(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１面と該第１面とは反対側の第２面とを有する第１の樹脂絶縁層と、
前記第１の樹脂絶縁層の第１面側に埋まっていて、前記第１の樹脂絶縁層の第１面に向いている主面と前記第１の樹脂絶縁層の第２面に向いている副面とを有する外部端子と、
前記第１の樹脂絶縁層の第１面側に内蔵され、前記第１の樹脂絶縁層の第２面に向いている電極を有する電極面と該電極面の反対側の電極を有しない背面とを備える半導体素子と、
前記第１の樹脂絶縁層の第２面に形成されている第１導体層と、
前記外部端子と前記第１導体層とを接続する第１ビア導体と、
前記半導体素子の電極と前記第１導体層とを接続する接続ビア導体と、
前記半導体素子の前記背面に一面が接し、反対面が前記第１の樹脂絶縁層の前記第１面と同一面上で該第１の樹脂絶縁層から露出している接着層と、を有するプリント配線板において：
前記第１の樹脂絶縁層の第１面から前記外部端子の副面までの距離（Ｘ）は前記第１導体層の厚みより大きく、
前記第１の樹脂絶縁層の第１面から前記外部端子の副面までの距離（Ｘ）と、前記第１の樹脂絶縁層の第１面から前記半導体素子の電極の上面までの距離（Ｙ）との比（Ｘ／Ｙ）は０．９〜１．１であり、
前記外部端子の主面は、前記第１の樹脂絶縁層の第１面から凹んでおり、凹み量は、前記接着層の厚みよりも大きい。
【請求項２】
請求項１のプリント配線板において、前記接着層は銀ペーストから成る。
【請求項３】
請求項１のプリント配線板において、前記外部端子の副面と前記半導体素子の電極の上面との間の距離（Ｚ）が７．５μｍ以下である。
【請求項４】
請求項１のプリント配線板において、前記外部端子はめっき膜で形成されている。
【請求項５】
支持板を用意することと；
前記支持板上に外部端子を所定厚みで形成することと；
前記支持板上に、前記外部端子よりも薄い接着層を形成し、該接着層上に電極を備える半導体素子を、該半導体素子の背面が支持板と対向するように搭載することと；
前記支持板上に第１面と該第１面とは反対側の第２面とを有する第１の樹脂絶縁層を該第１の樹脂絶縁層の第１面が前記支持板に向くように形成することと；
前記第１の樹脂絶縁層に前記外部端子に至る第１ビア導体用の開口を形成することと；
前記第１の樹脂絶縁層に前記半導体素子の電極に至る接続ビア導体用の開口を形成することと；
前記第１の樹脂絶縁層の第２面上に第１導体層を形成することと；
前記第１ビア導体用の開口に前記第１導体層と前記外部端子を接続する第１ビア導体を形成することと；
前記接続ビア導体用の開口に前記第１導体層と前記半導体素子の電極を接続する接続ビア導体を形成することと；
前記支持板を除去することと；を有するプリント配線板の製造方法において、
前記第１の樹脂絶縁層の第１面から前記外部端子の副面までの距離（Ｘ）は、前記第１導体層の厚みより大きく、
前記第１の樹脂絶縁層の第１面から前記外部端子の副面までの距離（Ｘ）と、前記第１の樹脂絶縁層の第１面から前記半導体素子の電極の上面までの距離（Ｙ）との比（Ｘ／Ｙ）は０．９〜１．１である。
【請求項６】
請求項５のプリント配線板の製造方法において、前記第１導体層を形成することと前記第１ビア導体を形成することと前記接続ビア導体を形成することは同時に行われる。
【請求項７】
請求項５のプリント配線板の製造方法において、前記半導体素子の厚みは前記半導体素子の背面から前記電極の上面までの距離である。
【請求項８】
請求項１のプリント配線板において、前記半導体素子の厚みは３０μｍ〜１５０μｍである。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子を内蔵しているプリント配線板、及び該プリント配線板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１は、薄型化のためコア基板を用いず、半導体素子を絶縁層に埋め込むことを開示している。該特許文献１は、支持板上に半導体素子を搭載することと、支持板上で半導体素子を絶縁層に埋め込むことと、支持板を除去することとを含む半導体装置の製造方法を開示している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００６−２２２１６４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１では、以降のプロセスを含む製造方法が開示されている（特許文献１の図１９、図２０参照）。絶縁層で半導体素子が覆われる。そして、その絶縁層は半導体素子の電極が露出するまで研磨され、その絶縁層に支持板上のパッドに至る開口が形成される。その後、その開口をめっきで充填することでビア導体が形成されている。この製造方法では、半導体素子と同等の深さを有する開口をめっきで充填することでビア導体が形成される。そのため、絶縁層上の導体回路の厚みが厚くなると考えられる。絶縁層上に微細な導体回路の形成が困難であると考えられる。また、該導体回路上にビルドアップ層が形成されると、表面の凹凸が大きくなると考えられる。プリント配線板上に電子部品を搭載することが難しくなると考えられる。
【０００５】
特許文献１では、絶縁層が研磨されるので、研磨で半導体素子が壊れることが考えられる。
【０００６】
本発明の目的は、半導体素子を内蔵し薄型で接続信頼性の高いプリント配線板及び該プリント配線板の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係るプリント配線板は、第１面と該第１面とは反対側の第２面とを有する第１の樹脂絶縁層と、前記第１の樹脂絶縁層の第１面側に埋まっていて、前記第１の樹脂絶縁層の第１面に向いている主面と前記第１の樹脂絶縁層の第２面に向いている副面とを有する外部端子と、前記第１の樹脂絶縁層の第１面側に内蔵され、前記第１の樹脂絶縁層の第２面に向いている電極を有する電極面と該電極面の反対側の電極を有しない背面とを備える半導体素子と、前記第１の樹脂絶縁層の第２面に形成されている第１導体層と、前記外部端子と前記第１導体層とを接続する第１ビア導体と、前記半導体素子の電極と前記第１導体層とを接続する接続ビア導体と、前記半導体素子の前記背面に一面が接し、反対面が前記第１の樹脂絶縁層の前記第１面と同一面上で該第１の樹脂絶縁層から露出している接着層と、を有する。そして、前記第１の樹脂絶縁層の第１面から前記外部端子の副面までの距離（Ｘ）は前記第１導体層の厚みより大きく、前記第１の樹脂絶縁層の第１面から前記外部端子の副面までの距離（Ｘ）と、前記第１の樹脂絶縁層の第１面から前記半導体素子の電極の上面までの距離（Ｙ）との比（Ｘ／Ｙ）は０．９〜１．１であり、前記外部端子の主面は、前記第１の樹脂絶縁層の第１面から凹んでおり、凹み量は、前記接着層の厚みよりも大きい。
【０００８】
本発明の別の観点に係るプリント配線板の製造方法は、支持板を用意することと；前記支持板上に外部端子を所定厚みで形成することと；前記支持板上に、前記外部端子よりも薄い接着層を形成し、該接着層上に電極を備える半導体素子を、該半導体素子の背面が支持板と対向するように搭載することと；前記支持板上に第１面と該第１面とは反対側の第２面とを有する第１の樹脂絶縁層を該第１の樹脂絶縁層の第１面が前記支持板に向くように形成することと；前記第１の樹脂絶縁層に前記外部端子に至る第１ビア導体用の開口を形成することと；前記第１の樹脂絶縁層に前記半導体素子の電極に至る接続ビア導体用の開口を形成することと；前記第１の樹脂絶縁層の第２面上に第１導体層を形成することと；前記第１ビア導体用の開口に前記第１導体層と前記外部端子を接続する第１ビア導体を形成することと；前記接続ビア導体用の開口に前記第１導体層と前記半導体素子の電極を接続する接続ビア導体を形成することと；前記支持板を除去することと；を有する。そして、前記第１の樹脂絶縁層の第１面から前記外部端子の副面までの距離（Ｘ）は、前記第１導体層の厚みより大きく、前記第１の樹脂絶縁層の第１面から前記外部端子の副面までの距離（Ｘ）と、前記第１の樹脂絶縁層の第１面から前記半導体素子の電極の上面までの距離（Ｙ）との比（Ｘ／Ｙ）は０．９〜１．１である。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の第１実施形態に係るプリント配線板の製造工程図
【図２】第１実施形態のプリント配線板の製造工程図
【図３】第１実施形態のプリント配線板の製造工程図
【図４】第１実施形態のプリント配線板の製造工程図
【図５】第１実施形態のプリント配線板の製造工程図
【図６】第１実施形態のプリント配線板の製造工程図
【図７】第１実施形態のプリント配線板の製造工程図
【図８】本発明の第１実施形態に係るプリント配線板の断面図
【図９】図８のプリント配線板の応用例
【図１０】図１（Ｂ）中に示される銅箔の平面図
【図１１】本発明の第２実施形態に係るプリント配線板の断面図
【発明を実施するための形態】
【００１０】
[第１実施形態]
図８、図９を参照して本発明の第１実施形態に係るプリント配線板が以下に説明されている。
図８は第１実施形態に係るプリント配線板１０の断面を示している。図９は、第１実施形態のプリント配線板の用途を示している。図９では、図８のプリント配線板がマザーボード２１０に搭載され、さらに、別のＰＫＧ基板２００が第１実施形態のプリント配線板に搭載されている。
【００１１】
図８に示されるように、プリント配線板１０は、外部端子４２と、第１の樹脂絶縁層５０と、該第１の樹脂絶縁層の第２面（Ｆ）上の第１導体層５８と、該第１の樹脂絶縁層及び第１導体層上の第２の樹脂絶縁層１５０と、第２の樹脂絶縁層上の第２導体層１５８と、第２の樹脂絶縁層及び第２導体層上のソルダーレジスト層７０とを有する。第１の樹脂絶縁層５０の第１面（Ｓ）側に外部端子４２が埋まっている。外部端子４２の主面（Ｍ）上に半田バンプ９６Ｄが形成されている。第１の樹脂絶縁層５０内にＩＣチップ等の電子部品９０が収容されている。各導体層はそれぞれ複数の導体回路を有している。第１の樹脂絶縁層の第２面（Ｆ）は第１面（Ｓ）と反対側の面である。
【００１２】
外部端子４２と第１導体層５８は、第１の樹脂絶縁層５０を貫通する第１ビア導体６０ａを介して接続されている。外部端子の副面は主面とは反対側の面であって、その副面に第１ビア導体が至っている。半導体素子の電極９２と第１導体層５８は、第１の樹脂絶縁層５０を貫通する接続ビア導体６０ｂを介して接続されている。第１導体層５８と第２導体層１５８は、第２の樹脂絶縁層１５０を貫通する第２ビア導体１６０を介して接続されている。ソルダーレジスト層７０の開口７０ａから露出する第２ビア導体１６０や第２導体層１５８上に半田バンプ９６Ｕが形成されている。半導体素子９０の背面には、銀ペースト等からなる接着層（ダイアタッチ）５５が形成されている。ダイアタッチは無くても良い。半導体素子の背面が露出するので放熱性が向上する。
【００１３】
図９では、図８のプリント配線板が反転されている。プリント配線板１０の半田バンプ９６Ｄを介してパッケージ基板２００のパッド２０２がプリント配線板１０に接続される。パッケージ基板２００は、メモリー２０６が搭載されていて、ワイヤー２０４によりパッケージ基板２００とメモリーが接続されている。一方、プリント配線板１０の半田バンプ９６Ｕを介して、マザーボード２１０のパッド２１２がプリント配線板１０に接続されている。
【００１４】
図８に示されているように、第１実施形態では、第１の樹脂絶縁層の第１面（Ｓ）から半導体素子９０の電極の上面までの距離（Ｙ）が３０μｍ〜１７０μｍである。半導体素子の背面にダイアタッチが形成されている場合、距離（Ｙ）は半導体素子の厚み（Ｙ１）とダイアタッチの厚み（Ｙ２）の和である。半導体素子の厚み（Ｙ１）は半導体素子の背面から半導体素子９０の電極の上面までの距離である。半導体素子の厚み（Ｙ１）は３０〜１５０μｍである。第１の樹脂絶縁層５０の第１面（Ｓ）から外部端子４２の副面（Ｕ）までの距離（Ｘ）は第１導体層の厚み（Ｌ）より大きい。ＬがＸより大きい場合とＬがＸより小さい場合で導体層や樹脂絶縁層の層数が比較されると、前者の数が多くなりやすい。なぜなら、ＬがＸより大きい場合、第１導体層に微細な導体回路を形成することが難しいからである。層数が多いと、プリント配線板の反りやうねりが大きくなりやすい。しかしながら、第１実施形態では、ＬがＸより小さいので、第１導体層に微細な回路を形成することができる。そのため、プリント配線板の層数が少なくなるので、プリント配線板の反りやうねりが小さくなる。ＬがＸより小さく外部端子の厚みは第１導体層の厚みより厚いことが好ましい。外部端子により半導体素子を内蔵している第１の樹脂絶縁層が補強される。そのため、第１実施形態のプリント配線板の反りやうねりは小さくなる。ビア導体と導体層間やビア導体と電極間の接続信頼性が向上する。
【００１５】
さらに、Ｘ／Ｙは０．５〜１．２となるように外部端子４２の厚みが調整されている。第１ビア導体用の開口の深さが浅くなるので、第１ビア導体内に空洞が存在し難い。第１ビア導体の強度が増すので、プリント配線板の反りなどで第１ビア導体が破壊されない。
さらに、Ｘ／Ｙは０．７以上であることが好ましい。樹脂絶縁層に半導体素子が内蔵されると、プリント配線板が反りやすい。その反りにより、外部端子と第１ビア導体間に応力が働く。しかしながら、第１実施形態のプリント配線板では、第１ビア導体用の開口の深さが浅くなるので、第１ビア導体と外部端子との接合面積が大きくなる。そのため、第１ビア導体と外部端子間の接続信頼性が向上する。
さらに、Ｘ／Ｙは０．９以上であることが好ましい。第１実施形態のプリント配線板は第１の樹脂絶縁層に半導体素子などの電子部品を内蔵し、その半導体素子の電極と第１導体層は第１の樹脂絶縁層に形成されている接続ビア導体で接続されている。半導体素子などの電子部品と樹脂絶縁層の熱膨張係数は１０倍程度異なる。そのため、プリント配線板が温度変化すると、接続ビア導体と電子部品の電極間に大きな応力が働くと考えられる。しかしながら、第１実施形態のプリント配線板では、電子部品の電極とほぼ同一平面に外部端子の副面が位置する。そのため、電子部品の電極と略同じ高さに位置している第１の樹脂絶縁層の強度が増す。その結果、電子部品の電極と接続ビア導体の界面に働く応力が小さくなると考えられる。従って、電子部品の電極と接続ビア導体間の接続信頼性が向上する。
【００１６】
さらに、Ｘ／Ｙは１．１以下であることが好ましい。第１ビア導体用の開口の深さと接続ビア導体用の開口の深さがほぼ同じである。そのため、第１ビア導体用の開口と接続ビア導体用の開口は同条件のレーザで形成される。また、第１ビア導体６０ａの長さ（ｄ１）と接続ビア導体６０ｂの長さ（ｄ２）がほぼ同じになるので、いずれか一方のビア導体に応力が集中し難い。従って、第１ビア導体と接続ビア導体の信頼性が共に向上する。
さらに、外部端子４２の副面Ｕの高さと半導体素子の電極９２の上面の高さの差（Ｚ）が７．５μｍ以下であることが好ましい。第１ビア導体と外部端子との接合面積と接続ビア導体と電子部品の電極との接合面積が略同じになるので、第１ビア導体と外部端子間及び接続ビア導体と電子部品の電極間の接続信頼性が共に向上する。
さらに、Ｚが５μｍ以下であることが好ましい。第１ビア導体の開口と接続ビア導体の開口がほぼ同時に金属で充填されるので、第１導体層が薄くなる。第１導体層の厚みが必要最低限の厚みになる。第１導体層に微細な導体回路が形成される。
【００１７】
図１〜図１０を参照して第１実施形態のプリント配線板の製造方法が以下に説明されている。
銅張積層板３０と、厚さ３〜２０μｍの銅箔４０が準備される（図１（Ａ））。銅張積層板３０に銅箔４０が接着剤又は超音波接続により接合され、銅張積層板の外周と銅箔の外周が所定の幅で接合される（図１（Ｂ））。図１０に、銅箔４０の接合箇所ＣＵＴが鎖線で示される。接合箇所の外側の銅箔４０が除去される（図１（Ｃ））。
【００１８】
銅張積層板３０上に開口４４ａを備えるめっきレジスト４４が形成される（図２（Ａ））。開口４４ａ内に電解めっきによりニッケル膜４６が形成される（図２（Ｂ））。更に、ニッケル膜４６上に金膜８２、パラジウム膜８４、ニッケル膜８６が形成される（図２（Ｃ））。最後に、外部端子を形成する銅めっき膜４２が所定厚みで形成される（図３（Ａ））。めっきレジストが除去され外部端子４２が形成される（図３（Ｂ））。外部端子の厚みは７．５μｍ〜１５０μｍである。該外部端子は、銅箔側の主面Ｍと、主面と反対側の副面Ｕとを有する。銅箔４０の所定位置に、銀ペーストなどの接着層（ダイアタッチ）５５が形成される（図３（Ｃ））。接着層５５上に半導体素子９０が搭載される（図４（Ａ））。
【００１９】
外部端子の副面Ｕと半導体素子９０上に絶縁層が積層される。その後、加熱プレスすることで、第１の樹脂絶縁層が形成される。半導体素子が第１の樹脂絶縁層内に内蔵される（図４（Ｂ））。第１の樹脂絶縁層の厚みはＹより２５〜４０μｍ程度厚い。第１の樹脂絶縁層の厚みは５５〜１９０μｍである。第１の樹脂絶縁層は第１面（Ｓ）とその第１面とは反対側の第２面（Ｆ）とを有する。半導体素子の電極は第１の樹脂絶縁層の第２面に向いている。第１面（Ｓ）は銅箔４０と対向する面である。外部端子の側壁と副面Ｕは第１の樹脂絶縁層で覆われる。第１の樹脂絶縁層はエポキシなどの樹脂とガラスなどの無機粒子を含んでいる。
【００２０】
レーザで、第１の樹脂絶縁層５０に、外部端子４２に至る開口５０ａと、半導体素子の電極９２に至る開口５０ｂが形成される（図４（Ｃ））。第１の樹脂絶縁層の第２面Ｆと開口５０ａ、５０ｂの内壁は粗化される。第１の樹脂絶縁層の第２面Ｆと開口５０ａ、５０ｂの内壁に形成されている粗面は図示されていない。開口５０ａは外部端子４２の副面Ｕを露出する。開口５０ｂは電極９２を露出する。
【００２１】
無電解めっき処理により第１の樹脂絶縁層５０の表面と開口５０a、５０ｂの内面に無電解めっき膜５１が形成される（図５（Ａ））。無電解めっき膜５１上に所定パターンのめっきレジスト５４が形成される（図５（Ｂ））。電解めっき処理により、開口５０ａ、開口５０ｂは電解めっき膜で充填される。同時に、第１の樹脂絶縁層の第２面上であってめっきレジスト非形成部に電解めっき膜５６が形成される（図５（Ｃ））。開口５０ａと開口５０ｂの深さが異なると、浅い開口の充填が完了しても、深い開口の充填が完了するまで、めっきを終了することができない。第１導体層の厚みが必要以上に厚くなる。第１導体層の厚みを薄くするため、外部端子の高さと電極の高さとの差（Ｚ）は５μｍ以下が好ましい。開口５０ａと開口５０ｂがほぼ同時に電解めっき膜で充填されるので、第１導体層の厚みが必要以上に厚くならない。第１の樹脂絶縁層上に微細な導体回路が形成される。また、第１導体層の厚みが薄いので、プリント配線板の表面が平坦になる。プリント配線板上に電子部品を搭載することが容易となる。
【００２２】
めっきレジスト５４が除去される。そして、電解めっき膜間の無電解めっき膜５１が除去される。複数の導体回路を含む第１導体層５８、第１ビア導体６０ａ及び接続ビア導体６０ｂが完成する（図５（Ｄ））。第１導体層の表面は粗化される（図示せず）。無電解めっき膜と電解めっき膜で形成される導体層の厚みは５μｍ〜１００μｍであって、外部端子の厚みより薄いことが望ましい。第１導体層が微細な回路となるので、薄く小さいプリント配線板が得られる。
【００２３】
図４（Ｂ）〜図５（Ｄ）を参照して説明されている方法と同様の方法で、第２の樹脂絶縁層１５０及び第２導体層１５８、第２ビア導体１６０が形成される（図６（Ａ））。第２の樹脂絶縁層は第１の樹脂絶縁層よりも薄く、その厚みは略２５〜４０μｍである。第２導体層の厚みは外部端子の厚みや第１導体層の厚みより薄い。第２導体層に微細な導体回路が形成される。薄くて小さいプリント配線板が得られる。
【００２４】
第２の樹脂絶縁層１５０上に開口７０ａを備えるソルダーレジスト層７０が形成される（図６（Ｂ））。積層基板１０００が完成する。積層基板は銅箔と銅張積層板の接合箇所より内側のＫ−Ｋで切断される（図６（Ｃ））。両面銅張積層板３０が除去される（図７（Ａ））。積層基板１０００から銅箔４０が選択的にエッチングにより除去される（図７（Ｂ））。エッチング液としてメック社製のＳＦ−５４２０を使用することができる。外部端子４２の下部のニッケル層４６が選択的にエッチングで除去され、金層８２が露出される（図７（Ｃ））。プリント配線板１０が完成する。エッチング液としてメック社製のＮＨ−１８６０を使用することができる。
【００２５】
ソルダーレジスト層７０の開口７０ａにより露出される第２ビア導体や第２導体層１５８に金属層が形成される（図示せず）。金属層が形成される時、第１の樹脂絶縁層の第１面に保護膜が貼られる。外部端子が保護される。金属層はＳｎ膜やＮｉ／Ａｕ膜である。ソルダーレジスト層７０の開口７０ａにより露出される導体層に半田バンプ９６Ｕが形成される。外部端子４２の主面Ｍに半田バンプ９６Ｄが形成される（図８）。半田バンプを有するプリント配線板が完成する。プリント配線板に半田バンプ９６Ｄを介してパッケージ基板２００が搭載される。半田バンプ９６Ｕを介してマザーボード２１０に多層プリント配線板１０が搭載される（図９）。
【００２６】
また、第１実施形態のプリント配線板において、外部端子４２の主面Ｍは、第１の樹脂絶縁層５０の第１面Ｓより凹んでいる。このため、隣接する外部端子上の半田バンプ９６Ｄが短絡し難い。また、外部端子の厚みを薄くできるので、外部端子を形成するための時間を短縮することができる。外部端子間の間隔が狭くなる。
【００２７】
[第２実施形態]
図１１は第２実施形態に係るプリント配線板１０の断面を示している。
第２実施形態では、外部端子４２の主面Ｍは、第１の樹脂絶縁層５０の第１面Ｓと同一面に位置している。半田バンプ９６Ｄは、第１の樹脂絶縁層５０の第１面（Ｓ）上に形成されているソルダーレジスト層７００の開口７００ａ内に形成される。第２実施形態では、外部端子の厚みが厚くなるため、第１の樹脂絶縁層の応力が更に緩和され易くなる。
【００２８】
本発明の各実施形態では、ＸはＹより大きくても小さくても良い。ＸがＹより大きいと、電極と接続ビア導体間の接続信頼性が高い。また、第１の樹脂絶縁層の剛性が高くなるので、プリント配線板の反りやうねりが減少する。ＸがＹより小さいと、外部端子間にボイドを有すること無く樹脂絶縁層を充填できる。外部端子間の絶縁信頼性が高くなる。外部端子間の間隔を狭くすることでプリント配線板が小さくなる。その結果、プリント配線板の反りやうねりが減少する。
【００２９】
[実施例]
図１〜図１０を参照して実施例のプリント配線板の製造方法が以下に説明されている。
銅張積層板３０と、厚さ５μｍの銅箔４０が準備される（図１（Ａ））。銅張積層板の厚みは０．８mmである。銅張積層板３０に銅箔４０が超音波接続により接合され、銅張積層板の外周と銅箔の外周が接合される（図１（Ｂ））。接合箇所の幅は５ｍｍである。接合箇所の外側の銅箔４０が除去される（図１（Ｃ））。
【００３０】
銅張積層板３０上に開口４４ａを備えるめっきレジスト４４が形成される（図２（Ａ））。開口４４ａ内に電解めっきによりニッケル膜４６が形成される（図２（Ｂ））。ニッケル膜４６の厚みは５μｍである。更に、ニッケル膜４６上に金膜８２、パラジウム膜８４、ニッケル膜８６が形成される（図２（Ｃ））。金膜８２の厚みは０．３μｍであり、パラジウム膜８４の厚みは０．７μｍであり、ニッケル膜８６の厚みは５μｍである。最後に、外部端子を形成する銅めっき膜４２が形成される（図３（Ａ））。銅めっき膜４２の厚み８５μｍである。めっきレジストが除去され外部端子４２が形成される（図３（Ｂ））。銅箔４０の所定位置に、銀ペーストが形成される（図３（Ｃ））。銀ペースト５５上に半導体素子９０が搭載される（図４（Ａ））。半導体素子の厚みは９０μｍであり、銀ペーストの厚みは１０μｍである。
【００３１】
外部端子の副面Ｕと半導体素子９０上に絶縁層が積層される。その後、加熱プレスすることで、第１の樹脂絶縁層が形成される。半導体素子が第１の樹脂絶縁層内に内蔵される（図４（Ｂ））。第１の樹脂絶縁層の厚みは１３５μｍである。半導体素子の電極は第１の樹脂絶縁層の第２面に向いている。第１面（Ｓ）は銅箔４０と対向する面である。第１の樹脂絶縁層はエポキシとシリカ粒子を含んでいる。
【００３２】
レーザで、第１の樹脂絶縁層５０に、外部端子４２に至る開口５０ａと、半導体素子の電極９２に至る開口５０ｂが形成される（図４（Ｃ））。第１の樹脂絶縁層の第２面Ｆと開口５０ａ、５０ｂの内壁は粗化される。第１の樹脂絶縁層の第２面Ｆと開口５０ａ、５０ｂの内壁に形成されている粗面は図示されていない。
【００３３】
無電解銅めっき処理により第１の樹脂絶縁層５０の表面と開口５０a、５０ｂの内面に無電解銅めっき膜５１が形成される（図５（Ａ））。無電解銅めっき膜５１上に所定パターンのめっきレジスト５４が形成される（図５（Ｂ））。電解銅めっき処理により、開口５０ａ、開口５０ｂは電解銅めっき膜で充填される。同時に、第１の樹脂絶縁層の第１面上であってめっきレジスト非形成部に電解銅めっき膜５６が形成される（図５（Ｃ））。
【００３４】
めっきレジスト５４が除去される。そして、電解銅めっき膜間の無電解銅めっき膜５１が除去される。複数の導体回路を含む第１導体層５８、第１ビア導体６０ａ及び接続ビア導体６０ｂが完成する（図５（Ｄ））。第１導体層の表面は粗化される（図示せず）。第１導体層の厚みは２０μｍであって、外部端子の厚みより薄い。
【００３５】
図４（Ｂ）〜図５（Ｄ）を参照して説明されている方法と同様の方法で、第２の樹脂絶縁層１５０及び第２導体層１５８、第２ビア導体１６０が形成される（図６（Ａ））。第２の樹脂絶縁層の厚さは３０μｍである。
【００３６】
第２の樹脂絶縁層１５０上に開口７０ａを備えるソルダーレジスト層７０が形成される（図６（Ｂ））。積層基板１０００が完成する。積層基板は銅箔と銅張積層板の接合箇所より内側のＫ−Ｋで切断される（図６（Ｃ））。両面銅張積層板３０が除去される（図７（Ａ））。積層基板１０００から銅箔４０が選択的にエッチングにより除去される（図７（Ｂ））。エッチング液としてメック社製のＳＦ−５４２０を使用することができる。外部端子４２の下部のニッケル層４６が選択的にエッチングで除去され、金層８２が露出される（図７（Ｃ））。プリント配線板１０が完成する。エッチング液としてメック社製のＮＨ−１８６０を使用することができる。
【００３７】
ソルダーレジスト層７０の開口７０ａにより露出される第２ビア導体や第２導体層１５８に金属層が形成される（図示せず）。金属層が形成される時、第１の樹脂絶縁層の第１面に保護膜が貼られる。外部端子が保護される。金属層はＳｎ膜である。
【産業上の利用可能性】
【００３８】
上述した実施形態では、２層の樹脂絶縁層を積層したプリント配線板を例示したが、３層以上の樹脂絶縁層を積層することも可能である。
【符号の説明】
【００３９】
１０  プリント配線板
３０  銅張積層板
４０  銅箔
４２  外部端子
５０  第１の樹脂絶縁層
５８  第１導体層
６０ａ  第１ビア導体
６０ｂ  接続ビア導体
９０  半導体素子
９２  電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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