(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上の第１領域に設けられた第１電極と、
前記基板上の第２領域に設けられた第２電極と、
前記第１電極及び前記第２電極の前記基板とは反対側に形成された有機発光層と、
前記有機発光層を挟んで前記第１電極及び前記第２電極と対向して形成された第３電極と、
前記第３電極の前記有機発光層とは反対側に形成された封止層と、
前記封止層の前記第３電極と反対側の面における、前記基板に垂直な方向から見たときに前記第１電極と重なる領域に形成された第１の凹凸と、
前記封止層の前記第３電極と反対側の面における、前記基板に垂直な方向から見たときに前記第２電極と重なる領域に形成された第２の凹凸と、
前記第１の凹凸上に形成されるとともに、第１の色を透過する第１の着色層と、前記第２の凹凸上に形成されるとともに、第２の色を透過する第２の着色層と、を有するカラーフィルター層と、
を含み、
前記第１の凹凸と前記第２の凹凸との大きさが互いに異なることを特徴とする、有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項２】
前記第１の領域に形成された第１の凹部と、前記第２の領域に形成された第２の凹部とを含み、
前記第１の凹部には前記第１の凹凸が形成されており、
前記第２の凹部には、前記第２の凹凸が形成されており、
前記第１の着色層は前記第１の凹部に形成されており、
前記第２の着色層は前記第２の凹部に形成されていることを特徴とする、請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項３】
前記第１の凹部の深さと前記第２の凹部の深さとが互いに異なることを特徴とする、請求項２に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項４】
前記第１の着色層の厚さと前記第２の着色層の厚さとが互いに異なることを特徴とする、請求項１ないし３のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項５】
前記第１の着色層の上面の高さと前記第２の着色層の上面の高さとが等しいことを特徴とする、請求項１ないし４のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項６】
前記カラーフィルター層の前記封止層と反対側の面は、平坦であることを特徴とする、請求項１ないし５のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項７】
前記封止層は無機材料からなり、前記カラーフィルター層は有機材料からなることを特徴とする、請求項１ないし６のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項８】
基板上の第１領域に第１電極を形成する工程と、
基板上の第２領域に第２電極を形成する工程と、
前記第１電極及び第２電極上に有機発光層を形成する工程と、
前記有機発光層上に第３電極を形成する工程と、
前記第２電極上に封止層を形成する工程と、
前記封止層に対して第１のドライエッチングを施して、前記基板に垂直な方向から見たときに前記第１電極と重なる領域に、第１の凹凸を形成する工程と、
前記封止層に対して第２のドライエッチングを施して、前記基板に垂直な方向から見たときに前記第２電極と重なる領域に、前記第１の凹凸とは大きさの異なる第２の凹凸を形成する工程と、
前記第１の凹凸上に第１の着色層を形成する工程と、
前記第２の凹凸上に第２の着色層を形成する工程と、を含むことを特徴とする、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
【請求項９】
前記第１の凹凸を形成する工程において、前記封止層上の前記第１の領域に、第１の凹部を形成し、
前記第２の凹凸を形成する工程において、前記封止層上の前記第２の領域に、前記第１の凹部とは異なる深さの第２の凹部を形成し、
前記第１の着色層を形成する工程において、前記第１の凹部に前記第１の着色層を形成し、
前記第２の着色層を形成する工程において、前記第２の凹部に前記第２の着色層を形成することを特徴とする、請求項８に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
【請求項１０】
前記第１の着色層の厚さと前記第２の着色層の厚さとは互いに異なり、
前記第１の凹部に形成される前記第１の着色層の上面の高さと前記第２の凹部に形成される前記第２の着色層の上面の高さとが等しくなるように、前記第１の凹凸及び前記第２の凹凸を形成する工程において、前記第１の凹部の深さと前記第２の凹部の深さとを調整することを特徴とする、請求項９に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項１ないし７のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置を備えたことを特徴とする、電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス装置、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法及び電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、情報機器の多様化等に伴い、消費電力が少なく軽量化された平面表示装置のニーズが高まっている。このような平面表示装置の一つとして、有機エレクトロルミネッセンス素子を備えた有機エレクトロルミネッセンス装置が知られている。有機エレクトロルミネッセンス装置は、画素電極と対向電極の間に有機発光層を備えた構成となっている。
【０００３】
一方、有機エレクトロルミネッセンス装置の薄型化を図るために、有機エレクトロルミネッセンス素子が形成された素子基板の上にカラーフィルター層を形成する技術がある。例えば、特許文献１の有機エレクトロルミネッセンス装置においては、素子基板の有機エレクトロルミネッセンス素子が形成された側に、上面が平坦な透明保護層が形成されており、当該透明保護層上にカラーフィルター層が形成されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００１−１２６８６４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
有機エレクトロルミネッセンス装置の高精細化が進むに従って画素サイズが小さくなる。また、カラーフィルター層は透明保護層に対して所定の密着力が必要とされる。
しかしながら、透明保護層の上面が平坦な場合、透明保護層とカラーフィルター層との密着力が低下し、カラーフィルター層が透明保護層から剥がれてしまう惧れがある。
【０００６】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、カラーフィルター層の剥離を抑制することが可能な有機エレクトロルミネッセンス装置、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法を提供することを目的とする。また、信頼性に優れた電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の課題を解決するため、本発明の有機エレクトロルミネッセンス装置は、基板と、前記基板上に形成された第１電極と、前記第１電極の前記基板とは反対側に形成された有機発光層と、前記有機発光層を挟んで前記第１電極と対向して形成された第２電極と、前記第２電極の前記有機発光層とは反対側に形成された封止層と、前記封止層の前記第２電極とは反対側に形成されたカラーフィルター層と、を含み、前記封止層の前記第２電極と反対側の面には、前記基板に垂直な方向から見たときに前記第１電極と重なる領域に、凹凸が形成されており、前記カラーフィルター層は、前記封止層の前記凹凸上に形成されていることを特徴とする。
【０００８】
この構成によれば、カラーフィルター層が封止層の凹凸上に形成されているため、カラーフィルター層の一部が封止層の凹凸に入り込んでくさびを打ち込んだような状態で抜けにくくなる、いわゆるアンカー効果（投錨効果）が生じる。よって、カラーフィルター層の剥離を抑制することが可能な有機エレクトロルミネッセンス装置が得られる。
【０００９】
また、前記有機エレクトロルミネッセンス装置において、第１の画素と、第２の画素とを含み、前記第１の画素及び前記第２の画素は前記第１電極を含み、前記カラーフィルター層は、前記第１の画素に対応する第１の領域に設けられ、第１の色を透過する第１の着色層と、前記第２の画素に対応する第２の領域に設けられ、第２の色を透過する第２の着色層とを含み、前記封止層の凹凸は、前記第１の領域に設けられた第１の凹凸と、前記第２の領域に設けられた第２の凹凸とを含み、前記第１の凹凸と前記第２の凹凸との大きさが互いに異なっていてもよい。
【００１０】
この構成によれば、凹凸の深さが深いほど着色層の密着性は向上するので、着色層の密着性に応じて凹凸の大きさを異ならせることでカラーフィルター層の密着性を適切に調整することができる。
【００１１】
また、前記有機エレクトロルミネッセンス装置において、前記第１の領域に形成された第１の凹部と、前記第２の領域に形成された第２の凹部とを含み、前記第１の凹部及び前記第２の凹部には前記凹凸が形成されており、前記カラーフィルター層は前記第１の凹部及び前記第２の凹部に形成されていてもよい。
【００１２】
この構成によれば、カラーフィルター層の一部が凹部に入り込んで抜けにくくなる。よって、カラーフィルター層の剥離を抑制することができる。
【００１３】
また、前記有機エレクトロルミネッセンス装置において、前記第１の凹部の深さと前記第２の凹部の深さとが互いに異なっていてもよい。
【００１４】
この構成によれば、カラーフィルター層には互いに深さの異なる凹部によるアンカー効果が付与される。したがって、カラーフィルター層の剥離を抑制することができる。
【００１５】
また、前記有機エレクトロルミネッセンス装置において、前記第１の着色層の厚さと前記第２の着色層の厚さとが互いに異なっていてもよい。
【００１６】
この構成によれば、カラーフィルター層の厚さを各色の着色層ごとに変化させることで、各色の着色層を各色の色再現性に適した厚さとすることができる。よって、最適な色バランスを有する有機エレクトロルミネッセンス装置が得られる。
【００１７】
また、前記第１の着色層の上面の高さと前記第２の着色層の上面の高さとが等しくてもよい。
【００１８】
この構成によれば、第１の着色層の上面の高さと同じ高さで第２の着色層が形成されている。よって、第２の着色層を形成しやすくなる。
【００１９】
また、前記カラーフィルター層の前記封止層と反対側の面は、平坦であってもよい。
【００２０】
この構成によれば、カラーフィルター層の上面が平坦に形成されている。よって、カラーフィルター層上に成膜しやすくなる。
【００２１】
また、前記有機エレクトロルミネッセンス装置において、前記封止層は無機材料からなり、前記カラーフィルター層は有機材料からなっていてもよい。
【００２２】
カラーフィルター層が透明保護層の平坦面に形成される場合において、封止層が無機材料からなり、カラーフィルター層が有機材料からなる（封止層の形成材料とカラーフィルター層の形成材料とが異なる）場合、封止層の形成材料とカラーフィルター層の形成材料とが同じ場合に比べて、封止層とカラーフィルター層との密着力が低下する。
これに対し、本発明の構成によれば、カラーフィルター層が封止層の凹凸上に形成されており、有機材料からなるカラーフィルター層の一部が無機材料からなる封止層の凹凸に入り込む。そのためアンカー効果（投錨効果）が生じ、カラーフィルター層の剥離を抑制することが容易となる。
【００２３】
本発明の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法は、基板上に第１電極を形成する工程と、前記第１電極上に有機発光層を形成する工程と、前記有機発光層上に第２電極を形成する工程と、  前記第２電極上に封止層を形成する工程と、前記封止層上にカラーフィルター層を形成する工程と、を含み、前記カラーフィルター層を形成する工程は、前記封止層上において、前記基板に垂直な方向から見たときに前記第１電極と重なる領域に、ドライエッチングを施して凹凸を形成する工程と、前記封止層の前記凹凸上に前記カラーフィルター層を形成する工程と、を含むことを特徴とする。
【００２４】
この製造方法によれば、カラーフィルター層を形成する工程の前に、封止層においてカラーフィルター層の形成領域にドライエッチングを施して凹凸を形成している。そのため、カラーフィルター層が封止層の凹凸上に形成され、カラーフィルター層の一部が封止層の凹凸に入り込んでくさびを打ち込んだような状態で抜けにくくなる、いわゆるアンカー効果（投錨効果）が生じる。よって、カラーフィルター層の剥離を抑制することが可能な有機エレクトロルミネッセンス装置を製造することができる。また、ドライエッチングを用いることで、適切なスケールで凹凸を形成することができる。
【００２５】
また、前記有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法において、第１の画素と、第２の画素とを含み、前記第１の画素及び前記第２の画素は前記第１電極を含み、前記カラーフィルター層は、第１の色を透過する第１の着色層と、第２の色を透過する第２の着色層とを含み、前記凹凸を形成する工程は、前記封止層上の前記第１の画素に対応する第１の領域に、第１のドライエッチングを施して第１の凹凸を形成する工程と、前記封止層上の前記第２の画素に対応する第２の領域に、第２のドライエッチングを施して前記第１の凹凸とは大きさの異なる第２の凹凸を形成する工程と、を含み、前記カラーフィルター層を形成する工程は、前記封止層の前記第１の領域に前記第１の着色層を形成する工程と、前記封止層の前記第２の領域に前記第２の着色層を形成する工程と、を含んでいてもよい。
【００２６】
この製造方法によれば、凹凸の深さが深いほど着色層の密着性は向上するので、着色層の密着性に応じて凹凸の大きさを異ならせることでカラーフィルター層の密着性を適切に調整することができる。
【００２７】
また、前記有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法において、前記凹凸を形成する工程は、前記封止層上に、ドライエッチングを施して凹部を形成する工程と、前記封止層の前記凹部に前記凹凸を形成する工程と、を含んでいてもよい。
【００２８】
この製造方法によれば、カラーフィルター層の一部が凹部に入り込んで抜けにくくなる。よって、カラーフィルター層の剥離を抑制することができる。
【００２９】
また、前記有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法において、前記凹部を形成する工程は、前記封止層上の前記第１の領域に、第１の凹部を形成する工程と、前記封止層上の前記第２の領域に、前記第１の凹部とは異なる深さの第２の凹部を形成する工程と、を含み、前記カラーフィルター層を形成する工程は、前記第１の凹部に前記第１の着色層を形成する工程と、前記第２の凹部に前記第２の着色層を形成する工程と、を含んでいてもよい。
【００３０】
この製造方法によれば、カラーフィルター層には互いに深さの異なる凹部によるアンカー効果が付与される。したがって、カラーフィルター層の剥離を抑制することができる。
【００３１】
また、前記有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法において、前記第１の着色層の厚さと前記第２の着色層の厚さとは互いに異なり、前記凹部を形成する工程は、前記カラーフィルター層を形成する工程において前記第１の凹部に形成される前記第１の着色層の上面の高さと前記第２の凹部に形成される前記第２の着色層の上面の高さとが等しくなるように、前記第１の凹部の深さと前記第２の凹部の深さとを調整してもよい。
【００３２】
この製造方法によれば、第１の着色層の上面の高さと同じ高さで第２の着色層が形成される。よって、第２の着色層を形成しやすくなる。
【００３３】
本発明の電子機器は、前記有機エレクトロルミネッセンス装置を備えたことを特徴とする。
【００３４】
本発明の電子機器によれば、本発明の有機エレクトロルミネッセンス装置を備えているので、信頼性に優れた電子機器を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】本発明の第１実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス装置を示す断面図である。
【図２】同、有機エレクトロルミネッセンス装置の要部断面図である。
【図３】同、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造工程についての説明図である。
【図４】図３に続く説明図である。
【図５】図４に続く説明図である。
【図６】図５に続く説明図である。
【図７】図６に続く説明図である。
【図８】図７に続く説明図である。
【図９】本発明の第２実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス装置を示す要部断面図である。
【図１０】電子機器の一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００３６】
以下、図面を参照して、本発明の実施の形態について説明する。かかる実施の形態は、本発明の一態様を示すものであり、この発明を限定するものではなく、本発明の技術的思想の範囲内で任意に変更可能である。また、以下の図面においては、各構成をわかりやすくするために、実際の構造における縮尺や数等が異なっている。
【００３７】
図１は、本発明の第１実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス装置１を示す断面図である。
図１に示すように、本実施形態の有機エレクトロルミネッセンス装置１は、基板本体上に形成された図示しない各種配線、スイッチング素子としての薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor、以下ＴＦＴと称する。）、及び各種回路によって発光層（有機発光層）を発光させる、ＴＦＴアレイ基板１１を備えている。なお、本実施形態の有機エレクトロルミネッセンス装置１は、スイッチング素子としてＴＦＴを用いたアクティブマトリクス方式のものであるが、これに限らず、単純マトリクス方式を採用した構成においても本発明を適用させることができる。
【００３８】
本実施形態における有機エレクトロルミネッセンス装置１は、いわゆる「トップエミッション構造」の有機エレクトロルミネッセンス装置である。トップエミッション構造では、光を素子基板１０側ではなく対向電極１４側から取り出すため、素子基板１０に配置された各種回路の大きさに影響されず、発光面積を広く確保できる効果がある。そのため、電圧及び電流を抑えつつ輝度を確保することが可能であり、発光素子（有機エレクトロルミネッセンス素子）１２の寿命を長く維持することができる。
【００３９】
有機エレクトロルミネッセンス装置１は、素子基板１０と、素子基板１０上の発光素子１２の露出する部位全体を覆って形成された電極保護層１７と、電極保護層１７上に形成された有機緩衝層１８と、電極保護層１７上に有機緩衝層１８の露出する部位全体を覆って形成されたガスバリア層１９と、ガスバリア層１９上に形成されたカラーフィルター層２０と、を備えている。
【００４０】
なお、上記の電極保護層１７、有機緩衝層１８及びガスバリア層１９に換えて、ポリシロキサン、ポリシラザンといった無機材料を塗布して形成した無機膜によって封止層を形成してもよい。また、有機エレクトロルミネッセンス装置１において、素子基板１０の外周部に沿って配置された周辺シール層と、周辺シール層の内部に形成された充填層と、周辺シール層を介して素子基板１０と貼り合わされた保護基板と、を備えていてもよい。
【００４１】
素子基板１０は、ＴＦＴアレイ基板１１と、画素電極１３と対向電極１４との間に有機発光層１５を挟持した複数の発光素子１２と、発光素子１２（画素電極１３）を区切る画素隔壁１６と、を有している。複数の発光素子１２の各々が、有機エレクトロルミネッセンス装置１の画素を構成する。
【００４２】
本実施形態において、画素電極１３は、仕事関数が５ｅＶ以上の正孔注入効果が高い材料によって形成されたものである。このような材料としては、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide:インジウム錫酸化物）等の金属酸化物が用いられる。なお、本実施形態ではトップエミッション方式が採用されているため、画素電極１３は透光性を備える必要がない。したがって、本実施形態では、前記ＩＴＯからなる透明導電層の下側に、Ａｌ等の光反射性金属層が形成されて積層構造とされ、この積層構造によって画素電極１３が形成されている。
【００４３】
有機機能層１５は、本実施形態では低分子系の有機エレクトロルミネッセンス材料からなる有機発光層を含んで形成されたものである。このような有機機能層１５としては、例えば画素電極側から正孔注入層、正孔輸送層、有機発光層、電子輸送層、電子注入層が順次積層された構造が知られており、さらに正孔輸送層や電子輸送層を省略した構造や、正孔注入層と正孔輸送層との両方の機能を備えた正孔注入・輸送層を用いたり、電子注入層と電子輸送層との両方の機能を備えた電子注入・輸送層を用いた構造などが知られている。本発明では、このような構造のうち適宜な構造が選択され、形成されている。
【００４４】
また、有機機能層１５の材料としては、それぞれ公知のものを用いることができる。
例えば、有機発光層の材料としては、本実施形態では白色発光する有機発光材料として、スチリルアミン系発光材料などが用いられる。
さらに、正孔注入層の材料としては、トリアリールアミン（ＡＴＰ）多量体などが用いられ、正孔輸送層の材料としては、ＴＤＰ（トリフェニルジアミン）系のものなどが用いられ、電子注入・輸送層の材料としては、アルミニウムキノリノール（Ａｌｑ３）などが用いられる。
【００４５】
有機機能層１５上には、該有機機能層１５を覆って、対向電極１４が形成されている。対向電極１４を形成するための材料としては、本実施形態はトップエミッション構造であることから光透過性を有する材料である必要がある。対向電極１４の形成材料としては、透明導電材料が用いられる。透明導電材料としては、ＩＴＯが好適とされるが、これ以外にも、例えば酸化インジウム・酸化亜鉛系アモルファス透明導電膜（Indium Zinc Oxide：ＩＺＯ／アイ・ゼット・オー（登録商標））等を用いることができる。なお、本実施形態では、対向電極１４の形成材料として、ＩＴＯを用いる。
【００４６】
また、対向電極１４は、電子注入効果の大きい（仕事関数が４ｅＶ以下）材料が好適に用いられる。例えば、カルシウムやマグネシウム、ナトリウム、リチウム金属、又はこれらの金属化合物である。金属化合物としては、フッ化カルシウム等の金属フッ化物や酸化リチウム等の金属酸化物、アセチルアセトナトカルシウム等の有機金属錯体が該当する。また、透明なＩＴＯ、酸化錫などの金属酸化物導電層を積層することで電気抵抗の低減を行うことが好ましい。なお、本実施形態では、フッ化リチウムとマグネシウム−銀合金、ＩＴＯの積層体を、透明性が得られる膜厚に調整して用いるものとする。
【００４７】
本実施形態の有機エレクトロルミネッセンス装置１では、前記の画素電極１３と有機機能層１５と対向電極１４とにより、有機エレクトロルミネッセンス素子が形成されている。すなわち、画素電極１３と対向電極１４との間に電圧が印加されると、画素電極１３から正孔注入層に正孔が注入され、正孔輸送層を介して有機発光層に輸送される。また、対向電極１４から電子注入層に電子が注入され、電子輸送層を介して有機発光層に輸送される。すると、有機発光層に輸送された正孔と電子とが再結合することにより、有機発光層が発光するようになっている。
【００４８】
有機発光層から画素電極側に射出した光は、前記した透明導電層を透過して光反射性金属層に反射され、再度有機発光層側に入射するようになっている。なお、対向電極１４は半透過反射膜として機能するので、所定範囲の波長以外の光は光反射性金属層側に反射され対向電極１４と光反射性金属層との間で往復する。このようにして、対向電極１４と光反射性金属層との間の光学的距離に対応した共振波長の光だけが増幅されて取り出される。すなわち、対向電極１４と光反射性金属層とを含んだこれらの間が共振器として機能するようになっており、発光輝度が高くしかもスペクトルがシャープな光を射出させることが可能になっている。ここで、前記光学的距離は、対向電極１４と光反射性金属層との間に含まれる層の光学的距離の和によって求められ、各層の光学的距離は、その膜厚と屈折率との積によって求められる。
【００４９】
ＴＦＴアレイ基板１１上には、発光素子１２を保護する電極保護層１７が形成されている。
【００５０】
電極保護層１７は、透明性や密着性、耐水性、ガスバリア性を考慮して珪素酸窒化物などの珪素化合物で構成することが望ましい。
【００５１】
なお、本実施形態においては、電極保護層１７を単層で形成しているが、複数層で積層してもよい。例えば、低弾性率の下層と高耐水性の上層とで電極保護層１７を構成してもよい。
【００５２】
電極保護層１７上には、発光素子１２の形成領域を覆って有機緩衝層１８が形成されている。
【００５３】
有機緩衝層１８は、画素隔壁１６の形状の影響により、凹凸状に形成された電極保
護層１７の凹凸部分を埋めるように配置されている。有機緩衝層１８の上面は略平坦に形成されている。有機緩衝層１８は、ＴＦＴアレイ基板１１の反りや体積膨張により発生する応力を緩和する機能を有する。また、有機緩衝層１８の上面が略平坦化されるので、有機緩衝層１８上に形成される硬い被膜からなる後述するガスバリア層１９も平坦化される。したがって、応力が集中する部位がなくなり、これにより、ガスバリア層１９でのクラックの発生が抑制される。さらに、画素隔壁１６を被覆して凹凸が埋められることで、ガスバリア層１９上に形成されるカラーフィルター層２０の膜厚均一性を向上させることにも有効である。
【００５４】
有機緩衝層１８は、硬化前の原料主成分としては、減圧真空下でスクリーン印刷法により形成するために、流動性に優れ、かつ溶媒や揮発成分の無い、全てが高分子骨格の原料となる有機化合物材料である必要があり、好ましくはエポキシ基を有する分子量３０００以下のエポキシモノマー／オリゴマーが用いられる（モノマーの定義：分子量１０００以下、オリゴマーの定義：分子量１０００〜３０００）。例えば、ビスフェノールＡ型エポキシオリゴマーやビスフェノールＦ型エポキシオリゴマー、フェノールノボラック型エポキシオリゴマー、ポリエチレングリコールジグリシジルエーテル、アルキルグリシジルエーテル、３，４-エポキシシクロヘキセニルメチル-３'，４'-エポキシシクロヘキセンカルボキシレート、ε-カプロラクトン変性３，４-エポキシシクロヘキシルメチル３'，４'-エポキシシクロヘキサンカルボキレートなどがあり、これらが単独もしくは複数組み合わされて用いられる。
【００５５】
また、エポキシモノマー／オリゴマーと反応する硬化剤としては、電気絶縁性や接着性に優れ、かつ硬度が高く強靭で耐熱性に優れる硬化被膜を形成するものが良く、透明性に優れ、かつ硬化のばらつきの少ない付加重合型がよい。例えば、３−メチル−１，２，３，６−テトラヒドロ無水フタル酸、メチル−３，６−エンドメチレン−１，２，３，６−テトラヒドロ無水フタル酸、１，２，４，５−ベンゼンテトラカルボン酸二無水物、３，３'，４，４'-ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物などの酸無水物系硬化剤が好ましい。さらに、酸無水物の反応（開環）を促進する反応促進剤として１，６−ヘキサンジオールなど分子量が大きく揮発しにくいアルコール類を添加することで低温硬化しやすくなる。これらの硬化は６０〜１００℃の範囲の加熱で行われ、その硬化被膜はエステル結合を持つ高分子となる。さらに、酸無水の開環を促進する硬化促進剤として、芳香続アミンやアルコール類やアミノフェノールなどのアミン化合物を微量添加することで、低温硬化しやすくなる。
【００５６】
有機緩衝層１８上には、有機緩衝層１８を被覆し、かつ電極保護層１７の終端部まで覆うような広い範囲で、ガスバリア層１９が形成されている。
【００５７】
ガスバリア層１９は、酸素や水分が浸入するのを抑制するためのもので、これにより酸素や水分による発光素子１２の劣化等を抑えることができる。ガスバリア層１９は、透明性、ガスバリア性、耐水性を考慮して、好ましくは窒素を含む珪素化合物、すなわち珪素窒化物や珪素酸窒化物などによって形成される。
【００５８】
また、本実施形態では、有機エレクトロルミネッセンス装置１をトップエミッション構造としていることから、ガスバリア層１９は光透過性を有する必要がある。したがってガスバリア層１９の材質や膜厚を適宜に調整することにより、本実施形態では可視光領域における光線透過率を例えば８０％以上にしている。
【００５９】
ガスバリア層１９の有機緩衝層１８と反対側の面（表面）には、基板１１に垂直な方向から見たときに画素電極１３と重なる領域に、凹凸を有する凹凸面１９Ｓが形成されている。ここで、「凹凸」とは、光の波長に影響を与えない程度（光を散乱させない程度）のナノレベルの大きさ（例えば１以上１０ｎｍ以下）の微細な凹凸を意味する。例えば、ガスバリア層１９の表面に微細な凹凸が付されているか否かについては、透過電子顕微鏡（ＴＥＭ）等を用いて確認することができる。
【００６０】
ガスバリア層１９の表面には、基板１１に垂直な方向から見たときに画素電極１３と重なる領域に、各々の画素に対応して、凹凸面１９Ｓを底部に有する凹部１９Ｔが形成されている。凹部１９Ｔは、第１の凹部１９Ｔ１と、当該第１の凹部１９Ｔ１よりも大きい深さの第２の凹部１９Ｔ２と、当該第２の凹部１９Ｔ２よりも大きい深さの第３の凹部１９Ｔ３と、を有している。ガスバリア層１９には、第１の凹部１９Ｔ１と第２の凹部１９Ｔ２と第３の凹部１９Ｔ３とがこの順に隣り合うように形成されている。
【００６１】
ガスバリア層１９において凹部１９Ｔが形成されていない部分の厚さは、例えば４００ｎｍ〜８００ｎｍの範囲になっている。ここで、「ガスバリア層１９において凹部１９Ｔが形成されていない部分の厚さ」とは、素子基板１０の上面に対して直交する方向におけるガスバリア層１９において凹部１９Ｔが形成されていない部分の長さ（ガスバリア層１９において凹部１９Ｔが形成されていない部分の下面と上面との間の距離）である。
【００６２】
ガスバリア層１９において凹部１９Ｔが形成されている部分の厚さは、例えば２００ｎｍ程度になっている。ここで、「ガスバリア層１９において凹部１９Ｔが形成されている部分の厚さ」とは、素子基板１０の上面に対して直交する方向におけるガスバリア層１９において凹部１９Ｔが形成されている部分の長さ（ガスバリア層１９において凹部１９Ｔが形成されている部分の下面と凹部１９Ｔの底部との間の距離）である。なお、凹部１９Ｔの底部は、図２（ｂ）に示すように、凹凸面１９Ｓの凹面とする。
【００６３】
ガスバリア層１９において凹部１９Ｔが形成されたとしても、ガスバリア層１９において凹部１９Ｔが形成されている部分の厚さが少なくとも２００ｎｍ程度確保されていれば、ガスバリア性等の機能が保たれる。
【００６４】
ガスバリア層１９の凹凸面１９Ｓには、カラーフィルター層２０が形成されている。カラーフィルター層２０は、着色層として、赤色画素に対応して形成された赤色着色層２０Ｒと、緑色画素に対応して形成され、当該赤色着色層２０Ｒよりも厚さの大きい緑色着色層２０Ｇと、青色画素に対応して形成され、当該緑色着色層２０Ｇよりも厚さの大きい青色着色層２０Ｂと、を有している。赤色着色層２０Ｒ、緑色着色層２０Ｇ、青色着色層２０Ｂは、この順に隣り合うように配列形成されている。
【００６５】
赤色着色層２０Ｒは、ガスバリア層１９の第１の凹部１９Ｔ１に形成されている。緑色着色層２０Ｇは、ガスバリア層１９の第２の凹部１９Ｔ２に形成されている。青色着色層２０Ｂは、ガスバリア層１９の第３の凹部１９Ｔ３に形成されている。
【００６６】
各着色層２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂは、透明バインダー層に顔料または染料が混合された材料で構成されている。各着色層２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂの幅は１０μｍ程度であり、発光素子１２の画素電極１３と同じ幅に各層調整されている。各着色層２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂの膜厚は、発光素子１２から発せられる光を着色するために所定の厚さが必要とされ、例えば１．２μｍ〜１．５μｍの範囲となっている。各着色層２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂの膜厚は、ホワイトバランスを考慮して各色毎に調整されている。各着色層２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂにより、発光層１５の発光光が、着色層２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂの各々を透過し、赤色光、緑色光、青色光の各色光として観察者側に射出するようになっている。このように、有機エレクトロルミネッセンス装置１においては、発光層１５の発光光を利用し、かつ、複数色の着色層２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂによってカラー表示を行うようになっている。
【００６７】
図２（ａ）は、本実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス装置１の要部断面図である。図２（ｂ）は、本実施形態に係るガスバリア層１９に形成された凹部１９Ｔのうち第１の凹部１９Ｔ１の拡大図である。
なお、図２（ａ）、（ｂ）において、符号ＤＲは赤色着色層２０Ｒの厚さであり、符号ＤＧは緑色着色層２０Ｇの厚さであり、符号ＤＢは青色着色層２０Ｂの厚さであり、符号ＴＲは赤色着色層２０Ｒの高さであり、符号ＴＧは緑色着色層２０Ｇの高さであり、符号ＴＢは青色着色層２０Ｂの厚さである。
ここで、「着色層の厚さ」とは、素子基板１０の上面に対して直交する方向における着色層の長さ（着色層の下面と上面との間の距離）である。なお、着色層の下面は、図２（ｂ）に示すように、凹凸面１９Ｓの凹面とする。
「着色層の上面の高さ」とは、素子基板１０の上面に対して直交する方向における着色層の上面の高さ（有機緩衝層１８の上面と着色層の上面との間の距離）である。
【００６８】
図２（ａ）に示すように、カラーフィルター層２０は、着色層として、赤色着色層２０Ｒと、当該赤色着色層２０Ｒよりも厚さの大きい緑色着色層２０Ｇと、当該緑色着色層２０Ｇよりも厚さの大きい青色着色層２０Ｂと、を有している。
【００６９】
本実施形態において、赤色着色層２０Ｒは、下部がガスバリア層１９の第１の凹部１９Ｔ１に入り込んだ状態で形成されている。緑色着色層２０Ｇは、下部がガスバリア層１９の第２の凹部１９Ｔ２に入り込んだ状態で形成されている。青色着色層２０Ｂは、下部がガスバリア層１９の第３の凹部１９Ｔ３に入り込んだ状態で形成されている。
【００７０】
本実施形態において、発光素子１２は、平面視において各着色層２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂと重なるように配置されている。発光素子１２は、平面視において各着色層２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂの境界部とは重ならないように配置されている。
【００７１】
本実施形態においては、第１の凹部１９Ｔ１の深さよりも第２の凹部１９Ｔ２の深さのほうが大きくなっており、第２の凹部１９Ｔ２の深さよりも第３の凹部１９Ｔ３のほうが大きくなっている。ここで、「凹部の深さ」とは、素子基板１０の上面に対して直交する方向における凹部の長さ（凹凸面１９Ｓの凹面とガスバリア層１９の上面との間の距離）である。
【００７２】
赤色着色層２０Ｒの厚さＤＲよりも緑色着色層２０Ｇの厚さＤＧのほうが大きくなっており、緑色着色層２０Ｇの厚さＤＧよりも青色着色層２０Ｂの厚さＤＢのほうが大きくなっている。赤色着色層２０Ｒの上面の高さＴＲと、緑色着色層２０Ｇの上面の高さＴＧと、青色着色層２０Ｂの上面の高さＴＢとが、互いに等しくなっている。
【００７３】
すなわち、各着色層２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂの厚さＤＲ，ＤＧ，ＤＢに対応して各凹部１９Ｔ１，１９Ｔ２，１９Ｔ３の深さが調整されており、各着色層２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂの上面の高さＴＲ，ＴＧ，ＴＢが互いに等しくされている。
【００７４】
なお、本実施形態においては、各着色層２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂの厚さの関係が、赤色着色層２０Ｒの厚さＤＲ＜緑色着色層２０Ｇの厚さＤＧ＜青色着色層２０Ｂの厚さＤＢとなっている例を示しているが、これに限らず、着色層ごとに所望の厚さとすることができる。
【００７５】
図１に戻り、カラーフィルター層２０の下層には、発光層１５がＴＦＴアレイ基板１１の全面に形成され、また、発光層１５が絶縁性を有する画素隔壁１６に区分され、複数の発光素子１２として構成している。そのため、画素電極１３と対向位置にある発光層１５は発光領域となり、画素隔壁１６と対向位置にある発光層１５は、非発光領域となる。したがって、ガスバリア層１９の表面に形成されたカラーフィルター層２０においては、発光素子１２と対向位置にある着色層２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂのみから発光光を取り出せるようになっている。
【００７６】
なお、各着色層２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂの配列は任意でよく、例えば各着色層２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂをストライプ状に形成してカラーフィルター層２０を構成してもよいし、各着色層２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂをモザイク状に形成してカラーフィルター層２０を形成してもよい。さらに、着色層２０Ｒ，２０Ｇ，２０ＢのＲ，Ｇ，Ｂの基本色の他に、目的に応じてライトブルーやライトシアン等を加えても良い。
【００７７】
（有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法）
次に、図３〜図８を参照して本実施形態における有機エレクトロルミネッセンス装置１の製造方法を説明する。図３〜図８は、有機エレクトロルミネッセンス装置１の製造工程についての説明図である。
【００７８】
まず、図３（ａ）に示すように、素子基板１０上に電極保護層１７、有機緩衝層１８及びガスバリア層１９が形成された、カラーフィルター層２０が形成される土台を用意する。
【００７９】
当該土台の形成方法とは、まず、電極保護層１７を素子基板１０上の発光素子１２の露出する部位全体を覆って形成する。
具体的には、電極保護層１７については、窒素を含む珪素化合物、すなわち珪素窒化物や珪素酸窒化物などを、ＥＣＲスパッタ法やイオンプレーティング法等の高密度プラズマ成膜法により成膜する。なお、透明無機材料としてのＳｉＯ２ などの無機酸化物やＬｉＦやＭｇＦ等のアルカリハライドを、真空蒸着法や高密度プラズマ成膜法により積層してもよい。なお、透明無機材料としてのＳｉＯ２ などの無機酸化物やＬｉＦやＭｇＦ等のアルカリハライドを、真空蒸着法や高密度プラズマ成膜法により積層してもよい。
【００８０】
次に、有機緩衝層１８を電極保護層１７上に形成する。
具体的には、減圧雰囲気下でスクリーン印刷を行った有機緩衝層１８を、６０〜１００℃の範囲で加熱して硬化させる。
【００８１】
次に、ガスバリア層１９を有機緩衝層１８上に形成する。
具体的には、ＥＣＲスパッタ法やイオンプレーティング法などの高密度プラズマ成膜法で形成する。また、形成前には、酸素プラズマ処理によって密着性を向上させると信頼性が向上する。
【００８２】
次に、ガスバリア層１９の上面に凹凸を有する凹凸面１９Ｓを形成する。
具体的には、ドライエッチング（アッシング）を施して、ガスバリア層１９の上面に凹凸面１９Ｓを形成する。
【００８３】
ところで、上面が平坦な透明保護層上にカラーフィルター層が形成された構成がある。有機エレクトロルミネッセンス装置の高精細化が進むに従って画素サイズが小さくなり、カラーフィルター層は透明保護層に対して所定の密着力が必要とされる。しかしながら、透明保護層の上面が平坦な場合、透明保護層とカラーフィルター層との密着力が低下し、カラーフィルター層が透明保護層から剥がれてしまう惧れがある。
【００８４】
そこで、本発明においては、アッシングを用いてガスバリア層１９の上面を荒らして凹凸を有する凹凸面１９Ｓを形成し、当該ガスバリア層１９の凹凸面１９Ｓにカラーフィルター層２０を形成している。
【００８５】
具体的には、図３（ｂ）に示すように、ガスバリア層１９の上面に、保護レジスト２１を塗布する。
【００８６】
次に、図３（ｃ）に示すように、フォトマスク２１Ｍを介して、保護レジスト２１を露光してＵＶ硬化させ、不溶化させる。
【００８７】
次に、図３（ｄ）に示すように、現像液により保護レジスト２１の不要な部分を除去した後、残った保護レジスト２１をベークにて硬化させる。これにより、ガスバリア層１９の上面に、開口部２１Ｔを有する保護レジスト２１が形成される。
【００８８】
次に、図４（ａ）に示すように、ガスバリア層１９の上面に保護レジスト２１の上方からアッシングを施す。これにより、ガスバリア層１９においては保護レジスト２１の開口部２１Ｔから露出した部分のみにアッシングが施される。
【００８９】
ここで、「アッシング」とは、ガスを高周波等でプラズマ化し、そのプラズマを利用してガスバリア層の表面を剥離すること（プラズマアッシング）を意味する。ガスを可視光線、マイクロ波等の非電離放射線でプラズマ化し、フォトレジストをプラズマ中に置くと、フォトレジストがプラズマ中のラジカルと結合して蒸発し剥離される。
【００９０】
なお、アッシングは反応性ガスエッチングを用いてもよいし、必要な量を掘れない場合には反応性イオンエッチングを用いてもよい。また、使用するガスとしては酸素が好ましい。反応性イオンエッチングにおいて、エッチング対象がＳｉＯ２等のシリコン系材料である場合には、ＣＦ４やＳＦ６等を酸素と併せて用いてもよい。
【００９１】
次に、現像液により保護レジスト２１を除去する。これにより、図４（ｂ）に示すように、ガスバリア層１９の上面に第１の凹部１９Ｔ１が形成される。第１の凹部１９Ｔ１の底部には第１の凹凸面１９Ｓ１が形成される。
【００９２】
次に、フォトリソグラフィー法を用いて赤色着色層２０Ｒを形成する。具体的には、図４（ｃ）に示すように、ガスバリア層１９の上面に、赤色着色層用のカラーレジスト２０ＲＥを塗布する。
次に、赤色着色層用のフォトマスク３０Ｒを介して、カラーレジスト２０ＲＥを露光してＵＶ硬化させ、不溶化させる。
【００９３】
次に、図４（ｄ）に示すように、現像液によりカラーレジスト２０ＲＥの不要な部分を除去した後、残ったカラーレジスト２０ＲＥをベークにて硬化させる。これにより、ガスバリア層１９の第１の凹凸面１９Ｓ１に、赤色着色層２０Ｒが形成される。
【００９４】
次に、ガスバリア層１９の上面に、赤色着色層２０Ｒと隣り合う位置に緑色着色層２０Ｇを形成する。
【００９５】
具体的には、図５（ａ）に示すように、ガスバリア層１９上の赤色着色層２０Ｒを覆うように、保護レジスト２２を塗布する。
【００９６】
次に、図５（ｂ）に示すように、フォトマスク２２Ｍを介して、保護レジスト２２を露光してＵＶ硬化させ、不溶化させる。
【００９７】
次に、図５（ｃ）に示すように、現像液により保護レジスト２２の不要な部分を除去した後、残った保護レジスト２２をベークにて硬化させる。これにより、ガスバリア層１９上の赤色着色層２０Ｒを覆って、開口部２２Ｔを有する保護レジスト２２が形成される。
【００９８】
次に、図５（ｄ）に示すように、ガスバリア層１９の上面に保護レジスト２２の上方からアッシングを施す。これにより、ガスバリア層１９においては保護レジスト２２の開口部２２Ｔから露出した部分のみにアッシングが施される。
【００９９】
ここで、アッシングの処理条件（例えばアッシングの強度、処理時間）を調整して凹部の掘り込み量を調整する。本実施形態では、第２の凹部１９Ｔ２に形成される緑色着色層２０Ｇの高さが、第１の凹部１９Ｔ１に形成された赤色着色層２０Ｒの高さと等しくなるように調整する。例えば、アッシングの処理条件を調整して、赤色着色層２０Ｒの厚さに対して緑色着色層２０Ｇの厚さが大きい分（ＤＧ−ＤＲ）だけ、第１の凹部１９Ｔ１の深さよりも第２の凹部１９Ｔ２の深さのほうが大きくなるようにする。
【０１００】
次に、現像液により保護レジスト２２を除去する。これにより、図６（ａ）に示すように、ガスバリア層１９の上面の第１の凹部１９Ｔ１の隣り合う位置に第２の凹部１９Ｔ２が形成される。第２の凹部１９Ｔ２の底部には第２の凹凸面１９Ｓ２が形成される。
【０１０１】
次に、フォトリソグラフィー法を用いて緑色着色層２０Ｇを形成する。具体的には、図６（ｂ）に示すように、ガスバリア層１９の上面に、緑色着色層用のカラーレジスト２０ＧＥを塗布する。
【０１０２】
赤色着色層２０Ｒを隔壁として、緑色着色層２０用のカラーレジスト２０ＧＥを塗布する。本実施形態においては、緑色着色層２０用のカラーレジスト２０ＧＥの上面の高さを、赤色着色層２０Ｒの高さと一致させる。
【０１０３】
次に、緑色着色層用のフォトマスク３０Ｇを介して、カラーレジスト２０ＧＥを露光してＵＶ硬化させ、不溶化させる。
【０１０４】
次に、図６（ｃ）に示すように、現像液によりカラーレジスト２０ＧＥの不要な部分を除去した後、残ったカラーレジスト２０ＧＥをベークにて硬化させる。これにより、ガスバリア層１９の第２の凹凸面１９Ｓ２に、緑色着色層２０Ｇが形成される。上述したアッシングの処理条件の調整により、緑色着色層２０Ｇの高さは、赤色着色層２０Ｒの高さと一致する。
【０１０５】
次に、ガスバリア層１９の上面に、緑色着色層２０Ｇと隣り合う位置に青色着色層２０Ｂを形成する。
【０１０６】
具体的には、図６（ｄ）に示すように、ガスバリア層１９上の赤色着色層２０Ｒ及び緑色着色層２０Ｇを覆うように、保護レジスト２３を塗布する。
【０１０７】
次に、図７（ａ）に示すように、フォトマスク２３Ｍを介して、保護レジスト２３を露光してＵＶ硬化させ、不溶化させる。
【０１０８】
次に、図７（ｂ）に示すように、現像液により保護レジスト２３の不要な部分を除去した後、残った保護レジスト２３をベークにて硬化させる。これにより、ガスバリア層１９上の赤色着色層２０Ｒ及び緑色着色層２０Ｇを覆って、開口部２３Ｔを有する保護レジスト２３が形成される。
【０１０９】
次に、図７（ｃ）に示すように、ガスバリア層１９の上面に保護レジスト２３の上方からアッシングを施す。これにより、ガスバリア層１９においては保護レジスト２３の開口部２３Ｔから露出した部分のみにアッシングが施される。
【０１１０】
ここで、アッシングの処理条件（例えばアッシングの強度、処理時間）を調整して凹部の掘り込み量を調整する。本実施形態では、第３の凹部１９Ｔ３に形成される青色着色層２０Ｂの高さが、第１の凹部１９Ｔ１に形成された赤色着色層２０Ｒの高さ及び第２の凹部１９Ｔ２に形成された緑色着色層２０Ｇの高さの双方の着色層の上面の高さと等しくなるように調整する。例えば、アッシングの処理条件を調整して、緑色着色層２０Ｇの厚さに対して青色着色層２０Ｂの厚さが大きい分（ＤＢ−ＤＧ）だけ、第２の凹部１９Ｔ２の深さよりも第３の凹部１９Ｔ３の深さのほうが大きくなるようにする。
【０１１１】
次に、現像液により保護レジスト２３を除去する。これにより、図７（ｄ）に示すように、ガスバリア層１９の上面の第２の凹部１９Ｔ２の隣り合う位置に第３の凹部１９Ｔ３が形成される。第３の凹部１９Ｔ３の底部には第３の凹凸面１９Ｓ３が形成される。
【０１１２】
次に、フォトリソグラフィー法を用いて青色着色層２０Ｂを形成する。具体的には、図８（ａ）に示すように、ガスバリア層１９の上面に、青色着色層用のカラーレジスト２０ＢＥを塗布する。
【０１１３】
具体的には、赤色着色層２０Ｒ及び緑色着色層２０Ｇの双方の着色層を隔壁として、青色着色層用のカラーレジスト２０ＢＥを塗布する。本実施形態においては、青色着色層用のカラーレジスト２０ＢＥの上面の高さを、赤色着色層２０Ｒの高さ（緑色着色層２０Ｇの高さ）と一致させる。
【０１１４】
次に、青色着色層用のフォトマスク３０Ｂを介して、カラーレジスト２０ＢＥを露光してＵＶ硬化させ、不溶化させる。
【０１１５】
次に、図８（ｂ）に示すように、現像液によりカラーレジスト２０ＢＥの不要な部分を除去した後、残ったカラーレジスト２０ＢＥをベークにて硬化させる。これにより、ガスバリア層１９の第３の凹凸面１９Ｓ３に、青色着色層２０Ｂが形成される。上述したアッシングの処理条件の調整により、青色着色層２０Ｂの高さは、赤色着色層２０Ｒの高さ及び緑色着色層２０Ｇの高さの双方の着色層の上面の高さと一致する。
【０１１６】
これにより、ガスバリア層１９の上面の凹凸面１９Ｓにカラーフィルター層２０が形成される。
以上の工程を経ることにより、前述した本実施形態における有機エレクトロルミネッセンス装置１を得ることができる。
【０１１７】
本実施形態の有機エレクトロルミネッセンス装置１及び有機エレクトロルミネッセンス装置１の製造方法によれば、カラーフィルター層２０がガスバリア層１９の凹凸面１９Ｓに形成されているため、カラーフィルター層２０の一部がガスバリア層１９の凹凸に入り込んでくさびを打ち込んだような状態で抜けにくくなる、いわゆるアンカー効果（投錨効果）が生じる。よって、カラーフィルター層２０の剥離を抑制することができる。また、ドライエッチングを用いることで、ガスバリア層１９の表面に適切なスケールで凹凸を形成することができる。
【０１１８】
また、カラーフィルター層２０の一部が凹部１９Ｔに入り込んで抜けにくくなる。よって、カラーフィルター層２０の剥離を抑制することができる。
【０１１９】
また、カラーフィルター層２０には互いに深さの異なる凹部によるアンカー効果が付与される。したがって、カラーフィルター層２０の剥離を抑制することができる。
【０１２０】
また、カラーフィルター層２０の厚さを各色の着色層２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂごとに変化させることで、各色の着色層２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂを各色の色再現性に適した厚さとすることができる。よって、最適な色バランスを実現することができる。
【０１２１】
また、赤色着色層２０Ｒの上面の高さＴＲ及び緑色着色層２０Ｇの上面の高さＴＧと青色着色層２０Ｂの上面の高さＴＢとが互いに等しくなっている。よって、青色着色層２０Ｂを形成しやすくなる。なお、本明細書において、「着色層の上面の高さが互いに等しい」とは、製造プロセス上生じる誤差を含む。
【０１２２】
また、カラーフィルター層２０の上面が平坦に形成されているので、カラーフィルター層２０上に成膜しやすくなる。
【０１２３】
カラーフィルター層がガスバリア層の平坦面に形成される場合において、ガスバリア層が無機材料からなり、カラーフィルター層が有機材料からなる（ガスバリア層の形成材料とカラーフィルター層の形成材料とが異なる）場合、ガスバリア層の形成材料とカラーフィルター層の形成材料とが同じ場合に比べて、ガスバリア層とカラーフィルター層との密着力が低下する。
これに対し、本実施形態の構成によれば、カラーフィルター層２０がガスバリア層１９の凹凸面１９Ｓに形成されており、かつ、ガスバリア層１９が無機材料からなり、カラーフィルター層２０が有機材料からなるため、有機材料からなるカラーフィルター層２０の一部が無機材料からなるガスバリア層１９の凹凸に入り込みやすくなる。そのためアンカー効果（投錨効果）が生じやすくなる。よって、カラーフィルター層２０の剥離を抑制することが容易となる。
【０１２４】
なお、本実施形態においては、トップエミッション構造の有機エレクトロルミネッセンス装置１を例に挙げて説明したが、これに限らず、ボトムエミッション構造の有機エレクトロルミネッセンス装置においても本発明を適用可能である。例えば、ボトムエミッション構造の有機エレクトロルミネッセンス装置は、素子基板の有機エレクトロルミネッセンス素子が形成された側とは反対側に、カラーフィルター層が形成される。
【０１２５】
本実施形態においては、ガスバリア層１９の上面に凹部１９Ｔが形成されている構成を例に挙げて説明したが、これに限らない。例えば、ガスバリア層１９の上面に凹部１９Ｔが形成されていない構成であってもよい。ガスバリア層１９の上面に、凹凸面１９Ｓが形成されている構成であればよい。
【０１２６】
（第２実施形態）
図９は、図２に対応した、本発明の第２実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス装置２を示す断面図である。図９（ａ）は、本実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス装置２の要部断面図である。図９（ｂ）は、本実施形態に係るガスバリア層２９に形成された凹部２９Ｔの拡大図である。
【０１２７】
図９（ａ）、（ｂ）に示すように、本実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス装置２は、ガスバリア層２９に互いに異なる大きさの凹凸を有する凹凸面２９Ｓ１，２９Ｓ２，２９Ｓ３が形成されている点で上述の第１実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス装置１と異なっている。その他の点は上述の構成と同様であるので、図２と同様の要素には同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。
【０１２８】
図９（ａ）に示すように、有機エレクトロルミネッセンス装置２は、素子基板１０と、素子基板１０上の発光素子１２の露出する部位全体を覆って形成された電極保護層１７と、電極保護層１７上に形成された有機緩衝層１８と、電極保護層１７上に有機緩衝層１８の露出する部位全体を覆って形成されたガスバリア層２９と、ガスバリア層２９上に形成されたカラーフィルター層２０と、を備えている。
【０１２９】
本実施形態において、ガスバリア層２９の有機緩衝層１８と反対側の面（表面）には、基板１１に垂直な方向から見たときに画素電極１３と重なる領域に、凹凸を有する凹凸面２９Ｓが形成されている。
【０１３０】
ガスバリア層２９の表面には、基板１１に垂直な方向から見たときに画素電極１３と重なる領域に、凹凸面２９Ｓを底部に有する凹部２９Ｔが形成されている。凹部２９Ｔは、第１の凹部２９Ｔ１と、当該第１の凹部２９Ｔ１よりも大きい深さの第２の凹部２９Ｔ２と、当該第２の凹部２９Ｔ２よりも大きい深さの第３の凹部２９Ｔ３と、を有している。ガスバリア層２９には、第１の凹部２９Ｔ１と第２の凹部２９Ｔ２と第３の凹部２９Ｔ３とがこの順に隣り合うように形成されている。
【０１３１】
ガスバリア層２９の凹凸面２９Ｓには、カラーフィルター層２０が形成されている。赤色着色層２０Ｒは、ガスバリア層２９の第１の凹部２９Ｔ１に形成されている。緑色着色層２０Ｇは、ガスバリア層２９の第２の凹部２９Ｔ２に形成されている。青色着色層２０Ｂは、ガスバリア層２９の第３の凹部２９Ｔ３に形成されている。
【０１３２】
本実施形態において、赤色着色層２０Ｒは、下部がガスバリア層２９の第１の凹部２９Ｔ１に入り込んだ状態で形成されている。緑色着色層２０Ｇは、下部がガスバリア層２９の第２の凹部２９Ｔ２に入り込んだ状態で形成されている。青色着色層２０Ｂは、下部がガスバリア層２９の第３の凹部２９Ｔ３に入り込んだ状態で形成されている。
【０１３３】
なお、本実施形態においては、赤色着色層２０Ｒの色材料よりも緑色着色層２０Ｇの色材料のほうがガスバリア層２９に対する密着力の強い色材料からなっている。また、緑色着色層２０Ｇの色材料よりも青色着色層２０Ｂの色材料のほうがガスバリア層２９に対する密着性が高い色材料からなっている。
【０１３４】
本実施形態においては、第１の凹凸面２９Ｓ１の凹凸の大きさよりも第２の凹凸面２９Ｓ２の凹凸の大きさほうが小さくなっている。第２の凹凸面２９Ｓ２の凹凸の大きさよりも第３の凹凸面２９Ｓ３の凹凸の大きさのほうが小さくなっている。本実施形態においては、凹凸面毎に凹凸の大きさが異なっている。なお、本明細書において「凹凸の大きさが異なる」とは、ガスバリア層２９上に形成された凹凸の、平均の深さが異なることを言う。
【０１３５】
次に、図９（ｂ）を参照して本実施形態における有機エレクトロルミネッセンス装置２の製造方法を説明する。
なお、ガスバリア層の上面に、アッシングを施す際の処理条件以外は、上述した第１実施形態における有機エレクトロルミネッセンス装置１の製造方法（図３（ａ）〜図８（ｂ））と同様であるため、詳細な説明は省略する。
【０１３６】
図９（ｂ）に示すように、アッシングの処理条件（例えばアッシングの強度、処理時間）を調整して凹部に形成される凹凸の大きさを調整する。例えば、アッシングの処理条件を調整して、第１の凹部２９Ｔ１に形成される凹凸の大きさよりも第２の凹部２９Ｔ２に形成される凹凸の大きさの方が小さくなるようにする。また、第２の凹部２９Ｔ２に形成される凹凸の大きさよりも第３の凹部２９Ｔ３に形成される凹凸の大きさの方が小さくなるようにする。
【０１３７】
以下、ガスバリア層２９の上面の凹凸面２９Ｓにカラーフィルター層２０を形成する工程、を経ることより、前述した本実施形態における有機エレクトロルミネッセンス装置２（図９（ａ）参照）を得ることができる。
【０１３８】
本実施形態の有機エレクトロルミネッセンス装置２及び有機エレクトロルミネッセンス装置２の製造方法によれば、凹凸の深さが深いほど着色層の密着性は向上するので、着色層の密着性に応じて凹凸の大きさを異ならせることでカラーフィルター層２０の密着性を適切に調整することができる。
【０１３９】
（電子機器）
次に、前記実施形態の有機エレクトロルミネッセンス装置を備えた電子機器の例について説明する。
【０１４０】
図１０（ａ）は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図１０（ａ）において、符号１０００は携帯電話本体を示し、符号１００１は有機エレクトロルミネッセンス装置を備えた表示部を示している。
【０１４１】
図１０（ｂ）は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図１０（ｂ）において、符号１１００は時計本体を示し、符号１１０１は有機エレクトロルミネッセンス装置を備えた表示部を示している。
【０１４２】
図１０（ｃ）は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図１０（ｃ）において、符号１２００は情報処理装置、符号１２０２はキーボードなどの入力部、符号１２０４は情報処理本体、符号１２０６は有機エレクトロルミネッセンス装置を備えた表示部を示している。
【０１４３】
図１０（ａ）〜（ｃ）に示す電子機器は、先の実施形態に示した有機エレクトロルミネッセンス装置が備えられたものであるので、表示特性が良好な信頼性に優れた電子機器となる。
【０１４４】
なお、電子機器としては、上記以外にも、エンジニアリング・ワークステーション（ＥＷＳ）、ページャ、テレビ、ビューファインダー型またはモニター直視型のビデオテープレコーダー、電子手帳、電子卓上計算機、カーナビゲーション装置、ＰＯＳ端末、タッチパネル、ヘッドマウントディスプレイ（ＨＭＤ）などを挙げることができる。
【符号の説明】
【０１４５】
１，２…有機エレクトロルミネッセンス装置、１０…素子基板、１２…発光素子（有機エレクトロルミネッセンス素子）、１５…発光層（有機発光層）、１９…ガスバリア層（封止層）、１９Ｓ…凹凸面、１９Ｓ１…第１の凹凸面、１９Ｓ２…第２の凹凸面、１９Ｓ３…第３の凹凸面、１９Ｔ…凹部、１９Ｔ１…第１の凹部、１９Ｔ２…第２の凹部、１９Ｔ３…第３の凹部、２０…カラーフィルター層、２０Ｒ…赤色着色層、２０Ｇ…緑色着色層、２０Ｂ…青色着色層、１０００…携帯電話（電子機器）、１１００…腕時計型電子機器（電子機器）、１２００…携帯型情報処理装置（電子機器）、ＤＲ…赤色着色層の厚さ、ＤＧ…緑色着色層の厚さ、ＤＢ…青色着色層の厚さ、ＴＲ…赤色着色層の上面の高さ、ＴＧ…緑色着色層の上面の高さ、ＴＢ…青色着色層の上面の高さ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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