(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｎ個（Ｎは４以上の整数）の異なる波長の光信号を１つの出力部から送出するＮ波長多重光送信器をファイバコリメートレンズを備えたパッケージに搭載する方法であって、
前記Ｎ波長多重光送信器は異なる波長の光信号を出力する少なくとも２つのＬＤ素子とこれらの出力光を合波する合波器とをそれぞれ有する２つの集積半導体光素子と、
一方の集積半導体光素子からの第１の出力光と他方の集積半導体光素子からの第２の出力光とを合波する合波素子とを備え、
２つの集積半導体光素子はそれぞれ異なるサブキャリアに搭載されていて、
第１の出力光を出力する集積半導体光素子が搭載される第１のサブキャリアの長さが、
第２の出力光を出力する集積半導体光素子が搭載される第２のサブキャリアの長さよりも長く、
前記第１の出力光と前記第２の出力光は、前記合波素子に入力されるときには、互いに偏波状態が異なり、前記合波素子は、前記第１の出力光と前記第２の出力光との偏波状態
を利用してその光路を重ね合わせるとともに、
前記第１の出力光をコリメートする第１のコリメートレンズと、前記第２の出力光をコ
リメートする第２のコリメートレンズとをさらに備え、
前記第１のコリメートレンズと前記第２のコリメートレンズが光軸方向に対して前後に
ずれて配置されているとともに、前記第２のコリメートレンズが前記第１のサブキャリア
の横に配置されており、
前記第２のコリメートレンズをパッシブ固定する工程と、
前記パッシブ固定した前記第２のコリメートレンズを通過した光を、前記合波素子の出力端にある前記ファイバコリメートレンズで集光して出力対象の光ファイバに結合するように前記ファイバコリメートレンズの位置を調芯して固定する工程と、
前記合波素子から出力される第１の出力光の強度が最大となるように、前記第１のコリメートレンズの位置を調芯してＹＡＧ溶接固定することを特徴とするＮ波長多重光送信器をファイバコリメートレンズを備えたパッケージに搭載する方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光通信システムで用いられる波長多重光送信器に関する。
【背景技術】
【０００２】
光通信システムの最新通信規格の一つである、１００Ｇｂｉｔイーサネット（以下１００ＧｂＥ）では、１００ＧｂＥ−ＬＲ４と呼ばれる通信規格が標準化されている（非特許文献１参照）。１００ＧｂＥ−ＬＲ４では、２５Ｇｂ／ｓ×４Ｃｈの波長多重（ＷＤＭ：Ｗａｖｅｌｅｎｇｔｈ  Ｄｉｖｉｓｉｏｎ  Ｍｕｌｔｉｐｌｅｘｉｎｇ）光伝送方式が採用され、その光送信器には２５．７Ｇｂｉｔ／ｓの変調信号で符号化された４つの波長レーン（Ｌａｎｅ０：１２９４．５３−１２９６．５９  ｎｍ、Ｌａｎｅ１：１２９９．０２−１３０１．０９  ｎｍ、Ｌａｎｅ２：１３０３．５４−１３０５．６３ｎｍ、Ｌａｎｅ３：１３０８．０９−１３１０．１９  ｎｍ）に対応した光信号を送信する機能が求められている。
【０００３】
従来、１００ＧｂＥ−ＬＲ４用の光送信器は、Ｌａｎｅ０〜４の各波長レーンに対応した４個の光送信器と各送信器から送出された光信号を１本の光ファイバに合波する波長フィルタを組み合わせて構成し、１００ＧｂＥ−ＬＲ４  の求める機能を実現していた。この構成法により作製された光送信器を用いて、ＣＦＰ（Ｃｅｎｔｕｍ  ｆｏｒｍ  ｆａｃｔｏｒ  ｐｌｕｇｇａｂｌｅ）と呼ばれる１００ＧｂＥ−ＬＲ４規格に対応した光トランシーバも開発されている（非特許文献２、３）。
【０００４】
また、１つの半導体発光素子内に４−ｌａｎｅに対応したＬＤ素子と光合波器を集積した半導体発光素子とそれを用いた１００ＧｂＥ−ＬＲ４用光送信器の研究開発成果も報告されている（非特許文献４、５）。この構成法による光送信器は、ＣＦＰ２、ＣＦＰ４へと続く１００ＧｂＥ−ＬＲ４用光トランシーバの小型化（非特許文献３、６）を推進する上で、有望であるが研究段階にあり、実用化には至っていない。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００５】
【非特許文献１】Pete Anslow， “100GBASE-xR4 Discussion”， [online]，２００９年２月１６日検索、<http://www.ieee802.org/3/ba/BaselineSummary_0908.pdf＞
【非特許文献２】有馬他、「100Gb/sイーサネット向けトランシーバ」、2009年電子情報通信学会通信ソサイエティ大会予稿B-10-22、pp.202、（2009）。
【０００６】
【非特許文献３】C. Cole， “100Gb/s and Beyond Ethernet Optical Interface”， 15th Optoelectronics and Communication Conference (OECC'2010)， Sapporo， Japan， 5-9 July， 2010.・Technical Digest. 15th Optoelectronics and Communications Conference: 7A3-2， pp.108-109， (2010).
【非特許文献４】T. Fujisawa， K. Takahata， T. Tadokoro， W. Kobayashi， A. Ohki， N. Fujiwara， S. Kanazawa， T. Yamanaka， and F. Kano， “Long-reach 100Gbit Ethernet light source based on 4 X 25 Gbit/s 1.3-・m InGaAlAs EADFB lasers”， IEICE Trans. on Electronics vol. E94C， no.7， pp.1167-1172， July (2011).
【非特許文献５】S. Kanazawa， et. al.， “A compact EADFB laser array module for a future 100-Gbit/s ethernet transceiver”， IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics， issue 99， pp. 1-7， Sept. (2011).
【非特許文献６】CFP-MSA， “CFP MSA 100G Roadmap and Applications”， 2011年12月13日検索、＜http://www.cfp-msa.org/documents.html＞
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上述した２つの構成法のうち、４波長多重を行うために４個の光送信器と波長フィルタを組み合わせる構成法では、各部品の占有面積が大きく、ＣＦＰ光トランシーバの小型化を進める上での障害になっている。また、集積半導体光素子を用いる構成法では、光素子作製プロセス複雑化による歩留り低下、光素子の大型化によるコスト上昇が当初より懸念されている。さらに、４波長の合波用に集積されるＭＭＩ（Ｍｕｌｔｉ−Ｍｏｄｅ  Ｉｎｔｅｒｆｅｒｅｎｃｅ）カプラは、原理的に６ｄＢの光学損失を有するため、信号光出力が低下する問題もある。
【０００８】
本発明は上記課題に鑑みなされたもので、半導体光素子の集積度を歩留り低下やコスト上昇を誘発しない程度に抑制し、かつＣＦＰ光トランシーバの小型化に適合した４波長多重光送信器の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記の課題を解決するために、請求項１に記載の発明は、Ｎ個（Ｎは４以上の整数）の異なる波長の光信号を１つの出力部から送出するＮ波長多重光送信器をファイバコリメートレンズを備えたパッケージに搭載する方法であって、
前記Ｎ波長多重光送信器は異なる波長の光信号を出力する少なくとも２つのＬＤ素子とこれらの出力光を合波する合波器とをそれぞれ有する２つの集積半導体光素子と、
一方の集積半導体光素子からの第１の出力光と他方の集積半導体光素子からの第２の出力光とを合波する合波素子とを備え、
２つの集積半導体光素子はそれぞれ異なるサブキャリアに搭載されていて、
第１の出力光を出力する集積半導体光素子が搭載される第１のサブキャリアの長さが、
第２の出力光を出力する集積半導体光素子が搭載される第２のサブキャリアの長さよりも長く、
前記第１の出力光と前記第２の出力光は、前記合波素子に入力されるときには、互いに偏波状態が異なり、前記合波素子は、前記第１の出力光と前記第２の出力光との偏波状態
を利用してその光路を重ね合わせるとともに、
前記第１の出力光をコリメートする第１のコリメートレンズと、前記第２の出力光をコ
リメートする第２のコリメートレンズとをさらに備え、
前記第１のコリメートレンズと前記第２のコリメートレンズが光軸方向に対して前後に
ずれて配置されているとともに、前記第２のコリメートレンズが前記第１のサブキャリア
の横に配置されており、
前記第１のコリメートレンズをパッシブ固定する工程と、
前記パッシブ固定した前記第１のコリメートレンズを通過した光を、前記合波素子の出力端にある前記ファイバコリメートレンズで集光して出力対象の光ファイバに結合するように前記ファイバコリメートレンズの位置を調芯して固定する工程と、
前記合波素子から出力される第１の出力光の強度が最大となるように、前記第２のコリメートレンズの位置を調芯してＹＡＧ溶接固定することを特徴とするＮ波長多重光送信器をファイバコリメートレンズを備えたパッケージに搭載する方法である。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、半導体光素子の集積度をＬＤ素子２個とその合波器まで低減でき、光素子作製プロセス複雑化による歩留り低下、光素子の大型化によるコスト上昇、および半導体合波器の光損失増加による信号光出力低下を抑制できる。また、多重数の半分の合波器を用いることで出力向上が期待できる。一例としては２波長のＭＭＩ合波器の原理損失は３ｄＢであり、その倍の４波長ＭＭＩ合波器を集積した場合に比べ、３ｄＢ程度の出力向上が期待できる。さらに、小型、安価かつ低損失な誘電体多層膜のブリュースター角を利用して、合波を行うことで、信号光出力低下の問題も解決できる。以上の効果により、信号光出力を低下させること無く、波長多重光送信器の小型・低コスト化が実現できる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明に係る集積半導体光素子ＡおよびＢの構造を示す図である。
【図２】本発明に係るサブキャリア組立て工程を示す図である。
【図３】本発明に係るキャリア組立てを示す図である。
【図４】本発明に係る誘電体多層膜フィルタのＴＥ偏波およびＴＭ偏波に対する反射特性を示す図である。
【図５】本発明に係るキャリア調芯工程の第一段階を示す図である。
【図６】本発明に係るキャリア調芯工程の第二段階を示す図である。
【図７】本発明に係る４波長多重光送信器作製工程の最終工程を示す図である。
【図８】本発明に係る４波長多重光送信器の性能の一例を示す図である。
【図９】本発明の実施例２に基づき組立てたキャリアの構造を示す図である。
【図１０】本発明に基づきキャリア組立てを行う際に、ＹＡＧ溶接に伴うレンズの位置ズレを補正するレンズを挿入した構造を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
本発明の具体的な実施形態の例を示して以下に説明する。
【００１７】
（第１の実施形態）
本実施形態の波長多重光送信器は、Ｌａｎｅ０に対応する波長のＥＡＤＦＢ−ＬＤ素子、Ｌａｎｅ１に対応する波長のＥＡＤＦＢ−ＬＤ素子とこれら２個のＥＡＤＦＢ−ＬＤ素子からの出力光を合波するＭＭＩ（Ｍｕｌｔｉ−Ｍｏｄｅ  Ｉｎｔｅｒｆｅｒｅｎｃｅ）カプラを半導体光導波路で接続した第１の集積半導体光素子と、Ｌａｎｅ２に対応する波長のＥＡＤＦＢ−ＬＤ素子、Ｌａｎｅ３に対応する波長のＥＡＤＦＢ−ＬＤ素子とこれら２個のＥＡＤＦＢ−ＬＤ素子からの出力光を合波するＭＭＩカプラを半導体光導波路で接続した第２の集積半導体光素子と、偏波回転型光アイソレータと、誘電体多層膜合波素子とを備えて構成される。この波長多重光送信器は、第１の集積光半導体素子の出力光の偏波を偏波回転型光アイソレータで９０°回転し、誘電体多層膜合波素子のブリュースター角を用いて第１の集積光半導体素子の出力光と第２の集積光半導体素子の出力光とを合波して出力する。
【００１８】
なお、本実施形態では、ＭＭＩカプラを２波長用の合波器として集積した集積半導体光素子を用いたが、ＭＭＩカプラの代わりにマッハツェンダー干渉フィルタを合波器として用いても本発明の効果に差は無い。
【００１９】
［１．集積光半導体素子］
まず、本発明の波長多重光送信器に搭載される集積光半導体素子について説明する。図１は、本実施形態で用いる集積光半導体素子の構造を示す図である。この集積光半導体素子３０は、２つのＤＦＢ−ＬＤ素子１、２を備えており、ＤＦＢＬＤ１はＬａｎｅ−０に対応する波長で発振し、ＤＦＢＬＤ２はＬａｎｅ−１に対応する波長で発振するよう回折格子の周期が設計されている。ＤＦＢ−ＬＤ素子１、２のそれぞれの後端面側には出力モニタ用ＰＤ３がそれぞれ集積され、それぞれの前端面側にはＥＡ変調器４がそれぞれ集積されている。ＥＡ変調器４の後段には半導体光導波路５が形成され、ＭＭＩカプラ６で２つの信号光は合波され、チップ先端の出力導波路７より送出される。
【００２０】
Ｌａｎｅ−２、Ｌａｎｅ−３に対応する波長が合波された光を出力する集積光半導体素子４０（図２参照）の構造も図１の集積光半導体素子と同等であり、外観上の違いはない。唯一の違いは、ＤＦＢＬＤの発振波長を決める回折格子の周期であり、集積光半導体素子４０では、発振波長がＬａｎｅ２と３の波長に合うよう設計されている。
【００２１】
また、集積光半導体素子３０と集積光半導体素子４０の出力光偏波面は、一致しており、紙面に平行（ＴＥモード）になっている。
【００２２】
［２．４波長多重光送信器の組立て］
（１）サブキャリア組立て
まず、集積光半導体素子を波長多重光送信器のキャリアに搭載するためのサブキャリア組立てについて、図２を用いて説明する。図２（ａ）、（ｂ）はそれぞれ集積光半導体光素子３０、４０を示している。それぞれ集積光半導体光素子３０、４０をそれぞれ、窒化アルミ製サブキャリア８、９上に金錫ハンダを用いてダイボンディングする。窒化アルミ製サブキャリア８、９上には、ＤＦＢ−ＬＤ１、２とモニタＰＤ３への直流給電線とＥＡ変調器への信号伝送線が形成されており、それらと対応する集積光半導体光素子上に設けられた電極パッド間をワイヤボンディングにより接続する。
【００２３】
（２）キャリア組立て
図３は波長多重光送信器のキャリアの構成を示す図である。図３に示すようにサブキャリア８、９を銅タングステン合金製のキャリア１０上の所定の位置に金錫ハンダを用いて固定する。サブキャリア９の出力光導波路の前面には、出力光をコリメート光に変換するＬＤコリメートレンズ１１を金錫ハンダによりパッシブ固定する。ここでは、ＬＤコリメートレンズ１１をハンダで固定したが、ＵＶ（紫外線）硬化樹脂等の接着剤で固定してもよい。
【００２４】
光アイソレータ１２は、接着剤によりキャリア１０上に固定される。なお、光アイソレータ１２は入射光の偏波を回転しない偏波保持型であり、集積半導体光素子Ｂの出力光偏波面は、光アイソレータ１２を透過後もＴＥモード（紙面に水平）のままである。
【００２５】
集積半導体光素子３０の光路となるキャリア１０上の所定の位置に、全反射ミラー１３、光アイソレータ１４、誘電体多層膜フィルタ１５を接着剤により固定する。図３に示す例ではなお、光アイソレータ１４は、偏波回転型であり、集積半導体光素子３０の出力光の偏波面は、光アイソレータ１４を透過後には、ＴＭモード（紙面に垂直方向）に回転している。光アイソレータ１４の代わりに、半波長板を用い、後述するファイバコリメートレンズ１９と筐体２３との間に偏波無依存アイソレータを挿入してもよい。なお、この場合には、光アイソレータ１２も省略可能である。なお、金属層１７は、後述するＬＤコリメートレンズ等をＣｕＷキャリアに搭載するために用いられる層であり、突起１６は、誘電体多層膜フィルタ１５の位置決めを行うために設けられた構造物である。
【００２６】
ここで本発明で用いられる誘電体多層膜フィルタ１５について説明する。図４は、誘電体多層膜フィルタの反射特性を示す図である。誘電体多層膜フィルタ１５は、４５°±５°の角度で入射する１３００ｎｍ帯の光に対して、図４に示す反射特性を示す。図４で、黒線はＴＥモード光に対する反射特性、赤線はＴＭモードに対する反射特性を示す。ＴＭモードで入射するＬａｎｅ０とＬａｎｅ１の信号光は９８％以上反射され、ＴＥモードで入射するＬａｎｅ２とＬａｎｅ３の信号光は９８％以上透過することがこの図より判る。
【００２７】
（３）キャリア調芯工程の第一段階
図５に示すようにキャリア１０に調芯ジグ取り付け、さらにこれを調芯装置に取り付け、集積半導体光素子４０のどちらか１つのＤＦＢＬＤ素子に通電し、発光させる。図５（ｂ）は、調芯工程の第一段階における合波手段としての誘電体多層膜フィルタ１５の部分の上方視野図である。この出力光の偏波は光アイソレータ１２透過後もＴＥモードを維持しているので、誘電体多層膜フィルタ１５を９８％以上の透過率で透過する。この透過光をファイバコリメートレンズ１９で集光し、光ファイバ２０に結合する。ファイバコリメートレンズ１９と光ファイバ２０の位置は調芯装置を用いて最適化する。
【００２８】
（４）キャリア調芯工程の第二段階
図６に示すように集積半導体光素子４０を消光して、集積半導体光素子３０のどちらか一方のＤＦＢＬＤ素子を通電発光させる。図６（ｂ）は、調芯工程の第二段階における合波手段としての誘電体多層膜フィルタ１５の部分の上方視野図である。この出力光の偏波面は、光アイソレータ１４を通過後にＴＭモードに変換され、全反射ミラー１３で反射された後、およそ４５°の入射角で誘電体多層膜フィルタ１５に入射する。誘電体多層膜フィルタ１５は、このＴＭモード光を９８％以上反射する。そのため、集積半導体光素子３０と全反射ミラー１３との間にステンレス鏡筒付きのＬＤコリメートレンズ２１を挿入し、集積半導体光素子３０の出力光が光ファイバ２０と結合するようＬＤコリメートレンズ２１のみを調芯することで、集積半導体光素子３０の出力光と集積半導体光素子４０の出力光との極めて簡易で低損失な光路合成が可能となる。ＬＤコリメートレンズ２１は、調芯後、レンズホルダ２２にＹＡＧ溶接により固定する。レンズホルダ２２はキャリア１０に貼り付けられた金属層１７にＹＡＧ溶接固定されている。なお、図３から５に示されたキャリア１０に設けられた段差は、レンズの光軸とＬＤ素子の光軸とを合わせるために形成されている。
【００２９】
（５）４波長多重光送信器作製工程の最終工程
図７は組立てが完了したキャリアを筐体内に搭載する例を示している。組立てが完了したキャリア１０を温調器の付属した筐体２３内に搭載し、接続が必要な端子間をワイヤボンディングにより接続する。その後、筐体気密封止用の蓋となるＬＩＤ２４で筐体２３を窒素雰囲気中で気密封止する。なお、リードピンＰは、パッケージのコリメートレンズの反対側に設けられた電極用の端子である。
【００３０】
さらに、ファイバコリメートレンズ、光ファイバレセプタクル、送信器筐体間の光学調芯を行い、筐体にファイバコリメートレンズと光ファイバレセプタクルをＹＡＧレ−ザーにより溶接固定する。以上の工程により、４波長多重光送信器は完成する。
【００３１】
［３．光送信器の特性］
完成した４波長多重光送信器の全ての電源供給端子と制御端子をＤＣ電源に接続し、適切なバイアス電圧を与え、さらに全信号端子に、［２５．８Ｇｂｉｔ／ｓ−ＮＲＺ−ＰＲＢＳ  ２３１−１］の変調信号を与えた際の出力光波形を図８に示す。Ｌａｎｅ０〜Ｌａｎｅ３の全波長において明瞭なアイ開口が確認でき作製した４波長多重光送信器が良好な特性を有していることが判る。この時の各Ｌａｎｅの平均光出力をパワーメータにて測定した。全Ｌａｎｅとも０〜＋１ｄＢｍの平均光出力を有しており、１００ＧｂＥ−ＬＲ４の仕様に適合することが確認できた。
【００３２】
（第２の実施形態）
本実施形態では、第１の集積光半導体素子をＴＭモードで発振するように構成している。ＴＭモードで発振する構成は、集積光半導体素子のＤＦＢ−ＬＤ１、２の活性層に適度な格子歪を与えてＴＭモードとＴＥモードの利得逆転により実現してもよいし、ＭＭＩカプラと出力端の間の半導体導波路に偏波回転部を集積して実現してもよい。本実施形態の４波長多重光送信器は、第１の集積光半導体素子の出力光偏波はＴＭモードであり、半波長板や偏波回転型光アイソレータを用いなくてもＴＥモードで発振している第２の集積光半導体素子の出力偏波とは直交している。従って、第１の実施形態の４波長多重光送信器で用いていた偏波回転型光アイソレータを省略できる。その他の構成は、第１の実施形態と同様に構成できる。
【００３３】
［１．４波長多重光送信器の組立て工程］
（１）サブキャリア組立て
集積半導体素子３０、４０を搭載した２つのサブキャリアは、第１の実施形態と同様に構成することができる。ただし、集積半導体光素子３０は、ＴＭモードで発振するように構成する。
【００３４】
（２）キャリア組立て工程
キャリア１０の組立ても、光アイソレータ１４を設けない以外は第１の実施形態と同様に構成することができる。
【００３５】
（３）キャリア調芯工程
第１の実施形態と同様にキャリア調芯工程の第一段階と第二段階を行い、２つの集積半導体光素子３０、４０の光路合成を実現する。
【００３６】
（４）４波長多重光送信器作製工程の最終工程
第１の実施形態と同様に組立て最終工程を行う。なお、ここで用いる光ファイバレセプタクル２５の光入力側には、偏波無依存型光アイソレータ２６が取り付けてある。以上の工程により、４波長多重光送信器は完成する。
【００３７】
［２．光送信器の特性］
完成した４波長多重光送信器の全ての電源供給端子と制御端子をＤＣ電源に接続し、適切なバイアス電圧を与え、さらに全信号端子に、［２５．８Ｇｂｉｔ／ｓ−ＮＲＺ−ＰＲＢＳ  ２３１−１］の変調信号を与えた測定した所、実施例１で作製した４波長多重光送信器と同等の性能を有することが確認できた。
【００３８】
以上の実施形態では、集積半導体光素子を構成する発光素子としてＥＡＤＦＢＬＤ素子を用いたが、ＤＦＢ−ＬＤ素子に限定されず、いずれのＬＤ素子を用いてもよい。本発明の本質とは関係の無い、電気信号配線を変更するだけで、直接変調ＤＦＢ素子を用いることが可能であることは言うまでもない。
【００３９】
また、ＬＤコリメートレンズ２１のＹＡＧ溶接時の最適位置から位置ズレ（ＰＷＳ：Ｐｏｓｔ  ｗｅｌｄｉｎｇ  ｓｈｉｆｔ）による光結合損失の発生を抑制するために、ビーム角度調整用のＰＷＳ補正レンズ２７を用いることはいずれの実施形態においても可能であり、その場合のキャリア構成図を図１０に示す。図１０に示すように、ＰＷＳ補正レンズ２７は、ＬＤコリメートレンズ２１とミラー１３との間の光路上に挿入することができる。
【００４０】
図４で示した誘電体多層膜フィルタの反射／透過特性を逆転し、ＴＭモードを透過、ＴＥモードを反射する組み合わせの光路構成も可能なことは言うまでもない。
【００４１】
以上の実施形態では、４波長多重光送信器を例に挙げて説明したが、これ以上の波長数の多重光送信器の構成としても用いることができる。この場合、２つのＬＤ素子で構成されていた集積半導体光素子を、２つ以上のＬＤ素子で構成し、これらの出力波を合波する合波器を用いて構成すればよい。
【００４２】
以上の実施形態では、合波手段として誘電体多層膜フィルタを用いた場合を例に挙げて説明したが、これに限定されず、２つの光の異なる偏波状態を利用してその光路を重ね合わせることができる手段であればいずれの手段でも用いることができる。
【符号の説明】
【００４３】
１、２  ＤＦＢ−ＬＤ素子
３      出力モニタ用ＰＤ
４      ＥＡ変調器
５      半導体光導波路
６      ＭＭＩカプラ
７      出力導波路
８、９  サブキャリア
１０    キャリア
１１    ＬＤコリメートレンズ
１２    光アイソレータ
１３    全反射ミラー
１４    光アイソレータ
１５    誘電体多層膜フィルタ
１６    突起
１７    金属層
３０、４０  集積光半導体素子
【図１】
0005733832.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図９】
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【図１０】
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【図８】
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