(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体装置を形成するための実効領域とは異なるマーク領域内に配置されたマークパターンと、
前記マーク領域内であって前記マークパターンの周囲に配置された、前記マークパターンよりもサイズ及びピッチが小さいラインアンドスペースパターンと、
を備え、
前記マークパターン内に、補助パターンが形成され、
前記実効領域内には、半導体装置を形成するための回路用のラインアンドスペースパターンが形成され、
前記マークパターンの周囲に配置されたラインアンドスペースパターンは、前記回路用のラインアンドスペースパターンと略同一のサイズ及びピッチで形成されていることを特徴とするフォトマスク。
【請求項２】
半導体装置を形成するための実効領域とは異なるマーク領域内に配置されたマークパターンと、
前記マーク領域内であって前記マークパターンの周囲を取り囲むように配置された、前記マークパターンよりもサイズ及びピッチが小さくかつ露光光で解像するラインアンドスペースパターンと、
を備えたことを特徴とするフォトマスク。
【請求項３】
前記マークパターン内に、露光光で解像しない補助パターンが形成されたことを特徴とする請求項２記載のフォトマスク。
【請求項４】
半導体装置を形成するための実効領域とは異なるマーク領域内に配置されたマークパターンと、前記マーク領域内であって前記マークパターンの周囲を取り囲むように配置された、前記マークパターンよりもサイズ及びピッチが小さいラインアンドスペースパターンとを有するマスクパターンに対応する第１の膜パターンを、基板上に形成する工程と、
前記第１の膜パターンの側壁に第２の膜パターンを形成する工程と、
前記第１の膜パターンを除去する工程と、
を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記第１の膜パターンを除去した後、前記第２の膜パターンによって、
露光光或いはパターン測定光の解像限界以上のサイズの凹状のマークパターンと、
前記凹型のマークパターンの周囲に配置される前記解像限界未満のサイズのラインアンドスペースパターンと、
が前記基板上の前記マーク領域内に形成されることを特徴とする請求項４記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、マスクおよび半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
露光装置を用いた半導体製造工程では、前工程で形成されたアライメントマークに対してアライメントし、その上に次の層用のパターンを露光していく。その後、露光されたパターンと下地との重ね合せズレを、前工程で形成した重ね合せ計測マークと露光したパターンの重ね合せ計測マークを同時に撮像した画像から計測する。アライメントおよび重ね合せ計測では、一般に、可視光またはより長波長領域の光が用いられる。また、かかるアライメントマークや重ね合せ計測マークには種々のパターンが利用されており、代表例としてボックスインボックス型、バーインバー型、ライン＆スペース型などがある。これらのマークの設計にあたっては、デバイスパターンの露光条件（露光量・Ｆｏｃｕｓ）に対して十分なマージンがとれるように、マークの寸法、密度、被覆率、凸型マーク、凹型マーク、セグメントマークなどを調整、選択している。
【０００３】
しかしながら、近年、半導体装置の微細化が進み、側壁加工プロセス技術に代表されるような、露光光の解像限界未満の寸法でパターンを形成する技術が採用されてきた。側壁加工プロセスでは、芯材となる膜パターンの側壁に解像限界未満の側壁パターンを形成し、芯材を除去することで解像限界未満の寸法のハードマスクが形成される。そのため、かかる手法でマークパターンを形成すると、解像限界以上の寸法でマーク形状を有する芯材の膜パターンを形成しても、芯材の膜パターンをその後に除去してしまうため、結局、芯材を取り囲む縁取り形状の側壁パターンしか得られないことになる。しかも、かかる縁取り形状の側壁パターンは、解像限界未満の寸法であるため、光学式顕微鏡で計測することが困難となってしまうといった問題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００９−１４７３２８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の実施形態は、上述した問題点を克服し、露光光の解像限界未満の寸法でパターンを形成する技術を用いてマークパターンを形成する場合でも、光学式顕微鏡で計測可能なマークパターンを形成することが可能なフォトマスクおよび半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
実施形態のフォトマスクは、マークパターンと、ラインアンドスペースパターンと、を備える。マークパターンは、半導体装置を形成するための実効領域とは異なるマーク領域内に配置される。ラインアンドスペースパターンは、前記マーク領域内であって前記マークパターンの周囲を取り囲むように配置された、前記マークパターンよりもサイズ及びピッチが小さくかつ露光光で解像するサイズで形成される。
【０００７】
実施形態の半導体装置の製造方法は、半導体装置を形成するための実効領域とは異なるマーク領域内に配置されたマークパターンと、前記マーク領域内であって前記マークパターンの周囲を取り囲むように配置された、前記マークパターンよりもサイズ及びピッチが小さいラインアンドスペースパターンとを有するマスクパターンに対応する第１の膜パターンを、基板上に形成する工程と、前記第１の膜パターンの側壁に第２の膜パターンを形成する工程と、前記第１の膜パターンを除去する工程と、を備えている。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】第１の実施形態におけるフォトマスクの一例を示す上面図である。
【図２】第１の実施形態におけるフォトマスクのマーク領域に形成されるパターンの一例を示す上面図である。
【図３】第１の実施形態におけるフォトマスクのマーク領域の断面図である。
【図４】第１の実施形態における半導体装置の製造方法の要部工程を示すフローチャート図である。
【図５】第１の実施形態における半導体装置の製造方法の工程断面図である。
【図６】第１の実施形態におけるマーク領域のパターンの一例を示す工程上面図である。
【図７】第１の実施形態における半導体装置の製造方法の工程断面図である。
【図８】第１の実施形態におけるマークパターンと従来の手法での凹型のマークパターンとを示す概念図である。
【図９】凹型のマークパターンと凸型のマークパターンをそれぞれ形成した場合を比較して示す概念図である。
【図１０】第１の実施形態におけるマーク領域のパターンの一例を示す工程上面図である。
【図１１】第２の実施形態におけるフォトマスクのマーク領域に形成されるパターンの一例を示す上面図である。
【図１２】第２の実施形態における半導体装置の製造方法の工程断面図である。
【図１３】第２の実施形態におけるマーク領域のパターンの一例を示す工程上面図である。
【図１４】第３の実施形態におけるフォトマスクのマーク領域に形成されるパターンの一例を示す上面図である。
【図１５】第３の実施形態における補助パターンの効果を説明するための概念図である。
【図１６】第４の実施形態におけるフォトマスクのマーク領域に形成されるパターンの一例を示す上面図である。
【図１７】各実施形態における重ね合わせ計測マークの一例を示す図である。
【図１８】各実施形態におけるアライメントマークの一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
（第１の実施形態）
以下、図面を用いて説明する。
図１に、第１の実施形態におけるフォトマスクの一例を示す上面図が示される。図１において、第１の実施形態におけるフォトマスク２０には、実効領域２２に半導体装置の回路パターンが形成される。また、実効領域２２とは異なる位置、例えば、実効領域２２の外側の複数の箇所に、アライメントマーク２４と重ね合せ計測マーク２６とが形成される。かかるアライメントマーク２４が形成される領域がアライメントマーク領域となる。同様に、重ね合せ計測マーク２６が形成される領域が重ね合せ計測マーク領域となる。図１では、アライメントマーク２４と重ね合せ計測マーク２６とがそれぞれ４か所形成された例を示している。
【００１０】
図２に、第１の実施形態におけるフォトマスクのマーク領域に形成されるパターンの一例を示す上面図が示される。図２では、アライメントマーク２４と重ね合せ計測マーク２６の少なくとも一方について形成されるパターンの一例を示している。図２において、フォトマスク２０のアライメントマーク領域と重ね合せ計測マーク領域の少なくとも一方には、凸型のマークパターン１０と、マークパターン１０の周囲を取り囲むように配置される、ラインアンドスペースパターン１２が形成される。ラインアンドスペースパターン１２は、例えば、ライン幅：スペース幅＝１：１のパターンとして形成される。また、ラインアンドスペースパターン１２は、マークパターン１０よりも小さい線幅寸法およびピッチで形成される。ラインアンドスペースパターン１２は、露光後の基板上に形成される対応するパターンの寸法を例えば１／２にした際に露光光或いはパターン測定用の測定光の解像限界未満になる寸法で形成されると好適である。例えば、露光後の基板上に形成される寸法が４０ｎｍの線幅で８０ｎｍのピッチで形成されると好適である。一方、マークパターン１０は、ラインアンドスペースパターン１２の寸法の例えば１／２を差し引いても十分に露光光或いはパターン測定用の測定光の解像限界以上になる寸法で形成される。例えば、１〜２μｍの線幅で形成される。図２では、マークパターン１０が、ラインアンドスペースパターン１２の２．５ピッチ分の寸法にしかなっていないが、さらに、多くのピッチ分の線幅に形成してもよい。以下、各図において同様である。
【００１１】
図３に、第１の実施形態におけるフォトマスクのマーク領域の断面図が示される。フォトマスク２０は、ガラス基板３１上に、遮光膜３３による膜パターンが形成される。遮光膜３３によって、上述したマークパターン１０と、ラインアンドスペースパターン１２が形成される。遮光膜３３としては、例えば、クロム（Ｃｒ）膜等が好適である。フォトマスク２０は、かかるマークパターン１０と、マークパターン１０の周囲を取り囲むように配置されるラインアンドスペースパターン１２が形成されていれば、その他の構成であっても構わない。例えば、ハーフトーン位相マスク等であっても構わない。
【００１２】
図示していないが、フォトマスク２０の実効領域２２には、ラインアンドスペースパターン１２と同様のサイズおよびピッチで回路パターンが形成されている。すなわち、実効領域２２には、半導体装置を形成するための回路用のラインアンドスペースパターンが形成される。ここで、マーク領域のラインアンドスペースパターン１２は、実効領域２２に形成される回路用のラインアンドスペースパターンと略同一のサイズ及びピッチで形成されると好適である。
【００１３】
かかるフォトマスク２０を用いて、アライメントマーク２４或いは重ね合せ計測マーク２６用のパターンを半導体基板上に露光転写することで、後述するように、露光光の解像限界未満の寸法でパターンを形成する技術を用いてマークパターンを形成する場合でも、光学式顕微鏡で計測可能な凹型のマークパターンを形成できる。
【００１４】
図４は、第１の実施形態における半導体装置の製造方法の要部工程を示すフローチャート図である。第１の実施形態における半導体装置の製造方法は、被加工膜形成工程（Ｓ１０２）と、絶縁膜形成工程（Ｓ１０４）と、レジストパターン形成工程（Ｓ１０６）と、エッチング工程（Ｓ１０８）と、スリミング工程（Ｓ１１０）と、絶縁膜形成工程（Ｓ１１２）と、エッチバック工程（Ｓ１１４）と、芯材除去工程（Ｓ１１６）と、エッチング工程（Ｓ１１８）という一連の工程を実施する。
【００１５】
図５に、第１の実施形態における半導体装置の製造方法の工程断面図が示されている。図５では、図４の被加工膜形成工程（Ｓ１０２）から絶縁膜形成工程（Ｓ１１２）までを示している。それ以降の工程は後述する。
【００１６】
図５（ａ）において、まず、被加工膜形成工程（Ｓ１０２）として、半導体基板２００（基板の一例）上に、被加工膜２１０を例えば２００ｎｍの膜厚で形成する。被加工膜２１０は、実効領域では、半導体装置の回路形成のための一部となり、マーク領域では、アライメントマーク或いは重ね合せ計測マークとなる。
【００１７】
次に、絶縁膜形成工程（Ｓ１０４）として、被加工膜２１０上に絶縁膜２２０を例えば２００ｎｍの膜厚で形成する。絶縁膜２２０は、被加工膜２１０をエッチング加工する際のハードマスク材として用いられる。絶縁膜２２０としては、シリコン酸化膜（ＳｉＯ２膜）等が好適である。例えば、ＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）膜等が好適である。
【００１８】
そして、レジストパターン形成工程（Ｓ１０６）として、まず、絶縁膜２２０上にレジスト膜２３０を形成し、レジスト膜２３０に、上述したフォトマスク２０を用いてフォトマスク２０のマスクパターンを露光転写する。そして、現像処理を行うことで絶縁膜２２０上にマスクパターンに対応するレジストパターンが形成される。レジストパターンは、半導体基板２００のマーク領域に、凸型のマークパターン２３２と、マークパターン２３２の周囲に配置されるマークパターン２３２よりもサイズ及びピッチが小さいラインアンドスペースパターン２３４とが形成される。一方、半導体基板２００の実効領域には、半導体装置を形成するための、ラインアンドスペースパターン２３６を含む回路パターンが形成される。かかるマーク領域に形成されたマークパターン２３２とラインアンドスペースパターン２３４は、フォトマスク２０に形成されたマークパターン１０とラインアンドスペースパターン１２に対応する形状となる。また、マーク領域のラインアンドスペースパターン２３４は、実効領域のラインアンドスペースパターン２３６と同様の線幅（サイズ）およびピッチで形成されると好適である。ラインアンドスペースパターン２３４，２３６は、露光により形成されるので、ここでは、まだ、フォトマスク２０から転写可能な露光光の解像限界以上のサイズで形成される。例えば、配線幅が４０ｎｍでピッチが８０ｎｍで形成される。マークパターン２３２はラインアンドスペースパターン２３４よりも大きな寸法、例えば、線幅が１〜２μｍで形成される。
【００１９】
図５（ｂ）において、エッチング工程（Ｓ１０８）として、形成されたレジストパターンをマスクとして、下層の絶縁膜２２０がエッチングされる。これにより、半導体基板２００のマーク領域に、絶縁膜２２０による、凸型のマークパターン２２２と、マークパターン２２２の周囲に配置されるマークパターン２２２よりもサイズ及びピッチが小さいラインアンドスペースパターン２２４とが形成される。一方、半導体基板２００の実効領域には、半導体装置を形成するための、ラインアンドスペースパターン２２６を含む回路パターンが形成される。以上のように、マークパターン２２２と、ラインアンドスペースパターン２２４とを有する絶縁膜２２０による膜パターン（第１の膜パターンの一例）が形成される。上述したレジストパターンをマスクとしてエッチング加工を実施しているので、マーク領域のラインアンドスペースパターン２２４は、実効領域のラインアンドスペースパターン２２６と同様の線幅（サイズ）およびピッチで形成される。ラインアンドスペースパターン２２４，２２６は、ここでは、まだ、フォトマスク２０から転写可能な露光光の解像限界以上のサイズで形成される。例えば、配線幅が４０ｎｍでピッチが８０ｎｍで形成される。マークパターン２２２はラインアンドスペースパターン２２４よりも大きな寸法、例えば、線幅が１〜２μｍで形成される。
【００２０】
図６に、第１の実施形態におけるマーク領域のパターンの一例を示す工程上面図が示されている。図６（ａ）に示すように、フォトマスク２０に形成された図２で示した凸型のマークパターン１０に対応する絶縁膜２２０による凸型のマークパターン２２２と、図２で示したラインアンドスペースパターン１２に対応する絶縁膜２２０によるラインアンドスペースパターン２２４とが形成される。
【００２１】
図５（ｃ）において、スリミング工程（Ｓ１１０）として、マークパターン２２２と、ラインアンドスペースパターン２２４，２２６とをエッチバックしてスリミング処理し、ラインアンドスペースパターン２２４，２２６のラインパターンの線幅寸法が例えば１／２のサイズになるように加工する。その際、ラインアンドスペースパターン２２４，２２６のラインパターンの線幅寸法の１／２と同様の幅分だけマークパターン２２２についても線幅が細くなる。かかるスリミング処理により、マークパターン２２２が細くなったマークパターン２２３の周囲に１：３のラインアンドスペースパターン２２５を形成できる。実効領域においても同様に、１：３のラインアンドスペースパターン２２７が形成されることは言うまでもない。
【００２２】
図５（ｄ）において、絶縁膜形成工程（Ｓ１１２）として、マークパターン２２３と、ラインアンドスペースパターン２２５とを有する絶縁膜２２０による膜パターンを覆うように、例えばＣＶＤ法を用いてコンフォーマルに絶縁膜２４０を形成する。絶縁膜２４０は、絶縁膜２２０に対して十分なエッチング耐性を持った材料が好適である。例えば、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）、或いは、窒化シリコン（ＳｉＮ）等が好適である。
【００２３】
図７に、第１の実施形態における半導体装置の製造方法の工程断面図が示されている。図７では、図４のエッチバック工程（Ｓ１１４）からエッチング工程（Ｓ１１８）までを示している。
【００２４】
図７（ａ）において、エッチバック工程（Ｓ１１４）として、絶縁膜２２０による膜パターンの表面が露出するまで絶縁膜２４０をエッチバックすることで、絶縁膜２２０による膜パターンの側壁に、絶縁膜２４０による膜パターン（第２の膜パターン）である側壁パターン２４２，２４４，２４６を形成できる。側壁パターン２４２は、マークパターン２２３の両サイドに形成される。側壁パターン２４４は、ラインアンドスペースパターン２２５のラインパターンの両サイドにそれぞれ形成される。側壁パターン２４６は、ラインアンドスペースパターン２２７のラインパターンの両サイドにそれぞれ形成される。上面から見ると、図６（ｂ）に示すように、芯材となるマークパターン２２３と接触しながら取り囲むように側壁パターン２４２が形成される。同様に、芯材となるラインアンドスペースパターン２２５のラインパターンと接触しながら取り囲むように側壁パターン２４４が形成される。同様に、芯材となるラインアンドスペースパターン２２７のラインパターンと接触しながら取り囲むように側壁パターン２４６が形成される。
【００２５】
図７（ｂ）において、芯材除去工程（Ｓ１１６）として、側壁パターン２４２と接触して支えている芯材としての絶縁膜２２０によるマークパターン２２３と、側壁パターン２４４と接触して支えている芯材としての絶縁膜２２０によるラインアンドスペースパターン２２５のラインパターンと、側壁パターン２４６と接触して支えている芯材としての絶縁膜２２０によるラインアンドスペースパターン２２７のラインパターンと、を除去する。換言すれば、基板上の絶縁膜２２０による膜パターン（第１の膜パターン）を除去する。例えば、ウェットエッチング法により除去すればよい。かかる工程により、マーク領域には、側壁パターン２４２の間に凹型（凹状）のマークパターン２４１を形成できる。さらに、かかる凹型のマークパターン２４１の周囲には、ライン幅：スペース幅＝１：１のパターンを構成する複数の側壁パターン２４４が配置され、側壁パターン２４２もかかるラインアンドスペースパターンを構成することになる。凹型のマークパターン２４１は、マークパターン２２３と同じ幅を持つので、露光光およびパターン測定用の測定光の波長よりも大きい、すなわち、解像限界以上の幅寸法で形成できる。一方、周囲のラインアンドスペースパターンを構成する複数の側壁パターン２４２，２４４は、ラインアンドスペースパターン２２５のラインパターンと略同じ幅を持つので、露光光およびパターン計測用のパターン計測光の波長よりも小さい、すなわち、解像限界未満の幅寸法およびピッチで形成できる。
【００２６】
図７（ｃ）において、エッチング工程（Ｓ１１８）として、マーク領域における、凹型のマークパターン２４１の周囲のラインアンドスペースパターンを構成する複数の側壁パターン２４２，２４４と、実効領域におけるライン幅：スペース幅＝１：１のパターンを構成する複数の側壁パターン２４６とをハードマスクとして、被加工膜２１０をエッチングする。これにより、露光光およびパターン測定用の測定光の波長よりも大きい、すなわち、解像限界以上の幅寸法で形成された凹型のマークパターン２１２と、凹型のマークパターン２１２の周囲に解像限界未満の幅寸法およびピッチで配置されたライン幅：スペース幅＝１：１のパターン２１４とが形成される。上面から見ると、図６（ｃ）に示すように、凹型のマークパターン２１２と、凹型のマークパターン２１２の周囲にラインアンドスペースパターン２１４とが配置される。ラインアンドスペースパターン２１４は、実効領域に形成されるライン幅：スペース幅＝１：１のラインアンドスペースパターン２１６と同様に、解像限界未満の幅寸法およびピッチで配置されるので、露光光および測定光ではそのパターンの詳細形状が識別困難である。言い換えれば、ラインアンドスペースパターン２１４が形成された領域が白黒の中間色で検出される。一方、凹型のマークパターン２１２は、解像限界以上の幅寸法で形成されているので、かかる中間色のラインアンドスペースパターン２１４領域中に凹型のパターン（白パターン：無パターン）として検出できる。
【００２７】
図８に、第１の実施形態におけるマークパターンと従来の手法での凹型のマークパターンとを示す概念図が示されている。図８（ａ）に示すように、従来の手法での凹型のマークパターンを、側壁加工プロセスを用いて形成した場合、解像限界以上の寸法でマーク形状に芯材の膜パターンを形成しても、芯材の膜パターンをその後に除去してしまうため、結局、芯材を取り囲む縁取り形状の側壁パターン５０しか得られない。しかも、かかる縁取り形状の側壁パターン５０は、解像限界未満の寸法であるため、光学式顕微鏡で計測することが困難となってしまう。これに対して、第１の実施形態では、図８（ｂ）に示すように、解像限界以上の幅寸法の凹型のマークパターン２１２と、凹型のマークパターン２１２の周囲に解像限界未満の幅寸法およびピッチのラインアンドスペースパターン２１４と、を形成する。これにより、露光光の解像限界未満の寸法でパターンを形成する技術を用いてマークパターン２１２を形成する場合でも、中間色のラインアンドスペースパターン２１４領域中に凹型のパターン（白パターン：無パターン）として検出できる。よって、露光光で検出可能および光学式顕微鏡で計測可能な凹型のマークパターン２１２を形成できる。
【００２８】
なお、側壁加工プロセスを行ってパターンを形成する際に、微細寸法の複数の側壁パターンを寄せ集めてセグメント化し、それ自身をマークとして使用することも考えられるが、側壁パターンはプロセスの性質上、凸型でしか形成できず、この場合、セグメント化したマークも凸型のマークパターンとなる。
図９は、凹型のマークパターンと凸型のマークパターンそれぞれ形成した場合を比較して示す概念図である。図９（ａ）に示されるように、凸型のマークパターン３００を形成した場合、マーク領域に大規模な無パターン領域（抜き領域）２５２が存在すると、凸型のマークパターン３００上に上層の膜２５０を形成した際、無パターン領域２５２と無パターン領域２５２の隣の領域（例えば実効領域側）との間に段差が形成されてしまう。段差があるとフォーカス位置がずれてしまい、例えば、実効領域の回路パターンがぼけてしまう。また、段差があると開口部を形成する際に開口部の深さが変わってしまう。これに対して、第１の実施形態では、図９（ｂ）に示すように、凹型のマークパターン２１２を形成できるため、かかる段差の形成を防止できる。
【００２９】
ここで、上述した例では、側壁加工プロセスを１回行うことで、マスクパターンに対応するラインアンドスペースパターンの１／２のサイズのラインアンドスペースパターン２１４を形成したが、これに限るものではない。
【００３０】
図１０に、第１の実施形態におけるマーク領域のパターンの一例を示す工程上面図が示されている。図１０（ａ）では、図６（ｃ）に示したように、マスクパターンに対応するラインアンドスペースパターンの１／２のサイズのラインアンドスペースパターン２１４により凹型のマークパターン２１２を取り囲んだ状態を示している。かかる状態から、さらに、第２回目の側壁加工プロセスを行って、ラインアンドスペースパターン２１４のラインパターンをスリミング工程（Ｓ１１０）と同様にスリミング処理する。そして、絶縁膜形成工程（Ｓ１１２）とエッチバック工程（Ｓ１１４）と芯材除去工程（Ｓ１１６）を実施することで、図１０（ｂ）に示す状態を形成できる。これにより、マスクパターンに対応するラインアンドスペースパターンの１／４のサイズのラインアンドスペースパターンにより凹型のマークパターンを取り囲んだ状態を形成してもよい。ここでは、２回の側壁加工プロセスを行って、当初の１／４の寸法まで線幅およびピッチを狭めているが、これに限るものではなく、同様の工程を繰り返して、さらに、線幅およびピッチを狭めてもよい。実効領域についても同様である。
【００３１】
（第２の実施形態）
第１の実施形態では、フォトマスク２０のマーク領域に、凸型のマークパターン１０と、マークパターン１０の周囲を取り囲むように配置される、例えばライン幅：スペース幅＝１：１のラインアンドスペースパターン１２とが形成される場合について説明した。しかしながら、かかる構成に限定されるものではない。第２の実施形態では、凹型のマークパターンが形成されるフォトマスクおよびかかるフォトマスクを使って製造される半導体装置の製造方法について説明する。フォトマスクの構成は図１と同様である。また、半導体装置の製造方法の各工程については図４と同様である。以下、特に説明する点以外の内容は第１の実施形態と同様である。
【００３２】
図１１に、第２の実施形態におけるフォトマスクのマーク領域に形成されるパターンの一例を示す上面図が示されている。図１１では、アライメントマーク２４と重ね合せ計測マーク２６の少なくとも一方について形成されるパターンの一例を示している。図１１において、フォトマスク２０のアライメントマーク領域と重ね合せ計測マーク領域の少なくとも一方には、凹型のマークパターン１１と、マークパターン１１の周囲を取り囲むように配置される、ラインアンドスペースパターン１３とが形成される。ラインアンドスペースパターン１３は、例えば、ライン幅：スペース幅＝１：１のパターンとして形成される。ラインアンドスペースパターン１３は、マークパターン１１よりも小さい線幅寸法およびピッチで形成される。ラインアンドスペースパターン１３は、露光後の基板上に形成される対応するパターンの寸法を例えば１／２にした際に露光光或いはパターン測定用の測定光の解像限界未満になる寸法で形成される。例えば、露光後の基板上に形成される寸法が４０ｎｍの線幅で８０ｎｍのピッチで形成される。一方、マークパターン１１は、ラインアンドスペースパターン１３の寸法の例えば１／２を差し引いても十分に露光光或いはパターン測定用の測定光の解像限界以上になる寸法で形成される。例えば、１〜２μｍの線幅で形成される。図１１では、マークパターン１１が、ラインアンドスペースパターン１３の２．５ピッチ分の寸法にしかなっていないが、さらに、多くのピッチ分の線幅に形成してもよい。以下、各図において同様である。
【００３３】
図１２に、第２の実施形態における半導体装置の製造方法の工程断面図が示されている。図１２では、図４の被加工膜形成工程（Ｓ１０２）からエッチング工程（Ｓ１１８）までを示している。まず、被加工膜形成工程（Ｓ１０２）から絶縁膜形成工程（Ｓ１０４）までは第１の実施形態と同様である。
【００３４】
図１２（ａ）において、レジストパターン形成工程（Ｓ１０６）として、まず、絶縁膜２２０上にレジスト膜２３０を形成し、レジスト膜２３０に、第２の実施形態におけるフォトマスク２０を用いてフォトマスク２０のマスクパターンを露光転写する。そして、現像処理を行うことで絶縁膜２２０上にマスクパターンに対応するレジストパターンが形成される。レジストパターンは、半導体基板２００のマーク領域に、凹型のマークパターン２３３と、マークパターン２３３の周囲に配置されるマークパターン２３３よりもサイズ及びピッチが小さいラインアンドスペースパターン２３５とが形成される。一方、半導体基板２００の実効領域には、半導体装置を形成するための、ラインアンドスペースパターン２３７を含む回路パターンが形成される。かかるマーク領域に形成されたマークパターン２３３とラインアンドスペースパターン２３５は、第２の実施形態におけるフォトマスク２０に形成されたマークパターン１１とラインアンドスペースパターン１３に対応する形状となる。また、マーク領域のラインアンドスペースパターン２３５は、実効領域のラインアンドスペースパターン２３７と同様の線幅（サイズ）およびピッチで形成されると好適である。ラインアンドスペースパターン２３５，２３７は、露光により形成されるので、ここでは、まだ、フォトマスク２０から転写可能な露光光の解像限界以上のサイズで形成される。例えば、配線幅が４０ｎｍでピッチが８０ｎｍで形成される。凹型のマークパターン２３３はラインアンドスペースパターン２３５よりも大きな寸法、例えば、線幅が１〜２μｍで形成される。以下、エッチング工程（Ｓ１０８）から芯材除去工程（Ｓ１１６）までの各工程は第１の実施形態と同様である。
【００３５】
図１３に、第２の実施形態におけるマーク領域のパターンの一例を示す工程上面図が示されている。エッチング工程（Ｓ１０８）によって、図１３（ａ）に示すように、フォトマスク２０に形成された図１１で示した凹型のマークパターン１１に対応する絶縁膜２２０による凹型のマークパターンと、図１１で示したラインアンドスペースパターン１３に対応する絶縁膜２２０によるラインアンドスペースパターンとが形成される。
【００３６】
また、エッチバック工程（Ｓ１１４）によって、図１３（ｂ）に示すように、凹部のマークパターンを取り囲むラインアンドスペースパターンのうちの芯材となるラインパターンと接触しながらラインパターンを取り囲むように側壁パターンが形成される。
【００３７】
図１２（ｂ）において、エッチング工程（Ｓ１１８）として、マーク領域における、凹型のマークパターンの周囲の例えばライン幅：スペース幅＝１：１のラインアンドスペースパターンを構成する複数の側壁パターンと、実効領域における例えばライン幅：スペース幅＝１：１のラインアンドスペースパターンを構成する複数の側壁パターンとをハードマスクとして、被加工膜２１０をエッチングする。これにより、露光光およびパターン測定用の測定光の波長よりも大きい、すなわち、解像限界以上の幅寸法で形成された凹型のマークパターン２１３と、凹型のマークパターン２１３の周囲に解像限界未満の幅寸法およびピッチで配置された例えばライン幅：スペース幅＝１：１のラインアンドスペースパターン２１５とが形成できる。上面から見ると、図１３（ｃ）に示すように、凹型のマークパターン２１３と、凹型のマークパターン２１３の周囲にラインアンドスペースパターン２１５とが配置される。ラインアンドスペースパターン２１５は、実効領域に形成されるライン幅：スペース幅＝１：１のラインアンドスペースパターン２１７と同様に解像限界未満の幅寸法およびピッチで配置されるので、露光光および測定光ではそのパターンの詳細形状が識別困難である。言い換えれば、ラインアンドスペースパターン２１５が形成された領域が白黒の中間色で検出される。一方、凹型のマークパターン２１３は、解像限界以上の幅寸法で形成されているので、かかる中間色のラインアンドスペースパターン２１５領域中に凹型のパターン（白パターン：無パターン）として検出できる。
【００３８】
（第３の実施形態）
第３の実施形態では、第１の実施形態のフォトマスク２０の凸型のマークパターン１０の解像度を向上させる方法について説明する。
【００３９】
図１４に、第３の実施形態におけるフォトマスクのマーク領域に形成されるパターンの一例を示す上面図が示されている。図１４（ａ）では、図２で示した第１の実施形態における凸型のマークパターン１０と、マークパターン１０の周囲を取り囲むように配置される、例えばライン幅：スペース幅＝１：１のラインアンドスペースパターン１２とを示している。第３の実施形態では、図１４（ｂ）に示すように、凸型のマークパターン１０に露光光の解像限界未満の幅の凹型の補助パターン３０を形成する。凹型の補助パターン３０は、凸型のマークパターン１０を取り囲むラインアンドスペースパターン１２のうち、凸型のマークパターン１０を横断してその両側に延びるラインアンドスペースパターン１２のスペース部分（凹パターン）に繋がるように、ラインアンドスペースパターン１２と平行に形成されると好適である。
【００４０】
図１５に、第３の実施形態における補助パターンの効果を説明するための概念図が示されている。例えばライン幅：スペース幅＝１：１のラインアンドスペースパターン１２から急に線幅の太い凸型のマークパターン１０が配置されたマスクパターンを半導体基板上に露光転写すると、図１５（ａ）に示すように、凸型のマークパターン１０と近傍のラインアンドスペースパターン１２との間での回折光強度差が低くなってしまい、露光マージンが狭くなってしまう。そのため、マークパターン１０の寸法にずれが生じやすくなる。これに対して、凸型のマークパターン１０に凹型の補助パターン３０を形成すると、パターンの疎密の変化を若干抑えることができる。そのため、凸型のマークパターン１０と近傍のラインアンドスペースパターン１２との間での回折光強度差を大きくできる。そのため、マークパターン１０の寸法のずれを抑制できる。また、凹型の補助パターン３０は、露光光の解像限界未満のサイズなので転写されずに済ますことができる。
【００４１】
以上のように、第３の実施形態によれば、露光されるマスクパターンの寸法のずれを抑制できる。
【００４２】
なお、図１４（ｂ）の例では、マークパターン１０が、ラインアンドスペースパターン１２の２．５ピッチ分の線幅で形成された例を示したが、これに限るものではなく、マークパターン１０は、ラインアンドスペースパターン１２の３ピッチ以上の線幅で形成されても好適である。かかる場合、凹型の補助パターン３０は、凸型のマークパターン１０を横断してその両側に延びるラインアンドスペースパターン１２のすべてのスペース部分（凹パターン）に繋がるように形成する必要はない。凸型のマークパターン１０を横断してその両側に延びるラインアンドスペースパターン１２のすべてのスペース部分のうち、マークパターン１０の端部側に位置するスペース部分と繋がるように形成すれば足りる。例えば、マークパターン１０の両方の端部側からそれぞれ１つ〜３つのスペース部分と繋がる１つ〜３つの補助パターン３０を形成すれば足りる。
【００４３】
（第４の実施形態）
第４の実施形態では、第２実施形態のフォトマスク２０の凹型のマークパターン１１の解像度を向上させる方法について説明する。
【００４４】
図１６に、第４の実施形態におけるフォトマスクのマーク領域に形成されるパターンの一例を示す上面図が示されている。図１６（ａ）では、図１１で示した第２の実施形態における凹型のマークパターン１１と、マークパターン１１の周囲を取り囲むように配置される、例えばライン幅：スペース幅＝１：１のラインアンドスペースパターン１３とを示している。第４の実施形態では、図１６（ｂ）に示すように、凹型のマークパターン１１に露光光の解像限界未満の幅の凸型の補助パターン３２を形成する。凸型の補助パターン３２は、凹型のマークパターン１１を取り囲むラインアンドスペースパターン１３のうち、凹型のマークパターン１１を横断してその両側に延びるラインアンドスペースパターン１３のライン部分（凸パターン）に繋がるように、ラインアンドスペースパターン１３と平行に形成されると好適である。
【００４５】
ライン幅：スペース幅＝１：１のラインアンドスペースパターン１３から急に線幅の太い凹型のマークパターン１１が配置されたマスクパターンを半導体基板上に露光転写すると、図１５（ａ）に示したように、凹型のマークパターン１１と近傍のラインアンドスペースパターン１３との間での回折光強度差が低くなってしまい、露光マージンが狭くなってしまう。そのため、マークパターン１１の寸法にずれが生じやすくなる。これに対して、凹型のマークパターン１１に凸型の補助パターン３２を形成すると、パターンの疎密の変化を若干抑えることができる。そのため、凹型のマークパターン１１と近傍のラインアンドスペースパターン１３との間での回折光強度差を大きくできる。そのため、凹型のマークパターン１１の寸法のずれを抑制できる。また、凸型の補助パターン３２は、露光光の解像限界未満のサイズなので転写されずに済ますことができる。
【００４６】
以上のように、第４の実施形態によれば、露光されるマスクパターンの寸法のずれを抑制できる。
【００４７】
なお、図１６（ｂ）の例でも、マークパターン１１が、ラインアンドスペースパターン１３の２．５ピッチ分の線幅で形成された例を示したが、これに限るものではなく、マークパターン１１は、ラインアンドスペースパターン１３の３ピッチ以上の線幅で形成されても好適である点は同様である。また、第４の実施形態では、第３の実施形態と凹凸を逆転させた構成なので、第３の実施形態と凹凸を逆転させた説明と同様になる。すなわち、凸型の補助パターン３２は、凹型のマークパターン１１を横断してその両側に延びるラインアンドスペースパターン１３のすべてのライン部分（凸パターン）のうち、マークパターン１１の端部側に位置するライン部分と繋がるように形成すれば足りる。例えば、マークパターン１１の両方の端部側からそれぞれ１つ〜３つのライン部分と繋がる１つ〜３つの補助パターン３２を形成すれば足りる。
【００４８】
上述した各実施形態において、マーク領域には、並行して並ぶ複数のマークパターンと複数のマークパターンの周囲にラインアンドスペースパターンが配置された構成になっているが、これに限るものではない。
【００４９】
図１７に、重ね合わせ計測マークの一例を示す図が示されている。図１７において、４つのライン状のマーク領域によって、外側の四角形を構成し、内部に、さらに、４つのライン状のマーク領域によって、内側の四角形を構成する。各ライン状のマーク領域には、マークパターン２１２とマークパターンを取り囲むラインアンドスペースパターン２１４によって構成されるパターン群が配置される。かかる形状に重ね合わせ計測マークを構成すると好適である。なお、第２の実施形態および第４の実施形態に対応する場合には、マークパターン２１３とマークパターンを取り囲むラインアンドスペースパターン２１５によって構成されることは言うまでもない。
【００５０】
図１８に、アライメントマークの一例を示す図が示されている。図１８において、複数の長方形のマーク領域によって、外側の四角形と内部の十字形状を構成する。長方形の各マーク領域には、マークパターン２１２とマークパターンを取り囲むラインアンドスペースパターン２１４によって構成されるパターン群が配置される。かかる形状にアライメントマークを構成すると好適である。なお、第２の実施形態および第４の実施形態に対応する場合には、マークパターン２１３とマークパターンを取り囲むラインアンドスペースパターン２１５によって構成されることは言うまでもない。
【００５１】
以上、具体例を参照しつつ実施形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。例えば、各実施形態においては、マークパターンの周囲を取り囲むラインアンドスペースパターンをマークパターンの長手方向に沿って延在するように配置した場合を示したが、ラインアンドスペースパターンがマークパターンの長手方向と直交する方向に沿って延在するように配置されてもよく、その延在方向は特に限定されない。さらに、ラインアンドスペースパターン以外の周期的な規則パターンをマークパターンよりも小さいサイズ及びピッチでマークパターンを取り囲むように配置しても構わない。
【００５２】
また、層間絶縁膜の膜厚や、開口部のサイズ、形状、数などについても、半導体集積回路や各種の半導体素子において必要とされるものを適宜選択して用いることができる。
【００５３】
その他、本発明の要素を具備し、当業者が適宜設計変更しうる全てのフォトマスクおよび半導体装置の製造方法は、本発明の範囲に包含される。
【００５４】
また、説明の簡便化のために、半導体産業で通常用いられる手法、例えば、フォトリソグラフィプロセスにおける、処理前後のクリーニング等は省略しているが、それらの手法が含まれ得ることは言うまでもない。
【符号の説明】
【００５５】
１０，１１，２１２，２１３，２２２，２２３，２３２，２３３，２４１，３００  マークパターン、１２，１３，２１４，２１５，２１６，２１７，２２４，２２５，２２６，２２７，２３４，２３５，２３６，２３７  ラインアンドスペースパターン、２０  フォトマスク、２２  実効領域、２４  アライメントマーク、２６  重ね合せ計測マーク、３０，３２  補助パターン、５０，２４２，２４４，２４６  側壁パターン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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