(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の絶縁層と電極パターンとを積層した第１ないし第４の側面を有する積層体を有し、共通入出力電極と個別入出力電極と外部グランド電極とが底面に形成された分配合成器と、
内部に前記分配合成器が配置されるシールドケースを備え、
前記第１の側面と前記第２の側面とは対向し、
前記共通入出力電極は、前記底面における前記第１の側面側の縁に配置され、
前記個別入出力電極は、前記底面における前記第２の側面側の縁に配置され、
前記第３または前記第４の側面が前記シールドケースの側面に最も近接して対向する高周波モジュール部品。
【請求項２】
前記個別入出力電極はローバンド用入出力電極およびハイバンド用入出力電極を有し、
前記ローバンド用入出力電極は前記第３の側面側に配置され、
前記ハイバンド用入出力電極は前記第４の側面側に配置され、
前記分配合成器は、前記積層体の内部に形成された、ローバンド用フィルタ回路とハイバンド用フィルタ回路とを有し、
前記ローバンド用フィルタ回路は、前記第３の側面側に配置され、前記共通入出力電極と前記ローバンド用入出力電極との間に接続され、
前記ハイバンド用フィルタ回路は、前記第４の側面側に配置され、前記共通入出力電極と前記ハイバンド用入出力電極との間に接続され、
前記第３の側面が前記シールドケースの側面に最も近接して対向する、請求項１に記載の高周波モジュール部品。
【請求項３】
前記分配合成器が実装される矩形平板状の基板を備え、
前記シールドケースの側面は前記基板の縁に沿って配置され、
前記分配合成器は前記基板の４隅のいずれかに配置され、
前記第１の側面は、前記第２の側面に比べて前記シールドケースの側面に近接して対向する、請求項１または２に記載の高周波モジュール部品。
【請求項４】
前記共通入出力電極は前記底面から前記第１の側面に伸長し、前記外部グランド電極は前記底面から前記第１ないし前記第４の側面のいずれかに伸長する、請求項１ないし３のいずれかに記載の高周波モジュール部品。
【請求項５】
前記第１の側面と前記シールドケースの側面とは２００μｍ以上離れて対向する、請求項３または４に記載の高周波モジュール部品。
【請求項６】
前記分配合成器と前記シールドケースとの間を充たす樹脂を備え、
前記シールドケースは金属で構成される、請求項１ないし５のいずれかに記載の高周波モジュール部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、分配合成器を備える高周波モジュール部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
分配合成器を備える高周波モジュール部品は無線通信装置等で使用される。このような高周波モジュール部品として、例えば、特許文献１に記載されたものがある。特許文献１に記載の高周波モジュール部品は、基板、分配合成器およびシールドケースを備える。分配合成器は基板上に実装されている。シールドケースは、基板上に実装された部品を覆うように、基板上に配置されている。シールドケースは、外部からのノイズを遮断するために、または、高周波モジュール部品内から放出されるノイズを外部に漏らさないために、設けられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００３−２４９８６８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
シールドケースと分配合成器とが近接された位置に配置された場合、シールドケースと分配合成器の外部電極との間に浮遊容量が生じることがある。この場合、分配合成器のフィルタ特性が劣化するおそれがある。そこで、特許文献１に記載の高周波モジュール部品では、シールドケースから所定の距離だけ離れた位置に、分配合成器を配置している。【０００５】
しかし、この場合、分配合成器と高周波モジュール部品の外部出力電極とを接続する配線パターンが長くなるため、配線パターンでの伝送損失が大きくなる。また、シールドケースと分配合成器との間にスペースが必要となるため、高周波モジュール部品のサイズが大きくなる。【０００６】
本発明の目的は、分配合成器をシールドケースに近接した位置に配置しても、分配合成器のフィルタ特性が劣化しない、高周波モジュール部品を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
（１）本発明の高周波モジュール部品は分配合成器およびシールドケースを備える。分配合成器は、複数の絶縁層と電極パターンとを積層した第１ないし第４の側面を有する積層体からなり、共通入出力電極と個別入出力電極と外部グランド電極とが底面に形成されている。分配合成器はシールドケースの内部に配置される。第１の側面と第２の側面とは対向する。共通入出力電極は底面における第１の側面側の縁に配置される。個別入出力電極は底面における第２の側面側の縁に配置される。第３または第４の側面がシールドケースの側面に最も近接して対向する。【０００８】
この構成では、シールドケースと共通入出力電極および個別入出力電極との間に浮遊容量が生じない。このため、分配合成器とシールドケースとを近接させても、分配合成器のフィルタ特性はほとんど劣化しない。そして、分配合成器とシールドケースとを近接させることができるため、分配合成器とシールドケースとの間にスペースを必要としない。このため、高周波モジュール部品の小型化が可能となる。【０００９】
（２）本発明の高周波モジュール部品は次の特徴を有することが好ましい。個別入出力電極はローバンド用入出力電極およびハイバンド用入出力電極を有する。ローバンド用入出力電極は第３の側面側に配置される。ハイバンド用入出力電極は第４の側面側に配置される。分配合成器は、積層体の内部に形成された、ローバンド用フィルタ回路とハイバンド用フィルタ回路とを有する。ローバンド用フィルタ回路は、第３の側面側に配置され、共通入出力電極とローバンド用入出力電極との間に接続される。ハイバンド用フィルタ回路は、第４の側面側に配置され、共通入出力電極とハイバンド用入出力電極との間に接続される。第３の側面がシールドケースの側面に最も近接して対向する。【００１０】
この構成では、ローバンド用フィルタ回路を構成する電極パターンと、シールドケースとの間に浮遊容量が生じる。一方、ローバンド用フィルタ回路を構成するキャパシタおよびインダクタの素子値は、ハイバンド用フィルタ回路を構成するキャパシタおよびインダクタの素子値に比べて大きい。このため、ローバンド用フィルタ回路が浮遊容量から受ける影響は、ハイバンド用フィルタ回路の場合に比べて小さい。従って、この構成では、第４の側面がシールドケースの側面に最も近接して対向する場合に比べて、分配合成器のフィルタ特性が劣化しない。【００１１】
（３）本発明の高周波モジュール部品は次の特徴を有することが好ましい。高周波モジュール部品は、分配合成器が実装される矩形平板状の基板を備える。シールドケースの側面は基板の縁に沿って配置される。分配合成器は基板の４隅のいずれかに配置される。第１の側面は第２の側面に比べてシールドケースの側面に近接して対向する。【００１２】
この構成では、共通入出力電極と、基板の縁に形成される外部出力電極との間の配線パターンが短くなるため、この配線パターンでの伝送損失を低減することができる。また、共通入出力電極とシールドケースとの間に生じる浮遊容量を使用して、整合回路を設計することができる。【００１３】
（４）共通入出力電極は前記底面から第１の側面に伸長し、外部グランド電極は前記底面から第１ないし第４の側面のいずれかに伸長することが好ましい。【００１４】
この構成でも、分配合成器とシールドケースとを近接させたとき、分配合成器のフィルタ特性はほとんど劣化しない。【００１５】
（５）第１の側面とシールドケースの側面とは２００μｍ以上離れて対向することが好ましい。【００１６】
この構成では、分配合成器とシールドケースとを近接させたときに分配合成器のフィルタ特性が劣化することをさらに抑制することができる。【００１７】
（６）分配合成器とシールドケースとの間を充たす樹脂を備え、シールドケースは金属からなることが好ましい。【００１８】
対向電極間に樹脂が満たされている場合、対向電極間に空気が満たされている場合に比べて、対向電極間に生じる静電容量は大きくなる。このため、この構成では本発明の効果が顕著となる。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、分配合成器をシールドケースに近接した位置に配置しても、分配合成器のフィルタ特性が劣化しない。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】高周波モジュール部品１０の要部を示す側面断面図である。
【図２】分配合成器２０の等価回路図である。
【図３】図３（Ａ）は分配合成器２０の外観斜視図である。図３（Ｂ）は分配合成器２０の底面図である。
【図４】分配合成器２０の分解斜視図である。
【図５】図５（Ａ）は、高周波モジュール部品１０の要部を示す平面断面図である。図５（Ｂ）は、高周波モジュール部品４０の要部を示す平面断面図である。
【図６】図６（Ａ）は、高周波モジュール部品５０の要部を示す平面断面図である。図６（Ｂ）は、高周波モジュール部品５１の要部を示す平面断面図である。
【図７】高周波モジュール部品５０における分配合成器２０の反射特性を示す図である。
【図８】高周波モジュール部品５１における分配合成器２０の反射特性を示す図である。
【図９】高周波モジュール部品１０における分配合成器２０の反射特性を示す図である。
【図１０】高周波モジュール部品４０における分配合成器２０の反射特性を示す図である。
【図１１】ハイバンド用入出力端子Ｐ３の反射特性の絶対値を示す図である。
【図１２】図１２（Ａ）は、分配合成器２０とシールドケース１２との間に生じる浮遊容量を説明するための概念図である。図１２（Ｂ）は、分配合成器２０とシールドケース１２との間に生じる浮遊容量を説明するための等価回路図である。
【図１３】分配合成器２０とシールドケース１２との間に生じる浮遊容量を説明するための概念図である。
【図１４】ローパスフィルタＬＰＦ１による２倍波の減衰量の絶対値を示す図である。
【図１５】ハイバンド用入出力端子Ｐ３の反射特性の絶対値を示す図である。
【図１６】図１６（Ａ）は、高周波モジュール部品６０の要部を示す平面断面図である。図１６（Ｂ）は、高周波モジュール部品７０の要部を示す平面断面図である。
【図１７】高周波モジュール部品８０の要部を示す側面断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
《第１の実施形態》
本発明の第１の実施形態に係る高周波モジュール部品１０について説明する。高周波モジュール部品１０は、例えば、無線通信装置等で使用される。図１は高周波モジュール部品１０の要部を示す側面断面図である。高周波モジュール部品１０は、基板１１、シールドケース１２、ＲＦＩＣ（Radio Frequency Integrated Circuit）１３、高周波部品１４、外部出力電極１５ａ，１５ｂおよび分配合成器２０を備える。高周波部品１４は、例えば、スイッチＩＣ、パワーアンプ、低雑音増幅器、フィルタ等である。
【００２２】
略矩形状平板の基板１１の第１主面には、ＲＦＩＣ１３、高周波部品１４および分配合成器２０が実装されている。分配合成器２０は基板１１の縁に配置されている。シールドケース１２は、蓋状の金属であり、枠状の側面部１２１および略矩形平板状の底面部１２２からなる。シールドケース１２は、外部からのノイズを遮断するとともに、基板１１上に実装された部品から放出されるノイズが外部に漏れることを抑制する。シールドケース１２の側面部１２１が基板１１の縁に沿って配置されることにより、基板１１およびシールドケース１２は筐体を構成する。ＲＦＩＣ１３、高周波部品１４、分配合成器２０はこの筐体の内部に配置されている。分配合成器２０とシールドケース１２とは近接した位置に配置されている。
【００２３】
基板１１の第２主面の縁に、外部出力電極１５ａ，１５ｂが形成されている。分配合成器２０と外部出力電極１５ａとは、基板１１の第１主面に垂直な方向から見て、近接している。分配合成器２０は外部出力電極１５ａを介してアンテナに接続される。
【００２４】
この構成では、分配合成器２０と外部出力電極１５ａとを接続する配線パターンが短くなるため、この配線パターンでの伝送損失を小さくすることができる。また、分配合成器２０とシールドケース１２との間にスペースを必要としないため、高周波モジュール部品の小型化が可能となる。
【００２５】
図２は、分配合成器２０の等価回路図である。分配合成器２０は、ローパスフィルタＬＰＦ１、バンドパスフィルタＢＰＦ１、共通入出力端子Ｐ１、ローバンド用入出力端子Ｐ２、およびハイバンド用入出力端子Ｐ３を備える。ローパスフィルタＬＰＦ１は本発明のローバンド用フィルタ回路に相当する。バンドパスフィルタＢＰＦ１は本発明のハイバンド用フィルタ回路に相当する。
【００２６】
ローパスフィルタＬＰＦ１は共通入出力端子Ｐ１とローバンド用入出力端子Ｐ２との間に接続されている。バンドパスフィルタＢＰＦ１は共通入出力端子Ｐ１とハイバンド用入出力端子Ｐ３との間に接続されている。ローバンドの高周波信号は共通入出力端子Ｐ１とローバンド用入出力端子Ｐ２との間を伝送する。ハイバンドの高周波信号は共通入出力端子Ｐ１とハイバンド用入出力端子Ｐ３との間を伝送する。共通入出力端子Ｐ１はアンテナ（図示せず）に接続され、ローバンド用入出力端子Ｐ２およびハイバンド用入出力端子Ｐ３はＲＦＩＣ（図示せず）または高周波部品（図示せず）に接続される。
【００２７】
図３（Ａ）は分配合成器２０の外観斜視図である。図３（Ｂ）は分配合成器２０の底面図である。分配合成器２０は、共通入出力電極２１、ローバンド用入出力電極２２、ハイバンド用入出力電極２３、外部グランド電極２４ａ〜２４ｃおよび積層体３０を備える。ローバンド用入出力電極２２およびハイバンド用入出力電極２３は、本発明の個別入出力電極を構成している。
【００２８】
共通入出力電極２１は、図２に示した共通入出力端子Ｐ１に相当する。ローバンド用入出力電極２２は、図２に示したローバンド用入出力端子Ｐ２に相当する。ハイバンド用入出力電極２３は、図２に示したハイバンド用入出力端子Ｐ３に相当する。
【００２９】
積層体３０は複数の絶縁層および電極パターンを積層してなる。積層体３０は、略直方体状であり、積層方向に垂直な天面３５および底面３６と、積層方向に平行な側面３１〜３４とを有する。側面３１と側面３２とが対向し、側面３３と側面３４とが対向する。側面３１，３２は天面３５の長手方向に平行であり、側面３３，３４は天面３５の短手方向に平行である。側面３１は本発明の第１の側面である。側面３２は本発明の第２の側面である。側面３３は本発明の第３の側面である。側面３４は本発明の第４の側面である。
【００３０】
共通入出力電極２１および外部グランド電極２４ａ，２４ｂは、所定の間隔だけ互いに離れ、積層体３０の側面３１に形成されている。共通入出力電極２１は外部グランド電極２４ａ，２４ｂの間に配置されている。ローバンド用入出力電極２２は外部グランド電極２４ａに対向して、ハイバンド用入出力電極２３は外部グランド電極２４ｂに対向して、外部グランド電極２４ｃは共通入出力電極２１に対向して、それぞれ積層体３０の側面３２に形成されている。ローバンド用入出力電極２２は側面３３側に、ハイバンド用入出力電極２３は側面３４側に、それぞれ配置されている。共通入出力電極２１、ローバンド用入出力電極２２、ハイバンド用入出力電極２３および外部グランド電極２４ａ〜２４ｃは、積層体３０の天面３５から側面３１または側面３２を通り、底面３６に伸長するように形成されている。
【００３１】
なお、共通入出力電極２１、ローバンド用入出力電極２２、ハイバンド用入出力電極２３および外部グランド電極２４ａ〜２４ｃは、側面３１〜３４および天面３５に形成されなくてもよい。例えば、図３（Ｂ）に示すような配置で、底面３６にのみ形成されてもよい。
【００３２】
図４は分配合成器２０の分解斜視図である。各絶縁層に形成された線状電極パターンがビア導体で接続されることにより、インダクタが形成されている。各絶縁層に形成された平板状電極パターンが絶縁層を介して対向することにより、キャパシタが形成されている。
【００３３】
天面３５の長手方向の第１端側（側面３３側）に、ローパスフィルタＬＰＦ１を構成する電極パターンが主に形成されている。天面３５の長手方向の第２端側（側面３４側）に、バンドパスフィルタＢＰＦ１を構成する電極パターンが主に形成されている。これにより、ローパスフィルタＬＰＦ１を構成する電極パターンは、積層方向から見て、バンドパスフィルタＢＰＦ１を構成する電極パターンに重ならない。このため、ローパスフィルタＬＰＦ１とバンドパスフィルタＢＰＦ１とが電磁気的に結合することが抑制される。この結果、分配合成器２０のアイソレーション特性を向上させることができる。
【００３４】
また、積層方向の第１端側（天面３５側）に、インダクタを構成する線状電極パターンが主に形成されている。積層方向の第２端側（底面３６側）に、キャパシタを構成する平板状電極パターンが主に形成されている。これにより、線状電極パターンの周りに発生する磁界が平板状電極パターンにより妨げられることが抑制される。このため、分配合成器２０のＱ値を向上させることができる。
【００３５】
また、各電極パターンを積層方向から挟むように、最上層および最下層付近の絶縁層にグランド電極２５が形成されている。グランド電極２５は、略平板状電極パターンであり、外部グランド電極２４ａ〜２４ｃに接続されている。なお、グランド電極２５を配置することによる効果については後述する。
【００３６】
図５（Ａ）は、高周波モジュール部品１０の要部を示す平面断面図である。分配合成器２０はシールドケース１２に近接して配置されている。分配合成器２０の側面３１〜３４のうち、側面３３がシールドケース１２の側面に最も近接して対向している。分配合成器２０の側面３３とシールドケース１２の側面とは距離Ｌだけ離れている。分配合成器２０の側面３３とシールドケース１２の側面との間には、他の部品は配置されていない。なお、分配合成器２０の底面３６（図３参照）を基板１１に当接させて、分配合成器２０を基板１１に実装している。
【００３７】
分配合成器２０は図５（Ｂ）のように配置されてもよい。図５（Ｂ）は、高周波モジュール部品４０の要部を示す平面断面図である。分配合成器２０の側面３１〜３４のうち、側面３４がシールドケース１２の側面に最も近接して対向している。その他の構成は高周波モジュール部品１０と同様である。
【００３８】
次に、比較例となる高周波モジュール部品５０，５１について説明する。図６（Ａ）は、高周波モジュール部品５０の要部を示す平面断面図である。図６（Ｂ）は、高周波モジュール部品５１の要部を示す平面断面図である。
【００３９】
高周波モジュール部品５０では、分配合成器２０の側面３１〜３４のうち、側面３２がシールドケース１２の側面に最も近接して対向している。その他の構成は高周波モジュール部品１０と同様である。
【００４０】
高周波モジュール部品５１では、分配合成器２０の側面３１〜３４のうち、側面３１がシールドケース１２の側面に最も近接して対向している。その他の構成は高周波モジュール部品１０と同様である。
【００４１】
図７は、高周波モジュール部品５０における分配合成器２０の反射特性を示す図である。図７（Ａ）は、ローバンド用入出力端子Ｐ２の反射特性を示す図である。図７（Ｂ）は、ハイバンド用入出力端子Ｐ３の反射特性を示す図である。図７（Ｃ）は、共通入出力端子Ｐ１の反射特性を示す図である。なお、高周波モジュール部品５０の評価周波数は５００ＭＨｚから１０ＧＨｚである。
【００４２】
ここで、実線は、シールドケース１２がフィルタ特性に与える影響を考慮する必要がない場合（シールドケースがない場合、または、分配合成器２０がシールドケース１２から十分離れている場合に相当）の特性を示す。一点鎖線は、距離Ｌ（図６参照）が２００μｍである場合の特性を示す。破線は、距離Ｌが１００μｍである場合の特性を示す。点線は、距離Ｌが５０μｍである場合の特性を示す。なお、図７（Ａ）において、一点鎖線は、実線にほぼ一致するので、省略されている。
【００４３】
各端子の反射特性は、分配合成器２０とシールドケース１２とが近づくほど、シールドケース１２がない場合からずれている。具体的には、５ＧＨｚ付近における、図７（Ｂ）に示すハイバンド用入出力端子Ｐ３の反射特性が顕著に悪化している。すなわち、シールドケース１２と積層体３０の側面３２とが対向している場合、シールドケース１２は分配合成器２０のフィルタ特性に大きな影響を与える。
【００４４】
図８は、高周波モジュール部品５１における分配合成器２０の反射特性を示す図である。図８（Ａ）は、ローバンド用入出力端子Ｐ２の反射特性を示す図である。図８（Ｂ）は、ハイバンド用入出力端子Ｐ３の反射特性を示す図である。図８（Ｃ）は、共通入出力端子Ｐ１の反射特性を示す図である。なお、図８（Ａ）において、一点鎖線および破線は、実線にほぼ一致するので、省略されている。図８に係るその他の点は図７の場合と同様である。
【００４５】
図８（Ａ）に示すように、ローバンド用入出力端子Ｐ２の反射特性はシールドケース１２の影響をほとんど受けていない。しかし、図８（Ｂ），図８（Ｃ）に示すように、ハイバンド用入出力端子Ｐ３および共通入出力端子Ｐ１の反射特性は、分配合成器２０とシールドケース１２とを近づけるほど、シールドケース１２がない場合からずれている。具体的には、５ＧＨｚ付近における、図８（Ｂ）に示すハイバンド用入出力端子Ｐ３の反射特性が顕著に悪化している。すなわち、シールドケース１２と積層体３０の側面３１とが対向している場合でも、シールドケース１２は分配合成器２０のフィルタ特性に大きな影響を与える。
【００４６】
但し、高周波モジュール部品５１において、分配合成器２０とシールドケース１２とを近づけたときの反射特性の変化は、高周波モジュール部品５０の場合と比べると、小さくなっている。すなわち、高周波モジュール部品５０に係る反射特性と比べると、高周波モジュール部品５１に係る反射特性がシールドケース１２から受ける影響は小さい。
【００４７】
図９は、図５（Ａ）に示す高周波モジュール部品１０における分配合成器２０の反射特性を示す図である。図９（Ａ）は、ローバンド用入出力端子Ｐ２の反射特性を示す図である。図９（Ｂ）は、ハイバンド用入出力端子Ｐ３の反射特性を示す図である。図９（Ｃ）は、共通入出力端子Ｐ１の反射特性を示す図である。なお、図９（Ａ）において、一点鎖線および破線は、実線にほぼ一致するので、省略されている。また、図９（Ｂ）、図９（Ｃ）において、一点鎖線、破線および点線は、実線にほぼ一致するので、省略されている。図９に係るその他の点は図７の場合と同様である。
【００４８】
各端子の反射特性は、分配合成器２０とシールドケース１２とを近づけても、シールドケース１２がない場合からほとんど変化していない。すなわち、シールドケース１２と積層体３０の側面３３とが対向している場合、分配合成器２０のフィルタ特性はシールドケース１２の影響をほとんど受けない。
【００４９】
図１０は、図５（Ｂ）に示す高周波モジュール部品４０における分配合成器２０の反射特性を示す図である。図１０（Ａ）は、ローバンド用入出力端子Ｐ２の反射特性を示す図である。図１０（Ｂ）は、ハイバンド用入出力端子Ｐ３の反射特性を示す図である。図１０（Ｃ）は、共通入出力端子Ｐ１の反射特性を示す図である。なお、図１０（Ａ）において、一点鎖線、破線および点線は、実線にほぼ一致するので、省略されている。図１０（Ｂ）、図１０（Ｃ）において、破線は、点線にほぼ一致するので、省略されている。図１０に係るその他の点は図７の場合と同様である。
【００５０】
図１０（Ａ），図１０（Ｃ）に示すように、ローバンド用入出力端子Ｐ２および共通入出力端子Ｐ１の反射特性はシールドケース１２の影響をほとんど受けていない。また、図１０（Ｂ）に示すように、ハイバンド用入出力端子Ｐ３の反射特性は、分配合成器２０とシールドケース１２とを近づけると、シールドケース１２がない場合から５ＧＨｚ付近で多少変化している。しかし、その変化は、２ｄＢ〜４ｄＢの範囲での変化であるため、図８（Ｂ）の場合と比較して小さい。すなわち、シールドケース１２と積層体３０の側面３４とが対向している場合、分配合成器２０のフィルタ特性はシールドケース１２の影響をあまり受けない。
【００５１】
図１１は、ハイバンド用入出力端子Ｐ３に５ＧＨｚの高周波信号が入力された際の反射特性の絶対値を示す図である。
【００５２】
高周波モジュール部品５０，５１の場合、分配合成器２０をシールドケース１２に近づけると、ハイバンド用入出力端子Ｐ３の反射特性は劣化する。高周波モジュール部品１０の場合、分配合成器２０をシールドケース１２に近づけても、ハイバンド用入出力端子Ｐ３の反射特性はほとんど劣化しない。
【００５３】
高周波モジュール部品４０の場合、距離Ｌが２００μｍであるとき、ハイバンド用入出力端子Ｐ３の反射特性はほとんど劣化していない。分配合成器２０をシールドケース１２にさらに近づけると、ハイバンド用入出力端子Ｐ３の反射特性は、高周波モジュール部品１０の場合に比べて劣化するが、高周波モジュール部品５０，５１の場合ほど劣化していない。
【００５４】
図１２（Ａ）は、分配合成器２０とシールドケース１２との間に生じる浮遊容量を説明するための概念図である。図１２（Ｂ）は、分配合成器２０とシールドケース１２との間に生じる浮遊容量を説明するための等価回路図である。
【００５５】
図１２（Ａ）に示すように、共通入出力電極２１をシールドケース１２に近づけると、共通入出力電極２１とシールドケース１２との間に浮遊容量Ｃ１が生じる。シールドケース１２はグランドに接続されているので、図１０（Ｂ）に示すように、共通入出力端子Ｐ１とグランドとの間に浮遊容量Ｃ１が形成される。このため、図８、図１１に示したように、共通入出力電極２１をシールドケース１２に近づけると、分配合成器２０のフィルタ特性が劣化してしまう。
【００５６】
ローバンド用入出力電極２２およびハイバンド用入出力電極２３をシールドケース１２に近づけた場合も同様に、シールドケース１２とローバンド用入出力電極２２およびハイバンド用入出力電極２３との間に、浮遊容量が生じる。このため、図７、図１１に示したように、分配合成器２０のフィルタ特性が劣化してしまう。
【００５７】
一方、積層体３０の側面３３，３４とシールドケース１２の側面とが近接して対向している場合、共通入出力電極２１、ローバンド用入出力電極２２およびハイバンド用入出力電極２３と、シールドケース１２とが近接して対向することはない。このため、共通入出力電極２１、ローバンド用入出力電極２２およびハイバンド用入出力電極２３と、シールドケース１２との間に浮遊容量は生じにくい。この結果、図９〜図１１に示したように、分配合成器２０とシールドケース１２とを近接させたとき、分配合成器２０のフィルタ特性はほとんど劣化しない。
【００５８】
図１３は、分配合成器２０とシールドケース１２との間に生じる浮遊容量を説明するための概念図である。積層体３０の側面３３とシールドケース１２の側面とが近接して対向している場合、上述のように、共通入出力電極２１等の外部電極とシールドケース１２との間に、浮遊容量は生じにくい。しかし、この場合でも、図１３に示すように、積層体３０の内部に形成された電極パターン２６（ローパスフィルタＬＰＦ１を構成する電極パターン）と、シールドケース１２との間に浮遊容量Ｃ２が生じる。
【００５９】
図４に示したように、積層体３０の側面３３側には、ローパスフィルタＬＰＦ１を構成する電極パターンが主に形成されている。このため、ローパスフィルタＬＰＦ１を構成する電極パターンと、シールドケース１２との間に浮遊容量Ｃ２が生じる。この結果、ローパスフィルタＬＰＦ１内に、グランドに接続された浮遊容量が形成される。
【００６０】
同様に、積層体３０の側面３４とシールドケース１２の側面とが近接して対向している場合、バンドパスフィルタＢＰＦ１内に、グランドに接続された浮遊容量が形成される。
【００６１】
ところで、ローパスフィルタＬＰＦ１は、ローバンドの高周波信号を通過させるように設計されている。バンドパスフィルタＢＰＦ１は、ハイバンドの高周波信号を通過させるように設計されている。このため、ローパスフィルタＬＰＦ１を構成するキャパシタおよびインダクタの素子値は、バンドパスフィルタＢＰＦ１を構成するキャパシタおよびインダクタの素子値に比べて、大きい。そのため、同量の浮遊容量でも、バンドパスフィルタＢＰＦ１はローパスフィルタＬＰＦ１に比べて大きな影響を受ける。
【００６２】
従って、積層体３０の側面３４とシールドケース１２の側面とが近接して対向している場合、積層体３０の側面３３が対向している場合に比べて、分配合成器２０のフィルタ特性が劣化する。すなわち、図９〜図１１に示したように、高周波モジュール部品４０に係るフィルタ特性は、高周波モジュール部品１０に係るフィルタ特性に比べて劣化する。
【００６３】
図１４は、５ＧＨｚの高周波信号が入力された場合における、グランド電極２５の有無によるローパスフィルタＬＰＦ１での２倍波（１０ＧＨｚ）の減衰量の絶対値を示す図である。ここで、図５（Ｂ）に示したように、積層体３０の側面３４とシールドケース１２の側面とが近接して対向している。
【００６４】
図４に示したグランド電極２５が形成されていない場合、分配合成器２０をシールドケース１２に近づけるほど、ローパスフィルタＬＰＦ１により取り除かれる２倍波が減少する。すなわち、分配合成器２０をシールドケース１２に近づけるほど、ローパスフィルタＬＰＦ１のフィルタ特性が劣化する。
【００６５】
一方、グランド電極２５が形成されている場合、分配合成器２０をシールドケース１２に近づけても、ローパスフィルタＬＰＦ１により取り除かれる２倍波があまり減少しない。すなわち、分配合成器２０をシールドケース１２に近づけても、ローパスフィルタＬＰＦ１のフィルタ特性はあまり劣化しない。
【００６６】
図１５は、図１４の場合と同様に５ＧＨｚの高周波信号が入力された場合における、グランド電極２５の有無によるハイバンド用入出力端子Ｐ３の反射特性の絶対値を示す図である。図１５に係るその他の点は図１４の場合と同様である。グランド電極２５が形成されていない場合、分配合成器２０をシールドケース１２に近づけるほど、ハイバンド用入出力端子Ｐ３の反射特性は悪化している。一方、グランド電極２５が形成されている場合、分配合成器２０をシールドケース１２に近づけても、ハイバンド用入出力端子Ｐ３の反射特性はあまり悪化していない。
【００６７】
このように、積層体３０の天面３５側にグランド電極２５を形成することにより、分配合成器２０内の電極パターンとシールドケース１２との間に浮遊容量が形成されることが抑制される。また、積層体３０の底面３６側にグランド電極２５を形成することにより、分配合成器２０内の電極パターンと、基板１１に形成されたグランド電極との間に浮遊容量が形成されることが抑制される。このため、グランド電極２５が形成されていない場合に比べて、分配合成器２０のフィルタ特性の劣化を抑制することができる。
【００６８】
《第２の実施形態》
本発明の第２の実施形態に係る高周波モジュール部品６０について説明する。図１６（Ａ）は、高周波モジュール部品６０の要部を示す平面断面図である。分配合成器２０は、積層体３０の側面３１，３３が基板１１の縁に沿うように、基板１１の隅（コーナー）に配置されている。シールドケース１２の側面は、基板１１の縁に沿って配置され、平面視して基板１１の隅で直角に曲がっている。
【００６９】
積層体３０の側面３３がシールドケース１２の側面に最も近接して対向している。その次に、積層体３０の側面３１がシールドケース１２の側面に近接して対向している。側面３１，３３とシールドケース１２の側面との間には、他の部品が配置されていない。
【００７０】
その他の構成は第１の実施形態と同様である。
【００７１】
分配合成器２０は、高周波モジュール部品７０のように配置されてもよい。図１６（Ｂ）は、高周波モジュール部品７０の要部を示す平面断面図である。分配合成器２０は、積層体３０の側面３１，３４が基板１１の縁に沿うように、基板１１の隅に配置されている。積層体３０の側面３４がシールドケース１２の側面に最も近接して対向している。その次に、積層体３０の側面３１がシールドケース１２の側面に近接して対向している。側面３１，３４とシールドケース１２の側面との間には、他の部品が配置されていない。その他の構成は高周波モジュール部品６０と同様である。
【００７２】
第２の実施形態では、共通入出力電極２１がシールドケース１２に近接して対向している。このため、共通入出力電極２１とシールドケース１２との間に浮遊容量が生じる。しかし、図７、図８、図１１に示すように、側面３１とシールドケース１２とが対向する場合では、側面３２とシールドケース１２とが対向する場合に比べて、分配合成器２０のフィルタ特性が劣化しない。また、側面３１からシールドケース１２までの距離は側面３３または３４からシールドケース１２までの距離と比べて長い。このため、第２の実施形態においても、シールドケース１２が分配合成器２０のフィルタ特性を劣化させることを抑制することができる。
【００７３】
また、第１の実施形態に係るその他の効果を同様に得ることができる。
【００７４】
また、図１１に示したように、側面３１とシールドケース１２の側面とが２００μｍ以上離れて対向する場合、シールドケース１２から分配合成器２０が受ける影響は小さくなる。このため、高周波モジュール部品６０，７０において、側面３１とシールドケース１２の側面とは２００μｍ以上離れて対向することが好ましい。
【００７５】
隅にアンテナ端（図示せず）が形成された場合において、共通入出力電極２１が基板１１の隅に配置されるため、共通入出力電極２１とアンテナに接続された外部出力電極１５ａ（図１参照）との距離を短く設計することが容易となる。これにより、共通入出力電極２１と外部出力電極１５ａとの間を接続する配線パターンを短くすることができるため、この配線パターンでの伝送損失を低減することができる。
【００７６】
また、共通入出力電極２１とシールドケース１２との間に生じる浮遊容量を使用して、アンテナ（図１参照）側と高周波モジュール部品６０，７０側とを整合させる整合回路を設計することができる。
【００７７】
《第３の実施形態》
本発明の第３の実施形態に係る高周波モジュール部品８０について説明する。図１７は、高周波モジュール部品８０の要部を示す側面断面図である。基板１１とシールドケース１２とにより形成された中空部が樹脂１５で充たされている。すなわち、樹脂１５が基板１１の表面を覆い、シールドケース１２が樹脂１５の表面を覆っている。また、樹脂１５の表面に導電ペーストを塗布し、シールドケース１２を形成しても良い、または、樹脂１５の内部に導電ペーストを使用したシールドケース１２を形成しても良い。
【００７８】
静電容量は、対向電極間に充たされた誘電体の誘電率に比例する。また、樹脂の誘電率は空気の誘電率に比べて高い。このため、分配合成器２０とシールドケース１２との間に樹脂が充たされている場合、シールドケース１２と分配合成器２０の各電極との間に生じる浮遊容量が大きくなる。第３の実施形態によれば、第１の実施形態と同様に、浮遊容量の形成が抑制されるため、本発明の効果が顕著となる。
【００７９】
また、第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。
【符号の説明】
【００８０】
ＢＰＦ１…バンドパスフィルタ（ハイバンド用フィルタ回路）
Ｃ１，Ｃ２…浮遊容量
ＬＰＦ１…ローパスフィルタ（ローバンド用フィルタ回路）
Ｐ１…共通入出力端子
Ｐ２…ローバンド用入出力端子
Ｐ３…ハイバンド用入出力端子
１０，４０，５０，５１，６０，７０，８０…高周波モジュール部品
１１…基板
１２…シールドケース
１３…ＲＦＩＣ
１４…高周波部品
１５…樹脂
１５ａ，１５ｂ…外部出力電極
２０…分配合成器
２１…共通入出力電極
２２…ローバンド用入出力電極
２３…ハイバンド用入出力電極
２４ａ，２４ｂ，２４ｃ…外部グランド電極
２５…グランド電極
２６…電極パターン
３０…積層体
３１…側面（第１の側面）
３２…側面（第２の側面）
３３…側面（第３の側面）
３４…側面（第４の側面）
３５…天面
３６…底面
１２１…側面部
１２２…底面部
【図１】
0005800113.tif 000002
【図２】
0005800113.tif 000003
【図３】
0005800113.tif 000004
【図４】
0005800113.tif 000005
【図５】
0005800113.tif 000006
【図６】
0005800113.tif 000007
【図７】
0005800113.tif 000008
【図８】
0005800113.tif 000009
【図９】
0005800113.tif 000010
【図１０】
0005800113.tif 000011
【図１１】
0005800113.tif 000012
【図１２】
0005800113.tif 000013
【図１３】
0005800113.tif 000014
【図１４】
0005800113.tif 000015
【図１５】
0005800113.tif 000016
【図１６】
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【図１７】
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