(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線基板と、
一方の面が、前記配線基板の一方の面に対向するように実装される複数の電子部品と、
該電子部品に密着するように複数の前記電子部品および前記配線基板を覆い、前記配線基板に接着された樹脂層とを備えており、
該樹脂層は、複数の前記電子部品及び前記配線基板と接していない部分に、内側に撓んでいる撓み部を有していることを特徴とする電子装置。
【請求項２】
前記撓み部は、隣り合って実装される前記電子部品の間に位置することを特徴とする請求項１に記載の電子装置。
【請求項３】
配線基板と、
一方の面が、前記配線基板の一方の面に対向するように実装される複数の電子部品と、
該電子部品に密着するように複数の前記電子部品および前記配線基板を覆い、前記配線基板に接着された樹脂層とを備えており、
該樹脂層は、複数の前記電子部品及び前記配線基板と接していない部分に、他の部分より厚みが薄くなっている薄肉部を有していることを特徴とする電子装置。
【請求項４】
前記薄肉部は、隣り合って実装される前記電子部品の間に位置することを特徴とする請求項３に記載の電子装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来の電子装置においては、複数の電子部品が、配線基板の一方の面に実装されていた。また、電子部品に密着し、かつ、これら複数の電子部品および配線基板を覆うようにして樹脂層が設けられていた。この樹脂層が配線基板に接着されることにより、複数の電子部品が、樹脂層および配線基板で形成される封止空間に収容されていた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００２−３１３８２８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、例えば従来の電子装置を他の実装基板に対して半田等の接合材で実装する際、リフロー工程における加熱によって、封止空間内の気体が体積膨張して、封止空間の内圧が上昇しやすくなる。この内圧が、樹脂層と配線基板との接着部に加わることで、樹脂層が配線基板から剥離しやすくなり、封止空間の気密性が損なわれる可能性があった。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の電子装置は、配線基板と、一方の面が、前記配線基板の一方の面に対向するように実装される複数の電子部品と、該電子部品に密着するように複数の前記電子部品および前記配線基板を覆い、前記配線基板に接着された樹脂層とを備えており、該樹脂層は、複数の前記電子部品及び前記配線基板と接していない部分に、内側に撓んでいる撓み部を有していることを特徴とするものである。
【０００６】
本発明の電子装置は、配線基板と、一方の面が、前記配線基板の一方の面に対向するように実装される複数の電子部品と、該電子部品に密着するように複数の前記電子部品および前記配線基板を覆い、前記配線基板に接着された樹脂層とを備えており、該樹脂層は、複数の前記電子部品及び前記配線基板と接していない部分に、他の部分より厚みが薄くなっている薄肉部を有していることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【０００７】
本発明の電子装置によれば、配線基板と、一方の面が、前記配線基板の一方の面に対向するように実装される複数の電子部品と、該電子部品に密着するように複数の前記電子部品および前記配線基板を覆い、前記配線基板に接着された樹脂層とを備えており、該樹脂層は、複数の前記電子部品及び前記配線基板と接していない部分に、内側に撓んでいる撓み部を有していることから、樹脂層と配線基板とで形成される封止空間がリフロー等によって加熱され体積膨張した場合であっても、撓み部が外側に撓むことにより、封止空間の内圧の上昇を抑制可能となる。従って、樹脂層が配線基板から剥離する可能性を低下させ、封止空間の気密性を維持しやすくなる。
【０００８】
本発明の電子装置によれば、配線基板と、一方の面が、前記配線基板の一方の面に対向するように実装される複数の電子部品と、該電子部品に密着するように複数の前記電子部品および前記配線基板を覆い、前記配線基板に接着された樹脂層とを備えており、該樹脂
層は、複数の前記電子部品及び前記配線基板と接していない部分に、他の部分より厚みが薄くなっている薄肉部を有していることから、樹脂層と配線基板とで形成される封止空間がリフロー等によって加熱され体積膨張した場合であっても、薄肉部が外側に変形することにより、封止空間の内圧の上昇を抑制可能となる。従って、樹脂層が配線基板から剥離する可能性を低下させ、封止空間の気密性を維持しやすくなる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】（ａ）は、本発明の電子装置の実施の形態の一例を示す斜視図であり、（ｂ）は、（ａ）におけるＡＡ線の断面図である。
【図２】（ａ）は、本発明の電子装置の実施の形態の他の例を示す斜視図であり、（ｂ）は、（ａ）におけるＡＡ線の断面図である。
【図３】本発明の電子装置の電子部品の平面図である。
【図４】（ａ）及び（ｂ）ともに、本発明の電子装置の実施の形態の他の例を示す断面図である。
【図５】（ａ）及び（ｂ）ともに、本発明の電子装置の実施の形態の他の例を示す断面図である。
【図６】本発明の電子装置の実施の形態の他の例を示す断面図である。
【図７】本発明の電子装置の実施の形態の他の例を示す断面図である。
【図８】本発明の電子装置の実施の形態の他の例を示す断面図である。
【図９】（ａ）〜（ｅ）は、本発明における樹脂層の他の例の要部を示す拡大断面図である。
【図１０】（ａ）及び（ｂ）ともに、本発明の電子装置の実施の形態の他の例を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下に、本発明の電子装置の実施の形態の一例について図面を参照しつつ詳細に説明する。
【００１１】
（第１実施形態）
図１、図２に示す電子装置１は、電子部品２と、配線基板３と、樹脂層４とを具備している。図１、図２に示す例においては、電子装置１として弾性表面波装置を示している。
【００１２】
電子装置１（弾性表面波装置）は、携帯電話機、その他の小型通信機器等の電子機器に使用される。
【００１３】
配線基板３は、図１、図２に示す例においては、基板本体31と、この基板本体31上に設けられているパッド電極32、33と、配線（図示せず。）とを有している。配線基板３の寸法は、縦が１〜２ｍｍ程度で、横が1.5〜３ｍｍ程度である。また、厚みは、0.1〜１ｍｍ程度である。
【００１４】
基板本体31は、酸化アルミニウム質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体、ムライト質焼結体、炭化珪素質焼結体、ガラスセラミックス焼結体等のセラミック材料が用いられる。また、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂等の有機樹脂材料を用いてもよい。また、セラミックスまたはガラス等の無機材料をエポキシ樹脂等の有機樹脂材料に混合させて成る複合材等を用いてもよい。例えば、基板本体31が酸化アルミニウム質焼結体から成る場合であれば、酸化アルミニウムとガラス粉末等の原料粉末をシート状に成形して成るグリーンシートを積層し、焼成することにより形成される。
【００１５】
また、例えば、パッド電極32、33により伝送される電気信号の遅延を防止するような場合には、ポリイミド・ガラスエポキシ樹脂等の有機樹脂材料、セラミックスやガラス等の
無機粉末をエポキシ樹脂等の有機樹脂で結合して成る複合材、または、酸化アルミニウム−ホウ珪酸ガラス系や酸化リチウム系等のガラスセラミックス焼結体等のような比誘電率の小さい材料で、基板本体31を形成することが好ましい。
【００１６】
図１、図２に示す例においては、パッド電極32が、基板本体31の上面において、電子部品２の有するパッド電極23と対応する位置に設けられている。
【００１７】
基板本体31の下面にもパッド電極33が設けられている。基板本体31の内部には、基板本体31の上面のパッド電極32と、基板本体31の下面のパッド電極33とを接続する貫通導体34が設けられている。また、基板本体31の内部、表面及び裏面等には、配線（図示せず。）が設けられていてもよい。これらの配線及び貫通導体34等によって、基板本体31のパッド電極32、33が電気的に接続されることとなる。
【００１８】
これらのパッド電極32、33、貫通導体34及び配線は、例えば、Ｗ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ等の金属材料で形成されている。また、パッド電極32、33がＷ、Ｃｕ、Ａｇで形成されている場合には、パッド電極32、33の表面に、Ｎｉメッキ、及びその上からＡｕメッキを施すことが好ましい。
【００１９】
複数の電子部品２は、一方の面21Ａが配線基板３の一方の面に対向するように実装される。図１、図２に示す例においては、２つの電子部品２が、それぞれの側面を対向させるように、隣り合って実装されている。２つの電子部品２の間の間隔は、0.05〜0.2ｍｍ程
度である。この間隔を、0.2ｍｍ以下とすることによって、電子部品２の高密度実装が可
能となる。
【００２０】
この電子部品２は、図１、図２に示す例においては、電子素子22を有している。具体的には、図３に示す例のように、電子部品２は、電子素子22および基板21を有しており、電子素子22は、基板21の一方の面21Ａに搭載されている。電子部品２の寸法は、縦が0.5〜1.5ｍｍ程度であり、横が0.5〜1.5ｍｍ程度である。また、厚みは、0.1〜0.5ｍｍ程度である。
【００２１】
図１および図２に示す例においては、電子部品２として弾性表面波素子を示している。また、電子素子22としてＩＤＴ（Interdigital Transducer）電極22を示している。また
、基板21として圧電基板21を示している。この弾性表面波素子は、圧電基板21と、一方の面21Ａ上に設けられたＩＤＴ電極22およびパッド電極23とを有している。
【００２２】
圧電基板21は、ＬｉＴａＯ３、またはＬｉＮｂＯ３等の圧電性を有する単結晶基板である。圧電基板21の厚さは適宜に設定されてよいが、例えば、0.1〜0.5ｍｍである。圧電基板21の主面の形状は適宜に設定されてよいが、例えば矩形である。また、圧電基板21の一方の面21Ａの寸法は、１辺の長さが、例えば、0.5〜1.5ｍｍである。
【００２３】
図３に示す例においては、ＩＤＴ電極22は、圧電基板21の一方の面21Ａ上の中央近傍に、２個並べて配置されている。各ＩＤＴ電極22は、櫛歯状に形成された２つの電極22ａ（以下、櫛歯状電極22ａという）によって構成されている。各櫛歯状電極22ａは、互いに対向し、電極指が互いに噛み合うように配置されている。
【００２４】
パッド電極23は、ＩＤＴ電極22に電気信号を供給するための電極である。また、図３に示す例においては、パッド電極23は圧電基板21の一方の面21Ａに設けられている。パッド電極23は、接合材６を介してパッド電極32に接続されている。
【００２５】
これらＩＤＴ電極22、パッド電極23は、いずれもＡｌまたはＡｌ合金（例えば、Ａｌ−
Ｃｕ系、Ａｌ−Ｔｉ系）等の金属膜で形成することができる。接合材６は、Ｓｎ−Ａｇ系またはＳｎ−Ａｇ−Ｃｕ系等の半田、Ａｕ−Ｓｎ等の低融点ろう材、導電性有機樹脂等により形成されている。
【００２６】
また、図示しないが、ＩＤＴ電極22の露出した表面上には、Ｓｉ，ＳｉＯ２，ＳｉＮｘ，Ａｌ２Ｏ３等の絶縁性の高い材料から成る保護膜を設けてもよい。これによって、導電性の異物がＩＤＴ電極22の電極指間に付着することによって短絡が生じることを抑制できる。
【００２７】
樹脂層４は、電子部品２に密着するように複数の電子部品２および配線基板３を覆い、配線基板３に接着されている。図１、図２に示す例においては、樹脂層４は、複数の電子部品２の上面と密着し、かつ、電子部品２の側面のうち他の電子部品２の側面と対向する側面以外の側面とも密着している。
【００２８】
樹脂層４は、配線基板３と接着することによって、樹脂層４と配線基板３と電子部品２とで囲まれた封止空間Ｓを形成している。複数の電子部品２は、封止空間Ｓ内に収納されるように実装されている。この封止空間Ｓは、電子部品２と配線基板３との対向空間Ｓ１、及び各電子部品２の側面どうしの対向空間Ｓ２を含んでいる。
【００２９】
この樹脂層４は、図１に示すように、複数の電子部品２及び配線基板３と接していない部分に、内側（すなわち、対向空間Ｓ２側）に撓んでいる撓み部５Ａを有している。また、樹脂層４は、図２に示すように、複数の電子部品２及び配線基板３と接していない部分に、他の部分より厚みが薄くなっている薄肉部５Ｂを有している。
【００３０】
これらのような構成により、樹脂層４と配線基板３と電子部品２とで形成される封止空間Ｓ内の気体がリフロー等によって加熱され体積膨張した場合であっても、内圧によって変形しやすい撓み部５Ａ又は薄肉部５Ｂを有しているので、撓み部５Ａ又は薄肉部５Ｂが変形して気体の体積膨張を吸収することで封止空間Ｓの内圧の上昇を抑制可能となる。従って、樹脂層４が配線基板３から剥離する可能性を低下させ、封止空間Ｓの気密性を維持しやすくなる。
【００３１】
撓み部５Ａ又は薄肉部５Ｂは、図１、図２に示す例のように、隣り合って実装される電子部品２の間に位置している。図１に示す例においては、樹脂層４のうち対向空間Ｓ２に対応する部分が、対向空間Ｓ２の上部に侵入するように撓んでいる。図２に示す例においては、樹脂層４における、対向空間Ｓ２に対応する部位の外表面が窪むことで薄肉部５Ｂが形成されている。
【００３２】
また、図４に示す例のように、撓み部５Ａ又は薄肉部５Ｂは、電子部品２と配線基板３との対向空間Ｓ１に相当する部位に設けられていても良いが、図１、図２に示す例のように、撓み部５Ａ又は薄肉部５Ｂは、隣り合って実装される電子部品２の間に位置している方が、特に好ましい。これらのような場合には、封止空間Ｓ内の気体が体積膨張により撓んで変形する箇所が、樹脂層４のうち対向空間Ｓ２に対応する部分に限定される。よって、樹脂層４のうち対向空間Ｓ１に対応する部分が撓んで変形することを抑制できる。ここで、対向空間Ｓ１に対応する部分は、樹脂層４と配線基板３との接着部分の近傍であるため、当該部分の変形を抑えることにより、樹脂層４と配線基板３との接着力の低下を抑制することができる。結果、封止空間Ｓの気密性を維持しやすくなる。
【００３３】
図１、図２に示す例のように、撓み部５Ａ又は薄肉部５Ｂは、樹脂層４のうち対向空間Ｓ２に対応する部分に、電子部品２の側面に沿って溝状に設けられている。撓み部５Ａ又は薄肉部５Ｂの幅は、0.05〜0.25ｍｍ程度である。
【００３４】
なお、撓み部５Ａ又は薄肉部５Ｂで撓み変形が生じるためには、撓み部５Ａ又は薄肉部５Ｂの幅が、樹脂層４の厚みより大きいことが必要である。
【００３５】
図１、図２に示す例においては、樹脂層４は、例えば、フェノール系樹脂，ポリイミド系樹脂またはエポキシ系樹脂等の熱硬化性樹脂が使用される。また、樹脂層４は、例えば、10〜100μｍの厚みで形成されている。ただし、図２に示す例における薄肉部５Ｂの厚
みは、樹脂層４の他の部分の厚みの１／３〜１／２程度であることが好ましい。他の部分の厚みの１／２程度以下であれば、薄肉部５Ｂは、他の部分よりも撓みやすくなる。また、他の部分の厚みの１／３程度以上であれば、薄肉部５Ｂの強度を一定以上に維持することができるので、封止空間Ｓが体積膨張した場合であっても、薄肉部５Ｂで損傷することは抑制される。よって、封止空間Ｓの気密性を維持しやすくなる。
【００３６】
図１に示す例における撓み部５Ａは、樹脂層４の外側表面が、電子部品２の上面から約0.05〜0.2ｍｍ下方に位置する程度に撓んでいることが好ましい。樹脂層４の外側表面が
、電子部品２の上面から0.05ｍｍ程度以上、下方に位置することによって、封止空間Ｓが体積膨張した際に、撓み部５Ａが外側に撓みやすくなる。樹脂層４の外側表面と、電子部品２の上面との間隔が0.2ｍｍ程度以下であれば、樹脂層４の撓み部５Ａを、電子部品２
の機能表面である一方主面２Ａから十分離間させることができる。よって、電子部品２の機能表面に樹脂層４の一部が付着し、電気特性が変動する可能性を低くすることができる。
【００３７】
以下に、図１、図２に示す例の電子装置１の製造方法を示す。まず、基板21の一方の面２１Ａに、電子素子22、パッド電極23をそれぞれ形成することにより、電子部品２を準備する。
【００３８】
次に、基板本体31にパッド電極32、33及び配線（図示せず。）を形成することにより、配線基板３を準備する。ここで、基板本体31にパッド電極32、33及び配線（図示せず。）を形成する方法としては、メタライズ層、めっき層、蒸着等の金属を、薄膜層として被着させる手段を用いることができる。また、例えば、Ｗ及びＡｇのペーストを配線基板２の基板本体31となるグリーンシートにメタライズ層として印刷して、これをグリーンシートとともに焼成することにより形成される。また、所定の形状を有する金属箔をグリーンシートに転写して同時焼成を行う方法も採用できる。
【００３９】
次に、電子部品２のパッド電極23と、配線基板３のパッド電極32とを、接合材６によって電気的・機械的に接続させる。接合材６による接着は、例えば、パッド電極23上に、半田ろう材でバンプを形成しておき、このバンプを溶融させてパッド電極32と接合させる。また、例えば、パッド電極23上に、Ａｕ線によるワイヤバンプを形成しておき、別途接合材を介してパッド電極32と接合させてもよい。なお、パッド電極23上にバンプを形成する方法としては、熱圧着法、または熱超音波圧着法等が用いられている。
【００４０】
次に、加熱硬化する前のＢステージ状態の樹脂層４をチップ部品２の基板21の上面に載せる。この際、図１に示すような撓み部５Ａを有する樹脂層４を形成する際には、Ｂステージ状態の樹脂層４の所定の位置に対して、治具等を押し付けることによって予め撓み部を形成しておく。また、図２に示すような薄肉部５Ｂを有する樹脂層４を形成する際には、Ｂステージ状態にある樹脂層４の外表面の所定の位置に対して、カッター等の治具で予め窪みを形成しておく。
【００４１】
次に、樹脂層４に高熱を加えることによって、樹脂層４を軟化させ、チップ部品２の表面形状に沿って変形させる。次に、樹脂層４にさらに熱を加え続け、樹脂層４を硬化させ
ることによって、電子装置１を得る。なお、薄肉部５Ｂは、硬化前でなく硬化後の樹脂層４に窪みを形成することによって設けてもよい。この場合は、カッター等の治具やレーザー光を使用する。
【００４２】
（第２実施形態）
図５に示す例においては、電子装置１として、マイクロミラーデバイス、光デバイス、マイクロポンプ等として使用される。
【００４３】
図５に示す例においては、電子部品２は、半導体基板（基板）21を有している。また、電子部品２は、半導体基板21の一方の面２１Ａに、微小電子機械機構22としての電子素子22と、パッド電極23を有している。微小電子機械機構22は、パッド電極23と電気的に接続されている。
【００４４】
半導体基板21は、シリコン、ポリシリコン等から成る。また、半導体基板21の一方の面２１Ａに、電子部品２の微小電子機械機構22を内側に収めるような凹部（不図示）を形成しておいてもよい。凹部内に微小電子機械機構22の一部を収めるようにしておくと、微小電子機械機構22を収納する空間Ｓ１を形成するための接合材６の高さを低く抑えることができ、電子装置１の低背化に有利なものとなる。凹部はシリコンあるいはポリシリコンをフォトリソグラフィー技術やレーザ加工などのいわゆるマスクレスエッチング技術などを用いて作製され、フッ酸エッチング、ドライエッチングなどのエッチング技術を用いて作製される。
【００４５】
半導体基板21の寸法および形状は、図１、図２に示す例の電子装置１における圧電基板21と同様である。
【００４６】
微小電子機械機構22は、例えば、電気スイッチ、インダクタ、キャパシタ、共振器、アンテナ、マイクロリレー、光スイッチ、ハードディスク用磁気ヘッド、マイク、バイオセンサー、ＤＮＡチップ、マイクロリアクタ、プリントヘッド、加速度センサ、圧力センサなどの各種センサ、ディスプレイデバイス等のいずれかの機能を有している。この微小電子機械機構22は、半導体微細加工技術を基本とした、いわゆるマイクロマシニングで作る部品である。なお、１素子あたり１０μｍ〜数１００μｍ程度の寸法を有する。
【００４７】
図５に示す例においては、配線基板３は、図１、図２に示す例と同様に、基板本体31と、この基板本体上に設けられているパッド電極32、33と、基板本体31中に設けられた貫通電極34と、配線（図示せず。）とを有している。図５に示す例においては、配線基板３の上面に、電子部品２の微小電子機械機構22を内側に収めるような凹部（不図示）を形成しておいてもよい。凹部内に微小電子機械機構22の一部を収めるようにしておくと、微小電子機械機構22を収納する空間Ｓ１を形成するための接合材６の高さを低く抑えることができ、電子装置１の低背化に有利なものとなる。
【００４８】
基板本体31、パッド電極32、33、貫通電極34および配線の材料等は、図１、図２に示す例と同様であるとする。図５に示す例の電子装置１における、樹脂層４は、図１、図２に示す例のものと同様である。
【００４９】
なお、本発明は上述した実施の形態の例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更，改良等が可能である。
【００５０】
例えば、以上で示した製造方法においては、図１に示すような撓み部５Ａを有する樹脂層４を形成する際には、治具等を使用するとしたが、封止空間Ｓを真空状態にし、大気との圧力差を利用して、撓み部５Ａを設けても良い。
【００５１】
具体的には、まず、加熱硬化する前のＢステージ状態の樹脂層４を上面に載せた電子部品２を、真空炉内に置く。次に、樹脂層４を加熱し、チップ部品２の表面形状に沿うように軟化させるとともに、配線基板３の表面に接着させる。これにより、樹脂層４と配線基板３とで形成された封止空間Ｓは、真空空間となる。次に、電子装置１を真空炉から取り出す。これにより、樹脂層４のうち、対向空間Ｓ２に対応する部分が、封止空間Ｓ側に引き込まれることにより、撓み部５Ａが形成される。なお、対向空間Ｓ２に対応する部分に撓み部５Ａを形成するためには、電子部品２同士の間の間隔を、電子部品２と配線基板３との間隔より広くしておくとよい。つまり、対向空間Ｓ２の幅を、対向区間Ｓ３の幅より広くしておくとよい。これにより、対向空間Ｓ２側の樹脂層４の方が撓みやすくなる。
【００５２】
また、図２に示すような薄肉部５Ｂを有する樹脂層４を形成する際には、樹脂層４を２段構造とすることによる方法を採用しても良い。
【００５３】
具体的には、まず、加熱硬化する前のＢステージ状態の第1樹脂層４Ａをチップ部品２
の基板21の上面に載せる。次に、図６に示すように、２つの第2樹脂層４Ｂを互いに離間
させて、第1樹脂層４Ａの上面に配置する。これにより、互いに離間した第2樹脂層４Ｂの間に、薄肉部５Ｂを設けることができる。また、第2樹脂層４Ｂは１つにして、その第2樹脂層４Ｂの一部に孔を設け、この孔から第1樹脂層４Ａの表面を露出させることによって
薄肉部５Ｂとしても良い。
【００５４】
また、以上で説明した各製造方法は、いずれも単体の電子装置１を製造する方法であったが、多数個取りの方法を用いることによって製造してもよい。その場合は、例えば、配線基板３となる多数個取り用の集合基板に、素子領域毎に複数のチップ部品２を搭載し、上述の方法で、樹脂層４を設けた後に、ダイシング又はカッター等の切削工具によって切断し、複数の電子装置１を得れば良い。
【００５５】
また、例えば、図７に示す例のように、樹脂層４は、複数の電子部品２の上面とのみ密着させ、電子部品２の側面のうち外側の側面とは密着させない構成であっても良い。この樹脂層４は、図２の構成に適用しても良い。
【００５６】
また、例えば、図８に示す例のように、電子部品２どうしは、側面どうしを当接させるように実装されていてもよい。このような場合には、電子部品２どうしの間に存在していた対向空間Ｓ２を設ける必要がないので、電子部品２の高密度実装が可能となる。また、電子部品２は、互いに側面で当接していることから、電子装置１全体がリフロー等で加熱され、半田等から成る接合材６が再溶融した際であっても、互いに実装位置を固定し合うので、電子部品２の実装ずれを抑制できる。なお、図８における撓み部５Ａは、薄肉部５Ｂであってもよい。
【００５７】
また、例えば図９、図１０に示す例のように、撓み部５Ａ又は薄肉部５Ｂは、電子部品２の側面間の対向空間Ｓ２全体にわたって設けられている必要はなく、一部に設けられていればよい。特に、図９、図１０（ｂ）に示す例のように、薄肉部５Ｂを、両側のいずれの電子部品２とも離間させて設けることが好ましい。この場合には、封止空間Ｓの気体の体積膨張に伴って変形する部位が、両側のいずれの電子部品２とも離間することとなる。よって、薄肉部５Ｂの撓み変形が、樹脂層４の下面と電子部品２の上面との接着力を弱めてしまうことを抑制できる。また同様の理由から、図１０（ａ）に示す例のように、撓み部５Ａが両側のいずれの電子部品２とも離間して設けられていてもよい。
【００５８】
また、例えば図９（ａ）〜（ｃ）に示す例のように、薄肉部５Ｂを形成するための窪みの断面形状は、四角形状、半円形状、三角形状のいずれであってもよい。
【００５９】
また、例えば図９（ｄ）に示す例のように、窪みが樹脂層４の下面に設けられていることによって、薄肉部５Ｂが設けられていてもよい。また、例えば図９（ｅ）に示す例のように、窪みが樹脂層４の上下面に設けられていることによって、薄肉部５Ｂが設けられていてもよい。
【００６０】
また、例えば、電子部品２は、弾性表面波素子以外にも、振動子、高周波回路部品等であってもよい。また、複数の電子部品は、同じ種類の電子部品であってもよいし、異なる種類の電子部品であってもよい。
【００６１】
なお、以上で説明した変形例は、適宜組み合わせても良く、また、これらの変形例は、第１実施形態、第２実施形態のいずれに適用されても良いものとする。
【符号の説明】
【００６２】
１：電子装置
２：電子部品
３：配線基板
４：樹脂層
５Ａ：撓み部
５Ｂ：薄肉部
【図１】
0005734099.tif 000002
【図２】
0005734099.tif 000003
【図３】
0005734099.tif 000004
【図４】
0005734099.tif 000005
【図５】
0005734099.tif 000006
【図６】
0005734099.tif 000007
【図７】
0005734099.tif 000008
【図８】
0005734099.tif 000009
【図９】
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【図１０】
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