(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
入射した放射線に応じて電気信号を発生する複数の画素を有する撮像部と、
前記撮像部の外縁領域に配設された周辺回路と
を備え、
前記周辺回路は、
放射線耐性が相対的に高いと共にデジタル回路からなる第１の回路と、
前記第１の回路よりも前記撮像部から遠い位置に配設され、放射線耐性が相対的に低いと共にアナログ回路としてのレベルシフト回路からなる第２の回路と
を有し、
前記レベルシフト回路が、
正電源側のレベルシフトを行う第１のレベルシフト回路と、
前記第１のレベルシフト回路よりも前記撮像部から遠い位置に配設され、前記第１のレベルシフト回路よりも放射線耐性が低いと共に負電源側のレベルシフトを行う第２のレベルシフト回路とからなる
放射線撮像装置。
【請求項２】
前記第１および第２のレベルシフト回路がそれぞれ、Ｐ型トランジスタおよびＮ型トランジスタの双方を用いて構成されている
請求項１に記載の放射線撮像装置。
【請求項３】
前記放射線の照射により生じる、前記Ｐ型トランジスタおよび前記Ｎ型トランジスタでの閾値電圧シフトの際に、
前記Ｎ型トランジスタでは、ソース・ドレイン間の電流が増加し、
前記Ｐ型トランジスタでは、ソース・ドレイン間の電流が減少する
請求項２に記載の放射線撮像装置。
【請求項４】
前記Ｎ型トランジスタは、前記Ｐ型トランジスタよりも放射線耐性が高い
請求項２または請求項３に記載の放射線撮像装置。
【請求項５】
前記撮像部と前記第１のレベルシフト回路との間に、前記第１の回路としての第１のデジタル回路が配設され、
前記第１のレベルシフト回路と前記第２のレベルシフト回路との間に、第２のデジタル回路が配設されている
請求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載の放射線撮像装置。
【請求項６】
前記デジタル回路が、シフトレジスタ回路、論理回路およびバッファ回路のうちの少なくとも１つである
請求項１ないし請求項５のいずれか１項に記載の放射線撮像装置。
【請求項７】
前記周辺回路が、前記複数の画素に対する順次走査を行う走査回路である
請求項１ないし請求項６のいずれか１項に記載の放射線撮像装置。
【請求項８】
前記撮像部は、入射した放射線に対して波長変換を行う波長変換層を有する
請求項１ないし請求項７のいずれか１項に記載の放射線撮像装置。
【請求項９】
前記撮像部は、光電変換層を有する
請求項１ないし請求項８のいずれか１項に記載の放射線撮像装置。
【請求項１０】
前記撮像部は、撮像素子と、この撮像素子の撮像面側に配設された縮小光学系とを有する
請求項１ないし請求項８のいずれか１項に記載の放射線撮像装置。
【請求項１１】
前記放射線がＸ線である
請求項１ないし請求項１０のいずれか１項に記載の放射線撮像装置。
【請求項１２】
放射線撮像装置と、この放射線撮像装置により得られた撮像信号に基づく画像表示を行う表示装置とを備え、
前記放射線撮像装置は、
入射した放射線に応じて電気信号を発生する複数の画素を有する撮像部と、
前記撮像部の外縁領域に配設された周辺回路と
を備え、
前記周辺回路は、
放射線耐性が相対的に高いと共にデジタル回路からなる第１の回路と、
前記第１の回路よりも前記撮像部から遠い位置に配設され、放射線耐性が相対的に低いと共にアナログ回路としてのレベルシフト回路からなる第２の回路と
を有し、
前記レベルシフト回路が、
正電源側のレベルシフトを行う第１のレベルシフト回路と、
前記第１のレベルシフト回路よりも前記撮像部から遠い位置に配設され、前記第１のレベルシフト回路よりも放射線耐性が低いと共に負電源側のレベルシフトを行う第２のレベルシフト回路とからなる
放射線撮像表示システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、放射線に基づく情報の読み取りを行う放射線撮像装置、およびそのような放射線撮像装置を備えた放射線撮像表示システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
放射線撮像装置（放射線読取装置）では、複数の画素（撮像画素）を有する撮像部において、入射した放射線（例えば、α線，β線，γ線，Ｘ線等）に基づく情報の読み取り（撮像）が行われる（例えば、特許文献１参照）。このような放射線撮像装置を使用することにより、従来のような放射線写真フィルムを用いることなく、被写体の画像を観察することが可能となり、また、動画撮影および動画表示にも対応することが可能となっている。
【０００３】
放射線撮像装置は、間接方式のものと直接方式のものとに大別される。間接方式の放射線撮像装置では、入射した放射線を蛍光体膜（波長変換層）において可視光に波長変換させたのち、光電変換層において電気信号を発生させることにより、放射線に基づく撮像を行うようになっている。一方、直接方式の放射線撮像装置では、そのような波長変換層を用いずに、光電変換層において入射した放射線を直接電気信号に変換することにより、放射線に基づく撮像を行うようになっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−２８２６８４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、このような放射線撮像装置では一般に、撮像部の周辺（外縁領域）に、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ；Thin Film Transistor）などの半導体素子を用いた周辺回路が設けられている。この周辺回路では、撮像の際に放射線の一部が入射する場合があることから、放射線に対する耐性（放射線耐性）を向上させる手法の提案が望まれる。
【０００６】
本開示はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、放射線に対する耐性を向上させることが可能な放射線撮像装置および放射線撮像表示システムを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本開示の放射線撮像装置は、入射した放射線に応じて電気信号を発生する複数の画素を有する撮像部と、この撮像部の外縁領域に配設された周辺回路とを備えている。周辺回路は、放射線耐性が相対的に高いと共にデジタル回路からなる第１の回路と、この第１の回路よりも撮像部から遠い位置に配設され、放射線耐性が相対的に低いと共にアナログ回路としてのレベルシフト回路からなる第２の回路とを有している。上記レベルシフト回路は、正電源側のレベルシフトを行う第１のレベルシフト回路と、この第１のレベルシフト回路よりも撮像部から遠い位置に配設され、第１のレベルシフト回路よりも放射線耐性が低いと共に負電源側のレベルシフトを行う第２のレベルシフト回路とからなる。
【０００８】
本開示の撮像表示システムは、上記本開示の放射線撮像装置と、この放射線撮像装置により得られた撮像信号に基づく画像表示を行う表示装置とを備えたものである。
【０００９】
本開示の放射線撮像装置および放射線撮像表示システムでは、撮像部の外縁領域に配設された周辺回路が、放射線耐性が相対的に高い第１の回路と、この第１の回路よりも撮像部から遠い位置に配設され、放射線耐性が相対的に低い第２の回路とからなる。すなわち、放射線耐性が相対的に低い第２の回路のほうが、放射線耐性が相対的に高い第１の回路よりも撮像部から遠い位置に配設されている。これにより、周辺回路に対して放射線が入射したときに、放射線による回路への悪影響（例えば、回路内の素子の特性劣化等）が抑えられる。
【発明の効果】
【００１０】
本開示の放射線撮像装置および放射線撮像表示システムによれば、撮像部の外縁領域に配設された周辺回路が、放射線耐性が相対的に高い第１の回路と、この第１の回路よりも撮像部から遠い位置に配設され、放射線耐性が相対的に低い第２の回路とを有しているようにしたので、放射線による周辺回路への悪影響を抑えることができる。よって、放射線に対する耐性を向上させることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本開示の一実施の形態に係る放射線撮像装置の全体構成例を表すブロック図である。
【図２】図１に示した撮像部の概略構成例を表す模式図である。
【図３】図１に示した画素の詳細構成例を表す回路図である。
【図４】図１に示した行走査部の詳細構成例を表すブロック図である。
【図５】図４に示した正電源側レベルシフト回路および負電源側レベルシフト回路の詳細構成例を表す回路図である。
【図６】撮像動作の際の放射線の入射態様例を表す模式断面図である。
【図７】放射線の照射前後におけるＮ型ＴＦＴおよびＰ型ＴＦＴの特性例を表す図である。
【図８】比較例に係る行走査部の構成を表すブロック図である。
【図９】変形例１に係る行走査部の構成例を表すブロック図である。
【図１０】変形例２に係る行走査部の構成例を表すブロック図である。
【図１１】変形例２に係る行走査部の他の構成例を表すブロック図である。
【図１２】適用例に係る放射線撮像表示システムの概略構成例を表す模式図である。
【図１３】他の変形例に係る画素の構成例を表す回路図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本開示の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
１．実施の形態（放射線耐性が相対的に低い回路を撮像領域から相対的に遠くに配置した例）
２．変形例
変形例１（正電源側ＬＳ回路および負電源側ＬＳ回路の配置を逆にした例）
変形例２，３（正電源側ＬＳ回路，負電源側ＬＳ回路間に他の回路を配置した例）
３．適用例（放射線撮像表示システムへの適用例）
４．その他の変形例
【００１３】
＜実施の形態＞
［放射線撮像装置１の全体構成］
図１は、本開示の一実施の形態に係る放射線撮像装置（放射線撮像装置１）の全体のブロック構成を表すものである。放射線撮像装置１は、α線，β線，γ線，Ｘ線に代表される放射線を波長変換して、放射線に基づく被写体の情報を読み取る（撮像する）ものである。この放射線撮像装置１は、撮像領域３１内に配設された撮像部１１と、この撮像部１１（撮像領域３１）の外縁領域（周辺領域）に配設された周辺回路３２およびシステム制御部１６とを備えている。周辺回路３２は、行走査部１３、Ａ／Ｄ変換部１４および列走査部１５からなる。
【００１４】
（撮像部１１）
撮像部１１は、入射した放射線に応じて電気信号を発生する部分である。この撮像部１１には、入射した放射線の光量（線量）に応じた電荷量の光電荷を発生して内部に蓄積する光電変換部（後述する光電変換素子２１）を有する複数の画素（撮像画素，単位画素）２０が、行列状（マトリクス状）に２次元配置されている。なお、図１中に示したように、以下、撮像部１１内における水平方向（行方向）を「Ｈ」方向とし、垂直方向（列方向）を「Ｖ」方向として説明する。
【００１５】
図２（Ａ）は、この撮像部１１の概略構成例を表したものである。撮像部１１では、上記した画素２０が行列状に配置されてなる光電変換層１１１上（撮像部１１の受光面側，撮像面側）に、波長変換層１１４が設けられている。
【００１６】
波長変換層１１４は、入射した放射線Ｒradを、光電変換層１１１の感度域に波長変換するものであり、これにより光電変換層１１１では、この放射線Ｒradに基づく情報を読み取ることが可能となっている。この波長変換層１１４は、例えばＸ線などの放射線を可視光に変換する蛍光体（例えば、シンチレータ）からなる。このような波長変換層１１４は、例えば光電変換層１１１の上部に、有機平坦化膜、スピンオングラス材料等からなる平坦化膜を形成し、その上部に蛍光体膜をＣｓＩ、ＮａＩ、ＣａＦ2等によって形成することにより得られる。また、簡便には、ＣｓＩやＧｄＯなどの波長変換材料をプラスチック板に塗布したシンチレータプレートを、光電変換層１１１上に載せることによっても、上記の波長変換層１１４を得ることが可能である。
【００１７】
なお、撮像部１１の構成としては、図２（Ａ）に示したものには限られず、例えば図２（Ｂ）に示したような構成としてもよい。この図２（Ｂ）に示した撮像部１１では、図２（Ａ）における光電変換層１１１の代わりに、撮像素子１１２および縮小光学系１１３を有している。撮像素子１１２は、波長変換層１１４により波長変換されて得られる可視光（撮像光）を検出し、出力データ（撮像信号）を取得する素子である。このような撮像素子１１２は、例えば、ＣＣＤ（Charge-Coupled Devices）やＣＭＯＳ（Complementary Metal-Oxide Semiconductor）等のイメージングセンサーを用いて構成することが可能である。縮小光学系１１３は、撮像素子１１２の受光面側（撮像面側）に配設されており、例えばマイクロレンズアレイなどからなる。このような構成な撮像部１１においても、入射した放射線Ｒradに基づく情報の読み取りを行うことが可能となっている。
【００１８】
図３（Ａ），（Ｂ）はそれぞれ、画素２０の回路構成例（いわゆるパッシブ型の回路構成例）を表したものである。このパッシブ型の画素２０には、１つの光電変換素子２１と、１つのトランジスタ２２とが設けられている。この画素２０にはまた、行方向（Ｈ方向）に沿って延在する読み出し制御線Ｌreadと、列方向（Ｖ方向）に沿って延在する信号線Ｌsigおよびバイアス線Ｌbiasとが接続されている。
【００１９】
光電変換素子２１は、例えばＰＩＮ（Positive Intrinsic Negative）型のフォトダイオードからなり、入射光（放射線Ｒrad）の光量に応じた電荷量の信号電荷を発生するようになっている。なお、この光電変換素子２１では、そのカソード（図３（Ａ））またはアノード（図３（Ｂ））が、蓄積ノードＮに接続されている。
【００２０】
トランジスタ２２は、読み出し制御線Ｌreadから供給される行走査信号に応じてオン状態となることにより、光電変換素子２１で発生した信号電荷（入力電圧Ｖin）を信号線Ｌsigへ出力するトランジスタである。
【００２１】
このトランジスタ２２は、例えばＮチャネル型（Ｎ型）の電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）により構成されている。ただし、トランジスタ２２における導電型はこれには限られず、例えばＰチャネル型（Ｐ型）であってもよい。このトランジスタ２２はまた、例えば、微結晶シリコンまたは多結晶シリコン等のシリコン系半導体を用いて構成されている。あるいは、酸化インジウムガリウム亜鉛（ＩｎＧａＺｎＯ）または酸化亜鉛（ＺｎＯ）等の酸化物半導体を用いて構成してもよい。微結晶シリコン、多結晶シリコン（ポリシリコン）および酸化物半導体は、アモルファスシリコンに比べて移動度μが高いため、例えばトランジスタ２２による信号の高速読み出しが可能になる。
【００２２】
この画素２０では、トランジスタ２２のゲートが読み出し制御線Ｌreadに接続され、ソースが信号線Ｌsigに接続され、ドレインが、光電変換素子２１のカソード（図３（Ａ））またはアノード（図３（Ｂ））（蓄積ノードＮ）に接続されている。光電変換素子２１のアノード（図３（Ａ））またはカソード（図３（Ｂ））は、バイアス電位（例えばグランド（接地）電位）を保持するバイアス線Ｌbiasに接続されている。
【００２３】
（行走査部１３）
図１に示した行走査部１３は、後述するシフトレジスタ回路やレベルシフト回路等を含んで構成されており、撮像部１１内の複数の画素２０を、例えば行単位で駆動（順次走査）する画素駆動部（走査回路）である。このような行単位での駆動は、上記した読み出し制御線Ｌreadを介して、上記した行走査信号を供給することによりなされる。
【００２４】
図４は、行走査部１３のブロック構成例を表したものである。行走査部１３は、ここでは、レベルシフト回路部１３１、複数のシフトレジスタ回路１３２（図中のブロック内では便宜上、「Ｓ／Ｒ」と記載；以下同様）および複数のバッファ回路１３３を有している。また、この行走査部１３内では、撮像部１１（撮像領域３１）側から、バッファ回路１３３、シフトレジスタ回路１３２およびレベルシフト回路部１３１の順に配設されている。すなわち、詳細は後述するが、放射線耐性が相対的に高いデジタル回路（第１の回路；バッファ回路１３３およびシフトレジスタ回路１３２）よりも、放射線耐性が相対的に低いアナログ回路（第２の回路；レベルシフト回路部１３１）のほうが、撮像領域３１から遠い（離れた）位置に配設されている。
【００２５】
レベルシフト回路部１３１は、入力された信号の電源電位（正電源側や負電源側の電位）を変位させる（電源のレベルシフトを行う）回路部である。このレベルシフト回路部１３１は、２つの正電源側レベルシフト回路１３１Ｐ（図中のブロック内では便宜上、「＋側 Ｌ／Ｓ」と記載；以下同様）と、２つの負電源側レベルシフト回路１３１Ｍ（図中のブロック内では便宜上、「−側 Ｌ／Ｓ」と記載；以下同様）とを有している。正電源側レベルシフト回路１３１Ｐ（第１のレベルシフト回路）は、正電源側のレベルシフトを行う回路であり、負電源側レベルシフト回路１３１Ｍ（第２のレベルシフト回路）は、負電源側のレベルシフトを行う回路である。これらの正電源側レベルシフト回路１３１Ｐおよび負電源側レベルシフト回路１３１Ｍはそれぞれ、以下説明するように、Ｐ型（Ｐチャネル型）のトランジスタと、Ｎ型（Ｎチャネル型）のトランジスタとの双方を用いて構成されている。
【００２６】
ここで、本実施の形態のレベルシフト回路部１３１内では、詳細は後述するが、放射線耐性が相対的に低い負電源側レベルシフト回路１３１Ｍが、放射線耐性が相対的に高い正電源側レベルシフト回路１３１Ｐよりも、撮像領域３１から遠い（離れた）位置に配設されている。このような構成のレベルシフト回路部１３１では、入力されたスタートパルス信号ＳＴＲおよびクロック信号ＣＬＫに対してそれぞれ、負電源側レベルシフト回路１３１Ｍによる負電源側のレベルシフトと、正電源側レベルシフト回路１３１Ｐによる正電源側のレベルシフトとを、この順序で行うようになっている。
【００２７】
図５は、これらのレベルシフト回路の回路構成例を表したものであり、（Ａ）は負電源側レベルシフト回路１３１Ｍの回路構成例を、（Ｂ）は正電源側レベルシフト回路１３１Ｐの回路構成例を、それぞれ示す。なお、これらの図５（Ａ），（Ｂ）の回路では、入力データＤin，ｘＤin（Ｄinの論理反転信号）が入力されると共に、出力データＤoutが出力されるものとする。
【００２８】
図５（Ａ）に示した負電源側レベルシフト回路１３１Ｍは、ここでは、ハイ（「Ｈ」）レベル＝２．５Ｖ，ロー（「Ｌ」）レベル＝０Ｖからなる入力データＤinを入力し、その負電源側（「Ｌ」レベル側）のレベルシフト（０Ｖ→−４．５Ｖのレベルシフト）を行っている。これにより、この負電源側レベルシフト回路１３１Ｍからは、「Ｈ」レベル＝２．５Ｖ，「Ｌ」レベル＝−４．５Ｖからなる出力データＤoutが出力されるようになっている。この負電源側レベルシフト回路１３１Ｍは、２つのＰチャネル型のトランジスタＴｒ１１，Ｔｒ１２と、２つのＮチャネル型のトランジスタＴｒ１３，Ｔｒ１４とを用いて構成されている。これらのトランジスタＴｒ１１，Ｔｒ１２，Ｔｒ１３，Ｔｒ１４はそれぞれ、電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）からなる。ここで、トランジスタＴｒ１１のゲートには入力データＤinが入力され、ソースは正電源ＶＤＤ１（＝２．５Ｖ）に接続され、ドレインは、トランジスタＴｒ１３のドレインおよびトランジスタＴｒ１４のゲートに接続されている。トランジスタＴｒ１２のゲートには入力データｘＤinが入力され、ソースは正電源ＶＤＤ１に接続され、ドレインは、トランジスタＴｒ１４のドレインおよびトランジスタＴｒ１３のゲートに接続されている。トランジスタＴｒ１３，Ｔｒ１４のソースはそれぞれ、負電源ＶＳＳ１（＝−４．５Ｖ）に接続されている。そして、トランジスタＴｒ１２，Ｔｒ１４の各ドレインとトランジスタＴｒ１３のゲートとの接続点から、出力データＤoutが出力されるようになっている。
【００２９】
図５（Ｂ）に示した正電源側レベルシフト回路１３１Ｐは、ここでは、「Ｈ」レベル＝２．５Ｖ，「Ｌ」レベル＝−４．５Ｖからなる入力データＤinを入力し、その正電源側（「Ｈ」レベル側）のレベルシフト（２．５Ｖ→７Ｖのレベルシフト）を行っている。これにより、この正電源側レベルシフト回路１３１Ｐからは、「Ｈ」レベル＝７Ｖ，「Ｌ」レベル＝−４．５Ｖからなる出力データＤoutが出力されるようになっている。この正電源側レベルシフト回路１３１Ｐは、２つのＰチャネル型のトランジスタＴｒ２１，Ｔｒ２２と、２つのＮチャネル型のトランジスタＴｒ２３，Ｔｒ２４とを用いて構成されている。これらのトランジスタＴｒ２１，Ｔｒ２２，Ｔｒ２３，Ｔｒ２４もそれぞれ、電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）からなる。ここで、トランジスタＴｒ２３のゲートには入力データＤinが入力され、ソースは負電源ＶＳＳ２（＝−４．５Ｖ）に接続され、ドレインは、トランジスタＴｒ２１のドレインおよびトランジスタＴｒ２２のゲートに接続されている。トランジスタＴｒ２４のゲートには入力データｘＤinが入力され、ソースは負電源ＶＳＳ２に接続され、ドレインは、トランジスタＴｒ２２のドレインおよびトランジスタＴｒ２１のゲートに接続されている。トランジスタＴｒ２１，Ｔｒ２２のソースはそれぞれ、正電源ＶＤＤ２（＝７Ｖ）に接続されている。そして、トランジスタＴｒ２２，Ｔｒ２４の各ドレインとトランジスタＴｒ２１のゲートとの接続点から、出力データＤoutが出力されるようになっている。
【００３０】
シフトレジスタ回路１３２は、レベルシフト回路部１３１から出力されるレベルシフト後のスタートパルスＳＴＲおよびクロック信号ＣＬＫに基づいて、Ｖ方向に順次シフトするパルス信号を生成する回路である。バッファ回路１３３は、各シフトレジスタ回路１３２から出力されるパルス信号に対するバッファとして機能する回路である。
【００３１】
Ａ／Ｄ変換部１４は、図１に示したように、複数（ここでは４つ）の信号線Ｌsigごとに１つ設けられた複数の列選択部１７を有しており、信号線Ｌsigを介して入力した信号電圧に基づいてＡ／Ｄ変換（アナログ／デジタル変換）を行うものである。また、各列選択部１７は、例えば、アンプ、容量素子（コンデンサ）、スイッチ、サンプルホールド（Ｓ／Ｈ）回路、水平選択スイッチおよびＡ／Ｄコンバータ等（いずれも図示せず）を含んで構成されている。このような構成によりＡ／Ｄ変換部１４では、デジタル信号からなる出力データ（撮像信号）が生成され、外部へ出力されるようになっている。
【００３２】
列走査部１５は、例えばシフトレジスタやアドレスデコーダ等を含んで構成されており、上記した列選択部１７内の各水平選択スイッチ（図示せず）を走査しつつ順番に駆動するものである。この列走査部１５による選択走査により、信号線Ｌsigの各々を通して伝送される各画素２０の信号（上記した撮像信号）が順番に出力されるようになっている。
【００３３】
システム制御部１６は、周辺回路３２（行走査部１３、Ａ／Ｄ変換部１４および列走査部１５）の動作を制御するものである。具体的には、システム制御部１６は、各種のタイミング信号を生成するタイミングジェネレータを有しており、このタイミングジェネレータにおいて生成される各種のタイミング信号を基に、行走査部１３、Ａ／Ｄ変換部１４および列走査部１５の駆動制御を行う。このようにして、システム制御部１６の制御に基づいて、行走査部１３、Ａ／Ｄ変換部１４および列走査部１５がそれぞれ撮像部１１内の複数の画素２０に対する撮像駆動（順次走査）を行うことにより、撮像部１１から出力データ（撮像信号）が取得されるようになっている。
【００３４】
［放射線撮像装置１の作用・効果］
（１．基本動作）
この放射線撮像装置１では、図２および図６（Ａ）に示したように、所定の放射線源５１（例えばＸ線源）から照射された放射線Ｒradが撮像部１１へ入射すると、この放射線Ｒradは、波長変換層１１４において可視光に変換される。この可視光は、例えば図２（Ａ）に示した光電変換層１１１（図３に示した各画素２０内の光電変換素子２１）において、信号電荷に変換（光電変換）される。この光電変換によって発生した電荷により、蓄積ノードＮでは蓄積ノード容量に応じた電圧変化が生じる。具体的には、蓄積ノード容量をＣｓ、発生した電荷をｑとすると、蓄積ノードＮでは（ｑ／Ｃｓ）の分だけ電圧が低下する。このような電圧変化に応じて、トランジスタ２２のドレインには入力電圧Ｖin（光電変換素子２１で発生した信号電荷）が印加される。このトランジスタ２２へ供給される入力電圧Ｖinは、読み出し制御線Ｌreadから供給される行走査信号に応じてトランジスタ２２がオン状態になると、その電荷が信号線Ｌsigへ出力される（読み出される）。
【００３５】
なお、例えば図２（Ｂ）に示した構成の撮像部１１の場合には、波長変換層１１４から出射された可視光は、縮小光学系１１３を介して各画素内の撮像素子１１２へ入射することにより、信号電荷が信号線Ｌsigへ出力される。
【００３６】
このようにして読み出された信号は、信号線Ｌsigを介して複数（ここでは４つ）の画素列ごとに、Ａ／Ｄ変換部１４内の列選択部１７へ入力される。列選択部１７では、各信号線Ｌsigからアンプ（図示せず）を介して入力される信号電圧ごとにＡ／Ｄ変換を行い、デジタル信号からなる出力データ（撮像信号）を生成する。このようにして、各列選択部１７から撮像信号が順番に出力され、外部へ伝送される。
【００３７】
（２．放射線の照射に起因した周辺回路の特性劣化について）
ところで、このような放射線撮像装置１では、図６（Ｂ）（図６（Ａ）中の符号Ｐ１で示した領域付近の拡大図）に示したように、撮像の際に、保護プレート１８を介して撮像領域３１側へ入射した放射線Ｒradの一部が、周辺回路３２へ入射する場合がある。具体的には、放射線源５１から周辺回路３２へ直接入射する放射線Ｒrad1と、被写体５１内で散乱された後に周辺回路３２へ入射する放射線Ｒrad2とが存在し得る。このように、周辺回路３２上には放射線遮蔽板１９が配設されているにも関わらず、撮像の際に放射線Ｒradが周辺回路３２へ入射してしまう場合がある。
【００３８】
このようにして放射線Ｒradが周辺回路３２へ入射すると、回路内の素子（ＴＦＴ等の半導体素子など）の特性劣化が生じ、周辺回路３２における動作不良等を引き起こすおそれがある。
【００３９】
具体的には、例えば図７に示したように、Ｎ型ＴＦＴ（図７（Ａ），（Ｂ））およびＰ型ＴＦＴ（図７（Ｃ），（Ｄ））のいずれにおいても、放射線Ｒradの照射前と比べて放射線Ｒradの照射後では、閾値電圧Ｖthの変動（Ｖthシフト）が生じてしまう（図７（Ｂ），（Ｄ）中の矢印参照）。ここで、図中の縦軸に示したＩｄｓは、ＴＦＴのソース・ドレイン間の電流を表し、横軸に示したＶｇｓは、ＴＦＴのゲート・ソース間に印加される電圧を意味している。なお、図７（Ａ），（Ｂ）中に示した複数種類のデータはそれぞれ、撮像部１１内の複数の位置でのデータに対応する。また、図７（Ｂ），（Ｄ）中に示した複数種類のデータは、照射する放射線Ｒradの大きさを変化させた場合の各データ（２１０，２５０，３０４，３８３，５００Ｇｙの５種類のデータ）に対応する。
【００４０】
また、この図７（Ａ）〜（Ｄ）に示したデータからは、以下のことも分かる。すなわち、図７（Ｂ），（Ｄ）中に示した矢印を参照すると、Ｎ型ＴＦＴと比べてＰ型ＴＦＴのほうが、放射線Ｒradが照射されたときの閾値電圧Ｖthの変動量が大きい（特性劣化の度合いが大きい）ことが分かる。このことは、Ｐ型ＴＦＴと比べてＮ型ＴＦＴのほうが、放射線耐性が高い傾向にあるということである。
【００４１】
（２−１．比較例）
ここで、図８に示した比較例に係る行走査部（行走査部１０３）では、図４に示した本実施の形態の行走査部１３とは異なり、シフトレジスタ回路１３２とバッファ回路１３３との間に、複数のレベルシフト回路１０１を含むレベルシフト回路部１００が配設されている。すなわち、行走査部１０３では行走査部１３と比べ、放射線耐性が相対的に低い回路（レベルシフト回路部１００）の配置が、撮像領域３１に近くなっている。
【００４２】
このため、比較例の行走査回路１０３では、撮像の際にレベルシフト回路部１００内に放射線Ｒradが入射し易くなり、各レベルシフト回路１０１内のトランジスタ（ＴＦＴ）における特性劣化（上記したＶthシフト）が生じ易くなる。その結果、比較例の行走査回路１０３では、レベルシフト回路部１００での動作不良（誤動作等）が生じ易くなってしまう。
【００４３】
（２−２．本実施の形態）
これに対して本実施の形態では、例えば図４に示した行走査回路１３のような回路配置となっている。すなわち、この行走査回路１３では、放射線耐性が相対的に高いデジタル回路（バッファ回路１３３およびシフトレジスタ回路１３２）よりも、放射線耐性が相対的に低いアナログ回路（レベルシフト回路部１３１）のほうが、撮像領域３１から遠い位置に配設されている。
【００４４】
これにより本実施の形態では、行走査回路１３に対して放射線Ｒradが入射した場合であっても、上記比較例と比べ、この放射線Ｒradによる回路への悪影響（例えば、レベルシフト回路部１３１内のトランジスタ（ＴＦＴ）の特性劣化（Ｖthシフト等））が抑えられる。その結果、行走査回路１３では、行走査回路１０３と比べ、レベルシフト回路部１３１での動作不良（誤動作等）が生じ難くなる（望ましくは、動作不良が回避される）。
【００４５】
また、特に本実施の形態の行走査回路１３では、図４に示したように、レベルシフト回路部１３１内において、放射線耐性が相対的に低い負電源側レベルシフト回路１３１Ｍが、放射線耐性が相対的に高い正電源側レベルシフト回路１３１Ｐよりも、撮像領域３１から遠い位置に配設されている。これにより本実施の形態では、上記した放射線Ｒradによる回路への悪影響がより抑えられ、動作不良が更に生じ難くなる。
【００４６】
ここで、負電源側レベルシフト回路１３１Ｍのほうが正電源側レベルシフト回路１３１Ｐよりも放射線耐性が低いのは、前述したＰ型ＴＦＴとＮ型ＴＦＴとの放射線耐性（Ｖthシフトの態様）の相違に起因している。すなわち、まず、図５（Ａ）に示した負電源側レベルシフト回路１３１Ｍでは、安定動作を実現するには以下の（１）式を満たす必要がある。ところが、図７（Ｂ），（Ｄ）に示したように、放射線Ｒradの照射によるＶthシフトの際に、Ｎ型ＴＦＴではＩｄｓ（Ｉｎに対応）が増加するのに対し、Ｐ型ＴＦＴではＩｄｓ（Ｉｐに対応）が減少してしまう（図中の２重線矢印参照）。このことから、放射線Ｒradが入射すると、負電源側レベルシフト回路１３１Ｍでは、以下の（１）式が成り立ち難い方向（安定動作がし難くなる方向）へと動作状態が変化することになり、放射線耐性が相対的に低いと言える。なお、これに対して正電源側レベルシフト回路１３１Ｐでは、放射線Ｒradが入射してＩｎが増加すると共にＩｐが減少すると、逆に、安定動作がし易い方向へと動作状態が変化するため、放射線耐性が相対的に高いと言える。
【００４７】
Ｎ型のトランジスタＴｒ１３，Ｔｒ１４におけるソース・ドレイン間電流Ｉｎ（ゲートバイアス＝２．５＋４．５Ｖ＝７Ｖのとき）＜Ｐ型のトランジスタＴｒ１１，Ｔｒ１２におけるソース・ドレイン間電流Ｉｐ（ゲートバイアス＝−２．５Ｖのとき）  ……（１）
【００４８】
以上のように本実施の形態では、撮像部１１の外縁領域に配設された周辺回路３２（ここではそのうちの行走査回路１３）が、放射線耐性が相対的に高いデジタル回路（バッファ回路１３３およびシフトレジスタ回路１３２）と、このデジタル回路よりも撮像部１１から遠い位置に配設され、放射線耐性が相対的に低いアナログ回路（レベルシフト回路部１３１）とを有している。したがって、放射線Ｒradによる周辺回路３２への悪影響を抑えることができ、放射線Ｒradに対する耐性を向上させることが可能となる（周辺回路３２における動作不良等を低減もしくは回避することが可能となる）。
【００４９】
＜変形例＞
続いて、上記実施の形態の変形例（変形例１，２）について説明する。なお、実施の形態における構成要素と同一のものには同一の符号を付し、適宜説明を省略する。
【００５０】
［変形例１］
図９は、変形例１に係る行走査部（行走査部１３Ａ）のブロック構成例を表したものである。本変形例の行走査部１３Ａ内では、行走査部１３と同様に、撮像部１１（撮像領域３１）側から、バッファ回路１３３、シフトレジスタ回路１３２およびレベルシフト回路部１３１Ａの順に配設されている。すなわち、放射線耐性が相対的に高いデジタル回路（バッファ回路１３３およびシフトレジスタ回路１３２）よりも、放射線耐性が相対的に低いアナログ回路（レベルシフト回路部１３１Ａ）のほうが、撮像領域３１から遠い位置に配設されている。
【００５１】
ただし、本変形例のレベルシフト回路部１３１Ａ内では、正電源側レベルシフト回路１３１Ｐと負電源側レベルシフト回路１３１Ｍとの配置関係が、実施の形態のレベルシフト回路部１３１とは逆になっている。すなわち、レベルシフト回路部１３１Ａ内では、放射線耐性が相対的に低い負電源側レベルシフト回路１３１Ｍが、放射線耐性が相対的に高い正電源側レベルシフト回路１３１Ｐよりも、撮像領域３１から近い位置に配設されている。このような構成のレベルシフト回路部１３１Ａでは、入力されたスタートパルス信号ＳＴＲおよびクロック信号ＣＬＫに対してそれぞれ、正電源側レベルシフト回路１３１Ｐによる正電源側のレベルシフトと、負電源側レベルシフト回路１３１Ｍによる負電源側のレベルシフトとを、この順序で行うようになっている。
【００５２】
このように、放射線耐性が相対的に高い回路（バッファ回路１３３およびシフトレジスタ回路１３２）よりも、放射線耐性が相対的に低い回路（レベルシフト回路部１３１Ａ）のほうが撮像領域３１から遠い位置に配設されているのであれば、相対的に低い回路（ここではレベルシフト回路部１３１Ａ）内での回路配置は、任意に設定してもよい。ただし、この相対的に低い回路内においても、実施の形態のレベルシフト回路部１３１のように、放射線耐性の高低に応じた回路配置に設定したほうが望ましい。放射線Ｒradによる周辺回路への悪影響をより抑えることができるからである。
【００５３】
［変形例２］
図１０および図１１はそれぞれ、変形例２に係る行走査部（行走査部１３Ｂ，１３Ｃ）のブロック構成例を表したものである。
【００５４】
まず、図１０に示した行走査部１３Ａ内では、行走査部１３とは異なり、撮像部１１（撮像領域３１）側から、バッファ回路１３３、正電源側レベルシフト回路１３１Ｐ、シフトレジスタ回路１３２および負電源側レベルシフト回路１３１Ｍの順に配設されている。すなわち、２つのデジタル回路（バッファ回路１３３（第１のデジタル回路）およびシフトレジスタ回路１３２（第２のデジタル回路））の間に、正電源側レベルシフト回路１３１Ｐが配置されている。
【００５５】
ただし、この行走査部１３Ａ内においても、放射線耐性が相対的に高いデジタル回路（第１の回路；ここではバッファ回路１３３）よりも、放射線耐性が相対的に低いアナログ回路（正電源側レベルシフト回路１３１Ｐおよび負電源側レベルシフト回路部１３１Ｍ）のほうが、撮像領域３１から遠い位置に配設されている。また、放射線耐性が相対的に低い負電源側レベルシフト回路１３１Ｍが、放射線耐性が相対的に高い正電源側レベルシフト回路１３１Ｐよりも、撮像領域３１から遠い位置に配設されている。
【００５６】
一方、図１１に示した行走査部１３Ｃは、上記した行走査部１３Ｂにおいて、複数のＡＮＤ（論理積）回路１３４（論理回路）と、２つの負電源側レベルシフト回路１３１Ｍとを更に有している。追加された２つの負電源側レベルシフト回路１３１Ｍは、イネーブル信号ＥＮＢ１，ＥＮＢ２の負電源側のレベルシフトを行う回路である。ＡＮＤ回路１３４における一方の入力端子には、負電源側レベルシフト回路１３１Ｍから出力されるレベルシフト後のイネーブル信号ＥＮＢ１またはイネーブル信号ＥＮＢ２が入力され、他方の入力端子には、シフトレジスタ回路１３２から出力されるパルス信号が入力される。そして、各ＡＮＤ回路１３４からの出力信号は、正電源側レベルシフト回路１３１Ｐを介してバッファ回路１３３へ入力されるようになっている。これにより行走査部１３Ｃでは、２種類のイネーブル信号ＥＮＢ１，ＥＮＢ２に応じて、Ｖ方向の走査パルスの制御を行うことが可能となっている。
【００５７】
このように行走査部１３Ｃ内では、撮像部１１（撮像領域３１）側から、バッファ回路１３３、正電源側レベルシフト回路１３１Ｐ、ＡＮＤ回路１３４、シフトレジスタ回路１３２および負電源側レベルシフト回路１３１Ｍの順に配設されている。すなわち、２種類のデジタル回路の間（バッファ回路１３３（第１のデジタル回路）と、ＡＮＤ回路１３４およびシフトレジスタ回路１３２（第２のデジタル回路）との間）に、正電源側レベルシフト回路１３１Ｐが配置されている。
【００５８】
この行走査部１３Ｃ内においても、放射線耐性が相対的に高いデジタル回路（バッファ回路１３３）よりも、放射線耐性が相対的に低いアナログ回路（正電源側レベルシフト回路１３１Ｐおよび負電源側レベルシフト回路部１３１Ｍ）のほうが、撮像領域３１から遠い位置に配設されている。また、放射線耐性が相対的に低い負電源側レベルシフト回路１３１Ｍが、放射線耐性が相対的に高い正電源側レベルシフト回路１３１Ｐよりも、撮像領域３１から遠い位置に配設されている。
【００５９】
このような構成の行走査部１３Ｂ，１３Ｃを用いた本変形例においても、上記実施の形態と同様の作用により同様の効果を得ることが可能である。
【００６０】
＜適用例＞
続いて、上記実施の形態および各変形例（変形例１，２）に係る放射線撮像装置の放射線撮像表示システムへの適用例について説明する。
【００６１】
図１２は、適用例に係る放射線撮像表示システム（放射線撮像表示システム５）の概略構成例を模式的に表したものである。この放射線撮像表示システム５は、上記実施の形態等に係る放射線撮像装置（ここでは総称して、放射線撮像装置１とする）と、画像処理部５２と、表示装置４とを備えている。
【００６２】
画像処理部５２は、放射線撮像装置１から出力される出力データＤout（撮像信号）に対して所定の画像処理を施すことにより、画像データＤ１を生成するものである。表示装置４は、画像処理部５２において生成された画像データＤ１に基づく画像表示を、所定のモニタ画面４０上で行うものである。
【００６３】
この放射線撮像表示システム５では、放射線撮像装置１が、放射線源（例えばＸ線源）５１から被写体５０に向けて照射された放射線に基づき、被写体５０の画像データＤoutを取得し、画像処理部５２へ出力する。画像処理部５２は、入力された画像データＤoutに対して上記した所定の画像処理を施し、その画像処理後の画像データ（表示データ）Ｄ１を表示装置４へ出力する。表示装置４は、入力された画像データＤ１に基づいて、モニタ画面４０上に画像情報（撮像画像）を表示する。
【００６４】
本適用例の撮像表示システム５では、放射線撮像装置１において被写体５０の画像を電気信号として取得可能であるため、取得した電気信号を表示装置４へ伝送することで、画像表示を行うことができる。すなわち、従来のような放射線写真フィルムを用いることなく、被写体５０の画像を観察することが可能となり、また、動画撮影および動画表示にも対応することが可能となる。
【００６５】
＜その他の変形例＞
以上、実施の形態、変形例および適用例を挙げて本技術を説明したが、本技術はこれらの実施の形態等に限定されず、種々の変形が可能である。
【００６６】
例えば、撮像部における画素の回路構成は、上記実施の形態等で説明したもの（画素２０の回路構成）には限られず、他の回路構成であってもよい。すなわち、例えば図１３（Ａ），（Ｂ）に示した画素２０Ａ（いわゆるアクティブ型の画素）のように、画素２０Ａ内に、所定のソースフォロワ回路が設けられているようにしてもよい。具体的には、このアクティブ型の画素２０Ａには、１つの光電変換素子２１と、３つのトランジスタ２２，２３，２４とが設けられている。この画素２０にはまた、行方向（Ｈ方向）に沿って延在する読み出し制御線Ｌread、リセット制御線Ｌrstおよび電源線ＶＤＤと、列方向（Ｖ方向）に沿って延在する信号線Ｌsig、バイアス線Ｌbiasおよびリセット電源線Ｖrstとが接続されている。この画素２０Ａでは、トランジスタ２２のゲートが読み出し制御線Ｌreadに接続され、ソースが信号線Ｌsigに接続され、ドレインが、ソースフォロワ回路を構成するトランジスタ２３のドレインに接続されている。トランジスタ２３のソースは電源線ＶＤＤに接続され、ゲートは、光電変換素子２１のカソード（図１３（Ａ））またはアノード（図１３（Ｂ））（蓄積ノードＮ）と、リセットトランジスタとして機能するトランジスタ２４のドレインとに接続されている。このトランジスタ２４のゲートはリセット制御線Ｌrstに接続され、ソースはリセット電源線Ｖrstに接続されている。光電変換素子２１のアノード（図１３（Ａ））またはカソード（図１３（Ｂ））は、バイアス線Ｌbiasに接続されている。
【００６７】
また、上記実施の形態等では、放射線耐性が相対的に高い回路（第１の回路）および相対的に低い回路（第２の回路）の一例として、それぞれ、デジタル回路（シフトレジスタ回路、論理回路およびバッファ回路のうちの少なくとも１つ）およびアナログ回路（レベルシフト回路）を挙げて説明したが、これには限られない。ここで、一般的に、アナログ回路と比べてデジタル回路において放射線耐性が相対的に高いのは、以下の理由によるものである。すなわち、まず、デジタル回路（論理回路やバッファ回路等）では、その入力電圧が電源電圧Ａ（Ｖ）あるいは接地電圧（０Ｖ）の２値であることから、トランジスタにおけるゲート・ソース間電圧Ｖｇｓもまた、０（Ｖ）または電源電圧Ａ（Ｖ）となる（Ｐ型のトランジスタの場合、−Ａ（Ｖ））。したがって、例えばバッファ回路の場合において入力電圧がＡ（Ｖ）のときには、Ｐ型のトランジスタ側ではＶｇｓ＝０（Ｖ）となり、Ｎ型のトランジスタ側ではＶｇｓ＝Ａ（Ｖ）となる。このような場合において、バッファ回路が誤動作する条件は、Ｐ型のトランジスタにおけるＶｇｓ＝０（Ｖ）のときのオン抵抗が、Ｎ型のトランジスタにおけるＶｇｓ＝Ａ（Ｖ）のときのオン抵抗より低くなるというものであり、このマージンは一般に非常に高いと言える。一方、アナログ回路（レベルシフタ回路等）では、その入力電圧が電源電圧Ａ（Ｖ）と接地電圧（０Ｖ）との中間の値となることがあり、Ｐ型のトランジスタとＮ型のトランジスタとの電流差によって動作点が決定される。つまり、上記したデジタル回路のように完全にオン・オフの状態で動作しているのではなく、アナログ回路では、Ｐ型のトランジスタおよびＮ型のトランジスタの双方がオンしている状態で動作する。このため、ある時点での動作点を見ると、Ｐ型のトランジスタおよびＮ型のトランジスタにおけるＶｇｓがそれぞれ、電源電圧Ａ（Ｖ）よりも小さくなる。このようにＶｇｓの差が小さいということは、特性変動に対して大小関係（Ｖｇｓの大小関係）が逆転し易いことになるため、デジタル回路と比べてアナログ回路のほうが、一般に特性変動に対して弱い（ここでは放射線耐性が相対的に低い）ということが言えるのである。
【００６８】
更に、上記実施の形態等では、Ｐ型トランジスタおよびＮ型トランジスタの双方を用いて構成されたレベルシフト回路の回路構成を具体的に挙げて説明したが、レベルシフト回路の回路構成は、これには限られない。また、レベルシフト回路部が、正電源側のレベルシフトを行う第１のレベルシフト回路と、負電源側のレベルシフトを行う第２のレベルシフト回路とのうちの一方のみから構成されていてもよい。
【００６９】
加えて、上記実施の形態等では、放射線耐性の相対的な高低を考慮した回路配置を適用した周辺回路の一例として、複数の画素に対する順次走査を行う走査回路（行走査回路）を挙げて説明したが、そのような周辺回路としてはこれには限られない。すなわち、他の周辺回路（Ａ／Ｄ変換部や列選択部、列走査部等）において、上記実施の形態と同様の手法を用いて、放射線耐性の相対的な高低を考慮した回路配置を行うようにしてもよい。
【００７０】
また、上記実施の形態等では、撮像部内に波長変換層（放射線を可視光に波長変換する層）を設けた放射線撮像装置（いわゆる間接型の放射線撮像装置）を例に挙げて説明したが、これには限られない。すなわち、撮像部内にそのような波長変換層を設けないようにした放射線撮像装置（いわゆる直接型の放射線撮像装置）においても、本技術を適用することが可能である。
【００７１】
更に、上記実施の形態等で説明した撮像部および周辺回路はそれぞれ、例えば同一基板上に形成されているようにしてもよい。具体的には、例えば低温多結晶シリコン（Ｓｉ）などの多結晶半導体を用いることにより、これらの回路部分におけるスイッチ等も同一基板上に形成することができるようになる。このため、例えば外部のシステム制御部からの制御信号に基づいて、同一基板上における駆動動作を行うことが可能となる。
【００７２】
加えて、上記実施の形態等では、放射線撮像装置の適用例として放射線撮像表示システムを挙げて説明したが、これには限られない。すなわち、上記実施の形態等の放射線撮像装置は、例えば医療機器（Digital Radiography等のＸ線撮像装置）や、空港等で用いられる携帯物検査用Ｘ線撮影装置、工業用Ｘ線撮像装置（例えば、コンテナ内の危険物等の検査や、鞄等の中身の検査を行う装置）などにも適用することが可能である。
【００７３】
なお、本技術は以下のような構成を取ることも可能である。
（１）
入射した放射線に応じて電気信号を発生する複数の画素を有する撮像部と、
前記撮像部の外縁領域に配設された周辺回路と
を備え、
前記周辺回路は、
放射線耐性が相対的に高い第１の回路と、
前記第１の回路よりも前記撮像部から遠い位置に配設され、放射線耐性が相対的に低い第２の回路と
を有する放射線撮像装置。
（２）
前記第１の回路がデジタル回路であり、前記第２の回路がアナログ回路である
上記（１）に記載の放射線撮像装置。
（３）
前記アナログ回路が、レベルシフト回路である
上記（２）に記載の放射線撮像装置。
（４）
前記レベルシフト回路が、
正電源側のレベルシフトを行う第１のレベルシフト回路と、
負電源側のレベルシフトを行う第２のレベルシフト回路とからなる
上記（３）に記載の放射線撮像装置。
（５）
前記第２のレベルシフト回路が、前記第１のレベルシフト回路よりも前記撮像部から遠い位置に配設されている
上記（４）に記載の放射線撮像装置。
（６）
前記撮像部と前記第１のレベルシフト回路との間に、前記第１の回路としての第１のデジタル回路が配設され、
前記第１のレベルシフト回路と前記第２のレベルシフト回路との間に、第２のデジタル回路が配設されている
上記（５）に記載の放射線撮像装置。
（７）
前記レベルシフト回路は、Ｐ型トランジスタおよびＮ型トランジスタの双方を用いて構成されている
上記（３）ないし（６）のいずれか１項に記載の放射線撮像装置。
（８）
前記デジタル回路が、シフトレジスタ回路、論理回路およびバッファ回路のうちの少なくとも１つである
上記（２）ないし（７）のいずれか１項に記載の放射線撮像装置。
（９）
前記周辺回路が、前記複数の画素に対する順次走査を行う走査回路である
上記（１）ないし（８）のいずれか１項に記載の放射線撮像装置。
（１０）
前記撮像部は、入射した放射線に対して波長変換を行う波長変換層を有する
上記（１）ないし（９）のいずれか１項に記載の放射線撮像装置。
（１１）
前記撮像部は、光電変換層を有する
上記（１）ないし（１０）のいずれか１項に記載の放射線撮像装置。
（１２）
前記撮像部は、撮像素子と、この撮像素子の撮像面側に配設された縮小光学系とを有する
上記（１）ないし（１０）のいずれか１項に記載の放射線撮像装置。
（１３）
前記放射線がＸ線である
上記（１）ないし（１２）のいずれか１項に記載の放射線撮像装置。
（１４）
放射線撮像装置と、この放射線撮像装置により得られた撮像信号に基づく画像表示を行う表示装置とを備え、
前記放射線撮像装置は、
入射した放射線に応じて電気信号を発生する複数の画素を有する撮像部と、
前記撮像部の外縁領域に配設された周辺回路と
を備え、
前記周辺回路は、
放射線耐性が相対的に高い第１の回路と、
前記第１の回路よりも前記撮像部から遠い位置に配設され、放射線耐性が相対的に低い第２の回路と
を有する放射線撮像表示システム。
【符号の説明】
【００７４】
１…放射線撮像装置、１０…基板、１１…撮像部、１１１…光電変換層、１１２…撮像素子、１１３…縮小光学系、１１４…波長変換層、１３，１３Ａ，１３Ｂ，１３Ｃ…行走査部、１３１，１３１Ａ…レベルシフト回路部、１３１Ｐ…正電源側レベルシフト回路（＋側 Ｌ／Ｓ）、１３１Ｍ…負電源側レベルシフト回路（−側 Ｌ／Ｓ）、１３２…シフトレジスタ回路（Ｓ／Ｒ）、１３３…バッファ回路、１３４…ＡＮＤ回路（論理回路）、１４…Ａ／Ｄ変換部、１５…列選択部、１６…システム制御部、１７…列選択部、１８…保護プレート、１９…放射線遮蔽板、２０，２０Ａ…画素（撮像画素）、２１…光電変換素子、２２，２３，２４…トランジスタ、３１…撮像領域、３２…周辺回路、４…表示装置、４０…モニタ画面、５…撮像表示システム、５０…被写体、５１…放射線源、５２…画像処理部、ＶＤＤ…電源線、ＶＤＤ１，ＶＤＤ２…正電源、ＶＳＳ１，ＶＳＳ２…負電源、Ｖrst…リセット電源線、Ｖin…入力電圧、Ｌrst…リセット制御線、Ｌread…読み出し制御線、Ｌsig…信号線、Ｌbias…バイアス線、ＳＴＲ…スタートパルス信号、ＣＬＫ…クロック信号、ＥＮＢ１，ＥＮＢ２…イネーブル信号、Ｄin，ｘＤin…入力データ、Ｄout…出力データ、Ｄ１…撮像信号、Ｎ…蓄積ノード、Ｃ１…容量素子、Ｒrad，Ｒrad1，Ｒrad2…放射線。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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