(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
非接触給電装置から給電される電源回路と、
前記電源回路から電源電位Ｖｄｄが供給される制御回路と、
負荷回路と、を有し、
前記負荷回路は、（ｍ＋１）個の負荷を有し（ｍは０以上の整数）、
前記電源回路の無負荷状態の電源電位Ｖｄｄが初期電位Ｖｄｄ０であるときに、
１番目の負荷に前記電源回路から電力を供給する第１の期間と、
前記電源回路から前記１番目の負荷への電力の供給を停止し、電源電位Ｖｄｄを前記初期電位Ｖｄｄ０の９０％以上１００％未満に回復させる第２の期間と、
前記電源回路からｊ番目の負荷（ｊは２以上ｍ以下の整数）に電力を供給する第３の期間と、
前記電源回路から前記ｊ番目の負荷への電力の供給を停止し、電源電位Ｖｄｄを前記初期電位Ｖｄｄ０の９０％以上１００％未満に回復させる第４の期間と、を有し、
前記第３の期間と前記第４の期間を交互にｎ回（ｎは０以上ｍ以下の整数）繰り返すことを特徴とする電子装置の駆動方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記（ｍ＋１）個の負荷の各々は、ＯＴＰ  ＲＯＭ（Ｏｎｅ  Ｔｉｍｅ  Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ  ＲＯＭ）を備えることを特徴とする電子装置の駆動方法。
【請求項３】
非接触給電装置から給電される電源回路と、
前記電源回路から電源電位Ｖｄｄが供給される制御回路と、
負荷回路と、を有し、
前記負荷回路は、疑似負荷と、ｍ個の真性負荷（ｍは１以上の整数）を有し、
前記電源回路の無負荷状態の電源電位Ｖｄｄが初期電位Ｖｄｄ０であるときに、
前記電源回路から前記疑似負荷に電力を供給する第１の期間と、
前記電源回路から前記疑似負荷への電力の供給を停止し、電源電位Ｖｄｄを前記初期電位Ｖｄｄ０の９０％以上１００％未満に回復させる第２の期間と、
前記電源回路からｊ番目の真性負荷（ｊは１以上ｍ以下の整数）に電力を供給する第３の期間と、
前記電源回路から前記ｊ番目の負荷への電力の供給を停止し、電源電位Ｖｄｄを前記初期電位Ｖｄｄ０の９０％以上１００％未満に回復させる第４の期間と、を有し、
前記第３の期間と前記第４の期間を交互にｎ回（ｎは０以上ｍ以下の整数）繰り返すことを特徴とする電子装置の駆動方法。
【請求項４】
請求項３において、
前記ｍ個の真性負荷の各々は、ＯＴＰ  ＲＯＭ（Ｏｎｅ  Ｔｉｍｅ  Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ  ＲＯＭ）を備えることを特徴とする電子装置の駆動方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、
前記第２の期間又は前記第４の期間に、直前に書き込んだ情報を検証し、検証結果を出力することを特徴とする電子装置の駆動方法。
【請求項６】
請求項１乃至４のいずれか一において、
前記第２の期間に、直前に書き込んだ情報を検証し、検証結果を出力し、書き込みエラーを検出した際には前記第３の期間の長さを変更することを特徴とする電子装置の駆動方法。
【請求項７】
非接触給電装置から給電される電源回路と、
前記電源回路から電源電位Ｖｄｄが供給される制御回路と、
負荷回路と、を有し、
前記負荷回路は、（ｍ＋１）個の負荷を有し（ｍは０以上の整数）、
前記電源回路の無負荷状態の電源電位Ｖｄｄが初期電位Ｖｄｄ０であるときに、
１番目の負荷に前記電源回路から電力を供給する第１の期間と、
前記電源回路から前記１番目の負荷への電力の供給を停止し、電源電位Ｖｄｄを前記初期電位Ｖｄｄ０の９０％以上１００％未満に回復させる第２の期間と、
前記電源回路からｊ番目の負荷（ｊは２以上ｍ以下の整数）に電力を供給する第３の期間と、
前記電源回路から前記ｊ番目の負荷への電力の供給を停止し、電源電位Ｖｄｄを前記初期電位Ｖｄｄ０の９０％以上１００％未満に回復させる第４の期間と、を有し、
前記（ｍ＋１）個の負荷の各々は、前記１番目の負荷から順次電力が供給され、
前記第１の期間において、前記ｊ番目の負荷には電力が供給されず、
前記第２の期間に、直前に書き込んだ情報を検証し、検証結果を出力し、書き込みエラーを検出した際には前記第３の期間の長さを変更し、
前記第３の期間と前記第４の期間を交互にｎ回（ｎは０以上ｍ以下の整数）繰り返すことを特徴とする電子装置の駆動方法。
【請求項８】
請求項７において、
前記（ｍ＋１）個の負荷の各々は、ＯＴＰ  ＲＯＭ（Ｏｎｅ  Ｔｉｍｅ  Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ  ＲＯＭ）を備えることを特徴とする電子装置の駆動方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、非接触、又は無線で供給されるエネルギーを電力に変換し、他の回路に供給する電源回路を備えた電子装置の駆動方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子装置が備える電源回路に、非接触で電力を供給する非接触給電技術が知られている。従来の接点を用いる方法に比べて、給電時に電子装置と給電装置の相互の位置が厳しく限定されないため自由度が高く、便利である。具体的には電磁誘導、電波、電場または磁場の共鳴を用いて非接触給電装置から電力を電波や磁力等を用いて送電する方法が知られている。
【０００３】
非接触給電技術によって給電される電力で動作する電子装置は、一次電池等の交換が不要である。特に、該電子装置が二次電池等も備えない場合、パッシブ型の電子装置と呼ぶことができ、軽量化や小型化、またコストの低減が可能である。このような電子装置一例として、パッシブ型のＲＦＩＤタグを挙げることができる。
【０００４】
なお、非接触給電技術によって給電される電力は、非接触給電装置と電力の供給を受ける電子装置の間の距離に依存して変化する。例えば、非接触給電装置であるリーダ／ライタと、パッシブ型のＲＦＩＤタグの互いの距離が意図せず極端に短くなってしまうとパッシブ型のＲＦＩＤタグに大電力が供給され、パッシブ型のＲＦＩＤタグ内部の素子が破壊されてしまう場合がある。このような不具合を防止するために保護回路を設ける技術が知られている（特許文献１）。
【０００５】
また、パッシブ型のＲＦＩＤタグには電源回路の他に、種々の負荷回路を備えることができる。例えば、ＯＴＰ  ＲＯＭ（Ｏｎｅ  Ｔｉｍｅ  Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ  ＲＯＭ）を設けることができる。ＯＴＰ  ＲＯＭは、一度だけ書き込むことができる不揮発性のメモリ素子を複数備えるメモリ回路である。ＯＴＰ  ＲＯＭは、情報の保持に電力を必要としないため、パッシブ型の電子装置に好適である。
【０００６】
ＯＴＰ  ＲＯＭに用いることができる不揮発性のメモリ素子としては、例えばヒューズを備えた素子や、フローティングゲートを備えた素子を用いることができる。なお、ＯＴＰ  ＲＯＭの書き込み方法の一例として、絶縁膜の界面に電子が捕獲される現象を防ぎ、誤動作を防止し読み出しの信頼性を改善する方法が開示されている（特許文献２）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００６−１８００７３号公報
【特許文献２】特開２００９−２５９３８５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ところで、電源回路に、負荷を接続すると、電源回路が出力する電源電位Ｖｄｄは初期電位Ｖｄｄ０から経時的に低下して、一定の電源電位Ｖｄｄ１に収束する。初期電位Ｖｄｄ０と電源電位Ｖｄｄ１の差（｜Ｖｄｄ０−Ｖｄｄ１｜）は、電源回路の容量に対して負荷が大きいほど（又は、負荷に対して電源回路の容量が小さいほど）大きくなる。また、当該電源回路から負荷を取り除くと電源電位Ｖｄｄは次第に回復し、初期電位Ｖｄｄ０に近づく。従って、電源回路に負荷を断続的に接続すると、電源電位Ｖｄｄは初期電位Ｖｄｄ０と電源電位Ｖｄｄ１の間を変動する。
【０００９】
また、非接触給電技術に用いられる電力を送る電波等の強度が、電磁障害（例えば医療機器の誤動作等）を防ぐために制限される場合、又は、非接触給電装置が離れた場所に設置されている場合、非接触給電技術によって給電される電子装置の電源回路の容量が実質的に小さくなるという問題がある。
【００１０】
その結果、非接触給電装置から供給される電力で動作する電源回路と、該電源回路に接続する負荷を備える電子装置は、電源電位Ｖｄｄが変動し易いため、当該電子装置の動作が不安定になるという問題があった。
【００１１】
上述の問題を抱える電子装置の一例としては、ＯＴＰ  ＲＯＭを備えるパッシブ型のＲＦＩＤタグを挙げることができる。ＯＴＰ  ＲＯＭが備えるメモリ素子は、ヒューズに電流を流すため、またはフローティングゲートに電荷を注入するために高電圧を必要とし、その結果パッシブ型のＲＦＩＤタグが備える電源回路には大きな負荷となる。
【００１２】
このような構成のパッシブ型のＲＦＩＤタグにおいて、そのメモリ回路が備える複数のメモリ素子に順次書き込みを行う場合、電源回路に負荷を断続的に接続することになり、電源電位Ｖｄｄは初期電位Ｖｄｄ０と電源電位Ｖｄｄ１の間を変動する。その結果、書き込みを開始する電圧がメモリ素子毎に異なり、誤った情報をメモリ素子に書き込んでしまう問題を生じる。
【００１３】
また、複数のメモリ素子に情報を逐次書き込む場合、書き込み動作をしていなかった電子装置が、最初のメモリ素子に書き込みを始める電圧は、次以降のメモリ素子に書き込みを始める電圧より高くなる。そして、書き込み電圧が不安定になり、書き込み不良が発生してしまう問題が生じる。
【００１４】
本発明は、このような技術的背景のもとでなされたものである。したがってその目的は、非接触給電装置から供給される電力で動作する電源回路と、当該電源回路から電力が断続的に供給される負荷を備える電子装置を、安定して駆動する方法を提供することを課題の一とする。また、非接触給電装置から供給される電力で動作する電源回路と、当該電源回路から繰り返し電力が供給される一つ以上の負荷を備えた電子装置を、安定して駆動する方法を提供することを課題の一とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
上記目的を達成するために、本発明は、非接触給電装置から給電される電源回路を負荷から開放したのち、該電源回路を次の負荷に接続するまでの期間（インターバルともいう）に着眼した。すなわち、該電源回路を負荷から開放し、初期電位Ｖｄｄ０の９０％以上の値に電源電位Ｖｄｄを回復する期間を設け、後に次の負荷を接続して駆動すればよい。
【００１６】
また、非接触給電装置から給電される電源回路に、目的の負荷を接続する前に、疑似負荷を接続して駆動すればよい。
【００１７】
すなわち本発明の一態様は、非接触給電装置から給電される電源回路と、電源回路から電源電位Ｖｄｄが供給される制御回路、並びに負荷回路を有し、電源回路の無負荷状態の電源電位Ｖｄｄが初期電位Ｖｄｄ０であるときに、負荷回路に設けられた負荷に電源回路から電力を供給する第１の期間と、電源回路から負荷への電力の供給を停止し、電源電位Ｖｄｄを初期電位Ｖｄｄ０の９０％以上１００％未満に回復させる第２の期間と、負荷回路に設けられた負荷に電源回路から電力を供給する第３の期間とを有し、第２の期間と第３の期間を交互にｎ回（ｎは０以上の整数）繰り返す電子装置の駆動方法である。
【００１８】
上記本発明の一態様によれば、負荷回路に接続して降下した電源電位Ｖｄｄ１を、続く第２の期間に電源電位Ｖｄｄ２（ここでは電源電位Ｖｄｄ２は初期電位Ｖｄｄ０の９０％以上１００％未満）に回復できる。これにより、第３の期間の始期において、電源回路は負荷回路に安定した電源電位Ｖｄｄ２を供給でき、依って電子装置の動作の安定化を図ることができる。
【００１９】
また本発明の一態様は、非接触給電装置から給電される電源回路と、電源回路から電源電位Ｖｄｄが供給される制御回路、並びに負荷回路を有し、電源回路の無負荷状態の電源電位Ｖｄｄが初期電位Ｖｄｄ０であり、負荷回路が疑似負荷と、真性負荷を備えるときに、電源回路から負荷回路に設けた疑似負荷に電力を供給する第１の期間と、電源回路から負荷回路に設けた真性負荷への電力の供給を停止し、電源電位Ｖｄｄを初期電位Ｖｄｄ０の９０％以上１００％未満に回復させる第２の期間と、電源回路から負荷回路に設けた真性負荷に電力を供給する第３の期間と、を有し、第２の期間と第３の期間を交互にｎ回（ｎは０以上の整数）繰り返す電子装置の駆動方法である。
【００２０】
上記本発明の一態様によれば、第１の期間に電源回路を疑似負荷に接続して電源電位Ｖｄｄ１まで降下した電源の電位（Ｖｄｄ）を、続く第２の期間に電源電位Ｖｄｄ２（電源電位Ｖｄｄ２は初期電位Ｖｄｄ０の９０％以上１００％未満）に回復できる。電源電位Ｖｄｄを初期電位Ｖｄｄ０の９０％以上１００％未満までの範囲に限定することにより、第２の期間が短縮できるだけでなく、電源回路が真性負荷に供給する電源電位を電源電位Ｖｄｄ２に安定化できる。これにより、第３の期間の始期において、電源回路は負荷回路に安定した電源電位Ｖｄｄ２を供給でき、依って電子装置の動作の安定化を図ることができる。
【００２１】
また本発明の一態様は、上記駆動方法において負荷がＯＴＰ  ＲＯＭ（Ｏｎｅ  Ｔｉｍｅ  Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ  ＲＯＭ）を備える電子装置の駆動方法である。
【００２２】
上記本発明の一態様によれば、ＯＴＰ  ＲＯＭが備える複数のメモリ素子に安定して電源電位を供給できる。これにより、誤った情報の書き込みを防ぐことができる。
【００２３】
また本発明の一態様は、上記駆動方法において第２の期間に直前に書き込んだ情報を検証し、検証結果を出力する電子装置の駆動方法である。
【００２４】
上記本発明の一態様によれば、ＯＴＰ  ＲＯＭが備える複数のメモリ素子に安定して電源電位を供給できるだけでなく、書き込み動作の失敗を速やかに発見できる。
【００２５】
また本発明の一態様は、上記駆動方法において第２の期間に直前に書き込んだ情報を検証し、検証結果を出力し、書き込みエラーを検出した際には第３の期間の長さを変更する電子装置の駆動方法である。
【００２６】
上記本発明の一態様によれば、ＯＴＰ  ＲＯＭが備える複数のメモリ素子に安定して電源電位を供給できるだけでなく、書き込み動作の失敗を速やかに発見できる。また、第２の期間の長さを検証結果に応じて変更するため、書き込み条件を逐次最適化できる。
【発明の効果】
【００２７】
本発明によれば、非接触給電装置から供給される電力で動作する電源回路と、当該電源回路から逐次電力が供給される複数の負荷を備えた電子装置を、安定して駆動する方法を提供できる。また、非接触給電装置から供給される電力で動作する電源回路と、当該電源回路から繰り返し電力が供給される一つ以上の負荷を備えた電子装置を、安定して駆動する方法を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】実施の形態に係わる電子装置の構成を説明するブロック図。
【図２】実施の形態に係わる電子装置の動作を説明するタイミングチャート。
【図３】実施の形態に係わる電子装置の動作を説明するタイミングチャート。
【図４】実施の形態に係わる電子装置の構成を説明するブロック図。
【図５】実施の形態に係わる電子装置の駆動方法を説明するフローチャート。
【図６】実施の形態に係わる電子装置の動作を説明するタイミングチャート。
【図７】実施の形態に係わる電子装置の構成を説明するブロック図。
【図８】実施の形態に係わる電子装置の動作を説明するタイミングチャート。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。
【００３０】
（実施の形態１）
本実施の形態では、非接触、又は無線で供給されるエネルギーを電力に変換し、他の回路に供給する電源回路、制御回路、並びに複数の負荷を有する負荷回路を備えた電子装置の駆動方法について図１乃至図３を用いて説明する。
【００３１】
本実施の形態で例示する電子装置１００を、図１に示す。電子装置１００は、非接触給電装置１９０が供給する電力を受け取る受電素子１１０と、電源回路１２１を含む高周波回路１２０、制御回路１３０、並びに（ｍ＋１）（ｍは０以上の整数）個の負荷（１５１（０）乃至１５１（ｍ））を含む負荷回路１５０を備える。
【００３２】
非接触給電装置１９０は搬送波を用いて電力を電子装置１００に供給する。搬送波としては電磁波を用いることができる。例えば非接触給電装置１９０が搬送波として高周波を用いて電力を発する場合、受電素子１１０としてアンテナを用いることができる。
【００３３】
また、非接触給電装置１９０は搬送波を変調して電力と共に信号を電子装置１００に送信することができる。なお、非接触給電装置１９０と電子装置１００は複数の搬送波を利用できる構成としてもよく、例えば、光を搬送波に用いて電力を供給し、電波を用いて信号を送信する構成としてもよい。
【００３４】
本実施の形態では、非接触給電装置１９０は高周波を用いて、電力と制御信号を含む信号Ｄａｔａ．１を電子装置１００に供給する。そして電子装置１００は、アンテナを受電素子１１０に用いて高周波から電力を受電し、信号を受信する。
【００３５】
高周波回路１２０は電源回路１２１を内蔵する。電源回路１２１は受電素子１１０が受信した高周波から電源電位Ｖｄｄを生成し、制御回路１３０、並びに負荷回路１５０に出力する。なお搬送波が信号Ｄａｔａ．１によって変調されている場合、高周波回路１２０は搬送波から信号Ｄａｔａ．１を分離して制御回路１３０に出力する。
【００３６】
受電素子１１０と高周波回路１２０は互いに電気的に接続され、高周波回路１２０は制御回路１３０に接続されている。
【００３７】
制御回路１３０は、電源回路１２１から供給される電力で動作し、制御信号ＣＳを出力して負荷回路１５０を制御する。また、制御回路１３０は高周波回路１２０を制御して、変調した反射波を非接触給電装置１９０に送信することもできる。
【００３８】
負荷回路１５０は、メモリ回路、センサ回路、表示回路等種々の回路を適用することができる。本実施の形態では、負荷回路１５０が（ｍ＋１）個の負荷を備える場合について説明する。
【００３９】
負荷回路１５０の構成例の詳細を、図２（Ａ）を用いて説明する。負荷回路１５０が有する（ｍ＋１）個の負荷のうち、負荷１５１（０）、負荷１５１（１）、負荷１５１（ｊ）、及び負荷１５１（ｋ）を抜粋して図２（Ａ）に図示する。なお、ｊは２以上ｋ未満の整数とし、ｋはｊより大きくｍ以下の整数とする。
【００４０】
それぞれの負荷の一方の端子には、電源電位Ｖｄｄがスイッチング素子を介して電源回路１２１から供給されている。また、それぞれの負荷の他方の端子には、共通配線ＣＯＭが接続されている。なお、共通配線ＣＯＭの電位は共通電位Ｖｃｏｍであり、電源電位Ｖｄｄより小さい。
【００４１】
制御信号ＣＳは制御回路１３０が負荷回路１５０を制御するための信号であり、アドレス情報とタイミング情報を含んでいる。制御回路１３０は、信号Ｄａｔａ．１に含まれるデータに基づいて負荷回路１５０を制御する。なお、アドレス情報は負荷回路１５０が有する（ｍ＋１）（ｍは０以上の整数）個の負荷から一つを特定する情報であり、タイミング情報はスイッチング素子の開閉時間及び期間を特定する情報である。
【００４２】
図２（Ａ）に示す制御信号ＣＳは、制御信号Ｌ０、制御信号Ｌ１、制御信号Ｌｊ、及び制御信号Ｌｋを含む。制御信号Ｌ０は負荷１５１（０）と負荷１５１（０）に接続するスイッチング素子の開閉時間を特定する。制御信号Ｌ１は負荷１５１（１）と負荷１５１（１）に接続するスイッチング素子の開閉時間を特定する。制御信号Ｌｊは負荷１５１（ｊ）と負荷１５１（ｊ）に接続するスイッチング素子の開閉時間を特定する。そして、制御信号Ｌｋは負荷１５１（ｋ）と負荷１５１（ｋ）に接続するスイッチング素子の開閉時間を特定する。
【００４３】
本実施の形態で例示する電子装置１００の駆動方法について図２（Ｂ）を用いて説明する。なお時間ｔ１以前において電源回路１２１は負荷回路１５０が備えるいずれの負荷にも接続されていないため、電源電位Ｖｄｄは初期電位Ｖｄｄ０を保っている。
【００４４】
初めに制御回路１３０は制御信号Ｌ０を含む制御信号ＣＳにより負荷１５１（０）を選択する。そして、時間ｔ１から第１の期間Ｒ１の間、負荷１５１（０）を電源回路１２１に接続して駆動する。その結果、電源電位Ｖｄｄは初期電位Ｖｄｄ０から電源電位Ｖｄｄ１まで低下する。
【００４５】
第１の期間Ｒ１が経過した後（時間ｔ２において）、制御回路１３０は制御信号Ｌ０により負荷１５１（０）から電源回路１２１を開放する。負荷から開放された電源回路１２１の電源電位Ｖｄｄは電源電位Ｖｄｄ１から初期電位Ｖｄｄ０に向けて上昇する。なお、初期電位Ｖｄｄ０の９０％以上１００％未満の電源電位を電源電位Ｖｄｄ２とする。また、負荷から開放された電源回路１２１の電源電位Ｖｄｄが電源電位Ｖｄｄ１から電源電位Ｖｄｄ２に達する期間を第２の期間Ｒ２とする。
【００４６】
本実施の形態では、電源電位Ｖｄｄを初期電位Ｖｄｄ０の９０％以上１００％未満に回復してから、負荷回路に設けられた負荷に電力を供給する。特定の電位に電源電位Ｖｄｄを回復してから、負荷を駆動することで負荷の動作が安定する。また、電源電位Ｖｄｄは、初期電位Ｖｄｄ０に近づくほど緩やかに回復する。そのため、電源電位Ｖｄｄの回復する割合を初期電位Ｖｄｄ０の９０％以上とすることで、電源電位Ｖｄｄ不足による負荷の誤動作を防ぎつつ、回復に要する時間を短縮できる。
【００４７】
第２の期間Ｒ２が経過した後（時間ｔ３において）、制御回路１３０は制御信号Ｌ１を含む制御信号ＣＳにより負荷１５１（１）を選択する。そして、時間ｔ３から第３の期間Ｒ３の間、負荷１５１（１）に電源回路１２１を接続し、負荷１５１（１）を駆動する。なお第３の期間Ｒ３の間に、電源電位Ｖｄｄは電源電位Ｖｄｄ２から電源電位Ｖｄｄ１まで低下する。
【００４８】
第３の期間Ｒ３が経過した後（時間ｔ４において）、制御回路１３０は制御信号Ｌ１により負荷１５１（１）から電源回路１２１を開放する。負荷から開放された電源回路１２１の電源電位Ｖｄｄは電源電位Ｖｄｄ１から上昇し、時間ｔ４から第２の期間Ｒ２が経過した時間ｔ５に電源電位Ｖｄｄ２に達する。
【００４９】
制御回路１３０は、負荷１５１（０）及び負荷１５１（１）と同様に他の負荷も制御信号を用いて逐次選択し、電源回路１２１に接続して駆動する。
【００５０】
具体的には、制御信号Ｌｊによって、時間ｔ５から時間ｔ６までの第３の期間Ｒ３の間に、負荷１５１（ｊ）に電源回路１２１を接続して駆動する。その後、負荷１５１（ｊ）から開放された電源回路１２１の電源電位Ｖｄｄは、時間ｔ６から第２の期間Ｒ２が経過した時間ｔ７に電源電位Ｖｄｄ２に達する。また、制御信号Ｌｋによって、時間ｔ７から時間ｔ８までの第３の期間Ｒ３の間に、負荷１５１（ｋ）に電源回路１２１を接続して駆動する。その後、負荷１５１（ｋ）から開放された電源回路１２１は、時間ｔ８から電源電位Ｖｄｄを回復する。
【００５１】
＜変形例＞
上述した構成を有する電子装置の駆動方法は、本発明の一態様であり、当該駆動方法と異なる構成を備える以下の電子装置の駆動方法も、本発明に含まれる。
【００５２】
例えば、負荷回路１５０が疑似負荷として負荷１５２（０）を有し、真性負荷として、ｍ（ｍは１以上の整数）個の負荷（１５２（１）乃至１５２（ｍ））を備えるものであってもよい。なお、疑似負荷は、電源回路に真性負荷を接続した際と同じ程度に、電源電位Ｖｄｄを低下する負荷であれば、特に限定されない。また、真性負荷に求められる正確な動作や、安定した動作は、疑似負荷には求められない。もちろん、疑似負荷として真性負荷と同じ構成の負荷を用いることもできる。
【００５３】
疑似負荷を備えた負荷回路１５０の詳細を、図３（Ａ）を用いて説明する。負荷回路１５０が有する（ｍ＋１）個の負荷のうち、疑似負荷（負荷１５２（０））と、真性負荷（負荷１５２（１）、負荷１５２（ｊ）、及び負荷１５２（ｋ））を抜粋して図３（Ａ）に図示する。なお、ｊは２以上ｋ未満の整数とし、ｋはｊより大きくｍ以下の整数とする。
【００５４】
図３（Ａ）に示す制御信号ＣＳは、制御信号Ｌ０、制御信号Ｌ１、制御信号Ｌｊ、及び制御信号Ｌｋを含む。制御信号Ｌ０は負荷１５２（０）と負荷１５２（０）に接続するスイッチング素子の開閉時間を特定する。制御信号Ｌ１は負荷１５２（１）と負荷１５２（１）に接続するスイッチング素子の開閉時間を特定する。制御信号Ｌｊは負荷１５２（ｊ）と負荷１５２（ｊ）に接続するスイッチング素子の開閉時間を特定する。そして、制御信号Ｌｋは負荷１５２（ｋ）と負荷１５２（ｋ）に接続するスイッチング素子の開閉時間を特定する。
【００５５】
本変形例で示す電子装置１００の駆動方法について図３（Ｂ）を用いて説明する。なお時間ｔ１以前において電源回路１２１は負荷回路１５０が備えるいずれの負荷にも接続されていないため、電源電位Ｖｄｄは初期電位Ｖｄｄ０を保っている。
【００５６】
初めに制御回路１３０は制御信号Ｌ０を含む制御信号ＣＳにより疑似負荷１５２（０）を選択する。そして、時間ｔ１から第１の期間Ｒ１の間、疑似負荷１５２（０）を電源回路１２１に接続する。その結果、電源電位Ｖｄｄは初期電位Ｖｄｄ０から電源電位Ｖｄｄ１まで低下する。なお、第１の期間Ｒ１は、電源回路１２１の電源電位Ｖｄｄが真性負荷を接続した際と同じ程度に低下する期間とすれば良く、短いほど負荷回路の駆動時間を短縮できるため好ましい。
【００５７】
第１の期間Ｒ１が経過した後（時間ｔ２において）、制御回路１３０は制御信号Ｌ０により疑似負荷１５２（０）から電源回路１２１を開放する。負荷から開放された電源回路１２１の電源電位Ｖｄｄは電源電位Ｖｄｄ１から初期電位Ｖｄｄ０に向けて上昇する。なお、本実施の形態の変形例では初期電位Ｖｄｄ０の９０％以上１００％未満の電源電位を電源電位Ｖｄｄ２とする。また、負荷から開放された電源回路１２１の電源電位Ｖｄｄが電源電位Ｖｄｄ１から電源電位Ｖｄｄ２に達する期間を第２の期間Ｒ２とする。
【００５８】
第２の期間Ｒ２が経過した後（時間ｔ３において）、制御回路１３０は制御信号Ｌ１を含む制御信号ＣＳにより真性負荷１５２（１）を選択する。そして、時間ｔ３から第３の期間Ｒ３の間、真性負荷１５２（１）に電源回路１２１に接続し、真性負荷１５２（１）を駆動する。なお第３の期間Ｒ３の間に、電源電位Ｖｄｄは電源電位Ｖｄｄ２から電源電位Ｖｄｄ１まで低下する。
【００５９】
第３の期間Ｒ３が経過した後（時間ｔ４において）、制御回路１３０は制御信号Ｌ１により真性負荷１５２（１）から電源回路１２１を開放する。負荷から開放された電源回路１２１の電源電位Ｖｄｄは電源電位Ｖｄｄ１から上昇し、時間ｔ４から第２の期間Ｒ２が経過した時間ｔ５に電源電位Ｖｄｄ２に達する。
【００６０】
制御回路１３０は、真性負荷１５２（１）と同様に他の真性負荷も制御信号を用いて逐次選択し、電源回路１２１と接続して駆動する。
【００６１】
具体的には、制御信号Ｌｊによって、時間ｔ５から時間ｔ６までの第３の期間Ｒ３の間に、真性負荷１５２（ｊ）に電源回路１２１を接続して駆動する。その後、真性負荷１５２（ｊ）から開放された電源回路１２１の電源電位Ｖｄｄは、時間ｔ６から第２の期間Ｒ２が経過した時間ｔ７に電源電位Ｖｄｄ２に達する。また、制御信号Ｌｋによって、時間ｔ７から時間ｔ８までの第３の期間Ｒ３の間に、真性負荷１５２（ｋ）に電源回路１２１を接続して駆動する。その後、真性負荷１５２（ｋ）から開放された電源回路１２１は、時間ｔ８から電源電位Ｖｄｄを回復する。
【００６２】
本実施の形態で例示した駆動方法によれば、いずれの負荷を駆動開始する際の電源電位Ｖｄｄも初期電位Ｖｄｄ０の９０％以上に平準化されるため、当該負荷の動作、及び当該負荷を備えた電子装置の動作を安定化できる。
【００６３】
また、電源回路を疑似負荷に接続して電源電位Ｖｄｄを初期電位Ｖｄｄ０から降下させ、その後、電源電位Ｖｄｄが初期電位Ｖｄｄ０の９０％以上１００％未満の電源電位Ｖｄｄ２に達してから、電源回路を真性負荷に接続する駆動方法によれば、真性負荷に供給する電源電位を電源電位Ｖｄｄ２に安定化できる。これにより、いずれの真性負荷も駆動を開始する際の電源電位Ｖｄｄが初期電位Ｖｄｄ０の９０％以上１００％未満に平準化されるため、当該負荷の動作、及び当該負荷を備えた電子装置の動作を安定化できる。
【００６４】
また、第２の期間Ｒ２を、電源電位Ｖｄｄが初期電位Ｖｄｄ０の９０％以上１００％未満に回復する期間とすることで、電源電位Ｖｄｄが１００％に回復する期間より第２の期間Ｒ２を短縮できる。これにより、当該負荷の動作、及び当該負荷を備えた電子装置の動作を安定化できるだけでなく、電源回路に接続する当該負荷を備えた電子装置の動作時間を短縮できる。
【００６５】
（実施の形態２）
本実施の形態では、負荷回路としてＯＴＰ  ＲＯＭを搭載したパッシブ型のＲＦＩＤタグの駆動方法について図４、及び図５を用いて説明する。特に、非接触給電装置から給電される電源回路をメモリ素子から開放し、初期電位Ｖｄｄ０の９０％以上の値に電源電位Ｖｄｄを回復する期間において、直前に書き込んだメモリ素子からデータを読み出して正しく書き込まれているかどうかを判定し、かつ次に書き込むメモリのアドレス情報を指定することを特徴とする駆動方法について説明する。
【００６６】
本実施の形態で例示する電子装置２００を、図４に示す。電子装置２００はパッシブ型のＲＦＩＤタグであり、非接触給電装置２９０が発する電力を受け取る受電素子２１０と、電源回路２２１を含む高周波回路２２０、制御回路２３０、並びにメモリ回路２５０を備える。
【００６７】
非接触給電装置２９０は、ＲＦＩＤタグのリーダライタであり、高周波を搬送波として電力と信号Ｄａｔａ．１を電子装置２００に供給する。電子装置２００は受電素子２１０であるアンテナを用いて、高周波から電力と信号を受信する。
【００６８】
高周波回路２２０は電源回路２２１を内蔵する。電源回路２２１は受電素子２１０が受信した高周波から電源電位Ｖｄｄを生成し、制御回路２３０、並びにメモリ回路２５０に出力する。なお高周波回路２２０は搬送波から信号Ｄａｔａ．１を分離して制御回路２３０に出力する。
【００６９】
受電素子２１０と高周波回路２２０は互いに電気的に接続され、高周波回路２２０は制御回路２３０に接続されている。
【００７０】
制御回路２３０は、電源回路２２１から供給される電力で動作し、制御信号ＣＳを出力してメモリ回路２５０を制御する。また、制御回路２３０は高周波回路２２０を制御して、変調した反射波を非接触給電装置２９０に送信する。
【００７１】
メモリ回路２５０はＯＴＰ  ＲＯＭであり、ｎ（ｎは自然数）個のメモリバンク２５５（１）乃至メモリバンク２５５（ｎ）、冗長回路２５８、並びにメモリ制御回路２５１を備える。
【００７２】
メモリバンクはメモリ制御回路２５１が制御する単位であり、各メモリバンクには、アドレス情報で特定できる（ｍ＋１）（ｍは０以上の整数）個のメモリ素子が設けられている。例えば、メモリバンク２５５（１）は、疑似負荷として機能するメモリ素子２５６（０）と、メモリ素子２５６（１）乃至メモリ素子２５６（ｍ）を備える。また、メモリバンク２５５（ｎ）は、疑似負荷として機能するメモリ素子２５７（０）と、メモリ素子２５７（１）乃至メモリ素子２５７（ｍ）を備える。
【００７３】
冗長回路２５８はメモリバンクの予備回路であり、メモリバンクに見つかった動作不良のメモリ素子の振り替え先として利用される。冗長回路２５８には、アドレス情報で特定できる（ｍ＋１）（ｍは０以上の整数）個のメモリ素子が設けられている。具体的には、疑似負荷として機能するメモリ素子２５９（０）と、メモリ素子２５９（１）乃至メモリ素子２５９（ｍ）を備える。
【００７４】
メモリ制御回路２５１は、複数のメモリバンク、並びに冗長回路２５８の中からアドレス情報に該当するメモリ素子を特定し、該当するメモリ素子への情報の書込み、並びに該当するメモリ素子からの情報の読み出しを行う。なお、メモリ制御回路２５１はページバッファを備える。例えば、メモリ制御回路２５１はメモリバンクの一行分の容量のページバッファを備える。メモリバンクの一行分の情報をページバッファに一時的に保存した後、メモリバンク内のメモリ素子に逐次書き込みを行う。
【００７５】
次に、非接触給電装置２９０が発する書き込み命令を含む信号Ｄａｔａ．１を、電子装置２００が受信した際にとる応答動作について説明する。
【００７６】
制御回路２３０が信号Ｄａｔａ．１を認識し、制御回路２３０はメモリ回路２５０に書き込み命令を含む制御信号ＣＳを発する。メモリ回路２５０は制御信号ＣＳに応じて、信号Ｄａｔａ．１からメモリバンクの一行分に相当するデータをページバッファに一時的に保存し、その後メモリバンクに書き込みを開始する。
【００７７】
メモリ回路２５０がメモリバンクに信号Ｄａｔａ．１を書き込む方法の詳細を図５に示すフローチャート、及び図６に示すタイミングチャートを用いて説明する。
【００７８】
書き込み命令を含む制御信号ＣＳにより、メモリ制御回路２５１は時間ｔ１から第１の期間Ｒ１の間、疑似負荷として機能するメモリ素子２５６（０）を電源回路２２１に接続する。その結果、電源電位Ｖｄｄは初期電位Ｖｄｄ０から電源電位Ｖｄｄ１まで低下する。
【００７９】
第１の期間Ｒ１が経過した後（時間ｔ２において）、メモリ制御回路２５１は疑似負荷として機能するメモリ素子２５６（０）から電源回路２２１を開放する。疑似負荷から開放された電源回路２２１の電源電位Ｖｄｄは電源電位Ｖｄｄ１から初期電位Ｖｄｄ０に向けて上昇し、第２の期間Ｒ２が経過した後（時間ｔ３において）、電源電位Ｖｄｄは初期電位Ｖｄｄ０の９０％以上１００％未満の電源電位Ｖｄｄ２まで回復する。
【００８０】
なお時間ｔ２から時間ｔ３までの第２の期間Ｒ２に、メモリ制御回路２５１は、信号Ｄａｔａ．１の先頭データＤａｔａ．１（１）を書き込むメモリ素子のアドレス情報を指定する。なお本実施の形態では、信号Ｄａｔａ．１の先頭データＤａｔａ．１（１）をメモリ素子２５６（１）に書き込むものとする。
【００８１】
次の時間ｔ３から第３の期間Ｒ３の間に、メモリ制御回路２５１は指定したメモリ素子２５６（１）に電源回路２２１を接続し、信号Ｄａｔａ．１の先頭データＤａｔａ．１（１）を書き込む。なお、電源電位Ｖｄｄは第３の期間Ｒ３の間に電源電位Ｖｄｄ２から電源電位Ｖｄｄ１まで低下する。
【００８２】
第３の期間Ｒ３が経過した後（時間ｔ４において）、メモリ制御回路２５１はメモリ素子２５６（１）から電源回路２２１を開放する。負荷から開放された電源回路２２１の電源電位Ｖｄｄは電源電位Ｖｄｄ１から初期電位Ｖｄｄ０に向けて上昇し、第２の期間Ｒ２が経過した後（時間ｔ５において）、電源電位Ｖｄｄは初期電位Ｖｄｄ０の９０％以上１００％未満の電源電位Ｖｄｄ２まで回復する。
【００８３】
なお、時間ｔ４から時間ｔ５までの第２の期間Ｒ２に、メモリ制御回路２５１は直前にデータを書き込んだメモリ素子２５６（１）からデータを読み出し、正しく書き込まれているかどうか判定する。書き込みに失敗している場合は、後述する「再書き込み動作」を実施し、書き込みに成功している場合は、信号Ｄａｔａ．１に次のデータが存在することを確認する。なお、次のデータをｊ（ｊは２以上ｍ未満の自然数）番目のデータとし、信号Ｄａｔａ．１の第ｊのデータＤａｔａ．１（ｊ）をメモリ素子２５６（ｊ）に書き込むものとする。また、次のデータが存在しない場合は書き込み動作を終了する。
【００８４】
第ｊのデータＤａｔａ．１（ｊ）がページバッファ内に存在する場合は、それを書き込むメモリ素子のアドレス情報を指定する。また、ページバッファ内のデータを全て書き込み終え、第ｊのデータＤａｔａ．１（ｊ）がページバッファ内にない場合は、次のメモリバンクを選択し、ページバッファに第ｊのデータＤａｔａ．１（ｊ）を含むデータを上書きして、ページバッファのデータを準備する。
【００８５】
次に「再書き込み動作」について説明する。直前に書き込んだメモリ素子に正しくデータが書き込まれていない場合は、再度同一のデータの、同一のメモリ素子への書き込みを試みる。その後、再度データを読み出して、当該メモリ素子に正しく書き込まれているかどうか判定する。
【００８６】
例えば、信号Ｄａｔａ．１の先頭データＤａｔａ．１（１）がメモリ素子２５６（１）に正しく書き込まれていなかった場合、信号Ｄａｔａ．１の先頭データＤａｔａ．１（１）をメモリ素子２５６（１）に、再度書き込む動作を試みる。書き込み動作後に、メモリ素子２５６（１）からデータを読み出して正しく書き込まれているかどうか判定する。再書き込みに成功している場合は、前述の信号Ｄａｔａ．１に次のデータが存在することを確認する動作に移行すればよい。なお、再書き込み動作に失敗している場合は、「冗長シーケンス」へ移行する。
【００８７】
「冗長シーケンス」は、再書き込み動作に失敗したメモリ素子を冗長回路２５８に振り替える一連の手順である。書き込み不良を生じたメモリ素子を冗長回路２５８に振り替えて電子装置２００を駆動することにより、高い信頼性が得られる。なお、振り替え方としては例えば書き込み不良を生じたメモリ素子を含むメモリバンクごと振り替える方法であってもよい。
【００８８】
上述のようにデータを書き込んだ後の処理と、次のデータを書き込むための処理は、判定結果によって変化するため、処理時間は多岐に渡る。
【００８９】
本実施の形態では、上述の処理時間の長短にかかわらず、電源電位Ｖｄｄを初期電位Ｖｄｄ０の９０％以上１００％未満に回復する第２の期間を設けて、負荷回路が備えた負荷に安定して電力を供給する。特定の電源電位Ｖｄｄ２を回復してから、負荷を駆動することで負荷の動作が安定する。また、電源電位Ｖｄｄは、初期電位Ｖｄｄ０に近づくほど緩やかに回復する。そのため、電源電位Ｖｄｄの回復範囲を初期電位Ｖｄｄ０の９０％以上とすることで、電源電位Ｖｄｄ不足による負荷の誤動作を防ぎつつ、回復に要する時間を短縮できる。
【００９０】
次の時間ｔ５から第３の期間Ｒ３の間、メモリ制御回路２５１は指定されたメモリ素子２５６（ｊ）に電源回路２２１を接続し、信号Ｄａｔａ．１の第ｊのデータＤａｔａ．１（ｊ）を書き込む。なお、電源電位Ｖｄｄは第３の期間Ｒ３の間に電源電位Ｖｄｄ２から電源電位Ｖｄｄ１まで低下する。
【００９１】
第３の期間Ｒ３が経過した後（時間ｔ６において）、メモリ制御回路２５１はメモリ素子２５６（ｊ）から電源回路２２１を開放する。負荷から開放された電源回路２２１の電源電位Ｖｄｄは電源電位Ｖｄｄ１から初期電位Ｖｄｄ０に向けて上昇し、第２の期間Ｒ２が経過した後（時間ｔ７において）、電源電位Ｖｄｄは初期電位Ｖｄｄ０の９０％以上１００％未満の電源電位Ｖｄｄ２まで回復する。
【００９２】
なお、時間ｔ６から時間ｔ７までの第２の期間Ｒ２に、メモリ制御回路２５１は直前にデータを書き込んだメモリ素子２５６（ｉ）からデータを読み出し、正しく書き込まれているかどうか判定する。書き込みに失敗している場合は、「再書き込み動作」を実施する。
【００９３】
また、書き込みに成功している場合は、信号Ｄａｔａ．１のｋ（ｋはｊより大きく、ｍ以下の整数）番目のデータであって、最後のデータである第ｋのデータＤａｔａ．１（ｋ）をメモリ素子２５６（ｋ）に書き込むものとする。
【００９４】
第ｋのデータＤａｔａ．１（ｋ）がページバッファ内に存在する場合は、それを書き込むメモリ素子のアドレス情報を指定する。また、ページバッファ内のデータを全て書き込み終え、第ｋのデータＤａｔａ．１（ｋ）がページバッファ内にない場合は、次のメモリバンクを選択し、ページバッファに第ｋのデータＤａｔａ．１（ｋ）を含むデータを上書きして、ページバッファのデータを準備する。
【００９５】
次の時間ｔ７から第３の期間Ｒ３の間、メモリ制御回路２５１は指定されたメモリ素子２５６（ｋ）に電源回路２２１を接続し、信号Ｄａｔａ．１の第ｋのデータＤａｔａ．１（ｋ）を書き込む。なお、電源電位Ｖｄｄは第３の期間Ｒ３の間に電源電位Ｖｄｄ２から電源電位Ｖｄｄ１まで低下する。
【００９６】
第３の期間Ｒ３が経過した後（時間ｔ８において）、メモリ制御回路２５１はメモリ素子２５６（ｋ）から電源回路２２１を開放する。負荷から開放された電源回路２２１の電源電位Ｖｄｄは電源電位Ｖｄｄ１から初期電位Ｖｄｄ０に向けて回復する。
【００９７】
なお、時間ｔ８から時間ｔ９までの第２の期間Ｒ２に、メモリ制御回路２５１は直前にデータを書き込んだメモリ素子２５６（ｋ）からデータを読み出し、正しく書き込まれているかどうか判定する。書き込みに失敗している場合は、「再書き込み動作」を実施し、書き込みに成功している場合は、信号Ｄａｔａ．１に次のデータが存在しないことを確認し、書き込み動作を終了する。
【００９８】
＜変形例＞
上述した構成を有する電子装置の駆動方法は、本発明の一態様であり、当該駆動方法と異なる構成を備える駆動方法も本発明に含まれる。
【００９９】
例えば、上述の「再書き込み動作」において、書き込み時間を、書き込みを失敗した際の書き込み時間より長く変更する構成とすることもできる。書き込み時間を長くすることで、書き込み条件を逐次最適化できる。なお、書き込み時間を再書き込み動作に限って変更しても良いし、通常の書き込み動作も含めて変更しても良い。
【０１００】
本実施の形態で例示した駆動方法によれば、いずれのメモリ素子に書き込みを開始する場合であっても、メモリ回路に供給する電源電位Ｖｄｄは初期電位Ｖｄｄ０の９０％以上に平準化される。その結果、当該メモリ素子への書き込み動作、及び当該メモリ素子を備えた電子装置の動作を安定化できる。
【０１０１】
また、電源回路を疑似負荷に接続して電源電位Ｖｄｄを初期電位Ｖｄｄ０から降下させ、その後、電源電位Ｖｄｄが初期電位Ｖｄｄ０の９０％以上１００％未満の電源電位Ｖｄｄ２に達してから、電源回路を真性負荷に接続する駆動方法によれば、真性負荷に供給する電源電位を電源電位Ｖｄｄ２に安定化できる。これにより、いずれの真性負荷（メモリ素子）も駆動を開始する際の電源電位Ｖｄｄが初期電位Ｖｄｄ０の９０％以上１００％未満に平準化されるため、当該負荷（メモリ素子）の動作、及び当該負荷（メモリ素子）を備えた電子装置の動作を安定化できる。
【０１０２】
また、第２の期間Ｒ２を、電源電位Ｖｄｄが初期電位Ｖｄｄ０の９０％以上１００％未満に回復する期間とすることで、電源電位Ｖｄｄが１００％に回復する期間より第２の期間Ｒ２を短縮できる。これにより、当該負荷（メモリ素子）の動作、及び当該負荷（メモリ素子）を備えた電子装置の動作を安定化できるだけでなく、電源回路に接続する当該負荷を備えた電子装置の動作時間を短縮できる。
【０１０３】
また、第２の期間Ｒ２に、直前にメモリ素子に書き込んだ情報を検証し、検証結果に応じて再書き込みまたは冗長回路への振替動作を行う。これにより、書き込み動作の失敗を速やかに発見し、誤った情報の書き込みを防ぐことができる。
【０１０４】
また、第２の期間Ｒ２に、直前にメモリ素子に書き込んだ情報を検証し、検証結果に応じて書き込み時間を最適化する。これにより、書き込み動作の失敗を速やかに発見できる。また、第２の期間の長さを検証結果に応じて変更するため、書き込み条件を逐次最適化できる。
【０１０５】
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
【０１０６】
（実施の形態３）
本実施の形態では、負荷回路としてセンサ回路と不揮発性メモリ回路を搭載したパッシブ型の電子装置の駆動方法について、図７を用いて説明する。特に、非接触、又は無線で供給されるエネルギーを電力に変換し、他の回路に供給する電源回路をセンサ素子、又はメモリ素子から開放し、初期電位Ｖｄｄ０の９０％以上の値に電源電位Ｖｄｄを回復する駆動方法について説明する。
【０１０７】
なお、本実施の形態の電子装置は非接触給電装置から供給される電力で動作し、センサ素子が検知した情報を不揮発性メモリに記録する。また、非接触給電装置が発する命令に従って、不揮発性メモリに記録した情報を読み出すことができる電子装置である。
【０１０８】
本実施の形態で例示する電子装置４００を、図７に示す。電子装置４００は負荷回路としてセンサ回路と不揮発性メモリ回路を搭載したパッシブ型の電子装置であり、非接触給電装置４９０が発する電力を受け取る受電素子４１０と、電源回路４２１を含む高周波回路４２０、制御回路４３０、メモリ回路４５０、並びにセンサ回路４４０を備える。
【０１０９】
非接触給電装置４９０は、センサ回路と不揮発性メモリを搭載したパッシブ型の電子装置４００のリーダライタであり、高周波を搬送波として電力と信号Ｄａｔａ．１を電子装置４００に供給する。電子装置４００は受電素子４１０であるアンテナを用いて、高周波から電力と信号を受信する。
【０１１０】
高周波回路４２０は電源回路４２１を内蔵する。電源回路４２１は受電素子４１０が受信した高周波から電源電位Ｖｄｄを生成し、制御回路４３０、センサ回路４４０、並びにメモリ回路４５０に出力する。なお高周波回路４２０は搬送波から信号Ｄａｔａ．１を分離して制御回路４３０に出力する。
【０１１１】
受電素子４１０と高周波回路４２０は互いに電気的に接続され、高周波回路４２０は制御回路４３０に接続されている。
【０１１２】
制御回路４３０は、電源回路４２１から供給される電力で動作し、制御信号ＣＳ１を出力してメモリ回路４５０を制御する。また、制御回路４３０はセンサ回路４４０と接続され、制御信号ＣＳ２を出力してセンサ回路４４０を制御する。なお、制御回路４３０は高周波回路４２０を制御して、変調した反射波を非接触給電装置４９０に送信する。
【０１１３】
センサ回路４４０はセンサ素子と、センサ素子が出力するアナログ信号をデジタル信号に変換するＡＤコンバータを備え、センサ素子からの信号Ｄａｔａ．２を制御回路４３０に出力する。センサ素子としては、温度、圧力、光、加速度、心電位等を検知するセンサ素子の他、あらゆるセンサ素子を適用することができる。また、異種のセンサを複数設けることで、複数の環境の変化を記録することができる。例えば、およそ同時に複数の環境を観測する方法であっても、逐次センサ素子を切り替えて観測する方法であっても、それぞれのセンサ素子毎に指定した時刻に観測する方法であってもよい。また、同種のセンサを例えばマトリクス状に配置して設けることで、環境の変化を面状に捉えることができる。
【０１１４】
メモリ回路４５０は、不揮発性メモリを搭載していれば良い。例えば実施の形態２で示したＯＴＰ  ＲＯＭと同様のメモリ回路を用いることもできる。よって、詳細については実施の形態２の記載を参酌することができる。
【０１１５】
本実施の形態で例示する電子装置４００の駆動方法について図８を用いて説明する。なお時間ｔ１以前において電源回路４２１はセンサ回路４４０、又はメモリ回路が備えるいずれの負荷にも接続されていないため電源電位Ｖｄｄは初期電位Ｖｄｄ０を保っている。
【０１１６】
初めに、非接触給電装置４９０が信号Ｄａｔａ．１に載せて制御回路４３０に命令を発する。制御回路４３０は制御信号ＣＳ２を用いてセンサ回路４４０を電源回路４２１に接続する。その結果、電源電位Ｖｄｄは初期電位Ｖｄｄ０から電源電位Ｖｄｄ１まで低下する。なお、センサ回路４４０はセンサ素子の出力をデジタルデータＤａｔａ．２に変換して制御回路４３０に出力する。
【０１１７】
第１の期間Ｒ１が経過した後（時間ｔ２において）、制御回路４３０は制御信号ＣＳ２によりセンサ素子から電源回路４２１を開放する。負荷から開放された電源回路４２１の電源電位Ｖｄｄは電源電位Ｖｄｄ１から初期電位Ｖｄｄ０に向けて上昇する。なお、初期電位Ｖｄｄ０の９０％以上１００％未満の電源電位を電源電位Ｖｄｄ２とする。また、負荷から開放された電源回路４２１の電源電位Ｖｄｄが電源電位Ｖｄｄ１から電源電位Ｖｄｄ２に達する期間を第２の期間Ｒ２とする。
【０１１８】
なお時間ｔ２から時間ｔ３までの第２の期間Ｒ２に、制御回路４３０はセンサ回路４４０が出力したデジタルデータＤａｔａ．２をメモリ回路４５０に出力し、メモリ制御回路４５１は、信号Ｄａｔａ．２の先頭データＤａｔａ．２（１）を書き込むメモリ素子のアドレス情報を指定する。なお本実施の形態では、信号Ｄａｔａ．１の先頭データＤａｔａ．１（１）をメモリ素子４５６（１）に書き込むものとする。
【０１１９】
次の時間ｔ３から第３の期間Ｒ３の間に、メモリ制御回路４５１は指定したメモリ素子４５６（１）に電源回路４２１を接続し、信号Ｄａｔａ．２の先頭データＤａｔａ．２（１）を書き込む。なお、電源電位Ｖｄｄは第３の期間Ｒ３の間に電源電位Ｖｄｄ２から電源電位Ｖｄｄ１まで低下する。
【０１２０】
本実施の形態では、電源回路４２１の電源電位Ｖｄｄが低下する複数の負荷を接続する。具体的には、センサ回路４４０とメモリ回路４５０を接続する。このような構成においては、電源回路４２１をそれぞれの負荷に接続する期間は等しい必要はなく、例えばＲ１とＲ３の如く異なる長さの期間とすることもできる。
【０１２１】
第３の期間Ｒ３が経過した後（時間ｔ４において）、メモリ制御回路４５１はメモリ素子４５６（１）から電源回路４２１を開放する。負荷から開放された電源回路４２１の電源電位Ｖｄｄは電源電位Ｖｄｄ１から初期電位Ｖｄｄ０に向けて上昇し、第２の期間Ｒ２が経過した後（時間ｔ５において）、電源電位Ｖｄｄは初期電位Ｖｄｄ０の９０％以上１００％未満の電源電位Ｖｄｄ２まで回復する。
【０１２２】
なお、時間ｔ４から時間ｔ５までの第２の期間Ｒ２に、メモリ制御回路４５１は直前にデータを書き込んだメモリ素子４５６（１）からデータを読み出し、正しく書き込まれているかどうか判定する。書き込みに失敗している場合は、実施の形態２にて説明した「再書き込み動作」を実施し、書き込みに成功している場合は、信号Ｄａｔａ．２に次のデータが存在することを確認する。なお、次のデータをｊ（ｊは２以上ｍ未満の自然数）番目のデータとし、信号Ｄａｔａ．２の第ｊのデータＤａｔａ．１（ｊ）をメモリ素子４５６（ｊ）に書き込むものとする。また、次のデータが存在しない場合は書き込み動作を終了する。
【０１２３】
第ｊのデータＤａｔａ．２（ｊ）がページバッファ内に存在する場合は、それを書き込むメモリ素子のアドレス情報を指定する。また、ページバッファ内のデータを全て書き込み終え、第ｊのデータＤａｔａ．２（ｊ）がページバッファ内にない場合は、次のメモリバンクを選択し、ページバッファに第ｊのデータＤａｔａ．２（ｊ）を含むデータを上書きして、ページバッファのデータを準備する。
【０１２４】
次の時間ｔ５から第３の期間Ｒ３の間に、第ｊのデータＤａｔａ．２（ｊ）を指定するメモリ素子に書き込み、時間ｔ６から時間ｔ７までの第２の期間Ｒ２の間に電源電位Ｖｄｄを電源電位Ｖｄｄ２まで回復する。
【０１２５】
信号Ｄａｔａ．２のデータを不揮発性メモリのメモリ素子に書き込む方法は、実施の形態２に記載した方法と同様の方法を用いればよい。よって、詳細については実施の形態２の記載を参酌することができる。
【０１２６】
前述の動作により、センサ回路４４０が観測した一回の観測結果をメモリ回路に書き込むことができる。もちろん、定期的にセンサ回路４４０がセンサ素子の出力を記録する構成とすることができる。非接触給電装置４９０が供給する電力でセンサ回路４４０が定期的にセンサ素子の出力を記録することにより、物体や、人体に非接触で経時的な変化を検知し、記録することが可能になる。
【０１２７】
なお、メモリ回路４５０に記録されたセンサ回路４４０からの信号Ｄａｔａ．２は、非接触給電装置４９０を介して入力する命令で読み出すことができる。読み出した信号Ｄａｔａ．３は、制御回路４３０が高周波回路４２０を介して送信し、非接触給電装置４９０が備えるリーダ部が受信する。具体的には、読み出したＤａｔａ．３で変調した反射波を送信すればよい。
【０１２８】
＜変形例＞
上述した構成を有する電子装置の駆動方法は、本発明の一態様であり、当該駆動方法と異なる構成を備える以下の駆動方法も、本発明に含まれる。
【０１２９】
例えば、非接触、又は無線で供給される太陽光に含まれるエネルギーを光電変換素子で電力に変換して用いることもできる。この場合、受電素子４１０に光電変換素子と、高周波の反射波を出力するアンテナを設ければよい。
【０１３０】
なお、太陽電池から供給される電力も、光源からの光の強度、光源に対する受光面の向き等に影響され、接続される負荷に対して小さくなるという問題がある。
【０１３１】
本実施の形態で例示した駆動方法によれば、センサ回路、及びメモリ回路のいずれの負荷を駆動開始する際の電源電位Ｖｄｄが、初期電位Ｖｄｄ０の９０％以上に平準化されるため、当該負荷の動作、及び当該負荷を備えた電子装置の動作を安定化できる。
【０１３２】
また、電源回路を疑似負荷に接続して電源電位Ｖｄｄを初期電位Ｖｄｄ０から降下させ、その後、電源電位Ｖｄｄが初期電位Ｖｄｄ０の９０％以上１００％未満の電源電位Ｖｄｄ２に達してから、電源回路を真性負荷に接続する駆動方法によれば、真性負荷に供給する電源電位を電源電位Ｖｄｄ２に安定化できる。これにより、いずれの真性負荷も駆動を開始する際の電源電位Ｖｄｄが初期電位Ｖｄｄ０の９０％以上１００％未満に平準化されるため、当該負荷の動作、及び当該負荷を備えた電子装置の動作を安定化できる。
【０１３３】
また、第２の期間Ｒ２を、電源電位Ｖｄｄが初期電位Ｖｄｄ０の９０％以上１００％未満に回復する期間とすることで、電源電位Ｖｄｄが１００％に回復する期間より第２の期間Ｒ２を短縮できる。これにより、当該負荷の動作、及び当該負荷を備えた電子装置の動作を安定化できるだけでなく、電源回路に接続する当該負荷を備えた電子装置の動作時間を短縮できる。
【０１３４】
負荷回路としてセンサ回路と不揮発性メモリ回路を搭載したパッシブ型の電子装置は、電池等を設ける必要がないため軽量、また小型にできる。このような電子装置は移動体に装着しても移動体の負担とならない。さらに、本実施の形態で例示した方法で駆動してすれば、種々の環境の変化を記録することができる。例えば、動物の行動、患者の体調を記録することができる。また、異種のセンサを複数設けることで、複数の環境の変化を記録することができる。
【０１３５】
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
【符号の説明】
【０１３６】
１００    電子装置
１１０    受電素子
１２０    高周波回路
１２１    電源回路
１３０    制御回路
１５０    負荷回路
１５１    負荷
１５２    負荷
１９０    非接触給電装置
２００    電子装置
２１０    受電素子
２２０    高周波回路
２２１    電源回路
２３０    制御回路
２５０    メモリ回路
２５１    メモリ制御回路
２５５    メモリバンク
２５６    メモリ素子
２５７    メモリ素子
２５８    冗長回路
２５９    メモリ素子
２９０    非接触給電装置
４００    電子装置
４１０    受電素子
４２０    高周波回路
４２１    電源回路
４３０    制御回路
４４０    センサ回路
４５１    メモリ制御回路
４５０    メモリ回路
４５６    メモリ素子
４９０    非接触給電装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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