(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の表面と第２の表面とを有する基板を含み、前記第１の表面および前記第２の表面は、ほぼ平行であるとともに前記基板の対向する両側部上にあり、
前記基板に設けられると共に開口部が形成された誘電体層と、
前記第１の表面と前記第２の表面との間に及び前記第１の表面と前記第２の表面とに通信可能に接続すると共に前記基板に形成されたビアと、
前記ビア内に配置されて前記第１の表面と前記第２の表面との領域を電気的に接続する電気的導電体と、
互いに物理的および電気的に連通している固定部分と自由部分とを含み、前記誘電体層に少なくとも部分的に形成されたマイクロスプリングと、
前記誘電体層に適用されると共に前記マイクロスプリングを少なくとも部分的に囲む積層構造と、
を含み、
前記自由部分はそれに加わる外力がないときには非平面的な外形を有し、前記自由部分は前記誘電体層に対して自由に動き、
前記固定部分は、前記ビア内に配置された前記電気的導電体と電気的通信可能に、前記誘電体層に形成された前記開口部を介して接続された第１の部分と、前記誘電体層に固定された第２の部分とを有する、インターポーザ構造。
【請求項２】
前記自由部分の前記少なくとも１部は、そこに適用されたハンダの領域を有する、請求項１に記載のインターポーザ構造。
【請求項３】
前記マイクロスプリングが形成される前記基板は、前記インターポーザ構造から完全に取り除かれる、請求項１に記載のインターポーザ構造。
【請求項４】
前記積層構造は、少なくとも部分的にシリコンで構成されている、請求項３に記載のインターポーザ構造。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、一般に、プリント基板のようなデバイスと集積回路の間の電気接触を促進する、一般に、インターポーザと呼ばれる構造に関し、さらに詳細には、電気接点としてマイクロスプリングを利用するインターポーザに関する。
【背景技術】
【０００２】
ポータブルコンピュータ、携帯電話のような電子装置の大きさは何世代にもわたって縮小している。この寸法縮小の結果、論理プロセッサ、グラフィックプロセッサなどの個別素子はますます小さくなってきている。しかしながら、これらのデバイス寸法が縮小するにつれて、導体パッドの寸法および間隔（ピッチ）も縮小している。その結果、個別素子の導体パッドの小さいピッチを、例えば、プリント基板（ＰＣＢ）などの、より大きなピッチにまで拡大して接続するためのデバイスが必要とされている。このようなデバイスはインターポーザと呼ばれ、技術的によく知られている。
【０００３】
さらに、この寸法縮小とともに、それに比例して、縮小した体積の中に、より多くのメモリ、論理プロセッサ、グラフィックプロセッサなどの個別素子をパックする要求が出現する。その中に個別素子がパックされる体積を減らす１つの既知の技法は、プリント基板上にそれらを横方向に取り付けるのとは対照的に、１つのデバイスの上に他のデバイスを垂直方向に積み重ねることである。また、このような積み重ねを容易にするためにインターポーザを使用することも知られている。
【０００４】
１つの典型的な既知の実施形態では、図２７に示すように、ダイ１５０（論理プロセッサのような）がインターポーザ１５４の第１の側部１５２（例えば、正面）上に接続されている。結合線１５６がダイ１５０の導体パッドをインターポーザ１５４の第１の側部上の導体パッドに電気的に接続している。インターポーザ１５４上の導体パッドのピッチはダイ１５０のピッチよりも大きい。その後、インターポーザ１５４内のスルービア１５８が、第１の表面１５２上の導体パッドから、例えば、インターポーザ１５４の第２の側部（例えば、裏面）１６２上のはんだボール１６０まで、インターポーザ１５４上の導体パッドのより大きなピッチで電気的接続を提供する。構造を適切な絶縁材料１６２内に必要に応じて閉じ込めて、ボンドワイヤおよび電気部品を保護してもよい。その後、はんだボール１６０は適切な、または好ましいピッチで、ＰＣＢ、ソケットなどに接続されてもよい。例えば、「積層ボール配列構造のパッケージを接続する方法」と題する米国特許第５，７８３，８７０号を参照すること。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
既知のインターポーザを使用するときには多くの欠点または難問がある。第１に、上述した種類のインターポーザは、スルービアを形成して導電体でそれらのビアを充填することを要求する。シリコン基板では、このエッチングは高密度プラズマエッチングで通常行われる。これは、主として、充填されるビアの所望の高密度のために費用のかかるプロセスである。結果は所望の密度を一般に下回るが、費用のより安いプロセスで他の基板が使用されてもよい。湿式エッチングでは低密度シリコン・フィード・トラフが利用できる。ビードブラストおよび導電性ペーストを用いてガラスインターポーザを製作できるが、この場合も先と同様に低密度であり、かつ所望のシリコン基板上ではない。一般に、費用と所望の密度の間のトレードオフのほかに、インターポーザの基板として使用してもよい材料の種類に関する制限もある。
【０００６】
さらに、典型的なインターポーザは弾力的または柔軟ではなく、積層デバイス間の相対運動に適合できない。これは、電気相互接続または積層構造の構造健全性に対して、応力に基づく損傷を引き起こす。さらに、ボール・グリッド・アレイ（ＢＧＡ）相互接続は面外接続に対して比較的柔軟性がない。はんだボールのうちの１つ以上が間違った大きさであったり、もしくは間違った位置に置かれていたり、またはデバイスが面外に外れていたりする場合には、はんだボールのうちの１つ以上は電気的に相互接続できないか、または他のはんだボールがインターポーザと、ＰＣＢ、ソケットなどとの間で電気的に相互接続するのを妨げる可能性がある。
【０００７】
さらに、一部分においてインターポーザ基板に使用できる材料に関する制限、およびそれらの製作方法のために、低密度では電気的フィードトラフを有する光学的に透明なインターポーザだけが利用できる。
【０００８】
最後に、インターポーザが、通常、はんだ付けまたはＢＧＡで電気的に接続されると、その電気的接続は一般に再加工できない。接続が不十分な場合には、インターポーザおよびダイは分離して再接続し直すことができない。もっと正確に言えば、２つの構成要素は、通常、廃棄されるか、または再利用される。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
したがって、とりわけ、エッチングおよび充填を通じて費用がかかるのを回避し、積層デバイス間の信頼性のある柔軟な接続を提供し、高密度の接続、および光学的に透明な基板の選択を提供する、改良されたインターポーザに対する技術的な必要性がある。
【００１０】
したがって、本開示は改良されたインターポーザ設計、上記インターポーザが配設されるシステム、およびこのような改良されたインターポーザを製作する方法に関する。エッチングおよび充填を通じて費用がかかるのを回避する。積層デバイス間の信頼性のある柔軟な接続を、高い相互接続密度を有する状態で、必要に応じて光学的に透明な基板上に提供する。
【００１１】
本開示の一態様によれば、インターポーザは全体を覆ってラミネート層を貼り付けてある応力工学的金属システムに基づいている。フォトリソグラフィ的にパターン形成したスプリングデバイス（本明細書では「マイクロスプリング」と呼ぶ）を製作するために、米国特許第５，９１４，２１８号で開示され説明されているような応力工学的金属システムを利用する。結果として得られるマイクロスプリングは大略的にマイクロメートルスケールの細長い金属構造であり、基板に直接または間接的に取り付けられた固定部分から上方に曲がった自由部分を有している。
【００１２】
応力工学的マイクロスプリングを形成するプロセスは、デバイスが最初に形成される平面から外へ延びた形の接点（遠位端部）を有するデバイス配列の形成を容易にし、インターポーザの片側に接点を形成してもよい。露出した固定装置（近位端部）またはスルービアは、インターポーザの片側にマイクロスプリングを接続して、インターポーザの第２の反対側上にパッドを接触させるようにしてもよい。あるいは、インターポーザの製作時に多層再ルーティングを使用して、インターポーザの第１の側部上のマイクロスプリングと、インターポーザの第２の側部上の導体パッドの間を接続してもよい。
【００１３】
その後、マイクロスプリング全体を覆って積層構造を取り付け、または形成してもよい。積層構造は、マイクロスプリングがデバイススタックの中の他の構成要素に電気的に短絡するのを防止してもよく、マイクロスプリングに機械的保護を提供してもよく、スプリングスペーサ層の役割を果たしてもよく、スプリングと基板の間の固定装置の強度を高めてもよく、スプリングたわみ時の隙間充填部を提供してもよく、および湿気および汚染から埋め込み要素を保護してもよい。積層構造はあらかじめ形成されてもよく、マイクロスプリング構造全体を覆って積層構造を取り付けるときマイクロスプリングの先端部は積層構造を貫通し、またはマイクロスプリング構造全体を覆って積層構造を形成し硬化させてもよい。
【００１４】
積層構造は均質体であってもよく、または２つ以上の層から形成されていてもよい。積層構造が複数層から形成されている場合、構造の取扱いおよび／または処理の後などに層のうちの１つ以上を除去し、それによってマイクロスプリングの少なくとも先端部を露出させて接触させるようにしてもよい。
【００１５】
積層構造はマスクを形成して、マイクロスプリングの先端部領域全体を覆うはんだのような、材料の選択メッキまたは蒸着を可能にしてもよい。あるいは、積層構造はマイクロスプリングの先端部分のエッチング、洗浄、または他の処理を行うためにマスクを形成してもよい。
【００１６】
したがって、本開示の一態様によれば、第１の表面と第２の表面とを有する誘電体を含み、上記各表面はほぼ平行であるとともに、上記誘電体の対向する両側部上にあり、互いに物理的および電気的に連通している固定部分と自由部分とを含むマイクロスプリングを含む、インターポーザ構造を提供し、上記自由部分はそれに加わる外力がないときには非平面的な外形を有し、上記自由部分は上記誘電体の上記第１の表面に対して自由に動き、上記固定部分は上記誘電体に固定され、上記誘電体に電気的に接続するように上記第２の表面に配設されており、上記マイクロスプリングの上記固定部分と上記自由部分の間の少なくとも一部は上記誘電体の中に配設されている。
【００１７】
したがって、本開示は、はるかに簡単でより信頼性のある相互接続方法を提供するインターポーザ、およびこのようなインターポーザを製作するためのはるかに簡単な方法をもたらす。ワイヤ結合の必要がない。深い基板エッチングまたは充填の必要がない。光学的に透明な基板から高密度インターポーザ接続が可能である。また、非常に薄くて弾力性のあるインターポーザを提供してもよい。さらに、デバイスとインターポーザの間の接続の再加工が可能であり、最終的なシステム組み立ての前に総合的なシステム試験が可能になる。
【００１８】
上述のことは本開示の多くの特有の態様、特徴、および利点の概要である。しかしながら、この概要は網羅的なものではない。したがって、本開示のこれらの、ならびに他の態様、特徴、および利点は、ここに提供した特許請求の範囲を踏まえて検討すれば、下記の詳細な説明および添付図面から、さらに明らかになるであろう。
【００１９】
本明細書に添付した図面では、類似の参照番号はさまざまな図面の間の類似の要素を示している。図面は例を示しているが、原寸に比例して描かれているわけではない。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本開示の一実施形態の、マイクロスプリングにより電子的に相互接続された第１の電子構造（インターポーザの下方に示す）および第２の電子構造（インターポーザの上方に示す）を有する単層インターポーザの側面図である。
【図２】本開示の実施形態を形成する可能性がある種類の基板により支持される誘電体層全体にわたって形成されるマイクロスプリングを含むマイクロスプリング構造の側面図である。
【図３】本開示の一実施形態の、マイクロスプリング構造の側面図であり、薄積層構造をマイクロスプリング構造全体を覆って貼り付けている途中の状態を示している。
【図４】本開示の一実施形態の、マイクロスプリング構造の側面図であり、積層構造をマイクロスプリング構造全体を覆って貼り付けた状態を示している。
【図５】左側は積層構造なしの状態、右側は積層構造の中に埋め込まれた状態の２つのマイクロスプリングのマイクロ写真であり、積層構造内の埋め込み後の先端部の高さは、積層構造内の埋め込み前と比較してほぼ等しいことを示している。
【図６】２つのマイクロスプリングが、それぞれ積層構造内に埋め込まれており、２つの先端部がほぼ等しい量だけ構造から突出していることを示すマイクロ写真であり、実質的に同様の結果であることから、本開示のプロセスがマイクロスプリングの配列に適用できることを実証している。
【図７】本開示の実施形態の、積層構造をマイクロスプリング構造全体を覆って貼り付けた状態のマイクロスプリング構造と、マイクロスプリングの固定部分まで電気接点の一部を露出するように加工処理された（例えば、薄くされた）基板と、の側面図である。
【図８】本開示の、曲がっていない状態および曲がった状態のマイクロスプリングの先端部の直角変位のグラフであり、マイクロスプリングの非対称に形成された配列内の先端部位置の差を調整するための横方向の先端部たわみの範囲を示している。
【図９Ａ】図９Ａおよび９Ｂは、それぞれ、本開示の、単一のダイを横切るリフト高さ偏位、および単一上に形成された複数のダイを横切るリフト高さ偏位のグラフである。
【図９Ｂ】図９Ａおよび９Ｂは、それぞれ、本開示の、単一のダイを横切るリフト高さ偏位、および単一上に形成された複数のダイを横切るリフト高さ偏位のグラフである。
【図１０】本開示の他の実施形態を形成する可能性がある種類の基板により支持される誘電体層全体にわたって形成されるマイクロスプリングを含むマイクロスプリング構造の側面図である。
【図１１】本開示の一実施形態の、マイクロスプリング構造の側面図であり、薄積層構造をマイクロスプリング構造全体を覆って貼り付けた状態を示している。
【図１２】本開示の一実施形態の、積層構造をマイクロスプリング構造全体を覆って貼り付けた状態のマイクロスプリング構造と、マイクロスプリングの固定部分の一部を露出するように除去された基板と、の側面図である。
【図１３】本開示の一実施形態の、マイクロスプリング構造の側面図であり、厚い積層構造をマイクロスプリング構造全体を覆って貼り付けている途中の状態を示している。
【図１４】本開示の一実施形態の、マイクロスプリング構造の側面図であり、厚い積層構造をマイクロスプリング構造全体を覆って貼り付けた状態を示しており、マイクロスプリングが積層構造の中に完全に埋め込まれている。
【図１５】積層構造を貼り付けて、その後、その積層構造を除去するステップの後の２つのマイクロスプリングのマイクロ写真であり、２つの先端部の画像の相対的な鮮明さが似かよっていることから、２つの先端部がほぼ等しい高さであること、およびシリコーン積層構造の除去がマイクロスプリングに著しい損傷を与えることはなかったことを示している。
【図１６】本開示の一実施形態の、マイクロスプリング構造の側面図であり、厚い多層積層構造をマイクロスプリング構造全体を覆って貼り付けている途中の状態を示している。
【図１７】本開示の一実施形態の、マイクロスプリング構造の側面図であり、厚い多層積層構造をマイクロスプリング構造全体を覆って貼り付けた状態を示しており、マイクロスプリングが積層構造の中に完全に埋め込まれている。
【図１８】本開示の一実施形態の、厚い多層積層構造のうちの１つの層を除去した後の図１７のマイクロスプリング構造の側面図であり、マイクロスプリングの先端部分が接触するために露出している。
【図１９】本開示の一実施形態の、マイクロスプリング構造全体を覆って配設され空洞を形成する鋳型構造を有するマイクロスプリング構造の側面図であり、マイクロスプリングの先端部分は埋め込まれており、積層構造材料を空洞の中に導入できるようになっている。
【図２０】本開示の一実施形態の、材料を空洞の中に導入して材料を硬化させた後の図１９のマイクロスプリング構造の側面図である。
【図２１】本開示の一実施形態の、鋳型構造を除去した後の図１９および図２０のマイクロスプリング構造の側面図である。
【図２２】本開示の実施形態の、基板貫通接続が多層再ルーティングにより作られている多層インターポーザの側面図である。
【図２３】本開示の実施形態の、基板貫通接続が多層再ルーティングにより作られており、媒介装置接続、冷却材料、周辺シールなどに適合するためにビアをさらに含む多層インターポーザの側面図である。
【図２４】本開示の一実施形態の、マイクロスプリングにより電子的に相互接続された第１の電子構造（インターポーザの下方に示す）および第２の電子構造（インターポーザの上方に示す）を有する多層インターポーザの側面図である。
【図２５】基板により支持される誘電体層全体にわたって形成されるマイクロスプリングを含むマイクロスプリング構造の側面図であり、マイクロスプリングが本開示の他の実施形態を形成する可能性がある種類のラミネート層の上端面と同一平面上にあるように形成されている。
【図２６】本開示のさらに他の実施形態を形成する可能性がある種類の基板の、対向する両側部上にそれぞれ形成された２つのマイクロスプリングを含む構造の側面図である。
【図２７】技術的に周知の種類のインターポーザの断面側面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
本発明の詳細を不必要に分かりにくくしないために、周知の出発物質、処理技術、構成要素、機器、および他の周知の細目の説明については単に要約するだけであったり、または省略したりすることを最初に指摘しておく。したがって、詳細が他の方法で周知である場合、それらの詳細に関連する選択を示唆したり、または決定したりすることは本発明の応用に委ねる。
【００２２】
最初に図１を参照すると、本開示の実施形態の、集積回路（ＩＣ）３とプリント基板（ＰＣＢ）４の間に配設されたインターポーザ２の横断面図を示している。インターポーザ２の役割はＩＣ３上の導体パッドをＰＣＢ４上の導体パッドに電気的に接続することである。さらに後述するように、接続はインターポーザ２の中を通って延びる１つ以上のマイクロスプリング５により行われる。
【００２３】
マイクロスプリング５とＩＣ３の導体パッドの間の接触点は、通常、マイクロスプリング５の先端部と導体パッドの間の圧力接点であり、はんだ接合のような、より恒久的な接続であっても、またはそうでなくてもよい。したがって、インターポーザ２とＩＣ３の間の電気相互接続は、デバイス試験のためなどには一時的である可能性があり、またはＩＣ３がデバイス試験に合格して、最終的なデバイスが組み立てられている場合などには恒久的である可能性がある。また、ＩＣ３は、例えば、スペーサ６によりインターポーザ２から離間していてもよく、またはＩＣ３はマイクロスプリング５の先端部を凹部７の中に押し付けることができる状態でインターポーザ２に接触していてもよい。
【００２４】
しかしながら、はんだまたは類似の伝導性取り付け手段が、インターポーザ２の裏面およびＰＣＢ４の表面の導体パッドの位置で、導体パッド（充填されたビアを通じて、層状再ルーティング接点などの露出部分を経由して、例えば、マイクロスプリング５の一部から形成される）を接続してもよい。
【００２５】
図２は、上端面接触および下端面接触を提供するマイクロスプリング構造１０を部分的に含む、インターポーザ８の一実施形態の一部を側面図で示している。本明細書に開示するようにインターポーザを製作するために使用してもよい多くの異なるマイクロスプリング構造がある。マイクロスプリング設計、材料、物理的性質などの選択は、多くの要因により決定されるであろうが、本明細書に開示するマイクロスプリングに基づくインターポーザ設計の汎用性を制限するものではない。また、上述の米国特許第７，５５０，８５５号に開示しているような多層の積層マイクロスプリングを形成してもよい。しかしながら、インターポーザ８の上端面における、または上端面より上方のマイクロスプリングの先端部分と、インターポーザ８の下端面におけるマイクロスプリングの先端部分の間の電気的接続がなければならないことが重要である。インターポーザ８は複数のマイクロスプリングを通常含んでいるであろうが、説明を簡単にするために、このようなマイクロスプリング１２を１つだけ示している。
【００２６】
マイクロスプリング１２は、自由部分１４と、基板１８（例えば、ガラス、シリコン、石英など）に固定された固定部分１６と、を含んでいる。マイクロスプリング１２を形成する前に、基板１８の表面全体を覆って誘電体層２０を形成してもよく、誘電体層２０の中に開口部２２を形成してもよい。マイクロスプリング１２は、例えば、基板１８内のビア２６内に形成された接点２４に、開口部２２などを通じて電気的に接続するように形成される。マイクロスプリング１２と接点２４の間の接続は、両者間の電気的相互通信と、物理接続の両方を提供してもよく、さらにマイクロスプリング１２を基板１８に固定する。さらに、ただ接点２４だけでマイクロスプリング１２を基板１８に接続してもよい。さらに他の実施形態では、別の電気接点の有無にかかわらず、マイクロスプリング１２は、その固定装置自体は基板１８に取り付けられている別の固定装置（図示せず）全体を覆って形成され、マイクロスプリング１２は、その別の固定装置に取り付けられている。
【００２７】
マイクロスプリング１２は、モリブデンクロム（ＭｏＣｒ）合金、ニッケルジルコニウム（ＮｉＺｒ）合金、またはマイクロスプリングの製作に適したさまざまな金属もしくは合金のうちのいずれかのような弾性的に変形しやすい材料で製作してもよく、マイクロスプリングの製作に適したさまざまな金属もしくは合金には、Ｍｏ、ＭｏＣｒ、Ｗ、Ｎｉ、ＮｉＺｒ、Ｃｕ、ダイヤモンド、もしくは他の合金、非金属、酸化物、窒化物、または有機材料などがある。マイクロスプリング１２を形成する材料は導電性であることが好ましいが、マイクロスプリング１２は非導電材料または半導体材料から形成されてもよい。マイクロスプリング１２を非導電材料または半導体材料から形成する場合には、導電性接点を提供するために、図示していないがマイクロスプリング１２を導電性材料で被覆またはメッキしてもよい。
【００２８】
よく理解されるように、マイクロスプリング１２は、最初は、基板１８の表面の平面に対してほぼ平行な平面内の応力工学的金属システムから形成される。形成は、通常、技術的に周知のフォトリソグラフィ技術により行われる。応力工学的金属膜（すなわち、応力差を有するように製作され、その下方部分が、その上方部分よりも高い内部圧縮応力を有するようになっている金属膜）は、マイクロスプリング１２を形成するためにフォトリソグラフィにより通常パターン形成される。一技術によれば、異なる材料が、例えば、圧縮層全体を覆って形成される張力層などの、所望の応力特性をそれぞれ有する層内に蒸着される。他の技術によれば、層を蒸着するにつれて製造パラメータを変更することにより単層に固有応力差が提供される。
【００２９】
エッチアンダーカットなどのさまざまな技術のうちの１つを使用して、先端部２８を含むマイクロスプリング１２の自由部分１４を解放し、マイクロスプリング１２の中の内部応力が先端部２８を平面から引っ張りあげて、図１に示すように、例えば、凹形のマイクロスプリングを作り出す（結果として得られる多くの異なるマイクロスプリング外形が知られており、本明細書に開示するインターポーザで使用されてもよい）。
【００３０】
代表的な実施形態では、先端部２８は層２０の表面から約１０〜２５０μｍの範囲の高さＨだけ持ち上がる。マイクロスプリング１２の幅は、通常５〜１００μｍの範囲内にある。当業者には明らかなように、先端部２８は、鋭くても、丸みを帯びていても、平坦でも、または他の形状であってもよい。
【００３１】
図３および図４を参照すると、自由部分１４が解放されると、薄積層構造３０が構造１０の上面全体を覆って貼り付けられる。薄積層構造３０は構造１０全体を覆って恒久的に貼り付ける目的でさまざまな異なる材料から形成されてもよい。シリコーンは１つの例示的材料である。シリコーンは比較的柔らかくて適合性があり、下記の説明から分かるように有利である。他の候補材料は、Ｄｅｌｐｈｏｎ  Ｉｎｄｕｓｔｒｉｅｓ，ＬＬＣの事業部であるＧｅｌ−Ｐａｋから入手できるゲル膜として業界で知られている（例えば、ｗｗｗ．ｇｅｌｐａｋ．ｃｏｍ／ｐｒｏｄｕｃｔｓ／ｉｎｄｅｘ．ｃｆｍ？ｆｕｓｅａｃｔｉｏｎ＝ｇｅｌ−ｆｉｌｍを参照）。明確にするために、この実施形態では、デバイスを形成するプロセスにおいて既に形成されたマイクロスプリングおよび基板構造全体を覆って構造３０が貼り付けられたり、または重ねられたりするため、構造３０は「積層」構造と呼ばれる。積層構造３０は単一材料を含んでいてもよく、またはそれ自体が、いくつかの材料層の積層であってもよい。特定の実施形態では、積層構造３０は搬送シート（図示せず）を介して取り扱われ、貼り付け時には上記シートから外して運ばれてもよい。積層構造３０の厚さはＴである。この実施形態では、積層厚さＴはマイクロスプリング１２の高さＨよりも小さいであろうが、特定の実施形態では、少なくとも最初はそのようにはなっていない可能性がある。他の実施形態では、後述のように、ＴがＨを上回っている可能性がある。
【００３２】
薄積層構造３０は、その裏面から除去され、マイクロスプリング１２の先端部２８が積層構造３０を貫通するように構造１０の上面全体を覆って貼り付けられる。マイクロスプリング１２は先端部２８が極めて小さくて比較的鋭く、積層が比較的柔らかいという事実のおかげで損傷を受けない。構造３０が構造１０の上端面の微細構成に合わせて全般的になじんで、構造１０の全体を覆ってうまく位置するように、構造３０の上面３２に適切な圧力を加える。構造１０の上面（例えば、マイクロスプリング１２および誘電体層２０の上面の一部）に接触する積層構造３０の下面上の任意の接着剤層３４が、積層構造３０を所定の位置に保持してもよい。一実施形態では構造３０を貫く過程でマイクロスプリング１２が損傷を受けないように、さらに構造３０が構造１０の非平面状の上面の大半に接触できるように、構造３０には柔らかくて適合性のある材料を使用することが有利である。
【００３３】
その後、マイクロスプリング１２の先端部２８は、Ｈ−Ｔにほぼ等しい距離だけ構造３０の上面３２の上方に延びる。その後、露出した先端部２８は、インターポーザ構造８の第１の側部または上端側上の電気接点として使用できる。
【００３４】
ここで、先端部２８が積層構造３０の表面３２を超えて延びる量Ｈ−Ｔは、導電性圧力接点として使用するためにマイクロスプリング１２の力学的性質を制御するのに重要であることに注目すべきである。表面３２を超えて延びるマイクロスプリング１２のその部分が基板１８の平面に対してほぼ垂直である（すなわち、高角度である）場合には、マイクロスプリング１２は「横揺れ」したり、またはスムーズに曲がったりすることが十分にできず、したがって、コンプライアンスをほとんど示さない可能性がある。しかしながら、積層構造３０は、それを形成する材料、高さＨ−Ｔ、接触面に対する先端部２８の実際の角度などに応じて何らかのコンプライアンスを提供する可能性がある。例えば、積層構造３０がシリコーンで形成され、厚さがほぼ１００μｍであり、先端部２８が表面３２を超えて延びる量Ｈ−Ｔが５〜１０μｍの範囲内であるときには、１０μよりも大きいコンプライアンスを提供できる可能性がある。
【００３５】
特定の実施形態では、例えば、構造１０の表面全体を覆う、より適合性のある被覆を提供するために、およびマイクロスプリング１２が構造３０を貫くときマイクロスプリング１２に対する損傷の可能性をさらに減少させるためなどに、貼り付ける前に構造３０を軟化させることが好ましい可能性がある。構造３０の軟化は、技術的に周知のように加熱により、化学軟化により、または他の方法により達成してもよい。さらに、構造３０は光硬化性エポキシまたはポリマーのような硬化性材料を含んでいてもよい。最初に、構造３０はその物理構造を保持できるように部分的に硬化した状態で貼り付けられるが、構造３０は適合しておりマイクロスプリング１２が突き抜けることなどが比較的容易であるように十分柔らかい。貼り付けられると、構造３０の硬化を完了でき、それによって、マイクロスプリング１２がその中に埋め込まれる、より硬い本体を提供する。さらに、構造１０全体を覆って貼り付けた後に軟化できる材料を使用してもよく、例えば、マイクロスプリング１２を保護するために構造１０全体を覆って配設されるときには、それらの材料は、より硬くなっているが、構造１０およびマイクロスプリング１２からの除去を容易にするために熱、化学処理などにより軟化できる。
【００３６】
マイクロスプリング１２の少なくとも一部、特に、自由部分１４の一部は積層構造３０「の中に」配設されている。マイクロスプリング１２を物理的に支持することは積層構造３０の１つの機能である。この支持は、ウェハ支持マイクロスプリング１２を取り扱うときの、あらゆる方向での強さ、マイクロスプリング１２がその上のデバイスとバネ接触しているときの、たわみ方向での強さ、などである可能性がある。したがって、積層構造３０は、わずかな間隔しかない状態でマイクロスプリング１２の表面と実質的に接触していなくてはならない。積層構造３０は、マイクロスプリング１２のたわみに対する何らかの「曲がり」または許容範囲を有していなければならず、他方、マイクロスプリング１２に対して全体的に付加された強度をさらに提供する。
【００３７】
また、積層構造３０は、基板１８（または誘電体層２０）の上面と、先端部２８に接触する構造（例えば、図１のＩＣ３など）の下面との間の最小間隔を定義するスペーサの役割を果たしてもよい。さらに、積層構造３０は、マイクロスプリング１２と基板１８の両方への大きな表面接触域および接着、ならびに接着剤層３４により提供される接着に部分的に起因して、マイクロスプリング１２と基板１８の間の固定装置に対する補強を提供してもよい。構造３０は、スプリングたわみ時の隙間充填部をさらに提供する。構造３０は何らかの曲がりを可能にするが、材料がマイクロスプリング１２のさらなるたわみに抵抗する限界に達する。ここで、それによって、構造１０と、構造１０と接触しているデバイスとの間の最小間隔が定義される。その上に、構造３０は、環境汚染および損傷からマイクロスプリング１２、誘電体層２０、接点２４などの一部を保護する湿気および汚染物質バリアをさらに提供する。さらに、積層構造３０の中に埋め込まれるマイクロスプリング１２の一部は、本開示の特定の応用で必要とされる可能性があるメッキおよびはんだ付けなどの化学処理ステップから保護される。
【００３８】
図５は、先端部２８ａ、２８ｂを有する２つのマイクロスプリング１２ａ、１２ｂのマイクロ写真である。マイクロスプリング１２ａは基板１８全体を覆って独立して直立しており、他方、マイクロスプリング１２ｂはシリコーン積層構造３０内に埋め込まれている。先端部２８ａ、２８ｂの画像の相対的な鮮明さが似かよっていることは、先端部２８ａ、２８ｂがほぼ等しい高さであることを主張している。このことは、この実施形態では、先端部２８が積層構造３０を貫通するように積層構造３０を貼り付けると、その上にマイクロスプリング１２を形成してある表面を、先端部の高さＨが超えることになり、積層構造の厚さＴを超える先端部２８の間隔は実質的にＨ−Ｔに等しいことを主張している。さらに、図６は、それぞれシリコーン積層構造３０から突出している先端部２８ｃ、２８ｄを有する２つのマイクロスプリングのマイクロ写真１２ｃ、１２ｄである。先端部２８ｃ、２８ｄの画像の相対的な鮮明さが似かよっていることは、先端部２８ｃ、２８ｄがほぼ等しい量だけシリコーン積層構造３０から突出していることを主張している。したがって、実質的に同様の結果であることから、先端部２８が積層構造３０を貫通することにより積層構造３０を貼り付けるプロセスはマイクロスプリングの配列に適用できる。
【００３９】
図７を参照すると、次に、構造は基板１８の一部を除去して、それによって基板１８の裏面（マイクロスプリング１２が形成される側部の反対側）上に接点２４を露出するために処理される。先端部２８と、基板１８の中を通って露出された接点２４の間に、電気的接続を確立する。このようにして、機能するインターポーザを提供する。基板１８および積層構造３０のそれぞれは個々に誘電体である。また、基板１８および積層構造３０は一緒になって１つの誘電体を形成し、この誘電体の中にはマイクロスプリング１２の一部が埋め込まれている。先端部２８と接点２４の間の間隔Ｓは、インターポーザ８の上方の１つのデバイス（例えば、図１のＩＣ３など）から、インターポーザ８の下方の他のデバイス（例えば、図１のＰＣＢ４など）までの導体パッドピッチの変化に適切に適合するように設計されている。（また、距離Ｓは２つのデバイス３、４の間に位置するインターポーザ２との関連で図１に示されている。）
【００４０】
上述のプロセスは、マイクロスプリング１２を形成する前に基板の中に形成され導電体で充填されたビアを有する基板から始まるが、プロセスは逆にしてもよいことが理解されるであろう。すなわち、マイクロスプリング１２を基板１８全体にわたって形成してもよく、その後、ビア２６および接点２４を形成してもよい。このプロセスは基板１８を薄くする必要性をなくす可能性がある。
【００４１】
先端部２８のＸ−Ｙ配置精度はパッケージ組み立て位置合わせには重要である。本開示の１つの利点は先端部２８の鉛直変位が水平変位も同様に引き起こすことである。モデルは、５μｍも仕様から逸脱したスプリング先端部のＸ−Ｙ位置でも、マイクロスプリングのリフト高さ（Ｈ）により調整される可能性があることを示している。例えば、図８を参照すると、曲がっていない状態のリフト高さが５０μｍの場合、および曲がった状態のリフト高さが４０μｍの場合のマイクロスプリングのプロファイルであり、Ｙ方向における先端部の１０μｍのたわみは、Ｘ方向における先端部の約８μｍのたわみを引き起こすことが分かる。１０μｍ未満のリフト高さの逸脱を有するマイクロスプリングの配列を提供することが、図９Ａに単一のダイを横切って、および図９Ｂに単一の直径１００ｍｍウェハ上に形成された複数のダイを横切って示されている（測定誤差は＋／−５μｍであることに留意すると、実際のリフト高さの広がりは図示されているよりも狭い可能性があることを示唆している）。
【００４２】
図１０は、本開示の、上端面接触と下端面接触の両方を提供するマイクロスプリング構造の他の実施形態の説明図である。基板７４全体にわたってマイクロスプリング７２を形成することはインターポーザ７０を形成する。必要に応じて、マイクロスプリング７２と基板７４の間に犠牲層７６を配設してもよい。上述のように、マイクロスプリング７２の自由部分は、自由部分が形成された平面から、工学的内部応力などにより、先端部７８を基板７４の上面の上方へ持ち上げるように解放される。図１１を参照すると、その後、例えば、上述のように、先端部７８が積層構造８０の表面の上方へ突出するように、積層構造８０がマイクロスプリング７２および基板７４全体を覆って貼り付けられたり、または蒸着されたりする。図１２を参照すると、その後、マイクロスプリング７２の固定部分８２を露出するために、例えば、犠牲層７６により、または技術的に周知の他の方法により、基板７４が除去される。マイクロスプリング７２が導電性材料から形成されているとき、または導電性材料で被覆されているとき、この実施形態では基板７４の中を通ってビアを形成する必要なしに、マイクロスプリング７２の先端部７８と露出された固定部分８２の間に電気的接続が確立される。
【００４３】
図１０〜図１２に示す実施形態では、基板７４がないときにマイクロスプリングの配列に構造的剛性を提供することへの要望がある。このような理由、および潜在的に他の理由から、積層構造８０は、上述した、より柔軟なシリコーンとは対照的に、剛体材料（例えば、ポリイミドなど）から形成してもよい。
【００４４】
上述の実施形態の変形では、図２を参照すると、誘電体層２０内にビア２２を形成してもよいが、接点２４およびビア２６は形成されないことが理解されるであろう。もっと正確に言えば、図１２に関して説明したように、処理に続いて基板１８が完全に除去され、インターポーザ８の裏面において接触するために開口部２２の中に延びているマイクロスプリング１２の一部を露出する。図１０〜図１２に関して説明したのと類似の方法で、積層構造３０（図４）により構造的剛性を提供してもよい。
【００４５】
本明細書に開示する他の実施形態によれば、マイクロスプリング構造全体を覆って積層構造を取り付けて、マイクロスプリングを完全に覆ってもよく、スプリング先端部が保護された状態でウェハを取り扱い、処理などを行ってもよい。取り扱い、さらなる処理などに続くある時点で、マイクロスプリングまたはその一部を露出するために、積層構造を全体的にまたは部分的に除去してもよい。下記にこれらの概念をさらに詳細に説明している。
【００４６】
図１３を参照すると、その中に、厚い保護積層構造４２によるマイクロスプリング１２の被覆の第１のステップを示している。上述のように、自由部分１４が解放されると、保護積層構造４２が構造１０の上面全体を覆って貼り付けられる。マイクロスプリング１２は誘電体層２０の表面から上方に高さＨまで延びている。この実施形態では、保護積層構造４２は厚さＸであり、Ｘ＞Ｈのようになっており、貼り付けられると、マイクロスプリング１２が保護積層構造４２の中に完全に埋め込まれるようになっている。
【００４７】
保護積層構造４２はさまざまな材料から製作されてもよいが、先端部２８が保護積層構造４２の表面を突き抜けることができ、その結果、マイクロスプリング１２を損傷せずに保護積層構造４２の中にマイクロスプリング１２の一部を埋め込むために、保護積層構造４２は比較的柔らかくなくてはならない。また、保護積層構造４２を形成する材料は、構造４２の中にマイクロスプリング１２の一部がいったん埋め込まれると、構造４２はマイクロスプリング１２を物理的および環境的に保護するように十分強く、かつ十分硬くなくてはならない。この場合も先と同様に、シリコーンは、これらの多少対立する要件を達成する可能性がある材料の一実施例である。
【００４８】
図１４を参照すると、構造１０全体を覆って保護積層構造４２を所定の位置に取り付けた状態の構造１０を示している。マイクロスプリング１２の全体が保護積層構造４２の中に埋め込まれている。こうして、マイクロスプリング１２を損傷する危険性が低い状態で構造を取り扱うことができる。例えば、裏面から作業して、研磨、化学エッチングなどにより基板１８を薄くしたり、または完全に除去したりすることさえ可能であり、他方、マイクロスプリング１２は保護積層構造４２の中に保護されている。
【００４９】
マイクロスプリング１２を損傷せずに積層構造を除去する可能性がある点で、積層構造の貼り付けは両面が使える可能性がある。例えば、保護積層構造４２用の材料（例えば、シリコーン）を適切に選択することにより、成形後の任意の取り扱いおよび処理の後にその構造を除去でき、マイクロスプリング１２は接触するために露出したままにする。さらに、熱および／または光学的解放技術を使用して、保護積層構造４２の相対的な接着を制御して、構造１０からの保護積層構造４２の解放を促進してもよい。それによって、薄層化（例えば、図７など）、または完全な除去（例えば、図１２など）などで基板を処理している間の保護を基板に提供できる。図１５は、シリコーン積層構造（図示せず）を貼り付けて、その後、その積層構造を除去するステップの後の先端部２８ａ、２８ｂをそれぞれ有する２つのスプリング１２ａ、１２ｂのマイクロ写真である。先端部２８ａ、２８ｂの画像の相対的な鮮明さが似かよっていることは、先端部２８ａ、２８ｂがほぼ等しい高さであることを主張している。このことは、この実施形態では、シリコーン積層構造の除去がマイクロスプリングに著しい損傷を与えたり、またはマイクロスプリングの相対的なリフト高さ（マイクロスプリング先端部が、マイクロスプリング先端部が形成された平面から、それ自体で持ち上がる高さ）を著しく変化させたりすることはなかったことを主張している。
【００５０】
マイクロスプリング１２は、成形後の取り扱いおよび処理の間、積層構造４２内に完全に埋め込まれたままである。その後、先端部２８に隣接した部分を露出させて接触させるために、積層構造４２の一部をエッチングまたは他の方法で選択的に除去してもよく、ラミネート層４２の残部は固定部分１６全体を覆って所定の位置に残しておく。
【００５１】
本開示のさらに他の実施形態によれば、マイクロスプリングが完全に埋め込まれるような厚みを有する保護積層構造は、少なくとも２つの層を含んでいてもよい。層のうちの１つは、マイクロスプリング構造に取り付けられたままであることを目的としており、他方、層のうちの他の１つは、取り扱い、さらなる処理などの後に除去されることを目的としており、これらの取り扱い、さらなる処理などの間、保護積層構造がマイクロスプリングを保護している。図１６は、このような実施形態の実施例である。上述のように、自由部分１４が解放されると、比較的厚い保護積層構造４４が構造１０の上面全体を覆って貼り付けられる。図１６に示す保護積層構造４４は、インターポーザ基板層４６およびハンドル層４８の２つの層を含んでいる。他の実施形態では、付加的な層を使用してもよい。層は、本開示の応用に応じて、それぞれ同じ材料を含んでいてもよく、または異なる材料を含んでいてもよい。
【００５２】
マイクロスプリング１２は誘電体層２０の表面から上方に高さＨまで延びている。保護積層構造４４の厚さは、層４６、４８の厚さＹ１およびＹ２の合計である。構造４４の全厚は、マイクロスプリング１２が構造４４の中に完全に埋め込まれる、すなわち、Ｙ１＋Ｙ２＞Ｈとなる厚さであろう。層４６、４８は、先端部２８が突き抜けることおよび上述の所望の保護レベルを考慮しながら、さまざまな材料から製作されてもよい。
【００５３】
一実施形態では、層４６、４８のそれぞれはシリコーンであり、それらは別々に形成され、２つの層の間には、構造１０への貼り付け、ならびに任意の所要の取り扱いおよび処理の後のそれらの分離を容易にする表面エネルギ境界がある。他の実施形態では、解放層４７が層４６、４８の間に配設されており、この解放層４７は、貼り付けられると層４６、４８がくっつくほど十分に付着力があるが、また層４６、４８のその後の分離も同様に支援する。さらに他の実施形態では、熱活性層または光活性層（図示せず）が最初に層４６、４８を一緒に接着するが、必要に応じて、熱または光を加えることにより、その層は層４６、４８の分離を容易にする。
【００５４】
図１７を参照すると、保護積層構造４４を所定の位置に取り付けた状態でインターポーザ構造８を示している。マイクロスプリング１２の全体が保護積層構造４４の中に埋め込まれている。こうして、マイクロスプリング１２を損傷する危険性が低い状態で構造を取り扱うことができる。例えば、裏面から作業して、研磨、化学エッチングなどにより基板１８を薄くしてもよく、他方、マイクロスプリング１２は保護積層構造４４の中に保護されている。任意の取り扱いおよび処理に続いて、その後、例えば、層４６、４８の分離を支援するために熱または光を用いて、図１８に示すようにハンドル層４８を構造から除去してもよい。インターポーザ基板層４６およびハンドル層４８用の材料を適切に選択することにより、成形後の任意の取り扱いおよび処理の後にハンドル層４８を除去でき、マイクロスプリング１２の一部をインターポーザ基板層４６内に埋め込まれたままにするとともに、マイクロスプリング１２の残部は接触するために露出したままにする。
【００５５】
本開示のさらに他の実施形態によれば、マイクロスプリング構造全体を覆って注入空洞を形成してもよく、およびマイクロスプリングの一部を取り囲むように空洞の中に適切な材料を注入してもよい。その上にマイクロスプリングを形成する誘電体層の上面と、その中にマイクロスプリング先端部を埋め込んでもよい材料の鋳型構造との間に注入空洞を形成してもよく、この鋳型構造は誘電体層から離間している。この実施形態は図１９に示している。自由部分１４が解放されると、スペーサ５６に頼ること、または他の適切な方法などを用いて、基板７４全体を覆って鋳型構造５４が配設される。それによって、基板７４と鋳型構造５４の間に空洞５８を形成する。その後、空洞５８の中に硬化性ポリマーなどの適切な材料を液体形態で注入する。マイクロスプリング７２の一部が鋳型構造５４内に埋め込まれるため、マイクロスプリング７２のその部分は隠されて、注入された材料内に埋め込まれるのを防止する。その後、注入された材料を硬化して、鋳型構造５４は、その後、除去される。
【００５６】
完全に埋め込まれたマイクロスプリング構造を図２０に示すとともに、完成構造を図２１に示しており、この完成構造では、マイクロスプリング７２の一部が硬化したポリマー６０内に埋まっており、先端部分７８は硬化したポリマー６０よりも上方で、接触するために露出しており、固定部分８２は硬化したポリマー６０よりも下方で、接触するために露出しており、マイクロスプリング７２の中央部分はポリマー６０の中に埋め込まれている。硬化性ポリマーは、マイクロスプリング１２の一部を埋め込むのに、この実施形態で使用する可能性がある材料の一実施例に過ぎない。さらに、既存のフリップ・チップ・パッケージ・プロセスおよび装置を利用でき、本開示のこの態様を支持するための特別な設備、プロセス、材料、およびその種の他のものを開発する必要性を低減する。最後に、この実施形態は、図１に示すような基板ビアを使用するマイクロスプリング実施形態に対しても等しく応用してもよい。
【００５７】
上述の実施形態の変形によれば、マイクロスプリング７２全体を覆って液体積層材料が塗布されて、鋳型構造５４を使用せずにマイクロスプリング７２を完全に包み込んでもよい。もっと正確に言えば、積層材料の流れと、最終的には厚さとを制御するために粘性または外側壁（図示せず）を頼りにして、液体積層材料を単に塗布してもよい。塗布されると、液体積層材料をその場で硬化したり、または他の方法で固めたりすることができる。ラミネート層の均一性は、平らになろうとする液体の流れにより提供される。この方法はスプリングに優しく、さまざまなスプリング設計を可能にする。マイクロスプリング７２は、そのように塗布されたラミネート層内に完全に埋め込まれてもよく、または先端部７８に隣接した部分は接触するために露出したままにして、単に部分的にだけ埋め込まれてもよい。マイクロスプリング７２がラミネート層内に最初に完全に埋め込まれている場合には、接触するために露出された先端部７８に隣接した部分を露出するために、本明細書で説明するようにラミネート層の一部をエッチングしたり、または他の方法で除去したりしてもよい。
【００５８】
積層構造を貼り付けるまでは本質的に単層のデバイスとして形成されているとして上述したが、多層再ルーティング、ビア、または他の技術により作られている基板貫通接続を備えた多層基板の一部として、マイクロスプリングを形成できる。例えば、図２２を参照すると、多層インターポーザ８４が示されている。マイクロスプリング８６を形成するために応力工学的層を蒸着する前後に、８４ａ、８４ｂ、８４ｃ、８４ｄ、８４ｅなどのさまざまな層を形成してもよい。それぞれの層は、一連の導電線および充填されたビアがマイクロスプリング８６の先端部分８８を裏面接点９０に接続するようにスパッターリングされ、エッチングされ、蒸着されてもよい。例えば、エッチング、金属蒸着、およびパターン形成を用いた従来のポリイミドビルドアップが、複雑なチップに求められる場合が多いルーティングを提供できる。ゴールド・スタッド・バンピングまたははんだ接続部などの、相互接続を支援するメタライゼーションを含むことができる。
【００５９】
また、多層インターポーザ８４は、デバイス製作の間の実質的にいかなる点でもパターン形成できる。例えば、インターポーザの片面または両面にさまざまな目的で空洞を形成できる。いくつかのこのような空洞を図２３に示しており、この図２３は、二次装置９４全体を覆って取り付けられたインターポーザ８４を示している。二次装置９９４はそれ自体が多層インターポーザとして示されているが、特定の応用では本明細書に開示するインターポーザは積み重ねることができることを示唆しており、二次装置９４が標準的プリント基板などのような単層デバイスである場合には、本開示は等しく適用可能である。このような空洞９７などの空洞が果たす１つの機能は、ＩＣチップ９６のような能動または受動中間素子のために空間を提供することである。空洞９８が果たす可能性がある他の機能は、冷却を提供する熱流体用の経路、内部接続に対する環境保護を提供するシールガスケット材料を受け入れるための領域などを提供することである。また、スプリングの周囲の層の間（作動側冷却）に冷却剤を流したり、封止剤を塗布したりなどができる。
【００６０】
図２４を参照すると、単層インターポーザ設計（例えば、図１など）に関して上述したように、多層インターポーザ８４の役割は、ＩＣ９６上の導体パッドをＰＣＢ９８上の導体パッドに電気的に接続することである。接続は、インターポーザ８４の中を通って延びており、この実施形態では多層再ルーティングにより裏面接点９０と接続しているマイクロスプリング８６により行われる。
【００６１】
上述の議論では、マイクロスプリングの先端部が基板または積層構造の上端面の上方に突出すると仮定されているが、本開示が想定する１つの変形は、エッチング、研磨、正確な積層厚さ制御などにより、マイクロスプリングの先端部と、基板または積層構造の上端面とをぴったり重ならせることである。このような実施形態の実施例を図２５に示している。その後、結果として得られるこのような表面接触が必要とされる場合に、実施形態を適合させてもよい。
【００６２】
同様に、マイクロスプリングの先端部はメッキされていたり、またははんだもしくは他の伝導性相互接続材料が施されていたりしてもよいことが想定される。このような場合には、上述の米国特許出願番号第１２／８８７，７７５号で、より完全に説明されているように、積層構造はメッキまたははんだマスクの役割を果たしてもよい。
【００６３】
上述の実施形態では基板の単一表面上に形成されたマイクロスプリングに焦点を当ててきたが、図２６に示すように基板の対向する両側部上にマイクロスプリング接点を形成してもよいことは本開示の範囲内である。マイクロスプリングが図示のように反対方向に延びている場合には、基板１８の正面および裏面でのデバイスとの一時的接続が容易になる。このような実施形態の１つの応用は、統合試験およびパッケージング用のインターポーザである。図２６の実施形態は、基板１８の第１の側部上にマイクロスプリング１２Ａを形成し、上述のように厚いラミネート層を用いてマイクロスプリングを保護し、デバイスをひっくり返して、マイクロスプリング１２Ｂを形成することにより製作してもよい。あるいは、第１の基板１８上にマイクロスプリング１２Ａを形成してもよく、第２の基板（図示せず）上にマイクロスプリング１２Ｂを形成してもよく、第１および第２の基板を背中合わせに接続してもよい。または、上述のように第２の基板を除去してもよく、残存構造を第１の基板に接続してもよい。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図７】
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【図８】
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【図９Ａ】
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【図９Ｂ】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図５】
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【図６】
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【図１５】
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