(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップと、
前記半導体チップ上に設けられた第１及び第２のトランジスタと、
前記半導体チップ上に前記第１及び第２のトランジスタに隣接して設けられた第１及び第２のパッドと、
前記半導体チップ上に設けられ、前記第１及び第２のトランジスタと前記第１及び第２のパッドをそれぞれ接続する第１及び第２の配線と、
前記半導体チップ外に設けられた外部パッドと、
前記外部パッドに接続された外部端子と、
前記第１及び第２のパッドと前記外部パッドをそれぞれ接続する第１及び第２のワイヤとを備え、
前記第１のパッドは前記第２のパッドよりも前記外部パッドから遠い位置に配置され、
前記第１のパッドから前記外部端子までの電気長は、前記第２のパッドから前記外部端子までの電気長と同じであり、
前記外部パッドは、前記第１及び第２のワイヤにそれぞれ接続された第１及び第２のパッド部を有し、
前記第１のパッドと前記外部パッドの水平距離は、前記第２のパッドと前記外部パッドの水平距離よりも長く、
前記第１のパッド部と前記第２のパッド部は高さが異なり、
前記第１のワイヤは前記第２のワイヤと同じ電気長を有することを特徴とする高周波電力増幅器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マルチフィンガトランジスタを有する高周波電力増幅器に関し、特にレイアウト面積を増加させることなく、各トランジスタの負荷インピーダンスを均一にすることができる高周波電力増幅器に関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話などの移動体通信機の無線送信部に高周波電力増幅器が用いられる。高周波電力増幅器は、複数のトランジスタを並列に接続したマルチフィンガトランジスタを有する（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
図７及び図８は従来の高周波電力増幅器を示す上面図である。パッケージ基板１上に半導体チップ２が実装されている。半導体チップ２上に複数のトランジスタ３が設けられている。半導体チップ２上にコレクタパッド４が設けられている。トランジスタ３のコレクタとコレクタパッド４はコレクタ配線６により接続される。半導体チップ２外のパッケージ基板１上に外部パッド８が設けられている。この外部パッド８に出力端子９が接続されている。コレクタパッド４と外部パッド８はワイヤ１０により接続されている。
【０００４】
図７では、レイアウト面積を小さくするため、複数のトランジスタ３のゲートやコレクタを直線的に接続している。一方、図８では、各トランジスタ３のコレクタからコレクタパッド４までの電気長を等しくするために、コレクタ配線６のレイアウトをトーナメント型にしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００６−４２１２６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
図７の高周波電力増幅器では、各トランジスタ３のコレクタから外部パッド８までの電気長が異なるため、各トランジスタ３の負荷インピーダンスが不均一となるという問題があった。一方、図８の高周波電力増幅器では、レイアウト面積が増加するという問題があった。
【０００７】
本発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、その目的はレイアウト面積を増加させることなく、各トランジスタの負荷インピーダンスを均一にすることができる高周波電力増幅器を得るものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明に係る高周波電力増幅器は、半導体チップと、前記半導体チップ上に設けられた第１及び第２のトランジスタと、前記半導体チップ上に設けられた第１及び第２のパッドと、前記半導体チップ上に設けられ、前記第１及び第２のトランジスタと前記第１及び第２のパッドをそれぞれ接続する第１及び第２の配線と、前記半導体チップ外に設けられた外部パッドと、前記外部パッドに接続された出力端子と、前記第１及び第２のパッドと前記外部パッドをそれぞれ接続する第１及び第２のワイヤとを備え、前記第１の配線と前記第２の配線は同じ電気長を有し、前記第１のパッドは前記第２のパッドよりも前記外部パッドから遠い位置に配置され、前記第１のパッドから前記出力端子までの電気長は、前記第２のパッドから前記出力端子までの電気長と同じであり、前記外部パッドは、前記第１及び第２のワイヤにそれぞれ接続された第１及び第２のパッド部を有し、前記第１のパッドと前記外部パッドの水平距離は、前記第２のパッドと前記外部パッドの水平距離よりも長く、前記第１のパッド部と前記第２のパッド部は高さが異なり、前記第１のワイヤは前記第２のワイヤと同じ電気長を有する。
【発明の効果】
【０００９】
本発明により、レイアウト面積を増加させることなく、各トランジスタの負荷インピーダンスを均一にすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の実施の形態１に係る高周波電力増幅器を示す上面図である。
【図２】本発明の実施の形態２に係る高周波電力増幅器を示す上面図である。
【図３】本発明の実施の形態３に係る高周波電力増幅器を示す上面図である。
【図４】本発明の実施の形態３に係る高周波電力増幅器を示す断面図である。
【図５】本発明の実施の形態４に係る高周波電力増幅器を示す上面図である。
【図６】本発明の実施の形態５に係る高周波電力増幅器を示す上面図である。
【図７】従来の高周波電力増幅器を示す上面図である。
【図８】従来の高周波電力増幅器を示す上面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
本発明の実施の形態に係る高周波電力増幅器について図面を参照して説明する。同じ又は対応する構成要素には同じ符号を付し、説明の繰り返しを省略する場合がある。
【００１２】
実施の形態１．
図１は、本発明の実施の形態１に係る高周波電力増幅器を示す上面図である。パッケージ基板１上に、ＭＭＩＣ（monolithic microwave integrated circuit）の半導体チップ２が実装されている。半導体チップ２上にトランジスタ３ａ，３ｂが設けられている。半導体チップ２上にコレクタパッド４ａ，４ｂとゲートパッド５が設けられている。トランジスタ３ａ，３ｂのコレクタとコレクタパッド４ａ，４ｂはそれぞれコレクタ配線６ａ，６ｂにより接続されている。トランジスタ３ａ，３ｂのゲートとゲートパッド５はゲート配線７により接続されている。
【００１３】
半導体チップ２外のパッケージ基板１上に外部パッド８が設けられている。この外部パッド８に出力端子９が接続されている。コレクタパッド４ａ，４ｂと外部パッド８はそれぞれワイヤ１０ａ，１０ｂにより接続されている。
【００１４】
コレクタ配線６ａ，６ｂはトランジスタ３ａ，３ｂに隣接している。従って、コレクタ配線６ａ，６ｂが短くなるため、半導体チップ２上のレイアウト面積を増加させない。
【００１５】
コレクタパッド４ａは、コレクタパッド４ｂよりも外部パッド８から遠い位置に配置されている。そこで、実施の形態１では、ワイヤ１０ａをワイヤ１０ｂよりも細くする。これにより、コレクタパッド４ａから出力端子９までの電気長を、コレクタパッド４ｂから出力端子９までの電気長と同じにしている。よって、各トランジスタ３ａ，３ｂの負荷インピーダンスを均一にすることができる。この結果、各トランジスタ３ａ，３ｂのコレクタに対して最適な負荷条件を実現することができる。
【００１６】
実施の形態２．
図２は、本発明の実施の形態２に係る高周波電力増幅器を示す上面図である。実施の形態１とは異なり、ワイヤ１０ａの太さはワイヤ１０ｂと同じであるが、ワイヤ１０ａはワイヤ１０ｂよりも本数が少ない。これにより、コレクタパッド４ａから出力端子９までの電気長を、コレクタパッド４ｂから出力端子９までの電気長と同じにしている。よって、各トランジスタ３ａ，３ｂの負荷インピーダンスを均一にすることができる。
【００１７】
実施の形態３．
図３は、本発明の実施の形態３に係る高周波電力増幅器を示す上面図である。図４はその断面図である。コレクタパッド４ａと外部パッド８の水平距離は、コレクタパッド４ｂと外部パッド８の水平距離よりも長い。外部パッド８は、ワイヤ１０ａ，１０ｂにそれぞれ接続されたパッド部８ａ，８ｂを有する。コレクタパッド４ａとコレクタパッド４ｂは高さが異なる。このため、ワイヤ１０ａがワイヤ１０ｂと同じ電気長を有する。これにより、コレクタパッド４ａから出力端子９までの電気長を、コレクタパッド４ｂから出力端子９までの電気長と同じにしている。よって、各トランジスタ３ａ，３ｂの負荷インピーダンスを均一にすることができる。
【００１８】
実施の形態４．
図５は、本発明の実施の形態４に係る高周波電力増幅器を示す上面図である。パッド部８ａとパッド部８ｂの間に、コンデンサなどのキャパシタ１１が接続されている。パッド部８ｂに出力端子９が接続されている。これにより、コレクタパッド４ａから出力端子９までの電気長を、コレクタパッド４ｂから出力端子９までの電気長と同じにしている。よって、各トランジスタ３ａ，３ｂの負荷インピーダンスを均一にすることができる。
【００１９】
実施の形態５．
図６は、本発明の実施の形態５に係る高周波電力増幅器を示す上面図である。パッド部８ａとパッド部８ｂの間に、コイルなどのインダクタ１２が接続されている。パッド部８ａに出力端子９が接続されている。これにより、コレクタパッド４ａから出力端子９までの電気長を、コレクタパッド４ｂから出力端子９までの電気長と同じにしている。よって、各トランジスタ３ａ，３ｂの負荷インピーダンスを均一にすることができる。
【００２０】
なお、一般的にコレクタの負荷インピーダンスはベースの負荷インピーダンスに比べて電力増幅器の特性への影響が大きいため、実施の形態１〜５では、各トランジスタ３ａ，３ｂのコレクタの負荷インピーダンスを均一にする構成とした。これに限らず、入力端子から各トランジスタ３ａ，３ｂのベースまでの電気長を等しくして、各トランジスタ３ａ，３ｂのベースの負荷インピーダンスを均一にしてもよい。
【００２１】
また、実施の形態１〜５では、トランジスタ３ａ，３ｂがバイポーラトランジスタの場合について説明したが、これに限らずＭＯＳトランジスタでもよい。この場合、コレクタはドレインとなり、ベースはゲートとなる。
【符号の説明】
【００２２】
２  半導体チップ
３ａ  トランジスタ（第１のトランジスタ）
３ｂ  トランジスタ（第２のトランジスタ）
４ａ  コレクタパッド（第１のパッド）
４ｂ  コレクタパッド（第２のパッド）
６ａ  コレクタ配線（第１の配線）
６ｂ  コレクタ配線（第２の配線）
８  外部パッド
８ａ  パッド部（第１のパッド部）
８ｂ  パッド部（第２のパッド部）
９  出力端子（外部端子）
１０ａ  ワイヤ（第１のワイヤ）
１０ｂ  ワイヤ（第２のワイヤ）
１１  キャパシタ
１２  インダクタ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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