(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体光素子を作製する方法であって、
リッジ構造を含み基板上に設けられた半導体領域の上に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜を形成した後に、前記リッジ構造を埋め込むと共に前記リッジ構造の上面に開口を有する非感光性ＢＣＢ樹脂領域を形成する工程と、
前記非感光性ＢＣＢ樹脂領域に加工して、前記半導体光素子のための素子領域の外側に位置するスクライブエリアを露出させる工程と、
前記スクライブエリアを露出させた後に前記非感光性ＢＣＢ樹脂領域をマスクとして用いて前記絶縁膜をエッチングして、開口を有する保護層を形成する工程と、
前記保護層を形成した後に、前記リッジ構造及び前記非感光性ＢＣＢ樹脂領域の上に電極を形成して基板生産物を作製する工程と、
前記電極を形成した後に、前記スクライブエリアにスクライブ線を形成する工程と、
前記スクライブ線に合わせて前記基板生産物に押圧を行って、前記押圧により前記基板及び前記半導体領域に形成したへき開面を含むと共に前記押圧により前記半導体領域上の前記非感光性ＢＣＢ樹脂領域に形成した破断面を含む端面を備える半導体バーを形成する工程と、
を備え、
前記非感光性ＢＣＢ樹脂領域は前記半導体バーの前記端面において前記リッジ構造を埋め込み、
前記スクライブエリアを露出させる前記工程は、
前記スクライブエリアを規定する開口を有する第２のマスクを形成する工程と、
前記第２のマスクを用いて前記非感光性ＢＣＢ樹脂領域をエッチングして、前記スクライブエリアに前記絶縁膜を露出する工程と、
前記第２のマスクを除去する工程と、
を含み、
前記第２のマスクの前記開口は前記素子領域の外側に位置し、
前記電極は、前記非感光性ＢＣＢ樹脂領域の前記開口を介して前記リッジ構造の前記上面に接触を成す、半導体光素子を作製する方法。
【請求項２】
前記非感光性ＢＣＢ樹脂領域を形成する前記工程は、
前記半導体領域の全面に非感光性ＢＣＢ樹脂を塗布する工程と、
前記塗布された非感光性ＢＣＢ樹脂の上に、前記リッジ構造の前記上面の上に開口を有する第１のマスクを形成する工程と、
前記第１のマスクを用いて前記非感光性ＢＣＢ樹脂をエッチングして、前記非感光性ＢＣＢ樹脂領域を形成する工程と、
前記第１のマスクを除去する工程と、
を含む、請求項１に記載された半導体光素子を作製する方法。
【請求項３】
前記非感光性ＢＣＢ樹脂領域を形成する前記工程では、前記非感光性ＢＣＢ樹脂領域の厚さは前記リッジ構造の上において２．０μｍ未満である、請求項１又は請求項２に記載された半導体光素子を作製する方法。
【請求項４】
前記スクライブエリアは、前記リッジ構造の延在方向に交差する方向に延在しており、
前記スクライブエリアの幅は５μｍ以上である、請求項１〜請求項３のいずれか一項に記載された半導体光素子を作製する方法。
【請求項５】
前記エッチングは、フルオロカーボン及び酸素を含むエッチャントを用いて行われる、請求項１〜請求項４のいずれか一項に記載された半導体光素子を作製する方法。
【請求項６】
前記第２のマスクは、前記リッジ構造の延在方向に延在する第１及び第２の開口を有し、
前記非感光性ＢＣＢ樹脂領域は前記第２のマスクの前記第１及び第２の開口によって規定される第１及び第２のストライプ開口を有し、
前記非感光性ＢＣＢ樹脂領域の前記開口は前記第１及び第２のストライプ開口の間に設けられ、
当該方法は、前記第１及び第２のストライプ開口の位置において前記半導体バーを個々の半導体光素子に分離する工程を更に備える、請求項１〜請求項５のいずれか一項に記載された半導体光素子を作製する方法。
【請求項７】
前記基板の上に複数のIII−Ｖ化合物半導体を積層したエピタキシャル基板をトレンチマスクを用いてエッチングして、前記リッジ構造を規定する第１及び第２のトレンチを形成する工程を更に備え、
前記保護層は前記リッジ構造の側面並びに前記第１及び第２のトレンチの表面を覆い、
前記第１及び第２のトレンチは前記非感光性ＢＣＢ樹脂領域で埋め込まれており、
前記非感光性ＢＣＢ樹脂領域は前記リッジ構造の前記側面の前記保護層を覆い、
前記第１のトレンチは第１の突出部及び前記リッジ構造によって規定され、前記第２のトレンチは第２の突出部及び前記リッジ構造によって規定され、
前記半導体領域は前記第１の突出部、前記第２の突出部及び前記リッジ構造を含み、
前記非感光性ＢＣＢ樹脂領域の厚さは前記第１の突出部及び前記第２の突出部の上において１．５μｍ以下である、請求項１〜請求項６のいずれか一項に記載された半導体光素子を作製する方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体光素子を作製する方法、及び半導体光素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、光半導体素子及びその製造方法が記載されている。この方法では、ドライエッチング等を用いて半導体積層のｐ型コンタクト層及び上部クラッド層をリッジ形状に加工し、リッジ部を形成する。この後に、全面にＣＶＤ法により膜厚４００ｎｍのシリコン酸化膜を形成する。次いで、全面にＢＣＢ樹脂を塗布し、これを硬化させる。こうして、膜厚２μｍの樹脂層を形成する。形成された樹脂層の表面がほぼ平坦である。次いで、樹脂層上にフォトレジスト膜を形成する。フォトレジスト膜は、リッジ部に沿っておりリッジ部よりも幅広の領域を露出し、他の領域を覆う。このフォトレジスト膜をマスクとして用いて樹脂層及びシリコン酸化膜を順次エッチングする。これにより、リッジ部上部のｐ型コンタクト層の上面が露出される。この後に、フォトレジスト膜を除去する。次いで、全面にプラズマＣＶＤ法により膜厚３００ｎｍのシリコン窒化膜を形成する。シリコン窒化膜上にフォトレジスト膜を形成する。このフォトレジスト膜は、ｐ型電極の形成予定領域を露出し、他の領域を覆う。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００８−２０５０２５号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
感光性ＢＣＢ樹脂にフォトリソグラフィー技術を適用して、リッジ構造を感光性ＢＣＢ樹脂で埋め込むことができる。感光性ＢＣＢ樹脂はネガレジストと同様の特性を持つからである。
【０００５】
このように、感光性ＢＣＢ樹脂によりリッジ構造の埋め込むことができる。また、リッジ構造上の感光性ＢＣＢ樹脂に開口を形成可能である。
【０００６】
この構造では、へき開端面を形成する予定のへき開ラインが感光性ＢＣＢ樹脂により覆われるので、へき開をするためのスクライブラインを形成できない。これ故に、後のへき開工程で適切なへき開がへき開ラインに沿って生じるように、感光性ＢＣＢ樹脂及びフォトリソグラフィー技術を用いた樹脂開口プロセスを用いて、へき開ライン上では半導体領域を露出したい。一方で、リッジ構造の上面上に電極への通路のための開口を形成すると共にリッジ構造の側面上の絶縁膜を保護するように、感光性ＢＣＢ樹脂の加工が必要であり、この加工の後でもリッジ構造の側面が樹脂体で覆われていなければならない。
【０００７】
へき開のための要求とリッジ構造側面の被覆のための要求とを満たすために、感光性ＢＣＢ樹脂の露光工程では、へき開ライン上の大部分に樹脂体を残すことなく、またリッジ構造の側面に保護のための樹脂体を残すことになる。既に説明したように感光性ＢＣＢ樹脂はネガレジストと同様の特性を持つので、このような形状の樹脂体を形成するためにへき開ライン上の樹脂の比較的小さいエリアに露光が行われる。このような小さいエリアへの露光は、発明者の知見によれば、露光量不足になりやすい。また、発明者の知見によれば、樹脂によりリッジ構造を適切に被覆されていないリッジ側面では、現像後に樹脂体に陥没が生じる。この陥没部分から電極金属の反応が進行する。この結果、素子の信頼性が低下することになる。
【０００８】
特許文献１は、端面の形成及びこの端面における樹脂埋込と素子の信頼性との関連について開示しない。
【０００９】
また、小さいエリアへの露光による上述の樹脂陥没を抑制するために、へき開ライン上に多くの樹脂を残してエピタキシャル基板の大部分を樹脂で埋め込んだ構造を適用するプロセスでは、発明者の知見によれば、エピタキシャル基板の広いエリアを露光する必要があるので、露光時に下地からの散乱光の影響が避けられず、結果としてリッジ構造上の開口の形成が均一に形成できない。
【００１０】
本発明は、このような事情を鑑みて為されたものであり、ＢＣＢ樹脂による埋め込みを用いて良好な信頼性を提供できる半導体光素子を作製する方法を提供することを目的とし、またＢＣＢ樹脂による埋め込みを用いて良好な信頼性を有する半導体光素子を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は、半導体光素子を作製する方法に関する。この方法は、（ａ）リッジ構造を含み基板上に設けられた半導体領域上に絶縁膜を形成する工程と、（ｂ）前記絶縁膜を形成した後に、前記リッジ構造を埋め込むと共に前記リッジ構造の上面に開口を有する非感光性ＢＣＢ樹脂領域を形成する工程と、（ｃ）前記非感光性ＢＣＢ樹脂領域に加工して、前記半導体光素子のための素子領域の外側に位置するスクライブエリアを露出させる工程と、（ｄ）前記スクライブエリアを露出させた後に前記非感光性ＢＣＢ樹脂領域をマスクとして用いて前記絶縁膜をエッチングして、開口を有する保護層を形成する工程と、（ｄ）前記保護層を形成した後に、前記リッジ構造及び前記非感光性ＢＣＢ樹脂領域の上に電極を形成して基板生産物を作製する工程と、（ｅ）前記電極を形成した後に、前記スクライブエリアにスクライブ線を形成する工程と、（ｆ）前記スクライブ線に合わせて前記基板生産物に押圧を行って、半導体バーを形成する工程とを備える。前記半導体バーは、前記押圧により前記基板及び前記半導体領域に形成されたへき開面を含むと共に前記押圧により前記非感光性ＢＣＢ樹脂領域に形成された破断面を含み、スクライブエリアを露出させる前記工程では、前記スクライブエリアに前記絶縁膜が露出されており、前記電極は、前記非感光性ＢＣＢ樹脂領域の前記開口を介して前記リッジ構造の前記上面に接触を成す。
【００１２】
この作製方法によれば、リッジ構造の上面に位置する開口を非感光性ＢＣＢ樹脂領域に形成することとは別個に、スクライブエリアを露出させる加工を非感光性ＢＣＢ樹脂領域に施す。これ故に、リッジ構造上面に開口を形成する際に電極のために好適な加工を非感光性ＢＣＢ樹脂に施すことができ、またスクライブ線の形成を可能にする開口を非感光性ＢＣＢ樹脂に形成できる。リッジ構造上面を露出させる加工をスクライブエリアを露出させる加工と比較するとき、この両者の加工エリアに大きな違いがあり、両者の加工を単一の加工工程で行ことを避けることにより、個々に適切な開口を形成できる。
【００１３】
また、非感光性ＢＣＢ樹脂領域が、リッジ構造を埋め込むと共にリッジ構造の上面に開口を有する。この作製方法では、感光性ＢＣＢ樹脂を用いることなく、スクライブエリアの露出、スクライブ線の形成、及び押圧による半導体バーの形成を行うことができる。これらにより、基板及び半導体領域にへき開面が形成されると共に非感光性ＢＣＢ樹脂領域に破断面が形成される。つまり、へき開可能な半導体領域と該半導体領域上のへき開性の無い非感光性ＢＣＢ樹脂領域とを含む基板生産物において、スクライブ線によって規定されるへき開ラインに沿って延在するへき開面の形成と該へき開ラインに沿って延在する破断面の形成とが可能になる。
【００１４】
さらに、上記の形状を非感光性ＢＣＢ樹脂に形成するために、非感光性ＢＣＢ樹脂への露光を行うことがない。これ故に、この製造方法は、感光性ＢＣＢ樹脂の特性に係る不具合に関係なく、非感光性ＢＣＢ樹脂による埋込構造を形成できる。
【００１５】
本発明に係る半導体光素子を作製する方法では、前記非感光性ＢＣＢ樹脂領域を形成する工程は、前記半導体領域の全面に非感光性ＢＣＢ樹脂を塗布する工程と、前記塗布された非感光性ＢＣＢ樹脂上に、前記リッジ構造の前記上面の上に開口を有する第１のマスクを形成する工程と、前記第１のマスクを用いて非感光性ＢＣＢ樹脂をエッチングして、前記非感光性ＢＣＢ樹脂領域を形成する工程と、前記第１のマスクを除去する工程とを含むことができる。
【００１６】
この作製方法によれば、半導体領域の全面に非感光性ＢＣＢ樹脂を塗布するので、リッジ構造の上面及び側面が非感光性ＢＣＢ樹脂で覆われる。リッジ構造の上面の上に開口を有する第１のマスクを用いて非感光性ＢＣＢ樹脂をエッチングするので、リッジ構造を埋め込むと共にリッジ構造の上面に開口を有する非感光性ＢＣＢ樹脂領域を形成できる。第１のマスクを除去するので、第１のマスクのパターンに関係なく、後の工程を行うことができる。
【００１７】
本発明に係る半導体光素子を作製する方法では、前記非感光性ＢＣＢ樹脂領域を形成する前記工程では、前記非感光性ＢＣＢ樹脂領域の厚さは前記リッジ構造の上において２．０μｍ未満であることが好ましい。この作製方法によれば、へき開面の形成及び破断面の形成の両立が良好な歩留まりで可能になる。
【００１８】
本発明に係る半導体光素子を作製する方法では、前記非感光性ＢＣＢ樹脂領域の厚さは０．５μｍ以上であることが好ましい。この作製方法によれば、半導体光素子を実装する工程の際に、非感光性ＢＣＢ樹脂体が保護膜として役立つ。
【００１９】
本発明に係る半導体光素子を作製する方法では、前記スクライブエリアは、前記リッジ構造の延在方向に交差する方向に延在しており、前記スクライブエリアの幅は５μｍ以上であることが好ましい。この作製方法によれば、開口幅が５μｍ程度であれば、スクライブ線の形成が可能になる。また、前記スクライブエリアの幅は２０μｍ以下であることが好ましい。
【００２０】
本発明に係る半導体光素子を作製する方法では、前記スクライブエリアを露出させる工程は、前記スクライブエリアを規定する開口を有する第２のマスクを形成する工程と、前記第２のマスクを用いて前記非感光性ＢＣＢ樹脂領域をエッチングする工程と、前記第２のマスクを除去する工程とを含むことができる。前記第２のマスクの開口は前記素子領域の外側に位置する。
【００２１】
この作製方法によれば、スクライブエリアを規定する開口を有すると共に素子領域内のリッジ構造を覆う第２のマスクを用いるので、非感光性ＢＣＢ樹脂のエッチングが容易である。
【００２２】
本発明に係る半導体光素子を作製する方法では、前記エッチングは、フルオロカーボン及び酸素を含むエッチャントを用いて行われることが好ましい。この作製方法によれば、スクライブエリアの加工をドライエッチングにより行って、開口精度のよく微細なスクライブエリアを形成できる。
【００２３】
本発明に係る半導体光素子を作製する方法では、前記第２のマスクは、前記リッジ構造の延在方向に延在する第１及び第２の開口を有し、前記非感光性ＢＣＢ樹脂領域は前記第２のマスクの前記第１及び第２の開口によってそれぞれ規定される第１及び第２のストライプ開口を有し、前記非感光性ＢＣＢ樹脂領域の前記開口は前記第１及び第２のストライプ開口の間に設けられることができる。当該方法は、前記第１及び第２のストライプ開口の位置において前記半導体バーを個々の半導体光素子に分離する工程を更に備えることができる。
【００２４】
この作製方法によれば、スクライブエリアのための開口の形成と同時に、半導体バーを個々の半導体光素子に分離するチップ形成のための分離エリアを形成できる。
【００２５】
本発明に係る半導体光素子を作製する方法は、前記基板の上に複数のIII−Ｖ化合物半導体を積層したエピタキシャル基板をマスクを用いてエッチングして、前記リッジ構造を規定する第１及び第２のトレンチを形成する工程を更に備えることができる。前記保護層は前記リッジ構造の側面並びに前記第１及び第２のトレンチの表面を覆い、前記第１及び第２のトレンチには前記非感光性ＢＣＢ樹脂領域で埋め込まれており、前記非感光性ＢＣＢ樹脂領域は前記リッジ構造の前記側面の前記保護層を覆い、前記第１のトレンチは第１の突出部及び前記リッジ構造によって規定され、前記第２のトレンチは第２の突出部及び前記リッジ構造によって規定され、前記半導体領域は前記第１の突出部、前記第２の突出部及び前記リッジ構造を含み、前記非感光性ＢＣＢ樹脂領域の厚さは前記第１の突出部及び前記第２の突出部の上において１．５μｍ以下であることができる。
【００２６】
この作製方法によれば、エッチングにより形成されたリッジ構造上の開口を含む非感光性ＢＣＢ樹脂でトレンチを満たすことによってリッジ構造を保護できる。非感光性ＢＣＢ樹脂の厚さは、トレンチ上においてはリッジ構造から突出部に向かう方向に徐々に大きくなるけれども、この厚さに比べて突出部における非感光性ＢＣＢ樹脂の厚さは小さい。非感光性ＢＣＢ樹脂領域の厚さは第１の突出部及び第２の突出部の上において１．５μｍ以下であるので、押圧の際に非感光性ＢＣＢ樹脂領域に破断面の形成が容易になり、良好な歩留まりで半導体バーを作成が可能になる。
【００２７】
本発明に係る半導体光素子は、（ａ）支持基体と、（ｂ）第１のトレンチを規定する第１の突出部及びリッジ構造並びに第２のトレンチを規定する第２の突出部及び前記リッジ構造を含み、前記支持基体の主面の上に設けられた半導体領域と、（ｃ）前記リッジ構造の上面に開口を有し前記半導体領域の上に設けられた保護層と、（ｄ）前記リッジ構造の前記上面に開口を有し、前記第１及び第２の突出部の上に設けられると共に前記第１及び第２のトレンチに満たされて前記リッジ構造を埋め込む非感光性ＢＣＢ樹脂体と、（ｅ）前記非感光性ＢＣＢ樹脂体及び前記リッジ構造の前記上面に設けられ、前記保護層の前記開口を介して前記リッジ構造に接触を成す電極とを備える。前記非感光性ＢＣＢ樹脂体の厚さは、前記第１及び第２の突出部の上において２．０μｍ未満であり、前記半導体光素子の端面は、前記支持基体の裏面のエッジから前記非感光性ＢＣＢ樹脂体の上面のエッジまで延在し、前記半導体光素子の前記端面は、前記非感光性ＢＣＢ樹脂体の破断面、前記支持基体のへき開面、及び前記半導体領域のへき開面を含む。
【００２８】
この半導体光素子によれば、リッジ構造を非感光性ＢＣＢ樹脂体で埋め込むので、感光性ＢＣＢ樹脂に係る不具合に関係なくリッジ構造の樹脂埋め込みが可能になる。また、第１及び第２の突出部上に非感光性ＢＣＢ樹脂体が設けられると共に非感光性ＢＣＢ樹脂体の厚さが第１及び第２の突出部の上において２．０μｍ未満であるので、半導体光素子の端面が非感光性ＢＣＢ樹脂体の破断面並びに支持基体及び半導体領域のへき開面を含むことが可能になる。
【００２９】
本発明に係る半導体光素子では、前記非感光性ＢＣＢ樹脂体は、前記半導体光素子の側面の上縁に沿って設けられた開口を有し、前記非感光性ＢＣＢ樹脂体の前記破断面は、前記一対の開口における一方から他方の開口まで延在することができる。
【００３０】
この半導体光素子によれば、非感光性ＢＣＢ樹脂体が半導体光素子の側面の上縁に沿って設けられた開口を有するので、半導体バーから半導体光素子を形成する際に素子側面に非感光性ＢＣＢ樹脂体の破断面を形成することない。素子断面における破断面が一対の開口における一方から他方の開口まで延在するので、半導体光素子の端面において非感光性ＢＣＢ樹脂体がリッジ構造をしっかりと埋め込むことができる。
【発明の効果】
【００３１】
以上説明したように、本発明によれば、ＢＣＢ樹脂による埋め込みを用いて良好な信頼性を提供できる半導体光素子を作製する方法が提供される。また、本発明によれば、ＢＣＢ樹脂による埋め込みを用いて良好な信頼性を有する半導体光素子が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】図１は、本実施の形態に係る半導体光素子を作製する方法における主要な工程を模式的に示す図面である。
【図２】図２は、本実施の形態に係る半導体光素子を作製する方法における主要な工程を模式的に示す図面である。
【図３】図３は、本実施の形態に係る半導体光素子を作製する方法における主要な工程を模式的に示す図面である。
【図４】図４は、本実施の形態に係る半導体光素子を作製する方法における主要な工程を模式的に示す図面である。
【図５】図５は、本実施の形態に係る半導体光素子を作製する方法における主要な工程を模式的に示す図面である。
【図６】図６は、本実施の形態に係る半導体光素子を作製する方法における主要な工程を模式的に示す図面である。
【図７】図７は、本実施の形態に係る半導体光素子のための半導体バー、及び半導体光素子を模式的に示す図面である。
【発明を実施するための形態】
【００３３】
引き続いて、添付図面を参照しながら、半導体光素子を作製する方法、及び半導体光素子に係る本発明の実施形態を説明する。可能な場合には、同一の部分には同一の符号を付する。
【００３４】
図１〜図６は、本実施の形態に係る半導体光素子を作製する方法における主要な工程を示す図面である。以下の工程では、半導体光素子の一例として半導体レーザを作製する。図１の（ａ）部に示されるように、エピタキシャル基板Ｅを準備する。本実施例では、エピタキシャル基板Ｅを作製する。まず、基板１１を準備する。基板１１は例えば半導体基板であることができ、半導体基板は例えばＧａＡｓ又はＩｎＰからなる。基板１１を成長炉１０ａに配置した後に、基板１１上に半導体積層１３を形成する。半導体積層１３は、ｎ型III−Ｖ化合物半導体領域１５、活性領域１７及びｐ型III−Ｖ化合物半導体領域１９を含む。活性領域１７は例えば活性層２１及び／又は回折格子領域２３を含むことができる。活性層２１は障壁層２１ａ及び井戸層２１ｂを含み、障壁層２１ａ及び井戸層２１ｂは交互に配列される。活性層２１の屈折率は、ｎ型III−Ｖ化合物半導体領域１５及びｐ型III−Ｖ化合物半導体領域１９の屈折率より大きい。活性層２１は、光閉じ込め層２５ａと光閉じ込め層２５ｂとの間に設けられる。回折格子領域２３は、光閉じ込め層２５ｂ及び回折格子層２５ｃを含む。ｐ型III−Ｖ化合物半導体領域１９はｐ型クラッド層２７及びｐ型コンタクト層２９を含む。
【００３５】
実施例では、半導体積層１３が以下のように形成される。最初に、ｎ型ＩｎＰ基板を準備する。有機金属気相成長法で、ｎ型ＩｎＰ基板上に、以下のように半導体エピタキシャル領域を成長する。ｎ型ＩｎＰクラッド層、ｎ型ＡｌＧａＩｎＡｓ光閉じ込め層（バンドギャップ波長１．１０μｍ)、ノンドープＡｌＧａＩｎＡｓ多層量子井戸構造（井戸層：厚さ６ｎｍ；バンドギャップ波長１．３μｍ、障壁層：厚さ９ｎｍ；バンドギャップ波長１．１０μｍ）、ノンドープのＡｌＧａＩｎＡｓ光閉じ込め層（バンドギャップ波長１．１０μｍ)、ｐ型ＡｌＩｎＡｓキャリヤストップ層、ｐ型ＧａＩｎＡｓＰ回折格子層（バンドギャップ波長１．２μｍ）をｎ型ＩｎＰ基板上に成長する。通信波長帯の光を発生する分布帰還型半導体レーザを作製する工程では、その後、電子ビーム露光及びドライエッチングにより回折格子構造をｐ型ＧａＩｎＡｓＰ回折格子層に形成する。回折格子構造を形成した後に、ｐ型ＩｎＰクラッド層及びｐ型ＧａＩｎＡｓコンタクト層を再成長する。通信波長帯の光を発生するファブリペローレーザを作製する工程では、回折格子形成は行わず、ＡｌＩｎＡｓキャリヤストップ層の成長後に、引き続き、ｐ型ＩｎＰクラッド層及びｐ型ＧａＩｎＡｓコンタクト層を成長する。活性層の材料は、ＩｎＰ基板を用いる半導体光素子では、ＧａＩｎＡｓＰ等を用いることができ、ＧａＡｓ基板を用いる半導体光素子では、ＧａＩｎＮＡｓ等を用いることができ、またＩｎＡｓ量子ドット等を用いることができる。活性層の材料として、通信波長帯をターゲットとした他の半導体材料を用いても良い。
【００３６】
次いで、図１の（ｂ）部に示されるように、リッジ構造１４ａ、１４ｄを画定するトレンチ１４ｂ、１４ｃ、１４ｅ、１４ｆを形成する。これらのトレンチ溝の形成のために、複数のIII−Ｖ化合物半導体膜を積層したエピタキシャル基板Ｅ上に、リッジ構造の延在方向に延びる開口を有するマスク３１（破線で示されるトレンチマスク）を形成する。また、マスク３１は、例えばストライプ開口３１ａを有する。マスク３１は例えばシリコン窒化物（ＳｉＮ）といったシリコン系無機化合物からなることができる。実施例では、厚さ３００ｎｍのＳｉＮ膜をＣＶＤ法で堆積した後に、リッジ構造を形成するためのパターンを有するレジストマスクをフォトリソグラフィーにより形成する。レジストマスクをエッチングマスクとして用いて、ＣＦ４の反応性イオンエッチングで絶縁膜にパターン転写を行う。その後、Ｏ２アッシングを行ってレジストマスクを除去する。
【００３７】
次いで、マスク３１を用いてエピタキシャル基板Ｅをエッチングして、リッジ構造１４ａ、１４ｄを規定するトレンチ１４ｂ、１４ｃ、１４ｅ、１４ｆを形成する。エッチングの後に、マスク３１を除去すると、基板生産物ＳＰ１が得られる。リッジ構造１４ａはトレンチ１４ｂとトレンチ１４ｃとに挟まれており、リッジ構造１４ｄはトレンチ１４ｅとトレンチ１４ｆとに挟まれている。基板生産物ＳＰ１は、トレンチ１４ｂと別のトレンチ１４ｅとの間に設けられた凸領域１４ｇを含む。基板生産物ＳＰ１の一端には凸領域１４ｈが設けられ、基板生産物ＳＰ１の他端には凸領域１４ｉが設けられる。リッジ構造１４ａ、１４ｄの延在方法に交差する方向に、凸領域１４ｈ、トレンチ１４ｃ、リッジ構造１４ａ、トレンチ１４ｂ、凸領域１４ｇ、トレンチ１４ｅ、リッジ構造１４ｄ、トレンチ１４ｆ、及び凸領域１４ｉが順に配列されている。
【００３８】
一実施例では、ＩｎＰ系化合物半導体のエッチングには、例えばＣＨ４／Ｈ２の反応性イオンエッチング法が適用され、ＧａＡｓ系化合物半導体ならば、例えばＣｌ系の反応性イオンエッチング法が適用される。エッチングの後に、ドライエッチングに起因した損傷層を除去するために、ウェットクリーニングを実施する。絶縁膜（ＳｉＮ）マスクをバッファードフッ酸で除去する。
【００３９】
図２の（ａ）部に示されるように、基板１１上に設けられた半導体領域１４上に絶縁膜３３を成長炉１０ｂで形成する。絶縁膜３３は、例えばシリコン酸化物といったシリコン系無機絶縁体からなることができる。一実施例では、絶縁膜３３として、厚さ３５０ｎｍのＳｉＯ２をＣＶＤ法で成膜する。半導体領域１４は、第１領域１４ｊ、１４ｋと第２領域１４ｍとを含む。第１領域１４ｊは、リッジ構造１４ａ、トレンチ１４ｂ、及びトレンチ１４ｃを含み、第１領域１４ｋは、リッジ構造１４ｄ、トレンチ１４ｅ及びトレンチ１４ｆを含む。トレンチの幅は、例えば１２μｍ〜２３μｍであることができる。リッジの幅は、例えば１．０μｍ〜１．５μｍであることができる。
【００４０】
絶縁膜３３を形成した後に、リッジ構造１４ａ、１４ｄを埋め込むと共にリッジ構造１４ａ、１４ｄの上面１４ｐ、１４ｑに開口を有する非感光性ＢＣＢ樹脂領域を形成する。以下に、この形成を説明する。
【００４１】
図２の（ｂ）部に示されるように、半導体領域１４の全面に非感光性ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）樹脂を塗布すると共に、塗布された非感光性ＢＣＢ樹脂をキュアして、非感光性ＢＣＢ樹脂領域３５を形成する。キュア条件は例えば以下のものである。キュアにおいて、Ｎ２雰囲気を用いることができ、摂氏２９５度において６分間でキュアを行う。非感光性ＢＣＢ樹脂領域３５の厚さは、後ほどのエッチングによる膜減りを考慮に入れて、リッジ構造１４ａ、１４ｄ上において２．０μｍ未満であることが好ましい。非感光性ＢＣＢ樹脂領域３５は、トレンチ１４ｂ、トレンチ１４ｃ、トレンチ１４ｅ及びトレンチ１４ｆの表面を覆う。
【００４２】
図３の（ａ）部に示されるように、塗布された非感光性ＢＣＢ樹脂領域３５上に、開口３７ａ、３７ｂを有するマスク３７を形成する。マスク３７の開口３７ａ、３７ｂは、リッジ構造１４ａ、１４ｄの上面１４ｐ、１４ｑ上に位置する。マスク３７は例えばレジストからなることができる。開口３７ａ、３７ｂは、リッジの延在方向に延びるストライプ形状を有し、ストライプ形状の幅Ｗ２は、リッジ構造１４ａ、１４ｄの上面１４ｐ、１４ｑの幅Ｗ１より大きい。
【００４３】
図３の（ｂ）部に示されるように、マスク３７を用いて非感光性ＢＣＢ樹脂領域３５をエッチングして、非感光性ＢＣＢ樹脂領域３９を形成する。この工程において、基板生産物ＳＰ２が形成される。エッチングは例えばドライエッチングを用いて行われることができる。エッチングにより、リッジ上部の樹脂を除去して開口３９ａを形成する。開口３９ａにより、リッジ構造１４ａ、１４ｄの上面１４ｐ、１４ｑに位置する絶縁膜上部３３ａが露出される。半導体素子領域において、リッジ構造に沿って形成されるトレンチの幅は一定であることが好ましい。エッチング終了の後に、マスク３７を除去する。一実施例では、レジストマスクを用いて、ＣＦ４／Ｏ２の反応性イオンエッチングによりリッジ上部の非感光性ＢＣＢ樹脂を除去する。
【００４４】
この作製方法によれば、半導体領域１４の全面に非感光性ＢＣＢ樹脂を塗布するので、リッジ構造１４ａ、１４ｄの上面１４ｐ、１４ｑ及び側面１４ｒが非感光性ＢＣＢ樹脂で覆われる。リッジ構造１４ａ、１４ｄの上面１４ｐ、１４ｑ上に開口を有するマスク３７を用いて非感光性ＢＣＢ樹脂をエッチングするので、リッジ構造１４ａ、１４ｄを埋め込むと共にリッジ構造１４ａ、１４ｄの上面１４ｐ、１４ｑに開口を有する非感光性ＢＣＢ樹脂領域３９を形成できる。マスク３７を除去するので、マスク３７のパターンに関係なく、後の工程を行うことができる。
【００４５】
次いで、非感光性ＢＣＢ樹脂領域３９に加工して、半導体光素子のための素子領域の外側に位置するスクライブエリアを露出させる。スクライブエリアを露出させる工程を説明する。
【００４６】
図４の（ａ）部に示されるように、スクライブエリアを規定するマスク４１を形成する。マスク４１は、素子領域外側４０ｂに位置するスクライブエリアを規定する開口４１ａを有しており、また素子領域４０ａの非感光性ＢＣＢ樹脂領域３９を覆う。マスク４１は、例えばレジストからなることができる。開口４１ａは、リッジ構造１４ａ、１４ｄの延在方向に交差する方向に延びる。
【００４７】
図４の（ｂ）部に示されるように、マスク４１を用いて非感光性ＢＣＢ樹脂領域３９をエッチングして、スクライブエリアに絶縁膜３３が露出される。非感光性ＢＣＢ樹脂のエッチングは、例えばフルオロカーボン及び酸素を含むエッチャントを用いて行われることが好ましい。スクライブエリアの加工をドライエッチングにより行って、開口精度のよく微細な形状のスクライブエリアを形成できる。エッチングの後に、マスク４１を除去する。スクライブエリアを規定する開口を有すると共に素子領域を覆うマスク４１を用いるので、非感光性ＢＣＢ樹脂のエッチングが容易である。非感光性ＢＣＢ樹脂領域４３はスクライブエリアのための開口４３ａを有し、この開口４３ａは、リッジ構造１４ａ、１４ｄの延在方向に交差する方向に延びる。開口４３ａには、絶縁膜３３が露出される。
【００４８】
また、必要な場合には、マスク４１は、図４の（ａ）部に示されるように、リッジ構造４１ａ、４１ｄの延在方向に延在する開口４１ｂを有することができる。このとき、非感光性ＢＣＢ樹脂領域４３は、図４の（ｂ）部に示されるように、マスク４１の開口４１ｂによって規定されるストライプ開口４３ｂを有することができる。開口３９ａ（非感光性ＢＣＢ樹脂領域４３の開口４３ｃとしても参照する）はストライプ開口４３ｂの間に設けられる。後の工程において半導体バーをストライプ開口４３ｂの位置において個々に分離して半導体光素子が形成される。この作製方法によれば、スクライブエリアのための開口の形成と同時に、半導体バーを個々の半導体光素子に分離するチップ形成のための分離エリアを形成できる。
【００４９】
図５の（ａ）部に示されるように、スクライブエリアを露出させた後に非感光性ＢＣＢ樹脂領域４３をマスクとして用いて絶縁膜３３をエッチングして、保護層４５を形成する。保護層４５は、開口４５ａ、４５ｂ、４５ｃを有する。開口４５ａ、４５ｂ、４５ｃの形成は、２回のフォトリソグラフィ工程を用いて個々に形成された非感光性ＢＣＢ樹脂領域の開口に対して自己整合的に形成される。開口４５ａはスクライブエリアに設けられ、開口４５ａには半導体領域１４の上面が露出される。これ故に、スクライブエリアにスクライブ溝の形成が可能である。開口４５ｂは分離エリアのために設けられ、半導体バーを形成した後に半導体バーから半導体光素子を作製するための分離のために役立つ。開口４５ｃは、非感光性ＢＣＢ樹脂領域４３の開口４３ｃ（非感光性ＢＣＢ樹脂領域３９の開口３９ａ）として作製されたものであり、電極が半導体領域１４への接触のための経路を提供する。
【００５０】
保護層４５はリッジ構造１４ａ、１４ｄの側面１４ｒを覆う。非感光性ＢＣＢ樹脂領域４３でトレンチ１４ｂ、１４ｃ、１４ｅ、１４ｆが埋め込まれており、非感光性ＢＣＢ樹脂領域４３はリッジ構造１４ａ、１４ｄの側面１４ｒ上の保護層４５を覆う。トレンチ１４ｂ、１４ｃ、１４ｅ、１４ｆは突出部１４ｓ及びリッジ構造１４ａ、１４ｄによって規定される。
【００５１】
図５の（ｂ）部に示されるように、保護層４５を形成した後に、リッジ構造１４ａ、１４ｄ及び非感光性ＢＣＢ樹脂領域４３上に電極４７を形成する。基板１１の裏面に別の電極４９を形成する。電極４７の形成には例えばリフトオフ法を用いることができる。電極４７は、非感光性ＢＣＢ樹脂領域４３の開口４３ｃを介して前記リッジ構造の前記上面に接触を成す。これらの工程により、基板生産物ＳＰ３が作製される。
【００５２】
電極４７、４９を形成した後に、図６の（ａ）部に示されるように、スクライブエリアにスクライブ線５１ａ、５１ｂを形成する。本実施例では、スクライブ線５１ａ、５１ｂはエピ面に形成される。スクライブ線５１ａとスクライブ線５１ｂを繋ぐへき開ライン上には、半導体領域１４上に非感光性ＢＣＢ樹脂領域４３が残されており、リッジ構造１４ａ、１４ｄを保護している。スクライブエリアは、リッジ構造１４ａ、１４ｂの延在方向に交差する方向に延在している。また、スクライブ線５１ａ、５１ｂもリッジ構造１４ａ、１４ｂの延在方向に交差する方向に延在する。スクライブ線５１ａ、５１ｂの形成は例えばレーザスクライバやダイヤモンドペンを用いて行われる。これらの工程により、基板生産物ＳＰ４を作製する。
【００５３】
スクライブエリアの幅ＷＳは５μｍ以上であることが好ましい。この作製方法によれば、開口幅が５μｍ程度であれば、スクライブ線の形成が可能になる。また、スクライブエリアの幅ＷＳは２０μｍ以下であることが好ましい。
【００５４】
図６の（ｂ）部に示されるように、スクライブ線５１ａ、５１ｂの位置に合わせて基板生産物ＳＰ４に押圧を行って、半導体バーを形成する。押圧は例えばブレードといった半導体バー作製装置５３を用いて行われる。本実施例では、ブレードは基板生産物ＳＰ４の基板面に押し当てられる。
【００５５】
非感光性ＢＣＢ樹脂領域４３の厚さは０．５μｍ以上であることが好ましい。この厚みによれば、半導体光素子の実装の際に、非感光性ＢＣＢ樹脂体が保護膜として役立つ。また、非感光性ＢＣＢ樹脂領域４３の厚さは突出部１４ｓ上において１．５μｍ以下であることが好ましく、好適な歩留まりが提供される。
【００５６】
この作製方法によれば、トレンチを非感光性ＢＣＢ樹脂で満たすことによってリッジ構造１４ａ、１４ｄを保護できる。非感光性ＢＣＢ樹脂厚はトレンチではリッジ構造１４ａ、１４ｄから突出部１４ｓに向かう方向に徐々に大きくなるけれども、この厚さに比べて突出部１４ｓ上の非感光性ＢＣＢ樹脂厚は小さい。非感光性ＢＣＢ樹脂領域４３の厚さは突出部１４ｓ上において１．５μｍ以下であるので、押圧の際に非感光性ＢＣＢ樹脂領域４３に破断面の形成が容易になり、良好な歩留まりで半導体バーを作成が可能になる。半導体光素子として半導体レーザを作製するときは、半導体バーはレーザバーと呼ばれる。
【００５７】
図７の（ａ）部を参照すると、半導体バーＳＰ５が示されている。半導体バーＳＰ５は、押圧により基板１１及び半導体領域１４にそれぞれ形成されたへき開面８ｃｖ、１２ｃｖを含むと共に押圧により非感光性ＢＣＢ樹脂領域４３に形成された破断面４４ｃｖを含む。
【００５８】
この作製方法によれば、リッジ構造１４ａ、１４ｄの上面１４ｐ、１４ｑに開口３９ａを有する非感光性ＢＣＢ樹脂領域３９を形成することとは別個に、スクライブエリアを露出させる加工を非感光性ＢＣＢ樹脂領域３９に施す。これ故に、リッジ構造上面の開口４３ｃに電極４７のために好適なテーパーを付けるように加工を非感光性ＢＣＢ樹脂にでき、またスクライブ線の形成を可能にする開口４３ａを非感光性ＢＣＢ樹脂に形成できる。リッジ上面１４ｐ、１４ｑを露出させる加工をスクライブエリアを露出させる加工と比較するとき、この両者の加工エリアに大きな違いがあり、両者の加工を単一の加工工程で行ことを避けることにより、個々に適切な開口を形成でき、信頼性の向上につながる。
【００５９】
また、非感光性ＢＣＢ樹脂領域４３が、リッジ構造１４ａ、１４ｄを埋め込むと共にリッジ構造上面１４ｐ、１４ｑに開口４３ｃを有する。この作製方法では、感光性ＢＣＢ樹脂を用いることなく、スクライブエリアの露出、スクライブ線の形成、及び押圧による半導体バーの形成を行うことができる。これ故に、基板１１及び半導体領域１４にへき開面８ｃｖ、１２ｃｖが形成されると共に非感光性ＢＣＢ樹脂領域４３に破断面４４ｃｖが形成される。つまり、へき開可能な半導体領域１４と該半導体領域１４上のへき開性のない非感光性ＢＣＢ樹脂領域４３とを含む基板生産物において、スクライブ線５１ａ、５１ｂによって規定されるへき開ラインに沿って延在するへき開面の形成と該へき開ラインに沿って延在する破断面の形成とが可能になる。
【００６０】
さらに、上記の形状を非感光性ＢＣＢ樹脂に形成するために、非感光性ＢＣＢ樹脂への露光を行うことがない。これ故に、この製造方法は、埋込樹脂の露光特性に係る不具合に関係ない。
【００６１】
半導体バーＳＰ５は、支持体８と、半導体領域１２と、保護層３４と、非感光性ＢＣＢ樹脂体４４と、電極４８と、別の電極５０とを含む。半導体領域１２は、トレンチ１２ｂ、１２ｃ、１２ｅ、１２ｆを規定する突出部１２ｓ及びリッジ構造１２ａ、１２ｄを含み、支持体８の主面８ａ上に設けられる。保護層３４は、リッジ構造上面１２ｐ、１２ｑの位置に開口３４ｃを有し、また半導体領域１２上に設けられる。非感光性ＢＣＢ樹脂体４４は、リッジ構造上面１２ｐ、１２ｑに開口４４ｃを有し、また突出部１２ｓの上に設けられると共にトレンチ１２ｂ、１２ｃ、１２ｅ、１２ｆに満たされてリッジ構造１２ａ、１２ｄを埋め込む。電極４７は、非感光性ＢＣＢ樹脂体４４及びリッジ構造上面１２ｐ、１２ｑに設けられ、保護層３４の開口３４ｃを介してリッジ構造１２ａ、１２ｄに接触を成す。非感光性ＢＣＢ樹脂体４４の厚さＤ１は、突出部１２ｓの上において２．０μｍ未満である。半導体バーＳＰ５の端面ＥＮＤは、支持体８の裏面８ｂのエッジから非感光性ＢＣＢ樹脂体４４の上面４４ｄのエッジまで延在する。端面ＥＮＤは、非感光性ＢＣＢ樹脂体４４の破断面４４ｃｖ、支持体８のへき開面８ｃｖ、及び半導体領域１２のへき開面１２ｃｖを含む。半導体バーＳＰ５の端面ＥＮＤには、スクライブ線の跡５１ｃ、５１ｄが残される。
【００６２】
必要な場合には、非感光性ＢＣＢ樹脂体４４の破断面４４ｃｖ、支持体８のへき開面８ｃｖ、及び半導体領域１２のへき開面１２ｃｖの上に設けられた誘電体多層膜を形成することができる。
【００６３】
ストライプ開口４５ｂの位置において半導体バーＳＰ５を個々に分離して、図７の（ｂ）部に示されるように、半導体光素子ＤＶを形成する。
【００６４】
半導体光素子ＤＶは、支持基体６１と、半導体領域６３と、保護層６５と、非感光性ＢＣＢ樹脂体６７と、電極６９と、別の電極７１とを含む。半導体領域６３は、支持基体６１の主面６１ａ上に設けられる。半導体領域６３は、リッジ構造６３ａ及びトレンチ６３ｂ、６３ｃを含み、トレンチ６３ｂ、６３ｃはリッジ構造６３ａ及び突出部６３ｓによって規定される。保護層６５は、リッジ構造上面６３ｐの位置に開口３４ｃを有し、また半導体領域６３上に設けられる。非感光性ＢＣＢ樹脂体６７は、リッジ構造上面６３ｐに開口６７ｃを有し、また突出部６３ｓ上に設けられると共にトレンチ６３ｂ、６３ｃに満たされてリッジ構造６３ａを埋め込む。電極６９は、非感光性ＢＣＢ樹脂体６７及びリッジ構造上面６３ｐに設けられ、また保護層６５の開口６５ｃを介してリッジ構造６３ａに接触を成す。非感光性ＢＣＢ樹脂体６７の厚さＤ２は、突出部６３ｓの上において２．０μｍ未満である。半導体光素子ＤＶの端面ＥＦは、支持基体６１の裏面６１ｂのエッジから非感光性ＢＣＢ樹脂体６７の上面６７ｄのエッジまで延在する。端面ＥＦは、非感光性ＢＣＢ樹脂体６７の破断面６７ｃｖ、支持基体６１のへき開面６１ｃｖ、及び半導体領域６３のへき開面６３ｃｖを含む。
【００６５】
この半導体光素子ＤＶによれば、リッジ構造６３ａを非感光性ＢＣＢ樹脂体６７で埋め込むので、感光性ＢＣＢ樹脂に係る不具合に関係なくリッジ構造６３ａの樹脂埋め込みが可能になる。また突出部６３ｓ上に非感光性ＢＣＢ樹脂体６７が設けられると共に非感光性ＢＣＢ樹脂体６７の厚さＤ２が第１及び第２の突出部の上において２．０μｍ未満であるので、端面ＥＦが破断面６７ｃｖ並びにへき開面６１ｃｖ、６３ｃｖを含むことが可能になる。
【００６６】
半導体光素子ＤＶでは、非感光性ＢＣＢ樹脂体６７は、半導体光素子ＤＶの側面ＳＤの上縁に沿って設けられた開口６７ｅ、６７ｆを有する。開口６７ｅ、６７ｆは、半導体領域６３の上面が露出される。破断面６７ｃｖは、一対の開口６７ｅ、６７ｆにおける一方から他方まで延在する。この半導体光素子ＤＶによれば、非感光性ＢＣＢ樹脂体６７が側面ＳＤの上縁に沿って設けられた開口６７ｅ、６７ｆを有するので、半導体バーＳＰ５から半導体光素子ＤＶを形成する際に良好な歩留まりを提供できる。破断面６７ｃｖが一対の開口６７ｅ、６７ｆにおける一方から他方の開口まで延在するので、端面ＥＦにおいて非感光性ＢＣＢ樹脂体６７がリッジ構造６３ａを埋め込んでしっかりと保護できる。また、半導体光素子ＤＶがその側面ＳＤの上縁に沿って設けられた開口６７ｅ、６７ｆを持たないとき、破断面６７ｃｖは一対の側面ＳＤにおける一方から他方の側面まで延在する。この形態においても、非感光性ＢＣＢ樹脂体６７がリッジ構造６３ａを埋め込んでしっかりと保護できる。
【００６７】
製造方法では、図５の（ａ）部に示されるように、非感光性ＢＣＢ樹脂領域４３をマスクとして用いて絶縁膜３３をセルフアラインプロセスによってエッチングする際に、非感光性ＢＣＢ樹脂領域４３が、リッジ構造に沿ったストライプ形状の開口４３ｃを有し、スクライブラインに沿って延在する開口を持たない。スクライブライン上に非感光性ＢＣＢ樹脂領域４３を残すことによって、絶縁膜３３のエッチングを避けることができる。つまり、本実施例では、素子領域では、スクライブラインに沿って絶縁膜３３が残されている。したがって、リッジ構造の近傍においてスクライブラインに沿って半導体領域が露出されていないので、半導体領域の露出に起因する信頼性に係る影響を避けることができる。発明者の知見によれば、スクライブ線を形成すると共に該スクライブ線からへき開を引き起こすことによって半導体バーを形成することを可能にするために、半導体領域の上面に直接にスクライブ線を形成する。このために、スクライブエリアの非感光性ＢＣＢ樹脂を除去すると共に、リッジ構造の近傍においては非感光性ＢＣＢ樹脂領域を残す。これによって、リッジ構造に沿って非感光性ＢＣＢ樹脂領域を設けることができ、半導体バーの端面においてもリッジ構造は非感光性ＢＣＢ樹脂領域で埋め込まれている。
【００６８】
スクライブライン上においては、素子領域の外側にあるスクライブエリア上の非感光性ＢＣＢ樹脂領域に開口を設ける。この開口の幅は５μｍ以上である。また、リッジ構造上における開口形成におけるプロセス制御（例えば精密なエッチング時間調整）が必要である。さらに、リッジ構造上に形成される非感光性ＢＣＢ樹脂開口の面積はスクライブエリアのための非感光性ＢＣＢ樹脂開口の面積と著しく異なるので、結果として、樹脂の加工におけるエッチングレートに大きな差異が生じる。これらの課題を解決するために、スクライブエリア上の非感光性ＢＣＢ樹脂領域に開口を形成するプロセスは、リッジ構造上の非感光性ＢＣＢ樹脂領域に開口を形成するプロセスと別個に行われる。良好のへき開歩留まりを確保するために、キュア後の非感光性ＢＣＢ樹脂領域の厚さは、トレンチ及びリッジ構造の外側の半導体領域において、２．０μｍ未満であることが好ましく、１．５μｍ以下の厚さが更に好ましい。また、上記の厚さは０．５μｍ以上であることが好ましい。これによって、半導体光素子の実装時においてリッジの破損を抑制する保護膜として非感光性ＢＣＢ樹脂領域が機能する。
【００６９】
なお、本発明は、本実施の形態に開示された特定の構成に限定されるものではない。
【産業上の利用可能性】
【００７０】
以上説明したように、本実施の形態によれば、ＢＣＢ樹脂による埋め込みを用いて良好な信頼性を提供できる半導体光素子を作製する方法が提供され、また、ＢＣＢ樹脂による埋め込みを用いて良好な信頼性を有する半導体光素子が提供される。
【符号の説明】
【００７１】
Ｅ…エピタキシャル基板、１１…基板、１３…半導体積層、１４…半導体領域、１４ａ、１４ｄ…リッジ構造、１４ｂ、１４ｃ、１４ｅ、１４ｆ…トレンチ、１４ｐ、１４ｑ…リッジ上面、１５…ｎ型III−Ｖ化合物半導体領域、１７…活性領域、１９…ｐ型III−Ｖ化合物半導体領域、２１ａ…障壁層、２１ｂ…井戸層、２５ａ…光閉じ込め層、２５ｂ…光閉じ込め層、２３…回折格子領域、２５ｃ…回折格子層、２７…ｐ型クラッド層、２９…ｐ型コンタクト層、３１…マスク、３３…絶縁膜、３５…非感光性ＢＣＢ樹脂領域、３７…マスク、３９…非感光性ＢＣＢ樹脂領域、４１…マスク、４０ａ…素子領域、４０ｂ…素子領域外側、４３…非感光性ＢＣＢ樹脂領域、４５…保護層、４７、４９…電極、ＥＮＤ…半導体バー端面、５１ａ、５１ｂ…スクライブ線、８ｃｖ、１２ｃｖ…へき開面、４４ｃｖ…破断面、ＤＶ…半導体光素子、６１…支持基体、６３…半導体領域、６５…保護層、６７…非感光性ＢＣＢ樹脂体、６９、７１…電極、ＥＦ…半導体光素子端面、６１ｃｖ、６３ｃｖ…へき開面、６７ｃｖ…破断面。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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