(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
一次元または二次元に配列された複数の画素毎に光を変調する空間光変調素子と、
前記空間光変調素子を駆動するための回路を有する回路基板と、
空間光変調素子と前記回路基板との間に配置されたヒートシンクと、
一方の面が前記空間光変調素子と熱的に結合され、他方の面が前記ヒートシンクと熱的に結合され、前記回路基板において生じた熱を前記ヒートシンクを介して前記空間光変調素子へ伝えることにより、前記空間光変調素子の温度を設定温度に近づけるペルチェ素子と、
前記空間光変調素子、前記回路基板、前記ヒートシンク、及び前記ペルチェ素子を収容する筐体と
を備え、
前記設定温度が当該光波面制御モジュールの使用環境温度よりも高いことを特徴とする、光波面制御モジュール。
【請求項２】
前記空間光変調素子の温度を検出する温度検出手段と、
前記温度検出手段における検出結果に基づいて、前記空間光変調素子の温度が前記設定温度に近づくように前記ペルチェ素子を駆動する駆動部と
を更に備えることを特徴とする、請求項１に記載の光波面制御モジュール。
【請求項３】
前記ヒートシンクのフィンと前記回路基板の板面とが互いに対向していることを特徴とする、請求項１または２に記載の光波面制御モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光波面制御モジュールに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、カラー液晶表示素子の温度補償装置に関する技術が記載されている。この技術は、温度対最適出力電圧データを、複数のカラー液晶表示素子ごとに、そのばらつきや経時変化に応じて適宜修正できるようにすることを目的としている。図１１は、この装置の構成を示すブロック図である。図１１に示されるように、この装置は、温度検知回路２１１と、デジタルの温度対最適出力電圧データが記憶され、温度検知回路２１１からの温度データに対応する最適出力電圧データが読み出されるデータテーブル２１２と、データテーブル２１２から読み出された最適出力電圧データを補正する電圧補正手段２１７と、その最適出力電圧データをＤ／Ａ変換して、液晶表示素子の駆動回路に送出するＤ／Ａ変換回路２１３と、電圧補正手段２１７に補正データを与える操作部２１６と、操作部２１６からの補正データおよび温度検知回路２１１からの温度データに基づいてデータテーブル２１２内の温度対最適出力電圧データを修正する制御手段２１４とを備えている。
【０００３】
また、特許文献２には、液晶パネルをオーバードライブにより高速駆動する液晶パネルの駆動装置に関する技術が記載されている。図１２は、この液晶パネル駆動装置の構成を示すブロック図である。この液晶パネル駆動装置は、フレームメモリ２３１とルックアップテーブル２３２とを用いてオーバードライブを行う装置であって、異なる温度範囲に対応する複数種類のルックアップテーブル２３２を備えている。この装置は、温度センサ２３５から得られるＬＣＤモジュール２３４の温度情報に基づいて、選択回路２３３を作動させてルックアップテーブル２３２を切り替えて用いる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特許第３８５９３１７号公報
【特許文献２】特開２００４−１３３１５９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
従来より、空間光変調素子（Spatial light modulator；ＳＬＭ）によって光の位相を変調する技術が知られている。一般に、ＳＬＭは、液晶層と、液晶層に沿って複数の画素毎に設けられた電極とを備えている。電極に電圧が印加されると、その電圧の大きさに応じて液晶分子が回転し、液晶の複屈折率が変化する。この液晶層に光が入射すると、液晶層の内部において光の位相が変化し、該入射光に対して位相差を有する光が外部へ出射される。ここで、印加電圧の大きさと、電圧印加の前後における出射光の位相差（すなわち位相変調量）との関係を表したものが、ＳＬＭの位相変調特性である。この位相変調特性において、位相変調量と印加電圧との関係は非線形である。このような非線形の関係を容易に変換する為、一般的に、位相変調量と印加電圧との対応する数値を複数示したルックアップテーブル（Look Up Table；ＬＵＴ）が使用される。また、入射した光を反射する光反射面は、厳密には平坦ではなく僅かな歪みを有する。このような光反射面の歪みに起因する位相変調特性のばらつきを補正するためのデータ（面精度補正データ）が予め用意される。
【０００６】
しかしながら、ＳＬＭの周囲温度が変化すると、位相変調量と印加電圧との関係が変動し、また光反射面の歪みの程度も変化する。このような現象は、ＳＬＭが使用される用途によっては大きな問題となることがある。例えば、レーザ加工において、レーザ光源から出力されるレーザ光をＳＬＭを介して被加工物に照射する場合、位相変調量の誤差は加工精度に影響を及ぼす。また、顕微鏡や検眼鏡等にＳＬＭを使用する場合、その周囲温度によっては有用な観察像が得られないおそれがある。
【０００７】
本発明は、このような問題点に鑑みてなされたものであり、ＳＬＭの周囲温度の変化に起因する上述した現象を軽減できる光波面制御モジュールを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上述した課題を解決するために、本発明による光波面制御モジュールは、一次元または二次元に配列された複数の画素毎に光を変調する空間光変調素子と、空間光変調素子を駆動するための回路を有する回路基板と、空間光変調素子と回路基板との間に配置されたヒートシンクと、一方の面が空間光変調素子と熱的に結合され、他方の面がヒートシンクと熱的に結合され、回路基板において生じた熱をヒートシンクを介して空間光変調素子へ伝えることにより、空間光変調素子の温度を設定温度に近づけるペルチェ素子と、空間光変調素子、回路基板、ヒートシンク、及びペルチェ素子を収容する筐体とを備え、設定温度が当該光波面制御モジュールの使用環境温度よりも高いことを特徴とする。
【０００９】
この光波面制御モジュールは、空間光変調素子（ＳＬＭ）と回路基板との間に、ヒートシンクおよびペルチェ素子を備えている。回路基板上の回路がＳＬＭを駆動すると回路から熱が発生するが、ヒートシンクは、この熱を効率的に回収することができる。ペルチェ素子は、回収された熱をヒートシンクから受け取り、必要に応じてＳＬＭへ与えることができる。すなわち、ＳＬＭに設定される所定の動作温度（以下、設定温度という）に対してＳＬＭの温度が低い場合には、回路基板において発生した熱をヒートシンク及びペルチェ素子を介してＳＬＭに与えることによって、ＳＬＭの温度を上げて設定温度に近づけることができる。逆に、設定温度に対してＳＬＭの温度が高い場合には、ペルチェ素子を動作させないことによって、ＳＬＭの温度を下げて設定温度に近づけることができる。このように、上述した光波面制御モジュールによれば、ＳＬＭの周囲温度が変化した場合であってもＳＬＭ自体の温度変化を抑えることが可能なので、位相変調量と印加電圧との関係の変動や、光反射面の歪みの程度の変化といった、ＳＬＭの温度変化に起因する現象を軽減することができる。また、上述した光波面制御モジュールでは、設定温度が当該光波面制御モジュールの使用環境温度よりも高い。このような場合に、設定温度がＳＬＭの周囲温度より高くなるので、上述したＳＬＭの温度制御を好適に行うことができる。
【００１０】
また、ＳＬＭの温度制御を行うために、ＳＬＭに与える熱を発生するための熱源を新たに設けると、光波面制御モジュールの構成が複雑になり、かつ大型化してしまうという問題がある。上述した光波面制御モジュールでは、ＳＬＭの温度制御を行うためにＳＬＭに与える熱を、回路基板から回収している。これにより、光波面制御モジュールの構成を複雑化・大型化することなくＳＬＭの温度制御を行うことができる。
【００１１】
また、上述した光波面制御モジュールでは、ＳＬＭ及び回路基板が一つの筐体内に収容されている。このような場合、従来の光波面制御モジュールでは回路基板において発生した熱がＳＬＭに伝わり易いので、意図しない温度変化がＳＬＭに生じ、変調精度が低下するおそれがある。これに対し、上述した光波面制御モジュールでは、回路基板からＳＬＭへ伝わる熱の大きさをペルチェ素子によって制御し、ＳＬＭの温度を安定させることができるので、ＳＬＭの変調精度を好適に維持することができる。更に、上述した光波面制御モジュールでは、ＳＬＭ、回路基板、ヒートシンク及びペルチェ素子が筐体に収容されていることによって、光波面制御モジュール周辺に急激な温度変化が生じた場合であっても、ＳＬＭの温度を安定的に制御することができるという効果も期待できる。
【００１２】
また、光波面制御モジュールは、空間光変調素子の温度を検出する温度検出手段と、温度検出手段における検出結果に基づいて、空間光変調素子の温度が設定温度に近づくようにペルチェ素子を駆動する駆動部とを更に備えることを特徴としてもよい。これにより、上述したようなＳＬＭの温度制御を好適に行うことができる。
【００１３】
（削除）
【００１４】
また、光波面制御モジュールは、ヒートシンクのフィンと回路基板の板面とが互いに対向していることを特徴としてもよい。このような構成によって、回路基板の熱をヒートシンクが効率的に回収することができる。
【発明の効果】
【００１５】
本発明による光波面制御モジュールによれば、ＳＬＭの周囲温度の変化に起因する、位相変調量と印加電圧との関係の変動や光反射面の歪みの程度の変化を軽減できる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】第１実施形態に係る光波面制御モジュールの平面図である。
【図２】図１に示される光波面制御モジュールのII−II線に沿った断面を示す側断面図である。
【図３】図１に示される光波面制御モジュールのIII−III線に沿った断面を示す側断面図である。
【図４】反射型ＳＬＭの一例として、ＬＣＯＳ型の構造を示す分解斜視図である。
【図５】光波面制御モジュールの使用環境温度と設定温度との関係の一例を示す図である。
【図６】ペルチェ素子の他方の面側から見たペルチェ素子及び支持部材の背面図である。
【図７】第２実施形態に係る光波面制御モジュールの平面図である。
【図８】図７に示される光波面制御モジュールのVII−VII線に沿った断面を示す側断面図である。
【図９】図７に示される光波面制御モジュールの側面図である。
【図１０】図７に示される光波面制御モジュールのIX−IX線に沿った断面を示す側断面図である。
【図１１】特許文献１に記載された装置の構成を示すブロック図である。
【図１２】特許文献２に記載された液晶パネル駆動装置の構成を示すブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、添付図面を参照しながら本発明による光波面制御モジュールの実施の形態を詳細に説明する。なお、図面の説明において同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
【００１８】
（第１の実施の形態）
本発明の第１実施形態に係る光波面制御モジュールの構成について説明する。図１は、第１実施形態に係る光波面制御モジュール１Ａの平面図である。また、図２は、図１に示される光波面制御モジュール１ＡのII−II線に沿った断面を示す側断面図であり、図３は、図１に示される光波面制御モジュール１ＡのIII−III線に沿った断面を示す側断面図である。
【００１９】
図１〜図３に示されるように、本実施形態の光波面制御モジュール１Ａは、筐体１０、反射型ＳＬＭ２０、回路基板３０、ヒートシンク４０及びペルチェ素子５０を備えている。筐体１０は、略直方体状といった外観形状を有しており、互いに対向する略四角形状の一対の板状部材１１及び１２、並びに板状部材１１と板状部材１２との間の空間を囲むように板状部材１１及び１２の外周に沿って配置された部材１３が、相互に組み合わされて構成されている。筐体１０は、後述する反射型ＳＬＭ２０、回路基板３０、ヒートシンク４０、及びペルチェ素子５０を収容している。なお、一方の板状部材１１には、光を通過させるための四角形状の開口１１ａが形成されている。
【００２０】
反射型ＳＬＭ２０は、ＣＭＯＳ基板２１及びこのＣＭＯＳ基板２１と対向するガラス基板２２を含んで構成されている。反射型ＳＬＭ２０は、筐体１０の内部において板状部材１１の内面側に固定されている。本実施形態では、板状部材１１の内面上に板状の支持部材６１が固定されており、その支持部材６１に形成された略四角形状の孔の内部に、熱伝導性材料からなる板状部材６２が嵌め込まれている。板状部材６２の熱伝導性材料としては、熱伝導率が高い材料、例えばアルミナや窒化アルミ等が好適に用いられる。ＣＭＯＳ基板２１は、この板状部材６２の表面に接するように取り付けられている。ガラス基板２２は、板状部材６２との間にＣＭＯＳ基板２１を挟むようにＣＭＯＳ基板２１上に設けられており、且つ、板状部材１１の開口１１ａに嵌め込まれることにより筐体１０の内部を封じている。
【００２１】
ここで、図４は、反射型ＳＬＭ２０の一例として、ＬＣＯＳ（LiquidCrystal on Silicon）型の構造を示す分解斜視図である。図４に示されるように、この反射型ＳＬＭ２０は、ＣＭＯＳ基板２１上に設けられた金属電極層２６と、金属電極層２６上に設けられたミラー層２７と、ミラー層２７上に設けられた液晶層２８と、液晶層２８上に設けられた透明電極層２９とを備えている。透明電極層２９上には、ガラス基板２２が配置される。金属電極層２６及び透明電極層２９は、一次元状、もしくは複数行および複数列からなる二次元状に配置された複数の電極部２６ａ，２９ａをそれぞれ有しており、金属電極層２６の各電極部２６ａと透明電極層２９の各電極部２９ａとは、反射型ＳＬＭ２０の積層方向において互いに対向している。そして、一対の電極部２６ａ，２９ａによって、反射型ＳＬＭ２０における画素が規定される。
【００２２】
このように構成された反射型ＳＬＭ２０において、外部からの入射光は、ガラス基板２２及び透明電極層２９を順次透過して液晶層２８に達し、ミラー層２７によって反射されて、液晶層２８から透明電極層２９及びガラス基板２２を順次透過して外部に出射される。このとき、互いに対向する一対の電極部２６ａ，２９ａ毎に、ＣＭＯＳ基板２１から電圧変化が与えられ、その電圧変化に応じて、液晶層２８において互いに対向する一対の電極部２６ａ，２９ａに挟まれた部分の屈折率が変化する。これにより、複数の画素のそれぞれにおいて、光の進行方向と直交する所定の方向の成分の位相にずれが生じ、光が画素毎に整形（位相変調）される。
【００２３】
再び図１〜図３を参照する。回路基板３０は、反射型ＳＬＭ２０を駆動するためのインターフェース回路３１を板面３０ａ上に有する。このインターフェース回路３１は、反射型ＳＬＭ２０の複数の画素それぞれにおける位相変調量を設定するために、その画素毎の位相変調量設定のための信号電圧を反射型ＳＬＭ２０に与える。回路基板３０は、筐体１０の内部において板状部材１２の内面に沿って配置され、脚部３２を介して該内面上に固定されている。なお、図２に示されるように、脚部３２と接する板状部材１２の部分には開口が形成されており、回路基板３０のコネクタ３３が該開口から露出している。コネクタ３３は、インターフェース回路３１と、光波面制御モジュール１Ａの外部に設けられる回路との信号の授受のために設けられている。
【００２４】
ヒートシンク（放熱器）４０及びペルチェ素子５０は、反射型ＳＬＭ２０と回路基板３０との間に配置されている。ヒートシンク４０は、回路基板３０のインターフェース回路３１において生じた熱を回収する。一例では、ヒートシンク４０は熱抵抗を小さくする為の複数のフィン４１を有しており、好ましくは、これらのフィン４１が回路基板３０の板面３０ａと対向するように配置される。なお、ヒートシンク４０の形状は本実施形態のものに限定されない。ヒートシンク４０は、インターフェース回路３１との間の熱抵抗を小さくするための様々な形状を有することができる。
【００２５】
ペルチェ素子５０は、板状部材６２とヒートシンク４０との間に挟まれている。ペルチェ素子５０の一方の面は、熱伝導性材料からなる板状部材６２の裏面と接することによって、反射型ＳＬＭ２０と熱的に結合されている。ペルチェ素子５０の他方の面は、ヒートシンク４０と接することによってヒートシンク４０と熱的に結合されている。ペルチェ素子５０は、図示しない駆動回路から提供される駆動電流を受けて、熱を他方の面から一方の面へ移動させる。すなわち、このペルチェ素子５０は、回路基板３０において生じた熱を、駆動電流に応じて、ヒートシンク４０を介して反射型ＳＬＭ２０へと伝える。なお、ヒートシンク４０及びペルチェ素子５０の周囲には、反射型ＳＬＭ２０およびヒートシンク４０を支持するためのベース部材６３が配置されている。
【００２６】
以上の構成を備える光波面制御モジュール１Ａによる作用効果について説明する。回路基板３０上のインターフェース回路３１が反射型ＳＬＭ２０のための信号電圧を生成すると、インターフェース回路３１から熱が発生する。この熱は、ヒートシンク４０によって効率的に回収される。そして、回収された熱は、ペルチェ素子５０によってヒートシンク４０から必要に応じて反射型ＳＬＭ２０に伝えられる。すなわち、反射型ＳＬＭ２０に設定される所定の動作温度（以下、設定温度という）に対して反射型ＳＬＭ２０の温度が低い場合には、回路基板３０において発生した熱をヒートシンク４０及びペルチェ素子５０を介して反射型ＳＬＭ２０に与えることによって、反射型ＳＬＭ２０の温度を上げて設定温度に近づけることができる。逆に、設定温度に対して反射型ＳＬＭ２０の温度が高い場合には、ペルチェ素子５０を動作させないことによって、反射型ＳＬＭ２０の温度を下げて設定温度に近づけることができる。このように、本実施形態の光波面制御モジュール１Ａでは、反射型ＳＬＭ２０の周囲温度が変化した場合であっても反射型ＳＬＭ２０自体の温度変化を抑えることができる。したがって、位相変調量と印加電圧との関係の変動や、光反射面の歪みの程度の変化といった、反射型ＳＬＭ２０の周囲温度の変化に起因する現象を軽減することができる。
【００２７】
ここで、図５は、光波面制御モジュール１Ａの使用環境温度と設定温度との関係の一例を示す図である。図５に示されるように、例えば光波面制御モジュール１Ａの使用環境温度が１０℃以上２０℃以下の範囲である場合、インターフェース回路３１から得られる熱を必要に応じて反射型ＳＬＭ２０に与えることにより、設定温度を２２℃として反射型ＳＬＭ２０を駆動することができる。なお、設定温度が光波面制御モジュール１Ａの使用環境温度範囲よりも高い場合には、設定温度が反射型ＳＬＭ２０の周囲温度よりも高くなるので、このような反射型ＳＬＭ２０の温度制御をより好適に行うことができる。図５に示される関係を得るための具体的な構成を例示すると、以下のとおりである。
反射型ＳＬＭ２０；ＬＣＯＳ型ＳＬＭ
ペルチェ素子５０；アイシン精機製EP3-08G 130-QDO-01
温度検出手段（サーミスタ）；石塚電子製103JT-025
ヒートシンク４０；丸三電機製19LS19-8W
【００２８】
また、反射型ＳＬＭ２０の温度制御を行うために、反射型ＳＬＭ２０に与える熱を発生するための熱源を新たに設けると、光波面制御モジュールの構成が複雑になり、かつ大型化してしまう。本実施形態の光波面制御モジュール１Ａでは、反射型ＳＬＭ２０の温度制御を行うために反射型ＳＬＭ２０に与える熱を、回路基板３０から回収している。これにより、光波面制御モジュールの構成を複雑化・大型化することなく反射型ＳＬＭ２０の温度制御を行うことができる。
【００２９】
また、本実施形態の光波面制御モジュール１Ａでは、反射型ＳＬＭ２０及び回路基板３０が一つの筐体１０内に収容されている。このような場合、従来の光波面制御モジュールでは回路基板において発生した熱が反射型ＳＬＭに伝わり易いので、意図しない温度変化が反射型ＳＬＭに生じ、変調精度が低下するおそれがある。これに対し、本実施形態の光波面制御モジュール１Ａでは、回路基板３０から反射型ＳＬＭ２０へ伝わる熱の大きさをペルチェ素子５０によって制御し、反射型ＳＬＭ２０の温度を安定させることができるので、反射型ＳＬＭ２０の変調精度を好適に維持することができる。更に、光波面制御モジュール１Ａでは、反射型ＳＬＭ２０、回路基板３０、ヒートシンク４０及びペルチェ素子５０が筐体１０に収容されていることによって、光波面制御モジュール１Ａ周辺に急激な温度変化が生じた場合であっても、反射型ＳＬＭ２０の温度を安定的に制御することができる。なお、筐体１０が例えば金属等の熱伝導性が良好な材料から成ることによって、二次冷却の作用も期待できる。
【００３０】
また、本実施形態の光波面制御モジュール１Ａでは、ヒートシンク４０の複数のフィン４１と回路基板３０の板面３０ａとが互いに対向している。このような構成によって、回路基板３０の熱をヒートシンク４０によって効率的に回収することができる。
【００３１】
なお、光波面制御モジュール１Ａは、反射型ＳＬＭ２０の温度を検出する温度検出手段（例えばサーミスタ）と、この温度検出手段における検出結果に基づいて、反射型ＳＬＭ２０の温度が設定温度に近づくようにペルチェ素子５０を駆動する駆動部（駆動回路）とを更に備えることが好ましい。
【００３２】
図６は、ペルチェ素子５０の他方の面側から見たペルチェ素子５０及び支持部材６１の背面図である。図６に示されるように、温度検出手段としてのサーミスタ６４は、支持部材６１に形成された略四角形の孔の内部に嵌め込まれた板状部材６２の裏面上に、ペルチェ素子５０と隣接して取付けられている。サーミスタ６４及びペルチェ素子５０は、筐体１０の外部に設けられる駆動部（駆動回路）６５に電気的に接続され、サーミスタ６４の温度と等価であるサーミスタ６４の抵抗値が設定値に近づくように、ペルチェ素子５０に流れる電流値が駆動部６５によって制御される。なお、温度検出手段は、ＣＭＯＳ基板２１に設置されてもよい。
【００３３】
（第２の実施の形態）
本発明の第２実施形態に係る光波面制御モジュールの構成について説明する。図７は、第２実施形態に係る光波面制御モジュール１Ｂの平面図である。図８は、図７に示される光波面制御モジュール１ＢのVII−VII線に沿った断面を示す側断面図である。図９は、図７に示される光波面制御モジュール１Ｂの側面図である。図１０は、図７に示される光波面制御モジュール１ＢのIX−IX線に沿った断面を示す側断面図である。
【００３４】
図７〜図１０に示されるように、本実施形態の光波面制御モジュール１Ｂは、反射型ＳＬＭ２０、回路基板３０、ヒートシンク４０、ペルチェ素子５０、筐体７０、及びプリズムミラー８０を備えている。これらのうち、反射型ＳＬＭ２０、回路基板３０、ヒートシンク４０、及びペルチェ素子５０の各構成は、前述した第１実施形態と同様である。但し、本実施形態では、支持部材６１ではなくベース部材６３によって反射型ＳＬＭ２０が筐体７０に固定されており、反射型ＳＬＭ２０のガラス基板２２は筐体７０の底面（板状部材７２）と対向している。
【００３５】
筐体７０は、略直方体状といった外観形状を有しており、互いに対向する略四角形状の一対の板状部材７１及び７２、並びに板状部材７１と板状部材７２との間の空間を囲むように板状部材７１及び７２の外周に沿って配置された四角筒形状の部材７３が、相互に組み合わされて構成されている。筐体７０は、反射型ＳＬＭ２０、回路基板３０、ヒートシンク４０、ペルチェ素子５０、及びプリズムミラー８０を収容している。なお、部材７３において互いに対向する一対の壁面の一方には、反射型ＳＬＭ２０への入射光Ｌ１を通過させるための円形状の窓７３ａが嵌め込まれており、該一対の壁面の他方には、反射型ＳＬＭ２０からの出射光Ｌ２を通過させるための円形状の窓７３ｂが嵌め込まれている。窓７３ａ及び７３ｂは、入射光Ｌ１及び出射光Ｌ２の波長に対して透明な材質からなる。窓７３ａ及び７３ｂの表面には、入射光Ｌ１及び出射光Ｌ２の波長に対応する反射防止膜が形成されていることが好ましい。これらの窓７３ａ及び７３ｂは、筐体７０の内部を気密に封止することにより、反射型ＳＬＭ２０やプリズムミラー８０に対する防塵を実現する。
【００３６】
プリズムミラー８０は、三角柱状の多面体であり、該三角柱の３つの側面のうち一つを構成する第１の面８０ａと、他の一つを構成する第２の面８０ｂと、残りの一つを構成する底面８０ｃとを有する。プリズムミラー８０は、底面８０ｃの法線方向が、窓７３ａと窓７３ｂとを結ぶ軸線と直交するように、筐体７０の板状部材７２上に固定されている。そして、プリズムミラー８０の第１の面８０ａは筐体７０の窓７３ａに向けて配置され、第２の面８０ｂは筐体７０の窓７３ｂに向けて配置される。プリズムミラー８０の底面８０ｃは、筐体７０の板状部材７２の内面と対向している。第１の面８０ａは、窓７３ａを通過した入射光Ｌ１を、反射型ＳＬＭ２０に向けて反射する。第２の面８０ｂは、反射型ＳＬＭ２０からの出射光Ｌ２を、窓７３ａに向けて反射する。
【００３７】
反射型ＳＬＭ２０は、プリズムミラー８０の第１の面８０ａにおいて反射した入射光Ｌ１を斜め前方より受け、該入射光Ｌ１を反射させつつ、複数の画素毎にこの入射光Ｌ１を変調して出射光Ｌ２を生成する。
【００３８】
本実施形態の光波面制御モジュール１Ｂでは、前述した第１実施形態の光波面制御モジュール１Ａと同様に、インターフェース回路３１において発生した熱がヒートシンク４０によって効率的に回収され、ペルチェ素子５０によって必要に応じて反射型ＳＬＭ２０に与えられる。したがって、反射型ＳＬＭ２０の周囲温度が変化した場合であっても反射型ＳＬＭ２０自体の温度変化を抑えることができるので、反射型ＳＬＭ２０の周囲温度の変化に起因する現象を軽減することができる。また、反射型ＳＬＭ２０の温度制御を行うために反射型ＳＬＭ２０に与える熱を回路基板３０から回収することにより、光波面制御モジュール１Ｂの構成を複雑化・大型化することなく反射型ＳＬＭ２０の温度制御を行うことができる。また、反射型ＳＬＭ２０、回路基板３０、ヒートシンク４０及びペルチェ素子５０が筐体７０に収容されていることによって、光波面制御モジュール１Ｂ周辺に急激な温度変化が生じた場合であっても、反射型ＳＬＭ２０の温度を安定的に制御することができる。
【００３９】
また、本実施形態の光波面制御モジュール１Ｂでは、第１実施形態と同様に、密閉された筐体７０内に反射型ＳＬＭ２０、回路基板３０、ヒートシンク４０及びペルチェ素子５０が収容されている。これにより、光波面制御モジュール１Ｂ周辺に急激な温度変化が生じた場合であっても、筐体７０の内部の温度を安定させ、反射型ＳＬＭ２０の温度を安定的に制御することができる。更に、筐体７０が例えば金属等の熱伝導性が良好な材料から成ることによって、二次冷却の作用も期待できる。
【００４０】
本発明による光波面制御モジュールは、上述した各実施形態に限られるものではなく、他に様々な変形が可能である。例えば、上記実施形態ではヒートシンクとペルチェ素子とが直に接しているが、これらは熱伝導性が高い部材を間に挟んで配置されてもよい。また、上述した各実施形態において、筐体内部にファン等を取り付けて空気を循環させることにより、更に広範囲にわたって温度を制御してもよい。
【符号の説明】
【００４１】
１Ａ，１Ｂ…光波面制御モジュール、１０，７０…筐体、１１，１２，７１，７２…板状部材、１１ａ…開口、１３，７３…部材、２０…反射型ＳＬＭ、２１…ＣＭＯＳ基板、２２…ガラス基板、２６…金属電極層、２７…ミラー層、２８…液晶層、２９…透明電極層、３０…回路基板、３１…インターフェース回路、３２…脚部、３３…コネクタ、４０…ヒートシンク、４１…フィン、５０…ペルチェ素子、６１…支持部材、６２…板状部材、６３…ベース部材、６４…サーミスタ、６５…駆動部、７３ａ，７３ｂ…窓、８０…プリズムミラー、８０ａ…第１の面、８０ｂ…第２の面、８０ｃ…底面、Ｌ１…入射光、Ｌ２…出射光。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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