(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁体層を介在させて複数の内部導体が積層された積層体と、
前記積層体の外表面に形成された一組の第１の外部電極及び一組の第２の外部電極と、
前記積層体の外表面に形成された第１の接続導体及び第２の接続導体と、を備え、
前記複数の内部導体は、第１〜第６の内部導体を有し、
前記積層体は、
前記第１の内部導体、前記第２の内部導体及び前記第３の内部導体が少なくとも一層の前記絶縁体層を挟んで配置された第１インダクタ部と、
前記第４の内部導体、前記第５の内部導体及び前記第６の内部導体が少なくとも一層の前記絶縁体層を挟んで配置された第２インダクタ部と、
第１の内部電極と第２の内部電極とが少なくとも一層の前記絶縁体層を挟んで対向して配置されたコンデンサ部と、を有し、
前記第１インダクタ部において、
前記第１の内部導体は、一端が一方の前記第１の外部電極に接続されると共に他端が前記第１の接続導体に接続され、
前記第２の内部導体は、一端が他方の前記第１の外部電極に接続されると共に他端が前記第１の接続導体に接続され、
前記第３の内部導体は、両端が前記第１の接続導体に接続されており、
前記第１の内部導体、前記第２の内部導体及び前記第３の内部導体が一定方向に巻回されており、
前記第２インダクタ部において、
前記第４の内部導体は、一端が一方の前記第２の外部電極に接続されると共に他端が前記第２の接続導体に接続され、
前記第５の内部導体は、一端が他方の前記第２の外部電極に接続されると共に他端が前記第２の接続導体に接続され、
前記第６の内部導体は、両端が前記第２の接続導体に接続されており、
前記第４の内部導体、前記第５の内部導体及び前記第６の内部導体が一定方向に巻回されており、
前記第１の内部電極は、前記絶縁体層上に複数配置され、前記一組の第１の外部電極のそれぞれに接続され、
前記第２の内部電極は、前記絶縁体層上に複数配置され、前記一組の第２の外部電極のそれぞれに接続されており、
前記第１及び第２の内部電極のそれぞれは主面電極を有し、
前記第１〜第６の内部導体は、前記絶縁体層の積層方向から見て前記主面電極と対向しないことを特徴とする積層型電子部品。
【請求項２】
絶縁体層を介在させて複数の内部導体が積層された積層体と、
前記積層体の外表面に形成された一組の第１の外部電極及び一組の第２の外部電極と、
前記積層体の外表面に形成された第１の接続導体、第２の接続導体、第３の接続導体及び第４の接続導体と、を備え、
前記複数の内部導体は、第１〜第６の内部導体を有し、
前記積層体は、
前記第１の内部導体、前記第２の内部導体及び前記第３の内部導体が少なくとも一層の前記絶縁体層を挟んで配置された第１インダクタ部と、
前記第４の内部導体、前記第５の内部導体及び前記第６の内部導体が少なくとも一層の前記絶縁体層を挟んで配置された第２インダクタ部と、
第１の内部電極と第２の内部電極とが少なくとも一層の前記絶縁体層を挟んで対向して配置されたコンデンサ部と、を有し、
前記第１インダクタ部において、
前記第１の内部導体は、一端が一方の前記第１の外部電極に接続されると共に他端が前記第１の接続導体に接続され、
前記第２の内部導体は、一端が他方の前記第１の外部電極に接続されると共に他端が前記第１の接続導体に接続され、
前記第３の内部導体は、両端が前記第１の接続導体に接続されており、
前記第１の内部導体、前記第２の内部導体及び前記第３の内部導体が一定方向に巻回されており、
前記第２インダクタ部において、
前記第４の内部導体は、一端が一方の前記第２の外部電極に接続されると共に他端が前記第２の接続導体に接続され、
前記第５の内部導体は、一端が他方の前記第２の外部電極に接続されると共に他端が前記第２の接続導体に接続され、
前記第６の内部導体は、両端が前記第２の接続導体に接続されており、
前記第４の内部導体、前記第５の内部導体及び前記第６の内部導体が一定方向に巻回されており、
前記第３の内部導体は、前記第３の接続導体を介して前記第１の内部電極と接続され、
前記第６の内部導体は、前記第４の接続導体を介して前記第２の内部電極と接続されていることを特徴とする積層型電子部品。
【請求項３】
前記第１及び第２の外部電極は、前記積層体の前記外表面に形成された焼付層と、前記焼付層上に形成されためっき層とにより形成されており、
前記第１及び第２の接続導体は、前記積層体の前記外表面上にめっき層により形成されていることを特徴とする請求項１又は２記載の積層型電子部品。
【請求項４】
前記第１及び第２の外部電極と前記第１及び第２の接続導体とは、前記積層体において異なる外表面に形成されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項記載の積層型電子部品。
【請求項５】
前記第１〜第３の内部導体と前記第４〜第６の内部導体とは、前記絶縁体層の面内方向を基準として回転対称に形成されていることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項記載の積層型電子部品。
【請求項６】
前記第１の内部導体、前記第３の内部導体及び前記第２の内部導体は、前記積層体の積層方向の一端面側からこの順に当該積層体内に配置されており、
前記第５の内部導体、前記第６の内部導体及び前記第４の内部導体は、前記積層体の前記一端面に対向する他端面側からこの順に当該積層体内に配置されており、
前記第１の内部導体と前記第５の内部導体、前記第２の内部導体と前記第４の内部導体、及び前記第３の内部導体と前記第６の内部導体とは、鏡像関係にあることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項記載の積層型電子部品。
【請求項７】
前記第３の内部導体は、前記第１の内部導体と前記第２の内部導体との間に複数配置されており、
前記第６の内部導体は、前記第４の内部導体と前記第５の内部導体との間に複数配置されており、
複数の前記第３の内部導体の両端は、それぞれ前記第１の接続導体に接続され、
複数の前記第６の内部導体の両端は、それぞれ前記第２の接続導体に接続されていることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項記載の積層型電子部品。
【請求項８】
前記第１及び第２の内部電極のそれぞれは主面電極を有し、
前記第１〜第６の内部導体は、前記絶縁体層の積層方向から見て前記主面電極と対向しないことを特徴とする請求項２記載の積層型電子部品。
【請求項９】
前記第１の外部電極が信号線に接続され、前記第２の外部電極が接地線に接続されることを特徴とする請求項１記載の積層型電子部品。
【請求項１０】
前記第１の外部電極が信号線に接続され、前記第４の接続導体が接地線に接続されることを特徴とする請求項２記載の積層型電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、積層型電子部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の積層型電子部品として、例えば特許文献１に記載の積層型電子部品がある。この従来の積層型電子部品は、セラミック体の内部に、第１インダクタ、第２インダクタ、第１コンデンサ及び第２コンデンサが設けられており、ノイズを除去するノイズフィルタ（ＬＣフィルタ）として構成されている。この積層型電子部品では、第１インダクタと第２インダクタとのインダクタンスを同一にすることにより、実装の方向性をなくすことができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００５−２５２４５６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記従来の積層型電子部品のようなノイズフィルタでは、実装時の作業性を維持しつつ、ノイズを効果的に除去することが要請されている。
【０００５】
本発明は、実装方向の方向性を無くしつつ、ノイズ除去効果を向上させることが可能な積層型電子品を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために、本発明に係る積層型電子部品は、絶縁体層を介在させて複数の内部導体が積層された積層体と、積層体の外表面に形成された一組の第１の外部電極及び一組の第２の外部電極と、積層体の外表面に形成された第１の接続導体及び第２の接続導体と、を備え、複数の内部導体は、第１〜第６の内部導体を有し、積層体は、第１の内部導体、第２の内部導体及び第３の内部導体が少なくとも一層の絶縁体層を挟んで配置された第１インダクタ部と、第４の内部導体、第５の内部導体及び第６の内部導体が少なくとも一層の絶縁体層を挟んで配置された第２インダクタ部とを有し、第１インダクタ部において、第１の内部導体は、一端が一方の第１の外部電極に接続されると共に他端が第１の接続導体に接続され、第２の内部導体は、一端が他方の第１の外部電極に接続されると共に他端が第１の接続導体に接続され、第３の内部導体は、両端が第１の接続導体に接続されており、第１の内部導体、第２の内部導体及び第３の内部導体が一定方向に巻回されており、第２インダクタ部において、第４の内部導体は、一端が一方の第２の外部電極に接続されると共に他端が第２の接続導体に接続され、第５の内部導体は、一端が他方の第２の外部電極に接続されると共に他端が第２の接続導体に接続され、第６の内部導体は、両端が第２の接続導体に接続されており、第４の内部導体、第５の内部導体及び第６の内部導体が一定方向に巻回されていることを特徴とする。
【０００７】
この積層型電子部品では、第１インダクタ部において、第１〜第３の内部導体が第１の接続導体によって接続されており、第２インダクタ部において、第４〜第６の内部導体が第２の接続導体によって接続されている。これにより、各内部導体が接続されて巻回されるため、インダクタンスを大きくすることができる。また、第１インダクタ部及び第２インダクタ部では、第１〜第３の内部導体と第４〜第６の内部導体とが一定方向に巻回されているため、インダクタンスを大きくすることができる。更に、第３の内部導体及び第６の内部導体を備えることにより、インダクタンスを大きくすることができる。したがって、ノイズ除去効果を向上させることができる。さらに、積層型電子部品では、第１インダクタ部及び第２インダクタ部のそれぞれに第１〜第３の内部導体、第４〜第６の内部導体により一定方向に巻回されたコイルが構成されているため、第１の外部電極及び第２の外部電極のいずれでも実装することができる。したがって、実装方向の方向性を無くすことができる。
【０００８】
第１及び第２の外部電極は、積層体の外表面に形成された焼付層と、焼付層上に形成されためっき層とにより形成されており、第１及び第２の接続導体は、積層体の外表面上にめっき層により形成されていることが好ましい。このように、第１及び第２の接続導体をめっき層により形成することで、第１及び第２の接続導体を小さくすることができる。その結果、第１及び第２外部電極との間で短絡が発生する短絡により生じるショート不良を低減できる。
【０００９】
第１及び第２の外部電極と第１及び第２の接続導体とは、積層体において異なる外表面に形成されていることが好ましい。このような構成によれば、第１及び第２外部電極と第１及び第２接続導体との間で短絡が発生することをより防止でき、短絡に起因するショート不良をより一層低減できる。
【００１０】
第１〜第３の内部導体と第４〜第６の内部導体とは、絶縁体層の面内方向を基準として回転対称に形成されていることが好ましい。このような構成によれば、第１〜第３の内部導体により構成されるコイルと第４〜第６の内部導体により構成されるコイルとのインダクタンスは変わらない。したがって、第１の外部電極及び第２の外部電極のいずれかで実装した場合でも、同様の特性を得ることができる。
【００１１】
第１の内部導体、第３の内部導体及び第２の内部導体は、積層体の積層方向の一端面側からこの順に当該積層体内に配置されており、第５の内部導体、第６の内部導体及び第４の内部導体は、積層体の一端面に対向する他端面側からこの順に当該積層体内に配置されており、第１の内部導体と第５の内部導体、第２の内部導体と第４の内部導体、及び第３の内部導体と第６の内部導体とは、鏡像関係にあることが好ましい。このような構成によれば、実装の方向をなくしつつ、第１〜第３の内部導体により構成されるコイルと第４〜第６の内部導体により構成されるコイルとのインダクタンスを略同等にできる。したがって、第１の外部電極及び第２の外部電極のいずれかで実装した場合でも、同様の特性を得ることができる。
【００１２】
第３の内部導体は、第１の内部導体と第２の内部導体との間に複数配置されており、第６の内部導体は、第４の内部導体と第５の内部導体との間に複数配置されており、複数の第３の内部導体の両端は、それぞれ第１の接続導体に接続され、複数の第６の内部導体の両端は、それぞれ第２の接続導体に接続されていることが好ましい。このような構成によれば、インダクタンスをより一層大きくすることができる。
【００１３】
積層体は、第１の内部電極と第２の内部電極とが少なくとも一層の絶縁体層を挟んで対向して配置されたコンデンサ部を有し、第１の内部電極は、絶縁体層上に複数配置され、一組の第１の外部電極のそれぞれに接続されており、第２の内部電極は、絶縁体層上に複数配置され、一組の第２の外部電極のそれぞれに接続されていることが好ましい。このとき、積層型電子部品は、第１の外部電極が信号線に接続され、第２の外部電極が接地線に接続されることが好ましい。このような構成によれば、π型回路を構成できる。
【００１４】
積層体の外表面に形成された第３の接続導体及び第４の接続導体を備え、積層体は、第１の内部電極と第２の内部電極とが少なくとも一層の絶縁体層を挟んで対向して配置されたコンデンサ部を有し、第３の内部導体は、第３の接続導体を介して第１の内部電極と接続され、第６の内部導体は、第４の接続導体を介して第２の内部電極と接続されていることが好ましい。このとき、第１の外部電極が信号線に接続され、第４の接続導体が接地線に接続されることが好ましい。このような構成によれば、Ｔ型回路を構成できる。
【００１５】
第１及び第２の内部電極のそれぞれは主面電極を有し、第１〜第６の内部導体は、絶縁体層の積層方向から見て主面電極と対向しないことが好ましい。このような構成によれば、第１及第２インダクタ部とコンデンサ部との結合を防止できるため、高周波ノイズを確実に減衰させることができる。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、実装方向の方向性を無くしつつ、ノイズ除去効果を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】第１実施形態に係る積層型電子部品を示す斜視図である。
【図２】図１に示す積層型電子部品の積層体の分解斜視図である。
【図３】図１に示す積層型電子部品の等価回路図である。
【図４】第２実施形態に係る積層型電子部品を示す斜視図である。
【図５】図４に示す積層型電子部品の積層体の分解斜視図である。
【図６】図４に示す積層型電子部品の等価回路図である。
【図７】第３実施形態に示す積層型電子部品を示す斜視図である。
【図８】図７に示す積層型電子部品の積層体の分解斜視図である。
【図９】第４実施形態に係る積層型電子部品の積層体の分解斜視図である。
【図１０】第４実施形態に係る積層型電子部品の等価回路図である。
【図１１】第５実施形態に係る積層型電子部品の斜視図である。
【図１２】図１１に示す積層型電子部品の積層体の分解斜視図である。
【図１３】第６実施形態に係る積層型電子部品を示す斜視図である。
【図１４】図１２に示す積層体型電子部品の積層体の分解斜視図である。
【図１５】図１２に示す積層型電子部品の等価回路図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、図面の説明において同一又は相当要素には同一符号を付し、重複する説明は省略する。
【００１９】
図１は、第１実施形態に係る積層型電子部品を示す斜視図である。図２は、図１に示す積層型電子部品の積層体の分解斜視図である。図１に示す積層型電子部品１は、ＤＣラインのノイズフィルタとして機能するものである。
【００２０】
図１に示すように、積層型電子部品１は、略直方体形状の積層体２と、第１〜第４外部電極３，４，５，６と、第１〜第８接続導体（第１の接続導体、第２の接続導体）７，８，９，１０，１１，１２，１３，１４とを備えている。
【００２１】
積層体２は、互いに対向する一対の端面（第３及び第４の側面）２ａ，２ｂと、一対の端面２ａ，２ｂ間を連結するように伸び且つ互いに対向する一対の側面（第１及び第２の側面）２ｃ，２ｄと、一対の側面２ｃ，２ｄを連結するように伸び且つ互いに対向する一対の主面（一端面、他端面）２ｅ，２ｆとを有する。第１及び第２外部電極（一組の第１の外部電極）３，４は、積層体２の側面２ｃ側に形成されており、第３及び第４外部電極（一組の第２の外部電極）５，６は、積層体２の側面２ｄ側に形成されている。第１及び第２接続導体（第１の接続導体）７，８と第５及び第６接続導体（第２の接続導体）１１，１２とは、積層体２の端面２ａに形成されており、第３及び第４接続導体（第１の接続導体）９，１０と第７及び第８接続導体（第２の接続導体）１３，１４とは、積層体２の端面２ｂに形成されている。
【００２２】
積層体２の内部には、図２に示すように、絶縁体層Ｓを介在させた状態で、パターンの異なる複数の導体パターンＰ１〜Ｐ１０が配置されている。絶縁体層Ｓは、例えば磁性体層であり、絶縁体グリーンシートの焼成物からなるものである。絶縁体層Ｓは、例えば、フェライト（Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ−Ｍｇ系フェライト、又はＮｉ−Ｃｕ系フェライトなど）から構成されている。絶縁体層Ｓは、フェライト以外の材料、例えば、ストロンチウム、カルシウム、アルミナ及び酸化珪素からなるガラスと、アルミナとからなるガラス系セラミックなどから構成されていてもよい。実際の積層型電子部品１では、絶縁体層Ｓ間の境界が視認できない程度に一体化されている。
【００２３】
積層体２は、第１インダクタ部２０と、第２インダクタ部２１とを有している。第１インダクタ部２０は、絶縁体層Ｓ２〜Ｓ６上に形成されたパターンの異なる第１〜第５導体パターンＰ１〜Ｐ５が積層されて構成されている。第１インダクタ部２０には、第１〜第５導体パターンＰ１〜Ｐ５により第１コイルＬ１（図３参照）が構成されている。
【００２４】
絶縁体層Ｓ１は、積層体２の積層方向の最上部に配置されている。絶縁体層Ｓ２上には、第１導体パターン（第１の内部導体）Ｐ１が形成されている。第１導体パターンＰ１は、絶縁体層Ｓ２上において積層体２の端面２ａ，２ｂ及び側面２ｄに沿って略コ字（Ｕ字）状に形成されている。第１導体パターンＰ１の一端は、第１接続導体７に対応する位置に引き出されて、積層体２の端面２ａに露出している。第１導体パターンＰ１の他端は、第１外部電極３に対応する位置に引き出されて、積層体２の側面２ｃに露出している。
【００２５】
また、絶縁体層Ｓ２上には、第２〜第４接続導体８〜１０に対応する位置に、ダミーパターンＤＰ１，ＤＰ２，ＤＰ３が形成されている。ダミーパターンＤＰ１〜ＤＰ３は、略矩形状を呈しており、第２〜第４接続導体８〜１０に対応する位置で積層体２の端面２ａ，２ｂにそれぞれ露出している。第１導体パターンＰ１と各ダミーパターンＤＰ１〜ＤＰ３とは、絶縁体層Ｓ２上において互いに電気的に接続されないように絶縁されている。
【００２６】
絶縁体層Ｓ３上には、第２導体パターン（第３の内部導体）Ｐ２が形成されている。第２導体パターンＰ２は、絶縁体層Ｓ３上において積層体２の端面２ｂ及び側面２ｃ，２ｄに沿って略コ字状に形成されている。第２導体パターンＰ２の一端は、第１接続導体７に対応する位置に引き出されて、積層体２の端面２ａに露出している。第２導体パターンＰ２の他端は、第２接続導体８に対応する位置に引き出されて、積層体２の端面２ａに露出している。
【００２７】
また、絶縁体層Ｓ３上には、第３及び第４接続導体９，１０に対応する位置に、ダミーパターンＤＰ４，ＤＰ５が形成されている。ダミーパターンＤＰ４，ＤＰ５は、略矩形状を呈しており、第３及び第４接続導体９，１０に対応する位置で積層体２の端面２ｂにそれぞれ露出している。第２導体パターンＰ２と各ダミーパターンＤＰ４，ＤＰ５とは、絶縁体層Ｓ３上において互いに電気的に接続されないように絶縁されている。
【００２８】
絶縁体層Ｓ４上には、第３導体パターン（第３の内部導体）Ｐ３が形成されている。第３導体パターンＰ３は、絶縁体層Ｓ４上において積層体２の端面２ａ，２ｂ及び側面２ｃに沿って略コ字状に形成されている。第３導体パターンＰ３の一端は、第２接続導体８に対応する位置に引き出されて、積層体の端面２ａに露出している。第３導体パターンＰ３の他端は、第４接続導体１０に対応する位置に引き出されて、積層体２の端面２ｂに露出している。
【００２９】
また、絶縁体層Ｓ４上には、第１及び第３接続導体７，９に対応する位置に、ダミーパターンＤＰ６，ＤＰ７が形成されている。ダミーパターンＤＰ６，ＤＰ７は、略矩形状を呈しており、第１及び第３接続導体７，９に対応する位置で積層体２の端面２ａ，２ｂにそれぞれ露出している。第３導体パターンＰ３と各ダミーパターンＤＰ６，ＤＰ７とは、絶縁体層Ｓ４上において互いに電気的に接続されないように絶縁されている。
【００３０】
絶縁体層Ｓ５上には、第４導体パターン（第３の内部導体）Ｐ４が形成されている。第４導体パターンＰ４は、絶縁体層Ｓ５上において積層体２の端面２ａ及び側面２ｃ，２ｄに沿って略コ字状に形成されている。第４導体パターンＰ４の一端は、第３接続導体９に対応する位置に引き出されて、積層体２の端面２ｂに露出している。第４導体パターンＰ４の他端は、第４接続導体１０に対応する位置に引き出されて、積層体２の端面２ｂに露出している。
【００３１】
また、絶縁体層Ｓ５上には、第１及び第２接続導体７，８に対応する位置に、ダミーパターンＤＰ８，ＤＰ９が形成されている。ダミーパターンＤＰ８，ＤＰ９は、略矩形状を呈しており、第１及び第２接続導体７，８に対応する位置で積層体２の端面２ａにそれぞれ露出している。第４導体パターンＰ４と各ダミーパターンＤＰ８，ＤＰ９とは、絶縁体層Ｓ５上において互いに電気的に接続されないように絶縁されている。
【００３２】
絶縁体層Ｓ６上には、第５導体パターン（第２の内部導体）Ｐ５が形成されている。第５導体パターンＰ５は、絶縁体層Ｓ６上において積層体２の端面２ａ，２ｂ及び側面２ｄに沿って略コ字状に形成されている。第５導体パターンＰ５の一端は、第２外部電極４に対応する位置に引き出されて、積層体２の側面２ｃ側に露出している。第５導体パターンＰ５の他端は、第３接続導体９に対応する位置に引き出されて、積層体２の端面２ｂに露出している。
【００３３】
また、絶縁体層Ｓ６上には、第１、第２及び第４接続導体７，８，１０に対応する位置に、ダミーパターンＤＰ１０，ＤＰ１１，ＤＰ１２が形成されている。ダミーパターンＤＰ１０〜ＤＰ１２は、略矩形状を呈しており、第１、第２及び第４接続導体７，８，１０に対応する位置で積層体２の端面２ａ，２ｂにそれぞれ露出している。第５導体パターンＰ５と各ダミーパターンＤＰ１０〜ＤＰ１２とは、絶縁体層Ｓ６上において互いに電気的に接続されないように絶縁されている。
【００３４】
第１導体パターンＰ１〜第５導体パターンＰ５の各辺は、積層方向において重なる（対向する）位置に形成されている。積層体２では、第１導体パターンＰ１〜第５導体パターンＰ５が積層されることにより、一定の方向（図示矢印方向）に巻回された第１コイルＬ１が構成される。
【００３５】
第２インダクタ部２１は、絶縁体層Ｓ８〜Ｓ１２上に形成されたパターンの異なる第６〜第１０導体パターンＰ６〜Ｐ１０が積層されて構成されている。第２インダクタ部２１には、第６〜第１０導体パターンＰ６〜Ｐ１０が積層されることにより、第２コイルＬ２（図３参照）が構成されている。第１コイルＬ１と第２コイルＬ２とは、絶縁体層Ｓの面内方向において回転対称をなしている。なお、絶縁体層Ｓ６と絶縁体層Ｓ８との間、すなわち第１インダクタ部２０と第２インダクタ部２１との間には、必要に応じて、単数又は複数枚（図中は２枚）の絶縁体層Ｓ７を積層してもよい。
【００３６】
絶縁体層Ｓ８上には、第６導体パターン（第４の内部導体）Ｐ６が形成されている。第６導体パターンＰ６は、絶縁体層Ｓ８上において積層体２の端面２ａ，２ｂ及び側面２ｃに沿って略コ字状に形成されている。第６導体パターンＰ６の一端は、第４外部電極６に対応する位置に引き出されて、積層体２の側面２ｄに露出している。第６導体パターンＰ６の他端は、第８接続導体（第２の接続導体）１４に対応する位置に引き出されて、積層体２の端面２ｂに露出している。第６導体パターンＰ６は、絶縁体層Ｓの面内方向において第１導体パターンＰ１と回転対称に形成されており、第５導体パターンＰ５と鏡像関係にある。
【００３７】
また、絶縁体層Ｓ８上には、第５〜第７接続導体１１〜１３に対応する位置に、ダミーパターンＤＰ１３，ＤＰ１４，ＤＰ１５が形成されている。ダミーパターンＤＰ１３〜ＤＰ１５は、略矩形状を呈しており、第５〜第７接続導体１１〜１３に対応する位置で積層体２の端面２ａ，２ｂにそれぞれ露出している。第６導体パターンＰ６と各ダミーパターンＤＰ１３〜ＤＰ１５とは、絶縁体層Ｓ８上において互いに電気的に接続されないように絶縁されている。
【００３８】
絶縁体層Ｓ９上には、第７導体パターン（第６の内部導体）Ｐ７が形成されている。第７導体パターンＰ７は、絶縁体層Ｓ９上において積層体２の端面２ａ及び側面２ｃ，２ｄに沿って略コ字状に形成されている。第７導体パターンＰ７の一端は、第７接続導体（第２の接続導体）１３に対応する位置に引き出されて、積層体２の端面２ｂに露出している。第７導体パターンＰ７の他端は、第８接続導体１４に対応する位置に引き出されて、積層体２の端面２ｂに露出している。第７導体パターンＰ７は、絶縁体層Ｓの面内方向において第２導体パターンＰ２と回転対称に形成されており、第４導体パターンＰ４と鏡像関係にある。
【００３９】
また、絶縁体層Ｓ９上には、第５及び第６接続導体１１，１２に対応する位置に、ダミーパターンＤＰ１６，ＤＰ１７が形成されている。ダミーパターンＤＰ１６，ＤＰ１７は、略矩形状を呈しており、第５及び第６接続導体１１，１２に対応する位置で積層体２の端面２ａにそれぞれ露出している。第７導体パターンＰ７と各ダミーパターンＤＰ１６，ＤＰ１７とは、絶縁体層Ｓ９上において互いに電気的に接続されないように絶縁されている。
【００４０】
絶縁体層Ｓ１０上には、第８導体パターン（第６の内部導体）Ｐ８が形成されている。第８導体パターンＰ８は、絶縁体層Ｓ１０上において積層体２の端面２ａ，２ｂ及び側面２ｄに沿って略コ字状に形成されている。第８導体パターンＰ８の一端は、第５接続導体１１に対応する位置に引き出されて、積層体２の端面２ａに露出している。第８導体パターンＰ８の他端は、第７接続導体１３に対応する位置に引き出されて、積層体２の端面２ｂに露出している。第８導体パターンＰ８は、絶縁体層Ｓの面内方向において第３導体パターンＰ３と回転対称に形成されており、第３導体パターンＰ３と鏡像関係にある。
【００４１】
また、絶縁体層Ｓ１０上には、第６及び第８接続導体１２，１４に対応する位置に、ダミーパターンＤＰ１８，ＤＰ１９が形成されている。ダミーパターンＤＰ１８，ＤＰ１９は、略矩形状を呈しており、第６及び第８接続導体１２，１４に対応する位置で積層体２の端面２ａ，２ｂにそれぞれ露出している。第８導体パターンＰ８と各ダミーパターンＤＰ１８，ＤＰ１９は、絶縁体層Ｓ１０上において互いに電気的に接続されないように絶縁されている。
【００４２】
絶縁体層Ｓ１１上には、第９導体パターン（第６の内部導体）Ｐ９が形成されている。第９導体パターンＰ９は、絶縁体層Ｓ１１上において積層体２の端面２ｂ及び側面２ｃ，２ｄに沿って略コ字状に形成されている。第９導体パターンＰ９の一端は、第５接続導体１１に対応する位置に引き出されて、積層体２の端面２ａに露出している。第９導体パターンＰ９の他端は、第６接続導体１２に対応する位置に引き出されて、積層体２の端面２ａに露出している。第９導体パターンＰ９は、絶縁体層Ｓの面内方向において第４導体パターンＰ４と回転対称に形成されおり、第２導体パターンＰ２と鏡像関係にある。
【００４３】
また、絶縁体層Ｓ１１上には、第７及び第８接続導体１３，１４に対応する位置に、ダミーパターンＤＰ２０，ＤＰ２１が形成されている。ダミーパターンＤＰ２０，ＤＰ２１は、略矩形状を呈しており、第７及び第８接続導体１３，１４に対応する位置で積層体２の端面２ｂにそれぞれ露出している。第９導体パターンＰ９と各ダミーパターンＤＰ２０，ＤＰ２１は、絶縁体層Ｓ１１上において互いに電気的に接続されないように絶縁されている。
【００４４】
絶縁体層Ｓ１２上には、第１０導体パターン（第５の内部導体）Ｐ１０が形成されている。第１０導体パターンＰ１０は、絶縁体層Ｓ１２上において積層体２の端面２ａ，２ｂ及び側面２ｃに沿って略コ字状に形成されている。第１０導体パターンＰ１０の一端は、第６接続導体１２に対応する位置に引き出されて、積層体２の端面２ａに露出している。第１０導体パターンＰ１０の他端は、第３外部電極５に対応する位置に引き出されて、積層体２の側面２ｄに露出している。第１０導体パターンＰ１０は、絶縁体層Ｓの面内方向において第５導体パターンＰ５と回転対称に形成されており、第１導体パターンＰ１と鏡像関係にある。
【００４５】
また、絶縁体層Ｓ１２上には、第５、第７及び第８接続導体１１，１３，１４に対応する位置に、ダミーパターンＤＰ２２，ＤＰ２３，ＤＰ２４が形成されている。ダミーパターンＤＰ２２〜ＤＰ２４は、略矩形状を呈しており、第５、第７及び第８接続導体１１，１３，１４に対応する位置で積層体２の端面２ａ，２ｂにそれぞれ露出している。第１０導体パターンＰ１０と各ダミーパターンＤＰ２２〜ＤＰ２４とは、絶縁体層Ｓ１２上において互いに電気的に接続されないように絶縁されている。
【００４６】
第６導体パターンＰ６〜第１０導体パターンＰ１０の各辺は、積層方向において重なる（対向する）位置に形成されている。第６導体パターンＰ６〜第１０導体パターンＰ１０が積層されることにより、一定の方向（図示矢印方向）に巻回された第２コイルＬ２が構成される。つまり、第１〜第５導体パターンＰ１〜Ｐ５により構成される第１コイルＬ１と第６〜第１０導体パターンＰ６〜Ｐ１０により構成される第２コイルＬ２とは、絶縁体層Ｓの面内方向において回転対称に形成されている。
【００４７】
第１〜第４外部電極３〜６は、積層型電子部品１を実装基板に実装する際に、所定の極性に接続される電極である。第１及び第２外部電極３，４は、積層体２の側面２ｃと主面２ｅ，２ｆとに跨って形成されており、互いに所定の間隔をあけて配置されている。第３及び第４外部電極５，６は、積層体２の側面２ｄと主面２ｅ，２ｆとに跨って形成されており、互いに所定の間隔をあけて配置されている。
【００４８】
また、第１〜第４接続導体（第１の接続導体）７〜１０は、積層体２の第１インダクタ部２０に属する第１〜第５導体パターンＰ１〜Ｐ５同士を並列に接続する導体であり、実装基板には直接接続されない導体である。第５〜第８接続導体（第２の接続導体）１１〜１４は、積層体２の第２インダクタ部２１に属する第６〜第１０導体パターンＰ６〜Ｐ１０同士を並列に接続する導体であり、実装基板には直接接続されない導体である。
【００４９】
第１〜第４外部電極３〜６は、Ｃｕなどの導電性金属粉末及びガラスフリットを含む導電性ペーストを焼き付けて形成される焼付層を内層とし、例えばＮｉなどの対ハンダ喰われ性を有する材料やＳｎ、Ｓｎ合金、Ａｇなどのハンダ濡れ性を有する材料からなる単層或いは複数層のめっき層を外層とする複数層によって構成されている。第１〜第８接続導体７〜１４は、第１〜第４外部電極３〜６と同様のめっき層のみによって構成されている。
【００５０】
具体的には、第１〜第４外部電極３〜６及び第１〜第８接続導体７〜１４は、以下のように形成される。まず、スクリーン印刷などによって電極パターンを形成したグリーンシートを積層し、プレス工程、切断工程、焼成工程などを経て、積層体２を得る。
【００５１】
次に、積層体２の幅方向の側面２ｃから露出する第１導体パターンＰ１及び第５導体パターンＰ５の一端をそれぞれ覆うように、転写法或いはスクリーン印刷法を用いて導電性ペーストを塗布する。同様に、側面２ｄから露出する第６導体パターンＰ６及び第１０導体パターンＰ１０の一端をそれぞれ覆うように、転写法或いはスクリーン印刷法を用いて導電性ペーストを塗布する。その後、所定の温度で焼き付けて焼付層を形成する。
【００５２】
最後に、積層体２の長手方向の端面２ａから露出する各導体パターンＰ１〜Ｐ３，Ｐ８〜Ｐ１０及びダミーパターンＤＰ１，ＤＰ６，ＤＰ８〜ＤＰ１１，ＤＰ１３，ＤＰ１４，ＤＰ１６〜ＤＰ１８，ＤＰ２２と、端面２ｂから露出する各導体パターンＰ３〜Ｐ８及びダミーパターンＤＰ２〜ＤＰ５，ＤＰ７，ＤＰ１２，ＤＰ１５，ＤＰ１９〜ＤＰ２１，ＤＰ２３，ＤＰ２４と、焼付層とをそれぞれ覆うように、バレルめっき法などを用いてめっき層を形成する。これにより、第１〜第４外部電極３〜６及び第１〜第８接続導体７〜１４が形成され、積層型電子部品１が得られる。
【００５３】
図３は、積層体型電子部品の等価回路図である。図３に示すように、積層型電子部品１では、第１〜第５導体パターンＰ１〜Ｐ５により第１コイルＬ１が構成されており、第６〜第１０導体パターンＰ１〜Ｐ１０により第２コイルＬ２が構成されている。第１コイルＬ１と第２コイルＬ２とは、電気的に独立している。
【００５４】
このような構成を有する積層型電子部品１は、第１外部電極３と第２外部電極４とが信号ライン（信号線）に接続されるように実装基板に実装して第１コイルＬ１のみを使用、または、第３外部電極５と第４外部電極６が信号ラインに接続されるように実装基板に実装して第２コイルＬ２のみを使用することができる。さらに、積層型電子部品１は、第１及び第２外部電極３，４、第３及び第４外部電極５，６がそれぞれ信号ラインに接続されるように実装基板に実装することにより、インダクタアレイとして使用することができる。
【００５５】
以上説明したように、積層型電子部品１では、第１インダクタ部２０において、第１〜第５導体パターンＰ１〜Ｐ５が第１〜第４接続導体７〜１０によって接続されており、第２インダクタ部２１において、第６〜第１０導体パターンＰ６〜Ｐ１０が第５〜第８接続導体１１〜１４によって接続されている。これにより、第１〜第５導体パターンＰ１〜Ｐ５、第６〜第１０導体パターンＰ６〜Ｐ１０がそれぞれ接続されて巻回されるため、インダクタンスを大きくすることができる。
【００５６】
また、第１インダクタ部２０及び第２インダクタ部２１では、第１コイルＬ１及び第２コイルＬ２を構成する内部パターンが一定方向に巻回されているため、インダクタンスを大きくすることができる。したがって、ノイズ除去効果をより一層向上させることができる。さらに、積層型電子部品１では、第１インダクタ部２０及び第２インダクタ部２１のそれぞれに第１コイルＬ１、第２コイルＬ２が構成されているため、第１及び第２外部電極３，４及び第３及び第４外部電極５，６のいずれでも実装することができる。したがって、実装方向の方向性を無くすことができる。
【００５７】
また、第１〜第８接続導体７〜１４がめっき層により形成されているため、第１〜第８接続導体７〜１４を小さく形成することができる。これにより、第１〜第４外部電極３〜６との間に短絡が生じることを防止でき、短絡に起因するショート不良を低減できる。
【００５８】
また、第１〜第５導体パターンＰ１〜Ｐ５により構成される第１コイルＬ１と第６〜第１０導体パターンＰ６〜Ｐ１０により構成される第２コイルＬ２とは、絶縁体層Ｓの面内方向において回転対称に形成されている。したがって、第１及び第２外部電極３，４または第３及び第４外部電極５，６で実装しても、インダクタンスが変わらない。
【００５９】
［第２実施形態］
続いて、第２実施形態について説明する。図４は、第２実施形態に係る積層型電子部品を示す斜視図である。図５は、図４に示す積層型電子部品の積層体の分解斜視図である。
【００６０】
図４に示すように、積層型電子部品１Ａは、積層体２Ａと、第１〜第４外部電極３〜６と、第１〜第４接続導体２４，２５，２６，２７とを備えている。ここで、第１及び第２接続導体２４，２５が第１の接続導体に相当し、第３及び第４接続導体２６，２７が第２の接続導体に相当する。第１及び第３外部電極３，５は、積層体２Ａの側面２ｃ側に形成されており、第２及び第４外部電極４，６は、積層体２Ａの側面２ｄ側に形成されている。第１及び第２接続導体２４，２５は、積層体２Ａの端面２ａに形成されており、第３及び第４接続導体２６，２７は、積層体２Ａの端面２ｂに形成されている。
【００６１】
積層体２Ａは、第１インダクタ部２８と、第２インダクタ部２９とを有している。第１インダクタ部２８は、絶縁体層Ｓ２〜Ｓ４上に形成されたパターンの異なる第１〜第３導体パターンＰ１１〜Ｐ１３が積層されて構成されている。第１インダクタ部２８には、第１〜第３導体パターンＰ１１〜Ｐ１３により第１コイルＬ１（図６参照）が構成されている。
【００６２】
絶縁体層Ｓ１は、積層体２Ａの積層方向の最上部に配置されている。絶縁体層Ｓ２上には、第１導体パターン（第１の内部導体）Ｐ１１が形成されている。第１導体パターンＰ１１は、絶縁体層Ｓ２上において略環状に形成されている。第１導体パターンＰ１１の一端は、第１外部電極３に対応する位置に引き出されて、積層体２Ａの側面２ｃに露出している。第１導体パターンＰ１１の他端は、第１接続導体２４に対応する位置に引き出されて、積層体２Ａの端面２ａに露出している。
【００６３】
また、絶縁体層Ｓ２上には、第２接続導体２５に対応する位置に、ダミーパターンＤＰ２５が形成されている。ダミーパターンＤＰ２５は、略矩形状を呈しており、第２接続導体２５に対応する位置で積層体２Ａの端面２ａに露出している。
【００６４】
絶縁体層Ｓ３上には、第２導体パターン（第３の内部導体）Ｐ１２が形成されている。第２導体パターンＰ１２は、絶縁体層Ｓ３上において略環状に形成されている。第２導体パターンＰ１２の一端は、第１接続導体２４に対応する位置に引き出されて、積層体２Ａの端面２ａに露出している。第２導体パターンＰ１２の他端は、第２接続導体２５に対応する位置に引き出されて、積層体２Ａの端面２ａに露出している。第２導体パターンＰ１２は、積層方向から見て第１導体パターンＰ１１よりも外形が小さく形成されている。
【００６５】
絶縁体層Ｓ４上には、第３導体パターン（第２の内部導体）Ｐ１３が形成されている。第３導体パターンＰ１３は、絶縁体層Ｓ４上において略環状に形成されている。第３導体パターンＰ１３の一端は、第２接続導体２５に対応する位置に引き出されて、積層体２Ａの端面２ａに露出している。第３導体パターンＰ１３の他端は、第２外部電極４に対応する位置に引き出されて、積層体２の側面２ｄに露出している。第３導体パターンＰ１３は、積層方向から見て第１導体パターンＰ１１及び第２導体パターンＰ１３よりも外形が小さく形成されている。
【００６６】
また、絶縁体層Ｓ４上には、第１接続導体２４に対応する位置に、ダミーパターンＤＰ２６が形成されている。ダミーパターンＤＰ２６は、略矩形状を呈しており、第１接続導体２４に対応する位置で積層体２Ａの端面２ａに露出している。絶縁体層Ｓ５上には、第１及び第２接続導体２４，２５に対応する位置に、ダミーパターンＤＰ２７，ＤＰ２８が形成されている。ダミーパターンＤＰ２７，ＤＰ２８は、略矩形状を呈しており、第１及び第２接続導体２４，２５に対応する位置で積層体２Ａの端面２ａに露出している。
【００６７】
第２インダクタ部２９は、絶縁体層Ｓ８〜Ｓ１０上に形成されたパターンの異なる第４〜第６導体パターンＰ１４〜Ｐ１６が積層されて構成されている。第２インダクタ部２９には、第４〜第６導体パターンＰ１４〜Ｐ１６が積層されることにより、第２コイルＬ２（図６参照）が構成されている。第１コイルＬ１と第２コイルＬ２とは、絶縁体層Ｓの面内方向において回転対称をなしている。なお、絶縁体層Ｓ５と絶縁体層Ｓ７との間には、必要に応じて、単数又は複数枚（図中は２枚）の絶縁体層Ｓ６を積層してもよい。
【００６８】
絶縁体層Ｓ７上には、第３及び第４接続導体２６，２７に対応する位置に、ダミーパターンＤＰ２９，ＤＰ３０が形成されている。ダミーパターＤＰ２９，ＤＰ３０は、略矩形状を呈しており、第３及び第４接続導体２６，２７に対応する位置で積層体２Ａの端面２ｂに露出している。
【００６９】
絶縁体層Ｓ８上には、第４導体パターン（第４の内部導体）Ｐ１４が形成されている。第４導体パターンＰ１４は、絶縁体層Ｓ８上において略環状に形成されている。第４導体パターンＰ１４の一端は、第４接続導体２７に対応する位置に引き出されて、積層体２Ａの端面２ｂに露出している。第４導体パターンＰ１４の他端は、第４外部電極６に対応する位置に引き出されて、積層体２Ａの側面２ｄに露出している。第４導体パターンＰ１４は、第３導体パターンＰ１３と鏡像関係にある。また、第４導体パターンＰ１４は、積層方向から見て後述する第５及び第６導体パターンＰ１５，Ｐ１６よりも外形が小さく形成されている。
【００７０】
また、絶縁体層Ｓ８上には、第３接続導体２６に対応する位置に、ダミーパターンＤＰ３１が形成されている。ダミーパターンＤＰ３１は、略矩形状を呈しており、第３接続導体２６に対応する位置で積層体２Ａの端面２ｂに露出している。
【００７１】
絶縁体層Ｓ９上には、第５導体パターン（第６の内部導体）Ｐ１５が形成されている。第５導体パターンＰ１５は、絶縁体層Ｓ９上において略環状に形成されている。第５導体パターンＰ１５の一端は、第３接続導体２６に対応する位置に引き出されて、積層体２Ａの端面２ｂに露出している。第５導体パターンＰ１５の他端は、第４接続導体２７に対応する位置に引き出されて、積層体２Ａの端面２ｂに露出している。第５導体パターンＰ１５は、第２導体パターンＰ１２と鏡像関係にある。また、第５導体パターンＰ１５は、積層方向から見て後述する第６導体パターンＰ１６よりも外形が小さく、且つ第４導体パターンＰ１４よりも外形が大きく形成されている。
【００７２】
絶縁体層Ｓ１０上には、第６導体パターン（第５の内部導体）Ｐ１６が形成されている。第６導体パターンＰ１６は、絶縁体層Ｓ１０上において略環状に形成されている。第６導体パターンＰ１６の一端は、第３外部電極５に対応する位置に引き出されて、積層体２Ａの側面２ｃに露出している。第６導体パターンＰ１６の他端は、第３接続導体２６に対応する位置に引き出されて、積層体２の端面２ｂに露出している。第６導体パターンＰ１６は、第１導体パターンＰ１１と鏡像関係にある。また、第５導体パターンＰ１６は、積層方向から見て第４及び第５導体パターンＰ１４，Ｐ１５よりも外形が大きく形成されている。
【００７３】
また、絶縁体層Ｓ１０上には、第４接続導体２７に対応する位置に、ダミーパターンＤＰ３２が形成されている。ダミーパターンＤＰ３２は、略矩形状を呈しており、第４接続導体２７に対応する位置で積層体２Ａの端面２ｂに露出している。
【００７４】
図６は、積層体型電子部品の等価回路図である。図６に示すように、積層型電子部品１Ａでは、第１〜第３導体パターンＰ１１〜Ｐ１３により第１コイルＬ１が構成されており、第４〜第６導体パターンＰ１４〜Ｐ１６により第２コイルＬ２が構成されている。第１コイルＬ１と第２コイルＬ２とは、電気的に独立している。
【００７５】
積層型電子部品１Ａでは、第１外部電極３と第２外部電極４とが信号ラインに接続されるように実装基板に実装して第１コイルＬ１のみを使用、または、第３外部電極５と第４外部電極６が信号ラインに接続されるように実装基板に実装して第２コイルＬ２のみを使用することができる。さらに、積層型電子部品１Ａは、第１及び第２外部電極３，４、第３及び第４外部電極５，６がそれぞれ信号ラインに接続されるように実装基板に実装することにより、インダクタアレイとして使用することができる。
【００７６】
以上説明したように、本実施形態では、第１実施形態と同様の作用効果を奏することができる。すなわち、実装方向の方向性を無くしつつ、ノイズ除去効果を向上させることができる。また、本実施形態では、第１〜第３導体パターンＰ１１〜Ｐ１３、第４〜第６導体パターンＰ１４〜Ｐ１６は、積層方向において重ならないように配置されているため、導体パターンにより生じる段差を小さくすることができ、絶縁体層Ｓ同士の接着強度を確保することができる。これにより、積層型電子部品１Ａの構造欠陥を抑制できる。
【００７７】
［第３実施形態］
続いて、第３実施形態について説明する。図７は、第３実施形態に係る積層型電子部品を示す斜視図である。図８は、図７に示す積層型電子部品の積層体の分解斜視図である。
【００７８】
図７に示すように、積層型電子部品１Ｂは、積層体２Ｂと、第１〜第４外部電極３〜６と、第１〜第８接続導体７〜１４とを備えている。
【００７９】
積層体２Ｂは、第１インダクタ部３０と、第２インダクタ部３１とを有している。第１インダクタ部３０は、絶縁体層Ｓ２〜Ｓ６上に形成されたパターンの異なる第１〜第５導体パターンＰ２１〜Ｐ２５が積層されて構成されている。第１インダクタ部３０には、第１〜第５導体パターンＰ２１〜Ｐ２５により第１コイルＬ１（図６参照）が構成されている。
【００８０】
絶縁体層Ｓ１は、積層体２Ｂの積層方向の最上部に配置されている。絶縁体層Ｓ２上には、第１導体パターン（第１の内部導体）Ｐ２１が形成されている。第１導体パターンＰ２１は、絶縁体層Ｓ２上において略環状に形成されている。第１導体パターンＰ２１の一端は、第１外部電極３に対応する位置に引き出されて、積層体２Ｂの側面２ｃに露出している。第１導体パターンＰ２１の他端は、第１接続導体７に対応する位置に引き出されて、積層体２Ｂの端面２ａに露出している。
【００８１】
また、絶縁体層Ｓ２上には、第２〜第４接続導体８〜１０に対応する位置に、ダミーパターンＤＰ４０，ＤＰ４１，ＤＰ４２が形成されている。ダミーパターンＤＰ４０〜ＤＰ４２は、略矩形状を呈しており、第２〜第４接続導体８〜１０に対応する位置で積層体２Ｂの端面２ａ，２ｂにそれぞれ露出している。
【００８２】
絶縁体層Ｓ３上には、第２導体パターン（第３の内部導体）Ｐ２２が形成されている。第２導体パターンＰ２２は、絶縁体層Ｓ３上において略環状に形成されている。第２導体パターンＰ２２の一端は、第１接続導体７に対応する位置に引き出されて、積層体２Ｂの端面２ａに露出している。第２導体パターンＰ２２の他端は、第２接続導体８に対応する位置に引き出されて、積層体２Ｂの端面２ａに露出している。第２導体パターンＰ２２は、積層方向から見て第１導体パターン２１よりも外形が小さく形成されている。
【００８３】
また、絶縁体層Ｓ３上には、第３及び第４接続導体９，１０に対応する位置に、ダミーパターンＤＰ４３，ＤＰ４４が形成されている。ダミーパターンＤＰ４３，ＤＰ４４は、略矩形状を呈しており、第３及び第４接続導体９，１０に対応する位置で積層体２Ｂの端面２ｂにそれぞれ露出している。
【００８４】
絶縁体層Ｓ４上には、第３導体パターン（第３の内部導体）Ｐ２３が形成されている。第３導体パターンＰ２３は、絶縁体層Ｓ４上において積層体２Ｂの端面２ａ，２ｂ及び側面２ｃに沿って略コ字状に形成されている。第３導体パターンＰ２３の一端は、第２接続導体８に対応する位置に引き出されて、積層体２Ｂの端面２ａに露出している。第３導体パターンＰ２３の他端は、第４接続導体１０に対応する位置に引き出されて、積層体２Ｂの端面２ｂに露出している。第３導体パターンＰ２３は、積層方向から見て第１導体パターンＰ２１及び第２導体パターンＰ２２よりも外形が小さく形成されている。
【００８５】
また、絶縁体層Ｓ４上には、第１及び第３接続導体７，９に対応する位置に、ダミーパターンＤＰ４５，ＤＰ４６が形成されている。ダミーパターンＤＰ４５，ＤＰ４６は、略矩形状を呈しており、第１及び第３接続導体７，９に対応する位置で積層体２Ｂの端面２ａ及び端面２ｂにそれぞれ露出している。
【００８６】
絶縁体層Ｓ５上には、第４導体パターン（第３の内部導体）Ｐ２４が形成されている。第４導体パターンＰ２４は、絶縁体層Ｓ５上において積層体２Ｂの側面２ｃ，２ｄに沿って略コ字状に形成されている。第４導体パターンＰ２４の一端は、第３接続導体９に対応する位置に引き出されて、積層体２Ｂの端面２ｂに露出している。第４導体パターンＰ２４の他端は、第４接続導体１０に対応する位置に引き出されて、積層体２Ｂの端面２ｂに露出している。第４導体パターンＰ２３は、積層方向から見て第１〜第３導体パターンＰ２１〜Ｐ２３よりも外形が小さく形成されている。
【００８７】
また、絶縁体層Ｓ５上には、第１及び第２接続導体７，８に対応する位置に、ダミーパターンＤＰ４７，ＤＰ４８が形成されている。ダミーパターンＤＰ４７，ＤＰ４８は、略矩形状を呈しており、第１及び第２接続導体７，８に対応する位置で積層体２Ｂの端面２ａにそれぞれ露出している。
【００８８】
絶縁体層Ｓ６上には、第５導体パターン（第２の内部導体）Ｐ２５が形成されている。第５導体パターンＰ２５は、絶縁体層Ｓ６上において積層体２Ｂの端面２ｂ及び側面２ｃに沿って略Ｌ字状に形成されている。第５導体パターンＰ２５の一端は、第３接続導体９に対応する位置に引き出されて、積層体２Ｂの端面２ｂに露出している。第５導体パターンＰ２５の他端は、第２外部電極４に対応する位置に引き出されて、積層体２の側面２ｄ側に露出している。
【００８９】
また、絶縁体層Ｓ６上には、第１、第２及び第４接続導体７，８，１０に対応する位置に、ダミーパターンＤＰ４９，ＤＰ５０，ＤＰ５１が形成されている。ダミーパターンＤＰ４９〜ＤＰ５０は、略矩形状を呈しており、第１、第２及び第４接続導体７，８，１０に対応する位置で積層体２Ｂの端面２ａ，２ｂにそれぞれ露出している。
【００９０】
絶縁体層Ｓ７上には、第１〜第４接続導体７〜１０に対応する位置に、ダミーパターンＤＰ５２，ＤＰ５３，ＤＰ５４，ＤＰ５５が形成されている。ダミーパターンＤＰ５２〜ＤＰ５５は、略矩形状を呈しており、第１〜第４接続導体７〜１０に対応する位置で積層体２Ｂの端面２ａ，２ｂにそれぞれ露出している。
【００９１】
積層体２では、第１導体パターンＰ２１〜第５導体パターンＰ２５が積層されることにより、一定の方向に巻回された第１コイルＬ１が構成される。
【００９２】
第２インダクタ部３１は、絶縁体層Ｓ１０〜Ｓ１４上に形成されたパターンの異なる第６〜第１０導体パターンＰ２６〜Ｐ３０が積層されて構成されている。第２インダクタ部３１には、第６〜第１０導体パターンＰ２６〜Ｐ３０が積層されることにより、第２コイルＬ２（図６参照）が構成されている。第１コイルＬ１と第２コイルＬ２とは、絶縁体層Ｓの面内方向において回転対称をなしている。なお、絶縁体層Ｓ７と絶縁体層Ｓ９との間には、単数又は複数枚（図中は２枚）の絶縁体層Ｓ８が積層されている。
【００９３】
絶縁体層Ｓ９上には、第５〜第８接続導体１１〜１４に対応する位置に、ダミーパターンＤＰ５６，ＤＰ５７，ＤＰ５８，ＤＰ５９が形成されている。ダミーパターンＤＰ５６〜ＤＰ５９は、略矩形状を呈しており、第５〜第８接続導体１１〜１４に対応する位置で積層体２Ｂの端面２ａ，２ｂにそれぞれ露出している。
【００９４】
絶縁体層Ｓ１０上には、第６導体パターン（第４の内部導体）Ｐ２６が形成されている。第６導体パターンＰ２６は、絶縁体層Ｓ１０上において積層体２Ｂの端面２ａ及び側面２ｄに沿って略Ｌ字状に形成されている。第６導体パターンＰ２６の一端は、第４外部電極６に対応する位置に引き出されて、積層体２Ｂの側面２ｄ側に露出している。第６導体パターンＰ２６の他端は、第５接続導体１１に対応する位置に引き出されて、積層体２Ｂの端面２ａに露出している。第６導体パターンＰ２６は、第５導体パターンＰ２５と鏡像関係にある。
【００９５】
また、絶縁体層Ｓ１０上には、第６〜第８接続導体１２〜１４に対応する位置に、ダミーパターンＤＰ６０，ＤＰ６１，ＤＰ６２が形成されている。ダミーパターンＤＰ６０〜ＤＰ６２は、略矩形状を呈しており、第６〜第８接続導体１２〜１４に対応する位置で積層体２Ｂの端面２ａ，２ｂにそれぞれ露出している。
【００９６】
絶縁体層Ｓ１１上には、第７導体パターン（第６の内部導体）Ｐ２７が形成されている。第７導体パターンＰ２７は、絶縁体層Ｓ１１上において積層体２Ｂの側面２ｃ，２ｄに沿って略コ字状に形成されている。第７導体パターンＰ２７の一端は、第５接続導体１１に対応する位置に引き出されて、積層体２Ｂの端面２ａに露出している。第７導体パターンＰ２７の他端は、第６接続導体１４に対応する位置に引き出されて、積層体２Ｂの端面２ａに露出している。第７導体パターンＰ２７は、第４導体パターンＰ２４と鏡像関係にある。また、第７導体パターンＰ２７は、積層方向から見て後述する第８〜第１０導体パターンＰ２８〜Ｐ３０よりも外形が小さく形成されている。
【００９７】
また、絶縁体層Ｓ１１上には、第７及び第８接続導体１３，１４に対応する位置に、ダミーパターンＤＰ６３，ＤＰ６４が形成されている。ダミーパターンＤＰ６３，ＤＰ６４は、略矩形状を呈しており、第７及び第８接続導体１３，１４に対応する位置で積層体２Ｂの端面２ｂにそれぞれ露出している。
【００９８】
絶縁体層Ｓ１２上には、第８導体パターン（第６の内部導体）Ｐ２８が形成されている。第８導体パターンＰ２８は、絶縁体層Ｓ１２上において積層体２Ｂの端面２ａ，２ｂ及び側面２ｃに沿って略コ字状に形成されている。第８導体パターンＰ２８の一端は、第６接続導体１２に対応する位置に引き出されて、積層体２Ｂの端面２ａに露出している。第８導体パターンＰ２８の他端は、第８接続導体１４に対応する位置に引き出されて、積層体２Ｂの端面２ｂに露出している。第８導体パターンＰ２８は、第３導体パターンＰ２３と鏡像関係にある。また、第８導体パターンＰ２８は、積層方向から見て後述する第９及び第１０導体パターンＰ２９，Ｐ３０よりも外形が小さく、且つ第７導体パターンＰ２７よりも外形が大きく形成されている。
【００９９】
また、絶縁体層Ｓ１２上には、第５及び第７接続導体１１，１３に対応する位置に、ダミーパターンＤＰ６５，ＤＰ６６が形成されている。ダミーパターンＤＰ６５，ＤＰ６６は、略矩形状を呈しており、第５及び第７接続導体１１，１３に対応する位置で積層体２Ｂの端面２ａ，２ｂにそれぞれ露出している。
【０１００】
絶縁体層Ｓ１３上には、第９導体パターン（第６の内部導体）Ｐ２９が形成されている。第９導体パターンＰ２９は、絶縁体層Ｓ１３上において略環状に形成されている。第９導体パターンＰ２９の一端は、第７接続導体１３に対応する位置に引き出されて、積層体２Ｂの端面２ｂに露出している。第９導体パターンＰ２９の他端は、第８接続導体１４に対応する位置に引き出されて、積層体２Ｂの端面２ｂに露出している。第９導体パターンＰ２９は、第２導体パターンＰ２２と鏡像関係にある。また、第９導体パターンＰ２９は、積層方向から見て後述する第１０導体パターンＰ３０よりも外形が小さく、且つ第７及び第８導体パターンＰ２７，Ｐ２８よりも外形が大きく形成されている。
【０１０１】
また、絶縁体層Ｓ１３上には、第５及び第６接続導体１１，１２に対応する位置に、ダミーパターンＤＰ６７，ＤＰ６８が形成されている。ダミーパターンＤＰ６７，ＤＰ６８は、略矩形状を呈しており、第５及び第６接続導体１１，１２に対応する位置で積層体２Ｂの端面２ａにそれぞれ露出している。
【０１０２】
絶縁体層Ｓ１４上には、第１０導体パターン（第５の内部導体）Ｐ３０が形成されている。第１０導体パターンＰ３０は、絶縁体層Ｓ１４上において略環状に形成されている。第１０導体パターンＰ３０の一端は、第３外部電極５に対応する位置に引き出されて、積層体２Ｂの側面２ｃに露出している。第１０導体パターンＰ３０の他端は、第７接続導体１３に対応する位置に引き出されて、積層体２Ｂの側面２ｂに露出している。第１０導体パターンＰ３０は、第１導体パターンＰ２１と鏡像関係にある。また、第１０導体パターンＰ３０は、第７〜第９導体パターンＰ２７〜Ｐ２９よりも外形が大きく形成されている。
【０１０３】
また、絶縁体層Ｓ１４上には、第５、第６及び第８接続導体１１，１２，１４に対応する位置に、ダミーパターンＤＰ６９，ＤＰ７０，ＤＰ７１が形成されている。ダミーパターンＤＰ６９〜ＤＰ７１は、略矩形状を呈しており、第５、第６及び第８接続導体１１，１２，１４に対応する位置で積層体２Ｂの端面２ａ，２ｂにそれぞれ露出している。
【０１０４】
第６導体パターンＰ２６〜第１０導体パターンＰ３０が積層されることにより、一定の方向に巻回された第２コイルＬ２が構成される。
【０１０５】
上記構成を有する積層型電子部品１Ｂでは、第１〜第５導体パターンＰ２１〜Ｐ２５により第１コイルＬ１が構成されており、第６〜第１０導体パターンＰ２６〜Ｐ３０により第２コイルＬ２が構成されている（図６参照）。第１コイルＬ１と第２コイルＬ２とは、絶縁体層Ｓの面内方向において回転対称をなしている。また、第１コイルＬ１と第２コイルＬ２とは、電気的に独立している。積層型電子部品１Ｂは、積層型電子部品１Ａと同様の使用形態を有している。
【０１０６】
以上説明したように、本実施形態では、第１実施形態と同様の作用効果を奏することができる。すなわち、実装方向の方向性を無くしつつ、ノイズ除去効果を向上させることができる。また、本実施形態では、第１〜第５導体パターンＰ２１〜Ｐ２５、第６〜第１０導体パターンＰ２６〜Ｐ３０は、積層方向において重ならないように配置されているため、導体パターンにより生じる段差を小さくすることができ、絶縁体層Ｓ同士の接着強度を確保することができる。これにより、積層型電子部品１Ｂの構造欠陥を抑制できる。
【０１０７】
［第４実施形態］
続いて、第４実施形態について説明する。図９は、第４実施形態に係る積層型電子部品の積層体の分解斜視図である。
【０１０８】
図９に示すように、第４実施形態に係る積層型電子部品の積層体２Ｃは、第１インダクタ部２０と、第２インダクタ部２１と、コンデンサ部４０とを有している。積層体２Ｃは、コンデンサ部４０を有する点で、第１実施形態の積層体２と異なる。以下、コンデンサ部４０について説明する。
【０１０９】
コンデンサ部４０は、第１インダクタ部２０と第２インダクタ部２１との間に配置されている。コンデンサ部４０は、第１内部電極４０Ａ，４０Ｂと、第２内部電極４１Ａ，４１Ｂとを有している。
【０１１０】
コンデンサ部４０において、絶縁体層Ｓ２０上には、第１内部電極４０Ａ，４０Ｂが形成されている。第１内部電極４０Ａと第１内部電極４０Ｂとは、積層体２Ｃの長手方向において所定の間隔をあけて離間して配置されている。第１内部電極４０Ａは、略矩形状の主電極部（主面電極）４０Ａａと、主電極部４０Ａａの一辺から第１外部電極３に対応する位置において、側面２ｃに露出するように引き出された導体引出部４０Ａｂとを有している。第１内部電極４０Ｂは、略矩形状の主電極部４０Ｂａと、主電極部４０Ｂａの一辺から第２外部電極４に対応する位置において、側面２ｃに露出するように引き出された導体引出部４０Ｂｂとを有している。
【０１１１】
絶縁体層Ｓ２１上には、第２内部電極４１Ａ，４１Ｂが形成されている。第２内部電極４１Ａと第２内部電極４１Ｂとは、積層体２Ｃの長手方向において所定の間隔をあけて離間して配置されている。第２内部電極４１Ａは、略矩形状の主電極部４１Ａａと、主電極部４１Ａａの一辺から第３外部電極５に対応する位置において、側面２ｄに露出するように引き出された導体引出部４１Ａｂとを有している。第２内部電極４１Ｂは、略矩形状の主電極部４１Ｂａと、主電極部４１Ｂａの一辺から第４外部電極６に対応する位置において、側面２ｄに露出するように引き出された導体引出部４１Ｂｂとを有している。
【０１１２】
第１内部電極４０Ａと第２内部電極４１Ａとは、積層方向から見て重なる位置に対向して配置されている。第１内部電極４０Ｂと第２内部電極４１Ｂとは、積層方向から見て重なる位置に対向して配置されている。主電極部４０Ａａ、主電極部４０Ｂａ、主電極部４１Ａａ及び主電極部４１Ｂａは、積層方向から見て第１〜第１０導体パターンＰ１〜Ｐ１０と対向しない位置に配置されている。なお、第１内部電極４０Ａ，４０Ｂ、第２内部電極４１Ａ，４１Ｂが形成される絶縁体層Ｓ２０、Ｓ２１は、誘電体セラミックを含むセラミックグリーンシートの焼成物であることが好ましい。
【０１１３】
図１０は、第４実施形態に係る積層型電子部品の等価回路図である。図１０に示すように、上記構成を有する積層型電子部品では、第１コイルＬ１及び第２コイルＬ２と、第１コンデンサＣ１及び第２コンデンサＣ２とが構成される。第１コンデンサＣ１は、第１内部電極４０Ａと第２内部電極４１Ａとで構成される。第２コンデンサＣ２は、第１内部電極４０Ｂと第２内部電極４１Ｂとで構成される。第１コンデンサＣ１と第２コンデンサＣ２とは、並列に接続されている。
【０１１４】
このような積層型電子部品は、例えば、第１外部電極３及び第２外部電極４が信号ラインに接続され、第３外部電極５及び第４外部電極６がＧＮＤラインに接続されるように実装される。このように実装される積層型電子部品では、第１コイルＬ１と第１コンデンサＣ１及び第２コンデンサＣ２とでπ型回路が構成される。
【０１１５】
以上説明したように、本実施形態では、第１実施形態と同様の作用効果を奏することができる。すなわち、実装方向の方向性を無くしつつ、ノイズ除去効果を向上させることができる。
【０１１６】
また、本実施形態では、主電極部４０Ａａ、主電極部４０Ｂａ、主電極部４１Ａａ及び主電極部４１Ｂａは、積層方向から見て第１〜第１０導体パターンＰ１〜Ｐ１０と対向しない位置に配置されている。したがって、第１及第２インダクタ部２０，２１とコンデンサ部４０との結合を防止できるため、高周波ノイズを確実に減衰させることができる。
【０１１７】
［第５実施形態］
続いて、第５実施形態について説明する。図１１は、第５実施形態に係る積層型電子部品を示す斜視図である。図１２は、図１１に示す積層型電子部品の積層体の分解斜視図である。
【０１１８】
図１１に示すように、積層型電子部品１Ｄは、積層体２Ｄと、第１〜第４外部電極３〜６と、第１〜第４接続導体４５，４６，４７，４８とを備えている。第１及び第２外部電極３，４は、積層体２Ｄの側面２ｃ側に形成されており、第３及び第４外部電極５，６は、積層体２Ｄの側面２ｄ側に形成されている。第１及び第３接続導体４５，４７は、積層体２Ｄの端面２ａに形成されており、第２及び第４接続導体４６，４８は、積層体２Ｄの端面２ｂに形成されている。
【０１１９】
積層体２Ｄは、第１インダクタ部５０と、第２インダクタ部５１と、コンデンサ部４０とを有している。コンデンサ部４０は、第４実施形態に係る積層体２Ｃのコンデンサ部４０と同様の構成を有している。第１インダクタ部５０は、絶縁体層Ｓ２〜Ｓ４上に形成されたパターンの異なる第１〜第３導体パターンＰ３１〜Ｐ３３が積層されて構成されている。第１インダクタ部５０には、第１〜第３導体パターンＰ３１〜Ｐ３３により第１コイルＬ１（図１０参照）が構成されている。
【０１２０】
絶縁体層Ｓ２上には、第１導体パターン（第１の内部導体）Ｐ３１が形成されている。第１導体パターンＰ３１は、絶縁体層Ｓ２上において略環状に形成されている。第１導体パターンＰ３１の一端は、第１外部電極３に対応する位置に引き出されて、積層体２Ｄの側面２ｃに露出している。第１導体パターンＰ３１の他端は、第１接続導体４５に対応する位置に引き出されて、積層体２Ｄの端面２ａに露出している。
【０１２１】
また、絶縁体層Ｓ２上には、第２接続導体４６に対応する位置に、ダミーパターンＤＰ８０が形成されている。ダミーパターンＤＰ８０は、略矩形状を呈しており、第２接続導体４６に対応する位置で積層体２Ｄの端面２ｂにそれぞれ露出している。
【０１２２】
絶縁体層Ｓ３上には、第２導体パターン（第３の内部導体）Ｐ３２が形成されている。第２導体パターンＰ３２は、絶縁体層Ｓ３上において積層体２Ｄの端面２ａ，２ｂ及び側面２ｃに沿って略コ字状に形成されている。第２導体パターンＰ２の一端は、第１接続導体４５に対応する位置に引き出されて、積層体２Ｄの端面２ａに露出している。第２導体パターンＰ３２の他端は、第２接続導体４６に対応する位置に引き出されて、積層体２Ｄの端面２ｂに露出している。
【０１２３】
絶縁体層Ｓ４上には、第３導体パターン（第２の内部導体）Ｐ３３が形成されている。第３導体パターンＰ３３は、絶縁体層Ｓ４上において略環状に形成されている。第３導体パターンＰ３３の一端は、第２外部電極４に対応する位置に引き出されて、積層体２Ｄの側面２ｃに露出している。第３導体パターンＰ３３の他端は、第２接続導体４６に対応する位置に引き出されて、積層体２Ｄの端面２ｂに露出している。
【０１２４】
また、絶縁体層Ｓ４上には、第１接続導体４５に対応する位置に、ダミーパターンＤＰ８１が形成されている。ダミーパターンＤＰ８１は、略矩形状を呈しており、第１接続導体４５に対応する位置で積層体２Ｄの端面２ａに露出している。
【０１２５】
第２インダクタ部５１は、絶縁体層Ｓ６〜Ｓ８上に形成されたパターンの異なる第４〜第６導体パターンＰ３４〜Ｐ３６が積層されて構成されている。第２インダクタ部５１には、第４〜第６導体パターンＰ３４〜Ｐ３６が積層されることにより、第２コイルＬ２（図１０参照）が構成されている。第１コイルＬ１と第２コイルＬ２とは、絶縁体層Ｓの面内方向において回転対称をなしている。
【０１２６】
絶縁体層Ｓ６上には、第４導体パターン（第４の内部導体）Ｐ３４が形成されている。第４導体パターンＰ３４は、絶縁体層Ｓ６上において略環状に形成されている。第４導体パターンＰ３４の一端は、第３接続導体４７に対応する位置に引き出されて、積層体２Ｄの端面２ａに露出している。第４導体パターンＰ３４の他端は、第３外部電極５に対応する位置に引き出されて、積層体２Ｄの側面２ｄに露出している。第４導体パターンＰ３４は、誘電体層Ｓの面内方向において第３導体パターンＰ３３と回転対称に形成されており、且つ第３導体パターンＰ３３と鏡像の関係にある。
【０１２７】
また、絶縁体層Ｓ６上には、第４接続導体４８に対応する位置に、ダミーパターンＤＰ８２が形成されている。ダミーパターンＤＰ８２は、略矩形状を呈しており、第４接続導体４８に対応する位置で積層体２Ｄの端面２ｂに露出している。
【０１２８】
絶縁体層Ｓ７上には、第５導体パターン（第６の内部導体）Ｐ３５が形成されている。第５導体パターンＰ３５は、絶縁体層Ｓ７上において積層体２の端面２ａ，２ｂ及び側面２ｄに沿って略コ字状に形成されている。第５導体パターンＰ３５の一端は、第３接続導体４７に対応する位置に引き出されて、積層体２Ｄの端面２ａに露出している。第５導体パターンＰ３５の他端は、第４接続導体４８に対応する位置に引き出されて、積層体２Ｄの端面２ｂに露出している。第５導体パターンＰ３５は、誘電体層Ｓの面内方向において第２導体パターンＰ３２と回転対称に形成されており、且つ第２導体パターンＰ３２と鏡像関係にある。
【０１２９】
絶縁体層Ｓ８上には、第６導体パターン（第５の内部導体）Ｐ３６が形成されている。第６導体パターンＰ３６は、絶縁体層Ｓ８上において略環状に形成されている。第６導体パターンＰ３６の一端は、第４接続導体４８に対応する位置に引き出されて、積層体２Ｄの端面２ｂに露出している。第６導体パターンＰ３６の他端は、第４外部電極６に対応する位置に引き出されて、積層体２の側面２ｄに露出している。第６導体パターンＰ３６は、誘電体層Ｓの面内方向において第１導体パターンＰ３１と回転対称に形成されており、且つ第１導体パターンＰ３１と鏡像関係にある。
【０１３０】
また、絶縁体層Ｓ８上には、第３接続導体４７に対応する位置に、ダミーパターンＤＰ８３が形成されている。ダミーパターンＤＰ８３は、略矩形状を呈しており、第３接続導体４７に対応する位置で積層体２Ｄの端面２ａに露出している。
【０１３１】
上記の構成を有する積層型電子部品１Ｄでは、第４実施形態に係る積層型電子部品と同様の等価回路を有する。すなわち、図１０に示すように、積層型電子部品１Ｄでは、第１コイルＬ１及び第２コイルＬ２と、第１コンデンサＣ１及び第２コンデンサＣ２とが構成される。第１コンデンサＣ１は、第１内部電極４０Ａと第２内部電極４１Ａとで構成される。第２コンデンサＣ２は、第１内部電極４０Ｂと第２内部電極４１Ｂとで構成される。第１コンデンサＣ１と第２コンデンサＣ２とは、並列に接続されている。
【０１３２】
このような積層型電子部品１Ｄは、例えば、第１外部電極３及び第２外部電極４が信号ラインに接続され、第３外部電極５及び第４外部電極６がＧＮＤラインに接続されるように実装される。このように実装される積層型電子部品１Ｄでは、第１コイルＬ１と第１コンデンサＣ１及び第２コンデンサＣ２とでπ型回路が構成される。
【０１３３】
以上説明したように、本実施形態では、第１実施形態と同様の作用効果を奏することができる。すなわち、実装方向の方向性を無くしつつ、ノイズ除去効果を向上させることができる。
【０１３４】
［第６実施形態］
続いて、第６実施形態について説明する。図１３は、第６実施形態に係る積層型電子部品を示す斜視図である。図１４は、図１３に示す積層型電子部品の積層体の分解斜視図である。
【０１３５】
図１３に示すように、積層型電子部品１Ｅは、積層体２Ｅと、第１〜第４外部電極３〜６と、第１〜第８接続導体７〜１４と、コンデンサ接続導体（第３の接続導体、第４の接続導体）６０，６１とを備えている。第１及び第２外部電極３，４は、積層体２Ｅの側面２ｃ側に形成されており、第４及び第５外部電極５，６は、積層体２の側面２ｄ側に形成されている。コンデンサ接続導体６０は、第１及び第２外部電極３，４の間に形成されており、コンデンサ接続導体６１は、第３及び第４外部電極５，６の間に形成されている。
【０１３６】
積層体２Ｅは、第１インダクタ部２０Ａと、第２インダクタ部２１Ａと、コンデンサ部５２とを有している。コンデンサ部５２は、第１インダクタ部２０Ａと第２インダクタ部２１Ａとの間に配置されている。コンデンサ部５２は、第１内部電極５３と、第２内部電極５４とから構成されている。
【０１３７】
第１インダクタ部２０Ａにおいて、絶縁体層Ｓ４上には、第３導体パターンＰ３Ａが形成されている。第３導体パターンＰ３Ａは、絶縁体層Ｓ４上において積層体２Ｅの端面２ａ，２ｂ及び側面２ｃに沿って略コ字状に形成されている。第３導体パターンＰ３Ａの一端は、第２接続導体８に対応する位置に引き出されて、積層体２Ｅの端面２ａに露出している。第３導体パターンＰ３Ａの他端は、第４接続導体１０に対応する位置に引き出されて、積層体２Ｅの端面２ｂに露出している。第３導体パターンＰ３Ａにおける側面２ｃに沿った部分の中央部には、引出パターンＰ３Ａａが形成されている。引出パターンＰ３Ａａは、コンデンサ接続導体６０に対応する位置に引き出されて、積層体２Ｅの側面２ｃに露出している。
【０１３８】
第２インダクタ部２１Ａにおいて、絶縁体層Ｓ１０上には、第８導体パターンＰ８Ａが形成されている。第８導体パターンＰ８Ａは、絶縁体層Ｓ１０上において積層体２Ｅの端面２ａ，２ｂ及び側面２ｄに沿って略コ字状に形成されている。第８導体パターンＰ８Ａの一端は、第５接続導体１１に対応する位置に引き出されて、積層体２Ｅの端面２ａに露出している。第８導体パターンＰ８Ａの他端は、第７接続導体１３に対応する位置に引き出されて、積層体２Ｅの端面２ｂに露出している。第８導体パターンＰ８Ａにおける側面２ｄに沿った部分の中央部には、引出パターンＰ８Ａａが形成されている。引出パターンＰ８Ａａは、コンデンサ接続導体６１に対応する位置に引き出されて、積層体２Ｅの側面２ｄに露出している。
【０１３９】
コンデンサ部５２において、絶縁体層Ｓ２２上には、第１内部電極５３が形成されている。第１内部電極５３は、絶縁体層Ｓ２２の中央部に配置される略矩形状の主電極部５３ａと、主電極部５３ａの一辺からコンデンサ接続導体６０に対応する位置において側面２ｃに露出するように引き出された導体引出部５３ｂとを有している。
【０１４０】
絶縁体層Ｓ２３上には、第２内部電極５４が形成されている。第２内部電極５４は、絶縁体層Ｓ２３の中央部に配置される略矩形状の主電極部５４ａと、主電極部５４ａの一辺からコンデンサ接続導体６１に対応する位置において側面２ｄに露出するように引き出された導体引出部５４ｂとを有している。主電極部５３ａと主電極部５４ａとは、積層方向から見て重なる位置に対向して配置されている。また、主電極部５３ａ及び主電極部５４ａは、積層方向から見て第１〜第１０導体パターンＰ１〜Ｐ１０と対向しない位置に配置されている。なお、第１内部電極５３、第２内部電極５４が形成される絶縁体層Ｓ２２、Ｓ２３は、誘電体セラミックを含むセラミックグリーンシートの焼成物であることが好ましい。
【０１４１】
図１５は、積層型電子部品の等価回路図である。図１５に示すように、積層型電子部品１Ｅでは、第１コイルＬ１、第２コイルＬ２、第３コイルＬ３及び第４コイルＬ４と、コンデンサＣ１とが構成される。コンデンサＣ１は、第１内部電極５３と第２内部電極５３とで構成される。
【０１４２】
このような積層型電子部品は、例えば、第１及び第２外部電極３，４が信号ラインに接続され、少なくともコンデンサ接続導体６１がＧＮＤラインに接続されるように実装される（なお、第３及び第４外部電極５，６がＧＮＤラインに接続されてもよい）。このように実装される積層型電子部品１Ｅでは、第１コイルＬ１及び第２コイルＬ２とコンデンサＣ１とでＴ型回路が構成される。
【０１４３】
以上説明したように、本実施形態では、第１実施形態と同様の作用効果を奏することができる。すなわち、実装方向の方向性を無くしつつ、ノイズ除去効果を向上させることができる。
【０１４４】
また、本実施形態では、主電極部５３ａ及び主電極部５４ａは、積層方向から見て第１〜第１０導体パターンＰ１〜Ｐ１０と対向しない位置に配置されている。したがって、第１及第２インダクタ部２０Ａ，２１Ａとコンデンサ部５０との結合を防止できるため、高周波ノイズを確実に減衰させることができる。
【０１４５】
本発明は上記実施形態に限定されるものではない。本発明は、その要旨を逸脱しない範囲で様々な変形が可能である。
【符号の説明】
【０１４６】
１，１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｅ…積層型電子部品、２，２Ａ，２Ｂ，２Ｃ，２Ｄ，２Ｅ…積層体、２ａ，２ｂ…端面（第３及び第４の側面）、２ｃ，２ｄ…側面（第１及び第２の側面）、３，４…外部電極（第１の外部電極）、５，６…外部電極（第２の外部電極）、７〜１０…第１〜第４接続導体（第１の接続導体）、１１〜１４…第５〜第８接続導体（第２の接続導体）、２０，２０Ａ，２８、３０…第１インダクタ部、２１，２１Ａ，２９，３１…第２インダクタ部、２４，２５…第１及び第２接続導体（第１の接続導体）、２６，２７…第３及び第４接続導体（第２の接続導体）、４５，４６…第１及び第２接続導体（第１の接続導体）、４７，４８…第３及び第４接続導体（第２の接続導体）、６０…コンデンサ接続導体（第３の接続導体）、６１…コンデンサ接続導体（第４の接続導体）、Ｐ１，Ｐ１１，Ｐ２１，Ｐ３１…第１導体パターン（第１の内部導体）、Ｐ２〜Ｐ４，Ｐ１２，Ｐ２２〜２４Ｐ３２…導体パターン（第３の内部導体）、Ｐ５，Ｐ１３，Ｐ２５，Ｐ３３…導体パターン（第２の内部導体）、Ｐ６，Ｐ１４，Ｐ２６，Ｐ３４…導体パターン（第４の内部導体）、Ｐ７〜Ｐ９，Ｐ１５，Ｐ２７〜Ｐ２９，Ｐ３５…導体パターン（第６の内部電極）、Ｐ１０，Ｐ１６，Ｐ３０，Ｐ３６…導体パターン（第５の内部電極）、Ｓ…誘電体層。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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