(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＳｉＣウェーハ上にＳｉＣ膜を形成する成膜処理が行われる反応室と、
前記反応室の上部に設けられ、前記ＳｉＣウェーハ上に整流状態でプロセスガスが供給されるように、前記プロセスガスを前記反応室の内部に導入するプロセスガス供給機構と、
前記反応室の下部に設けられ、前記反応室より余剰の前記プロセスガス及び反応副生成物を排出するガス排出機構と、
前記ＳｉＣウェーハを保持する支持部材と、
前記支持部材の外周に設けられ、前記支持部材の上端よりも低い位置で、前記反応室の内壁方向で水平から下方４５度までの方向にクリーニングガスを前記プロセスガスの供給と同時に噴出するクリーニングガス供給機構と、
前記ＳｉＣウェーハを加熱するヒータと、
前記ＳｉＣウェーハを回転させるための回転駆動機構と、
を備えることを特徴とする半導体製造装置。
【請求項２】
前記クリーニングガス供給機構は、
前記反応室の下方より前記クリーニングガスを供給する供給ユニットと、
前記クリーニングガスを噴出する噴出口と、
前記供給ユニットから前記噴出口までの内部流路を有する供給リングと、
を備えることを特徴とする請求項１に記載の半導体製造装置。
【請求項３】
前記クリーニングガス供給機構は、前記クリーニングガスの噴出速度を変動させる噴出速度制御機構を備えることを特徴とする請求項２に記載の半導体製造装置。
【請求項４】
前記噴出速度制御機構は、前記噴出口の噴出面積を変動させることを特徴とする請求項３に記載の半導体製造装置。
【請求項５】
前記噴出速度制御機構は、前記クリーニングガスの供給量を変動させることを特徴とする請求項３又は請求項４に記載の半導体製造装置。
【請求項６】
反応室内にＳｉＣウェーハを搬入し、支持部材上に載置し、
前記ＳｉＣウェーハの表面に、整流状態でソースガス及びキャリアガスを含むプロセスガスを供給し、
前記ＳｉＣウェーハを回転させながら加熱して、前記ＳｉＣウェーハの表面にＳｉＣ膜を成膜し、
余剰の前記プロセスガス及び反応副生成物を、前記ＳｉＣウェーハの外周より下方に排出するとともに、前記支持部材の上端よりも低い位置で前記反応室の内壁方向で水平から下方４５度までの方向にクリーニングガスを供給する、
ことを特徴とする半導体製造方法。
【請求項７】
前記クリーニングガスは、ＨＣｌガスを含むことを特徴とする請求項６に記載の半導体製造方法。
【請求項８】
前記ソースガスの供給を停止するとともに、前記クリーニングガスの供給を停止し、ＳｉＣウェーハ上に供給されるキャリアガスの流量を増大させることを特徴とする請求項６又は請求項７に記載の半導体製造方法。
【請求項９】
前記ソースガスの供給を停止するとともに、前記クリーニングガスの供給を停止し、前記支持部材の上端よりも低い位置で前記反応室の内壁方向にキャリアガスを供給することを特徴とする請求項６から請求項８のいずれか１項に記載の半導体製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば半導体ウェーハの裏面より加熱しながら表面に反応ガスを供給して成膜を行うために用いられる半導体製造装置、半導体製造方法及び半導体製造装置のクリーニング方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体装置の低価格化、高性能化の要求に伴い、成膜工程における高い生産性と共に、高品質化が要求されている。
【０００３】
例えば、上方からプロセスガスを供給し、ウェーハ裏面側を加熱しながら回転させてエピタキシャル成長を行う半導体製造装置において、余剰なプロセスガス、反応副生成物は、ウェーハ端部より下方に排出される。しかしながら、反応副生成物が、反応室内及びポンプなどの排気系において堆積し、ダストを発生したり、排気系の詰まりを生じさせるなどにより歩留りが低下するなどの問題を引き起こす。
【０００４】
そこで、反応室内の堆積物を、定期的にクリーニングガスを用いて除去する必要がある（例えば特許文献１など参照）。しかしながら、一旦装置を止めてクリーニングを行うことにより、生産性が大きく低下してしまう。また、その際、特に、ＳｉＣ膜の成膜工程において、クリーニングガスとして、ＣｌＦ３ガスなどの反応性の高いガスを用いる必要があり、これと爆発的に反応するＨ２ガスを完全に排出するなど、安全への配慮が必要となる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００７−６７４２２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
そこで、本発明は、生産性を低下させることなく、反応室内の堆積物を抑制或いは効果的に除去し、歩留りの向上を図ることが可能な半導体製造装置、半導体製造方法、及び半導体製造装置のクリーニング方法を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一態様の半導体製造装置は、ＳｉＣウェーハ上にＳｉＣ膜を形成する成膜処理が行われる反応室と、反応室の上部に設けられ、ＳｉＣウェーハ上に整流状態でプロセスガスが供給されるように、プロセスガスを反応室の内部に導入するプロセスガス供給機構と、反応室の下部に設けられ、反応室より余剰のプロセスガス及び反応副生成物を排出するガス排出機構と、ＳｉＣウェーハを保持する支持部材と、支持部材の外周に設けられ、支持部材の上端よりも低い位置で、反応室の内壁方向で水平から下方４５度までの方向にクリーニングガスをプロセスガスの供給と同時に噴出するクリーニングガス供給機構と、ＳｉＣウェーハを加熱するヒータと、ＳｉＣウェーハを回転させるための回転駆動機構と、を備えることを特徴とする。
【０００８】
また、本発明の一態様の半導体製造装置において、クリーニングガス供給機構は、反応室の下方よりクリーニングガスを供給する供給ユニットと、クリーニングガスを噴出する噴出口と、供給ユニットから噴出口までの内部流路を有する供給リングと、を備えることが好ましい。
【０００９】
また、本発明の一態様の半導体製造装置において、クリーニングガス供給機構は、クリーニングガスの噴出速度を変動させる噴出速度制御機構を備えることが好ましい。
【００１０】
また、本発明の一態様の半導体製造装置において、噴出速度制御機構は、噴出口の噴出面積を変動させることが好ましい。
【００１１】
噴出速度制御機構は、クリーニングガスの供給量を変動させることが好ましい。
【００１２】
本発明の半導体製造方法は、反応室内にＳｉＣウェーハを搬入し、支持部材上に載置し、ＳｉＣウェーハの表面に、整流状態でソースガス及びキャリアガスを含むプロセスガスを供給し、ＳｉＣウェーハを回転させながら加熱して、ＳｉＣウェーハの表面にＳｉＣ膜を成膜し、余剰のプロセスガス及び反応副生成物を、ＳｉＣウェーハの外周より下方に排出するとともに、支持部材の上端よりも低い位置で反応室の内壁方向で水平から下方４５度までの方向にクリーニングガスを供給する、ことを特徴とする。
【００１３】
また、本発明の一態様の半導体製造方法において、クリーニングガスは、ＨＣｌガスを含むことが好ましい。
【００１４】
また、本発明の一態様の半導体製造方法において、ソースガスの供給を停止するとともに、クリーニングガスの供給を停止し、ウェーハ上に供給されるキャリアガスの流量を増大させることが好ましい。
【００１５】
また、本発明の一態様の半導体製造方法において、ソースガスの供給を停止するとともに、クリーニングガスの供給を停止し、支持部材の上端よりも低い位置で反応室の内壁方向にキャリアガスを供給することが好ましい。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、半導体製造工程において、生産性を低下させることなく、反応室内の堆積物を抑制或いは効果的に除去し、歩留りの向上を図ることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の一態様に係る成膜装置の断面図である。
【図２】本発明の一態様に係るクリーニングガスの噴出状態を示す部分断面拡大図である。
【図３】本発明の一態様に係るクリーニングガスの噴出方向を示す部分断面拡大図である。
【図４Ａ】排出ガス流による堆積物の状態を示す模式図である。
【図４Ｂ】排出ガス流による堆積物の状態を示す模式図である。
【図５】本発明の一態様に係る成膜装置の断面図である。
【図６】本発明の一態様に係るクリーニングガスの噴出状態を示す部分拡大断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明の実施形態について、図を参照して説明する。
【００２０】
（実施形態１）
図１に本実施形態の半導体製造装置である成膜装置の断面図を示す。図に示すように、例えばφ１５０ｍｍのＳｉＣウェーハｗが成膜処理される反応室１１には、必要に応じてその内壁を覆うように石英カバー１１ａが設けられている。
【００２１】
反応室１１の上部には、ソースガス、キャリアガスを含むプロセスガスを供給するためのプロセスガス供給機構１２と接続されたガス供給口１２ａが設けられている。そして、反応室１１下方には、例えば２か所に、ガスを排出し、反応室１１内の圧力を一定（常圧）に制御するためのガス排出機構１３と接続されたガス排出口１３ａが設置されている。
【００２２】
ガス供給口１２ａの下方には、供給されたプロセスガスを整流して供給するための微細貫通孔を有する整流板１４が設けられている。
【００２３】
そして、整流板１４の下方には、ウェーハｗを載置するための支持部材である、例えばＳｉＣからなるサセプタ１５が設けられている。サセプタ１５は、回転部材であるリング１６上に設置されている。リング１６は、ウェーハｗを所定の回転速度で回転させる回転軸を介して、モータなどから構成される回転駆動制御機構１７と接続されている。
【００２４】
リング１６内部には、ウェーハｗを加熱するための、例えばＳｉＣからなるインヒータ１８ａ、アウトヒータ１８ｂから構成されるヒータが設置されており、それぞれ温度制御機構１９と接続されている。そして、これらインヒータ１８ａ、アウトヒータ１８ｂの下部には、ウェーハｗを効率的に加熱するための円盤状のリフレクタ２０が設置されている。
【００２５】
さらに、サセプタ１５、インヒータ１８ａ、リフレクタ２０を貫通するように、ウェーハｗを裏面より支持し、例えば３本のピンを備える突き上げピン２１が設置されている。突き上げピン２１は、搬入されたウェーハｗをサセプタ１５の上方で載置し、下降させることにより、ウェーハｗをサセプタ１５上に載置させることができる。
【００２６】
リング１６の外周側には、クリーニングガスを供給するための供給リング２２が配置されている。供給リング２２の外周側には、クリーニングガスを噴出するために、等間隔で複数の開口部２２ａが設けられている。この開口部２２ａは、ウェーハｗ外周からの排出ガスを阻害しないよう、サセプタ１５の上端より下方に設けられている。供給リング２２内には、ガス流路２２ｂが設けられている。ガス流路２２ｂには、例えば２か所に導入口２２ｃが設けられており、ガスフローメータ(図示せず)などを有する供給ユニット２３が接続されている。
【００２７】
このような半導体製造装置を用いて、ウェーハｗ上に、ＳｉＣエピタキシャル膜が形成される。
【００２８】
先ず、搬送アーム（図示せず）などにより、反応室１１にウェーハｗが搬入される。突き上げピン２１上にウェーハｗを載置し、下降させることにより、ウェーハｗをサセプタ１５上に載置する。
【００２９】
そして、インヒータ１８ａ、アウトヒータ１８ｂを、それぞれ温度制御機構１９により所定の温度とすることにより、ウェーハｗが例えば１６５０℃となるように加熱するとともに、回転駆動制御機構１７により、ウェーハｗを、例えば９００ｒｐｍで回転させる。そして、プロセスガス供給機構１２により流量が制御されて混合されたプロセスガスが、整流板１４を介して、整流状態でウェーハｗ上に供給される。プロセスガスは、例えばソースガスとして、モル比で３：１となるように混合されたシランガス（ＳｉＨ４）、プロパンガス（Ｃ３Ｈ８）が、アルゴンガス（Ａｒ）により所定の濃度に希釈され、例えば５０ＳＬＭで供給される。
【００３０】
一方、余剰となったプロセスガス、反応副生成物であるＨ２などからなる排出ガスは、石英カバー１１ａとサセプタ１５との間より、下方に排出される。なお、石英カバー１１ａを設けない場合、反応室１１とサセプタ１５との間より排出される。
【００３１】
同時に、図２に示すように、例えば塩化水素ガス（ＨＣｌ）と、キャリアガスであるアルゴンガス（Ａｒ）との混合ガスからなるクリーニングガスが、クリーニングガス供給ユニット２３より導入される。そして、供給リング２２の導入口２２ｃ、ガス流路２２ｂを経て、開口部２２ａより外周方向に噴出される（ガス流ｓ）。このとき、クリーニングガスの流量は、排出ガス流ｔに影響を与えないために、全排出量の１０ｖｏｌ％以下となるように調整されている。
【００３２】
通常、６００−７００℃程度で、ソースガスのシランガス（ＳｉＨ４）は分解するため、未反応のシランガス（ＳｉＨ４）は、比較的低温のウェーハ周辺部などでも熱分解する。そして、熱分解したＳｉや、他の反応副生成物が、低温の排気系（反応室１１の下部内壁、ガス排出口１３ａ、ガス排出機構のポンプなど）において、堆積してしまう。
【００３３】
しかしながら、このようにして、ウェーハｗの外周下方にクリーニングガスを供給することによりＳｉが、ＨＣｌなどと反応してガス化するため、排気系への堆積を抑制することができる。
【００３４】
さらに、余剰のクリーニングガス、ガス化したＳｉ（ＳｉＣｌ４、ＳｉＨ２Ｃｌ２、ＳｉＨＣｌ３など）を加えた排出ガスは、ガス排出口１３ａよりガス排出機構１３を介して排出され、反応室１１内の圧力が一定（例えば常圧）に制御される。
【００３５】
このようにして、ウェーハｗ上にＳｉＣエピタキシャル膜を成長させる。
【００３６】
このように、成膜時に、ウェーハｗの外周下方に、クリーニングガスを噴出させることにより、成膜装置を停止させることなく、排気系への反応副生成物などの堆積を抑制することができる。従って、生産性の低下させることなく、堆積物によるパーティクルの発生を抑制するとともに、ポンプなどの詰まりを抑え、反応室内の圧力を高精度に制御することが可能となり、歩留りの向上を図ることが可能となる。
【００３７】
なお、クリーニングガスのキャリアガスとして、アルゴンガス（Ａｒ）を用いているが、プロセスガスのキャリアガスと同一のものを用いることが好ましい。例えば、プロセスガスに水素ガス（Ｈ２）を用いたときには、クリーニングガスにも水素ガス（Ｈ２）を用いることが好ましい。
【００３８】
また、供給リングにおけるクリーニングガスを噴出させる開口部を、複数、等間隔で設けられているが、水平方向に連続したスリット状でもよい。また、図３に示すように、供給リング３２の開口部３２ａからの噴射方向は、枝部３２ｄなどを設けることなどにより、所定の方向とすることができる。この場合、噴射方向は、水平から下方に４５°までの範囲であればよい。
【００３９】
（実施形態２）
本実施形態においては、実施形態１と同様の半導体製造装置が用いられ、同様にウェーハの外周下方に、クリーニングガスを噴出させるが、ソースガス、クリーニングガスの供給を停止した後、ウェーハ上に供給されるキャリアガスの流量を増大させている。
【００４０】
実施形態１と同様にして、ウェーハｗ上に所定の膜厚のＳｉＣエピタキシャル膜を形成した後、プロセスガスのうち、例えばシランガス（ＳｉＨ４）、プロパンガス（Ｃ３Ｈ８）からなるソースガスの供給を停止するとともに、ウェーハｗの外周下方へのクリーニングガスの供給を停止する。例えばアルゴンガス（Ａｒ）からなるキャリアガスは、そのままウェーハｗ上に供給されるが、流量を例えば５〜２５％増大させる。
【００４１】
そして、インヒータ１８ａ、アウトヒータ１８ｂをオフにして、反応室１１内の温度及びウェーハｗの温度を低下させる。所定温度に低下した後、ウェーハｗが搬出され、新たなウェーハが搬入される。
【００４２】
このように、クリーニングガス供給を停止した後、さらに、キャリアガスの流量を増大させることにより、クリーニングガスの置換効率を向上させることができる。従って、置換されず残存したクリーニングガスの新たに搬入されるウェーハへの影響を抑え、成膜効率を向上させることができる。
【００４３】
ソースガス、クリーニングガスの供給停止後に流量を増大させて供給されるキャリアガスは、次のウェーハにおける成膜への影響を抑えるために、プロセスガスに含まれるキャリアガスと同一のものを用いることが好ましい。本実施形態においては、アルゴンガス（Ａｒ）を用いているが、例えば、プロセスガスに水素ガス（Ｈ２）を用いるときには、そのまま水素ガス（Ｈ２）を用いることが好ましい。
【００４４】
（実施形態３）
本実施形態においては、実施形態１と同様の半導体製造装置が用いられ、同様にウェーハの外周下方に、クリーニングガスを噴出させるが、ソースガス、クリーニングガスの供給を停止した後、ウェーハの外周下方に、キャリアガスが供給されている。
【００４５】
実施形態１と同様にして、ウェーハｗ上に所定の膜厚のＳｉＣエピタキシャル膜を形成した後、プロセスガスのうち、ソースガスの供給を停止するとともに、ウェーハｗの外周下方へのクリーニングガスの供給を停止する。そして、キャリアガスに切り替えて供給する。クリーニングガスが、例えば水素ガス（Ｈ２）からなるキャリアガスで希釈されている場合は、そのままキャリアガスが供給される。このとき、キャリアガスの流量は、適宜設定することができるが、クリーニングガスの置換効率を向上させるために、例えば５〜２５％程度増大させてもよい。
【００４６】
このように、クリーニングガス供給を停止した後、さらに、キャリアガスに切り替えることにより、クリーニングガスの置換効率を向上させることができる。従って、置換されず残存したクリーニングガスの新たに搬入されるウェーハへの影響を抑え、成膜効率を向上させることができる。
【００４７】
ソースガス、クリーニングガスの供給停止後に切り替えられるキャリアガスは、次のウェーハにおける成膜への影響を抑えるために、プロセスガスに含まれるキャリアガスと同一のものを用いることが好ましい。本実施形態においては、水素ガス（Ｈ２）を用いているが、例えば、プロセスガスのキャリアガスにアルゴンガス（Ａｒ）を用いるときには、そのままアルゴンガス（Ａｒ）を用いることが好ましい。
【００４８】
（実施形態４）
本実施形態においては、実施形態１と同様の半導体製造装置が用いられ、同様にウェーハの外周下方に、クリーニングガスを噴出させるが、クリーニングガスの噴出速度を変動させている。
【００４９】
実施形態１と同様にして、ウェーハｗの外周下方にクリーニングガスを供給しながら、ウェーハｗ上に所定の膜厚のＳｉＣエピタキシャル膜を形成する。このとき、ウェーハｗは、所定の回転数で回転されるが、成膜条件、要求される膜厚などの仕様により、回転速度を例えば９００ｒｐｍ〜１２００ｒｐｍで変動させるため、それに応じてウェーハｗの外周方向に排出される排出ガス流の流速も変動する。
【００５０】
例えば、回転速度が速く、排出ガス流の流速が早くなると、図４Ａに模式的に示すように、反応副生成物などの堆積物４１は、反応室１１の内壁のサセプタ１５の高さに近い比較的上部に堆積する。一方、回転速度が遅く、排出ガス流の流速が遅くなると、図４Ｂに模式的に示すように、堆積物４１は、反応室１１の内壁の比較的下部に堆積する。
【００５１】
そこで、クリーニングガスを堆積箇所に供給するために、回転速度に合わせて、クリーニングガスの噴出速度を変動させる。すなわち、クリーニングガスの供給流量を抑えると、噴出速度は低下し、クリーニングガスの供給流量を増大させると、噴出速度は上昇する。
【００５２】
このように、回転速度に合わせてクリーニングガスの噴出速度を変動させることにより、より高い効率で、反応副生成物などの堆積物を除去することが可能となる。
【００５３】
なお、排出ガス流の流速は、ウェーハｗの回転速度のみならず、プロセスガスの流量、反応室１１内の圧力によっても変動する。従って、これらのパラメータの変動に合わせてクリーニングガスの噴出速度を変動させてもよい。また、クリーニングガスの噴出速度の変動は、ウェーハ処理毎でも、一枚のウェーハ処理中に行われてもよい。
【００５４】
（実施形態５）
本実施形態においては、実施形態１と同様の半導体製造装置が用いられ、同様にウェーハの外周下方に、クリーニングガスを噴出させるが、クリーニングガスの噴出速度を変動させるために、クリーニングガスの噴出面積を変動させている。
【００５５】
図５に本実施形態の半導体製造装置である成膜装置の断面図を示す。図１と同様の構成であるが、クリーニングガスの供給リング５２に、噴出速度変動機構５１が接続されている。供給リング５２は、内側壁５２ａと外側壁５２ｂから構成されており、スリット状の噴出口５２ｃが形成されている。このような供給リング５２において、噴出速度変動機構５１により、供給リング２２の内側壁５２ａが上下移動され、噴出口５２ｃの噴出面積を例えば供給リング５２の流路の断面積（内側壁５２ａと外側壁５２ｂの間の断面積）に対して０〜１００％程度変動させることができる。なお、図５において、図１と同様の構成については、同じ符号を付している。
【００５６】
このような半導体製造装置を用いて、実施形態１と同様にして、ウェーハｗの外周下方にクリーニングガスを供給しながら、ウェーハｗ上に所定の膜厚のＳｉＣエピタキシャル膜を形成する。このとき、実施形態４と同様に、クリーニングガスを堆積箇所に供給するために、回転速度に合わせて、噴出速度変動機構５１により、図６に部分拡大断面図を示すように、供給リング５２の内側壁５２ａを上下移動させて噴出口５２ｃの噴出面積を変動させ、クリーニングガスの噴出速度を変動させる。すなわち、内側壁５２ａを上げて噴出面積を増大させれば、噴出速度は低下し、内側壁５２ａを下げて噴出面積を減少させれば、噴出速度は上昇する。なお、外側壁５２ｃを上下移動させてクリーニングガスの噴出面積を変動させてもよい。
【００５７】
このように、回転速度に合わせてクリーニングガスの噴出面積を変動させることにより、実施形態４と同様に、より高い効率で、反応副生成物などの堆積物を除去することが可能となる。
【００５８】
（実施形態６）
本実施形態において、実施形態１と同様の半導体製造装置が用いられるが、反応室のクリーニング中に、ウェーハｗの外周下方にクリーニングガスを噴出させる点で実施形態１と異なっている。
【００５９】
実施形態１のように、成膜時に、ウェーハｗの外周下方に、クリーニングガスを噴出させることにより、成膜装置を停止させることなく、排気系へのＳｉの堆積を抑制することができる。しかしながら、ウェーハｗとほぼ同じ温度となるサセプタなどには、ウェーハｗ上と同様に、ＳｉＣが堆積する。また、排気系においても、ＨＣｌなどで除去できないＳｉＣや、Ｓｉ、Ｃを含む反応副生成物が堆積する。そして、堆積物を除去するために、反応室のクリーニングが行われる。
【００６０】
通常、反応室のクリーニングは、プロセスガスと同様にクリーニングガスを供給することにより行われるが、本実施形態においては、上方のガス供給口１２ａからのみならず、供給リング２２の開口部２２ａから、例えばＣｌＦ３ガスを供給する。
【００６１】
このとき、成膜は行われていないので、開口部２２ａからのガス噴出は、排出ガス流への影響は考慮する必要はなく、成膜時の噴出より流量を増やすことができ、例えば全排出量の１０ｖｏｌ％以上とすることができ、より効果的に堆積物を除去することができる。
【００６２】
このように、クリーニング時に、ウェーハｗの外周下方に、クリーニングガスを噴出させることにより、排気系への堆積物をより効果的に除去することができる。従って、堆積物によるパーティクルの発生を抑制するとともに、ポンプなどの詰まりを抑え、反応室内の圧力を高精度に制御することが可能となり、歩留りの向上を図ることが可能となる。
【００６３】
これら実施形態によれば、半導体ウェーハｗにＳｉＣエピタキシャル膜などの膜を高い生産性で形成することが可能となる。そして、ウェーハの歩留り向上と共に、パワー半導体、光半導体などのエピタキシャル形成工程に適用されることにより、良好な素子特性を得ることが可能となる。
【００６４】
また、本実施形態においては、ＳｉＣ単結晶層（エピタキシャル膜）形成の場合を説明したが、本実施形態は、Ｓｉ単結晶層、ポリＳｉ層形成時にも適用することも可能である。また、例えばＳｉＯ２膜やＳｉ３Ｎ４膜などＳｉ膜以外の成膜や、例えばＧａＡｓ層、ＧａＡｌＡｓやＩｎＧａＡｓなど化合物半導体などにおいても適用することも可能である。その他要旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。
【符号の説明】
【００６５】
１１…反応室
１１ａ…石英カバー
１２…プロセスガス供給機構
１２ａ…ガス供給口
１３…ガス排出機構
１３ａ…ガス排出口
１４…整流板
１５…サセプタ
１６…リング
１７…回転駆動制御機構
１８ａ…インヒータ
１８ｂ…アウトヒータ
１９…温度制御機構
２０…リフレクタ
２１…突き上げピン
２２、３２、５２…供給リング
２２ａ、３２ａ…開口部
２２ｂ…ガス流路
２２ｃ…導入口
２３…供給ユニット
３２ｄ…枝部
４１…堆積物
５１…噴出速度変動機構
５２ａ…内側壁
５２ｂ…外側壁
５２ｃ…噴出口
【図１】
0005820143.tif 000002
【図２】
0005820143.tif 000003
【図３】
0005820143.tif 000004
【図４Ａ】
0005820143.tif 000005
【図４Ｂ】
0005820143.tif 000006
【図５】
0005820143.tif 000007
【図６】
0005820143.tif 000008