(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
超電導マグネットの静磁場空間に発生する静磁場の均一性を、強磁性体からなり厚さが互いに異なる複数種類のシムを用いてシミングすることにより調整する、超電導マグネットの調整方法であって、
前記静磁場空間における磁場を測定する工程と、
前記磁場を測定する工程での測定結果に基づいて、前記超電導マグネット内におけるシムの複数の配置位置および該複数の配置位置の各々に配置するシムの量を算出する工程と、
シムの前記複数の配置位置および該複数の配置位置の各々に配置するシムの量を算出する工程での算出結果に基づいて、シムの前記複数の配置位置の各々において、前記複数種類のシムのうちの少なくとも１種類のシムを少なくとも１つ配置または除去してシミングする工程とを備え、
シムの前記複数の配置位置および該複数の配置位置の各々に配置するシムの量を算出する工程にて、シムの前記複数の配置位置の各々において、前記複数種類のシムのなかの任意の１つのシムに相当する、または、前記複数種類のシムのなかの任意の複数のシムの組み合わせに相当する、シムの量が算出されるように制約条件を課し、前記複数の配置位置の各々が、静磁場の向きにおける前記静磁場空間の中央近傍の位置以外となるように制約条件をさらに課する、超電導マグネットの調整方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、超電導マグネットの調整方法、これにより調整された超電導マグネット、および、これを備える磁気共鳴画像装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
静磁場均一度の調整方法を開示した先行文献として、国際公開第２０１２／１３２９１１号(特許文献１)がある。特許文献１に記載された静磁場均一度の調整方法は、計測空間に静磁場発生手段により発生した静磁場に対し、補正磁場を発生する磁場補正手段を配置して、静磁場の均一度を調整する方法である。特許文献１に記載された静磁場均一度の調整方法は、静磁場発生手段が発生した静磁場を測定するステップと、測定された静磁場の空間分布を級数展開するステップと、級数展開された不整磁場成分のうち、高次項の不整磁場成分を補正する第一の磁場調整ステップと、第一の調整ステップの後に行われ、低次の不整磁場成分を調整する第二の磁場調整ステップと、を含む。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】国際公開第２０１２／１３２９１１号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
超電導マグネットにおける静磁場の均一性の調整には、互いに厚さの異なるすなわち厚さが離散化した複数種類のシムが、一般的に用いられる。磁場の測定結果に基づいてシムを配置しようとした場合、シムの厚さの離散化のために、磁場の測定結果に対応してシムを配置することができない場合がある。この場合、所望の静磁場の均一性を得るまでに繰り返し行なわれるシミングの回数が増加する。【０００５】
超電導マグネットが磁場を発生している状態においては、シムに大きな電磁力が作用している。そのため、超電導マグネットが磁場を発生している状態にてシミングすることは困難である。通常、シミングする際には、超電導マグネットが発生する磁場を低下させて、シムを取り付け直した後、再度、超電導マグネットが発生する磁場を増加させる。このとき、超電導マグネットを冷却保持している液体ヘリウムの一部が蒸発して消失する。シミングの回数が増加することにより、作業工数および液体ヘリウムの消失量が増加する。【０００６】
シムの厚さの離散化の影響を緩和するために、可能な限り薄いシムを用いてシミングすることが考えられる。現在においては、最も薄いシムの厚さは、０．０５ｍｍであり、これ以上薄いシムを用いる場合、シムの製造コストが高くなるとともに、シムの取り扱いが困難となりシミングの作業性が悪くなる。【０００７】
本発明は上記の問題点に鑑みてなされたものであって、シムの厚さの離散化の影響を抑制して静磁場の均一性を簡易に調整できる、超電導マグネットの調整方法、これにより調整された超電導マグネット、および、これを備える磁気共鳴画像装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明に基づく超電導マグネットの調整方法は、超電導マグネットの静磁場空間に発生する静磁場の均一性を、強磁性体からなり厚さが互いに異なる複数種類のシムを用いてシミングすることにより調整する、超電導マグネットの調整方法である。超電導マグネットの調整方法は、静磁場空間における磁場を測定する工程と、上記磁場を測定する工程での測定結果に基づいて、超電導マグネット内におけるシムの複数の配置位置およびこの複数の配置位置の各々に配置するシムの量を算出する工程と、シムの上記複数の配置位置およびこの複数の配置位置の各々に配置するシムの量を算出する工程での算出結果に基づいて、シムの上記複数の配置位置の各々において、複数種類のシムのうちの少なくとも１種類のシムを少なくとも１つ配置または除去してシミングする工程とを備える。シムの上記複数の配置位置およびこの複数の配置位置の各々に配置するシムの量を算出する工程にて、シムの上記複数の配置位置の各々において、複数種類のシムのなかの任意の１つのシムに相当する、または、複数種類のシムのなかの任意の複数のシムの組み合わせに相当する、シムの量が算出されるように制約条件を課する。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、シムの厚さの離散化の影響を抑制して静磁場の均一性を簡易に調整できる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の実施形態１に係るＭＲＩ装置の外観を示す斜視図である。
【図２】本発明の実施形態１に係る超電導マグネットの構造を示す断面図である。
【図３】本発明の実施形態１に係る超電導マグネットにおけるシミング部を示す斜視図である。
【図４】本発明の実施形態１に係る超電導マグネットが備えるシムトレイおよびシムを示す分解斜視図である。
【図５】本発明の実施形態１に係る超電導マグネットが備える３種類のシムを示す斜視図である。
【図６】本発明の実施形態１に係る超電導マグネットの調整方法を示すフローチャートである。
【図７】各誤差成分を分解するための座標系である。
【図８】静磁場の向きにおけるシムの配置位置とシムの出力との関係を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明の各実施形態に係る超電導マグネットの調整方法、これにより調整された超電導マグネット、および、これを備える磁気共鳴画像装置について図面を参照して説明する。以下の実施形態および比較形態の説明においては、図中の同一または相当部分には同一符号を付して、その説明は繰り返さない。
【００１２】
なお、以下の実施形態においては、ＭＲＩ(Magnetic  Resonance  Imaging)用超電導マグネットについて説明するが、超電導マグネットはこれに限られず、他の用途に用いられるものであってもよい。また、円筒型の超電導マグネットについて説明するが、必ずしも円筒型の超電導マグネットに限定されるものではなく、開放型の超電導マグネットにも本発明を適用できる。
【００１３】
(実施形態１)
図１は、本発明の実施形態１に係るＭＲＩ装置の外観を示す斜視図である。図１に示すように、本発明の実施形態１に係るＭＲＩ装置１は、静磁場発生部１０と寝台３０とを含む。静磁場発生部１０は、後述する超電導マグネット１００を含み、ボア２０の内部に静磁場を発生する。
【００１４】
図２は、本発明の実施形態１に係る超電導マグネットの構造を示す断面図である。図２においては、水平方向をＸ方向、垂直方向をＹ方向、静磁場１９０の向きをＺ方向として図示している。
【００１５】
図２に示すように、本発明の実施形態１に係る超電導マグネット１００においては、最も外側に、中空円筒状の真空槽１１０が配置されている。真空槽１１０の円筒中心部の空間が、ボア２０に対応したボア部１６０となる。真空槽１１０の内部は、真空になるように図示しない減圧装置により減圧されている。真空槽１１０は、下部に配置された脚部１７０によりボア部１６０の中心軸が水平方向になるように支えられている。
【００１６】
真空槽１１０の内部には、真空槽１１０と略相似形の中空円筒状の熱シールド１２０が配置されている。熱シールド１２０の内部には、熱シールド１２０と略相似形の中空円筒状のヘリウム槽１３０が配置されている。熱シールド１２０は、ヘリウム槽１３０と真空槽１１０との間を断熱する機能を有している。
【００１７】
ヘリウム槽１３０の内部には、超電導コイル１４０が円周上に配置されている。ヘリウム槽１３０の内部には、液体ヘリウム１５０が充填されている。超電導コイル１４０は、液体ヘリウム１５０中に浸漬されて冷却されている。
【００１８】
超電導マグネット１００が稼動すると、ボア部１６０の図中の点線で示す範囲内の静磁場空間１８０において、矢印方向の静磁場１９０が発生する。この静磁場１９０が、強く、ｐｐｍのオーダーで均一であり、安定していることが望まれる。
【００１９】
図３は、本実施形態に係る超電導マグネットにおけるシミング部を示す斜視図である。図４は、本実施形態に係る超電導マグネットが備えるシムトレイおよびシムを示す分解斜視図である。図５は、本実施形態に係る超電導マグネットが備える３種類のシムを示す斜視図である。
【００２０】
図２においては図示していないが、図３に示すように、超電導マグネット１００は、真空槽１１０の内周側の側壁に沿うように形成されたシミング部２００を有する。シミング部２００には、シミング部２００の周方向に互いに間隔を置いて、ボア部１６０の中心軸方向に延在する複数の開口部２１０が設けられている。本実施形態においては、２４箇所の開口部２１０が設けられているが、開口部２１０の数はこれに限られない。
【００２１】
図３，４に示すように、２４箇所の開口部２１０の各々には、シムトレイ２３０が挿入される。図４に示すように、シムトレイ２３０は、複数のシム２５０を収容する複数の凹部２４０が形成された本体部２３１と蓋部２３２とを含む。
【００２２】
本実施形態においては、各シムトレイ２３０は、同一寸法で設けられたＮｏ.１〜Ｎｏ.１５までの１５箇所の凹部２４０を有する。１５箇所の凹部２４０の各々は、平面視にて、正方形の底面を有し、深さの寸法がＤである。
【００２３】
本実施形態に係る超電導マグネット１００は、２４本のシムトレイ２３０を備える。２４本のシムトレイ２３０に設けられた凹部２４０の数の合計は、３６０箇所である。シミングする際には、この３６０箇所の凹部２４０のうちの選択された一部または全部の凹部２４０に、シム２５０が配置される。選択されなかった凹部２４０には、シム２５０は配置されない。
【００２４】
開口部２１０にシムトレイ２３０が挿入された状態において、シムトレイ２３０の長手方向の中心Ｃ上に位置するＮｏ.８の凹部は、静磁場１９０の向きにおける静磁場空間１８０の中央近傍に位置する。本実施形態においては、シムトレイ２３０の長手方向の中心に位置するＮｏ.８の凹部２４０にそれぞれ隣接する、Ｎｏ.７の凹部２４０およびＮｏ.９の凹部２４０までが、静磁場１９０の向きにおける静磁場空間１８０の中央近傍に位置する。
【００２５】
本実施形態においては、シムトレイ２３０は、同一寸法で設けられた１５箇所の凹部２４０を有しているが、凹部２４０の数は１５個に限られない。仮に、シムトレイ２３０が偶数箇所の凹部２４０を有する場合、シムトレイ２３０の長手方向の中心Ｃを互いの間に挟む２つの凹部２４０までが、静磁場１９０の向きにおける静磁場空間１８０の中央近傍に位置する。
【００２６】
シムトレイ２３０にシム２５０を取り付けるための構造は、シムトレイ２３０の凹部２４０に限られない。たとえば、シムトレイに雄ネジが設けられ、この雄ネジに、貫通孔が設けられたシムが挿通された状態で、雄ネジとナットとを螺合させることにより、シムトレイにシムが取り付けられる構造であってもよい。
【００２７】
シムトレイは、必ずしも棒状の形状でなくてもよく、たとえば、超電導マグネット１００のシミング部２００の内周壁に設けた雄ネジに、貫通孔が設けられたシムが挿通されて固定されることにより、シミング部２００にシムが直接取り付けられる構造であってもよい。すなわち、シムトレイは、超電導マグネット１００にシムが取り付けられる構造であれば特に限定されない。
【００２８】
図５に示すように、本実施形態においては、３種類のシム２５０として、厚さの寸法がＴ1である第１シム２５１、厚さの寸法がＴ2である第２シム２５２、および、厚さの寸法がＴ3である第３シム２５３を準備している。
【００２９】
第１シム２５１、第２シム２５２および第３シム２５３の各々は、薄板状の平面視にて正方形の鉄片からなる。ただし、第１シム２５１、第２シム２５２および第３シム２５３の各々の材料は、鉄に限られず、強磁性体であればよい。第１シム２５１、第２シム２５２および第３シム２５３の各々の平面視形状は、正方形に限られず、凹部２４０の底面の形状に対応する形状であればよい。
【００３０】
図３〜５に示すように、各開口部２１０に挿入される複数のシムトレイ２３０の各々において、複数の凹部２４０の各々に収容されるシム２５０の量を調節することにより、静磁場空間１８０の静磁場１９０の均一性を向上することができる。このようにシム２５０を配置することにより、静磁場空間１８０における静磁場１９０の均一性の向上を図ることがシミングである。なお、本実施形態においては、複数の凹部２４０の各々に収容されるシム２５０の量は、シム２５０の積層厚さによって決まる。
【００３１】
本実施形態に係る超電導マグネットの調整方法は、超電導マグネット１００の静磁場空間１８０に発生する静磁場１９０の均一性を、強磁性体からなり厚さが互いに異なる３種類のシム２５０を用いてシミングすることにより調整する。
【００３２】
図６は、本実施形態に係る超電導マグネットの調整方法を示すフローチャートである。図６に示すように、本実施形態に係る超電導マグネットの調整方法は、静磁場空間１８０における磁場を測定する工程(Ｓ１００)と、磁場を測定する工程(Ｓ１００)での測定結果に基づいて、超電導マグネット１００内におけるシム２５０の複数の配置位置およびこの複数の配置位置の各々に配置するシム２５０の量を算出する工程(Ｓ１１０)と、シム２５０の複数の配置位置およびこの複数の配置位置の各々に配置するシム２５０の量を算出する工程(Ｓ１１０)での算出結果に基づいて、シム２５０の複数の配置位置の各々において、３種類のシム２５０のうちの少なくとも１種類のシムを少なくとも１つ配置または除去してシミングする工程(Ｓ１２０)とを備える。
【００３３】
本実施形態に係る超電導マグネットの調整方法においては、磁場を測定する工程(Ｓ１００)にて、磁場計測プローブを用いて静磁場空間１８０の磁場を測定する。次に、磁場を測定する工程(Ｓ１００)にて測定された静磁場空間１８０の磁場を各誤差成分に分解する。各誤差成分は、下記の数式１の関係を満たす。数式１は、ルジャンドル陪関数を含んでいる。以下、各誤差成分を、Ａ(ｎ，ｍ)またはＢ(ｎ，ｍ)と表記する。図７は、各誤差成分を分解するための座標系である。
【数式１】
【００３４】
0005744359.tif 000002
【００３５】
次に、静磁場空間１８０の磁場の各誤差成分が最適な状態になるように、超電導マグネット１００内におけるシム２５０の複数の配置位置およびこの複数の配置位置の各々に配置するシム２５０の量をコンピュータを用いて算出する。コンピュータには、静磁場空間１８０の磁場の各誤差成分を最適化するプログラムが予めインストールされている。
【００３６】
コンピュータは、３６０箇所の凹部２４０の中から、シム２５０を配置すべき位置にある凹部２４０を算出して選択する。コンピュータは、選択した凹部２４０の各々において、配置するシム２５０の量を算出する。具体的には、コンピュータは、選択した凹部２４０の各々において、配置するシム２５０の積層厚さを算出する。
【００３７】
上記のプログラムにおいては、シム２５０の積層厚さは、０以上１以下の数値に規格化されている。コンピュータの算出したシム２５０の積層厚さが０の場合、配置すべきシム２５０の積層厚さは０ｍｍであり、コンピュータの算出したシム２５０の積層厚さが１の場合、配置すべきシム２５０の積層厚さは、上記の凹部２４０の深さの寸法であるＤｍｍである。たとえば、Ｄｍｍは、１０ｍｍである。
【００３８】
本実施形態においては、上記のように、３種類のシム２５０として、厚さの寸法がＴ1である第１シム２５１、厚さの寸法がＴ2である第２シム２５２、および、厚さの寸法がＴ3である第３シム２５３を準備している。たとえば、Ｔ1ｍｍは０．２５ｍｍ、Ｔ2ｍｍは０．１ｍｍ、Ｔ3ｍｍは０．０３ｍｍである。
【００３９】
ここで、上記のプログラムに制約条件を課していない場合に生ずる離散化誤差について説明する。制約条件を課されていないプログラムに従って、コンピュータがシム２５０の複数の配置位置およびこの複数の配置位置の各々に配置するシム２５０の量を算出した場合、たとえば、コンピュータの算出したシム２５０の積層厚さが０．５４となることがある。この場合、配置すべきシム２５０の積層厚さは０.５４ｍｍである。
【００４０】
この算出結果に基づいて、０．５４ｍｍに最も近い積層厚さになるように、第１シム２５１、第２シム２５２および第３シム２５３の組み合わせを考える。その結果、１つの第１シム２５１と２つの第３シム２５３を組み合わせて、シム２５０の積層厚さを０．５３ｍｍとする。このように、コンピュータの算出したシム２５０の積層厚さと、実際にシミングにより配置されるシム２５０の積層厚さとの間に、０．０１ｍｍの誤差が生じる。この誤差は、シム２５０の厚さの離散化のために生ずる。以下、このようにシム２５０の厚さの離散化に起因する誤差を離散化誤差と称する。
【００４１】
離散化誤差が生ずる場合、静磁場空間１８０の磁場の各誤差成分を最適化することができないため、所望の静磁場１９０の均一性を得るまでに繰り返し行なわれるシミングの回数が増加する。
【００４２】
そこで、本実施形態に係る超電導マグネットの調整方法においては、シム２５０の複数の配置位置およびこの複数の配置位置の各々に配置するシムの量を算出する工程(Ｓ１１０)にて、シム２５０の複数の配置位置の各々において、３種類のシム２５０のなかの任意の１つのシムに相当する、または、３種類のシムのなかの任意の複数のシムの組み合わせに相当する、シム２５０の量が算出されるように、上記プログラムに制約条件を課する。
【００４３】
３種類のシム２５０のなかの任意の１つのシムに相当するシム２５０の量が算出されるように制約条件を課す場合には、コンピュータの算出可能なシム２５０の積層厚さは、０．０３、０．１および０．２５である。
【００４４】
３種類のシムのなかの任意の複数のシムの組み合わせに相当するシム２５０の量が算出されるように制約条件を課す場合には、コンピュータの算出可能なシム２５０の積層厚さは、たとえば、０．０３＋０．２５＝０．２８、０．０３＋０．０３＝０．０６、および、０．０３＋０．１＋０．２５＝０．３８などである。
【００４５】
上記の制約条件を課したプログラムに従ってコンピュータがシム２５０の複数の配置位置およびこの複数の配置位置の各々に配置するシム２５０の量を算出した場合、離散化誤差を０にすることができる。これにより、静磁場空間１８０の磁場の各誤差成分を最適化することができるため、所望の静磁場１９０の均一性を得るまでに繰り返し行なわれるシミングの回数を低減できる。その結果、シム２５０の厚さの離散化の影響を抑制して静磁場１９０の均一性を簡易に調整できる。
【００４６】
本実施形態においては、離散化誤差が０になるようにプログラムに制約条件を課したが、これに限られず、離散化誤差が許容範囲内になるようにプログラムに制約条件を課してもよい。たとえば、離散化誤差の許容範囲が０．００１ｍｍである場合には、コンピュータの算出可能なシム２５０の積層厚さが、±０．０００５の誤差範囲に収まるように制約条件を課する。
【００４７】
上記のシミングする工程(Ｓ１２０)の後、静磁場空間１８０における磁場を測定する工程(Ｓ１００)を再度行なって、超電導マグネット１００の静磁場空間１８０に発生する静磁場１９０の均一性を確認する。
【００４８】
１回目のシミングを行なった後においても、シム２５０の取付位置精度、または、シム２５０そのものの磁化特性のバラつきなどの要因によって、静磁場空間１８０の磁場には各誤差成分が存在することがある。この場合、再度、シム２５０の複数の配置位置およびこの複数の配置位置の各々に配置するシム２５０の量を算出する工程(Ｓ１１０)およびシミングする工程(Ｓ１２０)を行なう。すなわち、２回目以降のシミングを繰り返し行なう。
【００４９】
２回目以降のシミングにおいては、超電導マグネット１００内にすでにシム２５０が配置されている。そのため、２回目以降のシミングにおける、シム２５０の複数の配置位置およびこの複数の配置位置の各々に配置するシム２５０の量を算出する工程(Ｓ１１０)にて、コンピュータが算出して選択した凹部２４０のなかのいずれかの凹部２４０において、コンピュータが算出したシム２５０の積層厚さが、すでにその凹部２４０に配置されているシム２５０の積層厚さより薄い場合がありうる。この場合には、２回目以降のシミングにおけるシミングする工程(Ｓ１２０)において、すでに凹部２４０に配置されている、３種類のシム２５０のうちの少なくとも１種類のシムを少なくとも１つ除去することになる。
【００５０】
なお、２回目以降のシミングにおいて、コンピュータが算出したシム２５０の積層厚さが、選択された凹部２４０にすでに配置されているシム２５０の組み合わせの積層厚さと異なる場合には、選択された凹部２４０にすでに配置されているシム２５０の一部または全部を除去した後、その凹部２４０に、３種類のシム２５０のうちの少なくとも１種類のシムを少なくとも１つ配置する。
【００５１】
本実施形態に係る超電導マグネットの調整方法において、たとえば、コンピュータの算出可能なシム２５０の積層厚さが、０、０．２５、０．５０、０．７５および１．０となるように、上記プログラムに制約条件を課す場合、第３シム２５３だけを準備すればよくなる。このように、制約条件によっては、準備するシム２５０の種類を削減することができる。その結果、部品点数を削減して、シム２５０の製造コストを低減できる。特に、準備するシム２５０を可能な限り厚いシムに集約することにより、凹部２４０に配置するシム２５０の合計数量を低減できるため、シミングの作業を簡易にすることができる。
【００５２】
以下、本発明の実施形態２に係る超電導マグネットの調整方法について説明する。なお、本実施形態に係る超電導マグネットの調整方法は、プログラムに課す制約条件のみ実施形態１に係る超電導マグネットの調整方法と異なるため、他の構成については説明を繰り返さない。
【００５３】
(実施形態２)
まず、静磁場の向きにおけるシムの配置位置と、静磁場空間の静磁場の均一性に対するシムの調整能力であるシムの出力との関係について説明する。図８は、静磁場の向きにおけるシムの配置位置とシムの出力との関係を示すグラフである。図８においては、縦軸にシム出力(ｐｐｍ)、横軸に静磁場の向きにおけるシムの配置位置(Ｎｏ.１〜Ｎｏ.１５の凹部２４０)を示している。また、図８においては、Ａ(１，０)〜Ａ(６，０)のデータを図示している。
【００５４】
図８に示すように、静磁場の向きにおける静磁場空間１８０の中央近傍に位置するシムの配置位置であるＮｏ.７〜Ｎｏ.９の凹部２４０においては、他のシムの配置位置であるＮｏ.１〜Ｎｏ.６の凹部２４０およびＮｏ.１０〜Ｎｏ.１５の凹部２４０に比較して、シム出力が高くなる傾向にある。
【００５５】
そのため、静磁場の向きにおける静磁場空間１８０の中央近傍に位置する、シム２５０の取付位置精度、または、シム２５０そのものの磁化特性のバラつきなどの要因によって、静磁場空間１８０の磁場に各誤差成分が存在した場合、静磁場空間１８０の静磁場の均一性が損なわれやすい。
【００５６】
そこで、本実施形態に係る超電導マグネットの調整方法においては、シム２５０の複数の配置位置およびこの複数の配置位置の各々に配置するシムの量を算出する工程(Ｓ１１０)にて、複数の配置位置の各々が、静磁場の向きにおける前記静磁場空間(１８０)の中央近傍の位置以外となるように上記プログラムに制約条件をさらに課する。
【００５７】
なお、上記の制約条件をさらに課するのは、１回目のシミング時からでもよいし、２回目以降のシミング時からでもよい。１回目のシミング時から上記の制約条件をさらに課した場合には、各シムトレイ２３０において、Ｎｏ.７〜Ｎｏ.９の凹部２４０に１つもシム２５０が配置されないことになる。２回目以降のシミング時から上記の制約条件をさらに課した場合には、２回目以降のシミングにて、各シムトレイ２３０において、Ｎｏ.７〜Ｎｏ.９の凹部２４０に配置されたシム２５０の積層厚さは変更されないことになる。
【００５８】
上記のようにシミングすることにより、静磁場の向きにおける静磁場空間１８０の中央近傍にシムを配置することによって静磁場空間１８０の静磁場の均一性が損なわれることを抑制して、所望の静磁場１９０の均一性を得るまでに繰り返し行なわれるシミングの回数を低減できる。その結果、シム２５０の厚さの離散化の影響を抑制して静磁場１９０の均一性を簡易に調整できる。
【００５９】
なお、今回開示した上記実施形態はすべての点で例示であって、限定的な解釈の根拠となるものではない。したがって、本発明の技術的範囲は、上記した実施形態のみによって解釈されるものではなく、請求の範囲の記載に基づいて画定される。また、請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれる。
【符号の説明】
【００６０】
１  ＭＲＩ装置、１０  静磁場発生部、２０  ボア、３０  寝台、１００  超電導マグネット、１１０  真空槽、１２０  熱シールド、１３０  ヘリウム槽、１４０  超電導コイル、１５０  液体ヘリウム、１６０  ボア部、１７０  脚部、１８０  静磁場空間、１９０  静磁場、２００  シミング部、２１０  開口部、２３０  シムトレイ、２３１  本体部、２３２  蓋部、２４０  凹部、２５０  シム、２５１  第１シム、２５２  第２シム、２５３  第３シム。
【要約】
超電導マグネットの調整方法は、静磁場空間における磁場を測定する工程（Ｓ１００）と、上記磁場を測定する工程での測定結果に基づいて、超電導マグネット内におけるシムの複数の配置位置およびこの複数の配置位置の各々に配置するシムの量を算出する工程（Ｓ１１０）と、シムの上記複数の配置位置およびこの複数の配置位置の各々に配置するシムの量を算出する工程での算出結果に基づいて、シムの上記複数の配置位置の各々において、複数種類のシムのうちの少なくとも１種類のシムを少なくとも１つ配置または除去してシミングする工程（Ｓ１２０）とを備える。シムの複数の配置位置の各々に配置するシムの量を算出する工程にて、シムの上記複数の配置位置の各々において、複数種類のシムのなかの任意の１つのシムに相当する、または、複数種類のシムのなかの任意の複数のシムの組み合わせに相当する、シムの量が算出されるように制約条件を課する。【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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