(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
テープ経路に沿って位置して、磁気テープ媒体を実質的に消磁するように構成された磁気テープ消去ユニットと、
実質的に消磁された磁気テープ媒体の全幅において少なくとも２０％の残留磁化を生成するように構成されたバイアス磁石と、
テープ経路に沿って位置して、残留磁化を有する磁気テープ媒体にサーボトラックを書き込むように構成されたサーボ書き込みヘッドと
を備え、
前記磁気テープ消去ユニットが、第１組の磁気要素と、第２組の磁気要素とを含み、
前記第１組の磁気要素と前記第２組の磁気要素が、交互配置を形成するように位置すると共に、夫々、逆の極性の磁界を発生し、
前記磁気テープ消去ユニットとは別個に、前記バイアス磁石を収容するバイアスユニットを更に備え、前記バイアスユニットが、
テープ経路の一部を形成するガイドと、
前記バイアス磁石に止着された取付ブロックと、
前記バイアス磁石とテープ経路の間の距離を調整するように構成されたステージと、を含むサーボ書き込みシステム。
【請求項２】
前記バイアス磁石が第１バイアス磁石であり、
実質的に消磁された磁気テープ媒体の全幅において残留磁化を生成するように構成された第２バイアス磁石を更に備える請求項１に記載のサーボ書き込みシステム。
【請求項３】
前記サーボ書き込みヘッドを含むサーボ書き込みユニットと、前記バイアス磁石を磁気テープ媒体に対して移動させるように構成されたモータとを更に備え、前記サーボ書き込みユニットが、
磁気テープ媒体に生成された残留磁化を測定し、
所望の残留磁化を達成するように、測定された残留磁化に基づいて、前記バイアス磁石と磁気テープ媒体の間の距離の計算をし、
前記計算に応じて前記バイアス磁石の位置を調整するように、前記モータを制御する
ように構成され、
更に、前記サーボ書き込みユニットが、磁気テープ媒体に生成される残留磁化を増大させるように、磁気テープ媒体により近接するようバイアス磁石を移動させ、磁気テープ媒体に生成される残留磁化を減少させるように、磁気テープ媒体からより離隔するようバイアス磁石を移動させるように構成された請求項１に記載のサーボ書き込みシステム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気記憶媒体に関し、特に、磁気テープ媒体へのサーボパターンの作成に関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気テープ媒体は、データの記憶及び検索にしばしば使用され、多くの幅及び長さのものがある。磁気テープ媒体は、大量のデータを記憶する経済的な媒体であり続けている。例えば、磁気テープカートリッジ又は大型スプールの磁気テープが、大規模コンピューティングセンタの大量のデータのバックアップをとるために使用される。磁気テープカートリッジは、デスクトップコンピュータ又はラップトップコンピュータ等のより小型のコンピュータに記憶されるデータのバックアップにも適用される。
【０００３】
磁気テープの寿命の中で、テープの消去が必要であるか、又は望ましいことがある。例えば、通常、消去工程が磁気テープ媒体の製造中に実施される。通常、磁気テープは、コーティング、切断、及び巻き取りの後に消去され、消去後に、サーボトラックが磁気テープに書き込まれる。この段階では、通常、テープにデータは記憶されていない。それにも関わらず、サーボパターンを適宜書き込むことができることを保証するために、サーボ書き込み前に消去を実行することが望ましい。
【０００４】
さらに、磁気テープは、磁気テープの寿命の後半で消去されることもある。例えば、テープは、記録後に消去されることがあり、それにより、テープを再記録可能な状態にする。本文書では、用語「消去」は、磁気テープ又はその一部を実質的に消磁状態、すなわちテープ上の個々の磁性粒子の磁界が実質的に相殺された状態に戻す工程又は装置を指す。多くの場合、消磁状態とは、個々の磁性粒子が秩序化された磁化パターンを実質的に有さない状態である。
【０００５】
消去は、通常、磁気テープを、テープ上の磁性粒子を飽和させるのに十分な大きさの磁界に曝すことにより達成される。次に、印加磁界の極性が逆にされ、印加磁界の大きさが、ある小さな量だけ減じられる。次に、印加磁界の極性が再び逆にされ、大きさが再び減じられる。印加磁界の大きさを減じ、印加磁界の極性を逆にする工程は、ゼロに達するまで、又はさらなる影響を及ぼさない程度に十分に小さいと判断されるある有限値に達するまで続けられる。
【０００６】
一般的な１つの消去方法は、テープのリール全体を、交流電流により発生する磁界に曝すことを含む。交流電流は磁界を逆転させ、磁界強度の減衰が、印加電流の大きさを減じることにより、又は媒体を消去磁界から物理的に移すことにより提供される。
【０００７】
別の消去方法は、交流電流で駆動される、特別に設計される記録ヘッドで実施される。テープがヘッドの側を通過する際、記録ヘッドにより発生する交番磁界によりテープが消去される。媒体を消磁状態に保つために、媒体の各点が、ヘッドを通過する間に数回の磁界の反転を受ける。消去磁界の周波数は、求められる反転回数を生み出すのに十分に高いものである。テープに見られる磁界の強度は、ヘッダから遠ざかるにつれて減衰する。これらの従来の磁気テープ消去方法では、特別に設計される消磁室又は記録ヘッドが必要であり得る。
【発明の開示】
【０００８】
包括的に、本開示は、磁気テープ媒体に残留磁化、すなわち残存（残存している磁化）を生成するシステム及び方法に関する。磁気テープはまず、交番極性の複数の磁性要素を有する消去ユニットにより実質的に消磁、例えば消去される。次に、消去された磁気テープはバイアス磁石の側を通過し、バイアス磁石が磁気テープの全幅にわたって残存を生成する。次に、バイアスされた磁気テープがサーボ書き込みヘッドを通過し、サーボ書き込みヘッドがサーボパターンをバイアス磁気テープに書き込む。
【０００９】
バイアス磁石は、消去ユニット内又はバイアスユニット内に収容することができ、バイアス磁石と磁気テープのテープ経路との距離は、テープ経路に影響する磁界を変更して、磁気テープに所望の残存を生成するように調整可能であることができる。磁気テープが有する残存は、磁気テープに書き込まれるサーボパターンの欠陥を低減するために、少なくとも２０％であることができる。他の例では、残存は少なくとも３０％であることができ、又は好ましくは少なくとも４０％であることができる。
【００１０】
一実施形態では、本発明は、磁気テープ媒体を実質的に消磁すること、および磁気テープ媒体の全幅にわたって残留磁化を生成することを含む方法に関する。この方法は、複数のサーボパターンを、残留磁化を有する磁気テープ媒体に書き込むことも含む。
【００１１】
別の実施形態では、本発明は、磁気テープ媒体を実質的に消磁する、テープ経路に沿って置かれる磁気テープ消去ユニットと、磁気テープ媒体の全幅にわたって残留磁化を生成するバイアス磁石とを含むサーボ書き込みシステムに関する。このシステムは、残留磁化を有する磁気テープ媒体にサーボトラックを書き込む、テープ経路に沿って置かれるサーボ書き込みヘッドも含む。
【００１２】
別の実施形態では、本発明は、複数のサーボパターン及び複数のデータバンドを含む磁気テープ媒体に関する。複数の各データバンドは、複数のサーボパターンうちの２つの間に配置され、複数の各データバンドは、少なくとも２０％の残留磁化を有する。
【００１３】
本明細書において述べるように、本発明は１つ又は複数の効果を提供することができる。第１に、磁気テープ媒体に残留磁化を生成することにより、サーボパターン振幅範囲を増大することができ、それにより、記録されるサーボパターンの品質が増大する。サーボパターン振幅範囲の増大は、残存のない磁気テープと比較した場合、磁気テープでのサーボパターン欠陥を低減することもできる。さらに、システムでは、所望の振幅の残存を生成するように、バイアス磁石の位置を手動又は自動のいずれかで調整可能であることができる。
【００１４】
本発明の１つ又は複数の実施形態の詳細が、添付の図面及び以下の説明において述べられる。本発明の他の特徴、目的、及び効果が、説明及び図面から、並びに特許請求の範囲から明らかになるであろう。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
本開示は、磁気テープ媒体に残留磁化、すなわち残存を生成するシステム及び技術に関する。システムは、磁気テープのテープ経路近傍に置かれるバイアス磁石を含む。バイアス磁石を、テープ経路に対して、バイアス磁石からの磁界が磁気テープの全幅にわたって残存を生成するような所望の距離に置くことができる。いくつかの場合では、バイアス磁石を所望の残存に従って正確に位置させるために、調整可能なステージをバイアス磁石に取り付けることができる。磁気テープの全幅にわたって生成される残存は、２０％より大きくすることができ、３０％よりも大きくすることができ、又は好ましくは４０％よりも大きくすることができる。残存のパーセントは、磁気テープの粒子に可能な総磁化のパーセントである。バイアス磁気テープは、サーボパターンの振幅範囲を増大することによりサーボパターンの品質を向上させることができる。さらに、残存は、残存のない磁気テープと比較した場合、サーボパターンの欠陥を低減することができる。
【００１６】
バイアス磁石に加えて、システムは、サーボパターン書き込み工程全体を完了するために、追加の構成要素を含むことができる。磁気テープはまず、交番極性の複数の磁性要素を有する消去ユニットにより実質的に消磁、例えば消去することができる。次に、消去された磁気テープはバイアス磁石の側を通過し、バイアス磁石は、磁気テープの全幅にわたって残存を生成する。次に、バイアス磁気テープがサーボ書き込みヘッドを通過し、サーボ書き込みヘッドがサーボパターンをバイアス磁気テープに書き込む。このようにして、システム全体を使用して、いかなるデータも磁気テープに書き込まれる前に、又は磁気テープの寿命のいかなるときでも、サーボパターンをバイアス磁気テープに作成することができる。残存は、データがデータバンドに書き込まれるまで各データバンドに残る。
【００１７】
残存は、複数の構成のうちの１つにおいて、バイアス磁石を使用して磁気テープの全幅にわたって作成することができる。一例では、バイアス磁石は、消去ユニットとサーボ書き込みヘッドとの間にテープ経路に沿って配置されるバイアスユニット内に収容することができる。バイアスユニットは、磁気テープに残存を生成する際に磁気テープに印加される磁界を正確に制御できるようにすることができる。別の例では、システムの構成要素数及びシステムの全体サイズを低減するために、バイアス磁石を消去ユニットの端部に磁石要素として含むことができる。
【００１８】
図１は、磁気テープ媒体に残存を生成するサーボ書き込みシステム１４の一例の概念図である。図１に示すように、システム１０は、消去ユニット１２並びにスプール２０及び２２と共にサーボ書き込みシステム１４を含む。システム１０は、サーボ書き込みヘッド１８を使用してサーボパターンが磁気テープに書き込まれる前に、スプール２０からのテープに残存を生成する。磁気テープは、スプール２０から供給されて、消去ユニット１２を通過する。消去ユニット１２は、スプール２０からの磁気テープを実質的に消磁、例えばデガウシングする複数の磁性要素を含む。さらに、消去ユニット１２の磁性要素のうちの１つは、磁気テープが消去ユニット１２を出る際に磁気テープに残存を生成するバイアス磁石である。
【００１９】
バイアスされた磁気テープは続いて、サーボ書き込みユニット１６内に供給される。サーボ書き込みユニット１６は、１つ又は複数のサーボ書き込みヘッド１８を実施して、サーボパターンを磁気テープに書き込むことができる。次に、磁気テープはサーボ書き込みユニット１６から供給されて、スプール２２に再び巻き取られる。書き込まれたサーボパターンは、磁気テープの各サーボトラックエリアにわたる磁気テープから残存を除去することができるが、残存は、データがデータバンドに書き込まれるまでデータバンド上になお存在することができる。サーボ書き込みシステム１４は、テープにサーボ書き込みシステム１４を通過させるための様々なモータ（図示せず）及びガイド（図示せず）、磁気テープがサーボ書き込みシステム１４全体を通してピンと張られることを保証するための様々な真空ユニット（図示せず）、並びに磁気テープを拭き取って清掃する様々な清掃ステーション（図示せず）を含むこともできる。さらに、システム１０は、スプール２０及び／又は２２に取り付けられる様々なモータ、磁気テープをテープ経路に位置合わせされた状態に保つためのガイド、及びシステム１０の動作をサポートするための筐体を含むことができる。
【００２０】
磁気テープに生成された残存は、磁気テープに書き込まれるサーボパターンの品質を向上させるために提供することができる。一般に、システム１０は、磁気テープの全幅にわたって少なくとも２０％の残存を生成することができる。他の実施形態では、システム１０は、磁気テープに少なくとも３０％の残存を生成することができる。好ましくは、システム１０は、磁気テープに少なくとも４０％の残存を生成することができる。磁気テープに生成される残存の量は、バイアス磁石が磁気テープに印加する磁界の強度の関数である。いくつかの実施形態では、消去ユニット１２は、バイアス磁石と磁気テープとの距離を調整する調整可能なステージを含むことができる。このようにして、磁気テープに生成される残存の量は、消去ユニット１２の製造業者又はシステム１０の使用者により容易に定めることができる。
【００２１】
残留磁化のパーセントは、１００％の磁化が、磁気テープの粒子を一方向に完全に磁化することと等価であることができるような、磁気テープの粒子に可能な総磁化のパーセントである。換言すれば、磁気テープの各粒子は、一方向に磁気的に配向することができる。磁界に曝した後、各粒子は、磁界の強度及び極性に従って少なくとも部分的に磁化される。１００％の磁化は、あらゆる粒子が一方向に、例えば＋１方向又は逆の−１方向に完全に磁化されることを意味する。０％の磁化は、粒子の配向がランダムであり、粒子が＋１方向と−１方向との間の任意の方向に配向することを示す。したがって、４０％の磁化は、粒子が、例えば＋１方向に向かって４０％配向することを示す。
【００２２】
この部分的な磁化又は残存は、サーボパターンに使用される離散デジタル値間に大きな振幅差を可能にする。磁気テープに残存がない場合、サーボパターンのサーボマークは、書き込まれていない磁気テープでは、両離散値が０方向、例えばランダムな粒子配向に磁化されるのとは対照的に、＋１方向又は−１方向のいずれかに作られる。したがって、離散したサーボマーク間で使用可能な信号振幅差は、磁気テープで可能な総振幅のおよそ５０％を利用する。これとは対照的に、例えば＋１方向に４０％の残留磁化を生成すると、−１方向にサーボマークを作成することができる。このようにすると、サーボパターン内で使用可能な信号振幅差は、磁気テープで利用できる総振幅のおよそ７０％である。したがって、磁気テープに残存を生成することにより、サーボパターン書き込み時のエラーを少なくすることができるとともに、読み取り中にサーボパターンの離散値同士をより容易に区別することができる。
【００２３】
システム１０のいくつかの例では、磁気テープが有する残存の量は、閉フィードバックメカニズムを介して制御することができる。サーボ書き込みユニット１６の振幅フィードバックボード（図示せず）が、サーボ書き込みユニット１６に入る磁気テープの残存の振幅を読み取ることができる。そして、インタフェースボード又は回路（例えば、プロセッサ）が残存読み取り値を処理して、テープ経路とバイアス磁石との距離を調整する必要があるか否かを判断することができる。この距離を調整すべき場合、回路は、振幅フィードバックボードにより読み取られた残存の振幅に従って電子ステージを制御して、バイアス磁石の位置を変更することができる。このようにして、システム１０は、バイアス磁石の位置及び関連する磁界を自動的に調整して、テープ速度、テープ構成要素、テープアーチファクト、又はサーボパターンの書き込みに向けてバイアス磁気テープを準備することに関連する他の任意の変数のばらつきを解消可能であることができる。
【００２４】
図２は、磁気テープに残存を生成する消去ユニット１２Ａの一例の正面図である。図２に示すように、消去ユニット１２Ａは、図１の消去ユニット１２の一実施形態であり、複数の離散磁気要素２Ａ〜２Ｈ及び３Ａ〜３Ｇを含む。磁気要素２Ａ〜２Ｈ及び３Ａ〜３Ｇは、２つの組に分類することができる。第１組２Ａ〜２Ｈ（まとめて「組２」）内の各離散要素は、第２組３Ａ〜３Ｇ（まとめて「組３」）内の離散要素の極性とは逆の極性を有する磁界を発生する。例えば、第１組２及び第２組３の磁気要素はすべて実質的に同一であることができるが、第１組２内の磁気要素は、第２組３内の磁気要素の向きとは別の向きを有することができる。このような様式では、第１組２内の磁気要素が、第２組３内の磁気要素の極性と逆の極性を有する磁界を発生すると言うことができる。第１組２及び第２組３に加えて、バイアス磁石３Ｈは、第１組２及び第２組３の前の磁気要素が磁気テープを実質的に消磁した後に磁気テープに残存を生成する磁気要素である。バイアス磁石３Ｈは、図２では第２組３内に含まれていないが、第２組３内のその他の磁気要素と極性が同様であるため、第２組３内にあると考えてもよい。
【００２５】
第１組２及び第２組３内の磁気要素は、交互配置を構成するように位置される。例えば、第１組２内の各磁気要素は第２組３内の少なくとも１つの磁気要素に近接し、この逆も同様である。例えば、要素２Ａは要素３Ａに近接し、要素３Ａは要素２Ｂに近接し、以下同様である。極性要素５Ａ〜５Ｑ（まとめて「極性要素５」）を第１組２の磁気要素と第２組３の磁気要素との間に位置させることができる。例えば、極性要素５Ｂを、近接する磁気要素２Ａと３Ａとの間に位置させ、極性要素５Ｃを磁気要素３Ａと２Ｂとの間に位置させることができる。極性要素５Ｐ及び５Ｑが、バイアス磁石３Ｈの両側に位置される。極性要素５は、一例では鋼で構築することができる。別の例では、極性要素５は１０１８冷延鋼板で構築することができる。極性要素５の代替例では、他の種類の材料を使用することもできる。さらに、極性要素５は、腐食を防ぐために亜鉛をコーティングしてもよい。
【００２６】
極性要素５に加えて、消去ユニット１２は、隣接する極性要素間及び磁気要素２及び３の上のギャップを埋める非磁性材料２１を含む。非磁性材料２１は、塵又はデブリが第１組２及び第２組３の磁気要素上に集まるのを防ぐことができる。一例として、非磁性材料２１は非磁性ウレタン材料で構築することができる。しかし、第１組２及び第２組３からの磁界が影響されない限り、非磁性材料２１の構築に任意の非磁性材料を使用することができる。
【００２７】
本発明は、第１組２及び第２組３に使用される磁石の種類によって制限されない。電磁磁石を含め、任意の磁石を使用してよい。しかし、比較的強い磁界を有する受動磁石（ｐａｓｓｉｖｅ  ｍａｇｎｅｔ）が、簡易性及び費用の効果から好ましい。受動磁石を使用すれば、駆動電流を発生する電子回路を組み込む必要がない。例えば、ＮｄＦｅＢボンド磁石は、十分に強い磁界を発生し、かつ比較的安価である。好ましくは、第１組２及び第２組３内の各磁気要素に希土類磁石を使用することができる。希土類磁石は、ネオジム磁石、サマリウム−コバルト磁石、セラミック磁石、アルニコ磁石、及び当分野において一般に知られている他の種類の磁石のうちの任意の１つ又は複数を含むことができる。バイアス磁石３Ｈは、第１組２及び第２組３の他の磁石要素よりも相対的に強い磁界を有する磁石で構築することができる。別法として、バイアス磁石３Ｈは、テープ経路３６のより近傍に位置されてもよい。
【００２８】
一実施形態では、第１組２及び第２組３内の磁気要素は、強度が低減していく磁界を発生する。例えば、磁気要素２Ａ及び３Ａは、極性が逆であるが、同様の強度の磁界を発生することができる。磁気要素２Ｂ及び３Ｂは、極性が逆であり、かつ磁気要素２Ａ及び３Ａの強度よりも低い強度の磁界を発生することができる。同様に、磁気要素２Ｃ及び３Ｃは、極性が逆であり、かつ磁気要素２Ｂ及び３Ｂの強度よりも低い強度の磁界を発生することができ、以下同様である。低減していく磁界強度は、様々なサイズを有する磁気要素を選択することにより、又は異なる材料で作られた磁気要素を選択することにより達成することができる。
【００２９】
別の実施形態では、第１組２及び第２組３内の磁気要素は実質的に同一である。例えば、第１組及び第２組内の要素が発生する磁界の強度は同じであってよいが、磁界の極性は、消去ユニット１０内の磁気要素の向きによって確定される。この実施形態では、第１組２内の磁気要素は第１の方向に位置されることができ、第２組３内の磁気要素は第２の方向に位置される。低減していく磁界強度の作用は、テープがテープ経路３６に沿って消去ユニット１２Ａを通って移動する際に、磁気要素からの磁気テープの距離を変えることにより達成することができる。磁界強度は、一般に、磁界源からの距離が長くなるにつれて低減する。したがって、第１組２及び第２組３の磁気要素から離れるように湾曲するテープ経路３６を形成することにより、磁気要素が略等しい磁界強度を発生する場合であっても、磁気テープに見られる磁界を低減することができる。別法として、極性要素５は、テープ経路３６から離れるように湾曲する磁気面を集合的に形成できる。
【００３０】
磁気要素の第１組２及び第２組３は、極性要素５と共に、例えば金属製の取付ブロック２６に接着して、消去ブロック２７を形成できる。テープ経路ブロック２４が、テープ経路３６等の１つ又は複数のテープ経路を形成できる。テープ経路ブロック２４及び消去ブロック２７は、サーボ書き込み装置、テープ切断装置、テープコーティング装置等に取り付け、又は接着することができる。別法として、テープ経路ブロック２４及び消去ブロック２７は裏板２５に取り付けることができ、裏板２５は、サーボ書き込み装置、テープ切断装置、テープコーティング装置等に取り付け、又は接着できる。テープ経路ブロック２４及び消去ブロック２７には、ネジ、ボルト等の取付装置を受けるための穴３０Ａ〜３０Ｃ及び２８Ａ〜２８Ｃを形成できる。別法として、テープ経路ブロック２４及び消去ブロック２７は、裏板２５に永久的に接着できる。１つ又は複数の装置への取り付けに役立つように、裏板２５に穴（図示せず）を形成してもよい。
【００３１】
消去ユニット１２Ａは、バイアス磁石３Ｈが消去ブロック２７内の最後の磁気要素位置に位置されるように構成される。換言すれば、バイアス磁石３Ｈは、磁気テープがテープ経路３６に沿って通過する最後の磁界を発生する。バイアス磁石３Ｈは、第２組３の磁気要素と同様の極性を有することができるが、いくつかの代替の例では、バイアス磁石が第１組２の磁気要素と同様の極性を有することができることが要求される。バイアス磁石３Ｈは、第１組２及び第２組３の他の磁気要素と略同じ形状及びサイズとして示されるが、第１組２及び第２組３と異なるサイズ及び／又は形状として構成されてもよい。例えば、バイアス磁石３Ｈは、テープ経路３６の方向においてより大きな体積を有し、かつテープ経路３６の方向においてより大きな幅を有するような形状であってもよい。いずれの場合でも、バイアス磁石３Ｈは、磁気テープの全幅にわたって残存を生成する。バイアス磁石３Ｈは、一般に、５ミリメートル（ｍｍ）〜３０ｍｍの幅を有し得る。より具体的には、バイアス磁石３Ｈは１０ｍｍ〜１５ｍｍの幅を有する。
【００３２】
さらに、バイアス磁石３Ｈは、取付ブロック２６又は近接する磁気要素２Ｈから異なる距離に位置されてよい。例えば、バイアス磁石３Ｈは、第１組２及び第２組３の磁気要素のうちの少なくとも１つよりも取付ブロック２６から離れて、例えばテープ経路３６のより近くに位置されてもよい。バイアス磁石３Ｈとテープ経路３６との距離は、一般に、２．５ｍｍ〜９．５ｍｍであり得る。より具体的には、バイアス磁石３Ｈとテープ経路３６との距離は、３．１ｍｍ〜３．５ｍｍであり得る。これらの距離は、バイアス磁石３Ｈの強度に伴っても変化する。
【００３３】
バイアス磁石３Ｈのサイズ及び形状は、バイアス磁石の位置と共に、テープ経路３６の一部にわたる有効磁界を決定する。このようにして、テープ経路３６を通過している磁気テープに残存を生成するように、バイアス磁石３Ｈを消去ユニット１２Ａ内に構成することができる。一般に、バイアス磁石３Ｈは、磁気テープに少なくとも２０％よりも大きな残存を生成することができる。他の例では、バイアス磁石３Ｈは、磁気テープに少なくとも３０％よりも大きな残存、より好ましくは少なくとも４０％よりも大きな残存を生成することができる。代替の実施形態では、消去ユニット１２Ａは、本明細書において述べた残存パーセントを達成するために、複数のバイアス磁石３Ｈを含んでもよい。複数のバイアス磁石は、必要に応じて、テープ経路３６の最後に位置されることができる。
【００３４】
テープ経路ブロック２４が、磁気テープが消去ユニット１２Ａを通過する際に磁気要素から離れるように湾曲するテープ経路３６を形成するように作成される。テープ経路３６に沿って見られる磁界の所望の強度は、磁気テープがバイアス磁石３Ｈによって発生する磁界に達するまでに略指数関数的に低減できる。磁界強度の略指数関数的な減衰の影響は、後続する要素からの磁界が、前の要素のある割合、例えば９０％であると考えることによって単純化できる。指数関数的減衰は、以下のようにして達成できる。
【００３５】
ギャップ長ｇの従来のギャップヘッドのカールクビスト（Ｋａｒｌｑｖｉｓｔ）モデルから、
【００３６】
【数１】
0005709909.tif 000002
であり、式中、Ｈｇはディープギャップ磁界（ｄｅｅｐ  ｇａｐ  ｆｉｅｌｄ）を表す。
【００３７】
Ｈｘの最大値は、ｘ＝０において発生する。
【００３８】
【数２】
0005709909.tif 000003
これを簡易化すると、
【００３９】
【数３】
0005709909.tif 000004
になる。
【００４０】
ここでも、意図は、後続するギャップに指数関数的に減衰する磁界を発生することである。すなわち、
【００４１】
【数４】
0005709909.tif 000005
であり、式（４）〜（８）において、Ｈ０は、テープ経路３６（図２）に沿って見られる第１の要素、例えば要素２Ａの磁界の大きさを表す。通常、Ｈ０の値は、消去中の媒体の保磁力（Ｈｃ）の数倍である。
【００４２】
【数５】
0005709909.tif 000006
【００４３】
ここで、値を任意の定数（α及びＨ０）に割り当てることができる。
【００４４】
【数６】
0005709909.tif 000007
Ｘは、最終ギャップの横方向位置を表すことができる。
【００４５】
【数７】
0005709909.tif 000008
【００４６】
式（４）から、
【００４７】
【数８】
0005709909.tif 000009
すなわち
【００４８】
【数９】
0005709909.tif 000010
したがって、
【００４９】
【数１０】
0005709909.tif 000011
すなわち
【００５０】
【数１１】
0005709909.tif 000012
である。
【００５１】
式（１０）及び式（１６）を式（９）に代入すると、
【００５２】
【数１２】
0005709909.tif 000013
になる。この関数をテープ経路ブロック２４に機械加工により組み込んで、テープと磁気要素との距離を制御するために使用されるテープ経路３６の部分を形成できる。
【００５３】
第１組２及び第２組３の磁気要素が磁気テープを略消磁した後、バイアス磁石３Ｈは、磁気テープがテープ経路ブロック２４を出る前に、磁界を磁気テープに印加して、磁気テープに残存を生成する。バイアス磁石３Ｈとテープ経路３６との距離は、磁界からの磁気テープの磁化を対象とする少数の式に基づいて決めることができる。近接した２つの引き付け合う表面間の磁気力（Ｆ）は、
【００５４】
【数１３】
0005709909.tif 000014
として定義される。式（２１）において、Ａは磁石の断面積であり、Ｂは磁石と磁化表面との間の磁界であり、μ０は真空透磁率と呼ばれる普遍定数（４ｐ×１０−７）である。
【００５５】
バイアス磁石３Ｈからの磁界強度は、磁気の逆三乗則によって決まる。磁石から別の磁性物質への磁界の転写は、式（２２）
【００５６】
【数１４】
0005709909.tif 000015
によって与えられ、式（２２）において、ｘｍは磁化率であり、Ｍは誘導磁化であり、Ｈは磁界強度である。
【００５７】
磁気テープが、消去ユニット１２Ａを通して供給される際に表面の上を「飛行する」ようにテープ経路３６を形成することも望ましい。テープは、およそ０．５０８μｍの飛行高さを有することができる。入口領域（番号３２で示される）は、飛行可能性を促進するために指数関数的曲線に隣接して機械加工することができる。さらに、出口領域は、番号３４で示される領域に機械加工することができる。入口領域及び出口領域はそれぞれ、円弧により形成することができる。円の半径が大きいほど、飛行可能性が増大する傾向があるが、消去ユニット１２Ａのサイズが増大する傾向もある。テープがおよそ毎秒２ｍよりも高速で移動しており、かつ飛行可能表面が後述するように研磨される場合、３．１７５ｃｍの半径が、消去ユニット１２Ａ内でテープ経路３６に沿った飛行可能性を促進するのに十分大きいであろう。
【００５８】
上述したように、入口領域３２は円の方程式により定義することができる。第１の磁気要素２Ａの中心によって定義されるポイントにおいて、円の接線は、上記定義される指数関数的曲線の接線と等しくされる。円の中心は、穴３０Ａの中心により定義することができる。
【００５９】
例えば、円：
【００６０】
【数１５】
0005709909.tif 000016
であって、式（２３）において、座標系の中心は穴３０Ａにより定義され、Ｙ軸は第１の磁気要素２Ａの中心により定義される円が与えられる場合、円が点ｘｐ，ｙｐにおいて関数ｙ＝ｆ（ｘ）に接するようなｘｃ及びｙｃを見つける。
ｆ（ｘ）の傾きは、導関数ｆ’（ｘ）により与えられる。
円は、導関数
【００６１】
【数１６】
0005709909.tif 000017
により与えられる傾きを有する。接線の条件により、
【００６２】
【数１７】
0005709909.tif 000018
であることが求められる。
したがって、
【００６３】
【数１８】
0005709909.tif 000019
であり、接点において、
【００６４】
【数１９】
0005709909.tif 000020
である。
【００６５】
関係：
【００６６】
【数２０】
0005709909.tif 000021
が与えられる場合、式（２４）を整理し直して、
【００６７】
【数２１】
0005709909.tif 000022
にすることができ、式（２８）を式（２７）に代入して、
【００６８】
【数２２】
0005709909.tif 000023
を得ることができる。
【００６９】
すると、
【００７０】
【数２３】
0005709909.tif 000024
である。
式（３１）を式（２７）に代入して、
【００７１】
【数２４】
0005709909.tif 000025
すなわち
【００７２】
【数２５】
0005709909.tif 000026
を得ることができる。この関数をテープ経路ブロック２４に機械加工により組み込んで、テープ経路３６の入口領域３２を形成することができる。
【００７３】
消去ユニット１２Ａの組み立て工程中の効果は、中心が穴３０Ａにより定義される円の方程式を使用して入口領域３２を形成することにより達成することができる。組み立て中、穴３０Ａを通して挿入される取付機構を介して、テープ経路ブロック２４を裏板２５に取り付けることができる。次に、テープ経路が特定の種類の磁気テープの消去に向けて最適化されるように、テープ経路ブロック３６を裏板２５に対して回転させることができる。テープ経路ブロック３６の所望の位置が決まると、テープ経路ブロック２４上の他の穴を通して追加の取付機構を挿入して、磁気要素の第１組２及び第２組３に対してテープ経路ブロック２４の位置を最終的に形成することができる。
【００７４】
飛行可能性をさらに増大させるために、テープ経路３６に沿ったテープ経路ブロック２４の表面をわずかに、例えばおよそ２．５４〜２５．４μｍでクラウニングすることができる。テープがテープ経路ブロック２４を横切って飛行する際に、テープのエッジは弛む傾向があり得る。エッジの弛む量は、一般に、おおむね飛行高さの大きさを有する。エッジは、テープ経路ブロック２４の表面に沿って引っ張られる場合、テープ経路ブロック２４上に摩耗を発生させる恐れがあり、これは消去ユニット１２Ａの動作に伴う問題を発生させ得る。したがって、テープ経路３６に沿ってわずかにクラウニングされた表面を示すようにテープ経路ブロック２４を構築することにより、テープがテープ経路ブロック２４を飛行する際のエッジの弛みの影響を最小に抑えることができる。
【００７５】
一実施形態では、テープ経路ブロック２４は、非磁性であり、機械加工が比較的容易であり、かつ耐摩耗性のある（又は非磁性被覆が塗布された状態にすることが可能な）材料から作られる。材料は、テープに対して低摩擦係数を示すこともでき、それにより、テープが飛行していないとき、例えばテープの移動が開始及び停止するときに、テープは材料を横切って移動することができる。テフロン（登録商標）（Ｔｅｆｌｏｎ）（登録商標）含浸ハードコート陽極酸化アルミニウムが、これらの基準を満たす材料の一例である。さらに、材料の表面は、およそ１μｍ以下の表面仕上げで高度に研磨することができる。
【００７６】
図３は、磁気テープに残存を生成する可動式バイアス磁石３８を有する消去ユニット１２Ｂの一例の正面図である。消去ユニット１２Ｂは図２の消去ユニット１２Ａと同様であるが、消去ユニット１２Ｂはバイアス磁石３８の位置を調整する能力を有する。図３に示すように、消去ユニット１２Ｂは、複数の離散した磁気要素２Ａ〜２Ｈ及び３Ａ〜３Ｈを含む。磁気要素２Ａ〜２Ｈ及び３Ａ〜３Ｇは、２つの組に分類することができる。第１組２Ａ〜２Ｈ（まとめて「組２」）内の各離散要素は、第２組３Ａ〜３Ｇ（まとめて「組３」）内の離散要素の極性とは逆の極性を有する磁界を発生する。極性要素５Ａ〜５Ｒ（まとめて「極性要素５」）を組２の磁気要素と組３の磁気要素との間に位置させることができる。極性要素５Ｒは極性要素４０の隣に位置され、残りの極性要素５と異なる形状を有することができる。非磁性材料２１も提供されて、隣接する極性要素５同士のギャップが埋められる。
【００７７】
消去ユニット１２Ｂは、第１組２及び第２組３並びに極性要素５に取り付けられて、消去ブロック３７を形成する取付ブロック３５も含む。テープ経路ブロック２４はテープ経路３６を形成する。いくつかの例では、テープ経路ブロック２４及び消去ブロック３７には、ネジ、ボルト等の取付装置を受けるための穴３０Ａ〜３０Ｃ及び２９Ａ〜２９Ｃを形成することができる。別法として、テープ経路ブロック２４及び消去ブロック３７は、裏板２５に永久的に接着することができる。
【００７８】
第１組２及び第２組３に加えて、バイアス磁石３８は、第１組２及び第２組３の前の磁気要素が磁気テープを実質的に消磁した後に磁気テープに残存を生成する磁気要素である。バイアス磁石３８は、図３では第２組３内に含まれていないが、第２組３内のその他の磁気要素と極性が同様であるため、第２組３内にあると考えてもよい。しかし、バイアス磁石３８は、テープ経路３６に対して所望の磁界を加えるするように調整可能である。バイアス磁石３８はステージ４０に取り付けられ、ステージ４０はシャフト４６に取り付けられる。シャフト４６は、ブロック４２に接着されたモータ４４に結合される。ブロック４２は、裏板２５及び／又は取付ブロック３５に取り付けることができる。他の実施形態では、ステージ４０は極性要素であってよく、又は極性要素５と同様の極性要素を含んでもよい。いくつかの例では、バイアス磁石３８は、図３に示すよりも消去ブロック３７の近くに、又は離れて配置することができる。
【００７９】
消去ユニット１２Ｂは、バイアス磁石３８が消去ブロック３７の末尾に位置されるように構成される。換言すれば、バイアス磁石３８は、磁気テープがテープ経路３６に沿って通過する最後の磁界を発生する。バイアス磁石３８は、第２組３の磁気要素と同様の極性を有することができるが、いくつかの代替の例では、バイアス磁石が第１組２の磁気要素と同様の極性を有することができることが要求される。バイアス磁石３８は、第１組２及び第２組３の他の磁気要素と略同じ形状及びサイズとして示されるが、第１組２及び第２組３と異なるサイズ及び／又は形状として構成されてもよい。例えば、バイアス磁石３８は、テープ経路３６の方向においてより大きな体積を有し、かつテープ経路３６の方向においてより大きな幅を有するような形状であってもよい。他の例では、バイアス磁石３８は、矢印３９に直交する平面においてより小さな体積を有し、かつより大きな表面積を有してもよい。いずれの場合でも、バイアス磁石３８は、磁気テープの全幅にわたって残存を生成する。バイアス磁石３８は、一般に、５ｍｍ〜３０ｍｍの幅を有し得る。より具体的には、バイアス磁石３８は１０ｍｍ〜１５ｍｍの幅を有する。
【００８０】
さらに、バイアス磁石３８は、取付ブロック３５又は近接する磁気要素２Ｈから異なる距離に位置されてよい。例えば、バイアス磁石３８は、第１組２及び第２組３の磁気要素のうちの少なくとも１つよりも取付ブロック３５から離れて、例えばテープ経路３６のより近くに位置されてもよい。バイアス磁石３８とテープ経路３６との距離は、一般に、２．９ｍｍ〜３．４ｍｍであり得る。より具体的には、バイアス磁石３８とテープ経路３６との距離は、３．０２ｍｍ〜３．２６ｍｍであり得る。これらの距離は、バイアス磁石３８の強度に伴っても変化する。バイアス磁石３８は、第１組２及び第２組３と異なる磁界、例えば相対的により強い磁界を有する材料で構築することができる。
【００８１】
ステージ４０は、バイアス磁石３８を必要に応じて位置させて、テープ経路３６に沿って通過している磁気テープに所望の残存を生成するために、矢印３９で示される線形方向において移動する。モータ４４は、シャフト４６を回転させるか、又は移動させるリニアステップモータ又は他の不連続的機構であることができる。一例では、モータ４４は、ネジ切りされたシャフト４６を回転させて、ステージ４０をシャフト４６のネジに伴って移動させる。別の例では、シャフト４６はモータ４４内のギア（図示せず）に結合され、ギアがシャフト４６を矢印３９の方向に押す。ステージ４０を移動させる他の機構を使用してもよい。いずれの場合でも、バイアス磁石３８の位置は、テープ経路３６に対して調整することができる。
【００８２】
バイアス磁石３８のサイズ及び形状は、バイアス磁石の位置と共に、テープ経路３６の一部にわたる有効磁界を決定する。このようにして、テープ経路３６を通過している磁気テープに残存を生成するように、バイアス磁石３８を消去ユニット１２Ｂ内に構成することができる。一般に、バイアス磁石３８は、磁気テープに少なくとも２０％よりも大きな残存を生成することができる。他の例では、バイアス磁石３８は、磁気テープに少なくとも３０％よりも大きな残存、より好ましくは少なくとも４０％よりも大きな残存を生成することができる。ステージ４０は、磁石をテープ経路３６に近づけて磁気テープに生成する残存を増大させることにより、バイアス磁石３８が磁気テープに所望の任意の残存レベルを達成できるようにする。代替の実施形態では、消去ユニット１２Ｂは、本明細書において述べた残存パーセントを達成するために、複数のバイアス磁石３８を含んでもよい。複数のバイアス磁石は、必要に応じて、テープ経路３６の末尾に位置されることができる。
【００８３】
図１に関連して述べたように、モータ４４は、システム１０が磁気テープに生成する残存量を自動的に制御できるようにする。サーボ書き込みユニット１６において、又はシステム１０内の他のある位置において残存を測定することにより、テープ経路３６とバイアス磁石３８との適正距離を計算することができる。次に、システム１０は、ステージ４０を適正位置に移動させるようにモータ４４を制御することができる。ステージ４０の位置は、モータ４４の動作及び／又はステージ４０に取り付けられるセンサに基づいて決定することができる。代替の例では、モータ４４を、バイアス磁石３８の位置を変更するために使用者が手動で回転させる必要がある手動調整ノブで置き換えてもよい。
【００８４】
図４は、磁気テープ媒体に残存を生成するバイアスユニット５４を含むシステム５０の一例の概念図である。システム５０は、図１のシステム１０と同様である。しかし、システム５０は、消去ユニット５２とは別体のバイアスユニットを使用して磁気テープに残存を生成する。図４に示すように、システム５０は、消去ユニット５２、バイアスユニット５４、並びにスプール６２及び６４と共にサーボ書き込みシステム５６を含む。システム５０は、サーボ書き込みヘッド６０を使用して磁気テープにサーボパターンを書き込む前に、スプール６２からの磁気テープに残存を生成する。磁気テープはスプール６２から供給されて、消去ユニット５２を通過する。消去ユニット５２は、スプール６２からの磁気テープを実質的に消磁、例えばデガウシングする複数の磁性要素を含む。消去ユニット５２を出て行く磁気テープは、バイアスユニット５４に入る前に実質的に消磁される。例えば、磁気テープの粒子がランダムに磁化される。消去ユニット５２は図２の消去ユニット１２Ａと同様であることができるが、消去ユニット５２内にバイアス磁石はない。
【００８５】
磁気テープがサーボ書き込みユニット５８に入る前に、消去ユニット５２に加えてバイアスユニット５４が、磁気テープに残存を生成する。バイアスユニット５４は、磁気テープに残存を生成するバイアス磁石（図示せず）を含む。バイアス磁石は、適正な大きな残存を生成するのに十分な磁界を印加するように構成することができる。バイアスされた磁気テープは続けて、サーボ書き込みユニット５８に供給される。他の例では、消去ユニット５２が磁気テープに小さな残存を印加し、それから、バイアスユニット５４がより大きな残存を磁気テープに生成することができる。
【００８６】
サーボ書き込みユニット５８は、１つ又は複数のサーボ書き込みヘッド６０を実施して、サーボパターンを磁気テープに書き込むことができる。次に、磁気テープは、サーボ書き込みユニット５８から供給され、スプール６４に再び巻き取られる。サーボ書き込みシステム５８は、テープにサーボ書き込みシステム５６を通過させるための様々なモータ（図示せず）及びガイド（図示せず）、磁気テープがサーボ書き込みシステム５６全体を通してピンと張られることを保証するための様々な真空ユニット（図示せず）、並びに磁気テープを拭き取って清掃する様々な清掃ステーション（図示せず）を含むこともできる。さらに、システム５０は、スプール６２及び／又は６４に取り付けられる様々なモータ、磁気テープをテープ経路に位置合わせされた状態に保つためのガイド、及びシステム５０の動作をサポートするための筐体を含むことができる。
【００８７】
磁気テープに生成する残存は、磁気テープに書き込まれるサーボパターンの品質及びサーボパターンを読み取る能力を向上させることができる。上述したように、残存は、残存なしの磁気テープと比較した場合にサーボパターンの離散値間の振幅差を増大させることができる。一般に、システム５０は、磁気テープの全幅にわたって少なくとも２０％の残存を生成することができる。他の実施形態では、システム５０は、少なくとも３０％の残存を磁気テープに生成することができる。好ましくは、システム５０は、少なくとも４０％の残存を磁気テープに生成することができる。磁気テープに生成する残存の量は、バイアス磁石により磁気テープに印加される磁界の強度の関数である。上述したように、残存のパーセントは、１００％の磁化が、磁気テープの粒子を一方向に完全に磁化することと等価であることができるような、磁気テープの粒子の可能な総磁化のパーセントである。いくつかの実施形態では、消去ユニット５２は、バイアス磁石と磁気テープとの距離を調整する調整可能なステージを含むことができる。このようにして、磁気テープに生成する残存の量は、消去ユニット５２の製造業者又はシステム５０の使用者により容易に定めることができる。
【００８８】
システム５０のいくつかの例では、磁気テープに生成する残存の量は、閉フィードバックメカニズムを介して制御することができる。サーボ書き込みユニット５８の振幅フィードバックボード（図示せず）が、サーボ書き込みユニット５８に入る磁気テープの残存の振幅を読み取ることができることができる。そして、インタフェースボード又は回路（例えば、プロセッサ）が残存読み取り値を処理して、テープ経路とバイアスユニット５４内のバイアス磁石との距離を調整する必要があるか否かを判断することができる。この距離を調整すべき場合、回路は、振幅フィードバックボードにより読み取られた残存の振幅に従って電子ステージを制御して、バイアス磁石の位置を変更することができる。このようにして、システム５０は、バイアス磁石の位置及び関連する磁界を自動的に調整して、テープ速度、テープ構成要素、テープアーチファクト、又はサーボパターンの書き込みに向けてバイアス磁気テープを準備することに関連する他の任意の変数のばらつきを解消可能であることができる。
【００８９】
図５は、バイアス磁石７０と磁気テープ媒体との距離の調整が容易なバイアスユニット５４の一例の正面図である。図５に示すように、バイアスユニット５４は、プレート６６、ブロック６８、バイアス磁石７０、ステージ７２、シャフト７４、及びハンドル７６を含む。バイアスユニット５４は、テープ経路８２を形成するためのガイド７８及び８０も含む。プレート６６は、ステージ７２に取り付けられる取付プラットフォームを提供する。ステージ７２は、ブロック６８及び取り付けられたバイアス磁石７０の位置を矢印７１の線形方向において調整する機構を提供する。使用者は、ハンドル７６を回転させて、ネジ切りされたシャフト７４を回転させ、ステージ７２を線形移動させることができる。バイアスユニット５４に関連してバイアス磁石位置の手動調整について説明したが、バイアスユニットの他の例は、使用者が望むようにステージ７２を調整するモータ付き機構又は他の電子的に制御される機構を含むことができる。図３の消去ユニット１２Ｂと同様に、システム５０は、バイアス磁石７０の位置を自動的に調整するための閉フィードバックループを含むことができる。
【００９０】
ガイド７８及び８０は、テープ経路８２に沿って移動する磁気テープに伴って回転する回転ホィールであることができる。しかし、ガイド７８及び８０の他の例は、磁気テープに伴って移動しないが、磁気テープがガイド表面上を容易にスライドできるようにする略平滑な表面を含むことができる。ガイド７８及び８０は、プレート６６に対して静止したテープ経路８２を形成する。代替の例では、ガイド７８及び８０は、図５に示すものとは別様に構成してもよく、又はバイアス磁石７０に対して移動して、磁気テープに生成する残存を変更できるようにしてもよい。
【００９１】
バイアス磁石７０は、図３のバイアス磁石３８と同様であることができる。さらに、バイアス磁石７０は、希土類磁石又は電磁石等の任意の種類の磁気要素であることができる。バイアス磁石７０のサイズ及び形状は、矢印７１の方向におけるバイアス磁石の位置と共に、テープ経路８２の一部にわたる有効磁界を決定する。このようにして、テープ経路８２を通過している磁気テープに残存を生成するように、バイアス磁石７０を消去ユニット５４内に構成することができる。バイアス磁石７０は、磁気テープの全幅にわたって残存を生成する。一般に、バイアス磁石７０は５ｍｍ〜３０ｍｍの幅を有することができる。より具体的には、バイアス磁石７０は１０ｍｍ〜１５ｍｍの幅を有する。バイアス磁石７０とテープ経路８２との距離は、一般に、２．９ｍｍ〜３．４ｍｍであることができる。より具体的には、バイアス磁石７０とテープ経路８２との距離は、３．０２ｍｍ〜３．２６ｍｍであることができる。これらの距離は、バイアス磁石７０の強度に伴っても変化する。
【００９２】
一般に、バイアス磁石７０は、磁気テープの全幅にわたって少なくとも２０％よりも大きな残存を生成することができる。他の例では、バイアス磁石７０は、磁気テープに少なくとも３０％よりも大きな残存、より好ましくは少なくとも４０％よりも大きな残存を生成することができる。ステージ７２は、磁石をテープ経路８２に近づけて磁気テープに生成する残存を増大させることにより、バイアス磁石７０が磁気テープに所望の任意の残存レベルを達成できるようにする。代替の実施形態では、消去ユニット５４は、本明細書において述べた残存パーセントを達成するために、複数のバイアス磁石７０を含んでもよい。複数のバイアス磁石は、必要に応じて、テープ経路８２の末尾に位置されることができる。
【００９３】
ステージ７２が電気的に制御されるように構成される場合、ハンドル７６をモータで置き換えることができる。モータは、システム５０が磁気テープに生成する残存の量を自動的に制御できるようにする。バイアスユニット５４、サーボ書き込みユニット５８、又はシステム５０内の他のある場所において残存を測定することにより、テープ経路８２とバイアス磁石７０との適正距離を計算することができる。次に、システム５０は、ステージ７２を適正位置に移動させるようにモータを制御することができる。ステージ７２の位置は、モータの動作及び／又はステージ７２に取り付けられるセンサに基づいて決定することができる。
【００９４】
図６は、一例の磁気テープ媒体８４の概念図である。図６に示すように、磁気テープ８４は、各データバンド８８で隔てられた複数のサーボトラック８６を伴って示される。複数のサーボトラック８６は、サーボトラックの全体サーボパターンを作り出し、個々のサーボマークは各サーボトラック８６を作り出す。一般に、データ書き込みヘッドがサーボトラック８６を使用して、磁気テープ８４の位置を識別する。本明細書において述べた任意のバイアス磁石が、直流電流（ＤＣ）バイアスを磁気テープ８４の全幅８９に印加する。このようにして、印加されたバイアスは、磁気テープ８４の全幅８９にわたって残存を生成し、磁気テープに書き込まれるサーボパターン８６の振幅を増大させる。残存は、データバンド８８のいずれにも影響を及ぼさないことができる。
【００９５】
上述したように、残存は、サーボパターンに使用される離散デジタル値間の振幅差を大きくすることができる。磁気テープに残存がない場合、サーボパターン内のサーボマークは、書き込まれていない磁気テープでは両離散値が０方向に磁化される、例えばランダム粒子磁化とは対照的に、＋１方向又は−１方向のいずれかに作られる。したがって、離散したサーボマーク間で使用可能な信号振幅差は、磁気テープで可能な総振幅のおよそ５０％を利用する。これとは対照的に、例えば＋１方向に４０％の残留磁化を生成すると、−１方向にサーボマークを作成することができる。このようにすると、サーボパターン内で使用可能な信号振幅差は、磁気テープで利用できる総振幅のおよそ７０％である。したがって、磁気テープに残存を生成することにより、サーボパターン書き込み時のエラーを少なくすることができるとともに、読み取り中にサーボパターンの離散値同士をより容易に区別することができる。
【００９６】
磁気テープ８４に生成された残存は、サーボトラック８６上であれ、データバンド８８上であれ、測定可能であり得る。上述したように、残存は、磁気テープ８４に可能な総磁化の少なくとも２０％であることができる。他の実施形態では、磁気テープ８４は少なくとも３０％の残存を有することができる。好ましくは、磁気テープ８４は少なくとも４０％の残存を有することができる。サーボトラック８６が書き込まれた後、データバンド８８は検出可能な残存を保持する。しかし、残存は、任意のデータバンド８８へのデータ書き込みに影響を及ぼさないことができる。４本のデータバンド８８及び５本のサーボトラック８６が図６に示されるが、磁気テープ８４は、任意の所望の幅の任意の数のデータバンド及びサーボトラックを有することができる。
【００９７】
磁気テープ８４は、複数工程の製造プロセスに従って製造することができる。例えば、通常、コーティング工程において、幅広のテープロールに磁気材料がコーティングされる。コーティングが乾燥した後、切断工程においてテープを切断して、所望の幅を有する磁気コーティングテープを実現することができる。次に、テープを巻き取り、それから消磁工程において消去することができる。最後に、テープにサーボパターンを書き込み、おそらく、テープカートリッジ等に巻き取ることができる。本発明による消去ユニット１２若しくは５２及び／又はバイアスユニット５４は、別個のデガウス工程及びバイアス工程が回避されるように、これら製造工程のうちの１つに容易に組み込むことができる。例えば、消去ユニット１２又はバイアスユニット５２は、テープ切断システム、テープ巻き取りシステム、テープコーティングシステム、又はサーボ書き込みシステムの一部をなすことができる。
【００９８】
図７は、磁気テープ媒体に残存を生成する技術を示す流れ図の一例である。図７の技術をシステム５０の要素を用いて説明するが、他の例では、システム１０の要素を利用してもよい。図７に示すように、残存を磁気テープに生成することは、磁気テープをスプール６２から巻き出すことにより開始される（９０）。消去ユニット５２は、磁気テープを消去又は消磁する（９２）。次に、バイアスユニット５４が、所望の残留磁化を磁気テープの全幅にわたって生成する（９４）。次に、バイアス磁気テープはサーボ書き込みユニット５８に送られ、サーボ書き込みユニット５８において、サーボ書き込みヘッド６０がサーボパターンを磁気テープに書き込む（９６）。サーボパターンを磁気テープに書き込むことは、磁気テープにおいてデータバンドで隔てられた複数のサーボトランクを書き込むことを含むことができる。最後に、システム５０は磁気テープを再び巻き取る（９８）。図７の工程は、新たに製造された磁気テープ又は寿命のどこかの段階にある磁気テープに対して使用することができる。
【００９９】
本発明のいくつかの実施形態を説明してきた。例えば、磁気テープに残存を生成するバイアス磁石を有する、比較的単純な設計の消去ユニットを説明してきた。それでもなお、本発明の範囲から逸脱せずに様々な変更を行うことが可能である。例えば、磁気テープの寿命のかなり後の段階でバイアス磁石を実施してよく、かつ磁気テープカートリッジ等と併用するように実施してよい。さらに、本明細書において述べた磁気要素は、受動磁石ではなく電磁石又は適正な起磁力を発生することが可能な他の任意の装置を使用してもよい。一般に、本発明は、磁気テープに残存を生成させたいときにいつでも実施することができる。したがって、他の実施形態も添付の特許請求の範囲内である。
【図面の簡単な説明】
【０１００】
【図１】磁気テープ媒体に残存を生成するサーボ書き込みシステムの一例の概念図である。
【図２】磁気テープ媒体に残存を生成する消去ユニットの一例の正面図である。
【図３】磁気テープ媒体に残存を生成する可動式バイアス磁石を有する消去ユニットの一例の正面図である。
【図４】磁気テープ媒体に残存を生成するバイアスユニットを含むサーボ書き込みシステムの一例の概念図である。
【図５】バイアス磁石と磁気テープ媒体との距離の調整に役立つユニットの一例の正面図である。
【図６】磁気テープ媒体の一例の概念図である。
【図７】磁気テープ媒体に残存を生成する技術を示す流れ図の一例である。
【符号の説明】
【０１０１】
２Ａ〜２Ｈ  磁気要素
３Ａ〜３Ｇ  磁気要素
３Ｈ、３８、７０  バイアス磁石
５Ａ〜５Ｑ  極性要素
１０、５０、５６  システム
１２、１２Ａ、１２Ｂ、５２、６２  消去ユニット
１４  サーボ書き込みシステム
１６  サーボ書き込みユニット
１８、６０  サーボ書き込みヘッド
２０、２２、６２、６４  スプール
２１  非磁性要素
２４  テープ経路ブロック
２５  裏板
２６、３５  取付ブロック
２７、３７  消去ブロック
２８Ａ〜２８Ｃ  穴
２９Ａ〜２９Ｃ  穴
３０Ａ〜３０Ｃ  穴
３２  入口領域
３４  出口領域
３６、８２  テープ経路
３９、７１  矢印
４０、７２  ステージ
４２  ブロック
４４  モータ
４６、７４  シャフト
５４  バイアスユニット
５８  サーボ書き込みユニット
６８  ブロック
７６  ハンドル
７８、８０  ガイド
８４  磁気テープ
８６  サーボトラック
８８  データバンド
８９  全幅
９０  テープを巻き出す
９２  テープを消去する
９４  残留磁化をテープに加える
９６  サーボパターンをテープに書き込む
９８  テープを再び巻き取る
【図１】
0005709909.tif 000027
【図２】
0005709909.tif 000028
【図３】
0005709909.tif 000029
【図４】
0005709909.tif 000030
【図５】
0005709909.tif 000031
【図６】
0005709909.tif 000032
【図７】
0005709909.tif 000033