(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＥＵＶリソグラフィ（ＥＵＶＬ）用反射型マスクブランクスの製造時に用いられるガラス基板の保持手段であって、
前記ガラス基板の保持手段は、静電吸引力によりガラス基板の裏面を非接触で吸引する静電チャック機構と、ガラス基板の裏面の一部を支持する支持部材と、を有し、
前記静電チャック機構の静電吸引力を発揮する作用面の投影面積（ｍｍ2）と、前記ガラス基板の裏面の品質保証領域の面積（ｍｍ2）と、の比（静電チャック機構の作用面の投影面積／ガラス基板の裏面の品質保証領域の面積）が０．５以上１．０以下であり、
前記静電チャック機構の作用面と、前記ガラス基板の裏面と、の距離が２０μｍ超１００μｍ以下であり、
前記支持部材は、前記ガラス基板の裏面の品質保証領域より外側（裏面外周部）をなす４辺のうち、少なくとも２辺を含む領域をのみを支持するガラス基板保持手段。
【請求項２】
前記静電チャック機構の作用面と、前記ガラス基板の裏面と、の距離が３０μｍ以上  １００μｍ以下である請求項１に記載のガラス基板保持手段。
【請求項３】
前記支持部材は、前記ガラス基板よりも硬度が低い材料で作製されている請求項１または２に記載のガラス基板保持手段。
【請求項４】
前記支持部材は、前記ガラス基板の裏面の被支持部をファンデルワールス力で吸着する請求項１〜３のいずれかに記載のガラス基板保持手段。
【請求項５】
前記ガラス基板の保持力が１９６０Ｎ以上である請求項１〜４のいずれかに記載のガラス基板保持手段。
【請求項６】
ガラス基板の一方の面にＥＵＶ光を反射する反射層が形成されたＥＵＶリソグラフィ用（ＥＵＶＬ）用反射層付基板の製造方法であって、
乾式成膜法によって、前記ガラス基板上に前記反射層を形成する際に、請求項１〜５のいずれかに記載のガラス基板保持手段を用いてガラス基板を保持するＥＵＶＬ用反射層付基板の製造方法。
【請求項７】
ガラス基板の一方の面にＥＵＶ光を反射する反射層、および、ＥＵＶ光を吸収する吸収層を少なくともこの順に形成されたＥＵＶリソグラフィ（ＥＵＶＬ）用反射型マスクブランクスの製造方法であって、
乾式成膜法によって、前記ガラス基板上に、前記反射層、および、前記吸収層のうち、少なくとも１つを形成する際に、請求項１〜５のいずれかに記載のガラス基板保持手段を用いてガラス基板を保持するＥＵＶＬ用反射型マスクブランクスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ガラス基板保持手段に関する。本発明のガラス基板保持手段は、半導体製造等に使用されるＥＵＶ（Ｅｘｔｒｅｍｅ  Ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ：極端紫外）リソグラフィ用反射型マスクブランクス（以下、本明細書において、「ＥＵＶマスクブランクス」という。）、若しくは該ＥＵＶマスクブランクス用の機能膜付基板の製造時にガラス基板を保持するのに好適である。
また、本発明は、本発明のガラス基板保持手段を用いたＥＵＶマスクブランクス若しくはＥＵＶマスクブランクス用の機能膜付基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体産業において、シリコン基板等に微細なパターンからなる集積回路を形成する上で必要な微細パターンの転写技術として、可視光や紫外光を用いたフォトリソグラフィ法が用いられてきた。しかし、半導体デバイスの微細化が加速している一方で、従来のフォトリソグラフィ法の限界に近づいてきた。フォトリソグラフィ法の場合、パターンの解像限界は露光波長の１／２程度であり、液浸法を用いても露光波長の１／４程度と言われており、ＡｒＦレーザ（１９３ｎｍ）の液浸法を用いても４５ｎｍ程度が限界と予想される。そこで４５ｎｍ以降の露光技術として、ＡｒＦレーザよりさらに短波長のＥＵＶ光を用いた露光技術であるＥＵＶリソグラフィが有望視されている。本明細書において、ＥＵＶ光とは、軟Ｘ線領域または真空紫外線領域の波長の光線を指し、具体的には波長１０〜２０ｎｍ程度、特に１３．５ｎｍ±０．３ｎｍ程度の光線を指す。
【０００３】
ＥＵＶ光は、あらゆる物質に対して吸収されやすく、かつこの波長で物質の屈折率が１に近いため、従来の可視光または紫外光を用いたフォトリソグラフィのような屈折光学系を使用できない。このため、ＥＵＶ光リソグラフィでは、反射光学系、すなわち反射型フォトマスクとミラーとが用いられる。
【０００４】
マスクブランクスは、フォトマスク製造に用いられるパターニング前の積層体である。ＥＵＶマスクブランクスの場合、ガラス製等の基板上にＥＵＶ光を反射する反射層と、ＥＵＶ光を吸収する吸収体層とがこの順で形成された構造を有している。反射層としては、低屈折層であるモリブデン（Ｍｏ）層と高屈折層であるケイ素（Ｓｉ）層とを交互に積層することで、ＥＵＶ光を層表面に照射した際の光線反射率が高められたＭｏ／Ｓｉ多層反射膜が通常使用される。
吸収層には、ＥＵＶ光に対する吸収係数の高い材料、具体的にはたとえば、クロム（Ｃｒ）やタンタル（Ｔａ）を主成分とする材料が用いられる。
【０００５】
多層反射膜および吸収層は、イオンビームスパッタリング法やマグネトロンスパッタリング法を用いてガラス基板の光学面上に成膜される。多層反射膜および吸収層を成膜する際、ガラス基板は保持手段によって保持される。ガラス基板の保持手段として、機械的チャックおよび静電チャックがあるが、発塵性の問題から、多層反射膜および吸収層を成膜する際のガラス基板の保持手段、特に多層反射膜を成膜する際のガラス基板の保持手段としては、静電チャックによる吸着保持が好ましく用いられる。
【０００６】
静電チャックは、半導体装置の製造プロセスにおいて、シリコンウェハの吸着保持に従来用いられている技術であり、平面形状が円形、矩形等の形状をした吸着保持面にシリコンウェハの中心部を接触させ、該吸着保持面をなす誘電体層の下に埋め込まれた電極部に電圧を印加することによって生じる静電吸引力によって吸着保持する。
ガラス基板の吸着保持に用いる場合も、電極部の形状が複雑にならない、十分な保持力を発揮することができる、吸着保持されたガラス基板が傾くことがない等の理由から、ガラス基板の中心部を含めた基板全体、具体的には、ＥＵＶマスクブランクスの製造時に多層反射膜や吸収層が形成されるガラス基板の成膜面に対する裏面全体（裏面の中心部を含めた該裏面全体）を静電チャックの吸着保持面と接触させて保持する（特許文献１〜９参照）。
ガラス基板の中心部を含めた基板全体を、静電チャックの吸着保持面と接触させて保持することは、装置設計の簡便さや、シリコンウェハの吸着保持に広く使用されている静電チャックを流用することでコストダウンができる点でも好ましいと従来は考えられていた。
以下、本明細書において、ＥＵＶマスクブランクスの製造時に多層反射膜や吸収層が形成されるガラス基板の面をガラス基板の「成膜面」といい、該成膜面に対する裏面をガラス基板の「裏面」という。
【０００７】
しかしながら、ガラス基板の裏面の中心部を静電チャックの吸着保持面と接触させて保持した場合、該裏面の中心部に異物が付着したり、傷が発生するおそれがある。ＥＵＶマスクブランクスの製造に用いられるガラス基板の場合、裏面であってもその中心部は通常、品質保証領域として露光機等の装置ごとに指定され、異物の付着や傷が存在しないことが要求される部位である。ゆえに該裏面の中心部への異物の付着や傷の発生は重大な問題となりうる。
【０００８】
裏面の中心部への異物の付着や傷の発生を防止するためには、品質保証領域を除いた裏面の外縁部を静電チャックの吸着保持面と接触させて保持すればよいと一見すると考えられる。
裏面の中心部への異物の付着や傷の発生の防止を目的とするものではないが、特許文献１０には、非接触式静電チャックと、接触式静電チャックを使用して反射型マスクを保持する露光装置が開示されている。この露光装置では、反射型マスクの裏面の中心部と、非接触式静電チャックと、がある隙間で非接触状態となるとともに、反射型マスクの裏面の周辺の３点が接触式静電チャックにより把持される。反射型マスクの裏面中心部と、非接触式静電チャックと、の隙間は、２０μｍ以下であることが望ましく、１０μｍ以下だとなお良く、５μｍ以下であればさらに良いとされている。
【０００９】
しかしながら、裏面の周辺を静電チャックの吸着保持面と接触させて保持した場合、静電チャックの吸着保持面と接触する部位（以下、本明細書において、ガラス基板の「被吸着保持部」ともいう。）の表面積が小さくなるため、ガラス基板を保持するのに十分な大きさの吸着保持力を発揮させた場合、被吸着保持部への単位面積当たりの圧力が高くなり、該被吸着保持部での傷の発生やそれによる異物の発生が問題となるおそれがある。また、該被吸着保持部に生じる静電場により、帯電した異物が多量に引き付けられるおそれがある。
被吸着保持部は裏面の周辺に存在するため、傷や異物の発生による影響は裏面の品質保証領域で同様の問題が生じた場合に比べると小さいが、被吸着保持部で発生した異物や、該被吸着保持部に引きつけられた異物の一部が裏面の品質保証領域に転写されるおそれがある。また、被吸着保持部に傷が生じると、ガラス基板に製造したマスクブランクスの、後工程の際に、ガラス基板の保持力が低下するおそれがある。すなわち、ＥＵＶマスクブランクスから反射型マスクを作製する際のマスクパターニングプロセスの際や、ＥＵＶリソグラフィでの露光時の反射型マスクのハンドリングの際にも、ガラス基板の保持手段として、静電チャックによる吸着保持が用いられるが、被吸着保持部に段差をなす傷が存在すると、該被吸着保持部の平坦性が低下し静電チャックによる吸着保持力が低下するおそれがある。
一方、被吸着保持部での傷の発生や、該被吸着保持部に多量の異物が引きつけられるのを防止するため、静電チャックによる吸着保持力を小さくした場合、ガラス基板の吸着保持力が不十分となるおそれがある。ＥＵＶマスクブランクスの製造時、多層反射膜や吸収層の成膜は、通常、ガラス基板を回転させながら行われるうえ、成膜装置の構造によっては、成膜面が垂直になるようにガラス基板を縦置きに配置する場合もある。このような場合に、ガラス基板の吸着保持力が不十分であると、ガラス基板の位置ずれや脱離が起こるおそれがある。
【００１０】
特許文献１０には、反射型マスクの裏面の周辺を把持する手段として、静電吸着手段（すなわち、接触式静電チャック）以外に、真空吸着手段、電磁吸着手段およびメカニカル把持手段が挙げられている。しかしながら、電磁吸着手段については、接触式静電チャックを使用した場合と同様の問題がある。
真空吸着手段およびメカニカル把持手段についても、これらの手段とガラス基板とが接する部位の表面積が小さいので、ガラス基板を保持するのに十分な大きさの保持力を発揮させた場合、ガラス基板の被保持部位への単位面積当たりの圧力が高くなり、静電チャックの場合と同様に、ガラス基板の被保持部での傷の発生やそれによる異物の発生が問題となるおそれがある。さらに、真空吸着手段は、吸着力を十分に確保できない高真空状態、即ち、（吸着に必要な力）＞（真空到達圧力）×（接触面積）となる状態では機能を発現できない。したがって、一般的に高真空状態とみなされる１Ｐａ以下の真空状態において、真空吸着によってシリコンウェハやガラス基板を保持することは事実上不可能である。
【００１１】
また、特許文献１０では、反射型マスクの裏面中心部と、非接触式静電チャックと、の隙間は、２０μｍ以下であることが望ましく、１０μｍ以下だとなお良く、５μｍ以下であればさらに良いとされているが、ガラス基板の裏面中心部と、非接触式静電チャックと、の隙間が、このような狭い隙間だと、静電チャックからの静電吸引力に引き付けられた異物が隙間に挟まった場合、ガラス基板と静電チャック双方にキズが発生し、隙間を作ってもキズをなくすという課題の解決には至らない。
また、ガラス基板の裏面中心部と、非接触式静電チャックと、の隙間に異物が挟まることによって、ガラス基板が変形するおそれがある。ガラス基板が変形すると、多層膜や吸収層に生じる膜応力によって、ガラス基板の変形が悪化するおそれがある。
なお、特許文献１０に記載の露光装置は、反射型マスクの裏面の中心部と、非接触式静電チャックと、をある隙間で非接触状態とすることで、反射型マスクの形状を変形させるが、ＥＵＶマスクブランクスの製造時におけるガラス基板の変形は上述したように好ましくない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１２】
【特許文献１】特開２０００−２８６１９１号公報
【特許文献２】特開２００５−１０９３３２号公報
【特許文献３】特開２００５−２６８５２４号公報
【特許文献４】特開２００６−３３２５１９号公報
【特許文献５】国際公開ＷＯ２００９／０３５００２号
【特許文献６】特開２００９−１０５２３８号公報
【特許文献７】特開２００９−１７７１２６号公報
【特許文献８】特開２００９−２６６８８６号公報
【特許文献９】特開２００９−８８５５８号公報
【特許文献１０】特開２００５−１５０５２７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
本発明は、上記した従来技術の問題点を解決するため、ＥＵＶマスクブランクスの製造時において、ガラス基板の位置ずれや脱離、あるいは、ガラス基板の変形が生じることがなく、かつ、保持によるガラス基板への傷の発生や異物の付着を抑制できるガラス基板保持手段、および、それを用いたＥＵＶマスクブランクス若しくはＥＵＶマスクブランクス用の機能膜付基板の製造方法の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記した目的を達成するため、本発明は、ＥＵＶリソグラフィ（ＥＵＶＬ）用反射型マスクブランクスの製造時に用いられるガラス基板の保持手段であって、
前記ガラス基板の保持手段は、静電吸引力によりガラス基板の裏面を非接触で吸引する静電チャック機構と、ガラス基板の裏面の一部を支持する支持部材と、を有し、
前記静電チャックの静電吸引力を発揮する作用面の投影面積（ｍｍ2）と、前記ガラス基板の裏面の品質保証領域の面積（ｍｍ2）と、の比（静電チャック機構の作用面の投影面積／ガラス基板の裏面の品質保証領域の面積）が０．５以上１．０以下であり、
前記静電チャック機構の作用面と、前記ガラス基板の裏面と、の距離が２０μｍ超であり、
前記支持部材は、前記ガラス基板の裏面の品質保証領域より外側（裏面外周部）をなす４辺のうち、少なくとも２辺を含む領域のみを支持することを特徴とするガラス基板保持手段を提供する。
【００１５】
本発明のガラス基板保持手段において、前記静電チャックの作用面と、前記ガラス基板の裏面と、の距離が３０μｍ以上１００μｍ以下であることが好ましい。
【００１６】
本発明のガラス基板保持手段において、前記支持部材は、前記ガラス基板よりも硬度が低い材料で作製されていることが好ましい。
【００１７】
本発明のガラス基板保持手段において、前記支持部材は、前記ガラス基板の裏面の被支持部をファンデルワールス力で吸着することが好ましい。
【００１８】
本発明のガラス基板保持手段において、前記ガラス基板の保持力が１９６０Ｎ以上であることが好ましい。
【００１９】
また、本発明は、ガラス基板の一方の面にＥＵＶ光を反射する反射層が形成されたＥＵＶリソグラフィ用（ＥＵＶＬ）用反射層付基板の製造方法であって、
乾式成膜法によって、前記ガラス基板上に前記反射層を形成する際に、本発明のガラス基板保持手段を用いてガラス基板を保持することを特徴とするＥＵＶＬ用反射層付基板の製造方法を提供する。
【００２０】
また、本発明は、ガラス基板の一方の面にＥＵＶ光を反射する反射層、および、ＥＵＶ光を吸収する吸収層を少なくともこの順に形成されたＥＵＶリソグラフィ（ＥＵＶＬ）用反射型マスクブランクスの製造方法であって、
乾式成膜法によって、前記ガラス基板上に、前記反射層、および、前記吸収層のうち、少なくとも１つを形成する際に、本発明のガラス基板保持手段を用いてガラス基板を保持することを特徴とするＥＵＶＬ用反射型マスクブランクスの製造方法を提供する。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、ＥＵＶマスクブランクスの製造時において、ガラス基板の位置ずれや脱離、あるいは、ガラス基板の変形が生じることがなく、かつ、保持によるガラス基板への傷の発生や異物の付着を抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】図１は、本発明のガラス基板保持手段の１実施形態を模式的に示した平面図であり、該ガラス基板保持手段上にはガラス基板が示されている。
【図２】図２は、図１の側面図である。但し、図面手前側および奥側の支持部材１１４は省略されている。
【図３】図３は、本発明のガラス基板保持手段の別の１実施形態の側面図である。但し、図面手前側および奥側の支持部材は省略されている。
【図４】図４は、本発明のガラス基板保持手段の別の１実施形態の側面図である。但し、図面手前側および奥側の支持部材は省略されている。
【図５】図５は、実施例２で使用したガラス基板保持手段を模式的に示した平面図であり、該ガラス基板保持手段上にはガラス基板が示されている。
【図６】図６は、実施例３で使用したガラス基板保持手段を模式的に示した平面図であり、該ガラス基板保持手段上にはガラス基板が示されている。
【図７】図７は、実施例４で使用したガラス基板保持手段を模式的に示した平面図であり、該ガラス基板保持手段上にはガラス基板が示されている。
【図８】図８は、比較例２で使用したガラス基板保持手段を模式的に示した平面図であり、該ガラス基板保持手段上にはガラス基板が示されている。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、図面を参照して本発明のガラス基板保持手段を説明する。
図１は、本発明のガラス基板保持手段の１実施形態を模式的に示した平面図である。図２は図１に示すガラス基板保持手段１００Ａの側面図である。これらの図では、本発明のガラス基板保持手段によって、ガラス基板をどのように保持するかという点を明確にするため、ガラス基板保持手段１００Ａ上にはガラス基板２００を示している。また、ガラス基板保持手段１００Ａの構造の理解を容易にするため、図２では、図面手前側および奥側の支持部材１１４が省略されている。
本発明のガラス基板保持手段は、静電吸引力によりガラス基板の裏面を非接触で吸引する静電チャック機構と、ガラス基板の裏面の一部を支持する支持部材と、を有しており、これらを用いてガラス基板を保持する。
【００２４】
図１，２に示すガラス基板保持手段１００Ａにおいて、基材１１０の上面、より具体的には、上面の中央部には、電極部が埋め込まれた静電チャック機構の作用面１１２が存在する。
図１，２に示すガラス基板保持手段１００Ａにおいて、作用面１１２は、ガラス基板２００の裏面と、の間には隙間が存在する。該作用面１１２が、静電吸引力を発揮することにより、ガラス基板２００の裏面、具体的には、裏面中心部に存在する品質保証領域２１０を非接触で吸引する。ガラス基板２００の裏面の品質保証領域２１０は、１５２．４ｍｍ角のガラス基板の場合、通常１４８ｍｍ角の領域である。
【００２５】
上述したように、従来の静電チャックでは、ガラス基板の中心部、より具体的には、ガラス基板の裏面の中心部を、静電チャックの作用面と接触させることによって、ガラス基板を吸着保持していた。このため、ガラス基板の裏面中心部に存在する品質保証領域に異物が付着したり、傷が発生するおそれがあった。
これに対して本発明のガラス基板保持手段１００Ａでは、静電チャック機構の作用面１１２と、ガラス基板２００の裏面の品質保証領域２１０と、が非接触であるので、該品質保証領域２１０に異物が付着したり、傷が発生するおそれがない。
【００２６】
静電チャック機構の作用面１１２と、ガラス基板２００の裏面の品質保証領域２１０と、が非接触の状態でガラス基板２００を保持するためには、ガラス基板２００の裏面の品質保証領域２１０より外側の部位（以下、本明細書において、「裏面外周部」という。）を何らかの手段で支持する必要がある。
本発明のガラス基板保持手段１００Ａでは、静電チャック機構の基材１１０の上面の外周部に設けられた凸部でガラス基板２００の裏面外周部を支持することによって、作用面１１２と、品質保証領域２１０と、が非接触の状態でガラス基板２００を保持する。該凸部が、ガラス基板保持手段１００Ａの支持部材１１４である。
【００２７】
本発明のガラス基板保持手段１００Ａでは、支持部材１１４の高さによって、作用面１１２と、ガラス基板２００の裏面の品質保証領域２１０と、の距離を調節することができる。
ここで、作用面１１２と、品質保証領域２１０と、の距離が小さいと、静電チャック機構の作用面１１２からの静電吸引力に引き付けられた異物が、作用面１１２と、品質保証領域２１０と、の隙間に挟まるおそれがある。
作用面１１２と、品質保証領域２１０と、の隙間に異物が挟まった場合、該品質保証領域２１０への異物の付着やそれによる傷の発生のおそれがある。
また、該隙間に異物が挟まることによって、ガラス基板２００が変形するおそれがある。ガラス基板２００が変形すると、多層膜や吸収層に生じる膜応力によって、ガラス基板２００の変形が悪化するおそれがある。
【００２８】
このような理由から、作用面１１２と、品質保証領域２１０と、の距離はある程度大きくする必要がある。
本発明のガラス基板保持手段１００Ａでは、作用面１１２と、品質保証領域２１０と、の距離が２０μｍ超である。該距離が２０μｍ超であれば、静電チャック機構の作用面１１２からの静電吸引力に引き付けられた異物が、作用面１１２と、品質保証領域２１０と、の隙間に挟まるおそれが低減される。
【００２９】
本発明のガラス基板保持手段１００Ａにおいて、作用面１１２と、品質保証領域２１０と、の距離が３０μｍ以上であることが好ましく、４０μｍ以上であることがより好ましく、５０μｍ以上であることがさらに好ましい。
【００３０】
但し、作用面１１２と、品質保証領域２１０と、の距離が大きすぎると、作用面１１２からの静電吸引力が不十分となり、ＥＵＶマスクブランクスの製造時において、ガラス基板２００の脱離や位置ずれが生じるおそれがある。
本発明のガラス基板保持手段１００Ａにおいて、作用面１１２と、品質保証領域２１０と、の距離が１００μｍ以下であることが好ましい。該距離が１００μｍ以下であれば、作用面１１２からの静電吸引力が十分大きくなるため、ＥＵＶマスクブランクスの製造時において、ガラス基板２００の脱離や位置ずれを生じることがない。
本発明のガラス基板保持手段１００Ａにおいて、作用面１１２と、品質保証領域２１０と、の距離が９０μｍ以下であることがより好ましく、８０μｍ以下であることがさらに好ましい。
【００３１】
上述したように、本発明のガラス基板保持手段１００Ａでは、作用面１１２と、品質保証領域２１０と、の距離が２０μｍ超と比較的大きい。このような場合に、静電チャック機構の作用面１１２の投影面積が、ガラス基板２００の裏面の品質保証領域２１０の面積に比べて小さすぎると、品質保証領域２１０の一部に局所的に静電吸引力が作用するため、ガラス基板２００が変形するおそれがある。
また、作用面１１２と、品質保証領域２１０と、の隙間に異物が挟まることによって、ガラス基板２００が変形するおそれがある。ガラス基板２００が変形すると多層反射膜や吸収層に生じる膜応力によって、ガラス基板２００の変形が悪化するおそれがある。
本発明のガラス基板保持手段１００Ａでは、作用面１１２の投影面積（ｍｍ2）と、品質保証領域２１０の面積（ｍｍ2）と、の比（作用面１１２の投影面積／品質保証領域２１０の面積）（以下、本明細書において、単に「作用面の面積比」という。）が０．５以上である。
作用面の面積比が０．５以上であれば、品質保証領域２１０全体に静電吸引力が作用するため、ガラス基板２００が変形するおそれがない。
但し、本発明のガラス基板保持手段１００Ａは、作用面１１２からの静電吸引力によって、品質保証領域２１０を非接触で吸引するものであることから、作用面の面積比は１．０以下である。作用面の面積比が１．０超、すなわち、作用面１１２の投影面積が品質保証領域２１０の面積よりも大きいと、支持部材１１４によって支持されるガラス基板２００の裏面外周部にも、作用面１１２からの静電吸引力が大きく作用し、該裏面外周部に帯電した異物が多量に引き付けられ、該裏面外周部に引きつけられた異物の一部が品質保証領域２１０に転写されるおそれがある。
本発明のガラス基板保持手段１００Ａにおいて、作用面の面積比が０．６〜０．９５であることが好ましく、０．７〜０．９であることがより好ましく、０．８〜０．８５であることがさらに好ましい。
【００３２】
上述したように、作用面１１２には静電チャック機構の電極部が埋め込まれている。
静電チャック機構には、正極および負極のうち、いずれか一方のみの電極を有し、該電極から電圧を印加し、プラズマ等をアースとすることで、静電吸引力を発揮する単極型のものと、正極および負極の両方を有し、これらに同時に電圧を印加することで、静電吸引力を発揮する双極型のものと、がある。本発明の静電チャック機構は、保持する対象が絶縁体のガラス基板であることから双極型が好ましい。双極型の静電チャック機構では、電極部が正極および負極を有しており、これらが所定の電極パターンをなしている。正極および負極がなす電極パターンは特に限定されず、双極型の静電チャック機構の分野で公知の各種電極パターンを選択できる。但し、グラディエント力を効果的に発生させることにより、強い静電吸引力を発揮できることから、特開２００６−０６６８５７号公報に記載の静電チャック機構のように、正極および負極がそれぞれくし歯型の形状を有し、たがいのくし歯が空隙をはさんで隣接するように配置された電極パターンをなしていることが好ましい。
【００３３】
静電チャック機構の電極部を構成する材料には、導電性に優れた材料、具体的には、体積固有抵抗値が５×１０-6Ωｍ以下の材料が用いられる。これを満たす材料の中でも、導電性に優れた金属材料、具体的には、金、銅、アルミニウムが、電極部を薄層化でき、かつ、所望の形状の電極パターンを形成するのが容易であることから好ましい。
これらの中でも、金および銅が導電性に優れることからより好ましく、安価であることから銅が特に好ましい。
【００３４】
一方、電極部が埋め込まれる基材１１０は、絶縁性であることが求められる。このため、基材１１０の構成材料としては、例えば、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）、酸化イットリア（Ｙ2Ｏ3）、酸化ケイ素（ＳｉＯ2）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ2）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、ムライト（３Ａｌ2Ｏ3・２ＳｉＯ2）等の絶縁性に優れたセラミックス材料が好ましく用いられる。
【００３５】
特許文献１〜９に記載の発明のように、ガラス基板の裏面全体を静電チャックの吸着保持面と接触させて保持する場合、吸着保持面に複数の凸部が設けられており、該凸部がガラス基板の裏面と接触する構造の静電チャック機構が好ましく用いられる。
しかしながら、本発明のガラス基板保持手段１００Ａでは、静電チャック機構の作用面１１２が、非接触で品質保証領域２１０を吸引するため、作用面１１２をこのような複数の凸部が設けられた構造とすることは、作用面１１２からの静電吸引力の低下につながること、吸引力のばらつきが生じ基板の変形を引き起こす可能性があることから、好ましくない。
したがって、本発明のガラス基板保持手段１００Ａでは、静電チャック機構の作用面１１２が平坦であることが好ましい。
本発明のガラス基板保持手段１００Ａでは、静電チャック機構の作用面１１２の平面度が１０μｍ以下であることが好ましく、８μｍ以下であることがより好ましく、５μｍ以下であることがさらに好ましい。
【００３６】
上述したように、本発明のガラス基板保持手段１００Ａでは、基材１１０の上面の外周部に設けられた支持部材１１４でガラス基板２００の裏面外周部を支持する。
本発明のガラス基板保持手段１００Ａは、作用面１１２からの静電吸引力によって、品質保証領域２１０を非接触で吸引するが、支持部材１１４によって支持されるガラス基板２００の裏面外周部にも、作用面１１２からの静電吸引力がある程度作用し、裏面外周部に帯電した異物が引き付けられるおそれがある。
裏面外周部に引きつけられた異物が品質保証領域２１０に転写されるのを防止するためには、ガラス基板２００の裏面外周部のうち、品質保証領域２１０＋２ｍｍ角の領域より外側の部位（品質保証領域が１４８ｍｍ角の領域の場合は、１５０ｍｍ角の領域より外側の部位）を支持部材１１４で支持することが好ましい。
品質保証領域２１０＋２ｍｍ角の領域より外側の部位を支持部材１１４で支持した場合、ＥＵＶマスクブランクスの製造時にガラス基板２００を回転させた際に、ガラス基板２００にかかる遠心力を抑制する効果が期待できる。
【００３７】
図１に示すガラス基板保持手段１００Ａでは、作用面１１２と、品質保証領域２１０と、が非接触の状態でガラス基板２００を保持するために、ガラス基板２００の裏面外周部の外縁をなす４辺（すなわち、ガラス基板２００の４辺）を含む領域を全て、支持部材１１４で支持している。
しかしながら、これに限定されず、本発明のガラス基板保持手段において、ガラス基板の裏面外周部をなす４辺のうち、少なくとも２辺を含む領域を支持部材で支持することで、静電チャック機構の作用面と、ガラス基板の裏面の品質保証領域と、が非接触の状態でガラス基板を保持できる。この点に関して、後述する実施例２では、図５に示すように、ガラス基板２００の裏面外周部の外縁をなす４辺のうち、対向する２辺を含む領域を支持部材１１４で支持している。また、後述する実施例３では、図６に示すように、ガラス基板２００の裏面外周部の外縁をなす４辺のうち、隣接する２辺を含む領域を支持部材１１４で支持している。また、後述する実施例４では、図７に示すように、互いに独立した３つの支持部材１１４を用いて、ガラス基板２００の裏面外周部の外縁をなす４辺を含む領域全てを支持している。これらの実施例では、作用面１１２と、品質保証領域２１０と、が非接触の状態でガラス基板２００を保持できた。
一方、後述する比較例２では、図８に示すように、ガラス基板２００の裏面外周部の外縁をなす４辺のうち、１辺のみを含む領域を支持部材１１４で支持したところ、ガラス基板２００が傾き、作用面１１２と、品質保証領域２１０と、が接触した。
【００３８】
本発明のガラス基板保持手段１００Ａにおいて、支持部材１１４は、ガラス基板２００の裏面外周部を支持した際に破損することがないよう、十分な硬度を有している必要がある。
しかしながら、支持部材１１４が、それによって支持されるガラス基板２００よりも高い硬度を有していると、ガラス基板に傷が生じるおそれがある。
このため、支持部材１１４は、それによって支持されるガラス基板２００よりも硬度が低い材料で作製されていることが好ましい。
支持部材１１４の硬度の目安としては、ビッカース硬さ（ＨＶ）が６５０未満であることが好ましく、１００以下であることがより好ましく、３０以下であることがさらに好ましい。
【００３９】
また、図１に示すガラス基板保持手段１００Ａにおいて、支持部材１１４は、ＥＵＶマスクブランクスの製造時に実施される成膜プロセス下に置かれるため、成膜容器内の真空雰囲気下において、ガス成分を放出するものであってはならない。さらに、成膜装置ではガラス基板２００などが熱を持つ場合があるため、支持部材１１４は、少なくとも約１５０℃程度まで化学的・物理的に耐熱性が求められる。
【００４０】
以上の点を満たす必要から、支持部材１１４の構成材料としては、パーフロロエラストマー、フッ素ゴム、シリコーンゴム等のエラストマー材料や、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリイミド、ポリベンゾイミダゾール（ＰＢＩ）樹脂、フッ素樹脂等を使用できる。
これらの中でも、シリコーンゴムを用いた場合、支持部材１１４と、それによって支持されるガラス基板２００の裏面外周部と、の間に発揮されるファンデルワールス力によって、該裏面外周部を吸着できる。
ファンデルワールス力による吸着は、特許文献１０に記載の露光装置で、反射型マスクの裏面の周辺を把持する手段として用いられている接触式静電チャックのように、帯電した異物を引き付けることなしに、ガラス基板２００の保持力を高められる。
【００４１】
図２に示すガラス基板保持手段１００Ａにおいて、基材１１０の上面の外周部に支持部材１１４を設ける方法としては、例えば、セラミックス材料製の基材１１０の上面の外周部に、エラストマー材料製のテープやフィルムを貼りつけることによって、エラストマー材料製の凸部を形成すればよい。
但し、本発明のガラス基板保持手段において、基材上面の外周部に支持部材を設ける方法はこれに限定されない。
【００４２】
図３は、本発明のガラス基板保持手段の別の１実施形態の側面図である。図３に示すガラス基板保持手段１００Ｂでは、基材１１０上に、誘電材料の層（誘電層）１１１が形成されており、該誘電層１１１の上面の外周部に支持部材１１４が設けられている。なお、図３に示すガラス基板保持手段１００Ｂでは、該誘電層１１１の上面の中央部に、電極部が埋め込まれた静電チャック機構の作用面１１２が設けられている。
図３に示すガラス基板保持手段１００Ｂにおいて、セラミックス材料製の基材１１０の上面にポリイミドフィルムを貼り付けることで、該基材１１０上に誘電層１１１を形成できる。そして、エッチング加工やインプリント加工を用いて、該ポリイミドフィルム上面の外周部に凸部を形成することによって、誘電層１１１の上面の外周部に支持部材１１４を形成できる。
【００４３】
図４は、本発明のガラス基板保持手段のさらに別の１実施形態の側面図である。図４に示すガラス基板保持手段１００Ｃでは、基材１１０の側面に支持部材１１４が取り付けられている。図４に示すガラス基板保持手段１００Ｃは、セラミックス材料製の基材１１０の側面に、ネジ固定や、該基材１１０への埋め込みにより、耐摩耗性に優れた材料製の支持部材１１４を取り付けた後、基材１１０上面からの支持部材１１４の突出高さが、所定の高さとなるように、該支持部材１１４の上面を機械研磨して作製できる。支持部材１１４に用いる耐摩耗性に優れた材料としては、たとえば、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）のようなエンジニアリングプラスチックが例示される。
【００４４】
本発明のガラス基板保持手段は、ＥＵＶマスクブランクスの製造時において、位置ずれや脱離が起こすことなくガラス基板を保持するために、ガラス基板の保持力が１９６０Ｎ以上であることが好ましい。
ここで言う、ガラス基板の保持力は、作用面１１２からの静電吸引力による、ガラス基板２００の品質保証領域２１０の吸引によるものであるが、支持部材１１４がガラス基板２００の裏面外周部をファンデルワールス力によって吸着する場合は、このファンデルワールス力による吸着によるものも含まれる。
本発明のガラス基板保持手段において、ガラス基板２００の保持力は、２３５２Ｎ以上であることが好ましく、２７４４Ｎ以上であることがより好ましい。
【００４５】
次に、本発明のＥＵＶマスクブランクスの製造方法について説明する。
ＥＵＶマスクブランクスは、ガラス基板の成膜面にＥＵＶ光を反射する反射層、および、ＥＵＶ光を吸収する吸収層がこの順に形成されたものを基本構成とする。ＥＵＶマスクブランクスの反射層としては、ＥＵＶ波長域において高反射率を達成できることから、高屈折率膜と低屈折率膜とを交互に複数回積層させた多層反射膜が広く用いられている。
本発明の方法によって製造されるＥＵＶマスクブランクスは、上記以外の各種機能層を有していてもよい。このような機能層の具体例としては、反射層の表面が酸化されるのを防止する目的で反射層上に必要に応じて形成される反射層の保護層、パターニングの際に反射層がダメージを受けるのを防止する目的で反射層と吸収層との間に必要に応じて形成されるバッファ層、マスクパターンの検査時のコントラストを向上させる目的で吸収層上に必要に応じて形成されるマスクパターンの検査光に対する低反射層が挙げられる。
また、ガラス基板の裏面には裏面導電膜を有していてもよい。
【００４６】
本発明のＥＵＶマスクブランクス製造方法では、マグネトロンスパッタリング法、イオンビームスパッタリング法といったスパッタリング法、ＣＶＤ法、および、真空蒸着法といった乾式成膜法によって、ガラス基板の成膜面上に反射層および吸収層を形成する。
必要に応じて形成される上記の各種機能膜を有するＥＵＶマスクブランクスを製造する場合には、乾式成膜法によってガラス基板の成膜面上に上記の各種機能膜を形成する。
これらの成膜法のうち、いずれを使用するかは形成する膜によって適宜選択できるが、マグネトロンスパッタリング法、イオンビームスパッタリング法といったスパッタリング法が、均質な膜厚を作製し易い点、タクトが短い点から好ましい。
【００４７】
本発明のＥＵＶマスクブランクス製造方法を用いて、上述した基本構成のＥＵＶマスクブランクスを製造する場合、乾式成膜法によって反射層および吸収層のうち少なくとも１つを形成する際に、本発明のガラス基板保持手段を用いてガラス基板を保持する。
したがって、反射層および吸収層のうち、いずれか一方を形成する際のみ、本発明のガラス基板保持手段を用いてガラス基板を保持し、残りの一方を形成する際には他の保持手段（例えば、通常の静電チャック）を用いてガラス基板を保持してもよい。
但し、上述したように、本発明のガラス基板保持手段でガラス基板を保持した場合、ＥＵＶマスクブランクスの製造時において、ガラス基板の位置ずれや脱離、あるいは、ガラス基板の変形が生じることがなく、かつ、保持によるガラス基板への傷の発生や異物の付着を抑制することができることから、これら全てを形成する際に、本発明のガラス基板保持手段を用いてガラス基板を保持することが好ましい。
必要に応じて形成される上記の各種機能膜を有するＥＵＶマスクブランクスを製造する場合には、乾式成膜法によって上記各種機能膜を形成する際にも、本発明のガラス基板保持手段を用いてガラス基板を保持することが好ましい。
【００４８】
上述した基本構成のＥＵＶマスクブランクスの吸収層を形成する前の状態、すなわち、ガラス基板の成膜面上に反射層を形成したものが本発明の方法により製造されるＥＵＶＬ用反射層付基板であり、ＥＵＶマスクブランクスの前駆体をなすものである。
本発明のＥＵＶＬ用反射層付基板の製造方法では、ガラス基板の成膜面上に、乾式成膜法によって反射層を形成する際に、本発明のガラス基板保持手段を用いてガラス基板を保持する。
【００４９】
以下、本発明の方法により製造されるＥＵＶマスクブランクスの構成例を示す。
【００５０】
ガラス基板は、ＥＵＶマスクブランクス用の基板としての特性を満たすことが要求される。
そのため、ガラス基板は、低熱膨張係数（０±１．０×１０-7／℃であることが好ましく、より好ましくは０±０．３×１０-7／℃、さらに好ましくは０±０．２×１０-7／℃、さらに好ましくは０±０．１×１０-7／℃、特に好ましくは０±０．０５×１０-7／℃）を有し、平滑性、平坦度、およびマスクブランクスまたはパターン形成後のフォトマスクの洗浄等に用いる洗浄液への耐性に優れたものが好ましい。ガラス基板としては、具体的には低熱膨張係数を有するガラス、例えばＳｉＯ2−ＴｉＯ2系ガラス等を使用できる。
ガラス基板は、０．１５ｎｍ  ｒｍｓ以下の平滑な表面と１００ｎｍ以下の平坦度を有すると、パターン形成後のフォトマスクにおいて高反射率および転写精度が得られるために好ましい。
ガラス基板の大きさや厚さなどはマスクの設計値等により適宜決定される。後で示す実施例では外形６インチ（１５２．４ｍｍ）角で、厚さ０．２５インチ（６．３ｍｍ）のＳｉＯ2−ＴｉＯ2系ガラスを用いた。
【００５１】
ガラス基板の成膜面、特に成膜面の品質保証領域には欠点が存在しないことが好ましい。しかし、存在している場合であっても、凹状欠点および／または凸状欠点によって位相欠点が生じないように、凹状欠点の深さおよび凸状欠点の高さが２ｎｍ以下であり、かつこれら凹状欠点および凸状欠点の半値幅が６０ｎｍ以下であることが好ましい。
成膜面外周部については、品質保証領域に転写される可能性のある、高さが２ｎｍを超える、もしくは半値幅が６０ｎｍを超える凸状欠点が存在しないことが好ましい。
ガラス基板の裏面、特に裏面の品質保証領域については、高さが１μｍを超える凸状欠点が存在しないことが好ましい。また、裏面外周部についても、裏面の品質保証領域に転写される可能性があるので、高さ１μｍ以上の凸状欠点は存在しないことが好ましい。
【００５２】
ＥＵＶマスクブランクスの反射層に特に要求される特性は、高ＥＵＶ光線反射率である。具体的には、ＥＵＶ光の波長領域の光線を反射層表面に入射角度６度で照射した際に、波長１３．５ｎｍ付近の光線反射率の最大値が６０％以上が好ましく、６５％以上がより好ましい。
【００５３】
ＥＵＶマスクブランクスの反射層としては、ＥＵＶ波長域において高反射率を達成できることから、低屈折率膜と高屈折率膜とを交互に複数回積層させた多層反射膜が広く用いられている。多層反射膜の具体例としては、低屈折率膜としてのＭｏ膜と、高屈折率膜としてのＳｉ膜とを交互に複数回積層させたＭｏ／Ｓｉ多層反射膜が挙げられる。
Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜の場合に、ＥＵＶ光線反射率の最大値が６０％以上の反射層とするには、膜厚２．３±０．１ｎｍのＭｏ層と、膜厚４．５±０．１ｎｍのＳｉ層とを繰り返し単位数が３０〜６０になるように積層させればよい。
【００５４】
なお、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜を構成する各層は、乾式成膜法、具体的にはマグネトロンスパッタリング法、イオンビームスパッタリング法などのスパッタリング法を用いて所望の厚さに成膜すればよい。例えば、イオンビームスパッタリング法を用いてＭｏ／Ｓｉ多層反射膜を形成する場合、ターゲットとしてＭｏターゲットを用い、スパッタガスとしてＡｒガス（ガス圧１．３×１０-2Ｐａ〜２．７×１０-2Ｐａ）を使用して、イオン加速電圧３００〜１５００Ｖ、成膜速度０．０３〜０．３０ｎｍ／ｓｅｃで厚さ２．３ｎｍとなるようにＭｏ層を成膜し、次に、ターゲットとしてＳｉターゲットを用い、スパッタガスとしてＡｒガス（ガス圧１．３×１０-2Ｐａ〜２．７×１０-2Ｐａ）を使用して、イオン加速電圧３００〜１５００Ｖ、成膜速度０．０３〜０．３０ｎｍ／ｓｅｃで厚さ４．５ｎｍとなるようにＳｉ層を成膜することが好ましい。これを１周期として、Ｍｏ層およびＳｉ層を４０〜５０周期積層させることによりＭｏ／Ｓｉ多層反射膜が成膜される。
【００５５】
吸収層に特に要求される特性は、ＥＵＶ光線反射率が極めて低いことである。具体的には、ＥＵＶ光の波長領域の光線を吸収体層表面に照射した際に、波長１３．５ｎｍ付近の最大光線反射率が０．５％以下が好ましく、０．１％以下がより好ましい。
上記の特性を達成するため、ＥＵＶ光の吸収係数が高い材料で構成されることが好ましい。ＥＵＶ光の吸収係数が高い材料の具体例としては、タンタル（Ｔａ）を主成分とする材料が挙げられる。
タンタル（Ｔａ）を主成分とする材料で構成される吸収層の具体例としては、Ｔａ、Ｂ、Ｓｉおよび窒素（Ｎ）を以下に述べる比率で含有する吸収層（ＴａＢＳｉＮ膜）が挙げられる。
Ｂの含有率  １ａｔ％以上５ａｔ％未満、好ましくは１〜４．５ａｔ％、より好ましくは１．５〜４ａｔ％
Ｓｉの含有率  １〜２５ａｔ％、好ましくは１〜２０ａｔ％、より好ましくは２〜１２ａｔ％
ＴａとＮとの組成比（Ｔａ：Ｎ）  ８：１〜１：１
Ｔａの含有率  好ましくは５０〜９０ａｔ％、より好ましくは６０〜８０ａｔ％
Ｎの含有率  好ましくは５〜３０ａｔ％、より好ましくは１０〜２５ａｔ％
【００５６】
上記組成の吸収層（ＴａＢＳｉＮ膜）は、その結晶状態はアモルファスであり、表面の平滑性に優れている。
上記組成の吸収層（ＴａＢＳｉＮ膜）であれば、吸収層表面の表面粗さを０．５ｎｍ  ｒｍｓ以下にできる。吸収層表面の表面粗さが大きいと、吸収層に形成されるパターンのエッジラフネスが大きくなり、パターンの寸法精度が悪くなる。パターンが微細になるに従いエッジラフネスの影響が顕著になるため、吸収体表面は平滑であることが要求される。
吸収層表面の表面粗さが０．５ｎｍ  ｒｍｓ以下であれば、吸収層表面が十分平滑であるため、エッジラフネスの影響によってパターンの寸法精度が悪化するおそれがない。
【００５７】
吸収層の厚さは、５０〜１００ｎｍが好ましい。
【００５８】
上記組成の吸収層（ＴａＢＳｉＮ膜）は、乾式成膜法、具体的にはマグネトロンスパッタリング法、イオンビームスパッタリング法などのスパッタリング法を用いて形成できる。マグネトロンスパッタリング法を用いる場合、下記（１）〜（３）の方法で吸収層（ＴａＢＳｉＮ膜）を形成できる。
（１）Ｔａターゲット、ＢターゲットおよびＳｉターゲットを使用し、Ａｒで希釈した窒素（Ｎ2）雰囲気中でこれらの個々のターゲットを同時に放電させることによって吸収層（ＴａＢＳｉＮ膜）を形成する。
（２）ＴａＢ化合物ターゲットおよびＳｉターゲットを用いて、これらのターゲットをＡｒで希釈したＮ2雰囲気中で同時放電させることによって吸収層（ＴａＢＳｉＮ膜）を形成する。
（３）ＴａＢＳｉ化合物ターゲットを用いて、この３元素が一体化されたターゲットをＡｒで希釈したＮ2雰囲気中で放電させることによって吸収層（ＴａＢＳｉＮ膜）を形成する。
なお、上述した方法のうち、２以上のターゲットを同時に放電させる方法（（１）、（２））では、各ターゲットの投入電力を調節することによって、形成される吸収層の組成を制御できる。
上記の中でも（２）および（３）の方法が、放電の不安定化や膜の組成や膜厚のばらつきを回避できる点で好ましく、（３）の方法が特に好ましい。ＴａＢＳｉ化合物ターゲットは、その組成がＴａ＝５０〜９４ａｔ％、Ｓｉ＝５〜３０ａｔ％、Ｂ＝１〜２０ａｔ％であることが、放電の不安定化や膜の組成や膜厚のばらつきを回避できる点で特に好ましい。
【００５９】
上記例示した方法で吸収層（ＴａＢＳｉＮ膜）を形成するには、具体的には以下の成膜条件で実施すればよい。
ＴａＢ化合物ターゲットおよびＳｉターゲットを使用する方法（２）
スパッタガス：ＡｒとＮ2の混合ガス（Ｎ2ガス濃度３〜８０ｖｏｌ％、好ましくは５〜３０ｖｏｌ％、より好ましくは８〜１５ｖｏｌ％。ガス圧１．０×１０-１Ｐａ〜１０×１０-１Ｐａ、好ましくは１．０×１０-１Ｐａ〜５×１０-１Ｐａ、より好ましくは１．０×１０-１Ｐａ〜３×１０-１Ｐａ。）
投入電力（各ターゲットについて）：３０〜１０００Ｗ、好ましくは５０〜７５０Ｗ、より好ましくは８０〜５００Ｗ
成膜速度：２．０〜６０ｎｍ／ｓｅｃ、好ましくは３．５〜４５ｎｍ／ｓｅｃ、より好ましくは５〜３０ｎｍ／ｓｅｃ
ＴａＢＳｉ化合物ターゲットを使用する方法（３）
スパッタガス：ＡｒとＮ2の混合ガス（Ｎ2ガス濃度３〜８０ｖｏｌ％、好ましくは５〜３０ｖｏｌ％、より好ましくは８〜１５ｖｏｌ％。ガス圧１．０×１０-１Ｐａ〜１０×１０-１Ｐａ、好ましくは１．０×１０-１Ｐａ〜５×１０-１Ｐａ、より好ましくは１．０×１０-１Ｐａ〜３×１０-１Ｐａ。）
投入電力：３０〜１０００Ｗ、好ましくは５０〜７５０Ｗ、より好ましくは８０〜５００Ｗ
成膜速度：２．０〜６０ｎｍ／ｓｅｃ、好ましくは３．５〜４５ｎｍ／ｓｅｃ、より好ましくは５〜３０ｎｍ／ｓｅｃ
【実施例】
【００６０】
以下に、実施例を用いて本発明を詳細に説明する。ただし、本発明はこれに限定されるものではない。
（実施例１）
実施例１では、１５２．４ｍｍ角のガラス基板２００（厚さは６．３ｍｍ）を図１，２に示すガラス基板保持手段１００Ａで保持した。ＥＵＶマスクブランクスの基板として使用する場合、１５２．４ｍｍ角のガラス基板は、裏面の品質保証領域２１０が中央１４８ｍｍ角の領域である。ガラス基板２００は、主成分をＳｉＯ2としたゼロ膨張ガラス（ＳｉＯ2−ＴｉＯ2系ガラス）製であり、２２℃における熱膨張係数が０／℃であり、ビッカース硬さ（ＨＶ）が６５０である。
ガラス基板保持手段１００Ａにおいて、１５２．４ｍｍ角のセラミックス材料製の基材１１０の上面の中央部には、電極部が埋め込まれた静電チャック機構の作用面１１２が存在する。該作用面１１２の面積比は０．８である。
基材１１０の１５２．４ｍｍ角の上面のうち、作用面１１２外のエリア幅１ｍｍの領域に、シリコーンゴム（ビッカース硬さ（ＨＶ）＝３０）製のテープを貼り付けて高さ５０μｍの凸部（支持部材１１４）を形成した。
ガラス基板２００の保持力（作用面１１２による静電吸引力、支持部材１１４からのファンデルワールス力による吸着力）は、それぞれ以下の通りであった。
作用面１１２による静電吸引力：２１５６Ｎ
ファンデルワールス力による吸着力：４９０Ｎ
ＥＵＶマスクブランクス製造時に実施される成膜プロセス時の状況を再現するため、ガラス基板保持手段１００Ａを３０ｒｐｍで回転させながら３０分間保持した。
上記の手順の実施後、ガラス基板２００の裏面における欠点数を以下の手順で測定した。
欠点数の測定方法
ガラス基板保持手段１００Ａから取り外したガラス基板２００の裏面について、市販の欠陥検査装置（レーザーテック社製Ｍ１３５０）にて２００ｎｍ以上の欠陥数を測定した。ここで、検査領域は裏面の１５２．４ｍｍ□の領域全体とし、基板中央の１４８ｍｍ□の領域（品質保証領域）と、該１４８ｍｍ□を除いた領域（裏面外周部）を対象に欠点数をそれぞれ評価した。その結果、品質保証領域および裏面外周部における２００ｎｍ以上の欠陥数は０個であった。
【００６１】
（実施例２）
実施例２では、図５に示すガラス基板支持手段１００Ｄを使用した。図５に示すガラス基板支持手段１００Ｄは、ガラス基板２００の裏面外周部の外縁をなす４辺のうち、対向する２辺を含む領域を支持部材１１４で支持した。このとき、ガラス基板２００の保持力（作用面１１２による静電吸引力、支持部材１１４からのファンデルワールス力による吸着力）は、それぞれ以下の通りであった。
作用面１１２による静電吸引力：２１５６Ｎ
ファンデルワールス力による吸着力：２４５Ｎ
また、それ以外は、実施例１と同様である。
品質保証領域および裏面外周部における２００ｎｍ以上の欠陥数は０個であった。
【００６２】
（実施例３）
実施例３では、図６に示すガラス基板支持手段１００Ｅを使用した。図６に示すガラス基板支持手段１００Ｅは、ガラス基板２００の裏面外周部の外縁をなす４辺のうち、隣接する２辺を含む領域を支持部材１１４で支持した。このとき、ガラス基板２００の保持力（作用面１１２による静電吸引力、支持部材１１４からのファンデルワールス力による吸着力）は、それぞれ以下の通りであった。
作用面１１２による静電吸引力：２１５６Ｎ
ファンデルワールス力による吸着力：２４５Ｎ
また、それ以外は、実施例１と同様である。
品質保証領域および裏面外周部における２００ｎｍ以上の欠陥数は０個であった。
【００６３】
（実施例４）
実施例４では、図７に示すガラス基板支持手段１００Ｆを使用した。図７に示すガラス基板支持手段１００Ｆは、互いに独立した３つの支持部材１１４を用いる以外は、実施例１と同様である。
このとき、ガラス基板２００の保持力（作用面１１２による静電吸引力、支持部材１１４からのファンデルワールス力による吸着力）は、それぞれ以下の通りであった。
作用面１１２による静電吸引力：２１５６Ｎ
ファンデルワールス力による吸着力：４９０Ｎ
品質保証領域および裏面外周部における２００ｎｍ以上の欠陥数は０個であった。
【００６４】
（実施例５）
実施例５は、ガラス基板保持手段の作用面の面積比が０．５である以外は、実施例１と同様である。
このとき、ガラス基板の保持力（作用面による静電吸引力、支持部材からのファンデルワールス力による吸着力）は、それぞれ以下の通りであった。
作用面による静電吸引力：２１５６Ｎ
ファンデルワールス力による吸着力：４９０Ｎ
品質保証領域および裏面外周部における２００ｎｍ以上の欠陥数は０個であった。
【００６５】
（実施例６）
実施例６は、ガラス基板保持手段の作用面の面積比は１．０である以外は、実施例１と同様である。
このとき、ガラス基板の保持力（作用面による静電吸引力、支持部材からのファンデルワールス力による吸着力）は、それぞれ以下の通りであった。
作用面による静電吸引力：２１５６Ｎ
ファンデルワールス力による吸着力：４９０Ｎ
品質保証領域および裏面外周部における２００ｎｍ以上の欠陥数は０個であった。
【００６６】
（比較例１）
比較例１では、セラミックス材料製の基材の上面の１４２ｍｍ□〜１４４ｍｍ□の領域に、幅１ｍｍのシリコーンゴム（ビッカース硬さ（ＨＶ）＝３０）製のテープを貼り付けて高さ５０μｍの凸部（支持部材）を形成した以外は実施例１と同様である。
このとき、ガラス基板の保持力（作用面による静電吸引力、支持部材からのファンデルワールス力による吸着力）は、それぞれ以下の通りであった。
作用面による静電吸引力：２１５６Ｎ
ファンデルワールス力による吸着力：４９０Ｎ
品質保証領域における２００ｎｍ以上の欠陥数は約４００個であった。
【００６７】
（比較例２）
比較例２では、図８に示すガラス基板支持手段１００Ｇを使用した。図８に示すガラス基板支持手段１００Ｇは、ガラス基板２００の裏面外周部の外縁をなす４辺のうち、１辺を含む領域のみを支持部材１１４で支持する以外は、実施例１と同様である。
このとき、ガラス基板２００の保持力（作用面１１２による静電吸引力、支持部材１１４からのファンデルワールス力による吸着力）は、それぞれ以下の通りであった。
作用面１１２による静電吸引力：２１５６Ｎ
ファンデルワールス力による吸着力：１２２．５Ｎ
ガラス基板２００を保持した際に、ガラス基板２００が傾き、静電チャック機構の作用面１１２とガラス基板２００の品質保証領域２１０と、が接触した。また、品質保証領域２１０における２００ｎｍ以上の欠陥数は約１００個であった。
【００６８】
（比較例３）
比較例３は、ガラス基板保持手段の作用面の面積比が０．４である以外は、実施例１と同様である。
このとき、ガラス基板の保持力（作用面による静電吸引力、支持部材からのファンデルワールス力による吸着力）は、それぞれ以下の通りであった。
作用面による静電吸引力：２１５６Ｎ
ファンデルワールス力による吸着力：４９０Ｎ
品質保証領域の一部に局所的に静電吸引力が作用した結果、ガラス基板が変形し、ガラス基板保持手段から取り外したガラス基板の平坦性が損なわれた。品質保証領域および裏面外周部における２００ｎｍ以上の欠陥数は０個であった。
【００６９】
（比較例４）
比較例４は、１５２．４ｍｍ角のセラミックス材料製の基材の上面の外周部の幅５０ｍｍエリアに、電極部が埋め込まれた静電チャック機構の作用面が存在し、該作用面上に、幅１ｍｍのシリコーンゴム（ビッカース硬さ（ＨＶ）＝３０）製のテープを貼り付けて高さ５０μｍの凸部（支持部材）を形成した以外は、実施例１と同様である。
このとき、ガラス基板の保持力（作用面による静電吸引力、支持部材からのファンデルワールス力による吸着力）は、それぞれ以下の通りであった。
作用面による静電吸引力：２１５６Ｎ
ファンデルワールス力による吸着力：４９０Ｎ
裏面外周部における２００ｎｍ以上の欠陥数は約５００個であった。また、品質保証領域における２００ｎｍ以上の欠陥数は約３０個であった。品質保証領域における欠陥は、裏面外周部から異物の転写によるものと思われる。
【００７０】
（比較例５）
比較例５は、ガラス基板保持手段の支持部材の高さが１０μｍである以外は、実施例１と同様である。
このとき、ガラス基板の保持力（作用面による静電吸引力、支持部材からのファンデルワールス力による吸着力）は、それぞれ以下の通りであった。
作用面による静電吸引力：２１５６Ｎ
ファンデルワールス力による吸着力：４９０Ｎ
品質保証領域における２００ｎｍ以上の欠陥数は約１５０個であった。ガラス基板と静電チャック機構の作用面との距離が１０μｍと小さいため、該作用面上に存在している異物が基板と接触することにより、さらに異物発生を誘発したり、静電気的な移動により異物が転写されたものと考えられる。
【符号の説明】
【００７１】
１００Ａ，１００Ｂ，１００Ｃ，１００Ｄ，１００Ｅ，１００Ｆ，１００Ｇ：ガラス基板保持手段
１１０：基材
１１１：誘電層
１１２：作用面
１１４：支持部材
２００：ガラス基板
２１０：品質保証領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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