(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
長さ方向及び幅方向に沿って延びる第１及び第２の主面と、前記長さ方向及び厚み方向に沿って延びる第１及び第２の側面と、前記幅方向及び前記厚み方向に沿って延びる第１及び第２の端面とを有する直方体状のセラミック素体と、
前記セラミック素体内に前記長さ方向及び前記幅方向に沿って延び、前記第１の端面に引き出された矩形状の第１の内部電極と、
前記セラミック素体内に前記第１の内部電極と前記厚み方向に対向するように設けられており、前記第２の端面に引き出された矩形状の第２の内部電極と、
前記第１の内部電極に電気的に接続されており、前記第１の端面の上に配された第１の部分と、前記主面の上に配された第２の部分と、前記側面の上に配された第３の部分とを有し、少なくとも表層にＡｇが含まれる第１の外部電極と、
前記第２の内部電極に電気的に接続されており、前記第２の端面の上に配された第４の部分と、前記主面の上に配された第５の部分と、前記側面の上に配された第６の部分とを有し、少なくとも表層にＡｇが含まれる第２の外部電極と、
を備え、
前記第１の外部電極の前記第２の部分及び第３の部分は前記セラミック素体に接触しており、
前記第２の外部電極の前記第５の部分及び第６の部分は前記セラミック素体に接触しており、
１００Ｖ以下の定格電圧を前記第１の外部電極と前記第２の外部電極との間に印加したときに、前記第１の内部電極と前記第６の部分の前記第１の端面側の端部との間を最短距離ＦＳで結ぶ部分に発生する電界の強度が０．３４ｋＶ／ｍｍ以下である、セラミックコンデンサ。
【請求項２】
前記第１の内部電極の前記幅方向における端部と前記第２の側面との最短距離ＦＷと、
前記第１の内部電極の前記第２の端面側の端部と前記第２の端面との最短距離ＦＬと、
前記第６の部分の前記第１の端面側の端部と前記第２の端面との長さ方向における最短距離ＦＥとが、下記の関係：
ＦＷ≧５０μｍ
ＦＬ≧√（（Ｖ／（０．３４×２））２−ＦＷ２）＋ＦＥ
［式中、Ｖは、セラミックコンデンサに印加する電圧である。］
を満たす、請求項１に記載のセラミックコンデンサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、セラミックコンデンサに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、電子機器には、セラミックコンデンサが使用されている。一般に、セラミックコンデンサは、半田などを用いて基板上に実装される。
【０００３】
近年、環境負荷の大きい鉛を含まない半田（以下、「Ｐｂフリー半田」という）が用いられるようになってきている。しかしながら、Ｐｂフリー半田の融点は低いため、セラミックコンデンサが車載用などである場合には、Ｐｂフリー半田を用いることは困難である。
【０００４】
そこで、Ｐｂフリー半田の代わりに、導電性接着剤を用いることが考えられる。セラミックコンデンサの実装に用いられる導電性接着剤では、一般に、エポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂にＡｇなどからなる金属フィラーが添加されている（例えば、特許文献１を参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】国際公開第２００９／００１８４２号パンフレット
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
セラミックコンデンサを基板上に実装する際、セラミックコンデンサのセラミック素体表面に導電性接着剤が付着することがある。このような場合、セラミックコンデンサが基板上に実装されたときに最も基板側に位置する内部電極と、セラミック素体に付着した導電性接着剤との間で発生する電界によって、導電性接着剤中に含まれるＡｇがセラミック素体中に移動し、内部電極の端部にまで達するマイグレーションが生じ、絶縁抵抗が低下することがある。
【０００７】
また、導電性接着剤を用いる場合、セラミックコンデンサの外部電極の最外層が、Ａｇを含むことが好ましい。セラミックコンデンサに高い電圧が印加されると、外部電極に含まれるＡｇがセラミックコンデンサの表面を伝って一方側の電極から他方側の電極に移動し、マイグレーションが生じることがある。
【０００８】
これらのＡｇのマイグレーションを抑制するために、例えば、セラミック素体において最外部に位置する内部電極の外側に、ダミー電極を配置して、主面が実装基板側を向くように外部電極の端部に印加される電界を小さくすることが考えられる。しかしながら、例えばセラミックコンデンサが角柱型などである場合には、セラミックコンデンサの主面が実装基板側を向くように実装されるものと、側面が実装基板側を向くように実装されるものとが混在することがある。主面が実装基板側を向くように実装されたセラミックコンデンサにおいては、ダミー電極により外部電極の端部に印加される電界の強度が低減されるものの、側面が実装基板側を向くように実装されたセラミックコンデンサにおいては、ダミー電極が設けられていたとしても、外部電極の端部に印加される電界の強度が低減されにくい。
【０００９】
これに鑑み、特許文献１では、内部電極の先端部を小さくすることで、内部電極と導電
性接着剤との間に発生する電界を小さくすることが提案されている。
【００１０】
しかしながら、内部電極の先端部を小さくしようとすると、内部電極を形成するための導電性ペースト層を印刷により形成する際に、ニジミやカスレなどが生じ、内部電極の形状がばらつきやすい。よって、製造されるセラミックコンデンサの容量ばらつきが大きいという問題がある。
【００１１】
本発明は、小さな容量ばらつきで製造可能なセラミックコンデンサを提供することを主な目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明のセラミックコンデンサは、セラミック素体と、第１の内部電極と、第２の内部電極と、第１の外部電極と、第２の外部電極とを備える。セラミック素体は、第１及び第２の主面と、第１及び第２の側面と、第１及び第２の端面とを有する。第１及び第２の主面は、長さ方向及び幅方向に沿って延びている。第１及び第２の側面は、長さ方向及び厚み方向に沿って延びている。第１及び第２の端面は、幅方向及び厚み方向に沿って延びている。セラミック素体は、直方体状である。第１の内部電極は、セラミック素体内に長さ方向及び幅方向に沿って延びている。第１の内部電極は、第１の端面に引き出されている。第１の内部電極は、矩形状である。第２の内部電極は、セラミック素体内に第１の内部電極と厚み方向に対向するように設けられている。第２の内部電極は、第２の端面に引き出されている。第２の内部電極は、矩形状である。第１の外部電極は、第１の端面の上に配された第１の部分と、主面の上に配された第２の部分と、側面の上に配された第３の部分とを有する。第１の外部電極は、第１の内部電極に電気的に接続されている。第１の外部電極の少なくとも表層にＡｇが含まれている。第２の外部電極は、第２の端面の上に配された第４の部分と、主面の上に配された第５の部分と、側面の上に配された第６の部分とを有する。第２の外部電極は、第２の内部電極に電気的に接続されている。第２の外部電極の少なくとも表層にＡｇが含まれている。第１の外部電極の第２の部分及び第３の部分はセラミック素体に接触している。第２の外部電極の第５の部分及び第６の部分はセラミック素体に接触している。セラミックコンデンサにおいて、定格電圧の２倍の電圧を第１の外部電極と第２の外部電極との間に印加したときに、第１の内部電極と第６の部分の第１の端面側の端部との間を最短距離ＦＳで結ぶ部分に発生する電界の強度が０．３４ｋＶ／ｍｍ以下となる。
【００１３】
本発明のセラミックコンデンサのある特定の局面では、第１の内部電極の幅方向における端部と第２の側面との最短距離ＦＷと、第１の内部電極の第２の端面側の端部と第２の端面との最短距離ＦＬと、第６の部分の第１の端面側の端部と第２の端面との長さ方向における最短距離ＦＥとは、下記の関係を満たす。ＦＷ≧５０μｍ、ＦＬ≧√（（Ｖ／（０．３４×２））２−ＦＷ２）＋ＦＥ。式中、Ｖは、セラミックコンデンサに印加する電圧である。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、小さな容量ばらつきで製造可能なセラミックコンデンサを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の一実施形態に係るセラミックコンデンサの略図的斜視図である。
【図２】図１の線ＩＩ−ＩＩにおけるセラミックコンデンサの略図的断面図である。
【図３】図２の線ＩＩＩ−ＩＩＩにおけるセラミックコンデンサの略図的断面図である。
【図４】本発明の一実施形態に係るセラミックコンデンサを、第２の主面が実装基板側に向くように、実装基板上に実装した例を示す略図的断面図である。
【図５】本発明の一実施形態に係るセラミックコンデンサを、第２の側面が実装基板側に向くように、実装基板上に実装した例を示す略図的断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明を実施した好ましい形態の一例について説明する。但し、下記の実施形態は、単なる例示である。本発明は、下記の実施形態に何ら限定されない。
【００１７】
また、実施形態などにおいて参照する各図面において、実質的に同一の機能を有する部材は同一の符号で参照することとする。また、実施形態等において参照する図面は、模式的に記載されたものであり、図面に描画された物体の寸法の比率などは、現実の物体の寸法の比率などとは異なる場合がある。図面相互間においても、物体の寸法比率などが異なる場合がある。具体的な物体の寸法比率などは、以下の説明を参酌して判断されるべきである。
【００１８】
図１は、本実施形態に係るセラミックコンデンサの略図的斜視図である。図２は、図１の線ＩＩ−ＩＩにおけるセラミックコンデンサの略図的断面図である。図３は、図２の線ＩＩＩ−ＩＩＩにおけるセラミックコンデンサの略図的断面図である。まず、図１〜図３を参照しながら、セラミックコンデンサ１の構成について説明する。
【００１９】
図１〜図３に示すように、セラミックコンデンサ１は、セラミック素体１０と、第１の内部電極１１と、第２の内部電極１２と、第１の外部電極１３と、第２の外部電極１４とを備えている。
【００２０】
セラミック素体１０は、セラミックコンデンサ１の機能に応じた適宜のセラミック材料からなる。具体的には、セラミック素体１０は、誘電体セラミック材料により構成することができる。誘電体セラミック材料の具体例としては、例えば、ＢａＴｉＯ３、ＣａＴｉＯ３、ＳｒＴｉＯ３、ＣａＺｒＯ３などが挙げられる。なお、セラミック素体１０が誘電体セラミック材料を含む場合、セラミック素体１０には、所望するセラミックコンデンサ１の特性に応じて、上記セラミック材料を主成分として、例えば、Ｍｎ化合物、Ｍｇ化合物、Ｓｉ化合物、Ｆｅ化合物、Ｃｒ化合物、Ｃｏ化合物、Ｎｉ化合物、希土類化合物などの副成分が含まれていてもよい。
【００２１】
セラミック素体１０の形状は、直方体状である。セラミック素体１０は、長さ方向Ｌ及び幅方向Ｗに沿って延びる第１及び第２の主面１０ａ，１０ｂを有する。セラミック素体１０は、長さ方向Ｌ及び厚み方向Ｔに沿って延びる第１及び第２の側面１０ｃ，１０ｄを有する。セラミック素体１０は、幅方向Ｗ及び厚み方向Ｔに沿って延びる第１及び第２の端面１０ｅ，１０ｆを備えている。
【００２２】
なお、本明細書において、「直方体状」には、角部や稜線部が丸められた直方体が含まれるものとする。すなわち、「直方体状」の部材とは、第１及び第２の主面、第１及び第２の側面並びに第１及び第２の端面とを有する部材全般を意味する。また、主面、側面、端面の一部または全部に凹凸などが形成されていてもよい。
【００２３】
セラミック素体１０の寸法は、特に限定されない。セラミック素体１０の厚み寸法をＤＴ、長さ寸法をＤＬ、幅寸法をＤＷとしたときに、例えば、０．３８ｍｍ≦ＤＴ、０．１８ｍｍ≦ＤＬ、０．１８ｍｍ≦ＤＷであってもよい。また、セラミック素体１０の厚み寸法をＤＴと幅寸法ＤＷとが同じ寸法であってもよい。
【００２４】
図２及び図３に示すように、セラミック素体１０の内部には、矩形状の複数の第１及び第２の内部電極１１，１２が厚み方向Ｔに沿って交互に配置されている。第１の内部電極１１は、セラミック素体１０内に長さ方向Ｌ及び幅方向Ｗに沿って延びている。第１の内部電極１１は、第１の端面１０ｅに引き出されている。第２の内部電極１２は、セラミッ
ク素体１０内に第１の内部電極１１と厚み方向Ｔに対向するように設けられている。第２の内部電極１２は、セラミック素体１０内に長さ方向Ｌ及び幅方向Ｗに沿って延びている。第２の内部電極１２は、第２の端面１０ｆに引き出されている。第１及び第２の内部電極１１，１２のそれぞれは、第１及び第２の主面１０ａ、１０ｂと平行である。
【００２５】
第１及び第２の内部電極１１，１２は、厚み方向Ｔにおいて、セラミック層１０ｇを介して、互いに対向している。セラミック層１０ｇの厚みは、特に限定されない。セラミック層１０ｇの厚みは、例えば、０．５μｍ〜１０μｍとすることができる。第１及び第２の内部電極１１，１２のそれぞれの厚みも、特に限定されない。第１及び第２の内部電極１１，１２のそれぞれの厚みは、例えば、０．３μｍ〜２．０μｍとすることができる。
【００２６】
第１及び第２の内部電極１１，１２は、適宜の導電材料により構成することができる。第１及び第２の内部電極１１，１２は、例えば、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｕなどの金属や、これらの金属の一種を含む例えばＡｇ−Ｐｄ合金などの合金により構成することができる。
【００２７】
第１の外部電極１３は、第１の端面１０ｅの上に配された第１の部分１３ｃと、第１及び第２の主面１０ａ，１０ｂの上に配された第２の部分１３ａ，１３ｂと、第１及び第２の側面１０ｃ，１０ｄの上に配された第３の部分１３ｄ，１３ｅとを有する。第１の外部電極１３は、第１の内部電極１１に電気的に接続されている。なお、第１の外部電極１３は、第２の部分１３ａ，１３ｂを実質的に有していなくてもよい。
【００２８】
第２の外部電極１４は、第２の端面１０ｆの上に配された第４の部分１４ｃと、第１及び第２の主面１０ａ，１０ｂの上に配された第５の部分１４ａ，１４ｂと、第１及び第２の側面１０ｃ，１０ｄの上に配された第６の部分１４ｄ，１４ｅとを有する。第２の外部電極１４は、第２の内部電極１２に電気的に接続されている。なお、第２の外部電極１４は、第５の部分１４ａ，１４ｂを実質的に有していなくてもよい。
【００２９】
第１及び第２の外部電極の少なくとも表層には、Ａｇが含まれている。
【００３０】
第１及び第２の外部電極１３，１４は、それぞれ１層から構成されていてもよいし、複数層から構成されていてもよい。セラミックコンデンサ１においては、第１及び第２の外部電極１３，１４は、それぞれ、第１の金属層１５ａ，１５ｃと第２の金属層１５ｂ，１５ｄとにより構成されている。
【００３１】
第１及び第２の金属層１５ａ，１５ｃ，１５ｂ，１５ｄは、それぞれ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｐｄ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｂｉ及びＺｎからなる群から選ばれる少なくとも１種の金属、またはこれら金属のうち少なくとも１種の金属を含む合金により構成されていることが好ましい。ただし、第２の金属層１５ｂ，１５ｄは、Ａｇを含む。第１の金属層１５ａ，１５ｃは、それぞれ、Ｃｕ，Ｎｉなどにより構成されていることがより好ましい。第２の金属層１５ｂ，１５ｄは、それぞれ、Ａｇ，Ａｇ−Ｐｄ合金，Ａｇ−Ｃｕ合金などにより構成されていることがより好ましい。第１及び第２の金属層１５ａ，１５ｃ，１５ｂ，１５ｄは、それぞれ、導電性ペーストを焼き付けることにより形成されるものであってもよいし、めっき膜であってもよい。
【００３２】
セラミック素体１０内において、最も第１及び第２の主面１０ａ，１０ｂ側に位置する第１及び第２の内部電極１１，１２よりも、さらに第１及び第２の主面１０ａ，１０ｂ側には、矩形状のダミー電極１６がそれぞれ配されている。本発明において、「ダミー電極」とは、セラミックコンデンサの容量形成に実質的に寄与していない電極をいう。ダミー電極１６は、第１及び第２の主面１０ａ，１０ｂと平行に設けられている。ダミー電極１６は、第１及び第２の内部電極１１，１２と同じ金属材料により構成することができる。ダミー電極１６は、最も第２の主面１０ｂ側に位置する第１の内部電極１１と第２の外部電極１４の第５の部分１４ｂの第１の端面１０ｅ側の端部１４ｂａとの間、及び最も第１の主面１０ａ側に位置する第１の内部電極１１と第２の外部電極１４の第５の部分１４ａの第１の端面１０ｅ側の端部１４ａａとの間に配されていることが好ましい。ダミー電極１６は、最も第２の主面１０ｂ側に位置する第２の内部電極１２と第１の外部電極１３の第２の部分１３ｂの第２の端面１０ｆ側の端部１３ｂａとの間、及び最も第１の主面１０ａ側に位置する第２の内部電極１２と第１の外部電極１３の第２の部分１３ａの第２の端面１０ｆ側の端部１３ａａとの間に配されていることが好ましい。
【００３３】
セラミックコンデンサ１は、図４及び図５に示されるように、実装基板４０の上に配されたランド３０の上に、導電性接着剤層２０を介して実装される。具体的には、セラミックコンデンサ１は、第１及び第２の主面１０ａ，１０ｂのいずれかが実装基板４０側になるように実装されるか、第１及び第２の側面１０ｃ，１０ｄのいずれかが実装基板４０側になるように実装される。セラミックコンデンサ１の第１及び第２の外部電極１３，１４が導電性接着剤層２０によって固定される。導電性接着剤は、Ａｇなどの導電性フィラー、エポキシ樹脂やフェノール樹脂などの熱硬化性樹脂を含む。
【００３４】
上述の通り、セラミックコンデンサが基板上に実装されたときに最も基板側に位置する内部電極と、セラミック素体に付着した導電性接着剤との間で発生する電界によって、導電性接着剤中に含まれるＡｇがセラミック素体中に移動し、内部電極の端部にまで達するマイグレーションが生じ、絶縁抵抗が低下することがある。また、セラミックコンデンサの外部電極の最外層に含まれるＡｇが、セラミックコンデンサの表面を伝って一方側の電極から他方側の電極に移動してしまうことがある。
【００３５】
これに対して、セラミックコンデンサ１においては、後述の実施例で示されているように、定格電圧の２倍の電圧を第１の外部電極１３と第２の外部電極１４との間に印加したときに、第１の内部電極１１と第２の外部電極１４の第６の部分１４ｅの第１の端面１０ｅ側の端部１４ｅａとの間を最短距離ＦＳで結ぶ部分に発生する電界の強度が０．３４ｋＶ／ｍｍ以下である。このため、セラミックコンデンサ１の第２の側面１０ｄが実装基板４０側になるように実装された場合にも、Ａｇのマイグレーションが起こりにくい。同様に、セラミックコンデンサ１の第１の側面１０ｃが実装基板４０側になるように実装された場合にも、Ａｇのマイグレーションが起こりにくい。
【００３６】
さらに、後述の実施例において示されているように、セラミックコンデンサ１において、第１の内部電極１１の幅方向Ｗにおける端部とセラミック素体１０の第２の側面１０ｄとの最短距離ＦＷ、第１の内部電極１１の第２の端面１０ｆ側の端部と第２の端面１０ｆとの最短距離ＦＬと、第２の外部電極１４の第６の部分１４ｅの第１の端面１０ｅ側の端部１４ｅａと第２の端面１０ｆとの長さ方向Ｌにおける最短距離ＦＥとが、下記の関係を満たす場合、Ａｇのマイグレーションが起こりにくい。
【００３７】
ＦＷ≧５０μｍ
ＦＬ≧√（（Ｖ／（０．３４×２））２−ＦＷ２）＋ＦＥ
【００３８】
［式中、Ｖは、セラミックコンデンサに印加する電圧である。］
【００３９】
なお、セラミックコンデンサ１では、セラミック素体１０内の複数の第１及び第２の内部電極１１，１２のうち、最も第１及び第２の主面１０ａ，１０ｂ側に位置する第１及び第２の内部電極１１，１２よりも、さらに第１及び第２の主面１０ａ，１０ｂ側には、矩形状のダミー電極１６がそれぞれ配されている。このため、例えば、図４に示されるよう
に、セラミックコンデンサ１の第２の主面１０ｂが実装基板４０側になるように実装される場合には、ダミー電極１６が第１及び第２の内部電極１１，１２と導電性接着剤層２０との間に生じる電界を小さくするため、Ａｇのマイグレーションを抑制することができる。同様に、第１の主面１０ａが実装基板４０側になるように実装される場合についても、Ａｇのマイグレーションを抑制することができる。
【００４０】
次に、本実施形態のセラミック電子部品１の製造方法の一例について説明する。
【００４１】
まず、セラミック素体１０を構成するためのセラミック材料を含むセラミックグリーンシートを用意する。次に、そのセラミックグリーンシートの上に、導電性ペーストを塗布することにより、導電パターンを形成する。なお、導電性ペーストの塗布は、例えば、スクリーン印刷法などの各種印刷法により行うことができる。導電性ペーストは、導電性微粒子の他に、公知のバインダーや溶剤を含んでいてもよい。
【００４２】
次に、導電パターンが形成されていない複数枚のセラミックグリーンシート、第１または第２の内部電極１１，１２及びダミー電極１６に対応した形状の導電パターンが形成されているセラミックグリーンシート、及び導電パターンが形成されていない複数枚のセラミックグリーンシートをこの順番で積層し、積層方向にプレスすることにより、マザー積層体を作製する。
【００４３】
次に、マザー積層体の上に、仮想のカットラインに沿ってマザー積層体をカッティングすることにより、マザー積層体から複数の生のセラミック積層体を作製する。
【００４４】
なお、マザー積層体のカッティングは、ダイシングや押切により行うことができる。生のセラミック積層体に対してバレル研磨などを施し、稜線部や角部を丸めてもよい。
【００４５】
次に、生のセラミック積層体の焼成を行う。この焼成工程において、第１及び第２の内部電極１１，１２及びダミー電極１６が焼成される。焼成温度は、使用するセラミック材料や導電性ペーストの種類により適宜設定することができる。焼成温度は、例えば、９００℃〜１３００℃とすることができる。
【００４６】
次に、ディッピングなどの方法により、焼成後のセラミック積層体の上に導電性ペーストを塗布し、焼き付けることにより第１及び第２の外部電極１３，１４を形成する。焼き付け温度は、例えば、７００℃〜９００℃とすることが好ましい。以上のようにして、セラミック電子部品１を製造することができる。
【００４７】
以下、本発明について、具体的な実施例に基づいて、さらに詳細に説明する。本発明は、以下の実施例に何ら限定されず、その要旨を変更しない範囲において適宜変更して実施することが可能である。
【００４８】
（実施例）
内部電極の長さ方向及び幅方向の大きさを変化させて、内部電極の端部とセラミック素体の側面との最短距離ＦＷ、内部電極の端部とセラミック素体の端面との最短距離ＦＬ、及び第１の内部電極と第２の外部電極の第６の部分の第１の端面側の端部との間の最短距離ＦＳを表１及び表２のようにしたサンプルを作製した。各サンプルの具体的な製造条件を以下に示す。なお、セラミックコンデンサの寸法は２種類を作製した。
【００４９】
セラミックコンデンサの寸法：２．０ｍｍ×１．２５ｍｍ×１．２５ｍｍ
セラミック材料：ＢａＴｉＯ３
セラミック層の厚み：焼成後７μｍ
内部電極の材料：Ｎｉ
内部電極の厚み：焼成後０．８μｍ
内部電極の合計枚数：１３８枚
焼成条件：１２４０℃
セラミックコンデンサの容量：０．４７μＦ
セラミックコンデンサの定格電圧：１００Ｖ
外部電極の構成：第１の金属層：Ｃｕ、第２の金属層：Ａｇ-Ｐｄ
【００５０】
セラミックコンデンサの寸法：３．２ｍｍ×１．６ｍｍ×１．６ｍｍ
セラミック材料：ＢａＴｉＯ３
セラミック層の厚み：焼成後７μｍ
内部電極の材料：Ｎｉ
内部電極の厚み：焼成後０．８μｍ
内部電極の合計枚数：１８６枚
焼成条件：１２４０℃
セラミックコンデンサの容量：１μＦ
セラミックコンデンサの定格電圧：１００Ｖ
外部電極の構成：第１の金属層：Ｃｕ、第２の金属層：Ａｇ-Ｐｄ
【００５１】
（Ａｇのマイグレーションの評価）
次に、上記の条件で得られた各サンプルを、Ａｇフィラーとエポキシ樹脂を含む導電性接着剤を用いて、ランドを介してガラスエポキシ基板上に実装した。基板に実装された各サンプルの初期の絶縁抵抗を４ｃｈ高抵抗計（アジレント・テクノロジー社製の４３４９Ｂ）を用いて測定した。次に、１５０℃下、２５Ｖ〜２００Ｖ、２０００時間の条件で高温負荷試験を行い、絶縁抵抗を初期の絶縁抵抗と同様にして測定した。高温負荷試験後の絶縁抵抗が、初期の絶縁抵抗よりも低くなっているサンプルを、Ａｇマイグレーションが生じていると判断した。サンプル８０個ずつについての評価結果を表１及び表２に示す。なお、各サンプルについて、最短距離ＦＳで結ぶ部分に発生する電界強度は、次のようにして測定した。
【００５２】
まず、セラミックコンデンサの長さ方向Ｌと幅方向Ｗに沿って延びる第１の主面から、第１，第２の内部電極に対して平行にセラミックコンデンサを研磨していき、第１，第２の内部電極の出始めにおける第１，第２の外部電極の第２の部分の第２の端面側の端部から、第１，第２の内部電極の角部までの距離を上下２箇所それぞれ測定する。次に、セラミックコンデンサの長さ方向Ｌと幅方向Ｗに沿って延びる第２の主面から、第１，第２の内部電極に平行にセラミックコンデンサを研磨していき、第１，第２の内部電極の出始めにおける第１，第２の外部電極の第２の部分の第２の端面側の端部から、第１，第２の内部電極の角部までの距離を上下２箇所それぞれ測定する。そして、それぞれ求めた４箇所の値の中で一番小さな値を代表の最短距離ＦＳと定義する。この最短距離ＦＳの値を「電界強度＝印加電圧／２／最短距離ＦＳ」の式に当てはめて、各サンプルについて、最短距離ＦＳで結ぶ部分に発生する電界強度を測定した。
【００５３】
また、サンプル１０００個ずつについて、外部電極の剥がれなどの構造的な欠陥の有無を目視で確認した。結果を表１及び表２に示す。
【００５４】
表１及び表２から明らかなように、第１の外部電極と第２の外部電極との間に電圧を印加したときに、最短距離ＦＳで結ぶ部分に発生する電界強度が０．３４ｋＶ／ｍｍ以下である場合に、Ａｇのマイグレーションと構造的欠陥が抑制されていることがわかる。この抑制効果は、定格電圧（１００Ｖ）の２倍の電圧（２００Ｖ）という大きな電圧を印加した場合にも奏されている。
【００５５】
また、この結果から、各サンプルにおいて、Ａｇのマイグレーションと構造的欠陥が抑制されるためには、電界強度≧印加電圧（Ｖ）／（√（（ＦＬ−ＦＥ）２＋ＦＷ２）×２）の関係を満たせばよいことがわかる。すなわち、ＦＬ≧√（（Ｖ／（０．３４×２））２−ＦＷ２）＋ＦＥとなる場合に、セラミックコンデンサのＡｇのマイグレーションと構造的欠陥が抑制されることが分かる。なお、ＦＷが５０μｍ未満である場合には、セラミック素体内の密着性が低下しやすいため、ＦＷ≧５０μｍの条件を満たすことが好ましい。
【００５６】
さらに、表１及び表２に示す結果から、最短距離ＦＳで結ぶ部分に発生する電界強度が０．３４ｋＶ／ｍｍ以下となる最短距離ＦＳと印加電圧（Ｖ）との関係は、表３のようになることが分かる。
【００５７】
【表１】
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【００５８】
【表２】
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【００５９】
【表３】
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【符号の説明】
【００６０】
１…セラミックコンデンサ
１０…セラミック素体
１０ａ…セラミック素体の第１の主面
１０ｂ…セラミック素体の第２の主面
１０ｃ…セラミック素体の第１の側面
１０ｄ…セラミック素体の第２の側面
１０ｅ…セラミック素体の第１の端面
１０ｆ…セラミック素体の第２の端面
１０ｇ…セラミック層
１１…第１の内部電極
１２…第２の内部電極
１３…第１の外部電極
１３ａ，１３ｂ…第１の外部電極の第２の部分
１３ａａ，１３ｂａ…第１の外部電極の第２の部分の第２の端面側の端部
１３ｃ…第１の外部電極の第１の部分
１３ｄ，１３ｅ…第１の外部電極の第３の部分
１４…第２の外部電極
１４ａ，１４ｂ…第２の外部電極の第５の部分
１４ａａ，１４ｂａ…第２の外部電極の第５の部分の第１の端面側の端部
１４ｃ…第２の外部電極の第４の部分
１４ｄ，１４ｅ…第２の外部電極の第６の部分
１４ｅａ…第２の外部電極の第６の部分の第１の端面側の端部
１５ａ，１５ｃ，…第１の金属層
１５ｂ，１５ｄ…第２の金属層
１６…ダミー電極
３０…ランド
４０…実装基板
ＦＷ…第１の内部電極の幅方向における端部とセラミック素体の第１の側面との最短距離ＦＬ…第１の内部電極の第２の端面側の端部と第２の端面との最短距離
ＦＥ…第２の外部電極の第６の部分の第１の端面側の端部と第２の端面との長さ方向における最短距離
ＦＳ…第１の内部電極と第２の外部電極の第６の部分の第１の端面側の端部との間の最短距離
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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