(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のパッケージコンタクトに接続される基板と、
前記基板内に組み込まれるダイと、
前記ダイの熱ホットスポットにおいて前記ダイに接続され、前記複数のパッケージコンタクトの少なくとも１つに前記ダイの熱ホットスポットを接続する、前記基板内に形成される複数の熱ビアであって、前記複数の熱ビアに属する１つの熱ビアが、前記ダイの熱ホットスポットに属する１つの熱ホットスポットを実質的に覆うように、少なくとも２つの重畳する円の結合と実質的に同一の断面形状を有する複数の熱ビアと、
を備える製品。
【請求項２】
前記ダイがアクティブ面と背面とを有し、前記複数の熱ビアが前記ダイの背面に接続され、前記ダイのホットスポットと前記複数のパッケージコンタクトの少なくとも１つとの間に熱通路を提供する、請求項１に記載の製品。
【請求項３】
前記ダイのホットスポットにおいて前記ダイの背面に堆積される銅めっきをさらに備え、前記銅めっきが、前記複数の熱ビアに前記ダイのホットスポットを熱的に接続する、請求項２に記載の製品。
【請求項４】
前記基板が第１の面と第２の面とを有し、前記第１の面が複数のパッケージコンタクトに接触し、前記製品が、前記第２の面に接続されるフリップチップダイをさらに備える、請求項１に記載の製品。
【請求項５】
前記基板が第１の基板部分、コア及び第２の基板部分を備え、前記ダイが前記コア内に組み込まれる、請求項１に記載の製品。
【請求項６】
前記複数の熱ビアが、前記第１の基板部分内にのみ組み込まれる、請求項５に記載の製品。
【請求項７】
前記基板が、前記複数のパッケージコンタクト及び前記第１の基板部分に接触する金属層をさらに備える、請求項５に記載の製品。
【請求項８】
前記複数の熱ビアが、前記金属層の少なくとも一部に接触する、請求項７に記載の製品。
【請求項９】
コア、第１基板、第２基板、複数のパッケージコンタクト、並びに前記複数のパッケージコンタクト及び前記第１基板に接触する金属層を備えるパッケージ基板と、
前記パッケージ基板のコアに組み込まれるダイと、
少なくとも前記金属層の一部に接触する前記パッケージ基板内の複数の熱ビアであって、前記複数の熱ビアが、前記ダイの熱ホットスポットにおいて前記ダイに接続され、前記複数のパッケージコンタクトの少なくとも１つに前記ダイの熱ホットスポットを接続し、前記複数の熱ビアに属する１つの熱ビアが、前記ダイの熱ホットスポットに属する１つの熱ホットスポットを実質的に覆うように、少なくとも２つの重畳する円の結合と実質的に同一の断面形状を有する複数の熱ビアと、
前記複数の熱ビアに接触し、前記ダイの熱ホットスポットにおいて前記ダイに堆積される銅めっきであって、前記複数の熱ビアに前記ダイの熱ホットスポットを熱的に接続し、前記ダイのアクティブ面の１つ又はそれ以上の装置に電気接続を与える銅めっきと、
を備える製品。
【請求項１０】
前記複数の熱ビアが導電性である、請求項１に記載の製品。
【請求項１１】
前記複数の熱ビアの少なくとも１つから前記複数のパッケージコンタクトの少なくとも１つまでの伝熱通路を提供するために前記基板内に形成されるトレースをさらに備える、請求項１に記載の製品。
【請求項１２】
前記複数の熱ビアが、前記ダイの熱ホットスポットに関して実質的に集中するように前記ダイの底面に沿って位置する、請求項１に記載の製品。
【請求項１３】
前記複数の熱ビアに属する前記熱ビアに関連する断面形状が、前記ダイの熱ホットスポットを完全に覆うように形成される外郭を有する、請求項１に記載の製品。
【請求項１４】
組み込まれたダイを有する基板と、
前記組み込まれたダイからの熱を分散するように構成された複数のパッケージコンタクトと、
前記組み込まれたダイのホットスポットを前記複数のパッケージコンタクトに熱的に接続するように構成された複数の熱ビアであって、前記複数の熱ビアが、前記熱ホットスポットにおいて前記組み込まれたダイに接続され、前記組み込まれたダイの熱ホットスポットを実質的に覆うように少なくとも２つの重畳する円の結合と実質的に同一の断面形状を有する、熱的に接続するように構成された複数の熱ビアと、
を備える装置。
【請求項１５】
前記組み込まれたダイが、アクティブ面と背面とを有し、前記熱を分散する複数のパッケージコンタクトに前記ホットスポットを熱的に接続する複数の熱ビアが、前記ホットスポットと前記熱を分散する複数のパッケージコンタクトとの間に熱通路を提供するために前記組み込まれたダイの背面に接続される、請求項１４に記載の装置。
【請求項１６】
前記組み込まれたダイのホットスポットを前記組み込まれたダイからの熱を分散する複数のパッケージコンタクトに熱的に接続する複数の熱ビアが、前記組み込まれたダイの背面に堆積される銅めっきを含む、請求項１５に記載の装置。
【請求項１７】
フリップチップダイをさらに備え、前記基板が、前記組み込まれたダイからの熱を分散する複数のパッケージコンタクトに接触する第１の面と、前記フリップチップダイに接続される第２の面とを有する、請求項１４に記載の装置。
【請求項１８】
前記基板が、第１の基板部分、第２の基板部分及びコアを含み、前記ダイが、前記基板のコアに組み込まれる、請求項１４に記載の装置。
【請求項１９】
前記組み込まれたダイのホットスポットを前記組み込まれたダイからの熱を分散する複数のパッケージコンタクトに熱的に接続する複数の熱ビアが、前記第１の基板部分にのみ組み込まれる、請求項１８に記載の装置。
【請求項２０】
前記基板が、前記第１の基板部分及び前記組み込まれたダイからの熱を分散する複数のパッケージコンタクトに接触する金属層をさらに備える、請求項１８に記載の装置。
【請求項２１】
前記組み込まれたダイからの熱を分散する複数のパッケージコンタクトが、前記金属層の少なくとも一部と接触する、請求項２０に記載の装置。
【請求項２２】
前記組み込まれたダイのホットスポットを前記組み込まれたダイからの熱を分散する複数のパッケージコンタクトに熱的に接続する複数の熱ビアが、前記ダイのアクティブ面の１つ又はそれ以上の装置に電気接続を与える手段を含み、前記電気接続を与える手段が、前記ホットスポットにおいて前記組み込まれたダイに堆積される、請求項２１に記載の装置。
【請求項２３】
前記組み込まれたダイのホットスポットを前記組み込まれたダイからの熱を分散する複数のパッケージコンタクトに熱的に接続する複数の熱ビアが、導電性である、請求項１４に記載の装置。
【請求項２４】
前記組み込まれたダイからの熱を分散する複数のパッケージコンタクトと、前記組み込まれたダイのホットスポットを前記組み込まれたダイからの熱を分散する複数のパッケージコンタクトに熱的に接続する複数の熱ビアとの間に、伝熱通路を提供する手段をさらに備え、前記伝熱通路を提供する手段が、前記基板内に形成される、請求項１４に記載の装置。
【請求項２５】
前記組み込まれたダイのホットスポットを前記組み込まれたダイからの熱を分散する複数のパッケージコンタクトに熱的に接続する複数の熱ビアが、前記組み込まれたダイの底面に沿って位置し、前記組み込まれたダイの熱ホットスポットに関して実質的に集中する複数の熱ビアを含む、請求項１４に記載の装置。
【請求項２６】
前記組み込まれたダイのホットスポットを前記組み込まれたダイからの熱を分散する複数のパッケージコンタクトに熱的に接続する複数の熱ビアに関連する断面形状が、前記組み込まれたダイの熱ホットスポットを完全に覆うように形成される外郭を有する、請求項１４に記載の装置。
【請求項２７】
前記組み込まれたダイを有する基板を収納する第１の基板及び第２の基板をさらに備える、請求項１４に記載の装置。
【請求項２８】
集積回路パッケージをさらに備え、そこに組み込まれる前記ダイ及びそこに形成される前記複数の熱ビアを有する前記基板が、前記集積回路パッケージ内に収納される、請求項１に記載の製品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、集積回路パッケージに関連し、特に集積回路パッケージからの熱の除去に関連する。
【背景技術】
【０００２】
電子システム−イン−パッケージ（又はパッケージ−イン−パッケージ）技術において、単一のパッケージは、１つ又は複数のダイスを備え、これらのダイスの１つ又は複数は、それら自体の個々のパッケージの中にある。図１に一例が与えられる。図１は、単純化された、フリップチップ積層モジュールパッケージの平面図（等寸ではない）の図示である。ダイ１０２は、フリップチップ化されており、そのアクティブ面がパッケージ基板１０４に面している。正式にはＣ４工法（Controlled Collapse Chip Connection）の蒸着バンププロセスと呼ばれるフリップチッププロセスにおいて、導電バンプ１０６は、ダイ１０２のアクティブ面に形成され、パッドに半田付けされる。次いで、半田バンプが付けられたダイ１０２は、パッケージ基板１０４に接続パッドを適合するように表を下にして配置され、パッケージ基板１０４は、多層の有機基板であり得る。ダイ１０２のアクティブ面とパッケージ基板１０４との間に電気接続を提供するように導電バンプ１０６がパッケージ基板１０４にパッドを半田付けされるように、組立体はリフローされる。導電バンプ１０６はまた、ダイ１０２とパッケージ基板１０４との間に耐荷重性接続を与える。通常、導電バンプは半田を含む。導電バンプ１０６が複数のパッケージコンタクト１０８の少なくとも幾つかに電気的に接続されるように、パッケージ基板１０４は電気接続を含む。
【０００３】
パッケージ１１０は、ダイ１０２の背面に取り付けられる。これは、ワイヤボンドパッケージであり、ダイ１１２は、パッケージ基板１１４に取り付けられ、電気接続は、ダイ１１２のアクティブ面からパッケージ基板１１４のパッドまでのワイヤボンドを用いて提供される。一例として、符号１１６が付されたこのようなワイヤボンドの１つが示される。基板パッケージ１１４の外面のパッドからのワイヤボンドは、パッケージ基板１０４に対する電気接続を与える。例えば、符号１１８が付されたこのようなワイヤボンドが示される。ダイ１２０は、パッケージ１１０に取り付けられ、ダイ１２０は、パッケージ基板１０４にワイヤボンドされる。例えば、符号１２２が付されたこのようなワイヤボンドの１つが示される。
【０００４】
場合によってはアンダーフィルと称されるエポキシ樹脂は、ダイ１０２とパッケージ基板１０４との間の熱膨張係数（ＣＴＥ）の差を補償するのを助け、湿害を避けるために付けられる。組立体は、さらなる保護のために液体のエポキシで封止され得、最終的なシステム−イン−パッケージ１２４をもたらす。
【０００５】
ある用途において、ダイ１０２は、デジタル論理回路を含み得、パッケージ１１０は、メモリモジュールであり得、ダイ１２０は、アナログ回路を含み得る。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
システム−イン−パッケージ技術においてより多くの集積が行なわれるので、熱管理は、努力目標を与え得る。通常の熱管理は、パッケージ基板１０４の熱ビア及び放熱器の使用を含む。しかしながら、熱がダイ１２０からパッケージコンタクト１０８に逃げるために、熱は、パッケージ１１０の様々な材料、フリップチップダイ１０２、アンダーフィル及びパッケージ基板１０４を通って、且つシステム−イン−パッケージ１２４を回避する前にパッケージコンタクト１０８を通って、ダイ１２０から流れる。熱を逃がすための効率的な熱通路を有するシステム−イン−パッケージを与えることが望まれるだろう。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
一実施形態において、ダイは、パッケージ基板内に組み込まれる。パッケージ基板は、パッケージコンタクトを有する。パッケージ基板の熱ビアは、パッケージコンタクトの少なくとも幾つかにダイを接続する。熱ビアの少なくとも１つは、少なくとも２つの重畳する円の結合に実質的に同様の断面形状を有する。
【０００８】
他の実施形態において、ホールは、パッケージ基板コアに形成される。ここで、パッケージ基板コアは、第１の金属層を有する第１の面と、第２の金属層を有する第２の面とを有する。テープは、パッケージ基板コアの第２の面に配置される。次いで、ダイは、ホールに配置される。ダイは、第１の面と、テープの近位にある第２の面とを有する。基板は、ダイの第１の面、第１の金属層及びパッケージ基板コアの第１の面に形成される。熱ビアは、ダイの熱ホットスポットにあるダイの第１の面に接続されるように第１の基板に形成される。
【０００９】
他の実施形態において、ホールがパッケージ基板コアに形成され、ここでパッケージ基板コアは、第１の金属層を有する第１の面と、第２の金属層を有する第２の面とを有する。テープは、パッケージ基板コアの第２の面に配置される。ダイは、ホールに配置され、ここで、ダイは、第１の面と、テープの近位にある第２の面とを有する。第１の基板は、ダイの第１の面、第１の金属層及びパッケージ基板コアの第１の面に形成される。テープは、除去される。第２の基板は、ダイの第２の面、第２の金属層及びパッケージ基板コアの第２の面に形成される。熱ビアは、ダイの熱ホットスポットにあるダイの第２の面に接続されるように第２の基板に形成される。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】図１は、従来の多層モジュール積層回路パッケージの平面図である。
【図２Ａ】図２Ａは、埋め込まれたダイ及び熱ビアを有する集積回路パッケージを示す。
【図２Ｂ】図２Ｂは、埋め込まれたダイ及び熱ビアを有する集積回路パッケージを示す。
【図３】図３は、埋め込まれたダイ及び熱ビアを有する集積回路パッケージの一部の平面図を示す。
【図４】図４は、熱ビアを有する集積回路パッケージにダイを組み込むための手順を示す平面図である。
【図５】図５は、熱ホットスポットを覆う熱ビアの平面断面図を示す。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下に続く詳細な説明において、“ある実施形態”という用語の範囲は、一を超える実施形態を意味するものに限定されない。むしろ、その範囲は、一実施形態、一を超える実施形態、又はおそらく全ての実施形態を含み得る。
【００１２】
図２Ａは、システム−イン−パッケージ２００の単純化した平面図（等寸で描かれていない）を示し、ダイ２０２は、パッケージ基板２０８に組み込まれる。図１のように、システム−イン−パッケージ２００は、フリップチップダイ１０２及びそれ自体のパッケージ１１０内のダイ１１２を備える。図２Ａの特定の実施形態において、ダイ２０２のアクティブ面は、パッケージコンタクト１０８に接続されるパッケージ基板２０８の面から離れている。ダイ２０２のアクティブ面の銅めっき（またはコンタクト）は、図２Ａに示されており、銅めっきのこのような一例は、符号２０４で示される。明確に示されていないが、銅めっき２０４は、パッケージコンタクト１０８の少なくとも幾つかに電気的に接続されるようにパッケージ基板２０８のトレースに電気的に接続されている。
【００１３】
図２Ａの図示において、効率的な熱通路がダイ２０２とパッケージコンタクト１０８の幾つかとの間に提供され得るように、パッケージ基板２０８の熱ビアは、ダイ２０２の背面に接続され、パッケージコンタクト１０８の少なくとも幾つかに接続される。このような熱ビアの１つは、符号２０６で示される。熱ビアは、それらが導電性であり得るように、例えば銅を含み得る。
【００１４】
パッケージコンタクト上に直接位置しない熱ビアに対して、トレースは、パッケージコンタクトの１つに熱通路を繋げるためにパッケージ内に形成され得る。これは、図２Ｂに示されており、ここでトレース２１０は、熱ビア２０６の直下に位置するパッケージコンタクトがないと仮定して、熱ビア２０６からパッケージコンタクト１０８への伝熱通路を提供する。図２Ｂに示される図の向きは、図２Ａに示される図に直交し、ここで、図２Ｂは、パッケージ基板２０８の面に平行なダイ２０２に沿った実施形態の一部である。図示の容易化のために、図２Ｂは、等寸で描かれておらず、また図２Ａの図に等寸で描かれていない。図２Ｂにおいて、破線２０２は、図２Ａのダイの外郭を表し、破線２０８は、図２Ａのパッケージ基板２０８の外郭を表す。これらの外郭は、図２Ｂの図を提供するダイ２０２を通る断面の上下にそれらが位置することを示すように破線で描かれる。
【００１５】
ある実施形態においては、ダイ２０２は、パッケージ基板２０８に組み込まれ得、そのアクティブ面が、パッケージコンタクト１０８に付けられるパッケージ基板２０８の面に面するようになる。このような実施形態において、熱ビアの幾つかはまた、熱通路を提供することに加えて、１つ又はそれ以上のパッケージコンタクト１０８へのダイ２０２のアクティブ面の能動部品の幾つかに対する電気接続を提供する。
【００１６】
図３は、組み込まれたダイ２０２を有するパッケージ基板２０８の一部の平面図（等寸ではない）であるが、図２Ａの図示より詳細なものである。図３のパッケージ基板は、金属層３０２、基板３０４、金属層３０６、コア３０８、金属層３１０、基板３１２及び金属層３１４を含んで積層されるように示される。金属層は、銅を含み得る。様々な材料及び積層体が基板及びコアに使用され得る。コア３０８は、基板に使用される材料と同一の材料を含み得る。ある実施形態において、ＦＲ−４（難燃剤−４：Flame Retardant-４）は、コア３０８又は基板に使用され得、または例えばポリイミドが使用され得る。
【００１７】
図３に示される平面図は単純化されている。ダイ２０２に対する開口を除いて金属層の開口をそれが示さないからである。すなわち、図示における視野方向に垂直な方向における実施形態の断面である金属層の平面図が、金属層を長方形として示している点において、図示は単純化されている。実際、電気接続が様々な部品に対してなされ得るように、エッチングは金属上で行なわれる。
【００１８】
ダイ２０２の背面の銅めっきは、熱ビア２０６に様々なホットスポットを熱的に接続する。銅めっきのこのような一例は、図３において符号３１６が付される。ある実施形態において、銅めっき３１６が、ホットスポット上に堆積され、又はホットスポットの少なくとも一部に堆積されるように、熱解析がダイ２０２において行なわれ得る。これは、熱管理の微調整を可能にする。
【００１９】
ある実施形態において、銅めっき３１６の幾つかが、熱結合と同様にアクティブ面の様々な装置に電気接続を与える場合に、ダイ２０２のアクティブ面は、金属層３０６に面し得る。アクティブ面が金属層３０６に面するこのような実施形態において、符号２０４で表される銅めっきは、必ずしも必要とされない。
【００２０】
図４は、ダイ２０２をコア３０８に組み込むための手順を示す様々な平面図を示し、ここで、この手順は、文字“Ａ”から“Ｅ”によって示される。“Ａ”におけるコア３０８から開始して、“Ｂ”においてコア３０８にホールが開けられる。“Ｂ”において、金属層３０６及び３１０は、コア３０８の両面に堆積されており、トレースを提供するためにこれらの金属層にエッチングが行なわれる。“Ｃ”において、テープ４０２がコア３０８の底部に取り付けられ、“Ｄ”において、ダイ２０２がコア３０８に開けられたホールに下ろされる。ダイ２０２は、銅めっき２０４及び３１６を含む。ＦＲ−４などの基板３１２は、組立体の上に積層される。この基板の材料は、クロスハッチングによって示される。“Ｅ”において、テープ４０２は除去されており、基板３０４が下部に積層され、同様にクロスハッチングされている。熱ビア２０６は、銅めっき３１６に接触するように基板３０４に形成される。
【００２１】
図示の容易化のために、以前の図面は、ダイ２０２の底面に沿って均一に位置するように熱ビア２０６を示したが、実際には、熱ビア２０６は、ダイ２０２のホットスポットに接続されるので、熱ビア２０６の位置合わせは、均一ではないかもしれない。また、熱ビア２０６が様々なホットスポットに関して集中しているので、熱ビア２０６の幾つかにおける形状は、電力又は信号ビアの場合におけるように実質的に円筒状であることが期待されない。熱ビア２０６の幾つかは、互いに重畳する２つ又はそれ以上の円筒体の結合であり得る。
【００２２】
図５は、複数の別個のビアを含む熱ビアの平面断面図（必ずしも等寸で描かれていない）を示す。この断面図は、ダイ２０２の下部面に平行で熱ビア２０６に実質的に垂直に切られた断面である。熱ビアが覆う測定されたホットスポットの平面断面図は、符号５０２が付された外形を有する不規則な形状によって示される。熱ビアの形状は、図示において円形で現れる、重畳する多くの円筒形状の結合で形成される。これらの円形の結合の外郭は、符号５０４を用いた実線で示される。外郭の部分ではない円形の部分は、破線で示される。
【００２３】
図５の図示において、熱ビアは、熱スポット５０２を完全に覆わない。しかし、ある実施形態においては、熱ビアの形状は、熱ホットスポットを完全に覆うように、より多くの円形の結合を形成することによって統合され得る。実際には、熱ビアの断面形状が、重畳する円形の結合によって形成された幾何学的形状に実質的に同一であり得るので、完全な円形は実現し得ない。
【００２４】
以下の特許請求の範囲に記載の発明の範囲から逸脱することなく、記載された実施形態に対して様々な修正が行われ得る。例えば、図４の“Ｅ”において、熱ビアは、基板３０４の代わりに基板３１２に形成され得る。すなわち、テープ４０２が除去される前に付けられた基板３１２は、熱ビアを含み得る。
【符号の説明】
【００２５】
１０２  ダイ
１０４  パッケージ基板
１０６  導電バンプ
１０８  パッケージコンタクト
１１０  パッケージ
１１２  ダイ
１１４  パッケージ基板
１１６  ワイヤボンド
１１８  ワイヤボンド
１２０  ダイ
１２２  ワイヤボンド
２００  システム−イン−パッケージ
２０２  ダイ
２０４  銅めっき
２０６  熱ビア
２０８  パッケージ基板
２１０  トレース
３０２  金属層
３０４  基板
３０６  金属層
３０８  コア
３１０  金属層
３１２  基板
３１４  金属層
３１６  銅めっき
４０２  テープ
５０２  熱ホットスポット
【図１】
0005814272.tif 000002
【図２Ａ】
0005814272.tif 000003
【図２Ｂ】
0005814272.tif 000004
【図３】
0005814272.tif 000005
【図４Ａ】
0005814272.tif 000006
【図４Ｂ】
0005814272.tif 000007
【図４Ｃ】
0005814272.tif 000008
【図４Ｄ】
0005814272.tif 000009
【図４Ｅ】
0005814272.tif 000010
【図５】
0005814272.tif 000011