(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
紫外光から緑色光までの波長領域のうちの所定の波長の光を発光する半導体レーザー光源と、
前記半導体レーザー光源からの励起光により励起され前記半導体レーザー光源の発光波長より長波長の蛍光を発光する蛍光体層および前記蛍光体層を表面に設けた基板を有する蛍光体部とを備え、
前記基板は、前記蛍光体層の前記励起光が入射する側の面とは反対の面側に設けられた金属材料もしくはセラミックス材料からなり、
前記蛍光体層は、透明樹脂媒体中に前記透明樹脂よりも熱伝導率の高い蛍光体が分散され、厚さが７５μｍ〜１００μｍの範囲であり、
前記蛍光体層における蛍光体の透明樹脂媒体に対する配合比は重量比で８０ｗｔ％〜８２ｗｔ％の範囲であり、
前記蛍光体層は、熱拡散率が０．２６（×１０−６ｍ２Ｓ−１）以上であり、
前記蛍光体層と前記基板表面が接着され、
前記半導体レーザー光源からの励起光が、前記蛍光体層の表面側から入射し、
前記基板の前記蛍光体層を接着した表面は、前記半導体レーザー光源からの励起光および前記蛍光体層からの蛍光を反射する反射面であることを特徴とする光源装置。
【請求項２】
請求項１に記載の光源装置が、さらに回転駆動源を備えており、
前記回転駆動源が、前記蛍光体層を回転軸の周りに回転させ、前記半導体レーザーが前記蛍光体層を照射する位置を分散することを特徴とする光源装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の光源装置と、前記光源装置からの出射光を制御する光学系とを備えたことを特徴とする照明装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光源装置および照明装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、例えば特許文献１には、蛍光体を半導体レーザーで励起し、その蛍光を利用した光源、それを用いたプロジェクターが提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１０−０８６８１５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、低エネルギー密度の励起時には８０％以上の外部量子効率の蛍光体であっても、連続的に高密度エネルギー励起された場合において、蛍光体層の熱伝導が悪いと、蛍光体の発熱が蛍光体層に蓄積され蛍光体の量子効率を低下させ、更に発熱を引き起こし、その悪循環により、温度消光で輝度低下することが知られている。
【０００５】
具体的には、蛍光体層には、一般に、シリコーン樹脂中に蛍光体を分散させたものが使用されている。ここで、蛍光体（例えばＹＡＧ結晶）の熱伝導率は１１．７Ｗ／ｍ・Ｋであるのに対して、一般的なシリコーン樹脂の熱伝導率は０．１〜０．４Ｗ／ｍ・Ｋであるため、熱伝導率の低いシリコーン樹脂成分の配合比が多いほど、蛍光体の発熱による蛍光強度低下が大きくなる。
【０００６】
本発明は、シリコーン樹脂などの透明媒体中に蛍光体が分散されたものを蛍光体層に使用する場合にも、蛍光体の発熱による蛍光体層の温度上昇を抑制し、蛍光強度の低下を防止することの可能な光源装置および照明装置を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために、請求項１記載の発明は、紫外光から緑色光までの波長領域のうちの所定の波長の光を発光する半導体レーザー光源と、前記半導体レーザー光源からの励起光により励起され前記半導体レーザー光源の発光波長より長波長の蛍光を発光する蛍光体層および前記蛍光体層を表面に設けた基板を有する蛍光体部とを備え、前記基板は、前記蛍光体層の前記励起光が入射する側の面とは反対の面側に設けられた金属材料もしくはセラミックス材料からなり、前記蛍光体層は、透明樹脂媒体中に前記透明樹脂よりも熱伝導率の高い蛍光体が分散され、厚さが７５μｍ〜１００μｍの範囲であり、前記蛍光体層における蛍光体の透明樹脂媒体に対する配合比は重量比で８０ｗｔ％〜８２ｗｔ％の範囲であり、前記蛍光体層は、熱拡散率が０．２６（×１０−６ｍ２Ｓ−１）以上であり、前記蛍光体層と前記基板表面が接着され、前記半導体レーザー光源からの励起光が、前記蛍光体層の表面側から入射し、前記基板の前記蛍光体層を接着した表面は、前記半導体レーザー光源からの励起光および前記蛍光体層からの蛍光を反射する反射面であることを特徴とする光源装置である。
【０００８】
また、請求項２記載の発明は、請求項１に記載の光源装置において、さらに回転駆動源を備えており、前記回転駆動源が、前記蛍光体層を回転軸の周りに回転させ、前記半導体レーザーが前記蛍光体層を照射する位置を分散することを特徴としている。
【０００９】
また、請求項３記載の発明は、請求項１または請求項２に記載の光源装置と、前記光源装置からの出射光を制御する光学系とを備えたことを特徴とする照明装置である。
【発明の効果】
【００１０】
請求項１乃至請求項３記載の発明によれば、紫外光から緑色光までの波長領域のうちの所定の波長の光を発光する固体光源と、該固体光源からの励起光により励起され該固体光源の発光波長より長波長の蛍光を発光する蛍光体層とを備え、前記蛍光体層は、透明媒体中に蛍光体が分散されたものであって、前記蛍光体層における蛍光体の透明媒体に対する配合比は重量比で８０ｗｔ％〜８２ｗｔ％の範囲であり、前記蛍光体層の厚さは７５μｍ〜１００μｍの範囲であるので、シリコーン樹脂などの透明媒体中に蛍光体が分散されたものを蛍光体層に使用する場合にも、蛍光体の発熱による蛍光体層の温度上昇を抑制し、蛍光強度の低下を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の光源装置および照明装置の構成例を示す図である。
【図２】蛍光強度測定系を示す図である。
【図３】蛍光体層の蛍光体濃度をそれぞれ７５ｗｔ％、７８ｗｔ％、８０ｗｔ％、８２ｗｔ％としたときの、蛍光体層の厚さ（μｍ）に対する蛍光強度（ｍＷ）、蛍光体層の表面温度（℃）の測定結果を示す図である。
【図４】図３における蛍光体層の厚さ（μｍ）に対する蛍光強度（ｍＷ）の測定結果をグラフに示した図である。
【図５】図３における蛍光体層の厚さ（μｍ）に対する蛍光体層の表面温度（℃）の測定結果をグラフに示した図である。
【図６】加熱温度が１５０℃における蛍光体層２の熱拡散率の測定結果を示す図である。
【図７】本発明の光源装置および照明装置の他の構成例を示す図である。
【図８】本発明の光源装置および照明装置の他の構成例を示す図である。
【図９】本発明の光源装置および照明装置の他の構成例を示す図である。
【図１０】本発明の光源装置および照明装置の他の構成例を示す図である。
【図１１】本発明の光源装置および照明装置の他の構成例を示す図である。
【図１２】本発明の光源装置および照明装置の他の構成例を示す図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
【００１３】
図１は、本発明の光源装置および照明装置の構成例を示す図である。図１の構成例では、光源装置は、紫外光から緑色光までの波長領域のうちの所定の波長の光を発光する固体光源５と、固体光源５からの励起光が入射する蛍光体部１２とを備えている。
【００１４】
ここで、固体光源５には、紫外光から緑色光領域に発光波長をもつ発光ダイオードやレーザーダイオード（半導体レーザー）などが使用可能である。例えば、ＧａＮ系の材料を用いた約４６０ｎｍの青色光を発光するレーザーダイオードなどを用いることができる。
【００１５】
また、蛍光体部１２は、固体光源５からの励起光により励起され固体光源５の発光波長よりも長波長の蛍光を発光する蛍光体層２と、蛍光体層２の前記励起光が入射する側の面とは反対の面側に設けられている基板６とを有している。
【００１６】
図１の構成例では、蛍光体層２は基板６上（例えば、基板６の凹部）に設けられている。また、基板６の少なくとも蛍光体層２側の面は、固体光源５からの励起光および蛍光体層２からの蛍光を反射する反射面となっている。すなわち、図１の構成例では、蛍光体層２の面のうち固体光源５からの励起光が入射する側の面とは反対側に設けられた反射面による反射を用いて蛍光などの光を取り出す方式（以下、反射方式と称す）が採用されている。
【００１７】
また、蛍光体層２に使用される蛍光体としては、紫外光から青色光領域の光を吸収し、励起光より長波長の光を発するものを用いることができる。例えば、赤色用にはＣａＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ２＋、（Ｃａ，Ｓｒ）ＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ２＋、Ｃａ２Ｓｉ５Ｎ８：Ｅｕ２＋、（Ｃａ，Ｓｒ）２Ｓｉ５Ｎ８：Ｅｕ２＋、ＫＳｉＦ６：Ｍｎ４＋、ＫＴｉＦ６：Ｍｎ４＋を用いることができ、黄色用にはＹ３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅ３＋、（Ｓｒ，Ｂａ）２ＳｉＯ４：Ｅｕ２＋、Ｃａｘ（Ｓｉ，Ａｌ）１２（Ｏ，Ｎ）１６：Ｅｕ２＋を用いることができ、緑色用にはＬｕ３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅ３＋、Ｙ３（Ｇａ，Ａｌ）５Ｏ１２：Ｃｅ３＋、Ｃａ３Ｓｃ２Ｓｉ３Ｏ１２：Ｃｅ３＋、ＣａＳｃ２Ｏ４：Ｅｕ２＋、（Ｂａ，Ｓｒ）２ＳｉＯ４：Ｅｕ２＋、Ｂａ３Ｓｉ６Ｏ１２Ｎ２：Ｅｕ２＋、（Ｓｉ，Ａｌ）６（Ｏ，Ｎ）８：Ｅｕ２＋、（Ｙ，Ｌｕ）３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅ３＋等を用いることができる。ここで、青色光領域の光のみを吸収し励起光を発するものとしては、Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅ３＋、Ｌｕ３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅ３＋，Ｙ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅ３＋、（Ｙ，Ｌｕ）３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅ３＋等を用いることができる。
【００１８】
そして、蛍光体層２には、固体光源５からの励起光により励起され固体光源５の発光波長よりも長波長の蛍光を発光する少なくとも１種類の蛍光体を含ませることができる。具体的には、固体光源５が例えば青色光を発光するものである場合、蛍光体層２には、例えば、緑、赤、黄色などの蛍光体のうち、少なくとも１種類の蛍光体を含ませることができる。固体光源５が例えば青色光を発光するものである場合、蛍光体層２が、例えば、緑、赤色の蛍光体を含んでいるときには（緑、赤色の蛍光体のそれぞれが例えば均一に分散されて混合されたものとなっているときには）、固体光源５からの青色光を蛍光体層２に照射するとき、反射光として白色などの照明光を得ることができる。また、固体光源５が例えば青色光を発光するものである場合、蛍光体層２が、例えば、黄色の蛍光体だけを含んでいるときには、固体光源５からの青色光を蛍光体層２に照射するとき、反射光として黄色または白色などの照明光を得ることができる。また、固体光源５が例えば青色光を発光するものである場合、蛍光体層２が、例えば、緑色の蛍光体だけを含んでいるときには、固体光源５からの青色光を蛍光体層２に照射するとき、反射光として緑色または青緑色などの照明光を得ることができる。
【００１９】
また、本発明では、蛍光体層２には、シリコーン樹脂などの透明媒体中に蛍光体が分散されたものが用いられる。すなわち、蛍光体層２としては、上述の蛍光体粉末を樹脂やガラス中に分散させたものを用いることもでき、ガラス中に発光中心をドープしたものやセラミック蛍光体などを用いることも可能であるが、材料のコストが高いことや、加工性が低いことから、工業的には、シリコーン樹脂などの耐熱性の高い透明樹脂中に蛍光体を分散、塗布したものを用いる方が有利である。このことから、本発明では、蛍光体層２には、シリコーン樹脂などの透明媒体中に蛍光体が分散されたものを用いることを前提としている。
【００２０】
また、基板６は、光（固体光源５からの励起光によって励起された蛍光体層２からの発光（蛍光）と、蛍光体層２で吸収されなかった固体光源５からの光）に対する反射面の役割と、蛍光体層２から放散してきた熱を外部へ放散させる役割と、蛍光体層２の支持基板の役割も担うものである。このため、高い光反射特性、伝熱特性、加工性が求められる。この基板６には、金属基板やアルミナなどの酸化物セラミックス、窒化アルミニウムなどの非酸化セラミックスなどが使用可能であるが、特に高い光反射特性、伝熱特性、加工性を併せ持つ金属基板が使用されるのが望ましい。
【００２１】
ところで、蛍光体は、高密度エネルギー励起された場合には、吸収したエネルギーの一部を熱に変換する。蛍光体層２に使用される上述したような蛍光体は、低エネルギー密度の励起時には８０％以上の外部量子効率であり発熱も少なく急激な蛍光強度低下は無いが、連続的に高密度エネルギー励起された場合には、蛍光体層２の熱伝導が悪いときには、蛍光体の発熱が蓄積され蛍光体の量子効率を低下させ、更に発熱を引き起こし、蛍光強度が低下してしまう。このことから、蛍光強度の低下を防止するためには、蛍光体層２の熱伝導率（蛍光体層２全体の熱伝導）を高める必要がある。
【００２２】
蛍光体層２に、シリコーン樹脂などの透明媒体中に蛍光体が分散されたものを用いる場合に、蛍光体層２の熱伝導率は、蛍光体の透明媒体に対する配合比と蛍光体層２の厚さによって決定される。すなわち、蛍光体の熱伝導率は９〜１４（Ｗ／ｍ・Ｋ）であるのに対し、シリコーン樹脂の熱伝導率は０．１〜０．４（Ｗ／ｍ・Ｋ）と２桁程度低く、これらを混合して使用するときには、蛍光体濃度（蛍光体のシリコーン樹脂に対する配合比）や蛍光体層２の厚さによって、蛍光強度が大きく変化することになる。
【００２３】
すなわち、熱伝導率の低いシリコーン樹脂成分の配合比が少ないほど（蛍光体の配合比が多いほど）、蛍光体層２の熱伝導率、熱拡散率は高くなり、蛍光体層２の発熱による蛍光強度の低下を防止できると考えられる。
【００２４】
本願の発明者は、図１の構成の光源装置において、シリコーン樹脂中に蛍光体が分散されたものを蛍光体層２に用いる場合に、蛍光体濃度（蛍光体のシリコーン樹脂に対する配合比）、および、蛍光体層２の厚さが、蛍光強度、蛍光体層２の表面温度、蛍光体層２の熱拡散率にどのように影響するかを図２の蛍光強度測定系による測定によって調べた。
【００２５】
なお、図２の蛍光強度測定系は、作製した蛍光体層２（蛍光体部１２）を固定し、蛍光体層２の面に対して垂直な直線上の位置に主波長が４６０ｎｍの青色半導体レーザー５を配置し、蛍光体層２と青色半導体レーザー５との間に、蛍光体層２の表面に青色半導体レーザー５からの励起光を集光するレンズ２５と、蛍光体層２からの蛍光を反射するダイクロイックミラー２６とを配置し、ダイクロイックミラー２６からの反射光（すなわち、蛍光体層２からの蛍光）の強度をパワーメータ２７で測定するようになっている。
【００２６】
本願の発明者によるこの測定において、蛍光体層２の蛍光体にはＹ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅ３＋を用いた。また、蛍光体層２上における青色半導体レーザー５からの励起光スポット径はφ２００μｍであり、励起エネルギーは７６８ｍＷであった。また、蛍光体層２発光時の蛍光体層２の表面の温度は、赤外線カメラ（ＦＬＩＲ  ＳＹＳＴＥＭＳ社のＴｈｅｒｍａＣＡＭ  ＳＣ６４０）で測定した。
【００２７】
図３には、蛍光体層２の蛍光体濃度（蛍光体のシリコーン樹脂に対する配合比）を重量比でそれぞれ７５ｗｔ％、７８ｗｔ％、８０ｗｔ％、８２ｗｔ％としたときの、蛍光体層２の厚さ（μｍ）に対する蛍光強度（ｍＷ）、蛍光体層２の表面温度（℃）の測定結果が示されている。図４は、図３における蛍光体層２の厚さ（μｍ）に対する蛍光強度（ｍＷ）の測定結果をグラフに示した図である。また、図５は、図３における蛍光体層２の厚さ（μｍ）に対する蛍光体層２の表面温度（℃）の測定結果をグラフに示した図である。
【００２８】
図３、図４、図５の結果から、高密度エネルギー励起７６８ｍＷにおいて、蛍光体層２の厚さが１００μｍ以上になると、急激に蛍光体層２の表面温度が上昇し、蛍光強度が低下するのがわかる。そして、その変化の度合いは、蛍光体層２の蛍光体濃度が高い方が緩やかである。次に、蛍光体層２の厚さが１００μｍ以下の場合に着目すると、蛍光体層２の蛍光体濃度が高いときに（蛍光体濃度が８０ｗｔ％以上のときに）、蛍光強度が強く、蛍光体層表面温度が低くなる傾向が見られた。なお、蛍光体濃度が８２ｗｔ％以上の蛍光体層は作りづらく、従って、実用的な蛍光体濃度の上限は８２ｗｔ％である。また、蛍光体層２の厚さが７５μｍ以下の蛍光体層２は作りづらく、仮に作製できたとしても、厚さが薄い分、厚さ方向における蛍光体の量も少なくなり、蛍光強度が弱くなってしまう。
【００２９】
このことから、蛍光体層２の蛍光体濃度（蛍光体のシリコーン樹脂などの透明媒体に対する配合比）は重量比で８０ｗｔ％〜８２ｗｔ％の範囲であり、蛍光体層２の厚さは７５μｍ〜１００μｍの範囲であるのが好ましく、これが、蛍光体層２の蛍光体濃度と厚さの最適条件となることがわかった。なお、この最適条件は、蛍光体層２の蛍光体材料を変えた場合にも、同じであることが確かめられた。
【００３０】
また、本願の発明者は、蛍光体層２の蛍光体濃度（蛍光体のシリコーン樹脂に対する配合比）と蛍光体層２の厚さの違いによる蛍光体層２の熱拡散率（熱伝導率）の関係を、アルバック社製の周期加熱法熱拡散率測定装置（ＦＴＣ−１）で測定した。図６には、加熱温度が１５０℃における蛍光体層２の熱拡散率の測定結果が示されている。図６の結果から、蛍光体層２の熱拡散率は、蛍光体層２の厚さが１００μｍ以上では、蛍光体層２の蛍光体濃度（蛍光体のシリコーン樹脂に対する配合比）に依存することが強いことがわかった。また、蛍光体層２の熱拡散率を０．２６（×１０−６ｍ２Ｓ−１）以上の値にすることにより、蛍光強度、蛍光体層２の表面温度に大きな違いが見られないことが本願の発明者により見出された。
【００３１】
このことから、蛍光体層２は、熱拡散率が０．２６（×１０−６ｍ２Ｓ−１）以上であるのが好ましい。
【００３２】
以上のことから、高密度エネルギー励起の場合における、蛍光体層２の蛍光体濃度の最適条件は、蛍光体のシリコーン樹脂に対する配合比が重量比で８０ｗｔ％〜８２ｗｔ％の範囲であり、蛍光体層２の厚さの最適条件は、７５μｍ〜１００μｍの範囲であり、更にその際の蛍光体層２の熱拡散率は０．２６（×１０−６ｍ２Ｓ−１）以上が好ましい。
【００３３】
なお、図１の構成例では、固体光源５からの励起光を蛍光体層２に直接入射させているが、図７に示すように固体光源５と蛍光体層２との間に反射手段（例えばミラー）１６を設け、反射手段１６の向き（角度）を制御することで、固体光源５からの励起光の蛍光体層２への入射位置を精密に制御することもできる。
【００３４】
また、図１、図７のように蛍光体層２を固定して使用する場合には、蛍光体層２を冷却効率の高い基板６上に接着し、蛍光体層２からの発熱を基板６の背面から放熱することで、蛍光体層２の発熱による蛍光強度の低下を防止することが出来る。このため、基板６には、特に、冷却効率の高い金属基板を使用するのが望ましい。金属としては、Ａｌ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｍｏ、Ｗ、Ｆｅ、Ｐｄなどの単体や、それらを含む合金が使用可能である。また、基板６の表面に増反射や腐食防止を目的としたコーティングを施しても良い。また、蛍光体層２すなわち蛍光体は、励起光を蛍光に変換する場合に発熱し、蛍光体は周囲温度が上昇すると、励起光から蛍光への変換効率が低下する温度消光という特性を持っている。従って、蛍光への変換効率低下を防ぐには、より積極的に蛍光体層２すなわち蛍光体を冷却する必要があり、このため、蛍光体層２の背面に冷却機構が設けられるのが良い。具体的に、冷却機構として、図８、図９に示すように基板６の背面に放熱フィン１０を設けても良いし、ファン等を用いて空冷しても良いし、ペルチェ素子の様な熱電素子を用いて冷却しても良い。このように、冷却機構を設けて基板６の放熱性を高め、蛍光体層２からの発熱を背面から放熱することで蛍光体層２の変換効率低下を防止することができる。すなわち、高輝度化を図ることができる。
【００３５】
また、図１、図７、図８、図９の光源装置では、蛍光体層２は、固定されたものとなっているが、蛍光体層２を移動可能に構成することもできる。例えば、図１０、図１１に示すように（図１０、図１１は、それぞれ、図１、図７に対応した図であり、図１、図７と同様の箇所には同じ符号を付し、説明を省略する）、蛍光体層２を回転軸Ｘの周りに回転させる（モーター等の回転駆動源によって回転させる）反射型蛍光回転体１として構成することもできる。すなわち、反射型蛍光回転体１は、蛍光体層２と基板６を接合したものをモーター等の回転駆動源と連結することで実現できる。また、この反射型蛍光回転体１において、基板６や、蛍光体層２と基板６との接合部が、励起光および蛍光の反射面として機能している。なお、基板６の形状は、円盤状や四角形などが考えられる。また回転の安定性を確保するために、円盤の一部を切り欠いたり、逆におもりをつけた形状とすることも可能である。
【００３６】
このように、蛍光体層２を回転軸Ｘの周りに回転させる（モーター等によって回転させる）反射型蛍光回転体１として構成することにより、すなわち、固体光源５に対して蛍光体層２を回転させることにより、固体光源５からの励起光が当たる場所を分散させ、光照射部での発熱を抑えることができ（この蛍光回転体１を用いることで、そもそも蛍光体の発熱を抑えることができ）、これにより、より一層の高輝度化が可能となる。
【００３７】
なお、図１０、図１１の例では、反射型蛍光回転体１の蛍光体層２としては、１種類の蛍光体層だけが用いられているが、例えば図１２に示すように複数の蛍光体層（図１２の例では、２種類の蛍光体層２ａ，２ｂ）を用いることもできる。すなわち、図１０、図１１の例のように蛍光体層２として１種類の蛍光体層だけが用いられている場合、この１種類の蛍光体層内に長波長蛍光体と短波長蛍光体とを混ぜ合わせて用いると、長波長蛍光体が短波長蛍光体の発光を再吸収してしまい、変換効率が低下することがある。これに対し、図１２の例のように２種類の蛍光体層２ａ，２ｂを用いる場合には、蛍光体層２ａを長波長蛍光体のものにし、蛍光体層２ｂを短波長蛍光体のものにするというように、長波長蛍光体と短波長蛍光体とを別々の領域に配置することで、長波長蛍光体が短波長蛍光体の発光を再吸収することを防止して、変換効率の低下を抑制することができる。
【００３８】
また、上述の各例において、上記光源装置と光学系（レンズ系）２０とを組み合わせることで（上記光源装置からの出射光を光学系（レンズ系）２０に通して照明光とすることで）、照明装置を構成することができる。
【００３９】
また、上述の各例の光源装置および照明装置では、基板６に光反射性のものを用い、蛍光体層２の面のうち固体光源５からの励起光が入射する側の面とは反対側に設けられた反射面による反射を用いて蛍光などの光を取り出す方式（反射方式）の光源装置および照明装置として説明したが、本発明は、蛍光体層２の面のうち固体光源５からの励起光が入射する側の面とは反対側に設けられた面から透過する蛍光などの光を取り出す方式（透過方式）の光源装置および照明装置にも、同様に適用できる。
【産業上の利用可能性】
【００４０】
本発明は、自動車用照明装置、プロジェクター、一般照明などに利用可能である。
【符号の説明】
【００４１】
１          蛍光回転体
２          蛍光体層
５          固体光源
６          基板
１６        反射手段
２０        光学系（レンズ系）
【図１】
0005675248.tif 000002
【図２】
0005675248.tif 000003
【図３】
0005675248.tif 000004
【図４】
0005675248.tif 000005
【図５】
0005675248.tif 000006
【図６】
0005675248.tif 000007
【図７】
0005675248.tif 000008
【図８】
0005675248.tif 000009
【図９】
0005675248.tif 000010
【図１０】
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【図１１】
0005675248.tif 000012
【図１２】
0005675248.tif 000013