(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
接合部を介して基板と支持基板とが貼り合わされた基板積層体であって、
前記接合部は、前記基板の主面の周縁に沿って設けられた第１の接合部と、前記第１の接合部よりも前記基板の中心側に設けられた第２の接合部と、を有し、
前記第１の接合部は、前記第２の接合部よりも耐薬品性が高く、
前記第２の接合部は、前記第１の接合部よりも剥離液により剥離しやすいことを特徴とする基板積層体。
【請求項２】
前記基板の前記第１の接合部が設けられた側にはパターンが形成され、
前記第１の接合部は、前記パターンが形成された領域を囲うように設けられたことを特徴とする請求項１記載の基板積層体。
【請求項３】
前記第１の接合部に照射されたレーザ光を吸収して熱に変換する変換部がさらに設けられたことを特徴とする請求項１または２記載の基板積層体。
【請求項４】
前記第１の接合部は、照射されたレーザ光を吸収して熱に変換する変換剤を含むことを特徴とする請求項１または２記載の基板積層体。
【請求項５】
前記基板および前記支持基板の少なくともいずれかには、剥離液を前記基板と前記支持基板との間に供給する剥離液孔が設けられたことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１つに記載の基板積層体。
【請求項６】
前記剥離液孔を封止する封止部が設けられたことを特徴とする請求項５記載の基板積層体。
【請求項７】
第１の基体を載置する載置部と、
前記載置部に載置された前記第１の基体と所定の間隔をあけて対峙させて第２の基体を支持する支持部と、
前記載置部と前記支持部とを接離方向に相対移動させる移動機構部と、
を備え、
前記移動機構部により前記載置部と前記支持部とを接近動させて、前記第１の基体と前記第２の基体とを貼り合わせることで請求項１〜６のいずれか１つに記載の基板積層体となる積層体を形成すること、を特徴とする貼り合わせ装置。
【請求項８】
請求項１〜６のいずれか１つに記載の基板積層体を載置する載置部と、
前記基板積層体にレーザ光を照射する照射部と、
前記基板積層体に設けられた基板と支持基板との間に剥離液を供給し、前記第２の接合部を剥離して前記積層体の剥離を行う剥離液供給部と、
を備えたことを特徴とする剥離装置。
【請求項９】
前記照射部は、前記基板積層体に設けられた第１の接合部にレーザ光を照射することを特徴とする請求項８記載の剥離装置。
【請求項１０】
前記照射部は、前記基板積層体に設けられた基板の周縁部分にレーザ光を照射することで前記剥離液を供給する第１の剥離液孔を形成することを特徴とする請求項８記載の剥離装置。
【請求項１１】
前記照射部は、前記基板積層体に設けられた前記剥離液を供給する第２の剥離液孔を封止する封止部にレーザ光を照射することで前記第２の剥離液孔を開口させることを特徴とする請求項８記載の剥離装置。
【請求項１２】
支持基板および基板の少なくともいずれか一方の主面の周縁に沿って第１の接合部を設ける工程と、
前記第１の接合部よりも前記主面の中心側に、第２の接合部を設ける工程と、
前記第１の接合部と前記第２の接合部を介して、前記支持基板と前記基板とを貼り合わせる工程と、
前記第１の接合部と前記第２の接合部とを硬化させる工程と、
前記基板の厚み寸法が所定の寸法となるように加工する工程と、
前記支持基板、前記基板、および前記第１の接合部からなる群より選ばれた少なくともいずれかに向けてレーザ光を照射する工程と、
前記基板と前記支持基板との間に剥離液を供給し、前記第２の接合部を剥離して前記積層体の剥離を行う工程と、
を備え、
前記第１の接合部は、前記第２の接合部よりも耐薬品性が高く、
前記第２の接合部は、前記第１の接合部よりも剥離液に対して剥離しやすいことを特徴とする基板の製造方法。
【請求項１３】
前記レーザ光を照射する工程において、前記第１の接合部にレーザ光を照射することで前記第１の接合部を剥離することを特徴とする請求項１２記載の基板の製造方法。
【請求項１４】
前記レーザ光を照射する工程において、前記基板の周縁部分にレーザ光を照射することで前記剥離液を供給する第１の剥離液孔を形成することを特徴とする請求項１２記載の基板の製造方法。
【請求項１５】
前記レーザ光を照射する工程において、前記剥離液を供給する第２の剥離液孔を封止する封止部にレーザ光を照射することで前記第２の剥離液孔を開口させることを特徴とする請求項１２記載の基板の製造方法。
【請求項１６】
前記レーザ光を照射する工程に代えて、機械加工により前記第１の接合部を除去する工程を設けたことを特徴とする請求項１２記載の基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板積層体、貼り合わせ装置、剥離装置、および基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、複数の半導体素子（半導体チップ）を積層し、ワイヤーボンディングやシリコン貫通電極（ＴＳＶ；Through Silicon Via）などを用いて１つのパッケージ内に実装するマルチチップパッケージ（ＭＣＰ;Multi Chip Package）が用いられるようになってきている。  
この様なマルチチップパッケージに用いられる半導体素子は、通常の半導体素子よりも厚み寸法が薄くされるのが一般的である。  
また、半導体装置の高集積化などの観点からも半導体素子の厚み寸法が薄くなる傾向にある。
【０００３】
この様な厚み寸法の薄い半導体素子を製造するためには、例えば、ダイシングする前の基板の厚み寸法を薄くする必要がある。ところが、基板の厚み寸法を薄くすると機械的な強度が低下するので、基板の厚み寸法を薄く加工する際に基板が破損するおそれがある。  そのため、基板の厚み寸法を薄く加工する際に必要となる強度を付与するために、パターンが形成された基板（製品基板）と、支持基板とを貼り合わせて基板積層体を形成し、厚み寸法の加工後に基板から支持基板を剥離させる技術が提案されている（例えば、特許文献１を参照）。
【０００４】
しかしながら、特許文献１に開示された技術などにおいては、基板の厚み寸法を薄く加工する際に用いられるエッチング液、研磨液、ＣＭＰ液などが基板積層体の内部に侵入することが考慮されていなかった。  
そのため、基板の厚み寸法を薄く加工する際に侵入したエッチング液、研磨液、ＣＭＰ液などによってパターンや基板が損傷するおそれがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特許第４４０５２４６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の実施形態は、基板の厚み寸法を薄く加工する際の損傷を抑制することができる基板積層体、貼り合わせ装置、剥離装置、および基板の製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
実施形態によれば、接合部を介して基板と支持基板とが貼り合わされた基板積層体であって、前記接合部は、前記基板の主面の周縁に沿って設けられた第１の接合部と、前記第１の接合部よりも前記基板の中心側に設けられた第２の接合部と、を有し、前記第１の接合部は、前記第２の接合部よりも耐薬品性が高く、前記第２の接合部は、前記第１の接合部よりも剥離液により剥離しやすいことを特徴とする基板積層体が提供される。
【０００８】
また、他の実施形態によれば、第１の基体を載置する載置部と、前記載置部に載置された前記第１の基体と所定の間隔をあけて対峙させて第２の基体を支持する支持部と、前記載置部と前記支持部とを接離方向に相対移動させる移動機構部と、を備え、前記移動機構部により前記載置部と前記支持部とを接近動させて、前記第１の基体と前記第２の基体とを貼り合わせることで上記の基板積層体となる積層体を形成すること、を特徴とする貼り合わせ装置が提供される。
【０００９】
また、他の実施形態によれば、上記の基板積層体を載置する載置部と、前記基板積層体にレーザ光を照射する照射部と、前記基板積層体に設けられた基板と支持基板との間に剥離液を供給する剥離液供給部と、を備えたことを特徴とする剥離装置が提供される。
【００１０】
また、他の実施形態によれば、支持基板および基板の少なくともいずれか一方の主面の周縁に沿って第１の接合部を設ける工程と、前記第１の接合部よりも前記主面の中心側に第２の接合部を設ける工程と、前記第１の接合部と前記第２の接合部を介して、前記支持基板と前記基板とを貼り合わせる工程と、前記第１の接合部と前記第２の接合部とを硬化させる工程と、前記基板の厚み寸法が所定の寸法となるように加工する工程と、前記支持基板、前記基板、および前記第１の接合部からなる群より選ばれた少なくともいずれかに向けてレーザ光を照射する工程と、前記基板と前記支持基板との間に剥離液を供給する工程と、を備えたことを特徴とする基板の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の実施形態によれば、基板の厚み寸法を薄く加工する際の損傷を抑制することができる基板積層体、貼り合わせ装置、剥離装置、および基板の製造方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】第１の実施形態に係る基板積層体を例示するための模式図である。
【図２】第２の実施形態に係る基板積層体を例示するための模式図である。
【図３】第３の実施形態に係る基板積層体を例示するための模式図である。
【図４】第４の実施形態に係る基板積層体を例示するための模式図である。
【図５】第５の実施形態に係る基板積層体を例示するための模式図である。
【図６】第６の実施形態に係る基板積層体を例示するための模式図である。
【図７】本実施の形態に係る貼り合わせ装置について例示をするための模式図である。
【図８】本実施の形態に係る剥離装置を例示するための模式図である。
【図９】本実施の形態に係る基板の製造方法について例示をするためのフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、図面を参照しつつ、実施の形態について例示をする。  
なお、各図面中、同様の構成要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。  また、一例として、レーザ光を照射して剥離を行う場合を例示するが、レーザ光の照射に限らず、熱線やレーザ光以外の高エネルギー線を照射して剥離を行う場合にも適用させることができる。
【００１４】
[第１の実施形態]  
図１は、第１の実施形態に係る基板積層体を例示するための模式図である。  
なお、図１（ａ）は基板積層体の模式断面図、図１（ｂ）は第１の接合部が剥離された基板積層体の模式断面図である。  
図１に示すように、基板積層体１には、支持基板２、基板（製品基板）３、第１の接合部４ａ、第２の接合部４ｂ、変換部５が設けられている。  
支持基板２は、基板３の厚み寸法を薄く加工する際に必要となる強度を付与する。  
支持基板２の大きさは特に限定されるわけではなく、基板３の大きさと略同一とすることができる。この場合、支持基板２の大きさが基板３の大きさよりも若干大きくなるようにすることができる。例えば、支持基板２の大きさが基板３の大きさよりも０．５ｍｍ〜１ｍｍ程度大きくなるようにすることができる。
【００１５】
支持基板２の形状は特に限定されるわけではなく、基板３を支持できる形状であれば任意の形状とすることができる。ただし、支持基板２の形状と基板３の形状とが相似の関係となるようにすることが好ましく、一般的には基板３が円形（例えば、ウェーハなど）であることを考慮すると、支持基板２の形状は円形とすることができる。
【００１６】
支持基板２の材料は特に限定されず、基板３の厚み寸法を薄く加工する際に必要となる強度を付与できるものであればよい。例えば、ガラス、金属、セラミックスなどの無機材料、樹脂などの有機材料などとすることができる。  
ただし、支持基板２と基板３とを貼り合わせた状態で基板３の厚み寸法を薄く加工する際に後述するエッチング液などがかかるので耐薬品性が高いものとすることができる。また、基板３から支持基板２を剥離させる際に支持基板２に向けて後述するレーザ光が照射されることを考慮すると耐熱性が高くレーザ光に対する透過率が高いものとすることができる。その様なものとしては、例えば、石英ガラスなどのガラスを例示することができる。
また、支持基板２の材料の熱膨張係数が基板３の材料の熱膨張係数に近ければ、例えば、基板３の厚み寸法を薄く加工する際などに発生する熱応力を抑制することができる。そのため、支持基板２は、基板３の材料の熱膨張係数になるべく近い熱膨張係数を有する材料から形成されるものとすることができる。
【００１７】
基板３としては特に限定されるわけではなく、例えば、図１（ｂ）に示すように、表面にパターン３ａ（例えば、回路パターン）が形成されたウェーハとすることができる。  
基板３の材料としては特に限定されるわけではなく、例えば、基板３がウェーハである場合には、シリコンなどの半導体材料から形成されたものとすることができる。また、基板３の表面には酸化物や窒化物からなる層が形成されたものとすることもできる。
【００１８】
第１の接合部４ａ、第２の接合部４ｂは、支持基板２と基板３とを貼り合わせるために設けられている。  
第１の接合部４ａ、第２の接合部４ｂは、接着剤を塗布し、これを硬化させることで形成されたものとすることができる。
【００１９】
第１の接合部４ａ、第２の接合部４ｂの厚み寸法は特に限定されるわけではなく、基板３の厚み寸法を薄く加工する際に必要となる強度を付与できるような厚み寸法であればよい。例えば、第１の接合部４ａ、第２の接合部４ｂの厚み寸法は数μｍ〜１００μｍ程度とすることができる。  
なお、例えば、基板３の厚み寸法を薄く加工する際に必要となる平面度が維持できれば、支持基板２や基板３の必ずしも全面に第２の接合部４ｂを設ける必要はない。
【００２０】
また、第１の接合部４ａ、第２の接合部４ｂの材料の熱膨張係数が基板３の材料の熱膨張係数に近ければ、例えば、基板３の厚み寸法を薄く加工する際などに発生する熱応力を抑制することができる。そのため、第１の接合部４ａ、第２の接合部４ｂは、基板３の材料の熱膨張係数になるべく近い熱膨張係数を有する材料から形成されるものとすることができる。
【００２１】
ここで、支持基板２と基板３とを貼り合わせた状態で基板３の厚み寸法を薄く加工する際には、ウェットエッチング法、研磨法、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）法などが用いられる。この場合、これらの方法において用いられるエッチング液、研磨液、ＣＭＰ液などが基板３の表面に形成されているパターン３ａに接触するとパターン３ａに損傷が発生するおそれがある。  
そのため、本実施の形態においては、基板３のパターン３ａが形成された側の主面の周縁（以下においては、単に基板３の周縁と称する）に沿って設けられた第１の接合部４ａと、第１の接合部４ａよりも基板３の中心側に設けられた第２の接合部４ｂと、を備えるようにしている。すなわち、第１の接合部４ａは、パターン３ａが形成された領域を囲うように閉ループ状に設けられている。そして、第１の接合部４ａは、第２の接合部４ｂよりも耐薬品性が高いものとなっている。この場合、第１の接合部４ａは、エッチング液、研磨液、ＣＭＰ液などにより分解されにくいものとすることができる。また、第２の接合部４ｂは、第１の接合部４ａよりも容易に剥離させることができるものとすることができる。  
第１の接合部４ａは、例えば、ＡＳ(アクリロニトリル・スチレン）系樹脂を含む接着剤により形成されたものとすることができる。  
また、第２の接合部４ｂは、例えば、水性接着剤により形成されたものとすることができる。
【００２２】
この様にすれば、第１の接合部４ａによりエッチング液、研磨液、ＣＭＰ液などが基板積層体１の内部に侵入することを抑制することができる。  
また、基板３から支持基板２、第２の接合部４ｂを剥離する際には、水などを供給するなどして第２の接合部４ｂを容易に剥離することができる。なお、後述するように、第１の接合部４ａにはレーザ光が照射されるので、第１の接合部４ａはレーザ光により分解された状態となる。そのため、第１の接合部４ａを容易に剥離することができる。
【００２３】
また、第１の接合部４ａを剥離する際にパターン３ａにレーザ光が照射されないようにするために、第１の接合部４ａはパターン３ａが形成されていない領域に対峙する位置に設けられるようにすることができる。
【００２４】
変換部５は、第１の接合部４ａに照射されたレーザ光を吸収して熱に変換する。  
変換部５は、第１の接合部４ａの剥離を容易にするために設けられる。  
図１（ａ）に示すように、変換部５は、支持基板２と第１の接合部４ａとの間に設けるようにすることができる。この場合、レーザ光Ｌの照射方向と直交する方向に変換部５の主面を設けるようにすることができる。その様にすれば、レーザ光Ｌを効率よく熱に変換することができる。  
なお、変換部５の配設位置はレーザ光Ｌが照射される方向などを考慮して適宜変更することができる。
【００２５】
変換部５は、例えば、熱で分解される樹脂と、照射されたレーザ光を吸収して熱に変換する変換剤などを含む接着剤とすることができる。この場合、熱で分解される樹脂としては、例えば、シリコーン樹脂、ウレタン樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂などを例示することができる。変換剤は、照射されるレーザ光の波長に応じて適宜選択することができる。変換剤としては、例えば、カーボン、アルミニウム、鉄、クロムなどを例示することができる。  
変換部５の大きさ、厚み寸法、形状などは特に限定されるわけではなく、第１の接合部４ａを剥離させやすくするために必要となる熱量などを考慮して適宜設定することができる。
【００２６】
なお、変換部５は必ずしも必要ではないが変換部５を設けるようにすれば、第１の接合部４ａの剥離を容易とすることができる。前述したように、第１の接合部４ａは耐薬品性が高いものとされているが、一般的には、耐薬品性が高いものは熱分解されにくいものが多い。そのため、変換部５を設けることで第１の接合部４ａの剥離を促進させることができる。
【００２７】
図１（ａ）に例示をしたように、変換部５にレーザ光Ｌを照射すると、変換部５によりレーザ光Ｌが熱に変換される。そのため、レーザ光Ｌと変換部５による熱で第１の接合部４ａが分解されて、図１（ｂ）に示すように第１の接合部４ａ、変換部５が剥離される。この場合、第１の接合部４ａ、変換部５が完全に剥離されなくても、第１の接合部４ａ、変換部５は分解された状態となっているので、剥離液で第２の接合部４ｂを剥離する際に一緒に剥離することができる。また、第１の接合部４ａ、変換部５が剥離されることで、第２の接合部４ｂに剥離液が浸透しやすくなるので第２の接合部４ｂの剥離を容易とすることができる。
【００２８】
本実施の形態によれば、第２の接合部４ｂよりも耐薬品性が高い第１の接合部４ａを基板３の周縁に沿って設けているので、基板３の厚み寸法を薄く加工する際にエッチング液、研磨液、ＣＭＰ液などが基板積層体１の内部に侵入することを抑制することができる。そのため、エッチング液、研磨液、ＣＭＰ液などが基板３の表面に形成されているパターン３ａに接触することで発生する損傷を抑制することができる。  
また、第１の接合部４ａよりも基板３の中心側に設けられた第２の接合部４ｂは、第１の接合部４ａよりも容易に剥離させることができるものとしているので第２の接合部４ｂを剥離する際には、水などを供給するなどして第２の接合部４ｂを容易に剥離することができる。  
また、照射されたレーザ光を吸収して熱に変換する変換部５を設けるようにすれば、第１の接合部４ａを容易に剥離することができる。この場合、第１の接合部４ａを容易に剥離することができれば、第２の接合部４ｂに剥離液が浸透しやすくなるので第２の接合部４ｂの剥離をも容易とすることができる。
【００２９】
[第２の実施形態]  
図２は、第２の実施形態に係る基板積層体を例示するための模式図である。  
なお、図２（ａ）は基板積層体の模式断面図、図２（ｂ）は第１の接合部が剥離された基板積層体の模式断面図である。  
図２に示すように、基板積層体１ａには、支持基板２、基板３、第１の接合部４ａ、第２の接合部４ｂ、変換部５ａが設けられている。  
図１（ａ）に例示をした変換部５と変換部５ａとでは配設位置が異なっている。  
すなわち、基板積層体１ａにおいては、変換部５ａが第１の接合部４ａ内周面側に設けられている。
【００３０】
この様な変換部５ａの配設位置とすれば、支持基板２を介さずに第１の接合部４ａに直接レーザ光Ｌを照射することができる。そのため、レーザ光Ｌの利用効率を高めることができる。
【００３１】
ここで、レーザ光Ｌの照射方向にはパターン３ａが形成されている。この場合、レーザ光Ｌがパターン３ａに照射されるとパターン３ａが損傷するおそれがある。しかしながら、パターン３ａの手前には変換部５ａが配設されているので、照射されたレーザ光Ｌが変換部５ａに吸収される。そのため、レーザ光Ｌがパターン３ａに照射されることを抑制することができる。  
なお、変換部５ａは、配設位置以外は変換部５と同様とすることができるので、その他の説明は省略する。
【００３２】
本実施の形態によれば、図１において例示をしたものと同様の効果を享受することができる。  
またさらに、支持基板２を介さずに第１の接合部４ａに直接レーザ光Ｌを照射することができる。そのため、レーザ光Ｌの利用効率を高めることができる。この場合、パターン３ａの手前には変換部５ａが配設されているので、レーザ光Ｌがパターン３ａに照射されることを抑制することができる。  
また、支持基板２は通常繰り返し使用するものであることを考慮すると、支持基板２にレーザ光が照射されない分、支持基板２の寿命を延ばすことができる。
【００３３】
[第３の実施形態]  
図３は、第３の実施形態に係る基板積層体を例示するための模式図である。  
なお、図３（ａ）は基板積層体の模式断面図、図３（ｂ）は第３の接合部が剥離された基板積層体の模式断面図である。  
図３に示すように、基板積層体１ｂには、支持基板２、基板３、第２の接合部４ｂ、第３の接合部４ｃが設けられている。  
図１（ａ）に例示をした第１の接合部４ａと第３の接合部４ｃとでは材料が異なっている。  
この場合、第３の接合部４ｃは、第１の接合部４ａに変換剤を含ませたものとされている。すなわち、第３の接合部４ｃは、第１の接合部４ａと変換部５の２つの機能を併せ持つものとされている。
【００３４】
この様な第３の接合部４ｃとすれば、任意の方向からレーザ光Ｌを照射することができるようになる。また、１つの工程で第１の接合部４ａと変換部５の２つの機能を併せ持つ第３の接合部４ｃを形成することができる。
【００３５】
本実施の形態によれば、図１において例示をしたものと同様の効果を享受することができる。  
またさらに、レーザ光Ｌの照射方向を自由に選択することができる。また、１つの工程で第３の接合部４ｃを形成することができる。そのため、生産性を向上させることができる。
【００３６】
[第４の実施形態]  
図４は、第４の実施形態に係る基板積層体を例示するための模式図である。  
なお、図４（ａ）は基板積層体の模式断面図、図４（ｂ）は剥離液孔が設けられた基板積層体の模式断面図である。  
図４に示すように、基板積層体１ｃには、支持基板２、基板３、第１の接合部４ａ、第２の接合部４ｂが設けられている。
【００３７】
前述した実施形態においては、第１の接合部４ａにレーザ光Ｌを照射して第１の接合部４ａを剥離し、第１の接合部４ａが剥離された部分を介して第２の接合部４ｂに剥離液を供給するようにしている。  
これに対して、本実施の形態においては、基板３の周縁部分であってパターン３ａが形成されていない領域にレーザ光Ｌが照射されることで形成された剥離液孔３ｂ（第１の剥離液孔）が設けられている。剥離液孔３ｂは、剥離液を基板３と支持基板２との間に供給するために設けられる。  
この場合、平面視において剥離液孔３ｂは環状であり、かつ第１の接合部４ａと剥離液孔３ｂとの少なくとも一部が重ならない位置に設けるようにすることができる。その様にすれば、剥離液孔３ｂを介して第２の接合部４ｂに剥離液を容易に供給することができる。  
なお、剥離液孔３ｂは、基板３および支持基板２の少なくともいずれかに設けるようにすることもできる。  
また、第１の接合部４ａにもレーザ光Ｌを照射するようにすることができる。その様にすれば、第１の接合部４ａ、第２の接合部４ｂの剥離をさらに容易にすることができる。
【００３８】
本実施の形態によれば、第２の接合部４ｂよりも耐薬品性が高い第１の接合部４ａを基板３の周縁に沿って設けているので、基板３の厚み寸法を薄く加工する際にエッチング液、研磨液、ＣＭＰ液などが基板積層体１ｃの内部に侵入することを抑制することができる。そのため、エッチング液、研磨液、ＣＭＰ液などが基板３の表面に形成されているパターン３ａに接触することで発生する損傷を抑制することができる。  
また、第１の接合部４ａよりも基板３の中心側に設けられた第２の接合部４ｂは、第１の接合部４ａよりも容易に剥離させることができるものとしているので第２の接合部４ｂを剥離する際には、水などを供給するなどして第２の接合部４ｂを容易に剥離することができる。  
またさらに、剥離液孔３ｂを形成することで第１の接合部４ａ、第２の接合部４ｂの剥離をさらに容易にすることができる。
【００３９】
[第５の実施形態]  
図５は、第５の実施形態に係る基板積層体を例示するための模式図である。  
なお、図５（ａ）は基板積層体の模式断面図、図５（ｂ）は剥離液孔が設けられた基板積層体の模式断面図である。  
図５に示すように、基板積層体１ｄには、支持基板２、基板３、第１の接合部４ａ、第２の接合部４ｂ、封止部６が設けられている。  
図４に例示をした剥離液孔３ｂと剥離液孔２ａ（第２の剥離液孔）とでは形成される位置が異なる。すなわち、剥離液孔３ｂは基板３に形成されるが、剥離液孔２ａは支持基板２に形成されている。
【００４０】
剥離液孔２ａは、例えば、支持基板２の周縁部分であって基板３のパターン３ａが形成されていない領域に対峙する位置に設けられている。ただし、パターン３ａが形成されていない部分であれば、周縁部分以外に設けるようにすることもできる。剥離液孔２ａは、剥離液を基板３と支持基板２との間に供給するために設けられる。  
この場合、平面視において剥離液孔２ａは環状であり、かつ第１の接合部４ａと剥離液孔２ａとの少なくとも一部が重ならない位置に設けるようにすることができる。その様にすれば、剥離液孔２ａを介して第２の接合部４ｂに剥離液を容易に供給することができる。
なお、剥離液孔２ａは、基板３および支持基板２の少なくともいずれかに設けるようにすることもできる。  
また、剥離液孔２ａを封止するための封止部６が設けられている。封止部６は、第１の接合部４ａ、第３の接合部４ｃと同じ材料から形成されるものとすることができる。また、変換部５を併せて設けるようにすることもできる。  
この様な封止部６を設けるようにすれば、エッチング液、研磨液、ＣＭＰ液などの侵入を抑制することができる。また、封止部６にレーザ光Ｌを照射することで封止部６を剥離させれば、剥離液孔２ａを介して第１の接合部４ａ、第２の接合部４ｂに剥離液を容易に供給することができる。  
本実施の形態によれば、図４に例示をしたものと同様の効果を享受することができる。
【００４１】
[第６の実施形態]  
図６は、第６の実施形態に係る基板積層体を例示するための模式図である。  
なお、図６（ａ）は基板積層体の模式断面図、図６（ｂ）は剥離液孔が設けられた基板積層体の模式断面図である。  
図６に示すように、基板積層体１ｅには、支持基板２、基板３、第１の接合部４ａ、第２の接合部４ｂが設けられている。
【００４２】
前述した実施形態においては、第１の接合部４ａにレーザ光Ｌを照射して第１の接合部４ａを剥離し、第１の接合部４ａが剥離された部分を介して第２の接合部４ｂに剥離液を供給するようにしている。  
これに対して、本実施の形態においては、基板３の周縁部分であってパターン３ａが形成されていない領域と、第１の接合部４ａとを研削などの機械加工で除去するようにしている。その様にすれば、機械加工などで除去された部分を介して第２の接合部４ｂに剥離液を容易に供給することができる。
【００４３】
本実施の形態によれば、第２の接合部４ｂよりも耐薬品性が高い第１の接合部４ａを基板３の周縁に沿って設けているので、基板３の厚み寸法を薄く加工する際にエッチング液、研磨液、ＣＭＰ液などが基板積層体１ｅの内部に侵入することを抑制することができる。そのため、エッチング液、研磨液、ＣＭＰ液などが基板３の表面に形成されているパターン３ａに接触することで発生する損傷を抑制することができる。  
また、第１の接合部４ａよりも基板３の中心側に設けられた第２の接合部４ｂは、第１の接合部４ａよりも容易に剥離させることができるものとしているので第２の接合部４ｂを剥離する際には、水などを供給するなどして第２の接合部４ｂを容易に剥離することができる。  
またさらに、機械加工などで除去された広い範囲から第２の接合部４ｂに剥離液を供給することができるので第２の接合部４ｂの剥離をさらに容易にすることができる。また、剥離しにくい第１の接合部４ａを機械加工などで容易に除去することができる。
【００４４】
次に、本実施の形態に係る貼り合わせ装置について例示をする。    
[第７の実施形態]  
図７は、本実施の形態に係る貼り合わせ装置について例示をするための模式図である。  図７に示すように、貼り合わせ装置１０には、処理容器１１、載置部１２、支持部１３、移動機構部１４、排気部１５が設けられている。  
処理容器１１は、気密構造となっており大気圧よりも減圧された雰囲気を維持可能となっている。処理容器１１の側壁には、基体Ｗ１（第１の基体）、基体Ｗ２（第２の基体）の搬入搬出を行うための開口部１１ａが設けられ、開口部１１ａを気密に開閉可能な開閉扉１１ｂが設けられている。また、処理容器１１の底部には、処理容器１１内の排気をするための開口部１１ｃが設けられている。
【００４５】
処理容器１１の内部には、貼り合わされる一方の基体Ｗ１を載置、保持する載置部１２が設けられている。載置部１２の載置面（上面）は平坦面となっており、載置面に基体Ｗ１が載置されるようになっている。また、載置部１２には静電チャックなどの図示しない保持部が設けられており、載置された基体Ｗ１を保持することができるようになっている。
この場合、基体Ｗ１は、前述した基板積層体のうち基板３を除いた部分とすることができる。すなわち、基体Ｗ１は、支持基板２の一方の主面上に前述した接合部が設けられたものとすることができる。
【００４６】
処理容器１１の内部であって、載置部１２の上方であって対向する位置には、貼り合わされる他方の基体Ｗ２を支持する支持部１３が設けられる。  
この場合、基体Ｗ２は、前述した基板３とすることができる。  
支持部１３は、載置部１２に載置された基体Ｗ１と所定の間隔をあけて対峙させて基体Ｗ２の周縁部を支持する。  
支持部１３には、真空チャックや静電チャックなどを用いることができる。  
この支持部１３は、移動機構部１４の動作により、載置部１２に対して接離方向に移動することができる。移動機構部１４としては、エアシリンダなどを備えたものとすることができる。
また、図示しない画像処理部からの画像情報に基づいて、載置部１２に載置された基体Ｗ１に対する基体Ｗ２の位置を調整する図示しない調整部を設けるようにすることができる。
【００４７】
排気部１５は、配管１５ａを介して開口部１１ｃに接続されている。排気部１５は、例えば、ドライポンプなどとすることができる。なお、基体Ｗ１と基体Ｗ２との貼り合わせは、必ずしも減圧雰囲気下で行う必要はなく、例えば、大気圧雰囲気下で行うこともできる。基体Ｗ１と基体Ｗ２との貼り合わせを減圧雰囲気下で行わない場合には、排気部１５を設ける必要はなく、また、処理容器１１をパーティクルなどの侵入が抑制される程度の気密構造とすればよい。  
ここで、基体Ｗ１と基体Ｗ２の間に空気が巻き込まれることによりボイドが発生すると、基板３の厚み寸法を薄く加工する際に厚み寸法の加工精度が低下するおそれがある。この場合、基体Ｗ１と基体Ｗ２との貼り合わせを減圧雰囲気下で行ようにすれば、基体Ｗ１と基体Ｗ２との間に空気が巻き込まれることによるボイドの発生が抑制されるので、基板３の厚み寸法の加工精度を向上させることができる。
【００４８】
次に、貼り合わせ装置１０の作用について例示をする。  
まず、図示しない搬送装置により基体Ｗ１が処理容器１１内に搬入され、基体Ｗ１が載置部１２に載置される。この際、接合部が設けられた側の主面を上方に向けるようにして基体Ｗ１が載置部１２に載置される。  
次に、図示しない搬送装置により基体Ｗ２が処理容器１１内に搬入され、基体Ｗ２が支持部１３により支持される。この際、パターン３ａが形成された主面を下方に向けるようにして基体Ｗ２が支持部１３により支持される。  
次に、図示しない搬送装置が処理容器１１の外に退避した後、開閉扉１１ｂが閉じられ処理容器１１が密閉される。そして、処理容器１１内が排気される。  
次に、移動機構部１４により、支持部１３を下降させる。これにより、基体Ｗ１と基体Ｗ２とを貼り合わせることで前述した基板積層体となる積層体を形成する。  
なお、支持部１３に基体Ｗ１に対する基体Ｗ２の位置を調整する図示しない調整部が設けられている場合には、貼り合わせ前に図示しない調整部により基体Ｗ１に対する基体Ｗ２の位置が調整される。
【００４９】
本実施の形態に係る貼り合わせ装置によれば、前述した基板積層体を効率よく製造することができる。また、接合部が設けられた支持基板２と、基板３とを減圧環境下で貼り合わせるようにすればボイドが発生することを抑制することができる。
【００５０】
なお、基体Ｗ１を支持基板２の一方の主面上に接合部が設けられたもの、基体Ｗ２を基板３としたがこれに限定されるわけではない。基体Ｗ１を基板３のパターン３ａが形成された主面に接合部が設けられたもの、基体Ｗ２を支持基板２とすることもできる。  
例えば、基体Ｗ１が支持基板２と、支持基板２の基体Ｗ２に対峙する側の主面に設けられた接合部を有している場合には、基体Ｗ２は基板３であり、基体Ｗ１が基板３である場合には、基体Ｗ２は、支持基板２と、支持基板２の基体Ｗ１に対峙する側の主面に設けられた接合部を有したものとすることができる。すなわち、支持基板、基板、接合部の組み合わせは任意のものとすることができる。  
また、載置部１２に対して支持部１３側が接離動する構成を例示したが、載置部１２側が支持部１３に対して接離動するように構成することもできる。
【００５１】
また、基体Ｗ１と基体Ｗ２とを貼り合わせた後に接合部の硬化を行うようにすることができる。接合部の硬化は、接合部の材料などに応じて適宜選択することができる。例えば、接合部が紫外線硬化樹脂からなる場合は紫外線を照射するようにすることができる。接合部が熱硬化樹脂からなる場合は加熱を行うようにすることができる。  
なお、接合部の形成は、既知の塗布装置（例えば、ディスペンス装置、インクジェット装置など）を用いて行うようにすることができるので詳細な説明は省略する。
【００５２】
次に、本実施の形態に係る剥離装置について例示をする。    
[第８の実施形態]  
図８は、本実施の形態に係る剥離装置を例示するための模式図である。  
図８に示すように、剥離装置３０には、照射部３２、剥離液供給部３４が設けられている。  
照射部３２は、載置台２２に載置された基体Ｗに向けてレーザ光Ｌを照射する。基体Ｗは、前述した基板積層体とすることができる。  
この場合、照射部３２は、基体Ｗに設けられた第１の接合部４ａにレーザ光Ｌを照射する。  
照射部３２には、レーザ部２５、アーム部２６、駆動部２７、載置台２２が設けられている。  
アーム部２６は、レーザ部２５の出射面２５ａを載置台２２の載置面２２ａに向けるようにしてレーザ部２５を保持する。また、アーム部２６の一端は駆動部２７に接続されている。
【００５３】
駆動部２７は、例えば、サーボモータなどの制御モータなどから構成され、アーム部２６を介してレーザ部２５の位置を変化させる。すなわち、レーザ光Ｌの照射位置を変化させる。この場合、駆動部２７は、例えば、揺動方向および水平方向の少なくともいずれかの方向にアーム部２６を移動させるものとすることができる。また、アーム部２６をさらに鉛直方向に移動させるものとすることもできる。なお、レーザ部２５によりレーザ光Ｌの走査が可能な場合には、駆動部２７を省略することもできる。
【００５４】
載置台２２は基体Ｗを載置、保持する。また、載置、保持された基体Ｗの位置を変化させる。載置台２２は、例えば、ＸＹθテーブルなどとすることができる。  
載置台２２は、一方の主面が基体Ｗを載置する載置面２２ａとなっている。載置台２２にはバキュームチャックなどの図示しない保持部を設けるようにすることができる。  
なお、レーザ部２５と載置台２２とのいずれか一方を移動させるようにすることもできる。
【００５５】
剥離液供給部３４は、基体Ｗに設けられた基板３と支持基板２との間に剥離液を供給する。  
剥離液供給部３４には、処理槽２４、タンク１７、送液配管１８、送液部１９、送液制御部２０、ノズル２１、排出液配管３８、タンク３９、排出弁４０が設けられている。  
処理槽２４は、上面が開放されている。処理槽２４の底板には、排出口２４ｂが設けられており、排出口２４ｂには排出液配管３８の一端が接続されている。
【００５６】
タンク１７は、剥離液を収納する。剥離液は、前述した接合部を剥離することができるものとすることができる。ここで、第１の接合部４ａは耐薬品性が高いものとなっているが、剥離時においては第１の接合部４ａがレーザ光により分解された状態となるので、分解された状態の第１の接合部４ａを剥離することができる剥離液であればよい。剥離液は、例えば、純水、脱イオン化された純水などとすることができる。ただし、これらに限定されるわけではなく、接合部の溶解性などに応じて適宜選択することができる。
【００５７】
送液配管１８の一端はノズル２１に接続され、送液配管１８の他端はタンク１７内の剥離液に浸漬する位置に設けられている。  
送液部１９は、送液配管１８に設けられ、タンク１７内に収納された剥離液を剥離液ノズル２１に供給する。送液部１９は、例えば、剥離液に対する耐性を有するポンプなどとすることができる。  
送液制御部２０は、送液配管１８に設けられ、送液部１９により送液される剥離液の供給と停止とを制御する。また、送液部１９により送液される剥離液の流量を制御するようにすることもできる。  
剥離液ノズル２１の開口端は処理槽２４の内部に向けて設けられており、処理槽２４の内部に剥離液を供給することができるようになっている。剥離液ノズル２１の開口端とは反対側の端部には送液配管１８が接続されている。
【００５８】
タンク３９は、使用済みの剥離液を収納する。  
排出液配管３８は、一端が処理槽２４の排出口２４ｂに接続され、他端がタンク３９に接続されている。  
排出弁４０は、排出液配管３８に設けられ、タンク３９に向けて排出される使用済みの剥離液の排出と停止とを制御する。
【００５９】
次に、剥離装置３０の作用について例示をする。  
まず、図示しない搬送手段により基体Ｗが載置台２２の載置面２２ａに載置される。載置面２２ａに載置された基体Ｗは、バキュームチャックなどの図示しない保持部により保持される。  
なお、基体Ｗを載置する際には、基板積層体の基板３側を載置面２２ａに載置するようにする。
【００６０】
次に、レーザ部２５からレーザ光Ｌを出射させて、第１の接合部４ａにレーザ光Ｌを照射する。この際、基体Ｗの位置を載置台２２により変化させることで所望の位置にレーザ光Ｌが照射されるようにすることができる。レーザ光Ｌが照射された第１の接合部４ａは、分解、剥離される。  
基板積層体が非円形状（例えば矩形状など）の場合においても同様である。  
また、図４に例示をしたように、基板３の周縁部分にレーザ光Ｌを照射することで剥離液を供給する剥離液孔３ｂを形成することもできる。  
また、図５に例示をしたように、剥離液を供給する剥離液孔２ａを封止する封止部６にレーザ光Ｌを照射することで剥離液孔２ａを開口させることもできる。
【００６１】
次に、支持基板２、第２の接合部４ｂを剥離する。  
図示しない搬送装置により載置台２２から基体Ｗを受け取り、処理槽２４に貯留されている剥離液中に基体Ｗを浸漬させる。  
レーザ光が照射されることで第１の接合部４ａが剥離されているので、第２の接合部４ｂに剥離液を供給することができる。  
また、剥離液孔３ｂ、剥離液孔２ａを介して第２の接合部４ｂに剥離液を供給することができる。
【００６２】
使用済みの剥離液は、排出液配管３８を介してタンク３９に排出される。この際、使用済みの剥離液の排出と停止とが排出弁４０により制御される。  
また、処理槽２４内の剥離液の量が略一定となるようにタンク１７から送液部１９、送液制御部２０、送液配管１８、ノズル２１を介して処理槽２４内に剥離液が補充される。処理槽２４内の剥離液の量は図示しない液面計などにより制御するようにすることができる。  
本実施の形態に係る剥離装置によれば、前述した基板積層体の剥離を効率よく行うことができる。
【００６３】
次に、本実施の形態に係る基板の製造方法について例示をする。    
[第９の実施形態]  
図９は、本実施の形態に係る基板の製造方法について例示をするためのフローチャートである。  
まず、支持基板および基板３の少なくともいずれか一方の主面の中心側に第２の接合部４ｂを設ける（ステップＳ１）。  
そして、第２の接合部４ｂを囲うように主面の周縁に沿って第１の接合部４ａを設ける（ステップＳ２）。
なお、ステップＳ１とステップＳ２とを同時に実行しても構わない。
この場合、基板３に第１の接合部４ａ、第２の接合部４ｂが設けられる場合には、基板３のパターン３ａが形成された主面に設けられるようにすることができる。
【００６４】
以下では、一例として、支持基板２の一方の主面に接合部を設ける場合を例示する。  
図１に例示をしたものの場合には、支持基板２の一方の主面の周縁に沿って変換部５を設け、変換部５に積層するようにして第１の接合部４ａを設ける。そして、第１の接合部４ａにより囲まれた領域に第２の接合部４ｂを設ける。  
図２に例示をしたものの場合には、支持基板２の一方の主面の周縁に沿って第１の接合部４ａを設け、第１の接合部４ａの内周面に変換部５を設ける。そして、変換部５により囲まれた領域に第２の接合部４ｂを設ける。
【００６５】
図３に例示をしたものの場合には、支持基板２の一方の主面の周縁に沿って第３の接合部４ｃを設ける。そして、第３の接合部４ｃにより囲まれた領域に第２の接合部４ｂを設ける。  
図４〜図６に例示をしたものの場合には、支持基板２の一方の主面の周縁に沿って第１の接合部４ａを設ける。そして、第１の接合部４ａにより囲まれた領域に第２の接合部４ｂを設ける。
【００６６】
次に、第１の接合部４ａ、第２の接合部４ｂを介して、支持基板２と基板３とを貼り合わせることで積層体を形成する（ステップＳ３）。  
貼り合わせは、例えば、前述した貼り合わせ装置１０を用いて行うようにすることができる。そのため、貼り合わせの手順の詳細は省略する。  
次に、第１の接合部４ａと第２の接合部４ｂとを硬化させることで基板積層体を作成する（ステップＳ４）。  
第１の接合部４ａ、第２の接合部４ｂの硬化は、第１の接合部４ａ、第２の接合部４ｂの材料などに応じて適宜選択することができる。例えば、第１の接合部４ａ、第２の接合部４ｂが紫外線硬化樹脂からなる場合は紫外線を照射するようにすることができる。第１の接合部４ａ、第２の接合部４ｂが熱硬化樹脂からなる場合は加熱を行うようにすることができる。
【００６７】
次に、基板積層体に設けられた基板３の厚み寸法が所定の寸法となるように加工する（ステップＳ５）。  
基板３の加工は、ウェットエッチング法、研磨法、ＣＭＰ法などを用いて行うようにすることができる。なお、基板３の加工は、例示をしたものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。  
ここで、第１の接合部４ａまたは第３の接合部４ｃが設けられているので、第１の接合部４ａまたは第３の接合部４ｃによりエッチング液、研磨液、ＣＭＰ液などが基板積層体の内部に侵入することを抑制することができる。
【００６８】
次に、支持基板２、接合部を剥離する（ステップＳ６）。  
この場合、支持基板２、基板３、および第１の接合部４ａからなる群より選ばれた少なくともいずれかに向けてレーザ光を照射する工程と、基板３と支持基板２との間に剥離液を供給する工程を備えるようにすることができる。  
例えば、図１〜図３に例示をしたように第１の接合部４ａまたは第３の接合部４ｃにレーザ光を照射して第１の接合部４ａまたは第３の接合部４ｃを剥離する工程、図４に例示をしたように基板３の周縁部分にレーザ光を照射することで剥離液を供給する剥離液孔３ｂを形成する工程、図５に例示をしたように剥離液を供給する剥離液孔２ａを封止する封止部６にレーザ光を照射することで剥離液孔２ａを開口させる工程を備えるようにすることができる。
【００６９】
支持基板２、接合部の剥離は、例えば、前述した剥離装置３０を用いて行うようにすることができる。そのため、前述した剥離の工程の詳細は省略する。  
また、レーザ光を照射する工程に代えて、図６に例示をした機械加工により第１の接合部４ａを除去する工程を備えるようにすることもできる。
【００７０】
以上のようにして、厚み寸法の薄い基板３を製造することができる。  
本実施の形態によれば、基板３から支持基板２を剥離させる際の損傷を抑制することができる。そのため、歩留まりや生産性などを向上させることができる。
【００７１】
以上、実施の形態について例示をした。しかし、本発明はこれらの記述に限定されるものではない。  
前述の実施の形態に関して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除若しくは設計変更を行ったもの、または、工程の追加、省略若しくは条件変更を行ったものも、本発明の特徴を備えている限り、本発明の範囲に包含される。  
例えば、基板積層体１、基板積層体１ａ〜１ｅ、貼り合わせ装置１０、剥離装置３０が備える各要素の形状、寸法、材料、配置、数などは、例示をしたものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。  
また、前述した各実施の形態が備える各要素は、可能な限りにおいて組み合わせることができ、これらを組み合わせたものも本発明の特徴を含む限り本発明の範囲に包含される。
【符号の説明】
【００７２】
１  基板積層体、１ａ〜１ｅ  基板積層体、２  支持基板、２ａ  剥離液孔、３  基板、３ａ  パターン、３ｂ  剥離液孔、４ａ  第１の接合部、４ｂ  第２の接合部、４ｃ  第３の接合部、５  変換部、１０  貼り合わせ装置、１１  処理容器、１２  載置部、１３  支持部、１４  移動機構部、１５  排気部、３０  剥離装置、３２  照射部、３４  剥離液供給部、Ｗ  基体、Ｗ１〜Ｗ３  基体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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