(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
不純物のゲッタリングプロセスで絶縁層付きの半導体基板を製造する方法であって、
エレメント基板及び支持基板を提供するステップと、
前記エレメント基板の表面に絶縁層を形成するステップと、
前記エレメント基板の表面にＤＺ層を形成するための熱処理ステップ１と、
ＤＺ層以外の前記エレメント基板における飽和酸素を核に蓄積させるため、温度が前記熱処理ステップ１以下にある熱処理ステップ２と、
前記熱処理ステップ２で核に蓄積した酸素を更に大きな酸素析出物に形成させると同時に、前記の酸素析出物がＤＺ層における金属不純物を吸収できる熱処理ステップ３と、
絶縁層付きの前記エレメント基板及び前記支持基板をボンディングさせ、前記絶縁層が前記エレメント基板及び前記支持基板の間に挟まれるようにするステップと、
ボンディング・インターフェースの焼鈍補強を行い、前記ボンディング・インターフェースの堅牢度が後続の面取り研磨、薄化及び研磨技術の要求を満たすようにするステップと、
ボンディングした前記エレメント基板の面取り研磨、薄化及び研磨を行うステップとを含み、
前記ボンディング・インターフェースの焼鈍補強を行うステップは、前記熱処理ステップ３を兼ねることを特徴する不純物のゲッタリングプロセスで絶縁層付きの半導体基板を製造する方法。
【請求項２】
前記エレメント基板が単結晶ケイ素基板であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
更に前記エレメント基板に対する面取り研磨、薄化及び研磨技術を実施してから、ボンディングしたインターフェースに対する補充的焼鈍補強を行うステップを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
更に前記エレメント基板に対する面取り研磨、薄化及び研磨技術を実施するまで前記支持基板の露出表面に保護層を形成するステップを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は絶縁体上のケイ素材料を製造する方法、特に不純物のゲッタリングプロセスで絶縁層付きの半導体基板を製造する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
集積回路のサイズの小型化に伴い、ケイ素の単結晶における欠陥に対する制御が特に重要になってきた。ウエハーにおける欠陥は主に結晶体の成長中に生じる結晶体原生粒子（ＣＯＰｓ）のような原生欠陥及びウエハーの熱処理中に生じる酸素析出物のような欠陥を含む。これらの欠陥がウエハー表面の活性領域にある場合、エレメントの性能を損害し、エレメントを失効させる。また、ウエハーは加工及び集積回路の製造の過程で不可避的にＣｕ、Ｎｉ及びＦｅなどに汚されるものである。これらの金属不純物はケイ素でとても迅速的に広がり、エレメントの活性領域にある場合、エレメントの失効の原因となる。よって、効果的にウエハー表面における金属不純物を除去することは非常に重要である。酸素析出物及びそれによる欠陥を金属不純物の不純物吸収箇所にして、金属不純物を欠陥箇所に蓄積させることができるが、酸素析出物及びそれによる欠陥がエレメントの活性領域にある場合、エレメントの電気性能を妨害するおそれもある。よって、エレメント技術において、ウエハーで大量の酸素析出物を生じさせて不純物の吸収で役に立たせることが必要であると同時に、酸素析出物がウエハーの活性領域に出ないことが望まれる。これは内部ゲッタリング（Ｉｎｔｅｒｎａｌ  Ｇｅｔｔｅｒｉｎｇ）に関する基本的な考え方である。ウエハーの内部ゲッタリンググのプロセスは熱処理によりウエハーの表面に低酸素及び低金属のクリーンエリア（Ｄｅｎｕｄｅｄ  Ｚｏｎｅ−ＤＺ）を形成し、ウエハーの内に酸素析出物及びそれによる欠陥を形成して金属不純物を吸収する。ＤＺ技術により処理されたウエハー及びエレメントはＤＺ領域に設置され、効果的にエレメントの良品率を向上させることができる。
【０００３】
また、現在、厚いＳＯＩ材料（最上層のケイ素が１μｍ以上であるのが普通である）は広く高圧出力エレメント及び微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）分野に応用されていて、特に車用電子機器、表示及び無線通信などで迅速的に成長している。電源の制御及び変換により、車用電子機器及び消費性出力エレメントにおいて過酷な環境、高温、大電流、高出力上の要求を満たし、信頼性に関する厳格な要求によりＳＯＩエレメントを使用しなければいけない。現在、厚いＳＯＩ材料はユーザが主に米国のＭａｘｉｍ、ＡＤＩ及びＴＩ（ＵＳＡ）、日本のＮＥＣ、Ｔｏｓｈｉｂａ、Ｐａｎａｓｏｎｉｃ、Ｄｅｎｓｏ、ＴＩ（Ｊａｐａｎ）、ＦＵＪＩ及びＯｍｒｏｎなど、欧州のＰｈｉｌｉｐｓ及びＸ−Ｆａｂなどを含む。これらのＳＯＩ材料ユーザで、応用の多くが主に様々な応用における駆動回路からのものである。例えば、Ｍａｘｉｍでは主に携帯電話の受信部のアンプ回路、Ｐａｎａｓｏｎｉｃ、ＴＩ、ＦＵＪＩ、Ｔｏｓｈｉｂａ及びＮＥＣなどでは主に表示駆動回路における走査駆動回路、ＤＥＮＳＯでは主に車用電子機器、無線周波数回路など、Ｔｏｓｈｉｂａではエアコンの電源制御回路、Ｏｍｒｏｎでは主にセンサー、ＡＤＩでは主に高温回路、センサーなどに応用するが、Ｐｈｉｌｌｉｐｓでは主に出力エレメントにおけるＬＤＭＯＳと、カーオーディオ、オーディオアンプなどの消費系電子機器に応用し、韓国のＭａｇｎｃｈｉｐ（Ｈｙｎｉｘ）ではＫｏｐｉｎにデジタルカメラ用表示駆動回路、ＬＧにＰＤＰ表示駆動回路などを生産する。
【０００４】
但し、ＳＯＩ材料にとって、酸素埋め層の存在により、熱処理をすれば、酸素埋め層の酸素が外へ広がり、却って最上のケイ素内の酸素の含量を増大させる。よって、従来の不純物のゲッタリングプロセスはＳＯＩ材料に適しなく、ＳＯＩ材料の最上のケイ素が当該ＤＺエリアに存在しない原因となり、ＳＯＩ製のエレメントの良品率が低い。
【発明の概要】
【０００５】
絶縁層付きの半導体基板に適する不純物のゲッタリングプロセスを提供する。
【０００６】
前記の課題を解決するために、本発明は下記のステップを含む不純物のゲッタリングプロセスで絶縁層付きの半導体基板を製造する方法を提供する。方法は、エレメント基板及び支持基板を提供する；エレメント基板の表面に絶縁層を形成するステップと、エレメント基板の熱処理を行い、前記のエレメント基板の表面にクリーンエリアを形成するようにするステップと、絶縁層付きのエレメント基板及び支持基板をボンディングさせ、絶縁層がエレメント基板及び支持基板の間に挟まれるようにするステップと、ボンディング・インターフェースの焼鈍補強を行い、ボンディング・インターフェースの堅牢度が後続の面取り研磨、薄化及び研磨技術の要求に満たすようにするステップと、ボンディングしたエレメント基板の面取り研磨、薄化及び研磨を行う。
【０００７】
可能なソリューションとして、前記のエレメント基板は単結晶ケイ素基板である。
【０００８】
可能なソリューションとして、更に下記のステップを含む。即ち、エレメント基板に対する面取り研磨、薄化及び研磨技術を実施してから、ボンディングしたインターフェースに対する補充的焼鈍補強を行う。
【０００９】
可能なソリューションとして、前記の熱処理エレメント基板のステップは更にエレメント基板の表面に結晶エリアを形成するための熱処理ステップ１、並びにクリーンエリア以外のエレメント基板における飽和酸素を核に蓄積させるため、温度が熱処理焼鈍ステップ１以下にある熱処理ステップ２を含む。
【００１０】
可能なソリューションとして、前記の熱処理エレメント基板のステップは更に熱処理ステップ２で核に蓄積した酸素を更に多い酸素析出物として形成させると同時に、前記の酸素析出物がクリーンエリアにおける金属不純物を吸収できる熱処理ステップ３を含む。
【００１１】
可能なソリューションとして、更に下記のステップを含む。即ち、エレメント基板に対する面取り研磨、薄化及び研磨技術を実施するまで支持基板の露出表面に保護層を形成する。
【００１２】
本発明の長所はボンディングまで不純物のゲッタリングプロセスでエレメント基板の処理を行い、表面にクリーンエリアを形成させる後に、クリーンエリアを他の支持基板に移し、高結晶体の品質のあるボンディング材料を得るということにある。更にエレメント基板体内の酸素析出物の熱安定性を考慮して、製造技術で２ステップの焼鈍技術を選択して実施できる。即ち、ステップ１で低温焼鈍を行い、そのボンディング強さが研磨の需要を満たすことができるようにして、ステップ２でそのボンディング強さの補強を行い、インターフェースに共有結合を形成させる。
【００１３】
更に、熱処理エレメント基板の技術で熱処理ステップの２つしか利用していなく、ステップ３の高温熱処理ステップと後続の補強ボンディング・インターフェースのステップを１つのステップに整合して、技術上の複雑さを低くし、技術上のコストを削減し、技術効率を向上したものである。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】図１は本発明の実際の実施方式の実施ステップのプロセスチャートを示す。
【図２Ａ】図２Ａは本発明の実際の実施方式の技術図を示す。
【図２Ｂ】図２Ｂは本発明の実際の実施方式の技術図を示す。
【図２Ｃ】図２Ｃは本発明の実際の実施方式の技術図を示す。
【図２Ｄ】図２Ｄは本発明の実際の実施方式の技術図を示す。
【図２Ｅ】図２Ｅは本発明の実際の実施方式の技術図を示す。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
図と結び合わせて詳細に本発明の前記の不純物のゲッタリングプロセスで絶縁層付きの半導体基板を製造する方法の実際の実施方式について説明する。
【００１６】
図１は本方法の実施ステッププロセスチャートであり、エレメント基板及び支持基板を提供するステップＳ１０、エレメント基板の表面に絶縁層を形成するステップＳ１１、エレメント基板の熱処理を行い、前記のエレメント基板の表面にクリーンエリアを形成するようにするステップＳ１２、絶縁層付きのエレメント基板及び支持基板をボンディングさせ、絶縁層がエレメント基板及び支持基板の間に挟まれるようにするステップＳ１３、ボンディング・インターフェースの焼鈍補強を行い、ボンディング・インターフェースの堅牢度が後続の面取り研磨、薄化及び研磨技術の要求に満たすようにするステップＳ１４、ボンディングしたエレメント基板の面取り研磨、薄化及び研磨を行うステップＳ１５、ボンディングしたインターフェースに対する補充的焼鈍補強を行うステップＳ１６を含む。
【００１７】
図２Ａ〜２Ｅは本発明の実際の実施方式の技術図である。
【００１８】
図２Ａの通りに、ステップＳ１０を参考して、エレメント基板１００及び支持基板１９０を提供する。前記のエレメント基板１００は最終製品のエレメント層の形成に用いられるので、材料が単結晶ケイ素のような普通の半導体材料でも化合物半導体のような他の半導体でもいい。支持基板１９０が支持のみに用いられるので、材料の選択範囲が広く、単結晶ケイ素及び普通の化合物半導体材料の外に、サファイアないし金属基板でもいい。本実施方式では、エレメント基板１００及び支持基板１９０の材料が共に単結晶ケイ素である。
【００１９】
図２Ｂの通りに、ステップＳ１１を参考にしてエレメント基板１００の表面に絶縁層１１０を形成させる。前記の絶縁層１１０は最終製品の絶縁層の形成に用いられ、材料が酸化ケイ素又は窒化ケイ素などで、成長方法が化学気相堆積又は熱酸化（単結晶ケイ素基板の表面の酸化ケイ素絶縁層の形成に用いられる）である。
【００２０】
図２Ｃの通りに、ステップＳ１２を参考にして、エレメント基板１００の熱処理を行って、前記のエレメント基板１００の表面にクリーンエリア１０１を形成させる。
【００２１】
以上のステップは更に昇温−降温−昇温と言う三つの熱処理ステップに分解できる。エレメント基板の表面に結晶エリアを形成するための熱処理ステップ１、クリーンエリア以外のエレメント基板における飽和酸素を核に蓄積させるため、温度が熱処理焼鈍ステップ１以下にある熱処理ステップ２、熱処理ステップ２で核に蓄積した酸素を更に大きな酸素析出物に形成させる同時に、前記の酸素析出物がクリーンエリアにおける金属不純物を吸収できる熱処理ステップ３。
【００２２】
具体的に言えば、熱処理ステップ１は昇温ステップであり、目安温度が９００℃〜１４００℃におけるいずれかの温度値であり、最適化の目安温度が１２５０℃であり、目安温度に上がってから０．５〜２０時間連続して焼鈍を行い、４時間に最適化し、昇温速度が０．５〜２０℃／分、最適化の昇温速度が３℃／分、昇温中の保護ガスがＡｒ／Ｏ２混合ガスに最適化し、他のガスでも混合ガスでもよく、連続焼鈍の雰囲気がＮ２、Ａｒ（又は他の不活性ガス）、Ｈ２、Ｏ２、Ｎ２／Ｏ２混合ガス、Ａｒ／Ｏ２混合ガス、Ａｒ／Ｈ２混合ガス及びＮ２／Ａｒ混合ガスのいずれかである。１回目の昇温及び焼鈍の過程に、エレメント基板１００の表面のあたりの隙間の酸素が外へ広がり、当該ステップの焼鈍温度及び時間がクリーンエリア１０１の幅を決める。処理されてから、クリーンエリア１０１は幅が普通１０〜５０μｍである。
【００２３】
熱処理ステップ２は降温ステップであり、降温速度が０．５〜２０℃／分、最適化の降温速度が３℃／分、降温の目安温度が５００〜９００℃におけるいずれかの温度値、最適化の目安温度が７５０℃であり、目安温度に下がってから０．５〜６４時間に連続して焼鈍を行い、最適化時間が８時間、焼鈍の雰囲気が酸素無しの雰囲気であり、具体的に、Ｎ２、Ａｒ（又は他の不活性ガス）でも、Ｈ２でも以上のガスの混合ガスでもいい。この降温ステップにおいて、クリーンエリア１０１以外のエレメント基板１００における飽和酸素を核に蓄積させる。
【００２４】
熱処理ステップ３は昇温ステップであり、昇温速度が０．５〜２０℃／分、最適化の昇温速度が３℃／分、目安温度が９００〜１４００℃におけるいずれかの温度値、最適化の目安温度が１１５０℃であり、目安温度に上がってから０．５〜４０時間に連続して焼鈍を行い、最適化時間が１６時間であり、焼鈍の雰囲気が酸素無しの雰囲気であり、具体的にＮ２、Ａｒ（又は他の不活性ガス）、Ｈ２又は以上のガスの混合ガスである。このステップにおいて、クリーンエリア１０１以外のエレメント基板１００において核に蓄積した酸素を更に大きな酸素析出物を形成させると同時に、この酸素析出物が効果的にクリーンエリア１０１における金属不純物を吸収できる。
【００２５】
更に技術を簡単にして焼鈍時間を短くするために、前記で熱処理ステップ１、２だけ実施し、ステップ３の高温熱処理ステップと後続の補強ボンディング・インターフェースのステップを１つのステップに整合して、技術の複雑さを簡単にし、技術上のコストを削減し、技術効率を向上する。
【００２６】
前記のステップＳ１１とＳ１２の実施手順を逆にしてもいいが、ステップＳ１２の前にステップＳ１１を実施する利点は予め生成する絶縁層１１０がエレメント基板１００の表面に保護を形成したり、熱処理の時間を短くしたりして、コストを削減することである。更に、ステップＳ１１がステップＳ１２の後に実施される場合、エレメント基板１００が単結晶ケイ素である実施方式において、２回目の昇温ステップの後に原位置温度の降下を実施でき、降温速度が０．５〜２０℃／分、最適化の降温速度が３℃／分、降温の目安温度が９００〜１４００℃におけるいずれかの温度値、最適化の温度が１０５０℃である。降温してから原位置酸化を実施し、酸化時間が必要な酸化層の厚さに決められ、酸化の雰囲気が乾燥酸素、ウェット酸素、又はＡｒ／Ｏ２混合ガスであり、酸化の後に絶縁層１１０にすることができる酸化層が形成される。
【００２７】
図２Ｄの通りに、ステップＳ１３を参考して、絶縁層１１０付きのエレメント基板１００と支持基板１９０をボンディングし、絶縁層１１０がエレメント基板１００と支持基板１９０の間に挟まれるようにする。
【００２８】
支持基板１９０が単結晶ケイ素基板である実施方式において、ボンディングまで単結晶ケイ素支持基板１９０の研磨などの前処理を行ってその厚さを薄化してもいい。８インチの単結晶ケイ素基板を例にすると、基板厚さが７５０μｍであり、基板の総厚さ偏差が４μｍ以下にあり、基板薄化の目安厚さが６５０μｍである。先ず研磨してこの単結晶ケイ素基板を薄化する。研磨設備は片面研磨機ＤＦＧ  ８４１型にする。先ず粗研磨により快速薄化を行い、砥石の回転数を２０００ｒｐｍにする。次に、小型化研磨による損傷の仕上げ研磨を行い、砥石の回転数を２０００ｒｐｍにする。研磨されてから、基板厚さが目安厚さより３μｍ以上に厚いが、ここで６６０μｍまで薄化する。研磨された支持基板１９０に対する研磨を行う。２面研磨でも片面研磨でも２面＋片面研磨でもいいが、ここで２面＋片面研磨に最適化する。先ず２面研磨機Ｐｅｔｅｒ  Ｗｏｌｔｅｒｓ  ＡＣ２０００型で２面研磨を行う。研磨は全過程が２つのステップであり、それらは粗研磨及び仕上げ研磨を順に行うものであり、研磨の除去総量が８μｍである。次に、片面研磨機ＩＰＥＣ  ３７２型で片面研磨により正確にウエハーの厚さを制御する。研磨は全過程が同様に粗研磨及び仕上げ研磨を含み、研磨除去量が２μｍ超えない。修正されてから、基板総厚さの偏差は１μｍ以下にある。
【００２９】
また、ボンディングまで支持基板１９０に対する絶縁化処理を行い、その表面を絶縁耐腐食層に覆わせ、特にその裏面をこの絶縁耐腐食層に覆わせ、適当な絶縁処理技術は普通の酸化技術でもいい。ＰＥＣＶＤで二酸化ケイ素や窒化ケイ素などを沈殿させてもいい。耐腐食層は厚さが一般に１μｍである。次の技術が低温補強であり、支持基板１９０が面取り技術においてＴＭＡＨ溶液の腐食に抵抗できなく、裏面に腐食ピットがたくさん形成したので、予め絶縁耐腐食層を生成させ、効果的に支持基板の裏面を保護させる。
【００３０】
支持基板１９０の前処理をしてから、エレメント基板１００及び支持基板１９０を洗浄してボンディングする。ボンディングは普通の親水ボンディングでも疎水ボンディングでもプラズマ補助親水ボンディングでもいい。好適には、親水ボンディング及びプラズマ補助親水ボンディングである。ここで親水ボンディングを例にして、相次ぎにＳＣ１及びＳＣ２溶液をこの基板を洗浄する。ボンディングまで、ＥＶＧ８０１ボンディング機で回転してエレメント基板１００及び支持基板１９０基板を洗浄して、表面に存在することのある顆粒を除去し、更に多く水分子を吸着する。次第に、エレメント基板１００と支持基板１９０が一体にボンディングされる。
【００３１】
ステップＳ１４を参考にして、ボンディング・インターフェースの焼鈍補強を行い、ボンディング・インターフェースの堅牢度が後続の面取り研磨、薄化及び研磨技術の要求に満たすようにする。焼鈍補強温度が９００〜１４００℃、最適化の温度が１０５０℃、焼鈍補強時間が０．５〜１０時間であり、６時間に最適化し、昇温速度が０．５〜２０℃／分、最適化の昇温速度が３℃／分、焼鈍の雰囲気を乾燥酸素又はウェット酸素に最適化する。熱処理ステップ１、２だけを実施する実際の実施方式において、本ステップにより前の低温焼鈍ステップで核に蓄積した酸素を更に大きな酸素析出物を形成させると同時に、前記の酸素析出物がクリーンエリアにおける金属不純物を吸収できる。
【００３２】
前記の焼鈍補強条件を利用すれば、補充補強のステップが不要である。即ち、ステップＳ１６を実施しなくてもいい。焼鈍補強中に不純物がエレメント基板１００のクリーンエリア１０１に広がることを避けるように、このステップで更に温和的な焼鈍条件を選択し、後続の実施ステップＳ１６で補充してもいい。例えば、焼鈍補強の温度を５００〜１２００℃に選択し、９００℃に最適化し、補強時間が１〜１０時間であり、４時間に最適化し、焼鈍補強の雰囲気がＮ２、Ａｒ（又は他の不活性ガス）、Ｏ２、Ｎ２／Ｏ２混合ガス、Ａｒ／Ｏ２混合ガスなどである。ボンディング・インターフェースに対する前記の更に温和的な焼鈍条件の補強効果は同様に後続の面取り研磨、薄化及び研磨技術の要求に満たすことができる。
【００３３】
図２Ｅの通りに、ステップＳ１５を参考にして、ボンディングしたエレメント基板１００に対する面取り研磨、薄化及び研磨を実施する。図２Ｅは前記の技術が実施された状態である。薄化及び研磨などのステップにおける除去量に対する制御により、図２Ｅで保留するエレメント基板１００の全部がクリーンエリア１０１から構成されることを保証できる。
【００３４】
補強されたエレメント基板１００に対する面取り処理を行い、面取り幅が後続のエレメント技術に求められる仕様に決められる。研磨されてから、縁部残余層は厚さが０〜１５０μｍであり、１００μｍに最適化する。面取り処理の行われたエレメント基板１００をＴＭＡＨ溶液で腐食して、１００μｍの縁部残余層を除去する。最適化の方法は回転腐食の方法であり、ＴＭＡＨ腐食液を噴射して腐食する過程に、基板対が回転し、回転数が１００〜１００００ｒｐｍであり、１０００ｒｐｍに最適化し、ＴＭＡＨ温度を９５℃に最適化する。片面研磨機ＤＦＧ  ８４１型で補強されたエレメント基板１００の研磨薄化を行う。先ず粗研磨により快速に薄化させ、砥石の回転数を２０００ｒｐｍ以上にする。次に、小型化研磨による損傷に対する仕上げ研磨を行い、砥石の回転数を２０００ｒｐｍ以上にする。研磨されてからエレメント基板１００は厚さが最終製品のエレメント層の目安厚さより３μｍ以上に厚くなければいけない。ここで残ったエレメント基板１００の厚さを１２μｍに薄化する。研磨されたエレメント基板１００を研磨し、２面研磨でも片面研磨でも２面＋片面研磨でもいいが、ここでは２面＋片面研磨に最適化する。先ず２面研磨機Ｐｅｔｅｒ  Ｗｏｌｔｅｒｓ  ＡＣ２０００型で２面研磨を行う。研磨は全過程が２つのステップである。それらは粗研磨、仕上げ研磨を順に行い、研磨総除去量が４μｍである。次に、片面研磨機ＩＰＥＣ  ３７２型で片面研磨により正確にウエハーの厚さを制御する。研磨は全過程が同様に粗研磨及び仕上げ研磨を含み、研磨除去量が２μｍを超えない。研磨されたエレメント基板１００は全てクリーンエリア１０１から構成するものである。
【００３５】
ステップＳ１６を参考にして、ボンディングしたインターフェースに対する補充的焼鈍補強を行う。ステップＳ１４で温和的な焼鈍補強技術を利用する場合、本ステップを行う必要があって、支持基板１９０と絶縁層１１０との間のボンディング強さを向上し、インターフェースに共有結合を形成させる。本ステップは焼鈍温度が９００〜１４００℃、最適化の焼鈍温度が１１５０℃、焼鈍時間が０．５〜１０時間であり、４時間に最適化し、昇温速度が０．５−２０℃／分であり、最適化の昇温速度が３℃／分、焼鈍の雰囲気を乾燥酸素又はウェット酸素に最適化する。単結晶ケイ素材料から構成するエレメント基板１００にとって、この酸化の過程に、エレメント基板１００の表面に更に酸化層を形成し、酸化層の厚さに対する制御により更に消耗するエレメント基板１００の厚さを制御し、エレメント層の厚さに対する正確な制御の目的に達する。焼鈍の後に、ＨＦ溶液で酸化層を除去し、最終の絶縁層付き基板を取得する。そのエレメント層はエレメント基板１００のクリーンエリア１０１から構成するものである。
【００３６】
前記の技術方案の長所はボンディングまで不純物のゲッタリングプロセスでエレメント基板１００に対する処理を行い、表面にクリーンエリア１０１を形成させる後に、当該クリーンエリア１０１が他の支持基板１９０に移し、高結晶体の品質のあるボンディング材料を得るということにある。更にエレメント基板１００内の酸素析出物の熱安定性を考慮して、製造技術で２ステップの焼鈍技術を選択して実施できる。即ち、ステップ１で低温焼鈍を行い、そのボンディング強さが研磨の需要に満たすことができるようにして、ステップ２でそのボンディング強さの補強を行い、インターフェースに共有結合を形成させる。
【００３７】
更に、エレメント基板１００の熱処理技術において熱処理ステップ１、２だけを利用し、ステップ３の高温熱処理ステップと後続の補強ボンディング・インターフェースのステップを１つのステップに整合して、技術上の複雑さを低くし、技術上のコストを削減し、技術効率を向上したものである。
【００３８】
上記の通りに、代表的な実施例により本発明を説明したが、本発明が実施例に限定されるものではない。本発明が属する技術分野で通常の知識のある者が本発明の実質及び領域を外れることなく、様々な変更や修飾をしてもいい。よって、本発明は保護範囲が請求項に記載の範囲に準ずる。
【図１】
0005752264.tif 000002
【図２Ａ】
0005752264.tif 000003
【図２Ｂ】
0005752264.tif 000004
【図２Ｃ】
0005752264.tif 000005
【図２Ｄ】
0005752264.tif 000006
【図２Ｅ】
0005752264.tif 000007