(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子デバイスを試験するための複数のプローブであって、
該電子デバイスを接触させるように配置された接触チップ構造体と、
支持構造体と、
該接触チップ構造体が取着される弾性部分であって、該弾性部分は、該プローブの制御された偏向を提供し、該支持構造体が取着される取り付け機構を備える、弾性部分と
を備え、
該取り付け機構は、千鳥状のパターンで配設され、
該千鳥状のパターンの第１の列に位置する弾性部分は、弾性部分の第２の列の該取り付け機構と略一直線に並ぶ狭小部を含む、
前記第１の列における弾性部分のそれぞれに対する前記狭小部は、前記弾性部分の取り付け機構と、前記狭小部に隣接する、前記接触チップ構造体が取着される部分とは異なる部分である前記弾性部分の隣接部と、の双方よりも狭小であり、前記取り付け機構と前記隣接部との間にあり、
前記支持構造体は、前記複数のプローブが互いに重ならないように該支持構造体の直径よりも小さいピッチで基材上に配置される、複数のプローブ。
【請求項２】
前記弾性部分は、前記取り付け機構のそれぞれから前記対応する接触チップ構造体までの距離によって長さが異なる、請求項１に記載の複数のプローブ。
【請求項３】
前記弾性部分は、バネ定数を決定する形状が異なる、請求項２に記載の複数のプローブ。
【請求項４】
前記バネ定数は、弾性部分の長さが異なる前記プローブの少なくとも一部に対して略同一である、請求項３に記載の複数のプローブ。
【請求項５】
前記弾性部分の少なくとも一部は、対応する接触チップ構造体の縦軸からオフセットされる取り付け機構を含む、請求項１に記載の複数のプローブ。
【請求項６】
前記オフセットは、前記弾性部分の湾曲の結果であり、該湾曲の程度は、プローブ群に配設されるプローブの数に依存する、請求項５に記載の複数のプローブ。
【請求項７】
電子デバイス上の回路を試験するための複数のプローブであって、
第１の端と該第１の端とは反対の第２の端を有するビームと、
該ビームの第１の端に取着された支持構造体であって、該ビームは、該第１の端に隣接する狭小部を含み、該狭小部は、第２のプローブの別個の支持構造体に隣接して位置するように構成される、支持構造体と
を備え、
前記狭小部は、前記ビームの前記第１の端と、前記狭小部に隣接する、前記第２の端とは異なる部分である前記ビームの隣接部と、の双方よりも狭小であり、前記第１の端と前記隣接部との間にあり、
前記支持構造体は、前記複数のプローブが互いに重ならないように該支持構造体の直径よりも小さいピッチで基材上に配置される、プローブ。
【請求項８】
前記ビームは、前記支持構造体が取着される曲線部分を含む、請求項７に記載のプローブ。
【請求項９】
前記曲線部分は、長円形である、請求項８に記載のプローブ。
【請求項１０】
前記ビームは、前記第２の端に向かって細くなる幅広部を含む、請求項７にプローブ。
【請求項１１】
前記ビームは、該ビームの湾曲に関係する量だけ前記支持構造体からオフセットされる第２の端をさらに含む、請求項７に記載のプローブ。
【請求項１２】
前記ビームの幅は、選択されたバネ定数を提供するように選択される、請求項７に記載のプローブ。
【請求項１３】
それぞれが接触チップ構造体を有する複数のプローブを有するプローブカードアセンブリであって、該プローブは、隣接する接触チップの整列された列を作成するように配設され、該プローブカードアセンブリは、
基材と、
該基材上に取り付けられた複数の略剛性の支持構造体と、
それぞれが該支持構造体のうちの１つの第１の端に取り付けられた複数のビームであって、該ビームのそれぞれは、該ビームの第２の端に配置される該接触チップ構造体のうちの１つを備える、ビームと
を備え、
該ビームの第１のものは、該ビームの第２のものと異なる長さであり、
該ビームの該第１のものは、該ビームの該第２のものとは異なる幅の狭小部を有し、
該第１のビームおよび該第２のビームは、略同様のバネ係数を有し、
該第１のビームの該狭小部は、該第１のビームの該第１の端と、該狭小部に隣接する、該第２の端とは異なる部分である該第１のビームの隣接部と、双方よりも狭小であり、該第１の端と該隣接部との間にあり、
前記支持構造体は、前記複数のプローブが互いに重ならないように該支持構造体の直径よりも小さいピッチで前記基材上に配置される、プローブカードアセンブリ。
【請求項１４】
前記支持構造体は、千鳥状のパターンで前記基材上に配設される、請求項１３に記載のプローブカードアセンブリ。
【請求項１５】
前記支持構造体は、２列に配設される、請求項１４に記載のプローブカードアセンブリ。
【請求項１６】
前記ビームのそれぞれは、前記支持構造体のうちの１つに取着される着地領域を備え、
前記狭小部は、前記ビームの第２のものの着地領域に隣接して配置される、請求項１５に記載のプローブカードアセンブリ。
【請求項１７】
電子デバイス上の接触域との接続を行うための複数のプローブであって、該プローブは、
一端が基材に取り付けられた支持構造体と、
前記支持構造体の他端に取り付けられ、該支持構造体から横方向に延在するビームと、
前記ビーム上に位置する接触チップ構造体と
を備え、
前記ビームは、前記支持構造体へのその接続と隣接する曲線部分を備え、
隣接する前記ビームの一方は、他方のビームの該曲線部分と隣接する狭小部を備え、
前記狭小部は、前記ビームの前記曲線部分と、前記狭小部に隣接する、前記接触チップ構造体が位置する部分とは異なる部分である前記ビームの隣接部と、の双方よりも狭小であり、前記曲線部分と前記隣接部との間にあり、
前記支持構造体は、前記複数のプローブが互いに重ならないように該支持構造体の直径よりも小さいピッチで基材上に配置される、プローブ。
【請求項１８】
前記曲線部分は、前記支持構造体の片側から延在する略長円形の曲線部分を備える、請求項１７に記載のプローブ。
【請求項１９】
前記略長円形の曲線部分および前記狭小部は、概して楕円形状を共に形成する、請求項１８に記載のプローブ。
【請求項２０】
前記プローブは、前記ビームと前記支持構造体との間に形成されるはんだ接合をさらに含む、請求項１９に記載のプローブ。
【請求項２１】
前記ビームは、接触チップ構造が延在する面内にある、請求項１７に記載のプローブ。
【請求項２２】
前記曲線部分は前記面内にある、請求項２１に記載のプローブ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
（発明の分野）
本発明は、半導体デバイスの試験に関し、特に、複数のプローブ群が用いられる試験に関する。
【背景技術】
【０００２】
（関連技術の説明）
マイクロプロセッサ、ＤＲＡＭ、およびフラッシュメモリ等の半導体デバイスは、公知の方法で半導体ウェハ上に加工される。ウェハおよびそこに形成される各デバイスのサイズにより、単一ウェハ上に数千ものデバイスが存在する場合がある。これらのデバイスは、典型的には互いに同一であり、それぞれは、電力、およびグランド、入力信号、出力信号、ならびに制御信号等のデバイスへのその他の接続のために、その表面上に複数の導電パッドを含む。
【０００３】
ウェハ上のデバイスを試験し、どれが完全に機能しており、したがってパッケージングおよび／または販売に適しているか、ならびにどれが動作不能または部分的に機能しており、したがってパッケージングおよび／または販売に適していないかを判断することが望ましい。この目的のために、ウェハテスタは、所定の試験ルーチン中、デバイスがウェハ上にある状態のままで、電力および入力信号をデバイスに適用し、出力を監視する。
【０００４】
各試験下のデバイス（ＤＵＴ）が互いに略同一であるため、複数の同一ＤＵＴプローブ群が存在する。各ＤＵＴプローブ群は、対応するＤＵＴ上の別個のパッドに対して個別の電気的接触を行うプローブを含む。プローブを有する基材は、プローブカードアセンブリの一部であり得る。プローブカードアセンブリは、テスタに電子的に接続され、したがってテスタと様々なＤＵＴとの間に電気的接続を提供することができる。テスタは、各プローブに対して１つずつ、複数のチャネルを含んでもよい。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
プローブの収容能力が向上したプローブ基材を提供することが有利であり得る。プローブの密度を向上することが、同様に望まれ得る。プローブの疲労、変形、または破砕障害を低減するために、プローブの強度および耐久性を向上することが、さらに望まれ得る。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】図１は、本発明のいくつかの実施形態に従ったプローブ基材を含む、プローブカードアセンブリの斜視図である。
【図２】図２は、図１のプローブカードアセンブリの側面図である、簡略化構成図である。
【図３】図３は、本発明のいくつかの実施形態に従った、ＤＵＴプローブ群の上面図である。
【図４】図４は、図３のＤＵＴプローブ群の一部分の斜視図である。
【図５】図５は、図３のＤＵＴプローブ群の一部分の上面図である。
【図６】図６は、図３のＤＵＴプローブ群の例示的プローブの上面図である。
【図７】図７は、図６の例示的プローブの側面図である。
【図８】図８は、本発明のいくつかの実施形態に従った、２支持構造体プローブを１支持構造体プローブと対比する、複数のプローブの斜視図である。
【図９】図９は、２支持構造体プローブの縦方向の偏向を図示する、図８に示されるプローブの斜視図である。
【図１０】図１０は、２支持構造体プローブの横方向の偏向を図示する、図８に示されるプローブの斜視図である。
【図１１】図１１〜図１５は、本発明のいくつかの実施形態に従った、複数のプローブを作製するための例示的プロセスを図示する。
【図１２】図１１〜図１５は、本発明のいくつかの実施形態に従った、複数のプローブを作製するための例示的プロセスを図示する。
【図１３】図１１〜図１５は、本発明のいくつかの実施形態に従った、複数のプローブを作製するための例示的プロセスを図示する。
【図１４】図１１〜図１５は、本発明のいくつかの実施形態に従った、複数のプローブを作製するための例示的プロセスを図示する。
【図１５】図１１〜図１５は、本発明のいくつかの実施形態に従った、複数のプローブを作製するための例示的プロセスを図示する。
【図１６】図１６は、本発明のいくつかの実施形態に従った、図１１〜図１５のプロセスにおける例示的変形物を図示する。
【０００７】
本説明に関連して提示される図は、デバイスおよび該デバイスの作製方法の、全部というよりはむしろ、特定部分のみの図である。以下の説明と共に、図は、本発明のいくつかの実施形態に従った、該デバイスおよび方法の原理を明示し、説明する。図において、層および領域の厚さは、明確化のために、場合によって誇張されている場合がある。層が別の層または基材の「上」にあるとみなされる場合、その他の層または基材の上に直接あってもよく、または介在層が存在してもよい。異なる図における同一参照番号は、同一要素を指し、したがってそれらの説明は省略される。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
（例示的な実施形態の詳細な説明）
本明細書は、本発明の例示的な実施形態および用途を記載する。しかしながら、本発明は、これらの例示的な実施形態および用途、または例示的な実施形態および用途の機能の仕方、もしくはそれらの本明細書での記載のされ方に制限されない。
【０００９】
図１および図２に図示される非制限的な例示的プローブカードアセンブリ１は、本発明のいくつかの実施形態に従った、１つ以上のＤＵＴ１４を試験するために使用することができる。本明細書で用いられる際、「試験下のデバイス」または「ＤＵＴ」という用語は、単数形で用いられるか複数形で用いられるかにかかわらず、試験されている、もしくは試験される、任意の電子デバイスまたはデバイスを指す。ＤＵＴの非制限的な例には、単一化されていない半導体ウェハの１つ以上のダイ、ウェハから単一化された１つ以上の半導体ダイ（パッケージされた、または未パッケージの）、運搬装置またはその他の保持デバイスに配置された、単一化された半導体ダイのアレイ、１つ以上のマルチダイ電子モジュール、１つ以上のプリント基板、または任意のその他の種類の電子デバイスが挙げられる。図１は、斜めから見たプローブカードアセンブリ１の下部を図示し、図２は、側面から見たプローブカードアセンブリ１の簡略化された、構成図描写を図示する。
【００１０】
プローブカードアセンブリ１は、テスタ（図示せず）とＤＵＴ１４との間の接触面としての役割を果たす。コンピュータまたはコンピュータシステムであり得るテスタ（図示せず）は、ＤＵＴ１４の試験を制御することができる。例えば、テスタ（図示せず）は、ＤＵＴ１４に入力される試験データを生成することができ、テスタ（図示せず）は、ＤＵＴ１４によって試験データに応えて生成された応答データを受信し、評価することができる。
【００１１】
図２に最もよく見られるように、プローブカードアセンブリ１は、テスタ（図示せず）からの複数の通信チャネル（図示せず）との電気的接続を作り出すことができる、電気コネクタ７を含むことができる。また、プローブカードアセンブリ１は、反対に押され、したがってＤＵＴ１４の入力および／または出力ターミナル１２（例えば、接触パッドまたは接触域）との電気的接続を作り出すように構成された、プローブ４を含むことができる。
【００１２】
また、プローブカードアセンブリ１は、コネクタ７およびプローブ４を支持し、コネクタ７とプローブ４との間に電気的接続をもたらすように構成された、１つ以上の基材を含むことができる。その他の実施において、プローブカードアセンブリ１は、より多い、またはより少ない基材を有することができるが、図１および図２に示される例示的プローブカードアセンブリ１は、３つの該基材を含むことができる。図１および図２に示されるものは、配線基材５、中間基材９、およびプローブ基材２である。配線基材５、中間基材９、およびプローブ基材２は、任意の種類の基材から作製することができる。適した基材の例には、非制限的に、プリント基板、セラミック基材、有機または無機基材等が挙げられる。また、前述の組み合わせも可能である。プローブ基材２は、本明細書において、第１の基材と称される場合があり、中間基材９は、本明細書において、第２の基材と称される場合がある。
【００１３】
電気的に導電性の経路（図示せず）は、コネクタ７から配線基材５を通り、電気的に導電性のバネ相互接続構造体８に提供されてもよい。その他の電気的に導電性の経路（図示せず）は、バネ相互接続構造体８から中間基材９を通り、電気的に導電性のバネ相互接続構造体１１に提供されてもよく、さらにその他の電気的に導電性の経路（図示せず）は、バネ相互接続構造体１１からプローブ基材２を通り、プローブ４に提供されてもよい。配線基材５、中間基材９、およびプローブ基材２を通る電気経路（図示せず）は、配線基材５、中間基材９、およびプローブ基材２の上に、その中に、および／またはそれを通る、電気的に導電性のビア、導線等を備えることができる。
【００１４】
配線基材５、中間基材９、およびプローブ基材２は、ブラケット３および／またはその他の適した手段によって、共に保持されてもよい。図１および図２に示されるプローブカードアセンブリ１の構成は、例示的なものでしかなく、図示および記載を容易にするために、簡略化される。多くの変形、修正、および追加が可能である。例えば、プローブカードアセンブリ１は、図１および図２に示されるプローブカードアセンブリ１より少ない、またはそれより多い基材（例えば、基材５、９、２）を有することができる。別の実施例として、プローブカードアセンブリ１は、１つを超えるプローブ基材（例えば、基材２）を有することができ、そのような各プローブ基材は、独立して調節可能である。複数のプローブ基材を有するプローブカードアセンブリの非制限的な実施例は、２００５年６月２４日に出願された、米国特許出願第１１／１６５，８３３号に開示される。プローブカードアセンブリのさらなる非制限的な実施例は、米国特許第５，９７４，６６２号および米国特許第６，５０９，７５１号、ならびに前述の２００５年６月２４日に出願された、米国特許出願第１１／１６５，８３３号に説明され、これらの特許ならびに出願に記載されるプローブカードアセンブリの様々な機構は、図１および図２に示されるプローブカードアセンブリ１において実現することができる。
【００１５】
図２の簡略化された構成図描写に２つのプローブ４が示されるが、数多くの該プローブ４をプローブ基材２に取着することができ、プローブ４は、群（例えば、ＤＵＴプローブ）で配設することができる。例えば、１つのＤＵＴ１４のターミナル１２と接触するために、１つの群のプローブ４が配置されてもよい。以下、１つのＤＵＴ１４のターミナル１２と接触するように構成されたプローブ４の群は、ＤＵＴプローブ群６と称される。図１において、ＤＵＴプローブ群６は、正方形で図式的に描写され、図１に示されるように、複数の該ＤＵＴプローブ群６は、接地面と、試験中に各ＤＵＴに電力を適用するために各プローブ群内の適切なプローブに接続された電力面とを備えることができる、多層セラミック基材を含むことができる、プローブ基材２の上に配置され得る。プローブ基材２は、任意の材料を含むことができる。例えば、基材２は、無制限に、次の材料、プリント基板材料、セラミック、有機材料、無機材料、プラスチック等の１つ、またはこれらの組み合わせを含むことができる。
【００１６】
前述されたように、ＤＵＴプローブ群６のそれぞれは、ＤＵＴ１４のターミナル１２と接触するパターンで配置された、十分な数のプローブ４を含むことができる。図３は、本発明のいくつかの実施形態に従った、例示的ＤＵＴプローブ群６内のプローブ４の非制限的な例示的数およびパターンを図示する。記載されるように、図３に示されるプローブ４の形状および位置付けに加え、プローブ４の数およびパターンは、例示的なものでしかなく、ＤＵＴプローブ群６は、その他の構成または実施形態において、異なる数、パターン、形状、および位置付けのプローブを有することができる。
【００１７】
ＤＵＴプローブ群６は、図３に示されるように、部分的プローブ群１５、１７を含むことができる。２つの部分的プローブ群１５、１７が、ＤＵＴプローブ群６を含んで図３に示されるが、より多い、またはより少ない部分的プローブ群が、ＤＵＴプローブ群を含んでもよい。さらに、ＤＵＴプローブ群６内のプローブ４の合計数は、図３に示されるものと異なってもよい。例えば、より少なく、またはより多く含まれる場合もあるが、ＤＵＴプローブ群６は、６０から８０またはそれ以上のプローブ４を含んでもよい。多くの試験用途において、典型的に、同一のＤＵＴが同時に試験されるため、プローブカードアセンブリ１（図１参照）上のＤＵＴプローブ群６もまた、互いに同一であり得る。例えば、試験されているＤＵＴが半導体ウェハのダイである場合、ダイは、同一であってもよく、数多くの該ダイが、同時に試験されてもよい。
【００１８】
図３に示されるように、部分的プローブ群１５内のプローブ４は、それぞれ、取り付け部分３８（例えば、取り付け機構、着地領域、または曲線部分）と、ビーム３２（例えば、ビーム部分または弾性部分）と、ＤＵＴ（例えば、図２のＤＵＴ１４と類似する）のターミナル（例えば、図２のターミナル１２と類似する）と接触するように構成されたチップ部分５５を含むことができる、接触チップ構造体５０とを含んでもよい。同様に、部分的プローブ群１７内のプローブ４は、それぞれ、取り付け部分１６（例えば、取り付け機構、着地領域、または曲線部分）と、ビーム１８（例えば、ビーム部分または弾性部分）と、部分的プローブ群１５内のプローブの同種の名前の要素と概して類似し得る、接触チップ構造体２０とを含むことができる。ＤＵＴプローブ群６は、接触チップ構造体２０、５０が１つ以上の列になるように配設することができる。例えば、プローブ４の接触チップ構造体５０、２０を、図３に示されるように、整列された隣接する列Ｅおよび列Ｆに配設することが望まれる場合がある。接触チップ構造体５０、２０は、試験されるＤＵＴ１４の対応するターミナル１２の位置合わせに対応するように配設され得る。複数の部分的プローブ群（例えば、１５、１７と類似する）は、異なるビーム３２および１８、ならびに取り付け部分３８および１６が、接触チップ構造体５０および２０を整列された列Ｅおよび列Ｆに定置することを促進するために戦略的に配置され得るように、配設されてもよい。しかしながら、いくつかの実施形態は、曲線状、円形、長方形、正方形、および必要な、または好ましいその他のパターンを含む、任意のパターンで配設された接触チップ構造体（例えば、５０、２０）で実施され得ることが理解されるべきである。ＤＵＴプローブ群（例えば、６と類似する）を生成するのを助長するために、任意の数の部分的プローブ群１５、１７が提供されてもよく、様々なＤＵＴプローブ群の配設の実施例は、米国特許第６，２６８，０１５号等の本文献の譲受人に譲渡されたその他の特許にさらに記載される。
【００１９】
ウェハの試験中、例えば、ＤＵＴ１４のターミナル１２は、位置合わせされ、プローブ４のうちの１つと接触してもよい（通常、ウェハが上方に移動されることによって）。プローブは、米国特許第６，５２０，７７８号に記載されるように製造されてもよい。また、当業者に公知のその他の製造材料が使用されてもよい。本発明は、上にダイが製造されたウェハから単一化されたダイであるＤＵＴの試験に関連して、同等にうまく実施することができ、ウェハ上に製造されたすべてのダイより多い、または少ないダイが、該シナリオにおいて試験されてもよい。
【００２０】
図２および図３を参照し、概して上述されたように、ＤＵＴプローブ群６内のプローブ４のそれぞれは、プローブ基材２、中間基材９、および配線基材５等の基材を通る異なる電気経路を介して、電気コネクタ７に接続することができる。電気コネクタ７とプローブ４との間に、数多く（例えば、数百または数千）の該電気経路が存在し得る。配線基材５上の電気コネクタ７は、したがって、プローブカードアセンブリ１上の各プローブ４を、テスタ（図示せず）への、および／またはそれからの通信チャネルに接続するために使用することができる。記載されるように、ＤＵＴ１４は、半導体ウェハ上の１つ以上のダイであってもよく、そのような場合、同一ウェハ上に製造されたＤＵＴ１４のそれぞれは、それでもやはり、多数の異なる要因、例えば、異なる製造業者、異なる製品、異なるテスタ、異なるウェハサイズ等の結果として、変化し得る。結果として、プローブ４の数、パターン、および定置を含むプローブ基材２は、試験される特定のＤＵＴ１４上のターミナル１２のパターンに従って設計され得る。
【００２１】
図３に示されるように、部分的プローブ群１５内のプローブ４は、その他のプローブ４の中でも特に、プローブ６０、６２，６４、６５、６６、６７、６８、７０、を含むことができる。図４（図３の部分的プローブ群１５のプローブ６４、６５、６６、６７の斜視図を示す）を参照し、プローブ６４、６５、６６、６７のそれぞれは、本発明のいくつかの実施形態に従った、チップ部分５５を有する接触チップ構造体５０と、取り付け部分３８を有するビーム３２と、支持構造体４０とを含むことができる。各プローブ６４、６５、６６、６７の取り付け部分３８は、同様に基材２に接続され得る支持構造体４０に取着することができる。例えば、図４に示されるように、各支持構造体４０は、プローブ基材２に取着され得るターミナル３１に直接取着することができる。あるいは、各支持構造体４０は、プローブ基材２の表面に直接取着されてもよい。ターミナル３１は、電気的に導電性であってもよく、プローブ基材２上またはその中の配線（例えば、導線またはビア）に接続することができる。チップ部分５５は、ＤＵＴ１４を試験するため（例えば、ＤＵＴ１４の回路の全体または部分を試験するため）に、ＤＵＴ１４（図２参照）のターミナル１２に対して定置されてもよい。各プローブ４のビーム３２は、弾性を有するように構成することができ、ビーム３２、したがってプローブ４の制御された偏向を提供することができる、図３の各プローブ４のバネ構造体を含むことができる。ビーム３２は、支持構造体４０を接触チップ構造体５０に接続することができる。図４およびその他のものは、接触チップ構造体５０およびチップ部分５５の一形状を示すが、本明細書で具体化される概念は、その他の形状の接触チップ構造体および接触チップに同等にうまく適用され、かつ本発明の実施形態の範囲内である。
【００２２】
いくつかの実施形態において、各ビーム３２の取り付け部分３８は、長円形、楕円形、または円形の形状であってもよく、支持構造体４０に取り付けることができる。図３、図４、および図５（図５は、プローブ６２、６４、６５、６６、６７の上面図を示す）に示されるように、支持構造体４０、およびしたがって取り付け部分３８の位置は、千鳥状であってもよい。プローブ４のうちの１つ（例えば、図４および図５のプローブ６４、６５）のビーム３２は、ビームの取り付け部分３８と隣接する狭小領域３４（例えば、狭小部）を含むことができる。示されるように、狭小領域３４は、凹形状等の狭小形状を含むことができる。図４および図５に示される実施例において、プローブ６４、６６は、図４の狭小領域３４内のビーム３２に掛かる矢印によって描写される横方向寸法を含む、該狭小領域３４を含む。見られるように、狭小領域３４は、ビーム３２の取り付け部分３８より狭くてもよく、また、隣接するビーム３２の取り付け部分３８部分より狭くてもよい。このように、プローブのうちの１つ（例えば、図４および図５のプローブ６５、６７）のビーム３２は、１つ以上の隣接するビーム３２の狭小領域３４より広い、１つ以上の隣接するビーム３２の狭小領域３４のいずれかの側に部分（例えば、取り付け部分３８）を含むことができる。ビーム３２の取り付け部分３８（概して長円形状を有することができる）および狭小領域３４は、概して楕円形状を共に画定することができる。
【００２３】
示されるように、各ビーム３２は、第１の端（例えば、取り付け部分３８に対応する）からより狭い第２の端（例えば、接触チップ構造体５０に対応する）に向かって細くなっていてもよい。一実施形態において、狭小領域３４は、外観が凹形であるものとしてさらに記載され得る。その他の形状（例えば、三角形）が用いられてもよい。これは、形状が狭小領域３４の少なくとも片側に、狭小となる結果をもたらすのに十分である。
【００２４】
図３〜図５に示されるように、有利に、隣接するプローブ４は、千鳥状のパターンで配置することができ、１つのプローブ４（プローブ６２、６５、および６７が、その実施例である）の取り付け部分３８、または取り付け部分３８が取着される支持構造体４０は、隣接するプローブ４（プローブ６０、６４、および６６が、その実施例である）の狭小領域３４に隣接して定置することができる。例えば、図５に最もよく見られるように、プローブ６４の狭小領域３４は、プローブ６２の取り付け部分３８と、プローブ６５の取り付け部分３８とに隣接して定置することができる。同様に、プローブ６６の狭小領域３４は、同様に、プローブ６５の取り付け部分３８と、プローブ６７の取り付け部分３８とに隣接して定置することができる。図５に最もよく見られるように、狭小領域３４は、隣接するプローブの取り付け部分３８の形状の部分の、概して、または略逆の形状を含むことができ、これは、図５に最もよく見られるように、隣接するプローブ４（支持構造体６２、６４、６５、６６、６７が、その実施例である）の取り付け部分３８を千鳥状にできるようにする。このように、支持構造体の直径（図５において「支持構造体の直径」と呼ばれる）は、支持構造体のピッチ（例えば、図５に示されるような隣接する支持構造体間の距離）と略同等、同等、またはさらにそれを上回るようにすることができる。また、図５に示されるように、支持構造体のピッチは、取り付け部分３８の幅（図５において、「取り付け部分の幅」と呼ばれる）より小さくてもよい。これは、支持構造体の加工において、より大きなクリアランスを可能にする。さらに、支持構造体のピッチは、千鳥状でなく、ビームの分離と同じである場合があり、支持構造体の直径をビームのピッチより大きく増大することは不可能である場合がある。
【００２５】
しかしながら、千鳥状の支持構造体の位置は、プローブ４が異なるビーム３２の長さを有する原因となり、異なるバネ定数を有するビーム３２をもたらす場合がある。いくつかの用途において、均一な接触特性が望まれる場合、同様のバネ定数を有するプローブ４を提供することが有用であり得る。同様のバネ定数を達成するために、ビームの幅は、ビームの長さおよび位置のばらつきを補正するために使用することができる。ビームの長さが長くなると、同様のバネ定数を達成するためのビームの幅は広くなる。
【００２６】
図６は、例示的プローブ４の上面図を図示し、図７は、例示的プローブ４の側面図を図示する。図６に示されるように、プローブ４のビーム３２の長さＬは、ビーム３２の一方の端（例えば、取り付け部分３８の端）からもう一方の端（例えば、接触チップ構造体５０の端）に走ることができる。ビーム３２の幅Ｗパラメータは、図６に図示され、ビーム３２の厚さＴパラメータは、図７に図示される。図６に示されるように、幅Ｗパラメータは、ビーム３２の長さＬに沿って変化させることができる。図７には図示されないが、厚さＴパラメータもまた、ビーム３２の長さＬに沿って変化させることができる。上述されたように、図３のＤＵＴプローブ群６内のプローブ４の異なるビーム３２の長さＬを補正するために、ビーム３２の幅Ｗは、プローブ４のバネ定数が同一、または略同一（例えば、プローブ４の特定の用途に対して指定される許容範囲内）となるように、変化させることができる。公知であるように、プローブ（例えば、プローブ４と類似する）のバネ定数は、フックの法則、ｋ＝Ｆ／ｄ（式中、ｋは、バネ定数であり、ｄは、プローブを移動させる力Ｆの距離適用であり、／は、除算を示す）に従っている。
【００２７】
図３のＤＵＴプローブ群６内のプローブ４の各幅Ｗを決定するための非制限的な例示的一方法は、異なるビーム３２の長さＬを次のように補正することである。公知であるように、長方形の形状（およびしたがって、不変の幅Ｗ）および長方形断面（およびしたがって不変の厚さ）を有するカンチレバービームのバネ定数は、次のように計算することができる。ｋ＝（Ｅ＊Ｗ＊Ｔ３）／（４Ｌ３）（式中、ｋは、バネ定数であり、Ｅは、ヤング率であり、Ｗは、ビームの幅であり、Ｔは、ビームの厚さであり、Ｌは、ビームの長さであり、／は、除算を示す。）図３のＤＵＴプローブ群６内のプローブ４のビーム３２のすべてではないにしてもほとんどは、長方形ではないが、それでもやはり、前述の方程式は、ビームのバネ定数を推定するために使用することができる。図６および図７に示される例示的プローブ４を参照し、プローブ４のバネ定数ｋは、長さＬに沿ったビーム３２の平均幅Ｗを使用して推定することができる。平均幅は、例えば、ビーム３２に沿った複数の点で測定された幅から決定することができる。図６に示される実施例において、ビーム３２の幅Ｗは、より多い、またはより少ない点で測定され得るが、ビーム３２の幅Ｗが測定され得る３つの点が示される。図６および図７に示されるプローブ４のバネ定数ｋは、したがって、次の、ｋ＝（Ｅ＊Ｗａｖｅ＊Ｔ３）／（４＊Ｌ３）（式中、ｋは、バネ定数であり、Ｅは、材料またはビーム３２が作製される材料のヤング率であり、Ｗａｖｅは、長さＬに沿ったビーム３２の平均幅Ｗであり、Ｔは、ビーム３２の厚さＴであり、Ｌは、ビーム３２の長さＬであり、／は、除算を示し、＊は、乗算を示す）のように近似することができる。プローブ４が略同一のバネ定数ｋを有するようにする、図３のＤＵＴプローブ群６内の各プローブ４の各ビーム３２の平均幅Ｗａｖｅは、各プローブ４に対して、次のように決定され得る。Ｗａｖｅ＝（４＊ｋ＊Ｌ３）／（Ｅ＊Ｔ３）（式中、ｋは、バネ定数であり、Ｅは、材料またはビーム３２が作製される材料のヤング率であり、Ｗａｖｅは、長さＬに沿ったビーム３２の平均幅Ｗであり、Ｔは、ビーム３２の厚さＴであり、Ｌは、ビーム３２の長さＬであり、／は、除算を示し、＊は、乗算を示す）。
【００２８】
上述の実施例において、ビーム３２の厚さＴは、プローブ４からプローブ４で同一であり、バネ定数ｋは、各ビーム３２の幅Ｗを変化させることによって調整されると推測される。あるいは、各ビーム３２の幅Ｗは、一定に保たれてもよく、各ビーム３２の厚さＴは、異なるビーム３２の長さＬにもかかわらず、プローブ４間で、同一または同様のバネ定数ｋを達成するために、変化させることができる。さらに別の手段として、ビーム３２の幅Ｗおよび厚さＴの両方が、異なるビーム３２の長さＬにもかかわらず、プローブ４間で、同一または同様のバネ定数ｋを達成するために、プローブ４ごとに変化させることができる。ビーム３２の厚さＴがビーム３２の長さＬに沿って変化する場合、ビーム３２の長さＬに沿った平均厚さは、上記の公式に使用することができる。
【００２９】
再び図３を参照し、プローブ４の接触チップ構造体５０に位置するチップ部分５５間の間隔は、取り付け部分３８の支持構造体４０が均一に離間したままである場合にでさえ、ビーム３２の横方向の湾曲に従って変化してもよい。例えば、図示されないが、図４のプローブ６４、６５、６６、６７のチップ部分５５間の距離は、同一である必要はない。例えば、プローブ６４および６５のチップ部分５５間の距離は、支持構造体が均一の支持構造体のピッチを有し得るとしても、プローブ６６および６７のチップ部分５５間の距離とは異なってもよい。
【００３０】
さらに図３を参照し、単一支持構造体の取り付け設計およびプローブ４のビーム３２の湾曲は、ビーム３２に４５度を上回り得るオフセット角度Ｃを提供することができる。図３に示されるように、ビームオフセット角度Ｃは、プローブ６０（図３に示されるＤＵＴプローブ群６のプローブ４のうちの１つである）に、オフセット距離Ｄを提供することができる。オフセット距離Ｄは、支持構造体４０の中心線１９から接触チップ構造体５０の各縦軸２１までの距離として測定されてもよい。距離Ｄは、本明細書において、横方向のオフセットまたは単にオフセットと称される。見られるように、プローブ６０は、中央のプローブ６８より長くてもよく、かつそれを上回る横方向の曲線を有することができる。さらに、プローブ６０は、１つの位置で、図３においてＸで指定される幅を有し、これは、幅が、例えば、その取り付け部分３８からの対応する距離で、図３においてＹで指定される、プローブ６８より広くてもよい。上述されたように、プローブ４のビームの幅の制御された変化は、各プローブ４のバネ定数を制御できるようにする。本方法において、様々な長さおよび湾曲を有するプローブ４は、略同様のバネ定数を有するように形成され得る。いくつかの実施形態において、支持構造体４０が中央の支持構造体（例えば、プローブ６８の支持構造体４０）からより遠いプローブ４は、より長いビームの長さにもかかわらず、略同様のバネ定数を達成するように補正するために、例えば、プローブ６８と比較して、その輪郭の少なくとも一部に添って次第に広くなるビーム幅を有することができる。
【００３１】
さらに図３を考察し、プローブ６０、６２、６４、６５、６６、６７、６８、７０は、列Ａ（例えば、第１の列）または列Ｂ（例えば、第２の列）で配置された取り付け部分３８を有するように示される。具体的に、その中でもプローブ６０、６４、６６、６８、７０は、列Ａ中の支持構造体４０に取り付けられ、プローブ６２、６５、６７は、列Ｂ中の支持構造体に取り付けられる。示される実施例において、列Ｂ中のプローブの各取り付け部分３８は、列Ａ中のプローブ４の狭小領域３４に隣接して位置することができる。
【００３２】
列Ａ中の支持構造体のピッチ（例えば、列Ａ中の隣接する支持構造体４０の中心間の距離）は、列Ｂ中の支持構造体のピッチ（例えば、列Ｂ中の隣接する支持構造体４０の中心間の距離）と同一であってもよい。事実、図３に示される隣接する支持構造体４０のいずれか２つの間の支持構造体のピッチは、同一であり得る。もちろん、支持構造体のピッチは、いずれかの隣接する支持構造体４０間で変化するようにすることができる。同様に、狭小領域３４は、列の２つ以上に存在してもよく、隣接する狭小領域に位置する取り付け部分３８を有するように、２つ未満および３つ以上の列が企図される。
【００３３】
見られるように、部分的プローブ群１５内の外側のプローブ６０、７０は、略対称の横方向に曲線状のビームの対を共に形成する、ビームを有することができる。あるいは、外側のプローブ６０、７０は、対称の曲線状のビームの対を形成する必要はない。中央のプローブ６８のビームは、略直線状であってもよく、またはあるいは、曲線状であってもよい。図３に見ることができるように、複数の横方向に曲線状のビームの対が、プローブ６８内のビームのいずれかの側にあってもよい。しかしながら、この場合も同様に、図３に示される部分的プローブ群１５、１７において、いずれかのビームの対間で対称である必要はない。前述されたように、図３に示されるプローブ４の数、パターン、間隔等は、例示的なものでしかなく、プローブ４のその他の数、パターン、間隔等を使用することができる。いくつかの実施形態において、プローブ４の数、パターン、間隔等は、接触するＤＵＴターミナルの数に依存することができる。
【００３４】
いずれかの前述の実施例において、支持構造体４０は、複数の支持構造体構造物で置換することができる。例えば、支持構造体４０の１つ以上は、２つの支持構造体を備える構造体で置換することができ、ビーム３２の取り付け部分３８は、２つの支持構造体に取着することができる。それでもやはり、支持構造体４０等の単一支持構造体構成は、いくつかの実施形態において利点を提供することができる。
【００３５】
図８は、それぞれにビーム９２、９４、および９６（ビーム３２と類似し得る）を有するプローブ７２、７４、および７６（プローブ４と類似し得る）の３つの実施例を示す。単一支持構造体ビーム７４、７６は、プローブ群の構造を図示するより、本発明の様々な実施形態のいくつかの利点のいくつかを図示するために、二重支持構造体ビーム７２と隣接して示される。本実施例において、すべての３つのビーム９２〜９６は、ビームのバネ定数が、長さがより長い寸法である、長さおよび幅の関数（例えば、フックの法則に従う）となるように、同一の厚さＴを有すると見なされる。もちろん、ビームの厚さＴは、バネ定数に影響を与えるために、変化させてもよい。プローブ７２〜７６のそれぞれは、支持構造体７８、８０、８８、および９０（支持構造体４０と類似し得る）に加えて、接触チップ構造体８２、８４、および８６（接触チップ構造体５０と類似し得る）を含むことに、さらに留意する。２支持構造体プローブ７２が、一列に並んでビーム９２に取り付けられた２つのより小さな支持構造体７８および８０を含む一方、プローブ７４および７６に関連付けられた支持構造体８８および９０は、それぞれに、単一支持構造体を有して示される。支持構造体７８および８０は、２支持構造体設計アプローチの一部と見なされてもよい。
【００３６】
図９は、図８に示されるように、同一プローブ７２〜７６を示すが、力ＦＶが接触チップ構造体８２に対して垂直に適用されている。図から見ることができるように、ビーム９２は、力ＦＶに応じて垂直方向に偏向される。前述されたように、プローブ７４および７６の同様のバネ定数は、それらに関係するビーム９４および９６が異なる長さであるとしても、それらの幅を調整することによって、得られてもよい。したがって、ビーム９４、９６がビーム９２と同一または同様のバネ定数を有するように構成される場合、力ＦＶは、該力ＦＶがビーム９２を偏向するのと同一または同様の距離だけビーム９４および９６を偏向することができる。
【００３７】
狭小領域９５の有利な特長は、当業者に公知の従来のプローブ群と比較して減少した支持構造体のピッチにもかかわらず、同様のバネ定数が得られ得ることである。狭小領域９５は、応力が、着地領域９３（取り付け部分３８と類似し得る）と支持構造体９０との間で減少されるように、曲げ応力の一部をさらに集中させる、または吸収するように設計されてもよい。狭小領域９５（狭小領域３４と類似し得る）は、支持構造体８８および９０を置き換えることによって、増大した支持構造体のピッチをさらに提供する。つまり、プローブ強度を犠牲にすることなく、向上したプローブ密度が可能となる。
【００３８】
当業者は、プローブ７２〜７６のそれぞれに関連するバネ定数を、略同様にすることが望ましいことを理解するであろう。ビームの長さが変化するように示されるが、ビームの幅も、上述されたように、各プローブ７２〜７６の結果として生じるバネ定数ｋが略同様となるように、変化させることができる。特に、ビーム９６の相対幅は、ビーム９６がビーム９４より長いとしても、ビームの幅を調整することによって、それらの相対定数を略同様にすることができるように、ビーム９４より大きいことに留意する。同様に、ビーム９２の幅は、複数の支持構造体７８および８０を有する２支持構造体プローブ７２が、同様にその他のプローブ７４および７６と同一のバネ定数を有するように、選択され得る。
【００３９】
試験中に接触チップ構造体８２〜８６上に働く垂直力ＦＶが、ビーム９２〜９６の有利な屈曲を提供する場合がある一方、横力ＦＬも、不意（製造または出荷中等）に、または試験プロセス自体中のいずれかで、接触チップ構造体８２〜８６上に働く場合がある。図１０は、関連付けられたプローブ７２〜７６の接触チップ構造体８２〜８６のそれぞれに適用される際の横力ＦＬの効果を示す。複数の支持構造体７８および８０を有する２支持構造体プローブ７２に関連付けられた接触チップ構造体８２は、単一支持構造体８８および９０を有するプローブ７４および７６のいずれかより大幅に横方向に移動されて見える。本偏向は、接触チップ構造体８４および８６と比較した際の接触チップ構造体８２の横移動を実質的に助長する。支持構造体の剛性は、支持構造体の直径を２倍にすることが、結果として支持構造体の剛性を１６倍に有利に向上するように、支持構造体の直径の第４の力の関数として決定される。
【００４０】
２支持構造体取り付けシステムに存在する増大した横移動は、接触チップ構造体８２が強い応力に暴露される際のプローブ障害の可能性の増大を呈する場合がある。本障害は、例えば、プローブの破損、プローブとＤＵＴとの間の接触の損失、接合障害、接触擦りの増大において明白であり得る。したがって、より大きな直径を有することにより、支持構造体８８および９０は、支持構造体７８および８０より少なく偏向され、結果として、接触チップ構造体８４および８６は、接触チップ構造体８２より少なく横方向に移動される。その他の直径も利用できるが、二重支持構造体プローブに見られる支持構造体の直径を２倍にすることは有利であることが発見された。
【００４１】
向上した支持構造体の剛性は、プローブ７４および７６のＤＵＴターミナルとの接触中の接触チップ構造体８４および８６の望ましくない横移動量を減少することによって、ＤＵＴターミナル上の擦り率の量を低減する、さらなる利益を有する。
【００４２】
２支持構造体または複数の支持構造体設計と比較して、単一支持構造体設計の別の利点は、より大きなビームのオフセットを伴う場合、より優れたビーム曲線を作成することが、より容易であるということである。さらに、単一支持構造体設計は、プローブを支持するために必要とされる、大幅に少ない支持構造体、最大５０％の減少をもたらし得る。
【００４３】
さらなる利点は、長円形状の取り付け部分９３に見ることができる。着地パッドは、ビーム９６が支持構造体９０に取着するための増大した接触域を提供し、したがって、接触チップ構造体８６に力ＦＬまたはＦＶが適用される際、ビーム９６の支持構造体９０からの分離に対する、より優れた抵抗を提供する。例えば、支持構造体の直径を２倍にすることは、接触域の４倍の増大をもたらす。
【００４４】
さらに、取り付け部分９３の長円形状は、液体はんだの表面張力によって自然に生じるような、より自然かつ構造的に強い球形状の全容積のはんだを含み、はんだがビームを吸い取り、はんだのはんだ接合を欠乏させるのを低減する、または場合によっては防ぐことができる。これは、支持構造体とのその接続と隣接するビームの曲線形状の結果である。ビーム７２等の直線ビームは、はんだが直線の端部に沿って流れるようにする。したがって、球形状はんだを収容し、それによってプローブ接合部９７における応力を低減する長円形状により、より信頼性の高いはんだ接続が可能となる。有意に、プローブ７６の狭小領域９５は、応力が接合部９７の代わりに狭小領域９５に集中する傾向が強い場合に、ビーム９６の横方向への偏向による接合部の応力をさらに低減する。当業者は、接合部９７の障害を低減することが有利であることを理解するであろう。
【００４５】
取り付け部分９３は、そうでなければプローブ障害をもたらし得る、支持構造体８８および９０等の支持構造体間のはんだのブリッジを低減することがさらに望ましい。２支持構造体プローブ７２の長方形取り付け部分９９は、プローブ７４および７６の着地パッド域のものより大幅に小さく、さらに、球形状のはんだ接続を促すために望ましい表面域を提供しない。長方形取り付け部分９９の表面の範囲内にとどまらないはんだは、プローブ７４等の隣接するプローブとブリッジする可能性がある。
【００４６】
さらに、当業者にとって、本明細書に記載されるプローブを展開するために用いられるプロセスは、生産収率およびはんだ印刷におけるプロセスサイクル時間の向上をもたらすことができることが、明らかとなるであろう。さらに、はんだ印刷ブリッジおよび関連する再加工の低減が達成され得る。そして、より強い支持構造体および信頼性の高い接合部は、結果として支持構造体の曲がりの修理をより少なくする。しかしながら、ビームから支持構造体への接続は、はんだ接合に制限されない。ビームから支持構造体へは、エポキシ、めっき、溶接、またはその他のプロセスによって接続することができる。
【００４７】
支持構造体８８および９０等の単一支持構造体の実施形態が記載される一方、狭小領域９５を含む千鳥状の取り付けパターン設計が、複数の支持構造体、リソグラフィで形成された支持構造体、その他の技術で作製された支持構造体を含む、その他の取り付け設計を使用して利用され得ることが理解されるべきである。このように、いかなる取り付け技術においても、改善された支持構造体のピッチを達成することができる。
【００４８】
プローブのビームを支持するために単一支持構造体を利用する実施形態と、ビームを支持するために複数の支持構造体を利用する実施形態との間のように、単一支持構造体の実施形態は、減少したバネの長さを可能にすることができ、支持されていないバネの長さは、複数の支持構造体構造を有するものより大きな全体の長さの比率であってもよい。それでもやはり、本発明は、１つのプローブの１つのビームを支持するために複数の支持構造体を使用することを企図する。
【００４９】
図１１〜図１５は、ＤＵＴプローブ群６と類似するＤＵＴプローブ群内の、プローブ４と類似するプローブを作製する例示的方法を図示する。
【００５０】
図１１は、上にパターン形成可能な材料の１つ以上の層が置かれた、例示的除去可能な基材１０２の部分的上面図を示し、図１２は、その断面側面図を示す。図１１および図１２に示される実施例において、パターン形成可能な材料１０４、１０６の２つの層が示されるが、より多い、またはより少ない該層が基材１０２の上に置かれてもよい。パターン形成可能な材料１０４、１０６（マスク材料と称することもできる）は、作製されるプローブ４の形状または形状の部分を画定するパターンが形成され得る、いずれかの材料であってもよい。例えば、パターン形成可能な材料１０４、１０６は、フォトレジスト等の光反応性材料であってもよい。除去可能な基材１０２は、パターン形成可能な材料１０４、１０６を支持するのに適した、いずれかの基材であってもよい。例えば、基材１０２は、半導体ウェハ、プリント基板、有機基材、無機基材等を含むことができる。
【００５１】
図１１および図１２に示される実施例において、くぼみ（図示されないが、図１１および図１２のチップ部分５５に対応する）は、作製されるプローブ４のチップ部分５５の所望の形状で基材１０２にエッチングすることができ、パターン形成可能な材料１０４の第１の層は、くぼみを露出する、作製されるプローブ４の接触チップ構造体５０の形状に形成された開口部（図示されないが、図１１および図１２の接触チップ構造体５０に対応する）１０８を有するように、置き、パターン形成することができる。図１３および図１４に示されるように、次いで材料１０４の開口部内に材料を置き、作製されるプローブ４のチップ部分５５および接触チップ構造体５０を形成することができる。
【００５２】
次いで、作製されるプローブ４のビーム３２の形状の開口部１２０を有するように、材料１０６を置き、パターン形成することができる。示されるように、各開口部１２０は、作製されるプローブ４のビーム３２の形状の部分１１２と、取り付け部分３８の形状の部分１１８とを含むことができる。また、開口部１２０のうちの１つは、作製されるプローブ４の狭小領域３４の形状の部分１１４を含むことができる。図１１に示されるように、接触チップ構造体５０は、第１の列１５０で一直線に並んでもよい。また、図１１に示されるように、開口部１２０は、ビーム３２のうちの１つの取り付け部分３８が作製される部分１１８が、列１５２（例えば、第２の列）で、ビーム３２のその他のものの狭小領域３４が作製される部分１２０と一直線に並ぶように、配置することができる。また、示されるように、狭小領域３４を有するビーム３２の取り付け部分３８が作製される開口部１２０の部分１１８は、列１５４（例えば、第１の列）で一直線に並べることができる。
【００５３】
図１３および図１４に示されるように、材料を開口部１２０に置き、ビーム３２を形成することができる。上述されたように、ビーム３２のそれぞれは、取り付け部分３８を備えることができ、ビームのうちの１つは、狭小領域３４を備えることができる。さらに、図１３に示されるように、ビーム３２のうちの１つの取り付け部分３８は、列１５２で、着地領域３４が別の列１５４で一直線に並べられ得るビーム３２のその他のものの狭小領域３４と一直線に並べることができる。
【００５４】
接触チップ構造体５０およびビーム３２の材料またはそれを形成するために置かれた材料（チップ部分５５を含む）は、接触チップ構造体５０およびビーム３２を作製するのに適した任意の材料であってよい。例えば、該材料は、電気的に導電性であってもよい。該材料の実施例には、無制限に、パラジウム、金、ロジウム、ニッケル、コバルト、銀、白金、導電性の窒化物、導電性の炭化物、タングステン、チタニウム、モリブデン、レニウム、インジウム、オスミウム、ロジウム、銅、不溶性金属、および前述のものの組み合わせを含むこれらの合金が挙げられる。接触チップ構造体５０およびビーム３２の材料またはそれを形成するために置かれた材料は、無制限に、電気めっき、化学蒸着、物理蒸着、スパッタリング蒸着、化学めっき、電子線蒸着、蒸発（例えば、熱蒸発）、火炎スプリングコーティング、プラズマ溶射を含む、該材料を置くのに適したいずれかの方法または手段によって置くことができる。
【００５５】
接触チップ構造体５０およびビーム３２の材料またはそれを形成する材料が置かれた後、パターン形成可能な材料１０４、１０６を除去することができる。図１５に示されるように、ビーム３２の取り付け部分３８は、基材（例えば、プローブ基材２）上の支持構造体４０に取着する（例えば、はんだ付け（およびしたがってはんだ接合を形成する）、ろう付け等によって）ことができる。また、図１５に示されるように、チップ部分５５、接触チップ構造体５０、およびビーム３２は、除去可能な基材１０２から開放され、支持構造体４０に取着されたビーム３２を残し、プローブ４を形成することができる。図１１および図１３に５つが示されるが、より多い、またはより少ない該プローブ４が除去可能な基材１０２上に作製されてもよい。事実、図１１〜図１５に図示されるプロセスによって、プローブ（例えば、ＤＵＴプローブ群６と類似する）の１つ以上のアレイが除去可能な基材１０２上に加工されてもよい。
【００５６】
図１１〜図１５に図示されるプローブ４を作製する方法は、例示的なものでしかなく、多くの変形が可能である。図１６は、該変形の１つを図示する。図１６は、図１４（除去可能な基材１０２上のパターン形成可能な材料１０４、１０６に形成されたチップ部分５５、接触チップ構造体５０、およびビーム３２を示す）と概して類似する。しかしながら、図１６において、ビーム３２、接触チップ構造体５０、およびチップ部分５５が除去可能な基材１０２に取着される一方、支持構造体４０は、各ビーム３２の取り付け部分３８上に形成される。その後、材料１０４、１０６は、除去することができ、支持構造体４０は、基材（例えば、プローブ基材２と類似する）に取着することができ、チップ部分５５、接触チップ構造体５０、およびビーム３２を、基材１０２から解放することができる。
【００５７】
基材２上か除去可能な基材１０２上かにかかわらず、支持構造体４０は、配線列、パターン形成可能な材料（例えば、材料１０４、１０６と類似する）の開口部に材料を置くことによって形成された列、またはいずれかのその他の列構造を備えることができる。
【００５８】
本発明の原理が、その好ましい実施形態において説明され、図示されたことから、本発明は、該原理から逸脱することなく、配設および詳細を修正できることが明白であるべきである。添付の特許請求の範囲の精神および範囲内にあるすべての修正および変形が主張される。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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