(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
透光性の第１透明基材と、
前記第１透明基材に対向して配置された第２透明基材と、
前記第１透明基材及び前記第２透明基材の入力領域にそれぞれ形成された第１透明電極層と第２透明電極層と、
前記第１透明電極層に接続された非透光性の金属材料からなる第１の引出配線層及び前記第２透明電極層に接続された非透光性の金属材料からなる第２の引出配線層と、
前記第１透明基材の前記入力領域を囲むように形成された非透光性の金属材料からなるＧＮＤ電極層と、を有し、
前記第１透明基材には、前記ＧＮＤ電極層の外縁の凹部から構成された第１のアライメントマークが形成されており、
前記第２透明基材には、前記第１のアライメントマークと対応する位置に非透光性の金属材料からなる第２のアライメントマークが形成されており、
前記第２のアライメントマークの基準縁の少なくとも一部が、平面視で前記凹部内に位置するように前記第１透明基材と前記第２透明基材とが積層されていることを特徴とする入力装置。
【請求項２】
前記第１透明基材の平面内において、交叉する２方向を第１の方向と第２の方向としたとき、前記ＧＮＤ電極層は、前記第１の方向に延出された第１のＧＮＤ電極部と、前記第２の方向に延出された第２のＧＮＤ電極部とを有して構成されており、
前記第１のアライメントマークは、前記第１のＧＮＤ電極部の一部から形成された第１部分と前記第２のＧＮＤ電極部の一部から形成された第２部分とを有して構成されており、
前記第２のアライメントマークは、前記第１の方向に沿った第１部分と前記第２の方向に沿った第２部分とを有して構成されていることを特徴とする請求項１に記載の入力装置。
【請求項３】
前記第１のアライメントマークの前記第１部分と前記第２部分とは離間して形成されていることを特徴とする請求項２に記載の入力装置。
【請求項４】
前記第１透明基材の入力面側には、表面を保護するための保護パネルが積層されており、前記第１透明基材及び前記第２透明基材と、前記保護パネルとは、前記第２のアライメントマークの基準縁に基づいて位置合わせして積層されていることを特徴とする、請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の入力装置。
【請求項５】
透光性の第１透明基材と、前記第１透明基材に対向して配置された第２透明基材と、前記第１透明基材及び前記第２透明基材の入力領域にそれぞれ形成された第１透明電極層と第２透明電極層と、前記第１透明電極層に接続された非透光性の金属材料からなる第１の引出配線層及び前記第２透明電極層に接続された非透光性の金属材料からなる第２の引出配線層と、を有する入力装置の製造方法であって、
前記第１透明基材の前記入力領域を囲むように非透光性の金属材料でＧＮＤ電極層を形成するとともに、前記ＧＮＤ電極層の外縁に凹部を設け、前記凹部から構成される第１のアライメントマークを形成する工程と、
前記第２透明基材の前記第１のアライメントマークと対応する位置に、非透光性の金属材料で第２のアライメントマークを形成する工程と、
前記第２のアライメントマークの基準縁の少なくとも一部が、平面視で前記凹部内に位置するように、前記第１透明基材と前記第２透明基材とを積層する工程と、を有することを特徴とする入力装置の製造方法。
【請求項６】
前記第２のアライメントマークの基準縁に基づいて、表面を保護するための保護パネルを位置合わせして、前記第１透明基材及び前記第２透明基材と前記保護パネルとを積層する工程を含むことを特徴とする請求項５に記載の入力装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、入力装置及び入力装置の製造方法に関し、特に、一対の透明基材を正確に位置合わせして積層することができる入力装置及び入力装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、携帯用の電子機器などの表示部として、表示画像のメニュー項目やオブジェクトを直接、指などで操作して座標入力を行うための透光型入力装置が用いられている。このような入力装置として種々の方式が挙げられるが、その中で、静電容量値の変化により入力位置情報を検知する静電容量式の入力装置が多く用いられている。
【０００３】
静電容量式の入力装置は、一対の透明基材と、表面を保護するための保護パネルとを有し構成されている。一対の透明基材にはそれぞれ透明電極層が形成されており、透明電極層間で静電容量を形成するように各透明基材が積層されている。静電容量式の入力装置は、透明電極層間の静電容量値の変化によって入力位置情報を検知することができる。したがって、入力装置を組み立てるときに一対の透明基材の積層位置がずれてしまうと、入力位置情報を正確に検知できないという問題が発生する。また、一対の透明基材と保護パネルとについても正確に位置合わせして積層されないと、入力操作が検知されない領域が生じる場合や、外観品質上の不具合となる場合がある。
【０００４】
各透明基材、または各部材間を正確に位置合わせして積層する方法として、それぞれにアライメントマークを設けて画像認識により位置合わせする方法が知られている。例えば、特許文献１には、このようなアライメントマークの一例が開示されている。また、特許文献２には、非入力領域に形成されたアライメントマークによって、表示装置と入力装置とのアライメント精度を向上させることのできる構成が開示されている。特許文献３及び特許文献４には、入力領域に形成されたアライメントマークによって、表示装置と入力装置とのアライメント精度を向上させることができる構成が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平１１−１５３８０５号公報
【特許文献２】特開２００８−２０９５５４号公報
【特許文献３】特開２０１０−１７０２５０号公報
【特許文献４】特開２００８−００９０５４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
静電容量式の入力装置において、外部からの電磁ノイズ等の影響や、非入力領域を手や指で触れたときに透明電極層との間に発生する静電干渉の影響等により、誤入力や誤検出が生じてしまう問題がある。このような静電干渉を防ぐために、透明基材の入力領域を囲むようにＧＮＤ電極層が設けられている。しかしながら、ＧＮＤ電極層を形成するとともに、ＧＮＤ電極層の外側の非入力領域にアライメントマークを形成すると、非入力領域の面積が増大してしまい入力装置の狭額縁化が困難となる。
【０００７】
また、ＧＮＤ電極層よりも内方にアライメントマークが形成されると、アライメントマークと透明電極層との間で静電容量が形成されて、これにより入力領域内の静電容量分布が不均一になり、入力操作時の検出感度分布が不均一になるという課題が発生する。
【０００８】
本発明は、上記課題を解決し、静電干渉の抑制及び狭額縁化を実現するとともに、透明基材間を正確に位置合わせして積層することが可能な入力装置及び入力装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の入力装置は、透光性の第１透明基材と、前記第１透明基材に対向して配置された第２透明基材と、前記第１透明基材及び前記第２透明基材の入力領域にそれぞれ形成された第１透明電極層と第２透明電極層と、前記第１透明電極層に接続された非透光性の金属材料からなる第１の引出配線層及び前記第２透明電極層に接続された非透光性の金属材料からなる第２の引出配線層と、前記第１透明基材の前記入力領域を囲むように形成された非透光性の金属材料からなるＧＮＤ電極層と、を有し、前記第１透明基材には、前記ＧＮＤ電極層の外縁の凹部から構成された第１のアライメントマークが形成されており、前記第２透明基材には、前記第１のアライメントマークと対応する位置に非透光性の金属材料からなる第２のアライメントマークが形成されており、前記第２のアライメントマークの基準縁の少なくとも一部が、平面視で前記凹部内に位置するように前記第１透明基材と前記第２透明基材とが積層されていることを特徴とする。
【００１０】
これによれば、第１透明基材に形成された第１のアライメントマークと第２透明基材に形成された第２のアライメントマークとを画像認識して、第１透明基材と第２透明基材とを正確に位置合わせして積層することが可能となる。
【００１３】
また、非入力領域の拡大を抑制して第１のアライメントマークと第２のアライメントマークとが形成されるため、入力装置の狭額縁化が可能となる。また、第１のアライメントマークはＧＮＤ層の外縁に形成された凹部から構成されていることから、ＧＮＤ電極層の内縁の形状を変化させることなく第１のアライメントマークを形成することができる。これにより、ＧＮＤ電極層の内方に位置する入力領域において静電容量分布の変化を防ぐことができる。また、ＧＮＤ電極層によって、外部からの電磁ノイズ等による静電干渉を抑制するとともに、第１のアライメントマーク及び第２のアライメントマークと各透明電極層との間の静電干渉が抑制される。したがって、静電干渉の抑制及び狭額縁化を実現して、透明基材間を正確に位置合わせして積層することが可能となる。
【００１５】
前記第１透明基材の平面内において、交叉する２方向を第１の方向と第２の方向としたとき、前記ＧＮＤ電極層は、前記第１の方向に延出された第１のＧＮＤ電極部と、前記第２の方向に延出された第２のＧＮＤ電極部とを有して構成されており、前記第１のアライメントマークは、前記第１のＧＮＤ電極部の一部及び前記第２のＧＮＤ電極部の一部から構成されており、前記第２のアライメントマークは、前記第１の方向に沿った第１部分と前記第２の方向に沿った第２部分とを有して構成されていることが好適である。これによれば、アライメントマークの付近に引出配線層等の他のパターンが配置されている場合であっても、第１のアライメントマーク及び第２のアライメントマークの形状を他のパターンと明確に異ならせることができるため、画像認識における誤認識を防ぐことができる。また、第１のアライメントマーク及び第２のアライメントマークを画像認識する場合に、非入力領域を拡大させることなく画像認識エリアを実質的に大きくすることができるため、誤認識を防ぎ画像認識精度を向上させることが可能である。したがって、第１透明基材と第２透明基材とを正確に位置合わせして積層することが可能となる。
【００１６】
本発明の入力装置において、前記第１のアライメントマークの前記第１部分と前記第２部分とは離間して形成されていることが好ましい。このような態様であれば、ＧＮＤ電極層の角部を用いて入力装置の静電破壊検査を行うことが可能となる。
【００１７】
前記第１透明基材の入力面側には、表面を保護するための保護パネルが積層されており、前記第１透明基材及び前記第２透明基材と、前記保護パネルとは、前記第２のアライメントマークの基準縁に基づいて位置合わせして積層されていることが好ましい。これによれば、保護パネルを積層するためのアライメントマークを別に設ける必要がなく、第２のアライメントマークに基づいて第１透明基材及び第２透明基材と保護パネルとを正確に位置合わせして積層することができる。
【００１８】
本発明の入力装置の製造方法は、前記第１透明基材の前記入力領域を囲むように非透光性の金属材料でＧＮＤ電極層を形成するとともに、前記ＧＮＤ電極層の外縁に凹部を設け、前記凹部から構成される第１のアライメントマークを形成する工程と、前記第２透明基材の前記第１のアライメントマークと対応する位置に、非透光性の金属材料で第２のアライメントマークを形成する工程と、前記第２のアライメントマークの基準縁の少なくとも一部が、平面視で前記凹部内に位置するように、前記第１透明基材と前記第２透明基材とを積層する工程と、を有することを特徴とする。
【００１９】
これによれば、第１透明基材に形成された第１のアライメントマークと第２透明基材に形成された第２のアライメントマークとを画像認識して、第１透明基材と第２透明基材とを正確に位置合わせして積層することが可能となる。
【００２２】
また、非入力領域の拡大を抑制して第１のアライメントマークと第２のアライメントマークとを形成することができるため、入力装置の狭額縁化が可能となる。また、第１のアライメントマークはＧＮＤ層の外縁に形成された凹部から構成されていることから、ＧＮＤ電極層の内縁の形状を変化させることなく第１のアライメントマークを形成することができる。これにより、ＧＮＤ電極層の内方に位置する入力領域において静電容量分布の変化を防ぐことができる。また、ＧＮＤ電極層によって、外部からの電磁ノイズ等による静電干渉を抑制するとともに、第１のアライメントマーク及び第２のアライメントマークと各透明電極層との間の静電干渉が抑制される。したがって、静電干渉の抑制及び狭額縁化を実現して、透明基材間を正確に位置合わせして積層することが可能となる。
【００２４】
本発明の入力装置の製造方法において、前記第２のアライメントマークの基準縁に基づいて、表面を保護するための保護パネルを位置合わせして、前記第１透明基材及び前記第２透明基材と前記保護パネルとを積層する工程を含むことが好ましい。これによれば、保護パネルを積層するためのアライメントマークを別に設ける必要がなく、第２のアライメントマークを基準として容易に保護パネルを積層することができる。
【発明の効果】
【００２５】
本発明によれば、第１透明基材に形成された第１のアライメントマークと第２透明基材に形成された第２のアライメントマークとを画像認識して、第１透明基材と第２透明基材とを正確に位置合わせして積層することが可能となる。
【００２６】
さらに、第１のアライメントマークがＧＮＤ電極層の一部から構成されており、第２のアライメントマークの基準縁の少なくとも一部が第１のアライメントマークと平面視で重なるように形成されることから、入力領域の周囲に位置する非入力領域が拡大することを抑制して、入力装置の狭額縁化が可能である。また、ＧＮＤ電極層が入力領域を囲むように形成されており、外部からの電磁ノイズ等による静電干渉を抑制するとともに、各アライメントマークと透明電極層との間の静電干渉も抑制されるため、誤検出や誤動作を防止することができる。
【００２７】
したがって、本発明によれば、静電干渉の抑制及び狭額縁化を実現するとともに、透明基材間を正確に位置合わせして積層することが可能な入力装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】本実施形態における入力装置の分解斜視図である。
【図２】本実施形態における第１透明基材の平面図である。
【図３】本実施形態における第２透明基材の平面図である。
【図４】第１透明基材と第２透明基材とを位置合わせして積層したときの模式平面透過図である。
【図５】本実施形態の第１の変形例を示す、第１透明基材と第２透明基材とを積層したときの模式平面透過図である。
【図６】参考例を示す、第１透明基材と第２透明基材とを積層したときの模式平面透過図である。
【図７】本実施形態の入力装置の製造方法を示す、第１のアライメントマークを有するＧＮＤ電極層を形成する工程を示す図である。
【図８】本実施形態の入力装置の製造方法を示す、第１のアライメントマークを有するＧＮＤ電極層を形成する工程を示す図である。
【図９】第１透明基材と第２透明基材とを積層する工程を示す図である。
【図１０】第１透明基材及び第２透明基材と、保護パネルとを積層する工程を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
図１には、本発明の実施形態における入力装置１の分解斜視図を示す。また、図２には第１透明基材１０の平面図を、図３には第２透明基材２０の平面図を示す。
【００３０】
図１に示すように、本実施形態の入力装置１は、第１透明基材１０、第２透明基材２０、及び第１透明基材１０の入力面側に配置された保護パネル３１を有して構成されている。
【００３１】
保護パネル３１は、入力装置１の表面を保護するために設けられており、ＰＣ（ポリカーボネイト）等の樹脂基板や、ガラス基板等の透光性の材料を用いて形成されている。図１に示すように、保護パネル３１の外周には着色された加飾層３２が設けられており、これにより透光性の入力領域５１と、着色された非透光性の非入力領域５２とに区分けされている。
【００３２】
図１及び図２に示すように、第１透明基材１０の入力領域５１には第１透明電極層１１が形成されている。第１透明電極層１１は、Ｙ１−Ｙ２方向に延出された複数の帯状の透明電極層から構成されており、この複数の帯状の透明電極層がＸ１−Ｘ２方向に間隔を空けて配列されている。
【００３３】
また、図１及び図３に示すように、第２透明基材２０の入力領域５１には、複数の帯状の透明電極層から構成される第２透明電極層２１が形成されている。第２透明電極層２１は、Ｘ１−Ｘ２方向に延出された複数の透明電極層が、Ｙ１−Ｙ２方向に間隔を空けて配列されている。図１に示すように、第１透明電極層１１と第２透明電極層２１との各交点で静電容量値を形成するように、第１透明基材１０と第２透明基材２０とが積層されている。
【００３４】
第１透明基材１０と第２透明基材２０とは、透光性のアクリル系両面テープまたはアクリル系光学粘着剤からなる粘着層３３（図示しない）を介して積層されている。また、保護パネル３１と第１透明基材１０とは、同様に粘着層３４（図示しない）を介して積層されている。
【００３５】
第１透明基材１０及び第２透明基材２０には、透光性のフィルム状樹脂材料が用いられており、例えばＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルムを用いることができる。第１透明基材１０及び第２透明基材２０の厚みは、それぞれ５０μｍ〜２００μｍ程度に形成される。
【００３６】
また、第１透明電極層１１及び第２透明電極層２１は、いずれも可視光領域で透光性を有するＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）、ＳｎＯ２、ＺｎＯ等の透明電極膜により形成される。第１透明電極層１１及び第２透明電極層２１は、スパッタ法や蒸着法等の薄膜法により形成され、その厚みはいずれも０．０１μｍ〜０．０５μｍ、例えば０．０２μｍ程度に形成される。また、スパッタ法や蒸着法以外の方法では、あらかじめ透明電極膜が形成されたフィルムを用意して、透明電極膜のみを透明基材に転写する方法や、導電性ポリマーやＡｇナノワイヤ等を塗布する方法により形成することも可能である。
【００３７】
入力装置１の入力操作時において、保護パネル３１表面の入力領域５１の任意の箇所に指を接触させると、第１透明電極層１１と第２透明電極層２１との間の静電容量に、第１透明電極層１１と指との間の静電容量が付加されて、静電容量値の変化が生じる。第１透明電極層１１と第２透明電極層２１との各交点の静電容量値を検出することにより、静電容量値の変化に基づいて入力位置を検知することが可能である。
【００３８】
図２に示すように、第１透明電極層１１のＹ１側の端部には、第１引出配線層１２が接続されている。第１引出配線層１２はＹ１側の非入力領域５２を引き回されて、第１接続部１３と接続されている。第１透明電極層１１と第１引出配線層１２とは、接続信頼性を確保するための接続用パッド１５を介して接続されており、また、第１透明電極層１１のＹ２側の端部には、電気特性を測定するための検査用パッド１４が形成されている。
【００３９】
また、図３に示すように第２透明電極層２１のＸ１側の端部またはＸ２側の端部には、第２引出配線層２２がそれぞれ接続されている。第２引出配線層２２は、非入力領域５２を引き回されて、Ｙ１側に形成された第２接続部２３と接続されている。
【００４０】
第１接続部及び第２接続部はフレキシブルプリント基板（図示しない）と接続されて、入力位置情報を出力することができる。フレキシブルプリント基板との接続において、第１透明基材１０には、第２接続部２３と対向する位置に切り欠き等（図示しない）が形成されていることが好ましい。こうすれば、第１接続部１３と第２接続部２３とが並んで露出されるため、フレキシブルプリント基板との接続を容易に行うことが可能となる。
【００４１】
第１引出配線層１２、第２引出配線層２２、第１接続部１３、及び第２接続部２３は、保護パネル３１に形成された加飾層３２と平面視で重なる位置に形成されており、操作者から直接視認されることがないため、非透光性の材料を用いることができる。本実施形態においては、第１透明電極層１１及び第２透明電極層２１よりも高い導電性を有する（抵抗値が低い）、例えば、ＡｇＰｄＣｕ、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｇ、Ａｕ、ＭｏＮｂ／Ａｌ、ＭｏＮｂ／ＡｇＰｄＣｕ等の金属材料が用いられる。各引出配線層及び各接続部に抵抗値の低い材料を用いることにより、電気的接続信頼性を確保できるとともに、第１引出配線層１２及び第２引出配線層２２の線幅をより細く形成した場合でも低い抵抗値が得られるため、入力装置１の狭額縁化に対してより効果的である。
【００４２】
本実施形態の入力装置１において、図１及び図２に示すように、第１透明基材１０の非入力領域５２には、入力領域５１を囲むようにＧＮＤ電極層４１が形成されている。ＧＮＤ電極層４１には、第１引出配線層１２及び第１接続部１３と同様に高い導電性を有する金属材料が用いられている。なお、ＧＮＤ電極層４１は、使用時に接地電位に設定される。
【００４３】
ＧＮＤ電極層４１を設けることにより、外部の電子機器等からの電磁ノイズを遮蔽することができ、静電干渉を抑制することが可能となる。また、保護パネル３１表面の非入力領域５２に指や手を触れた場合においても、ＧＮＤ電極層４１によって遮蔽されて、ＧＮＤ電極層４１の内方の入力領域５１において静電干渉が抑制される。これにより、誤検出等を防ぐことが可能となり、安定して入力位置情報を検知することができる。
【００４４】
また、上述のとおり静電容量式の入力装置１においては、第１透明電極層１１と第２透明電極層２１との各交点を走査して静電容量値の変化を検出し、これにより入力位置情報を検知することができる。したがって、入力位置情報を正確に検知するために、第１透明基材１０と第２透明基材２０とは正確に位置合わせして積層される必要がある。図２に示すように、本実施形態の入力装置１においては、ＧＮＤ電極層４１の外縁に、内方に向かい窪んで形成された第１凹部４２ａ及び第２凹部４２ｂが形成されている。この第１凹部４２ａ及び第２凹部４２ｂから第１のアライメントマーク４２が構成される。また、図３に示すように、第２透明基材２０の非入力領域５２には、第１のアライメントマーク４２と対応する位置に第２のアライメントマーク４３が形成されている。第２のアライメントマーク４３は、第２引出配線層２２や第２接続部２３等と同様に、高い導電性を有する金属材料が用いられる。第１透明基材１０と第２透明基材２０とを積層するときに、第１のアライメントマーク４２及び第２のアライメントマーク４３の位置を画像認識して正確に位置合わせして積層することができる。
【００４５】
図４には、第１透明基材１０と第２透明基材２０とを積層したときの模式平面透過図を示し、特に第１のアライメントマーク４２及び第２のアライメントマーク４３付近について拡大して示す。図４に示すように、ＧＮＤ電極層４１はＹ１−Ｙ２方向に延出された第１のＧＮＤ電極部４１ａと、Ｘ１−Ｘ２方向に延出された第２のＧＮＤ電極部４１ｂとを有して構成される。
【００４６】
図４に示すように、第１のＧＮＤ電極部４１ａの外縁には第１凹部４２ａが形成されており，第２のＧＮＤ電極部４１ｂの外縁には第２凹部４２ｂが形成されている。第１のアライメントマーク４２は、第１凹部４２ａ及び第２凹部４２ｂから構成されている。また、第２透明基材２０に形成された第２のアライメントマーク４３は、Ｙ１−Ｙ２方向に沿った基準縁４３ｍ１を有する矩形状の第１部分４３ａと、Ｘ１−Ｘ２方向に沿った基準縁４３ｍ２を有する矩形状の第２部分４３ｂとを有して構成される。そして、第１凹部４２ａと対応する位置に第１部分４３ａが形成され、第２凹部４２ｂと対応する位置に第２部分４３ｂが形成される。本実施形態では、矩形状の第１部分４３ａ及び第２部分４３ｂの長辺の一部をそれぞれ基準縁４３ｍ１、基準縁４３ｍ２としている。
【００４７】
このように第１のアライメントマーク４２と第２のアライメントマーク４３とが形成されることにより、第１のアライメントマーク４２と、第２のアライメントマーク４３とをそれぞれ画像認識して、正確に位置合わせして積層することが可能となる。本実施形態の入力装置１においては、図４に示すように、第２のアライメントマーク４３の第１部分４３ａの基準縁４３ｍ１の一部が、第１凹部４２ａの内部に位置するように、また、第２部分４３ｂの基準縁４３ｍ２の一部が、第２凹部４２ｂの内部に位置するように積層されている。
【００４８】
例えば第１のアライメントマーク４２がＧＮＤ電極層４１と別に形成される場合には、第１のアライメントマーク４２を形成するためにＧＮＤ電極層４１の外周の非入力領域５２の面積を拡大する必要があり、入力装置１の狭額縁化が困難となってしまう。本実施形態の入力装置１によれば、ＧＮＤ電極層４１の外縁に形成された第１凹部４２ａ及び第２凹部４２ｂから第１アライメントマーク４２が構成されて、第２のアライメントマーク４３は第１のアライメントマーク４２と対応する位置に形成されている。これにより、非入力領域５２を拡大させることなく第１のアライメントマーク４２と第２のアライメントマーク４３とが形成されて、入力装置１の狭額縁化を実現することができる。
【００４９】
さらに、第１のアライメントマーク４２及び第２のアライメントマーク４３を形成しても、ＧＮＤ電極層４１は入力領域５１を囲むように形成されているため、外部からの電磁ノイズや非入力領域に指などを接触させた場合であっても静電干渉が効果的に抑制される。また、ＧＮＤ電極層の内縁の形状を変化させることなく第１のアライメントマークが形成されているため、ＧＮＤ電極層４１の内方に位置する入力領域５１において静電容量分布の変化を防ぐことができる。また、ＧＮＤ電極層４１によって、外部からの電磁ノイズ等による静電干渉を抑制するとともに、第１のアライメントマーク４２及び第２のアライメントマーク４３と各透明電極層との間の静電干渉が抑制される。したがって、本実施形態の入力装置によれば、効果的に静電干渉を抑制して誤動作や誤検出を防ぐことが可能である。
【００５０】
本実施形態において、第１アライメントマーク４２の第１凹部４２ａ、第２凹部４２ｂ及び第２アライメントマーク４３の第１部分４３ａ、第２部分４３ｂが画像認識されることにより、第１透明基材１０と第２透明基材２０とが位置合わせされて積層される。これによれば、各アライメントマーク付近に引出配線層等の他のパターンが配置されている場合であっても、第１のアライメントマーク４２及び第２のアライメントマーク４３の形状を他のパターンと明確に異ならせることができるため、画像認識における誤認識を防ぐことができる。また、第１のアライメントマーク４２及び第２のアライメントマーク４３を画像認識する場合に、非入力領域５２を拡大させることなく画像認識エリアを実質的に大きくすることができるため、誤認識を防ぎ画像認識精度を向上させることが可能である。
【００５１】
また、本実施形態において第１のアライメントマーク４２の第１凹部４２ａと第２凹部４２ｂとが離間して形成されており、また、第２のアライメントマーク４３の第１部分４３ａと第２部分４３ｂとが離間して形成されている。このような態様であれば、ＧＮＤ電極層４１の角部には第１のアライメントマーク４２の第１凹部４２ａ及び第２凹部４２ｂが設けられないため、ＧＮＤ電極層４１の角部を用いて入力装置１の静電破壊検査を行うことができる。また、非入力領域５２を拡大させることなく画像認識エリアをより大きく確保することができるため、誤認識を防止することが可能となる。
【００５２】
なお、図４においては、第１透明基材１０及び第２透明基材２０の一つの角部について示したが、対角についても同様に、第１のアライメントマーク４２と第２のアライメントマーク４３とを設けることにより、さらに正確に位置合わせすることが可能である。また、図２及び図３に示すように、対角の非入力領域５２においてはフレキシブルプリント基板との接続を行うために比較的広い面積を有しているため、図４に示すような態様に限らず、様々な態様でアライメントマークを形成することができる。
【００５３】
入力装置１の狭額縁化を実現するために、例えば、第１透明基材１０の一部及び第２透明基材２０の一部にあらかじめ張り出し部を設けて、この張り出し部にそれぞれアライメントマークを形成する方法も検討された。このような構成によれば、各アライメントマークに基づいて第１透明基材１０と第２透明基材２０とを貼り合わせた後に、張り出し部を切断することで入力装置１の狭額縁化を図ることができる。この場合、張り出し部とともに各アライメントマークも切断されることになる。そのため、第１透明基材１０と第２透明基材２０とを貼り合わせた後に保護パネル３１を積層する場合、位置合わせが非常に困難であった。
【００５４】
本実施形態の入力装置１においては、狭額縁を実現して第１透明基材１０と第２透明基材２０とを積層した後においても、第２のアライメントマーク４３の一部を視認することができる。本実施形態においては、第２のアライメントマーク４３の第１部分４３ａの基準縁４３ｍ１及び第２部分４３ｂの基準縁４３ｍ２の一部が第１凹部４２ａ、及び第２凹部４２ｂ内で視認することが可能であることから、基準縁４３ｍ１及び基準縁４３ｍ２の一部に基づいて第１透明基材１０及び第２透明基材２０と保護パネル３１とを、容易に、かつ正確に位置合わせして積層することが可能となる。
【００５５】
第１のアライメントマーク４２、及び第２のアライメントマーク４３の態様は、図４に示すようなものに限定されるものではない。例えば、第２のアライメントマーク４３は正方形、円形、十字、あるいはそれらの組み合わせなど、一般的なアライメントマークであっても良い。また、図４では、第２のアライメントマーク４３（第１部分４３ａ、第２部分４３ｂ）の一部が第１のアライメントマーク４２（第１凹部４２ａ、第２凹部４２ｂ）の内部に位置するように積層されているが、これに限らず、第２のアライメントマーク４３の第１部分４３ａ及び第２部分４３ｂの全体が、第１凹部４２ａ内及び第２凹部４２ｂ内にそれぞれ位置するような大きさに形成されていても何ら問題は無い。
【００５６】
なお、本実施形態の入力装置１において、第１のアライメントマーク４２及び第２のアライメントマーク４３はそれぞれ複数のアライメントマークを有して構成されているが、この態様に限らず、第１凹部４２ａと第１部分４３ａの組み合わせ、又は第２凹部４２ｂと第２部分４３ｂの組み合わせのいずれか一方のみが形成された場合であっても、画像認識して正確に位置合わせすることが可能である。
【００５７】
図５には、本実施形態の第１の変形例である、第１透明基材１０と第２透明基材２０とを積層したときの模式平面透過図を示す。図５に示すように、第１のアライメントマーク４２を離間させずに、ＧＮＤ電極層４１の角部に連接して設けても良い。この場合、第２のアライメントマーク４３の第１部分４３ａ、第２部分４３ｂについても連接してＬ字状に形成される。第１の変形例においても、第１のアライメントマーク４２と第２のアライメントマーク４３の基準縁４３ｍ１、４３ｍ２とに基づいて、正確に位置合わせすることが可能である。
【００５８】
図６には、参考例を示す。図６に示すように、第１のＧＮＤ電極部４１ａには第１開口部４２ｃが形成され、第２のＧＮＤ電極部４１ｂには第２開口部４２ｄが形成されている。第１開口部４２ｃ及び第２開口部４２ｄから第１のアライメントマーク４２が構成されている。また、第２のアライメントマーク４３は、図４と同様に、第１部分４３ａ及び第２部分４３ｂを有して構成される。本参考例においては、第２のアライメントマーク４３の第１部分４３ａの基準縁４３ｍ１の一部が第１開口部４２ｃ内部に位置し、第２のアライメントマーク４３の第２部分４３ｂの基準縁４３ｍ２の一部が第２開口部４２ｄ内部に位置するように積層される。これにより、第１透明基材１０及び第２透明基材２０が正確に位置合わせして積層される。本参考例においても、入力装置１の狭額縁化が可能であるとともに、静電干渉を抑制することができる。ただし、本参考例は本発明の範囲には入らない。
【００５９】
＜入力装置の製造方法＞
次に、図面に基づいて入力装置１の製造方法について説明する。図７（ａ）〜図７（ｃ）及び図８（ａ）〜図８（ｃ）には第１のアライメントマーク４２を有するＧＮＤ電極層４１を形成する工程図を示す。図７及び図８の各左図には、第１透明基材１０の模式平面透過図を示し、各右図には図７（ａ）のＶＩＩ−ＶＩＩ線、及び図８（ａ）のＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ線に対応する箇所で切断した時の断面図を示す。
【００６０】
まず、第１透明基材１０上に、ＩＴＯ等の透明電極膜６１をスパッタ法や蒸着法等により成膜する。次に透明電極膜６１の全面に金属層６２をスパッタ法や蒸着法により成膜する。金属層６２には、ＡｇＰｄＣｕ、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｇ、Ａｕ、ＭｏＮｂ／Ａｌ、ＭｏＮｂ／ＡｇＰｄＣｕ等の低抵抗材料を用いることができる。なお、金属層６２は単層であっても積層体であっても良い。
【００６１】
図７（ａ）に示すように、第１透明電極層１１及びＧＮＤ電極層４１が形成される領域にレジスト層６３を積層する。このとき、第１のアライメントマーク４２が形成される箇所に対応して、レジスト層６３に凹部６３ａ、６３ｂを設けて積層する。なお、図７（ａ）〜（ｃ）及び図８（ａ）〜（ｃ）には図示しないが、第１引出配線層１２、第１接続部１３が形成される領域にもレジスト層６３を積層して、同様の工程で第１引出配線層１２及び第１接続部１３が形成される（以降の説明では省略する）。
【００６２】
次に、図７（ｂ）の工程では、レジスト層６３が積層されていない領域で露出する金属層６２をエッチングにより除去する。エッチング工程では、ウェットエッチングを選択することができる。図７（ｂ）の工程により、第１透明電極層１１及びＧＮＤ電極層４１が形成される領域に金属層６２が残ることになる。図７（ｃ）の工程では、レジスト層６３が積層されていない領域で露出する透明電極膜６１をエッチングにより除去する。その後、レジスト層６３を除去すると、第１透明電極層１１及びＧＮＤ電極層４１が形成される領域に、透明電極膜６１と金属層６２との積層体が残る。
【００６３】
図８（ａ）に示す工程では、検査用パッド１４及びＧＮＤ電極層４１が形成される領域に跨がって、レジスト層６４を積層する。なお、図８では図示していないが、第１引出配線層１２及び、第１引出配線層１２と第１透明電極層１１との接続パッド部が設けられる領域にもレジスト層６４が積層されている。
【００６４】
その後図８（ｂ）に示すように、レジスト層６４に覆われていない金属層６２をエッチングにより除去する。これにより、第１透明電極層１１が露出して形成される。そして、図８（ｃ）の工程で、レジスト層６４を除去することにより、第１透明基材１０上に第１透明電極層１１及びＧＮＤ電極層４１が形成される。このような工程によって、第１アライメントマーク４２（第１凹部４２ａ、第２凹部４２ｂ）が、最初のレジスト層６３で位置精度良く形成される。また、その後のエッチング工程においてはレジスト層６４により保護されていることから、複数回のエッチングの影響を受けることがなく、所望の形状を維持して形成される。
【００６５】
第２透明基材２０に第２透明電極層２１及び第２のアライメントマーク４３を形成する工程についても、図７（ａ）〜図７（ｃ）及び図８（ａ）〜図８（ｃ）と同様の工程で形成することができる。
【００６６】
なお、図７及び図８では、ＧＮＤ電極層４１の外縁に、第１凹部４２ａが形成される場合について示したが、これに限らず、図５に示すようなＬ字状の第１のアライメントマーク４２など、他の態様であっても、同様の工程で形成することが可能である。また、レジスト層６３、６４のパターニングや、エッチングにより金属層６２、透明電極膜６１を除去する工程は、図７（ａ）〜（ｃ）、図８（ａ）〜（ｃ）の工程に限定されるものではない。例えば、図７（ｃ）の後に、図８（ａ）のレジスト層６４を新たに形成せずに、検査用パッド１４及びＧＮＤ電極層４１が形成される領域にレジスト層６３を残すように除去する方法であっても良い。
【００６７】
図９（ａ）〜図９（ｃ）には、第１透明基材１０と第２透明基材２０とを積層する工程図を示す。それぞれ左図には部分拡大平面図を示し、右図には図９（ａ）のＩＸ−ＩＸ線に対応する箇所で切断したときの断面図を示す。アライメントの方法は特に限定されるものではないが、第１のアライメントマーク４２と第２のアライメントマーク４３とを、それぞれ画像処理装置により読み取って位置を認識することができる。例えば、図９（ａ）に示すように、第１のアライメントマーク４２の第１凹部４２ａの直線部と、第２凹部４２ｂの直線部とを画像認識して、それぞれの延長線が交叉する点を第１透明基材１０の基準点Ａとすることができる。同様に、図９（ｂ）に示すように第２アライメントマーク４３の第１部分４３ａの基準縁４３ｍ１の直線部と、第２部分４３ｂの基準縁４３ｍ２の直線部とを画像認識して、それぞれを延長した直線の交叉する点を第２透明基材２０の基準点Ｂとすることができる。
【００６８】
そして、両基準点が適切な位置になるように、第１透明基材１０及び第２透明基材２０の位置を自動機によって調整して貼り合わせることによって、正確に位置合わせして積層することができる。このような工程により図９（ｃ）に示すように、第２のアライメントマーク４３の少なくとも一部が第１のアライメントマーク４２と平面視で重なるように、すなわち、第１凹部４２ａ内に第２のアライメントマーク４３の第１部分４３ａの基準縁４３ｍ１の一部が位置するように、また、第２凹部４２ｂ内に第２部分４３ｂの基準縁４３ｍ２の一部が位置するように、第１透明基材１０と第２透明基材２０とが粘着層３３を介して積層される。
【００６９】
本実施形態の入力装置１の製造方法によれば、非入力領域５２の拡大を抑制して第１のアライメントマーク４２と第２のアライメントマーク４３とを形成することができるため、入力装置１の狭額縁化が可能となる。また、第１のアライメントマーク４２及び第２のアライメントマーク４３と各透明電極層との間の静電干渉もＧＮＤ電極層４１によって抑制されるため、ＧＮＤ電極層４１の内方に位置する入力領域５１において静電容量分布の変化や静電干渉を防ぐことができる。したがって、ＧＮＤ電極層４１によって効果的に静電干渉が抑制されて、誤動作や誤検出を防止できる。
【００７０】
図１０（ａ）〜図１０（ｃ）には、第１透明基材１０及び第２透明基材２０と、保護パネル３１とを積層する工程図を示す。それぞれ左図には部分拡大平面図を示し、右図には図１０（ｃ）のＸ−Ｘ線に対応する箇所で切断したときの断面図を示す。図１０（ａ）に示すように、保護パネル３１の非入力領域５２には加飾層３２が積層されている。保護パネル３１を積層する際には、例えば加飾層３２の内縁の角部を画像認識して、基準点Ｃとすることができる。また、図９（ａ）〜図９（ｃ）の工程により積層された第１透明基材１０と第２透明基材２０との積層体においても、第２アライメントメーク４３の基準縁４３ｍ１の直線部の一部、及び基準縁４３ｍ２の直線部の一部を視認することができる。したがって、図９（ｂ）の工程と同様に、基準点Ｂを基準位置とすることが可能である（図１０（ｂ）参照）。そして、基準点Ｃと基準点Ｂとが適切な位置になるように、保護パネル３１と第１透明基材１０及び第２透明基材２０とが粘着層３４を介して積層される。これにより、図１０（ｃ）に示すように、保護パネル３１が表面に配置された入力装置１を製造することができる。
【００７１】
なお、保護パネル３１の基準点Ｃは、図１０（ａ）のように加飾層３２の内縁の角部に限定されるものではなく、別にアライメントマークを設けてもよい。また、保護パネル３１を積層した後にも、第２透明基材２０側から第２アライメントマーク４３の基準縁４３ｍ１、基準縁４３ｍ２の一部を視認することができるため、液晶パネルや有機ＥＬパネル等の表示装置と入力装置１とを積層する際においても、第２アライメントマーク４３の基準縁４３ｍ１、基準縁４３ｍ２に基づいて積層することも可能である。
【符号の説明】
【００７２】
１  入力装置
１０  第１透明基材
１１  第１透明電極層
１２  第１引出配線層
２０  第２透明基材
２１  第２透明電極層
２２  第２引出配線層
３１  保護パネル
３２  加飾層
４１  ＧＮＤ電極層
４１ａ  第１のＧＮＤ電極部
４１ｂ  第２のＧＮＤ電極部
４２  第１のアライメントマーク
４２ａ  第１凹部
４２ｂ  第２凹部
４２ｃ  第１開口部
４２ｄ  第２開口部
４３  第２のアライメントマーク
４３ａ  第１部分
４３ｂ  第２部分
４３ｍ１  第１部分の基準縁
４３ｍ２  第２部分の基準縁
５１  入力領域
５２  非入力領域
６１  透明電極膜
６２  金属層
６３、６４  レジスト層
【図１】
0005705020.tif 000002
【図２】
0005705020.tif 000003
【図３】
0005705020.tif 000004
【図４】
0005705020.tif 000005
【図５】
0005705020.tif 000006
【図６】
0005705020.tif 000007
【図７】
0005705020.tif 000008
【図８】
0005705020.tif 000009
【図９】
0005705020.tif 000010
【図１０】
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