(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ｉ）（a）シリカ、ここでシリカは研磨組成物の２４wt%以上の量で存在する、（ｂ）水性媒体および（ｃ）アニオン界面活性剤、ここでアニオン界面活性剤はその臨界ミセル濃度を超える量で存在する、を含む研磨組成物を用意すること、（ｉｉ）その研磨組成物を水で希釈すること、（ｉｉｉ）基板を用意すること、ここで基板は第１の部分と第２の部分を含み、そしてその第２の部分はタンタルを含む、ならびに（ｉｖ）基板を希釈された研磨組成物と接触させて、基板の少なくとも第１の部分を研磨し、それにより基板を研磨すること、からなる基板の研磨方法であり、
研磨組成物は、タンタルの等電点よりも低いｐＨを有し、そして研磨組成物は、アニオン界面活性剤を用いて、その溶解限度を超えて溶解された疎水性界面活性化合物をさらに含む。
【請求項２】
研磨材が、その研磨組成物を希釈する前に、研磨組成物の１８wt%〜３０wt%の量で存在する請求項１に記載の方法。
【請求項３】
その研磨組成物を希釈する前に、研磨材が研磨組成物においてコロイド状で安定である請求項１に記載の方法。
【請求項４】
界面活性剤がスルホネート基を含む請求項１に記載の方法。
【請求項５】
研磨組成物が錯化剤を含まない請求項１に記載の方法。
【請求項６】
疎水性界面活性化合物が、アゾール化合物および式Ｈ２Ｎ−ＣＲ１Ｒ２ＣＯＯＨを満たすアミノ酸からなる群より選ばれ、ここでＲ１およびＲ２は水素、Ｃ１−Ｃ３０アルキルまたはＣ６−Ｃ３０アリール基であり、アリール基は任意に一つ以上のヘテロ原子Ｎ、Ｓ、Ｏまたはその組み合わせを含んでいてもよく、Ｒ１およびＲ２は合計で1つより少ない炭素を含まず、Ｒ１およびＲ２は荷電された基を含まない、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
疎水性界面活性化合物が、オクタノールおよびアゾール化合物および０より大きい対数ＫＯＷを有する化合物からなる群より選ばれる請求項１に記載の方法。
【請求項８】
基板の第１の部分が銅を含む請求項１に記載の方法。
【請求項９】
界面活性剤が基板の第２の部分と相互作用し、基板の第２の部分の除去を妨げる請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
研磨組成物を希釈することが、界面活性剤の量が臨界ミセル濃度を超える量にとどまるように制限される請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
界面活性剤が基板の第２の部分のゼータ電位の荷電と反対の荷電を有する請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
研磨組成物がさらに酸化性物質を含み、酸化性物質の濃度の減少は基板の第１の部分の除去速度を低下させる請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
研磨組成物がさらに酸化性物質を含み、酸化性物質の濃度の減少は基板の第２の部分の除去速度を低下させる請求項１に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、界面活性剤を含有する、希釈可能なCMP組成物に関する。
【背景技術】
【０００２】
化学機械研磨（「CMP」）は、研磨のために物理的および化学的メカニズムを用いて半導体ウエハを平坦化するために使用されるプロセスである。一般に、CMPプロセスは、調節された下向きの圧力下に回転する、湿った研磨パッドに向かって、ウエハのような半導体基板を保持することを含む。回転する研磨へッドまたはウエハキャリアは研磨パッドに向かって、その場にウエハを保持するのに用いられるのがつうじょうである。ついで、パッドとウエハの両方は、逆方向に回転されるが、一方CMP研磨組成物は界面活性化合物と研磨材料を含有し、パッドとウエハの間を通過する。ウエハは化学的に修飾され、そして研磨パッドに作用される研磨力により研磨される。ついで、研磨された材料は、研磨組成物の流動とパッドの回転によりウエハ表面から除去される。
【０００３】
Liらの米国特許出願公開2004/0092102 A1は、CMPのための研磨組成物を開示し、そこでは組成物は、なかんずくミセル形成促進剤、たとえば界面活性剤(surfactant)と化学的に反応して研磨特性を増強する活性剤（active agent）を含有する。Liらによれば、ミセルは、組成物中に形成され得、活性剤を可溶化して基板から分離させる。活性剤は、研磨中に、基板に向かって働く力、すなわち研磨パッドの研磨作用により基板に与えられる力に、応じてミセルから遊離される。
【０００４】
Hosaliらの米国特許5,738,800は二酸化ケイ素と窒化ケイ素からなり、基板を化学機械研磨するための研磨組成物を開示する。Hosaliらによる研磨組成物は、水性媒体、研磨粒子、界面活性剤および錯化剤を含む。Hosaliらによる研磨組成物において、錯化剤とともに用いられる界面活性剤は、界面活性剤の通常の機能（すなわち、粒子分散の安定化）を成し遂げないが、複合（composite）表面からの窒化ケイ素の除去速度に作用すると発明者により考えられている。
【０００５】
Edelbachらの米国特許6,616,514は、窒化ケイ素に優先して基板表面から二酸化ケイ素を選択的に除去するためのCMP用研磨組成物を開示する。Edelbach らによる研磨組成物は、研磨材、水性媒体および有機ポリオールを含み、そこでは有機ポリオールはCMP中に、窒化ケイ素の除去速度を抑える機能を果たす。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】WO 2006/084113
【特許文献２】EP 1865283
【特許文献３】米国特許6,876,123
【特許文献４】米国特許3,579,459および6,753,648
【特許文献５】米国特許6,753,648
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
前述の研磨組成物および方法にもかかわらず、他の研磨組成物およびそれを用いる方法、特にもっと経済的および/または効率的な研磨組成物および方法、についての要求は残っており、そこでは研磨組成物は濃縮された形態のような望ましい性質を示し、特定の基板表面上の研磨を抑えることのできる、安定な試薬、ならびに重要な疎水性成分を含み、そして研磨組成物は幅広い種々の基板表面に適用し得る、２つの機能的な研磨が可能である。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、（a）研磨材、ここで研磨材は研磨組成物の１８wt%以上の量で存在する、（ｂ）水性媒体、（ｃ）界面活性剤、ここで界面活性剤はその臨界ミセル濃度を超える量で存在する、ならびに（ｄ）疎水性界面活性化合物、を含む研磨組成物を提供する。さらに本発明は、研磨組成物を用いる方法を提供し、その方法は、（ｉ）（a）研磨材、ここで研磨材は研磨組成物の１８wt%以上の量で存在する、（ｂ）水性媒体および（ｃ）界面活性剤、ここで界面活性剤はその臨界ミセル濃度を超える量で存在する、を含む研磨組成物を用意し、そして（ｉｉ）その研磨組成物を希釈することからなる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】タンタル除去速度ｖ界面活性剤の炭素鎖の長さのグラフ。
【図２】タンタル除去速度ｖラウリルサルフェートアンモニウム量のグラフ。
【図３】タンタル除去速度ｖベンゾトリアゾールｖトリプトファン量の関数としての銅除去速度のグラフ。
【図４】表面張力ｖ界面活性剤量ｖタンタル除去速度およびテトラエチルオルソシリケート除去速度のグラフ。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
本発明は、研磨組成物を提供する。研磨組成物は、（a）研磨材、（ｂ）水性媒体、（ｃ）界面活性剤、ここで界面活性剤はそのミセル濃度を超える量で存在する、ならびに（ｄ）疎水性界面活性化合物、を含む。
【００１１】
いかなる適切な研磨材も使用され得る。たとえば、適切な研磨材は、アルミナ、セリア、酸化銅、酸化鉄、酸化ニッケル、酸化マンガン、シリカ、窒化ケイ素、炭化ケイ素、酸化スズ、チタニア、炭化チタン、酸化タングステン、酸化イットリウムおよび/またはジルコニアを含む。好ましくは研磨材は、シリカのような金属酸化物であり、たとえば沈殿シリカまたは凝縮−重合シリカ（たとえば、通常Si（OH）４を凝縮させてコロイド粒子とすることにより調製されるのが通常である。）であり得る。研磨材はいかなる適切な形態でもよく、好ましくは実質的に球状である。
【００１２】
研磨組成物は、望ましくは濃縮形態であり、その結果、基板を研磨するのに使用する前に希釈される。特に、研磨材は研磨組成物の１８wt%以上の量で存在する（たとえば２０wt%以上、２４wt%以上、２７wt%以上または３０wt%以上）。通常、研磨材は研磨組成物の３０wt%以下の量で存在する（２９wt%以下、２５wt%以下または２２wt%以下）。好適には、研磨材は研磨組成物の１８wt%〜３０wt%の量で存在する。
【００１３】
研磨材は研磨組成物中に、もっと具体的には研磨組成物の水性媒体成分中に、懸濁される。研磨材が研磨組成物に懸濁されている時、研磨材はコロイド状に安定であるのが好ましい。コロイドという用語は液体キャリア中に研磨材粒子が懸濁していることをいう。コロイド状の安定は時間が経過しても懸濁が維持されることをいう。本発明の関係においては、もし研磨材が１００ｍLメスシリンダー内におかれ、2時間撹拌なしに保持されるとき、メスシリンダーの底部５０ｍLの粒子濃度（[B]ｇ/mL）と頂部５０ｍLの粒子濃度（[T]ｇ/mL）の差を研磨組成物の最初の濃度（[C]ｇ/mL）で除した値が０．５以下である（すなわち｛[B]−[T]｝/[C]≦0.5）ならば、研磨材はコロイド状で安定であると考えられる。｛[B]−[T]｝/[C]の値は望ましくは０．３以下、そして好適には０．１以下である。
【００１４】
水性媒体はいかなる適切な水性媒体であってもよい。望ましくは、水性媒体は本質的に水からなり、または水からなり、好ましくは水は脱イオン水である。
【００１５】
界面活性剤は適切ないかなる界面活性剤であってもよい。適切な界面活性剤は、たとえばアニオン界面活性剤、カチオン界面活性剤、両性イオン界面活性剤、ノニオン界面活性剤およびそれらの組み合わせを含む。界面活性剤はヘッド基（「Ａ」）およびテール基（「Ｂ」）を含む。
【００１６】
アニオン界面活性剤は、Ａが一つ以上結合されたアニオン基（カルボキシレート、スルホネート、サルフェート、ホスフェートまたはホスホネート等を含む）である界面活性剤を含む。さらにアニオン界面活性剤は、Ｂが疎水性基（アルキル、アリールまたはそれらの混合を含む）である界面活性剤を含む。Ｂは、Ｂが疎水性にとどまるかぎり、炭素と水素以外の元素を含んでいてもよい。
【００１７】
アニオン界面活性剤の代表例は、カルボキシレート、たとえば石けん（一般的構造ＲＣＯＯ-Ｍ＋を含み、ここでＲはＣ９−Ｃ２１の範囲の直鎖炭化水素鎖であり、Ｍ＋は金属またはアンモニウムイオンである。）、およびポリアルコキシカルボキシレート；スルホネート、たとえばアルキルベンゼンスルホネート、アルキルアレーンスルホネート、ナフタレンスルホネート、α−オレフィンスルホネート、エステル、アミドもしくは他の結合を有するスルホネート、たとえばアミドスルホネート、脂肪酸の２−スルホエチルエステルおよび脂肪酸エステルスルホネート；サルフェート、たとえばアルコールサルフェート、エトキシ化およびサルフェート化されたアルコール、エトキシ化およびサルフェート化されたアルキルフェノール、サルフェート化された酸、サルフェート化されたアミド、サルフェート化されたエステル、およびサルフェート化された天然油脂；ホスフェートエステル、たとえばデシルホスフェート、オクチルデシルホスフェート、混合アルキルホスフェート、ヘキシルポリホスフェート、オクチルポリホスフェート、混合脂肪酸のグリセロールモノエステル（ホスフェート化）、２−エチルヘキサノール（エトキシ化およびホスフェート化）、ドデシルアルコール（エトキシ化およびホスフェート化）、トリデシルアルコール（分岐）、９−オクタデシルアルコール（エトキシ化およびホスフェート化）、多価アルコール（エトキシ化およびホスフェート化）、フェノール（エトキシ化およびホスフェート化）、オクチルフェノール（エトキシ化およびホスフェート化）、ノニルフェノール（エトキシ化およびホスフェート化）、ドデシルフェノール（エトキシ化およびホスフェート化）、ジノニルフェノール（エトキシ化およびホスフェート化）；ならびにホスホネートエステル、である。好ましくは、アニオン界面活性剤はスルホネート基を含む。
【００１８】
カチオン界面活性剤は、Ａが一つ以上の結合されたカチオン基である界面活性剤を含み、カチオン基はアンモニウム塩またはNR’R’’R’’’（ ここで、R’、R’’およびR’’’は独立して有機アルキル、アリールまたは水素であり得る）のような、アミンまたは置換アミンを含む。さらに、カチオン界面活性剤は、Ｂがアルキル、アリールまたはそれらの混合を服務、疎水性基である界面活性剤を含む。Ｂは、Ｂが疎水性にとどまるかぎり、炭素および水素以外の元素を含み得る。
【００１９】
カチオン界面活性剤の代表例はアミンを含み、たとえば、モノ、ジおよびポリアミンを含む酸素のないアミン、アミンオキシド、エトキシ化アルキルアミン、1−(2−ヒドロキシエチル)−２−イミダゾリン、エチレンジアミンアルコキシレート、およびアミド結合を有するアミン、を含む酸素含有アミン；ならびに四級アンモニウム塩、たとえばジアルキルジメチルアンモニウム塩、アルキルベンジルジメチルアンモニウムクロライド、アルキルトリメチルアンモニウム塩、アルキルピリジウムハロゲン化物および四級アンモニウムエステルである。
【００２０】
両性イオン界面活性剤は上述のカチオンＡ基の一つ以上と結合することにより製造される界面活性剤を含む。さらに、両性イオン界面活性剤は、Ｂがアルキル、アリールまたはそれらの混合を含む、疎水性基である界面活性剤を含む。ＢはＢが疎水性にとどまるかぎり、炭素および水素以外の元素を含んでいてもよい。
【００２１】
両性イオン界面活性剤の代表例は、アルキルベタイン、アミドプロピルベタイン、アルキルジメチルアミン、イミダゾリニウム誘導体、ならびにアミノ酸およびその誘導体を含む。
【００２２】
ノニオン界面活性剤は、Ａが一つ以上のヒドロキシルまたはポリエチレンオキシド基である界面活性剤を含む。さらにノニオン界面活性剤は、Ｂがアルキル、アリールまたはそれらの混合を含む、疎水性基である界面活性剤を含む。ＢはＢが疎水性にとどまるかぎり、炭素および水素以外の元素を含んでいてもよい。
【００２３】
ノニオン界面活性剤の代表例は、カルボン酸エステルを含み、たとえばグリセロールエステルおよびポリオキシエチレンエステル；エトキシ化無水ソルビトールエステルのような無水ソルビトールエステル；アルコールエトキシレートおよびアルキルフェノールエトキシレートのようなポリオキシエチレン界面活性剤；天然エトキシ化油脂およびワックス；脂肪酸のグリコールエステル；アルキルポリグリコシド；カルボン酸アミド、たとえばジエタノールアミン縮合物、モノアルカノールアミン縮合物であり、ヤシ油、ラウリン、オレインおよびステアリン酸のモノエタノールアミドおよびモノイソプロパノールアミドならびにポリオキシエチレン脂肪酸アミドを含む；ならびに脂肪酸グルカミドである。    他のノニオン界面活性剤は、ポリオキシアルキレンブロックコポリマーを含み得る。ポリオキシアルキレンブロックコポリマーは、ＡαＢβＡα’の形式であり得、ここでＡおよびＢは、エチレンオキシド、プロピレンオキシドまたはブチレンオキシドのようなアルキレンオキシドモノマーであり、そしてＡおよびＢは異なる極性を有する、異なるモノマーである。一つの態様において、コポリマーはポリエチレンオキシドおよびポリプロピレンオキシドのトリブロックコポリマーであり、一般式ＨＯ（ＣＨ２ＣＨ２Ｏ）α（ＣＨ（ＣＨα）ＣＨ３Ｏ）β（ＣＨ２ＣＨ２Ｏ）α’Ｈを有し、αおよびα’は２〜１４０の整数であり、βは５０〜７５の整数である。すなわち、プロピレンオキシド(ＰＯ)ブロックは、ＥＯ−ＰＯ−ＥＯのように２つのエチレンオキシド(ＥＯ)ブロックに挟まれる。あるいは、コポリマーはＰＯ−ＥＯ−ＰＯの形のトリブロックコポリマーであってもよく、エチレンオキシドは２つのポリプロピレンブロックの間に挟まれる。
【００２４】
適切なトリブロックコポリマーの制限的でない例は、BASF Corp.(ニュージャージー州マウントオリーブ)から商業的に入手し得るPLURONIC（商標）のファミリー化合物を含む。PLURONIC（商標）P103、P104、P105、P123、F108、F88、Li01およびL121化合物は、本発明における使用に適切なコポリマーである。PLURONIC（商標）Rのファミリー化合物も使用され得る。PLURONIC（商標）およびPLURONIC（商標）Rの化合物は界面活性剤性状を示す。なぜならポリプロピレンオキシド基が疎水性（「水を嫌う」）を有するのに対し、ポリエチレンオキシド基は親水性（「水が好き」）を有するからである。
【００２５】
PLURONIC（商標）およびPLURONIC（商標）Rの化合物に類似する化学的性質を有する、付加ブロック、ランダムおよび/またはランダム−ブロックコポリマーも適切なノニオン界面活性剤であり、Uniqema Inc.から入手し得るSYNPERONICE（商標）シリーズの化合物のトリブロックコポリマー、ならびにDow Chemical Company（ミシガン州ミッドランド）から入手し得る同様なコポリマー、たとえばEPシリーズブロックコポリマー、SYNALOX（商標）EPBランダムコポリマーおよびSYNALOX（商標）PBシリーズのポリオキシアルキレンコポリマーを含む。
【００２６】
いかなる適切な疎水性界面活性化合物も使用され得る。適切な疎水性界面活性化合物はアゾール化合物を含み、たとえばベンズイミダゾール−２−チオール、２−[２−（ベンゾチアゾリル）]チオプロピオン酸、２−[２−（ベンゾチアゾリル）]チオ酪酸、２−メルカプトベンゾチアゾール、１，２，３−トリアゾール、１，２，４−トリアゾール、３−アミノ−１Ｈ−１，２，４−トリアゾール、ベンゾトリアゾール、１−ヒドロキシベンゾトリアゾール、１−ジヒドロキシプロピルベンゾトリアゾール、２，３−ジカルボキシプロピルベンゾトリアゾール、４−ヒドロキシベンゾトリアゾール、４−カルボキシル−１Ｈ−ベンゾトリアゾール、４−メトキシキシカルボニル−１Ｈ−ベンゾトリアゾール、４−ブトキシキシカルボニル−１Ｈ−ベンゾトリアゾール、４−オクチルオキシカルボニル−１Ｈ−ベンゾトリアゾール、５−ヘキシルベンゾトリアゾール、Ｎ−（1,2,3−ベンゾトリアゾリル−１−メチル）−Ｎ−（1,2,４−トリアゾリル−１−メチル）−２−エチルへキシルアミン、トリルトリアゾール、ナフトトリアゾール、ビス[（１−ベンゾトリアゾリル）メチル]ホスフェートである。さらに、適切な疎水性界面活性化合物は、式Ｈ２Ｎ−ＣＲ１Ｒ２ＣＯＯＨを満たすアミノ酸を含み、ここでＲ１およびＲ２は独立に水素、Ｃ１−Ｃ３０アルキルまたはＣ６−Ｃ３０アリール基であり、Ｒ１およびＲ２は合計で1つより少ない炭素を含まず、Ｒ１およびＲ２は荷電された基を含まない。アリール基は任意に一つ以上のヘテロ原子、たとえばＮ、Ｓ、Ｏまたはその組み合わせを含んでいてもよい。
【００２７】
他の適切な疎水性界面活性化合物は、オクタノール、ならびに適切なオクタノール−水分配係数（ＫＯＷ）、すなわち０より大きい対数ＫＯＷ、を有する化合物である。対数ＫＯＷは好ましくは２より大きい。分配係数は２つの溶媒における化合物の溶解度の差（differential solubility）の尺度である。したがって、オクタノール−水分配係数は、溶媒であるオクタノールと水に基づく化合物の疎水性（または親水性）の尺度である。０より大きな対数ＫＯＷを有する、適切な疎水性界面活性化合物は、各ヒドロキシル基について３以上の炭素を有するアルコールを含む。２以上の対数ＫＯＷを有する適切な疎水性界面活性化合物は、各ヒドロキシル基について８以上の炭素を有するアルコールを含む；１以上のベンゼン環を有する芳香族炭化水素、アルキル置換基を有する芳香族炭化水素、６以上の炭素原子を有するアルカン、およびピリジンのような複素環芳香族化合物である。化合物のＫＯＷは化合物の分子構造から計算され得る（C.Hansch and A.Leo, Exploring QSAR: Fundamentals and Applications in Chemistry and Biology, American Chemical Society, Washington(1995)）。
【００２８】
研磨組成物は任意に酸化性物質（oxidant）を含んでいてもよい。酸化性物質は適切ないかなる酸化性物質でもよい。適切な酸化性物質は過酸化化合物を含む。過酸化化合物は、Hawley’s  Condensed Chemical Dictionaryに定義されるように、少なくとも１つのペルオキシ化合物、または最高の酸化状態の元素を含む化合物である。少なくとも１つのペルオキシ化合物の例は、過酸化水素およびその付加物、たとえば尿素過酸化水素およびパーカーボネート、有機パーオキサイド、たとえばベンゾイルパーオキサイド、過酢酸、およびジ−tert−ブチルパーオキサイド、モノパーサルフェート（ＳＯ５２−）、ジパーサルフェート（Ｓ２Ｏ８２−）、および過酸化ナトリウムを含むが、これらに限定されない。最高の酸化状態の元素を含む化合物の例は、過ヨウ素酸、過ヨウ素酸塩、過臭素酸、過臭素酸塩、過塩素酸、過塩素酸塩、過ホウ酸、過ホウ酸塩、および過マンガン酸塩を含むが、これらに限定されない。過酸化化合物の代表例は過酸化水素、ジパーサルフェート、過ヨウ素酸塩を含む。
【００２９】
他の適切な酸化性物質の例は、有機酸化剤（oxidizer）を含む。有機酸化剤は不飽和炭化水素環、不飽和複素環、またはそれらの組み合わせを含む。有機酸化剤は２以上のヘテロ原子（たとえばＮ、Ｓ、Ｏまたはそれらの組み合わせ）を含む複素環を有する酸化剤を含む。さらに、有機酸化剤は少なくとも３つのヘテロ原子（たとえばＮ、Ｓ、Ｏまたはそれらの組み合わせ）を有するパイ共役環を有する酸化剤を含む。
【００３０】
有機酸化剤の代表例は、少なくとも１つのキノリン部分を含む化合物（たとえば、アンスラキノン、ナフトキノン、ベンゾキノン等）、パラフェニレンジアミン化合物、フェナジン化合物、チオニン化合物、フェノキサジン化合物、インドフェノール化合物、またはそれらの組み合わせ、たとえば１，４−ベンゾキノン、１，４−ナフトキノン、１，２−ナフトキノン、９，１０−アンスラキノン、パラフェニレンジアミン、フェンジン、チオニン、フェノキサジン、フェノキサチン、インジゴ、およびインドフェノールを含む。
【００３１】
界面活性剤は、臨界ミセル濃度（「CMC」）を超える量で研磨組成物中に存在し得る。CMCを超える量で、界面活性剤は組成物中で、またはその組成物が研磨に使用される基板表面上で、ミセルまたは類似の組織化された構造を形成し得る。これらのミセル様構造は疎水性化合物の安定化を増加させるのに使用された後、研磨組成物の重要な表面活性成分であることが多い。ミセル様構造は研磨組成物に疎水性環境を与え、その中に疎水性界面活性化合物が分配し得る。このような環境は研磨組成物濃縮物中に疎水性界面活性化合物を用いる際に、ますます必要となる。
【００３２】
研磨組成物は任意に錯化剤を含まなくてもよい。錯化剤は、基板表面から研磨された基板の一部を錯化、たとえばキレート化、するのを可能にする。錯化剤の例はアンモニア、ならびにアミンおよび/またはカルボキシレート基を有する化合物、たとえばエチレンジアミンテトラ酢酸、イミノジ酢酸、マロン酸、コハク酸、ニトロトリ酢酸、クエン酸、シュウ酸、γ−アミノ酪酸、酢酸、グリシン、アルギニンおよびアラニンを含む。
【００３３】
さらに、本発明は研磨組成物を用いる方法を提供する。その方法は、（ｉ）（a）研磨材、ここで研磨材は研磨組成物の１８wt%以上の量で存在する、（ｂ）水性媒体および（ｃ）界面活性剤、ここで界面活性剤はその臨界ミセル濃度を超える量で存在する、を含む研磨組成物を用意し、そして（ｉｉ）その研磨組成物を希釈することからなる。本発明の研磨組成物、特にその成分、の態様に関する、ここでの検討は、本発明方法の同一態様に適用し得る。
【００３４】
界面活性剤分子により形成されるミセル様構造は、基板表面に引き付けられ、その上にバリア層を形成する能力を有する。基板をCMCを超える量で界面活性剤を含む研磨組成物と接触させると、界面活性剤と基板の間に相互作用を生じ、それにより基板の研磨を妨げる。たとえば、タンタルを含む基板をCMCを超える量でスルホネート界面活性剤を含む研磨組成物と接触させることにより、界面活性剤はタンタル表面上にバリア層を形成し、基板の研磨を妨げる。
【００３５】
そのCMCを超える量で荷電界面活性剤を含む、種々の研磨組成物は同様に挙動し、界面活性剤からの反対の電荷を有する基板の研磨を妨げる。研磨組成物が基板の等電点よりも低いｐHを有するところでは、CMCを超える量で研磨組成物に存在するアニオン界面活性剤は、基板表面と相互作用し基板の研磨を妨げる。たとえば、タンタルを含む通常の基板についての等電点は約ｐH３．５である。したがって、ｐH３．５未満では、基板はプラスに荷電される。アニオン界面活性剤、たとえばスルホネート界面活性剤は、カチオン性タンタル基板表面に引き付けられ、研磨を妨げるバリアを形成する。逆に、研磨組成物が基板の等電点よりも高いｐHを有するところでは、そのCMCを超える量で研磨組成物中に存在するカチオン界面活性剤は、基板表面と相互作用し基板の研磨を妨げる。さらに、ノニオン界面活性剤は、特定の相互作用が存在する基板の研磨を妨げる。たとえば、エチレンオキシド−プロピレンオキシドコポリマーのようなノニオン界面活性剤は、水素結合により酸素含有基板上にバリア層を形成し、それにより酸素含有基板の研磨を妨げる。さらに、基板の研磨は、界面活性剤が基板のゼータ電位電荷と反対の電荷を有するところでは妨げられ得る。
【００３６】
研磨組成物は、適切ないかなる希釈剤（diluent またはdilutant）、たとえば水、で希釈され得る。界面活性剤はそのCMCを超える量で研磨組成物中に存在するが、研磨組成物は基板と接触するように用いられ、基板の第１の部分を研磨し得、それにより基板を研磨する。研磨組成物中の界面活性剤は基板の第２の部分と相互作用し、そこではミセル様構造は基板の第２の部分の表面上にバリア層を形成し、基板の第２の部分の除去を妨げる（すなわち、減少させるが、必ずしも完全に妨げるわけではない。）。研磨組成物の希釈は界面活性剤の量がCMCを超えたままであるように制限され得る。
【００３７】
界面活性剤の量をCMC未満にする研磨組成物のさらなる希釈は、ミセル様構造を壊して別々にする。基板の一部の除去を妨げるように以前に使用され得る研磨組成物は、基板と接触し、ここでは基板の一部を研磨するのに用いられ得、それによって基板を研磨する。研磨組成物は基板と接触するに先立ち、界面活性剤の量をCMC未満にするように希釈され得る。研磨組成物の１８wt％以上の量の研磨材と、水性媒体とを含む、研磨組成物界のような任意の第２の研磨組成物は、基板の第２の部分を研磨し、それにより基板を研磨するように基板と接触するのに使用され得る。
【００３８】
研磨は任意の疎水性界面活性化合物の存在により変更される。疎水性界面活性化合物はミセル様構造の疎水性環境で分配し得るが、ミセル様構造により基板と研磨組成物の間の界面に輸送され、いったんミセル様構造が希釈により壊れて別々になると、遊離され得る。これらの遊離に際して、疎水性界面活性化合物は基板と研磨組成物の間の界面で相互作用するのが可能となる。研磨は、基板との相互作用の性質および研磨組成物の希釈に依存して、疎水性界面活性化合物により増加または減少され得る。一方、研磨組成物に存在する界面活性剤の量と独立して、研磨組成物の希釈は研磨組成物に存在する任意の酸化性物質の濃度の減少を生じさせ、それにより研磨のために酸化性物質を必要とする基板の一部の除去速度を低下させる。したがって、研磨組成物の希釈を変えることにより、基板の第１および第２の部分の除去を調節し、それによって、基板全体の研磨を調節することが可能である。
【００３９】
基板の第１および第２の部分は、金属、半金属または誘電体材料のような、適切な材料から本質的になり、またはそれらからなる。適切な金属は、銅、タンタル、タングステン、ルテニウム、白金、パラジウム、イリジウム、テトラエチルオルソシリケート、およびこれらの金属の酸化物および窒化物を含む。適切な半金属は、シリコン、ポリシリコン、ガリウム、ならびにヒ化ガリウムのようなＩＩＩ/Ｖ族材料を含む。適切な誘電体材料は、ポリシリコン、二酸化ケイ素、ホウケイ酸ガラス、窒化ケイ素、および炭素ドープ酸化物を含む。好ましくは、基板の第１の部分は銅を含み、基板の第２の部分はタンタルを含み、またはその逆である。
【００４０】
次の例は本発明をさらに説明するが、本発明の範囲を制限するように解釈されるべきでないことはもちろんである。
例１
この例は研磨組成物で研磨される基板の一部、特に金属、の除去速度に対する、CMCを超える量の研磨組成物における界面活性剤の量の効果を示す。
【００４１】
一連の研磨組成物が用意され、そこでは各研磨組成物は１wt％コロイドシリカ（Nalco  粒径50nm、250ppmアルミニウムドープ）、0.1 wt％9,10−アンスラキノン−1,5−ジスルホン酸、0.1 wt％ベンゾトリアゾール、ならびに界面活性剤なし(対照研磨組成物を示す)または3.47mmolのアルキルスルホネート界面活性剤（そのアルキル基について異なる炭素鎖の長さを有する）を含んでいた。各研磨組成物のｐHは硝酸または水酸化カリウムで２．２に調節された。研磨はPolytex研磨パッドを有するLogitech研磨機上で１０ｃｍ（４インチ）径タンタルウエハを用いて実施された。
【００４２】
各研磨組成物はタンタルウエハを60秒研磨するのに用いられた。研磨パッドに向かってタンタルウエハの9.3kPa（1.35pｓｉ）下方圧力、定盤回転速度110rpm、ヘッド回転速度102rpmおよび研磨組成物流速150mL/分を用いた。２つのタンタルウエハが研磨組成物を評価するのに用いられた。ただし、４つのタンタルウエハは対照研磨組成物を評価するのに用いられ、その２つのタンタルウエハは他の研磨組成物の試験前に使用され、２つのタンタルウエハは他の研磨組成物の試験後に使用された。
【００４３】
タンタル除去速度（Å/分）がシート抵抗４点試料RS-75計測計（AMAT:カルフォルニア州サンタクララ）を使用して、タンタルウエハの研磨前および研磨後測定により測定された。タンタル除去速度は図１（FIG.1)のグラフにおいて界面活性剤の炭素鎖の長さに対してプロットされた。
【００４４】
対照研磨組成物についてのタンタル除去速度は、界面活性剤の炭素鎖の長さ０に対応するデータ点として図１に示され、比較的高いタンタル除去速度を示すデータ点のペアは、残りの研磨組成物の試験前に試験された対照研磨組成物についてのものであり、比較的低いタンタル除去速度を示すデータ点のペアは、残りの研磨組成物の試験後に試験された対照研磨組成物についてのものである。
【００４５】
図１のグラフにプロットされたデータから明らかなように、炭素鎖の長さが１０までのアルキルスルホネート界面活性剤を含む研磨組成物についてのタンタル除去速度は、残りの研磨組成物の試験前および試験後に試験された対照研磨組成物について観察されるタンタル除去速度の範囲内である。これらの結果は、研磨組成物中に、炭素鎖の長さが１０までのアルキルスルホネート界面活性剤3.47mL存在することは研磨組成物のタンタル除去速度に有意には影響しないことを示す。これに対して、炭素鎖の長さが１０を超える、同一量のアルキルスルホネート界面活性剤の存在は研磨組成物のタンタル除去速度を低下させた（すなわち、タンタル研磨を妨げた。）。
【００４６】
CMCはアニオン界面活性剤のアルキル鎖長さに直接におよび反比例して関連しているので、3.47mmolの界面活性剤濃度は炭素原子を１０より多く含むアルキル鎖を有するアルキルスルホネート界面活性剤についてのみCMCを超えると考えられる。ドデシル硫酸ナトリウム（すなわち、アルキル鎖が炭素数１２を有するアルキルスルホネート）は脱イオン水中で、約8.3 mmol であると報告されているが、研磨組成物における他の成分の存在は、研磨組成物において界面活性剤のCMCを低下させると期待される。したがって、ドデシルスルホネート界面活性剤はCMCを超える量で研磨組成物に存在し、ミセル様構造を形成し得、それにより研磨組成物についてのタンタル除去速度を変えると考えられる。これに対し、炭素鎖の長さが１０までのアルキルスルホネート界面活性剤は、CMC未満の量で研磨組成物に存在し、研磨組成物においてミセル様構造を形成し得ないと考えられていた。この例の結果は、タンタル除去速度は界面活性剤がCMCを超える量で研磨組成物にあるときに、妨げられることを示す。
例２
この例は研磨組成物で研磨される基板の一部、特に金属、の除去速度に対する、研磨組成物における界面活性剤の量の効果を示す。
【００４７】
一連の研磨組成物が用意され、そこでは各研磨組成物は１wt％の実質的に球状のシリカ、0.8 wt％9,10−アンスラキノン−1,8−ジスルホン酸、500ppmベンゾトリアゾール、および異なる量のラウリルアンモニウムサルフェート（「ALS」）界面活性剤を含んでいた。各研磨組成物のｐHは硝酸または水酸化カリウムで２．２に調節された。
【００４８】
各研磨組成物は例１に記載されるのと同一条件化でタンタルウエハを研磨するのに用いられた。
【００４９】
タンタル除去速度（Å/分）は各研磨組成物について測定され、各研磨組成物についてのタンタル除去速度は、図２のグラフで各研磨組成物においてラウリルアンモニウムサルフェート界面活性剤の量に対してプロットされた。
【００５０】
図２のグラフに示される結果から明らかなように、界面活性剤濃度が研磨組成物において減少するにつれてタンタル除去速度は減少し、約0.75mmolで有意な屈曲点がある。研磨組成物においてラウリルアンモニウムサルフェート界面活性剤のCMCは0.5〜１mmolの間にあると考えられる。
【００５１】
この例の結果は、タンタル除去速度は界面活性剤がCMCを超える量で研磨組成物にあるときに、妨げられることを示す。
例３
この例は研磨組成物で研磨される基板の一部、特に金属、の除去を速度に対する、研磨組成物における界面活性剤により可溶化される界面活性化合物の量の効果を示す。
【００５２】
一連の研磨組成物が用意され、そこでは各研磨組成物は異なる量のノニオン界面活性剤（BASFからのPLURONIC(商標)P103）、ならびに界面活性化合物トリプトファンおよびベンゾトリアゾール(「BTA」)を含んでいた。各研磨組成物はトリプトファン、ついでノニオン界面活性剤を添加し、組成物を1時間撹拌して可溶化を終了させた。ついで、各組成物は種々の量のBTAと一緒にされた。各研磨組成物のｐHは５．８に調節され、ついで1wt％過酸化水素を添加された。研磨はCabot Microelectronics Corporation D-100研磨パッドを有するLogitech研磨機上で１０ｃｍ（４インチ）径銅ウエハを用いて実施された。
【００５３】
各研磨組成物は銅ウエハを60秒研磨するのに用いられた。研磨パッドに向かって銅ウエハの10.3kPa（1.5pｓｉ）下方圧力、定盤回転速度106rpm、キャリア速度120rpmおよび研磨組成物流速150mL/分を用いた。
【００５４】
銅除去速度（Å/分）がシート抵抗４点試料RS-75計測計（AMAT:カルフォルニア州サンタクララ）を使用して、銅ウエハの研磨前および研磨後測定により測定された。図３は研磨組成物中のPLURONIC（商標）P103ノニオン界面活性剤（ppm）ｖ．ベンゾトリアゾール（ppm）ｖ．トリプトファン（ppm）の量の関数として、研磨組成物について銅除去速度を示すグラフである。
【００５５】
図３に示された結果から明らかなように、銅除去速度は、界面活性剤濃度および疎水性界面活性化合物の両方が研磨組成物中で増加するにつれて銅除去速度が増加した。
【００５６】
この例の結果は、界面活性剤により可溶化される界面活性化合物の量（たとえば界面活性剤ミセル内で溶解されたトリプトファンまたはBTAの量）と研磨組成物の特性（たとえば研磨組成物で達成される銅除去速度）の相関を示す。
例４
この例は、研磨組成物濃縮物において界面活性剤を用いて、その溶解限界を超えて、疎水性界面活性化合物の溶解性を示し、さらに研磨組成物で研磨される基板の一部、特に金属、の除去速度に対する、研磨組成物濃縮物の希釈の効果を示す。
【００５７】
対照研磨組成物が用意され、そこでは１wt％の実質的に球状のシリカおよび400ppmの2，5−ジヒドロキシ−1，6−ベンゾキノン（「DHBQ」）を含んでいた。DHBQはタンタルに対する酸化性物質であり、400ppmに近い溶解限界を有する。対照研磨組成物のｐHは２．２に調節された。研磨組成物濃縮物が用意され、３wt％の実質的に球状のシリカ、1200ppmのDHBQ、および300ppmのラウリルアンモニウムサルフェート（1.06mmol）を含んでいた。濃縮物はpＨ調整された水（pＨ＝２．２）で希釈された。研磨はPolytex研磨パッドを有するLogitech研磨機上で１０ｃｍ（４インチ）径タンタルウエハを用いて実施された。
【００５８】
各研磨組成物が例１に記載されるのと同一条件化でタンタルウエハを研磨するのに用いられた。対照研磨組成物は実験のはじめとおわりに評価された。タンタル除去速度（Å/分）は各研磨組成物について測定され、結果は表１に示される。
【００５９】
【表１】
0005727141.tif 000002
【００６０】
表１に示される結果から明らかなように、タンタル除去速度は、対照研磨組成物と希釈された研磨組成物の間で同様であった。
【００６１】
この例の結果は、研磨組成物濃縮物は、疎水性界面活性化合物が界面活性剤を用いて溶解限界を超えて溶解されるように調製され得ることを示す。また、この例の結果は、濃縮物が基板表面を研磨するために研磨組成物を製造するように、つづいて希釈され得ることを示す。
例５
この例は研磨組成物で研磨される基板の一部、特に異なる金属、の異なる部分の除去速度に対する、研磨組成物の希釈の効果を示す。
【００６２】
研磨組成物が用意され、そこでは４wt％の実質的に球状のシリカ、400ppmのラウリルアンモニウムサルフェート(「ALS」)および1200ppmの2，5−ジヒドロキシ−1，6−ベンゾキノン（「DHBQ」）が水中に含まれていた（研磨組成物５A）。ついで、研磨組成物は、他の３つの磨組成物を調製するために水を増加させて希釈された。すなわち、３wt％のシリカ研磨材、300ppmのALSおよび900ppmのDHBQ（研磨組成物５B）、２wt％のシリカ研磨材、200ppmのALSおよび600ppmのDHBQ（研磨組成物５C）、ならびに１wt％のシリカ研磨材、100ppmのALSおよび300ppmのDHBQ（研磨組成物５D）である。各研磨組成物のｐHは２．２に調節された。研磨はPolytex研磨パッドを有するLogitech研磨機上で１０ｃｍ（４インチ）径タンタルウエハを用いて実施された。
【００６３】
各研磨組成物は例１に記載されたのと同一条件化に、銅およびタンタルウエハを研磨するのに用いられた。
【００６４】
銅除去速度（Å/分）およびタンタル除去速度（Å/分）が各研磨組成物について測定され、その結果は表２に示される。
【００６５】
【表２】
0005727141.tif 000003
【００６６】
表２に示される結果から明らかなように、研磨組成物が希釈されるにつれて、銅の除去速度は減少し、タンタル除去速度は増加する。
【００６７】
この例の結果は、研磨組成物は２つの機能的研磨ができることを示す。基板の異なる部分の除去速度を調節すること、したがって研磨を調節することは組成物の希釈を変えることにより達成された。この特定の場合、組成物５Aは銅に効果のある研磨組成物として使用し、高い銅除去速度および低いタンタル除去速度を生じさせるが、組成物５Dはタンタルに効果のある研磨組成物のように作用し、比較的高いタンタル除去速度および低い銅除去速度を生じさせる。
例６
この例は研磨組成物で研磨される基板の一部、特に金属、の除去速度に対する、CMCを超える量の界面活性剤を含む研磨組成物の効果を示す。そこでは、界面活性剤は基板のゼータ電位の荷電と反対の荷電を有する。
【００６８】
一連の研磨組成物が用意され、そこでは各基本研磨組成物は５wt％ヒュームドアルミナを含んでいた。各研磨組成物のｐHは水酸化カリウムで７に調節された。0.355wt％セチルトリメチルアンモニウム臭化物（「CTAB」）/水の濃縮物も調製された。CTABならび水の濃縮物は、基本研磨組成物に整列して（in-line）添加され、パッド上のデリバリー点（「POU」）で種々のレベルのCTAB濃度が達成された。
【００６９】
各研磨組成物はLogitech研磨機上で１０ｃｍ（４インチ）径テトラエチルオルソシリケート（「TEOS」）ウエハを研磨するのに用いられた。
【００７０】
各ウエハは60秒研磨するのに用いられ、研磨パッドに向かって基板の24.68kPa（3.58pｓｉ）下方圧力、定盤回転速度110rpm、ヘッド回転速度102rpmおよび研磨組成物流速100mL/分を用いた。Rodel  IC1000研磨パッドが用いられた。２つのウエハが研磨組成物を試験するのに用いられた。
【００７１】
TEOSウエハからの除去速度は、がシート抵抗４点試料RS-75計測計を使用して、TEOSウエハの研磨前および研磨後測定により計算され、その結果は表３に示される。
【００７２】
【表３】
0005727141.tif 000004
【００７３】
表３に示される結果から明らかなように、界面活性剤濃度が増加するにつれて、
TEOS除去速度には減少し、CTAB  POU  0.0222および0.0296wt％の間で有意の屈曲点があった。
【００７４】
この例の結果は、界面活性剤を含む研磨組成物による基板表面の除去速度は、そのCMCを超える量の研磨組成物中の界面活性剤濃度を維持することにより減少され得、そこでは界面活性剤は基板のゼータ電位の荷電と反対の荷電を有する、ことを示す。
例７
この例は研磨組成物で研磨される基板の一部、特に異なる金属、の除去速度に対する、CMCを超える量の界面活性剤、および疎水性界面活性化合物を含む研磨組成物の希釈の効果を示す。
【００７５】
研磨組成物が用意され、そこでは20wt％の実質的に球状のシリカ、0.8 wt％9,10−アンスラキノン−1,5−ジスルホン酸、0.1 wt％ベンゾトリアゾール(「BTA」)、0.1wt％のラウリルアンモニウムサルフェート(「ALS」)および0.1wt％オクタノール（疎水性界面活性化合物として）を含んでいた。各研磨組成物のｐHは硝酸で２に調節された（「研磨組成物７A」）。ついで、この研磨組成物は他の３つの磨組成物を調製するために、追加する水の量を増加させて希釈された。すなわち、研磨組成物７A  1部に水  １部（研磨組成物７B）、研磨組成物７A  1部に水  ３部（研磨組成物７C）、研磨組成物７A  1部に水  ９部（研磨組成物７D）である。研磨はEpic  D100研磨パッド（Cabot Microelectronics 、イリノイ州オーロラ）を有するLogitech研磨機上で１０ｃｍ（４インチ）径円形タンタルおよび銅ウエハ、ならびに５ｃｍ（２インチ）径を円形テトラエチルオルソシリケート（「TEOS」）およびBlack Diamond （AMAT:カルフォルニア州サンタクララ）（「BD」）を用いて実施された。
【００７６】
各研磨組成物は60秒研磨するのに用いられた。定盤回転速度102rpm、ヘッド回転速度110rpmおよび研磨組成物流速100mL/分を用いた。各研磨組成物は２つのタンタルウエハおよび２つの銅ウエハを研磨するのに用いられ、研磨パッドに向かってウエハの10.3kPa（1.5pｓｉ）下方圧力を用いた。各研磨組成物は3つのTEOSウエハおよび３つのBDウエハを研磨するのに用いられ、研磨パッドに向かってウエハの20.6kPa（3pｓｉ）下方圧力を用いた。
【００７７】
材料の平均除去速度（Å/分）が、各研磨組成物での各種ウエハについて測定され、その結果は表４に示される。
【００７８】
【表４】
0005727141.tif 000005
【００７９】
表４に示される結果から明らかなように、研磨組成物が希釈されるにつれてTEOS とBD除去速度は減少する。
【００８０】
この例の結果は、TEOSまたはBDのような疎水性基板の除去速度は、研磨組成物を希釈することにより妨げられ、そこでは研磨組成物は疎水性界面活性化合物、すなわち界面活性剤を用いて可溶化されるオクタノール、を含むことを示す。いったん、研磨組成物が希釈され、界面活性剤の量を、そのCMC未満にすると、オクタノールはミセル様構造から遊離され、疎水性TEOSおよびBD基板表面に分配することにより、TEOSおよびBDウエハの研磨を妨げることができると考えられる。
例８
この例は表面張力測定に関連して、組成物の表面張力、および臨界ミセル濃度を決定する能力に対する、界面活性剤濃度の効果を示す。ラウリルアンモニウムサルフェート(「ALS」)、セチルトリメチルアンモニウム臭化物（「CTAB」）ならびにオクタノールとラウリルアンモニウムサルフェートの混合物（「オクタノール/ALS」）をそれぞれ含む、界面活性剤濃縮物が調製された。各濃縮物は水を増加させて希釈された。さらに２つの追加組成物が調製された。第１の追加組成物は20wt％の実質的に球状のシリカ、0.8 wt％9,10−アンスラキノン−1,5−ジスルホン酸ナトリウム塩、100ppmべンゾトリアゾール、1000ppmラウリルアンモニウムサルフェートおよび1000ppmオクタノールを含んでいた（「ALS/オクタノール/シリカ」）。硝酸が添加されｐH２に調節された。第２の追加組成物が調製され、5wt％ヒュームドアルミナおよび0.335wt％セチルトリメチルアンモニウム臭化物を含んでいた（「CTAB/アルミナ」）。水酸化カリウムがCTAB/アルミナに添加されｐH７に調節された。２つの追加組成物は水の量を増加させて希釈された。
【００８１】
Kruss K12白金板表面張力計（KRUSS:ノースカロライナ州マチュース）が、組成物における界面活性剤ALSまたはCTABの種々の濃度（モル濃度）での各組成の表面張力を測定するのに使用され、その結果は表５に示される。その結果は図４のグラフにも示され、界面活性剤の濃度（モル濃度）に対する表面張力（mＮ/ｍ）を示すグラフである。さらに、図４は例２，６および７に示される研磨データを示す。すなわち、ラウリルアンモニウムサルフェートおよびシリカを含む研磨組成物を用いるタンタル除去速度（Å/分）（「ALS/シリカTa除去速度」）、セチルトリメチルアンモニウム臭化物およびアルミナを含む研磨組成物を用いテトラエチルオルソシリケート除去速度（Å/分）（「CTAB/アルミナTEOS除去速度」）、ならびにラウリルアンモニウムサルフェート、オクタノールおよびシリカを含む研磨組成物を用いるタンタル除去速度（Å/分）（「ALS/オクタノール/シリカTa除去速度」）である。
【００８２】
【表５】
0005727141.tif 000006
【００８３】
表５および図４に示される結果から明らかなように、界面活性剤濃度が増加するにつれて表面張力は減少する。さらに、図４に示される結果は、同一の界面活性剤を含む組成物について、研磨データと表面張力測定に相関を示した。この相関は、表面張力測定曲線における屈曲点に基板除去速度曲線における屈曲点が近接していることによってもわかり、２つの曲線は同一の界面活性剤を含む組成を示す。たとえば、ALS/オクタノール/シリカTa除去速度の曲線における屈曲点はALS/オクタノール/シリカ表面張力曲線の屈曲点に近接する。
【００８４】
この例の結果は、表面張力測定は臨界ミセル濃度を決定する対照として用いられ得ることを示す。特に、表面張力は界面活性剤量の増加とともに臨界ミセル濃度近くまで減少し、そこでは表面張力測定値はほとんど一定値に達する。これは表面張力測定曲線の勾配においてリニア領域で示される。さらに、表面張力が増加する領域の表面張力測定値を有する研磨組成物を用いるときの基板除去速度に比べて、表面張力のリニア領域の表面張力測定値を有する同一の研磨組成物を用いるときの基板除去速度は比較的低い。したがって、表面張力測定値における屈曲点は、これらの２つの領域の間に位置し、研磨組成物の臨界ミセル濃度に近い対照点として使用され得る。
【００８５】
本発明の好適な態様がここに記載され、本発明の実施のために発明者が知る最良の態様も含む。これらの好適な態様の変形は、前述の記載から当業者に明らかであり得る。本発明者は、このような変形が適切に使用されることを期待する。本発明は、請求項に記載される主題の変形および均等物を含むものである。さらに、その可能なすべての変形において、上記の要素のいかなる組み合わせも、特に異なる指摘または除外がされていなければ本発明に包含される。
【図１】
0005727141.tif 000007
【図２】
0005727141.tif 000008
【図３】
0005727141.tif 000009
【図４】
0005727141.tif 000010