(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属基板と、
前記金属基板の上に接合された半導体素子と、
前記半導体素子の上面に接合材により接合された上部電極と、
を備えた半導体装置であって、
前記上部電極は、前記半導体素子の上面に沿って延び前記半導体素子の上面と接合される部位と、外部接続用の立設部とを有するとともに、前記上部電極を前記半導体素子の上に位置決め配置するための治具を受ける治具受部を具備してなり、
前記治具受部は、前記立設部、又は前記半導体素子の上面と接合される部位と前記立設部との間に設けられた腰掛部に形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記上部電極における前記治具受部は、前記立設部の側面に設けられ、治具の係合部が係合する段差部であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記上部電極における前記治具受部は、前記立設部に設けられ、治具の突起部が挿入される貫通孔であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記上部電極における前記半導体素子の上面と接合される部位は、貫通孔を有することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項５】
金属基板の上に接合された半導体素子の上に、外部接続用の立設部を有する上部電極における治具を受ける治具受部を治具で受けて前記上部電極における前記半導体素子の上面に沿って延び前記半導体素子の上面と接合される部位と前記半導体素子の上面とを空隙を介して対向配置させる第１の工程と、
前記上部電極における前記半導体素子の上面と接合される部位と前記半導体素子の上面との空隙に接合材を注入して前記半導体素子と前記上部電極とを接合する第２の工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記第２の工程において、前記上部電極における前記半導体素子の上面と接合される部位に形成した貫通孔を通して前記接合材を注入するようにしたことを特徴とする請求項５に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
金属基板の上に接合された半導体素子の上面に接合材を配置する第１の工程と、
外部接続用の立設部を有する上部電極における治具を受ける治具受部を治具で受けて前記上部電極における前記半導体素子の上面に沿って延び前記半導体素子の上面と接合される部位と前記半導体素子の上面とを前記接合材を介して対向配置させて前記半導体素子と前記上部電極とを接合する第２の工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記第２の工程において、前記上部電極における前記半導体素子の上面と接合される部位には貫通孔が形成され、当該部位と前記半導体素子の上面とを前記接合材を介して対向配置させて前記半導体素子と前記上部電極とを接合するようにしたことを特徴とする請求項７に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置およびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１に開示の電力半導体装置においては、炭化シリコンを基体として用いる電力半導体素子が搭載されたユニットと、ユニットのパッケージ部より熱伝導率が低い材質からなり、ユニットを被う外側パッケージを備え、ユニットと外部機器とを接続する電極は、ユニットから外部機器へ伝達される熱を外部へ放熱する拡張部分を有する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特許第４２６２４５３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、半導体装置を製造する際に、半導体素子の上面に接合する上部電極を安定して配置する手段がなく、半導体素子の上に離間して上部電極を配置してその間に接合材を配する必要がある。
【０００５】
この発明の目的は、半導体素子の上面に上部電極を安定して接合することができる半導体装置およびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
請求項１に記載の発明では、金属基板と、前記金属基板の上に接合された半導体素子と、前記半導体素子の上面に接合材により接合された上部電極と、を備えた半導体装置であって、前記上部電極は、前記半導体素子の上面に沿って延び前記半導体素子の上面と接合される部位と、外部接続用の立設部とを有するとともに、前記上部電極を前記半導体素子の上に位置決め配置するための治具を受ける治具受部を具備してなり、前記治具受部は、前記立設部、又は前記半導体素子の上面と接合される部位と前記立設部との間に設けられた腰掛部に形成されていることを要旨とする。
【０００７】
請求項１に記載の発明によれば、上部電極は、半導体素子の上面に沿って延び半導体素子の上面と接合される部位と、外部接続用の立設部とを有するとともに、治具を受ける治具受部を具備しており、上部電極での治具受部を用いて治具を受けることができる。これにより、半導体素子の上面と上部電極との間に接合材を容易に配置することができる。その結果、半導体素子の上面に上部電極を安定して接合することができる。
【０００８】
請求項１に記載の半導体装置において、請求項２に記載のように、前記上部電極における前記治具受部は、前記立設部の側面に設けられ、治具の係合部が係合する段差部であっても、請求項３に記載のように、前記上部電極における前記治具受部は、前記立設部に設けられ、治具の突起部が挿入される貫通孔であってもよい。
【０００９】
請求項４に記載の発明では、請求項１に記載の半導体装置において、前記上部電極における前記半導体素子の上面と接合される部位は、貫通孔を有することを要旨とする。
請求項４に記載の発明によれば、上部電極における半導体素子の上面と接合される部位は、貫通孔を有するので、上部電極を安定して中空配置することができる。また、貫通孔を通して接合材を滴下することが可能となるので、所定量の接合材を上部電極と半導体素子との間に供給でき、半導体素子と上部電極との接合信頼性を向上させることが可能となる。
【００１０】
請求項５に記載の発明では、金属基板の上に接合された半導体素子の上に、外部接続用の立設部を有する上部電極における治具を受ける治具受部を治具で受けて前記上部電極における前記半導体素子の上面に沿って延び前記半導体素子の上面と接合される部位と前記半導体素子の上面とを空隙を介して対向配置させる第１の工程と、前記上部電極における前記半導体素子の上面と接合される部位と前記半導体素子の上面との空隙に接合材を注入して前記半導体素子と前記上部電極とを接合する第２の工程と、を有することを要旨とする。
【００１１】
請求項５に記載の発明によれば、第１の工程において、金属基板の上に接合された半導体素子の上に、外部接続用の立設部を有する上部電極における治具を受ける治具受部を治具で受けて上部電極における半導体素子の上面に沿って延び半導体素子の上面と接合される部位と半導体素子の上面とが空隙を介して対向配置される。第２の工程において、上部電極における半導体素子の上面と接合される部位と半導体素子の上面との空隙に接合材が注入されて半導体素子と上部電極とが接合される。
【００１２】
これにより、請求項１に記載の半導体装置が得られる。
請求項６に記載の発明では、請求項５に記載の半導体装置の製造方法において、前記第２の工程において、前記上部電極における前記半導体素子の上面と接合される部位に形成した貫通孔を通して前記接合材を注入するようにしたことを要旨とする。
【００１３】
請求項６に記載の発明によれば、上部電極における半導体素子の上面と接合される部位に形成した貫通孔を通して接合材が注入される。よって、上部電極を安定して中空配置することができる。また、貫通孔を通して接合材を滴下することができるので、所定量の接合材を上部電極と半導体素子との間に供給でき、半導体素子と上部電極との接合信頼性を向上させることができる。
【００１４】
請求項７に記載の発明では、金属基板の上に接合された半導体素子の上面に接合材を配置する第１の工程と、外部接続用の立設部を有する上部電極における治具を受ける治具受部を治具で受けて前記上部電極における前記半導体素子の上面に沿って延び前記半導体素子の上面と接合される部位と前記半導体素子の上面とを前記接合材を介して対向配置させて前記半導体素子と前記上部電極とを接合する第２の工程と、を有することを要旨とする。
【００１５】
請求項７に記載の発明によれば、第１の工程において、金属基板の上に接合された半導体素子の上面に接合材が配置される。第２の工程において、外部接続用の立設部を有する上部電極における治具を受ける治具受部を治具で受けて上部電極における半導体素子の上面に沿って延び半導体素子の上面と接合される部位と半導体素子の上面とが接合材を介して対向配置されて半導体素子と上部電極とが接合される。
【００１６】
これにより、請求項１に記載の半導体装置が得られる。
請求項８に記載の発明では、請求項７に記載の半導体装置の製造方法において、前記第２の工程において、前記上部電極における前記半導体素子の上面と接合される部位には貫通孔が形成され、当該部位と前記半導体素子の上面とを前記接合材を介して対向配置させて前記半導体素子と前記上部電極とを接合するようにしたことを要旨とする。
【００１７】
請求項８に記載の発明によれば、第２の工程において、上部電極における半導体素子の上面と接合される部位には貫通孔が形成され、当該部位と半導体素子の上面とが接合材を介して対向配置されて半導体素子と上部電極とが接合される。これにより、上部電極における半導体素子の上面と接合される部位は、貫通孔を有するので、上部電極を安定して中空配置することができる。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、半導体素子の上面に上部電極を安定して接合することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】（ａ）は実施形態における半導体装置の平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線での縦断面図、（ｃ）は（ａ）のＢ−Ｂ線での縦断面図。
【図２】ケース内に収納した状態での半導体装置の縦断面図。
【図３】（ａ）は上部電極の平面図、（ｂ）は上部電極の正面図、（ｃ）は上部電極の右側面図。
【図４】（ａ）ははんだ付け前の半導体装置の平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線での縦断面図、（ｃ）は（ａ）のＢ−Ｂ線での縦断面図。
【図５】（ａ）はんだ付け後の半導体装置の平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線での縦断面図、（ｃ）は（ａ）のＢ−Ｂ線での縦断面図。
【図６】（ａ）は別例の上部電極の平面図、（ｂ）は上部電極の正面図、（ｃ）は上部電極の右側面図。
【図７】（ａ）は別例のはんだ付け前の半導体装置の平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線での縦断面図、（ｃ）は（ａ）のＢ−Ｂ線での縦断面図。
【図８】（ａ）は別例の上部電極の正面図、（ｂ）は別例のはんだ付け前の半導体装置の縦断面図。
【図９】（ａ）は別例の上部電極の正面図、（ｂ）は別例のはんだ付け前の半導体装置の縦断面図。
【図１０】（ａ）は別例の上部電極の正面図、（ｂ）は別例のはんだ付け前の半導体装置の縦断面図。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、本発明を具体化した一実施形態を図面に従って説明する。
なお、図面において、水平面を、直交するＸ，Ｙ方向で規定するとともに、上下方向をＺ方向で規定している。
【００２１】
図１に示すように、半導体装置１０は、半導体素子２０と上部電極３０と接合材４０と金属基板５０とを備えている。金属基板５０の上に半導体素子２０が配置されている。半導体素子２０は、上面および下面に電極部を有する。上部電極３０は半導体素子２０の電極部に対応する部位に設けられる。半導体素子２０の上面の電極部と上部電極３０が接合材４０により接合されている。また、金属基板５０と半導体素子２０の電極部が接合されている。
【００２２】
半導体装置１０は、図２に示すように、ケース６０の内部に収納される。ケース６０の内部にはポッティング材としての樹脂６１が充填される。
半導体装置１０の上部電極３０は、図３に示すように、一定幅の１枚の帯板をＬ字状に屈曲形成することにより形成されている。上部電極３０は水平部３１と立設部３２を有している。水平部３１は、半導体素子２０の上面に沿って延び、半導体素子２０の上面と接合される部位である。立設部３２は外部接続用の部位である。立設部３２は四角板状をなし、上側は左右に幅広となっており、左右に段差が形成されている。この段差が、治具を受ける治具受部３３ａ，３３ｂとなっている。即ち、治具を受ける治具受部３３ａ，３３ｂは、立設部３２の側面に設けられ、治具の係合部が係合する段差部である。
【００２３】
また、上部電極３０の水平部３１は四角形状をなし、その中央部には円形の貫通孔３１ａが形成されている。そして、この貫通孔３１ａを通して接合材としてのはんだが滴下されるようになっている。
【００２４】
図４に示すように、はんだ付け装置７０は、はんだ付けのための支持台８０と治具９０を備えている。支持台８０は上面が開口した箱型をなし、その内部にはんだ付けを行う半導体装置１０が配置される。
【００２５】
治具９０は、板部９１と、２つの係合部（フック部）９２ａ，９２ｂからなる。板部９１は長方形をなし、支持台８０の上面に立設した状態で載置される。治具９０の板部９１の一方の面には係合部９２ａ，９２ｂが突設されている。係合部９２ａ，９２ｂは棒材をＬ字状に屈曲形成して構成されており、板部９１の一面から水平方向に延び、その先端において上方に延びている。
【００２６】
この係合部９２ａ，９２ｂは上部電極３０の両側の治具受部（段差部）３３ａ，３３ｂに下から係合して、上部電極３０を両側から支えることができる。このとき、治具９０の板部９１と上部電極３０の立設部３２とが当接（面接触）している。そして、治具９０を用いて、上部電極３０の立設部３２を治具９０で下から支えて治具９０の横方向（Ｘ，Ｙ方向）の位置を決めて、上部電極３０を半導体素子２０の上に離間して配置することができる。
【００２７】
図４において支持台８０の側面形成部８１，８２が取り外し可能となっている。即ち、図５に示すはんだ付け後において、側面形成部８１，８２を取り外すことにより、治具９０を外すことができる。
【００２８】
次に、半導体装置の製造方法（組立て工程）について説明する。
まず、金属基板５０の上面に半導体素子２０を実装したものを用意する。また、図３に示した上部電極３０を用意する。
【００２９】
そして、図４に示すように、はんだ付け装置７０の支持台８０の内部に金属基板５０の上面に半導体素子２０を実装したものを配置する。また、治具９０に上部電極３０をセットした状態で治具９０を支持台８０にセットする。つまり、図３に示すように、上部電極３０に治具受部（引っかかり部）３３ａ，３３ｂが設けられており、図４に示すように、治具９０で引っ掛けて空中配置される。また、横方向（Ｘ，Ｙ方向）と縦方向（Ｚ方向）の位置が決められる。このとき、上部電極３０の水平部３１と半導体素子２０との間に空隙Ｇ１が形成される。
【００３０】
このようにして、金属基板５０の上に接合された半導体素子２０の上に、上部電極３０の治具受部３３ａ，３３ｂを治具９０で受けて上部電極３０の水平部３１と半導体素子２０の上面とを空隙Ｇ１を介して対向配置させる。
【００３１】
そして、離間している部分（空隙Ｇ１）に図５に示すように、接合材（はんだ）４０を充填・凝固する。つまり、上部電極３０の水平部３１と半導体素子２０の上面との空隙Ｇ１に接合材４０を注入して半導体素子２０と上部電極３０とを接合する。
【００３２】
その後、治具９０を取り外す。これにより、図１に示した半導体装置１０が得られる。
このようにして、半導体素子２０の上に配置する上部電極３０の横方向と縦方向の位置を決められるように上部電極３０に段差部分（出っ張り）が設けられており、その部分を利用して上部電極３０を支える治具９０が設置され、上部電極３０の接合部（水平部３１）を空中配置できる。
【００３３】
次に、半導体装置１０の作用について説明する。
図２において、半導体装置１０がケース６０の内部に収納され、ケース６０の内部には樹脂６１が充填されている。樹脂６１から上部電極３０の上端部が出ている（露出している）。
【００３４】
そして、上部電極３０における樹脂６１から外部に露出した部分と外部機器とを接続する。このとき、半導体装置１０の半導体素子２０および接合材（はんだ）４０は樹脂６１にて封止されており、水分等から保護される。
【００３５】
一般的に、半導体素子の上に外部機器との接続用電極板を配置する際、電極板はＬ字状をなし、立設部が外部機器との接続部となっている。そして、半導体素子の上の上部電極で上部に直接取り出すことができる。また、ポッティング材を流し込み固める方法においては、上部電極を横（水平方向）に取り出すことは難しい。さらに、滴下はんだ方法や導電性接着剤を後から封入する方法において、接合材を後から入れるときは上部電極の接合部を半導体素子に対し空隙を介して空中に配置しておく必要があるが、浮いた状態に上部電極を保持することが難しい。
【００３６】
本実施形態では、上部電極３０を空中配置したまま接合できるので、接合後の上部電極３０は半導体素子２０から直上へ配線することが可能となる。つまり、滴下はんだ方法や導電性接着剤を後から封入することを想定した場合に有用である。
【００３７】
上記実施形態によれば、以下のような効果を得ることができる。
（１）半導体装置１０の構成として、金属基板５０と、金属基板５０の上に接合された半導体素子２０と、半導体素子２０の上面に接合材４０により接合された上部電極３０と、を備える。上部電極３０は、半導体素子２０の上面に沿って延び半導体素子２０の上面と接合される部位としての水平部３１と、外部接続用の立設部３２とを有するとともに、治具９０を受ける治具受部３３ａ，３３ｂを具備している。よって、上部電極３０での治具受部３３ａ，３３ｂを用いて治具９０を受けることができる。これにより、半導体素子２０の上面と上部電極３０との間に接合材４０を容易に配置することができる。その結果、半導体素子２０の上面に上部電極３０を安定して接合することができる。
【００３８】
（２）上部電極３０における治具受部は、立設部３２の側面に設けられ、治具９０の係合部９２ａ，９２ｂが係合する段差部であるので、容易に治具９０を受けることができる。
【００３９】
（３）上部電極３０における半導体素子２０の上面と接合される部位は、貫通孔３１ａを有する。よって、上部電極３０を安定して中空配置することができる。また、貫通孔３１ａを通して接合材４０を滴下することが可能となるので、所定量の接合材４０を上部電極３０と半導体素子２０との間に供給でき、半導体素子２０と上部電極３０との接合信頼性を向上させることが可能となる。
【００４０】
（４）半導体装置の製造方法として、第１の工程と第２の工程を有する。第１の工程では、金属基板５０の上に接合された半導体素子２０の上に、外部接続用の立設部３２を有する上部電極３０における治具９０を受ける治具受部３３ａ，３３ｂを治具９０で受ける。そして、上部電極３０における半導体素子２０の上面に沿って延び半導体素子２０の上面と接合される部位としての水平部３１と半導体素子２０の上面とを空隙Ｇ１を介して対向配置させる。第２の工程では、上部電極３０における半導体素子２０の上面と接合される部位としての水平部３１と半導体素子２０の上面との空隙Ｇ１に接合材４０を注入して半導体素子２０と上部電極３０とを接合する。これにより、（１）の半導体装置１０が得られる。
【００４１】
（５）特に、第２の工程において、上部電極３０における半導体素子２０の上面と接合される部位に形成した貫通孔３１ａを通して接合材４０を注入するようにした。これにより、上部電極３０における半導体素子２０の上面と接合される部位に形成した貫通孔３１ａを通して接合材４０が注入される。よって、上部電極３０を安定して中空配置することができる。また、貫通孔３１ａを通して接合材４０を滴下することができるので、所定量の接合材４０を上部電極３０と半導体素子２０との間に供給でき、半導体素子２０と上部電極３０との接合信頼性を向上させることができる。
【００４２】
実施形態は前記に限定されるものではなく、例えば、次のように具体化してもよい。
・上述したように上部電極を配置してから接合材（はんだ等）を入れる場合について説明したが、これに代わり、接合材（溶融はんだ等）を置いてから上部電極を配置する場合でもよい。つまり、上記（３）に代わり半導体装置の製造方法として、次の第１の工程と第２の工程を有する。第１の工程では、金属基板５０の上に接合された半導体素子２０の上面に接合材４０を配置する。第２の工程では、外部接続用の立設部３２を有する上部電極３０における治具９０を受ける治具受部３３ａ，３３ｂを治具９０で受ける。そして、上部電極３０における半導体素子２０の上面に沿って延び半導体素子２０の上面と接合される部位としての水平部３１と半導体素子２０の上面とを接合材４０を介して対向配置させて半導体素子２０と上部電極３０とを接合する。
【００４３】
この場合、第２の工程において、上部電極３０における半導体素子２０の上面と接合される部位には貫通孔３１ａが形成され、当該部位と半導体素子２０の上面とを接合材４０を介して対向配置させて半導体素子２０と上部電極３０とを接合するとよい。こうすると、上部電極３０における半導体素子２０の上面と接合される部位は、貫通孔３１ａを有するので、上部電極３０を安定して中空配置することができる。
【００４４】
・図３に代わり図６に示すように構成してもよい。図６において上部電極３０の立設部３２にはピンが入る貫通孔３４ａ，３４ｂが設けられている。また、治具９０については図７に示すように治具９０の板部９１に突起部（ピン）９５ａ，９５ｂが設けられている。そして、治具９０の突起部（ピン）９５ａ，９５ｂを上部電極３０の貫通孔３４ａ，３４ｂに挿入することにより上部電極３０を支持して上部電極３０が半導体素子２０に対して離間した（浮いた）状態で上部電極３０の位置を決定する。
【００４５】
このようにして、上部電極３０における治具受部は、立設部３２に設けられ、治具９０の突起部９５ａ，９５ｂが挿入される貫通孔３４ａ，３４ｂであってもよい。そして、上部電極３０での治具受部としての貫通孔３４ａ，３４ｂを用いて治具９０を受けることができ、半導体素子２０の上面と上部電極３０との間に接合材４０を容易に配置することができる。その結果、半導体素子２０の上面に上部電極３０を安定して接合することができる。
【００４６】
・図３（ｂ），図４（ｂ）に代わり図８（ａ），（ｂ）に示す構成としてもよい。図８において、上部電極３０には水平方向に延びる腰掛部３５が設けられ、腰掛部３５は立設部３２と水平部３１との間に形成されている。腰掛部３５には貫通孔３５ａが形成されている。また、治具９０については、水平方向に延びる腰掛受け部９５が設けられ、腰掛受け部９５には上方に延びる位置決めピン９６が形成されている。そして、治具９０の腰掛受け部９５に上部電極３０の腰掛部３５を載せるとともに治具９０の位置決めピン９６を上部電極３０の貫通孔３５ａに挿入することにより上部電極３０を支持する。この場合、腰掛部３５が治具を受ける治具受部となる。この腰掛部３５を用いて治具９０を受けることができ、半導体素子２０の上面と上部電極３０との間に接合材を容易に配置することができる。その結果、半導体素子２０の上面に上部電極３０を安定して接合することができる。なお、ピン９６の長さは上部電極３０と半導体素子２０を接合した後に、上部電極３０の貫通孔３５ａから抜き取ることができるようにする。また、貫通孔３５ａおよび位置決めピン９６の数は１つでも２つ以上でもよい。
【００４７】
・図８に代わり図９に示すようにしてもよい。図９において、上部電極３０は立設部３２から右側に水平部３１が延びるとともに左側に水平部３６が延びている。水平部３１，３６がＩＧＢＴ２５とダイオード２６の両方の上側に配置される。また、水平部３１，３６の間の部位において腰掛部３５が形成され、腰掛部３５に治具９０が配置される。この場合、水平部３１，３６が、半導体素子の上面に沿って延び、半導体素子の上面と接合される部位となる。水平部３１，３６には、はんだが通る貫通孔３１ａ，３６ａが形成されている。腰掛部３５には治具９０のピン９６が通る貫通孔３５ａが形成されている。
【００４８】
・図３（ｂ），図４（ｂ）に代わり図１０（ａ），（ｂ）に示す構成としてもよい。図１０において、上部電極３０の立設部３２の下端から水平方向の左右に延びる折返部３７が形成されている。治具９０の係合部（フック部）９２ａ，９２ｂが上部電極３０の立設部３２の治具受部３３ａ，３３ｂに係合する。このようにすることにより、上部電極３０における重心を左右の中心に持っていくことができる。よって、上部電極３０が立ちやすく取り扱いが容易になる。また、上部電極３０において図２に示したポッティング材としての樹脂６１との接触面積が増加するので強固に固定できる。
【符号の説明】
【００４９】
１０…半導体装置、２０…半導体素子、３０…上部電極、３２…立設部、３３ａ…治具受部、３３ｂ…治具受部、３４ａ，３４ｂ…貫通孔、４０…接合材、５０…金属基板、９０…治具、９２ａ…係合部、９２ｂ…係合部、９５ａ，９５ｂ…突起部、Ｇ１…空隙。
【図１】
0005817589.tif 000002
【図２】
0005817589.tif 000003
【図３】
0005817589.tif 000004
【図４】
0005817589.tif 000005
【図５】
0005817589.tif 000006
【図６】
0005817589.tif 000007
【図７】
0005817589.tif 000008
【図８】
0005817589.tif 000009
【図９】
0005817589.tif 000010
【図１０】
0005817589.tif 000011