(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
リードフレームのダイパッド上に搭載された半導体素子と、当該半導体素子の上面と前記リードフレームのアウターリードとを接続する接続部材とからなる複数のワークがｍ列及びｎ行（但し、ｍ及びｎはともに２以上の整数。）に配列されたリードフレーム基板における前記複数のワークを外観検査した結果、外観不良とされた外観不良ワークに対して所定の加工を施す外観不良ワーク加工装置であって、
前記リードフレーム基板における前記ｍ列のうちの任意の１つの列を露出可能とする開口窓を有する第１カバーと、
前記ｍ列のうちの任意の１つの列に存在するｎ個のワークを個々に露出可能とするｎ個の開口窓を有する第２カバーと、
前記行に沿った方向にｎ個の開口窓を有し、当該ｎ個の開口窓の各開口窓が互いに異なった行及び列に存在するように配置された構造を有し、前記行に沿った方向にスライドすることよって、前記ｎ個の開口窓のうちの１つの開口窓で前記複数のワークのうち任意の１個のワークを露出させるシャッターと、
前記外観不良ワークのうちその時点において加工対象となる加工対象ワークの所定部分にレーザー光を照射するレーザー光発生装置と、
を有し、
前記加工対象ワークが存在する列を露出させるように前記第１カバーで前記リードフレーム基板を覆うとともに、前記第１カバーの開口窓によって露出している列に属するｎ個のワークを個々のワークごとに露出させるように前記第２カバーで覆い、さらに、前記加工対象ワークを露出させるように前記シャッターで覆った状態として、前記加工対象ワークの所定部分にレーザー光を照射することにより当該加工対象ワークに所定の加工を施すことを特徴とする外観不良ワーク加工装置。
【請求項２】
リードフレームのダイパッド上に搭載された半導体素子と、当該半導体素子の上面と前記リードフレームのアウターリードとを接続する接続部材とからなる複数のワークがｍ列及びｎ行（但し、ｍ及びｎはともに２以上の整数。）に配列されたリードフレーム基板における前記複数のワークを外観検査した結果、外観不良とされた外観不良ワークに対して所定の加工を施す外観不良ワーク加工装置であって、
前記リードフレーム基板における前記ｍ列のうちの任意の１つの列を露出可能とする開口窓を有する第１カバーと、
前記ｍ列のうちの任意の１つの列に存在するｎ個のワークを個々に露出可能とするｎ個の開口窓を有する第２カバーと、
前記列に沿った方向にｍ個の開口窓を有し、当該ｍ個の開口窓の各開口窓が互いに異なった行及び列に存在するように配置された構造を有し、前記列に沿った方向にスライドすることよって、前記ｍ個の開口窓のうちの１つの開口窓で前記複数のワークのうち任意の１個のワークを露出させるシャッターと、
前記外観不良ワークのうちその時点において加工対象となる加工対象ワークの所定部分にレーザー光を照射するレーザー光発生装置と、
を有し、
前記加工対象ワークが存在する列を露出させるように前記第１カバーで前記リードフレーム基板を覆うとともに、前記第１カバーの開口窓によって露出している列に属するｎ個のワークを個々のワークごとに露出させるように前記第２カバーで覆い、さらに、前記加工対象ワークを露出させるように前記シャッターで覆った状態として、前記加工対象ワークの所定部分にレーザー光を照射することにより当該加工対象ワークに所定の加工を施すことを特徴とする外観不良ワーク加工装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の外観不良ワーク加工装置において、
前記第２カバーにおける前記ｎ個の開口窓の縁部には、当該ｎ個の開口窓の各開口窓に対応するワークの周囲を囲うことができる遮蔽壁が形成されていることを特徴とする外観不良ワーク加工装置。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれかに記載の外観不良ワーク加工装置において、
前記加工対象ワークに施す所定の加工は、前記半導体素子の前記ダイパッドへの搭載位置が規定の搭載位置からはみ出している場合においては、当該はみ出している部分を切除するためのはみ出し部切除加工であることを特徴とする外観不良ワーク加工装置。
【請求項５】
請求項１〜３に記載の外観不良ワーク加工装置において、
前記加工対象ワークに施す所定の加工は、前記接続部材の前記半導体素子への接続位置又は前記アウターリードへの接続位置の少なくとも一方の接続位置が規定の接続位置からはみ出している場合に、当該はみ出している部分を切除するためのはみ出し部切除加工であることを特徴とする外観不良ワーク加工装置。
【請求項６】
請求項１〜３のいずれかに記載の外観不良ワーク加工装置において、
前記加工対象ワークに施す所定の加工は、前記加工対象ワークの特性を不良化する特性不良化加工であることを特徴とする外観不良ワーク加工装置。
【請求項７】
請求項４又は５に記載の外観不良ワーク加工装置において、
前記加工対象ワークに施す所定の加工は、前記はみ出し部切除加工に加えて前記加工対象ワークの特性を不良化する特性不良化加工を行うことを特徴とする外観不良ワーク加工装置。
【請求項８】
請求項６又は７のいずれかに記載の外観不良ワーク加工装置において、
前記特性不良化加工は、前記ワークに貫通孔を形成する加工であることを特徴とする外観不良ワーク加工装置。
【請求項９】
リードフレームのダイパッド上に搭載された半導体素子と、当該半導体素子の上面と前記リードフレームのアウターリードとを接続する接続部材とからなる複数のワークがｍ列及びｎ行（但し、ｍ及びｎはともに２以上の整数。）に配列されたリードフレーム基板における前記複数のワークを外観検査した結果、外観不良とされた外観不良ワークに対して所定の加工を施す外観不良ワーク加工方法であって、
前記リードフレーム基板における前記ｍ列のうちの任意の１つの列を露出可能とする開口窓を有する第１カバーによって、前記外観不良ワークのうちその時点において加工対象となる加工対象ワークが存在する列を露出させるように前記リードフレーム基板を覆う第１工程と、
前記ｍ列のうちの任意の１つの列に存在するｎ個のワークを個々に露出可能とするｎ個の開口窓を有する第２カバーによって、前記第１カバーの開口窓によって露出している列に属するｎ個のワークを個々のワークごとに露出させるように覆う第２工程と、
前記行に沿った方向にｎ個の開口窓を有し、当該ｎ個の開口窓の各開口窓が互いに異なった行及び列に存在するように配置された構造を有し、前記行に沿った方向にスライドすることよって、前記ｎ個の開口窓のうちの１つの開口窓で前記複数のワークのうち任意の１個のワークを露出させるシャッターによって、前記加工対象ワークを露出させるように覆う第３工程と、
前記加工対象ワークの所定部分にレーザー光を照射することにより当該加工対象ワークに所定の加工を施す第４工程と、
をこの順序で前記外観不良ワークの数の分だけ繰り返して実施することを特徴とする外観不良ワーク加工方法。
【請求項１０】
リードフレームのダイパッド上に搭載された半導体素子と、当該半導体素子の上面と前記リードフレームのアウターリードとを接続する接続部材とからなる複数のワークがｍ列及びｎ行（但し、ｍ及びｎはともに２以上の整数。）に配列されたリードフレーム基板における前記複数のワークを外観検査した結果、外観不良とされた外観不良ワークに対して所定の加工を施す外観不良ワーク加工方法であって、
前記リードフレーム基板における前記ｍ列のうちの任意の１つの列を露出可能とする開口窓を有する第１カバーによって、前記外観不良ワークのうちその時点において加工対象となる加工対象ワークが存在する列を露出させるように前記リードフレーム基板を覆う第１工程と、
前記ｍ列のうちの任意の１つの列に存在するｎ個のワークを個々に露出可能とするｎ個の開口窓を有する第２カバーによって、前記第１カバーの開口窓によって露出している列に属するｎ個のワークを個々のワークごとに露出させるように覆う第２工程と、
前記列に沿った方向にｍ個の開口窓を有し、当該ｍ個の開口窓の各開口窓が互いに異なった行及び列に存在するように配置された構造を有し、前記列に沿った方向にスライドすることよって、前記ｍ個の開口窓のうちの１つの開口窓で前記複数のワークのうち任意の１個のワークを露出させるシャッターによって、前記加工対象ワークを露出させるように覆う第３工程と、
前記加工対象ワークの所定部分にレーザー光を照射することにより当該加工対象ワークに所定の加工を施す第４工程と、
をこの順序で前記外観不良ワークの数の分だけ繰り返して実施することを特徴とする外観不良ワーク加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、外観不良と判定された外観不良ワークに対して所定の加工を施す外観不良ワーク加工装置及び外観不良ワーク加工方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
リードフレームのダイパッド上に搭載された半導体素子と、当該半導体素子の上面とリードフレームのアウターリードとを接続する接続部材とからなる複数のワークがｍ列ｎ行（但し、ｍ及びｎはともに２以上の整数。）に配列されたリードフレーム基板を外観検査することが行われている。このようなリードフレーム基板の外観検査を行った結果、外観不良と判定された外観不良ワークに対しては、オペレータの手でニッパーなどにより切り離すなどの加工がなされている。
【０００３】
図１０は、外観不良ワークの例を説明するためにリードフレーム基板の一部を取り出して示す図である。すなわち、図１０は半導体素子２１２と接続子２１４とからなる１つのワーク（ワークＷ１１とする。）と、当該ワークＷ１１を搭載しているリードフレーム２１０の一部を示すものであり、リードフレーム２１０のダイパッド２１１に搭載されている半導体素子２１２の上面とリードフレーム２１０のアウターリード２１３とが接続子２１４によって接続された状態となっている。
【０００４】
このようなリードフレーム基板において、図１０（ａ）は接続子２１４の高さ（アウターリード２１３から接続子２１４の上面までの高さ）ｈが規定値以上の場合であるために外観不良ワークとされた例である。
【０００５】
また、図１０（ｂ）は半導体素子２１２のダイパッド２１１への搭載位置が規定の搭載位置（図示の破線枠Ａ１）からはみ出しているために外観不良ワークとされた例である。図１０（ｂ）において灰色で示した部分Ｋ１が規定の搭載位置からはみ出ている部分（以下、「はみ出し部」という。）である。
【０００６】
図１０（ｃ）は接続子２１４のアウターリード２１３への接続位置が規定の接続位置（図示の破線枠Ａ２）からはみ出しているために外観不良ワークとされた例である。図１０（ｃ）において灰色で示した部分Ｋ２が「はみ出し部」である。なお、図１０（ｃ）においては、アウターリード２１３への接続位置が規定の接続位置（図示の破線枠Ａ２）から、はみ出している例を示したが、接続子２１４の半導体素子２１２への接続位置が規定の接続位置（図示せず。）からはみ出している場合にも外観不良ワークとされる。
【０００７】
図１０（ｄ）は半導体素子２１２が搭載されていない場合であり、このような場合においても外観不良ワークとされる。また、図１０（ａ）〜図１０（ｄ）以外にも、図示は省略するが、例えば、接続子２１４が搭載されていない場合もあり、この場合にも外観不良とされる。
【０００８】
上記したような外観不良とされた外観不良ワークをニッパーなどによって切り離しを行うと、クラックなどが発生し、近接している他のワークに悪影響を与える場合がある。
【０００９】
一方、外観不良ワークにレーザー光を照射することにより所定の加工を施すようにした外観不良ワーク加工装置も種々開発されている（例えば、特許文献１参照。）。なお、以下では、「レーザー光を照射することにより所定の加工を施す」ことを「レーザー加工を施す」というように表記する場合もある。
【００１０】
特許文献１には、半導体ウエハー上に形成されたダイ領域における所定の加工位置（例えば不良部分）にレーザー加工を施す技術が記載されている。特許文献１に記載されている技術（従来技術という。）は、上記したような外観不良ワークに対して所定の加工を施すものとは異なるが、多数のワークの加工位置に対して所定の加工を施すという点では共通する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】特開平１１−１３５５０５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
しかしながら、従来技術のように、多数のワークのうちの所定の加工位置にレーザー加工を施すと、レーザー加工によってスパッター（spatter）が発生する場合もあり、このようなスパッターが、良品とされているワークに付着すると、良品とされているワークに悪影響を及ぼすおそれがある。このため、図１０に示すような外観不良ワークにレーザー加工を施す場合においても、レーザー加工によって発生するスパッターが、良品とされている他のワークに付着すると、良品とされているワークに悪影響を及ぼすおそれがある。
【００１３】
ところで、図１０に示した外観不良ワークにレーザー加工を行う場合においては、外観不良ワークがどのような外観不良であるかによってもレーザー加工の種類が異なる。例えば、図１０（ｂ）及び図１０（ｃ）に示すような外観不良、すなわち、「はみ出し部」が存在する外観不良の場合には、はみ出し部を切除するための加工（以下、「はみ出し部切除加工」という。）及び当該外観不良ワークの特性を不良化するための加工（「以下、特性不良化加工」という。）を行う。また、図１０（ａ）及び図１０（ｄ）に示すような外観不良ワークのように「はみ出し部」が存在しない外観不良については、特性不良化加工のみを行うというように、外観不良の内容に応じたレーザー加工を施す。
【００１４】
なお、はみ出し部切除加工を行うのは、後に樹脂封止を行う場合、はみ出し部が存在したまま樹脂封止を行うと、樹脂封止用金型の破損につながる場合があるからである。また、特性不良化加工を行うのは、外観不良ワークが良品と混じってしまった場合であっても、後に行われる特性試験において、外観不良ワークを確実に特性不良と判定できるようにして、外観不良ワークが良品として流通しないようにするためである。
【００１５】
このような「はみ出し部切除加工」及び「特性不良化加工」を行う際には、レーザー加工により発生するスパッターが、良品とされているワークに悪影響を及ぼすことがないようにすることが重要である。
【００１６】
そこで、本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、外観不良ワークに対してレーザー加工を施す際に他のワークに悪影響を与えることなく、かつ、外観不良ワークに対して適切な加工を施すことができる外観不良ワーク加工装置及び外観不良ワーク加工方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
［１］本発明の外観不良ワーク加工装置は、リードフレームのダイパッド上に搭載された半導体素子と、当該半導体素子の上面と前記リードフレームのアウターリードとを接続する接続部材とからなる複数のワークがｍ列及びｎ行（但し、ｍ及びｎはともに２以上の整数。）に配列されたリードフレーム基板における前記複数のワークを外観検査した結果、外観不良とされた外観不良ワークに対して所定の加工を施す外観不良ワーク加工装置であって、前記リードフレーム基板における前記ｍ列のうちの任意の１つの列を露出可能とする開口窓を有する第１カバーと、前記ｍ列のうちの任意の１つの列に存在するｎ個のワークを個々に露出可能とするｎ個の開口窓を有する第２カバーと、前記複数のワークのうち任意の１個のワークを露出可能とする開口窓を有するシャッターと、前記外観不良ワークのうちその時点において加工対象となる加工対象ワークの所定部分にレーザー光を照射するレーザー光発生装置とを有し、前記加工対象ワークが存在する列を露出させるように前記第１カバーで前記リードフレーム基板を覆うとともに、前記第１カバーの開口窓によって露出している列に属するｎ個のワークを個々のワークごとに露出させるように前記第２カバーで覆い、さらに、前記加工対象ワークを露出させるように前記シャッターで覆った状態として、前記加工対象ワークの所定部分にレーザー光を照射することにより当該加工対象ワークに所定の加工を施すことを特徴とする。
【００１８】
［２］本発明の外観不良ワーク加工装置においては、前記第２カバーにおける前記ｎ個の開口窓の縁部には、当該ｎ個の開口窓の各開口窓に対応するワークの周囲を囲うことができる遮蔽壁が形成されていることが好ましい。
【００１９】
［３］本発明の外観不良ワーク加工装置においては、前記シャッターは、前記行に沿った方向にｎ個の開口窓を有し、当該ｎ個の開口窓の各開口窓が互いに異なった行及び列に存在するように配置された構造を有し、前記行に沿った方向にスライドすることよって、前記ｎ個の開口窓のうちの１つの開口窓で前記複数のワークのうち任意の１個のワークを露出させることが好ましい。
【００２０】
［４］本発明の外観不良ワーク加工装置においては、前記シャッターは、前記列に沿った方向にｍ個の開口窓を有し、当該ｍ個の開口窓の各開口窓が互いに異なった行及び列に存在するように配置された構造を有し、前記列に沿った方向にスライドすることよって、前記ｍ個の開口窓のうちの１つの開口窓で前記複数のワークのうち任意の１個のワークを露出させることが好ましい。
【００２１】
［５］本発明の外観不良ワーク加工装置においては、前記加工対象ワークに施す所定の加工は、前記半導体素子の前記ダイパッドへの搭載位置が規定の搭載位置からはみ出している場合においては、当該はみ出している部分を切除するためのはみ出し部切除加工であることが好ましい。
【００２２】
［６］本発明の外観不良ワーク加工装置においては、前記加工対象ワークに施す所定の加工は、前記接続部材の前記半導体素子への接続位置又は前記アウターリードへの接続位置の少なくとも一方の接続位置が規定の接続位置からはみ出している場合に、当該はみ出している部分を切除するためのはみ出し部切除加工であることが好ましい。
【００２３】
［７］本発明の外観不良ワーク加工装置においては、前記加工対象ワークに施す所定の加工は、前記加工対象ワークの特性を不良化する特性不良化加工であることが好ましい。
【００２４】
［８］本発明の外観不良ワーク加工装置においては、前記加工対象ワークに施す所定の加工は、前記はみ出し部切除加工に加えて前記加工対象ワークの特性を不良化する特性不良化加工を行うことが好ましい。
【００２５】
［９］本発明の外観不良ワーク加工装置においては、前記特性不良化加工は、前記ワークに貫通孔を形成する加工であることが好ましい。
【００２６】
［１０］本発明の外観不良ワーク加工方法は、リードフレームのダイパッド上に搭載された半導体素子と、当該半導体素子の上面と前記リードフレームのアウターリードとを接続する接続部材とからなる複数のワークがｍ列及びｎ行（但し、ｍ及びｎはともに２以上の整数。）に配列されたリードフレーム基板における前記複数のワークを外観検査した結果、外観不良とされた外観不良ワークに対して所定の加工を施す外観不良ワーク加工方法であって、前記リードフレーム基板における前記ｍ列のうちの任意の１つの列を露出可能とする開口窓を有する第１カバーによって、前記外観不良ワークのうちその時点において加工対象となる加工対象ワークが存在する列を露出させるように前記リードフレーム基板を覆う第１工程と、前記ｍ列のうちの任意の１つの列に存在するｎ個のワークを個々に露出可能とするｎ個の開口窓を有する第２カバーによって、前記第１カバーの開口窓によって露出している列に属するｎ個のワークを個々のワークごとに露出させるように覆う第２工程と、前記複数のワークのうち任意の１個のワークを露出可能とする開口窓を有するシャッターによって、前記加工対象ワークを露出させるように覆う第３工程と、前記加工対象ワークの所定部分にレーザー光を照射することにより当該加工対象ワークに所定の加工を施す第４工程とをこの順序で前記外観不良ワークの数の分だけ繰り返して実施することを特徴とする。
【発明の効果】
【００２７】
本発明の外観不良ワーク加工装置においては、リードフレーム基板におけるｍ列のうちの任意の１つの列を露出可能とする開口窓を有する第１カバーと、ｍ列のうちの任意の１つの列に存在するｎ個のワークを個々に露出可能とするｎ個の開口窓を有する第２カバーと、複数のワークのうち任意の１個のワークを露出可能とする開口窓を有するシャッターとを備え、加工対象ワークが存在する列を露出させるように第１カバーでリードフレーム基板を覆うとともに、第１カバーの開口窓によって露出している列に属するｎ個のワークを個々のワークごとに露出させるように第２カバーで覆い、さらに、加工対象ワークを露出させるようにシャッターで覆った状態として、加工対象ワークの所定部分にレーザー光を照射することにより当該加工対象ワークに所定の加工を施すようにしている。これにより、本発明の外観不良ワーク加工装置によれば、外観不良ワークに対してレーザー加工を施す際に他のワークに悪影響を与えることなく、かつ、外観不良ワークに対して適切な加工を施すことができる。
【００２８】
また、本発明の外観不良ワーク加工方法においては、加工対象となる１個の加工対象ワークが存在する列を露出させるように第１カバーでリードフレーム基板を覆う第１工程と、第１カバーの開口窓によって露出している列に属するｎ個のワークを個々のワークごとに露出させるように第２カバーで覆う第２工程と、加工対象ワークを露出させるようにシャッターで覆う第３工程と、加工対象ワークの所定部分にレーザー光を照射することにより当該加工対象ワークに所定の加工を施す第４工程とをこの順序で行うようにしている。これにより、本発明の外観不良ワーク加工方法によれば、外観不良ワークに対してレーザー加工を施す際に他のワークに悪影響を与えることなく、かつ、外観不良ワークに対して適切な加工を施すことができる。
【００２９】
なお、本発明の外観不良ワーク加工方法においても、前記本発明の外観不良ワーク加工装置が有する前記［２］〜［９］に示す特徴と同様の特徴を有することが好ましい。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】実施形態１に係る外観不良ワーク加工装置１００を説明するために示す図である。
【図２】リードフレーム基板２００を模式化して示す図である。
【図３】図２に示すリードフレーム基板２００の要部を拡大して示す図である。
【図４】第１カバー１３０、第２カバー１４０及びシャッター１５０について説明するために示す図である。
【図５】実施形態１に係る外観不良ワーク加工方法の各工程を示すフローチャートである。
【図６】レーザー加工を施す際のリードフレーム基板２００の加工対象ワークＷ２３と、第１カバー１３０と、第２カバー１４０と、シャッター１５０との関係を模式化して示す図である。
【図７】はみ出し部切除加工と特性不良化加工を説明するために示す図である。
【図８】実施形態２に係る外観不良ワーク加工装置において使用するシャッターについて説明するために示す図である。
【図９】レーザー加工を施す際のリードフレーム基板２００の加工対象ワークＷ２３と、第１カバー１３０と、第２カバー１４０と、シャッター１５０Ａとの関係を模式化して示す図である。
【図１０】外観不良ワークの例を説明するためにリードフレーム基板の一部を取り出して示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００３１】
以下、本発明の実施形態について説明する。
【００３２】
［実施形態１］
図１は、実施形態１に係る外観不良ワーク加工装置１００を説明するために示す図である。図２は、リードフレーム基板２００を模式化して示す図である。図３は、図２に示すリードフレーム基板２００の要部を拡大して示す図である。図４は、第１カバー１３０、第２カバー１４０及びシャッター１５０について説明するために示す図である。なお、図４（ａ）は第１カバー１３０の構成を模式化して示す平面図であり、図４（ｂ）は第２カバー１４０の構成を模式化して示す平面図であり、図４（ｃ）は図４（ｂ）におけるａ−ａ線矢視断面図であり、図４（ｄ）はシャッター１５０の構成を模式化して示す平面図である。
【００３３】
実施形態１に係る外観不良ワーク加工装置１００を説明する前に、まずは、図２によりリードフレーム基板２００の構成について説明し、その後で、図１により実施形態１に係る外観不良ワーク加工装置１００について説明する。
【００３４】
リードフレーム基板２００は、図２に示すように、複数のワークＷ１１〜Ｗ３６がｍ列及びｎ行（ｍ＝３、ｎ＝６とする。）に配列されている。この場合、図示の左側からｘ軸方向に沿って第１列、第２列、第３列目とし、図示の上側からｙ軸方向に沿って第１行、第２行、・・・、第６行としている。
【００３５】
ここで、各ワークに付されている符号「Ｗ１１，Ｗ１２，・・・，Ｗ３６」の数値「１１」、「１２」、「３６」などは、列と行を表している。例えば、「Ｗ１１」の「１１」は「１列１行目」を表しており、「Ｗ１２」の「１２」は「１列２行目」を表しており、「Ｗ２１」の「２１」は「２列１行目」を表しており、「Ｗ３６」の「３６」は「３列６行目」を表している。
【００３６】
このようなリードフレーム基板２００において、外観検査によって、２列３行目のワークＷ２３が外観不良ワーク（ＮＧワークともいう。）であると判定されたとする。外観不良ワークには、外観不良ワークであることを示すＮＧマークが付されているが、当該ＮＧマークは図示を省略している。
【００３７】
なお、ここでは、説明の簡単化のため、ｍ＝３、ｎ＝６としているが、実際には、１つのリードフレーム基板２００には、例えば、列に沿った方向（ｙ軸に沿った方向）には１０個のワーク、行に沿った方向（ｘ軸に沿った方向）には３０個のワークというように多数のワークが存在する。また、図２に示すリードフレーム基板２００は模式図であるため、実際のリードフレーム基板２００とは異なったものとなっている。
【００３８】
図３は図２に示すリードフレーム基板２００の要部を拡大して示す図であり、図３により、ワークＷ１１〜Ｗ３６のうちのある１つのワーク（ワークＷ１１とする。）及び当該ワークＷ１１を搭載するリードフレーム２１０について説明する。リードフレーム２１０は、図３に示すように、ダイパッド２１１とアウターリード２１３とを有している。一方、ワークＷ１１は、図３に示すように、ダイパッド２１１上に搭載された半導体素子２１２と、当該半導体素子２１２の上面とアウターリード２１３の所定部位とを接続する接続部材（接続子とする。）２１４とからなる。他のワークＷ１２〜Ｗ３６とこれらのワークＷ１２〜Ｗ３６を搭載するリードフレー２１０も同様の構成となっている。また、各ワークＷ１１〜Ｗ３６はこれら各ワークＷ１１〜Ｗ３６を搭載する各リードフレーム２１０により繋がった状態となっている。
【００３９】
次に、実施形態１に係る外観不良ワーク加工装置１００について説明する。実施形態１に係る外観不良ワーク加工装置１００は、図示しない外観検査装置によって外観不良とされた外観不良ワーク（例えば、図１０参照。）にレーザー加工を施すものである。なお、外観不良とされた外観不良ワークに対して施されるレーザー加工の具体例については後述する。
【００４０】
実施形態１に係る外観不良ワーク加工装置１００は、図１に示すように、外観不良ワークが存在するリードフレーム基板２００（図２参照。）を載置して平面上（ｘｙ平面上）で移動可能なリードフレーム基板載置台１１０と、リードフレーム基板載置台１１０を平面上（ｘｙ平面上）で任意の量だけ移動させるためのリードフレーム基板載置台駆動部１２０と、リードフレーム基板２００の表面を覆うように設置される第１カバー１３０と、第１カバー１３０の表面を覆うように設置される第２カバー１４０と、第２カバー１４０の表面を覆うように設置されるシャッターと１５０と、シャッター１５０をｘ軸に沿った方向（図４（ｄ）に示すｘ−ｘ’方向）にスライドさせるシャッター駆動部１６０と、１つのリードフレーム基板２００に外観不良ワークが複数存在する場合、複数の外観不良ワークのうちその時点で加工対象となるワーク（加工対象ワークという。）において加工すべき位置（加工位置という。）にレーザー光を照射するレーザー光発生装置１７０と、これら各構成要素を制御する制御部１８０とを有している。
【００４１】
なお、上記「平面上（ｘｙ平面上）で移動可能」というのは、リードフレーム基板載置台１１０がｘ軸方向及びｙ軸方向に沿って直線的に移動可能なだけではなく、ｘｙ平面上において所定範囲の角度で回転可能となっていることを含むものである。また、第１カバー１３０、第２カバー１４０及びシャッター１５０の詳細については後述する。
【００４２】
制御部１８０はリードフレーム基板載置台駆動部１２０を制御する機能と、レーザー光発生装置１７０を制御する機能と、シャッター駆動部１６０を制御する機能とを有している。なお、これら各機能は、例えば、図示しない撮像手段によってリードフレーム基板２００を撮像して得られた撮像画像データに基づいて実施可能である。
【００４３】
次に、第１カバー１３０、第２カバー１４０及びシャッター１５０について図４により説明する。第１カバー１３０、第２カバー１４０及びシャッター１５０は、例えばステンレス材などによって形成されている。
【００４４】
第１カバー１３０は、図４（ａ）に示すように、リードフレーム基板２００における第１列〜第３列の３つの列のうちの任意の１つの列を露出可能とするような開口窓１３１を有している。これにより、リードフレーム基板２００の加工対象ワークの存在する列に第１カバー１３０の開口窓１３１を対応させるように第１カバー１３０を設置すると、当該加工対象ワークの存在する列については当該列全体が露出し、それ以外については第１カバー１３０によって覆われた状態となる。
【００４５】
第２カバー１４０は、図４（ｂ）に示すように、リードフレーム基板２００における第１列〜第３列の３つの列のうちの任意の１つの列に存在するｎ個（この場合６個）のワークを個々に露出可能とするような６個の開口窓を有している。第２カバー１４０は、その開口窓１４１〜１４６が第１カバー１３０の開口窓１３１に対応するように重ねて設置されるものであり、このように第２カバー１４０を設置すると、第１カバー１３０の開口窓１３１によって露出している列に属する６個のワークが第２カバー１４０の開口窓１４１〜１４６によって露出する状態となる。
【００４６】
また、第２カバー１４０の各開口窓１４１〜１４６は、単に開口しているだけではなく、図４（ｃ）に示すように、各開口窓１４１〜１４６の裏面における開口窓縁部には、各ワークの周囲を囲う遮蔽壁１４８がそれぞれ形成されている。この遮蔽壁１４８は、第２カバー１４０を第１カバー１３０に重ねるように設置したときに、その先端部１４８ａがリードフレーム２１０の表面の位置と同程の位置にまで達するようになっている。
【００４７】
なお、図４（ｃ）においては、開口窓１４６に設けられている遮蔽壁１４８が示されているが、他の開口窓１４１〜１４５においても同様の遮蔽壁１４８が設けられている。このような遮蔽壁１４８は、加工対象ワークをレーザー加工する際に発生するスパッターが他のワークにまで飛び散ることを防止するためのものである。
【００４８】
シャッター１５０は、図４（ｄ）に示すように、行に沿った方向（ｘ軸の沿った方向）にｎ個（この場合、ｎ＝６であるので６個）の開口窓１５１〜１５６を有し、当該６個の開口窓１５１〜１５６の各開口窓が互いに異なった行及び列に存在するように配置された構造を有している。
【００４９】
このような構造を有するシャッター１５０は、ｘ−ｘ’方向にスライドすることよって、６個の開口窓１５１〜１５６のうちの１つの開口窓でリードフレーム基板２００における複数のワーク（Ｗ１１〜Ｗ３６）のうちの任意の１個のワークを露出させることができる。これにより、シャッター１５０の動きを単純化することができ、シャッター駆動部１６０のシャッター駆動機構も単純化することができる。
【００５０】
ここで、開口窓１５１は、リードフレーム基板２００（図２参照。）における第１行の３個のワークに共通する開口窓であり、シャッター１５０がｘ−ｘ’方向にスライドすることによって、第１行の３個のワークのいずれかを露出させることができる。開口窓１５２は、リードフレーム基板２００における第２行の３個のワークに共通する開口窓であり、シャッター１５０がｘ−ｘ’方向にスライドすることによって、第２行の３個のワークのいずれかを露出させることができる。開口窓１５３は、リードフレーム基板２００における第３行の３個のワークに共通する開口窓であり、シャッター１５０がｘ−ｘ’方向にスライドすることによって、第３行の３個のワークのいずれかを露出させることができる。以下同様に、シャッター１５０がｘ−ｘ’方向にスライドすることによって、第４行〜第６行のそれぞれ３個のワークのいずれかをそれぞれ対応する開口窓によって露出させることができる。
【００５１】
また、シャッター１５０の開口窓１５１〜１５６は、各開口窓が互いに異なった行及び列に存在するように配置された構造を有しており、ここでは、隣接する列に存在する開口窓同士が列に沿った方向（ｙ軸に沿った方向）において少なくとも１行分の間隔を置くように配置されている。
【００５２】
例えば、図４（ｄ）における左から２番目の開口窓１５３に注目すると、当該開口窓１５３（注目開口窓１５３とする。）に隣接する列に存在する開口窓１５１，１５５のうち、開口窓１５１は、注目開口窓１５３の行（第３行）に対して１行置いた第１行となるように配置され、開口窓１５５は、注目開口窓１５３の行（第３行）に対して１行置いた第５行となるように配置されている。
【００５３】
各開口窓１５１〜１５６の配置をこのようにすることにより、隣接する開口窓同士の間隔を大きくすることができるため、シャッター１５０の強度を高くすることができる。
【００５４】
このような構造を有するシャッター１５０は、第２カバー１４０の表面上をシャッター駆動部１６０により、矢印ｘ−ｘ’に沿ってスライド可能となっている。シャッター１５０を矢印ｘ−ｘ’に沿ってスライドさせることにより、６個の開口窓１５１〜１５６のうちの１つの開口窓でリードフレーム基板２００における複数のワーク（Ｗ１１〜Ｗ３６）のうちの任意の１個のワークを露出させることができる。
なお、シャッター１５０の開口窓１５１〜１５６の配置は、シャッター１５０の強度が保持できれば、図４（ｄ）のような配置に限られるものではなく種々の変形が可能である。
【００５５】
次に、本発明の外観不良ワーク加工方法について説明する。
図５は、実施形態１に係る外観不良ワーク加工方法の各工程を示すフローチャートである。実施形態１に係る外観不良ワーク加工方法の各工程（外観不良ワーク加工工程という。）は、図５に示すように、第１工程（ステップＳ１）から第５工程（ステップＳ５）を有する。
【００５６】
まず、第１工程として、加工対象ワークが属する列のみを露出させるように第１カバー１３０で覆う工程を行い（ステップＳ１）、続いて、第２工程として、第１カバー１３０の開口窓１３１によって露出している列（加工対象ワークが属する列）の個々のワークが露出するように第２カバーで覆う工程を行う（ステップＳ２）。
【００５７】
そして、第３工程として、第２カバー１４０によって露出しているワークのうち、加工対象ワークのみが露出するようにシャッター１５０で覆う工程を行う（ステップＳ３）。この第３工程を実施することにより、リードフレーム基板２００は、シャッター１５０をその上方から見ると、加工対象ワークのみが露出し、その他はシャッター１５０によって覆われた状態となる。
続いて、第４工程として、シャッター１５０の開口窓によって露出している加工対象ワークの加工すべき位置（加工位置）にレーザー加工を施す工程を行う（ステップＳ４）。
【００５８】
以上、第１工程から第４工程（ステップＳ１〜Ｓ４）を終了すると、第５工程（ステップＳ５）として、当該リードフレーム基板２００に他の外観不良ワークが存在するか否かを判定する工程を行い、他の外観不良ワークが存在すれば、ステップＳ１に戻り、他の外観不良ワークが存在しなければ当該リードフレーム基板２００に対する外観不良ワーク加工工程を終了する。
【００５９】
なお、図５に示す外観不良ワーク加工工程は、ある１つのリードフレーム基板２００についての説明であったが、外観不良ワークの存在するリードフレーム基板が複数存在する場合には、すべてのリードフレー基板について図５に示す外観不良ワーク加工工程（ステップＳ１〜Ｓ５）を行う。
【００６０】
ところで、第４工程（ステップＳ４）において実施するレーザー加工として、ここでは、「はみ出し部切除加工」と「特性不良化加工」を行う。「はみ出し部切除加工」は、外観不良ワークのうち、半導体素子２１２に「はみ出し部」（例えば、図１０（ｂ）参照。）が存在する外観不良ワークと、接続子２１４に「はみ出し部」（例えば、図１０（ｃ）参照。）が存在する外観不良ワークについて行うものである。また、「特性不良化加工」は、外観不良ワークの特性を不良化する必要がある外観不良ワーク（例えば、図１０（ａ）〜図１０（ｄ）参照。）について行うものである。
【００６１】
なお、半導体素子２１２に「はみ出し部」が存在する外観不良ワーク及び接続子２１４に「はみ出し部」が存在する外観不良ワークの場合には、「はみ出し部切除加工」に加えて「特性不良化加工」をも行うものとし、また、図１０（ａ）及び図１０（ｄ）に示すような外観不良ワークのように「はみ出し部」が存在しない外観不良については、特性不良化加工のみを行うものとする。
【００６２】
図６は、レーザー加工を施す際のリードフレーム基板２００の加工対象ワークＷ２３と、第１カバー１３０と、第２カバー１４０と、シャッター１５０との関係を模式化して示す図である。なお、図６においては、リードフレーム基板２００の上に、第１カバー１３０と第２カバー１４０とシャッター１５０とをこの順序で重ねた状態が示されているために、リードフレーム基板２００、第１カバー１３０及び第２カバー１４０は目視できない状態となっている。
【００６３】
この場合、リードフレーム基板２００は、図２に示したリードフレーム基板２００であり、外観検査によって２列３行目のワークＷ２３が外観不良ワークであるとされたリードフレーム基板であるとする。なお、外観不良ワークＷ２３は、現時点において加工対象ワークとして選択されたものであり、ここでは、当該外観不良ワークＷ２３を加工対象ワークＷ２３という。
【００６４】
このようなリードフレーム基板２００の表面を覆うように、まずは第１カバー１３０を設置する。このとき、第１カバー１３０の開口窓１３１（一点鎖線枠で囲まれている範囲）が、加工対象ワークＷ２３の存在する第２列に対応するように当該第１カバー１３０で覆う。このように第１カバー１３０でリードフレーム基板２００を覆うと、加工対象ワークＷ２３が属する列（加工対象列という。）のみが露出した状態となる。
【００６５】
次に、第１カバー１３０の表面を覆うように第２カバー１４０を設置する。このとき、第２カバー１４０の各開口窓１４１〜１４６が、加工対象列に属する各ワーク（この場合、ワークＷ２１〜Ｗ２６）に対応するように当該第２カバー１４０を設置する。このようにして、第１カバー１３０及び第２カバー１４０を設置すると、加工対象列に属するワークＷ２１〜Ｗ２６が個々のワークごとに露出した状態となる。なお、図６においては、加工対象列に属するワークＷ２１〜Ｗ２６のうち、加工対象ワークＷ２３以外のワークに付されている符号「Ｗ２１」、「Ｗ２２」、「Ｗ２４」、「Ｗ２５」、「Ｗ２６」は図示を省略している。
【００６６】
次に、第２カバー１４０の表面を覆うようにシャッター１５０を設置する。このとき、シャッター１５０をｘ軸に沿った方向（ｘ−ｘ’方向）にスライドさせて、加工対象ワークＷ２３のみを露出させるようにする。
【００６７】
なお、実施形態１に係る外観不良ワーク加工装置１００においては、シャッター１５０は、シャッター駆動部１６０によって自動的にスライド可能としている。例えば、図示しない撮像装置によって撮像された撮像画像データに基づいて、制御部１８０が加工対象ワークＷ２３の位置情報を取得し、取得した位置情報によりシャッター駆動部１６０を制御する。すなわち、制御部１８０は、シャッター１５０の開口窓のうち加工対象ワークＷ２３に対応する開口窓１５３が当該加工対象ワークＷ２３に対応する位置となるようにシャッター駆動部１６０を制御する。これにより、シャッター１５０は、ｘ軸に沿った方向（ｘ−ｘ’方向）に所定量だけスライドし、シャッター１５０の開口窓１５３が加工対象ワークＷ２３に対応する位置となる。
【００６８】
このように、リードフレーム基板２００上に第１カバー１３０と第２カバー１４０とシャッター１５０とをこの順序で重ねるように設置すると、加工対象ワークＷ２３のみが露出した状態となる。なお、このとき、第２カバー１４０の各開口窓１４１〜１４６には、それぞれ遮蔽壁１４８が形成されているため、各開口窓１４１〜１４６に対応するワークＷ２１〜Ｗ２６は、それぞれの遮蔽壁１４８によって囲た状態となる。
【００６９】
また、制御部１８０は撮像画像データに基づいてリードフレーム基板載置台駆動部１２０を制御して、リードフレーム基板載置台１１０を所定位置に移動させる。すなわち、加工対象ワークＷ２３における加工位置がレーザー光発生装置１７０から発せられるレーザー光の照射位置に一致するように、リードフレーム基板載置台１１０を平面上（ｘｙ平面上）で移動させる。
【００７０】
この状態で、加工対象ワークＷ２３に対してレーザー光発生装置１７０からレーザー光を照射することにより、当該加工対象ワークＷ２３に対してレーザー加工を施すことができる。ここで、当該加工対象ワークＷ２３の外観不良の種類が、例えば、半導体素子２１２に、はみ出し部（図１０（ｂ）参照。）が存在する外観不良である場合には、当該はみ出し部を切除するための「はみ出し部切除加工」を実施するとともに、当該半導体素子２１２の特性を不良化するための「特性不良化加工」を実施する。
【００７１】
なお、はみ出し部分を切除するのは、その後に行われる樹脂封止工程において、樹脂封止用金型に悪影響を与えないためである。すなわち、ワークに余分なはみ出し部分が存在すると、樹脂封止用金型と、はみ出し部分とが衝突することによって樹脂封止用金型を破損させてしまう場合もあるからである。
【００７２】
また、特性不良化加工を行うのは、特性検査において、外観不良ワークの特性が正常と判定されないようにするためである。特性不良化加工を行うことにより、良品とされたワークの中に、仮に、外観不良ワークが混在してしまった場合であっても、特性検査によって、当該外観不良ワークが確実に特性不良として判定されるようになる。
【００７３】
このように、外観不良ワークが確実に特性不良として判定されるようにするために、実施形態１に係る外観不良ワーク加工方法においては、外観不良ワーク（特に半導体素子２１２）に貫通孔を形成するようにしている。特性不良化加工として、外観不良ワークに貫通孔を形成するのは、当該外観不良ワークが確実に特性不良として判定されるようにするためである。
【００７４】
図７は、はみ出し部切除加工と特性不良化加工を説明するために示す図である。はみ出し部切除加工は、図７に示すように、半導体素子２１２の正規の搭載位置（図示における破線枠Ａ１で示す範囲）からはみ出ている「はみ出し部分」（図示において灰色で示す部分Ｋ１）を切除する。また、特性不良化加工は、例えば、半導体素子２１２における所定位置（図示における灰色で示す部分Ｐ１）に貫通孔を形成する。これらの加工（はみ出し部切除加工及び特性不良化加工）は、レーザー光発生装置１７０から加工対象ワークＷ２３の加工位置にレーザー光を照射することによって行う。
【００７５】
貫通孔の平面形状は、図７においては長方形としているが、特に限定されるものではなく、長円形、円形などであってもよく、また、小径の貫通孔を複数箇所に形成するようにしてもよい。なお、貫通孔が確実に形成されているか否かは、ここでは図示及び説明は省略するが、貫通孔の有無を検査する工程によって調べる。このように、貫通孔の有無を検査することにより、当該外観不良ワークを確実に特性不良とすることができ、当該ワークが良品として流通することを確実に防止することができる。
【００７６】
なお、加工対象ワークＷ２３に対して、はみ出し部切除加工及び特性不良化加工を行う際、スパッターが発生する可能性があるが、第２カバー１４０の各開口窓１４１〜１４６には各ワークを囲むような遮蔽壁１４８がそれぞれ設けられているため、加工対象ワークＷ２３をレーザー加工する際に発生したスパッターが他のワークに悪影響を及ぼすことはない。
【００７７】
また、ここでは、外観不良の種類として、半導体素子１２１に、はみ出し部が存在している場合を例示したが、接続子２１４に、はみ出し部が存在している場合（例えば、図１０（ｃ）参照。）にも同様に実施可能である。
【００７８】
また、ここでは、はみ出し部切除加工と特性不良化加工の両方を行う場合を例示したが、はみ出し部が存在しない外観不良ワークの場合（例えば、図１０（ａ）及び図１０（ｄ））においては、特性不良化加工のみを行えばよい。
【００７９】
［実施形態２］
上記実施形態１においては、シャッター１５０を行に沿った方向、すなわちｘ軸に沿った方向（図４（ｄ）に示すｘ−ｘ’方向）にスライドさせる場合を例示したが、シャッター１５０のスライド方向は列に沿った方向（ｙ軸に沿った方向）であってもよい。
【００８０】
図８は、実施形態２に係る外観不良ワーク加工装置において使用するシャッターについて説明するために示す図である。実施形態２においては、シャッターのスライド方向が実施形態１と異なるだけであり、実施形態２に係る外観不良ワーク加工装置及び外観不良ワーク加工方法は、実施形態１に係る外観不良ワーク加工装置及び外観不良ワーク加工方法を適用できるため、ここでは、シャッターの構造のみを説明する。なお、実施形態２に係る外観不良ワーク加工装置において使用するシャッターをシャッター１５０Ａとして説明する。また、実施形態２においても、リードフレーム基板は図２に示すリードフレーム基板２００と同様のものであるとする。
【００８１】
シャッター１５０Ａは、図８に示すように、列に沿った方向（ｙ軸に沿った方向）にｍ個（この場合、ｍ＝３であるので３個）の開口窓１５１〜１５３を有し、当該３個の開口窓１５１〜１５３の各開口窓が互いに異なった行及び列に存在するように配置された構造を有している。このような構造を有するシャッター１５０Ａは、ｙ−ｙ’方向にスライドすることよって、３個の開口窓１５１〜１５３のうちの１つの開口窓でリードフレーム基板２００における複数のワーク（Ｗ１１〜Ｗ３６）のうちの任意の１個のワークを露出させることができる。
【００８２】
ここで、開口窓１５１は、リードフレーム基板２００（図２参照。）における第１列の６個のワークに共通する開口窓であり、シャッター１５０Ａがｙ−ｙ’方向にスライドすることによって、第１列の６個のワークのいずれかを露出させることができる。開口窓１５２は、リードフレーム基板２００における第２列の６個のワークに共通する開口窓であり、シャッター１５０Ａがｙ−ｙ’方向にスライドすることによって、第２列の６個のワークのいずれかを露出させることができる。開口窓１５３は、リードフレーム基板２００における第３列の６個のワークに共通する開口窓であり、シャッター１５０Ａがｙ−ｙ’方向にスライドすることによって、第３列の６個のワークのいずれかを露出させることができる。
【００８３】
また、シャッター１５０Ａの開口窓１５１〜１５３は、実施形態１に係る外観不良ワークにおいて使用したシャッター１５０と同様、各開口窓が互いに異なった行及び列に存在するように配置された構造を有しているため、隣接する開口窓同士の間隔を大きくすることができ、シャッター１５０Ａの強度を高くすることができる。なお、シャッター１５０Ａの開口窓１５１〜１５３の配置は、シャッター１５０Ａの強度が保持できれば、図８のような配置に限られるものではなく種々の変形が可能である。
【００８４】
このような構造を有するシャッター１５０Ａの場合には、シャッター１５０Ａを列に沿った方向（ｙ軸に沿った方向）、すなわち、図８におけるｙ−ｙ’方向にスライドさせることによって、開口窓１５１〜１５３のいずれかの開口窓によって、複数のワーク（Ｗ１１〜Ｗ３６）のうちの任意の１つのワークを露出させることができる。
【００８５】
図９は、レーザー加工を施す際のリードフレーム基板２００の加工対象ワークＷ２３と、第１カバー１３０と、第２カバー１４０と、シャッター１５０Ａとの関係を模式化して示す図である。なお、図９においては、リードフレーム基板２００の上に、第１カバー１３０と第２カバー１４０とシャッター１５０Ａとをこの順序で重ねた状態が示されているために、リードフレーム基板２００、第１カバー１３０及び第２カバー１４０は目視できない状態となっている。
【００８６】
この場合、リードフレーム基板２００は、図２に示したリードフレーム基板２００であり、外観検査によって２列３行目のワークＷ２３が外観不良ワークであるとされたリードフレーム基板であるとする。なお、外観不良ワークＷ２３は、現時点において加工対象ワークとして選択されたものであり、ここでは、当該外観不良ワークＷ２３を加工対象ワークＷ２３という。
【００８７】
このようなリードフレーム基板２００の表面を覆うように、まずは第１カバー１３０を設置する。このとき、第１カバー１３０の開口窓１３１（一点鎖線枠で囲まれている範囲）が、加工対象ワークＷ２３の存在する第２列に対応するように当該第１カバー１３０で覆う。このように第１カバー１３０でリードフレーム基板２００を覆うと、加工対象ワークＷ２３が属する列（加工対象列という。）のみが露出した状態となる。
【００８８】
次に、第１カバー１３０の表面を覆うように第２カバー１４０を設置する。このとき、第２カバー１４０の各開口窓１４１〜１４６が、加工対象列に属する各ワーク（この場合、ワークＷ２１〜Ｗ２６）に対応するように当該第２カバー１４０を設置する。このようにして、第１カバー１３０及び第２カバー１４０を設置すると、加工対象列に属するワークＷ２１〜Ｗ２６が個々のワークごとに露出した状態となる。なお、図９においては、加工対象列に属するワークＷ２１〜Ｗ２６のうち、加工対象ワークＷ２３以外のワークに付されている符号「Ｗ２１」、「Ｗ２２」、「Ｗ２４」、「Ｗ２５」及び「Ｗ２６」は図示を省略している。
【００８９】
次に、第２カバー１４０の表面を覆うようにシャッター１５０Ａを設置する。このとき、シャッター１５０Ａをｙ軸に沿った方向（ｙ−ｙ’方向）にスライドさせて、加工対象ワークＷ２３のみを露出させるようにする。この状態で、加工対象ワークＷ２３に対してレーザー光発生装置１７０からレーザー光を照射することにより、実施形態１に係る外観不良ワーク加工装置の場合と同様に、当該加工対象ワークＷ２３に対してレーザー加工を施すことができ、実施形態１に係る外観不良ワーク加工装置と同様の効果が得られる。
【００９０】
なお、シャッター１５０Ａは、図２に示すようなリードフレーム基板２００（ワークが３列６行の配置）上を列に沿った方向（ｙ軸に沿った方向）にスライドさせるものとしたために、開口窓の数や配置が単純なものとなったが、リードフレーム基板における列が、例えば、６列（ｍ＝６）である場合には、シャッター１５０Ａの開口窓は６個となり、その配置は、例えば、図４（ｄ）に示すシャッター１５０を例えば時計方向に９０度回転させた場合と同様の配置となる。
【００９１】
本発明は上述の各実施形態に限られるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々変形実施可能となるものである。たとえば、下記に示すような変形実施も可能である。
【００９２】
（１）上記各実施形態においては、シャッターは制御部１８０がシャッター駆動部１６０を制御することによって、所定位置にまで自動的にスライドさせるようにしたが、オペレータが手動でスライドさせるようにしてもよい。また、上記実施形態においては、シャッターは、ｘ軸方向又はｙ軸方向に直線的にスライドするものとしたが、これに限られるものではなく、例えば、ｘｙ平面上で任意に移動可能としてもよい。なお、ｘｙ平面上で任意に移動可能というのは、ｘ軸方向及びｙ軸方向の両方に沿った移動が可能なだけではなく、ｘｙ平面上において所定範囲の角度で回転可能となっていることを含むものである。
【００９３】
このように、シャッターをｘｙ平面上で任意に移動可能とする場合、開口窓は１つであってもよく、当該１つの開口窓が加工対象ワークに対応するようにシャッターをｘｙ平面上で任意に移動させればよい。
【００９４】
（２）上記各実施形態においては、第１カバー１３０及び第２カバー１４０でリードフレーム基板２００を覆う際の駆動手段は特に言及しなかったが、これも、オペレータが手動で加工対象ワークを開口窓により露出させるようにしてもよく、また、自動的に行うようにすることも可能である。
【００９５】
（３）上記各実施形態においては、はみ出し部切除加工及び特性不良化加工を行う際においては、リードフレーム基板２００をリードフレーム基板載置台１１０上に設置して、制御部１８０がリードフレーム基板載置台駆動部１２０を制御することによって、ワークにおける加工位置を自動的にレーザー光の照射位置に対応させるようにしたが、これも、オペレータが手動で行うようにしてもよい。
【００９６】
（４）上記各実施形態においては、半導体素子１２１とリードフレーム２１０のアウターリード２１３とを接続子２１４で接続した場合を例示したが、ワイヤーボンディングによって接続した場合にも本発明は適用可能である。
【００９７】
（５）上記各実施形態においては、外観不良ワークに対して行う加工としては、「はみ出し部」を切除する「はみ出し部切断加工」と、特性を不良化する「特性不良化加工」を例示したが、これら以外にも、例えば、外観不良ワークをリードフレーム基板２００から切り離す切り離し加工を行うことも可能である。
【００９８】
（６）上記各実施形態においては、リードフレーム基板載置台１１０をｘｙ平面上で移動可能としたが、レーザー光発生装置１７０をｘｙ平面上で移動可能とするようにしてもよい。
【符号の説明】
【００９９】
１００・・・外観不良ワーク加工装置、１１０・・・リードフレーム基板載置台、１２０・・・リードフレーム基板載置台駆動部、１３０・・・第１カバー、１３１・・・第１カバー１３０の開口窓、１４０・・・第２カバー、１４１〜１４６・・・第２カバー１４０の開口窓、１４８・・・遮蔽壁、１４８ａ・・・遮蔽壁の先端部、１５０，１５０Ａ・・・シャッター、１５１〜１５６・・・シャッターの開口窓、１６０・・・シャッター駆動部、１７０・・・レーザー光発生装置、１８０・・・制御部、２００・・・リードフレーム基板、２１０・・・リードフレーム、２１１・・・ダイパッド、２１２・・・半導体素子、２１３・・・アウターリード、２１４・・・接続子（接続部材）、Ｗ１１〜Ｗ３６・・・ワーク、Ｗ２３・・・外観不良ワーク（加工対象ワーク）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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