(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理基板に対して複数の電子ビームにより描画を行う電子ビーム描画装置であって、
前記複数の電子ビームが通過する複数の孔を含み、前記描画を実施する際に前記被処理基板に対向する場所に位置する電子レンズと、
前記電子レンズに付着した分解生成物に対して活性種を放出し、該活性種と前記分解生成物とを反応させることで該分解生成物を還元して揮発性ガスに変化させる洗浄手段と、を備え、
前記洗浄手段は、前記活性種が前記複数の孔の形成位置に向かって放出されるように形成された複数の開口部を有し、
前記複数の開口部の少なくとも一部の開口部の各々は、前記複数の孔の形成位置の各々に対向することを特徴とする電子ビーム描画装置。
【請求項２】
前記複数の開口部の少なくとも一部の開口部の各々は、前記複数の孔の各々と同軸に形成されることを特徴とする請求項１に記載の電子ビーム描画装置。
【請求項３】
前記洗浄手段は、前記電子レンズに対向する面が前記電子レンズを支持する固定部に接続可能に開かれた本体部を備え、
前記本体部は、前記面に、前記複数の開口部を有する開口アレイを備えることを特徴とする請求項１または２に記載の電子ビーム描画装置。
【請求項４】
前記洗浄手段は、前記開口アレイを駆動する駆動機構を備えることを特徴とする請求項３に記載の電子ビーム描画装置。
【請求項５】
前記被処理基板を載置し、描画位置を基準として移動可能とする基板保持部と、
前記基板保持部、および前記洗浄手段の動作を制御する制御部と、を備え、
前記洗浄手段は、前記本体部を支持し、該本体部を前記固定部に向けて移動可能とする支柱部を備え、
前記制御部は、前記活性種の放出の際には、前記描画位置から前記基板保持部を移動させた後に、前記支柱部を前記固定部に向けて移動させて前記本体部と前記固定部とを接続させることを特徴とする請求項３または４に記載の電子ビーム描画装置。
【請求項６】
前記本体部と前記固定部とを接続させたとき、前記開口部から前記電子レンズの最奥部までの距離は、前記開口部から前記電子レンズを含む領域での最大圧力における前記活性種の平均自由行程よりも短いことを特徴とする請求項３〜５のいずれか１項に記載の電子ビーム描画装置。
【請求項７】
前記開口部の数は、前記孔の数と等しい、または前記孔の数よりも多いことを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の電子ビーム描画装置。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか１項に記載の描画装置を用いて基板に描画を行う工程と、
前記工程で描画を行われた基板を現像する工程と、
を含むことを特徴とする物品の製造方法。
【請求項９】
複数の電子ビームを通過する複数の孔を備える電子レンズの洗浄方法であって、
前記電子レンズに付着した物と活性種とを反応させることによって揮発性ガスに変化させる場合に、
前記活性種を複数の開口部から前記複数の孔に向かって放出させ、
前記複数の開口部の少なくとも一部の開口部の各々を前記複数の孔の各々に対向させることを特徴とする洗浄方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、特に、洗浄機構を有する電子ビーム描画装置、およびそれを用いた物品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体集積回路などのデバイスの製造に用いられる電子ビーム描画装置は、素子の微細化、回路パターンの複雑化、またはパターンデータの大容量化が進み、描画精度の向上、および、描画スループットの向上が要求されている。しかしながら、例えば、被処理基板上に位置する電子レンズが微細なアパーチャ（孔）で形成されていると、レジストからの２次電子とアウトガスとが作用することにより、アパーチャの表面と内部とにコンタミネーション（分解生成物）が付着する。このようなコンタミネーションの堆積は、描画の位置精度や収差などへ大きな影響を及ぼす。そこで、例えば、特許文献１は、プラズマまたはラジカル（活性種）の少なくとも一方からなる内部汚染物除去用ガスを生成するガス生成装置を有し、生成されたプラズマまたはラジカルを用いて装置内部の一部を洗浄する荷電ビーム装置を開示している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平８−１３９０１０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１に示す描画装置では、その内部の微細なアパーチャでは、コンダクタンスが小さいためにラジカルが失活し、また、ラジカルがコンタミネーションに十分に到達しないため、十分に洗浄できない場合がある。
【０００５】
本発明は、このような状況を鑑みてなされたものであり、電子レンズの孔の内部にまで付着したコンタミネーションを除去するのに有利な洗浄機構を有する電子ビーム描画装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために、本発明は、被処理基板に対して複数の電子ビームにより描画を行う電子ビーム描画装置であって、複数の電子ビームが通過する複数の孔を含み、描画を実施する際に被処理基板に対向する場所に位置する電子レンズと、電子レンズに付着した分解生成物に対して活性種を放出し、該活性種と分解生成物とを反応させることで該分解生成物を還元して揮発性ガスに変化させる洗浄手段と、を備え、洗浄手段は、活性種が複数の孔の形成位置に向かって放出されるように形成された複数の開口部を有し、複数の開口部の少なくとも一部の開口部の各々は、複数の孔の形成位置の各々に対向することを特徴とする。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、電子レンズの孔の内部にまで付着したコンタミネーションを除去するのに有利な洗浄機構を有する電子ビーム描画装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の第１実施形態に係る電子ビーム描画装置の構成を示す図である。
【図２】鏡筒部と洗浄機構とを接続した状態を示す図である。
【図３】アパーチャアレイを駆動する駆動機構を模式的に示す図である。
【図４】本発明の第２実施形態に係る洗浄機構の構成を示す図である。
【図５】本発明の第３実施形態に係る洗浄機構の構成を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本発明を実施するための形態について図面等を参照して説明する。
【００１０】
（第１実施形態）
まず、本発明の第１実施形態に係る電子ビーム描画装置（以下、単に「描画装置」と表記する）について説明する。以下、各実施形態において説明する描画装置は、複数の電子ビームを偏向させ、電子ビームの照射のＯＮ／ＯＦＦを個別に制御することで、所定の描画データをウエハ（被処理基板）の所定の位置に描画するマルチビーム方式を採用するものとする。図１は、本実施形態に係る描画装置の構成を示す図である。また、以下の図においては、被処理基板に対する電子ビームの照射方向にＺ軸を取り、Ｚ軸に垂直な平面内に互いに直交するＸ軸およびＹ軸を取っている。描画装置１は、まず、電子銃２と、該電子銃２のクロスオーバ３から発散した電子ビームを複数の電子ビームに分割、偏向、および結像させる光学系４と、ウエハ８を保持する基板ステージ５と、描画装置１の各構成要素の動作などを制御する制御部６とを備える。なお、ウエハ８は、例えば、単結晶シリコンからなる被処理体であり、表面上には感光性のレジストが塗布されている。
【００１１】
電子銃２は、熱や電界の印加により電子ビーム（荷電粒子線）を放出する機構であり、図１ではクロスオーバ３から放出された電子ビームの軌道９を点線で示す。光学系４は、電子銃２から基板ステージ５に向けて順に、コリメーターレンズ１０、アパーチャアレイ１１、第１静電レンズ１２、ブランキング偏向器１３、ストッピングアパーチャアレイ１４、偏向器１５、および第２静電レンズ１６を備える。コリメーターレンズ１０は、電磁レンズで構成され、クロスオーバ３で発散した複数の電子ビームを平行ビームとする光学素子である。アパーチャアレイ１１は、マトリクス状に配列した複数の円形状の開口を有し、コリメーターレンズ１０から入射した電子ビームを複数の電子ビームに分割する機構である。第１静電レンズ１２は、円形状の開口を有する３枚の電極板（図中、３枚の電極板を一体で示している）から構成され、ストッピングアパーチャアレイ１４に対して電子ビームを結像させる光学素子である。ブランキング偏向器（ブランカー）１３およびストッピングアパーチャアレイ１４は、共にマトリクス状に配置され、各電子ビームの照射のＯＮ／ＯＦＦ動作を実施する機構である。特に、ストッピングアパーチャアレイ１４は、第１静電レンズ１２が最初に電子ビームのクロスオーバを形成する位置に配置される。偏向器（ディフレクター）１５は、基板ステージ５上に載置されたウエハ８の表面上の像をＸ方向に偏向する機構である。さらに、第２静電レンズ１６は、ストッピングアパーチャアレイ１４を通過した電子ビームをウエハ８に結像させる光学素子である。この第２静電レンズ１６は、描画工程ではウエハ８に対向する場所に位置する。
【００１２】
基板ステージ５は、ウエハ８を、例えば静電吸着により保持し、かつ、ＸＹ平面内を電子ビームの照射位置に対して移動可能とする基板保持部である。さらに、制御部６は、描画装置１の各構成要素の動作および調整等を制御しうる。制御部６は、例えば、コンピュータ等で構成され、描画装置１の各構成要素に回線を介して接続され、プログラム等にしたがって各構成要素の制御を実行しうる。
【００１３】
ここで、電子ビームは、大気圧雰囲気下ではすぐに減衰する性質を有する。そこで、描画装置１は、高電圧による放電を防止する意味もかねて、電子銃２および光学系４を取り囲む真空チャンバーである鏡筒部１７を備える。この鏡筒部１７の内部は、不図示の真空排気系により第１排気口１８を介して、例えば１０−５Ｐａ以下の高い真空度に保たれている。一方、描画装置１は、基板ステージ５および後述する洗浄機構を取り囲む、鏡筒部１７に連設したステージチャンバー１９を備える。このステージチャンバー１９の内部は、上記の真空排気系とは独立した別の真空排気系により、第２排気口２０を介して真空排気されるが、真空度は、鏡筒部１７の内部の真空度よりも低く設定してもよい。なお、本実施形態では、鏡筒部１７とステージチャンバー１９との内部圧力を異ならせる構成としているが、１つの真空排気系により同一の内部圧力としてもよい場合もある。
【００１４】
また、一般に、ウエハ８上のレジストに対して電子ビームが照射されると、レジストから有機成分のガスが放出され、同時に２次電子も放出される。したがって、これに起因して、特にレジスト面に近い第２静電レンズ（電子レンズ）１６には、その表面だけでなくレンズのアパーチャ（孔）の側面にも、ガスのコンタミネーション（分解生成物）が付着する。このコンタミネーションは、カーボンを主成分とする場合が多い。そこで、本実施形態の描画装置１は、ステージチャンバー１９の内部に、コンタミネーションを除去する洗浄機構２１を備える。
【００１５】
図２は、鏡筒部１７に内包された第２静電レンズ１６と、ステージチャンバー１９に内包された洗浄機構２１とを模式的に示す図である。この図２は、特に、第２静電レンズ１６に付着したコンタミネーションに起因して光学系４の特性が変化し、描画精度が基準よりも悪化する前に、洗浄機構２１により第２静電レンズ１６を洗浄する際の状態を示す。具体的には、制御部６が、描画工程を一旦停止して基板ステージ５を描画位置から図１中のＸ１方向に退避させ、基板ステージ５の下部に退避していた洗浄機構２１を図１中のＺ１方向上部に移動させて、第２静電レンズ１６の固定部２２に結合させた状態である。ここで、図２では、説明のために、鏡筒部１７の内部には第２静電レンズ１６の構成のみを記載する。この第２静電レンズ１６は、図２に示すように、詳細には複数の電子ビームが通過する孔（開口）３０を有する導体で形成された３つの電極（第１電極３１、第２電極３２、および第３電極３３）を含む。これらの各電極３１〜３３は、それぞれに形成された孔３０を全て同軸上に配置しつつ、それぞれ鏡筒部１７の一部分である固定部２２の内部に支持される。
【００１６】
洗浄機構２１は、ラジカル（活性種：例えば水素ラジカルＨ＊）を第２静電レンズ１６に向けて射出し、第２静電レンズ１６に付着したコンタミネーション３４と反応させることで、コンタミネーション３４を還元して揮発性ガスに変化させる洗浄手段である。この洗浄機構２１は、１つの面が第２静電レンズ１６を支持する固定部２２に対向し、接続可能に開かれた箱型の本体部３５と、この本体部３５を支持し、垂直方向（Ｚ方向）に移動可能とする支柱部３６とを備える。また、洗浄機構２１は、ステージチャンバー１９の外部に、ラジカルＨ＊を生成するラジカル生成部（活性種生成部）５０と、このラジカル生成部５０に原料ガス（例えば水素ガス）を供給する原料ガス供給部５１とを備える。本実施形態では、ラジカル生成部５０で生成されたラジカルＨ＊は、支柱部３６の内部空間を通じて本体部３５に供給される。なお、支柱部３６の内部の材質は、水素ラジカルの失活が少ない材料である石英としてもよい。ラジカル生成部５０は、その内部にタングステン製のホットフィラメント５２を備え、このホットフィラメント５２は、導線５３を介して不図示の電源に接続されており、ラジカル生成時には、電源から供給される電流により、およそ１７００℃に加熱される。このラジカル生成部５０では、内部に供給された水素分子が高温のタングステンの触媒作用により分解されて水素ラジカルＨ＊となる。一般に、鏡筒部１７の温度が上昇すると、第２静電レンズ１６に含まれる孔３０に位置ずれが発生して描画精度が劣化する可能性があるため、洗浄工程後には通常の温度に回復するのを待つ必要がある。これに対して、本実施形態では、ラジカル生成部５０が鏡筒部１７から離れた位置に設置されているので、ラジカル生成時に発生する熱は、鏡筒部１７には伝わりづらい。したがって、洗浄工程時の鏡筒部１７の温度上昇が抑えられるので、描画装置１のスループットへの影響を抑えることができる。
【００１７】
さらに、洗浄機構２１は、本体部３５の第２静電レンズ１６に向かう面に設置される、複数のアパーチャ（開口部）３７ａを有するアパーチャアレイ（開口アレイ）３７を有する。ここで、アパーチャアレイ３７におけるアパーチャ３７ａの形成位置は、第２静電レンズ１６の各電極３１〜３３における孔３０の形成位置に垂直方向に向かう位置とする。特に、アパーチャ３７ａと孔３０との形成位置は、垂直方向において同軸とすることが望ましい。ここで、鏡筒部１７は、本体部３５が接続される固定部２２の位置に、本体部３５が接続されたときに孔３０の位置に対してアパーチャ３７ａの位置を決定するための位置決め機構３８を備える。この位置決め機構３８としては、突き当てによる機械的な機構でもよいし、位置計測センサーやＣＣＤなどによる検出器としてもよい。なお、固定部２２と本体部３５とが接続する際の接触部（はめ込み部）には、内部の原料ガスが洩れないように密閉シールを設置することが望ましい。
【００１８】
次に、描画装置１の作用について説明する。描画工程では、まず、制御部６は、電子銃２により電子ビームを照射しつつ、基板ステージ５を駆動させることによりウエハ８をＸ方向に連続的に移動させる。このとき、制御部６は、不図示のレーザー測長器による実時間での測長結果を基準として、偏向器１５によるＹ方向への偏向と、ブランキング偏向器によるブランキングとを適宜実施させることにより、ウエハ８上のレジスト面に所望の潜像を形成する。このような描画工程がある程度実施されると、上述のとおり、第２静電レンズ１６にはコンタミネーションが付着する。そこで、制御部６は、洗浄機構２１による洗浄工程（コンタミネーション除去工程）を実行する。
【００１９】
洗浄工程では、まず、制御部６は、図２に示すように洗浄機構２１を鏡筒部１７の固定部２２に設置し、第１排気口１８より真空排気を実施させる。以下、この洗浄機構２１の設置状態において、本体部３５内における支柱部３６からアパーチャアレイ３７までの空間を第１領域４０とし、アパーチャアレイ３７と第２静電レンズ１６とに挟まれた空間を第２領域４１と定義する。同様に、鏡筒部１７内における第２静電レンズ１６が設置された空間を第３領域４２と定義する。次に、制御部６は、原料ガス供給部５１およびラジカル生成部５０を起動し、生成されたラジカルＨ＊を第１領域４０から第２領域４１に向けてアパーチャ３７ａより放出する。ここで、本実施形態のアパーチャ３７ａは、各電極３１〜３３の孔３０の形成位置に垂直方向に向かう位置に配置されている。したがって、アパーチャ３７ａから放出されたラジカルＨ＊は、第３電極３３の下面だけでなく、図２に示すように適切な進入角度を持って最奥部の孔３０まで侵入し、各電極３１〜３３の孔３０の側面に付着したコンタミネーション３４に到達する。このとき、ラジカルＨ＊とコンタミネーション３４とが反応することで、コンタミネーション３４は、還元されて揮発性ガスとなって第１排気口１８から排気され、コンタミネーション３４の除去が終了する。そして、制御部６は、洗浄工程終了後、または洗浄工程が終了して所定の時間が経過した後、原料ガスの供給を停止してラジカルＨ＊の生成を終了させる。その後、制御部６は、洗浄機構２１をＺ２方向に退避させ、鏡筒部１７およびステージチャンバー１９の内部をそれぞれ排気し、所定の圧力以下になった後に描画工程を再開する。
【００２０】
次に、洗浄工程における鏡筒部１７とステージチャンバー１９との内部の圧力および寸法について具体的に説明する。なお、原料ガスは、水素とする。図２において、第２領域４１と第３領域４２との最大圧力が水素分子と水素原子（水素ラジカル）との混合系における水素ラジカルの平均自由行程よりも小さければ、アパーチャ３７ａから放出した水素ラジカルは、第２静電レンズ１６に向けて直線的に進む。したがって、水素ラジカルは、第２静電レンズ１６の洗浄対象部に直接到達し、コンタミネーション３４が効率良く除去される。この場合、水素ラジカルの平均自由行程は、（数１）で表される。
【００２１】
【数１】
0005709535.tif 000002
【００２２】
ただし、ｄａは、水素ラジカル（水素原子）の原子半径（ｃｍ）であり、ｄｂは、水素分子の分子半径（ｃｍ）であり、ｎａは、水素ラジカルの原子密度(１／ｃｍ３)であり、ｎｂは、水素分子の分子密度(１／ｃｍ３)である。さらに、Ｍａは、水素ラジカルの質量数であり、Ｍｂは、水素分子の質量数である。ここで、ｄａ＝６．２０Ｅ−９、およびｄｂ＝１．２４Ｅ−８とし、水素ラジカルの濃度を１％として考えると、５０Ｐａの圧力下での水素ラジカルの平均自由行程は、λａ＝２．３（ｍｍ）となる。すなわち、第２および第３領域４１、４２の圧力を５０Ｐａ以下とし、アパーチャ３７ａから第２静電レンズ１６の最奥部までの距離４３が２．３ｍｍ以下であれば、水素ラジカルＨ＊の大多数は、第２静電レンズ１６の最内部に位置する第１電極３１まで到達する。
【００２３】
ここで、例えば、制御部６は、水素ラジカル１％を含んだ水素ガスを流量Ｑ＝２．１（Ｐａ・ｍ３／ｓｅｃ）で支柱部３６から導入させ、その水素ガスを第１領域４０から第３領域４２の経路を経て第１排気口１８より排気させる。このとき、制御部６は、第１電極３１の出口側（第３領域４２側）での排気速度が０．１（ｍ３／ｓｅｃ）となるように、第１排気口１８における排気速度を調節する。これにより、第１排気口１８から排出される水素ガスの流量は、支柱部３６から導入される水素ガスの流量とほぼ同じとなる。さらに、本実施形態では、第２静電レンズ１６の各電極３１〜３３の孔３０の直径を１２０（μｍ）、厚さを３００（μｍ）としている。これに対して、アパーチャ３７ａの直径は、４０（μｍ）であり、厚さは、３００（μｍ）である。また、アパーチャ３７ａと、第２静電レンズ１６の１つの電極に形成される孔３０とは、共に１３０×１３０個（１６９００個）正方配列されている。この場合、第１領域４０の圧力は、１６３Ｐａとなり、第２領域４１の圧力は、３６Ｐａとなり、また第３領域４２の圧力は、２１Ｐａとなる。なお、ここではアパーチャ３７ａの設置数は、孔３０と等しい数としているが、孔３０の数よりも多くてもよい。以上のような条件により、アパーチャ３７ａより放出された水素ラジカルＨ＊の大多数は、第１〜第３電極３１〜３３の孔３０に向けて直進し、効率良くコンタミネーション３４を除去することができる。さらに、洗浄機構２１は、このような構成により第１領域４０の圧力を高く設定できるので、十分なラジカル量を確保することができる。以上、原料ガスとして水素ガスを使用するものとして説明したが、例えば、アンモニア、酸素、オゾンなど、コンタミネーション３４の除去に有効なラジカルを生成可能であれば、他のガスを採用してもよい。
【００２４】
次に、第２静電レンズ１６の各電極３１〜３３の孔３０に対する洗浄機構２１のアパーチャ３７ａの軸のずれの許容量について説明する。上述のとおり、アパーチャ３７ａが孔３０の軸上に位置すれば、洗浄機構２１は、十分な洗浄効果を得ることができる。これに対して、アパーチャ３７ａの軸と孔３０の軸とに、孔３０の直径の半分程度のずれがあったとしても、洗浄機構２１は、孔３０に付着したコンタミネーション３４を除去できる。例えば、上記条件を適用した洗浄機構２１では、孔３０の軸とアパーチャ３７ａの軸とのずれの許容量は、４０（μｍ）である。
【００２５】
ここで、アパーチャ３７ａの軸と孔３０の軸とのずれ量が上記許容量から外れている場合に対応するために、例えば、洗浄機構２１にアパーチャアレイ３７の水平方向（Ｘ、Ｙ方向）の位置を調整する駆動機構を設置する構成もあり得る。図３は、各電極３１〜３３の孔３０とアパーチャ３７ａとの位置関係と、アパーチャアレイ３７に設置された駆動機構４５を模式的に示す斜視図である。この場合、駆動機構４５は、アパーチャアレイ３７をＸ方向に駆動可能とする第１駆動部４６と、Ｙ方向に駆動可能とする第２駆動部４７とを含む。なお、この駆動機構４５は、アパーチャアレイ３７のみを駆動する構成としてもよいし、または、洗浄機構２１の本体部３５を駆動することでアパーチャアレイ３７の位置を変化させる構成としてもよい。なお、孔３０の軸とアパーチャ３７ａの軸とのずれ量は、不図示であるが、洗浄機構２１または鏡筒部１７に設置する、孔ずれ検出装置により検出するものとする。この孔ずれ検出装置としては、例えば、顕微鏡、ＣＣＤカメラ、または、これらと画像処理装置を組み合わせたものなどが採用可能である。このとき、制御部６は、孔ずれ検出装置によるずれの検出量に基づいて駆動機構４５を駆動し、軸ずれが最小限となるようにアパーチャ３７の位置を調整する。これにより、描画装置１は、アパーチャ３７ａの軸と孔３０の軸とのずれを容易に修正することができる。したがって、描画装置１は、例えば、アパーチャ３７ａと孔３０との相対位置の経時変化にも即座に対応することができ、また、固定部２２に対して洗浄機構２１を接続する接続機構などの機械精度を緩和することもできる。
【００２６】
以上のように、本実施形態によれば、洗浄対象部である孔３０の奥にまで付着したコンタミネーション３４を効率良く洗浄することができる。さらに、アパーチャ３７ａを用いない洗浄機構と比較して、鏡筒部１７内の圧力を低くすることができるので、洗浄工程後の真空排気時間が短くなり、洗浄処理に伴うダウンタイムを短くすることができる。
【００２７】
（第２実施形態）
次に、本発明の第２実施形態に係る描画装置について説明する。図４は、本実施形態に係る洗浄機構６０の構成を示す図である。なお、図４において、図２に示す第１実施形態の洗浄機構２１と同一構成のものには同一の符号を付し、説明を省略する。本実施形態の描画装置の特徴は、第１実施形態の洗浄機構２１に相当する洗浄機構６０が、本体部６１の内部にてラジカルＨ＊を生成する点にある。この場合、本体部６１は、その内部（第１領域４０）にタングステン製のホットフィラメント６２と内部冷却機構６３とを備え、また、その外部には、外部冷却機構６４を備える。また、本体部６１は、支柱部３６を介して不図示の原料ガス供給部に接続され、第１領域４０には支柱部３６の内管を介して原料ガスが供給される。ホットフィラメント６２は、導線６５を介して不図示の電源に接続されている。内部冷却機構６３は、冷却板６６と、アパーチャアレイ冷却機構６７とを有する。この冷却板６６とアパーチャアレイ冷却機構６７とは、ステージチャンバー１９の外部に設置された不図示の冷媒供給機構から延びる冷媒導管６８に接続されている。また、外部冷却機構６４は、本体部６１の外周部に張り巡らされた冷却導管である。洗浄機構６０は、この冷媒導管６８および外部冷却機構６４に冷媒を循環させることで、本体部６１およびアパーチャアレイ３７を冷却する。これにより、洗浄機構６０は、本体部６１をラジカル生成部としても、このような冷却機構を備えることにより、ホットフィラメント６２で発生した熱を鏡筒部１７側に伝わるのを防止することができる。
【００２８】
（第３実施形態）
次に、本発明の第３実施形態に係る描画装置について説明する。図５は、本実施形態に係る洗浄機構７０の構成を示す図である。なお、図５において、図２に示す第１実施形態の洗浄機構２１と同一構成のものには同一の符号を付し、説明を省略する。本実施形態の描画装置の特徴は、第１および第２実施形態の洗浄機構がホットフィラメントによりラジカルＨ＊を生成するのに対して、本実施形態の洗浄機構７０ではマイクロ波発生器７１によりラジカルＨ＊を生成する点にある。この場合、本体部７２は、支柱部３６を介してマイクロ波発生器７１に接続され、また、支柱部３６とは別の導管７３を介して原料ガス供給部７４に接続される。支柱部３６の内管は、本実施形態ではマイクロ波を導く導波管であり、この導波管の出口部と本体部７２とは、石英窓７５を介して接続される。この石英窓７５は、支柱部３６とマイクロ波発生器７１との内部空間が真空である必要はないために、真空シールを施して設置することで、本体部７２内に外部の気体が進入しないようにするものである。この洗浄機構７０では、制御部６は、まず、原料ガス供給部７４から本体部７２内の第１領域４０に原料ガス（水素ガス）を導入する。次に、制御部６は、マイクロ波発生器７１にて発生したマイクロ波を、石英窓７５を介して第１領域４０へ入射させる。このとき、第１領域４０では、マイクロ波が原料ガスに作用し、ラジカルＨ＊が生成される。なお、この構成では、第１領域４０にプラズマが発生して高速のイオンが生成される。したがって、このイオンが第２静電レンズ１６に衝突することで、ダメージを与える場合がある。そこで、洗浄機構７０は、アパーチャ３７に対して正の電位を印加するバイアス印加装置７６を備える。このとき、バイアス印加装置７６が印加する電圧は、例えば１０から１００Ｖ程度でよい。この電圧の印加により、発生したプラスイオンが押し戻されるので、ダメージを防止できる。一方、マイナスイオンが発生する場合には、さらに第２静電レンズ１６に負の電圧を印加するような構成を取ればよい。この場合の印加電圧は、例えば−１０から−１００Ｖ程度となる。この電圧の印加により、マイナスイオンも押し戻され、ダメージを防止できる。
【００２９】
（物品の製造方法）
本発明の実施形態に係る物品の製造方法は、例えば、半導体デバイス等のマイクロデバイスや微細構造を有する素子等の物品を製造するのに好適である。該製造方法は、感光剤が塗布された基板の該感光剤に上記の描画装置を用いて潜像パターンを形成する工程（基板に描画を行う工程）と、当該工程で潜像パターンが形成された基板を現像する工程とを含みうる。さらに、該製造方法は、他の周知の工程（酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等）を含みうる。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも１つにおいて有利である。
【００３０】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は、これらの実施形態に限定されず、その要旨の範囲内で種々の変形および変更が可能である。
【符号の説明】
【００３１】
１      電子ビーム描画装置
８      ウエハ
１６    第２静電レンズ
２１    洗浄機構
３０    孔
３４    コンタミネーション
３７ａ  開口部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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