(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の開口からなる六角形状の集合体をサブピクセルごとに備え、
前記集合体は、各開口が最密充填配置された配列構造となっており、さらに、当該集合体の周縁領域に仮想開口を１つ置いたときに、前記仮想開口の中心点と、前記仮想開口に隣接する複数の開口の中心点とを線で結ぶと前記最密充填配置の基本形状が１つだけ形成され、２つは形成されない配列構造となっている
発光パネル。
【請求項２】
前記サブピクセルは、自発光素子と、前記自発光素子で発せられた光の発散角を狭める複数の反射構造とを有し、
各反射構造は、前記開口と、前記自発光素子で発せられた光を反射する反射面とを有している
請求項１に記載の発光パネル。
【請求項３】
前記自発光素子は、有機層を反射電極および透明電極で挟み込んだ構造となっており、
各反射構造は、前記反射電極の上面に接して形成され、
前記有機層および前記透明電極は、少なくとも前記開口の底部に形成されている
請求項２に記載の発光パネル。
【請求項４】
前記反射電極は、前記集合体の平面形状に対応した平面形状となっている
請求項３に記載の発光パネル。
【請求項５】
前記サブピクセルは、前記反射電極の平面形状に対応した平面形状となっている
請求項４に記載の発光パネル。
【請求項６】
前記最密充填配置の基本形状は、三角形である
請求項１ないし請求項５のいずれか一項に記載の発光パネル。
【請求項７】
前記開口は、点対称の形状となっている
請求項１ないし請求項６のいずれか一項に記載の発光パネル。
【請求項８】
表示パネルと、前記表示パネルを駆動する駆動回路とを備え、
前記表示パネルは、
複数の開口からなる六角形状の集合体をサブピクセルごとに備え、
前記集合体は、各開口が最密充填配置された配列構造となっており、さらに、当該集合体の周縁領域に仮想開口を１つ置いたときに、前記仮想開口の中心点と、前記仮想開口に隣接する複数の開口の中心点とを線で結ぶと前記最密充填配置の基本形状が１つだけ形成され、２つは形成されない配列構造となっている
表示装置。
【請求項９】
表示装置を備え、
前記表示装置は、表示パネルと、前記表示パネルを駆動する駆動回路とを有し、
前記表示パネルは、複数の開口からなる六角形状の集合体をサブピクセルごとに有し、
前記集合体は、各開口が最密充填配置された配列構造となっており、さらに、当該集合体の周縁領域に仮想開口を１つ置いたときに、前記仮想開口の中心点と、前記仮想開口に隣接する複数の開口の中心点とを線で結ぶと前記最密充填配置の基本形状が１つだけ形成され、２つは形成されない配列構造となっている
電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本技術は、例えば有機ＥＬ(electro luminescence)素子などの自発光素子を備えた発光パネルならびにそれを備えた表示装置および電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、画像表示を行う表示装置の分野では、画素の発光素子として、流れる電流値に応じて発光輝度が変化する電流駆動型の光学素子、例えば有機ＥＬ素子を用いた表示装置が開発され、商品化が進められている（例えば、特許文献１参照）。有機ＥＬ素子は、液晶素子などと異なり自発光素子である。そのため、有機ＥＬ素子を用いた表示装置（有機ＥＬ表示装置）では、光源（バックライト）が必要ないので、光源を必要とする液晶表示装置と比べて画像の視認性が高く、消費電力が低く、かつ素子の応答速度が速い。
【０００３】
有機ＥＬ表示装置では、消費電力の上昇を抑えつつ、輝度を向上させるための種々の検討がなされている。例えば、有機ＥＬ素子の光取り出し側に、逆円錐台形状のリフレクタを設ける技術が提案されている（例えば、特許文献２参照）。このリフレクタが設けられた有機ＥＬ表示装置では、有機ＥＬ素子から斜め方向に発せられた光がリフレクタで正面方向に反射される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−０８３２７２号公報
【特許文献２】特開２０１１−２３２４０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、上記の特許文献２に記載の方法では、リフレクタが疎に配置されており、開口率が低い。そのため、消費電力が増加したり、焼きつきの悪化等のパネル品質の低下が生じたりしてしまうという問題があった。
【０００６】
本技術はかかる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、開口率の高い発光パネル、ならびにそれを備えた表示装置および電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本技術による発光パネルは、複数の開口からなる六角形状の集合体をサブピクセルごとに備えている。集合体は、各開口が最密充填配置された配列構造となっている。集合体は、当該集合体の周縁領域に仮想開口を１つ置いたときに、仮想開口の中心点と、仮想開口に隣接する複数の開口の中心点とを線で結ぶと最密充填配置の基本形状が１つだけ形成され、２つは形成されない配列構造となっている。
【０００８】
本技術による表示装置は、上述の発光パネルを表示パネルとして備えており、さらに、その表示パネルを駆動する駆動回路も備えている。本技術による電子機器は、上記の表示装置を備えている。
【０００９】
本技術による発光パネル、表示装置および電子機器では、最密充填配置された複数の開口が、当該集合体の周縁領域に仮想開口を１つ置いたときに、仮想開口の中心点と、仮想開口に隣接する複数の開口の中心点とを線で結ぶと最密充填配置の基本形状が１つだけ形成され、２つは形成されない配列構造となっている。これにより、反射電極を、集合体の平面形状に対応した平面形状とした場合に、開口の配置ロスが生じない。
【００１０】
なお、最密充填配置された複数の開口が、当該集合体の周縁領域に仮想開口を１つ置いたときに、仮想開口の中心点と、仮想開口に隣接する複数の開口の中心点とを線で結ぶと最密充填配置の基本形状が２つ形成される配列構造となっている場合には、集合体を、例えば、六角形状、台形状、または、傾いた長方形状としたときに、開口の配置ロスが必ず生じる。
【発明の効果】
【００１１】
本技術による発光パネル、表示装置および電子機器によれば、開口の配置ロスが生じないようにしたので、開口率を高くすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】一実施の形態に係る表示装置の構成の一例を表す図である。
【図２】図１のサブピクセルの回路構成の一例を表す図である。
【図３】図１のサブピクセルの断面構成の一例を表す図である。
【図４】図１のサブピクセル内部のレイアウトの一例を表す図である。
【図５】図３の集合体の周縁領域に仮想開口を設けた様子を表す図である。
【図６】参考例に係るサブピクセル内部のレイアウトの一例を表す図である。
【図７】図６の集合体の周縁領域に仮想開口を設けた様子を表す図である。
【図８】図１のサブピクセル内部のレイアウトの第１変形例を表す図である。
【図９】図１のサブピクセル内部のレイアウトの第２変形例を表す図である。
【図１０】図１のサブピクセル内部のレイアウトの第３変形例を表す図である。
【図１１】図１のサブピクセル内部のレイアウトの第４変形例を表す図である。
【図１２】図１のサブピクセル内部のレイアウトの第５変形例を表す図である。
【図１３】サブピクセルのレイアウトが図４、図１０に例示したようになっているときのサブピクセル内部のレイアウトの一例を表す図である。
【図１４】サブピクセルのレイアウトが図４、図１０に例示したようになっているときのサブピクセル内部のレイアウトの第１変形例を表す図である。
【図１５】サブピクセルのレイアウトが図４、図１０に例示したようになっているときのサブピクセル内部のレイアウトの第２変形例を表す図である。
【図１６】サブピクセルのレイアウトが図８、図１１に例示したようになっているときのサブピクセル内部のレイアウトの一例を表す図である。
【図１７】サブピクセルのレイアウトが図９、図１２に例示したようになっているときのサブピクセル内部のレイアウトの一例を表す図である。
【図１８】図１の表示装置の構成の他の例を表す図である。
【図１９】図１８の表示装置においてサブピクセルのレイアウトが図４、図１０に例示したようになっているときのサブピクセル内部のレイアウトの一例を表す図である。
【図２０】図１８の表示装置においてサブピクセルのレイアウトが図８、図１１に例示したようになっているときのサブピクセル内部のレイアウトの他の例を表す図である。
【図２１】図１８の表示装置においてサブピクセルのレイアウトが図９、図１２に例示したようになっているときのサブピクセル内部のレイアウトの他の例を表す図である。
【図２２】上記実施の形態およびその変形例に係る表示装置を含むモジュールの概略構成を表す平面図である。
【図２３】上記実施の形態およびその変形例に係る表示装置の適用例１の外観を表す斜視図である。
【図２４】（Ａ）は適用例２の表側から見た外観を表す斜視図であり、（Ｂ）は裏側から見た外観を表す斜視図である。
【図２５】適用例３の外観を表す斜視図である。
【図２６】適用例４の外観を表す斜視図である。
【図２７】（Ａ）は適用例５の開いた状態の正面図、（Ｂ）はその側面図、（Ｃ）は閉じた状態の正面図、（Ｄ）は左側面図、（Ｅ）は右側面図、（Ｆ）は上面図、（Ｇ）は下面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、発明を実施するための形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
１．実施の形態
リフレクタが配置ロスの無いレイアウトとなっている例
２．モジュールおよび適用例
【００１４】
＜１．実施の形態＞
[構成]
図１は、一実施の形態に係る表示装置１の全体構成の一例を表したものである。この表示装置１は、表示パネル１０と、表示パネル１０を駆動する駆動回路２０とを備えている。
【００１５】
表示パネル１０は、複数の表示画素１４が２次元配置された表示領域１０Ａを有している。表示パネル１０は、外部から入力された映像信号２０Ａに基づく画像を、各表示画素１４をアクティブマトリクス駆動することにより表示するものである。各表示画素１４は、赤色用のサブピクセル１３Ｒと、緑色用のサブピクセル１３Ｇと、青色用のサブピクセル１３Ｂとを含んでいる。なお、以下では、サブピクセル１３Ｒ，１３Ｇ，１３Ｂの総称としてサブピクセル１３を用いるものとする。
【００１６】
図２は、サブピクセル１３の回路構成の一例を表したものである。サブピクセル１３は、図２に示したように、有機ＥＬ素子１１と、有機ＥＬ素子１１を駆動する画素回路１２とを有している。なお、サブピクセル１３Ｒには、有機ＥＬ素子１１として、赤色のＥＬ光を発する有機ＥＬ素子１１Ｒが設けられている。同様に、サブピクセル１３Ｇには、有機ＥＬ素子１１として、緑色のＥＬ光を発する有機ＥＬ素子１１Ｇが設けられている。サブピクセル１３Ｂには、有機ＥＬ素子１１として、青色のＥＬ光を発する有機ＥＬ素子１１Ｂが設けられている。
【００１７】
画素回路１２は、例えば、書込トランジスタＴｗｓと、駆動トランジスタＴｄｒと、保持容量Ｃｓとを含んで構成されたものであり、２Ｔｒ１Ｃの回路構成となっている。なお、画素回路１２は、２Ｔｒ１Ｃの回路構成に限られるものではなく、互いに直列接続された２つの書込トランジスタＴｗｓを有していてもよいし、上記以外のトランジスタや、容量を有していてもよい。
【００１８】
書込トランジスタＴｗｓは、映像信号２０Ａに対応する電圧を保持容量Ｃｓに書き込むトランジスタである。駆動トランジスタＴｄｒは、書込トランジスタＴｗｓによって書き込まれた保持容量Ｃｓの電圧に基づいて有機ＥＬ素子１１を駆動するトランジスタである。書込トランジスタＴｗｓおよび駆動トランジスタＴｄｒは、例えば、ｎチャネルＭＯＳ型の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ（Thin Film Transistor））により構成されている。なお、書込トランジスタＴｗｓおよび駆動トランジスタＴｄｒは、ｐチャネルＭＯＳ型のＴＦＴにより構成されていてもよい。
【００１９】
駆動回路２０は、タイミング生成回路２１、映像信号処理回路２２、データ線駆動回路２３、ゲート線駆動回路２４およびドレイン線駆動回路２５を有している。駆動回路２０は、また、データ線駆動回路２３の出力に接続されたデータ線ＤＴＬと、ゲート線駆動回路２４の出力に接続されたゲート線ＷＳＬと、ドレイン線駆動回路２５の出力に接続されたドレイン線ＤＳＬとを有している。駆動回路２０は、さらに、有機ＥＬ素子１１のカソードに接続されたグラウンド線ＧＮＤ（図２参照）を有している。なお、グラウンド線ＧＮＤは、グラウンドに接続されるものであり、グラウンドに接続されたときにグラウンド電圧となる。
【００２０】
タイミング生成回路２１は、例えば、データ線駆動回路２３、ゲート線駆動回路２４およびドレイン線駆動回路２５が連動して動作するように制御するものである。タイミング生成回路２１は、例えば、外部から入力された同期信号２０Ｂに応じて（同期して）、これらの回路に対して制御信号２１Ａを出力するようになっている。
【００２１】
映像信号処理回路２２は、例えば、外部から入力されたデジタルの映像信号２０Ａを補正すると共に、補正した後の映像信号をアナログに変換して信号電圧２２Ｂをデータ線駆動回路２３に出力するものである。
【００２２】
データ線駆動回路２３は、制御信号２１Ａの入力に応じて（同期して）、映像信号処理回路２２から入力されたアナログの信号電圧２２Ｂを、各データ線ＤＴＬを介して、選択対象の表示画素１４（またはサブピクセル１３）に書き込むものである。データ線駆動回路２３は、例えば、信号電圧２２Ｂと、映像信号２０Ａとは無関係の一定電圧とを出力することが可能となっている。
【００２３】
ゲート線駆動回路２４は、制御信号２１Ａの入力に応じて（同期して）、複数のゲート線ＷＳＬに選択パルスを順次印加して、複数の表示画素１４（またはサブピクセル１３）をゲート線ＷＳＬ単位で順次選択するものである。ゲート線駆動回路２４は、例えば、書込トランジスタＴｗｓをオンさせるときに印加する電圧と、書込トランジスタＴｗｓをオフさせるときに印加する電圧とを出力することが可能となっている。
【００２４】
ドレイン線駆動回路２５は、制御信号２１Ａの入力に応じて（同期して）、所定の電圧を、各ドレイン線ＤＳＬを介して、各画素回路１２の駆動トランジスタＴｄｒのドレインに出力するようになっている。ドレイン線駆動回路２５は、例えば、有機ＥＬ素子１１を発光させるときに印加する電圧と、有機ＥＬ素子１１を消光させるときに印加する電圧とを出力することが可能となっている。
【００２５】
次に、図２を参照して、各構成要素の接続関係および配置について説明する。ゲート線ＷＳＬは、行方向に延在して形成されており、書込トランジスタＴｗｓのゲートに接続されている。ドレイン線ＤＳＬも行方向に延在して形成されており、駆動トランジスタＴｄｒのドレインに接続されている。データ線ＤＴＬは列方向に延在して形成されており、書込トランジスタＴｗｓのドレインに接続されている。
【００２６】
書込トランジスタＴｗｓのソースは、駆動トランジスタＴｄｒのゲートと、保持容量Ｃｓの一端とに接続されている。駆動トランジスタＴｄｒのソースと保持容量Ｃｓの他端（書込トランジスタＴｗｓに未接続の端子）とが、有機ＥＬ素子１１のアノードに接続されている。有機ＥＬ素子１１のカソードは、グラウンド線ＧＮＤに接続されている。カソードは、例えば、表示領域１０Ａ全面に渡って形成されている。
【００２７】
次に、図３を参照して、サブピクセル１３における有機ＥＬ素子１１およびその近傍の断面構成について説明する。なお、図３は、サブピクセル１３の断面構成の一例を表したものである。
【００２８】
サブピクセル１３は、例えば、図３に示したように、有機ＥＬ素子１１およびその近傍において、画素回路１２の形成された回路基板３１上に有機ＥＬ素子１１を有している。有機ＥＬ素子１１は、有機層３４を反射電極３２および透明電極３５で挟み込んだ構造となっている。反射電極３２は、回路基板３１側に形成されており、例えば、有機ＥＬ素子１１のアノード電極として機能する。反射電極３２は、金属材料で構成されており、反射ミラーとしても機能する。一方、透明電極３５は、回路基板３１とは反対側に形成されており、例えば、有機ＥＬ素子１１のカソード電極として機能する。透明電極３５は、可視光に対して透明な導電性材料、例えばＩＴＯによって構成されている。有機層３４は、例えば、反射電極３２側から順に、正孔注入効率を高める正孔注入層と、発光層への正孔輸送効率を高める正孔輸送層と、電子と正孔との再結合による発光を生じさせる発光層と、発光層への電子輸送効率を高める電子輸送層とを有している。これにより、サブピクセル１３は、有機ＥＬ素子１１の有機層３４から発せられた光が、透明電極３５を介して外部に出力されるか、または、反射電極３２で反射された後、有機層３４および透明電極３５を介して外部に出力されるように構成されている。さらに、後述する反射構造３３−１が設けられていることから、サブピクセル１３は、有機ＥＬ素子１１の有機層３４から発せられた光が、反射構造３３−１で反射された後、有機層３４および透明電極３５を介して外部に出力されるように構成されている。従って、サブピクセル１３は、トップエミッション構造となっている。
【００２９】
サブピクセル１３は、さらに、例えば、図３に示したように、有機ＥＬ素子１１で発せられた光の発散角を狭める複数の反射構造３３−１を有している。各反射構造３３−１は、反射電極３２の上面に複数の貫通孔を有する樹脂層３３の貫通孔に形成されている。つまり、貫通孔そのものが、反射構造３３−１となっている。ここで、反射構造３３−１（または貫通孔）は、開口３３Ａと、有機ＥＬ素子１１で発せられた光を反射する反射面３３Ｂとを有している。開口３３Ａは、点対称の形状となっており、例えば、図４に示したように、円形となっている。このように、開口３３Ａが円形となっている場合には、反射構造３３−１は逆円錐台形状となっている。
【００３０】
各反射構造３３−１は、反射電極３２の上面に接して形成されており、開口３３Ａが反射電極３２の上面に接している。つまり、開口３３Ａの底部には、反射電極３２が露出している。有機層３４は、少なくとも開口３３Ａの底部（つまり反射電極３２の上面）に形成されており、例えば、図３に示したように、各開口３３Ａの底部および側面（つまり反射面３３Ｂ）全体に渡って形成されている。透明電極３５は、有機層３４の上面に接して形成されており、少なくとも開口３３Ａの底部に形成されている。透明電極３５は、有機層３４を覆うように形成されており、例えば、表示領域１０Ａ全体に渡って形成されている。
【００３１】
次に、図４を参照して、サブピクセル１３内部のレイアウトについて説明する。図４は、サブピクセル１３内部のレイアウトの一例を表したものである。
【００３２】
図４に示したように、サブピクセル１３内部の複数の開口３３Ａは、集合体３６をなしている。集合体３６は、各開口３３Ａが最密充填配置された配列構造となっている。さらに、集合体３６は、例えば、図５に示したように、当該集合体３６の周縁領域３８に仮想の開口３３Ａを１つ置いたときに、仮想の開口３３Ａの中心点と、仮想の開口３３Ａに隣接する複数の開口３３Ａの中心点とを線（破線）で結ぶと最密充填配置の基本形状３７が１つだけ形成され、２つは形成されない配列構造となっている。基本形状３７は、例えば、図４に示したように、三角形となっている。集合体３６に含まれる各開口３３Ａの中心は、例えば、図４に示したように、基本形状３７（三角形）の頂部３７Ａに配置されている。上記の三角形は、例えば、図４に示したように、頂角が６０度の正三角形となっている。
【００３３】
反射電極３２は、集合体３６の平面形状に対応した平面形状となっており、具体的には、集合体３６の平面形状の相似形状となっている。反射電極３２は集合体３６の面積よりも大きな面積を有している。反射電極３２は、例えば、図４に示したように、集合体３６が六角形状となっている場合には、反射電極３２は集合体３６よりも面積の大きな六角形状となっている。
【００３４】
一方で、参考例では、図６、図７に示したように、最密充填配置された複数の開口３３Ａからなる集合体３６’は、当該集合体３６’の周縁領域３８に仮想の開口３３Ａを１つ置いたときに、仮想の開口３３Ａの中心点と、仮想の開口３３Ａに隣接する複数の開口３３Ａの中心点とを線（破線）で結ぶと最密充填配置の基本形状３７が２つ形成される配列構造となっている。このように、集合体３６と、集合体３６’とは、複数の開口３３Ａが最密充填配置されている点で共通している。しかし、集合体３６’では、反射電極３２として、凹部を有しない多角形状（例えば方形状）のものを用いた場合に、図６に示したように、開口３３Ａの配置ロス（図中の太い黒矢印で指している箇所）が必ず生じる。一方、集合体３６では、反射電極３２として、凹部を有しない多角形状（例えば六角形状）のものを用いた場合に、図４に示したように、開口３３Ａの配置ロスは全く生じない。つまり、本実施の形態における開口率は、上記の配置ロスが無い分だけ、参考例における開口率よりも大きくなっている。
【００３５】
なお、集合体３６は、六角形状以外の形状となっていてもよい。例えば、図８に示したように、集合体３６は、凹部を有しない多角形状の１つである台形状となっていてもよい。なお、台形の向きは、特に限定されるものではなく、図８に示したように、上底が左を向くような向きとなっていてもよいし、図示しないが、上底が右を向くような向きとなっていてもよい。このとき、反射電極３２は、集合体３６よりも面積の大きな台形状となっている。
【００３６】
また、例えば、図９に示したように、集合体３６は、凹部を有しない多角形状の１つである傾斜した長方形状となっていてもよい。なお、長方形状の傾斜の向きは、特に限定されるものではない。長方形状は、例えば、図９に示したように、右側に傾いていてもよいし、図示しないが、左側に傾いていてもよい。このとき、反射電極３２は、集合体３６よりも面積の大きな長方形状となっている。
【００３７】
また、例えば、図１０に示したように、集合体３６が六角形状となっている場合に、反射電極３２が、六角形の一部の角が切り取られた形状（例えば八角形状）となっていてもよい。また、例えば、図１１に示したように、集合体３６が台形状となっている場合に、反射電極３２が、台形の一部の角が切り取られた形状（例えば六角形状）となっていてもよい。また、例えば、図１２に示したように、集合体３６が傾斜した長方形状となっている場合に、反射電極３２が、傾斜した長方形の一部の角が切り取られた形状（例えば六角形状）となっていてもよい。
【００３８】
次に、図１３を参照して、サブピクセル１３の面内のレイアウトについて説明する。図１３は、サブピクセル１３の面内のレイアウトの一例を表したものである。
【００３９】
サブピクセル１３は、反射電極３２の平面形状に対応した平面形状となっている。反射電極３２およびサブピクセル１３が帯状の六角形または帯状の六角形に近い形状となっている場合には、各サブピクセル１３は、例えば、図１３に示したように、行ごとに各サブピクセル１３をハーフピッチだけずらしたレイアウトとなっている。このとき、赤色用のサブピクセル１３Ｒは、列方向において、１ピッチの振幅で互い違いに（千鳥足状に）配列されている。同様に、緑色用のサブピクセル１３Ｇも、列方向において、１ピッチの振幅で互い違いに（千鳥足状に）配列されており、青色用のサブピクセル１３Ｂも、列方向において、１ピッチの振幅で互い違いに（千鳥足状に）配列されている。
【００４０】
また、反射電極３２およびサブピクセル１３が帯状の六角形または帯状の六角形に近い形状となっている場合には、サブピクセル１３Ｒ，１３Ｇ，１３Ｂが、例えば、図１４に示したように、三角形に配置されたレイアウト（デルタ配列）となっていてもよい。
【００４１】
また、反射電極３２およびサブピクセル１３が正六角形または正六角形に近い形状となっている場合には、サブピクセル１３Ｒ，１３Ｇ，１３Ｂが、例えば、図１５に示したように、三角形に配置されたレイアウト（デルタ配列）となっていてもよい。
【００４２】
また、反射電極３２およびサブピクセル１３が台形または台形に近い形状となっている場合には、サブピクセル１３Ｒ，１３Ｇ，１３Ｂは、例えば、図１６に示したように、ストライプ配列となっていてもよい。このとき、赤色用のサブピクセル１３Ｒは、列方向において、行ごとに、台形の向きが交互に入れ替わるように配列されている。同様に、緑色用のサブピクセル１３Ｇも、列方向において、行ごとに、台形の向きが交互に入れ替わるように配列されており、青色用のサブピクセル１３Ｂも、列方向において、行ごとに、台形の向きが交互に入れ替わるように配列されている。なお、台形の向きは、行ごとに共通となっている。
【００４３】
また、反射電極３２およびサブピクセル１３が傾斜した長方形または傾斜した長方形に近い形状となっている場合には、サブピクセル１３Ｒ，１３Ｇ，１３Ｂは、例えば、図１７に示したように、ストライプ配列となっていてもよい。このとき、赤色用のサブピクセル１３Ｒは、列方向において、行ごとに、傾斜の向きが交互に入れ替わるように配列されている。同様に、緑色用のサブピクセル１３Ｇも、列方向において、行ごとに、傾斜の向きが交互に入れ替わるように配列されており、青色用のサブピクセル１３Ｂも、列方向において、行ごとに、傾斜の向きが交互に入れ替わるように配列されている。なお、傾斜の向きは、行ごとに共通となっている。
【００４４】
なお、上記では、表示パネル１０は、ＲＧＢ３原色のサブピクセル１３Ｒ，１３Ｇ，１３Ｂを有していたが、例えば、図１８に示したように、ＲＧＢＷ４原色のサブピクセル１３Ｒ，１３Ｇ，１３Ｂ，１３Ｗを有していてもよい。
【００４５】
この場合に、反射電極３２およびサブピクセル１３が正六角形または正六角形に近い形状となっている場合には、サブピクセル１３Ｒ，１３Ｇ，１３Ｂ，１３Ｗは、例えば、図１９に示したように、四角形に配置されたレイアウトとなっていてもよい。
【００４６】
また、反射電極３２およびサブピクセル１３が台形または台形に近い形状となっている場合には、サブピクセル１３Ｒ，１３Ｇ，１３Ｂ，１３Ｗは、例えば、図２０に示したように、四角形に配置されたレイアウトとなっていてもよい。このとき、例えば、サブピクセル１３Ｒ，１３Ｂが、列方向において、交互に配置されており、さらに、行ごとに、台形の向きが交互に入れ替わるように配列されている。同様に、例えば、サブピクセル１３Ｇ，１３Ｗが、列方向において、交互に配置されており、さらに、行ごとに、台形の向きが交互に入れ替わるように配列されている。なお、台形の向きは、行ごとに共通となっている。
【００４７】
また、反射電極３２およびサブピクセル１３が傾斜した長方形または傾斜した長方形に近い形状となっている場合には、サブピクセル１３Ｒ，１３Ｇ，１３Ｂ，１３Ｗは、例えば、図２１に示したように、四角形に配置されたレイアウトとなっていてもよい。このとき、例えば、サブピクセル１３Ｒ，１３Ｂが、列方向において、交互に配置されており、さらに、行ごとに、傾斜の向きが交互に入れ替わるように配列されている。同様に、例えば、サブピクセル１３Ｇ，１３Ｗが、列方向において、交互に配置されており、さらに、行ごとに、傾斜の向きが交互に入れ替わるように配列されている。なお、傾斜の向きは、行ごとに共通となっている。
【００４８】
［動作］
次に、本実施の形態の表示装置１の動作の一例について説明する。
【００４９】
この表示装置１では、映像信号２０Ａに対応する信号電圧２２Ｂがデータ線駆動回路２３によって各データ線ＤＴＬに印加されると共に、制御信号２１Ａに応じた選択パルスがゲート線駆動回路２４およびドレイン線駆動回路２５によって複数のゲート線ＷＳＬおよびドレイン線ＤＳＬに順次印加される。これにより、各サブピクセル１３において画素回路１２がオンオフ制御され、各サブピクセル１３の有機ＥＬ素子１１に駆動電流が注入されることにより、正孔と電子とが再結合して発光が起こり、その光が外部に取り出される。その結果、表示パネル１０の表示領域１０Ａにおいて画像が表示される。
【００５０】
［効果］
次に、本実施の形態の表示装置１の効果について説明する。
【００５１】
従来から、有機ＥＬ表示装置では、消費電力の上昇を抑えつつ、輝度を向上させるための種々の検討がなされている。例えば、有機ＥＬ素子の光取り出し側に、逆円錐台形状のリフレクタを設ける技術が提案されている。このリフレクタが設けられた有機ＥＬ表示装置では、有機ＥＬ素子から斜め方向に発せられた光がリフレクタで正面方向に反射される。
【００５２】
しかし、上記の方法では、リフレクタが疎に配置されており、開口率が低い。そのため、消費電力が増加したり、焼きつきの悪化等のパネル品質の低下が生じたりしてしまうという問題があった。
【００５３】
一方、本実施の形態では、最密充填配置された複数の開口３３Ａが、集合体３６の周縁領域３８に仮想の開口３３Ａを１つ置いたときに、仮想の開口３３Ａの中心点と、仮想の開口３３Ａに隣接する複数の開口３３Ａの中心点とを線（破線）で結ぶと最密充填配置の基本形状３７が１つだけ形成され、２つは形成されない配列構造となっている。これにより、集合体３６は、例えば、六角形状、台形状、または、傾いた長方形状となるので、反射電極３２が集合体３６の平面形状に対応した平面形状となっている場合に、開口３３Ａの配置ロスが生じない。その結果、従来の場合や、開口３３Ａの配置ロスが生じる場合と比べて、開口率を高くすることができる。
【００５４】
＜２．モジュールおよび適用例＞
以下、上記実施の形態およびその変形例で説明した表示装置１の適用例について説明する。表示装置１は、テレビジョン装置、デジタルカメラ、ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置あるいはビデオカメラなど、外部から入力された映像信号あるいは内部で生成した映像信号を、画像あるいは映像として表示するあらゆる分野の電子機器の表示装置に適用することが可能である。
【００５５】
［モジュール］
表示装置１は、例えば、図２２に示したようなモジュールとして、後述する適用例１〜５などの種々の電子機器に組み込まれる。このモジュールは、例えば、基板３の一辺に、表示パネル１０を封止する部材（図示せず）から露出した領域２１０を設け、この露出した領域２１０に、タイミング生成回路２１、映像信号処理回路２２、データ線駆動回路２３、ゲート線駆動回路２４およびドレイン線駆動回路２５の配線を延長して外部接続端子（図示せず）を形成したものである。外部接続端子には、信号の入出力のためのフレキシブルプリント配線基板（ＦＰＣ；Flexible Printed Circuit）２２０が設けられていてもよい。
【００５６】
［適用例１］
図２３は、表示装置１が適用されるテレビジョン装置の外観を表したものである。このテレビジョン装置は、例えば、フロントパネル３１０およびフィルターガラス３２０を含む映像表示画面部３００を有しており、この映像表示画面部３００は、表示装置１により構成されている。
【００５７】
［適用例２］
図２４は、表示装置１が適用されるデジタルカメラの外観を表したものである。このデジタルカメラは、例えば、フラッシュ用の発光部４１０、表示部４２０、メニュースイッチ４３０およびシャッターボタン４４０を有しており、その表示部４２０は、表示装置１により構成されている。
【００５８】
［適用例３］
図２５は、表示装置１が適用されるノート型パーソナルコンピュータの外観を表したものである。このノート型パーソナルコンピュータは、例えば、本体５１０，文字等の入力操作のためのキーボード５２０および画像を表示する表示部５３０を有しており、その表示部５３０は、表示装置１により構成されている。
【００５９】
［適用例４］
図２６は、表示装置１が適用されるビデオカメラの外観を表したものである。このビデオカメラは、例えば、本体部６１０，この本体部６１０の前方側面に設けられた被写体撮影用のレンズ６２０，撮影時のスタート／ストップスイッチ６３０および表示部６４０を有しており、その表示部６４０は、表示装置１により構成されている。
【００６０】
［適用例５］
図２７は、表示装置１が適用される携帯電話機の外観を表したものである。この携帯電話機は、例えば、上側筐体７１０と下側筐体７２０とを連結部（ヒンジ部）７３０で連結したものであり、ディスプレイ７４０，サブディスプレイ７５０，ピクチャーライト７６０およびカメラ７７０を有している。そのディスプレイ７４０またはサブディスプレイ７５０は、表示装置１により構成されている。
【００６１】
以上、上記各実施の形態および適用例を挙げて本技術を説明したが、本技術はそれらに限定されるものではなく、種々変形が可能である。
【００６２】
例えば、上記実施の形態等では、本技術を表示装置に適用した場合について説明したが、それ以外のデバイス、例えば、照明装置などに適用することも可能である。照明装置の場合には、上記の表示パネルは、発光パネルとなる。
【００６３】
また、上記実施の形態等では、表示装置がアクティブマトリクス型である場合について説明したが、アクティブマトリクス駆動のための画素回路１２の構成は上記実施の形態等で説明したものに限られない。従って、必要に応じて容量素子やトランジスタを画素回路１２に追加することが可能である。その場合、画素回路１２の変更に応じて、上述したタイミング生成回路２１、映像信号処理回路２２、データ線駆動回路２３、ゲート線駆動回路２４およびドレイン線駆動回路２５のほかに、必要な駆動回路を追加してもよい。
【００６４】
また、上記実施の形態等では、データ線駆動回路２３、ゲート線駆動回路２４およびドレイン線駆動回路２５の駆動をタイミング生成回路２１および映像信号処理回路２２が制御していたが、他の回路がこれらの駆動を制御するようにしてもよい。また、データ線駆動回路２３、ゲート線駆動回路２４およびドレイン線駆動回路２５の制御は、ハードウェア（回路）で行われていてもよいし、ソフトウェア（プログラム）で行われていてもよい。
【００６５】
また、上記実施の形態等では、書込トランジスタＴｗｓのソースおよびドレインや、駆動トランジスタＴｄｒのソースおよびドレインが固定されたものとして説明されていたが、いうまでもなく、電流の流れる向きによっては、ソースとドレインの対向関係が上記の説明とは逆になることがある。
【００６６】
また、上記実施の形態等では、書込トランジスタＴｗｓおよび駆動トランジスタＴｄｒがｎチャネルＭＯＳ型のＴＦＴにより形成されているものとして説明されていたが、書込トランジスタＴｗｓおよび駆動トランジスタＴｄｒの少なくとも一方がｐチャネルＭＯＳ型のＴＦＴにより形成されていてもよい。なお、駆動トランジスタＴｄｒがｐチャネルＭＯＳ型のＴＦＴにより形成されている場合には、上記実施の形態等において、有機ＥＬ素子１１のアノードがカソードとなり、有機ＥＬ素子１１のカソードがアノードとなる。また、上記実施の形態等において、書込トランジスタＴｗｓおよび駆動トランジスタＴｄｒは、常に、アモルファスシリコン型のＴＦＴやマイクロシリコン型のＴＦＴである必要はなく、例えば、低温ポリシリコン型のＴＦＴであってもよい。
【００６７】
また、例えば、本技術は以下のような構成を取ることができる。
（１）
複数の開口からなる集合体をサブピクセルごとに備え、
前記集合体は、各開口が最密充填配置された配列構造となっており、さらに、当該集合体の周縁領域に仮想開口を１つ置いたときに、前記仮想開口の中心点と、前記仮想開口に隣接する複数の開口の中心点とを線で結ぶと前記最密充填配置の基本形状が１つだけ形成され、２つは形成されない配列構造となっている
発光パネル。
（２）
前記サブピクセルは、自発光素子と、前記自発光素子で発せられた光の発散角を狭める複数の反射構造とを有し、
各反射構造は、前記開口と、前記自発光素子で発せられた光を反射する反射面とを有している
（１）に記載の発光パネル。
（３）
前記自発光素子は、有機層を反射電極および透明電極で挟み込んだ構造となっており、
各反射構造は、前記反射電極の上面に接して形成され、
前記有機層および前記透明電極は、少なくとも前記開口の底部に形成されている
（２）に記載の発光パネル。
（４）
前記反射電極は、前記集合体の平面形状に対応した平面形状となっている
（３）に記載の発光パネル。
（５）
前記サブピクセルは、前記反射電極の平面形状に対応した平面形状となっている
（４）に記載の発光パネル。
（６）
前記集合体は、六角形状となっている
（３）に記載の発光パネル。
（７）
前記集合体は、台形状となっている
（３）に記載の発光パネル。
（８）
前記集合体は、傾斜した長方形状となっている
（３）に記載の発光パネル。
（９）
前記最密充填配置の基本形状は、三角形である
（１）ないし（８）のいずれか１つに記載の発光パネル。
（１０）
前記開口は、点対称の形状となっている
（１）ないし（９）のいずれか１つに記載の発光パネル。
（１１）
表示パネルと、前記表示パネルを駆動する駆動回路とを備え、
前記表示パネルは、
複数の開口からなる集合体をサブピクセルごとに備え、
前記集合体は、各開口が最密充填配置された配列構造となっており、さらに、当該集合体の周縁領域に仮想開口を１つ置いたときに、前記仮想開口の中心点と、前記仮想開口に隣接する複数の開口の中心点とを線で結ぶと前記最密充填配置の基本形状が１つだけ形成され、２つは形成されない配列構造となっている
表示装置。
（１２）
表示装置を備え、
前記表示装置は、表示パネルと、前記表示パネルを駆動する駆動回路とを有し、
前記表示パネルは、複数の開口からなる集合体をサブピクセルごとに有し、
前記集合体は、各開口が最密充填配置された配列構造となっており、さらに、当該集合体の周縁領域に仮想開口を１つ置いたときに、前記仮想開口の中心点と、前記仮想開口に隣接する複数の開口の中心点とを線で結ぶと前記最密充填配置の基本形状が１つだけ形成され、２つは形成されない配列構造となっている
電子機器。
【符号の説明】
【００６８】
１…表示装置、１０…表示パネル、１０Ａ…表示領域、１１，１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂ…有機ＥＬ素子、１２…画素回路、１３，１３Ｒ，１３Ｇ，１３Ｂ…サブピクセル、１４…表示画素、２０…駆動回路、２１…タイミング生成回路、２１Ａ…制御信号、２２…映像信号処理回路、２３…データ線駆動回路、２４…ゲート線駆動回路、２５…ドレイン線駆動回路、３１…回路基板、３２…反射電極、３３…樹脂層、３３Ａ…開口、３３Ｂ…反射面、３３−１…反射構造、３４…有機層、３５…透明電極、３６，３６’…集合体、３７…基本形状、３７Ａ…頂部、３８…周縁領域、３００…映像表示画面部、３１０…フロントパネル、３２０…フィルターガラス、４１０…発光部、４２０，５３０，６４０…表示部、４３０…メニュースイッチ、４４０…シャッターボタン、５１０…本体、５２０…キーボード、６１０…本体部、６２０…レンズ、６３０…スタート／ストップスイッチ、７１０…上側筐体、７２０…下側筐体、７３０…連結部、７４０…ディスプレイ、７５０…サブディスプレイ、７６０…ピクチャーライト、７７０…カメラ、Ｃｓ…保持容量、ＤＳＬ…ドレイン線、ＤＴＬ…データ線、Ｔｄｒ…駆動トランジスタ、Ｔｗｓ…書込トランジスタ、ＷＳＬ…ゲート線。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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