(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の一側の面上に所定パターンで設けられ、透光性および導電性を有する透明導電材料からなる第１下側パターンと、
前記第１下側パターン上に所定パターンで設けられ、遮光性および導電性を有する金属材料からなる第１上側パターンと、を備え、
前記第１下側パターンは、多列に並べられ、各々がｘ方向に延びる複数の第１透明導電パターンと、所定の領域にわたって形成された第１シールドパターンと、を含み、
前記第１上側パターンは、各第１透明導電パターンに接続され、線状に延びる第１取出導電パターンと、各第１取出導電パターンに接続された第１端子部と、少なくとも部分的に前記第１シールドパターン上に設けられた第１ダミーパターンと、を含み、
前記第１ダミーパターンのうち前記第１シールドパターン上に設けられた部分は、前記第１シールドパターンの外縁に沿って線状に延びるよう形成されていることを特徴とするタッチパネルセンサ。
【請求項２】
前記第１ダミーパターンのうち前記第１シールドパターン上に設けられた部分は、前記第１シールドパターンの外縁に沿って線状に延びるとともに、前記第１シールドパターンを少なくとも部分的に露出させるよう形成されていることを特徴とする請求項１に記載のタッチパネルセンサ。
【請求項３】
前記基板の他側の面上に所定パターンで設けられ、透光性および導電性を有する透明導電材料からなる第２下側パターンと、
前記第２下側パターン上に所定パターンで設けられ、遮光性および導電性を有する金属材料からなる第２上側パターンと、をさらに備え、
前記第２下側パターンは、多列に並べられ、各々がｘ方向に直交するｙ方向に延びる複数の第２透明導電パターンを含み、
前記第２上側パターンは、各第２透明導電パターンに接続され、線状に延びる第２取出導電パターンと、各第２取出導電パターンに接続された第２端子部と、を含み、
前記第１シールドパターンの領域は、前記基板の法線方向から見た場合に各第２取出導電パターンの領域を部分的に含んでいることを特徴とする請求項１または２に記載のタッチパネルセンサ。
【請求項４】
前記第２下側パターンは、所定の領域にわたって形成された第２シールドパターンをさらに含み、
前記第２上側パターンは、少なくとも部分的に前記第２シールドパターン上に設けられた第２ダミーパターンをさらに含み、
前記第２ダミーパターンのうち前記第２シールドパターン上に設けられた部分は、前記第２シールドパターンの外縁に沿って線状に延びるよう形成されていることを特徴とする請求項３に記載のタッチパネルセンサ。
【請求項５】
前記第２ダミーパターンのうち前記第２シールドパターン上に設けられた部分は、前記第２シールドパターンの外縁に沿って線状に延びるとともに、前記第２シールドパターンを少なくとも部分的に露出させるよう形成されていることを特徴とする請求項４に記載のタッチパネルセンサ。
【請求項６】
前記第２シールドパターンの領域は、前記基板の法線方向から見た場合に各第１取出導電パターンの領域を部分的に含んでいることを特徴とする請求項４または５に記載のタッチパネルセンサ。
【請求項７】
前記第１ダミーパターンは、前記各第１取出導電パターンのうち最も外側に位置する第１取出導電パターンに少なくとも部分に沿って延びる部分を有することを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載のタッチパネルセンサ。
【請求項８】
前記第２ダミーパターンは、前記各第２取出導電パターンのうち最も外側に位置する第２取出導電パターンに少なくとも部分に沿って延びる部分を有することを特徴とする、請求項４乃至６のいずれかに、または請求項４乃至６のいずれかを引用する請求項７に記載のタッチパネルセンサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板と、基板上に所定パターンで設けられ、透明導電材料からなる下側パターンと、下側パターン上に所定パターンで設けられ、金属材料からなる上側パターンと、を備えたタッチパネルセンサに関する。また本発明は、当該タッチパネルセンサの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、基板と、基板上に所定のパターンで設けられ、タッチを検出する透明導電パターンと、透明導電パターンに電気的に接続された取出導電パターンと、を有するタッチパネルセンサが知られている。透明導電パターンは、一般に、透明導電材料からなる透明導電層をパターニングすることにより形成される。また取出導電パターンは、一般に、透明導電層上に設けられ、金属材料からなる金属層をパターニングすることにより形成される。また透明導電パターンからの信号を外部に伝達させる際の電気抵抗を低減するため、一般に、取出導電パターンと基板との間には透明導電層が介在されている。
【０００３】
タッチパネルセンサの各パターンを基板の法線方向に沿った階層で区画して考える場合、透明導電層をパターニングすることにより得られる透明導電パターンなどのパターンは、取出導電パターンよりも基板側（下側）に位置する下側パターンとなっている。また、金属層をパターニングすることにより得られる取出導電パターンなどのパターンは、透明導電パターンよりも基板から遠ざかる側（上側）に位置する上側パターンとなっている。
【０００４】
このようなタッチパネルセンサは、例えば、基板と、基板上に設けられた透明導電層と、透明導電層上に設けられた金属層と、金属層上に設けられた感光層と、を有する積層体を、フォトフリソグラフィ法を用いてパターニングすることにより製造される。この場合、例えば特許文献１に記載されているように、パターニング工程は、透明導電層および金属層を同一パターンに成形する１回目のパターニング工程と、パターニングされた透明導電層上の金属層を部分的に除去する２回目のパターニング工程とを含んでいる。
【０００５】
フォトフリソグラフィ法において、各パターニング工程は、はじめに露光マスクを用いて積層体の感光層を露光し、次に露光された感光層を現像し、その後に残っている感光層をマスクとして透明導電層や金属層をエッチングすることによって行われる。この場合、１回目のパターニング工程で用いられる露光マスク（以下、ファースト露光マスク）は、最終的に得られるタッチパネルセンサにおける透明導電層の形状に対応して感光層を残すよう設計されている。一方、２回目のパターニング工程で用いられる露光マスク（以下、セカンド露光マスク）は、除去されるべき金属層に対応する領域に感光層を残さないよう設計されている。
【０００６】
ところで、近年、タッチパネルセンサの検出感度を向上させるため、ノイズを遮蔽するためのシールドパターンを設けることや、取出導電パターンにおける寄生容量の偏差を抑制するためのダミーパターンを設けることなどが提案されている（例えば特許文献２，３参照）。このようなシールドパターンやダミーパターンは、製造効率の観点から考えると、透明導電パターンや取出導電パターンのパターニングと同時に透明導電層や金属層から形成されることが好ましい。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２０１０−２５７４４２号公報
【特許文献２】特開２００９−１６９７２０号公報
【特許文献３】特開２０１０−２５７１７８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
上述のようなシールドパターンやダミーパターンは、求められる耐ノイズ特性などに応じて、様々なパターンで形成される。従って、シールドパターンやダミーパターンを透明導電パターンや取出導電パターンのパターニングと同時に透明導電層や金属層から形成する場合、従来よりも精密なパターニングが求められる。
【０００９】
パターニングの精度を決定する要因の１つとして、露光の際の露光マスクの位置決めの精度が挙げられる。しかしながら、露光マスクの位置決めの精度には限界がある。従って、例えばファースト露光マスクの配置が所望の位置からずれることにより、１回目のパターニング工程によって得られる透明導電層および金属層のパターン形状が所望のパターン形状から全体的にずれることが考えられる。また、セカンド露光マスクの配置も所望の位置からずれることが考えられる。
【００１０】
また上述のように、セカンド露光マスクを用いた２回目のパターニング工程では、残っている金属層のうちの一部分のみが除去される。この場合、セカンド露光マスクの配置が所望の位置からずれ、これによってファースト露光マスクとセカンド露光マスクとの間の相対的な位置関係が理想からずれると、得られる金属層のパターン形状が全体的にずれるだけでなく、セカンド露光マスクによる露光の対象となる領域と対象とならない領域との境界で金属層のパターンの幅が細くなってしまうことが考えられる。この結果、金属層のパターンの電気抵抗が大きくなってしまうことが考えられる。
【００１１】
本発明は、このような課題を効果的に解決し得るタッチパネルセンサおよびタッチパネルセンサの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明は、基板と、前記基板の一側の面上に所定パターンで設けられ、透光性および導電性を有する透明導電材料からなる第１下側パターンと、前記第１下側パターン上に所定パターンで設けられ、遮光性および導電性を有する金属材料からなる第１上側パターンと、を備え、前記第１下側パターンは、多列に並べられ、各々がｘ方向に延びる複数の第１透明導電パターンと、所定の領域にわたって形成された第１シールドパターンと、を含み、前記第１上側パターンは、各第１透明導電パターンに接続され、線状に延びる第１取出導電パターンと、各第１取出導電パターンに接続された第１端子部と、少なくとも部分的に前記第１シールドパターン上に設けられた第１ダミーパターンと、を含み、前記第１ダミーパターンのうち前記第１シールドパターン上に設けられた部分は、前記第１シールドパターンの外縁全域に沿って線状に延びるとともに、前記第１シールドパターンを少なくとも部分的に露出させるよう形成されていることを特徴とするタッチパネルセンサである。
【００１３】
本発明によるタッチパネルセンサは、前記基板の他側の面上に所定パターンで設けられ、透光性および導電性を有する透明導電材料からなる第２下側パターンと、前記第２下側パターン上に所定パターンで設けられ、遮光性および導電性を有する金属材料からなる第２上側パターンと、をさらに備えていてもよい。この場合、前記第２下側パターンは、多列に並べられ、各々がｘ方向に直交するｙ方向に延びる複数の第２透明導電パターンを含み、前記第２上側パターンは、各第２透明導電パターンに接続され、線状に延びる第２取出導電パターンと、各第２取出導電パターンに接続された第２端子部と、を含み、前記第１シールドパターンの領域は、前記基板の法線方向から見た場合に各第２取出導電パターンの領域を部分的に含んでいてもよい。
【００１４】
本発明によるタッチパネルセンサにおいて、前記第２下側パターンは、所定の領域にわたって形成された第２シールドパターンをさらに含んでいてもよい。この場合、前記第２上側パターンは、少なくとも部分的に前記第２シールドパターン上に設けられた第２ダミーパターンをさらに含み、前記第２ダミーパターンのうち前記第２シールドパターン上に設けられた部分は、前記第２シールドパターンの外縁全域に沿って線状に延びるとともに、前記第２シールドパターンを少なくとも部分的に露出させるよう形成されていてもよい。
【００１５】
本発明によるタッチパネルセンサにおいて、前記第２シールドパターンの領域は、前記基板の法線方向から見た場合に各第１取出導電パターンの領域を部分的に含んでいてもよい。
【００１６】
本発明によるタッチパネルセンサにおいて、前記第１ダミーパターンは、前記各第１取出導電パターンのうち最も外側に位置する第１取出導電パターンに少なくとも部分に沿って延びる部分を有していてもよい。
【００１７】
本発明によるタッチパネルセンサにおいて、前記第２ダミーパターンは、前記各第２取出導電パターンのうち最も外側に位置する第２取出導電パターンに少なくとも部分に沿って延びる部分を有していてもよい。
【００１８】
本発明は、上記記載のタッチパネルセンサを製造する方法において、前記基板と、前記基板の一側の面上に設けられ、透明導電材料からなる第１透明導電層と、前記第１透明導電層上に設けられ、金属材料からなる第１金属層と、前記第１金属層上に設けられた光溶解型の第１感光層と、を有する積層体を準備する工程と、遮光部と透光部とを有する一側ファースト露光マスクを用いて前記第１感光層を露光する工程と、前記露光された第１感光層を現像して一側ファースト感光パターンを形成する工程と、前記一側ファースト感光パターンをマスクとして前記第１透明導電層および前記第１金属層をエッチングする工程と、パターニングされた前記第１金属層上に、光溶解型の感光層からなり、所定のパターンを有する一側セカンド感光パターンを形成する工程と、前記一側セカンド感光パターンをマスクとして前記第１金属層をさらにエッチングする工程と、を備え、前記一側セカンド感光パターンは、遮光部と透光部とを含む一側セカンド露光マスクを用いて光溶解型の感光層を露光することにより形成され、前記一側ファースト露光マスクの前記遮光部は、前記第１下側パターンおよび前記第１上側パターンのそれぞれに対応する部分を含み、前記一側セカンド露光マスクの前記透光部は、前記第１下側パターンの各第１透明導電パターンに対応する部分と、前記第１下側パターンの前記第１シールドパターンのうち露出される部分に対応する部分と、を含むことを特徴とするタッチパネルセンサの製造方法である。
【００１９】
本発明によるタッチパネルセンサの製造方法において、前記タッチパネルセンサは、前記基板の他側の面上に所定パターンで設けられ、透光性および導電性を有する透明導電材料からなる第２下側パターンと、前記第２下側パターン上に所定パターンで設けられ、遮光性および導電性を有する金属材料からなる第２上側パターンと、をさらに備えていてもよい。この場合、前記第２下側パターンは、多列に並べられ、各々がｘ方向に直交するｙ方向に延びる複数の第２透明導電パターンを含み、前記第２上側パターンは、各第２透明導電パターンに接続され、線状に延びる第２取出導電パターンと、各第２取出導電パターンに接続された第２端子部と、を含み、前記一側セカンド露光マスクは、その透光部のうち前記第１シールドパターンの露出される部分に対応する部分が、前記基板の法線方向から見た場合に各第２取出導電パターンの領域を部分的に含むよう配置されてもよい。
【００２０】
本発明によるタッチパネルセンサの製造方法において、前記積層体は、前記基板の他側の面上に設けられ、透明導電材料からなる第２透明導電層と、前記第２透明導電層上に設けられ、金属材料からなる第２金属層と、前記第２金属層上に設けられた光溶解型の第２感光層と、をさらに有していてもよい。この場合、タッチパネルセンサの製造方法は、遮光部と透光部とを有する他側ファースト露光マスクを用いて前記第２感光層を露光する工程と、前記露光された第２感光層を現像して他側ファースト感光パターンを形成する工程と、前記他側ファースト感光パターンをマスクとして前記第２透明導電層および前記第２金属層をエッチングする工程と、パターニングされた前記第２金属層上に、光溶解型の感光層からなり、所定のパターンを有する他側セカンド感光パターンを形成する工程と、前記他側セカンド感光パターンをマスクとして前記第２金属層をさらにエッチングする工程と、を備え、前記他側セカンド感光パターンは、遮光部と透光部とを含む他側セカンド露光マスクを用いて光溶解型の感光層を露光することにより形成され、前記他側ファースト露光マスクの前記遮光部は、前記第２下側パターンおよび前記第２上側パターンのそれぞれに対応する部分を含み、前記他側セカンド露光マスクの前記透光部は、前記第２下側パターンの各第２透明導電パターンに対応する部分を含んでいてもよい。
【００２１】
本発明によるタッチパネルセンサの製造方法において、前記第２下側パターンは、所定の領域にわたって形成された第２シールドパターンをさらに含み、前記第２上側パターンは、少なくとも部分的に前記第２シールドパターン上に設けられた第２ダミーパターンをさらに含んでいてもよい。この場合、前記第２ダミーパターンのうち前記第２シールドパターン上に設けられた部分は、前記第２シールドパターンの外縁全域に沿って線状に延びるとともに、前記第２シールドパターンを少なくとも部分的に露出させるよう形成されており、前記他側セカンド露光マスクの前記透光部は、前記第２下側パターンの前記第２シールドパターンのうち露出される部分に対応する部分をさらに含んでいてもよい。
【００２２】
本発明によるタッチパネルセンサの製造方法において、前記他側セカンド露光マスクは、その透光部のうち前記第２シールドパターンの露出される部分に対応する部分が、前記基板の法線方向から見た場合に各第１取出導電パターンの領域を部分的に含むよう配置されてもよい。
【００２３】
本発明によるタッチパネルセンサの製造方法において、前記一側セカンド感光パターンは、はじめに、前記一側ファースト感光パターンをマスクとしてエッチングされた前記第１金属層上に光溶解型の感光層を設け、次に、この感光層を前記一側セカンド露光マスクを用いて露光し、その後、露光された感光層を現像することにより形成されてもよい。
【００２４】
本発明によるタッチパネルセンサの製造方法において、前記一側セカンド感光パターンは、はじめに、エッチングされた前記第１金属層上に残っている前記一側ファースト感光パターンを前記一側セカンド露光マスクを用いて露光し、その後、露光された前記一側ファースト感光パターンを現像することにより形成されてもよい。
【００２５】
本発明によるタッチパネルセンサの製造方法において、前記他側セカンド感光パターンは、はじめに、前記他側ファースト感光パターンをマスクとしてエッチングされた前記第２金属層上に光溶解型の感光層を設け、次に、この感光層を前記他側セカンド露光マスクを用いて露光し、その後、露光された感光層を現像することにより形成されてもよい。
【００２６】
本発明によるタッチパネルセンサの製造方法において、前記他側セカンド感光パターンは、はじめに、エッチングされた前記第２金属層上に残っている前記他側ファースト感光パターンを前記他側セカンド露光マスクを用いて露光し、その後、露光された前記他側ファースト感光パターンを現像することにより形成されてもよい。
【発明の効果】
【００２７】
本発明によれば、前記基板の一側の面上に形成され、透明導電材料からなる第１下側パターンは、所定の領域にわたって形成された第１シールドパターンを含んでおり、第１下側パターン上に形成され、金属材料からなる第１上側パターンは、少なくとも部分的に前記第１シールドパターン上に設けられた第１ダミーパターンを含んでいる。この第１ダミーパターンのうち第１シールドパターン上に設けられた部分は、第１シールドパターンを少なくとも部分的に露出させるよう形成されている。このような第１シールドパターンを形成することにより、基板の一側から他側への視認性を確保しながら、ノイズが基板の一側から他側へ、または他側から一側へ放出されるのを防ぐことができる。また第１ダミーパターンは、第１シールドパターンの外縁全域に沿って線状に延びている。この場合、第１シールドパターンの一端から他端へ至る電流経路として、外縁に沿って延びる第１ダミーパターンの一方の経路、例えば右回りの経路と、外縁に沿って延びる第１ダミーパターンの他方の経路、例えば左回りの経路の２つの経路が確保されることになる。このため、第１シールドパターンを少なくとも部分的に露出させるようフォトリソグラフィー法を用いて第１シールドパターン上の金属材料を除去する際、ファースト露光マスクとセカンド露光マスクとの間の相対的な位置関係がずれ、これによって第１ダミーパターンの一方の経路が細くなったとしても、一方の経路が細くなった分だけ第１ダミーパターンの他方の経路が太くなるようになっている。このため、ファースト露光マスクとセカンド露光マスクとの間の相対的な位置関係がずれた場合であっても、第１シールドパターンの一端から他端へ至る電流経路の電気抵抗が大きく劣化するのを防ぐことができる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】図１は、本発明の実施の形態におけるタッチパネルセンサを示す平面図。
【図２Ａ】図２Ａは、タッチパネルセンサの基板の一側に設けられる積層パターンを示す平面図。
【図２Ｂ】図２Ｂは、タッチパネルセンサの基板の他側に設けられる積層パターンを示す平面図。
【図３】図３（ａ）は、積層体を示す縦断面図、図３（ｂ）は、積層体をパターニングすることにより得られるタッチパネルセンサを模式的に示す縦断面図。
【図４Ａ】図４Ａは、一側ファースト露光マスクを示す図。
【図４Ｂ】図４Ｂは、他側ファースト露光マスクを示す図。
【図５Ａ】図５Ａは、一側セカンド露光マスクを示す図。
【図５Ｂ】図５Ｂは、他側セカンド露光マスクを示す図。
【図６】図６（ａ）（ｂ）（ｃ）（ｄ）は、１回目のパターニング工程を示す図。
【図７Ａ】図７Ａは、１回目のパターニング工程により得られた基板の一側の積層パターンを示す平面図。
【図７Ｂ】図７Ｂは、１回目のパターニング工程により得られた基板の他側の積層パターンを示す平面図。
【図８】図８（ａ）（ｂ）（ｃ）（ｄ）は、２回目のパターニング工程を示す図。
【図９】図９（ａ）は、本発明の実施の形態による第１シールドパターンおよび第１ダミーパターンを拡大して示す模式図、図９（ｂ）（ｃ）は、一側ファースト露光マスクと一側セカンド露光マスクの相対的な位置関係がずれた場合に得られる第１ダミーパターンを示す図。
【図１０】図１０（ａ）は、比較の形態による第１シールドパターンおよび第１ダミーパターンを拡大して示す模式図、図１０（ｂ）（ｃ）は、一側ファースト露光マスクと一側セカンド露光マスクの相対的な位置関係がずれた場合に得られる第１ダミーパターンを示す図。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
以下、図１乃至図１０を参照して、本発明の実施の形態について説明する。はじめに図１を参照して、本実施の形態によるタッチパネルセンサ６０全体について説明する。図１は、タッチパネルセンサ６０を示す平面図である。
【００３０】
タッチパネルセンサ
タッチパネルセンサ６０は、タッチパネルセンサ６０への外部導体（例えば、人間の指）の接触位置または接近位置を検知して、検知に基づく信号を外部に送るものである。このタッチパネルセンサ６０は、基板１２と、基板１２上に所定のパターンで設けられ、接触位置などのいわゆるタッチを検出する透明導電パターン６１，６２と、透明導電パターン６１，６２にそれぞれ電気的に接続された取出導電パターン６３，６４と、を備えている。このうち基板１２の一側（例えば観察者側）には、多列に並べられ、各々がｘ方向に延びる複数の第１透明導電パターン６１と、各第１透明導電パターン６１に接続され、線状に延びる複数の第１取出導電パターン６３とが設けられている。また、基板１２の他側（例えば表示部側）には、多列に並べられ、各々がｙ方向に延びる複数の第２透明導電パターン６２と、各第２透明導電パターン６２に接続され、線状に延びる複数の第２取出導電パターン６４とが設けられている。なお「線状に延びる」とは、図１および後述の図２Ａ，２Ｂに示すように、第１取出導電パターン６３および第２取出導電パターン６４が、略一定の幅を有するとともに様々な方向へ引き回されている、という態様を表している
【００３１】
また、第１透明導電パターン６１および第２透明導電パターン６２からの信号を外部へ取り出すための第１端子部６５および第２端子部６６が、それぞれ第１取出導電パターン６３および第２取出導電パターン６４に接続されている。なお図１においては、基板１２の他側に設けられている構成要素が点線で表されている。
【００３２】
図１に示すように、基板１２上の領域は、表示部（図示せず）からの映像が表示される表示領域Ｔ０であって、タッチを検出する第１透明導電パターン６１および第２透明導電パターン６２が配置される表示領域Ｔ０と、表示領域Ｔ０の周囲に形成され、第１取出導電パターン６３および第２取出導電パターン６４が配置される配線領域Ｔ１と、配線領域Ｔ１の外側に形成され、第１端子部６５および第２端子部６６が配置される端子領域Ｔ２と、に区画される。このうち配線領域Ｔ１および端子領域Ｔ２は、表示部からの映像が表示されない非表示領域となっている。図１に示すように、第１取出導電パターン６３および第２取出導電パターン６４は、配線領域Ｔ１から端子領域Ｔ２へ延びている。
【００３３】
上述のように、第１透明導電パターン６１および第２透明導電パターン６２は、表示部からの映像が表示される表示領域Ｔ０に設けられている。このため、第１透明導電パターン６１および第２透明導電パターン６２は、導電性および透光性を有する透明導電材料から構成されている。一方、上述のように、第１取出導電パターン６３、第２取出導電パターン６４、第１端子部６５および第２端子部６６は、表示部からの映像が表示されない非表示領域に設けられている。このため、取出導電パターン６３，６４および端子部６５，６６を構成する材料が透光性を有する必要はない。従って取出導電パターン６３，６４および端子部６５，６６は一般に、透透明導電材料よりも高い電気伝導率を有し、遮光性を備えた金属材料から構成される。
【００３４】
〔一側の構成要素〕
次に図１および図２Ａを参照して、タッチパネルセンサ６０の各構成要素のうち基板１２の一側に設けられているさらなる構成要素について説明する。図２Ａは、基板１２の一側に設けられている構成要素を示す平面図である。
【００３５】
（シールドパターン）
図２Ａに示すように、基板１２の一側の配線領域Ｔ１には、所定の領域にわたって隙間無く形成された第１シールドパターン７１が設けられている。この第１シールドパターン７１の領域は、基板１２の法線方向から見た場合に基板１２の他側に設けられている上述の各第２取出導電パターン６４の領域を部分的に含んでいる。例えば図１から見て取れるように、第１シールドパターン７１は、各第２取出導電パターン６４をほぼ全域にわたって覆うよう配置されている。このような第１シールドパターン７１を設けることにより、タッチパネルセンサ６０の一側において生じるノイズが基板１２の他側の第２取出導電パターン６４に伝達されることを防ぐことができる。例えば、指などの外部導体が基板１２の一側の第１透明導電パターン６１にタッチし、この際の容量変化に基づいて基板１２の一側でノイズが発生したとしても、このノイズが、基板１２の他側の第２取出導電パターン６４に伝達されることを防ぐことができる。これによって、基板１２の他側における検出の感度を向上させることができる。
【００３６】
このような第１シールドパターン７１は、好ましくは、透光性を有する材料から構成される。例えば、第１透明導電パターン６１を構成する透明導電材料と同一の透明導電材料から構成される。これによって、タッチパネルセンサ６０の製造工程において、第１シールドパターン７１の反対側に形成される第２取出導電パターン６４を視認することが可能となり、このことにより、第２取出導電パターン６４の断線チェックなどを簡易に実施することができる。
【００３７】
フォトリソグラフィー法を用いてタッチパネルセンサ６０が製造される場合、第１透明導電パターン６１および第１シールドパターン７１は、例えば後述する積層体の透明導電層をパターニングすることにより同時に形成される。これによって、より少ない工数で第１透明導電パターン６１および第１シールドパターン７１を形成することが可能となる。
【００３８】
（ダミーパターン）
また図２Ａに示すように、複数の第１取出導電パターン６３のうち最も外側にある各第１取出導電パターン６３のさらに外側に、第１ダミーパターン７３が設けられている。この第１ダミーパターン７３は、最も外側にある各第１取出導電パターン６３に部分的に沿って延びるとともに、少なくとも部分的に上述の第１シールドパターン７１上に位置するよう形成されている。また第１ダミーパターン７３は、配線領域Ｔ１から端子領域Ｔ２へ延び、そして第１端子部７５に接続されている。第１端子部７５は、適切な配線（図示せず）などを介して接地されている。
【００３９】
（ダミーパターンの第１の目的）
このような第１ダミーパターン７３は、第１に、各第１取出導電パターン６３における寄生容量の偏差を低減するという目的のために設けられている。第２に、第１シールドパターン７１を低抵抗で接地するという目的のために設けられている。はじめに、第１の目的について説明する。
【００４０】
図２Ａに示すように、複数の第１取出導電パターン６３のうち最も外側にある各第１取出導電パターン６３においては、隣接する第１取出導電パターン６３が片側にしか形成されていない。このため、仮に第１ダミーパターン７３が設けられていないとする場合、最も外側にある各第１取出導電パターン６３において形成される静電容量は、その他の第１取出導電パターン６３において形成される静電容量よりも小さくなってしまう。この場合、最も外側にある各第１取出導電パターン６３に対応する第１透明導電パターン６１をスキャンする際の容量検出感度が、その他の第１取出導電パターン６３に対応する第１透明導電パターン６１をスキャンする際の容量検出感度と異なることが考えられる。
ここで本実施の形態によれば、最も外側にある各第１取出導電パターン６３のさらに外側に、第１ダミーパターン７３が設けられている。このため、最も外側にある各第１取出導電パターン６３において形成される静電容量と、その他の第１取出導電パターン６３において形成される静電容量とをほぼ等しくすることができる。これによって、第１透明導電パターン６１による検出感度が向上することが期待される。なおこのような効果は、第１ダミーパターン７３のうち図２Ａにおいて矢印Ｒにより示される範囲に対応する部分によってもたらされる。
【００４１】
このような第１ダミーパターン７３は、好ましくは、第１取出導電パターン６３を構成する金属材料と同一の金属材料から、第１取出導電パターン６３と略同一のパターン幅で形成される。また、最も外側にある第１取出導電パターン６３と第１ダミーパターン７３との間の間隔は、隣接する２つの第１取出導電パターン６３間の間隔と略同一となっている。これによって、寄生容量の偏差を低減するという効果をより高めることができる。
【００４２】
（ダミーパターンの第２の目的）
次に第２の目的について説明する。上述のように、第１ダミーパターン７３は、少なくとも部分的に上述の第１シールドパターン７１上に位置するよう形成されている。具体的には、第１ダミーパターン７３のうち第１シールドパターン７１上に設けられた部分は、第１シールドパターン７１の外縁全域に沿って線状に延びるとともに、第１シールドパターン７１のうちその外縁よりも内側の部分を露出させるよう形成されている。なお「露出させる」とは、図２Ａに示すように、第１シールドパターン７１のうちその外縁よりも内側の部分の上に第１ダミーパターン７３が設けられていないということを意味している。
また「露出させる」という文言は、第１ダミーパターン７３以外の構成要素、例えば保護層（図示せず）などが第１シールドパターン７１のうちその外縁よりも内側の部分の上に設けられることを排除するものではない。なお第１シールドパターン７１の外縁全域に沿って線状に延びる第１ダミーパターン７３の幅は、例えば、外縁全域にわたって均一の幅ｔとなっている（図２Ａ参照）。
【００４３】
このような第１ダミーパターン７３を設けることにより、第１ダミーパターン７３を介して第１シールドパターン７１を低抵抗で接地することができ、このことにより、第１シールドパターン７１のシールド効果を高めることができる。また後述するように、第１ダミーパターン７３が第１シールドパターン７１の外縁全域に沿って線状に延びることにより、露光マスクの位置ずれが生じた場合であっても、第１シールドパターン７１を常に低抵抗で接地することができる。
【００４４】
〔他側の構成要素〕
次に図１および図２Ｂを参照して、タッチパネルセンサ６０の各構成要素のうち基板１２の他側に設けられているさらなる構成要素について説明する。図２Ｂは、基板１２の他側に設けられている構成要素を示す平面図である。なお便宜上、図２Ｂには、基板１２の一側から見た場合のパターン形状が示されている。
【００４５】
（シールドパターン）
図２Ｂに示すように、基板１２の他側の配線領域Ｔ１には、所定の領域にわたって隙間無く形成された第２シールドパターン７２が設けられている。この第２シールドパターン７２の領域は、基板１２の法線方向から見た場合に基板１２の一側に設けられている上述の各第１取出導電パターン６３の領域を部分的に含んでいる。例えば図１から見て取れるように、第２シールドパターン７２は、各第１取出導電パターン６３をほぼ全域にわたって覆うよう配置されている。このような第２シールドパターン７２を設けることにより、タッチパネルセンサ６０の他側において生じるノイズが基板１２の一側の第１取出導電パターン６３に伝達されることを防ぐことができる。例えば、表示部から放射されるノイズが基板１２の一側の第１取出導電パターン６３に伝達されることを防ぐことができる。これによって、基板１２の一側における検出の感度を向上させることができる。
【００４６】
第２シールドパターン７２の材料は、上述の第１シールドパターン７１の場合と略同一であるので、詳細な説明は省略する。
【００４７】
（ダミーパターン）
また図２Ｂに示すように、複数の第２取出導電パターン６４のうち最も外側にある第２取出導電パターン６４のさらに外側に、第２ダミーパターン７４が設けられている。この第２ダミーパターン７４は、最も外側にある各第２取出導電パターン６４に部分的に沿って延びるとともに、少なくとも部分的に上述の第２シールドパターン７２上に位置するよう形成されている。また第２ダミーパターン７４は、配線領域Ｔ１から端子領域Ｔ２へ延び、そして第２端子部７６に接続されている。第２端子部７６は、適切な配線（図示せず）などを介して接地されている。
【００４８】
この第２ダミーパターン７４により、上述の第１ダミーパターン７３の場合と同様に、各第２取出導電パターン６４における寄生容量の偏差を低減するとともに、第２シールドパターン７２を低抵抗で接地することができる。なお寄生容量の偏差を低減するという効果は、第２ダミーパターン７４のうち図２Ｂにおいて矢印Ｒにより示される範囲に対応する部分によってもたらされる。
【００４９】
第２ダミーパターン７４は、好ましくは、第２取出導電パターン６４を構成する金属材料と同一の金属材料から、第２取出導電パターン６４と略同一のパターン幅で形成される。また、最も外側にある第２取出導電パターン６４と第２ダミーパターン７４との間の間隔は、隣接する２つの第２取出導電パターン６４間の間隔と略同一となっている。これによって、寄生容量の偏差を低減するという効果をより高めることができる。
【００５０】
また図２Ｂに示すように、第２ダミーパターン７４のうち第２シールドパターン７２上に設けられた部分は、第２シールドパターン７２の外縁全域に沿って線状に延びるとともに、第２シールドパターン７２のうちその外縁よりも内側の部分を露出させるよう形成されている。これによって、第１ダミーパターン７３の場合と同様に、露光マスクの位置ずれが生じた場合であっても、第２シールドパターン７２を常に低抵抗で接地することが可能となる。なお第２シールドパターン７２の外縁全域に沿って線状に延びる第２ダミーパターン７４の幅は、例えば、外縁全域にわたって均一の幅ｕとなっている（図２Ｂ参照）。
【００５１】
タッチパネルセンサの製造方法
次に、タッチパネルセンサ６０の製造方法について説明する。本実施の形態によるタッチパネルセンサ６０は、フォトリソグラフィー法を用いて積層体をパターニングすることにより得られる。はじめに、用いられる積層体について説明する。
【００５２】
（積層体）
図３（ａ）は、積層体１３を示す縦断面図である。また図３（ｂ）は、フォトリソグラフィー法を用いて積層体１３をパターニングすることにより得られるタッチパネルセンサ６０を模式的に表す縦断面図である。
【００５３】
積層体１３は、基板１２と、基板１２の一側の面上に設けられ、透明導電材料からなる第１透明導電層１４と、第１透明導電層１４上に設けられ、金属材料からなる第１金属層１５と、第１金属層１５上に設けられた光溶解型の第１感光層１６と、基板１２の他側の面上に設けられ、透明導電材料からなる第２透明導電層１７と、第２透明導電層１７上に設けられ、金属材料からなる第２金属層１８と、第２金属層１８上に設けられた光溶解型の第２感光層１９と、を有している。
【００５４】
第１透明導電層１４および第２透明導電層１７を構成する透明導電材料としては、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、酸化亜鉛、酸化インジウム、アンチモン添加酸化錫、フッ素添加酸化錫、アルミニウム添加酸化亜鉛、カリウム添加酸化亜鉛、シリコン添加酸化亜鉛や、酸化亜鉛−酸化錫系、酸化インジウム−酸化錫系、酸化亜鉛−酸化インジウム−酸化マグネシウム系などの金属酸化物が用いられる。これらの金属酸化物が２種以上複合されてもよい。
【００５５】
第１金属層１５および第２金属層１８を構成する金属材料としては、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン、パラジウム、銀（Ａｇ）、クロム、銅等の金属及びそれらを主成分とする合金、あるいはそれら合金を含む積層体が用いられる。このうち銀を含む合金の例としては、銀、パラジウム、銅を含んでなるＡＰＣ合金が挙げられる。
【００５６】
第１感光層１６および第２感光層１９としては、所定の光、例えば紫外線によって照射されることにより溶解する光溶解型の感光層が用いられる。
【００５７】
後述するように、第１取出導電パターン６３、第１端子部６５、第１ダミーパターン７３および第１端子部７５は、積層体１３の第１金属層１５をパターニングすることにより同時に形成される。これによって、より少ない工数で第１取出導電パターン６３、第１端子部６５、第１ダミーパターン７３および第１端子部７５を形成することが可能となる。
【００５８】
ところでフォトリソグラフィー法を用いて製造されたタッチパネルセンサ６０においては、一般に、第１取出導電パターン６３、第１端子部６５、第１ダミーパターン７３および第１端子部７５と基板１２との間に第１透明導電層１４が介在されている。なぜなら、これによって、第１取出導電パターン６３、第１端子部６５、第１ダミーパターン７３および第１端子部７５における電気抵抗を、第１透明導電層１４の分だけ低減することができるからである。このようにタッチパネルセンサ６０において、第１取出導電パターン６３、第１端子部６５、第１ダミーパターン７３および第１端子部７５は、パターニングされた第１透明導電層１４上に設けられたパターンとなっている。すなわち、本実施の形態におけるタッチパネルセンサ６０は、図３（ｂ）で模式的に示されているように、第１透明導電層１４をパターニングすることにより得られる第１下側パターン２０と、第１下側パターン２０上に所定パターンで設けられ、第１金属層１５をパターニングすることにより得られる第１上側パターン３０と、を備えている。このうち第１下側パターン２０には、上述の第１透明導電パターン６１および第１シールドパターン７１が含まれている。また第１上側パターン３０には、上述の第１取出導電パターン６３、第１端子部６５、第１ダミーパターン７３および第１端子部７５が含まれている。
【００５９】
同様に、基板１２の他側に関しても、本実施の形態におけるタッチパネルセンサ６０は、第２透明導電層１７をパターニングすることにより得られる第２下側パターン２５と、第２下側パターン２５上に所定パターンで設けられ、第２金属層１８をパターニングすることにより得られる第２上側パターン３５と、を備えている。このうち第２下側パターン２５には、上述の第２透明導電パターン６２および第２シールドパターン７２が含まれている。また第２上側パターン３５には、上述の第２取出導電パターン６４、第２端子部６６、第２ダミーパターン７４および第２端子部７６が含まれている。
【００６０】
（露光マスク）
次に、フォトリソグラフィー法において用いられる露光マスクについて説明する。本実施の形態においては、後述するように２回の露光工程が実施される。
【００６１】
１回目の露光工程においては、図４Ａに示す一側ファースト露光マスク４０と、図４Ｂに示す他側ファースト露光マスク４５と、が使用される。このうち一側ファースト露光マスク４０は、１回目の露光工程において基板１２の一側に配置される露光マスクとなっており、一方、他側ファースト露光マスク４５は、１回目の露光工程において基板１２の他側に配置される露光マスクとなっている。
【００６２】
また２回目の露光工程においては、図５Ａに示す一側セカンド露光マスク５０と、図５Ｂに示す他側セカンド露光マスク５５と、が使用される。このうち一側セカンド露光マスク５０は、２回目の露光工程において基板１２の一側に配置される露光マスクとなっており、一方、他側セカンド露光マスク５５は、２回目の露光工程において基板１２の他側に配置される露光マスクとなっている。
【００６３】
以下、各露光マスク４０，４５，５０，５５について詳細に説明する。
【００６４】
〔一側ファースト露光マスク〕
はじめに一側ファースト露光マスク４０について説明する。一側ファースト露光マスク４０は、光を遮蔽する遮光部４１と、光を透過させる透光部４２とからなっている。このうち遮光部４１は、図４Ａに示すように、第１感光層１６のうち第１シールドパターン７１に対応する領域に露光光が照射されるのを防ぐシールドパターン用遮光部４３と、第１感光層１６のうち第１透明導電パターン６１に対応する領域に露光光が照射されるのを防ぐ透明導電パターン用遮光部４４と、を含んでいる。また図４Ａに示すように、遮光部４１は、第１感光層１６のうち第１取出導電パターン６３，第１端子部６５，第１ダミーパターン７３および第１端子部７５に対応する領域に露光光が照射されるのを防ぐ部分をさらに含んでいる。すなわち遮光部４１は、第１感光層１６のうち上述した第１下側パターン２０および第１上側パターン３０に含まれる各パターンに対応する領域に露光光が照射されるのを防ぐよう形成されている。
【００６５】
〔一側セカンド露光マスク〕
次に一側セカンド露光マスク５０について説明する。一側セカンド露光マスク５０は、光を遮蔽する遮光部５１と、光を透過させる透光部５２とからなっている。このうち透光部５２は、図５Ａに示すように、基板１２の一側の感光層のうち第１シールドパターン７１に対応する領域に向けて露光光を透過させるシールドパターン用透光部５３と、基板１２の一側の感光層のうち第１透明導電パターン６１に対応する領域に向けて露光光を透過させる透明導電パターン用透光部５４と、を含んでいる。なお上述のように第１シールドパターン７１の領域が各第２取出導電パターン６４の領域を部分的に含む場合、一側セカンド露光マスク５０は、露光の際、シールドパターン用透光部５３が第２取出導電パターン６４となる領域を部分的に含むよう配置される。
【００６６】
なお上述のように、第１シールドパターン７１上には、第１シールドパターン７１の外縁全域に沿って線状に延びる第１ダミーパターン７３が形成される。従って、一側セカンド露光マスク５０のシールドパターン用透光部５３の寸法は、第１ダミーパターン７３の幅の分だけ一側ファースト露光マスク４０のシールドパターン用遮光部４３よりも小さくなっている。具体的には、第１ダミーパターン７３の幅をｔとする場合（図２Ａ参照）、一側セカンド露光マスク５０のシールドパターン用透光部５３の寸法は、一側ファースト露光マスク４０のシールドパターン用遮光部４３の寸法よりも、ｘ方向およびｙ方向においてそれぞれ２ｔだけ小さくなっている。また、各露光マスク４０，５０は、シールドパターン用遮光部４３の中心とシールドパターン用透光部５３の中心とが対応するよう形成されている。これによって、第１シールドパターン７１の外縁全域に沿って線状に延び、幅ｔを有する第１ダミーパターン７３を得ることができる。
【００６７】
なお本実施の形態において、第１ダミーパターン７３の幅ｔは、起こりうる露光マスクの相対的な位置のずれの程度よりも大きくなっている。例えば、一側ファースト露光マスク４０と一側セカンド露光マスク５０との間で生じうる位置のずれが最大５０μｍである場合、第１ダミーパターン７３の幅ｔは５０μｍよりも大きくなっている。これによって、仮に露光マスクの間の相対的な位置のずれが生じた場合であっても、第１シールドパターン７１の外縁に沿って線状に延びる第１ダミーパターン７３が途中で途切れてしまうことを防ぐことができる。
【００６８】
なお露光マスクの位置のずれとは、所定のアライメントマーク（図示せず）を基準とした場合の一側ファースト露光マスク４０に対する一側セカンド露光マスク５０の位置ずれだけでなく、第１シールドパターン７１を基準とした場合の一側ファースト露光マスク４０に対する一側セカンド露光マスク５０の位置ずれも含む概念とする。従って、露光マスクの位置のずれは、各露光マスク４０，５０を位置決めする露光機（図示せず）のアライメント精度に起因して生じるだけでなく、一側ファースト露光マスク４０を用いた露光から一側セカンド露光マスク５０を用いた露光までの間に生じうる積層体１３の伸縮などにも起因して生じ得る。
【００６９】
〔他側ファースト露光マスク〕
次に他側ファースト露光マスク４５について説明する。他側ファースト露光マスク４５は、光を遮蔽する遮光部４６と、光を透過させる透光部４７とからなっている。このうち遮光部４６は、図４Ｂに示すように、第２感光層１９のうち第２シールドパターン７２に対応する領域に露光光が照射されるのを防ぐシールドパターン用遮光部４８と、第２感光層１９のうち第２透明導電パターン６２に対応する領域に露光光が照射されるのを防ぐ透明導電パターン用遮光部４９と、を含んでいる。また図４Ｂに示すように、遮光部４６は、第２感光層１９のうち第２取出導電パターン６４，第２端子部６６，第２ダミーパターン７４および第２端子部７６に対応する領域に露光光が照射されるのを防ぐ部分をさらに含んでいる。すなわち遮光部４６は、一側ファースト露光マスク４０の遮光部４１の場合と同様に、第２感光層１９のうち上述した第２下側パターン２５および第２上側パターン３５に含まれる各パターンに対応する領域に露光光が照射されるのを防ぐよう形成されている。
【００７０】
〔他側セカンド露光マスク〕
次に他側セカンド露光マスク５５について説明する。他側セカンド露光マスク５５は、光を遮蔽する遮光部５６と、光を透過させる透光部５７とからなっている。このうち透光部５７は、図５Ｂに示すように、基板１２の他側の感光層のうち第２シールドパターン７２に対応する領域に向けて露光光を透過させるシールドパターン用透光部５８と、基板１２の他側の感光層のうち第２透明導電パターン６２に対応する領域に向けて露光光を透過させる透明導電パターン用透光部５９と、を含んでいる。なお上述のように第２シールドパターン７２の領域が各第１取出導電パターン６３の領域を部分的に含んでいる場合、他側セカンド露光マスク５５は、露光の際、シールドパターン用透光部５８が第１取出導電パターン６３となる領域を部分的に含むよう配置される。
【００７１】
なお上述のように、第２シールドパターン７２上には、第２シールドパターン７２の外縁全域に沿って線状に延びる第２ダミーパターン７４が形成される。従って、他側セカンド露光マスク５５のシールドパターン用透光部５８の寸法は、第２ダミーパターン７４の幅の分だけ他側ファースト露光マスク４５のシールドパターン用遮光部４８よりも小さくなっている。具体的には、第２ダミーパターン７４の幅をｕとする場合（図２Ｂ参照）、他側セカンド露光マスク５５のシールドパターン用透光部５８の寸法は、他側ファースト露光マスク４５のシールドパターン用遮光部４８の寸法よりも、ｘ方向およびｙ方向においてそれぞれ２ｕだけ小さくなっている。また、各露光マスク４５，５５は、シールドパターン用遮光部４８の中心とシールドパターン用透光部５８の中心とが対応するよう形成されている。これによって、第２シールドパターン７２の外縁全域に沿って線状に延び、幅ｕを有する第２ダミーパターン７４を得ることができる。
【００７２】
第２ダミーパターン７４の幅ｕは、第１ダミーパターン７３の幅ｔの場合と同様に、起こりうる露光マスクの相対的な位置のずれの程度よりも大きくなっている。これによって、仮に露光マスクの間の相対的な位置のずれが生じた場合であっても、第２シールドパターン７２の外縁に沿って線状に延びる第２ダミーパターン７４が途中で途切れてしまうことを防ぐことができる。
【００７３】
（１回目のパターニング工程）
次に、露光マスク４０，４５，５０，５５を用いて積層体１３をパターニングする工程について説明する。はじめに図６（ａ）（ｂ）（ｃ）（ｄ）を参照して、一側ファースト露光マスク４０および他側ファースト露光マスク４５を用いる１回目のパターニング工程について説明する。なお図６（ａ）（ｂ）（ｃ）（ｄ）に示す積層体１３の縦断面図は、パターニング工程を模式的に示すためのものであり、図１乃至図２Ｂに示すタッチパネルセンサ６０の各パターンの形状とは厳密には一致していない。
【００７４】
まず積層体１３を準備する。次に図６（ａ）に示すように、積層体１３の一側に一側ファースト露光マスク４０を配置し、積層体１３の他側に他側ファースト露光マスク４５を配置する。
【００７５】
その後、第１感光層１６の感光特性に対応した露光光（例えば、紫外線）を、ファースト露光マスク４０を介して第１感光層１６に照射する。同時に、第２感光層１９の感光特性に対応した露光光（例えば、紫外線）を、他側ファースト露光マスク４５を介して第２感光層１９に照射する。この結果、第１感光層１６および第２感光層１９が、最終的に得られる第１下側パターン２０および第２下側パターン２５に対応したパターンで露光される。
【００７６】
なお、図６（ａ）に示すように、積層体１３において、第１感光層１６と第２感光層１９との間には、遮光性を有する第１金属層１５および第２金属層１８が介在されている。
このため、積層体１３の一側から照射される露光光が第２感光層１９に到達することはなく、同様に、積層体１３の他側から照射される露光光が第１感光層１６に到達することもない。このため、第１感光層１６および第２感光層１９を同時に露光することが可能となっている。
【００７７】
次に、露光された第１感光層１６および第２感光層１９を現像する。これによって、図６（ｂ）に示すように、最終的に得られる第１下側パターン２０と略同一のパターンを有する一側ファースト感光パターン１６ａと、最終的に得られる第２下側パターン２５と略同一のパターンを有する他側ファースト感光パターン１９ａとが形成される。
【００７８】
次に、一側ファースト感光パターン１６ａをマスクとして、第１金属層１５をエッチングする。同様に、他側ファースト感光パターン１９ａをマスクとして、第２金属層１８をエッチングする。これによって、図６（ｃ）に示すように、第１金属層１５が一側ファースト感光パターン１６ａと略同一のパターンにパターニングされ、第２金属層１８が他側ファースト感光パターン１９ａと略同一のパターンにパターニングさる。この際、エッチング液は、第１金属層１５および第２金属層１８を構成する材料に応じて適宜選択されるが、例えば燐酸、硝酸、酢酸および水などを所定の割合で含むエッチング液が用いられる。
【００７９】
次に、一側ファースト感光パターン１６ａをマスクとして、第１透明導電層１４をエッチングする。また、他側ファースト感光パターン１９ａをマスクとして、第２透明導電層１７をエッチングする。これによって、図６（ｄ）に示すように、第１透明導電層１４が一側ファースト感光パターン１６ａと略同一のパターンにパターニングされ、第２透明導電層１７が他側ファースト感光パターン１９ａと略同一のパターンにパターニングされる。この際、エッチング液は、第１透明導電層１４および第２透明導電層１７を構成する材料に応じて適宜選択されるが、例えば塩化第二鉄を含むエッチング液が用いられる。
【００８０】
図７Ａは、１回目のパターニング工程により得られた基板１２の一側の積層パターンを示す平面図であり、図７Ｂは、１回目のパターニング工程により得られた基板１２の他側の積層パターンを示す平面図である。図７Ａに示すように、第１透明導電層１４，第１金属層１５および一側ファースト感光パターン１６ａは、第１下側パターン２０および第１上側パターン３０のそれぞれを包含する形状を有している。また図７Ｂに示すように、第２透明導電層１７，第２金属層１８および他側ファースト感光パターン１９ａは、第２下側パターン２５および第２上側パターン３５のそれぞれを包含する形状を有している。
【００８１】
（２回目のパターニング工程）
次に図８（ａ）（ｂ）（ｃ）（ｄ）を参照して、一側セカンド露光マスク５０および他側セカンド露光マスク５５を用いる２回目のパターニング工程について説明する。なお図８（ａ）（ｂ）（ｃ）（ｄ）に示す積層体１３の縦断面図は、パターニング工程を模式的に示すためのものであり、図１乃至図２Ｂに示すタッチパネルセンサ６０の各パターンの形状とは厳密には一致していない。
【００８２】
はじめに図８（ａ）に示すように、１回目のパターニングが実施された後の積層体１３の一側に一側セカンド露光マスク５０を配置し、他側に他側セカンド露光マスク５５を配置する。
【００８３】
次に露光光を、一側セカンド露光マスク５０を介して一側ファースト感光パターン１６ａに照射する。同時に、露光光を、他側セカンド露光マスク５５を介して他側ファースト感光パターン１９ａに照射する。この結果、一側ファースト感光パターン１６ａのうち第１透明導電パターン６１および第１シールドパターン７１に対応する部分が露光される。
また、他側ファースト感光パターン１９ａのうち第２透明導電パターン６２および第２シールドパターン７２に対応する部分が露光される。
【００８４】
次に、露光された一側ファースト感光パターン１６ａおよび他側ファースト感光パターン１９ａを現像する。これによって、図８（ｂ）に示すように、最終的に得られる第１上側パターン３０と略同一のパターンを有する一側セカンド感光パターン１６ｂと、最終的に得られる第２上側パターン３５と略同一のパターンを有する他側セカンド感光パターン１９ｂと、が形成される。
【００８５】
次に、一側セカンド感光パターン１６ｂをマスクとして、第１透明導電層１４上に残っている第１金属層１５をエッチングする。同様に、他側セカンド感光パターン１９ｂをマスクとして、第２透明導電層１７上に残っている第２金属層１８をエッチングする。これによって、図８（ｃ）に示すように、第１金属層１５が一側セカンド感光パターン１６ｂと略同一のパターンにパターニングされ、第２金属層１８が他側セカンド感光パターン１９ｂと略同一のパターンにパターニングされる。この際、エッチング液としては、第１透明導電層１４および第２透明導電層１７をエッチングすることなく第１金属層１５および第２金属層１８のみを選択的にエッチングするエッチング液が用いられる。例えば燐酸、硝酸、酢酸および水などを所定の割合で含むエッチング液が用いられる。
【００８６】
最後に、第１金属層１５および第２金属層１８上に残っている一側セカンド感光パターン１６ｂおよび他側セカンド感光パターン１９ｂを除去する。これによって、図８（ｄ）に示すように、基板１２と、基板１２の一側の面上に所定パターンで設けられた第１下側パターン２０と、第１下側パターン２０上に所定パターンで設けられた第１上側パターン３０と、基板１２の他側の面上に所定パターンで設けられた第２下側パターン２５と、第２下側パターン２５上に所定パターンで設けられた第２上側パターン３５と、を含むタッチパネルセンサ６０が得られる。
【００８７】
（露光マスクの配置がずれる場合について）
ところで上述のように、露光マスクの位置決めの精度には限界がある。このため、上述した２回のパターニング工程において、一側ファースト露光マスク４０および他側ファースト露光マスク４５に対する一側セカンド露光マスク５０および他側セカンド露光マスク５５の相対的な位置関係がずれることが考えられる。以下、そのような相対的な位置関係のずれが生じた場合における、本実施の形態の効果について説明する。
【００８８】
なお、一側ファースト露光マスク４０に対する一側セカンド露光マスク５０の相対的な位置関係のずれが生じた場合における効果と、他側ファースト露光マスク４５に対する他側セカンド露光マスク５５の相対的な位置関係のずれが生じた場合における効果とは略同一となっている。従って、ここでは、一側ファースト露光マスク４０に対する一側セカンド露光マスク５０の相対的な位置関係のずれが生じた場合における効果についてのみ説明する。
【００８９】
図９（ａ）（ｂ）（ｃ）は、本実施の形態による第１シールドパターン７１および第１ダミーパターン７３を模式的に示す平面図である。このうち図９（ａ）は、一側ファースト露光マスク４０に対する一側セカンド露光マスク５０の相対的な位置ずれが無い場合に得られる第１シールドパターン７１および第１ダミーパターン７３を示す図である。また、図９（ｂ）（ｃ）は、一側ファースト露光マスク４０に対する一側セカンド露光マスク５０の相対的な位置ずれがｙ方向（図９（ｂ）における上下方向）およびｘ方向（図９（ｃ）における左右方向）に生じた場合に得られる第１シールドパターン７１および第１ダミーパターン７３を示す図である。
【００９０】
はじめに、一側ファースト露光マスク４０に対する一側セカンド露光マスク５０の相対的な位置ずれが無い場合について説明する。この場合、図９（ａ）に示すように、得られる第１ダミーパターン７３の幅は、第１シールドパターン７１の外縁全域にわたってｔとなっている。
【００９１】
ここで、第１シールドパターン７１のうち図９（ａ）において符号Ｐで示す点が、第１ダミーパターン７３および第１端子部７５を介して接地される経路について考える。この場合、点Ｐは、矢印ｋ１で示される、右回りで第１ダミーパターン７３を介して第１端子部７５に到達する経路（以下、右回り経路）と、矢印ｋ２で示される、左回りで第１ダミーパターン７３を介して第１端子部７５に到達する経路（以下、左回り経路）と、の２つの経路で接地されている。なお、第１シールドパターン７１の電気抵抗は第１ダミーパターン７３の電気抵抗に比べて大きいので、第１シールドパターン７１を通って第１端子部７５に到達する経路は無視されている。
【００９２】
次に、一側ファースト露光マスク４０に対する一側セカンド露光マスク５０の相対的な位置ずれがｙ方向に生じた場合について説明する。この場合、図９（ｂ）に示すように、露光マスクの位置ずれの分だけ、右回り経路の第１ダミーパターン７３のうちｘ方向に延びる部分の幅が小さくなっている。一方、露光マスクの位置ずれの分だけ、左回り経路の第１ダミーパターン７３のうちｘ方向に延びる部分の幅が大きくなっている。この結果、図９（ａ）に示す形態および図９（ｂ）に示す形態において、点Ｐから第１ダミーパターン７３を介して第１端子部７５に至る経路の電気抵抗は略同一になっている。
【００９３】
次に、一側ファースト露光マスク４０に対する一側セカンド露光マスク５０の相対的な位置ずれがｘ方向に生じた場合について説明する。この場合、図９（ｃ）に示すように、露光マスクの位置ずれの分だけ、右回り経路の第１ダミーパターン７３のうちｙ方向に延びる部分の幅が小さくなっている。一方、露光マスクの位置ずれの分だけ、左回り経路の第１ダミーパターン７３のうちｙ方向に延びる部分の幅が大きくなっている。この結果、図９（ａ）に示す形態および図９（ｃ）に示す形態において、点Ｐから第１ダミーパターン７３を介して第１端子部７５に至る経路の電気抵抗は略同一になっている。
【００９４】
このように本実施の形態によれば、上述のように、透明導電材料からなる第１下側パターン２０は、所定の領域にわたって隙間無く形成された第１シールドパターン７１を含んでいる。また、第１下側パターン２０上に形成され、金属材料からなる第１上側パターン３０は、少なくとも部分的に第１シールドパターン７１上に設けられた第１ダミーパターン７３を含んでいる。この第１ダミーパターン７３のうち第１シールドパターン７１上に設けられた部分は、第１シールドパターン７１の外縁全域に沿って線状に延びている。このため、一側ファースト露光マスク４０に対する一側セカンド露光マスク５０の相対的な位置関係がずれ、これによって第１ダミーパターン７３の右回り経路が細くなったとしても、右回り経路が細くなった分だけ左回り経路が太くなるようになっている。このため、一側ファースト露光マスク４０に対する一側セカンド露光マスク５０の相対的な位置関係がずれた場合であっても、第１シールドパターン７１を全域にわたって常に低抵抗で接地することができる。これによって、第１シールドパターン７１のシールド効果を常に安定して実現することができる。
【００９５】
また本実施の形態によれば、第１ダミーパターン７３のうち第１シールドパターン７１上に設けられた部分は、第１シールドパターン７１を少なくとも部分的に露出させるよう形成されている。このため、基板１２の一側から他側への視認性を確保しながら、ノイズが基板の一側から他側へ、または他側から一側へ放出されるのを防ぐことができる。
【００９６】
また本実施の形態によれば、第１シールドパターン７１の外縁に沿って第１ダミーパターン７３を形成することにより、第１ダミーパターン７３に、第１シールドパターン７１を低抵抗で接地する作用、および、第１取出導電パターン６３の寄生容量の偏差を抑制する作用の両方を付与することができる。これによって、簡易な構成で効率的にタッチパネルセンサ６０の特性を向上させることができる。
【００９７】
なお図２Ａに示すように、積層体１３の第１金属層１５をパターニングして第１取出導電パターン６３、第１端子部６５、第１ダミーパターン７３および第１端子部７５を形成する際、同時に第１アライメントマーク６７が形成されてもよい。この第１アライメントマーク６７は、例えば、タッチパネルセンサ６０を表示部（図示せず）に組み合わせる際のアライメントマークとして利用される。
【００９８】
また図２Ｂに示すように、第２金属層１８をパターニングして第２取出導電パターン６４、第２端子部６６、第２ダミーパターン７４および第２端子部７６を形成する際、同時に第２アライメントマーク６８や第２ＩＤ領域７０が形成されてもよい。第２アライメントマーク６８は、例えば、タッチパネルセンサ６０を表示部（図示せず）に組み合わせる際のアライメントマークとして利用される。また第２ＩＤ領域７０は、タッチパネルセンサ６０の製品名や製造番号などのＩＤ情報を表示するよう利用される。
【００９９】
比較の形態
次に、図１０（ａ）（ｂ）（ｃ）を参照して、本実施の形態の効果を比較の形態と比較して説明する。図１０（ａ）（ｂ）（ｃ）に示す比較の形態によるタッチパネルセンサの第１シールドパターンおよび第１ダミーパターンは、第１ダミーパターンが第１シールドパターンの片側にのみ設けられている点が異なるのみであり、他の構成は、上述の本実施の形態におけるタッチパネルセンサの第１シールドパターンおよび第１ダミーパターンと略同一である。図１０（ａ）（ｂ）（ｃ）に示す比較の形態において、上述の本実施の形態と同一部分には同一符号を付して詳細な説明は省略する。
【０１００】
図１０（ａ）（ｂ）（ｃ）は、比較の形態による第１シールドパターン７１および第１ダミーパターン１７３を模式的に示す平面図である。このうち図１０（ａ）は、露光マスク間の相対的な位置ずれが無い場合に得られる第１シールドパターン７１および第１ダミーパターン１７３を示す図である。また、図１０（ｂ）（ｃ）は、露光マスク間の相対的な位置ずれがｙ方向（図１０（ｂ）における上下方向）およびｘ方向（図１０（ｃ）における左右方向）に生じた場合に得られる第１シールドパターン７１および第１ダミーパターン１７３を示す図である。
【０１０１】
図１０（ａ）に示すように、比較の形態においては、第１ダミーパターン１７３が第１シールドパターン７１の片側にのみ設けられている。従って、比較の形態においては、点Ｐは、上述の本実施の形態における右回り経路のみによって接地されている。
【０１０２】
次に、露光マスク間の相対的な位置ずれがｙ方向に生じた場合について説明する。この場合、図１０（ｂ）に示すように、露光マスクの位置ずれの分だけ、第１ダミーパターン１７３のうちｘ方向に延びる部分の幅が小さくなっている。この結果、図１０（ｂ）に示す形態においては、図１０（ａ）に示す形態に比べて、点Ｐから第１ダミーパターン１７３を介して第１端子部７５に至る経路の電気抵抗が大きくなっている。
【０１０３】
次に、露光マスク間の相対的な位置ずれがｘ方向に生じた場合について説明する。この場合、図１０（ｃ）に示すように、露光マスクの位置ずれの分だけ、第１ダミーパターン１７３のうちｙ方向に延びる部分の幅が小さくなっている。この結果、図１０（ｃ）に示す形態においては、図１０（ａ）に示す形態に比べて、点Ｐから第１ダミーパターン１７３を介して第１端子部７５に至る経路の電気抵抗が大きくなっている。
【０１０４】
このように比較の形態においては、露光マスク間の相対的な位置ずれの分だけ、第１シールドパターン７１の接地抵抗が変動してしまうことが考えられる。
【０１０５】
これに対して本実施の形態によれば、上述のように、第１ダミーパターン７３のうち第１シールドパターン７１上に設けられた部分は、第１シールドパターン７１の外縁全域に沿って線状に延びている。このため、露光マスク間の相対的な位置ずれが生じた場合であっても、第１シールドパターン７１を全域にわたって常に低抵抗で接地することができる。
【０１０６】
なお本実施の形態において、第１上側パターン３０によってその外縁全域を囲われた第１下側パターン２０が、第１ダミーパターン７３によってその外縁全域を囲われた第１シールドパターン７１からなる例を示した。しかしながら、これに限られることはなく、第１シールドパターン７１および第１ダミーパターン７３の組合せ以外にも、第１上側パターン３０によってその外縁全域を囲われた第１下側パターン２０が存在していてもよい。
【０１０７】
また本実施の形態において、一側ファースト露光マスク４０を用いた露光と他側ファースト露光マスク４５を用いた露光とが同時に実施される例を示した。しかしながら、これに限られることはなく、一側ファースト露光マスク４０を用いた露光と他側ファースト露光マスク４５を用いた露光とが別々に実施されてもよい。同様に、一側セカンド露光マスク５０を用いた露光と他側セカンド露光マスク５５を用いた露光とが別々に実施されてもよい。
【０１０８】
また本実施の形態において、一側セカンド感光パターン１６ｂが、はじめに、第１上側パターン３０上に残っている一側ファースト感光パターン１６ａを一側セカンド露光マスク５０を用いて露光し、その後、露光された一側ファースト感光パターン１６ａを現像することにより形成される例を示した。しかしながら、これに限られることはなく、１回目のパターニング工程の後、第１上側パターン３０上に残っている一側ファースト感光パターン１６ａを除去し、次に、第１上側パターン３０上に新たに追加で光溶解型の感光層（図示せず）を設け、その後、この追加の感光層を一側セカンド露光マスク５０を用いて露光し、そして、露光された追加の感光層を現像することにより一側セカンド感光パターン１６ｂが形成されてもよい。
【０１０９】
同様に、本実施の形態において、他側セカンド感光パターン１９ｂが、はじめに、第２上側パターン３５上に残っている他側ファースト感光パターン１９ａを他側セカンド露光マスク５５を用いて露光し、その後、露光された他側ファースト感光パターン１９ａを現像することにより形成される例を示した。しかしながら、これに限られることはなく、１回目のパターニング工程の後、第２上側パターン３５上に残っている他側ファースト感光パターン１９ａを除去し、次に、第２上側パターン３５上に新たに追加で光溶解型の感光層（図示せず）を設け、その後、この追加の感光層を他側セカンド露光マスク５５を用いて露光し、そして、露光された追加の感光層を現像することにより他側セカンド感光パターン１９ｂが形成されてもよい。
【０１１０】
なお、第１上側パターン３０上および第２上側パターン３５上に新たに追加で光溶解型の感光層を設ける方法は特に限定されず、様々な公知の方法が用いられ得る。例えば、感光層の材料が溶解している感光液中に積層体１３を浸漬させる方法、いわゆるディップコート法により、第１上側パターン３０上および第２上側パターン３５上に新たに追加で光溶解型の感光層が設けられる。なおディップコート法を用いる場合、第１上側パターン３０上および第２上側パターン３５上に一側ファースト感光パターン１６ａおよび他側ファースト感光パターン１９ａが残っていたとしても、積層体１３が感光液中に浸漬されている間に一側ファースト感光パターン１６ａおよび他側ファースト感光パターン１９ａが感光液中に溶解され得る。すなわち、ディップコート法を用いる場合、第１上側パターン３０上および第２上側パターン３５上に残っている一側ファースト感光パターン１６ａおよび他側ファースト感光パターン１９ａを除去することと、第１上側パターン３０上および第２上側パターン３５上に新たに追加で光溶解型の感光層（図示せず）を設けることとを同時に実施することができる。またディップコート法を用いる場合、基板１２の両側に同時に感光層を同時に設けることができる。従って、基板１２の両側に感光層が設けられる場合、ディップコート法が好ましく用いられる。
【０１１１】
また上述の本実施の形態において、第１感光層１６および第２感光層１９として光溶解型の感光層が用いられる例を示した。しかしながら、これに限られることはなく、感光層１６および第２感光層１９として光硬化型の感光層が用いられてもよい。
なお光硬化型の感光層が用いられる場合、当業者にとって自明なことではあるが、各露光マスク４０，４５，５０，５５における遮光部と透光部のパターンが反転されることになる。
また光硬化型の感光層が用いられる場合、１回目のパターニング工程の後、残っている感光層が除去されることになる。その後、２回目のパターニング工程において、新たな感光層が設けられ、そしてセカンド露光マスクによって感光層が露光される。
【０１１２】
また上述の本実施の形態において、基板１２の一側および他側の両方に下側パターンおよび上側パターンからなる積層パターンが形成される例を示した。しかしながら、これに限られることはなく、基板１２の一側または他側の一方にのみ積層パターンが形成されていてもよい。基板１２の一側または他側の一方にのみ積層パターンが形成されている場合であっても、上述の本実施の形態における技術的思想を適用することにより、下側パターンの外縁全域にわたって形成される上側パターンの抵抗値が変動することを防ぐことができる。
【０１１３】
また上述の本実施の形態において、第１シールドパターン７１または第２シールドパターン７２が、所定の領域にわたって隙間無く形成されている例を示した。すなわち、第１シールドパターン７１または第２シールドパターン７２がいわゆるベタ層として形成されている例を示した。しかしながら、これに限られることはなく、第１シールドパターン７１または第２シールドパターン７２は、ストライプ状などの様々な模様を有していてもよい。これによって、第１シールドパターン７１または第２シールドパターン７２は、様々な周波数のノイズに柔軟に対応することができる。従って、本実施の形態における第１シールドパターン７１または第２シールドパターン７２は、ノイズを遮蔽するために第１透明導電層１４または第２透明導電層１７が形成されている領域として定義される。
【符号の説明】
【０１１４】
１０  積層パターン基板
１２  基板
１３  積層体
１４  第１透明導電層
１５  第１金属層
１６  第１感光層
１７  第２透明導電層
１８  第２金属層
１９  第２感光層
２０  第１下側パターン
２５  第２下側パターン
３０  第１上側パターン
３５  第２上側パターン
４０  一側ファースト露光マスク
４１  遮光部
４２  透光部
４５  他側ファースト露光マスク
４６  遮光部
４７  透光部
５０  一側セカンド露光マスク
５１  遮光部
５２  透光部
５５  他側セカンド露光マスク
５６  遮光部
５７  透光部
６０  タッチパネルセンサ
６１  第１透明導電パターン
６２  第２透明導電パターン
６３  第１取出導電パターン
６４  第２取出導電パターン
６５  第１端子部
６６  第２端子部
６７  第１アライメントマーク
６８  第２アライメントマーク
７０  第２ＩＤ領域
７１  第１シールドパターン
７２  第２シールドパターン
７３  第１ダミーパターン
７４  第２ダミーパターン
７５  第１端子部
７６  第２端子部
Ｔ０  表示領域
Ｔ１  配線領域
Ｔ２  端子領域
Ｔ３  中間領域
【図１】
0005699357.tif 000002
【図２Ａ】
0005699357.tif 000003
【図２Ｂ】
0005699357.tif 000004
【図３】
0005699357.tif 000005
【図４Ａ】
0005699357.tif 000006
【図４Ｂ】
0005699357.tif 000007
【図５Ａ】
0005699357.tif 000008
【図５Ｂ】
0005699357.tif 000009
【図６】
0005699357.tif 000010
【図７Ａ】
0005699357.tif 000011
【図７Ｂ】
0005699357.tif 000012
【図８】
0005699357.tif 000013
【図９】
0005699357.tif 000014
【図１０】
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