(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１被接続物と第２被接続物とを電気的に接続する接続端子であって、
弾性変形可能な細帯状の金属板と、
前記金属板の一方の面の少なくとも一部を被覆する絶縁層と、
前記絶縁層の少なくとも一部に積層された導電層と、を有し、
前記絶縁層及び前記導電層が積層された前記金属板は、前記絶縁層及び前記導電層が積層された方向に曲げられて所定形状をなし、
前記金属板の前記絶縁層からの第１の露出部分と前記導電層の一部とが隣接するように配置されて、それぞれ第１固定部及び第２固定部となり、
前記金属板の前記絶縁層からの第２の露出部分と前記導電層の他部とが隣接するように配置されて、それぞれ第１接続部及び第２接続部となり、
前記第１固定部と前記第１接続部とが互いに外側を向くように、かつ、前記第２固定部と前記第２接続部とが互いに外側を向くように対向配置され、
前記第１固定部及び前記第２固定部は、それぞれ前記第２被接続物の隣接するパッドに直接的又は間接的に固定可能であり、かつ、前記第１接続部及び前記第２接続部は、それぞれ前記第１被接続物の隣接するパッドと当接可能であることを特徴とする接続端子。
【請求項２】
前記第１固定部は前記金属板の端部であり、前記第２固定部は前記導電層の端部であり、前記第１固定部と前記第２固定部とが前記絶縁層の端部を挟んで前記金属板の長手方向に隣接するように配置されていることを特徴とする請求項１記載の接続端子。
【請求項３】
前記第１接続部及び前記第２接続部は、それぞれ前記第１固定部及び前記第２固定部の反対側に突出するように湾曲していることを特徴とする請求項１又は２記載の接続端子。
【請求項４】
前記第１接続部と前記第２接続部との間には、前記第１接続部及び前記第２接続部側から前記第１固定部及び前記第２固定部側に突出するように湾曲する部分が介在していることを特徴とする請求項１乃至３の何れか一項記載の接続端子。
【請求項５】
前記第１固定部及び前記第２固定部と前記第１接続部及び前記第２接続部との間には、Ｃ字形に湾曲する部分が介在していることを特徴とする請求項１乃至４の何れか一項記載の接続端子。
【請求項６】
前記第１固定部及び前記第２固定部は、それぞれ平坦な形状であることを特徴とする請求項１乃至５の何れか一項記載の接続端子。
【請求項７】
前記第１固定部は前記金属板の前記一方の面の一端側であり、前記第１接続部は前記金属板の他方の面の他端側であることを特徴とする請求項１乃至６の何れか一項記載の接続端子。
【請求項８】
前記第１固定部は前記金属板の前記一方の面の一端側であり、前記第１接続部は前記金属板の前記一方の面の他端側であることを特徴とする請求項１乃至６の何れか一項記載の接続端子。
【請求項９】
請求項１乃至８の何れか一項記載の接続端子を有し、
前記第１被接続物を、前記第１接続部及び前記第２接続部を介して前記第２被接続物に着脱可能な状態で接続するソケット。
【請求項１０】
前記接続端子を接合する基板を更に有し、
前記接続端子の前記第１固定部及び前記第２固定部は前記基板の一方の面に接合されており、
前記基板の前記一方の面の外縁部には、前記第１接続部及び前記第２接続部と前記第１被接続物とを位置決めする位置決め部が設けられている請求項９記載のソケット。
【請求項１１】
弾性変形可能なフープ状の金属板を準備し、前記金属板の一方の面の少なくとも一部を被覆する絶縁層を形成する第１工程と、
前記絶縁層の少なくとも一部に導電層を積層する第２工程と、
前記絶縁層及び前記導電層が積層された前記金属板の所定方向に一定間隔で複数のスリットを形成し、前記金属板の一端に形成された連結部で連結された、最終的に接続端子となる複数の細帯状の構造体を形成する第３工程と、
前記複数の細帯状の構造体を、前記絶縁層及び前記導電層が積層された方向に曲げて所定形状にする第４工程と、
前記金属板の一端側を切断し、所定形状に成形された前記複数の細帯状の構造体を前記連結部から分離して、所定形状に成形された複数の細帯状の接続端子を形成する第５工程と、を有する接続端子の製造方法。
【請求項１２】
前記金属板の端部であり前記絶縁層から露出する第１の露出部分と前記導電層の端部とが前記絶縁層の端部を挟んで前記金属板の長手方向に隣接するように配置されて、それぞれ第１固定部及び第２固定部となる請求項１１記載の接続端子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、第１被接続物と第２被接続物とを電気的に接続する接続端子及びその製造方法、並びに、前記接続端子を有するソケットに関する。
【背景技術】
【０００２】
所謂ＬＧＡ（Land  grid  array）の半導体パッケージでは、一方の側に格子状にパッドが配置されている。格子状に配置されたパッドは、例えば、樹脂基板にばね性を有する接続端子が貫通挿入されたＬＧＡ用ソケットを用いて、マザーボード等に接続される。このような半導体パッケージでは、高周波信号の伝送特性を良好に保つため、パッド配置に様々な工夫が施されている。以下に一例を示す。
【０００３】
図１は、従来の半導体パッケージのパッド配置の例を示す底面図である。半導体パッケージ２００は、所謂ＬＧＡ（Land  grid  array）であり、底面側に格子状にパッドが配置されている。パッド２１０Ｇは半導体パッケージの基準電位（ＧＮＤ）と電気的に接続されているパッドであり、パッド２１０Ｓはシングルエンド信号用のパッドである。パッド２１０Ｇとパッド２１０Ｓとは、交互に配置されている。なお、図１では、便宜上、パッド２１０Ｇを梨地で示している。
【０００４】
図２は、従来の半導体パッケージのパッド配置の他の例を示す底面図である。半導体パッケージ３００は、所謂ＬＧＡ（Land  grid  array）であり、底面側に格子状にパッドが配置されている。パッド３１０Ｇは半導体パッケージの基準電位（ＧＮＤ）と電気的に接続されているパッドであり、２個並設されている。パッド３１０Ｓはディファレンシャルエンド信号用のパッドであり、２個並設されている。パッド３１０Ｓが２個並設されているのは、各パッド３１０Ｓで伝送される信号の結合を高め、相互のノイズ成分を打ち消すためである。並設されたパッド３１０Ｇと並設されたパッド３１０Ｓとは、交互に配置されている。なお、図２では、便宜上、パッド３１０Ｇを梨地で示している。
【０００５】
一方、ＬＧＡ用ソケットの各接続端子は、一般的には単独で空間に露出しているため、ＧＮＤでシールドしないと特性インピーダンス不整合等が発生し、高周波信号の伝送特性を悪化させる虞がある。そこで、図１や図２に示すパッド配置に対応して高周波信号の伝送特性を良好に保つために、ＬＧＡ用ソケットの各接続端子をＧＮＤでシールドすることが好ましい。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１０−２７７８２９号公報
【特許文献２】特開平０９−０１７５３５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、半導体パッケージの高速化によりデータバス幅やチャネル数が増加する一方、半導体パッケージは小型化の方向にあるため、ＬＧＡ（Land  grid  array）の接続端子は狭ピッチ化しつつある。しかしながら、ＧＮＤでシールドした接続端子を狭ピッチ化することは困難である。
【０００８】
本発明は、上記の点に鑑みてなされたものであり、高周波信号の伝送特性を良好に保ちつつ、狭ピッチ化されたＬＧＡ（Land  grid  array）に対応可能な接続端子及びその製造方法、並びに前記接続端子を有するソケットを提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本接続端子は、第１被接続物と第２被接続物とを電気的に接続する接続端子であって、弾性変形可能な細帯状の金属板と、前記金属板の一方の面の少なくとも一部を被覆する絶縁層と、前記絶縁層の少なくとも一部に積層された導電層と、を有し、前記絶縁層及び前記導電層が積層された前記金属板は、前記絶縁層及び前記導電層が積層された方向に曲げられて所定形状をなし、前記金属板の前記絶縁層からの第１の露出部分と前記導電層の一部とが隣接するように配置されて、それぞれ第１固定部及び第２固定部となり、前記金属板の前記絶縁層からの第２の露出部分と前記導電層の他部とが隣接するように配置されて、それぞれ第１接続部及び第２接続部となり、前記第１固定部と前記第１接続部とが互いに外側を向くように、かつ、前記第２固定部と前記第２接続部とが互いに外側を向くように対向配置され、前記第１固定部及び前記第２固定部は、それぞれ前記第２被接続物の隣接するパッドに直接的又は間接的に固定可能であり、かつ、前記第１接続部及び前記第２接続部は、それぞれ前記第１被接続物の隣接するパッドと当接可能であることを要件とする。
【発明の効果】
【００１１】
開示の技術によれば、高周波信号の伝送特性を良好に保ちつつ、狭ピッチ化されたＬＧＡ（Land  grid  array）に対応可能な接続端子及びその製造方法、並びに前記接続端子を有するソケットを提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】従来の半導体パッケージのパッド配置の例を示す底面図である。
【図２】従来の半導体パッケージのパッド配置の他の例を示す底面図である。
【図３】第１の実施の形態に係るソケットを例示する断面図である。
【図４】図３の一部を拡大して例示する断面図である。
【図５】図３の一部を拡大して例示する平面図である。
【図６】第１の実施の形態に係る半導体パッケージのパッド配置の例を示す底面図である。
【図７】第１の実施の形態に係る半導体パッケージのパッド配置の他の例を示す底面図である。
【図８】第１の実施の形態に係る接続端子を例示する断面図である。
【図９】第１の実施の形態に係るソケットの製造方法を例示する図（その１）である。
【図１０】第１の実施の形態に係るソケットの製造方法を例示する図（その２）である。
【図１１】第１の実施の形態に係るソケットの製造方法を例示する図（その３）である。
【図１２】第１の実施の形態に係るソケットの製造方法を例示する図（その４）である。
【図１３】第１の実施の形態に係るソケットの製造方法を例示する図（その５）である。
【図１４】第１の実施の形態に係るソケットの製造方法を例示する図（その６）である。
【図１５】第１の実施の形態に係るソケットの製造方法を例示する図（その７）である。
【図１６】第１の実施の形態に係るソケットの製造方法を例示する図（その８）である。
【図１７】第１の実施の形態に係るソケットの製造方法を例示する図（その９）である。
【図１８】第１の実施の形態に係るソケットの製造方法を例示する図（その１０）である。
【図１９】第１の実施の形態に係るソケットの製造方法を例示する図（その１１）である。
【図２０】第１の実施の形態に係るソケットの製造方法を例示する図（その１２）である。
【図２１】第１の実施の形態に係るソケットを用いた接続方法を例示する図（その１）である。
【図２２】第１の実施の形態に係るソケットを用いた接続方法を例示する図（その２）である。である。
【図２３】第１の実施の形態の変形例１に係る接続端子を例示する断面図である。
【図２４】第１の実施の形態の変形例２に係るソケットを例示する断面図である。
【図２５Ａ】第１の実施の形態の変形例２に係る筐体の枠部を例示する平面図である。
【図２５Ｂ】第１の実施の形態の変形例２に係る筐体の枠部を例示する底面図である。
【図２５Ｃ】第１の実施の形態の変形例２に係る筐体の枠部を例示する斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、図面を参照して発明を実施するための形態について説明する。なお、各図面において、同一構成部分には同一符号を付し、重複した説明を省略する場合がある。
【００１４】
なお、以下の実施の形態及びその変形例では、一例として、半導体パッケージ及び基板の平面形状が矩形状である場合を示すが、半導体パッケージ及び基板の平面形状は矩形状には限定されず、任意の形状として構わない。
【００１５】
〈第１の実施の形態〉
［第１の実施の形態に係るソケットの構造］
図３は、第１の実施の形態に係るソケットを例示する断面図である。図４は、図３の一部を拡大して例示する断面図である。図５は、図３の一部を拡大して例示する平面図である。図３〜図５において、Ｘ方向は接続端子３０の配列方向、Ｙ方向はＸ方向と垂直で基板本体２１の第１主面２１ａに平行な方向、Ｚ方向は基板本体２１の第１主面２１ａに垂直な方向としている。図３及び図４は図５のＸＺ平面に平行な断面を図示しており、図５は接続端子３０のみを図示している。
【００１６】
図３〜図５を参照するに、ソケット１０は、基板２０と、接続端子３０と、位置決め部４０と、接合部５１及び５２とを有する。６０は第１被接続物である半導体パッケージを、７０は第２被接続物であるマザーボード等の実装基板を、８０は筐体を示している。半導体パッケージ６０は、ソケット１０を介して、離間可能な状態（固定されていない状態）で実装基板７０と電気的に接続されている。なお、第１の実施の形態では、第１被接続物として半導体パッケージ６０を例示して説明するが、第１被接続物は半導体チップを有さない配線基板等であっても構わない。
【００１７】
ソケット１０において、基板２０は、基板本体２１と、基板本体２１の第１主面２１ａに形成された第１導体層２２と、第２主面２１ｂに形成された第２導体層２３と、基板本体２１の第１主面２１ａから第２主面２１ｂに貫通する貫通孔２１ｘ内に形成されたビア配線２４とを有する。なお、基板本体２１の第１主面２１ａに形成され第１導体層２２の一部を露出する開口部を有するソルダーレジスト層、基板本体２１の第２主面２１ｂに形成され第２導体層２３の一部を露出する開口部を有するソルダーレジスト層を設けてもよい。
【００１８】
第１導体層２２と第２導体層２３とは、ビア配線２４を介して電気的に接続されている。ビア配線２４は、貫通孔２１ｘを充填しなくても構わない。第１導体層２２は、接続端子３０の第１固定部３１ａ（詳細は後述）及び第２固定部３３ａ（詳細は後述）と接続されるパッドとして機能する。第２導体層２３は、実装基板７０と接続されるパッドとして機能する。第１導体層２２のピッチは、例えば、１．２〜２．０ｍｍ程度とすることができる。
【００１９】
基板本体２１は、接続端子３０を固定するための基体となるものであり、例えば、ポリイミド樹脂や液晶ポリマ等を用いたフレキシブルなフィルム状基板を用いることができる。基板本体２１として、ガラスクロスにエポキシ系樹脂等の絶縁性樹脂を含浸したリジッドな基板（例えば、ＦＲ４材等）を用いても構わない。基板本体２１の厚さは、例えば１００〜８００μｍ程度とすることができる。
【００２０】
第１導体層２２、第２導体層２３、及びビア配線２４の材料としては、例えば、銅（Ｃｕ）等を用いることができる。第１導体層２２、第２導体層２３の厚さは、例えば、５〜５０μｍ程度とすることができる。第１導体層２２、第２導体層２３、及びビア配線２４は、例えば、セミアディティブ法やサブトラクティブ法等の各種配線形成方法により形成できる。
【００２１】
接続端子３０は、ばね性を有する導電性の部材である。接続端子３０の一端側にある第１固定部３１ａ及び第２固定部３３ａは、接合部５１を介して隣接する第１導体層２２と電気的及び機械的に接続されている。接続端子３０の他端側にある第１接続部３１ｂ（詳細は後述）及び第２接続部３３ｂ（詳細は後述）は、後述する半導体パッケージ６０の隣接するパッド６４に離間可能な状態（固定されていない状態）で当接し、隣接するパッド６４と電気的に接続されている。
【００２２】
領域Ａに配列された接続端子３０と、領域Ｂに配列された接続端子３０とは、概ね対向している。このような配列により、接続端子３０がＺ方向に押圧されたときに、横方向（Ｚ方向以外の方向）に生じる反力を低減できる。特に、接続端子３０の数が多いときに有効である。但し、例えば接続端子３０の数が比較的少ない場合のように、横方向（Ｚ方向以外の方向）に生じる反力が問題にならない場合には、領域Ａの接続端子３０と領域Ｂの接続端子３０とが同一方向を向くように配列しても構わない。なお、接続端子３０の詳細な構造については、後述する。
【００２３】
接合部５１は、第１導体層２２上に形成され、接続端子３０の第１固定部３１ａ及び第２固定部３３ａと隣接する第１導体層２２とを電気的及び機械的に接続している。接合部５１の材料としては、はんだや導電性樹脂ペースト（例えば、Ａｇペースト）等の導電性材料を用いることができる。接合部５１の材料としてはんだを用いる場合は、例えば、Ｐｂを含む合金、ＳｎとＣｕの合金、ＳｎとＡｇの合金、ＳｎとＡｇとＣｕの合金等を用いることができる。
【００２４】
位置決め部４０は、例えばエポキシ系樹脂等を主成分とする平面形状が額縁状の部材である。位置決め部４０の底面は、基板本体２１の第１主面２１ａの外縁部に接着剤等により固着されている。位置決め部４０は、ねじ等を用いて基板２０と機械的に固着しても構わない。位置決め部４０の内側面の形成する空間の平面形状は、後述の半導体パッケージ６０の基板６１の平面形状と略同一であり、半導体パッケージ６０を挿入可能に形成されている。
【００２５】
位置決め部４０の内側面は、挿入された半導体パッケージ６０の基板６１の側面と接し、半導体パッケージ６０とソケット１０とを位置決めする。これにより、半導体パッケージ６０の隣接するパッド６４と、ソケット１０の第１接続部３１ｂ及び第２接続部３３ｂとが当接する。位置決め部４０は、半導体パッケージ６０とソケット１０とを位置決めする機能に加えて、基板２０の強度を補強する機能も有する。
【００２６】
なお、位置決め部４０はソケット１０の必須の構成要素ではなく、例えば、位置決め部４０を設けずに、後述の筐体８０の枠部８１により半導体パッケージ６０を位置決めする構造にしても構わない。
【００２７】
接合部５２は、基板２０の第２導体層２３と実装基板７０の導体層７２（パッド）とを電気的及び機械的に接続している。接合部５２の材料としては、はんだや導電性樹脂ペースト（例えば、Ａｇペースト）等の導電性材料を用いることができる。接合部５２の材料としてはんだを用いる場合は、例えば、Ｐｂを含む合金、ＳｎとＣｕの合金、ＳｎとＡｇの合金、ＳｎとＡｇとＣｕの合金等を用いることができる。
【００２８】
なお、接合部５２はソケット１０の必須の構成要素ではなく、例えば、ソケット１０に接合部５２を設けずに、実装基板７０の導体層７２上にはんだや導電性樹脂接着剤等からなるバンプ等を設けても構わない。
【００２９】
次に、第１被接続物である半導体パッケージ６０、第２被接続物であるマザーボード等の実装基板７０、及び筐体８０について説明する。半導体パッケージ６０は、所謂ＬＧＡ（Land  grid  array）であり、基板６１と、半導体チップ６２と、封止樹脂６３と、パッド６４とを有する。基板６１は、例えば絶縁性樹脂を含む基板本体に絶縁層、配線パターン、ビア配線等（図示せず）が形成されたものである。基板６１の一方の面にはシリコン等を含む半導体チップ６２が実装され、他方の面にはパッド６４が形成されている。
【００３０】
パッド６４は、電気信号伝送用の配線パターンの一部であり、例えば、図６に示すように配置されている。図６を参照するに、パッド６４は、半導体パッケージ６０の基準電位（ＧＮＤ）と電気的に接続されているパッド６４Ｇと、シングルエンド信号用のパッドであるパッド６４Ｓとを有する。パッド６４Ｇとパッド６４Ｓとは、交互に配置されている。なお、図６では、便宜上、パッド６４Ｇを梨地で示している。但し、図６では、全てのパッドをパッド６４Ｇ及びパッド６４Ｓとしているが、一部の領域には半導体パッケージ６０の電源ラインと電気的に接続されているパッド等の半導体パッケージ６０の動作に必要なパッドが配置される。
【００３１】
パッド６４は、例えば、図７に示すように配置されていてもよい。図７を参照するに、パッド６４Ｇは半導体パッケージの基準電位（ＧＮＤ）と電気的に接続されているパッドであり、２個並設されている。パッド６４Ｓはディファレンシャルエンド信号用のパッドであり、２個並設されている。パッド６４Ｓが２個並設されているのは、各パッド６４Ｓで伝送される信号の結合を高め、相互のノイズ成分を打ち消すためである。並設されたパッド６４Ｇと並設されたパッド６４Ｓとは、交互に配置されている。なお、図７では、便宜上、パッド６４Ｇを梨地で示している。但し、図７では、全てのパッドをパッド６４Ｇ及びパッド６４Ｓとしているが、一部の領域には半導体パッケージ６０の電源ラインと電気的に接続されているパッド等の半導体パッケージ６０の動作に必要なパッドが配置される。
【００３２】
又、全ての半導体パッケージ６０の電気信号伝送用配線パターンが前述の通りではないが、高周波信号を良好に伝送するためには前述の配置が適用される場合が多い。
【００３３】
パッド６４の材料は、例えば、銅（Ｃｕ）等である。パッド６４の厚さは、例えば、５〜１０μｍ程度である。半導体チップ６２は、例えばフリップチップ接続により基板６１に搭載され、絶縁性樹脂からなる封止樹脂６３により封止されている。なお、半導体チップ６２の背面を露出するように封止樹脂６３を設け、半導体チップ６２の背面に例えば銅（Ｃｕ）等からなる放熱板を配置しても構わない。
【００３４】
なお、接続端子３０との接続信頼性を向上するために、パッド６４の上面に金属層を積層形成しても構わない。金属層としては、例えば、金（Ａｕ）層やパラジウム（Ｐｄ）層等の貴金属を含む層を用いることができる。金属層は、例えば、無電解めっき法等により形成できる。なお、金（Ａｕ）層の下層として、ニッケル（Ｎｉ）層やＮｉ／Ｐｄ層（Ｎｉ層とＰｄ層をこの順番で積層した金属層）等を形成しても構わない。金属層の厚さは、例えば、０．４μｍ程度とすることができる。
【００３５】
実装基板７０（マザーボード等）は、基板本体７１と、導体層７２（パッド）とを有する。導体層７２は、基板本体７１の一方の面に形成されている。基板本体７１は、例えば、ガラスクロスにエポキシ樹脂等の絶縁性樹脂を含浸したもの等である。導体層７２の材料は、例えば、銅（Ｃｕ）等である。
【００３６】
筐体８０は、枠部８１と、蓋部８２とを有する。枠部８１は、位置決め部４０の外側面の更に外側に設けられた平面形状が額縁状の部材である。枠部８１の材料としては、剛性のある金属や樹脂等を用いることが好ましい。枠部８１は、実装基板７０を貫通するボルト等（図示せず）により、実装基板７０の上面に固着されている。
【００３７】
蓋部８２は、例えば金属や樹脂等で形成される平面形状が略矩形状や略額縁状の部材である。蓋部８２は、例えば枠部８１の上面の一端側に回動可能に取り付けられており、他端側にロック機構を有する。蓋部８２の外縁部を枠部８１の上面と接するように固定する（ロックする）ことにより（図３及び図４の状態）、蓋部８２が半導体パッケージ６０を実装基板７０側に押し込み、半導体パッケージ６０は実装基板７０側に移動する。
【００３８】
これにより、ソケット１０の接続端子３０は押圧されＺ方向に縮んで所定のばね圧が生じ、半導体パッケージ６０の隣接するパッド６４は、それぞれ接続端子３０の第１接続部３１ｂ及び第２接続部３３ｂと当接する。つまり、半導体パッケージ６０はソケット１０を介して実装基板７０と電気的に接続される。但し、蓋部８２のロックを解除することにより、半導体パッケージ６０は、ソケット１０から着脱可能である。
【００３９】
なお、蓋部８２は、枠部８１とは別体でも構わない。この場合には、例えば、半導体パッケージ６０を蓋部８２により上側から押圧した状態で、蓋部８２が枠部８１に固定可能な構造であれば良い。
【００４０】
ここで、図８を参照しながら、接続端子３０の詳細な構造について説明する。図８は、第１の実施の形態に係る接続端子を例示する断面図である。図８を参照するに、接続端子３０は、金属板３１の所定部分に絶縁層３２を積層形成し、更に絶縁層３２の所定部分に導体層３３を積層形成した後、所定形状に湾曲させた部材であり、ばね性を有する。
【００４１】
金属板３１は、所定形状に成形（曲げ加工）された弾性変形可能な細帯状の金属部材である。金属板３１の材料としては、例えば、４２アロイ（鉄とニッケルの合金）やＣｕ系合金（リン青銅やベリリウム銅、コルソン系の銅合金等）等を用いることができる。金属板３１の表面にめっき膜を形成してもよい。例えば、金属板３１の表面にニッケル（Ｎｉ）めっき膜を形成してもよいし、ニッケル（Ｎｉ）めっき膜上に更にＡｕめっき膜を積層形成してもよい。金属板３１の厚さは、例えば、５０〜１００μｍ程度とすることができる。金属板３１の幅は、例えば、０．３〜０．５ｍｍ程度とすることができる。
【００４２】
絶縁層３２は、金属板３１の所定部分に積層形成されている。具体的には、金属板３１の一方の面の第１固定部３１ａを除く部分を被覆するように形成されている。但し、後述する連結部３０ｃや第２湾曲部３０ｄでは導体層３３が形成されていないため、この部分には必ずしも絶縁層３２を形成しなくても構わない。絶縁層３２の材料としては、例えば、エポキシ系やポリイミド系等の絶縁性樹脂を用いることができる。絶縁層３２の厚さは、例えば、２０〜３０μｍ程度とすることができる。
【００４３】
導体層３３は、絶縁層３２の所定部分に積層形成されている。具体的には、絶縁層３２の金属板３１と接しない側の面の少なくとも第２固定部３３ａ及び第２接続部３３ｂを含むように連続的に形成されている。なお、導体層３３は、絶縁層３２の第１固定部３１ａ側の端部には形成しないことが好ましい。第１固定部３１ａ及び第２固定部３３ａを接合部５１を介して基板２０の第１導体層２２（パッド）に接合する際に、金属板３１と導体層３３とが短絡しないようにするためである。導体層３３の材料としては、例えば、銅（Ｃｕ）等の導電性材料を用いることができる。導体層３３の厚さは、例えば、３〜３０μｍ程度とすることができる。
【００４４】
接続端子３０は、固定側端部３０ａと、第１湾曲部３０ｂと、連結部３０ｃと、第２湾曲部３０ｄとを有する。なお、これらは、接続端子３０を便宜上複数の部分に分割したものであり、これらは一体的に形成されている。
【００４５】
固定側端部３０ａは、接続端子３０の一端部の略直線状の部分である。固定側端部３０ａは、金属板３１の一部（金属板３１の絶縁層３２からの第１の露出部分）である第１固定部３１ａと、金属板３１に絶縁層３２を介して積層された導体層３３の一部である第２固定部３３ａとを含む。第１固定部３１ａは、接合部５１を介して基板２０の隣接する第１導体層２２（パッド）の一方と接合する部分となる。第２固定部３３ａは、接合部５１を介して基板２０の隣接する第１導体層２２（パッド）の他方と接合する部分となる。第１固定部３１ａ及び第２固定部３３ａは、それぞれ略平坦な形状とすることができる。第１固定部３１ａと第２固定部３３ａとのピッチは、第１導体層２２（パッド）のピッチに合わせて、例えば、１．２〜２．０ｍｍ程度とすることができる。
【００４６】
第１固定部３１ａと第２固定部３３ａとは、隣接する第１導体層２２（パッド）に対応する間隔に形成されている。平面Ｃは、基板２０の第１主面２１ａに平行な平面を示している。断面視において、第１固定部３１ａ及び第２固定部３３ａは、平面Ｃ（基板２０の第１主面２１ａ）に対して所定の角度θ傾いた状態で、接合部５１を介して第１導体層２２（パッド）に接合してもよい。角度θは、例えば、０〜０．１度程度とすることができる。
【００４７】
このように、第１固定部３１ａ及び第２固定部３３ａを基板２０の第１主面２１ａに対して所定の角度θ傾いた状態とすることにより、半導体パッケージ６０等が第１接続部３１ｂ及び第２接続部３３ｂを押圧した際の第１湾曲部３０ｂ（後述）の変形による基板２０と第１湾曲部３０ｂとの接触を防止することが可能となり、接続端子３０及び基板２０の破損を防止できる。
【００４８】
第１湾曲部３０ｂは、固定側端部３０ａに隣接する所定形状に湾曲した部分である。第１湾曲部３０ｂは、金属板３１に絶縁層３２を介して積層された導体層３３の一部である第２接続部３３ｂを含む。第２接続部３３ｂは、第１固定部３１ａ及び第２固定部３３ａの反対側（第１固定部３１ａ及び第２固定部３３ａから離間する方向）に突出するように湾曲しており、第１被接続物の隣接するパッド（例えば半導体パッケージ６０の導体層６４等）の一方と当接する部分となる。第２接続部３３ｂは第２固定部３３ａと電気的に接続されている。
【００４９】
第１湾曲部３０ｂは、例えば、Ｃ字型に湾曲した形状とされており、ばね性を有する。第１湾曲部３０ｂの機能については後述する。連結部３０ｃは、第１湾曲部３０ｂと第２湾曲部３０ｄとを連結する部分である。連結部３０ｃは、第１接続部３１ｂ及び第２接続部３３ｂ側から第１固定部３１ａ及び第２固定部３３ａ側に突出するように湾曲している。
【００５０】
第２湾曲部３０ｄは、連結部３０ｃに隣接する所定形状に湾曲した部分である。第２湾曲部３０ｄは、裏面に絶縁層３２が形成された金属板３１の一部である第１接続部３１ｂを含む。第１接続部３１ｂは、第１固定部３１ａ及び第２固定部３３ａの反対側（第１固定部３１ａ及び第２固定部３３ａから離間する方向）に突出するように湾曲しており、第１被接続物の隣接するパッド（例えば半導体パッケージ６０の導体層６４等）の他方と当接する部分となる。第１接続部３１ｂは、絶縁層３２が形成されていない金属板３１の他方の面（金属板３１の絶縁層３２からの第２の露出部分）の一部である。第１接続部３１ｂは第１固定部３１ａと電気的に接続されている。
【００５１】
第１接続部３１ｂと第２接続部３３ｂとは、第１被接続物の隣接するパッド（例えば半導体パッケージ６０の導体層６４等）に対応する間隔に形成されている。又、第１固定部３１ａと第１接続部３１ｂとは互いに外側を向くように、かつ、第２固定部３３ａと第２接続部３３ｂとは互いに外側を向くように対向配置されている。第１接続部３１ｂと第２接続部３３ｂとのピッチは、導体層６４（パッド）等のピッチに合わせて、例えば、０．４〜１．５ｍｍ程度とすることができる。このように、接続端子３０により、ピッチ変換できる。例えば、ピッチの狭い導体層６４（パッド）等（例えば、０．４〜１．５ｍｍ程度）を、第１導体層２２（パッド）のピッチ（例えば、１．２〜２．０ｍｍ程度）に変換できる。
【００５２】
第１湾曲部３０ｂは、半導体パッケージ６０等により第１接続部３１ｂ及び第２接続部３３ｂが押圧された際、第１接続部３１ｂ及び第２接続部３３ｂを導体層６４等に向かう方向に反発させることで、第１接続部３１ｂ及び第２接続部３３ｂと導体層６４等とを固定することなく当接させる機能を有する。但し、本実施の形態の接続端子３０では、実際には、固定側端部３０ａを除く部分が一体的にばねとして機能する。固定側端部３０ａを除く部分の接続端子３０のばね定数は、例えば、０．６〜０．８Ｎ／ｍｍとすることができる。
【００５３】
第１接続部３１ｂ及び第２接続部３３ｂは、例えば半導体パッケージ６０が第１接続部３１ｂ及び第２接続部３３ｂを押圧した際、第１湾曲部３０ｂの変形により、第１接続部３１ｂ及び第２接続部３３ｂがそれぞれ固定側端部３０ａに近づく方向（Ｚ方向）に移動した状態で、隣接する導体層６４等と当接する。これにより、隣接する導体層６４等と第１接続部３１ｂ及び第２接続部３３ｂとが当接した際、第１接続部３１ｂ及び第２接続部３３ｂが、隣接する導体層６４等が形成された面と平行な方向に大きく移動することがなくなるため、導体層６４等を狭ピッチに配置できる。導体層６４等のピッチは、例えば、０．４〜１．５ｍｍ程度とすることができる。
【００５４】
図８に示す状態（接続端子３０の第１接続部３１ｂ及び第２接続部３３ｂが押圧されていない状態）における接続端子３０の高さＨは、例えば、１〜２ｍｍ程度とすることができる。
【００５５】
接続端子３０が、例えば、図６に示すパッド６４と当接する場合、第１接続部３１ｂ及び第２接続部３３ｂの何れか一方がパッド６４Ｇと当接し、他方はパッド６４Ｇに隣接するパッド６４Ｓと当接する。このように、本実施の形態では、１個の接続端子３０でシングルエンド信号を伝送する場合には、信号がＧＮＤでシールド（遮蔽）されるため、クロストークノイズ等の影響を受け難くできる。又、マイクロストリップライン構造を応用した特性インピーダンスの整合が可能となり、シングルエンド信号の伝送特性を高周波帯域まで向上できる。
【００５６】
又、接続端子３０が、例えば、図７に示すパッド６４と当接する場合、所定位置の接続端子３０の第１接続部３１ｂ及び第２接続部３３ｂは隣接するパッド６４Ｇと当接し、それに隣接して配置される接続端子３０の第１接続部３１ｂ及び第２接続部３３ｂは隣接するパッド６４Ｓと当接する。隣接するパッド６４Ｓと当接する第１接続部３１ｂ及び第２接続部３３ｂの一方は差動信号を構成する一方の信号を伝送し、他方は差動信号を構成する他方の信号を伝送する。このように、本実施の形態では、１個の接続端子３０でディファレンシャルエンド信号を伝送する場合には、差動信号を構成する一方の信号と他方の信号との間隔を最小化することが可能となり、一方の信号と他方の信号の放射ノイズを相殺できる。そのため、ディファレンシャルエンド信号の伝送特性を高周波帯域まで向上できる。
【００５７】
なお、本実施の形態では、接続端子３０の一端である第１固定部３１ａ及び第２固定部３３ａは、基板２０を介して、それぞれ第２被接続物である実装基板７０の隣接する導体層７２（パッド）に間接的に電気的及び機械的に接続されている。しかし、第１固定部３１ａ及び第２固定部３３ａは、基板２０を介さずに、それぞれ第２被接続物である実装基板７０の隣接する導体層７２（パッド）に直接的に電気的及び機械的に接続してもよい。この場合には、位置決め部４０を実装基板７０側に設け、接続端子３０の一端である第１固定部３１ａ及び第２固定部３３ａを、接合部５１を介して実装基板７０の隣接する導体層７２（パッド）と電気的及び機械的に接続すればよい。
【００５８】
［第１の実施の形態に係るソケットの製造方法］
次に、図９〜図２０を参照しながら、ソケット１０の製造方法について説明する。最初に図９〜図１７を参照しながら、接続端子３０の製造方法について説明する。なお、図９〜図１４において、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は断面図である。又、図１５〜図２０は、断面図である。なお、便宜上、図９〜図１４の平面図（Ａ）に断面図（Ｂ）と同様のハッチングを施している。
【００５９】
まず、図９に示す工程では、フープ状の金属板３１を準備し、金属板３１の一方の面を粗化する。金属板３１の材料としては、例えば、４２アロイ（鉄とニッケルの合金）やＣｕ系合金（リン青銅やベリリウム銅、コルソン系の銅合金等）等を用いることができる。金属板３１の厚さは、例えば、５０〜１００μｍ程度とすることができる。金属板３１の一方の面の粗化は、エッチングやブラスト処理等により行うことができる。
【００６０】
次に、図１０に示す工程では、金属板３１の一方の面に絶縁層３２を形成する。絶縁層３２は、最終的に接続端子３０の第１固定部３１ａとなる部分を露出し、その他の部分を被覆するように形成する。絶縁層３２は、例えば、シート状の絶縁性樹脂を金属板３１の一方の面の第１固定部３１ａとなる部分以外にラミネートすることにより形成できる。絶縁層３２は、金属板３１の一方の面の第１固定部３１ａとなる部分をマスクした後、金属板３１の一方の面に液状又はペースト状の絶縁性樹脂を塗布することにより形成してもよい。絶縁層３２は、例えば、熱硬化性のエポキシ系絶縁性樹脂等を用いることができる。熱硬化性の絶縁性樹脂を用いた場合には、金属板３１の一方の面に絶縁性樹脂をラミネート又は塗布した後、所定温度に加熱して絶縁層３２を硬化させる。絶縁層３２の厚さは、例えば、２０〜３０μｍ程度とすることができる。
【００６１】
次に、図１１に示す工程では、金属板３１の一方の面の絶縁層３２上に導体層３３を形成する。導体層３３は、最終的に接続端子３０の第２固定部３３ａ及び第２接続部３３ｂとなる部分を含むように連続的に形成する。導体層３３は、例えば、絶縁層３２上に導体層３３を形成する部分を露出するマスク（レジスト層等）を形成し、マスクから露出する絶縁層３２上に無電解めっきを施すことにより形成できる。導体層３３は、マスクから露出する絶縁層３２上に無電解めっき法で金属層を形成し、金属層を給電層とする電解めっき法により形成してもよい。導体層３３の材料としては、例えば、銅（Ｃｕ）等の導電性材料を用いることができる。導体層３３の厚さは、例えば、３〜３０μｍ程度とすることができる。
【００６２】
次に、図１２に示す工程では、図１１に示す構造体にスリット３１ｘを形成する。スリット３１ｘは、図１１に示す構造体を貫通する孔であり、プレス加工等により形成できる。スリット３１ｘは、所定の間隔を隔てて上下方向（Ｙ方向）に形成された一組のスリット３１ｘが、更に左右方向（Ｘ方向）に一定間隔で複数列並設されるように形成する。左右方向（Ｘ方向）に隣接する一組のスリット３１ｘの間の部分が、最終的に個片化されて１つの接続端子３０となる。
【００６３】
この工程においてスリット３１ｘを設ける理由は、後述の工程において最終的に接続端子３０の側面となる部分にもめっき膜を形成するためである。又、上下方向（Ｙ方向）のスリット３１ｘの間に所定の間隔を設けた理由は、この部分を無くして上下方向（Ｙ方向）に隣接するスリット３１ｘを１つにまとめると、後述の工程において、導体層３３上に電解めっきを施すことが困難となるためである（給電が困難となるためである）。なお、図１０〜図１２に示す工程において、絶縁層３２の厚さ、導体層３３の厚さ、及び左右方向（Ｘ方向）に隣接する一組のスリット３１ｘの間隔（最終的に接続端子３０の導体層３３の幅となる）を調整することにより、接続端子３０の特性インピーダンスを所望の値（例えば、５０Ω）に設定できる。
【００６４】
次に、図１３に示す工程では、図１２に示す構造体の金属板３１及び導体層３３の絶縁層３２と接してない部分にめっき膜３４を形成する。めっき膜３４は、例えば、金属板３１及び導体層３３を給電層とする電解めっき法により形成できる。めっき膜３４は、例えば、ニッケル（Ｎｉ）めっき膜とすることができる。又、めっき膜３４として、ニッケル（Ｎｉ）めっき膜と金（Ａｕ）めっき膜とを積層してもよい（ニッケル（Ｎｉ）めっき膜が下層、金（Ａｕ）めっき膜が上層となる）。ニッケル（Ｎｉ）めっき膜の厚さは、例えば、１〜３μｍ程度とすることができる。金（Ａｕ）めっき膜の厚さは、例えば、０．３〜０．５μｍ程度とすることができる。なお、導体層３３を厚くしたい場合には、めっき膜３４を形成する前に、金属板３１及び導体層３３の絶縁層３２と接してない部分に電解銅めっき膜を形成してもよい。
【００６５】
次に、図１４に示す工程では、連結部３５を残してスリット３１ｘの上下方向（Ｙ方向）を除去し、スリット３１ｙを形成する。スリット３１ｙは、例えば、プレス加工等により形成できる。この工程で、一端に形成された連結部３５で連結された、最終的に接続端子３０となる複数の細帯状の構造体が形成される。
【００６６】
次に、図１５〜図１７に示す工程では、図１４に示す複数の細帯状の構造体を所定形状に成形する。具体的には、図１５に示すように、図１４に示す複数の細帯状の構造体を曲げ加工治具１００に押し込んで、図１６に示すように、曲げ加工治具１００の内側面に沿った形状に変形させる。これにより、図８に示した固定側端部３０ａ、第１湾曲部３０ｂ、及び連結部３０ｃの形状ができあがる。
【００６７】
次に、図１７に示す工程では、例えば、円柱の一部に長手方向に沿った溝を形成した先端丸め用治具１１０を準備し、図１６に示す構造体の連結部３５の他端側を先端丸め用治具１１０の溝に挿入する。そして、先端丸め用治具１１０を矢印１２０の方向に回して変形（湾曲）させる。これにより、図８に示した第２湾曲部３０ｄの形状ができあがる。その後、図１７右側に示す構造体の連結部３５を切断することにより、所定形状に成形された複数の細帯状の接続端子３０（図８参照）が完成する。
【００６８】
但し、作業性を考慮して、図１６に示す工程の後、連結部３５で連結された細帯状の構造体の数量が所定数になるように予め連結部３５を切断してから、図１７に示す工程に移行してもよい。なお、図８及び図１５〜図１７において、図１３等に示すめっき膜３４は図示が省略されている。
【００６９】
続いて、図１８〜図２０を参照しながら、接続端子３０を用いたソケット１０の製造方法について説明する。なお、図１８〜図２０は断面図であり、図１８〜図２０において接続端子３０等は図３等とは上下が反転した状態で描かれている。
【００７０】
まず、図１８に示す工程では、複数の溝１３０ｘが形成された配列治具１３０を準備し、複数の接続端子３０を各溝１３０ｘに挿入する。接続端子３０は、第１接続部３１ｂ及び第２接続部３３ｂが溝１３０ｘの底部に接し、第１固定部３１ａ及び第２固定部３３ａが溝１３０ｘから露出するように挿入する。
【００７１】
次に、図１９に示す工程では、第１固定部３１ａ及び第２固定部３３ａに、それぞれ接合部５１を形成する。接合部５１の材料としては、はんだや導電性樹脂ペースト（例えば、Ａｇペースト）等の導電性材料を用いることができる。接合部５１の材料としてはんだを用いる場合は、例えば、Ｐｂを含む合金、ＳｎとＣｕの合金、ＳｎとＡｇの合金、ＳｎとＡｇとＣｕの合金等を用いることができる。接合部５１は、はんだペーストの塗布やはんだボールの搭載等により形成できる。
【００７２】
次に、図２０に示す工程では、第２導体層２３上に接合部５２が形成された基板２０を準備し、基板２０の第１導体層２２が接合部５１と接するように基板２０を配置する。そして、基板２０、接続端子３０、接合部５１及び５２、及び治具１３０をリフロー炉に通し、接合部５１及び５２を例えば２３０℃に加熱して溶融させた後、常温に戻して硬化させる。これにより、基板２０と接続端子３０とは接合部５１を介して接合される。
【００７３】
次に、治具１３０を取り外し、基板２０の第１主面２１ａの外縁部に接着剤等により位置決め部４０を固着する（図示せず）。位置決め部４０は、例えばエポキシ系樹脂等を主成分とする平面形状が額縁状の部材である。位置決め部４０は、ねじ等を用いて基板２０と機械的に固着しても構わない。なお、位置決め部４０を設けずに、後述の筐体８０の枠部８１により半導体パッケージ６０を位置決めする構造等の場合には、位置決め部４０を固着する工程は不要である。以上の図９〜図２０に示す工程により、接続端子３０を有するソケット１０（図３等参照）が完成する。
【００７４】
なお、図１９及び図２０に示す工程は、以下のようにしてもよい。すなわち、図１９に示す接合部５１を図２０に示す基板２０の第１導体層２２に予め形成しておく。そして、第１導体層２２に接合部５１が形成された基板２０を、接合部５１が配列治具１３０に挿入された接続端子３０の第１固定部３１ａ及び第２固定部３３ａと接するように配置する。これにより図２０と同様の状態になる。その後、前述のようにリフロー炉に通し、接合部５１及び５２を例えば２３０℃に加熱して溶融させた後、常温に戻して硬化させる。これにより、基板２０と接続端子３０とは接合部５１を介して接合される。
【００７５】
［第１の実施の形態に係るソケットの使用方法］
次に、図２１及び図２２を参照しながら、ソケット１０を用いた半導体パッケージ６０と実装基板７０との接続方法について説明する。
【００７６】
まず、図２１に示すように、実装基板７０及びソケット１０を準備する。そして、実装基板７０とソケット１０とを、接合部５２を介して接合し電気的及び機械的に接続する。具体的には、実装基板７０の導体層７２とソケット１０の接合部５２とを当接させる。そして、接合部５２を例えば２３０℃に加熱して溶融させ、その後硬化させて、実装基板７０とソケット１０とを接合する。これにより、ソケット１０は、接合部５２を介して実装基板７０と電気的及び機械的に接続される。
【００７７】
次いで、図２２に示すように、筐体８０を準備し、筐体８０の枠部８１を実装基板７０を貫通するボルト等（図示せず）により、実装基板７０の上面に固着する。そして、筐体８０の蓋部８２を開けて半導体パッケージ６０を位置決め部４０に挿入し、基板６１の側面が位置決め部４０の内側面に接するように配置する。但し、この時点では、接続端子３０は押圧されていない。半導体パッケージ６０は、位置決め部４０によりソケット１０と位置合わせされ、半導体パッケージ６０の隣接するパッド６４は各接続端子３０の第１接続部３１ｂ及び第２接続部３３ｂと当接する。
【００７８】
更に、蓋部８２を矢印方向に回動させて、半導体パッケージ６０を実装基板７０側に押し込み、蓋部８２の外縁部が枠部８１の上面と接するように固定（ロック）する。これにより、接続端子３０は押圧されＺ方向に縮んで所定のばね圧が生じ、半導体パッケージ６０の隣接するパッド６４は各接続端子３０の第１接続部３１ｂ及び第２接続部３３ｂと電気的に接続される。つまり、半導体パッケージ６０はソケット１０を介して実装基板７０と電気的に接続される（図３及び図４の状態）。
【００７９】
このように、第１の実施の形態では、１個の接続端子３０で複数の信号を伝送することが可能となるため、狭ピッチ化されたＬＧＡ（Land grid array）に対応したソケットを供給できる。
【００８０】
又、１個の接続端子３０でシングルエンド信号を伝送する場合には、信号がＧＮＤでシールド（遮蔽）されるため、クロストークノイズ等の影響を受け難くできる。又、マイクロストリップライン構造を応用した特性インピーダンスの整合が可能となり、シングルエンド信号の伝送特性を高周波帯域まで向上できる。
【００８１】
更に、１個の接続端子３０でディファレンシャルエンド信号を伝送する場合には、差動信号を構成する一方の信号と他方の信号との間隔を最小化することが可能となり、一方の信号と他方の信号の放射ノイズを相殺できる。そのため、ディファレンシャルエンド信号の伝送特性を高周波帯域まで向上できる。
【００８２】
又、接続端子３０により、ピッチの狭い半導体パッケージ６０等のパッドをピッチの広いマザーボード等の実装基板７０等のパッドに接続可能となる。つまり、接続端子３０により、ピッチ変換が可能となる。
【００８３】
〈第１の実施の形態の変形例１〉
第１の実施の形態の変形例１では、接続端子３０とは一部の形状が異なる接続端子９０を例示する。なお、第１の実施の形態の変形例１において、既に説明した実施の形態と同一構成部品についての説明は省略する。
【００８４】
図２３は、第１の実施の形態の変形例１に係る接続端子を例示する断面図である。図２３を参照するに、接続端子９０は、連結部３０ｃが連結部９０ｃに、第２湾曲部３０ｄが第２湾曲部９０ｄに置換された点が、接続端子３０と相違する。
【００８５】
連結部９０ｃ及び第２湾曲部９０ｄは、それぞれ連結部３０ｃ及び第２湾曲部３０ｄと形状が異なるのみであり、連結部３０ｃ及び第２湾曲部３０ｄと同様に機能する。接続端子３０では、第１固定部３１ａは金属板３１の一方の面の一端側であり、第１接続部３１ｂは金属板３１の他方の面の他端側であった。これに対して、接続端子９０では、第１固定部３１ａは金属板３１の一方の面の一端側であり、第１接続部３１ｂは金属板３１の一方の面の他端側となっている。これは、以下のような製造工程の相違による。
【００８６】
接続端子９０は、接続端子３０と略同一の工程で製造できる。但し、図１５に示す曲げ加工治具１００の内側面の形状を接続端子９０の連結部９０ｃ及び第２湾曲部９０ｄに対応するように修正し、図１７に示す工程では、連結部３５の他端側を先端丸め用治具１１０の溝に挿入して、先端丸め用治具１１０を接続端子３０とは反対方向に回して変形させる必要がある。
【００８７】
このように、曲げ加工治具１００の内側面の形状や連結部３５の先端の曲げ方向等を適宜選択することにより、所望の形状の接続端子を製造できる。
【００８８】
〈第１の実施の形態の変形例２〉
第１の実施の形態では、基板２０上に位置決め部４０を設け、位置決め部４０により半導体パッケージ６０を位置決めする例を示した。第１の実施の形態の変形例２では、基板２０上に位置決め部４０を設けず、筐体の枠部に位置決め部の機能を持たせ、半導体パッケージ６０を位置決めする例を示す。なお、第１の実施の形態の変形例２において、既に説明した実施の形態と同一構成部品についての説明は省略する。
【００８９】
図２４は、第１の実施の形態の変形例２に係るソケットを例示する断面図である。図２４を参照するに、ソケット１０Ａにおいて、基板２０上に位置決め部４０が設けられていない点、及び筐体８０Ａの枠部８３が半導体パッケージ６０を位置決めしている点が、第１の実施の形態のソケット１０（図３及び図４参照）と相違する。
【００９０】
図２５Ａ〜図２５Ｃは、第１の実施の形態の変形例２に係る筐体の枠部を例示する図である。図２５Ａが平面図、図２５Ｂが底面図、図２５Ｃが斜視図である。図２５Ａ〜図２５Ｃを参照するに、枠部８３は、中央に矩形状の開口部８３ｘを有する額縁状の部材に第１の位置決め保持部８４と、第２の位置決め保持部８５とを設けたものであり、樹脂や金属等から形成されている。枠部８３は、半導体パッケージ６０及び基板２０の位置決め及び保持をし、それぞれを位置合わせする機能を有する。又、枠部８３は、半導体パッケージ６０と基板２０との間隔が所定値以下になることを防止する機能を有する。
【００９１】
第１の位置決め保持部８４は、面８４ａと面８４ｂとを有する。面８４ａは、枠部８３の上面８３ａよりも内側の、上面８３ａよりも一段下がった位置に、上面８３ａと略平行に額縁状に設けられた面である。面８４ｂは、面８４ａと上面８３ａとの間に上面８３ａと略垂直に設けられた面であり、枠部８３の内側面の一部である。
【００９２】
面８４ａは、半導体パッケージ６０の基板６１の下面の外縁部と接している。面８４ｂの形成する開口部の形状は、半導体パッケージ６０の平面形状に合わせて矩形状とされている。又、面８４ｂの形成する開口部の形状は、半導体パッケージ６０の着脱を可能とするため、基板６１の外形形状よりも若干大きくされている。面８４ｂと基板６１の側面とは、接していても構わないし、ソケット１０Ａの接続端子３０の第１接続部３１ｂ及び第２接続部３３ｂと半導体パッケージ６０の隣接するパッド６４との間に位置ずれが生じない程度の隙間があっても構わない。
【００９３】
半導体パッケージ６０は、第１の位置決め保持部８４により保持されるため、第１の位置決め保持部８４の面８４ａよりも実装基板７０側に押し込まれることはない。その結果、半導体パッケージ６０が必要以上に実装基板７０側に押し込まれ、接続端子３０が必要以上に変形して破損することを防止できる。
【００９４】
第２の位置決め保持部８５は、枠部８３の下面８３ｂの外縁部に複数個設けられた、下面８３ｂから突起する突起部である。第２の位置決め保持部８５は、内側面８５ａと底面８５ｂとを有する。複数の第２の位置決め保持部８５にはソケット１０Ａの基板２０が圧入され、下面８３ｂ及び複数の第２の位置決め保持部８５の内側面８５ａは、それぞれ基板２０の上面の外縁部及び側面と接している。
【００９５】
内側面８５ａの形成する開口部の形状は、基板２０の平面形状に合わせて矩形状とされている。又、内側面８５ａの形成する開口部の形状は、基板２０の圧入を可能とするため、基板２０の外形形状と略同一とされている。各第２の位置決め保持部８５の底面８５ｂから枠部８３の下面８３ｂまでのそれぞれの高さは、実装基板７０の上面から基板２０の上面までの高さと略同一であり、各第２の位置決め保持部８５の底面８５ｂは実装基板７０の上面と接している。
【００９６】
なお、枠部８３は実装基板７０には固定されていないが、ソケット１０Ａが、接合部５２により実装基板７０に固定されているため、基板２０が圧入されている枠部８３も、間接的に実装基板７０に固定されていることになる。但し、基板２０を枠部８３に圧入することにより、枠部８３を間接的に実装基板７０に固定する構造に代えて、枠部８３を実装基板７０を貫通するボルト等により、実装基板７０の上面に固着する構造としても構わない。
【００９７】
このように、第１の実施の形態の変形例２によれば、第１の実施の形態と同様の効果を奏するが、更に、以下の効果を奏する。すなわち、筐体の枠部に位置決め部の機能を持たせることにより、基板上に位置決め部を設けなくても第１被接続物である半導体パッケージ等を位置決めすることができる。
【００９８】
又、第１被接続物である半導体パッケージ等と基板との間隔が所定値以下にならないため、第１被接続物である半導体パッケージ等が必要以上に実装基板側に押し込まれ、接続端子が必要以上に変形して破損することを防止できる。
【００９９】
以上、好ましい実施の形態及びその変形例について詳説したが、上述した実施の形態及びその変形例に制限されることはなく、特許請求の範囲に記載された範囲を逸脱することなく、上述した実施の形態及びその変形例に種々の変形及び置換を加えることができる。
【０１００】
例えば、第１の実施の形態及びその変形例において、基板２０の両面に接続端子３０を設け、基板２０の一方の側に設けた接続端子３０により半導体パッケージ６０と導通をとり、基板２０の他方の側に設けた接続端子３０により実装基板７０と導通をとるようにしてもよい。この構成により、基板２０は実装基板７０に固定されることなく着脱可能となるため、接続端子３０が破損したような場合であっても、容易に基板２０を良品と交換できる。
【０１０１】
又、第１の実施の形態及びその変形例において、第２被接続物としてマザーボード等の実装基板を例示した。しかしながら、第２被接続物はマザーボード等の実装基板には限定されず、半導体パッケージテスト用基板等であってもよい。第２被接続物が半導体パッケージテスト用基板である場合には、半導体パッケージの電気特性等のテストを繰り返し実施することが可能となる。
【０１０２】
又、本発明に係る接続端子をインターポーザに使用しても構わない。
【符号の説明】
【０１０３】
１０、１０Ａ  ソケット
２０  基板
２１  基板本体
２１ａ  基板本体の第１主面
２１ｂ  基板本体の第２主面
２１ｘ  貫通孔
２２  第１導体層
２３  第２導体層
２４  ビア配線
３０、９０  接続端子
３０ａ  固定側端部
３０ｂ  第１湾曲部
３０ｃ、９０ｃ  連結部
３０ｄ、９０ｄ  第２湾曲部
３１  金属板
３１ａ  第１固定部
３１ｂ  第１接続部
３１ｘ、３１ｙ  スリット
３２  絶縁層
３３  導体層
３３ａ  第２固定部
３３ｂ  第２接続部
３４  めっき膜
３５  連結部
４０  位置決め部
５１、５２  接合部
６０  半導体パッケージ
６１  基板
６２  半導体チップ
６３  封止樹脂
６４、６４Ｇ、６４Ｓ  パッド
７０  実装基板
７１  基板本体
７２  導体層
８０、８０Ａ  筐体
８１、８３  枠部
８２  蓋部
８３ａ  上面
８３ｂ  下面
８３ｘ  開口部
８４  第１の位置決め保持部
８４ａ、８４ｂ  面
８５  第２の位置決め保持部
８５ａ  内側面
８５ｂ  底面
１００  曲げ加工治具
１１０  先端丸め用治具
１２０  矢印
１３０  配列治具
１３０ｘ  溝
Ａ、Ｂ  領域
Ｃ  平面
θ  角度
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５Ａ】
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【図２５Ｂ】
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【図２５Ｃ】
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