(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、前記基板上に形成された複数の下地層と、前記下地層上に形成された磁性層と、基板と磁性層の間の任意の位置に形成されたヒートシンク層（酸化物を含むグラニュラー構造を除く）を少なくとも有する磁気記録媒体であって、前記ヒートシンク層はＡｇを主成分として含み、かつ、Ｂｉ、Ｎｄ、Ｃｕ、Ｃｒから成る第一添加元素群から選択された元素を１つ以上含み、さらにＺｎ、Ｌａ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｓｍ、Ｇｄ、Ｓｎ、Ｉｎから成る第二添加元素群から選択された元素を少なくとも１つ以上含むことを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項２】
第一添加元素としてＢｉとＮｄを含み、第二添加元素としてＧｅを含むことを特徴とする請求項１の磁気記録媒体。
【請求項３】
第一添加元素としてＢｉとＮｄを含み、第二添加元素としてＬａを含むことを特徴とする請求項１の磁気記録媒体。
【請求項４】
第一添加元素群の元素を０．１〜２０ａｔ％含むことを特徴とする請求項１の磁気記録媒体。
【請求項５】
第二添加元素群の元素を０．１〜１５ａｔ％含むことを特徴とする請求項１の磁気記録媒体。
【請求項６】
第一添加元素群と第二添加元素群から選ばれた元素の総和が０．２〜２５ａｔ％となることを特徴とする請求項１の磁気記録媒体。
【請求項７】
複数の下地層のうち、少なくとも１層がＣｒ、Ｐｔ、ＭｇＯ、ＭｎＯ、ＴｉＣ、ＴｉＮからなる群から選択された物質であることを特徴とする請求項１〜６の何れか１項に記載の磁気記録媒体。
【請求項８】
磁性層が、Ｌ１０構造を有する合金を主成分として含むことを特徴とする請求項１〜７の何れか１項に記載の磁気記録媒体。
【請求項９】
磁気記録媒体と、前記磁気記録媒体を記録方向に駆動する媒体駆動部と、前記磁気記録媒体を加熱するレーザー発生部と、前記レーザー発生部から発生したレーザー光を先端部へと導く導波路とを有して、前記磁気記録媒体に対する記録動作と再生動作とを行う磁気ヘッドと、前記磁気ヘッドを前記磁気記録媒体に対して相対移動させるヘッド移動部と、前記磁気ヘッドへの信号入力と前記磁気ヘッドから出力信号の再生とを行うための記録再生信号処理系とを備える磁気記録再生装置において、前記磁気記録媒体が請求項１〜８の何れか１項に記載の磁気記録媒体であることを特徴とする磁気記録再生装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ハードディスク装置（ＨＤＤ）等に用いられる熱アシスト磁気記録媒体及び磁気記録再生装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の情報のデジタル化の発展により、大容量の情報を記録できるハードディスク装置には更なる大容量化が求められている。このハードディスクの大容量化を実現するには、磁気記録媒体のノイズを低減する必要がある。このノイズ低減には、磁化遷移幅を狭くすることが求められ、それには媒体中の磁性層の磁性結晶粒子サイズを小さくすることが必要である。しかし、ノイズ低減のために磁性粒子サイズを小さくすると、磁性層の磁化を容易軸方向へ向けようとするエネルギーである磁気異方性エネルギーＫｕＶが減少するため、ＫｕＶ／ｋＴ（Ｋｕ：磁気異方性定数、Ｖ：粒子体積、ｋ：ボルツマン定数、Ｔ：温度）で表される熱ゆらぎが悪化する。
【０００３】
一方、熱ゆらぎを向上させるには、Ｋｕの高い材料の選択が考えられるが、Ｋｕの高い材料は一般的にＨｃも高くなるため、飽和記録が困難となる。つまり、ノイズ低減と熱ゆらぎ、飽和記録の３つを同時に改善することができない。
【０００４】
この問題に対して、熱アシスト磁気記録が着目、研究されている。熱アシスト磁気記録は、記録時に一時的に記録領域を局所加熱し、その領域の磁気異方性エネルギー定数Ｋｕを下げて、書き込みしやすい状態を作り出し記録する方式である。この場合、室温ではＫｕが十分に高いため、熱ゆらぎの問題がない。
【０００５】
しかし、熱アシスト磁気記録では媒体表面の加熱時、記録領域だけでなくその隣接領域も同時に加熱されてしまうため、それらの領域のＫｕが低下し、熱ゆらぎが起こりやすくなる。また、記録後、記録領域が熱を保持したままであると熱ゆらぎが発生する可能性がある。そのため、この記録方式では記録後、磁気記録媒体の磁性層に溜まった熱を速やかに散逸させる必要がある。熱散逸性を高めるためには、記録媒体中にヒートシンク層を導入することが有効である。ヒートシンク層は熱伝導率の高い材料で構成されており、磁気ヘッドでの記録後、磁性層の熱をすばやく吸収し冷却することができる。
【０００６】
また、このヒートシンク層の位置であるが、熱を速やかに散逸させるという点を考慮すると磁性層直下或いは近傍が望ましい。しかし、この場合にはヒートシンク層の結晶配向や表面形状が、磁性層の結晶配向や結晶粒径、更にはヘッド飛行安定性に大きく影響するため、ヒートシンク層材料の選定や成膜条件の最適化などが重要である。
【０００７】
ヒートシンク層の組成について、例えば、特許文献１には、磁気記録媒体にＣｕＺｒとＡｇＰｄから成るヒートシンク層を用いることで高い熱伝導率と良好な機械特性を両立できるとしている。また、特許文献２には、磁気記録媒体にＣｕ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、ＡｕＣｕ、ＰｔＡｕ、ＡｕＡｇ、Ａｕ３Ｃｕなどを適用することができると記載されている。そして、特許文献３には磁気記録ヘッドに形成するヒートシンク層として、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｌ、ＣｕＡｌ、ＡｇＰｄＣｕ、ＡｌＴｉ、ＡｌＭｏなどが列挙されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】米国特許公開公報第２００７−００２６２６３号
【特許文献２】特開２００８−５２８６９号公報
【特許文献３】特開２００１−２８３４０３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
このようにヒートシンク層の材料選択が磁気記録媒体の特性に大きな影響力を持つが、一般に、ヒートシンク層には高い熱散逸性が求められるため、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕのような熱伝導率の高い材料が主に使用されている。しかし、これらの金属は薄膜において、加熱などにより凝集しやすく、磁気記録媒体の表面形状やその磁性層の結晶配向、腐食耐性を悪化させる。
【００１０】
一方、特許文献１に記載されているＡｇＰｄのような合金からなるヒートシンク層は、ある程度Ａｇの凝集を抑えることが可能だが、１Ｔｂｉｔ／ｉｎｃｈ２クラスの面記録密度を有する媒体を達成するには、ヘッドの浮上特性や表面平坦性、磁性層の結晶配向の改善が不十分である。
【００１１】
本発明は、このような従来の事情に鑑みて提案されたものであり、表面平坦性が高く、磁性層の配向が良く、かつヘッド浮上性が良好な熱アシスト記録媒体、並びに、そのような熱アシスト磁気記録媒体を備えた大容量の磁気記録再生装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記目的を達成するために、本発明は、以下の特徴を有する磁気記録媒体を提供する。
【００１３】
（１）  基板と、前記基板上に形成された複数の下地層と、前記下地層上に形成された磁性層と、基板と磁性層の間の任意の位置に形成されたヒートシンク層を少なくとも有する磁気記録媒体であって、前記ヒートシンク層はＡｇを主成分として含み、かつ、Ｂｉ、Ｎｄ、Ｃｕ、Ｃｒから成る第一添加元素群から選択された元素を１つ以上含み、さらにＺｎ、Ｌａ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｓｍ、Ｇｄ、Ｓｎ、Ｉｎから成る第二添加元素群から選択された元素を少なくとも１つ以上含むことを特徴とする磁気記録媒体。
（２）  第一添加元素としてＢｉとＮｄを含み、第二添加元素としてＧｅを含むことを特徴とする前項（１）の磁気記録媒体。
（３）  第一添加元素としてＢｉとＮｄを含み、第二添加元素としてＬａを含むことを特徴とする前項（１）の磁気記録媒体。
（４）  第一添加元素群の元素を０．１〜２０ａｔ％含むことを特徴とする前項（１）の磁気記録媒体。
（５）  第二添加元素群の元素を０．１〜１５ａｔ％含むことを特徴とする前項（１）の磁気記録媒体。
（６）  第一添加元素群と第二添加元素群から選ばれた元素の総和が０．２〜２５ａｔ％となることを特徴とする前項（１）の磁気記録媒体。
（７）  複数の下地層のうち、少なくとも１層がＣｒ、Ｐｔ、ＭｇＯ、ＭｎＯ、ＴｉＣ、ＴｉＮからなる群から選択された物質であることを特徴とする前項（１）〜（６）の何れか１項に記載の磁気記録媒体。
（８）  磁性層が、Ｌ１０構造を有する合金を主成分として含むことを特徴とする前項（１）〜（７）の何れか１項に記載の磁気記録媒体。
（９）  磁気記録媒体と、前記磁気記録媒体を記録方向に駆動する媒体駆動部と、前記磁気記録媒体を加熱するレーザー発生部と、前記レーザー発生部から発生したレーザー光を先端部へと導く導波路とを有して、前記磁気記録媒体に対する記録動作と再生動作とを行う磁気ヘッドと、前記磁気ヘッドを前記磁気記録媒体に対して相対移動させるヘッド移動部と、前記磁気ヘッドへの信号入力と前記磁気ヘッドから出力信号の再生とを行うための記録再生信号処理系とを備える磁気記録再生装置において、前記磁気記録媒体が前項（１）〜（８）の何れか１項に記載の磁気記録媒体であることを特徴とする磁気記録再生装置。
【発明の効果】
【００１４】
以上の説明のように、本発明により、表面平坦性が高く、磁性層の配向が良く、かつヘッド浮上性が良好な熱アシスト記録媒体を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】実施例１、比較例１において作製した磁気記録媒体の層構成を示す断面図である。
【図２】実施例２、比較例２において作製した磁気記録媒体の層構成を示す断面図である。
【図３】実施例３において作製した磁気記録媒体の層構成を示す断面図である。
【図４】実施例４において作製した磁気記録媒体の層構成を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下に本発明を、図面を参照しながら詳細に説明する。しかしながら本発明はこれらの例のみに限定されるものではない。特に制限の無い限り、数量、構成、位置、材料などを必要に応じて変更してもよい。
【００１７】
熱アシスト磁気記録媒体の基板は、円形非磁性基板を用いることができる。材料は、ガラス、アルミ、セラミックスなどを用いることができる。ガラス基板は結晶化ガラスや非晶質ガラスなどがあるが、どちらも使用できる。その際、その表面粗さや熱容量、結晶化状態などを考慮して選択することが必要である。
媒体の加熱温度を調整することで、下地層やヒートシンク層、さらには磁性層の配向を制御することができる。
【００１８】
下地層は、Ｃｒ、Ｐｔ、ＭｇＯ、ＭｎＯ、ＴｉＣ、ＴｉＮなどを用いることができる。例えば、下地層に（１００）配向面を作れば、その上部がＬ１０−ＦｅＰｔやＬ１０−ＣｏＰｔのような磁性層である場合、エピタキシャル成長により、磁性層に（００１）配向をとらせることができる。
【００１９】
本発明を適用した磁気記録媒体のヒートシンク層は、Ａｇを主成分として含み、かつ、Ｂｉ、Ｎｄ、Ｃｕ、Ｃｒから成る第一添加元素群から選択された元素を1つ以上含み、さらにＺｎ、Ｌａ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｓｍ、Ｇｄ、Ｓｎ、Ｉｎから成る第二添加元素群から選択された元素を少なくとも1つ以上含むことを特徴とする。
【００２０】
Ａｇに第一添加元素群と第二添加元素群から選択される元素を添加したヒートシンク層を形成することで、Ａｇの凝集を抑制することができ、その結果、磁気記録媒体の表面平坦性やヘッドの浮上特性を高めることが可能で、また磁性層の結晶配向を制御しやすくできる。
【００２１】
Ａｇを主成分とする上記のヒートシンク層は、その熱伝導率を大幅に減少させない範囲であれば、他の添加元素を含有しても良い。例えば、ＡｇＢｉＺｎ−Ｔａ、ＡｇＢｉＺｎ−Ｃｏ、ＡｇＢｉＧａ−Ｔａ、ＡｇＢｉＬａ−Ｍｎ、ＡｇＢｉＳｍ−Ｎｉ、ＡｇＮｄＺｎ−Ｚｒ、ＡｇＮｄＺｎ−Ｍｎ、ＡｇＮｄＧｅ−Ｗ、ＡｇＮｄＳｍ−Ｒｕ、ＡｇＮｄＧｄ−Ｖ、ＡｇＣｕＧａ−Ｚｒ、ＡｇＣｕＧａ−Ｔａ、ＡｇＣｕＳｎ−Ｔａ、ＡｇＣｕＧｄ−Ｗ、ＡｇＣｒＬａ−Ｔａ、ＡｇＣｒＧｅ−Ｖ、ＡｇＣｒＩｎ−Ｃｏなどを用いることができる。
【００２２】
Ａｇヒートシンク層に添加される第一添加元素群から選ばれた元素の含有量は、０．１〜２０ａｔ％であることが望ましい。また、第二添加元素群から選ばれた元素の含有量は、０．１〜１５ａｔ％が望ましい。さらに、第一添加元素群と第二添加元素群から選ばれた元素の総和は、０．２〜２５ａｔ％となることが望ましい。Ａｇヒートシンク層への添加元素数や量が少なすぎるとＡｇの凝集抑制効果が不十分となる。一方、添加元素数や量が多すぎるとＡｇの凝集を抑制することはできるが、ヒートシンク層の熱伝導率を著しく損なう可能性がある。このことから、第一添加元素群と第二添加元素群から選ばれた元素の原子数の総和は、上記の範囲の中でも特に０．２〜８ａｔ％が好ましい。
【００２３】
Ａｇヒートシンク層の導入位置は、設計に応じて選択できる。Ａｇヒートシンク層を下地の下に配置した場合は、磁性層との距離が離れるため熱散逸性は不利となるが、下地層或いは中間層が磁性層の直下に置かれるため磁性層の配向を制御しやすくなる。また、Ａｇヒートシンク層を磁性層直下に配置すれば、記録時に加熱された媒体表面を効果的に冷却できる。
【００２４】
磁性層の配向制御及び粒径制御のため、必要に応じて下地層と磁性層の間に中間層を導入してもよい。また、本発明を適用した磁気記録媒体にはＳＵＬ（軟磁性下地層）を追加してもよい。ＳＵＬをヒートシンク層と磁性層の間に形成すれば、磁性層に印加される磁界の勾配を高めることができ、ヘッドからの磁界を効率よく磁性層に印加することができる。この場合、ＳＵＬと磁性層に磁気的結合が生じるので、その調節のために中間層を置いてもよい。さらに、ＳＵＬはヒートシンク層の下側に配置してもよい。ＳＵＬの具体例としては、ＣｏＦｅＴａ、ＣｏＦｅＴａＢ、ＣｏＦｅＮｉ、ＣｏＴａＺｒ、ＣｏＮｂＺｒ、ＣｏＮｉＺｒなどが挙げられる。
【００２５】
磁性層には、ＦｅＰｔ、ＦｅＰｔＮｉのようなＬ１０構造を有する合金を用いることができる。また、このＬ１０構造の合金に酸化物、窒化物、炭化物やＡｇ、Ａｕなどを添加することができる。例えば、ＦｅＰｔ−ＳｉＯ２を用いた場合、この合金は（００１）配向をとることが望ましい。そのために下地として、（１００）配向をとるＭｇＯ層を置くことができる。（１００）配向したＭｇＯ層上に磁性層ＦｅＰｔ−ＳｉＯ２を成膜すればエピタキシャル成長により、この磁性層は（００１）配向をとる。
【００２６】
さらに、このＭｇＯ下地層と磁性層の間にＡｇヒートシンク層を導入することも可能で、Ａｇヒートシンク層にＭｇＯ層と同じ（１００）配向をとらせて、磁性層を（００１）配向に導くことができる。
【００２７】
以上のように本発明によれば、表面平坦性が高く、磁性層の配向が良く、かつヘッド浮上性が良好な熱アシスト記録媒体を実現し、そのような熱アシスト磁気記録媒体を備えた大容量の磁気記録再生装置を提供することが可能である。
【実施例】
【００２８】
以下、実施例により本発明の効果をより明らかなものとする。なお、本発明は、以下の実施例に限定されるものではなく、その要旨を変更しない範囲で適宜変更して実施することができる。
【００２９】
（実施例１）
実施例１において作製した熱アシスト磁気記録媒体の層構成を図１に示す。この熱アシスト磁気記録媒体は、２．５インチガラス基板１０１にＣｒ−５０ａｔ％Ｔｉから成る下地層１０２を成膜して、５００度までランプヒーターにより加熱した後、０．５ＰａのＡｒガス雰囲気下でＤＣマグネトロンスパッタリング法により層厚３０ｎｍのＣｒからなる下地層１０３を成膜した。下地層１０３に連続して、層厚１００ｎｍのＡｇ合金からなるヒートシンク層１０４と、層厚１０ｎｍの９０ｍｏｌ％（Ｆｅ−５０ａｔ％Ｐｔ−１０ａｔ％Ｃｕ）−１０ｍｏｌ％ＳｉＯ２合金からなる磁性層１０５を順次積層したものであり、磁性層１０５の上には、更に、層厚３ｎｍのカーボンからなる保護膜１０６と、フッ素系のパーフルオロポリエーテル（ＰＦＰＥ）からなる潤滑膜１０７とが順に形成されている。
【００３０】
ヒートシンク層１０４としては、Ａｇ−０．４ａｔ％Ｂｉ−１．５ａｔ％Ｚｎ、Ａｇ−０．４ａｔ％Ｂｉ−２．５ａｔ％Ｇｅ、Ａｇ−０．２ａｔ％Ｎｄ−１．５ａｔ％Ｚｎ、Ａｇ−０．２ａｔ％Ｎｄ−１．８ａｔ％Ｌａ、Ａｇ−０．４ａｔ％Ｂｉ−０．２ａｔ％Ｎｄ−２．５ａｔ％Ｇｅ、Ａｇ−０．４ａｔ％Ｂｉ−０．２ａｔ％Ｎｄ−１．８ａｔ％Ｌａを用いた。
【００３１】
実施例１の熱アシスト磁気記録媒体について、Ｘ線回折で測定を行ったところ、加熱された基板上に形成されたＣｒ下地層１０３は、（１００）配向をとっており、その上に形成されたヒートシンク層１０４も、エピタキシャル成長により（１００）配向をとっていることがわかった。
【００３２】
そして、この実施例１の熱アシスト磁気記録媒体のＴＥＭ観察を行ったところ、金属結晶相が非晶質相によって囲まれたグラニュラー構造をとっていることがわかった。また、結晶相の平均粒径は、６．０ｎｍであった。
【００３３】
表１に、上記熱アシスト磁気記録媒体の表面粗さＲａと、Ｘ線回折から求めた磁性層ＦｅＰｔ（００１）ピーク強度の相対値、及びグライド試験の結果を示す。表面粗さＲａは、Ｖｅｅｃｏ社製ＡＦＭタッピングモードを用いて測定した。また、これらの熱アシスト磁気記録媒体の磁性層ＦｅＰｔ（００１）ピーク強度は、Ａｇ−０．４ａｔ％Ｂｉヒートシンク層を有する実施例１の媒体のＦｅＰｔ（００１）ピーク強度の値を１．００としたときの相対値として示した。さらに、グライド試験では、フェムトスライダ上にピエゾ素子を有するヘッドで、グライドハイトを０．３μｉｎｃｈ（約７．６ｎｍ）として該熱アシスト磁気記録媒体を数十枚検査した。このとき、ピエゾ素子からの出力電圧が高くなる、つまりヘッドが飛行不安定になった回数（ヒット数）、この総和を評価した媒体面数で割って、媒体１面当たりのヒット回数として算出した。
【００３４】
【表１】
0005796883.tif 000002
【００３５】
Ａｇに２元素を添加したヒートシンク層を有する実施例１−１〜１−４の熱アシスト磁気記録媒体では、表面粗さＲａが６．８〜７．１Åであることがわかった。また、それらの媒体のＸ線回折から求めたＦｅＰｔ（００１）の相対ピーク強度は、１．０３〜１．１３であった。対して、実施例１−５のＡｇ−０．４ａｔ％Ｂｉ−０．２ａｔ％Ｎｄ−２．５ａｔ％Ｇｅと、実施例１−６のＡｇ−０．４ａｔ％Ｂｉ−０．２ａｔ％Ｎｄ−１．８ａｔ％Ｌａから成るヒートシンク層を有する磁気記録媒体では、実施例１−１〜１−４の２元素添加のヒートシンク層を有する媒体よりも表面粗さＲａが小さく、ＦｅＰｔ（００１）の相対ピーク強度が大きいことがわかった。
【００３６】
Ａｇに２元素を添加したヒートシンク層を有する実施例１−１〜１−４の磁気記録媒体では、グライド試験での媒体１面当たりのヒット数が０．１９〜０．３０回であった。一方、実施例１−５のＡｇ−０．４ａｔ％Ｂｉ−０．２ａｔ％Ｎｄ−２．５ａｔ％Ｇｅと、実施例１−６のＡｇ−０．４ａｔ％Ｂｉ−０．２ａｔ％Ｎｄ−１．８ａｔ％Ｌａから成るヒートシンク層を有する磁気記録媒体では、ヒット数が０．０６回、０．０３回であり、前記２元素添加のヒートシンクから成る媒体よりも少ないヒット数を示したことから、ヘッド浮上性が良好なことが明らかとなった。
【００３７】
（比較例１）
実施例１と同様の方法で比較例１に係る熱アシスト磁気記録媒体を作製した。ただし、ヒートシンク層１０４としてＡｇ、Ａｇ−１２ａｔ％Ｐｄ、Ａｇ−０．４ａｔ％Ｂｉ、及びＡｇ−０．２ａｔ％Ｎｄを用いた。表２にこれらのＡｇヒートシンク層を用いたときの表面粗さＲａ、Ｘ線回折から求めたＦｅＰｔ（００１）の相対ピーク強度と、グライド試験における媒体１面当たりのヒット数を示す。
【００３８】
【表２】
0005796883.tif 000003
【００３９】
比較例１のヒートシンク層を含む媒体の表面粗さＲａは８．２Å〜９．０Åで、実施例１のヒートシンク層を有する媒体の表面粗さＲａ＝６．４〜７．１Åよりも粗く、表面平坦性が悪い。さらに、比較例１の磁気記録媒体のＦｅＰｔ（００１）の相対ピーク強度は１．００以下で、実施例１の媒体に比較して強度が小さい。一方、ＡｇとＡｇ−１２ａｔ％Ｐｄから成るヒートシンク層の媒体のグライド試験における1面当たりのヒット数は６．４回、２．４回であり、ＡｇにＢｉやＮｄを添加したヒートシンク層を適用した媒体でも１．１回、１．４回であり、実施例１の媒体に比べてヒット数が多いことがわかる。以上のことから、本発明を適用して作製された実施例１の磁気記録媒体は、表面平坦性が高く、磁性層ＦｅＰｔ（００１）配向が良く、さらにヘッド浮上性が良好であることが確認された。
【００４０】
（実施例２）
実施例２において作製した熱アシスト磁気記録媒体の構成を図２に示す。この媒体は、２．５インチガラス基板２０１上に、層厚１００ｎｍのＡｇ合金からなるヒートシンク層２０２を成膜し、ランプヒーターを用いて５００度まで加熱した後、層厚２５ｎｍのＣｒから成る下地層２０３と層厚２０ｎｍＭｇＯ層２０４を成膜し、さらに層厚１０ｎｍの８８ｍｏｌ％（Ｆｅ−４５ａｔ％Ｐｔ−１０ａｔ％Ｎｉ）−１０ｍｏｌ％ＳｉＯ２−２ｍｏｌ％ＴｉＯ２合金からなる磁性層２０５を順次積層したものであり、カーボンから成る保護膜２０６を３ｎｍ、続けてフッ素系のパーフルオロポリエーテル（ＰＦＰＥ）からなる潤滑膜２０７を塗布して作製した。
【００４１】
（比較例２）
実施例２と同様の方法で比較例２に係る熱アシスト磁気記録媒体を作製した。
【００４２】
表３に実施例２及び比較例２で作製したＡｇヒートシンク層を有する媒体の表面粗さＲａ、磁性層ＦｅＰｔ（００１）の相対ピーク強度、グライド試験の結果を示す。ここで、ＦｅＰｔ（００１）の相対ピーク強度は、Ａｇ−０．４ａｔ％Ｂｉのヒートシンク層を用いて実施例２の方法で作製した媒体のＦｅＰｔ（００１）ピーク強度の値を１．００としたときの相対値として示した。比較例２−２、２−３に示すＡｇ−Ｍｎ−Ｇｅ、Ａｇ−Ｍｎ−Ｔｉから成るヒートシンク層を持つ磁気記録媒体に比較して、比較例２−１のＡｇ−Ｂｉ−Ｔｉから成るヒートシンク層の媒体はＲａが低くなり、グライド試験における媒体１面当たりのヒット数も少なくなる。しかし、比較例２−２のヒートシンク層のＴｉをＧｅに置換した実施例２−１のヒートシンク層を有する媒体では、Ｒａはさらに低くなり、ＦｅＰｔ（００１）相対強度が大きくなり、グライド試験におけるヒット数が大きく減少した。
【００４３】
【表３】
0005796883.tif 000004
【００４４】
（実施例３）
実施例３において作製した熱アシスト磁気記録媒体の層構成を図３に示す。この熱アシスト磁気記録媒体は、以下の方法により作製した。まず、２．５インチガラス基板３０１に層厚１００ｎｍのＡｇ合金から成るヒートシンク層３０２を成膜し、続けて９２．５ａｔ％（Ｃｏ−５０ａｔ％Ｆｅ）−４．５ａｔ％Ｚｒ−３ａｔ％Ｂ合金から成る層厚３０ｎｍの軟磁性層３０３を成膜した。この媒体をランプヒーターにより５００度まで加熱した後、層厚２０ｎｍのＭｇＯ層３０４と層厚１０ｎｍの９０ｍｏｌ％（Ｆｅ−５０ａｔ％Ｐｔ）−１０ｍｏｌ％ＴｉＯ２合金からなる磁性層３０５を成膜した。次に、層厚３ｎｍのカーボンからなる保護膜３０６と、フッ素系のパーフルオロポリエーテル（ＰＦＰＥ）からなる潤滑膜３０７を順次形成した。
【００４５】
表４に実施例３で作製した熱アシスト媒体のグライド結果を示す。実施例３のヒートシンク層を有する磁気記録媒体は、どれもグライド試験における媒体１面当たりのヒット数が０．４回以下と少なく、本発明を適用することでヘッドの浮上特性を改善できることがわかった。この中でも実施例３−９と３−１０で示すＡｇ−Ｃｕ−Ｚｎのヒートシンク層にさらにＢｉまたはＮｄを添加した４元素から成る磁気記録媒体は、特にヒット数が少ないことが見出せた。
【００４６】
【表４】
0005796883.tif 000005
【００４７】
（実施例４）
実施例４において作製した熱アシスト磁気記録媒体の層構成を図４に示す。ガラス基板４０１にＣｒ−５０ａｔ％Ｔａから成る下地層４０２を２５ｎｍ、続けてＡｇ合金から成るヒートシンク層４０３を１００ｎｍ成膜し、ランプヒーターで２５０度まで加熱した。この基板上に層厚１０ｎｍのＣｒ−１０ａｔ％Ｒｕ下地層４０４、層厚２０ｎｍのＭｇＯ層４０５を積層した後、ランプヒーターで基板を５００度まで加熱した。次いで、８６ｍｏｌ％（Ｆｅ−５５ａｔ％Ｐｔ）−１４ｍｏｌ％ＳｉＯ２合金からなる磁性層４０６を１０ｎｍ成膜した。最後に層厚３ｎｍのカーボンからなる保護膜４０７と、フッ素系のパーフルオロポリエーテル（ＰＦＰＥ）からなる潤滑膜４０８を順次形成して、実施例４−１〜４−２３のヒートシンク層を持つ媒体を作製した。
【００４８】
表５に実施例４で準備した熱アシスト磁気記録媒体の表面粗さＲａ、磁性層のＦｅＰｔ（００１）相対ピーク強度、グライド試験から算出した媒体１面当たりのヒット数を示す。ここで、ＦｅＰｔ（００１）の相対ピーク強度は、Ａｇ−０．４ａｔ％Ｂｉのヒートシンク層を用いて実施例４の方法で作製した媒体のＦｅＰｔ（００１）ピーク強度の値を１．００としたときの相対値として示した。
【００４９】
実施例４−１〜４−７では、Ａｇヒートシンク層の第一添加元素量を変化させ、実施例４−８〜４−１４は、Ａｇヒートシンク層の第二添加元素量を変化させてその磁気記録媒体の各種特性を評価した。さらに、実施例４−１５〜４−２３では、第一添加元素と第二添加元素の総和を変化させた。実施例４のどのＡｇヒートシンク層もＡｇに第一添加元素と第二添加元素を含んでおり、表面粗さＲａは低く、グライド試験のヒット数は少ないことがわかる。一方、本実施例では、ヒートシンク層と磁性層の間に複数の下地層を挟んでいるので、ヒートシンク層がＦｅＰｔ磁性層の配向に与える影響は大きくなく、ＦｅＰｔ（００１）の相対ピーク強度がほとんど変わらないものと考えられる。
【００５０】
実施例４−１〜４−７の結果より、Ａｇヒートシンク層への第一添加元素が０．１〜２０ａｔ％の範囲で特に表面粗さＲａが低く、グライド試験の媒体１面当たりのヒット数が少ないため望ましい。また、実施例４−８〜４−１４の結果から、第二添加元素が０．１〜１５ａｔ％の場合に表面粗さＲａとグライド試験の特性が特に良くなるため望ましい。実施例４−１５〜４−２３における結果より、第一添加元素と第二添加元素の総和は、０．２〜２５ａｔ％で表面粗さＲａとグライド試験による媒体１面当たりのヒット数がさらに改善されるため、この範囲が好ましい。
【００５１】
【表５】
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【符号の説明】
【００５２】
１０１…ガラス基板
１０２…下地層
１０３…下地層
１０４…ヒートシンク層
１０５…磁性層
１０６…保護膜
１０７…潤滑膜
２０１…ガラス基板
２０２…ヒートシンク層
２０３…下地層
２０４…ＭｇＯ層
２０５…磁性層
２０６…保護膜
２０７…潤滑膜
３０１…ガラス基板
３０２…ヒートシンク層
３０３…軟磁性層
３０４…ＭｇＯ層
３０５…磁性層
３０６…保護膜
３０７…潤滑膜
４０１…ガラス基板
４０２…下地層
４０３…ヒートシンク層
４０４…下地層
４０５…ＭｇＯ層
４０６…磁性層
４０７…保護膜
４０８…潤滑膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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