(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
垂直共振器面発光レーザであって前記レーザにより発せられた光の強度を測定するように構成されたフォトダイオードが一体化されたレーザを有する垂直共振器面発光レーザ装置であって、前記フォトダイオードは、半導体物質の第１のｎドープ領域、ｐドープ領域、真性領域及び第２のｎドープ領域の層シーケンスから形成され、
前記フォトダイオードと前記レーザとは、前記第１のｎドープ領域における抵抗ｎ接点として実現される共通電極を共有し、
前記レーザ装置は、第１の分布ブラッグ反射器と第２の分布ブラッグ反射器との間に埋め込まれた活性領域を含む第１の層構造を有し、前記フォトダイオードの前記第１のｎドープ領域、前記ｐドープ領域、前記真性領域及び前記第２のｎドープ領域は、前記第２の分布ブラッグ反射器に組み込まれ、
前記フォトダイオードの前記第１のｎドープ領域は、前記第２の分布ブラッグ反射器の第１のｎドープ部分から形成され、前記フォトダイオードの前記ｐドープ領域は、前記第２の分布ブラッグ反射器の第２のｐドープ部分から形成され、前記フォトダイオードの前記第２のｎドープ領域は、前記第２の分布ブラッグ反射器の第３のｎドープ部分から形成され、前記フォトダイオードの前記真性領域は、前記第２の分布ブラッグ反射器の前記第２のｐドープ部分と前記第３のｎドープ部分との間に配置された、
垂直共振器面発光レーザ装置。
【請求項２】
垂直共振器面発光レーザであって前記レーザにより発せられた光の強度を測定するように構成されたフォトダイオードが一体化されたレーザを有する垂直共振器面発光レーザ装置であって、前記フォトダイオードは、半導体物質の第１のｐドープ領域、ｎドープ領域、真性領域及び第２のｐドープ領域の層シーケンスから形成され、
前記フォトダイオードと前記レーザとは、前記第１のｐドープ領域における抵抗ｐ接点として実現される共通電極を共有し、
第１の分布ブラッグ反射器と第２の分布ブラッグ反射器との間に埋め込まれた活性領域を含む第１の層構造を有し、前記フォトダイオードの前記第１のｐドープ領域、前記ｎドープ領域、前記真性領域及び前記第２のｐドープ領域は、前記第２の分布ブラッグ反射器に組み込まれ、
前記フォトダイオードの前記第１のｐドープ領域は、前記第２の分布ブラッグ反射器の第１のｐドープ部分から形成され、前記フォトダイオードの前記ｎドープ領域は、前記第２の分布ブラッグ反射器の第２のｎドープ部分から形成され、前記フォトダイオードの前記第２のｐドープ領域は、前記第２の分布ブラッグ反射器の第３のｎドープ部分から形成され、前記フォトダイオードの前記真性領域は、前記第２の分布ブラッグ反射器の前記第２のｐドープ部分と前記第３のｎドープ部分との間に配置された、
垂直共振器面発光レーザ装置。
【請求項３】
ｐドープ分布ブラッグ反射器とｎドープ分布ブラッグ反射器との間に埋め込まれた活性領域を含む第１の層構造を有し、前記フォトダイオードは、前記第１のｎドープ領域が前記ｎドープ分布ブラッグ反射器に面するように前記第１の層構造の延長として形成される、請求項１に記載のレーザ装置。
【請求項４】
ｐドープ分布ブラッグ反射器とｎドープ分布ブラッグ反射器との間に埋め込まれた活性領域を含む第１の層構造を有し、前記フォトダイオードは、前記第１のｐドープ領域が前記ｐドープ分布ブラッグ反射器に面するように前記第１の層構造の延長として形成される、請求項２に記載のレーザ装置。
【請求項５】
前記共通電極は、前記レーザの陰極及び前記フォトダイオードの陽極を形成する、請求項１又は３に記載のレーザ装置。
【請求項６】
前記共通電極は、前記レーザの陽極及び前記フォトダイオードの陰極を形成する、請求項２又は４に記載のレーザ装置。
【請求項７】
前記真性領域と前記ｐドープ領域との間にスペクトルフィルタリング層が形成され、前記フィルタリング層は、前記真性領域に伝播することが可能な自発光の量を低減させるように構成された、請求項１に記載のレーザ装置。
【請求項８】
前記真性領域と前記ｎドープ領域との間にスペクトルフィルタリング層が形成され、前記フィルタリング層は、前記真性領域に伝播することが可能な自発光の量を低減させるように構成された、請求項２に記載のレーザ装置。
【請求項９】
前記フォトダイオードは量子井戸構造から形成された、請求項１又は２に記載のレーザ装置。
【請求項１０】
前記真性領域は、前記レーザにおいて共振する光波の定常波パターンが最大値を持つ位置に配置された、請求項１又は２に記載のレーザ装置。
【請求項１１】
物体により反射させられたときにレーザ空洞に再び入り前記フォトダイオードにより測定される自己混合効果を生成する測定ビームを発する、少なくとも１つの請求項１又は２に記載のレーザ装置を含む、距離及び／又は動きを測定するための光学センサモジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、垂直共振器面発光レーザであって該レーザにより発せられた光の強度を測定するように構成されたフォトダイオードが一体化されたレーザを有する垂直共振器面発光レーザ装置に関する。本発明は更に、斯かる垂直共振器面発光レーザを含む、距離及び／又は動きを測定するための光学センサに関する。
【背景技術】
【０００２】
フォトダイオードと一体化された垂直（拡張）共振器面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ／ＶＥＣＳＥＬ）は、自己混合干渉（ＳＦＩ）に基づく光学センサのための魅力的な装置である。これらＶＣＳＥＬに一体化されたフォトダイオード（ＶＩＰ）は、Philips Laser Sensorのtwin-eye（登録商標）センサのための重要な構成要素である。一体化されたフォトダイオードを持つＶＣＳＥＬの更なる用途においては、該フォトダイオードの信号が、ＶＣＳＥＬの出力パワーを制御又は安定化するためのフィードバック信号として利用される。
【０００３】
一体化されたフォトダイオードを持つＶＣＳＥＬ装置の既知の設計は、ＶＣＳＥＬ構造の底部に配置され、且つ離隔層によりＶＣＳＥＬの底部ＤＢＲ（Distributed Bragg Reflector、分布ブラッグ反射器）から離隔された、該フォトダイオードを形成するエピタキシャル積層を有する。他の設計においては、フォトダイオードはＶＣＳＥＬの底部ＤＢＲ内に一体化される。後者の設計は、例えば米国特許出願公開US2003/0021322A1に開示されており、該文献は、ＶＣＳＥＬの底部ＤＢＲ内に一体化された、ｎドープ領域、真性領域、及びｐドープ領域から形成されたフォトダイオードを記載している。この目的のため、底部ＤＢＲは、第１のｎドープ部分と第２のｐドープ部分とに分離される。第２のｐドープ部分はフォトダイオードのｐドープ領域を形成し、真性領域及びｎドープ領域はＤＢＲの２つの部分間に配置される。ＶＣＳＥＬとフォトダイオードとは、フォトダイオードのｎドープ領域における抵抗ｎ接点として実現される共通電極を共有し、該電極は底部ＤＢＲ内に当該設計において必要とされる離隔層を形成する。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
以上に示したようにフォトダイオードはＶＣＳＥＬに一体化され得るが、製造コストが標準的なＶＣＳＥＬよりもかなり高くなってしまう。このことは、単純なＶＣＳＥＬの場合におけるよりも、一体化されたフォトダイオードを持つＶＣＳＥＬのほうが、必要とされるエピタキシャル積層がかなり厚くなることによる。更に、フォトダイオードのｐドープ領域が電気的に接触される必要がある設計においては、一体化されたフォトダイオードのｐドープ層への抵抗接触を提供するために、特殊な製造工程が必要となる。第１の欠点は、底部ＤＢＲ内に厚いｎドープ離隔層を必要とする米国特許出願公開US2003/0021322の装置にも当てはまる。斯かる厚い離隔層は、製造の間にリアクタ成長を増大させ、且つフォトダイオードを一体化する代わりにＶＣＳＥＬの底面に光検出器を単純に設置する場合と略同じくらい高価であるため、望ましくない。離隔層はまた、ミラーの反射率と底部ＤＢＲの上部及び下部の位相とが合致するようにする、製造の間の正確な厚さ制御を必要とする。
【０００５】
本発明の目的は、先行技術の方法に比べて複雑でない製造と減少されたエピタキシャル積層の厚さとを両立した、フォトダイオードが一体化された垂直共振器面発光レーザを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本目的は、請求項１、２及び１５に記載の垂直共振器面発光レーザ及び光センサモジュールにより達成される。垂直共振器面発光レーザの有利な実施例は、従属請求項の主題であり、本明細書及び好適な実施例の以降の部分において説明される。
【０００７】
提案される垂直共振器面発光レーザ装置は、垂直共振器面発光レーザであって前記レーザにより発せられた光の強度を測定するように構成されたフォトダイオードが一体化されたレーザを有する。前記フォトダイオードは、半導体物質の第１のｎドープ領域、ｐドープ領域、真性領域及び第２のｎドープ領域の層シーケンスから形成される。前記フォトダイオードと前記レーザとは、前記第１のｎドープ領域における抵抗ｎ接点として実現される共通電極を共有する。斯かる装置は、ｎドープ基板上に製造され得る。代替の方法は、ｐドープ基板に製造される装置である。この場合、上述した及び以下の説明における全てのドープは逆となり、即ちｐの代わりにｎ、及びｎの代わりにｐとなる。
【０００８】
本特許出願において、「垂直共振器面発光レーザ」はいわゆる外部垂直共振器面発光レーザ（ＶＥＣＳＥＬ）をも含む。以下、単に単純さのため、ＶＣＳＥＬなる略語が双方のタイプのレーザを指すために用いられる。
【０００９】
ｎ−ｐ−ｉ−ｎドープ半導体物質のエピタキシャル積層に基づくフォトダイオードを用いることにより、提案される装置の設計は、フォトダイオードの第１のｎドープ領域における抵抗ｎ接点として実現される、ＶＣＳＥＬ陰極及びフォトダイオード陽極の共通電極の使用を可能とする。それ故、該装置の電気的な接触のためには１つのｐ接点しか必要とされず、それにより製造の複雑さを低減する。フォトダイオードの付加的な（第１の）ｎドープ層は、厚い離隔層の機能を実行するために必要とされず、装置全体を形成するエピタキシャル積層は、先行技術の積層よりも薄く製造されることができる。以上の全ては、先行技術の方法に比べて、製造コスト、製造時間及び製造の複雑さの低減に帰着する。
【００１０】
提案される装置のフォトダイオードは、ＶＣＳＥＬのＤＢＲの１つに一体化されても良いし、又はＶＣＳＥＬの層構造の延長として形成されても良い。後者の設計においては、ＶＣＳＥＬがｐドープＤＢＲとｎドープＤＢＲとの間に埋め込まれた活性領域を含む第１の層構造を有し、フォトダイオードは該第１の層構造の延長として形成され、それによりフォトダイオードの第１のｎドープ領域がＶＣＳＥＬのｎドープＤＢＲに面する。
【００１１】
最適な結果は、レーザ閾値電流がレーザ動作電流の３０％未満であるレーザ設計により達成される。更に、フォトダイオードのバイアスは、フォトダイオードの設計に依存して適切に選択されるべきあり、例えば少なくとも約０．４Ｖである。フォトダイオードは、例えば０．４Ｖのような低いバイアスにおいて、検出器のキャパシタンスが十分に低く検出器の応答性が所望の動作のために十分高くなるように、真性層が完全に空乏しているか又は十分に空乏しているよう設計されるべきである。
【００１２】
提案される装置のＶＣＳＥＬは、活性領域を埋め込みレーザ空洞の２つの端部ミラーを形成する２つの層構造を持つ、本分野において知られた設計を持つ。これらの端部ミラーは好適には、分布ブラッグ反射器（distributed Bragg reflector、ＤＢＲ）である。一方、活性領域は量子井戸構造により形成される。ＶＣＳＥＬは、上部又は底部発光型として設計され得る。
【００１３】
フォトダイオードの層をバルク層として形成する場合、これらバルク層は約２μｍの厚さを持つ。分子ビームエピタキシ（ＭＢＥ）の典型的な成長速度である５００ｎｍ／ｈに基づくと、このことはＭＢＩシステムがこれらのバルク層を形成するだけで１日よりも長く掛かることを意味する。この製造時間を短縮するため、提案される装置の有利な実施例においては、フォトダイオードが、ＶＣＳＥＬのＤＢＲの１つに一体化された、好適には５００ｎｍ以下の厚さの、薄い層に基づく。一実施例においては、斯かるフォトダイオードは量子井戸構造から形成される。量子井戸は数ナノメートルの厚さしかなく、垂直共振器発光レーザのエピタキシャル成長において容易に含められ得る。このことは上述した薄い層にも当てはまる。このことは、斯かる装置のエピタキシャル成長に必要とされる時間をかなり短縮する。
【００１４】
薄い層は厚いバルク物質よりも吸収が小さいため、斯かる薄い層又は量子井戸を持つ提案されるフォトダイオードは、ＶＣＳＥＬのＤＢＲの１つに一体化される。この場合におけるＶＣＳＥＬは、第１のＤＢＲと第２のＤＢＲとの間に埋め込まれた活性領域を含む第１の層構造を有し、該フォトダイオードの第１のｎドープ領域、ｐドープ領域、真性領域及び第２のｎドープ領域が第２のＤＢＲに組み込まれる。この目的のため、第２のＤＢＲは、該活性領域に隣接する第１のｎドープ部分、第２のｐドープ部分、及び第３のｎドープ部分から成る３つの部分から形成されても良い。該フォトダイオードの第１のｎドープ領域はこのとき、第２のＤＢＲの第１のｎドープ部分から形成される。該フォトダイオードのｐドープ領域は、第２のＤＢＲの第２のｐドープ部分から形成され、該フォトダイオードの第２のｎドープ領域は、第２のＤＢＲの第３のｎドープ部分から形成される。吸収層を形成する該フォトダイオードの真性領域は、第２のＤＢＲの第２の部分と第３の部分との間に配置される。該第２のＤＢＲは例えば、上部発光型ＶＣＳＥＬの底部ＤＢＲであっても良い。以上の領域を第２のＤＢＲに組み込むため、フォーマットを形成するために必要とされる機能を実行するために、該ＤＢＲの対応する薄い層はドープ濃度及び物質組成に適合される必要がある。例えば、８５０ｎｍで発光するＶＣＳＥＬの場合、ＤＢＲはＡｌｘＧａ１−ｘＡｓの層から形成されても良く、ｘは所望の高い反射率を達成するように選択される。一体化されたフォトダイオードがない場合には、Ａｌの量は層における光吸収を回避するため最小値よりも高く設定される。しかしながら、フォトダイオードを一体化する場合には、フォトダイオードの吸収層におけるＡｌの量は、所望の吸収を実現するために低下させられる。
【００１５】
フォトダイオードにより検出される自発光と励起光との関係を制御するため、フォトダイオードの即ち真性領域の吸収量子井戸の縦方向位置は注意深く選択され、好適には、レーザ空洞におけるレーザ放射の定常波パターンの最大値又は該最大値に近い位置とされる。フォトダイオードはこのとき、自発光に比べて励起光をより良く検出する。
【００１６】
フォトダイオードにより検出される自発光の量を制御又は低減する更なる好適な方法として、１つ以上の注意深くドープされた量子井戸又はその他のドープされた層が、スペクトルフィルタを生成するようにフォトダイオードの真性領域とｐドープ領域との間に配置され、好適には第２のＤＢＲのｐドープ部分に組み込まれる。該スペクトルフィルタは、励起光の波長領域の外の自発光の通過を遮断又は低減して、より少ない自発光のみをフォトダイオードの真性領域に到達させるように設計される。
【００１７】
提案される光学モジュールは、物体により反射させられたときにレーザ空洞に再び入りフォトダイオードにより測定される自己混合効果を生成する測定ビームを発するような、少なくとも１つの垂直共振器発光レーザを有する。距離及び／又は動きを測定するための斯かる光学測定モジュールはまた、フォトダイオードの測定信号に基づいて距離及び／又は動きを算出する適切な信号処理回路を含むか又は斯かる回路に接続される。斯かる光学モジュールは、入力装置に埋め込まれても良いし、又は斯かる入力装置を含む装置に埋め込まれても良い。該入力装置が利用され得る機器は、例えばデスクトップ型コンピュータ用のマウス、ノート型コンピュータ、携帯電話、ＰＤＡ（personal digital assistant）及び携帯型ゲームコンピュータである。該モジュールはまた、例えば物体の距離又は動き、液体の動き、及び液体に含まれる粒子の動きを測定するための、プロフェッショナル向け測定機器において利用されても良い。一般的に、本発明は、レーザ自己混合効果が利用され得るいずれの用途においても利用され得る。
【００１８】
本発明のこれらの及び他の態様は、以下に説明される実施例を参照しながら説明され明らかとなるであろう。
【００１９】
提案される垂直共振器面発光レーザ装置は、添付図面を参照しながら、例として以下に説明されるが、これらは請求項により定義される保護の範囲を限定するものではない。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】提案される装置の第１の実施例の模式的な図である。
【図２】提案される装置の第２の実施例の模式的な図である。
【図３】提案される装置の第３の実施例の模式的な図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
図１は、提案される装置の設計の例の模式的な図である。本図は、フォトダイオード２を形成する層のシーケンスの上端に配置されたＶＣＳＥＬ構造１を示している。該上部発光型ＶＣＳＥＬは、下部ＤＢＲ３と上部ＤＢＲ４との間に埋め込まれた活性領域５を含む層構造を有する。上部ＤＢＲ４はｐドープされており、下部ＤＢＲ３はｎドープされている。斯かる上部発光型ＶＣＳＥＬにおいては、上部ＤＢＲは、活性領域５において生成されるレーザ放射に対して、例えば９８％の反射率により、部分的に透過性となるように形成され、該ＤＢＲが出力ミラーとして動作することを可能とする。上部及び下部ＤＢＲは典型的には、それぞれが高い及び低い屈折率を持つ交番するＧａＡｓ層（高屈折率）及びＡｌＡｓ層（低屈折率）から構成される。ＧａＡｓ層は低いＡｌ％を持ち、以下ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層と呼ばれ、該物質のバンドギャップが光子エネルギより高くなるようにされる。下部ＤＢＲは、生成されるレーザ放射に対して、例えば９９％以上の反射率により、非常に反射率の高いものとなるよう設計される。それでも、レーザ放射の僅かな部分は該下部ＤＢＲを通過し、ＶＣＳＥＬの底面に配置されたフォトダイオード２において検出される。
【００２２】
フォトダイオード２は、上部のｎドープＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層６、ｐドープＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層７、真性ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層８、及び底部のｎドープＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層９の層のシーケンスから形成される。該設計は、ＶＣＳＥＬの陰極とフォトダイオード２の陽極とが、フォトダイオードの上部のｎドープＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層６の上端における抵抗ｎ接点１０として実現される、共通電極を共有することができるという利点を持つ。フォトダイオードの陰極を形成する更なる抵抗ｎ接点１１は、フォトダイオードの底部のｎドープＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層９の底部に配置される。更なる必要とされる抵抗ｐ接点１２は、本分野において知られるようにＶＣＳＥＬを形成する層の上端に配置される。それ故、本装置のためには１つのｐ接点だけが必要とされ、製造の複雑さを低減する。フォトダイオードの種々の層は、例えば以下の厚さ及びドープ濃度を持っても良い。
−上部のｎドープＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層６：約２μｍの厚さ、４．２＊１０１８（１／ｃｍ３）のドープ濃度。
−ｐドープＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層７：約２μｍの厚さ、２．０＊１０１９（１／ｃｍ３）のドープ濃度。
−真性ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層８：約２μｍの厚さ、ドープなし
−底部のｎドープＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層９：基板を形成する約６５０μｍの厚さ、３．１＊１０１８（１／ｃｍ３）のドープ濃度。
【００２３】
これら抵抗接触は好適には、ｐ接点についてはＴｉ／Ｐｔ／Ａｕから作られ、ｎ接点についてはＧｅ／Ａｕ／Ｎｉ／Ａｕから作られる。
【００２４】
図２は、フォトダイオードが量子井戸構造から形成される、提案される装置の更なる例を示す。本例においては、フォトダイオードはＶＣＳＥＬの底部ＤＢＲ３ａ乃至３ｃに一体化される。上部ＤＢＲ４及び活性領域並びにＶＣＳＥＬの陽極を形成する抵抗ｐ接点１２は、従来の態様で設計される。底部ＤＢＲ３は、３つの部分に分けられる。上部分３ａはｎドープされ、中間部分３ｂはｐドープされ、底部分３ｃはｎドープされる。中間部分３ｂと底部分３ｃとの間には、フォトダイオードの真性領域を形成する吸収量子井戸構造１４が配置される。この設計により、提案される装置のｎ−ｐ−ｉ−ｎフォトダイオードの上部ｎドープ領域、ｐドープ領域、及び下部ｎドープ領域は、底部ＤＢＲの層により形成される。上部ｎドープ領域は、底部ＤＢＲの上部ｎドープ部分３ａにより形成される。ｐドープ領域は、底部ＤＢＲの中間ｐドープ部分３ｂにより形成され、下部ｎドープ領域は、底部ＤＢＲのｎドープ底部３ｃにより形成される。吸収量子井戸構造１４を除けば、該フォトダイオードを設定するために当該構造の底部ＤＢＲ３には付加的な層は追加されていない。このことは、本装置を形成するエピタキシャル積層が、標準的なＶＣＳＥＬと略同じくらいの厚さであることを意味する。該フォトダイオードのために、６μｍ以上のバルク物質を成長させる必要はない。このことは、製造時間及びコストを低減させる。ＶＣＳＥＬの陰極と同時にフォトダイオードの陽極を形成する抵抗ｎ接点は、フォトダイオードの上部ｎドープ領域を同時に表す底部ＤＢＲ３の上部ｎドープ部分３ａに配置される。全体の層構造は、ｎドープ基板１３上で成長し、該基板に対して、底部においてフォトダイオードの陰極のための抵抗ｎ接点が取り付けられる。
【００２５】
図３は、図２の装置と同様に構成される、提案される装置の更なる例を示す。唯一の相違点は、底部ＤＢＲ３のｐドープ部分、即ち該底部ＤＢＲの中間部分３ｂに形成された、付加的な量子井戸又は量子井戸構造１５である。吸収量子井戸構造１４上の該付加的な量子井戸構造１５は、活性領域５からフォトダイオードの真性領域に向かって伝播する光をフィルタリングするように構成され、該フィルタリングにより、レーザの励起光が通過することができ、励起発光の波長範囲外の波長範囲における自発光が大きく低減される。吸収光の再発光を防ぐようにドープされた当該付加的なフィルタ量子井戸構造１５により、吸収量子井戸１４により検出される自発光の量は低減される。
【００２６】
本発明は図面及び以上の記述において説明され記載されたが、斯かる説明及び記載は説明するもの又は例示的なものとみなされるべきであり、本発明は開示された実施例に限定されるものではない。以上において及び請求項において記載された種々の実施例は、組み合わせられても良い。図面、説明及び添付される請求項を読むことにより、請求される本発明を実施化する当業者によって、開示された実施例に対する他の変形が理解され実行され得る。例えば、利用されるＶＣＳＥＬは他の物質層から構成されても良いし、又は、本分野において知られた底部発光型レーザであっても良い。更に、垂直拡張共振器面発光レーザとして半導体レーザが設計されても良い。積層における層の数は、本発明により限定されるものではない。該数は、該積層の必要とされる光学特性のために適切に選択され得る。
【００２７】
請求項において、「有する（comprising）」なる語は他の要素又はステップを除外するものではなく、「１つの（a又はan）」なる不定冠詞は複数を除外するものではない。手段が相互に異なる従属請求項に列挙されているという単なる事実は、これら手段の組み合わせが有利に利用されることができないことを示すものではない。請求項における参照記号は、請求の範囲を限定するものとして解釈されるべきではない。
【符号の説明】
【００２８】
１  ＶＣＳＥＬの層構造
２  フォトダイオードの層のシーケンス
３  下部ＤＢＲ
３ａ  底部ＤＢＲの上部分
３ｂ  底部ＤＢＲの中間部分
３ｃ  底部ＤＢＲの底部分
４  上部ＤＢＲ
５  活性領域
６  上部のｎドープＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層
７  ｐドープＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層
８  真性ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層
９  下部のｎドープＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層
１０  抵抗ｎ接点
１１  抵抗ｎ接点
１２  抵抗ｐ接点
１３  ｎドープ基板
１４  吸収量子井戸
１５  フィルタ量子井戸
【図１】
0005734841.tif 000002
【図２】
0005734841.tif 000003
【図３】
0005734841.tif 000004