(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子部品を内部に収納する筐体と、
前記筐体内に充填されて、電子部品を冷却する純水と、
前記純水を冷却する冷却部と、
前記純水中のイオンを除去するイオン除去部と、
前記純水中に不活性ガスを注入するガス注入部と、
前記筐体と前記冷却部と前記イオン除去部と前記ガス注入部とにより形成された気密性の経路であって、前記純水が内部を循環する経路と、
前記経路内に前記純水を供給する純水供給部であって、減圧して脱気された後に不活性ガスが注入された前記純水を、前記経路内に供給する純水供給部と、
を備え、
前記ガス注入部は、脱気膜を用いて前記純水中に溶存している酸素を脱気した後に、前記純水中に不活性ガスを注入する電子機器。
【請求項２】
複数の前記筐体を備えており、
複数の前記筐体同士は、前記純水を流通する気密性の取り外し可能な配管によって接続されている請求項１に記載の電子機器。
【請求項３】
前記純水の比抵抗は９ＭΩ・ｃｍよりも高い請求項１又は２に記載の電子機器。
【請求項４】
前記純水中の酸素濃度は２０ｐｐｂよりも低く、塩素濃度は１０ｐｐｂよりも低い請求項３に記載の電子機器。
【請求項５】
前記純水中の微粒子を除去するパーティクルフィルタを備える請求項１〜４の何れか一項に記載の電子機器。
【請求項６】
電子部品の配線が、前記筐体の壁を貫通して内側から外側に向かって延びており、
前記筐体の壁の貫通している部分が、合成樹脂によって塞がれている請求項１〜５の何れか一項に記載の電子機器。
【請求項７】
電子部品を内部に収納し、電子部品を冷却する純水が充填される筐体と、
純水を冷却する冷却部と、
純水中のイオンを除去するイオン除去部と、
純水中に不活性ガスを注入するガス注入部と、
前記筐体と前記冷却部と前記イオン除去部と前記ガス注入部とにより形成された気密性の経路であって、純水が内部を循環するようになされている経路と、
前記経路内に純水を供給する純水供給部であって、減圧して脱気された後に不活性ガスが注入された純水を、前記経路内に供給する純水供給部と、
を備え、
前記ガス注入部は、脱気膜を用いて純水中に溶存している酸素を脱気した後に、純水中に不活性ガスを注入する電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子部品は、動作中の発熱により温度が上昇して高温になる。そして、高温になった電子部品の誤作動又は故障を防止するために、電子部品を冷却することが従来から行われている。
【０００３】
例えば、サーバ又は通信装置等の多数の電子部品を収容するデータセンタでは、空調を用いた電子部品の冷却が行われている。データセンタでは、電子部品が収容されたラックにより通路を形成して、冷風が流れるコールドアイル及び電子部品を冷却して温度が上昇した空気が流れるホットアイルを形成するような空調システムが導入されている。
【０００４】
このように、空気を用いて電子部品を冷却する場合には、冷媒を用いた冷却装置で空気を冷却し、冷却された空気を用いて電子部品を冷却することになる。そのため、ヒートポンプ等の冷却装置で冷媒を冷却する熱交換の段階、及び冷媒を用いて空気を冷却する熱交換の段階、及び冷却された空気で電子部品を冷却する熱交換の段階という複数の熱交換の段階を経て電子部品が冷却される。そのため、各熱交換においてロスが生じるので、投入されたエネルギーに無駄な部分が生じる。
【０００５】
また、データセンタの室内にコールドアイル及びホットアイルを形成しても、室内の気流をうまく制御できない場合には、局所的な熱交換が生じて空調の効率を下げることになる。
【０００６】
更に、空気は単位体積当たりの熱容量が小さいので、発熱量の大きい電子部品を冷却することには適していない。
【０００７】
そして、発熱量が大きい電子部品を冷却するために、内部に冷却液が流通する配管を用いて冷却することが提案されている。
【０００８】
しかし、電子部品が収容されるラック内に配管を配置する場合には、冷却液が流通する配管がラック内の空気を冷却し、冷却された空気が電子部品を冷却することになるので、やはり、熱容量の小さい空気を介在させて電子部品の冷却が行われる。また、ラック内に曲がりくねった配管を配置することは、簡単な作業ではない。
【０００９】
更に、電子部品を収容した筐体に電気絶縁性の誘電性冷媒を充填し、誘電性冷媒を用いて、電子部品を直接冷却することが提案されている。しかし、筐体の周囲の雰囲気から誘電性冷媒中に水分が溶け込んだり、電子部品等の冷媒接触部分から腐食性の成分が誘電性冷媒中に溶解すると、誘電性冷媒の電気伝導度が上昇して、電子部品の誤作動又は故障を生じるおそれがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特表２００９−５３７９０５号公報
【特許文献２】特開２００２−１８９５３６号公報
【特許文献３】特開２００４−３６３３０８号公報
【特許文献４】特開２００２−３７４０８６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
上述したように、従来の冷却システムを備えた電子機器では、冷却効率又はシステムの信頼性に関して問題があった。
【００１２】
そこで、本明細書では、冷却効率及び信頼性の高い電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本明細書に開示する電子機器の一形態によれば、電子部品を内部に収納する筐体と、筐体内に充填されて、電子部品を冷却する純水と、純水を冷却する冷却部と、純水中のイオンを除去するイオン除去部と、純水中に不活性ガスを注入するガス注入部と、を備え、純水は、筐体と冷却部とイオン除去部とガス注入部とにより形成された気密性の経路内を循環する。
【００１４】
また、本明細書に開示する電子機器の一形態によれば、電子部品を内部に収納し、電子部品を冷却する純水が充填される筐体と、純水を冷却する冷却部と、純水中のイオンを除去するイオン除去部と、純水中に不活性ガスを注入するガス注入部と、を備え、筐体と冷却部とイオン除去部とガス注入部とにより形成された気密性の経路内を純水が循環するようになされている。
【発明の効果】
【００１５】
上述した本明細書に開示する電子機器の一形態によれば、冷却効率及び信頼性が高い。
【００１６】
本発明の目的及び効果は、特に請求項において指摘される構成要素及び組み合わせを用いることによって認識され且つ得られるだろう。
【００１７】
前述の一般的な説明及び後述の詳細な説明の両方は、例示的及び説明的なものであり、クレームされている本発明を制限するものではない。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本明細書に開示する電子機器の第１実施形態を示す図である。
【図２】図１の電子機器の筐体を示す図である。
【図３】図１の電子機器のイオン除去部を示す図である。
【図４】図１の電子機器のガス注入部を示す図である。
【図５】図１の電子機器のポンプ部を示す図である。
【図６】本明細書に開示する電子機器の第２実施形態の筐体を示す図である。
【図７】図６に示す複数の筐体から一部の筐体が除去された状態を示す図である。
【図８】除去された筐体からサーバを取り外す様子を示す図である。
【図９】比抵抗と時間との関係を示す図である。
【図１０】塩素濃度と時間との関係を示す図である。
【図１１】酸素濃度と時間との関係を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本明細書で開示する電子機器の好ましい実施形態を、図を参照して説明する。但し、本発明の技術範囲はそれらの実施形態に限定されず、特許請求の範囲に記載された発明とその均等物に及ぶものである。
【００２０】
図１は、本明細書に開示する電子機器の第１実施形態を示す図である。図２は、図１の電子機器の筐体を示す図である。図３は、図１の電子機器のイオン除去部を示す図である。図４は、図１の電子機器のガス注入部を示す図である。図５は、図１の電子機器のポンプ部を示す図である。
【００２１】
本実施形態の電子機器１０は、サーバ２０ａ、２０ｂ、２０ｃを内部に収納する筐体１１と、筐体１１内に充填されて、サーバ２０ａ、２０ｂ、２０ｃを冷却する純水１２とを備える。また、電子機器１０は、純水１２を冷却する冷却部１３と、純水１２中のイオンを除去するイオン除去部１４と、純水１２中に不活性ガスを注入するガス注入部１５と、経路１８内に純水１２を循環させるポンプ部１６とを備える。
【００２２】
電子機器１０は、作動して発熱するサーバ２０ａ、２０ｂ、２０ｃを、冷却された純水１２で直接冷却する。純水１２は、熱容量が大きいので、サーバ２０ａ、２０ｂ、２０ｃの冷却能力が高い。
【００２３】
筐体１１とポンプ部１６、及びポンプ部１６と冷却部１３、及び冷却部１３とイオン除去部１４、及びイオン除去部１４とガス注入部１５、及びガス注入部１５と筐体１１は、気密性及び水密性を有する配管によって接続されている。筐体１１と冷却部１３とイオン除去部１４とガス注入部１５と配管とにより形成された気密性及び水密性を有するループ状の経路１８内を、純水１２が循環する。
【００２４】
筐体１１には、複数のサーバ２０ａ、２０ｂ、２０ｃが収納されている。複数のサーバ２０ａ、２０ｂ、２０ｃは、筐体１１内に充填された純水１２中に浸漬されている。サーバ２０ａ、２０ｂ、２０ｃとしては、例えば、ブレードサーバ又はラックマウント型サーバのような、電子部品が挙げられる。サーバ２０ａ、２０ｂ、２０ｃが、ブレードサーバの場合には、ブレード上にＣＰＵ、メモリ、インターフェース等の部品等が雰囲気に露出した状態で搭載されている。従って、サーバ２０ａ、２０ｂ、２０ｃに搭載されている部品は、純水１２中に浸漬されており、作動中に発熱した部品の熱は、純水１２に直接伝導して冷却される。サーバ２０ａ、２０ｂ、２０ｃに搭載される大容量の記憶装置としては、駆動部を有さない半導体メモリを用いることが好ましい。なお、筐体１１内に収納されるサーバは、電子部品の一例であり、筐体１１内に収納される装置としては、通信装置等の他の電子部品であっても良い。
【００２５】
純水１２の比抵抗は９ＭΩ・ｃｍよりも高いことが、サーバ２０ａ、２０ｂ、２０ｃ上の部品等をショートさせて誤作動又は故障が生じることを防止する上で好ましい。純水１２の比抵抗は高い程好ましく、純水１２の比抵抗は、特に１２ＭΩ・ｃｍよりも高いこと、更に１５ＭΩ・ｃｍよりも高いことが好ましい。
【００２６】
また、同様の観点から、純水中の塩素濃度（塩素イオン：Ｃｌ-）は１０ｐｐｂ、特に１５ｐｐｂ、よりも低いことが好ましい。更に、筐体１１を含む経路１８内の純水１２との接触部分の酸化による腐食を防止し且つ生菌の繁殖を防止するために、純水１２中の酸素濃度は２０ｐｐｂ、特に３０ｐｐｂよりも低いことが好ましい。
【００２７】
純水１２としては、いわゆる超純水を用いることが好ましい。
【００２８】
筐体１１を含む経路１８は、気密性及び水密性を有しており、水分又は不純物等の純水１２中に溶け込んで純水の電気伝導度を上昇させ得る物質が、外部から筐体１１を含む経路１８内に侵入することが防止される。
【００２９】
筐体１１では、ガス注入部１５から送られてきた純水１２が、サーバ２０ａ、２０ｂ、２０ｃを冷却しながら筐体１１内を通過して、ポンプ部１６へ流れていく。筐体１１内には、純水１２がガス注入部１５側からポンプ１６側へ向かって一方向に流れるように、純水１２の流路が形成されることが好ましい。また、筐体１１内には、純水１２の流れが滞るような液だまりが生じないように、サーバ２０ａ、２０ｂ、２０ｃが配置されることが好ましい。
【００３０】
サーバ２０ａ、２０ｂ、２０ｃは、電力又は通信等のための配線２１ａ、２１ｂ、２１ｃを有している。図２に示すように、配線２１ａ、２１ｂ、２１ｃは、筐体１１の壁を貫通する貫通孔１１ａを通って、筐体１１の内側から外側に向かって延びている。筐体１１の壁の貫通している部分である貫通孔１１ａは、合成樹脂１１ｂによって塞がれており、筐体１１の気密性及び水密性が維持される。
【００３１】
筐体１１内のサーバ２０ａ、２０ｂ、２０ｃを交換する際には、まず、純水１２の循環を停止し、貫通孔１１ａが設けられている蓋を取り外して、純水１２を筐体１１内から抜く。そして、貫通孔１１ａから合成樹脂１１ｂを除去して、配線２１ａ、２１ｂ、２１ｃをサーバ２０ａ、２０ｂ、２０ｃから取り外す。そして、サーバ２０ａ、２０ｂ、２０ｃを筐体１１から取り外した後、新しいサーバを筐体１１内に収納する。
【００３２】
冷却部１３は、経路１８内を循環する純水１２との間で熱交換を行う熱交換器１３ａと、熱交換器１３ａに１次冷却水を供給するクーリングタワー１３ｂとを有する。
【００３３】
熱交換器１３ａは、クーリングタワー１３ｂにより供給される冷却された１次冷却水と、筐体１１内でサーバ２０ａ、２０ｂ、２０ｃから熱を受け取って温度が上昇した２次冷却水としての純水１２との間で熱交換を行う。クーリングタワー１３ｂでは、水の気化熱を利用して、１次冷却水を冷却する。純水１２は、熱を１次冷却水に渡すことにより冷却される。冷却された純水１２は、イオン除去部１４へ進む。一方、熱を受け取り温度が上昇した１次冷却水は、クーリングタワー１３ｂへ戻る。なお、熱交換器１３ａは、求められる冷却能力に応じて、冷媒を用いたヒートポンプ等の冷凍サイクルを有する装置を備えていても良い。
【００３４】
イオン除去部１４は、図３に示すように、パーティクルフィルタ１４ａと、活性炭フィルタ１４ｂと、イオン交換フィルタ１４ｃとを有する。冷却部１３から送られてきた純水１２は、パーティクルフィルタ１４ａ、活性炭フィルタ１４ｂ、イオン交換フィルタ１４ｃの順番にろ過される。
【００３５】
パーティクルフィルタ１４ａは、内部にメンブレンフィルタ等の微粒子をろ過するためにフィルタが充填されている。純水１２中の微粒子は、活性炭フィルタ１４ｂ又はイオン交換フィルタ１４ｃを詰まらす可能性がある。また、純水１２中の微粒子は、サーバ２０ａ、２０ｂ、２０ｃ上の部品をショートさせる可能性がある。パーティクルフィルタ１４ａは、このような微粒子をろ過して純水１２中から除去する。パーティクルフィルタ１４ａは、内部に充填されたフィルタのろ過能力が低下した場合には、内部のフィルタを交換することが好ましい。
【００３６】
活性炭フィルタ１４ｂは、内部に活性炭が充填されている。活性炭フィルタ１４ｂは、純水１２をろ過することにより、純水１２中の微粒子又は有機物を吸着して、これらを純水１２中から除去する。活性炭フィルタ１４ｂは、イオン交換フィルタ１４ｃでろ過される純水の前処理を行う。活性炭フィルタ１４ｂは、内部に充填された活性炭の吸着能力が低下した場合には、活性炭を交換することが好ましい。
【００３７】
イオン交換フィルタ１４ｃは、内部にイオン交換樹脂が充填されている。イオン交換樹脂として、塩素イオン（Ｃｌ-）等の純水１２中のイオンを水素イオン及び水酸化物イオンそれぞれと交換する。交換された水素イオン及び水酸化物イオンは、純水１２中で反応して水となる。イオン交換フィルタ１４ｃは、内部に充填されたイオン交換樹脂のイオン交換能力が低下した場合、イオン交換樹脂の交換を行うことが好ましい。例えば、純水１２の比抵抗の測定値が９ＭΩ・ｃｍ以下になった時に、イオン交換樹脂の交換を行うと良い。交換されたイオン交換樹脂は、再生してまた使用することができる。
【００３８】
ガス注入部１５は、図４に示すように、ガス注入タンク１５ａと、ガス注入ノズル１５ｂと、圧力弁１５ｃと、脱気膜１５ｄとを有する。イオン除去部１４から送られてきた純水１２は、ガス注入タンク１５ａ内に流入して、一時的に溜められる。ガス注入タンク１５ａ内の純水１２中には、ガス注入ノズル１５ｂより不活性ガスが注入される。また、不活性ガスが注入されて、ガス注入タンク１５ａ内が加圧される。不活性ガスの注入により、純水１２中の酸素の溶解度が減少するので、溶存している酸素が純水１２中から抜け出して、純水１２中の酸素濃度が低減する。ガス注入タンク１５ａ内の圧力が所定の値よりも高くなると、不活性ガス及び酸素が圧力弁１５ｃを通って外部に放出される。不活性ガスとしては、例えば、窒素、アルゴン等を用いることができる。純水１２中の酸素は、例えば、経路１８内の鉄と反応して水酸化鉄（Ｆｅ（ＯＨ）2、Ｆｅ（ＯＨ）3）を形成する。ガス注入部１５は、このような溶存酸素を低減して、経路１８内の酸化を防止する。そして、酸素濃度が低減した純水１２は、ガス注入タンク１５ａから、筐体１１へ流れていく。
【００３９】
また、ガス注入タンク１５ａに流入する純水１２中の気体成分は、脱気膜１５ｄを通って脱気される。脱気膜１５ｄは、気体のみを透し、液体を透さない膜である。脱気膜１５ｄの一方の面は経路１８に面しており、他方の面側は経路１８内よりも圧力が低減されている。ガス注入部１５では、このような脱気膜１５ｄを、ガス注入タンク１５ａの手前に配置することにより、純水１２中に含まれている酸素をできるだけ除去した後に、純水１２を、ガス注入タンク１５ａに送るようにしている。
【００４０】
例えば、筐体１１内に、発熱量が２ｋＷのサーバ２０台が収納されており、１５℃の純水が６０Ｌ／分の流量で経路１８内を循環している場合、ガス注入部１５は、不活性ガスとしてのアルゴンを５〜１０Ｌ／分の流量で、純水１２中に注入するようにしても良い。
【００４１】
ポンプ部１６は、図５に示すように、経路１８内に純水を循環させる駆動力を発生するポンプ１６ａを有する。ポンプ１６ａは、筐体１１から流れてきた純水１２を冷却部１３の熱交換器１３ａに送り出す。また、ポンプ１６ａは、経路１８内の純水１２を外部へ排水する機能を有する。
【００４２】
また、ポンプ部１６は、経路１８内に純水を供給するための供給水タンク１６ｂと、供給水タンク１６ｂ内を脱気するための減圧ポンプ１６ｃとを有する。サーバの交換等の際には、経路１８内の純水１２が排水されるので、減少した純水１２を経路１８に供給するために供給水タンク１６ｂが使用される。
【００４３】
純水１２を経路１８に供給する際には、まず、供給水タンク１６ｂ内が減圧ポンプ１６ｃにより脱気されて減圧にされる。次に、減圧にされた供給水タンク１６ｂ内に、純水１２が注入される。減圧状態の供給水タンク１６ｂ内に注入された純水１２に溶存していた気体成分は、純水１２中から抜け出すので、純水１２が脱気される。次に、供給水タンク１６ｂ内を大気圧にした後、不活性ガスが純水１２内に注入される。不活性ガスの注入により、純水１２中の酸素の溶解度が減少するので、溶存している酸素が純水１２中から抜け出して、純水１２中の酸素濃度が減少する。次に、供給水タンク１６ｂからポンプ１６ａに純水１２が供給されて、ポンプ１６ａから経路１８内に純水が送り出される。
【００４４】
供給水タンク１６ｂに注入される純水１２は、例えば、半導体製造用の純水製造設備から供給される。
【００４５】
また、電子機器１０は、図１に示すように、経路１８内を循環する純水１２の比抵抗を測定する比抵抗センサ１７ａを有する。また、電子機器１０は、経路１８内を循環する純水１２の酸素濃度を測定する酸素濃度センサ１７ｂと、経路１８内を循環する純水１２の温度を測定する温度センサ１７ｃとを有する。各センサは、ガス注入部１５と筐体１１との間の経路１８の部分に配置される。更に、電子機器１０は、比抵抗センサ１７ａ及び酸素濃度センサ１７ｂ及び温度センサ１７ｃそれぞれと接続されており、各センサの測定値を受け取る制御部１７を有する。
【００４６】
制御部１７は、比抵抗センサ１７ａにより測定された比抵抗の測定値が所定のしきい値よりも低い場合、ポンプ部１６を制御して経路１８内の純水１２の循環量を増加させて、イオン除去部１４を流通する純水１２の量を増やす。
【００４７】
また、制御部１７は、酸素濃度センサ１７ｂにより測定された酸素濃度の測定値が所定のしきい値よりも高い場合、ガス注入部１５を制御してガス注入タンク１５ａ内に注入される不活性ガスの量を増加させる。
【００４８】
更に、制御部１７は、温度センサ１７ｃにより測定された温度の測定値が所定のしきい値よりも高い場合、冷却部１３を制御してクーリングタワー１３ｂから熱交換器１３ａへ送り出される１次冷却水の流量を増加させる。また、制御部１７は、ポンプ部１６を制御して経路１８内の純水１２の循環量を増加させても良い。
【００４９】
筐体１１内に収納されるサーバ等の電子部品は、洗浄して微粒子又は腐食成分等の不純物が除去された後に筐体１１内に収納されることが好ましい。例えば、電子部品は、以下のように洗浄される。まず、電子部品を石英製の容器に入れた後、純水を容器内に注入して、電子部品を純水に浸漬させる。次に、容器に超音波を照射して、電子部品を超音波洗浄する。次に、超音波洗浄後の容器内の純水の比抵抗を測定し、測定値が９ＭΩ・ｃｍを超えるまで、容器内の純水を交換して、超音波洗浄を繰り返す。そして、超音波洗浄後の容器内の純水の比抵抗を測定し、測定値が９ＭΩ・ｃｍを超えたことを確認した後、洗浄した電子部品を筐体１１内に収納する。
【００５０】
また、サーバ等の電子部品が露出した樹脂の部分を有している場合がある。このような樹脂の部分からは、塩素イオン等の不純物が純水中に溶解する場合がある。そこで、サーバ等の電子部品は、露出した樹脂の部分を、純水に対して不活性な材料で被覆した後、洗浄して筐体１１内に収納しても良い。不活性な材料としては、例えば、フッ素樹脂又はセラミックスを用いることができる。
【００５１】
上述した本実施形態の電子機器１０によれば、熱容量が空気よりも大きい純水１２を用いて、サーバ等の電子部品を直接冷却するので、冷却効率が高いため、冷却能力に優れている。また、１次冷却水により純水１２を冷却し、冷却された純水１２を用いて直接サーバを冷却するので、熱交換の段階が少ないため、熱交換の損失が少ない。
【００５２】
また、電子機器１０によれば、気密性の経路１８内を循環する純水１２中のイオン、微粒子及び有機物等が除去され且つ純水１２中の酸素濃度を低くすることにより、純水１２中の不純物が除去されると共に純水１２の高い比抵抗が維持される。そのため、純水への不純物の混入が防止されて、純水１２の絶縁性が維持されるため、電子機器の信頼性が高い。
【００５３】
また、冷却部１３では、クーリングタワー１３ｂが水の気化熱を利用して１次冷却水を冷却するので、冷却に使用するエネルギーが小さく、１次冷却水の冷却効率も高い。また、電子機器１０では、上述したように、純水１２を用いてサーバ等の電子部品を直接冷却するので、熱交換の効率が高いため、冷却に使用するトータルのエネルギーが低減される。更に、空気を使用する従来の電子機器における空気と冷媒との間の熱交換の際に生じる圧力損失が、電子機器１０では生じないので、冷却に使用するトータルのエネルギーが更に低減される。
【００５４】
また、従来の電子機器において、フッ素系の誘電性冷媒を用いて電子部品を直接冷却することがあったが、フッ素系の誘電性冷媒は値段が高く、純水を用いることは、フッ素系の誘電性冷媒を用いるのに対してコストを大幅に低減する。
【００５５】
次に、上述した電子機器の第２実施形態を、図６〜図８を参照しながら以下に説明する。第２実施形態について特に説明しない点については、上述の第１実施形態に関して詳述した説明が適宜適用される。また、同一の構成要素には同一の符号を付してある。
【００５６】
図６は、本明細書に開示する電子機器の第２実施形態の筐体を示す図である。図７は、図６に示す複数の筐体から一部の筐体が除去された状態を示す図である。図８は、除去された筐体からサーバを取り外す様子を示す図である。
【００５７】
本実施形態の電子機器では、複数の筐体３１ａ〜３１ｅを備えており、複数の筐体３１ａ〜３１ｅ同士は、純水１２を流通する気密性及び水密性を有する取り外し可能な配管３２によって接続されている。
【００５８】
複数の筐体３１ａ〜３１ｅそれぞれには、サーバ４０ａ〜４０ｅが収納されている。
【００５９】
ガス注入部１５から送られた純水１２は、気密性及び水密性を有する取り外し可能な配管３３を通して、筐体３１ｅ内に流入し、筐体３１ｅ内に収納されるサーバ４０ｅを冷却した後、配管３２を通って隣接する筐体３１ｄ内に流入する。
【００６０】
筐体３１ｄ内に流入した純水１２は、同様に、筐体３１ｄ内に収納されるサーバ４０ｄを冷却した後、配管３２を通って隣接する筐体３１ｃ内に流入する。以下、同様に、純水１２は隣接する筐体内を流通して、最後に筐体３１ａ内に流入する。
【００６１】
筐体３１ａ内に流入した純水１２は、筐体３１ａ内に収納されるサーバ４０ａを冷却した後、気密性及び水密性を有する取り外し可能な配管３４を通って、ポンプ部１６へ送られる。
【００６２】
本実施形態では、筐体内のサーバの交換は、例えば、以下の手順で行われる。
【００６３】
まず、交換されるサーバを収納する筐体に接続する配管３２を取り外し、外された配管３２を残された筐体へ接続して、経路１８を再形成する。図７に示す例では、図６における筐体３１ｂが取り外されており、筐体３１ａと筐体３１ｃとが配管３２によって接続されている。残された複数の筐体３１ａ、３１ｃ、３１ｄ、３１ｅは気密性及び水密性を有する経路１８の一部を形成しており、電子機器を稼働することにより、サーバ３１ａ、３１ｃ、３１ｄ、３１ｅを正常に作動させることができる。
【００６４】
取り外された筐体３１ｂから、例えば図８に示すように、サーバ４０ｂを取り外した後、新しいサーバを筐体３１ｂ内に収納する。そして、サーバが交換された筐体３１ｂは、再び、筐体３１ａと筐体３１ｃとの間に配置されて配管３２が接続される。
【００６５】
なお、筐体３１ａ又は筐体３１ｅに収納されるサーバを交換する場合には、配管３３又は配管３４が外されて他の筐体へ接続されることになる。
【００６６】
本実施形態の他の構成については、上述した第１実施形態と同様である。
【００６７】
上述した本実施形態の電子機器によれば、１つのサーバを交換している間でも、他のサーバを冷却しながら作動させることができる。
【００６８】
本発明では、上述した実施形態の電子機器は、本発明の趣旨を逸脱しない限り適宜変更が可能である。また、一の実施形態が有する構成要件は、他の実施形態にも適宜適用することができる。
【００６９】
例えば、冷却部では、２次冷却水である純水の温度を上昇するように熱交換できるようにしても良い。
【００７０】
[参考例]
【００７１】
以下、本明細書に開示する電子機器の作用効果について、参考例を用いて更に説明する。ただし、本発明はかかる参考例に制限されるものではない。
【００７２】
[参考例１]
イオン交換部のイオン交換フィルタとして、日本ミリポア（株）社製の超純水用カートリッジを用いた。経路内の純水の流量は、75Ｌ／分であった。この時の純水の比抵抗及び塩素濃度の経時変化を測定した。図９は、比抵抗と時間との関係を示す図である。比抵抗の値が約１１ＭΩ・ｃｍで安定して推移することが分かった。図１０は、塩素濃度（Ｃｌ-イオン）と時間との関係を示す図である。塩素濃度の値が約３ｐｐｂで安定して推移することが分かった。
【００７３】
[参考例２]
ガス注入部において、不活性ガスとしてのアルゴンを5Ｌ／分の流量で、純水１２中に注入した。経路内の純水の流量は、60Ｌ／分であった。この時の純水中の酸素濃度の経時変化を測定した。図１１は、酸素濃度と時間との関係を示す図である。アルゴンガスの注入後６時間程で、酸素濃度が約０．０５ｐｐｍまで低下し、その値で安定して推移することが分かった。
【００７４】
ここで述べられた全ての例及び条件付きの言葉は、読者が、発明者によって寄与された発明及び概念を技術を深めて理解することを助けるための教育的な目的を意図する。ここで述べられた全ての例及び条件付きの言葉は、そのような具体的に述べられた例及び条件に限定されることなく解釈されるべきである。また、明細書のそのような例示の機構は、本発明の優越性及び劣等性を示すこととは関係しない。本発明の実施形態は詳細に説明されているが、その様々な変更、置き換え又は修正が本発明の精神及び範囲を逸脱しない限り行われ得ることが理解されるべきである。
【符号の説明】
【００７５】
１０    電子機器
１１    筐体
１１ａ    貫通孔
１１ｂ    合成樹脂
１２    純水
１３    冷却部
１３ａ    熱交換器
１３ｂ    クーリングタワー
１４    イオン除去部
１４ａ    活性炭フィルタ
１４ｂ    イオン交換フィルタ
１４ｃ    パーティクルフィルタ
１５    ガス注入部
１５ａ    ガス注入タンク
１５ｂ    ガス注入ノズル
１５ｃ    圧力弁
１５ｄ    脱気膜
１６    ポンプ部
１６ａ    ポンプ
１６ｂ    供給水タンク
１６ｃ    減圧ポンプ
１７    制御部
１７ａ    比抵抗センサ
１７ｂ    酸素濃度センサ
１７ｃ    温度センサ
１８    経路
２０ａ、２０ｂ、２０ｃ    サーバ（電子部品）
２１ａ、２１ｂ、２１ｃ    配線
３１ａ、３１ｂ、３１ｃ、３１ｄ、３１ｅ    筐体
３２    配管
４０ａ、４０ｂ、４０ｃ、４０ｄ、４０ｅ    サーバ（電子部品）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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