(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
陽極リード線を有する陽極体の前記陽極リード線を、陽極リード線の外径よりも小さい内径の陽極リード線挿入孔を有する絶縁性材料からなるワッシャーに挿入し、ワッシャーと陽極体との隙間が０．３ｍｍ以下となるように調整し、誘電体酸化皮膜、半導体層及び電極層を順次積層してなる固体電解コンデンサ素子の製造方法において、下記式（１）
ｙ（％）＝（ａ／ｔ）×１００          （１）
（式中、ｔはワッシャーの厚みを表し、ａはワッシャーの挿入孔の周りに生ずる変形部分を除く上側（陽極体と反対側）の面から、ワッシャー変形部分の陽極体から最も離れた上側部分までの鉛直方向の距離を表す。）
で定義されるワッシャーの変形率（ｙ）が２５％以上となるように、前記陽極リード線をワッシャーに挿入し、次いで、挿入方向とは逆の方向にワッシャーを移動して変形率（ｙ）を０〜２３％にすることを特徴とする固体電解コンデンサ素子の製造方法。
【請求項２】
陽極リード線をワッシャーに鉛直に差込む請求項１に記載の固体電解コンデンサ素子の製造方法。
【請求項３】
陽極リード線の材質が、タンタル、アルミニウム、ニオブ、チタン、またはこれら弁作用金属を主成分とする合金である請求項１に記載の固体電解コンデンサ素子の製造方法。
【請求項４】
陽極体が、タンタル、ニオブ、チタン及びアルミニウムから選ばれる少なくとも１種を主成分とする金属あるいは合金、酸化ニオブ、またはこれら金属、合金及び酸化ニオブから選ばれる少なくとも２種以上の混合物である請求項１に記載の固体電解コンデンサ素子の製造方法。
【請求項５】
半導体層が有機半導体層を含む層である請求項１に記載の固体電解コンデンサ素子の製造方法。
【請求項６】
有機半導体層がドーパントをドープした導電性高分子を主成分とした半導体層である請求項５に記載の固体電解コンデンサ素子の製造方法。
【請求項７】
導電性高分子が、ポリアニリン、ポリオキシフェニレン、ポリフェニレンサルファイド、ポリチオフェン、ポリフラン、ポリピロール、ポリメチルピロール、及びこれらの置換誘導体から選択される請求項６に記載の固体電解コンデンサ素子の製造方法。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれかに記載の方法で得られる固体電解コンデンサ素子を外装樹脂で封口してなる固体電解コンデンサ。
【請求項９】
請求項８に記載の固体電解コンデンサを使用した電子回路。
【請求項１０】
請求項８に記載の固体電解コンデンサを使用した電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、性能と信頼性が良好な固体電解コンデンサ素子の製造方法に関する。さらに詳しく言えば、陽極リード線が植設された陽極体に誘電体酸化皮膜及び半導体層を形成する際の半導体層形成用溶液等の這い上がりを防止し、リード線部を短く切断して外部端子フレームへ接続することができ、固体電解コンデンサ素子の封止時の溶融樹脂による陽極体上面への応力が緩和され、漏れ電流特性の劣化が少なく、コンデンサの小型化が可能な固体電解コンデンサ素子の製造方法及びその方法により得られる固体電解コンデンサ素子を樹脂封口してなる固体電解コンデンサに関する。
【背景技術】
【０００２】
各種電子機器に使用される高容量なコンデンサの一つとして、直方体形状の一面に陽極リード線を植設した陽極体に、誘電体酸化皮膜、半導体層及び電極層を順次積層した固体電解コンデンサ素子を外装樹脂で封口した固体電解コンデンサがある。
【０００３】
固体電解コンデンサは、内部に微小な細孔を有するタンタル等の陽極体を一方の電極として、その電極の表層に形成した誘電体層とその誘電体層上に設けられた他方の電極（通常は、半導体層）および他方の電極上に積層された電極層とから構成された固体電解コンデンサ素子を樹脂封口して作製されている。同一体積の陽極体では、細孔が小さく細孔量が多いほど陽極体内部の表面積が大きくなるために、その陽極体から作製したコンデンサの容量は大きなものとなる。
【０００４】
固体電解コンデンサは、低ＥＳＲ（等価直列抵抗）であることが要求されるため、内部の半導体層としてはもっぱら導電性高分子が使用される。そのような半導体層は、化学重合または電解重合法で形成される。１例を挙げると、誘電体層まで形成した導電体（陽極体）の陽極リード線を除く部分を別途用意した酸化剤及びドーパントが入った溶液とモノマーが入った溶液に交互に漬けることを複数回繰り返して半導体層を形成する。各溶液が這い上がって陽極リード線にも半導体層が形成されると、製造されるコンデンサ素子の漏れ電流が大きくなり、場合によっては短絡してしまうこともある。このようなことを防ぐために、通常、陽極リード線の外径より若干小さい内径を有する絶縁材料からなるワッシャーを陽極リード線に挿入し、陽極リード線とワッシャーとを密着するようにして、溶液の這い上がりを防ぐように設計されている（国際公開第２００７／００４５５号パンフレット；特許文献１）。
【０００５】
特に、粒径が小さな粉体を焼結した陽極体ほど、半導体層の形成を徐々に進める必要があり、陽極体を処理溶液に浸漬・引き上げる操作をより多く繰り返すことになる。そのため、ワッシャーとリード線の隙間を通して溶液が這い上がる確率が増加する。そこで、一般に、図１及び２に示すように内径のより小さいワッシャー（３）を用い、陽極リード線（２）とワッシャー（３）とがより強く密着するようにして、溶液の這い上がる確率を抑えているが、陽極リード線に挿入されたワッシャーは、リード線に接する部位がリード線の移動方向へリードに沿ってずり上がる様に変形する。前述のように、溶液の這い上がる確率を抑えようとすると、極端な場合には、ワッシャーの厚さ（ｔ）よりも変形（ａ）が大きくなる場合もある。
【０００６】
コンデンサ素子は、陽極リード線を所定寸法で切断し、別途用意した外部端子となるフレームへ接続した後、外装樹脂封口され、コンデンサ（製品）となる。このとき、リード線部位を可能な限り短くしてフレームに接続すると、接続部の封止に必要な樹脂の体積が減り、単位体積あたり容量がより大きいコンデンサを作製することができる。
陽極リード線とフレームとの接続には、通常、抵抗溶接やレーザー溶接が用いられているが、リード線部位をより短くしてフレームに溶接しようとすると、溶接部が前述したワッシャーの変形部に干渉することになり、不良品となる素子が増加する。すなわち、溶液の這い上がりを抑えるワッシャーの変形が大きくなると、コンデンサの小型化が難しくなる。
【０００７】
なお、前記干渉により不良製品が生じるのは、ワッシャー変形部近傍のリード線表面に付着している半導体（陰極）が、干渉による溶接応力により陽極リード線に押し付けられて、リード線表面に形成されている誘電体層を破壊することによる。この破壊量は僅かでも、陽極と陰極が電気的にわずかに短絡し、コンデンサの漏れ電流特性が悪化する。干渉が大きく誘電体層の破壊量が多くなると、コンデンサは完全に短絡する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】国際公開第２００７／００４５５号パンフレット
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明の課題は、陽極リード線を有する陽極体に誘電体酸化皮膜及び半導体層を形成する工程において、半導体層形成用溶液等の這い上がりを防止するワッシャーを陽極リード線に挿入する際に生じるワッシャーの変形による前記の問題を解消し、陽極リード線部を短く切断して外部端子フレームへ熔接することができ、コンデンサの小型化が可能な固体電解コンデンサ素子の製造方法を提供することにある。
また、固体電解コンデンサ素子の封止時の溶融樹脂による陽極体上面への応力を緩和することにより、性能と信頼性が良好な固体電解コンデンサを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明者等は、陽極リード線を有する陽極体の陽極リード線を、その外径よりも小さい内径の陽極リード線挿入孔を有するワッシャーに挿入して、半導体層形成用溶液等の這い上がりを防止する固体電解コンデンサ素子の製造方法における前記のワッシャーの変形の問題を解決すべく鋭意検討した。その結果、ワッシャーの陽極リード線挿入孔部分に変形があっても、その変形率（変形率の定義については後述する。）を所定の範囲内に収めることにより、リード線とフレームとの溶接時における干渉によるコンデンサの漏れ電流特性の劣化が生じないことを見出し、本発明を完成するに至った。
【００１１】
すなわち、本発明は以下の固体電解コンデンサ素子の製造方法、固体電解コンデンサ、そのコンデンサを使用した電子回路及び電子機器を提供するものである。
１．陽極リード線を有する陽極体の前記陽極リード線を、陽極リード線の外径よりも小さい内径の陽極リード線挿入孔を有する絶縁性材料からなるワッシャーに挿入し、ワッシャーと陽極体との隙間が０．３ｍｍ以下となるように調整し、誘電体酸化皮膜、半導体層及び電極層を順次積層してなる固体電解コンデンサ素子の製造方法において、下記式（１）
ｙ（％）＝（ａ／ｔ）×１００          （１）
（式中、ｔはワッシャーの厚みを表し、ａはワッシャーの挿入孔の周りに生ずる変形部分を除く上側（陽極体と反対側）の面から、ワッシャー変形部分の陽極体から最も離れた上側部分までの鉛直方向の距離を表す。）
で定義されるワッシャーの変形率（ｙ）が２５％以上となるように、前記陽極リード線をワッシャーに挿入し、次いで、挿入方向とは逆の方向にワッシャーを移動して変形率（ｙ）を０〜２３％にすることを特徴とする固体電解コンデンサ素子の製造方法。
２．陽極リード線をワッシャーに鉛直に差込む前項１に記載の固体電解コンデンサ素子の製造方法。
３．陽極リード線の材質が、タンタル、アルミニウム、ニオブ、チタン、またはこれら弁作用金属を主成分とする合金である前項１に記載の固体電解コンデンサ素子の製造方法。
４．陽極体が、タンタル、ニオブ、チタン及びアルミニウムから選ばれる少なくとも１種を主成分とする金属あるいは合金、酸化ニオブ、またはこれら金属、合金及び酸化ニオブから選ばれる少なくとも２種以上の混合物である前項１に記載の固体電解コンデンサ素子の製造方法。
５．半導体層が有機半導体層を含む層である前項１に記載の固体電解コンデンサ素子の製造方法。
６．有機半導体層がドーパントをドープした導電性高分子を主成分とした半導体層である前項５に記載の固体電解コンデンサ素子の製造方法。
７．導電性高分子が、ポリアニリン、ポリオキシフェニレン、ポリフェニレンサルファイド、ポリチオフェン、ポリフラン、ポリピロール、ポリメチルピロール、及びこれらの置換誘導体から選択される前項６に記載の固体電解コンデンサ素子の製造方法。
８．前項１〜７のいずれかに記載の方法で得られる固体電解コンデンサ素子を外装樹脂で封口してなる固体電解コンデンサ。
９．前項８に記載の固体電解コンデンサを使用した電子回路。
１０．前項８に記載の固体電解コンデンサを使用した電子機器。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、陽極体に誘電体酸化皮膜及び半導体層を形成する際の半導体層形成用溶液等の這い上がりを防止するワッシャーの陽極リード線挿入孔の径をより小さくしても、リード線部を短く切断して外部端子フレームへ接続することができる固体電解コンデンサ素子が得られる。本発明の固体電解コンデンサ素子を樹脂封口してなる固体電解コンデンサは小型化が可能であり、漏れ電流特性の劣化が少なく、信頼性も良好である。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】陽極リード線を挿入する際のワッシャーのリード線接触部におけるずり上がりの説明図である。
【図２】本発明で規定するワッシャーの変形率を説明するための固体電解コンデンサ素子の上面図（Ａ）及び側面図（Ｂ）である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
本発明の固体電解コンデンサ素子の製造方法を、添付図面を参照して説明する。
図２（Ａ）及び（Ｂ）は本発明で規定するワッシャーの変形率を説明する固体電解コンデンサ素子の平面及び側面の概略図である（図２では各部の大きさは説明の便宜のために誇張して示してある。）。
【００１５】
本発明の固体電解コンデンサ素子の製造方法では、陽極リード線（２）が設けられた陽極体（１）のリード線（２）を、その外径（ｄ２）よりも小さい内径（ｄ１）の陽極リード線挿入孔（４）を有する絶縁板(ワッシャー)（３）に、陽極体（１）から０．３ｍｍ以下の距離まで差し込む。このとき、ワッシャー（３）は陽極リード線との接触部分がリード線の移動方向に沿ってずり上がる（変形する）。
【００１６】
本発明では、このずり上がり（変形）を、下記式（１）で定義される変形率（ｙ）で表したときに、ｙが２５％以上になる陽極リード線とワッシャーを用いて、所定位置までワッシャーを挿入した後に、ｙが０〜２３％となるようにワッシャーをリード線の移動方向とは逆の方向（陽極体の反対側）に移動する。
ｙ（％）＝（ａ／ｔ）×１００          （１）
式（１）中、ｔはワッシャーの厚みを表し、ａはワッシャーの挿入孔の周りに生ずる変形部分を除く上側（陽極体と反対側）の面から、ワッシャー変形部分の陽極体から最も離れた上側部分までの鉛直方向の距離を表す。
【００１７】
本発明では、上述の通り、陽極リード線のワッシャーへの挿入時の変形率が２５％以上になるように陽極リード線の外径とワッシャーの孔の径を設定するが、挿入時の変形率は２５％以上が好ましく、５０％以上がより好ましい。変形率が２５％未満だと、ワッシャーとリード線の隙間を通して溶液が這い上がる確率が高くなる。また、挿入されたワッシャーを挿入方向とは逆の方向へ移動した後の変形率が、０未満（マイナス）になるとワッシャーとリード線の隙間が再度できやすくなり溶液が這い上がる確率が高くなり、２３％を超えるとコンデンサの小型化が難しくなる。なお、挿入時の変形率は、ワッシャーの材質等により制限される場合もあるが、挿入後にワッシャーを逆方向に移動してワッシャーと陽極体との隙間を０．３ｍｍ以下に調整できる変形率であればよい。すなわち、挿入時の変形率の上限は、ワッシャーを逆方向に移動してワッシャーと陽極体との隙間を０．３ｍｍに調整後の変形率が２３％となる変形率である。
【００１８】
上述のようにワッシャーの変形率を調整し、誘電体酸化皮膜層、半導体層及び電極層を順次積層して製造されるコンデンサ素子を樹脂封口して得られる固体電解コンデンサは、
リード線とフレームとの溶接時に干渉が生じにくく、漏れ電流特性の劣化が少なく、信頼性も良好であり、従来よりも一層の小型化が可能となる。
【００１９】
本発明で好ましく使用される陽極体は、例えば、陽極リード線を成形体面に植設した導電体の粉末の成形体を焼結して作製される焼結体である。成形圧力（例えば、０．１〜５０Ｋｇｆ／ｍｍ2）と焼結条件（例えば、温度８００〜１８００℃・時間１分〜１０時間）を適宜選択することにより焼結体の表面積を大きくすることができる。焼結後に焼結体の表面積をさらに増加させるために、焼結体表面を化学的及び／または電気的にエッチング処理を行ってもよい。
【００２０】
陽極体の形状は特に限定されず、通常は柱状形状のものが用いられる。角柱形状の陽極体を使用する場合には、各隅のうち少なくとも１隅を面取りするか、球面状にＲをとって、作製される固体電解コンデンサの漏れ電流（ＬＣ）値の平均値を良好にしておいてもよい。また、成形時に金型から成形体が脱離しやすいようにテーパを設けてもよい。この場合、作製される陽極体の形状は略角錐台状となる。
【００２１】
本発明においては、陽極リード線は、例えば、成形体に植設してもよく、あるいは、焼結体を作製した後に接続してもよい。陽極リード線の材質としては、タンタル、アルミニウム、ニオブ、チタンまたはこれら弁作用金属を主成分とする合金が使用される。また、陽極リード線の一部を、炭化、燐化、ホウ化、窒化、硫化または酸化から選ばれた少なくとも１種の処理を行ってから使用してもよい。
なお、本発明において主成分とは、５０質量％以上含まれる成分である。
【００２２】
陽極リード線を成形体に植設する場合、陽極リード線の焼結体内の深さを、焼結体の１／３以上、好ましくは２／３以上とすると、焼結体の強度が維持でき、後述するコンデンサ素子の外装封口時の熱的、物理的な封止応力に耐えることができるために好ましい。
【００２３】
焼結体の材質としては、タンタル、アルミニウム、ニオブ、チタン、これら弁作用金属を主成分とする合金または酸化ニオブであるか、または前記弁作用金属、合金及び導電性酸化物から選択された２種以上の混合物が挙げられる。
【００２４】
焼結体の作製に用いる弁作用金属または導電性酸化物の形状は、通常粉体である。
前記弁作用金属または前記合金または導電性化合物の粉体、あるいは前記焼結体等の一部を、炭化、燐化、ホウ素化、窒化、硫化または酸化から選ばれた少なくとも１種の処理を行ってから使用してもよい。
【００２５】
本発明においてワッシャーとして使用される絶縁材料としては、ウレタン樹脂、フェノール樹脂、アリルエステル樹脂、アクリル樹脂、アルキッド樹脂、フッ素樹脂、エステル樹脂、エポキシ樹脂、イミド樹脂、アミド樹脂、イミドアミド樹脂、スチレン樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂またはシリコン樹脂等の樹脂から作製した板が挙げられる。ワッシャーの大きさは、陽極体に誘電体酸化皮膜及び半導体層を形成する際の半導体層形成用溶液等の這い上がりが防止できる大きさであればよい。半導体層形成時の溶液這い上がりを防止するためには、ワッシャーは大きい方が効果的である。ただし、ワッシャーの大きさの上限は、最終的なコンデンサの形状を考慮すると、コンデンサとして外装可能な範囲内である。
【００２６】
ワッシャーには、陽極リード線を通すための孔を設ける。リード線が円形線状の場合にはリードの径に対応する円形の孔を設け、リード断面が矩形状の板の場合には、断面の矩形に対応する矩形の孔を設ける。ワッシャーの孔にリード線を差し込み、前述の方法でワッシャーを設置する。陽極体とワッシャーとの間にできるだけ隙間を設けない方がコンデンサの小型化には好ましい。ただし、適当な隙間があるとその部分に半導体層が形成され、作製したコンデンサの耐湿性能が増す。
【００２７】
陽極体とワッシャーとの隙間は０．３ｍｍ以下が好ましく、０．０３〜０．２ｍｍがさらに好ましい。隙間が０．３ｍｍを超えると、樹脂封口時に溶融樹脂が進入し、漏れ電流特性の悪化の原因となることがある。
【００２８】
本発明の固体電解コンデンサは、前記陽極リード線を備えたワッシャーを設けた誘電体酸化皮膜層を有する陽極体に、半導体層、電極層を順次積層して陰極部を形成した固体電解コンデンサ素子の陽極リードの一部と陰極部の一部を、陽極端子と陰極端子に各々接続して前記陰陽両端子の一部を残して外装封口して作製される。
【００２９】
本発明においては、陽極体及び陽極リード線の一部の表面に誘電体酸化皮膜層を形成させる。誘電体酸化皮膜層としては、Ｔａ2Ｏ5、Ａｌ2Ｏ3、ＴｉＯ2、Ｎｂ2Ｏ5等の金属酸化物から選ばれる少なくとも１つを主成分とする誘電体層が挙げられる。該誘電体層は、前記陽極基体を電解液中で化成することによって得ることができる。また、金属酸化物から選ばれた少なくとも１つを主成分とする誘電体層と、セラミックコンデンサで使用される誘電体層を混合した誘電体層であってもよい（国際公開第００／７５９４３号パンフレット）。
【００３０】
本発明の誘電体層上に形成される半導体層の代表例として、有機半導体から選ばれる少なくとも１種の化合物が挙げられる。
有機半導体としては、ドーパントをドープした導電性高分子を主成分とした有機半導体が挙げられる。ドーパントは特に限定されず、公知のドーパントを使用することができる。
【００３１】
導電性高分子としては、例えば、ポリアニリン、ポリオキシフェニレン、ポリフェニレンサルファイド、ポリチオフェン、ポリフラン、ポリピロール、ポリメチルピロール、及びこれらの置換誘導体などが挙げられる。中でもポリピロール、ポリチオフェン及びこれらの置換誘導体（例えば、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）等）が好ましい。
【００３２】
前述した半導体層は、化学重合法、電解重合法、あるいはそれらの方法を組み合わせて形成される。
【００３３】
本発明においては、半導体層を形成する際に生じる誘電体層の微小な欠陥を修復するために、再化成を行ってもよい。また、半導体層形成と再化成を複数回繰り返してもよいし、繰り返し時の半導体層形成条件と再化成条件を変更してもよい。
【００３４】
本発明では、形成した半導体層の上に電極層を設ける。電極層は、例えば導電ペーストの固化、メッキ、金属蒸着、耐熱性の導電樹脂フィルムの付着等により形成することができる。導電ペーストとしては、銀ペースト、銅ペースト、アルミニウムペースト、カーボンペースト、ニッケルペースト等が好ましい。導電ペーストを適用した後は空気中に放置するか、または加熱して固化させる。
【００３５】
具体的には、例えば、形成した半導体層上にカーボンペースト、銀ペーストを順次積層して電極層が形成される。このようにして陽極体に電極層まで積層して固体電解コンデンサ素子が作製される。
【００３６】
以上のような構成の本発明の固体電解コンデンサ素子は、例えば、樹脂モールドなどにより外装して各種用途の固体電解コンデンサ製品とすることができる。
【００３７】
樹脂モールド外装について具体的に説明すると、例えば、本発明のコンデンサは、前記コンデンサ素子の電極層の一部を、別途用意した一対の対向して配置された先端部を有するリードフレームの一方の先端部に載置し、さらに陽極リード線の一部を前記リードフレームの他方の先端部に接続する。ついで前者（リードフレームの一方の先端部）は、導電ペーストの固化で、後者（陽極リード線）は、溶接で各々電気的・機械的に接合した後、前記リードフレームの先端部の一部を残して樹脂封口し、樹脂封口外の所定部でリードフレームを切断折り曲げ加工して作製される（なお、リードフレームが樹脂封口の下面にあってリードフレームの下面または下面と側面のみを残して封口されている場合は、切断加工のみでもよい）。
【００３８】
樹脂モールド外装に使用される樹脂の種類としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、アルキッド樹脂、エステル樹脂、アリルエステル樹脂等コンデンサの封止に使用される公知の樹脂が採用できる。また、樹脂封口するためには、トランスファーマシンが好んで使用される。
【００３９】
このように作製された固体電解コンデンサは、電極層形成時や外装時の熱的及び／または物理的な誘電体層の劣化を修復するために、エージング処理を行ってもよい。
【００４０】
本発明によって製造される固体電解コンデンサは、例えば、中央演算回路や電源回路等の小型高容量のコンデンサを用いる回路に好ましく用いることができ、これらの回路は、パソコン、カメラ、ゲーム機、ＡＶ機器、携帯電話等の各種デジタル機器や、各種電源等の電子機器に利用可能である。本発明で製造された固体電解コンデンサは、容量が大きく、高信頼性があるために、顧客の満足度の高い電子回路及び電子機器を得ることができる。
【実施例】
【００４１】
以下、本発明の具体例についてさらに詳細に説明するが、以下の例により本発明は限定されるものではない。
【００４２】
実施例１：
市販の１０万ＣＶ/ｇのタンタル粉を成形、焼結して、大きさ１．０±０．０５ｍｍ×１．５±０．０５ｍｍ×４．５±０．１ｍｍの焼結体を複数個作製し、陽極体とした。なお、この陽極体の１．０×１．５ｍｍ面の中央に、内部に３．５ｍｍ埋もれ、外部に１０ｍｍ出ている直径０．４０ｍｍのタンタルリード線が鉛直に植設されている。別途用意した、厚さ０．２０±０．０２ｍｍ、外径０．９０ｍｍの円盤状で、中央に内径０．３６ｍｍφの孔を有するテトラフルオロエチレン製のワッシャーにリード線を鉛直に挿入し、陽極リード線植設面から０．１５ｍｍ離して一旦固定した。挿入されたワッシャーは、リード線と接する部分が変形し、５５μｍ以上、上方向に（陽極体とは反対方向に）盛り上がっていた。ついで、ワッシャーを上方向に引き上げ、植設面から０．２ｍｍ離して固定することにより、変形部の高さを６〜４０μｍの範囲にした。変形率は３〜２２％の範囲であった。
【００４３】
その後、定法に従って、燐酸化成による誘電体層形成、３，４−エチレンジオキシチオフェンモノマーを電解重合して半導体層形成、及びカーボンペーストと銀ペーストとを順次塗布することによる導電体層形成を順次行い、固体電解コンデンサ素子を作製した。コンデンサ素子の陽極体が半導体層と導電体層とに被覆された厚さは合計１２０±３５μｍであった。なお、リード線植設面には導電体層は設けられていない。
また、別途、リードフレームを用意した。このリードフレームは、厚さ１００μｍの銅合金製で、下地０．６μｍ、表面５μｍの無光沢メッキを施したものであり、陰極リード（コンデンサ素子の陰極部が載置される部分）が幅３．５ｍｍ、長さ４．５ｍｍ、陽極リードが幅３．５ｍｍであり、陰陽極リード間は０．８ｍｍの隙間を有している。陰極リードの陽極リード側端辺から４．５ｍｍの位置に、高さ０．４５ｍｍの段差加工が施してある。
【００４４】
このリードフレームに、リード線の植設面から２．２ｍｍの位置でリード線を切断した２個のコンデンサ素子を、方向を揃えて隙間無く、素子の１．５×４．５ｍｍの面が陰極リードに接するように載置した。その際、コンデンサ素子の底面(リード線植設面の反対側の面)がリードフレームの段差面に接するように載置した。コンデンサ素子の陰極部は銀ペーストでリードフレームの陰極リードへ接続した。コンデンサ素子の陽極リード線は、先端１．０ｍｍφの銅合金溶接棒による抵抗溶接でリードフレームの陽極リード線に接続した。溶接位置は、陽極リード線の陰極リード側の端辺より０．６ｍｍの位置とした。リードフレームに載置したコンデンサ素子を、トランスファー成形によりエポキシ樹脂で外装した。外装体の長手方向から樹脂外に出ているリードフレームを所定位置で切断し、外装体に沿って２回折り曲げ、大きさ７．３×４．３×１．８ｍｍのチップ状固体電解コンデンサを作製した。このコンデンサは、定格電圧２．５Ｖ、定格容量６８０μＦである。
【００４５】
比較例１:
ワッシャーを、初めから植設面から０．２ｍｍ離れた位置まで挿入し、上方向に引き上げず、コンデンサを作製したこと以外は、実施例１と同様にしてチップ状固体電解コンデンサを作製した。挿入時の変形率は２５％以上であった。
【００４６】
参考例１：
リード線の植設面から２．３ｍｍの位置でリード線を切断し、リードフレームの陰陽極リード間を０．９ｍｍとし、溶接位置を陽極リードの陰極リード側の端辺より０．７ｍｍの位置とし、外装体の大きさを７．４×４．３×１．８ｍｍとしてコンデンサを作製したこと以外は、比較例１と同様にしてチップ状固体電解コンデンサを作製した。
【００４７】
試験例:
実施例１、比較例１及び参考例１について、同じ方法で作製した各々６４０個のコンデンサ（計１２８０個のコンデンサ素子）の漏れ電流を測定した。各素子の漏れ電流（ＬＣ）は、各定格電圧を印加した３０秒後の値である。漏れ電流が、下記式で表される基準値（０．１ＣＶ）の値以下であるコンデンサの個数を表１に示す。
基準値（μＡ）＝定数（μＡ／Ｖ・μＦ）×定格容量（μF）×定格電圧（Ｖ）
定数＝０．１μＡ／Ｖ・μＦ、定格容量＝６８０μF、定格電圧＝２．５Ｖ
【００４８】
【表１】
0005739147.tif 000002
【００４９】
表１から、ワッシャーの変形率を本発明で規定する範囲に設定した実施例１では、ワッシャーの変形率が本発明の規定範囲外である比較例１に比べ、漏れ電流特性が良好になっていることがわかる。
また、実施例１と参考例１を比べると、リード線を植設面からより近い位置でリードフレームに溶接したにもかかわらず、実施例１の漏れ電流特性は参考例１の値と同一となった。
【符号の説明】
【００５０】
１  陽極体
２  陽極リード線
３  ワッシャー
４  孔
【図１】
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【図２】
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