(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体装置用のリードフレームにおいて、
それぞれ半導体素子を載置するダイパッドと、ダイパッドの周囲に設けられた複数のリード部とを含む、複数のリードフレーム要素を備え、
隣接するリードフレーム要素間において、対応する一対のリード部がコネクティングバーを介して連結され、
コネクティングバーは、リード部の長手方向に対して直交して延び、かつ対応する一対のリード部間に位置する複数のリード連結部と、リード連結部間に位置する複数の補強部とを有し、
コネクティングバーのリード連結部は、リード部より薄肉となる薄肉断面を有し、補強部は、リード部と同一厚みとなる断面を有し、
リード連結部の薄肉部分の幅は、コネクティングバーの幅と等しく、コネクティングバーの幅方向両端部は、それぞれ直線状に延びるとともに、リード連結部の薄肉部分の幅方向両端部と一致し、
補強部の垂直断面形状は、台形形状からなり、
コネクティングバーのリード連結部全体が、リード部より薄肉となる薄肉断面を有し、リード連結部の薄肉部分は、補強部の裏面側まで部分的に延びていることを特徴とするリードフレーム。
【請求項２】
補強部の裏面形状は、円形、楕円形、矩形、小判形、または多角形からなることを特徴とする請求項１記載のリードフレーム。
【請求項３】
請求項１または２記載のリードフレームを製造するリードフレームの製造方法において、
金属基板を準備する工程と、
金属基板の表裏に、それぞれエッチング用レジスト層を形成する工程と、
エッチング用レジスト層を耐腐蝕膜として金属基板の表裏にエッチングを施すことにより、金属基板に、それぞれ半導体素子を載置するダイパッドと、ダイパッドの周囲に設けられた複数のリード部とを含む、複数のリードフレーム要素を形成する工程と、
金属基板の表裏から、それぞれエッチング用レジスト層を除去する工程とを備え、
複数のリードフレーム要素を形成する工程において、コネクティングバーのリード連結部には、ハーフエッチングによりリード部より薄肉となる薄肉断面が形成され、かつ補強部には、エッチングが施されることなくリード部と同一厚みとなる断面が形成され、リード連結部の薄肉部分の幅は、コネクティングバーの幅と等しく、コネクティングバーの幅方向両端部は、それぞれ直線状に延びるとともに、リード連結部の薄肉部分の幅方向両端部と一致し、補強部の垂直断面形状は、台形形状からなり、
コネクティングバーのリード連結部全体が、リード部より薄肉となる薄肉断面を有し、リード連結部の薄肉部分は、補強部の裏面側まで部分的に延びていることを特徴とするリードフレームの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置用のリードフレームおよびこのようなリードフレームの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、薄型の半導体装置（半導体パッケージ）として、例えばＱＦＮ（Quad Flat Non-leaded package）タイプのものや、ＳＯＮ（Small Outline Non-leaded Package）タイプのもの等が知られている。
【０００３】
このうちＱＦＮタイプの半導体装置の製造方法としては、コストダウンの観点から、個別モールドタイプから一括モールドタイプ（ＭＡＰ型ＱＦＮタイプ）へと移行してきている。
【０００４】
ＭＡＰ型ＱＦＮタイプの半導体装置は、その製造工程において、パッケージを単体に切り離すソーイング加工を行うが、このときにメタルバリが発生することが問題となっている。メタルバリが発生した場合、切断後の半導体装置において、互いに隣接するリード部同士が短絡してしまうおそれがある。このため、ソーイング加工時に生じるバリを少なくすることが求められており、例えば、コネクティングバー（グリッドリード）にハーフエッチング加工を施す技術が存在する（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００１−３２０００７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで近年、ＱＦＮタイプの半導体装置の多ピン化が進んでおり、このため、従来のものよりも大型のパッケージが用いられてきている。しかしながら、上述した従来のＱＦＮタイプの半導体装置においては、コネクティングバーにハーフエッチング加工を施したことにより、コネクティングバーの強度が不足してしまう。このため、とりわけリード部周囲でコネクティングバーに変形が生じるおそれがある。
【０００７】
本発明はこのような点を考慮してなされたものであり、ソーイング加工時におけるバリの発生を抑えつつ、コネクティングバーの変形を防止することが可能なリードフレームおよびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、半導体装置用のリードフレームにおいて、それぞれ半導体素子を載置するダイパッドと、ダイパッドの周囲に設けられた複数のリード部とを含む、複数のリードフレーム要素を備え、隣接するリードフレーム要素間において、対応する一対のリード部がコネクティングバーを介して連結され、コネクティングバーは、リード部の長手方向に対して直交して延び、かつ対応する一対のリード部間に位置する複数のリード連結部と、リード連結部間に位置する複数の補強部とを有し、コネクティングバーのリード連結部は、リード部より薄肉となる薄肉断面を有し、補強部は、リード部と同一厚みとなる断面を有することを特徴とするリードフレームである。
【０００９】
本発明は、コネクティングバーのリード連結部全体が、リード部より薄肉となる薄肉断面を有することを特徴とするリードフレームである。
【００１０】
本発明は、補強部の裏面形状は、円形、楕円形、矩形、小判形、または多角形からなることを特徴とするリードフレームである。
【００１１】
本発明は、補強部の垂直断面形状は、矩形形状からなることを特徴とするリードフレームである。
【００１２】
本発明は、補強部の垂直断面形状は、台形形状からなることを特徴とするリードフレームである。
【００１３】
本発明は、リードフレームを製造するリードフレームの製造方法において、金属基板を準備する工程と、金属基板の表裏に、それぞれエッチング用レジスト層を形成する工程と、エッチング用レジスト層を耐腐蝕膜として金属基板の表裏にエッチングを施すことにより、金属基板に、それぞれ半導体素子を載置するダイパッドと、ダイパッドの周囲に設けられた複数のリード部とを含む、複数のリードフレーム要素を形成する工程と、金属基板の表裏から、それぞれエッチング用レジスト層を除去する工程とを備え、複数のリードフレーム要素を形成する工程において、コネクティングバーのリード連結部には、ハーフエッチングによりリード部より薄肉となる薄肉断面が形成され、かつ補強部には、エッチングが施されることなくリード部と同一厚みとなる断面が形成されることを特徴とするリードフレームの製造方法である。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、コネクティングバーのリード連結部は、リード部より薄肉となる薄肉断面を有しているので、ソーイング加工時にリード部に生じるバリの量を抑えることができる。また、コネクティングバーのうち、とりわけ変形が生じやすい箇所である補強部は、リード部と同一厚みとなる断面を有しているので、コネクティングバーの強度を高めるとともに、コネクティングバーの変形を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の一実施の形態によるリードフレームを示す平面（表面）図。
【図２】本発明の一実施の形態によるリードフレームを示す底面（裏面）図。
【図３】本発明の一実施の形態によるリードフレームを示す部分拡大底面図であって、図２のIII部拡大図。
【図４】本発明の一実施の形態によるリードフレームのリード連結部における垂直断面図であって、図１のIV−IV線断面図。
【図５】本発明の一実施の形態によるリードフレームの補強部における垂直断面図であって、図１のＶ−Ｖ線断面図。
【図６】リードフレームを用いて作製された半導体装置の一実施の形態を示す断面図。
【図７】本発明の一実施の形態によるリードフレームの製造方法を示す断面図であって、図１のVII−VII線断面に対応する図。
【図８】半導体装置の製造方法を示す断面図。
【図９】本発明の変形例によるリードフレームを示す断面図。
【図１０】本発明の変形例による半導体装置を示す断面図。
【図１１】本発明の変形例によるリードフレームを示す部分拡大底面図。
【図１２】本発明の変形例によるリードフレームを示す部分拡大底面図。
【図１３】本発明の変形例によるリードフレームを示す部分拡大底面図。
【図１４】本発明の変形例によるリードフレームを示す部分拡大底面図。
【図１５】本発明の変形例によるリードフレームの補強部における垂直断面図。
【図１６】本発明の変形例によるリードフレームを示す部分拡大底面図。
【図１７】本発明の変形例によるリードフレームを示す部分拡大底面図。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明の一実施の形態について、図１乃至図８を参照して説明する。
【００１７】
リードフレームの構成
まず、図１乃至図５により、本実施の形態によるリードフレームの概略について説明する。図１乃至図５は、本実施の形態によるリードフレームを示す図である。
【００１８】
図１乃至図５に示すリードフレーム１０は、半導体装置２０（後述）を作製するために用いられるものであり、縦横にマトリックス状に配置された複数のリードフレーム要素１４を備えている。
【００１９】
各リードフレーム要素１４は、それぞれ個々の半導体装置２０に対応する領域である。このリードフレーム要素１４は、半導体素子２１を載置するダイパッド１５と、ダイパッド１５の周囲に設けられた複数のリード部１６とを含んでいる。なお、図１および図２において、二点鎖線で囲まれた領域がそれぞれリードフレーム要素１４に対応する。
【００２０】
各ダイパッド１５は、後述する半導体素子２１を載置するためのものであり、平面正方形形状を有している。また、各リード部１６は、後述するようにボンディングワイヤ２２を介して半導体素子２１に接続されるものであり、ダイパッド１５との間に空間を介して配置されている。また図１および図３に示すように、各リード部１６は、矩形形状を有するとともにボンディングワイヤ２２に接続される先端部１６ａと、先端部１６ａより幅の狭い基端部１６ｂとを有している。
【００２１】
なお、本実施の形態において、ダイパッド１５およびリード部１６は、加工前の金属基板と同等の厚みを有している。具体的には、ダイパッド１５およびリード部１６の厚みは、半導体装置２０の構成にもよるが、０．０５ｍｍ〜０．５ｍｍとすることができる。
【００２２】
一方、リードフレーム要素１４の周囲には、複数のコネクティングバー１７が格子状に配置されている。各コネクティングバー１７の幅は、例えば０．１０ｍｍ〜０．５０ｍｍとすることができる。
【００２３】
また、各リードフレーム要素１４において、ダイパッド１５は、ダイパッド１５の角部から延びる４本の吊りリード４３と、各吊りリード４３に連結された連結部材４４とを介して、コネクティングバー１７に連結されている。
【００２４】
さらに、隣接するリードフレーム要素１４間において、対応する一対のリード部１６がコネクティングバー１７を介して連結されている。各コネクティングバー１７は、当該コネクティングバー１７に連結されたリード部１６の長手方向に対して直交して延びている。
【００２５】
本実施の形態において、図２乃至図５に示すように、各コネクティングバー１７は、複数のリード連結部１８と、リード連結部１８間に位置する複数の補強部１９とを有している。
【００２６】
このうち各リード連結部１８は、隣接するリードフレーム要素１４同士の間であって、対応する一対のリード部１６の間に位置している。例えば図３において、リード連結部１８は、上下に配置された一対のリード部１６間に配置されている。
【００２７】
また、各補強部１９は、隣接するリード連結部１８同士の間に位置している。図２および図３に示すように、これらリード連結部１８および補強部１９は、コネクティングバー１７の長手方向に沿って、交互に配置されている。
【００２８】
本実施の形態において、コネクティングバー１７のうちリード連結部１８は、リード部１６より薄肉となる薄肉断面を有している。すなわち図４に示すように、コネクティングバー１７のうちリード連結部１８には、底面（裏面）側からハーフエッチング加工が施されており、その厚みがリード部１６より薄くなっている。具体的には、リード連結部１８の厚みｔ１は、例えば０．０２５ｍｍ〜０．２５ｍｍとすることができる。
【００２９】
この場合、各リード連結部１８の全体がリード部１６より薄肉に形成されている。しかしながら、これに限らず、各リード連結部１８の一部分をリード部１６より薄肉とし、それ以外の部分をリード部１６と同一の厚みとしても良い。
【００３０】
一方、補強部１９には、ハーフエッチング加工が施されておらず、リード部１６と同一厚みとなる垂直断面を有している。すなわち、補強部１９の厚みｔ２（図５）は上述したリード部１６の厚みと同様であり、例えば０．０５ｍｍ〜０．５ｍｍとすることができる。また図５に示すように、補強部１９の垂直断面形状は矩形形状からなっており、補強部１９の幅は、その表面側と裏面側とで互いに同一である。なお、リードフレームをウェットエッチングで加工した場合、リードフレームの表面と裏面は平面であるが、側面は正確には表面と裏面の中間位置に稜線状の凸部を持った、金属側にえぐれた形状となり、補強部１９の垂直断面は、表裏の面が直線で現わされ、左右の側面はそれぞれ、各々金属側に凹の２本の弧の組み合わせで表現された断面図形となる。このような断面図形を含めて表面側の幅と裏面側の幅が等しい場合を矩形形状と表現する。
【００３１】
さらに、図３に示すように、各補強部１９の裏面形状は六角形からなっている。すなわち補強部１９の裏面は、一対の直線状部分１９ａと、直線状部分１９ａの両端に位置する一対の山形状部分１９ｂとを有している。
【００３２】
なお、図２および図３の底面（裏面）図において、ハーフエッチング加工が施された箇所を斜線で示している。他方、図１の平面（表面）図に示すように、リードフレーム１０表面側にはハーフエッチング加工は施されておらず、ダイパッド１５の表面とリード部１６の表面は、同一平面上に位置している。
【００３３】
このようなリードフレーム１０は、１枚の金属基板をエッチング加工することにより形成されたものである。リードフレーム１０の材料としては、例えば銅、銅合金、４２合金（Ｎｉ４２％のＦｅ合金）等を挙げることができる。
【００３４】
半導体装置の構成
次に、図６により、本実施の形態によるリードフレームを用いて作製された半導体装置について説明する。図６は、半導体装置を示す断面図である。
【００３５】
図６に示す半導体装置２０は、ダイパッド１５およびリード部１６と、ダイパッド１５上に載置された半導体素子２１と、リード部１６と半導体素子２１の端子部２１ａとを電気的に接続するボンディングワイヤ（導電部）２２とを備えている。
【００３６】
また、ダイパッド１５、リード部１６、半導体素子２１、およびボンディングワイヤ２２は、封止樹脂部２４によって封止されている。
【００３７】
ダイパッド１５およびリード部１６は、上述したリードフレーム１０（図１乃至図５）に含まれるものと同様であり、その構成については既に説明したので、ここでは詳細な説明は省略する。
【００３８】
半導体素子２１としては、特に限定されないが、例えば集積回路、大規模集積回路、トランジスタ、サイリスタ、ダイオード等を用いることができる。
【００３９】
また、半導体素子２１は、例えばダイボンディングペースト等の固着材２６により、ダイパッド１５上に固定されている。なお、固着材２６がダイボンディングペーストからなる場合、例えばエポキシ樹脂やシリコーン樹脂からなるものを選択することが可能である。
【００４０】
各ボンディングワイヤ２２は、例えば金等の導電性の良い材料からなり、その一端が半導体素子２１の各端子部２１ａに接続されるとともに、その他端が各リード部１６に接続されている。
【００４１】
また、封止樹脂部２４としては、例えばエポキシ樹脂やシリコーン樹脂等を用いることが可能である。
【００４２】
リードフレームの製造方法
次に、図１乃至図５に示すリードフレーム１０の製造方法について、図７（ａ）−（ｅ）を用いて説明する。図７（ａ）−（ｅ）は、本実施の形態によるリードフレームの製造方法を示す断面図であって、図１のVII−VII線断面図に対応する図である。
【００４３】
まず図７（ａ）に示すように、平板状の金属基板３１を準備する。この金属基板３１としては、上述のように銅、銅合金、４２合金（Ｎｉ４２％のＦｅ合金）等からなる金属基板を使用することができる。なお金属基板３１は、その両面に対して脱脂等を行い洗浄処理を施したものを使用することが好ましい。
【００４４】
次に、金属基板３１の表裏全体にそれぞれ感光性レジスト３２ａ、３３ａを塗布し、これを乾燥する（図７（ｂ））。なお感光性レジスト３２ａ、３３ａとしては、従来公知のものを使用することができる。
【００４５】
続いて、この金属基板３１に対してフォトマスクを介して露光し、現像することにより、所望の開口部３２ｂ、３３ｂを有するエッチング用レジスト層３２、３３を形成する（図７（ｃ））。
【００４６】
具体的には、金属基板３１の表面側において、貫通エッチングを行う部分に対応する箇所に開口部３２ｂが形成される。他方、金属基板３１の裏面側において、貫通エッチングを行う部分に加え、ハーフエッチングを行う部分（図２および図３の斜線部分）に対応する箇所に開口部３３ｂが形成される。
【００４７】
次に、エッチング用レジスト層３２、３３を耐腐蝕膜として金属基板３１に腐蝕液でエッチングを施す（図７（ｄ））。腐蝕液は、使用する金属基板３１の材質に応じて適宜選択することができる。例えば、金属基板３１として銅を用いる場合、通常、塩化第二鉄水溶液を使用し、これは金属基板３１の両面からスプレーエッチングにて行うことができる。
【００４８】
これにより金属基板３１に、それぞれ半導体素子２１を載置するダイパッド１５と、ダイパッド１５の周囲に設けられた複数のリード部１６とを含む、複数のリードフレーム要素１４が形成される。
【００４９】
またこのとき、隣接するリードフレーム要素１４同士の間に、複数のリード連結部１８と複数の補強部１９とを有するコネクティングバー１７が形成される。このうちリード連結部１８は、ハーフエッチングにより、リード部１６より薄肉となる薄肉断面となる。他方、補強部１９にはエッチングが施されないため、リード部１６と同一厚みとなる断面が形成される。
【００５０】
次いで、エッチング用レジスト層３２、３３を剥離して除去する。このようにして、図１乃至図５に示すリードフレーム１０が得られる（図７（ｅ））。
【００５１】
半導体装置の製造方法
次に、図６に示す半導体装置２０の製造方法について、図８（ａ）−（ｆ）により説明する。図８（ａ）−（ｆ）は、本実施の形態による半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【００５２】
まず、上述した工程により（図７（ａ）−（ｅ））、ダイパッド１５と、ダイパッド１５の周囲に設けられた複数のリード部１６とを備えたリードフレーム１０を作製する（図８（ａ））。
【００５３】
次に、リードフレーム１０のダイパッド１５上に、半導体素子２１を搭載する。この場合、例えばダイボンディングペースト等の固着材２６を用いて、半導体素子２１をダイパッド１５上に載置して固定する（ダイアタッチ工程）（図８（ｂ））。
【００５４】
次いで、半導体素子２１の端子部２１ａと、リードフレーム１０の各リード部１６とを、それぞれボンディングワイヤ２２によって電気的に接続する（ワイヤボンディング工程）（図８（ｃ））。
【００５５】
その後、封止樹脂部２４によりダイパッド１５、リード部１６、半導体素子２１、およびボンディングワイヤ２２とを封止する（図８（ｄ））。
【００５６】
次に、各リードフレーム要素１４間のコネクティングバー１７をソーイングすることにより、リードフレーム１０を各リードフレーム要素１４毎に分離する（図８（ｅ））。
【００５７】
このとき、まずリードフレーム１０をテープ３７上に載置して固定する。その後、例えばダイヤモンド砥石等からなるブレード３８をコネクティングバー１７の長手方向に沿って移動することにより、各リードフレーム要素１４間のコネクティングバー１７および封止樹脂部２４が切断される。なお、切断をスムーズに行うため、ブレード３８の幅はコネクティングバー１７の幅より太くすることが好ましい。
【００５８】
このようにして、図２に示す半導体装置２０を得ることができる（図８（ｆ））。
【００５９】
本実施の形態の作用効果
本実施の形態によれば、コネクティングバー１７のうち、とりわけ応力変形が生じやすい箇所である補強部１９にはハーフエッチングを施していないので、補強部１９はリード部１６と同一厚みとなる断面を有している。このことにより、コネクティングバー１７の強度が高められており、リードフレーム１０を作製する際（図７（ｄ）−（ｅ））、あるいは作製後のリードフレーム１０を保管乃至搬送する際、コネクティングバー１７がＸ方向、Ｙ方向、Ｚ方向のいずれにも変形しないようになっている。
【００６０】
他方、コネクティングバー１７のリード連結部１８は、ハーフエッチングによりリード部１６より薄肉となる薄肉断面となるように構成されている。このことにより、ソーイング加工時（図８（ｅ））に、リード部１６周囲に生じるバリの量を抑えることができる。これにより、半導体装置２０において、互いに隣接するリード部１６同士がバリによって短絡することを防止することができる。
【００６１】
とりわけ、多ピン化により半導体装置２０のパッケージサイズを大型化した場合（例えば５ｍｍ□以上とした場合）に、上述したコネクティングバー１７の変形防止およびリード部１６の短絡防止という効果を顕著に得ることができる。
【００６２】
このように本実施の形態によれば、ソーイング加工時におけるバリの発生を抑えつつ、コネクティングバー１７の変形を防止することが可能となる。
【００６３】
変形例
次に、図９乃至図１７により、本発明によるリードフレームの各種変形例について説明する。図９乃至図１７において、図１乃至図８に示す実施の形態と同一部分には同一の符号を付して、詳細な説明は省略する。
【００６４】
図９および図１０は、本実施の形態の一変形例によるリードフレーム１０Ａおよび半導体装置２０Ａを示している。図９は、リードフレーム１０Ａを示す垂直断面図であり、図１０は、リードフレーム１０Ａを用いて作製された半導体装置２０Ａを示す垂直断面図である。
【００６５】
図９および図１０において、図１乃至図８に示す実施の形態と異なり、ダイパッド１５の裏面がハーフエッチングにより薄肉化されている。また、リード部１６の先端部１６ａの裏面も、ハーフエッチングにより薄肉化されている。
【００６６】
この場合、図１０に示すように、半導体装置２０Ａにおいて、ダイパッド１５の裏面は外方に露出しておらず、封止樹脂部２４によって覆われている。このほかの構成は、図１乃至図８に示す実施の形態と略同様である。
【００６７】
図１１は、他の変形例によるリードフレーム１０Ｂを示している。図１１は、リードフレーム１０Ｂの部分拡大底面（裏面）図（図３に対応する図）である。
【００６８】
図１１に示すリードフレーム１０Ｂにおいて、コネクティングバー１７は、一対のリード部１６間に位置する複数のリード連結部１８と、リード連結部１８間に位置する複数の補強部６１とを有している。
【００６９】
この場合、図１乃至図８に示す実施の形態と異なり、補強部６１の裏面形状は小判形からなっている。すなわち補強部６１の裏面は、一対の直線状部分６１ａと、直線状部分６１ａの両端に位置する一対の円弧状部分６１ｂとを有している。このほかの構成は、図１乃至図８に示す実施の形態と略同様である。
【００７０】
図１２は、他の変形例によるリードフレーム１０Ｃを示している。図１２は、リードフレーム１０Ｃの部分拡大底面（裏面）図（図３に対応する図）である。
【００７１】
図１２に示すリードフレーム１０Ｃにおいて、コネクティングバー１７は、一対のリード部１６間に位置する複数のリード連結部１８と、リード連結部１８間に位置する複数の補強部６２とを有している。
【００７２】
この場合、補強部６２の裏面形状は円形からなっている。また補強部６２の垂直断面形状は、図５と同様、矩形形状からなっている。このほかの構成は、図１乃至図８に示す実施の形態と略同様である。なお、補強部６２の裏面形状は、円形に限らず、楕円形としても良い。
【００７３】
図１３は、他の変形例によるリードフレーム１０Ｄを示している。図１３は、リードフレーム１０Ｄの部分拡大底面（裏面）図（図３に対応する図）である。
【００７４】
図１３に示すリードフレーム１０Ｄにおいて、コネクティングバー１７は、一対のリード部１６間に位置する複数のリード連結部１８と、リード連結部１８間に位置する複数の補強部６３とを有している。
【００７５】
この場合、補強部６３の裏面形状は正方形からなっており、４つの辺部分６３ａを有している。各辺部分６３ａの長さは、コネクティングバー１７の幅と同一である。また、補強部６３の垂直断面形状は、図５と同様、矩形形状からなっている。このほかの構成は、図１乃至図８に示す実施の形態と略同様である。
【００７６】
図１４および図１５は、さらに他の変形例によるリードフレーム１０Ｅを示している。図１４は、リードフレーム１０Ｅの部分拡大底面（裏面）図（図３に対応する図）であり、図１５は、補強部６４の垂直断面図である。
【００７７】
図１４および図１５に示すリードフレーム１０Ｅにおいて、コネクティングバー１７は、一対のリード部１６間に位置する複数のリード連結部１８と、リード連結部１８間に位置する複数の補強部６４とを有している。
【００７８】
図１４に示すように、補強部６４の裏面形状は、六角形からなっている。補強部６４の裏面は、一対の直線状部分６４ａと、直線状部分６４ａの両端に位置する一対の山形状部分６４ｂとを有している。
【００７９】
また、図１５に示すように、補強部６４の垂直断面形状は台形からなっている。この場合、補強部６４の断面を構成する台形の上底（表面側）の長さをＬ１とし、下底（裏面側）の長さをＬ２とした場合、０．０１＜Ｌ２／Ｌ１＜０．５となることが好ましい。また、補強部６４の厚みｔ２は、上述したリード部１６の厚みと同様であり、例えば０．０５ｍｍ〜０．５ｍｍとすることができる。なお、リードフレームをウェットエッチングで加工した場合、リト゛フレームの表面と裏面は平面であるが、側面は正確には表面と裏面の中間位置に稜線状の凸部を持った、金属側にえぐれた形状となり、補強部６４の垂直断面は、上下の面が直線で現わされ、左右の側面はそれぞれ、各々金属側に凹の2本の弧の組み合わせで表現された断面図形となる。このような断面図形を含めて表面側の幅と裏面側の幅が同一ではなく大小関係を有する場合に、台形形状と表現する。
【００８０】
このように補強部６４の垂直断面形状を台形にすることにより、ソーイング工程におけるバリの発生をより確実に抑えることができる。このほかの構成は、図１乃至図８に示す実施の形態と略同様である。
【００８１】
図１６は、他の変形例によるリードフレーム１０Ｆを示している。図１６は、リードフレーム１０Ｆの部分拡大底面（裏面）図（図３に対応する図）である。
【００８２】
図１６に示すリードフレーム１０Ｆにおいて、コネクティングバー１７は、一対のリード部１６間に位置する複数のリード連結部１８と、リード連結部１８間に位置する複数の補強部６５とを有している。
【００８３】
この場合、補強部６５の裏面形状は小判形（長円形ともいう）からなっており、補強部６５の裏面は、一対の直線状部分６５ａと、直線状部分６５ａの両端に位置する一対の円弧状部分６５ｂとを有している。また、補強部６５の垂直断面形状は、図１５と同様、台形形状からなっている。このほかの構成は、図１乃至図８に示す実施の形態と略同様である。
【００８４】
図１７は、他の変形例によるリードフレーム１０Ｇを示している。図１７は、リードフレーム１０Ｇの部分拡大底面（裏面）図（図３に対応する図）である。
【００８５】
図１７に示すリードフレーム１０Ｇにおいて、コネクティングバー１７は、一対のリード部１６間に位置する複数のリード連結部１８と、リード連結部１８間に位置する複数の補強部６６とを有している。
【００８６】
この場合、補強部６６の裏面形状は、長方形からなっており、補強部６６の裏面は、コネクティングバー１７の長手方向に対して平行な一対の長辺部分６６ａと、長辺部分６６ａに対して垂直な一対の短辺部分６６ｂとを有している。このうち短辺部分６６ｂの長さは、コネクティングバー１７の幅より狭くなっている。また、補強部６６の垂直断面形状は、図１５と同様、台形形状からなっている。このほかの構成は、図１乃至図８に示す実施の形態と略同様である。
【００８７】
なお、これら図９乃至図１７に示す各リードフレームについても、図７（ａ）−（ｅ）に示す方法と略同様の方法を用いて作製することができる。
【００８８】
上記実施の形態および変形例に開示されている複数の構成要素を必要に応じて適宜組み合わせることも可能である。例えば、図１１乃至図１７に示す各リードフレームおいて、図９に示すリードフレーム１０Ａと同様に、ダイパッド１５の裏面をハーフエッチングにより薄肉化しても良い。
【符号の説明】
【００８９】
１０、１０Ａ〜１０Ｇ  リードフレーム
１４        リードフレーム要素
１５        ダイパッド
１６        リード部
１７        コネクティングバー
１８        リード連結部
１９、６１〜６６  補強部
２０、２０Ａ  半導体装置
２１        半導体素子
２２        ボンディングワイヤ（導電部）
２４        封止樹脂部
２６        固着材
【図１】
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【図２】
0005807800.tif 000003
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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