(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
放射線の発生に好適な活性領域を有する半導体本体と、前記半導体本体上に配置された２つの電気的なコンタクトとを備えたオプトエレクトロニクス部品の複数個を製造する方法であって、
前記コンタクトが前記活性領域と電気的に接続され、前記コンタクトは前記半導体本体の反対側に接続面を有し、前記接続面は前記オプトエレクトロニクス部品の接続側に位置し、オプトエレクトロニクス部品の前記接続側とは異なる側がミラーコーティングされ、前記オプトエレクトロニクス部品が側方発光部品として構成され、一のコンタクトは半導体本体と他のコンタクトの接続面との間の領域にのびるものにおいて、
キャリア層と、このキャリア層上に配置され、放射線の発生に好適な活性領域をそれぞれ有する複数の半導体本体とを備えた複合素子を準備するステップと、
前記複合素子にミラー層を適用するステップと、
前記複合素子を、出力面とこの出力面とは異なり、前記複合素子を区切り、かつ、ミラー層で覆われた側面とを備える複数のオプトエレクトロニクス部品であって、側方発光部品として構成されるオプトエレクトロニクス部品に単数化するステップと、を含み、
前記複合素子の単数化の際に、前記オプトエレクトロニクス部品の１つに前記出力面が形成され、前記単数化の際に、前記ミラー層が切断されることを特徴とするオプトエレクトロニクス部品の製造方法。
【請求項２】
前記ミラー層の形成前に、前記複合素子の一部に保護層を形成し、
前記ミラー層の形成後に、前記保護層を除去することを特徴とする請求項１記載のオプトエレクトロニクス部品の製造方法。
【請求項３】
前記複合素子の単数化の際に、前記出力面に窪み部が形成されることを特徴とする請求項１記載のオプトエレクトロニクス部品の製造方法。
【請求項４】
前記複合素子の上に前記ミラー層が堆積されることを特徴とする請求項１〜請求項３の何れか１項に記載のオプトエレクトロニクス部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、オプトエレクトロニクス部品の製造方法に関し、特に、放射線の生成に好適なオプトエレクトロニクス部品の複数個を製造する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
本発明の目的は、簡易な方法で製造でき、高い放射発散度（radiant exitance）を有するオプトエレクトロニクス部品を開示することである。また、この種のオプトエレクトロニクス部品のコスト効率の高い製造方法も開示される。
【０００３】
ここで、放射発散度は、オプトエレクトロニクス部品の出力面においてＷ／ｍ２で動作させてその出力面から放射電力に応じた放射線が発せられたときに、この部品から放出される放射電力を意味する。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の目的は、独立請求項に係るオプトエレクトロニクス部品の製造方法により達成し得る。有利な態様及び改良は、従属請求項の構成要件である。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明のオプトエレクトロニクス部品は、放射線の発生に好適な活性領域を有する半導体本体と、この半導体本体上に配置された２つの電気的なコンタクトとを備えている。コンタクトは、活性領域と電気的に接続され、かつ、半導体本体の反対側に接続面を有する。接続面はオプトエレクトロニクス部品の接続側（特に、共通接続側）に位置し、この接続側以外の側はミラーコーティングされ、オプトエレクトロニクス部品が側方発光部品として構成され、一のコンタクトは、半導体本体と他のコンタクトの接続面との間の領域にのびる。
【０００６】
半導体本体は、活性領域を含む一連の半導体層を備えることが好ましい。この一連の半導体層は、半導体本体を構成してもよく、特に、エピタキシャル成長させたものであってもよい。
【０００７】
オプトエレクトロニクス部品のミラーコーティングされた面は、活性領域で生成された放射線を反射するために好適である。オプトエレクトロニクス部品のミラーコーティングされた面に達した放射線は、ミラーコーティングによって反射され、部品内に戻される。このミラーコーティングによって、ミラーコーティングが無い場合に部品から発せられる放射線を、部品の１つ又は複数の出力面に迂回させることができる。これにより、このミラーコーティング面を介した上記部品からの放射線の発生は、減少するか、又は、全体的に回避される。その結果、出力面から照射される放射電力は増加すると共に、その出力面からの放射発散度もこれに対応して増加する。
【０００８】
活性領域で生成される放射線用のミラーコーティングの反射率は、好ましくは８０％以上であり、より好ましくは９０％以上であり、最も好ましくは９５％以上であり、例えば、９６％以上である。
【０００９】
ミラーコーティングのために、ミラーコーティングされる面にミラー層が形成されることが好ましい。このミラー層は、オプトエレクトロニクス部品上に、例えば、スパッタリングや蒸着や反応性スパッタリングのようなＰＶＤ（physical vapor deposition）又はＣＶＤ（chemical vapor deposition）により堆積されることが好ましい。
【００１０】
更に、オプトエレクトロニクス部品は、その外側がミラーコーティングされていることが好ましい。このため、この部品を活性領域が延びる主な横方向に区切る部品の側面が、ミラーコーティングされることが好ましい。
【００１１】
１つの好ましい態様では、ミラー層は、少なくとも１つの金属を含むミラーメタライズ又はミラー合金を有する。特に、このミラー層は、導電性物質で形成されてもよい。ミラー層は、例えば、Ａｇ、Ａｌ又はＡｕを含んでいてもよい。ミラー層は、特に、例えば上記金属の１つを使用してミラーメタライズとして実装してもよく、例えば１つの指定金属を使用して合金層として実装してもよい。金属又は合金は、広いスペクトル範囲に亘って、ときには熱放射のスペクトル範囲に亘って、高い反射性を示す。
【００１２】
導電性ミラーメタライズや導電性ミラー合金層等のような導電性ミラー層に代えて又はそれに加えて、ミラーコーティング（特にミラー層）は、冷光反射鏡（cold-light reflector）を備えてもよい。この冷光反射鏡は、活性領域で生成された放射線を反射し、その一方で放射線生成時に部品内で生じた廃熱を透過するように実装されることが好ましい。これにより、部品内の過度の内部温度に起因して熱的に誘発される部品へのダメージのリスクが、最小限に抑えられる。
【００１３】
１つの好ましい態様では、ミラーコーティング、特に、ミラー層は、誘電性ミラー層を備えている。誘電性ミラー層が使用されるとき、短絡を防ぐために、部品の導電性素子からミラー層を絶縁するために必要な大規模な絶縁手段を省略することができる。誘電性ミラー層は、異なる屈折率の誘電体層を含む多層構造として実装することができる。上記冷光反射鏡は、特に、誘電体多層構造として実装してもよい。
【００１４】
さらに好ましい態様では、ミラーコーティング（特に、ミラー層）は、誘電性ミラー層と導電性ミラー層とを備えている。従って、誘電性ミラー層（例えば、冷光反射鏡）は、導電性ミラー層（例えば、上述したミラーメタライゼーション又はミラー合金）との組み合わせで採用される可能性がある。この場合、導電性ミラー層は、部品の誘電性ミラー層が形成されている面の反対側に位置されることが有利である。活性領域で生成された放射線は、最初に誘電性ミラー層にぶつかり、そこで部分的に反射され得る。誘電性ミラー層を通過した放射線の一部は、導電性ミラー層で反射され得る。このため、誘電性ミラー層と導電性ミラー層の両方が、ミラーコーティングの全体的な反射率に寄与する。それゆえ、適切な状況下で、例えば、８０％以下、好ましくは７０％以上の比較的低反射率の材料をミラーメタライズやミラー合金用に用いることができる。誘電性ミラー層を備えることにより、その誘電性ミラー層と導電性ミラー層とを備えるミラーコーティングの全反射率の増加を達成することができる。
【００１５】
上記部品は、インコヒーレント放射を生成、特に出力するための発光ダイオードとして実装されることが好ましい。さらに、この部品は、可視光を生成するように設計されることが好ましい。
【００１６】
接続側からの部品の外部電気接続は、コンタクトの接続面を介して行われてもよい。この方法では、部品の異なる側に電気的なコンタクトを形成する必要性を回避できる。オプトエレクトロニクス部品用の電気的なコンタクト、例えば、コンタクトメタライゼーション又は合金ベースのコンタクトは、通常、活性領域で生成された大量の放射線を吸収する。この場合、両方の接続面が部品の同じ側に位置するため、部品の他の側面を介して、その側面にコンタクトを設けることなく、放射線を出力することが可能である。この方法により、出力側のコンタクトでの吸収が回避される。接続側以外、ミラーコーティングされていない部品の残りの外側面は、吸水性の金属のような出力の妨げとなる任意の吸収構造を設けなくても良い。出力面から出力される放射発散度は、追加のミラーコーティングによって増加させることができる。
【００１７】
上記出力面は、ミラーコーティングされていない点で有利である。
【００１８】
オプトエレクトロニクス部品の共通の接続側に２つのコンタクトを配置することで、この種の部品の効率的な複合の製造を簡素化することができる。
【００１９】
１つの好ましい態様では、部品の接続側は、部品の実装側である。ここで、部品の実装側は、部品が外部の接続キャリア、好ましくは、回路基板のような大面積の接続キャリアの上に実装されるときに、部品の接続キャリア側として参照される。部品のコンタクトは、接続キャリアの接続導体と電気的に接続されてもよく、部品を動作させるために、活性領域に外部電力を供給することができる。導電接続は、導電性接続層によって実装してもよい。これは、ワイヤのカーブにより高い空間要求を有するボンディングワイヤは、部品との接触を必要としない。
【００２０】
部品のコンタクトの接続面は、導電層の接続により、接続キャリアの接続導体に電気的に接続するために形成することが好適である。この接続面は、例えば、それぞれの半田によって形成してもよい。
【００２１】
上記部品は、表面実装可能デバイス（ＳＭＤ：surface-mountable device）として設計されてもよい。
【００２２】
本発明の複数のオプトエレクトロニクス部品の製造方法では、最初に、複合素子が準備される。この複合素子は、キャリア層と、キャリア層上に、好ましくは相互に隣接して配置された複数の半導体本体とを備え、各半導体本体は、放射線の発生に好適な活性領域を備えている。
【００２３】
その後、ミラー層が複合素子に形成される。このミラー層は、特に、複合素子の上に堆積されてもよい。このために、例えば、上述したＰＶＤ法又はＣＶＤ法が好適である。
【００２４】
半導体本体は、共通のキャリア上に相互に間隔を空けて配置された別個の半導体本体として実装されることが好ましい。
【００２５】
ミラー層の形成後、複合素子は、複数のオプトエレクトロニクス部品に単数化される。各部品は側方発光部品として構成される。各部品は、出力面と、この出力面とは異なり、ミラーコーティングされた側面とを有する。この側面は、上記部品を区切り、上記ミラー層が形成されている。
【００２６】
ミラーコーティングされた側面は、上記部品を、横方向に、特に、活性領域が延びる方向に区切ることが好ましい。この側面の距離は、部品の接続側から離れる方向に延びてもよく、部品の接続側とは反対側に延びることが好ましい。
【００２７】
複合素子、及び/又は、キャリア層の上に形成されたミラー層は、上記部品が単数化されるときに、切断されることが好ましい。複合素子から単数化された部品は、複合素子に形成されたミラー層の一部をそれぞれ含んでもよい。
【００２８】
ミラーコーティングされた側面を備えた部品は、同じ種類の複数の部品を効率良く製造するために、複合物において製造してもよい。
【００２９】
本発明の製造方法は、本発明のオプトエレクトロニクス部品の製造に用いられることが好ましく、この部品の上述又は後述された特徴もこの製造方法に適用してもよく、その逆もまた同様である。
【００３０】
複合素子の半導体本体は、全て同じ種類、特に、同じ構成の半導体層が同じ順序で形成されたものであることが好ましい。
【００３１】
この部品の出力面は、単数化された出力面、すなわち、単数化プロセス中に形成された出力面であってもよい。この場合、この出力面が部品を横方向に区切ることが好ましい。
【００３２】
１つの好ましい態様では、ミラー層が形成される前に、製造される部品の半導体本体と電気的に接続するための電気的なコンタクトが形成されることが好ましい。これにより、２つのコンタクトが複合素子の１つの半導体本体に配置され、これらのコンタクトは、半導体本体の１つ面、特に、半導体本体の同じ側、好ましくは後の部品の接続側に配置されることが好ましい。コンタクトは、半導体本体の（コンタクトに関与する）活性領域に電気的に接続される。さらに、コンタクトは、少なくとも部分的には半導体本体の同じ面（特に、活性領域のキャリア層の反対側）に配置されることが好ましい。
【００３３】
このように半導体本体の片側にコンタクトを配置することで、複合物における複数の部品の製造が効率化される。
【００３４】
さらに好ましい態様では、半導体本体がキャリアを備えており、このキャリア上に半導体本体が配置される。エピタキシャル成長した半導体本体をこのキャリアによって機械的に安定化させてもよい。この方法では、半導体本体へのダメージのリスクが低減される。キャリア層は、複合素子を単数化するときに、単数化の間に切断されたキャリア層から形成されてもよい。
【００３５】
キャリア層は、成長基板から形成されてもよい。この成長基板の上に半導体層構造が成長し、この成長基板から複合素子の半導体本体の層構造が形成される。
【００３６】
然し、キャリアは、成長基板と異なっていてもよい。半導体本体用の半導体層を基板上に成長させた後に、その基板を除去してもよい。キャリア、又は、単数化によりキャリアが形成されるキャリア層は、基板が除去される前に設けられ、除去中に半導体材料が機械的に安定化される。このため、この部品は、半導体本体の半導体層を成長させるために用いられる成長基板を具備しなくてもよい。
【００３７】
然し、代替的に、半導体本体を安定化させるキャリアを省略してもよい。この部品は、特に、半導体本体のエピタキシャル成長した半導体層と、コンタクトと、形成可能であれば、自己支持されていない半導体本体に形成される更なる層とで構成されてもよい。コンタクト、及び/又は、半導体本体に形成される更なる層は、堆積プロセスにより形成されてもよい。堆積中、堆積時間と共に層の厚さが増加する。
【００３８】
上記部品は、キャリア無し部品（carrier-less component）として実装されてもよい。半導体本体の機械的安定化のために、特別な、特に自己支持用のキャリアが免除される可能性がある。エピタキシャル成長用の基板を、例えば、キャリア無し部品のために取り除いてもよい。
【００３９】
キャリアが存在しないことで、部品の高さを非常に低くすることが達成できる。キャリアを有する部品との比較において、部品の損傷を防ぐために、この種の部品のハンドリング（例えば、搭載中）の際により高い注意を要する。
【００４０】
１つの好ましい態様では、コンタクトの接続面は、半導体本体の共通の（好適には平面の）表面上に配置される。接続面は、特に、この表面の上方に広がってもよい。この表面は、活性領域とコンタクトの接続面との間に配置されることが好ましい。１つのコンタクトは、半導体本体のこの表面側に、好ましくは直接に、電気的に接続されることが好ましい。他のコンタクトは、半導体本体のこの表面とは反対側の活性領域側に電気的に接続されることが好ましい。
【００４１】
さらに、この接続面は、半導体本体のキャリアとは反対の活性領域側に配置されることが好ましい。
【００４２】
さらに、コンタクトは、半導体本体に形成されることが好ましく、半導体本体上に堆積されることが特に好ましい。コンタクトは、例えば、半導体本体に、蒸着又は上述した他の方法の１つのようなＰＶＤ法又はＣＶＤ法によって形成してもよい。
【００４３】
別の好ましい態様では、コンタクトが接続側で相互に電気的に絶縁される。このために、絶縁層によってコンタクトが相互に電気的に絶縁されてもよい。
【００４４】
別の好ましい態様では、一のコンタクトは、半導体本体と他のコンタクトの接続面の間の領域に延びている。２つの接続面が半導体本体の１つの側に配置されているにも拘わらず、半導体本体の横方向全体に亘っての電荷キャリアの注入は、一のコンタクトが他のコンタクトの接続面の下部に延びることで実現できる。
【００４５】
別の好ましい態様では、一のコンタクトは半導体本体の接続側に電気的に接続され、一方、他のコンタクトは半導体本体の部品の接続側とは反対側の活性領域に電気的に接続される。このため、後に述べるコンタクトは、活性領域の接続側とは反対側の範囲までは、活性領域上に延びてもよく、この側で半導体本体に電気的に接続されてもよい。このため、コンタクトは、活性領域の接続側とは反対側の範囲までは、（例えば、半導体本体に沿って延びる絶縁層によって）半導体本体から電気的に絶縁されることが好ましい。この方法では、部品の短絡を避けることができる。
【００４６】
半導体本体内に活性領域を介して開口部が形成されてもよく、この開口部を介してコンタクトが活性領域の一の側面から他の側面に延びている。この開口部は、例えば、半導体本体を接続側から貫通し、コンタクト材料が埋め込まれた凹部領域によって形成されてもよい。特に、活性領域を介して複数の開口部を備えることができ、これらを介してコンタクトが活性領域の一の側面から他の側面に延びることができる。
【００４７】
開口部の形成の代わりに又はそれに加えて、コンタクトは、活性領域の接続側とは反対側の面までの範囲に限り、接続側から半導体本体を接続側から横方向に区切る側面に隣にまで延びてもよい。この場合、半導体本体内の局所的な凹部を省略してもよい。このため、コンタクトは、例えば、少なくとも一部の領域では、フレーム状に形成してもよい。再びここで、例えば、側面に沿って拡張する絶縁層によって、コンタクトを活性領域から電気的に絶縁することが好ましい。これにより、部品の短絡が避けられる。
【００４８】
他の好ましい態様では、一のコンタクトは接触層を備えている。この接触層は、半導体本体と他のコンタクトの接続面との間の領域に配置されることが好ましい。接触層は、半導体本体の上方に延びることが好ましい。特に、接触層は、１つのコンタクトの接続面から、他のコンタクトの接続面の下方まで延びてもよい。接触層は、半導体本体に対して、大面積の電気的な接続を許容する。これにより、この接続を介して半導体本体への電荷キャリアの均等な注入が、大面積に亘って達成できる。
【００４９】
接触層は、できればそれだけで、接触層を介して他のコンタクトが貫通することを遮断することが好ましい。接触層は、連続層として、又は、他のコンタクトが貫通することを遮断する層として、実装することができる。このため、接触層は、他のコンタクトから電気的に絶縁されることが好ましい。接触層内の凹部は、他のコンタクトが半導体本体の接続側から側面の隣まで延びていれば、活性領域の接続側と反対側に限り、省略することができる。
【００５０】
さらに好ましい態様では、部品は、特に接続側に、反射層を備えている。１つのコンタクト、好ましくは、接触層を備えたコンタクトは、反射層を備えてもよい。この反射層は、接触層の半導体本体とは反対側に配置されることが好ましい。この反射層は、さらに、１つのコンタクトの接続面と半導体本体との間（特に、両方のコンタクトの接続面の間）に配置されることが好ましい。この反射層によって、活性領域内で生成され、半導体本体から接続側の方向に放射された放射線が、半導体本体内に反射され戻される。この方法では、コンタクトでの放射線の吸収を最小限に抑えることができる。結果として、部品から出力できる放射電力が増加する。
【００５１】
さらに好ましい態様では、ミラー層の形成前に、複合素子のいくつかの領域に保護層を形成される。保護層は、ミラー層の形成後に除去されることが好ましい。この保護層は、ミラー層で直接覆われていない複合素子の領域を保護することができる。保護層に達するミラー層の任意の材料は、保護層と共に除去することができる。特に、コンタクトを保護層で覆うことが特に有利である。この方法によって、導電性ミラー層材料によるコンタクトの短絡を回避することができる。
【００５２】
さらに好ましい態様では、出力面を形成するように意図された複合素子の１つの面が、その後再び除去され、出力面が形成される。出力面用のミラー層は、複合素子を部品に単数化する前に除去することが好ましい。ミラー層は、例えば、機械的プロセス（例えば、研磨）によって除去してもよい。
【００５３】
さらに好ましい態様では、出力面を形成するように意図された複合素子の１つの面が保護層で覆われ、この保護層がその後ミラーコーティングされ、このミラーコーティングされた保護層が再び除去される。この保護層は、複合素子の単数化の前に除去されることが好ましい。ミラーコーティング無しの部品用の出力面を、この方法で形成してもよい。
【００５４】
さらに好ましい態様では、出力面を形成するように意図された複合素子の側面、特に、出力面を形成するように意図された複合素子の表面が、ミラー層が形成される間遮蔽される。複合素子上にミラー層の材料が形成されている間、この側が遮蔽されると、出力面の形成が意図された複合素子の面がミラー層用の材料で覆われない。このため、出力面を形成するように意図された面が補助キャリアに面するように、複合素子を補助キャリア上に配置してもよい。
【００５５】
代替的には、複合素子が補助キャリアの接続側に配置されることが好ましく、これにより、ミラー層が形成されるときに接続側が遮蔽される。この場合、出力面が、補助キャリアに面する。
【００５６】
さらに好ましい態様では、部品の出力面は、複合素子を単数化されたときに作製される。複合素子の単数化が、例えば、出力面が相互に対向する２つの部品を作製してもよい。
【００５７】
さらに好ましい態様では、上記部品の出力面が隆起部（raised areas）及び窪み部（depressions）を備えている。複数の窪み部は、単数化用の出力面内に、特に、上記部品の単数化の間に形成されてもよい。これらの窪み部は、例えば、スクライビング、特に、レーザによって生成してもよい。隆起部は、隣接する２つの窪み部の間に形成される。出力面が構造化された表面を有していれば、出力面からの放射の出力が効率良く行われる点で有利である。特に、出力面での全反射は、この出力面の構造によって乱されてもよい。
【００５８】
さらに好ましい態様では、複合素子が、全ての面で、好ましくはその領域全体（適用可能な場合、遮蔽される側は除外される）に亘って、特に、コンタクトが設けられた後にミラーコーティングされる。
【００５９】
完成した部品（出力面を例外として、好ましくは接続側）は、全ての面で、特に外面でミラーコーティングされてもよい。ミラーコーティングされた面での反射の結果として、部品内での放射線が出力面に導かれる。全ての面をミラーコーティングすることにより、
非ミラーコーティングされた出力面からの特に高い放射発散度を達成できる。
【００６０】
上記部品の１つの、複数の又は全てのミラーコーティングされた側面又は面は、それらの全体の領域をミラーコーティングされることができる。
【００６１】
出力面は、キャリアの表面（好ましくは、例えば、側方発光部品用のキャリアの側面、又は、例えば、表面発光部品用のキャリアの接続側とは反対側の表面）、又は、半導体本体の表面（好ましくは、例えば、側方発光部品用の表面、又は、例えば、表面発光部品用の半導体本体の接続側とは反対側の表面）によって形成されてもよい。半導体本体の表面を用いて出力面を形成することが、特に、キャリア無し部品にとって好適である。
【００６２】
さらに好ましい態様では、キャリアの半導体本体とは反対側、キャリアを区切る１つ又は複数の側面、及び／又は、半導体本体を区切る１つ又は複数の側面がミラーコーティングされる。その代わりに、又は、それに加えて、キャリアの半導体本体に面する側、特に、半導体本体が無いキャリアの領域内で、ミラーコーティングされてもよい。
【００６３】
さらに好ましい態様では、補助キャリア上に配置された複数の複合素子が準備される。この補助キャリアは、拡張可能であることが好ましい。拡張可能な補助キャリアは、例えば、複数の複合素子にミラー層を形成する前に、拡張することが好ましい。これにより、隣接する複合素子の間のすき間が、ミラー層が形成される間拡大される。これにより、隣接する複合素子の面へのミラー層の形成が容易になる。
【００６４】
さらに好ましい態様では、複合素子は、初期の複合物（initial composite）の単数化によって得られる。初期の複合物を単数化する前、この初期の複合物は補助キャリア上に配置されることが好ましい。このため、単数化された複合素子が補助キャリアにより安定化し、特に、複合素子が補助キャリアにより複合物内で安定化する。初期の複合物の単数化の前に、この初期の複合物は、半導体本体を構成する半導体層構造を備えてもよい。更に、コンタクトは、初期の複合物の単数化の前に形成されることが好ましい。
【００６５】
上記部品は、横方向（側方）に発光する部品（「side-looker」として知られている）、又は、表面発光部品（「top-looker」として知られている）として構成してもよい。
【００６６】
第１のケースでは、部品の出力面は、活性領域が拡張する主な横方向、特に、接続面に対して横方向に延びている。この場合、出力面は横方向にキャリアを区切る側面によって形成してもよい。ミラーコーティングは、放射線を出力面に案内する。この種の側方発光部品は、複合物内で経済的に製造することができる。側方発光部品は、この部品が接続キャリア上に搭載される搭載面と平行に放射線を発してもよい。
【００６７】
ミラーコーティングされた面が、活性領域の上方で、活性領域に対して斜め、特に、９０度以外の角度で延びることが、側方発光部品に対して特に有利であることが判った。この面は、活性領域を完全に覆うことが好ましい。この面は、活性領域の接続側とは反対側に位置することが特に好ましい。
【００６８】
表面発光部品では、キャリアの半導体本体とは反対側の面が、上記出力面を形成することができる。表面発光部品では、接続キャリア上の上記部品の搭載面に対して垂直方向に放射線を放出できる。
【００６９】
この部品は、チップ状の部品として、特に、フリップチップ状の部品として構成されることが好ましい。この部品は、さらに、チップサイズで実装してもよい。平面視で活性領域上の部品の横方向の拡張部は、活性領域の横方向の拡張部と比較して、チップサイズの部品として小さいことが好ましい。
【００７０】
接続側の平面視において、部品の全体の面積に対する半導体本体で覆われた面積の比率は、０．２以上、好ましくは０.３以上、特に好ましくは０.５以上、最も好ましくは０.７以上にすることができる。
【００７１】
さらに、ここで説明した部品に、部品を保護するために、内部に部品が固定され、上記複合物と共には製造されない追加のハウジングを設けてもよい。
【００７２】
更なる特徴、効果及び有利な態様は、図面に対応する後述の実施形態から生じる。
【図面の簡単な説明】
【００７３】
【図１】図１は、オプトエレクトロニクス部品の第１実施形態を示す図であり、図１Ａは概略平面図であり、図１Ｂ及び図１Ｃは概略断面図であり、図１Ｄは簡略化した概略断面図であり、図１Ｅは部分断面図である。
【図２】図２は、オプトエレクトロニクス部品の他の実施形態を示す図であり、図２Ａは概略平面図であり、図２Ｂは概略断面図である。
【図３】図３は、複数のオプトエレクトロニクス部品の製造方法の実施形態を示す図であり、図３Ａ乃至図３Ｄは中間ステップを示す模式図である。
【図４】図４は、複数のオプトエレクトロニクス部品の製造方法の他の実施形態を示す図であり、図４Ａ及び図４Ｂは中間ステップを示す図である。
【図５】図５は、複数のオプトエレクトロニクス部品の製造方法の他の実施形態における中間ステップを示す図である。
【図６】図６は、オプトエレクトロニクス部品１の他の実施形態を示す概略断面図である。
【図７】図７は、オプトエレクトロニクス部品の他の実施形態を示す概略断面図である。
【図８】図８は、オプトエレクトロニクス部品の他の実施形態を示す概略断面図である。
【図９】図９は、オプトエレクトロニクス部品の他の実施形態を示す概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００７４】
同一の、同様の、及び、機能が同等の要素は、図面において同一の参照番号を付している。
【００７５】
図１は、オプトエレクトロニクス部品の第１実施形態を示す図であり、図１Ａは概略平面図であり、図１Ｂ及び図１Ｃは概略断面図であり、図１Ｄは簡略化した概略断面図であり、図１Ｅは部分断面図である。図１Ｂは、図１ＡのＡ−Ａ線に沿った断面図であり、図１Ｃは、図１ＡのＢ−Ｂ線に沿った断面図である
【００７６】
オプトエレクトロニクス部品１は半導体本体２を備えている。オプトエレクトロニクス部品１はキャリア３を備えており、このキャリア上に半導体本体が配置されている。半導体本体２は、放射線を生成可能な活性領域４を含む一連の半導体層を備えている。この一連の半導体層は、特に、それらの間に活性領域が位置する複数の半導体層を備えている。さらに、この一連の半導体層は、上記半導体本体として構成されることが好ましい。
【００７７】
半導体本体２は、発光ダイオード半導体本体として構成されることが好ましい。特に、半導体本体は、異なる導電型（ｎ型又はｐ型）の２つの領域５、６を備えている。活性領域４は、これらの領域５、６の間に位置する又は形成されることが好ましい。
【００７８】
上記活性領域４は、ヘテロ構造（特に、二重ヘテロ構造）、又は、量子構造（特に好ましくは、単一もしくは多重の量子井戸構造、量子配線構造、量子ドット構造）を有することが好ましい。この種の構造は、活性領域で放射線を生成するときに、特に高い内部量子効率を示す。
【００７９】
半導体層の配列は、成長基板上にエピタキシャル成長させることが好ましい。上記キャリア３は、上記部品１の製造時に上記成長基板から成長させることができ、または、この基板と異なるようにすることができる。後者の場合、キャリア３、または、キャリアが形成される材料は、成長した半導体材料から上記成長基板を除去する前に、この成長した半導体材料に対して適用されることが好ましい。成長に用いられる基板が除去された場合でも、成長した半導体材料の機械的安定性が提供される。キャリア３が成長基板と異なる場合、このキャリアは硬化キャリア本体として上記成長した半導体材料に対して結合されてもよく、または、成形材料を最初に半導体本体に適用し、その後にキャリアを形成するためにこの成形材料を硬化させてもよい。ＢＣＢ（ベンゾ−シクロ−ブテン）は、例えば、この種の成形材料として好適に用いられる。ガラスは、例えば、上記硬化キャリア本体として好適である。
【００８０】
キャリア３は、活性領域４で生成される放射線を透過できることが好ましく、これにより、活性領域からの放射線がキャリア内に透過でき、その後このキャリアを介して上記部品１から出力することができる。
【００８１】
１つの好適な実施形態では、半導体層の配列、特に、半導体本体の領域５、６、及び／又は、活性領域４は、ＩＩＩ−Ｖ族の半導体材料で構成されている。ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体材料、特に、窒化物半導体材料、リン化物半導体材料又はヒ化物半導体材料を用いることで、電力を放射電力に変換する高い内部量子効率を比較的容易に実現することができる。活性領域、特に、半導体本体は、特定の材料系の１つに基づくことが好ましい。
【００８２】
“リン化物半導体に基づく”場合、活性領域、特に、半導体本体が、好ましくはＡｌｎＧａｍＩｎ１−ｎ−ｍＰ（ここで、０≦ｎ≦１、０≦ｍ≦１、ｎ＋ｍ≦１、好ましくは、ｎ≠０、ｎ≠１、ｍ≠０、及び/又は、ｍ≠１である。）で構成される。上記数式に従って材料が正確に数学的な組成と正確に一致することは本質ではない。むしろ、その材料の物理的性質に重要な違いを起こさない１つ以上のドーピング材料または追加の物質を含ませることができる。然し、単純化のために、上記数式は、結晶格子の主要な物質（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｐ）のみを示しており、これらの物質の一部を他の物質に少量置換することができる。
【００８３】
“窒化物半導体に基づく”場合、活性領域、特に、半導体本体が、好ましくはＡｌｎＧａｍＩｎ１−ｎ−ｍＮ（ここで、０≦ｎ≦１、０≦ｍ≦１、ｎ＋ｍ≦１、好ましくは、ｎ≠０、ｎ≠１、ｍ≠０、及び/又は、ｍ≠１である。）で構成される。上記数式に従って材料が正確に数学的な組成と正確に一致することは本質ではない。むしろ、その材料の物理的性質に重要な違いを起こさない１つ以上のドーピング材料または追加の物質を含ませることができる。然し、単純化のために、上記数式は、結晶格子の主要な物質Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｎ）のみを示しており、これらの物質の一部を他の物質に少量置換することができる。
【００８４】
“ヒ化物半導体に基づく”場合、活性領域、特に、半導体本体が、好ましくはＡｌｎＧａｍＩｎ１−ｎ−ｍＡｓ（ここで、０≦ｎ≦１、０≦ｍ≦１、ｎ＋ｍ≦１、好ましくは、ｎ≠０、ｎ≠１、ｍ≠０、及び/又は、ｍ≠１である。）で構成される。上記数式に従って材料が正確に数学的な組成と正確に一致することは本質ではない。むしろ、その材料の物理的性質に重要な違いを起こさない１つ以上のドーピング材料または追加の物質を含ませることができる。然し、単純化のために、上記数式は、結晶格子の主要な物質Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ａｓ）のみを示しており、これらの物質の一部を他の物質に少量置換することができる。
【００８５】
窒化物半導体用の成長基板として、例えば、サファイア基板、ＳｉＣ基板やＧａＮ基板がある。一方、リン化物又はヒ化物半導体用の成長基板として、例えば、ＧａＡｓ成長基板が適している。
【００８６】
窒化物又はリン化物半導体材料は、特に、可視光（可視放射）の生成に適している。ヒ化物半導体材料は、特に、赤外スペクトル領域に適している。窒化物半導体材料は、特に、紫外スペクトル領域から青色を介して緑色のスペクトル領域まで広がる放射線の生成に適している。リン化物半導体材料は、オレンジから赤のスペクトル領域まで広がる放射線に適している。
【００８７】
上記部品１、特に、その活性領域４は、可視光を生成するように設計されることが好ましい。この部品は、さらに、インコヒーレント放射を発するＬＥＤとして設計されることが好ましい。
【００８８】
オプトエレクトロニクス部品１は、第１のコンタクト７と第２のコンタクト８の２つの電気的なコンタクトを有する。コンタクト７、８は、活性領域４の異なる側の半導体本体２に接続されている。上記部品が動作しているときには、電荷キャリアを、コンタクト７、８を介して活性領域に注入できる。これらがそこで再結合を行うことができ、それらが再結合を行うとき放射線を発光する。コンタクト７、８は、半導体本体のキャリア３とは反対側の面に配置されている。
【００８９】
コンタクト７、８は、それぞれ接続面７０、８０を有する。接続面は、それぞれ半導体本体２から離れて対向している。さらに、接続面７０、８０は、半導体本体２の同じ側、特に、活性領域を４の同じ側（上記部品１の接続側）に配置されている。この部品の接続側は、半導体本体２のキャリア３とは反対側であることが好ましい。
【００９０】
図１Ａは、上記部品の接続側の上方から見た図を示す。
【００９１】
更に、接続面７０、８０は、半導体本体の共通表面９の上まで延びている。この表面は、活性領域４と上記２つのコンタクトの接続面との間に位置する。この接続面７０、８０は、この表面上に並んで配置されている。コンタクト７、８は、特に、半導体本体２の表面９に適用することができる。
【００９２】
更に、接続面７０、８０は、外部の接続キャリア（例えば、回路基板のトラック（tracks））からの接続導体とオプトエレクトロニクス部品との電気的接続を提供することが好ましい。特に、上記部品が接続キャリア上に搭載するときに、この接続キャリアの上記コンタクトと接するためには接続面７０、８０が好ましい。上記部品の接続側は、同時に、接続キャリア上に搭載するための搭載面を形成する。従って、上記部品は、フリップチップ型の部品として設計することができる。
【００９３】
コンタクト７、８は、例えば、半導体本体２の表面９への接続のための材料の堆積によって形成することができる。この堆積は、例えば、スパッタリング、蒸着又は反応性スパッタリングのようなＰＶＤ法又はＣＶＤ法により行うことができる。
【００９４】
上記コンタクトは、金属に基づいて実装されることが好ましい。コンタクトは、特に、ＡｕＳｎやＡｕＺｎのような金属ベース合金、又は、Ａｕ、Ａｌ、Ａｇ、Ｐｔ又はＴｉのような金属を含んでもよく、特に、１つ又は複数の金属の金属ベース合金、及び／又は１つ又は複数の金属から構成してもよい。
【００９５】
第１のコンタクト７は、半導体本体２の接続面７０、８０に面する側に電気的に接続される。特に、第１のコンタクト７は、半導体本体の領域５に接続される。第２のコンタクト８は、半導体本体の接続面７０、８０の反対側の上記活性領域側に、特に、上記半導体本体の領域６に接続される。この２つのコンタクトは、接続側で相互に電気的に絶縁されており、特に、上記表面９からこの表面とは反対側の活性領域３を介して絶縁されている。
【００９６】
第１のコンタクト７は、接触層７１を備えている。これは、特に、半導体本体２に上記表面９を介して直接接続される。電荷キャリアは、接触層の広い領域を介して、半導体本体内の接続側の広い領域に亘って注入することができる。第１のコンタクト７は、更に反射層７２を備えることが好ましい。これは、接触層７１の半導体本体２とは反対側に位置することが好ましい。この反射層７２は、接触層７１と同様に、半導体本体の表面９を横切る広い領域を覆うように拡張されることが好ましい。接触層７１及び反射層７２は、第２のコンタクト８の接続面８０と上記表面９との間に位置することが好ましい。接触層７１及び反射層７２は、第１のコンタクト７の接続面から第２のコンタクト８の接続面８０の下の部分まで延びることが好ましい。
【００９７】
第１のコンタクト７は、接続面７０側に接続層７３、特に、金−錫半田層のような半田層を備えることが好ましい。第２のコンタクト８は、接続面側に接続層８３、特に、金−錫半田層のような半田層を備えることが好ましい。接続層７３、８３の半導体本体２とは反対側の表面は、それぞれのコンタクトの接続面を形成することが好ましい。
【００９８】
第１のコンタクト７の接続面７０は、この第１のコンタクトの他の層７４を介して上記接続層と電気的に接続されることが好ましい。
【００９９】
電荷キャリアは、接触層７１を介して半導体体内に注入することができる。金属を含む接触層７１は、活性領域で生成される放射線に対して比較的高い反射率を示すことができる。然し、各層の特定の機能を最適化できるため、別の反射層を備えることが有利である。このため、接触層７１は、半導体本体との電気的接触の形成を最適化できると共に、例えば、半透明にしてもよい。一方、上記反射層は、活性領域で生成される放射線に対して高い反射率を示すものを選択できる。上記反射層と上記半導体材料との間の電気的接触特性を考慮する必要はない。
【０１００】
窒化物半導体材料の場合、Ｐｔがｐ型半導体材料に対する接触層７１として特に好適であり、Ａｌが、その反射率が高いゆえ、反射層７２として好適である。
【０１０１】
ｐ型窒化物、特に、ＧａＮ系は、横方向に低い伝導度を頻繁に示す。このため、活性領域内への電荷キャリアの広域注入するために半導体本体２内に電流が広がることに依存するのではなく、半導体本体内に広域に亘る上記第１の場所に電荷キャリアを注入することが有利である。半導体本体２の上記領域５はｐ型であることが好ましい。
【０１０２】
接続側でのコンタクト７、８間の短絡を避けるために、その接続側でこれらのコンタクトは電気的に相互に絶縁されている。第１の絶縁層１０は、第２のコンタクトの接続面８０と接触層７１との間、及び、関連性があれば反射層７２と接続面８０との間に配置されている。この絶縁層は、接続側で第１のコンタクト７から第２のコンタクト８を絶縁し、特に、半導体本体２の表面９から第２のコンタクト８を絶縁する。この絶縁層１０は、接触層７１と第２のコンタクト８との間の全体の領域に配置されることが好ましい。
【０１０３】
コンタクト８は、活性領域４を貫通する１つの開口部、好ましくは複数の開口部を介して、半導体本体の接続面８０、７０に面する側から、活性領域の上記接続面の反対側まで活性領域４を通って伸びる。このため、半導体本体２は、１つ又は複数の凹部１１を有しており、これを通して第２のコンタクト８が延長する。この凹部は、半導体本体内に局所的に形成されることが好ましい。凹部１１は、横方向かつ周囲に半導体体内によって区切られることが好ましい。
【０１０４】
上記凹部の壁は、絶縁材料で、好ましくは、活性領域４の上記接続面とは反対側に接触点１２用の開口を有する絶縁層１０で覆われている。この接触点１２を介して、第２のコンタクト８は半導体本体に接続され、好ましくは、半導体本体の領域６に直接接続される。この接触点１２は、（関連性のある）凹部１１の底部に形成されることが好ましい。
【０１０５】
上記絶縁層１０は、例えば、ＳｉＮのようなシリコン窒化物、ＳｉＯ２のようなシリコン酸化物、又は、ＳｉＯＮのようなシリコン酸窒化物を含む。
【０１０６】
接触層７１、及び、関連性のある反射層７２は、第２のコンタクト８の通路用の開口部を有することが好適である。この第２のコンタクト８の通路を許容する開口部から離れて、接触層７１と、好ましくは反射層７２とは連続することが好ましい。この接触層と、好ましくは反射層とは、第２のコンタクト８の通路以外は、半導体本体２の接続面７０、８０に面する側の表面全体を覆うことが好ましい。
【０１０７】
局所的な接触点１２は、上記半導体本体の範囲に分布することが有利である。この接触点は、例えば、グリッドのような規則的なパターンで、均等に分布することが好ましい。このため、接触点は、半導体本体の全域に亘って水平方向に分布する電荷キャリアが、局所的に半導体本体内入ることを許容することが好ましい。第２のコンタクト８を介して接続される半導体本体の半導体材料は、第１のコンタクト７によって接触している材料に比べて、横方向（活性領域に平行な方向）で高い導電率を示すことが有利である。実際には半導体本体２が特定点で第２のコンタクト８により接続されているにも関わらず、半導体本体における電流の広がりは、横方向に均一な電流分布を達成することができる。このため、電荷キャリアの注入の局所的な特性にも関わらず、活性領域内の広い領域に、電荷キャリアを注入することができる。
【０１０８】
窒化物半導体材料の場合、ｎ−ＧａＮのようなｎ型材料は、ｐ−ＧａＮのようなｐ型材料に比べて、水平方向に大きな導電率を頻繁に示す。半導体本体の領域６はｎ型であり、一方、領域５はｎ型であることが好ましい。
【０１０９】
活性領域を通る１つ又は複数の開口部、特に、半導体本体の複数の凹部１１は、活性領域４を介して第２のコンタクト８の接続面８０の下方まで延びることが好適である（図１Ａの平面図参照）。
【０１１０】
活性領域を通る１つ又は複数の開口部、特に、半導体本体の複数の凹部１１は、活性領域４を介して第１のコンタクト７の接続面７０の下方まで延びることが好適である（図１Ａの平面図参照）。
【０１１１】
第２のコンタクト８は、１つ又は複数のコンタクト拡張部（contact extension）８４を有することが好ましい。各コンタクト拡張部は、第２のコンタクト８の接続面８０から離れて延びることが好ましい。コンタクト拡張部は、例えば、トラックの形で延びることが好ましい。（関連性のある）コンタクト拡張部８４は、表面９上、及び、複数の開口部（特に、凹部１１）上で、接続面８０から延びることが好ましい。
【０１１２】
関連性のあるコンタクト拡張部８４は、更に、第１のコンタクトの接続面７０と半導体本体との間に位置している。関連するコンタクト拡張部で覆われた半導体本体内に更なる凹部を介して延びるコンタクトの部分が、このコンタクト拡張部を介して接続面８０に接続されてもよい。凹部１１は接点材料を充填してなることが好適である。
【０１１３】
コンタクト拡張部８４と第１のコンタクト７の接続面７０との間に、第２の絶縁層１３を配置することが好ましい。この絶縁層１３は、上記コンタクト拡張部８４を第１のコンタクトから絶縁する点で有利である。このコンタクト拡張部は、２つの絶縁層１０、１３の間にまで延びてもよい。特に、関連性のあるコンタクト拡張部は、絶縁材料が埋め込まれてもよい。コンタクト拡張部が位置しない領域においては、これら２つの絶縁層が隣接する点が有利である。第１の絶縁層１０用の上述した材料は、例えば、第２の絶縁層１３用としても好適である。
【０１１４】
半導体本体の同じ側、特に、同一表面上に接続面７０、８０が配置されているにも拘わらず、この種の接続構造は、均質で且つ両側に大面積の領域に亘って延びる活性領域４内への電荷キャリアの注入を容易に達成することができる。この方法では、上記部品の放射線生成効率が向上する。
【０１１５】
上記反射層７２によって、上記反射層の上記活性領域４とは反対側に位置する構造、例えば、上記部品が搭載される回路基板のトラックにおける放射線の吸収を防ぐことができる。
【０１１６】
この接続構造を作製するためには、例えば、接触層７１と、関連性のある反射層７２とを上記半導体本体２の材料の上、好適には全ての領域上に堆積させる。その後、所定の領域における接触層及び半導体本体を、例えば、適切なパターンのマスクを用いたエッチングによって除去することができ、絶縁層１０を形成する。この絶縁層は、全ての領域に亘って堆積され、その後に、例えば、適切なパターンのマスクを用いてエッチングすることによって接触点のために除去されることが好ましい。
【０１１７】
第２のコンタクト８を形成することができる。コンタクトの拡張機能８４ 第２の絶縁層で覆われていることができる。これに続いて、接触層７１から異なる場合は、第１のコンタクト７の一部を形成することができる。
【０１１８】
上記第１のコンタクト７は多層構造（１つの層が接触層であり、関連性がある場合、一方の上に反射層があり、他方の上に第１のコンタクトの残りの部分がある）は、２つのコンタクトの相互の電気的な絶縁と組み合わせて、オプトエレクトロニクス部品１の接続構造を容易に作製することができる。特に、上記コンタクト拡張部は任意の形状をとることができ、半導体本体を横切って任意に分布させることができる。
【０１１９】
第２のコンタクトの両面（一方は、半導体本体からの接続側で、他方は、絶縁層１０、１３によって第２のコンタクトから）を絶縁することで、半導体本体を横切るコンタクト拡張部の分布を容易に形成することができる。この種の接続構造は、さらに、複合物内で容易に製造でき、つまり、同時に複数の半導体本体を作製することができる。
【０１２０】
更に、接続面７０、８０は、共通面内に位置することが好ましい。これにより、これらの接続面を外部の接続導体に容易に接続することができる。上記部品は全体的に合成物で製造することができる。後工程でボンディングワイヤを用いた上記接続面の接続を省略することができる。フリップチップ法にて、例えば、導電性接着剤や半田付けによって、上記接続面を外部の接続導体に好ましくは直接接続することがより適切である。
【０１２１】
部品１の一領域は、さらに、ミラーコーティングされている。ミラー層１４は、部品の表面、特に、その目的のために外面に適用される。このミラー層は、上記部品の上に堆積されることが好ましい。このミラー層は、例えば、金属を含む。このミラー層は、単一の部分から構成する必要はなく、複数のミラー層の部分から構成することができる。この場合、異なるミラー層の部分は、上記部品の異なる表面上に配置されることが好ましい。
【０１２２】
ミラー層１４は、メタライズ又は金属ベース合金として形成されることが好ましい。例えば、リン化物半導体の活性領域用としてＡｕが好適であり、窒化物化合物半導体の活性領域用としてＡｌ又はＡｇが好適であり、または、それらの金属を含む合金を好適に用いてもよい。
【０１２３】
また、上記ミラー層１４は、誘電性ミラー、特に冷光反射鏡（コールドミラー）として実装できる。冷光反射鏡により、活性領域４で生成された放射線に対して選択的に高反射率を達成することができる。一方、半導体本体２での放射線生成時の熱損失により生じた熱放射が、相対的に妨げられずにミラー層１４を介して上記部品１から出力することができる。
【０１２４】
誘電体層のみからなる多層構造、特に、異なる屈折率を有する複数の誘電体層のペアがその多層構造において交互に配置されたものが、例えば、冷光反射鏡のために好適である。
【０１２５】
また、誘電性ミラーをミラーメタライズ又はミラー合金と組み合わせて上記ミラー層を形成することが有利な場合がある。例えば、二酸化シリコンのような誘電体層、又は、異なる屈折率を有する複数の誘電体層からなる層構造を形成し、その後、この層の上に、Ａｕ、Ａｇ又はＡｌを含む層のようなメタライゼーション層又は合金層を形成してもよい。誘電体層構造は、その層構造に接触する放射線の入射角度に反射率が依存するという特徴があり、一方では、金属層又は合金層は、その入射角度とは独立して高い反射率を示す。誘電性ミラー（例えば、冷光反射鏡）と金属又は合金ミラーとで構成されるこの種の組合せに接触する活性領域で生成された放射線は、最初に絶縁性ミラーに接触し、そこで反射されてもよい。誘電性ミラーを貫通する放射線の一部を、金属又は合金ミラーにより反射させることができる。誘電性ミラーがミラー層の全体の反射率に寄与するため、比較的低い反射率の金属又は合金層を用いて高い反射率を達成することができる。
【０１２６】
活性領域４で生成された放射線に対する上記ミラー層１４の反射率は、好ましくは８０％以上、特に好ましくは９０％以上、最も好ましくは９５％以上、例えば、９６％以上である。
【０１２７】
上記部品１のミラーコーティングにより、上記部品の規定された出力面を介して放射線を放出することが可能である。上記ミラー層１４は、この出力面の方向に放射線を直接放射することができる。
【０１２８】
上記半導体本体２を横方向に区切る側面１５は、ミラーコーティングされることが好ましい。メタライゼーションを行った場合のように、上記ミラー層が導電性である場合には、短絡を避けるために、ミラー層１４と導体本体との間に、例えば、上記絶縁層１０を配置することが好ましい。
【０１２９】
加えて、半導体本体２側で半導体本体によって覆われていないキャリア３の表面１６は、ミラーコートされることが好ましい。さらに、キャリア３を横方向に仕切るキャリア３の側面１７は、ミラーコーティングされることが好ましい。キャリア３の半導体本体２とは反対側の表面１８も、ミラーコーティングされることが好ましい。
【０１３０】
ミラーコーティングにより、部品内の放射を、部品の出力面の方向に行うことができる。これにより、出力側の放射電力、及び、その部品からの放射発散度が増加する。
【０１３１】
上記出力面がキャリアの一面である場合、キャリア３は、その出力面以外の全ての面がミラーコーティングされることが好ましい。上記部品は、出力面及び接続側以外の全ての面がミラーコーティングされることが好ましい。このミラーコーティングは、出力面を介しての出力を強制することができる。
【０１３２】
上記コンタクトの反射層７２により、上記部品の接続側から放射線が放出されることを防止できる。反射層に当たった放射線は、半導体本体内に反射し、出力面を介して部品から出力することができる。
【０１３３】
この場合、出力面１９は、キャリア３のいずれか１つの側面によって形成されている。この面以外、上記部品は、全ての側面がミラーコーティングされることが好適であり、特に、その全ての領域がミラーコーティングされることが好適である。放射線２０は、この出力面を介して上記部品から放出できる。
【０１３４】
図１の部品は、活性領域に対して横方向に延びる出力面１９を介して放射線が発せられる横方向発光部品（side-looker）として実装されている。放射線２０は、特に活性領域への部品の並列から出力することができる。横方向発光部品は、バックライト表示部品（例えば、液晶ディスプレイ）や、光ファイバへの結合放射に適している。
【０１３５】
装置１の共通面状に接続面７０、８０が配置されているため、ミラーコーティング無しの出力面の断面における自由度が有利に増加する。所望の面にミラー層を形成せずに、出力面を簡単に形成することができる。
【０１３６】
更なる要素を、出力面１９に形成することができる（明示的に説明せず）。例えば、変換材料を含む発光変換層（luminescence conversion layer）を出力面に形成することができる。この層は、活性領域で生成された放射線を吸収し、より大きな波長の放射線に変換することができる。この２種類の放射線を混合でき、混合色（例えば、白色）を有する放射線を装置の発光変換層とは反対側から放射することができる。適切な変換材料は、例えば、ＷＯ９８／１２７５７の文献に開示されており、その全体の開示内容が本願に明示的に組み込まれている。その代わりに、又は、それに加えて、ビーム成形用の屈折素子（特に、レンズ）又は回折素子のような光学素子を、出力面に配置することができ、特に、上記部品に適用できる。さらに、光学結晶構造を出力面に配置することができる。
【０１３７】
この種の部品１は、同種の複数の部品が同時に得られる複合物において製造することができる。従って、複合物での製造は、特に経済的である。
【０１３８】
複数のオプトエレクトロニクス部品を作製する合成に適した製造方法が、文献ＷＯ２００５/０８１３１９に開示されており、その全体的な開示内容はこの特許出願で参照されるものを含む。
【０１３９】
チップやリードフレームを支持するハウジング内に搭載される放射線生成用の半導体チップを供え、それにより、これらの部品におけるチップが（複合物においてではなく）部品毎に別個に封入された従来のオプトエレクトロニクス部品とは違って、ここで説明した部品は、複合物にて全体的に製造することができる。
【０１４０】
その後、複合物から単数化された後の部品を保護するために、上記部品の封止を行うことができる。
【０１４１】
保護封入４０は、複合物において実施されてもよい。封入物を図１において点線で示す。半導体本体に封入物が埋め込まれることが有利である。封入物４０は単数化された部品の一部である。封止物４０は単数化された外面４１を有してもよい。この封入物４０は、活性領域４が水分のような外部からの影響を受けないように保護することが好ましい。
【０１４２】
ＢＣＢのような封入化合物は、半導体本体を封入するため適用してもよい。これはその後硬化されることが有利である。硬化した封止物は機械的に安定であり、効果的に活性領域を保護する。封入物４０は、半導体本体２を包み込んでもよい。半導体本体は、キャリアと相俟って、封入物によって保護される。封入物４０は、キャリア３に面していない半導体本体２の全ての側面に沿って延びることが好ましい。封入物４０の半導体本体２と反対側にある接続面７０、８０は、覆われていないことが好ましい。
【０１４３】
窒化化合物半導体は、窒化物の封入を比較的小さなリスクで施行できるため、特に外部からの影響に対する耐性がある。
【０１４４】
一方、リン化又はヒ化化合物半導体は、特に、Ａｌを含む場合には、例えば水分に対して影響を受けやすい。これらの材料の１つを含む半導体本体を備えた部品に封止を行うことが、特に有利である。
【０１４５】
接続側の平面視において、部品１の全体の面積に対する半導体本体２で覆われた面積の比率は、０．２以上、好ましくは０.３以上、特に好ましくは０.５以上、最も好ましくは０.７以上にすることができる。
【０１４６】
半導体本体からの放射線の放出、特に、半導体本体２からキャリア３内への放射線の通過を促進するため、半導体本体２の接続側とは反対側の表面、特に、キャリアに面する半導体本体２の表面は、隆起部及び窪み部を含む表面構造２１を有することができる。この種の構造は、例えば、エッチングにより、又は、特にキャリアが成長基板からなる場合には平坦でない成長基板の意図的な使用により、半導体本体のこの表面を粗化することによって達成してもよい。平坦でない成長基板は、基板上に成長するエピタキシャル半導体層内に転位を引き起こすために意図的に使用することができ、これらの転位により平坦でない表面を得ることができる。この種の表面構造２１は、非常にシンプルな概略断面図である図１Ｄに示されている。
【０１４７】
この種の表面構造２１により、半導体本体とキャリアとの間の界面における全反射を防ぐことができる。このため、放射線は、キャリア３には、半導体本体２からキャリア３への放射線の通過が容易になる。例えば、窒化物化合物半導体の場合にサファイアキャリア、好ましくは、成長基板から作製されたものを用いると、窒化物化合物半導体材料に比べて低い屈折率を有することとなり、これにより、半導体本体内で全反射が進行する。この全反射は、表面構造２１によって防止することができる。
【０１４８】
第２のコンタクト８が延びる凹部１１が傾斜して形成されることが好ましい。この種の傾斜形状は、概略部分断面図である図１Ｅに示されている。半導体本体内の放射線の通路は、凹部内のコンタクト材料での放射線の反射率によって邪防ぐことができる。半導体本体からキャリア内に通過する放射電力は、この方法により増加させることができる。この凹部は、上記部品の接続側から活性領域の接続側と反対側の方向に進むに連れて狭くなることが好ましい。この種の形状は、例えば、適切な傾斜したマスクを用いたドライエッチングにより凹部を形成することにより実現してもよい。
【０１４９】
上記出力面１９は、隆起部及び窪み部を有することが好ましい。この種の分離構造により、出力面から出力される放射電力が、この出力面での（全体の）反射の分布により増加することができる。この種の分離構造が、図１Ｂ及び図１Ｃにおいて点線で示されている。
【０１５０】
図２は、オプトエレクトロニクス部品の他の実施形態を示し、図２Ａは概略平面図であり、図２Ｂは概略断面図である。ここで、図２Ｂは、図２ＡのＡ−Ａ線に沿った断面を示す。図２に示す実施形態は、図１との関連で説明した実施形態と大部分において対応する。
【０１５１】
これに対して、半導体本体２の接続側とは反対側の電気的接続、特に、半導体本体２の領域６の接続は、半導体本体２を横方向に仕切る側面２２に隣接して横方向に行われる。従って、図１の実施形態での凹部及びコンタクト拡張部を省略することができ、また、同様の方法により第２の絶縁層１３を省略することができる。このため、接触層７１と、好ましくは、反射層７２とを連続層として実装することができる。
【０１５２】
第２のコンタクト８は、接続側から開始し、活性領域４のこの接続側とは反対側を介して、活性領域４を区切る半導体本体の側面２２に隣接して延びている。このため、第２のコンタクト８は、活性領域に隣接し、かつ、それを超える、好ましくは、絶縁層１０上に堆積される層８４を備えることが好ましい。この層８４は、上記接続面とは反対側の活性領域４上にある接触領域２３において、半導体本体、特に、領域６に電気的に接続される。この層８４は、半導体本体をフレーム状に囲むことが好ましい。この方法では、広い範囲で放射線を生成するために、活性領域４に電荷キャリアを均一に注入することが容易になる。
【０１５３】
半導体本体の側面２２は、さらに、傾斜して実装されている。半導体本体内の放射線の通路は、半導体本体に対向して傾斜している第２のコンタクト８の層８４の表面での反射を介して防止できる。斜め指向である。この方法では、キャリア３への放射電力を増加させることができる。
【０１５４】
図１の実施形態とは対照的に、キャリア３の全ての側面１７は、ミラーコーティングされており、特に、ミラー層１４が形成されている。キャリア３の半導体本体２とは反対側の表面１８は、ミラーコーティングが施されていない出力面１９として実装される。この部品は、“top-looker”として実装される。出力面１９として、点線で示されているように、表面構造を有することができる。ミラーコーティングを適切に適用すれば、図１の部品を“top-looker”として実装することができ、図２の部品を“side-looker”として実装することができるのは当然である。
【０１５５】
図２の半導体本体２及び／又はキャリア３の傾斜した側面は、もちろん図１の部品にも適用することができる。
【０１５６】
図２の部品１は、図１Ｂ及び図１Ｃに示したように封入部４０を備えることができる。さらに、半導体本体２のキャリア３に面する側は、図１Ｄに示す構造を有してもよい。
【０１５７】
図１及び図２のチップ状の部品は、特に、バックライト表示部品（例えば、液晶ディスプレイや、光ファイバへの放射線の投入用）に適している。
【０１５８】
図３は、複数のオプトエレクトロニクス部品の製造方法の実施形態を示す図であり、図３Ａ乃至図３Ｄは中間ステップを示す模式図である。
【０１５９】
最初に、模式的上面図である図３Ａに示すように、複数の複合素子３０、特に、同じタイプの複数の複合素子が準備される。
【０１６０】
この複合素子３０は相互に隣接して補助キャリア３１上に配置される。図３では、補助キャリア３１上の複合素子３０の配列の一部のみを示している。
【０１６１】
ここで、１つの複合素子は、キャリア層３００を備えている。複数の半導体本体２はキャリア層３００上に配置されている。これらの半導体本体は、図１及び図２と関連して説明した半導体本体と同様に構成されることが好ましい。特に、接続側で相互に絶縁され、半導体本体の活性領域に電気的に接続された２つのコンタクト７、８を有する接続構造が、既に設けられている。明確性を理由に、上記接続構造と上記活性領域のどちらの形状もより詳細に示していない。コンタクト７、８の接続面７０、８０が、半導体本体２のキャリア層３００と反対側に配置される。
【０１６２】
複合素子３０は、例えば、最初の複合物の単数化によって得ることができる。この最初の複合物は、成長基板と、この成長基板上にエピタキシャル成長した半導体層構造とを備えた半導体ウェハによって形成することができる。半導体本体２は、半導体層構造によって形成することができる。半導体本体２用のコンタクト７、８は、既に最初の複合物に設けられている。
【０１６３】
半導体本体が形成された後、好ましくは、コンタクトが形成された後、最初の複合物を複合素子３０に分割することができる。キャリア層３００が半導体層構造用の成長基板とは異なる場合、その成長基板を除去した後、最初に上記複合素子のキャリア層用の層を最初の複合物に適用し、そのキャリア層用の層を介して複合素子３０に分割する。複合素子と補助キャリアの複合物は、初期の複合物の単数化によって有利に形成され、この補助キャリアは、この複合物に機械的安定性を有利に提供する。多数の複合素子３０、例えば、５０個以上の複合素子、又は、１００個以上の複合素子を、補助キャリア３１上に配置することができる。
【０１６４】
各複合素子３０は、１つの線上に相互に隣接して配置された複数の半導体本体２を備えることが好ましい。複合素子は２つの半導体本体を備えることが、特に好ましい。
【０１６５】
複合素子３０は、その後ミラーコーティングされる。ミラー層の適用に先立って、直後にミラーコーティングされない複合素子の部分的な領域、特に、各半導体本体２の接続側に保護層３２を形成することが好ましい。この保護層３２は、複合素子の直接ミラーコーティングされていない領域が保護層で覆われるように構成されることが好ましい。フォトレジストのように正確にパターン化することができる材料が、この種の保護層としての使用に好適である。
【０１６６】
保護層３２を適用した後、好ましくはコンタクト７、８の全ての露出部分が覆われた後、ミラー層１４０を複合素子３０に適用することができる。このミラー層１４０は、複合素子の上に堆積されることが好ましい。補助キャリア３１は、同時に、複合素子３０によって占有されていない領域でミラーコーティングすることができる。ミラー層の適用は、図３Ｂにおいて矢印で示されている。複合素子３０は、補助キャリア３１と面しない側の全ての領域にわたってミラーコーティングされることが好ましい。
【０１６７】
補助キャリアは、上記複合素子の側面のミラーコーティングを簡素化するため、拡張可能であることが好ましい。ミラー層の適用に先立ち、補助キャリアを拡張することができる。これにより、隣接する複合素子の間隔を拡大することができる。その後、これらの複合素子の側面を、ミラー層の材料で容易に覆うことができる。このミラー層は、例えば、ミラーメタライゼーションによって又は冷光ミラーとして実装することができ、または、ミラーメタライゼーション及び冷光ミラーを備えてもよい。拡張可能な箔は、拡張可能な補助キャリアとして特に好適である。この種の拡張可能な箔は、例えば、日立からダイシングテープとして入手することができる
【０１６８】
補助キャリア３１に面し、かつ、複合素子へのミラー層材料の適用が遮蔽される複合素子３０の側は、早い段階で、未だ最初の複合物のときに、他のミラー層１４１を形成することができる。キャリア層の半導体本体２とは反対側の面が、製造されるオプトエレクトロニクス部品の出力面を形成する場合、この面のミラーコーティングを省略でき、これに対応してミラー層１４１を省略できる。複合素子がミラーコーティングされた後で得られる構造を、概略部分断面図である図３Ｂに示す。
【０１６９】
この後、保護層３２を、その上に配置されているミラー層の一部と共に再度除去することができる。これにより、コンタクト７、８が再度露出する。コンタクトの接続面が補助キャリア３１に接する場合（明示的に図示せず）、この保護層３２を省略することができる。補助キャリアと接する側の面は、ミラー層の堆積から遮断される。この方法では、特別な保護層を必要とせずに、ミラーコーティング材が直接コンタクトに到達することを防止できる。このため、短絡のリスクが低減される。
【０１７０】
この後、複合素子３０を単数化して個々の部品１を形成することができる。２つの隣接する半導体本体２の間の領域の複合素子を分離することによって、個々の部品を分離することができる。単数化は、例えば、図３Ｃにおける線３３に沿って行うことができる。これは、ミラー層１４０を介して切断できる。キャリア層３００は、分離時に切断される。ミラーコーティング後に露出されたた分離領域では、キャリア層３００からなるキャリア３はミラーコーティングされていない。キャリア層３００の半導体本体２とは反対側に位置するミラー層１４１も、存在していれば分離される。分離された部品は、補助キャリア３１を切り離すことができる。
【０１７１】
上記複合素子、特に、キャリア層３００は、例えば、最初に分離する目的で、レーザを用いて分割でき、その後、その分割された領域で割られる。
【０１７２】
図３Ｃのように複合素子３０が分離されるとき、ミラーコーティングされていない出力面を有し、特に、対向する２つのside-looker部品が作製される。この部品１は、それぞれ１つの出力面を有し、且つ、例えば、図１に示す構造を有する。単数化後に、部品１の上方から見た部分的な図を図３Ｄに示す。破線に沿って分割すると、その出力面（特に、半導体本体２側）は、構造化された領域１９１と、特に、半導体本体からより離れた領域に上記構造化された領域よりもスムーズな領域１９２を有する。これは、単数化中に、出力面１９上に出力構造を形成できることを意味する。この面から放出される放射電力を、この構造によって増加させることができる。ミラーコーティング１４は、複合素子を分離するときに得られるミラー層１４１、１４０の部分を含む。
【０１７３】
単数化される間、部品１のキャリア３はキャリア層３００から形成される。複合素子３０の単数化は、同時に、２つの側方発光部品（side-looker）、特に、相互に対向する出力面１９を有する部品を作製する。
【０１７４】
表面発光部品（特に、top-looker）が、キャリア３の半導体本体２とは反対側の面を出力面として備える場合、ミラーコーティング層１４１を省略することが有利である。
分離時に作製されたミラーコーティングされていないキャリア３の側面は、いくつかの例では、top-looker用の反射コーティングを形成でき、場合によっては補助キャリア３１の拡張を伴う。
【０１７５】
また、部品１の全ての側の全領域（場合によりシールドされた側が除外される）に亘って最初にミラーコーティングすることができ、その後、出力面を形成する面からそのミラー層を削除することができる。出力面となる面を清浄するために、出力面として設計されている複合素子３０のそれらの領域に、いくつかの例では、保護層３４を更に形成できる。その後、ミラー層を適用することができ、その後、ミラーコーティングされた保護層３４を、場合によってはコンタクト７、８を覆う保護層３２と共に、除去することができる。このため出力面を露出することができる。ミラーコーティングされた保護層の除去前又は除去後に、複合素子３０を分離することができる。コンタクトの接続面が補助キャリア３１に接する場合（明示的に図示せず）、この保護層３２を省略することができる。補助キャリアに面する側は、ミラー層の堆積から保護される。この方法では、特別な保護層を必要とせずに、ミラーコーティング材が直接コンタクトに到達することを防止できる。このため、短絡のリスクが低減される。
【０１７６】
保護層３４は、液体状態で複合体に適用することができ、適用後に、例えば、熱的に硬化させることができる。この保護層は、例えば、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）を含むことができる。ＰＶＡ保護層は熱硬化させることができる。さらに、溶解性（例えば、水溶性）の保護層を使用することが有利である。この保護層は簡単に洗い流すことができる。ＰＶＡは水溶性である。
【０１７７】
この種の方法は、その中間ステップが概略断面図である図４Ａ及び図４Ｂに示されている。ここで、図４Ａは、ミラーコーティングを除去した後の状態を示しており、図４Ｂは、ミラーコーティングされた保護層を除去した後の状態を示している。この方法では、例えば、図２の部品を製造することができる。
【０１７８】
保護層の形成の代替として、ミラー層をミラーコーティングされた出力面から機械的に除去することができる。これについて模式的に図５に示す。このため、複合素子３０のキャリア層３００、又は、既に単数化された部品１のキャリア３の半導体本体２とは反対側の面を研磨することができる。その結果、キャリア層３００又はキャリア３の半導体本体とは反対側の面のミラーコーティング１４１が除去される。このプロセスでは、特に、キャリア３の一部、又は、キャリア層３００の一部も除去されてもよい。
【０１７９】
部品１のキャリア３を薄くすることができる。
【０１８０】
図６は、オプトエレクトロニクス部品１の他の実施形態を示す断面図である。部品１は、side-lookerとして形成される。この部品１は、図１に示された部品に実質的に対応しており、その接触層を省略することができる。図１に示した接続構造は、上述した利点が得られる点で好適であり、それにも拘わらず、明確性のため、図６には明示的に示されていない。また、上記部品へのコンタクトの代替として、図２との関連で示された部品のように実装することが可能である。
【０１８１】
上述した部品とは異なり、図６に示す部品は、活性領域４の上方で、活性領域４に対して斜めに、好ましくは９０度以外の角度αで斜めに延びる反射面３５を備えている。角度αは、例えば、４５度以下であることが特に好ましい。角度αは、例えば、４５度である。この反射面３５は、ミラーコーティングされること、このため、ミラー層１４でコーティングされることが好ましい。
【０１８２】
反射面３５は、複合素子では、キャリア３やキャリア層３００の適切な構造を介して形成することができる。代替的に、放射線に対して透過性を有し、部分的に反射する出力窓３６を、キャリア３に接合させることができる。これは、破線で示されている。出力窓３６は、接着剤のような機械的に安定な方法、キャリア３に結合されることが好ましい。ここで、出力窓３６、及び／又は、キャリア３と出力窓３６の間の接着層用の材料は、紫外線や青色放射線のような短波放射線の影響下でも安定したままであるものが好ましい。このため、この出力窓は、例えば、ガラスやＢＣＢのような高分子材料を含む。
【０１８３】
出力窓用に高エネルギーの放射線への耐性を有する材料を使用することが、特に、高エネルギーの短波放射線（例えば、青色放射線や紫外線）が生成される窒化物半導体材料からなる半導体本体に対して好適である。
【０１８４】
放射線は、傾斜反射面３５によって出力面１９に目的の方法で導くことができる。くさび形の本体は、特に、傾斜反射面３５に対して有利である。従って、キャリア３は、１つの領域においてくさび形の構造であってもよく、または、くさび形の出力窓３６が用いられてもよい。
【０１８５】
上記出力面１９は、反射面３５に広がっており、反射面３５の全体に広がることが好ましい。反射面及び出力面は、相対的な角度、特に、９０度以外の角度（例えば、４５度）で延びている。更に、出力面は、活性領域に対して垂直であることが好ましい。
【０１８６】
傾斜反射面３５は、上記複合物で製造されることが好ましい。このため、多数の出力窓領域を有する窓複合物は、複合素子に取り付けることができ、または、初期の複合物内に既に設けられてもよい。
【０１８７】
また、出力窓３６を半導体本体２に直接取り付けることも可能である。キャリア３、例えば、成長基板を除去することができる。従って、上記部品の物理的な高さが減少する。
【０１８８】
図７は、オプトエレクトロニクス部品１の他の実施形態を示す断面図である。この部品１は、実質的に、図１との関連で説明された部品に対応する。然し、半導体本体２を機械的に安定化させるキャリアが省略されている。上記部品１の出力面１９は活性領域４上に広がっており、活性領域に対して横方向に延びている。この出力面１９は、活性領域４を横方向に区切る半導体本体２の側面１５に対して横方向に隣接して配置することができる。この出力面は、例えば、絶縁層１０の半導体本体とは反対側の側面によって形成することができる。また、半導体本体の側面１５が直接出力面を形成することが可能である。この場合、絶縁層１０の側面１５側に半導体本体が存在しない点が有利である。
【０１８９】
図７に示された部品、例えば、発光ダイオードは、半導体本体を安定化させる素子、好ましくはエピタキシャル成長されたものを備えていない。特に、キャリア３が設けられていない。
【０１９０】
このキャリア無し部品は、特に高さが低い点に特徴を有する。この部品は、半導体本体２と、コンタクト７、８と、これらに適用された層、特に、堆積されて自立していない層とで構成される。
【０１９１】
上記ミラー層１４は、特に、半導体本体２のコンタクト接続面とは反対側の表面２４に直接適用されている。
【０１９２】
上記部品は、出力面１９及びその接続側を除いて、ミラー層１４で覆われている。半導体本体２への放射線の反射は、接続面７０、８０側のコンタクト７の反射層７２を介して達成することができる。従って、特に高い放射発散度の出力が、出力面１９側で達成される。
【０１９３】
この出力面以外、上記部品の全ての表面には、反射要素（ミラーコーティング１４又は反射層７２）が形成されている。
【０１９４】
この種のキャリア無し部品は、側方発光部品として実装されるだけでなく、ミラーコーティングが適切に設計された表面発光部品としても当然実装できる。この場合、コンタクト７、８の接続面７０、８０とは反対側の半導体本体の表面、特に、表面２４は、部分的に又は完全に、ミラーコーティングが存在しないままである。この場合、図７に示すミラーコーティングされていない半導体本体の側面１５に、ミラー層を備えることが好ましい（明示的に図示せず）。表面発光部品用として、半導体本体の表面２４は、例えば、図１Ｄに示される表面構造２１を有することが好ましい。
【０１９５】
キャリア３又はキャリア層３００が、この種のキャリア無し部品１、特に、成長基板無しのものを製造する間の一時的な中間支持として設けられることが好ましい。然し、キャリア３又はキャリア層３００は、製造過程で除去される。キャリア３又はキャリア層３００は完全に除去されることが好ましい。
【０１９６】
特に、上述したように、複合素子３０用のこの種のキャリア無し部品、又は、コンタクトの接続面７０、８０が補助キャリア３１に面するように補助キャリア３１上に配置された複合素子から既に単数化された部品の製造に特に適している。この後、キャリア層３００、又は、既に単数化されたキャリア３を、例えば、レーザ支援プロセス（laser-supported process）によって、半導体本体３から除去することができる。除去後、ミラーコーティングを、遮蔽された側を除いた全ての面に形成することができる。ここで、製造される装置の出力面、且つ、ミラーコーティング後にそのミラーコーティングと共に除去される好適な保護層と、その保護層上に形成されるミラー層とを用いて出力面を形成することにより、直後にミラーコーティングされない出力面に対して好適である。
【０１９７】
上述又は後述する他の部品は、キャリア無し部品としても実装することができる。
【０１９８】
図８は、オプトエレクトロニクス部品１の他の実施形態を示す断面図である。この部品は、実質的に、図６との関連で説明された部品に対応する。特に、部品は、活性領域に対してある角度で延びる反射面３５を備えている。これは、特別な出力窓３６又はキャリア３内に設けることができる。図６に示された部品とは異なり、キャリア３又は出力窓３６の半導体本体２とは反対側は、部分領域３７において平坦化されている。この領域３７は、ミラーコーティングされることが有利である。この部分領域３７は、活性領域と平行に延びることが好ましい。
【０１９９】
この反射面３５は、半導体本体に向かって、平坦化された部分領域３７から、活性領域に対してある角度で延びている。反射面３５は、コンタクト７、８の接続面７０、８０とは反対側の半導体本体２の表面２４に対してある角度に向けられることが好ましい。特に、反射面３５は活性領域４の一部だけに亘って延びている。
【０２００】
図６の部品と比較して、所定の角度αに対して、上記部品の物理的な高さ（還元すれば、上記部品の接続面から上記部品の接続面とは反対側の表面までの寸法）が低減される。
【０２０１】
活性領域の一部のみを覆う反射面３５を備える場合でも、放射線を出力面１９に向けて効率的に導くことができる。
【０２０２】
図９は、オプトエレクトロニクス部品１の他の実施形態を示す断面図である。この部品は、図６及び図８との関連で説明された部品と大部分が対応する。図８に示す部品のように、反射面３５は、活性領域を部分的に覆っている。図８とは異なり、半導体本体の出力窓３６側の表面２４の部分領域には、出力窓が設けられていない。この自由表面２４は、ミラー層１４がコーティングされることが好ましい。このミラー層１４は、半導体本体の表面に、又は、半導体本体上に適用されている絶縁材料の表面に直接適用されることが好ましい。この反射面３５は、ミラー層１４でコーティングされている。図８の平坦領域３７の場合と同様に、くさび形又は円錐形の形状を有し、かつ、活性領域の一部のみを覆う横方向に狭い出力窓３６は、所定角度α（例えば、４５度）の部品の物理的な高さの低減を実現できる。
【０２０３】
出力窓、及び／又は、出力面は、半導体本体の横断方向（例えば、半導体本体の幅）に沿って、及び／又は、半導体本体の縦方向（例えば、半導体本体の長さ）に沿って、狭くすることができる。ポイントラジエータは、例えば、この種の小さな寸法で形成することができる。
【０２０４】
出力窓３６は、キャリア３又はキャリア層３００が形成されていない半導体本体に対する別の窓として、又は、キャリア部分３８（即ち、キャリア３から作られた部分）として、適用することができる。出力窓３６は、複合物において形成されることが好適である。
【０２０５】
半導体本体の出力窓側の表面にミラーコーティングを施すことで、小さな出力窓にも拘わらず、放射線を出力面に誘導することができ、高い放射発散度を達成することができる。
【０２０６】
この特許出願は、２００７年４月２６日付けドイツ特許出願１０  ２００７  ０１９７  ７６．６の優先権を主張し、その全体の開示内容は、本特許出願において言及することで明確に包含される。
【０２０７】
本発明は、実施形態の記載に制限されない。むしろ、本発明は、それぞれの新しい特徴だけでなく、特許請求の範囲や実施形態に記載されていないとしても、特徴の任意の組み合わせを含み、特に、特許請求の範囲における特徴の全ての組み合わせを含む。
【図１Ａ】
0005727784.tif 000002
【図１Ｂ】
0005727784.tif 000003
【図１Ｃ】
0005727784.tif 000004
【図１Ｄ】
0005727784.tif 000005
【図１Ｅ】
0005727784.tif 000006
【図２Ａ】
0005727784.tif 000007
【図２Ｂ】
0005727784.tif 000008
【図３Ａ】
0005727784.tif 000009
【図３Ｂ】
0005727784.tif 000010
【図３Ｃ】
0005727784.tif 000011
【図３Ｄ】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図５】
0005727784.tif 000015
【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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