(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
高分子材料により形成された支持体と、気相堆積法により前記支持体上に形成された蛍光体層とを備える多層構造の放射線画像変換プレートを、同一走査線上をレーザー光で複数回走査することによって、所望のサイズを有する複数枚の放射線画像変換パネルに断裁することを特徴とする、放射線画像変換プレートの断裁方法。
【請求項２】
前記蛍光体層は、組成中にＣｓを含む、瞬時発光性蛍光体または輝尽性蛍光体のいずれかであることを特徴とする、請求項１に記載の放射線画像変換プレートの断裁方法。
【請求項３】
前記蛍光体層は、ＣｓＩ、ＣｓＢｒ、ＣｓＣｌのうち、少なくとも２種類以上が任意の混合比率で形成された混晶体であることを特徴とする、請求項２に記載の放射線画像変換プレートの断裁方法。
【請求項４】
前記瞬時発光性蛍光体が、少なくとも１種類以上の付活剤を含んで作られたＣｓＩであることを特徴とする、請求項２に記載の放射線画像変換プレートの断裁方法。
【請求項５】
前記輝尽性蛍光体は、Ｅｕを付活剤として含んだＣｓＢｒであることを特徴とする、請求項２に記載の放射線画像変換プレートの断裁方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、放射線画像変換プレートの断裁方法に関し、特に気相堆積法により形成される放射線画像変換プレートをレーザー光により断裁する放射線画像変換プレートの断裁方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、病気診断等を目的として、Ｘ線画像に代表される放射線画像が用いられている。この放射線画像を得るための方式として、近年においては、輝尽性蛍光体等の蛍光体を採用した放射線画像読取方式が提案、実用化されている。例えば輝尽性蛍光体を用いる場合、具体的には輝尽性蛍光体の性質を利用し、被写体各部の放射線透過度に対応する放射線エネルギーを輝尽性蛍光体層に蓄積させ、輝尽励起光で走査することによって蓄積させた放射線エネルギーを輝尽発光として放出させ、光電変換手段を用いてこの輝尽発光を画像信号に変換して、デジタル画像データとして放射線画像を得ている。
【０００３】
一般に、このような放射線画像読取方式に用いられる放射線画像変換プレートは、支持体上に輝尽性蛍光体等の蛍光体を含有する蛍光体層を塗布して形成される。この放射線画像変換プレートの加工方法としては、打ち抜き刃を用いて所定サイズの放射線画像変換パネルを成形する断裁方法が知られている（例えば、特許文献１、２参照。）。また、一般的な加工方法としてレーザーを用いて有機膜をパターニングする加工方法が知られている（例えば、特許文献３参照。）
ところで、放射線画像変換パネルは、その使用目的に鑑みてできる限り放射線に対する感度が高く、鮮鋭度や粒状性に依存する画質の良い画像を与えるものであることが望まれている。しかしながら、塗布型の放射線画像変換パネルにおいては、その塗布材料にバインダ等の発光に寄与しない成分を含有するため、一定水準以上の感度や画質を得ることが困難であるという問題があった。
【０００４】
そこで、このような問題を解決するため、気相堆積法によるによる放射線画像変換プレートの製造方法が開示されている。気相堆積法では、蛍光体材料を蒸発・気化させ、支持体上に付着した結晶を成長させることで、支持体表面に柱状結晶など、結晶が整然と並んだ構成の蛍光体パネルを形成させることができるものであり、その材料に発光に寄与しない成分を含有しないため放射線に対して高い感度を得ることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平１１−２２３８９１号公報
【特許文献２】特開２００４−１５４９１３号公報
【特許文献３】特開２００４−２２６９０３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、気相堆積法を用いて生成した放射線画像変換プレートは、放射線に対する感度が高く画質の良い画像を与えるものである一方で、その蛍光体材料にバインダ樹脂を含有しないため結晶自体が非常に脆く、打ち抜き刃を用いて製品を切り出そうとした場合に結晶が割れてしまい生産性が低いという問題を有している。
また、レーザーを用いて一回の走査により断裁しようとした場合には、レーザーの加工領域周辺が熱相互作用によって過度に溶融してしまい、製品部の有効画像領域が狭くなってしまうという問題を有している。
【０００７】
本発明は前記した点に鑑みてなされたものであり、気相堆積法を用いて生成した放射線画像変換プレートに対しても、亀裂が生じることなく生産性のよい放射線画像変換プレートの断裁方法を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前記目的を達成するために、請求項１に記載の放射線画像変換プレートの断裁方法は、
高分子材料により形成された支持体と、気相堆積法により前記支持体上に形成された蛍光体層とを備える多層構造の放射線画像変換プレートを、同一走査線上をレーザー光で複数回走査することによって、所望のサイズを有する複数枚の放射線画像変換パネルに断裁することを特徴とする。
【００１１】
また、請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の放射線画像変換プレートの断裁方法において、
前記蛍光体層は、組成中にＣｓを含む、瞬時発光性蛍光体または輝尽性蛍光体のいずれかであることを特徴とする。
【００１２】
また、請求項３に記載の発明は、請求項２に記載の放射線画像変換プレートの断裁方法において、
前記蛍光体層は、ＣｓＩ、ＣｓＢｒ、ＣｓＣｌのうち、少なくとも２種類以上が任意の混合比率で形成された混晶体であることを特徴とする。
【００１３】
また、請求項４に記載の発明は、請求項２に記載の放射線画像変換プレートの断裁方法において、前記瞬時発光性蛍光体が、少なくとも１種類以上の付活剤を含んで作られたＣｓＩであることを特徴とする。
【００１４】
また、請求項５に記載の発明は、請求項２に記載の放射線画像変換プレートの断裁方法において、
前記輝尽性蛍光体は、Ｅｕを付活剤として含んだＣｓＢｒであることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、気相堆積法を用いて生成した放射線画像変換プレートに対しても、亀裂が生じることなく生産性のよい放射線画像変換プレートの断裁方法を提供する。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明に係る断裁装置を示す概略構成図である。
【図２】本発明に係る断裁装置に搭載されたレーザー発生装置を示す概略図である。
【図３】図１に示す断裁装置の制御機構を示すブロック図である。
【図４】本発明に係る基材プレートの断面図である。
【図５】図４に示す基材プレートの要部拡大図である。
【図６】本発明に係る基材プレートの製造方法の一過程を示す概略図である。
【図７】本発明に係る断裁方法を説明するためのフローである。
【図８】本発明に係る基材プレートを上面から見た図である。
【図９】本発明に係るパルスレーザーの加工条件を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明に係る実施形態について図面を参照して詳細に説明する。但し、発明の範囲を図示例に限定するものではない。
【００１８】
まず、本発明に係る断裁装置１の構成について説明する。
【００１９】
図１は、本実施形態に用いられる断裁装置１の要部構成を示す斜視図である。
本実施形態における断裁装置１は、支持体２１上に輝尽性蛍光体層２２を設けた基材プレート２０（放射線画像変換プレート）にレーザー光を走査することにより、基材プレート２０から所望のサイズの複数の放射線画像変換パネル２０ａ〜２０ｆを切り出す基材プレート２０の断裁装置１である。
【００２０】
図１に示すように、本実施形態において断裁装置１は、箱型に形成されたパージ室２を備えている。パージ室２は、外部の空間中に浮遊する塵等が内部に侵入しないように、内部がほぼ密閉された空間となっている。なお、パージ室２内は、低湿環境であることが好ましい。また、パージ室２の上面には、レーザー光を透過させる透光窓６が設けられている。
【００２１】
パージ室２内部の底面には、基材プレート２０を載置する支持台３が設けられている。
支持台３は、平板状の部材であり、本実施形態における断裁装置１で断裁される基材プレート２０の最大サイズよりも大きく形成されている。支持台３には図示しない吸着手段が付設されており、支持台３に設置された基材プレート２０を吸着保持するようになっている。
また、支持台３には、当該支持台３を水平方向（図１におけるＸ-Ｙ方向）に移動させる支持台移動手段１６が備えられており、支持台３に設置された基材プレート２０は支持台３とともにＸ-Ｙ方向に移動可能となっている。
【００２２】
この支持台３の上方には、パージ室２内に発生した塵やすす等の浮遊物を集塵する集塵手段７が設けられている。
集塵手段７は、ほぼ環状に形成されており、集塵手段７の中空部分が前記透光窓６に対応する位置にくるように配置されている。
集塵手段７には、集塵手段７によって集められた塵等の浮遊物をパージ室２の外に導く排出管８の一端が連通している。排出管８の他端は、パージ室２の上面を貫通してパージ室２の外部に露出しており、集塵手段７によって集められた塵等の浮遊物は排出管８を介してパージ室２の外に排出されるようになっている。
【００２３】
また、パージ室２の上方には、パージ室２内の支持台３上に載置された基材プレート２０にレーザー光を照射するレーザー発生装置４が設けられている。
【００２４】
図２は、本実施形態におけるレーザー発生装置４を示す概略図である。
レーザー発生装置４は、レーザー光を発生させるレーザー発振部９、レーザー発振部９より発振されたレーザー光のビーム径を調節するビームエキスパンダー１０、及びレーザーの光路を調節し基材プレート２０にレーザー光を照射する加工ヘッド５等から構成されている。
【００２５】
レーザー発振部９には、ＹＡＧ（Yttrium Aluminum Garnet イットリウム・アルミニウム・ガーネット結晶）等のレーザー光学媒体と、これを挟んで対向した一対の反射ミラーと、からなる光共振器（図示せず）が備えられており、光共振器に付設された繰り返し周波数設定手段１１によって所定の周波数のレーザー光が発振されるようになっている。
なお、本実施形態においては、レーザー発振部９にＹＡＧ等を備える固体レーザーを例として説明するが、レーザー発振部はこれに限定されず、例えばガスレーザー等、固体以外の媒体を用いるものであってもよい。
レーザー発振部９より発振されたレーザー光は、ビームエキスパンダー１０を介して所定のビーム径に調節され、加工ヘッド５に出射されるようになっている。
【００２６】
加工ヘッド５は、折り返しミラー１２、ガルバノミラー１３、及び、集光レンズ１４を備えて構成されている。
折り返しミラー１２は、全反射ミラーであり、レーザー発振部９から発振されビームエキスパンダー１０を介して照射されたレーザー光は折り返しミラー１２に入射し、折り返しミラー１２により基材プレート２０に向かって方向変換なされる。
【００２７】
さらに、折り返しミラー１２により方向変換されたレーザー光は、ガルバノミラー１３に入射する。ガルバノミラー１３は、例えばレーザー光を全反射させる反射ミラーと、この反射ミラーの角度を変更させる角度調整手段と（いずれも図示せず）を備えて構成されており、ガルバノミラー１３に入射したレーザー光は、角度を調整された上で集光レンズ（ｆθレンズ）１４に入射する。そして、レーザー光は、集光レンズ１４によって加工対象物である基材プレート２０上の一点に集光されるとともに、ガルバノミラー１３の動きに応じて照射角度を調整され、基材プレート２０上の所定の走査線Ｓ上を走査可能となっている。このとき、ガルバノミラー１３と、前記支持台移動手段１６とは、相対的に動作して基材プレート２０上にレーザー光を走査する走査手段１７として機能する。
【００２８】
図１において、加工ヘッド５から照射されるレーザー光の光軸を二点鎖線で示している。
図１に示すように、レーザー発生装置４の加工ヘッド５は、透光窓６及び集塵手段７の中空部分に対応する位置に向けられており、レーザー光は、加工ヘッド５から矢印方向に照射され、透光窓６及び集塵手段７の中空部分を透過して支持台３上の基材プレート２０に照射されるようになっている。
支持台３に設置された基材プレート２０は、支持台３とともにＸ-Ｙ方向に移動することにより所定の走査線上にレーザー光が照射され、断裁されるようになっている。
【００２９】
また、断裁装置１は、制御装置１５を有している。図３は、断裁装置１の制御機構を示すブロック図である。
制御装置１５は、制御プログラムによって演算処理するＣＰＵ（Central Processing Unit）、制御プログラム等を格納するＲＯＭ（Read Only Memory）、データ等を一時記憶するＲＡＭ（Random Access Memory）（いずれも図示せず）等を備えて構成されるコンピュータであり、ＲＯＭに記録された制御プログラムをＲＡＭの作業領域に展開してＣＰＵにより実行するようになっている。
【００３０】
また、断裁装置１は、基材プレート２０から、いかなるサイズの放射線画像変換パネル２０ａ〜２０ｆを切り出すか、一枚の基材プレート２０から何枚の放射線画像変換パネル２０ａ〜２０ｆを切り出すか等の断裁条件や断裁開始指示等を入力する入力部１８を有しており、入力部１８から入力された情報は、制御装置１５に送られるようになっている。入力部１８は、例えばキーボードや操作パネルであり、ユーザは入力部１８を操作することにより放射線画像変換パネル２０ａ〜２０ｆのサイズや枚数等を所望の数値に設定することができる。なお、入力部１８は、断裁装置１の必須の構成要素ではなく、例えば外部のＰＣ（Personal Computer）等から断裁条件や断裁開始指示等を入力するように構成してもよい。
【００３１】
また、制御装置１５は、繰り返し周波数設定手段１１を制御し、レーザー発振部９から所定の周波数のレーザー光を、所定の繰り返し周波数で出射させるようになっている。
また、制御装置１５は、入力部１８から入力された断裁条件等に基づいて支持台移動手段１６を動作させ、支持台３を図１のＸ-Ｙ方向に水平に移動させるとともに、走査手段１７としてのガルバノミラー１３及び支持台移動手段１６の少なくとも一方を動作させ、支持台３に載置された基材プレート２０の所望の位置に、所望のビーム径でレーザー光が照射されるよう制御するようになっている。
本実施形態においては、断裁装置１は、１枚の基材プレート２０から６枚の放射線画像変換パネル２０ａ〜２０ｆを切り出すようになっており、各放射線画像変換パネル２０ａ〜２０ｆの外周に沿ってレーザー光を複数回周回走査させることにより、基材プレート２０から放射線画像変換パネル２０ａ〜２０ｆを１枚ずつ断裁する。このため、制御装置１５は、各放射線画像変換パネル２０ａ〜２０ｆの外周（基材プレート２０上の走査線Ｓ）に沿ってレーザー光が複数回周回走査されるように、ガルバノミラー１３及び支持台移動手段１６の少なくとも一方を動作させるようになっている。
【００３２】
ここで、図４を参照しつつ、本実施形態における断裁装置１によって断裁される基材プレート２０（放射線画像変換プレート）について説明する。
【００３３】
本実施形態において基材プレート２０（放射線画像変換プレート）は、支持体２１と、支持体２１の上に形成された輝尽性蛍光体層２２とを備える多層構造となっており、この基材プレート２０を断裁することにより切り出される放射線画像変換パネル２０ａ〜２０ｆは、被写体を透過した放射線を輝尽性蛍光体層２２に吸収させ、被写体各部の放射線透過密度に対応する放射線エネルギーを蓄積することができる。そして、その後、可視光線、赤外線などの電磁波（励起光）によって輝尽性蛍光体を時系列的に励起することにより、輝尽性蛍光体中に蓄積されている放射線エネルギーを輝尽発光として放出させる。この光の強弱による信号を、例えば、光電変換することにより電気信号を得て、ハロゲン化銀写真感光材料などの記録材料、ＣＲＴなどの表示装置上に可視像として再生することができる。
【００３４】
支持体２１としては、各種高分子材料（ポリマー）、例えば、セルロースアセテートフィルム、ポリエステルフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリアミドフィルム、ポリイミドフィルム、トリアセテートフィルム、ポリカーボネートフィルムなどのプラスチックフィルム等を適用することができる。なお、支持体２１を形成する材料はここに例示したものに限定されない。
【００３５】
支持体２１の厚さ寸法は用いる材料の材質等によって異なるが、一般的には８０μｍ〜５０００μｍであり、取り扱い上の観点から、更に好ましいのは１００μｍ〜４０００μｍである。
【００３６】
支持体２１と輝尽性蛍光体層２２との間には、金属薄膜２３が配置されている。金属薄膜２３は、輝尽性蛍光体層２２を支持体２１の上に均一に蒸着させて基材プレート２０全体としての平面性を確保するためのものであり、例えばアルミニウム、鉄、銅、クロム等により形成されている。
なお、アルミニウム等からなる金属薄膜２３に輝尽性蛍光体層２２が直接接触すると金属薄膜２３の腐食の要因となることから、金属薄膜２３の表面（輝尽性蛍光体層が形成される側の面）は被覆層２４によって覆われている。
【００３７】
輝尽性蛍光体層２２は、少なくとも一層以上から構成され、また、蛍光体の種類により異なるが、その層厚は５０μｍ以上、本発明の効果を得る観点でより好ましくは５０〜１０００μｍの範囲である。また、図５に示すように、輝尽性蛍光体層２２は、蛍光体から構成された多数の柱状結晶２２ａ，２２ａ，…が並んだ柱状構造を有している。
なお、図５は、金属薄膜２３及び被覆層２４が省略して示されている。
【００３８】
また、基材プレート２０の作製方法としては、図６に示すように、まず、所定の支持体２１を準備し、その支持体２１上（図６における下面）に周知の気相堆積法で輝尽性蛍光体層２２を形成することができる。
ここでは、複数存在する周知の気相堆積法のうち、例えば、蒸着法で輝尽性蛍光体層２２を形成する場合について説明する。支持体２１を蒸着装置内の支持体ホルダ２５に固定・設置し、当該蒸着装置内を排気して一定の真空度とする。その後、抵抗加熱法，エレクトロンビーム法等の方法により蛍光体を蒸着源として当該蛍光体を加熱・蒸発させ、支持体２１の表面上に蛍光体を所望の厚さになるまで成長させ、輝尽性蛍光体層２２を支持体２１上に形成する。
【００３９】
図５に示すように、輝尽性蛍光体層２２の表面では、長さ数１０〜数１００μｍ，平均直径数μｍの柱状結晶２２ａが整然と並んだ構造の蛍光体を成膜することができる。
【００４０】
次に、本発明に係る断裁装置１の断裁方法について説明する。
【００４１】
まず、断裁装置１の支持台３上に基材プレート２０の支持体２１側を下面として載置して、該支持台３上に基材プレート２０を吸着保持する。従って、基材プレート２０は、輝尽性蛍光体層２２を上側にして保持される。
【００４２】
支持台３上に載置された基材プレート２０は、支持台移動手段１６によってレーザー発生装置４の加工ヘッド５の直下に位置付けられる（図７；ＳＴＡＲＴ）。基材プレート２０が加工ヘッド５の直下に位置付けられると、制御装置１５は、基材プレート２０のレーザー加工すべき加工領域(図８におけるＸ１)を検出するアライメント作業を実行する。
すなわち、制御装置１５は、基材プレート２０における予め設定された所定の走査線Ｓと、この走査線Ｓに沿ってレーザー光を照射する加工ヘッド５の集光レンズ１４との位置合わせを行うためのパターンマッチング等の処理を実行し、レーザー照射位置のアライメントを遂行する（ステップＳ１）。
【００４３】
このようにして支持台３の上に保持された基材プレート２０の走査線Ｓを検出してレーザー照射位置のアライメントが行われた後、所定の開始点Ｘ１を加工ヘッド５の直下に位置付ける（ステップＳ２）。このとき、基材プレート２０は、走査線Ｓの一箇所(図８におけるＸ１)が加工ヘッド４の直下に位置するように位置付けられる。
【００４４】
次に、予め設定された条件に即した所定周波数のレーザー光をレーザー発生装置４から出射し、該レーザー光を加工ヘッド５から基材プレート２０に対して照射する。
次に、該レーザー光が走査線Ｓ上を所定速度で走査するように、支持台３（すなわち基材プレート２０）及びガルバノミラー１３のうち少なくとも一方を、図８において矢印Ｘ、または−Ｘで示す方向、及び、矢印Ｙ、または−Ｙで示す方向の一方または両方に移動させる。このようにしてレーザー光が予め設定された走査線Ｓ上を走査する（ステップＳ３）。
そして、加工ヘッド５が走査線Ｓ上を走査して開始点Ｘ１に到達したらこれを一回の走査として、加工ヘッド５が再び同一走査線Ｓ上を所定の走査速度で走査する二回目の走査を開始する。このとき一回の走査毎に所定の走査回数に達したか否か判断し（ステップＳ４）、所定の走査回数に達しない場合には（ステップＳ４；ＮＯ）、所定走査回数に達するまで前記ステップＳ３からステップＳ４を繰り返す。
そして、同一走査線Ｓ上を予め設定された走査回数走査したら（ステップＳ４；ＹＥＳ）、レーザー光の照射を停止する（図７；ＥＮＤ）。この結果、基材プレート２０は、図８に示すように所定の走査線Ｓに沿って均一に切り出された放射線画像変換パネル２０ａが成形される。
【００４５】
次に、制御装置１５は、再び、基材プレート２０のレーザー加工すべき加工領域(図８におけるＸ２)を検出するアライメント作業を実行する。
すなわち、制御装置１５は、基材プレート２０から複数の放射線画像変換パネル２０ａ〜２０ｆを断裁加工するに際し、各放射線画像変換パネル２０ａ〜２０ｆに対して前記ステップＳ１からステップ４を繰り返す。
【００４６】
上記の断裁加工においては、レーザー発生装置４の加工ヘッド５から照射されるレーザー光は、パルスレーザーであることが好ましい。
パルスレーザーを用いることで、連続発振レーザーと比較して隣接パルス間の加工領域の重なりが少ないため、隣接パルスの熱相互作用が少なく加工部周辺の熱溶融が抑制される。
【００４７】
さらに、パルスレーザーの走査速度をV (ｍｍ/ｓ)とし、パルスレーザーの繰り返し周波数をｆ(Hz)としたとき、パルスレーザーの走査速度Ｖ（ｍｍ／ｓ）が、一般式（１）を満たし、かつ、同一走査線Ｓ上におけるパルスレーザーの照射位置（位相）が走査毎にずれるように設定することが好ましい。
Ｖ[ｍｍ／ｓ]≧ｆ[Ｈｚ]×ｗ[ｍｍ] ・・・（１）
【００４８】
図９は、パルスレーザーが基材プレート２０を加工する様子を示す概念図である。ここで、パルスレーザーの１パルス照射時の加工領域（照射位置）をＯ１，Ｏ２…とし、その直径（加工径）をｗ１，ｗ２…(ｍｍ)として示す。また、一回目の走査時の加工領域を実線で、二回目の走査時の加工領域を二点鎖線で示す。
なお、一般式（１）におけるｗ（加工径（直径））は、放射線画像変換プレートの同一箇所に、放射線画像変換プレートが完断できる回数でパルスレーザーを照射した時に形成される一つの加工穴の直径の中で、最も小さな直径となる部分の直径を表す。
【００４９】
このような設定を満たす場合、隣接した加工領域Ｏ１とＯ２とが重ならないため、一回の走査で加工される加工部周辺の熱溶融部を最小限に抑えられるとともに、走査毎のパルスレーザー照射位置が異なるために同一走査線上の異なる位置を加工領域とすることができ、加工領域Ｏ１，Ｏ２…周辺の溶融領域Ｔの拡大を防止しつつ確実に断裁することが可能である。
【００５０】
この走査速度V (ｍｍ/ｓ)は、走査手段１７であるガルバノミラー１３と、支持台移動手段１６と、を制御装置１５によって制御することにより実施される。すなわち、制御装置１５は、レーザー発生装置４の繰り返し周波数設定手段１１と、基材プレート２０を移動させる支持台移動手段１６と、ガルバノミラー１３と、を制御し、レーザー発生装置４によって発振されるパルスレーザー光線の繰り返し周波数ｆ(Hz)と、基材プレート２０上を走査するレーザー光の走査速度V (ｍｍ/ｓ)を適宜設定して、V (ｍｍ/ｓ)≧ｗ(ｍｍ)×ｆ(Hz)が成り立つように設定する。
【００５１】
また、このとき使用されるレーザー光は、波長２６６nm程度の紫外レーザー光であることが好ましい。
波長２６６nm程度の紫外レーザー光では、熱作用により加工対象物を加工すると同時に有機材料でＣ−Ｈ結合やＣ−Ｃ結合等の分子結合を解離させることが可能である。すなわち、本実施形態においては、該紫外レーザー光を複数回走査させることによって輝尽性蛍光体層２２は熱作用により断裁され、支持体２１においては分子結合が解離するため断裁されることとなる。このため、輝尽性蛍光体層２２は熱作用で、支持体２１は分子結合の解離により切断されるため、切断部の結晶割れを防止することができる。
【００５２】
以上説明したように、本発明に係る断裁装置及び断裁方法によれば、基材プレート２０を断裁するのにレーザー光を用いることにより、バインダ樹脂を含有しない輝尽性蛍光体層２２の断裁においても結晶割れを防止するため生産性を向上させることが可能である。
また、同一走査線上を複数回走査することで、低出力で加工できるため加工領域周辺の熱溶融が抑制され、切断部の溶融幅を小さくし、有効画像領域を広くすることができる。
また、パルスレーザーを用いることにより、加工領域周辺の熱溶融が抑制されるため、切断部の溶融幅を小さくし、有効画像領域を広くすることができる。
また、紫外領域のレーザー光を用いることにより、輝尽性蛍光体層２２は熱作用で、支持体２１は分子結合の解離により切断されるため、切断部の結晶割れを防止し生産性を向上させることが可能である。
【００５３】
なお、レーザー光の周波数や走査速度は、走査毎に設定、変更することも可能である。
また、レーザー光の移動方向としては、結果として同一走査線上を複数回走査させるものであればよく、放射線画像変換パネル２０ａの全周を複数回走査させて断裁してもよいし、一辺ずつ断裁するように走査させてもよい。また、開始点の位置に関しても適宜設定可能である。
【００５４】
また、本実施形態においては、蛍光体層として、輝尽性蛍光体を使用した場合について説明したが、本発明においては、輝尽性蛍光体以外の蛍光体を使用することもでき、例えばＦＰＤ用のシンチレータとして用いられる瞬時発光性蛍光体を使用してもよい。
【００５５】
本発明で使用できる輝尽性蛍光体としては、例えば、以下のような蛍光体が挙げられる（特開平１１−２４９２４３号公報の段落番号[００６０]から[００６１]参照）。
一般式aBaX2・(1-a)BaY2 : bEu2+(式中、X,Yは、それぞれ、F,Cl,Br,Iの少なくとも1種を表し、X≠Yであり、a,bは、0＜a＜1、10-5＜b＜10-1 を満たす数を表す。)で表される輝尽性蛍光体。
一般式MIX・aMIIX′2・bMIIIX″3:cA(但し、MIは、Li,Na,K,Rb,Csの少なくとも１種のアルカリ金属を表し、MIIは、Be,Mg,Ca,Sr,Ba,Zn,Cd,Cu,Niの少なくとも1種の2価の金属を表し、MIIIは、Sc,Y,La,Ce,Pr,Nd,Pm,Sm,Eu,Gd,Tb,Dy,Ho,Er,Tm,Yb,Lu,Al,Ga,Inの少なくとも1種の3価の金属を表し、X,X′,X″は、F,Cl,Br,Iの少なくとも1種のハロゲンを表し、Aは、Eu,Tb,Ce,Tm,Dy,Pr,Ho,Nd,Yb,Er,Gd,Lu,Sm,Y,Tl,Na,Ag,Cu,Mgの少なくとも1種の金属を表し、a,b,cは、0≦a＜0.5、0≦b＜0.5、0≦c＜0.2を満たす数を表す。)で表されるアルカリハイドロイド輝尽性蛍光体。
一般式(Ba1-x(MI)x)FX:yA(但し、MIは、Mg,Ca,Sr,Zn,Cdの少なくとも1種を表し、Xは、Cl,Br,Iの少なくとも1種を表し、Aは、Eu,Tb,Ce,Tm,Dy,Pr,Ho,Nd,Yb,Erの少なくとも1種を表し、x,yは、0≦x＜0.6、0≦y＜0.2を満たす数を表す。)で表される輝尽性蛍光体。
一般式MIFX・xA:yLn(但し、MIは、Mg,Ca,Ba,Sr,Zn,Cdの少なくとも1種を表し、AはBeO,MgO,CaO,SrO,BaO,ZnO,Al2O3,Y2O3,La2O3,In2O3,SiO2,TiO2,ZrO2,GeO2,SnO2,Nb2O5,Ta2O5,ThO2の少なくとも1種を表し、Lnは、Eu,Tb,Ce,Tm,Dy,Pr,Ho,Nd,Yb,Er,Sm,Gdの少なくとも1種を表し、XはCl,Br,Iの少なくとも1種を表し、x,yは、5×10-5≦x≦0.5、0＜y≦0.2を満たす数を表す。)で表される輝尽性蛍光体。
【００５６】
また、本発明で使用できる瞬時発光性蛍光体としては、例えば、Ｃｓをベースとして結晶が形成される蛍光体であり、ＣｓＩが好適である。
付活剤としては、例えばインジウム（Ｉｎ）、タリウム（Ｔｌ）、リチウム（Ｌｉ）、カリウム（Ｋ）、ルビジウム（Ｒｂ）、ナトリウム（Ｎａ）、ユーロピウム（Ｅｕ）、銅（Ｃｕ）、セリウム（Ｃｅ）、亜鉛（Ｚｎ）、チタン（Ｔｉ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、テルビウム（Ｔｂ）等の化合物を使用可能であり、これらのうち、少なくとも一種類以上を選択することができる。なお、ＣｓＩをベースとしていれば、付活剤は、該知のいかなるものでも使用可能であり、発光波長や耐湿性などの要求特性に合わせて任意に選択することができるのであり、付活剤の種類はここに例示したものに限定されない。
また、ベースとなる蛍光体であるＣｓＩの代わりに、ＣｓＢｒやＣｓＣｌ等を用いる構成としてもよい。また、蛍光体層は、ＣｓＩ、ＣｓＢｒ、ＣｓＣｌのうち、二種類以上の蛍光体が任意の混合比率で形成された混晶体をベースとして結晶が形成されたものであっても構わない（特開２００７−１３９６０４号公報の段落番号[００６３]から[００６４]参照）。
【００５７】
なお、本発明において、瞬時発光性蛍光体を使用する場合には、ＣｓＩ（付活剤はＴｌ）を使用することが好ましい。また、本発明では、蛍光体の中でも輝尽性蛍光体を使用することが好ましく、特に、ＣｓＢｒ（付活剤はＥｕ）を使用することが好ましい。
【００５８】
以下、本発明を実施例により説明する。なお、本発明はこれらの実施例により限定されるものではない。
【００５９】
（気相堆積型の放射線画像変換プレートの作製）
支持体（１ｍｍ厚、面積４１０ｍｍ×４１０ｍｍの結晶化ガラス（日本電気ガラス社製））を気相堆積装置に入れ、次いで、蛍光体原料（ＣｓＢｒ：０．０００１Ｅｕ）をプレス成形してルツボに充填し、水冷した後に蒸着装置内に入れ、蒸着源とした。支持体と蒸着源との距離は６０ｃｍとした。支持体と蒸着源との間にはアルミニウム製のスリットを配置した。
【００６０】
その後、気相堆積装置内を排気口にポンプを接続して排気し、更にガス導入口から窒素を導入して（流量１０００ｓｃｃｍ（ｓｃｃｍ：ｓｔａｎｄａｒｄ  ｃｃ／ｍｉｎ（１×１０-6 ｍ3／ｍｉｎ）））、装置内の真空度を６．６５×１０-3Ｐａに維持した。この状態で蒸着源を６５０℃に加熱し、支持体の一方の面に、ＣｓＢｒ：０．０００１Ｅｕからなる輝尽性蛍光体を気相堆積させた。
【００６１】
輝尽性蛍光体の蒸気はアルミニウム製のスリットを通って支持体の法線方向に対して０°の入射角度で入射するようにし、支持体と平行な方向に支持体を搬送しながら、蒸着を行った。輝尽性輝尽性蛍光体層の膜厚が４００μｍとなったところで蒸着を終了させ、放射線画像変換プレート（基材プレート）を作製した。
【実施例１】
【００６２】
波長２６６ｎｍ、繰り返し周波数５０００Ｈｚ、ビーム径２０μｍのパルスレーザー光を出力３００ｍＷで上記のように作製した放射線画像変換プレートに照射し、２４回走査させることにより断裁して放射線画像変換パネルを作製した。
【００６３】
＜比較例１＞ 
波長３６５ｎｍ、ビーム径２０μｍの連続発振（ＣＷ）のレーザー光を用いて、出力５０ｍＷで上記のように作製した放射線画像変換プレートに照射し、１５０回走査させることにより断裁して放射線画像変換パネルを作製した。
【００６４】
＜比較例２＞
波長１０６４ｎｍ、繰り返し周波数２００００Ｈｚ、ビーム径２０μｍのレーザー光を出力８６００ｍＷで上記のように作製した放射線画像変換プレートに照射し、３回走査させることにより断裁して放射線画像変換パネルを作製した。
【００６５】
《基材プレートの評価》
上記により作製した放射線画像変換パネルを用い、切断部を目視により観察してその状態を下記のように評価し表１に  示した。また、各条件におけるパルスエネルギー[ｍＪ]及びエネルギー密度[Ｊ／ｃｍ２]を測定し表１に示した。
○：切断部に０．１ｍｍ幅を超える結晶溶融や、コゲ跡が見られない
×：切断部に０．１ｍｍ幅を超える結晶溶融や、コゲ跡が見られる
なお、切断部に０．１ｍｍ幅を超える結晶溶融やコゲ跡が生じなければ、実質的に問題なく使用できるものである。
【００６６】
【表１】
0005776682.tif 000002
【００６７】
表１に示したように、ＵＶパルスレーザー光を用いて複数回走査することで放射線画像変換プレートを断裁した場合、その切断部には結晶割れやコゲ跡等のみられず良好な放射線画像変換パネルを作製することが可能である。
【符号の説明】
【００６８】
１      断裁装置
２      パージ室
３      支持台
４      レーザー発生装置
５      加工ヘッド
６      透光窓
７      集塵手段
８      排出管
９      レーザー発振部
１０    ビームエキスパンダー
１１    繰り返し周波数設定手段
１２    折り返しミラー
１３    ガルバノミラー
１４    集光レンズ
１５    制御装置
１６    支持台移動手段
１７    走査手段
１８    入力部
２０    基材プレート
２０ａ〜２０ｆ  放射線画像変換パネル
２１    支持体
２２    輝尽性蛍光体層
２２ａ  柱状結晶
２３    金属薄膜
２４    被覆層
２５    支持体ホルダ
Ｓ      走査線 
Ｘ１，Ｘ２  開始点
Ｏ１，Ｏ２  加工領域
Ｔ      溶融領域
【図１】
0005776682.tif 000003
【図２】
0005776682.tif 000004
【図３】
0005776682.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
0005776682.tif 000009
【図８】
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【図９】
0005776682.tif 000011