(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
弁作用金属を焼結して陽極体を形成する焼結工程と、前記陽極体の表層部に誘電体層を形成する化成工程と、前記陽極体を導電性高分子のモノマーの溶液に浸漬し、前記モノマーを重合することによって導電性高分子からなる半導体層を形成する半導体層形成工程と、前記陽極体上に導電体層を形成する導電体層形成工程とをこの順で含む固体電解コンデンサ素子の製造方法であって、前記半導体層形成工程を、前記導電性高分子のモノマーの光重合が起こらない条件下で行うことを特徴とする固体電解コンデンサ素子の製造方法。
【請求項２】
前記導電性高分子のモノマーの光重合が起こらない条件が、半導体層形成工程における波長１５０〜４５０ｎｍの光の照射積算光量を１０ｍＪ／ｃｍ2以下にする条件である請求項１に記載の固体電解コンデンサ素子の製造方法。
【請求項３】
前記導電性高分子が、ポリエチレンジオキシチオフェン、ポリピロール、及びそれらの誘導体から選ばれる少なくとも１つである請求項１または２に記載の固体電解コンデンサ素子の製造方法。
【請求項４】
前記導電性高分子の光重合が起こらない条件が、遮光条件である請求項１に記載の固体電解コンデンサ素子の製造方法。
【請求項５】
前記弁作用金属が、タンタル、ニオブ、タングステン、アルミニウムから選ばれる少なくとも１つである請求項１〜４のいずれかに記載の固体電解コンデンサ素子の製造方法。
【請求項６】
前記弁作用金属が、タンタル及び／またはタングステンである請求項５に記載の固体電解コンデンサ素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、固体電解コンデンサ素子の製造方法に関する。さらに詳しく言えば、未封止等の不良品が少ない、生産性が高い固体電解コンデンサ素子の製造方法を提供する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１は、電気伝導性の高分子を含む反応生成物を好適に形成することが可能な光重合装置、及び光重合方法を開示している。
特許文献２は、１，３−ジヒドロベンゾ［ｃ］チオフェン化合物を含む気相、液相または固相中に光を照射して、ベンゾ［ｃ］チオフェンを合成する方法を開示している。
特許文献３は、光照射により重合させて、照射部分のみを導電性に変化させるとともに、汎用高分子と均一に混合された導電性の複合材料が製造可能な成形性またはフィルム形成性組成物を開示している。【０００３】
以上の通り、一般的な導電性高分子のモノマーは光により重合することが知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００６−２９０９１２号公報
【特許文献２】特開平５−２５５４８６号公報
【特許文献３】特開平７−１８８３９９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
固体電解コンデンサ素子は、弁作用金属を焼結して陽極体を形成する焼結工程と、陽極体の表層部に誘電体層を形成する化成工程と、陽極体を導電性高分子のモノマーの溶液に浸漬し、当該モノマーを重合することによって半導体層を形成する半導体層形成工程と、陽極体上に導電体層を形成する導電体層形成工程とをこの順で含む製造方法によって製造することができる。【０００６】
定法に従って半導体層を形成すると、半導体層形成後、半導体層形成に用いた導電性高分子のモノマー溶液において黒ずみや浮遊物が発生することがある。この黒ずみや浮遊物は、半導体層に付着して、未封止等の不良品を発生させる可能性がある。【０００７】
よって、本発明の目的は、上記課題を解決し、未封止等の不良品が少ない、生産性が高い固体電解コンデンサ素子の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
そこで、本発明者らは、特許文献１〜３をふまえ、黒ずみや浮遊物の原因が、モノマー溶液における導電性高分子の不正な光重合であると推測した。未封止等の不良品を少なくするためには、この光重合を防ぎ、黒ずみや浮遊物の発生を防止することが課題であると考えた。その結果、以下の発明を完成するに至った。すなわち、本発明は、下記の［１］〜［６］に関する。【０００９】
［１］弁作用金属を焼結して陽極体を形成する焼結工程と、前記陽極体の表層部に誘電体層を形成する化成工程と、前記陽極体を導電性高分子のモノマーの溶液に浸漬し、前記モノマーを重合することによって導電性高分子からなる半導体層を形成する半導体層形成工程と、前記陽極体上に導電体層を形成する導電体層形成工程とをこの順で含む固体電解コンデンサ素子の製造方法であって、前記半導体層形成工程を、前記導電性高分子のモノマーの光重合が起こらない条件下で行うことを特徴とする固体電解コンデンサ素子の製造方法。
［２］前記導電性高分子のモノマーの光重合が起こらない条件が、半導体層形成工程における波長１５０〜４５０ｎｍの光の照射積算光量を１０ｍＪ／ｃｍ2以下にする条件である［１］に記載の固体電解コンデンサ素子の製造方法。
［３］前記導電性高分子が、ポリエチレンジオキシチオフェン、ポリピロール、及びそれらの誘導体から選ばれる少なくとも１つである［１］または［２］に記載の固体電解コンデンサ素子の製造方法。
［４］前記導電性高分子の光重合が起こらない条件が、遮光条件である［１］に記載の固体電解コンデンサ素子の製造方法。
［５］前記弁作用金属が、タンタル、ニオブ、タングステン、アルミニウムから選ばれる少なくとも１つである［１］〜［４］のいずれかに記載の固体電解コンデンサ素子の製造方法。
［６］前記弁作用金属が、タンタル及び／またはタングステンである［５］に記載の固体電解コンデンサ素子の製造方法。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、半導体層形成工程における導電性高分子の不正な光重合を防止することができる。その結果、製造される固体電解コンデンサ素子における未封止等の不良品が減少し、生産性が向上する。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】実施例２における半導体層形成工程後の陽極体表面の実体顕微鏡写真（倍率：２０倍）である。
【図２】比較例２における半導体層形成工程後の陽極体表面の実体顕微鏡写真（倍率：２０倍）である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
本発明の固体電解コンデンサ素子の製造方法は、弁作用金属を焼結して陽極体を形成する焼結工程と、陽極体の表層部に誘電体層を形成する化成工程と、陽極体を導電性高分子のモノマーの溶液に浸漬し、当該モノマーを重合することによって半導体層を形成する半導体層形成工程と、陽極体上に導電体層を形成する導電体層形成工程とをこの順で含む固体電解コンデンサ素子の製造方法であって、半導体層形成工程を、導電性高分子の光重合が起こらない条件下で行うことを特徴とする。
【００１３】
定法では、半導体層形成の様子を確認するため、あるいは各種操作の都合上、陽極体やモノマー溶液に蛍光灯等の光を照射した状態で半導体層の形成を行う。これによって、導電性高分子の不正な光重合が起こり、黒ずみや浮遊物が発生して、未封止の原因となるものと推測した。
【００１４】
そこで、本発明の製造方法は、半導体層形成工程を、導電性高分子の光重合が起こらない条件下で行い、黒ずみや浮遊物の発生を防止する。なお、導電性高分子の光重合が起こらない条件は、好ましくは、半導体層形成工程における波長１５０〜４５０ｎｍの光の照射積算光量を１０ｍＪ／ｃｍ2以下にする条件であり、より好ましくは、遮光条件である。
【００１５】
また、固体電解コンデンサ素子の誘電体層を構成する絶縁性金属酸化物は、光活性があるものも含まれる。よって、陽極体やモノマー溶液に光が当たった状態で半導体層形成を行うと、絶縁性金属酸化物が光活性化され、前述の導電性高分子の不正な光重合を促進したり、半導体層として形成された導電性高分子のポリマーを切断したりする可能性がある。本発明の製造方法は、半導体層の形成を導電性高分子の光重合が起こらない条件下で行うことにより、これらを防止することもでき、より好適に半導体層を形成できる。
【００１６】
例えば、弁作用金属としてタングステンを用いた場合、誘電体層の主成分は三酸化タングステンとなる。三酸化タングステンは光活性が大きいので、本発明の製造方法を用いることが好ましい。
【００１７】
以下、本発明をより詳細に説明する。
【００１８】
弁作用金属としては、タンタル、ニオブ、タングステン、アルミニウム等の弁作用金属や、これら金属を主成分とする合金、組成物、これら金属の導電性酸化物が好ましい。これらの粉を２種類以上混合して使用してもよい。また、合金は、金属のうち一部が合金化したものも含む。
【００１９】
陽極体は主成分以外の金属をコンデンサ特性に悪影響を与えない範囲で含んでいてもよい。主成分以外の金属として、例えば、タンタル、ニオブ、アルミニウム、チタン、バナジウム、亜鉛、モリブデン、ハフニウム、ジルコニウム等の弁作用金属が挙げられる。
【００２０】
弁作用金属としてタングステンを用いる場合、原料タングステン粉としては、市販されているタングステン粉を用いることができる。三酸化タングステン粉を水素ガス雰囲気下で還元する等の手法により、市販のタングステン粉よりもさらに粒径を小さくしたタングステン粉も、好ましく使用できる。
【００２１】
タングステン粉としては、陽極体に細孔を形成しやすくなるので、造粒されたタングステン粉（以下に「造粒粉」ということがある。）がより好ましい。タングステン造粒粉としては、ケイ化タングステン粉、炭化タングステン粉、ホウ化タングステン粉及び窒素が固溶化したタングステン粉から選ばれる少なくとも１つが好ましく用いられる。なお、前述のタングステン造粒粉は、一部がケイ化、炭化、ホウ化、一部に窒素が固溶化したタングステン造粒粉も含む。
【００２２】
ケイ化タングステン粉は、例えば、タングステン粉にケイ素粉をよく混合し、減圧条件下で加熱することにより得ることができる。この方法の場合、Ｗ5ＷＳｉ3等のケイ化タングステンが粒子表面から通常５０ｎｍ以内の領域に局在して形成される。そのため、粒子の中心部は金属として残存し、コンデンサ陽極体の等価直列抵抗を低く抑えることができ、好ましい。
【００２３】
タングステンをケイ化する際の圧力は、好ましくは１０-1Ｐａ以下、より好ましくは１０-3Ｐａ以下である。反応温度は、１１００℃以上２６００℃以下が好ましい。反応温度を当該範囲とすると、ケイ化に時間がかかりすぎず、かつ、ケイ素が気化し、電極の金属（モリブデン等）と合金化して電極がもろくなる等の問題が発生する可能性が低い。
【００２４】
タングステン粉は、さらに酸素、リンを含んでいてもよい。
タングステン粉は、さらに良好なＬＣ（漏れ電流）特性を得るために、前述のケイ素、炭素、ホウ素、窒素、酸素及びリンの各元素以外の不純物元素の合計含有量を０．１質量％以下に抑えることが好ましい。
【００２５】
前述の弁作用金属を焼結する前に、成形処理を行ってもよい。成形する弁作用金属は造粒粉、未造粒粉、及び造粒粉と未造粒粉との混合物のいずれであってもよい。加圧成形を容易にするため、バインダーを混ぜて成形してもよい。また、成形圧力を加減することによって陽極体の細孔率、成形密度を調節することができる。
【００２６】
成形において、陽極体の端子とするための陽極リード線を成形体に埋設し、植立させてもよい。陽極リード線としては弁作用金属の金属線を用いることができるが、金属板や金属箔を陽極体に植立または接続してもよい。
【００２７】
＜焼結工程＞
焼結工程では、弁作用金属を焼結して陽極体を形成する。弁作用金属は、未造粒であってもよいが、前述の通り造粒、成形されていてもよい。
陽極体は、箔、板、線等の形状で製造することができる。内部の粒子間に細孔や微細な隙間を有する多孔質体を形成すると、作製したコンデンサ素子の容量が大きくなるため好ましい。なお、このような陽極体は定法に従って製造することができる。
また、焼成時にケイ化、ホウ化または炭化、窒素、リン等を含有させる処理を行うこともできる。
【００２８】
焼結における圧力は、例えば、１０2Ｐａ以下の減圧条件であることが好ましい。焼結温度は、好ましくは１０００〜２０００℃、より好ましくは１１００〜１７００℃、さらに好ましくは１２００〜１６００℃である。
【００２９】
＜化成工程＞
化成工程では、前述の焼結工程で得た陽極体の表層部に、誘電体層を形成する。誘電体層は、化成処理を行うことによって形成することができる。なお、化成処理は定法に従って行うことができ、化学酸化、電解酸化のどちらを用いてよく、両方を繰り返し行ってもよい。
化学酸化は、化成液に陽極体を浸漬することにより実施できる。
電解酸化は、化成液に陽極体を浸漬した上で、電圧を印加することにより実施できる。電圧は、陽極体（陽極）と対電極（陰極）との間に印加する。陽極体への通電は陽極リード線を通じて行うことができる。電圧印加は、所定の初期電流密度にて開始し、該電流密度値を維持し、所定の電圧（化成電圧）に達した後はその電圧を維持することが好ましい。化成電圧は所望の耐電圧に応じて適宜設定することができる。
【００３０】
化成液としては、特に限定されず、定法で用いる酸化剤を含む水溶液が使用できる。
弁作用金属としてタンタルを用いた場合、化成液としては、例えば、リン酸水溶液、硝酸水溶液、硫酸水溶液等を使用することができる。
弁作用金属としてタングステンを用いた場合、酸化剤はマンガン（VII）化合物、クロム（VI）化合物、ハロゲン酸化合物、過硫酸化合物および有機過酸化物からなる群から選ばれる少なくとも一つが好ましい。具体的には、過マンガン酸塩等のマンガン（VII）化合物；三酸化クロム、クロム酸塩、ニクロム酸塩等のクロム（VI）化合物；過塩素酸、亜塩素酸、次亜塩素酸及びそれらの塩等のハロゲン酸化合物；過酢酸、過安息香酸及びそれらの塩や誘導体等の有機酸過酸化物；過硫酸及びその塩等の過硫酸化合物が挙げられる。これらのうち、扱い易さ、酸化剤としての安定性および水易溶性、並びに容量上昇性の観点から、過硫酸アンモニウム、過硫酸カリウム、過硫酸水素カリウム等の過硫酸化合物が好ましい。これらの酸化剤は１種単独でまたは２種以上を組み合わせて使用することができる。
弁作用金属としてアルミニウムを用いた場合、化成液としては、例えば、アジピン酸アンモニウム、安息香酸アンモニウム等の中性塩を含む水溶液を使用することができる。
【００３１】
化成においては、公知の冶具を用いてもよい。冶具の一例としては、特許第４６２０１８４号で開示されたものが挙げられる。
【００３２】
酸化剤の濃度、化成温度、化成時間等は定法に従って決定すればよく、特に限定されない。
【００３３】
化成処理の後、陽極体を水で洗浄してもよい。この洗浄によって化成液をできるだけ除去することが好ましい。水洗浄の後、表面に付着した水または陽極体の細孔内にしみ込んだ水は除去することが好ましい。水の除去は、例えば水との混和性を有する溶剤（プロパノール、エタノール、メタノール等）に接触させて加熱処理を行うことによって実施できる。加熱処理の温度は、好ましくは１００〜２００℃以上である。加熱処理の時間は、誘電体層の安定性が維持できる範囲であれば特に制限されない。
【００３４】
＜半導体層形成工程＞
半導体層形成工程では、前述の方法で誘電体層を形成した陽極体を、導電性高分子のモノマー溶液に浸漬し、当該モノマーを重合することによって半導体層を形成する。
本発明においては、半導体層形成工程を、導電性高分子の光重合が起こらない条件下で行い、前述の黒ずみや浮遊物の発生を防止する。
【００３５】
実際に、三酸化タングステンを誘電体層としたタングステン陽極体に対して、エチレンジオキシフェンモノマー溶液中を用いて、蛍光灯下で６時間、電解重合を行い、半導体層の形成を行った場合、半導体層形成後のモノマー溶液は黒ずみ、低分子量のポリマーくずが浮遊したり沈降したりする。一方、電解重合を暗所で行った場合、電解重合後のモノマー溶液は透明となる。
【００３６】
導電性高分子の光重合が起こらない条件は、好ましくは、半導体層形成工程における波長１５０〜４５０ｎｍの光の照射積算光量を１０ｍＪ／ｃｍ2以下にする条件である。
照射積算光量は、好ましくは８ｍＪ／ｃｍ2以下、より好ましくは６ｍＪ／ｃｍ2以下、さらに好ましくは４ｍＪ／ｃｍ2以下である。
光源としては、蛍光灯、太陽光、電球、ハロゲンランプ、キセノンランプ、ＬＥＤ、レーザー等が挙げられる。
波長１５０〜４５０ｎｍの光の照射積算光量を１０ｍＪ／ｃｍ2以下にする方法としては、遮光フィルム、イエロールームを用いる方法等が挙げられる。
【００３７】
導電性高分子の光重合が起こらない条件は、さらに好ましくは、遮光条件である。遮光条件とは、本質的に光が当たらない条件を示し、好ましくは、暗室、反応装置全体に覆いをかぶせた状態等である。
【００３８】
なお、導電性高分子の光重合が起こらない条件は、弁作用金属や導電性高分子の種類によって多少異なるので、詳細な条件は予備実験を行って求めてもよい。
【００３９】
半導体層の導電性高分子は、例えば、ポリエチレンジオキシチオフェンやポリピロール、またはこれらの誘導体、混合物が使用できる。半導体層を形成する前後またはその途中に、二酸化マンガンからなる層または島状の点在層を形成しておいても良い。
導電性高分子の重合に用いる重合液は、ドーパントを含んでいてもよい。ドーパントとしては、トルエンスルフォン酸、アントラキノンスルフォン酸、ベンゾキノンスルフォン酸、ナフタレンスルフォン酸、ポリスチレンスルフォン酸、またはその塩等が挙げられる。
【００４０】
導電性高分子の重合は、化学重合、電解重合のどちらを用いてもよく、両方を繰り返し行ってもよい。なお、どちらの重合を行う場合でも、導電性高分子の光重合が起こらない条件で重合することが好ましい。
化学重合は、重合液に陽極体を浸漬することにより実施できる。
電解重合は、重合液に陽極体を浸漬した上で、電圧を印加することにより実施できる。電圧は化成工程の電解酸化と同様に印加することができるが、通電条件は定電流条件とすることが好ましい。
【００４１】
導電性高分子やドーパントの濃度、重合温度、重合時間は定法に従って決定すればよく、特に限定されない。
半導体層形成後、化成工程と同様に、洗浄、加熱処理を行ってもよい。ただし、加熱処理の温度は、半導体層の劣化を避けるため、化成工程よりも低い温度であることが好ましい。
【００４２】
半導体層形成後、誘電体層に生じた損傷を修復する、後化成を行ってもよい。
後化成工程は、化成工程と同様に行うことができる。ただし、半導体層の劣化を防ぐため、印加する電圧は化成工程よりも低いことが好ましい。
後化成後、半導体層形成工程と同様に、洗浄、加熱処理を行ってもよい。
なお、半導体層形成工程から後化成までは、繰り返し行ってもよい。
【００４３】
＜導電体層形成工程＞
導電体層形成工程では、前述の方法で半導体層を形成した陽極体上に、導電体層を形成する。導電体層の形成は定法に従って行えばよく、例えば、カーボン層に銀層を順次積層する方法が挙げられる。
【００４４】
以上のコンデンサ素子は、例えば樹脂モールド等により外装して各種用途の固体電解コンデンサ製品とすることができる。
導電体層に陰極リードが電気的に接続され、陰極リードの一部がコンデンサの外装の外部に露出して陰極外部端子となる。一方、陽極体には、陽極リード線を介して陽極リードが電気的に接続され、陽極リードの一部がコンデンサの外装の外部に露出して陽極外部端子となる。
樹脂モールド外装に使用される樹脂の種類としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、アルキッド樹脂、エステル樹脂、アリルエステル樹脂、またはこれらの混合物等、定法で用いるものを使用できる。
封止はトランスファー成形により行うことが好ましい。
【００４５】
本発明に係る製造方法によってコンデンサは、各種電気回路または電子回路に装着し、使用することができる。
【実施例】
【００４６】
以下に実施例及び比較例を挙げて本発明を説明するが、下記の記載により本発明は何ら限定されるものではない。
本発明において、粉体の粒径（体積平均粒径）は、マイクロトラック社製ＨＲＡ９３２０−Ｘ１００（レーザー回折・散乱式粒度分析計）を用いて測定した。具体的には、本装置により体積基準の粒度分布を測定し、その累積分布において、累積体積％が５０体積％に相当する粒径値を体積平均粒径Ｄ５０（μｍ）とした。【００４７】
実施例１、比較例１：
（１）焼結工程
市販のタンタル粉（ＧＡＭ社製、商品名Ｓ−１０）を、０．２４ｍｍφのタンタル線と共に成形した後、真空中、１３２０℃で３０分間焼結し、大きさが１．０×２．３×１．７ｍｍの陽極体を１０００個作製した。なお、陽極体においては、１．０×２．３ｍｍ面中央にタンタル線を植立した。タンタル線は、１．２ｍｍは陽極体内部に、８．５ｍｍは陽極体外部になるように植立した。
（２）化成工程
次に、特許第４６２０１８４号の実施例１で使用したものと同じ冶具の連結ソケット部に陽極体のタンタル線を差し込み、６４個の陽極体を配置した。これと同様に陽極体を配置した冶具を５枚用意した。この冶具を用いて、２質量％のリン酸水溶液中に陽極体とタンタル線の所定部分を浸漬して、６０℃、１０Ｖで５時間、化成処理を行い、五酸化二タンタルからなる誘電体層を形成した。【００４８】
（３）半導体層形成工程
次に、化成処理済みの陽極体を１０質量％のエチレンジオキシチオフェンエタノール溶液に浸漬した後に、別途用意した１０質量％のトルエンスルフォン酸鉄水溶液を用いて、６０℃で１５分間、化学重合を行った。浸漬から化学重合までの操作は３回繰り返した。
続いて、３質量％のアントラキノンスルフォン酸と、飽和濃度以上のエチレンジオキシチオフェンとを含む、質量比が水：エチレングリコール＝７：３の溶液を用意して電解重合用のモノマー溶液とした。これをステンレス製容器に入れ、陽極体を浸漬して電解重合を行った。なお、ステンレス製容器は溶液体積２２０ｍＬ、容器寸法２２０×５０ｍｍ、高さ３０ｍｍである。電解重合においては、タンタル線を電源の正極に、ステンレス製容器を電源の負極に接続し、６０μＡ／陽極体の定電流条件で、２５℃で１時間、重合を行った。
電解重合の後、水洗、エタノール洗浄を行い、８０℃で加熱処理を行った。
（４）後化成工程
次に、（２）化成工程で用いたものと同じ溶液に陽極体を浸漬し、９Ｖで１５分間、後化成処理を行った。
前述の電解重合から後化成までの操作は６回繰り返した。電解重合の電流値は、２〜３回目が７０μＡ／陽極体、４〜６回目が８０μＡ／陽極体とした。【００４９】
なお、実施例１においては（３）半導体層形成工程、（４）後化成工程を遮光条件で行った。なお、遮光条件は反応装置全体に覆いをかぶせた状態とした。
一方、比較例１は全ての工程を２０Ｗの蛍光灯の下で行った。蛍光灯と液面との距離は１１０ｃｍとした。【００５０】
（５）導電体層形成工程
続いて、半導体層のタンタル線が植立された面以外の面にカーボン層、銀層を順次形成し、タンタル固体電解コンデンサ素子を３２０個作製した。
（６）封止工程
得られた３２０個の素子を、トランスファー成形によりエポキシ樹脂で外装し、大きさ１．９×２．８×３．４ｍｍのチップ状固体電解コンデンサを作製した。なお、１．９×２．８ｍｍの面は、陽極体の１．０×２．３ｍｍの面と平行になるようにした。【００５１】
実施例２〜３、比較例２：
（１）焼結工程
三酸化タングステンを水素雰囲気下で還元して得たタングステン粉（体積平均粒径Ｄ５０：０．２μｍ）に、０．３質量％の市販のケイ素粉（体積平均粒径Ｄ５０：１μｍ）を混合し、真空中、１１００℃で３０分間、加熱した。加熱後、室温に戻してから大気中に取り出し、解砕した。得られたタングステン造粒粉（体積平均粒径Ｄ５０：５９μｍ）を、焼結温度を１２６０℃としたこと以外は実施例１と同様に焼結して、陽極体を作製した。なお、成形体密度に対する焼結体密度の比は１．０９であった。
（２）化成工程
溶液として３質量％の過硫酸アンモニウム水溶液を用いたこと、化成温度を５０℃にしたこと以外は実施例１と同様に行った。【００５２】
（３）半導体層形成工程、（４）後化成工程、（５）導電体層形成工程、（６）封止工程は、それぞれ実施例１、比較例１と同様にして、実施例２、比較例２を行った。
また、２０Ｗの蛍光灯を、１Ｗの豆電球としたこと以外は比較例２と同様にして、実施例３を実施した。【００５３】
実施例１〜３、比較例１〜２における重合後のモノマー溶液の様子、半導体層に異物が付着した素子の数を表１に示す。なお、波長１５０〜４５０ｎｍの光の割合を、２０Ｗの蛍光灯では３０％、１Ｗの豆電球では５％として計算した場合、照射積算光量は、比較例１〜２では３６５ｍＪ／ｃｍ2、実施例２では３．０ｍＪ／ｃｍ2であった。【００５４】
【表１】
0005824190.tif 000002
【００５５】
実施例２、比較例２における、半導体層形成工程後の陽極体表面の実体顕微鏡写真（倍率：２０倍）をそれぞれ図１、図２に示す。図２では、中央付近に異物の付着が見られるが、図１ではこのような異物は観察されない。【００５６】
半導体層形成工程を遮光条件で行った実施例１〜２、および導電性高分子の光重合が起こらない条件下で行った実施例３は、半導体層形成後のモノマー溶液が無色透明であり、半導体層に異物が付着した素子は見られなかった。一方、半導体層形成工程を蛍光灯照射下で行った比較例１〜２は、半導体層形成後のモノマー溶液に黒ずみ、浮遊物が発生し、半導体層に異物が付着した素子が見られ、未封止が発生した。
以上より、半導体層形成工程を、導電性高分子の光重合が起こらない条件で行うことにより、モノマー溶液における黒ずみや浮遊物の発生、および未封止を防止することができることを確認した。
【要約】
本発明は弁作用金属を焼結して陽極体を形成する焼結工程と、前記陽極体の表層部に誘電体層を形成する化成工程と、前記陽極体を導電性高分子のモノマーの溶液に浸漬し、前記モノマーを重合することによって導電性高分子からなる半導体層を形成する半導体層形成工程と、前記陽極体上に導電体層を形成する導電体層形成工程とをこの順で含む固体電解コンデンサ素子の製造方法であって、前記半導体層形成工程を、前記導電性高分子のモノマーの光重合が起こらない条件下で行うことを特徴とする固体電解コンデンサ素子の製造方法を提供する。本発明によれば、未封止等の不良品が少ない固体電解コンデンサを生産性よく製造することができる。【図１】
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【図２】
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