(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
試料管に収容された試料が加熱されて気相成分が生成され、この気相成分がキャリアガスによって前記試料管から検知器に移送されるガスクロマトグラフ用加熱装置において、
前記試料を加熱する昇温加熱部と、
前記試料の周囲の強磁性体をキュリーポイントまで加熱することによって、前記試料を加熱して熱分解する瞬間加熱部と、が備えられ、
前記試料管の周囲に間を空けて前記昇温加熱部が備えられ、この昇温加熱部の周囲に間を空けて前記瞬間加熱部が備えられた、
ことを特徴とするガスクロマトグラフ用加熱装置。
【請求項２】
前記試料管から分流させた前記気相成分が収容される吸着管が備えられた、
ことを特徴とする請求項１に記載のガスクロマトグラフ用加熱装置。
【請求項３】
第一口部と第八口部とが連通され、第二口部と第三口部とが連通され、第四口部と第五口部とが連通され、第六口部と第七口部とが連通された第一状態と、
第一口部と第二口部とが連通され、第三口部と第四口部とが連通され、第五口部と第六口部とが連通され、第七口部と第八口部とが連通された第二状態と、に切り替え可能であるバルブのうち、
前記第二口部と前記第六口部との間に連絡流路が備えられ、
前記第四口部と前記第八口部との間にカラムが備えられ、
前記第一状態では、
前記第一口部に流入した前記気相成分が、前記第八口部から前記カラムを通って前記第四口部に流入し、前記第五口部から前記検知器に送り出され、
前記第三口部から供給されたパージガスが、前記第二口部から前記連絡流路を通って前記第六口部に流入し、前記第七口部から排出され、
前記第二状態では、
前記第一口部に流入した前記気相成分が、前記第二口部から前記連絡流路を通って前記第六口部に流入し、前記第五口部から前記検知器に送り出され、
前記第三口部から供給されたパージガスが、前記第四口部から前記カラムを通って前記第八口部に流入し、前記第七口部から排出される、
ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載のガスクロマトグラフ用加熱装置。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれか１項に記載のガスクロマトグラフ用加熱装置を用いて、前記試料を前記昇温加熱部によって昇温させた後、昇温させられた前記試料の周囲の前記強磁性体を前記瞬間加熱部によってキュリーポイントまで加熱することで、昇温させられた前記試料を加熱して熱分解する、
ことを特徴とするガスクロマトグラフ用加熱方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、試料としての低分子物や高分子物などをガスクロマトグラフで分析する際に用いられるガスクロマトグラフ用加熱装置、およびガスクロマトグラフ用加熱方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来のガスクロマトグラフ用加熱装置として、下記特許文献１に記載された熱分析装置がある。この熱分析装置は、ヒータによって昇温させた熱分解炉に試料が収容され、この試料を加熱して生成した気相成分を分析するものである。この熱分析装置によれば、ヒータによって熱分解炉が昇温させられると、加熱された試料の揮発性成分から気相成分が生成される。熱分解炉を更に昇温させると、試料の高分子成分が低分子成分に熱分解され、混合された気相成分が生成される。このように段階的に試料が加熱されるため、ハートカットによって任意の温度で気相成分を分析することもできる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特許第３９６５２３４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、上記した従来の熱分析装置は、ヒータによって熱分解炉を昇温させる際、例えば温度を１分間につき２０℃ずつ上げることで試料を段階的に加熱するため、再現性が劣る。
【０００５】
本発明は、上記の実情に鑑みて提案されたものである。すなわち、任意の温度で気相成分を分析することができ、また、一定温度で瞬間的に加熱して熱分解することによって優れた再現性で分析することができるガスクロマトグラフ用加熱装置、およびガスクロマトグラフ用加熱方法の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するために、本発明に係るガスクロマトグラフ用加熱装置は、試料管に収容された試料が加熱されて気相成分が生成され、この気相成分がキャリアガスによって前記試料管から検知器に移送されるガスクロマトグラフ用加熱装置において、前記試料を加熱する昇温加熱部と、前記試料の周囲の強磁性体をキュリーポイントまで加熱することによって、前記試料を加熱して熱分解する瞬間加熱部と、が備えられたことを特徴としている。
【０００７】
本発明に係るガスクロマトグラフ用加熱装置は、前記試料管の周囲に間を空けて前記昇温加熱部が備えられ、この昇温加熱部の周囲に間を空けて前記瞬間加熱部が備えられたことを特徴としている。
【０００８】
本発明に係るガスクロマトグラフ用加熱装置は、前記試料管から分流させた前記気相成分が収容される吸着管が備えられたことを特徴としている。
【０００９】
本発明に係るガスクロマトグラフ用加熱装置は、前記昇温加熱部により前記試料を加熱して段階的に昇温する第一加熱手段と、前記瞬間加熱部により前記強磁性体をキュリーポイントまで加熱すると共に前記試料を加熱して熱分解する第二加熱手段と、前記昇温加熱部による加熱の途中で前記瞬間加熱部によって前記試料を加熱する第三加熱手段と、が備えられたことを特徴としている。
【００１０】
本発明に係るガスクロマトグラフ用加熱装置は、ガスクロマトグラフ用加熱装置に備えられた試料管に収容された試料が加熱されて気相成分が生成され、キャリアガスによって前記試料管から検出器に向けて送り出される前記気相成分の流路が分岐されるバルブにおいて、第一口部と第八口部とが連通され、第二口部と第三口部とが連通され、第四口部と第五口部とが連通され、第六口部と第七口部とが連通された第一状態と、第一口部と第二口部とが連通され、第三口部と第四口部とが連通され、第五口部と第六口部とが連通され、第七口部と第八口部とが連通された第二状態と、に切り替え可能であるバルブのうち、前記第二口部と前記第六口部との間に連絡流路が備えられ、前記第四口部と前記第八口部との間にカラムが備えられ、前記第一状態では、前記第一口部に流入した前記気相成分が、前記第八口部から前記カラムを通って前記第四口部に流入し、前記第五口部から前記検知器に送り出され、前記第三口部から供給されたパージガスが、前記第二口部から前記連絡流路を通って前記第六口部に流入し、前記第七口部から排出され、前記第二状態では、前記第一口部に流入した前記気相成分が、前記第二口部から前記連絡流路を通って前記第六口部に流入し、前記第五口部から前記検知器に送り出され、前記第三口部から供給されたパージガスが、前記第四口部から前記カラムを通って前記第八口部に流入し、前記第七口部から排出されることを特徴としている。
【００１１】
本発明に係るガスクロマトグラフ用加熱供給方法は、上記したガスクロマトグラフ用加熱装置を用いて、前記試料を前記昇温加熱部によって昇温させた後、昇温させられた前記試料の周囲の前記強磁性体を前記瞬間加熱部によってキュリーポイントまで加熱することで、昇温させられた前記試料を加熱して熱分解する、ことを特徴としている。
【発明の効果】
【００１２】
本発明に係るガスクロマトグラフ用加熱装置は上記した構成である。この構成によれば、昇温加熱部によって試料が段階的に昇温され、試料の揮発性成分から気相成分が生成される。一方、瞬間加熱部によって加熱された強磁性体がキュリーポイントに達して一定の温度となり、包装された試料が瞬間的に加熱されて熱分解させられる。すなわち、不揮発性の高分子試料が揮発性の低分子に熱分解されて気相成分が生成される。したがって、昇温加熱部によれば任意の温度で試料の気相成分を分析することができ、一方、瞬間加熱部によればキュリーポイントにおいて瞬間的に試料を加熱して熱分解することによって優れた再現性で分析することができる。
【００１３】
また上記した構成により、昇温加熱部と瞬間加熱部とを連続して用いれば、昇温加熱部により昇温された試料は揮発性成分から気相成分が生成され、この状態における任意の温度で瞬間加熱部により試料が瞬間的に加熱されて熱分解させられる。したがって、例えば高分子成分の試料の離脱・縮合反応の前後における組成分析が可能となる。
【００１４】
本発明に係るガスクロマトグラフ用加熱装置は、試料管の周囲に間を空けて昇温加熱部が備えられ、この昇温加熱部の周囲に間を空けて瞬間加熱部が備えられている。この構成により、瞬間加熱部と比較して低温である昇温加熱部が、試料管に近い位置に配置される。したがって、昇温加熱部による熱が試料に伝導しやすい。また、試料管と昇温加熱部との間、昇温加熱部と瞬間加熱部との間が空けられているため、空冷により昇温加熱部および瞬間加熱部を効率的に冷ますことができる。
【００１５】
本発明に係るガスクロマトグラフ用加熱装置は、試料管から分流させた気相成分が収容される吸着管が備えられている。この構成により、任意の温度における気相成分が吸着管に収容される。したがって、沸点が近似した化合物であっても、気相成分のみ任意に抽出することができる。
【００１６】
本発明に係るガスクロマトグラフ用加熱装置は、第一加熱手段、第二加熱手段、および第三加熱手段が備えられている。したがって、用途に応じた加熱手段で試料を加熱することができる。
【００１７】
本発明に係るガスクロマトグラフ用加熱装置は、上記した八方バルブが備えられている。この構成によりガスクロマトグラフ用加熱装置は、空いている流路をパージガスが常に流通する。したがって、試料が流路に滞留することが抑止される。
【００１８】
本発明に係るガスクロマトグラフ用加熱方法は、上記したガスクロマトグラフ用加熱装置によって実現する。この構成により、昇温加熱部により昇温された試料は揮発性成分から気相成分が生成され、この状態における任意の温度で瞬間加熱部により試料が瞬間的に加熱されて熱分解される。したがって、例えば高分子成分の試料の離脱・縮合反応の前後における組成分析が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】図１は本発明の実施形態に係るガスクロマトグラフ用加熱装置の外観図である。
【図２】図２は本発明の実施形態に係るガスクロマトグラフ用加熱装置の図１におけるＡ−Ａ断面図、および要部拡大図である。
【図３】図３は本発明の実施形態に係るガスクロマトグラフ用加熱装置における気相成分の流路を示し、（ａ）が第一状態における流路図、（ｂ）が第二状態における流路図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下に、本発明の実施形態に係るガスクロマトグラフ用加熱装置１０を図面に基づいて説明する。
【００２１】
図１および図２において、本実施形態に係るガスクロマトグラフ用加熱装置１０は加熱部３０が形成され、試料１の気相成分を分流するための八方バルブ７０（図３参照）、八方バルブ７０を通った気相成分を検出する検出器（図示せず）、気相成分を検出器に移送するためのキャリアガスを発生させるキャリアガス供給部（図示せず）、などが取り付けられている。キャリアガスは例えば、ヘリウム（Ｈｅ）、アルゴン（Ａｒ）、窒素（Ｎ）などである。
【００２２】
加熱部３０は、組成分析の対象となる試料１が収容される試料管３１、この試料管３１の周囲に配置された昇温加熱部としてのセラミックヒーター３３、このセラミックヒーター３３の周囲に配置された瞬間加熱部としての高周波コイル３５、から構成されている。試料管３１はキャリアガスの下流側にニードル（図示せず）が取り付けられている。試料管３１とセラミックヒーター３３とは間が空けられ、そこに第一空隙部３４が形成されている。同様に、セラミックヒーター３３と高周波コイル３５とは間が空けられ、そこに第二空隙部３６が形成されている。
【００２３】
加熱部３０は放熱を防止する断熱構造である。試料管３１は、高周波コイル３５の高周波が透過しやすく、かつ、誘電体損失が少ない材質から形成され、例えば耐熱性のガラスなどである。ニードルは耐腐食性であり、例えばステンレス銅などである。セラミックヒーター３３は測温抵抗体が備えられ、最高温度が１１００度程度である。高周波コイル３５は例えば、誘電体損失が少なく熱伝導率高いセラミック製のボビンに、導電率が高い銀線などが巻き回されて形成され、耐熱温度が１１００度程度である。なお、昇温プログラムはコントローラ（図示せず）により制御される。
【００２４】
試料１は例えば、加熱により気相成分となる揮発性成分が含まれた低分子物、熱分解により低分子物となる不揮発性高分子物、気体などである。試料１が包装される強磁性体としてのパイロホイル３２は、例えば鉄（Ｆｅ）、ニッケル（Ｎｉ）などであり、高周波コイル３５によって誘導加熱される。パイロホイル３２はキュリーポイントに応じて選択される。
【００２５】
図３において、加熱部３０は下流側に保温部４０が形成され、更に下流側にスプリッター５０、ハートカット用バルブ６０、八方バルブ７０、キャピラリーカラム８２が接続されている。保温部の最高温度は４００度程度である。スプリッター５０は、いわゆるスプリット法やハートカットの際に用いられ、用途に応じて試料１の気相成分が分流される。
分流された気相成分は、一次トラップ用の吸着管５１に収容される。吸着管５１は、吸着剤８３が強磁性体８４に包まれて形成されている。なお、液体窒素冷却機構（図示せず）を取り付けて気相成分をキャピラリーカラムの入口でトラップしてもよい。
【００２６】
八方バルブ７０は八つのバルブ口が形成され、第一状態と第二状態に切り替えられる。図３（ａ）において、第一状態は、第一口部７１と第八口部７８とが連通され、第二口部７２と第三口部７３とが連通され、第四口部７４と第五口部７５とが連通され、第六口部７６と第七口部７７とが連通されている。一方、図３（ｂ）において、第二状態は、第一口部７１と第二口部７２とが連通され、第三口部７３と第四口部７４とが連通され、第五口部７５と第六口部７６とが連通され、第七口部７７と第八口部７８とが連通されている。
【００２７】
第一口部と加熱部３０の下流側とはチューブ８０が接続され、試料１の気相成分が送り込まれる送入流路が間に形成されている。第二口部７２と第六口部７６とは不活性化チューブ８１が接続され、間に連絡流路が形成されている。第四口部７４と第八口部７８とはキャピラリーカラム８２が接続されている。第三口部７３はパージガスの供給側であり、パージガスの排出側が第七口部７７である。第五口部７５は検出器への移送側である。パージガスは例えばヘリウム（Ｈｅ）などである。
【００２８】
図３（ａ）の第一状態では、気相成分の流路である分離流路（図中の太線）と、パージガスの流路である第一パージ流路とで構成されている。すなわち、分離流路は順路が第一口部７１、第八口部７８、キャピラリーカラム８２、第四口部７４、第五口部７５であり、一方、第一パージ流路は順路が第三口部７３、第二口部７２、不活性化チューブ８１、第六口部７６、第七口部７７である。
【００２９】
図３（ｂ）の第二状態では、気相成分の流路である直接流路（図中の太線）と、パージガスの流路である第二パージ流路とで構成されている。すなわち、直接流路は順路が第一口部７１、第二口部７２、不活性化チューブ８１、第六口部７６、第五口部７５であり、一方、第二パージ流路は順路が第三口部７３、第四口部７４、キャピラリーカラム８２、第八口部７８、第七口部７７である。
【００３０】
ガスクロマトグラフ用加熱装置１０は上記の構成である。
【００３１】
次に、ガスクロマトグラフ用加熱装置１０の作用を説明する。ガスクロマトグラフ用加熱装置１０は、試料１を加熱する手段が三つある。すなわち、第一加熱手段としてセラミックヒーター３３による加熱、第二加熱手段として高周波コイル３５による加熱、および第三加熱手段として両方を連続することによる加熱である。
【００３２】
第一加熱手段はセラミックヒーター３３による抵抗加熱方式であり、加熱された試料１が段階的に昇温させられる。所定の温度に昇温された試料管３１に試料１を収容し、試料１をセラミックヒーター３３によって加熱する。時間当たりの昇温の割合は任意である。試料１は段階的に加熱され、揮発性成分から気相成分が生成される。
【００３３】
第二加熱手段は高周波コイル３５の加熱によるキュリーポイント加熱方式であり、試料１が瞬間的に加熱されて熱分解される。パイロホイル３２に包装された試料１を試料管３１に収容し、高周波コイル３５によって加熱する。パイロホイル３２がキュリーポイントに達して一定の温度となり、包装された試料１が瞬間的に加熱されて熱分解される。熱分解されて低分子となった試料１は各揮発性成分から気相成分が生成される。
【００３４】
第三加熱手段は、試料１がセラミックヒーター３３による加熱の途中で高周波コイル３５によって加熱される。セラミックヒーター３３によって試料１を昇温させ、揮発性成分から気相成分が生成された状態における任意の温度で高周波コイル３５によってパイロホイル３２を加熱する。パイロホイル３２がキュリーポイントに達して一定の温度となり、試料１が瞬間的に加熱されて熱分解させられる。
【００３５】
図３において、上記のいずれかの加熱手段によって試料１から生成された気相成分は、キャリアガスと共にニードルから八方バルブ７０にチューブ８０を通って移送される。八方バルブ７０ではパージガスが常に供給され、第一状態と第二状態とで、気相成分およびパージガスの流路が異なる。
【００３６】
図３（ａ）の第一状態において気相成分は分離流路を流れる。すなわち、第一口部７１に流入した気相成分が第八口部７８からキャピラリーカラム８２に流れ、キャピラリーカラム８２によって各成分に分離される。分離された各気相成分は第四口部７４に流入し、第五口部７５から検出器に送り出される。
【００３７】
第一状態において、パージガスは第一パージ流路を流れる。すなわち、第三口部７３から供給されたパージガスが第二口部７２から不活性化チューブ８１に流れ、第六口部７６に流入して第七口部７７から排出される。
【００３８】
図３（ｂ）の第二状態において気相成分は直接流路を流れる。すなわち、第一口部７１に流入した気相成分が第二口部７２から不活性化チューブ８１に流れて第六口部７６に流入し、第五口部７５から検出器に送り出される。
【００３９】
第二状態において、パージガスは第二パージ流路を流れる。すなわち、第三口部７３から供給されたパージガスが第四口部７４からキャピラリーカラム８２に流れ、第八口部７８に流入して第七口部７７から排出される。
【００４０】
検出器に送り出された気相成分は分析目的に応じて、熱分解分析、発生ガス分析（熱天秤的分析法）、脱離・縮合反応前後での微細構造分析などが自動的に行われる。
【００４１】
なお、図３において、気相成分がハートカットによって分流される場合、気相成分は八方バルブ７０を通らず吸着管５１に収容される。この場合、気相成分が捕集されて収容された吸着管５１を試料管３１に収容し、第二加熱手段によって（高周波コイル３５によって）加熱する。強磁性体８４がキュリーポイントに達して一定の温度となり、吸着剤８３に吸着された気相成分が加熱脱着される。気相成分は八方バルブ７０に移送され、キャピラリーカラム８２を通って各成分が分離される。
【００４２】
次に、本実施形態に係るガスクロマトグラフ用加熱装置１０の効果を説明する。
【００４３】
上記したとおり本実施形態によれば、加熱部３０は、組成分析の対象となる試料１が収容される試料管３１、この試料管３１の周囲に配置されたセラミックヒーター３３、このセラミックヒーター３３の周囲に配置された高周波コイル３５、から構成されている。この構成によれば三つの手段のうち、いずれかの手段で試料１が加熱される。
【００４４】
すなわち、第一加熱手段では、所定の温度に昇温された試料管３１に試料１を収容し、試料１をセラミックヒーター３３によって加熱する。試料１は段階的に加熱され、揮発性成分から気相成分が生成される。したがって、セラミックヒーター３３によれば任意の温度で試料１の気相成分を分析することがでる（熱天秤的分析法）。
【００４５】
第二加熱手段では、パイロホイル３２に包装された試料１を試料管３１に収容し、高周波コイル３５によって加熱する。パイロホイル３２がキュリーポイントに達して一定の温度となり、包装された試料１が、例えば０．２秒程度で瞬間的に加熱されて熱分解される。熱分解されて低分子となった試料１は各揮発性成分から気相成分が生成される。すなわち、試料１が不揮発性の高分子物であっても、揮発性の低分子に熱分解されて気相成分が生成される。したがって、高周波コイル３５によればキュリーポイントにおいて瞬間的に試料１を熱分解することによって優れた再現性で分析することができる。
【００４６】
第三加熱手段によれば、セラミックヒーター３３によって試料１を昇温させ、揮発性成分から気相成分が生成された状態における任意の温度で高周波コイル３５によってパイロホイル３２を加熱する。パイロホイル３２がキュリーポイントに達して一定の温度となり、試料１が瞬間的に加熱されて熱分解させられる。したがって、例えばプラスチックの離脱・縮合反応の前後における組成分析が可能となり、よってプラスチックの微細構造解析が可能となる。
【００４７】
本実施形態によれば、分流された気相成分は、吸着剤８３が強磁性体８４に包まれて形成された吸着管５１に収容される。この構成により、第一加熱手段によって（セラミックヒーター３３によって）加熱されて生成された気相成分は、ハートカットによって分流された任意の気相成分が吸着管５１に捕集される。吸着管５１を試料管３１に収容し、第二加熱手段によって（高周波コイル３５によって）加熱することで加熱脱着させ、キャピラリーカラム８２を通して気相成分を分離する。したがって、異性体などの沸点が近似した化合物を、検出器において正確に測定することができる。すなわち、発生ガス分析法（ＥＧＡ分析法）の欠点を解消することができる。
【００４８】
なお、参考までにＥＧＡ分析法の欠点は以下の通りである。すなわち、ＥＧＡ分析法によれは、第一加熱手段によって加熱されて生成された気相成分は分離能力がない不活性化チューブ８１を通って検出器に移送される。そのため、異性体などの沸点が近似した化合物は、同時に発生して混合物として検出される。
【００４９】
本実施形態によれば、試料管３１とセラミックヒーター３３とは間が空けられ、そこに第一空隙部３４が形成されている。同様に、セラミックヒーター３３と高周波コイル３５との間が空けられ、そこに第二空隙部３６が形成されている。この構成により、高周波コイル３５と比較して低温であるセラミックヒーター３３が、試料管３１に近い位置に配置される。したがって、セラミックヒーター３３による熱が試料１に伝導しやすい。また、第一空隙部３４および第二空隙部３６によってセラミックヒーター３３および高周波コイル３５が空冷され、これらを効率的に冷ますことができる。
【００５０】
本実施形態によれば、八方バルブ７０の第一状態の第一パージ流路は、順路が第三口部７３、第二口部７２、不活性化チューブ８１、第六口部７６、第七口部７７である。一方、第二状態の第二パージ流路は、順路が第三口部７３、第四口部７４、キャピラリーカラム８２、第八口部７８、第七口部７７である。この構成により、第一状態において、第三口部７３から供給されたパージガスが第二口部７２から不活性化チューブ８１に流れ、第六口部７６に流入して第七口部７７から排出される。一方、第二状態において、第三口部７３から供給されたパージガスが第四口部７４からキャピラリーカラム８２に流れ、第八口部７８に流入して第七口部７７から排出される。すなわち、第一状態および第二状態において空いている流路をパージガスが常に流通する。したがって、試料１が流路に滞留することが抑止される。
【００５１】
本実施形態によれば、八方バルブ７０の第一状態の分離流路（図３（ａ）の太線）は、順路が第一口部７１、第八口部７８、キャピラリーカラム８２、第四口部７４、第五口部７５である。この構成により、第一状態において、第一口部７１に流入した気相成分が第八口部７８からキャピラリーカラム８２に流れ、キャピラリーカラム８２によって各成分に分離される。分離された各気相成分は第四口部７４に流入し、第五口部７５から検出器に送り出される。
【００５２】
一方、第二状態の直接流路（図３（ｂ）の太線）は、順路が第一口部７１、第二口部７２、不活性化チューブ８１、第六口部７６、第五口部７５である。この構成により、第二状態において、第一口部７１に流入した気相成分が第二口部７２から不活性化チューブ８１に流れて第六口部７６に流入し、第五口部７５から検出器に送り出される。
【００５３】
したがって、分離された試料１の気相成分を検出器に送り出す場合は、第一状態を選択することによって試料１をキャピラリーカラム８２に通し、一方、ＥＧＡ分析法によって気相成分をリアルタイムでモニターする場合は、第二状態を選択することによって試料１を不活性化チューブ８１に通して試料１を検出器へ送り出すことができる。
【００５４】
以上、本発明の実施形態を詳述したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。そして本発明は、特許請求の範囲に記載された事項を逸脱することがなければ、種々の設計変更を行うことが可能である。例えば、次のような産業上の利用可能性が考えられる。すなわち、食品包装材分野において、プラスチック臭や、電子レンジによる加熱時の臭いを抑えた包装材の開発、賞味期限の延長につながる研究、機能性包装材の開発、エンジニアプラスチック分野において、耐熱性、耐摩耗性、粘弾性材料の開発につながる研究、ゴム業界において、ゴムおよびプラスチックの物性評価による粘着付与材の評価の向上によるタイヤのバースト防止、エコタイヤの開発、高分子添加剤分析において、熱天秤的分析法の組成分析による高分子添加剤の分析、犯罪捜査分野において、発生ガス分析法や熱天秤的分析法による物性評価における鑑定などである。
【符号の説明】
【００５５】
１                  試料
１０                ガスクロマトグラフ用加熱装置
２０                キャリアガス供給部
３０                加熱部
３１                試料管
３２                パイロホイル（強磁性体）
３３                セラミックヒーター（昇温加熱部）
３４                第一空隙部
３５                高周波コイル（瞬間加熱部）
３６                第二空隙部
４０                保温部
５０                スプリッター
５１                吸着管
６０                ハートカット用バルブ
７０                八方バルブ
７１                第一口部
７２                第二口部
７３                第三口部
７４                第四口部
７５                第五口部
７６                第六口部
７７                第七口部
７８                第八口部
８０                チューブ（送入流路）
８１                不活性化チューブ（連絡流路）
８２                キャピラリーカラム
８３                吸着剤
８４                強磁性体
【図１】
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【図２】
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【図３（ａ）】
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【図３（ｂ）】
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