(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基部、
前記基部から第１方向に延出している一対の振動腕、
及び前記基部から突出し、平面視で、前記一対の振動腕を間に挟むように前記第１方向に延出している一対の支持腕、
を含む振動片と、
前記振動片が収納部に収容され、且つ、前記支持腕の開放端側が前記収納部に取り付けられ、前記収納部が蓋体により気密に封止されているパッケージと、
を含み、
前記振動腕は、
その主面において、
開放端側に設けられている錘層と、
前記錘層よりも前記基部側に設けられている周波数調整部と、
を含む、と共に、
前記収容部の底面との間、及び前記蓋体との間に狭隙を有するように配置され、
前記振動片の前記第１方向に沿った長さをＬ１、
前記振動腕の開放端から前記周波数調整部の当該開放端側の端までの前記第１方向に沿った長さをＰとしたとき、
０．０８９≦Ｐ／Ｌ１≦０．１３４
の関係を満足しており、
前記振動片と前記収納部の前記底面との狭隙と、前記振動片と前記蓋体との狭隙と、の和が、４０μｍ以上９０μｍ以下であることを特徴とする振動デバイス。
【請求項２】
請求項１において、
前記振動腕の前記第１方向と直交する第２方向に沿った幅をＷ１、
前記支持腕の前記第２方向に沿った幅をＷ２としたとき、
０．０５ｍｍ≦Ｗ１≦０．１５ｍｍ
０．０５ｍｍ≦Ｗ２≦０．１５ｍｍ
を満足していることを特徴とする振動デバイス。
【請求項３】
請求項２において、
Ｗ２＜Ｗ１
を満足していることを特徴とする振動デバイス。
【請求項４】
請求項１乃至３の何れか一項において、
前記振動腕の厚さは、０．０７ｍｍ以上０．１３ｍｍ以下であることを特徴とする振動デバイス。
【請求項５】
請求項１乃至４の何れか一項において、
前記支持部が、前記収納部にシリコーン系、エポキシ系、ビスマレイミド系及びポリイミド系のいずれかからなる接合材により取り付けられていることを特徴とする振動デバイス。
【請求項６】
請求項１乃至５の何れか一項において、
前記振動腕の互いに表裏の関係にある第１の主面及び第２の主面の少なくとも何れかに
溝部が設けられていることを特徴とする振動デバイス。
【請求項７】
請求項１乃至６の何れか一項において、
前記振動片を駆動させる回路部を含むことを特徴とする振動デバイス。
【請求項８】
請求項１乃至７の何れか一項に記載の振動デバイスを備えていることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パッケージに水晶などの圧電振動片を収容した振動デバイス、およびそれを用いた電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話、ＩＣカードなどの携帯機器などには、圧電振動片の一例として水晶振動片を
用いた水晶振動子などの圧電デバイスが広く用いられている（例えば、特許文献１、特許
文献２参照）。従来の圧電デバイスを、図５（ａ）、（ｂ）示し説明する。図５（ａ）、
（ｂ）は、従来の圧電デバイスの一例として水晶振動子の構成を示す正断面図である。
【０００３】
先ず、特許文献１に提示されている従来の水晶振動子について図５（ａ）に沿って説明
する。水晶振動子１００は、例えばセラミックなどで形成されたパッケージ１０２の凹部
のパッケージ底面１０４に形成された接続電極１０６に水晶振動片１０１が導電性接着剤
１０５により接続されている。水晶振動片１０１は、図示されていないが基部と該基部か
ら延設された一対の振動腕とを有しており、基部の部分で接続電極１０６に接続されてい
る。一対の振動腕の先端部の表面および裏面には、周波数調整用の錘層１０７が形成され
ている。接続電極１０６は、パッケージ底面１０４と段差となるように形成されており、
この接続電極１０６上に水晶振動片１０１が接続されている。この接続によって、パッケ
ージ底面１０４と水晶振動片１０１との間に空隙を有することになる。パッケージ１０２
の凹部を形成する壁部の上面には、蓋体１０３（リッドとも呼ばれる）が接合されている
。このとき、蓋体１０３と水晶振動片１０１との間に十分な空隙を有するようにパッケー
ジ１０２の壁部が形成されている。
【０００４】
また、図５（ｂ）に示す特許文献２に提示されている従来の水晶振動子１１０は、パッ
ケージ底面１０４と水晶振動片１０１との間に十分な空隙を確保するため、パッケージ底
面１０４の一部に凹部１０８が設けられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００９−２９０７７８号公報
【特許文献２】特開２００８−１１８５０１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、前述の従来の水晶振動子１００，１１０では、落下などにより水晶振動
片１０１の垂直方向に過度の衝撃力が加わると、水晶振動片１０１は、水晶振動片１０１
と接続電極１０６の接続位置を支点として変形する。この変形により、図５（ａ）の１点
鎖線１０１ａ，１０１ｂで示すように、支点から最も遠い一対の振動腕の先端が蓋体１０
３、あるいはパッケージ底面１０４に衝突する。この衝突により周波数調整用の錘層１０
７の、特に強度的に弱い振動腕の先端角部の破損、あるいは振動腕の先端部に形成されて
いる錘層を除去する際の溶融残渣の変形・脱落などが起こり、共振周波数シフト、ＣＩ値
低下などの振動特性の劣化を生じる虞があった。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
本発明のある形態に係る振動デバイスは、基部、前記基部から第１方向に延出している一対の振動腕、及び前記基部から突出し、平面視で、前記一対の振動腕を間に挟むように前記第１方向に延出している一対の支持腕、を含む振動片と、前記振動片が収納部に収容され、且つ、前記支持腕の開放端側が前記収納部に取り付けられ、前記収納部が蓋体により気密に封止されているパッケージと、を含み、前記振動腕は、その主面において、開放端側に設けられている錘層と、前記錘層よりも前記基部側に設けられている周波数調整部と、を含む、と共に、前記収容部の底面との間、及び前記蓋体との間に狭隙を有するように配置され、前記振動片の前記第１方向に沿った長さをＬ１、前記振動腕の開放端から前記周波数調整部の当該開放端側の端までの前記第１方向に沿った長さをＰとしたとき、
０．０８９≦Ｐ／Ｌ１≦０．１３４
の関係を満足しており、前記振動片と前記収納部の前記底面との狭隙と、前記振動片と前記蓋体との狭隙と、の和が、４０μｍ以上９０μｍ以下であることを特徴とする。
本発明のある別の形態に係る振動デバイスは、前記振動腕の前記第１方向と直交する第２方向に沿った幅をＷ１、前記支持腕の前記第２方向に沿った幅をＷ２としたとき、
０．０５ｍｍ≦Ｗ１≦０．１５ｍｍ
０．０５ｍｍ≦Ｗ２≦０．１５ｍｍ
を満足していることを特徴とする。
本発明のある別の形態に係る振動デバイスは、Ｗ２＜Ｗ１を満足していることを特徴とする。
本発明のある別の形態に係る振動デバイスは、前記振動腕の厚さは、０．０７ｍｍ以上０．１３ｍｍ以下であることを特徴とする。
本発明のある別の形態に係る振動デバイスは、前記支持部が、前記収納部にシリコーン系、エポキシ系、ビスマレイミド系及びポリイミド系のいずれかからなる接合材により取り付けられていることを特徴とする。
本発明のある別の形態に係る振動デバイスは、前記振動腕の互いに表裏の関係にある第１の主面及び第２の主面の少なくとも何れかに溝部が設けられていることを特徴とする。  本発明のある別の形態に係る振動デバイスは、前記振動片を駆動させる回路部を含むことを特徴とする。
本発明のある別の形態に係る電子機器は、前記振動デバイスを備えていることを特徴とする。
【０００８】
［適用例１］本適用例に係る圧電デバイスは、基部と、前記基部から互いに並行するよ
うに延出された振動腕と、前記基部から延出され、前記振動腕を挟むように前記振動腕の
それぞれの側面に並行して形成された支持腕と、複数の前記振動腕のそれぞれの開放端近
傍の主面に形成された錘層と、前記開放端と間隙を有し前記錘層が除去された周波数調整
部と、を有する圧電振動片と、収容部に前記圧電振動片を収容し、前記収納部と蓋体とが
気密に封止されるパッケージと、を有し、前記支持腕の一部と前記収納部とが接合部によ
って接続され、前記圧電振動片は、前記収容部の底面との間および前記蓋体との間に狭隙
を有することを特徴とする。
【０００９】
本適用例に記載の圧電デバイスによれば、圧電振動片に形成された錘層の除去された周
波数調整部が、振動腕の開放端と間隙を有して形成されている。このため、落下などによ
り圧電デバイスの垂直方向に過度の衝撃力が加わった際に振動腕の先端の角部が蓋体ある
いはパッケージ底面に衝突しても、周波数調整部または周波数調整部の近傍に直接大きな
衝撃が加わることを防止することが可能となる。これにより、錘層を除去する際の溶融残
渣の変形・脱落などによる共振周波数シフト、ＣＩ値低下などの振動特性の劣化を防止す
ることができる。また、圧電振動片は収容部の底面との間および蓋体との間に従来よりも
狭い空隙（以下において狭隙と記す）を有するので、過度の衝撃力が加わった際に振動腕
の広い面積で蓋体あるいはパッケージ底面に面接触して衝撃を吸収できるので局所破壊が
低減できる。
【００１０】
［適用例２］上記適用例に記載の圧電デバイスにおいて、前記周波数調整部の前記開放
端側の端は、前記振動腕の前記開放端から前記周波数調整部の前記開放端側の端までの間
隔Ｐと、前記基部の端から前記開放端までの振動腕の長さＬ１との相関で、０．０８９≦
Ｐ／Ｌ１≦０．１３４の範囲に設けられていることを特徴とする。
【００１１】
本適用例に記載の圧電デバイスによれば、周波数調整部の開放端側の端までの間隔Ｐが
振動腕の長さＬ１との相関で、０．０８９≦Ｐ／Ｌ１≦０．１３４の範囲に設けられてい
る。周波数調整部の開放端側の端までの間隔Ｐを上記範囲とすることにより、圧電デバイ
スの垂直方向に過度の衝撃力が加わった際、圧電振動片に生じる回転モーメントが大きく
加わる領域から周波数調整部がはずれることになる。これにより、錘層を除去する際の溶
融残渣の変形・脱落などによる共振周波数シフト、ＣＩ値低下などの振動特性の劣化を防
止することができる。
【００１２】
［適用例３］上記適用例に記載の圧電デバイスにおいて、前記狭隙は、前記圧電振動片
と前記底面との距離、および前記圧電振動片と前記蓋体と距離との和が、４０μｍ以上９
０μｍ以下であることを特徴とする。
【００１３】
本適用例に記載の圧電デバイスによれば、圧電振動片と底面との距離、および圧電振動
片と蓋体と距離との和を４０μｍ以上７０μｍ以下とすることにより、圧電デバイスの垂
直方向に過度の衝撃力が加わった際、圧電振動片の平面（主面）が蓋体或いはパッケージ
底面に衝突する。
即ち、圧電振動片の振動腕の先端の回転モーメントが大きくなって圧電振動片の振動腕
の先端が大きく振れる前に、支持腕の振れ（変形）による圧電振動片の変形によって、圧
電振動片の平面（主面）が蓋体或いはパッケージ底面に衝突する。この衝突では、圧電振
動片の平面（主面）全体で蓋体或いはパッケージ底面に当たるため、衝撃力が分散し、圧
電振動片の単位面積当たりに加わる衝撃力が小さくなる。これにより、前述の適用例に加
えてさらに、錘層を除去する際の溶融残渣の変形・脱落などを防止する効果が大きくなり
、共振周波数シフト、ＣＩ値低下などの振動特性の劣化をさらに効果的に防止することが
できる。
【００１４】
［適用例４］上記適用例に記載の圧電デバイスにおいて、前記振動腕のそれぞれのおも
て面および／または裏面には、溝部が形成されていることを特徴とする。
【００１５】
本適用例に記載の圧電デバイスによれば、振動腕のそれぞれのおもて面および／または
裏面には、溝部が形成されていることにより、より小型の圧電振動片を提供することが可
能となる。
【００１６】
［適用例５］本適用例に係る電子機器は、上記適用例のいずれか一つに記載の圧電デバ
イスと、少なくとも前記圧電デバイスを駆動させる機能を有する回路部と、が収納されて
いることを特徴とする。
【００１７】
本適用例に記載の電子機器によれば、上記適用例に記載の薄型、および振動特性の安定
した圧電デバイスが収納されていることから、小型薄型且つ特性の安定した電子機器を提
供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】第１実施形態の圧電デバイスとしての水晶振動子を示す斜視図。
【図２】第１実施形態の圧電デバイスとしての水晶振動子示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は錘層除去前の状態を示す（ａ）のＡ−Ａ’から見た正断面図、（ｃ）は錘層除去後の状態を示す（ａ）のＡ−Ａ’から見た正断面図。
【図３】第２実施形態の水晶振動子に衝撃が加わった際の水晶振動片の変形の状態を説明する図であり、（ａ）は、（ｂ）の左側面図、（ｂ）は、図２のＡ−Ａ’から見た正断面図。
【図４】本発明に係る圧電デバイスとしての水晶振動子の実施例の効果を示すグラフ。
【図５】従来の圧電デバイスの一例として水晶振動子の構成を示す正断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
（第１実施形態）
以下、本発明に係る実施形態について、以下に図面を用いて説明する。図１および図２
は、本発明に係る第１実施形態の圧電デバイスとしての水晶振動子を示し、図１は、斜視
図、図２（ａ）は平面図、（ｂ）、（ｃ）は（ａ）のＡ−Ａ’から見た正断面図である。
なお、図２（ｂ）は錘層除去前の状態を示す図であり、（ｃ）は錘層除去後の状態を示す
図である。
【００２０】
図１および図２に示すように、圧電デバイスの一例としての水晶振動子１０は、パッケ
ージ１１の収容部１３に圧電振動片の一例としての水晶振動片１４が接続され、リッドと
もよばれる蓋体２４（図２（ｂ）参照）によって気密に封止されている。なお、図１、お
よび図２（ａ）では、蓋体２４を省略し、図示していない。
【００２１】
パッケージ１１は、例えば、セラミックなどで形成されており、平面視の中央部に底面
１２を有した収容部１３が形成されている。この収容部１３が、水晶振動片１４の収納キ
ャビティとなる。なお、本例では収納部１３を凹形状とし、蓋体を平板形状としたが、逆
の構成として、平板形状の収納部と凹形状の蓋体とを用いてもよい。
さらに底面１２には、水晶振動片１４を載置して接続するための接続パッド１９が形成
されている。なお、底面１２およびその周辺には、接続パッド１９などと接続された配線
パターンなども形成されるが、本説明では省略している。
接続パッド１９の上面には、水晶振動片１４の支持腕１７が載置され、導電性接着剤２
０などによる接合部２５により接続されている。
【００２２】
接続パッド１９は、収容部１３の底面１２に所定の厚さをもって形成されており、この
厚さによって水晶振動片１４は、底面１２と空隙を持って固定されることになる。なお、
接続パッド１９は、例えば、タングステン（Ｗ）などをメタライズすることによって形成
される。
【００２３】
導電性接着剤２０は、例えば、シリコーン系導電性接着剤、エポキシ系導電性接着剤、
ビスマレイミド系導電性接着剤、或いはポリイミド形導電性接着剤などの、硬化後に柔軟
性を有する導電性接着剤が好ましい。これは、この柔軟性が外部からの衝撃力を吸収する
効果を有しているためであり、この衝撃力の吸収により水晶振動片１４の破損を減少させ
ることが可能となる。
【００２４】
導電性接着剤２０は、その多くが金属フィラーと樹脂材料と有機溶剤とで構成されてい
る。例えば、水晶振動子で一般的によく使用される、シリコーン系導電性接着剤の主な構
成成分は、Ａｇフィラー・シリコーン樹脂・デカンなどのアルカンである。溶剤にはその
他のアルカンが用いられることもある。導電性接着剤２０は、セラミックベース上にディ
スペンサー等を用いて適量吐出され、その後ただちに、水晶振動片１４が乗せられる。そ
の後、加熱硬化炉にて加熱することで、溶剤の揮発・樹脂の硬化架橋反応が起こり、接着
剤としての機械的強度の確保および、形状の保持が達成される。ここで、接着剤は硬化反
応させる前であっても表面より溶剤の揮発が進行し、その粘性を徐々に失っていき、ある
程度の形状保持能力を発現する。この導電性接着剤２０を用いることにより、水晶振動片
１４の自重よりも溶剤が揮発した接着剤の形状保持能力の方が上回るようになり、水晶振
動片１４の厚み方向における、例えば垂れ下がりなどが起こり難くなり、水晶振動片１４
の接合位置精度を高めることが可能となる。
【００２５】
水晶振動片１４は、基部１６からほぼ平行に延伸して開放端２７を有する一対の振動腕
１５と、振動腕１５のそれぞれの外側面を挟むように基部１６から延伸して開放端２６を
有する一対の支持腕１７とが、水晶基板から一体に形成されている。以降、振動腕１５の
開放端２７の近傍部分を振動腕１５の先端部、支持腕１７の開放端２６の近傍部分を支持
腕１７の先端部という。本例の水晶振動片１４は、３２．７６８ＫＨｚの共振周波数を有
するように形状が設定されている。本例では、基部端１６ａからの振動腕１５の長さ（Ｌ
１）は、２．１５〜２．３０ｍｍ、基部端１６ａからの支持腕１７の長さ（Ｌ２）は、１
．１５〜１．３５ｍｍ、厚さは、０．０７〜０．１３ｍｍ、一対の支持腕１７外側面間の
幅寸法即ち水晶振動片の幅寸法は、０．５ｍｍ〜０．８ｍｍに設定されている。また、一
対の支持腕１７の幅寸法（Ｗ２）は、０．０５〜０．１５ｍｍ、振動腕１５の幅寸法（Ｗ
１）は、０．０５〜０．１５ｍｍに設定されるが、振動腕１５の幅寸法（Ｗ１）が、支持
腕１７の幅寸法（Ｗ２）よりも僅かに大きく設定されることが、変形のし易さなどから望
ましい。
【００２６】
振動腕１５のそれぞれのおもて面と裏面には、基部１６に近い部分から中央部付近まで
凹状の溝部１８が形成されている。溝部１８は、振動腕１５に形成される励振電極（図示
せず）の電界効率を高め振動特性を向上させるために形成される。
なお、本例では、振動腕１５のおもて面と裏面の両面に溝部１８が形成された構成を用
いて説明したがこれに限らず、溝部１８は、おもて面或いは裏面のいずれか一面に形成さ
れている構成でもよい。
【００２７】
さらに、振動腕１５それぞれの先端部のおもて面と裏面には、錘層２１が形成されてい
る。錘層２１は、例えば、金（Ａｕ）或いは銀（Ａｇ）などの金属で形成されている。な
お、図２（ｂ）に示すように錘層２１は、以下で説明する粗調領域２２も含む領域に形成
される。本例の錘層２１の長さ（Ｒ）は、振動腕１５の開放端２７から０．６ｍｍ程度に
設定されている。
【００２８】
錘層２１は、０．１μｍ〜２．０μｍの厚みを持ち振動腕１５の共振周波数の粗い合わ
せ込み調整（粗Ｆ調、粗調などともいう。以下「粗調」という。）を行うために設けられ
る。粗調では、レーザー光などを用いて錘層２１を除去することによって共振周波数の合
わせ込み調整（周波数調整）が行われる。
このレーザー光による錘層２１の除去は、レーザー光エネルギーにより錘層２１を溶融
、蒸発させて行う。このときレーザー光は、集光されてエネルギー強度が均一となるよう
に調整される。しかしながら、集光されたレーザー光は、中心部のエネルギーが強く外周
に近づくほどエネルギーが弱くなる傾向となる。これにより、レーザー光の外周部付近が
照射された錘層２１の一部には、蒸発が完全にできず山状に盛り上がった溶融残渣を生じ
ることになる。
【００２９】
本例では、振動腕１５の開放端２７から間隙を空けた領域、換言すると、開放端２７に
近い部分の錘層２１を残し、錘層２１の中間部から基部１６に近い側に向かって設けられ
る周波数調整部としての粗調領域２２において粗調を行う。
図２（ｃ）には、粗調後の錘層２１と、錘層２１が除去された粗調領域２２とが示され
ている。
粗調領域２２は、振動腕１５の開放端２７から粗調領域２２の開放端２７側の粗調領域
端２２ａまでの間隔（距離）Ｐ（粗調開始位置ともいう）を、下記式（１）の範囲にする
ことが望ましい。
０．０８９≦Ｐ／Ｌ１≦０．１３４・・・（１）
（Ｌ１は、基部端１６ａから開放端２７までの振動腕１５の長さである。）
なお、振動腕１５の開放端２７から粗調領域２２の基部１６側の粗調領域端２２ｂまでの
距離Ｒは、粗調量によって異なるが、開放端２７側の粗調領域端２２ａから２００μｍ〜
３００μｍ程度である。
【００３０】
また、図示しないが溝部１８と錘層２１との間には、Ｃｒ膜、Ａｕ膜で形成された厚さ
０．１μｍ程度の金属膜が設けられている。
【００３１】
なお、本例では、振動腕１５のおもて面と裏面の両面に錘層２１が形成された構成を用
いて説明したがこれに限らず、錘層２１は、おもて面或いは裏面のいずれか一面に形成さ
れている構成でもよい。
また、上記例では、粗調領域２２は、基部１６側に錘層２１を若干残した構成で説明し
たがこれに限らない。粗調領域２２は、錘層２１の基部１６側の端まで形成されていても
よい。
【００３２】
前述の構成の水晶振動子１０によれば、水晶振動片１４に形成された錘層２１の除去さ
れた周波数調整部としての粗調領域２２が、振動腕１５の開放端２７と間隙を有して形成
されている。このため、落下などにより水晶振動片１４の垂直方向に過度の衝撃力が加わ
った際に振動腕１５の先端（開放端２７）の角部が蓋体２４あるいは底面１２に衝突して
も、粗調領域２２または粗調領域２２の近傍に直接大きな衝撃が加わることを防止するこ
とが可能となる。これにより、錘層２１を除去する際の溶融残渣の変形・脱落などによる
共振周波数シフト、ＣＩ値低下などの振動特性の劣化を防止することができる。
【００３３】
さらに、粗調領域２２の開放端２７側の端までの間隔Ｐが、振動腕１５の長さＬ１との
相関で０．０８９≦Ｐ／Ｌ１≦０．１３４の範囲に設けられている。粗調領域２２の開放
端２７側の端までの間隔Ｐを上記範囲とすることにより、水晶振動子１０の垂直方向に過
度の衝撃力が加わった際、水晶振動片１４に生じる回転モーメントが大きく加わる領域か
ら粗調領域２２がはずれることになる。これにより、錘層２１を除去する際の溶融残渣の
変形・脱落などによる共振周波数シフト、ＣＩ値低下などの振動特性の劣化を前述に加え
てさらに防止することができる。
【００３４】
（第２実施形態）
さらに、前述の図２（ｂ）を参照して、第２実施形態の圧電デバイスとしての水晶振動
子を説明する。なお、前述の第１実施形態と同様の構成については、同符号を付けて説明
を省略する。
【００３５】
水晶振動子１０は、水晶振動片１４と蓋体２４との狭隙Ｇ１（間隔）と、水晶振動片１
４と収容部１３の底面１２との狭隙Ｇ２（間隔）との和が５０μｍ以上１３０μｍ以下と
なるように接続されている。なお、下限値の５０μｍは、現状における加工（組み立て）
が可能な最小の値であり、上限の１３０μｍは、カスタマーからの水晶振動子１０の厚さ
要望を加味した最大値を示している。
なお、本例では、水晶振動片１４と蓋体２４との狭隙Ｇ１が、３０μｍ程度、水晶振動
片１４と収容部１３の底面１２との狭隙Ｇ２が、３０μｍ程度を狙い値としており、双方
の狭隙の和が６０μｍとなっている。
【００３６】
このような構成の水晶振動子１０に、例えば、落下などの衝撃が加わった時の水晶振動
片１４の変形について図３（ａ）および（ｂ）を用いて説明する。図３（ｂ）は、図２の
Ａ−Ａ’断面を示す正断面図であり、図３（ａ）は、（ｂ）の左側面図である。
【００３７】
図３（ａ）に示すように、水晶振動子１０に矢印Ｆで示す方向に衝撃力が加わった場合
の水晶振動片１４の変形について説明する。
二点鎖線で示す水晶振動片１４は、先ず接合部２５を支点として支持腕１７が基部１６
側に向かって蓋体２４の方向に撓むように変形し（変形した支持腕１７を変形支持腕１７
ａとして示す。）、支持腕１７が変形した変形支持腕１７ａと繋がっている基部１６およ
び振動腕１５が蓋体２４に接触する。
水晶振動片１４と蓋体２４との空間が大きく設定された場合では、この後、支点として
の接合部２５からの距離が長く、回転モーメントの大きな振動腕１５の先端が大きく変形
することになる。
しかし、本例では、水晶振動片１４と蓋体２４との空隙（狭隙）が３０μｍと小さいた
め、回転モーメントの大きな振動腕１５の先端が僅かながら先に蓋体２４と接触し、その
後順次振動腕１５、基部１６が蓋体２４に倣うように面接触するようになる。
【００３８】
従って、開放端２７の角部に大きな衝撃が加わることがなくなり、衝撃力の集中する開
放端２７の角部が破損することを防ぐことができる。また、極端に大きな力ではないにし
ても、当初接触する振動腕１５の開放端２７から間隙を空けて粗調領域２２が設けられて
いることから、粗調領域２２は、衝撃・圧力が分散する面状に接触する状態となり、粗調
の際に形成された溶融残渣の脱落、変形などが生じ難くなる。これにより、開放端２７の
角部の破損、あるいは溶融残渣の脱落、変形などによる共振周波数のシフト、ＣＩ値低下
などの振動特性の劣化を防止することが可能となる。
このような構成とすることによって、錘層２１を除去する際の溶融残渣の変形・脱落な
どによる共振周波数シフト、ＣＩ値低下などの振動特性の劣化を、さらに効果的に防止す
ることができる。
【００３９】
なお、底面１２の側についても、蓋体２４の側と同様な変形を生じることになる。これ
によって、底面１２の側についても、蓋体２４の側と同様な効果を有することとなる。
【００４０】
図４に、前述の実施形態による水晶振動子１０の振動腕１５の開放端２７から粗調領域
２２の開放端２７側の粗調領域端２２ａまでの間隔（距離）Ｐである粗調開始位置と、水
晶振動子１０に対して垂直方向の単体落下前後の水晶振動子１０の共振周波数の変化率と
の相関を示す。
図４によれば、振動腕１５の開放端２７から粗調領域２２の開放端２７側の粗調領域端
２２ａまでの間隔（距離）Ｐ（粗調開始位置）を、下記式（１）の範囲にすることにより
、水晶振動子１０に対して垂直方向の単体落下における該当使用目的の一般的な水晶振動
子の許容共振周波数変化率を十分満たすことができることがわかる。
０．０８９≦Ｐ／Ｌ１≦０．１３４・・・（１）
（Ｌ１は、基部端１６ａから開放端２７までの振動腕１５の長さである。）
【００４１】
（電子機器）
以下、図示しないが、上記圧電デバイスとしての水晶振動子１０を搭載した電子機器に
ついて、説明する。
【００４２】
電子機器の一例としてカード型情報形態端末に適用することが可能である。カード型情
報形態端末は、筐体と、筐体に収納された前述の実施形態で説明した水晶振動子１０と、
少なくとも水晶振動子１０を発振させる機能および通信機能を有する回路部とを含んでい
る。
【００４３】
また、電子機器の一例として携帯電話に適用することも可能である。携帯電話は、アン
テナ部、音声出力部、音声入力部、操作部、及び表示部、制御回路部などを備えており、
制御回路部と前述の実施形態で説明した水晶振動子１０とが接続されている。
【００４４】
このように搭載されている水晶振動子１０は、小型、薄型であるとともに安定した電気
特性を有しており、電子機器の小型化、特性の安定化に寄与することができる。
【００４５】
なお、上記で説明した電子機器は一例であり、特に小型、薄型と安定的な電気的特性が
望まれる電子機器に好適に用いることが可能である。
【符号の説明】
【００４６】
１０…圧電デバイスとしての水晶振動子、１１…パッケージ、１２…底面、１３…収容
部、１４…圧電振動片としての水晶振動片、１５…振動腕、１６…基部、１６ａ…基部端
、１７…支持腕、１７ａ…変形支持腕、１８…溝部、１９…接続パッド、２０…導電性接
着剤、２１…錘層、２２…周波数調整部としての粗調領域、２２ａ…開放端側の粗調領域
端、２２ｂ…基部側の粗調領域端、２４…蓋体、２５…接合部、２６…支持腕の開放端、
２７…振動腕の開放端。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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