(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
（１）ＪＩＳ−Ｈ３１００（Ｃ１１００）に規格するタフピッチ銅、（２）ＪＩＳ−Ｈ３１００（Ｃ１０２０）に規格する無酸素銅（ＯＦＣ）、（３）Ｓｎを１０〜５００質量ｐｐｍ含有し、及び／又はＡｇを１０〜５００質量ｐｐｍ含有し、残部を前記タフピッチ銅若しくは前記無酸素銅、又は（４）Ａｇ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｆｅ、Ｐ、Ｎｉ、Ｓｉ、Ｔｅ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｖからなる元素の一種以上を合計で２０〜５００質量ｐｐｍ含有し、残部を前記タフピッチ銅若しくは前記無酸素銅、とする圧延銅箔であって、
200℃0.5時間焼鈍後の(200)面のX線回折ピークの積分強度I(200)と、 (311)面のX線回折ピークの積分強度I(311)との比I(311)/I(200)が0.001以上0.008以下、I(200)/｛I(200)＋I(311)＋I(420)｝≧0.92（但し、I(420)は200℃0.5時間焼鈍後の(420)面のX線回折ピークの積分強度）である圧延銅箔。
【請求項２】
（１）ＪＩＳ−Ｈ３１００（Ｃ１１００）に規格するタフピッチ銅、（２）ＪＩＳ−Ｈ３１００（Ｃ１０２０）に規格する無酸素銅（ＯＦＣ）、（３）Ｓｎを１０〜５００質量ｐｐｍ含有し、及び／又はＡｇを１０〜５００質量ｐｐｍ含有し、残部を前記タフピッチ銅若しくは前記無酸素銅、又は（４）Ａｇ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｆｅ、Ｐ、Ｎｉ、Ｓｉ、Ｔｅ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｖからなる元素の一種以上を合計で２０〜５００質量ｐｐｍ含有し、残部を前記タフピッチ銅若しくは前記無酸素銅、とする圧延銅箔であって、
200℃0.5時間焼鈍後の(200)面のX線回折ピークの積分強度I(200)と、 (420)面のX線回折ピークの積分強度I(420)との比I(420)/I(200)が0.005以上0.02以下、I(200)/｛I(200)＋I(311)＋I(420)｝≧0.92（但し、I(311)は200℃0.5時間焼鈍後の(311)面のX線回折ピークの積分強度）である圧延銅箔。
【請求項３】
（１）ＪＩＳ−Ｈ３１００（Ｃ１１００）に規格するタフピッチ銅、（２）ＪＩＳ−Ｈ３１００（Ｃ１０２０）に規格する無酸素銅（ＯＦＣ）、（３）Ｓｎを１０〜５００質量ｐｐｍ含有し、及び／又はＡｇを１０〜５００質量ｐｐｍ含有し、残部を前記タフピッチ銅若しくは前記無酸素銅、又は（４）Ａｇ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｆｅ、Ｐ、Ｎｉ、Ｓｉ、Ｔｅ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｖからなる元素の一種以上を合計で２０〜５００質量ｐｐｍ含有し、残部を前記タフピッチ銅若しくは前記無酸素銅、とする圧延銅箔であって、
200℃0.5時間焼鈍後の(200)面のX線回折ピークの積分強度I(200)と、 (311)面のX線回折ピークの積分強度I(311)との比I(311)/I(200)が0.001以上0.01以下であり、かつ200℃0.5時間焼鈍後の (200)面のX線回折ピークの積分強度I(200)と、 (420)面のX線回折ピークの積分強度I(420)との比I(420)/I(200)が0.005以上0.02以下、I(200)/｛I(200)＋I(311)＋I(420)｝≧0.92である圧延銅箔。
【請求項４】
最終圧延前で、かつ再結晶焼鈍後のX線回折ピークの積分強度であるI(200)bとI(311)bとの比I(311)b/I(200)bが0.01以上0.02以下である銅箔素材を最終圧延してなる請求項１又は３に記載の圧延銅箔。
【請求項５】
最終圧延加工度をηとし、η＝Ln｛（最終圧延前の厚み）/（最終圧延後の厚み）｝で表したとき、η≧2.3である請求項４記載の圧延銅箔。
【請求項６】
最終圧延前で、かつ再結晶焼鈍後のX線回折ピークの積分強度であるI(200)bとI(420)bとの比I(420)b/I(200)bが0.02以上0.04以下である銅箔素材を最終圧延してなる請求項２又は３に記載の圧延銅箔。
【請求項７】
最終圧延加工度をηとし、η＝Ln｛（最終圧延前の厚み）/（最終圧延後の厚み）｝で表したとき、η≧2.3である請求項６記載の圧延銅箔。
【請求項８】
最終圧延前で、かつ再結晶焼鈍後のX線回折ピークの積分強度であるI(200)bとI(311)bとの比I(311)b/I(200)bが0.01以上0.02以下であり、かつ、最終圧延前で、かつ再結晶焼鈍後のX線回折ピークの積分強度であるI(200)bとI(420)bとの比I(420)b/I(200)bが0.02以上0.04以下である銅箔素材を最終圧延してなる請求項３に記載の圧延銅箔。
【請求項９】
最終圧延加工度をηとし、η＝Ln｛（最終圧延前の厚み）/（最終圧延後の厚み）｝で表したとき、η≧2.3である請求項８に記載の圧延銅箔。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えばフレキシブル配線板（FPC：Flexible Printed Circuit）に使用され、銅張積層板に適した圧延銅箔に関する。
【背景技術】
【０００２】
フレキシブル配線板（FPC）は樹脂層と銅箔を積層してなり、繰り返し屈曲部に好適に用いられる。このようなFPCに用いられる銅箔としては、屈曲性に優れた圧延銅箔が広く用いられている。圧延銅箔の屈曲性を向上させる方法として、再結晶焼鈍後の立方体集合組織を発達させる技術が報告されている（特許文献１）。又、再結晶焼鈍後の立方体集合組織を発達させる方法として、最終圧延加工度や圧延条件を規定することや（特許文献２）、圧延後に立方体方位を残すこと（特許文献３）が挙げられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特許第3009383号公報
【特許文献２】特開2009-185376号公報
【特許文献３】特開2010-150597号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、従来の立方体集合組織を発達させる方法は、最終圧延加工度を調整するため、立方体集合組織が成長する最終圧延前焼鈍時の銅箔素材の厚みを最終製品の厚みに応じて変更したり、特殊な条件で圧延を行うなどの必要があり、生産性が低下するという問題がある。
また、立方体集合組織の発達度（銅箔表面の(200)方位のX線回折強度）が同程度であっても、屈曲性が異なる場合があり、(200)方位の制御だけでは屈曲性に優れる圧延銅箔を安定して得ることが難しい。
【０００５】
すなわち、本発明は上記の課題を解決するためになされたものであり、屈曲性を安定して得られる圧延銅箔の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明者らは種々検討した結果、銅箔の(200)方位だけでなく、(420)方位および(311)方位を持つ結晶粒が屈曲性に影響を与えることを見出した。(420)方位および(311)方位を持つ結晶粒は、屈曲時に応力印加方向とすべり方向が近いためにすべり変形を起こしにくく、そのために屈曲性を低下させやすい。
【０００７】
すなわち本発明の圧延銅箔は、（１）ＪＩＳ−Ｈ３１００（Ｃ１１００）に規格するタフピッチ銅、（２）ＪＩＳ−Ｈ３１００（Ｃ１０２０）に規格する無酸素銅（ＯＦＣ）、（３）Ｓｎを１０〜５００質量ｐｐｍ含有し、及び／又はＡｇを１０〜５００質量ｐｐｍ含有し、残部を前記タフピッチ銅若しくは前記無酸素銅、又は（４）Ａｇ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｆｅ、Ｐ、Ｎｉ、Ｓｉ、Ｔｅ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｖからなる元素の一種以上を合計で２０〜５００質量ｐｐｍ含有し、残部を前記タフピッチ銅若しくは前記無酸素銅、とする圧延銅箔であって、200℃0.5時間焼鈍後の (200)面のX線回折ピークの積分強度I(200)と、 (311)面のX線回折ピークの積分強度I(311)との比I(311)/I(200)が0.001以上0.008以下、I(200)/｛I(200)＋I(311)＋I(420)｝≧0.92（但し、I(420)は200℃0.5時間焼鈍後の(420)面のX線回折ピークの積分強度）である。
【０００８】
又、本発明の圧延銅箔は、（１）ＪＩＳ−Ｈ３１００（Ｃ１１００）に規格するタフピッチ銅、（２）ＪＩＳ−Ｈ３１００（Ｃ１０２０）に規格する無酸素銅（ＯＦＣ）、（３）Ｓｎを１０〜５００質量ｐｐｍ含有し、及び／又はＡｇを１０〜５００質量ｐｐｍ含有し、残部を前記タフピッチ銅若しくは前記無酸素銅、又は（４）Ａｇ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｆｅ、Ｐ、Ｎｉ、Ｓｉ、Ｔｅ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｖからなる元素の一種以上を合計で２０〜５００質量ｐｐｍ含有し、残部を前記タフピッチ銅若しくは前記無酸素銅、とする圧延銅箔であって、200℃0.5時間焼鈍後の (200)面のX線回折ピークの積分強度I(200)と、 (420)面のX線回折ピークの積分強度I(420)との比I(420)/I(200)が0.005以上0.02以下、I(200)/｛I(200)＋I(311)＋I(420)｝≧0.92（但し、I(311)は200℃0.5時間焼鈍後の(311)面のX線回折ピークの積分強度）である。
【０００９】
又、本発明の圧延銅箔は、（１）ＪＩＳ−Ｈ３１００（Ｃ１１００）に規格するタフピッチ銅、（２）ＪＩＳ−Ｈ３１００（Ｃ１０２０）に規格する無酸素銅（ＯＦＣ）、（３）Ｓｎを１０〜５００質量ｐｐｍ含有し、及び／又はＡｇを１０〜５００質量ｐｐｍ含有し、残部を前記タフピッチ銅若しくは前記無酸素銅、又は（４）Ａｇ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｆｅ、Ｐ、Ｎｉ、Ｓｉ、Ｔｅ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｖからなる元素の一種以上を合計で２０〜５００質量ｐｐｍ含有し、残部を前記タフピッチ銅若しくは前記無酸素銅、とする圧延銅箔であって、200℃0.5時間焼鈍後の(200)面のX線回折ピークの積分強度I(200)と、 (311)面のX線回折ピークの積分強度I(311)との比I(311)/I(200)が0.001以上0.01以下であり、かつ200℃0.5時間焼鈍後の (200)面のX線回折ピークの積分強度I(200)と、 (420)面のX線回折ピークの積分強度I(420)との比I(420)/I(200)が0.005以上0.02以下、I(200)/｛I(200)＋I(311)＋I(420)｝≧0.92である。
【００１０】
請求項１又は３に記載の圧延銅箔は、最終圧延前で、かつ再結晶焼鈍後のX線回折ピークの積分強度であるI(200)bとI(311)bとの比I(311)b/I(200)bが0.01以上0.02以下である銅箔素材を最終圧延してなることが好ましい。
【００１１】
請求項４記載の圧延銅箔において、最終圧延加工度をηとし、η＝Ln｛（最終圧延前の厚み）/（最終圧延後の厚み）｝で表したとき、η≧2.3であることが好ましい。
請求項２又は３に記載の圧延銅箔において、最終圧延前で、かつ再結晶焼鈍後のX線回折ピークの積分強度であるI(200)bとI(420)bとの比I(420)b/I(200)bが0.02以上0.04以下である銅箔素材を最終圧延してなることが好ましい。
請求項６記載の圧延銅箔において、最終圧延加工度をηとし、η＝Ln｛（最終圧延前の厚み）/（最終圧延後の厚み）｝で表したとき、η≧2.3であることが好ましい。
【００１２】
請求項３記載の圧延銅箔は、最終圧延前で、かつ再結晶焼鈍後のX線回折ピークの積分強度であるI(200)bとI(311)bとの比I(311)b/I(200)bが0.01以上0.02以下であり、かつ、最終圧延前で、かつ再結晶焼鈍後のX線回折ピークの積分強度であるI(200)bとI(420)bとの比I(420)b/I(200)bが0.02以上0.04以下である銅箔素材を最終圧延してなることが好ましい。
【００１３】
請求項８に記載の圧延銅箔において、最終圧延加工度をηとし、η＝Ln｛（最終圧延前の厚み）/（最終圧延後の厚み）｝で表したとき、η≧2.3であることが好ましい。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、屈曲性に優れる圧延銅箔を安定して得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】屈曲試験装置により屈曲疲労寿命の測定を行う方法を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明の実施形態に係る圧延銅箔について説明する。
【００１７】
＜成分組成＞
銅箔の成分組成としては、ＪＩＳ−Ｈ３１００（Ｃ１１００）に規格するタフピッチ銅（ＴＰＣ）又はＪＩＳ−Ｈ３１００（Ｃ１０２０）無酸素銅（ＯＦＣ）を好適に用いることができる。又、添加元素としてＳｎを１０〜５００質量ｐｐｍ含有し、及び／又はＡｇを１０〜５００質量ｐｐｍ含有し、残部をタフピッチ銅又は無酸素銅としてもよい。
又、添加元素としてＡｇ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｆｅ、Ｐ、Ｎｉ、Ｓｉ、Ｔｅ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｖからなる元素の一種以上を合計で２０〜５００質量ｐｐｍ含有し、残部をタフピッチ銅又は無酸素銅としてもよい。
なお、FPCに用いられる圧延銅箔は屈曲性を要求されることから、圧延銅箔の厚みは２０μｍ以下が好ましい。
【００１８】
＜第１の態様に係る圧延銅箔＞
本発明の第１の態様に係る圧延銅箔は、200℃で0.5時間焼鈍後に(200)面のX線回折ピークの積分強度I(200)と、(311)面のX線回折ピークの積分強度I(311)との比I(311)/I(200)が0.001以上0.01以下である。圧延銅箔に200℃で0.5時間の焼鈍を行うと再結晶組織が生じ、立方体集合組織が発達して圧延銅箔の屈曲性を向上させる。一方、再結晶後に(420)方位および(311)方位を持つ結晶粒は、屈曲時に応力印加方向とすべり方向が近いためにすべり変形を起こしにくく、そのために屈曲性を低下させやすい。
【００１９】
このようなことから、（200）方位に比べて(311)方位の割合が少ないと屈曲性を向上させるので、比I(311)/I(200)を0.01以下とする。比I(311)/I(200)が0.01を超えると(311)方位の割合が多くなって屈曲性を低下させる。比I(311)/I(200)は低いほど屈曲性が高く好ましいが、実用上は0.001以上の値となる。
【００２０】
又、第１の態様に係る圧延銅箔は、最終圧延前で、かつ再結晶焼鈍後の比I(311)b/I(200)bが0.01以上0.02以下である銅箔素材を、η=2.3以上の加工度で最終圧延して製造することができる。
ここで、銅箔を再結晶焼鈍した後の(420)方位および(311)方位は、再結晶焼鈍前の圧延組織中に存在する(420)方位および(311)方位を持った結晶粒を起点として発達すると考えられる。また圧延組織中の(420)方位および(311)方位は、圧延前の組織に由来するものと考えられる。つまり、最終圧延前でかつ再結晶焼鈍後において、(420)方位および(311)方位の発達程度を制御することで、最終圧延後の箔を再結晶焼鈍した後の(420)方位および(311)方位を制御できる。
このようなことから、最終圧延前で、かつ再結晶焼鈍後の比I(311)b/I(200)bが0.02を超えると、最終圧延後も(311)方位をもつ結晶粒が多く残留し、(311)方位をもつ結晶粒の割合が増えるので、充分な屈曲性が得られない場合がある。一方、比I(311)b/I(200)bが0.01未満の場合、焼鈍によって結晶粒が粗大化してしまうため、最終圧延で充分なひずみを加えることができず、最終圧延後の箔を再結晶焼鈍した後に充分な屈曲性が得られない場合がある。
最終圧延加工度がη＝2.3未満である場合には、最終圧延で充分なひずみを加えることができず、最終圧延後の箔を再結晶焼鈍した後に充分な屈曲性を得られないことがある。
【００２１】
第１の態様に係る圧延銅箔において、I(311)b/I(200)b/ηが0.1以上0.7以下であることが好ましい。また、I(311)b/I(200)b/ ηが0.1以上0.5以下であることがより好ましい。
一般に銅箔の製造工程においては最終圧延加工の加工度が高いため、最終圧延前の組織を制御しても、その影響が圧延後まで充分に残りにくい傾向にある。そこで、最終圧延前の組織と最終圧延の加工度とを共に管理することで、さらに充分な屈曲性が得られる。
I(311)b/I(200)b/ηが0.5を超えると、最終圧延後も(311)方位をもつ結晶粒が多く残留し、(311)方位をもつ結晶粒の割合が増えるので、充分な屈曲性が得られない場合がある。比I(311)b/I(200)b/ ηは低いほど屈曲性が高く好ましいが、実用上は0.05以上の値となる。
【００２２】
＜第２の態様に係る圧延銅箔＞
本発明の第２の態様に係る圧延銅箔は、200℃で0.5時間焼鈍後に(200)面のX線回折ピークの積分強度I(200)と、(420)面のX線回折ピークの積分強度I(420)との比I(420)/I(200)が0.005以上0.02以下である。
上記したように、再結晶後に(420)方位および(311)方位を持つ結晶粒は、屈曲時に応力印加方向とすべり方向が近いためにすべり変形を起こしにくく、そのために屈曲性を低下させやすい。つまり、（200）方位に比べて(420)方位の割合が少ないと屈曲性を向上させるので、比I(420)/I(200)を0.02以下とする。比I(420)/I(200)が0.02を超えると(420)方位の割合が多くなって屈曲性を低下させる。但し、比I(420)/I(200)が0.005未満であると、(200)方位の割合が多くなり過ぎ、充分な屈曲性は得られるが、銅箔が軟らかすぎるためにハンドリング性が低下する。
【００２３】
又、第２の態様に係る圧延銅箔は、最終圧延前で、かつ再結晶焼鈍後の比I(420)b/I(200)bが0.02以上0.04以下である銅箔素材を、好ましくはη=2.3以上の加工度で最終圧延して製造することができる。
最終圧延前で、かつ再結晶焼鈍後の比I(420)b/I(200)bが0.04を超えると、最終圧延後も (420)方位をもつ結晶粒が多く残留し、 (420)方位をもつ結晶粒の割合が増えるので、充分な屈曲性が得られない場合がある。一方、比I(420)b/I(200)bが0.02未満の場合、焼鈍によって結晶粒が粗大化してしまうため、最終圧延で充分なひずみを加えることができず、最終圧延後の箔を再結晶焼鈍した後に充分な屈曲性が得られない場合がある。
【００２４】
第２の態様に係る圧延銅箔において、I(420)b/I(200)b/ηが0.5以上1.2以下であることが好ましい。また、I(420)b/I(200)b/ ηが0.5以上1.0以下であることがさらに好ましい。
ここで、再結晶組織である(420)方位をもつ結晶粒は圧延加工によって回転し、別の方位を持った結晶粒になる。そのため、圧延加工度が高い場合には(420)面の割合は減少し、I(420)は低下する。一方で加工度が低い場合には(420)方位をもつ結晶粒が残存しやすく、I(420)は高くなりやすい。
このようなことから、I(420)b/I(200)b/ηが1.0を超えると、最終圧延後も (420)方位をもつ結晶粒が多く残留し、(420)方位をもつ結晶粒の割合が増えるので、充分な屈曲性が得られない場合がある。また、I(420)b/I(200)b/ηが0.5未満であると、充分な屈曲性は得られるが、銅箔が軟らかすぎるためにハンドリング性が低下する場合がある。
【００２５】
＜圧延銅箔の製造＞
第１及び第２の態様に係る圧延銅箔は、いずれもインゴットを熱間圧延後、焼鈍前圧延、再結晶焼鈍、及び最終圧延して製造することができる。ここで、再結晶方位の安定度は、(200)>(311)>(420)の順であり、再結晶焼鈍の際の昇温速度が高いほど、不安定な(420)方位及び(311)方位が増える傾向にある。従って、再結晶焼鈍の際の昇温速度を5〜50℃/sとして従来よりも速度を遅くすると好ましい。
又、焼鈍前圧延のη=1.6以上の加工度とし、かつ再結晶焼鈍後で最終圧延前の結晶粒径を10μm以上30μm以下とすると好ましい。最終圧延前の結晶粒径が10μm以下となるような焼鈍条件の場合、未再結晶組織が残留する可能性が高くなる。又、最終圧延前の結晶粒径が30μmを超える場合には最終圧延で充分なひずみを加えることができず、最終圧延後の箔を再結晶焼鈍した後に充分な屈曲性が得られないことがある。
又、上記したように、η=2.3以上の加工度で最終圧延するとよい。
なお、結晶粒径は、ＪＩＳ  Ｈ０５０１の切断法により測定する。
【実施例】
【００２６】
まず、表１に記載の組成の銅インゴットを製造し、厚み１０ｍｍまで熱間圧延を行った。その後、焼鈍と圧延を繰り返し、所定の厚みまで圧延した後に７５０℃の連続焼鈍炉に通板し再結晶焼鈍した。さらに、表１に示す加工度で最終冷間圧延し、表１に示す厚みの銅箔を得た。なお、再結晶焼鈍の際の昇温速度を表１に示す。
【００２７】
＜配向度＞
最終圧延して得られた銅箔を200℃で0.5時間焼鈍して再結晶させた後、圧延面のＸ線回折で求めた（２００）面、（３１１）面、（４２０）面の強度の積分値（Ｉ）をそれぞれ求めた。
又、最終圧延前で、かつ再結晶焼鈍後の（２００）面、（３１１）面、（４２０）面のX線回折ピークの積分強度をそれぞれ求めた。この値については、Ｉ（２００）ｂのように添え字「ｂ」で表した。
【００２８】
＜屈曲性＞
最終圧延して得られた銅箔試料を２００℃で３０分間加熱して再結晶させた後、図１に示す屈曲試験装置により、屈曲疲労寿命の測定を行った。この装置は、発振駆動体４に振動伝達部材３を結合した構造になっており、被試験銅箔１は、矢印で示したねじ２の部分と３の先端部の計４点で装置に固定される。振動部３が上下に駆動すると、銅箔１の中間部は、所定の曲率半径ｒでヘアピン状に屈曲される。本試験では、以下の条件下で屈曲を繰り返した時の破断までの回数を求めた。
なお、試験条件は次の通りである：試験片幅：１２．７ｍｍ、試験片長さ：２００ｍｍ、試験片採取方向：試験片の長さ方向が圧延方向と平行になるように採取、曲率半径ｒ：１．５ｍｍ、振動ストローク：２０ｍｍ、振動速度：１０００回／分。
又、以下の基準で、屈曲性を評価した。評価が◎、○、又は△であれば屈曲性が良好である。
◎：屈曲回数が２０万回以上、屈曲性が最も良好である
○：屈曲回数が１０万回以上２０万回未満、屈曲性が良好である
△：屈曲回数が５万回以上１０万回未満、屈曲性に優れる
×：屈曲回数が５万回未満、屈曲性が劣る
【００２９】
得られた結果を表１、表２に示す。
ここで、表１中の組成欄の「ＴＰＣ」はＪＩＳ−Ｈ３１００（Ｃ１１００）に規格するタフピッチ銅（ＴＰＣ）を表し、「ＯＦＣ」はＪＩＳ−Ｈ３１００（Ｃ１０２０）に規格する無酸素銅（ＯＦＣ）を表す。従って、例えば、表１中の組成欄の「１９０ｐｐｍＡｇ−ＴＰＣ」はＪＩＳ−Ｈ３１００（Ｃ１１００）に規格するタフピッチ銅（ＴＰＣ）に１９０質量ｐｐｍのＡｇを添加した組成であることを意味する。また、表１中の組成欄の「１００ｐｐｍＳｎ−ＯＦＣ」はＪＩＳ−Ｈ３１００（Ｃ１０２０）に規格する無酸素銅（ＯＦＣ）に１００質量ｐｐｍのＳｎを添加した組成であることを意味する。
【００３０】
【表１】
0005752536.tif 000002
【００３１】
【表２】
0005752536.tif 000003
【００３２】
表１から明らかなように、I(311)/I(200)が0.001以上0.01以下、又は(420)/I(200)が0.005以上0.02以下である各実施例の場合、屈曲性が優れたものとなった。特に、I(311)/I(200)が0.001以上0.01以下で、かつI(420)/I(200)が0.005以上0.02以下である実施例１〜１２、１５〜２１の場合、実施例１３、１４に比べて屈曲性がさらに優れたものとなった。
【００３３】
一方、I(311)/I(200)が0.01を超え、かつI(420)/I(200)が0.02を超えた比較例１〜３の場合、屈曲性が劣った。
【００３４】
なお、表２から明らかなように、各実施例の場合、I(311)b/I(200)bが0.01以上0.02以下で、又はI(311)b/I(200)b/ηが0.1以上0.7以下となった。又、各実施例の場合、I(420)b/I(200)bが0.02以上0.04以下、又はI(420)b/I(200)b/ηが0.5以上1.2以下となった。特に、実施例１〜１２、１５〜２１の場合、I(311)/I(200)が0.001以上0.01以下かつI(420)/I(200)が0.005以上0.02以下であり、特に屈曲性に優れた。
一方、比較例１〜３の場合、I(311)b/I(200)bが0.02を超え、かつI(311)b/I(200)b/ηが0.7を超えた。同様に、比較例１〜３の場合、I(420)b/I(200)bが0.04を超え、かつI(420)b/I(200)b/ηが1.2を超えた。
【図１】
0005752536.tif 000004