(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
１０ｐｐｍ未満のＯＨおよびＯＤの平均総濃度を有する溶融シリカ物品であって、
ａ．  ハロゲン化物を含まないシクロシロキサン化合物から得られたスートブランクを提供し、
ｂ．  前記スートブランクを、一酸化炭素を含む無ハロゲン雰囲気中で乾燥させ、
ｃ．  前記乾燥したスートブランクを酸化させ、
ｄ．  前記酸化させたスートブランクを焼結して、前記溶融シリカ物品を形成する、
各工程により形成されることを特徴とする溶融シリカ物品。
【請求項２】
前記乾燥したブランクに重水素および軽水素の内の少なくとも一方がドープされていることを特徴とする請求項１記載の溶融シリカ物品。
【請求項３】
前記ＯＨおよびＯＤの総濃度が、前記ＯＨおよびＯＤの平均総濃度から４ｐｐｍ未満しか変動しないことを特徴とする請求項２記載の溶融シリカ物品。
【請求項４】
前記ＯＨおよびＯＤの総濃度が、前記ＯＨおよびＯＤの平均総濃度から０．４ｐｐｍ未満しか変動しないことを特徴とする請求項２または３記載の溶融シリカ物品。
【請求項５】
前記ＯＨおよびＯＤの平均総濃度が１ｐｐｍ未満であることを特徴とする請求項１から４いずれか１項記載の溶融シリカ物品。
【請求項６】
前記スートブランクがゲルマニウムを実質的に含まないことを特徴とする請求項１から５いずれか１項記載の溶融シリカ物品。
【請求項７】
溶融シリカ物品を製造する方法であって、
ａ．  ハロゲン化物を含まないシクロシロキサン化合物から得られたスートブランクを提供し、
ｂ．  前記スートブランクを、一酸化炭素を含む無ハロゲン雰囲気中で乾燥させ、
ｃ．  前記乾燥したスートブランクを酸化させ、
ｄ．  前記酸化させたスートブランクを焼結して、前記溶融シリカ物品を形成する、
各工程を有してなり、
前記溶融シリカ物品が、１０ｐｐｍ未満のＯＨおよびＯＤの平均総濃度を有することを特徴とする方法。
【請求項８】
前記スートブランクを一酸化炭素を含む無ハロゲン雰囲気中で乾燥させる工程が、該スートブランクを、不活性ガス、一酸化炭素、および重水素含有種と軽水素含有種の内の少なくとも一方を含む無ハロゲン雰囲気中において１１５０℃から１３００℃までの範囲の温度で加熱する工程を含むことを特徴とする請求項７記載の方法。
【請求項９】
前記乾燥したスートブランクを酸化させる工程が、該乾燥したスートブランクを、不活性ガスおよび酸素を含む酸化雰囲気中において所定の温度で酸化させる工程を含むことを特徴とする請求項７記載の方法。
【請求項１０】
前記スートブランクを、該スートブランクを乾燥させる工程の前に、所定の時間に亘り所定の温度で予熱する工程をさらに含むことを特徴とする請求項７記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【関連出願の説明】
【０００１】
本出願は、２００７年７月２７日に出願された米国特許出願第１１／８８１５９９号の優先権の恩恵を主張するものである。
【技術分野】
【０００２】
本発明は、溶融シリカおよびそれから製造された物品に関する。より詳しくは、本発明は、水酸基（ＯＨ）および重水酸基(duteroxyl)（ＯＤ）の濃度が低い溶融シリカに関する。さらにより詳しくは、本発明は、上述した種を低濃度で有する溶融シリカガラスを無ハロゲンの雰囲気中で製造する方法に関する。
【背景技術】
【０００３】
半導体分野、特に、フォトリソグラフィー分野に用いられる溶融シリカ光学成分には、動的性質と静的性質の両方に厳しい要件がある。そのような成分は典型的に、例えば、エキシマレーザビームまたは他の紫外線レーザビームなどの、約３６０ｎｍ以下の波長を有する紫外線に曝露される。光のエネルギー、パルスエネルギー、およびパルス繰返し数が増加するにつれ、密度、屈折率、誘起吸収、フルエンス依存性透過率（ＦＤＴ）、およびレーザ誘起波面歪み（ＬＩＷＦＤ）、並びに偏光誘起複屈折（ＰＩＢ）などの光学成分の内因的性質と外因的性質が影響を受ける。
【０００４】
火炎加水分解、ＣＶＤスート再溶融法、プラズマＣＶＤ法、石英結晶粉末の電気溶融、および他の方法などの方法によって調製される高純度溶融シリカは、レーザ損傷を受けやすいことが一般に知られている。シリカ中に水酸基（ここでは、天然に生じる同位体分布を有する水素を称する）が存在すると、光学的劣化に対する耐性が増加する。その上、水酸基含有量は、フッ化物や塩化物などのハロゲンにより、溶融シリカのスートブランクを「乾燥させる」ことによって、制御されるであろう。光学成分用の溶融シリカを製造する手法の１つは、塩素を含まないシリカスートを形成することである。このスートに水をドープし、溶融シリカ物品の全体に亘り均一なＯＨ分布を達成するのに十分に長い時間に亘り加熱する。第２の手法において、溶融シリカが低レベルの水と塩素を同時に含有するようにスートを処理する。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
これらの低レベルのドーパントは、均一性を促進するのに役立つが、溶融シリカ中の塩素とＯＨの分布は制御するのが難しい。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、１０ｐｐｍ未満、ある実施の形態において、１ｐｐｍ未満の水酸基（ＯＨ）および重水酸基（ＯＤ）の総濃度を有する溶融シリカ物品を提供する。この溶融シリカ物品は、スートブランクを、一酸化炭素（ＣＯ）を含む無ハロゲン雰囲気中で乾燥させることにより形成される。乾燥したスートブランクは、目標レベルのＯＨおよびＯＤ濃度に到達し、均一性を改善するために、必要に応じてドープしてもよい。次いで、乾燥したスートブランクを、酸化させ、焼結して、物品を形成する。溶融シリカ物品においてＯＨおよびＯＤの総濃度を１０ｐｐｍ未満に減少させる方法も記載されている。
【０００７】
したがって、本発明のある態様は、約１０ｐｐｍ未満のＯＨおよびＯＤの平均総濃度を有する溶融シリカ物品を提供することである。この溶融シリカ物品は、スートブランクを提供し；このスートブランクを、一酸化炭素を含む無ハロゲン雰囲気中で乾燥させ；乾燥したスートブランクを酸化させ；このブランクを焼結して、溶融シリカ物品を形成する；ことにより形成される。
【０００８】
本発明の第２の態様は、溶融シリカ物品中の総ＯＨおよびＯＤ濃度を約１０ｐｐｍ未満の平均総濃度まで減少させる方法を提供することである。この方法は、スートブランクを提供し；このスートブランクを乾燥させて、平均総ＯＨおよびＯＤ濃度を約１０ｐｐｍ未満に減少させる各工程を有してなり、このスートブランクを乾燥させる工程が、スートブランクを、一酸化炭素および重水素含有種と軽水素含有種の内の少なくとも一方を含む無ハロゲン雰囲気中で、約１１５０℃から約１３００℃までの範囲の温度で加熱する工程を含む。
【０００９】
本発明の第３の態様は、約１０ｐｐｍ未満の平均総ＯＨおよびＯＤ濃度を有する溶融シリカ物品を提供することである。この溶融シリカ物品は、スートブランクを提供し；このスートブランクを乾燥させ、ここで、この乾燥が、一酸化炭素および重水素含有種と軽水素含有種の内の少なくとも一方を含む無ハロゲン雰囲気中で、約１１５０℃から約１３００℃までの範囲の温度でスートブランクを加熱する工程を含み；乾燥したスートブランクを、不活性ガスおよび酸素を含む酸化雰囲気中において所定の温度で酸化させ；このブランクを焼結して、約１０ｐｐｍ未満の平均総ＯＨおよびＯＤ濃度を有する溶融シリカ物品を形成する；ことにより形成される。
【００１０】
本発明の第４の態様は、溶融シリカ物品を製造する方法を提供することである。この方法は、スートブランクを提供し；このスートブランクを、一酸化炭素を含む無ハロゲン雰囲気中で乾燥させ；乾燥したスートブランクを酸化させ；このブランクを焼結して、溶融シリカ物品を形成する各工程を有してなる。
【００１１】
本発明のこれらと他の態様、利点、および顕著な特徴は、以下の発明を実施するための形態、添付の図面、および添付の特許請求の範囲から明らかになるであろう。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】温度を１１００℃から１２００℃まで上昇させたときの、３時間に亘りＨｅ中に１％のＣＯを含む雰囲気中で乾燥させた焼結スートブランクに関する位置の関数としてのＯＨ濃度をプロットしたグラフ
【図２】Ｈｅ中に１％のＣＯを含む雰囲気中で２時間に亘り１２００℃で乾燥させた焼結スートブランクに関する位置の関数としてのＯＨ濃度をプロットしたグラフ
【図３】Ｈｅ中に１％のＣＯを含む雰囲気中で１６時間に亘り１２２５℃で乾燥させた焼結スートブランクに関する位置の関数としてのＯＨ濃度をプロットしたグラフ
【図４】１時間に亘り重水素が添加されたＨｅ中に１％のＣＯを含む雰囲気中で１６時間に亘り１２２５℃で乾燥させた焼結スートブランクに関する位置の関数としてのＯＨ濃度をプロットしたグラフ
【図５】図４に記載された焼結スートブランクに関する位置の関数としてのＯＤ濃度をプロットしたグラフ
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下の説明において、図面に示されたいくつかの図に亘って、同様な参照文字が、同様または対応する部品を指す。また、別記しない限り、「上」、「底」、「外に向かう」、「内へ向かう」などの用語は、便宜上の単語であり、制限する用語と考えるべきではないことが理解されよう。その上、群が、複数の要素およびそれらの組合せの群の内の少なくとも１つを含むと記載されている時はいつでも、その群は、個々または互いの組合せのいずれかで、列記されたそれらの要素のいくつを含んでもよいと理解されよう。同様に、群が、複数の要素またはそれらの組合せの群の内の少なくとも１つからなると記載されている時は、その群は、個々または互いの組合せのいずれかで、列記されたそれらの要素のいくつからなっていてもよいことが理解されよう。別記しない限り、値の範囲が、列挙された場合、その範囲の上限と下限の両方を含む。
【００１４】
図面を全般に、特に、図１を参照すると、例図は、本発明の特定の実施の形態を図解し、説明する目的のためであり、本発明をそれに制限することを意図するものではないことが理解されよう。
【００１５】
ここに用いたように、「水酸基」またはＯＨという用語は、別記しない限り、各々が酸素原子および軽水素原子（11Ｈ、ここでは「Ｈ」と称される）からなる部分または部分の群を意味する。酸素原子は、酸素の天然に生じる同位体（16Ｏ、17Ｏ、または18Ｏ）、または任意の比率でのそれらの混合物のいずれであってもよい。ここに用いたように、ｎ（ＯＨ）は、材料中のＯＨ部分の総数を意味する。
【００１６】
ここに用いたように、「重水酸基」またはＯＤという用語は、各々が、酸素原子および重水素原子（21Ｈまたは21Ｄ、ここでは「Ｄ」と称される）から成る部分または部分の群を意味する。酸素原子は、酸素の天然に生じる同位体（16Ｏ、17Ｏ、または18Ｏ）、または任意の比率でのその混合物のいずれであってもよい。ここに用いたように、ｎ（ＯＤ）は、材料中のＯＤ部分の総数を意味する。
【００１７】
以下に限られないが、スペクトルの紫外線領域において動作できるレンズなどの溶融シリカ物品が提供される。この溶融シリカ物品は、約１０質量ｐｐｍ未満の水酸基（ここでは、「ＯＨ」とも称される）および重水酸基（ここでは、「ＯＤ」とも称される）の平均総濃度を有する。ある実施の形態において、ＯＨとＯＤの総濃度は約１ｐｐｍ未満である。ここに用いたように、「総濃度」および「合計濃度」は、ＯＤ（ｎ（ＯＤ））およびＯＨ（ｎ（ＯＨ））の濃度の合計を意味する。すなわち、合計濃度＝ｎ（ＯＤ）＋ｎ（ＯＨ）。ある実施の形態において、重水酸基種は、重水素の天然の同位体存在度より多い量で存在する。すなわち、材料中のｎ（ＯＤ）／（ｎ（ＯＤ）＋ｎ（ＯＨ））の比は、２×１０-4より多い。
【００１８】
溶融シリカ物品は、最初に、スートブランクを提供することによって形成される。次いで、スートブランクを、一酸化炭素（ＣＯ）を含む無ハロゲン雰囲気中で乾燥させ、次に、乾燥したスートブランクを酸化させる。次に、酸化したスートブランクを焼結して、溶融シリカ物品を形成する。ある実施の形態において、焼結されたブランクは、例えば、レンズなどの溶融シリカ物品のニア・ネット・シェイプ（最終形状に近い形状）を形成する。このニア・ネット・シェイプは、その後、当業者に公知の技法を用いて、切断、研削、または他の様式で最終形状に加工してもよい。
【００１９】
溶融シリカ物品のためのスートブランクを形成する方法は、当該技術分野においてよく知られている。スートブランク、すなわちプリフォームは、例えば、蒸気形態にあるケイ素含有化合物を含むガス流が生成される、堆積法により提供してもよい。ケイ素含有化合物を含むガス流を、燃焼バーナの火炎に通して、溶融シリカスートの非晶質粒子を形成する。この溶融シリカ粒子を支持体上に堆積させて、溶融シリカスートブランクを形成する。この支持体は、典型的な外付け法（ＯＶＤ）、平面スート堆積法（ＰＳＤ）、または軸付け法（ＶＡＤ）において用いられるものなどの、支持コアケインまたはマンドレルであってよい。マンドレルを使用する場合、このマンドレルを堆積後に取り除いて、中空の円筒形多孔質スート体を形成してもよい。
【００２０】
スート粒子は典型的に、少なくとも１種類のケイ素前駆体化合物の火炎加水分解により提供される。ケイ素前駆体化合物としては、以下に限られないが、ＳｉＣｌ4、ＳｉＢｒ4、ＳｉＦ4などのハロゲン含有化合物が挙げられる。ケイ素前駆体化合物としては、以下に限られないが、例えば、ポリメチルシロキサンなどの、ハロゲン化物を含まないシクロシロキサン化合物が挙げられる。そのようなポリメチルシロキサンとしては、ヘキサメチルジシロキサン、ポリメチルシクロシロキサン、オクタメチルシクロテトラシロキサン（ＯＭＣＴＳ）、デカメチルシクロペンタシロキサン、ヘキサメチルシクロトリシロキサン、およびそれらの組合せが挙げられる。
【００２１】
スートブランクは、典型的に、当該技術分野において知られているものなどの、ケインまたは心棒上に形成すなわち「載置(layed down)」される。スートブランクは、ある実施の形態において、実質的にゲルマニウムを含まない。ここに用いたように、「ゲルマニウムを含まない」とは、ゲルマニウムが、元素形態で、またはゲルマニウム含有化合物としてのいずれかで、スートブランクに意図的に加えられていないまたは導入されていないことを意味する。スートブランクは、汚染により少量のゲルマニウムを不慮に含むかもしれないことが理解されるであろう。
【００２２】
このスートブランクは、約１ｋｇから約５００ｋｇまでのサイズに及んでよい。ある実施の形態において、スートブランクの質量は、約１ｋｇから約５０ｋｇまでの範囲にある。ある実施の形態において、スートブランクは約４ｋｇの質量を有する。スートブランクの密度は、約０．２ｇ／ｃｍ3から約１．５ｇ／ｃｍ3までの範囲にある。ある実施の形態において、スートブランクの密度は、約０．３ｇ／ｃｍ3から約０．７ｇ／ｃｍ3までの範囲にある。ある特別な実施の形態において、その密度は約０．４５ｇ／ｃｍ3である。
【００２３】
乾燥前に、スートブランクを炉内に配置し、予熱して、ブランク全体が熱平衡状態にあることを確実にしてもよい。予熱は、所定の期間に亘り所定の温度で行われる。ある実施の形態において、所定の予熱温度は、約１０００℃から約１２５０℃までの範囲にある。予熱工程は、約２０時間までの期間に亘り行ってよい。ある特別な実施の形態において、スートブランクは、約２時間に亘り約１２２５℃の温度で予熱される。
【００２４】
予熱後、重水酸基をスートブランク内の水酸基と交換してもよい。ある実施の形態において、反応は、室温でＤ2Ｏ蒸気で飽和されたヘリウムの連続流中で約４時間に亘り約１２００℃の温度でスートブランクを加熱することにより行われる。Ｄ2Ｏ蒸気中の重水素が、スートブランクにおいてＯＨをＯＤで置換する。
【００２５】
スートブランクが一旦形成されたら、そのスートブランクを、一酸化炭素（ＣＯ）を含む実質的に無ハロゲンの雰囲気中で乾燥させる、すなわち、残留水酸基および／または重水酸基部分を除去する。別記しない限り、乾燥工程は、ガスがスートブランクにくまなく連続的に流されるまたは「掃引される」雰囲気内で行われる。ここに用いたように、「実質的に無ハロゲン」とは、ハロゲン（フッ素、塩素、臭素、およびヨウ素）が、元素形態またはハロゲン含有化合物としてのいずれかで、溶融シリカに意図的に加えられていないことを意味する。溶融シリカは、汚染のために少量のハロゲンを不慮に含むかもしれないことが理解されよう。乾燥のための機構は、軽水素（または重水素）および二酸化炭素を生成するＣＯとＯＨ（またはＯＤ）との間の反応に基づくであろう。
【００２６】
乾燥工程において、無ハロゲン雰囲気中は、約０．０１％から１００％までの一酸化炭素を含む。無ハロゲン雰囲気がＣＯのみからなるものではない実施の形態において、無ハロゲン雰囲気はさらに、以下に限られないが、ヘリウム、アルゴン、窒素、ネオンなどの不活性または比較的非反応性であるガスを少なくとも１種類含む。ある実施の形態において、無ハロゲン雰囲気は、約０．５％から約１０％の一酸化炭素を含む。ある特別な実施の形態において、無ハロゲン雰囲気は約１％のＣＯを含む。
【００２７】
乾燥工程において、スートブランクは、約１１５０℃から約１３００℃までの範囲の温度で、一酸化炭素を含有する無ハロゲン雰囲気中で加熱されるが、乾燥を相当低い温度で行ってもよい。しかしながら、先に挙げた範囲より低い温度でのスートブランクの乾燥は非常に時間がかかる。ある実施の形態において、スートブランクを乾燥させる工程は、スートブランクを、約１２００℃から約１２６０℃までの範囲の温度で加熱する工程を含む。ある特別な実施の形態において、スートブランクは約１２２０℃で乾燥させる。乾燥工程は、約２時間から約２００時間までに及ぶ期間に亘り行ってよい。ある実施の形態において、乾燥工程は、約２０時間から約４０時間までに及ぶ期間に亘り行われる。
【００２８】
ある実施の形態において、スートブランクは、溶融シリカ物品において、ＯＨとＯＤの内の少なくとも一方の所定のまたは所望の濃度を達成し、ＯＤおよび／またはＯＨ濃度の均一性を改善するために、軽水素、重水素、またはその両方がドープされている。ドーピング工程は、乾燥工程と一緒に行ってもよい。ある実施の形態において、スートブランクは、不活性ガス、一酸化炭素、および分子形態にある軽水素と重水素の内の少なくとも一方（すなわち、Ｈ2、Ｄ2、またはＤＨ）を含む、連続的に流動する無ハロゲンガスに曝露される。ＣＯ濃度は、約０．５％から約１０％までの範囲にあってよく、一方で、軽水素と重水素の合計または総濃度は、約０．００１％から約０．１％までの範囲にある。ある特別な実施の形態において、ＣＯ濃度は約１％であり、Ｄ2濃度は約０．０１５％である。乾燥とドーピングの複合工程は、約１１５０℃から約１３００℃までの範囲の温度で、無ハロゲン雰囲気中において行われる。ある実施の形態において、複合乾燥／ドーピング工程は、約１２００℃から約１２６０℃までの範囲の温度で、スートブランクを加熱する工程を含む。ある特別な実施の形態において、スートブランクは、１２２０℃で乾燥されると同時にドーピングされる。複合乾燥／ドーピング工程は、約２時間から約２００時間までに及ぶ期間に亘り行ってよい。ある実施の形態において、乾燥工程は、約２０時間から約４０時間までに及ぶ期間に亘り行われる。
【００２９】
ある実施の形態において、乾燥したスートブランクは、４時間までに亘りヘリウム雰囲気で「掃引」されている（すなわち、連続的に流動しているヘリウムに曝露されている）間に、約１０００℃から約１２２５℃までの範囲の温度で加熱される。ある特別な実施の形態において、乾燥したスートブランクは、１２２５℃で加熱されている間に、２時間に亘りヘリウムで掃引される。
【００３０】
酸化工程において、乾燥したスートブランクは、酸素、および以下に限られないが、ヘリウムなどの不活性ガスを含む雰囲気中で、約１０００℃から約１２６０℃間での範囲の温度で加熱される。酸素は、水を実質的に含まないべきである。酸化工程において、酸素濃度は、約０．５％から約５％までの範囲にある。ある特別な実施の形態において、乾燥したスートブランクは、１時間に亘りヘリウム中に２％の酸素を含む雰囲気中において１２２５℃で加熱される。
【００３１】
スートブランクは一旦酸化されたら、そのスートブランクは、０．５％から２％までの酸素を含有する不活性ガス雰囲気中において約１５００℃までの温度で焼結されて、溶融シリカ物品が形成される。焼結工程に用いられる実際の焼結温度は、焼結炉の構造に依存する。溶融シリカ物品に、例えば、フォトリソグラフィー・システムに用いられるレンズなどの最終製品を形成するために、整形、研削、研磨などのその後の仕上げ工程を行ってもよい。焼結工程に用いられる酸素は、実質的に水を含まないべきである。酸素含有雰囲気中に微量の酸素が存在する場合、スートブランクは、焼結工程中に水を吸収し、焼結物品の縁でまたはその辺りでのＯＨ濃度が増加してしまう。ある特別な実施の形態において、酸化されたブランクは、２％の酸素を含有する、連続的に流動するヘリウム雰囲気中において約１５００℃で加熱される。
【００３２】
溶融シリカ物品全体に亘るＯＨ、ＯＤ、または両方の分布は、特にスートブランクにＯＨとＯＤの内の少なくとも一方が上述したようにドープされている場合、均一である。溶融シリカ物品中の任意の所定の地点でのＯＨとＯＤの総濃度は、ＯＨとＯＤの平均総濃度から４ｐｐｍ未満しか異ならない。ある実施の形態において、溶融シリカ物品中の任意の所定の地点でのＯＨとＯＤの総濃度は、ＯＨとＯＤの平均総濃度から２ｐｐｍ未満しか異ならない。ＯＨとＯＤの平均総濃度が１ｐｐｍ未満である実施の形態において、溶融シリカ物品中の任意の所定の地点でのＯＨとＯＤの総濃度は、ＯＨとＯＤの平均総濃度から０．４ｐｐｍ未満しか異ならず、別の実施の形態において、溶融シリカ物品中の任意の所定の地点でのＯＨとＯＤの総濃度は、ＯＨとＯＤの平均総濃度から０．２ｐｐｍ未満しか異ならない。
【００３３】
溶融シリカ物品中のＯＨ濃度とＯＤ濃度の内の少なくとも一方を１０ｐｐｍ未満に減少させる方法も提供される。この方法は、先に記載したようにスートブランクを提供する工程を有してなる。ある実施の形態において、そのスートブランクは、ゲルマニウムを実質的に含まない。このスートブランクは、ここに先に説明したように、スートブランクを、一酸化炭素、および分子形態にある軽水素と重水素の内の少なくとも一方を含む雰囲気中において、約１１５０℃から約１３００℃までの範囲の温度で加熱して、ＯＨとＯＤの総濃度を約１０ｐｐｍ未満に、ある実施の形態、１ｐｐｍ未満に減少させることによって、乾燥される。
【００３４】
約１０ｐｐｍ未満のＯＨとＯＤの総濃度を有する溶融シリカ物品を製造する方法も提供される。最初に、スートブランクを提供する。このスートブランクは、ここに先に説明したように、一酸化炭素を含む無ハロゲン雰囲気中で乾燥され、次いで、酸化され、焼結される。
【実施例】
【００３５】
以下の実施例は、本発明の様々な特徴および利点を説明したものであり、本発明をそれらに制限することは決して意図していない。
【００３６】
実施例１：１１００℃から１２００℃への上昇中の乾燥
円柱形スートブランクを、Ｈｅ中１％のＣＯを含む雰囲気を用いて、３時間に亘り炉内で乾燥させた。炉の温度を２時間に亘り１１００℃から１２００℃まで上昇させた。乾燥工程後、このブランクを、５ｍｍ／分の降下速度、すなわち、ブランクが垂直炉を通って下方に動かされる速度で、酸化させ、焼結した。焼結したスートブランクのテーパー状の端部を除去し、残りの均一な円柱形スートブランクの断面について、ＯＨ濃度を測定した。このＯＨ濃度は、スートブランクの中間点、スートブランクの頂部、およびスートブランクの底部で採取した断面サンプルについて測定した。ここに用いたように、「頂部」および「底部」は、垂直炉に関するスートブランクの垂直方向を称する。頂部と底部の断面の各々は、スートブランクの円柱部分のそれぞれの端部からの、この円柱部分の全長の５％である距離に位置する地点で得た。例えば、１００ｃｍの長さを有する円柱形スートブランクについて、頂部の断面サンプルは、このスートブランクの円柱部分の上面から５ｃｍの地点で採取され、中間点の断面サンプルは、円柱部分の中間点で採取され、底部の断面サンプルは、スートブランクの底面から５ｃｍの地点で採取される。図１は、頂部（図１の（１））、中間点（２）、および底部（３）に関する円柱片のコアの中心から測定した焼結したブランク中のＯＨ濃度をプロットしたグラフである。結果として得られたＯＨ濃度は、軸方向に８０ｐｐｍから１２０ｐｐｍに、半径方向に８０ｐｐｍから３５ｐｐｍに及んだ。これらの結果は、水素と二酸化炭素を生成するＣＯとＯＨとの反応、それゆえ、ＣＯ乾燥プロセスが、１２００℃未満の温度では不十分であることを示している。
【００３７】
実施例２：１２００℃での乾燥
円柱形スートブランクを、Ｈｅ中１％のＣＯを含む雰囲気中において１２００℃で２時間に亘り炉内で乾燥させ、その後、約１５００℃に維持された区域を有する垂直炉に、５ｍｍ／分の下方駆動速度で同じ雰囲気中において焼結した。実施例１に記載したように、スートブランクのテーパー状の端部を取り除き、残りの均一な円柱形スートブランクの断面について、ＯＨ濃度を測定した。図２は、頂部（図２の（１））、中間点（２）、および底部（３）に関する円柱片のコアの中心から測定した焼結したブランク中のＯＨ濃度をプロットしたグラフである。軸方向において、ＯＨ濃度は８ｐｐｍから１１ｐｐｍまで変動するのに対し、半径方向におけるＯＨ能の度は、１１ｐｐｍからほぼゼロの値までに及んだ。それゆえ、１２００℃より高い温度でのＣＯ乾燥の有効性により、実施例１において観察されたＯＨ濃度より１桁から２桁のＯＨ濃度の減少がもたらされた。
【００３８】
実施例３
円柱形スートブランクを、１６時間に亘り１２２５℃で１％のＣＯを含有するヘリウム雰囲気中において乾燥させ、１時間に亘り２％の酸素を含有するヘリウム雰囲気中において酸化させ、３〜６時間に亘り２％の酸素を含有するヘリウム雰囲気中において１２２５℃で焼結した。実施例１に記載したように、このスートブランクのテーパー状端部を取り除き、残りの均一な円柱形スートブランクの断面について、ＯＨ濃度を測定した。得られた円柱形溶融シリカ片のＯＨ濃度が、頂部（図３の（１））、中間点（２）、および底部（３）に関する円柱片のコアの中心からの距離の関数として図３にプロットされている。このＯＨ濃度は、コアの中心から約２０ｃｍまで延在する領域において約１ｐｐｍ未満であったのに対し、溶融シリカ片の外面に近い（中心から約２２ｃｍ以上）のＯＨ濃度は、焼結中に存在した微量の水により外面がドープされたために、６ｐｐｍから７ｐｐｍに及んだ。
【００３９】
実施例４
円柱形スートブランクを、１６時間に亘り１２２５℃で１％のＣＯを含有するヘリウム雰囲気中において乾燥させた。乾燥工程のほぼ中間で乾燥雰囲気に１時間に亘り重水素（Ｄ2）を加えた。このヘリウム雰囲気中の重水素濃度は０．３％であった。次いで、このスートブランクを、１時間に亘り２％の酸素を含有するヘリウム雰囲気中において酸化させ、３〜６時間に亘り２％の酸素を含有するヘリウム雰囲気中において１２２５℃で焼結した。実施例１に記載したように、このスートブランクのテーパー状端部を取り除き、残りの均一な円柱形スートブランクの断面について、ＯＨ濃度とＯＤ濃度を測定した。得られた円柱形溶融シリカ片のＯＨ濃度が、頂部（図４の（１））、中間点（２）、および底部（３）に関する円柱片のコアの中心からの距離の関数として図４にプロットされている。このＯＨ濃度は、コアの中心から約２２ｃｍまで延在する領域において約０．５ｐｐｍと測定されたのに対し、溶融シリカ片の外面に近い（中心から約２４ｃｍ以上）のＯＨ濃度は、焼結中に存在した微量の水により外面がドープされたために、約１．８ｐｐｍから約２．４ｐｐｍに及んだ。この溶融シリカ片のＯＤ濃度が、頂部（図５の（１））、中間点（２）、および底部（３）に関する円柱片のコアの中心からの距離の関数として図５にプロットされている。約２ｐｐｍのＯＤ濃度で、スペクトル雑音は、この実施例に記載された溶融シリカサンプルについて約２７００ｃｍ-1でのＯＤ吸収を圧倒し、それゆえ、ＯＤ濃度をゼロまで減少させた。
【００４０】
説明の目的のために、典型的な実施の形態を述べてきたが、先の説明は、本発明の範囲の制限であると考えるべきではない。したがって、様々な改変、適用および変更が、本発明の精神および範囲から逸脱せずに、当業者に考えられるであろう。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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