(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
離間して互いに対向配置された第１透明基板および第２透明基板と、
前記第１透明基板または前記第２透明基板の第１端面に光を照射する光源と、
前記第１透明基板および前記第２透明基板の間隙に設けられ、かつ電場の大きさに応じて、前記光源からの光に対して散乱性もしくは透明性を示す光変調層と、
電圧が印加されたときに前記光変調層内に電場を発生させる電極と
を備え、
前記光変調層は、前記電極から三次元表示モードの電場が印加されることにより、前記光源からの光を利用して、前記第１端面と交差する方向に延在する複数の帯状照明光を生成するようになっており、
各帯状照明光の、単位面積あたりの発光面積が、前記光源からの距離に応じて変化している
照明装置。
【請求項２】
各帯状照明光は、連続する１本の帯状の発光形状となっているか、または、複数のブロック状の照明光が一列に配列された発光形状となっている
請求項１に記載の照明装置。
【請求項３】
各帯状照明光の幅が、前記光源からの距離に応じて変化している
請求項１に記載の照明装置。
【請求項４】
各帯状照明光の、幅方向の中心線は、互いに平行となっている
請求項１に記載の照明装置。
【請求項５】
各帯状照明光のエッジが、凹凸形状となっており、
前記凹凸形状の凹凸振幅が、前記光源からの距離に応じて変化している
請求項１に記載の照明装置。
【請求項６】
各帯状照明光は、前記第１端面と直交する方向に延在している
請求項１に記載の照明装置。
【請求項７】
各帯状照明光は、前記第１端面と交差する方向であって、かつ当該照明装置が、複数の画素を有する表示パネルのバックライトとして用いられたときの前記画素の配列方向と交差する方向に延在している
請求項１に記載の照明装置。
【請求項８】
前記電極は、前記帯状照明光の発光形状に対応した形状となっている
請求項１に記載の照明装置。
【請求項９】
前記電極は、前記帯状照明光の延在方向に延在する複数の帯状電極を有するか、または、前記帯状照明光の延在方向に配列されると共に前記帯状照明光と交差する方向に配列された複数の部分電極を有する
請求項８に記載の照明装置。
【請求項１０】
前記電極は、前記第１透明基板の表面に、前記複数の帯状電極もしくは前記複数の部分電極を有すると共に、前記複数の帯状電極もしくは前記複数の部分電極の全体または一部の端部同士を接続する配線を有し、
前記電極は、さらに、前記第２透明基板の表面に、各帯状電極または各部分電極と対向する領域に主に形成された面状電極を有する
請求項９に記載の照明装置。
【請求項１１】
前記電極は、前記帯状照明光の延在方向に延在する複数の帯状電極を有しており、
各帯状電極の幅が、前記光源からの距離に応じて変化している
請求項８に記載の照明装置。
【請求項１２】
前記電極は、前記帯状照明光の延在方向に配列されると共に前記帯状照明光と交差する方向に配列された複数の部分電極を有しており、
各部分電極の幅が、前記光源からの距離に応じて変化している
請求項８に記載の照明装置。
【請求項１３】
前記電極は、前記帯状照明光の延在方向に延在する複数の帯状電極を有しており、
各帯状電極のエッジが、凹凸形状となっており、
前記凹凸形状の凹凸振幅が、前記光源からの距離に応じて変化している
請求項８に記載の照明装置。
【請求項１４】
前記電極は、前記帯状照明光の延在方向に配列されると共に前記帯状照明光と交差する方向に配列された複数の部分電極を有しており、
各部分電極のエッジが、凹凸形状となっており、
前記凹凸形状の凹凸振幅が、前記光源からの距離に応じて変化している
請求項８に記載の照明装置。
【請求項１５】
前記光変調層が散乱性を示す第１電圧の絶対値は、前記光変調層が透明性を示す第２電圧の絶対値よりも高い値となっており、
各帯状照明光の幅の幅が、前記光源寄りの箇所で相対的に細く、前記光源から離れた箇所で相対的に太くなっている
請求項３に記載の照明装置。
【請求項１６】
前記光変調層が散乱性を示す第１電圧の絶対値は、前記光変調層が透明性を示す第２電圧の絶対値よりも高い値となっており、
前記凹凸形状の凹凸振幅が、前記光源寄りの箇所で相対的に大きく、前記光源から離れた箇所で相対的に小さくなっている
請求項５に記載の照明装置。
【請求項１７】
前記光変調層が散乱性を示す第１電圧の絶対値は、前記光変調層が透明性を示す第２電圧の絶対値よりも高い値となっており、
各帯状電極の幅、または、前記帯状照明光の延在方向に配列された複数の部分電極を１本の仮想帯状電極とみなしたときのその仮想帯状電極の幅が、前記光源寄りの箇所で相対的に細く、前記光源から離れた箇所で相対的に太くなっている
請求項９に記載の照明装置。
【請求項１８】
前記光変調層が散乱性を示す第１電圧の絶対値は、前記光変調層が透明性を示す第２電圧の絶対値よりも高い値となっており、
前記凹凸形状の凹凸振幅が、前記光源寄りの箇所で相対的に大きく、前記光源から離れた箇所で相対的に小さくなっている
請求項１３に記載の照明装置。
【請求項１９】
前記光変調層が散乱性を示す第１電圧の絶対値は、前記光変調層が透明性を示す第２電圧の絶対値よりも高い値となっており、
前記凹凸形状の凹凸振幅が、前記光源寄りの箇所で相対的に大きく、前記光源から離れた箇所で相対的に小さくなっている
請求項１４に記載の照明装置。
【請求項２０】
前記光変調層は、光学異方性を有すると共に電場に対する応答速度が互いに異なる第１領域および第２領域を含み、
前記第１領域は、液晶材料を主に含んで構成され、
前記第２領域は、高分子材料を主に含んで構成される
前記光変調層が透明性を示すとき、前記第１領域の光軸の成分と前記第２領域の光軸の成分は平行な方向に揃っている
請求項１に記載の照明装置。
【請求項２１】
前記面状電極は、複数の開口を有し、
前記開口の半径は、前記第１端面と直交する方向において、前記光源寄りの箇所で相対的に大きく、前記光源から離れた箇所で相対的に小さくなっている
請求項１０に記載の照明装置。
【請求項２２】
前記開口の半径は、前記第１端面と平行な方向において、前記光源寄りの箇所で相対的に大きく、前記光源から離れた箇所で相対的に小さくなっている
請求項２１に記載の照明装置。
【請求項２３】
映像信号に基づいて駆動される表示パネルと、
前記表示パネルを照明する照明装置と
を備え、
前記照明装置は、
離間して互いに対向配置された第１透明基板および第２透明基板と、
前記第１透明基板の第１端面に光を照射する光源と、
前記第１透明基板および前記第２透明基板の間隙に設けられ、かつ電場の大きさに応じて、前記光源からの光に対して散乱性もしくは透明性を示す光変調層と、
電圧が印加されたときに前記光変調層内に電場を発生させる電極と
を備え、
前記光変調層は、前記電極から三次元表示モードの電場が印加されることにより、前記光源からの光を利用して、前記第１端面と交差する方向に延在する複数の帯状照明光を生成するようになっており、
各帯状照明光の、単位面積あたりの発光面積が、前記光源からの距離に応じて変化している
表示装置。
【請求項２４】
前記表示パネルを間にして互いに対向する一対の偏光板をさらに備え、
前記光変調層は、光学異方性を有すると共に電場に対する応答性が相対的に高い第１領域と、光学異方性を有すると共に電場に対する応答性が相対的に低い第２領域とを含み、
前記光変調層が透明性を示すとき、前記第１領域および前記第２領域は、前記一対の偏光板のうち前記照明装置側の偏光板の透過軸と平行な方向に光軸の成分を主に有し、
前記光変調層が散乱性を示すとき、前記第２領域は、前記一対の偏光板のうち前記照明装置側の偏光板の透過軸と平行な方向に光軸の成分を主に有し、前記第１領域は、前記第２領域の光軸と交差または直交すると共に前記第１透明基板と交差または直交する方向に光軸の成分を主に有する
請求項２３に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本技術は、二次元表示（平面表示）と三次元表示（立体表示）を行うことの可能な表示装置、およびそのような表示装置のバックライトとして好適に適用可能な照明装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、液晶ディスプレイの高画質化や省エネ化が急進展し、部分的にバックライトの光強度を変調することによって暗所コントラストの向上を実現する方式が提案されている。この手法は主に、バックライトの光源として用いられる発光ダイオード（ＬＥＤ；Light Emitting Diode）を部分的に駆動して、表示画像に合わせてバックライト光を変調するものである。また、大型の液晶ディスプレイにおいて、小型の液晶ディスプレイと同様、薄型化の要求が強まってきており、冷陰極管（ＣＣＦＬ；Cold Cathode Fluorescent Lamp）やＬＥＤを液晶パネルの直下に配置する方式ではなく、導光板の端部に光源を配置するエッジライト方式が注目されている。しかし、エッジライト方式では、光源の光強度を部分的に変調する部分駆動を行うことは難しい。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平６−３４７７９０号公報
【特許文献２】特開平１１−１４２８４３号公報
【特許文献３】特開２００４−２５３３３５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、導光板内を伝播している光の取り出し技術としては、例えば、特許文献１において、透明と散乱を切り換える高分子分散液晶（ＰＤＬＣ；Polymer Dispersed Liquid Crystal）を用いたディスプレイが提案されている。これは、写り込み防止などを目的としたものであり、ＰＤＬＣに対して部分的に電圧を印加して、透明と散乱を切り換える技術である。
【０００５】
一方、エッジライト方式のバックライトでは、面内輝度の均一化を行うことを目的として、例えば、ＬＥＤやＣＣＦＬなどの光源からの距離に応じて、印刷パターン、取り出し形状の粗密または一つのパターンの大きさを変える技術が知られている（例えば、特許文献２参照）。特許文献２に記載の技術は、言わば、導光板から光を均一に取り出す技術であり、光を取り出すことのみを考慮したものである。面内輝度を均一化する技術としては、その他に、例えば、拡散シートの光拡散率を光源からの距離に応じて徐々に変化させるものが知られている（例えば、特許文献３参照）。
【０００６】
ここで、例えば、特許文献２または特許文献３の技術と、特許文献１のＰＤＬＣとを組み合わせることにより、バックライト光の面内輝度の均一化を行うことが考えられる。しかし、そのようにした場合には、輝度を均一化することは可能であるが、暗表示での輝度が高くなってしまい、明表示輝度と暗表示輝度の変調比を高くすることができないという問題がある。この問題は、二次元表示と三次元表示を行う表示装置において、特に大きな問題となる。
【０００７】
二次元表示と三次元表示を行う表示装置には、専用の眼鏡をかけることが必要なものと、専用の眼鏡が不要なものがある。後者の表示装置では、裸眼で立体映像を視認することができるようにするために、例えば、視差バリア（パララックスバリア）が用いられる。しかし、視差バリアを用いた場合には、三次元表示のときに視差バリアによって、光が吸収され、表示輝度が低くなる。そのため、この表示装置に、上述のバックライトを適用した場合には、表示映像の変調比が小さくなってしまうという問題がある。
【０００８】
本技術はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、三次元表示において、面内輝度を均一化しつつ、変調比を高くすることの可能な照明装置およびそれを備えた表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本技術による照明装置は、離間して互いに対向配置された第１透明基板および第２透明基板と、第１透明基板の第１端面に光を照射する光源とを備えている。この照明装置は、さらに、第１透明基板および第２透明基板の間隙に設けられ、かつ電場の大きさに応じて、光源からの光に対して散乱性もしくは透明性を示す光変調層と、電位差が印加されたときに光変調層内に電場を発生させる電極とを備えている。光変調層は、電極から三次元表示モードの電場が印加されることにより、光源からの光を利用して、第１端面と交差する方向に延在する複数の帯状照明光を生成するようになっている。ここで、各帯状照明光の、単位面積あたりの発光面積は、光源からの距離に応じて変化している。
【００１０】
本技術による表示装置は、映像信号に基づいて駆動される表示パネルと、表示パネルを照明する照明装置とを備えている。この表示装置に含まれる照明装置は、上記の照明装置の構成と同一の構成を備えている。
【００１１】
本技術による照明装置および表示装置では、電場の大きさに応じて、光源からの光に対して散乱性もしくは透明性を示す光変調層が照明装置内に設けられている。これにより、光源から発せられ、第１透明基板等を伝播する光は、光変調層のうち、電場制御によって透明性を示す領域を透過し、照明装置の上面において全反射されるか、または高反射率で反射される。その結果、照明装置の光射出領域のうち透明性を示す領域と対応する領域（以下、単に「光射出領域における透明領域」とする）の輝度が、全面を均一に発光させている場合と比べて低くなる。一方、第１透明基板等を伝播する光は、光変調層のうち、電場制御によって散乱性を示す領域で散乱され、照明装置の上面を透過する。その結果、照明装置の光射出領域のうち散乱性を示す領域と対応する領域（以下、単に「光射出領域における散乱領域」とする）の輝度が、全面を均一に発光させている場合と比べて高くなる。しかも、光射出領域における透明領域の輝度が低下した分だけ、部分的な白表示の輝度（輝度突き上げ）が大きくなる。また、本技術では、光変調層で生成される、各帯状照明光の、単位面積あたりの発光面積が、光源からの距離に応じて変化している。これにより、光射出領域における透明領域および散乱領域の密度分布を所望の分布にすることができる。その結果、各帯状照明光の単位面積あたりの発光面積が光源からの距離に応じて変化していない場合と比べて、光射出領域のうち光源側の輝度を低く抑え、光射出領域のうち光源とは反対側の輝度を高くすることが可能である。
【００１２】
ここで、光変調層は、高電位差を印加すると散乱性を示し、低電位差を印加すると（または電位差を印加しないとき）透明性を示すようになっていてもよい。この場合には、各帯状照明光の幅が、光源寄りの箇所で相対的に細く、光源から離れた箇所で相対的に太くなっていてもよい。また、光変調層が上述の性質を有している場合に、各帯状照明光のエッジが凹凸形状となっているときには、凹凸形状の凹凸振幅が、光源寄りの箇所で相対的に大きく、光源から離れた箇所で相対的に小さくなっていてもよい。
【００１３】
なお、光変調層は、上記とは逆に、高電位差を印加すると透明性を示し、低電位差を印加すると（または電位差を印加しないとき）散乱性を示すようになっていてもよい。この場合には、各帯状照明光の幅の幅が、光源寄りの箇所で相対的に太く、光源から離れた箇所で相対的に細くなっていてもよい。また、光変調層が上述の性質を有している場合に、各帯状照明光のエッジが凹凸形状となっているときには、凹凸形状の凹凸振幅が、光源寄りの箇所で相対的に大きく、光源から離れた箇所で相対的に小さくなっていてもよい。このとき、非常に微細な凹凸形状である場合は、巨視的に帯状照明光の幅はほとんど変化は見られないが、微視的に発光面積は変化している。
【発明の効果】
【００１４】
本技術による照明装置および表示装置によれば、各帯状照明光の単位面積あたりの発光面積が光源からの距離に応じて変化していない場合と比べて、光射出領域のうち光源側の輝度を低く抑え、光射出領域のうち光源とは反対側の輝度を高くすることができるようにしたので、三次元表示において、面内輝度を均一化しつつ、変調比を高くすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本技術の第１の実施の形態に係るテレビ放送信号の受送信システムの一例を表す図である。
【図２】図１の受信側装置の機能ブロックの一例を表す図である。
【図３】図１の受信側装置における表示部の構成の一例を表す断面図である。
【図４】図３の光変調素子の構成の一例を表す断面図である。
【図５】図４の下側電極の一例を表す平面図である。
【図６】図５の下側電極の第１変形例を表す平面図である。
【図７】図５の下側電極の第２変形例を表す平面図である。
【図８】図５の下側電極の第３変形例を表す平面図である。
【図９】図５の下側電極の第４変形例を表す平面図である。
【図１０】図５の下側電極の第５変形例を表す平面図である。
【図１１】図５の下側電極の第６変形例を表す平面図である。
【図１２】図５の下側電極の第７変形例を表す平面図である。
【図１３】図５の下側電極の第８変形例を表す平面図である。
【図１４】図４の上側電極の一例を表す平面図である。
【図１５】ＩＴＯ膜の光学特性およびバックライトの色度変化の場所依存性の一例を表す図である。
【図１６】導光スペクトルの位置依存性の一例を表す図である。
【図１７】図４の光変調層の作用の一例を説明するための模式図である。
【図１８】図４の光変調層の作用の他の例を説明するための模式図である。
【図１９】図４のバックライトの作用の一例を説明するための模式図である。
【図２０】図４のバルクの筋状構造の一例を表す図である。
【図２１】図４の光変調素子の製造過程を説明するための断面図である。
【図２２】図２１に続く製造過程を説明するための断面図である。
【図２３】図２２に続く製造過程を説明するための断面図である。
【図２４】図３の表示部における三次元表示の一例を説明するための模式図である。
【図２５】図３の表示部における二次元表示の一例を説明するための模式図である。
【図２６】図３の表示部における三次元表示の第１変形例を説明するための模式図である。
【図２７】図３の表示部における三次元表示の第２変形例を説明するための模式図である。
【図２８】図３の表示部における三次元表示の第３変形例を説明するための模式図である。
【図２９】図５の下側電極の第９変形例を表す平面図である。
【図３０】図５の下側電極の第１０変形例を表す平面図である。
【図３１】図４の光変調層の作用の一例を説明するための模式図である。
【図３２】図４の光変調層の作用の他の例を説明するための模式図である。
【図３３】図４の光変調層および比較例の効果について説明するための図である。
【図３４】光変調層の光学特性を測定する装置の一例を表す図である。
【図３５】図３４の装置で測定した結果の一例を示す図である。
【図３６】図３４の装置で測定した結果の他の例を示す図である。
【図３７】等方性散乱について説明するための概念図である。
【図３８】異方性散乱について説明するための概念図である。
【図３９】本技術の第２の実施の形態に係る受信側装置における表示部の構成の一例を表す断面図である。
【図４０】図３９の光変調素子の構成の一例を表す断面図である。
【図４１】図４０の光変調層の作用の一例を説明するための模式図である。
【図４２】図４０の光変調層の作用の他の例を説明するための模式図である。
【図４３】各実施形態の受信側装置における表示部の構成の第１変形例を表す断面図である。
【図４４】各実施形態の受信側装置における表示部の構成の第２変形例を表す断面図である。
【図４５】各実施形態の受信側装置における表示部の構成の第３変形例を表す断面図である。
【図４６】各実施形態の受信側装置における表示部の構成の第４変形例を表す断面図である。
【図４７】各実施形態の受信側装置における表示部の構成の第５変形例を表す断面図である。
【図４８】図４７の上側電極の一例を表す平面図である。
【図４９】図４８の電極構造の第１変形例を表す平面図である。
【図５０】図４８の電極構造の第２変形例を表す平面図である。
【図５１】図４８の電極構造の第３変形例を表す平面図である。
【図５２】図４８の電極構造の第４変形例を表す平面図である。
【図５３】図４８の電極構造の第５変形例を表す平面図である。
【図５４】図４８の電極構造の第６変形例を表す平面図である。
【図５５】図４８の電極構造の第７変形例を表す平面図である。
【図５６】図４８の電極構造の第８変形例を表す平面図である。
【図５７】図５６の電極構造を有する光変調素子の作用の一例について説明するための模式図である。
【図５８】図５６の電極構造を有する光変調素子の作用の他の例について説明するための模式図である。
【図５９】図５６の電極構造を有する光変調素子の作用のその他の例について説明するための模式図である。
【図６０】各実施形態の光源の構成の一例を表す斜視図である。
【図６１】各実施形態の導光板の構成の一例を表す斜視図である。
【図６２】各実施形態の導光板の構成の他の例を表す斜視図および断面図である。
【図６３】一般的な導光板および図６２の導光板の作用の一例を表す模式図である。
【図６４】図６２の導光板の作用の他の例を表す模式図である。
【図６５】各実施形態の光変調素子内の部分電極の構成の一例を表す平面図である。
【図６６】各実施形態の光変調素子内の部分電極の構成の他の例を表す平面図である。
【図６７】各実施形態においてパララックスバリアを備えた表示装置の構成の一例を表す断面図である。
【図６８】図６７のパララックスバリアの構成の一例を表す断面図である。
【図６９】図６８のパララックスバリア内の部分電極の構成の一例を表す平面図である。
【図７０】図６９の部分電極の構成の第１変形例を表す平面図である。
【図７１】図６９の部分電極の構成の第２変形例を表す平面図である。
【図７２】図６９の部分電極の構成の第３変形例を表す平面図である。
【図７３】図６９の部分電極の構成の第４変形例を表す平面図である。
【図７４】図６９の部分電極の構成の第５変形例を表す平面図である。
【図７５】図６９の部分電極の構成の第６変形例を表す平面図である。
【図７６】図６９の部分電極の構成の第７変形例を表す平面図である。
【図７７】図６９の部分電極の構成の第８変形例を表す平面図である。
【図７８】図６９の部分電極の構成の第９変形例を表す平面図である。
【図７９】図６９の部分電極の構成の第１０変形例を表す平面図である。
【図８０】図６９の部分電極の構成の第１１変形例を表す平面図である。
【図８１】三次元表示における時分割駆動の一例を表す模式図である。
【図８２】図８１に続く時分割駆動の一例を表す模式図である。
【図８３】図８２に続く時分割駆動の一例を表す模式図である。
【図８４】図８３に続く時分割駆動の一例を表す模式図である。
【図８５】各実施形態の受信側装置における表示部の構成の第６変形例を表す断面図である。
【図８６】図３の表示パネルの偏光板の光軸と光変調層の光軸との関係の一例を表す図である。
【図８７】図３の表示パネルの偏光板の光軸と光変調層の光軸との関係の他の例を表す図である。
【図８８】図３９の表示パネルの偏光板の光軸と光変調層の光軸との関係の一例を表す図である。
【図８９】図３９の表示パネルの偏光板の光軸と光変調層の光軸との関係の他の例を表す図である。
【図９０】上側電極に開口を設けた態様の一例を表す平面図である。
【図９１】上側電極に開口を設けた態様の他の例を表す平面図である。
【図９２】一実施例に係る電極レイアウトを表す図である。
【図９３】図９２の電極レイアウトを拡大した図である。
【図９４】図９３の電極の線幅変化を表す図である。
【図９５】実施例１，５及び比較例１の二次元表示時の輝度分布の計算結果を表す図である。
【図９６】実施例６における上側電極のパターン密度を表す図である。
【図９７】実施例６の輝度分布の計算結果を表す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本開示に係る実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
１．第１の実施の形態（図１〜図３８）
バックライト内に光変調素子（水平配向反転ＰＤＬＣ）を使用した例
２．第２の実施の形態（図３９〜図４２）
バックライト内に光変調素子（垂直配向反転ＰＤＬＣ）を使用した例
３．変形例（図４３〜図９１）
４．実施例（図９２〜図９５）
【００１７】
＜１．第１の実施の形態＞
[テレビ放送信号の受送信システムの構成]
図１は、本技術の第１の実施の形態に係る受信側装置２００を含むテレビ放送信号１００Ａの受送信システムの構成例を示すブロック図である。この受送信システムは、例えば、有線（ケーブルＴＶなど）や無線（地上デジタル波、衛星波など）を介してテレビ放送信号１００Ａを送信する送信側装置１００と、上記の有線や無線を介して送信側装置１００からのテレビ放送信号１００Ａを受信する受信側装置２００とを備えている。なお、受信側装置２００が本技術の「表示装置」の一具体例に相当する。
【００１８】
テレビ放送信号１００Ａは、二次元表示（平面表示）用の映像データ、または三次元表示（立体表示）用の映像データを含んでいる。ここで、二次元表示用の映像データとは、視点情報を持たない二次元映像データを指している。また、三次元表示用の映像データとは、視点情報を持った二次元映像データを指しており、三次元表示用の映像データは、視点が互いに異なる複数の二次元映像データを含んで構成されている。送信側装置１００は、例えば、放送局に設置されたテレビ放送信号送信装置、またはインターネット上のサーバなどである。
【００１９】
［受信側装置２００の機能ブロック］
図２は、受信側装置２００の構成例を示すブロック図である。受信側装置２００は、例えば、上記の有線や無線に接続可能なテレビジョンである。受信側装置２００は、例えば、アンテナ端子２０１、デジタルチューナ２０２、デマルチプレクサ２０３、演算回路２０４、およびメモリ２０５を有している。受信側装置２００は、また、例えば、デコーダ２０６、映像信号処理回路２０７、グラフィック生成回路２０８、パネル駆動回路２０９、表示パネル２１０、バックライト２１１、音声信号処理回路２１２、音声増幅回路２１３、およびスピーカ２１４を有している。受信側装置２００は、さらに、例えば、リモコン受信回路２１５、およびリモコン送信機２１６を有している。なお、表示パネル２１０が本技術の「表示パネル」の一具体例に相当し、バックライト２１１が本技術の「照明装置」の一具体例に相当する。
【００２０】
アンテナ端子２０１は、受信アンテナ（図示せず）で受信されたテレビ放送信号１００Ａを入力する端子である。デジタルチューナ２０２は、例えば、アンテナ端子２０１に入力されたテレビ放送信号１００Ａを処理して、ユーザの選択チャネルに対応した所定のトランスポートストリームを出力するようになっている。デマルチプレクサ２０３は、例えば、デジタルチューナ２０２で得られたトランスポートストリームから、ユーザの選択チャネルに対応したパーシャルＴＳ（Transport Stream）を抽出するようになっている。
【００２１】
演算回路２０４は、受信側装置２００の各部の動作を制御するものである。演算回路２０４は、例えば、デマルチプレクサ２０３で得られたパーシャルＴＳをメモリ２０５内に格納したり、メモリ２０５から読み出したパーシャルＴＳをデコーダ２０６に送信したりするようになっている。また、演算回路２０４は、例えば、二次元表示または三次元表示を指定する制御信号２０４Ａを映像信号処理回路２０７およびバックライト２１１に送信するようになっている。演算回路２０４は、上記の制御信号２０４Ａを、例えば、メモリ２０５内に格納された設定情報、パーシャルＴＳに含まれる所定の情報、またはリモコン受信回路２１５から入力された設定情報に基づいて設定するようになっている。
【００２２】
メモリ２０５は、例えば、受信側装置２００の設定情報の格納およびデータ管理を行うものである。メモリ２０５は、例えば、デマルチプレクサ２０３で得られたパーシャルＴＳや、表示方法などの設定情報を格納することが可能となっている。
【００２３】
デコーダ２０６は、例えば、デマルチプレクサ２０３で得られたパーシャルＴＳに含まれる映像ＰＥＳ(Packetized Elementary Stream)パケットに対してデコード処理を行うことにより映像データを得るようになっている。デコーダ２０６は、また、例えば、デマルチプレクサ２０３で得られたパーシャルＴＳに含まれる音声ＰＥＳパケットに対してデコード処理を行うことにより音声データを得るようになっている。ここで、映像データとは、二次元表示用の映像データ、または三次元表示用の映像データを指している。
【００２４】
映像信号処理回路２０７およびグラフィック生成回路２０８は、例えば、デコーダ２０６で得られた映像データに対して、必要に応じてマルチ画像処理、グラフィックスデータの重畳処理等を行うようになっている。
【００２５】
映像信号処理回路２０７は、演算回路２０４から制御信号２０４Ａとして三次元表示を指定する信号が入力された場合であって、かつ、デコーダ２０６から入力された映像データが三次元表示用の映像データであったときには、例えば、デコーダ２０６から入力された三次元表示用の映像データに含まれる、視点の互いに異なる複数の二次元映像データを用いて１つの二次元映像データを作成し、作成した二次元映像データを、グラフィック生成回路２０８に出力する映像データとして選択するようになっている。例えば、三次元表示用の映像データに、視点の互いに異なる２つの二次元映像データが含まれている場合には、映像信号処理回路２０７は、２つの二次元映像データを、水平方向に１つずつ交互に並べる処理を各行で行っていき、２つの二次元映像データが水平方向に交互に並んだ１つの映像データを作成するようになっている。同様に、例えば、三次元表示用の映像データに、視点の互いに異なる４つの二次元映像データが含まれている場合には、映像信号処理回路２０７は、４つの二次元映像データを、水平方向に１つずつ周期的に並べる処理を各行で行っていき、４つの二次元映像データが水平方向に１つずつ周期的に並んだ１つの映像データを作成するようになっている。
【００２６】
映像信号処理回路２０７は、演算回路２０４から制御信号２０４Ａとして二次元表示を指定する信号が入力された場合であって、かつ、デコーダ２０６から入力された映像データが三次元表示用の映像データであったときには、例えば、デコーダ２０６から入力された三次元表示用の映像データに含まれる、視点の互いに異なる複数の二次元映像データのいずれか１つの映像データを、グラフィック生成回路２０８に出力する映像データとして選択するようになっている。映像信号処理回路２０７は、演算回路２０４から制御信号２０４Ａとして二次元表示を指定する信号が入力された場合であって、かつ、デコーダ２０６から入力された映像データが二次元表示用の映像データであったときには、例えば、デコーダ２０６から入力された二次元表示用の映像データを、グラフィック生成回路２０８に出力する映像データとして選択するようになっている。
【００２７】
グラフィック生成回路２０８は、例えば、画面表示の際に使用するＵＩ（User Interface）画面を生成するようになっている。パネル駆動回路２０９は、例えば、グラフィック生成回路２０８から出力された映像データに基づいて表示パネル２１０を駆動するようになっている。
【００２８】
表示パネル２１０およびバックライト２１１の構成は、後に詳述する。音声信号処理回路２１２は、例えば、デコーダ２０６で得られた音声データに対してＤ／Ａ変換等の処理を行うようになっている。音声増幅回路２１３は、例えば、音声信号処理回路２１２から出力された音声信号を増幅してスピーカ２１４に供給するようになっている。
【００２９】
リモコン受信回路２１５は、例えば、リモコン送信機２１６から送信されたリモートコントロール信号を受信し、演算回路２０４に供給するようになっている。演算回路２０４は、例えば、リモートコントロール信号に従って受信側装置２００の各部を制御するようになっている。
【００３０】
［受信側装置２００の断面構成］
図３は、受信側装置２００における表示部の断面構成の一例を表したものである。なお、図３は、模式的に表したものであり、実際の寸法や形状と同一であるとは限らない。受信側装置２００は、表示パネル２１０と、表示パネル２１０の背後に配置されたバックライト２１１とを備えている。
【００３１】
表示パネル２１０は、２次元配置された複数の画素を有しており、各画素または特定の画素が駆動されることにより映像を表示するものである。表示パネル２１０は、例えば、映像信号に応じて各画素または特定の画素が駆動される透過型の液晶表示パネル（ＬＣＤ（Liquid Crystal Display））であり、液晶層を一対の透明基板で挟み込んだ構造を有している。表示パネル２１０は、例えば、バックライト２１１側から順に、偏光板、透明基板、画素電極、配向膜、液晶層、配向膜、共通電極、カラーフィルタ、透明基板および偏光板を有している。
【００３２】
透明基板は、可視光に対して透明な基板、例えば板ガラスからなる。なお、バックライト２１１側の透明基板には、図示しないが、画素電極に電気的に接続されたＴＦＴ（Thin Film Transistor；薄膜トランジスタ）および配線などを含むアクティブ型の駆動回路が形成されている。画素電極および共通電極は、例えば、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ；Indium Tin Oxide）からなる。画素電極は、透明基板上に２次元配列されたものであり、画素ごとの電極として機能する。他方、共通電極は、カラーフィルタ上に一面に形成されたものであり、各画素電極に対して対向する共通電極として機能する。配向膜は、例えばポリイミドなどの高分子材料からなり、液晶に対して配向処理を行う。
【００３３】
液晶層は、例えば、ＶＡ（Vertical Alignment）モード、ＴＮ（Twisted Nematic）モードまたはＳＴＮ（Super Twisted Nematic）モードの液晶からなり、駆動回路（図示せず）からの印加電圧により、バックライト２１１からの出射光の偏光軸の向きを画素ごとに変える機能を有する。なお、液晶の配列を多段階で変えることにより画素ごとの透過軸の向きが多段階で調整される。カラーフィルタは、液晶層を透過してきた光を、例えば、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）および青（Ｂ）の三原色にそれぞれ色分離したり、または、Ｒ、Ｇ、Ｂおよび白（Ｗ）などの四色にそれぞれ色分離したりするカラーフィルタを、画素電極の配列と対応させて配列したものである。
【００３４】
偏光板は、光学シャッタの一種であり、ある一定の振動方向の光（偏光）のみを通過させる。なお、偏光板は、透過軸以外の振動方向の光（偏光）を吸収する吸収型の偏光素子であってもよいが、バックライト２１１側に反射する反射型の偏光素子であることが輝度向上の観点から好ましい。２枚の偏光板はそれぞれ、偏光軸が互いに９０°異なるように配置されており、これによりバックライト２１１からの出射光が液晶層を介して透過し、あるいは遮断されるようになっている。
【００３５】
バックライト２１１は、例えば、表示パネル２１０を背後から照明するものであり、導光板１０と、導光板１０の側面に配置した光源２０と、導光板１０の背後に配置した光変調素子３０および反射板４０と、光変調素子３０を駆動する駆動回路５０とを備えている。なお、導光板１０は、本技術の「第１透明基板」または「第２透明基板」の一具体例に相当する。光源２０は、本技術の「光源」の一具体例に相当する。
【００３６】
導光板１０は、導光板１０の側面に配置した光源２０からの光を導光板１０の上面に導くものである。この導光板１０は、導光板１０の上面に配置された表示パネル２１０に対応した形状、例えば、上面、下面および側面で囲まれた直方体状となっている。なお、以下では、導光板１０の側面のうち光源２０からの光が入射する側面を光入射面１０Ａと称するものとする。なお、光入射面１０Ａが本技術の「第１端面」の一具体例に相当する。導光板１０は、例えば、上面および下面の少なくとも一方の面に、所定のパターン化された形状を有しており、光入射面１０Ａから入射した光を散乱し、均一化する機能を有している。なお、バックライト２１１に印加する電圧を変調することによって輝度の均一化を行う場合には、パターン化されていない平坦な導光板を導光板１０として用いることも可能である。導光板１０は、例えば、ポリカーボネート樹脂（ＰＣ）やアクリル樹脂（ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）などの透明熱可塑性樹脂を主に含んで構成されている。
【００３７】
光源２０は、線状光源であり、例えば、熱陰極管(ＨＣＦＬ；Hot Cathode Fluorescent Lamp)、冷陰極管(ＣＣＦＬ；Cold Cathode Fluorescent Lamp)、または複数のＬＥＤ（Light Emitting Diode）を一列に配置したものなどからなる。光源２０が複数のＬＥＤからなる場合には、効率、薄型化、均一性の観点から、全てのＬＥＤがホワイトＬＥＤであることが好ましい。なお、光源２０が、例えば、赤色ＬＥＤ、緑色ＬＥＤおよび青色ＬＥＤを含んで構成されていてもよい。光源２０は、導光板１０の一の側面にだけ設けられていてもよいし（図３参照）、導光板１０の２つの側面、３つの側面または全ての側面に設けられていてもよい。
【００３８】
反射板４０は、導光板１０の背後から光変調素子３０を介して漏れ出てきた光を導光板１０側に戻すものであり、例えば、反射、拡散、散乱などの機能を有している。これにより、光源２０からの出射光を効率的に利用することができ、また、正面輝度の向上にも役立っている。この反射板４０は、例えば、発泡ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）や銀蒸着フィルム、多層膜反射フィルム、白色ＰＥＴなどからなる。なお、反射板４０は、必要に応じて省略することも可能である。
【００３９】
光変調素子３０は、本実施の形態において、導光板１０の背後（下面）に空気層を介さずに密着しており、例えば接着剤（図示せず）を介して導光板１０の背後に接着されている。この光変調素子３０は、例えば、図４に示したように、透明基板３１、下側電極３２、配向膜３３、光変調層３４、配向膜３５、上側電極３６および透明基板３７を反射板４０側から順に配置されたものである。
【００４０】
透明基板３１，３７は、光変調層３４を支持するものであり、一般に、可視光に対して透明な基板、例えば、ガラス板や、プラスチックフィルムによって構成されている。下側電極３２は、透明基板３１のうち透明基板３７との対向面上に設けられたものであり、例えば、図４に示したように、複数の部分電極３２Ａによって構成されている。
【００４１】
複数の部分電極３２Ａのうち特定の複数の部分電極３２Ａ（以下、「部分電極３２ａ」と称する。）は、受信側装置２００において三次元表示を行うときに、帯状照明光の生成に用いられるものである。なお、部分電極３２ａによって生成される帯状照明光が本技術の「帯状照明光」の一具体例に相当する。部分電極３２ａによって生成される帯状照明光は、部分電極３２ａに形状に対応した形状となっており、光入射面１０Ａと交差または直交（もしくはほぼ直交）する方向に延在する帯状の発光形状となっている。
【００４２】
複数の部分電極３２ａは、受信側装置２００において三次元表示を行うときの画素ピッチＰ２（図２４参照）に対応するピッチＰ１（画素ピッチＰ２と同一ピッチまたはそれに近いピッチ）で配列されている。複数の部分電極３２Ａのうち部分電極３２ａを除く複数の部分電極３２Ａ（以下、「部分電極３２ｂ，３２ｃ」と称する。）は、受信側装置２００において二次元表示を行うときに、部分電極３２ａと共に、面状照明光の生成に用いられるものである。つまり、受信側装置２００において二次元表示を行うときには、面状照明光を生成するために、全ての部分電極３２Ａが用いられる。部分電極３２ａ，３２ｂ，３２ｃは、配列方向（光入射面１０Ａと直交する方向）においてこの順に配列されており、さらに、一組の部分電極３２ａ，３２ｂ，３２ｃが複数、配列方向に配列されている。
【００４３】
各部分電極３２Ａは、面内の一の方向であって、かつ光入射面１０Ａと交差または直交（もしくはほぼ直交）する方向に延在する帯状の形状となっている。例えば、図５に示したように、各部分電極３２Ａのうち、表示パネル２１０内の１つの画素２１０ａに使われる部分の面積（図中のグレー部分の面積）が、光源２０からの距離に応じて変化している。従って、部分電極３２Ａによって生成される帯状照明光の、単位面積あたりの発光面積も、光源２０からの距離に応じて変化している。
【００４４】
具体的には、各部分電極３２Ａの幅が、光源２０からの距離に応じて変化しており、光源２０寄りの箇所で相対的に細く、光源２０から離れた箇所で相対的に太くなっている。例えば、図５に示したように、各部分電極３２Ａの幅が、光源２０からの距離に比例して太くなっている。従って、部分電極３２Ａによって生成される帯状照明光の幅も、光源２０からの距離に応じて変化しており、光源２０寄りの箇所で相対的に細く、光源２０から離れた箇所で相対的に太くなっている。例えば、図示しないが、部分電極３２Ａによって生成される帯状照明光の幅が、光源２０からの距離に比例して太くなっている。
【００４５】
なお、各部分電極３２Ａの幅が、光源２０からの距離に応じて変化している場合に、各部分電極３２Ａの、幅方向の中心線が互いに平行となるように、各部分電極３２Ａの形状が調整されていることが好ましい。この場合、各帯状照明光の、幅方向の中心線も、互いに平行となっている。なお、各部分電極３２Ａの幅が、当該部分電極３２Ａの、光源２０から最も離れた端部や、光源２０に最も近い端部において、均一となっていてもよい。
【００４６】
各部分電極３２Ａは、例えば、図５に示したように、互いに別個に形成され、互いに独立に駆動可能になっていてもよいが、各部分電極３２ａが互いに電気的に接続されていてもよい。例えば、図６に示したように、各部分電極３２ａが、配列方向に延在する配線３２Ｂを介して互いに電気的に接続されていてもよい。また、例えば、各部分電極３２ｂ，３２ｃが互いに電気的に接続されていてもよい。例えば、図６に示したように、各部分電極３２ｂ，３２ｃが、配列方向に延在する配線３２Ｃを介して互いに電気的に接続されていてもよい。なお、二次元表示に際して多視点表示を行う場合には、部分電極３２ｂと部分電極３２ｃとが互いに電気的に分離されていることが好ましい。この場合に、例えば、図７に示したように、各部分電極３２ｂが、配列方向に延在する配線３２Ｃを介して互いに電気的に接続されると共に、各部分電極３２ｃが、配列方向に延在する配線３２Ｄを介して互いに電気的に接続されていてもよい。
【００４７】
各部分電極３２Ａは、例えば、図４、図８、図９、図１０に示したように、光入射面１０Ａの法線と斜めに交差する方向に延在していてもよい。このとき、帯状照明光も、光入射面１０Ａの法線と斜めに交差する方向に延在していることになる。なお、各部分電極３２Ａ（または帯状照明光）が光入射面１０Ａの法線と斜めに交差する方向に延在している場合に、各部分電極３２Ａ（または帯状照明光）の延在方向が、表示パネル２１０の画素の配列方向と交差する方向に延在していることが好ましい。このようにした場合には、後に詳述するが、光入射面１０Ａの法線と平行な方向の解像度と、光入射面１０Ａと平行な方向の解像度との差を小さくすることができる。
【００４８】
また、例えば、図１１、図１２、図１３に示したように、各部分電極３２Ａが、ブロック形状となっており、かつ複数の部分電極３２Ａが２次元配置されていてもよい。なお、図１１、図１２には、複数の部分電極３２Ａがライン状に配列されている様子が例示されている。一方、図１３は、各部分電極３２Ａが、隣接する他の部分電極３２Ａとの関係で、画素２１０ａの幅の分だけ左右方向（Ｙ軸方向）にずれて配置されている様子が例示されている。
【００４９】
この場合に、複数の部分電極３２Ａを１つの線状電極３２Ｅとみなしたときに、例えば、図１１に示したように、各線状電極３２Ｅのうち、表示パネル２１０内の１つの画素２１０ａに使われる部分の面積（図中のグレー部分の面積）が、光源２０からの距離に応じて変化している。従って、この場合には、線状電極３２Ｅによって生成される帯状照明光の、単位面積あたりの発光面積も、光源２０からの距離に応じて変化している。なお、線状電極３２Ｅが本技術の「仮想帯状電極」の一具体例に相当する。
【００５０】
具体的には、各線状電極３２Ｅの幅が、光源２０からの距離に応じて変化しており、光源２０寄りの箇所で相対的に細く、光源２０から離れた箇所で相対的に太くなっている。例えば、図１１、図１２、図１３に示したように、各線状電極３２Ｅの幅が、光源２０からの距離に比例して太くなっている。従って、線状電極３２Ｅによって生成される帯状照明光の幅も、光源２０からの距離に応じて変化しており、光源２０寄りの箇所で相対的に細く、光源２０から離れた箇所で相対的に太くなっている。例えば、図示しないが、線状電極３２Ｅによって生成される帯状照明光の幅が、光源２０からの距離に比例して太くなっている。
【００５１】
なお、各部分電極３２Ａの幅が、光源２０からの距離に応じて変化している場合に、各部分電極３２Ａの重心が１本の線上に乗るように、各部分電極３２Ａの形状が調整されていることが好ましい。この場合、各線状電極３２Ｅ（もしくは線状電極３２Ｅによって生成される帯状照明光）の、幅方向の中心線が互いに平行となっている。なお、各線状電極３２Ｅの幅が、当該線状電極３２Ｅの、光源２０から最も離れた端部や、光源２０に最も近い端部において、均一となっていてもよい。
【００５２】
上側電極３６は、面内全体に渡って形成された１枚のベタ膜（面状電極）である。上側電極３６は、例えば、図１４に示したように、下側電極３２のうち各部分電極３２Ａと対向する領域に形成されている。上側電極３６は、下側電極３２のうち配線３２Ｂ，３２Ｃと対向する領域に、当該上側電極３６に電圧を供給する引出配線（図示せず）を有しており、引出配線だけが配線３２Ｂまたは配線３２Ｃの一部と対向していることが好ましい。これは、上側電極３６と配線３２Ｂ，３２Ｃとが互いに対向する部分が多くなると、配線３２Ｂ，３２Ｃに電圧が印加されたときに、光変調層３４のうち配線３２Ｂ，３２Ｃと対向する部分が駆動されることにより生じる不要な光が多くなってしまうからである。
【００５３】
下側電極３２および上側電極３６のうち少なくとも上側電極３６（バックライト２１１の上面側の電極）は透明導電膜によって構成されている。この透明導電膜は、例えば、以下の式で示されるような特性を有していることが好ましい（図１５（Ａ）参照）。この透明導電膜は、例えば、ＩＴＯを含む膜（以下、「ＩＴＯ膜」と称する。）によって構成されている。なお、下側電極３２および上側電極３６は、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ；Indium Zinc Oxide）、メタルナノワイヤ、カーボンナノチューブ、グラフェンなどによって構成されていてもよい。
【００５４】
｜Ａ１−Ａ２｜≦２．００
Ａ１：４５０ｎｍ〜６５０ｎｍにおける最大光吸収率（％）
Ａ２：４５０ｎｍ〜６５０ｎｍにおける最小光吸収率（％）
【００５５】
照明光としては、可視光が使用されるので、３８０〜７８０ｎｍの範囲で、透明導電膜の光吸収の差が少ないことが好ましい。３８０〜７８０ｎｍの範囲で光吸収率の最大値と最小値の差が、１０．００以下であることが好ましく、７．００以下であることがより好ましい。特に、透明導電膜がバックライトなどに適用される場合は、使用する光源の波長領域の範囲内で光吸収率の最大値と最小値の差が２．００以下であることが好ましく、１．００以下であることがより好ましい。一般的なＬＥＤを光源として光源などを用いた場合、４５０〜６５０ｎｍ範囲で、光吸収率の最大値と最小値の差が、２．００以下であることが好ましく、１．００以下であることがより好ましい。なお、吸収率の測定は日本分光製Ｖ−５５０を用い、基板法線方向から５°入射にて反射率、透過率を測定し、１００％から反射率、透過率の値を引いた値を吸収率とした。
【００５６】
このように、透明導電膜が上記の式に示した特性となっている場合には、光源２０から出射された光が導光板１０内を伝播していく過程で光変調素子３０内の透明導電膜を繰り返し通過したときに、透明導電膜における、吸収の波長依存性が抑制される。透明導電膜が、一般的なＩＴＯ膜からなる場合には、例えば、図１５（Ｂ），（Ｃ）の破線および図１６（Ａ）の矢印に示したように、光源２０からの距離が遠くなるにつれて、長波長側の成分が増大していく。一方、透明導電膜が、上記の式に示した特性を有する、膜質改善されたＩＴＯ膜からなる場合には、例えば、図１５（Ｂ），（Ｃ）の実線および図１６（Ｂ）に示したように、長波長側の成分が光源２０からの距離に応じて変化する割合が低減している。なお、図１５（Ｂ），（Ｃ）の縦軸のΔｕ’ｖ’は、その値が大きくなるほど、長波長側の成分が大きくなることに対応する指標である。
【００５７】
また、例えば、光変調素子３０に含まれる一対の下側電極３２および上側電極３６のうち少なくとも一方が、ＩＴＯ膜によって構成されているとき、導光している光路中のどこか（例えば、導光板１０および光変調素子３０の少なくとも一方）に、例えば、長波長側の光を短波長側の光よりもより多く吸収する染料・顔料が含まれていることが好ましい。上記の染料・顔料として、公知の材料を使用することができる。特に、光変調層３４の形成に紫外線照射によるプロセスを含む場合には、例えば、光変調素子３０を形成した後に、染料・顔料を含む導光板１０と光変調素子３０とを互いに貼り合わせたり、染料・顔料が紫外線によってダメージを受けないように、染料・顔料を含む部分を紫外線吸収層で紫外線から保護することが好ましい。このように、導光している光路中のどこかに上記の染料・顔料を添加することにより、光源２０から出射された光が導光板１０内を伝播していく過程で光変調素子３０を繰り返し通過したときに、ＩＴＯ膜を含む光変調素子３０の吸収の波長依存性が抑制される。
【００５８】
ただし、下側電極３２（バックライト２１１の下面側の電極）については、透明な材料でなくてもよく、例えば、金属によって構成されていてもよい。なお、下側電極３２が金属によって構成されている場合には、下側電極３２は、反射板４０と同様、導光板１０の背後から光変調素子３０に入射する光を反射する機能も兼ね備えていることになる。従って、この場合には、反射板４０を省略することも可能である。
【００５９】
下側電極３２および上側電極３６を光変調素子３０の法線方向から見たときに、光変調素子３０のうち下側電極３２および上側電極３６が互いに対向している箇所に対応する部分が光変調セル３０−１を構成している（図４参照）。光変調セル３０−１は、光変調素子３０のうち部分電極３２Ａおよび上側電極３６が互いに対向している箇所に対応する部分である。
【００６０】
各光変調セル３０−１は、下側電極３２（部分電極３２Ａ）および上側電極３６に所定の電位差を印加することにより別個独立に駆動することの可能なものであり、下側電極３２および上側電極３６に印加される電位差の大きさに応じて、光源２０からの光に対して透明性を示したり、散乱性を示したりする。ただし、上述した配線３２Ｂや配線３２Ｃで部分電極３２Ａ同士が互いに接続されている場合には、光変調素子３０のうち配線３２Ｂ（または配線３２Ｃ）で互いに接続された複数の部分電極３２Ａに対応する部分が、光変調セル３０−１となる。なお、透明性、散乱性については、光変調層３４を説明する際に詳細に説明する。
【００６１】
配向膜３３，３５は、例えば、光変調層３４に用いられる液晶やモノマーを配向させるものである。配向膜の種類としては、例えば、垂直用配向膜および水平配向膜があるが、本実施の形態では、配向膜３３，３５には水平配向膜が用いられる。水平配向膜としては、例えば、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリビニルアルコールなどをラビング処理することにより形成された配向膜、転写やエッチングなどにより溝形状が付与された配向膜が挙げられる。また、水平配向膜としては、例えば、酸化ケイ素などの無機材料を斜方蒸着することにより形成された配向膜、イオンビーム照射により形成されたダイヤモンドライクカーボン配向膜、電極パターンスリットの形成された配向膜が挙げられる。透明基板３１，３７としてプラスチックフィルムを用いる場合には、製造工程において、透明基板３１，３７の表面に配向膜３３，３５を塗布した後の焼成温度ができるだけ低いことが好ましいことから、配向膜３３，３５として、１００℃以下の温度で形成可能なポリアミドイミドを用いることが好ましい。
【００６２】
また、垂直、水平いずれの配向膜においても、液晶とモノマーを配向させる機能があれば十分であり、通常の液晶ディスプレイに要求される電圧の繰り返し印加による信頼性などは必要ない。デバイス作成後の電圧印加による信頼性は、モノマーを重合したものと液晶との界面で決まるためである。また、配向膜を用いなくても、例えば、下側電極３２および上側電極３６間に電場や磁場を印加することによっても、光変調層３４に用いられる液晶やモノマーを配向させることが可能である。つまり、下側電極３２および上側電極３６間に電場や磁場を印加しながら、紫外線照射して電圧印加状態での液晶やモノマーの配向状態を固定させることができる。配向膜の形成に電圧を用いる場合には、配向用と駆動用とで別々の電極を形成するか、液晶材料に周波数によって誘電率異方性の符号が反転する二周波液晶などを用いることができる。また、配向膜の形成に磁場を用いる場合、配向膜として磁化率異方性の大きい材料を用いることが好ましく、例えば、ベンゼン環の多い材料を用いることが好ましい。
【００６３】
光変調層３４は、電場の大きさに応じて、光源２０からの光に対して散乱性もしくは透明性を示すものである。光変調層３４は、例えば、図４に示したように、バルク３４Ａと、バルク３４Ａ内に分散された微粒子状の複数の微粒子３４Ｂとを含んだ複合層となっている。バルク３４Ａおよび微粒子３４Ｂは光学異方性を有している。なお、バルク３４Ａが本技術の「第２領域」の一具体例に相当し、微粒子３４Ｂが本技術の「第１領域」の一具体例に相当する。
【００６４】
図１７（Ａ）は、下側電極３２および上側電極３６間に電位差が印加されていない時（以下、単に「電位差無印加時」と称する。）の、微粒子３４Ｂ内の配向状態の一例を模式的に表したものである。なお、図１７（Ａ）において、バルク３４Ａ内の配向状態についての記載を省略した。ここで、第１電位差は、光変調層３４が散乱性を示す電位差である。第２電位差は、光変調層３４が透明性を示す電位差である。本明細書において、「電位差無印加時」とは、「第１電位差よりも低い第２電位差が印加されている時」も含む概念である。
【００６５】
図１７（Ｂ）は、電位差無印加時の、バルク３４Ａおよび微粒子３４Ｂの屈折率異方性を示す屈折率楕円体の一例を表したものである。この屈折率楕円体は、様々な方向から入射した直線偏光の屈折率をテンソル楕円体で表したものであり、光が入射する方向からの楕円体の断面を見ることによって、幾何的に屈折率を知ることができるものである。図１７（Ｃ）は、電位差無印加時の、正面方向に向かう光Ｌ１と、斜め方向に向かう光Ｌ２とが光変調層３４を透過する様子の一例を模式的表したものである。
【００６６】
図１８（Ａ）は、下側電極３２および上側電極３６間に電位差が印加されている時（以下、単に「電位差印加時」と称する。）の、微粒子３４Ｂ内の配向状態の一例を模式的に表したものである。なお、図１８（Ａ）において、バルク３４Ａ内の配向状態についての記載を省略した。本明細書において、「電位差印加時」は、「第１電位差が印加されている時」を意味しているものとする。
【００６７】
図１８（Ｂ）は、電位差印加時の、バルク３４Ａおよび微粒子３４Ｂの屈折率異方性を示す屈折率楕円体の一例を表したものである。図１８（Ｃ）は、下側電極３２および上側電極３６間に電位差が印加されている時の、正面方向に向かう光Ｌ１と、斜め方向に向かう光Ｌ２とが光変調層３４において散乱される様子の一例を模式的表したものである。
【００６８】
バルク３４Ａおよび微粒子３４Ｂは、例えば、図１７（Ａ），（Ｂ）に示したように、電位差無印加時に、バルク３４Ａの光軸ＡＸ１および微粒子３４Ｂの光軸ＡＸ２の向きが互いに一致する（平行となる）構成となっている。なお、光軸ＡＸ１，ＡＸ２とは、偏光方向によらず屈折率が一つの値になるような光線の進行方向と平行な線を指している。また、光軸ＡＸ１および光軸ＡＸ２の向きは常に互いに一致している必要はなく、光軸ＡＸ１の向きと光軸ＡＸ２の向きとが、例えば製造誤差などによって多少ずれていてもよい。
【００６９】
また、微粒子３４Ｂは、例えば、電位差無印加時に、光軸ＡＸ２が導光板１０の光入射面１０Ａと平行となる構成となっている。微粒子３４Ｂは、さらに、例えば、電位差無印加時に、光軸ＡＸ２が透明基板３１，３７の表面と僅かな角度θ１で交差する構成となっている（図１７（Ｂ）参照）。なお、角度θ１については、微粒子３４Ｂを構成する材料を説明する際に詳述する。
【００７０】
一方、バルク３４Ａは、例えば、下側電極３２および上側電極３６間への電位差印加の有無に拘らず、バルク３４Ａの光軸ＡＸ１が一定となる構成となっている。具体的には、バルク３４Ａは、例えば、図１７（Ａ），（Ｂ），図１８（Ａ），（Ｂ）に示したように、バルク３４Ａの光軸ＡＸ１が導光板１０の光入射面１０Ａと平行となると共に透明基板３１，３７の表面と所定の角度θ１で交差する構成となっている。つまり、バルク３４Ａの光軸ＡＸ１は、電位差無印加時に、微粒子３４Ｂの光軸ＡＸ２と平行となっている。
【００７１】
なお、光軸ＡＸ２が常に、光入射面１０Ａと平行となると共に透明基板３１，３７の表面と角度θ１で交差している必要はなく、例えば製造誤差などによって透明基板３１，３７の表面と、角度θ１とは若干異なる角度で交差していてもよい。また、光軸ＡＸ１，ＡＸ２が常に光入射面１０Ａと平行となっている必要はなく、例えば製造誤差などによって光入射面１０Ａと、小さな角度で交差していてもよい。
【００７２】
ここで、バルク３４Ａおよび微粒子３４Ｂの常光屈折率が互いに等しく、かつバルク３４Ａおよび微粒子３４Ｂの異常光屈折率が互いに等しいことが好ましい。この場合に、例えば、電位差無印加時には、図１７（Ａ）に示したように、正面方向および斜め方向を含むあらゆる方向において屈折率差がほとんどなく、高い透明性が得られる。これにより、例えば、図１７（Ｃ）に示したように、正面方向に向かう光Ｌ１および斜め方向に向かう光Ｌ２は、光変調層３４内で散乱されることなく、光変調層３４を透過する。その結果、例えば、図１９（Ａ），（Ｂ）に示したように、光源２０からの光Ｌ（斜め方向からの光）は、光変調層３４のうち透明な領域（透明領域３０Ａ）の界面（透明基板３１の下面および導光板１０の上面）において全反射され、透明領域３０Ａの輝度（黒表示の輝度）が、全面を均一に発光させている場合（図１９（Ｂ）中の一点鎖線）と比べて下がる。なお、図１９（Ｂ）の正面輝度のプロファイルは、導光板１０上に拡散シート４１を設置し、その拡散シート４１を介して測定することにより得られたものである。
【００７３】
なお、透明領域３０Ａの界面の１つである導光板１０の上面は、表示パネル２１０と導光板１０との間に存在する間隙と接しているが、その間隙は、導光板１０の上面の屈折率よりも低い屈折率の材料で満たされていることが好ましい。そのような低屈折率材料からなる層（低屈折率材料層２２０（図３参照））は、典型的には空気であるが、低屈折率材料からなる粘着剤もしくは接着剤であってもよい。
【００７４】
バルク３４Ａおよび微粒子３４Ｂは、例えば、電位差印加時には、図１８（Ａ）に示したように、光軸ＡＸ１および光軸ＡＸ２の向きが互いに異なる（交差または直交（もしくはほぼ直交）する）構成となっている。また、微粒子３４Ｂは、例えば、電位差印加時に、微粒子３４Ｂの光軸ＡＸ２が導光板１０の光入射面１０Ａと平行となると共に透明基板３１，３７の表面と角度θ１よりも大きな角度θ２（例えば９０°）で交差する構成となっている。なお、角度θ２については、微粒子３４Ｂを構成する材料を説明する際に詳述する。
【００７５】
したがって、電位差印加時には、光変調層３４において、正面方向および斜め方向を含むあらゆる方向において屈折率差が大きくなり、高い散乱性が得られる。これにより、例えば、図１７（Ｃ）に示したように、正面方向に向かう光Ｌ１および斜め方向に向かう光Ｌ２は、光変調層３４内で散乱される。その結果、例えば、図１９（Ａ）に示したように、光源２０からの光Ｌ（斜め方向からの光）は、散乱領域３０Ｂの界面（透明基板３１または導光板１０と空気との界面）を透過すると共に、反射板４０側に透過した光は反射板４０で反射され、光変調素子３０を透過する。従って、散乱領域３０Ｂの輝度は、全面を均一に発光させている場合（図１９（Ｂ）中の一点鎖線）と比べて極めて高くなり、しかも、透明領域３０Ａの輝度が低下した分だけ、部分的な白表示の輝度（輝度突き上げ）が大きくなる。
【００７６】
なお、バルク３４Ａおよび微粒子３４Ｂの常光屈折率は、例えば製造誤差などによって多少ずれていてもよく、例えば、０．１以下であることが好ましく、０．０５以下であることがより好ましい。また、バルク３４Ａおよび微粒子３４Ｂの異常光屈折率についても、例えば製造誤差などによって多少ずれていてもよく、例えば、０．１以下であることが好ましく、０．０５以下であることがより好ましい。
【００７７】
また、バルク３４Ａの屈折率差（ΔｎP＝異常光屈折率ｎｅP−常光屈折率ｎｏP）や、微粒子３４Ｂの屈折率差（ΔｎL＝異常光屈折率ｎｅL−常光屈折率ｎｏL）は、できるだけ大きいことが好ましく、０．０５以上であることが好ましく、０．１以上であることがより好ましく、０．１５以上であることがさらに好ましい。バルク３４Ａおよび微粒子３４Ｂの屈折率差が大きい場合には、光変調層３４の散乱能が高くなり、導光条件を容易に破壊することができ、導光板１０からの光を取り出しやすいからである。
【００７８】
また、バルク３４Ａおよび微粒子３４Ｂは、電場に対する応答速度が互いに異なっている。バルク３４Ａは、例えば、微粒子３４Ｂの応答速度よりも遅い応答速度を有する筋状構造（図２０（Ａ），（Ｂ）参照）、多孔質構造、または棒状構造となっている。なお、図２０（Ａ），（Ｂ）は、光変調素子３０に対して電場を印加したときの偏光顕微鏡写真であり、図２０（Ａ），（Ｂ）中で筋状に明るい箇所が上述した筋状構造に相当している。図２０（Ａ）には、液晶とモノマーの重量比を９５：５としたときのバルク３４Ａの筋状構造の様子が示されており、図２０（Ｂ）には、液晶とモノマーの重量比を９０：１０としたときのバルク３４Ａの筋状構造の様子が示されている。バルク３４Ａは、例えば、低分子モノマーを重合化することにより得られた高分子材料によって形成されている。バルク３４Ａは、例えば、微粒子３４Ｂの配向方向または配向膜３３，３５の配向方向に沿って配向した、配向性および重合性を有する材料（例えばモノマー）を熱および光の少なくとも一方によって重合させることにより形成されている。
【００７９】
バルク３４Ａの筋状構造、多孔質構造もしくは棒状構造は、例えば、導光板１０の光入射面１０Ａと平行となると共に透明基板３１，３７の表面と僅かな角度θ１で交差する方向に長軸を有している。バルク３４Ａが筋状構造となっている場合に、短軸方向の平均的な筋状組織サイズは、導光光の散乱性を高くするという観点からは、０．１μｍ以上１０μｍ以下となっていることが好ましく、０．２μｍ以上２．０μｍ以下の範囲であることがより好ましい。短軸方向の平均的な筋状組織サイズが０．１μｍ以上１０μｍ以下となっている場合には、光変調素子３０内での散乱能が、３８０〜７８０ｎｍの可視領域において略等しくなる。そのため、面内で、ある特定の波長成分の光のみが増加したり、減少したりすることがないので、可視領域でのバランスを面内で取ることができる。短軸方向の平均的な筋状組織サイズが０．１μｍ未満である場合や、１０μｍを超える場合には、波長に関係なく、光変調素子３０の散乱能が低く、光変調素子３０が光変調素子として機能しにくい。
【００８０】
また、散乱の波長依存性を少なくするという観点からは、短軸方向の平均的な筋状組織サイズは、０．５μｍ以上５μｍ以下の範囲であることが好ましく、１〜３μｍの範囲であることがより好ましい。このようにした場合には、光源２０から出射された光が導光板１０内を伝播していく過程で光変調素子３０内のバルク３４Ａを繰り返し通過したときに、バルク３４Ａにおける、散乱の波長依存性が抑制される。筋状組織のサイズは、偏光顕微鏡、共焦点顕微鏡、電子顕微鏡などで観察することができる。
【００８１】
一方、微粒子３４Ｂは、例えば、液晶材料を主に含んで構成されており、バルク３４Ａの応答速度よりも十分に早い応答速度を有している。微粒子３４Ｂ内に含まれる液晶材料（液晶分子）は、例えば棒状分子である。微粒子３４Ｂ内に含まれる液晶分子として、正の誘電率異方性を有するもの（いわゆるポジ型液晶）を用いることが好ましい。
【００８２】
ここで、電位差無印加時には、微粒子３４Ｂ内において、液晶分子の長軸方向は、光軸ＡＸ１と平行となっている。このとき、微粒子３４Ｂ内の液晶分子の長軸は、導光板１０の光入射面１０Ａと平行となると共に透明基板３１，３７の表面と僅かな角度θ１で交差している。つまり、微粒子３４Ｂ内の液晶分子は、電位差無印加時には、導光板１０の光入射面１０Ａと平行な面内において角度θ１だけ傾斜した状態で配向している。この角度θ１は、プレチルト角と呼ばれるもので、例えば０．１°以上３０°以下の範囲であることが好ましい。この角度θ１は、０．５°以上１０°以下の範囲であることがより好ましく、０．７°以上２°以下の範囲であることがさらにより好ましい。角度θ１を大きくすると、後述するような理由から散乱の効率が低下する傾向にある。また、角度θ１を小さくし過ぎると、電位差印加時に液晶の立ち上がる方位角がばらつく。例えば、１８０°反対側の方位（リバースチルト）に液晶が立ち上がることもある。これにより、微粒子３４Ｂとバルク３４Ａとの屈折率差を有効に利用できないので、散乱効率が低くなり、輝度が小さくなる傾向にある。
【００８３】
また、電位差印加時には、微粒子３４Ｂ内において、液晶分子の長軸方向は、光軸ＡＸ１と交差または直交（もしくはほぼ直交）している。このとき、微粒子３４Ｂ内の液晶分子の長軸は、導光板１０の光入射面１０Ａと平行となると共に透明基板３１，３７の表面と角度θ１よりも大きな角度θ２（例えば９０°）で交差している。つまり、微粒子３４Ｂ内の液晶分子は、電位差印加時には、導光板１０の光入射面１０Ａと平行な面内において角度θ２だけ傾斜した状態もしくは角度θ２（＝９０°）で真っ直ぐ立った状態で配向している。
【００８４】
上記した、配向性および重合性を有するモノマーとしては、光学的に異方性を有しており、かつ液晶と複合する材料であればよいが、本実施の形態では紫外線で硬化する低分子モノマーであることが好ましい。電圧無印加の状態で、液晶と、低分子モノマーを重合化することにより形成されたもの（高分子材料）との光学的異方性の方向が一致していることが好ましいので、紫外線硬化前において、液晶と低分子モノマーが同一方向に配向していることが好ましい。微粒子３４Ｂとして液晶が用いられる場合に、その液晶が棒状分子であるときには、使用するモノマー材料の形状も棒状であることが好ましい。以上のことから、モノマー材料としては重合性と液晶性を併せ持つ材料を用いることが好ましく、例えば、重合性官能基として、アクリレート基、メタクリレート基、アクリロイルオキシ基、メタクリロイルオキシ基、ビニルエーテル基およびエポキシ基からなる群から選ばれた少なくとも１つの官能基を有することが好ましい。これらの官能基は、紫外線、赤外線または電子線を照射したり、加熱したりすることによって重合させることができる。紫外線照射時の配向度低下を抑制するために、多官能基をもつ液晶性材料を添加することもできる。バルク３４Ａを上述した筋状構造とする場合には、バルク３４Ａの原料として、２官能液晶性モノマーを用いることが好ましい。また、バルク３４Ａの原料に対して、液晶性を示す温度の調整を目的に単官能モノマーを添加したり、架橋密度向上を目的に３官能以上のモノマーを添加したりすることもできる。
【００８５】
駆動回路５０は、例えば、一の光変調セル３０−１において微粒子３４Ｂの光軸ＡＸ２がバルク３４Ａの光軸ＡＸ１と平行もしくはほぼ平行となり、他の光変調セル３０−１において微粒子３４Ｂの光軸ＡＸ２がバルク３４Ａの光軸ＡＸ１と交差または直交（もしくはほぼ直交）するように各光変調セル３０−１の一対の電極（下側電極３２、上側電極３６）へ印加する電位差の大きさを制御するようになっている。つまり、駆動回路５０は、電場制御によって、バルク３４Ａおよび微粒子３４Ｂの光軸ＡＸ１，ＡＸ２の向きを互いに一致（もしくはほぼ一致）させたり、互いに異ならせたり（もしくは直交させたり）することができるようになっている。
【００８６】
駆動回路５０は、制御信号２０４Ａとして三次元表示を指定する信号が入力されたとき（三次元表示モードのとき）には、バックライト２１１から複数の帯状照明光を出力させるようになっている。具体的には、駆動回路５０は、部分電極３２ａを含む各光変調セル３０−１に、光変調層３４が散乱性を示す電位差を印加するとともに、部分電極３２ｂまたは部分電極３２ｃを含む各光変調セル３０−１に、光変調層３４が透明性を示す電位差を印加するようになっている。言い換えると、駆動回路５０は、部分電極３２ａを含む各光変調セル３０−１において微粒子３４Ｂの光軸ＡＸ２がバルク３４Ａの光軸ＡＸ１と交差または直交（もしくはほぼ直交）し、部分電極３２ｂまたは部分電極３２ｃを含む各光変調セル３０−１において微粒子３４Ｂの光軸ＡＸ２がバルク３４Ａの光軸ＡＸ１と平行となるように、各光変調セル３０−１の一対の電極（部分電極３２Ａ、上側電極３６）へ印加する電位差の大きさを制御するようになっている。これにより、光変調層３４内に三次元表示モードの電場が発生する。なお、三次元表示モードの電場とは、部分電極３２ａを含む各光変調セル３０−１の位置、形状および大きさに対応した面内分布を有する電場を指している。
【００８７】
また、駆動回路５０は、制御信号２０４Ａとして二次元表示を指定する信号が入力されたとき（二次元表示モードのとき）には、バックライト２１１から面状照明光を出力させるようになっている。具体的には、駆動回路５０は、各光変調セル３０−１に、光変調層３４が散乱性を示す電位差を印加するようになっている。言い換えると、駆動回路５０は、バックライト２１１に含まれる全ての光変調セル３０−１において微粒子３４Ｂの光軸ＡＸ２がバルク３４Ａの光軸ＡＸ１と交差または直交（もしくはほぼ直交）するように、各光変調セル３０−１の一対の電極（部分電極３２Ａ、上側電極３６）へ印加する電位差の大きさを制御するようになっている。これにより、光変調層３４内に二次元表示モードの電場が発生する。なお、二次元表示モードの電場とは、面内全体に分布を有する電場を指している。
【００８８】
なお、駆動回路５０は、制御信号２０４Ａとして二次元表示を指定する信号が入力されるとともに、映像データに関する信号も入力されるとき（デュアルビューモードのとき）には、バックライト２１１から、映像データに対応した輝度分布を持った面状照明光（例えば、面内の一部が暗い面状照明光）を出力させるようになっていてもよい。ただし、その場合には、下側電極３２が表示パネル２１０の画素に対応したレイアウトになっていることが好ましい。下側電極３２が表示パネル２１０の画素に対応したレイアウトになっている場合に、駆動回路５０は、映像データに応じて、一部の光変調セル３０−１に、光変調層３４が散乱性を示す電位差を印加するとともに、他の光変調セル３０−１に、光変調層３４が透明性を示す電位差を印加するようになっている。これにより、光変調層３４内にデュアルビューモードの電場が発生する。なお、デュアルビューモードの電場とは、変調層３４が散乱性を示す電位差が印加されている各光変調セル３０−１の位置、形状および大きさに対応した面内分布を有する電場を指している。
【００８９】
以下に、本実施の形態のバックライト２１１の製造方法について、図２１から図２３を参照しながら説明する。
【００９０】
まず、ガラス基板またはプラスチックフィルム基板からなる透明基板３１上に、ＩＴＯなどの透明導電膜３２Ｆを形成する（図２１（Ａ））。次に、表面全体にレジスト層を形成したのち、パターニングによりレジスト層に電極パターンを形成する。続いて、露光、現像により下側電極３２を形成し、レジスト層を除去する（図２１（Ｂ））。
【００９１】
パターニングの方法としては、例えば、フォトリソグラフィ法、レーザー加工法、パターン印刷法、スクリーン印刷法などを用いることが可能である。また、例えば、メルク社の‘ハイパーエッチ’材料を用いてスクリーン印刷した後に所定の加熱を行い、その後、水洗することでパターニングを行うこともできる。電極パターンは駆動方法および部分駆動の分割数によって決定される。電極パターンは、例えば、使用する表示装置の画素ピッチか、それに近いピッチで加工される。電極の加工幅は、加工方法にも依存するが、光りの取り出し効率という観点においてできるだけ細いことが好ましい。電極の加工幅は、例えば、５０μｍ以下、好ましくは２０μｍ、さらに好ましくは５μｍ以下である。また、ＩＴＯナノ粒子をパターン印刷した後、それを焼成することによって電極パターンを形成してもよい。
【００９２】
次に、表面全体に配向膜３３を塗布したのち、乾燥させ、焼成する（図２１（Ｃ））。配向膜３３としてポリイミド系材料を用いる場合には、溶媒にＮＭＰ（Ｎ−メチル−２−ピロリドン）を用いることが多いが、そのときには、大気下では２００℃程度の温度が必要である。なお、この場合に、透明基板３１としてプラスチック基板を用いる場合には、配向膜３３を１００℃で真空乾燥させ、焼成することもできる。その後、配向膜３３に対してラビング処理を行う。これにより、配向膜３３が水平配向用の配向膜として機能し、さらに配向膜３３のラビング方向にプレチルトを形成することが可能となる。
【００９３】
同様にして、ガラス基板またはプラスチックフィルム基板からなる透明基板３７上に、ＩＴＯなどの透明導電膜を形成する。次に、表面全体にレジスト層を形成したのち、パターニングによりレジスト層に電極パターンを形成する。続いて、露光、現像により上側電極３６を形成し、レジスト層を除去する。次に、表面全体に配向膜３５を塗布したのち、乾燥させ、焼成する。その後、配向膜３５に対してラビング処理を行う。これにより、配向膜３５が水平配向用の配向膜として機能し、さらに配向膜３５のラビング方向にプレチルトを形成することが可能となる。
【００９４】
次に、配向膜３３上に、セルギャップを形成するためのスペーサ３８を乾式または湿式で散布する（図２２（Ａ））。なお、真空貼り合わせ法にて光変調セル３０−１を作成する場合には、滴下する混合物中にスペーサ３８を混合しておいてもよい。また、スペーサ３８の替わりとして、フォトリソ法によって柱スペーサを形成することもできる。続いて、配向膜３５上に、貼り合わせおよび液晶の漏れを防止するためのシール剤パターン３９を、例えば額縁状に塗布する（図２２（Ｂ））。このシール剤パターン３９はディスペンサー法やスクリーン印刷法にて形成することができる。
【００９５】
以下に、真空貼り合わせ法（One Drop Fill法、ＯＤＦ法）について説明するが、真空注入法やロール貼合方式などで光変調セル３０−１を作成することも可能である。
【００９６】
まず、セルギャップ、セル面積などから決まる体積分にあたる液晶とモノマーの混合物４２を面内に均一に滴下する（図２２（Ｃ））。混合物４２の滴下にはリニアガイド方式の精密ディスペンサーを用いることが好ましいが、シール剤パターン３９を土手として利用して、ダイコータなどを用いてもよい。
【００９７】
液晶とモノマーは前述の材料を用いることができるが、液晶とモノマーの重量比は９８：２〜５０：５０、好ましくは９５：５〜７５：２５、より好ましくは９２：８〜８５：１５である。液晶の比率を多くすることで駆動電圧を低くすることができるが、あまり液晶を多くしすぎると電圧印加時の白色度が低下したり、電圧オフ後に応答速度が低下するなど透明時に戻りにくくなったりする傾向がある。
【００９８】
混合物４２には、液晶とモノマーの他には、重合開始剤を添加する。使用する紫外線波長に応じて、添加する重合開始剤のモノマー比を０．１〜１０重量％の範囲内で調整する。混合物４２には、この他に、重合禁止剤や可塑剤、粘度調整剤なども必要に応じて添加可能である。モノマーが室温で固体やゲル状である場合には、口金やシリンジ、基板を加温することが好ましい。
【００９９】
透明基板３１および透明基板３７を真空貼り合わせ機（図示せず）に配置したのち、真空排気し、貼り合わせを行う（図２３（Ａ））。その後、貼り合わせたものを大気に解放し、大気圧での均一加圧によってセルギャップを均一化する。セルギャップは白輝度（白色度）と駆動電圧の関係から適宜選定できるが、５〜４０μｍ、好ましくは６〜２０μｍ、より好ましくは７〜１０μｍである。
【０１００】
貼り合わせ後、必要に応じて配向処理を行うことが好ましい（図示せず）。クロスニコル偏光板の間に、貼り合わせたセルを挿入した際に、光り漏れが生じている場合には、セルをある一定時間加熱処理したり、室温で放置したりして配向させる。その後、紫外線Ｌ３を照射してモノマーを重合させてポリマー化する（図２３（Ｂ））。このようにして、光変調素子３０が製造される。
【０１０１】
紫外線を照射している時には、セルの温度が変化しないようにすることが好ましい。赤外線カットフィルターを用いたり、光源にＵＶ−ＬＥＤなどを用いたりすることが好ましい。紫外線照度は複合材料の組織構造に影響を与えるので、使用する液晶材料やモノマー材料、これらの組成から適宜調整することが好ましく、０．１〜５００ｍＷ／ｃｍ2の範囲が好ましく、さらに好ましくは０．５〜３０ｍＷ／ｃｍ2である。紫外線照度が低いほど駆動電圧が低くなる傾向にあり、生産性と特性の両面から好ましい紫外線照度を選定することができる。
【０１０２】
そして、導光板１０に光変調素子３０を貼り合わせる（図２３（Ｃ））。貼り合わせには、粘着、接着のいずれでもよいが、導光板１０の屈折率と光変調素子３０の基板材料の屈折率とにできるだけ近い屈折率の材料で粘着、接着することが好ましい。最後に、下側電極３２および上側電極３６に引き出し線（図示せず）を取り付ける。このようにして、本実施の形態のバックライト２１１が製造される。
【０１０３】
このように、光変調素子３０を作成し、最後に導光板１０に光変調素子３０を貼り合わせるプロセスを説明したが、導光板１０の表面に、配向膜３５を形成した透明基板３７を予め貼り合わせてから、バックライト２１１を作成することもできる。また、枚葉方式、ロール・ツー・ロール方式のいずれでもバックライト２１１を作成することができる。
【０１０４】
次に、本実施の形態のバックライト２１１の作用および効果について説明する。
【０１０５】
本実施の形態のバックライト２１１では、三次元表示のときに、部分電極３２ａを含む各光変調セル３０−１において微粒子３４Ｂの光軸ＡＸ２がバルク３４Ａの光軸ＡＸ１と交差または直交（もしくはほぼ直交）し、部分電極３２ｂまたは部分電極３２ｃを含む各光変調セル３０−１において微粒子３４Ｂの光軸ＡＸ２がバルク３４Ａの光軸ＡＸ１と平行もしくはほぼ平行となるように、各光変調セル３０−１の一対の電極（部分電極３２Ａ、上側電極３６）に電位差が印加される。これにより、光変調素子３０において、部分電極３２ａを含む各光変調セル３０−１が散乱領域３０Ｂとなり、部分電極３２ｂまたは部分電極３２ｃを含む各光変調セル３０−１が透明領域３０Ａとなる。その結果、光源２０から出射され、導光板１０内に入射した光は、光変調素子３０のうち透過領域３０Ａを透過し、光変調素子３０のうち散乱領域３０Ｂにおいて散乱される（図２４）。光変調素子３０（光変調層３４）は、このようにして、光源２０からの光を利用して、光入射面１０Ａと交差または直交（もしくはほぼ直交）する方向に延在する複数の帯状照明光を生成する。各帯状照明光（散乱光）のうち散乱領域３０Ｂの下面を透過した光は反射板４０で反射され、再度、導光板１０に戻されたのち、バックライト２１１の上面から出射される。また、各帯状照明光（散乱光）のうち、散乱領域３０Ｂの上面に向かった光は、導光板１０を透過したのち、バックライト２１１の上面から出射される。このように、三次元表示のときには、透明領域３０Ａの上面からは光はほとんど出射されず、散乱領域３０Ｂの上面から光が出射される。このようにして、例えば、図２４に示したように、正面方向に、複数の帯状照明光が出力される。
【０１０６】
これにより、正面方向に出力された各帯状照明光が表示パネル２１０の背面に入射するので、例えば、各帯状照明光に対応する画素配列において各画素行が三次元用画素２１０Ｄとなるように三次元表示用の二次元映像データが映像信号処理回路２０７で生成されたときには、各三次元用画素２１０Ｄ内の共通の位置にある画素（例えば、図２４では、２１０−１，２１０−２，２１０−３または２１０−４）には、各帯状照明光が略同一の角度で入射する。その結果、各三次元用画素２１０Ｄ内の共通の位置にある画素からは、その画素によって変調された映像光が所定の角度で出力される。このとき、観察者は、左右の目で、互いに異なる視差の映像を観察することになるので、観察者は、表示パネル２１０に三次元映像（立体映像）が表示されていると認識する。
【０１０７】
また、本実施の形態のバックライト２１１では、二次元表示のときに、例えば、各光変調セル３０−１において微粒子３４Ｂの光軸ＡＸ２がバルク３４Ａの光軸ＡＸ１と交差または直交（もしくはほぼ直交）するように、各光変調セル３０−１の一対の電極（部分電極３２Ａ、上側電極３６）に電位差が印加される。これにより、光源２０から出射され、導光板１０内に入射した光は、光変調素子３０の全体に形成された散乱領域３０Ｂにおいて散乱される（図２５）。この散乱光のうち散乱領域３０Ｂの下面を透過した光は反射板４０で反射され、再度、導光板１０に戻されたのち、バックライト２１１の上面から出射される。また、散乱光のうち、散乱領域３０Ｂの上面に向かった光は、導光板１０を透過したのち、バックライト２１１の上面から出射される。このように、二次表示のときには、例えば、光変調素子３０の上面全体から光が出射され、正面方向に、面状照明光が出力される。
【０１０８】
これにより、正面方向に出力された面状照明光が表示パネル２１０の背面に入射するので、例えば、各画素２１０Ｅに対応して二次元表示用の二次元映像データが映像信号処理回路２０７で生成されたときには、各画素２１０Ｅには、面状照明光があらゆる角度で入射し、各画素２１０Ｅからは、各画素２１０Ｅによって変調された映像光が出力される。このとき、観察者は、両目で互いに同一の映像を観察することになるので、観察者は、表示パネル２１０に二次元映像（平面映像）が表示されていると認識する。
【０１０９】
また、本実施の形態では、電場の大きさに応じて、光源からの光に対して散乱性もしくは透明性を示す光変調層３４がバックライト２１１内に設けられている。これにより、光源２０から発せられ、透明基板３１等を伝播する光は、光変調層３４のうち、電場制御によって透明性を示す領域を透過し、バックライト２１１の上面において全反射されるか、または高反射率で反射される。その結果、バックライト２１１の光射出領域のうち透明性を示す領域と対応する領域（以下、単に「光射出領域における透明領域」とする）の輝度が、全面を均一に発光させている場合と比べて低くなる。一方、透明基板等を伝播する光は、光変調層３４のうち、電場制御によって散乱性を示す領域で散乱され、バックライト２１１の上面を透過する。その結果、バックライト２１１の光射出領域のうち散乱性を示す領域と対応する領域（以下、単に「光射出領域における散乱領域」とする）の輝度が、全面を均一に発光させている場合と比べて高くなる。しかも、光射出領域における透明領域の輝度が低下した分だけ、部分的な白表示の輝度（輝度突き上げ）が大きくなる。また、本実施の形態では、各部分電極３２Ａまたは各線状電極３２Ｅの、単位面積あたりの面積が、光源２０からの距離に応じて変化している。これにより、光射出領域における透明領域および散乱領域の密度分布を所望の分布にすることができる。その結果、各帯状照明光の単位面積あたりの発光面積が光源２０からの距離に応じて変化していない場合と比べて、光射出領域のうち光源２０側の輝度を低く抑え、光射出領域のうち光源２０とは反対側の輝度を高くすることが可能である。従って、三次元表示において、面内輝度を均一化しつつ、変調比を高くすることができる。
【０１１０】
ところで、本実施の形態では、三次元表示のときには、例えば、図２６（Ａ）の太枠で示したように、表示パネル２１０の４つの画素２１０−１〜２１０−４が１つの三次元用画素２１０Ｄとして駆動される。このとき、バックライト２１１は、例えば、図２６（Ｂ）に示したように、三次元用画素２１０Ｄごとに１つずつ散乱領域３０Ｂを形成し、各画素２１０−１〜２１０−４に、互いに異なる入射角でバックライト光を入射させる。これにより、各三次元用画素２１０Ｄ内の共通の位置にある画素（例えば、図２４では、２１０−１，２１０−２，２１０−３または２１０−４）には、各帯状照明光が略同一の角度で入射する。その結果、各三次元用画素２１０Ｄ内の共通の位置にある画素からは、その画素によって変調された映像光が所定の角度で出力される。このとき、観察者は、例えば、図２６（Ｃ）に示した画素２１０ａからの映像光を右目で観察すると同時に、図２６（Ｄ）に示した画素２１０ａからの映像光を左目で観察することになる。つまり、観察者は、左右の目で、互いに異なる視差の映像を観察することになる。その結果、観察者は、表示パネル２１０に三次元映像（立体映像）が表示されていると認識する。
【０１１１】
ここで、横方向の画素ピッチＰｘと、縦方向の画素ピッチＰｙとを対比すると、縦方向の画素ピッチＰｙは、横方向の画素ピッチＰｘの数倍も大きくなっている。そのため、観察者は、縦方向と横方向とで画素ピッチの大きく異なる映像を観察することになる。このとき、観察者は、映像品質が劣化しているように感じる場合がある。
【０１１２】
そこで、例えば、図２７（Ａ）に示したように、各散乱領域３０Ｂを、隣接する他の散乱領域３０Ｂとの関係で、画素２１０ａの幅の分だけ左右方向（Ｙ軸方向）にずらして配置する。このようにした場合には、図２７（Ｂ）に示したように、横方向の画素ピッチＰｘと、縦方向の画素ピッチＰｙとを、図２６（Ｃ），（Ｄ）のときよりも近づけることができる。その結果、映像品質の劣化を抑えることができる。
【０１１３】
なお、図２８（Ａ）に示したように、各散乱領域３０Ｂを斜めストライプ状にして配置してもよい。このようにした場合であっても、図２８（Ｂ）に示したように、横方向の画素ピッチＰｘと、縦方向の画素ピッチＰｙとを、図２６（Ｃ），（Ｄ）のときよりも近づけることができる。その結果、映像品質の劣化を抑えることができる。なお、パネルサイズが３．５インチ、画素数が縦８００×横４８０×３（ＲＧＢ）の表示パネルの場合には、各散乱領域３０Ｂの傾斜角は、４視差で７１．５７度となる。
【０１１４】
なお、上述の映像品質の劣化を抑える目的だけを考えた場合には、各部分電極３２Ａのうち、表示パネル２１０内の１つの画素２１０ａに使われる部分の面積が、光源２０からの距離にかかわらず、均一となっていてもよい。例えば、図２９、図３０に示したように、各部分電極３２Ａの幅が、一定となっていてもよい。
【０１１５】
次に、本実施の形態の受信側装置２００の他の効果について説明する。
【０１１６】
一般に、ＰＤＬＣは、液晶材料と等方性の低分子材料とを混合し、紫外線照射や溶媒の乾燥などにより相分離を起こさせることによって形成され、液晶材料の微小粒子が高分子材料中に分散された複合層となっている。この複合層中の液晶材料は、電位差無印加時にはランダムな方向を向いているので散乱性を示すが、電位差印加時には電場方向に配向するので、液晶材料の常光屈折率と高分子材料の屈折率とが互いに等しい場合には、正面方向（ＰＤＬＣの法線方向）において高い透明性を示す。しかし、この液晶材料では、斜め方向においては、液晶材料の異常光屈折率と高分子材料の屈折率との差が顕著となり、正面方向が透明性であっても斜め方向において散乱性が発現してしまう。
【０１１７】
通常、ＰＤＬＣを使った光変調素子は、表面に透明導電膜の形成された２枚のガラス板の間にＰＤＬＣを挟み込んだ構造となっていることが多い。上述したような構造を有する光変調素子に対して空気中から斜めに光が入射した場合には、その斜め方向から入射した光は空気とガラス板の屈折率差によって屈折し、より小さな角度でＰＤＬＣに入射することになる。そのため、このような光変調素子においては、大きな散乱は生じない。例えば、空気中から８０°の角度で光が入射した場合には、その光のＰＤＬＣへの入射角はガラス界面での屈折によって４０°程度にまで小さくなる。
【０１１８】
しかし、導光板を用いたエッジライト方式では、導光板越しに光が入射するので、光が８０°程度の大きな角度でＰＤＬＣ中を横切ることになる。そのため、液晶材料の異常光屈折率と高分子材料の屈折率との差が大きく、さらに、より大きな角度で光がＰＤＬＣ中を横切るので、散乱を受ける光路も長くなる。例えば、常光屈折率１．５、異常光屈折率１．６５の液晶材料の微小粒子が屈折率１．５の高分子材料中に分散されている場合には、正面方向（ＰＤＬＣの法線方向）においては屈折率差がないが、斜め方向においては屈折率差が大きくなる。このため、斜め方向の散乱性を小さくすることができないので、視野角特性が悪い。さらに、導光板上に拡散フィルムなどの光学フィルムを設けた場合には、斜め漏れ光が拡散フィルムなどによって正面方向にも拡散されるので、正面方向の光漏れが大きくなり、正面方向の変調比が低くなってしまう。
【０１１９】
一方、本実施の形態では、バルク３４Ａおよび微粒子３４Ｂが光学異方性材料を主に含んで形成されているので、斜め方向において、散乱性が小さくなり、透明性を向上させることができる。例えば、バルク３４Ａおよび微粒子３４Ｂが、互いに常光屈折率が等しく、かつ互いに異常光屈折率も等しい光学異方性材料を主に含んで構成され、かつ、下側電極３２および上側電極３６間に電位差が印加されていない領域では、これらの光軸の向きが一致もしくはほぼ一致する。これにより、正面方向（光変調素子３０の法線方向）および斜め方向を含むあらゆる方向において屈折率差が少なくなるか、またはなくなり、高い透明性が得られる。その結果、視野角の大きい範囲における光の漏洩を低減またはほとんどなくすることができ、視野角特性を良くすることができる。
【０１２０】
例えば、常光屈折率１．５、異常光屈折率１．６５の液晶と、常光屈折率１．５、異常光屈折率１．６５の液晶性モノマーとを混合し、配向膜または電界によって液晶と液晶性モノマーを配向させた状態で液晶性モノマーを重合させると、液晶の光軸と、液晶性モノマーが重合することによって形成されたポリマーの光軸とが互いに一致する。これにより、あらゆる方向で屈折率を一致させることができるので、そのようにした場合には、透明性が高い状態を実現でき、より一層、視野角特性を良くすることができる。
【０１２１】
また、本実施の形態では、例えば、図１９（Ａ），（Ｂ）に示したように、透明領域３０Ａの輝度（黒表示の輝度）が、全面を均一に発光させている場合（図１９（Ｂ）中の一点鎖線）と比べて下がっている。他方、散乱領域３０Ｂの輝度は、全面を均一に発光させている場合（図１９（Ｂ）中の一点鎖線）と比べて極めて高くなり、しかも、透明領域３０Ａの輝度が低下した分だけ、部分的な白表示の輝度（輝度突き上げ）が大きくなる。
【０１２２】
ところで、輝度突き上げとは、全面白表示した場合に比べて、部分的に白表示を行った場合の輝度を高くする技術である。ＣＲＴやＰＤＰなどでは一般によく使われている技術である。しかし、液晶ディスプレイでは、バックライトは画像にかかわらず全体に均一発光しているので、部分的に輝度を高くすることはできない。もっとも、バックライトを、複数のＬＥＤを２次元配置したＬＥＤバックライトとした場合には、ＬＥＤを部分的に消灯することは可能である。しかし、そのようにした場合には、ＬＥＤを消灯した暗領域からの拡散光がなくなるので、全てのＬＥＤを点灯した場合と比べて、輝度が低くなってしまう。また、部分的に点灯しているＬＥＤに対して流す電流を大きくすることにより、輝度を増やすことも可能であるが、そのようにした場合には、非常に短時間に大電流が流れるので、回路の負荷や信頼性の点で問題が残る。
【０１２３】
一方、本実施の形態では、バルク３４Ａおよび微粒子３４Ｂが光学異方性材料を主に含んで形成されているので、斜め方向の散乱性が抑制され、暗状態での導光板からの漏れ光が少ない。これにより、部分的な暗状態の部分から部分的な明状態の部分に導光するので、バックライト２１１への投入電力を増やすことなく、輝度突き上げを実現することができる。
【０１２４】
また、本実施の形態では、下側電極３２および上側電極３６間に電位差が印加されていない領域において、微粒子３４Ｂの光軸ＡＸ２が、導光板１０の光入射面１０Ａと平行となっており、かつ透明基板３１，３７の表面と僅かな角度θ１で交差している。つまり、微粒子３４Ｂ内に含まれる液晶分子が、光入射面１０Ａと平行な面内において角度θ１だけ傾斜した状態（プレチルト角が付与された状態）で配向している。そのため、下側電極３２および上側電極３６間に電位差が印加された時に、微粒子３４Ｂ内に含まれる液晶材料は、ランダムな方位に立ち上がることはなく、光入射面１０Ａと平行な面内で立ち上がる。このとき、バルク３４Ａおよび微粒子３４Ｂの光軸ＡＸ１，ＡＸ２が、光入射面１０Ａと平行な面内において互いに交差または直交（もしくはほぼ直交）する。
【０１２５】
この場合に、導光板１０の光入射面１０Ａから入射した光において、透明基板３１に対して垂直に振動する光は、微粒子３４Ｂの異常光屈折率とバルク３４Ａの常光屈折率との差を感じる。このとき、微粒子３４Ｂの異常光屈折率とバルク３４Ａの常光屈折率との差は大きいことから、透明基板３１に対して垂直に振動する光の散乱効率が高くなる。一方、透明基板３１に対して平行に振動する光は、微粒子３４Ｂの常光屈折率とバルク３４Ａの異常光屈折率の差を感じる。このとき、微粒子３４Ｂの常光屈折率とバルク３４Ａの異常光屈折率の差も大きいことから、透明基板３１に対して平行に振動する光の散乱効率も高くなる。従って、下側電極３２および上側電極３６間に電位差が印加された領域を伝播する光は、斜め方向の成分を多く含む。例えば、導光板１０としてアクリル導光板を用いた場合には、下側電極３２および上側電極３６間に電位差が印加された領域内の光は、４１．８°以上の角度で伝播する。その結果、斜め方向を含むあらゆる方向において屈折率差が大きくなり、高い散乱性が得られるので、表示輝度を向上させることができる。また、上記の輝度突き上げの効果により、表示輝度をさらに向上させることができる。
【０１２６】
[異方性散乱] 
次に、本実施の形態における異方性散乱について説明する。図３１、図３２は、上記実施の形態の光変調層３４におけるバルク３４Ａおよび微粒子３４Ｂの屈折率楕円体の一例を表したものである。図３３は、電位差無印加時の、バルク３４Ａおよび微粒子３４Ｂの屈折率楕円体の一例を表したものであり、図３４は、電位差印加時の、バルク３４Ａおよび微粒子３４Ｂの屈折率楕円体の一例を表したものである。
【０１２７】
繰り返しになるが、図３１に示したように、電位差無印加時に、バルク３４Ａの光軸および微粒子３４Ｂの光軸は、導光板１０の光入射面１０Ａと平行な方向であって、かつ透明基板３１，３７の表面と角度θ１で交差する方向を向いている。また、繰り返しになるが、図３２に示したように、電位差印加時に、バルク３４Ａの光軸は、電位差無印加時と同じ方向を向いている。さらに、微粒子３４Ｂの光軸は、導光板１０の光入射面１０Ａと平行となると共に透明基板３１，３７の表面と角度θ１よりも大きな角度θ２（例えば９０°）で交差する方向を向いている。
【０１２８】
このように、微粒子３４Ｂ内の液晶分子は電位差の印加、無印加に応じて上述したような変化を示すが、この変化の過程で、バルク３４Ａは電位差変化に対して応答しないか、またはバルク３４Ａの応答速度が遅く、バルク３４Ａの筋状構造の長軸方向は、ラビング方向（光入射面１０Ａと平行な方向（図３１、図３２のＹ軸方向））を向いている。そのため、電位差印加時には、光源２０から出力され、光変調層３４内を伝播する光は、バルク３４Ａの筋状構造の短軸方向の平均的な筋状組織サイズの周期で、微粒子３４Ｂの異常光屈折率とバルク３４Ａの常光屈折率との差、または微粒子３４Ｂの常光屈折率とバルク３４Ａの異常光屈折率との差を感じながら伝播する。その結果、光変調層３４内を伝播する光は、光変調層３４の厚さ方向に大きく散乱し、光入射面１０Ａと平行な方向にはあまり散乱しない。つまり、光変調層３４では、光入射面１０Ａと平行な面（ＹＺ面）内において、Ｙ軸方向とＺ軸方向とで散乱性に異方性がある。このように、光変調層３４は、光源２０から出力され、光変調層３４内を伝播する光に対して異方性散乱を示す。
【０１２９】
光変調層３４では、バルク３４Ａおよび微粒子３４Ｂの屈折率楕円体から考えると、図３２のＺ軸方向に伝搬する光において、Ｘ軸方向の偏光成分に比べて、Ｙ軸方向（ラビング方向）の偏光成分の方が、散乱能が高い。すなわち、光変調層３４は、光変調層３４の厚み方向に伝搬する光に対して、偏光方向においても異方的な散乱性を示す。これは、Ｘ軸方向に偏光した光は、バルク３４Ａの常光屈折率と微粒子３４Ｂの常光屈折率との差で散乱するが、これらの値はほぼ同じような値であるため散乱性は低い。一方、Ｙ軸方向に偏光した光は、バルク３４Ａの異常光屈折率と微粒子３４Ｂの常光屈折率との差で散乱するが、これらの値は大きく異なるため散乱性は高い。
【０１３０】
以下で、光変調層３４が実際に、どの程度の異方性散乱を示すか、その程度を検証する。
【０１３１】
図３３（Ａ），（Ｂ）は、導光板からの光の出射角特性を計測した結果を示したものである。図３３（Ａ）には、変調層３４を用いた場合の結果が示されており、図３３（Ｂ）には、面内で光学的等方性を示す光変調層を用いた場合の結果が示されている。通常、光変調層の下面には白色反射板を用いるが、光変調層と導光板からの出射特性を正確に知るために、白色反射板の代わりに、黒色吸収層を光変調層の下面に配置した。
【０１３２】
面内で光学的等方な光変調層を用いた場合には、導光板から取り出される光において、導光板すれすれの成分が多く、正面方向の成分は少ない。これに対して、面内に光学的異方性のある光変調層３４を用いた場合には、導光板から取り出される時点で正面方向の光りが相対的に多くなっており、このようなプロファイルは照明装置に適している。さらに、黒状態では、光学的に等方的な変調層の場合でも斜めに漏れている光が、異方的な光変調層に比べて多くなっており、光変調比性能でも有利である。また、導光板上に空気界面を介して光学シートを用いた場合においても、光学シートと空気界面の反射などによってロスする光が多いと考えられるので、やはり導光板からの出射特性は正面方向の成分が多い方が好適である。検証に用いた２つの光変調層では、用いたモノマー材料、液晶材料が異なるので、これら２つの光取り出し強度自身を比較することは難しいが、光変調層として同じ光学物性を持った材料を用いた場合には、面内に光学的異方性のある光変調層３４を用いた方が、光の利用効率を高くすることができる。
【０１３３】
上記の結果から、２つの光変調層を用いた場合に、それぞれの出射角特性が異なっていることがわかったので、次に、光変調層３４自身の散乱特性を計測してみた。導光板を用いた状態では、導光板での全反射が生じてしまい、散乱の角度特性を計測することができないので、散乱の角度特性は図３４（Ａ），（Ｂ）に示した装置で計測した。具体的には、円柱ガラス容器３００にマッチングオイル３１０と光変調層３４を入れて、導光板中を導光するような大きな入射角θ（例えば８０度）でレーザ光Ｌを変調層３４に照射して散乱の角度特性を評価した。光変調層３４に対して大きな入射角θ（例えば８０度）でレーザ光Ｌを入射させたときに、被測定面３３０に映し出された輝度分布の様子を図３５（Ａ）に示した。さらに、このときに、ラビング方向に対して垂直な面内（図３１、図３２のＺＸ平面内に相当）で、光変調層３４内のバルク３４Ａの光軸ＡＸ１（図示せず）と平行な軸を中心軸としてディテクタ３２０を走査させたときに得られた光強度分布を図３５（Ｂ）に示した。このときの光強度分布は、図３５（Ａ）の（１）の方向の分布に対応している。また、ラビング方向に対して平行な面内であって、かつ光変調層３４の光入射面と平行な面内（図３１、図３２のＺＹ平面内に相当）で、光変調層３４内のバルク３４Ａの光軸ＡＸ１（図示せず）と直交する軸を中心軸としてディテクタ３２０を走査させたときに得られた輝度分布を図３５（Ｃ）に示した。このときの光強度分布は、図３５（Ａ）の（２）の方向の分布に対応している。
【０１３４】
図３５（Ａ）〜（Ｃ）から、ラビング方向に対して垂直な面内（図３１、図３２のＺＸ平面内に相当）の方が、ラビング方向に対して平行な面内（図３１、図３２のＺＹ平面内）よりも、散乱特性が高く、正面方向（出射角０°）では、５０倍程度強度が異なっていた（電位差印加時）。すなわち、光変調層３４は、例えば、図３５（Ａ）〜（Ｃ）に示したように、光変調層３４の厚さ方向（Ｚ軸方向）の散乱の方がラビング方向（光入射面１０Ａと平行な方向（Ｙ軸方向））の散乱よりも大きい異方性散乱特性を有していることがわかった。このことから、バルク３４Ａの筋状構造の長軸方向がラビング方向（光入射面１０Ａと平行な方向（図３１、図３２のＹ軸方向））を向いている状態で、微粒子３４Ｂ内の液晶分子を光変調層３４の厚さ方向に配向させることにより、光変調層３４が、光源２０から出射された光に対して上述の異方性散乱を示すことがわかった。
【０１３５】
図３６（Ａ）は、光変調層３４の散乱特性である。図３６（Ｂ）は、液晶が電位差によって傾斜する方位が定まっていない（プレチルト９０度）の光変調層の散乱特性である。図３６（Ｃ）は、等方性のポリマーを用いて面内の光学異方性がないノーマル光変調層の散乱特性である。図３６（Ａ）〜（Ｃ）から、光変調層３４は、他の光変調層に比べて、入射した光が正面方向にまで大きく散乱しており、光変調層３４だけが異方性散乱を示していることがわかった。
【０１３６】
次に、このような異方性散乱を示す場合、導光板からの光り取り出しに優れる理由を説明する。光変調層と導光板、光源を配置した場合、白色パターンが印刷された導光板や前述のノーマル光変調層は、例えば、図３７（Ａ）〜（Ｃ）に示したように、等方的な散乱特性を示すため、導光板面内と平行方向にも散乱する光が多く、導光条件を破壊するまでに角度を変える確率が小さくなる。一方、光変調層３４のような異方性散乱を示す場合、入射した光は、例えば、図３８（Ａ）〜（Ｃ）に示したように、導光板の面内方向に垂直な方向によく散乱をするので、導光条件を破壊する方向に優先的に散乱をする。このようなことから、異方性散乱を示すことで導光板からの光り取り出し効率が高くなると考えられる。
【０１３７】
導光光の散乱性を高くするという観点からは、バルク３４Ａの、短軸方向の平均的な筋状組織サイズは、０．１μｍ以上１０μｍ以下となっていることが好ましく、０．２μｍ以上２．０μｍ以下の範囲であることがより好ましい。
【０１３８】
[変形例] 
上記実施の形態では、光軸ＡＸ１，ＡＸ２が、電位差無印加時に、光入射面１０Ａおよび透明基板３１と平行またはほぼ平行な方向を向き、電位差印加時に、光軸ＡＸ２が、透明基板３１と交差または直交（もしくはほぼ直交）する方向に変位するようになっていた。しかし、光軸ＡＸ１，ＡＸ２が、電位差無印加時に、光入射面１０Ａと交差または直交（もしくはほぼ直交）する方向であって、かつ透明基板３１と平行またはほぼ平行な方向を向き、電位差印加時に、光軸ＡＸ２が、透明基板３１と交差または直交（もしくはほぼ直交）する方向に変位するようになっていてもよい。
【０１３９】
＜２．第２の実施の形態＞
次に、本技術の第２の実施の形態に係る受信側装置２００について説明する。本実施の形態の受信側装置２００は、図３９に示したように、光変調素子３０の代わりに光変調素子６０が用いられている点で、上記実施の形態の受信側装置２００の構成と相違する。そこで、以下では、上記実施の形態の構成との共通点についての説明を適宜、省略し、上記実施の形態の構成との相違点について主に説明する。
【０１４０】
光変調素子６０では、配向膜３３，３５として垂直用配向膜が用いられており、さらに、図４０に示したように、光変調層３４に代わって光変調層６４が設けられている。
【０１４１】
配向膜３３，３５として垂直用配向膜が用いられている場合には、この垂直用配向膜によって、後述のバルク６４Ａおよび微粒子６４Ｂが透明基板３１から傾斜配向したプレチルトが形成されている。垂直用配向膜としては、シランカップリング材料や、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリイミド系材料、界面活性剤などを用いることが可能である。例えば、これらの材料を塗布、乾燥した後にラビング処理を行うことにより、ラビング方向にプレチルトが形成される。また、透明基板３１，３７としてプラスチックフィルムを用いる場合には、製造工程において、透明基板３１，３７の表面に配向膜３３，３５を塗布した後の焼成温度ができるだけ低いことが好ましいことから、配向膜３３，３５としてアルコール系溶媒を使用することの可能なシランカップリング材料を用いることが好ましい。なお、配向膜３３，３５にラビング処理を施さずに、プレチルトを形成するようにしてもよい。それを実現する方法としては、例えば、配向膜３３，３５にセルを作成し、そのセルに対して磁場やスリット電極による斜め電場を印加しながら紫外線を照射する方法がある。
【０１４２】
ただし、配向膜３３，３５として垂直用配向膜を用いるに際しては、微粒子６４Ｂ内に含まれる液晶分子として、負の誘電率異方性を有するもの（いわゆるネガ型液晶）を用いることが好ましい。
【０１４３】
次に、本実施の形態の光変調層６４について説明する。光変調層６４は、バルク６４Ａと、バルク６４Ａ内に分散された微粒子状の複数の微粒子６４Ｂとを含んだ複合層となっている。バルク６４Ａおよび微粒子６４Ｂは光学異方性を有している。
【０１４４】
図４１（Ａ）は、電位差無印加時の、微粒子６４Ｂ内の配向状態の一例を模式的に表したものである。なお、図４１（Ａ）において、バルク６４Ａ内の配向状態についての記載を省略した。図４１（Ｂ）は、電位差無印加時の、バルク６４Ａおよび微粒子６４Ｂの屈折率異方性を示す屈折率楕円体の一例を表したものである。図４１（Ｃ）は、電位差無印加時の、正面方向に向かう光Ｌ１と、斜め方向に向かう光Ｌ２とが光変調層６４を透過する様子の一例を模式的表したものである。
【０１４５】
図４２（Ａ）は、電位差印加時の、微粒子６４Ｂ内の配向状態の一例を模式的に表したものである。なお、図４２（Ａ）において、バルク６４Ａ内の配向状態についての記載を省略した。図４２（Ｂ）は、電位差印加時の、バルク６４Ａおよび微粒子６４Ｂの屈折率異方性を示す屈折率楕円体の一例を表したものである。図４２（Ｃ）は、電位差印加時の、正面方向に向かう光Ｌ１と、斜め方向に向かう光Ｌ２とが光変調層６４において散乱される様子の一例を模式的表したものである。
【０１４６】
バルク６４Ａおよび微粒子６４Ｂは、例えば、図４１（Ａ），（Ｂ）に示したように、電位差無印加時に、バルク６４Ａの光軸ＡＸ３および微粒子６４Ｂの光軸ＡＸ４の向きが互いに一致する（平行となる）構成となっている。なお、光軸ＡＸ３，ＡＸ４とは、偏光方向によらず屈折率が一つの値になるような光線の進行方向と平行な線を指している。また、光軸ＡＸ３および光軸ＡＸ４の向きは常に互いに一致している必要はなく、光軸ＡＸ３の向きと光軸ＡＸ４の向きとが、例えば製造誤差などによって多少ずれていてもよい。
【０１４７】
また、微粒子６４Ｂは、例えば、電位差無印加時に、光軸ＡＸ４が導光板１０の光入射面１０Ａと平行となる構成となっている。微粒子６４Ｂは、さらに、例えば、電位差無印加時に、光軸ＡＸ４が透明基板３１，３７の法線と僅かな角度θ３で交差する構成となっている（図４１（Ｂ）参照）。なお、角度θ３については、微粒子６４Ｂを構成する材料を説明する際に詳述する。
【０１４８】
一方、バルク６４Ａは、例えば、下側電極３２および上側電極３６間への電位差印加の有無に拘らず、バルク６４Ａの光軸ＡＸ４が一定となる構成となっている。具体的には、バルク６４Ａは、例えば、図４１（Ａ），（Ｂ），図４２（Ａ），（Ｂ）に示したように、バルク６４Ａの光軸ＡＸ３が導光板１０の光入射面１０Ａと平行となると共に透明基板３１，３７の法線と僅かな角度θ３で交差する構成となっている。つまり、バルク６４Ａの光軸ＡＸ３は、電位差無印加時に、微粒子６４Ｂの光軸ＡＸ４と平行となっている。
【０１４９】
なお、光軸ＡＸ４が常に、導光板１０の光入射面１０Ａと平行となると共に透明基板３１，３７の法線と角度θ３で交差している必要はなく、例えば製造誤差などによって透明基板３１，３７の法線と、角度θ３とは若干異なる角度で交差していてもよい。また、光軸ＡＸ３，ＡＸ４が常に導光板１０の光入射面１０Ａと平行となっている必要はなく、例えば製造誤差などによって導光板１０の光入射面１０Ａと、小さな角度で交差していてもよい。
【０１５０】
ここで、バルク６４Ａおよび微粒子６４Ｂの常光屈折率が互いに等しく、かつバルク６４Ａおよび微粒子６４Ｂの異常光屈折率が互いに等しいことが好ましい。この場合に、例えば、電位差無印加時には、図４１（Ａ）に示したように、正面方向および斜め方向を含むあらゆる方向において屈折率差がほとんどなく、高い透明性が得られる。これにより、例えば、図４２（Ｃ）に示したように、正面方向に向かう光Ｌ１および斜め方向に向かう光Ｌ２は、光変調層６４内で散乱されることなく、光変調層６４を透過する。その結果、上記実施の形態と同様、例えば、図１９（Ａ），（Ｂ）に示したように、光源２０からの光Ｌ（斜め方向からの光）は、透明領域３０Ａの界面（透明基板３１または導光板１０と空気との界面）において全反射され、透明領域３０Ａの輝度（黒表示の輝度）が、全面を均一に発光させている場合（図１９（Ｂ）中の一点鎖線）と比べて下がる。
【０１５１】
また、バルク６４Ａおよび微粒子６４Ｂは、例えば、電位差印加時には、図４２（Ａ）に示したように、光軸ＡＸ３および光軸ＡＸ４の向きが互いに異なる（交差する）構成となっている。また、微粒子６４Ｂは、例えば、電位差印加時に、微粒子６４Ｂの光軸ＡＸ４が導光板１０の光入射面１０Ａと平行となると共に透明基板３１，３７の法線と角度θ３よりも大きな角度θ４で交差するか、または透明基板３１，３７の表面と平行となる構成となっている。なお、角度θ４については、微粒子６４Ｂを構成する材料を説明する際に詳述する。
【０１５２】
したがって、下側電極３２および上側電極３６間に電位差が印加された領域内を伝播する光は、斜め方向の成分を多く含む。例えば、導光板１０としてアクリル導光板を用いた場合には、下側電極３２および上側電極３６間に電位差が印加された領域内の光は、４１．８°以上の角度で伝播する。その結果、下側電極３２および上側電極３６間に電位差が印加された領域内を伝播する光においては、屈折率差が大きくなり、高い散乱性が得られる。これにより、例えば、図４２（Ｃ）に示したように、正面方向に向かう光Ｌ１および斜め方向に向かう光Ｌ２は、光変調層６４内で散乱される。その結果、上記実施の形態と同様、例えば、図１９（Ａ），（Ｂ）に示したように、光源２０からの光Ｌ（斜め方向からの光）は、散乱領域３０Ｂの界面（透明基板３１または導光板１０と空気との界面）を透過すると共に、反射板４０側に透過した光は反射板４０で反射され、光変調素子３０を透過する。従って、散乱領域３０Ｂの輝度は、全面を均一に発光させている場合（図１９（Ｂ）中の一点鎖線）と比べて極めて高くなり、しかも、透明領域３０Ａの輝度が低下した分だけ、部分的な白表示の輝度（輝度突き上げ）が大きくなる。
【０１５３】
なお、バルク６４Ａおよび微粒子６４Ｂの常光屈折率は、例えば製造誤差などによって多少ずれていてもよく、例えば、０．１以下であることが好ましく、０．０５以下であることがより好ましい。また、バルク６４Ａおよび微粒子６４Ｂの異常光屈折率についても、例えば製造誤差などによって多少ずれていてもよく、例えば、０．１以下であることが好ましく、０．０５以下であることがより好ましい。
【０１５４】
また、バルク６４Ａの屈折率差（ΔｎP＝異常光屈折率ｎｅP−常光屈折率ｎｏP）や、微粒子６４Ｂの屈折率差（ΔｎL＝異常光屈折率ｎｅL−常光屈折率ｎｏL）は、できるだけ大きいことが好ましく、０．０５以上であることが好ましく、０．１以上であることがより好ましく、０．１５以上であることがさらに好ましい。バルク６４Ａおよび微粒子６４Ｂの屈折率差が大きい場合には、光変調層６４の散乱能が高くなり、導光条件を容易に破壊することができ、導光板１０からの光を取り出しやすいからである。
【０１５５】
また、バルク６４Ａおよび微粒子６４Ｂは、電場に対する応答速度が互いに異なっている。バルク６４Ａは、例えば、電場に対して応答しない筋状構造もしくは多孔質構造となっているか、または微粒子６４Ｂの応答速度よりも遅い応答速度を有する棒状構造となっている。バルク６４Ａは、例えば、低分子モノマーを重合化することにより得られた高分子材料によって形成されている。バルク６４Ａは、例えば、微粒子６４Ｂの配向方向または配向膜３３，３５の配向方向に沿って配向した、配向性および重合性を有する材料（例えばモノマー）を熱および光の少なくとも一方によって重合させることにより形成されている。
【０１５６】
一方、微粒子６４Ｂは、例えば、液晶材料を主に含んで構成されており、バルク６４Ａの応答速度よりも十分に早い応答速度を有している。微粒子６４Ｂ内に含まれる液晶材料（液晶分子）は、例えば棒状分子である。微粒子６４Ｂ内に含まれる液晶分子として、負の誘電率異方性を有するもの（いわゆるネガ型液晶）が用いられている。
【０１５７】
ここで、電位差無印加時には、微粒子６４Ｂ内において、液晶分子の長軸方向は、光軸ＡＸ３と平行となっている。このとき、微粒子６４Ｂ内の液晶分子の長軸は、導光板１０の光入射面１０Ａと平行となると共に透明基板３１，３７の法線と僅かな角度θ３で交差している。つまり、微粒子６４Ｂ内の液晶分子は、電位差無印加時には、導光板１０の光入射面１０Ａと平行な面内において角度θ３だけ傾斜した状態で配向している。この角度θ３は、プレチルト角と呼ばれるもので、例えば０．１°以上３０°以下の範囲であることが好ましい。この角度θ３は、０．５°以上１０°以下の範囲であることがより好ましく、０．７°以上２°以下の範囲であることがさらにより好ましい。角度θ３を小さくすると、後述するような理由から散乱の効率が低下する傾向にある。また、角度θ３を大きくし過ぎると（例えば、ほぼ９０°にすると）、電位差印加時に液晶の立ち下がる方位角がばらつく。例えば、１８０°反対側の方位（リバースチルト）に液晶が立ち下がることもある。これにより、微粒子６４Ｂとバルク６４Ａとの屈折率差を有効に利用できないので、散乱効率が低くなり、輝度が小さくなる傾向にある。
【０１５８】
また、電位差印加時には、微粒子６４Ｂ内において、液晶分子の長軸方向は、光軸ＡＸ３と交差または直交（もしくはほぼ直交）している。このとき、微粒子６４Ｂ内の液晶分子の長軸は、導光板１０の光入射面１０Ａと平行となると共に透明基板３１，３７の法線と角度θ３よりも大きな角度θ４で交差している。つまり、微粒子６４Ｂ内の液晶分子は、電位差印加時には、導光板１０の光入射面１０Ａと平行な面内において角度θ４だけ傾斜した状態もしくは角度θ４（＝９０°）で横に寝た状態で配向している。
【０１５９】
上記した、配向性および重合性を有するモノマーとしては、光学的に異方性を有しており、かつ液晶と複合する材料であればよいが、本実施の形態では紫外線で硬化する低分子モノマーであることが好ましい。電位差無印加の状態で、液晶と、低分子モノマーを重合化することにより形成されたもの（高分子材料）との光学的異方性の方向が一致していることが好ましいので、紫外線硬化前において、液晶と低分子モノマーが同一方向に配向していることが好ましい。微粒子６４Ｂとして液晶が用いられる場合に、その液晶が棒状分子であるときには、使用するモノマー材料の形状も棒状であることが好ましい。以上のことから、モノマー材料としては重合性と液晶性を併せ持つ材料を用いることが好ましく、例えば、重合性官能基として、アクリレート基、メタクリレート基、アクリロイルオキシ基、メタクリロイルオキシ基、ビニルエーテル基およびエポキシ基からなる群から選ばれた少なくとも１つの官能基を有することが好ましい。これらの官能基は、紫外線、赤外線または電子線を照射したり、加熱したりすることによって重合させることができる。紫外線照射時の配向度低下を抑制するために、多官能基をもつ液晶性材料を添加することもできる。バルク６４Ａを上述した筋状構造とする場合には、バルク６４Ａの原料として、２官能液晶性モノマーを用いることが好ましい。また、バルク６４Ａの原料に対して、液晶性を示す温度の調整を目的に単官能モノマーを添加したり、架橋密度向上を目的に３官能以上のモノマーを添加したりすることもできる。
【０１６０】
駆動回路５０は、制御信号２０４Ａとして三次元表示を指定する信号が入力されたとき（三次元表示モードのとき）には、バックライト２１１から複数の帯状照明光を出力させるようになっている。具体的には、駆動回路５０は、部分電極３２ａを含む各光変調セル３０−１に、光変調層６４が散乱性を示す電位差を印加するとともに、部分電極３２ｂまたは部分電極３２ｃを含む各光変調セル３０−１に、光変調層６４が透明性を示す電位差を印加するようになっている。言い換えると、駆動回路５０は、部分電極３２ａを含む各光変調セル３０−１において微粒子６４Ｂの光軸ＡＸ４がバルク６４Ａの光軸ＡＸ３と交差または直交（もしくはほぼ直交）し、部分電極３２ｂまたは部分電極３２ｃを含む各光変調セル３０−１において微粒子６４Ｂの光軸ＡＸ４がバルク６４Ａの光軸ＡＸ３と平行となるように、各光変調セル３０−１の一対の電極（部分電極３２Ａ、上側電極３６）へ印加する電位差の大きさを制御するようになっている。これにより、光変調層６４内に三次元表示モードの電場が発生する。
【０１６１】
また、駆動回路５０は、制御信号２０４Ａとして二次元表示を指定する信号が入力されたとき（二次元表示モードのとき）には、バックライト２１１から面状照明光を出力させるようになっている。具体的には、駆動回路５０は、各光変調セル３０−１にに、光変調層６４が散乱性を示す電位差を印加するようになっている。言い換えると、駆動回路５０は、バックライト２１１に含まれる全ての光変調セル３０−１において微粒子６４Ｂの光軸ＡＸ４がバルク６４Ａの光軸ＡＸ３と交差または直交（もしくはほぼ直交）するように、各光変調セル３０−１の一対の電極（部分電極３２Ａ、上側電極３６）へ印加する電位差の大きさを制御するようになっている。これにより、光変調層６４内に二次元表示モードの電場が発生する。
【０１６２】
なお、駆動回路５０は、制御信号２０４Ａとして二次元表示を指定する信号が入力されるとともに、映像データに関する信号も入力されるとき（デュアルビューモードのとき）には、バックライト２１１から、映像データに対応した輝度分布を持った面状照明光（例えば、面内の一部が暗い面状照明光）を出力させるようになっていてもよい。ただし、その場合には、下側電極３２が表示パネル２１０の画素に対応したレイアウトになっていることが好ましい。下側電極３２が表示パネル２１０の画素に対応したレイアウトになっている場合に、駆動回路５０は、映像データに応じて、一部の光変調セル３０−１に、光変調層６４が散乱性を示す電位差を印加するとともに、複数の部分電極３２Ａのうち、光変調層６４が散乱性を示す電位差を印加していない１または複数の部分電極３２Ａに、光変調層６４が透明性を示す電位差を印加するようになっている。これにより、光変調層６４内にデュアルビューモードの電場が発生する。
【０１６３】
次に、本実施の形態のバックライト２１１の作用および効果について説明する。
【０１６４】
本実施の形態のバックライト２１１では、三次元表示のときに、部分電極３２ａを含む各光変調セル３０−１において微粒子６４Ｂの光軸ＡＸ４がバルク６４Ａの光軸ＡＸ３と交差もしくは直交し、部分電極３２ｂまたは部分電極３２ｃを含む各光変調セル３０−１において微粒子６４Ｂの光軸ＡＸ４がバルク６４Ａの光軸ＡＸ３と平行もしくはほぼ平行となるように、各光変調セル３０−１の一対の電極（部分電極３２Ａ、上側電極３６）に電位差が印加される。これにより、光変調素子６０において、部分電極３２ａを含む各光変調セル３０−１が散乱領域３０Ｂとなり、部分電極３２ｂまたは部分電極３２ｃを含む各光変調セル３０−１が透過領域３０Ａとなる。その結果、光源２０から出射され、導光板１０内に入射した光は、光変調素子６０のうち透過領域３０Ａを透過し、光変調素子６０のうち散乱領域３０Ｂにおいて散乱される（図２４参照）。この散乱光のうち散乱領域３０Ｂの下面を透過した光は反射板４０で反射され、再度、導光板１０に戻されたのち、バックライト２１１の上面から出射される。また、散乱光のうち、散乱領域３０Ｂの上面に向かった光は、導光板１０を透過したのち、バックライト２１１の上面から出射される。このように、三次元表示のときには、透明領域３０Ａの上面からは光はほとんど出射されず、散乱領域３０Ｂの上面から光が出射される。このようにして、例えば、図２４に示したように、正面方向に、複数の帯状照明光が出力される。
【０１６５】
これにより、正面方向に出力された各帯状照明光が表示パネル２１０の背面に入射するので、例えば、各帯状照明光に対応する画素配列において各画素行が三次元用画素２１０Ｄとなるように三次元表示用の二次元映像データが映像信号処理回路２０７で生成されたときには、各三次元用画素２１０Ｄ内の共通の位置にある画素（例えば、図２４では、２１０−１，２１０−２，２１０−３または２１０−４）には、各帯状照明光が略同一の角度で入射する。その結果、各三次元用画素２１０Ｄ内の共通の位置にある画素からは、その画素によって変調された映像光が所定の角度で出力される。このとき、観察者は、左右の目で、互いに異なる視差の映像を観察することになるので、観察者は、表示パネル２１０に三次元映像（立体映像）が表示されていると認識する。
【０１６６】
また、本実施の形態のバックライト２１１では、二次元表示のときに、例えば、各光変調セル３０−１において微粒子６４Ｂの光軸ＡＸ４がバルク６４Ａの光軸ＡＸ３と交差もしくは直交するように、各光変調セル３０−１の一対の電極（部分電極３２Ａ、上側電極３６）に電位差が印加される。これにより、光源２０から出射され、導光板１０内に入射した光は、光変調素子６０の全体に形成された散乱領域３０Ｂにおいて散乱される（図２５参照）。この散乱光のうち散乱領域３０Ｂの下面を透過した光は反射板４０で反射され、再度、導光板１０に戻されたのち、バックライト２１１の上面から出射される。また、散乱光のうち、散乱領域３０Ｂの上面に向かった光は、導光板１０を透過したのち、バックライト２１１の上面から出射される。このように、二次表示のときには、例えば、光変調素子６０の上面全体から光が出射され、正面方向に、面状照明光が出力される。
【０１６７】
これにより、正面方向に出力された面状照明光が表示パネル２１０の背面に入射するので、例えば、各画素２１０Ｅに対応して二次元表示用の二次元映像データが映像信号処理回路２０７で生成されたときには、各画素２１０Ｅには、面状照明光があらゆる角度で入射し、各画素２１０Ｅからは、各画素２１０Ｅによって変調された映像光が出力される。このとき、観察者は、両目で互いに同一の映像を観察することになるので、観察者は、表示パネル２１０に二次元映像（平面映像）が表示されていると認識する。
【０１６８】
また、本実施の形態では、電場の大きさに応じて、光源からの光に対して散乱性もしくは透明性を示す光変調層６４がバックライト２１１内に設けられている。これにより、光源２０から発せられ、透明基板３１等を伝播する光は、光変調層６４のうち、電場制御によって透明性を示す領域を透過し、バックライト２１１の上面において全反射されるか、または高反射率で反射される。その結果、バックライト２１１の光射出領域における透明領域の輝度が、全面を均一に発光させている場合と比べて低くなる。一方、透明基板等を伝播する光は、光変調層６４のうち、電場制御によって散乱性を示す領域で散乱され、バックライト２１１の上面を透過する。その結果、バックライト２１１の光射出領域における散乱領域の輝度が、全面を均一に発光させている場合と比べて高くなる。しかも、光射出領域における透明領域の輝度が低下した分だけ、部分的な白表示の輝度（輝度突き上げ）が大きくなる。また、本実施の形態では、各部分電極３２Ａまたは各線状電極３２Ｅの、単位面積あたりの面積が、光源２０からの距離に応じて変化している。これにより、光射出領域における透明領域および散乱領域の密度分布を所望の分布にすることができる。その結果、各帯状照明光の単位面積あたりの発光面積が光源２０からの距離に応じて変化していない場合と比べて、光射出領域のうち光源２０側の輝度を低く抑え、光射出領域のうち光源２０とは反対側の輝度を高くすることが可能である。従って、三次元表示において、面内輝度を均一化しつつ、変調比を高くすることができる。
【０１６９】
また、本実施の形態でも、上記実施の形態と同様、散乱領域３０Ｂのレイアウトを調整することにより、横方向の画素ピッチＰｘと、縦方向の画素ピッチＰｙとを近づけることができる。その結果、映像品質の劣化を抑えることができる。
【０１７０】
ところで、本実施の形態では、バルク６４Ａおよび微粒子６４Ｂが光学異方性材料を主に含んで形成されているので、斜め方向において、散乱性が小さくなり、透明性を向上させることができる。例えば、バルク６４Ａおよび微粒子６４Ｂが、互いに常光屈折率が等しく、かつ互いに異常光屈折率も等しい光学異方性材料を主に含んで構成され、かつ、下側電極３２および上側電極３６間に電位差が印加されていない領域では、これらの光軸の向きが一致もしくはほぼ一致する。これにより、正面方向（光変調素子６０の法線方向）および斜め方向を含むあらゆる方向において屈折率差が少なくなるか、またはなくなり、高い透明性が得られる。その結果、視野角の大きい範囲における光の漏洩を低減またはほとんどなくすることができ、視野角特性を良くすることができる。
【０１７１】
例えば、常光屈折率１．５、異常光屈折率１．６５の液晶と、常光屈折率１．５、異常光屈折率１．６５の液晶性モノマーとを混合し、配向膜または電界によって液晶と液晶性モノマーを配向させた状態で液晶性モノマーを重合させると、液晶の光軸と、液晶性モノマーが重合することによって形成されたポリマーの光軸とが互いに一致する。これにより、あらゆる方向で屈折率を一致させることができるので、そのようにした場合には、透明性が高い状態を実現でき、より一層、視野角特性を良くすることができる。
【０１７２】
また、本実施の形態では、例えば、図１９（Ａ），（Ｂ）に示したように、透明領域３０Ａの輝度（黒表示の輝度）が、全面を均一に発光させている場合（図１９（Ｂ）中の一点鎖線）と比べて下がっている。他方、散乱領域３０Ｂの輝度は、全面を均一に発光させている場合（図１９（Ｂ）中の一点鎖線）と比べて極めて高くなり、しかも、透明領域３０Ａの輝度が低下した分だけ、部分的な白表示の輝度（輝度突き上げ）が大きくなる。これは、バルク６４Ａおよび微粒子６４Ｂが光学異方性材料を主に含んで形成されており、斜め方向の散乱性が抑制され、暗状態での導光板からの漏れ光が少ないからである。従って、部分的な暗状態の部分から部分的な明状態の部分に導光するので、バックライトへの投入電力を増やすことなく、輝度突き上げを実現することができる。
【０１７３】
また、本実施の形態では、下側電極３２および上側電極３６間に電位差が印加されていない領域において、微粒子６４Ｂの光軸ＡＸ４が、導光板１０の光入射面１０Ａと平行となっており、かつ透明基板３１，３７の法線と僅かな角度θ３で交差している。つまり、微粒子６４Ｂ内に含まれる液晶分子が、光入射面１０Ａと平行な面内において角度θ３だけ傾斜した状態（プレチルト角が付与された状態）で配向している。そのため、下側電極３２および上側電極３６間に電位差が印加された時に、微粒子６４Ｂ内に含まれる液晶材料は、ランダムな方位に倒れることはなく、光入射面１０Ａと平行な面内で倒れる。このとき、バルク６４Ａおよび微粒子６４Ｂの光軸ＡＸ３，ＡＸ４が、光入射面１０Ａと平行な面内において互いに交差もしくは直交する。この場合に、導光板１０の光入射面１０Ａから入射した光において、透明基板３１に対して垂直に振動する光は、微粒子６４Ｂの常光屈折率とバルク６４Ａの異常光屈折率との差を感じる。このとき、微粒子６４Ｂの常光屈折率とバルク６４Ａの異常光屈折率との差は大きいことから、透明基板３１に対して垂直に振動する光の散乱効率が高くなる。一方、透明基板３１に対して平行に振動する光は、微粒子６４Ｂの異常光屈折率とバルク６４Ａの常光屈折率の差を感じる。このとき、微粒子６４Ｂの異常光屈折率とバルク６４Ａの常光屈折率の差も大きいことから、透明基板３１に対して平行に振動する光の散乱効率も高くなる。従って、下側電極３２および上側電極３６間に電位差が印加された領域を伝播する光は、斜め方向の成分を多く含む。例えば、導光板１０としてアクリル導光板を用いた場合には、下側電極３２および上側電極３６間に電位差が印加された領域内の光は、４１．８°以上の角度で伝播する。その結果、屈折率差が大きくなり、高い散乱性が得られるので、表示輝度を向上させることができる。また、上記の輝度突き上げの効果により、表示輝度をさらに向上させることができる。
【０１７４】
ところで、例えば、電位差無印加時に導光板１０の光入射面１０Ａに垂直に、バルク６４Ａおよび微粒子６４Ｂの光軸ＡＸ３，ＡＸ４を配置し、下側電極３２および上側電極３６間に電位差を印加した時に、微粒子６４Ｂ内に含まれる液晶材料が、光入射面１０Ａと垂直な面内で倒れるようにした場合には、透明基板３１に対して垂直に振動する光は、前述した場合と同様に、微粒子６４Ｂの常光屈折率とバルク６４Ａの異常光屈折率との差を感じるが、透明基板３１に対して平行方向に振動する光は、微粒子６４Ｂの常光屈折率とバルク６４Ａの常光屈折率との差を感じることになる。ここで、微粒子６４Ｂの常光屈折率とバルク６４Ａの常光屈折率との差は、ほとんどないか、または全くない。そのため、光入射面１０Ａから入射した光において、透明基板３１に対して垂直に振動する光は、前述した場合と同様に大きな屈折率差を感じるが、透明基板３１に対して平行方向に振動する光は、屈折率差をほとんど感じないか、または全く感じない。その結果、透明基板３１に対して垂直に振動する光の散乱効率は高くなるが、透明基板３１に対して平行に振動する光の散乱効率は低いか、または、ゼロとなる。従って、光入射面１０Ａに対して光軸ＡＸ３，ＡＸ４を垂直に配置した場合には、光入射面１０Ａに対して光軸ＡＸ３，ＡＸ４を平行に配置した場合に比べて、散乱効率が低くなるので、導光板１０から取り出せる輝度が、本実施の形態の光変調素子３０よりも低くなる。
【０１７５】
また、プレチルトを形成しない場合、または、実質的にプレチルト角がほぼ９０°となっている場合には、液晶が倒れる方位はランダムになるので、屈折率差は、バルク６４Ａおよび微粒子６４Ｂの光軸ＡＸ３，ＡＸ４を導光板１０の光入射面１０Ａと平行にした場合の屈折率差と垂直にした場合の屈折率差との平均になる。従って、これらの場合においても、バルク６４Ａおよび微粒子６４Ｂの光軸ＡＸ３，ＡＸ４を導光板１０の光入射面１０Ａと平行にした場合に比べて、取り出せる輝度が低くなる。
【０１７６】
以上のことから、本実施の形態では、視野角の大きい範囲における光の漏洩を低減またはほとんどなくしつつ、表示輝度を向上させることができる。その結果、正面方向の変調比を高くすることができる。
【０１７７】
[変形例] 
上記第２の実施の形態では、光軸ＡＸ３，ＡＸ４が、電位差無印加時に、透明基板３１と交差または直交（もしくはほぼ直交）する方向を向き、電位差印加時に、光軸ＡＸ４が、光入射面１０Ａおよび透明基板３１と平行またはほぼ平行な方向に変位するようになっていた。しかし、光軸ＡＸ３，ＡＸ４が、電位差無印加時に、透明基板３１と交差または直交（もしくはほぼ直交）する方向を向き、電位差印加時に、光軸ＡＸ４が、透明基板３１と平行またはほぼ平行な方向であって、かつ光入射面１０Ａと交差または直交（もしくはほぼ直交）する方向に変位するようになっていてもよい。
【０１７８】
＜３．変形例＞
［第１変形例］
上記各実施の形態では、反射板４０が設けられていたが、例えば、図４３に示したように、反射板４０が省略されていてもよい。ただし、その場合には、下側電極３２が、金属などの光反射機能を有する材料によって構成されていることが好ましい。
【０１７９】
［第２変形例］
上記各実施の形態では、光変調素子３０，６０は、導光板１０の背後（下面）に空気層を介さずに密着して接合されていたが、例えば、図４４に示したように、導光板１０の上面に空気層を介さずに密着して接合されていてもよい。また、光変調素子３０，６０は、例えば、図４５に示したように、導光板１０の内部に設けられていてもよい。ただし、この場合でも、光変調素子３０，６０は、導光板１０と空気層を介さずに密着して接合されていることが必要である。
【０１８０】
［第３変形例］
また、上記各実施の形態およびそれらの変形例では、導光板１０の上に特に何も設けられていなかったが、例えば、図４６に示したように、光学シート７１（例えば、拡散板、拡散シート、レンズフィルム、偏光分離シートなど）を設けてもよい。このようにした場合には、導光板１０から斜め方向に出射した光の一部が正面方向に立ち上がるので、変調比を効果的に向上させることができる。
【０１８１】
［第４変形例］
また、上記各実施の形態およびそれらの変形例では、上側電極３６が面全体に形成されたベタ膜となっており、下側電極３２が帯状の複数の部分電極３２Ａによって構成されていたが、例えば、図４７に示したように、上側電極３６が帯状の複数の部分電極３２Ａによって構成され、下側電極３２が面全体に形成されたベタ膜となっていてもよい。
【０１８２】
［第５変形例］
また、上記各実施の形態ならびに第１変形例ないし第３変形例では、上側電極３６が面全体に形成されたベタ膜となっていたが、例えば、図４８〜図５３に示したように、上記第４変形例における上側電極３６を面内で９０°回転させたもので構成されていてもよい。このようにした場合に、駆動回路５０は、図示しないジャイロセンサーなどから入力される表示パネル２１１の姿勢情報に基づいて、下側電極３２に含まれる複数の部分電極３２ａおよび上側電極３６に含まれる複数の部分電極３２ａのいずれか一方を用いて帯状照明光を出力するようになっている。これにより、受信側装置２００のユーザが表示パネル２１０を９０°回した場合であっても、その動きをジャイロセンサーなどで検知し、その検知結果を利用して、３Ｄ表示に使用する部分電極３２ａを選択することにより、表示パネル２１０の向きにかかわらず、３次元映像を得ることができる。
【０１８３】
［第６変形例］
また、上記各実施の形態ならびに第１変形例ないし第３変形例では、上側電極３６が面全体に形成されたベタ膜となっていたが、例えば、図４８に示したように、複数の部分電極３６Ａによって構成されていてもよい。このとき、複数の部分電極３６Ａのうち特定の複数の部分電極３６Ａ（以下、「部分電極３６ａ」と称する。）は、受信側装置２００において三次元表示を行うときに、帯状照明光の生成に用いられるものである。複数の部分電極３６ａは、受信側装置２００において三次元表示を行うときの画素ピッチＰ２（図２４参照）に対応するピッチＰ３（画素ピッチＰ２と同一ピッチまたはそれに近いピッチ）で配列されている。複数の部分電極３６Ａのうち部分電極３６ａを除く複数の部分電極３６Ａ（以下、「部分電極３６ｂ，３６ｃ」と称する。）は、受信側装置２００において二次元表示を行うときに、部分電極３６ａと共に、面状照明光の生成に用いられるものである。つまり、受信側装置２００において二次元表示を行うときには、面状照明光を生成するために、全ての部分電極３６Ａが用いられる。部分電極３６ａ，３６ｂ，３６ｃは、配列方向（光入射面１０Ａと直交する方向）においてこの順に配列されており、さらに、一組の部分電極３６ａ，３６ｂ，３６ｃが複数、配列方向に配列されている。
【０１８４】
各部分電極３６Ａは、面内の一の方向であって、かつ光入射面１０Ａの法線と交差または直交（もしくはほぼ直交）する方向に延在する帯状の形状となっている。各部分電極３６Ａのうち、表示パネル２１０内の１つの画素２１０ａに使われる部分の面積（図中のグレー部分の面積）が、光源２０からの距離に拘わらず均一となっている。例えば、図４８に示したように、各部分電極３６Ａの幅が、一定となっている。なお、場合によっては、各部分電極３６Ａの幅が、不均一となっていてもよい。
【０１８５】
各部分電極３６Ａは、例えば、図４８に示したように、互いに別個に形成され、互いに独立に駆動可能になっていてもよいが、各部分電極３６ａが互いに電気的に接続されていてもよい。例えば、図４９に示したように、各部分電極３６ａが、配列方向に延在する配線３６Ｂを介して互いに電気的に接続されていてもよい。また、例えば、各部分電極３６ｂ，３６ｃが互いに電気的に接続されていてもよい。例えば、図４９に示したように、各部分電極３６ｂ，３６ｃが、配列方向に延在する配線３６Ｃを介して互いに電気的に接続されていてもよい。なお、二次元表示に際して多視点表示を行う場合には、部分電極３６ｂと部分電極３６ｃとが互いに電気的に分離されていることが好ましい。この場合に、例えば、図５０に示したように、各部分電極３６ｂが、配列方向に延在する配線３６Ｃを介して互いに電気的に接続されると共に、各部分電極３６ｃが、配列方向に延在する配線３６Ｄを介して互いに電気的に接続されていてもよい。
【０１８６】
各部分電極３６Ａは、例えば、図４７、図５１、図５２、図５３に示したように、光入射面１０Ａと斜めに交差する方向に延在していてもよい。このようにした場合には、各部分電極３６Ａの延在方向が、光入射面１０Ａと平行な方向からずれるので、光入射面１０Ａの法線と平行な方向の解像度と、光入射面１０Ａと平行な方向の解像度との差を小さくすることができる。
【０１８７】
また、例えば、図５４、図５５に示したように、各部分電極３６Ａが、ブロック形状となっており、かつ複数の部分電極３６Ａが２次元配置されていてもよい。この場合には、複数の部分電極３６Ａを１つの線状電極３６Ｅとみなしたときに、各線状電極３６Ｅのうち、表示パネル２１０内の１つの画素２１０ａに使われる部分の面積（図中のグレー部分の面積）が、例えば、光源２０からの距離に拘わらず均一となっている。例えば、各線状電極３６Ｅの幅が、一定となっている。なお、各線状電極３６Ｅの幅が、不均一となっていてもよい。
【０１８８】
［第７変形例］
また、上記各実施の形態ならびに第１変形例ないし第３変形例では、上側電極３６が面全体に形成されたベタ膜となっていたが、例えば、図５６に示したように、上側電極３６が、光入射面１０Ａと平行な方向に延在する複数の部分電極３６Ａで構成されていてもよい。このとき、駆動回路５０が、１つの部分電極３６Ａを選択することにより、選択した部分電極３６Ａに対応する箇所から帯状照明光を出力させることができる。さらに、駆動回路５０が、各部分電極３６Ａを順次、選択することにより、例えば、図５７、図５８、図５９に示したように、光入射面１０Ａと平行な方向に延在する帯状照明光Ｌ１を走査させることができる。
【０１８９】
また、本変形例において、各部分電極３６Ａは、例えば、図５６に示したように、隣接する他の部分電極３６Ａと近接するエッジに凹凸部３６−１（凹凸形状）を有していることが好ましい。ここで、凹凸部３６−１の凹凸ピッチは、一部の部分電極３６Ａを駆動する場合（部分駆動を行う場合）に境界のコントラスト比を下げる観点から、部分電極３２Ａの幅と同程度（例えば数十μｍ）以下であることが好ましい。このように、各部分電極３６Ａに凹凸部３６−１を設けた場合には、互いに隣り合う２つの部分電極３６Ａに印加される電圧が異なるときに、バックライト２１１の照明光のエッジが過度に目立つのを抑えることができる。
【０１９０】
また、本変形例において、駆動回路５０が、各部分電極３６Ａに対して、光源２０からの距離に拘わらず同一の電圧を印加するようにしてもよい。また、必要に応じて、駆動回路５０が、各部分電極３６Ａに対して、光源２０からの距離に応じた電圧を印加するようにしてもよい。このようにした場合には、バックライト２１１上面の一部分だけが白輝度となるような照明光を出力したときに、その白輝度となる部分が光源２０に近いときと、光源２０から遠いときとで、白輝度の大きさに差が生じる虞をより一層、低減することができる。
【０１９１】
［第８変形例］
また、上記各実施の形態およびそれらの変形例において、光源２０は、例えば、図６０（Ａ）に示したように、線状光源２１と、反射ミラー２２とにより構成されていてもよい。線状光源２１は、例えば、ＨＣＦＬ、またはＣＣＦＬからなる。反射ミラー２２は、線状光源２１から発せられた光のうち光入射面１０Ａに直接入射しない方向に向かう光を光入射面１０Ａ側に反射するものである。光源２０は、例えば、図６０（Ｂ）または図６０（Ｃ）に示したように、複数の点状光源２３を一列に配置して構成されたものであってもよい。各点状光源２３は、光入射面１０Ａに向かって光を射出するようになっており、例えば、光入射面１０Ａとの対向面に発光スポットを有する発光素子からなる。そのような発光素子としては、例えば、ＬＥＤ、または、レーザダイオード（ＬＤ；Laser Diode）などが挙げられる。効率、薄型化、均一性の観点からは、各点状光源２３がホワイトＬＥＤであることが好ましい。なお、光源２０に含まれる複数の点状光源２３が、例えば、赤色ＬＥＤ、緑色ＬＥＤおよび青色ＬＥＤを含んで構成されていてもよい。
【０１９２】
複数の点状光源２３は、例えば、図６０（Ｂ），（Ｃ）に示したように、２個以上の点状光源２３ごとに、共通の基板２４上に設けられていてもよい。この場合、１つの基板２４と、その基板２４上に設けられた複数の点状光源２３とにより、光源ブロック２５が構成されている。基板２４は、例えば、点状光源２３と駆動回路５０とを電気的に接続する配線が形成された回路基板であり、各点状光源２３は、この回路基板上に実装されている。共通の基板２４上に設けられた各点状光源２３（光源ブロック２５内の各点状光源２３）は、駆動回路５０によって一括で（非独立に）駆動されるようになっており、例えば、図示しないが、互いに並列に、または互いに直列に、接続されている。また、互いに異なる基板２４上に設けられた点状光源２３（各光源ブロック２５内の点状光源２３）は、駆動回路５０によって互いに独立に駆動されるようになっていてもよい。このとき、互いに異なる基板２４上に設けられた点状光源２３（各光源ブロック２５内の点状光源２３）は、例えば、図６０（Ｃ）に示したように、互いに異なる電流経路に接続されている。
【０１９３】
光源２０は、図６０（Ａ）〜（Ｃ）に示したように、導光板１０の１つの側面にだけ設けられていてもよいし、図示しないが、導光板１０の２つの側面、３つの側面または全ての側面に設けられていてもよい。また、光源２０が３つの側面または全ての側面に設けられている場合には、部分点灯を行うときにだけ、互いに対向する２つの側面に設けられた光源２０だけを点灯させ、全面点灯を行うときに全ての光源２０を点灯させるようにしてもよい。
【０１９４】
［第９の変形例］
また、上記各実施の形態およびそれらの変形例において、導光板１０が、例えば、図６１（Ａ）に示したように、帯状の複数の凸部１１を上面に有していてもよい。なお、導光板１０は、例えば、図６１（Ｂ）に示したように、帯状の複数の凸部１１を下面に有していてもよい。また、導光板１０は、例えば、図示しないが、帯状の複数の凸部１１を導光板１０の内部に有していてもよい。また、導光板１０の内部が空洞状になっていてもよいし、密に充填されていてもよい。
【０１９５】
各凸部１１は、光入射面１０Ａの法線と平行な方向に延在しており、例えば、図６１（Ａ），（Ｂ）に示したように、導光板１０の一の側面から、その側面と対向する他の側面まで連続して形成されている。各凸部１１の配列方向の断面は、例えば、矩形状、台形状、または三角形状となっている。各凸部１１の配列方向の断面が矩形状となっている場合には、光の直進性が非常に高く、大型のバックライトに適している。各凸部１１の配列方向の断面が台形状となっている場合には、射出成型、溶融押し出し成型、熱プレス成型などで各凸部１１を形成する際に使用する金型の加工が容易であり、かつ成型時の離型性もよく、欠陥の減少による歩留まりや成型速度を向上させることができる。
【０１９６】
互いに隣り合う凸部１１同士の間には、平坦面が設けられていてもよいし、平坦面がなくてもよい。各凸部１１の高さは、面内で均一になっていてもよいし、面内で不均一になっていてもよい。例えば、図６２（Ａ），（Ｂ）に示したように、導光板１０の１つの側面が光入射面１０Ａとなっているときに、各凸部１１の高さが、光入射面１０Ａ側で相対的に低く、光入射面１０Ａと対向する側面側で相対的に高くなっていてもよい。また、例えば、導光板１０の側面のうち互いに対向する一対の側面が光入射面１０Ａとなっているときに、各凸部１１の高さが、双方の光入射面１０Ａおよびその近傍で相対的に低く、それ以外の部分で相対的に高くなっていてもよい。各凸部１１のうち、光入射面１０Ａおよびその近傍の高さは、ゼロまたは実質的にゼロとなっていてもよい。例えば、図６２（Ａ），（Ｂ）に示したように、各凸部１１の高さが、光入射面１０Ａ側から、光入射面１０Ａから遠ざかるにつれて高くなっていてもよい。このとき、各凸部１１の高さが、光入射面１０Ａ側から、光入射面１０Ａと対向する側面側に向かう中途で、一定になるようになっていてもよい。なお、図６２（Ａ）に示したような高さの不均一な複数の凸部１１が導光板１０の上面以外の箇所に設けられていてもよく、例えば、導光板１０の下面または内部に設けられていてもよい。
【０１９７】
上述のように、凸部１１の高さ（言い換えると、凸部１１同士の間に形成される溝の深さ）を変えることにより、光の直進性を変化させることができる。例えば、図６１（Ａ），（Ｂ）に示したように、各凸部１１を光入射面１０Ａおよびその近傍にも設けた場合には、例えば、図６３（Ａ）に例示したように、１つの光源ブロック２５を点灯させると、その光源ブロック２５から出力された光Ｌ１は、横方向（幅方向）にあまり広がらずに導光板１０内を伝播するようになる。この場合、光入射面１０Ａの近傍において、点状光源２３同士の間に暗い部分が発生する場合があり、その場合には、画質が低下する虞がある。そこで、そのような場合には、例えば、図６２（Ａ），（Ｂ）に示したように、各凸部１１の高さを光入射面１０Ａおよびその近傍で相対的に低くしたり、またはゼロにしたりすることが好ましい。このようにすることにより、光源ブロック２５から出力された光Ｌ１を、例えば、図６３（Ｂ）に示したように、光入射面１０Ａおよびその近傍において、点状光源２３の発散角で横方向（幅方向）に広げ、光入射面１０Ａから離れた領域においては、ほぼ一定の幅で伝播させることができる。
【０１９８】
［第１０変形例］
また、上記各実施の形態およびそれらの変形例において、例えば、図６４（Ａ）に示したように、上側電極３６が、複数の部分電極３６Ａと、配線３６Ｂ，３６Ｃとからなる部分電極３６Ｆを複数有していてもよい。各部分電極３６Ｆは、互いに独立に駆動可能になっていてもよいし、互いに一括して駆動されるようになっていてもよい。例えば、各部分電極３６Ｆが互いに独立に駆動可能になっている場合に、光源２０が互いに独立駆動可能な複数の光源ブロック２５からなり、さらに、導光板１０が帯状の複数の凸部１１を上面、下面または内部に有していてもよい。このとき、駆動回路５０が、１つの部分電極３６Ｆを選択するとともに、１つの光源ブロック２５を選択することにより、例えば、図６４（Ｂ）に示したように、選択した部分電極３６Ｆと、選択した光源ブロック２５から出力された光の光路とが互いに交差する箇所だけを選択的に照明させることができる。
【０１９９】
［第１１変形例］
また、上記各実施の形態およびそれらの変形例において、部分電極３２Ａの幅が光源２０からの距離に応じて変化していたが、部分電極３２Ａのエッジが凹凸形状となっていてもよい。凹凸形状の凹凸振幅が、光源２０寄りの箇所で相対的に大きく、光源２０から離れた箇所で相対的に小さくなっている。例えば、図６５、図６６に示したように、部分電極３２Ａが、長手の辺部のエッジに、凹凸部４３を有している。凹凸部４３の凹凸振幅は、光源２０寄りの箇所で相対的に大きく、光源２０から離れた箇所で相対的に小さくなっている。部分電極３２Ａがそのような形状となっている場合であっても、部分電極３２Ａのうち、表示パネル２１０内の１つの画素２１０ａに使われる部分の面積が、光源２０からの距離に応じて変化しているといえる。
【０２００】
［第１２変形例］
また、上記各実施の形態およびそれらの変形例において、例えば、図６７に示したように、バックライト２１１の光出射側に、パララックスバリア８０が設けられていてもよい。パララックスバリア８０は、三次元表示を行うときに、バックライト２１１の光出力領域を、複数の部分電極３２ａとの対向領域またはそれに対応する領域に限定し、散乱領域３０Ｂに隣接する領域（例えば、透過領域３０Ａの端部）から出力され得るノイズ光を遮断するものである。また、パララックスバリア８０は、二次元表示を行うときに、バックライト２１１の光出力領域を、下側電極３２と上側電極３６とが互いに対向する領域との対向領域またはそれに対応する領域に拡張し、光変調素子３０，６０，７０から出力される光を透過するものである。
【０２０１】
パララックスバリア８０は、例えば、図６８に示したように、導光板１０側から順に、偏光板８１、透明基板８２、透明電極８３、配向膜８４、液晶層８５、配向膜８６、透明電極８７、透明基板８８および偏光板８９を有している。
【０２０２】
透明基板８２，８８は、可視光に対して透明な基板、例えば板ガラスからなる。なお、導光板１０側の透明基板には、例えば、図示しないが、透明電極８３に電気的に接続されたＴＦＴおよび配線などを含むアクティブ型の駆動回路が形成されている。透明電極８３，８７は、例えばＩＴＯからなる。透明電極８３は、例えば、図６８に示したように、複数の部分電極８３Ａによって構成されている。複数の部分電極８３Ａは、透明基板８２上に形成されている。
【０２０３】
各部分電極８３Ａは、面内の一の方向であって、かつ光入射面１０Ａと交差または直交（もしくはほぼ直交）する方向に延在する帯状の形状となっている。各部分電極８３Ａは、部分電極３２ａ，３２ｂ，３２ｃとの対向領域またはそれに対応する領域に形成されている。各部分電極８３Ａは、受信側装置２００において三次元表示を行うときに、帯状照明光の透過、遮断に用いられるものである。複数の部分電極８３Ａのうち部分電極３２ａとの対向領域またはそれに対応する領域に形成された電極は、受信側装置２００において三次元表示を行うときの画素ピッチＰ２（図２４参照）に対応するピッチＰ３（画素ピッチＰ２と同一ピッチまたはそれに近いピッチ）で配列されている。複数の部分電極８３Ａのうち部分電極３２ｂ，３２ｃとの対向領域またはそれに対応する領域に形成された電極は、受信側装置２００において三次元表示を行うときには使用されない。なお、受信側装置２００におい二次元表示を行うときには、面状照明光を生成するために、全ての部分電極８３Ａが用いられる。
【０２０４】
各部分電極８３Ａは、面内の一の方向であって、かつ光入射面１０Ａと交差または直交（もしくはほぼ直交）する方向に延在する帯状の形状となっている。各部分電極８３Ａの、単位面積あたりの面積（被覆率）は、光源２０からの距離とは無関係に一定となっている。具体的には、各部分電極８３Ａの幅は、均一となっている。
【０２０５】
各部分電極８３Ａは、例えば、図６９に示したように、互いに別個に形成され、互いに独立に駆動可能になっている。各部分電極３２Ａが図４、図５、図６、図７に示した態様となっている場合には、各部分電極８３Ａは、例えば、図６９に示したように、光入射面１０Ａの法線と平行またはほぼ平行な方向に延在している。また、各部分電極３２Ａが図４、図８、図９、図１０に示した態様となっている場合には、各部分電極８３Ａは、例えば、図７０に示したように、光入射面１０Ａの法線と斜めに交差する方向に延在している。
【０２０６】
また、各部分電極３２Ａが図１１に示した態様となっている場合には、各部分電極８３Ａは、例えば、図７１に示したように、ブロック形状となっており、かつ複数の部分電極８３Ａが光入射面１０Ａの法線と平行またはほぼ平行な方向と、光入射面１０Ａの法線と直交またはほぼ直交する方向とに２次元配置されている。また、各部分電極３２Ａが図１２、図１３に示した態様となっている場合には、各部分電極８３Ａは、例えば、図７２に示したように、ブロック形状となっており、かつ光入射面１０Ａの法線と斜めに交差す方向と、光入射面１０Ａの法線と直交またはほぼ直交する方向とに２次元配置されている。
【０２０７】
また、多視点表示を行わない場合には、例えば、図７３、図７４に示したように、部分電極３２ｂに対応する部分電極８３Ａと、部分電極３２ｃに対応する部分電極８３Ａとを１つにまとめてもよい。
【０２０８】
透明電極８７は、透明基板８８上に一面に形成されたものであり、各部分電極８３Ａに対して対向する共通電極として機能する。配向膜８４，８６は、例えばポリイミドなどの高分子材料からなり、液晶に対して配向処理を行う。液晶層８５は、例えば、ＶＡモード、ＴＮモードまたはＳＴＮモードの液晶からなり、駆動回路５０からの印加電圧により、導光板１０側からの光の偏光軸の向きを部分電極８３Ａとの対向部分ごとに変える機能を有する。偏光板８１，８９は、光学シャッタの一種であり、ある一定の振動方向の光（偏光）のみを通過させる。なお、偏光板８１，８９は、透過軸以外の振動方向の光（偏光）を吸収する吸収型の偏光素子であってもよいが、導光板１０側に反射する反射型の偏光素子であってもよい。偏光板８１，８９はそれぞれ、偏光軸が互いに９０°異なるように又は平行に配置されており、これにより導光板１０側からの光が液晶層８５を介して透過し、あるいは遮断されるようになっている。
【０２０９】
駆動回路５０は、制御信号２０４Ａとして三次元表示を指定する信号が入力されたときには、パララックスバリア８０をスリット状の光透過部として機能させるようになっている。具体的には、駆動回路５０は、複数の部分電極８３Ａのうち部分電極３２ａとの対向領域またはそれに対応する領域に形成された電極に、パララックスバリア８０が透過性を示す電圧を印加するとともに、複数の部分電極８３Ａのうち部分電極３２ｂ，３２ｃとの対向領域またはそれに対応する領域に形成された電極に、パララックスバリア８０が遮光性を示す電圧を印加するようになっている。
【０２１０】
また、駆動回路５０は、制御信号２０４Ａとして二次元表示を指定する信号が入力されたときには、パララックスバリア８０全体を光透過部として機能させるようになっている。具体的には、駆動回路５０は、各部分電極８３Ａに、パララックスバリア８０が透過性を示す電圧を印加するようになっている。
【０２１１】
本変形例では、バックライト２１１の光出射側に、パララックスバリア８０が設けられているので、光変調素子３０，６０から複数の帯状照明光が出力されているときに、散乱領域３０Ｂに隣接する領域から出力され得るノイズ光を遮断することができる。これにより、三次元表示の際に、各画素２１０−１，２１０−２，２１０−３または２１０−４（図２４参照）に対して各帯状照明光が入射する角度とは異なる角度で入射する光を低減することができる。その結果、鮮明な３次元映像を得ることができる。
【０２１２】
［第１３変形例］
また、上記第１２変形例において、例えば、図７５に示したように、各部分電極８３Ａは、面内の一の方向であって、かつ光入射面１０Ａと交差または直交（もしくはほぼ直交）する方向に延在する帯状の形状となっていてもよい。各部分電極８３Ａのうち、表示パネル２１０内の１つの画素２１０ａに使われる部分の面積が、光源２０からの距離に応じて変化している。具体的には、各部分電極８３Ａの幅が、光源２０からの距離に応じて変化しており、光源２０寄りの箇所で相対的に細く、光源２０から離れた箇所で相対的に太くなっている。例えば、図７５に示したように、各部分電極８３Ａの幅が、光源２０からの距離に比例して太くなっている。なお、各部分電極８３Ａの幅が、当該部分電極８３Ａの、光源２０から最も離れた端部や、光源２０に最も近い端部において、均一となっていてもよい。
【０２１３】
各部分電極８３Ａは、例えば、図７５に示したように、互いに別個に形成され、互いに独立に駆動可能になっていてもよいが、各部分電極８３Ａが互いに電気的に接続されていてもよい。例えば、三次元表示に使用する各部分電極８３Ａが互いに電気的に接続されていてもよい。また、例えば、二次元表示にだけ使用する各部分電極８３Ａが互いに電気的に接続されていてもよい。なお、二次元表示に際して多視点表示を行う場合には、視点ごとに、部分電極８３Ａが互いに電気的に分離されていることが好ましい。例えば、２視点表示を行う場合には、ある視点に使用する各部分電極８３Ａが互いに電気的に接続されると共に、他の視点に使用する各部分電極８３Ａが互いに電気的に接続されていてもよい。
【０２１４】
各部分電極８３Ａは、例えば、図７６に示したように、光入射面１０Ａの法線（または光源２０の光軸）と斜めに交差する方向に延在していてもよい。このようにした場合には、各部分電極８３Ａの延在方向が、表示パネル２１０の画素配列方向からずれるので、部分電極８３Ａと画素との配列関係に起因するモアレの発生を低減することができる。
【０２１５】
また、例えば、図７７、図７８に示したように、各部分電極８３Ａが、ブロック形状となっており、かつ複数の部分電極８３Ａが２次元配置されていてもよい。この場合には、複数の部分電極８３Ａを１つの線状電極８３Ｂとみなしたときに、各線状電極８３Ｂのうち、表示パネル２１０内の１つの画素２１０ａに使われる部分の面積が、光源２０からの距離に応じて変化している。具体的には、各線状電極８３Ｂの幅が、光源２０からの距離に応じて変化しており、光源２０寄りの箇所で相対的に細く、光源２０から離れた箇所で相対的に太くなっている。例えば、図７７、７８に示したように、各線状電極８３Ｂの幅が、光源２０からの距離に比例して太くなっている。なお、各線状電極８３Ｂの幅が、当該線状電極８３Ｂの、光源２０から最も離れた端部や、光源２０に最も近い端部において、均一となっていてもよい。
【０２１６】
［第１４変形例］
また、上記第１３変形例では、各部分電極８３Ａの幅が光源２０からの距離に応じて変化していたが、部分電極８３Ａのエッジが凹凸形状となっていてもよい。凹凸形状の凹凸振幅が、光源２０寄りの箇所で相対的に大きく、光源２０から離れた箇所で相対的に小さくなっている。例えば、図７９、図８０に示したように、部分電極８３Ａが、長手の辺部のエッジに、凹凸部４３を有している。凹凸部４３の凹凸振幅は、光源２０寄りの箇所で相対的に大きく、光源２０から離れた箇所で相対的に小さくなっている。部分電極８３Ａがそのような形状となっている場合には、部分電極８３Ａのうち、表示パネル２１０内の１つの画素２１０ａに使われる部分の面積が、光源２０からの距離に応じて変化しているといえる。
【０２１７】
［第１５変形例］
また、上記各実施の形態およびそれらの変形例において、表示パネル２１０を駆動する駆動回路（図示せず）は、表示パネル２１０を時分割に駆動するようにしてもよい。この場合に、駆動回路５０は、所定の周期内において、表示パネル２１０の表示が、視差の数と等しい数の画素行内で１画素行ずつ順次切り換わるのと同期して、バックライト２１１からの帯状照明光の出力箇所を切り替える。例えば、図８１、図８２、図８３、図８４に順に示したように、駆動回路５０は、１フレーム期間（１／６０秒）内において、表示パネル２１０の表示が、４画素行内で１画素行ずつ順次切り換わるのと同期して、バックライト２１１からの帯状照明光の出力箇所を切り替える。このとき、表示パネル２１０を駆動する駆動回路（図示せず）は、１フレーム期間（１／６０秒）内において、表示パネル２１０の表示が、視差の数と等しい数の画素行内で１画素行ずつ順次切り換わるように、各画素に対して映像信号に対応する電圧を印加する。このように、切り替えを高速に行うことにより、観察者は、瞬間に光っている画素数の４倍の画素を知覚するようになり、実質的な解像度をあげることができる。
【０２１８】
［第１６変形例］
また、上記各実施の形態およびそれらの変形例において、透明基板３１および透明基板３７のうち少なくとも一方が、導光板１０と一体に形成されたものであってもよい。例えば、上記各実施の形態およびそれらの変形例において、透明基板３７が導光板１０と接している場合には、透明基板３７が導光板１０と一体に形成されていてもよい。このとき、透明基板３７は、本技術の「第１透明基板」または「第２透明基板」の一具体例に相当する。また、例えば、上記各実施の形態およびそれらの変形例において、透明基板３１が導光板１０と接している場合には、透明基板３１が導光板１０と一体に形成されていてもよい。このとき、透明基板３１は、本技術の「第１透明基板」または「第２透明基板」の一具体例に相当する。また、例えば、上記各実施の形態およびそれらの変形例において、透明基板３１，３７がともに導光板１０と接している場合には、透明基板３１，３７が導光板１０と一体に形成されていてもよい。このとき、透明基板３１または透明基板３７が、本技術の「第１透明基板」または「第２透明基板」の一具体例に相当する。
【０２１９】
［第１７変形例］
また、上記各実施の形態およびそれらの変形例において、反射板４０の代わりに、光反射抑制層が設けられていてもよい。光反射抑制層は、例えば、低反射率材料が基材の表面に塗布されたものであってもよいし、光を吸収する材料が基材の表面に塗布されたものであってもよい。例えば、図８５に示したように、反射板４０の代わりに、光反射抑制層９０が設けられていてもよい。光反射抑制層９０は、例えば、低反射率材料が基材の表面に塗布されたもの、または、光を吸収する材料が基材の表面に塗布されたものからなる。このように、光反射抑制層９０を設けることにより、反射板４０を設けたときに反射板４０で反射された光が透明領域３０Ａを透過して表示パネル２１０に入射する割合を低く抑えることができる。その結果、コントラストを上げることができる。
【０２２０】
［第１８変形例］
また、上記第１の実施の形態において、電位差無印加時に、バルク３４Ａの光軸ＡＸ１および微粒子３４Ｂの光軸ＡＸ２は、同一の方向に光軸の成分を主に有しており、例えば、図８６および図８８に示したように、配向膜３３，３５のラビング方向を向いていることが好ましい。さらに、電位差無印加時には、光軸ＡＸ１，ＡＸ２は、例えば、図８６および図８８に示したように、バックライト２１１側の偏光板２１０Ｂの透過軸ＡＸ１０と平行な方向に光軸の成分を主に有していることが好ましい。透過軸ＡＸ１０は、例えば、図８６に示したように、配向膜３３，３５のラビング方向を向いていることが好ましい。
【０２２１】
電位差無印加時には、光軸ＡＸ１，ＡＸ２は、例えば、図８６に示したように、光入射面１０Ａの法線ＡＸ５と交差または直交（もしくはほぼ直交）する方向を向いていることが好ましい。さらに、電位差無印加時には、光軸ＡＸ１，ＡＸ２は、例えば、図４、図８６に示したように、透明基板３１と平行またはほぼ平行となっていることが好ましい。つまり、電位差無印加時には、光軸ＡＸ１，ＡＸ２は、概ね図８６中のＹ軸方向を向いていることが好ましい。その理由は、上記実施の形態中の[異方性散乱]の欄に記載されている。
【０２２２】
また、上述したように、電位差印加時には、光軸ＡＸ１は、電位差無印加時と同一またはほぼ同一の方向を向いていることが好ましい。電位差印加時には、光軸ＡＸ１は、偏光板２１０Ｂの透過軸ＡＸ１０と平行な方向に光軸の成分を主に有しており、例えば、図８７に示したように、透過軸ＡＸ１０と平行な方向を向いていることが好ましい。電位差印加時には、光軸ＡＸ１は、光源２０の光軸ＡＸ５と交差または直交（もしくはほぼ直交）する方向を向いており、さらに、透明基板３１と平行またはほぼ平行となっていることが好ましい。
【０２２３】
一方、光軸ＡＸ２は、電位差印加時には、下側電極３２および上側電極３６に印加された電位差によって生成される電場の影響を受けて所定の方向に変位していることが好ましい。電位差印加時には、光軸ＡＸ２は、例えば、図４、図８７に示したように、透明基板３１と交差または直交（もしくはほぼ直交）していることが好ましい。つまり、光軸ＡＸ２は、下側電極３２および上側電極３６への電位差印加により、光軸ＡＸ２と透明基板３１の法線とのなす角度が小さくなる方向に変位していることが好ましい。このとき、光軸ＡＸ２は、光軸ＡＸ１と交差または直交（もしくはほぼ直交）しており、透明基板３１と交差または直交（もしくはほぼ直交）していることが好ましい。
【０２２４】
また、電位差無印加時には、光軸ＡＸ１，ＡＸ２はともに、例えば、図８８に示したように、光源２０の光軸ＡＸ５と平行またはほぼ平行となっていてもよい。電位差無印加時には、光軸ＡＸ１，ＡＸ２は、例えば、図４０、図８８に示したように、透明基板３１と平行またはほぼ平行となっていてもよい。つまり、電位差無印加時には、光軸ＡＸ１，ＡＸ２は、概ね図８８中のＸ軸方向を向いていてもよい。
【０２２５】
また、電位差印加時には、光軸ＡＸ１は、電位差無印加時と同一またはほぼ同一の方向を向いていてもよい。電位差印加時には、光軸ＡＸ１は、偏光板２１０Ｂの透過軸ＡＸ１０と平行な方向に光軸の成分を主に有しており、例えば、図８８に示したように、透過軸ＡＸ１０と平行な方向を向いていてもよい。電位差印加時には、光軸ＡＸ１は、例えば、光源２０の光軸ＡＸ５と平行またはほぼ平行となっており、さらに、透明基板３１と平行またはほぼ平行となっていてもよい。
【０２２６】
一方、光軸ＡＸ２は、電位差印加時には、下側電極３２および上側電極３６に印加された電位差によって生成される電場の影響を受けて所定の方向に変位していてもよい。電位差印加時には、光軸ＡＸ２は、例えば、図４０、図８９に示したように、透明基板３１と直交またはほぼ直交（もしくは交差）していてもよい。つまり、光軸ＡＸ２は、下側電極３２および上側電極３６への電圧印加により、光軸ＡＸ２と透明基板３１の法線とのなす角度が小さくなる方向に変位していてもよい。このとき、光軸ＡＸ２は、光軸ＡＸ１と直交またはほぼ直交（もしくは交差）しており、透明基板３１と直交またはほぼ直交（もしくは交差）していてもよい。
【０２２７】
［第１９変形例］
また、上記各実施の形態およびそれらの変形例において、上側電極３６が、面内全体に渡って形成された１枚のベタ膜（面状電極）となっている場合に、その面状電極内に、パターニングを有していてもよい。例えば、図９０、図９１に例示したように、上側電極３６が、複数の開口Ｈを有していてもよい。開口Ｈは、例えば、円形状、楕円形状、方形状、多角形状など、種々の形状を採ることができる。
【０２２８】
ここで、開口Ｈの半径は光源２０からの距離に応じて異なっていてもよい。照明装置１の面内輝度の均一化を考慮する場合には、開口Ｈの半径は、光入射面１０Ａと直交する方向において、光源２０寄りの箇所で相対的に大きく、光源２０から離れた箇所で相対的に小さくなっていることが好ましい。例えば、図９０、図９１に示したように、開口Ｈの半径ｒは、光入射面１０Ａと直交する方向において、光源２０寄りの箇所でｒａとなっており、光源２０から離れた箇所でｒｂ（＜ｒａ）となっている。さらに、光源２０が、複数の光源ブロック２５からなる場合に、互いに隣接する２つの光源ブロック２５間の距離が、互いに隣接する２つの部分電極３２Ａ間の距離と比べて長い場合には、開口Ｈの半径は、光入射面１０Ａと平行な方向において、光源２０寄りの箇所で相対的に大きく、光源２０から離れた箇所で相対的に小さくなっていることが好ましい。例えば、図９１に示したように、開口Ｈの半径ｒは、光入射面１０Ａと平行な方向において、光源２０寄りの箇所でｒ１となっており、光源２０から少し離れた箇所でｒ２（＜ｒ１）となっており、光源２０から最も離れた箇所でｒ３（＜ｒ２）となっている。
【０２２９】
開口Ｈのピッチは、モアレを考慮する場合には、光入射面１０Ａと平行な方向において、部分電極３２Ａの最大幅の半整数分の１となっていることが好ましい。また、開口の半径ｒは、部分電極３２Ａの最大幅よりも小さくなっていることが好ましい、例えば、部分電極３２Ａの最大幅の４分の１程度となっていることが好ましい。また、開口Ｈの配列方向は、特に限定されるものではないが、例えば、光入射面１０Ａの法線と平行な方向となっていてもよいし、例えば、部分電極３２Ａの延在方向と平行な方向となっていてもよい。なお、開口Ｈは、ランダムな位置に（つまり、規則性無く）配置されていてもよい。
【０２３０】
＜４．実施例＞
次に、上記各実施の形態およびそれらの変形例に係るバックライト２１１の一実施例ついて説明する。
【０２３１】
図９２は、本実施例に係るバックライト２１１の下側電極３２（部分電極３２Ａ，配線３２Ｂ，３２Ｃ）および上側電極３６のレイアウトの一例を表したものである。図９３は、図９２中の下側電極３２（部分電極３２Ａ，配線３２Ｂ，３２Ｃ）の一部を拡大して表したものである。
【０２３２】
横６０ｍｍ×縦８５ｍｍ×厚さ０．７ｍｍの基板上に、ＩＴＯ膜を成膜し、パターニングすることにより、下側電極３２（部分電極３２Ａ，配線３２Ｂ，３２Ｃ）を形成した。このとき、部分電極３２Ａを、三次元表示および二次元表示に際して用いられる１本の部分電極３２ａと、二次元表示にだけ用いられる３本の部分電極３２ｂ，３２ｃ，３２ｄとで構成し、各部分電極３２ａ，３２ｂ，３２ｃ，３２ｄを、光入射面１０Ａと７１．５６度で交差する方向に傾けた。各部分電極３２ａ，３２ｂ，３２ｃ，３２ｄの最大幅（ｄａ＿ｍａｘ，ｄｂ＿ｍａｘ，ｄｃ＿ｍａｘ，ｄｄ＿ｍａｘ，）を４０μｍとし、光源２０に近い方の幅を、光源２０から遠い方の幅よりも狭くした。部分電極３２Ａを横５０ｍｍ×縦７５ｍｍのエリアに配置した。
【０２３３】
また、横６０ｍｍ×縦８５ｍｍ×厚さ０．７ｍｍの基板上に、ＩＴＯ膜を成膜し、パターニングすることにより、上側電極３６を形成した。このとき、上側電極３６を、横５０ｍｍ×縦７５ｍｍの面状電極３６Ｓと、面状電極３６Ｓから引き出した配線３６Ｓとで構成した。
【０２３４】
下側電極３２および上側電極３６の表面上に配向膜を塗布後、それぞれの配向膜を所定の方向(図９２参照)にラビングし、下側電極３２上の配向膜の表面に４μｍのスペーサを散布し、上側電極３６上の配向膜の表面に、環状の封止剤を描画した。その後、面状電極３６Ｓが部分電極３２Ａと対向する領域に配置されるとともに、配線３６Ｓが配線３２Ｃと対向する領域であって、光源２０からできるだけ離れた箇所となるように、下側電極３２と、上側電極３６とを貼り合わせた。次に、下側電極３２と、上側電極３６との隙間にＰＤＬＣを真空注入し、表示パネルを完成させた。次に、ＬＥＤ光源を７ｍｍ間隔で７個、長さが６０ｍｍの方の端面に配置し、表示パネルの背面に黒色板を配置し、照明装置を完成させた。
【０２３５】
この照明装置を、三次元表示時には、部分電極３２ａを６０Ｈｚ１００Ｖパルスで駆動するとともに、部分電極３２ｂ，３２ｃ，３２ｄと上側電極３６をＧＮＤとした。また、必要に応じて、照明装置上に表示パネルを配置し、表示装置として評価を行った。各実施例の詳細を以下に示す。
【０２３６】
[実施例１]
光軸ＡＸ２を光入射面１０Ａと平行にするとともに、偏光板２１０Ｂの透過軸ＡＸ１０と平行にした。部分電極３２ｂ，３２ｃ，３２ｄの線幅変化を、図９４に示したようにした。
[実施例２]
光軸ＡＸ２を光入射面１０Ａと平行にするとともに、偏光板２１０Ｂの透過軸ＡＸ１０と４５度をなす方向にした。部分電極３２ｂ，３２ｃ，３２ｄの線幅変化を、実施例１と同様にした。
[実施例３]
光軸ＡＸ２を光入射面１０Ａと平行にするとともに、偏光板２１０Ｂの透過軸ＡＸ１０と９０度をなす方向にした。部分電極３２ｂ，３２ｃ，３２ｄの線幅変化を、実施例１と同様にした。
[実施例４]
光軸ＡＸ２を光入射面１０Ａと垂直にするとともに、偏光板２１０Ｂの透過軸ＡＸ１０と平行にした。部分電極３２ｂ，３２ｃ，３２ｄの線幅変化を、実施例１と同様にした。
[比較例１]
光軸ＡＸ２を光入射面１０Ａと平行にするとともに、偏光板２１０Ｂの透過軸ＡＸ１０と平行にした。部分電極３２ｂ，３２ｃ，３２ｄの線幅を一定（４０μｍ）とした。
[比較例２]
出射面に固定バリアを配置し、固定バリアとＰＤＬＣとの間に、拡散シート、プリズムシートおよび拡散シートを配置した。表示エリアを、各実施例と同様、５０ｍｍ×７５ｍｍとした。ガラス面に、パターニングしたクロム膜を設けたものを固定バリアとして用いた。部分電極３２ａに対応する部分を透過領域とし、部分電極３２ｂ，３２ｃ，３２ｄに対応する部分を遮光した。透過領域の線幅を一定（４０μｍ）とした。
【０２３７】
次に、評価結果を示す。
【０２３８】
実施例１および比較例１、比較例２において、照明装置として中央部分の輝度を測定した。
実施例１および比較例１は（三次元表示時／二次元表示時）の比で、比較例２は（固定バリア有り/固定バリア無し）の比で比較した。その結果、
実施例１  ７２％
比較例１  ７２％
比較例２  １８％
となり、比較例２では三次元表示時の輝度が激減した。実施例１および比較例１では輝度突き上げ効果により、三次元表示時も効率的に光が利用されていることがわかった。
【０２３９】
次に、実施例１および比較例１、比較例２において三次元表示時および二次元表示時の画質を評価した。
・３Ｄ時
実施例１：３Ｄに見えた。
比較例１：３Ｄに見えた。
比較例２：３Ｄに見えたが非常に暗かった。
・二次元表示時
実施例１：２Ｄに見えた。
比較例１：２Ｄに見えたがＬＥＤ近傍が非常に明るく、明るさが不均一であった。
比較例２：２Ｄ表示は出来ない。
【０２４０】
実施例１及び比較例１の二次元表示時の輝度分布の計算結果を図９５（横軸：ＬＥＤからの距離、縦軸：輝度）に示した。
比較例１に比べ実施例１は輝度分布が均一になっていることが分かった。
尚、ＬＥＤからの距離５ｍｍまでと８０ｍｍ以降は下側基板のＩＴＯが表示エリア外ためにエッチングされており、散乱が小さいため不要な光が取り出されていない。
【０２４１】
次に、実施例１から実施例４に関して、表示パネルを配置し、二次元表示時の輝度を測定した。
実施例１：輝度１１０２ｃｄ／ｍ2
実施例２：輝度６６０ｃｄ／ｍ2
実施例３：輝度１１４ｃｄ／ｍ2
実施例４：輝度３７０ｃｄ／ｍ2
実施例１から実施例３の結果により、この照明装置からは（ＰＤＬＣ配向方向の偏光の光）：（ＰＤＬＣ配向方向と垂直方向の偏光の光）＝９：１となっており、液晶パネルの入射側の偏光板の透過軸はＰＤＬＣ配向方向、例えばラビング方向にあわせることで光を効率的に利用できることが分かった。
実施例１及び実施例４の結果により、ＰＤＬＣの異方性散乱の効果は、ＬＥＤ光源の光軸方向（光入射面の法線方向）とＰＤＬＣ配向方向が垂直の場合に大きく現れ、輝度が高くなることが分かった。
【０２４２】
続いて、上側電極３６に開口Ｈを設けた実施例５について説明する。実施例５は、上側電極３６に開口Ｈを設けたこと以外は、実施例１と同じ構成となっている。上側電極３６の開口Ｈを、パターン密度（単位面積当たりのＩＴＯがある部分の面積）が７５％となるように、表示部の全体に形成した。部分電極３２ＡのＩＴＯパターンは、図９３のようにした。
【０２４３】
実施例１、実施例５および比較例１の二次元表示時の輝度分布の計算結果を図９５に示した。
比較例１に比べ実施例５は輝度分布が均一になっていることが分かった。
尚、ＬＥＤからの距離５ｍｍまでと８０ｍｍ以降は下側基板のＩＴＯが表示エリア外ためにエッチングされており、散乱ガ小さいため不要な光が取り出されていない。
また、実施例１に比べ実施例５は輝度が全体的に高い。これは、ＩＴＯに開口を設けることで不要な吸収が抑えられているからである。
【０２４４】
続いて、上側電極３６に開口Ｈを設けた実施例６について説明する。実施例６では、上側電極３６のＩＴＯパターンが実施例５とは異なっており、さらに、光入射面１０Ａから表示エリアまでの距離を２ｍｍと狭くしたこと以外は、実施例１と同じ構成となっている。実施例６の上側電極３６では、光入射面１０Ａと平行な方向において、ＬＥＤ光源に近いところで開口Ｈの半径を大きくし、ＬＥＤ光源から遠いところで開口Ｈの半径を小さくした。光入射面１０Ａから距離が２ｍｍの部分でのパターン密度を、図９６のようにした。なお、図中の目盛り３．５ｍｍと１０．５ｍｍの位置にＬＥＤ光源を配置した。
比較例３は、比較例１において光入射面から表示エリアまでの距離が２ｍｍと狭くなっていること以外は、比較例１と同じである。
光入射面からの距離が２ｍｍの位置でのＹ方向の輝度分布を計算すると、図９７に示したようになった。実施例６では輝度が均一となっており、ＬＥＤ光源による明るさムラが改善されており、画質が良くなっていることがわかった。
なお、本技術は以下のような態様をとることもできる。
【０２４５】
（１）
離間して互いに対向配置された第１透明基板および第２透明基板と、
前記第１透明基板または前記第２透明基板の第１端面に光を照射する光源と、
前記第１透明基板および前記第２透明基板の間隙に設けられ、かつ電場の大きさに応じて、前記光源からの光に対して散乱性もしくは透明性を示す光変調層と、
電圧が印加されたときに前記光変調層内に電場を発生させる電極と
を備え、
前記光変調層は、前記電極から三次元表示モードの電場が印加されることにより、前記光源からの光を利用して、前記第１端面と交差する方向に延在する複数の帯状照明光を生成するようになっており、
各帯状照明光の、単位面積あたりの発光面積が、前記光源からの距離に応じて変化している
照明装置。
（２）
各帯状照明光は、連続する１本の帯状の発光形状となっているか、または、複数のブロック状の照明光が一列に配列された発光形状となっている
（１）に記載の照明装置。
（３）
各帯状照明光の幅が、前記光源からの距離に応じて変化している
（１）または（２）に記載の照明装置。
（４）
各帯状照明光の、幅方向の中心線は、互いに平行となっている
（１）ないし（３）のいずれか一項に記載の照明装置。
（５）
各帯状照明光のエッジが、凹凸形状となっており、
前記凹凸形状の凹凸振幅が、前記光源からの距離に応じて変化している
（１）または（２）に記載の照明装置。
（６）
各帯状照明光は、前記第１端面と直交する方向に延在している
（１）ないし（５）のいずれか一項に記載の照明装置。
（７）
各帯状照明光は、前記第１端面と交差する方向であって、かつ当該照明装置が、複数の画素を有する表示パネルのバックライトとして用いられたときの前記画素の配列方向と交差する方向に延在している
（１）ないし（５）のいずれか一項に記載の照明装置。
（８）
前記電極は、前記帯状照明光の発光形状に対応した形状となっている
（１）ないし（７）のいずれか一項に記載の照明装置。
（９）
前記電極は、前記帯状照明光の延在方向に延在する複数の帯状電極を有するか、または、前記帯状照明光の延在方向に配列されると共に前記帯状照明光と交差する方向に配列された複数の部分電極を有する
（８）に記載の照明装置。
（１０）
前記電極は、前記第１透明基板の表面に、前記複数の帯状電極もしくは前記複数の部分電極を有すると共に、前記複数の帯状電極もしくは前記複数の部分電極の全体または一部の端部同士を接続する配線を有し、
前記電極は、さらに、前記第２透明基板の表面に、各帯状電極または各部分電極と対向する領域に主に形成された面状電極を有する
（９）に記載の照明装置。
（１１）
前記電極は、前記帯状照明光の延在方向に延在する複数の帯状電極を有しており、
各帯状電極の幅が、前記光源からの距離に応じて変化している
（８）に記載の照明装置。
（１２）
前記電極は、前記帯状照明光の延在方向に配列されると共に前記帯状照明光と交差する方向に配列された複数の部分電極を有しており、
各部分電極の幅が、前記光源からの距離に応じて変化している
（８）に記載の照明装置。
（１３）
前記電極は、前記帯状照明光の延在方向に延在する複数の帯状電極を有しており、
各帯状電極のエッジが、凹凸形状となっており、
前記凹凸形状の凹凸振幅が、前記光源からの距離に応じて変化している
（８）に記載の照明装置。
（１４）
前記電極は、前記帯状照明光の延在方向に配列されると共に前記帯状照明光と交差する方向に配列された複数の部分電極を有しており、
各部分電極のエッジが、凹凸形状となっており、
前記凹凸形状の凹凸振幅が、前記光源からの距離に応じて変化している
（８）に記載の照明装置。
（１５）
前記光変調層が散乱性を示す第１電圧の絶対値は、前記光変調層が透明性を示す第２電圧の絶対値よりも高い値となっており、
各帯状照明光の幅の幅が、前記光源寄りの箇所で相対的に細く、前記光源から離れた箇所で相対的に太くなっている
（３）に記載の照明装置。
（１６）
前記光変調層が散乱性を示す第１電圧の絶対値は、前記光変調層が透明性を示す第２電圧の絶対値よりも高い値となっており、
前記凹凸形状の凹凸振幅が、前記光源寄りの箇所で相対的に大きく、前記光源から離れた箇所で相対的に小さくなっている
（５）に記載の照明装置。
（１７）
前記光変調層が散乱性を示す第１電圧の絶対値は、前記光変調層が透明性を示す第２電圧の絶対値よりも高い値となっており、
各帯状電極の幅、または、前記帯状照明光の延在方向に配列された複数の部分電極を１本の仮想帯状電極とみなしたときのその仮想帯状電極の幅が、前記光源寄りの箇所で相対的に細く、前記光源から離れた箇所で相対的に太くなっている
（９）に記載の照明装置。
（１８）
前記光変調層が散乱性を示す第１電圧の絶対値は、前記光変調層が透明性を示す第２電圧の絶対値よりも高い値となっており、
前記凹凸形状の凹凸振幅が、前記光源寄りの箇所で相対的に大きく、前記光源から離れた箇所で相対的に小さくなっている
（１３）に記載の照明装置。
（１９）
前記光変調層が散乱性を示す第１電圧の絶対値は、前記光変調層が透明性を示す第２電圧の絶対値よりも高い値となっており、
前記凹凸形状の凹凸振幅が、前記光源寄りの箇所で相対的に大きく、前記光源から離れた箇所で相対的に小さくなっている
（１４）に記載の照明装置。
（２０）
前記光変調層は、光学異方性を有すると共に電場に対する応答速度が互いに異なる第１領域および第２領域を含み、
前記第１領域は、液晶材料を主に含んで構成され、
前記第２領域は、高分子材料を主に含んで構成される
（１）に記載の照明装置。
（２１）
前記面状電極は、複数の開口を有し、
前記開口の半径は、前記第１端面と直交する方向において、前記光源寄りの箇所で相対的に大きく、前記光源から離れた箇所で相対的に小さくなっている
（１０）に記載の照明装置。
（２２）
前記開口の半径は、前記第１端面と平行な方向において、前記光源寄りの箇所で相対的に大きく、前記光源から離れた箇所で相対的に小さくなっている
（２１）に記載の照明装置。
（２３）
映像信号に基づいて駆動される表示パネルと、
前記表示パネルを照明する照明装置と
を備え、
前記照明装置は、
離間して互いに対向配置された第１透明基板および第２透明基板と、
前記第１透明基板の第１端面に光を照射する光源と、
前記第１透明基板および前記第２透明基板の間隙に設けられ、かつ電場の大きさに応じて、前記光源からの光に対して散乱性もしくは透明性を示す光変調層と、
電圧が印加されたときに前記光変調層内に電場を発生させる電極と
を備え、
前記光変調層は、前記電極から三次元表示モードの電場が印加されることにより、前記光源からの光を利用して、前記第１端面と交差する方向に延在する複数の帯状照明光を生成するようになっており、
各帯状照明光の、単位面積あたりの発光面積が、前記光源からの距離に応じて変化している
表示装置。
（２４）
前記表示パネルを間にして互いに対向する一対の偏光板をさらに備え、
前記光変調層は、光学異方性を有すると共に電場に対する応答性が相対的に高い第１領域と、光学異方性を有すると共に電場に対する応答性が相対的に低い第２領域とを含み、
前記光変調層が透明性を示すとき、前記第１領域および前記第２領域は、前記一対の偏光板のうち前記照明装置側の偏光板の透過軸と平行な方向に光軸の成分を主に有し、
前記光変調層が散乱性を示すとき、前記第２領域は、前記一対の偏光板のうち前記照明装置側の偏光板の透過軸と平行な方向に光軸の成分を主に有し、前記第１領域は、前記第２領域の光軸と交差または直交すると共に前記第１透明基板と交差または直交するする方向に光軸の成分を主に有する
（２３）に記載の表示装置。
【符号の説明】
【０２４６】
１０…導光板、１０Ａ…光入射面、１１…凸部、２０…光源、２１…線状光源、２２…反射ミラー、２３…点状光源、２４…基板、２５…光源ブロック、３０，６０…光変調素子、３０−１…光変調セル、３０Ａ…透過領域、３０Ｂ…散乱領域、３１，３７，８２，８８…透明基板、３２…下側電極、３２Ａ，３２ａ，３２ｂ，３２ｃ，３６Ａ，３６ａ，３６ｂ，３６ｃ，８３Ａ…部分電極、３２Ｂ，３２Ｃ，３２Ｄ，３６Ｂ，３６Ｃ，３６Ｄ…配線、３２Ｅ，８３Ｂ…線状電極、３２Ｆ…透明導電膜、３３，３５，８４，８６…配向膜、３４，６４…光変調層、３４Ａ，６４Ａ…バルク、３４Ｂ，６４Ｂ…微粒子、３６…上側電極、３６−１，４３…凹凸部、３８…スペーサ、３９…シール剤パターン、４０…反射板、４１…拡散シート、４２…混合物、５０…駆動回路、７１…光学シート、８０…パララックスバリア、８１，８９，２１０Ｂ，２１０Ｃ…偏光板、８３，８７…透明電極、８５…液晶層、９０…光反射抑制層、１００…送信側装置、１００Ａ…テレビ放送信号、２００…受信側装置、２０１…アンテナ端子、２０２…デジタルチューナ、２０３…デマルチプレクサ、２０４…演算回路、２０４Ａ…制御信号、２０５…メモリ、２０６…デコーダ、２０７…映像信号処理回路、２０８…グラフィック生成回路、２０９…パネル駆動回路、２１０…表示パネル、２１０Ａ…液晶パネル、２１０Ｄ…三次元用画素、２１０ａ，２１０Ｅ，２１０−１〜２１０−４…画素、２１１…バックライト、２１２…音声信号処理回路、２１３…音声増幅回路、２１４…スピーカ、２１５…リモコン受信回路、２１６…リモコン送信機、２２０…低屈折率材料層、３００…ガラス容器、３１０…マッチングオイル、３２０…ディテクタ、３３０…被測定面、ＡＸ１〜ＡＸ５…光軸、ＡＸ１０，ＡＸ１１…透過軸、Ｈ…開口、θ１〜θ４…角度。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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【図４１】
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【図４２】
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【図４３】
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【図４４】
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【図４５】
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【図４６】
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【図４７】
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【図４８】
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【図４９】
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【図５０】
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【図５１】
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【図５２】
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【図５３】
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【図５４】
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【図５５】
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【図５６】
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【図５７】
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【図５８】
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【図５９】
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【図６０】
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【図６１】
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【図６２】
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【図６３】
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【図６４】
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【図６５】
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【図６６】
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【図６７】
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【図６８】
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【図６９】
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【図７０】
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【図７１】
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【図７２】
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【図７３】
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【図７４】
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【図７５】
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【図７６】
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【図７７】
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【図７８】
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【図７９】
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【図８０】
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【図８１】
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【図８２】
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【図８３】
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【図８４】
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【図８５】
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【図８６】
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【図８７】
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【図８８】
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【図８９】
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【図９０】
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【図９１】
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【図９２】
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【図９３】
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【図９４】
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【図９５】
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【図９６】
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【図９７】
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