(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のリードを有するリードフレームの製造方法において、
前記リードを断面矩形に成形し、該リードの下側両角部を押圧する面取り加工を行なった後、前記リードの上側両角部に押し潰し加工を行って、前記リードの下部両側に下突出部を、該リードの上部両側に上突出部をそれぞれ形成することを特徴とするリードフレームの製造方法。
【請求項２】
複数のリードを有するリードフレームの製造方法において、
前記リードを断面矩形に成形し、該リードの下側両角部に押し潰し加工を行った後、前記リードの上側両角部を押圧する面取り加工を行って、前記リードの下部両側に下突出部を、該リードの上部両側に上突出部をそれぞれ形成することを特徴とするリードフレームの製造方法。
【請求項３】
複数のリードを有するリードフレームの製造方法において、
前記リードを断面矩形に成形し、該リードの下側両角部に押し潰し加工を行った後、前記リードの上側両角部に押し潰し加工を行って、前記リードの下部両側に下突出部を、該リードの上部両側に上突出部をそれぞれ形成することを特徴とするリードフレームの製造方法。
【請求項４】
複数のリードを有するリードフレームの製造方法において、
前記リードを断面矩形に成形し、該リードの下側両角部を押圧する面取り加工を行なった後、前記リードの上側両角部を押圧する面取り加工を行って、前記リードの下部両側に下突出部を、該リードの上部両側に上突出部をそれそれ形成することを特徴とするリードフレームの製造方法。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載のリードフレームの製造方法において、前記上突出部の突出長さは前記下突出部の突出長さより大きいことを特徴とするリードフレームの製造方法。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項に記載のリードフレームの製造方法によって製造されたことを特徴とするリードフレーム。
【請求項７】
請求項６記載のリードフレームの底面が封止樹脂の底面から露出し、前記上突出部及び前記下突出部が前記封止樹脂内に埋設されていることを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ノンリード型の半導体装置に使用するリードフレームの製造方法、この製造方法によって製造されたリードフレーム及びこのリードフレームを使用した半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＱＦＮ（Quad Flat Non-Leaded Package）のように、パッケージの実装面側（樹脂封止体の下面側）にリードの下面（外部電極端子）を露出させるノンリード型の半導体装置では、図７に示すように、リードのインナーリード下面の一部、例えば先端部をハーフエッチングし、樹脂で封止する際に樹脂の一部をインナーリード下面の先端部に回り込ませることによりモールドロック部を形成して、リードが樹脂封止体（パッケージ）から脱落しないようにしている（例えば、特許文献１参照）。しかし、リードフレームの製造にハーフエッチングを行う工程を加えると、リードフレームの生産性が低下すると共に、リードフレームの製造コストが高くなるという問題が生じる。
【０００３】
そこで、リードフレームを安価に、生産性よく製造する方法として、図８（Ａ）に示すように、リードの実装面側となる隅部に、スタンピング（打ち抜き）によりテーパを設けて樹脂封止体の実装面側に露出するリードの幅を細くして、リードが樹脂封止体から脱落することを防止している（例えば、特許文献２参照）。また、図８（Ｂ）に示すように、スタンピングにより樹脂封止体の実装面側に下面が露出するリードの断面形状を逆台形状にして、樹脂封止体の中に位置するリードの幅を樹脂封止体の実装面側に露出するリードの幅より広くすることで、リードが樹脂封止体から脱落することを防止している（例えば、特許文献３参照）。更に、図９（Ａ）、（Ｂ）に示すように、四角形断面に成形したリードの上面に部分的な潰しプレス加工を行って、リードの上部両側に張り出した突部をそれぞれ設け、樹脂封止体を形成した際に突部を樹脂内に食い込ませることで、リードの樹脂封止体からの抜けを防止することが行なわれている（例えば、特許文献４参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００４−２２７２５号公報
【特許文献２】特開２００１−１５６６８号公報
【特許文献３】ＷＯ２００２／０６１８３５号公報
【特許文献４】特開２００６−７３５７０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献２〜４に記載の方法により、リードの樹脂封止体からの脱落を確実に防止するには、例えば、スタンピングでリードの板厚の半分もの量を潰し加工する必要があるが、リードにこのような潰し加工を行うと、加工時にリードに伸びや捩れが生じたり、加工に伴う内部応力の停滞（残留応力の発生）によりリードフレームが変形するという問題が生じる。つまり、リードの潰し加工においては、リードの変形が生じない範囲で且つ樹脂封止体からの脱落を確実に防止するモールドロック機能をリードに設けるまでには到っていない。このため、リードの変形が生じない範囲内でリードの潰し加工を行っても、リードに有効なモールドロック機能を与えることが可能なリード形状を確立することが望まれている。
【０００６】
本発明はかかる事情に鑑みてなされたもので、モールドロック機能を有するリードを備えたリードフレームの製造方法、この製造方法によって製造されたリードフレーム及びこのリードフレームを使用した半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
前記目的に沿う第１の発明に係るリードフレームの製造方法は、複数のリードを有するリードフレームの製造方法において、
前記リードを断面矩形に成形し、該リードの下側両角部を押圧する面取り加工を行なった後、前記リードの上側両角部に押し潰し加工を行って、前記リードの下部両側に下突出部を、該リードの上部両側に上突出部をそれぞれ形成する。
ここで、面取り加工とは、プレスで端部の角に傾斜した面を形成することをいい、押し潰し加工とは、単にプレスで端部を押圧することをいう。
【０００８】
前記目的に沿う第２の発明に係るリードフレームの製造方法は、複数のリードを有するリードフレームの製造方法において、
前記リードを断面矩形に成形し、該リードの下側両角部に押し潰し加工を行った後、前記リードの上側両角部を押圧する面取り加工を行って、前記リードの下部両側に下突出部を、該リードの上部両側に上突出部をそれぞれ形成する。
【０００９】
前記目的に沿う第３の発明に係るリードフレームの製造方法は、複数のリードを有するリードフレームの製造方法において、
前記リードを断面矩形に成形し、該リードの下側両角部に押し潰し加工を行った後、前記リードの上側両角部に押し潰し加工を行って、前記リードの下部両側に下突出部を、該リードの上部両側に上突出部をそれぞれ形成する。
【００１０】
前記目的に沿う第４の発明に係るリードフレームの製造方法は、複数のリードを有するリードフレームの製造方法において、
前記リードを断面矩形に成形し、該リードの下側両角部を押圧する面取り加工を行なった後、前記リードの上側両角部を押圧する面取り加工を行って、前記リードの下部両側に下突出部を、該リードの上部両側に上突出部をそれぞれ形成する。
【００１１】
第１〜第４の発明に係るリードフレームの製造方法において、前記上突出部の突出長さは前記下突出部の突出長さより大きいことが好ましい。
ここで、上突出部の突出長さはリードの中心から上突出部の先端までの距離であり、下突出部の突出長さはリードの中心から下突出部の先端までの距離である。
【００１２】
前記目的に沿う第５の発明に係るリードフレームは、第１〜第４の発明に係るリードフレームの製造方法によって製造されている。
【００１３】
前記目的に沿う第６の発明に係る半導体装置は、第５の発明に係るリードフレームの底面が封止樹脂の底面から露出し、前記上突出部及び前記下突出部が前記封止樹脂内に埋設されている。
【発明の効果】
【００１４】
第１〜第４の発明に係るリードフレームの製造方法においては、リードの下部両側にそれぞれ下突出部が、リードの上部両側にそれぞれ上突出部が形成されているので、リードの上下方向中間に凹部が形成されることになって、樹脂封止体を形成した場合、リードの上下方向中間の凹部に樹脂が流入して固化すると、樹脂内に上、下突出部が食い込むことになって、リードにモールドロック機能を設けることができる。その結果、リードが樹脂封止体から抜けることを防止できる。
また、モールドロック機能はリードにスタンピングにより形成するので、リードフレームの生産性の低下を防止すると共に、製造コストを安価にすることができる。
【００１５】
第１〜第４の発明に係るリードフレームの製造方法において、上突出部の突出長さが下突出部の突出長さより大きい場合、１回目の加工（下側両角部の加工）による加工量を小さくすることで、加工時のリードに生じる伸びや捩れ、加工に伴う残留応力の発生を抑制しながら、２回目の加工（上側両角部の加工）を実施できる。これにより、リードの変形を防止しながらリードにモールドロック機能を確実に設けることができる。
【００１６】
第５の発明に係るリードフレームにおいては、リードがモールドロック機能を有するので、リードフレームに半導体素子を搭載し樹脂で封止した際に、リードの樹脂封止体からの脱落が防止できる。
【００１７】
第６の発明に係る半導体装置においては、リードが樹脂封止体から脱落しないので、半導体装置の品質安定性を向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係るリードフレームの製造方法の説明図である。
【図２】同リードフレームの製造方法で製造されたリードの正断面図である。
【図３】本発明の第２の実施の形態に係るリードフレームの製造方法の説明図である。
【図４】同リードフレームの製造方法で製造されたリードの正断面図である。
【図５】本発明の第３の実施の形態に係るリードフレームの製造方法の説明図である。
【図６】同リードフレームの製造方法で製造されたリードの正断面図である。
【図７】第１の従来例に係るリードの説明図である。
【図８】（Ａ）、（Ｂ）は第２の従来例に係るリードの説明図である。
【図９】（Ａ）、（Ｂ）は第３の従来例に係るリードの説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
続いて、添付した図面を参照しつつ、本発明を具体化した実施の形態につき説明し、本発明の理解に供する。
本発明の第１の実施の形態に係るリードフレームの製造方法は、複数のリードを有するリードフレームの製造方法において、図１に示すように、リード１０を断面矩形に成形し、成形したリード１０の下側両角部を押圧する面取り加工を行って下側両角部に面取りが行われたリード１０aを形成し、形成したリード１０aの上側両角部に押し潰し加工を行って、リード１０aを上側両角部が徐々に膨出するリード１０ｂに変えながら、最終的に図２に示すように、下部両側に下突出部１１、１１ａが、上部両側に上突出部１２、１２ａがそれぞれ形成されたリード１０ｃを製造する方法である。以下、詳細に説明する。
【００２０】
リードフレーム（図示せず）を、例えば、銅又は銅合金からなる図示しない帯状材から打抜き加工して製造する際に、断面矩形に成形したリード１０の下方に、リード１０の下側両角部に面取り加工を施す面取り加工用のダイ１５を配置すると共に、ダイ１５と対となってストリッパ１３、１４でガイドされたパンチ１６をリード１０の上方に配置して、リード１０を上下両方向から押圧する。これによって、リード１０の下側両角部に面取り加工が施されると共に、リード１０の下部両側に膨出部１７、１７ａが形成されたリード１０aが作製される。
【００２１】
次いで、リード１０aの下面に当接してリード１０aを支持するダイ２１を配置すると共に、リード１０aの上方にダイ２１と対となってストリッパ１８、１９、２０でガイドされながらリード１０aの上側両角部に押し潰し加工を施す第１、第２のパンチ２２、２３を配置して、リード１０aを上下両方向から押圧する。これによって、リード１０aの上部両側が徐々に膨出すると共に、リード１０aの下部両側に形成されている膨出部１７、１７ａが徐々に変形するリード１０ｂを経由して、上部両側に上突出部１２、１２ａが、下部両側に下突出部１１、１１ａがそれぞれ形成されたリード１０ｃが得られる。
【００２２】
ここで、リード１０ｃの上部両側に形成される上突出部１２、１２ａの突出長さが、リード１０ｃの下部両側に形成される膨出部１７、１７ａの突出長さより大きくなるように加工する。これによって、図２に示すように、リード１０ｃの中心から上突出部１２、１２ａの先端までの突出長さが、リード１０ｃの中心から下突出部１１、１１ａの先端までの突出長さより大きくなって、上突出部１２、１２ａの先端と下突出部１１、１１ａの先端との間にΔ１の差が生じる。なお、Δ１の値は、０を超え１００μｍ以下の範囲（好ましくは５〜９０μｍ）である。上突出部１２、１２ａの突出長さを下突出部１１、１１ａの突出長さより大きくすることで、リード１０に加えられる総加工量を少なくすることができると共に、１回目の加工（リード１０から、下部両側に膨出部１７、１７ａが形成されたリード１０aを形成する加工）による加工量を小さくすることで、加工時のリード１０aに生じる伸びや捩れ、加工に伴う残留応力の発生を抑制しながら、２回目の加工（リード１０aから、上部両側に上突出部１２、１２ａ、下部両側に下突出部１１、１１aが形成されたリード１０ｃを形成する加工）を実施できる。
【００２３】
本発明の第１の実施の形態に係るリードフレームの製造方法によって製造されたリードフレームでは、図２に示すように、リード１０ｃを正面視した際、リード１０ｃの下部両側に下突出部１１、１１ａが、リード１０ｃの上部両側に上突出部１２、１２ａがそれぞれ形成され、リード１０ｃの上下方向中間に凹部２４、２４ａが形成されている。このため、リードフレームの素子搭載部に半導体素子を取付け複数のリード１０ｃとの間に配線を施し樹脂で封止して、樹脂封止体を備え、リードフレームの底面が封止樹脂（樹脂封止体）の底面から露出し、上突出部１２、１２ａ及び下突出部１１、１１ａが封止樹脂内に埋設された半導体装置を製造すると、樹脂封止体では樹脂がリード１０ｃの上下方向中間に形成された凹部２４、２４ａ内に流入して固化しているので、上、下突出部１２、１２ａ、１１、１１ａが樹脂内に食い込んだ状態となって、リード１０ｃはモールドロック機能を有することになり、更にΔ１を設定することにより、モールドロック機能をより増大させることができる。その結果、リード１０ｃが樹脂封止体から抜けることが防止され、半導体装置の品質安定性が向上する。
【００２４】
本発明の第２の実施の形態に係るリードフレームの製造方法は、複数のリードを有するリードフレームの製造方法において、図３に示すように、リード２５を断面矩形に成形し、成形したリード２５の下側両角部に押し潰し加工を行って下部両側に膨出部３２、３２ａが形成されたリード２５aを作製し、作製されたリード２５aの上側両角部に押し潰し加工を行って、リード２５aを上側両角部が徐々に膨出するリード２５ｂに変えながら、最終的に図４に示すように、下部両側に下突出部２６、２６ａが、上部両側に上突出部２７、２７ａがそれぞれ形成されたリード２５ｃを製造する方法である。以下、詳細に説明する。
【００２５】
リードフレーム（図示せず）を、例えば、銅又は銅合金からなる図示しない帯状材から打抜き加工して製造する際に、断面矩形に成形したリード２５の上面両側をストリッパ２８、２９で固定しながら、リード２５の下方にリード２５の下側両角部を押し潰し加工するダイ３０を配置すると共に、ダイ３０と対となってストリッパ２８、２９でガイドされたパンチ３１をリード２５の上方に配置して、リード２５を上下両方向から押圧する。これによって、リード２５の下側両角部が押し潰されると共に、リード２５の下部両側に膨出部３２、３２ａが形成されたリード２５aが形成される。
【００２６】
次いで、リード２５aの下面に当接してリード２５aを支持するダイ３６を配置すると共に、リード２５aの上方にダイ３６と対となってストリッパ３３、３４、３５でガイドされながらリード２５aの上側両角部に押し潰し加工を施す第１、第２のパンチ３７、３８を配置してリード２５aを上下両方向から押圧する。これによって、リード２５aの上側両角部が徐々に膨出すると共に、リード２５aの下部両側に形成されている膨出部３２、３２ａが徐々に変形するリード２５ｂを経由して、上部両側に上突出部２７、２７ａが、下部両側に下突出部２６、２６ａがそれぞれ形成されたリード２５ｃが得られる。
【００２７】
ここで、リード２５ｃの上部両側に形成される上突出部２７、２７ａの突出長さが、リード２５の下部両側に形成される膨出部３２、３２ａの突出長さより大きくなるように加工する。これによって、図４に示すように、リード２５ｃの中心から上突出部２７、２７ａの先端までの突出長さが、リード２５ｃの中心から下突出部２６、２６ａの先端までの突出長さより大きくなって、上突出部２７、２７ａの先端と下突出部２６、２６ａの先端との間にΔ２の差が生じる。なお、Δ２の値は、０を超え５０μｍ以下の範囲（好ましくは１〜４５μｍ）である。上突出部２７、２７ａの突出長さを下突出部２６、２６ａの突出長さより大きくすることで、リード２５に加えられる総加工量を少なくすることができると共に、１回目の加工（リード２５から、下部両側に膨出部３２、３２ａが形成されたリード２５aを形成する加工）による加工量を小さくすることで、加工時のリード２５aに生じる伸びや捩れ、加工に伴う残留応力の発生を抑制しながら、２回目の加工（リード２５aから、上部両側に上突出部２７、２７ａ、下部両側に下突出部２６、２６aが形成されたリード２５ｃを形成する加工）を実施できる。
【００２８】
本発明の第２の実施の形態に係るリードフレームの製造方法によって製造されたリードフレームでは、図４に示すように、リード２５ｃを正面視した際、リード２５ｃの下部両側に下突出部２６、２６ａが、リード２５ｃの上部両側に上突出部２７、２７ａがそれぞれ形成され、リード２５ｃの上下方向中間に凹部３９、３９ａが形成されている。
このため、リードフレームの素子搭載部に半導体素子を取付け複数のリード２５ｃとの間に配線を施し、樹脂で封止して、樹脂封止体を備え、リードフレームの底面が封止樹脂（樹脂封止体）の底面から露出し、上突出部２７、２７ａ及び下突出部２６、２６ａが封止樹脂内に埋設された半導体装置を製造すると、樹脂封止体では樹脂がリード２５ｃの上下方向中間に形成された凹部３９、３９ａ内に流入して固化しているので、上、下突出部２７、２７ａ、２６、２６ａが樹脂内に食い込んだ状態となって、リード２５ｃはモールドロック機能を有することになり、更にΔ２を設定することにより、モールドロック機能をより増大させることができる。その結果、リード２５ｃが樹脂封止体から抜けることが防止され、半導体装置の品質安定性が向上する。
【００２９】
本発明の第３の実施の形態に係るリードフレームの製造方法は、複数のリードを有するリードフレームの製造方法において、図５に示すように、リード４０を断面矩形に成形し、成形したリード４０の下側両角部を押圧する面取り加工を行って下側両角部に面取りが行われたリード４０aを形成し、形成したリード４０aの上側両角部を押圧する面取り加工を行って、リード４０aを上部両側が徐々に膨出するリード４０ｂに変えながら、最終的に図６に示すように、下部両側に下突出部４１、４１ａが、上部両側に上突出部４２、４２ａがそれぞれ形成されたリード４０ｃを製造する方法である。以下、詳細に説明する。
【００３０】
リードフレーム（図示せず）を、例えば、銅又は銅合金からなる図示しない帯状材から打抜き加工して製造する際に、断面矩形に成形したリード４０の下方に、リード４０の下側両角部に面取り加工を施す面取り加工用のダイ４５を配置すると共に、ダイ４５と対となってストリッパ４３、４４でガイドされたパンチ４６をリード４０の上方に配置して、リード４０を上下両方向から押圧する。これによって、リード４０の下側両角部に面取り加工が施されると共に、リード４０の下部両側に膨出部４７、４７ａが形成されたリード４０aが作製される。
【００３１】
次いで、リード４０aの下面に当接してリード４０aを支持するダイ５０を配置すると共に、リード４０aの上方にダイ５０と対となってストリッパ４８、４９でガイドされながらリード４０aの上側両角部に面取り加工を施すパンチ５１を配置して、リード４０aを上下両方向から押圧する。これによって、リード４０aの上部両側が徐々に膨出すると共に、リード４０aの下部両側に形成されている膨出部１７、１７ａが徐々に変形するリード４０ｂを経由して、上部両側に上突出部４２、４２ａが、下部両側に下突出部４１、４１ａがそれぞれ形成されたリード４０ｃが得られる。
【００３２】
ここで、リード４０ｃの上部両側に形成される上突出部４２、４２ａの突出長さが、リード４０ｃの下部両側に形成される膨出部４７、４７ａの突出長さより大きくなるように加工する。これによって、図６に示すように、リード４０ｃの中心から上突出部４２、４２ａの先端までの突出長さが、リード４０ｃの中心から下突出部４１、４１ａの先端までの突出長さより大きくなって、上突出部４２、４２ａの先端と下突出部４１、４１ａの先端との間にΔ３の差が生じる。なお、Δ３の値は、０を超え５０μｍ以下の範囲（好ましくは１〜４５μｍ）である。上突出部４２、４２ａの突出長さを下突出部４１、４１ａの突出長さより大きくすることで、リード４０に加えられる総加工量を少なくすることができると共に、１回目の加工（リード４０から、下部両側に膨出部４１、４１ａが形成されたリード４０aを形成する加工）による加工量を小さくすることで、加工時のリード４０aに生じる伸びや捩れ、加工に伴う残留応力の発生を抑制しながら、２回目の加工（リード４０aから、上部両側に上突出部４２、４２ａ、下部両側に下突出部４１、４１aが形成されたリード４０ｃを形成する加工）を実施できる。
【００３３】
本発明の第３の実施の形態に係るリードフレームの製造方法によって製造されたリードフレームでは、図６に示すように、リード４０ｃを正面視した際、リード４０ｃの下部両側に下突出部４１、４１ａが、リード４０ｃの上部両側に上突出部４２、４２ａがそれぞれ形成され、リード４０ｃの上下方向中間に凹部５２、５２ａが形成されている。
このため、リードフレームの素子搭載部に半導体素子を取付け複数のリード４０ｃとの間に配線を施し、樹脂で封止して、樹脂封止体を備え、リードフレームの底面が封止樹脂（樹脂封止体）の底面から露出し、上突出部４２、４２ａ及び下突出部４１、４１ａが封止樹脂内に埋設された半導体装置を製造すると、樹脂封止体では樹脂がリード４０ｃの上下方向中間に形成された凹部５２、５２a内に流入して固化しているので、上、下突出部４２、４２ａ、４１、４１ａが樹脂内に食い込んだ状態となって、リード４０ｃはモールドロック機能を有することになる。その結果、リード４０ｃが樹脂封止体から抜けることが防止され、半導体装置の品質安定性が向上する。
【００３４】
本発明の第４の実施の形態に係るリードフレームの製造方法は、複数のリードを有するリードフレームの製造方法において、リードを断面矩形に成形し、リードの下側両角部に押し潰し加工を行って下部両側に膨出部が形成されたリードを作製し、下部両側に膨出部が形成されたリードの上側両角部を押圧する面取り加工を行ないながら上部両側が徐々に膨出するリードを経由して、最終的に下部両側に下突出部が、上部両側に上突出部がそれぞれ形成されたリードを製造する方法である。
【００３５】
ここで、下側両角部を押し潰し加工して下部両側に膨出部が形成されたリードを作製するには、第２の実施の形態に係るリードフレームの製造方法で用いたダイ３０及びストリッパ２８、２９でガイドされたパンチ３１を使用することができる。また、下部両側に膨出部が形成されたリードから下部両側に下突出部が、上部両側に上突出部がそれぞれ形成されたリードを作製するには、第３の実施の形態に係るリードフレームの製造方法で用いたダイ５０及びストリッパ４８、４９でガイドされたパンチ５１を使用することができる。このため、第４の実施の形態に係るリードフレームの製造方法についての詳細な説明は省略する。
なお、リードの上部両側に形成される上突出部の突出長さは、押し潰し加工で断面矩形のリードの下部両側に形成する膨出部の突出長さより大きくなるように加工して、リードの上突出部の先端と下突出部の先端との間の差は、第１の実施の形態に係るリードフレームの製造方法で製造したリードの上突出部１２、１２ａの先端と下突出部１１、１１ａのとの間の差Δ１と同程度にする。
【００３６】
また、第４の実施の形態に係るリードフレームの製造方法で製造されたリードフレームのリードの形状は、第２の実施の形態に係るリードフレームの製造方法で製造されたリードフレームのリード２５ｃの下部と、第３の実施の形態に係るリードフレームの製造方法で製造されたリードフレームのリード４０ｃの上部とを組合わせた形状となって、上部両側に形成される上突出部の突出長さが下部両側に形成される下突出部の突出長さより大きくなっている。このため、第４の実施の形態に係るリードフレームの製造方法で製造されたリードフレームの作用は、第１〜第３の実施の形態に係るリードフレームの製造方法で製造されたリードフレームの作用と同一とみなせ、第４の実施の形態に係るリードフレームの製造方法で製造されたリードフレームを用いた半導体装置の作用は、第１〜第３の実施の形態に係るリードフレームの製造方法で製造されたリードフレームを用いた半導体装置の作用と同一と見なせるので、詳細な説明は省略する。
【００３７】
以上、本発明を、実施の形態を参照して説明してきたが、本発明は何ら上記した実施の形態に記載した構成に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載されている事項の範囲内で考えられるその他の実施の形態や変形例も含むものである。
更に、本実施の形態とその他の実施の形態や変形例にそれぞれ含まれる構成要素を組合わせたものも、本発明に含まれる。
【符号の説明】
【００３８】
１０、１０a、１０ｂ、１０ｃ：リード、１１、１１ａ：下突出部、１２、１２ａ：上突出部、１３、１４：ストリッパ、１５：ダイ、１６：パンチ、１７、１７ａ：膨出部、１８、１９、２０：ストリッパ、２１：ダイ、２２：第１のパンチ、２３：第２のパンチ、２４、２４ａ：凹部、２５、２５a、２５ｂ、２５ｃ：リード、２６、２６ａ：下突出部、２７、２７ａ：上突出部、２８、２９：ストリッパ、３０：ダイ、３１：パンチ、３２、３２ａ：膨出部、３３、３４、３５：ストリッパ、３６：ダイ、３７：第１のパンチ、３８：第２のパンチ、３９、３９ａ：凹部、４０、４０a、４０ｂ、４０ｃ：リード、４１、４１ａ：下突出部、４２、４２ａ：上突出部、４３、４４：ストリッパ、４５：ダイ、４６：パンチ、４７、４７ａ：膨出部、４８、４９：ストリッパ、５０：ダイ、５１：パンチ、５２、５２ａ：凹部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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