(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
デジタル式のオフセットインク／フレキソインクを用いた印刷方法であって、
基板の上に配置された正孔を注入するピクセルのアレイと、正孔を注入するピクセルのアレイの上に配置された電荷移動層とを備え、正孔を注入するピクセルのアレイのそれぞれのピクセルが電気的に隔離されており、個々にアドレス指定可能である画像形成体を与えることと；
前記電荷移動層の表面に負の表面電荷を作成することと；
正孔を注入するピクセルのアレイの１つ以上のピクセルを選択的にアドレス指定し、選択的にアドレス指定された１つ以上のピクセルに対応する前記負の表面電荷の一部分を放電させることによって、潜像を作成することと；
現像サブシステムおよび前記画像形成体によって作られた現像ニップに近い位置に、帯電した液体インクを与えることと；
現像ニップで、与えられた前記インクを用いて前記潜像を静電的に現像し、前記画像形成体の電荷移動層上に、現像された画像を作成することと；
前記画像形成体から媒体に前記現像された画像を転写することとを含む、デジタル式のオフセットインク／フレキソインクを用いた印刷方法。
【請求項２】
前記画像形成体が、それぞれの薄膜トランジスタが、正孔を注入するピクセルのアレイの１個のピクセルに接続するように、前記基板の上に配置された薄膜トランジスタのアレイをさらに備えている、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記電荷移動層が、電気的に不活性なポリマーに分散した電荷を移動する低分子を含み、
ここで、この電荷を移動する低分子が、ピラゾリン、ジアミン、ヒドラゾン、オキサジアゾール、スチルベン、アリールアミン、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（アルキルフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン（アルキルは、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ヘキシル、およびこれらの混合物からなる群から選択され）；Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（クロロフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン；Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジ−ｐ−トリル−［ｐ−ターフェニル］−４，４”−ジアミン；Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジ−ｍ−トリル−［ｐ−ターフェニル］−４，４”−ジアミン；Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジ−ｏ−トリル−［ｐ−ターフェニル］−４，４”−ジアミン；Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス−（４−イソプロピルフェニル）−［ｐ−ターフェニル］−４，４”−ジアミン；Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス−（２−エチル−６−メチルフェニル）−［ｐ−ターフェニル］−４，４”−ジアミン；Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス−（２，５−ジメチルフェニル）−［ｐ−ターフェニル］−４，４’−ジアミン；Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−クロロフェニル）−［ｐ−ターフェニル］−４，４”−ジアミン；およびこれらの混合物からなる群から選択され、
電気的に不活性なポリマーが、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリスチレン、アクリレートポリマー、ビニルポリマー、セルロースポリマー、ポリエステル、ポリシロキサン、ポリアミド、ポリウレタン、ポリ（シクロオレフィン）、ポリスルホン、エポキシ、これらのランダムコポリマーまたは交互コポリマーからなる群から選択される、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
前記インクは、炭化水素系液体インクである、請求項１〜３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
前記現像した画像を前記画像形成体から媒体に転写する工程が、
前記インクがＵＶ硬化性である場合、前記現像した画像を部分的にＵＶ硬化させ、前記画像形成体の上に、部分的に硬化した、現像した画像を作成することと；
前記部分的に硬化した、現像した画像を前記媒体に転写することと；
前記部分的に硬化した、現像した画像を、前記媒体の上で硬化させることとをさらに含む、請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
デジタル式のオフセットインク／フレキソインクを用いた印刷システムであって、
基板の上に配置されている正孔を注入するピクセルのアレイと、正孔を注入するピクセルのアレイの上に配置されている電荷移動層とを備え、正孔を注入するピクセルのアレイのそれぞれのピクセルが電気的に隔離され、個々にアドレス指定可能である、静電潜像を作成するための画像形成体と；
前記画像形成体の電荷移動層の表面を均一に帯電させ、電荷移動層に実質的に均一な負の表面電荷を作成するための第１の帯電サブシステムと；
前記画像形成体に接続しており、前記負の表面電荷の一部分を放電し、前記画像形成体の上に潜像を作成するためのデジタル潜像作成サブシステムと；
現像サブシステムおよび前記画像形成体によって作られた現像ニップを通し、前記潜像を、帯電した液体インクで現像させるための現像サブシステムと；
前記現像した画像を前記画像形成体から媒体に転写するための転写固定サブシステムとを備える、デジタル式のオフセットインク／フレキソインクを用いた印刷システム。
【請求項７】
前記正孔を注入するピクセルのアレイのそれぞれのピクセルが、１つ以上のナノサイズの炭素材料と共役ポリマーとを含み；
前記ナノサイズの炭素材料が、単層カーボンナノチューブ、二層カーボンナノチューブ、多層カーボンナノチューブ、グラフェンのうち１つ以上を含み；
ここで、共役ポリマーが、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）、アルキル置換されたＥＤＯＴ、フェニル置換された３，４−エチレンジオキシチオフェン、ジメチル置換されたポリプロピレンジオキシチオフェン、シアノビフェニル置換された３，４−エチレンジオキシチオフェン、テラデシル置換されたポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）、ジベンジル置換されたポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）、スルホネート置換されたポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）、デンドロン置換されたポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）−ポリスチレンスルホン酸の複合体、およびこれらの混合物からなる群から選択される、請求項６に記載のシステム。
【請求項８】
前記画像形成体の電荷移動層が、５μｍ〜４５μｍの範囲の厚みを有する、請求項６又は７に記載のシステム。
【請求項９】
前記正孔を注入するピクセルのアレイのそれぞれのピクセルが、１０ｏｈｍ／ｓｑ．〜５，０００ｏｈｍ／ｓｑ．の表面抵抗を有する、請求項６〜８のいずれか１項に記載のシステム。
【請求項１０】
オフセットインク／フレキソインクを用いた印刷方法であって、
基板の上に配置された正孔を注入するピクセルのアレイと、正孔を注入するピクセルのアレイの上に配置された電荷移動層とを備え、正孔を注入するピクセルのアレイのそれぞれのピクセルが、前記基板に配置されている薄膜トランジスタのアレイによって電気的に隔離されており、個々にアドレス指定可能である画像形成体を与えることと；
前記正孔を注入するピクセルのアレイの反対側の電荷移動層の表面に、負の表面電荷を作成することと；
正孔を注入するピクセルのアレイの１つ以上のピクセルを選択的にアドレス指定し、前記電荷移動層と、選択的にアドレス指定されたそれぞれの１つ以上のピクセルとの界面に正孔を注入し、選択的にアドレス指定された１つ以上のピクセルに対応する負の表面電荷の一部分を放出させることによって、潜像を作成することと；
現像ニップで、帯電したＵＶ硬化性インクを用いて潜像を静電的に現像し、前記画像形成体の上に、現像された画像を作成することと；
前記現像した画像を部分的にＵＶ硬化させ、前記画像形成体の上に、部分的に硬化した、現像した画像を作成することと；
前記部分的に硬化した、現像した画像を前記媒体に転写することと；
前記部分的に硬化した、現像した画像を、前記媒体の上で硬化することとを含む、オフセットインク／フレキソインクを用いた印刷方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本教示は、ゼログラフィー印刷、フレキソ印刷、オフセット印刷に関し、より特定的には、デジタルオフセット／フレキソ印刷のシステムおよび方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来のオフセット印刷および／またはフレキソ印刷の技術は、低いランニングコストで、画像向けの品質を与える。しかし、従来のオフセット印刷および／またはフレキソ印刷（本明細書では、オフセット印刷／フレキソ印刷とも呼ぶ）のプロセスは、アナログ印刷プロセスであり、短時間の運転ではランニングコストが欠点となり、さまざまなデータ印刷にとって問題がある。オフセット印刷／フレキソ印刷をデジタル化することは、画像向けの品質を保持しつつ、短い運転期間で、さまざまなデータ印刷の機会を与えるのに望ましい。
【０００３】
さらに、従来のオフセット印刷／フレキソ印刷の技術は、表面の疎水性コントラストによって変わり、印刷板現像を含む多段階プロセスを含む。したがって、単純化された代替法および代替システムを与えるデジタル式のオフセット印刷／フレキソ印刷技術も望ましい。さらに、環境に優しいデジタル式のオフセット印刷／フレキソ印刷技術が望ましい。
【０００４】
したがって、オフセット印刷／フレキソ印刷のデジタル化を可能にする印刷システム、およびこの印刷システムを使用する方法を提供する必要性が存在する。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００５】
種々の実施形態によれば、本教示は、デジタル式の印刷方法を含む。デジタル式の印刷方法は、ナノサイズ対応の画像形成体を用いてもよく、この画像形成体は、基板に配置された、正孔を注入するピクセルのアレイと、正孔を注入するピクセルのアレイに配置され、各ピクセルが電気的に隔離されており、個々にアドレスを指定することが可能な電荷移動層とを備えている。例えば、正孔を注入するピクセルのアレイの１つ以上のピクセルを選択的にアドレス指定し、選択的にアドレス指定された１つ以上のピクセルに対応する負の表面電荷の一部分を放電させることによって、負の表面電荷が電荷移動層の表面に生成し、潜像を作成することができる。次いで、現像サブシステムおよびナノサイズ対応の画像形成体によって作られた現像ニップに近い位置にインクを与えてもよい。与えられたインクは、帯電したオフセットインクと、場合により、帯電したフレキソインクとを含んでいてもよい。次いで、現像ニップで、与えられたインクを用いて潜像を静電的に現像し、ナノサイズ対応の画像形成体の電荷移動層上に、現像された画像を作成し、次いで、このナノサイズ対応の画像形成体から媒体上に転写してもよい。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】図１は、本教示の種々の実施形態にかかる例示的なデジタル式オフセット印刷システムの一部分を模式的に示す。
【図２】図２は、本教示の種々の実施形態にかかる例示的なナノサイズ対応の画像形成体の一部分の断面図を模式的に示す。
【図３】図３Ａ〜図３Ｄは、本教示の種々の実施形態にかかる静電的な潜像を作成する例示的な方法を模式的に示す。
【図４】図４は、本教示の種々の実施形態にかかる媒体の上に、画像をデジタル式のオフセット印刷で印刷する例示的な方法を示す。
【図５】図５は、本教示の種々の実施形態にかかる例示的な二層画像形成体の充電−放電特性を測定するために使用した静電スキャナを示す。
【図６】図６Ａ〜図６Ｂは、本教示の種々の実施形態にかかる例示的なカーボンナノチューブ二層画像形成体および制御部材の充電−放電曲線を比較したものである。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
図１は、本教示の種々の実施形態にかかる例示的なデジタル式のオフセット印刷システム１００の一部分を模式的に示す。例示的なデジタル式のオフセット印刷システム１００は、静電的な潜像を作成するためのナノサイズ対応の画像形成体１０２を備えていてもよい。ナノサイズ対応の画像形成体１０２は、方向１０１に回転することができる。
【０００８】
（ナノサイズ対応の画像形成体）
図２は、本教示の種々の実施形態にかかる例示的なナノサイズ対応の画像形成体１０２、２０２の一部分の断面図を模式的に示す。ナノサイズ対応の画像形成体１０２、２０２は、正孔を注入するピクセルのアレイ２２５のそれぞれのピクセル２２５が、電気的に隔離されており、個々にアドレス指定することが可能なような、基板２１０の上に配置された正孔を注入するピクセルのアレイ２２５を備えていてもよい。また、ナノサイズ対応の画像形成体１０２、２０２は、各薄膜トランジスタ２５５が、ピクセル２２５のアレイの１個のピクセル２２５と接続することができるように、基板２１０の上に配置されている薄膜トランジスタのアレイ２５０を備えていてもよい。ナノサイズ対応の画像形成体１０２、２０２は、さらに、正孔を注入するピクセルのアレイ２２５の上に配置されている電荷移動層２４０を備えていてもよく、電荷移動層２４０は、正孔を注入するピクセルのアレイ２２５とは反対側に配置されている表面２４１を備えていてもよい。電荷移動層２４０は、１つ以上のピクセル２２５を表面２４１に与えることによって、正孔を移動するような構成であってもよい。
【０００９】
本明細書で使用される場合、用語「正孔を注入するピクセル」および「正孔を注入するピクセルのアレイ」は、それぞれ、用語「ピクセル」および「ピクセルのアレイ」とほぼ同じ意味で用いられる。
【００１０】
本明細書で使用される場合、句「個々にアドレス指定可能な」は、正孔を注入するピクセルのアレイのそれぞれのピクセルが特定可能であり、その付近または周囲にあるピクセルとは独立して特定され、操作されることが可能なことを意味する。例えば、図２を参照すると、各ピクセル２２５Ａ、２２５Ｂまたは２２５Ｃは、その付近または周囲にあるピクセルとは独立して個々にオンまたはオフにすることができる。しかし、ある実施形態では、ピクセル２２５Ａ〜Ｃを個々にアドレス指定しているのにもかかわらず、ピクセル群（例えば、２個以上のピクセル２２５Ａ〜Ｂ）が一緒に選択され、アドレス指定されてもよく、すなわち、ピクセル群２２５Ａ〜Ｂを、他のピクセル２２５Ｃまたは他のピクセル群（示されていない）とは独立して、一緒にオンまたはオフにすることができる。
【００１１】
種々の実施形態では、アレイ２２０のそれぞれのピクセル２２５は、ナノサイズの炭素材料の層を含んでいてもよい。他の実施形態では、アレイ２２０のそれぞれのピクセル２２５は、有機共役ポリマーの層を含んでいてもよい。さらにいくつかの他の実施形態では、アレイ２２０のそれぞれのピクセル２２５は、ナノサイズの炭素材料および有機共役ポリマーの混合物（例えば、１つ以上の有機共役ポリマーに分散したナノサイズの炭素材料を含む）の層を含んでいてもよい。特定の実施形態では、１つ以上のナノサイズの炭素材料および／または有機共役ポリマーを含む層の表面抵抗は、約１０ｏｈｍ／ｓｑ．〜約１０，０００ｏｈｍ／ｓｑ．、または約１０ｏｈｍ／ｓｑ．〜約５，０００ｏｈｍ／ｓｑ．、または約１００ｏｈｍ／ｓｑ．〜約２，５００ｏｈｍ／ｓｑ．であってもよい。ナノサイズの炭素材料および有機共役ポリマーは、潜像を静電的に生成するための正孔注入材料として作用してもよい。ナノサイズの炭素材料および有機共役ポリマーを正孔注入材料として利用する利点のひとつは、これらを、例えば、フォトリソグラフィー、インクジェット印刷、スクリーン印刷、転写印刷などのような種々の加工技術でパターン化することができることである。
【００１２】
（ナノサイズの炭素材料を含む、正孔を注入するピクセル）
本明細書で使用される場合、句「ナノサイズの炭素材料」は、ナノサイズ（例えば、約１０００ｎｍ未満）の少なくとも１つの寸法を有する炭素含有材料を指す。いくつかの実施形態では、ナノサイズの炭素材料としては、例えば、単層カーボンナノチューブ（ＳＷＮＴ）、二層カーボンナノチューブ（ＤＷＮＴ）、多層カーボンナノチューブ（ＭＷＮＴ）；官能化されたカーボンナノチューブを含むナノチューブ；および／または、グラフェンおよび官能化されたグラフェンが挙げられ、ここで、グラフェンは、ハニカム結晶格子に密に充填された、ｓｐ２混成軌道で結合した炭素原子の単一平面状シートであり、厚みは、実際には、それぞれの原子が表面原子であるような１原子分の厚みである。  
【００１３】
カーボンナノチューブ（例えば、精製後に合成したカーボンナノチューブのような）は、層の数、直径、長さ、キラリティ、および／または欠陥率に関して、構造的なカーボンナノチューブの混合物であってもよい。例えば、キラリティは、カーボンナノチューブが金属性であるか、または半導体性であるかを示す場合がある。金属性のカーボンナノチューブは、約３３％金属性であってもよい。カーボンナノチューブは、直径が、約０．１ｎｍ〜約１００ｎｍ、または約０．５ｎｍ〜約５０ｎｍ、または約１．０ｎｍ〜約１０ｎｍの範囲であってもよく、長さが、約１０ｎｍ〜約５ｍｍ、または約２００ｎｍ〜約１０μｍ、または約５００ｎｍ〜約１０００ｎｍの範囲であってもよい。特定の実施形態では、１つ以上のナノサイズの炭素材料を含む層に含まれるカーボンナノチューブの濃度は、約０．５重量％〜約９９重量％、または約５０重量％〜約９９重量％、または約９０重量％〜約９９重量％の範囲であってもよい。いくつかの実施形態では、カーボンナノチューブをバインダー材料と混合し、１つ以上のナノサイズの炭素材料の層を作成してもよい。バインダー材料は、当業者に既知の任意のバインダーポリマーを含んでいてもよい。
【００１４】
種々の実施形態では、それぞれのピクセル２２５内のナノサイズの炭素材料の層は、溶媒を含むコーティング可能なカーボンナノチューブ層を含んでいてもよい。溶媒を含むコーティング可能なカーボンナノチューブ層を、カーボンナノチューブの水系分散物またはアルコール分散物からコーティングしてもよく、カーボンナノチューブは、界面活性剤、ＤＮＡまたはポリマー材料によって安定化されていてもよい。他の実施形態では、カーボンナノチューブの層としては、カーボンナノチューブコンポジットが挙げられ、限定されないが、カーボンナノチューブポリマーコンポジットおよび／またはカーボンナノチューブに充填された樹脂が挙げられる。
【００１５】
いくつかの実施形態では、ナノサイズの炭素材料の層は、薄くてもよく、厚みが約１ｎｍ〜約１μｍ、または約５０ｎｍ〜約５００ｎｍ、または約５ｎｍ〜約１００ｎｍの範囲であってもよい。
【００１６】
（有機共役ポリマーを含む、正孔を注入するピクセル）
種々の実施形態では、それぞれのピクセル２２５に含まれる有機共役ポリマーの層としては、任意の適切な材料、例えば、エチレンジオキシチオフェン（ＥＤＯＴ）またはその誘導体に基づく共役ポリマーを挙げることができる。共役ポリマーとしては、限定されないが、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）（ＰＥＤＯＴ）、アルキル置換されたＥＤＯＴ、フェニル置換されたＥＤＯＴ、ジメチル置換されたポリプロピレンジオキシチオフェン、シアノビフェニル置換された３，４−エチレンジオキシチオフェン（ＥＤＯＴ）、テラデシル置換されたＰＥＤＯＴ、ジベンジル置換されたＰＥＤＯＴ、イオン基で置換されたＰＥＤＯＴ、例えば、スルホネート置換されたＰＥＤＯＴ、デンドロン置換されたＰＥＤＯＴ、例えば、デンドロン化ポリ（パラ−フェニレン）など、およびこれらの混合物が挙げられる。さらなる実施形態では、有機共役ポリマーは、ＰＥＤＯＴおよび、例えば、ポリスチレンスルホン酸（ＰＳＳ）を含む複合体であってもよい。ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ複合体の分子構造は、以下のように示すことができる。
【化１】
0005779031.tif 000002
【００１７】
例示的なＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ複合体は、テンプレートポリマーＰＳＳが存在する状態で、ＥＤＯＴの重合によって得ることができる。ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ複合体を含む層の導電性は、２個以上の極性基を有する化合物（例えば、エチレングリコールなど）をＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ水溶液に加えることによって、制御する（例えば、高める）ことができる。このような添加剤は、ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ複合体のＰＥＤＯＴ鎖の配座変化を誘発することができる。また、ＰＥＤＯＴの導電性を、酸化工程中に調節することもできる。ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳの水系分散物は、Ｈ．Ｃ．Ｓｔａｒｃｋ，Ｉｎｃ．（ボストン、ＭＡ）からＢＡＹＴＲＯＮ  Ｐ（登録商標）として市販されている。ＭｙｌａｒにコーティングされたＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ膜は、ＯｒｇａｃｏｎＴＭ膜（Ａｇｆａ−Ｇｅｖａｅｒｔ  Ｇｒｏｕｐ、モルツェル、ベルギー）で市販されている。また、ＰＥＤＯＴは、例えば、水系媒体または非水系媒体から、電子が豊富なＥＤＯＴ系モノマーの電気化学的酸化を用いて、化学重合によって得てもよい。ＰＥＤＯＴの電気化学的合成は、少量のモノマーを用いてもよく、重合時間を短くしてもよく、電極に支えられている膜および／または自立型の膜を得ることができる。
【００１８】
種々の実施形態では、ピクセル２２５のアレイは、まず、ナノサイズの炭素材料および／または有機共役ポリマーの層を基板２１０の上に作成することによって作成されてもよい。任意の適切な方法（例えば、浸漬コーティング、スプレーコーティング、スピンコーティング、ウェブコーティング、ドローダウンコーティング、フローコーティング、および／または押出ダイコーティング）を用い、この層を作成してもよい。次いで、基板２１０の上のナノサイズの炭素材料および／または有機共役ポリマーを含む層を、パターン化するか、またはそれ以外の方法で処理し、ピクセル２２５のアレイを作成してもよい。適切なナノ加工技術（限定されないが、フォトリソグラフィーによるエッチング、または直接的なパターン化）を用い、ピクセル２２５のアレイを作成してもよい。例えば、この材料を、ナノインプリンティング、インクジェット印刷および／またはスクリーン印刷によって直接パターン化してもよい。結果として、アレイ２２０のそれぞれのピクセル２２５は、少なくとも１つの寸法（例えば、長さまたは幅）が、約１００ｎｍ〜約５００μｍ、または約１μｍ〜約２５０μｍ、または約５μｍ〜約１５０μｍの範囲であってもよい。
【００１９】
限定されないが、マイラー、ポリイミド（ＰＩ）、可とう性ステンレス鋼、ポリ（エチレンナフタレート）（ＰＥＮ）、可とう性ガラスのような任意の適切な材料を基板２１０で用いてもよい。
【００２０】
（電荷移動層）
再び図２を参照すると、ナノサイズ対応の画像形成体２０２は、１つ以上のピクセル２２５を、ピクセル２２５のアレイとは反対側の表面２４１に提供することによって、正孔を移動するような構成の電荷移動層２４０を備えていてもよい。電荷移動層２４０は、表面電荷を選択的に散逸するために、電荷移動層２４０を通して正孔または電子を移動することができる材料を含んでいてもよい。特定の実施形態では、電荷移動層２４０は、電気的に不活性なポリマーに溶解しているか、分子として分散した、電荷を移動する低分子を含んでいてもよい。一実施形態では、電荷を移動する低分子を電気的に不活性なポリマーに溶解させ、ポリマーを含む均一な相を作成してもよい。別の実施形態では、電荷を移動する低分子を、分子スケールでポリマーに分子として分散させてもよい。任意の適切な電荷を移動する低分子、または電気的に活性な低分子を、電荷移動層２４０で用いてもよい。いくつかの実施形態では、電荷を移動する低分子は、電荷移動層とピクセル２２５との界面に生成した自由正孔を、電荷移動層２４０を通って表面２４１に移動させることができるようなモノマーを含んでいてもよい。例示的な電荷を移動する低分子としては、限定されないが、ピラゾリン、例えば、１−フェニル−３−（４’−ジエチルアミノスチリル）−５−（４”−ジエチルアミノフェニル）ピラゾリン；ジアミン、例えば、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−（１，１’−ビフェニル）−４，４’−ジアミン（ＴＰＤ）；他のアリールアミン、例えば、トリフェニルアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラ−ｐ−トリル−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン（ＴＭ−ＴＰＤ）；ヒドラゾン、例えば、Ｎ−フェニル−Ｎ−メチル−３−（９−エチル）カルバジルヒドラゾン、４−ジエチルアミノベンズアルデヒド−１，２−ジフェニルヒドラゾン；オキサジアゾール、例えば、２，５−ビス（４−Ｎ，Ｎ’−ジエチルアミノフェニル）−１，２，４−オキサジアゾール；スチルベン；アリールアミンなどが挙げられる。例示的なアリールアミンは、以下の式／構造
【化２】
0005779031.tif 000003
〔式中、Ｘは、アルキル、アルコキシ、アリール、およびその誘導体のような適切な炭化水素；ハロゲン、またはこれらの混合物であり、特に、ＣｌおよびＣＨ３からなる群から選択される置換基である〕
および以下の式を有する分子
【化３】
0005779031.tif 000004
〔式中、Ｘ、Ｙ、Ｚは、独立して、アルキル、アルコキシ、アリール、ハロゲン、またはこれらの混合物であり、ＹおよびＺの少なくとも１つが存在する〕であってもよい。
【００２１】
アルキルおよび／またはアルコキシ基は、例えば、１〜約２５個の炭素原子、または１〜約１８個の炭素原子、または１〜約１２個の炭素原子を含んでいてもよく、例えば、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル，および／またはこれらの対応するアルコキシドであってもよい。アリール基は、例えば、約６〜約３６個の炭素原子を含んでいてもよい（例えば、フェニルなど）。ハロゲンとしては、塩素、臭素、ヨウ素および／またはフッ素が挙げられる。また、種々の実施形態にしたがって、置換アルキル、置換アルコキシ、置換アリールを用いてもよい。
【００２２】
電荷移動層２４０に使用可能な特定のアリールアミンの例としては、限定されないが、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（アルキルフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン（アルキルは、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ヘキシルなどからなる群から選択され）；Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（ハロフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン（ハロ置換基は、クロロ置換基である）；Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジ−ｐ−トリル−［ｐ−ターフェニル］−４，４”−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジ−ｍ−トリル−［ｐ−ターフェニル］−４，４”−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジ−ｏ−トリル−［ｐ−ターフェニル］−４，４”−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス−（４−イソプロピルフェニル）−［ｐ−ターフェニル］−４，４”−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス−（２−エチル−６−メチルフェニル）−［ｐ−ターフェニル］−４，４”−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス−（２，５−ジメチルフェニル）−［ｐ−ターフェニル］−４，４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−クロロフェニル）−［ｐ−ターフェニル］−４，４”−ジアミンなどが挙げられる。任意の他の既知の電荷移動層分子を選択してもよい。
【００２３】
上述のように、適切な電気的に活性な低分子の電荷移動分子または電荷移動化合物を、電気的に不活性なポリマー膜形成材料に溶解または分子的に分散させてもよい。所望な場合、電荷移動層２４０内の電荷移動材料としては、ポリマー系の電荷移動材料、または低分子電荷移動材料とポリマー系の電荷移動材料との組み合わせが挙げられる。限定されないが、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）；ポリ（ビニルピレン）；ポリ（−ビニルテトラフェン）；ポリ（ビニルテトラセン）および／またはポリ（ビニルペリレン）のような任意の適切なポリマー系電荷移動材料を用いてもよい。
【００２４】
任意の適切な電気的に不活性なポリマーを、電荷移動層２４０で用いてもよい。典型的な電気的に不活性なポリマーとしては、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリスチレン、アクリレートポリマー、ビニルポリマー、セルロースポリマー、ポリエステル、ポリシロキサン、ポリアミド、ポリウレタン、ポリ（シクロオレフィン）、ポリスルホン、エポキシ、これらのランダムコポリマーまたは交互コポリマーが挙げられる。しかし、電荷移動層２４０で、任意の他の適切なポリマーを利用してもよい。
【００２５】
種々の実施形態では、電荷移動層２４０は、横方向の電荷移動（ＬＣＭ）の耐性を高めるための１つ以上の材料を場合により含んでいてもよく、この材料は、限定されないが、ヒンダードフェノール系酸化防止剤、例えば、テトラキスメチレン（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシヒドロシンナメート）メタン（ＩＲＧＡＮＯＸ（登録商標）１０１０、Ｃｉｂａ  Ｓｐｅｃｉａｌｔｙ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ（タリタウン、ＮＹ）から入手可能）、ブチル化ヒドロキシトルエン（ＢＨＴ）、他のヒンダードフェノール系酸化防止剤（ＳＵＭＩＬＩＺＥＲＴＭ  ＢＨＴ−Ｒ、ＭＤＰ−Ｓ、ＢＢＭ−Ｓ、ＷＸ−Ｒ、ＮＷ、ＢＰ−７６、ＢＰ−１０１、ＧＡ−８０、ＧＭおよびＧＳ（Ｓｕｍｉｔｏｍｏ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ａｍｅｒｉｃａ、Ｉｎｃ．（ニューヨーク、ＮＹ）から入手可能）、ＩＲＧＡＮＯＸ（登録商標）１０３５、１０７６、１０９８、１１３５、１１４１、１２２２、１３３０、１４２５ＷＬ、１５２０Ｌ、２４５、２５９、３１１４、３７９０、５０５７、５６５（Ｃｉｂａ  Ｓｐｅｃｉａｌｔｉｅｓ  Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ（タリタウン、ＮＹ）から入手可能）、ＡＤＥＫＡ  ＳＴＡＢＴＭ  ＡＯ−２０、ＡＯ−３０、ＡＯ−４０、ＡＯ−５０、ＡＯ−６０、ＡＯ−７０、ＡＯ−８０、ＡＯ−３３０（Ａｓａｈｉ  Ｄｅｎｋａ  Ｃｏ．、Ｌｔｄ．から入手可能）；ヒンダードアミン酸化防止剤、例えば、ＳＡＮＯＬＴＭ  ＬＳ−２６２６、ＬＳ−７６５、ＬＳ−７７０、ＬＳ−７４４（ＳＡＮＫＹＯ  ＣＯ．、Ｌｔｄ．から入手可能）、ＴＩＮＵＶＩＮ（登録商標）１４４および６２２ＬＤ（Ｃｉｂａ  Ｓｐｅｃｉａｌｔｉｅｓ  Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ（タリタウン、ＮＹ）から入手可能）、ＭＡＲＫＴＭ  ＬＡ５７、ＬＡ６７、ＬＡ６２、ＬＡ６８、ＬＡ６３（Ａｍｆｉｎｅ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ（アッパーサドルリバー、ＮＪ）から入手可能）、ＳＵＭＩＬＩＺＥＲ（登録商標）ＴＰＳ（Ｓｕｍｉｔｏｍｏ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ａｍｅｒｉｃａ、Ｉｎｃ．（ニューヨーク、ＮＹ）から入手可能）；チオエーテル酸化防止剤、例えば、ＳＵＭＩＬＩＺＥＲ（登録商標）ＴＰ−Ｄ（Ｓｕｍｉｔｏｍｏ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ａｍｅｒｉｃａ、Ｉｎｃ．（ニューヨーク、ＮＹ）から入手可能）；ホスファイト酸化防止剤、例えば、ＭＡＲＫＴＭ  ２１１２、ＰＥＰ−８、ＰＥＰ−２４Ｇ、ＰＥＰ−３６、３２９Ｋ、ＨＰ−１０（Ａｍｆｉｎｅ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ（アッパーサドルリバー、ＮＪ）から入手可能）；他の分子、例えば、ビス（４−ジエチルアミノ−２−メチルフェニル）フェニルメタン（ＢＤＥＴＰＭ）、ビス−［２−メチル−４−（Ｎ−２−ヒドロキシエチル−Ｎ−エチル−アミノフェニル）］−フェニルメタン（ＤＨＴＰＭ）などが挙げられる。電荷移動層２４０は、電荷移動層合計の約０〜約２０重量％、約１〜約１０重量％、または約３〜約８重量％の量で酸化防止剤を含んでいてもよい。
【００２６】
電気的に不活性なポリマーに分散した電荷移動分子または電荷移動化合物を含む電荷移動層２４０は、電荷移動層２４０に存在している静電電荷が、この層の上に静電潜像を作成し、この潜像が保存されることが防止され得るように導かれていない程度まで、絶縁体であってもよい。一方、電荷移動層２４０は、正孔を注入するピクセルのアレイ２２５のそれぞれのピクセル２２５内に１つ以上のナノサイズの炭素材料および有機共役ポリマーを含む層から正孔を注入することができ、これらの正孔が、電荷移動層２４０自体を通って、表面２４１上にある負の表面電荷を選択的に放電させることができるという点で、電気的に「活性で」あってもよい。
【００２７】
任意の適切な技術および従来の技術を利用し、ピクセル２２５のアレイの上に電荷移動層２４０を作成し、塗布してもよい。例えば、電荷移動層２４０は、１回のコーティング工程または複数回のコーティング工程で作成されてもよい。これらの応用技術としては、噴霧、浸漬コーティング、ロールコーティング、ワイヤ捲きロッドコーティング、インクジェットコーティング、リングコーティング、グラビア処理、ドラムコーティングなどが挙げられる。
【００２８】
堆積したコーティングの乾燥は、例えば、オーブンによる乾燥、赤外線照射による乾燥、風乾などの任意の適切な従来の技術によって行うことができる。乾燥後の電荷移動層２４０は、厚みが、約１μｍ〜約５０μｍ、約５μｍ〜約４５μｍ、または約１５μｍ〜約４０μｍの範囲であってもよいが、この範囲から外れた厚みを有していてもよい。
【００２９】
（任意要素の接着層）
ある実施形態では、ナノサイズ対応の画像形成体２０２は、基板２１０と、ピクセル２２５のアレイのそれぞれのピクセル２２５との間に配置されている接着層２７１を場合により含んでいてもよい。任意要素の接着層に利用可能な例示的なポリエステル樹脂としては、ポリアリレートポリビニルブチラール、例えば、ユニチカ株式会社（大阪、日本）から入手可能なＵ−１００；ＶＩＴＥＬ  ＰＥ−１００、ＶＩＴＥＬ  ＰＥ−２００、ＶＩＴＥＬ  ＰＥ−２００Ｄ、ＶＩＴＥＬ  ＰＥ−２２２（すべてＢｏｓｔｉｋ（ウォーワトサ、ＷＩ）から入手可能）；Ｒｏｈｍ  Ｈａｓｓ（フィラデルフィア、ＰＡ）から入手可能なＭＯＲ−エステルＴＭ  ４９０００−Ｐポリエステル；ポリビニルブチラールなどが挙げられる。
【００３０】
（任意要素の正孔遮蔽層）
また、ナノサイズ対応の画像形成体２０２は、ピクセル２２５内に１つ以上のナノサイズの炭素材料および／または有機共役ポリマーを含む層と、電荷移動層２４０との間に配置された正孔遮蔽層２７５を場合により含んでいてもよい。ある実施形態では、任意要素の接着層２７３は、電荷移動層２４０と正孔遮蔽層２７５との間、および／または正孔遮蔽層２７５と、１つ以上のナノサイズの炭素材料および有機共役ポリマーの層を含むピクセル２２５との間に配置されていてもよい。
【００３１】
正孔遮蔽層２７５は、ポリマー、例えば、ポリビニルブチラール、エポキシ樹脂、ポリエステル、ポリシロキサン、ポリアミド、ポリウレタンなど；窒素を含有するシロキサン、または窒素を含有するチタン化合物、例えば、トリメトキシシリルプロピレンジアミン、加水分解したトリメトキシシリルプロピルエチレンジアミン、Ｎ−β−（アミノエチル）γ−アミノ−プロピルトリメトキシシラン、イソプロピル  ４−アミノベンゼンスルホニル、ジ（ドデシルベンゼンスルホニル）チタネート、イソプロピル  ジ（４−アミノベンゾイル）イソステアロイルチタネート、イソプロピルトリ（Ｎ−エチルアミノ−エチルアミノ）チタネート、イソプロピルトリアントラニルチタネート、イソプロピルトリ（Ｎ，Ｎ−ジメチルエチルアミノ）チタネート、チタニウム−４−アミノベンゼンスルホネートオキシアセテート、チタニウム  ４−アミノベンゾエートイソステアレートオキシアセテート、［Ｈ２Ｎ（ＣＨ２）４］ＣＨ３Ｓｉ（ＯＣＨ３）２、（γ−アミノブチル）メチルジエトキシシラン、［Ｈ２Ｎ（ＣＨ２）３］ＣＨ３Ｓｉ（ＯＣＨ３）２（γ−アミノプロピル）メチルジエトキシシランを含んでいてもよい。正孔遮蔽層２７５は、厚みが、約０．００５μｍ〜約０．５μｍ、または約０．０１μｍ〜約０．１μｍ、または約０．０３μｍ〜約０．０６μｍの範囲であってもよい。
【００３２】
（第１の帯電サブシステム）
再び図１を参照すると、例示的なデジタル式のオフセット印刷システム１００は、ナノサイズ対応の画像形成体１０２の電荷移動層表面の表面を均一に帯電させるための第１の帯電サブシステム１１６を備えていてもよい（図２の２０２および図３Ａの３０２Ａも参照）。図３Ａ〜３Ｄは、本教示の種々の実施形態にかかるナノサイズ対応の画像形成体３０２Ａ〜Ｄの静電潜像を作成する例示的な方法を模式的に示す。例えば、図３Ｂに示されているように、実質的に均一な負の表面電荷３６０を、図３Ａのナノサイズ対応の画像形成体３０２Ａの表面３４１の上に作成してもよい。電場を与えることが可能な例示的なサブシステムとしては、コロトロン、スコロトロン、ディスコロトロン、バイアスチャージロール、バイアス転写ロールなどが挙げられる。
【００３３】
（デジタル潜像作成サブシステム）
図１に示されるように、例示的なデジタル式のオフセット印刷システム１００は、ナノサイズ対応の画像形成体１０２の電荷移動層表面の表面に、潜像１７０を作成するための、ナノサイズ対応の画像形成体１０２に接続したデジタル潜像作成サブシステム１０９を備えていてもよい。種々の実施形態では、デジタル潜像作成サブシステム１０９は、アレイ２２０の１つ以上の薄膜トランジスタのアドレスを指定するような構成のプロセッサを備えていてもよい。図３Ｃは、ナノサイズ対応の画像形成体３０２Ｃ、静電潜像作成器の一部分を模式的に示し、ここで、ピクセル３２５Ａにバイアスをかけ、ピクセル３２５Ｂはバイアスをかけないことによって、ピクセル３２５Ａを選択的にアドレス指定することができる。結果として、ピクセル３２５Ａに配置されている１つ以上のナノサイズの炭素材料および／または共役ポリマーは、正孔３６５を、ピクセル３２５Ａと電荷移動層３４０との界面に注入することができる。図３Ｃに示されるように、電荷移動層３４０は、正孔３６５を表面３４１に移動させ、負の表面電荷３６０を中和して潜像３７０を作成することができる。図３Ｄは、１つ以上のピクセル３２５を選択的にアドレス指定し、選択的にアドレス指定された１つ以上のピクセル３２５に対応する電荷移動層３４０の表面３４１の上にある負の表面電荷３６０の一部分を放電させることによって作成された潜像３７０を含む、静電潜像作成器３０２Ｄの一部分を模式的に示す。
【００３４】
（現像サブシステム）
図１に示されるように、例示的なデジタル式のオフセット印刷システム１００は、液体系インク１０５の容器と、場合により、第２の帯電器１１７とをさらに備えていてもよい。ある実施形態では、場合により配置されている第２の帯電器１１７は、現像サブシステム１０４の一部分であってもよい。他の実施形態では、第２の帯電器１１７は、別個のユニットであってもよい。場合により配置されている第２の帯電器１１７は、現像ニップ１０３の前に、インク１０５に電荷を加え、帯電したインク１０５’を作成するような構成であってもよく、その結果、潜像１７０または３７０を、現像ニップ１０３に通して現像し、現像した画像１４５を作成してもよい。
【００３５】
例えば、フレキソインク、ＵＶフレキソインク、オフセットインク、ＵＶオフセットインク、水分を含まないオフセットインク、水系オフセットおよび／または炭化水素（例えば、アイソパー）系の液体インクのような、任意の適切な液体系インクを用いてもよい。また、例示的なオフセットインクとしては、限定されないが、ＵＶｉｖｉｄ ８２０ Ｓｅｒｉｅｓ ＵＶフレキソインク、ＵＶｉｖｉｄ ８５０ Ｓｅｒｉｅｓ ＵＶフレキソインク、ＵＶｉｖｉｄ ８００ Ｓｅｒｉｅｓ ＵＶフレキソインク（すべて、ＦＵＪＩＦＩＬＭ Ｎｏｒｔｈ Ａｍｅｒｉｃａ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ（カンザスシティ、ＫＳ）によって製造）；Ｔ＆Ｋ Ｔｏｋａ ＡＬＰＯ Ｇ ＱＭＤＩ無水オフセットインク、Ｂｅｓｔ Ｏｎｅ Ｍｉｘｉｎｇ Ｉｎｋ、ＵＶ ＢＦ Ｉｎｋ、ＵＶ ＶＮＬ Ｉｎｋｓ（すべて、Ｓｐｅｃｔｒｏ Ｐｒｉｎｔｉｎｇ Ｉｎｋ，ＬＬＣ（ラルストン、ＮＥ）によって製造）；Ｍｅｇａｍｉ Ｉｎｋ Ｍａｎｕｆａｃｔｕｒｅｒ，Ｌｔｄ．（東京、日本）によって製造される、Ｍｅｇａｃｕｒｅシリーズ、Ｍｅｇａｃｕｒｅ ＭＷ ＳＯシリーズ、Ｍｅｇａｃｕｒｅ ＰＶシリーズ、Ｍｅｇａｃｕｒｅ ＨＢシリーズＵＶオフセットインク；Ａｔｌａｎｔｉｃ Ｐｒｉｎｔｉｎｇ Ｉｎｋ，Ｌｔｄ．（タンパ、ＦＬ）によって製造される、Ｒｏｙａｌ ｃｏｌｏｒ、ＮＷＵＶ−１６−８４６、ＮＷＵＶ−１６−８４８／８４９ ＵＶフレキソインク、ＮＷＳ２−１０−９３１水系フレキソインクが挙げられる。
フレキソ系インクを例示的なフレキソ印刷で用いる特定の実施形態では、第２の帯電器１１７は、任意要素であってもよく、すなわち、システム１００から外されてもよい。例えば、潜像１７０または３７０を、現像ニップ１０３を通し、帯電しているか、または帯電していないフレキソインクおよびＵＶフレキソインクで現像し、画像形成体１０２の上に、現像したフレキソ系画像を作成してもよい。
【００３６】
（部分硬化サブシステム）
ある実施形態では、例示的なデジタル式印刷システム１００は、ＵＶ硬化性インクを用いる場合には、場合により、現像した画像１４５を硬化させるためのＵＶ硬化ユニット１６０ａ〜ｂを備えていてもよい。ＵＶ硬化ユニット１６０ａ〜ｂは、例えば、ＵＶランプまたはＵＶ  ＬＥＤデバイスを備えていてもよい。例示的な実施形態では、ＵＶ硬化性インク（１４５を参照）を、転写固定プロセスの前にＵＶ硬化ユニット１６０ａで部分的に硬化させてもよく、転写固定プロセスの後に、第２の硬化ユニット１６０ｂを用いて最終的に硬化させてもよい。ＵＶ硬化性インクとしては、例えば、ＵＶフレキソインクまたはＵＶオフセットインクが挙げられる。
【００３７】
（転写固定サブシステム）
種々の実施形態では、例示的なデジタル式のオフセット印刷システム１００は、図１に示されるように、媒体１０６の上に、現像した画像１４５を転写し、固定するための転写固定サブシステム１０８を備えていてもよい。使用するインクに依存して、例えば、熱、圧力、および／またはＵＶ照射によって、現像した画像を媒体１０６の上に固定することができる。ある実施形態では、現像サブシステム１０４は、部分的に硬化した、現像した画像１４５を硬化させるための最終的な硬化ユニットをさらに備えていてもよい。
【００３８】
（クリーニングサブシステム）
ある実施形態では、デジタル式のオフセット印刷システム１００は、転写固定プロセスの後で、次の印刷サイクルの前に、ナノサイズ対応の画像形成体１０２の上に残ったオフセットインクを洗浄するためのクリーニングサブシステム１０７をさらに備えていてもよい。
【００３９】
ある実施形態では、クリーニングサブシステムは、対応するクリーニングブレードを備えていてもよい。このブレードは、ナノサイズ対応の画像形成体１０２を擦り、その下を通ろうとする任意の現像材料を擦り落とすことができる。他の実施形態では、クリーニングサブシステム１０７は、回転ブラシクリーナーを備えていてもよく、ナノサイズ対応の画像形成体１０２に対し、現像材料を除去し、研磨剤を用いないという点で、より効果的であろう。
【００４０】
種々の実施形態によれば、媒体の上に画像をデジタル印刷するための方法４００が存在する。この方法は、ナノサイズ対応の画像形成体（例えば、図１〜３に示されるような、ナノサイズ対応の画像形成体１０２、２０２、３０２）を与える工程４８１を含んでいてもよい。ナノサイズ対応の画像形成体は、基板２１０の上に配置された、正孔を注入するピクセル２２５のアレイ２２０と、正孔を注入するピクセル２２５のアレイの上に配置された電荷移動層２４０とを備えていてもよく、このアレイのそれぞれのピクセル２２５は、電気的に隔離されており、個々にアドレス指定することができる。また、ナノサイズ対応の画像形成体は、それぞれの薄膜トランジスタ２５５が、ピクセル２２５のアレイの１個以上のピクセル２２５に接続することができるように、基板２１０とアレイ２２０の間に配置された、薄膜トランジスタのアレイ２５０を備えていてもよい。また、この方法４００は、電荷移動層の表面に負の表面電荷を作成する工程４８２を含んでいてもよく、この表面は、正孔を注入するピクセルのアレイとは反対側に配置される。方法４００は、図３Ａ〜３Ｄに示されるように、１つ以上の正孔を注入するピクセルを選択的または個々にアドレス指定し、選択的にアドレス指定された１つ以上のピクセルに対応する負の表面電荷の一部分を電荷移動層上に放電させることによって、電荷移動層の表面に潜像を作成する工程４８３をさらに含んでいてもよい。例えば、図３Ｃに示されるように、１つ以上のアドレス指定されたピクセル３２５は、１つ以上のピクセル３２５と電荷移動層３４０との界面で正孔を放出することができ、電荷移動層３４０は、さらに、この正孔をその表面３４１に移動させることができる。種々の実施形態では、１つ以上の正孔を注入するピクセルを選択的にアドレス指定する工程４８３は、１つ以上の正孔を注入するピクセルに、１つ以上の正孔を注入するピクセルと電荷移動層との界面で、正孔を放出することができるか、または正孔を注入することができないように、薄膜トランジスタによって電気的なバイアスをかけることを含んでもよい。
【００４１】
また、方法４００は、現像ニップに近い位置にインクを与える工程４８４を含んでいてもよい。例示的なオフセットインクを用いる一実施形態では、オフセットインクを帯電させ、例えば、帯電器（図１の１１７を参照）によって、帯電したオフセットインクを作成することができる。例示的なフレキソインクを用いる別の実施形態では、フレキソインクの帯電は、任意であってよい。方法４００は、現像ニップで、帯電したオフセットインクまたは帯電していないフレキソインクを用いて潜像を静電的に現像し、ナノサイズ対応の画像形成体の電荷移動層上に、現像された画像を作成する工程４８５をさらに含んでいてもよい。さらに、媒体の上に画像をデジタル印刷する方法４００は、媒体の上で現像した画像を転写固定する工程４８６をさらに含んでいてもよい。方法４００は、印刷プロセスの後に、ナノサイズ対応の画像形成体１０２を洗浄する工程をさらに含んでいてもよい。
【００４２】
この様式では、方法４００は、静電潜像または表面電荷コントラストを作成し、この静電潜像または表面電荷コントラストを現像し、感光体、レーザラスタ出力スキャナ（ＲＯＳ）またはプレート現像を用いることなく、現像した画像を印刷することができる。感光体、レーザーＲＯＳ、プレート現像がないと、印刷プロセスが単純になり、単位製造コスト（ＵＭＣ）およびランニングコストも低くすることができる。
【００４３】
いくつかの実施形態では、図４の方法について上に記載した工程を加えてもよく、省いてもよく、組み合わせてもよく、変更してもよく、または異なる順序で行ってもよい。いくつかの実施形態では、電荷極性は、陽電荷と負電荷が逆転してもよく、または正孔に関連する電荷と電子に関連する電荷とが逆転してもよい。
【００４４】
例示的な実施形態では、例示的なカーボンナノチューブおよび／またはＰＥＤＯＴを含むナノサイズ対応の画像形成体１０２を、ドラム構造内の活性なマトリックス骨格に組み込んでもよい。または、ナノサイズ対応の画像形成体１０２は、例えば、ポリイミド、ポリ（エチレンナフタレート）（ＰＥＮ）またはポリ（エチレンテレフタレート）（ＰＥＴ）のような可とう性基板を用いたベルト形状であってもよい。まず、ナノサイズ対応の画像形成体１０２を、コロナデバイスによって負に帯電させてもよい。次いで、選択されたピクセルのバイアスに依存して、デジタル静電潜像を作成してもよく、さらに、帯電していないフレキソインクまたは帯電したフレキソインクによって、静電的に現像し、すでに正に帯電したオフセットインクを、別のコロナデバイスによって帯電させてもよい。インク画像を媒体の上に注入し、デジタル式のオフセット／フレキソ印刷を行ってもよい。場合により、ＵＶ硬化性インクを用いてもよい。転写固定する前に、ＵＶ硬化性インクを、ＵＶランプまたはＵＶ  ＬＥＤデバイスで部分的に硬化させ、別のＵＶ硬化デバイスを用いて最終的に硬化させてもよい。
【００４５】
（実施例１−カーボンナノチューブ膜および電荷移動層を含む二層画像形成体の調製）
まず、単層カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）膜の層を、４種類のＭｙｌａｒ基板それぞれに、Ｍｙｌａｒ基板上のそれぞれのＣＮＴ膜が、約１００Ω／ｓｑ、約２５０Ω／ｓｑ、約１０００Ω／ｓｑ、約２５００Ω／ｓｑの表面抵抗を有するように正孔注入層として堆積させることによって、４種類の二層画像形成体（Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ）を作成した。次いで、テトラヒドロフランおよびトルエンの混合溶媒（比率７０：３０）中にＮ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ−ビス（３−メチルフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン（ＴＰＤ）およびＰＣＺ２００（ポリカーボネート）を含有する、約１４ｗｔ．％（固形分）の溶液を、実験室用のドローダウンコーターによって、３〜５ｍｉｌのドローバーを用いて上述の４種類のＣＮＴ膜（Ｍｙｌａｒの上）にそれぞれコーティングし、厚みが約２０μｍの電荷移動層（ＣＴＬ）を作成した。ＣＴＬの厚みは、コーティング溶液の固形分濃度およびドローバーの濡れたギャップによって制御した。得られた二層画像形成体（Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ）を約３０分間風乾した後、約１００℃で約２時間減圧乾燥した後、電気的に評価した。
【００４６】
（実施例２−ＰＥＤＯＴおよび電荷移動層を含む二層画像形成体の調製）
まず、ＰＥＤＯＴ層を、３種類のＭｙｌａｒ基板それぞれに、３種類のＭｙｌａｒ基板上のそれぞれのＰＥＤＯＴ膜が、約３５０Ω／ｓｑ、約１５００Ω／ｓｑ、約２５００Ω／ｓｑの表面抵抗を有するように堆積させることによって、３種類の二層画像形成体（Ｅ、Ｆ、Ｇ）を作成した。約３５０Ω／ｓｑ．〜約１５００Ω／ｓｑ．の表面抵抗を有するＰＥＤＯＴ膜をＡｇｆａ−Ｇｅｖａｅｒｔ  Ｇｒｏｕｐ（モルツェル、ベルギー）から得た。表面抵抗が約２５００Ω／ｓｑのＰＥＤＯＴ膜を、Ｏｒｇａｃｏｎ  ｆｉｌｍｓ  Ｌｔｄ．から購入したＰＥＤＯＴインクを用い、ウェブコーターを用いて内部をコーティングした。次いで、テトラヒドロフランおよびトルエンの混合溶媒（比率７０：３０）中にＮ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ−ビス（３−メチルフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン（ＴＰＤ）およびＰＣＺ２００（ポリカーボネート）を含有する、約１４ｗｔ．％（固形分）の溶液を、実験室用のドローダウンコーターによって、３〜５ｍｉｌのドローバーを用いて上述の３種類のＰＥＤＯＴ膜（Ｍｙｌａｒの上）にそれぞれコーティングし、厚みが約２０μｍの電荷移動層（ＣＴＬ）を作成した。ＣＴＬの厚みは、コーティング溶液の固形分濃度およびドローバーの濡れたギャップによって制御した。得られた二層画像形成体（Ｅ、Ｆ、Ｇ）を約３０分間風乾した後、約１００℃で約２時間減圧乾燥した後、電気的に評価した。
【００４７】
（実施例３−二層画像形成体の充電−放電特性）
図５に模式的に示されているように、実施例１および実施例２の二層画像形成体の充電−放電特性を、社内の静電スキャナ５００を用いて評価した。電気的に接触させるために、それぞれの二層画像形成体５０２のＣＴＬ層の上で、金のドット５９２を蒸発させた。高電圧電源によってそれぞれの二層画像形成体５０２を帯電させ、静電電圧計（ＥＳＶ）を用いて表面電位をモニタリングした。高電圧電源およびＥＳＶは、Ｔｒｅｋ  ６１０Ｂ型コロトロール電源およびＴｒｅｋ  ３６８Ａ型高速静電電圧計を含む静電スキャナの部品であり、両方ともＴＲＥＫ，Ｉｎｃ．（ニューヨーク）から得た。モーションレススキャナをＸｅｒｏｘ内部で構築した。二層画像形成体は、測定中は「静電状態で」あったため、表面の帯電および表面電位のモニタリングは、静電スキャナの中の電気回路によって電気的に制御されていた。典型的には、帯電とモニタリングとの間に約０．１ｓの遅れがあった。
【００４８】
図６Ａは、実施例１のＣＮＴ二層画像形成体の充填−放電曲線を示し、一方、図６Ｂは、ＣＮＴ膜をＴｉ／Ｚｒ金属層と置き換えたコントロール二層画像形成体の充填−放電曲線を示す。図６Ａに示されるように、ＣＮＴ二層画像形成体を容量充電する。コントロールとは異なり、ＣＮＴ二層画像形成体は、二層画像形成体に電場が確立されるとすぐに、迅速に放電した。
【００４９】
ＣＮＴ二層画像形成体の初期放電速度（ｄＶ／ｄｔ）は、カーボンナノチューブ膜の表面抵抗に敏感であることがわかった。ＰＥＤＯＴ二層画像形成体は、同様に充電し、放電することがわかった。結果を表１にまとめている。
【表１】
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【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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