(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層の表面に下地金属層を被着する第１の工程と、前記下地金属層の表面に配線導体のパターンに対応した開口部を有するめっきレジスト層を被着する第２の工程と、前記開口部内の前記下地金属層の表面に電解銅めっき層を析出させる第３の工程と、前記めっきレジスト層を除去する第４の工程と、前記電解銅めっき層から露出する前記下地金属層をエッチング除去する第５の工程とを行なう配線基板の製造方法であって、前記第４の工程の後に、前記電解銅めっき層の表面をスポンジロールの表面に番手が２０００〜６０００番の研磨シートを巻回してなる研磨ロールにより研磨する第６の工程を含むことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項２】
前記スポンジロールの２５％圧縮応力が５〜５０ｋＰａであり、前記研磨シートの曲げ弾性率が３０００〜１５０００ＭＰａであることを特徴とする請求項１に記載の配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、例えば配線基板における微細な配線導体を形成する方法としてセミアディティブ法が知られている。セミアディティブ法は、まず配線導体が形成される絶縁層の表面に無電解めっき法やスパッタリング法により例えば銅から成る下地金属層を０．１〜１．５μｍ程度の厚みに被着させ、次に下地金属層の表面に配線導体のパターンに対応した開口を有するめっきレジスト層を形成し、次にめっきレジスト層の開口内に露出する下地金属層上に配線導体に対応したパターンの電解銅めっき層を５〜２０μｍ程度の厚みに析出させ、次にめっきレジスト層を下地金属層上から除去した後、最後に電解銅めっき層のパターンから露出する下地金属層をエッチング除去することにより、残った電解銅めっき層およびその下の下地金属層から成る配線導体を形成する方法である。
【０００３】
しかしながら、このセミアディティブ法により配線導体を形成する場合、下地金属層の上に電解銅めっき層を析出させる際に、電解銅めっき層の表面に金属粉等の異物を核として銅めっきが異常成長したノジュールと呼ばれる大きさおよび高さが数μｍ〜数十μｍの微小な突起が形成されることがある。このような突起が形成されると、例えば突起が横方向に大きく成長したものである場合、突起により隣接する配線導体同士の間隔が狭くなって配線導体に対する電気的絶縁信頼性が低下してしまうという問題を引き起こす。また、突起が高さ方向に大きく成長したものである場合、その上にさらに絶縁層やソルダーレジスト層を積層する場合に、突起上の絶縁層やソルダーレジスト層の厚みが局所的に薄くなり、そのため配線導体に対する電気的な絶縁信頼性が低下してしまうという問題を引き起こす。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１０−８０８８２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、セミアディティブ法により配線導体を形成する際に、下地金属層上に析出させた電解銅めっき層の表面に微小な突起が形成された場合であっても、その突起を良好に除去して配線導体に対する電気的絶縁信頼性に優れる配線基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の配線基板の製造方法は、絶縁層の表面に下地金属層を被着する第１の工程と、前記下地金属層の表面に配線導体のパターンに対応した開口部を有するめっきレジスト層を被着する第２の工程と、前記開口部内の前記下地金属層の表面に電解銅めっき層を析出させる第３の工程と、前記めっきレジスト層を除去する第４の工程と、前記電解銅めっき層から露出する前記下地金属層をエッチング除去する第５の工程とを行なう配線基板の製造方法であって、前記第４の工程の後に、前記電解銅めっき層の表面をスポンジロールの表面に番手が２０００〜６０００番の研磨シートを巻回してなる研磨ロールにより研磨する第６の工程を含むことを特徴とするものである。
【発明の効果】
【０００７】
本発明の配線基板の製造方法によれば、下地金属層上に析出した電解銅めっき層の表面をスポンジロールの表面に番手が２０００〜６０００番の研磨シートを巻回してなる研磨ロールにより研磨することから、電解銅めっき層の表面にノジュールと呼ばれる微小な突起が形成された場合であっても、その突起を良好に除去することができ、その結果、配線導体に対する電気的絶縁特性に優れる配線基板を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】図１は、本発明の配線基板の製造方法の実施形態の一例を説明するための要部断面模式図である。
【図２】図２は、本発明の配線基板の製造方法の実施形態の一例を説明するための要部断面模式図である。
【図３】図３は、本発明の配線基板の製造方法の実施形態の一例を説明するための要部断面模式図である。
【図４】図４は、本発明の配線基板の製造方法の実施形態の一例を説明するための要部断面模式図である。
【図５】図５は、本発明の配線基板の製造方法の実施形態の他の例を説明するための要部断面模式図である。
【図６】図６は、本発明の配線基板の製造方法の実施形態の更に他の例を説明するための要部断面模式図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
次に、本発明の配線基板の製造方法の実施形態の一例を添付の図を基にして説明する。まず、図１（ａ）に示すように、配線基板を構成する絶縁層１の表面に下地金属層２を被着する。下地金属層２は、例えば厚みが０．１〜１．５μｍの無電解銅めっき層から成り、周知の無電解銅めっき法を採用することにより被着される。
【００１０】
次に、図１（ｂ）に示すように、下地導体層２の表面にめっきレジスト層３を被着する。めっきレジスト層３は、後述する配線導体５のパターンに対応した開口３ａを有しており、厚みは１０〜３０μｍ程度である。このようなめっきレジスト層３は、感光性ドライフィルムレジストを下地導体層２の表面に貼着するとともに開口３ａを有する所定のパターンに露光および現像することにより形成される。
【００１１】
次に、図２（ｃ）に示すように、めっきレジスト層３の開口３ａ内に露出する下地金属層２の表面に厚みが５〜２０μｍの電解銅めっき層４を析出させる。電解銅めっき層４を析出させるには、周知の電解銅めっき法を採用すればよい。なお、このとき、電解銅めっき層４の表面に金属粉等の異物を核としたノジュールと呼ばれる大きさおよび高さが数μｍ〜数十μｍの微小な突起Ｎが形成されることがある。
【００１２】
次に、図２（ｄ）に示すように、めっきレジスト層３を剥離して除去する。めっきレジスト層３の剥離には、例えば水酸化ナトリウム等を含むアルカリ系の剥離液またはアミン系の剥離液を用いればよい。
【００１３】
次に、図３（ｅ）に示すように、電解銅めっき層４の表面を、塩化ビニル等の硬質プラスチックやステンレス等の金属から成る硬質ロール１１の表面に支持されたスポンジロール１２の表面に番手が２０００〜６０００番の研磨シート１３を巻回してなる研磨ロール１０により研磨する。この研磨により突起Ｎが除去される。
【００１４】
硬質ロール１１は、例えば外径が５０〜１５０ｍｍの円筒または円柱である。硬質ロール１１の外径が５０ｍｍ未満であると、研磨ロール１０により電解銅めっき層４の表面を研磨する際に硬質ロール１１の強度が不十分で撓んでしまう危険性が大きくなり、逆に１５０ｍｍを超えると、一般的な研磨装置への研磨ロール１０の組み込みが困難となる。したがって、硬質ロール１１の外径は５０〜１５０ｍｍの範囲が好ましい。
【００１５】
スポンジロール１２は、例えば独立気泡構造を有するエラストマー材料から成り、２５％圧縮応力が５〜５０ｋＰａであり、厚みが５〜１５ｍｍである。スポンジロール１２の２５％圧縮応力が５〜５０ｋＰａ、厚みが５〜１５ｍｍであることにより、研磨ロール１０により電解銅めっき層４の表面を研磨する際に研磨シート１３が電解銅めっき層４の表面に適度な圧力で満遍なく当接することが可能となる。なお、スポンジロール１２の２５％圧縮応力が５ｋＰａ未満であると、研磨ロール１０により電解銅めっき層４の表面を研磨する際に、研磨シート１３を電解銅めっき層４の表面に十分な圧力で当接させることができなくなるとともに研磨シート１３が大きく撓んで銅めっき層４の表面を良好に研磨することができなくなる危険性が大きくなり、逆に５０ｋＰａを超えると、スポンジロール１２が弾性変形しにくくなって研磨シート１３を電解銅めっき層４の表面に良好に追従させることができずに研磨が不均一なものとなる危険性が大きくなる。したがって、スポンジロール１２の２５％圧縮応力は５〜５０ｋＰａの範囲が好ましい。また、スポンジロール１２の厚みが５ｍｍ未満であると、研磨ロール１０により電解銅めっき層４の表面を研磨する際に、スポンジロール１２の弾性変形量が小さくなり研磨シート１３を電解銅めっき層４の表面に良好に追従させることができずに研磨が不均一なものとなる危険性が大きくなり、逆に１５ｍｍを超えると、スポンジロール１２の弾性変形量が大きくなり研磨シート１３が大きく撓んで銅めっき層４の表面を良好に研磨することができなくなる危険性が大きくなる。したがって、スポンジロール１２の厚みは５〜１５ｍｍの範囲が好ましい。
【００１６】
研磨シート１３は、例えばポリエチレンテレフタレート等の厚みが２５〜１２５μｍで曲げ弾性率が３０００〜１５０００ＭＰａの樹脂フィルムの表面に粒径が２〜１０μｍ程度のアルミナ砥粒を付着させたものであり、２０００〜６０００番の番手が使用される。研磨シート１３の曲げ弾性率が３０００〜１５０００ＭＰａであることにより、研磨ロール１０により電解銅めっき層４の表面を研磨する際に、電解銅めっき層４の表面に適度な圧力で満遍なく当接することが可能となる。また研磨シート１３の番手が２０００〜６０００番であることにより、電解銅めっき層４の表面を大きく傷つけることなく、突起Ｎを良好に除去することが可能となる。なお、研磨シート１３の曲げ弾性率が３０００ＭＰａ未満であると、研磨ロール１０により電解銅めっき層４の表面を研磨する際に、研磨シート１３に大きな撓みや皺が発生して銅めっき層４の表面を良好に研磨することができなくなる危険性が大きくなり、逆に１５０００ＭＰａを超えると、研磨シート１３が弾性変形しにくくなって研磨シート１３を電解銅めっき層４の表面に良好に追従させることができずに研磨が不均一なものとなる危険性が大きくなる。したがって、研磨シート１３の曲げ弾性率は３０００〜１５０００ＭＰａの範囲が好ましい。また、研磨シート１３の番手が２０００番未満であると、研磨ロール１０により電解銅めっき層４の表面を研磨する際に、電解銅めっき層４が大きく削れ過ぎるとともに大きな研磨痕が形成されてしまう傾向にあり、６０００番を超えると、突起Ｎを良好に除去することが困難となる傾向にある。したがって、研磨シート１３の番手は、２０００〜６０００番の範囲が好ましい。
【００１７】
なお、研磨ロール１０により電解銅めっき層４の表面を研磨する際には、研磨シート１３の電解銅めっき層４への当接幅が１０〜３０ｍｍとなる程度の力で研磨ロール１０を電解銅めっき層４に押し付けながら研磨ロール１０を毎分１００〜１０００回転で研磨するのがよい。このとき、配線基板を研磨ロール１０の回転軸に対して直角な方向に毎分０．５〜２．５ｍの送り速度で移動させながら研磨を行なうことが好ましい。
【００１８】
この研磨により、図４（ｆ）に示すように、電解銅めっき層４の表面に形成されていた突起Ｎが除去される。そして最後に、図４（ｇ）に示すように、電解銅めっき層４から露出する下地金属層２をエッチング除去する。これにより絶縁層１の表面に下地金属層２および電解銅めっき層４から成る配線導体５が形成される。このようにして得られた配線導体５においては、その表面の突起Ｎが除去されていることから、隣接する配線導体５同士の間隔が突起Ｎにより狭くなることはなく、さらに配線導体５の上に絶縁層やソルダーレジスト層を形成する場合にも絶縁層やソルダーレジスト層が突起Ｎに起因して部分的に薄くなることはない。したがって本発明によれば、配線導体５に対する電気的絶縁信頼性に優れる配線基板を提供することができる。なお、下地金属層２のエッチング除去は、下地金属層２および電解銅めっき層４の表面を電解銅めっき層４から露出する下地金属層２が消失するまでエッチングすることにより行なわれる。このとき、電解銅めっき層４の表面も同時にエッチングされるので、研磨の際に電解銅めっき層４の表面についた研磨痕をエッチングにより消失させることが可能である。
【００１９】
なお、本発明は、上述した実施形態の一例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種々の変更は可能である。例えば上述した一例では、めっきレジスト層３を剥離除去した後で電解銅めっき層４の表面を研磨したが、図６に示した電解銅めっき層４から露出する下地金属層２をエッチング除去した後に電解銅めっき層４の表面を研磨してもよい。
【符号の説明】
【００２０】
１    絶縁層
２    下地金属層
３    めっきレジスト
３ａ  開口部
４    電解銅めっき層
５    配線導体
Ｎ    突起
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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