(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
加熱溶融材を介して複数の被接合部材間を接合して接合構造体を製造する接合構造体製造方法において、
前記複数の被接合部材の少なくとも一方に加熱溶融材が形成された被接合部材を準備する段階と、
前記複数の被接合部材が互いに対向する面上に、互いに沸点の異なる複数種類の有機剤を含む仮止め剤を塗布して、当該仮止め剤を介して複数の被接合部材間を仮止めする仮止め段階と、
仮止めされた複数の被接合部材をカルボン酸蒸気を含む雰囲気中で加熱して、前記加熱溶融材の溶融する前または前記加熱溶融材の溶融中に前記仮止め剤を蒸発させる蒸発段階と、
前記加熱により、前記加熱溶融材を溶融して当該加熱溶融材を介して複数の被接合部材間を接合する接合段階と、
を有することを特徴とする接合構造体製造方法。
【請求項２】
前記加熱溶融材は、半田材または共晶接合材であり、前記接合段階は、複数の被接合部材間を半田接合または共晶接合することを特徴とする請求項１に記載の接合構造体製造方法。
【請求項３】
前記接合段階は、前記複数の被接合部材のうちの一方の被接合部材に設けられた電極構造と、他方の被接合部材に設けられた電極構造とを電気的に接続することを特徴とする請求項１または２に記載の接合構造体製造方法。
【請求項４】
前記仮止め剤を全て蒸発させた後に、前記接合段階において前記加熱溶融材を溶融することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の接合構造体製造方法。
【請求項５】
前記仮止め段階は、前記仮止め剤として非還元性の有機剤である仮止め剤を塗布するものであり、
前記接合段階は、チャンバ内のカルボン酸蒸気を含む雰囲気中で加熱処理し、フラックスレスで半田接合または共晶接合するものである、ことを特徴とする請求項４に記載の接合構造体製造方法。
【請求項６】
チャンバ中に前記カルボン酸蒸気を供給する供給段階を有し、
前記接合段階は、前記チャンバ内で行われることを特徴とする請求項５に記載の接合構造体製造方法。
【請求項７】
前記接合段階に先立って前記カルボン酸蒸気を供給し、
前記蒸発段階は、前記カルボン酸蒸気による前記加熱溶融材の酸化膜の還元処理に先立ってまたは当該還元処理と並行して前記仮止め剤を蒸発させる、ことを特徴とする請求項４または５に記載の接合構造体製造方法。
【請求項８】
前記蒸発段階は、前記加熱溶融材の溶融する前に前記仮止め剤を蒸発させることを特徴とする請求項５〜７のいずれか１項に記載の接合構造体製造方法。
【請求項９】
前記接合段階の後に、前記仮止め剤を洗浄除去する作業をすることなく前記複数の被接合部材間にアンダーフィル樹脂を充填することを特徴とする請求項４〜８のいずれか１項に記載の接合構造体製造方法。
【請求項１０】
前記蒸発段階では、前記仮止め剤が蒸発しやすいように、前記チャンバ内の真空度を一時的に高めることを特徴とする請求項５〜９のいずれか１項に記載の接合構造体製造方法。
【請求項１１】
前記仮止め剤は、圧力１×１０２乃至１×１０５Ｐａのいずれかの圧力において、１００℃乃至３５０℃の沸点を有することを特徴とする請求項５〜１０のいずれか１項に記載の接合構造体製造方法。
【請求項１２】
前記仮止め剤は、イソボルニルシクロヘキサノール、ターピネオール、およびプロピレングリコールフェニル・エーテルから選ばれた少なくとも１つの非還元性の有機剤であることを特徴とする請求項５〜１１のいずれか１項に記載の接合構造体製造方法。
【請求項１３】
前記仮止め剤は、粘度１×１０２乃至１×１０５ｍＰａ・ｓになるように粘度調整剤により希釈されていることを特徴とする請求項５〜１２のいずれか１項に記載の接合構造体製造方法。
【請求項１４】
前記複数の被接合部材の少なくとも一方に形成された半田は、直径が１００μｍ以下の半田バンプであり、隣接する半田バンプ間のピッチ間隔が１５０μｍ以下であることを特徴とする請求項５〜１３のいずれか１項に記載の接合構造体製造方法。
【請求項１５】
前記仮止め段階は、前記被接合部材上にスポット状またはライン状に前記仮止め剤が塗布されることを特徴とする請求項５〜１４のいずれか１項に記載の接合構造体製造方法。
【請求項１６】
前記仮止め段階は、前記被接合部材上に、複数の箇所に離散して前記仮止め剤が塗布されることを特徴とする請求項１５に記載の接合構造体製造方法。
【請求項１７】
前記仮止め剤は、前記半田の表面から離隔されて前記被接合部材上に塗布されることを特徴とする請求項１５または１６に記載の接合構造体製造方法。
【請求項１８】
前記仮止め段階は、前記被接合部材上に、面状に前記仮止め剤が塗布されることを特徴とする請求項５〜１４のいずれか１項に記載の接合構造体製造方法。
【請求項１９】
前記複数の被接合部材の一方に設けられた電極構造は、第１電極層と、前記第１電極部上に形成されたバリア層と、前記バリア層上に形成された半田バンプとからなり、
前記複数の被接合部材の他方に設けられた電極構造は、第２電極層とからなり、
半田接合によって、前記半田バンプと前記第２電極層とが接合されることを特徴とする請求項５〜１８のいずれか１項に記載の接合構造体製造方法。
【請求項２０】
加熱溶融材を介して複数の被接合部材間を接合して接合構造体を製造する接合構造体製造システムにおいて、
前記複数の被接合部材の少なくとも一方に加熱溶融材が形成された被接合部材に、互いに沸点の異なる複数種類の有機剤を含む非還元性の有機剤である仮止め剤を塗布する塗布手段と、
前記仮止め剤を介して積層された状態で仮止めされた前記複数の被接合部材を加熱する
加熱手段と、
前記複数の被接合部材に対してカルボン酸蒸気を供給する供給手段と、を有し、
前記加熱手段は、前記カルボン酸蒸気を含む雰囲気中において前記加熱溶融材の溶融する前または前記加熱溶融材の溶融中に前記仮止め剤を蒸発させる一方、前記カルボン酸蒸気を含む雰囲気中においてフラックスレスで接合するために前記被接合部材を加熱することを特徴とする接合構造体製造システム。
【請求項２１】
加熱溶融材が付着した部材を加熱して加熱溶融材を加熱溶融処理して加熱溶融材を成形する加熱溶融処理方法であって、
前記部材上に加熱溶融材を付着させるとともに、部材の表面に、互いに沸点の異なる複数種類の有機剤を含む仮止め剤を塗布して、当該仮止め剤を介して前記加熱溶融材の位置を仮止めする仮止め段階と、
カルボン酸蒸気を含む雰囲気中で加熱処理することにより、前記加熱溶融材の溶融する前または前記加熱溶融材の溶融中に前記仮止め剤を蒸発させる蒸発段階と、
前記仮止め剤を溶融して加熱溶融材を成形する成形段階と、を有することを特徴とする加熱溶融処理方法。
【請求項２２】
加熱溶融材が付着した部材を加熱して加熱溶融材を加熱溶融処理して加熱溶融を成形する加熱溶融処理方法であって、
前記部材上に加熱溶融材を付着させるとともに、部材の表面に、互いに沸点の異なる複数種類の有機剤を含む仮止め剤を塗布して、当該仮止め剤を介して前記加熱溶融材を仮止めする仮止め段階と、
カルボン酸蒸気を含む雰囲気中で加熱処理することにより、前記加熱溶融材の溶融する前または前記加熱溶融材の溶融中に前記仮止め剤を蒸発させる蒸発段階と、
前記加熱溶融材を溶融して半田を成形する成形段階と、を有することを特徴とする加熱溶融処理方法。
【請求項２３】
加熱溶融材が付着した部材を加熱して加熱溶融材を加熱溶融処理して加熱溶融材を成形する加熱溶融処理システムにおいて
前記部材上に加熱溶融材を付着させるとともに、加熱溶融材を仮止めするために部材の表面に、互いに沸点の異なる複数種類の有機剤を含む仮止め剤を塗布する塗布手段と、
前記仮止め剤を介して加熱溶融材が仮止めされた部材を加熱する加熱手段と、
前記部材に対してカルボン酸蒸気を供給する供給手段と、を有し、
前記加熱手段は、前記カルボン酸蒸気を含む雰囲気中において前記加熱溶融材の溶融する前または前記加熱溶融材の溶融中に前記仮止め剤を蒸発させる一方、前記カルボン酸蒸気を含む雰囲気中においてフラックスレスで加熱溶融材を成形するために前記部材を加熱することを特徴とする加熱溶融処理システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半田や共晶接合用のインサート金属など加熱溶融材を介して複数の被接合部材間を接合する接合構造体製造方法および加熱溶融処理方法ならびにこれらのシステムに関する。
【背景技術】
【０００２】
半田バンプや半田シートなどの半田あるいは共晶接合用のインサート金属を介して、複数の被接合部材間を半田接合または共晶接合して接合構造体を製造する技術が半導体実装工程で広く用いられている。たとえば、半導体実装工程では、半田バンプを介して有機基板と半導体基板とを半田接合したり、半田バンプを介して半導体基板と半導体チップとを半田接合したりする技術が採用されている。
【０００３】
半導体基板（半導体チップ）同士を半田接合する場合を例にとると、半田バンプを溶融して複数の基板間を半田接合するためには、半田バンプ表面の酸化膜を除去しなければならない。このためには、「フラックス」と呼ばれるロジン系の還元性有機剤を基板表面に塗布した状態で、複数の基板を積層して加熱する。この結果、フラックスによって半田バンプ表面の酸化膜を還元されて除去された状態で良好な半田接合がなされる。フラックスは、半田接合後に、溶液洗浄やイオンエッチングなどのクリーニング処理によって除去されることになる。
【０００４】
しかしながら、近年の半田バンプ構造の微細化は、フラックスを除去することを困難にしている。特に、半田バンプの直径や隣接する半田バンプ間のピッチ間隔が数十μｍレベル以下になると、フラックスを十分に除去することが困難になる。除去しきれなかったフラックスは、フラックス残渣を生じさせる。フラックス残渣は、フラックスに含まれる塩素などの作用により、隣接する電極構造（半田バンプ）間でマイグレーションと呼ばれる絶縁不良を発生させるおそれがある。また、最終的に基板間にアンダーフィル樹脂を充填する工程において、フラックス残渣によってアンダーフィル樹脂が十分に充填できずにボイドと呼ばれる空隙が生じてしまう場合がある。
【０００５】
一方で、フラックス残渣の影響をなくすための方法として、フラックスレスの半田接合により、クリーニング処理を省略する方法（クリーニングレス法）が実際に使用されている。具体的には、ギ酸などのカルボン酸蒸気をチャンバ内に導入し、このカルボン酸によって半田バンプ表面の酸化膜を還元することによって、フラックスを用いることなく半田接合を可能とする（引用文献１、２）。
【０００６】
しかしながら、フラックスレスの半田接合には、基板同士の位置ずれが生じやすいという新たな問題がある。すなわち、上記のように、フラックスを用いる場合には、複数の基板間に介在するフラックスによって保持力（スタック力）が生じ、この保持力によって基板同士の位置ずれが防止されるのに対し、フラックスレスの半田接合の場合には、基板間にフラックスが存在しておらず、基板間に保持力（スタック力）を与えることができない。このため、フラックスレスの半田接合によるクリーニングレス法では、基板間に位置ずれが生じやすく、クリーニングレス法を適用できる場合は限られていた。特に、基板上の半田バンプを介して基板同士を半田接合する場合には、１〜２μｍ程度の位置決め精度が必要とされる場合もあるため、位置ずれを生じやすいクリーニングレス法を適用することが困難であった。また、同様の問題は、共晶接合の場合にも生じうる。
【０００７】
さらに、基板接合の場面のみならず、半田材を基板上に固定して半田バンプなどの形成の場合にも位置ずれが問題となる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開平１１−２３３９３４号公報
【特許文献２】特開２００１−２４４６１８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、上記のような従来技術の問題点を解決するものである。すなわち、本発明は、複数の被接合部材同士を加熱溶融材を介して接合して接合構造体を製造する際に、クリーニング処理を省略できるにもかかわらず、複数の被接合部材間の位置ずれを軽減できる接合構造体製造方法および製造システムを提供することである。
【００１０】
また、本発明は、半田材を加熱溶融処理して、半田バンプなどの半田成形をする場合において半田形成の位置ずれを軽減できる加熱溶融処理装置および加熱溶融処理システムを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
（１）本発明の接合構造体製造方法は、加熱溶融材を介して複数の被接合部材間を接合して接合構造体を製造する接合構造体製造方法において、前記複数の被接合部材の少なくとも一方に加熱溶融材が形成された被接合部材を準備する段階と、前記複数の被接合部材が互いに対向する面上に有機剤を塗布して、当該有機剤を介して複数の被接合部材間を仮止めする仮止め段階と、前記加熱溶融材を溶融して当該加熱溶融材を介して複数の被接合部材間を接合段階と、前記接合段階の前または後に、前記有機剤を加熱により蒸発させる蒸発段階と、を有することを特徴とする。
【００１２】
（２）本発明の接合構造体製造システムは、加熱溶融材を介して複数の被接合部材間を接合して接合構造体を製造する接合構造体製造システムにおいて、前記複数の被接合部材の少なくとも一方に加熱溶融材が形成された被接合部材に非還元性の有機剤である仮止め剤を塗布する塗布手段と、前記仮止め剤を介して積層された状態で仮止めされた前記複数の被接合部材を加熱する加熱手段と、前記複数の被接合部材に対してカルボン酸蒸気を供給する供給手段と、を有し、前記加熱手段は、前記加熱溶融材の溶融する前または前記加熱溶融材の溶融中に前記仮止め剤を蒸発させる一方、前記カルボン酸蒸気を含む雰囲気中においてフラックスレスで接合するために前記被接合部材を加熱することを特徴とする。
【００１３】
（３）本発明の加熱溶融処理方法は、半田材が付着した部材を加熱して半田材を加熱溶融処理して半田を成形する加熱溶融処理方法であって、前記部材上に半田材を付着させるとともに、部材の表面に有機剤を塗布して、当該有機剤を介して前記半田材を仮止めする仮止め段階と、前記半田材の溶融する前または前記半田材の溶融中に前記有機剤を蒸発させる蒸発段階と、前記半田材を溶融して半田を成形する成形段階と、を有することを特徴とする。
【００１４】
（４）本発明の加熱溶融処理システムは、半田材が付着した部材を加熱して半田材を加熱溶融処理して半田を成形する加熱溶融処理システムにおいて、前記部材上に半田材を付着させるとともに、半田材を仮止めするために部材の表面に有機剤を塗布する塗布手段と、前記仮止め剤を介して半田材が仮止めされた部材を加熱する加熱手段と、前記部材に対してカルボン酸蒸気を供給する供給手段と、を有し、前記加熱手段は、前記半田材の溶融する前または前記半田材の溶融中に前記仮止め剤を蒸発させる一方、前記カルボン酸蒸気を含む雰囲気中においてフラックスレスで半田を成形するために前記部材を加熱することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、複数の被接合部材同士を半田接合して接合構造体を製造する際に、クリーニング処理を省略できるにもかかわらず、複数の被接合部材間の位置ずれを軽減できる。また、半田を成形する際にも、半田材の位置ずれを軽減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の第１実施形態の接合構造体製造システムの概略構成図である。
【図２】本発明の第１実施形態における接合構造体製造方法で用いられる基板の一例を示す図である。
【図３】図２と異なる基板の第１例を示す図である。
【図４】図２と異なる基板の第２例を示す図である。
【図５】本発明の第１実施形態における図２の基板に対する後続工程の図である。
【図６】本発明の第１実施形態における図５に後続する工程の図である。
【図７】本発明の第１実施形態における温度条件および真空度条件の図である。
【図８】本発明の第１実施形態における図６に後続する工程の図である。
【図９】本発明の第１実施形態における図８に後続する工程の図である。
【図１０】本発明の第１実施形態における図９に後続する工程の図である。
【図１１】本発明の第２実施形態における仮止め剤の塗布例を示す図である。
【図１２】本発明の第４実施形態における加熱溶融処理を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、添付した図面を参照しながら、本発明の実施形態を説明する。なお、図面の説明において同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。また、図面の寸法比率は、説明の都合上誇張されており、実際の比率とは異なる場合がある。
【００１８】
本発明の接合構造体製造技術は、複数の被接合部材間を加熱溶融部材（半田またはインサート金属など）を介して接合（特に、半田接合または共晶接合）して接合構造体を製造する技術に関する。
＜第１実施の形態＞
本発明の第１実施形態の接合構造体製造技術は、複数の被接合部材間を半田接合または共晶接合して接合構造体を製造する技術に関する。この接合構造体製造技術は、機械的な半田接合にも用いることができるが、好ましくは、基板同士、チップ同士、あるいは、基板とチップとを半田接合する技術であり、一対の基板の電極構造同士、チップの電極構造同士、および基板の電極構造とチップの電極構造とを半田接合により電気的に接続するものである。
【００１９】
なお、基板は、プリント基板など有機基板であってもよく、シリコン基板や化合物半導体基板などの半導体基板や誘電体基板であってもよい。また、チップは、半導体チップや誘電体チップであってもよい。以下、半田バンプを介して半導体基板同士を接合する場合を例にとって説明する。
【００２０】
本実施形態の接合構造体製造技術では、複数の半導体基板上に半田バンプなどを含む電極構造を形成した上で、半導体基板上に有機剤を塗布し、この有機剤により基板間を仮止めする。そして、チャンバ内で、この有機剤を半田の溶融する前または半田の溶融中に蒸発させて、半田接合する。
【００２１】
特に、本実施形態では、カルボン酸をチャンバ内に導入して半田の酸化膜を還元するフラックスレスの半田接合によるクリーニングレス法を採用するものであるにもかかわらず、チャンバ内に基板を投入する前に、フラックスではない有機剤、つまり、非還元性の有機剤である仮止め剤を基板に塗布して基板間を仮止めする。このようにフラックスではく基板間に保持力（スタック力）を与えるための専用の仮止め剤により基板の位置ずれを防止しつつ、カルボン酸による酸化膜の還元処理に先立って、あるいは還元処理と同時に、仮止め剤を蒸発させて、その後に基板同士を接合する。
【００２２】
以上のような構成により、本発明は、クリーニング処理を省略できるにもかかわらず、複数の被接合部材間の位置ずれを軽減する。
【００２３】
図１は、本実施形態の接合構造体製造システムの概略構成を示す図である。
【００２４】
接合構造体製造システム１は、基板同士などを接合する基板半田付けシステムである。製造システム１は、大別して、仮止め装置２０と、半田溶融装置３０とを有する。
【００２５】
仮止め装置２０は、ディスペンサ２１と、アライメント機構２２とを有する。ディスペンサ２１は、半田バンプなど半田が形成された基板面に、非還元性の有機剤である仮止め剤を塗布する塗布手段である。有機剤の塗布は、基板表面の一面に面状に塗布することもでき、離散的にスポット状に塗布することもできるが、本実施形態では、面状に塗布する。アライメント機構２２は、塗布された仮止め剤を挟み込むように複数の基板を対向させて基板間の電極構造同士の位置合わせをして、基板同士を仮止めする位置決め手段である。このような仮止め装置２０は、塗布する有機剤がフラックス剤ではないことを除いて、フリップチップボンダーと呼ばれる装置と共通するので、詳しい説明を省略する。
【００２６】
一方、半田溶融装置３０は、チャンバ３１と、カルボン酸の供給部３２と、チャンバ内３１のヒータ３３を有する。チャンバ３１には、仮止め装置２０によって仮止めされた状態の基板が搬入される。供給部３２は、所定のタイミングで、チャンバ３１にカルボン酸蒸気を供給する。ただし、場合によってはチャンバ３１内ではなく開放環境下で処理することもできる。
【００２７】
供給部３２は、カルボン酸蒸気の供給系３４と、所定のタイミングで開閉するバルブ３５とを有する。供給系３４は、水素、一酸化炭素のような還元性ガス、または窒素のような非酸化性ガス等のキャリアガスをカルボン酸蒸気に混合してチャンバ３１内に導入するものである。供給系３４は、たとえば、カルボン酸の液体を収容した密閉容器３６と、バルブ３７を介してキャリアガスを供給するキャリアガス供給管３８とを有する。キャリアガス供給管３８は、密閉容器３６内において気泡を発生（バブリング）させる。しかしながら、供給部３２は、カルボン酸をチャンバ３１内に供給できるものであれば足り、本実施形態と異なる構成とすることも可能である。
【００２８】
ヒータ３３について説明する。ヒータ３３は、チャンバ３１内に設けられる加熱手段である。ヒータ３３は、半田の溶融する前または半田の溶融中に仮止め剤を蒸発させとともに、カルボン酸蒸気を含む雰囲気中で加熱処理し、フラックスレスで半田接合するために被接合部材である基板を加熱する。特に、ヒータ３３は、カルボン酸による半田の酸化膜の還元処理に先立って、あるいは還元処理と同時に、仮止め剤を蒸発させる。なお、基板の位置ずれを防止するためには、半田の溶融前に全ての仮止め剤を蒸発させてしまわない方がよいが、仮止め剤が残りすぎていると、半田表面をカルボン酸蒸気に露出させることができず、酸化膜の還元処理が難しくなってしまう。したがって、還元処理の観点からからは、半田溶融前に仮止め剤を蒸発させておく方が望ましい。
【００２９】
さらに、半田溶融装置３０は、排気するための排気ポンプ３９、排気ポンプ３９の吸気又は排気側に設けられ又は取り付けられて、気化したカルボン酸を回収するカルボン酸回収部（回収機構）４０を有する。カルボン酸回収部４０は、排気ポンプ３９の吸気側または排気側に取り付けられるフィルタであってもよく、排気側に取り付けられるスクラバであってもよい。また、半田溶融装置３０は、内部を窒素雰囲気に置換（パージ）するための窒素供給管４１がバルブ４２を介して接続されている。
【００３０】
以上のように構成されている半田溶融装置３０は、仮止め剤を介して仮止めされた基板がチャンバに搬入されるものである。また、半田が溶融する前、特に、カルボン酸による半田の酸化膜の還元処理に先立って、あるいは還元処理と同時に、仮止め剤が蒸発するように、仮止め剤の種類に応じて、供給部３２によるカルボン酸蒸気の供給と、ヒータ３３による加熱とが行われる。これらの点を除いて、細かい構成は、一般の半田溶融装置の構成と同様であるので、詳しい説明を省略する。
【００３１】
なお、仮止め装置２０と半田溶融装置３０との間の基板の受け渡しのために、搬送ロボットなどが設けられていてもよい。
【００３２】
次に、本実施形態の接合構造体製造システムを利用した接合構造体製造方法、つまり半田付け方法について説明する。
【００３３】
まず、図２に示されるように、表面に半田バンプが形成された基板５０ａ、５０ｂ（以下、総括して基板５０と総称される）が準備される。ここで基板５０は、半導体基板である。基板５０は、半導体の基板本体５１と、その基板本体５１上の電極構造とを有する。具体的には、半導体の基板本体５１の上には、カッパーポスト５２と、カッパーポスト５２上のバリア層５３と、バリア層５３上に形成された半田バンプ５４とを有する。カッパーポスト５２は、銅（Ｃｕ）や銅合金でできた第１突起部である。バリア層５３は、半田バンプ５４の溶融時に半田成分がカッパーポスト５２側に拡散することを防止するためのアンダーバリアメタルである。たとえば、バリア層５３は、基板本体５１側からニッケル（Ｎｉ）、パラジウム（Ｐｄ）、および金（Ａｕ）の順番で積層されたＮｉ／Ｐｄ／Ａｕ積層層である。なお、図２の場合には、電極部として、カッパーポスト５２（第１突起部）が設けられているが、電極部は、突起している形態に限られず、また、材質も銅や銅合金に限られない。
【００３４】
半田バンプ５４は、鉛（Ｐｂ）を含まないＳｎ−Ａｇ（スズ−銀）半田など鉛フリー半田、Ｐｂ−Ｓｎ半田などの鉛含有半田、または、他の半田で形成されている。なお、半田バンプ５４の形成自体は、従来のめっきによる半田バンプ５４の形成技術と同様であるので、詳しい説明を省略する。なお、本実施形態と異なり、半田バンプ５４の代わりに、共晶接合用のインサート金属を用いることもできる。ここで、共晶接合とは、処理温度において２種以上の物質が相互拡散により物質移動が生じ、合金化反応が進行し、接合が完了するものである。接合面間にインサート金属などを一時的に溶融、溶化した後、拡散を利用し等温凝固させて接合させる液相拡散接合の一種であり、液化に対して共晶反応を利用する接合方法である。
【００３５】
準備された一対の半導体基板５０の双方ともを、図２に示すような構成とすることもできるが、これに限られない。たとえば、一方の基板５０ａにおいては、第１電極部（例えば、カッパーポスト）５２、バリア層５３、および半田バンプ５４を有する基板とし、他方の基板５０ｂにおいては、図３、図４に示されるように、半田バンプ５４を省略した基板とすることができる（図３）。さらに、他方の基板５０ｂにおいては半田バンプ５４とバリア層５３を省略することができる（図４）。特に、他方の基板５０ｂにおいて、半田バンプ５４とバリア層５３の双方を省略して、第２電極部（カッパーポスト５２）に直接的に半田接合する場合には、基板製造負担が軽減される。本実施形態では、カルボン酸により十分に還元処理ができるので、一方の基板５０ｂにおけるバリア層や半田バンプを省略しても、第２電極部に直接的に半田接合することが可能である。
【００３６】
なお、本実施形態の接合構造体製造技術は、直径が１００μｍ以下の半田バンプが、隣接する半田バンプ間のピッチ間隔１５０μｍ以下に、複数設けられている基板５０に好適に用いられる。しかしながら、基板５０は、この場合に限られない。
【００３７】
次に、図５に示されるように、基板５０上に仮止め剤５５が塗布される。仮止め剤５５は、複数の基板５０ａ、５０ｂが互いに対向する面（以下、「接合面」という）上に塗布される。接合面は、半田バンプ５４など電極構造が形成されている側の面に対応する。仮止め剤は、複数の基板５０ａ、５０ｂの双方の接合面に塗布されてもよいが、一方の基板５０ａの接合面のみに塗布されてもよい。一方の基板５０ａの接合面のみに塗布されても、他方の基板５０ｂと接触することで、一対の基板５０ａ、５０ｂの間に仮止め剤が介在することになり、基板５０ａ、５０ｂ間に保持力（スタック力）を付与することができる。
【００３８】
本実施形態においては、仮止め剤５５は、被接合部材である基板５０上に、面状に塗布される。このように面状に一様に塗布することによって、保持力（スタック力）は高まる。本実施形態において仮止め剤５５は、フラックスでない有機剤、つまり、非還元性の有機剤である。つまり、本実施形態では、フラックスレスで半田接合するにもかかわらず、フラックスの代わりに基板間に保持力（スタック力）を与えるための仮止め剤５５が基板５０の接合面上に塗布される。非還元性の有機剤が望ましいのは、万が一、有機剤の残渣が残った場合においても、マイグレーションと呼ばれる絶縁不良を発生させるおそれが防ぐためである。つまり、仮止め剤５５としては、基板に悪影響を与える塩素などの成分を含まないものが望ましい。
【００３９】
仮止め剤５５は、有機剤と、粘度調整剤（うすめ液）とを含むことができる。これは、粘度を調整するためである。仮止め剤５５の粘度は、好ましくは１００〜１０００００（３０℃  ｍＰａ・Ｓ）の範囲であり、より好ましくは、１６００〜６６０００（３０℃  ｍＰａ・Ｓ）の範囲である。これは、粘度が高すぎると、塗布が困難になる一方、粘度が低くなりすぎると、基板間の保持力（スタック力）が低く、仮止め効果が十分に得られないからである。
【００４０】
また、仮止め剤５５としては、後述するように、チャンバ３１内で基板５０が加熱された際に、半田バンプ５４の溶融の前（半田の融点に達する前）に蒸発する材料が選択される。特に、仮止め剤５５は、カルボン酸蒸気による半田の酸化膜の還元処理に先立って、または当該還元処理と並行して蒸発する材料が選択される。具体的には、仮止め剤５５の沸点は、半田の酸化膜の還元処理の前および還元処理時におけるチャンバ３１内の圧力と、還元処理の際の基板温度とに基づいて設定される。チャンバ３１内の圧力についてみると、本実施形態では、チャンバ３１内は、還元処理の前あるいは還元処理時において、圧力１×１０２乃至１×１０５Ｐａのいずれかの圧力とすることが好ましい。このような範囲が好ましいのは、圧力が１×１０２Ｐａよりも低くなると、たとえば仮止め剤５５の突沸により基板がズレる場合があり、１×１０５Ｐａ以上となると大気圧以上になってしまうからである。また、基板温度の範囲についてみると、還元処理の際の基板温度範囲としては、１００℃乃至３５０℃であることが望ましい。このような温度範囲が好ましいのは、還元処理に用いるカルボン酸であるギ酸などは３５０℃程度になると分解が始まるので、３５０℃以下とすることが望ましい一方、半田の種類によっては、カルボン酸蒸気によって、１００℃程度で還元処理されるものがあるからである。以上のような圧力範囲と基板温度範囲とを考慮すると、仮止め剤５５としては、圧力１×１０２乃至１×１０５Ｐａのいずれかの圧力において、１００℃乃至３５０℃の沸点を有するものであることが望ましいといえる。なお、一般には、半田の材料の種類に応じて、還元処理の前あるいは還元処理時（一般的には、半田の溶融の前または半田の溶融中）において蒸発する有機剤の種類を使い分けることができる。具体的には、Ｐｂ−５Ｓｂ半田では融点が３１４℃であり３３０℃〜３５０℃程度が半田接合温度として用いられる。またＳｎ−３．５Ａｇ半田では融点が２２１℃であり２３０℃〜２５０℃程度が半田接合温度として用いられる。さらに、Ｓｎ−３．５Ａｇ半田よりも、低融点の半田も存在する。したがって、これらの半田の材料の種類に応じて、仮止め剤５５を選択してもよい。
【００４１】
具体的には、実験の結果によると、仮止め剤５５は、イソボルニルシクロヘキサノール、ターピネオール、およびプロピレングリコールフェニル・エーテルから選ばれた少なくとも１つの非還元性の有機剤を有することが望ましい。イソボルニルシクロヘキサノール（ＭＴＰＨ）は、粘度６５５００（３０℃  ｍＰａ・Ｓ）で、沸点が３０８℃（５％）３１３℃（１５％）である。ターピネオール（一般名  パインオイル  成分は主成分のα−テルピネオール、異性体β−、γ−テルピネオールなどテルピンアルコール類９７％以上含む）は、粘度はイソボルニルシクロヘキサノール（ＭＴＰＨ）より低く、沸点が２１３〜２２３℃である。また、プロピレングリコールフェニル・エーテルは、粘度が２２．７（２５℃  ｍＰａ・Ｓ）であり、沸点が２４３℃（７６０ｍｍＨｇ）である。特に、Ｓｎ−Ａｇの場合には、イソボルニルシクロヘキサノール（ＭＴＰＨ）が好ましい。
【００４２】
また、粘度調整剤としては、上記のイソボルニルシクロヘキサノール、ターピネオール、およびプロピレングリコールフェニル・エーテルよりも粘度が低いもののなかから適宜に選択できる。たとえば、粘度調整剤として、２，４−ジエチル−１，５−ペンタンジオール（Ｃ９Ｈ２０Ｏ２）を用いることができる。有機物の原液に粘度調整剤を加える割合は、適宜に選択できるが、０〜９０重量％とすることができる。
【００４３】
なお、互いに沸点の異なる複数種類の非還元性の有機剤を含む仮止め剤５５を用いることもできる。この場合、少なくとも一部の仮止め剤成分が他の仮止め剤成分よりも早く蒸発することによって、この蒸発した仮止め剤成分が存在していた部分では、早期に、半田バンプの表面が露出されて、還元処理が開始され、早く半田接合される。一方、一度に仮止め剤が全て蒸発しないので、比較的広い温度範囲にわたって仮止め効果を維持できることにより、位置ずれの防止効果が高まる。たとえば、一部の仮止め剤成分は、半田の溶融前に蒸発するものとし、他の仮止め剤成分は、半田の溶融中に蒸発するものとしておき、これらの成分を混合させたもののを仮止め剤５５として使用することができる。
【００４４】
次いで、仮止め剤５５を塗布した後に、アライメント機構２２により、仮止め剤５５を挟み込むように複数の基板５０ａ、５０ｂを対向させて基板５０ａ、５０ｂ同士の位置合わせをして、基板５０ａ、５０ｂ同士を突き合わせる。この結果、仮止め剤５５によって基板５０ａ、５０ｂ間に保持力（スタック力）が与えられ、基板５０ａ、５０ｂ同士が仮止めされる。
【００４５】
次いで、図６に示されるように、この仮止めされた状態の基板５０ａ、５０ｂがチャンバ３１内に搬入される。チャンバ３１内において、基板５０ａ、５０ｂは、たとえば、トレイ（不図示）を介してヒータ３３上に配置される。なお、図６では、一対の基板５０ａ、５０ｂが示されているが、一度に複数対の基板や、複数対のチップ、複数組の基板とチップなどが被接合部材として、搬入されてもよい。
【００４６】
次に、図７に示すような温度条件および真空度条件でプロセスがなされる。まず、図７に示されるように、ポンプ３９により、チャンバ３１内を、たとえば、１０〜５０Ｐａ程度まで真空排気する。なお、真空排気する程度は、１０〜５０Ｐａ程度に限られず、適宜に調整することができる。そして、真空排気処理に後続して、あるいは真空排気処理と並行して、ヒータ３３によって、基板５０ａ、５０ｂを加熱し、基板温度を昇温させる。
【００４７】
次いで、チャンバ３１内にカルボン酸蒸気を導入する。カルボン酸蒸気の供給によって、チャンバ３１内は、１００〜１００００Ｐａ程度となる。カルボン酸蒸気は、基板５０ａ、５０ｂの温度が半田の融点に達する前には少なくとも導入することが望ましい。たとえば、半田がＳｎ−３．５Ａｇ（融点２２１℃）である場合には、半田付けに適した２３０℃〜２５０℃程度まで加熱するが、およそ２００℃以上でカルボン酸による還元効果が強まり、還元処理が開始される。Ｐｂ−５Ｓｎ(融点３１４℃)である場合には、半田付けに適した３３０℃〜３５０℃程度まで加熱するが、２５０℃以上でカルボン酸による還元効果が強まり、還元処理が開始される。
【００４８】
そして、本実施形態では、カルボン酸蒸気による半田の酸化膜の還元処理に先立ってまたは当該還元処理と並行して仮止め剤５５を蒸発させる。すなわち、半田がＳｎ−３．５Ａｇの場合には、２００℃前後、たとえば１８０℃〜２５０℃前後で還元処理がなされ、２３０℃〜２５０℃程度で半田接合されるが、この還元処理に先立って、または当該還元処理に並行して仮止め剤５５が蒸発する。同様に、半田がＰｂ−５Ｓｎの場合には、２５０℃前後、たとえば、２２０℃〜３５０℃前後で還元処理がなされ、３３０℃〜３５０℃程度で半田接合されるが、この還元処理に先立って、または当該還元処理に並行して仮止め剤５５が蒸発する。他の材料の半田を用いる場合においても、カルボン酸蒸気による半田の酸化膜の還元処理に先立ってまたは当該還元処理と並行して仮止め剤５５を蒸発させる。なお、図７に示されるように、１０〜５０Ｐａ程度まで真空排気することは、仮止め剤５５を蒸発しやすくしている。つまり、仮止め剤５５が蒸発しやすいように、チャンバ３１内の真空度を一時的に高めることが有用である。
【００４９】
図８に示されるように、仮止め剤５５が徐々に蒸発するにしたがって、半田バンプ５４が徐々にカルボン酸蒸気に露出される。この結果、半田バンプ５４の表面の酸化膜が還元される。
【００５０】
この際、仮止め剤５５として、互いに沸点の異なる複数種類の非還元性の有機剤を含むものを使用することもできる。この場合には、少なくとも一部の仮止め剤成分が他の仮止め剤成分よりも早く蒸発する。この早く蒸発した仮止め剤成分が存在していた部分では、早期に還元処理が開始される一方、沸点の違いにより、全ての仮止め剤の成分が一度に蒸発しないので、比較的広い温度範囲にわたって仮止め効果を維持できる。
【００５１】
そして、図９に示されるようにフラックスレスで半田接合がなされる。半田バンプ５４の溶融前に、仮止め剤５５を一部または全部を蒸発させてもよく、半田バンプ５４の溶融中に、仮止め剤５５を蒸発させてもよい。位置ずれ防止の観点からは、半田バンプ５４の溶融中になって初めて仮止め剤５５を蒸発させるのが望ましいが、早期に半田バンプ５４の表面をカルボン酸蒸気に触れるように露出させて十分に還元処理する見地からは、半田バンプ５４の溶融前に、仮止め剤の一部または全部を蒸発させておくことが望ましい。具体的には、仮止め剤５５の少なくとも一部が蒸発して半田バンプ５４が露出され、この露出部分において酸化膜が還元除去される。なお、半田バンプ５４の溶融前に仮止め剤５５が完全に蒸発しても、位置ずれなく半田接合することができる。そして、基板５０ａ、５０ｂの温度が半田接合温度（たとえば、半田がＳｎ−３．５Ａｇの場合には、２３０℃〜２５０℃程度）において、その部分で半田が溶融して半田付け（半田接合）がされる。仮止め剤５５が完全に蒸発して、半田バンプ５４が完全に露出させて還元処理がなされて半田を十分に溶融させることによって半田接合が完全に完了すると、半田付け処理（リフロー）が完了する。仮止め剤５５によって、大きな位置ずれを防止できれば、後は、半田の表面張力の作用によって、セルフアライメント（自己整合）されて、位置ずれが修正される。半田５４の溶融中に仮止め剤５５を蒸発させる場合には、半田５４の溶融による半田付け効果が生じるまで仮止め効果を維持できる。また、半田５４の溶融前に仮止め剤５５を蒸発させる場合にも、仮止め剤５５が完全に蒸発して仮止め効果が無くなってから半田付け処理が完了するまでの間の時間が短くなるので、基板５０ａ、５０ｂの位置ずれが防止または軽減される。
【００５２】
半田付け処理（リフロー）後は、基板温度の降温が開始されるとともに、排気ポンプ３９によってカルボン酸蒸気が排気される。カルボン酸回収部（回収機構）４０は、気化したカルボン酸を回収する。その後は、窒素供給管４１から導入される窒素などのガスによりチャンバ３１内部を置換（パージ）した後、半田接合が完了した接合構造体、つまり、半田接合済み基板５０が取り出される。
【００５３】
次に、図１０に示されるように、半田接合段階後、取り出された半田接合済み基板５０に対して、複数の基板５０ａと基板５０ｂの間にアンダーフィル樹脂５６を充填する。これは、半田接合済み基板５０の貼り付け強度を高めるとともに保護するためである。このときに、基板５０ａと５０ｂとの間の有機剤（仮止め剤）は既に蒸発しており除去されている。したがって、フラックスを用いた通常の半田接合の場合と異なり、基板５０ａと５０ｂとの間には有機剤が実質的に存在せずに、洗浄しても残渣が残らない。この結果、基板間にアンダーフィル樹脂を充填する工程において、残渣によってアンダーフィル樹脂が十分に充填できずにボイドと呼ばれる空隙が生じてしまう事態が防止される。また、基板間に有機剤（仮止め剤）が残っておらず、仮に微量の仮止め剤が残留していたとしても、仮止め剤が、ロジン系の還元性有機剤ではなく非還元性有機剤であるので、マイグレーションと呼ばれる絶縁不良の発生も防止される。
【００５４】
後述する実施例に示すように、本実施形態の技術により、数十μｍ程度の直径およびピッチを持つ半田バンプが形成された基板の接合においても、２μｍ以下の位置ずれでフラックスレス半田接合することができる。
【００５５】
以上のように、本発明の第１実施形態の接合構造体製造技術について説明したが、本発明はこの場合に限られず、適宜に変更することができる。
【００５６】
たとえば、温度条件および真空度条件は、図７に示すものに限られない。たとえば、プロセス時間の短縮のためには、図７のように基板投入からリフローに至るまで基板温度を単純増加させることが望ましいが、これに限られない。たとえば、基板温度が半田接合温度に達する前に、基板温度を半田接合温度よりも５０〜８０℃程度低い温度に一定時間の間、保持することにより還元処理を行ってもよい。また、ヒータ３３の温度を一定に保ったまま、このヒータ３３上に基板５０ａ、５０ｂを搬入搬出することによって基板の温度を制御するようにしてもよい。
【００５７】
本実施形態によれば、以下のような効果が得られる。
【００５８】
（１）有機剤５５は半田５４の溶融する前または半田５４の溶融中に蒸発するので、半田接合後に有機剤５５を除去するためのクリーニングが不要である。したがって、有機剤５５の残渣が残らないので、特に、基板５０ａの電極構造と基板５０ｂの電極構造とを半田接合する際に、マイグレーションやその他の汚染が生じない。また、アンダーフィル樹脂を隙間に充填する工程において、有機物の残渣によってアンダーフィル樹脂が十分に充填されずにボイドが生じてしまうことを防止することができる。
【００５９】
（２）有機剤５５の残渣が残らないので、特に、半田バンプ５４の径および隣接半田バンプ間のピッチが数十μｍ以下、特に、数μｍ以下の微細構造を持つ基板の半田接合にも用いることができる。
【００６０】
（３）特に、有機剤として、非還元性の有機剤である仮止め剤５５を用いて、フラックスレスで半田接合する。したがって、フラックスレスの半田接合でありながら、仮止め剤５５により保持力（スタック力）を基板に与えることができ、位置ずれを防止できる。また、万が一に、微量の仮止め剤が残存しても、フラックス剤の場合と異なり、マイグレーションやその他の汚染が生じない。
【００６１】
（４）特に、カルボン酸蒸気による半田５４の酸化膜の還元処理に先立ってまたは当該還元処理と並行して仮止め剤を蒸発させるので、仮止め剤５５が徐々に蒸発するにしたがって、半田バンプ５４が徐々にカルボン酸蒸気に露出される。したがって、仮止め剤５５が、基板５０ａ、５０ｂの位置ずれを防止しつつ、カルボン酸蒸気による還元処理を阻害することがない。なお、半田バンプ５４の溶融前に仮止め剤５５が完全に蒸発しても、位置ずれなく半田接合することができる。つまり、基板の搬入時における位置ずれが防止され、半田バンプ５４が溶融することによる半田の表面張力の作用によって、セルフアライメント（自己整合）されて、位置ずれが修正される。
【００６２】
（５）仮止め剤５５が蒸発しやすいように、チャンバ３１内の真空度を一時的に高めることによって、微細構造（５２、５３、５４）を持つ基板５０ａ、５０ｂに挟まれている仮止め剤５５が、より蒸発しやすくなる。
【００６３】
（６）仮止め剤５５は、圧力１×１０２乃至１×１０５Ｐａのいずれかの圧力において、１００℃乃至３５０℃の沸点を有するので、還元処理の時点あるいは還元処理の直前まで仮止め剤５５が残存して保持力を与える一方、還元処理を阻害しない。
【００６４】
（７）仮止め剤５５は、イソボルニルシクロヘキサノール、ターピネオール、およびプロピレングリコールフェニル・エーテルから選ばれた少なくとも１つの非還元性の有機剤であるので、還元処理の時点あるいは還元処理の直前まで仮止め剤が残存して保持力を与える一方、還元処理を阻害しない。また、マイグレーションやその他の汚染の原因なる物質を含まない。さらに、粘度が適当であり、十分な保持力（スタック力）を与えることができる。
【００６５】
（８）仮止め剤５５が、互いに沸点の異なる複数種類の非還元性の有機剤を含む場合には、少なくとも一部の仮止め剤成分が他の仮止め剤成分よりも早く蒸発することによって、この蒸発した仮止め剤成分が存在していた部分では、早期に還元処理が開始させることができる。一方、一度に仮止め剤が全て蒸発しないので、比較的広い温度範囲にわたって仮止め効果を維持できることにより、位置ずれの防止効果が高まる。
【００６６】
（９）仮止め剤５５は、粘度１×１０２乃至１×１０５ｍＰａ・ｓになるように粘度調整剤により希釈されているので、粘度が高すぎて塗布できないということを防止しつつ、粘度が低すぎて基板の保持力が小さすぎるということを防止できる。
【００６７】
（１０）特に、直径が１００μｍ以下の半田バンプ５４が、隣接のバンプ間のピッチ間隔が１５０μｍ以下で配置されているような基板の接合において有用である。
【００６８】
（１１）本実施形態では、半田バンプ５４を用いるタイプであるにもかかわらず、カルボン酸蒸気により十分に酸化膜を還元することができるので、一対の基板５０ａ、５０ｂのうちの一枚ついては、バリア層５３および半田バンプ５４を省略し、カッパーポスト（銅でできた第２突起部）５２のみを形成し、直接的に半田接合することができる。これにより、基板５０ｂの製造負担を軽減することができる。
【００６９】
（１２）本実施形態では、仮止め剤５５が、基板５０上に、面状に塗布されるので、仮止め剤５５の量が多くなり、保持力（スタック力）は高まる。
＜第２実施の形態＞
次に、本発明の第２実施形態について説明する。上記の第１実施形態では、仮止め剤を基板上に面状に塗布する場合を説明した。しかしながら、第２実施形態では、複数の箇所においてスポット状に仮止め剤が塗布される。この点を除いて、本実施形態の接合構造体製造技術は、第１実施形態の場合と同様であるので、第１実施形態にける部材と同様の部材には、本実施形態においても同じ部材番号を用いて示すとともに、詳しい説明を省略する。
【００７０】
本実施形態では、図１に示される仮止め装置２０において、ディスペンサ２１は、半田バンプなど半田が形成された基板面に、非還元性の有機剤である仮止め剤を離散的にスポット状に塗布する。
【００７１】
図１１に、仮止め剤５５を離散的にスポット状に塗布した場合の一例を示す。図１１（ａ）は、基板５０ａの上面図であり、図１１（ｂ）は、基板５０ａ、５０ｂを仮止めした状態を示している。
【００７２】
図１１に示される場合では、矩形状の基板（チップ）の４隅に、それぞれスポット状に仮止め剤５５が塗布されている。フラックスを塗布する場合には、フラックスによる半田表面の酸化膜の還元除去を主目的としている関係上、フラックスを半田表面に接するように塗布せざるを得ない。しかしながら、本実施形態においては、半田５４表面の酸化膜の還元はカルボン酸蒸気によって行うため、仮止め剤５５は、単に基板間に保持力（スタック力）を与えるものであれば足りる。したがって、仮止め剤５５を半田５４表面に接するように塗布する必要はない。したがって、図１１に示されるように、半田５４表面に接しないように仮止め剤５５を塗布してもよい。
【００７３】
なお、仮止め剤５５の種類、温度条件、真空度条件、カルボン酸ガス、半田バンプ径およびピッチサイズなどは、第１実施形態の場合と同様である。
【００７４】
このような仮止め剤５５を離散的にスポット状に塗布した場合でも、基板５０ａ、５０ｂの位置ずれを抑えてフラックスフリーで半田接合できる。しかも、仮止め剤５５を離散的にスポット状に塗布するので、仮止め剤５５を蒸発させやすい。特に、半田表面に接しないように仮止め剤５５を塗布することができるので、隣接する半田バンプ５４間の隙間に仮止め剤５５が入り込むことがなくなり、蒸発除去しやすい。
【００７５】
さらに、半田バンプ５４の位置が電極構造（カッパーポスト、バリア層、相手方基板の半田バンプなど）の位置から逸脱することを仮止めの作用により防止できれば、小さな位置ずれが生じたとしても、半田バンプ５４が溶融することによる半田の表面張力の作用によって、セルフアライメント（自己整合）されて、位置ずれが修正される。特に、仮止め剤５４の量が少ない本実施形態では、セルフアライメントの効果が高い。
【００７６】
なお、上記の説明では、スポット状（点状）に仮止め剤５５を塗布する場合を説明したが、本実施形態は、この場合に限られず、ライン状（線状）に仮止め剤５５を塗布することもできる。また、複数の箇所に離散的に塗布するのではなく、１点のスポット状または１本のライン状に仮止め剤５５を塗布することもできる。
【００７７】
本実施形態によっても、上記の第１実施形態における（１）〜（１２）の効果に加えて、次の効果が得られる。
【００７８】
（１３）十分な保持力（スタック力）を基板に与えることができるとともに、仮止め剤を離散的にスポット状に塗布するので仮止め剤を蒸発させやすい。
【００７９】
（１４）特に、半田表面に接しないように仮止め剤を塗布する場合には、半田バンプ同士の隙間に仮止め剤が入り込むことがなくなり、蒸発除去しやすい。
＜第３実施形態＞
上記の第１、第２実施形態においては、仮止め剤５５として、フラックスではない有機剤、つまり、非還元性の有機剤である仮止め剤を基板に塗布して基板間を仮止めする場合を説明した。
【００８０】
確かに、仮に微量の仮止め剤５５が蒸発しきれずに残存した場合であってもマイグレーションやその他の汚染が生じないという意味では、仮止め剤５５として、フラックス剤ではなく非還元性の有機剤を用いることが望ましいが、本発明は、この場合に限られない。
【００８１】
つまり、本発明によれば、有機剤を介して複数の被接合部材間を仮止めした上で、半田の溶融する前に有機剤を蒸発させてしまうので、仮に有機剤としてフラックス剤を用いたとしても、半田接合後に、溶液洗浄やイオンエッチングなどのクリーニング処理によってフラックスを除去する工程が不要となる。したがって、たとえば、半田バンプ５４の直径や隣接する半田バンプ間のピッチ間隔が数十μｍレベル以下の場合であっても、フラックスが除去しにくいという問題を気にする必要がなくなる。このため本発明によれば、仮に、フラックス剤を用いたとしても、半田接合後にフラックス残渣が生じないので、マイグレーションと呼ばれる絶縁不良の発生を防止することができる。また、最終的に基板間にアンダーフィル樹脂５６を充填する工程において、フラックス残渣によってアンダーフィル樹脂５６が十分に充填できずにボイドと呼ばれる空隙が生じてしまうことも防止できる。
【００８２】
以上のように、本発明によれば、複数の基板５０ａ、５０ｂの間に挟まれるように有機剤を塗布して、当該有機剤を介して複数の基板間を仮止めし、仮止めされた複数の被接合部材を加熱し、半田の溶融する前または半田の溶融中に有機剤を蒸発させて、チャンバ３１内で半田を溶融して当該半田を介して複数の基板間を半田接合するものである限り、広く応用できる。
＜第４実施形態＞
次に本発明の第４実施形態について説明する。
【００８３】
上記の第１〜第３実施形態では、基板接合技術について説明したが、本発明は、半田成形の技術にも応用することができる。つまり、本実施形態は、半田材５４ｂが付着した部材である基板５０ａ上に半田バンプを形成する加熱溶融処理方法に関する。
【００８４】
基板５０ａ（部材）上に半田材５４ｂを付着させるとともに、基板５０ａの表面に有機剤である仮止め剤５５を塗布して、仮止め剤（有機剤）５５を介して半田材５４ｂの位置を仮止めする。そして、半田材５４ｂの溶融する前または半田材５４ｂの溶融中に仮止め剤５５を蒸発させる。そして、半田材５４ｂを溶融して半田バンプ５４を成形する。この場合も、半田材５４ｂの位置ずれが防止される。
【００８５】
このような処理のためには、加熱溶融処理システムが提供される。このシステムは、図１のシステムと同様である。半田材５４ｂが付着した部材を加熱して半田材５４ｂを加熱溶融処理して半田を成形する加熱溶融処理システムである。そして、部材上に半田材５４ｂを付着させるとともに、半田材５４ｂを仮止めするために部材の表面に有機剤を塗布する仮止め装置２０と、仮止め剤を介して半田材が仮止めされた部材を加熱する加熱手段（半田溶融装置３０）と、前記部材に対してカルボン酸蒸気を供給する供給手段と、を有し、加熱手段は、前記半田材の溶融する前または前記半田材の溶融中に前記仮止め剤を蒸発させる一方、前記カルボン酸蒸気を含む雰囲気中においてフラックスレスで半田を成形するために前記部材を加熱する。
【００８６】
なお、以上の点を除いて、第１〜第３実施形態の場合と同様であるので、詳しい説明を省略する。
＜実施例＞
＜第１実施例＞
シリコン基板（５ｍｍ角、２５ｍｍ角）に、銅製のカッパーポスト５２と、カッパーポスト５２上のバリア層（Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ）５３と、バリア層５３上に形成されたＳｎ−Ａｇ半田バンプ５４とが形成された基板５０ａ、５０ｂを用意した。上記の基板５０ａ、５０ｂは、一対用意した。なお、半田バンプ５４の直径が１００ミクロンであり、隣接する半田バンプ間のピッチ（中心間の距離）が２５０ミクロンのものを用いた。
【００８７】
イソボルニルシクロヘキサノールを粘度調整剤（２，４−ジエチル−１，５−ペンタンジオール）で薄めて仮止め剤を製造した。このとき、粘度調整剤の割合は０重量％、３０重量％、５０重量％、７０重量％、９０重量％とした場合で、それぞれ実施した。一対の上記基板５０ａ、５０ｂに対して、仮止め剤５５を面状に塗布した。そして、図７に示されるプロセス条件において、ギ酸雰囲気中で還元処理して、フラックスレスで半田接合した
この結果、基板５０ａ、５０ｂには位置ずれがなく、良好に半田接合された。
【００８８】
一方、比較例として、窒素雰囲気中で処理した場合には、位置ずれはなかったが、半田の接合部分が良好に成形されなかった。
＜第２実施例＞
半田バンプ５４の直径が２０ミクロンであり、隣接する半田バンプ間のピッチ（中心間の距離）が４０ミクロンのものを用いた。その他の条件は、上記第１実施例と同様とした。この場合も、基板５０ａ、５０ｂの位置ずれは、２μｍ以下となっており、良好に半田接合された。
＜第３実施例＞
上記の第１実施例と同じ基板において、ターピネオールを粘度調整剤（２，４−ジエチル−１，５−ペンタンジオール）で薄めて製造した仮止め剤を用いて仮止めした。粘度調整剤の割合は０重量％、３０重量％、５０重量％、７０重量％、９０重量％とした場合で、それぞれ実施した。この場合も、第１実施例と同様に、位置ずれが少なく、良好に半田接合された。ただし、収率は、第１実施例の場合と比べて若干低下した。
＜第４実施例＞
上記の第２実施例と同じ基板において、ターピネオールを粘度調整剤（２，４−ジエチル−１，５−ペンタンジオール）で薄めて製造した仮止め剤を用いて仮止めした。この場合も、第２実施例と同様に、位置ずれが少なく、良好に半田接合された。ただし、収率は、第２実施例の場合と比べて悪かった。
＜第５実施例＞
上記の第１実施例と同じ基板において、プロピレングリコールフェニル・エーテルを粘度調整剤（２，４−ジエチル−１，５−ペンタンジオール）で薄めて製造した仮止め剤を用いて仮止めした。粘度調整剤の割合は０重量％、３０重量％、５０重量％、７０重量％、９０重量％とした場合で、それぞれ実施した。この場合も、位置ずれが少なく、良好に半田接合された。ただし、収率は、第１実施例および第３実施例の場合と比べて悪かった。
＜第６実施例＞
上記の第２実施例と同じ基板において、プロピレングリコールフェニル・エーテルを粘度調整剤（２，４−ジエチル−１，５−ペンタンジオール）で薄めて製造した仮止め剤を用いて仮止めした。この場合も、第２実施例と同様に、位置ずれが少なく、良好に半田接合された。ただし、収率は、第２実施例および第４実施例の場合と比べて悪かった。
＜第７実施例＞
上記の第１実施例と同じ基板において、同じ仮止め剤を４箇所（４点）において、スポット状に離散的に塗布した。このとき、仮止め剤による仮止め作用により位置ずれを軽減して、半田接合することができた。なお、本実施例においては、半田接合前の時点で、基板５０ａ、５０ｂ間に２０μｍ程度の小さな位置ずれを生じさせたサンプルでも実験してみたが、仮止め作用により大きな位置ずれを防止することができれば、半田バンプ５４が溶融することによる半田の表面張力の作用によって、セルフアライメント（自己整合）されて、位置ずれが解消した。したがって、実用的には、仮止め剤を離散的に塗布するによっても、複数の基板同士を半田接合して半田付け基板を製造する際に、クリーニング処理を省略できるにもかかわらず、複数の基板間の位置ずれを軽減できることがわかった。
＜第８実施例＞
上記の第２実施例と同じ基板において、同じ仮止め剤を４箇所において、スポット状に離散的に塗布した。この場合も、複数の基板間の位置ずれを軽減できた。
＜第９実施例＞
第１実施例と同じ基板において、ターピネオールを粘度調整剤（２，４−ジエチル−１，５−ペンタンジオール）で０％〜９０重量％に薄めて製造した仮止め剤を、４箇所でスポット状に離散的に塗布した。また、第２実施例と同じ基板においても、同様に、仮止め剤を、４箇所でスポット状に離散的に塗布した。これらにおいても、複数の基板間の位置ずれを軽減でき、実用できる水準であった。
＜第１０実施例＞
第１実施例と同じ基板において、プロピレングリコールフェニル・エーテルを粘度調整剤（２，４−ジエチル−１，５−ペンタンジオール）で０〜９０重量％に薄めて製造した仮止め剤を、４箇所でスポット状に離散的に塗布した。また、第２実施例と同じ基板においても、同様に、仮止め剤を、４箇所でスポット状に離散的に塗布した。これらにおいても、複数の基板間の位置ずれを軽減でき、実用できる水準であった。
【００８９】
以上、本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明は、これらの場合に限られず、特許請求の範囲から逸脱しない範囲で追加、削除、変更などが可能である。上記の説明では、接合構造体として、一対の半導体基板を例にとって説明したが、本発明が対象としている接合構造体には、各種の半田接合済み基板、半田接合済みチップ（フリップチップボンディング済みチップなど）、基板とチップとを接合したものなどが含まれることはもちろんである。また、上記の説明では、主として、半田として半田バンプを用いるものを説明したが、本発明は、この場合に限られない。
【符号の説明】
【００９０】
１    接合構造体製造システム、
２０    仮止め装置、
２１    ディスペンサ、
２２    アライメント機構、
３０    半田溶融装置、
３１    チャンバ、
３２    カルボン酸の供給部、
３３    ヒータ、
３４    供給系、
３５    バルブ、
３６    密閉容器、
３７    バルブ、
３８    キャリアガス供給管、
３９    排気ポンプ、
４０    カルボン酸回収部、
４１    窒素供給管、
４２    バルブ、
５０（５０ａ、５０ｂ）    半導体基板、
５１    半導体基板本体、
５２    カッパーポスト（第１突起部）、
５３    バリア層、
５４    半田バンプ、
５５    仮止め剤、
５６    アンダーフィル樹脂。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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