(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に磁気記録層を形成する工程と、
前記磁気記録層上に剥離層を形成する工程と、
前記剥離層上に、第１の金属材料を含有する第１のマスク層を形成する工程と、
前記第１のマスク層を酸素もしくは窒素雰囲気に曝露し、該第１のマスク層の表面領域を改質して、第１の金属材料の酸化物または窒化物を含み、かつ０．５ｎｍないし６ｎｍの厚さを有する拡散抑制層を形成する工程と、
前記拡散抑制層上に、前記第１の金属材料とは異なる第２の金属材料を含有する第２のマスク層を形成する工程と、
前記第２のマスク層上にレジスト層を形成する工程と、
前記レジスト層をパターニングして凹凸パターンを設ける工程と、
前記凹凸パターンを前記第２のマスク層へ転写する工程と、
前記凹凸パターンを前記拡散抑制層へ転写する工程と、
前記凹凸パターンを前記第１のマスク層へ転写する工程と、
前記凹凸パターンを前記剥離層へ転写する工程と、
前記凹凸パターンを前記磁気記録層へ転写する工程と、
前記剥離層を除去すると共に、前記剥離層上に残存する層を剥離する工程とを具備することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２】
前記第１の金属材料は、タンタル、ケイ素、ゲルマニウム、タングステン、ハフニウム、及びジルコニウムからなる群から選択される金属あるいはその合金であることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項３】
前記第２の金属材料は、ニッケル、銅、アルミニウム、モリブデン、銀、パラジウム、金、白金、チタン、ニオブ、及びルテニウムから選択される金属あるいはその合金、酸化物、窒化物及び炭化物からなる群から選択されることを特徴とする請求項１または２に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項４】
前記拡散抑制層の形成は、真空チャンバーに酸素もしくは窒素を含むガスを流入して行われることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項５】
前記レジスト層は、少なくとも２種類の異なるポリマー鎖を有する自己組織化膜であることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項６】
前記レジスト層の凹凸パターンはナノインプリントにより形成されることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項７】
前記第２のマスク層と前記レジスト層の間に、カーボンを含有するパターン転写層をさらに設けることを特徴とする請求項１ないし６のいずれか１項に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項８】
請求項１ないし７のいずれか１項に記載の製造方法により作製されることを特徴とする磁気記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、磁気記録媒体、及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、情報通信機器で扱われる情報量は増加の一途を辿っており、大容量情報記録装置の実現が渇望されている。ハードディスクドライブ（ＨＤＤ）技術では高記録密度化を実現するため、垂直磁気記録を中心とした種々の技術開発が進められている。さらに、記録密度の向上と熱ゆらぎ耐性を両立できる媒体として、ディスクリートトラック媒体やビットパターンド媒体が提案されており、その製造技術の開発が急務となっている。
【０００３】
ビットパターンド媒体のように、１ビットの情報を１セルで記録するためには各セル同士が磁気的に分離されていれば良い。このため、微細加工技術を基に磁性ドット部と非磁性ドット部を同一平面内で形成することが多い。もしくは、イオン化された異種元素の注入により選択的に記録媒体の磁性を失活する方法もあるが、いずれの場合も微細加工パターンを用いるのが一般的とされている。
【０００４】
具体的には、半導体製造技術を適用し、基板上に設けられた磁気記録層を磁性領域と非磁性領域が独立するようにパターニングを行う。磁気記録層上には微細凹凸パターンを転写するためのパターニング用マスクが形成され、これに凹凸が設けられた後、磁気記録層へ転写することで凹凸パターンが独立した磁気記録媒体が得られる。
【０００５】
マスクパターンに凹凸を設けるためには半導体製造における汎用レジスト材料が用いられ、エネルギー線を照射することで選択的に改質して所望のパターンを得る方法や、レジスト膜内に化学的性質の異なるパターンを配列させた自己組織化膜をパターニングする方法、凹凸型を物理的に押下してパターニングする方法などが挙げられる。他にも、マスクパターンに凹凸を設けた後、高エネルギーで照射されたイオンを磁気記録層へ注入し、パターンの磁性を選択的に失活させることで磁気的に分離された媒体を得る方法もある。
【０００６】
レジスト膜において形成された凹凸パターンはエッチングにより下部のマスク層へ転写される。マスク層にはＣのような非金属やＳｉ、Ａｌなどの金属材料が用いられる。実プロセスにおいては、凹凸パターンを高精細にかつ高選択比で加工することが望まれるため、異なる金属材料を積層してマスク層を構成するのが一般的である。ここで、異種金属を積層した場合は積層界面に金属化合物が形成されることになる。この金属化合物は選択比を確保するためのエッチングが困難となるような金属材料を含むので、凹凸パターンの転写性を劣化させる。また、エッチングにおいて凹凸差が場所によって異なる、いわゆる面内ばらつきを大きくする要因にもなり得る。
【０００７】
ビットパターンド媒体における金属マスク転写プロセスでは、ＣやＳｉなどの材料を積層させたマスク材料を用いて加工を行う技術が開示されている。この場合は、前述したような積層界面における金属化合物を除去するために異なるエッチング工程を追加する必要があるが、金属化合物を除去し得る加工マージンの確保が困難である場合が多い。また、金属化合物を除去するためにエッチング時間が長時間化するため、加工用マスクを高く形成しなければならない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２０１１−５４２５４号公報
【特許文献２】特開２０１０−１４０５６９号公報
【特許文献３】特開２０００−１３２８２４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明の実施形態は、微細パターンの転写性が良好で、かつ面内均一性を改善された磁気記録媒体の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
実施形態によれば、  基板上に磁気記録層を形成する工程と、
前記磁気記録層上に剥離層を形成する工程と、
前記剥離層上に、第１の金属材料を含有する第１のマスク層を形成する工程と、
前記第１のマスク層を酸素もしくは窒素雰囲気に曝露し、該第１のマスク層の表面領域
を改質して、第１の金属材料の酸化物または窒化物を含み、かつ０．５ｎｍないし６ｎｍの厚さを有する拡散抑制層を形成する工程と、
前記拡散抑制層上に、前記第１の金属材料とは異なる第２の金属材料を含有する第２の
マスク層を形成する工程と、
前記第２のマスク層上にレジスト層を形成する工程と、
前記レジスト層をパターニングして凹凸パターンを設ける工程と、
前記凹凸パターンを前記第２のマスク層へ転写する工程と、
前記凹凸パターンを前記拡散抑制層へ転写する工程と、
前記凹凸パターンを前記第１のマスク層へ転写する工程と、
前記凹凸パターンを前記剥離層へ転写する工程と、
前記凹凸パターンを前記磁気記録層へ転写する工程と、
前記剥離層を除去すると共に、前記剥離層上に残存する層を剥離する工程とを具備する
ことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】第１の実施形態にかかる磁気記録媒体の製造工程の一例を模式的に表す図である。
【図２】第２の実施形態にかかる磁気記録媒体の製造工程の一例を模式的に表す図である。
【図３】第１の実施形態にかかる磁気記録媒体の製造工程の他の例を模式的に表す図である。
【図４】Ｔａ２Ｏ５膜とＴａ膜のイオンミリングレートを表すグラフである。
【図５】記録ビットパターンの例を模式的に表す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、図面を参照し、実施形態をより詳細に説明する。
【００１３】
実施形態にかかる磁気記録媒体の製造方法は２つの実施形態に分けられる。
【００１４】
図１に、第１の実施形態にかかる磁気記録媒体の製造工程の一例を模式的に表す図を示す。
【００１５】
第１の実施形態にかかる磁気記録媒体の製造方法は、基板１上に磁気記録層２を形成する工程（図１（ａ））、磁気記録層２上に剥離層３を形成する工程（図１（ａ））、剥離層３上に第１の金属材料を含有する第１のマスク層４を形成する工程（図１（ａ））、第１のマスク層４を酸素もしくは窒素雰囲気で曝露し、第１のマスク層４の表面領域を改質して第１の金属材料の酸化物または窒化物を含む拡散抑制層４ａを形成する工程（図１（ｂ））、拡散抑制層４ａ上に第２の金属材料を含有する第２のマスク層５を形成する工程（図１（ｃ））、第２のマスク層５上にレジスト層６を形成する工程（図１（ｃ））、レジスト層６に凹凸パターンを設ける工程（図１（ｄ））、凹凸パターンを第２のマスク層５へ転写する工程（図１（ｅ））、凹凸パターンを拡散抑制層４ａへ転写する工程（図１（ｆ））、凹凸パターンを第１のマスク層４へ転写する工程（図１（ｆ））、凹凸パターンを剥離層３へ転写する工程（図１（ｇ））、凹凸パターンを磁気記録層２へ転写する工程（図１（ｇ））、剥離層３を除去すると共に、磁気記録層２上に残存している層４，４ａ，５，６を剥離する工程（図１（ｈ））、及び剥離層３を除去した後、磁気記録層２上へ保護膜７を形成する工程（図１（ｉ））を含む。
【００１６】
図２に、第２の実施形態にかかる磁気記録媒体の製造工程の一例を模式的に表す図を示す。
【００１７】
第２の実施形態にかかる磁気記録媒体の製造方法は、第２のマスク層５上にレジスト層６を形成する前に凹凸パターン転写層８を形成する（図２（ｃ））工程により、第２のマスク層５及びレジスト層６間に凹凸パターン転写層８が設けられる（図２（ｄ））こと、及びレジスト層６の凹凸パターンを転写層８へ転写する工程をさらに含む（図２（ｆ））こと以外は第１の実施形態にかかる方法と同様である。
【００１８】
第１ないし第２の実施形態において、第１のマスク層４は第１の金属材料からなるか、あるいは第１の金属材料を含有する。
【００１９】
第１の金属材料は、第１の金属またはその合金からなる。
【００２０】
また、拡散抑制層４ａは第１の金属の酸化物または窒化物からなるか、あるいは第１の金属の酸化物または窒化物を含有する。
【００２１】
この拡散抑制層４ａは、真空チャンバー内において第１のマスク層表面を酸素もしくは窒素を含むガス雰囲気中に曝露することで形成される。
【００２２】
第２のマスク層５は、第２の金属材料からなるか、あるいは第２の金属材料を含有する。
【００２３】
第２の金属材料は、第１の金属とは異なる第２の金属、その合金、その酸化物、その窒化物およびその炭化物からなる群から選択される。
【００２４】
レジスト層６に凹凸パターンを設ける方法として、例えばエネルギー線を用いたリソグラフィー、ナノインプリント、あるいは少なくとも２種類以上のポリマー鎖を有するブロックコポリマーからなる自己組織化膜を用いたパターニング等があげられる。自己組織化膜を用いる場合は、膜内にミクロ相分離構造を形成した後、１種のポリマー相を選択的に除去し、残存したポリマーをマスクとすることで凹凸パターンを転写する。
【００２５】
第２の実施形態において、転写層８はレジスト層６および第２のマスク層５とのエッチング選択比を大きくできる材料から選択され得る。
【００２６】
第１ないし第２の実施形態において、剥離層３を除去する工程では、ドライエッチングもしくはウェットエッチングによる溶解除去を行うことができる。剥離層３を除去するとともに、剥離層３上に残存する層例えばレジスト層６，第２のマスク層５、拡散抑制層４ａ、及び第１のマスク層４等を磁気記録層２から剥離することができる。
【００２７】
第１ないし第２の実施形態にかかる磁気記録媒体の製造方法によれば、第１のマスク層４と第２のマスク層５を含む金属マスク層を使用することにより、カーボンマスクを使用するよりも、エッチングレートを低くして磁気記録層の加工マージンを大きくできる。また、第１のマスク層４と第２のマスク層５の間に拡散抑制層４ａを設けることにより、第１のマスク層４と第２のマスク層５間における第１及び第２の金属材料の相互拡散が抑制され、エッチングが困難な金属化合物層が形成されないため、エッチングが容易となりパターンの転写性が改善される。更に、金属マスク層の膜厚ムラによって生じる媒体面内のパターン凹凸差の違いは、拡散抑制層によりエッチング量が面内で補償され、パターン凹凸差の場所依存性は小さくなる。
【００２８】
拡散抑制層４ａは真空チャンバーへの酸素もしくは窒素を含むガスの流入により形成されるため、金属酸化物層や金属窒化物層を新たに成膜する必要がなく、プロセスコストの削減や製造スループットの向上が実現される。酸化物等の成膜で生じるダストの発生は無く、媒体の平坦性が改善される。また、拡散抑制層４ａの形成を抑制することで、エッチング耐性を得るための第１のマスク層４の厚さを薄くすることができる。すなわち、エッチングによる幅寸法の調整なども容易に行うことが可能となる。
【００２９】
さらに、実施形態にかかる磁気記録媒体は、第１ないし第２の実施形態にかかる磁気記録媒体の製造方法を用いて作成される。
【００３０】
（第１の実施形態）
磁気記録層形成工程
まず、基板上に磁気記録層を形成し、磁気記録媒体を得る。
【００３１】
基板の形状には何ら限定は無いが、通常は円形で、硬質のものが用いられる。例えば、ガラス基板、金属含有基板、カーボン基板、セラミックス基板などが用いられる。パターンの面内均一性を良好にするため、基板表面の凹凸は小さいことが望ましい。また、必要に応じて基板表面には酸化膜をはじめとした保護膜を形成しておくことも可能である。ガラス基板には、ソーダライムガラスやアルミノシリケートガラスに代表されるアモルファスガラスや、リチウム系ガラスに代表される結晶化ガラスを用いることができる。また、セラミックス基板にはアルミナ、窒化アルミニウム、窒化珪素を主成分とする焼結体基板を用いることが可能である。
【００３２】
基板上にはコバルトを主成分とした垂直磁気記録層を有する磁気記録層が形成される。
【００３３】
ここで、基板と垂直磁気記録層の間には高透磁率を有する軟磁性裏打ち層（ＳＵＬ；  Ｓｏｆｔ  Ｕｎｄｅｒ  Ｌａｙｅｒ）を形成することができる。軟磁性裏打ち層は垂直磁気記録層を磁化するための磁気ヘッドからの記録磁界を環流させるといった磁気ヘッド機能の一部を担っており、磁界の記録層に急峻で十分な垂直磁界を印加させ、記録再生効率を向上させることができる。軟磁性裏打ち層には例えばＦｅ、Ｎｉ、Ｃｏを含む材料を用いることができる。これらの材料のうち、結晶磁気異方性、結晶欠陥および粒界が存在せず優れた軟磁性を示すアモルファス材料を好ましく使用できる。軟磁性アモルファス材料を使用することにより、記録媒体の低ノイズ化を図ることができる。軟磁性アモルファス材料として、例えば、Ｃｏを主成分として、これに対しＺｒ、Ｎｂ、Ｈｆ、Ｔｉ、Ｔａのうち少なくとも１種を含有したＣｏ合金、例えばＣｏＺｒ、ＣｏＺｒＮｂ、及びＣｏＺｒＴａなどを選択できる。
【００３４】
また、軟磁性裏打ち層と基板との間には軟磁性裏打ち層の密着性向上のために下地層を設けることができる。下地層材料としては、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｗ、Ｃｒ、Ｐｔ、その合金、その酸化物、及びその窒化物などを用いることができ、例えばＮｉＴａ、及びＮｉＣｒなどを用いることが可能である。なお、これらの層は複数で構成されても構わない。
【００３５】
更に、軟磁性裏打ち層と垂直磁気記録層との間には非磁性金属材料からなる中間層を設けることができる。中間層の役割は、軟磁性裏打ち層と垂直磁気記録層との間の交換結合相互作用を遮断することと、垂直磁気記録層の結晶性を制御することの二つである。中間層材料としては、Ｒｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｗ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｓｉ、あるいはその合金、その酸化物、及びその窒化物から選択することができる。
【００３６】
垂直磁気記録層は、Ｃｏを主成分とするとともに少なくともＰｔを含み、更に金属酸化物を含むことができる。Ｃｏ及びＰｔに加えて、他にもＢ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ｎｄ、Ｗ、Ｎｂ、Ｓｍ、Ｔｂ、及びＲｕから選ばれる１種類以上の元素を含むことができる。上記元素を含有することで、磁性粒子の微粒子化を促進し、結晶性、配向性を向上させることができ、これにより、高記録密度に適した記録再生特性と熱ゆらぎ特性を得ることができる。垂直磁気記録層は具体的にＣｏＰｔ系合金、ＣｏＣｒ系合金、ＣｏＣｒＰｔ系合金、ＣｏＰｔＯ、ＣｏＰｔＣｒＯ、ＣｏＰｔＳｉ、ＣｏＰｔＣｒＳｉ、ＣｏＣｒＳｉＯ２などの合金を用いることが可能である。垂直磁気記録層の厚さは、再生出力信号を高確度で測定するために５ｎｍ厚以上が好ましく、信号強度の歪を抑えるために４０ｎｍ厚以下が好ましい。５ｎｍよりも薄いと再生出力が極めて小さくノイズ成分が優位になる傾向がある。逆に、４０ｎｍよりも厚い場合は再生出力が過剰となり、信号波形に歪が生じる傾向がある。
【００３７】
垂直磁気記録層上部には保護層を設けることができる。
【００３８】
保護層は、垂直磁気記録層の腐食・劣化を防ぐとともに、磁気ヘッドが記録媒体に接触した時に生じる媒体表面の損傷を防ぐ効果がある。保護層材料としては、例えばＣ、Ｐｄ、ＳｉＯ２、ＺｒＯ２を含むものが挙げられる。カーボンはｓｐ２結合炭素（グラファイト）とｓｐ３結合炭素（ダイヤモンド）に分類できる。耐久性、耐食性はｓｐ３結合炭素の方が優れ、逆に平坦性はｓｐ２結合炭素の方が優れる。通常、カーボンの成膜はグラファイトターゲットを用いたスパッタリング法により行われ、ｓｐ２結合炭素とｓｐ３結合炭素が混在したアモルファスカーボンが成膜されるが、ｓｐ３結合炭素の割合が大きいものはダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）と呼ばれ、耐久性、耐食性、平坦性に優れており、磁気記録層の保護層としてより好適である。
【００３９】
保護層の上部には更に潤滑層を設けることができる。潤滑層に用いられる潤滑剤としては、例えばパーフルオロポリエーテル、フッ化アルコール、フッ素化カルボン酸などが挙げられる。以上により、基板上に垂直磁気記録媒体が形成される。
【００４０】
剥離層形成工程
続いて、磁気記録層上に剥離層を形成する。
【００４１】
剥離層はドライエッチングおよびウェットエッチングにより剥離され、最終的にはマスク材料を磁気記録層上から除去する役割を果たす。
【００４２】
剥離層は種々の無機材料あるいは高分子材料の群から選定できる。
【００４３】
剥離層に使用可能な無機材料として、例えば、Ｃ元素、及びＭｏ、Ｗ、Ｚｎ、Ｃｏ、Ｇｅ、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｎｉ、及びＣｒなどの金属から選択することが可能であり、これらの無機材料は、酸溶液もしくはアルカリ溶液を用いて剥離できる。
【００４４】
また、剥離層に使用可能な高分子材料としては、例えば汎用レジスト材料に代表されるノボラック樹脂、ポリスチレン、ポリメチルメタアクリレート、メチルスチレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリヒドロキシスチレン、ポリビニルピロリドン、及びポリメチルセルロースなどが挙げられる。これらのレジスト材料は有機溶媒もしくは水を用いて剥離できる。なお、これらの材料はエッチング耐性を向上させるために、金属を含有するコンポジット材料でもよい。
【００４５】
金属材料からなる剥離層は、例えば、真空蒸着法、電子線蒸着法、分子線蒸着法、イオンビーム蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法に代表される物理的気相成長法（ＰＶＤ）、及び熱・光・プラズマを用いた化学的気相成長法（ＣＶＤ）などにより形成できる。また、高分子材料をはじめとする剥離層はスピンコーティング法、スプレーコーティング法、スピンキャスティング法、ディップコーティング法、インクジェット法などの方法により形成できる。
【００４６】
剥離層の厚さは、物理的・化学的気相成長法においてはプロセスガス圧力、ガス流量、基板温度、投入電力、到達真空度、チャンバー雰囲気、成膜時間などのパラメータを変更することで適宜調整が可能である。また、高分子材料を用いる場合は、高分子剥離層前駆体溶液の濃度や成膜時に設定する回転数、塗布時間などのパラメータで適宜変えることができる。凹凸パターンの転写においては、剥離が可能かつ凹凸の倒壊が生じないように、パターン寸法に応じて剥離層の厚さを調整することができる。
【００４７】
第１のマスク層形成工程
剥離層上部には凹凸パターンを転写するための第１のマスク層を形成する。
【００４８】
第１のマスク層は第１の金属材料からなるか、あるいは第１の金属材料を主に含有する。この第１のマスク層は、下部剥離層および磁気記録層の加工における主マスクとして機能する。このため、第１の金属材料としては、磁気記録層材料との物理的あるいは化学的なエッチング選択比を大きくできる材料を使用することができる。第１の金属材料として、例えばＴａ、Ｓｉ、Ｗ、Ｇｅ、Ｈｆ、及びＺｒから選ばれる金属、及びその合金があげられる。
【００４９】
第１のマスク層は、剥離層と同様に、物理的気相成長法や化学的気相成長法により形成することができる。
【００５０】
第１のマスク層の厚さは、剥離層および磁気記録層とのエッチング選択比や凹凸パターン寸法を考慮して決定することができる。第１のマスク層の厚さは、マスク層成膜の際には、例えばプロセスガス圧力、ガス流量、基板温度、投入電力、到達真空度、チャンバー雰囲気、及び成膜時間などのパラメータを変えることで調整できる。
【００５１】
第１のマスク層上部に形成される凹凸パターンの転写均一性は、マスク層の表面ラスネスに依存することころが大きい。従って、第１のマスク層においてはその表面ラフネスに依存するところが大きいため、結晶質よりも非晶質の材料にすることでラフネスを低減することができる。
【００５２】
拡散抑制層形成工程
引き続き、第１のマスク層上に拡散抑制層を形成する。
【００５３】
拡散抑制層は第１のマスク層を酸素もしくは窒素を含むガス雰囲気で曝露することにより、マスク層表面近傍に形成する。このとき、拡散抑制層は第１のマスク層を構成する主元素の酸化物もしくは窒化物からなる。
【００５４】
拡散抑制層は、スパッタチャンバーのような真空容器中へ試料を設置し、酸素もしくは窒素を含むガスを流入することで試料表面に形成する。この場合、真空中から試料を大気中へ戻し、大気曝露することで拡散抑制層を形成してもよいが、試料の再装荷に伴い製造時間が増長するため、真空中において拡散抑制層を形成することが望ましい。また、前述のように金属酸化物層および金属窒化物層を新たに成膜する必要はなく、製造コストの低減につながる。
【００５５】
チャンバーの雰囲気は反応性ガスの流量を変えることで調整可能である他、Ｈなどの反応性ガスや、Ａｒなどの不活性ガスを導入することができる。さらに、曝露時間やガス圧力を変えることで拡散抑制層の厚さを変更できる。この場合は、パターンピッチやマスク材料のエッチング耐性を考慮することができるが、凹凸パターンの転写性と拡散抑制を両立するために、拡散抑制層の厚さは０．５ｎｍないし６ｎｍにすることができる。０．５ｎｍよりも薄いと、第１のマスク層表面に十分に拡散抑制層を形成することが困難となり、拡散抑制効果が不十分となる傾向がある。拡散抑制層の厚さが６ｎｍよりも厚い場合は微細パターンのアスペクト比が大きくなり、パターン転写が困難となる傾向がある。また、拡散抑制層の厚さを制御するため、酸素および窒素雰囲気中での基板温度を適宜変更しても良い。
【００５６】
第２のマスク層形成工程
続いて、拡散抑制層上に第２のマスク層を形成する。第２のマスク層は第２の金属材料からなるか、あるいは第２の金属材料を主に含有する。第２のマスク層は、上層のレジスト層に設けられた凹凸パターンを拡散抑制層および第１のマスク層へ転写するために用いる副マスクとして機能する。そのため、このマスク層はレジスト層と第１のマスク層との間におけるエッチング選択比を大きくできる材料を使用することができる。第２の金属材料は、第１の金属材料とは異な材料であり、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｍｏ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｔｉ、Ｎｂ、及びＲｕをから選択される金属、その合金、その酸化物、その窒化物及びその炭化物から選択することができる。
【００５７】
拡散抑制層は第１および第２のマスク層間に設けられる構成となり、マスク材料の相互拡散を低減する。この場合、第２のマスク層から第１のマスク層への凹凸パターンの転写性が改善される。また、媒体の各位置におけるマスク層の厚さばらつきが生じている場合も、エッチング時間を比較的短い範囲で調整できるため、凹凸パターンの面内ばらつきを低減することが可能となる。
【００５８】
また、第１および第２のマスク層間に拡散抑制層を形成すると、第２のマスクを薄くできるという効果がある。拡散抑制層を設けない場合は、第１および第２のマスク層に金属拡散による金属化合物が生じ、金属化合物はエッチング耐性が高いことから、第１のマスク層表面を露出させるためのエッチング時間が長くなりやすい。エッチング時間が長くなると、第２のマスク層が後退していくため、得られる凹凸パターンの転写性が劣化する。これにより、第２のマスク層は凹凸パターンを転写するために要する厚さを増やさなければならず、アスペクト比が大きくなり、パターン転写が困難になる。
【００５９】
これに対し、拡散抑制層を設けた場合は金属化合物の形成が少なく、エッチングにより第１のマスク層を露出させることは比較的容易である。この場合は、厚さを増やすことなく第２のマスク層を形成することが可能となる。
【００６０】
第２のマスク層は第１のマスク層と同様の方法によって形成することができる。また、前述のような成膜に関するパラメータを変更することで、厚さや表面性を調整することが可能である。
【００６１】
以上のように、実施形態に使用される金属マスク層の構成例としては、例えば基板側からＴａ／Ｔａ２Ｏ５／Ｎｉ、Ｔａ／Ｔａ２Ｏ５／Ａｌ、Ｔａ／Ｔａ２Ｏ５／Ｃｕ、Ｔａ／Ｔａ２Ｏ５／Ｎｉ、Ｗ／ＷＯ３／Ｃｒ、Ｗ／ＷＯ
／Ｃｕ、Ｈｆ／ＨｆＯ／Ｍｏ、及びＨｆ／ＨｆＯ／Ｃｕなどの構成を列挙できる。
【００６２】
レジスト層形成工程（露光レジスト、自己組織化、インプリント）
次に、第１のマスク層上に凹凸パターン形成用のレジスト層を形成する。
【００６３】
レジスト層に微細な凹凸パターンを形成するために、例えば、ノボラック樹脂などに代表される紫外線・電子線露光用レジストや、熱や紫外線照射による硬化作用を有するナノインプリント用レジストや、高分子の自己組織化膜などを適用することが可能である。
【００６４】
露光あるいはナノインプリントを行う場合に用いるレジスト層は、前述の剥離層と同様に前駆体溶液の塗布を行うことで形成できる。この場合は、パターンピッチや下層のマスク層へのエッチング選択比を勘案してレジスト層の厚さを決定すればよい。また、レジスト層は１層ではなく、転写工程に合わせて、例えば感度の異なるレジスト層を多層構造にすることができる。レジスト材料の種類には何ら限定はなく、主鎖切断型、化学増幅型、架橋型などの各種レジスト材料を用いることが可能である。
【００６５】
また、マスク層上部に凹凸パターン形成用の自己組織化層を形成し、これを凹凸パターンに転写することも可能である。自己組織化膜は少なくとも異なる２つのポリマー鎖を有するジブロックコポリマーに代表され、その基本構造は（ブロックＡ）−（ブロックＢ）のように化学的特性が相互に異なるポリマー同士の末端が共有結合しているものである。自己組織化膜はジブロックコポリマーに限定されるわけではなく、他にもトリブロックコポリマーやランダムコポリマーを使用することができる。
【００６６】
ポリマーブロックを形成する材料としては、例えば、ポリエチレン、ポリスチレン、ポリイソプレン、ポリブタジエン、ポリプロピレン、ポリジメチルシロキサン、ポリビニルピリジン、ポリメチルメタクリレート、ポリブチルアクリレート、ポリブチルメタクリレート、ポリジメチルアクリルアミド、ポリエチレンオキシド、ポリプロピレンオキシド、ポリアクリル酸、ポリエチルアクリル酸、ポリプロピルアクリル酸、ポリメタクリル酸、ポリラクチド、ポリビニルカルバゾール、ポリエチレングリコール、ポリカプロラクトン、ポリフッ化ビニリデン、及びポリアクリルアミドなどが挙げられ、これらの中から異なる２種類以上のポリマーを用いてブロックコポリマーを構成することができる。
【００６７】
ブロックコポリマーを用いた自己組織化膜はスピンコーティング法などにより金属マスク層上に成膜できる。この場合は、各相を構成するポリマー同士が相溶となるような溶媒を選択し、これを溶解させた溶液を塗布液として用いる。
【００６８】
具体的な溶媒としては、例えば、トルエン、キシレン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールトリメチルエーテル、乳酸エチル、ピルビン酸エチル、シクロヘキサノン、テトラヒドロフラン、アニソール、及びジエチレングリコールトリエチルエーテルなどを選択できる。
【００６９】
自己組織化膜の膜厚は、これらの溶媒を用いた際の塗布液の濃度や成膜時に設定する各種パラメータを用いて変更することができる。
【００７０】
自己組織化膜は熱などのエネルギーが付与されることでポリマー同士が相分離し、膜内部にミクロ相分離構造が形成される。ミクロ相分離構造は、自己組織化膜を構成するポリマーの分子量などにより異なる様相を呈し、例えばジブロックコポリマーにおいてはポリマーＡの海状（マトリックス）パターンにポリマーＢの島状ドットあるいはシリンダー構造が形成される他、ポリマーＡおよびＢが積層となるラメラ構造や、海島パターンが逆転したスフィア構造が形成され得る。このパターンにおける一方のポリマー相を選択的に除去することにより、自己組織化膜の凹凸を形成することができる。
【００７１】
自己組織化膜のミクロ相分離構造を形成する際には外部からエネルギーを付与する。エネルギーの付与は、熱を用いたアニールや、あるいは溶媒雰囲気中に試料を曝露する、いわゆる溶媒アニール等によって行うことができる。熱アニールを行う際は、自己組織化膜の配列精度を劣化させることなく、かつ例えば剥離層として使用され得る高分子層を分解させないように温度を適切に設定しておくことができる。具体的には、アニール温度は自己組織化膜の秩序・無秩序転移温度よりも低く、かつ高分子剥離層の分解温度よりも低く設定することができる。秩序・無秩序転移温度よりもアニール温度が高いと自己組織化膜の相分離が乱雑になり、凹凸パターンを転写しにくい傾向がある。また、高分子剥離層の分解温度よりもアニール温度が高いと、凹凸パターン転写および剥離が困難となる傾向がある。
【００７２】
なお、自己組織化パターンの配列精度を向上させるため、マスク層上部を化学的に修飾することができる。具体的にはブロックコポリマーを構成するいずれかのポリマー相をマスク表面に修飾しておくことで、ブロックコポリマーの配列を改善できる。この場合は、ポリマーの塗布・アニール・リンスにより分子レベルでの表面修飾が可能である。この上に前述のブロックコポリマー溶液を塗布することで、面内均一性の良いパターンを得ることが可能となる。
【００７３】
これらのレジスト層における凹凸パターン転写が困難となる場合は、前記第１のマスク層とレジスト層との間にパターン転写層を挿入することができる。この場合は、レジスト層と金属マスク層とのエッチング選択比が確保できる材料を選定することができる。
【００７４】
レジスト層パターニング工程
エッチングによりレジスト層に凹凸パターンを形成する。
【００７５】
まず、凹凸パターンをレジスト層へ転写するために、エネルギー線を用いた露光を行うことができる。
【００７６】
露光方法としては、ＫｒＦ、ＡｒＦをはじめとした紫外線露光や電子線露光、荷電粒子線露光、及びＸ線露光などを適用することができる。露光マスクを介した照射の他、干渉露光、縮小投影露光、直接露光などを行なうことができる。
【００７７】
まず、微細パターンを電子線露光により形成する例を説明する。電子線描画装置は電子線の照射方向と直交する２軸方向においてステージの移動機構を有するｘ−ｙ描画装置と，１軸移動機構に回転機構を加えたｘ−θ描画装置が挙げられる。ｘ−ｙ描画装置を用いる場合は，描画フィールド間のつなぎ精度を悪化させないようにステージを連続して駆動させることができる。また，円心パターンを描画する場合はステージを継続して回転するｘ−θ描画装置を用いることができる。
【００７８】
また，同心円パターンを形成する際には，ステージ駆動系とともに電子線に対して偏向を加えることができる。この場合は，描画パターンに対応した偏向信号を独立に制御するために，信号源と呼ばれる情報処理装置を使用する。信号源では電子線の偏向ピッチや偏向感度，描画ステージの送り量などを独立に制御することが可能である。これにより，１回転毎に電子線に対して偏向信号を送信することで，描画パターンを同心円形状にできる。
【００７９】
次いで，成膜したレジスト膜に対して露光，現像を行うことでレジスト膜をパターニングする。レジスト膜に対する有機現像液としては、酢酸メチル，酢酸エチル，酢酸ブチル，酢酸アミル，酢酸ヘキシル，酢酸オクチルのようなエステル系溶剤，メチルエチルケトン，メチルイソブチルケトン，プロピレングリコールモノエチルアセテートのようなケトン系溶剤，アニソール，キシレン，トルエン，テトラリンなどの芳香族系溶剤，及びエタノール，メタノール，イソプロピルアルコールなどのアルコール系溶剤などを用いることができる。また，アルカリ現像液としてはテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド、及びテトラプロピルアンモニウムハイドロオキサイドなどを用いることが可能である。
【００８０】
次いで，湿式リンスを行いレジスト膜上の現像液を除去する。ここで用いるリンス液は現像液と相溶の関係にあることが望ましく，代表的なものとしてイソプロピルアルコールなどが挙げられる。現像およびリンスにおいては，液温，粘度，混合比など溶液に関するパラメータに加え，現像時間を調整することで所望のパターン寸法を得る。
【００８１】
レジスト膜上のリンス液を乾燥することで所望のレジスト凹凸パターンが得られる。乾燥方法としては，Ｎ２のような不活性ガスを直接試料に吹き付ける方法や，リンス液の沸点よりも高い温度で基板を加熱することでリンス液を揮発させる加熱乾燥の他，スピン乾燥，超臨界乾燥などを適用することができる。上記のようにして，レジスト膜の凹凸パターンを電子線露光により得ることができる。
【００８２】
また、凹凸パターンをレジスト層へ転写する方法として、レジスト層として自己組織化層を形成し、エッチングにより凹凸パターンを形成することができる。
【００８３】
図３に、第１の実施形態にかかる磁気記録媒体の製造工程の他の例を模式的に表す図を示す。
【００８４】
図示するように、この製造工程は、第２のマスク層５上にレジスト層６を形成する工程（図１（ｃ））の代わりに、第２のマスク層５上にレジスト層の１種として少なくとも２種類の異なるポリマー鎖を有する自己組織化層１０を形成する工程（図３（ａ））を行い、レジスト層６に凹凸パターンを設ける工程（図１（ｄ））の代わりに、自己組織化層１０を相分離させ、片方のポリマー層を選択的に除去する工程（図３（ｂ））を行うこと以外は、図１と同様である。
【００８５】
凹凸パターンは、ブロックコポリマーにおける相を選択的に除去したものである。例えば、ポリスチレン−ｂ−ポリジメチルシロキサンの系からなるジブロックコポリマー１０では、分子量を適切に設定することで海状ポリスチレン１１中に島状ポリジメチルシロキサン１２のパターンが形成される。これをエッチングし、片方のポリマー層１１例えば海状ポリスチレンを選択的に除去することで、ポリスチレン−ｂ−ポリジメチルシロキサンのドット状凹凸パターン１０が得られる。
【００８６】
自己組織化層の凹凸をエッチングで形成する場合、薬液中に試料を浸漬するウェットエッチングの他、活性種による化学反応を用いたドライエッチングを適用できる。微細パターンの幅寸法に対し、厚さ方向へのパターニングを高精細に行う際は、幅方向へのエッチングを抑制可能なドライエッチングを適用することができる。
【００８７】
ポリマー相のドライエッチングでは活性ガス種を適切に選択することで、エッチング選択比を維持したままパターニングすることが可能である。一般的に、ベンゼン環のようにＣおよびＨを多く含む材料はエッチング耐性が高く、凹凸加工用マスクとしては好適である。ブロックコポリマーのように、互いに異なる組成のポリマーを適切に組み合わせた場合はエッチング選択比を大きくできるため、前記凹凸パターンを形成することができる。例えば、ポリスチレン−ｂ−ポリジメチルシロキサンにおいては、ポリジメチルシロキサンはＣＦ４などのフッ素系ガスで、ポリスチレンはＯ２ガスを用いることで容易に除去可能であり、両者の間でエッチング選択比を確保することができる。
【００８８】
自己組織化パターンを下層金属マスクへ直接転写するのが困難な場合は、自己組織化膜と金属マスク層との間に別途転写層を設けることができる。例えば、ブロックコポリマーの片方の層を除去できるエッチングガスを用いることが可能なマスク材料を転写層として用いることができる。ポリスチレン−ｂ−ポリジメチルシロキサンを一例とした場合、ポリスチレンはＯ２エッチングが可能であるため、カーボン膜を転写層とすればＯ２のみでポリマーおよび転写層を一括でエッチングすることができる。海状ポリマーがポリジメチルシロキサンの場合はＣＦ４ガスを用い、転写層をＳｉにすれば同様にエッチングが可能である。以上により、自己組織化膜の相分離パターンを凹凸形状に加工することができる。
【００８９】
各層自己組織化膜とのエッチング選択比を確保困難である場合は、金属マスク層上に更にパターン転写層を形成することができる。この場合も、上層の自己組織化膜がエッチング可能であるような材料を選定し、転写層へ適用することができる。
【００９０】
また、凹凸パターンをレジスト層へ転写する方法として、ナノインプリントリソグラフィーによる凹凸パターン形成も使用可能である。
【００９１】
ナノインプリントは、微細凹凸パターンが表面に形成されたスタンパ（金型、スタンプ）を転写用レジスト層に押下してパターン転写を行うものであり、ステップアンドリピート方式の紫外線露光や電子線露光などの技術と比較して、広範に渡るレジストパターンを一括転写できる。したがって、短時間の処理によるスループットの改善が大きく期待されている。
【００９２】
ナノインプリントスタンパは、リソグラフィーなどで形成された微細凹凸パターンを具備する基板、いわゆるマスター原盤（モールド、単に原盤）から取得することが可能であり、多くの場合は、マスター原盤の微細パターンに対する電鋳（電気めっきによる転写）により作製される。マスター原盤用の基板にはＳｉをはじめとして、ＳｉＯ２、ＳｉＣ、ＳｉＯＣ、Ｓｉ３Ｎ４などの他、Ｂ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｐなどの不純物をドーピングした半導体基板を用いても良い。また、基板の３次元的な形状に関する限定は何ら無く、円形、矩形、ドーナツ形のものを用いることができる。他にも導電性を有する材料からなる基板を用いることができる。
【００９３】
この基板においても、第１のマスク層、拡散抑制層、第２のマスク層を順次積層することでマスク層を形成する。マスター原盤から得られるスタンパの凹凸パターンは、金属の積層界面に生じた応力により歪むことになり、面内の平坦性が劣化する。拡散抑制層は、この金属間で生じるひずみを緩和する効果があるため、得られるスタンパの凹凸パターンの平坦性は改善されることになる。なお、この場合は、上記のように拡散抑制層を新たに成膜する工程を経ることなく、金属マスク層を形成可能である。マスター原盤から得られるスタンパは機械的に基板上から剥離するため、基板と第２のマスク層間の剥離層は省くことができる。
【００９４】
上記の如くレジスト層の形成と電子線露光による描画を行い、現像・リンスを経て凹凸を有するレジストパターンがマスター原盤上に形成される。このレジスト凹凸パターンをエッチングにより金属マスク層あるいは基板側へエッチングにより転写することで、基板側から第１のマスク層／第１のマスク層と同種の元素を含む拡散抑制層／第２のマスク層からなる凹凸パターンを具備したマスター原盤が得られる。
【００９５】
マスター原盤の凹凸パターンに対して電鋳を行い、スタンパを作製する。めっき金属には種々の材料が挙げられるが、ここでは一例として、Ｎｉからなるスタンパの作製方法を説明する。まず、マスター原盤の凹凸パターンに導電性を付与するため、凹凸パターンの表面にＮｉ薄膜を成膜する。電鋳の際には、導電不良が生じるとめっき成長が阻害され、パターン欠損につながるため、Ｎｉ薄膜は凹凸パターンの表ならびに側面において均一に成膜されていることが好ましい。なお、この電鋳は電解めっき、あるいは無電解めっきを行なっても構わない。導電性基板を用いる場合は、拡散抑制層を具備する場合でも凹凸パターンが一様に良好な導電性を有するため、このＮｉ薄膜の成膜は不要である。
【００９６】
続いて、マスター原盤をスルファミン酸Ｎｉ浴に浸漬・通電し、電鋳を行う。めっき後の膜厚、すなわちスタンパの厚さはめっき浴の水素イオン濃度、温度、粘度の他、通電電流値、めっき時間などを変更することで調整できる。
【００９７】
このようにして得られたスタンパを基板上から離型する。スタンパの凹凸表面にレジスト層が残存している場合は、エッチングを行うことで残渣を除去し、凹凸パターンを露出させればよい。最後に、円形、矩形などの所望の形状に加工することで、ナノインプリント用スタンパが得られる。
【００９８】
得られたスタンパを用いて、凹凸パターンをレジスト層へ転写する。この際、スタンパをマスター原盤として代替し、複製スタンパを電鋳することができる。この場合は、ＮｉスタンパからＮｉスタンパを得る方法や、Ｎｉスタンパから樹脂スタンパを得る方法などが挙げられる。ここでは、樹脂スタンパの作製方法を説明する。
【００９９】
樹脂スタンパは射出成型により作製する。まず、射出成型装置にＮｉスタンパを装荷し、スタンパの凹凸パターンへ樹脂溶液材料を流入し、射出成型を行う。樹脂溶液材料としては、シクロオレフィンポリマーやポリカーボネート，ポリメチルメタアクリレートなどを適用すれば良く、さらにインプリントレジストとの剥離性の良い材料を選択することが好ましい。成型を行った後、Ｎｉスタンパ上から剥離することで凹凸を有する樹脂スタンパが得られる。
【０１００】
この樹脂スタンパを用い、金属マスク層上のレジスト層へ凹凸パターンを転写する。レジストには熱硬化樹脂や光硬化樹脂をはじめとしたレジスト材料を用いることが可能であり、イソボルニルアクリレート、アリルメタクリレート、ジプロピレングリコールジアクリレートなどを適用できる。
【０１０１】
これらのレジスト材料を、上記のような磁気記録層および金属マスク層を有する試料上に塗布し、レジスト層を形成する。次いで、レジスト層に対して凹凸パターンを有する樹脂スタンパをインプリントする。インプリントの際、樹脂スタンパがレジストに押下されるとレジストが流動化し、凹凸パターンが形成される。ここで、レジスト層に対して紫外線などのエネルギーを付与することで、凹凸パターンを形成しているレジスト層を硬化させ、次いで樹脂スタンパを離型すればレジスト層の凹凸パターンが得られる。樹脂スタンパの離型を容易に行なうために、あらかじめ樹脂スタンパ表面にシランカップリング剤などによる離型処理を行なっておくことができる。
【０１０２】
レジスト層の凹部はレジスト材料が残渣として存在しているため、これをエッチングにより除去する。ポリマーベースのレジスト材料は、一般的にＯ２エッチャントに対するエッチング耐性が低いため、Ｏ２エッチングを行なうことで容易に残渣を除去できる。無機材料を含む場合は、レジストパターンが残るようにエッチャントを適宜変更しても構わない。以上のようにして、ナノインプリントにより磁気記録媒体上へ凹凸パターンを形成できる。
【０１０３】
マスク層パターニング工程
引き続き、レジスト層の凹凸パターンを第１のマスク層へ転写する。
【０１０４】
金属マスク層の加工では、マスク層材料とエッチングガスの組み合わせにより多様な層構成と加工方法が実現され得る。
【０１０５】
前述のジブロックコポリマーの場合と同様に、凹凸パターンの幅方向におけるエッチングに対して厚さ方向のエッチングが有意となるように、微細加工を行う場合はドライエッチングを適用することができる。ドライエッチングで使用され得るプラズマは、容量結合、誘導結合、電子サイクロトロン共鳴、多周波重畳結合などの種々の方法により発生させることができる。また、凹凸パターンのパターン寸法の調整のために、プロセスガス圧力、ガス流量、プラズマ投入電力、基板温度、チャンバー雰囲気、及び到達真空度などのパラメータを設定することができる。
【０１０６】
エッチング選択比を大きくするために金属材料を積層した場合は、エッチングガスを適切に選択することができる。エッチングガスにはＣＦ４、Ｃ２Ｆ６、Ｃ３Ｆ６、Ｃ３Ｆ８、Ｃ５Ｆ８、Ｃ４Ｆ８、ＣｌＦ３、ＣＣｌ３Ｆ５、Ｃ２ＣｌＦ５、ＣＣＢｒＦ３、ＣＨＦ３、ＮＦ３、ＣＨ２Ｆ２などのフッ素系ガスや、Ｃｌ２、ＢＣｌ３、ＣＣｌ４、ＳｉＣｌ４などの塩素系ガスがあげられる。その他、Ｈ２、Ｎ２、Ｂｒ２、ＨＢｒ、ＮＨ３、ＣＯ、Ｃ２Ｈ４、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅなどの各種ガスを適用することができる。また、エッチング速度やエッチング選択比を調整するためにこれらのガスを２種類以上混ぜた混合ガスを使用することも可能である。なお、エッチング選択比を確保でき、かつ幅方向へのエッチングを抑制し得る場合は、ウェットエッチングによりパターニングを行なうことができる。同様に、イオンミリングのような物理的エッチングを行なうことができる。
【０１０７】
一例として、ここでは第１のマスク層をＴａとし、拡散抑制層をＴａ２Ｏ５とし、第２のマスク層をＡｌとした場合に関して説明する。
【０１０８】
まず、Ａｌ膜はＣｌ２ガスにＡｒガスを添加した混合ガスによるプラズマエッチングで加工できる。前記第２のマスク層表面における酸化などが顕著である場合は、物理的あるいは化学的に金属酸化膜を除去することができる。
【０１０９】
続いて、Ｔａ２Ｏ５拡散抑制層ならびに第１のマスク層であるＴａをフッ素系プラズマにより加工する。
【０１１０】
図４に、ＣＦ４プラズマエッチングにおけるＴａ２Ｏ５膜とＴａ膜のイオンミリングレートを表すグラフを示す。
【０１１１】
図示するように、ＣＦ４プラズマエッチングにおけるＴａ２Ｏ５膜のエッチングレートはＴａのそれよりも２倍程度速い。したがって、拡散抑制層と第１のマスクを一括で加工することが可能である。逆に、拡散抑制層と第１のマスク層の加工では、異なるエッチング方法による加工を行なうことができる。以上のように、レジスト層の凹凸パターンを第２のマスクから拡散抑制層、第１のマスク層へ転写することができる。
【０１１２】
剥離層パターニング工程
続いて、凹凸パターンを剥離層へ転写する。
【０１１３】
金属マスク層の場合と同様に、エッチングにより凹凸パターンを転写することができるが、ウェットエッチングを行うと剥離層が溶解されてしまうため、金属マスク層が倒壊し得る。したがって、ドライエッチングによりパターン転写を行うことができる。
【０１１４】
化学的に活性なガスを用いてドライエッチングを行う場合は、高分子剥離層表面の改質を少なくすることがプロセス上重要となる。エッチングにより表面が改質されるとプラズマやエッチング溶液に対する剥離性が低下する。例えば、Ｓｉ金属マスクの除去と同様にフッ素系ガスを用いたドライエッチングを行うと、高分子剥離層の表面がエッチングガスによって改質され、有機溶媒および水に対して難溶となるため、マスクの剥離性が著しく劣化する。この場合はエッチングガスを適切に選べば良く、例えば、Ｏ２ガスを用いたドライエッチングを行うことで剥離性の劣化を避けることができる。
【０１１５】
剥離層と磁気記録層のパターニングでは、各層を別個にエッチングしてもよいが、イオンミリングなどの方法により両者を一括で加工することができる。
【０１１６】
磁気記録層パターニング工程
次に、凹凸パターンを剥離層下部の磁気記録層へ転写する。
【０１１７】
磁気的な孤立ドットを形成するためには、上記の反応性イオンエッチングやミリング法を適用して凹凸パターンを設けるのが代表的な方法である。この場合は、エッチングガスにＣＯやＮＨ３を適用する方法や、Ａｒなどの不活性ガスを用いたイオンミリングによりパターニングすることができる。
【０１１８】
イオンミリングにより磁気記録層へ凹凸を転写する場合、エッチング、ミリングによりマスク側壁に向かって飛散する副生成物いわゆるリデポ成分を抑制する必要がある。このリデポ成分は、凸パターンの周囲に付着するため、凸パターンの寸法が拡大し、溝部分を埋めることになるため、分断された磁気記録層パターンを得るためにはリデポ成分を可及的に少なくすることが重要である。また、剥離層下部の磁気記録層のエッチング時に生じたリデポ成分が剥離層側面を被覆すると、剥離層が剥離溶液に対して曝露されなくなってしまい、剥離性が劣化することになるため、やはりリデポ成分は少ないことが望ましい。
【０１１９】
磁気記録層に対するイオンミリングでは、イオンの入射角度を変えることで側壁へのリデポ成分を少なくすることができる。この場合は、マスク高さによって最適な入射角度は異なるが２０°〜７０°の範囲でリデポを抑制することが可能となる。また、入射角度はミリング中に適宜変更することができる。
【０１２０】
剥離工程
続いて、磁気記録層上のマスクパターンを剥離層ごと除去することで、凹凸パターンを有する磁気記録層を得る。
【０１２１】
上述のように、剥離層は金属あるいは高分子材料から構成されており、プラズマを用いてドライ剥離もしくは酸・アルカリ・有機溶媒を用いたウェット剥離を行うことができる。
【０１２２】
ドライ剥離では、Ｈ２、Ｏ２、Ｎ２、などのガスによるプラズマを用いてマスク層を剥離することができる。また、ウェット剥離では過酸化水素水や硫酸などの酸溶液、水酸化ナトリウムや水酸化カリウムなどのアルカリ溶液、アセトンやメタノールなどの有機溶剤など、種々の溶液を用いることができる。さらに、ウェット剥離を行う際は上記溶液を用いて種々の方法を適用でき、例えば、ディップ法、パドル法、スピン法、及びベーパー法などが挙げられる。他にもスクラブ法や超音波を用いた剥離を行っても良い。
【０１２３】
保護層形成工程
最後に、凹凸を有する磁気記録層パターン上にカーボン系保護層と図示しないフッ素系潤滑膜を成膜することで、凹凸パターンが設けられた磁気記録媒体を得る。
【０１２４】
カーボン保護層にはｓｐ３結合炭素を多く含むＤＬＣ膜が好適である。また、その膜厚は被覆性を維持するために２ｎｍ以上、信号Ｓ／Ｎを維持するために１０ｎｍ以下にすることが望ましい。また、潤滑剤としてはパーフルオロポリエーテル、フッ化アルコール、フッ素化カルボン酸などを用いることができる。
【０１２５】
（第２の実施形態）
第２の実施形態にかかる磁気記録媒体の製造方法の一例を説明する。
【０１２６】
第２の実施形態にかかる磁気記録媒体の製造方法を用いると、レジスト層と第１のマスク層との間にパターン転写層を設ける工程と、凹凸パターンを第２のマスク層へ転写する工程の前に凹凸パターンを転写層へ転写する工程以外は、実施形態１と同様にしてパターンが形成された磁気記録媒体を得ることができる。
【０１２７】
上記のように、レジスト層と第２のマスク層との間のエッチング選択比を確保し得るパターン転写層を用いる。一例として、ここではレジスト層に自己組織化層を用い、パターン転写層にＳｉおよびＣからなる転写層を適用した例を説明する。
【０１２８】
一般的に、ＳｉはＯ２プラズマに対するエッチング耐性が高く、Ｆ２プラズマに対するエッチング耐性が低い。逆に、ＣはＦ２プラズマに対するエッチング耐性が高く、Ｏ２プラズマに対するエッチング耐性が低い。したがって、ジブロックコポリマーの場合に準じて加工を行うことで凹凸パターンを転写層へ転写することができる。具体的には、第２のマスク層上にＣ／Ｓｉ／Ｃからなる多層転写層を形成し、その上に形成された自己組織化パターンをエッチングにより転写する。Ｃ層ではＯ２エッチングを適用し、Ｓｉ層ではＣＦ４エッチングを適用すればよく、次いで、前記の如く基板側から積層したＴａ／Ｔａ２Ｏ５／Ａｌ層へエッチングにより凹凸パターンを転写すればよい。
【０１２９】
図５に、磁気記録媒体の周方向に対する記録ビットパターンの一例を表す図を示す。
【０１３０】
磁気記録層の凸パターンは図５に示すように、ディジタル信号の１と０に相当するデータを記録する記録ビット領域と、磁気ヘッドの位置決め信号となるプリアンブルパターン、アドレスパターン、バーストパターンからなる、いわゆるサーボ領域とに大別され、これを面内パターンとして形成できる。また、図示しているサーボ領域のパターンは矩形状でなくてもよく、例えば全サーボパターンをドット形状で置き換えても良い。さらに、サーボに加えデータ領域も全てドットパターンで構成することも可能である。１ビットの情報は１つの磁性ドットあるいは複数の磁性ドットで構成され得る。
【０１３１】
実施例
以下、実施例を示し、実施形態を具体的に説明する。
【０１３２】
実施例１
まず、２．５インチ径ドーナツ基板上に磁気記録層をＤＣスパッタ法により形成した。ガス圧力は０．７Ｐａとし、投入電力は５００Ｗに設定し、基板側から１０ｎｍ厚ＮｉＴａ下地層／４ｎｍ厚Ｐｄ下地層／２０ｎｍ厚Ｒｕ下地層／５ｎｍ厚ＣｏＰｔ記録層を順次成膜し、最後に３ｎｍ厚Ｐｄ保護層を形成することで磁気記録層を得た。
【０１３３】
続いて、磁気記録層上に剥離層を形成した。剥離層にはＡｌＢＮ金属膜を用い、ＤＣスパッタ法により５ｎｍ厚となるように成膜した。ここでは、Ａｒガス圧力０．７Ｐａ、投入電力５００Ｗとして成膜を行った。
【０１３４】
引き続き、剥離層上に金属マスク層を形成した。剥離層上の第１のマスク層には２０ｎｍ厚Ｔａ膜を選定し、対向ターゲット式ＤＣスパッタ装置を用い、Ａｒガス流量３５ｓｃｃｍ、Ａｒガス圧力０．３Ｐａ、投入電力２００Ｗとしてスパッタ成膜した。さらに、成膜後のチャンバー内にＯ２ガスを流量４０ｓｃｃｍで流入し、１分間酸化を行うことでＴａ膜表面にＴａ酸化膜を形成し、これを拡散抑制層とした。拡散抑制層厚は断面ＴＥＭにて観察したところ、３ｎｍであった。
【０１３５】
さらに、第２の金属としてＡｌ膜を選定し、ＤＣスパッタ法により５ｎｍ厚で成膜を行った。
【０１３６】
次いで，パターニング用の主鎖切断型電子線ポジレジストを成膜した。電子線レジストとして日本ゼオン株式会社製のＺＥＰ−５２０Ａを用い，アニソールを溶媒として重量比１：３で希釈した溶液に調製した後、回転数を２５００ｒｐｍに設定し基板上にスピンコートした。試料は真空ホットプレートを用いて１８０℃に保持した下、１８０秒間プリベークすることで電子線レジストを硬化させた。
【０１３７】
次いで、ＺｒＯ熱電界放出型電子源を有し、加速電圧１００ｋＶ・ビーム径３ｎｍ径のビームを具備した電子線描画装置を用い、電子線レジストにパターン描画を行った。電子線描画装置は、描画パターンを形成するための信号と、試料ステージの一方向移動機構と回転機構とを具備した、いわゆるｘ−θ型描画装置である。試料の描画では電子線を偏向するための信号を同期させるとともに、半径方向に対してステージを移動させている。ここで、描画線速度０．１５ｍ／ｓ、ビーム電流値１３ｎＡ、半径方向への送り量を５ｎｍとして、電子線レジストにピッチ２０ｎｍを有するドット／スペースパターンおよびライン／スペースパターンの潜像を形成した。
【０１３８】
これを現像することで、１０ｎｍ径ドット／１０ｎｍスペース、１０ｎｍ幅ライン／１０ｎｍ幅スペースの凹凸パターンを解像できる。現像液には１００％酢酸ノルマルアミルを成分とした有機現像液を用い，２０秒間浸漬することで電子線レジストの現像を行った。次いで，イソプロピルアルコールに２０秒間浸漬してリンスを行い，Ｎ２の直接ブローにより試料表面を乾燥させた。
【０１３９】
引き続き、レジスト層の凹凸パターンを第２のマスク層へ転写した。パターン転写では、Ｃｌ２ガスを用いた誘導結合型プラズマエッチングを適用した。まず、Ａｌ膜の表面酸化膜を除去するためにＡｒによる物理的なエッチングを行った。Ａｒガス圧力は０．２Ｐａ、ガス流量は５０ｓｃｃｍ、投入電力１００Ｗ、バイアス電力２０Ｗとし、５秒間エッチングを行うことで表面酸化膜を除去した。続いて、Ｃｌ２エッチングによりＡｌ膜に凹凸パターンを転写した。Ｃｌ２ガス流量は２０ｓｃｃｍ、投入電力２００Ｗ、バイアス電力３０Ｗとして１２秒間エッチングを行うことで、レジスト層の凹凸パターンをＡｌマスク層へ転写した。
【０１４０】
次いで、Ａｌマスク層下部の拡散抑制層および第１のマスク層へパターンを転写した。拡散抑制層であるＴａ２Ｏ５および第１のマスクであるＴａはともにフッ素系ガスを用いたプラズマエッチングにより除去可能である。ここではＣＦ４ガスを用いた誘導結合型プラズマエッチングにより、流量２０ｓｃｃｍ、圧力０．１Ｐａ、投入電力１００Ｗ、バイアス電力３０Ｗとした条件の下、２５秒間エッチングを行うことで２０ｎｍ高さのＴａマスクパターンを得た。
【０１４１】
次に、剥離層および磁気記録層へ凹凸パターンを転写した。前述のように剥離層と磁気記録層への凹凸パターン転写では異なるエッチング工程を経てもよいが、同一の工程によるものでも構わない。ここではＡｒイオンによるミリング法を適用した。Ａｒイオン加速電圧３００Ｖ、ガス流量３ｓｃｃｍ、プロセス圧力０．１Ｐａとし、１２０秒間ミリングを行い、５ｎｍ厚Ａｌ剥離層、３ｎｍ厚Ｐｄ保護層および５ｎｍ厚ＣｏＰｔ磁性膜に凹凸パターンを転写した。続いて、マスクパターンを剥離するためのウェットエッチングを行なった。剥離層のＡｌＢＮ金属膜はアルカリ溶液で容易に剥離することができる。本例では、重量パーセント濃度１％の水酸化ナトリウム水溶液を用い、３分間試料を浸漬することでマスクパターンを磁気記録層上から剥離した。
【０１４２】
最後に、２ｎｍ厚ＤＬＣ膜を成膜した後、パーフルオロポリエーテル系潤滑膜を１．５ｎｍ厚で形成することで磁気記録媒体を得た。得られた磁気記録媒体を用い、極Ｋｅｒｒ効果測定装置により磁気記録媒体の保磁力を測定した。測定箇所は２．５インチディスクの半径１６ｍｍ（内周側）、２２ｍｍ（中周側）、２８ｍｍ（外周側）の３点とした。媒体の保磁力は６．８  ｋＯｅ程度であり良好なリードライト特性を有する媒体が得られた。
【０１４３】
実施例２
実施例２は、第２のマスク層としてＡｌの代わりにＮｉを適用した以外は実施例１と同様である。
【０１４４】
Ｎｉ膜は対向ターゲット式ＤＣスパッタ法により成膜した。ここではＡｒガス流量０．７Ｐａ、投入電力５００Ｗとし、３ｎｍ厚となるように成膜した。
【０１４５】
このＮｉ膜はＡｒイオンミリングによりエッチングし、上層のレジスト層における凹凸パターンを転写した。Ａｒイオン加速電圧３００Ｖ、ガス流量３ｓｃｃｍ、プロセス圧力０．１Ｐａとし、４５秒間ミリングを行うことで３ｎｍ厚Ｎｉ金属マスク層の凹凸パターンを得た。
【０１４６】
以降、実施例１と同様にしてパターン転写ならびに剥離工程を経て、凹凸パターンを具備する磁気記録媒体を得た。得られた磁気記録媒体を用い、極Ｋｅｒｒ効果測定装置により磁気記録媒体の保磁力を測定したところ、６．７１ｋＯｅであり良好なリードライト特性を有する媒体が得られた。
【０１４７】
実施例３
実施例３は、第２のマスク層としてＡｌ層の代わりにＣｕを適用した以外は実施例１と同様である。
【０１４８】
Ｃｕ膜は対向ターゲット式ＤＣスパッタ法により成膜した。ここではＡｒガス流量０．７Ｐａ、投入電力５００Ｗとし、２  ｎｍ  厚となるように成膜した。
【０１４９】
このＣｕ膜はＡｒイオンミリングによりエッチングし、上層のレジスト層における凹凸パターンを転写した。Ａｒイオン加速電圧３００Ｖ、ガス流量３ｓｃｃｍ、プロセス圧力０．１Ｐａとし、３８秒間ミリングを行うことで２ｎｍ厚Ｃｕ金属マスク層の凹凸パターンを得た。
【０１５０】
以降、実施例１と同様にしてパターン転写ならびに剥離工程を経て、凹凸パターンを具備する磁気記録媒体を得た。
【０１５１】
得られた磁気記録媒体を用い、極Ｋｅｒｒ効果測定装置により磁気記録媒体の保磁力を測定したところ、６．７  ｋＯｅであり良好なリードライト特性を有する媒体が得られた。
【０１５２】
実施例４
実施例４は、第２のマスク層としてＡｌの代わりにＭｏを適用したこと以外は実施例１と同様である。
【０１５３】
Ｍｏ膜は対向ターゲット式ＤＣスパッタ法により成膜した。ここではＡｒガス流量０．７Ｐａ、投入電力５００Ｗとし、５ｎｍ厚となるように成膜した。
【０１５４】
さらに、このＭｏ膜はＣＦ４をエッチャントとしたプラズマエッチングにより加工した。ガス流量２０ｓｃｃｍ、ガス圧力０．１Ｐａ、投入電力１００Ｗ、バイアス電力３０Ｗとし、３５秒間エッチングを行うことで５ｎｍ厚Ｍｏ金属マスク層の凹凸パターンを得た。
【０１５５】
以降、実施例１と同様にしてパターン転写ならびに剥離工程を経て、凹凸パターンを具備する磁気記録媒体を得た。
【０１５６】
得られた磁気記録媒体を用い、極Ｋｅｒｒ効果測定装置により磁気記録媒体の保磁力を測定したところ、７．１  ｋＯｅであり良好なリードライト特性を有する媒体が得られた。
【０１５７】
実施例５
実施例５は、第２のマスク層としてＡｌの代わりにＡｇを適用した以外は実施例１と同様である。
【０１５８】
Ａｇ膜は対向ターゲット式ＤＣスパッタ法により成膜した。ここではＡｒガス流量０．７Ｐａ、投入電力５００Ｗとし、５  ｎｍ  厚となるように成膜した。
【０１５９】
さらに、このＡｇ膜はＡｒイオンミリングによりエッチングし、上層のレジスト層における凹凸パターンを転写した。Ａｒイオン加速電圧３００Ｖ、ガス流量３ｓｃｃｍ、プロセス圧力０．１Ｐａとし、２５秒間ミリングを行うことで５ｎｍ厚Ａｇ金属マスク層の凹凸パターンを得た。
【０１６０】
以降、実施例１と同様にしてパターン転写ならびに剥離工程を経て、凹凸パターンを具備する磁気記録媒体を得た。
【０１６１】
得られた磁気記録媒体を用い、極Ｋｅｒｒ効果測定装置により磁気記録媒体の保磁力を測定したところ、６．５  ｋＯｅであり良好なリードライト特性を有する媒体が得られた。
【０１６２】
実施例６
実施例６は、第２のマスク層としてＡｌの代わりにＰｄを適用したこと以外は実施例１と同様である。
【０１６３】
Ｐｄ膜は対向ターゲット式ＤＣスパッタ法により成膜した。ここではＡｒガス流量０．７Ｐａ、投入電力５００Ｗとし、５  ｎｍ  厚となるように成膜した。
【０１６４】
さらに、このＰｄ膜はＡｒイオンミリングによりエッチングし、上層のレジスト層における凹凸パターンを転写した。Ａｒイオン加速電圧３００Ｖ、ガス流量３ｓｃｃｍ、プロセス圧力０．１Ｐａとし、２１秒間ミリングを行うことで５ｎｍ厚Ｐｄ金属マスク層の凹凸パターンを得た。
【０１６５】
以降、実施例１と同様にしてパターン転写ならびに剥離工程を経て、凹凸パターンを具備する磁気記録媒体を得た。得られた磁気記録媒体を用い、極Ｋｅｒｒ効果測定装置により磁気記録媒体の保磁力を測定したところ、６．７  ｋＯｅであり良好なリードライト特性を有する媒体が得られた。
【０１６６】
実施例７
実施例７は、第２のマスク層として、Ａｌの代わりにＡｕを適用したこと以外は実施例１と同様である。
【０１６７】
Ａｕ膜は対向ターゲット式ＤＣスパッタ法により成膜した。ここではＡｒガス流量０．７Ｐａ、投入電力５００Ｗとし、８ｎｍ厚となるように成膜した。
【０１６８】
さらに、このＡｕ膜はＡｒイオンミリングによりエッチングし、上層のレジスト層における凹凸パターンを転写した。Ａｒイオン加速電圧３００Ｖ、ガス流量３ｓｃｃｍ、プロセス圧力０．１Ｐａとし、４５秒間ミリングを行うことで８ｎｍ厚Ｐｄ金属マスク層の凹凸パターンを得た。
【０１６９】
以降、実施例１と同様にしてパターン転写ならびに剥離工程を経て、凹凸パターンを具備する磁気記録媒体を得た。得られた磁気記録媒体を用い、極Ｋｅｒｒ効果測定装置により磁気記録媒体の保磁力を測定したところ、６．８ｋＯｅであり良好なリードライト特性を有する媒体が得られた。
【０１７０】
実施例８
実施例８は、第２のマスク層としてＡｌの代わりにＰｔを適用したこと以外は実施例１と同様である。
【０１７１】
Ｐｔ膜は対向ターゲット式ＤＣスパッタ法により成膜した。ここではＡｒガス流量０．７Ｐａ、投入電力５００Ｗとし、３ｎｍ厚となるように成膜した。さらに、このＰｔ膜はＡｒイオンミリングによりエッチングし、上層のレジスト層における凹凸パターンを転写した。Ａｒイオン加速電圧３００Ｖ、ガス流量３ｓｃｃｍ、プロセス圧力０．１Ｐａとし、２５秒間ミリングを行うことで３ｎｍ厚Ｐｔ金属マスク層の凹凸パターンを得た。
【０１７２】
以降、実施例１と同様にしてパターン転写ならびに剥離工程を経て、凹凸パターンを具備する磁気記録媒体を得た。得られた磁気記録媒体を用い、極Ｋｅｒｒ効果測定装置により磁気記録媒体の保磁力を測定したところ、６．５ｋＯｅであり良好なリードライト特性を有する媒体が得られた。
【０１７３】
実施例９
実施例９は、第２のマスク層としてＡｌの代わりにＴｉを適用すること以外は実施例１と同様である。
【０１７４】
Ｔｉ膜は対向ターゲット式ＤＣスパッタ法により成膜した。ここではＡｒガス流量０．７Ｐａ、投入電力５００Ｗとし、１．５  ｎｍ  厚となるように成膜した。
【０１７５】
さらに、このＴｉ膜はＡｒイオンミリングによりエッチングし、上層のレジスト層における凹凸パターンを転写した。Ａｒイオン加速電圧３００Ｖ、ガス流量３ｓｃｃｍ、プロセス圧力０．１Ｐａとし、２８秒間ミリングを行うことで１．５ｎｍ厚Ｔｉ金属マスク層の凹凸パターンを得た。
【０１７６】
以降、実施例１と同様にしてパターン転写ならびに剥離工程を経て、凹凸パターンを具備する磁気記録媒体を得た。得られた磁気記録媒体を用い、極Ｋｅｒｒ効果測定装置により磁気記録媒体の保磁力を測定したところ、６．３  ｋＯｅであり良好なリードライト特性を有する媒体が得られた。
【０１７７】
実施例１０
実施例１０は、第２のマスク層としてＡｌの代わりにＮｂを適用すること以外は実施例１と同様である。
【０１７８】
Ｎｂ膜は対向ターゲット式ＤＣスパッタ法により成膜した。ここではＡｒガス流量０．７Ｐａ、投入電力５００Ｗとし、５  ｎｍ  厚となるように成膜した。さらに、このＮｂ膜はＣｌ２をエッチャントとしたプラズマエッチングにより加工した。ガス流量２０ｓｃｃｍ、ガス圧力０．１Ｐａ、投入電力１００Ｗ、バイアス電力６０Ｗとし、１２秒間エッチングを行うことで５ｎｍ厚Ｎｂ金属マスク層の凹凸パターンを得た。
【０１７９】
以降、実施例１と同様にしてパターン転写ならびに剥離工程を経て、凹凸パターンを具備する磁気記録媒体を得た。得られた磁気記録媒体を用い、極Ｋｅｒｒ効果測定装置により磁気記録媒体の保磁力を測定したところ、６．５  ｋＯｅであり良好なリードライト特性を有する媒体が得られた。
【０１８０】
実施例１１
実施例１１は、第２のマスク層にＡｌの代わりにＲｕを適用すること以外は実施例１と同様である。
【０１８１】
Ｒｕ膜は対向ターゲット式ＤＣスパッタ法により成膜した。ここではＡｒガス流量０．７Ｐａ、投入電力５００Ｗとし、２  ｎｍ  厚となるように成膜した。
【０１８２】
さらに、このＲｕ膜はＯ２をエッチャントとしたプラズマエッチングにより加工した。ガス流量２０ｓｃｃｍ、ガス圧力０．１Ｐａ、投入電力１００Ｗ、バイアス電力８０Ｗとし、２７秒間エッチングを行うことで２ｎｍ厚Ｒｕ金属マスク層の凹凸パターンを得た。
【０１８３】
以降、実施例１と同様にしてパターン転写ならびに剥離工程を経て、凹凸パターンを具備する磁気記録媒体を得た。得られた磁気記録媒体を用い、極Ｋｅｒｒ効果測定装置により磁気記録媒体の保磁力を測定したところ、６．４  ｋＯｅであり良好なリードライト特性を有する媒体が得られた。
【０１８４】
実施例１２
実施例１２は、第１のマスク層としてＴａの代わりにＳｉを適用した以外は実施例１と同様である。
【０１８５】
Ｓｉ膜は対向ターゲット式ＤＣスパッタ法により成膜した。ここではＡｒガス流量０．７Ｐａ、投入電力５００Ｗとし、２０  ｎｍ  厚となるように成膜した。また、Ａｌ膜は実施例１と同様に５ｎｍ厚で成膜した。
【０１８６】
さらに、このＳｉ膜はＣＦ４をエッチャントとしたプラズマエッチングにより加工した。ガス流量２０ｓｃｃｍ、ガス圧力０．１Ｐａ、投入電力１００Ｗ、バイアス電力３０Ｗとし、５８秒間エッチングを行うことで２０ｎｍ厚Ｓｉ金属マスク層の凹凸パターンを得た。
【０１８７】
以降、実施例１と同様にしてパターン転写ならびに剥離工程を経て、凹凸パターンを具備する磁気記録媒体を得た。得られた磁気記録媒体を用い、極Ｋｅｒｒ効果測定装置により磁気記録媒体の保磁力を測定したところ、６．４５  ｋＯｅであり良好なリードライト特性を有する媒体が得られた。
【０１８８】
実施例１３
実施例１３は、第１のマスク層としてＴａの代わりにＧｅを適用すること以外は実施例１と同様である。
【０１８９】
Ｇｅ膜は対向ターゲット式ＤＣスパッタ法により成膜した。ここではＡｒガス流量０．７Ｐａ、投入電力５００Ｗとし、２０  ｎｍ  厚となるように成膜した。また、Ａｌ膜は実施例１と同様に５ｎｍ厚で成膜した。
【０１９０】
さらに、このＧｅ膜はＣＦ４をエッチャントとしたプラズマエッチングにより加工した。ガス流量２０ｓｃｃｍ、ガス圧力０．１Ｐａ、投入電力１００Ｗ、バイアス電力３０Ｗとし、１９秒間エッチングを行うことで２０ｎｍ厚Ｇｅ金属マスク層の凹凸パターンを得た。
【０１９１】
以降、実施例１と同様にしてパターン転写ならびに剥離工程を経て、凹凸パターンを具備する磁気記録媒体を得た。得られた磁気記録媒体を用い、極Ｋｅｒｒ効果測定装置により磁気記録媒体の保磁力を測定したところ、６．１  ｋＯｅであり良好なリードライト特性を有する媒体が得られた。
【０１９２】
実施例１４
実施例１４は、第１のマスク層としてＴａの代わりにＷを適用すること以外は、実施例１と同様にである。
【０１９３】
Ｗ膜は対向ターゲット式ＤＣスパッタ法により成膜した。ここではＡｒガス流量０．７Ｐａ、投入電力５００Ｗとし、２０  ｎｍ  厚となるように成膜した。また、Ａｌ膜は実施例１と同様に５ｎｍ厚で成膜した。
【０１９４】
さらに、このＷ膜はＣＦ４をエッチャントとしたプラズマエッチングにより加工した。ガス流量２０ｓｃｃｍ、ガス圧力０．１Ｐａ、投入電力１００Ｗ、バイアス電力３０Ｗとし、６２秒間エッチングを行うことで２０ｎｍ厚Ｗ金属マスク層の凹凸パターンを得た。
【０１９５】
以降、実施例１と同様にしてパターン転写ならびに剥離工程を経て、凹凸パターンを具備する磁気記録媒体を得た。得られた磁気記録媒体を用い、極Ｋｅｒｒ効果測定装置により磁気記録媒体の保磁力を測定したところ、６．９  ｋＯｅであり良好なリードライト特性を有する媒体が得られた。
【０１９６】
実施例１５
実施例１５は、第１のマスク層にＴａの代わりにＨｆを適用すること以外は実施例１と同様である。
【０１９７】
Ｈｆ膜は対向ターゲット式ＤＣスパッタ法により成膜した。ここではＡｒガス流量０．７Ｐａ、投入電力５００Ｗとし、２０  ｎｍ  厚となるように成膜した。また、Ａｌ膜は実施例１と同様に５ｎｍ厚で成膜した。
【０１９８】
さらに、このＨｆ膜はＣｌ２をエッチャントとしたプラズマエッチングにより加工した。ガス流量２０ｓｃｃｍ、ガス圧力０．１Ｐａ、投入電力１００Ｗ、バイアス電力４０Ｗとし、３６秒間エッチングを行うことで２０ｎｍ厚Ｈｆ金属マスク層の凹凸パターンを得た。
【０１９９】
以降、実施例１と同様にしてパターン転写ならびに剥離工程を経て、凹凸パターンを具備する磁気記録媒体を得た。得られた磁気記録媒体を用い、極Ｋｅｒｒ効果測定装置により磁気記録媒体の保磁力を測定したところ、６．４  ｋＯｅであり良好なリードライト特性を有する媒体が得られた。
【０２００】
実施例１６
実施例１６は、第１のマスク層としてＴａの代わりにＺｒを適用すること以外は実施例１と同様である。
【０２０１】
Ｚｒ膜は対向ターゲット式ＤＣスパッタ法により成膜した。ここではＡｒガス流量０．７Ｐａ、投入電力５００Ｗとし、２０  ｎｍ  厚となるように成膜した。また、Ａｌ膜は実施例１と同様に５ｎｍ厚で成膜した。
【０２０２】
さらに、このＺｒ膜はＣｌ２をエッチャントとしたプラズマエッチングにより加工した。ガス流量２０ｓｃｃｍ、ガス圧力０．１Ｐａ、投入電力１００Ｗ、バイアス電力４０Ｗとし、２３秒間エッチングを行うことで２０ｎｍ厚Ｈｆ金属マスク層の凹凸パターンを得た。
【０２０３】
以降、実施例１と同様にしてパターン転写ならびに剥離工程を経て、凹凸パターンを具備する磁気記録媒体を得た。得られた磁気記録媒体を用い、極Ｋｅｒｒ効果測定装置により磁気記録媒体の保磁力を測定したところ、６．５  ｋＯｅであり良好なリードライト特性を有する媒体が得られた。
【０２０４】
実施例１７
実施例１７は、第２のマスク層としてＡｌの代わりにＮｉＡｌ合金を適用したこと以外は実施例１と同様である。
【０２０５】
ＮｉＡｌ膜は対向ターゲット式ＤＣスパッタ法により成膜した。ここではＡｒガス流量０．７Ｐａ、投入電力５００Ｗとし、５ｎｍ厚となるように成膜した。また、Ｔａ膜は実施例１と同様に２０ｎｍ厚で成膜した。
【０２０６】
さらに、このＮｉＡｌ膜はＣｌ２をエッチャントとしたプラズマエッチングにより加工した。ガス流量２０ｓｃｃｍ、ガス圧力０．１Ｐａ、投入電力１００Ｗ、バイアス電力４０Ｗとし、３５秒間エッチングを行うことで５ｎｍ厚ＮｉＡｌ金属マスク層の凹凸パターンを得た。
【０２０７】
以降、実施例１と同様にしてパターン転写ならびに剥離工程を経て、凹凸パターンを具備する磁気記録媒体を得た。得られた磁気記録媒体を用い、極Ｋｅｒｒ効果測定装置により磁気記録媒体の保磁力を測定したところ、５．７ｋＯｅであり良好なリードライト特性を有する媒体が得られた。
【０２０８】
実施例１８
実施例１８は、第２のマスク層として、Ａｌの代わりにＡｌ２Ｏ３を適用した以外は実施例１と同様である。
【０２０９】
Ａｌ２Ｏ３膜は対向ターゲット式ＤＣスパッタ法により成膜した。ここではＡｒガス流量０．７Ｐａ、投入電力５００Ｗとし、５  ｎｍ  厚となるように成膜した。また、Ｔａ膜は実施例１と同様に２０ｎｍ厚で成膜した。
【０２１０】
さらに、このＡｌ２Ｏ３膜はＡｒイオンミリングによりエッチングし、上層のレジスト層における凹凸パターンを転写した。Ａｒイオン加速電圧３００Ｖ、ガス流量３ｓｃｃｍ、プロセス圧力０．１Ｐａとし、７秒間ミリングを行うことで５ｎｍ厚Ａｌ２Ｏ３金属マスク層の凹凸パターンを得た。
【０２１１】
以降、実施例１と同様にしてパターン転写ならびに剥離工程を経て、凹凸パターンを具備する磁気記録媒体を得た。得られた磁気記録媒体を用い、極Ｋｅｒｒ効果測定装置により磁気記録媒体の保磁力を測定したところ、５．１  ｋＯｅであり良好なリードライト特性を有する媒体が得られた。
【０２１２】
実施例１９
実施例１９は、第２のマスク層としてＡｌの代わりにＡｌＮを適用したこと以外は実施例１と同様である。
【０２１３】
ＡｌＮ膜は対向ターゲット式ＤＣスパッタ法により成膜した。ここではＡｒガス流量０．７Ｐａ、投入電力５００Ｗとし、３  ｎｍ  厚となるように成膜した。また、Ｔａ膜は実施例１と同様に２０ｎｍ厚で成膜した。
【０２１４】
さらに、このＡｌＮ膜はＣｌ２をエッチャントとしたプラズマエッチングにより加工した。ガス流量２０ｓｃｃｍ、ガス圧力０．１Ｐａ、投入電力１００Ｗ、バイアス電力４０Ｗとし、１９秒間エッチングを行うことで３ｎｍ厚ＡｌＮ金属マスク層の凹凸パターンを得た。
【０２１５】
以降、実施例１と同様にしてパターン転写ならびに剥離工程を経て、凹凸パターンを具備する磁気記録媒体を得た。得られた磁気記録媒体を用い、極Ｋｅｒｒ効果測定装置により磁気記録媒体の保磁力を測定したところ、５．３  ｋＯｅであり良好なリードライト特性を有する媒体が得られた。
【０２１６】
実施例２０
実施例２０は、第２のマスク層としてＡｌの代わりにＡｌＣを適用したこと以外は、実施例１と同様である。
【０２１７】
ＡｌＣ膜は対向ターゲット式ＤＣスパッタ法により成膜した。ここではＡｒガス流量０．７Ｐａ、投入電力５００Ｗとし、２  ｎｍ  厚となるように成膜した。また、Ｔａ膜は実施例１と同様に２０ｎｍ厚で成膜した。
【０２１８】
さらに、このＡｌＣ膜はＣｌ２とＯ２をエッチャントとしたプラズマエッチングにより加工した。Ｃｌ２ガス流量２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ガス流量２０ｓｃｃｍ、ガス圧力０．１Ｐａ、投入電力１００Ｗ、バイアス電力３０Ｗとし、１４秒間エッチングを行うことで２ｎｍ厚ＡｌＣ金属マスク層の凹凸パターンを得た。
【０２１９】
以降、実施例１と同様にしてパターン転写ならびに剥離工程を経て、凹凸パターンを具備する磁気記録媒体を得た。得られた磁気記録媒体を用い、極Ｋｅｒｒ効果測定装置により磁気記録媒体の保磁力を測定したところ、５．２  ｋＯｅであり良好なリードライト特性を有する媒体が得られた。
【０２２０】
実施例２１
実施例２１は、拡散抑制層の厚さを６ｎｍに厚くすること以外は、実施例１と同様である。  Ｔａ表面の拡散抑制層を形成する際、流量５０ｓｃｃｍのＯ２ガス雰囲気において５分間マスク層表面を曝露し、６ｎｍ厚の拡散抑制層を形成した。
【０２２１】
以降、実施例１と同様にしてパターン転写ならびに剥離工程を経て、凹凸パターンを具備する磁気記録媒体を得た。得られた磁気記録媒体を用い、極Ｋｅｒｒ効果測定装置により磁気記録媒体の保磁力を測定したところ、６．４  ｋＯｅであり良好なリードライト特性を有する媒体が得られた。
【０２２２】
実施例２２
実施例２２は、レジスト層としてＺＥＰ−５２０Ａを用い、電子線描画によりパターニングする代わりに、自己組織化膜を用いてミクロ相分離構造を形成せしめ、ミクロ相分離パターンを基にエッチングを行い、自己組織化膜と第２のマスク層との間に、自己組織化膜の凹凸パターン転写を高精細にするためにＣとＳｉからなる転写層を設けること以外は実施例１と同様である。
【０２２３】
この転写層はＤＣスパッタ法により第２のマスク層上に成膜した。ここではＡｒガス流量０．７Ｐａ、投入電力５００Ｗとし、２０ｎｍ厚Ｃ／５ｎｍ厚Ｓｉ／３ｎｍ厚Ｃとなるように成膜した。
【０２２４】
続いて、ブロックコポリマー溶液を転写層上に塗布した。ブロックコポリマー溶液にはポリスチレンとポリジメチルシロキサンからなるブロック共重合体を塗布溶媒に溶解したものを用いた。ポリスチレンとポリジメチルシロキサンの分子量はそれぞれ１１７００、２９００である。また、溶媒にはアニソールを用い、重量パーセント濃度１．５％でポリマー溶液の調製を行った。この溶液をマスク上に回転数５０００ｒｐｍでスピンコーティングし、単層自己組織化膜を成膜した。さらに、自己組織化膜内部にポリジメチルシロキサンからなるドットパターンと、ポリスチレンからなるマトリックスをミクロ相分離させるため、熱アニールを行った。熱アニールでは真空加熱炉を用い、炉内圧力０．２Ｐａの減圧雰囲気下で１７０℃・１２時間のアニールを行い、自己組織化膜内部に２０ｎｍピッチドットのミクロ相分離構造を形成した。
【０２２５】
続いて、相分離パターンを基にエッチングにより凹凸パターンを形成した。エッチングでは誘導結合プラズマ型リアクティブイオンエッチングにより行った。プロセスガス圧力は０．１Ｐａ、ガス流量は５ｓｃｃｍとした。まず、自己組織化膜の表層のポリジメチルシロキサンを除去するため、ＣＦ４ガスをエッチャントとし、アンテナ電力５０Ｗ、バイアス電力５Ｗで７秒のエッチングを行った。次いで、マトリックスのポリスチレンおよびポリマー層下部のＣ転写層に凹凸パターンを転写するため、Ｏ２ガスをエッチャントとしてアンテナ電力１００Ｗ、バイアス電力５Ｗで１１０秒エッチングを行った。ポリスチレンの除去に用いるＯ２エッチャントは、下層のＣマスクもエッチングするため、Ｓｉ金属マスク層がストッパ層となりエッチングが終了する。続いてＣＦ４エッチャントおよびＯ２エッチャントを用いたプラズマエッチングにより、下層のＣ／Ｓｉ層へ凹凸パターンを転写することで、Ａｌ金属マスク上に自己組織化膜の凹凸パターンを得た。
【０２２６】
以降、実施例１と同様にしてパターン転写ならびに剥離工程を経て、凹凸パターンを具備する磁気記録媒体を得た。得られた磁気記録媒体を用い、極Ｋｅｒｒ効果測定装置により磁気記録媒体の保磁力を測定したところ、６．７  ｋＯｅであり良好なリードライト特性を有する媒体が得られた。
【０２２７】
実施例２３
実施例２３は、レジスト層としてＺＥＰ−５２０Ａを用い、電子線描画により凹凸パターン形成する代わりに、レジスト層としてナノインプリント用レジストを用い、さらにナノインプリントスタンパによる凹凸パターン形成を行うこと以外は実施例１と同様である。
【０２２８】
まず、ナノインプリントスタンパを作製するべく、マスター原盤を作製した。基板には汎用の６インチＳｉウェーハを用い、実施例１と同様にＴａ金属マスク層／Ｔａ２Ｏ５拡散抑制層／Ａｌ金属マスク層を形成した。次いで、電子線レジスト層を形成した後、電子線描画を行い２０ｎｍピッチドットパターンを形成した。
【０２２９】
このマスター原盤を用いてナノインプリント用スタンパを作製した。まず、凹凸パターンに対して導電化処理を行なうため、Ｎｉ膜をＤＣスパッタ法にて成膜した。到達真空度８．０×１０−４Ｐａ、Ａｒガス圧力１．０Ｐａ、ＤＣ投入電力２００Ｗの条件下で、５ｎｍ厚Ｎｉ膜を凹凸パターンに被覆させた。導電膜形成法としてはスパッタ法のほかに蒸着法、または無電解メッキ法によるＮｉ−Ｐ合金やＮｉ−Ｂ合金にて代用する事もできる。また、スタンパの剥離を容易に行なうために、導電膜形成後に表面を酸化させてもよい。続いて、電鋳法により凹凸パターンに沿ってＮｉ膜を形成する。電鋳液には昭和化学（株）製の高濃度スルファミン酸ニッケルメッキ液（ＮＳ−１６９）を使用した。スルファミン酸ニッケル：６００ｇ／Ｌ、ホウ酸４０ｇ／Ｌ、ラウリル硫酸ナトリウム界面活性剤０．１５ｇ／Ｌ、液温５５℃、ｐＨ  ３．８〜４．０、通電電流密度２０Ａ／ｄｍ２の電鋳条件にて、３００μｍ厚となるＮｉスタンパを作製した。このＮｉスタンパをマスター原盤から離型処理することで、凹凸パターンを有するナノインプリント用スタンパが得られる。離型後のスタンパ凹凸に残渣やパーティクルがある場合は、必要に応じてエッチングを行なうことで、これらを除去しスタンパを清浄化できる。なお、マスター原盤のパターンは実施例１で示した金属／拡散抑制層／金属構造であり、ひずみの小さなパターンであるとともに、スタンパ離型に伴うパターン欠損が少ないため、スタンパの複製に際して繰り返し使用することが可能である。また、金属のみの凹凸パターンに対してひずみが小さいので、マスター原盤上からのスタンパの離型も容易である。最後に、電鋳したＮｉ板を２．５インチ径の円盤状に打ち抜き加工し、Ｎｉスタンパを得た。このＮｉスタンパを射出成型処理し、樹脂スタンパを複製した。樹脂材料には、日本ゼオン（株）製環状オレフィンポリマー（ＺＥＯＮＯＲ  １０６０Ｒ）を用いた。
【０２３０】
上記のように得られた樹脂スタンパを用いて、レジスト層へ凹凸パターンを形成した。まず、試料上へ紫外線硬化レジストを４０ｎｍ厚でスピンコートし、これをレジスト層とした。続いて、レジスト層に前記樹脂スタンパをインプリントし、紫外線を照射させることにより（紫外線硬化樹脂層を樹脂スタンパで押下した状態で紫外線を照射）、レジスト層を硬化させる。硬化したレジスト層から樹脂スタンパを離型することで所望の２０ｎｍピッチドットパターンを得た。
【０２３１】
凹凸パターンの溝部にはインプリントに伴うレジスト残渣があるため、これをエッチングにより除去した。レジストの残渣除去は、Ｏ２エッチャントによるプラズマエッチングにより行なった。Ｏ２ガス流量２０ｓｃｃｍ、圧力０．１Ｐａ、投入電力１００Ｗ、バイアス電力２０Ｗとし、８秒間のエッチングを行なうことでレジスト残渣を除去した。以上のようにして、磁気記録層を有する試料上へレジスト層の凹凸パターンを形成した。
【０２３２】
以降、実施例１と同様にしてパターン転写ならびに剥離工程を経て、凹凸パターンを具備する磁気記録媒体を得た。得られた磁気記録媒体を用い、極Ｋｅｒｒ効果測定装置により磁気記録媒体の保磁力を測定したところ、６．８  ｋＯｅであり良好なリードライト特性を有する媒体が得られた。
【０２３３】
実施例２４
実施例２４は、拡散抑制層の厚さを１０ｎｍに厚くした以外は実施例１と同様である。
【０２３４】
Ｔａ表面の拡散抑制層を形成する際、流量５０ｓｃｃｍのＯ２ガス雰囲気において２０分間マスク層表面を曝露し、１０ｎｍ厚の拡散抑制層を形成した。
【０２３５】
以降、実施例１と同様にしてパターン転写ならびに剥離工程を経て、凹凸パターンを具備する磁気記録媒体を得た。拡散抑制層厚の増加により正味のＴａ主マスク厚が減少し、Ａｒイオンミリング耐性が劣化する傾向があることを確認した。得られた磁気記録媒体を用い、極Ｋｅｒｒ効果測定装置により磁気記録媒体の保磁力を測定したところ、４．９  ｋＯｅであった。
【０２３６】
実施例２５
実施例２５は、第１の金属主マスクをＴａの代わりにＴａ２Ｏ５とした以外は、実施例１と同様である。
【０２３７】
Ｔａ２Ｏ５膜は対向ターゲット式ＤＣスパッタ法により成膜した。ここではＡｒガス流量０．７Ｐａ、投入電力５００Ｗとし、２０  ｎｍ  厚となるように成膜した。また、Ａｌ膜は実施例１と同様に５ｎｍ厚で成膜した。
【０２３８】
さらに、このＴａ２Ｏ５膜はＣＦ４をエッチャントとしたプラズマエッチングにより加工した。ＣＦ４ガス流量２０ｓｃｃｍ、ガス圧力０．１Ｐａ、投入電力１００Ｗ、バイアス電力３０Ｗとし、９０秒間エッチングを行うことで２０ｎｍ厚Ｔａ２Ｏ５金属マスク層の凹凸パターンを得た。
【０２３９】
以降、実施例１と同様にしてパターン転写ならびに剥離工程を経て、凹凸パターンを具備する磁気記録媒体を得た。得られた磁気記録媒体を用い、極Ｋｅｒｒ効果測定装置により磁気記録媒体の保磁力を測定したところ、４．２  ｋＯｅであった。金属顕微鏡により試料の表面観察を行なったところ、Ｔａ２Ｏ５の成膜に伴うダストが発生しており、パターンの面内均一性と平坦性を阻害する傾向があることが確認された。そのため、磁気特性の面内ばらつきが大きくなることがわかった。
【０２４０】
実施例２６
実施例２６は、第１の金属マスク層上に形成する拡散抑制層を窒素雰囲気中の曝露により形成したこと以外は実施例１と同様である。第１の金属マスクのＴａ膜を成膜した後、真空チャンバーへＮ２ガスを導入し、さらに表面の窒化を促進させるために基板温度を３００℃に上層させ、３分間保持することで５ｎｍ厚のＴａＮからなる拡散抑制層を形成した。この拡散抑制層は実施例１と同様にしてＡｒイオンによるミリングで容易に除去できる。
【０２４１】
以降、実施例１と同様にしてパターン転写ならびに剥離工程を経て、凹凸パターンを具備する磁気記録媒体を得た。得られた磁気記録媒体を用い、極Ｋｅｒｒ効果測定装置により磁気記録媒体の保磁力を測定したところ、６．１  ｋＯｅであり良好なリードライト特性を有する媒体が得られた。
【０２４２】
実施例２７
実施例２７は、第１の金属主マスクをＡｌとし、第２の副マスクをＴａに置き換えたこと以外は実施例１と同様である。Ａｌ膜厚は３０ｎｍ、Ｔａマスク厚は５ｎｍとした。また、Ａｌ膜はＣｌ２ガスを用いたプラズマエッチングにより、Ｔａ膜はＣＦ４ガスを用いたプラズマエッチングにより行なった。
【０２４３】
以降、実施例１と同様にしてパターン転写ならびに剥離工程を経て、凹凸パターンを具備する磁気記録媒体を得た。得られた磁気記録媒体を用い、極Ｋｅｒｒ効果測定装置により磁気記録媒体の保磁力を測定したところ、４．９  ｋＯｅであった。
【０２４４】
比較例１
比較例１は、第１および第２の金属マスク層が同じ材料であること以外は実施例１と同様である。本例ではＴａを用いて第１および第２の金属マスク層を形成した。拡散抑制層は第１のＴａ膜上に形成した。本例では、Ｏ２ガスの曝露により拡散抑制層を形成した。また、該マスク層の加工は実施例１に準じ、ＣＦ４ガスを用いたプラズマエッチングにより行なった。
【０２４５】
以降、実施例１と同様にしてパターン転写ならびに剥離工程を経て、凹凸パターンを具備する磁気記録媒体を得た。得られた磁気記録媒体を用い、極Ｋｅｒｒ効果測定装置により磁気記録媒体の保磁力を測定したところ、３．１  ｋＯｅであった。断面ＴＥＭによるパターン観察を行なった結果、第２の金属マスク層および第１の金属マスク層上部の後退が著しいことがわかった。
【０２４６】
比較例２
比較例２は、第１および第２の金属マスク層との間に拡散抑制層を設けないこと以外は実施例１と同様である。第１のマスク層にはＴａ膜を用い、これに拡散抑制層を形成せず直接第２の金属マスク層であるＡｌ膜を成膜した。
【０２４７】
以降、実施例１と同様にしてパターン転写ならびに剥離工程を経て、凹凸パターンを具備する磁気記録媒体を得た。得られた磁気記録媒体を用い、極Ｋｅｒｒ効果測定装置により磁気記録媒体の保磁力を測定したところ、２．４  ｋＯｅであった。断面ＴＥＭによるパターン観察を行なった結果、第２の金属マスク層および第１の金属マスク層上部の後退が著しいことがわかった。さらに、第１および第２の金属マスク層界面にはＡｌ−Ｔａ金属間化合物が形成されており、パターンの転写性を阻害している傾向が確認された。また、パターン凹凸の面内ばらつきに対応する形で媒体の保磁力ばらつきが大きいことがわかった。
【表１】
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【０２４８】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【０２４９】
１…基板、２…磁気記録層、３…剥離層、４…第１のマスク層、４ａ…拡散抑制層、５…第２のマスク層、６…レジスト層、７…保護層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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