(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
成膜室を隔壁で仕切り、それぞれ異なる条件で成膜可能な複数のチャンバーを連続的に形成し、且つ各チャンバーを横切るように可動する可動部を有し、
各チャンバーは内部に隔壁を設けることなくそれぞれ減圧排気装置、ガス導入口及び蒸気源となるターゲットの保持部を有し、
可動部が各チャンバーを横切るように成膜室を複数のチャンバーに仕切ったことで可動部、隔壁及び成膜室内壁の組み合せ間に生じ得る隙間を、ガスが他のチャンバーに混入しないように、隣接チャンバー間に形成された隙間断面積Ｓを粘性流が生じない所定の大きさ以下にし、チャンバー内のガス圧をＰ［Ｐａ］とし、隙間断面積Ｓを内径Ｄ［ｍ］の円筒断面積に換算した場合にＰ×Ｄ＜０．０２［Ｐａ・ｍ］になるように隙間断面積Ｓを設定したことを特徴とする複合膜を成膜するための成膜装置。
【請求項２】
前記隔壁の端部に、成膜室の内壁又は可動部に沿った仕切り側片部を有することを特徴とする請求項１記載の成膜装置。
【請求項３】
各チャンバーのガス導入量と排気量を調整することで、各チャンバー間で圧力差を生じさせる差動排気手段を有することを特徴とする請求項１又は２記載の成膜装置。
【請求項４】
成膜室を隔壁で仕切り、それぞれ異なる条件で成膜可能な複数のチャンバーを連続的に形成し、且つ各チャンバーを横切るように可動する可動部を有し、
各チャンバーは内部に隔壁を設けることなくそれぞれ減圧排気装置、ガス導入口及び蒸気源となるターゲットの保持部を有し、
可動部は複合膜を成膜させる被処理物を保持するものであり、
可動部が各チャンバーを横切るように成膜室を複数のチャンバーで仕切ったことで可動部、隔壁及び成膜室内壁の組み合せの間に形成される隙間であって、隣接するチャンバー間に形成された隙間の合計を隙間断面積Ｓとし、
チャンバー内のガス圧をＰ［Ｐａ］とし、隙間断面積Ｓを内径Ｄ［ｍ］の円筒断面積に換算した場合にＰ×Ｄ＜０．０２［Ｐａ・ｍ］になるように隙間断面積Ｓを設定し、各チャンバー毎に相互に異なる蒸気源又は／及びガス種を導入することを特徴とする複合膜の成膜方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はナノメートルサイズレベルのナノコンポジット膜および／またはナノ多層膜からなる複合化された膜を成膜する装置及びその成膜方法に関する。
スパッタリング、イオンプレーティング、蒸着等のＰＶＤや、ＣＶＤに適用できる。
【背景技術】
【０００２】
各種機能性薄膜や硬質保護膜に関する技術分野では、現在、ナノコンポジット膜やナノ多層膜が重要な位置を占めている。
しかし、例えば、ナノメートルサイズレベルの異なる材料で複合化されたナノコンポジット膜で説明すれば、ＰＶＤ等を用いて複合化する材料の組み合せについては、熱力学的性質による制限が存在し、例えば、同一チャンバー内で窒化物と酸化物を複合化し作製する場合、酸化物・窒化物の生成自由エネルギーδＧの差異が大きな元素の組み合せの場合に限られる。
例えば、反応スパッタ法で「酸化物＋金属」のナノコンポジット膜が作製できるのは酸化されにくい金属と酸化されやすい金属との組み合せに限られる。
何故ならば、同一チャンバーで酸化物と金属のナノコンポジット膜を作製する場合、同じ雰囲気となるので、金属Ａ、Ｂの酸化物生成自由エネルギーδＧに大きな差がない場合は両方とも酸化物になるからである。
特許文献１に示すような同心円上に複数配置したターゲットを使用してもδＧに係る制限は基本的に同じであり、膜中の異相間界面の急峻性に劣る。
従って、酸化物と窒化物との組み合せはさらに困難である。
特許文献２に完全に隔離したマルチチャンバー方式を開示する。
しかし、バルブの開閉に時間を要するため、異種膜を積層できてもナノコンポジット膜の作製はできない。
また、特許文献３に同一チャンバー内を仕切り部材で仕切り、ソースの加熱温度に高低差を設ける技術を開示する。
しかし、同技術はチャンバー内のガス圧は一定であり、適用できるソースの組み合せに限界がある。
他方、上記ナノコンポジット膜で問題となるような材料の組み合わせを用い、同一チャンバー内でナノメートルサイズの厚さの膜を積層したナノ多層膜を作製する場合は、各層の成膜ごとに雰囲気ガスを変えることにより、ナノコンポジット膜の作製時に発生するような問題は発生しないと考えられる。
しかし、雰囲気ガスを変更しても変更前の残留ガス成分が残っていると積層界面が不明確になり、積層の効果が十分に得られない恐れがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０００−２８２２３０号公報
【特許文献２】特開平１０−２４２０５４号公報
【特許文献３】特開２００８−１９４５９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は異なる金属間、金属と酸化物、金属と窒化物、酸化物と窒化物等、複合化する材料の組合せが自由に調整できるナノコンポジット膜および／またはナノ多層膜を成膜できる装置及び方法の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明に係る複合膜を成膜するための成膜装置は、成膜室を隔壁で仕切り、それぞれ異なる条件で成膜可能な複数のチャンバーを連続的に形成し、且つ各チャンバーを横切るように可動する可動部を有し、各チャンバーは内部に隔壁を設けることなくそれぞれ内部に減圧排気装置、ガス導入口及び蒸気源となるターゲットの保持部を有し、可動部が各チャンバーを横切るように成膜室を複数のチャンバーに仕切ったことで可動部、隔壁及び成膜室内壁の組み合せ間に生じ得る隙間を、ガスが他のチャンバーに混入しないように、隣接チャンバー間に形成された隙間断面積Ｓを粘性流が生じない所定の大きさ以下にしたことを特徴とする。
ここで、隣接するチャンバー間の隙間は、可動部の構造により相違し、例えば図１に示した成膜装置は可動部（１１）の表面（下面）と隔壁（１２）の間に主な隙間ができ、図１２に示した成膜装置は図１における上仕切り板（１９）がなく、円盤状の可動部（１１）が成膜室（１０ａ）の内壁に沿って回転する場合で、可動部（１１）と成膜室内壁との間にも隙間ができる。
また、図１３に示した成膜装置は、隔壁（１１２）が可動部（１１）とともに公転するから、隔壁と成膜室内壁との間に隙間ができる。
本発明における隙間断面積Ｓとは上記のように各種構造により形成される隙間のうち、隣接するチャンバー間にガスが移動するのを抑えた隙間の面積の合計をいう。
なお、成膜室内壁とは成膜室の側面内壁のみならず、例えば図１における可動部（１１）と上仕切り板（１９）の内周側上面との間が摺接していなく、隙間が形成された場合等、成膜室を構成するための仕切板等も含まれる。
本発明は、チャンバー内のガス圧をＰ［Ｐａ］とし、隙間断面積Ｓを内径Ｄ［ｍ］の円筒断面積に換算した場合にＰ×Ｄ＜０．０２［Ｐａ・ｍ］になるように隙間断面積Ｓを設定するのが好ましい。
なお、成膜材料や成膜条件によっては後述するように０．０２［Ｐａ・ｍ］≦Ｐ×Ｄ≦０．８［Ｐａ・ｍ］の中間流の範囲でもよい。
本発明は、前記隔壁の端部に、成膜室の内壁又は可動部に沿った仕切り側片部を有するようにしてもよく、また各チャンバーのガス導入量と排気量を調整することで、各チャンバー間で圧力差を生じさせる差動排気手段を有するようにすることもできる。
【０００６】
本発明にあって、複数のチャンバーに仕切った隣接チャンバー間に形成される隙間を所定の隙間断面積Ｓ以下にした理由は次のとおりである。
例えば、スパッタリングにおいては、真空（減圧）チャンバー内にターゲットを装着し、イオン化ガスを導入する場合に例えばタ−ゲットに金属アルミを用いる場合と、ＳｉＯ２等の絶縁性物質を用いる場合では減圧条件が相違し、イオン化ガスとしてアルゴンのような希ガスを用いる場合の他に酸素や窒素のような反応性ガスを導入したい場合もある。
その一方でナノコンポジット膜を成膜するには、被処理物を異なる蒸気源のチャンバー内に連続的に通過させる必要がある。
そこで成膜室を隔壁で仕切り、２つ以上の複数のチャンバーを形成し、チャンバー毎にそれぞれ独立した減圧排気装置、ガス導入口を設けるとともに高電圧を印可し、各チャンバー毎にスパッタリング現象を発現させつつ、被処理物が各チャンバー間に移動できるように隔壁と成膜室内壁又は可動部との間あるいは可動部と成膜室内壁との間に所定の隙間を設定した。
本発明にあっては、この隙間を適正に設定した点に特徴がある。
【０００７】
真空ハンドブック改訂版（１９８２年版  真空ハンドブック編集委員会：編集日本真空技術株式会社），Ｐ３６には、「円管の直径ｄ［ｍ］で円管内の平均圧力ｐ［Ｐａ］の場合にｐｄ＜０．０１５［Ｔｏｒｒ・ｃｍ］の条件下では気体分子の平均自由行程が管径ｄに比べて大きく、気体の分子は他の分子とぶつからず、ほとんど管壁にだけ衝突しながら流れる。」と記載されている。
また、ｐｄ＞０．６［Ｔｏｒｒ・ｃｍ］の条件下では分子同士が衝突しあい、粘性流となり流れに影響を与えると記載してある。
なお、２００２年７月発行新版  真空ハンドブック（株式会社アルバック編  オーム社）Ｐ．４０  第一章  表１・７・１にｐｄ＞０．８［Ｐａ・ｍ］で粘性流になると記載されている。
また、ＳＥＩテクニカルレビューＮｏ．１７６（２０１０年１月，住友電気工業発行）Ｐ．２には、ｐｄ＜０．０２［Ｐａ・ｍ］で分子流が、ｐｄ＞０．６８［Ｐａ・ｍ］で粘性流がそれぞれ生じると記載されている。
本発明者らは、これらの文献内容をヒントに例えばスパッタリングにおいて、ガス圧を０．１〜０．３Ｐａレベルにした場合にアルゴン、酸素、窒素等の平均自由行程は２〜６ｃｍと想定されることから隔壁と可動部又は成膜室内との隙間を１〜３ｍｍのレベルに制御できれば各チャンバーの間に分子・イオンの移動（クロスコンタミネーション）を抑えることができることを見い出した。
このようにするとガスの導入量と排気量との調整により各チャンバー間でガス圧に差を設けることができ、ターゲット材料に応じた差動排気が可能であり、前記隙間断面積Ｓは排気口断面積の２％以下であることが好ましい。
【０００８】
本発明に係る複合膜の成膜方法は、成膜室を隔壁で仕切ることで複数のチャンバーを形成し、且つ各チャンバーを横切るように可動する可動部を有し、各チャンバーはそれぞれ減圧排気装置、ガス導入口及び蒸気源となるターゲットの保持部を有し、可動部は複合膜を成膜させる被処理物を保持するものであり、可動部が各チャンバーを横切るように成膜室を複数のチャンバーで仕切ったことで可動部、隔壁及び成膜室内壁の組み合せの間に形成される隙間であって、隣接するチャンバー間に形成された隙間の合計を隙間断面積Ｓとし、チャンバー内のガス圧をＰ［Ｐａ］とし、隙間断面積Ｓを内径Ｄ［ｍ］の円筒断面積に換算した場合にＰ×Ｄ＜０．０２［Ｐａ・ｍ］になるように隙間断面積Ｓを設定し、各チャンバー毎に相互に異なる蒸気源又は／及びガス種を導入することを特徴とする。
ここで異なる蒸気源ターゲットとしては異なる金属、金属と絶縁性材との組み合せが考えられ、ガス種としては希ガスの他に酸素や窒素等の反応性ガスを組み合せてもよい。
この際、反応性の強いガス（例えば酸素）を流すチャンバー（Ａ）の圧力を隔壁で仕切った反対側のチャンバー（Ｂ）の圧力よりも低く設定すると、チャンバー（Ａ）からのチャンバー（Ｂ）への反応性ガスの流入をより効果的に防止することができる。
なお、０．０２≦Ｐ×Ｄ≦０．８［Ｐａ・ｍ］の条件下では粘性流と分子流の中間流が生じる。
このような条件下では、通常のＰＶＤ等で用いられる１Ｐａ以下のガス圧力において、所定の隙間（隙間断面積）を形成した隔壁であっても、この隔壁で仕切った左右のチャンバーの圧力差を保つことは比較的容易に行えるので、他チャンバーからのガスの流入を防ぎたいチャンバーの圧力をその他チャンバーよりもやや高く保つことによりコンタミネーションを防止することができる。
しかしながら、Ｐ×Ｄ＞０．８［Ｐａ・ｍ］の条件下では粘性流となり左右のチャンバーの圧力差を所定に保つことが実用上難しくなる。
【発明の効果】
【０００９】
本装置を用いると、従来の膜では実現できなかった組み合せでナノコンポジット膜が製造可能であるため、たとえば１０００℃を超える超耐熱性を有する耐酸化性硬質保護膜や７００℃以下で動作する高性能固体電解質膜を実現できる可能性がある。
磁性膜や半導体膜の分野でも研究対象となりうる材料の組み合せが拡大できるため、本発明に係る成膜装置、成膜方法は波及効果が大きい。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明に係る複合膜の成膜装置の構造例を示す。
【図２】成膜室の内部斜視図を示す。
【図３】隔壁上端部の部分拡大図を示し、（ａ）はプレート状、（ｂ）はＬ字形状、（ｃ）はＴ字形状の例を示す。
【図４】実施例２における条件２のプラズマスペクトルのチャートから条件１のプラズマスペクトルのチャートを差し引いた差分チャートを示す。
【図５】実施例２における条件３のプラズマスペクトルのチャートから条件１のプラズマスペクトルのチャートを差し引いた差分チャートを示す。
【図６】Ａｌ／ＳｉＯ２複合膜におけるＡｌの分析チャートを示す。
【図７】右チャンバーに流すＯ２ガス量を一定にし、Ａｒガス量を変化させた際の左チャンバーのＯ２分圧測定結果を示す。
【図８】表２の条件Ａ、Ｂ、Ｃにおける左チャンバーのＯＥＳチャートを示す。
【図９】条件Ａのスペクトルを基準にした（ａ）条件Ｂの差分を示し、（ｂ）条件Ｃの差分を示す。
【図１０】（ａ）左チャンバーにターゲットＡｌ，Ａｒ＋Ｎ２ガス、右チャンバーにターゲットＡｌ２Ｏ３、Ａｒガスの条件にてスパッタリングした皮膜のＸＲＤ分析結果を示す。  （ｂ）１つのチャンバー内にターゲットＡｌ２Ｏ３を装着し、Ａｒ＋Ｎ２ガスにてスパッタリングした皮膜のＸＲＤ分析結果を示す。
【図１１】（ａ）左チャンバーＡｌ，Ｎ２＋Ａｒガスの条件にて成膜した皮膜のＴＥＭ像を示す。  （ｂ）左チャンバーＡｌ，Ｎ２＋Ａｒガス及び右チャンバーＡｌ２Ｏ３，Ａｒガスの条件にて成膜した皮膜のＴＥＭ像を示す。
【図１２】可動部と成膜室内壁に隙間が形成される例を示す。
【図１３】３元系の複合膜の成膜装置の例を示す。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
本発明に係る成膜装置は、複数のチャンバー間に分子・イオンのコンタミネーションを生じさせないようにした点に特徴があり、２つ以上のチャンバーを有するものであれば仕切ったチャンバー数に制限はない。
図１に模式的に示した構造例は断面円形のドラム形状からなる成膜室１０の中央部に隔壁１２を設けてチャンバーを２つに仕切った例を示す。
成膜室１０の上部には円盤状の可動部１１が中央部のモーターからなる駆動源２０にて各チャンバーを横切るように回転する。
図２に成膜室１０の内部斜視図を示し、図２（ｃ）に示したような成膜室１０の上部に（ｂ）に示すように上仕切り板１９を取り付け、この上仕切り板１９の中央孔１９ａに（ａ）に示した可動部１１が位置する。
本実施例は、図１に示すように可動部下面（表面）外周部と上仕切り板１９の内周部上面とが摺接しながらシールするシール部１９ｂとなっているが、この部分に隙間が形成された場合も含まれる。
また、可動部１１が上記中央孔１９ａの内側に入り込んだ構造も考えられ、その場合に可動部１１の側面と中央孔１９ａの端部との間に隙間が形成されることもある。
可動部１１には基板等の平板状の被処理物３０の保持部１１ａを有する。
図１にて可動部１１の下面及び被処理物３０の表面と、隔壁１２の上端部との間に所定の隙間ｄ０を形成するように設定してある。
図２にて、上仕切り板１９と隔壁１２の上端部１２ｂとは密着しているのが望ましいが、可動部１１の下面が回転する中央孔１９ａの部分においては、この回転する可動部１１の下面と隔壁１２の上端部との接触・摺動を防止するために所定の隙間を設ける必要があるが、その距離、換言すれば開口部断面積はできる限り小さいことが好ましい。
しかし、各部材の熱膨張や可動部の芯振れなどを考慮して決める必要があり、通常は１〜３ｍｍ程度以下の隙間を形成するのがよい。
その部分断面図を図３に示す。
（ａ）は隔壁１２と可動部１１の下面との隙間ｄ１をプレート状の調整板１２ａで調整できるようにしたものであり、（ｂ）は調整板の上端部にＬ字状の側片部１２ｃを形成し、隙間ｄ２を調整した例で、（ｃ）はＴ字状の側片部１２ｄを形成し、隙間ｄ３を調整した例である。
この側片部１２ｃ，１２ｄの図３では左右方向の幅の長さＬに反比例して隙間部分のコンダクタンス（＝排気抵抗の逆数）が小さくなるので、Ｌが長い方が分子・イオンの移動を抑える効果が高く、左右方向の幅の長さは、隙間ｄ１〜ｄ３の距離の３倍以上が好ましい。
この調整板は必ずしも剛性の高い金属板で構成する必要はなく、たとえば厚さ１００μｍ程度のアルミフォイルまたはそれにセラミックコーティングしたもの、あるいは成膜条件によっては耐熱性のシリコンゴム製のプレートなどを使用してもよい。
この場合はプレート（調整板）の上端部が可動部と接触しても機器へのダメージがほとんど生じないので、隙間を極力小さくできる利点がある。
【００１２】
図１に示すように、各チャンバーにはそれぞれ独立して、ターゲットＡ，Ｂの保持部１５Ａ，１５Ｂを有し、この保持部１５Ａ，１５Ｂと被処理物３０を保持した可動部の間には、プラズマを出現させるのに必要な高圧の電圧を印可するための電源１６Ａ，１６Ｂをそれぞれ有する。
本実施例では平衡マグネトロン陰極に高周波を印加する例となっている。
各チャンバーにはそれぞれ独立して排気口１４Ａ，１４Ｂを有し、ゲートバルブＧＶ，可変オリフィスＶＯにて排気量の調整が可能であり、ターボ分子ポンプＴＭＰ及びロータリーポンプＲＰ等にて０．５〜０．１Ｐａレベルに減圧可能になっている。
各チャンバーに独立して、ガス導入口１３Ａ，１３Ｂを有し、アルゴン等の希ガスやそれに加えて酸素、窒素等の反応性ガスを所定割合導入可能になっていて発光分光分析器ＯＥＳにてプラズマ中のイオンの分析が可能になっている。
また、必要に応じてヒーター１７にて被処理物３０の加熱が可能になっている。
この際に、可動部１１を成膜速度に比べ十分に速い回転速度で連続回転すればナノコンポジット膜が形成され、各ターゲットの直上で被処理物３０を所定時間停止させる「ステップ回転」を行えばナノ多層膜が形成される。
【実施例１】
【００１３】
図１に示した内径約５００ｍｍの成膜室からなる成膜装置を用いて、隙間ｄ０＝１ｍｍ、隙間断面積Ｓ＝約１０００ｍｍ２に設定し、左チャンバーを０．３Ｐａ（ＳｉＯ２）、右チャンバーを０．１Ｐａ（Ａｌ）に保持したままアルゴンガスにて同時放電を行い、１０回／ｒｐｍにて連続回転させることによりＳｉＯ２と金属Ａｌの複合膜が得られた。
なお、排気口の断面積は６２８００ｍｍ２であり、隙間断面積Ｓはその２％以下であった。
【実施例２】
【００１４】
図１の装置を用いて左のチャンバーにはＡｌターゲット、右のチャンバーにはＳｉＯ２ターゲットを装着し、それぞれ下記の条件で放電実験を行った。
その際に左側のチャンバーに取り付けたプラズマ分光分析器によりプラズマのスペクトルを検出し、条件１の放電実験でのプラズマスペクトルを基準にして、各放電条件でのスペクトルの変化を調べ、図４，５に条件1を基準にした差分を示す。
【００１５】
【表１】
0005794519.tif 000002
【００１６】
条件２、および３では右チャンバーに酸素ガスを流していないが、ＳｉＯ２ターゲットをＡｒ中で放電させると一部が分解して酸素イオンが発生する。
しかしながら、図４及び５のチャートからプラズマ分光分析器の検出限界以上の酸素イオンは左チャンバーに流入していないことが分かる。
これにより、隙間断面積Ｓ＝１０００ｍｍ２は円筒内径約Ｄ＝０．０３６ｍに相当するからＰ＝０．２６［Ｐａ］×Ｄ＝０．０３６［ｍ］＝０．００９３６＜０．０２の範囲では各チャンバーでのクロスコンタミネーションが生じていないことが分かる。
【実施例３】
【００１７】
図１の装置にて左のチャンバーにはＡｌターゲット、右のチャンバーにはＳｉＯ２ターゲットを装着し、左右ともＡｒ流量３０ｓｃｃｍ、基板加熱なしの条件で放電し、可動部を１０ｒｐｍで回転させＡｌとＳｉＯ２を複合化する成膜実験を行った。
ＡｌとＳｉＯ２の割合は各ターゲットへの印加電力を制御することにより調節した。
得られた膜のＸ線回折パターンを図６に示す。
ピークはいずれもＡｌの存在を示すものであり、ＳｉＯ２の割合が増加するにつれてピークの半価幅が小さくなっていることからＡｌの結晶子サイズが小さくなっていることが分かるが、ＡｌがＳｉＯ２を還元した様子は見られない。
このことから、左右のチャンバーの分離により、ＡｌとＳｉＯ２がチャンバー内で酸化還元反応を生ずることなく、複合化していることが分かる。
【実施例４】
【００１８】
図１の装置を用いて、隙間ｄ０＝１ｍｍ、隙間断面積Ｓ＝約１０００ｍｍ２に設定し、左チャンバーのＡｒガス流量を３３ｓｃｃｍに固定し、右チャンバーにＯ２ガス流量：０．１ｓｃｃｍと混合して流すＡｒガス流量を変化させた。
図７（ａ）に全圧の変化を示し、図７（ｂ）に左チャンバーのＯ２分圧の測定結果を示す。
（ａ）のグラフから右チャンバーのＡｒガス流量（右側Ａｒ流量）を多くすると右チャンバーの上昇率に比較して左チャンバーの上昇率が低い。
また、図７（ｂ）のグラフで、●がＯ２のバックグランド値を示し、上部の実線が仮に、右チャンバーに流した酸素が全て左チャンバーに流れたと仮定した場合の分圧値を示す。  左チャンバーのＯ２分圧測定値にほとんど変化が認められず、右チャンバーから左チャンバーに酸素がほとんど流れ込まないことが確認できた。
【実施例５】
【００１９】
図１の装置を用いて、隙間ｄ０＝１ｍｍ、隙間断面積Ｓ＝約１０００ｍｍ２に設定し、下記表２に示すように左チャンバーにＡｌターゲットを装着し、右チャンバーにＳｉＯ２ターゲットを装着した状態にて左チャンバーに所定の流量のＡｒガスを流し、条件Ａは右チャンバーにガスを流さずに左チャンバー内のプラズマ発光をＯＥＳ装置（発光分光分析装置）にてスペクトル解析した。
条件Ｂ、ＣはＯ２ガス量を５ｓｃｃｍ一定にしてＡｒガス流量をそれぞれ表に示す値に変化させた。
【表２】
0005794519.tif 000003
【００２０】
図８（ａ）は条件Ａのときの左チャンバーのスペクトルを示し、（ｂ）は条件Ｂ、（ｃ）は条件Ｃのときの左チャンバーのスペクトルを示す。
このスペクトルに基づいて条件Ｂのスペクトルから条件Ａのスペクトルを差し引いた差分スペクトルを図９（ａ）に示し、条件Ｃのスペクトルから条件Ａのスペクトルを差し引いた差分スペクトルを図９（ｂ）に示す。
この結果、条件Ｃのときに僅かの酸素又はアルゴンが確認されたに過ぎず、左右のチャンバー内でそれぞれの条件で成膜がなされていることが分かる。
【実施例６】
【００２１】
図１の装置を用いて、左チャンバーにＡｌターゲット，Ｎ２＋Ａｒガス、右チャンバーにＡｌ２Ｏ３ターゲット，Ａｒガスの条件にて成膜した膜のＸＲＤ結果を図１０（ａ）に示し、従来の１つのチャンバー内にＡｌ２Ｏ３をターゲットに装着し、Ｎ２＋Ａｒの混合ガス中にて得られた成膜のＸＲＤ結果を図１０（ｂ）に示す。
本発明に係る装置を用いると結晶質のＡｌＮと非晶質のＡｌ２Ｏ３からなるナノコンポジット膜になっていると考えられる。
従来の方法では図１０（ｂ）に示すように複雑な混合膜になっていた。
また、図１１（ａ）に左チャンバーのみを用いてＡｌターゲット，Ｎ２＋Ａｒガスの条件にて成膜した膜のＴＥＭ像を示し、ＡｌＮの均一膜であった。
図１１（ｂ）は図１０（ａ）の条件にて成膜した膜のＴＥＭ像を示し、ＡｌＮ層中に点線で示した非晶質層が分散したナノコンポジット膜となっていた。
【００２２】
上記実施例１〜６は成膜室を２つのチャンバーに仕切った２元系の複合膜，ナノコンポジット膜の成膜例であり、ターゲットはＡｌ，ＳｉＯ２に限定されるものではなく、各種金属や絶縁性材料に適用でき、成膜方法もスパッタリングに限らず、イオンプレーティングや蒸着であってもよく、また隙間断面積Ｓを制御することで比較的ガス圧が高いＣＶＤにも応用できる。
【００２３】
本発明に係る成膜装置は、チャンバー数に制限がない。
例えば、図１３は成膜室１０を１２０度分割の隔壁１１２にて３つのチャンバーに仕切った例である。
この図１３に示した例は、例えばドリル等の立体的な被処理物の表面に複合膜を成膜するのに好適である。
被処理物（ワーク）Ｗ１，Ｗ２，Ｗ３がそれぞれ例えば矢印に示した方向に自転しつつ、隔壁１１２とともに可動部１１が公転する例となっている。
この場合に、ターゲットＡ，Ｂ，Ｃに対してワークＷ１，Ｗ２，Ｗ３が自転しながらターゲットを順次横切るように公転することなり、隔壁１１２の外周側端部に成膜室１０の内壁１０ａに沿った方向に側片部１１２ａ，１１２ｂ，１１２ｃをそれぞれ有し、ガス圧Ｐ［Ｐａ］に対してこの側片部１１２ａ，１１２ｂ，１１２ｃと、内壁１０ａとの間の隙間ｄ５をその隙間断面積ＳがＰＤ＜０．０２になるように設定することになる。
また、ターゲットＡ，Ｂ，Ｃのそれぞれに対してガス導入口、排気装置及び放電用電源を備えている。
図１３（ａ）の状態から（ｂ）及び（ｃ）の状態まで回転した状態にて、ワークＷ１にはターゲットＡによる皮膜が形成され、同様にワークＷ２にターゲットＢ，ワークＷ３にターゲットＣによる皮膜が形成される。
さらに順次回転することでターゲットＡ，Ｂ，Ｃ又はその一部が酸化物あるいは窒化物として三元系のナノコンポジット複合膜が成膜される。
【符号の説明】
【００２４】
１０      成膜室
１１      可動部
１２      隔壁
１３Ａ，１３Ｂ      ガス導入口
１４Ａ，１４Ｂ      排気口
１５Ａ，１５Ｂ      保持部
１６Ａ，１６Ｂ      電源
１７      ヒーター
２０      駆動源
３０      被処理物
Ａ，Ｂ    ターゲット
【図１】
0005794519.tif 000004
【図２】
0005794519.tif 000005
【図３】
0005794519.tif 000006
【図４】
0005794519.tif 000007
【図５】
0005794519.tif 000008
【図１２】
0005794519.tif 000009
【図１３】
0005794519.tif 000010
【図６】
0005794519.tif 000011
【図７】
0005794519.tif 000012
【図８】
0005794519.tif 000013
【図９】
0005794519.tif 000014
【図１０】
0005794519.tif 000015
【図１１】
0005794519.tif 000016