(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも工程順に、
側鎖に不飽和二重結合を有する重合性ポリマーと光重合開始剤とを含有する光硬化型接着剤を介して、接着剤により電子部品が接着された回路基板を支持体に固定する支持体固定工程と、
前記光硬化型接着剤に光を照射して光硬化型接着剤を架橋、硬化する接着剤硬化工程と、
前記支持体に固定された回路基板を金型のキャビティ部に配置し、溶融した樹脂を加圧して該キャビティ部に充填することにより回路基板を樹脂で封止する樹脂封止工程と、
前記回路基板から支持体を剥離する支持体剥離工程を有する
ことを特徴とする回路基板の処理方法。
【請求項２】
接着剤硬化工程後の接着剤組成物について、動的粘弾性測定のせん断モードで−５０℃から３００℃まで連続昇温の条件で測定した２５℃での貯蔵せん断弾性率が２．０×１０５〜２．０×１０８Ｐａであることを特徴とする請求項１記載の回路基板の処理方法。
【請求項３】
光硬化型接着剤が刺激により気体を発生する気体発生剤を含有するものであって、支持体剥離工程において光硬化型接着剤に刺激を与えて前記気体発生剤から気体を発生させることにより回路基板から支持体を剥離することを特徴とする請求項１又は２記載の回路基板の処理方法。
【請求項４】
回路基板がガラスエポキシ基板であることを特徴とする請求項１、２又は３記載の回路基板の処理方法。
【請求項５】
回路基板は、単数又は複数の電子部品が実装されたものであることを特徴とする請求項１、２、３又は４記載の回路基板の処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、接着剤組成物を介して回路基板を支持板に固定した状態で処理する回路基板の処理方法であって、加熱及び加圧処理を施す回路基板処理工程を行った場合にでも、加熱及び加圧処理時には充分な接着力を維持し、かつ、回路基板処理工程終了後には回路基板を損傷したり糊残りしたりすることなく支持板を回路基板から剥離できる回路基板の処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子製品の製造工程においては、回路基板の加工時に取扱いを容易にし、破損したりしないようにするために、回路基板を支持板に一時的に固定することが行われている。
回路基板を支持板に接着する接着剤組成物には、加工工程中に回路基板を強固に固定できるだけの高い接着性とともに、工程終了後には回路基板を損傷することなく剥離できることが求められる（以下、「高接着易剥離」ともいう。）。このような高接着易剥離を実現した接着剤組成物としては、例えば特許文献１に、アゾ化合物等の刺激により気体を発生する気体発生剤を含有する接着剤組成物が開示されている。
【０００３】
一方、例えば、電子部品用接着剤により電子部品が実装された回路基板では、回路基板を加熱及び加圧することにより、電子部品用接着剤中のボイドを除去する加圧キュア工程が行われることがある。このような加圧キュア工程では、５０〜２００℃、０．１〜２ＭＰａ程度の加熱及び加圧が行われる。
また、例えば、電子製品の製造においては、金型を用いて回路基板を樹脂で封止し、成型品である電子製品を得ることが行われる。この際の樹脂封止方法としては、回路基板を金型のキャビティ部に配置し、溶融した樹脂をプランジャで加圧してキャビティに充填する方法が一般的である。このような樹脂封止工程では、１５０〜２００℃、３〜１５ＭＰａ程度の加熱及び加圧が行われる。
【０００４】
このような過酷な加熱及び加圧処理を伴う回路基板の処理においては、従来の接着剤組成物を用いて回路基板を支持板に固定した場合、加熱及び加圧処理中に接着剤組成物が流動化して回路基板と支持板とが剥離してしまったり、流動化した接着剤組成物により周囲が汚染されてしまったりすることがあるという問題があった。また、加熱及び加圧処理により、接着剤組成物が接着亢進して剥離性が低下してしまい、回路基板処理工程終了後に支持板を回路基板から剥離する際に、回路基板が損傷してしまったり、回路基板上に糊残りがしてしまったりするという問題があった。とりわけ、回路基板がガラスエポキシ基板等の有機高分子からなる基板である場合には、接着亢進が進みやすく、回路基板を損傷したり糊残りしたりすることなく支持板を回路基板から剥離するのは困難であった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００３−２３１８７２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、接着剤組成物を介して回路基板を支持板に固定した状態で処理する回路基板の処理方法であって、加熱及び加圧処理を施す回路基板処理工程を行った場合にでも、加熱及び加圧処理時には充分な接着力を維持し、かつ、回路基板処理工程終了後には回路基板を損傷したり糊残りしたりすることなく支持板を回路基板から剥離できる回路基板の処理方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、少なくとも工程順に、刺激により架橋、硬化する硬化型接着剤成分を含有する硬化型接着剤組成物を介して回路基板を支持板に固定する支持板固定工程と、前記硬化型接着剤組成物に刺激を与えて硬化型接着剤成分を架橋、硬化する接着剤硬化工程と、前記支持板に固定された回路基板に加熱及び加圧処理を施す回路基板処理工程と、前記処理後の回路基板から支持板を剥離する支持板剥離工程を有する回路基板の処理方法である。
以下に本発明を詳述する。
【０００８】
本発明の回路基板の処理方法では、まず、刺激により架橋、硬化する硬化型接着剤成分を含有する硬化型接着剤組成物を介して回路基板を支持体に固定する支持体固定工程を行う。回路基板を支持体に固定して補強することにより、取扱いを容易にし、破損したりしないようにすることができる。
【０００９】
本発明の回路基板の処理方法を適用する回路基板は特に限定されないが、例えば、ガラスエポキシ系基板、ポリイミド系基板、セラミック系基板等の有機高分子や無機基板である場合に、本願発明の優れた効果が特に発揮される。
上記回路基板は、単数又は複数の電子部品が実装されたものであってもよい。回路基板への電子部品の実装には、従来公知の電子部品用接着剤を用いることができる。
【００１０】
上記硬化型接着剤組成物は、刺激により架橋、硬化する硬化型接着剤成分を含有する。上記硬化型接着剤成分を架橋、硬化させる刺激としては、熱、光、電磁波、電子線、超音波等が挙げられる。なかでも、光照射により架橋、硬化する光硬化型接着剤成分、又は、加熱により架橋、硬化する熱硬化型接着剤成分を含有することが好ましく、架橋・硬化の速度や架橋度を調整しやすいことから光硬化型接着剤成分がより好ましい。
上記光硬化型接着剤成分としては、例えば、重合性ポリマーを主成分として、光重合開始剤を含有する光硬化型接着剤が挙げられる。
上記熱硬化型接着剤成分としては、例えば、重合性ポリマーを主成分として、熱重合開始剤を含有する熱硬化型接着剤が挙げられる。
【００１１】
上記重合性ポリマーは、例えば、分子内に官能基を持った（メタ）アクリル系ポリマー（以下、官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーという）をあらかじめ合成し、分子内に上記の官能基と反応する官能基とラジカル重合性の不飽和結合とを有する化合物（以下、官能基含有不飽和化合物という）と反応させることにより得ることができる。
【００１２】
上記官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーは、常温で粘着性を有するポリマーとして、一般の（メタ）アクリル系ポリマーの場合と同様に、アルキル基の炭素数が通常２〜１８の範囲にあるアクリル酸アルキルエステル及び／又はメタクリル酸アルキルエステルを主モノマーとし、これと官能基含有モノマーと、更に必要に応じてこれらと共重合可能な他の改質用モノマーとを常法により共重合させることにより得られるものである。上記官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーの重量平均分子量は通常２０万〜２００万程度である。
【００１３】
上記官能基含有モノマーとしては、例えば、アクリル酸、メタクリル酸等のカルボキシル基含有モノマー；アクリル酸ヒドロキシエチル、メタクリル酸ヒドロキシエチル等のヒドロキシル基含有モノマー；アクリル酸グリシジル、メタクリル酸グリシジル等のエポキシ基含有モノマー；アクリル酸イソシアネートエチル、メタクリル酸イソシアネートエチル等のイソシアネート基含有モノマー；アクリル酸アミノエチル、メタクリル酸アミノエチル等のアミノ基含有モノマー等が挙げられる。
【００１４】
上記共重合可能な他の改質用モノマーとしては、例えば、酢酸ビニル、アクリロニトリル、スチレン等の一般の（メタ）アクリル系ポリマーに用いられている各種のモノマーが挙げられる。
【００１５】
上記官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーに反応させる官能基含有不飽和化合物としては、上記官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーの官能基に応じて上述した官能基含有モノマーと同様のものを使用できる。例えば、上記官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーの官能基がカルボキシル基の場合はエポキシ基含有モノマーやイソシアネート基含有モノマーが用いられ、同官能基がヒドロキシル基の場合はイソシアネート基含有モノマーが用いられ、同官能基がエポキシ基の場合はカルボキシル基含有モノマーやアクリルアミド等のアミド基含有モノマーが用いられ、同官能基がアミノ基の場合はエポキシ基含有モノマーが用いられる。
【００１６】
上記重合性ポリマーは、ラジカル重合性の不飽和結合の含有量の好ましい下限が０．０１ｍｅｑ／ｇ、好ましい上限が２．０ｍｅｑ／ｇである。上記重合性ポリマーのラジカル重合性の不飽和結合の含有量がこの範囲内であると、上記接着剤硬化工程において接着剤組成物に光を照射又は加熱して硬化型接着剤成分を架橋、硬化した後の接着剤組成物について、動的粘弾性測定のせん断モードで−５０℃から３００℃まで連続昇温の条件で測定した２５℃での貯蔵せん断弾性率を２．０×１０５〜２．０×１０８Ｐａ程度の範囲に調整することができる。これにより、上記支持体剥離工程においてウェハから支持体を剥離したときに、ウェハの表面に糊残りが発生するのをより効果的に防止することができる。上記重合性ポリマーのラジカル重合性の不飽和結合の含有量のより好ましい下限は０．０５ｍｅｑ／ｇ、より好ましい上限は１．０ｍｅｑ／ｇである。
【００１７】
上記光重合開始剤は、例えば、２５０〜８００ｎｍの波長の光を照射することにより活性化されるものが挙げられ、このような光重合開始剤としては、例えば、メトキシアセトフェノン等のアセトフェノン誘導体化合物；ベンゾインプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル等のベンゾインエーテル系化合物；ベンジルジメチルケタール、アセトフェノンジエチルケタール等のケタール誘導体化合物；フォスフィンオキシド誘導体化合物；ビス（η５−シクロペンタジエニル）チタノセン誘導体化合物、ベンゾフェノン、ミヒラーケトン、クロロチオキサントン、トデシルチオキサントン、ジメチルチオキサントン、ジエチルチオキサントン、α−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、２−ヒドロキシメチルフェニルプロパン等の光ラジカル重合開始剤が挙げられる。これらの光重合開始剤は、単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００１８】
上記熱重合開始剤は、熱により分解し、重合を開始する活性ラジカルを発生するものが挙げられ、例えば、ジクミルパーオキサイド、ジ−ｔ−ブチルパーオキサイド、ｔ−ブチルパーオキシベンゾエート、ｔ−ブチルハイドロパーオキサイド、ベンゾイルパーオキサイド、クメンハイドロパーオキサイド、ジイソプロピルベンゼンハイドロパーオキサイド、パラメンタンハイドロパーオキサイド、ジ−ｔ−ブチルパーオキサイド等が挙げられる。これら熱重合開始剤は、単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００１９】
上記光硬化型接着剤又は熱硬化型接着剤は、更に、ラジカル重合性の多官能オリゴマー又はモノマーを含有することが好ましい。ラジカル重合性の多官能オリゴマー又はモノマーを含有することにより、光硬化性又は熱硬化性が向上する。
上記多官能オリゴマー又はモノマーは、分子量が１万以下であるものが好ましく、より好ましくは加熱又は光の照射による接着剤層の三次元網状化が効率よくなされるように、その分子量が５０００以下でかつ分子内のラジカル重合性の不飽和結合の数が２〜２０個のものである。
【００２０】
上記多官能オリゴマー又はモノマーは、例えば、トリメチロールプロパントリアクリレート、テトラメチロールメタンテトラアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート又は上記同様のメタクリレート類等が挙げられる。その他、１，４−ブチレングリコールジアクリレート、１，６−ヘキサンジオールジアクリレート、ポリプロピレングリコール＃７００ジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレート、市販のオリゴエステルアクリレート、上記同様のメタクリレート類等が挙げられる。これらの多官能オリゴマー又はモノマーは、単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００２１】
上記硬化型接着剤組成物は、更に、刺激により気体を発生する気体発生剤を含有してもよい。上記支持体固定工程において、支持体としてガラス板等の板状体を用いた場合には、後述する支持体剥離工程において樹脂封止された回路基板から支持体を剥離することが困難な場合がある。上記硬化型接着剤組成物が上記気体発生剤を含有することにより、支持体剥離工程において、接着剤組成物に刺激を与えて上記気体発生剤から気体を発生させることにより、容易に、かつ、糊残りすることなく樹脂封止された回路基板から支持体を剥離することができる。
【００２２】
ここで、上記硬化型接着剤成分と上記気体発生剤とは、硬化型接着剤成分を架橋、硬化させる刺激と、気体発生剤から気体を発生させる刺激が質的又は量的に異なる組み合わせを選択する。このような組み合わせを選択することにより、後述する接着剤硬化工程における刺激によって、気体発生剤から気体が発生して回路基板と支持体とが剥離してしまうのを防止することができる。具体的には例えば、硬化型接着剤成分として光硬化型接着剤成分を用いる場合には、熱等の光以外の刺激により気体を発生する気体発生剤を選択することが挙げられる。また、気体発生剤から気体を発生させる刺激も光である場合でも、光硬化型接着剤成分を架橋、硬化させる光とは波長が異なったり、波長が重複しても、光硬化型接着剤成分を架橋、硬化させる光量よりもより多くの光量を要したりする気体発生剤を選択する。
【００２３】
例えば、側鎖にビニル基等の不飽和二重結合を有するポリマーと２５０〜８００ｎｍの波長で活性化する光重合開始剤を含有する光硬化型接着剤成分は、３６５ｎｍ以上の波長の光を照射することにより架橋、硬化させることができる。このような光硬化型接着剤成分に対して、３００ｎｍ以下の波長の光を照射することにより気体を発生する気体発生剤を組み合わせれば、接着剤硬化工程においては３６５ｎｍ以上の波長の光を照射し、支持体剥離工程においては３００ｎｍ以下の波長の光を照射して気体を発生させることが可能となる。
また、例えば、側鎖にビニル基等の不飽和二重結合を有するポリマーと５０〜１５０℃程度の加熱で活性化する熱重合開始剤を含有する熱硬化型接着剤に対して、２００℃以上の加熱で気体を発生する気体発生剤を組み合わせれば、接着剤硬化工程においては５０〜１５０℃の条件で加熱し、支持体剥離工程においては２００℃以上の条件で加熱して気体を発生させることが可能となる。
【００２４】
上記気体発生剤は特に限定されず、例えば、アゾ化合物、アジド化合物等の従来公知の気体発生剤を用いることができる。
また、樹脂封止工程での高温高圧条件によっても剥離しないことから、下記一般式（１）で表されるカルボン酸化合物又はその塩も好適である。このような気体発生剤は、紫外線等の光を照射することにより気体（二酸化炭素ガス）を発生する一方、樹脂封止工程での高温高圧条件によっても分解しない高い耐熱性を有する。
【００２５】
【化１】
0005678228.tif 000002
【００２６】
式（１）中、Ｒ１〜Ｒ７は、それぞれ水素又は有機基を示す。Ｒ１〜Ｒ７は、同一であってもよく、異なっていてもよい。Ｒ１〜Ｒ７のうちの２つが互いに結合し、環状構造を形成していてもよい。
【００２７】
上記一般式（１）における有機基は、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、イソブチル基等のアルキル基や、メトキシ基、エトキシ基等のアルコキシ基や、カルボキシル基や、水酸基や、ニトロ基や、フェニル基等の芳香族基や、ナフチル基、フルオレニル基、ピレニル基等の多環式炭化水素基や、ビフェニル基等の環集合炭化水素基や、キサンテニル基等のヘテロ環基等が挙げられる。
なかでも、上記式（１）中のＲ３〜Ｒ７のうちの１つが、下記式（２）で表される有機基であるか、又は、上記式（１）中のＲ３〜Ｒ７のうちの隣り合う２つが互いに結合して下記式（３）で表される環状構造を形成していることが好ましい。
【００２８】
【化２】
0005678228.tif 000003
【００２９】
式（２）中、Ｒ８〜Ｒ１２は、それぞれ水素又は有機基を示す。Ｒ８〜Ｒ１２は、同一であってもよく、異なっていてもよい。Ｒ８〜Ｒ１２のうちの２つが互いに結合し、環状構造を形成していてもよい。
式（３）中、Ｒ１３〜Ｒ１６は、それぞれ水素又は有機基を示す。Ｒ１３〜Ｒ１６は、同一であってもよく、異なっていてもよい。Ｒ１３〜Ｒ１６のうちの２つが互いに結合し、環状構造を形成していてもよい。
また、上記式（１）中のＲ１は、メチル基であることが好ましい。
【００３０】
上記式（１）で表されるカルボン酸化合物の具体例としては、例えば、フェニル酢酸、ジフェニル酢酸、トリフェニル酢酸、２−フェニルプロピオン酸、２，２−ジフェニルプロピオン酸、２，２，２−トリフェニルプロピオン酸、２−フェニルブチル酸、α−メトキシフェニル酢酸、マンデリック酸、アトロラクトン酸、ベンジリック酸、トロピック酸、フェニルマロン酸、フェニルコハク酸、３−メチル−２−フェニル酪酸、オルトトルイル酢酸、メタトルイル酢酸、４−イソブチル−α−メチルフェニル酢酸、パラトルイル酢酸、１，２−フェニレンジ酢酸、１，３−フェニレンジ酢酸、１，４−フェニレンジ酢酸、２−メトキシフェニル酢酸、２−ヒドロキシフェニル酢酸、２−ニトロフェニル酢酸、３−ニトロフェニル酢酸、４−ニトロフェニル酢酸、２−（４−ニトロフェニル）プロピオン酸、３−（４−ニトロフェニル）プロピオン酸、４−（４−ニトロフェニル）プロピオン酸、３，４−ジメトキシフェニル酢酸、３，４−（メチレンジオキシ）フェニル酢酸、２，５−ジメトキシフェニル酢酸、３，５−ジメトキシフェニル酢酸、３，４，５−トリメトキシフェニル酢酸、２，４−ジニトロフェニル酢酸、４−ビフェニル酢酸、１−ナフチル酢酸、２−ナフチル酢酸、６−メトキシ−α−メチル−２−ナフチル酢酸、１−ピレン酢酸、９−フルオレンカルボン酸又は９Ｈ−キサンテン−９−カルボン酸等が挙げられる。
【００３１】
なかでも上記式（１）で表されるカルボン酸化合物は、下記式（１−１）で表されるケトプロフェン、又は、下記式（１−２）で表される２−キサントン酢酸であることが好ましい。
【００３２】
【化３】
0005678228.tif 000004
【００３３】
上記式（１）で表されるカルボン酸化合物の塩も、上記式（１）で表されるカルボン酸化合物に由来する骨格を有することから、光が照射されると容易に脱炭酸を起こし、二酸化炭素ガスを発生させることができる。
【００３４】
上記式（１）で表されるカルボン酸化合物の塩は、上記式（１）で表されるカルボン酸化合物と塩基性化合物とを容器中で混合するだけで、複雑な合成経路を経ることなく簡単に調製することができる。
上記塩基性化合物は特に限定されないが、例えば、アミン、ヒドラジン化合物、水酸化四級アンモニウム塩、ホスフィン化合物等が挙げられる。
上記アミンは特に限定されず、一級アミン、二級アミン及び三級アミンのいずれをも用いることができる。
なかでも上記塩基性化合物は、モノアルキルアミン又はジアルキルアミンが好適である。モノアルキルアミン又はジアルキルアミンを用いた場合には、得られる上記式（１）で表されるカルボン酸化合物の塩の極性を低極性化でき、接着剤成分との溶解性を高めることできる。より好ましくは、炭素数６〜１２のモノアルキルアミン又はジアルキルアミンである。
【００３５】
上記気体発生剤は、また、下記一般式（４）、一般式（５）又は一般式（６）で表されるテトラゾール化合物若しくはその塩も好適である。これらの気体発生剤も、紫外線等の光を照射することにより気体（チッソガス）を発生する一方、樹脂封止工程での高温高圧条件によっても分解しない高い耐熱性を有する。
【００３６】
【化４】
0005678228.tif 000005
【００３７】
式（４）〜（６）中、Ｒ２１、Ｒ２２は、水素、炭素数が１〜７のアルキル基、アルキレン基、フェニル基、メルカプト基、水酸基又はアミノ基を表す。
【００３８】
上記一般式（４）〜（６）で表されるテトラゾール化合物の塩も、上記一般式（４）〜（６）で表されるテトラゾール化合物に由来する骨格を有することから、光が照射されるとチッソガスを発生させることができる。
上記一般式（４）〜（６）で表されるテトラゾール化合物の塩は特に限定されず、例えば、ナトリウム塩、カリウム塩、アンモニウム塩等が挙げられる。
【００３９】
上記一般式（４）〜（６）で表されるテトラゾール化合物の塩は、上記一般式（４）〜（６）で表されるテトラゾール化合物と塩基性化合物とを容器中で混合するだけで、複雑な合成経路を経ることなく簡単に調製することができる。
上記塩基性化合物は特に限定されないが、例えば、アミン、ヒドラジン化合物、水酸化四級アンモニウム塩、ホスフィン化合物等が挙げられる。
上記アミンは特に限定されず、一級アミン、二級アミン及び三級アミンのいずれをも用いることができる。
なかでも上記塩基性化合物は、モノアルキルアミン又はジアルキルアミンが好適である。モノアルキルアミン又はジアルキルアミンを用いた場合には、得られる上記一般式（４）〜（６）で表されるテトラゾール化合物の塩の極性を低極性化でき、光硬化型接着剤成分との溶解性を高めることができる。より好ましくは、炭素数６〜１２のモノアルキルアミン又はジアルキルアミンである。
【００４０】
上記一般式（４）で表されるテトラゾール化合物又はその塩は特に限定されないが、具体的には例えば、１Ｈ−テトラゾール、５−フェニル−１Ｈ−テトラゾール、５，５−アゾビス−１Ｈ−テトラゾール、５−アミノ−１Ｈ−テトラゾール、５−メチル−１Ｈ−テトラゾール、１−メチル−５−メルカプト−１Ｈ−テトラゾール、１−メチル−５−エチル−１Ｈ−テトラゾール、１−（ジメチルアミノエチル）−５−メルカプト−１Ｈ−テトラゾール等が挙げられる。
【００４１】
上記一般式（５）で表されるテトラゾール化合物又はその塩は特に限定されないが、具体的には例えば、５，５’−ビステトラゾールジアンモニウム塩等が挙げられる。
【００４２】
上記一般式（６）で表されるテトラゾール化合物又はその塩は特に限定されないが、具体的には例えば、５，５’−ビステトラゾールアミンモノアンモニウム塩等が挙げられる。
【００４３】
上記気体発生剤の含有量は、上記硬化型接着剤成分１００重量部に対する好ましい下限が５重量部、好ましい上限が５０重量部である。上記気体発生剤の含有量が５重量部未満であると、刺激による気体の発生量が少なくなり充分な剥離を行うことができないことがあり、５０重量部を超えると、硬化型接着剤成分へ溶けきれなくなり接着力が低下してしまうことがある。上記気体発生剤の含有量のより好ましい下限は１０重量部、より好ましい上限は３０重量部である。
【００４４】
上記硬化型接着剤組成物は、更に、光増感剤を含有してもよい。
上記光増感剤は、上記気体発生剤への光による刺激を増幅する効果を有することから、より少ない光の照射により気体を放出させることができる。また、より広い波長領域の光により気体を放出させることができる。
【００４５】
上記光増感剤は、耐熱性に優れるものであれば特に限定されない。
耐熱性に優れた光増感剤は、例えば、アルコキシ基を少なくとも１つ以上有する多環芳香族化合物が挙げられる。なかでも、一部がグリシジル基又は水酸基で置換されたアルコキシ基を有する置換アルコキシ多環芳香族化合物が好適である。これらの光増感剤は、耐昇華性が高く、高温下で使用することができる。また、アルコキシ基の一部がグリシジル基や水酸基で置換されることにより、上記硬化型接着剤成分への溶解性が高まり、ブリードアウトを防止することができる。
【００４６】
上記多環芳香族化合物は、アントラセン誘導体が好ましい。上記アルコキシ基は、炭素数１〜１８のものが好ましく、炭素数１〜８のものがより好ましい。
【００４７】
上記アルコキシ基を少なくとも１つ以上有する多環芳香族化合物は、例えば、９，１０−ジメトキシアントラセン、２−エチル−９，１０−ジメトキシアントラセン、２−ｔブチル−９，１０−ジメトキシアントラセン、２，３−ジメチル−９，１０−ジメトキシアントラセン、９−メトキシ−１０−メチルアントラセン、９，１０−ジエトキシアントラセン、２−エチル−９，１０−ジエトキシアントラセン、２−ｔブチル−９，１０−ジエトキシアントラセン、２，３−ジメチル−９，１０−ジエトキシアントラセン、９−エトキシ−１０−メチルアントラセン、９，１０−ジプロポキシアントラセン、２−エチル−９，１０−ジプロポキシアントラセン、２−ｔブチル−９，１０−ジプロポキシアントラセン、２，３−ジメチル−９，１０−ジプロポキシアントラセン、９−イソプロポキシ−１０−メチルアントラセン、９，１０−ジブトキシアントラセン、９，１０−ジベンジルオキシアントラセン、２−エチル−９，１０−ジベンジルオキシアントラセン、２−ｔブチル−９，１０−ジベンジルオキシアントラセン、２，３−ジメチル−９，１０−ジベンジルオキシアントラセン、９−ベンジルオキシ−１０−メチルアントラセン、９，１０−ジ−α−メチルベンジルオキシアントラセン、２−エチル−９，１０−ジ−α−メチルベンジルオキシアントラセン、２−ｔブチル−９，１０−ジ−α−メチルベンジルオキシアントラセン、２，３−ジメチル−９，１０−ジ−α−メチルベンジルオキシアントラセン、９−（α−メチルベンジルオキシ）−１０−メチルアントラセン、９，１０−ジ（２−ヒドロキシエトキシ）アントラセン、２−エチル−９，１０−ジ（２−カルボキシエトキシ）アントラセン等のアントラセン誘導体等が挙げられる。
【００４８】
上記一部がグリシジル基又は水酸基で置換されたアルコキシ基を有する置換アルコキシ多環芳香族化合物は、例えば、９，１０−ジ（グリシジルオキシ）アントラセン、２−エチル−９，１０−ジ（グリシジルオキシ）アントラセン、２−ｔブチル−９，１０−ジ（グリシジルオキシ）アントラセン、２，３−ジメチル−９，１０−ジ（グリシジルオキシ）アントラセン、９−（グリシジルオキシ）−１０−メチルアントラセン、９，１０−ジ（２−ビニルオキシエトキシ）アントラセン、２−エチル−９，１０−ジ（２−ビニルオキシエトキシ）アントラセン、２−ｔブチル−９，１０−ジ（２−ビニルオキシエトキシ）アントラセン、２，３−ジメチル−９，１０−ジ（２−ビニルオキシエトキシ）アントラセン、９−（２−ビニルオキシエトキシ）−１０−メチルアントラセン、９，１０−ジ（３−メチル−３−オキセタニルメトキシ）アントラセン、２−エチル−９，１０−ジ（３−メチル−３−オキセタニルメメトキシ）アントラセン、２−ｔブチル−９，１０−ジ（３−メチル−３−オキセタニルメメトキシ）アントラセン、２，３−ジメチル−９，１０−ジ（３−メチル−３−オキセタニルメメトキシ）アントラセン、９−（３−メチル−３−オキセタニルメメトキシ）−１０−メチルアントラセン、９，１０−ジ（ｐ−エポキシフェニルメトキシ）アントラセン、２−エチル−９，１０−ジ（ｐ−エポキシフェニルメトキシ）アントラセン、２−ｔブチル−９，１０−ジ（ｐ−エポキシフェニルメトキシ）アントラセン、２，３−ジメチル−９，１０−ジ（ｐ−エポキシフェニルメトキシ）アントラセン、９−（ｐ−エポキシフェニルメトキシ）−１０−メチルアントラセン、９，１０−ジ（ｐ−ビニルフェニルメトキシ）アントラセン、２−エチル−９，１０−ジ（ｐ−ビニルフェニルメトキシ）アントラセン、２−ｔブチル−９，１−ジ（ｐ−ビニルフェニルメトキシ）アントラセン、２，３−ジメチル−９，１０−ジ（ｐ−ビニルフェニルメトキシ）アントラセン、９−（ｐ−ビニルフェニルメトキシ）−１０−メチルアントラセン、９，１０−ジ（２−ヒドロキシエトキシ）アントラセン、９，１０−ジ（２−ヒドロキシプロポキシ）アントラセン、９，１０−ジ（２−ヒドロキシブトキシ）アントラセン、９，１０−ジ（２−ヒドロキシ−３−ブトキシプロポキシ）アントラセン、９，１０−ジ（２−ヒドロキシ−３−（２−エチルヘキシルオキシ）プロポキシ）アントラセン、９，１０−ジ（２−ヒドロキシ−３−アリロキシプロポキシ）アントラセン、９，１０−ジ（２−ヒドロキシ−３−フェノキシプロポキシ）アントラセン、９，１０−ジ（２，３−ジヒドロキシプロポキシ）アントラセン等が挙げられる。
【００４９】
上記光増感剤の含有量は、上記硬化型接着剤成分１００重量部に対する好ましい下限が０．０５重量部、好ましい上限が１０重量部である。上記光増感剤の含有量が０．０５重量部未満であると、充分な増感効果が得られないことがあり、１０重量部を超えると、光増感剤に由来する残存物が増え、充分な剥離を行えなくなることがある。上記光増感剤の含有量のより好ましい下限は０．１重量部、より好ましい上限は５重量部である。
【００５０】
上記硬化型接着剤組成物は、ヒュームドシリカを含有してもよい。ヒュームドシリカを配合することにより上記接着剤組成物の凝集力が上がる。このため、官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーに極性の異なる添加剤を混合しても分離することなく、接着剤組成物を均一にすることができる。また、引張強度が著しく改善するため、樹脂封止工程における高温高圧条件を経た後でも、剥離時の応力によって接着剤が破断せず、糊残りすることなく剥離できる。
【００５１】
上記ヒュームドシリカの平均粒子径の下限は０．０５μｍ、上限は３μｍである。上記ヒュームドシリカの平均粒子径がこの範囲内である場合に、樹脂封止工程における高温高圧条件を経た場合にでも浮き等が発生しない高い耐熱性と、その後の支持体剥離工程において糊残りしない高い非糊残り性とを発揮することができる。上記ヒュームドシリカの平均粒子径の好ましい下限は０．０６μｍ、好ましい上限は２μｍであり、より好ましい下限は０．０７μｍ、より好ましい上限は１μｍである。
なお、本明細書においてヒュームドシリカの平均粒子径は、レーザー散乱・回折法又は動的光散乱法のいずれかの方法を用いて、配合前のメチルエチルケトン、メチルエチルケトン／トルエン（６０：４０）溶液等の媒体に分散したヒュームドシリカを測定した粒子径を意味する。
【００５２】
上記ヒュームドシリカを配合する場合、上記硬化型接着剤成分１００重量部に対して４０重量部以下の配合量が好ましい。４０重量部以下の配合量で、凝集力を向上させて接着剤組成物を均一にする効果や、非糊残り性向上の効果を発揮することができる。上記ヒュームドシリカの配合量の下限は特に限定されないが、上記粘着剤組成の均一性、及び非糊残り性向上の効果を充分に発揮させるためには、３重量部以上配合することが好ましい。
【００５３】
上記硬化型接着剤組成物は、上記硬化型接着剤成分と架橋可能な官能基を有するシリコーン化合物（以下、単に「シリコーン化合物Ａ」ともいう。）を含有してもよい。
シリコーン化合物は、耐熱性に優れることから、樹脂封止工程における高温高圧条件を経ても接着剤の焦げ付き等を防止し、剥離時には被着体界面にブリードアウトして、剥離を容易にする。シリコーン化合物が上記硬化型接着剤成分と架橋可能な官能基を有することにより、刺激により上記硬化型接着剤成分と化学反応して硬化型接着剤成分中に取り込まれることから、被着体にシリコーン化合物が付着して汚染することがない。また、シリコーン化合物を配合することにより支持体に対する親和性が向上し、回路基板上への糊残りを防止する効果も発揮される。
【００５４】
上記シリコーン化合物Ａのシリコーン骨格は特に限定はされず、Ｄ体、ＤＴ体のいずれでもよい。
上記シリコーン化合物Ａは、該官能基をシリコーン骨格の側鎖又は末端に有することが好ましい。
なかでも、Ｄ体のシリコーン骨格を有し、かつ、末端に上記硬化型接着剤成分と架橋可能な官能基を有するシリコーン化合物を用いると、高い初期接着力と高温高圧条件を経た後の剥離力とを両立しやすいことからより好適である。
【００５５】
上記シリコーン化合物Ａの官能基は、上記硬化型接着剤成分に応じて適当なものを選択して用いる。例えば、硬化型接着剤成分が上記分子内にラジカル重合性の不飽和結合を有する（メタ）アクリル酸アルキルエステル系の重合性ポリマーを主成分とする場合には、（メタ）アクリル基と架橋可能な官能基を選択する。
上記（メタ）アクリル基と架橋可能な官能基は、不飽和二重結合を有する官能基であり、具体的には例えば、ビニル基、（メタ）アクリル基、アリル基、マレイミド基等が挙げられる。
【００５６】
上記シリコーン化合物Ａの官能基当量は特に限定されないが、好ましい下限は１、好ましい上限は２０である。上記官能基当量が１未満であると、得られる接着剤組成物の硬化時に、シリコーン化合物Ａが充分に光硬化型接着剤成分に取り込まれず、被着体を汚染してしまったり、剥離性を充分に発揮できなかったりすることがあり、２０を超えると、充分な接着力が得られないことがある。上記官能基当量のより好ましい上限は１０であり、より好ましい下限は２、更に好ましい上限は６である。
【００５７】
上記シリコーン化合物Ａの分子量は特に限定されないが、好ましい下限は３００、好ましい上限は５００００である。上記分子量が３００未満であると、得られる接着剤組成物の耐熱性が不充分となることがあり、５００００を超えると、上記硬化型接着剤成分との混合が困難となることがある。上記分子量のより好ましい下限は４００、より好ましい上限は１００００であり、更に好ましい下限は５００、更に好ましい上限は５０００である。
【００５８】
上記シリコーン化合物Ａを合成する方法は特に限定されず、例えば、ＳｉＨ基を有するシリコーン樹脂と、上記硬化型接着剤成分と架橋可能な官能基を有するビニル化合物とをハイドロシリレーション反応により反応させることにより、シリコーン樹脂に上記硬化型接着剤成分と架橋可能な官能基を導入する方法や、シロキサン化合物と、上記硬化型接着剤成分と架橋可能な官能基を有するシロキサン化合物とを縮合反応させる方法等が挙げられる。
【００５９】
上記シリコーン化合物Ａのうち市販されているものは、例えば、信越化学工業社製のＸ−２２−１６４、Ｘ−２２−１６４ＡＳ、Ｘ−２２−１６４Ａ、Ｘ−２２−１６４Ｂ、Ｘ−２２−１６４Ｃ、Ｘ−２２−１６４Ｅ等の両末端にメタクリル基を有するシリコーン化合物や、信越化学工業社製のＸ−２２−１７４ＤＸ、Ｘ−２２−２４２６、Ｘ−２２−２４７５等の片末端にメタクリル基を有するシリコーン化合物や、ダイセルサイテック社製のＥＢＥＣＲＹＬ３５０、ＥＢＥＣＲＹＬ１３６０等のアクリル基を有するシリコーン化合物や、東亞合成社製のＡＣ−ＳＱ  ＴＡ−１００、ＡＣ−ＳＱ  ＳＩ−２０等のアクリル基を有するシリコーン化合物や、東亞合成社製のＭＡＣ−ＳＱ  ＴＭ−１００、ＭＡＣ−ＳＱ  ＳＩ−２０、ＭＡＣ−ＳＱ  ＨＤＭ等のメタクリル基を有するシリコーン化合物等が挙げられる。
【００６０】
なかでも、上記シリコーン化合物Ａは、耐熱性が特に高く、極性が高いために接着剤組成物からのブリードアウトが容易であることから、下記一般式（Ｉ）、一般式（ＩＩ）、一般式（ＩＩＩ）で表される、シロキサン骨格に（メタ）アクリル基を有するシリコーン化合物が好適である。
【００６１】
【化５】
0005678228.tif 000006
【００６２】
式中、Ｘ、Ｙは０〜１２００の整数を表し（但し、Ｘ及びＹがいずれも０の場合を除く。）、Ｒは不飽和二重結合を有する官能基を表す。
【００６３】
上記一般式（Ｉ）、一般式（ＩＩ）、一般式（ＩＩＩ）で表される、シロキサン骨格に（メタ）アクリル基を有するシリコーン化合物のうち市販されているものは、例えば、ダイセルサイテック社製のＥＢＥＣＲＹＬ３５０、ＥＢＥＣＲＹＬ１３６０（いずれもＲがアクリル基）等が挙げられる。
【００６４】
また、上記シリコーン化合物は、下記一般式（ＩＶ）で表される、三次元構造を有するシリコーン化合物も用いることができる。
【００６５】
【化６】
0005678228.tif 000007
【００６６】
式中、Ｒは不飽和二重結合を有する官能基を表す。
【００６７】
上記シリコーン化合物Ａの含有量は、上記硬化型接着剤成分１００重量部に対する好ましい下限が０．５重量部、好ましい上限が５０重量部である。シリコーン化合物Ａの含有量が０．５重量部未満であると、刺激を与えても充分に接着力が低減せず被着体から剥離できないことがあり、５０重量部を超えると、被着体の汚染の原因となることがある。シリコーン化合物Ａの含有量のより好ましい下限は１重量部、より好ましい上限は４０重量部である。
【００６８】
上記硬化型接着剤組成物は、接着剤としての凝集力の調節を図る目的で、所望によりイソシアネート化合物、メラミン化合物、エポキシ化合物等の一般の接着剤に配合される各種の多官能性化合物を適宜含有してもよい。
上記接着剤組成物は、可塑剤、樹脂、界面活性剤、ワックス、微粒子充填剤等の公知の添加剤を含有してもよい。
【００６９】
上記支持体としては、回路基板の取扱いを容易にできる程度の充分な強度を有し、耐熱性に優れ、かつ、光を透過又は通過するものであれば特に限定されず、例えば、ガラス板、石英板、サファイヤ板等の板状体や、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリフェニレンサルファイド、ポリエーテルエーテルケトン、エチレン・ビニルアルコール共重合樹脂、メチルペンテンポリマー等の融点が２００℃以上の耐熱性に優れ、かつ、可撓性に優れた樹脂からなるシート状体を用いることができる。
上記支持体として板状体を用いる場合には、高い補強効果が得られる。一方、上記支持体としてシート状体を用いる場合には、後述する支持体剥離工程において支持体の剥離が容易である。
【００７０】
上記支持体固定工程における回路基板と支持体とは硬化型接着剤組成物を介して行われるが、上記硬化型接着剤組成物を接着剤として直接回路基板と支持体とを接着してもよい。上記支持体がシート状体からなる場合には、シート状の支持体を基材として該基材の一方の面に上記硬化型接着剤組成物からなる接着剤層を形成した支持体シートを製造し、該支持体シートを回路基板に貼り付けてもよい。
また、上記支持体固定工程における回路基板と支持体との接着は、少なくとも一方の面に上記硬化型接着剤組成物からなる接着剤層を有する両面接着テープを用いて行ってもよい。上記両面接着テープは、基材の両面に接着剤層を有するサポートテープであってもよく、基材を有しないノンサポートテープであってもよい。
【００７１】
本発明の回路基板の処理方法では、次いで、上記硬化型接着剤組成物に刺激を与えて硬化型接着剤成分を架橋、硬化する接着剤硬化工程を行う。
刺激により架橋、硬化した硬化型接着剤成分は、耐熱性が飛躍的に向上して、加熱、加圧処理を施す際にも回路基板と支持体とが剥離してしまったりすることがない。また、後述する樹脂封止工程において、流動化した硬化性接着剤組成物が金型を汚染したりすることもない。
一方、刺激により架橋、硬化した硬化型接着剤成分は、接着亢進が進みにくくなることから、回路基板処理工程終了後に支持板を回路基板から剥離する際に、回路基板が損傷してしまったり、回路基板上に糊残りがしてしまったりすることがない。これにより、回路基板がガラスエポキシ基板等の有機高分子からなる基板である場合であっても、優れた剥離性を実現することができる。更に、架橋、硬化して弾性率が上昇した硬い硬化型接着剤成分中で上記気体発生剤から気体を発生させると、発生した気体の大半は外部に放出され、放出された気体は、被着体から接着剤の接着面の少なくとも一部を剥がし接着力を低下させる。このような易剥離が実現することにより、低タクト化も期待できる。
このように本発明においては、加熱、加圧処理を施す回路基板処理工程の前に接着剤硬化工程を行うことにより、回路基板処理工程における高温高圧下でも充分な接着力を維持し、接着剤組成物の流動化による金型の汚染等を防止するとともに、回路基板処理工程終了後には回路基板を損傷したり糊残りしたりすることなく支持体を剥離できる。
【００７２】
例えば、上記光照射により架橋、硬化する光硬化型接着剤成分として、側鎖にビニル基等の不飽和二重結合を有するポリマーと２５０〜８００ｎｍの波長で活性化する光重合開始剤を含有する接着剤組成物を用いた場合、３６５ｎｍ以上の波長の光を照射することにより、上記硬化型接着剤成分を架橋、硬化させることができる。
このような光硬化型接着剤成分に対しては、例えば、波長３６５ｎｍの光を５ｍＷ以上の照度で照射することが好ましく、１０ｍＷ以上の照度で照射することがより好ましく、２０ｍＷ以上の照度で照射することが更に好ましく、５０ｍＷ以上の照度で照射することが特に好ましい。また、波長３６５ｎｍの光を３００ｍＪ以上の積算照度で照射することが好ましく、５００ｍＪ以上、１００００ｍＪ以下の積算照度で照射することがより好ましく、５００ｍＪ以上、７５００ｍＪ以下の積算照度で照射することが更に好ましく、１０００ｍＪ以上、５０００ｍＪ以下の積算照度で照射することが特に好ましい。
【００７３】
また、例えば、上記加熱により架橋、硬化する熱硬化型接着剤成分として、側鎖にビニル基等の不飽和二重結合を有するポリマーと５０〜１５０℃程度の加熱で活性化する熱重合開始剤を含有する接着剤組成物を用いた場合、５０〜１５０℃程度の温度にまで加熱することにより、上記熱硬化型接着剤成分を架橋、硬化させることができる。
【００７４】
上記接着剤硬化工程後の接着剤組成物について、動的粘弾性測定のせん断モードで−５０℃から３００℃まで連続昇温の条件で測定した２５℃での貯蔵せん断弾性率の好ましい下限は２．０×１０５Ｐａ、好ましい上限は１０９Ｐａである。弾性率がこの範囲内にあると、回路基板処理工程において回路基板と支持体とが意図せず剥離してしまうことがない一方、上記支持体剥離工程において回路基板から支持体を剥離する際に回路基板の表面に糊残りが発生するのを防止することができる。上記弾性率のより好ましい下限は１．０×１０６Ｐａ、より好ましい上限は２．０×１０８Ｐａである。
【００７５】
本発明の回路基板の処理方法では、次いで、支持板に固定された回路基板に加熱及び加圧処理を施す回路基板処理工程を行う。
上記加熱及び加圧処理を施す回路基板処理方法としては、具体的には例えば、上記支持体に固定された回路基板を加熱及び加圧することにより、電子部品用接着剤中のボイドを除去する加圧キュア工程や、上記支持体に固定された回路基板を金型のキャビティ部に配置し、溶融した樹脂を加圧して該キャビティ部に充填することにより回路基板を樹脂で封止する樹脂封止工程等が挙げられる。また、その他にも、ダイアタッチフィルムのキュアや回路基板の脱水処理等が挙げられる。
この際、回路基板は支持体により補強されていることから、回路基板処理時の熱や圧力によっても損傷したりすることがない。また、架橋、硬化された接着剤組成物により固定されていることから、回路基板と支持体との接着亢進が以上に進んでしまったり、高温高圧下で接着剤組成物が流動化して金型を汚染したりすることもない。
【００７６】
少なくとも工程順に、刺激により架橋、硬化する硬化型接着剤成分を含有する硬化型接着剤組成物を介して、電子部品用接着剤により電子部品が実装された回路基板を支持体に固定する支持体固定工程と、硬化型接着剤組成物に刺激を与えて硬化型接着剤成分を架橋、硬化する接着剤硬化工程と、支持体に固定された回路基板を加熱及び加圧することにより、電子部品用接着剤中のボイドを除去する加圧キュア工程と、回路基板から支持体を剥離する支持体剥離工程を有する回路基板の処理方法もまた、本願発明の１つである。
少なくとも工程順に、刺激により架橋、硬化する硬化型接着剤成分を含有する硬化型接着剤組成物を介して、接着剤により電子部品が接着された回路基板を支持体に固定する支持体固定工程と、硬化型接着剤組成物に刺激を与えて硬化型接着剤成分を架橋、硬化する接着剤硬化工程と、支持体に固定された回路基板を金型のキャビティ部に配置し、溶融した樹脂を加圧して該キャビティ部に充填することにより回路基板を樹脂で封止する樹脂封止工程と、回路基板から支持体を剥離する支持体剥離工程を有する回路基板の処理方法もまた、本願発明の１つである。
【００７７】
例えば、図１に、本発明の回路基板の処理方法により樹脂封止する工程を説明する模式図を示した。
図１では、まず、電子部品として半導体素子１２が実装された回路基板１１を、シート状の支持体２上に接着剤組成物からなる接着剤層３が形成された支持体シートに固定する（図１（ａ）、（ｂ））。次いで、刺激を与えることにより、接着剤層３を架橋、硬化する（図１（ｃ））。支持体に固定した回路基板を金型４のキャビティ部に配置し、樹脂をキャビティ部に充填することにより回路基板を樹脂で封止する（図１（ｄ）、（ｅ））。金型から取り出した樹脂封止された回路基板の一方の面にダイシングテープ５を貼付する（図１（ｆ））。そして、めくるようにして樹脂封止された回路基板から支持体シートを剥離する（図１（ｇ））。その後、ダイシングすることにより個々の電子製品を得ることができる（図１（ｈ）、（ｉ））。
【００７８】
本発明の回路基板の処理方法は、後述する支持体剥離工程に先立って、樹脂封止された被封止体の支持体に貼付されている側とは反対側の表面にダイシングテープを貼付するダイシングテープ貼付工程を有してもよい。
予めダイシングテープを貼付しておくことにより、支持体剥離工程において支持体を剥離した後、速やかにダイシング工程に進むことができる。
【００７９】
本発明の回路基板の処理方法では、次いで、処理後の回路基板から支持体を剥離する支持体剥離工程を行う。上記接着剤硬化工程において硬化型接着剤成分は架橋、硬化していることから、回路基板からの支持体の剥離は、比較的容易に、かつ、糊残りなく行うことができる。
支持体が可撓性の高い樹脂からなるシート状体である場合には、支持体をめくるようにして回路基板から剥離することができる。
【００８０】
一方、支持体が板状体である場合には、剥離が困難な場合もある。そのような場合にでも、硬化型接着剤組成物に気体発生剤を配合しておくことにより容易に剥離できる。即ち、上記硬化型接着剤組成物が上記気体発生剤を含有する場合には、支持体剥離工程において硬化型接着剤組成物に刺激を与えて気体発生剤から気体を発生させることにより、より容易に回路基板から支持体を剥離することができる。
【００８１】
例えば、上記気体発生剤として３００ｎｍ以下の波長の光を照射することにより気体を発生する気体発生剤を用いた場合には、３００ｎｍ以下の波長の光を照射することにより上記気体発生剤から気体を発生させて、支持体を回路基板から容易に剥離することができる。
このような気体発生剤に対しては、例えば、波長２５４ｎｍの光を５ｍＷ以上の照度で照射することが好ましく、１０ｍＷ以上の照度で照射することがより好ましく、２０ｍＷ以上の照度で照射することが更に好ましく、５０ｍＷ以上の照度で照射することが特に好ましい。また、波長２５４ｎｍの光を１０００ｍＪ以上の積算照度で照射することが好ましく、１０００ｍＪ以上、２０Ｊ以下の積算照度で照射することがより好ましく、１５００ｍＪ以上、１５Ｊ以下の積算照度で照射することが更に好ましく、２０００ｍＪ以上、１０Ｊ以下の積算照度で照射することが特に好ましい。
【発明の効果】
【００８２】
本発明によれば、接着剤組成物を介して回路基板を支持板に固定した状態で処理する回路基板の処理方法であって、加熱、加圧処理を施す回路基板処理工程を行う場合にでも、加熱、加圧処理時には充分な接着力を維持し、かつ、回路基板処理工程終了後には回路基板を損傷したり糊残りしたりすることなく支持板を回路基板から剥離できる回路基板の処理方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００８３】
【図１】本発明の回路基板の処理方法により樹脂封止する工程を説明する模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００８４】
以下に実施例を挙げて本発明の態様を更に詳しく説明するが、本発明はこれら実施例にのみ限定されるものではない。
【００８５】
（実施例１）
（樹脂Ａ〜樹脂Ｌの合成）
温度計、攪拌機、冷却管を備えた反応器を用意し、この反応器内に、（メタ）アクリル酸アルキルエステルとして２−エチルヘキシルアクリレート９４重量部、官能基含有モノマーとしてメタクリル酸ヒドロキシエチル６重量部、ラウリルメルカプタン０．０１重量部と、酢酸エチル８０重量部を加えた後、反応器を加熱して還流を開始した。続いて、上記反応器内に、重合開始剤として１，１−ビス（ｔ−ヘキシルパーオキシ）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン０．０１重量部を添加し、還流下で重合を開始させた。次に、重合開始から１時間後及び２時間後にも、１，１−ビス（ｔ−ヘキシルパーオキシ）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサンを０．０１重量部ずつ添加し、更に、重合開始から４時間後にｔ−ヘキシルパーオキシピバレートを０．０５重量部添加して重合反応を継続させた。そして、重合開始から８時間後に、固形分５５重量％、重量平均分子量６０万の官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーの酢酸エチル溶液を得た。
得られた官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーを含む酢酸エチル溶液の樹脂固形分１００重量部に対して、官能基含有不飽和化合物として２−イソシアナトエチルメタクリレート３．５重量部を加えて反応させて光硬化型接着剤（樹脂Ａ）を得た。
【００８６】
（メタ）アクリル酸アルキルエステル、官能基含有モノマー及び、官能基含有不飽和化合物として表１に記載したものを用いた以外は、樹脂Ａの場合と同様にして樹脂Ｂ〜Ｌを合成した。なお、樹脂Ｉでは、多官能オリゴマーとしてペンタエリスリトールトリアクリレートを５重量部併用し、重合を開始した。
【００８７】
【表１】
0005678228.tif 000008
【００８８】
（実施例１）
（１）支持体シートの製造
得られた樹脂Ａの酢酸エチル溶液の樹脂固形分１００重量部に対して、光重合開始剤（エサキュアワン、日本シイベルヘグナー社製）１重量部を混合した。
得られた接着剤組成物の酢酸エチル溶液を、片面にコロナ処理を施した厚さ２５μｍのポリエチレンナフタレートフィルムのコロナ処理面上に、乾燥皮膜の厚さが４０μｍとなるようにドクターナイフで塗工し、１１０℃、５分間加熱して塗工溶液を乾燥させた。その後、４０℃、３日間静置養生を行い、支持体シートを得た。
【００８９】
（２）紫外線照射後の接着剤組成物の弾性率の評価
評価用サンプルとして、接着剤組成物の酢酸エチル溶液を、片面にコロナ処理を施した厚さ５０μｍの透明なポリエチレンナフタレートフィルムのコロナ処理面上に、乾燥皮膜の厚さが５００μｍとなるようにドクターナイフで塗工し、１１０℃、５分間加熱して塗工溶液を乾燥させた後、４０℃、３日間静置養生を行った。得られた接着テープを縦０．６ｃｍ、横１．０ｃｍの長方形状に切断して、これを評価用サンプルとした。次いで、超高圧水銀灯を用いて、３６５ｎｍの紫外線をテープ表面への照射強度が８０ｍＷ／ｃｍ２となるよう照度を調節して２分間照射して、接着剤成分を架橋、硬化させた。硬化させた後の評価用サンプルについて、動的粘弾性測定のせん断モード角周波数１０Ｈｚで測定を行い、−５０℃から３００℃まで連続昇温した測定値の内２５℃での貯蔵弾性率の値を得た。
【００９０】
（３）加圧キュアの実施
回路が形成されたガラスエポキシ基板に、電子部品用接着剤（エポキシ系接着剤、積水化学社製）を用いて２４個の半導体素子を実装した。該回路基板の半導体素子が実装されていない側の面に支持体シートを貼着して固定した。この状態で、支持体シート側から超高圧水銀灯を用いて、３６５ｎｍの紫外線を支持体表面への照射強度が８０ｍＷ／ｃｍ２となるよう照度を調節して１分間照射して、光硬化型接着剤成分を架橋、硬化させた。次いで、支持体に固定された基板を１５０℃、０．５Ｐａ、３０分間の条件で加熱及び加圧することにより、電子部品用接着剤中のボイドを除去する加圧キュア工程を行った。加圧キュア工程後、めくるようにして支持体シートを剥離した。
支持体シート剥離後の回路基板の表面を目視にて観察し、全く糊残りが認められなかった場合を「○」、糊残りが認められた場合を「×」と評価した。
【００９１】
（４）回路基板の封止の実施
被封止体として、複数の半導体素子が実装ささた回路基板を準備し、これを図１に従って樹脂封止した。
まず、２４個の半導体素子が実装されたビルドアップ基板（ガラスエポキシ基板）の半導体素子が実装されていない側の面に支持体シートを貼着して固定した。この状態で、支持体シート側から超高圧水銀灯を用いて、３６５ｎｍの紫外線を支持体表面への照射強度が８０ｍＷ／ｃｍ２となるよう照度を調節して１分間照射して、光硬化型接着剤成分を架橋、硬化させた。次いで、支持体に固定された回路基板を金型のキャビティ部に配置し、溶融したエポキシ樹脂を加圧して該キャビティ部に充填した。この際、キャビティ部内は、１８０℃、７．０ＭＰａに達した。金型を２３℃にまで冷却した後、樹脂封止された回路基板を取り出した。樹脂封止された回路基板の封止された側の表面にダイシングテープを貼付した後、めくるようにして支持体シートを剥離した。その後、ダイシングを行い、個々の樹脂封止された電子製品を得た。
ここで、支持体シート剥離後の回路基板の表面を目視にて観察し、全く糊残りが認められなかった場合を「○」、糊残りが認められた場合を「×」と評価した。
また、樹脂封止体を得た後、使用した金型のキャビティ部を目視にて観察し、全く汚染が認められなかった場合を「○」、汚染が認められた場合を「×」と評価した。
【００９２】
（実施例２〜２６、比較例１）
樹脂の種類を表２に示したようにし、かつ、接着剤組成物の調製において、更に、（メタ）アクリル基を有するシリコーン化合物（ダイセルサイテック社製、ＥＢＥＣＲＹＬ３５０（アクリル当量２）、ＥＢＥＣＲＹＬ１３６０（アクリル当量６））、可塑剤（根上工業社製、ＵＮ−２６００、ＵＮ−５５００、ＵＮ−７７００、Ｕ−３２４Ａ）を表２に示したように加えたりした以外は実施例１と同様にして接着剤組成物及び支持体シートを得た。得られた支持体シートを用いて、実施例１と同様の評価を行った。
なお、比較例１においては、耐薬品性、耐熱性評価及び糊残り評価において、紫外線を照射して接着剤成分を架橋、硬化させることを行わなかった。
結果を表２に示した。
【００９３】
【表２】
0005678228.tif 000009
【産業上の利用可能性】
【００９４】
本発明によれば、接着剤組成物を介して回路基板を支持板に固定した状態で処理する回路基板の処理方法であって、加熱及び加圧処理を施す回路基板処理工程を行った場合にでも、加熱及び加圧処理時には充分な接着力を維持し、かつ、回路基板処理工程終了後には回路基板を損傷したり糊残りしたりすることなく支持板を回路基板から剥離できる回路基板の処理方法を提供することができる。
【符号の説明】
【００９５】
１１  基板
１２  半導体素子
２  支持体（シート状体）
３  接着剤層
４  金型
５  ダイシングテープ
【要約】
【課題】接着剤組成物を介して回路基板を支持板に固定した状態で処理する回路基板の処理方法であって、加熱及び加圧処理を施す回路基板処理工程を行った場合にでも、加熱及び加圧処理時には充分な接着力を維持し、かつ、回路基板処理工程終了後には回路基板を損傷したり糊残りしたりすることなく支持板を回路基板から剥離できる回路基板の処理方法を提供する。
【解決手段】少なくとも工程順に、刺激により架橋、硬化する硬化型接着剤成分を含有する硬化型接着剤組成物を介して回路基板を支持板に固定する支持板固定工程と、前記硬化型接着剤組成物に刺激を与えて硬化型接着剤成分を架橋、硬化する接着剤硬化工程と、前記支持板に固定された回路基板に加熱及び加圧処理を施す回路基板処理工程と、前記処理後の回路基板から支持板を剥離する支持板剥離工程を有する回路基板の処理方法。
【選択図】なし【図１】
0005678228.tif 000010