(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板主面上の電極形成領域内に複数の突起電極が配置された配線基板であって、
前記複数の突起電極のうち少なくとも１つは、上面に凹み部を有し、上端における外径が下端における外径よりも大きく設定され、全体として断面逆台形状をなしている異形突起電極であり、
前記異形突起電極の前記上面と前記異形突起電極の側面との境界部分に、アール部が形成されている
ことを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記凹み部の内面全体は曲面状をなし、前記凹み部の最深部が前記異形突起電極の中心軸上に位置していることを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
前記電極形成領域内に存在する前記突起電極の全てが、前記異形突起電極であることを特徴とする請求項１または２に記載の配線基板。
【請求項４】
前記複数の突起電極は、前記電極形成領域内において前記基板主面の面方向に沿って縦横に複数配列されており、
前記複数の突起電極のうち前記電極形成領域の外周部に位置する突起電極が、前記異形突起電極である
ことを特徴とする請求項１または２に記載の配線基板。
【請求項５】
前記異形突起電極は、前記凹み部上に載置される複数のはんだバンプを加熱溶融させることによって、部品の底面側に配置された複数の接続端子に対してフリップチップ接続されることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の配線基板。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか１項に記載の配線基板を製造する方法であって、
複数の層間絶縁層を積層してなる積層部を準備する積層部準備工程と、
前記複数の層間絶縁層のうち前記基板主面を有する最上層の層間絶縁層の上にレジストを形成するレジスト形成工程と、
前記レジストに、上端側開口の内径が下端側開口の内径よりも大きく設定された開口部を形成する開口部形成工程と、
前記開口部の内側に対してめっきを行うことにより、前記開口部に前記異形突起電極を形成する異形突起電極形成工程と
を含むことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項７】
前記異形突起電極形成工程後、前記異形突起電極に対してエッチングを行うことにより、前記異形突起電極の前記上面と前記異形突起電極の側面との境界部分にアール部を形成するアール部形成工程を行うことを特徴とする請求項６に記載の配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板主面上の電極形成領域内に複数の突起電極が配置された配線基板及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、ＩＣチップなどの部品を搭載してなる配線基板（いわゆる半導体パッケージ）がよく知られている。ここで、ＩＣチップとの電気的な接続を図るための構造としては、ＩＣチップの底面側に配置された複数の接続端子上や、配線基板の基板主面上に配置された複数の突起電極であるパッド（いわゆるＣ４パッド：Controlled Collapsed Chip Connectionパッド）上に、はんだバンプを形成したもの（例えば特許文献１，２参照）が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１０−２２６０７５号公報（図１９Ａ等）
【特許文献２】特開平７−２１１７２２号公報（図４等）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところが、パッドは基板主面から突出しているため、ＩＣチップの搭載時にスリップ（位置ずれ）することにより、ＩＣチップがパッドから滑り落ちてしまうおそれがある。その結果、個々のパッドとＩＣチップとの間に接続不良（オープン不良、ショート不良など）が発生する可能性がある。ゆえに、製造される配線基板が不良品となるため、配線基板の信頼性が低下するおそれがある。
【０００５】
本発明は上記の課題に鑑みてなされたものであり、その第１の目的は、部品との接続に適した突起電極を備えることにより、信頼性を向上させることが可能な配線基板を提供することにある。また、第２の目的は、上記の優れた配線基板を得るのに好適な製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するための手段（手段１）としては、基板主面上の電極形成領域内に複数の突起電極が配置された配線基板であって、前記複数の突起電極のうち少なくとも１つは、上面に凹み部を有し、上端における外径が下端における外径よりも大きく設定され、全体として断面逆台形状をなしている異形突起電極であり、前記異形突起電極の前記上面と前記異形突起電極の側面との境界部分に、アール部が形成されていることを特徴とする配線基板がある。
【０００７】
従って、手段１の配線基板によると、複数の突起電極のうち少なくとも１つが、上面に凹み部を有する異形突起電極となっている。ゆえに、部品の底面側に配置された構造物（例えば、部品の底面側に配置された接続端子や、接続端子上に形成されたはんだバンプなど）を異形突起電極上に載置すれば、構造物の少なくとも一部が凹み部内に嵌り込むようになる。その結果、構造物が凹み部の内面に接触することによって構造物の位置ずれが防止されるため、複数の突起電極からの部品の脱落を未然に防止でき、ひいては、個々の突起電極と部品との接続不良を防止することができる。即ち、部品との接続に適した突起電極を備えることにより、配線基板の信頼性を向上させることが可能となる。また、異形突起電極の上端における外径が異形突起電極の下端における外径よりも大きく設定されているため、異形突起電極と部品側の構造物との接触面積を確保しやすくなる。その結果、部品側の構造物の位置ずれがより確実に防止されるため、配線基板の信頼性をよりいっそう向上させることができる。
【０００８】
上記配線基板を形成する材料は特に限定されず任意であるが、例えば、樹脂基板などが好適である。好適な樹脂基板としては、ＥＰ樹脂（エポキシ樹脂）、ＰＩ樹脂（ポリイミド樹脂）、ＢＴ樹脂（ビスマレイミド−トリアジン樹脂）、ＰＰＥ樹脂（ポリフェニレンエーテル樹脂）等からなる基板が挙げられる。そのほか、これらの樹脂とガラス繊維（ガラス織布やガラス不織布）との複合材料からなる基板を使用してもよい。その具体例としては、ガラス−ＢＴ複合基板、高Ｔｇガラス−エポキシ複合基板（ＦＲ−４、ＦＲ−５等）等の高耐熱性積層板などがある。また、これらの樹脂とポリアミド繊維等の有機繊維との複合材料からなる基板を使用してもよい。あるいは、連続多孔質ＰＴＦＥ等の三次元網目状フッ素系樹脂基材にエポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂を含浸させた樹脂−樹脂複合材料からなる基板等を使用してもよい。他の材料として、例えば各種のセラミックなどを選択することもできる。なお、かかる配線基板の構造としては特に限定されないが、例えばコア基板の片面または両面にビルドアップ層を有するビルドアップ多層配線基板や、コア基板を有さないコアレス配線基板などを挙げることができる。
【０００９】
上記基板主面上の電極形成領域の位置及び数は特に限定されず任意であるが、例えばいわゆる多数個取り基板の場合には配線基板の取り数に相当する数だけ電極形成領域が存在している。電極形成領域は配線基板における一方の主面のみに存在していてもよいが、他方の主面にも存在していてもよい。
【００１０】
また、突起電極（異形突起電極を含む）は、導電性の金属材料などによって形成することが可能である。突起電極を構成する金属材料としては、例えば銅、銀、鉄、コバルト、ニッケルなどが挙げられる。特に、突起電極は、導電性が高く安価な銅からなることが好ましい。また、突起電極は、めっきによって形成されることがよい。このようにすれば、突起電極を高精度かつ均一に形成することができる。仮に、突起電極を金属ペーストのリフローによって形成すると、突起電極を高精度かつ均一に形成することが困難になるため、個々の突起電極の高さにバラツキが生じてしまうおそれがある。
【００１１】
異形突起電極は、上面に凹み部を有している。凹み部の深さは特に限定されず任意であるが、例えば異形突起電極の高さの１％以上であることがよい。仮に、凹み部の深さが異形突起電極の高さの１％未満である場合、上記した構造物の少なくとも一部が凹み部内に嵌り込んだとしても、構造物の位置ずれを防止することが困難になるため、複数の突起電極からの部品の脱落を防止できない可能性がある。なお、凹み部の内面全体は曲面状をなし、凹み部の最深部は異形突起電極の中心軸上に位置していることが好ましい。即ち、凹み部の内面全体が曲面状をなしているため、上記した構造物が凹み部に嵌り込む際に、構造物は凹み部の最深部に導かれるようになる。しかも、最深部は異形突起電極の中心軸上に位置しているため、構造物が凹み部に嵌り込むことにより、構造物を正確に位置決めすることができる。
【００１２】
また、異形突起電極の上面と異形突起電極の側面との境界部分には、アール部が形成されている。アール部を設けるようにすれば、配線基板と上記した部品との間にアンダーフィルが充填されている場合にアンダーフィルに熱応力が加わったとしても、異形突起電極の上面と異形突起電極の側面との境界部分への応力集中が緩和される。これにより、アンダーフィルでのクラックの発生を確実に防止することができる。
【００１３】
なお、電極形成領域内には複数の突起電極が配置されているが、電極形成領域内に存在する突起電極の全てが、異形突起電極であることが好ましい。このようにすれば、多数の異形突起電極によって上記した構造物の位置ずれを防止することができるため、複数の突起電極からの部品の脱落をより確実に防止することができる。しかしながら、特に、複数の突起電極が電極形成領域内において基板主面の面方向に沿って縦横に複数配列されている場合、複数の突起電極のうち電極形成領域の外周部に位置する突起電極のみを、異形突起電極としてもよい。この場合、電極形成領域の外周部以外の領域に位置する突起電極は、上端における外径が下端における外径と等しく設定された電極となるため、異形突起電極よりも小さく形成することができる。ゆえに、突起電極間のピッチをよりいっそうファイン化することができる。
【００１４】
なお、異形突起電極について、その用途は限定されないが、例えば、凹み部上に載置される複数のはんだバンプを加熱溶融させることによって、部品の底面側に配置された複数の接続端子に対してフリップチップ接続される突起電極であることがよい。即ち、フリップチップ接続のための突起電極は、いわゆるＣ４パッドのファイン化に対応して、小さく形成される必要がある。よって、突起電極をフリップチップ接続する場合、部品の脱落に起因する配線基板の信頼性低下という本願特有の問題が起こりやすく、それゆえ上記手段１を採用する意義が大きくなる。
【００１５】
さらに、異形突起電極は、上端における外径が下端における外径の１．１倍以上２．０倍以下であることが好ましい。このようにすれば、Ｃ４パッドのファイン化に対応して、小さなはんだバンプを比較的容易に形成することができる。仮に、上端における外径が下端における外径の１．１倍未満であると、異形突起電極と部品側の構造物との接触面積を確保しにくくなるため、部品の脱落に起因する配線基板の信頼性低下という上記した本願特有の問題が起こりやすくなる。一方、上端における外径が下端における外径の２．０倍よりも大きくなると、隣接する異形突起電極同士が接触しやすくなるため、異形突起電極間のピッチのファイン化が困難になる。
【００１６】
はんだバンプに使用されるはんだ材料としては特に限定されないが、例えば錫鉛共晶はんだ（Ｓｎ／３７Ｐｂ：融点１８３℃）が使用される。錫鉛共晶はんだ以外のＳｎ／Ｐｂ系はんだ、例えばＳｎ／３６Ｐｂ／２Ａｇという組成のはんだ（融点１９０℃）などを使用してもよい。また、上記のような鉛入はんだ以外にも、Ｓｎ−Ａｇ系はんだ、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系はんだ、Ｓｎ−Ａｇ−Ｂｉ系はんだ、Ｓｎ−Ａｇ−Ｂｉ−Ｃｕ系はんだ、Ｓｎ−Ｚｎ系はんだ、Ｓｎ−Ｚｎ−Ｂｉ系はんだ等の鉛フリーはんだを選択することも可能である。
【００１７】
また、突起電極と接続する好適な部品としては、コンデンサ、レジスター、半導体集積回路素子（ＩＣチップ）、半導体製造プロセスで製造されたＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）素子などを挙げることができる。さらに、ＩＣチップとしては、ＤＲＡＭ（Dynamic Random Access Memory）、ＳＲＡＭ（Static Random Access Memory ）などを挙げることができる。ここで、「半導体集積回路素子」とは、主としてコンピュータのマイクロプロセッサ等として使用される素子をいう。
【００１８】
上記課題を解決するための別の手段（手段２）としては、上記手段１に記載の配線基板を製造する方法であって、複数の層間絶縁層を積層してなる積層部を準備する積層部準備工程と、前記複数の層間絶縁層のうち前記基板主面を有する最上層の層間絶縁層の上にレジストを形成するレジスト形成工程と、前記レジストに、上端側開口の内径が下端側開口の内径よりも大きく設定された開口部を形成する開口部形成工程と、前記開口部の内側に対してめっきを行うことにより、前記開口部に前記異形突起電極を形成する異形突起電極形成工程とを含むことを特徴とする配線基板の製造方法がある。
【００１９】
従って、手段２の配線基板の製造方法によれば、異形突起電極形成工程を行うことにより、上面に凹み部を有する異形突起電極が形成される。ゆえに、部品の底面側に配置された構造物（例えば、上記した接続端子やはんだバンプなど）を異形突起電極上に載置すれば、構造物の少なくとも一部が凹み部内に嵌り込むようになる。その結果、構造物が凹み部の内面に接触することによって構造物の位置ずれが防止されるため、複数の突起電極からの部品の脱落を未然に防止でき、ひいては、個々の突起電極と部品との接続不良を防止することができる。即ち、部品との接続に適した突起電極を備える配線基板を製造できるため、配線基板の信頼性を向上させることが可能となる。また、開口部形成工程において、上端側開口の内径が下端側開口の内径よりも大きく設定された開口部を形成することにより、異形突起電極形成工程において、上端における外径が下端における外径よりも大きく設定された異形突起電極を形成することができる。よって、異形突起電極と部品側の構造物との接触面積を確保しやすくなる。その結果、部品側の構造物の位置ずれがより確実に防止されるため、配線基板の信頼性をよりいっそう向上させることができる。
【００２０】
以下、手段２にかかる配線基板の製造方法について説明する。
【００２１】
積層部準備工程では、複数の層間絶縁層を積層してなる積層部を準備する。層間絶縁層は、絶縁性、耐熱性、耐湿性等を考慮して適宜選択することができる。層間絶縁層の形成材料の好適例としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ウレタン樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂などの熱硬化性樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、ポリアセタール樹脂、ポリプロピレン樹脂などの熱可塑性樹脂等が挙げられる。そのほか、これらの樹脂とガラス繊維（ガラス織布やガラス不織布）やポリアミド繊維等の有機繊維との複合材料、あるいは、連続多孔質ＰＴＦＥ等の三次元網目状フッ素系樹脂基材にエポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂を含浸させた樹脂−樹脂複合材料等を使用してもよい。なお、層間絶縁層には、層間接続のためのビア導体を形成するために、あらかじめビア穴が形成されていてもよい。
【００２２】
レジスト形成工程では、複数の層間絶縁層のうち基板主面を有する最上層の層間絶縁層の上にレジストを形成する。続く開口部形成工程では、レジストに、上端側開口の内径が下端側開口の内径よりも大きく設定された開口部を形成する。開口部を形成する方法としては、レジストに対するドリル加工を行って開口部を形成する方法、レジストに対するレーザー加工を行って開口部を形成する方法、露光及び現像を行って開口部を形成する方法、打ち抜き金型を用いてレジストを打ち抜くことにより、レジストに開口部を形成する方法などが挙げられる。
【００２３】
続く異形突起電極形成工程では、開口部の内側に対してめっきを行うことにより、開口部に異形突起電極を形成する。以上のプロセスを経て、配線基板が製造される。
【００２４】
なお、異形突起電極形成工程後、異形突起電極に対してエッチングを行うことにより、異形突起電極の上面と異形突起電極の側面との境界部分にアール部を形成するアール部形成工程を行うことが好ましい。アール部を設けるようにすれば、配線基板と上記した部品との間にアンダーフィルが充填されている場合にアンダーフィルに熱応力が加わったとしても、異形突起電極の上面と異形突起電極の側面との境界部分への応力集中が緩和される。これにより、アンダーフィルでのクラックの発生を確実に防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】本実施形態におけるコアレス配線基板の構成を示す概略断面図。
【図２】コアレス配線基板を示す概略平面図。
【図３】コアレス配線基板の要部断面図。
【図４】コアレス配線基板の製造方法を示す説明図。
【図５】コアレス配線基板の製造方法を示す説明図。
【図６】コアレス配線基板の製造方法を示す説明図。
【図７】コアレス配線基板の製造方法を示す説明図。
【図８】コアレス配線基板の製造方法を示す説明図。
【図９】コアレス配線基板の製造方法を示す説明図。
【図１０】コアレス配線基板の製造方法を示す説明図。
【図１１】コアレス配線基板の製造方法を示す説明図。
【図１２】コアレス配線基板の製造方法を示す説明図。
【図１３】他の実施形態におけるコアレス配線基板の構成を示す概略断面図。
【図１４】他の実施形態におけるコアレス配線基板を示す概略平面図。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
以下、本発明を具体化した一実施形態を図面に基づき詳細に説明する。
【００２７】
図１は、本実施形態のコアレス配線基板１０１（配線基板）を示す概略断面図である。コアレス配線基板１０１は、コア基板を有さず、エポキシ樹脂からなる４層の樹脂絶縁層４１，４２，４３，４４と銅からなる導体層５１とを交互に積層した構造を有する配線基板である。樹脂絶縁層４１〜４４は、同一の厚さ及び材料からなる層間絶縁層である。
【００２８】
さらに、各樹脂絶縁層４１〜４４には、それぞれビア穴１４６及びビア導体１４７が設けられている。各ビア穴１４６は、逆円錐台形状をなし、各樹脂絶縁層４１〜４４に対してＹＡＧレーザーまたは炭酸ガスレーザーを用いた穴あけ加工を施すことにより形成される。各ビア導体１４７は、同一方向（図１では上方向）に拡径した導体であって、各導体層５１を相互に電気的に接続している。
【００２９】
図１に示されるように、コアレス配線基板１０１の第２基板主面１０３上（第１層の樹脂絶縁層４１の下面上）には、ＢＧＡ用パッド５３がアレイ状に配設されている。また、樹脂絶縁層４１の下面は、ソルダーレジスト４７によってほぼ全体的に覆われている。ソルダーレジスト４７には、各ＢＧＡ用パッド５３を露出させる開口部４８が形成されている。各ＢＧＡ用パッド５３の表面上には、高さ４００μｍ〜６００μｍ程度の複数のはんだバンプ１５５が配設されている。各はんだバンプ１５５は、図示しないマザーボード側の端子との電気的に接続に用いられる、いわゆるＢＧＡバンプである。
【００３０】
一方、図２に示されるように、コアレス配線基板１０１の第１基板主面１０２上（第４層の樹脂絶縁層４４の表面上）には、平面視略矩形状の電極形成領域１３３が設定されている。そして、電極形成領域１３３内には、複数の異形突起電極１１が第１基板主面１０２の面方向に沿って縦横に複数配列されている。なお本実施形態では、電極形成領域１３３内に存在する突起電極の全てが異形突起電極１１となっている。
【００３１】
図３に示されるように、異形突起電極１１は、平面視円形状をなし、上端における外径Ａ１が下端における外径Ａ２よりも大きく設定され、全体として断面逆台形状をなしている。換言すると、異形突起電極１１は、高さ方向に切断した断面を平面方向から見たときの形状が、両側縁が下端に行くに従って互いに接近する逆テーパ状をなしている。なお、各異形突起電極１１の上端における外径Ａ１は７０μｍ以上１８０μｍ以下（本実施形態では１１０μｍ）に設定され、各異形突起電極１１の下端における外径Ａ２は６０μｍ以上１２０μｍ以下（本実施形態では８０μｍ）に設定されている。即ち、異形突起電極１１は、上端における外径Ａ１が下端における外径Ａ２の１．１倍以上２．０倍以下（本実施形態では１．３倍）に設定されている。また、異形突起電極１１の高さは、４０μｍに設定されている。
【００３２】
図３に示されるように、異形突起電極１１は、上面１２に凹み部１３を有している。凹み部１３は、すり鉢状をなすとともに、内面全体が曲面状をなしている。そして、凹み部１３の最深部は、異形突起電極１１の中心軸Ｃ１上に位置している。なお、「中心軸Ｃ１」とは、平面視で異形突起電極１１の中心となる箇所を通る軸線のことをいう。また、凹み部１３の深さは、異形突起電極１１の高さ（４０μｍ）の１％以上であって、異形突起電極１１の高さの１０分の１以上３分の１以下であり、本実施形態では８μｍに設定されている。さらに、異形突起電極１１は、上面１２と側面１４との境界部分にアール部１５を有している。なお、アール部１５の半径は、０．５μｍ以上（本実施形態では１．０μｍ）となっている。
【００３３】
なお、各異形突起電極１１は、銅層、ニッケル層、パラジウム層及び金層によって構成されている。銅層は、第１基板主面１０２を無電解銅めっき及び電解銅めっきで被覆することによって形成されためっき層である。ニッケル層は、後述するソルダーレジスト４５の開口部４６を介して露出した銅層の表面を電解ニッケルめっきで被覆することによって形成されためっき層である。パラジウム層は、ニッケル層の表面を電解パラジウムめっきで被覆することによって形成されためっき層である。金層は、パラジウム層の表面を電解金めっきで被覆することによって形成されためっき層である。
【００３４】
また、図１に示されるように、樹脂絶縁層４４の表面（第１基板主面１０２）はソルダーレジスト４５によってほぼ全体的に覆われている。このソルダーレジスト４５には、各異形突起電極１１を露出させる開口部４６が形成されている。なお、各異形突起電極１１は、はんだバンプ１３０を介して、矩形平板状をなすＩＣチップ１３１（部品）の底面に配置された接続端子１３２に接続されるようになっている。即ち、はんだバンプ１３０は、ＩＣチップ１３１の接続端子１３２とのフリップチップ接続に用いられる、いわゆるＣ４用のバンプである。
【００３５】
そして、第１基板主面１０２とＩＣチップ１３１との隙間には、アンダーフィル１３４が充填されている。その結果、コアレス配線基板１０１とＩＣチップ１３１とが、隙間が封止された状態で互いに固定される。なお、本実施形態のアンダーフィル１３４は、熱膨張係数が２０〜６０ｐｐｍ／℃程度（具体的には３４ｐｐｍ／℃）のエポキシ樹脂からなる。
【００３６】
次に、コアレス配線基板１０１の製造方法について説明する。
【００３７】
積層部準備工程では、コアレス配線基板１０１の中間製品となるべき積層部８０を作製し、あらかじめ準備しておく。なお、コアレス配線基板１０１の中間製品は、コアレス配線基板１０１となるべき製品部を平面方向に沿って複数配列した構造を有している。コアレス配線基板１０１の中間製品は以下のように作製される。まず、ガラスエポキシ基板などの十分な強度を有する支持基板７０を準備する（図４参照）。次に、支持基板７０上に、エポキシ樹脂からなるシート状の絶縁樹脂基材を半硬化の状態で貼り付けて下地樹脂絶縁層７１を形成することにより、支持基板７０及び下地樹脂絶縁層７１からなる基材６９を得る（図４参照）。そして、基材６９の片面（具体的には下地樹脂絶縁層７１の上面）に、積層金属シート体７２を配置する（図４参照）。ここでは、半硬化の状態の下地樹脂絶縁層７１上に積層金属シート体７２を配置することにより、以降の製造工程で積層金属シート体７２が下地樹脂絶縁層７１から剥れない程度の密着性が確保される。積層金属シート体７２は、２枚の銅箔７３，７４を剥離可能な状態で密着させる。具体的には、金属めっき（例えば、クロムめっき）を介して各銅箔７３，７４を積層することで積層金属シート体７２が形成されている。
【００３８】
その後、積層金属シート体７２上にシート状の絶縁樹脂基材４０を積層し、真空圧着熱プレス機（図示略）を用いて真空下にて加熱加圧することにより、絶縁樹脂基材４０を硬化させて第１層の樹脂絶縁層４１を形成する（図４参照）。そして、図５に示されるように、レーザー加工を施すことによって樹脂絶縁層４１の所定の位置にビア穴１４６を形成し、次いで各ビア穴１４６内のスミアを除去するデスミア処理を行う。その後、従来公知の手法に従って無電解銅めっき及び電解銅めっきを行うことにより、各ビア穴１４６内にビア導体１４７を形成する。さらに、従来公知の手法（例えばセミアディティブ法）によってエッチングを行うことにより、樹脂絶縁層４１上に導体層５１をパターン形成する（図６参照）。
【００３９】
また、第２層〜第４層の樹脂絶縁層４２〜４４及び導体層５１についても、上述した樹脂絶縁層４１及び導体層５１と同様の手法によって形成し、樹脂絶縁層４１上に積層していく。そして、樹脂絶縁層４４上に感光性エポキシ樹脂を塗布して硬化させることにより、ソルダーレジスト４５を形成する。次に、所定のマスクを配置した状態で露光及び現像を行い、ソルダーレジスト４５に開口部４６をパターニングする。以上の製造工程によって、支持基板７０上に積層金属シート体７２、樹脂絶縁層４１〜４４及び導体層５１を積層してなる積層部８０を形成する（図７参照）。なお図７に示されるように、積層部８０において積層金属シート体７２上に位置する領域が、コアレス配線基板１０１の中間製品となるべき積層部８０となる。
【００４０】
次に、基材６９を除去して銅箔７３を露出させる。具体的に言うと、積層金属シート体７２における２枚の銅箔７３，７４の界面で剥離して、積層部８０を支持基板７０から分離する（図８参照）。そして、積層部８０（樹脂絶縁層４１）の第２基板主面１０３（下面）上にある銅箔７３に対してエッチングによるパターンニングを行うことにより、樹脂絶縁層４１における第２基板主面１０３上の領域にＢＧＡ用パッド５３を形成する（図９参照）。その後、ＢＧＡ用パッド５３が形成された樹脂絶縁層４１上に感光性エポキシ樹脂を塗布して硬化させることにより、積層部８０の第２基板主面１０３を覆うようにソルダーレジスト４７を形成する（図９参照）。次に、所定のマスクを配置した状態で露光及び現像を行い、ソルダーレジスト４７に開口部４８をパターニングする。
【００４１】
次に、レジスト形成工程を行う。具体的には、第１基板主面１０２を有する最上層の樹脂絶縁層４４の上、具体的には、ソルダーレジスト４５の表面にドライフィルムをラミネートして、めっきレジスト８１（図１０参照）を形成する。続く開口部形成工程では、めっきレジスト８１に対してレーザー加工機を用いたレーザー加工を行う。その結果、ソルダーレジスト４５の開口部４６と連通する位置に、上端側開口の内径が下端側開口の内径よりも大きく設定されるとともに、下端側開口の内径が開口部４６の上端側開口の内径と等しく設定された開口部８２が形成される（図１０参照）。なお、開口部８２の下端側開口の内径は開口部４６の上端側開口の内径よりも大きく設定されていてもよい。
【００４２】
続く異形突起電極形成工程では、開口部８２の内側に対してめっきを行うことによって開口部８２に異形突起電極１１を形成する。具体的に言うと、まず、電解銅めっきを行い、開口部８２の内面、及び、第１基板主面１０２に露出したビア導体１４７の上端面に対して銅層を形成する。次に、電解ニッケルめっきを行い、ソルダーレジスト４５の開口部４６を介して露出した銅層の表面にニッケル層を形成する。さらに、電解ストライクパラジウムめっき及び電解パラジウムめっきを行い、ニッケル層上にパラジウム層を形成する。なお、パラジウム層を、電解ストライクパラジウムめっきのみを行うことで形成してもよい。そして、電解金めっきを行い、パラジウム層上に金層を形成する。ここで、銅層の厚さは４０μｍ程度に設定され、ニッケル層、パラジウム層及び金層の厚さは、それぞれ０．０１μｍ以上１５μｍ以下に設定されている。なお、本実施形態では、銅層、ニッケル層、パラジウム層及び金層を、電解めっきによって形成しているが、無電解めっき、スパッタ法、ＣＶＤ等の他の方法により形成することも可能である。しかし、特に銅層において必要な高さ（４０μｍ程度）を得るためには、めっきによって形成することが好ましい。
【００４３】
また本実施形態では、めっきの条件を調整することにより、金層が形成された時点で、異形突起電極１１の上面１２に凹み部１３が形成される。具体的には、まず、銅層の下側部分を通常のめっき条件で形成する。そして、通常とは異なるめっき条件に変更した状態で銅層の上側部分を形成する。めっき条件を変更する方法としては、例えば、めっき浴におけるめっきの撹拌量を減らすことや、めっきに含まれる光沢剤の分量を増加または減少させることや、めっきに弱酸（例えば、次亜塩素酸ナトリウムなど）を添加することなどが挙げられる。即ち、めっき条件を、ピットやザラツキなどのはんだ不良が発生する条件に敢えて変更することが考えられる。なお、凹み部１３を、押圧治具を用いて異形突起電極１１の頂部をプレスすることによって形成してもよいし、切削工具を用いた切削加工によって形成してもよい。また、凹み部１３を、ソフトエッチングを行うことによって形成してもよい。
【００４４】
その後、めっきレジスト８１を剥離する（図１１参照）。さらに、異形突起電極形成工程後のアール部形成工程では、異形突起電極１１に対してソフトエッチングを行う。その結果、異形突起電極１１の上面１２と異形突起電極１１の側面１４との境界部分に曲面で構成されるアール部１５が形成される。
【００４５】
次に、積層部８０の第２基板主面１０３側に形成されている複数のＢＧＡ用パッド５３上にはんだバンプ１５５を形成する。具体的には、図示しないはんだボール搭載装置を用いて各ＢＧＡ用パッド５３上にはんだボールを配置した後、はんだボールを所定の温度に加熱してリフローすることにより、各ＢＧＡ用パッド５３上にはんだバンプ１５５を形成する。なお、この時点で、コアレス配線基板１０１の中間製品が完成する。
【００４６】
続く分離工程では、従来周知の切断装置などを用いてコアレス配線基板１０１の中間製品を分割する。その結果、製品部同士が分割され、個々の製品であるコアレス配線基板１０１が多数個同時に得られる（図１参照）。
【００４７】
その後、ＩＣチップ搭載工程を実施する。具体的に言うと、まず、コアレス配線基板１０１の電極形成領域１３３にＩＣチップ１３１を載置する（図１２参照）。このとき、ＩＣチップ１３１の底面側に配置されたはんだバンプ１３０を、コアレス配線基板１０１側に配置された異形突起電極１１の凹み部１３上に載置するようにする。そして、２３０℃〜２６０℃程度の温度に加熱して各はんだバンプ１３０をリフローすることにより、異形突起電極１１が接続端子１３２に対してフリップチップ接続され、コアレス配線基板１０１にＩＣチップ１３１が搭載される。さらに、コアレス配線基板１０１の第１基板主面１０２とＩＣチップ１３１との隙間にアンダーフィル１３４を充填して硬化処理を行い、隙間を樹脂封止する。
【００４８】
従って、本実施形態によれば以下の効果を得ることができる。
【００４９】
（１）本実施形態のコアレス配線基板１０１では、電極形成領域１３３に存在する突起電極の全てが、上面１２に凹み部１３を有する異形突起電極１１となっている。ゆえに、ＩＣチップ１３１の底面側に配置されたはんだバンプ１３０を異形突起電極１１上に載置すれば、はんだバンプ１３０の少なくとも一部が凹み部１３内に嵌り込むようになる（図１２参照）。その結果、はんだバンプ１３０が凹み部１３の内面に接触することによってはんだバンプ１３０の位置ずれが防止されるため、複数の異形突起電極１１からのＩＣチップ１３１の脱落を未然に防止でき、ひいては、個々の異形突起電極１１とＩＣチップ１３１との接続不良を防止することができる。即ち、ＩＣチップ１３１との接続に適した異形突起電極１１を備えることにより、コアレス配線基板１０１の信頼性を向上させることが可能となる。
【００５０】
また、異形突起電極１１の上端における外径Ａ１が異形突起電極１１の下端における外径Ａ２よりも大きく設定されているため、異形突起電極１１とＩＣチップ１３１側のはんだバンプ１３０との接触面積を確保しやすくなる。その結果、はんだバンプ１３０の位置ずれがより確実に防止されるため、コアレス配線基板１０１の信頼性をよりいっそう向上させることができる。
【００５１】
（２）本実施形態では、電極形成領域１３３内に存在する突起電極の全てが、異形突起電極１１となっている。この場合、多数の異形突起電極１１によって複数のはんだバンプ１３０の位置ずれが防止されるため、複数の異形突起電極１１からのＩＣチップ１３１の脱落をより確実に防止することができる。
【００５２】
（３）本実施形態の異形突起電極１１は、全体として断面逆台形状をなし、上端における外径Ａ１がソルダーレジスト４５の開口部４６の上端における外径よりも大きくなっている。その結果、ソルダーレジスト４５が剥離したとしても、異形突起電極１１に引っ掛かることによって剥離が抑えられる。ゆえに、コアレス配線基板１０１の信頼性がよりいっそう向上する。
【００５３】
（４）本実施形態では、異形突起電極１１を高さ方向に切断した断面を平面方向から見たときに、側面１４を構成する辺が直線状をなしている。これに伴い、異形突起電極１１の上部の形成に用いられるめっきレジスト８１の開口部８２は、めっきレジスト８１を厚さ方向に切断した断面を平面方向から見たとき、開口部８２の上端側開口端と下端側開口端とを結ぶ線が直線状になる（図１０参照）。また、異形突起電極１１の下部の形成に用いられるソルダーレジスト４５の開口部４６も、ソルダーレジスト４５を厚さ方向に切断した断面を平面方向から見たとき、開口部４６の上端側開口端と下端側開口端とを結ぶ線が直線状になる（図１０参照）。その結果、開口部４６，８２がレーザー加工しやすい形状となるため、異形突起電極１１の形成、ひいては、コアレス配線基板１０１の形成が容易になる。
【００５４】
なお、本実施形態を以下のように変更してもよい。
【００５５】
・上記実施形態では、異形突起電極１１を高さ方向に切断した断面を平面方向から見たときに、側面１４を構成する辺が直線状をなしていたが、側面１４を構成する辺の上部が曲線状をなしていてもよい。
【００５６】
・上記実施形態では、電極形成領域１３３内に存在する突起電極の全てが、異形突起電極１１となっていた。しかし、図１３，図１４に示すコアレス配線基板２０１のように、複数の突起電極のうち電極形成領域２０２の外周部に位置する突起電極のみを、異形突起電極２０３としてもよい。なお、電極形成領域２０２の外周部以外の領域に位置する突起電極２０４は、上端における外径が下端における外径と等しく設定された円柱状の電極であるため、異形突起電極２０３よりも小さく形成することができる。ゆえに、突起電極間のピッチをよりいっそうファイン化することができる。
【００５７】
・上記実施形態のコアレス配線基板１０１では、第１基板主面１０２のみに異形突起電極１１が形成されていたが、これに限定されるものではない。例えば、第１基板主面１０２及び第２基板主面１０３の両方に異形突起電極１１が形成されていてもよい。
【００５８】
・上記実施形態では、コアレス配線基板１０１のパッケージ形態はＢＧＡ（ボールグリッドアレイ）であるが、ＢＧＡのみに限定されず、例えばＰＧＡ（ピングリッドアレイ）やＬＧＡ（ランドグリッドアレイ）等であってもよい。
【００５９】
次に、前述した実施形態によって把握される技術的思想を以下に列挙する。
【００６０】
（１）基板主面上の電極形成領域内に複数の突起電極が配置された配線基板であって、前記複数の突起電極のうち少なくとも１つは、上面に凹み部を有し、上端における外径が下端における外径よりも大きく設定され、高さ方向に切断した断面を平面方向から見たときの形状が、両側縁が下端に行くに従って互いに接近する逆テーパ状をなしている異形突起電極であることを特徴とする配線基板。
【００６１】
（２）上記手段１において、前記凹み部の深さは、前記異形突起電極の高さの１０分の１以上３分の１以下であることを特徴とする配線基板。
【符号の説明】
【００６２】
１１，２０３…突起電極としての異形突起電極
１２…異形突起電極の上面
１３…凹み部
１４…異形突起電極の側面
１５…アール部
４１，４２，４３，４４…層間絶縁層としての樹脂絶縁層
８０…積層部
８１…レジストとしてのめっきレジスト
８２…開口部
１０１，２０１…配線基板としてのコアレス配線基板
１０２…基板主面としての第１基板主面
１３０…はんだバンプ
１３１…部品としてのＩＣチップ
１３２…接続端子
１３３，２０２…電極形成領域
２０４…突起電極
Ａ１…上端における外径
Ａ２…下端における外径
Ｃ１…中心軸
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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