(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
キャリア箔上に、拡散防止層、剥離層および極薄銅箔がこの順で積層されてなるキャリア付き極薄銅箔であって、前記剥離層はＣｕが含まれ、かつＭｏ、Ｗ、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉの群から選択される少なくとも一種類の元素を含む銅合金で構成されており、未加熱の前記キャリア付き極薄銅箔からキャリア箔を引き剥がし、引き剥がされたキャリア箔の剥離面にて、オージェ電子分光分析法（ＡＥＳ）による深さ方向組成分析を行ない、Ｃｕ、Ｃｏ、Ｍｏ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｗ、Ｃ及びＯを分母としたときの、前記剥離面から１５ｎｍ以内の深さ位置までに存在するＣｕの元素割合の最大値が、９ａｔ．％〜９１ａｔ．％であることを特徴とするキャリア付き極薄銅箔。
【請求項２】
２２０℃で１時間熱処理した後のキャリア付き極薄銅箔からキャリア箔を引き剥がしたときの２０℃におけるピール強度Ｔ１が、０．０２ｋＮ／ｍ未満であり、かつ３５０℃で１０分間熱処理した後のキャリア付き極薄銅箔からキャリア箔を引き剥がしたときの２０℃におけるピール強度Ｔ２が、０．０２ｋＮ／ｍ〜０．１ｋＮ／ｍであるキャリア付き極薄銅箔。
【請求項３】
３５０℃で１０分間熱処理した後の２０℃における前記ピール強度Ｔ２と、２２０℃で１時間熱処理した後の２０℃における前記ピール強度Ｔ１の差（Ｔ２−Ｔ１）が、０．０１５〜０．０８０ｋＮ／ｍの範囲である、請求項２に記載のキャリア付き極薄銅箔。
【請求項４】
前記拡散防止層がＦｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、またはこれらの元素により形成された合金で形成されている請求項１〜３のいずれか１項に記載のキャリア付き極薄銅箔。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載のキャリア付き極薄銅箔を用いて作製された銅張積層板。
【請求項６】
請求項１〜４のいずれか１項に記載のキャリア付き極薄銅箔を用いて作製されたプリント配線基板。
【請求項７】
請求項１〜４のいずれか１項に記載のキャリア付き極薄銅箔を用いて作製されたコアレス基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、キャリア付き極薄銅箔、並びにこれを用いて作製された銅張積層板、プリント配線基板及びコアレス基板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体パッケージ等に用いられているビルドアップ基板は、コアレス基板に置き換えられつつある。電子機器の小型・薄型化の進展に伴い、回路基板メーカーではコアレス基板と呼ばれる薄型化が可能な基板を使用した多層積層板の製造が検討されている。しかし、コアレス基板は、配線層を支持するコア層が存在しないことから、剛性に乏しく、配線層形成中に折れ、反り、割れ等の不良が発生することが懸念されている。そこで、キャリア付き極薄銅箔を構成するキャリア箔を支持体として、極薄銅箔側にビルドアップ回路基板を積層し、最終的にキャリア付き極薄銅箔を構成するキャリア箔を剥がして、コアレス基板のみを取り出す製造工程が検討されている。【０００３】
ビルドアップ基板は、支持体であるコア層の両面に微細な配線層（ビルドアップ層）を積み重ね、高密度の配線が形成されている。コア層にはガラスエポキシ樹脂等を用いたプリント基板技術が採用されているが、このコア層が電気特性を劣化させる原因となっている。特に、コア層を貫通するめっきスルーホールが持つ大きなインダクタンス成分は、半導体チップの電源雑音を増大させる要因になっている。そのため、このコア層が存在しないコアレス基板を採用する動きが急速に進んでいる。【０００４】
キャリア付き極薄銅箔を支持体とするコアレス基板の具体的な製造工程を説明する。コアレス基板は、図１（ａ）〜（ｇ）に示す工程を順次行なうことにより製造される。まず、支持体用キャリア付き極薄銅箔３の極薄銅箔２側にプリプレグ４を張りあわせる（図１（ａ））。次に、プリプレグ４のもう一方の表面に、配線形成用キャリア付き極薄銅箔７の極薄銅箔６側を張り合わせる（図１（ｂ））。その後、張り合わせたキャリア付き極薄銅箔７から配線形成用キャリア箔５を剥離し、極薄銅箔６を所定の配線パターンにエッチングして微細配線８を形成する（図１（ｃ））。次いで、この微細配線８上に、再びプリプレグ４を張り合わせ、これにより、コアレス基板の一層目が完成する（図１（ｄ））。そして、図１（ｂ）〜図１（ｄ）の工程を、必要な層数の微細配線８が形成されるまで繰り返し実施することで、支持体となっているキャリア付き極薄銅箔３上にコアレス基板９を形成する（図１（ｅ））。その後、支持体用キャリア付き極薄銅箔３のキャリア箔１を剥離し（図１（ｆ））、最後に、露出した極薄銅箔２をエッチング等で除去することによって、コアレス基板９を製造することができる（図１（ｇ））。【０００５】
上記コアレス基板の製造において、キャリア付き極薄銅箔３から、支持体用キャリア箔１を剥離する際のピール強度は、コアレス基板を構成する層の形成（積層）時のプレス又はエッチング等の製造工程では剥離が生じない程度の密着性を有し、かつ、前記層の形成（積層）後の後工程では機械的に引き剥がせる程度の適度な密着性を有することが必要である。【０００６】
キャリア付き銅箔については、例えば特許文献１及び２に記載されているが、何れもコアレス基板の作製を意図したものではなく、また、これらの提案をそのままコアレス基板の製造に適用したとしても、予期しない不具合が生ずる恐れがあることを本発明者らは認識した。例えば、特許文献１は、多層積層板を製造する際に負荷される温度を考慮し、３００℃〜４００℃の高温下での環境に置かれてもキャリア箔と極薄銅箔とを容易に剥がせるように設定することを目的として、剥離界面を２層とし、２層からなる剥離層の金属比を規定して容易に剥がすことを主眼としている。【０００７】
また、特許文献２は、剥離強度が低く、かつフクレの発生を抑制するために、剥離層を構成する２種類の金属ＡとＢの含有量を規定している。【０００８】
特許文献１及び２の提案は、いずれも積層板作製の際に負荷される高温(３００℃〜４００℃)加熱下でプレスを行った後でも、キャリア付き極薄銅箔からキャリア箔を引き剥がす際のピール強度を低く維持することを目的として開発したものであり、このようなキャリアピール強度が低いキャリア付き銅箔を支持体として使用して積層板、特にコアレス基板を作製した場合、層の形成（積層）時のプレス又はエッチング等の製造工程中に負荷される作用力により、積層工程中の意図しない段階で、支持体となるキャリア箔と極薄銅箔との間で剥離が生じる不具合が発生する危険性があった。【０００９】
また、その一方でコアレス基板を構成する層の形成（積層）においても、支持体となるキャリア付き極薄銅箔３と同様のキャリア付き極薄銅箔７が使用される。図１（ｂ）の工程の後に配線形成用キャリア箔５を引き剥がす際、キャリア付き極薄銅箔７から配線形成用キャリア箔５を引き剥がすときのピール強度が、キャリア付き極薄銅箔３から支持体用キャリア箔１が剥がれるピール強度よりも低くなければ、支持体として使用されているキャリア箔１が、コアレス基板製造工程中に意図しない剥離が生じることが懸念される。【００１０】
このため、コアレス基板を製造する際、キャリアピール強度が異なる二種類のキャリア付き極薄銅箔、すなわち、支持体として用いるためのキャリア付き極薄銅箔３と、配線形成に用いるためのキャリア付き極薄銅箔７とを用意する必要がある。しかしながら、このような二種類の異なるキャリアピール強度を有するキャリア付き極薄銅箔を用意することは、銅箔メーカーの観点からすると、製造条件をそのたびに切り替える必要が生じ、製造コストの増加を招くため好ましくない。また、これを使用する回路基板(PCB)メーカーの観点からすると、キャリアピール強度の低い製品（キャリア付き極薄銅箔）は、配線形成用のみ、キャリアピール強度の高い製品（キャリア付き極薄銅箔）は、コアレス基板製造時の支持体用のみにしか使用できず、用途がそれぞれ限定されてしまうという問題がある。これらのデメリットを解消するため、一種類のキャリア付き極薄銅箔だけを用いることを前提とし、ユーザー側が行なう簡便な方法により、支持体と配線形成のそれぞれに適したキャリアピール強度に変更することが可能なキャリア付き極薄銅箔を開発することが求められている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】ＷＯ２０１０／２７０５２号公報
【特許文献２】特開２００７−１８６７８１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
上述したように、ユーザー側でキャリアピール強度を任意に変更可能なキャリア付き銅箔が求められている。特に、コアレス基板の製造において、微細配線の層形成（積層）工程では、印加される温度(プリプレグの種類によって異なるが、大部分は１５０℃〜２２０℃の範囲内)での加熱負荷後のキャリアピール強度が低く、また、支持体として用いられるキャリア付き極薄銅箔に関しては、キャリアピール強度を、機械的剥離が可能な範囲で高く設定できるような、キャリアピール強度に関して二面性を持つキャリア付き極薄銅箔が求められている。【００１３】
本発明は、このような要求を満足するキャリア付き極薄銅箔、並びにこれを用いて作製された銅張積層板、銅プリント配線基板及びコアレス基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明のキャリア付き極薄銅箔は、キャリア箔上に、拡散防止層、剥離層および極薄銅箔がこの順で積層されてなるキャリア付き極薄銅箔であって、前記剥離層はＣｕが含まれ、かつＭｏ、Ｗ、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉの群から選択される少なくとも一種類の元素を含む銅合金で構成されており、未加熱の前記キャリア付き極薄銅箔からキャリア箔を引き剥がし、引き剥がされたキャリア箔の剥離面にて、オージェ電子分光分析法（ＡＥＳ）による深さ方向組成分析を行い、Ｃｕ、Ｃｏ、Ｍｏ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｗ、Ｃ及びＯを分母としたときの、前記剥離面から１５ｎｍ以内の深さ位置までに存在するＣｕの元素割合の最大値が、９ａｔ．％〜９１ａｔ．％であることを特徴とする。より好ましくは、剥離界面から５ｎｍ以内の位置にこのような元素割合となるようＣｕが含まれている事が望ましい。
【００１５】
本発明のキャリア付き極薄銅箔は、２２０℃で１時間熱処理した後のキャリア付き極薄銅箔からキャリア箔を引き剥がしたときのピール強度Ｔ１が、０．０２ｋＮ／ｍ未満であり、かつ３５０℃で１０分間熱処理した後のキャリア付き極薄銅箔からキャリア箔を引き剥がしたときのピール強度Ｔ２が、０．０２ｋＮ／ｍ〜０．１ｋＮ／ｍであることが好ましく、特に、３５０℃で１０分間熱処理した後の前記ピール強度Ｔ２と、２２０℃で熱処理した後の前記ピール強度Ｔ１の差（Ｔ２−Ｔ１）が、０．０１５〜０．０８０ｋＮ／ｍの範囲であることが好適である。【００１６】
本発明において、未加熱のキャリア付き極薄銅箔からキャリア箔を引き剥がし、引き剥がされたキャリア箔の剥離面にて行なった深さ方向組成分析は、オージェ電子分光分析法（ＡＥＳ）で測定されたものを指し、Ｃｕ、Ｃｏ、Ｍｏ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｗ、Ｃ及びＯを分母としたときの、前記剥離面から１５ｎｍ以内の深さ位置までに存在するＣｕの元素割合の最大値が、９ａｔ．％〜９６ａｔ．％とする。前記剥離面からの深さは、ＳｉＯ２をＡｒイオンビームでスパッタリングする際の速度で換算した値を指す。
【００１７】
また、Ｃ、Ｎ，及びＯ元素を主体とするベンゾトリアゾールなどの有機系剥離層にＣｕを含ませる形態としても、同様に加熱処理後の高キャリアピール強度化が実現される。但し、キャリア箔と極薄銅箔を剥離した際、このような有機系剥離層の構成物が極薄銅箔表面に残留し、極薄銅箔のエッチングを阻害する不具合を生じる場合があるため、注意が必要である。
【００１８】
拡散防止層は、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏまたはこれらの元素を含む合金の群から選択された少なくとも１つの金属又は合金で形成されていることが好ましい。【００１９】
キャリア箔は、銅又は銅合金であることが好ましい。【００２０】
本発明のキャリア付き極薄銅箔は、銅張積層基板、プリント配線基板及びコアレス基板を作製するために用いるのが好適である。
【発明の効果】
【００２１】
本発明のキャリア付き極薄銅箔は、一種類のキャリア付き極薄銅箔だけを用いることを前提とし、支持体として使用するキャリア付き極薄銅箔については、高温（例えば３５０℃）で熱処理を行うことで、キャリアピール強度を、機械的剥離が可能な範囲内で高める一方、配線形成用として使用するキャリア付き極薄銅箔については、微細配線の層形成（積層）工程で印加される温度(例えば１５０℃〜２２０℃)でキャリアピール強度の上昇はないように設定する。このようにして用途に分けてキャリアピール強度を設定することにより、コアレス基板積層時の支持体として、積層工程中における意図しない段階でのキャリア箔と極薄銅箔との剥離を防止することができる。つまり、本発明のキャリア付き極薄銅箔は、一つの製品で様々な場面で使用可能な画期的な特徴を有する。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】図１（ａ）〜図１（ｇ）は、キャリア付き極薄銅箔を用いてコアレス基板を製造するための一般的な工程フローを説明するための模式図である。
【図２】図２は本発明に従うキャリア付き極薄銅箔の一の層構造を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
図２は、本発明に従うキャリア付き極薄銅箔の代表的な実施形態である。図２に示すように、キャリア付き極薄銅箔１０は、キャリア箔１１と、キャリア箔１１の表面に形成の拡散防止層１２と、拡散防止層１２の表面に形成された剥離層１３と、剥離層１３の表面に形成された極薄銅箔１６からなる。剥離層１３は、単一層で構成しても構わないが、図２に示すように、キャリア箔１１側に形成された第一剥離層１４と、極薄銅箔１６側に形成された第二剥離層１５とで構成することが好ましい。図２で示すように、剥離層１３を、第一剥離層１４と第二剥離層１５の２層で構成する場合、キャリア付き極薄銅箔１０からキャリア箔１１を引き剥がした際、第一剥離層１４はキャリア箔１１側に残り、第二剥離層１５は極薄銅箔１６側に残る。なお、剥離層１３は、第一剥離層１４のみの単一層の構成であっても、同様な高キャリアピール強度化を図ることが可能であるが、第一剥離層１４は、第１剥離層１４の形成後、極薄銅箔１６の形成前に、一般に行なわれる場合が多い銅ストライクめっき工程において用いられるめっき溶液で溶解しやすい。そこで、第一剥離層１４の溶解を防ぐため、第一剥離層１４上に第二剥離層１５を形成して、第一剥離層１４が銅ストライクめっき溶液に直接触れないようにすることがより好ましい。
【００２４】
キャリア付き極薄銅箔１０を構成するキャリア箔１１としては、一般に、アルミニウム箔、アルミニウム合金箔、ステンレス鋼箔、チタン箔、チタン合金箔、銅箔、銅合金箔等が使用可能である。極薄銅箔または極薄銅合金箔（以下、両者を区別する必要がないときは総称して、単に「極薄銅箔」という。）に使用するキャリア箔１１としては、その取扱いの簡便さの点から、電解銅箔、電解銅合金箔、圧延銅箔または圧延銅合金箔が好ましい。また、その厚みは７μｍ〜２００μｍの厚さの箔を使用することが好ましい。
【００２５】
積層板、特にコアレス基板の作製に用いる場合、キャリア箔１１の厚さが７μｍ未満では、このキャリア箔１１の機械的強度が低いためにコアレス基板製造時の支持体としてキャリア箔１１を機能させることができず、折れや反りが生じやすくなる結果、製造したコアレス基板にダメージを与える虞がある。また、キャリア箔１１の厚さが２００μｍ超えだと、単位コイル当たりの重量（コイル単重）が増すことで生産性に大きく影響するとともに設備上もより大きな張力を要求され、設備が大がかりとなるため好ましくない。従って、キャリア箔１１の厚さは、７μｍ〜２００μｍとすることが好適である。
【００２６】
剥離層１３はＣｕを含み、Ｍｏ、Ｗ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ及びＣｒの群から選択される少なくとも一種類の元素とを含むことが好ましい。
【００２７】
本発明では、前記剥離層中に含まれるＣｕについては、未加熱のキャリア付き極薄銅箔１０からキャリア箔１１を引き剥がし、引き剥がされたキャリア箔１１側の剥離面に存在する元素（図２では、第一剥離層１４中に含まれる元素）に関し、オージェ電子分光分析法（ＡＥＳ）による深さ方向組成分析（デプスプロファイル）を行い、Ｃｕ、Ｃｏ、Ｍｏ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｗ、Ｃｒ、Ｃ及びＯを分母としたときの、前記剥離面から１５ｎｍ以内の深さ位置までに存在するＣｕの元素割合の最大値が、９ａｔ．％〜９１ａｔ．％であることが好ましい。より好ましくは、剥離界面から５ｎｍ以内の位置にこのような元素割合となるようＣｕが含まれている事が望ましい。
【００２８】
上記Ｃｕの元素割合の最大値が９ａｔ．％未満であると、キャリア付き極薄銅箔に高温（例えば３５０℃）での熱処理を施しても、キャリアピール強度を、所期した程度まで高めることができない。つまり、上記Ｃｕの元素割合の最大値が９ａｔ．％未満であるキャリア付き極薄銅箔をコアレス基板の支持体として使用する場合、コアレス基板の層形成（積層）工程中に、支持体としてのキャリア付き極薄銅箔からキャリア箔の意図しない剥離が発生することが懸念される。また、上記Ｃｕの元素割合の最大値が９６ａｔ．％よりも高くなると、高温（例えば３５０℃）での熱処理を施すことにより、キャリアピール強度が、機械的に剥離できる範囲を超えて高くなり過ぎる。つまり、上記Ｃｕの元素割合の最大値が９６ａｔ．％よりも高いキャリア付き極薄銅箔をコアレス基板の支持体として使用する場合、コアレス基板の層形成（積層）工程が完了した後に、支持体として使用したキャリア付き極薄銅箔からキャリア箔を剥離する際に、コアレス基板に大きな力が作用する結果、コアレス基板に折れや反り等の不良を発生させることが懸念される。このため、本発明では、上記Ｃｕの元素割合の最大値を９ａｔ．％〜９１ａｔ．％とする。
【００２９】
［拡散防止層の形成］
本発明では、キャリア付き極薄銅箔１０からキャリア箔１１の剥離性を安定させるために、キャリア箔１１の表面に拡散防止層１２を形成する。このように拡散防止層１２を設けることで、キャリア箔１１中に含まれるＣｕが剥離層１３に熱拡散することを防止して、キャリア箔１１と極薄銅箔１６とが、機械的に剥離できる範囲を超えて過度に接合されるのを防止でき、剥離層１３の剥離性を安定化させることができる。拡散防止層１２の材質としては、例えばＦｅ、Ｎｉ、Ｃｏまたはこれらの元素により形成された合金が挙げられる。拡散防止層１２の厚さは、１０〜２００ｎｍであることがキャリア箔のＣｕの拡散を防止する点で好ましい。また、拡散防止層１２の形成方法は、例えば、Ｎｉめっき、Ｆｅめっき、Ｃｏめっきなどの電解めっきで形成する方法が挙げられる。
【００３０】
［剥離層の形成］
キャリア付き極薄銅箔１０の作製工程において、図２で示す実施形態では、キャリア箔１１上に形成した拡散防止層１２上に、第一剥離層１４を形成し、次いで第二剥離層１５を形成する。上記各剥離層１４、１５は、例えば後述するように電解めっきで形成することができる。第一剥離層１４中に含まれるＣｕ割合を変化させる手段としては、例えば第一剥離層１４を形成するためのめっき浴中のＣｕ濃度を変化させる手法が挙げられる。前述の手法はあくまで一例を示したものであって、第一剥離層１４のめっき時における電位を制御することによりＣｕの析出量を制御する手法を採用してもよい。つまり、本発明では、剥離層１３中のＣｕ割合の制御法に関しては、特に限定はせず、種々の手法を採用することができる。剥離層１３の厚さは約５〜１５ｎｍの範囲であることが、キャリア箔と極薄銅箔の剥離を実現し、かつ本発明で規定するキャリアピール強度を実現する点で好ましい。この理由は、剥離層１３の厚さが上記範囲よりも薄すぎると、極薄銅箔をキャリア箔から剥離不能になることがある一方、上記範囲よりも厚すぎると、キャリアピール強度が低くなりすぎることがあるからである。また、剥離層１３を第一剥離層１４と第二剥離層１５との２層で構成する場合には、第一剥離層１４の厚さと第二剥離層と１５の厚さの比は、約２：１〜４：１の範囲にすることが好ましい。剥離層１３の組成は、例えばＣｕを含み、さらにＭｏ、Ｗ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ及びＣｒの群から選択される少なくとも一種類の元素を含むことが好ましく、例えば、Ｃｏ−Ｍｏ−Ｃｕ合金めっき、Ｆｅ−Ｍｏ−Ｃｕ合金めっき、Ｎｉ−Ｍｏ−Ｃｕ合金めっき、Ｎｉ−Ｃｕ合金めっき、Ｃｒ−Ｃｕ合金めっき等が挙げられる。
【００３１】
［極薄銅箔の製膜］
極薄銅箔１６は、硫酸銅浴、ピロリン酸銅浴、シアン化銅浴などを使用し、剥離層１３上、図２では第二剥離層１５上に電解めっきを行なうことによって形成する。なお、極薄銅箔を製膜するにあたっては、第二剥離層１５が、第二剥離層１５中に含まれる元素によって、極薄銅箔１６を製膜する電解めっき工程の、めっき液中のディップ時間、電流値、めっき仕上げのめっき液切り時、水洗時、及び金属めっき直後のめっき液ｐＨで、溶解等のダメージを受ける場合が想定される。このようなダメージの発生が想定されるため、極薄銅箔を製膜する電解めっき工程におけるめっき浴組成、めっき条件等については、第二剥離層１５を構成する元素との関係で注意して選択する必要がある。
【００３２】
また、本発明では、剥離層１３（図２では第二剥離層１５）上に、極薄銅箔１６を形成するに先立ち、ピロリン酸銅浴などでストライク銅めっきを行うことがより好適である。ストライク銅めっきを行うことにより、剥離層１３上に、密着性が良好で緻密な下地Ｃｕめっき層（図示せず）を形成することができる。つまり、この下地Ｃｕめっき層の上に、銅めっきを施すことで、剥離層１３上に均一な極薄銅箔１６を形成することができ、極薄銅箔１６に生じるピンホールの数を激減させ、密着不良から来るフクレの発生を防止することができる。
【００３３】
前記ストライクめっきで付着させる下地Ｃｕめっき層の厚さは、剥離層１３の剥離性を損なわない厚さとする観点から、０．０１μｍ〜０．５μｍであることが好ましい。めっき浴種によってその条件はいろいろであるが、電流密度としては、０．１Ａ／ｄｍ２〜２０Ａ／ｄｍ２、めっき時間としては０．１秒以上であることが好ましい。まず、電流密度については、０．１Ａ／ｄｍ２未満では、剥離層１３上に、下地Ｃｕめっき層を均一に形成することが難しくなる傾向があり、また２０Ａ／ｄｍ２超えでは、めっき液中の金属イオン濃度が低いストライクめっきでは、めっきヤケが発生し、下地銅めっき層を均一に形成し難くなる傾向があることに注意が必要である。また、めっき時間については、０．１秒未満では短時間過ぎて、所定厚さの銅ストライクめっき層を均一に形成することが難しくなる傾向があることに注意が必要である。この下地Ｃｕめっき層を形成した後、所望厚さのＣｕめっきを行い、極薄銅箔１６を形成する。
【００３４】
コアレス基板の製造では、コアレス基板の層の形成（積層）工程において負荷される加圧加熱時の熱履歴は、プリプレグの種類によっても異なるが、通常は１５０℃〜２２０℃の範囲内で、１時間程である。また、キャリア付き極薄銅箔１０からキャリア箔１１を引き剥がすときのピール強度は、キャリア付き極薄銅箔１０が支持体として用いられる場合には、コアレス基板の層の形成（積層）工程中に作用する、配線形成用のキャリア付き極薄銅箔からキャリア箔を引き剥がす力程度では剥離せず、かつ、コアレス基板の層の形成（積層）工程後の後工程で、機械的に剥離することが可能な範囲であることが必要である。具体的に、好適範囲は、０．０２ｋＮ／ｍ〜０．１ｋＮ／ｍである。
【００３５】
このため、本発明では、１種類のキャリア付き極薄銅箔を用いることを前提とし、２２０℃までの温度で１時間の加熱処理では、微細配線形成用に適した、キャリア箔の引き剥がし時の作業性の良い低キャリアピール強度が実現される。一方、支持体として用いられるキャリア付き極薄銅箔については、予め高温（例えば３５０℃で１０分間）で熱処理を行っておくことによって、コアレス基板支持体用として適する高キャリアピール強度が実現される。このような高キャリアピール強度が実現されることにより、コアレス基板製造工程で回路を形成する際のエッチング処理、及び積層する加圧処理等の負荷でも支持体のキャリア箔が意図しない段階で剥離する不良を低減させることが可能である。
【００３６】
例えば、本発明のキャリア付き極薄銅箔は、２２０℃で１時間熱処理した後のキャリア付き極薄銅箔からキャリア箔を引き剥がしたときのピール強度Ｔ１が、０．０２ｋＮ／ｍ未満であり、かつ３５０℃で１０分間熱処理した後のキャリア付き極薄銅箔からキャリア箔を引き剥がしたときのピール強度Ｔ２が、０．０２ｋＮ／ｍ〜０．１ｋＮ／ｍであることが好ましい。
【００３７】
２２０℃で１時間熱処理した後の前記ピール強度Ｔ１を０．０２ｋＮ／ｍ未満とすることによって、配線形成用のキャリア付き極薄銅箔からキャリア箔を引き剥がす作業が容易になる。仮に、３５０℃で１０分間熱処理した後の前記ピール強度Ｔ２が０．０２ｋＮ／ｍ未満だと、コアレス基板の層の形成（積層）工程における、配線形成用のキャリア付き極薄銅箔からキャリア箔を引き剥がす際に、支持体として用いられるキャリア付き極薄銅箔からキャリア箔が意図せずに剥離する虞があるため、好ましくない。一方、３５０℃で１０分間熱処理した後の前記ピール強度Ｔ２が０．１ｋＮ／ｍ超えだと、コアレス基板の層の形成（積層）工程後の後工程で、支持体として用いられるキャリア付き極薄銅箔からキャリア箔を機械的に剥離することが難しくなって、折れや反りが生じやすくなる原因となり、製造したコアレス基板にダメージを与える虞があるため、好ましくない。
【００３８】
本発明は、特に、３５０℃で１０分間熱処理した後の前記ピール強度Ｔ２と、２２０℃で１時間熱処理した後の前記ピール強度Ｔ１の差（Ｔ２−Ｔ１）が、０．０１５〜０．０８０ｋＮ／ｍの範囲であることがより好適である。前記ピール強度Ｔ１の差（Ｔ２−Ｔ１）を０．０１５〜０．０８０ｋＮ／ｍの範囲にすることによって、コアレス基板の層の形成（積層）工程における、配線形成用のキャリア付き極薄銅箔からキャリア箔を引き剥がす際に、支持体として用いられるキャリア付き極薄銅箔からキャリア箔が意図せずに剥離するのをより一層回避しつつ、コアレス基板の層の形成（積層）工程後の後工程で、支持体として用いられるキャリア付き極薄銅箔からキャリア箔を機械的に剥離することができる。
【００３９】
前述したように本発明の剥離層１３は、第一剥離層１４と第二剥離層１５からなり、さらに第一剥離層１４の最表層（ すなわち第一剥離層１４と第二剥離層１５の境界部分）には、金属酸化物層が形成されていることが好ましい。この酸化物層が機械的に破断し易く、剥離界面となると考えられる。第一剥離層１４を形成する際のめっき条件を調整することにより、その最表層に金属酸化物を形成することができる。高温（例えば３５０℃）で熱処理した時に、第一剥離層１４中に存在するＣｕが上述の酸化物層に拡散することで、明確な酸化物層が消失し、結果として第一剥離層１４と第二剥離層１５とが、拡散したＣｕを介して密に接合されることで、高キャリアピール強度化が実現されているものと考えられる。このように第１剥離層１４中のＣｕが剥離界面となる部分に拡散しやすくするため、第一剥離層１４の最表層（または剥離面）から１５ｎｍ以内（より好ましくは５ｎｍ以内）の深さ位置までにＣｕ、Ｃｏ、Ｍｏ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｗ、Ｃｒ、Ｃ及びＯを分母としたときの、前記剥離面から１５ｎｍ以内（より好ましくは５ｎｍ以内）の深さ位置までに存在するＣｕの元素割合の最大値が、９ａｔ．％〜９１ａｔ．％とすることが好ましい。
【００４０】
また、本発明者らの鋭意研究の結果、剥離層１３が第一剥離層１４のみの単一層の場合においても、同様の現象で高キャリアピール強度化が起こることを見出している。ただし剥離層１３が第一剥離層１４のみでの構成は、次工程のストライクめっき処理で用いるめっき液の種類によっては第一剥離層１４が溶解し、極薄銅箔１６が全く剥がれなくなることが生じるので、剥離層１３の構成は第一剥離層１４とそれを保護する第二剥離層１５から形成することが好ましい。
【実施例】
【００４１】
以下本発明を実施例によりさらに詳しく説明する。尚、以下の実施例に記載しためっき条件はあくまで一例であり、これにより本発明は何ら制約を受けることは無い。【００４２】
[実施例１〜６]
片面の表面粗さＲｚが１．１μｍである銅箔（厚さ：１８μｍ）をキャリア箔１１とし、キャリア箔１１上に、下記に示すＮｉめっき条件でＮｉめっき処理を行い、厚さ１００ｎｍの拡散防止層１２を形成した。【００４３】
Ｎｉめっき条件
Ｎｉ            ５０．０ｇ〜２００ｇ／Ｌ
Ｈ３ＢＯ３        ５．００〜１００ｇ／Ｌ
ｐＨ            ３．０〜５．０
浴温            ３０〜６０℃
電流密度        １０〜４０Ａ／ｄｍ２
めっき時間      ５．００〜３０．０ｓ【００４４】
拡散防止層１２を形成したキャリア箔１１上に、下記に示すめっき条件（Ｃｏ−Ｍｏ−Ｃｕ合金めっき浴組成、電流密度１．０〜１０Ａ／ｄｍ２、めっき時間１．０〜１０ｓ）で、厚さ約４〜１０ｎｍの第一剥離層１４を形成した。【００４５】
Ｃｏ−Ｍｏ−Ｃｕ合金めっき条件
Ｍｏ            １．０〜２０ｇ／Ｌ
Ｃｏ            ０．５０〜１５ｇ／Ｌ
Ｃｕ            ０．５０〜１０ｇ／Ｌ
クエン酸        １０．０〜２００ｇ／Ｌ
ｐＨ            ４．０〜７．０
浴温            ２０〜４０℃【００４６】
第一剥離層１４の形成後、上記と同様のＣｏ−Ｍｏ−Ｃｕ合金めっき浴組成を用い、このＣｏ−Ｍｏ−Ｃｕ合金めっき浴中に５．０ｓ浸漬し、その後同一のめっき液を用い、電流密度０．１〜０．９Ａ／ｄｍ２で、めっき時間を５．０〜３０ｓで厚さ約１．５〜３ｎｍの第二剥離層１５を形成した。【００４７】
次いで、この第二剥離層１５上に、下記に示す下地Ｃｕめっき条件でＣｕストライクめっきを行い、その上に、下記に示すＣｕめっき条件によりＣｕめっきを行い、下地Ｃｕめっきを含めて厚さ３μｍの極薄銅箔１６を形成してキャリア付き極薄銅箔１０を作製した。【００４８】
下地Ｃｕめっき条件
ピロリン酸銅          １０〜５０ｇ／Ｌ
ピロリン酸カリウム    ５０.０〜５００ｇ／Ｌ
ｐＨ                  ８．０〜１０．０
浴温                  ３０〜５０℃
電流密度              ０．５〜３．０Ａ／ｄｍ２
めっき時間            ２０．０〜１００ｓ【００４９】
Ｃｕめっき条件
Ｃｕ                  １０〜１００ｇ／Ｌ
Ｈ２ＳＯ４              ３０〜２００ｇ／Ｌ
Ｃｌ                  １０〜５０ｐｐｍ
浴温                  ３０〜７０℃
電流密度              １０〜５０Ａ／ｄｍ２
めっき時間            ２０．０〜１００．０ｓ【００５０】
[実施例７]
実施例１と同様のキャリア箔１１に、実施例１と同様の拡散防止層１２を形成した。拡散防止層１２を形成したキャリア箔１１上に、下記に示すＦｅ−Ｍｏ−Ｃｕ合金めっき条件で厚さ約５ｎｍの第一剥離層１４を形成した。【００５１】
Ｆｅ−Ｍｏ−Ｃｕ合金めっき条件
Ｍｏ            １．０〜２０ｇ／Ｌ
Ｆｅ            ０．５０〜１５ｇ／Ｌ
Ｃｕ            ０．６０〜１０ｇ／Ｌ
クエン酸        １０．０〜２００ｇ／Ｌ
ｐＨ            ４．０〜７．０
浴温            ２０〜４０℃
電流密度        １．０〜１０Ａ／ｄｍ２
めっき時間      １．０〜１０ｓ【００５２】
第一剥離層１４を形成した後、上記と同様のＦｅ−Ｍｏ−Ｃｕ合金めっき浴組成を用い、Ｆｅ−Ｍｏ−Ｃｕ合金めっき浴中に５．０ｓ浸漬した。めっき浴中に浸漬した後、電流密度０．１〜０．９Ａ／ｄｍ２で、めっき時間を５．０〜３０ｓで厚さ約２ｎｍの第二剥離層１５を形成した。次いで、この剥離層１５上に実施例１と同様に銅ストライクめっきと銅めっきを行い、下地Ｃｕめっきを含めて厚さ３μｍの極薄銅箔１６を形成してキャリア付き極薄銅箔１０を作製した。【００５３】
[実施例８]
実施例１と同様のキャリア箔１１に、実施例１と同様の拡散防止層１２を形成した。拡散防止層１２を形成したキャリア箔１１上に、下記に示すＮｉ−Ｍｏ−Ｃｕ合金めっき浴を用い、厚さ約５ｎｍの第一剥離層１４を形成した。【００５４】
Ｎｉ−Ｍｏ−Ｃｕ合金めっき条件
Ｍｏ            １．０〜２０ｇ／Ｌ
Ｎｉ            ０．５０〜１５ｇ／Ｌ
Ｃｕ            ０．６０〜１０ｇ／Ｌ
クエン酸        １０．０〜２００ｇ／Ｌ
ｐＨ            ４．０〜７．０
浴温            ２０〜４０℃
電流密度        １．０〜１０Ａ／ｄｍ２
めっき時間      １．０〜１０ｓ【００５５】
第一剥離層１４を形成した後、Ｎｉ−Ｍｏ−Ｃｕ合金めっき浴中に５．０ｓ浸漬した。めっき浴中に浸漬した後、電流密度０．１〜０．９Ａ／ｄｍ２で、めっき時間を５．０〜３０ｓで厚さ約２ｎｍの第二剥離層１５を形成した。次いで、この剥離層１５上に実施例１と同様に銅ストライクめっきと銅めっきを行い、下地Ｃｕめっきを含めて厚さ３μｍの極薄銅箔１６を形成してキャリア付き極薄銅箔１０を作製した。【００５６】
[実施例９]
実施例１と同様のキャリア箔１１に、実施例１と同様の拡散防止層１２を形成した。拡散防止層１２を形成したキャリア箔１１上に、下記に示すＮｉ−Ｗ−Ｃｕ合金めっき条件で、厚さ約５ｎｍの第一剥離層１４を形成した。【００５７】
Ｎｉ−Ｗ−Ｃｕ合金めっき条件
Ｗ              １．０〜２０ｇ／Ｌ
Ｎｉ            ０．５０〜１５ｇ／Ｌ
Ｃｕ            ０．６０〜１０ｇ／Ｌ
クエン酸        １０．０〜２００ｇ／Ｌ
ｐＨ            ４．０〜７．０
浴温            ２０〜４０℃
電流密度        １．０〜１０Ａ／ｄｍ２
めっき時間      １．０〜１０ｓ【００５８】
第一剥離層１４を形成した後、Ｎｉ−Ｗ−Ｃｕ合金めっき浴中に５．０ｓ浸漬した。めっき浴中に浸漬した後、電流密度０．１〜０．９Ａ／ｄｍ２で、めっき時間を５．０〜３０ｓで厚さ約２ｎｍの第二剥離層１５を形成した。次いで、この剥離層１５上に実施例１と同様に銅ストライクめっきと銅めっきを行い、下地Ｃｕめっきを含めて厚さ３μｍの極薄銅箔１６を形成してキャリア付き極薄銅箔１０を作製した。【００５９】
[実施例１０]
実施例１と同様のキャリア箔１１に、実施例１と同様の拡散防止層１２を形成した。拡散防止層１２を形成したキャリア箔１１上に、下記に示すＣｒ−Ｃｕ合金めっき条件で、厚さ約５ｎｍの第一剥離層１４を形成した。【００６０】
Ｃｒ−Ｃｕ合金めっき条件
Ｃｒ            １．０〜２０ｇ／Ｌ
Ｃｕ            ０．６０〜１０ｇ／Ｌ
ｐＨ            ３．５〜５．０
浴温            ２０〜３０℃
電流密度        １．０〜１０Ａ／ｄｍ２
めっき時間      １．０〜１０ｓ【００６１】
第一剥離層１４を形成した後、Ｃｒ−Ｃｕ合金めっき浴中に５．０ｓ浸漬した。めっき浴中に浸漬した後、電流密度０．１〜０．９Ａ／ｄｍ２で、めっき時間を５．０〜３０ｓで厚さ約２ｎｍの第二剥離層１５を形成した。次いで、この剥離層１５上に実施例１と同様に銅ストライクめっきと銅めっきを行い、下地Ｃｕめっきを含めて厚さ３μｍの極薄銅箔１６を形成してキャリア付き極薄銅箔１０を作製した。【００６２】
[実施例１１]
実施例１と同様のキャリア箔１１に、実施例１と同様の拡散防止層１２を形成した。拡散防止層１２を形成したキャリア箔１１上に、下記に示すＮｉ−Ｃｕ合金めっき条件で、厚さ約５ｎｍの第一剥離層１４を形成した。【００６３】
Ｎｉ−Ｃｕ合金めっき条件
Ｎｉ            ０．５０〜１５ｇ／Ｌ
Ｃｕ            ０．６０〜１０ｇ／Ｌ
ｐＨ            ４．０〜６．０
浴温            ２０〜４０℃
電流密度        １．０〜１０Ａ／ｄｍ２
めっき時間      １．０〜１０ｓ【００６４】
第一剥離層１４を形成した後、Ｎｉ−Ｃｕ合金めっき浴中に５．０ｓ浸漬した。めっき浴中に浸漬した後、電流密度０．１〜０．９Ａ／ｄｍ２で、めっき時間を５．０〜３０ｓで厚さ約２ｎｍの第二剥離層１５を形成した。次いで、この剥離層１５上に実施例１と同様に銅ストライクめっきと銅めっきを行い、下地Ｃｕめっきを含めて厚さ３μｍの極薄銅箔１６を形成してキャリア付き極薄銅箔１０を作製した。【００６５】
[比較例１]
実施例１と同様のキャリア箔１１に、実施例１と同様の拡散防止層１２を形成した。拡散防止層１２を形成したキャリア箔１１上に、Ｃｕを含まないＣｏ−Ｍｏ（Ｃｕ以外の成分は実施例１〜６と同じ）合金めっき浴で、実施例１〜６と同様の浴温、電流密度、めっき時間で厚さ約４ｎｍの第一剥離層１４を形成し、第一剥離層１４の形成後、Ｃｕを含まないＣｏ−Ｍｏ合金めっき浴中に５．０秒間浸漬し、その後、Ｃｕを含まないＣｏ−Ｍｏ合金めっき浴を用い、実施例１と同様のめっき条件で厚さ約２ｎｍの第二剥離層１５を形成した。
次いでこの剥離層１５上に実施例１と同様に銅ストライクめっきと銅めっきを行い、下地Ｃｕめっきを含めて厚さ３μｍの極薄銅箔１６を形成してキャリア付き極薄銅箔１０を作製した。【００６６】
[比較例２]
実施例１と同様のキャリア箔１１に、実施例１と同様の拡散防止層１２を形成した。拡散防止層１２を形成したキャリア箔１１上に、Ｃｕ濃度を０．１５ｇ／Ｌとし、それ以外は実施例１〜６と同様の組成のＣｏ−Ｍｏ−Ｃｕ合金めっき浴を用いて実施例１〜６と同様の浴温、電流密度、めっき時間で厚さ約４ｎｍの第一剥離層１４を形成し、第一剥離層１４の形成後、Ｃｕを０．１５ｇ／Ｌ含むＣｏ−Ｍｏ−Ｃｕ合金めっき浴に５．０秒間浸漬し、その後、Ｃｕを０．１５ｇ／Ｌ含むＣｏ−Ｍｏ−Ｃｕ合金 めっき浴を用い、実施例１と同様のめっき条件で厚さ約２ｎｍの第二剥離層１５を形成した。
次いでこの剥離層１５上に、実施例１と同様に銅ストライクめっきと銅めっきを行い、下地Ｃｕめっきを含めて厚さ３μｍの極薄銅箔１６を形成してキャリア付き極薄銅箔１０を作製した。【００６７】
[比較例３]
実施例１と同様のキャリア箔１１に、実施例１と同様の拡散防止層１２を形成した。拡散防止層１２を形成したキャリア箔１１上に、Ｃｕ濃度を２０ｇ／Ｌとし、それ以外は実施例１〜６と同様の組成のＣｏ−Ｍｏ−Ｃｕ合金めっき浴を用いて実施例１〜６と同様の浴温、電流密度、めっき時間で厚さ約８ｎｍの第一剥離層１４を形成し、第一剥離層１４の形成後、Ｃｕを２０ｇ／Ｌ含むＣｏ−Ｍｏ−Ｃｕ合金めっき浴に５．０秒間浸漬し、その後、Ｃｕを２０ｇ／Ｌ含むＣｏ−Ｍｏ−Ｃｕ合金めっき浴を用い、実施例１と同様のめっき条件で厚さ約３ｎｍの第二剥離層１５を形成した。次いでこの剥離層１５上に実施例１と同様に銅ストライクめっきと銅めっきを行い、下地Ｃｕめっきを含めて厚さ３μｍの極薄銅箔１６を形成してキャリア付き極薄銅箔１０を作製した。【００６８】
[比較例４]
実施例１と同様のキャリア箔１１に拡散防止層を形成しないで、Ｃｕを含まないＣｏ−Ｍｏ（Ｃｕ以外の成分は実施例１〜６と同じ）合金めっき浴で、実施例１〜６と同様の浴温、電流密度、めっき時間で厚さ約４ｎｍの第一剥離層１４を形成し、第一剥離層１４の形成後、Ｃｕを含まないＣｏ−Ｍｏ合金めっき浴中に５．０秒間浸漬し、その後、Ｃｕを含まないＣｏ−Ｍｏ合金めっき浴を用い、実施例１と同様のめっき条件で厚さ約２ｎｍの第二剥離層１５を形成した。
次いでこの剥離層１５上に実施例１と同様に銅ストライクめっきと銅めっきを行い、下地Ｃｕめっきを含めて厚さ３μｍの極薄銅箔１６を形成してキャリア付き極薄銅箔１０を作製した。【００６９】
[比較例５]
実施例１と同様のキャリア箔１１に拡散防止層を形成しないで、実施例１と同条件のＣｏ−Ｍｏ−Ｃｕ合金めっき浴で、実施例１〜６と同様の浴温、電流密度、めっき時間で厚さ約４ｎｍの第一剥離層１４を形成し、第一剥離層１４の形成後、上記と同様のＣｏ−Ｍｏ−Ｃｕ合金めっき浴組成を用い、このＣｏ−Ｍｏ−Ｃｕ合金めっき浴中に５．０ｓ浸漬し、その後同一のめっき液を用い、電流密度０．１〜０．９Ａ／ｄｍ２で、めっき時間を５．０〜３０ｓで厚さ約１．５〜３ｎｍの第二剥離層１５を形成した。
次いでこの剥離層１５上に実施例１と同様に銅ストライクめっきと銅めっきを行い、下地Ｃｕめっきを含めて厚さ３μｍの極薄銅箔１６を形成してキャリア付き極薄銅箔１０を作製した。【００７０】
作製した未加熱の各試料のキャリア付き極薄銅箔１０からキャリア箔１１を引き剥がし、キャリア箔１１側の剥離面に残存している元素の深さ方向組成分析（デプスプロファイル）を、オージェ電子分光分析装置（アルバックファイ製  ＰＨＩ５４００）で測定した。スパッタレートは１５．９ｎｍ／分（Ｓｉｏ２換算）、測定領域の大きさは１ｍｍ角とした。測定された深さ方向の元素割合プロファイルのうち、Ｃｕ、Ｃｏ、Ｍｏ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｗ、Ｃｒ、Ｃ及びＯを分母としたときの、前記剥離面から１５ｎｍ以内の深さ位置までに存在するＣｕの元素割合の最大値を測定した。その値を表１に示す。【００７１】
作製した各キャリア付き極薄銅箔を、２２０℃で１時間、又は３５０℃で１０分間の熱履歴で、プレス圧３０ｋｇｆ／ｃｍ２の条件でプレスを行い極薄銅箔とプリプレグを張り合わせた。その後１０ｍｍ幅の回路を作製し、キャリアピール強度をＪＩＳ  Ｃ  ６４８１−１９９６に基づき、引っ張り試験機(東洋ボールドウイン製、ＵＴＭ−４−１００)を用いて、キャリア箔を９０度方向に引き剥がした。キャリア付き極薄銅箔からキャリア箔を引き剥がしたときの、２２０℃で１時間の熱処理後のピール強度Ｔ１、および３５０℃で１０分間の熱処理後のピール強度Ｔ２を測定した。測定結果を表１に示す。【００７２】
【表１】
0005830635.tif 000002
【００７３】
［評価結果］
実施例１〜１１は、キャリア付き極薄銅箔からキャリア箔を引き剥がした際に、キャリア箔側の剥離面から１５ｎｍ以内の深さに存在するＣｕの元素割合の最大値が、９．６〜９１．０ａｔ．％となった。また、２２０℃で１時間の熱処理後では、いずれも０．００２〜０．０１５ｋＮ／ｍの範囲にあって、０．０２ｋＮ／ｍ未満の低キャリアピール強度を示した。一方、３５０℃で１０分間の熱処理後では、いずれも０．０２０〜０．０９１ｋＮ／ｍの範囲にあって、０．０２〜０．１ｋＮ／ｍの範囲内の高キャリアピール強度を示した。前述した測定結果から明らかなとおり、熱処理条件の違いによって微細配線形成用途及びコアレス基板製造時の支持体用途のどちらにも適するキャリアピール強度が実現されている。なお、上記実施例は、いずれもＮｉめっき層を拡散防止層とした場合である。なお、Ｆｅめっき層やＣｏめっき層を拡散防止層とした場合についての実施例は示していないが、本発明者らは、Ｆｅめっき層やＣｏめっき層を拡散防止層とした場合についても、上記と同様の評価を行い、Ｎｉめっき層と同様の効果が得られることを確認した。【００７４】
一方、比較例1は、Ｃｕが含まれていないＣｏ−Ｍｏ合金めっき浴で第一剥離層および第二剥離層を処理し、キャリア付き極薄銅箔からキャリア箔を引き剥がしたときのキャリア箔の剥離面から１５ｎｍ以内の深さ位置までに存在するＣｕの元素割合の最大値が０ａｔ．％であるため、３５０℃で１０分間の熱処理後においても高キャリアピール強度化が起こらなかった。つまり、キャリアピール強度化が起こらないため、コアレス基板製造時の積層工程中における意図しない段階で、支持体として用いられるキャリア付き極薄銅箔からキャリア箔が剥離する場合があった。【００７５】
比較例２は、Ｃｏ−Ｍｏ−Ｃｕ合金めっき浴で第一剥離層および第二剥離層を処理したものの、キャリア付き極薄銅箔からキャリア箔を引き剥がしたときのキャリア箔の剥離面から１５ｎｍ以内の深さ位置までに存在するＣｕの元素割合の最大値が３．２ａｔ．％と本発明の適正範囲よりも小さいため、３５０℃で１０分間の熱処理後における高キャリアピール強度化の効果が弱く、目的とするキャリアピール強度とならなかった。したがって、比較例１と同様にコアレス基板製造時の積層工程中における意図しない段階で、支持体として用いられるキャリア付き極薄銅箔からキャリア箔が剥離する場合があった。【００７６】
比較例３は、Ｃｏ−Ｍｏ−Ｃｕ合金めっき浴で第一剥離層および第二剥離層を処理したものの、キャリア付き極薄銅箔からキャリア箔を引き剥がしたときのキャリア箔の剥離面から１５ｎｍ以内の深さ位置までに存在するＣｕの元素割合の最大値が９６．１ａｔ．％と本発明の適正範囲よりも大きいため、３５０℃で１０分間の熱処理後において高キャリアピール強度化については実現されている。しかしながら、キャリアピール強度が高くなりすぎて、キャリア箔を引き剥がす際にコアレス基板に曲げや折れ等のダメージが生じる場合が認められた。【００７７】
比較例４は、比較例１と同様にＣｕが含まれていないＣｏ−Ｍｏ合金めっき浴で第一剥離層および第二剥離層を処理したものであるが、拡散防止層を形成していない。キャリア付き極薄銅箔からキャリア箔を引き剥がしたときのキャリア箔の剥離面から１５ｎｍ以内の深さ位置までに存在するＣｕの元素割合の最大値が、剥離層にＣｕを含んでいないことにもかかわらず９９．６ａｔ．％となったが、これはキャリア箔の銅の信号を拾ったためであると考えられる。キャリアピール強度については２２０℃プレス後の時点で０．０２０ｋＮ／ｍを超えており、キャリアピール強度が高くなりすぎて、キャリア箔を引き剥がす際にコアレス基板に曲げや折れ等のダメージが生じる場合が認められた。【００７８】
比較例５は、実施例１から拡散防止層を取り除いた形態となる。拡散防止層が存在していないのでキャリア箔からのＣｕの拡散が進み、キャリアピール強度については２２０℃プレス後の時点で０．０２０ｋＮ／ｍを超えた。このようにキャリアピール強度が高くなりすぎたことにより、キャリア箔を引き剥がす際にコアレス基板に曲げや折れ等のダメージが生じる場合が認められた。【００７９】
実施例１〜１１で作製した各キャリア付き極薄銅箔を使用して前記コアレス基板作製ステップに従いコアレス基板を作製した結果、製造工程でトラブルなく、剥離工程でも支障なく剥離することができた。
【産業上の利用可能性】
【００８０】
本発明のキャリア付き極薄銅箔は、一種類のキャリア付き極薄銅箔だけを用いることを前提とし、支持体として使用するキャリア付き極薄銅箔については、高温（例えば３５０℃）で熱処理を行うことで、キャリアピール強度を、機械的剥離が可能な範囲内で高める一方、配線形成用として使用するキャリア付き極薄銅箔については、微細配線の層形成（積層）工程で印加される温度(例えば１５０℃〜２２０℃)でキャリアピール強度の上昇はないように設定する。このようにして用途に分けてキャリアピール強度を設定することにより、コアレス基板積層時の支持体として、積層工程中における意図しない段階でのキャリア箔と極薄銅箔との剥離を防止することができる。つまり、本発明のキャリア付き極薄銅箔は、一つの製品で様々な場面で使用可能な画期的な特徴を有する。
【符号の説明】
【００８１】
１      キャリア箔
２      極薄銅箔
３      支持体用キャリア付き極薄銅箔
４      プリプレグ
５      キャリア箔
６      極薄銅箔
７      配線形成用キャリア付き極薄銅箔
８      微細配線
９      コアレス基板
１０    キャリア付き極薄銅箔
１１    キャリア箔
１２    拡散防止層
１３    剥離層
１４    第一剥離層
１５    第二剥離層
１６    極薄銅箔
【要約】
キャリアピール強度の調整が簡便にできるキャリア付き極薄銅箔等を提供する。
本発明のキャリア付き極薄銅箔（１０）は、キャリア箔（１１）上に、拡散防止層（１２）、剥離層（１３）および極薄銅箔（１６）を順次積層して形成したものであり、未加熱の前記キャリア付き極薄銅箔（１０）からキャリア箔（１１）を引き剥がし、引き剥がされたキャリア箔（１１）の剥離面にて、オージェ電子分光分析法（ＡＥＳ）による深さ方向組成分析を行なったときの、Ｃｕ、Ｃｏ、Ｍｏ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｗ、Ｃｒ、Ｃ及びＯを分母としたときの、前記剥離面から１５ｎｍ以内の深さ位置までに存在するＣｕの元素割合の最大値が、９ａｔ．％〜９１ａｔ．％であることを特徴とする。【図１】
0005830635.tif 000003
【図２】
0005830635.tif 000004