(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
化学強化工程によって圧縮応力層が付与された、中心孔を有するＨＤＤ用ガラス基板であって、
前記ＨＤＤ用ガラス基板の内端部、外端部及び主表面部における圧縮応力層の深さをそれぞれｘ（μｍ）、ｙ（μｍ）、ｚ（μｍ）としたとき、ｘ＞ｙ≧ｚの条件を満たすことを特徴とするＨＤＤ用ガラス基板。
【請求項２】
落下衝撃耐性が、１１００〜１３００Ｇであることを特徴とする請求項１に記載のＨＤＤ用ガラス基板。
【請求項３】
表面粗さＲａが、２．２Å未満であることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のＨＤＤ用ガラス基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＨＤＤ用ガラス基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気情報記録装置は、磁気、光及び光磁気等を利用することによって、情報を情報記録媒体に記録させるものである。その代表的なものとしては、例えば、ハードディスクドライブ装置等が挙げられる。ハードディスクドライブ装置は、基板上に記録層を形成した情報記録媒体としての磁気ディスクに対し、磁気ヘッドによって磁気的に情報を記録する装置である。このような情報記録媒体の基材、いわゆるサブストレートとしては、ガラス基板が好適に用いられている。
【０００３】
また、近年のハードディスクドライブ装置は、その記録密度が向上していることにより、そのハードディスクに使用されるガラス基板に対する強度や平滑性に優れたものが要求されてきている。
【０００４】
上記課題に対して、ガラス基板の強度を向上させる方法として一般にイオン交換による化学強化処理が知られており、また平滑性を向上させる方法としてガラス基板に対して研磨や研削を複数回用いる方法が知られている（特許文献１）。なお、高平滑性とはガラス基板の平坦度、うねり、粗さが良好であり、かつ端面部のだれが生じていない状態のことをいう。
【０００５】
前記化学強化処理は、特に低温型である場合に運用面から安全であり、かつ基板の平滑性の観点からも良い。具体的には、硝酸塩などを加熱し溶融液中にガラス基板を浸漬させ、ガラス基板の表面のアルカリ金属イオンを、該アルカリ金属イオンより大きなイオン径のアルカリ金属イオンと交換することにより強度を向上させる方法が挙げられる。該化学強化工程はガラス基板の強度を向上させることができるが、同時に付与される圧縮応力層により基板の平滑性に悪影響を及ぼす。
【０００６】
つまり、圧縮応力層のバランスが均一でないことが原因となってガラス基板の平坦度やうねり形状が悪化してしまう。このような問題を回避する方法として、化学強化処理後にガラス基板の記録面を研磨し、圧縮応力層を一部除去することにより平滑性に影響を及ぼさないようにされていた。
【０００７】
しかしながら、近年５００ＧＢ／Ｐ（２．５インチプラッタ）以上の高密度ハードディスクに対して、上述の圧縮応力層を一部除去したガラス基板を用いた場合、平滑性に問題が発生していた。具体的には、ＧＡ値と呼ばれる、ヘッドが磁気ディスク上を安定して読み書きできる浮上量が不安定になっていた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特許第４２０９３１６号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、前記従来技術に鑑みてなされたものであり、その解決すべき課題は、強度に優れ、かつ高平滑性を備えたＨＤＤ用ガラス基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
前記課題を解決するために、本発明者らは、ＨＤＤ用ガラス基板に対して付与された化学強化工程による圧縮応力層の厚みに着目し、鋭意検討を行った。この結果、ＨＤＤガラス基板の内端部、外端部及び主面部の圧縮応力層をそれぞれ異なる厚みとすることで、ハードディスクに搭載した際の外端部付近での平滑性を解消し得ることを見出した。すなわち、外端部の圧縮応力層を、内端部の圧縮応力層よりも薄くし、かつ主表面の圧縮応力層より厚くもしくは同じ厚みとすることにより、高強度性と高平滑性を同時に備えるＨＤＤ用ガラス基板を得られることを見出した。
【００１１】
すなわち、本発明は、化学強化工程によって圧縮応力層が付与された、中心孔を有するＨＤＤ用ガラス基板であって、前記ＨＤＤ用ガラス基板の内端部、外端部及び主表面部における圧縮応力層の深さをそれぞれｘ（μｍ）、ｙ（μｍ）、ｚ（μｍ）としたとき、ｘ＞ｙ≧ｚの条件を満たすことを特徴とする。
【００１２】
また、前記ＨＤＤ用ガラス基板において、前記主表面部における圧縮応力層の深さが３０μｍ以上であることが好適である。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、強度に優れ、かつ高平滑性を備えたＨＤＤ用ガラス基板を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】ＨＤＤ用ガラス基板の製造における工程を説明する製造工程図である。
【図２】ガラス基板前駆体の全体構成を示す図である。
【図３】ＨＤＤ用ガラス基板の製造方法の各工程段階におけるＨＤＤ用ガラス基板の断面図である。
【図４】ＨＤＤ用ガラス基板の表主表面の上に磁性膜を備えている磁気記録媒体の例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明に係る実施形態について説明するが、本発明は、これらに限定されるものではない。
【００１６】
本実施形態に係るＨＤＤ用ガラス基板は、化学強化工程によって圧縮応力層が付与された、中心孔を有するＨＤＤ用ガラス基板であって、前記ＨＤＤ用ガラス基板の内端部、外端部及び主表面部における圧縮応力層の深さをそれぞれｘ（μｍ）、ｙ（μｍ）、ｚ（μｍ）としたとき、ｘ＞ｙ≧ｚの条件を満たす。
【００１７】
本実施形態におけるＨＤＤ用ガラス基板を作成するためには、例えば、図１に示されるように、ガラス溶融工程、プレス工程及びコアリング加工工程を含む円盤加工工程、内・外径精密加工工程、内径研磨工程、第１ラッピング工程、第２ラッピング工程、化学強化工程、外径研磨工程、第１ポリッシング工程、第２ポリッシング工程、洗浄工程を備える方法等が挙げられる。すなわち、化学強化工程の後に外径研磨工程を施せば、外端部と内端部の圧縮応力層の深さを異なるものにすることができる。さらに、ポリッシング工程において、前記外端部の圧縮応力層の深さよりも主表面を深く研磨すれば、内端部、外端部、主表面部の順にて圧縮応力層の深さを深いものとすることができる。
【００１８】
なお、ラッピング工程は２工程とすることが好ましいことから、それぞれ第１ラッピング工程、第２ラッピング工程とに分けられている。また、ポリッシング工程（研磨工程ともいう。）も２工程とすることが好ましく、それぞれ第１ポリッシング工程、第２ポリッシング工程とに分けられている。
【００１９】
本発明の各部における圧縮応力層の深さにおける条件を満たすことができるのであれば、例えば、第２ポリッシング工程と洗浄工程の順番が入れ替わったものであってもよい。さらに、これら以外の工程を備える方法であってもよく、たとえばフッ酸による化学処理工程を備えてもよい。
【００２０】
また、洗浄工程については、粗研磨工程の後に行っても、精密研磨工程の後に行ってもよく、さらに粗研磨工程及び精密研磨工程の後にそれぞれ一度ずつ行ってもよい。
【００２１】
図２は、円盤加工工程後のガラス基板前駆体１の全体構成を示している。図２に示すように、ガラス基板前駆体１は、中心孔５が形成されたドーナツ状の円板形状をしている。１０ｔは外周端面、２０ｔは内周端面、７ａは表主表面、７ｂは裏主表面を示している。
【００２２】
図３（ａ）は、図２のガラス基板前駆体１をＩＩ−ＩＩ線に沿った断面を示した図であり、図３（ａ）は、図１の円盤加工工程（ａ）後のガラス基板前駆体に相当する。
【００２３】
次に、内・外径精密加工工程によって内径及び外径の角部が研削され、ガラス基板前駆体１に対して、いわゆる面取りが施される（図３（ｂ））。該面取りが施されたガラス基板前駆体１は、内径研磨工程、第１ラッピング工程、第２ラッピング工程が順に施され、続いて表面全体に化学強化工程が施される（図３（ｃ））。このように、化学強化工程をガラス基板前駆体１の表面全体に施すと、表面に対して均一に強度を付与することができる。
【００２４】
従来のＨＤＤ用ガラス基板の製造方法においては、化学強化工程前に内径研磨工程と外径研磨工程とを備えていたため、外端部と内端部の圧縮応力層の深さは同じであった。そして、化学強化工程後のガラス基板の主表面に対してポリッシング工程を施すことによって、その圧縮応力層を削り取っていた。
【００２５】
このように主表面の圧縮応力層が除去されることで、平坦度、うねり、粗さに関してはある程度問題のないガラス基板が得られる。しかしながら、近年５００ＧＢ／Ｐ以上の高密度化されたハードディスクが多用されており、主表面の圧縮応力層が除去したのみの基板であってもなお平滑性に問題が生じてしまう。これは、外端部の圧縮応力層が起因となり、主面の外端部付近での平滑性が悪化してしまうからである。つまり、外端部の圧縮応力層が強すぎるため、記録面の応力バランスが崩れ、外端部付近の形状（平滑性）が悪化し、ハードディスクに搭載した際にヘッドの浮上量が安定しないことからＧＡ値の悪化につながるのである。
【００２６】
以上のような問題を回避するため、前記化学強化工程の後に外径研磨工程を備えることによって外端部に施された圧縮応力層を削り取る（図３（ｄ））。
【００２７】
以上のように、内端面と外端面の圧縮応力層に深さの差異を付与したガラス基板前駆体１に対して、さらに主表面に対して平滑性を高めるために、研磨工程を施して主表面の圧縮応力層を研磨して除去する（図３（ｅ））。
【００２８】
以上のように、化学強化工程後に外径研磨工程を備えることで、外端部の圧縮応力層よりも内端部の圧縮応力層の深さを大きいものとすることができる。さらに、その後のポリッシング工程において、外端部の圧縮応力層よりも主表面の圧縮応力層が小さくなるように研磨を行えば、前記ＨＤＤ用ガラス基板の内端部、外端部及び主表面部における圧縮応力層の深さをそれぞれｘ（μｍ）、ｙ（μｍ）、ｚ（μｍ）としたとき、ｘ＞ｙ≧ｚの条件を満たすように圧縮応力層を深く入れることが可能である。その結果、化学強化工程によって圧縮応力層を付与しつつ、主面での外端付近の平滑性を高めることができるため、ＨＤＤ用ガラス基板に高強度と高平滑性を同時に満たすことができる。
【００２９】
また、目的の設計値、例えば衝撃耐性、外周平滑性又は中央部平滑性に従って、適宜前記圧縮応力層の厚みを最適の値とすることも可能である。
【００３０】
以下、上述の各製造工程について順を追って詳述する。
【００３１】
＜円盤加工工程＞
前記円盤加工工程は、所定の組成のガラス素材を溶融、プレス成形し板状に成形したガラス素板から、図２に示すように、内周及び外周が同心円となるように、中心部に貫通孔５が形成された円盤状のガラス基板前駆体１に加工する工程である。
【００３２】
（ガラス溶融工程）
まず、ガラス溶融工程として、ガラス素材を溶融する。ガラス基板の材料としては、例えば、ＳｉＯ２、Ｎａ２Ｏ、ＣａＯを主成分としたソーダライムガラス；ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｒ２Ｏ（Ｒ＝Ｋ、Ｎａ、Ｌｉ）を主成分としたアルミノシリケートガラス；ボロシリケートガラス；Ｌｉ２Ｏ−ＳｉＯ２系ガラス；Ｌｉ２Ｏ−Ａｌ２Ｏ３−ＳｉＯ２系ガラス；Ｒ’Ｏ−Ａｌ２Ｏ３−ＳｉＯ２系ガラス（Ｒ’＝Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ）などを使用することができる。中でも、アルミノシリケートガラスやボロシリケートガラスは、耐衝撃性や耐振動性に優れるため特に好ましい。
【００３３】
（プレス工程）
次に、プレス工程として、溶融ガラスを下型に流し込み、上型によってプレス成形して円板状のガラス基板前駆体を得る。なお、円板状のガラス基板前駆体は、プレス成形によらず、例えばダウンドロー法やフロート法で形成したシートガラスを研削砥石で切り出して作製してもよい。
【００３４】
ガラス基板の大きさに限定はない。例えば、外径が２．５インチ、１．８インチ、１インチ、０．８インチなど種々の大きさのガラス基板がある。また、ガラス基板の厚みにも限定はなく、２ｍｍ、１ｍｍ、０．６３ｍｍなど種々の厚みのガラス基板がある。
【００３５】
（コアリング加工工程）
プレス成形したガラス基板前駆体は、コアリング加工工程で、中心部に穴を開ける。穴開けは、カッター部にダイヤモンド砥石等を備えたコアドリル等で研削することで中心部に穴を開ける。
【００３６】
＜内・外径精密加工工程＞
次に、内・外径径精加工工程として、ガラス基板の外周端面および内周端面を、例えば鼓状のダイヤモンド等の研削砥石により研削することで内・外径加工する。
【００３７】
＜内径研磨工程＞
内・外径径精加工工程を終えたガラス基板を、複数積み重ねて、積層し、その状態で内周面の研磨加工を、端面研磨機を用いて研磨する。
【００３８】
＜第１ラッピング工程＞
次に、第１ラッピング工程として、ガラス基板の両表面を研磨加工し、ガラス基板の全体形状、すなわちガラス基板の平行度、平坦度および厚みを予備調整する。
【００３９】
また、第１ラッピング工程において、固定砥粒を用いることが好ましい。研削工程は取り代が多いことから、固定砥粒を用いれば生産性良く主表面の応力層を取り除くことができる。
【００４０】
＜第２ラッピング工程＞
更に、ガラス基板の両表面を再び研磨加工して、ガラス基板の平行度、平坦度および厚みを微調整する。
【００４１】
第１及び第２ラッピング工程にてガラス基板の表裏の表面を研磨する研磨機は、両面研磨機と呼ばれる公知の研磨機を使用できる。両面研磨機は、互いに平行になるように上下に配置された円盤状の上定盤と下定盤とを備えており、互いに逆方向に回転する。この上下の定盤の対向するそれぞれの面にガラス基板の主表面を研磨するための複数のダイヤモンドペレットが貼り付けてある。上下の定盤の間には、下定盤の外周に円環状に設けてあるインターナルギアと下定盤の回転軸の周囲に設けてあるサンギアとに結合して回転する複数のキャリアがある。このキャリアには、複数の穴が設けてあり、この穴にガラス基板をはめ込んで配置する。上下の定盤、インターナルギア及びサンギアは別駆動で動作することができる。
【００４２】
研磨機の研磨動作は、上下の定盤が互いに逆方向に回転し、ダイヤモンドペレットを介して定盤に挟まれているキャリアは、複数のガラス基板を保持した状態で、自転しながら定盤の回転中心に対して下定盤と同じ方向に公転する。このような動作している研磨機において、研磨液を上定盤とガラス基板及び下定盤とガラス基板との間に供給することでガラス基板の研磨を行うことができる。
【００４３】
この両面研磨機を使用する際、ガラス基板に加わる定盤の加重及び定盤の回転数を所望の研磨状態に応じて適宜調整する。第１及び第２ラッピング工程における加重は、６０ｇ／ｃｍ２から１２０ｇ／ｃｍ２とするのが好ましい。また、定盤の回転数は、１０ｒｐｍから３０ｒｐｍ程度とし、上の定盤の回転数を下の定盤回転数より３０〜４０％程度遅くするのが好ましい。定盤による加重を大きくし、定盤の回転数を速くすると研磨量は多くなるが、加重を大きくしすぎると面粗さが良好とならず、また、回転数が速すぎると平坦度が良好とならない。また加重が小さく定盤の回転数が遅いと研磨量が少なく製造効率が低くなる。
【００４４】
第２ラッピング工程を終えた時点で、大きなうねり、欠け、ひび等の欠陥は除去され、ガラス基板の主表面の面粗さは、Ｒｍａｘが２〜４μｍ、Ｒａが０．２〜０．４μｍ程度とするのが好ましい。このような面状態にしておくことで、次の化学強化工程を経て第１ポリッシング工程で研磨を効率よく行うことができる。
【００４５】
尚、第１ラッピング工程では、第２ラッピング工程を効率よく行うことができるように大まかに大きなうねり、欠け、ひびを効率よく除去する。このため、第２ラッピングで使用する粗さ＃１３００メッシュから＃１７００メッシュより粗い＃８００メッシュから＃１２００メッシュ程度のダイヤモンドペレットを使用するのが好ましい。第１ラッピング工程が完了した時点での面粗さは、Ｒｍａｘが４〜８μｍで、Ｒａが０．４〜０．８μｍ程度とするのが好ましい。
【００４６】
また、ガラス基板を研磨する方法として、上下の定盤の研磨面にパッドを貼り付け、研磨剤を含む研磨液を供給して研磨する方法を用いることもできる。研磨剤としては、例えば、酸化セリウム、酸化ジルコニウム、酸化アルミニウム、酸化マンガン、コロイダルシリカ、ダイヤモンドなどが挙げられる。これらを水で分散化してスラリー状として使用する。パッドは硬質パッドと軟質パッドとに分けられるが、必要に応じて適宜選択して用いることができる。硬質パッドとしては、硬質ベロア、ウレタン発泡、ピッチ含有スウェード等を素材とするパッドが挙げられ、軟質パッドとしては、スウェードやベロア等を素材とするパッドが挙げられる。
【００４７】
パッドと研磨剤を使用する研磨方法は、研磨剤の粒度やパッドの種類を変えて、粗研磨から精密研磨まで対応することができる。よって、第１ラッピング工程と第２ラッピング工程で、効率よく大きなうねり、欠け、ひび等を除去し上記の面粗さを得ることができる様に研磨材、研磨材の粒度、パッドを適宜組み合わせて対応することができる。
【００４８】
また、第１及び第２ラッピング工程の後、ガラス基板の表面に残った研磨剤やガラス粉を除去するための洗浄工程を行うことが好ましい。
【００４９】
尚、第１ラッピング工程及び第２ラッピング工程で使用する研磨機は、同一構成ではあるがそれぞれの工程専用に用意された別の研磨機を用いて研磨加工を行うのが好ましい。これは、専用のダイヤモンドペレットを貼り付けているため交換が大掛かりな作業となり、また、研磨条件を再設定する等の煩雑な作業が必要となり、製造効率が低下するためである。
【００５０】
＜化学強化工程＞
前記第２ラッピング工程の次に、化学強化工程としてガラス基板前駆体表面に圧縮応力層を形成させる。具体的には、ガラス素板を化学強化処理液に浸漬させる方法等が挙げられる。該方法によって、ガラス素板の表面、例えば、ガラス素板表面から５μｍの領域に圧縮応力層を形成することができる。そして、圧縮応力層を形成することで耐衝撃性、耐振動性及び耐熱性等を向上させることができる。
【００５１】
つまり、加熱された化学強化処理液にガラス素板を浸漬させることによって、ガラス素板に含まれるリチウムイオンやナトリウムイオン等のアルカリ金属イオンをそれよりイオン半径の大きなカリウムイオン等のアルカリ金属イオンに置換するイオン交換法によって行われる。イオン半径の違いによって生じる歪みにより、イオン交換された領域に圧縮応力が発生し、ガラス素板の表面が強化される。
【００５２】
化学強化工程の処理液に使用した塩は公知のものを使用することができる。塩としては硝酸塩、炭酸塩、硫酸塩などがあげられる。またイオン交換されるイオンとしてはナトリウムやカリウムなどである。その中で硝酸カリウムが最も良い。硝酸カリウムは融点が低いので扱いやすく、かつカリウムイオンの交換によりばらつきなくイオン交換ができる。
【００５３】
化学強化工程は、加熱された化学強化処理液にガラス基板を浸漬することによってガラ
ス基板に含まれるリチウムイオン、ナトリウムイオン等のアルカリ金属イオンをそれより
イオン半径の大きなカリウムイオン等のアルカリ金属イオンによって置換するイオン交換
法によって行われる。イオン半径の違いによって生じる歪みより、イオン交換された領域
に圧縮応力が発生し、ガラス基板の表面が強化される。
【００５４】
化学強化処理液は、上記の成分が融解する温度よりも高温になるよう加熱される。一方
、化学強化処理液の加熱温度が高すぎると、ガラス基板の温度が上がりすぎ、ガラス基板
の変形を招く恐れがある。このため、化学強化処理液の加熱温度はガラス基板のガラス転
移点（Ｔｇ）よりも低い温度が好ましく、ガラス転移点−５０℃よりも低い温度とするこ
とが更に好ましい。
【００５５】
＜化学処理工程＞
本発明のＨＤＤ用ガラス基板の製造方法は、フッ酸により化学処理工程を備えてもよい。
【００５６】
また、該化学処理工程は、後述する第２化学強化工程の前に施されることが好ましい。フッ酸による化学処理工程によりガラス基板表面のクラックを除去することができ、さらに強度を上げることができる。
【００５７】
＜外径研磨工程＞
上記工程を終えたガラス基板を、複数積み重ねて積層し、その状態で外周面の研磨加工を、端面研磨機を用いて研磨する。
【００５８】
＜研磨工程＞
次に、研磨工程としてのポリッシング工程を行う。
【００５９】
ポリッシング工程では、ガラス基板の表面を精密に仕上げると伴に主表面の外周端部の形状を所定の形状に研磨する。ポリッシング工程は１工程でも良いが、２工程の方が好ましい。
【００６０】
（第１ポリッシング工程）
まず、第１ポリッシング工程では、第２ポリッシング工程で最終的に必要とされる面粗さを効率よく得ることができるように、面粗さを向上させるとともに最終的に本発明の形状を効率よく得ることができる研磨を行う。
【００６１】
研磨の方法は、ラッピング工程で使用したダイヤモンドペレットと研削液に代えて、パッドと研磨液を使用する以外は第１及び２ラッピング工程で使用した研磨機と同一の構成の研磨機を使用する。
【００６２】
パッドは硬度Ａで８０から９０程度の硬質パッドで例えば発泡ウレタンを使用するのが好ましい。パッドの硬度が研磨による発熱により柔らかくなると研磨面の形状変化が大きくなるため硬質パッドを用いるのが好ましい。研磨材は、粒径が０．６μｍから２．５μｍの酸化セリウムを使用し、水に分散させてスラリー状にして用いるのが好ましい。水と研磨剤との混合比率は、概ね１：９から３：７程度が好ましい。該研磨材は、遊離砥粒であることが好ましい。遊離砥粒を用いて主表面を研磨することで、ガラス基板の主表面の平滑性を向上させることができる。
【００６３】
定盤によるガラス基板への加重は、９０ｇ／ｃｍ２から１１０ｇ／ｃｍ２とするのが好ましい。定盤によるガラス基板への加重は、外周端部の形状に大きく影響する。加重を大きくしていくと、外周端部の内側が下がり外側に向かって上がる傾向を示す。また、加重を小さくしていくと、外周端部は平面に近くなるとともに面ダレが大きくなる傾向を示す。こうした傾向を観察しながら加重を決めることができる。
【００６４】
また、面粗さを向上させるために、定盤の回転数を２５ｒｐｍから５０ｒｐｍとし、上の定盤の回転数を下の定盤回転数より３０％から４０％遅くするのが好ましい。
【００６５】
上記の研磨条件により研磨量を３０〜４０μｍとするのが好ましい。３０μｍ未満では、キズや欠陥を十分に除去ができない。また４０μｍを超える場合は、面粗さをＲｍａｘが２〜６０ｎｍ、Ｒａが２〜４ｎｍの範囲とすることができるが、必要以上に研磨を行うことになり製造効率が低下する。
【００６６】
（第２ポリッシング工程）
第２ポリッシング工程は、第１ポリッシング工程後のガラス基板の表面を更に精密に研磨する工程である。第２ポリッシング工程で使用するパッドは、第１ポリッシング工程で使用するパッドより柔らかい硬度６５から８０（Ａｓｋｅｒ−Ｃ）程度の軟質パッドで、例えば発泡ウレタンやスウェードを使用するのが好ましい。研磨材としては、第１ポリッシング工程と同様の酸化セリウム等を用いることができるが、ガラス基板の表面をより滑らかにするため、粒径がより細かくバラツキが少ない研磨剤を用いるのが好ましい。粒径の平均粒子径が４０ｎｍから７０ｎｍの研磨剤を水に分散させてスラリー状にして研磨液として用い、水と研磨剤との混合比率は、１：９から３：７程度が好ましい。
【００６７】
定盤によるガラス基板への加重は、９０ｇ／ｃｍ2から１１０ｇ／ｃｍ２が好ましい。定盤によるガラス基板への加重は、第１ポリッシング工程と同様に外周端部の形状に大きく影響するが、研磨速度が遅いため第１ポリッシング工程ほど効率的に形状を変化させることはできない。加重の加減による外周端部の形状の変化は、第１ポリッシング工程と同様であり、加重を大きくしていくと、外周端部の内側が下がり外側に向かって上がる傾向を示す。また、加重を小さくしていくと、外周端部は平面に近くなるとともに面ダレが大きくなる傾向を示す。外周端部の形状を得るために、こうした傾向を観察しながら加重を決めることができる。定盤の回転数を１５ｒｐｍから３５ｒｐｍとし、上定盤の回転数を下定盤の回転数より３０％から４０％遅くするのが好ましい。
【００６８】
上記の様に第２ポリッシング工程での研磨条件を調整して外周端部の形状を得ると伴に、面粗さをＲｍａｘが２ｎｍから６ｎｍ、Ｒａが０．２ｎｍから０．４ｎｍの範囲とすることができる。
【００６９】
研磨量は２μｍから５μｍとするのが好ましい。研磨量をこの範囲とすると、表面に発生した微小な荒れやうねり、これまでの工程で生じた微小な傷痕といった微小な欠陥を効率良く除去することができる。
【００７０】
＜洗浄工程＞
前記洗浄工程は、前記粗研磨工程が施されたガラス素板を洗浄する工程である。
【００７１】
前記粗研磨工程による粗研磨後のガラス素板は、洗浄工程によって洗浄することが好ましい。洗浄工程としては、特に限定されない。具体的には、例えば、以下のような洗浄工程が挙げられる。
【００７２】
まず、ｐＨ１３以上のアルカリ洗剤を用いて、ガラス素板の洗浄を行い、ガラス素板にリンスを行う。次に、ｐＨ１以下の酸系洗剤を用いて、ガラス素板の洗浄を行い、ガラス素板にリンスを行う。また、各洗浄の後にリンス槽を用いることが好ましい。これらの洗剤には、場合によって界面活性剤、分散材、キレート剤、還元材などを添加しても良い。また、各洗浄槽には、超音波を印加し、それぞれの洗剤には脱気水を使用することが好ましい。そして、最後に、ガラス素板を取り出し、純水でリンスを行い、ＩＰＡ乾燥させる。
【００７３】
また、この粗研磨後のガラス素板の洗浄は、ガラス素板表面の酸化セリウム量が０．１２５ｎｇ／ｃｍ２以下となるように行なわれる。ガラス素板表面の酸化セリウム量が多すぎると、ガラス素板の平坦度を良好にできない傾向がある。
【００７４】
＜検査工程＞
検査工程では、目視によるキズ、割れや異物の付着等の検査を行う。
【００７５】
検査工程で良品と判断されたガラス基板は、異物等が表面に付着しないように、清浄な環境の中で、ガラス基板収納カセットに収納され、真空パックされた後、情報記録媒体用ガラス基板として出荷される。
【００７６】
次に、上記のようにして作製したガラス基板を用いた磁気記録媒体について説明する。
【００７７】
以下、図面に基づき磁気記録媒体について説明する。
【００７８】
図２は磁気記録媒体の一例である磁気ディスクの斜視図である。この磁気ディスクＤは、円形の情報記録媒体用ガラス基板１の表面に磁性膜２を直接形成されている。磁性膜２の形成方法としては従来公知の方法を用いることができ、例えば磁性粒子を分散させた熱硬化性樹脂を基板上にスピンコートして形成する方法や、スパッタリング、無電解めっきにより形成する方法が挙げられる。スピンコート法での膜厚は約０．３〜１．２μｍ程度、スパッタリング法での膜厚は０．０４〜０．０８μｍ程度、無電解めっき法での膜厚は０．０５〜０．１μｍ程度であり、薄膜化および高密度化の観点からはスパッタリング法および無電解めっき法による膜形成が好ましい。
【００７９】
磁性膜に用いる磁性材料としては、特に限定はなく従来公知のものが使用できるが、高い保持力を得るために結晶異方性の高いＣｏを基本とし、残留磁束密度を調整する目的でＮｉやＣｒを加えたＣｏ系合金などが好適である。具体的には、Ｃｏを主成分とするＣｏＰｔ、ＣｏＣｒ、ＣｏＮｉ、ＣｏＮｉＣｒ、ＣｏＣｒＴａ、ＣｏＰｔＣｒ、ＣｏＮｉＰｔや、ＣｏＮｉＣｒＰｔ、ＣｏＮｉＣｒＴａ、ＣｏＣｒＰｔＴａ、ＣｏＣｒＰｔＢ、ＣｏＣｒＰｔＳｉＯなどが挙げられる。磁性膜は、非磁性膜（例えば、Ｃｒ、ＣｒＭｏ、ＣｒＶなど）で分割しノイズの低減を図った多層構成（例えば、ＣｏＰｔＣｒ／ＣｒＭｏ／ＣｏＰｔＣｒ、ＣｏＣｒＰｔＴａ／ＣｒＭｏ／ＣｏＣｒＰｔＴａなど）としてもよい。上記の磁性材料の他、フェライト系、鉄−希土類系や、ＳｉＯ2、ＢＮなどからなる非磁性膜中にＦｅ、Ｃｏ、ＦｅＣｏ、ＣｏＮｉＰｔ等の磁性粒子を分散された構造のグラニュラーなどであってもよい。また、磁性膜は、内面型および垂直型のいずれの記録形式であってもよい。
【００８０】
また、磁気ヘッドの滑りをよくするために磁性膜の表面に潤滑剤を薄くコーティングしてもよい。潤滑剤としては、例えば液体潤滑剤であるパーフロロポリエーテル（ＰＦＰＥ）をフレオン系などの溶媒で希釈したものが挙げられる。
【００８１】
さらに必要により下地層や保護層を設けてもよい。磁気ディスクにおける下地層は磁性膜に応じて選択される。下地層の材料としては、例えば、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗ、Ｖ、Ｂ、Ａｌ、Ｎｉなどの非磁性金属から選ばれる少なくとも一種以上の材料が挙げられる。Ｃｏを主成分とする磁性膜の場合には、磁気特性向上等の観点からＣｒ単体やＣｒ合金であることが好ましい。また、下地層は単層とは限らず、同一又は異種の層を積層した複数層構造としても構わない。例えば、Ｃｒ／Ｃｒ、Ｃｒ／ＣｒＭｏ、Ｃｒ／ＣｒＶ、ＮｉＡｌ／Ｃｒ、ＮｉＡｌ／ＣｒＭｏ、ＮｉＡｌ／ＣｒＶ等の多層下地層としてもよい。
【００８２】
磁性膜の摩耗や腐食を防止する保護層としては、例えば、Ｃｒ層、Ｃｒ合金層、カーボン層、水素化カーボン層、ジルコニア層、シリカ層などが挙げられる。これらの保護層は、下地層、磁性膜など共にインライン型スパッタ装置で連続して形成できる。また、これらの保護層は、単層としてもよく、あるいは、同一又は異種の層からなる多層構成としてもよい。なお、上記保護層上に、あるいは上記保護層に替えて、他の保護層を形成してもよい。例えば、上記保護層に替えて、Ｃｒ層の上にテトラアルコキシシランをアルコール系の溶媒で希釈した中に、コロイダルシリカ微粒子を分散して塗布し、さらに焼成して二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）層を形成してもよい。
【００８３】
上記の様にして得られる本発明の情報記録媒体用ガラス基板を基体とした磁気記録媒体を用いることで、高速回転時の磁気ヘッドの動作を安定にすることができる。
【００８４】
本発明の情報記録媒体用ガラス基板は、磁気記録媒体に限定されるものではなく、光磁気ディスクや光ディスクなどにも用いることができる。
【実施例】
【００８５】
以下に実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００８６】
２．５インチのアルミノシリケートガラスを用いて、下記実施例又は比較例で記載した工程を施してガラス基板の製造を行った。なお、基板の厚みは表面研磨２後に０．８ｍｍとなるようにガラス基板の板厚を調整した。
【００８７】
〈実施例１〉
上記アルミノシリケートガラスにコアリング工程を施した後に、内・外径精密加工工程、内径研磨工程、第１ラッピング工程、第２ラッピング工程、化学強化工程、外径研磨工程、第１研磨工程、第２研磨工程の順にガラス基板の製造を行った。
【００８８】
化学強化工程は硝酸カリウムと硝酸ナトリウムを１：１に混合した塩を４５０℃まで加熱して溶融した処理液に２時間基板を浸漬させた。
【００８９】
また、外径研磨工程にて外周の圧縮応力層を２０μｍ除去した。
【００９０】
主表面研磨は２段階に分けて行い、第１研磨工程では酸化セリウムを用いて４０μｍの取り代で主表面を研磨し、主表面上の応力層を取り除いた。第２研磨工程ではコロイダルシリカ２０ｎｍの粒径にて研磨を行い、基板の粗さを仕上げた。取り代は５μｍであった。
【００９１】
〈比較例１〉
上記アルミノシリケートガラスにコアリング工程を施した後に、内・外径精密加工工程、内径研磨工程、第１ラッピング工程、第２ラッピング工程、外径研磨工程、化学強化工程、第１研磨工程、第２研磨工程の順にガラス基板の製造を行った。
【００９２】
化学強化工程は硝酸カリウムと硝酸ナトリウムを１：１に混合した塩を４５０℃まで加熱して溶融した処理液に２０分間基板を浸漬させた。
【００９３】
主表面研磨は２段階に分けて行い、第１研磨工程では酸化セリウムを用いて３０μｍの取り代で主表面を研磨し、主表面上の応力層を取り除いた。第２研磨工程ではコロイダルシリカ２０ｎｍの粒径にて研磨を行い、基板の粗さを仕上げた。取り代は５μｍであった。
【００９４】
〈比較例２〉
上記アルミノシリケートガラスにコアリング工程を施した後に、内・外径精密加工工程、第１ラッピング工程、第２ラッピング工程、外径研磨工程、化学強化工程、内径研磨工程、第１研磨工程、第２研磨工程の順にガラス基板の製造を行った。
【００９５】
化学強化工程は硝酸カリウムと硝酸ナトリウムを１：１に混合した塩を４５０℃まで加熱して溶融した処理液に３時間基板を浸漬させた。
【００９６】
また、内径研磨工程にて内周の圧縮応力層を２０μｍ除去した。
【００９７】
主表面研磨は２段階に分けて行い、第１研磨工程では酸化セリウムを用いて４０μｍの取り代で主表面を研磨し、主表面上の応力層を取り除いた。第２研磨工程ではコロイダルシリカ２０ｎｍの粒径にて研磨を行い、基板の粗さを仕上げた。取り代は５μｍであった。
【００９８】
〈比較例３〉
上記アルミノシリケートガラスにコアリング工程を施した後に、内・外径精密加工工程、内径研磨工程、第１ラッピング工程、第２ラッピング工程、外径研磨工程、第１研磨工程、第２研磨工程、化学強化工程の順にガラス基板の製造を行った。
【００９９】
主表面研磨は２段階に分けて行い、第１研磨工程では酸化セリウムを用いて４０μｍの取り代で主表面を研磨し、主表面上の応力層を取り除いた。第２研磨工程ではコロイダルシリカ２０ｎｍの粒径にて研磨を行い、基板の粗さを仕上げた。取り代は５μｍであった。
【０１００】
化学強化工程は硝酸カリウムと硝酸ナトリウムを１：１に混合した塩を４５０℃まで加熱して溶融した処理液に３時間基板を浸漬させた。
【０１０１】
〈比較例４〉
上記アルミノシリケートガラスにコアリング工程を施した後に、内・外径精密加工工程、内径研磨工程、第１ラッピング工程、第２ラッピング工程、化学強化工程、外径研磨工程、第１研磨工程、第２研磨工程の順にガラス基板の製造を行った。
【０１０２】
化学強化工程は硝酸カリウムと硝酸ナトリウムを１：１に混合した塩を４５０℃まで加熱して溶融した処理液に３時間基板を浸漬させた。
【０１０３】
また、外径研磨にて外径の応力層を全て除去した。
【０１０４】
主表面研磨は２段階に分けて行い、第１研磨工程では酸化セリウムを用いて４０μｍの取り代で主表面を研磨し、主表面上の応力層を取り除いた。第２研磨工程ではコロイダルシリカ２０ｎｍの粒径にて研磨を行い、基板の粗さを仕上げた。取り代は５μｍであった。
【０１０５】
〈比較例５〉
上記アルミノシリケートガラスにコアリング工程を施した後に、内・外径精密加工工程、内径研磨工程、第１ラッピング工程、第２ラッピング工程、外径研磨工程、化学強化工程、第１研磨工程、第２研磨工程の順にガラス基板の製造を行った。
【０１０６】
化学強化工程は硝酸カリウムと硝酸ナトリウムを１：１に混合した塩を４５０℃まで加熱して溶融した処理液に３時間基板を浸漬させた。
【０１０７】
主表面研磨は２段階に分けて行い、第１研磨工程では酸化セリウムを用いて１５μｍの取り代で主表面を研磨し、主表面上の応力層を取り除いた。第２研磨工程ではコロイダルシリカ２０ｎｍの粒径にて研磨を行い、基板の粗さを仕上げた。取り代は５μｍであった。
【０１０８】
（圧縮応力層の測定）
圧縮応力層の測定は、ポーラリメーターを用いて行った。
【０１０９】
（平滑性評価）
平滑性は、表面粗さＲａ（１×１μｍ四方を２５６×２５６ｓｃａｎ）を測定した値を以下のように評価した。によって評価した。装置はＶｅｅｃｏ社  Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ  Ｉｃｏｎを使用した。
【０１１０】
測定部は外周端部より５ｍｍ内側の主表面を測定した。
【０１１１】
◎：２．０Å未満
○：２．０Å以上２．２Å未満
×：２．２Å以上
【０１１２】
（落下衝撃耐性試験）
各基板を製膜後、ハードディスクドライブに組み込み、耐衝撃性試験を行った。この割れ試験は、基板をドライブに組み込んで落下させてそれぞれ荷重を変更しながらテストを行い、基板が割れなかった荷重の設定値を測定した。
【０１１３】
（外周ＧＡ値評価）
各実施例および各比較例で作製した磁気ディスク用ガラス基板に磁性膜を製膜してメディアを作製後にＧＡテスターに搭載し、ヘッド浮上安定性（グライドアバラン値（ＧＡ値））を測定した。ＧＡ値の測定はドライブに見立ててメディアを回転させ、その上をヘッドが徐々に低下していき、ヘッドの浮上が不安定になった高さをＧＡ値とし、その値を以下のように評価した。
【０１１４】
回転数は７２００ｒｐｍとした。今回のＧＡ値はｒ３２の地点のＧＡ値を測定した。ｒ３２とは基板の中心から３２ｍｍの地点のことである。ｒ３２のＧＡ値を測定することにより外端部付近での平坦度の影響がわかる。その結果を表１の「ＧＡ値」の欄に示す。なお、ＧＡ値が低いほど、ヘッド浮上安定性が優れていることを示し、磁気ディスク用ガラス基板の平坦性および平滑性が高いことを示している。
【０１１５】
◎：３．０Å未満
○：３．０Å以上３．５Å未満
×：３．５Å以上
実施例１および比較例１〜４の試験結果を表１に示す。
【０１１６】
【表１】
0005706250.tif 000002
【０１１７】
表１の結果から明らかなように、実施例１は、内端部、外端部、主表面部の順に圧縮応力層の深さが大きくなるように製造したため、耐衝撃性に優れ、かつ外周及び中央部の平滑性に優れたＨＤＤ用ガラス基板を得ることができた。比較例１は、内端部及び外径部の応力層深さが少なく、同じ深さであることから、落下衝撃耐性が不足であった。また、比較例２は、外端部より内端部の圧縮応力層が大きいことから、外周部の平滑性に劣り、実施例１に比べて耐衝撃性に劣る結果となった。また圧縮応力層を均一に付与した比較例３は、化学強化後に加工を行っていないため、外周部及び中央部の平滑性に劣る結果となった。比較例４は、外径の圧縮応力層を全て除去したため、外径部が衝撃に弱くなったことより、平滑性については問題ないが、実施例１に比べて耐衝撃性の劣る結果となった。
【０１１８】
〈実施例２−１〉
上記アルミノシリケートガラスにコアリング工程を施した後に、内・外径精密加工工程、内径研磨工程、化学強化工程、第１ラッピング工程、第２ラッピング工程、外径研磨工程、化学強化工程（２度目）、第１研磨工程、第２研磨工程の順にガラス基板の製造を行った。
【０１１９】
化学強化工程は硝酸カリウムと硝酸ナトリウムを１：１に混合した塩を４５０℃まで加熱して溶融した処理液に３時間基板を浸漬させた。なお、１度目の化学強化工程も、２度目の化学強化工程も同様の条件にて行った。
【０１２０】
また、外径研磨工程にて外周の圧縮応力層を３０μｍ除去した。
【０１２１】
主表面研磨は２段階に分けて行い、第１研磨工程では酸化セリウムを用いて４０μｍの取り代で主表面を研磨し、主表面上の応力層を取り除いた。第２研磨工程ではコロイダルシリカ２０ｎｍの粒径にて研磨を行い、基板の粗さを仕上げた。取り代は５μｍであった。
【０１２２】
〈実施例２−２〉
上記アルミノシリケートガラスにコアリング工程を施した後に、内・外径精密加工工程、内径研磨工程、第１ラッピング工程、第２ラッピング工程、化学強化工程、外径研磨工程、第１研磨工程、第２研磨工程の順にガラス基板の製造を行った。
【０１２３】
化学強化工程は硝酸カリウムと硝酸ナトリウムを１：１に混合した塩を４５０℃まで加熱して溶融した処理液に２時間基板を浸漬させた。
【０１２４】
また、外径研磨工程にて外周の圧縮応力層を４５μｍ除去した。
【０１２５】
主表面研磨は２段階に分けて行い、第１研磨工程では酸化セリウムを用いて４０μｍの取り代で主表面を研磨し、主表面上の応力層を取り除いた。第２研磨工程ではコロイダルシリカ２０ｎｍの粒径にて研磨を行い、基板の粗さを仕上げた。取り代は５μｍであった。
【０１２６】
【表２】
0005706250.tif 000003
【０１２７】
上記実施例２−１、２−２についても、内端部、外端部、主表面部の順に圧縮応力層の深さが大きくなるように設計し、製造したため、耐衝撃性に優れ、かつ外周及び中央部の平滑性に優れたＨＤＤ用ガラス基板を得ることができた。
【符号の説明】
【０１２８】
１  ガラス基板前駆体
２  磁性膜
５  内孔
７ａ  表主表面
７ｂ  裏主表面
１０ｔ  外周端面
２０ｔ  内周端面
Ｄ  磁気ディスク
【図１】
0005706250.tif 000004
【図２】
0005706250.tif 000005
【図３】
0005706250.tif 000006
【図４】
0005706250.tif 000007