(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
下部磁性基板と、
前記下部磁性基板の上部に設けられ、少なくとも一つの導電体パターンと該導電体パターンを覆う絶縁層とを有するコイル層と、
前記コイル層の上部に設けられる上部磁性基板と、
前記下部磁性基板及び前記上部磁性基板の中で透磁率の小さい磁性基板上に設けられる透磁率補強層と、
を含み、
前記透磁率補強層は、前記下部磁性基板及び前記上部磁性基板の中で透磁率の小さい磁性基板に設けられ、前記絶縁層と接触される表面及び内部に複数層で設けられるノイズ除去フィルタ。
【請求項２】
前記透磁率補強層は、前記下部磁性基板及び前記上部磁性基板の中で透磁率の小さい磁性基板の透磁率より高い透磁率を有する請求項１に記載のノイズ除去フィルタ。
【請求項３】
前記透磁率補強層は、前記下部磁性基板及び前記上部磁性基板の中で透磁率の大きい磁性基板の透磁率と同じ透磁率を有する請求項２に記載のノイズ除去フィルタ。
【請求項４】
前記下部磁性基板は８０〜１５０の透磁率を有し、前記上部磁性基板は２５０〜４００の透磁率を有し、前記透磁率補強層は２５０〜４００の透磁率を有する請求項２に記載のノイズ除去フィルタ。
【請求項５】
前記上部磁性基板は、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ系列の酸化物から成る請求項１〜４のいずれかに記載のノイズ除去フィルタ。
【請求項６】
前記Ｎｉ系列の酸化物と前記Ｚｎ系列の酸化物との組成比は、１：１〜１：２．５の範囲で設けられる請求項５に記載のノイズ除去フィルタ。
【請求項７】
前記上部磁性基板は、樹脂をさらに含む請求項５に記載のノイズ除去フィルタ。
【請求項８】
前記上部磁性基板は、焼結方式で製造される請求項１〜７のいずれかに記載のノイズ除去フィルタ。
【請求項９】
下部磁性基板と、
前記下部磁性基板の上部に設けられ、少なくとも一つの導電体パターンと該導電体パターンを覆う絶縁層とを有するコイル層と、
前記コイル層の上部に設けられる上部磁性基板と、
前記下部磁性基板及び前記上部磁性基板の中で透磁率の小さい磁性基板上に設けられる透磁率補強層と、
前記下部磁性基板、前記コイル層、前記上部磁性基板及び前記透磁率補強層を有する積層体を取り囲む遮蔽補強層と、
を含み、
前記遮蔽補強層は、酸化物からなる内層と金属物からなる外層とからなるノイズ除去フィルタ。
【請求項１０】
前記下部磁性基板、前記コイル層、前記上部磁性基板及び前記透磁率補強層を有する積層体を取り囲む遮蔽補強層を、さらに含む請求項１〜８のいずれかに記載のノイズ除去フィルタ。
【請求項１１】
前記遮蔽補強層は、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ系列の酸化物から成る請求項１０に記載のノイズ除去フィルタ。
【請求項１２】
前記遮蔽補強層は、Ａｇ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｎｉ系列の金属物から成る請求項１０に記載のノイズ除去フィルタ。
【請求項１３】
前記遮蔽補強層は、酸化物からなる内層と金属物からなる外層とからなる請求項１０〜１２のいずれかに記載のノイズ除去フィルタ。
【請求項１４】
前記遮蔽補強層は、化学気相蒸着（ＣＶＤ）、スパッタリング（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）及び電子ビーム（Ｅ−ｂｅａｍ）のうちのいずれか一つの薄膜工程によってコーティングされる請求項１０〜１３のいずれかに記載のノイズ除去フィルタ。
【請求項１５】
前記遮蔽補強層は、ソル−ゲル（ｓｏｌ−ｇｅｌ）またはスプレー法によってコーティングされる請求項１０〜１３のいずれかに記載のノイズ除去フィルタ。
【請求項１６】
前記遮蔽補強層は、３〜５０μｍの厚さで形成される請求項１０〜１５のいずれかに記載のノイズ除去フィルタ。
【請求項１７】
前記遮蔽補強層は、５〜１０μｍの厚さで形成される請求項１６に記載のノイズ除去フィルタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ノイズ除去フィルタに関し、特に、簡単な構造及び工程で透磁率を高めると共にインピーダンス特性を改善して性能を向上することができるノイズ除去フィルタに関する。
【背景技術】
【０００２】
ディジタルＴＶ、スマートホン、ノートパソコンなどのような電子製品は、高周波帯域でのデータ送受信の機能が広く使われている。今後にも、このようなＩＴ電子製品は、一つの機器だけではなく、相互間のＵＳＢ、その他の通信ポートを接続して多機能化・複合化して活用頻度が高くなると予想される。
【０００３】
データ送受信を早く行うためには、ＭＨｚ帯域の周波数帯域からＧＨｚ帯域の高周波数帯域へと移動してより多量の内部信号ラインを通じてデータをやりとるようになる。
【０００４】
このように多量のデータをやりとるために、メイン機器と周辺機器との間でＧＨｚ帯域の高周波数帯域の送受信時、信号の遅延やその他ノイズによってデータを円滑に処理するのに問題が発生している。
【０００５】
そのため、電子製品自体がノイズの発生源にならないようにすると共に、外部ノイズによって誤動作などが生じないようにするイミュニティ（Ｉｍｍｕｎｉｔｙ）対策が必要になる。
【０００６】
このため、ＩＴと周辺機器との接続部寄りにＥＭＩ対策部品を設けている。しかしながら、既存のＥＭＩ対策部品は巻線型／積層型タイプであって、チップ部品のサイズが大きく且つ電気的特性が悪く、特定の部位や大面積回路基板などのように限定領域のみに使用可能であった。そのため、電子製品のスリム化、小型化、複合化、多機能化への転換に応じるＥＭＩ対策部品が要求されている。
【０００７】
以下、添付の図１〜図３を参照して、従来技術によるＥＭＩ対策コイル部品の中でコモンモードフィルタについて詳記する。
【０００８】
図１〜図３を参照して、従来のコモンモードフィルタは、下部磁性基板１０と、この下部磁性基板１０の上部に設けられ、内部に第１のコイルパターン２１と第２のコイルパターン２２とが上下対称に設けられる絶縁層２０と、この絶縁層２０の上部に設けられる上部磁性基板３０とを含んで構成される。
【０００９】
ここでは、詳しく示されていないが、前記絶縁層２０は、第１のコイルパターンを含むシート形態の第１の絶縁層と、第２のコイルパターンを含むシート形態の第２の絶縁層とを積層方式で結合して構成される。
【００１０】
また、詳しく示されていないが、前記絶縁層２０には、前記第１のコイルパターン２１に対して電気を入出力するための第１の入力リードパターン及び第１の出力リードパターンが形成され、前記第２のコイルパターン２２に対して電気を入出力するための第２の入力リードパターン及び第２の出力リードパターンが形成される。
【００１１】
前記第１及び第２の出力リードパターンを含むシート形態の第３の絶縁層を前記第２の絶縁層に積層方式で結合することによって前記絶縁層２０を構成することもできる。
【００１２】
また、前記第１のコイルパターン２１と前記第２のコイルパターン２２とは、前記第１の出力リードパターンと前記第２の出力リードパターンとに各々ビア接続構造によって電気的に接続される。
【００１３】
一方、前記上部磁性基板３０と前記下部磁性基板１０とは、互いに整合可能になるように同じ組成物からなるフェライトパウダを焼結した基板形態に各々製作され、前記第１のコイルパターン２１及び前記第２のコイルパターン２２を含む絶縁層２０の上下面に接合して設けられる。
【００１４】
このように構成された従来のコモンモードフィルタの特性のうち、最も重要な特性であるインピーダンス特性値を設計値に近接するように具現するためには、前記上部磁性基板３０と前記下部磁性基板１０との組成物が一定に且つ均一に混合されるように構成しなければならない。しかしながら、実際の焼結時、粒子大きさによって焼成及び硬化挙動による粒子成長が異なり、局所的にインピーダンス特性に悪影響を及ぼす透磁率の低下などの現象が発生する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１５】
【特許文献１】特開２００９−１８２１６８号公報
【特許文献２】韓国特許公開１０−２００７−００３２２５９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
この場合、ＧＨｚ帯域の高周波領域でのインピーダンス低下によって、信号回路に対する遅延及びノイズ信号除去が円滑に行われなく、ノイズ除去特性が著しく低下するという問題があった。
【００１７】
特に、前記上部磁性基板３０及び前記下部磁性基板１０は前記絶縁層２０との接合性を高めるために、フェライトパウダにポリマ樹脂などを混合して組成物を形成する。この場合、接合性は良好になるが、焼結時フェライトパウダとポリマ樹脂との粒子分散及び混合が不均一になると共に、焼成及び硬化挙動による粒子の再配列が難しい。加えて、樹脂成分による磁気透過妨害によって、コモンモードフィルタの設計値に対比して磁気的特性である透磁率が格段に低下されることによって、共振周波数や起生容量が変化して製品のノイズ除去性能及び特性が低下するという不都合がある。
そのため、透磁率を高めるために、前記上部磁性基板３０を構成するフェライトの粒径を増加させると、コモンモードフィルタの高周波特性が悪くなるという不都合がある。また、前記上部磁性基板３０のバインダとしての樹脂の量を減らすと、前記上部磁性基板３０の接合性、絶縁性、耐電圧特性などが悪くなるという問題があった。
【００１８】
また、透磁率を高めるために、前記上部磁性基板３０の成形時に高温の環境を提供する方法があるが、高温の環境では、作業性の低下、温度を高めるための設備の増加、コモンモードフィルタの信頼性の低下などの問題があった。
【００１９】
本発明は上記の問題に鑑みて成されたものであって、上部磁性基板の接合性、絶縁性及び耐電圧特性を良好に維持すると共に透磁率を高め、インピーダンス特性を改善して性能及び信頼性を向上することができる、ノイズ除去フィルタを提供することに、その目的がある。
【００２０】
本発明の他の目的は、簡単な構造及び工程で透磁率を高め、透磁率の向上のための設備の増加を防止することによって、製造費用の上昇を防止すると共に生産性を向上することができる、ノイズ除去フィルタを提供することにある。
【００２１】
本発明のさらに他の目的は、電子波など妨害電波に対する遮蔽効果を高めることができる、ノイズ除去フィルタを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２２】
上記目的を解決するために、本発明によれば、下部磁性基板と、この下部磁性基板の上部に設けられ、少なくとも一つの導電体パターンと該導電体パターンを覆う絶縁層とを有するコイル層と、このコイル層の上部に設けられる上部磁性基板と、前記下部磁性基板及び前記上部磁性基板の中で透磁率（ｍａｇｎｅｔｉｃ  ｐｅｒｍｅａｂｉｌｉｔｙ）の小さい磁性基板上に設けられる透磁率補強層とを含むノイズ除去フィルタが提供される。
【００２３】
前記透磁率補強層は、前記下部磁性基板及び前記上部磁性基板の中で透磁率の小さい磁性基板の透磁率より高い透磁率を有する。
【００２４】
前記透磁率補強層は、前記下部磁性基板及び前記上部磁性基板の中で透磁率の大きい磁性基板の透磁率と同じ透磁率を有する。
【００２５】
一例として、前記下部磁性基板は、８０〜１５０の透磁率を有し、前記上部磁性基板は、２５０〜４００の透磁率を有し、前記透磁率補強層は、２５０〜４００の透磁率を有する。
【００２６】
前記上部磁性基板は、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ系列の酸化物からなる。
【００２７】
前記Ｎｉ系列の酸化物と前記Ｚｎ系列の酸化物との組成比は、１：１〜１：２．５範囲で設けられる。
【００２８】
前記上部磁性基板は、樹脂をさらに含み、焼結方式でよって製造される。
【００２９】
前記透磁率補強層は、前記下部磁性基板及び前記上部磁性基板の中で透磁率の小さい磁性基板に設けられ、前記絶縁層と接触される表面及び内部に複数層で設けられてもよい。
【００３０】
本発明によるノイズ除去フィルタは、前記下部磁性基板、前記コイル層、前記上部磁性基板及び前記透磁率補強層を含む積層体を取り囲む遮蔽補強層を、さらに含んで構成されてもよい。
【００３１】
前記遮蔽補強層は、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ系列の酸化物またはＡｇ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｎｉ系列の金属物からなる。
【００３２】
前記遮蔽補強層は、酸化物からなる内層と金属物からなる外層とを含んでもよい。
【００３３】
前記遮蔽補強層は、化学気相蒸着（ＣＶＤ）、スパッタリング（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）及び電子ビーム（Ｅ−ｂｅａｍ）のうちのいずれか一つの薄膜工程によってコーティングされてもよく、ソル−ゲル（ｓｏｌ−ｇｅｌ）またはスプレー法によってコーティングされてもよい。
【００３４】
前記遮蔽補強層は、３〜５０μｍの厚さで形成され、望ましくは、５〜１０μｍの厚さで形成されてもよい。
【発明の効果】
【００３５】
前述のように、本発明のノイズ除去フィルタによれば、上部磁性基板及び下部磁性基板の中で透磁率の低い磁性基板上に透磁率補強層を設けて透磁率を高めることによって、インピーダンス特性を改善して製品の性能及び信頼性を向上することができるという効果を奏する。
【００３６】
また、本発明のノイズ除去フィルタによれば、簡単な構造及び工程で透磁率を高めることによって、透磁率を向上するための設備の増加に伴う製造費用の上昇を抑止して、生産性を向上することができるという効果を奏する。
【００３７】
また、本発明のノイズ除去フィルタによれば、下部磁性基板と第１及び第２のコイルパターンとを有する絶縁層と上部磁性基板とからなる積層体を取り囲む遮蔽補強層を設けることによって、電子波などの妨害電波の遮蔽性を高め、より一層優秀な製品性能及び信頼性を具現することができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】従来のノイズ除去フィルタの中でコモンモードフィルタを概略的に示す断面図である。
【図２】本発明の第１の実施形態によるノイズ除去フィルタを概略的に示す断面図である。
【図３】本発明の第２の実施形態によるノイズ除去フィルタを概略的に示す断面図である。
【図４ａ】従来のノイズ除去フィルタの周波数によるインピーダンスの変化を概略的に示すグラフである。
【図４ｂ】本発明によるノイズ除去フィルタの周波数によるインピーダンスの変化を概略的に示すグラフである。
【図５ａ】従来のノイズ除去フィルタの周波数による挿入損失変化を概略的に示すグラフである。
【図５ｂ】本発明によるノイズ除去フィルタの周波数による挿入損失変化を概略的に示すグラフである。
【図６】本発明の第３の実施形態によるノイズ除去フィルタを概略的に示す断面図である。
【図７】本発明の第４の実施形態によるノイズ除去フィルタを概略的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３９】
以下、本発明の好適な実施の形態は図面を参考にして詳細に説明する。次に示される各実施の形態は当業者にとって本発明の思想が十分に伝達されることができるようにするために例として挙げられるものである。従って、本発明は以下示している各実施の形態に限定されることなく他の形態で具体化されることができる。そして、図面において、装置の大きさ及び厚さなどは便宜上誇張して表現されることができる。明細書全体に渡って同一の参照符号は同一の構成要素を示している。
【００４０】
本明細書で使われた用語は、実摘形態を説明するためのものであって、本発明を制限しようとするものではない。本明細書において、単数形は文句で特別に言及しない限り複数形も含む。明細書で使われる「含む」とは、言及された構成要素、ステップ、動作及び/又は素子は、一つ以上の他の構成要素、ステップ、動作及び／又は素子の存在または追加を排除しないことに理解されたい。
以下、添付の図２〜図７を参照して、本発明の好適実施形態によるノイズ除去フィルタについて詳記する。
【００４１】
図２は、本発明の第１の実施形態によるノイズ除去フィルタを概略的に示す断面図である。図３は、本発明の第２の実施形態によるノイズ除去フィルタを概略的に示す断面図である。図４ａ〜図４ｂは、従来のノイズ除去フィルタと本発明のノイズ除去フィルタとのインピーダンス特性を比較した図面であって、図４ａは、従来のノイズ除去フィルタの周波数によるインピーダンスの変化を概略的に示すグラフで、図４ｂは、本発明によるノイズ除去フィルタの周波数によるインピーダンスの変化を概略的に示すグラフである。図５ａ及び図５ｂは、従来のノイズ除去フィルタと本発明によるノイズ除去フィルタとの挿入損失特性を比較した図面であって、図５ａは、従来のノイズ除去フィルタの周波数による挿入損失変化を概略的に示すグラフで、図５ｂは、本発明によるノイズ除去フィルタの周波数による挿入損失変化を概略的に示すグラフである。
【００４２】
図６は、本発明の第３の実施形態によるノイズ除去フィルタを概略的に示す断面図であり、図７は、本発明の第４の実施形態によるノイズ除去フィルタを概略的に示す断面図である。
【００４３】
まず、図２及び図４ａ〜図５ｂを参照して、本発明の第１の実施形態によるノイズ除去フィルタについて詳記する。
【００４４】
図２を参照して、本発明の第１の実施形態によるノイズ除去フィルタは、大きく、下部磁性基板１１０と、この下部磁性基板１１０の上部に設けられるコイル層１２０と、このコイル層１２０の上部に設けられる上部磁性基板１３０と、前記下部磁性基板１１０及び前記上部磁性基板１３０の中で透磁率（ｍａｇｎｅｔｉｃ  ｐｅｒｍｅａｂｉｌｉｔｙ）の小さい磁性基板上に設けられる透磁率補強層１４０とを含んで構成される。
【００４５】
前記コイル層１２０は、１次導電体パターン１２１と、２次導電体パターン１２２と、これらの１次及び２次導電体パターン１２１、１２２を覆う絶縁層１２３とを含んで構成される。
【００４６】
前記コイル層１２０は、前記１次導電体パターン１２１を含むシート形態の第１の絶縁層と、前記２次導電体パターン１２２を含むシート形態の第２の絶縁層とを積層方式で結合して構成される。
【００４７】
詳しくは示されていないが、前記絶縁層１２３には、前記１次導電体パターン１２１に対して電気を入出力するための第１の入力リードパターン及び第１の出力リードパターンが形成され、前記２次導電体パターン１２２に対して電気を入出力するための第２の入力リードパターン及び第２の出力リードパターンが形成される。
【００４８】
前記第１及び第２の出力リードパターンを含むシート形態の第３の絶縁層を前記第２の絶縁層に積層方式で結合することによって、前記コイル層１２０を構成してもよい。
【００４９】
前記下部磁性基板１１０と前記上部磁性基板１３０とは、前記コイル層１２０の上下面に接合方式で設けられる。
【００５０】
前記透磁率補強層１４０は、前記下部磁性基板１１０及び前記上部磁性基板１３０の中で透磁率の小さい磁性基板の透磁率より高い透磁率を有してもよい。
【００５１】
また、前記透磁率補強層１４０は、前記下部磁性基板１１０及び前記上部磁性基板１３０の中で透磁率の大きい磁性基板の透磁率と同じ透磁率を有してもよい。
【００５２】
より詳しくは、本実施形態のノイズ除去フィルタでは、前記下部磁性基板１１０の透磁率が前記上部磁性基板１３０の透磁率より小さいと示したが、これに限定するものではない。本実施形態において、前記透磁率補強層１４０は、前記下部磁性基板１１０上に設けられる。
【００５３】
前記下部磁性基板１１０は、８０〜１５０の透磁率を有し、前記上部磁性基板１３０は、前記下部磁性基板１１０の透磁率より高い２５０〜４００の透磁率を有する。そのため、前記透磁率補強層１４０は、相対的に透磁率の高い前記上部磁性基板１３０と同じ２５０〜４００の透磁率を有する。
【００５４】
前記上部磁性基板１３０は、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ系列の酸化物からなる。
【００５５】
前記Ｎｉ系列の酸化物と前記Ｚｎ系列の酸化物との組成比は、望ましくは、１：１〜１：２．５範囲で設けられる。
【００５６】
前記上部磁性基板１３０は、前記酸化物以外に樹脂をさらに含み、焼結方式によって製造される。
【００５７】
前記透磁率補強層１４０は、前記下部磁性基板１１０に設けられ、前記コイル層１２０、即ち前記絶縁層１２３の下面に接触される表面に設けられる。
【００５８】
図４ａ及び図４ｂは、従来のコモンモードフィルタと本実施形態によるノイズ除去フィルタとの周波数に対比してインピーダンス特性を比較したグラフである。図４ａ及び図４ｂに示すように、本実施形態のノイズ除去フィルタが従来のコモンモードフィルタに比べて、高周波帯域でコモンモード（ＣＭ）のインピーダンスがより高く、ディファレンシャルモード（ＤＭ）のインピーダンスがより低いことが分かる。
【００５９】
即ち、略１００ＭＨｚの周波数で、コモンモードのインピーダンスは、本実施形態の場合は８９Ωで、従来の場合は７７Ωであって、本実施形態がより高く、ディファレンシャルモードのインピーダンスは、本実施形態の場合は８Ωで、従来の場合は９Ωであって、本実施形態がより低いことが分かる。
【００６０】
これによって、本実施形態のノイズ除去フィルタのフィルタリング特性が優秀なことが認められる。
【００６１】
図５ａ及び図５ｂは、従来のコモンモードフィルタと本実施形態によるノイズ除去フィルタとの周波数に対比して挿入損失特性を比較したグラフである。図５ａ及び図５ｂに示すように、本実施形態のノイズ除去フィルタが従来のコモンモードフィルタに比べて、高周波帯域で挿入損失の低下が著しく低いことが分かる。
【００６２】
即ち、従来のコモンモードフィルタは、高周波帯域で挿入損失が大きく低下するが、本実施形態のノイズ除去フィルタは、高周波帯域で挿入損失が小さく低下することが分かる。
【００６３】
言い換えれば、従来のコモンモードフィルタは、高周波帯域で挿入損失が急激に低下し、インピーダンス特性に悪影響を及ぼしてフィルタリング性能が低下する。これに対して、本実施形態のノイズ除去フィルタは、高周波帯域で挿入損失の低下を最小化することができ、インピーダンス特性に及ぼす悪影響を最小化してフィルタリング性能の低下を防止または最小化することができることが認められる。
【００６４】
次に、図３を参照して、本発明の第２の実施形態によるノイズ除去フィルタについて詳記する。
【００６５】
図３を参照して、本実施形態のノイズ除去フィルタは、前述の第１の実施形態と同様に、下部磁性基板２１０と、この下部磁性基板２１０の上部に設けられ、１次導電体パターン２２１、２次導電体パターン２２２及び絶縁層２２３を有するコイル層２２０と、このコイル層２２０の上部に設けられる上部磁性基板２３０と、前記下部磁性基板２１０及び前記上部磁性基板２３０の中で透磁率の小さい磁性基板上に設けられる透磁率補強層２４０とを含んで構成される。
【００６６】
しかしながら、本実施形態のノイズ除去フィルタは、前述の第１の実施形態と異なり、前記透磁率補強層２４０が前記下部磁性基板２１０及び前記上部磁性基板２３０の中で透磁率の小さい磁性基板、即ち下部磁性基板２１０内に複数層で設けられることによって、前述の第１の実施形態よりノイズ除去フィルタの透磁率をより高めることができる。
【００６７】
本実施形態のノイズ除去フィルタは、透磁率補強層２４０という構成要素以外のものに対する構造、製造工程、作用などは、当業者が前述の第１の実施形態を容易に適用することができるため、それに対する詳細は省略する事にする。
【００６８】
次に、図６を参照して、本発明の第３の実施形態によるノイズ除去フィルタについて詳記する。
【００６９】
図６に示すように、本実施形態のノイズ除去フィルタは、前述の第１の実施形態と同様に、下部磁性基板３１０と、この下部磁性基板３１０の上部に設けられ、１次導電体パターン３２１、２次導電体パターン３２２及び絶縁層３２３を有するコイル層３２０と、このコイル層３２０の上部に設けられる上部磁性基板３３０と、前記下部磁性基板３１０及び前記上部磁性基板３３０の中で透磁率の小さい磁性基板上に設けられる透磁率補強層３４０とを含んで構成される。
【００７０】
しかしながら、本実施形態のノイズ除去フィルタは、前述の第１の実施形態と異なり、前記下部磁性基板３１０、前記コイル層３２０、前記上部磁性基板３３０及び前記透磁率補強層３４０を有する積層体を取り囲む遮蔽補強層３５０をさらに含む。
【００７１】
前記遮蔽補強層３５０は、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ系列の酸化物、またはＡｇ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｎｉ系列の金属物からなる。
【００７２】
詳しくは示されていないが、前記遮蔽補強層３５０は、酸化物からなる内層と金属物からなる外層とからなる二重層で構成されてもよい。
【００７３】
また、前記遮蔽補強層３５０は、化学気相蒸着（ＣＶＤ）、スパッタリング及び電子ビームのうちのいずれか一つの薄膜工程によって前記積層体を取り囲むようにコーティングされるか、またはソル−ゲル（ｓｏｌ−ｇｅｌ）またはスプレー法によって前記積層体を取り囲むようにコーティングされてもよい。
【００７４】
前記遮蔽補強層３５０は、３〜５０μｍの厚さで形成され、望ましくは、５〜１０μｍの厚さで形成される。
【００７５】
本実施形態によるノイズ除去フィルタは、前記遮蔽補強層３５０によって電子波などの妨害電波の洩れや外部からの流れ込みを防止または最小化することによって、ノイズ除去フィルタ自体がノイズの発生源にならないようにすると共に外部ノイズによって誤動作などの発生を前もって防止することができる。
【００７６】
下記表１は、従来のコモンモードフィルタと本実施形態によるノイズ除去フィルタとの外部ノイズに対する遮蔽効果を比較したものである。表１から分かるように、本実施形態のノイズ除去フィルタは、外部から流れ込まれるノイズが従来のコモンモードフィルタに比べて小さく、特にＧＨｚ以上の高周波数帯域で外部から流れ込まれるノイズが格段に減ることが認められる。
【００７７】
本実施形態のノイズ除去フィルタは、遮蔽補強層３５０という構成要素以外のものに対する構造、製造工程、作用などは、当業者が前述の第１の実施形態を容易に適用することができるため、それに対する詳細は略する事にする。
【００７８】
次に、図７を参照して、本発明の第４の実施形態によるノイズ除去フィルタについて詳記する。
【００７９】
図７に示すように、本実施形態のノイズ除去フィルタは、前述の第２の実施形態と同様に、下部磁性基板４１０と、この下部磁性基板４１０の上部に設けられ、１次導電体パターン４２１、２次導電体パターン４２２及び絶縁層４２３を有するコイル層４２０と、このコイル層４２０の上部に設けられる上部磁性基板４３０と、この下部磁性基板４１０及び前記上部磁性基板４３０の中で透磁率の小さい磁性基板、即ち前記下部磁性基板４１０上に複数層で設けられる透磁率補強層４４０とを含んで構成される。
【００８０】
しかしながら、本実施形態のノイズ除去フィルタは、前述の第２の実施形態と異なり、前記下部磁性基板４１０、前記コイル層４２０、前記上部磁性基板４３０及び前記透磁率補強層４４０を有する積層体を取り囲む遮蔽補強層４５０を、さらに含む。
【００８１】
本実施形態の遮蔽補強層４５０は、当業者が前述の第３の実施形態による遮蔽補強層を容易に適用することができるため、それに対する詳細は、略する事にする。
【００８２】
また、本実施形態のノイズ除去フィルタは、前記遮蔽補強層４５０の構成要素以外のものに対する構造、製造工程、作用などは、当業者が前述の第２の実施形態を容易に適用することができるため、それに対する詳細も略する事にする。
【００８３】
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、前記した実施の形態の説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【符号の説明】
【００８４】
１１０  下部磁性基板
１２０  コイル層
１２１  １次導電体パターン
１２２  ２次導電体パターン
１２３  絶縁層
１３０  上部磁性基板
１４０  透磁率補強層
３５０  遮蔽補強層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４ａ】
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【図４ｂ】
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【図５ａ】
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【図５ｂ】
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【図６】
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【図７】
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