(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素領域が複数形成された基板本体を含む有機発光表示装置であって、
前記複数の画素領域のそれぞれは、不透明領域及び透明領域を含み、
前記不透明領域は、光を放出する表示領域を含み、
前記表示領域及び前記透明領域は、前記表示領域と前記透明領域との間に配置される導電ラインによって離隔して配置され、
前記導電ラインは、ゲートラインであることを特徴とする、有機発光表示装置。
【請求項２】
前記表示領域には、アノード電極、カソード電極、及び前記アノード電極と前記カソード電極との間に形成された有機発光層を含む有機発光素子が形成され、
前記導電ラインは、前記透明領域と前記カソード電極との間に配置されることを特徴とする、請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項３】
前記透明領域が、前記不透明領域に配置された副画素領域の数と同数の領域にパターン化されることを特徴とする、請求項１又は２に記載の有機発光表示装置。
【請求項４】
画素領域が複数形成された基板本体を含む有機発光表示装置であって、
前記複数の画素領域のそれぞれは、不透明領域及び透明領域を含み、
前記不透明領域は、光を放出する表示領域を含み、
前記表示領域及び前記透明領域は、前記表示領域と前記透明領域との間に配置される導電ラインによって離隔して配置され、
前記透明領域が、前記不透明領域に配置された副画素領域の数より小さい数の領域にパターン化されることを特徴とする、有機発光表示装置。
【請求項５】
前記透明領域の数が一つであることを特徴とする、請求項４に記載の有機発光表示装置。
【請求項６】
画素領域が複数形成された基板本体を含む有機発光表示装置であって、
前記複数の画素領域のそれぞれは、不透明領域及び透明領域を含み、
前記不透明領域は、光を放出する表示領域を含み、
前記表示領域及び前記透明領域は、前記表示領域と前記透明領域との間に配置される導電ラインによって離隔して配置され、
前記透明領域には、光透過性を有して両面発光する透明表示部が形成されることを特徴とする、有機発光表示装置。
【請求項７】
前記導電ラインは、共通電源ラインであることを特徴とする、請求項６に記載の有機発光表示装置。
【請求項８】
前記導電ラインは、ゲートラインであることを特徴とする、請求項６又は７に記載の有機発光表示装置。
【請求項９】
前記表示領域には、アノード電極、カソード電極、及び前記アノード電極と前記カソード電極との間に形成された有機発光層を含む有機発光素子が形成され、前記導電ラインは、前記透明領域と前記カソード電極との間に配置されることを特徴とする、請求項６から８のいずれか１項に記載の有機発光表示装置。
【請求項１０】
前記透明表示部は、透明なカソード電極を含むことを特徴とする、請求項６から９のいずれか１項に記載の有機発光表示装置。
【請求項１１】
前記透明なカソード電極は、Ｍｇ、Ａｇ、またはＹｂを含むことを特徴とする、請求項１０に記載の有機発光表示装置。
【請求項１２】
前記不透明領域には、背面発光する不透明表示部が形成されることを特徴とする、請求項６から１１のいずれか１項に記載の有機発光表示装置。
【請求項１３】
前記透明領域の前記透明表示部が含むアノード電極と前記不透明領域の前記不透明表示部が含むアノード電極とが互いに連結されたことを特徴とする、請求項１２に記載の有機発光表示装置。
【請求項１４】
前記透明領域の前記透明表示部が含むアノード電極と前記不透明領域の前記不透明表示部が含むアノード電極とが互いに分離されたことを特徴とする、請求項１２に記載の有機発光表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は有機発光表示装置に関し、より詳しくは透明な有機発光表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機発光表示装置（ｏｒｇａｎｉｃ  ｌｉｇｈｔ  ｅｍｉｔｔｉｎｇ  ｄｉｏｄｅ  ｄｉｓｐｌａｙ）は、光を放出する有機発光素子を有して、画像を表示する自発光型表示装置である。また、有機発光表示装置は、特性上、使用者が有機発光表示装置を透過して反対側に位置した事物またはイメージを見ることができる透明表示装置に形成される。例えば、透明な有機発光表示装置は、スイッチオフの状態で反対側に位置した事物またはイメージを透過させ、スイッチオンの状態で有機発光素子から放出された光で画像を表示することができる。従って、透明な有機発光表示装置は、有機発光素子及び薄膜トランジスタなどを含む画素が形成された不透明領域及び光を透過させる透明領域を含む。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】大韓民国特許公開第１０−２００４−００６２１６６号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ここで、透明領域は、光が通過して反対側に位置した事物またはイメージが表示されるように、通常数マイクロメートル乃至数十マイクロメートル水準の幅を有して画素と画素との間に規則的に配列される。
【０００５】
透明領域が広いほどより高い透過率を得ることができるが、不透明領域にカソード電極を形成するための蒸着工程において、工程マージンによって不透明な材質のカソード電極が透明領域にも形成される干渉現象が発生する。このように透明領域に不透明なカソード電極が干渉されて形成されると、透明領域が減少して透過性が低下するだけでなく、透過するイメージが歪む問題が発生する。
【０００６】
上記課題に対して、本発明の目的とするところは、不透明なカソード電極の干渉現象を防止して、透明領域が拡大された有機発光表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明の実施形態によれば、画素領域が複数形成された基板本体を含む有機発光表示装置であって、前記複数の画素領域のそれぞれは、不透明領域及び透明領域を含み、前記不透明領域は、光を放出する表示領域を含む。前記表示領域及び前記透明領域は、前記表示領域と前記透明領域との間に配置される導電ラインによって離隔して配置されることを特徴とする、有機発光表示装置が提供される。
【０００８】
前記導電ラインは、共通電源ラインであってもよく、ゲートラインであってもよい。
【０００９】
前記表示領域には、アノード電極、カソード電極、及び前記アノード電極と前記カソード電極との間に形成された有機発光層を含む有機発光素子が形成され、前記導電ラインは、前記透明領域と前記カソード電極との間に配置されてもよい。
【００１０】
前記透明領域には、光透過性を有して両面発光する透明表示部が形成されてもよい。
【００１１】
前記透明表示部は、透明なカソード電極を含んでもよい。前記透明なカソード電極は、Ｍｇ、Ａｇ、またはＹｂを含んでもよい。前記不透明領域には、背面発光する不透明表示部が形成されてもよい。前記透明領域の透明表示部が含むアノード電極と前記不透明領域の不透明表示部が含むアノード電極とが互いに連結されてもよい。
【００１２】
前記透明領域の透明表示部が含むアノード電極と前記不透明領域の不透明表示部が含むアノード電極とが互いに分離されてもよい。
【００１３】
前記透明領域は、前記不透明領域に配置された副画素領域の数と同数の領域にパターン化されてもよい。
【００１４】
前記透明領域は、前記不透明領域に配置された副画素領域の数より小さい数の領域にパターン化されてもよく、前記透明領域の数は一つであってもよい。
【発明の効果】
【００１５】
以上説明したように本発明の実施形態によれば、有機発光表示装置は、広い透明領域を確保して光透過性を向上させることができるだけでなく、イメージの歪みを最少化させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の第１実施形態に係る有機発光表示装置の配置図である。
【図２】図１の副画素を拡大して示した配置図である。
【図３】図２のＩＩＩ-ＩＩＩ線による断面図である。
【図４】本発明の第２実施形態に係る有機発光表示装置の配置図である。
【図５】本発明の第３実施形態に係る有機発光表示装置の配置図である。
【図６】本発明の第４実施形態に係る有機発光表示装置の配置図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、添付図面を参照して、本発明の実施形態について、本発明が属する技術分野において通常の知識を有する者が容易に実施できるように詳しく説明する。しかし、本発明は多様な形態に具現され、ここで説明する実施形態に限られない。
【００１８】
また、明細書全体にわたって、同一または類似した構成要素については、同一な参照符号を付けるようにする。また、多様な実施形態において、第１実施形態以外の実施形態では、第１実施形態と異なる構成を中心に説明する。
【００１９】
また、図面に表示された各構成の大きさ及び厚さは、説明の便宜のために任意に示したものであるため、本発明が必ずしも示されたとおりであるとは限らない。
【００２０】
図面では、複数の層及び領域を明確に表現するために、厚さを拡大して示した。そして、図面では、説明の便宜のために、一部の層及び領域の厚さを誇張して示した。層、膜、領域、板などの部分がある部分の「上」にまたは「上部」にあるとする時、これは他の部分の「直上」にある場合だけでなく、その中間にさらに他の部分がある場合も含む。
【００２１】
以下、図１乃至図３を参照して、本発明の第１実施形態に係る有機発光表示装置１０１について説明する。図１乃至図３に示したように、本発明の第１実施形態に係る有機発光表示装置１０１は、複数の副画素（ＳＰＡＲ、ＳＰＡＧ、ＳＰＡＢ）を含む画素領域（ＰＡ）が複数形成された基板本体１１１と、副画素（ＳＰＡＲ、ＳＰＡＧ、ＳＰＡＢ）ごとに各々形成された有機発光素子（ｏｒｇａｎｉｃ  ｌｉｇｈｔ  ｅｍｉｔｔｉｎｇ  ｄｉｏｄｅ、ＯＬＥＤ）７０及び薄膜トランジスタ（ｔｈｉｎ  ｆｉｌｍ  ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ、ＴＦＴ）１０、２０を含む。また、有機発光表示装置１０１は、薄膜トランジスタ１０、２０または有機発光素子７０と連結される複数の導電ライン１５１、１７１、１７２をさらに含む。
基板本体１１１は、ガラス、石英、及びセラミックなどから形成された透明な絶縁性基板で形成されたり、プラスチックなどから形成された透明なフレキシブル（ｆｌｅｘｉｂｌｅ）基板で形成される。
【００２２】
画素領域（ＰＡ）は、ほぼ正方形に形成される。しかし、本発明の第１実施形態がこれに限定されるのではなく、画素領域（ＰＡ）は長方形に形成されてもよい。
【００２３】
以下では、画素領域（ＰＡ）、複数の副画素（ＳＰＡＲ、ＳＰＡＧ、ＳＰＡＢ）、及び後述する透明領域９０及び表示領域３０の形状が四角形であるというのは、必ずしも角部が直角を成す完全な四角形をいうのではなく、角部が曲線で形成されても、全体的な形状が正方形または長方形であることをいう。
【００２４】
画素領域（ＰＡ）において、各副画素（ＳＰＡＲ、ＳＰＡＧ、ＳＰＡＢ）は、不透明領域（ＯＡ）及び透明領域９０を含む。また、不透明領域（ＯＡ）は、表示領域３０及び薄膜トランジスタ領域６０を含む。不透明領域（ＯＡ）には、図２に示したように、有機発光素子７０、薄膜トランジスタ１０、２０、導電ライン１５１、１７１、１７２、及び蓄電素子８０などが形成される。導電ラインは、ゲートライン１５１、データライン１７１、及び共通電源ライン１７２を含む。透明領域９０には、光を透過させることができる透明な絶縁膜などが形成される。
【００２５】
一方、本発明の第１実施形態において、表示領域３０には、赤色表示部３１、緑色表示部３２、及び青色表示部３３の３つの表示部が配置される。しかし、本発明による実施形態は、これによって限定されるのではない。従って、一つの表示領域に２つまたは４つ以上の表示部が配置されてもよい。
【００２６】
第１実施形態により赤色表示部３１に形成された有機発光素子７０は、赤色系の光を放出し、緑色表示部３２に形成された有機発光素子７０は、緑色系の光を放出し、青色表示部３３に形成された有機発光素子７０は、青色系の光を放出する。しかし、本発明の実施形態では、各表示部から発光する光をある特定の色に限定しない。例えば、各表示部から発光する光は、表示領域に形成される表示部の数に応じて適正に調節される。
【００２７】
全表示部３１、３２、３３は、同一な面積を有したり、各々互いに異なる面積を有したり、または一部だけが同一な面積を有する。
【００２８】
また、本発明の第１実施形態において、透明領域９０は長方形からなり、一つのパターンに形成される。そして、複数の表示部３１、３２、３３は、透明領域９０の長さ方向に沿って並んで配列される。この時、表示領域３０と透明領域９０との間には共通電源ライン１７２が配置される。従って、表示領域３０及び透明領域９０は、共通電源ライン１７２を間において離隔配置される。
【００２９】
この共通電源ライン１７２は、表示領域３０に各表示部を構成する時に、不透明なカソード電極７３０を形成するための蒸着工程時の工程マージンによって不透明なカソード電極７３０が透明領域９０にまで形成されて透明領域９０の面積を減少させるのを防止する役割を果たす。つまり、カソード電極７３０を形成する時に、カソード電極７３０の形成範囲が一部表示領域３０を逸脱しても、共通電源ライン１７２の領域内にだけ形成されれば、カソード電極７３０は、共通電源ライン１７２を越えて透明領域９０にまで侵入しないようになる。ここで、カソード電極７３０は、Ａｌ、Ａｇなどからなる。
【００３０】
このように、第１実施形態においては、表示領域３０及び透明領域９０、つまり表示領域３０のカソード電極７３０と透明領域９０との間に導電ラインである共通電源ライン１７２が位置する。
【００３１】
（実施例）
前述のように、表示領域３０と透明領域９０との間に共通電極ライン１７２が形成された状態で、カソード電極７３０の形成ための蒸着工程誤差が１５μｍであると仮定して、透明領域９０の幅をｄｔとし、表示領域３０の幅をｄｓとする時、表示領域３０の幅（ｄｓ）を７９μｍに、透明領域９０の幅（ｄｔ）を９６．５μｍに形成することができた。
【００３２】
（比較例）
表示領域と透明領域との間に共通電極ラインなどの導電ラインなく表示領域及び透明領域が近接配置されて形成された場合、表示領域の幅（ｄｓ）は実施形態のように７９μｍに形成されるが、透明領域の幅（ｄｔ）は表示領域に配置されるカソード電極の干渉によって実施例より狭く７０μｍに形成されることが分かった。
【００３３】
このように、本発明の第１実施形態に係る有機発光表示装置１０１は、透明領域の広さが拡大して、光透過性が向上するだけでなく、イメージの歪みを最少化させることができる。
【００３４】
以下、図２及び図３を参照して、有機発光表示装置１０１の内部構造について、より詳しく説明する。図２及び図３においては、一つの画素に二つの薄膜トランジスタ１０、２０及び一つの蓄電素子（ｃａｐａｃｉｔｏｒ）８０が形成された２Ｔｒ-１Ｃａｐ構造のアクティブマトリックス（ａｃｔｉｖｅ  ｍａｔｒｉｘ、ＡＭ）型有機発光表示装置１０１を示したが、本発明の実施形態がこれに限定されるのではない。
【００３５】
従って、有機発光表示装置１０１は、一つの画素に三つ以上の薄膜トランジスタ及び二つ以上の蓄電素子が形成され、別途の配線がさらに形成されて、多様な構造を有するように形成されてもよい。ここで、画素は、画像を表示する最小単位をいい、画素領域ごとに配置される。有機発光表示装置１０１は、複数の画素を通して画像を表示する。
【００３６】
図２及び図３に示したように、基板本体１１１上には一つの画素ごとに各々スイッチング薄膜トランジスタ１０、駆動薄膜トランジスタ２０、蓄電素子８０、及び有機発光素子７０などが形成される。ここで、スイッチング薄膜トランジスタ１０、駆動薄膜トランジスタ２０、及び蓄電素子８０を含む構成を駆動回路部（ＤＣ）という。また、基板本体１１１と駆動回路部（ＤＣ）及び有機発光素子７０との間にはバッファー層１２０がさらに形成されてもよい。バッファー層１２０は、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）の単一膜、または窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）及び酸化ケイ素（ＳｉＯ２）が積層された二重膜構造に形成される。バッファー層１２０は、不純元素または水分などの不要な成分の浸透を防止すると同時に、表面を平坦化する役割を果たす。しかし、バッファー層１２０は、必ずしも必要な構成要素ではなく、基板本体１１１の種類及び工程条件に応じて省略してもよい。
【００３７】
また、基板本体１１１上には、一方向に沿って配置されるゲートライン１５１、及びゲートライン１５１と絶縁交差するデータライン１７１及び共通電源ライン１７２がさらに形成される。
【００３８】
一つの画素は、ゲートライン１５１、データライン１７１、及び共通電源ライン１７２を境界として定義されるが、必ずしもこれに限定されるのではない。
【００３９】
有機発光素子７０は、アノード電極７１０、アノード電極７１０上に形成された有機発光層７２０、有機発光層７２０上に形成されたカソード電極７３０を含む。アノード電極７１０及びカソード電極７３０から各々正孔及び電子が有機発光層７２０の内部に注入される。注入された正孔及び電子が結合した励起子（ｅｘｉｔｏｎ）が励起状態から基底状態に落ちる時に発光する。
【００４０】
蓄電素子８０は、層間絶縁膜１６０を間において配置された一対の蓄電板１５８、１７８を含む。ここで、層間絶縁膜１６０は誘電体となる。蓄電素子８０で蓄電された電荷と両蓄電板１５８、１７８の間の電圧とによって蓄電容量が決定される。
【００４１】
スイッチング薄膜トランジスタ１０は、スイッチング半導体層１３１、スイッチングゲート電極１５２、スイッチングソース電極１７３、及びスイッチングドレイン電極１７４を含む。駆動薄膜トランジスタ２０は、駆動半導体層１３２、駆動ゲート電極１５５、駆動ソース電極１７６、及び駆動ドレイン電極１７７を含む。
【００４２】
スイッチング薄膜トランジスタ１０は、発光させようとする画素を選択するスイッチング素子として使用される。スイッチングゲート電極１５２は、ゲートライン１５１と連結される。スイッチングソース電極１７３は、データライン１７１と連結される。スイッチングドレイン電極１７４は、スイッチングソース電極１７３から離隔配置されて、何れか一つの蓄電板１５８と連結される。
【００４３】
駆動薄膜トランジスタ２０は、選択した画素内の有機発光素子７０の有機発光層７２０を発光させるための駆動電源を画素電極７１０に印加する。駆動ゲート電極１５５は、スイッチングドレイン電極１７４と連結された蓄電板１５８と連結される。駆動ソース電極１７６及び他の一つの蓄電板１７８は、各々共通電源ライン１７２と連結される。駆動ドレイン電極１７７は、接触孔（ｃｏｎｔａｃｔ  ｈｏｌｅ）を介して有機発光素子７０の画素電極７１０と連結される。
【００４４】
このような構造によって、スイッチング薄膜トランジスタ１０は、ゲートライン１５１に印加されるゲート電圧によって作動して、データライン１７１に印加されるデータ電圧を駆動薄膜トランジスタ２０に伝達する役割を果たす。共通電源ライン１７２から駆動薄膜トランジスタ２０に印加される共通電圧とスイッチング薄膜トランジスタ１０から伝達されたデータ電圧との差に相当する電圧が蓄電素子８０に保存され、蓄電素子８０に保存された電圧に対応する電流が駆動薄膜トランジスタ２０を介して有機発光素子７０に流れて、有機発光素子７０が発光するようになる。
【００４５】
有機発光素子７０上には、透明な封止部材２１０が配置される。封止部材２１０は、基板本体１１１とシーラント（図示せず）によって合着されて内部空間を密封して、有機発光素子７０及び薄膜トランジスタ１０、２０を保護する。本発明の第１実施形態において、封止部材２１０は、ガラス（ｇｌａｓｓ）基板またはプラスチック基板などの透明な絶縁性基板である。しかし、本発明の第１実施形態がこれに限定されるのではない。従って、封止部材２１０に順次に積層された複数の保護膜を含む透明な封止薄膜が使用されてもよい。
【００４６】
また、薄膜トランジスタ１０、２０及び有機発光素子７０の構造は、図２及び図３に示されたとおりであるとは限らない。つまり、薄膜トランジスタ１０、２０及び有機発光素子７０の構造は、当該技術分野の従事者が容易に実施できる範囲内で多様に変更される。
【００４７】
以下、図４を参照して、本発明の第２実施形態に係る有機発光表示装置１０２について説明する。図４に示したように、本発明の第２実施形態に係る有機発光表示装置１０２は、複数の副画素（ＳＰＡＲ、ＳＰＡＧ、ＳＰＡＢ）を含む画素領域（ＰＡ）を形成するに当たり、この画素領域（ＰＡ）が、光透過性を有する透明領域２９０、複数の表示部２７１、２７２、２７３を含む表示領域２７０、及び表示領域２７０と透明領域２９０との間に配置されたゲートライン２２０を含む。さらに、画素領域（ＰＡ）は、透明領域２９０との間に表示領域２７０が配置されるようにする薄膜トランジスタ領域２６０、及びこの薄膜トランジスタ領域２６０に隣接配置された共通電源ライン２５０を含む。
【００４８】
つまり、この第２実施形態においては、表示領域２７０及び透明領域２９０がゲートライン２２０を間において離隔配置され、表示領域２９０に形成された有機発光素子のカソード電極は、ゲートライン２２０を越えて透明領域２９０にまで形成されることがない。
【００４９】
前述した第２実施形態のように、表示領域と透明領域との間にゲートラインを形成すると、表示領域に配置されたカソード電極が不透明な特性を有しても、透明領域に侵入して形成されるのを防止することができる。
【００５０】
この第２実施形態においても、不透明領域に含まれる構成要素には、表示領域２７０、薄膜トランジスタ領域２６０、ゲートライン２２０、共通電源ライン２５０などが含まれる。
【００５１】
以下、図５を参照して、本発明の第３実施形態に係る有機発光表示装置１０３について説明する。図５に示したように、本発明の第３実施形態に係る有機発光表示装置１０３は、画素領域（ＰＡ）を形成するに当たり、この画素領域（ＰＡ）が、複数の透明表示部３９１、３９２、３９３を含む透明領域３９０、複数の不透明表示部３７１、３７２、３７３を含む表示領域３７０、及び表示領域３７０と透明領域３９０との間に配置された共通電源ライン３２０を含む。つまり、第３実施形態においては、表示領域３７０だけでなく、透明領域３９０からでも、光を放出することができるようにする。
【００５２】
もちろん、第３実施形態においても、透明領域３９０及び表示領域３７０が共通電源ライン３２０を間において離隔配置されることによって、表示領域３７０に配置された有機発光素子のカソード電極が共通電源ライン３２０を越えて透明領域３９０にまで形成されない。
【００５３】
さらに、表示領域３７０は、薄膜トランジスタが形成された薄膜トランジスタ領域３６０と透明領域３９０との間に位置し、薄膜トランジスタ領域３６０と隣接するようにゲートライン３５０が形成される。
【００５４】
表示領域３７０に含まれている第１不透明表示部３７１は、赤色系の光を放出し、第２不透明表示部３７２は、緑色系の光を放出し、第３不透明表示部３７３は、青色系の光を放出する。この時、表示領域３７０は、背面発光で光を放出する。このために、表示領域３７０に形成される有機発光素子のカソード電極は、不透明で光を反射する物質（例:Ａｌ、Ａｇ）で形成される。
【００５５】
一方、透明領域３９０は、光透過性を有する両面発光型で光を放出するように構成される。つまり、透明領域３９０の第１透明表示部３９１からは赤色系の光を放出し、第２透明表示部３９２からは緑色系の光を放出し、第３透明表示部３９３からは青色系の光を放出し、この時、第１透明表示部３９１、第２透明表示部３９２、及び第３透明表示部３９３は、両面発光で光を放出する。このために、透明領域３９０に形成される有機発光素子のカソード電極は、Ｍｇ、Ａｇ、またはＹｂなどの物質からなる。つまり、第３実施形態において、透明領域３９０に配置されるカソード電極は、透明であるか、完全に透明でなくても有機発光層から放出した光を透過させて色を表示することができる程度の物質で構成される。
【００５６】
一方、この第３実施形態において、一つの画素領域において透明領域３９０及び不透明領域３７０に対応する各々のアノード電極は、互いに連結されたり分離されて、各々の駆動回路から連結される。
【００５７】
両領域のアノード電極が連結された場合には、一つのパターンに形成することができて製作が容易になり、これらが分離された場合には、画素不良が発生した場合にこれに対する補修が容易になる。
【００５８】
第３実施形態によれば、一つの画素領域において背面発光する表示領域３７０及び両面発光する透明領域３９０が共通電源ライン３２０で分離されて有機発光表示装置１０３が構成されるため、表示領域３７０に配置される有機発光素子のカソード電極が共通電源ライン３２０で遮断されて表示領域３７０に侵入することができないため、両面発光する透明領域３９０の広さを安定的に確保することができる。
【００５９】
さらに、この第３実施形態の有機発光表示装置１０３は、前述した実施形態とは異なって、透明領域３９０にも表示部３９１、３９２、３９３を形成して、この透明領域３９０による透明効果が必要な場合には、透明領域３９０からも両面に光を放出することができるようになる。
【００６０】
なお、図５では、透明領域３９０は、不透明領域３７０に配置された副画素領域の数と同数の領域にパターン化されているが、これに限らず、例えば、透明領域３９０は、不透明領域３７０に配置された副画素領域の数より小さい数の領域にパターン化されてもよい。
【００６１】
図６は、本発明の第４実施形態に係る有機発光表示装置１０４を示した配置図である。この第４実施形態に係る有機発光表示装置１０４は、前述した実施形態と基本構成は同様であるが、透明領域４９０が表示領域４７０の副画素の数より小さい数の領域に形成されるように構成される。例えば、図６に示したように、表示領域４７０に配置される副画素（ＳＰＡＲ、ＳＰＡＧ、ＳＰＡＢ）は、その数をＲ、Ｇ、Ｂに対応して３つにしているが、透明領域４９０は、３つの副画素（ＳＰＡＲ、ＳＰＡＧ、ＳＰＡＢ）に対応して一つの領域になるようにパターン化されて構成される。このような、透明領域４９０の表示部パターンは、透明領域を通して透過するイメージの歪みの最少化に有利である。
【００６２】
第４実施形態に係る有機発光表示装置１０４について、図６では、画素領域（ＰＡ）において透明領域４９０及び表示領域４７０を区分する導電ラインを電源共通ライン４２０にし、薄膜トランジスタ領域４６０に隣接してゲートライン４５０が配置されているとにしたが、必要に応じては、これらが逆に配置されてもよい。
【００６３】
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について詳細に説明したが、本発明はかかる例に限定されない。本発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、これらについても、当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【符号の説明】
【００６４】
３０、２７０、３７０      表示領域
６０、２６０、３６０、４６０      薄膜トランジスタ領域
７０      有機発光素子
９０、２９０、３９０      透明領域
１０１、１０２、１０３      有機発光表示装置
１７２、２５０、３２０、４２０      電源共通ライン
１５１、２２０、３５０、４５０      ゲートライン
ＰＡ      画素領域
ＯＡ      不透明領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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