(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のパッケージ領域によって構成されるワークに対応する容積を有するキャビティ凹部が形成されたモールド金型を備え、前記キャビティ凹部に供給された複数の粒体樹脂が溶融され、前記ワークを保持して前記モールド金型が型締めされ、溶融した樹脂で前記ワークが樹脂封止される樹脂封止装置であって、
前記キャビティ凹部の底部に、複数の粒体樹脂が供給される複数の供給領域と、その周囲とに段差部が形成されており、
前記段差部は、前記キャビティ凹部の底部に形成された格子状の凸部から構成されており、
前記凸部を含む前記キャビティ凹部の形状に沿うようにリリースフィルムが吸着され、前記リリースフィルムで覆われた前記格子状の凸部によって、複数の粒体樹脂が配分して供給される前記複数の供給領域が区画されており、
前記複数の供給領域のそれぞれに対向する位置に、複数の粒体樹脂を保持する複数の保持部を有する樹脂搬送部を備えており、前記保持部が、ホッパと、前記ホッパの前記供給領域側に開閉可能に設けられた一対のシャッタとを有しており、前記一対のシャッタの開放によって、前記リリースフィルムで覆われた前記供給領域に複数の粒体樹脂を供給することを特徴とする樹脂封止装置。
【請求項２】
請求項１記載の樹脂封止装置において、
前記段差部の高さは、前記モールド金型の型締めの際に該段差部が前記ワークに接しない高さであることを特徴とする樹脂封止装置。
【請求項３】
複数のパッケージ領域によって構成されるワークに対応する容積を有するキャビティ凹部が形成されたモールド金型を備え、前記キャビティ凹部に供給された複数の粒体樹脂が溶融され、前記ワークを保持して前記モールド金型が型締めされ、溶融した樹脂で前記ワークが樹脂封止される樹脂封止装置であって、
前記キャビティ凹部の底部に、複数の粒体樹脂が供給される複数の供給領域と、その周囲とに段差部が形成されており、
前記段差部の高さは、前記モールド金型の型締めの際に該段差部が前記ワークに接しない高さであり、
前記段差部によって、複数の粒体樹脂が配分して供給される前記複数の供給領域が区画されていることを特徴とする樹脂封止装置。
【請求項４】
請求項３記載の樹脂封止装置において、
前記キャビティ凹部に複数の粒体樹脂を供給する際に、前記複数の供給領域のそれぞれに対向する位置に、複数の粒体樹脂を保持する複数の保持部を有する樹脂搬送部を備えており、
前記保持部は、ホッパと、前記ホッパの前記供給領域側に開閉可能に設けられた一対のシャッタとを有していることを特徴とする樹脂封止装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、樹脂封止装置に適用して有効な技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
特開２００４−１７４８０１号公報（特許文献１）には、樹脂封止装置に関する技術が開示されている。この樹脂封止装置では、顆粒樹脂のような粒状体からなる樹脂材料が、キャビティの容積に合わせて、キャビティに所定量だけ供給される。このように所定量だけ樹脂材料を供給するために、樹脂材料が貯留される貯留箱と、その底板に近接して設けられたシャッタ板とから構成される樹脂材料供給ユニットが設けられている。
【０００３】
また、半導体パッケージ（半導体装置）として、ウエハレベルパッケージ（ＷＬＰ：Wafer Level Package）やｅＷＬＰ（embedded WLP）が知られている。このようなパッケージは、ウエハの大きさに相当する大型のワークに対応する容積を有するキャビティ凹部が形成されたモールド金型を備えた樹脂封止装置によって、ワークが樹脂封止（パッケージング）されて形成される。
【０００４】
なお、本願では、ウエハのような大型のワークをそのまま封止するパッケージのほかにも、個片化により複数の半導体パッケージが取得される複数のパッケージ領域で構成されるワークのように、ウエハレベル（ウエハサイズ）のワークが樹脂封止された半導体パッケージも、ウエハレベルパッケージに含まれる概念として説明する。すなわち、ウエハレベルパッケージは半導体パッケージであり、またウエハレベルパッケージから複数個に個片化されたものも半導体パッケージである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００４−１７４８０１号公報（明細書段落［００３７］−［００３８］、図５）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
樹脂封止装置で用いられる顆粒樹脂は、微粉末状の樹脂が飛散しやすいため、搬送、計量などのためのハンドリングや取り扱いが非常に難しく、また微粉末状の樹脂が装置内に付着してクリーニングが必要になる等、メンテナンス性にも課題がある。このため、キャビティ内を充填する樹脂のみを供給するような樹脂使用率が１００％の樹脂封止装置に、顆粒樹脂を用いた場合、樹脂飛散による樹脂不足のため、成形品質が低下し、また成形形状（製品形状）に不具合が生じてしまう。なお、特許文献１の技術は、キャビティから溢れた溶融樹脂が樹脂溜まりに流れ込む構成としており、製品として使用される樹脂量より多めの所定量の顆粒樹脂を供給しているものと考えられる。
【０００７】
また、大型かつ薄型なパッケージの製造においては、樹脂の未充填やボイドを防止するために、キャビティ内に樹脂を均等に供給し、成形品質を向上することが技術的課題として挙げられる。特に、大型（大判）かつ薄型化されたウエハレベルパッケージの製造においては、キャビティの大きさが大きくなり、また厚みが薄くなるため、キャビティ内に樹脂を均等に供給することが困難となる。
【０００８】
なお、特許文献１の技術を用いて、キャビティに所定量の樹脂を供給することができると考えられる。しかしながら、特許文献１は、キャビティに顆粒樹脂を供給するにあたり、一定量の樹脂材料供給ユニットを用いているのであって、供給されたキャビティ側で、樹脂の偏りなどによる未充填を防止する工夫はなされていない。
【０００９】
本発明の目的は、半導体パッケージの成形品質を向上することのできる技術を提供することにある。本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。本発明の一実施形態における樹脂封止装置は、複数のパッケージ領域によって構成されるワークに対応する容積を有するキャビティ凹部が形成されたモールド金型を備え、前記キャビティ凹部に供給された複数の粒体樹脂が溶融され、前記ワークを保持して前記モールド金型が型締めされ、溶融した樹脂で前記ワークが樹脂封止される樹脂封止装置であって、前記キャビティ凹部の底部に、複数の粒体樹脂が供給される複数の供給領域と、その周囲とに段差部が形成されており、前記段差部は、前記キャビティ凹部の底部に形成された格子状の凸部から構成されており、前記格子状の凸部を含む前記キャビティ凹部の形状に沿うようにリリースフィルムが吸着され、前記リリースフィルムで覆われた前記格子状の凸部によって、複数の粒体樹脂が配分して供給される前記複数の供給領域が区画されており、前記複数の供給領域のそれぞれに対向する位置に、複数の粒体樹脂を保持する複数の保持部を有する樹脂搬送部を備えており、前記保持部が、ホッパと、前記ホッパの前記供給領域側に開閉可能に設けられた一対のシャッタとを有しており、前記一対のシャッタの開放によって、前記リリースフィルムで覆われた前記供給領域に複数の粒体樹脂を供給することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、次のとおりである。本発明の一実施形態における樹脂封止装置によれば、半導体パッケージの成形品質を向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の一実施形態における樹脂封止装置を用いた製造工程中の半導体パッケージの断面図である。
【図２】図１に続く製造工程中の半導体パッケージの断面図である。
【図３】図２に続く製造工程中の半導体パッケージの断面図である。
【図４】図３に続く製造工程中の半導体パッケージの断面図である。
【図５】図４に続く製造工程中の半導体パッケージの断面図である。
【図６】図５に続く製造工程中の半導体パッケージの断面図である。
【図７】図１の状態における樹脂封止装置の下型のクランプ面を示す平面図である。
【図８】図２の状態における樹脂封止装置の下型のクランプ面を示す平面図である。
【図９】本発明の他の実施形態における樹脂封止装置を用いた製造工程中の半導体パッケージの断面図である。
【図１０】図９に続く製造工程中の半導体パッケージの断面図である。
【図１１】図１０に続く製造工程中の半導体パッケージの断面図である。
【図１２】図１１に続く製造工程中の半導体パッケージの断面図である。
【図１３】図１０の状態における樹脂封止装置の下型のクランプ面を示す平面図である。
【図１４】本発明の他の実施形態における樹脂封止装置を用いた製造工程中の半導体パッケージの断面図である。
【図１５】図１４に続く製造工程中の半導体パッケージの断面図である。
【図１６】図１５に続く製造工程中の半導体パッケージの断面図である。
【図１７】図１６に続く製造工程中の半導体パッケージの断面図である。
【図１８】本発明の他の実施形態における樹脂封止装置の下型のクランプ面を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施形態を説明するための全図において、同一の機能を有する部材には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する場合がある。
【００１４】
（実施形態１）
本実施形態では、ウエハレベルのワークＷからウエハレベルパッケージ（ｅＷＬＰ）を形成する樹脂封止装置について説明する。この樹脂封止装置は、被成形品であるワークを供給する供給部と、供給部からローダにより供給されたワークを樹脂封止（パッケージング）するモールド金型を有するプレス部と、樹脂封止後、アンローダによりワークが金型から取り出されて、成形品としてワークを収納する収納部とを備えているものである。図１に、本実施形態における樹脂封止装置１Ａの要部であるモールド金型２を模式的に示す。なお、図１では、モールド金型２が型開きした状態が示されている。
【００１５】
樹脂封止装置１Ａは、ウエハレベルのワークＷに対応する容積を有するキャビティ凹部１１が形成されたモールド金型２を備えている。モールド金型２は、互いに対向して配置される上型３と下型４とで構成され、それらが近接して型締めされ、離間して型開きされる。上型３を固定型とし、下型４を可動型とした場合、上型３に対して下型４が近接してモールド金型２が型締めされ、上型３に対して下型４が離間してモールド金型２が型開きされる。
【００１６】
まず、上型３について説明する。上型３のクランプ面３ａ（パーティング面）には、爪状の把持部材１６が設けられている。この把持部材１６によって、ワークＷの縁部を把持して、ワークＷがクランプ面３ａから空隙を開けて上型３に保持される。ウエハレベルのワークＷは、例えば、大きさが８インチサイズであり、キャリアプレート１３上に熱剥離シート１４を介して複数の半導体チップ１５が格子状に配列されて貼付されたものである。
【００１７】
このように空隙を開けてワークＷが上型３に保持される構成のため、ワークＷが加熱されるのはキャリアプレート１３がモールド金型２内でクランプされた後になり、熱剥離シート１４が必要以上に加熱されて半導体チップ１５がキャリアプレート１３上で位置ずれしてしまうような不具合を確実に防止することができる。ただし、熱剥離シート１４を用いずにキャリアプレート１３上に半導体チップ１５を貼付けるときや、ＷＬＰを成形するときには、爪状の把持部材１６に替えて上型３のクランプ面３ａにワークＷを吸着させる構成を採用してもよい。
【００１８】
また、上型３には、吸引孔１７が設けられており、その一端は上型３のクランプ面３ａに開口し、他端は真空ポンプを備えた減圧機構（図示しない）に接続されている。また、上型３のクランプ面３ａに開口する吸引孔１７より外周側にはシール材１８（例えば、Ｏリング）が設けられている。型締めされたモールド金型２では、シール部材１８によって、キャビティを含んで閉鎖空間が形成される。この閉鎖空間は、吸引孔１７を介して減圧機構によって、脱気される。
【００１９】
なお、減圧機構がさらにコンプレッサを備える構成とした場合には、閉鎖空間内に気体を吹き込んで加圧し、粒体樹脂１２を金型面に密着させることで溶融を補助する構成を採用することもできる。この場合、樹脂の溶融後にさらに減圧することでボイドの発生を防止することができる。
【００２０】
次に、下型４について説明する。下型４のクランプ面４ａ（パーティング面）では、キャビティ凹部１１が形成されている。このキャビティ凹部１１は、その底部をキャビティ駒２１、また側部をクランパ２２によって形成される。クランパ２２は、貫通孔が形成された枠状金型からなり、この枠状金型の中央部の貫通孔にキャビティ駒２１が挿入されている。このため、キャビティ駒２１の周囲にクランパ２２が配置されることとなる。クランパ２２は、図示しないベースブロックにスプリングを介して支持されている。なお、クランパ２２のみスプリングに支持させて、キャビティ駒２１はベースブロックに直接支持させる構成を採用することもできる。
【００２１】
このように、キャビティ駒２１とクランパ２２で形成されるキャビティ凹部１１の底部には、図１に示す下型４の断面と、図７に示す下型４のクランプ面４ａの平面から分かるように、複数の粒体樹脂１２が供給される複数の供給領域Ａ１（図７では３６領域が示されている）が、周囲に設けられた段差部Ｂ１によって囲まれて形成されている。すなわち、段差部Ｂ１によって、複数の供給領域Ａ１が格子状に区画されている。本実施形態では、段差部Ｂ１は、キャビティ凹部１１の底部に設けられた格子状の凸部２３から形成されている。
【００２２】
この凸部２３は、各半導体チップ１５の個片化後のパッケージ間を仕切るように形成されることで各半導体チップ１５を矩形状に囲うように形成されている。本実施形態では、凸部２３で区画された供給領域Ａ１が、半導体パッケージが形成されるパッケージ領域Ｃ１（図５参照）に対応している。ただし、必ずしも各半導体チップ１５の外形に沿って矩形状に囲うように形成する必要は無く、複数の半導体チップ１５の外形に沿って矩形状に囲うように凸部２３を形成することもできる。
【００２３】
また、下型４には、キャビティ駒２１とクランパ２２との間に吸引路２５が設けられている。この吸引路２５の一端は下型４のクランプ面４ａに開口し、他端は吸引機構（図示しない）に接続されている。この吸引機構によって、下型４のクランプ面４ａを覆うようにリリースフィルム２４が吸着保持される。なお、リリースフィルム２４は、モールド金型２の加熱温度に耐えられる耐熱性、柔軟性および伸展性を有するフィルム材（例えば、フッ素系樹脂フィルム）である。
【００２４】
本実施形態における粒体樹脂１２は、樹脂特性（熱伝導性、色、含有量等）が同一であって、大きさが均一に成形されたものが用いられる。これは、計数や計量のし易さ、成形品質に与える影響や、取り扱い等に考慮して、粒体樹脂１２は、同一径を有する球体として用いている。例えば、直径φ１ｍｍとした球状の粒体樹脂１２では、１個供給することで０．５２３ｍｍ３の樹脂を供給することができる。
【００２５】
このように粒体樹脂１２の個々の大きさが均一に成形されていれば、キャビティ凹部１１へ供給されることとなる粒体樹脂１２を計数するだけで計量したことになる。このため、例えば、顆粒樹脂や液状樹脂のように樹脂量を計量する必要がなく樹脂供給動作を迅速かつ簡略にすることができる。また、大きさが均一の粒体樹脂１２を用いることで、顆粒樹脂のような微粉末が飛散することがなく容易に取り扱うことができる。
【００２６】
大きさが均一の粒体樹脂１２は、例えば、エポキシ樹脂、硬化剤、無機充填剤（フィラー）等を配合した原料を、溶融混練装置で混練し押出した後、成形用ロールを通過させるなどの各種の造粒工程を経ることで製造することができる。粒体樹脂１２は、大きさが均一に成形されている必要があるが、その精度は成形過程で所定の平均粒径を目標値として製造することでこの平均粒径に対して大きく外れていなければ良い。なぜならば、粒体樹脂１２の１個１個に誤差があってもそれぞれの平均粒径に対する誤差が互いに相殺されるからである。このため、全体として誤差を問題にならない程度に小さくすることができる。なお、粒体樹脂１２のサイズを揃えていても良い。
【００２７】
樹脂封止装置１Ａは、このような粒体樹脂１２を樹脂封止に必要な分量を計数するための計数機構（図示しない）と、キャビティ凹部１１に複数の粒体樹脂１２を供給するために、モールド金型２の内外に移動可能な樹脂搬送部２６Ａとを備えている。この計数機構では、複数の粒体樹脂１２の貯留装置から管路を介して樹脂搬送部２６Ａに供給する構成を採用でき、一例として、管路内において粒体樹脂１２の吐出数を計数し、供給数が所定値に達したときに管路を閉じれば、正確な個数の計数ができる。
【００２８】
樹脂搬送部２６Ａは、キャビティ凹部１１に複数の粒体樹脂１２を供給する際に複数の供給領域Ａ１のそれぞれに対向する位置に、粒体樹脂１２を保持する複数の保持部２７Ａを有している。保持部２７Ａは、ホッパ３１と、その下方開口（ホッパ３１の供給領域Ａ１側）に設けられた一対の板状のシャッタ３２により構成されている。各ホッパ３１に、前述した計数機構から粒体樹脂１２が投入される。
【００２９】
一対のシャッタ３２は、ホッパ３１の下方開口中央部において接離動することでホッパ３１を開閉可能とするものである。このような一対のシャッタ３２は、粒体樹脂１２の供給時にホッパ３１の下方開口中央部から開放するので、供給領域Ａ１の中央部に対して粒体樹脂１２を供給することができる。このように、複数の粒体樹脂１２が、キャビティ凹部１１の底部で形成された（区画された）各供給領域Ａ１に配分して供給されるため、キャビティ凹部１１内に樹脂を均等に供給することができる。
【００３０】
このような樹脂搬送部２６Ａでは、ホッパ３１上方において粒体樹脂１２の充填時に開放可能な蓋体を備えることで上型３からの輻射熱により粒体樹脂１２のホッパ３１内での溶融を防止する構成を採用することもできる。また、樹脂供給前に粒体樹脂１２がホッパ３１内で溶融するのを防止するために、ペルチェ素子のような冷却素子やその他の冷却手段を用いてホッパ３１内を冷却する冷却機構を備えてもよく、樹脂搬送部２６Ａを断熱構造としても良い。
【００３１】
このような構成の樹脂封止装置１Ａでは、型開きしたモールド金型２のキャビティ凹部１１に供給された複数の粒体樹脂１２が溶融され、ワークＷを保持してモールド金型２が型締めされ、溶融した樹脂でワークＷが樹脂封止される。
【００３２】
次に、樹脂封止装置１Ａの動作について、ウエハレベルパッケージ（ｅＷＬＰ）の製造方法と共に図１〜図８を参照して説明する。ウエハレベルパッケージを製造するため、樹脂封止装置１Ａでは、複数のパッケージ領域Ｃ１（図５参照）によって構成されるウエハレベルのワークＷに対応する容積を有するキャビティ凹部１１が形成されたモールド金型２を用いる。なお、本実施形態では、ウエハレベルパッケージから例えばダイシングにより個片化されて各半導体チップ１５がそれぞれに封止されたものを個々の半導体パッケージとし、ウエハレベルのワークＷにおける個々の半導体パッケージが形成される領域をパッケージ領域Ｃ１としている。
【００３３】
まず、図１に示すように、型開きしたモールド金型２にワークＷを供給する。ここでのワークＷは、樹脂封止前の被成形品の状態であり、キャリアプレート１３上に熱剥離シート１４を介して複数の半導体チップ１５が貼付されたものである。キャリアプレート１３は、ステンレス板、金属板、半導体ウエハなどの平坦性に優れた板であり、ウエハレベルの大きさ（例えば８インチサイズ）である。このため、ワークＷの大きさも、ウエハレベルとなる。
【００３４】
このような、ウエハレベルのワークＷは、供給部からローダによってモールド金型２内に搬送され、また、把持部材１６によって把持される。図１では、ワークＷは、半導体チップ１５が貼付された面を下型４側にし、その反対面が上型３のクランプ面３ａと間隙が形成されるようにして把持されている。
【００３５】
また、図１に示すように、下型４のクランプ面４ａに、リリースフィルム２４を吸着保持する。ここで、キャビティ凹部１１の底部を構成するキャビティ駒２１は、樹脂硬化時のキャビティ底部の位置（成形位置）より相対的に退避した退避位置にある。図１に示すように、リリースフィルム２４は、キャビティ凹部１１の形状、特に、キャビティ凹部１１の底部と側部とで底部の周囲に構成される角部、および底部に設けられた格子状の凸部２３に沿うように吸着しておく。これにより、粒体樹脂１２を供給し易くすると共に、粒体樹脂１２を加熱し易くして成形時間を短縮することができる。また、凸部２３によって粒体樹脂１２の動きを効果的に規制することができる。
【００３６】
また、図１に示すように、前述した計数機構によって計数された複数の粒体樹脂１２が配分されて各保持部２７Ａで保持する樹脂搬送部２６Ａを、型開きしたモールド金型２内に搬入移動する。各保持部２７Ａのホッパ３１では、その下方開口に設けられたシャッタ３２が閉口しているため、粒体樹脂１２を保持することができる。このようにして粒体樹脂１２を保持した樹脂搬送部２６Ａは、複数の保持部２７Ａがそれぞれ対応する複数の供給領域Ａ１（図７参照）と対向するように配置される。
【００３７】
続いて、図２に示すように、キャビティ凹部１１に対応する位置であって、型開きしたモールド金型２の複数の供給領域Ａ１のそれぞれに、計数した複数の粒体樹脂１２を配分して供給する。キャビティ凹部１１に対応する位置に搬入された樹脂搬送部２６Ａでは、シャッタ３２を同期して開放することでホッパ３１の底部を開口して、供給領域Ａ１、すなわちキャビティ凹部１１に、粒体樹脂１２を供給する。
【００３８】
本実施形態では、キャビティ凹部１１の底部（キャビティ駒２１のクランプ面４ａ側の面）に格子状の凸部２３が設けられて、供給領域Ａ１とその周囲を仕切る段差部Ｂ１が形成されている。この段差部Ｂ１によって、各供給領域Ａ１に供給された粒体樹脂１２の動きを規制する。供給領域Ａ１に供給された複数の粒体樹脂１２は、段差部Ｂ１で動きが規制され、最終的に、図２および図８に示すように、各供給領域Ａ１に複数の粒体樹脂１２を整列して配置することができる。このように、格子状の凸部２３によって形成された複数の供給領域Ａ１のそれぞれに、計数した複数の粒体樹脂１２を配分して供給することで、キャビティ凹部１１内で複数の粒体樹脂１２が均等に配置される。これにより、樹脂硬化時におけるキャビティ内の樹脂の偏りや流動などによる未充填やワイヤフローなどの不具合を防止することができるので、ウエハレベルパッケージ（半導体パッケージ）、およびこれから個片化された半導体パッケージの成形品質を向上することができる。
【００３９】
続いて、樹脂搬送部２６Ａをモールド金型２内から退避移動させた後、図３に示すように、複数の粒体樹脂１２を溶融する。モールド金型２は、図示しないヒータによって、粒体樹脂１２が溶融される温度に加熱されている。前述の樹脂搬送部２６Ａからキャビティ凹部１１側への供給の際、各シャッタ３２を同期させて開放し、粒体樹脂１２を各供給領域Ａ１に同時に供給することにより、供給領域Ａ１（キャビティ凹部１１）において同時に加熱を開始させて均一に加熱することができる。これにより、粒体樹脂１２の溶融および硬化の状態を均一にすることができ、成形品質を向上することができる。なお、以下の製造工程では、溶融した粒体樹脂１２や、溶融後硬化した粒体樹脂１２のように供給時の状態から変化した粒体樹脂１２を、「樹脂１２ａ」と称して説明する。
【００４０】
続いて、図４に示すように、上型３と下型４とを近接させて、モールド金型２の型締めを行う。この際に、前述した真空ポンプを備えた減圧機構を駆動させることで、上型３のクランプ面３ａに設けられたシール部材１８が、下型４のクランプ面４ａにリリースフィルム２４を介して当接して圧縮され始めたときから、キャビティ凹部１１を含む金型空間を外部から遮断して脱気しながら閉鎖空間が形成される。ここで、モールド金型２は加熱されて閉鎖空間内が昇温するため、樹脂１２ａに含まれる余剰成分を十分に排出した上で減圧することができる。これにより、ボイドの少ない高い成形品質のウエハレベルパッケージを得ることができるようになる。
【００４１】
続いて、図５に示すように、モールド金型２を型締めして供給したワークＷを保持し、樹脂１２ａが充填されたキャビティ凹部１１（キャビティ１１ａ）で、ワークＷを樹脂封止する。なお、下型４で形成されているキャビティ凹部１１は、その開口部側がワークＷで塞がれるので、「キャビティ１１ａ」と称している。
【００４２】
より具体的には、まず、図４に示した状態から、さらに上型３と下型４とを近接してシール部材１８をさらに圧縮し、クランパ２２を押し下げ、ワークＷが上型３のクランプ面３ａと下型４のクランプ面４ａに挟み込まれて保持された状態で、型締め動作を完了する。このとき、ワークＷの半導体チップ１５がキャビティ１１ａ内の樹脂１２ａに浸漬する。
【００４３】
次いで、キャビティ１１ａ内に樹脂１２ａを所定樹脂圧に保圧して加熱硬化（キュア）させる。モールド金型２を型締め後に、相対的にキャビティ駒２１を成形位置へ移動させて加熱硬化させるので、薄型に対応した成形品の厚さで樹脂封止（モールド）することができる。このようにして、樹脂封止装置１Ａでは、ワークＷを樹脂封止し、大型かつ薄型のウエハレベルパッケージを形成することができる。
【００４４】
続いて、図６に示すように、上型３と下型４とを離間して、モールド金型２を型開きし、下型４から樹脂封止されたワークＷを離型する。この際、下型４とワークＷとの間に配置されたリリースフィルム２４が、下型４のクランプ面４ａで吸着されているので、容易に離型することができる。その後、樹脂封止装置１Ａでは、把持部材１６によるワークＷの把持を解除し、図示しないアンローダにより上型３からワークＷを離型して取り出し、ウエハレベルパッケージ（成形品）としてのワークＷが収納される。なお、このウエハレベルパッケージからは、複数のパッケージ領域Ｃ１（図５参照）のそれぞれに対応する複数の半導体パッケージが形成される。
【００４５】
このような樹脂封止装置１Ａによるウエハレベルパッケージ（ワークＷ）には、キャビティ凹部１１の底部に設けられた格子状の凸部２３（図６、図７参照）に対応して、格子状の凹部３３が形成される（図６参照）。格子状の凹部３３は、ウエハレベルパッケージを個片化して、例えば、チップサイズパッケージ（ＣＰＳ：Chip Size Package）とする際に、ダイシングラインとして利用することができる。
【００４６】
前述したように、本実施形態では、キャビティ凹部１１の底部に格子状の凸部２３を設けて、キャビティ凹部１１の底部を区画する複数の供給領域Ａ１とその周囲の段差部Ｂ１を形成し、各供給領域Ａ１内で粒体樹脂１２の動きを規制している。これにより、複数の粒体樹脂１２を各供給領域Ａ１に配分して供給することで、キャビティ１１内に粒体樹脂１２を均等に供給することができる。したがって、キャビティ１１内の樹脂の未充填を防止することができ、ウエハレベルパッケージ（半導体パッケージ）、およびこれから個片化された半導体パッケージ（例えばＣＰＳ）の成形品質を向上することができる。
【００４７】
また、本実施形態では、大きさが均一の粒体樹脂１２を、キャビティ１１内に均一に供給することができる。このため、樹脂飛散による樹脂不足を考慮して、余分な樹脂供給や、樹脂溜まりを形成する必要がない。したがって、ウエハレベルパッケージの製造コストや、樹脂封止装置の製造コストを低減することができる。
【００４８】
（実施形態２）
前記実施形態１では、キャビティ凹部１１の底部に設けられた格子状の凸部２３によって、供給領域Ａ１とその周囲を仕切る段差部Ｂ１を形成した場合について説明した。本実施形態では、図９に示す下型４の断面と、図１３に示す下型４のクランプ面４ａの平面から分かるように、ワークＷに複数の半導体チップ１５が格子状に配置され、半導体チップ１５の厚みによって、供給領域Ａ２とその周囲を仕切る段差部Ｂ２が形成される場合について説明する。なお、前記実施形態と重複する説明は省略する場合がある。
【００４９】
図９に、本実施形態における樹脂封止装置１Ｂの要部であるモールド金型２を模式的に示す。樹脂封止装置１Ｂのモールド金型２の構成は、前記実施形態１の樹脂封止装置１Ａ（図１参照）では、下型４にキャビティ凹部１１を形成したのに対して、上型３にキャビティ凹部１１を形成している点で相違している。なお、樹脂封止装置１Ｂで用いられる粒体樹脂１２も、樹脂特性が同一であって、大きさが均一に成形された球状の粒体樹脂である。
【００５０】
樹脂封止装置１Ｂは、キャビティ凹部１１に複数の粒体樹脂１２を供給するために、モールド金型２の内外に移動可能な樹脂搬送部２６Ｂを備えている。この樹脂搬送部２６Ｂは、キャビティ凹部１１に複数の粒体樹脂１２を供給する際に、複数の供給領域Ａ２のそれぞれに対向する位置に、複数の粒体樹脂１２を保持する複数の保持部２７Ｂを有している。各保持部２７Ｂは、樹脂搬送部２６Ｂの内部に形成された吸引孔３４によって連通している。
【００５１】
吸引孔３４の一端は幹部にあり、吸引機構（図示しない）に接続され、他端は複数の枝部のそれぞれにあり、下型４側の対向面に開口している。このため、樹脂搬送部２６Ｂの保持部２７Ｂは、吸引機構を駆動させることで、吸引孔３４の各枝部で粒体樹脂１２を吸引し、保持することができる。また、保持部２７Ｂは、吸引を停止することで、供給領域Ａ２に対して粒体樹脂１２を供給することができる。このように、複数の粒体樹脂１２が、ワークＷを通じてキャビティ凹部１１に対応する位置であって、各供給領域Ａ２に配分して供給されるため、キャビティ凹部１１内に樹脂を均等に供給することができる（図１２参照）。
【００５２】
なお、本実施形態では、図１３に示すように、複数の半導体チップ１５のコーナ部間の領域を、粒体樹脂１２が配分される供給領域Ａ２としているが、隣接する半導体チップ１５の側部間の領域を、粒体樹脂１２が配分される供給領域としても良い。例えば、ワークが、配線基板上に搭載された半導体チップであって、それらの接続にボンディングワイヤを用いるような場合では、ボンディングワイヤを避けた領域を、供給領域として複数の粒体樹脂１２を配分して供給すれば良い。
【００５３】
このような構成の樹脂封止装置１Ｂでは、型開きしたモールド金型２のキャビティ凹部１１に供給された複数の粒体樹脂１２が溶融され、ワークＷを保持してモールド金型２が型締めされ、溶融した樹脂でワークＷが樹脂封止される。
【００５４】
次に、樹脂封止装置１Ｂの動作について、ｅＷＬＰの製造方法と共に図９〜図１３を参照して説明する。このようなパッケージを製造するため、樹脂封止装置１Ｂでは、複数のパッケージ領域Ｃ２（図１２参照）によって構成されるウエハレベルのワークＷに対応する容積を有するキャビティ凹部１１が形成されたモールド金型２を用いる。なお、本実施形態では、例えばダイシングによりウエハレベルパッケージから個片化されて各半導体チップ１５がそれぞれに封止されたものを個々の半導体パッケージとし、ウエハレベルのワークＷにおける個々の半導体パッケージが形成される領域をパッケージ領域Ｃ２としている。
【００５５】
まず、図９に示すように、型開きしたモールド金型２にワークＷを供給する。ここでのワークＷは、樹脂封止前の被成形品の状態であり、キャリアプレート１３上に熱剥離シート１４を介して複数の半導体チップ１５が貼付されたものである。ウエハレベルのワークＷは、供給部からローダによってモールド金型２内に搬送され、下型４で図示しない吸着機構によって吸着されて載置される。図９では、ワークＷは、半導体チップ１５が貼付された面を上型３側にし、その反対面（キャリアプレート１３）が下型４のクランプ面４ａと接してモールド金型２に載置される。
【００５６】
また、図９に示すように、上型３のクランプ面３ａに、リリースフィルム２４を吸着保持する。ここで、キャビティ凹部１１の底部を構成するキャビティ駒２１は、樹脂硬化時のキャビティ底部の位置（成形位置）より相対的に退避した退避位置にある。図９に示すように、リリースフィルム２４は、キャビティ凹部１１の形状に沿うように吸着しておく。
【００５７】
また、図９に示すように、計数機構によって計数された複数の粒体樹脂１２が配分されて各保持部２７Ｂで保持する樹脂搬送部２６Ｂを、型開きしたモールド金型２内に搬入移動する。各保持部２７Ｂでは、吸引孔３４を介して各枝部を吸引しているため、枝部毎に供給された粒体樹脂１２を保持することができる。このようにして粒体樹脂１２を保持した樹脂搬送部２６Ｂは、複数の保持部２７Ｂがそれぞれ対応する複数の供給領域Ａ２（図１３参照）と対向するように配置される。
【００５８】
続いて、図１０に示すように、キャビティ凹部１１に対応する位置であって、型開きしたモールド金型２の複数の供給領域Ａ２のそれぞれに、計数した複数の粒体樹脂１２を配分して供給する。キャビティ凹部１１に対応する位置に搬入された樹脂搬送部２６Ｂは、下型４側に近接した後、吸引孔３４を介して各枝部への吸引を停止することで、供給領域Ａ２に粒体樹脂１２を供給する。本実施形態では、図１２に示すように、各供給領域Ａ２に４つの粒体樹脂１２が供給されているが、例えば、これら４つの樹脂粒体１２分の大きさの１つの粒体樹脂を供給する構成であっても良い。このように、樹脂搬送部２６Ｂは、ワークＷに応じた配置で粒体樹脂１２を供給することができる。また、粒体樹脂１２同士が接触したり擦れたりすることがないため、微粉が発生したり複数の粒体樹脂１２が固着してしまうような不具合を確実に防止可能となっている。
【００５９】
本実施形態では、複数の半導体チップ１５が格子状に配置されたワークＷの、半導体チップ１５の厚みによって、供給領域Ａ２とその周囲を仕切る段差部Ｂ２が形成されている。この段差部Ｂ２によって、各供給領域Ａ２に供給された粒体樹脂１２の動きを規制する。このように、複数の供給領域Ａ２のそれぞれに、計数した複数の粒体樹脂１２を配分して供給することで、後の工程において、キャビティ凹部１１内で溶融した樹脂１２が均等に供給される。これにより、樹脂硬化時におけるキャビティ内の樹脂の未充填を防止することができるので、ウエハレベルパッケージ（半導体パッケージ）、およびこれから個片化された半導体パッケージの成形品質を向上することができる。
【００６０】
続いて、樹脂搬送部２６Ｂをモールド金型２内から退避移動させた後、図１１に示すように、複数の粒体樹脂１２を溶融する。モールド金型２は、図示しないヒータによって、粒体樹脂１２が溶融される温度に加熱されている。このため、モールド金型２に供給されたワークＷも加熱されている。前述の樹脂搬送部２６ＢからワークＷ側へ粒体樹脂１２を供給する際、吸引孔３４の各枝部の吸引を停止し、粒体樹脂１２を各供給領域Ａ２に同時に供給することにより、供給領域Ａ２（ワークＷ）において同時に加熱を開始させて均一に加熱することができる。これにより、粒体樹脂１２の溶融および硬化の状態を均一にすることができ、成形品質を向上することができる。
【００６１】
続いて、真空ポンプを備えた減圧機構を駆動させながら、上型３と下型４とを近接させて、モールド金型２の型締めを行い、図１２に示すように、モールド金型２を型締めして供給したワークＷを保持し、樹脂１２ａが充填されたキャビティ１１ａで、ワークＷを樹脂封止する。
【００６２】
より具体的には、まず、下型４のクランプ面４ａに設けられたシール部材１８が、上型３のクランプ面３ａにリリースフィルム２４を介して当接して圧縮され始めたときから、キャビティ凹部１１を含む金型空間を外部から遮断して脱気しながら閉鎖空間が形成される。次いで、さらに上型３と下型４とを近接して、シール部材１８をさらに圧縮し、クランパ２２を押し戻して、ワークＷが上型３のクランプ面３ａと下型４のクランプ面４ａに挟み込まれて保持された状態で、型締め動作を完了する。このとき、ワークＷの半導体チップ１５がキャビティ１１ａ内で樹脂１２ａに覆われる。
【００６３】
次いで、キャビティ１１ａ内に樹脂１２ａを所定樹脂圧に保圧して加熱硬化（キュア）させる。このようにして、樹脂封止装置１Ｂでは、ワークＷを樹脂封止し、大型かつ薄型のウエハレベルパッケージを形成することができる。その後、上型３と下型４とを離間してモールド金型２を型開きし、上型３および下型４から樹脂封止されたワークＷを離型し、図示しないアンローダによりワークＷを取り出し、ウエハレベルパッケージ（成形品）としてのワークＷが収納される。なお、このウエハレベルパッケージからは、複数のパッケージ領域Ｃ２（図１２参照）のそれぞれに対応する複数の半導体パッケージが形成される。
【００６４】
前述したように、本実施形態では、ワークＷの複数の半導体チップ１５が整列配置され、半導体チップ１５の厚みによって、供給領域Ａ２とその周囲を仕切る段差部Ｂ２が形成されていることを利用し、各供給領域Ａ２内で粒体樹脂１２の動きを規制している。これにより、複数の粒体樹脂１２を各供給領域Ａ２に配分して供給することで、キャビティ１１内に粒体樹脂１２を均等に供給することができる。したがって、キャビティ１１内の樹脂の未充填を防止することができ、ウエハレベルパッケージ（半導体パッケージ）、およびこれから個片化された半導体パッケージの成形品質を向上することができる。
【００６５】
（実施形態３）
前記実施形態２では、複数の半導体チップ１５が格子状に配置されたワークＷを利用して、半導体チップ１５の厚みによって、供給領域Ａ２とその周囲を仕切る段差部Ｂ２が形成された場合について説明した。本実施形態では、図１４に示す下型４の断面から分かるように、ワークＷは、下型４に載置される面とは反対面に突起する複数の突起端子３５を有する半導体ウエハであり、突起端子３５の高さによって、供給領域Ａ３とその周囲を仕切る段差部Ｂ３が形成される場合について説明する。なお、前記実施形態と重複する説明は省略する場合がある。
【００６６】
図１４に、本実施形態における樹脂封止装置１Ｃの要部であるモールド金型２を模式的に示す。樹脂封止装置１Ｃのモールド金型２の構成は、前記実施形態２の樹脂封止装置１Ｂ（図９参照）では、キャビティ凹部１１の底部を上下動可能なキャビティ駒２１を上型３に設けてキャビティ凹部１１を形成したのに対して、下型４にキャビティ凹部１１を形成し、上型３に上下動可能なクランパ２２を設けている点で相違している。なお、樹脂封止装置１Ｃで用いられる粒体樹脂１２も、樹脂特性が同一であって、大きさが均一に成形された球体である。
【００６７】
樹脂封止装置１Ｃは、キャビティ凹部１１に複数の粒体樹脂１２を供給するために、モールド金型２の内外に移動可能な樹脂搬送部２６Ｃを備えている。この樹脂搬送部２６Ｃは、キャビティ凹部１１に複数の粒体樹脂１２を供給する際に、複数の供給領域Ａ３のそれぞれに対向する位置に、複数の粒体樹脂１２を保持する複数の保持部２７Ｃを有している。各保持部２７Ｃは、樹脂搬送部２６Ｂ内部に形成された吸引孔３４と連通している。
【００６８】
吸引孔３４の一端は幹部にあり、吸引機構（図示しない）に接続され、他端は複数の枝部のそれぞれにあり、下型４側の対向面に開口している。本実施形態では、複数の枝部がそれぞれ複数の保持部２７Ｃを構成している。保持部２７Ｃは、吸引機構を駆動させることで、吸引孔３４の各枝部で粒体樹脂１２を吸引し、保持することができる。また、保持部２７Ｃは、吸引を停止することで、供給領域Ａ３に対して粒体樹脂１２を供給することができる。このように、吸引孔３４の配置に応じて、複数の粒体樹脂１２が、キャビティ凹部１１に対応する位置であって、各供給領域Ａ３に配分して供給されるため、キャビティ凹部１１内に樹脂を均等に供給することができる。なお、吸引孔３４の配置で任意の供給位置に複数の粒体樹脂１２を供給することができるため、任意の位置への粒体樹脂１２の供給を正確に行うことができる。
【００６９】
このような構成の樹脂封止装置１Ｃでは、型開きしたモールド金型２のキャビティ凹部１１に供給された複数の粒体樹脂１２が溶融され、ワークＷを保持してモールド金型２が型締めされ、溶融した樹脂でワークＷが樹脂封止される。
【００７０】
次に、樹脂封止装置１Ｃの動作について、ウエハレベルパッケージ（ＷＬＰ）の製造方法と共に図１４〜図１７を参照して説明する。ウエハレベルパッケージを製造するため、樹脂封止装置１Ｃでは、複数のパッケージ領域Ｃ３（図１７参照）によって構成されるウエハレベルのワークＷに対応する容積を有するキャビティ凹部１１が形成されたモールド金型２を用いる。なお、本実施形態では、例えばダイシングによりウエハレベルパッケージから個片化されたものを個々の半導体パッケージとし、ウエハレベルのワークＷにおける個々の半導体パッケージが形成される領域をパッケージ領域Ｃ３としている。
【００７１】
まず、図１４に示すように、型開きしたモールド金型２にワークＷを供給する。ここでのワークＷは、樹脂封止前の被成形品の状態であり、例えば８インチサイズの半導体ウエハである。この半導体ウエハの主面（半導体素子が形成されている面）には、外部接続用の突起端子３５が整列配置されている。ウエハレベルのワークＷは、供給部からローダによってモールド金型２内に搬送され、キャビティ凹部１１に載置される。図９では、ワークＷは、突起端子３５が形成された面を上型３側にし、その反対面が下型４のクランプ面４ａと接してキャビティ底部に載置される。
【００７２】
また、図１４に示すように、上型３のクランプ面３ａに、リリースフィルム２４を吸着保持する。ここで、キャビティ駒２１は、樹脂硬化時の位置（成形位置）より退避した退避位置にある。図１４に示すように、リリースフィルム２４は、上型３のクランプ面３ａの形状に沿うように吸着しておく。
【００７３】
また、図１４に示すように、計数機構によって計数された複数の粒体樹脂１２が配分されて各保持部２７Ｃで保持する樹脂搬送部２６Ｃを、型開きしたモールド金型２内に搬入移動する。各保持部２７Ｃでは、吸引孔３４を介して各枝部を吸引しているため、枝部毎に供給された粒体樹脂１２を保持することができる。このようにして粒体樹脂１２を保持した樹脂搬送部２６Ｃは、複数の保持部２７Ｃがそれぞれ対応する複数の供給領域Ａ３と対向するように配置される。
【００７４】
続いて、図１５に示すように、キャビティ凹部１１に対応する位置であって、型開きしたモールド金型２の複数の供給領域Ａ３のそれぞれに、計数した複数の粒体樹脂１２を配分して供給する。キャビティ凹部１１に対応する位置に搬入された樹脂搬送部２６Ｃは、下型４側に近接した後、吸引孔３４を介して各枝部（保持部２７Ｃ）への吸引を停止することで、供給領域Ａ３に粒体樹脂１２を供給する。
【００７５】
本実施形態では、ワークＷは、下型４に載置される面とは反対面（主面）に突起する複数の突起端子３５を有する半導体ウエハであり、突起端子３５の高さによって、供給領域Ａ３とその周囲を仕切る段差部Ｂ３が形成されている。この段差部Ｂ３によって、各供給領域Ａ３に供給された粒体樹脂１２の動きを規制する。このように、複数の供給領域Ａ３のそれぞれに、計数した複数の粒体樹脂１２を配分して供給することで、後の工程において、キャビティ凹部１１内で溶融した樹脂１２が均等に供給される。これにより、樹脂硬化時におけるキャビティ内の樹脂の未充填を防止することができるので、ウエハレベルパッケージ（半導体パッケージ）、およびこれから個片化された半導体パッケージの成形品質を向上することができる。
【００７６】
続いて、樹脂搬送部２６Ｃをモールド金型２内から退避移動させた後、図１６に示すように、複数の粒体樹脂１２を溶融する。モールド金型２は、図示しないヒータによって、粒体樹脂１２が溶融される温度に加熱されている。このため、モールド金型２に供給されたワークＷも加熱されている。前述の樹脂搬送部２６ＣからワークＷ側へ粒体樹脂１２を供給する際、吸引孔３４の各枝部の吸引を停止し、粒体樹脂１２を各供給領域Ａ３に同時に供給することにより、供給領域Ａ３（ワークＷ）において同時に加熱を開始させて均一に加熱することができる。これにより、粒体樹脂１２の溶融および硬化の状態を均一にすることができ、成形品質を向上することができる。
【００７７】
続いて、真空ポンプを備えた減圧機構を駆動させながら、上型３と下型４とを近接させて、モールド金型２の型締めを行い、図１７に示すように、モールド金型２を型締めして供給したワークＷを保持し、樹脂１２ａが充填されたキャビティ１１ａで、ワークＷを樹脂封止する。
【００７８】
より具体的には、まず、下型４のクランプ面４ａに設けられたシール部材１８が、上型３のクランプ面３ａにリリースフィルム２４を介して当接して圧縮され始めたときから、キャビティ凹部１１を含む金型空間を外部から遮断して脱気しながら閉鎖空間が形成される。次いで、さらに上型３と下型４とを近接して、シール部材１８をさらに圧縮し、クランパ２２を押し戻してワークＷが上型３のクランプ面３ａと下型４のクランプ面４ａに挟み込まれて保持された状態で、型締め動作を完了する。
【００７９】
次いで、キャビティ１１ａ内に樹脂１２ａを所定樹脂圧に保圧して加熱硬化（キュア）させる。このようにして、樹脂封止装置１Ｃでは、ワークＷを樹脂封止し、大型かつ薄型のウエハレベルパッケージを形成することができる。その後、上型３と下型４とを離間してモールド金型２を型開きし、上型３および下型４から樹脂封止されたワークＷを離型し、図示しないアンローダによりワークＷを取り出し、ウエハレベルパッケージ（成形品）としてのワークＷが収納される。なお、このウエハレベルパッケージからは、複数のパッケージ領域Ｃ３（図１７参照）のそれぞれに対応する複数の半導体パッケージが形成される。
【００８０】
前述したように、本実施形態では、ワークＷが、主面に突起する複数の突起端子３５を有する半導体ウエハであるため、この突起端子３５の高さによって、供給領域Ａ３とその周囲を仕切る段差部Ｂ３が形成されていることを利用し、各供給領域Ａ３内で粒体樹脂１２の動きを規制している。これにより、複数の粒体樹脂１２を各供給領域Ａ３に配分して供給することで、キャビティ１１内に粒体樹脂１２を均等に供給することができる。したがって、キャビティ１１内の樹脂の未充填を防止することができ、ウエハレベルパッケージ（半導体パッケージ）、およびこれから個片化された半導体パッケージの成形品質を向上することができる。
【００８１】
（実施形態４）
前記実施形態１では、キャビティ凹部１１の底部に設けられた格子状の凸部２３によって、供給領域Ａ１とその周囲を仕切る段差部Ｂ１を形成した場合について説明した（図７参照）。これに対して、図１８に示す下型４のクランプ面４ａの平面から分かるように、キャビティ凹部１１の底部（キャビティ駒２１）に整列して設けられた複数の凹部３６によって、供給領域Ａ４とその周囲を仕切る段差部Ｂ４を形成しても良い。
【００８２】
図１８の円で囲まれた箇所に１つの凹部３６を拡大して示している。また、図１８では、説明を明解にするために、一部の凹部３６に粒体樹脂１２を供給しているが、粒体樹脂１２の供給時には、すべての凹部３６のそれぞれに粒体樹脂１２が供給される。粒体樹脂１２の供給には、前記実施形態２、３で説明した粒体樹脂１２を吸引して保持できる樹脂搬送部２６Ｂを用いれば良い。
【００８３】
本実施形態では、一つの凹部３６に対して一つの粒体樹脂１２を載置するようにして、粒体樹脂１２の動きを規制している。すなわち、キャビティ凹部１１の底部に複数の凹部３６を整列して設けて、キャビティ凹部１１の底部を区画する複数の供給領域Ａ４とその周囲の段差部Ｂ４を形成し、各供給領域Ａ４内で粒体樹脂１２の動きを規制している。
【００８４】
これにより、複数の粒体樹脂１２を各供給領域Ａ４に配分して供給することで、キャビティ１１内に粒体樹脂１２を均等に供給することができる。したがって、キャビティ１１内の樹脂の未充填を防止することができ、ウエハレベルパッケージ（半導体パッケージ）、およびこれから個片化された半導体パッケージの成形品質を向上することができる。
【００８５】
以上、本発明を実施形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【００８６】
例えば、前記実施形態では、上型を固定型、下型を可動型とした場合について説明したが、上型を下型に対して接離動する可動型としてもよく、また、上型および下型を共に可動型とすることもできる。
【００８７】
また、前記実施形態では、粒体樹脂１２として形状が球体のものを説明したが、大きさが均一ならば、球体に限らず他の形状（多面体、円柱体、タブレットなど）のものを用いることができる。ただし、搬送や計数などの際に欠けが生じるのを防止するために鋭角部分のない粒体状の形態が好ましい。
【００８８】
また、前記実施形態では、粒体樹脂１２を熱硬化性樹脂とした場合について説明したが、熱可塑性樹脂とした場合であっても良い。熱可塑性樹脂とした場合、溶融した樹脂で型締めた後、モールド金型２の温度を下げて溶融樹脂を硬化させることになる。
【００８９】
また、前記実施形態で説明したワークＷに限らず、樹脂基板やセラミック基板のような各種基板上に行列状にボンディングされ実装された複数の半導体チップにより複数のパッケージ領域が構成されるワークＷを用いて実施形態１以降の構成で成形を行ってもよい。
【符号の説明】
【００９０】
１Ａ、１Ｂ、１Ｃ  樹脂封止装置
２  モールド金型
１１  キャビティ凹部（キャビティ）
１２  粒体樹脂（樹脂）
Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４  供給領域
Ｂ１、Ｂ２、Ｂ３、Ｂ４  段差部
Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３  パッケージ領域
Ｗ  ワーク
【図１】
0005682033.tif 000002
【図２】
0005682033.tif 000003
【図３】
0005682033.tif 000004
【図４】
0005682033.tif 000005
【図５】
0005682033.tif 000006
【図６】
0005682033.tif 000007
【図７】
0005682033.tif 000008
【図８】
0005682033.tif 000009
【図９】
0005682033.tif 000010
【図１０】
0005682033.tif 000011
【図１１】
0005682033.tif 000012
【図１２】
0005682033.tif 000013
【図１３】
0005682033.tif 000014
【図１４】
0005682033.tif 000015
【図１５】
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【図１６】
0005682033.tif 000017
【図１７】
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【図１８】
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