(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を収容する処理室を加熱する加熱手段と、
熱電対により前記基板の近傍の温度を検出する第１の温度検出手段と、
前記第１の温度検出手段に用いる熱電対と比べて温度検出性能が優れる熱電対により前記加熱手段の近傍の温度を検出する第２の温度検出手段と、
前記第１の温度検出手段により検出された温度、及び前記第２の温度検出手段により検出された温度に基づき前記加熱手段を制御する第１の制御モードと、
前記第２の温度検出手段により検出された温度に基づき前記加熱手段を制御する第２の制御モードと、を備え、
前記第２の温度検出手段により検出された温度が第１の閾値未満の場合には、前記第２の制御モードによって前記加熱手段を制御し、
前記第２の温度検出手段により検出された温度が前記第１の閾値以上の場合には、前記第１の制御モードによって前記加熱手段を制御し、
前記第１の制御モードであるときに前記第１の温度検出部によって検出された温度が第２の閾値未満の場合には、前記第２の制御モードによって前記加熱手段を制御するコントローラと、を有し、
前記第１の温度検出手段で用いる熱電対は、前記第２の温度検出手段で用いる熱電対に比べて耐熱性に優れている基板処理装置。
【請求項２】
前記第１の制御モードは、前記第１の温度検出手段で行われるＰＩＤ制御と、前記第２の温度検出手段で行われるＰＩＤ制御とを直列的に構成した制御ループを構成したフィードバック制御である請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記第２の制御モードは、前記第２の温度検出手段により検出された温度と予め設定された温度設定値とが一致するようにＰＩＤ制御を行う請求項１または２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記コントローラは、さらに、時間の関数である補正パターンによって表される一定の値で前記加熱手段を制御する第３の制御モードを有する請求項１から３のいずれか１つに記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記第１の閾値は、前記第２の閾値よりも高い温度である請求項１から４のいずれか１つに記載の基板処理装置。
【請求項６】
基板を収容する処理室を加熱手段により加熱する工程と、
熱電対により前記基板の近傍の温度を第１の温度検出手段により検出する工程と、
前記第１の温度検出手段に用いる熱電対と比べて温度検出性能が優れる熱電対により前記加熱手段の近傍の温度を第２の温度検出手段により検出する工程と、
前記第２の温度検出手段により検出された温度が第１の閾値未満の場合には、前記第２の温度検出手段により検出された温度に基づき前記加熱手段を制御する第２の制御モードによって前記加熱手段を制御する工程と、
前記第２の温度検出手段により検出された温度が前記第１の閾値以上の場合には、前記第１の温度検出手段により検出された温度、及び前記第２の温度検出手段により検出された温度に基づき前記加熱手段を制御する第１の制御モードによって前記加熱手段を制御する工程と、
前記第１の制御モードであるときに前記第１の温度検出部によって検出された温度が第２の閾値未満の場合には、前記第２の制御モードによって前記加熱手段を制御する工程と、
を有し、
前記第１の温度検出手段で用いる熱電対は、前記第２の温度検出手段で用いる熱電対に比べて耐熱性に優れている基板処理装置の温度制御方法。
【請求項７】
基板を収容する処理室を加熱手段により加熱する工程と、
熱電対により前記基板の近傍の温度を第１の温度検出手段により検出する工程と、
前記第１の温度検出手段に用いる熱電対と比べて温度検出性能が優れる熱電対により前記加熱手段の近傍の温度を第２の温度検出手段により検出する工程と、
前記第２の温度検出手段により検出された温度が第１の閾値未満の場合には、前記第２の温度検出手段により検出された温度に基づき前記加熱手段を制御する第２の制御モードによって前記加熱手段を制御する工程と、
前記第２の温度検出手段により検出された温度が前記第１の閾値以上の場合には、前記第１の温度検出手段により検出された温度、及び前記第２の温度検出手段により検出された温度に基づき前記加熱手段を制御する第１の制御モードによって前記加熱手段を制御する工程と、
前記第１の制御モードであるときに前記第１の温度検出部によって検出された温度が第２の閾値未満の場合には、前記第２の制御モードによって前記加熱手段を制御する工程と、
を有し、
前記第１の温度検出手段で用いる熱電対は、前記第２の温度検出手段で用いる熱電対に比べて耐熱性に優れている半導体デバイスの製造方法。
【請求項８】
前記第１の制御モードは、前記第１の温度検出手段で行われるＰＩＤ制御と、前記第２の温度検出手段で行われるＰＩＤ制御とを直列的に構成した制御ループを構成したフィードバック制御である請求項７に記載の半導体デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、拡散やＣＶＤ処理を行い、所望の熱処理を行う基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
縦型熱拡散装置や縦型減圧ＣＶＤ装置は、例えば処理基板に薄膜を形成するために熱処理炉内に基板を収容し、所定の加熱手段で熱処理炉内を加熱する。そして、多くの場合、熱処理炉に設置した温度センサにより熱処理炉内の温度を検知し、その結果に従い温度を制御するようになっている。
【０００３】
例えば、特許文献１は、急速冷却にともなう外乱が生じても常に安定したフィードバック制御により温度を制御する半導体製造装置について開示している。この半導体製造装置では、昇温工程及び目標温度の維持時は、熱処理炉内を加熱するヒータ近傍に設置された熱電対（ヒータ熱電対）と、熱処理炉内部の均熱管と反応管との間に設置された熱電対（カスケード熱電対）とを用いてカスケード制御ループによる温度制御を行い、ヒータの温度を下降時は、カスケード熱電対のみを用いた直接制御ループに切り替えて温度制御を行う。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００４−１１９８０４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
例えば、従来から縦型熱拡散装置の熱処理炉内の温度を検知する温度センサには一般的にＲ型熱電対が用いられている。しかし、縦型熱拡散装置、特に処理温度が高温（１０００℃以上）の装置においてＲ型熱電対を用いると、早期に熱電対が断線するという問題がある。これは、熱電対の＋側素線と−側素線の熱膨張率の差から高温時に伸び量の差が生じることで熱電対が変形し、さらには昇降温の繰り返しで変形が繰り返され、素線が劣化し断線に至ると考えられる。さらに、別の要因として、高温での使用により熱電対結晶が肥大化し、結晶粒界面での強度が弱くなり断線に至る。
【０００６】
これに対し、Ｒ型熱電対に比べて耐熱性に優れるＢ型熱電対は、熱起電力が小さく、低温の測定が困難であるという問題を抱えている。
【０００７】
なお、Ｒ型熱電対及びＢ型熱電対とはＪＩＳ規格Ｃ１６０２に規定されている熱電対をいう。より具体的には、Ｒ型熱電対とは、＋脚の構成材料としてロジウム１３％を含む白金ロジウム合金を使用し、−脚の構成材料として白金を使用した熱電対である。また、Ｂ型熱電対とは、＋脚の構成材料としてロジウム３０％を含む白金ロジウム合金を使用し、−脚の構成材料としてロジウム６％を含む白金ロジウム合金を使用した熱電対である。
【０００８】
また、例えば、放射温度計を用いて熱処理炉内の温度を検知する場合、放射温度計は波長により対象物の温度を測定するので、測定可能温度範囲が限られてしまう。そこで、広範囲の温度測定を実現するには、低温用放射温度計、高温用放射温度計といったように複数種の放射温度計が必要となる。しかし、複数種の放射温度計を温度帯によって切り替えて制御する場合、切り替え時の温度測定値及び切り替えがなされる温度付近の温度測定値が不安定になるという問題がある。
【０００９】
本発明の目的は、温度センサを用いて熱処理を制御する際の不具合を抑制する基板処理装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するために、本発明にかかる基板処理装置は、基板を収容する処理室を加熱する加熱手段と、熱電対により前記基板の近傍の温度を検出する第１の温度検出手段と、熱電対により前記加熱手段の近傍の温度を検出する第２の温度検出手段と、前記第１の温度検出手段により検出された温度、及び前記第２の温度検出手段により検出された温度に基づき前記加熱手段を制御する第１の制御手段と、前記第２の温度検出手段により検出された温度に基づき前記加熱手段を制御する第２の制御手段と、前記第１の温度検出手段又は前記第２の温度検出手段により検出された温度に従って、前記第１の制御手段による前記加熱手段の制御と前記第２の制御手段による前記加熱手段の制御とを切り替える制御切り替え手段と、を有し、第１の温度検出手段で用いる熱電対は第２の温度検出手段で用いる熱電対に比べて耐熱性に優れた特性を有し、第２の温度検出手段に用いる熱電対は第１の温度検出手段に用いる熱電対と比べて温度検出性能が優れた特性を有する。
【００１１】
また、本発明にかかる基板処理装置の温度制御方法は、基板を収容する処理室を加熱手段により加熱し、熱電対により前記基板の近傍の温度を第１の温度検出手段により検出し、熱電対により前記加熱手段の近傍の温度を第２の温度検出手段により検出し、前記第１の温度検出手段により検出された温度、及び前記第２の温度検出手段により検出された温度に基づき前記加熱手段を制御する第１の制御と、前記第２の温度検出手段により検出された温度に基づき前記加熱手段を制御する第２の制御とを、前記第１の温度検出手段又は前記第２の温度検出手段により検出された温度に従って切り替え、第１の温度検出手段で用いる熱電対は第２の温度検出手段で用いる熱電対に比べて耐熱性に優れた特性を有し、第２の温度検出手段に用いる熱電対は第１の温度検出手段に用いる熱電対と比べて温度検出性能が優れた特性を有する。
【００１２】
また、本発明にかかる基板処理装置は、基板を収容する処理室を加熱する加熱手段と、第１の放射温度計を用いて前記加熱手段によって加熱された温度を検出する第１の温度検出手段と、第１の放射温度計によって測定される温度の範囲の上限よりも高い温度を測定される温度の範囲の上限とし、かつ、第１の放射温度計によって測定される温度の範囲の下限よりも高い温度を測定される温度の範囲の下限とする第２の放射温度計を用いて、前記加熱手段によって加熱された温度を検出する第２の温度検出手段と、前記第１の温度検出手段により検出された温度に基づき前記加熱手段を制御する第１の制御手段と、前記第２の温度検出手段により検出された温度に基づき前記加熱手段を制御する第２の制御手段と、前記第１の温度検出手段又は前記第２の温度検出手段により検出された温度と予め定められた閾値とに基づいて、前記第１の制御手段による前記加熱手段の制御と前記第２の制御手段による前記加熱手段の制御とを切り替える制御切り替え手段とを有する。
【００１３】
また、本発明にかかる基板処理装置の加熱方法は、基板を収容する処理室を加熱手段により加熱し、第１の放射温度計を用いて前記加熱手段によって加熱された温度を第１の温度検出手段により検出し、第１の放射温度計によって測定される温度の範囲の上限よりも高い温度を測定される温度の範囲の上限とし、かつ、第１の放射温度計によって測定される温度の範囲の下限よりも高い温度を測定される温度の範囲の下限とする第２の放射温度計を用いて、前記加熱手段によって加熱された温度を第２の温度検出手段により検出し、前記第１の温度検出手段により検出された温度に基づき前記加熱手段を制御する第１の制御手段と、前記第２の温度検出手段により検出された温度に基づき前記加熱手段を制御する第２の制御手段とを、前記第１の温度検出手段又は前記第２の温度検出手段により検出された温度と予め定められた閾値とに基づいて切り替える。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、温度センサを用いて熱処理を制御する際の不具合を抑制する基板処理装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の第１実施形態に係る基板処理装置である縦型熱拡散装置の処理炉の断面図である。
【図２】本発明の第１実施形態に係るＢ型熱電対及びＲ型熱電対の温度特性を示す図である。
【図３】本発明の第１実施形態に係るＢ型熱電対及びＲ型熱電対の温度特性を示す図の拡大図である。
【図４】本発明の第１実施形態に係る温度制御のフローチャートを示す図である。
【図５】本発明の第１実施形態に係る制御モードがヒータダイレクト制御の場合の温度制御部２３８の構成図である
【図６】本発明の第１実施形態に係る制御モードがファーナスカスケード制御の場合の温度制御部２３８の構成図である。
【図７】本発明の第１実施形態の変形例に係る閾値温度Ｔ１及びＴ２と制御モードとの関係を示す図である。
【図８】本発明の第２実施形態に係るＳｉＣ（炭化ケイ素）エピタキシャル膜を成膜する半導体製造装置３００の一例を示す斜視図である。
【図９】（ａ）は、本発明の第２実施形態に係る処理炉３２８の一例を示す側面断面図であり、（ｂ）は、ボート３２０に支持されたウエハ３０４の側面断面図である。
【図１０】本発明の第２実施形態に係る半導体製造装置３００の制御構成の一例を示すブロック図である。
【図１１】本発明の第２実施形態に係る処理炉３２８の一例を示す平面断面図である。
【図１２】本発明の第２実施形態に係る半導体製造装置３００のガス供給ユニット３８０の一例を示す模式図である。
【図１３】本発明の第２実施形態に係る処理炉３２８及び周辺構造の概略断面図である。
【図１４】温度制御部３６２による温度制御の切り替え規則を示す表である。
【図１５】高温用放射温度計による制御と低温放射温度計による制御との切り替えを示すグラフである。
【図１６】本発明の第２実施形態の変形例における温度制御部３６２による温度制御の切り替え規則を示す表である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明の第１実施形態について図面に基づいて説明する。
【００１７】
図１は本発明の第１実施形態で好適に用いられる基板処理装置である縦型熱拡散装置の処理炉２０２の概略構成図であり、縦断面図として示されている。
【００１８】
図１に示されているように、処理炉２０２は加熱機構としてのヒータ２０６を有する。ヒータ２０６は円筒形状であり、保持板としてのヒータベース２５１に支持されることにより垂直に据え付けられている。
【００１９】
ヒータ２０６の内側には、例えば、炭化珪素（ＳｉＣ）等の耐熱性材料からなり、上端が閉塞し、下端が開口した円筒形状である均熱管（外管）２０５が、ヒータ２０６と同心円状に配設されている。また、均熱管２０５の内側には、例えば石英（ＳｉＯ２）等の耐熱性材料からなり、上端が閉塞し、下端が開口した円筒形状である反応管（内管）２０４が、均熱管２０５と同心円状に配設されている。反応管２０４の筒中空部には処理室２０１が形成されており、基板としてのウエハ２００を後述するボート２１７によって水平姿勢で垂直方向に多段に整列した状態で収容可能に構成されている。
【００２０】
反応管２０４の下端部にはガス導入部２３０が設けられており、ガス導入部２３０から反応管２０４の天井部２３３に至るまで反応管２０４の外壁に添ってガス導入管としての細管２３４が配設されている。ガス導入部２３０から導入されたガスは、細管２３４内を流通して天井部２３３に至り、天井部２３３に設けられた複数のガス導入口２３３ａから処理室２０１内に導入される。また、反応管２０４の下端部のガス導入部２３０と異なる位置には、反応管２０４内の雰囲気を排気口２３１ａから排気するガス排気部２３１が設けられている。
【００２１】
ガス導入部２３０には、ガス供給管２３２が接続されている。ガス供給管２３２のガス導入部２３０との接続側と反対側である上流側には、ガス流量制御器としてのＭＦＣ（マスフローコントローラ）２４１を介して図示しない処理ガス供給源、キャリアガス供給源、不活性ガス供給源が接続されている。なお、処理室２０１内に水蒸気を供給する必要がある場合は、ガス供給管２３２のＭＦＣ２４１よりも下流側に、図示しない水蒸気発生装置が設けられる。ＭＦＣ２４１には、ガス流量制御部２３５が電気的に接続されており、供給するガスの流量が所望の量となるよう所望のタイミングにて制御するように構成されている。
【００２２】
ガス排気部２３１には、ガス排気管２２９が接続されている。ガス排気管２２９のガス排気部２３１との接続側とは反対側である下流側には圧力検出器としての圧力センサ２４５および圧力調整装置２４２を介して排気装置２４６が接続されており、処理室２０１内の圧力が所定の圧力となるよう排気し得るように構成されている。圧力調整装置２４２および圧力センサ２４５には、圧力制御部２３６が電気的に接続されており、圧力制御部２３６は圧力センサ２４５により検出された圧力に基づいて圧力調整装置２４２により処理室２０１内の圧力が所望の圧力となるよう所望のタイミングにて制御するように構成されている。
【００２３】
反応管２０４の下端部には、反応管２０４の下端開口を気密に閉塞可能な保持体としてのベース２５７と、炉口蓋体としてのシールキャップ２１９とが設けられている。シールキャップ２１９は例えばステンレス等の金属からなり、円盤状に形成されている。ベース２５７は例えば石英からなり、円盤状に形成され、シールキャップ２１９の上に取付けられている。ベース２５７の上面には反応管２０４の下端と当接するシール部材としてのＯリング２２０が設けられる。シールキャップ２１９の処理室２０１と反対側には、ボートを回転させる回転機構２５４が設置されている。回転機構２５４の回転軸２５５はシールキャップ２１９とベース２５７を貫通して、後述する断熱筒２１８とボート２１７に接続されており、断熱筒２１８およびボート２１７を回転させることでウエハ２００を回転させるように構成されている。シールキャップ２１９は反応管２０４の外部に垂直に設備された昇降機構としてのボートエレベータ１１５によって垂直方向に昇降されるように構成されており、これによりボート２１７を処理室２０１に対し搬入搬出することが可能となっている。回転機構２５４及びボートエレベータ１１５には、駆動制御部２３７が電気的に接続されており、所望の動作をするよう所望のタイミングにて制御するように構成されている。
【００２４】
基板保持具としてのボート２１７は、例えば石英や炭化珪素等の耐熱性材料からなり、複数枚のウエハ２００を水平姿勢でかつ互いに中心を揃えた状態で整列させて保持するように構成されている。ボート２１７の下方には、例えば石英や炭化珪素等の耐熱性材料からなる円筒形状をした断熱部材としての断熱筒２１８がボート２１７を支持するように設けられており、ヒータ２０６からの熱が反応管２０４の下端側に伝わりにくくなるように構成されている。
【００２５】
処理炉２０２には温度検出器として２種類のセンサが設けられている。すなわち、均熱管２０５と反応管２０４との間には、温度検出器として複数の内部温度センサ２６３が設置され、均熱管２０５とヒータ２０６との間には、温度検出器としての複数の外部温度センサ２６４が設置されている。この内部温度センサ２６３及び外部温度センサ２６４は熱電対を用いて温度を検出しており、例えば、内部温度センサ２６３はＢ型熱電対を用い、外部温度センサ２６４はＲ型熱電対を用いて温度を検出している。なお、内部温度センサ２６３及び外部温度センサ２６４については詳細を後述する。ヒータ２０６、内部温度センサ２６３、及び外部温度センサ２６４には、電気的に温度制御部２３８が接続されており、内部温度センサ２６３及び外部温度センサ２６４により検出された温度情報に基づきヒータ２０６への通電具合を調整することにより処理室２０１内の温度が所望の温度分布となるよう所望のタイミングにて制御するように構成されている。
【００２６】
ガス流量制御部２３５、圧力制御部２３６、駆動制御部２３７、温度制御部２３８は、操作部、入出力部をも構成し、基板処理装置全体を制御する主制御部２３９に電気的に接続されている。これら、ガス流量制御部２３５、圧力制御部２３６、駆動制御部２３７、温度制御部２３８、主制御部２３９はコントローラ２４０として構成されている。
【００２７】
次に、上記構成に係る処理炉２０２を用いて、半導体デバイスの製造工程の一工程として、ウエハ２００に酸化、拡散等の処理を施す方法について説明する。尚、以下の説明において、基板処理装置を構成する各部の動作はコントローラ２４０により制御される。
【００２８】
複数枚のウエハ２００がボート２１７に装填（ウエハチャージ）されると、図１に示されているように、複数枚のウエハ２００を保持したボート２１７は、ボートエレベータ１１５によって持ち上げられて処理室２０１に搬入（ボートローディング）される。この状態で、シールキャップ２１９はベース２５７、Ｏリング２２０を介して反応管２０４下端をシールした状態となる。
【００２９】
処理室２０１内が所望の圧力となるように排気装置２４６によって排気される。この際、処理室２０１内の圧力は、圧力センサ２４５で測定され、この測定された圧力に基づき圧力調節器２４２が、フィードバック制御される。また、処理室２０１内が所望の温度となるようにヒータ２０６によって加熱される。この際、処理室２０１内が所望の温度分布となるように温度検出器である内部温度センサ２６３及び外部温度センサ２６４が検出した温度情報に基づきヒータ２０６への通電具合がフィードバック制御される。なお、温度検出器により検出された温度情報に基づくヒータ２０６の制御については、詳細を後述する。続いて、回転機構２５４により、断熱筒２１８、ボート２１７が回転されることで、ウエハ２００が回転される。
【００３０】
次いで、処理ガス供給源およびキャリアガス供給源から供給され、ＭＦＣ２４１にて所望の流量となるように制御されたガスは、ガス供給管２３２からガス導入部２３０および細管２３４を流通し天井部２３３に至り、複数のガス導入口２３３ａから処理室２０１内にシャワー状に導入される。なお、ウエハ２００に対して水蒸気を用いた処理を行う場合は、ＭＦＣ２４１にて所望の流量となるように制御されたガスは水蒸気発生装置に供給され、水蒸気発生装置にて生成された水蒸気（Ｈ２Ｏ）を含むガスが処理室２０１に導入される。導入されたガスは処理室２０１内を流下し、排気口２３１ａを流通してガス排気部２３１から排気される。ガスは処理室２０１内を通過する際にウエハ２００の表面と接触し、ウエハ２００に対して酸化、拡散等の処理がなされる。
【００３１】
予め設定された処理時間が経過すると、不活性ガス供給源から不活性ガスが供給され、処理室２０１内が不活性ガスに置換されるとともに、処理室２０１内の圧力が常圧に復帰される。
【００３２】
その後、ボートエレベータ１１５によりシールキャップ２１９が下降されて、反応管２０４の下端が開口されるとともに、処理済ウエハ２００がボート２１７に保持された状態で反応管２０４の下端から反応管２０４の外部に搬出（ボートアンローディング）される。その後、処理済ウエハ２００はボート２１７より取出される（ウエハディスチャージ）。
【００３３】
以上がウエハ２００に酸化、拡散等の処理を施すための一連の工程となる。次に本実施形態における、温度検出器、及び温度検出器を用いたヒータ２０６の制御について詳述する。
【００３４】
熱処理炉内の温度を検知する場合、一般的にＲ型熱電対を温度センサとして温度検出を行なうが、高温環境下ではＲ型熱電対の断線が早期に発生する。この課題に対し、Ｒ型熱電対に比べて耐熱性に優れた熱電対として本実施形態ではＢ型熱電対を用いている。Ｂ型熱電対が耐熱性に優れるのは、白金にロジウムを添加すると一般的に機械的強度が強くなり、変形による断線が生じにくくなるからである。また、ロジウムが少ないほど結晶粒が粗大となり、これによりロジウムが多いと結晶粒の粗大化が比較的抑えられると考えられる。したがって、結晶粒が粗大化した場合の結晶粒界面の強度低下を抑制することが期待できる。
【００３５】
しかし、Ｂ型熱電対を用いることは、次のような点で問題となる。図２はＢ型熱電対及びＲ型熱電対の温度特性を表した図である。なお、この図はＪＩＳ規格Ｃ１６０２の基準熱起電力表をもとに横軸に温度（℃）、縦軸に熱起電力（ｍＶ）をプロットしたものである。図２より、Ｂ型熱電対はＲ型熱電対に比べいずれの温度領域においても熱起電力が小さいことがわかる。例えば、１２００℃における熱起電力はＲ型熱電対では１３．２２８ｍＶであるのに対しＢ型熱電対では６．７８６ｍＶと小さく、６００℃における熱起電力はＲ型熱電対では５．５８３ｍＶであるのに対しＢ型熱電対では１．７９２ｍＶと小さい。このようにＢ型熱電対は熱起電力が小さいゆえに、特に低温領域（２５０℃以下）において測定誤差が生じやすく、測定精度が悪化する可能性があるという問題がある。
【００３６】
さらに、Ｂ型熱電対は熱起電力が負の値をとることがあり温度を特定できないという問題点もある。図３は、図２におけるグラフの０℃から１００℃付近を拡大した図である。Ｂ型熱電対は４０℃以下の温度では起電力が負の値となり、異なる温度で同一の熱起電力となる特性を持つ。このため、負の値の熱起電力を検出した場合、温度を特定することができない。
【００３７】
このように、Ｂ型熱電対を温度検出器として用いるには問題がある。そこで、本実施形態では、温度検出器としてＢ型熱電対を用いた内部温度センサ２６３とＲ型熱電対を用いた外部温度センサ２６４とを設け、閾値温度Ｔ未満の環境では外部温度センサ２６４のみを用いてヒータ２０６の温度を制御し、閾値温度Ｔ以上の環境では内部温度センサ２６３及び外部温度センサ２６４を用いてヒータ２０６の温度を制御する。なお、内部温度センサ２６３及び外部温度センサ２６４は、それぞれ図２に示される温度特性に基づく温度−熱起電力変換テーブルによって、検知された熱起電力から温度を求めている。
【００３８】
図４は、本実施形態における温度制御のフローチャートを示す図である。フローチャートに沿って、ヒータ２０６の温度の制御方法を説明する。
【００３９】
ステップ１００（Ｓ１００）では、ヒータ２０６の温度の制御方法が選択される。本実施形態では、制御方法として後述するヒータダイレクト制御、ファーナスカスケード制御及びＡＲＣダイレクトＣ制御の３つの制御モードがあり、Ｓ１００においていずれかの制御モードが選択される。
【００４０】
なお、本実施形態では、Ｓ１００の処理において、ヒータダイレクト制御、ファーナスカスケード制御及びＡＲＣダイレクトＣ制御の３つの制御モードのいずれかが選択されるが、さらに別の制御モードが追加されていてもよく、又は、ＡＲＣダイレクトＣ制御を備えていなくてもよい。
【００４１】
Ｓ１００において、制御モードとして、ヒータダイレクト制御が選択された場合はＳ１０２の処理に進み、ＡＲＣダイレクトＣ制御が選択された場合はＳ１０４の処理に進み、ファーナスカスケード制御が選択された場合にはＳ１０６の処理に進む。
【００４２】
ステップ１０２（Ｓ１０２）では、制御モードが変更されるまで又はヒータ２０６の温度制御が終了されるまで、外部温度センサ２６４の検出温度に基づきヒータダイレクト制御を行い、ヒータ２０６の温度を制御する。
【００４３】
ステップ１０４（Ｓ１０４）では、制御モードが変更されるまで又はヒータ２０６の温度制御が終了されるまで、内部温度センサ２６３及び外部温度センサ２６４の検出温度には依らずにＡＲＣダイレクトＣ制御を行い、ヒータ２０６の温度を制御する。
【００４４】
ステップ１０６（Ｓ１０６）では、内部温度センサ２６３による検出温度を確認する。この検出温度が閾値温度Ｔ以上である場合は、Ｓ１０８の処理に進み、ファーナスカスケード制御を行なう。一方、検出温度が閾値温度Ｔ未満である場合は、Ｓ１０２の処理に進み、ヒータダイレクト制御を行なう。ヒータダイレクト制御では、内部温度センサ２６３の検出温度は用いずにヒータ２０６の温度を制御することとなる。このため、検出温度が閾値温度Ｔ未満である場合には、内部温度センサ２６３に用いられているＢ型熱電対の低温領域における特性の影響を受けずに、ヒータダイレクト制御による安定したフィードバック制御が可能となる。例えば、閾値温度Ｔを２５０℃と設定すれば、測定誤差の発生、及び温度が特定されないというＢ型熱電対の問題による影響を受けずに安定した制御ができる。
【００４５】
なお、ステップ１０６ではＢ型熱電対が用いられている内部温度センサ２６３の低温領域での影響を受けないよう制御モードの切り替えを実施している。したがって、内部温度センサ２６３による検出温度を確認して閾値温度Ｔとの比較を行なうことが望ましいが、外部温度センサ２６４により検出された温度を確認して閾値温度Ｔとの比較を行い制御モードの切り替えを行なってもよい。
【００４６】
また、Ｓ１０６の処理の直前のステップとして、内部温度センサ２６３がＢ型熱電対であるかＲ型熱電対であるかを判別するステップを設けてもよい。このような判別ステップを設けた場合、本実施形態のように内部温度センサ２６３がＢ型熱電対により構成されているときはＳ１０６の処理に移行するが、内部温度センサ２６３がＲ型熱電対により構成されているときはＳ１０６の処理に移行せずにＳ１０８の処理に移行しファーナスカスケード制御を行なうこととなる。
【００４７】
ステップ１０８（Ｓ１０８）では、内部温度センサ２６３による検出温度が閾値温度Ｔ未満となるか、又はヒータ２０６の温度制御が終了されるまで、内部温度センサ２６３及び外部温度センサ２６４によるファーナスカスケード制御を行い、ヒータ２０６の温度を制御する。
【００４８】
以上説明したように、本実施形態にかかる基板処理装置は、内部温度センサ２６３及び外部温度センサ２６４の検出温度に基づき制御するファーナスカスケード制御と、内部温度センサ２６３の検出温度は用いないヒータダイレクト制御とを温度により切り替えているため、Ｂ型熱電対による低温領域の影響を受けずに安定したヒータ２０６の温度制御が可能となる。
【００４９】
ここで、ステップ１００において選択される制御モードについて説明する。
図５は、制御モードがヒータダイレクト制御の場合の温度制御部２３８の構成図である。ヒータダイレクト制御では、温度調整部２７０ａが、ヒータ近傍、例えば均熱管２０５とヒータ２０６との間、の複数ゾーンに挿入された熱電対（外部温度センサ２６４）で計測した温度と温度設定値とが一致するようにＰＩＤ制御を行い、出力パルスを出力制御部２７１に出力する。そして、出力制御部２７１は入力された出力パルスをもとにヒータ２０６の温度を制御する。
【００５０】
図６は、制御モードがファーナスカスケード制御の場合の温度制御部２３８の構成図である。ファーナスカスケード制御における温度調整部２７０ｂは、処理炉内、例えば均熱管２０５と反応管２０４との間、の複数ゾーンに挿入された熱電対（内部温度センサ２６３）により計測した温度と、ヒータ近傍の複数ゾーンに挿入された熱電対（外部温度センサ２６４）により計測した温度とで、それぞれＰＩＤ制御を行なう。ここで、内部温度センサ２６３によるＰＩＤ制御と、外部温度センサ２６４によるＰＩＤ制御は直列的に制御ループを構成し、二重のフィードバック制御を行なっている。
【００５１】
ＡＲＣダイレクトＣ制御とは、ヒータの各ゾーンに対し、Ｃ動作だけで直接ヒータを制御するオープンループ制御である。ここで、Ｃ動作とは、時間の関数である補正パターンによって表される一定の値（compensation：Ｃ）を出力する動作である。
【００５２】
次に、本実施形態の変形例について説明する。変形例では、Ｓ１０６の処理における閾値温度としてＴ１とＴ２とを設けている点で上述の実施形態と異なる。図７は、閾値温度Ｔ１及びＴ２と制御モードとの関係を示す図である。ここで、図中の実線はヒータダイレクト制御を行なうことを示し、点線はファーナスカスケード制御を行なうことを示している。Ｓ１０６の処理における内部温度センサ２６３による検出温度結果が上昇しても、閾値温度Ｔ１未満であればＳ１０２の処理に進みヒータダイレクト制御を行う。検出温度がさらに上昇し、閾値温度Ｔ１以上となるとＳ１０８への遷移に切り替わり、制御モードがファーナスカスケード制御へと切り替わる。その後、検出温度がＴ２以上であればファーナスカスケード制御が続き、検出温度がＴ２未満になるとＳ１０２への遷移に切り替わり、制御モードがヒータダイレクト制御へと切り替わる。
【００５３】
閾値温度Ｔのみにより制御モードの切り替えを行なうと、閾値温度Ｔ付近で検出温度が上昇下降を繰り返すと、それに伴い制御モードもヒータダイレクト制御とファーナスカスケード制御との切り替えが繰り返されてしまい、制御が不安定となる可能性がある。しかし、閾値温度Ｔ１とＴ２を設け、検出温度の上昇時と下降時とで制御モードの切り替わる温度を変えた場合には、閾値温度付近での制御モードの切り替わりの繰り返しを防ぐことができ、安定した制御を行なうことができる。
【００５４】
以上説明した実施形態及びその変形例では、内部温度センサ２６３にＢ型熱電対を用い、外部温度センサ２６４にＲ型熱電対を用いているが、用いる熱電対はこれらに限らない。すなわち、２種類の熱電対（第１の熱電対及び第２の熱電対）を内部温度センサ２６３と外部温度センサ２６４とにそれぞれ用い、第１の熱電対は第２の熱電対に比べて耐熱性に優れており、第２の熱電対は第１の熱電対に比べて温度検出性能が優れていればよい。そして、第１の熱電対の温度検出性能が不十分である温度領域に対しては、第２の熱電対の検出温度のみによるフィードバック制御を行い、それ以外の温度領域に対しては第１の熱電対の検出温度と第２の熱電対の検出温度とを利用してフィードバック制御を行なえばよい。
【００５５】
また、本実施形態では、内部温度センサ２６３にＢ型熱電対を用い、外部温度センサ２６４にＲ型熱電対を用いたが、逆に、内部温度センサ２６３にＲ型熱電対を用い、外部温度センサ２６４にＢ型熱電対を用いてもよい。この場合、内部温度センサ２６３によりヒータダイレクト制御を行なうこととなる。なお、本実施形態のように内部温度センサ２６３にＢ型熱電対を用い、外部温度センサ２６４にＲ型熱電対を用いるのは、例えば次のような場合に好適である。すなわち、外部温度センサ２６４の各ゾーンの設置位置において水平方向に熱電対が設置され、さらに外部温度センサ２６４で使用される熱電対が内部温度センサ２６３で使用される熱電対の長さよりも短い場合である。このような場合、外部温度センサ２６４では、熱電対自体にかかる荷重が小さく、さらに、熱電対が高温となる部分が短いことにより熱膨張による伸び量が小さい。したがって、外部温度センサ２６４の使用態様は、内部温度センサ２６３の使用態様と比べて断線が生じにくい。このため、内部温度センサ２６３にＢ型熱電対を用い、外部温度センサ２６４にＲ型熱電対を用いることが好適となる。
【００５６】
以上説明したように、本発明にかかる第１実施形態及び変形例では、温度センサの長寿命化を図ることができる。従って、基板処理装置のダウンタイムを低減し、稼働率を向上させることができる。また、温度範囲ごとに適した温度センサに基づく加熱温度の制御を行なうので温度制御精度を悪化させることなく、高温領域での使用であっても温度センサの長寿命化を図ることができる。
【００５７】
次に、本発明の第２実施形態について図面に基づいて説明する。
図８は、本発明の第２実施形態に係るＳｉＣ（炭化ケイ素）エピタキシャル膜を成膜する半導体製造装置３００の一例を示す斜視図である。
【００５８】
基板処理装置（成膜装置）としての半導体製造装置３００は、バッチ式縦型熱処理装置であり、主要部が配置される筐体３０２を有する。半導体製造装置３００には、例えばＳｉＣ等で構成された基板としてのウエハ３０４（後述する図９参照）を収納する基板収容器として、フープ（以下、ポッドと称す）３０６がウエハキャリアとして使用される。筐体３０２の正面側には、ポッドステージ３０８が配置されており、ポッドステージ３０８にポッド３０６が搬送される。ポッド３０６には、例えば２５枚のウエハ３０４が収納され、蓋が閉じられた状態でポッドステージ３０８にセットされる。
【００５９】
筐体３０２内の正面側であって、ポッドステージ３０８に対向する位置には、ポッド搬送装置３１０が配置されている。また、ポッド搬送装置３１０の近傍にはポッド収納棚３１２、ポッドオープナ３１４及び基板枚数検知器３１６が配置されている。ポッド収納棚３１２は、ポッドオープナ３１４の上方に配置され、ポッド３０６を複数個載置した状態で保持するように構成されている。基板枚数検知器３１６は、ポッドオープナ３１４に隣接して配置され、ポッド搬送装置３１０は、ポッドステージ３０８とポッド収納棚３１２とポッドオープナ３１４との間でポッド３０６を搬送する。ポッドオープナ３１４は、ポッド３０６の蓋を開けるものであり、基板枚数検知器３１６は蓋を開けられたポッド３０６内のウエハ３０４の枚数を検知するようになっている。
【００６０】
筐体３０２内には、基板移載機３１８、基板保持具としてのボート３２０が配置されている。基板移載機３１８は、アーム（ツイーザ）３２２を有し、図示しない駆動手段により昇降可能且つ回転可能な構造となっている。アーム３２２は、例えば５枚のウエハ３０４を取出すことができ、アーム３２２を動かすことにより、ポッドオープナ３１４の位置に置かれたポッド３０６及びボート３２０間にてウエハ３０４を搬送する。
【００６１】
ボート３２０は、例えばカーボングラファイトやＳｉＣ等の耐熱性材料で構成されており、複数枚のウエハ３０４を水平姿勢で、且つ互いに中心を揃えた状態で整列させて縦方向に積上げ、保持するように構成されている。なお、ボート３２０の下部には、例えば石英やＳｉＣ等の耐熱性材料で構成された円盤形状の断熱部材としてボート断熱部３２４が配置されており、後述する被加熱体（被誘導体）３２６からの熱が処理炉３２８の下方側に伝わりにくくなるように構成されている（後述する図９参照）。
【００６２】
筐体３０２内の背面側上部には、処理炉３２８が配置されている。処理炉３２８内に複数枚のウエハ３０４を装填したボート３２０が搬入され、熱処理が行われる。
【００６３】
次に、ＳｉＣエピタキシャル膜を成膜する半導体製造装置３００の処理炉３２８について説明する。
【００６４】
図９（ａ）は、本発明の第２実施形態に係る処理炉３２８の一例を示す側面断面図であり、図９（ｂ）は、ボート３２０に支持されたウエハ３０４の側面断面図である。
【００６５】
処理炉３２８には、第１のガス供給口３３０を有する第１のガス供給ノズル３３２、第２のガス供給口３３４を有する第２のガス供給ノズル３３６、及び第１のガス排気口３３８が設けられる。また、不活性ガスを供給する第３のガス供給口３４０、第２のガス排気口３４２が図示されている。
【００６６】
処理炉３２８は、石英又はＳｉＣ等の耐熱性材料からなり、上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成された反応管３４４を備えている。反応管３４４の下方には、反応管３４４と同心円状にマニホールド３４６が配設されている。マニホールド３４６は、例えばステンレス等からなり、上端及び下端が開口した円筒形状に形成されている。マニホールド３４６は、反応管３４４を支持するように設けられている。なお、マニホールド３４６と反応管３４４との間には、シール部材としてのＯリング（図示せず）が設けられている。マニホールド３４６が図示しない保持体に支持されることにより、反応管３４４は垂直に据付けられた状態になっている。反応管３４４とマニホールド３４６により、反応容器が形成されている。
【００６７】
処理炉３２８は、上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成された被加熱体（被誘導体）３２６及び磁場発生部としての誘導コイル３４８を具備している。反応管３４４の内側には、反応室３５０が形成れており、ＳｉＣ等で構成された基板としてのウエハ３０４を保持したボート３２０を収納可能に構成されている。被加熱体３２６は、反応管３４４の外側に設けられた誘導コイル３４８により発生される磁場によって加熱されるようになっており、被加熱体３２６が発熱することにより、反応室３５０内が加熱されるようになっている。
【００６８】
また、図９（ｂ）に示されるように、ウエハ３０４は、円環状の下部ウエハホルダ３５２ｂに保持され、上面を円板状の上部ウエハホルダ３５２ａで覆われた状態でボート３２０に保持されるとよい。これにより、ウエハ上部から落下しているパーティクルからウエハ３０４を守ることができると共に、成膜面（ウエハ３０４の下面）に対して裏面側の成膜を抑制することができる。また、ウエハホルダ３５２の分、ボート柱から成膜面を離すことができ、ボート柱の影響を小さくすることができる。ボート３２０は、水平姿勢で、且つ、互いに中心を揃えた状態で縦方向に整列するようにウエハホルダ３５２に保持されたウエハ３０４を保持するよう構成されている。
【００６９】
被加熱体３２６の近傍には、反応室３５０内の温度を検出する温度検出体として温度センサが設けられている。温度センサとして、例えば、被加熱体３２６の近傍に縦方向に３つのゾーンに分割して放射温度計３５４、３５６、３５８、３６０が配置されている。放射温度計３５４は、縦方向の３つのゾーンのうち上部のゾーンに配置されており、放射温度計３５６、３５８は、縦方向の３つのゾーンのうち中部のゾーンに配置されており、放射温度計３６０は、縦方向の３つのゾーンのうち下部のゾーンに配置されている。
【００７０】
上部のゾーンに配置された放射温度計３５４及び下部のゾーンに配置された放射温度計３６０は、モニター用であり、目的に応じて低温用放射温度計又は高温用放射温度計のいずれかが配置されている。中部のゾーンに配置された放射温度計３５６及び３５８のうち、放射温度計３５６は高温用放射温度計であり、放射温度計３５８は低温用放射温度計である。放射温度計３５６及び３５８は、同じ場所の温度を測定する目的で配置されており、高温用放射温度計である放射温度計３５６と低温用放射温度計である放射温度計３５８とを切り替えて温度制御を行なう。
【００７１】
ここで、高温用放射温度計の計測可能な温度範囲の上限温度及び下限温度をそれぞれ高温用上限値Max_High、高温用下限値Min_Highとし、低温用放射温度計の計測可能な温度範囲の上限温度及び下限温度をそれぞれ低温用上限値Max_Low、低温用下限値Min_Lowとすると、高温用放射温度計と低温用放射温度計は、次のような関係にある。すなわち、高温用上限値Max_Highは、低温用上限値Max_Lowよりも高い値であり、かつ、高温用下限値Min_Highは、低温用下限値Min_Lowよりも高い値である。
【００７２】
図１０は、本発明の第２実施形態に係る半導体製造装置３００の制御構成の一例を示すブロック図である。誘導コイル３４８及び放射温度計３５４、３５６、３５８、３６０は、それぞれ図１０に示す温度制御部３６２と電気的に接続されている。温度制御部３６２は、放射温度計３５６又は放射温度計３５８により検出された温度情報に基づき、誘導コイル３４８への通電具合が調節されることで、反応室３５０内の温度が所望の温度分布となるよう所定のタイミングにて制御されるよう構成されている。例えば、高周波電源で駆動される円柱型の誘導過熱ヒータである誘導コイル３４８に対し、温度制御部３６２は、放射温度計３５６又は放射温度計３５８により検出された温度情報と設定温度とを比較して適切な熱量を出力させるべく高周波電源を駆動する。
【００７３】
また、温度制御部３６２は、放射温度計３５６により検出された温度情報に基づく制御と、放射温度計３５８により検出された温度情報に基づく制御とを後述する切り替え方式により切り替えて制御を行なう。
【００７４】
さらに、誘導コイル３４８の近傍に、縦方向に３つのゾーンに分割して熱電対３６４、３６６、３６８が配置されている。熱電対３６４は、縦方向の３つのゾーンのうち上部のゾーンに配置されており、熱電対３６６は、縦方向の３つのゾーンのうち中部のゾーンに配置されており、熱電対３６８は、縦方向の３つのゾーンのうち下部のゾーンに配置されている。熱電対３６４、３６６、３６８は、過温保護のために用いられ、それぞれ温度制御部３６２に電気的に接続されている。
【００７５】
尚、好ましくは、反応室３５０内において第１及び第２のガス供給ノズル３３２，３３６と第１のガス排気口３３８との間であって、被加熱体３２６とウエハ３０４との間には、被加熱体３２６とウエハ３０４との間の空間を埋めるよう、鉛直方向に延在し断面が円弧状の構造物３７０を反応室３５０内に設けるのがよい。図１１は、本発明の第２実施形態に係る処理炉３２８の一例を示す平面断面図である。例えば、図１１に示すように、対向する位置にそれぞれ構造物３７０を設けることで、第１及び第２のガス供給ノズル３３２，３３６から供給されるガスが、被加熱体３２６の内壁に沿ってウエハ３０４を迂回するのを防止することができる。構造物３７０としては、好ましくは断熱材若しくはカーボンフェルト等で構成すると、耐熱及びパーティクルの発生を抑制することができる。
【００７６】
反応管３４４と被加熱体３２６との間には、例えば誘電されにくいカーボンフェルト等で構成された断熱材３７２が設けられ、断熱材３７２を設けることにより、被加熱体３２６の熱が反応管３４４或は反応管３４４の外側へ伝達するのを抑制することができる。
【００７７】
又、誘導コイル３４８の外側には、反応室３５０内の熱が外側に伝達するのを抑制する為の、例えば水冷構造である外側断熱壁３７４が反応室３５０を囲むように設けられている。更に、外側断熱壁３７４の外側には、誘導コイル３４８により発生された磁場が外側に漏れるのを防止する磁気シール３７６が設けられている。
【００７８】
図９に示すように、被加熱体３２６とウエハ３０４との間には、少なくともＳｉ（シリコン）原子含有ガスと、Ｃｌ（塩素）原子含有ガスとをウエハ３０４に供給するために少なくとも１つの第１のガス供給口３３０が設けられた第１のガス供給ノズル３３２が設置される。又、被加熱体３２６とウエハ３０４との間の第１のガス供給ノズル３３２とは異なる箇所には、少なくともＣ（炭素）原子含有ガスと還元ガスとをウエハ３０４に供給するために、少なくとも１つの第２のガス供給口３３４が設けられた第２のガス供給ノズル３３６が設けられる。また、第１のガス排気口３３８も同様に被加熱体３２６とウエハ３０４との間に配置される。又、反応管３４４と断熱材３７２との間に、第３のガス供給口３４０及び第２のガス排気口３４２が配置されている。
【００７９】
また、第１のガス供給ノズル３３２及び第２のガス供給ノズル３３６は、夫々１本ずつでも構わないが、図１１に示されるように、第２のガス供給ノズル３３６は３本設けられ、第２のガス供給ノズル３３６に挟まれるように第１のガス供給ノズル３３２が設けられるように構成すると良い。このように交互に配置することにより、Ｓｉ原子含有ガスとＣ原子含有ガスの混合を促進することができる。また、第１のガス供給ノズル及び第２のガス供給ノズルを奇数本とすることにより、中央の第２ガス供給ノズル３３６を中心に成膜ガス供給を左右対称とすることができ、ウエハ３０４内の均一性を高めることができる。
【００８０】
第１のガス供給口３３０及び第１のガス供給ノズル３３２は、例えばカーボングラファイトで構成され、反応室３５０内に設けられる。又、第１のガス供給ノズル３３２は、マニホールド３４６を貫通するようにマニホールド３４６に取付けられている。ここで、ＳｉＣエピタキシャル膜を形成する際に、第１のガス供給口３３０は、少なくともＳｉ（シリコン）原子含有ガスとして、例えばモノシラン（以下ＳｉＨ４とする）ガスと、Ｃｌ（塩素）原子含有ガスとして、例えば塩化水素（以下ＨＣｌとする）ガスと、キャリアガスとして不活性ガス(例えばＡｒ（アルゴン））とを第１のガス供給ノズル３３２を介して、反応室３５０内に供給するようになっている。
【００８１】
第１のガス供給ノズル３３２は、第１のガスライン３７８を介してガス供給ユニット３８０に接続される。図１２は、本発明の第２実施形態に係る半導体製造装置３００のガス供給ユニット３８０の一例を示す模式図である。図１２に示されるように、第１のガスライン３７８は、ＳｉＨ４ガス、ＨＣｌガス、不活性ガスに対して流量制御器（流量制御手段）としてのマスフローコントローラ（以下ＭＦＣとする）３８２ｃ，３８２ｄ，３８２ｆ、及び、バルブ３８４ｃ，３８４ｄ，３８４ｆを介して、例えばＳｉＨ４ガス供給源３８６ｃ、ＨＣｌガス供給源３８６ｄ、不活性ガス供給源３８６ｆに接続されている。
【００８２】
上記構成により、ＳｉＨ４ガス、ＨＣｌガス、不活性ガスのそれぞれの供給流量、濃度、分圧、供給タイミングを反応室３５０内に於いて制御することができる。バルブ３８４ｃ，３８４ｄ，３８４ｆ、ＭＦＣ３８２ｃ，３８２ｄ，３８２ｆは、ガス流量制御部３８８に電気的に接続されており、それぞれ供給するガスの流量が所定流量となるように、所定のタイミングにて制御されるようになっている（図１０参照）。尚、ＳｉＨ４ガス、ＨＣｌガス、不活性ガスのそれぞれのガス供給源３８６ｃ，３８６ｄ、３８６ｆ、バルブ３８４ｃ，３８４ｄ、３８４ｆ、ＭＦＣ３８２ｃ，３８２ｄ，３８２ｆ、第１のガスライン３７８、第１のガス供給ノズル３３２及び第１のガス供給ノズル３３２に少なくとも１つ設けられる第１のガス供給口３３０により、ガス供給系として第１のガス供給系が構成される。
【００８３】
第２のガス供給口３３４は、例えばカーボングラファイトで構成され、反応室３５０内に設けられる。また、第２のガス供給ノズル３３６は、マニホールド３４６を貫通するように、マニホールド３４６に取付けられている。ここで、ＳｉＣエピタキシャル膜を形成する際に、第２のガス供給口３３４は、少なくともＣ（炭素）原子含有ガスとして、例えばプロパン（以下Ｃ３Ｈ８とする）ガスと、還元ガスとして、例えば水素（Ｈ原子単体、若しくはＨ２分子。以下Ｈ２とする）とを第２のガス供給ノズル３３６を介して反応室３５０内に供給するようになっている。
【００８４】
第２のガス供給ノズル３３６は、第２のガスライン３９０を介してガス供給ユニット３８０に接続されている。また、図１２に示されるように第２のガスライン３９０は、例えばガス配管２１３ａ，２１３ｂと接続され、ガス配管２１３ａ，２１３ｂはそれぞれ、Ｃ（炭素）原子含有ガスとして、例えばＣ３Ｈ８ガスに対して流量制御手段としてのＭＦＣ３８２ａ及びバルブ３８４ａを介してＣ３Ｈ８ガス供給源３８６ａに接続され、還元ガスとして、例えばＨ２ガスに対して流量制御手段としてのＭＦＣ３８２ｂ及びバルブ３８４ｂを介してＨ２ガス供給源３８６ｂに接続されている。
【００８５】
上記構成により、例えばＣ３Ｈ８ガス、Ｈ２ガスの供給流量、濃度、分圧を反応室３５０内に於いて制御することができる。バルブ３８４ａ，３８４ｂ、ＭＦＣ３８２ａ，３８２ｂはガス流量制御部３８８に電気的に接続されており、供給するガス流量が所定の流量となるよう、所定のタイミングにて制御されるようになっている（図１０参照）。尚、Ｃ３Ｈ８ガス、Ｈ２ガスのガス供給源３８６ａ，３８６ｂ、バルブ３８４ａ，３８４ｂ、ＭＦＣ３８２ａ，３８２ｂ、第２のガスライン３９０、第２のガス供給ノズル３３６、第２のガス供給口３３４により、ガス供給系として第２のガス供給系が構成される。
【００８６】
又、第１のガス供給ノズル３３２及び第２のガス供給ノズル３３６に於いて、基板の配列領域に第１のガス供給口３３０及び第２のガス供給口３３４が１つ設けられていてもよく、ウエハ３０４の所定枚数毎に設けられていてもよい。
【００８７】
図９に示すように、第１のガス排気口３３８が、ボート３２０より下部に設けられ、マニホールド３４６には、第１のガス排気口３３８に接続されたガス排気管３９２が貫通するよう設けられている。ガス排気管３９２の下流側には、図示しない圧力検出器としての圧力センサ及び、圧力調整器としてのＡＰＣ（Ａｕｔｏ  Ｐｒｅｓｓｕｒｅ  Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）バルブ３９４を介して真空ポンプ等の真空排気装置３９６が接続されている。圧力センサ及びＡＰＣバルブ３９４には、圧力制御部３９８が電気的に接続されており、圧力制御部３９８は圧力センサにより検出された圧力に基づいてＡＰＣバルブ３９４の開度を調整し、処理炉３２８内の圧力が所定の圧力となるよう所定のタイミングにて制御するように構成されている（図１０参照）。
【００８８】
上記したように、第１のガス供給口３３０から少なくともＳｉ（シリコン）原子含有ガスとＣｌ（塩素）原子含有ガスとを供給し、第２のガス供給口３３４から少なくともＣ（炭素）原子含有ガスと還元ガスとを供給し、供給されたガスはＳｉ又はＳｉＣで構成されたウエハ３０４に対し平行に流れ、第１のガス排気口３３８より排気されるので、ウエハ３０４全体が効率的且つ均一にガスに晒される。
【００８９】
又、図１１に示すように、第３のガス供給口３４０は反応管３４４と断熱材３７２との間に配置され、マニホールド３４６を貫通するように取付けられている。更に、第２のガス排気口３４２が、反応管３４４と断熱材３７２との間であり、第３のガス供給口３４０に対して対向するように配置され、第２のガス排気口３４２はガス排気管３９２に接続されている。第３のガス供給口３４０はマニホールド３４６を貫通する第３のガスライン４００に形成され、バルブ３８４ｅ、ＭＦＣ３８２ｅを介してガス供給源３８６ｅと接続されている。ガス供給源３８６ｅからは不活性ガスとして、例えば希ガスのＡｒガスが供給され、ＳｉＣエピタキシャル膜成長に寄与するガス、例えばＳｉ（シリコン）原子含有ガス又はＣ（炭素）原子含有ガス又はＣｌ（塩素）原子含有ガス又はそれらの混合ガスが、反応管３４４と断熱材３７２との間に進入するのを防ぎ、反応管３４４の内壁又は断熱材３７２の外壁に不要な生成物が付着するのを防止することができる。
【００９０】
又、反応管３４４と断熱材３７２との間に供給された不活性ガスは、第２のガス排気口３４２よりガス排気管３９２の下流側にあるＡＰＣバルブ３９４を介して真空排気装置３９６から排気される。
【００９１】
次に、処理炉３２８及びその周辺の構成について説明する。
【００９２】
図１３は、本発明の第２実施形態に係る処理炉３２８及び周辺構造の概略断面図である。処理炉３２８の下方には、処理炉３２８の下端開口を気密に閉塞する為の炉口蓋体としてシールキャップ４０２が設けられている。シールキャップ４０２は、例えばステンレス等の金属製であり、円盤状に形成されている。シールキャップ４０２の上面には、処理炉３２８の下端と当接するシール材としてのＯリング（図示せず）が設けられている。シールキャップ４０２には回転機構４０４が設けられ、回転機構４０４の回転軸４０６はシールキャップ４０２を貫通してボート３２０に接続されており、ボート３２０を回転させることでウエハ３０４を回転させるように構成されている。
【００９３】
又、シールキャップ４０２は処理炉３２８の外側に設けられた昇降機構として、後述する昇降モータ４０８によって垂直方向に昇降されるように構成されており、これによりボート３２０を処理炉３２８に対して搬入搬出することが可能となっている。回転機構４０４及び昇降モータ４０８には、駆動制御部４１０が電気的に接続されており、所定の動作をするよう所定のタイミングにて制御するよう構成されている（図１０参照）。
【００９４】
予備室としてのロードロック室４１２の外面に下基板４１４が設けられている。下基板４１４には、昇降台４１６と摺動自在に嵌合するガイドシャフト４１８及び昇降台４１６と螺合するボール螺子４２０が設けられている。又、下基板４１４に立設したガイドシャフト４１８及びボール螺子４２０の上端には上基板４２２が設けられている。ボール螺子４２０は、上基板４２２に設けられた昇降モータ４０８によって回転され、ボール螺子４２０が回転されることで昇降台４１６が昇降するようになっている。
【００９５】
昇降台４１６には中空の昇降シャフト４２４が垂設され、昇降台４１６と昇降シャフト４２４の連結部は気密となっており、昇降シャフト４２４は昇降台４１６と共に昇降するようになっている。昇降シャフト４２４はロードロック室４１２の天板４２６を遊貫し、昇降シャフト４２４が貫通する天板４２６の貫通孔は、昇降シャフト４２４が天板４２６と接触することがないよう充分な隙間が形成されている。
【００９６】
又、ロードロック室４１２と昇降台４１６との間には、昇降シャフト４２４の周囲を覆うように伸縮性を有する中空伸縮体としてベローズ４２８が設けられ、ベローズ４２８によりロードロック室４１２が気密に保たれるようになっている。尚、ベローズ４２８は昇降台４１６の昇降量に対応できる充分な伸縮量を有し、ベローズ４２８の内径は昇降シャフト４２４の外径に比べて充分に大きく、伸縮の際にベローズ４２８と昇降シャフト４２４が接触することがないように構成されている。
【００９７】
昇降シャフト４２４の下端には、昇降基板４３０が水平に固着され、昇降基板４３０の下面にはＯリング等のシール部材を介して駆動部カバー４３２が気密に取付けられる。昇降基板４３０と駆動部カバー４３２とで駆動部収納ケース４３４が構成され、この構成により駆動部収納ケース４３４内部はロードロック室４１２内の雰囲気と隔離される。
【００９８】
又、駆動部収納ケース４３４の内部にはボート３２０の回転機構４０４が設けられ、回転機構４０４の周辺は冷却機構４３６によって冷却されるようになっている。
【００９９】
電力ケーブル４３８は、昇降シャフト４２４の上端から中空部を通り、回転機構４０４に導かれて接続されている。又、冷却機構４３６及びシールキャップ４０２には冷却水流路４４０が形成されている。更に、冷却水配管４４２が昇降シャフト４２４の上端から中空部を通り冷却水流路４４０に導かれて接続されている。
【０１００】
昇降モータ４０８が駆動され、ボール螺子４２０が回転することで、昇降台４１６及び昇降シャフト４２４を介して駆動部収納ケース４３４を昇降させる。
【０１０１】
駆動部収納ケース４３４が上昇することにより、昇降基板４３０に気密に設けられているシールキャップ４０２が処理炉３２８の開口部である炉口４４４を閉塞し、ウエハ処理が可能な状態となる。又、駆動部収納ケース４３４が下降することにより、シールキャップ４０２と共にボート３２０が降下され、ウエハ３０４を外部に搬出できる状態となる。
【０１０２】
次に、ＳｉＣエピタキシャル膜を成膜する半導体製造装置３００を構成する各部の制御構成について説明する。
【０１０３】
図１０に於いて、温度制御部３６２、ガス流量制御部３８８、圧力制御部３９８、駆動制御部４１０は、操作部及び入出力部を構成し、半導体製造装置３００全体を制御する主制御部４４６に電気的に接続されている。又、温度制御部３６２、ガス流量制御部３８８、圧力制御部３９８、駆動制御部４１０は、コントローラ４４８として構成されている。
【０１０４】
次に、上述した第１のガス供給系及び第２のガス供給系を構成する理由について説明する。
【０１０５】
ＳｉＣエピタキシャル膜を成膜する半導体製造装置では、少なくともＳｉ（シリコン）原子含有ガスと、Ｃ（炭素）原子含有ガスとで構成される原料ガスを反応室３５０に供給し、ＳｉＣエピタキシャル膜を成膜する必要がある。また、本実施形態のように、複数枚のウエハ３０４が水平姿勢で多段に整列させて保持される場合に於いて、ウエハ間の均一性を向上させるため、成膜ガスを夫々のウエハ近傍のガス供給口から供給できるように、反応室３５０内にガス供給ノズルを設けている。従って、ガス供給ノズル内も反応室と同じ条件となっている。この時、Ｓｉ原子含有ガスとＣ原子含有ガスを同じガス供給ノズルにて供給すると、原料ガス同士が反応することで原料ガスが消費され、反応室３５０の下流側で原料ガスが不足するだけでなく、ガス供給ノズル内で反応し堆積したＳｉＣ膜等の堆積物がガス供給ノズルを閉塞し、原料ガスの供給が不安定になると共に、パーティクルを発生させる等の問題を生じてしまう。
【０１０６】
そこで、本実施形態では、第１のガス供給ノズル３３２を介してＳｉ原子含有ガスを供給し、第２のガス供給ノズル３３６を介してＣ原子含有ガスを供給している。このように、Ｓｉ原子含有ガスとＣ原子含有ガスを異なるガス供給ノズルから供給することにより、ガス供給ノズル内では、ＳｉＣ膜が堆積しないようにすることができる。なお、Ｓｉ原子含有ガス及びＣ原子含有ガスの濃度や流速を調整したい場合は、夫々適切なキャリアガスを供給すればよい。
【０１０７】
更に、Ｓｉ原子含有ガスを、より効率的に使用するため水素ガスのような還元ガスを用いる場合がある。この場合、還元ガスは、Ｃ原子含有ガスを供給する第２のガス供給ノズル３３６を介して供給することが望ましい。このように還元ガスをＣ原子含有ガスと共に供給し、反応室３５０内でＳｉ原子含有ガスと混合することにより、還元ガスが少ない状態となるためＳｉ原子含有ガスの分解を成膜時と比較して抑制することができ、第１のガス供給ノズル内におけるＳｉ膜の堆積を抑制することが可能となる。この場合、還元ガスをＣ原子含有ガスのキャリアガスとして用いることが可能となる。なお、Ｓｉ原子含有ガスのキャリアとしては、アルゴン（Ａｒ）のような不活性ガス（特に希ガス）を用いることにより、Ｓｉ膜の堆積を抑制することが可能となる。
【０１０８】
更に、第１のガス供給ノズル３３２には、ＨＣｌのような塩素原子含有ガスを供給することが望ましい。このようにすると、Ｓｉ原子含有ガスが熱により分解し、第１のガス供給ノズル内に堆積可能な状態となったとしても、塩素によりエッチングモードとすることが可能となり、第１のガス供給ノズル内へのＳｉ膜の堆積をより抑制することが可能になる。
【０１０９】
尚、図９に示す例では、第１のガス供給ノズル３３２にＳｉＨ４ガス及びＨＣｌガスを供給し、第２のガス供給ノズル３３６にＣ３Ｈ８ガス及びＨ２ガスを供給する構成で説明したが、上述した通り、図９から図１２に示す例は、最も良いと考えられる組合せであり、それに限られることはない。
【０１１０】
又、図９から図１２に示す例では、ＳｉＣエピタキシャル膜を形成する際に流すＣｌ（塩素）原子含有ガスとしてＨＣｌガスを例示したが、塩素ガスを用いてもよい。
【０１１１】
又、上述ではＳｉＣエピタキシャル膜を形成する際に、Ｓｉ（シリコン）原子含有ガスとＣｌ（塩素）原子含有ガスとを供給したが、Ｓｉ原子とＣｌ原子を含むガス、例えばテトラクロロシラン（以下ＳｉＣｌ４とする）ガス、トリクロロシラン（以下ＳｉＨＣｌ３）ガス、ジクロロシラン（以下ＳｉＨ２Ｃｌ２）ガスを供給してもよい。また、言うまでもないが、これらのＳｉ原子及びＣｌ原子を含むガスは、Ｓｉ原子含有ガスでも有り、又は、Ｓｉ原子含有ガス及びＣｌ原子含有ガスの混合ガスともいえる。特に、ＳｉＣｌ４は、熱分解される温度が比較的高いため、ノズル内のＳｉ消費抑制の観点から望ましい。
【０１１２】
又、上述ではＣ（炭素）原子含有ガスとしてＣ３Ｈ８ガスを例示したが、エチレン（以下Ｃ２Ｈ４とする）ガス、アセチレン（以下Ｃ２Ｈ２とする）ガスを用いてもよい。
【０１１３】
また、還元ガスとしてＨ２ガスを例示したが、これに限らず他のＨ（水素）原子含有ガスを用いても良い。更には、キャリアガスとしては、Ａｒ（アルゴン）ガス、Ｈｅ（ヘリウム）ガス、Ｎｅ（ネオン）ガス、Ｋｒ（クリプトン）ガス、Ｘｅ（キセノン）ガス等の希ガスのうち少なくとも１つを用いてもよいし、上記したガスを組合わせた混合ガスを用いてもよい。
【０１１４】
上述では、第１のガス供給ノズル３３２を介してＳｉ原子含有ガスを供給し、第２のガス供給ノズル３３６を介してＣ原子含有ガスを供給することでガス供給ノズル内のＳｉＣ膜の堆積を抑制するようにしている（以下、Ｓｉ原子含有ガスとＣ原子含有ガスを分離して供給する方式を、「セパレート方式」と呼ぶ。）。しかしながら、この方法は、ガス供給ノズル内でのＳｉＣ膜の堆積を抑制できるものの、Ｓｉ原子含有ガスとＣ原子含有ガスの混合がガス供給口３３０，３３４からウエハ３０４に到達するまでの間に充分に行う必要がある。
【０１１５】
従って、ウエハ内の均一化の観点から見れば、Ｓｉ原子含有ガスとＣ原子含有ガスを予め混合して、ガス供給ノズル３３２に供給するほうが望ましい（以下、Ｓｉ原子含有ガスとＣ原子含有ガスを同一のガス供給ノズルから供給する方式を「プレミックス方式」と呼ぶ。）。しかしながら、Ｓｉ原子含有ガス及びＣ原子含有ガスを同一のガス供給ノズルから供給するとガス供給ノズル内にＳｉＣ膜が堆積してしまう恐れがある。一方で、Ｓｉ原子含有ガスは、エッチングガスである塩素と還元ガスである水素との比（Ｃｌ／Ｈ）を大きくすると塩素によるエッチング効果の方が大きくなり、Ｓｉ原子含有ガスの反応を抑えることが可能である。従って、一方のガス供給ノズルにＳｉ原子含有ガス、Ｃ原子含有ガス、及び、塩素含有ガスを供給し、還元反応に用いられる還元ガス（例えば、水素ガス）を他方のガス供給ノズルから供給することで、ガス供給ノズル内のＣｌ／Ｈが大きくなり、ＳｉＣ膜の堆積を抑制することが可能である。
【０１１６】
次に、上述した半導体製造装置３００を用い、半導体デバイスの製造工程の一工程として、ＳｉＣ等で構成されるウエハ３０４等の基板上に、例えばＳｉＣ膜を形成する基板の製造方法について説明する。
【０１１７】
尚、以下の説明に於いて半導体製造装置３００を構成する各部の動作は、コントローラ４４８により制御される。
【０１１８】
先ず、ポッドステージ３０８に複数枚のウエハ３０４を収納したポッド３０６がセットされると、ポッド搬送装置３１０によりポッド３０６をポッドステージ３０８からポッド収納棚３１２へ搬送し、ストックする。次に、ポッド搬送装置３１０により、ポッド収納棚３１２にストックされたポッド３０６をポッドオープナ３１４に搬送してセットし、ポッドオープナ３１４によりポッド３０６の蓋を開き、基板枚数検知器３１６によりポッド３０６に収納されているウエハ３０４の枚数を検知する。
【０１１９】
次に、基板移載機３１８により、ポッドオープナ３１４の位置にあるポッド３０６からウエハ３０４を取出し、ボート３２０に移載する。
【０１２０】
複数枚のウエハ３０４がボート３２０に装填されると、ウエハ３０４を保持したボート３２０は、昇降モータ４０８による昇降台４１６及び昇降シャフト４２４の昇降動作により反応室３５０内に搬入（ボートローディング）される。この状態では、シールキャップ４０２はＯリング（図示せず）を介してマニホールド３４６の下端をシールした状態となる。
【０１２１】
ボート３２０搬入後、反応室３５０内が所定の圧力（真空度）となるように、真空排気装置３９６によって真空排気される。この時、反応室３５０内の圧力は、圧力センサ（図示せず）によって測定され、測定された圧力に基づき第１のガス排気口３３８及び第２のガス排気口３４２に連通するＡＰＣバルブ３９４がフィードバック制御される。又、ウエハ３０４及び反応室３５０内が所定の温度となるよう被加熱体３２６が加熱される。この時、反応室３５０内が所定の温度分布となるよう、後述する切り替え方式により選択された高温用放射温度計３５６又は低温用放射温度計３５８が検出した温度情報に基づき誘導コイル３４８への通電具合がフィードバック制御される。続いて、回転機構４０４により、ボート３２０が回転されることで、ウエハ３０４が周方向に回転される。
【０１２２】
続いて、ＳｉＣエピタキシャル成長反応に寄与するＳｉ（シリコン）原子含有ガス及びＣｌ（塩素）原子含有ガスは、それぞれガス供給源３８６ｃ，３８６ｄから供給され、第１のガス供給口３３０より反応室３５０内に噴出される。又、Ｃ（炭素）原子含有ガス及び還元ガスであるＨ２ガスが、所定の流量となるように対応するＭＦＣ３８２ａ，３８２ｂの開度が調整された後、バルブ３８４ａ，３８４ｂが開かれ、それぞれのガスが第２のガスライン３９０に流通し、第２のガス供給ノズル３３６に流通して第２のガス供給口３３４より反応室３５０内に導入される。
【０１２３】
第１のガス供給口３３０及び第２のガス供給口３３４より供給されたガスは、反応室３５０内の被加熱体３２６の内側を通り、第１のガス排気口３３８からガス排気管３９２を通って排気される。第１のガス供給口３３０及び第２のガス供給口３３４より供給されたガスは、反応室３５０内を通過する際に、ＳｉＣ等で構成されるウエハ３０４と接触し、ウエハ３０４表面上にＳｉＣエピタキシャル膜成長がなされる。
【０１２４】
又、ガス供給源３８６ｅより、不活性ガスとしての希ガスであるＡｒガスが所定の流量となるように対応するＭＦＣ３８２ｅの開度が調整された後、バルブ３８４ｅが開かれ、第３のガスライン４００に流通し、第３のガス供給口３４０から反応室３５０内に供給される。第３のガス供給口３４０から供給された不活性ガスとしての希ガスであるＡｒガスは、反応室３５０内の断熱材３７２と反応管３４４との間を通過し、第２のガス排気口３４２から排気される。
【０１２５】
次に、予め設定された時間が経過すると、上述したガスの供給が停止され、図示しない不活性ガス供給源より不活性ガスが供給され、反応室３５０内の被加熱体３２６の内側の空間が不活性ガスで置換されると共に、反応室３５０内の圧力が常圧に復帰される。
【０１２６】
その後、昇降モータ４０８によりシールキャップ４０２が下降され、マニホールド３４６の下端が開口されると共に、処理済みのウエハ３０４がボート３２０に保持された状態でマニホールド３４６の下端から反応管３４４の外部に搬出（ボートアンローディング）され、ボート３２０に保持されたウエハ３０４が冷える迄、ボート３２０を所定位置にて待機させる。待機させたボート３２０のウエハ３０４が所定温度迄冷却されると、基板移載機３１８により、ボート３２０からウエハ３０４を取出し、ポッドオープナ３１４にセットされている空のポッド３０６に搬送して収納する。その後、ポッド搬送装置３１０によりウエハ３０４が収納されたポッド３０６をポッド収納棚３１２、又はポッドステージ３０８に搬送する。このようにして、半導体製造装置３００の一連の作動が完了する。
【０１２７】
次に、温度制御における放射温度計の切り替えについて説明する。
【０１２８】
例えば、低温用放射温度計による測定値（検出温度）に基づく温度制御と高温用放射温度計による測定値（検出温度）に基づく温度制御との切り替え判断の基準として閾値Ｓを決定し、低温用放射温度計あるいは高温用放射温度計の測定値が閾値Ｓを下回る場合、低温用放射温度計による測定値に基づく温度制御を行ない、閾値Ｓを上回った場合、高温用放射温度計による測定値に基づく温度制御を行なうように切り替えをすることが考えられる。
【０１２９】
ここで、例として低温用放射温度計の計測可能範囲を５０℃〜５５０℃、高温用放射温度計の計測可能範囲を４５０℃〜９５０℃とする。この場合、低温用放射温度計による制御と高温用放射温度による制御とを切り替えるには、一つの閾値（ここでは、例えば低温用放射温度計と高温用放射温度計の計測可能範囲が重なっている５００℃）を用いて、計測された温度が閾値以下の場合は低温用放射温度計による制御とし、閾値以上の場合は高温用放射温度計による制御とするよう切り替えることになる。
【０１３０】
しかし、上記の方法により制御を切り替える場合、切り替え時の温度測定値及び切り替えがなされる温度付近の温度測定値が不安定になる。
【０１３１】
以下、温度制御部３６２における放射温度計の切り替え方式について説明する。
【０１３２】
温度制御部３６２は、低温用放射温度計３５８による温度制御から高温用放射温度計３５６による温度制御へと切り替える判断基準となる閾値Ｐと、高温用放射温度計３５６による温度制御から低温用放射温度計３５８による温度制御へ切り替える閾値Ｍとに基づいて、制御を切り替える。ここで、閾値Ｐは、閾値Ｍよりも大きい（すなわち、Ｐ＞Ｍの関係にある）。
【０１３３】
また、高温用放射温度計３５６の計測可能な温度範囲の上限値をMax_Highとし、高温用放射温度計３５６の計測可能な温度範囲の下限値をMin_Highとし、低温用放射温度計３５８の計測可能な温度範囲の上限値をMax_Lowとし、低温用放射温度計３５８の計測可能な温度範囲の下限値をMin_owとすると、閾値Ｐ及び閾値Ｍは、以下の式を満たす。
【０１３４】
Max_High＞Max_Low＞Ｐ＞Ｍ＞Min_High＞Min_Low
【０１３５】
図１４は、温度制御部３６２による温度制御の切り替え規則を示す表である。また、図１５は、高温用放射温度計による制御と低温放射温度計による制御との切り替えを示すグラフである。図１５において、横軸は、高温用放射温度計による温度制御を行なうか低温用放射温度計による温度制御を行なうかを示しており、縦軸は、放射温度計により測定される測定温度を示している。なお、太線で示された測定温度は、低温用放射温度計３５８により測定された測定温度を示し、破線で示された測定温度は、高温用放射温度計３５６により測定された測定温度を示す。
【０１３６】
図１４及び図１５に示されるように、温度制御部３６２は、現在の温度制御に用いている放射温度計の測定温度と閾値との比較により制御の切り替えがなされる。温度制御部３６２は、低温用放射温度計３５８による制御から高温用放射温度計３５６に制御対象を切り替える場合、低温用放射温度計３５８の測定値が閾値Ｐ以上となると高温用放射温度計３５６による制御へと切り替える。ここで、温度制御部３６２は、低温用放射温度計３５８による制御から高温用放射温度計３５６に制御対象を切り替える場合、高温用放射温度計の測定値は切り替え判断において考慮しない。
【０１３７】
逆に、温度制御部３６２は、高温用放射温度計３５６による温度制御から低温用放射温度計３５８による温度制御へと切り替える場合、高温用放射温度計３５６の測定値が閾値Ｍ未満となると低温用放射温度計３５８による制御へと切り替える。同様に、温度制御部３６２は、高温用放射温度計３５６による温度制御から低温用放射温度計３５８による温度制御へと切り替える場合、低温用放射温度計の測定値は切り替え判断において考慮しない。
【０１３８】
上述の温度制御部３６２による制御の切り替えでは、複数種の放射温度計の切り替え時及び切り替え温度付近で危惧される温度測定値の不安定を改善でき、温度制御性を向上させることができる。
【０１３９】
次に、第２実施形態の変形例について説明する。上述の第２実施形態では、現在の温度制御に用いている放射温度計の測定値と閾値との比較により制御の切り替えを行なったが、例えば、高温用放射温度計３５６による測定値と低温用放射温度計３５８による測定値とに差がある場合、又は高温用放射温度計３５６若しくは低温用放射温度計３５８のいずれかが故障等により正常な測定値を出力しない場合は、温度制御が不安定になる可能性がある。
そこで変形例では、低温用放射温度計３５８による温度制御から高温用放射温度計３５６による温度制御へと切り替える場合、低温用放射温度計３５８の測定値及び高温用放射温度計３５６の測定値それぞれについて閾値との比較を行なう。
変形例では、低温用放射温度計３５８の測定値が閾値Ｐ以上であっても、高温用放射温度計３５６の測定値が閾値Ｍ未満の場合は、高温用放射温度計３５６による制御へは切り替えない点で、上述の第２実施形態とは異なる。
【０１４０】
変形例においても、温度制御部３６２は、低温用放射温度計３５８による温度制御から高温用放射温度計３５６による温度制御へと切り替える判断基準となる閾値Ｐと、高温用放射温度計３５６による温度制御から低温用放射温度計３５８による温度制御へ切り替える閾値Ｍとに基づいて、制御を切り替える。また、閾値Ｐ、閾値Ｍ、高温用放射温度計３５６の計測可能上限値Max_High、高温用放射温度計３５６の計測可能下限値Min_High、低温用放射温度計３５８の計測可能上限値Max_Low、低温用放射温度計３５８の計測可能下限値Min_Lowの関係についても同様に、上述の関係式で表される。
【０１４１】
図１６は、変形例における温度制御部３６２による温度制御の切り替え規則を示す表である。
【０１４２】
図１６に示されるように、変形例における温度制御部３６２では、高温用放射温度計３５６による制御から低温用放射温度計３５８に制御対象を切り替える場合、高温用放射温度計３５６の測定値が閾値Ｍ未満となると低温用放射温度計３５８による制御へと切り替える。
【０１４３】
また、変形例における温度制御部３６２では、低温用放射温度計３５８による温度制御から高温用放射温度計３５６による温度制御へと切り替える場合、低温用放射温度計３５８の測定値が閾値Ｐ以上であり、かつ、高温用放射温度計３５６の測定値が閾値Ｍ以上である場合に限り、高温用放射温度計３５６による制御へと切り替える。すなわち、高温用放射温度計３５６の測定値が閾値Ｍ未満の場合、低温用放射温度計３５８の測定値が閾値Ｐ以上であっても高温用放射温度計３５６による制御へは切り替えないようにする。既に高温用放射温度計３５６の測定値が閾値Ｍ未満となっているために、次回の切り替え判断において再び低温用放射温度計３５８による温度制御へと切り替わり、連続して切り替えが行われるために温度測定値が不安定になってしまうからである。
【０１４４】
また、低温用放射温度計３５８の測定値が閾値Ｐ以上であり、かつ、高温用放射温度計３５６の測定値が閾値Ｍ未満である場合として、高温用放射温度計３５６又は低温用放射温度計３５８のどちらかが誤った想定をしている可能性があり、安全性を考慮して、このような場合には温度測定値が高い低温用放射温度計３５８による温度制御を行なう。
【０１４５】
変形例における制御の切り替えでは、複数種の放射温度計の切り替え時及び切り替え温度付近で危惧される温度測定値の不安定を改善できることに加え、第２実施形態として示した制御の切り替えよりも安全な温度制御を実現する。
【０１４６】
以上の第２実施形態及びその変形例の説明において、温度制御部３６２における温度制御は、中部のゾーンに配置された放射温度計３５６及び３５８を用いて行なう例を示したが、上部又は下部のゾーンにおいて高温用放射温度計及び低温用放射温度計を設置して、同様に制御の切り替えを行なってもよい。
【０１４７】
また、ＳｉＣエピタキシャル膜を成膜する半導体製造装置に限らず、縦型の基板処理装置全般に適用することができる。
【符号の説明】
【０１４８】
２０２    処理炉
２０４    反応管
２０５    均熱管
２０６    ヒータ
２３８    温度制御部
２６３    温度センサ
２６４    外部温度センサ
３５４    温度制御部
３５６、３５８    放射温度計
【図１】
0005734081.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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