(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
単数又は複数の半導体チップが実装されるモジュール配線基板を備え、
前記単数又は複数の半導体チップ上には、
第１周波数帯を持つ第１信号を増幅する第１電力増幅器と、
前記第１周波数帯よりも高い第２周波数帯を持つ第２信号を増幅する第２電力増幅器と、
第１ノードにおける入力レベルの大きさを検出する電力検出回路と、
前記第１電力増幅器の出力ノードと前記第１ノードの間に直列に結合される第１容量と、
前記第２電力増幅器の出力ノードと前記第１ノードの間に直列に結合される第２容量とが形成され、
前記第１電力増幅器と前記第１容量は、同一の半導体チップ上に形成され、
前記第２電力増幅器と前記第２容量は、同一の半導体チップ上に形成され、
前記第１電力増幅器の出力ノードと前記第１ノードの間には、更に、前記第１容量と直列に接続される第１コイルが備わり、
前記第２電力増幅器の出力ノードと前記第１ノードの間には、更に、前記第２容量と直列に接続される第２コイルが備わり、
前記第１容量および前記第１コイルの共振周波数は前記第１周波数帯に設定され、
前記第２容量および前記第２コイルの共振周波数は前記第２周波数帯に設定される高周波電力増幅器モジュール。
【請求項２】
請求項１記載の高周波電力増幅器モジュールにおいて、
前記第１電力増幅器の出力ノードと電源電圧の間には、更に、前記第１周波数帯の２倍の周波数帯を共振周波数とするＬＣ直列共振回路が備わる高周波電力増幅器モジュール。
【請求項３】
単数又は複数の半導体チップが実装されるモジュール配線基板を備え、
前記単数又は複数の半導体チップ上には、
第１周波数帯を持つ第１信号を増幅する第１電力増幅器と、
前記第１周波数帯よりも高い第２周波数帯を持つ第２信号を増幅する第２電力増幅器と、
第１ノードにおける入力レベルの大きさを検出する電力検出回路と、
前記第１電力増幅器の出力ノードと前記第１ノードの間に直列に結合される第１容量と、
前記第２電力増幅器の出力ノードと前記第１ノードの間に直列に結合される第２容量とが形成され、
前記第１電力増幅器の出力ノードと電源電圧の間には、更に、前記第１周波数帯の２倍の周波数帯を共振周波数とするＬＣ直列共振回路が備わる高周波電力増幅器モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高周波電力増幅器モジュールに関し、特に、複数の周波数帯に対応し、各周波数帯の送信電力の検出を行う高周波電力増幅器モジュールに適用して有効な技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、特許文献１には、電力増幅器からの送信電力を方向性結合器（カプラ）によって検出し、その検出結果を当該電力増幅器のゲインに反映させることで送信電力のレベルを制御する高周波回路モジュールが示されている。また、特許文献２には、高周波数帯用のパワーアンプ回路の出力と検波回路の入力の間に容量を備え、低周波数帯用のパワーアンプ回路の出力と検波回路の入力の間に容量およびコイルを備えた送信機が示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００８−０７８８５３号公報
【特許文献２】国際公開第０８／０１５８９８号パンフレット
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
近年、複数の通信方式（マルチモード）および複数の周波数帯（マルチバンド）に対応した無線通信端末（携帯電話機）が広く流通している。通信方式としては、例えば、ＧＳＭ（Global System for Mobile communications）、ＥＤＧＥ（Enhanced Data Rates for GSM Evolution）、ＵＭＴＳ（Universal Mobile Telecommunications System）またはＷ−ＣＤＭＡ（Wideband Code Division Multiple Access）、ＬＴＥ（Long Term Evolution）などが挙げられる。そして、各通信方式毎に、規格上で複数の周波数帯（バンド）が規定されている。
【０００５】
ＧＳＭでは、ＧＳＭのロウバンドとハイバンドが規定されている。ＧＳＭのロウバンドは、例えば、８２４ＭＨｚ〜８４９ＭＨｚの送信周波数帯と８６９ＭＨｚ〜８９４ＭＨｚの受信周波数帯を持つＧＳＭ８５０や、８８０ＭＨｚ〜９１５ＭＨｚの送信周波数帯と９２５ＭＨｚ〜９６０ＭＨｚの受信周波数帯を持つＧＳＭ９００等である。ＧＳＭのハイバンドは、例えば、１７１０ＭＨｚ〜１７８５ＭＨｚの送信周波数帯と１８０５ＭＨｚ〜１８８０ＭＨｚの受信周波数帯を持つＤＣＳ（Digital Cellular System）１８００や、１８５０ＭＨｚ〜１９１０ＭＨｚの送信周波数帯と１９３０ＭＨｚ〜１９９０ＭＨｚの受信周波数帯を持つＰＣＳ（Personal Communications Service）１９００等である。また、Ｗ−ＣＤＭＡおよびＬＴＥでは、７００ＭＨｚ帯〜２．６ＧＨｚ帯の間で十を超えるバンドが規定されている。このような無線通信端末では、小型化や、外部環境変化に対して安定して通信可能であることが求められる。
【０００６】
例えば、無線通信端末の送信系で使用される高周波電力増幅器モジュール（パワーアンプモジュール）では、外部環境変化（温度変化、バッテリ電圧の変動、アンテナと空間とのインピーダンスミスマッチなど）がある状態でも、増幅した出力電力を通信規格内の値で安定して送信する特性が必要とされる。そこで、パワーアンプモジュール内には、その出力電力のバラツキを抑制するため、通常、高周波電力増幅器と共にその出力電力の大きさを検出する検波回路が備わっている。図１２は、本発明の前提として検討した高周波電力増幅器モジュールにおいて、その概略構成例を示すブロック図である。
【０００７】
図１２に示す高周波電力増幅器モジュールＨＰＡＭＤは、高周波電力増幅器ＨＰＡ１，ＨＰＡ２、方向性結合器（カプラ）ＣＰＬ１，ＣＰＬ２、電力検出回路ブロックＤＥＴＢＫ１，ＤＥＴＢＫ２、バイアス制御回路ＢＩＡＳＣＴＬ、および自動電力制御回路ＡＰＣ等を備える。ここでは、ＨＰＡ１はロウバンド用、ＨＰＡ２はハイバンド用となっている。ＣＰＬ１，ＣＰＬ２は、ＨＰＡ１，ＨＰＡ２からの出力電力を電磁界結合によって検波し、ＤＥＴＢＫ１，ＤＥＴＢＫ２は、ＣＰＬ１，ＣＰＬ２による検波電力の大きさに応じた検出電圧を生成する。ＡＰＣは、ＤＥＴＢＫ１，ＤＥＴＢＫ２による検出電圧が外部から入力される電力指示信号Ｖｒａｍｐに一致するようにＢＩＡＳＣＴＬを介してＨＰＡ１，ＨＰＡ２のゲインをそれぞれ制御する。
【０００８】
このようなカプラＣＰＬ１，ＣＰＬ２による電力制御方式を用いると、アンテナでのインピーダンスミスマッチによる反射波は電力検出回路ブロックＤＥＴＢＫ１，ＤＥＴＢＫ２内に入力されないため、インピーダンスミスマッチに強く、電力の安定制御が可能になるというメリットが得られる。しかしながら、カプラＣＰＬ１，ＣＰＬ２は、通常、フロントエンドブロックＦＥＢＫ’を構成するモジュール配線基板上に実装され、高周波電力増幅器モジュールＨＰＡＭＤが複数（図１２の例では２種類）のバンドに対応する場合、その数（図１２の例では２個）のカプラが必要とされる。このため、高周波電力増幅器モジュールの小型化及び低コスト化の観点でデメリットが生じる恐れがある。
【０００９】
一方、カプラを用いずに、高周波電力増幅器ＨＰＡ１，ＨＰＡ２の出力電力を容量を介して検波し、その検波電力を電力検出回路ブロックで検出するような方式が考えられる。ただし、この場合、ロウバンドの送信経路とハイバンドの送信経路との間でクロスバンドリークが生じる恐れがあることが本発明者等の検討によって見出された。
【００１０】
後述する各実施の形態は、このようなことを鑑みてなされたものであり、その目的の一つは、電力検出を行う高周波電力増幅器モジュールの小型化、又は低コスト化を実現することにある。本発明の前記並びにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述及び添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本願において開示される課題を解決するための手段のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。
【００１２】
本願の一実施の形態による高周波電力増幅器モジュールは、それぞれ異なる周波数帯の信号を電力増幅する第１および第２電力増幅器と、電力検出回路と、第１および第２容量を備え、第１電力増幅器の出力を第１容量を介して電力検出回路の入力に結合し、第２電力増幅器の出力を第２容量を介して電力検出回路の入力に結合する構成を備える。この際に、第１電力増幅器と第１容量は、同一の半導体チップ上に形成され、第２電力増幅器と第２容量は、同一の半導体チップ上に形成される。
【発明の効果】
【００１３】
前記一実施の形態によれば、電力検出を行う高周波電力増幅器モジュールの小型化、又は低コスト化が実現可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の実施の形態１による無線通信システムにおいて、それを適用した携帯電話システムの構成例を示すブロック図である。
【図２】本発明の実施の形態１による高周波電力増幅器モジュールにおいて、その構成例を示す回路ブロック図である。
【図３】図２の高周波電力増幅器モジュールにおいて、その電力検出回路ブロックの詳細な構成例を示す回路図である。
【図４】本発明の実施の形態２による高周波電力増幅器モジュールにおいて、その構成例を示す回路ブロック図である。
【図５】図４における各高周波電力増幅器間のクロスバンドリークの大きさを複数のシミュレーション条件で検証した結果の一例を示す図である。
【図６】（ａ）〜（ｃ）は、図５における各シミュレーション条件を表す回路図である。
【図７】本発明の実施の形態３による高周波電力増幅器モジュールにおいて、その構成例を示す回路ブロック図である。
【図８】本発明の実施の形態４による高周波電力増幅器モジュールにおいて、その構成例を示す回路ブロック図である。
【図９】本発明の実施の形態５による高周波電力増幅器モジュールにおいて、その構成例を示す回路ブロック図である。
【図１０】本発明の実施の形態６による高周波電力増幅器モジュールにおいて、その構成例を示す回路ブロック図である。
【図１１】本発明の実施の形態７による高周波電力増幅器モジュールにおいて、その構成例を示す回路ブロック図である。
【図１２】本発明の前提として検討した高周波電力増幅器モジュールにおいて、その概略構成例を示すブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下の実施の形態においては便宜上その必要があるときは、複数のセクションまたは実施の形態に分割して説明するが、特に明示した場合を除き、それらは互いに無関係なものではなく、一方は他方の一部または全部の変形例、詳細、補足説明等の関係にある。また、以下の実施の形態において、要素の数等（個数、数値、量、範囲等を含む）に言及する場合、特に明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合等を除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でも良い。
【００１６】
さらに、以下の実施の形態において、その構成要素（要素ステップ等も含む）は、特に明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。同様に、以下の実施の形態において、構成要素等の形状、位置関係等に言及するときは、特に明示した場合および原理的に明らかにそうでないと考えられる場合等を除き、実質的にその形状等に近似または類似するもの等を含むものとする。このことは、上記数値および範囲についても同様である。
【００１７】
また、実施の形態の各機能ブロックを構成する回路素子は、特に制限されないが、公知のＣＭＯＳ（相補型ＭＯＳトランジスタ）等の集積回路技術によって、単結晶シリコンのような半導体基板上に形成される。なお、実施の形態では、ＭＩＳＦＥＴ（Metal Insulator Semiconductor Field Effect Transistor）の一例としてＭＯＳＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）（ＭＯＳトランジスタと略す）を用いるが、ゲート絶縁膜として非酸化膜を除外するものではない。図面にはＭＯＳトランジスタの基板電位の接続は特に明記していないが、ＭＯＳトランジスタが正常動作可能な範囲であれば、その接続方法は特に限定しない。
【００１８】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の部材には原則として同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
【００１９】
（実施の形態１）
《携帯電話システム（無線通信システム）の全体構成》
図１は、本発明の実施の形態１による無線通信システムにおいて、それを適用した携帯電話システムの構成例を示すブロック図である。図１の携帯電話システムは、ベースバンドユニットＢＢＵ、高周波システム部ＲＦＳＹＳ、アンテナＡＮＴ、スピーカＳＰＫ、およびマイクＭＩＣ等を備えている。ＢＢＵは、例えば、ＳＰＫやＭＩＣで用いるアナログ信号をディジタル信号に変換したり、通信に伴う様々なディジタル信号処理（変調、復調、ディジタルフィルタ処理等）を行ったり、通信に伴う各種制御信号の出力等を行う。この各種制御信号の中には、使用する周波数帯を指示するバンド選択信号ＳＢＤや、目標とする送信電力を指示する電力指示信号Ｖｒａｍｐが含まれている。
【００２０】
高周波システム部ＲＦＳＹＳは、高周波信号処理装置ＲＦＩＣと、ＳＡＷ（Surface Acoustic Wave）フィルタＳＡＷと、高周波電力増幅器モジュールＨＰＡＭＤを備えている。ＲＦＩＣは、例えば、送信用ミキサ回路、受信用ミキサ回路、ロウノイズアンプ回路（ＬＮＡ）等を含んだ一つの半導体チップで構成され、主にベースバンドユニットＢＢＵで用いるベースバンド信号と、ＨＰＡＭＤで用いる高周波信号との間の周波数変換（アップコンバート、ダウンコンバート）等を行う。ＨＰＡＭＤは、例えば、一つのモジュール配線基板（代表的にはセラミック配線基板）で実現され、高周波電力増幅器ＨＰＡ、自動電力制御回路ＡＰＣ、電力検出回路ブロックＤＥＴＢＫ、ロウパスフィルタＬＰＦ、およびアンテナスイッチＡＮＴＳＷ等を備える。
【００２１】
特に限定はされないが、例えば、高周波電力増幅器ＨＰＡ、自動電力制御回路ＡＰＣ、および電力検出回路ブロックＤＥＴＢＫは一つの半導体チップで実現され、アンテナスイッチＡＮＴＳＷはそれとは別の半導体チップで実現され、各半導体チップはモジュール配線基板上に実装される。ロウパスフィルタＬＰＦは、例えば、モジュール配線基板上の配線パターンや場合によっては各種ＳＭＤ（Surface Mount Device）部品を用いて実現される。ＡＮＴＳＷは、例えば、ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）等の半導体基板上のｐＨＥＭＴ(Pseudomorphic High Electron Mobility Transistor)素子等によって実現される場合や、ＳＯＩ（Silicon On Insulator）基板上のＭＯＳトランジスタ等によって実現される場合がある。
【００２２】
高周波電力増幅器ＨＰＡは、高周波信号処理装置ＲＦＩＣからの入力電力信号Ｐｉｎを受けて電力増幅を行う。この際に、ＨＰＡからの出力電力信号Ｐｏｕｔは、後述する各種回路によって検波されたのち、入力検波信号ＣＤＥＴｉｎとして電力検出回路ブロックＤＥＴＢＫに入力される。ＤＥＴＢＫは、当該ＣＤＥＴｉｎの電力レベルに応じた電圧を持つ検出電圧信号Ｖｄｅｔを出力する。なお、ここではＨＰＡを代表的に１個示しているが、実際には、通信方式（ＧＳＭ、Ｗ−ＣＤＭＡ、ＬＴＥ等）に応じて複数系統設けられ、更に各通信方式毎のバンド数（ロウバンド、ハイバンド等）に応じて各系統毎に複数個設けられる。
【００２３】
例えば、高周波電力増幅器ＨＰＡがＧＳＭ用の場合、自動電力制御回路ＡＰＣは、検出電圧信号ＶｄｅｔとベースバンドユニットＢＢＵからの電力指示信号Ｖｒａｍｐが一致するようにＨＰＡのゲインを制御する。これによって送信電力の制御が行われる。一方、例えばＨＰＡがＷ−ＣＤＭＡ又はＬＴＥ用の場合、ＡＰＣは用いられず、高周波信号処理装置ＲＦＩＣがＶｄｅｔに応じて入力電力信号Ｐｉｎの電力レベルを制御することで送信電力の制御が行われる。
【００２４】
ロウパスフィルタＬＰＦは、高周波電力増幅器ＨＰＡの出力電力信号Ｐｏｕｔから不要な高調波成分を除去し、それをアンテナスイッチＡＮＴＳＷに出力する。ＡＮＴＳＷは、図示しないスイッチ切り替え信号に基づいて、アンテナＡＮＴの接続経路を適宜選択する。接続経路の中には、例えば、ＧＳＭ用の送信経路や、ＧＳＭ用の受信経路や、Ｗ−ＣＤＭＡ又はＬＴＥ用の送受信経路等が含まれる。なお、図示は省略しているが、例えばＨＰＡがＷ−ＣＤＭＡ又はＬＴＥ用の場合、例えば送信信号と受信信号をＦＤＤ（Frequency Division Duplex）方式によって分割するためのデュプレクサがＡＮＴＳＷと共に設けられる。
【００２５】
高周波電力増幅器ＨＰＡが例えばＧＳＭ用の場合、送信動作時には、ＨＰＡからの出力電力信号Ｐｏｕｔは、ロウパスフィルタＬＰＦおよびアンテナスイッチＡＮＴＳＷを介して送信信号ＴｘとしてアンテナＡＮＴから送出される。逆に受信動作時には、ＡＮＴで受信した受信信号Ｒｘは、ＡＮＴＳＷを介してＳＡＷフィルタＳＡＷに伝送され、ＳＡＷによって所定の受信周波数帯が選択されたのち高周波信号処理装置ＲＦＩＣに入力される。一方、ＨＰＡが例えばＷ−ＣＤＭＡ又はＬＴＥ用の場合、送信動作時には、ＨＰＡからのＰｏｕｔは、ＬＰＦ、デュプレクサ（図示せず）およびアンテナスイッチＡＮＴＳＷを介してＴｘとしてＡＮＴから送出される。逆に受信動作時には、ＡＮＴで受信したＲｘは、ＡＮＴＳＷおよびデュプレクサ（図示せず）を介してＳＡＷに伝送され、ＳＡＷによって所定の受信周波数帯が選択されたのちＲＦＩＣに入力される。
【００２６】
《高周波電力増幅器モジュールの詳細構成［１］》
図２は、本発明の実施の形態１による高周波電力増幅器モジュールにおいて、その構成例を示す回路ブロック図である。図２に示す高周波電力増幅器モジュールＨＰＡＭＤは、図１でも述べたように、例えば一つのモジュール配線基板（セラミック配線基板等）によって構成される。当該配線基板上には、２個の半導体チップ（高周波電力増幅チップＨＰＡＩＣ１とアンテナスイッチＡＮＴＳＷ用の半導体チップ）が搭載されると共に、出力整合回路ＭＮＴ１，ＭＮＴ２、ロウパスフィルタＬＰＦ１，ＬＰＦ２、受信用結合容量Ｃｒｘ１，Ｃｒｘ２、およびアンテナフィルタＡＮＴＦＬＴが実装される。ＭＮＴ１，ＭＮＴ２，ＬＰＦ１，ＬＰＦ２，Ｃｒｘ１，Ｃｒｘ２，ＡＮＴＦＬＴおよびＡＮＴＳＷは、フロントエンドブロックＦＥＢＫ１を構成する。
【００２７】
高周波電力増幅チップＨＰＡＩＣ１は、２個の高周波電力増幅器ＨＰＡ１，ＨＰＡ２と、バイアス制御回路ＢＩＡＳＣＴＬと、自動電力制御回路ＡＰＣと、電力検出回路ブロックＤＥＴＢＫと、アンテナスイッチ制御回路ＡＮＴＳＷＣＴＬとに加えて、２個の容量Ｃ１，Ｃ２を備えている。ＨＰＡ１は、ここでは縦続接続された３段構成の電力増幅器から構成され、外部端子からのロウバンド（ＬＢ）用の入力電力信号Ｐｉｎ１（ＬＢ）を受けて電力増幅を行う。同様に、ＨＰＡ２は、縦続接続された３段構成の電力増幅器から構成され、外部端子からのハイバンド（ＨＢ）用の入力電力信号Ｐｉｎ２（ＨＢ）を受けて電力増幅を行う。ＨＰＡ１，ＨＰＡ２は、バンド選択信号ＳＢＤに応じていずれか一方が選択的に活性化される。
【００２８】
バイアス制御回路ＢＩＡＳＣＴＬは、高周波電力増幅器ＨＰＡ１，ＨＰＡ２にバイアスを供給すると共に当該バイアスの大きさを制御することでＨＰＡ１，ＨＰＡ２のゲインを制御する。例えば、バンド選択信号ＳＢＤによってロウバンドが選択された際には、ＨＰＡ２へのバイアスの供給を停止し、ＨＰＡ１を対象としてゲインの制御を行い、逆にＳＢＤによってハイバンドが選択された際には、ＨＰＡ１へのバイアスの供給を停止し、ＨＰＡ２を対象としてゲインの制御を行う。
【００２９】
容量Ｃ１は、高周波電力増幅器ＨＰＡ１の出力を電力検出回路ブロックＤＥＴＢＫの入力に交流的に結合し、容量Ｃ２は、高周波電力増幅器ＨＰＡ２の出力をＤＥＴＢＫの入力に交流的に結合する。ＤＥＴＢＫは、当該Ｃ１又はＣ２を介して得られた入力検波信号（ＣＤＥＴｉｎ）を受け、その入力レベルに応じた検出電圧信号（Ｖｄｅｔ）を出力する。自動電力制御回路ＡＰＣは、この検出電圧信号（Ｖｄｅｔ）の電圧レベルと外部端子からの電力指示信号Ｖｒａｍｐの電圧レベルとが一致するようにＢＩＡＳＣＴＬを介してＨＰＡ１又はＨＰＡ２のゲインを制御する。アンテナスイッチ制御回路ＡＮＴＳＷＣＴＬは、バンド選択信号ＳＢＤに応じてアンテナスイッチＡＮＴＳＷに含まれる各スイッチ（図示せず）のオン・オフを制御する。これによって図１で述べたアンテナの接続経路が適宜選択される。
【００３０】
出力整合回路ＭＮＴ１およびロウパスフィルタＬＰＦ１は、高周波電力増幅器ＨＰＡ１の出力信号に対してインピーダンス整合を行うと共に高調波成分の除去を行い、出力整合回路ＭＮＴ２およびロウパスフィルタＬＰＦ２は、高周波電力増幅器ＨＰＡ２の出力信号に対してインピーダンス整合を行うと共に高調波成分の除去を行う。アンテナスイッチＡＮＴＳＷは、アンテナスイッチ制御回路ＡＮＴＳＷＣＴＬの制御に応じてアンテナの接続経路を選択する。図２の例では、アンテナ信号ＡＮＴＯＵＴ用の外部端子の接続先が、ＨＰＡ１の出力ノードと、ロウバンド（ＬＢ）の受信信号Ｒｘ１（ＬＢ）用の外部端子と、ＨＰＡ２の出力ノードと、ハイバンド（ＨＢ）の受信信号Ｒｘ２（ＨＢ）用の外部端子の中から選択される。外部端子（Ｒｘ１（ＬＢ））が選択された際には、ＡＮＴＯＵＴからの信号が受信用結合容量Ｃｒｘ１を介して交流的に結合され、外部端子（Ｒｘ２（ＨＢ））が選択された際には、ＡＮＴＯＵＴからの信号が受信用結合容量Ｃｒｘ２を介して交流的に結合される。ＡＮＴＦＬＴは、ＡＮＴＳＷによって生じ得る不要信号等を除去するほか、ＡＮＴＯＵＴからモジュール内に流入する静電気放電ノイズを阻止する役割を持つ。
【００３１】
図２では、ＧＳＭ用の高周波電力増幅器モジュールＨＰＡＭＤが一例として示されている。この場合、入力電力信号Ｐｉｎ１（ＬＢ）は、ＧＳＭ８５０（送信周波数帯：８２４〜８４９ＭＨｚ、受信周波数帯：８６９〜８９４ＭＨｚ）や、ＧＳＭ９００（送信周波数帯：８８０〜９１５ＭＨｚ、受信周波数帯：９２５〜９６０ＭＨｚ）等の送信信号に対応する。入力電力信号Ｐｉｎ２（ＨＢ）は、ＤＣＳ（Digital Cellular System）１８００（送信周波数帯：１７１０〜１７８５ＭＨｚ、受信周波数帯：１８０５〜１８８０ＭＨｚ）やＰＣＳ（Personal Communications Service）１９００（送信周波数帯：１８５０〜１９１０ＭＨｚ、受信周波数帯：１９３０〜１９９０ＭＨｚ）等の送信信号に対応する。ただし、勿論、ＧＳＭ用に限らず、Ｗ−ＣＤＭＡやＬＴＥ用等でも同様に適用可能である。この場合、図１で述べたように、電力検出回路ブロックＤＥＴＢＫの出力が自動電力制御回路ＡＰＣでは無く外部に出力され、また、アンテナスイッチＡＮＴＳＷと共にデュプレクサ等が搭載されることになる。
【００３２】
このような構成例を用いると、図１２で述べたカプラＣＰＬ１，ＣＰＬ２の代わりに高周波電力増幅器ＨＰＡ１，ＨＰＡ２と同一の半導体チップ（高周波電力増幅チップＨＰＡＩＣ１）内に形成した容量Ｃ１，Ｃ２によって検波を行うため、高周波電力増幅器モジュールＨＰＡＭＤの小型化又は低コスト化が実現可能になる。また、ハイバンドとロウバンドに共通して１個の電力検出回路ブロックＤＥＴＢＫを設けているため、この点からもＨＰＡＭＤの小型化又は低コスト化が図れる。
【００３３】
なお、高周波電力増幅器ＨＰＡ１，ＨＰＡ２は、シリコン基板上のＬＤＭＯＳ（Laterally Diffused MOS）等によって実現され、容量Ｃ１，Ｃ２は、シリコン基板上のＭＩＭ（Metal Insulator Metal）容量等によって実現される。ただし、必ずしもこれに限定されるものではなく、例えば、高周波電力増幅器ＨＰＡ１，ＨＰＡ２をＨＢＴ（Heterojunction Bipolar Transistor）等で実現することも可能である。この場合、ＨＰＡ１およびＣ１が同一の半導体チップ上に形成され、ＨＰＡ２およびＣ２がＨＰＡ１と同一又は異なる半導体チップ上に形成され、その他の回路（ＤＥＴＢＫ，ＡＰＣ，ＢＩＡＳＣＴＬ，ＡＮＴＳＷＣＴＬ）が更に別の半導体チップ上に形成されることになる。いずれにしても、高周波電力増幅器（例えばＨＰＡ１）とその結合容量（例えばＣ１）を同一の半導体チップで実現することで、高周波電力増幅器モジュールＨＰＡＭＤの小型化又は低コスト化が図れる。
【００３４】
《電力検出回路ブロックの詳細構成》
図３は、図２の高周波電力増幅器モジュールにおいて、その電力検出回路ブロックの詳細な構成例を示す回路図である。図３に示す電力検出回路ブロックＤＥＴＢＫは、複数のアンプ回路ＡＭＰ１〜ＡＭＰ４と、アッテネータ回路ＡＴＴと、複数のレベル検出回路ＤＥＴ１〜ＤＥＴ５と、加算回路ＡＤＤと、電流電圧変換回路ＩＶＣと、差動アンプ回路ＤＡＭＰを備える。ＡＭＰ１〜ＡＭＰ４は、ＡＭＰ４側からＡＭＰ１側に向けて入出力間の結合容量を介して４段に縦続接続され、初段となるＡＭＰ４には検波入力信号ＣＤＥＴｉｎが入力されている。ＡＴＴには、ＣＤＥＴｉｎが入力される。
【００３５】
レベル検出回路ＤＥＴ１〜ＤＥＴ４は、それぞれ、アンプ回路ＡＭＰ１〜ＡＭＰ４の出力レベルを検出してその大きさに応じた電流を出力し、レベル検出回路ＤＥＴ５はアッテネータ回路ＡＴＴの出力レベルを検出してその大きさ応じた電流を出力する。加算回路ＡＤＤは、ＤＥＴ１〜ＤＥＴ５からの出力電流を加算し、電流電圧変換回路ＩＶＣは、ＡＤＤによる加算電流を電圧に変換する。差動アンプ回路ＤＡＭＰは、所定の基準電圧（Ｖｄｅｔ＿ｒｅｆ）を基準としてＩＶＣによって変換された電圧（Ｖｄｅｔ＿Ｔ）を増幅し、その結果となる検出電圧信号Ｖｄｅｔを出力する。
【００３６】
アンプ回路ＡＭＰ１〜ＡＭＰ４のそれぞれは、例えば同一値となる所定のゲイン（特に限定はされないが例えば１０ｄＢ程度等）を持ち、出力が所定の飽和出力電圧に到達しない範囲では当該ゲインで増幅動作を行い、飽和出力電圧に到達する範囲では当該飽和出力電圧を固定的に出力するリミッタアンプとして機能する。アッテネータ回路ＡＴＴは所定のゲイン（例えば−数ｄＢ程度等）を持つ減衰器である。ここで、例えば、検波入力信号ＣＤＥＴｉｎのレベルが非常に小さく、ＡＭＰ１のみから飽和出力電圧が得られる共に、ＤＥＴ１がこの飽和出力電圧に応じた検出電流Ｉｄｅｔ１として飽和出力電流を出力している場合を基準に動作を説明する。
【００３７】
この状態から、検波入力信号ＣＤＥＴｉｎの電力レベルが徐々に増加すると、アンプ回路ＡＭＰ１が飽和出力電圧を出力している状態で、主としてアンプ回路ＡＭＰ２の出力が飽和出力電圧に向けて大きく増加していく。これに応じて、レベル検出回路ＤＥＴ１の出力電流Ｉｄｅｔ１が飽和出力電流の状態で、主としてレベル検出回路ＤＥＴ２の出力電流Ｉｄｅｔ２が飽和出力電流に向けて大きく増加していく。そして、このＣＤＥＴｉｎの電力レベルの増加分が１０ｄＢ程度になると、ＡＭＰ２の出力が飽和出力電圧に達し、これに応じてＤＥＴ２のＩｄｅｔ２も飽和出力電流に達する。以降同様にして、ＣＤＥＴｉｎの電力レベルが１０ｄＢ程度増加する毎に、アンプ回路ＡＭＰ３、ＡＭＰ４の出力が順に飽和出力電圧に達すると共に、レベル検出回路ＤＥＴ３、ＤＥＴ４の出力電流Ｉｄｅｔ３、Ｉｄｅｔ４が順に飽和出力電流に達する。その後、更にＣＤＥＴｉｎの電力レベルが増加すると、レベル検出回路ＤＥＴ５からの出力電流Ｉｄｅｔ５が大きく増大していくことになる。
【００３８】
したがって、このレベル検出回路ＤＥＴ１〜ＤＥＴ５からの出力電流を最終的に加算回路ＡＤＤで加算し、その電流（Ｉｄｅｔ＿Ｔ）を電流電圧変換回路ＩＶＣで電圧に変換することで、検波入力信号ＣＤＥＴｉｎのログスケールに比例する電圧（Ｖｄｅｔ＿Ｔ）ならびに検出電圧信号Ｖｄｅｔが得られる。なお、特に限定はされないが、ここでは、各レベル検出回路ＤＥＴ１〜ＤＥＴ５は、対応するアンプ回路の交流出力電圧に固定電圧Ｖｄｃを重畳させた電圧を、当該Ｖｄｃを基準として増幅することで出力電流Ｉｄｅｔ１〜Ｉｄｅｔ５を生成する。また、特に限定はされないが、電流電圧変換回路ＩＶＣは、ダイオード接続されたＭＯＳトランジスタを２個備え、その一方に電流（Ｉｄｅｔ＿Ｔ）を流すことで電圧（Ｖｄｅｔ＿Ｔ）を生成し、他方に基準電流（Ｉｒｅｆ）を流すことで基準電圧（Ｖｄｅｔ＿ｒｅｆ）を生成している。
【００３９】
ここで、図３の検波入力信号ＣＤＥＴｉｎは、図１２に示すようなカプラＣＰＬ１，ＣＰＬ２を用いた場合には減衰されたキャリア進行波のみとなるが、図２のような容量Ｃ１，Ｃ２による結合を用いた場合には高調波及び反射波を含む電圧波形が入力される場合がある。この場合、カプラ使用時と容量結合使用時とで入力される電圧レベルが異なり、カプラ使用時と比べて電力の検出精度が低下する恐れがある。ただし、例えば、図２における容量値（Ｃ１，Ｃ２）の調整や図３における差動アンプ回路ＤＡＭＰのゲイン調整を行えば、この検出精度の低下を十分に抑制することが可能になる。
【００４０】
以上、本実施の形態１の高周波電力増幅器モジュールを用いることで、代表的には、高周波電力増幅器モジュールの小型化、又は低コスト化が実現可能になる。
【００４１】
（実施の形態２）
《高周波電力増幅器モジュールの詳細構成［２］》
図４は、本発明の実施の形態２による高周波電力増幅器モジュールにおいて、その構成例を示す回路ブロック図である。図４に示す高周波電力増幅器モジュールＨＰＡＭＤは、前述した図２の構成例と比較して、図２の高周波電力増幅チップＨＰＡＩＣ１が図４の高周波電力増幅チップＨＰＡＩＣ２に置き換えられた点が異なっている。図４のＨＰＡＩＣ２は、図２のＨＰＡＩＣ１と異なり、高周波電力増幅器ＨＰＡ１の出力と電力検出回路ブロックＤＥＴＢＫの入力との間に容量Ｃ１およびコイルＬ１が直列接続され、高周波電力増幅器ＨＰＡ２の出力とＤＥＴＢＫの入力との間に容量Ｃ２およびコイルＬ２が直列接続された点が異なっている。
【００４２】
前述したように、ハイバンド用となる高周波電力増幅器ＨＰＡ２の出力信号は、ロウバンド用となる高周波電力増幅器ＨＰＡ１の出力信号と比べて約２倍の基本周波数を持つ。したがって、図２の構成例では、ＨＰＡ１の出力信号に伴う２次の高調波歪み成分（２ＨＤ）が容量Ｃ１，Ｃ２を介してＨＰＡ２側の出力経路に流入し、更に、当該２ＨＤと通過帯域が重なるロウパスフィルタＬＰＦ２を介してアンテナスイッチＡＮＴＳＷに到達する。ここで、ＡＮＴＳＷのアイソレーション特性が低いと当該２ＨＤがアンテナを介して送出される恐れがある。この現象は、クロスバンドリーク等と呼ばれる。そこで、図４は、容量Ｃ１とコイルＬ１からなるＬＣ直列共振回路によってロウバンドの基本周波数成分のみを通過させ、容量Ｃ２とコイルＬ２からなるＬＣ直列共振回路によってハイバンドの基本周波数成分のみを通過させる構成となっている。コイルＬ１，Ｌ２は、例えば、半導体基板上のメタル配線層を用いた所謂オンチップインダクタによって実現される。
【００４３】
このような構成例を用いると、高周波電力増幅器ＨＰＡ１の出力信号は、容量Ｃ１およびコイルＬ１を介してほぼ基本周波数成分のみが電力検出回路ブロックＤＥＴＢＫに入力され、２次の高調波歪み成分（２ＨＤ）のＤＥＴＢＫの入力への伝達は十分に抑制される。したがって、前述したクロスバンドリークの問題が改善される。更に、図２の構成例では、負荷変動に伴う２次の高調波歪み成分（２ＨＤ）のレベル変動等によって出力電力の制御の高精度化が阻害される恐れがある。しかしながら、図４の構成例では、高周波電力増幅器ＨＰＡ１の出力におけるほぼ基本周波数成分のみがＤＥＴＢＫに入力され、高周波電力増幅器ＨＰＡ２の出力におけるほぼ基本周波数成分のみがＤＥＴＢＫに入力されるため、図２の構成例と比べて出力電力制御の高精度化が図れる。
【００４４】
《高周波電力増幅器モジュールの詳細構成［２］の各種検証結果》
図５は、図４における各高周波電力増幅器間のクロスバンドリークの大きさを複数のシミュレーション条件で検証した結果の一例を示す図であり、図６（ａ）〜図６（ｃ）は、図５における各シミュレーション条件を表す回路図である。図６（ａ）〜図６（ｃ）では、図４における高周波電力増幅器ＨＰＡ１，ＨＰＡ２の出力インピーダンスをそれぞれ５０Ωとし、電力検出回路ブロックＤＥＴＢＫの入力インピーダンスを５００Ωとし、ＨＰＡ１の出力を「Ｐｏｒｔ１」、ＨＰＡ２の出力を「Ｐｏｒｔ２」、ＤＥＴＢＫの入力を「Ｐｏｒｔ３」としている。
【００４５】
また、図６（ａ）（「Ｃａｓｅ１」とする）では、「Ｐｏｒｔ１」と「Ｐｏｒｔ３」間に略９００ＭＨｚの共振周波数を持つＬＣ直列共振回路が備わり、「Ｐｏｒｔ２」と「Ｐｏｒｔ３」間に１．５ｐＦの容量が備わっている。図６（ｂ）（「Ｃａｓｅ２」とする）では、「Ｐｏｒｔ１」と「Ｐｏｒｔ３」間に略９００ＭＨｚの共振周波数を持つＬＣ直列共振回路が備わり、「Ｐｏｒｔ２」と「Ｐｏｒｔ３」間に略１８００ＭＨｚの共振周波数を持つＬＣ直列共振回路が備わっている。図６（ｃ）（「Ｃａｓｅ３」とする）は、図６（ｂ）における「Ｐｏｒｔ２」と「Ｐｏｒｔ３」間のＬＣ直列共振回路を、共振周波数を変えずに定数を変えたものとなっている。図５には、図６（ａ）〜図６（ｃ）を用いて、「Ｐｏｒｔ１」から「Ｐｏｒｔ２」への通過特性（すなわちクロスバンドリークの大きさ）を検証した結果が示されている。
【００４６】
例えば、前述した特許文献２では、「Ｐｏｒｔ３」における電圧レベルの向上を実現するため、図６（ａ）と同様な回路構成が示されている。しかしながら、このような構成例では、図５の「Ｃａｓｅ１」に示すように、大きなクロスバンドリークが生じてしまう場合がある。そこで、図６（ｂ）のように「Ｐｏｒｔ２」と「Ｐｏｒｔ３」間（ハイバンド側）に更にコイル（ここでは５．２１ｎＨ）を挿入すると、「Ｐｏｒｔ２」と「Ｐｏｒｔ３」間の所謂Ｑファクタ（Ｑ∝√（Ｌ／Ｃ））が向上することから狭帯域化が図れる。その結果、図５の「Ｃａｓｅ２」に示すように、例えば、１８００ＭＨｚ近辺において、「Ｃａｓｅ１」に比べてクロスバンドリークの大きさを約１．７ｄＢ程度低減することが可能になる。更に、図６（ｃ）のように、「Ｐｏｒｔ２」と「Ｐｏｒｔ３」間のコイルの値を２倍にし（ここでは１０．４ｎＨ）、容量の値を１／２にすると、更にＱファクタを向上させることができ、その結果、図５の「Ｃａｓｅ３」に示すように、例えば、１８００ＭＨｚ近辺において、「Ｃａｓｅ２」に比べてクロスバンドリークの大きさを約０．６ｄＢ程度低減することが可能になる。
【００４７】
以上、本実施の形態２の高周波電力増幅器モジュールを用いることで、代表的には、高周波電力増幅器モジュールの小型化、又は低コスト化が実現可能になる。更に、クロスバンドリークの低減や、出力電力制御の高精度化が図れる。なお、図４のＬＣ直列共振回路における容量とコイルの接続順序は適宜入れ替えることが可能である。また、ここではＧＳＭ用の高周波電力増幅器モジュールを例としているが、勿論、Ｗ−ＣＤＭＡやＬＴＥ用であっても同様に適用可能である。Ｗ−ＣＤＭＡやＬＴＥでも、例えば７００ＭＨｚ〜９００ＭＨｚ近辺のバンドと、１７００ＭＨｚ〜２１００ＭＨｚ近辺のバンドが規定され、前述したロウバンドとハイバンドの関係が成り立つ。
【００４８】
（実施の形態３）
《高周波電力増幅器モジュールの詳細構成［３］》
図７は、本発明の実施の形態３による高周波電力増幅器モジュールにおいて、その構成例を示す回路ブロック図である。図７に示す高周波電力増幅器モジュールＨＰＡＭＤは、前述した図４の構成例と比較して、図４の高周波電力増幅チップＨＰＡＩＣ２が図７の高周波電力増幅チップＨＰＡＩＣ３に、図４のフロントエンドブロックＦＥＢＫ１が図７のフロントエンドブロックＦＥＢＫ２にそれぞれ置き換えられた点が異なっている。図７のＨＰＡＩＣ３は、図４のＨＰＡＩＣ２における容量Ｃ１，Ｃ２を備え、図７のＦＥＢＫ２は、図４のＨＰＡＩＣ２におけるコイルＬ１，Ｌ２を備えている。ただし、ここでは、高周波電力増幅チップの外部端子数を削減するため、各ＬＣ直列共振回路における容量とコイルの接続順序が図４の場合とは逆になっている。すなわち、図７の接続順序の場合には、例えば高周波電力増幅器ＨＰＡ１の外部端子は元々必要であるため、Ｌ１とＣ１の接続部に該当する外部端子を設ければよいが、図４の接続順序の場合には、Ｌ１の両端に該当する外部端子を設ける必要がある。
【００４９】
このような構成例を用いると、コイルＬ１，Ｌ２を外部部品で実現するため、高周波電力増幅器モジュールの小型化・低コスト化の点でデメリットがあるものの、高性能なコイルを用いることができるため、実施の形態２で述べたＱファクタを更に向上させることができ、クロスバンドリークの更なる低減が可能になる。
【００５０】
（実施の形態４）
《高周波電力増幅器モジュールの詳細構成［４］》
図８は、本発明の実施の形態４による高周波電力増幅器モジュールにおいて、その構成例を示す回路ブロック図である。図８に示す高周波電力増幅器モジュールＨＰＡＭＤは、前述した図２の構成例と比較して、図２の高周波電力増幅チップＨＰＡＩＣ１が図８の高周波電力増幅チップＨＰＡＩＣ４に、図２のフロントエンドブロックＦＥＢＫ１が図８のフロントエンドブロックＦＥＢＫ３にそれぞれ置き換えられた点が異なっている。図８のＨＰＡＩＣ４は、図２のＨＰＡＩＣ１における容量Ｃ１，Ｃ２に加えて、更に容量Ｃｔを備える。図８のＦＥＢＫ３は、図２のＦＥＢＫ１に加えて、更にコイルＬｔを備える。ＣｔおよびＬｔは、高周波電力増幅器ＨＰＡ１の出力と接地電源電圧ＧＮＤの間に直列に接続され、高調波トラップ回路ＴＰＢＫ１を構成する。
【００５１】
高調波トラップ回路ＴＰＢＫ１は、ＬＣ直列共振回路となっており、その共振周波数は、高周波電力増幅器ＨＰＡ１の出力信号における２次の高調波歪み成分（２ＨＤ）の周波数に設定される。このような構成例を用いると、ＨＰＡ１からの２次の高調波歪み成分（２ＨＤ）は、その殆どがインピーダンスが低いＴＰＢＫ１側に流れるため、前述したクロスバンドリークの低減が可能になる。また、外部部品として１個のコイルＬｔを設ければよいため、図１２の構成例と比較すると、高周波電力増幅器モジュールの小型化・低コスト化が図れる場合がある。なお、コイルＬｔは、場合によっては高周波電力増幅チップＨＰＡＩＣ４内に形成することも可能である。
【００５２】
（実施の形態５）
《高周波電力増幅器モジュールの詳細構成［５］》
図９は、本発明の実施の形態５による高周波電力増幅器モジュールにおいて、その構成例を示す回路ブロック図である。図９に示す高周波電力増幅器モジュールＨＰＡＭＤは、前述した図８の構成例と比較して、図８の高周波電力増幅チップＨＰＡＩＣ４が図９の高周波電力増幅チップＨＰＡＩＣ５に置き換えられた点が異なっている。図９のＨＰＡＩＣ５は、図８のＨＰＡＩＣ４における容量Ｃ１を容量Ｃ１ａと容量Ｃ１ｂの直列接続で実現した構成を備え、また、ＨＰＡＩＣ４における容量Ｃｔを前述したＣ１ａと容量Ｃｔ１の直列接続で実現した構成を備える。図９のＦＥＢＫ３におけるコイルＬｔの一端は、前述した容量の変更に伴い、容量Ｃｔ１の一端に接続される。Ｃ１ａ，Ｃｔ１およびＬｔは、図８の場合と同様に、高調波トラップ回路ＴＰＢＫ２を構成する。
【００５３】
図９のように、図８の容量Ｃ１，Ｃｔをそれぞれ直列接続の容量で実現することで、例えば、チップの内蔵容量の耐圧が不足するような場合であっても、直列容量による分圧に伴い耐圧を確保することが可能になる。
【００５４】
（実施の形態６）
《高周波電力増幅器モジュールの詳細構成［６］》
図１０は、本発明の実施の形態６による高周波電力増幅器モジュールにおいて、その構成例を示す回路ブロック図である。図１０に示す高周波電力増幅器モジュールＨＰＡＭＤは、前述した図４の構成例に、前述した図８の高調波トラップ回路ＴＰＢＫ１を組み合わせたような構成を備えている。図１０における高周波電力増幅チップＨＰＡＩＣ６は、図４で述べた容量Ｃ１およびコイルＬ１からなるＬＣ直列共振回路と容量Ｃ２およびコイルＬ２からなるＬＣ直列共振回路に加えて、図８で述べた容量Ｃｔを備える。図１０におけるフロントエンドブロックＦＥＢＫ３は、図８で述べたコイルＬｔを備える。ＣｔおよびＬｔは、図８の場合と同様に、高調波トラップ回路ＴＰＢＫ１を構成する。
【００５５】
このような構成例を用いると、実施の形態２で述べた各種効果に加えて、クロスバンドリークの更なる低減が実現可能になる。すなわち、前述したように、容量Ｃ１およびコイルＬ１を持つＬＣ直列共振回路と、容量Ｃ２およびコイルＬ２を持つＬＣ直列共振回路とによってクロスバンドリークが低減できることに加えて、高調波トラップ回路ＴＰＢＫ１によって更にクロスバンドリークを低減することが可能になる。
【００５６】
（実施の形態７）
《高周波電力増幅器モジュールの詳細構成［７］》
図１１は、本発明の実施の形態７による高周波電力増幅器モジュールにおいて、その構成例を示す回路ブロック図である。図１１に示す高周波電力増幅器モジュールＨＰＡＭＤは、前述した図２の構成例と比較して、図２のフロントエンドブロックＦＥＢＫ１が図１１のフロントエンドブロックＦＥＢＫ４に置き換えられた点が異なっている。図１１のＦＥＢＫ４は、図２のＦＥＢＫ１におけるアンテナスイッチＡＮＴＳＷの一部の構成例を詳細に示したものとなっている。図１１のＡＮＴＳＷ１は、高周波電力増幅器ＨＰＡ１の出力をアンテナ信号ＡＮＴＯＵＴ用の外部端子に接続するトランジスタスイッチＱｔ１と、高周波電力増幅器ＨＰＡ２の出力をＡＮＴＯＵＴ用の外部端子に接続するトランジスタスイッチＱｔ２と、Ｑｔ２のＨＰＡ２側の端子を接地電源電圧ＧＮＤに接続するトランジスタスイッチＱｓ２を含む。Ｑｔ１，Ｑｔ２，Ｑｓ２は、例えばｐＨＥＭＴ素子やＳＯＩ基板上のＭＯＳトランジスタ等である。
【００５７】
前述したような、クロスバンドリークの問題は、アンテナスイッチＡＮＴＳＷにおけるアイソレーション特性が十分に高ければ大きな問題とはならない。そこで、図１１のＡＮＴＳＷ１では、スルー用のトランジスタスイッチＱｔ１，Ｑｔ２に加えて、シャント用のトランジスタスイッチＱｓ２を備えている。Ｑｔ１とＱｓ２は、アンテナスイッチ制御回路ＡＮＴＳＷＣＴＬを介してオン・オフが共通に制御される。高周波電力増幅器ＨＰＡ１が動作する際には、Ｑｔ１，Ｑｓ２がオン、Ｑｔ２がオフに制御される。したがって、仮に、ＨＰＡ１による２次の高調波歪み成分（２ＨＤ）が高周波電力増幅器ＨＰＡ２側に回り込んだのちロウパスフィルタＬＰＦ２を介して伝送され、加えてＱｔ２のアイソレーション特性が十分でない場合でも、当該２ＨＤはＱｓ２を介して抑制されることになる。
【００５８】
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。
【００５９】
ここでは、無線通信システムとして携帯電話システムを例に説明を行ったが、例えば、２．４ＧＨｚ帯と５．２ＧＨｚ帯に対応した無線ＬＡＮ（Local Area Network）等においても同様に適用可能である。
【符号の説明】
【００６０】
ＡＤＤ  加算回路
ＡＭＰ  アンプ回路
ＡＮＴ  アンテナ
ＡＮＴＦＬＴ  アンテナフィルタ
ＡＮＴＯＵＴ  アンテナ信号
ＡＮＴＳＷ  アンテナスイッチ
ＡＮＴＳＷＣＴＬ  アンテナスイッチ制御回路
ＡＰＣ  自動電力制御回路
ＡＴＴ  アッテネータ回路
ＢＢＵ  ベースバンドユニット
ＢＩＡＳＣＴＬ  バイアス制御回路
Ｃ  容量
ＣＤＥＴｉｎ  入力検波信号
ＣＰＬ  方向性結合器（カプラ）
ＤＡＭＰ  差動アンプ回路
ＤＥＴ  レベル検出回路
ＤＥＴＢＫ  電力検出回路ブロック
ＦＥＢＫ，ＦＥＢＫ’  フロントエンドブロック
ＨＰＡ  高周波電力増幅器
ＨＰＡＩＣ  高周波電力増幅チップ
ＨＰＡＭＤ  高周波電力増幅器モジュール
ＩＶＣ  電流電圧変換回路
Ｌ  コイル
ＬＰＦ  ロウパスフィルタ
ＭＩＣ  マイク
ＭＮＴ  整合回路
Ｐｉｎ  入力電力信号
Ｐｏｕｔ  出力電力信号
Ｑ  トランジスタスイッチ
ＲＦＩＣ  高周波信号処理装置
ＲＦＳＹＳ  高周波システム部
Ｒｘ  受信信号
ＳＡＷ  ＳＡＷフィルタ
ＳＢＤ  バンド選択信号
ＳＰＫ  スピーカ
ＴＰＢＫ  高調波トラップ回路
Ｔｘ  送信信号
Ｖｄｅｔ  検出電圧信号
Ｖｒａｍｐ  電力指示信号
【図１】
0005807541.tif 000002
【図２】
0005807541.tif 000003
【図３】
0005807541.tif 000004
【図４】
0005807541.tif 000005
【図５】
0005807541.tif 000006
【図６】
0005807541.tif 000007
【図７】
0005807541.tif 000008
【図８】
0005807541.tif 000009
【図９】
0005807541.tif 000010
【図１０】
0005807541.tif 000011
【図１１】
0005807541.tif 000012
【図１２】
0005807541.tif 000013