(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性基材中に、導電性部材からなる複数の導通路が、互いに絶縁された状態で前記絶縁性基材を厚み方向に貫通し、かつ、前記各導通路の一端が前記絶縁性基材の一方の面において突出し、前記各導通路の他端が前記絶縁性基材の他方の面において突出した状態で設けられ、
前記導通路の密度が２００万個／ｍｍ2以上であり、前記絶縁性基材がマイクロポアを有するアルミニウム基板の陽極酸化皮膜からなる異方導電性部材であって、
前記導通路における前記絶縁層基材の面から突出している部分の平均直径と、前記導通路における前記絶縁層基材を貫通している部分の平均直径との比率（突出部／貫通部）が、１．０５以上であり、
前記導通路における前記絶縁層基材の面から突出している部分と、前記導通路における前記絶縁層基材を貫通している部分とが、同種の導電性部材で一体形成されている、異方導電性部材。
【請求項２】
前記導通路における前記絶縁層基材の面から突出している部分と前記導通路における前記絶縁層基材を貫通している部分とが電気抵抗率が１０3Ω・ｃｍ以下の導電性部材で一体形成されている請求項１の異方導電性部材。
【請求項３】
絶縁性基材中に、導電性部材からなる複数の導通路が、互いに絶縁された状態で前記絶縁性基材を厚み方向に貫通し、かつ、前記各導通路の一端が前記絶縁性基材の一方の面において突出し、前記各導通路の他端が前記絶縁性基材の他方の面において突出した状態で設けられ、
前記導通路の密度が２００万個／ｍｍ2以上であり、前記絶縁性基材がマイクロポアを有するアルミニウム基板の陽極酸化皮膜からなる異方導電性部材であって、
前記導通路における前記絶縁層基材の面から突出している部分の平均直径と、前記導通路における前記絶縁層基材を貫通している部分の平均直径との比率（突出部／貫通部）が、１．０５以上である異方導電性部材を製造する異方導電性部材の製造方法であって、少なくとも、
アルミニウム基板を陽極酸化する陽極酸化処理工程、
前記陽極酸化処理工程の後に、前記陽極酸化により生じたマイクロポアによる孔を貫通化して前記絶縁性基材を得る貫通化処理工程、
前記貫通化処理工程の後に、得られた前記絶縁性基材における貫通化した孔の内部に導電性部材である金属を充填する金属充填工程、
前記金属充填工程の後に、表面および裏面を平滑化する表面平滑処理工程、および、
前記平滑処理工程の後に、加熱処理によって前記金属を膨張させて前記導通路を形成し、前記異方導電性部材を得る加熱処理工程、を具備する異方導電性部材の製造方法。
【請求項４】
前記表面平滑処理工程後の表面および裏面の算術平均粗さＲａが０．１０μｍ以下である請求項３に記載の異方導電性部材の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、異方導電性部材およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
異方導電性部材は、半導体素子等の電子部品と回路基板との間に挿入し、加圧するだけで電子部品と回路基板間の電気的接続が得られるため、半導体素子等の電子部品等の電気的接続部材や機能検査を行う際の検査用コネクタ等として広く使用されている。
【０００３】
一方、半導体素子等の電子部品は、高集積化が一層進むことに伴い、電極（端子）サイズはより小さくなり、電極（端子）数はより増加し、端子間の距離もより狭くなってきている。
また、近年、狭ピッチで多数配置されている各端子の表面が本体表面よりも奥まった位置にある表面構造の電子部品も現れてきている。
そのため、このような電子部品に対応できるよう、異方導電性部材における導通路もその外径（太さ）をより小さくし、かつ、狭ピッチで配列させる必要が生じている。
【０００４】
このような異方導電性部材として、本出願人は、特許文献１において「絶縁性基材中に、導電性部材からなる複数の導通路が、互いに絶縁された状態で前記絶縁性基材を厚み方向に貫通し、かつ、前記各導通路の一端が前記絶縁性基材の一方の面において露出し、前記各導通路の他端が前記絶縁性基材の他方の面において露出した状態で設けられる異方導電性部材であって、
前記導通路の密度が２００万個／ｍｍ2以上であり、前記絶縁性基材がマイクロポアを有するアルミニウム基板の陽極酸化皮膜からなる構造体である、異方導電性部材。」を提案しており（［請求項１］）、「前記導通路が、前記各導通路の一端が前記絶縁性基材の一方の面から突出し、前記各導通路の他端が前記絶縁性基材の他方の面から突出した状態で設けられる」態様も提案している（［請求項３］）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００８−２７０１５８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明者は、特許文献１に記載の異方導電性部材について検討を行った結果、導通路を絶縁性基材の表面から突出させた場合、突出部分の形成方法によっては、突出部分の高さの均一性に劣る場合があり、また、使用環境によっては、抵抗変化率が大きくなる場合があることが分かった。
【０００７】
そこで、本発明は、導通路の突出部分の高さの均一性に優れ、抵抗変化率も小さい異方導電性部材、および、その製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者は、上記目的を達成すべく鋭意研究した結果、絶縁性基材に対する導通路の突出部分と貫通部分との各平均直径の比率を特定の値とすることで、導通路の突出部分の高さの均一性が良好となり、異方導電性部材としての抵抗変化率も小さくなることを見出し、本発明を完成させた。
すなわち、本発明は、以下の（１）〜（４）を提供する。
【０００９】
（１）絶縁性基材中に、導電性部材からなる複数の導通路が、互いに絶縁された状態で上記絶縁性基材を厚み方向に貫通し、かつ、上記各導通路の一端が上記絶縁性基材の一方の面において突出し、上記各導通路の他端が上記絶縁性基材の他方の面において突出した状態で設けられ、
上記導通路の密度が２００万個／ｍｍ2以上であり、上記絶縁性基材がマイクロポアを有するアルミニウム基板の陽極酸化皮膜からなる異方導電性部材であって、
上記導通路における上記絶縁層基材の面から突出している部分の平均直径と、上記導通路における上記絶縁層基材を貫通している部分の平均直径との比率（突出部／貫通部）が、１．０５以上であり、
上記導通路における上記絶縁層基材の面から突出している部分と、上記導通路における上記絶縁層基材を貫通している部分とが、同種の導電性部材で一体形成されている、異方導電性部材。
【００１０】
（２）上記導通路における上記絶縁層基材の面から突出している部分と上記導通路における上記絶縁層基材を貫通している部分とが電気抵抗率が１０3Ω・ｃｍ以下の導電性部材で一体形成されている上記（１）の異方導電性部材。
【００１１】
（３）絶縁性基材中に、導電性部材からなる複数の導通路が、互いに絶縁された状態で上記絶縁性基材を厚み方向に貫通し、かつ、上記各導通路の一端が上記絶縁性基材の一方の面において突出し、上記各導通路の他端が上記絶縁性基材の他方の面において突出した状態で設けられ、
上記導通路の密度が２００万個／ｍｍ2以上であり、上記絶縁性基材がマイクロポアを有するアルミニウム基板の陽極酸化皮膜からなる異方導電性部材であって、
上記導通路における上記絶縁層基材の面から突出している部分の平均直径と、上記導通路における上記絶縁層基材を貫通している部分の平均直径との比率（突出部／貫通部）が、１．０５以上である異方導電性部材を製造する異方導電性部材の製造方法であって、少なくとも、
アルミニウム基板を陽極酸化する陽極酸化処理工程、
上記陽極酸化処理工程の後に、上記陽極酸化により生じたマイクロポアによる孔を貫通化して上記絶縁性基材を得る貫通化処理工程、
上記貫通化処理工程の後に、得られた上記絶縁性基材における貫通化した孔の内部に導電性部材である金属を充填する金属充填工程、
上記金属充填工程の後に、表面および裏面を平滑化する表面平滑処理工程、および、
上記平滑処理工程の後に、加熱処理によって上記金属を膨張させて上記導通路を形成し、上記異方導電性部材を得る加熱処理工程、を具備する異方導電性部材の製造方法。
【００１２】
（４）上記表面平滑処理工程後の表面および裏面の算術平均粗さＲａが０．１０μｍ以下である上記（３）に記載の異方導電性部材の製造方法。
【発明の効果】
【００１３】
以下に示すように、本発明によれば、導通路の突出部分の高さの均一性に優れ、抵抗変化率も小さい異方導電性部材、および、その製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】図１は、本発明の異方導電性部材の好適な実施態様の一例を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
［異方導電性部材］
本発明の異方導電性部材は、絶縁性基材中に、導電性部材からなる複数の導通路が、互いに絶縁された状態で上記絶縁性基材を厚み方向に貫通し、かつ、上記各導通路の一端が上記絶縁性基材の一方の面において突出し、上記各導通路の他端が上記絶縁性基材の他方の面において突出した状態で設けられ、上記導通路の密度が２００万個／ｍｍ2以上であり、上記絶縁性基材がマイクロポアを有するアルミニウム基板の陽極酸化皮膜からなる異方導電性部材であって、
上記導通路における上記絶縁層基材の面から突出している部分の平均直径と、上記導通路における上記絶縁層基材を貫通している部分の平均直径との比率（突出部／貫通部）が、１．０５以上である異方導電性部材である。
次に、本発明の異方導電性部材の構成について、図１を用いて説明する。
【００１６】
図１は、本発明の異方導電性部材の好適な実施態様の一例を示す模式図であり、図１（Ａ）は正面図、図１（Ｂ）は図１（Ａ）の切断面線Ｉｂ−Ｉｂからみた断面図である。
図１（Ａ）および（Ｂ）に示すように、本発明の異方導電性部材１は、絶縁性基材２および導電性部材からなる複数の導通路３を具備するものである。
ここで、上記導通路３は、図１（Ｂ）に示すように、軸線方向の長さが絶縁性基材２の厚み方向Ｚの長さ（厚み）以上であり、かつ、各導通路３の一端が絶縁性基材２の一方の面において突出し、各導通路３の他端が絶縁性基材２の他方の面において突出した状態で設けられる。
また、上記導通路３は、図１（Ａ）および（Ｂ）に示すように、互いに絶縁された状態で絶縁性基材２を貫通して設けられる。
すなわち、上記導通路３は、絶縁性基材２の主面である２ａおよび２ｂから突出している部分（以下、「突出部」ともいい、図１（Ｂ）では符号４ａおよび４ｂで表される。）と、絶縁性基材２内を貫通している部分（以下、「貫通部」ともいい、図１（Ｂ）では符号５で表される。）とを有する。
【００１７】
そして、本発明においては、上記導通路３における突出部４ａおよび４ｂの平均直径と、上記導通路３における貫通部５の平均直径との比率（突出部／貫通部）が、１．０５以上であり、隣接する導通路（突出部）同士が互いに接触せず、異方導電性をより確実に担保する観点から、１．１５以下であるのが好ましい。
ここで、導通路における突出部の平均直径とは、各突出部４ａの先端における直径の平均値と各突出部４ｂの先端における直径の平均値とを合算して２で除した（割った）値をいう。
また、導通路における貫通部の平均直径とは、各導通路の貫通部における直径の平均値をいい、各導通路の貫通部における直径が均一でない場合にはその最大直径の平均値をいう。
次に、絶縁性基材および導通路のそれぞれについて、材料、寸法、形成方法等について説明する。
【００１８】
〔絶縁性基材〕
本発明の異方導電性部材を構成する上記絶縁性基材は、マイクロポアを有するアルミニウム基板の陽極酸化皮膜からなる構造体である。
ここで、上記マイクロポアは、後述する製造方法に示すように、貫通後に上記導通路の形成材料が充填される部位であるため、隣接する導通路（突出部）同士が互いに接触せず、異方導電性をより確実に担保する観点から、等間隔で規則的に配列されていることが好ましい。
また、アルミニウムの陽極酸化皮膜の素材であるアルミナは、従来公知の異方導電性フィルム等を構成する絶縁性基材（例えば、熱可塑性エラストマー等）と同様、電気抵抗率は１０14Ω・ｃｍ程度である。
【００１９】
本発明においては、上記絶縁性基材の厚み（図１（Ｂ）においては符号６で表される部分）は、１〜１０００μｍであるのが好ましく、５〜５００μｍであるのがより好ましく、１０〜３００μｍであるのが更に好ましい。絶縁性基材の厚みがこの範囲であると、絶縁性基材の取り扱い性が良好となる。
【００２０】
また、本発明においては、上記絶縁性基材における上記導通路間の幅（図１（Ｂ）においては符号７で表される部分）は、１０ｎｍ以上であるのが好ましく、２０〜２００ｎｍであるのがより好ましい。絶縁性基材における導通路間の幅がこの範囲であると、絶縁性基材が絶縁性の隔壁として十分に機能する。
【００２１】
本発明においては、上記絶縁性基材は、例えば、アルミニウム基板を陽極酸化し、陽極酸化により生じたマイクロポアを貫通化することにより製造することができる。
ここで、陽極酸化および貫通化の処理工程については、後述する本発明の異方導電性部材の製造方法において詳述する。
【００２２】
［導通路］
本発明の異方導電性部材を構成する上記導通路は導電性部材からなるものである。
上記導電性部材は、電気抵抗率が１０3Ω・ｃｍ以下の材料であれば特に限定されず、その具体例としては、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、ニッケル（Ｎｉ）、インジウムがドープされたスズ酸化物（ＩＴＯ）等が好適に例示される。
中でも、電気伝導性の観点から、銅、金、アルミニウム、ニッケルが好ましく、銅、金がより好ましい。
【００２３】
上記導通路は柱状であり、その平均直径は、５〜５００ｎｍであるのが好ましく、２０〜４００ｎｍであるのがより好ましく、４０〜２００ｎｍであるのが更に好ましく、５０〜１００ｎｍであるのが特に好ましい。
導通路の平均直径がこの範囲であると、電気信号を流した際に十分な応答が得ることができるため、本発明の異方導電性部材を電子部品の電気的接続部材や検査用コネクタとして好適に用いることができる。
そして、本発明においては、上述したように、上記導通路の突出部の平均直径（図１（Ｂ）においては符号８で表される部分の平均値）と貫通部（図１（Ｂ）においては符号９で表される部分の平均値）の平均直径との比率（突出部／貫通部）が１．０５以上であり、１．１５以下であるのが好ましい。
比率（突出部／貫通部）がこの範囲であると、導通路の突出部分の高さの均一性が良好となり、異方導電性部材の抵抗変化率も小さくなる。これは、上記導通路の突出部の直径が貫通部の直径よりも大きく、上記導通路そのものが上記絶縁性基材の貫通孔から上下方向にずれることを抑制できるためであると考えられる。
【００２４】
また、本発明においては、上記導通路における突出部を電着等の方法で形成した場合と比較した有利な効果、すなわち、上記導通路における突出部と貫通部との間で生じる局部電池反応による腐食が抑制できるという理由から、上記導通路における突出部と貫通部とが同種の導電性部材で一体形成されているのが好ましい。
また、上記導通路における突出部のビッカース硬さは、電気的に接続される電子部品の回路基板の電極表面になじみ易いという観点から、１００Ｈｖ以下であるのが好ましい。
【００２５】
更に、本発明においては、上記導通路の突出部の高さは、１０〜１００ｎｍであるのが好ましく、１０〜５０ｎｍであるのがより好ましい。バンブの高さがこの範囲であると、電子部品の電極(パッド）部分との接合性が向上し、安定した抵抗値が得られる。
【００２６】
本発明においては、上記導通路は上記絶縁性基材によって互いに絶縁された状態で存在するものであるが、その密度は２００万個／ｍｍ2以上であるのが好ましく、１０００万個／ｍｍ2以上であるのがより好ましく、５０００万個／ｍｍ2以上であるのが更に好ましく、１億個／ｍｍ2以上であるのが特に好ましい。
上記導通路の密度がこの範囲にあることにより、本発明の異方導電性部材は高集積化が一層進んだ現在においても半導体素子等の電子部品の検査用コネクタや電気的接続部材等として使用することができる。
【００２７】
また、本発明においては、隣接する各導通路の中心間距離（図１においては符号１０で表される部分。以下、「ピッチ」ともいう。）は、２０〜５００ｎｍであるのが好ましく、４０〜２００ｎｍであるのがより好ましく、５０〜１４０ｎｍであるのが更に好ましい。ピッチがこの範囲であると、導通路直径と導通路間の幅（絶縁性の隔壁厚）とのバランスがとりやすい。
【００２８】
更に、本発明においては、上記絶縁性基材の厚みに対する上記導通路の中心線の長さ（長さ／厚み）は１．０〜１．２であるのが好ましく、１．０〜１．０５であるのがより好ましい。上記絶縁性基材の厚みに対する上記導通路の中心線の長さがこの範囲であると、上記導通路が直管構造であると評価でき、電気信号を流した際に１対１の応答を確実に得ることができるため、本発明の異方導電性部材を電子部品の検査用コネクタや電気的接続部材として好適に用いることができる。
【００２９】
本発明においては、上記導通路は、例えば、上記絶縁性基材における貫通化したマイクロポアによる孔の内部に導電性部材である金属を充填することにより製造することができる。
ここで、金属を充填する処理工程については、後述する本発明の異方導電性部材の製造方法において詳述する。
【００３０】
［異方導電性部材の製造方法］
本発明の異方導電性部材の製造方法（以下、単に「本発明の製造方法」ともいう。）は、上述した本発明の異方導電性部材を製造する異方導電性部材の製造方法であって、少なくとも、
アルミニウム基板を陽極酸化する陽極酸化処理工程、
上記陽極酸化処理工程の後に、上記陽極酸化により生じたマイクロポアによる孔を貫通化して上記絶縁性基材を得る貫通化処理工程、
上記貫通化処理工程の後に、得られた上記絶縁性基材における貫通化した孔の内部に導電性部材である金属を充填する金属充填工程、
上記金属充填工程の後に、表面および裏面を平滑化する表面平滑処理工程、および、
上記平滑処理工程の後に、加熱処理によって上記金属を膨張させて上記導通路を形成し、上記異方導電性部材を得る加熱処理工程
次に、本発明の製造方法に用いられるアルミニウム基板およびアルミニウム基板に施す各処理工程について詳述する。
【００３１】
〔アルミニウム基板〕
本発明の製造方法に用いられるアルミニウム基板は、特に限定されず、その具体例としては、純アルミニウム板；アルミニウムを主成分とし微量の異元素を含む合金板；低純度のアルミニウム（例えば、リサイクル材料）に高純度アルミニウムを蒸着させた基板；シリコンウエハー、石英、ガラス等の表面に蒸着、スパッタ等の方法により高純度アルミニウムを被覆させた基板；アルミニウムをラミネートした樹脂基板；等が挙げられる。
【００３２】
本発明においては、アルミニウム基板のうち、後述する陽極酸化処理工程により陽極酸化皮膜を設ける表面は、アルミニウム純度が、９９．５質量％以上であるのが好ましく、９９．９質量％以上であるのがより好ましく、９９．９９質量％以上であるのが更に好ましい。アルミニウム純度が上記範囲であると、マイクロポア配列の規則性が十分となる。
【００３３】
また、本発明においては、アルミニウム基板のうち後述する陽極酸化処理工程を施す表面は、あらかじめ熱処理、脱脂処理および鏡面仕上げ処理が施されるのが好ましい。
ここで、熱処理、脱脂処理および鏡面仕上げ処理については、特許文献１（特開２００８−２７０１５８号公報）の［００４４］〜［００５４］段落に記載された各処理と同様の処理を施すことができる。
【００３４】
〔陽極酸化処理工程〕
上記陽極酸化工程は、上記アルミニウム基板に陽極酸化処理を施すことにより、上記アルミニウム基板表面にマイクロポアを有する酸化皮膜を形成する工程である。
本発明の製造方法における陽極酸化処理は、従来公知の方法を用いることができるが、マイクロポア配列の規則性を高くし、平面方向の導電部の絶縁性をより確実に担保する観点から、自己規則化法や定電圧処理を用いるのが好ましい。
ここで、陽極酸化処理の自己規則化法や定電圧処理については、特許文献１（特開２００８−２７０１５８号公報）の［００５６］〜［０１０８］段落および［図３］に記載された各処理と同様の処理を施すことができる。
【００３５】
〔貫通化処理工程〕
上記貫通化処理工程は、上記陽極酸化処理工程の後に、上記陽極酸化により生じたマイクロポアによる孔を貫通化して上記絶縁性基材を得る工程である。
上記貫通化処理工程としては、具体的には、例えば、上記陽極酸化処理工程の後に、アルミニウム基板を溶解し、陽極酸化皮膜の底部を除去する方法；上記陽極酸化処理工程の後に、アルミニウム基板およびアルミニウム基板近傍の陽極酸化皮膜を切断する方法；等が挙げられる。
ここで、貫通化処理工程におけるこれらの方法については、例えば、特許文献１（特開２００８−２７０１５８号公報）の［０１１０］〜［０１２１］段落ならびに［図３］および［図４］に記載された各方法と同様の方法が挙げられる。
【００３６】
〔金属充填工程〕
上記金属充填工程は、上記貫通化処理工程の後に、得られた上記絶縁性基材における貫通孔の内部に導電性部材である金属を充填する工程である。
ここで、上記貫通孔に充填する金属は、本発明の異方導電性部材における上記導通路（貫通部）を構成するものであり、本発明の異方導電性部材において導電性部材として説明したものと同様である。
また、上記貫通孔に金属を充填する方法は、例えば、特許文献１（特開２００８−２７０１５８号公報）の［０１２３］〜［０１２６］段落および［図４］に記載された各方法と同様の方法が挙げられる。
上記金属充填工程により、突出部が形成される前の異方導電性部材が得られる。
【００３７】
〔表面平滑処理工程〕
上記表面平滑処理工程は、上記金属充填工程の後に、表面および裏面を平滑化する工程である。
表面平滑処理工程を行うことにより、金属を充填させた後の表面および裏面の平滑化と表面に付着した余分な金属を除去することができる。
このような表面平滑処理としては、例えば、以下に示す、機械研磨処理、化学機械研磨（ＣＭＰ）処理、電解研磨処理、イオンミリング処理が好適に挙げられる。
【００３８】
＜機械研磨処理＞
機械研磨処理としては、例えば、＃８００〜＃１５００の粒度の研磨布（例えば、ＳｉＣ布）を用いて、ラッピングを行い、厚みを調整し、その後、平均粒子径１〜３μｍのダイヤモンドスラリーでポリッシングを行い、さらに、平均粒子径０．１〜０．５μｍのダイヤモンドスラリーでポリッシングを行うことで、鏡面状態にすることができる。
ここで、電極面の研磨厚みは０μｍ〜２０μｍであるのが好ましく、対する開口面の研磨厚みは１０μｍ〜５０μｍであるのが好ましい。
また、回転速度は、１０ｒｐｍ〜１００ｒｐｍであるのが好ましく、２０〜６０ｒｐｍであるのがより好ましい。
また、荷重は、０．０１〜０．１ｋｇｆ/ｃｍ2であるのが好ましく、０．０２〜０．０８ｋｇｆ/ｃｍ2であるのがより好ましい。
【００３９】
＜化学機械研磨（ＣＭＰ）処理＞
ＣＭＰ処理には、フジミインコーポレイテッド社製のＰＮＡＮＥＲＬＩＴＥ−７０００、日立化成社製のＧＰＸ ＨＳＣ８００、旭硝子（セイミケミカル）社製のＣＬ−１０００等のＣＭＰスラリーを用いることができる。
【００４０】
＜電解研磨処理＞
電解研磨としては、例えば、「アルミニウムハンドブック」，第６版，（社）日本アルミニウム協会編，２００１年，ｐ．１６４−１６５に記載されている各種の方法；米国特許第２７０８６５５号明細書に記載されている方法；「実務表面技術」，ｖｏｌ．３３，Ｎｏ．３，１９８６年，ｐ．３２−３８に記載されている方法；等が好適に挙げられる。
【００４１】
＜イオンミリング処理＞
イオンミリング処理は、上記ＣＭＰによる処理や、電解研磨処理よりもさらに精密な研磨が必要な際に施され、公知の技術を用いることができる。イオン種としては一般的なアルゴンイオンを用いることが好ましい。
【００４２】
本発明においては、導通路の突出部分の高さの均一性がより良好となり、異方導電性部材の抵抗変化率もより小さくなる理由から、上記表面平滑処理工程後の表面および裏面の算術平均粗さＲａが０．１０μｍ以下であるのが好ましく、０．０１〜０．１０μｍであるのがより好ましい。
ここで、「算術平均粗さＲａ」は、ＪＩＳ Ｂ０６０１:2001に記載された表面性状パラメータのことをいい、触針式表面粗さ計、原子間力顕微鏡、レーザー顕微鏡、干渉型表面形状観察装置などを用いて測定することができるが、表面へのダメージの少ない観点から、本発明においては、レーザー顕微鏡を用いて測定した値を採用する。
【００４３】
〔加熱処理工程〕
上記加熱処理工程は、上記平滑処理工程の後に、加熱処理によって上記貫通孔内の金属を膨張させて上記導通路（突出部）を形成し、本発明の異方導電性部材を得る工程である。
ここで、上記加熱処理は、上記貫通孔内の金属の種類によっても異なるため、貫通孔内の金属を突出させ、導通路における突出部の平均直径と貫通部の平均直径との比率（突出部／貫通部）が１．０５以上となる加熱条件であれば特に限定されないが、例えば、金属がＣｕやＡｕである場合は、１５０〜２５０℃であるのが好ましい。
また、上記加熱処理は、大気下で施すことができるが、異方導電性部材の抵抗変化率がより小さくなる理由から、窒素ガスやアルゴンガスの雰囲気下で施すのが好ましい。
更に、上記加熱処理の処理時間は特に限定されないが、１０〜１００分であるのが好ましい。
【００４４】
上記加熱処理を施すことにより、特許文献１（特開２００８−２７０１５８号公報）の［０１２９］および［０１３０］段落に記載されたトリミング処理や電着処理を施した場合とは異なり、異常析出もなく、導通路における突出部の平均直径と貫通部の平均直径との比率（突出部／貫通部）を１．０５以上とすることができる。
そして、上述したように、本発明においては、上記比率が１．０５以上であるため、導通路の突出部分の高さの均一性が良好となり、異方導電性部材の抵抗変化率も十分に小さくなる。
【００４５】
〔その他の処理〕
＜保護膜形成処理＞
本発明の製造方法においては、アルミナで形成された絶縁性基材が、空気中の水分との水和により、経時により孔径が変化してしまうことから、上記金属充填工程前に、保護膜形成処理を施すことが好ましい。
ここで、保護膜形成処理については、特許文献１（特開２００８−２７０１５８号公報）の［０１３３］〜［０１４０］段落に記載された各処理と同様の処理を施すことができる。
【００４６】
＜洗浄処理＞
本発明の製造方法においては、上記加熱処理工程の後、上記導通路（突出部）の表面が酸化された場合には、必要に応じて金属酸化物（例えば、酸化銅）を除去する洗浄処理を施すことができる。
上記洗浄処理としては、例えば、酸化銅を除去する場合には、塩化アンモニウム溶液を用いることができる。
【００４７】
＜被覆処理＞
本発明の製造方法においては、上記絶縁性基材と上記導通路との間に隙間がある場合、上記加熱処理工程の後、必要に応じてアンダーフィル剤で被覆することができる。
【実施例】
【００４８】
以下に実施例を示して本発明を具体的に説明する。ただし、本発明はこれらに限定されない。
【００４９】
＜実施例１＞
（Ａ１）電解研磨処理
高純度アルミニウム基板（住友軽金属社製、純度９９．９９質量％、厚さ０．４ｍｍ）を１０ｃｍ四方の面積で陽極酸化処理できるようカットし、以下組成の電解研磨液を用い、電圧２５Ｖ、液温度６５℃、液流速３．０ｍ／ｍｉｎの条件で電解研磨処理を施した。
陰極はカーボン電極とし、電源は、ＧＰ０１１０−３０Ｒ（高砂製作所社製）を用いた。また、電解液の流速は渦式フローモニターＦＬＭ２２−１０ＰＣＷ（ＡＳ  ＯＮＥ製）を用いて計測した。
【００５０】
（電解研磨液組成）
・８５質量％リン酸（和光純薬社製試薬）    ６６０ｍＬ
・純水    １６０ｍＬ
・硫酸    １５０ｍＬ
・エチレングリコール    ３０ｍＬ
【００５１】
（Ｂ１）陽極酸化処理
次いで、電解研磨処理後のアルミニウム基板に、０．３０ｍｏｌ／Ｌ硫酸の電解液で、電圧２５Ｖ、液温度１５℃、液流速３．０ｍ／ｍｉｎの条件で、５時間のプレ陽極酸化処理を施した。
その後、プレ陽極酸化処理後のアルミニウム基板を、０．２ｍｏｌ／Ｌ無水クロム酸、０．６ｍｏｌ／Ｌリン酸の混合水溶液（液温：５０℃）に１２時間浸漬させる脱膜処理を施した。
その後、０．３０ｍｏｌ／Ｌ硫酸の電解液で、電圧２５Ｖ、液温度１５℃、液流速３．０ｍ／ｍｉｎの条件で、１時間の再陽極酸化処理を施した。
なお、プレ陽極酸化処理および再陽極酸化処理は、いずれも陰極はステンレス電極とし、電源はＧＰ０１１０−３０Ｒ（高砂製作所社製）を用いた。また、冷却装置にはＮｅｏＣｏｏｌ  ＢＤ３６（ヤマト科学社製）、かくはん加温装置にはペアスターラー  ＰＳ−１００（ＥＹＥＬＡ社製）を用いた。更に、電解液の流速は渦式フローモニターＦＬＭ２２−１０ＰＣＷ（ＡＳ  ＯＮＥ製）を用いて計測した。
【００５２】
（Ｃ１）貫通化処理
次いで、２０質量％塩化水銀水溶液(昇汞)に２０℃、３時間浸漬させることによりアルミニウム基板を溶解し、更に、５質量％リン酸に３０℃、３０分間浸漬させることにより陽極酸化皮膜の底部を除去し、マイクロポアからなる貫通孔を有する陽極酸化皮膜からなる構造体（絶縁性基材）を作製した。
【００５３】
（Ｄ１）金属充填処理
次いで、上記貫通化処理後の構造体の一方の表面に銅電極を密着させ、該銅電極を陰極にし、白金を正極にして電解メッキを行なった。
硫酸銅／硫酸／塩酸＝２００／５０／１５（ｇ／Ｌ）の混合溶液を２５℃に保った状態で電解液として使用し、定電圧パルス電解を実施することにより、貫通孔に銅が充填された構造体（異方導電性部材前駆体）を製造した。
ここで、定電圧パルス電解は、山本鍍金社製のメッキ装置を用い、北斗電工社製の電源（ＨＺ−３０００）を用い、メッキ液中でサイクリックボルタンメトリを行なって析出電位を確認した後、皮膜側の電位を−２Ｖに設定して行った。また、定電圧パルス電解のパルス波形は矩形波であった。具体的には、電解の総処理時間が３００秒になるように、１回の電解時間が６０秒の電解処理を、各電解処理の間に４０秒の休止時間を設けて５回施した。
銅を充填した後の表面を電界放出形走査電子顕微鏡（ＦＥ−ＳＥＭ）で観察すると、陽極酸化皮膜の表面から一部あふれるような形になっていた。
【００５４】
（Ｅ１）前処理（表面平滑化処理）
次いで、金属充填処理後の構造体に機械研磨処理を施し、表面からオーバーフロした金属(銅)を除去した後、更に電極側の表面を２μｍ研磨し、その反対の面を８μｍ研磨した。
その後、構造体の表面および裏面には、フジミインコーポレイテッド社製のＰＮＡＮＥＲＬＩＴＥ−７０００をＣＭＰスラリーとして用い、ＣＭＰ処理を４時間実施した。
なお、ＣＭＰ処理後の構造体の表面および裏面の算出平均粗さＲａを、ＳＩＩ社製のＡＦＭを用いて測定したところ、いずれの面のＲａも下記第１表に示す値であった。
【００５５】
（Ｆ１）加熱処理
次いで、表面平滑化処理後の構造体を大気圧下で２００℃、６０分間加熱し、貫通孔内に充填された銅を突出させることにより、異方導電性部材を作製した。
なお、作製した異方導電性部材について、ＦＥ−ＳＥＭにより表面写真（倍率２００００倍）を撮影し、２μｍ×２μｍの視野で、導通路の密度を測定した。結果を第１表に示す。
【００５６】
＜実施例２＞
上記（Ｆ１）加熱処理を窒素雰囲気下で行った以外は、実施例１と同様の方法により異方導電性部材を作製した。
【００５７】
＜実施例３＞
上記（Ｂ１）陽極酸化処理に代えて、以下に示す「（Ｂ２）陽極酸化処理」を施した以外は、実施例１と同様の方法により異方導電性部材を作製した。
（Ｂ２）陽極酸化処理
次いで、電解研磨処理後のアルミニウム基板に、０．５ｍｏｌ／Ｌ蓚酸の電解液で、電圧４０Ｖ、液温度１５℃、液流速３．０ｍ／ｍｉｎの条件で、２時間のプレ陽極酸化処理を施した。その後、プレ陽極酸化処理後のアルミニウム基板を、０．２ｍｏｌ／Ｌ無水クロム酸、０．６ｍｏｌ／Ｌリン酸の混合水溶液（液温：５０℃）に１２時間浸漬させる脱膜処理を施した。その後、０．５ｍｏｌ／Ｌ蓚酸の電解液で、電圧４０Ｖ、液温度１５℃、液流速３．０ｍ／ｍｉｎの条件で、１時間の再陽極酸化処理を施した。なお、プレ陽極酸化処理および再陽極酸化処理は、いずれも陰極はステンレス電極とし、電源はＧＰ０１１０−３０Ｒ（高砂製作所社製）を用いた。また、冷却装置にはＮｅｏＣｏｏｌ  ＢＤ３６（ヤマト科学社製）、かくはん加温装置にはペアスターラー  ＰＳ−１００（ＥＹＥＬＡ社製）を用いた。更に、電解液の流速は渦式フローモニターＦＬＭ２２−１０ＰＣＷ（ＡＳ  ＯＮＥ製）を用いて計測した。
【００５８】
＜実施例４＞
上記（Ｆ１）加熱処理の後、更に以下に示す「（Ｇ１）後処理（洗浄処理）」を施した以外は、実施例１と同様の方法により異方導電性部材を作製した。
（Ｇ１）後処理（洗浄処理）
上記加熱処理後の構造体を塩化アンモニウム水溶液で洗浄し、突出した銅の表面の一部に形成されていた酸化銅を除去することにより、異方導電性部材を作製した。
【００５９】
＜実施例５＞
上記（Ｄ１）金属充填処理に代えて、以下に示す「（Ｄ２）金属充填処理」を施した以外は、実施例１と同様の方法により異方導電性部材を作製した。
（Ｄ２）金属充填処理
次いで、貫通化処理後の構造体の一方の表面に金電極を蒸着により形成し、これをどう電極に密着させ、該銅/金電極を陰極にし、白金を正極にして電解メッキを行なった。
塩化金酸ナトリウム溶液２０（ｗｔ％）の溶液を６０℃に保った状態で電解液として使用し、電位走査電解を実施することにより、貫通孔に金が充填された構造体（異方導電性部材前駆体）を製造した。
ここで、定電圧パルス電解は、山本鍍金社製のメッキ装置を用い、北斗電工社製の電源（ＨＺ−３０００）を用い、メッキ液中でサイクリックボルタンメトリを行なって析出電位を確認した後、皮膜側の電位を０Ｖ⇒２Ｖに走査して行った。走査速度は０．５ｍＶ／ｓｅｃであり、電解の総処理時間は４０００秒であった。
金を充填した後の表面をＦＥ−ＳＥＭで観察すると、陽極酸化皮膜の表面から一部あふれるような形になっていた。
【００６０】
＜実施例６＞
上記（Ｅ１）前処理（表面平滑化処理）に代えて、以下に示す「（Ｅ２）前処理（表面平滑化処理）」を施した以外、すなわちＣＭＰ処理を施さなかった以外は、実施例１と同様の方法により異方導電性部材を作製した。
（Ｅ２）前処理（表面平滑化処理）
次いで、金属充填処理後の構造体に機械研磨処理を施し、表面からオーバーフロした金属(銅)を除去した後、更に電極側の表面を２μｍ研磨し、その反対の面を８μｍ研磨した。
【００６１】
＜比較例１＞
上記（Ｆ１）加熱処理に代えて、以下に示す「（Ｆ２）トリミング処理」を施し、その後に更に「（Ｇ３）後処理（純水洗浄処理）」を施した以外は、実施例１と同様の方法により異方導電性部材を作製した。
（Ｆ２）トリミング処理
次いで、表面平滑化処理後の構造体を水酸化ナトリウム水溶液（濃度：５質量％、液温度：２０℃）に浸漬させ、陽極酸化皮膜を選択的に溶解し、導通路である銅の円柱を突出させた。
（Ｇ３）後処理（純水洗浄処理）
上記（Ｆ２）トリミング処理の後、純水を用いて洗浄することにより、異方導電性部材を作製した。
【００６２】
＜比較例２＞
上記（Ｆ２）トリミング処理に代えて、以下に示す「（Ｆ３）トリミング処理」を施した以外は、比較例１と同様の方法により異方導電性部材を作製した。
（Ｆ３）トリミング処理
次いで、表面平滑化処理後の構造体を水酸化ナトリウムおよびポリエチレングリコール（ＰＥＧ）を含有する水溶液（水酸化ナトリウム濃度：５質量％、ＰＥＧ濃度：１０質量％、液温度：２０℃）に浸漬させ、陽極酸化皮膜を選択的に溶解し、導通路である銅の円柱を突出させた。
【００６３】
＜比較例３＞
上記（Ｄ１）金属充填処理に代えて、実施例４で施した上記（Ｄ２）金属充填処理を施した以外は、比較例２と同様の方法により異方導電性部材を作製した。
【００６４】
＜導通路の直径の比率＞
作製した各異方導電性部材を集束イオンビーム（ＦＩＢ）加工装置を用いて切断し、得られた切断面をＦＥ−ＳＥＭ（倍率：５００００倍）で観察し、任意の１０個の導通路における突出部の直径および貫通部の直径を測定し、それらの平均値の比率（突出部／貫通部）を算出した。結果を下記第１表に示す。
【００６５】
＜導通路（突出部）の硬度＞
作製した各異方導電性部材について、島津製作所社製の超微小硬度計複合型ＳＰＭシステム（ＳＰＭ＋ＴｒｉｂｏＳｃｏｐｅ）を用いて導通路の突出部のビッカース硬さを測定した。なお、荷重は１０ｍＮとし、変位量は５０ｎｍで測定した。結果を下記第１表に示す。
【００６６】
＜導通路（突出部）の高さ＞
作製した各異方導電性部材を集束イオンビーム（ＦＩＢ）加工装置を用いて切断し、得られた切断面をＦＥ−ＳＥＭ（倍率：５００００倍）で観察し、任意の５０個以上の導通路における突出部の高さを測定し、下記式から突出部の高さのバラツキを算出した。
突出部の高さバラツキ（％）＝（高さの最大値−高さ最小値）÷平均高さ×１００
ここで、バラツキ１０％未満であるものを突出部の高さの均一性が良好であるものとして「○」と評価し、バラツキ１０％以上３０％未満であるものを突出部の高さの均一性が若干劣るが実用上問題のないものとして「○△」と評価し、バラツキ３０％以上５０％未満であるものを突出部の高さの均一性が劣るものとして「△」と評価し、バラツキ５０％以上であるものを突出部の高さの均一性が極めて劣るものとして「×」と評価した。これらの結果を下記第１表に示す。
【００６７】
＜抵抗変化率＞
作製した各異方導電性部材について、湿度６５％、温度６０℃の条件下で５００時間保管するＨＨＢＴ試験を行った。
ここで、保管後の抵抗値Ｒｓが、保管前の抵抗値から５％未満の変動であるものを抵抗変化率が十分に小さいものとして「○」と評価し、保管前の抵抗値から５％以上１０％未満の変動であるものを抵抗変化率が小さいものとして「○△」と評価し、保管前の抵抗値から１０％以上３０％未満の変動であるものを抵抗変化率が大きいものとして「△」と評価し、保管前の抵抗値から３０％以上の変動であるものを抵抗変化率が極めて大きいものとして「×」と評価した。これらの結果を下記第１表に示す。
【００６８】
【表１】
0005694888.tif 000002
【００６９】
【表２】
0005694888.tif 000003
【００７０】
第１表に示す結果から、導通路（突出部）を形成する処理として加熱処理を施さなかった比較例１〜３で作製した異方導電性部材は、いずれも導通路の平均直径の比率（突出部／貫通部）が低くなり、導通路の突出部分の高さの均一性が劣り、抵抗変化率も大きくなることが分かった。
これに対し、導通路（突出部）を形成する処理として加熱処理を施して作製した実施例１〜６の異方導電性部材は、いずれも導通路の平均直径の比率（突出部／貫通部）が１．０５以上となり、導通路の突出部分の高さの均一性に優れ、抵抗変化率も小さくなることが分かった。
また、実施例１と実施例６とを対比から、表面平滑化処理（前処理）後の表面および裏面の算出平均粗さＲａが０．１０以下であると、導通路の突出部分の高さの均一性がより良好となり、抵抗変化率もより小さくなることが分かった。
【符号の説明】
【００７１】
１  異方導電性部材
２  絶縁性基材
３  導通路
４ａ，４ｂ  突出部
５  貫通部
６  絶縁性基材の厚み
７  導通路間の幅
８  突出部の直径
９  貫通部の直径
１０  導通路の中心間距離（ピッチ）
【図１】
0005694888.tif 000004