周領域（０．９Ｒより外側領域）に配置した砥粒の当たり方は、不均一になる傾向があるため、砥粒単層固着領域はＡ≦０．９Ｒが好ましい。
【００１６】
更に、支持材の中心位置近くにある砥粒は、目詰まりを起し易くなる傾向にあることも見出した。目詰まりを起こした場合には、砥粒本来の研削力が出なくなるためにパット平坦性が劣化してしまう。砥粒が、０．３Ｒ≦Ｂ を満たす半径Ｂの外側領域に固着されている場合に目詰まりを抑制し、パット平坦性が向上する。
【００１７】
リング状領域の幅（Ａ−Ｂ）は、４ｍｍ未満ではパット研削力が低下してしまうため、Ａ−Ｂ≧４ｍｍとする。ドレッサーは、パッド面に対して回転運動するため、砥粒固着領域がリング状であると、砥粒固着面とパット面の当り方がより均一になるため好ましい。更に、砥粒固着領域がリング状であると、０．９Ｒより外側領域の砥粒が付着されていない部位が支持材周方向で均一になるため、片当たりの力の分散効果がドレッサーが回転した場合でも均一になるため好ましい。
【００１８】
半径Ｂが、０．４Ｒ≦Ｂ≦０．７Ｒ  の範囲にある場合は、パット平坦性の安定が向上するため更に好ましい。この範囲は、図１の点ｊ、ｅ、ｆおよびｉで囲まれた領域で表示することができる。
【００１９】
安定した研削力を得るためには、リング状領域の幅（Ａ−Ｂ）は８ｍｍ以上がより好ましい。この範囲は、図１の点ａ、ｃおよびｈで囲まれた領域で表示することができる。
【００２０】
０．４Ｒ≦Ｂ≦０．７Ｒと、リング状領域の幅（Ａ−Ｂ）≧８ｍｍの両方の条件を満たす場合には、平坦性の安定化と研削力の安定化とを同時に満たすことができる。この範囲は図１の点ｊ、ｌ、ｍおよびｉで囲まれた領域で表示することができる。
【００２１】
半径Ａの外側の砥粒が固着されていない領域の半径方向の幅（Ｒ-Ａ）と、リング状領域の幅（Ａ−Ｂ）との関係において、（Ｒ-Ａ）が（Ａ-Ｂ）の少なくとも１／２以上の場合に、片当たり力を分散させる効果がより優れたものとなり、パット平坦性が更に向上するため好ましい。この関係は、（１／２）・（Ａ−Ｂ）≦（Ｒ-Ａ）の式で表示され、式を変形すると、Ａ≦（１/３）Ｂ＋（２/３）Ｒの式で表すことができる。
【００２２】
上記式の範囲は、図１の点ｂ、ｄ、ｇおよびｉで囲まれた領域で表示することができる。すなわち、図１において、点ｋ、ｌ、ｍおよびｉで囲まれた領域では、パット平坦性とパット研削力、および、それらの安定性が特に優れたドレッサーを得ることができる。
【００２３】
また、砥粒径が３μｍ未満であると、パッド研削レイトが低下するため、砥粒径ｄは３μｍ以上であることが好ましい。砥粒径が１００μｍ以上になるとパット平坦性が劣化するため、ｄ＜１００μｍであることが好ましい。このような本発明のドレッサーを使用することによって、パッド研削力とパッド平坦性を同時に満たすことが可能となる。砥粒径ｄが５０μｍ以下になるとパッド平坦性がさらに良くなるためより好ましい。砥粒径ｄが２０μｍ以下であれば、パッド平坦性はさらに良くなる。ただし、砥粒のハンドリング性の観点で見れば、砥粒径が大きい方が取り扱いは容易である。
【００２４】
砥粒径は任意の方法で測定した値としてよいが、本発明においては、以下の通りに測定した値の平均粒径とすることが好ましい。砥粒径は、固着される前の砥粒、又は、固着した砥粒を剥がして集めて測定すればよい。この場合、砥粒径は、篩分級法、レーザー回折法、遠心沈降法、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）の直接観察法等により得られる数平均粒径とすることができる。固着した砥粒の粒径をそのまま測定する場合には、ＳＥＭによる直接観察法により得られる円相当径より得られる平均粒径とすることができる。
【００２５】
砥粒の配置パタ−ンは、ランダム的であってもよく、規則的であってもよい。規則的に配置する場合には、砥粒を三角形、四角形、五角形、六角形等、種々のパタ−ン領域に配置することが可能である。
【００２６】
本発明の研磨布用ドレッサーを構成する砥粒は、硬度が大きく、酸性あるいはアルカリ性のスラリーと反応しにくいものが好適である。例えば、ダイヤモンド、立方晶窒化ホウ素、炭化ホウ素、炭化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化珪素、又は酸化セリウムからなる砥粒を用いる。中でも特に好ましいのは、ダイヤモンド、立方晶窒化ホウ素、炭化ホウ素、炭化ケイ素、又は酸化アルミニウムからなる砥粒である。これらの砥粒は一種類を単独で用いても良く、複数の砥粒を併用しても良い。
【００２７】
これらの砥粒表面に、チタン、ジルコニウム、クロムから選ばれた少なくとも１種を被覆したもの、また、炭化チタン、炭化ジルコニウム、炭化クロムから選ばれた少なくとも１種を被覆したものを用いることも可能である。
【００２８】
通常は、個々の砥粒を単独で使用するが、大きさが同程度の砥粒を２種類以上混合して使用することによって、パッドの平坦性を維持した状態で、研削能力を上げることが可能になる。
【００２９】
本発明によるドレッサーは、以下のように製造されうる。先ず、支持材表面にろう材を仮付けする。支持材は、砥粒と同様に、酸性あるいはアルカリ性のスラリーとの反応が生じにくい金属製、特にステンレス鋼が好ましい。代表的なステンレスである、ＳＵＳ３０４、ＳＵＳ３１６、ＳＵＳ４３０等が好適である。炭素鋼等の一般構造用鋼の表面にＮｉ等のめっきをしたものも使用可能である。さらに、円盤状支持材は、金属製以外にも耐食性に優れた樹脂製、セラミックス製でも良い。
【００３０】
支持材の形状は、支持材自体が回転しながらパッドを研削するので、均一研削性を担保するためには円盤状であることが必要である。
【００３１】
ろう材として、ＢＮｉ−２やＢＮｉ−５等のＪＩＳ規格材に代表されるＮｉ−Ｃｒ−Ｆｅ−Ｓｉ−Ｂ系、Ｎｉ−Ｓｉ−Ｂ系、Ｎｉ−Ｃｒ−Ｓｉ−Ｂ系などが適用できる。ろう材が箔の場合には、スポット溶接で支持材表面へ仮付け可能である。ろう材が粉の場合には、例えば、セルロース系のバインダー等をろう粉と混練したものを支持材表面に塗布すればよい。
【００３２】
砥粒は、支持材表面に塗布されたろう材の上に、所定の間隔で単層に配列すればよい。このとき、砥粒がずれないように糊などで仮止めする。次に、１０−３Ｐａ程度に真空引きした後、ろう材が溶融する温度まで昇温する。バインダー、糊等は、昇温の途中で殆どが気化する。ろう材を溶融させる温度は、ろう材の融点以上であって、できるだけ低温であることが好ましい。高くても液相線温度＋２０℃程度以内が好ましい。温度が高い場合には、金属製支持材の熱による変形が大きくなるからである。ろう付け温度における保持時間は、５〜３０分程度あれば十分である。砥粒は、ろう付け以外に、Ｎｉ等の電着によって、固定させることも可能である。
【実施例】
【００３３】
以下、本発明を実施例に基づいて詳細に説明する。
【００３４】
（実施例１）
半径５０ｍｍ、厚み４ｍｍのＳＵＳ３０４ステンレス製の円盤状支持材（以下、支持材という）の片面に、平均粒径が１８μｍのダイヤモンド砥粒をろう付けによって固着させた。固着部位は、支持材上の片側の面に描いた半径Ｂの円と半径Ａの円の同心円で囲まれたリング状領域とした。ＡとＢの値を表１記載のように変えてドレッサーを作製した。その際、リング状領域を支持材中心から見て等角度で６つのアーク形状に分割し、隣りあうア−ク形状領域同士の間に２ｍｍ幅の砥粒が無い部位を設けた。ダイヤモンド砥粒の配置パタ−ンは正方形配置とし、正方形の１辺の長さを２７μｍとした。
【００３５】
ダイヤモンド砥粒は、以下のようにして配置した。先ず、支持材のダイヤモンド砥粒配置領域にスポット溶接で箔状のろう材を仮付けした。次に、ダイヤモンド砥粒が通り抜ける程度の穴を正方形配置した篩を作製した。その篩を支持材の上に置いて、篩を通してダイヤモンド砥粒を配置した。使用したろう材は組成がＮｉ−０．１２％Ｆｅ−７．４％Ｃｒ−４．０％Ｓｉ−３．０％Ｂ−０．５％Ｐ（ｍａｓｓ％）の箔ろうであり、ろう材の厚みは３０μｍであった。ろう材の上には、ダイヤモンド砥粒がずれないように有機系接着剤を塗布した。その後、９８０℃で真空中１５分間ろう付け処理を施した。
【００３６】
同じ条件で３枚ずつドレッサーを作製し、実際にパッドを研削して研削後のパッド厚み減少量からパッドの研削レイト、及び、パッド平坦性を求めた。パッドは発砲ポリウレタン製であり、パッドの直径は２５０ｍｍである。
【００３７】
このパッドを研磨盤の上に貼り付けた。ドレッサーを、回転機構とパッドの半径方向に揺動する機構を備えた装置に固定し、加圧機構によって１．５ｋｇの加重を加えて、パッドに押し付けた。ドレッサーの中心をパッド半径方向にパッド中心から１２０ｍｍの範囲で半径方向に揺動させた。パッド回転数は９５ｒｐｍ、ドレッサー回転数は８５ｒｐｍ、揺動は７往復／分とした。パッド回転方向とドレッサーの回転方向は同じとした。研削全面が水の膜で覆われる程度に水を供給した。
【００３８】
研削開始から５分が経過した時点で一端、研削を中断して、互いに直交する２本の直径上に沿ってパッド厚みを測長顕微鏡で測定した。２本の直径のそれぞれを、等間隔で１０等分し、等分した部位のほぼ真中付近を測定した（測定点は合計で２０）。全測定点での厚みの平均値を求めた。
【００３９】
再び研削を続けて１５時間後に同様な測定を行った。パッド厚みの平均値から、研削開始後５分から１５時間の研削時間の間における平均のパッド研削レイトを求めた。平坦性は、１５時間後に測定した２０点の値の中で最大値から最小値を引いた値として求めた。パット研削レイト、パット平坦性は、同じ条件で３枚ずつ作製したドレッサーの平均値で評価し、また、それぞれの安定性は、３枚のドレッサーの最大値から最小値を引いた値で評価した。
【００４０】
これらの結果を表１に示した。  
【表１】
0005809880.tif 000002
【００４１】
０．３Ｒ≦Ｂ＜Ａ≦０．９Ｒ、および、Ａ−Ｂ≧４の両方の条件を満たす半径Ｂと半径Ａの同心円で囲まれたリング状領域に砥粒を固着させた試料Ｎｏ.６〜Ｎｏ.１３、Ｎｏ.１６〜Ｎｏ.１８、Ｎｏ.２０、Ｎｏ.２１、Ｎｏ.２３では、０．３０μｍ以下の優れたパット平坦性が得られた。
【００４２】
半径Ｂが、０．４Ｒ≦Ｂ≦０．７Ｒ、の範囲にある試料Ｎｏ.１０〜Ｎｏ.１３、Ｎｏ.１６〜Ｎｏ.１８、Ｎｏ.２０、Ｎｏ.２１では、０．０２μｍ以下の優れたパット平坦性のばらつきが得られた。
【００４３】
リング状領域の幅（Ａ−Ｂ）が８ｍｍ以上である試料Ｎｏ.６〜Ｎｏ.８、Ｎｏ.１０〜Ｎｏ.１２、Ｎｏ.１６〜Ｎｏ.１８、Ｎｏ.２０では、０．２μｍ/分以下の研削レイトのばらつきとなり、安定したパット研削力が得られた。
【００４４】
０．４Ｒ≦Ｂ≦０．７Ｒとリング状領域の幅（Ａ−Ｂ）≧８ｍｍの両方を満たす試料Ｎｏ.１０〜Ｎｏ.１２、Ｎｏ.１６〜Ｎｏ.１８、Ｎｏ.２０では、パッド平坦性の向上、パッド平坦性のばらつきの低減、および安定した研削力のいずれをも満たすことができた。
【００４５】
Ａ≦（１/３）Ｂ＋（２/３）Ｒの関係を満たす試料Ｎｏ.７〜Ｎｏ.９、Ｎｏ.１１〜Ｎｏ.１３、Ｎｏ.１７、Ｎｏ.１８、Ｎｏ.２０、Ｎｏ.２１、Ｎｏ．２３では、０．２５μｍ以下の優れたパット平坦性が得られた。
【００４６】
図１において、点ｋ、ｌ、ｍおよびｉで囲まれた領域（０．４Ｒ≦Ｂ＜Ａ≦０．７Ｒ，Ａ−Ｂ≧８ｍｍ、Ａ≦（１/３）Ｂ＋（２/３）Ｒのいずれをも満たす）内にある試料Ｎｏ.１１、Ｎｏ.１２、Ｎｏ.１７、Ｎｏ.１８、Ｎｏ.２０では、０．２５μｍ以下のパット平坦性と、２．２μｍ/分以上のパット研削レイトと、０．０２μｍ以下のパッド平坦性のばらつき（優れたパット平坦性の安定化）と、０．２μｍ/分以下の研削レイトのばらつき（パット研削力の安定化）と、を同時に満たす特に優れたドレッサーを得ることができる。
【００４７】
これに対して、試料Ｎｏ.１〜Ｎｏ.５、Ｎｏ.１４、Ｎｏ.１５、Ｎｏ.１９、Ｎｏ.２２、Ｎｏ.２４では、半径Ｂ，半径Ａ、リング状領域の幅（Ａ−Ｂ）の少なくとも１つ以上が本発明の範囲外であるため、パット平坦性が０．５μｍ超と劣化し、パット研削レイトが２．０μｍ/分未満と低下する場合が生じ、両者を同時に優れたものとすることができなかった。
【００４８】
（実施例２）
半径７０ｍｍ、厚み４ｍｍのＳＵＳ３０４ステンレス製の円盤状支持材（以下、支持材という）を用いて、実施例１と同様に支持材の片面に平均粒径が１２μｍのダイヤモンド砥粒をろう付けによって固着させた。固着部位は、支持材上の片側の面に描いた半径Ｂの円と半径Ａの同心円で囲まれたリング状領域とした。ＡとＢの値を表２記載のように変えてドレッサーを作製した。その際、リング状領域を支持材中心から見て等角度で６つのアーク形状に分割し、隣りあうア−ク形状領域同士の間に２ｍｍ幅の砥粒が無い部位を設けた。ダイヤモンド砥粒の配置パタ−ンは正方形配置とし、正方形の１辺の長さを１８μｍとした。
【００４９】
ダイヤモンド砥粒は、実施例１と同様の方法で支持材に固着させた。同じ条件で３枚ずつのドレッサーを作製した。
【００５０】
パッドを研削して、研削後のパッド厚み減少量からパッドの研削レイト、及び、パッド平坦性を求めた。パッドは発砲ポリウレタン製であり、パッドの直径は３５０ｍｍである。このパッドを研磨盤の上に貼り付けた。ドレッサーを、回転機構とパッドの半径方向に揺動する機構を備えた装置に固定し、加圧機構によって２．５ｋｇの加重を加えて、パッドに押し付けた。ドレッサーの中心をパッド半径方向にパッド中心から１７０ｍｍの範囲で半径方向に揺動させた。パッド回転数は９０ｒｐｍ、ドレッサー回転数は８０ｒｐｍ、揺動は７往復／分とした。パッド回転方向とドレッサーの回転方向は同じである。研削全面が水の膜で覆われる程度に水を供給した。
【００５１】
以下、実施例１と同様に評価を行った。これらの結果を表２に示した。  
【表２】
0005809880.tif 000003
【００５２】
０．３Ｒ≦Ｂ＜Ａ≦０．９Ｒ、かつ、Ａ−Ｂ≧４を満たす半径Ｂと半径Ａの同心円で囲まれたリング状の領域に砥粒を固着させた試料Ｎｏ.３６〜Ｎｏ.４３、Ｎｏ.４６〜Ｎｏ.４８、Ｎｏ.５０、Ｎｏ.５１、Ｎｏ.５３では、０．３０μｍ以下の優れたパット平坦性が得られた。
【００５３】
半径Ｂが、０．４Ｒ≦Ｂ≦０．７Ｒ、の範囲にある試料Ｎｏ.４０〜Ｎｏ.４３、Ｎｏ.４６〜Ｎｏ.４８、Ｎｏ.５０、Ｎｏ.５１では、０．０２μｍ以下の平坦性のばらつきが得られ、パット平坦性が安定化した。
【００５４】
リング状領域の幅（Ａ−Ｂ）が８ｍｍ以上である試料Ｎｏ.３６〜Ｎｏ.３８、Ｎｏ.４０〜Ｎｏ.４２、Ｎｏ.４６〜Ｎｏ.４８、Ｎｏ.５０では、０．２μｍ/分以下の研削レイトのばらつきが得られ、安定したパット研削力が得られた。
【００５５】
０．４Ｒ≦Ｂ≦０．７Ｒと、リング状領域の幅（Ａ−Ｂ）≧８ｍｍの両方を満たす試料Ｎｏ.４０〜Ｎｏ.４２、Ｎｏ.４６〜Ｎｏ.４８、Ｎｏ.５０では、パッド平坦性の安定化と、研削力の安定化とを同時に満たすことができる。
【００５６】
Ａ≦（１/３）Ｂ＋（２/３）Ｒの関係を満たす試料Ｎｏ.３７〜Ｎｏ.３９、Ｎｏ.４１〜Ｎｏ.４３、Ｎｏ.４７、Ｎｏ.４８、Ｎｏ.５０、Ｎｏ.５１、Ｎｏ.５３では、０．２５μｍ以下のパッド平坦性のばらつきが得られ、優れたパット平坦性となった。
【００５７】
図１において、点ｋ、ｌ、ｍおよびｉで囲まれた領域（０．４Ｒ≦Ｂ＜Ａ≦０．７Ｒ，Ａ−Ｂ≧８ｍｍ、Ａ≦（１/３）Ｂ＋（２/３）Ｒのいずれをも満たす）内にある試料Ｎｏ.４１、Ｎｏ.４２、Ｎｏ.４７、Ｎｏ.４８、Ｎｏ.５０では、０．２５μｍ以下のパット平坦性と、２．２μｍ/分以上のパット研削レイトと、０．０２μｍ以下のパッド平坦性のばらつき（優れたパット平坦性の安定化）と、０．２μｍ/分以下の研削レイトのばらつき（パット研削力の安定化）と、を同時に満たす特に優れたドレッサーを得ることができる。
【００５８】
これに対して、比較例Ｎｏ.３１〜Ｎｏ.３５、Ｎｏ.４４、Ｎｏ.４５、Ｎｏ.４９、Ｎｏ.５２、Ｎｏ.５４では、半径Ｂ，半径Ａ、リング状領域の幅（Ａ−Ｂ）の少なくとも１つ以上が本発明の範囲外であるため、パット平坦性が０．５μｍ超と劣化し、パット研削レイトが２．０μｍ/分未満と低下する場合が生じ、両者を同時に優れたものとすることができなかった。
【００５９】
（実施例３）
半径５０ｍｍ、厚み４ｍｍのＳＵＳ３０４ステンレス製の円盤状支持材（以下、支持材という）を用いて、実施例１と同様に支持材の片面に平均粒径が２μｍ、７μｍ、１４μｍ、３５μｍ、６８μｍ、９３μｍ、および、１１５μｍのダイヤモンド砥粒を、それぞれろう付けによって固着させた。固着部位は、試料Ｎｏ.１７と同様に、支持材上の片側の面に描いた半径Ｂ＝２８ｍｍの円と半径Ａ＝３９ｍｍの円の同心円で囲まれたリング状領域とした。その際、リング状領域を支持材中心から見て等角度で６つのアーク形状に分割し、隣りあうア−ク形状領域同士の間に、２ｍｍ幅の砥粒が無い部位を設けた。
【００６０】
ダイヤモンド砥粒の配置パタ−ンを正方形配置とした。正方形の１辺の長さを、平均粒径２μｍのダイヤモンド砥粒では３μｍ、平均粒径７μｍのダイヤモンド砥粒では１１μｍ、平均粒径１４μｍのダイヤモンド砥粒では２２μｍ、平均粒径３５μｍのダイヤモンド砥粒では５２μｍ、平均粒径６８μｍのダイヤモンド砥粒では１００μｍ、平均粒径９８μｍのダイヤモンド砥粒では１５０μｍ、平均粒径１１５μｍのダイヤモンド砥粒では２４０μｍとした。
【００６１】
実施例１と同様に、ダイヤモンド砥粒を支持材に固着させた。同じ条件で３枚ずつドレッサーを作製した。実際にパッドを研削して研削後のパッド厚み減少量からパッドの研削レイト、及び、パッド平坦性を求めた。これらの結果を表３に示した。  
【表３】
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【００６２】
砥粒径は、３μｍ未満の試料Ｎｏ.６１では、パッド研削レイトが低下することがあったため、研削レイトのばらつきが大きくなる傾向を示した。砥粒径が１００μｍ以上の試料Ｎｏ.６７では、パット平坦性のばらつきが大きくなる傾向を示した。したがって、砥粒の平均粒径が３μｍ以上１００μｍ未満であれば、パット平坦性とパット研削力が安定化しやすいことがわかる。
【００６３】
さらに、砥粒径が５０μｍ以下であれば、パッド平坦性が０．４０μｍ以下となるため、より好ましい。砥粒径が２０μｍ以下であれば、パッド平坦性が０．３μｍ以下となるため、さらに好ましい。ただし、砥粒のハンドリング性の観点で見れば、砥粒径が大きい方が取り扱いやすい。
【００６４】
（実施例４）
実施例３のＮｏ．６４のドレッサーにおいて、ダイヤモンド砥粒の代わりに、平均粒径が３５μｍの立晶窒化ホウ素の砥粒、炭化ホウ素の砥粒、炭化ケイ素の砥粒、酸化アルミニウムの砥粒、炭化ホウ素の砥粒と炭化ケイ素の砥粒とを質量で５０％ずつ混合した混合砥粒、および、酸化珪素の砥粒を用いて、ドレッサーを作製した。
【００６５】
砥粒の配置方法、ろう付け方法、パット研削レイト、およびパッド平坦性の評価方法は実施例１と同様である。ただし、ドレッサーのパットへの押し付け加重を１．８ｋｇとした。結果を表４に示した。
【表４】
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【００６６】
以上の結果から、立方晶窒化ホウ素、炭化ホウ素、炭化ケイ素、酸化アルミニウム、又は酸化珪素の少なくとも１種の砥粒を用いることによって、優れたパッド平坦性とパット研削レイトが得られた。特に優れた性能を示したのは、立方晶窒化ホウ素、炭化ホウ素、炭化ケイ素、又は酸化アルミニウムの少なくとも１種の砥粒を用いた場合であった。また、２種類の砥粒を混合して使用することによって、パッドの平坦性を維持した状態で、研削能力を上げることが可能になることもわかった。
【図１】
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