(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
樹脂製のベース基板と、
前記ベース基板上に形成される金属製の導電性パッドを含む回路パターンと、
前記導電性パッドに接合されるはんだボールと、
前記ベース基板と前記導電性パッドとの間に備えられ、前記ベース基板より高い弾性係数を有する剥離防止層と、を含むプリント基板。
【請求項２】
前記ベース基板は、片面プリント基板、両面プリント基板、または複数の回路層と複数の絶縁層を備えた多層プリント基板からなる請求項１に記載のプリント基板。
【請求項３】
前記ベース基板は、エポキシ系絶縁材、味の素ビルドアップフィルム（Ａｊｉｎｏｍｏｔｏ  Ｂｕｉｌｄ−ｕｐ  Ｆｉｌｍ；ＡＢＦ）、液晶ポリマー（Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｐｏｌｙｍｅｒ；ＬＣＰ）、ポリテトラフルオロエチレン（Ｐｏｌｙｔｅｔｒａｆｌｕｏｒｏｅｔｈｙｌｅｎｅ；ＰＴＦＥ）、ポリイミド（Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ；ＰＩ）、ポリエーテルエーテルケトン（Ｐｏｌｙｅｔｈｅｒｅｔｈｅｒｋｅｔｏｎｅ；ＰＥＥＫ）から選ばれる少なくとも一つ以上からなる絶縁層を含む請求項１に記載のプリント基板。
【請求項４】
前記剥離防止層の弾性係数は、４Ｇｐａ超過〜１１０Ｇｐａ以下であることを特徴とする請求項１に記載のプリント基板。
【請求項５】
前記剥離防止層は、０．６μｍ〜１０μｍの厚さ範囲を有することを特徴とする請求項１に記載のプリント基板。
【請求項６】
（ａ）樹脂製のベース基板を準備する段階と、
（ｂ）前記ベース基板の上面に、前記ベース基板より高い弾性係数を有する剥離防止層を形成する段階と、
（ｃ）前記剥離防止層の上面に金属製の導電性パッドを含む回路パターンを形成する段階と、
（ｄ）前記ベース基板の上部に前記導電性パッド部分を除くソルダレジスト層を形成する段階と、を含むプリント基板の製造方法。
【請求項７】
（ｂ）段階は、（ａ）段階で準備されたベース基板の上面をソフトエッチング（ｓｏｆｔ  ｅｔｃｈｉｎｇ）して剥離防止層を形成することを特徴とする請求項６に記載のプリント基板の製造方法。
【請求項８】
（ｂ）段階は、デスミア工程により剥離防止層を形成することを特徴とする請求項６に記載のプリント基板の製造方法。
【請求項９】
前記デスミア工程は、過マンガン酸塩溶液の温度や濃度を増加させたり過マンガン酸塩溶液を噴出するスプレーの圧力を増加させることを特徴とする請求項８に記載のプリント基板の製造方法。
【請求項１０】
（ｂ）段階は、（ａ）段階の後、前記ベース基板より高い弾性係数を有する物質を前記ベース基板の上面に積層して剥離防止層を形成することを特徴とする請求項６に記載のプリント基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プリント基板及びその製造方法に関し、より詳細には、ベース基板と導電性パッドとの間に剥離防止層を備え、ボールせん断試験（Ｂａｌｌ  ｓｈｅａｒ  ｔｅｓｔ）を行う際、ベース基板と導電性パッドとの間の剥離（Ｄｅｌａｍｉｎａｔｉｏｎ）現象を防止するプリント基板及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
通常、プリント基板は、各種の熱硬化性合成樹脂からなる基板の片面または両面に銅線で回路を具現した後、前記基板上にＩＣまたは電子部品を具備、固定して電気的に連結したものである。
【０００３】
前記基板上の回路パターンとＩＣまたは電子部品との間の電気的連結のために、前記基板上に導電性パッドを備え、前記導電性パッドとＩＣまたは電子部品をはんだボールを介して接合させることにより、ＩＣまたは電子部品をプリント基板に実装する方法が一般的に用いられる。
【０００４】
図１は、従来のプリント基板１００を示す断面図である。ベース基板１１０上に導電性パッド１２０が備えられ、前記導電性パッド１２０にはんだボール１３０が接合される。
【０００５】
導電性パッド１２０にはんだボール１３０が接合されると、はんだボール１３０と導電性パッド２２０との間の接合強度を測定するため、はんだボールが形成された基板をテーブルに固定させて、一定の荷重（ｌｏａｄ）とせん断高さを設定してボールせん断試験（Ｂａｌｌ  ｓｈｅａｒ  ｔｅｓｔ）を行うことになる。この場合、ボールせん断試験を行う際に発生する荷重による圧力（ストレス）は、はんだボール１３０と導電性パッド１２０との間の接合部分だけでなく導電性パッド１２０とベース基板１１０との間の接合部分にまで影響を及ぼす。
【０００６】
図２は、従来プリント基板において、ボールせん断試験を行う際に発生するストレスの分布に対するシミュレーション結果を示した図面である。
【０００７】
図２を参照すると、ボールせん断試験を行う際に発生するストレスがベース基板１１０と導電性パッド１２０との間の界面にも集中されていることが分かる。その理由は、導電性パッド１２０を構成するＣｕの弾性係数は、１１０Ｇｐａである反面、ベース基板１１０を構成する絶縁層の弾性係数は３〜４Ｇｐａであって、このような弾性係数の差によりストレスがベース基板１１０の内部に伝達されず、ベース基板１１０と導電性パッド１２０との間の界面に分布されるためである。
ベース基板１１０と導電性パッド１２０表面にストレスが持続的に集中されると、ベース基板１１０と導電性パッド１２０の接合強度が減少し、結果、ベース基板１１０と導電性パッド１２０との間に剥離（Ｄｅｌａｍｉｎａｔｉｏｎ）現象が発生して、これにより製品の耐久性に対する信頼度が低下するという問題点がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】韓国特許出願公開第１０−２０１０−００３９５１７号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、ボールせん断試験を行う際に発生するベース基板と導電性パッドとの間の剥離（Ｄｅｌａｍｉｎａｔｉｏｎ）現象を防止するために導き出されたものであって、具体的に、従来技術と異なり、ベース基板と導電性パッドとの間に剥離防止層を備え、ベース基板の表面に集中するストレスを緩和させることにより、ベース基板と導電性パッドとの間の剥離（Ｄｅｌａｍｉｎａｔｉｏｎ）現象を防止するプリント基板及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
前記目的を果たすために、本発明の一実施形態によると、回路パターンを含むベース基板と、前記ベース基板上に備えられる導電性パッドと、前記導電性パッドに接合されるはんだボールと、前記ベース基板と前記導電性パッドとの間に備えられる剥離防止層と、を含むプリント基板を提供する。
【００１１】
また、前記ベース基板は、片面プリント基板、両面プリント基板、または複数の回路層と複数の絶縁層を備えた多層プリント基板であることを特徴とする。
【００１２】
また、前記ベース基板は、エポキシ系絶縁材、味の素ビルドアップフィルム（Ａｊｉｎｏｍｏｔｏ  Ｂｕｉｌｄ−ｕｐ  Ｆｉｌｍ；ＡＢＦ）、液晶ポリマー（Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｐｏｌｙｍｅｒ；ＬＣＰ）、ポリテトラフルオロエチレン（Ｐｏｌｙｔｅｔｒａｆｌｕｏｒｏｅｔｈｙｌｅｎｅ；ＰＴＦＥ）、ポリイミド（Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ；ＰＩ）、ポリエーテルエーテルケトン（Ｐｏｌｙｅｔｈｅｒｅｔｈｅｒｋｅｔｏｎｅ；ＰＥＥＫ）から選ばれる少なくとも一つ以上からなる絶縁層を含むことを特徴とする。
【００１３】
また、前記剥離防止層は、前記ベース基板より高い弾性係数を有することを特徴とする。
【００１４】
また、前記剥離防止層の弾性係数は４Ｇｐａ超過〜１１０Ｇｐａ以下であることを特徴とする。
【００１５】
また、前記剥離防止層は、０．６μｍ〜１０μｍの厚さ範囲を有することを特徴とする。
【００１６】
一方、本発明の他の実施形態によると、（ａ）ベース基板を準備する段階と、（ｂ）前記ベース基板の上面に剥離防止層を形成する段階と、（ｃ）前記剥離防止層の上面に導電性パッドを含む回路パターンを形成する段階と、（ｄ）前記ベース基板の上部をソルダレジスト層で塗布し、導電性パッド部分のソルダレジスト層を露出させる段階と、を含むプリント基板の製造方法を提供する。
【００１７】
また、前記剥離防止層は、（ａ）段階の後、ベース基板の上面をソフトエッチング（ｓｏｆｔ  ｅｔｃｈｉｎｇ）して形成されることを特徴とする。
【００１８】
また、前記剥離防止層は、デスミア工程により形成されることを特徴とする。
【００１９】
また、前記デスミア工程は、過マンガン酸塩溶液の温度や濃度を増加させたり過マンガン酸塩溶液を噴出するスプレーの圧力を増加させることを特徴とする。
【００２０】
また、前記剥離防止層は、（ａ）段階の後、ベース基板より高い弾性係数を有する物質をベース基板の上面に積層してなることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２１】
本発明のプリント基板及びその製造方法によると、ベース基板と導電性パッドとの間に剥離防止層を備えることにより、ボールせん断試験を行う際にベース基板と導電性パッドの表面に集中するストレスを緩和させてベース基板と導電性パッドとの間の剥離現象を防止し、製品の耐久性に対する信頼度を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】従来のプリント基板を示した断面図である。
【図２】従来のプリント基板において、ボールせん断試験を行う際に発生するストレスの分布に対するシミュレーション結果を示した図面である。
【図３】本発明の一実施形態によるプリント基板を示した断面図である。
【図４】本発明の一実施形態によるプリント基板において、ボールせん断試験を行う際に発生するストレスの分布に対するシミュレーション結果を示した図面である。
【図５】図３に図示された本発明の一実施形態によるプリント基板の製造方法を示した図面である。
【図６】図３に図示された本発明の一実施形態によるプリント基板の製造方法を示した図面である。
【図７】図３に図示された本発明の一実施形態によるプリント基板の製造方法を示した図面である。
【図８】図３に図示された本発明の一実施形態によるプリント基板の製造方法を示した図面である。
【図９】図３に図示された本発明の一実施形態によるプリント基板の製造方法を示した図面である。
【図１０】図３に図示された本発明の一実施形態によるプリント基板の製造方法を示した図面である。
【図１１】図３に図示された本発明の一実施形態によるプリント基板の製造方法を示した図面である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、添付図面を参照して本発明による好ましい実施形態を詳細に説明する。
本発明の詳細な説明に先立ち、本明細書及び請求範囲に用いられた用語や単語は通常的かつ辞書的な意味に解釈されてはならず、発明者が自らの発明を最善の方法で説明するために用語の概念を適切に定義することができるという原則にしたがって本発明の技術的思想にかなう意味と概念に解釈されるべきである。
【００２４】
図３は、本発明の一実施形態によるプリント基板２００を示した断面図である。
【００２５】
図３を参照すると、本発明の一実施形態によるプリント基板２００は、回路パターンを含むベース基板２１０と、前記ベース基板２１０上に備えられる導電性パッド２２０と、前記導電性パッド２２０に接合されるはんだボール２４０と、前記ベース基板２１０と前記導電性パッド２２０との間に備えられる剥離防止層２３０と、を含む。
【００２６】
本実施形態では、本発明の技術的特徴を明瞭に記述するためにプリント基板の内層回路層及び最下層の構造が省略されたベース基板を例に挙げて説明する。従って、本発明は、このようなベース基板の構造により制限されず、ベース基板は、片面プリント基板、両面プリント基板、または複数の回路層と複数の絶縁層を備えた多層プリント基板の最外層基板を示す。
【００２７】
前記ベース基板２１０は、電気絶縁素材である複合高分子樹脂、例えば、エポキシ系絶縁材、味の素ビルドアップフィルム（Ａｊｉｎｏｍｏｔｏ  Ｂｕｉｌｄ−ｕｐ  Ｆｉｌｍ；ＡＢＦ）、液晶ポリマー（Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｐｏｌｙｍｅｒ；ＬＣＰ）、ポリテトラフルオロエチレン（Ｐｏｌｙｔｅｔｒａｆｌｕｏｒｏｅｔｈｙｌｅｎｅ；ＰＴＦＥ）、ポリイミド（Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ；ＰＩ）、ポリエーテルエーテルケトン（Ｐｏｌｙｅｔｈｅｒｅｔｈｅｒｋｅｔｏｎｅ；ＰＥＥＫ）から選ばれる少なくとも一つ以上からなる絶縁層を含む。
【００２８】
前記ベース基板２１０上に形成される導電性パッド２２０を含む回路パターンは、アディティブ法（Ａｄｄｉｔｉｖｅ  ｐｒｏｃｅｓｓ）、サブトラクティブ法（Ｓｕｂｔｒａｃｔｉｖｅ  Ｐｒｏｃｅｓｓ）、モディファイドセミアディティブ法（Ｍｏｄｉｆｉｅｄ  Ｓｅｍｉ  Ａｄｄｉｔｉｖｅ  ｐｒｏｃｅｓｓ；ＭＳＡＰ）及びセミアディティブ法（Semi Ａｄｄｉｔｉｖｅ  ｐｒｏｃｅｓｓ；ＳＡＰ）などを用いて形成することができるが、これに限定されるものではない。
【００２９】
前記ベース基板２１０上には、はんだボール２４０を介してＩＣまたは電子部品と電気的に連結される導電性パッド２２０が備えられており、前記導電性パッド２２０は、はんだボール２４０と接合される。即ち、はんだボール２４０を介してＩＣまたは電子部品と基板の回路パターンとが電気的に連結される。前記導電性パッド２２０は、ほとんどがＣｕからなり、ＩＣまたは電子部品との電気的接続状態を向上させるためにＮｉ／Ａｕがメッキされる。
【００３０】
前記導電性パッド２２０は、はんだボールが接合される部分であって、回路パターンを具現する際にともに形成される。本明細書において用いられる導電性パッドの用語は制限的に解釈されず、ベース基板２１０の最外層に形成され、ＩＣまたは電子部品と電気的に接続して信号を引き出す構成を示すものであればどのようなものでも使用できる。
【００３１】
プリント基板の回路パターンを保護し、回路間の絶縁性を与えるために導電性パッド２２０以外の部分をカバーするソルダレジスト層２９０が前記ベース基板２１０上に塗布される。
【００３２】
ベース基板２１０と導電性パッド２２０との間には剥離防止層２３０が備えられており、前記剥離防止層２３０は絶縁材からなるベース基板２１０より高い弾性係数を有することを特徴とする。
【００３３】
前記剥離防止層２３０を備えることにより、ボールせん断試験（Ｂａｌｌ  ｓｈｅａｒ  ｔｅｓｔ）を行う際に発生する圧力（ストレス）が剥離防止層に均一に分散されてベース基板２１０と導電性パッド２２０との間の接合部分に集中しない。これにより、ベース基板２１０と導電性パッド２２０との間の剥離現象を防止することができる。
【００３４】
前記剥離防止層２３０の厚さは、０．６μｍ〜１０μｍ範囲内であることが好ましい。０．６μｍ未満である場合、ボールせん断試験によるストレスが剥離防止層に分散されにくく、１０μｍを超過する場合、プリント基板の薄膜化に対応することができない。
【００３５】
また、前記剥離防止層２３０の弾性係数は、４Ｇｐａ超過〜１１０Ｇｐａ以下であることが好ましい。ベース基板に含まれる絶縁層の弾性係数が３〜４Ｇｐａの範囲を有するため、４Ｇｐａ以下である場合、ベース基板２１０の弾性係数と同一であるか低くなるため、本発明が目的とする効果を具現することができず、１１０Ｇｐａを超過する場合、逆に導電性パッド２２０の弾性係数より高くなるため、導電性パッド２２０と剥離防止層２３０との間において剥離現象が発生する可能性がある。
【００３６】
図４は、本発明のプリント基板において、ボールせん断試験を行う際に発生するストレスの分布に対するシミュレーション結果を示した図面である。
【００３７】
シミュレーションに用いられた剥離防止層の厚さは１．２μｍであり、弾性係数は７５Ｇｐａである。図２及び図４を互いに比較して説明すると、本発明の一実施形態によるプリント基板２００の場合、剥離防止層が備えられていない従来のプリント基板に比べて、ボールせん断試験によるストレスがベース基板２１０と導電性パッド２２０の間の表面に集中されないことが分かる。
【００３８】
以下、図５〜図１０を参照して本発明の好ましい実施形態によるプリント基板の製造方法について説明する。
【００３９】
先ず、図５に図示されたように、ベース基板２１０を提供する。前記ベース基板２１０は、片面プリント基板、両面プリント基板、または多層プリント基板においてＩＣまたは電子部品が実装される最外層の基板になることができ、エポキシ系絶縁材、味の素ビルドアップフィルム（Ａｊｉｎｏｍｏｔｏ  Ｂｕｉｌｄ−ｕｐ  Ｆｉｌｍ；ＡＢＦ）、液晶ポリマー（Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｐｏｌｙｍｅｒ；ＬＣＰ）、ポリテトラフルオロエチレン（Ｐｏｌｙｔｅｔｒａｆｌｕｏｒｏｅｔｈｙｌｅｎｅ；ＰＴＦＥ）、ポリイミド（Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ；ＰＩ）、ポリエーテルエーテルケトン（Ｐｏｌｙｅｔｈｅｒｅｔｈｅｒｋｅｔｏｎｅ；ＰＥＥＫ）から選ばれる少なくとも一つ以上からなる絶縁層を含む。
【００４０】
次に、図６に図示されたように、前記ベース基板２１０の上面に剥離防止層２３０を形成する。前記剥離防止層２３０は、ベース基板２１０より高い弾性係数を有することを特徴とする。
【００４１】
前記剥離防止層２３０は、前記ベース基板２１０の上面をソフトエッチング（ｓｏｆｔ  ｅｔｃｈｉｎｇ）して形成することができる。前記ベース基板２１０に含まれる絶縁層の樹脂（Ｒｅｇｉｎ）をソフトエッチングする場合、絶縁層表面の充填剤（Ｆｉｌｌｅｒ）の含量が増加して弾性係数の高い剥離防止層が形成される。通常、ソフトエッチングに用いられるエッチング液としては、硫酸水溶液（硫酸の濃度：９８ｇ／ｌ）、硫酸及び過硫酸ナトリウム水溶液（硫酸の濃度：９．８ｇ／ｌ、過硫酸ナトリウムの濃度：１５０ｇ／ｌ）、そして硫酸及び過酸化水素水溶液（硫酸濃度９８ｇ／ｌ、過酸化水素の濃度：２７ｇ／ｌ）のうち少なくとも一つであることができる。
【００４２】
また、前記剥離防止層２３０は、デスミア工程により形成されることができる。デスミア工程のうち湿式デスミア工程は、樹脂表面を膨潤させて過マンガン酸塩（Ｐｅｒｍａｎｇａｎａｔｅ）を容易に浸透させる膨潤（Ｓｗｅｌｌｉｎｇ）段階と、膨潤段階で膨張された樹脂の共有結合を過マンガン酸塩溶液により処理してエッチングする過マンガン酸塩処理段階と、 過マンガン酸塩処理により生成された不溶性の副産物を溶解性マンガンにより中和して除去する中和（Ｎｅｕｔｒａｌｉｚｅｒ）段階と、を含む。ここで、前記過マンガン酸塩処理段階において用いられる過マンガン酸塩溶液の温度や濃度を増加させたり過マンガン酸塩溶液を噴出するスプレーの圧力を増加させる場合、絶縁層表面の充填剤（Ｆｉｌｌｅｒ）の含量が増加して弾性係数の高い剥離防止層が形成されることができる。このように、デスミア工程条件の一部を変更して剥離防止層を形成する場合、別途の追加工程なしに剥離防止層を形成することができるため、コストを節約することができる。
【００４３】
また他の方法として、前記剥離防止層２３０はベース基板より高い弾性係数を有する物質をベース基板の上面に積層することにより形成することができる。前記物質の弾性係数は４Ｇｐａ超過〜１１０Ｇｐａ以下であることが好ましい。前記物質は、エポキシ系樹脂、シリコン系樹脂、アクリル系樹脂、またはウレタン系樹脂のうち少なくともいずれか一つを含むフィルムであることができるが、これに限定されるものではない。
【００４４】
次に、図７に図示されたように、前記ベース基板２１０の任意に選ばれた位置をドリル加工を施して層間接続のためのビアホール２５０を形成する。前記ビアホール２５０を形成することは上層の銅箔回路と下層の銅箔回路を互いに電気的に接続するためであり、前記ビアホール２５０を加工した後、デスミア工程を行う。
【００４５】
デスミア工程は、前記ビアホール２５０を形成のための穴あけ工程において発生する残渣などを除去し、後続するメッキ工程が円滑に行われるように前記ビアホール２５０の内壁表面に粗さ、即ち粗度（ｒｏｕｇｈｎｅｓｓ）を提供する。
【００４６】
次に、図８に図示されたように、無電解銅メッキを行って基板表面及び露出されたビアホール２５０の内壁表面に無電解銅メッキ層２６０を形成し、その後、基板表面にドライフィルム２７０を密着させて被覆する。
【００４７】
前記ドライフィルム２７０は、感光性（Ｐｈｏｔｏ−ｓｅｎｓｉｔｉｖｅ）を有したフィルムであって、回路パターンが形成される領域が露出されることができるように、選択的に露光及び現象工程を行った後に銅メッキを行うと、図９に図示されたように、ドライフィルム２７０が残存しているところには電気銅２８０が形成されず、その他に電気が流れる部分、即ち化学銅上にのみ電気銅２８０が形成される。ここで化学銅と電気銅は両方とも銅（Ｃｕ）であることには相違ないが、後続するフラッシュエッチング（Ｆｌａｓｈ  ｅｔｃｈｉｎｇ）工程過程においてエッチング特性が相違しており、区別して図示したため、注意しなければならない。
【００４８】
次に、ドライフィルム２７０を剥離した後、ドライフィルムにより保護される部分に化学銅が残存しており、これを除去すると短絡された部分が解消され、図１０に図示されたように、導電性パッド２２０を含む回路パターンが完成される。化学銅は、フラッシュエッチング（ｆｌａｓｈ  ｅｔｃｈｉｎｇ）、即ちエッチング液に基板を若干浸漬してエッチングすることができる。
【００４９】
次に、図１１に図示されたように、導電性パッド２２０を含む回路パターンが完成されたベース基板の表面にソルダレジストを塗布してソルダレジスト層２９０を形成する。前記ソルダレジスト層２９０は、ＩＣまたは電子部品を実装する際にはんだ付けにより回路パターンを保護し、回路パターンの間のブリッジを防止するために形成するものであって、感光性のあるインクを使用して基板に塗布する。その後、露光及び現象を行って導電性パッド２２０部分のソルダレジスト層２９０を除去することによりはんだボール２４０が接合される空間を設け、その後、ＩＣまたは電子部品を実装する。
【００５０】
本明細書に記載される実施形態と図面に図示される構成は本発明のもっとも好ましい一実施形態に過ぎず、本発明の技術的思想の全部を代弁しているわけではないため、本出願時点においてこれらを代替することができる多様な均等物と変形例があり得ることを理解しなければならない。
【符号の説明】
【００５１】
１００、２００  プリント基板
１１０、２１０  ベース基板
１２０、２２０  導電性パッド
１３０、２４０  はんだボール
２３０  剥離防止層
２４０  はんだボール
２５０  ビアホール
２６０  銅メッキ層
２７０  ドライフィルム
２８０  電気銅
２９０  ソルダレジスト層
【図１】
0005734808.tif 000002
【図２】
0005734808.tif 000003
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
0005734808.tif 000012