(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
フォトマスク上に形成された披測定パターンの２次電子強度又は反射電子強度の２次元分布情報を 走査型電子顕微鏡によって取得する工程と、
前記２次元分布情報に基づき、前記披測定パターンに含まれる補正値取得用エッジについて第１の方法によってエッジ位置を抽出する工程と、
前記２次元分布情報に基づき、前記補正値取得用エッジについて第２の方法によってエッジ位置を抽出する工程と、
前記第１の方法によって抽出されたエッジ位置と前記第２の方法によって抽出されたエッジ位置との差を補正値として取得する工程と、
前記２次元分布情報に基づき、前記披測定パターンに含まれる所望エッジのエッジ位置を前記第２の方法によって抽出する工程と、
前記所望エッジのエッジ位置を前記補正値に基づいて補正する工程と、
を備え、
前記補正値取得用エッジは、前記補正値取得用エッジと前記補正値取得用エッジに隣接するエッジとの距離に基づいて決められることを特徴とするフォトマスクのパターンの輪郭抽出方法。
【請求項２】
フォトマスク上に形成された披測定パターンの２次電子強度又は反射電子強度の２次元分布情報を取得するための走査型電子顕微鏡と、
前記２次元分布情報に基づき、前記披測定パターンに含まれる補正値取得用エッジについて第１の方法によってエッジ位置を抽出する第１のエッジ位置抽出部と、
前記２次元分布情報に基づき、前記補正値取得用エッジについて第２の方法によってエッジ位置を抽出する第２のエッジ位置抽出部と、
前記第１の方法によって抽出されたエッジ位置と 前記第２の方法によって抽出されたエッジ位置との差を補正値として所得する補正値取得部と、
前記２次元分布情報に基づき、前記披測定パターンに含まれる所望エッジのエッジ位置を前記第２の方法によって抽出する所望エッジ位置抽出部と、
前記所望エッジのエッジ位置を前記補正値に基づいて補正する補正部と、
を備え、
前記補正値取得用エッジは、前記補正値取得用エッジと前記補正値取得用エッジに隣接するエッジとの距離に基づいて決められることを特徴とするフォトマスクのパターンの輪郭抽出装置。
【請求項３】
前記第１の方法は、前記２次元分布情報に含まれるホワイトバンドの強度分布のピーク強度位置を求めることを含む
ことを特徴とする請求項２に記載の輪郭抽出装置。
【請求項４】
前記第２の方法は、前記２次元分布情報に含まれるホワイトバンドの強度分布の中間強度位置を求めることを含む
ことを特徴とする請求項２に記載の輪郭抽出装置。
【請求項５】
前記補正値取得用エッジは、前記披測定パターンの設計データに基づいて決められる
ことを特徴とする請求項２に記載の輪郭抽出装置。
【請求項６】
前記補正値取得用エッジは、前記補正値取得用エッジが属するパターンの幅に基づいて決められる
ことを特徴とする請求項２に記載の輪郭抽出装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、フォトマスクのパターンの輪郭抽出方法、輪郭抽出装置、フォトマスクの保証方法及び半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体集積回路装置の微細化に伴い、フォトマスク上に形成されたマスクパターンの輪郭を抽出することが難しくなってきている。そのため、荷電粒子線を用いた走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）によってマスクパターンの輪郭を抽出することが必要となっている。
【０００３】
ＳＥＭによって得られた画像では、パターンのエッジ部に、２次電子強度や反射電子強度の高い帯状の領域が観察される。この帯状の領域は、一般的にホワイトバンドと呼ばれている。
【０００４】
代表的なマスクパターンの輪郭方法としては、ピーク法と閾値法が知られている。ピーク法は、ホワイトバンドの強度分布のピーク強度位置を検出する方法である。閾値法は、ホワイトバンドの強度分布の中間強度位置を検出するものである。一般的に、閾値法は短期的な再現性にすぐれ、ピーク法は長期的な安定性に優れている。
【０００５】
ピーク法が長期的な安定性に優れているのは、画像取得の際の種々の誤差要因（例えば、フォーカスエラー、一次電子光学系の変動、外乱による電子ビームの振動等）によってホワイトバンドの幅が変動しても、ホワイトバンドの強度分布のピーク位置はほとんど変化しないためである。そのため、ＳＥＭを用いた輪郭抽出では、ピーク法が多く用いられている。
【０００６】
しかしながら、パターンの微細化に伴い、ピーク法の適用が困難になってきている。すなわち、パターンが微細化されると、ＯＰＣ（optical proximity correction）を行うために、微細な補助パターンを付加することが必要となってくる。例えば、ＳＲＡＦと呼ばれる補助パターンは、ウェハ上に転写されない微細なパターンである。このような微細なパターンでは、隣接するエッジのホワイトバンドどうしが互いに重なり合い、隣接するホワイトバンドを互いに分離できなくなってしまう。その結果、ピーク法の適用が著しく困難になってしまう。一方、閾値法は長期的な安定性がよくないため、閾値法の適用も困難である。
【０００７】
したがって、フォトマスクのパターンの輪郭を的確に抽出することが可能な方法が要求されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００８−２９４４５１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
フォトマスクのパターンの輪郭を的確に抽出することが可能な輪郭抽出方法及び輪郭抽出装置等を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
実施形態に係るフォトマスクのパターンの輪郭抽出方法は、フォトマスク上に形成された披測定パターンの２次電子強度又は反射電子強度の２次元分布情報を 走査型電子顕微鏡によって取得する工程と、前記２次元分布情報に基づき、前記披測定パターンに含まれる補正値取得用エッジについて第１の方法によってエッジ位置を抽出する工程と、前記２次元分布情報に基づき、前記補正値取得用エッジについて第２の方法によってエッジ位置を抽出する工程と、前記第１の方法によって抽出されたエッジ位置と前記第２の方法によって抽出されたエッジ位置との差を補正値として取得する工程と、前記２次元分布情報に基づき、前記披測定パターンに含まれる所望エッジのエッジ位置を前記第２の方法によって抽出する工程と、前記所望エッジのエッジ位置を前記補正値に基づいて補正する工程と、を備え、前記補正値取得用エッジは、前記補正値取得用エッジと前記補正値取得用エッジに隣接するエッジとの距離に基づいて決められる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】第１の実施形態に係るフォトマスクのパターンの輪郭抽出方法を示したフローチャートである。
【図２】補正値取得用エッジについて示した図である。
【図３】ホワイトバンドの強度分布を説明するための図である。
【図４】第２の実施形態に係る輪郭抽出装置の構成を示した説明図である。
【図５】輪郭抽出装置の機能ブロック図である。
【図６】フォトマスクの保証方法及び半導体装置の製造方法を示したフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、実施形態を図面を参照して説明する。
【００１３】
（実施形態１）
図１は、本実施形態に係るフォトマスクのパターンの輪郭抽出方法を示したフローチャートである。
【００１４】
まず、フォトマスクのパターン（マスクパターン）の測定位置情報を取得する（Ｓ１）。続いて、フォトマスク上に形成された披測定パターンの２次電子強度又は反射電子強度の２次元分布情報を、荷電粒子線を用いた走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）によって取得するために、測定位置を中心とした領域についてマスクパターンの走査型電子顕微鏡画像（ＳＥＭ画像）を取得する（Ｓ２）。なお、２次元分布情報は、２次電子強度のみの２次元分布情報でもよいし、反射電子強度のみの２次元分布情報でもよいし、両電子強度の合計の２次元分布情報でもよい。
【００１５】
一方、披測定パターンに含まれる補正値取得用エッジのエッジ位置を抽出するために、披測定パターンの設計データから、披測定パターンが含まれる領域のマスクパターンデータを取得する（Ｓ９、Ｓ１０）。
【００１６】
マスクパターンデータの取得領域は、目的に応じて決められる。例えば、最終的に得られたマスクパターンの輪郭情報に基づいてリソグラフィシミュレーションを行う場合には、光学的な影響を考慮するために十分な領域であることが望ましい。また、そのような目的では、メモリセルアレイパターンの端の領域や、パターンの規則性が変化するようなリソグラフィ尤度の低い領域での測定が求められる。そのような領域には、ＳＲＡＦと呼ばれる微細なパターンが含まれることが多い。このＳＲＡＦは、露光の際にウェハ上には転写されない補助パターンであり、パターンサイズが非常に小さい。そのため、ＳＲＡＦの両側のエッジでそれぞれ生成されたホワイトバンドどうしが重なり合うことがある。このような場合には、ピーク法によってエッジ位置を検出することは難しい。
【００１７】
上述したような問題を回避するために、本実施形態では、以下に示すように、ピーク法と閾値法とを組み合わせてエッジ位置の検出を行う。
【００１８】
まず、隣接するエッジ（同一パターンの両側のエッジ、或いは隣接するパターンの互いに対向するエッジ）でそれぞれ生成されるホワイトバンドの強度分布が十分に分離される領域を求め、その領域に含まれるエッジを補正値取得用エッジとして抽出する。なお、パターンのコーナー部でのホワイトバンド幅は、パターンの直線部でのホワイトバンド幅とは異なる。そのため、パターンのコーナー部近傍は、補正値取得用エッジから除くことが好ましい。
【００１９】
図２は、補正値取得用エッジについて示した図である。１１は、露光の際にウェハ上にパターンが転写されるパターンを示している。１２は、ＳＲＡＦパターンであり、露光の際にウェハ上には転写されない補助パターンを示している。１３は、補正値取得用エッジを示している。
【００２０】
補正値取得用エッジは、披測定パターンの設計データに基づき、隣接パターン間の距離に基づいて決められる。すなわち、補正値取得用エッジが属するパターンの幅や、補正値取得用エッジと補正値取得用エッジに隣接するエッジとの距離に基づいて決められる。補正値取得用エッジの抽出条件（Ｓ１１、隣接パターン間の距離、パターンのコーナー部近傍の除外領域等）は、ＳＥＭの解像性、マスクパターンの材質、及びマスクパターンを形成するためのプロセス条件等に依存する。そのため、ＳＥＭの測定条件と測定対象との組み合わせ毎に予め評価された結果に基づいて、補正値取得用エッジの抽出条件を決めておくことが望ましい。
【００２１】
上述した事項に基づき、補正値取得用エッジを抽出する（Ｓ１２）。さらに、補正値取得用エッジ情報（Ｓ１３）に基づき、補正値取得用エッジ領域のホワイトバンドの強度分布を解析する。
【００２２】
図３は、ホワイトバンドの強度分布を説明するための図である。図３（ａ）は、ホワイトバンドが観察される領域近傍の様子を示した図であり、図３（ｂ）は、ホワイトバンドの強度分布情報を示した図である。なお、強度分布情報は２次元分布情報として得られるが、ここでは説明の簡単化のため、１次元分布情報として示している。
【００２３】
図３（ａ）において、１６は、非パターン領域であり、通常はクオーツ領域（クオーツ基板の表面が露出した領域）である。１７は、パターン領域であり、通常は遮光領域（クオーツ基板上に遮光膜が形成された領域）である。１８は、ホワイトバンド領域を示している。図３（ｂ）は、図３（ａ）のＸ−Ｘに沿った強度分布を示している。
【００２４】
本実施形態では、補正値取得用エッジのホワイトバンドについて、第１の方法によるエッジ位置抽出と第２の方法によるエッジ位置抽出とを行う。実際には、強度分布の２次元分布情報に基づいてエッジ位置を抽出するが、ここでは説明の簡単化のため、１次元分布情報に基づいてエッジ位置を抽出するものとして説明を行う。
【００２５】
第１の方法は、強度分布の最大強度Ｐの位置Ｐｐをパターンのエッジとして抽出するものである。代表的な第１の方法としては、強度分布のピーク強度位置を抽出するピーク法があげられる。第２の方法は、強度分布の中間強度位置Ｐｔをパターンのエッジとして抽出するものである。代表的な第２の方法としては、強度分布の最大値Ｐと最小値Ｂとの中間値Ｔの位置を抽出する閾値法があげられる。中間値Ｔは特に限定されるものではないが、与えられた測定条件において最も測定再現性に優れた値を選択することが望ましい。以後の説明では、第１の方法としてピーク法を用い、第２の方法として閾値法を用いるものとして、説明を行う。
【００２６】
上記のようにして、ピーク法及び閾値法によってそれぞれエッジ位置を検出する（Ｓ３、Ｓ４）。さらに、ピーク法よって抽出されたエッジ位置と閾値法によって抽出されたエッジ位置との差Ｄを補正値として求める（Ｓ５）。なお、補正値取得用エッジが複数存在する場合には、複数の補正値取得用エッジそれぞれで取得された差Ｄの平均値を補正値としてもよい。
【００２７】
さらに、披測定パターンに含まれる所望エッジのエッジ位置を閾値法によって検出する。具体的には、披測定パターンに含まれる全てのエッジのエッジ位置を閾値法によって検出する（Ｓ６）。閾値法を用いるため、隣接するエッジそれぞれのホワイトバンドが互いに重なりあっていても、エッジ位置を検出することが可能である。
【００２８】
上記のようにして、閾値法によって検出された全てのエッジ位置について、Ｓ５のステップで得られた補正値を用いて補正を行う（Ｓ７）。具体的には、全てのエッジ位置について、Ｓ５のステップで得られた差Ｄの値を（プラス又はマイナスの符号を含めて）加算する。これにより、全てのエッジについて補正されたエッジ位置が算出される。その結果、最終的にマスクパターンの輪郭データ（Ｓ８）が得られる。
【００２９】
以上のように、本実施形態では、隣接するエッジでそれぞれ生成されるホワイトバンドの強度分布が十分に分離される領域を求め、その領域に含まれるエッジを補正値取得用エッジとして抽出する。そして、補正値取得用エッジについて、第１の方法（ピーク法）及び第２の方法（閾値法）によって、それぞれエッジ位置を抽出する。さらに、ピーク法及び閾値法で得られた２つのエッジ位置の差を補正値として用い、閾値法で得られた全てのエッジのエッジ位置を補正する。
【００３０】
すでに述べたように、ピーク法は長期的な安定性に優れているが、隣接するエッジのホワイトバンドどうしが重なり合うような場合には、ピーク位置を検出することが困難である。一方、閾値法は、隣接するエッジのホワイトバンドどうしが重なり合うような場合でも、エッジ位置を抽出することが可能であるが、長期的な安定性に劣るという欠点がある。すなわち、閾値法では、検出されるエッジ位置がホワイトバンド幅の変化の影響を受けるという欠点がある。ホワイトバンド幅の変化は、電子光学系の変化、フォーカス誤差、外乱による像の揺らぎ等に起因し、完全に無くすことはできない。
【００３１】
本実施形態では、ピーク法によるピーク位置を確実に取得可能なエッジ（補正値取得用エッジ）について、ピーク法によるエッジ位置と閾値法によるエッジ位置との差Ｄを求めておき、閾値法で求めた全てのエッジに対して差Ｄを加算する。そのため、全てのエッジに対して、ピーク法でエッジ位置を求めた場合と同等の、安定性に優れた高精度のエッジ位置検出を行うことができる。したがって、本実施形態によれば、フォトマスクのパターンの輪郭抽出を的確に高精度で行うことが可能である。
【００３２】
なお、ＳＥＭ画像に基づいて検出されたエッジ位置と実際のエッジ位置との間には、誤差が生じる場合がある。そのような誤差を校正するためには、以下のような方法を用いることができる。まず、エッジ位置が既知である基準パターンのＳＥＭ画像を取得し、そのＳＥＭ画像からピーク法によってエッジ位置を抽出する。そして、ピーク法によって抽出したエッジ位置と既知のエッジ位置との差を求め、その差を校正値とする。この校正値を、上述した本実施形態の方法に反映させることで、上述した誤差を校正することが可能である。例えば、上述した本実施形態の方法よって得られたエッジ位置に対して、校正値を加算すればよい。
【００３３】
（実施形態２）
次に、第２の実施形態について説明する。本実施形態は、第１の実施形態で説明した輪郭抽出方法を行うための輪郭抽出装置に関するものである。
【００３４】
図４は、本実施形態に係る輪郭抽出装置の構成を示した説明図である。第１の実施形態で説明した各種機能は、図４に示した装置によって実現される。
【００３５】
本装置は、大きく分けて、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）２２と、ＳＥＭ２２の制御とＳＥＭ２２で取得された画像に対する処理を行うための電子計算機及び電子回路とで構成されている。
【００３６】
ＳＥＭ２２は、ＸＹステージ２５と、電子銃２３と、電子光学系２４と、２次電子検出部２６とを備えている。ＸＹステージ２５は、フォトマスク２１を載置して、任意の位置に移動するものである。電子銃２３は、電子を放出するものである。電子光学系２４は、電子銃２３から放出された１次電子ビーム３３を制御して、フォトマスク２１に導くものである。２次電子検出部２６は、フォトマスク２１から放出される２次電子３４を検出するものである。ＳＥＭ２２の各部は、制御計算機２７から制御回路システム３０を介して制御信号を受けることで制御される。
【００３７】
電子計算機及び電子回路は、ＳＥＭを制御する制御回路システム３０、制御回路システム３０に制御信号を送る制御計算機２７を備えている。制御計算機２７には、各種データを記憶するデータ記憶装置３１と、ＳＥＭ画像の解析を行う画像処理システム３２が接続されている。なお、画像処理システム３２は、処理の高速化のために設けられており、必ずしも必要ではない。例えば、制御計算機２７、或いは別の計算機により、ソフトウェアで画像処理システム３２の機能を置き換えることも可能である。また、制御計算機２７には、操作者のために情報を表示する表示装置２８と、操作者による情報入力を可能にする入力装置２９が接続されている。
【００３８】
以下、図４の装置を用いた動作について説明する。
【００３９】
まず、操作者が、フォトマスク２１をＸＹステージ２５に載置するための操作を行う。制御計算機２７は、データ記憶装置３１に記憶された測定位置情報に基づき、制御回路システム３０を介してＸＹステージ２５に制御信号を送る。これにより、フォトマスク２１上の披測定パターンが、ＳＥＭ２２の画像取得領域の中央に位置するようにする。続いて、制御計算機２７は、制御回路システム３０を介して電子光学系２４を制御し、適切な画像が得られる状態にする。すなわち、画像の歪みや焦点のずれ等が無く、マスクパターンの画像を正確に取得できるようにする。さらに、制御計算機２７は、マスクパターンの２次電子画像を取得するために、制御回路システム３０を介してＳＥＭ２２に指令を送る。取得された画像は、データ記憶装置３１に記憶される。
【００４０】
上記のようにして得られたＳＥＭ画像に基づき、マスクパターンの輪郭抽出処理が行われる。輪郭抽出処理に際しては、まず、データ記憶装置３１に記憶されている設計データと測定位置情報とから、ＳＥＭ画像に含まれるマスクパターンのデータが取り出される。そして、補正値取得用エッジの抽出条件にしたがって、補正値取得用エッジの抽出処理が行われる。この抽出処理は、図１のステップ１２の処理と同様である。すなわち、隣接するエッジでそれぞれ生成されるホワイトバンドの強度分布が十分に分離され、強度分布のピーク位置を正確に検出できるようなエッジを抽出する。
【００４１】
画像処理システム３２は、データ記憶装置３１に記憶されたＳＥＭ画像に基づき、エッチ位置の抽出処理を行う。エッチ位置の抽出処理に際しては、補正値取得用エッジについて、ホワイトバンドの強度分布情報の解析処理が行われる。この解析処理では、図１のステップＳ３、Ｓ４及びＳ５の処理と同様である。すなわち、ピーク法によるエッジ位置検出処理、閾値法によるエッジ位置検出処理、及び両エッジ位置の差を補正値として求める処理が行われる。
【００４２】
次に、データ記憶装置３１に記憶されたＳＥＭ画像に含まれる全てのエッジ位置の閾値法による抽出処理が、画像処理システム３２によって行われる。さらに、閾値法によって抽出された全てのエッジ位置は、先に求められたエッジ位置の差（補正値）によって補正される。これにより、最終的なマスクパターンの輪郭データが得られる。
【００４３】
以上のように、本実施形態の装置を用いることにより、第１の実施形態と同様に、安定性に優れた高精度のエッジ位置検出を行うことができ、フォトマスクのパターンの輪郭抽出を的確に高精度で行うことが可能である。
【００４４】
なお、ＳＥＭ画像に基づいて検出されたエッジ位置と実際のエッジ位置との間に誤差が生じる場合には、第１の実施形態で述べたように、校正値を用いた校正を行うようにしてもよい。
【００４５】
また、上述した説明からわかるように、ＳＥＭによって取得された画像の２次元分布情報に基づく輪郭抽出は、主として、制御計算機２７、制御回路システム３０、データ記憶装置３１及び画像処理システム３２によって行われる。図５は、そのような輪郭抽出を行う機能ブロック図を示している。
【００４６】
補正値取得用エッジ位置抽出部４１では、披測定パターンに含まれる補正値取得用エッジのエッジ位置を抽出するために、披測定パターンの設計データに基づき、披測定パターンが含まれる補正値取得用エッジを取得する。
【００４７】
第１のエッジ位置抽出部４２では、補正値取得用エッジについて、ＳＥＭによって取得された２次元分布情報に基づき、第１の方法によってエッジ位置を抽出する。すなわち、ピーク法によってエッジ位置を抽出する。第２のエッジ位置抽出部４３では、補正値取得用エッジについて、ＳＥＭによって取得された２次元分布情報に基づき、第２の方法によってエッジ位置を抽出する。すなわち、閾値法によってエッジ位置を抽出する。
【００４８】
補正値取得部４４では、第１の方法によって抽出されたエッジ位置と第２の方法によって抽出されたエッジ位置との差を補正値として取得する。
【００４９】
所望エッジ位置抽出部４５では、ＳＥＭによって取得された２次元分布情報に基づき、披測定パターンに含まれる所望エッジのエッジ位置を第２の方法によって抽出する。
【００５０】
補正部４６では、所望エッジ位置抽出部４５で抽出した所望エッジのエッジ位置を、補正値取得部４４で取得した補正値に基づいて補正する。
【００５１】
なお、上述した実施形態において、第１の方法、すなわちホワイトバンドの強度分布のピーク位置を求める方法として、強度分布の２次微分を求めるようにしてもよい。また、第２の方法、すなわちホワイトバンドの強度分布の周辺位置を求める方法として、強度分布の微分を求めるようにしてもよい。
【００５２】
また、上述した実施形態の方法は、一般的に以下のような場合に適用可能である。すなわち、隣接するエッジ（同一パターンの両側のエッジ、或いは隣接するパターンの互いに対向するエッジ）でそれぞれ生成されるホワイトバンドの強度分布が十分に分離される領域と、隣接するエッジでそれぞれ生成されるホワイトバンドの強度分布を分離することが困難な領域とを含んでいるような場合に、上述した実施形態の方法が有効である。このような場合、強度分布が十分に分離される領域について、第１及び第２の方法によってエッジ位置を求め、両エッジ位置の差を補正値として求める。また、強度分布を分離することが困難な領域について、第２の方法によってエッジ位置を求め、上記補正値によって補正を行うようにすればよい。
【００５３】
なお、上述した方法は、フォトマスクの保証方法及び半導体装置の製造方法に適用可能である。図６は、フォトマスクの保証方法及び半導体装置の製造方法を示したフローチャートである。
【００５４】
まず、上述した実施形態の方法に基づいて、フォトマスクのパターンの輪郭抽出を行う（Ｓ２１）。次に、抽出された輪郭のデータに基づいてマスクパターンを検査し、検査結果に基づいてマスクパターンを保証する（Ｓ２２）。次に、保証されたフォトマスクを用いて半導体基板上にパターンを転写する（Ｓ２３）。すなわち、半導体基板上に形成されたフォトレジストにパターンを転写し、フォトレジストにパターンを形成する。さらに、フォトレジストにパターンをマスクとして用いて、導電膜、絶縁膜或いは半導体膜等のエッチングを行う（Ｓ２４）。
【００５５】
以上のようにして、フォトマスクの保証及び半導体装置の製造が行われる。
【００５６】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００５７】
１１…パターン      １２…補助パターン      １３…補正値取得用エッジ
１６…非パターン領域      １７…パターン領域      １８…ホワイトバンド領域
２１…フォトマスク      ２２…走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）
２３…電子銃      ２４…電子光学系      ２５…ＸＹステージ
２６…２次電子検出部      ２７…制御計算機      ２８…表示装置
２９…入力装置      ３０…制御回路システム      ３１…データ記憶装置
３２…画像処理システム      ３３…１次電子ビーム      ３４…２次電子
４１…補正値取得用エッジ位置抽出部      ４２…第１のエッジ位置抽出部
４３…第２のエッジ位置抽出部      ４４…補正値取得部
４５…所望エッジ位置抽出部      ４６…補正部
【図１】
0005651511.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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