(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
光電変換部とフローティングディフュージョン容量とをそれぞれが有する複数の第１画素部と、
前記第１画素部の開口よりも狭い開口が設けられ、光電変換部とフローティングディフュージョン容量とをそれぞれが有する複数の第２画素部とを備え、
入力される制御信号に対応して前記フローティングディフュージョン容量を接続する複数の加算用トランジスタのうち、前記第２画素部に対応する加算用トランジスタのゲート電位がＧＮＤに固定されていることを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
前記第１画素部は、輝度情報と色情報とを出力することを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
前記第１画素部、第２画素部から行単位で信号を出力する垂直出力線を有することを特徴とする請求項１または２に記載の撮像装置。
【請求項４】
前記第１画素部は撮像用画素部で、前記第２画素部は焦点検出用画素部であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の撮像装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、２次元に配置された多数の光電変換素子で静止画又は動画を撮像可能な撮像装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＣＣＤやＣＭＯＳといったタイプの固体撮像素子を用いたデジタルカメラやビデオカメラが一般的に普及している。このようなデジタルカメラやビデオカメラには、自動的に撮影レンズの焦点位置を調節するためのオートフォーカス（以下、ＡＦと略す）機能が搭載されている。コンパクトカメラやビデオカメラでは、撮像信号のコントラストを評価して焦点状態を調節する、コントラスト方式によるＡＦが行われている。
【０００３】
また、デジタル一眼レフカメラにおいては、光学ファインダーを使った静止画撮影では、クイックリターンミラーにより撮影光束を光学ファインダーと焦点検出手段に分割して、専用の位相差焦点検出装置によりＡＦを行う。また、電子ビューファインダーや動画撮影においては、クイックリターンミラーを退避させて固体撮像素子のみに撮影光束を導き、コンパクトカメラやビデオカメラと同じく、コントラスト方式によるＡＦが行われている。
【０００４】
しかしながら、専用の位相差焦点検出装置は、スペースやコストなどの点で不利であり、コントラスト方式は、撮影レンズの焦点位置を変えながら撮像信号のコントラストが最も大きくなる位置を探索するため、高速な焦点合わせが出来ないといった欠点がある。
【０００５】
上記の欠点を克服するため、撮像素子の一部の受光素子（画素）において、オンチップマイクロレンズの光軸に対して受光部の感度領域を偏心させることで瞳分割機能を付与し、これらの画素を焦点検出用画素とする技術が提案されている。焦点検出凌駕とを、撮像用画素群の間に所定の間隔で配置することで、電子ビューファインダーや動画撮影でも、位相差方式によるＡＦを実現することができる。
【０００６】
また、特開２００９−８９１４３号公報（特許文献１）では、撮像素子内の焦点検出用画素を高速で読み出すために、信号を読み出すための信号線、出力回路および走査回路を撮像用画素および焦点検出用画素に対して別々に設けることが提案されている。
【０００７】
特開２００９−１２８８９２号公報（特許文献２）では、電子ビューファインダーや動画撮影などのように、フレームレートを確保するために固体撮像素子の信号を間引いて読み出すモードにおいて、撮像画像のフレームレートなどに影響を与えないで焦点検出用画素の読み出しを効率よく行うことが提案されている。
【０００８】
また、本願出願人も、特開２０１０−２００５５号公報（特許文献３）において、電子ビューファインダーや動画撮影で、モアレなどによる画質劣化を防止するために、撮像素子の画素を加算しながら読み出す加算読み出しモードにおいて、加算対象に焦点検出用画素が含まれる場合に、撮像用画素の信号と、焦点検出用画素の信号が混合しないように読み出す方法を提案している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２００９−８９１４３号公報
【特許文献２】特開２００９−１２８８９２号公報
【特許文献３】特開２０１０−２００５５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、従来、撮像素子を利用して位相差ＡＦを行う撮像装置で電子ビューファインダーモードや動画撮影モードが設定された場合に、画質の劣化を抑えて焦点検出を行うことはできなかった。
【００１１】
たとえば、特許文献１では、撮像用画素と焦点検出用画素の信号を読み出すための信号線、出力回路および走査回路を撮像用画素および焦点検出用画素で別々に設けることで、焦点検出用画素を高速に読み出そうとしている。しかし、電子ビューファインダーモードや動画撮影に用いられる間引き読み出しモードや加算読み出しモードに関しては記載されていない。また、読み出し用の２系統の回路が必要であり、回路構成が複雑になる。
【００１２】
特許文献２は、電子ビューファインダーモードや動画撮影での読み出しについて提案している。しかし、垂直方向を間引きにより第１と第２のフィールドに分割して、各々のフィールドで撮像用画素、焦点検出用画素の読み出しを行うことが前提になっており、垂直方向のモアレを抑制することが出来ない。
【００１３】
また、特許文献３も、水平の加算対象画素内に焦点検出用画素が含まれる場合は、焦点検出用画素を単独で出力するものであるが、垂直方向の加算に関する具体的な記載はない。
【００１４】
本発明は上述した課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、電子ビューファインダーモードや動画撮影時に、撮像用画素群を水平および垂直方向に加算して読み出す場合でも、撮像用画素と焦点検出用画素の信号が混合しないようにすることである。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明に係わる撮像装置は、光電変換部とフローティングディフュージョン容量とをそれぞれが有する複数の第１画素部と、前記第１画素部の開口よりも狭い開口が設けられ、光電変換部とフローティングディフュージョン容量とをそれぞれが有する複数の第２画素部とを備え、入力される制御信号に対応して前記フローティングディフュージョン容量を接続する複数の加算用トランジスタのうち、前記第２画素部に対応する加算用トランジスタのゲート電位がＧＮＤに固定されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、電子ビューファインダーモードや動画撮影時に、撮像用画素群を水平および垂直方向に加算して読み出す場合でも、撮像用画素と焦点検出用画素の信号が混合しないようにすることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】第１の実施形態のカメラのブロック図。
【図２】第１の実施形態の撮像素子の撮像用画素の平面図と断面図。
【図３】第１の実施形態の撮像素子の焦点検出用画素の平面図と断面図。
【図４】第１の実施形態の撮像素子の画素部回路図。
【図５】第１の実施形態の撮像素子の全体ブロック図。
【図６】第１の実施形態の撮像素子の画素配置および水平垂直加算の説明図。
【図７】第１の実施形態の撮像素子の垂直転送タイミングチャート。
【図８】第１の実施形態の撮像素子の水平転送タイミングチャート。
【図９】第１の実施形態の撮像素子の変形例の画素部回路図。
【図１０】第２の実施形態の撮像素子の画素部回路図。
【図１１】第２の実施形態の撮像素子の画素部の駆動タイミングチャート。
【図１２】第２の実施形態の撮像素子の全体ブロック図。
【図１３】第２の実施形態の撮像素子の画素配置および垂直加算の説明図。
【図１４】第２の実施形態の撮像素子の垂直転送タイミングチャート。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本発明の実施形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。
【００１９】
（第１の実施形態）
図１は、本発明の撮像装置の第１の実施形態であるデジタルカメラ１００の構成を示すブロック図である。図１において、１０１は撮影光学系の先端に配置された第１レンズ群であり、光軸方向に進退可能に保持されている。１０２は絞り兼用シャッタであり、その開口径を調節することで撮影時の光量調節を行うほか、静止画撮影時には露光秒時調節用シャッタとして機能する。１０３は第２レンズ群である。絞り兼用シャッタ１０２及び第２レンズ群１０３は、一体で光軸方向に移動し、第１レンズ群１０１の移動と連動して変倍作用（ズーム機能）をなす。１０５はフォーカスレンズを含む第３レンズ群であり、光軸方向に移動して焦点調節を行う。１０６は光学的ローパスフィルターであり、撮影画像の偽色やモアレを軽減するための光学素子である。１０７はＣＭＯＳセンサとその周辺回路で構成された撮像素子である。撮像素子１０７には、水平方向である行方向と垂直方向である列方向に画素が配列された画素の行列を有し、横方向（水平方向）ｍ画素、縦方向（垂直方向）ｎ画素の受光ピクセル上に、ベイヤー配列の原色カラーモザイクフィルタがオンチップで形成された、２次元単板カラーセンサが用いられる。撮像素子１０７は、撮像用画素と焦点検出用画素をそれぞれ複数有する。
【００２０】
１１１はズームアクチュエータであり、不図示のカム筒を回動することで、第１レンズ群１０１乃至第３レンズ群１０５を光軸方向に駆動して変倍操作を行う。１１２は絞りシャッタアクチュエータであり、絞り兼用シャッタ１０２の開口径を制御して撮影光量を調節すると共に静止画撮影時の露光時間制御を行う。１１４はフォーカスアクチュエータであり、第３レンズ群１０５を光軸方向に駆動して焦点調節を行う。１１５は撮影時の被写体照明用の電子フラッシュである。１１６はＡＦ補助光部であり、所定の開口パターンを有したマスクの像を、投光レンズを介して被写界に投影し、暗い被写体あるいは低コントラスト被写体に対する焦点検出能力を向上させる。
【００２１】
１２１はＣＰＵであり、カメラ本体の種々の制御を司る制御部である。ＣＰＵ１２１は、演算部、ＲＯＭ、ＲＡＭ、Ａ／Ｄコンバータ、Ｄ／Ａコンバータ、通信インターフェース回路等を有し、ＲＯＭに記憶されたプログラムに基づいて、カメラが有する各種回路を駆動し、ＡＦ、撮影、画像処理、記録等の一連の動作を実行する。１２２は電子フラッシュ制御回路であり、撮影動作に同期して電子フラッシュ１１５を点灯制御する。１２３は補助光駆動回路であり、焦点検出動作に同期してＡＦ補助光部１１６を点灯制御する。
【００２２】
１２４は撮像素子駆動回路であり、撮像素子１０７の撮像動作を制御すると共に取得した画像信号をＡ／Ｄ変換してＣＰＵ１２１に送信する。１２５は画像処理回路であり、撮像素子１０７が取得した画像のγ変換、カラー補間、ＪＰＥＧ圧縮等の処理を行う。
【００２３】
１２６はフォーカス駆動回路であり、ＣＰＵ１２１による制御の下で焦点検出結果に基づいてフォーカスアクチュエータ１１４を駆動制御し、第３レンズ群１０５を光軸方向に駆動して焦点調節を行う。１２８は絞りシャッタ駆動回路であり、絞りシャッタアクチュエータ１１２を駆動制御して絞り兼用シャッタ１０２の開口を制御する。１２９はズーム駆動回路であり、撮影者のズーム操作に応じてズームアクチュエータ１１１を駆動する。
【００２４】
１３１はＬＣＤなどの表示器であり、デジタルカメラ１００の撮影モードに関する情報、撮影前のプレビュー画像と撮影後の確認用画像、焦点検出時の合焦状態表示画像などを表示する。１３２は操作スイッチ群であり、電源スイッチ、レリーズ（撮影トリガ）スイッチ、ズーム操作スイッチ、モード選択スイッチを有する。モード選択スイッチは、静止画撮影モード、動画撮影モード、電子ビューファインダーモードを設定可能なモード設定部として機能する。そして、動画撮影モードや電子ビューファインダーモードにおいては、後述する間引き読み出しモード、加算読み出しモード（第１加算読み出しモード若しくは第２加算読み出しモード）を設定することができる。１３３は着脱可能なフラッシュメモリであり、撮影済み画像を記録する。
【００２５】
図２及び図３は、撮像用画素と焦点検出用画素の構造を説明する図である。本実施形態では、撮影光学系の射出瞳の一部領域（一部が遮光された領域）を通る光を受光する焦点検出用画素が複数設けられている。本実施形態では、２行×２列（以降、行＝Ｘ、列＝Ｙとし、例えば２行×２列は２×２と表す。）の４画素のうち対角２画素にＧ（緑色）の分光感度を有する画素を配置し、他の２画素にＲ（赤色）とＢ（青色）の分光感度を有する画素を各１個配置したベイヤー配列を採用している。そして、ベイヤー配列の間に、後述する構造の焦点検出用画素を分散配置している。
【００２６】
図２に撮像用画素の配置と構造を示す。図２（ａ）は２×２の撮像用画素の平面図である。周知のごとく、ベイヤー配列では対角方向にＧ画素が、他の２画素にＲとＢの画素が配置され、２×２の構造が繰り返し配置される。図２（ｂ）は図２（ａ）のＡ−Ａ断面図である。ＭＬは各画素の最前面に配置されたオンチップマイクロレンズである。ＣＦＲはＲ（赤色）のカラーフィルターである。ＣＦＧはＧ（緑色）のカラーフィルターである。ＰＤ（ＰｈｏｔｏＤｉｏｄｅ）はＣＭＯＳセンサの光電変換部を模式的に示したものである。ＣＬ（ＣｏｎｔａｃｔＬａｙｅｒ）はＣＭＯＳセンサ内の各種信号を伝達する信号線を形成するための配線層である。ＴＬ（ＴａｋｉｎｇＬｅｎｓ）は撮影光学系を模式的に示したものである。
【００２７】
撮像用画素のオンチップマイクロレンズＭＬと光電変換部ＰＤは、撮影光学系ＴＬを通過した光束を可能な限り有効に取り込むように構成されている。撮影光学系ＴＬの射出瞳ＥＰ（ＥｘｉｔＰｕｐｉｌ）と光電変換部ＰＤは、オンチップマイクロレンズＭＬにより共役関係にあり、かつ光電変換部ＰＤの有効面積は大面積に設計される。また、図２（ｂ）ではＲ画素の入射光束について説明したが、Ｇ画素及びＢ（青色）画素も同一の構造となっている。従って、撮像用のＲＧＢ各画素に対応した射出瞳ＥＰは大口径となり、被写体からの光束を効率よく取り込んで画像信号のＳ／Ｎを向上させている。このように、複数の撮像用画素は、射出瞳ＥＰの全域を通る光を各々が受光して被写体の像を生成する。
【００２８】
図３は、撮影光学系ＴＬの水平方向（左右方向又は横方向）に瞳分割を行うための焦点検出用画素の配置と構造を示す図である。ここで、「水平方向」とは、撮影光学系ＴＬの光軸と撮像領域の長辺とが地面に平行となるように撮像装置を構えたとき、この光軸に直交し、かつ水平方向に伸びる直線に沿った方向をいう。図３（ａ）は、焦点検出用画素を含む２×２の画素の平面図である。記録又は観賞のための画像信号を得る場合、Ｇ画素で輝度情報の主成分を取得する。そして、人間の画像認識特性は輝度情報に敏感であるため、Ｇ画素が欠損すると画質劣化が認められやすい。一方、Ｒ画素又はＢ画素は、色情報（色差情報）を取得する画素ではあるが、人間の視覚特性は色情報には鈍感であるため、色情報を取得する画素は多少の欠損が生じても画質劣化は認識されにくい。そこで、本実施例は、２×２の画素のうち、Ｇ画素は撮像用画素として残し、Ｒ画素とＢ画素を焦点検出用画素に置き換えている。この焦点検出用画素を図３（ａ）においてＳＨＡ及びＳＨＢと示す。
【００２９】
図３（ｂ）は、図３（ａ）におけるＡ−Ａ断面図である。マイクロレンズＭＬと光電変換部ＰＤは図２（ｂ）に示した撮像用画素と同一構造である。本実施形態では、焦点検出用画素の信号を画像生成に使用せず、色分離用カラーフィルターの代わりに透明膜ＣＦＷ（白色）またはＣＦＧ（緑色）を配置する。また、撮像素子１０７で瞳分割を行うため、配線層ＣＬの開口部はマイクロレンズＭＬの中心線に対して一方向に偏倚している。具体的には、画素ＳＨＡ及び開口部ＯＰＨＡは右側に偏倚して撮影光学系ＴＬの左側の射出瞳ＥＰＨＡを通過した光束を受光する。画素ＳＨＢの開口部ＯＰＨＢは左側に偏倚して撮影光学系ＴＬの右側の射出瞳ＥＰＨＢを通過した光束を受光する。画素ＳＨＡを水平方向に規則的に配列し、これらの画素群で取得した被写体像をＡ像とする。また画素ＳＨＢも水平方向に規則的に配列し、これらの画素群で取得した被写体像をＢ像とする。すると、Ａ像とＢ像の相対位置を検出することで被写体像のピントずれ量（デフォーカス量）が検出できる。また、垂直方向に瞳分割を行う画素も備えるように構成している。
【００３０】
図４は、本実施形態に用いられるＣＭＯＳ型撮像素子の１画素部の回路を示した図である。４０１は、撮影レンズに入射する被写体からの反射光を受光し、光電変換を行うフォトダイオード、４０２は、フォトダイオードに蓄積された信号電荷を後述のフローティングディフュージョン部（以下、ＦＤと略す）の容量に転送するための電荷転送ＭＯＳであり、信号φＴＸにより制御される。４０３は、フォトダイオードおよびＦＤ容量をリセットするためのリセットＭＯＳであり、信号φＲＥＳにより制御される。４０４は、ゲート部に図示しないＦＤ容量を有し、ＦＤ容量に転送された信号電荷を電圧に変換するためのソースフォロワアンプである。また、垂直方向に画素出力を加算可能にするために、ソースフォロワアンプ４０４のゲート、すなわちＦＤ容量に加算用信号線Ｖ＿ａｄｄが接続されている。具体的な加算の方法に関しては、後述する。４０５は、画素選択用のＭＯＳトランジスタであり、制御信号φＳＥＬにより制御されて、前述のソースフォロワアンプ４０４の出力を垂直出力線に出力する。
【００３１】
図５は、本実施形態に用いられるＣＭＯＳ型の撮像素子の全体回路ブロックを示した図である。実際の製品では、数百万以上の画素数を有するものが実用化されているが、ここでは、１４ｘ１４画素の構成で説明を簡略化する。
【００３２】
５０１は、図４の回路構成を有する画素部であり、１４ｘ１４画素が配置されている。画素座標は、左上の画素を基準として、（Ｘ，Ｙ）＝（０，０）から（１３，１３）が割り当てられている。カラーフィルターの配置は、ベイヤー配列であり、図中に示したＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）は、フォトダイオード上に塗布されるカラーフィルターの色を示している。図中の丸印で示した２つの画素は、図３で説明した焦点検出用画素を示しており、ＳＨＡ画素が座標（２，２）に、ＳＨＢ画素が座標（５，５）に配置されており、焦点検出用画素のカラーフィルターは、焦点検出を可能にするように、Ｇまたは透明とされる。また、焦点検出用画素は、ＳＨＡ画素およびＳＨＢ画素のペアが、撮像素子上に離散的に複数個配置され、焦点検出を行うものであるが、説明簡略化のため、１つのペアが配置される構成で説明を行う。
【００３３】
５０２は、垂直方向に画素出力を加算するためのＭＯＳトランジスタであり、信号線Ｖ＿ａｄｄ０から７の８本の信号線によりそれぞれ行単位で共通に制御される。加算の方法であるが、列０で説明を代表させると、Ｖ＿ａｄｄ０から７をＨレベルにすることにより、ＭＯＳトランジスタ５０２をＯＮさせることで、（０，０）、（０，２）、（０，４）の３画素の各Ｒ画素、（０，３）、（０，５）、（０，７）の３画素の各Ｇ画素、（０，６）、（０，８）、（０，１０）の３画素の各Ｒ画素、（０，９）、（０，１１）、（０，１２）の３画素の各Ｇ画素のＦＤ容量が並列に接続され、並列に接続されたＦＤ容量に、それぞれのフォトダイオードの電荷を転送することにより、加算が行われる。その他の列に関しても、同様である。以上のような構成で、垂直方向に３画素ずつの加算処理が行われる。また、行１、および１２に関しては、加算後の重心移動を避けるために、加算されない。
【００３４】
また、ＳＨＡおよびＳＨＢは、焦点検出用画素であるため、撮像用画素と加算されてしまうと焦点検出が困難になってしまう。そのため、３画素加算の対象に焦点検出用画素が含まれる場合には、垂直加算を実行せずに、単独で焦点検出用画素を出力する必要がある。したがって、（２，２）のＳＨＡ画素が加算対象に含まれる（２，０）および（２，４）の撮像用画素については、加算用のＭＯＳトランジスタ５０２のゲート電位を、制御信号Ｖ＿ａｄｄによらず常時オフ状態とするために、ＧＮＤに固定している。また、同様に、（５，５）のＳＨＢ画素が加算対象に含まれる（５，３）および（５，７）の撮像用画素についても、加算用のＭＯＳトランジスタ５０２のゲート電位を、制御信号Ｖ＿ａｄｄによらず常時オフ状態とするために、ＧＮＤに固定している。こうすることで焦点検出用画素を垂直加算の対象画素から除外できる。
【００３５】
５０３は、ソースフォロワアンプ４０４の負荷用定電流源であり、各列にそれぞれ配置される。５０４は、画素部の回路の制御信号、φＲＥＳ、φＴＸ、φＳＥＬおよびＶ＿ａｄｄの各信号を各行の画素群に出力するための垂直選択回路であり、垂直走査回路５０５により指定される行選択信号φＶに応じて上記の制御信号を出力する。
【００３６】
５０６は、ラインメモリであり、制御信号ＭＥＭにより、垂直転送された１行分の画素信号を一次記憶するものであり、アナログ信号を記憶しておくための容量が、各列に配置されている。５０７から５１４は、水平画素加算を行うためのアナログスイッチであり、制御信号ＡＤＤ１，ＡＤＤ２，ＡＤＤ３により、アナログメモリに転送された画素信号の水平画素加算を行う。垂直加算と同様に、アナログスイッチにより、ラインメモリを並列接続することで、水平加算が実行され、列０／２／４の３画素、列３／５／７の３画素、列６／８／１０の３画素、および列９／１１／１３の３画素がそれぞれ加算される。垂直３画素加算後に、水平方向の加算を実行することで９画素の加算出力が可能になる。また、水平方向に、焦点検出用画素を非加算で出力したい場合に関しては、特開２０１０−２００５５号公報に記載されている方法を用いることができる。
【００３７】
５１５は、水平出力線をリセットするリセット用ＭＯＳトランジスタ。５１６は、ラインメモリの出力を水平出力線に接続するためのＭＯＳトランジスタであり、後述の水平走査回路により制御され、画素信号を順次水平出力線に出力する。５１７は、公知の水平走査回路。５１８は、水平出力線の画素出力を外部に出力するためのアンプである。
【００３８】
以上のような構成で、撮像用画素は、垂直、水平３画素加算し、加算対象に焦点検出用画素が含まれる場合に、焦点検出用画素を非加算で単独出力が可能になる。
【００３９】
また、撮像素子は、図示しない制御信号と水平垂直走査のタイミング変更により、全画素読み出し、垂直３画素および水平３画素加算による加算間引き読み出し切り替えて読み出すことが可能なように構成される。
【００４０】
図６は、画素配置と加算読み出しの関係を示した図である。まず、図６（ａ）は、１４ｘ１４画素の全体配置を示しており、図中の斜線、網掛けなどで示された撮像用画素は、垂直、水平加算後の加算画素の重心位置を示している。また、ＳＨＡ、ＳＨＢについては、単独で出力される画素である、図６（ｂ）は、ＲＧ列、図６（ｃ）は、ＢＧ列、図６（ｄ）はＳＨＡ画素を含むＲＧ列、図６（ｅ）は、ＳＨＢ画素を含むＢＧ列の加算読み出しの様子を示している。図より、加算前と垂直加算後の関係は、明らかなので、説明は省略する。
【００４１】
同様に、図６（ｆ）は、ＲＧ行、図６（ｇ）は、ＧＢ行、図６（ｈ）は、ＳＨＡ画素を含むＲＧ行、図６（ｉ）は、ＳＨＢ画素を含むＧＢ行の加算読み出しの様子を示している。図より、加算前と水平加算後の関係は、明らかなので、説明は省略する。
【００４２】
図７は、図５の撮像素子の読み出しを説明する図であり、３画素垂直加算読み出し時の垂直走査のタイミングを示している。また、全画素読み出しに関しては、説明を省略する。
【００４３】
まず、垂直走査信号φＶ０が出力され、次に、φＲＥＳ０，２，４をＬレベルにして、０，２，４行のリセットＭＯＳをオフ状態とする。このとき、φＳＥＬ２を出力して、２行目の画素選択用ＭＯＳをオンする。この状態で、Ｖ＿ａｄｄ０，Ｖ＿ａｄｄ２をＨレベルにして、０，２，４行のＦＤ容量を並列接続し、φＴＸ０，２，４により、電荷転送ＭＯＳをオンして、０，２，４行目のフォトダイオードの電荷を並列接続されたＦＤ容量に転送する。転送完了後、φＴＸ，Ｖ＿ａｄｄ信号は、Ｌレベルにもどす。この後、ＭＥＭ信号をＨレベルにして、ラインメモリに３画素加算後の画素信号が垂直転送される。このとき、ＳＨＡ画素は、加算用ＭＯＳトランジスタが、常時オフ状態であるため、加算出力されず、単独出力される。
【００４４】
垂直転送が完了したら、φＲＥＳ信号をＨレベルに戻し、再度φＴＸ０，２，４をＨレベルにして、フォトダイオードおよびＦＤ容量をリセットする。リセット後、φＴＸを再度Ｌレベルに戻して、再び、０，２，４行目のフォトダイオードに電荷蓄積が開始される。垂直転送終了後、水平走査を行って、０，２，４行の読み出しが完了する。
【００４５】
その後、順次、３／５／７行の垂直転送→水平走査、６／８／１０行の垂直転送→水平走査を行い、最後に９／１１／１３行の垂直転送→水平走査を行うことで、垂直３画素および水平３画素加算による加算間引き読み出しが終了する。このときのタイミングに関しては、図７より明らかなので詳細説明を省く。また、５行目に配置されたＳＨＢ画素も加算用ＭＯＳトランジスタが、常時オフ状態に設定されているため、ＳＨＡ画素と同様に単独で出力されることは、言うまでもない。水平走査の詳細に関しては、後述する。
【００４６】
図８は、図５の撮像素子の読み出しを説明する図であり、３画素水平加算読み出し時の水平走査のタイミングを示している。また、全画素読み出しに関しては、説明を省略する。まず、０／２／４行の垂直転送された画素信号を水平走査により、撮像素子の外部端子に出力する動作であるが、ＨＲＳＴ信号を出力して、水平転送ラインを所定電位ＶＨＲＳＴにリセットする。その後、水平走査回路により、水平走査信号をＨ２→Ｈ５→Ｈ８→Ｈ１１のように順次出力し、ＭＯＳ５１６を順次オンし、ラインメモリの列２，５，８，１１の信号をアンプ５１８を介して外部に出力する。また、０／２／４行の垂直加算信号には、単独出力されたＳＨＡ信号が含まれるため、水平加算信号は、ＡＤＤ１＝Ｌ、ＡＤＤ２＝ＡＤＤ３＝Ｈに制御され、列０，２，４は、水平加算されずに、列２の信号が出力される。その他の列３／５／７、列６／８／１０、列９／１１／１３は加算されて出力される。
【００４７】
次に、３／５／７行の垂直転送→水平走査、６／８／１０行の垂直転送→水平走査、９／１１／１３行の垂直転送→水平走査が順次繰り返される。詳細タイミングに関しては、図８より明らかなので、説明を省略する。また、水平加算信号であるが、３／５／７行の垂直加算信号には、ＳＨＢ画素信号が含まれるため、ＡＤＤ１＝ＡＤＤ３＝ＨおよびＡＤＤ２＝Ｌに設定され、ＳＨＢ画素は単独で、その他の画素は、水平加算して出力される。
【００４８】
また、６／８／１０行および９／１１／１３行の水平走査時には、焦点検出用画素が含まれないため、ＡＤＤ１＝ＡＤＤ２＝ＡＤＤ３＝Ｈに設定され、全ての画素が水平加算されて出力される。
【００４９】
以上説明したように、焦点検出用画素を加算するための加算用ＭＯＳトランジスタを制御信号によらず、常時オフ状態に設定することで、焦点検出用画素を非加算に設定するための新たな制御信号を増やす必要がなくなり、画素の開口部を広く保てる利点がある。また、撮像素子は、素子の配置や配線が、均一に構成されていたほうが、画素ばらつきが抑えられる。したがって、非加算の画素であっても、加算用の素子が配置されていたほうがよい。本実施形態では、配線の一部を局所的に変更するので、均一性への影響も軽微に抑えることが可能である利点を有する。
【００５０】
また、焦点検出用画素の配置であるが、ＳＨＡ画素は、（２，０）または（２，４）であっても、また同様に、ＳＨＢ画素は、（５，３）または（５，７）であっても単独で非加算で出力することが可能である。配置を異ならせた場合には、焦点検出用画素の配置に合わせて、垂直転送時の画素選択用ＭＯＳのφＳＥＬ信号を画素配置に応じて変更すればよい。
【００５１】
図９は、焦点検出用画素を非加算に設定するための変形例を示す。図４の画素部回路と同一部分は、同一番号を付与している。同図の９００のように、非加算設定したい画素は、加算信号線Ｖ＿ａｄｄをカットすることにより、図５の場合と同様な効果を得ることも可能である。
【００５２】
（第２の実施形態）
図１０は、本発明の第２の実施形態の撮像素子の画素部の回路図である。図１０において、図４と同一の機能のものには同一番号を付与してある。通常、ＣＭＯＳを使用した撮像素子は、垂直転送は、行単位で行われるため、異なる行は、転送されるタイミングが異なる。したがって、画素の開口部を広く取るために、転送用のＭＯＳ以外の素子兼用（共有）が可能である。図１０は、転送用ＭＯＳ以外の素子を２画素で兼用していることを示している。１００１はフォトダイオード、１００２は、フォトダイオード１００１の転送用ＭＯＳであり、フォトダイオード１００１は、転送用ＭＯＳ１００２により、ＦＤ容量４０４に電荷転送され、画素選択用ＭＯＳ４０５で選択されて、垂直転送される。
【００５３】
図１１は、２画素で素子を共通化した場合の垂直転送のタイミングチャートを示す。垂直走査信号に関しては省略している。まず、φＲＥＳをＬレベルにして、リセットＭＯＳをオフ状態とする。このとき、φＳＥＬを出力して、画素選択用ＭＯＳをオンする。次に、φＴＸ１により、電荷転送ＭＯＳをオンして、フォトダイオード４０１の電荷をＦＤ容量に転送する。転送完了後、φＴＸ１は、Ｌレベルにもどす。この後、ＭＥＭ信号をＨレベルにして、ラインメモリに画素信号が垂直転送される。垂直転送が完了したら、φＲＥＳ信号をＨレベルに戻し、再度φＴＸ０をＨレベルにして、フォトダイオード４０１およびＦＤ容量をリセットする。これで、フォトダイオード４０１の垂直転送が終了し、水平転送が実行される。
【００５４】
次に、再び、φＲＥＳをＬレベルにして、リセットＭＯＳをオフ状態とする。このとき、φＳＥＬを出力して、画素選択用ＭＯＳをオンする。次に、φＴＸ１により、電荷転送ＭＯＳをオンして、フォトダイオード１００１の電荷をＦＤ容量に転送する。転送完了後、φＴＸ２は、Ｌレベルにもどす。この後、ＭＥＭ信号をＨレベルにして、ラインメモリに画素信号が垂直転送される。垂直転送が完了したら、φＲＥＳ信号をＨレベルに戻し、再度φＴＸ２をＨレベルにして、フォトダイオード１００１およびＦＤ容量をリセットする。これで、フォトダイオード１００１の垂直転送が終了し、水平転送が実行される。
【００５５】
以上、説明したように、フォトダイオード４０１，１００１は、垂直転送のタイミングが異なるので、電荷転送ＭＯＳを２種類設けることにより、その他の素子を兼用することが可能である。
【００５６】
図１２は、第２の実施形態に用いられるＣＭＯＳ型の撮像素子の全体回路ブロックを示した図である。実際の製品では、数百万以上の画素数を有するものが実用化されているが、ここでは、１４ｘ１４画素の構成で説明を簡略化する。また、図５と同一機能を有するものに関しては、図５と同一の符号を付与し、説明を省略する。
【００５７】
１２０１は、図１１の回路構成を有する画素部であり、１４ｘ１４画素が配置されている。画素座標は、左上の画素を基準として、（Ｘ，Ｙ）＝（０，０）から（１３，１３）が割り当てられている。カラーフィルターの配置は、ベイヤー配列であり、図中に示したＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）は、フォトダイオード上に塗布されるカラーフィルターの色を示している。画素配置は、図４および図５と略同一であるが、図中のＲ／Ｇ，Ｇ／Ｂ，ＳＨＡ／Ｇ，Ｇ／ＳＨＢで示された記号は、図１１で示した２画素共通の画素部回路であることを示している。画素配置の詳細は、後述する。
【００５８】
図中の丸印で示した２個所は、画素部回路を２画素で共通とした画素中に、図３で説明した焦点検出用画素ＳＨＡ画素およびＳＨＢ画素が、通常画素と一対で含まれていることを示している。また、焦点検出用画素は、ＳＨＡ画素およびＳＨＢ画素のペアが、撮像素子上に離散的に複数個配置され、焦点検出を行うものであるが、説明の簡略化のため、１つのペアが配置される構成で説明を行う。
【００５９】
１００２は、垂直方向に画素出力を加算するためのＭＯＳトランジスタであり、信号線Ｖ＿ａｄｄ０から５の６本の信号線によりそれぞれ行単位で共通に制御される。加算の方法であるが、列０で説明を代表させると、ＭＯＳトランジスタ１００２を適宜ＯＮさせることにより、（０，０）、（０，２）、（０，４）の３画素の各Ｒ画素、（０，３）、（０，５）、（０，７）の３画素の各Ｇ画素、（０，６）、（０，８）、（０，１０）の３画素の各Ｒ画素、（０，９）、（０，１１）、（０，１２）の３画素の各Ｇ画素のＦＤ容量が並列に接続され、並列に接続されたＦＤ容量に、それぞれのフォトダイオードの電荷を転送することにより、加算が行われる。その他の列に関しても、同様である。以上のような構成で、垂直方向に３画素ずつの加算処理が行われる。また、行１、および１２に関しては、加算後の重心移動を避けるために、加算されない。
【００６０】
また、ＳＨＡおよびＳＨＢは、焦点検出用画素であるため、撮像用画素と加算されてしまうと焦点検出が困難になってしまうため、３画素加算の対象に焦点検出用画素が含まれる場合には、垂直加算を実行せずに、単独で焦点検出用画素を出力する必要がある。図中の丸印で囲まれた部分の加算用のＭＯＳトランジスタは、図５と同様に制御信号Ｖ＿ａｄｄによらず常時オフ状態にするために、ゲート電圧がＧＮＤレベルに設定されている。
【００６１】
図１３は、第２の実施形態の画素配置と加算読み出しの関係を示した図である。まず、図１３（ａ）は、１４ｘ１４画素の全体配置を示しており、図中の斜線、網掛けなどで示された撮像用画素は、垂直、水平加算後の重心位置を示している。また、ＳＨＡ、ＳＨＢについては、単独で出力される画素である。ＳＨＡ、ＳＨＢの配置が、図６の配置と垂直方向の座標が異なり、ＳＨＡ画素が、（２，６）に、ＳＨＢ画素が、（５，７）に配置されている。図１３（ｂ）は、ＲＧ列のＲ画素加算、図１３（ｃ）は、ＲＧ列のＧ画素加算、図１３（ｄ）はＳＨＡ画素を含むＲＧ列のＲ画素加算、図１３（ｅ）は、ＧＢ列のＧ画素加算、図１３（ｆ）は、ＧＢ列のＢ画素加算、図１３（ｇ）は、ＳＨＢ画素を含むＢＧ列のＢ画素加算の関係を示している。
【００６２】
まず、図１３（ｂ）について説明する。図１３（ｂ）のスイッチは、Ｒ画素を加算する場合の、図１２の加算用ＭＯＳトランジスタ１００２の状態を示している。図１３（ｂ）のような状態に加算用ＭＯＳトランジスタを設定することにより、０，２，４行および６，８，１０行のＲ画素が、垂直方向にそれぞれ３画素加算される。
【００６３】
同様に、図１３（ｃ）のような状態に加算用ＭＯＳトランジスタを設定することにより、３，５，７行および９，１１，１３行のＧ画素が、垂直方向にそれぞれ３画素加算される。
【００６４】
また、焦点検出用画素を含む列は、図１３（ｄ）のような状態に加算用ＭＯＳトランジスタを設定することにより、０，２，４行のＲ画素が３画素加算され、６行のＳＨＡ画素は単独、８，１０行のＲ画素が加算に設定される。第２の実施形態においても、第１の実施形態と同様に、焦点検出用画素を単独で出力するために、チップ状態で、焦点検出用画素を加算しないように、加算スイッチが常時オフ状態に設定される。しかしながら、第１の実施形態と同様に、（２，２）に配置すると、２行目と４行目を加算する加算スイッチをノーマルオフ状態としなければならない。このようにすると３，５，７行のＧ画素の加算画素のうち、３行目のＧ画素が加算対象から除外されてしまう。したがって、２画素が共通回路を担っている第２の実施形態では、Ｇ画素の加算に影響を与えない（加算を阻害しない）、６行目に焦点検出用画素を配置している。
【００６５】
図１３（ｅ）、図１３（ｆ）、図１３（ｇ）は、ＧＢ列に関する加算スイッチの状態を示している。考え方は、ＲＧ列と同様であるので、説明を省略する。
【００６６】
図１４は、図１２の撮像素子の読み出しを説明する図であり、３画素垂直加算読み出し時の垂直走査のタイミングを示している。また、全画素読み出しに関しては、説明を省略する。
【００６７】
まず、垂直走査信号φＶ０が出力され、次に、φＲＥＳ０，１，２をＬレベルにして、０／１，２／３，４／５行のリセットＭＯＳをオフ状態とする。このとき、φＳＥＬ０を出力して、０／１行目の画素選択用ＭＯＳをオンする。この状態で、Ｖ＿ａｄｄ０，Ｖ＿ａｄｄ１をＨレベルにして、０／１，２／３，４／５行のＦＤ容量を並列接続し、φＴＸ１_０，φＴＸ１_２，φＴＸ１_４により、電荷転送ＭＯＳをオンして、０，２，４行目のフォトダイオードの電荷を並列接続されたＦＤ容量に転送する。転送完了後、φＴＸ，Ｖ＿ａｄｄ信号は、Ｌレベルにもどす。この後、ＭＥＭ信号をＨレベルにして、ラインメモリに３画素加算後の画素信号が垂直転送される。垂直転送が完了したら、φＲＥＳ信号をＨレベルに戻し、再度φＴＸ１_０，φＴＸ１_２，φＴＸ１_４をＨレベルにして、フォトダイオードおよびＦＤ容量をリセットする。リセット後、φＴＸを再度Ｌレベルに戻して、再び、０，２，４行目のフォトダイオードに電荷蓄積が開始される。垂直転送終了後、水平走査を行って、０，２，４行の読み出しが完了する。
【００６８】
次に、垂直走査信号φＶ３が出力され、次に、φＲＥＳ１，２，３をＬレベルにして、２／３，４／５，６／７行のリセットＭＯＳをオフ状態とする。このとき、φＳＥＬ１を出力して、２／３行目の画素選択用ＭＯＳをオンする。この状態で、Ｖ＿ａｄｄ１，Ｖ＿ａｄｄ２をＨレベルにして、２／３，４／５，６／７行のＦＤ容量を並列接続し、φＴＸ２_３，φＴＸ２_５，φＴＸ２_７により、電荷転送ＭＯＳをオンして、３，５，７行目のフォトダイオードの電荷を並列接続されたＦＤ容量に転送する。転送完了後、φＴＸ，Ｖ＿ａｄｄ信号は、Ｌレベルにもどす。この後、ＭＥＭ信号をＨレベルにして、ラインメモリに３画素加算後の画素信号が垂直転送される。また、７行目に配置されたＳＨＢ画素は、加算用ＭＯＳトランジスタを常時オフに設定しているため、単独で出力される。垂直転送が完了したら、φＲＥＳ信号をＨレベルに戻し、再度φＴＸ２_３，φＴＸ２_５，φＴＸ２_７をＨレベルにして、フォトダイオードおよびＦＤ容量をリセットする。リセット後、φＴＸを再度Ｌレベルに戻して、再び、３，５，７行目のフォトダイオードに電荷蓄積が開始される。垂直転送終了後、水平走査を行って、３，５，７行の読み出しが完了する。
【００６９】
次に、垂直走査信号φＶ６が出力され、次に、φＲＥＳ３，４，５をＬレベルにして、６／７，８／９，１０／１１行のリセットＭＯＳをオフ状態とする。このとき、φＳＥＬ３を出力して、６／７行目の画素選択用ＭＯＳをオンする。この状態で、Ｖ＿ａｄｄ３，Ｖ＿ａｄｄ４をＨレベルにして、６／７，８／９，１０／１１行のＦＤ容量を並列接続し、φＴＸ１_６，φＴＸ１_７，φＴＸ１_８により、電荷転送ＭＯＳをオンして、６，７，８行目のフォトダイオードの電荷を並列接続されたＦＤ容量に転送する。転送完了後、φＴＸ，Ｖ＿ａｄｄ信号は、Ｌレベルにもどす。この後、ＭＥＭ信号をＨレベルにして、ラインメモリに３画素加算後の画素信号が垂直転送される。また、６行目に配置されたＳＨＡ画素は、加算用ＭＯＳトランジスタを常時オフに設定しているため、単独で出力される。
【００７０】
垂直転送が完了したら、φＲＥＳ信号をＨレベルに戻し、再度φＴＸ１_６，φＴＸ１_７，φＴＸ１_８をＨレベルにして、フォトダイオードおよびＦＤ容量をリセットする。リセット後、φＴＸを再度Ｌレベルに戻して、再び、６，８，１０行目のフォトダイオードに電荷蓄積が開始される。垂直転送終了後、水平走査を行って、６，８，１０行の読み出しが完了する。
【００７１】
次に、垂直走査信号φＶ９が出力され、次に、φＲＥＳ４，５，６をＬレベルにして、８／９，１０／１１，１２／１３行のリセットＭＯＳをオフ状態とする。このとき、φＳＥＬ４を出力して、８／９行目の画素選択用ＭＯＳをオンする。この状態で、Ｖ＿ａｄｄ４，Ｖ＿ａｄｄ５をＨレベルにして、８／９，１０／１１，１２／１３行のＦＤ容量を並列接続し、φＴＸ２_９，φＴＸ２_１１，φＴＸ２_１３により、電荷転送ＭＯＳをオンして、９，１１，１３行目のフォトダイオードの電荷を並列接続されたＦＤ容量に転送する。転送完了後、φＴＸ，Ｖ＿ａｄｄ信号は、Ｌレベルにもどす。この後、ＭＥＭ信号をＨレベルにして、ラインメモリに３画素加算後の画素信号が垂直転送される。
【００７２】
垂直転送が完了したら、φＲＥＳ信号をＨレベルに戻し、再度φＴＸ２_９，φＴＸ２_１１，φＴＸ２_１３をＨレベルにして、フォトダイオードおよびＦＤ容量をリセットする。リセット後、φＴＸを再度Ｌレベルに戻して、再び、９，１１，１３行目のフォトダイオードに電荷蓄積が開始される。垂直転送終了後、水平走査を行って、９，１１，１３行の読み出しが完了する。なお、水平走査については、第１の実施形態と同様である。
【００７３】
以上、説明したように、Ｒ／Ｇ，Ｇ／Ｂのようにフォトダイオード２画素で画素部の回路を共通化しているような場合には、Ｇ画素を加算する場合に、オフ状態に設定される加算用ＭＯＳトランジスタの位置に焦点検出用画素を配置して、常時オフ状態に設定すれば、焦点検出用画素を垂直加算しないで単独で出力可能であり、加算対象に焦点検出用画素が含まれない通常画素は全て垂直加算が可能になる利点がある。 
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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